/
Текст
СПРАВОЧНИК
ДИОДЫ
и их
ЗАРУБЕЖНЫЕ
АНАЛОГИ
Гз
СПРАВОЧНИК
А. К. Хрулев
В. П. Черепанов
Ю. Н. Савельев
ДИОДЫ
И ИХ ЗАРУБЕЖНЫЕ
АНАЛОГИ
В ТРЕХ ТОМАХ
Том 3
ИЗДАТЕЛЬСКОЕ
ПРЕДПРИЯТИЕ
РадиоСофт
МОСКВА
СОДЕРЖАНИЕ
Предисловие.......................................... 12
ЧАСТЬ ПЕРВАЯ
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ДИОДАХ
И ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРАХ
Раздел первый. Общие сведения о полупроводниковых
диодах и оптоэлектронных приборах
1 1. Диоды сверхвысокочастотные...................... 13
1.1.1. Детекторные и смесительные диоды.............. 13
1.1.2. Параметрические и умножительные диоды......... 14
1.1.3. Ограничительные и переключательные СВЧ диоды струк-
туры р-1-п........................................... 15
1.2. Оптоэлектронные приборы......................... 16
Раздел второй. Особенности применения полу-
проводниковых СВЧ диодов в радиоэлектронной
аппаратуре........................................ 18
Раздел третий. Классификация
3.1. Классификация и система обозначений приборов... 24
3.2 Условные графические обозначения................. 29
3 3. Условные обозначения электрических параметров.. 29
3.4. Основные стандарты.............................. 35
ЧАСТЬ ВТОРАЯ
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ДИОДОВ
Раздел четвертый. Диоды сверхвысокочастотные
4.1. Смесительные диоды
ДГ-С1, ДГ-С2......................................... 41
ДК-С1М, ДК-С2М....................................... 42
ДК-С7М............................................... 43
Д401................................................. 44
Д402, Д404........................................... 44
Д403Б, Д403В......................................... 46
Д405, Д405А, Д405Б, Д405АП, Д405БП................... 47
Д40СА, Д406АП........................................ 49
Д407................................................. 50
Д408, Д408П.......................................... 52
Д409А, Д409АП........................................ 53
2А101А, 2А101Б....................................... 55
2А102А............................................... 58
2А103А, 2А103Б ...................................... 59
2А104А, КА104А....................................... 61
2А105А, 2А105Б....................................... 64
1А106А, 1А106Б, 1А106В............................... 66
2А107А............................................... 68
2А108А............................................... 71
2А109А............................................... 75
ЗА110А, ЗА110Б....................................... 77
ЗА111А, ЗА111Б, АА111А, АА И1Б....................... 80
ЗА112А, АА112А, АА112Б............................... 83
АА113А, АА113Б....................................... 86
ЗА114А............................................... 88
ЗА115А............................................... 91
2А116А-1............................................. 93
ЗА117А-6, ЗА117Б-6................................... 95
2А118А............................................... 98
2А118А-6............................................. 100
ЗА119А-6............................................. 102
2А120А............................................... 105
ЗАС122А-4, ЗАС122Б-4................................. 107
ЗА123А, ЗА123Б ...................................... 109
2А124А-6, 2А124Б-6.................................. 111
2А125А-3............................................. 113
ЗАС127А-4, ЗАС127Б-4................................. 116
ЗА129А, ЗА129Б ...................................... 118
ЗА130АС-3, ЗА130БС-3................................. 120
2А131А-3............................................. 123
2А132А............................................... 125
2А132А-5............................................. 127
ЗА134А-6............................................. 129
ЗА135А-3, ЗА135Б-3.................................. 131
ЗА136А, ЗА136Б....................................... 133
ЗА137А, ЗА137Б....................................... 136
ЗА137А-5, ЗА137Б-5................................... 138
ЗА138А-3, ЗА138Б-3, ЗА138В-3......................... 141
2А139АС-4, 2А139БС-4................................. 143
ЗА140А-3, ЗА140Б-3................................... 146
ЗА142А-5............................................. 148
ЗА143АС-3, ЗА143БС-3, ЗА1433С-3...................... 150
2А145А, 2А145Б, 2А145В............................... 152
2А145А-9, 2А145Б-9, 2А145В-9......................... 155
2А146АС-4, 2А146БС-4................................. 157
ЗА147А—3, ЗА147Б-3, ЗА147В-3......................... 158
4.2. Детекторные диоды
ДК-В1, ДК-В2......................................... >61
ДК-ВЗ, ДК-В4......................................... 162
ДК-В5М, ДК-В6М, ДК-В7М............................... 163
ДК-В8................................................ 164
ДК-В11............................................... 165
ДК-И1М, ДК-И2М....................................... 166
ДЗА, ДЗБ............................................. 167
Д602А, Д602Б..............................•.......... 168
Д603................................................. 169
Д604................................................. 171
Д605............................................... 172
Д606................................................. 173
Д607, Д607А.......................................... 174
Д608, Д608А.......................................... 176
Д609................................................. 178
2А201А............................................... 180
2А202А............................................... 182
2А203А, 2А203Б....................................... 183
АА204А, АА204Б, АА204В............................... 186
ЗА206А-6............................................. 188
2А207А-6............................................. 190
ЗА208А............................................... 191
2А209А-3, 2А209Б-3................................... 193
4.3. Параметрические диоды
1А401, 1А401А, 1А401Б, 1А401В, ГА401, ГА401А, ГА401Б,
ГА401В............................................. 195
1А402А, 1А402Б, 1А402В, 1А402Г, ГА402А, ГА402Б, ГА402В,
ГА402Г............................................. 197
1А403А, 1А403Б, 1А403В, 1А403Г, 1А403Д, ГА403А, ГА403Б,
ГА403В, ГА403Г, ГА403Д............................. 199
1А404А, 1А404Б, 1А404В, 1А404Г, 1А404Д, 1А404Е,
1А404Ж............................................. 201
1А405А, 1А405Б....................................... 203
ЗА406А, ЗА406Б, ЗА406В.............................. 204
1А408А, 1А408Б....................................... 206
ЗА409А, ЗА409Б, ЗА409В, ЗА409Г...................... 207
ЗА410А, ЗА410Б, ЗА410В, ЗА410Г, ЗА410Д, ЗА410Е, АА410А,
АА410Б, АА410В, АА410Г, АА410Д, АА410Е............ 209
ЗА411А, ЗА411Б, ЗА411В, ЗА411Г, ЗА411Д............... 211
ЗА412А-5, ЗА412Б-5, ЗА412В-5, ЗА412Г-5, ЗА412Д-5,
ЗА412Е-5........................................... 213
ЗА414А, ЗА414Б, ЗА414В, ЗА414Г....................... 215
ЗА415А-5, ЗА415Б-5................................... 218
4.4. Переключательные И ограничительные диоды
1А501А, 1А501Б, 1А501В, 1А501Г, 1А501Д, 1А501Е, 1А501Ж,
1А5С'И, ГА501А ГА501Б, ГА501В, ГА501Г, ГА501Д,
ГА5С1Е, ГА501Ж, ГА501И........................... 220
2А503А, 2А503Б...................................... 222
1А504А, 1А504Б, ГА504А, ГА504Б, ГА504В.............. 224
2А505А, 2А5О5Б, 2А505В.............................. 226
2А506А, 2А506Б, 2А506В, 2А506Г, 2А506Д.............. 228
2А507А, 2А507Б, КА5О7А, КА5О7Б, КА507В.............. 231
2А508А-1, КА208А-1.................................. 233
2А509А, 2А509Б, КА509А, КА509Б, КА509В.............. 235
2А510А, 2А510Б, 2А510В, КА510А, КА510Б, КА510В, КА510Г,
КА510Д, КА510Е................................... 237
2А511А.............................................. 240
2А512А-4, 2А512Б-4.................................. 242
2А513А-1, 2А513Б-1, КА513А-1, КА513Б-1.............. 244
2А515А.............................................. 247
2А516А-5............................................ 249
2А517А-2, 2А517Б-2, КА517А, КА517Б.................. 251
2А518А-4, 2А518Б-4.................................. 253
2А519А.............................................. 256
2А520А, КА520А, КА520Б.............................. 258
2А521А.............................................. 260
2А522А-2............................................ 263
2А523А-4, 2А523Б-4.................................. 265
2А524А-4, 2А524Б-4.................................. 267
2А526А-5............................................ 270
КА528АМ, КА528БМ, КА528ВМ........................... 272
ЗА531А-6............................................ 275
КА532А.............................................. 277
2А533А-3............................................ 279
2А534А, 2А534Б...................................... 280
2А536А-5, 2А536Б—5, 2А536А-6, 2А536Б-6.............. 282
КА537А.............................................. 284
2А541А-6, 2А541Б-6.................................. 287
КА542А.............................................. 289
2А543А—5, 2А543А-6, 2А543Б-6........................ 291
2А546А-5, 2А546Б-5.................................. 294
2А547А-3, 2А547Б-3, 2А547В-3, 2А547Г-3.............. 295
2А551А-3, 2А551Б-3, 2А551В-3, 2А551Г-3, 2А551А1-3,
2А551Б1—3, 2А551В1-3, 2А551Г1-3.................. 298
2А552А, 2А552Б...................................... 301
4.5. Умножительные и настроечные диоды
Д501................................................ 303
2А601А.............................................. 304
2А602А, 2А602Б, 2А602В, 2А602Г, 2А".02Д. КА602А, КА602Б,
КА602В, КА602Г, КА602Д, КА602Е................. 305
ЗАбОЗА, ЗА602Б, ЗА6ОЗВ, ЗА6ОЗГ, АА603А, АА602Б, АА603В,
АА603Г.............................................. 307
2А604А, 2А604Б......................................... 309
2А605А, 2А605Б, КА605А, КА605Б, КА605В................. 311
КА606А-2, КА606Б-2..................................... 313
ЗА607А, АА6О7А......................................... 315
2А608А, КА608А......................................... 316
2А609А, 2А609Б, КА609А, КА609Б, КА609В................. 318
ЗА610А, ЗА610Б......................................... 320
2А611А, 2А611Б, КА611А, КА611Б..................... 322
КД612А, КА612Б......................................... 324
2А613А, 2А613Б, КА613А, КА613Б..................... 326
ЗА614А................................................. 328
ЗА615А, ЗА615Б, ЗА615В................................. 329
2А616А-2, 2А616Б-2..................................... 331
ЗА617А, ЗА617Б......................................... 333
ЗА618А-6, ЗА619А-6, ЗА620А-6, ЗА621А-6, ЗА622А-6,
ЗА623А-6............................................ 335
ЗА627А, ЗА628А, ЗА629А, ЗА630А, ЗА631А, ЗА632А......... 337
ЗА634А-6, ЗА634Б-6..................................... 339
2А636А, 2А636Б......................................... 341
ЗА637А-6, ЗА637Б-6, ЗА637В-6, ЗА637Г-6, ЗА637Д-6 .... 342
ЗА639А-6, ЗА639Б-6, ЗА639В-6........................... 344
ЗА641А-5, ЗА641Б-5..................................... 346
4.6. Генераторные диоды
ЗА7ОЗА, ЗА7ОЗБ, АА7ОЗА, АА7ОЗБ................. 349
1А704А, 1А704Б, 1А704В................................ 350
ЗА705А, ЗА705Б, АА705А, АА7О5Б........................ 352
2А7О6А, 2А706Б, 2А706В, 2А706Г........................ 354
АА707А, АА7О7Б, АА707В, АА7О7Г, АА7О7Д, АА7О7Е,
АА7О7Ж, АА7О7И, АА7О7К.............................. 356
2А709А, 2А709Б, 2А709В................................. 359
АА715А, АА715Б, АА715В, АА715Г, АА715Д, АА715Е,
АА715Ж, АА715И, АА715К, АА715Л, АА715М.............. 360
АА716А, АА716Б, АА716В, АА716Г, АА716Д, АА716Е,
АА716Ж. АА716И...................................... 362
2А717А-4, 2А717Б-4, 2А717В-4, 2А717Г-4................. 364
АА718А, АА718Б, АА718В, АА718Г, АА718Д, АА718Е,
АА718Ж, АА718И...................................... 366
АА719А, АА720А, АА733А................................. 368
АА721А, АА722А, АА723А, АА724А......................... 370
АА725А, АА725Б, АА725В, АА725Г, АА725Д, АА725Е......... 372
АА726А, АА726Б, АА726В, АА726Г, АА726Д................. 373
АА727А, АА727Б АА727В, АА727Г....................... 375
АА728А, АА728Б, АА728В, АА/28....................... 377
ЗА730А, ЗА730Б, ЗА730В, ЗА730Г, ЗА73ОД, ЗА730Е, ЗА730Ж,
ЗА730И........................................... 378
ЗА735А—6, ЗА735Б—б, ЗА735В-6, ЗА735Г-6, ЗА735Д-6 .... 381
ЗА739А. ЗА739Б, ЗА739В.............................. 384
ЧАСТЬ ТРЕТЬЯ
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ
Раздел пятый. Излучающие диоды ИК диапазона
ЗЛ1ОЗА, ЗЛ1ОЗБ, АЛ103А, АЛ103Б...................... 387
АЛ106А, АЛ106Б, АЛ106В.............................. 389
ЗЛ1О7А, ЗЛ1О7Б, АЛ107А, АЛ107Б...................... 391
ЗЛ108А, АЛ108А...................................... 394
ЗЛ109А-1, АЛ109А-1.................................. 396
ЗЛ115А, АЛ115А...................................... 397
ЗЛ118А, АЛ118А...................................... 399
ЗЛ119А, ЗЛ119Б, АЛ119А, АЛ119Б...................... 401
ЗЛ120А, ЗЛ120Б, АЛ120А, АЛ120Б...................... 403
ЗЛ123А, АЛ123А...................................... 404
ЗЛ124А, АЛ124А...................................... 407
ЗЛ129А.............................................. 409
ЗЛ130А.............................................. 411
ЗЛ132А, АЛ132А...................................... 412
ЗЛ135А.............................................. 414
ЗЛ136А-5, АЛ136А-5.................................. 415
ЗЛ137А, АЛ137А...................................... 417
ЗЛ138А.............................................. 420
АЛ402А, АЛ402Б, АЛ402В.............................. 421
Раздел шестой. Светоизлучающие диоды
2Л101А, 2Л101Б, КЛ101А, КЛ101Б, КЛ101В.............. 423
ЗЛ102А, ЗЛ102Б, ЗЛ102Г, АЛ102А, АЛ102Б, АЛ102Г...... 425
АЛ112А, АЛ112Б, АЛ112В, АЛ112Г, АЛ112Д, АЛ112Е,
АЛ112Ж, АЛ112И, АЛ112К, АЛ112Л, АЛ112М........... 427
АЛ301А-1, АЛ301Б-1.................................. 429
АЛЗО7А, АЛ307Б, АЛ307В, АЛЗО7Г, АЛ307Д, АЛЗО7Е,
АЛ307И, АЛЗО7Л, АЛ307АМ, АЛЗО7БМ, АЛ307ВМ,
АЛ307ГМ, АЛЗО7ДМ, АЛ307ЕМ, АЛ307ЖМ, АЛ307КМ,
АЛЗО7НМ.......................................... 431
АЛ310А, АЛ310Б...................................... 435
АЛ316А, АЛ316Б...................................... 436
ЗЛС331А, АЛС331А.................................... 437
ДЛЗЗбА, АЛ336Б, АЛ336В, АЛ336Г, АЛ336Д, АЛ336Е,
АЛЗЗбЖ, АЛ336И, АЛ336К........................... 440
ЗЛ341А, ЗЛ341Б, ЗЛ341В, ЗЛ341Г, ЗЛ341Д, ЗЛ341Е...... 442
ЗЛ360А, ЗЛ360Б, АЛ360А, АЛ360Б...................... 444
МПД01А-1Л, КИПД01А-1Л, КИПД01Б-1Л................... 446
КИПД02А-1К, КИПД02Б-1К, КИПД02В-1Л, КИПД02Г-1Л,
КИПД02Д-1Ж, КИПД02Е-1Ж........................... 447
КИПД03А-1К-5, КИПДОЗА—1Л—5, КИПД03А-1Ж-5............ 449
ИПД04А-1К, ИПД04Б-1К................................ 450
КИПД05А-1К, КИПД05Б-1Л, КИПД05В-1Ж.................. 451
КИПД06А—1К, КИПД06Б-1К, КИПД06В-1Л, КИПД06Г-1Л ... 454
КИПД07А-1К, КИПД07Б-1К.............................. 458
Раздел седьмой. Знакосинтеэирующие индикаторы
2Л105А.............................................. 461
АЛ113А, АЛ113Б, АЛ113В, АЛ113Г, АЛ113Д, АЛИЗЕ,
АЛ113Ж, АЛ113И, АЛ113К, АЛ113Л, АЛ113М, АЛ113Н,
АЛ113Р, АЛ113С................................... 463
КЛЦ201А, КЛЦ201Б, КЛЦ202А........................... 465
КЛЦ301А- 5.......................................... 468
КЛЦ302А, КЛЦ302Б.................................... 470
КЛЦ401А, КЛЦ402А, КЛЦ402Б........................... 473
АЛ304А, АЛ304Б, АЛ304В, АЛ304Г...................... 475
АЛ305А, АЛ305Б, АЛ305В, АЛ305Г, АЛ305Д, АЛ305Е,
АЛ305Ж, АЛ305И, АЛ305К, АЛ305Л................... 478
АЛ306А, АЛ306Б, АЛ306В, АЛ306Г, АЛ306Д, АЛ306Е,
АЛ306Ж, АЛ306И................................... 481
АЛС311А............................................. 484
АЛС312А, АЛС312Б.................................... 486
АЛС313А-5........................................... 488
ЗЛС314А, АЛС314А.................................... 490
ЗЛС317А, ЗЛС317Б, ЗЛС317В, ЗЛС317Г, ЗЛС317Д, АЛС317А,
АЛС317Б, АЛС317В, АЛС317Г........................ 492
АЛС318А, АЛС318Б, АЛС318В, АЛС318Г.................. 494
ЗЛС320А, ЗЛС320Б, ЗЛС320В, ЗЛС320Г, АЛС320А, АЛС320Б,
АЛС320В, АЛС320Г................................. 496
ЗЛС321А, ЗЛС321Б, АЛС321А, АЛС321Б.................. 498
АЛС322А-5........................................... 501
АЛС323А-5........................................... 503
АЛС324А, АЛС324Б.................................... 504
АЛС326А, АЛС326Б.................................... 507
АЛС327А, АЛС327Б.................................... 510
АЛС328А, АЛС328Б, АЛС328В, АЛС328Г................. 512
АЛС329А, АЛС329Б, АЛС329В, АЛС329Г, АЛС329Д, АЛС329Е,
АЛС329Ж, АЛС329И, АЛС329К, АЛС329Л, АЛС329М,
АЛС329Н.......................................... 514
АЛСЗЗОА, АЛСЗЗОБ, АЛСЗЗОВ, АЛСЗЗОГ, АЛСЗЗОД, АЛСЗЗОЕ,
АЛСЗЗОЖ, АЛСЗЗОИ, АЛСЗЗОК....................... 516
АЛСЗЗЗА, АЛСЗЗЗБ, АЛСЗЗЗВ, АЛСЗЗЗГ................ 518
АЛС334А, АЛС334Б, АЛС334В, АЛС334Г................ 520
АЛС335А, АЛС335Б, АЛС335В, АЛС335Г................ 523
АЛС338А, АЛС338Б, АЛС338В......................... 526
ЗЛС339А........................................... 528
ЗЛС340А, АЛС340А.................................. 531
ЗЛС342А, ЗЛС342Б, ЗЛС342В, ЗЛС342Г................ 534
ЗЛС343А—5, АЛС343А-5, АЛС366А-5................... 538
ЗЛС345А, АЛС345А, АЛС345Б.................... 541
ЗЛС347А, АЛС347А.................................. 542
ЗЛС348А........................................... 544
АЛС355А-5, АЛС355Б-5.............................. 547
АЛС356А, АЛС356Б.................................. 550
ЗЛС357А, АЛС357А.................................. 553
ЗЛС358, АЛС358.................................... 555
ЗАС359А, ЗЛС359Б, АЛС359А, АЛС359Б................ 558
ЗЛС362А, ЗЛС362Б, ЗЛС362В, ЗЛС362Г, ЗЛС362Д, ЗЛС362Е,
ЗЛС362Ж, ЗЛС362И, ЗЛС362К, ЗЛС362Л, ЗЛС362М,
ЗЛС362Н, АЛС362А, АЛС362Б, АЛС362В, АЛС362Г,
АЛС362Д, АЛС362Е, АЛС362Ж, АЛС362И, АЛС362К,
АЛС362М, АЛС362Н, АЛС362П...................... 561
ЗЛСЗбЗА, АЛС363А.................................. 566
ЗЛС364А-5, АЛС364А-5.............................. 570
КИПВ02А—8/48К..................................... 573
ЦПГ01А-8х8Л, КИПГ01А—8Х8Л......................... 576
ИПГ02А-8х8Л, КИПГ02А—8х8Л......................... 579
ИПГОЗА-8х8К, КИПГОЗА—8х8К......................... 582
КИПМ01А—1К, КИПМ01Б-1К, КИПМ01В—1Л, КИПМ01Г-1Л,
КИПМ01Д-1Л, КИПМ02А—1К, КИПМ02Б-1К, КИПМ02В—1Л,
КИПМ02Г-1Л, КИПМ02Д-1Л, КИПМОЗА—1К, КИПМОЗБ- 1К,
КИПМОЗВ—1Л, КИПМ03Г-1Л, КИПМ03Д-1Л, КИПМ04А—1К,
КИПМ04Б—1К, КИПМ04В-1Л, КИПМ04Г—1Л, КИПМ04Д-1Л 584
КИПТ05А- 16К...................................... 588
ИПЦ01А-1/7К, ИПЦ01Б-1/7К, ИПЦ01В-1/7К, ИПЦ01Г-1/7К 590
ИПЦ02А-1/7КЛ, ИПЦ02Б-1/7КЛ........................ 593
КИПЦ04А-1/8К...................................... 595
490ИП1, К490ИП1................................... 598
490ИП2, К490ИП2................................... 600
Раздел восьмой. Оптопары
ЗОДЮ1А, ЗОДЮ1Б, ЗОДЮ1В, ЗОДЮ1Г, АОДЮ1А, АОДЮ1Б,
АОДЮ1В, АОДЮ1Г, АОДЮ1Д.......................... 605
ЗОДЮ7А, ЗОДЮ7Б, АОДЮ7А, АОЦЮ7Б, АОДЮ7В............. 607
А0ДЮ9А. А0ДЮ9Б, А0ДЮ9В, А0ДЮ9Г, А0ДЮ9Д,
А0ДЮ9Е, А0ДЮ9Ж, А0ДЮ9И............................ 609
АОД111А............................................. 612
ЗОДИ2А-1, АОД112А-1................................. 613
ЗОД120А—1, АОД120А—1, АОД120Б—1................... 615
ЗОД121А-1, ЗОД121Б-1, ЗОД121Б-1..................... 617
АОД129А............................................. 619
АОД130А............................................. 621
АОД133А............................................. 62-
ЗОД201А-1, ЗОД201Б—1, ЗОД201В-1, ЗОД201Г-1,
ЗОД201Д-1, ЗОД201Е-1.............................. 626
АОД202А, АОД202Б.................................... 628
ОЛ201А.............................................. 630
АОТЮ1АС, АОТЮ1БС.................................... 633
ЗОТЮ2А, ЗОТЮ2Б, ЗОТЮ2В, ЗОТЮ2Г, ЗОТЮ2Д, ЗОТЮ2Е,
АОТЮ2А, АОТЮ2Б, АОТЮ2В, АОТЮ2Г, АОТЮ2Д,
АОТЮ2Е........................................... 635
ЗОТ1ЮА, ЗОТ110Б, ЗОТ1ЮВ, ЗОТ1ЮГ, АОТ1ЮА, АОТ1ЮБ,
АОТ1ЮВ, АОТ1ЮГ.................................... 637
АОТ122А, АОТ122Б, АОТ122В, АОТ122Г.................. 639
30Т123А, 30Т123Б, 30Т123В, 30Т123Г, АОТ123А, АОТ123Б,
АОТ123В, АОТ123Г.................................. 642
ЗОТ126А, ЗОТ126Б, АОТ126А, АОТ126Б.................. 643
ЗОТ127А, ЗОТ127Б, АОТ127А, АОТ127Б, АОТ127В......... 646
АОТ128А, АОТ128Б, АОТ128В, АОТ128Г.................. 649
30Т131А............................................. 652
АОТ137А............................................. 655
АОТ138А, АОТ138Б.................................... 658
АОР113А, АОРС113А................................... 662
АОУЮЗА, АОУЮЗБ, АОУЮЗВ ............................. 663
АОУ115А, АОУ115Б, АОУ115В........................... 666
Раздел девятый. Оптоэлектронные
интегральные микросхемы
К249КН1А, К249КН1Б, К249КН1В, К249КН1Г, К249КН1Д,
К249КН1Е.......................................... 669
К249КП1, К249КП2.................................... 672
249ЛП1А, 249ЛП1Б, 249ЛП1В........................... 674
295АГ1А, 295АГ1Б, 295АГ1В, 295АГ1Г, 295АГ1Д......... 677
К262КП1А, К262КП1Б.................................. 680
Зарубежные аналоги отечественных диодов............. 683
Указатель типов диодов.............................. 689
Перечень типов диодов, вошедших в 1—3 тт. издания... 693
ПРЕДИСЛОВИЕ
В справочнике приводятся электрические и эксплуатационные
характеристики и параметры полупроводниковых приборов, ис-
пользуемых в различной аппаратуре для преобразования сигна-
лов, в системах передачи и обработки информации: сверхвысоко-
частотных диодов, излучающих диодов ИК диапазона, светоизлу.
чающих диодов, знакосинтезирующих индикаторов, оптопар и
оптоэлектронных интегральных микросхем.
Настоящий справочник является третьей книгой базового из-
дания по полупроводниковым диодам. В первую книгу включены
сведения по выпрямительным диодам и столбам, диодным сбор-
кам и матрицам, во вторую — стабилитронам, ограничителям на-
пряжения, импульсным и высокочастотным диодам, варикапам,
туннельным и обращенным диодам, генераторам шума.
Настоящее издание отличается от предшествующих справоч-
ников расширенной номенклатурой приборов и большей полно-
той сведений о параметрах и их зависимостях от режимов приме-
нения. В него включены как вновь разработанные, так и находя-
щиеся в составе эксплуатируемой радиоэлектронной аппаратуры.
Справочные сведения составлены на основе данных, зафикси-
рованных в государственных стандартах и технических условиях
на конкретные типы приборов. Авторами сохранена также заре-
комендовавшая себя структура представления данных, принятая в
более ранних изданиях аналогичных справочников: приведены
краткие сведения о технологии, основном назначении, габарит-
ных и присоединительных размерах, маркировке (в том числе
цветной), значениях параметров и их зависимостях от условий
эксплуатации, о режимах измерения, предельных эксплуатацион-
ных режимах и условиях работы приборов.
В части «Общие сведения» приводятся особенности физики
работы СВЧ диодов и оптоэлектронных приборов, классификация
приборов и системы их условных обозначений. Для полноты све-
дений о приборах, помещенных в справочнике, дается перечень
действующих стандартов.
Для удобства пользования книгой приведен цифроалфавит-
ный указатель.
В настоящую редакцию справочника впервые включен раздел,
содержащий зарубежные аналоги отечественных приборов, поме-
щенных в справочнике.
Новый раздел, по мнению авторов, может облегчить радиолю-
бителям и специалистам ремонт зарубежных образцов радио-
электронной аппаратуры.
Справочник не заменяет технических условий, утверждаемых
в установленном порядке, и не является юридическим докумен-
том для предъявления рекламаций.
ЧАСТЬ ПЕРВАЯ
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ
О СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ДИОДАХ
И ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРАХ
Раздел первый
Общие сведения о полупроводниковых
диодах и оптоэлектронных приборах
1.1. Диоды сверхвысокочастотные
1.1.1. Детекторные и смесительные диоды
Диоды, предназначенные для детектирования, называются
детекторными, а устройство, в котором они осуществляют
свою функцию — детектором. Диоды, предназначенные для
работы в схеме преобразования частоты, называются смеси-
тельными, а устройство в целом — преобразователем частоты
или смесителем.
Нелинейное сопротивление в детекторных и смесительных
диодах СВЧ создается с помощью прижимного контакта ме-
талл—полупроводник. Выпрямляющий контакт в этих прибо-
рах возникает при прижиме к поверхности полупроводника
заостренной металлической проволоки (контактной пружины).
Основными параметрами для детекторных и смесительных
диодов являются: чувствительность по току, сопротивление в
рабочей точке, шумовое отношение, добротность и КСВ.
Чувствительность по току (рсвм) определяется как отноше-
ние выпрямленного тока % к подводимой СВЧ мощности:
Рсвч = 4/^свч-
Сопротивление в рабочей точке /?вых измеряют без подачи
СВЧ мощности. К диоду подводят малое (не более 5 мВ)
•напряжение от генератора звуковой частоты через сопротив-
ление, много большее сопротивления диода в рабочей точке.
•Ри этом величина тока через диод практически не зависит от
сопротивления диода, а измеряемое падение напряжения на
ем пропорционально его сопротивлению в рабочей точке /?вых.
Шумовое отношение детекторных диодов ((} определяется
ак отношение номинальной (т. е. отдаваемой в согласован-
ную нагрузку) мощности шума (Рш. ном) в интервале частот Д/
на выходе диода в рабочем режиме к номинальной мощности
теплового шума к Г0Д/ активного сопротивления, находящего-
ся при комнатной температуре Го (Го = 290 К):
где /?ш — шумовое сопротивление диода.
Добротность М вычисляют по формуле:
М _ Рсвч^вых
7^ВЫХ +
на основе измеренных значений |5СВЧ, /?8Ых, I и значения экви-
валентного шумового сопротивления видеоусилителя, условно
принимаемого равным 1000 Ом.
Коэффициент стоячей волны (КСВ) измеряют с помощью
измерительной линии по обычной для измерений на СВЧ мето-
дике, но при ограниченной мощности в линии передачи (не
более 10 мкВт), чтобы соблюдался режим малого сигнала.
1.1.2. Параметрические и умножительные диоды
Полупроводниковые параметрические усилители (ППУ) наи-
большее распространение получили в одноконтурных и двух-
контурных усилителях без преобразования частоты. Как пра-
вило, эти усилители работают в схеме с ферритовым циркуля-
тором и носят название усилителей, работающих на отра-
жение.
Второй обширный класс усилителей — усилители-преоб-
разователи. В усилителях этого класса эффект усиления со-
провождается преобразованием частоты в разностную частоту
(частота накачки минус частота сигнала) или в суммарную
частоту (частота накачки плюс частота сигнала).
Полупроводниковые умножители частоты (ПУЧ) нашли при-
менение для генерирования СВЧ колебаний.
Работа ППУ и ПУЧ основана на применение диодов с
управляемой емкостью. Известно, что р-п переход обладает
емкостью, связанной с наличием объемного заряда в обеднен-
ном слое. Для характеристики нелинейных свойств емкости
р-п перехода обычно пользуются зависимостью дифференци-
альной емкости от напряжения смещения. Вид этой зависи-
мости определяется законом распределения донорных и ак-
цепторных примесей в области перехода.
Эффект усиления в параметрическом усилителе, а также
эффект умножения частоты возникают в результате воздейст-
вия мощного сигнала на нелинейную емкость р-п перехода.
Для количественной характеристики воздействия накачки
на нелинейную емкость пользуются понятием эффективного
коэффициента модуляции емкости, где емкость периодически
изменяется во времени по синусоидальному закону
С= Со(1 + т 51п шнг),
где о>н — круговая частота накачки; Со — среднее значение
емкости; т — коэффициент модуляции емкости.
Основными материалами для параметрических и умно-
жительных диодов являются германий, кремний и арсенид
галлия.
Для практического применения необходимы диоды с до-
статочно малой величиной емкости и малым разбросом ее
значений. С этой целью в параметрических диодах использу-
ются переходы с меза-планарной и сварной структурами, при-
чем эти переходы изготовляются методами диффузии, сплав-
ления или микросплавления.
Основными параметрами параметрических и умножитель-
ных диодов являются:
общая емкость диода Сд;
постоянная времени диода т8 = г8Сд или добротность ди-
ода Од на заданной частоте;
собственная индуктивность диода Д;
емкость корпуса диода СКОр;
обратный ток диода /0БР;
тепловое сопротивление переход—корпус диода /?т (П_К);
предельно допустимое напряжение диода 6/МАКС;
предельно допустимая температура перехода диода Гп МАКС.
1.1.3. Ограничительные и переключательные
СВЧ диоды структуры р-/-п
Назначение ограничительных диодов — стабилизация уров-
ня СВЧ мощности в тракте и защита входных устройств СВЧ
приемников от воздействия мощных импульсов; переключа-
тельных диодов — управление амплитудой и фазой сигналов в
линиях передачи.
Работа диодов в ограничительных и переключательных
устройствах основана на свойстве диодов изменять свое пол-
ное сопротивление автоматически от управляемого источника
СВЧ сигнала для ограничительных диодов и при изменении
смещения от источника управления — для переключательных
диодов.
Нередко при конструировании СВЧ диодов этих групп ис-
пользуются кремниевые диодные (меза- или поверхностно- ,
ориентированные) структуры типа рч-п, в которых слои (об-
ласти) р- и л-типов проводимости разделены слоем (областью)
кремния собственной проводимости (Аслой). В качестве ис-
ходного материала при изготовлении рч'-п диодов обычно ис-
пользуется кремний проводимости р-типа с концентрацией ак-
цепторов 1О'2...1О'3 см'3, концентрации доноров в л-области и
акцепторов в р-области обычно превышают 1018 см'3.
В режиме обратного смещения свободные носители заря-
да под действием поля уходят в л- и р-области, поэтому об-
ратносмещенный рч-п диод подобен конденсатору, диэлек-
триком в котором является кремний собственной проводи-
мости.
В режиме прямого смещения из л-области в /‘-область ин-
жектируются электроны, а из р-области — дырки, что приво-
дит к повышению проводимости /‘-области и накоплению за-
ряда:
О1к = 41р^>
где ( — среднее время жизни носителей заряда.
Накопленный заряд является причиной увеличения време-
ни переключения рч-п диода, которое близко к измеряемому
параметру /‘вое пр (время прямого восстановления) при пере-
ключении из закрытого состояния в состояние прямой прово-
димости и к /вое, овр (время обратного восстановления) при
переключении из открытого состояния в закрытое. При про-
бивных напряжениях 25...2000 В и прямых токах 5О...5ОО мА
рч-п диоды имеют времена прямого восстановления в преде-
лах 5... 150 нс, обратного восстановления 5...250 нс.
1.2. Оптоэлектронные приборы
Оптоэлектронным прибором называют полупроводниковый
прибор, излучающий кванты света при протекании через него
прямого тока. По характеристике излучения оптоэлектронные
приборы можно разделить на две группы: с излучением в
видимой части спектра (светодиоды) и инфракрасной — ди-
оды ИК излучения.
Светодиоды выпускаются красного, оранжевого, зеленого,
желтого цветов свечения, а также с переменным цветом свече-
ния. Последние имеют два электронно-дырочных перехода.
Общий цвет свечения зависит от соотношения токов, протека-
ющих через эти переходы. Светодиоды чаще всего использу-
16
рт как индикаторные устройства, а диоды с переменным цве-
том свечения применяют в качестве индикаторов изменения
токовых режимов в электронных целях.
Областями применения диодов ИК излучения являются
системы внешних устройств вычислительной техники, оптрон-
ные устройства коммутации, оптические линии связи и различ-
ные узлы коммутации систем автоматики.
К числу основных параметров оптоэлектронных приборов
относятся следующие: длина волны излучаемого света, опре-
деляющая цвет свечения X, ширина кривой спектрального рас-
пределения, мощность излучения Р, коэффициент полезного
действия т).
Длина волны излучаемого света определяется разностью
энергий уровней, между которыми происходит переход элек-
тронов. В арсениде галлия и фосфиде индия эта разность
близка к ширине запрещенной зоны полупроводника. То же
самое относится к зеленой полосе люминесценции в фосфиде
галлия.
Длина волны излучаемого света связана с разностью энер-
гий уровней электронов соотношением
X = Ь/Е,
где Л — постоянная Планка, Е — энергия уровня электрона.
Коэффициент полезного действия Т| полупроводниковых
источников света определяется как отношение мощности из-
лучения к электрической мощности, подводимой к прибору.
Часто используют другую характеристику — квантовую эф-
фективность, которая определяется как отношение числа из-
лучаемых фотонов к числу электронов, проходящих через р-п
переход.
Мощность излучения определяется конструкцией прибора.
Чем больший ток можно пропускать через прибор без сущест-
венного его разогрева, тем больше мощность излучения. При
больших токах прибор начинает разогреваться из-за электри-
ческих потерь на омических сопротивлениях, и его эффектив-
ность резко падает.
Полупроводниковые источники света допускают работу в
импульсном режиме. При этом через прибор можно пропу-
скать большие токи и, следовательно, получить в импульсе
большую мощность излучения. Отличительным свойством по-
лупроводниковых источников света является их малая инерци-
онность. Она составляет величину 10"8... 10“’ с. Благодаря ма-
лым временам жизни неосновных носителей возможно работа
их в импульсном режиме с достаточно большой частотой сле-
дования импульсов (до 100 МГц). Так, например, на основе
сплавного карбидо-кремниевого перехода создан излучатель
наносекундных импульсов света с собственными фронтами на-
растания и спада светового импульса порядка 3 нс и стабиль-
ностью амплитуды световой вспышки во времени 1%.
Раздел второй
Особенности применения
полупроводниковых СВЧ диодов
в радиоэлектронной аппаратуре
Полупроводниковые диоды в технике СВЧ осуществляют
следующие функции: детектирование и выпрямление сигналов
СВЧ в радиоприемных, измерительных и индикаторных устрой-
ствах; преобразование сигнала СВЧ в сигнал более низкой
(промежуточной) частоты в смесителях или в сигнал более
высокой частоты в смесителях сдвига; преобразование сигна-
ла низкой частоты в сигнал СВЧ (умножение частоты); усиле-
ние сигналов; изменение (модуляцию) частоты сигналов; гене-
рирование СВЧ сигналов; настройку колебательных контуров;
регулирование мощности сигналов в ограничителях, выключа-
телях и аттенюаторах; изменение направления распростране-
ния сигналов (переключатели и фазовращатели) и т. д.
Диоды просты конструктивно, имеют малые габаритные
размеры и массу, потребляют небольшую энергию, обладают
высоким быстродействием и сравнительно недороги.
Диоды СВЧ присоединяются в аппаратуре с помощью от-
резков линий передач СВЧ: волноводов, коаксиальных волно-
водов, полосковых линий.
СВЧ устройства на полупроводниковых диодах надежно
выполняют свои функции в радиоэлектронной аппаратуре при
соблюдении рекомендуемых режимов и условий работы. Дол-
говечность диодов в устройствах определяется как качеством
изготовления их на заводах-изготовителях, так и правильностью
их применения и эксплуатации.
Качество диодов в процессе их изготовления обеспечива-
ется соблюдением всего технологического процесса, качест-
вом исходных материалов и элементов. Кроме того, для повы-
шения надежности работы диодов в радиоэлектронной аппа-
ратуре технологическими условиями обычно предусматривает-
ся некоторый запас по величинам электрических параметров
(на 1О...2О%) из-за некоторых различий в технологии изготов-
ления, условиях измерения параметров.
При соблюдении мер предосторожности и правил эксплуа-
тации, изложенных в технической документации на СВЧ ди-
одов, их время наработки в аппаратуре может значительно
превосходить значение гарантируемое техническими условия-
ми. Невыполнение указанных условий в большинстве случаев
приводит к нарушению работоспособности (отказу) диодов.
Эксплуатация СВЧ диодов начинается с извлечения их из
индивидуальной заводской упаковки. Диоды из упаковки из-
влекаются с соблюдением мер предосторожности, чтобы не
нарушить их механической прочности. Затем производится
внешний осмотр диодов для того, чтобы убедиться в отсутст-
вии механических повреждений и целости их выводов.
После внешнего осмотра производится заземление блоков
питания, причем заземление должно быть общим с заземлени-
ем высокочастотного тракта. Затем диод крепится в аппарату-
ре и подключается к высокочастотному тракту. При этом дол-
жны соблюдаться осторожность в обращении с высокочастот-
ным разъемом. К разъему не прикладывают крутящих усилий,
превышающих допустимые техническими условиями. В против-
ном случае может произойти разрыв между полосковой ли-
нией и центральным проводником высокочастотного разъема.
Перед подачей питающих напряжений на электроды ди-
одов органы регулировки питающих напряжений устанавлива-
ют в положение, обеспечивающее подачу минимальных напря-
жений. Изменяя напряжение питания в небольших пределах
около паспортного значения (примерно на 2...5%), добивают-
ся оптимальных значений параметров диодов.
При включении усилителей, имеющих ферритовый цирку-
ляр, необходимо, чтобы вблизи не было источников магнит-
ных полей (намагниченный инструмент, магниты и др.), так как
это может привести к нарушению нормальной работы диодов
из-за ухудшения параметров циркулятора.
СВЧ диоды сохраняют свои параметры в установленных
пределах в условиях эксплуатации и хранения, характерных
для различных видов и классов аппаратуры. Условия эксплуа-
тации аппаратуры могут изменяться в широких пределах. Эти
условия характеризуются внешними механическими (вибраци-
онными, ударными, центробежными нагрузками) и климати-
ческими воздействиями (температурными, атмосферными и др.).
Под воздействием различных факторов окружающей сре-
ды некоторые параметры, характеристики и свойства структур
СВЧ диодов могут изменяться. Для герметичной защиты диод-
ных структур от внешних воздействий служат корпуса прибо-
ров. Конструктивное оформление СВЧ диодов рассчитано на
их использование в составе аппаратуры при любых допусти-
мых условиях эксплуатации. Необходимо помнить, что корпуса
СВЧ диодов в конечном счете имеют ограничение по герметич-
ности. Поэтому при использовании СВЧ диодов в аппаратуре,
предназначенной для эксплуатации в условиях повышенной
влажности, платы с расположенными на них СВЧ диодами
рекомендуется покрывать лаком не менее чем в три слоя.
Рекомендуется применять лаки УР—231 или ЭП—730. Все боль-
шее распространение получают так называемые бескорпусные
СВЧ диоды, предназначенные для использования в микросхе-
мах и микросборках. Кристаллы таких СВЧ диодов защищены
специальным покрытием, но оно не дает дополнительной за-
щиты от воздействия окружающей среды. Защита достигается
общей герметизацией всей микросхемы или общей герметиза-
цией блоков.
СВЧ диоды — приборы универсального применения. Они
могут быть использованы не только в классе устройств, для
которых они разработаны, но и во многих устройствах. Од-
нако набор параметров и характеристик, приводимых в спра-
вочнике, соответствует основному назначению СВЧ диодов.
В справочнике приводятся значения СВЧ диодов, гарантируе-
мые ТУ для соответствующих оптимальных режимов эксплуа-
тации.
Значения большинства параметров СВЧ диодов зависят от
рабочего режима и температуры, причем с увеличением темпе-
ратуры зависимость параметров от режима сказывается более
сильно. В справочнике приводятся, как правило, типовые
(усредненные) зависимости параметров диодов от тока, напря-
жения, температуры, частоты и т. п. Эти зависимости должны
использоваться при выборе типа диода и ориентировочных
расчетах, так как значения параметров диодов одного типа не
одинаковы, а лежат в некотором интервале. Этот интервал
ограничивается минимальным или максимальным значениями,
указанными в справочнике. Некоторые параметры имеют од-
ностороннее ограничение.
При конструировании устройств необходимо стремиться
обеспечить их работоспособность в возможно более широких
интервалах изменений важнейших параметров диодов. Раз-
брос параметров диодов и их изменение во времени при кон-
струировании могут быть учтены расчетными методами или
экспериментально — методом граничных испытаний их в схе-
мах применения. Известно, что тепловой режим работы СВЧ
диодов в аппаратуре не только приводит к изменению пара-
метров, но и существенно влияет на их наработку. Причем для
полупроводникового элемента нет различия в том, что его
температура растет в результате повышения температуры окру-
20
жающей среды или за счет рассеиваемой на нем СВЧ мощно-
сти или мощности постоянного тока. В зависимости от типа
диода и от матеоиала, из которого он изготовлен, диод обла-
дает определенной предельной температурой, при которой он
теряет работоспособность. Повышение допустимой мощности
рассеивания, допустимого значения напряжения на р-п пере-
ходе, а также значительное повышение температуры окружаю-
щей среды приводит к увеличению тока через переход, так
как нарушаются валентные связи в структуре полупроводника.
Увеличение тока через переход вызывает увеличение рассеи-
ваемой на нем мощности и, следовательно повышение темпе-
ратуры перехода. Повышение температуры перехода, в свою
очередь, приводит к еще большему току через переход, и
процесс становится лавинообразным, приводя активный эле-
мент к тепловому пробою. Это особенно опасно для генерато-
ров и мощных усилителей, имеющих большие рабочие токи.
Для обеспечения безотказной работы СВЧ генераторов и
усилителей в аппаратуре необходимо принимать меры по сни-
жению температуры окружающей среды и следить за исправ-
ностью используемой системы охлаждения.
Надежность работы полупроводниковых СВЧ малошумя-
щих усилителей существенно зависит от правильной их защи-
ты в радиоэлектронной аппаратуре от воздействия импульсной
и непрерывной СВЧ мощности. При воздействии больших уров-
ней СВЧ мощности на усилители наработка (долговечность) их
может уменьшится вследствие длительной работы с повышен-
ной температурой р-п переходов активных элементов и появ-
ления небольших ограниченных областей с высокой темпера-
турой, что может привести к пробою р-п переходов.
При попадании на вход усилителя мощностей, превышаю-
щих допустимые техническими условиями значения для данно-
го типа усилителя, возникают необратимые изменения в актив-
ном элементе, приводящие к ухудшению электрических пара-
метров или к полному выходу из строя.
Электрическая прочность усилителей, предназначенных для
работы на более высоких частотах, обычно ниже прочности
усилителей длинноволнового диапазона. Это связано с тем,
что с укорочением длины волны уменьшается площадь р-п
перехода, а это, в свою очередь, снижает допустимую рассеи-
ваемую мощность СВЧ колебаний.
Как показывает опыт, устойчивость усилителей к воздей-
ствию одиночных импульсов несколько больше устойчивости
к воздействию многократных импульсов. Электрическая устой-
чивость усилителей зависит также от длительного воздей-
ствия.
В радиоэлектронной аппаратуре, в которой прием и пере-
дача ведутся на общую антенну, защита усилителя произво-
дится с помощью включения в приемный тракт разрядника
защиты приемника или устройства защиты, включающего раз-
рядник и полупроводниковый ограничитель.
Выбор способа защиты усилителя производится с учетом
того, чтобы просачивающаяся мощность и пиковая мощность
(энергия пика) устройства защиты в любом из возможных
режимов работы во всем интервале рабочих температур и в
течение наработки не превышали величин, установленных как
допустимые входные мощности на усилитель.
Одним из путей повышения надежности работы усилителей
в аппаратуре является создание эксплуатационного запаса по
устойчивости к воздействующей мощности. Эксплуатация по-
лупроводниковых СВЧ усилителей осуществляется при элек-
трических воздействиях, по величине меньших максимально
допустимым значениям.
Полупроводниковые СВЧ генераторы и усилители устойчи-
во работают при определенных значениях коэффициентов на-
грузки входного тракта (/Сст> и). При работе генераторов на
нагрузку Ка_ и большим, чем указано в технологических усло-
виях (обычно 1,2... 1,3), их параметры могут существенно изме-
няться. При плохом согласовании генератора с высокочастот-
ной нагрузкой происходит изменение мощности и частоты ге-
нерируемых колебаний.
Усилители надежно работают при значениях Хст и входно-
го тракта и высокочастотной нагрузки, которые не превышают
допустимых величин для данного типа прибора. Плохое согла-
сование усилителя с входным трактом и нагрузкой ухудшает
коэффициент шума, амплитудно-частотную характеристику и
даже приводит к возникновению паразитных колебаний.
Для хорошего согласования высокочастотных трактов, на
которые работают СВЧ устройства, целесообразно применять
ферритовые вентили или другие развязывающие устройства.
Наряду с указанными предосторожностями диоды предохра-
няют от воздействия повышенных механических нагрузок, не-
посредственного попадания воды и других жидкостей и про-
чих факторов. Кроме того, не рекомендуется эксплуатация
диодов при двух и более предельных режимах (например, при
предельных значениях повышенной температуры и воздейству-
ющей СВЧ мощности). При хранении СВЧ приборов следят за
тем, чтобы поблизости не находились кислоты, щелочи и дру-
гие агрессивные среды, пары которых сильно действуют на
внешние защитные покрытия диодов (корпуса), а для негерме-
тизированных диодов и на внутренние элементы. Это вызыва-
22
ет коррозию выводов высокочастотной энергии, выводов пи-
тания, а также полосковых линий. Наличие коррозии корпусов
диодов нарушает электрический контакт выводов и значитель-
но ухудшает их электрические параметры.
Исправность малошумящих усилителей при хранении опре-
деляется также мерами защиты от воздействия внешних элек-
трических и электромагнитных полей. Высокочастотные выво-
ды энергии закрывают металлическими колпачками, что значи-
тельно увеличивает устойчивость усилителей к электрическим
воздействиям.
В процессе длительного хранения у СВЧ генераторов и
усилителей наблюдается ухудшение электрических парамет-
ров, как правило, из-за изменения параметров активного эле-
мента. Основной причиной ухудшения параметров активного
элемента является проникновение внутрь корпуса влажной ат-
мосферы. Скорость изменения параметров, как показывают
наблюдения, зависят, в основном, от герметичности корпуса
диода.
Как уже отмечалось, при применении мощных СВЧ диодов
в аппаратуре необходимо обеспечивать правильный тепловой
режим их работы, чтобы температура корпуса диода не превы-
шала допустимой. Обеспечение оптимального теплового режи-
ма работы диодов играет первостепенную роль при создании
надежной аппаратуры.
Для учета зависимости параметров от температуры в спра-
вочнике приводятся температурный диапазон применения ди-
одов, значения параметров и режимов при различных темпе-
ратурах и их температурные зависимости.
В качестве теплоотвода для мощных СВЧ диодов могут
использоваться специально сконструированные радиаторы или
конструктивные элементы узлов и блоков. При этом должна
предусматриваться специальная обработка мест крепления
диодов.
Качественное соединение корпуса диода с теплоотводом
достигается шлифовкой поверхности теплоотвода, смазкой
места соединения специальной теплопроводящей мастики.
В частности для улучшения теплового контакта рекомен-
дуется смачивать нижнее основание диода полиметилсилокса-
новой жидкостью (ПМС—100) или теплоотводящей смазкой
(КПТ-8).
Площадь теплоотвода 3 приближенно можно вычислить по
формуле
5= ЮООЛЯтспнА), см2,
где /?т — тепловое сопротивление переход—окружающая
среда, *С / мВт; дт — коэффициент теплопередачи от тепло-
отвода в окружающую среду, равный 0,6... 1,5 мВт/см2 *°С.
Для повышения эффективности отвода теплоты за счет
излучения рекомендуется теплоотвод покрывать черной крас-
кой.
В процессе монтажа СВЧ диодов в устройство механиче-
ские воздействия на них не должны превышать значений, ука-
занных в ТУ, так как это может привести к растрескиванию
изолятора и, следовательно, к нарушению герметичности кор-
пуса диода. При рихтовке, формовке и обрезке участок выво-
да у корпуса диода должен быть закреплен таким образом,
чтобы в месте выхода вывода из корпуса (изолятора) он не
испытывал изгибающих или растягивающих усилий. Оснастка
для формовки выводов должна быть заземлена.
Расстояние от корпуса диода до начала изгиба вывода при
формовке должно быть не менее 2 мм, если иное не оговоре-
но в ТУ на конкретный тип диода.
При лужении, пайке выводов диодов следует принимать
меры, исключающие возможность их повреждения из-за пере-
грева. При лужении и пайке расстояние от корпуса до места
лужения и пайки должно быть не менее 3 мм, если в ТУ на
конкретный тип диода не указано иное.
В процессе монтажа, транспортировки, хранения СВЧ ди-
одов необходимо обеспечивать защиту их от воздействия
статического электричества. Способы защиты приведены в
ОСТ 11 073.062-84.
Раздел третий
Классификация
3.1. Классификация и система обозначений
приборов
Классификация полупроводниковых приборов по назначе-
нию, физическим свойствам, основным электрическим пара-
метрам, конструктивно-технологическим признакам, исходно-
му полупроводниковому материалу всегда находила отраже-
ние в системе условных обозначений типов приборов.
С появлением новых классификационных групп полупро-
водниковых приборов система их условных обозначений пре-
терпевала изменения трижды в течение последних тридца-
ть лет.
Система обозначений современных полупроводниковых
аИодоа, варикапов и оптоэлектронных приборов установлена
отраслевым стандартом ОСТ 11.336.919—81 и базируется на
яде классификационных признаков этих приборов.
н В основу системы обозначений положен буквенно-цифро-
вой код.
Первый элемент обозначает исходный полупроводнико-
вый материал, на основе которого изготовлен прибор.
Для обозначения исходного материала используются сле-
дующие символы:
Г и 1 — для германия или его соединений;
К и 2 — для кремния или его соединений;
А и 3 — для соединения галлия (например, для арсенида
галлия);
И и 4 — для соединения индия (например, для фосфида
индия).
Второй элемент обозначения — буква, определяющая
подкласс (или группу) приборов.
Для обозначения подклассов приборов используется одна
из следующих букв:
Д — диодов выпрямительных и импульсных;
Ц — выпрямительных столбов и блоков;
В — варикапов;
И — туннельной диодов;
А — сверхвысокочастотных диодов;
С — стабилитронов;
Г — генераторов шума;
Л — излучающих оптоэлектронных приборов;
О — оптопар;
Н — диодных тиристоров;
У — триодных тиристоров.
Третий элемент обозначения — цифра, определяющая
основные функциональные возможности прибора.
Для обозначения наиболее характерных эксплуатационных
признаков приборов (их функциональных возможностей) ис-
пользуются следующие цифры применительно к различным
подклассам приборов.
Диоды (подкласс Д):
1 — для выпрямительных диодов с постоянным или сред-
ним значением прямого тока не более 0,3 А;
2 — для выпрямительных диодов с постоянным или сред-
иим значением прямого тока более 0,3 А, но не свыше 10 А;
4 — для импульсных диодов с временем восстановления
обратного сопротивления более 500 нс;
5 — для импульсных диодов с временем восстановления
более 150 нс, но не свыше 500 нс;
6 — для импульсных диодов с, временем восстановления
30... 150 нс;
7 — для импульсных диодов с временам восстановления
5...30 нс;
8 — для импульсных диодов с временем восстановления
1...5 нс;
9 — для импульсных диодов с эффективным временем
жизни неосновных носителей заряда менее 1 нс.
Выпрямительные столбы и блоки (подкласс Ц):
1 — для столбов с постоянным или средним значением
прямого тока не более 0,3 А;
2 — для столбов с постоянным или средним значением
прямого тока не более О,3...1О А;
3 - ДЛЯ блоков с постоянным или средним значением
прямого тока не более 0,3 А;
4 — Для блоков с ПОСТОЯННЫМ или средним значением
прямого тока не более 0,3... 10 А.
Варикапы (подкласс В):
1 — для подстроечных варикапов;
2 — для умножительных варикапов.
Туннельные диоды (подкласс И):
1 — для усилительных туннельных диодов;
2 — для генераторных туннельных диодов;
3 — для переключательных туннельных диодов;
4 — для обращенных диодов.
Сверхвысокочастотные диоды (подкласс А):
1 — для смесительных диодов;
2 — для детекторных диодов;
3 — для усилительных диодов;
4 — для параметрических диодов;
5 — для переключательных и ограничительных диодов;
6 — для умножительных и настроечных диодов;
7 — для генераторных диодов;
8 — для импульсных диодов.
Стабилитроны (подкласс С):
1 — для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с
номинальным напряжением стабилизации менее 10 В;
2 — для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с
номинальным напряжением стабилизации 10... 100 В;
3 — для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с
номинальным напряжением стабилизации более 100 В;
4 — для стабилитронов мощностью 0,3...5 Вт с номиналь-
ным напряжением стабилизации менее 10 В;
5 — для стабилитронов мощностью 0,3...5 Вт с номиналь-
ным напряжением стабилизации 10...100 В;
6 — для стабилитронов мощностью 0.3...5 Вт с номиналь-
ном напряжением стабилизации более 100 В;
7 — для стабилитронов мощностью 5... 10 Вт с номиналь-
ном напряжением стабилизации менее 10 В;
8 — для стабилитронов мощностью 5... 10 Вт с номиналь-
ном напряжением стабилизации 10...100 В;
9 — для стабилитронов мощностью 5... 10 Вт с номиналь-
ном напряжением стабилизации более 100 В.
Генераторы шума (подкласс Г):
1 — для низкочастотных генераторов шума;
2 — для высокочастотных генераторов шума.
Излучающие оптоэлектронные приборы (подкласс Л):
источники инфракрасного излучения:
1 — для излучающих диодов;
2 — для излучающих модулей;
приборы визуального представления информации:
3 — для светоизлучающих диодов;
4 — для знаковых индикаторов;
5 — для знаковых табло;
6 — для шкал;
7 — для экранов.
Оптопары (подкласс О):
Р — для резисторных оптопар;
Д — для диодных оптопар;
У — для тиристорных оптопар;
Т — для транзисторных оптопар.
Четвертый элемент — число, обозначающее порядко-
вый номер разработки технологического типа. Для обозначе-
ния порядкового номера разработки используется двухзнач-
ное число от 01 до 99. Если порядковый номер разработки
превысит число 99, то в дальнейшем используют трехзначное
число от 101 до 999.
Пятый элемент — буква, условно определяющая класси-
фикацию (разбраковку по параметрам) приборов, изготовлен-
ных по единой технологии. В качестве классификационной
литеры используют буквы русского алфавита (за исключением
букв 3, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Я, Ь, Ъ, Э).
В качестве дополнительных элементов обозначения ис-
пользуют следующие символы:
цифры 1—9 для обозначения модификаций прибора, при-
водящих к изменению его конструкции или электрических па-
раметров;
букву С для обозначения сборок — наборов в общем
Корпусе однотипных приборов, не соединенных или соединен-
ных одноименными выводами;
цифры, написанные через дефис для обозначений следую,
щих модификаций конструктивного исполнения бескорпусньц
приборов:
1 — с гибкими выводами без кристаллодержателя;
2 — с гибкими выводами на кристаллодержателе (под.
ложке);
3 — с жесткими выводами без кристаллодержателя (под.
ложки);
4 — с жесткими выводами на кристаллодержателе (под.
ложке);
5 — с контактными площадками без кристаллодержателя
(подложки) и без выводов;
6 — с контактными площадками на кристаллодержателе
без выводов, буква Р — после последнего элемента обозначе-
ния для приборов с парным подбором, буква Г — с подбором
в четверки, буква К — с подбором в шестерки.
Таким образом, современная система обозначений вмеща-
ет значительный объем информации о свойствах прибора.
Примеры обозначений приборов:
2Д921А — кремниевый импульсный диод с эффективным
временем жизни неосновных носителей заряда менее 1 нс,
номер разработки 21, группа А;
ЗИ2ОЗГ — арсенидогаллиевый туннельный генераторный
диод, номер разработки 3, группа Г;
АЛ 103Б — арсенидогаллиевый излучающий диод инфра-
красного диапазона, номер разработки 3, группа Б.
Поскольку ОСТ 11 336.919—81 введен в действие в 1982 г.,
для ранее разработанных приборов использована иная систе-
ма обозначений. Условные обозначения приборов, разрабо-
танных до 1964 г., состоят их двух или трех элементов.
Первый элемент обозначения — буква Д, характеризую-
щая весь класс полупроводниковых диодов.
Второй элемент обозначения — число (номер), которое
указывает на область применения:
от 1 до 100 — для точечных германиевых диодов;
от 101 до 200 — для точечных кремниевых диодов;
от 201 до 300 — для плоскостных кремниевых диодов;
от 301 до 400 — для плоскостных германиевых диодов;
от 401 до 500 — для смесительных СВЧ детекторов;
от 501 до 600 — для умножительных диодов;
от 601 до 700 — для видеодетекторов;
от 701 до 749 — для параметрических германиевых ди-
одов;
от 750 до 800 — для параметрических кремниевых ди-
одов;
от 801 до 900 — для стабилитронов;
от 901 до 950 — для варикапов;
до 951 до 1000 — для туннельных диодов;
от 1001 до 1100 — для выпрямительных столбов.
Третий элемент обозначения — буква, указывающая на
разновидность групп однотипных приборов.
Данная система обозначений содержала значительно мень-
ше классификационных признаков.
Для большинства приборов, включенных в настоящий спра-
вочник, использована система обозначений согласно ранее
действовавшим ГОСТ 10862—64 и ГОСТ 10862—72, которая в
своей основе мало отличается от системы обозначений по
ОСТ 11 336.919-81.
3.2. Условные графические обозначения
В технической документации и специальной литературе
следует применять условные графические обозначения полу-
проводниковых приборов в соответствии с ГОСТ 2.730—73
(табл. 1).
3.3. Условные обозначения
электрических параметров
Напряжение
ив — напряжение впадины туннельного диода
(/8Х, (/вых — входное и выходное напряжения оптопары
(/в°ых> (/вых — выходные напряжения низкого и высокого уров-
ней
Цо — напряжение изоляции оптопары
(/иэ пик — пиковое напряжение изоляции оптопары
Ц) Р — импульсное рабочее напряжение диода Ганна
14ом — коммутируемое напряжение оптопары
^овр, вх — обратное входное напряжение оптопары
(/обр, вых — обратное выходное напряжение оптопары
(/0БР — постоянное обратное напряжение диода
Ц>бр, и ~ импульсное обратное напряжение диода
Мжр.макс — максимально допустимое постоянное обратное
напряжение диода
^обр и, макс — максимально допустимое импульсное обратное
напряжение диода
(/ост — выходное остаточное напряжение оптопары
(/П — напряжение пика туннельного диода
Опор, г — постоянное пороговое напряжение диода Ганна
Таблица 1
ГРАФИЧЕСКИЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
Наименование приборов
Диод выпрямительный. Столб выпрямительный.
Общее обозначение
Диод Шотки
Диод туннельный
Диод обращенный
Варнкап
Диод светоизлучающий
Оптопары:
диодная
тиристорная
транзисторная
с однопереходным транзистором
Обозначение
1/ПР — постоянное прямое напряжение диода
Мтр. и — импульсное прямое напряжение диода
Ц>р. ср — среднее прямое напряжение диода
Мроб — пробивное напряжение диода
1/Р — постоянное рабочее напряжение диода Ганна
УРР — напряжение раствора туннельного диода
1/с эф — эффективное значение напряжения сигнала
— постоянное напряжение шумового диода
Овос — заряд восстановления диода
Ож — накопленный заряд диода
Ток
/в — ток впадины туннельного диода
4кл — ток включения оптопары
4ыкл — ток выключения оптопары
/вп ср — средний выпрямительный ток диода
/вх — постоянный входной ток оптопары
4х, и — импульсный входной ток оптопары
4х, ср — средний входной ток оптопары
/и°х, 4'х — входные токи низкого и высокого уровней
/вых — выходной ток нагрузки, втекающий для прибо-
ров с цифровым входом
4ых ~ выходной ток нагрузки, вытекающий для при-
боров с цифровым выходом
/и. ПУСК — импульсный пусковой ток ЛПД
4, р. г — импульсный рабочий ток диода Ганна
/и р. лпд — импульсный рабочий ток ЛПД
/обр — постоянный обратный ток диода
/обр. и — импульсный обратный ток диода
/обр ср — средний обратный ток диода
/п — пиковый ток туннельного диода
/пр — постоянный прямой ток диода
4р. макс — максимально допустимый постоянный прямой
ток диода
/пор — пороговый ток диода Ганна
/пр, и — импульсный прямой ток диода
/пр. и макс — максимально допустимый импульсный прямой
ток диода
/пр, ср — средний прямой ток диода
/пр, ср макс — максимально допустимый средний прямой ток
диода
/р>г — постоянный рабочий ток диода Ганна
/пуск — постоянный пусковой ток ЛПД
4т, вых — ток утечки на выходе оптопары
$Рс/( — защитные показатели диода
Мощность
Р — мощность излучения излучающего диода
Рвых — непрерывная выходная мощность СВЧ диода
РВЬ1Х и — импульсная выходная мощность СВЧ диода
Ри — импульсная мощность излучения излучающего ди-
ода, импульсная рассеиваемая мощность диода
Р0БР — обратная рассеиваемая мощность диода
Рпд — падающая на диод СВЧ мощность
Рпд и — импульсная падающая на диод СВЧ мощность
РПр — прямая рассеиваемая мощность диода
РРАС — рассеиваемая мощность СВЧ диода
Ррдс и — импульсная рассеиваемая мощность СВЧ диода
РРАС ср — средняя рассеиваемая мощность СВЧ диода
Рср — средняя рассеиваемая мощность диода
Р3, Рь — мощность 3-й, 8-й гармоник
Сопротивление, проводимость
Риз — сопротивление изоляции
/?т — тепловое сопротивление
Рт (п-о — тепловое сопротивление переход—среда
Рт (п-ю ~ тепловое сопротивление переход—корпус
гвыс — сопротивление ограничительного диода при высо-
ком значении СВЧ мощности
/вых — выходное сопротивление смесительного диода
гг — сопротивление диода Ганна
/дин — динамическое сопротивление диода
Гдиф — дифференциальное сопротивление диода
гииз — сопротивление ограничительного диода при низком
значении СВЧ мощности
/•0БР — обратное сопротивление потерь переключательно-
го диода
лп — последовательное сопротивление потерь переклю-
чательного диода
Аюсл — сопротивление резистора, включенного последова-
тельно с диодом
/пр — прямое сопротивление потерь переключательного
диода
/щ — шумовое сопротивление СВЧ диода
IV — волновое сопротивление
2ВХ — полное входное сопротивление СВЧ диода
2Т — переходное тепловое сопротивление
2Т «п-о — переходное тепловое сопротивление переход—
среда
2Т (П_к, — переходное тепловое сопротивление переход-
корпус
Емкость
Ся — общая емкость диода
СКОр — емкость корпуса диода
СПер — емкость перехода диода
Время, частота, длина волны
/вое обр ~ время обратного восстанозления диода
/вое, пр — время прямого восстановления диода
/выкл — время выключения СВЧ диода
/эд — время задержки диода
<зл — время запаздывания обратного напряжения диода
4, — длительность импульса
/нр — время нарастания диода
/сп — время спада обратного тока диода
— длительность фронта импульса
4р — граничная частота шумового диода
4р — критическая частота переключательного диода
/пред ~ предельная частота умножительного диода
4 — предельная резистивная частота туннельного ди-
ода
АГ — диапазон частот шумозого диода
АГ/Г — полоса частот СВЧ диода
АХТ = ХМАКС — ХмдксС Г) — изменение длины волны спектра из-
лучения в максимуме спектральной плотности от
температуры
Хмакс( Г) — длина волны излучения в максимуме спектральной
плотности при данной температуре
Хмдкс — длина волны излучения в максимуме спектральной
плотности
тт — время тепловой релаксации СВЧ диода
Тэд — эффективное время *изни неравновесных носите-
лей заряда диода
Температура
Т — температура окружающей среды
Тк — температура корпуса
ТМАКС — максимальная температура окружающей среды
?мин — минимальная температура окружающей среды
7^,1 — температура кристаллодержателя
Тп — температура перехода
Спектрофотометрические параметры
/у — сила света излучающего оптоэлектронного полу-
проводникового прибора
/е — сила излучения излучающего оптоэлектронного
прибора
6 — спектральная плотность мощности шумового ди-
ода
I — яркость излучающего оптоэлектронного полупро-
водникового прибора
5 — спектральная плотность напряжения шумового ди-
ода
АХо.5 — ширина спектра излучения (на уровне 0,5 макси-
мального значения)
дх — относительный разброс яркости или силы света
оптоэлектронного прибора
65^, 63р — неравномерности спектральной плотности напря-
жения и мощности шумового диода
а — угол излучения излучающего оптоэлектронного
прибора
Добротность, потери
О — добротность СВЧ диода
Ов — добротность варикапа
13 — потери запирания СВЧ диода
1пр — потери пропускания СВЧ диода
1п₽б — потери преобразования смесительного диода
Коэффициенты
Кс — коэффициент перекрытия по емкости варикапа
/Сст и — коэффициент стоячей волны по напряжению СВЧ
диода
К, — коэффициент передачи тока
Гнорм — нормированный коэффициент шума смесительно-
го диода
аСв — температурный коэффициент емкости варикапа
а0о — температурный коэффициент добротности вари-
капа
аРомх — температурный коэффициент выходной мощно-
сти СВЧ диода
а, — температурный коэффициент частоты СВЧ диода
а$р аЗр — температурные коэффициенты спектральной плот-
ности напряжения и мощности шумового диода
Примечания.
1. Звездочкой (*) в тексте отмечены параметры или их
значения, приведенные в справочных данных соответствую-
34
щих ГОСТ и ТУ. При производстве полупоо’одниковых прибо-
ров они могут не контролироваться.
2. Значения электрических параметров, приведенные без
специального указания температуры окружающей среды, кор-
пуса, перехода и др., справедливы для температуры +25 °С.
3. Значения предельных эксплуатационных данных, приве-
денные без указания температурного диапазона, справедливы
во всем диапазоне температур окружающей среды (корпуса и
др.) для данного типа прибора.
4. На графиках с изображением зон возможных положе-
ний зависимостей параметров линией внутри зоны обозначена
типовая зависимость.
3.4. Основные стандарты
ГОСТ 15133-77
ОСТ 11 336.919-81
ГОСТ 2.790-73
ГОСТ 18472-82
ГОСТ 23448-79
ГОСТ 25529-82
ГОСТ 22274-80
ГОСТ 24354-80
ОСТ 11 336.907.0-79
ОСТ 11 336.907.1-79
ОСТ 11 336.907.4-81
ОСТ 11 336.907.5-81
Приборы полупроводниковые. Термины
и определения
Приборы полупроводниковые. Система
условных .обозначений
Обозначения условные, графические в
схемах. Приборы полупроводниковые
Приборы полупроводниковые. Основные
размеры
Приборы полупроводниковые инфра-
красные излучающие. Основные раз-
меры
Диоды полупроводниковые. Термины,
определения и буквенные обозначения
параметров
Излучатели полупроводниковые. Терми-
ны, определения и буквенные обозначе-
ния параметров
Приборы полупроводниковые визуаль-
ного представления информации. Основ-
ные размеры
Приборы полупроводниковые. Руковод-
ство по применению. Общие положения
Приборы полупроводниковые оптоэлек-
тронные. Руководство по применению
Диоды импульсные. Руководство по при-
менению
Варикапы. Руководство по применению
Методы измерения параметров
ГОСТ 19834.0-75 излучающих диодов Излучатели полупроводниковые. Общие
ГОСТ 19834.2-74 требования при измерении параметров Излучатели полупроводниковые. Методы
ГОСТ 19834.3-76 измерения силы излучения и энергетиче- ской яркости Излучатели полупроводниковые. Метод из-
ГОСТ 19834.4-79 мерения относительного спектрального распределения энергии излучения и шири- ны спектра излучения Излучатели полупроводниковые. Методы
ГОСТ 19834.5-80 измерения мощности излучения Излучатели полупроводниковые. Метод из- мерения временных параметров импульса излучения
Методы измерения параметров
знакосинтезирующих индикаторов
ГОСТ 25024.0-83 Индикаторы знакосинтезирующие. Общие требования при измерении параметров
ГОСТ 25024.1-81 Индикаторы знакосинтезирующие. Методы измерения времени готовности
ГОСТ 25024.2-83 Индикаторы знакосинтезирующие. Методы измерения времени реакции и времени ре- лаксации
ГОСТ 25024.3-83 Индикаторы знакосинтезирующие. Методы измерения тока и напряжения
ГОСТ 25024.4-85 Индикаторы знакосинтезирующие. Методы измерения яркости, силы света, неравно- мерности яркости и неравномерности силы света
Методы измерения параметров
оптоэлектронных интегральных микросхем
и оптопар
ГОСТ 24613.0-81 Микросхемы интегральные оптоэлектрон- ные и оптопары. Общие положения при из-
ГОСТ 24613.1-81 мерении электрических параметров Микросхемы интегральные оптоэлектрон- ные и оптопары. Метод измерения проход- ной емкости
ГОСТ 24613.2-81 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения тока утечки
ГОСТ 24613.3—81 Микросхемы интегральные оптоэлектрон-
ные и оптопары. Метод измерения входно-
го напряжения
ГОСТ 24613.4—81 Микросхемы интегральные оптоэлектрон-
ные. Метод измерения времени включения
и выключения коммутаторов аналоговых
сигналов и нагрузки
ГОСТ 24613.5—81 Микросхемы интегральные оптоэлектрон-
ные. Метод измерения нулевого выходного
остаточного напряжения коммутаторов ана-
логовых сигналов и нагрузки
ГОСТ 24613.6—81 Микросхемы интегральные оптоэлектрон-
ные и оптопары. Метод измерения напря-
жения изоляции
ГОСТ 24613.7—83 Оптопары резисторные. Метод измерения
светового и теплового выходного сопро-
тивлений
ГОСТ 24613.8—83 Микросхемы интегральные оптоэлектрон-
ные и оптопары. Метод измерения крити-
ческой скорости изменения напряжения
изоляции
ГОСТ 24613.9—83 Микросхемы интегральные оптоэлектрон-
ные и оптопары. Метод измерения времен-
ных параметров
ГОСТ 24613.10—77 Микросхемы интегральные оптоэлектрон-
ные. Метод измерения тока помехи и на-
пряжения помехи низкого и высокого уров-
ней переключателей логических сигналов
ГОСТ 24613.11—77 Микросхемы интегральные оптоэлектрон-
по1е. Метод измерения входного напряже-
ния низкого и высокого уровней переклю-
чателей логических сигналов
ОСТ 24613.12—77 Микросхемы интегральные оптоэлектрон-
ные. Метод измерения выходного напряже-
ния низкого и высокого уровней переклю-
чателей логических сигналов
ГОСТ 24613.13—77 Микросхемы интегральные оптоэлектрон-
ные. Метод измерения выходного тока ко-
роткого замыкания переключателей логи-
ческих сигналов
ГОСТ 24613.14—77 Микросхемы интегральные оптоэлектрон-
ные. Метод измерения токов ютребления
при низком и рысоком уровнях выходного
напряжения переключателей логических
сигналов
Методы измерения параметров
импульсных диодов и варикапов
ОСТ 18986.0-74
ГОСТ 18986.1-73
ГОСТ 18986.2-73
ГОСТ 18986.3-73
ГОСТ 18986.4-73
ГОСТ 18986.5-73
ГОСТ 18986.6-73
ГОСТ 18986.7-73
ГОСТ 18986.8-73
ГОСТ 18986.9-73
ГОСТ 18986.10-74
ГОСТ 18986.1 «—84
ГОСТ 18986.1'•-74
ГОСТ 18986 «3-74
ГОСТ 18986.14-85
ГОСТ Р«»О6.18-73
ГОСТ 18986.19-73
ГОСТ ’ 8986.24-83
Диоды полупроводниковые. Методы изме-
рения электрических параметров. Общие
положения
Диоды полупроводниковые. Метод изме-
рения постоянного обратного тока
Диоды полупроводниковые. Метод изме-
рения постоянного обратного напряжения
Диоды полупроводниковые. Методы изме-
рения постоянного прямого напряжения и
постоянного прямого тока
Диоды полупроводниковые. Методы изме-
рения емкости
Диоды полупроводниковые. Метод изме-
рения времени выключения
Диоды полупроводниковые. Метод изме-
рения заряда восстановления
Диоды полупроводниковые. Методы изме-
рения эффективного времени жизни не-
равновесных носителей заряда
Диоды полупроводниковые. Метод изме-
рения времени обратного восстановления
Диоды полупроводниковые. Метод изме-
рения импульсного прямого напряжения
Диоды полупроводниковые. Методы изме-
рения индуктивности
Диоды полупроводниковые. Методы изме-
рения последовательного сопротивления
потерь
Диоды полупроводниковые туннельные.
Метод измерения отрицательной проводи-
мости перехода
Диоды полупроводниковые туннельные.
Методы измерения пикового тока, тока
впадины, пикового напряжения, напряже-
ния впадины, напряжения раствора
Диоды полупроводниковые. Методы изме-
рения дифференциального и динамическо-
го сопротивлений
Варикапы. Метод измерения температур-
ного коэффициента емкости
Варикапы. Метод измерения добротности
Диоды полупроводниковые. Метод изме-
рения пробивного напряжения
Методы измерения параметров СВЧ диодов
ГОСТ 19656.0—74 Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы
измерения электрических параметров. Об-
щие положения
ГОСТ 19656.1—74 Диоды полупроводниковые СВЧ смеситель-
ные и детекторные. Метод измерения ко-
эффициента стоячей волны по напряже-
нию
ГОСТ 19656.2—74 Диоды полупроводниковые СВЧ смеситель-
ные. Метод измерения среднего выпрями-
тельного тока
ГОСТ 19656.3—74 Диоды полупроводниковые СВЧ смеситель-
ные. Методы измерения выходного сопро-
тивления на промежуточной частоте
ГОСТ 19656.4—74 Диоды полупроводниковые СВЧ смеситель-
ные. Методы измерения потерь преобра-
зования
ГОСТ 19656.5—74 Диоды полупроводниковые СВЧ смеситель-
ные и детекторные. Методы измерения
шумового отношения
ГОСТ 19656.6—74 Диоды полупроводниковые СВЧ смеситель-
ные. Методы измерения нормированного
коэффициента шума
ГОСТ 19656.7—74 Диоды полупроводниковые СВЧ детектор-
ные. Метод измерения чувствительности по
току
ГОСТ 19656.10—75 Диоды полупроводниковые СВЧ ограничи-
тельные. Метод измерения сопротивления
потерь при низком значении СВЧ мощно-
сти
ГОСТ 19656.11—75 Диоды полупроводниковые СВЧ переклю-
чательные. Метод измерения прямого и
обратного сопротивлений потерь
ГОСТ 19656.12—76 Диоды полупроводниковые СВЧ смеситель-
ные. Метод измерения полного входного
сопротивления
ГОСТ 19656.13—76 Диоды полупроводниковые СВЧ детектор-
ные. Метод измерения тангенциальной чув-
ствительности
ГОСТ 19656.15—84 Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы
измерения теплового сопротивления пере-
ход—корпус и импульсного теплового со-
противления
ГОСТ 24613.15-77
ГОСТ 24613.16-77
ГОСТ 24613.17-77
ГОСТ 24613.18-77
ГССТ 24613.19-7/
Микросхемы интегральные оптоэлек-
тронные. Методы измерения тока по-
требления переключения и длительно-
сти тока потребления переключения пе-
реключателей логических сигналов
Микросхемы интегральные оптоэлек-
тронные. Метод измерения начального
остаточного напряжения коммутаторов
аналоговых сигналов
Микросхемы интегральные оптоэлек-
тронные. Метод измерения выходного
дифференциального сопротивления ком-
мутаторов аналоговых сигналов
Микросхемы интегральные оптоэлек-
тронные. Методы измерения сопротив-
ления изоляции
Микросхемы интегральные оптоэлек-
тронные. Метод измерения коэффици-
ента передачи по току
ЧАСТЬ ВТОРАЯ
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ДИОДОВ
Раздел четвертый
Диоды сверхвысокочастотные
4.1. Смесительные диоды
ДГ-С1, ДГ-С2
Диоды германиевые, точечные, смесительные. Предназначе-
ны для применения в преобразователях частоты на длине волны
10 см. Выпускаются в металлокерамическом корпусе. Тип диода
и схема соединения электродов с выводами приводятся на эти-
кетке. Маркируются цветными точками: ДГ—С1 — двумя черны-
ми, ДГ—С2 — двумя черными и полоской черного цвета.
Масса диода не более 0,7 г.
ДГ-С1. ДГ-С2
Электрические параметры
Потери преобразования при Р™ = 0,5 мВт,
X = 9,8 см, гпосл = 400 Ом, не более:
ДГ-С1............................. 8,5 дБ
ДГ-С2............................. 6,5 дБ
Выпрямленный ток при Ащ = 0,5 мВт,
X = 9,8 см, не менее................. 0,4 мА
Выходное шумовое отношение при Ащ = 1 мВт,
X = 3,2 см, Гросл =150 Ом, не более... 3
Коэффициент стоячей волны по напряжению
пРи А1д = 0.5 мВт. X. = 9,8 см, Гросл ~ 400 Ом,
не более............................ 3
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность........ 80 мВт
Энергия повторяющихся импульсов......... 10"’ Дж
Температура окружающей среды............ —60...+70 "С
ДК-С1М, ДК-С2М
Диоды кремниевые, точечные, смесительные. Предназна-
чены для применения в преобразователях частоты на длине
волны 10 см. Выпускаются в металлокерамическом корпусе.
Тип диода приводится на корпусе.
Масса диода не более 2,5 г.
ДК-С1М. ДК-С2М
+ Выбод 1
— Выбод 2
Электрические параметры
Потери преобразования при Рп„ = 1 мВт,
А, = 9,8 см, /посд = 400 Ом, не более:
ДК-С1М............................... 8,5 дБ
ДК-С2М............................ 6,5 дБ
Выпрямленный ток при Рпд = 1 мВт,
А, = 9,8 см, /поел = 350 Ом, не менее. 0,4 мА
Выходное шумовое отношение при
Рпд = 1 мВт, X = 3,2 см, не более:
ДК-С1М............................... 2,7
ДК-С2М............................. 2
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Рпд = 1 мВт, К = 9,8 см, гпосл = 350 Ом,
не более:
ДК-С1М.............................. 3,5
ДК-С2М............................. 3
Постоянный обратный ток, не более:
ДК-С1М............................... 150 мкА
ДК-С2М............................ 250 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность......... 300 мВт
Энергия импульса......................... 3 • 10_® Дж
Температура окружающей среды............. —60...+100 °С
ДК-С7М
Диод кремниевый, точечный, смесительный. Предназначен
для применения в преобразователях частоты в диапазоне длин
волн 3...12 см. Выпускается в металлокерамическом корпусе.
Тип диода приводится на корпусе.
Масса диода не более 0,7 г.
ДК-С7М
Выбод 1
Выбод 2
Электрические параметры
Потери преобразования при Рпл = 0,7 мВт,
X = 3,2 см, Гпосл = 400 Ом:
Т - +25 °С, не более............... 7,5 дБ
Т - —60 и +85 °С, не более......... 1п₽б ± 1>2 дБ
Выходное шумовое отношение при
₽пд = 0,7 мВт, X = 3,2 см, гпосл = 50 Ом,
не более.............................. 2
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при в1д = 0,7 мВт, X = 3,2 см, гП0сл = 50 Ом,
не более:
7=+25 °С......................... 2
7=—60 и+85’С.................... 2,5
Выходное сопротивление при Рпл = 0,7 мВт,
X = 3,2 см............................ 250...700 Ом
Постоянный обратный ток, не более..... 250 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность
при 7И С 1 мкс, 1000..................... 100 мВт
Энергия одиночного импульса.............. 3 • 10"* Дж
Постоянный прямой ток.................... 3 мА
Температура окружающей среды............. —60...+85 °С
Д401
Диод германиевый, точечный, смесительный. Предназна-
чен для работы в преобразователях частоты в диапазоне длин
волн 7... 10 см. Выпускается в металлокерамическом корпусе.
Масса диода не более 0,7 г.
М01
Электрические параметры
Потери преобразования, не более.......... 13 дБ
Непрерывная выходная мощность
при Рвх = Рмод = 300 мВт, не менее........ 15 мЗт
Предельные эксплуатационные данные
Рассеиваемая мощность.................... 300 мВт
Температура окружающей среды............. +5...+50 'С
Д402, Д404
Диоды кремниевые, точечные, смесительные. Предназна-
чены для применения в преобразователях частоты СВЧ диапа-
зона. Выпускаются в металлокерамическом корпусе, а также
44
подобранными в пары: Д402Р, Д404Р. Тип диода приводится
на корпусе.
Масса диода не более 10 г.
ДМ2, ДШ
Электрические параметры
Потери преобразования при Рпд = 1 мВт,
/поел = 400 Ом, не более:
Т= +25 °С:
Д402.............................. 10 дБ
Д404.............................. 8,5 дБ
Т= -60 и +85 ’С:
Д402.................................. 12,5 дБ
Д404.............................. 11 дБ
Выходное шумовое отношение при
Рпд = 1 мВт, /поел = 100 Ом, не более.... 2,5
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Рпд = 1 мВт, /поел = Ю0 Ом, не более:
Д402................................... 3
Д404.................................. 2,5
Выходное сопротивление при Рпд = 1 мВт,
гпосл = Ю0 Ом:
Д402.................................. 250...650 Ом
Д404.................................. 280...520 Ом
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования, не более........ 1 дБ
Выпрямленный ток, не более............. 10%
Выходное сопротивление, не более....... 50 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность
пРи О= 500...3000...................... 1э мВт
Энергия СВЧ импульсов................... 2 • 10"* Дж
СВЧ мощность плоской части импульсов, про-
сачивающаяся через разрядник............ 10 мВт
Температура окружающей среды............ —60...+85 ’С
Д403Б, Д403В
Диоды германиевые, точечные, смесительные. Предназна-
чены для работы в преобразователях частоты в диапазоне
длин волн 3...12 см. Выпускаются в металлокерамическом кор-
пусе. Тип диода приводится на корпусе. Диоды выпускаются
подобранными в пары: Д403БР, Д403ВР.
Масса диода не более 0,7 г.
мы
Выбод 1
Выбод 2
Электрические параметры
Потери преобразования при Рпа = 1 мВт,
X = 3,2 см, Гпосл = 400 Ом для Д403Б,
не более................................. 8,5 дБ
Выпрямленный ток при Рпа = 1 мВт,
бюсл ~ Ю0 Ом, X = 1,95; 2; 2,5 см
для Д403В, не менее...................... 0,4 мА
Нормированный коэффициент шума
для Д403В, не более...................... 11 дБ
Выходное шумовое отношение при
Рпд = 1 мВт, X = 3,2 см, /поел = 50 Ом
для Д403Б, не более...................... 3
Коэффициент стоячей волны по напря-
жению при Род = 1 мВт, Гпосл = 100 Ом,
X = 1,95; 2; 2,25 см для Д403В, не более. 3
Выходное сопротивление при Род = 1 мВт,
X = 3,2 см............................... 200...600 Ом
Разброс электрических параметров в паре
Выпрямленный ток, не более.......... 30%
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность......... 150 мВт
Энергия СВЧ импульсов.................... 3 • 10-8 Дж
Температура окружающей среды............. —60...+70 °С
Зависимость потерь преобразова-
ния от температуры
Зависимость коэффициента стоя-
чей волны по напряжению от тем-
пературы
Д405, Д405А, Д405Б, Д405АП, Д405БП
Диоды кремниевые, точечные, смесительные. Предназна-
чены для применения в преобразователях частоты на длине
волны 3 см. Выпускаются в металлокерамическом корпусе.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приво-
дятся на корпусе. Диоды Д405, Д405А, Д405Б — прямой по-
лярности, Д405АП, Д405БП — обратной. Диоды выпускаются
подобранными в пары: Д405АР, Д405БР, Д405АПР, Д405БПР.
Масса диода не более 2,5 г.
Ж5, дтА.БМБП)
Вывод 2
Для Д4О5
Д405А
Д405Б
Вывод 1
Выбод 1
Вывод 2
Для Д405АП
Д405БП
Электрические параметры
Потери преобразования при Рпд - 1 мВт,
X = 3,2 см, /поел = 350 Ом:
Т = +25 ’С, не более:
Д405................................ 7 дБ
Д405А, Д405АП.................... 6,5 дБ
Т= +100 ’С:
Д405................................ 5...9 дБ
Д405А, Д405АП.................... 4,5...8,5 дБ
7 = -60 ’С:
Д405................................ 5,5...8,5 дБ
Д405А, Д405АП.................... 5...8 дБ
Выпрямленный ток при Рпд = 1 мВт, X = 3,2 см,
'поел ~ 50 Ом» не менее................. 1 мА
Нормированный коэффициент шума
для Д405Б, Д405БП, не более............. 8,5 дБ
Выходное шумовое отношение при
Рцд = 1 мВт, X = 3,2 см, /поел ~ Ю0 Ом»
не более.
Д405................................. 2,2
Д405А, Д405АП........................ 2
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Рпд = 1 мВт, X = 3,2 см, /поел = 50 Ом,
не более:
Д405................................. 2
Д405А, Д405АП........................ 1,7
Д405Б, Д405БП........................ 1,4
Выходное сопротивление при Рпд = 1 мВт,
X = 3,2 см, /поел =100 Ом:
Д405................................. 250...550 Ом
Д405А, Д405АП........................ 300...500 Ом
Д405Б, Д405БП........................ 300...450 Ом
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования, не более......... 1 дБ
Выпрямленный ток, не более.............. 10%
Выходное сопротивление, не более........ 30 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность:
Д405, Д405А, Д405АП...................... 20 мВт
Д405Б, Д405БП........................ 5 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность........ 300 мВт
Энергия СВЧ импульсов................... 3 • 10"* Дж
Температура окружающей среды............ —60...+100 ’С
Зависимость потерь преобразова-
ния с г непрерывной падающей
СВЧ мощности
Зависимости выпрямленного тока
от непрерывной падающей СВЧ
мощности
Зависимости коэффициента стоя-
чей волны по натряхен-<ю от не-
прерь гной падающей СВЧ мощ-
ности
Гих. Ом
Зависимость выходного сопроти-
вления от температуры
Д406А, Д406АП
Диоды кремниевые, точечные, смесительные. Предназна-
чены для применения в преобразователях частоты СВЧ диапа-
зона. Выпускаются в металлокерамическом корпусе. Тип ди-
ода и схема соединения электродов с выводами приводятся на
корпусе. Диоды Д406А — прямой полярности, Д406АП —
обратной. Диоды выпускаются подобранными в пары: Д406АР,
Д406АПР.
Масса диода не более 1,5 г.
М06А. Д406АП
Выбод 1
Выбод 2
Д4О6А
Выбод 1
2к
Выбод 2
Д4О6АП
Электрические параметры
Потери преобразования при Род = 1 мВт,
гпосл = 350 Ом, не более:
Г=+25’С................................. 7 дБ
Т- —60 и +100 *С..................... 8 дБ
Выпрямленный ток при Род = 1 мВт,
гпосл = Ю0 Ом, не менее................. 0,7 мА
Выходное шумовое отношение при
Род = 1 мВт, /одел =100 Ом, не более.... 2
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Рпд = 0,5 мВт, Гпосл ~ Ю0 Ом, не более.... 2
Выходное сопротивление при Род = 1 мВт,
Гпосл = ЮО Ом........................... 240...460 Ом
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования, не более.......... 1 дБ
Выпрямленный ток, не более............... 10%
Выходное сопротивление, не более......... 30 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность......... 100 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при крат-
ковременном воздействии (не более 20 мин).. 300 мВт
Энергия СВЧ импульсов.................... 2 • 10~* Дж
Температура окружающей среды............. —60...+100 °С
Д407
Диод кремниевый, точечный, смесительный. Предназначен
для применения в преобразователях частоты СВЧ диапазона.
Выпускается в металлокерамическом корпусе. Тип диода при-
водится на корпусе.
Масса диода не более 12,1 г.
Электрические параметры
Потери преобразования при Рпд - 1 мВт,
бюсл ~ 600 Ом, не более:
7 = 4-25 *С...........................
7= +85 X..............................
7= -60 X..............................
Выходное шумовое сопротивление при
Рпд = 1 мВт, /доел = Ю0 Ом, не более.....
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Рцд = 1 мВт, /поел = Ю0 Ом, не более.
Выходное сопротивление при Р„д = 1 мВт,
/поел = Ю0 Ом............................
12 дБ
14,5 дБ
13,5 дБ
6
3
400... 1500 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность
при О = 500...3000......................... 20 мВт
Энергия СВЧ импульса....................... 2 • 10"9 Дж
Температура окружающей среды............... —60...+85 X
Зависимость потерь преобразования
от температуры
Д408, Д408П
Диоды кремниевые, точечные, смесительные. Предназна-
чены для применения в преобразователях частоты в диапазоне
длин волн 4,5... 10 см. Выпускаются в металлокерамическом
корпусе. Тип диода и схема соединения электродов с вывода-
ми приводятся на корпусе. Диод Д408 прямой полярности,
Д408П — обратной. Диоды выпускаются подобранными в пары:
Д408Р, Д408ПР.
Масса диода не более 2,5 г.
М08. ДИ8П
Выбод 1
V
Выбод 2
Ц408
Выбод /
А
Выбод 2
Д408Л
Электрические параметры
Выпрямленный ток при Ррд = 0,6 мВт,
К = 10 см, /поел = 100 Ом, не менее... 0,8 мА
Нормированный коэффициент шума при
Рпд = 0,5 мВт, К = 10 см, Гпосл = 100 Ом:
Т = +25 ’С, не более............... 7,5 дБ
Т = +125 ’С, не более.............. 13 дБ
Г=-60’С............................ 6...9 дБ
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Рпд = 0,5 мВт, К = 10 см, /поел = 100 Ом,
не более.............................. 1,3
Выходное сопротивление при Ррд - 0,5 мВт,
К = 10 см, Гпосл ~ Ю0 Ом.............. 290...390 Ом
Разброс электрических параметров в паре
Выпрямленный ток, не более............ 10%
Нормированный коэффициент шума, не более 0,5 дБ
Выходное сопротивление, не более........ 25 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность
при <и = 1 мкс, 7= 1000 Гц............ 500 мВ’
Импульсная рассеиваемая мощность......... 100 мВт
Энергия СВЧ импульсов.................... 5 • 10-8 Дж
Температура окружающей среды............. —60...+125 ’С
Зависимость выпрямлен-
ного тока от непрерыв-
ной падающей С8Ч мощ-
ности
Зависимость нормиро-
ванного коэффициента
шума от непрерывной
падающей СВЧ мощ-
ности
Зависимость нормиро-
ванного коэффициента
шума от температуры
Д409А, Д409АП
Диоды кремниевые, точечные, смесительные. Предназначе-
ны для применения в преобразователях частоты на длине вол-
ны 3 см. Выпускаются в металлокерамическом корпусе. Тип
диода и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе. Диод Д409А — прямой полярности, Д409АП —
обратной. Диоды выпускаются подобранными в пары: Д409АР,
Д409АПР.
Масса диода не более 3 г.
Ш(А,АП)
Выбод I
Выбод 2
/1409АП
Электрические параметры
Потери преобразования При Рпд = 0,2 мВт,
К = 3,2 см, /поел = 100 Ом, не более:
7 = +25 ’С........................................
7= +100 ’С........................................
7= -60 ’С.........................................
Выпрямленный ток при = 0,2 мВт,
К = 3,2 см, /поел = 100 Ом:
7= +25 ’С.........................................
7=+100'С..........................................
7= -60 ’С.........................................
Выходное шумовое отношение при / = 10 кГц,
Рпд = 0,2 мВт, К = 3,2 см, Гпосл = 100 Ом,
не более ••••••••«••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••а
Коэффициент стоячей волны по напряжению
ПРИ ^пд = 0,2 мВт, К = 3,2 см, Гпосл = Ю0 Ом,
не более ••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••а
Выходное сопротивление при Рпд = 0,2 мВт,
X ® 3,2 см, ^посл = 100 Ом •••••••••••••••••••••••••••••••
7,5 дБ
10,5 дБ
11,5 дБ
0,2...0,5 мА
0,1—0,75 мА
0,05...0,875 мА
21
1,7
350...575 Ом
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования, не более.......... 1 дБ
Выпрямленный ток, не более............... 0,06 мА
Выходное сопротивление, не более......... 50 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность......... 300 мВт
Рассеиваемая мощность при кратковременном
воздействии (не более 2 ч)............... 30 мВт
Энергия импульсов........................ 3 • 10"8 Дж
Температура окружающей среды............. —60...+100 ’С
Зависимость выпрямленного тока
от непрерывной падающей СВЧ
мощности
Зависимость потерь преобразова-
ния от непрерывной падающей
СВЧ мощности
Зависимость потерь преобразовав
Зависимость выпрямленного тока
ния от температуры
от температуры
2А101А, 2А101Б
Диоды кремниевые, точечные, смесительные. Предназна-
чены для применения в преобразователях частоты СВЧ диапа-
зона. Выпускаются в металлостеклянном корпусе. Тип диода и
схема соединения электродов с выводами приводятся на кор-
пусе.
Масса диода не более 1,5 г.
2А10КА.Б)
Выбод 1
V
Выбод 2
Электрические параметры
Потери преобразования при - 1 мВт,
/поел = 100 Ом, не более:
Т- +25 ’С:
2А101А........................ 10 дБ
2А101Б........................ 9 дБ
7 = -60 и +100 ’С:
2А101А........................... 11 дБ
2А101Б........................ 10 дБ
Выпрямленный ток при Р^ = 1 мВт,
<посл ~ ЧОО 0м» не менее.................. 0,5 мА
Выходное шумовое отношение при
Рцд = 1 мВт, /поел = 100 Ом, не более..... 2
Коэффициент стоячей волны по напряжению
ПРИ Рпд ~ 1 мВт, Гпосл = 100 Ом, не более. 3
Выходной сопротивление при Рт = 1 мВт,
гпосл ~ Ю0 Ом:
2А101А.................................... 250...550 Ом
2А101Б................................. 150...300 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность
при 41 = 1 мкс, О> 1000:
2А101А................................. 150 мВт
2А101Б.............................. 250 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при крат-
ковременном воздействии (не более 20 мин)
при /*и = 1 мкс, 02 1000:
2А101А................................. 200 мВт
2А101Б.............................. 300 мВт
Мощность плоской части просачивающегося
через разрядник импульса:
2А101А................................. 30 мВт
2А101Б.............................. 60 мВт
Энергия одиночного импульса:
2А101А................................. 6-10"’ Дж
2А101Б.............................. 2-10"8Дж
Температура окружающей среды........... —60...+100 ’С
Зависимости выпрямленного тока
от температуры
Зависимость потерь преобразова-
ния от температуры
Зависимость коэффициента стоя-
чей волны по напряжению от тем-
пературы
Зависимости выходного сопроти-
вления от температуры
Зависимости выходного шумового
отношения от температуры
Зависимость потерь преобразова-
ния от непрерывной падающей
СВЧ мощности
Зависимость выпрямленного тока
от непрерывной падающей СВЧ
мощности
Зависимость выходного шумового
отношения от непрерывной падаю-
щей СВЧ мощности
2А102А
Диод кремниевый, точечный, смесительный. Предназначен
для применения в преобразователях частоты в диапазоне длин
волн 10...30 см. Выпускается в металлокерамическом корпусе.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приво-
дятся на корпусе.
Масса диода не более 2,5 г.
2А102А
Выбод 1
Выбод 2
Электрические параметры
Потери преобразования при Рпд = 0,5 мВт,
X = 10 см, не более....................... 6 дБ
Выпрямленный ток при Рпд = 1 мВт,
К = 15,5 см, Гпосл = Ю0 Ом, не менее...... 1,2 мА
Коэффициент шума при Рпд = 0,5 мВт,
X = 10 см, Гпосл = Ю0 Ом:
Т - +25 ’С, не более.................. 8,5 дБ
7= -60 и +100 ’С...................... 7,2...9,8 дБ
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Рпд = 1 мВт, X = 15,5 см, Гпосл = Ю0 Ом,
не более.................................. 1,5
Выходное сопротивление при Рпд = 1 мВт,
X = 15,5 см, Гпосл = Ю0 Ом................ 250...450 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Рассеиваемая мощность.................... 30 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность......... 500 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при крат-
ковременном воздействии (не более 10 мин).. 6 Вт
Температура окружающей среды............. —60...+ 100 ’С
Зависимость потерь преобразова-
ния от температуры
Зависимость коэффициента стоя-
чей волны по напряжению от не-
прерывной падающей СВЧ мощ-
ности
2 А ЮЗА, 2А103Б
Диоды кремниевые, точечные, смесительные. Предназна-
чены для применения в преобразователях частоты СВЧ диапа-
зона. Выпускаются в металлокерамическом корпусе. Тип ди-
ода и схема соединения электродов с выводами приводятся на
корпусе.
Масса диода не более 1,65 г.
2А1Ш.Б)
Электрические параметры
Потери преобразования при = 1 мВт,
'поел = 400 Ом, не более:
7 = +25 ’С:
2А103А........................... 10 дБ
2А103Б......................... 9 дБ
7=-60 и+100 ’С:
2А103А........................... 11 дБ
2А103Б......................... 10 дБ
Выпрямленный тск при Рпд = 1 мВт,
/поел = ЮО Ом, не менее................. 0,5 мА
Выходное шумовое отношение при
Род = 1 мВт, /поел = 100 Ом, не более... 2
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при = 1 мВт, /поел = Ом, не более....... 3
Выходное сопротивление при Род = 1 мВт,
/поел ” Ю0 Ом «••••••••................. 200...550 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Рассеиваемая мощность:
2А103А.................................. 10 мВт
2А103Б.............................. 15 мВт
Рассеиваемая мощность при кратковременном
воздействии (не более 10 мин):
2А103А................................. 75 мВт
2А103Б.............................. 100 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
при 4 < 1 мкс, О > 1000:
2А103А................................. 150 мВт
2А103Б.............................. 250 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при крат-
ковременном воздействии (не более 10 мин)
при ?и < 1 мкс, ОС 1000:
2А103А................................. 200 мВт
2А103Б.............................. 300 мВт
Энергия СВЧ импульсов:
2А103А.................................. 6-10-’Дж
2А103Б.............................. 2-10-«Дж
Мощность плоской части просачивающегося
импульса:
2А103А................................. 30 мВт
2А103Б.............................. 60 мВт
Температура окружающей среды........... —60...+100 ’С
Каи
Зависимости коэффициента стоя*
чей волны по напряжению от тем*
пера туры
Зависимости выпрямленного тока
от температуры
Зависимости потерь преобразова-
Зависимости выходного сопроти-
вления от температуры
ния от температуры
Зависимости выходного шумового
отношения от температуры
2А104А, КА104А
Диоды кремниевые, точечные, смесительные. Предназна*
чены для применения в преобразователях частоты в диапазоне
Длин волн 8...60 см. Выпускаются в металлостеклянном корпу-
се с жесткими выводами. Тип диода приводится на этикетке.
Маркируются цветными полосками со стороны положительно-
го вывода: 2А104А — красной, КА104А — синей. Диоды,
подобранные в пары, обозначаются 2А104АР, КА104АР.
Масса диода не более 0,15 г.
Электрические параметры
Потери преобразования при Рщ = 0,5 мВт,
= 8 см, Гпосл = 400 Ом, не более:
Т=+25*С......................... 6,5 дБ
Т=+125'С........................ 9 дБ
Т=-60*С......................... 7 дБ
Выбод 1
Выбод 2
Выпрямленный ток при Рпд = 0,5 мВт,
X = 8 см, /поел - Ю0 Ом, не менее..... 0,5 мА
Нормированный коэффициент шума
при Гупч <1,5 дБ, не более............ 8,5 дБ
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Рпд = 0,5 мВт, X = 8 см, г^я = 100 Ом,
не более.............................. 1,5
Выходное сопротивление при Рпд - 0,5 мВт,
X = 10 см, /поел = Ю0 Ом.............. 340...560 Ом
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования, не более.......... 0,5 дБ
Выпрямленный ток, не более............... 0,1 мА
Выходное сопротивление, не более.......... 50 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Рассеиваемая мощность.................... 20 мВт
Рассеиваемая мощность при кратковременном
воздействии (не более 10 мин)............ 150 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
при Ги < 1 мкс, /< 1000 Гц............... 300 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при крат-
ковременном воздействии (не более 1 ч),
4, < 1 мкс, 1 < 1000 Гц.................. 500 мВт
Энергия СВЧ импульсов.................... 5 • 10'8 Дж
Мощность плоской части импульса, просачи-
вающегося через разрядник................ 100 мВт
Температура окружающей среды............. —60...+125 *С
Зависимость потерь преобразова-
ния от непрерывной падающей
СВЧ мощности
Зависимость выпрямленного тока
от непрерывной падающей СВЧ
мощности
Зависимость коэффициента стоя-
чей волны по напряжению от не-
прерывной падающей СВЧ мощ-
ности
Зависимость выходного шумового
отношения от непрерывной падаю-
щей СВЧ мощности
Зависимость потерь пре- Зависимость выпрям- Зависимость коэффи-
обраэования от темпера- ленного тока от тем- циента стоячей волны
туры пературы по напряжению от тем-
пературы
2А105А, 2А105Б
Диоды кремниевые, точечные, смесительные. Предназначе-
ны для применения в преобразователях частоты в диапазоне
длин волн 3...8 см. Выпускаются в металлостеклянном корпусе
с жесткими выводами. Тип диода приводится на этикетке. Мар-
кируются цветным кодом у положительного вывода: 2А105А —
двумя красными полосками, 2А105Б — двумя красными полос-
ками и точкой. Диоды выпускаются подобранными в пары:
2А105АР, 2А105БР.
Масса диода не более 0,15 г.
Вывод 1
Вывод 2
Электрические параметры
Потери преобразования при Рп» = 1 мВт,
X = 3,2 см, Гпосл = 350 Ом, не более:
Т= +25 ’С:
2А105А................................. 7 дБ
2А105Б •••••*•••••••••••••••••••••••»••••»••••»••••••*••• 6,7 дБ
Т= —60 и+125’С............................. 9 дБ
Выпрямленный ток при Род = 1 мВт,
X = 3,2 см, Гпосл ~ 100 Ом, не менее........... 0,8 мА
Выходное шумовое отношение при
Род = 1 мВт, X = 3,2 см, не более:
2А105А......................................... 1,7
2А105Б..................................... 1,6
Нормированный коэффициент шума (расчет-
ный), не более:
2А105А..................................... 10 дБ
2А105Б..................................... 9 дБ
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Ятд = 1 мВт, к = 3,2 см, /поел = ЮО Ом,
не более:
2А105А.................................... 1,7
2А105Б................................. 1,5
Выходное сопротивление при Ррд = 1 мВт,
к ® 3,2 см, /поел 100 Ом:
2А105А................................. 250...500 Ом
2А105Б................................. 250...450 Ом
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования, не более.......... 0,5 дБ
Выпрямленный ток, не более............... 0,1 мА
Выходное сопротивление, не более.......... 50 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Рассеиваемая мощность.................... 20 мВт
Рассеиваемая мощность при кратковременном
воздействии (не более 10 мин)............ 100 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
при 4, < 1 мкс, /С 1000 Гц............... 300 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при крат-
ковременном воздействии (не более 5 мин),
Ги С 1 мкс, 1000 Гц...................... 500 мВт
Энергия СВЧ импульсов.................... 5 • 10“8 Дж
Мощность плоской части импульса, просачи-
вающегося через разрядник................ 100 мВт
Температура окружающей среды............. —60...+125 ’С
Зависимость потерь преобразова-
ния от непрерывной падающей
СВЧ мощности
-ависимость выпрямленного тока
от непрерывной падающей СВЧ
мощности
Зависимость выпрямленного тока Зависимость коэффициента стоя-
от температуры чей волны по напряжению от тем-
пературы
1А106А, 1А106Б, 1А106В
Диоды германиевые, микросплавные, смесительные. Пред-
назначены для применения в преобразователях частоты в диа-
пазоне длин волн 2...3 см. Выпускаются в металлокерамиче-
ском корпусе. Тип диода и схема соединения электродов с
выводами приводятся на этикетке. Маркируются цветными точ-
ками со стороны положительного вывода: 1А106А — одной
желтой, 1А106Б — двумя желтыми, 1А106В — тремя жел-
тыми. Диоды выпускаются подобранными в пары: 1А106АР,
1А106БР, 1А106ВР.
Масса диодов не более 0,6 г.
Электрические параметры
Потери преобразования при Рпд = 200 мкВт,
бюсл = 100 Ом, не более:
Т= +25 ’С:
1А106А, 1А106Б.................. 13,5 дБ
1АЮ6В........................... 12,5 дБ
Т= -60 и +70 ’С:
1А106А, 1А106Б.................... 15 дБ
1А106В.......................... 14 дБ
Выпрямленный ток при Рпд = 200 мкВт,
'поел =100 Ом, не менее:
1А106А, 1А106Б........................ 0,1 мА
1А106В ............................ 0,12 мА
1А106(А-В)
— Вывод 2
-|- Вывод 1
Нормированный коэффициент шума (рас-
четный) на промежуточной частоте 10 кГц,
не более:
1А106А.............................. ?2 дБ
1А106Б, 1А106В...................... 19 дБ
Коэффициент стоячей волны по напряже-
нию при Рид = 200 мкВт, /поел а Ю0 Ом,
/м = 230 Ом, не более:
1А106А.............................. 1,2
1А106Б.............................. 3
1А106В.............................. 2
Выходное сопротивление при Рид = 200 мкВт,
Люсл ” 100 Ом........................... 160...300 Ом
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования, не более.......... 0,5 дБ
Выпрямленный ток, не более.............. 0,05 мА
Выходное сопротивление, не более.......... 25 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Рассеиваемая мощность................... 6 мВт
Рассеиваемая мощность при кратковременном
воздействии (не более 5 мин)............ 30 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при крат-
ковременном воздействии (не более 5 мин),
<4=1 мксг /= 1000 Гц.................... 100 мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность........ 40 мВт
Энергия СВЧ импульсов................... 5 • 10"* Дж
Температура окружающей среды............ —60...+70 “С
Ьп₽б.дБ
Г ВЫХ-О*
Зависимость выходного сопроти-
вления от температуры
Зависимость потерь преобразова-
ния от температуры
Зависимость коэффициента стоя-
чей волны по напряжению от тем-
пературы
Зависимость выпрямленного тока
от температуры
Зависимость нормированного коэф-
фициента шума от температуры
Зависимость нормированного коэф-
фициента шума от непрерывной па-
дающей СВЧ мощности
2А107А
Диод кремниевый, микросплавной, смесительный. Предна*
значен для применения в преобразователях частоты на длине
68
волны 2 см. Выпускается в металлокерамическом корпусе. Тип
диода и схема соединения электродов с выводами приводят
ся на этикетке. Диоды выпускаются подобранными в пары
2АЮ7АР.
Масса диода не более 0,2 г.
2.А107А
Выбод 1
Вывод 2
Электрические параметры
Потери преобразования при Ррд = 0,5 мВт,
Цэы> = 0,25 В, гпосл = 100 Ом, не более:
Г =+25’С............................... 7,5 дБ
Т= -60 и +125 ’С................... 9 дБ
Выпрямленный ток при Р™ = 0,5 мВт,
Мжр = 0.25 В, Гпосл = Ю0 Ом, не менее.. 0,3 мА
Нормированный коэффициент шума диода
(расчетный), не более.................. 9 дБ
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Рпд а 0,5 мВт, (/обр = 0,25 В, Гпосл = 100 Ом,
не более............................... 1,5
Выходное сопротивление при Рщ = 0,5 мВт,
Мж₽ = 0,25 В, Гпосл = Ю0 Ом............ 175...375 Ом
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования, не более........... 0,5 дБ
Выпрямленный ток, не более............... 0,05 мА
Выходное сопротивление, не более........... 30 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Рассеиваемая мощность.................... 20 мВт
Рассеиваемая мощность при кратковременном
воздействии (не более 3 ч)............... 50 мВт
Температура окружающей среды............. 60...+100 'С
Пр|, установке диода в диодную камеру следует предвари,
тельно касаться рукой заземленного устройства.
Допускается использование диодов без внешнего смеще-
ния при мощности гетеродина 1...1.5 мВт.
Допускается применение диодов при воздействии импульс-
ной падающей СВЧ мощности 300 мВт (Ги < 4 мкс, О > 200) в
течение 400 ч при +25 *С, при этом значение нормированного
(расчетного) коэффициента шума не превышает 10 дБ.
Зависимость выпрямленного ток-
от температуры
Зависимость потерь преобразова-
ния от температуры
Зависимость выходного сопроти
вления от температуры
Зависимость выходного шумового
отношения от температуры
Зависимость нормированного коэ
фициеита шума от температуры
Зависимость предельной рассеива-
емой мощности от температуры
2А108А
Диод кремниевый, микросплавной, смесительный. Предна-
значен для применения в преобразователях частоты на длине
волны 10 см. Выпускается в металлокерамическом корпусе.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приво-
дятся на этикетке. Диоды выпускаются подобранными в пары
2АЮ8АР.
Масса диода не более 0,2 г.
Для работы в диапазоне частот 1...100 МГц диоды выпус-
каются одиночными, подобранными в пары и квартеты.
Масса диода не более 0,26 г.
2А108А
Для работы на частотах 1... 100 МГц
4- Выбод 1
Выбод 2
|- Выбод 1
- Выбод 2
Электрические параметры
Потери преобразования при Рпд ~ 1 м^т<
гпосл = 100 Ом, гм = 500 Ом, не более:
7 = +25 ’С ••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••• • •• • •
7=-60 и +125 X.................................
5 дБ
6 5 дБ
Выпрямленный ток при Рщ - 1 мВт,
бюсл ~ 100 Ом. не менее................... 0,7 мА
Нормированный коэффициент шума (расчет-
ный), не более............................ 6,5 дБ
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Р„д = 1 мВт» /лосл =Ю0 Ом, не более... 1,5
Выходное сопротивление при Рщ = 1 мВт,
/поел ~ 100 Ом.................................................... 425...575 Ом
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования, не более........... 0,5 дБ
Выпрямленный ток, не более................ 0,05 мА
Выходное сопротивление, не более.......... 30 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Рассеиваемая мощность..................... 1 мВт
Рассеиваемая мощность при кратковременном
воздействии (не более 15 мин)............. 100 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при
Ги = 0.5...1 мкс, О > 1000, Т = —60...+100 ’С.. 50 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при крат-
ковременном воздействии (не более 15 мин),
Ги = 0,5... 1 мкс, 1000, 7= -60...+100 ’С.. 100 мВт
Температура окружающей среды.............. —60...+125 ’С
Электрические параметры
при работе в диапазоне частот 1...100 МГц
Постоянное прямое напряжение:
при /п₽ = 0,005 мА, не менее.......... 0,3 В
при 41р - 0,5 мА, не более............. 0,55 В
при 4» = 10 мА, не более............... 0,7 В
Постоянное обратное напряжение, не менее .. 0,8 В
Коэффициент шума, не более................ 7 дБ
Коэффициент передачи, не менее............ 0,6
Выходное сопротивление.................... 50... 180 Ом
Разброс электрических параметров в паре
Постоянное прямое напряжение, не более.... 15 мВ
Постоянное обратное напряжение, не более .. 0,5 В
Выходное сопротивление.................... 50... 180 Ом
Разброс электрических параметров в квартете
Постоянное прямое напряжение, не более.... 20 мВ
Постоянное обратное напряжение, не более .. 0,5 В
Выходное сопротивление.................... 50... 180 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение гетеродина:
при Т - +25 ’С.......................... 1 В
при Т - +85 ’С в течение 100 ч.......... 1 В
при 7 = -60...+85 ’С.................... 0,4 В
При установке диода в диодную камеру следует предвари-
тельно коснуться рукой заземленного устройства.
Допускается применение диодов с внешним смещением
0,2...0,4 В при мощности гетеродина 0,5... 1 мВт.
Зависимость нормированного коэф-
фициента шума от температуры
Зависимость выходного шумового
отношения от температуры
Зависимости выпрямленного тока
от непрерывной падающей СВЧ
мощности
Зависимости потерь преобразова-
ния от непрерывной падающей
СВЧ мощности
Зависимости выходного сопроти-
вления от непрерывной падающей
СВЧ мощности
Зависимости выходного шумового
отношения от непрерывной падаю-
щей СВЧ мощности
Зависимость выпрям-
ленного тока от тем-
пературы
Зависимость потерь пре-
образования от темпера-
туры
Зависимость выходного
сопротивления от тем-
пературы
Зависимости нормированного коэф-
фициента шума от непрерывной па-
дающей СВЧ мощности
Зависимость предельной рассеива-
емой мощности от температуры
2А109А
Диод кремниевый, точечный,-смесительный. Предназначен
для применения в преобразователях частоты на длине волны
Зсм. Выпускается в металлостеклянном корпусе. Тип диода
приводится на этикетке. Маркируется серой точкой у положи-
тельного электрода (вывод /). Диоды выпускаются подобран-
ными в пары: 2А109АР.
Масса диода не более 0,15 г.
Выбод 1
Выбод 2
Электрические параметры
Потери преобразования при Рпд = 1 мВт,
бюсл = 350 Ом, не более:
Г =+25’С........................... 6,5 дБ
7=-60 и+125’С Л.................... 8 дБ
Выпрямленный ток при Рпд = 1 мВт,
гпосл ~ Ом» не менее.................. 0,9 мА
Нормированный коэффициент шума
при Гупч = 1,5 дБ, не более........... 8,5 дБ
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Род = 1 мВт, Гпосл = Ю0 Ом........ 220...380 Ом
Выходное сопротивление при Род = 1 мВт,
Гпосл = ЮО Ом......................... 220...380 Ом
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования, не более.......... 0,5 дБ
Выпрямленный ток, не более............... 0,1 мА
Выходное сопротивление, не более.......... 50 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Рассеиваемая мощность:
при Т = —60...+85 ’С.................... 20 мВт
при Т - +125 ’С......................... 10 мВт
Рассеиваемая мощность при кратковре-
менном воздействии (не более 1 ч) при
Г = -60...+85 ’С.......................... 100 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
при 4, < 0,5... 1 мкс, 1000 Гц............ 300 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при крат-
ковременном воздействии (не более 5 мин),
4, < 0,5... 1 мкс, 1000 Гц................ 500 мВт
Энергия СВЧ импульсов..................... 3 • 10"* Дж
Мощность плоской части импульса, просачи-
вающегося через разрядник................. 100 мВт
Температура окружающей среды.............. —60...+125 ’С
Диоды выдерживают температуру +150 ’С в течение 15 мин.
Диоды выдерживают воздействие непрерывной СВЧ мощ-
ности 150 мВт в течение 10 мин.
Потери преобразования при уровне ограничения входного
сигнала Рс = 10"4 Вт ухудшаются не более чем на 1 дБ.
Рекомендуется принимать меры по защите диодов от ста-
тического электричества.
Зависимость выходного шумового
отношения от температуры
Зависимость потерь преобразова-
ния от непрерывной падающей
СВЧ мощности
Зависимости нормированного коэф-
фициента шума от непрерывной па-
дающей СВЧ мощности
РрАСМЛКСНВГП
Зависимость предельной рассеива-
емой мощности от температуры
Зависимость потерь пре-
образования от темпера-
туры
Зависимость коэффици-
ента стоячей волны по
напряжению от темпе-
ратуры
Зависимость выходного
сопротивления от тем-
пературы
ЗА110А, ЗА110Б
Диоды арсенидгаллиевые, планарно-эпитаксиальные, с
барьером Шотки, смесительные. Предназначены для примене-
ния в преобразователях частоты на длине волны 2 см. Выпу-
скаются в металлокерамическом корпусе. Тип диода и его
полярность приводятся на этикетке. Маркируются кодом: пер-
вая цифра указывает на тип диода (для ЗА110А — б, для
ЗА110Б — 7), вторая — квартал выпуска диода, третья (по-
следняя цифра) — год выпуска диода. Диоды выпускаются
подобранными в пары: ЗА110АР, ЗА110БР.
Масса диода не более 0,15 г.
ЗА110(А,Б)
Выбод 1
Выбод /
Вывод 2
Электрические параметры
Потери преобразования при Рпд = 3 мВт, к = 2 см, не более:
7 = +25 ’С:
ЗА110А.............................. 6,5 дБ
ЗА110Б........................... 6 дБ
7= -60 и +125 ’С:
ЗА110А.............................. 8 дБ
ЗА110Б........................... 7,5 дБ
Выпрямленный ток при Рпд = 3 мВт, к = 2 см 0,9.„2,2 мА
Нормированный коэффициент шума
при Рпд = 3 мВт, к = 2 см, не более:
ЗА110А.............................. 8 дБ
ЗА110Б.............................. 7,5 дБ
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Рпд = 3 мВт, к = 2 см, не более:
ЗА110А.............................. 2
ЗА110Б.............................. 1,6
Выходное сопротивление при Рпд = 3 мВт,
к = 2 см:
ЗА110А.............................. 200...500 Ом
ЗА110Б.............................. 210...490 Ом
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования, не более.......... 0,5 дБ
Выпрямленный ток, не более.............. 0,15 мА
Выходное сопротивление, не более.......... 30 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Рассеиваемая мощность при 7= —60...+100 ’С 50 мВт
Рассеиваемая мощность при кратковременном
воздействии (не более 3 ч), 7= —60...+85 ’С. 100 мВт
78
Импульсная рассеиваемая мощность при
4, < 4 мкс, 1000 Гц, Г= -60...+100 ’С.... 150 мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность при
кратковременном воздействии (не более 3 ч),
4, < 4 мкс, 1000 Гц, Т - —60...+85 ’С.... 300 мВт
Энергия СВЧ импульсов при Т = —60...+85 ‘С 2* Ю"8 Дж
Температура окружающей среды............. —60...+ 125 ’С
Допускается применение диодов в режиме с внешним по-
ложительным смещением, не превышающим 0,5 В.
Зависимость выпрямленного тока
Зависимость потерь преобразова-
от температуры
иия от температуры
Зависимость нормированного коэф-
фициента шума от непрерывной па-
дающей СВЧ мощности
Зависимость выходного сопроти-
вления от непрерывной падающей
СВЧ мощности
Зависимость выходного сопроти- Зависимость нормированного коэф-
вления от температуры фициеита шума от температуры
Зависимость выпрямленного тока
от непрерывной падающей СВЧ
мощности
Зависимость потерь преобразова-
ния от непрерывной падающей
СВЧ мощности
Зависимость предельной рассеива-
емой мощности от температуры
Зависимости предельной импульс-
ной рассеиваемой мощности от
температуры
ЗА111А, ЗАП 16, АА111А, АА111Б
Диоды арсенидгаллиевые, планарно-эпитаксиальные, с
барьером Шотки, смесительные. Предназначены для приме-
нения в преобразователях частоты на длине волны 3 см. Вы-
пускаются в металлокерамическом корпусе. Тип диода приво-
дится на этикетке. Диоды выпускаются подобранными в пары:
ЗА 11 АР, АА111АР, ЗА111БР, АА111БР - одной полярности,
ЗА111ААР, АА111ААР, ЗА111ББР, АА111ББР — обратной.
На корпусе диода обратной полярности ставится зеленая точка.
Масса диода не более 0,2 г.
ЗА11КА.Б), АА11КА.Б)
Выбод 2
Выбод 1
Электрические параметры
Потери преобразования при Рщ = 3 мВт,
X = 3,2 см, не более:
Г =+25 ’С:
ЗА111А, АА111А..................... 6 дБ
ЗА111Б, АА111Б.................. 5,5 дБ
Г= -60 ’С:
ЗА111А............................. 7 дБ
ЗА111Б.......................... 6,5 дБ
Г=+125’С........................... 7 дБ
Выпрямленный ток при Рдд = 3 мВт, X = 3, см 1...2.5 мА
Нормированный коэффициент шума
при Рцд = 3 мВт, X = 3,2 см, не более. 7 дБ
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Рщ = 3 мВт, X = 3,2 см, не более.. 1,8
Выходное сопротивление при Рт = 3 мВт,
X = 3,2 см............................ 300...560 Ом
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования, не более ••••••••••••••••а»* 0,5 дБ
Выпрямленный ток, не более ••••••••••••••••••••••••••в 0,15 мА
Выходное сопротивление................................. 30 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Рассеиваемая мощность...................... 50 мВт
Рассеиваемая мощность при кратковременном
воздействии (не более 10 мин)............. 500 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при
Ь « 1 мкс, 1000 Гц, Т- -60...+85 ’С...... 550 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при крат-
ковременном воздействии (не более 10 мин),
«и « 1 мкс, 1000 Гц, Г= +25 ’С............ 750 мВт
Рассеиваемая мощность при кратковременном
воздействии (не более 24 ч), Т - +25 °С. 300 мВт
Температура окружающей среды............ —60...+100 ’С
Допускается кратковременное (не более 20 мин) воздей.
ствие температуры окружающей среды +125 °С.
Допускается применение диодов в режиме с внешним по-
ложительным смещением, не превышающим 0,5 В.
Зависимость выпрямленного тока
от непрерывной падающей СВЧ
мощности
Зависимость потерь преобразова-
ния от непрерывной падающей
СВЧ мощности
Зависимость выходного сопротив-
ления от непрерывной падающей
СВЧ мощности
Зависимость нормированного коэф-
фициента шума от температуры
Гвых. Ом
Зависимость выходного сопротив-
ления от температуры
Зависимость нормированного коэф*
фициента шума от температуры
Зависимость выпрямленного тока
Зависимость потерь преобразова-
от температуры
ния от температуры
Зависимость предельной рассеива-
емой мощности от длины волны
Зависимость предельной рассеива-
емой импульсной мощности от тем-
пературы
ЗА112А, АА112А, АА112Б
Диоды арсенидгаллиевые, планарно-эпитаксиальные, сме-
сительные. Предназначены для применения в преобразовате-
лях частоты на длине волны 3 см герметизированной аппара-
туры. Выпускаются в стеклянном корпусе с жесткими вывода-
ми. Тип диода и схема соединения электродов с выводами
приводятся на индивидуальной таре. Диод АА112Б выпускает-
ся подобранным в пару АА112БР. Отрицательный вывод ди-
ода — со стороны кристалла.
Масса диода не более 0,035 г.
Электрические параметры
Потери преобразования при Рад = 3 мВт,
X = 3,2 см, не более:
Г=+25’С............................ б дБ
Г= -60 и +125 ’С для ЗА112А..... 7,5 дБ
ЗА112А, АА112(А.Б)
Выпрямленный ток при = 3 мВт, X = 3,2 см
Нормированный коэффициент шума
при Рад = 3 мВт, X = 3,2 см, не более...............
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Рпд = 3 мВт, X = 3,2 см, не более:
ЗА112А, АА112Б..................................
АА112А..........................................
Выходное сопротивление при Рад = 3 мВт,
X « 3,2 см:
ЗА112А ••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••с•••••••••
АА112А, АА112Б..................................
1—2,5 мА
7 дБ
1.8
1.3
300...550 Ом
440...640 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Рассеиваемая мощность при Т = —60...+85 ’С
Импульсная рассеиваемая мощность
при Т - —60...+85 ’С:
ЗА112А..............................
АА112А, АА112Б, Ги = 1 мкс, Г = 1000 Гц.
Энергия выгорания для ЗА112А...........
Температура окружающей среды:
ЗА112А..............................
АА112А, АА112Б......................
20 мВт
150 мВт
300 мВт
5*10"’ Дж
—60...+125 ’С
—60...+100 ’С
Изгиб выводов допускается не
ближе 1 мм от корпуса с радиусом
закругления 2 мм.
Пайка выводов рекомендуется
не ближе 3 мм от корпуса диода
при температуре не свыше +200 °С
в течение 2 с.
Зависимость выпрямленного тока
от напряжения
Зависимость выпрямленного тока
от непрерывной падающей СВЧ
мощности
Зависимость выпрямленного тока
от температуры
Зависимость потерь преобразова-
ния от непрерывной падающей
СВЧ мощности
Зависимость нормированного коэф-
фициента шума от непрерывной па-
дающей СВЧ мощности
Зависимость предельной рассеива-
емой мощности от температуры
РрМ^мЛ25О
Зависимость выходного сопротив-
лення от непрерывной падающей
СВЧ мощности
АА113А, АА113Б
Диоды арсенидгаллиевые, планарно-эпитаксиальные, сме-
сительные. Предназначены для применения в преобразовате-
лях частоты сантиметрового и дециметрового диапазонов гер-
метизированной аппаратуры. Бескорпусные, с гибкими выво-
дами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами
приводятся на индивидуальной таре.
Масса диода не более 0,002 г.
АА113(А,Б)
Электрические параметры
Потери преобразования при Рпд - 3 мВт,
X = 3,2 см, не более:
АА113А................................ 6 дБ
АА113Б............................. 6,5 дБ
Выпрямленный ток при Рдд = 3 мВт, X = 3, см 0.7...2.5 мА
Нормированный коэффициент шума
при Рпд • 3 мВт, X = 3,2 см, не более:
АА113А................................ 7,5 дБ
АА113Б............................. 9 дБ
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Рпц = 3 мВт, X = 3,2 см, не более. 3,5
Сопротивление диода в нулевой точке,
не менее.............................. 1000 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Рассеиваемая мощность.................... 50 мВт
Рассеиваемая мощность при кратковременном
воздействии (не более 24 ч), Т - +25 ’С.. 200 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность......... 100 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при крат-
ковременном воздействии (не более 10 мин),
Г=+25’С.................................. 400 мВт
Температура окружающей среды............. —60...+ 100 ’С
Изгиб выводов допускается не ближе 0,3 мм от кристалла
с радиусом закругления 0,15 мм.
Нагрев диодов при монтаже не должен превышать +125 ’С.
Смонтированный в микросхему диод рекомендуется защи-
щать компаундом (в качестве клеящего вещества — компаун-
да применять лак КО—815).
Допускается напряжение смещения не более 0,6 В при
меньшей мощности гетеродина.
Допускается применение диодов
в режиме детектирования.
Зависимость потерь преобразова-
ния от непрерывной падающей
СВЧ мощности
Ь прб. дБ
Зависимость нормированного коэф-
фициента шума от непрерывной па-
дающей СВЧ мощности
Зависимость выходного сопротив-
ления от непрерывной падающей
СВЧ мощности
Зависимость выпрямленного тока
от непрерывной падающей СВЧ
мощности
Зависимость выходного шумового
отношения от непрерывной падаю-
щей СВЧ мощности
Зависимость нормированного коэф-
фициента шума от температуры
Зависимость потерь преобразова-
ния от температуры
ЗАИДА
Диод арсенидгаллиевый, с барьером Шотки, смеситель-
ный. Предназначен для применения в преобразователях часто-
ты на длине волны 8 мм. Выпускается в металлическом корпу-
88
се. Тип диода и схема соединения электродов с выводами
приводятся на корпусе.
Масса диода не более 1,5 г.
ЗА Ш
Выбод 1
Выбод 2
Электрические параметры
Потери преобразования при Р^ц - 2 мВт,
X = 8 мм, Рн = 400 Ом, не более:
Т = +25 ’С............................ 7 дБ
Г=-60и+85’С........................ 8 дБ
Выпрямленный ток при Рпд = 2 мВт, X = 8 мм,
/?н = 100 Ом, не менее................ 0,5 мА
Нормированный коэффициент шума при
Род = 2 мВт, X = 8 мм, Рн = 400 Ом, не более 9 дБ
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Рцд = 2 мВт, X = 8 мм............. 2,5
Выходное сопротивление при Рпа = 2 мВт,
X = 8 мм, Рн = 400 Ом................. 275...825 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Рассеиваемая мощность................... 10 мВт
Импульсная рассеивающая мощность
при Ги < 1 мкс, /= 1 кГц................ 100 мВт
Температура окружающей среды............ —60...+85 ’С
Допускается использование диода в детекторном режиме.
Разрешается использовать диоды при подаче прямого сме-
щения не более 0,3 мА.
Перед установкой диода в головку необходимо свободной
рукой коснуться заземленной головки.
Зависимость выпрям-
ленного тока от на-
пряжения
Зависимость выпрям-
ленного тока от тем-
пературы
Зависимость выпрям-
ленного тока от не-
прерывной падающей
СВЧ мощности
Зависимость потерь пре- Зависимость потерь пре- Зависимость потерь пре-
образования от непре- образования от темпера- образования от частоты
рывной падающей СВЧ туры
мощности
Зависимость нормиро-
ванного коэффициента
шума от непрерывной
падающей СВЧ мощно-
сти
Зависимость выходного
сопротивления от непре-
рывной падающей СВЧ
мощности
Зависимость выходного
сопротивления от тем-
пературы
ЗА115А
Диод арсенидгаллиевый, планарно-эпитаксиальный, с барь-
ером Шотки, смесительный. Предназначен для применения в
преобразователях частоты на длине волны 3 см. Выпускается
в металлокерамическом корпусе. Тип диода и его полярность
приводятся на этикетке. Диод может поставляться в парном
подборе ЗА115АР.
Масса диода не более 0,05 г.
ЗА115А
Выбод /
Выбод 2
Электрические параметры
Потери преобразования при Рдд = 3 мВт,
К = 3,2 см, Т = +25 ’С, не более....... 5 дБ
Выпрямленный ток при Р^ - 3 мВт, X = 3,2 см 1,2...2,5 мА
Коэффициент шума при Рпд = 3 мВт,
X = 3,2 см, не более................... 6 дБ
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Рпд = 3 мВт, X = 3,2 см, не более.. 1,8
Выходное сопротивление при Рпд = 3 мВт,
X = 3,2 см............................. 200...500 Ом
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования, не более.......... 0,5 дБ
Выпрямленный ток, не более............... 0,2 мА
Выходное сопротивление, не более.......... 30 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Рассеиваемая мощность при Т - —60...+85 °С 30 мВт
Рассеиваемая мощность при кратковременном
воздействии не более 10 мин............. 150 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
при Ги С 1 мкс, /С 1000 Гц.............. 300 мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность при
кратковременном воздействии не более
10 мин при Ги С 1 мкс, /С 1000 Гц....... 400 мВт
Энергия СВЧ импульсов................... 3 • 10-8 Дж
Температура окружающей среды............ —60...+125 ’С
Допускается применение диодов в режиме с Внешним по-
ложительным смещении, не превышающем 0,5 В
Зависимость нормированного коэф-
фициента шума от непрерывной па-
дающей СВЧ мощности
Зависимость потерь преобразова-
ния от непрерывной падающей
СВЧ мощности
Зависимость выходного сопротив- Зависимость нормированного козф-
ления ст иепрерывной падающей фициента шума от температуры
СВЧ мощности
2А116А—1
Диод кремниевый, планарно-эпитаксиальный, с барьером
(Вотки, смесительный. Предназначены для применения в пре-
образователях частоты дециметрового диапазона длин волн
герметизированной аппаратуры. Бескорпусные с гибкими вы-
водами без кристаллодержателя. Тип диода приводится на
этикетке. Диоды поставляются с подбором в пары и четверки.
Пары и четверки маркируются: 2А116АР—1 и 2А116АГ—1 со-
ответственно.
Масса диода не более 0,001 г.
Выбод 1 , . Вывод 2
----К-г-
Электрические параметры
Потери преобразования при Рад = 1 мВт,
X = 10 см, Гпосл = 350 Ом, Г= 25 *С, не более. 5,5 дБ
Выпрямленный ток при Рад = 1 мВт, X = 10 см,
Гпосл = 400 0м........................ 0,8... 1, мА
Нормированный коэффициент шума при
Рпд= 1 мВт, X = 10 см, Гп₽ = 30 МГц, не более 7 дБ
Выходное сопротивление при Рщ - 1 мВт,
Гпосл = ЮО Ом............................ 250...450 Ом
Разброс электрических параметров
в паре, четверке
Постоянное прямое напряжение, не более:
при /пр = 0,1 мА...1 мА................... 10 мВ
при 4|Р = 10 мА........................ 20 мВ
Общая емкость диода при 4/см = 0, не более.. 0,1 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Рассеиваемая мощность при Т - —60...+85 ’С 150 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность......... 500 мВт
Энергия СВЧ импульсов.................... 5 • 10~® Дж
Температура окружающей среды............. —60...+125 ’С
Зависимость потерь преобразова-
ния от непрерывной падающей
СВЧ мощности
Зависимость иормированного коэф-
фициента шума от непрерывной па-
дающей СВЧ мощности
Зависимость потерь преобразова-
ния от температуры
Зависимость нормированного коэф-
фициента шума от температуры
ЗА117А-6, ЗА117Б-6
Диоды арсенидгаллиевые, с барьером Шотки, смеситель-
ные. Предназначены для применения в преобразователях ча-
стоты на длинах волн не менее 3 см герметизированной аппа-
ратуры. Бескорпусные, с жесткими выводами. Тип диода при-
водится на этикетке. Маркируются цветной точкой у осно-
вания плюсовой контактной площадки: ЗА117А—6 — синей;
ЗА117Б—6 — желтой.
Масса диода не более 0,01 г.
ЗАШ(А-б.Ь-б)
Выбод 1
Вывод 2
Электрические параметры
Потери преобразования при Р™ = 3 мВт,
К = 3,2 см, Гпосл = 100 Ом, не более:
Т= +25 ’С:
ЗА117А-6........................ 5 дБ
ЗА117Б-6........................ 5,5 дБ
7= -60 и +125 ’С:
ЗА117А—6........................ 5,8 Б
ЗА117Б-6........................ 6,3 дБ
Выпрямленный ток при Рпд = 3 мВт,
X = 3,2 см, Гпосд =100 Ом, не менее... 1,2 мА
Нормированный коэффициент шума
при Рпд = 3 мВт, К = 3, см, не более:
ЗА117А—6........................... 6 дБ
ЗА117Б-6........................... 7 дБ
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Гпосл =Ю0 Ом, не более............ 2
Выходное сопротивление при Рпд = 3 мВт,
X, = 3,2 см:
ЗА117А-6..................................... 220...480 Ом
ЗА117Б-6................................. 200...500 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Рассеиваемая мощность:
при Т = —60...+85 ‘С:
ЗА117А—6.......................... 25 мВт
ЗА117Б-6........................ 30 мВт
при Т = +125 ’С’................... 10 мВт
Рассеиваемая мощность при кратковременном
воздействии (в течение 10 мин):
7 = —60...+85 ’С:
ЗА117А-6.......................... 85 мВт
ЗА117Б-6........................ 100 мВт
7 = +125 ’С:
ЗА117А-6.......................... 30 мВт
ЗА117Б-6...-.................... 35 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
при - 1 мкс, ГС 1 кГц:
7=-60...+85 ’С..................... 100 мВт
7=+125’С........................... 35 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при крат-
ковременном воздействии (в течение 10 мин),
Ги = 1 мкс, ГС 1 кГц:
7=-60...+85 ’С..................... 200 мВт
7=+125’С........................... 75 мВт
Температура окружающей среды.......... —60...+125 ’С
1 При +85...+125 *С рассеиваемая мощность и импульсная рассеиваемая
мощность снижаются линейно.
Пайку контактных площадок ре-
комендуется проводить по всей по-
верхности. Допускается однократная
припайка при монтаже.
Зависимость прямого тока от на-
пряжения
Зависимость потерь
преобразования от
непрерывной падаю-
щей СВЧ мощности
Зависимость выходно-
го сопротивления от
непрерывной падаю-
щей СВЧ мощности
Зависимость нормиро-
ванного коэффициента
шума от непрерывной
падающей СВЧ мощ-
ности
Гвых.Ом
Зависимость потерь преобраз э*'
ния от напряжения
За» тсимость выходного сопротив-
ления от напряжения
Зависимость нормированного коэф-
фициента шума от напряжения
Зона возможных положений зави-
симости потерь преобразования от
длины волны
2А118А
Диод кремниевый, точечный, смесительный. Предназначен
для применения в преобразователях сантиметрового и деци,
метрового диапазонов длин волн. Выпускается в металлокера-
мическом корпусе. Тип диода и схема соединения электродов
с выводами приводится на этикетке. На корпусе у положитель-
ного вывода наносится черная точка. Диод выпускается подо,
бранным в пару 2А118АР.
Масса диода не более 0,15 г.
2А118А
Выбод /
Выбод 2
Электрические параметры
Потери преобразования при Рпд = 1»5 мВт,
К = 2 см, = 100 Ом, не более:
Г =+25 °С.............................. 6 дБ
7"=—60 и+125‘С..................... 7 дБ
Выпрямленный ток при Рпд =1,5 мВт,
К = 2 см, Рн = 100 Ом.................. 0,8...2,5 мА
Нормированный коэффициент шума
при Рцд = 1,5 мВт, К = 2 см, не более.. 7,5 дБ
Выходное шумовое соотношение
при Рпд = 1,5 мВт, К = 2 см, не более. 1,3
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Рпд = 1,5 мВт, К = 2 см, не более... 2
Выходное сопротивление при Рпд =1,5 мВт,
X = 2 см............................... 160...400 Ом
Постоянное прямое напряжение
при 4|Р = 1 мА, не более............... 0,5 В
Постоянное обратное напряжение
при /оы» =10 мкА, не менее............ 4 В
Обшая емкость, не более................ 0,45 пФ
Емкость корпуса, не более.............. 0,2 пФ
Индуктивность диода, не более.......... 10 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Т = —60...+85 ’С.................. 50 мВт
при Т - +125 ’С’................... 10 мВт
рассеиваемая мощность при кратковременном
воздействии (в течение 10 мин):
Г=-60...+85 ’С..................... 150 мВт
Т=+125’С’.......................... 30 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
при /й = 1 мкс, 1 кГц:
Г=+125’С’.......................... 20 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при крат-
ковременном воздействии (в течение 10 мин),
Си = 1 мкс, Г = 1 кГц:
Г = —60...+85 ’С................... 200 мВт
Г=+125‘С........................... 40 мВт
Энергия выгорания..................... 5 • 10"7 Дж
Температура окружающей среды.......... —60...+125 ’С
1 В диапазоне температур окружающей среды +85...+125 *С рассеиваемая
мощность снижается линейно.
Зависимость выпрям-
ленного тока от не-
прерывной падающей
СВЧ мощности
Зависимость нормиро-
ванного коэффициен-
та шума от непрерыв-
ной падающей СВЧ
мощности
Зависимость нормиро-
ванного коэффициен-
та шума от частоты
Зависимость потерь преобразова-
ния от непрерывной падающей
СВЧ мощности
!-т.дБ
Зона возможных положений зави-
симости потерь преобразования
от температуры
2А118А-6
Диод кремниевый, планарно-эпитаксиальный, с барьером
Шотки, смесительный. Предназначен для применения в преоб-
разователях частоты сантиметрового и дециметрового диапа-
зонов длин волн герметизированной аппаратуры. Бескорпус-
ные с контактными площадками на кристаллодержателе без
выводов. Тип диода приводится на этикетке. Диоды могут по-
ставляться подобранными в пары и маркируются 2А118АР—6.
Масса диода не более 0,01 г.
Выбод 1
Выбод 2
Электрические параметры
Потери преобразования при Рпд = 1,5 мВт,
X, = 2 см, /поел = 100 Ом, Т = +25 ’С, не более 6 дБ
Выпрямленный ток при Рпд =1,5 мВт,
X, = 2 см, /доел = 100 Ом............... 0.7...2 мА
Нормированный коэффициент шума
при Рпд = 1,5 мВт, X, = 2 см, не более.. 7,5 дБ
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Рпд = 1,5 мВт, X, = 2 см, гпосл = 100 Ом,
не более................................ 2
Выходное сопротивление при Рпд = 1,5 мВт,
Х> = 2 см, /доел = 100 Ом............... 200...440 Ом
Разброс электрических параметров в паре
Постоянное прямое напряжение, не более:
при = 0,1 и 1 мА.................. 20 мВ
при 4<р = 10 мА..................... 30 мВ
Общая емкость при €/см = 0, не более.. 0,05 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Т = —60...+85 ’С.................. 50 мВт
при Т = +125 ’С................... 10 мВт
Рассеиваемая мощность при кратковременном
воздействии не более 10 мин:
Г= —60...+85 ’С................... 150 мВт
Т=+125’С.......................... 30 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при
1и < 1 мкс, 1000 Гц:
Г=-60...+85 ’С....................... 100 мВт
Г=+125’С.......................... 70-мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность при
кратковременном воздействии не более
10 мин 4, < 1 мкс, 1000 Гц:
Г=-60...+85 ’С....................... 200 мВт
Г=+125’С.......................... 40 мВт
Диапазоны рабочих частот............. 1...18 П ц
Температура окружающей среды......... 60...+125 С
Ст.дБ
Зависимость потерь преобразова-
ния от непрерывной падающей
СВЧ мощности
Зависимость потерь преобразова-
ния от температуры
Б норн.дБ
Зависимость нормированного коэф
фициента шума от частоты
Б НОРН.дБ
Зависимость нормированного коэф-
фициента шума от непрерывной па-
дающей СВЧ мощности
ЗА119А-6
Диод арсенидгаллиевый, с барьером Шотки, смеситель-
ный. Предназначен для применения в преобразователях часто-
ты на длинах волн не менее 2 см герметизированной аппарату-
ры. Бескорпусный, с жесткими выводами. Тип диода и схема
соединения электродов с выводами приводятся на этикетке.
Масса диода не более 0,01 г.
Электрические параметры
Потери преобразования при Рад = 3 мВт,
X, = 2 см, Гпосл ~ ^00 Ом, не более:
Г =+25’С.............................. 6 дБ
Г=-60 и+125’С...................... 7 дБ
ЗА119А-6
^3
Выбод
ч
В'-'бод 2
Выпрямленный ток при Р^ = 3 мВт, X = 2 см,
Люсл = ЮО Ом» не менее.................
Нормированный коэффициент шума
°ри Рпц - 3 мВт, X = 2 см, не более....
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Рпд = 3 мВт, X = 2 см, Гпосл = 100 Ом,
не более...............................
Выходное сопротивление при Рцд = 3 мВт,
X = 2 см, гпосл = 100 Ом...............
Общая емкость..........................
Емкость перехода.......................
Емкость держателя......................
Индуктивность диода....................
.1,8 мА
7,5 дБ
2
200...500 Ом
0,14...0,35 пФ
0.09...0.26 пФ
0,05...0,09 пФ
1,2... 1,8 нГч
Предельные эксплуатационные данные
Постоянная рассеиваемая мощность*
при Г = —60...+85 “С..................... 5 мВт
при Т = +125 ’С.................... 10 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
при гн = 1 мкс, / = 1 кГц:
Т = —60...+85 ’С......................... Ю0 мВт
Т = +125 ’С........................... мВт
Температура окружающей среды.......... —60...+125 ’С
1 Прн Т = +85...+125 ’С максимально доту'*" • гая ра::еи аемая мощность
изменяется по линейному закону.
Монтаж диодов осуществляют пайкой >ри температуре не
свыше +160 ’С без применения активного флюса.
Зависимость нормиро-
ванного коэффициент»
шума от напряжения
Зависимость выпрям-
ленного тока от непре-
рывной падающей СВЧ
мощности
Зависимость потерь
преобразования от не-
прерывной падающей
СВЧ мощности
Зависимость прямого
тока от напряжения
Зависимость потерь
преобразования от
напряжения
Зависимость выходно-
го сопротивления от
напряжения
Зависимость выходно-
э сопротивления от
непрерывной падаю-
щей СВЧ мощности
Зависимость нормиро-
ванного коэффициента
шума от непрерывной
падающей СВЧ мощ-
ности
Зависимость нормиро-
ванного коэффициента
шума от частоты
2А120А
Диод кремниевый, планарно-эпитаксиальный, с барьером
Шотки, смесительный. Предназначен для применения в преоб-
разователях частоты сантиметрового и дециметрового диапа-
зона длин волн. Выпускается в металлокерамическом корпусе.
Тип диода и его полярность приводятся на этикетки. Диоды
могут поставляться парами и четверками, маркируются соот-
ветственно 2А120АР, 2А120АГ.
Масса диода не более 0,035 г.
Выбод 1. , Выбод 2
Электрические параметры
Потери преобразования при Рпд = 1,5 мВт,
К = 3,2 см, гпосл = 100 Ом, не более:
Г=+25’С................................. 5,5 дБ
Г=-60’С.............................. 6 дБ
Г=+125’С............................. 6,5 дБ
Выпрямленный ток при Рщ =1,5 мВт,
К = 3,2 см, Гпосл = Ом.................. 0,5...2,5 мА
Нормированный коэффициент шума
при Рпд = 1»5 мВт, к = 3,2 см, не более. 7 дЬ
Коэффициент стоячей волнц по напряжению
при Рцд = 1,5 мВт, к = 3,2 см, не более. 1,8
Выходное сопротивление при Рцд = 1,5 мВт,
к = 3,2 см.............................. 200...500 Ом
Разброс электрических параметров
в паре, четверке
Постоянное прямое напряжение
при /рр = 1 мА, не более.............. 20 мВ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Г = —60...+40 ’С.................. 50 мВт
при Г =+125’С...................... 25 мВт
Рассеиваемая мощность при кратковременном
воздействии:
Г = -60...+40 ’С................... 100 мВт
Г=+125’С........................... 50 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
при < 1 м«с, 1000 Гц:
Т = -60...+40 ’С...................... 100 мВт
Г=+125'С........................... 50 мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность при
кратковременном воздействии:
Т=-60...+40 ’С..................... 200 мВт
Г=+125’С........................... 100 мВт
Рабочий диапазон частот............... 0,3... 18 ГГц
Температура окружающей среды.......... —60...+125 ’С
Допускается применение диодов в режиме с внешним по-
ложительным смещении, не превышающем 0,3 В.
Зависимость нормированного коэф-
фициента шума от частоты
Зависимость потерь преобразова-
ния от температуры
Зависимость нормированного коэф- Зависимость выходного сопротив-
фициента шума от температуры пения от непрерывной падающей
СВЧ мощности
ЗАСЛ 22 А-4, ЗАС122Б—4
Сборки из двух подобранных арсенидгаллиевых, смеси-
тельных диодов. Предназначены для применения в преобразо-
вателях частоты на длине волны 3 см герметизированной аппа-
ратуры. Бескорпусные, с гибкими выводами. Тип диода приво-
дится на этикетке. Сборки ЗАС122А—4 обозначается черной
точкой на обратной стороне прибора, ЗАС122Б—4 — черной
точки не имеет.
Масса сборки не более 0,012 г.
Электрические параметры
Последовательное сопротивление потерь
при /ПР = Ю мА, не более.............. 12 Ом
Нормированный коэффициент шума
при Р^п = 5 мВт, / = 9,375 ГГц, не более:
ЗАС122А—4.......................... 6,5 дБ
ЗАС122Б-4.......................... 8 дБ
Постоянное прямое напряжение
при /ПР = 1 мА, не более:
Г = +25 ’С............................ 0,75 В
7"=—60 и+85’С...................... 0,85 В
Неидентичность постоянного прямого напря-
жения, не более:
при Т = +25 ’С:
ЗАС122А-4....................... 0,02 В
ЗАС122Б-4....................... 0,04 В
при Т = —60 и +85 ’С:
ЗАС122А-4.......................... 0,03 В
ЗАС122Б-4....................... 0,05 В
ЗАС1221АЛ.Б-И
Общая емкость:
ЗАС122А-4..........................
ЗАС122Б-4..........................
Неидентичность общей емкости, не более:
ЗАС122А-4..........................
ЗАС122Б-4..........................
0.15...0.35 пФ
0,5 пФ
0,05 пФ
0,1 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Рассеиваемая мощность................... 40 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность:
ЗАС122А—4............................... 100 мВт
ЗАС122Б-4............................ 150 мВт
Температура окружающей среды............ -60...+85 ’С
Соединение выводов диодов с элементами гибридной схе-
мы реализуется не ближе 0,3 мм от кристаллодержателя мето-
дом пайки.
Температура пайки не должна превышать +170 ’С, продол-
жительность пайки не более 5 с.
Зависимость прямого
тока от напряжения
Зависимость нормиро-
ванного коэффициента
шума от частоты
Зависимость нормиро-
ванного коэффициента
шума от непрерывной
падающей СВЧ мощно-
сти
ЗА123А, ЗА123Б
Диоды арсенидгаллиевые, эпитаксиальные, с барьером
Шотки, смесительные. Предназначены для применения в пре-
образователях частоты сантиметрового и миллиметрового диа-
пазонов длин волн. Выпускаются в металлокерамическом кор-
пусе. Тип диода и его полярность приводятся на этикетке.
Масса диода не более 0,01 г.
ЗА123А.Б
Электрические параметры
Потери преобразования при Рпд = 2 мВт,
к = 8 мм, Гпосл = ЮО Ом» не более:
Т= +15...+85 ’С:
ЗА123А.......................... 5,5 дБ
ЗА123Б.......................... 6 дБ
Г= -60 ’С:
ЗА123А.......................... 7,5 дБ
ЗА123Б.......................... 8 дБ
Выпрямленный ток при Рпд = 2 мВт, к = 8 мм,
Гпосл = Ю0 Ом......................... 0,3...2 мА
Нормированный коэффициент шума при
Рцд = 2 мВт, к = 8 мм, Гпосд = 100 Ом,
не более:
ЗА123А............................. 7 дБ
ЗА123Б............................. 7,5 дБ
Коэффициент стоячей волны по напряжению
°ри Рпд = 2 мВт, к = 8 мм, Гпосл = 100 Ом,
не более.............................. 3
Выходное сопротивление при Рцд = 2 мВт,
к = 8 мм.............................. 180...600 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Рассеиваемая мощность.................... 10 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
при « 0,2 мкс, 1000 Гц................... 50 мВт
Энергия СВЧ импульсов.................... 3 • 10"* Дж
Температура окружающей среды............. —60...+85 ’С
Рекомендуется принимать меры по защите диодов от ста-
тического электричества. Допустимые значения статического
потенциала 15 В.
Завис 'мость нормированного коэф-
фициента шума от непрерывной па-
дающей СВЧ мощности
Зависимость выпрямленного тока
от температуры
Зависимость коэффициента стоя-
чей волны по напряжению от не-
прерывной гадающей СВЧ мощ-
ности
Зависимость выходного сопротив-
ления от непрерывной падающей
СВЧ мощности
Зависимость потерь преобразова-
ния ст непрерывной падающей
СВЧ мощности
2А124А-6, 2А124Б-6
Диоды кремниевые, эпитаксиальные, с барьеоом Шотки,
смесительные. Предназначены для применения в преобразова-
телях частоты сантиметрового диапазона на длине волны до
2 см включительно герметизированной аппаратуры. Бескор-
пусные с контактными площадками на кристаллодержателе
без выводов. Тип диода и его полярность приводятся на эти-
кетке. По специальному заказу диоды могут поставляться па-
рами и маркируются 2А124АР—6, 2А124БР—6.
Масса диода не более 0,01 г.
2А12ЦА-6.Б-6)
Выбод 1 Вывод 2
+Вывод 1
У.
—Вывод 2
Электрические параметры
Нормированный коэффициент шума при
вад ~ 1»5 мВт, К = 2 см, /Прм ~ 20 кГц,
Т - +25 ’С, не более:
2А124А-6............................. 12 дБ
2А124Б-6............................. 14 дБ
Общая емкость при €/Об₽ ~ 0, не более... 0,3 пФ
Приращение постоянного прямого напряже-
ния, не более........................... 0,1В
Выходное сопротивление при Рцд =1,5 мВт,
X = 2 см, Глосл = 100 Ом................ 280...420 Ом
Потери преобразования при Рпд = 1,5 мВт,
К = 2 см, /поел = Ю0 Ом, Т = +25 ’С для
2А124А—6, не более...................... 7 дБ
Разброс электрических параметров в паре
Постоянное прямое напряжение
при /пр = 0,1...10 мА, не более....... 20 мВ
Общая емкость диода при (/0Б₽ = 0, не более. 0,05 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Т = —60...+85 ’С.................. 25 мВт
при Т - +125 ’С.................... 10 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
при /и < 1 мкс, Л= 1000 Гц:
Г=-60...+85 ’С........................ 50 мВт
Т=+125’С........................... 20 мВт
Температура окружающей среды.......... —60...+125 ’С
Зависимость потерь преобразова-
ния от непрерывной падающей
СВЧ мощности
^дБ
Зависимость нормированного коэф-
фициента шума от непрерывной па-
дающей СВЧ мощности
Зависимость нормированного коэф
фициента шума от температуры
Зависимость выходного сопротив-
ления от непрерывной падающей
СВЧ мощности
Зависимость выпрямленного тока
от температуры
2А125А-3
Диод кремниевый, планарно-эпитаксиальный, смеситель-
ный. Предназначен для применения в преобразователях часто-
ты сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн
герметизированной аппаратуры. Бескорпусный с жесткими (ба-
лочными) выводами без кристаллодержателя. Тип диода и его
полярность приводятся на этикетке. Диоды могут поставляться
подобранными в пары и четверки и маркироваться соответ*
ственно 2А125АР—3, 2А125АГ-3.
Масса диода не более 0,03 г.
2А125А-3
0.9
Электрические параметры
Потери преобразования при Рпд = 2 мВт,
К = 2 см, Т = +25 ’С, не более.......... 6,3 дБ
Выпрямленный ток при Рпд = 2 мВт, X = 2 см 1,3... 1,9 мА
Нормированный коэффициент шума
при Рпд = 2 мВт, К = 2 см, не более..... 7,5 дБ
Выходное сопротивление при Рпд = 2 мВт,
К = 2 см......*......................... 220...380 Ом
Разброс электрических параметров
в паре, четверке
Постоянное прямое напряжение, не более:
при /пр = 1 мА.......................... 20 мВ
при /п₽ = 10 мА......................... 30 мВ
Общая емкость диода, не более.............. 0,05 пФ
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Т = —60...+85 ’С •••••»»••••»•••••••
при Т = +125 ’С...............................
Импульсная рассеиваемая мощность
при Ги < 1 мкс, Г= 1000 Гц:
Т = —60...+85 ’С.........................
Т= +125 ’С •••••••••••••••••••••••••••••••••«
Температура окружающей среды..................
20 мВт
10 мВт
100 мВт
20 мВт
-60...+125 ’С
Допускается применение диода в детекторном режиме в
диапазоне частот от 0,3 до 18 ГГц.
Температура пайки балочных выводов не должна превы-
шать +170 ’С. Время пайки не более 3 с.
Зависимость нормированного коэф-
фициента шума от непрерывной па-
дающей СВЧ мощности
Зависимость потерь преобразова-
ния от непрерывной падающей
СВЧ мощности
ЗАС127А-4, ЗАС127Б-4
Сборки из четырех подобранных арсенидгаллиевых, пла-
нарно-эпитаксиальных, смесительных диодов. Предназначены
для применения в преобразователях частоты сантиметрового и
дециметрового диапазонов длин волн герметизированной ап-
паратуры. Бескорпусные с жесткими выводами на кристалло-
держателе. Тип диода приводится на этикетке.
Масса сборки не более 0,01 г.
Нормированный коэффициент шума каж-
дого диода при Род = 12 мВт, К = 3,2 см,
Т - +25 ’С, не более:
ЗАС127А-4........................ 6,5 дБ
ЗАС127Б—4........................ 7,5 дБ
Общая емкость каждого диода при (/см = 0:
ЗАС127А-4.............................
ЗАС127Б-4..........................
Последовательное сопротивление каждого
диода при /ПР = 10 мА:
ЗАС127А-4.............................
ЗАС127Б—4..........................
Постоянное прямое напряжение каждого ди-
ода при 41₽ = 1 мА:
7 = +25 X.........................
7=+125 X..........................
7-=-60 X..........................
Неидентичность постоянного прямого напря-
жения диодов при /пр = 1 мА:
ЗАС127А-4.............................
ЗАС127Б-4..........................
0,15—0,35 пФ
0,15—0,45 пФ
12 0м
15 0м
0,5-0,75 В
0,4—0,75 В
0,5...0,85 В
0,02 В
0,03 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Т = —60...+85 X
при 7 = +125 X •••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••в
Импульсная рассеиваемая мощность
при Ги < 1 мкс, 1000 Гц:
7=—60—+85 X..................................
7 = +125 X...................................
Диапазоны рабочих частот.........................
Температура окружающей среды.....................
150 мВт
30 мВт
300 мВт
100 мВт
0,3... 12 ГГц
-60...+125 X
Допустимое значение статического потенциала 30 В.
Зависимость нормированного коэф-
фициента шума от температуры
Зависимость нормированного коэф-
фициента шума от непрерывной па-
дающей СВЧ мощности
Зависимость постоянного прямого
напряжения от температуры
Зависимость неидентичиости по-
стоянного прямого напряжения
от температуры
ЗА129А, ЗА129Б
Диоды арсенидгаллиевые, эпитаксиальные, с барьером
Шотки, смесительные. Предназначены для применения в пре-
образователях частоты в диапазоне частот 80... 120 ГГц. Вы-
пускаются в металлокерамическом корпусе таблеточного типа.
Тип диода приводится на этикетке.
Масса диода не более 0,002 г.
Электрические параметры
Потери преобразования при Рщ - 3,5 мВт,
X. = 3,15 мм, Гпосл = 100 Ом, не более:
Г= +25 ’С:
ЗА129А ••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••а
ЗА129Б ................................
Г= -60 и +85 ’С:
ЗА129А ••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••л
ЗА129Б.................................
Выпрямленный ток при Рпд = 3,5 мВт,
К = 3,15 мм, Гпосл = 100 Ом....................
Нормированный коэффициент шума при
Рпд = 3,5 мВт, К = 3,15 мм, Гпосл ~ 100 Ом,
не более:
Т= +25 ’С:
ЗА129А ................................
ЗА129Б.................................
Т= -60 и +85 ’С:
ЗА129А.................................
ЗА129Б.................................
6,5 дБ
7,5 дБ
7,5 дБ
8,5 дБ
0,6...2,4 мА
8,5 дБ
9,5 дБ
9,5 дБ
10,5 дБ
М1291А.Б)
Вывод /
V
Вывод 2
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Рпд = 3,5 мВт, к= 3,15 мм, /поел = 100 Ом,
не более............................... 3
Выходное сопротивление при Рпд = 3,5 мВт,
к = 3,15 мм, /поел = 100 Ом............ 180...700 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Постоянная рассеиваемая мощность....... 7 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
при 4, < 0,3 мкс, 1000 Гц.............. 25 мВт
Диапазон рабочих частот................ 80... 120 ГГц
Температура окружающей среды........... —60...+85 ’С
Значение допустимого статического потенциала 30 В. До*
пускается применение диодов в смесительном режиме в диа-
пазонах частот 25...80 и 120... 140 ГГц, а также в детекторном
режиме в диапазоне частот 25... 180 ГГц. При этом следует
учитывать частотные зависимости потерь преобразования и
чувствительности по току.
Зависимость выпрямленного тока
от непрерывно падающей СВЧ
мощности
Зависимость выпрямленного тока
от температуры
Зависимость нормированного коэф-
фициента шума от непрерывной па-
дающей СВЧ мощности
Зависимость выходного сопротивле-
ния от непрерывной падающей СВЧ
мощности
Зависимость потерь преобразова-
ния от температуры
Зависимость потерь преобразова-
ния от непрерывной падающей
СВЧ мощности
ЗА130АС—3, ЗА130БС—3
Сборки диодные, состоящие из двух последовательно со-
единенных арсенидгаллиевых, планарно-эпитаксиальных, сме-
сительных диодов. Предназначены для применения в преобра-
зователях частоты в диапазоне длин волн до одного сантиме-
тра герметизированной аппаратуры. Бескорпусные с жесткими
выводами без кристаллодержателя. Тип сборки и полярность
приводятся на этикетке.
Масса диодной сборки не более 1 мг.
ЗА150АС-5.БС-5
Электрические параметры
Нормированный коэффициент шума каждого
диода сборки при Рпд = 6 мВт, к = 2 см,
не более:
ЗА130АС—3........................... 7 дБ
•ЗА130БС—3........................... 8 дБ
Нормированный коэффициент шума каждого
диода сборки ЗА130АС—3 при Рпд = 3 мВт,
к = 1 см, не более..................... 9 дБ
Потери преобразования, не более:
ЗА130АС-3........................... 5,8 дБ
ЗА13ОБС-3........................... 6,8 дБ
Выходное сопротивление................. 220...380 Ом
Общая емкость каждого диода сборки:
ЗА130АС-3........................... 0,05...0,15 пФ
ЗА130БС-3........................... 0,1...0,2 пФ
Разброс общей емкости диодов в сборки,
не более............................... 0,05 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Т - —60...+25 ’С................. 150 мВт
при Т = +125 ’С...................... 40 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность:
при 7 = -60...+25 ’С:
ЗА130АС-3............................ 240 мВт
ЗА130БС-3........................ 300 мВт
при 7= +125 ’С, ЗА130АС-3, ЗА130БС-3 60 мВт
Температура окружающей среды............ —60...+125 ’С
1 В диапазоне температур окружающей среды +25...+125 ’С рассеиваемая
мощность снижается линейно.
Зависимость неидеитичности по-
стоянного прямого напряжения
от температурь
Зависимость постоянного прямого
напряжения от температуры
Зависимость нормированного коэф-
фициента шума от частоты
Зависимость нормированного коэф-
фициента шума от частоты
2А131А—3
Диод кремниевый, планарно-эпитаксиальный, смеситель-
ный. Предназначен для применения в преобразователях санти-
метрового и дециметрового диапазонов длин волн герметизи-
руемой аппаратуры. Бескорпусный с жесткими выводами без
кристаллодержателя с балочными выводами. Тип диода и по-
лярность приводятся на этикетке. Диоды могут поставляться
подобранными в пары и четверки.
Масса диода не более 0,3 мг.
Электрические параметры
Нормированный коэффициент шума
при Рпд = 2 мВт, X, = 2 см, не более...... 7,5 дБ
Постоянное прямое напряжение
при /ПР = 1 мА:
Г =+25‘С.............................. 0,1...0,5 В
Г= -60...+125 ’С...................... 0.1...0.6 В
Последовательное сопротивление потерь
при /ПР = 10 мА, не более................. 16 Ом
Общая емкость диода при (/сн = 0, не более.. 0,13 пФ
Потери преобразования при Рпд = 2 мВт,
А. = 2 см, не более..................... 6,3 дБ
Выходное сопротивление при Рпд = 2 мВт,
к = 2 см................................ 220...380 Ом
Разброс электрических параметров
в паре, четверке
Постоянное прямое напряжение
ПРИ 41р = 1 мА, не более.............. 60 мВ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Т = —60...+25 ’С............... 100 мВт
при 7=+125’С’...................... 20 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
при 4, < 1 мкс, 1000 Гц:
7=-60...+25 ’С..................... 300 мВт
7=+125’0........................... 60 мВт
Температура окружающей среды.......... —60...+125 ’С
1 В диапазоне температур окружающей среды +25...+1'5 ’С рассеиваемая
мощность снижается линейно.
Рнорн.дБ
Зависимость нормированного коэф-
фициента шума от падающей СВЧ
мощности
Зависимость потерь преобразова-
ния от непрерывной падающей
СВЧ мощности
1-прб.дБ
Зависимость потерь преобразова-
ния от температуры
2А132А
Диод кремниевый, планарно-эпитаксиальный, с барьером
Шотки, смесительный. Предназначен для применения в преоб-
разователях частоты сантиметрового и дециметрового диапа-
зонов длин волн. Выпускаются в металлокерамическом корпу-
се. Тип диода и схема соединения электродов с выводами
приводятся на этикетке. Диоды выпускаются подобранными в
пары и четверки, маркируемые 2А132АР, 2А132АГ соответ-
ственно.
Масса диода не более 0,3 г.
2Д732Д
Электрические параметры
Нормированный коэффициент шума при
Рпд = Ъ5 мВт, X, = 3,2 см, /ррм = 20 кГц,
Ян - 100 Ом, Т = +25 ’С, не более.... 10 дБ
Потери преобразования при Рпд =1,5 мВт,
А, = 3,2 см, Рн = 100 Ом, не более:
7=+25‘С.......................... 5,5 дБ
7=—60’С.......................... 6,0 дБ
7=+155’С......................... 6,5 дБ
Выпрямленный ток при Рпд =1,5 мВт,
А,= 3,2 см, Ял ~ Ю0 Ом, Т- +25 ‘С, не менее 1,5 мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Рпд = 1,5 мВт, к = 3,2 см, Яц - 100 Ом,
7 = +25 ’С, не более................ 1,6
Разброс электрических параметров
в паре, четверке
Прямое падение напряжения при /щ. = 1 м^,
не более оеееоееееееееееееееееоеееееееееевоееееееьеееееееееееееееоееее 20 мВ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Т - —60...+35 ’С ••••••••••«•••••••••••••••••с»* 100 мВт
при Т - +85 ’С’................................ 60 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при
<и < 1 мкс, 1000 Гц, 7= —60...+85 ’С............... 250 мВт
Рабочий диапазон частот............................ 0,5...12 ГГц
Температура окружающей среды ••••••••••••••••«а -60...+155 ’С
' В диапазоне температур окружающей среды +85...+155 ’С рассеиваемая
мощность снижается линейно до нуля.
Величина допустимого статического потенциала не бо-
лее 4 В.
Допускается применение диодов в диапазоне до 18 ГГц.
Нормированный коэффициент шума при = 30 МГц не
более 7 дБ.
Зависимость нормированного коэф-
фициента шума от непрерывной па-
дающей СВЧ мощности
зависимость потерь преобразова-
ния от непрерывной падающей
СВЧ мощности
2А132А-5
Диод кремниевый, планарно-эпитаксиальный, с барьером
Шотки, смесительный. Предназначен для применения в преоб-
разователях частоты сантиметрового и дециметрового диапа-
зонов длин волн герметизированной аппаратуры. Бескорпус-
ный, с контактными площадками без кристаллодержателя, без
выводов. Тип диода и полярность приводятся на этикетке.
Диоды могут поставляться подобранными в пары и четверки,
маркируемые 2А132АР—5, 2А132АГ—5 соответственно.
Масса диода не более 1 мг.
Электрические параметры
Нормированный коэффициент шума при
Рпд = 1,5 мВт, X, 3 3,2 см, >прм = 20 кГц,
Т = +25 ’С, не более................... 10 дБ
Постоянное прямое напряжение
при /ПР = 1 мА, не более:
Г= +25 ’С, +125 ’С.................. 0,5 В
Т=~60’С............................. 0,6 В
Общая емкость диода при 4/0№ = 0,
Т = +25 ’С, не более................... 0,5 пФ
Выходное сопротивление при Род 3 1,5 мВт,
X, = 3,2 см, Рн ~ Ю0 Ом................ 200...500 Ом
Потери преобразования при Род 3 1,5 мВт,
X = 3,2 см, Рн 3 100 Ом, не более...... 5,5 дБ
Разброс электрических параметров
в паре, четверке
Постоянное прямое напряжение
при /пр = 1 мА, не более.............. 20 мВ
2А132А-5
Предельные эксплуатационные данные
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Т = —60...+35 ’С ••••••«••••••••••а»
при Т = +85 ’С ••••••••••••••••••••••••••••••••••а»
Импульсная рассеиваемая мощность при
4, < 1 мкс, 1000 Гц, 7= -60...+85 ’С’...................
Рабочий диапазон частот.................................
Температура окружающей среды............................
100 мВт
60 мВт
250 мВт
0,3... 12 ГГц
-60...+155 'С
1 В диапазоне температур окружающей среды +85...+155 *С рассеиваемая
мощность снижается линейно до нуля.
Допускается применение диодов в диапазоне до 18 ГГц.
Допустимое значение статического потенциала 4 В.
Нормированный коэффициент шума при 4^ = 30 МГц не
более 7 дБ.
СВЧ мощности
ЗА134А—6
Диод арсенидгаллиевый, планарно^эпитаксиальный, смеси-
тельный. Предназначен для применения в преобразователях
частоты дециметрового диапазона длин волн герметизируемой
аппаратуры. Бескорпусный, с контактными площадками на кри-
сталлодержателе без выводов. Тип диода и полярность при-
водятся на этикетке. У основания положительной контактной
площадки диода наносится черная точка. Диоды могут по-
ставляться подобранными в пары и четверки, маркируемые
ЗА134АР—6, ЗА134АГ—6 соответственно.
Масса диода не более 0,01 г.
Электрические параметры
Нормированный коэффициент шума при
Рпд = 50 мВт, X = 7,5 см, Т- +25 °С,
не более............................ 7.0 дБ
ЗА1МА-6
Выбод 1 Выбод 2
Выбод 1Ч----И------Выбод 2
Последовательное сопротивление потерь
при /ПР = 10 мА, Т = +25 ’С, не более.. 9,0 Ом
Постоянное прямое напряжение
при /пр = 10 мА, не более:
Г =+25 и+85’С....................... 0,8 В
Г=-бО’С............................. 0,85 В
Потери преобразования при Рщ = 50 мВт,
X = 7,5 см, Т = +25 ’С, не более....... 4,5 дБ
Общая емкость при 4/см = 0............. 0,2...0,8 пФ
Разброс электрических параметров
в.паре, четверке
Постоянное прямое напряжение, не более:
при /ПР = 1,0 мА....................... 20 мВ
при /ПР = 10 мА..................... 30 мВ
Общая емкость диода при - 0, не более.. 0,05 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянная рассеиваемая мощность......... 100 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
при 4, < 1 мкс, 1000 Гц.................. 300 мВт
Температура окружающей среды............. —60...+85 ‘С
Допустимое значение статического потенциала 30 В
Допустимый выпрямительный ток 25 мА.
Зависимость прямого тока от по-
стоянного прямого напряжения
Зависимость нормированного коэф-
фициента шума от непрерывной па-
дающей СВЧ мощности
ЗА135А-3, ЗА135Б-3
Сборки из четырех арсенидгаллиевых, планарно-эпитакси-
альных, смесительных диодов, соединенных по мостовой схе-
ме. Предназначена для применения в преобразователях часто-
ты (двойных балансных смесителях) сантиметрового и дециме-
трового диапазонов длин волн герметизируемой аппаратуры.
Бескорпусные, с жесткими выводами, без кристаллодержателя.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приво-
дятся на этикетке.
Масса сборки не более 1 мг.
Электрические параметры
Нормированный коэффициент шума
при Рпд = 3 мВт, К = 2 см, не более:
ЗА135А-3...........................
ЗА135Б-3...........................
Общая емкость каждого диода сборки:
ЗА135А-3...........................
ЗА135Б-3...........................
Неидентичность общей емкости каждого ди-
ода сборки, не более..................
Последовательное сопротивление потерь каж-
дого диода сборки при /ПР = 10 мА, не более:
ЗА135А-3...........................
ЗА135Б-3...........................
Постоянное прямое напряжение каждого ди-
ода сборки при /ПР = 5 мА:
Г = +25 ’С.........................
Т=—60...+125 ’С....................
7,5 дБ
8,5 дБ
0,05...0,15 пФ
0,05...0,20 пФ
0,005 пФ
12 Ом
15 Ом
0,65...0,95 3
0,6...1,0 В
5»
.31
ЗА1НА-З.Б-3
Неидентичность постоянного прямого на-
пряжения диодов сборки при ^пр = 5 мА,
не более:
Г = +25 ’С:
ЗА135А-3............................. 0,03 В
ЗА135Б-3.......................... 0,04 В
Г= -60...+125 ’С:
ЗА135А-3............................. 0,04 В
ЗА135Б-3.......................... 0,05 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Т = —60...+35 ’С............... 300 мВт
при Г=+125’С....................... 60 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
при /‘и < 1 мкс, 1000 Гц:
Г=-60...+35 ’С..................... 500 мВт
Т- +125 ’С......................... 100 мВт
Температура окружающей среды.......... —60...+ 125 ’С
’ В диапазоне температур окружающей среды +35...+125 *С рассеиваемая
мощность снижается линейно.
Допустимое значение статического потенциала 5 В.
Зависимости нормировзг него коэф-
фициента шума от непрерывно л па-
дающей СВЧ мощности
Зависимость нормированного коэф-
фициента шума ст температуры
Зависимость нормированного коэф-
фициента шума от частоты сигнала
Зависимость неидеитичности по-
стоянного прямого напряжения
от температуры
ЗА136А, ЗА 136Б
Диоды арсенидгаллиевые, планарно-эпитаксиальные, с
барьером Шотки, смесительные. Предназначены для примене-
ния в преобразователях частоты сантиметрового и миллиме-
трового диапазонов длин волн. Выпускаются в металлокера-
мическом корпусе таблеточного типа. Тип диода и полярность
указываются на этикетке.
Масса диода не более 1,5 мг.
Электрические параметры
Потери преобразования при Рпд = 2 мВт,
X. = 8 мм, Рн = 100 Ом, не более:
Г = +25 ’С:
ЗА136А.......................... 5,5 чБ
ЗА136Б.......................... 5,0 дБ
ЗА 136А.Б
Выбод I
Выбод 2 , .
-----13
Г= -60 и +85 X:
ЗА 136А............................ 6,0 дБ
ЗА136Б........................... 5,5 дБ
Г= +125 X:
ЗА136А........................... 6,5 дБ
ЗА136Б........................... 6,0 дБ
Нормированный коэффициент шума при
Рпд = 2 мВт, К = 8 мм, Рн = 100 Ом, не более:
Г= +25 X:
ЗА136А........................... 7,5 дБ
ЗА136Б........................... 6,5 дБ
Г= -60 и +85 X:
ЗА136А........................... 8,0 дБ
ЗА136Б........................... 7,0 дБ
Выходное сопротивление при Рпд = 2 мВт,
X. = 8 мм, Рн = 100 Ом, Т= -60...+85 X. 200...600 Ом
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Рпд = 2 мВт, X = 8 мм, Рн ~ Ю0 Ом,
Г = —60...+85 ’С, не более............. 2,5
Выпрямленный ток при Рпд = 2 мВт, X. = 8 мм,
Рн = Ю0 Ом, Т - —60...+85 X, не менее.. 0,6 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Т - —60...+85 X............ 100 мВт
приГ=+125Х'..................... 50 мВт
1 В диапазоне температур окружающей среды +85...4-125 *С рассеиваемая
мощность снижается линейно.
Импульсная рассеиваемая мощность
при /и < 0,5 мкс, 1000 Гц:
Г= -60...+85 X....................... 200 мВт
Г=+125Х'.......................... 100 мВт
Температура окружающей среды......... —60...+ 125 X
1 В диапазоне температур окружающей среды +85...+125 *С рассеиваемая
мощность снижается линейно.
Максимально допустимая температура р-п перехода
+200 X.
Диоды устойчивы к воздействию непрерывной СВЧ мощ-
ности до 125 мВт.
Допустимое значение статического потенциала 15 В.
Зависимость нормированного коэф-
фициента шума от непрерывной па-
дающей СВЧ мощности
Зависимость выходного сопротив-
ления от непрерывной падающей
СВЧ мощности
Зависимость нормированного коэф-
фициента шума от частоты сигнала
Зависимость потерь преобразова-
ния от частоты сигнала
ЗА137А, ЗА137Б
Диоды арсенидгаллиевые с барьером Шотки, смеситель-
ные. Предназначаются для применения в преобразователях
частоты в диапазоне 0,3... 18 ГГц. Выпускаются в металлокера-
мическом корпусе. Тип диода и его полярность приводятся на
этикетке. Диоды могут поставляться подобранными в пары
(ЗА137АР, ЗА137БР) и четверки (ЗА137АГ, ЗА137БГ).
Масса диода не более 0,3 г.
ЗА137(А,Б)
Электрические параметры
Нормированный коэффициент шума
при /%, = 1 мВт, А. = 2 см, не более:
Т- -60...+25 'С:
ЗА137А............................
ЗА137Б ...........................
7-= +125 ’С:
ЗА 137 А..........................
ЗА137Б ...........................
Потери преобразования при Рпд ~ 1 м^т>
X. = 2 см, не более:
Т= -60...+25 ’С:
ЗА 137 А..........................
ЗА137Б ...........................
Т= +125 ’С:
ЗА 137 А..........................
ЗА137Б............................
5,5 дБ
6,5 дБ
6,5 дБ
7,5 дБ
5,0 дБ
5,5 дБ
5,5 дБ
6,0 дБ
Выходное сопротивление при Рид = 1 мВт,
X = 2 см:
Г=+25’С................................ 200...500 Ом
7 = -60 и +125 ’С...................... 200...520 Ом
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Рдд = 1 мВт, X = 2 см, не более:
Т= +25 ’С:
ЗА137А............................. 1,6
ЗА137Б............................. 2,0
7= -60 и +125 ’С:
ЗА137А............................. 2,0
ЗА137Б ............................ 2,5
Общая емкость диода при (/ои> = 0:
ЗА137А................................. 0,02...0,1 пФ
ЗА137Б................................. 0,02...0,15 пФ
Постоянное прямое напряжение
при /ПР = 1 мА:
7=+25’С................................ 0,4...0,6 В
7=-60’С................................ 0,45...0,65 В
7=+125’С............................... 0,25...0,6 В
Разброс электрических параметров
в паре, четверке
Постоянное прямое напряжение
при /ПР = мА, Т = +25 ’С, не более........ 20 мВ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянная рассеиваемая мощность
при 7= -60...+35 ’С....................... 80 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
при 7 = -60...+35 ’С’..................... 80 мВт
Рабочий диапазон частот................... 0,3... 18 ГГц
Температура окружающей среды.............. —60...+ 125 ’С
1 В диапазоне температур окружающей среды +35...+125 ’С рассеиваемая
мощность снижается линейно до 25 мВт.
Необходимо применять меры по защите диодов от воздей-
ствия зарядов статического электричества.
Допускается применение диодов в диапазоне до 30 ГГц.
Допускается применение постоянного прямого смещения
не более 0,5 В.
Допускается применение диодов в детекторном режиме.
Зависимость нормированного коэф-
фициента шума от непрерывной па-
дающей СВЧ мощности
Зависимость потерь преобразова-
ния от непрерывной падающей
СВЧ мощности
Зависимость потерь преобразова- Зависимость выходного сопротив-
ния от температуры лення от прямого тока
ЗА137А-5, ЗА137Б-5
Диоды арсенидгаллиевые, планарно-эпитаксиальные с барь-
ером Шотки, смесительные. Предназначены для применения в
преобразователях частоты в диапазоне 0,3... 18 ГГц герметизи-
рованной аппаратуры. Бескорпусные с контактными площад-
ками без кристаллодержателя без выводов. Тип диода приво-
дится на этикетке.
Масса диода не более 1 мг.
Электрические параметры
Нормированный коэффициент шума при
Рпд = 1 мВт, X. = 2 см, Т = +25 ’С, не более:
ЗА137А-5............................
ЗА137Б-5.........................
5,5 дБ
6,5 дБ
ЗА137А-5.Б-5
Потери преобразования при Рцд = 1 мВт,
А. = 2 см, Т = +25 ’С, не более:
ЗА137А-5................................ 5,0 дБ
ЗА137Б-5............................ 5,5 дБ
Выходное сопротивление при = 1 мВт,
к = 2 см, 7 = +25 ’С................... 200...500 Ом
Общая емкость диода при (/0БР = 0:
ЗА137А-5................................ 0.02...0.1 пФ
ЗА137Б-5............................ 0,02...0,15 пФ
Постоянное прямое напряжение
при /ПР = 1 мА, не более:
7=+25 и+125’С........................... 0,6 В
7=-60’С............................. 0,65 В
Последовательное сопротивление потерь
при 4р = 1,0 мА, не более:
ЗА137А-5............................... 10 Ом
ЗА137Б-5............................ 15Ом
Предельная частота, не менее:
ЗА137А-5................................ 470 ГГц
ЗА137Б-5............................ 200 ГГц
Постоянная рассеиваемая мощность
при Г= —60...+35 ’С...................... 80 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
при Г = -60...+35 °С..................... 80 мВт
Рабочий диапазон частот.................. 0,3... 18 ГГц
Температура окружающей среды.............. -60...+ 125 'С
1 В диапазоне температур окружающей среды +35...+125 ’С рассеиваема)
мощность снижается линейно до 25 мВт.
Допустимое значение статического потенциала 1,0 В.
Допускается применение диодов в диапазоне до 30 ГГц.
Допускается применение диодов в детекторном режиме.
Допускается применение диодов в режиме с внешним по-
ложительным смещением, не превышающем 0,5 В.
Допускается кратковременное воздействие непрерывной и
импульсной рассеиваемой СВЧ мощности не более 100 мВт
при времени воздействия не более 30 мин.
Зависимость нормированного коэф-
фициента шума от непрерывной па-
дающей СВЧ мощности
Зависимость нормированного коэф-
фициента шума от непрерывной па-
дающей СВЧ мощности
Зависимость потерь преобразова-
ния от непрерывной падающей
СВЧ мощности
Зависимость нормированного коэф-
фициента шума от температуры
ЗА138А-3, ЗА138Б-3, ЗА138В-3
Диоды арсенидгаллиевые, с барьером Шотки, смеситель-
ные. Предназначены для применения в преобразователях ча-
стоты миллиметрового диапазона длин волн герметизирован-
ной аппаратуры. Бескорпусные с балочными выводами без
кристаллодержателя.
Масса диода не более 0,001 г.
1А158(А-5.Б-5.В-5)
Электрические параметры
Потери преобразования, не более:
при Рпд = 2 мВт, А = 8 мм, /?н = 100 Ом
для ЗА138А—3........................ 6,0 дБ
при Рпд = 5 мВт, А = 2 мм, Рн = 100 Ом:
ЗА138Б-3......................... 10 дБ
ЗА138В-3......................... 9 дБ
Нормированный коэффициент шума, не более:
при Рпд = 2 мВт, А = 8 мм, Рн = 100 Ом
для ЗА138А-3........................ 8,5 дБ
при Рпд = 5 мВт, А = 2 мм, Рн = 100 Ом:
ЗА138Б-3......................... 11 дБ
ЗА138В-3......................... 10 дБ
Выходное сопротивление:
при Рпд = 2 мВт, А = 8 мм, Рн = 100 Ом
для ЗА138А-3........................ 25О...7ОО Ом
при Рт = 5 мВт, X. = 2 мм, /?н = 100 Ом
для ЗА138Б-3, ЗА138В-3............ 150...600 Ом
Коэффициент стоячей волны по напряжению:
при Рпд = 2 мВт, X. = 8 мм, Рн = 100 Ом
для ЗА138А-3........................ 1,1...2,5
при Рпд = 5 мВт, к = 2 мм, Рн = 100 Ом
для ЗА138Б-3, ЗА138В-3........... 1,5...3,0
Постоянное обратное напряжение
при /обр = Ю мкА, не менее:
Г= +25 и +125 ’С.................. ЗВ
Г=-60’С........................... 2 В
Общая емкость диода при = 0, не более:
ЗА138А-3............................. 0,025 пФ
ЗА138Б-3.......................... 0,012 пФ
ЗА138В-3.......................... 0,007 пФ
Последовательное сопротивление потерь
при /ПР = 10 мА, не более:
ЗА138А-3.......................... 8Ом
ЗА138Б-3.......................... 10 Ом
ЗА 138В-3.......................... 12Ом
Предельные эксплуатационные данные
Постоянная рассеиваемая мощность:
Г= -60...+35 ’С:
ЗА138А-3.......................... 20 мВт
ЗА138Б-3....................... 15 мВт
ЗА138В-3....................... 10 мВт
Г= +125 ’С:
ЗА138А-3.......................... 15 мВт
ЗА138Б-3....................... 10 мВт
ЗА138В-3....................... 5 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
при ?и < 0,3 мкс, 1000 Гц:
Г= —60...+35 ’С:
ЗА138А-3.......................... 100 мВт
ЗА138Б-3....................... 50 мВт
ЗА 1386-3...................... 25 мВт
Г= +125 ’С’:
ЗА138А-3.......................... 20 мВт
ЗА138Б-3....................... 15 мВт
ЗА138В-3....................... 10 мВт
1 В диапазоне температур окружающей среды +35...+125 *С рассеиваемая
мощность снижается линейно.
Рабочий диапазон частот:
ЗА138А-3............................... 25...80 ГГц
ЗА138Б-3............................ 25... 180 ГГц
ЗА138В-3............................ 25.-300 ГГц
Температура окружающей среды........... —60...+ 125 *С
Допустимое значение статического потенциала 30 В.
Допускается подача прямого тока смещения до 1 мА.
Зависимость потерь преобразова- Зависимость потерь преобразова-
ния от непрерывной падающей ння от непрерывной падающей
СВЧ мощности СВЧ мощности
Зависимость нормированного коэф-
фициента шума от непрерывной па-
дающей СВЧ мощности
Зависимость потерь преобразова-
ния от температуры
2А139АС-4, 2А139БС-4
Сборки из четырех диодов кремниевых, эпитаксиально-
планарных, смесительных, соединенных по схеме «кольцо»
(интегральные четверки диодные). Предназначены для приме-
нения в сверхширокополосных балансных и двойных баланс-
ных смесителях герметизированной аппаратуры на частотах до
3 ГГц. Бескорпусные с жесткими выводами на кристаллодер-
жателе. Тип сборки приводится на этикетке.
Масса прибора не более 0,01 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение каждого ди-
ода в сборке при /ПР = 1 мА:
Т= +25 ’С..........................
Т- -60 и +125 ’С...................
Неидентичность постоянного прямого на-
пряжения диодов в сборке при /ПР = 10 мА,
не более:
0.28...0.43 В
0,2...0,55 В
Г =+25’С....................... 0,025 В
Г= —60 и+125’С................. 0,035 В
Последовательное сопротивление потерь
каждого диода в сборке при /ПР = 10 мА,
не более:
2А139АС-4........................ 5,0 Ом
2А139БС-4........................ 7,0 Ом
Нормированный коэффициент шума каждого
диода в сборке при Рпд = 1 мВт, А, = 10 см,
Т = +25 ’С, не более........................ 6,0 дБ
Общая емкость каждого диода в сборке
при Д/об₽ = 0-
2А139АС—4................................ 0,17...0,5 пФ
2А139БС-4................................ 0,17...0,45 пФ
Неидентичность общей емкости диодов
в сборке при С/06Р = 0, не более............ 0,1 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянная рассеиваемая мощность:
Г = —60...+85 ’С.................. 150 мВт
Г=+125’С.......................... 60 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
при Ги < 1 мкс, 1000 Гц:
Г=-60...+85 ’С.................... 500 мВт
Г=+125’С.......................... 100 мВт
Температура окружающей среды......... —60...+125 ’С
1 В диапазоне температур окружающей среды +85...+125'С рассеиваемая
мощность снижается линейно до нуля.
Допустимое значение статического потенциала 5 В.
Зависимость потерь преобразова-
ния от непрерывной падающей
СВЧ мощности
?норм дБ
Зависимость нормированного коэф-
фициента шума от непрерывной па-
дающей СВЧ мощности
ЗА140А-3, ЗА140Б-3
Диоды арсенидгаллиевые, планарно-эпитаксиальные, с
барьером Шотки, смесительные. Предназначены для примене-
ния в преобразователях частоты на длине волны до 7,5 мм.
Бескорпусные с жесткими выводами без кристаллодержателя.
Тип диода и полярность приводятся на этикетке. Диоды могут
поставляться парами и маркируются ЗА140АР—3.
Масса диода не более 0,5 мг.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение
при <1р = 1 мА:
7"=+25’С................................ 0,6...0,8 В
Т=-60’С............................ 0.6...0.9 В
Г=+125’С............................. 0,5...0,8 В
Последовательное сопротивление потерь
при 4>р = Ю мА, Т - +25 ’С, не более:
ЗА140А-3................................ 8,0 Ом
ЗА140Б-3............................. 10,0 Ом
Нормированный коэффициент шума при
Рлд = 5 мВт, X. = 8 мм, Т = +25 ’С, не более:
ЗА140А-3................................ 6,5 дБ
ЗА140Б-3............................. 7,5 дБ
Потери преобразования при Рпд - 5 мВт,
X = 8 мм, Т = +25 ’С, не более:
ЗА140А-3................................ 5,5 дБ
ЗА140Б-3............................. 6,5 дБ
Общая емкость при = 0, не более:
ЗА140А-3................................ 0,1 пФ
ЗА140Б-3............................. 0,13 пФ
ЗАНО(А-З.Б-З)
Разброс электрических параметров в паре
Постоянное прямое напряжение
при 4р = 1 мА, не более................... 60 мВ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянная рассеиваемая мощность
при 7= -60...+35 ’С’......................
Импульсная рассеиваемая мощность при
Ъ = 1 мкс, Г = 1000 Гц, 7 = -60...+35 ’С’.
Рассеиваемая мощность при кратковре-
менном воздействие, не более 10 мин,
7= -60...+35 ’С...........................
Прямой ток при 7 = —60...+35 ’С...........
Температура окружающей среды..............
50 мВт
100 мВт
750 мВт
10 мА
-60...+125 ’С
1 В диапазоне температур окружающей среды +35...+150*С рассеиваемая
мощность снижается линейно до нуля.
Допустимое значение статического потенциала 2,5 В.
1прбд6
Зависимость потерь преобразова-
ния от непрерывной падающей
СВЧ мощности
Зависимость нормированного коэф-
фициента шума от частоты сигнала
Зависимость нормированного коэф-
фициента шума от частоты сигнала
Зависимость потерь преобразова-
ния от непрерывной падающей
СВЧ мощности
ЗА142А-5
Диод арсенидгаллиевый, планарно-эпитаксиальный, с барье-
ром Шотки, смесительный. Предназначен для применения в
преобразователях частоты миллиметрового диапазона длин
волн. Бескорпусный с контактными площадками без кристал-
лодержателя. Тип диода и полярность приводятся на этикетке.
Масса диода не более 1 мг.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение
при /ПР = 0,1 мА, не более:
7=+25 и+85‘С....................... 1,0 В
7=-196‘С......................... 1,3 В
5АН2А-5
Последователоное сопротивление потерь
при 41р = Ю мА, не более.................. 15 Ом
Общая емкость диода при 4/сар = 0, не более. 6 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянная рассеиваемая мощность
при Т = —196...+85 *С................. 5 мВт
Постоянный прямой ток при 7= —196...+85 *С 5 мА
Температура окружающей среды.......... —196...+85 °С
Допустимое значение статического потенциала 15 В с мо-
мента контактирования к активному элементу.
Зависимости прямого тока от по- Зависимости обратного тока от по-
стоянного прямого напряжения стоянного обратного напряжения
Зависимость показателя идеально-
сти вольт-амперной характеристи-
ки от температуры
ЗА 143АС-3, ЗА143БС-3, ЗА143ВС-3
Сборки из арсенидгаллиевых, планарно-эпитаксиальных, с
барьером Шотки, смесительных диодов. Предназначены для
применения в преобразователях частоты на длине волны до
1 мм герметизированной аппаратуры. Выпускаются в виде ди-
одных пар, бескорпусные, с балочными выводами без кри-
сталлодержателя. Тип сборки и электрическая схема соедине-
ния электродов приводится на этикетке.
Масса сборки не более 2 мг.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение
при /пР = 1 мА:
ЗА143АС-3 ........................... 650...800 Ом
ЗА143БС-3........................ 650...350 Ом
ЗА143ВС-3.......................... 700...900 Ом
Емкость перехода при 1/овр = 0, не более:
ЗА143АС-3 ........................... 0,025 пФ
ЗА143БС-3.......................... 0,015 пФ
ЗА143ВС-3.......................... 0,01 пФ
Общая емкость при 1/овр - 0, не более:
ЗА143АС-3............................ 0,04 пФ
ЗА143БС-3.......................... 0,035 пФ
ЗА143ВС-3.......................... 0,025 пФ
Последовательное сопротивление потерь
при /п₽ = 10 мА, не более:
ЗА143АС-3............................ 8,0 Ом
ЗА143БС-3.......................... 10,0 Ом
ЗА143ВС-3.......................... 12,0 Ом
Разность постоянных прямых напряжений ди-
одов в сборке при /№ = 1 мА, не более. 15 мВ
Обратное напряжение при /0БР = 10 мкА,
не менее:
7=+15...+ 125’С.................... ЗВ
Т=—60’С............................ 2 В
Предельная частота, не менее:
ЗА143АС-3 ............................ 1400 ГГц
ЗА143БС-3.......................... 1800 ГГц
ЗА143ВС-3.......................... 2600 ГГц
Показатель идеальности вольт-амперной ха-
рактеристики, не более................ 1,25
Предельные эксплуатационные данные
Постоянная рассеиваемая мощность:
ЗА143АС-3.......................... 30 мВт
ЗА143БС-3.......................... 20 мВт
ЗА143ВС-3.......................... 15 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
при 4, < 0,3 мкс, 1000 Гц:
ЗА143АС-3.......................... 140 мВт
ЗА143БС-3.......................... 90 мВт
ЗА143ВС-3.......................... 60 мВт
Температура окружающей среды.......... —60...+ 125 ’С
Допускается применение сборок в схемах детекторов и
других гибридных интегральных схемах с верхней частотой до
300 ГГц.
Допустимое значение статического потенциала 15 В.
Допускается подача прямого тока смещения до 1 мА.
Зависимость прямого тока от по-
стоянного прямого напряжения
Зависимость обратного тока от по-
стоянного обратного напряжения
Зависимость потерь преобразова- Зависимость нормированного коэф-
ния от частоты фициента шума от частоты
2А145А, 2А145Б, 2А145В
Диоды кремниевые, планарно-эпитаксиальные, с барьером
Шотки, смесительные. Предназначены для применения в пре-
образователях частоты дециметрового и сантиметрового диа-
пазонов длин волн. Выпускаются в. металлокерамическом кор-
пусе.
Масса диода не более 0,3 г.
2АИ5(А.А-9Б.Б-9.ВВ-9)
Вывод 2 , . Вывод 1
Электрические параметры
Нормированный коэффициент шума
при Рпд = 1,5 мВт, К = 2 см, не более:
Т = +25 ’С:
2А145А, 2А145Б.................... 10 дБ
2А145В......................... 12 дБ
7 = +125 ’С:
2А145А, 2А145Б.................... 11 дБ
2А145В......................... 13 дБ
Потери преобразования при Рпд = 1»5 мВт,
К = 2 см, не более:
7= -60 и +25 ’С:
2А145А, 2А145В.................... 6,0 дБ
2А145Б......................... 6,5 дБ
7=+125’С:
2А145А, 2А145В.................... 6,5 дБ
2А145Б......................... 7,0 дБ
Постоянное прямое напряжение
при /рц = 1 мА, не более:
7=+25 и+125’С..................... 0,4 В
7=-60’С........................... 0,45В
Выходное шумовое отношение при /ПР = 1 мА,
- 10 кГц, 7 = +25 ’С, не более:
2А145А.............................. 3,0
2А145Б............................ 2,0
2А145В............................ 6,0
Предельные эксплуатационные данные
Постоянная рассеиваемая мощность:
7=-60...+85 ’С....................... 100 мВт
Г=+125’С’........................... 40 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
при /и < 1 мкс, 1000 Гц:
7= —60...+85 *С..................... 250 мВт
7 = +125 ’С......................... 100 мВт
Нижнее значение частоты рабочего диапазона 0,3 ГГц
Верхнее значение частоты рабочего диапазона 18 ГГц
Температура окружающей среды........... —60...+125 *С
1 В диапазоне температур окружающей среды + 85...+125 ’С рассеиваемая
мощность снижается линейно.
Допускается использовать диоды в диапазоне темпера-
тур окружающей среды до +155 °С, при этом в интервале
+85...+155 *С рассеиваемая мощность также снижается ли-
нейно до нуля.
Допустимое значение статического потенциала 25 В.
Допускается применение постоянного прямого смещения
не более 0,4 В.
Зависимость прямого тока от не-
зависимость потерь преобразова-
стоянного прямого напряжения
ния от температуры
Зависимость нормированного коэф-
фициента шума от температуры
Зависимость потерь преобразова-
ния от температуры
2А145А-9, 2А145Б-9, 2А145В-9
Диоды кремниевые, планарно-эпитаксиальные, с барьером
Шотки, смесительные. Предназначены для применения в пре-
образователях частоты дециметрового и сантиметрового диа-
пазонов длин волн герметизированной аппаратуры. Бескор-
пусные, на керамическом основании.
Масса диода не более 0,01 г.
Электрические параметры
Нормированный коэффициент шума
при Рпд ~ 1»5 мВт, к = 2 см, не более:
Т- +25 ’С:
2А145А-9, 2А145Б-9................ 10 дБ
2А145В-9........................ 12 дБ
Г= +125 ’С:
2А145А-9, 2А145Б-9................ 11 дБ
2А145В-9........................ 13 дБ
Потери преобразования при Рцд =1,5 мВт,
к = 2 см, не более:
7= -60 и +25 ’С:
2А145А-9, 2А145В-9............. 6,0 дБ
2А145Б-9....................... 6,5 дБ
7= +125 ’С:
2А145А-9, 2А145В-9................ 6,5 дБ
2А145Б-9....................... 7,0 дБ
Постоянное прямое напряжение
при /пр = 1 мА, не более:
7=+25 и+125'С.................... 0,4 В
7=-60‘С.......................... 0,45 В
Выходное шумовое отношение при = 1 ”А,
/ПР = 10 кГц, 7= +25 ’С, не более:
2А145Л-9......................... 3,0
2А145Б-9.......................... 2,0
2А145В-9......................... 6,0
Предельные эксплуатационные данные
Постоянная рассеиваемая мощность:
7=-60...+85 ’С.................... 100 мВт
7=+125’С.......................... 40 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
при 4 < 1 мкс-, 1000 Гц:
7=-60...+85 ’С....................... 250 мВт
7=+125’С’......................... 100 мВт
Нижнее значение частоты рабочего диапазона 0,3 ГГц
Верхнее значение частоты рабочего диапазона 18 ГГц
Температура окружающей среды......... —60...+ 125 ’С
1 В диапазоне температур окружающей среды +85...+125 °С рассеиваемая
мощность снижается линейно.
Допускается использовать диоды в диапазоне темпера-
тур окружающей среды до +155 ’С, при этом в интервале
+85...+155 ’С рассеиваемая мощность также снижается ли-
нейно до нуля.
Допустимое значение статического потенциала 25 В.
Допускается применение постоянного прямого смещения
не более 0,4 В.
Зависимости параметров от режима и температуры диодов
2А145А—9—2А145В—9 приведены выше (см. 2А145А—2А145В).
156
2А146АС-4, 2А146БС-4
Сборки из кремниевых, планарно-эпитаксиальных, смеси-
тельных диодов, соединенных по схеме «кольцо» из восьми
диодов. Предназначены для применения в преобразователях
частоты дециметрового диапазона длин волн герметизирован-
ной аппаратуры. Бескорпусные с жесткими выводами на кри-
сталлодержателе.
Масса сборки не более 0,01 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение диодов
в «плече» при /ПР = 1 мА:
7"=+25’С................................. 0,7...1,1 В
Г=-60’С.............................. 0,7... 1,2 В
Г=+125’С............................. 0.55...1.1 В
Неидентичность постоянного прямого напря-
жения диодов между соседними «плечами»
при = 1 мА, не более:
7"=+25’С................................. 0,02 В
Г= —60 и+125’С....................... 0,03 В
Общая емкость диодов в «плече» при 6/0БР = О,
Т = +25 "С, не более:
2А145АС—4.............................. 0,25 пФ
2А146БС-4.......................... 0,3 пФ
Неидентичность общей емкости диодов
между соседними «плечами» при У0БР = 0,
Т = +25 ’С, не более.................. 0,1 пФ
Последовательное сопротивление потерь ди-
одов в «плече» при /пр = 10 мА, Т = +25 ’С,
не более.............................. 14 0м
Потери преобразования на один диод при
Рпд = 1 мВт, Л, = 10 см, Г« +25 ’С, не более:
2А145АС-4............................. 4,5 0м
2А146БС-4.......................... 5,0 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Постоянная рассеиваемая мощность:
7=-60...+35 ’С....................... 75 мВт
7=+125’С’......................... 15 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
при 4, < 1 мкс, 1000 Гц:
7=-60...+35 ’С....................... 150 мВт
7=+125’С’......................... 30 мВт
Постоянный прямой ток:
7=-60...+35 ’С....................... 18 мА
7=+125’С’......................... 8 мА
Температура окружающей среды......... —60...+125 ’С
1 В диапазоне температур окружающей среды +35...+125 "С рассеиваемая
мощность и прямой ток снижаются линейно.
Допустимое значение статического потенциала 5 В.
ЗА147А-3, ЗА147Б-3, ЗА147В-3
Диоды арсенидгаллиевые, планарно-эпитаксиальные, с
барьером Шотки, смесительные. Предназначены для примене-
ния в преобразователях частоты сантиметрового и миллиме-
трового диапазонов длин волн герметизированной аппарату-
ры. Бескорпусные с балочными жесткими выводами без кри-
сталлодержателя. Диоды типа ЗА147В—3 могут поставляться
подобранными в пары. Пары обозначаются ЗА147ВР—3.
Масса диода не более 0,01 мг.
ЗА 147А-3.3А Н7Б-З.ЗА 147В-3
Выбод 2 , . Выбод 1
—н—
Электрические параметры
Потери преобразования не более:
при Аш = 5 мВт, X = 2 мм, Т - +25 ’С:
ЗА147А- 3...............................
ЗА147Б-3............................
при Рпд = 10 мВт, X = 8 мм, Т = +25 ’С
для ЗА 147В- 3 •••••••••••••»<•••••••••••••••••••••••••«
Нормированный коэффициент шума, не более:
при Рпд = 5 мВт, X = 2 мм, Т = +25 ’С:
ЗА147А- 3...............................
ЗА147Б-3............................
при Рпд = 10 мВт, X = 8 мм, Т - +25 ’С
для ЗА147В-3............................
Выпрямленный ток, не менее:
при Рпд = 5 мВт, X = 2 мм, Т - +25 ’С
для ЗА147А-3, ЗА147Б-3..................
при Рпд = 10 мВт, X = 8 мм, Т = +25 ’С
для ЗА147В-3
Предельная частота, не менее:
ЗА147А-3................................
ЗА147Б-3................................
ЗА147В-3................................
Ю дБ
11 дБ
6,5 дБ
12 дБ
13 дБ
8,0 дБ
0,35 мА
0,3 мА
3000 ГГц
1200 ГГц
800 ГГц
Показатель идеальности вольт-амперной ха-
рактеристики, не более............... 1,2
Постоянное обратное напряжение
при /обр ~ 5 мкА, не менее:
7=+25 и+125’С...................... ЗВ
7=-60’С........................... 2 В
Последовательное сопротивление потерь
пои = 10 мА, не более:
ЗА147А-3.......................... 15 0м
ЗА147Б-3.......................... 12 0м
ЗА147В-3.......................... 8 0м
Общая емкость при (/0БР = 0:
ЗА147А-3............................. 0,01 пФ
ЗА147Б-3.......................... 0,02 пФ
ЗА147В-3.......................... 0,05 пФ
Разброс электрических параметров
в паре ЗА147ВР—3
Постоянное прямое напряжение
при /ПР = 10 мА, не более............ 0,01 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянная рассеиваемая мощность:
7 = -60...+85 ’С:
ЗА147А-3.......................... 10 мВт
ЗА147Б-3....................... 20 мВт
ЗА147В-3....................... 30 мВт
Г- +125 ’С:
ЗА147А-3.......................... 5 мВт
ЗА147Б-3....................... 10 мВт
ЗА147В-3....................... 15 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
при Ги < 1 мкс, 1000 Гц:
Т- -60...+85 ’С:
ЗА147А-3.......................... 25 мВт
ЗА147Б-3....................... 50 мВт
ЗА147В-3....................... 100 мВт
7 = +125 ’С:
ЗА147А-3.......................... 12 мВт
ЗА147Б-3....................... 25 мВт
ЗА147В-3....................... 50 мВт
' В диапазоне температур окружающей среды +85...+125 *С рассеиваемая
мощность снижается линейно.
Рабочий диапазон частот:
ЗА147А-3...............................
ЗА147Б-3............................
ЗА147В-3............................
Температура окружающей среды...........
150...380 ГГц
50... 180 ГГц
10...80 ГГц
-60...+125 ’С
Допустимое значение статического потенциала 30 В.
Допускается использование диодов в детекторном режиме.
Зависимость потерь преобразова-
ния от непрерывной падающей
СВЧ мощности
Зависимость потерь преобразова-
ния от непрерывной падающей
СВЧ мощности
Зависимость нормированного коэф-
фициента шума от непрерывной па-
дающей СВЧ мощности
Зависимость нормированного коэф-
фициента шума от непрерывной па-
дающей СВЧ мощности
4.2. Детекторные диоды
ДК-В1, ДК-В2
Диоды кремниевые, точечные, детекторные. Предназначе-
Иы для детектирования сигналов на длине волны 10 см. Выпу-
8-373 161
скаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вывода-
ми. Тип диода приводится на корпусе.
Масса диода не более 0,7 г.
ДК-В1, ДК-В2
Выбод 1
Выбод 2
Электрические параметры
Чувствительность по току при Р„ц = 0,02 мВт,
X = 9,8 см, /поел =100 Ом, не менее:
ДК-В1............................
ДК-В2............................
Дифференциальное сопротивление в нулевой
точке, не более:
ДК-В1............................
ДК-В2............................
0,8 А/Вт
1,2 А/Вт
15 кОм
10 кОм
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность...... 50 мВт
Температура окружающей среды.......... —5О...+7О ’С
ДК-ВЗ, ДК-В4
Диоды кремниевые, точечные, детекторные. Предназначе-
ны для детектирования сигналов на длине волны 3,2 см. Вы*
пускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выво-
дами. Тип диода приводится на корпусе.
Масса диода не более 0,7 г.
Электрические параметры
Чувствительность по току при Рпд = 0,02 мВт,
X = 3,2 см, /поел = 100 Ом, не менее:
ДК-ВЗ............................. 0,4 А/Вт
ДК-В4............................. 0,8 А/Вт
ДК-ВЗ, ДК-ВЬ
Вывод 1
Вывод 2
Дифференциальное сопротивление в нулевой
точке, не более:
ДК-ВЗ............................
ДК-В4............................
15 кОм
10 кОм
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность......... 50 мВт
Температура окружающей среды............. —50...+70 ’С
ДК-В5М, ДК-В6М, ДК-В7М
Диоды кремниевые, точечные, детекторные. Предназначе-
ны для детектирования сигналов на длинах волн 3 см (ДК—
В7М) и 10 см (ДК—В5М, ДК—В6М). Выпускаются в металлоке-
рамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода приво-
дится на корпусе.
Масса диода не более 2,5 г.
Электрические параметры
Чувствительность по току при Рпд = 0,02 мВт,
Лпосл = 50 Ом, не менее:
ДК-В5М, ДК-В6М, X = 9,8 см......... 0,8 А/Вт
ДК-В7М, X = 3,2 см.............. 0,4 А/Вт
Дифференциальное сопротивление в нулевой
точке:
ДК—В5М, ДК—В7М, не более........ 10 кОм
ДК-В6М.......................... 5...25 кОм
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность.......... 200 мВт
6* 163
ДК-В5М, ДК-В6М, ДК-В7М
+ Выбод 1
Выбод 2
Температура окружающей среды............
Температура окружающей среды при кратко-
временном воздействии (не более 20 мин).
-60...+100 ’С
+125 ’С
Зависимость чувствительности
по току от температуры
ДК-В8
Диод кремниевый, точечный, детекторный. Предназначен
для детектирования сигналов в диапазоне длин волн 1,8...3,2 см.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тил диода приводится на корпусе.
Масса диода не более 0,7 г.
Электрические параметры
Добротность при Рцд = 0,01 мВт, X = 3,2 см, __
не менее............................... 15 1/ЛЗт
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Рпд = 0,01 м§т, X = 1,8; 2,4; 3,2 см,
Люсл ~ 20 Ом, не более................. 3
Дифференциальное сопротивление в нулевой
точке, не более....................... 1,5 кОм
ДК-В8
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность......... 50 мВт
Температура окружающей среды............. —60...+70 ’С
Зависимость добротности от темпе-
ратуры
ДК-В11
Диод кремниевый, точечный, детекторный. Предназначен
Для детектирования СВЧ сигналов. Выпускается в металлоке-
рамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода приво-
дится на корпусе.
Масса диода не более 0,7 г.
ДК-В11
Электрические параметры
Чувствительность по току при Рпд = 0,02 мВт,
'поел = ЮО Ом» не менее................ 1,5 А/Вт
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Род = 0,02 мВт, не более.......... 2,5
Дифференциальное сопротивление в нулевой
точке, не более......................... 10 кОм
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность......... 50 мВт
Температура окружающей среды............. —50...+70 ’С
ДК-И1М, ДК-И2М
Диоды кремниевые, точечные, детекторные. Предназна-
чены для детектирования сигналов на длинах волн 10 см (ДК-
И1М) и 3 см (ДК—И2М). Выпускаются в металлокерамическом
корпусе с жесткими выводами. Тип диода приводится на кор-
пусе.
Масса диода не более 2,5 г.
ДК-И1М, ДК-И2М
Электрические параметры
Чувствительность по току при Род = 0,02 мВт,
Люсл ~ КОМ> не менее:
ДК-И1М, К = 9,8 см................ 0,5 А/Вт
ДК-И2М, X = 3,2 см................ 0,2 А/Вт
Выпрямленный ток при Род = 0,5 мВт,
X = 9,8 см для ДК-И1М, Рпд = 1 мВт,
X = 3,2 см для ДК—И2М, не менее...... 0,4 мА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность......... 200 мВт
Температура окружающей среды............. —60...+100 ’С
Температура окружающей среды при кратко-
временном воздействии (не более 20 мин).. +125 ’С
Зависимость чувствительности
по току от температуры
ДЗА, ДЗБ
Диоды кремниевые, точечные, детекторные. Предназна-
чены для детектирования сигналов в диапазонах длин вол»-
2,9...5,4 см (ДЗА) и 5,4...30 см (ДЗБ). Выпускаются в металло-
керамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода при-
водится на корпусе.
Масса диода не более 0,7 г.
Электрические параметры
Добротность при Род = 20 мВт, /поел ~ 20 Ом,
не менее:
ДЗА, Х = 3,2 см.......................... ^2 ./ЛЗт
ДЗБ, Х = 9,8 см.......................... 40 ./УВт
ДЗ(А.Б)
Выбод 1
Выбод 2
+ Выбод I
Выбод 2
Коэффициент стоячей волны по напряже-
нию при Рцд = 20 мкВт, X - 2,9 см для ДЗА,
X = 8 см для ДЗБ, не более........... 2,5
Дифференциальное сопротивление в нулевой
точке................................ 300...950 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность......... 50 мВт
Температура окружающей среды............. —6О...+7О ’С
Зависимость добротности от темпе-
ратуры
Д602А, Д602Б
Диоды германиевые, точечные, детекторные. Предназна-
чены для детектирования сигналов в диапазонах длин волн
2,7...60 см. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с
жесткими выводами. Тип диода приводится на корпусе.
Масса диода не более 0,7 г.
Д6021А.Б)
Выбод 1
Выбод 2
+ Выбод 1
Выбод 2
Электрические параметры
Чувствительность по току при Род - 0,02 мВт,
X = 3,2 см, /п₽ = 150 мкА, не менее.... 1,5 А/Вт
Добротность при Род = 0,02 мВт, X = 3,2 см,
/ПР = 150 мкА, не менее: __
Д602А............................... 15 1/ЛЗт
Д602Б............................... 20 1/^Вт
Шумовое сопротивление при /ПР = 150 мкА,
не более............................... 12 кОм
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Род = 0,02 мВт, X = 3,2 см, г^л = 20 Ом,
4р = 150 мкА, не более................. 3,2
Дифференциальное сопротивление
при 4р = 150 мкА....................... 200...600 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность......... 50 мВт
Температура окружающей среды............. —60...+85 ’С
Д6ОЗ
Диод кремниевый, точечный, детекторный. Предназначен
для детектирования сигналов в диапазоне длин волн 6...60 см.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода и схема соединения электродов с вывода-
ми приводятся на корпусе.
Масса диода не более 3 г.
Электрические параметры
Чувствительность по току при Род = 4 мкВт,
X = 10 см, /ПР = 50 мкА, Гпосл = 15 Ом,
Т= —60...+100 ’С, не менее................. 4 А/Вт_
Добротность, не менее....................... 45 1/?Вт
Д603
Выбод 1
И
Выбод 2
Выходное шумовое отношение
при /ПР = 50 мкА, не более.......... 10
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Рпя, и = 4 мкВт, X = 10 см, /пр = 50 мкА,
'поел = ^5 Ом, не более:
Г =+25’С.......................... 2
Г= —60 и+100’С.................... 2,2
Дифференциальное сопротивление
при /ПР = 50 мкА.................... 300...900 Ом
Предельные эксплуатационные ранные
Импульсная рассеиваемая мощность
при Ги = 1 мкс, / = 1000 Гц.............. 200 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при крат-
ковременном воздействии (не более 1 мин),
Ти = 1 мкс, /= 1000 Гц................... 2 Вт
Температура окружающей среды............. —60...+100 'С
Температура окружающей среды при кратко-
временном воздействии (не более 20 мин).. +125 ’С
Разрешается применение диода при
токе от 0 до 150 мкА.
постоянном прямом
Зависимость чувстви Зависимость добротно- Зависимость добротно»
тельиости по току от сти от температуры сти от тока
тока
Д604
Диод кремниевый, точечный, детекторный. Предназначен
для детектирования сигналов в диапазоне длин волн 2,7...4 см.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода и схема соединения электродов с вывода-
ми приводятся на корпусе.
Масса диода не более 3 г.
Д6М
+ Выбод 1
Выбод 2
Электрические параметры
Чувствительность по току при Рпд = 40 мкВт,
X = 3,2 см, /ПР = 50 мкА, Гпосл ~ 20 Ом,
не менее:
Т=-60 и+25’С..................... 2,5 А/Вт
Т=+100’С......................... 2 А/Вт_
Добротность, не менее............... 35 1/ИЗт
Выходное шумовое отношение
при 4Р = 50 мкА, не более........... 8
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Рпд = Ю мкВт, X = 3,2 см, /ПР = 50 мкА,
'поел = 20 Ом, не более:
Г =+25’С....................... 1,8
Т=-60 и+100’С.................... 2
Предельные эксплуатационные данные
Постоянная рассеиваемая мощность......... 10 мЗт
Импульсная рассеиваемая мощность
при (л = 1 мкс, /= 1000 Гц............... 300 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при
= 1 мкс, Г= 1000 Гц (в течение 10 мин). 1 Вт
Температура окружающей среды............. —60...+100 ’С
Предельная температура окружающей среды
при кратковременном воздействии (не более
20 мин).................................. +125’С
Разрешается применение диода при
токе от 0 до 150 мкА.
постоянном прямом
Зависимость добротно-
сти от тока
Зависимость добротно-
сти от температуры
Зависимость чувстви-
тельности по току от
тока
Д605
Диод кремниевый, точечный, детекторный. Предназначен
для детектирования импульсных амплитудно-модулированйых
колебаний, индикации импульсной мощности в диапазоне длин
волн 3,2... 10 см. Выпускается в металлокерамическом корпусе
с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электро-
дов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 3,5 г.
Электрические параметры
Чувствительность по напряжению при
Рпд. и =150 мВт, X, = 3,2 см, /поел = Ю кОм,
не менее............................. 14 В/Вт
Выпрямленное напряжение при
Рпд, и 60 мВт, X “ 3,2 см, /поел 16 кОм:
7=+25’С.............................. 10,5... 16 В
Г = +100 ’С, не менее............. 5 В
Г = —60 ’С, не менее.............. 8 В
Предельные эксплуатационные данные
Выпрямленное напряжение при =10 кОм,
не менее:
к = 3,2 см.............................. 10,5 В
X. = 2 см............................... 7 В
Д605
+ Выбод 1
— Выбод 2
Импульсная рассеиваемая мощность при крат-
ковременных перегрузках.................. 2 Вт
Температура окружающей среды............. —60...+100 ’С
Зависимость выпрямленного напря- Зависимость выпрямленного напря-
жения от непрерывной падающей жения от температуры
СВЧ мощности
Д606
Диод кремниевый, точечный, детекторный. Предназначен
для детектирования СВЧ импульсных амплитудно-модулиро-
ванных сигналов, индикации импульсной СВЧ мощности. Вы-
пускается в металлокерамическом корпусе с жесткими выво-
дами. Тип диода приводится на корпусе.
Масса диода не более 10 г.
Электрические параметры
Чувствительность по напряжению
ПРИ Сщ = 20 мВт, не менее.............. 14 В/Вт
Выбод 1 №06
+ Выбод 1
Выбод 2
Выпрямленное напряжение при Ярд = 60 мВт,
61001 ~ Ю кОм, не менее:
Т=+25’С....................... 5,2 В
Т=+85’С....................... ЗВ
Г=-60’С....................... 3,5 В
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность......... 100 мВт
Температура окружающей среды............. —60...+85 ’С
Температура окружающей среды при кратко-
временном воздействии в течение 20 мин... +100 ’С
Д607, Д607А
Диоды кремниевые, точечные, детекторные. Предназначе-
ны для детектирования СВЧ сигналов. Выпускаются в метал-
лостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип диода при-
водится на корпусе.
Масса диода не более 1,4 г.
Д607, Д607А
Выбод 1
Выбод 2
Электрические параметры
Добротность при Рпд = 15 мкВт, 4м> = 50 мкА,.
не менее: _
Г=+25*С................................ 30 1/7Вт
Г=-60 и+125’С.......................... 15 1/л/Вт
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Рпд = 15 мкВт, /ПР = 50 мкА, не более. 3
Дифференциальное сопротивление
при 41р = 50 мкА.......................... 400... 1200 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность
при 7И = 1 мкс, /= 1000 Гц............... 100 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при крат-
ковременном воздействии (не более 20 мин),
Ги = 1 мкс, /= 1000 Гц................... 300 мВт
Постоянная рассеиваемая мощность при крат-
ковременном воздействии (не более 20 мин).. 5 мВт
Температура окружающей среды............. —60...+125 'С
Зависимость чувствительности
по току от тока
Зависимость чувствительности
по току от температуры
Д608, Д608А
Диоды кремниевые, точечные, детекторные. Предназначе-
ны для детектирования СВЧ сигналов. Выпускаются в метал-
лостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип диода при-
водится на корпусе.
Масса диода не более 1,4 г.
+ Выбод
Выбод 2
Электрические параметры
Добротность при Род = 15 мкВт, /ПР = 50 мкА,
не менее:
7=+25’С......................... 30 1/уВт
7=-60 и+125’С......................... 15 1/уВт
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Род =15 мкВт, /ПР = 50 мкА, не более. 3
Дифференциальное сопротивление
при /ПР = 50 мкА......................... 400... 1200 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность
при & = 1 мкс, 1000 Гц:
Д608.................................. 150 мВт
Д608А................................. 200 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при крат-
ковременном воздействии (не более 20 мин),
= 1 мкс, Г« 1000 Гц...................... 500 мВт
Постоянная рассеиваемая мощность при крат-
ковременном воздействии (не более 20 мин).. 7 мВт
Температура окружающей среды............. —60...+ 125 ’С
Зависимости дифференциального
сопротивления от тока
Зависимость шумового сопротивле-
ния от тока
Зависимость чувствительности
по току от температ ри
Зависимость чувствительности
по току от тока
Зависимости добротности от тока
Дв09
Диод кремниевый, точечный, детекторный. Предназначен
для детектирования СВЧ сигналов. Выпускается в металлоке-
рамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема
соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 1,5 г.
Д609
Выбод 1
Выбод 2
Электрические параметры
Добротность при Рпд = Ю мкВт, Гпосл = 60 Ом, _____
/пр = 20 мкА, не менее.................. 80 1/7Вт
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Рпд = 10 мВт, не более.............. 1,6
Дифференциальное сопротивление
при 4р = 20 мкА...........-............. 1000...2000 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность
при = 1 мкс, Г= 1 кГц................. 150 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при крат*
повременном воздействии (не более 3 мин),
= 1 мкс, Г= 1 кГц.................................... 250 мВт
Температура окружающей среды •••••••••••••••а»» -60...+100 ’С
Температура окружающей среды при кратко-
временном воздействии (не более 20 мин).............. +125 ’С
Гпин, Ом
Ги», Ом
Зависимость динамического сопро-
тивления от температуры
Зависимость дифференциального
сопротивления от тока
Зависимость добротности от темпе-
ратуры
Зависимость добротности от тока
Каи
Зависимость коэффициента стоя-
чей волны по напряжению от тем-
пературы
Зависимость коэффициента стоя-
чей волны по напряжению от тока
2А201А
Диод кремниевый, точечный, детекторный. Предназначен
для детектирования сигналов в диапазоне длин волн 8...60 см.
Выпускается в металлостеклянном корпусе. Тип диода приво-
дится на этикетке. Маркируется красной точкой у положитель-
ного вывода.
Масса диода не более 0,15 г.
Электрические параметры
Чувствительность по току при /%> = 5 мкВт,
X, = 8 см, 4р = 50 мкА, Гпосл < 30 Ом:
Т - +25 ’С, не менее............... 6,5 А/Вт
7=+125'С........................... 3,25...
9,75 А/Вт
7=—60’С............................ 4,55...
8,4 А/Вт
Добротность, не менее................. 80 1/а/Вт
Коэффициент стоячей волны по напряже-
нию при Рцд = 5 мВт, X = 8 см, 4р = 50 мкА,
не более.............................. 1,5
Дифференциальное сопротивление
при 4₽ = 50 мкА....................... 400... 1000 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Постоянная рассеиваемая мощность........... 20 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
при 1ц < 1 мкс, 1000 Гц................... 300 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при крат-
ковременном воздействии (не более 20 мин),
(ц 1 мкс, 1000 Гц......................... 500 мВт
Температура окружающей среды.............. —60...+125 ’С
Температура окружающей среды при кратко-
временном воздействии (не более 20 мин)... +150 ’С
Зависимость чувствительности
по току от тока
Зависимость чувствительности
по току от температуры
Зависимость дифференциального
сопротивления от тока
^М
Зависимость коэффициента стоя-
чей волны по напряжению от тем-
пературы
Зависимость коэффициента стоя-
чей волны по напряжению от тока
2А202А
Диод кремниевый, точечный, детекторный. Предназначен
для детектирования сигналов в диапазоне длин волн 3...8 см.
Выпускается в металлостеклянном корпусе. Тип диода приво-
дится на этикетке. Маркируется двумя красными точками у
положительного вывода.
Масса диода не более 0,15 г.
2А202А
Электрические параметры
Чувствительность по току при Р„ц =10 мкВт,
К = 3,2 см, /ПР = 50 мкА, Гпосл 30 Ом:
Т = +25 ’С, не менее............... 2,5 А/Вт
Г=+125’С........................... 1,25...
3,75 А/Вт
Г=-60’С............................ 1,75...
3,25 А/Вт
Дифференциальное сопротивление при
Рпд = 10 мкВт, К = 3,2 см, 41р = 50 мкА,
Гпосл $ 30 Ом......................... 400... 1000 Ом
Добротность Рпд = Ю мкВт, К = 3,2 см, _
4>р = 50 мкА, Гпосл < 30 Ом, не менее. 40 1/уВт
Коэффициент стоячей волны по напряжению
пРи Рпд = Ю мкВт, К = 3,2 см, = 50 мкА,
'поел 30 Ом, не более................. 1,5
Предельные эксплуатационные данные
Постоянная рассеиваемая мощность.......... 20 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
при /и < 1 мкс, М 1000 Гц.................. 300 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при крат-
ковременном воздействии (не более 5 мин),
<и С 1 мкс, 1000 Гц........................ 500 мВт
Температура окружающей среды.............. —60...+125 ’С
Температура окружающей среды при кратко-
временном воздействии (не более 10 мин)... +150 ’С
Зависимость чувствительности
по току от температуры
Зависимость чувствительности
по току от тока
Зависимость коэффициента стоя- Зависимость добротности от тока
чей волны по напряжению от тем-
пературы
2А203А, 2А203Б
Диоды кремниевые, микросплавные, детекторные. Предна
значены для детектирования сигналов на длине волны 2 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода приводится на этикетке. Маркируются услов-
ным кодом: цифрой 4 — 2А203А, цифрой 5 — 2А203Б.
Масса диода не более 0,2 г.
2А203(А,Б)
+ Выбод 1
Выбод 2
Электрические параметры
Чувствительность по току при = 0,01 мВт,
= 20 мкА, Гпосл = 30 Ом, не менее:
Г= —60 и +25 ’С:
2А203А..............................................
2А203Б.........................................
Г=+125’С...........................................
Добротность Рпд = 0,01 мВт, 4» = 20 мкА,
бюсл = 30 Ом, не менее:
2А203А
2А203Б.............................................
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Рпд = 0,01 мВт, 1№ = 20 мкА, Гпосл = 30 Ом,
не более:
2А203А
••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••
2А203Б •••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••
Дифференциальное сопротивление
при 41р = 20 мкА ••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••
3,8 А/Вт
2,8 А/Вт
1,5 А/Вт
120 1/^Вт
100 1/уВт
1,8
2,5
1000...2000 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Постоянная рассеиваемая мощность
при Гпосл $ 1000 Ом:
Г=-60...+85 ’С......................... 20 мВт
Г=+125’С............................ 5 мВт
Постоянная рассеиваемая мощность при крат-
ковременном воздействии (не более 3 ч),
Гдосл < 100 Ом......................... 50 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при
/и < 4 мкс, 1000 Гц, Гдосл < Ю кОм..... 100 мВт
Температура окружающей среды........... -60...+125 ’С
Допускается применение диодов при прямом токе не бо-
лее 100 мкА.
Зависимость шумового
сопротивления от тока
Зависимость дифферен-
циального сопротивле-
ния от тока
Зависимость коэффи-
циента стоячей волны
по напряжению от тока
Зависимость чувствительности
по току от температуры
РРАС МАКС, Вт
20
15
10
5
О
-60 -20 20 60 100 ТХ
Зависимость предельной рас-
сеиваемой мощности от тем-
пературы
Зависимость чувствительности
по току от тока
Зависимость предельной рассеива-
емой мощности от сопротивления
нагрузки
АА204А, АА204Б, АА204В
Диоды арсенидгаллиевые, планарно-эпитаксиальные, с
барьером Шотки, детекторные. Предназначены для детекти-
рования сигналов на длине волны 3 см и более в устройствах
герметизированной аппаратуры. Бескорпусные, с контактными
площадками, на керамическом держателе. Тип диода приво-
дится на этикетке. У основания плюсовой контактной площад-
ки керамического держателя диода краской наносится кодо-
вая черта, обозначающая полярность и тип диода: АА204А —
красной, АА204Б — синей, АА204В — желтой.
Масса диода не более 0,01 г.
АА20ЦА-В)
Выбод 1
Выбод 2
0.3
Выбод 1
Выбод 2
Электрические параметры
Чувствительность по току при Рт = 0,01 мВт,
к - 3,2 см, /ПР = 20 мкА, не менее:
Г- +25 ’С..........................
7 = +125 ’С........................
7= —60’С...........................
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Рпд = 0,01 мВт, X = 3,2 см, = 20 мкА,
не более:
АА204А, АА204Б.....................
АА204В.............................
Выходное шумовое отношение при
°пд = 0,01 мВт, X = 3,2 см, /ПР = 20 мкА,
не более............-.................
Дифференциальное сопротивление при
Рпд = 0,01 мВт, X = 3,2 см, = 20 мкА,
не более..............................
3,5 мкА/мкВт
2,0 мкА/мкВт
3,0 мкА/мкВт
2,4
1,3
2,0
2000 Ом
Постоянная рассеиваемая мощность:
7= —60...+85 ’С.........................
7= +125 ’С’.........................
Постоянная рассеиваемая мощность при крат-
ковременном воздействии 10 мин:
Т = ~60...+85 ’С.......................
7=+125 ’С’..........................
Импульсная рассеиваемая мощность
при Ги 3 1 мкс, 1000 Гц:
7= -60...+85 ’С........................
7=+125 ’С’..........................
Импульсная рассеиваемая мощность при крат-
ковременном воздействии не более 10 мин
при ?и < 1 мкс, 1000 Гц:
7= -60...+85 ’С........................
7= +125 ’С’.........................
Температура окружающей среды...........
20 мВт
10 мВт
50 мВт
20 мВт
100 мВт
50 мВт
250 мВт
150 мВт
-60...+125 ’С
1 В диапазоне температур окружающей среды +85...+125’С допустимая
рассеиваемая мощность снижается линейно.
Зависимости чувствительности
по току от тока
^мкА/мквт
10 20 30 и ЗО^мкА
Зависимость дифференциального
сопротивления от тока
1пр.мА
Зависимости прямого тока от на-
пряжения
ЗА206А-6
Диод арсенидгаллиевый, планарно-эпитаксиальный, с барь-
ером Шотки, детекторный. Предназначен для детектирования
сигналов на длине волны 3 см в устройствах герметизирован-
ной аппаратуры. Бескорпусный, с жесткими выводами. Тип
диода приводится на этикетке. Обозначается желтой точкой у
основания отрицательной контактной площадки, у основания
положительной контактной площадки ставится синяя точка.
Масса диода не более 0,01 г.
Выбод /
V
Выбод 2
Электрические параметры
Чувствительность по току при Рпд = Ю мкВт,
X = 3,2 см, /ПР = 20 мкА, Гпосл = 30 Ом,
не менее:
Г= +25 'С ••»»••»•••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••• 3,5 мкА/мкВт
Г=+125’С...................................... 2,5 мкА/мкВт
Т - —60 ’С.................................... 3 мкА/мкВт
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Рпд г Ю мкВт, X = 3,2 см, /ПР = 20 мкА,
не более......................................... 2,4
Выходное шумовое отношение....................... 0,6... 1,5
Дифференциальное сопротивление
при /пр = 20 мкА, /’= 1 кГц, не более............ 2 кОм
Тангенциальная чувствительность, не менее.... 54 дБ• м
Общая емкость.................................... 0,14...0,35 пФ
Емкость перехода................................. 0,09...0,26 пФ
Емкость держателя................................ 0,05...0,09 пФ
Индуктивность диода.............................. 1,2... 1,8 нГн
25 мВт
10 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
при «и = 1 мкс, 1
Т- —60...+85 *С *••••••••••••••••••••••••<
г= +125 X’ •••••••••••••••••••а••••••••••••!
Температура окружающей среды.....................
100 мВт
50 мВт
-60...+125 X
1 При Т - +85...+125 *С максимальная допустимая мощность изменяется по
линейному закону.
Зависимость прямого
тока от напряжения
Зависимость тангенци-
альной чувствительно-
сти от тока
Зависимости чувстви-
тельности по току от
тока
Зависимость дифференциального
сопротивления от тока
Зависимость коэффициента стоя-
чей волны по напряжению от тока
2А207А-6
Диод кремниевый, планарно-эпитаксиальный, с барьером
Шотки, детекторный. Предназначен для линейного детектиро-
вания сигналов на длине волны до 10 см в устройствах герме-
тизированной аппаратуры. Бескорпусный с контактными пло-
щадками на кристаллодержателе без выводов. Тип диода при-
водится на этикетке. Диоды могут поставляться подобранными
в пары, четверки и маркируются 2А207АР—б, 2А207АГ—б,
соответственно.
Масса диода не более 0,01 г.
Выбод 1
V
Выбод 2
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение
при 4)р = 1 МА> не более:
7=+25 и+125’С...................... 0,35 В
' Г = —60’С.......................... 0,45 В
Постоянное обратное напряжение
при 4б₽ = Ю мкА, не более:
7=-60 и+125’С......................... 6 В
7 =+25’С........................... 8 В
Коэффициент передачи при Рпд = 40 мВт. 70...95%
Общая емкость диода, не более......... 0,6 пФ
Емкость держателя..................... 0,05...0,09 пФ
Индуктивность диода................... 1,2... 1,8 нГн
Разброс электрических параметров
в паре, четверке
Постоянное прямое напряжение при
= 1 мА, 7 = +25 ’С, не более.......... 20 мВ
Постоянная рассеиваемая мощность:
Т=-60...+60 ’С......................... 90 мВт
Г=+125’С’........................... 25 мВт
Рабочий диапазон частот................ 0,3...3 ГГц
Температура окружающей среды........... —60...+125 ’С
’ В диапазоне температур окружающей среды +60...+125 "С допустимая
рассеиваемая мощность снижается линейно.
Допускается применение диода в детекторном режиме при
токе смещения до 100 мкА.
Допустимое значение статического потенциала 5 В.
Зависимости прямого тока от на-
пряжения
Зависимость коэффициента пере-
дачи от непрерывной падающей
СВЧ мощности
ЗА208А
Диод арсенидгаллиевый, эпитаксиальный, с барьером Шот-
ки, детекторный. Предназначен для детектирования сигналов
на длине волны до 10 см в устройствах герметизированной
аппаратуры. Выпускается в металлостеклянном корпусе с гиб-
кими выводами. Тип диода приводится на этикетке. Поляр-
ность диода — минус со стороны кристалла.
Масса диода не более 0,035 г.
Электрические параметры
Выпрямленный ток при Рпд = 0,5 Вт,
'поел = 250 Ом, не менее............. 41 мА
Постоянное прямое напряжение
при 4м> = 1 мА, не более:
7 = +25 и +125 X.................... 0,8 В
Г = —60 X........................... 0,9 В
Постоянное обратное напряжение
при /обр = Ю мкА, не менее............... 20 В
Общая емкость диода, не более........... 0,6 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянная рассеиваемая мощность
при 7=-60...+85 X1....................... 0,5 Вт
Рабочий диапазон частот.................. 0,З...ЗГГц
Температура окружающей среды............. —60...+125 X
1 В диапазоне температур окружающей среды +85...+125 ”С допустимая
рассеиваемая мощность снижается линейно до нуля.
Допускается применять диоды, на частотах до 15 ГГц.
Величина допустимого значения статического потенциала
Зависимость КПД выпрямления
от непрерывной падающей СВЧ
мощности
Зависимость КПД выпрямления
от частоты
2А209А-3, 2А209Б-3
Диоды кремниевые, планарно-эпитаксиальные, детектор-
ные. Предназначены для детектирования сигналов дециметро-
вого и сантиметрового диапазонов длин волн в устройствах
герметизированной аппаратуры. Бескорпусные, с жесткими
балочными выводами, без кристаллодержателя. Тип диода
приводится на этикетке.
Масса диода не более 0,001 г.
Электрические параметры
Тангенииалы-ая чувствительность при
/ПР = 20 мкА, X = 2 см, Д^= 1,5 МГц,
Т - +25 ’С, не менее:
2А209А-3............................... 50 дБм
2А209Б-3........................... 45 дБм
Постоянное прямое напряжение
при /ПР - 1,0 мА, не более:
7=+25 и+125’С......................... 0,25 В
Г = —60’С.......................... 0,3 В
Последовательное сопротивление потерь
при /ПР = 10 мА, не более............. 26 Ом
Общая емкость, не более:
2А209А-3............................... 0,12 пФ
2А209Б-3........................... 0,15 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянная рассеиваемая мощность:
при 7 = —60...+85 ’С.................. 60 мВт
при 7 = +125 ’С’................... 25 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность:
при 7 = —60...+85 ’С.................. 100 мВт
при 7=+125’С1...................... 35 мВт
Рассеиваемая мощность при кратковременном
воздействии, не более 10 мин:
7=-60...+85 ’С........................ 100 мВт
7=+125’С’.......................... 35 мВт
Нижнее значение частоты рабочего диапазона 0,3 ГГц
Верхнее значение частоты рабочего диапазона 26 ГГц
Постоянный прямой ток................. 10 мА
Температура окружающей среды.......... —60...+125 ’С
1 В диапазоне температур окружающей среды +85...+150*С допустимая
рассеиваемая мощность снижается линейно до нуля.
.ависимость тангенциальной чув-
Зависимость постоянного прямого
ствительности от тока
напряжения от температуры
4.3. Параметрические диоды
1АД01, 1АД01А, 1АД01Б, 1АД01В,
ГАД01, ГАДОМ, ГАД01 Б, ГА401В
Диоды кремниевые, диффузионные, параметрические. Пред-
назначены для применения в параметрических усилителях в
диапазоне длин волн 6...60 см. Выпускаются в металлокерами-
ческом корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема со-
единения электродов с выводами приводятся на этикетке. Мар-
кируются цветными точками у отрицательного вывода: 1А401 —
четырьмя красными, 1А401А — одной красной, 1А401Б —
двумя красными, 1А401В — тремя красными, ГА401 — четырь-
мя голубыми, ГА401А — одной голубой, ГА401Б — двумя
голубыми, ГА401В — тремя голубыми.
Масса диода не более 0,7.
Ш1, ШКА-В), ГАШ, ГАШ(А-В)
+ Выбод 1
Выбод 2
Электрические параметры
Постоянная времени при 1/^ - 10 В,
(= 2000 ± 200 МГц, не более:
1А401, 1А401............................ 2,2 лс
1А401А, ГА401А....................... 2 лс
1А401Б, ГА401Б....................... 1,8 лс
1А401В, ГА401В....................... 1,7 лс
Пробивное напряжение при /0ЕР = 10...20 мкА,
не менее:
Г =+25’С............................. 20 В
7=-60’С.............................. 17 В
Постоянный обратный ток при 4/обр ~ Ю В,
не более:
Г =+25’С............................. 0,5 мкА
Г=+70’С.............................. 4 мкА
Емкость перехода при = 10 В, 30 МГц:
1А401, 1А401 .......................... 0,45...0,87 пФ
1А401А, ГА401А...................... 0,36...0,55 пФ
1А401Б, ГА401Б....................... 0.26...0.44 пФ
1А401В, ГА401В...................... 0,12...0,33 пФ
Емкость корпуса......................... 0,18...0,25 пФ
Индуктивность диода, не более........... 2 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянная рассеиваемая мощность........ 200 мВт
Постоянная рассеиваемая мощность при крат-
ковременном воздействии (не более 5 мин).... 400 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
при Ги 4 мкс, О'* 1000.................. 5 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность при крат-
ковременном воздействии (не более 5 мин),
Ги 4 мкс, ОЪ 1000....................... 10 Вт
Температура окружающей среды............ —60...+70 ’С
Допускается применение диодов для умножения и деления
частоты в режимах, не превышающих предельно допустимые.
Длина волны в этом режиме может быть короче 3 см.
Не разрешается подача обратного напряжения более 19 В
и прямого тока более 30 мА.
Емкость перехода остается неизменной при температуре
окружающей среды —60...+70 ’С.
Зависимость пробивного напряже-
ния от температуры
Зависимость емкости перехода
от напряжения
1А402А, 1А402Б, 1А402В, 1А402Г,
ГА402А, ГА402Б, Г А402В, Г А402Г
Диоды германиевые, диффузионные, параметрические.
Предназначены для применения в параметрических усилителях
в диапазоне длин волн 3...6 см. Выпускаются в металлоке-
рамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода приво-
дится на этикетке. Маркируются цветными полосками и точка-
ми у положительного вывода: 1А402А — одной красной точ-
кой, 1А402Б — двумя красными точками, 1А402В — одной
красной полоской, 1А402Г — двумя красными полосками,
ГА402А — одной голубой точкой, ГА402Б — двумя голубыми
точками, ГА402В — одной голубой полоской, ГА402Г — дву-
мя голубыми полосками.
Масса диода не более 0,6 г.
Электрические параметры
Постоянная времени при Мэбр = Ю В,
/= 2000 ± 200 МГц, не более:
1А402А, ГА402А....................... 1,2 пс
1А402Б, ГА402Б.................... 0,9 пс
1А402В, 1А402Г, ГА402В, ГА402Г.... 0,75 пс
Пробивное напряжение при /0Б₽ = 10 мкА,
не менее:
Г= +25 ’С......................... 15 В
Г=-60’С........................... 12 В
Постоянный обратный ток при 4/0БР = 10 В,
не более:
Г= +25°С.......................... 0,5 мкА
7"=+70’С.......................... ЗмкА
ШШ-П ГАШ21А-Г)
Емкость перехода при (/0БР = 10 В, Г= 30 МГц:
1А402А, ГА402А, не более................. 0,3 пФ
1А402Б, 1А402Г, ГА402Б, ГА402Г,
не более................................. 0,16 пФ
1А402В, ГА402В.......................... 0,13...0,3 пФ
Емкость корпуса.............................. 0,23...0,29 пФ
Индуктивность диода, не более................ 2 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянная рассеиваемая мощность......... 50 мВт
Постоянная рассеиваемая мощность при крат-
ковременном воздействии (не более 5 мин).... 100 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
при ги 4 мкс, ОЪ 1000.................... 2,5 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность при крат-
ковременном воздействии (не более 5 мин),
<и 4 мкс, О ? 1000....................... 5 Вт
Энергия СВЧ импульсов.................... 7 • 10-в Дж
Мощность плоской части просачивающегося
импульса................................. 200 мВт
Температура окружающей среды............. —60...+70 ’С
Допускается применение диодов для умножения и деления
частоты в режимах, не превышающих предельно допустимые.
Длина волны в этом режиме может быть короче 3 см.
Не разрешается подача обратного напряжения более 14 В
и прямого тока более 30 мА.
Зависимость емкости
перехода от напряже-
ния
Зависимость пробивно-
го напряжения от тем-
пературы
Зависимость прямого
сопротивления потерь
от температуры
1А403А, 1А403Б, 1А403В, 1А403Г, 1А403Д,
ГА403А, ГА403Б, ГА403В, ГА403Г, ГА403Д
Диоды германиевые, диффузионные, параметрические.
Предназначены для применения в параметрических усилителях,
умножителях, делителях частоты и модуляторах в сантиметро-
вом и дециметровом диапазонах длин волн. Выпускаются в
металлокерамическом корпусе. Тип диода и схема соединения
электродов с выводами приводятся на этикетке. Маркируются
цветным кодом в центре баллона: 1А403А — одной красной
точкой, 1А403Б — двумя красными точками, 1А403В — тре-
мя красными точками, 1А403Г — одной красной полоской,
1А403Д — двумя красными полосками, ГА403А — одной голу-
бой точкой, ГА403Б — двумя голубыми точками, ГА403В —
тремя голубыми точками, ГА403Г — одной голубой полоской,
ГА403Д — двумя голубыми полосками.
Масса диода не более 0,7 г.
1АЮ31А-Д). ГАМА-Д)
+ Выбод 1
Выбод 2
Электрические параметры
Постоянная времени при (/0ЬР = 20 В,
2000 ± 200 МГц, не более:
1А403А, ГА403А........................... 2 пс
1А403Б, 1А403В, 1А403Г, ГА403Б,
ГА403В, ГА403Г........................ 1,6 пс
1А403Д, ГА403Д....................... 1,3 пс
Пробивное напряжение при /0БР - 10...20 мкА,
не менее:
7 =+25’С.............................. 50 В
7=-60’С............................... 40 В
Постояннь й обратный ток при 4/0БР = 20 В,
не более:
7 = +25 ’С:
1А403А, ГА403А....................... 2 мкА
1А403Б, 1А403В, 1А403Г, 1А403Д,
ГА403Б, ГА403В, ГА403Г, ГА403Д.... 1 мкА
7 = +70 ’С:
1А403А, ГА403А....................... 10 мкА
1А403Б, 1А403В, 1А403Г, 1А403Д,
ГА403Б, ГА403В, ГА403Г, ГА403Д.... 5 мкА
Емкость перехода при - 20 В, Л= 30 МГц:
1А403А, ГА403А........................... 0,32...0,5 пФ
1А403Б, ГА403Б........................ 0,26...0,4 пФ
1А403В, ГА403В........................ 0,18...0,3 пФ
1А403Г, 1А403Д, ГА403Г, ГА403Д........ 0,08...0,22 пФ
Емкость корпуса.......................... 0,2...0,25 пФ
Индуктивность диода...................... 1...2 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянная рассеиваемая мощность......... 400 мВт
Постоянная рассеиваемая мощность при крат-
ковременном воздействии (не более 5 мин).... 600 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
при Уи < 4 мкс, О> 1000.................. 15 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность при крат-
ковременном воздействии (не более 5 мин),
< 4 мкс, О > 1000...................... 25 Вт
Температура окружающей среды............. —60...+70 ’С
Не разрешается подача обратного напряжения более 49 В
и прямого тока более 30 мА.
Емкость перехода остается неизменной при температуре
-60...+70 ’С.
Зависимость обратного тока
от температуры
Зависимость пробивного напряже-
ния от температуры
Зависимости постоянной времени
от температуры
Зависимость емкости перехода
от напряжения
1А404А, 1А404Б, 1А404В, 1А404Г,
1А404Д, 1А404Е, 1А404Ж
Диоды германиевые, планарные, параметрические. Пред-
назначены для применения в параметрических усилителях, умно-
жителях и делителях частоты на длине волны 3 см и более.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода и схема соединения электродов с выво-
дами приводятся на этикетке. Маркируются цветным кодом:
1А404А — одной красной точкой, 1А404Б — двумя красными
точками, 1А404В — тремя красными точками, 1А404Г — че-
тырьмя красными точками, 1А404Д — одной красной полос-
кой, 1А404Е — двумя красными полосками, 1А404Ж — тремя
красными полосками.
Масса диода не более 0,7 г.
1АЫЩА-)К)
Выбод /
Выбод 2
Электрические параметры
Постоянная времени при 1/Обр - 5 В,
/= 2...2,5 ГГц, не более.................... 0,85 пс
Изменение постоянной времени при
Г= -60...+70 ’С, С/ОБР = 5 В, / = 2...2,5 ГГц,
не более.................................... 22%
Пробивное напряжение при /0БР = 100 мкА,
не менее:
Т= +25 ’С............................... 10 В
Г=-60’С................................. 8 В
Постоянный обратный ток при Ц^р = 5 В,
не более:
Т = +25 ’С.................................. 0,2 мкА
Т =+70 ’С............................... 2,5 мкА
Емкость перехода при С/0БР = 5 В, /= 60 МГц:
1А404А, не более............................ 0,11 пФ
1А404Б.................................. 0,09...0,14 пФ
1А404В.................................. 0,11...0,16 пФ
1А404Г.................................. 0,13...0,23 пФ
1А404Д.................................. 0,17...0,28 пФ
1А404Е.................................. 0,22...0,36 пФ
1А404Ж.................................. 0,3...0,45 пФ
Емкость корпуса............................. 0,2...0,26 пФ
Индуктивность диода......................... 1,2... 1,8 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянная рассеиваемая мощность......... 40 мВт
Постоянная рассеиваемая мощность при крат-
ковременном воздействии (не более 5 мин).... 60 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
при Ти < 1 мкс, 1000 Гц................... 1 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность при крат-
ковременном воздействии (не более 5 мин),
< 1 мкс, 1000 Гц....................... 2 Вт
Энергия СВЧ импульсов.................... 3 • 10~* Дж
Импульсная падающая СВЧ мощность......... 150 мВт
Температура окружающей среды............. —6О...+7О ’С
Зависимость емкости перехода
от напряжения
Зависимость постоянной времени
от температуры
1А405А, 1А405Б
Диоды германиевые, мезадиффузионные, параметрические.
Предназначены для применения в параметрических усилителях,
генераторах шума на длине волны 3 см и более. Выпускаются
в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип
диода и схема соединения электродов с выводами приводятся
на этикетке. Маркируются цветными точками: 1А405А — од-
ной красной, 1А405Б — двумя красными.
Масса диода не более 0,7 г.
1А405(А.Б)
+ Вывод 1
Выбод 2
Электрические параметры
Постоянная времени при 1/оьр = 5 В,
/= 2...2,5 ГГц, не более................. 1,2 пс
Пробивное напряжение при /обР = 70... 100 мкА:
Г =+25’С.............................. 8...15В
Т - —60 ’С, не менее.................. 6 В
Постоянный обратный ток при (/0БР = 5 В,
не более:
7"=+25’С.............................. 0,2 мкА
7"=+70’С.............................. 3,5 мкА
Емкость перехода при 4/О6Р = 5 В, Г = 60 МГц:
1А405А................................ 0,18...0,25 пФ
1А405Б................................ 0,22...0,4 пФ
Емкость корпуса.......................... 0,19...0,25 пФ
Индуктивность диода...................... 1,2...2 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность........ 0,5 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность при крат-
ковременном воздействии (не более 5 мин).... 1 Вт
Мощность просачивающегося импульса...... 25 мВт
Температура окружающей среды............ —65...+70 ’С
Температура окружающей среды при кратко-
временном воздействии (не более 30 мин). +85 ’С
Зависимость емкости перехода
от напряжения
ЗА406А, ЗА406Б, ЗА 40 б В
Диоды арсенидгаллиевые, планарно-эпитаксиальные, па-
раметрические. Предназначены для применения в параме-
трических усилителях на длине волны 2 см и более. Выпуска-
ются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами.
204
Тип диода приводится на этикетке. Маркируются желтыми точ-
ками со стороны положительного вывода: ЗА406А — одной,
ЗА406Б — двумя, ЗА406В — тремя.
Масса диода не более 0,6 г.
ЗА406(А-В)
Электрические параметры
Постоянная времени при (/0Бр = 2 В,
/ = 9375 МГц, не более:
ЗА406А.................................. 1,5 пс
ЗА406Б, ЗА406В.......................... 1,3 пс
Пробивное напряжение при /0БР = 5 мкА,
не менее................................... 4 В
Постоянный обратный ток, не более:
при (/обр = 4 В......................... 5 мкА
при (/обр — 2 В:
7"=—196 и+25’С......................... 1 мкА
Т= +85 ’С........................... 2 мкА
Постоянное прямое напряжение
при /ПР = 5 мкА, не более.................. 0,5 В
Сопротивление потерь, не более............. 20 Ом
Емкость перехода при нулевом смещении:
ЗА406А, не более........................ 0,26 пФ
ЗА406Б.................................. 0,14...0,3 пФ
ЗА406В.................................. 0.06...0.19 пФ
Емкость корпуса............................ 0,15...0,19 пФ
Индуктивность диода при /= 3 ГГц, /ПР = 14 мА 1,7...2,3 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянная рассеиваемая мощность...... 10 мВт
Постоянная рассеиваемая мощность при крат-
ковременном воздействии (не более 5 мин).... 30 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при крат-
ковременном воздействии (не более 15 мин),
Ги = 1 мкс, О - 1000..................... 300 мВт
Обратное напряжение...................... 4 В
Температура окружающей среды............. —26Э...+85 ’С
Зависимость емкости
перехода от напряже-
ния
Зависимости емкости
перехода от темпера-
туры
Зависимость постоян-
ной времени от тем-
пературы
1А408А, 1А408Б
Диоды германиевые, диффузионные, планарно-эпитакси-
альные, параметрические. Предназначены для применения в
параметрических усилителях сантиметрового и дециметрового
диапазонов длин волн. Выпускаются в металлокерамическом
корпусе с жесткими выводами. Тип диода приводится на груп-
повой таре. Маркируются цветными точками: 1А408А — одной
белой, 1А408Б — одной черной.
Масса диода не более 0,7 г.
1А408(А,Б)
Выбод 1
Выбод 2
Электрические параметры
Постоянная времени при 1/Обр = Ю В,
? = 7,5...7,7 ГГц, Г= —196 ’С, не более... 0,6 пс
Пробивное напряжение при = 100 мкА,
Т - —196 ’С, не менее..................... 12 В
Постоянный обратный ток, при 1}^? = 10 В,
Т- —196 ’С, не более...................... 0,05 мкА
Общая емкость диода при (/0СР = 10 В,
/=10 МГц:
1А408А................................ 0,5...0,56 пФ
1А408Б................................ 0,54...0,62 пФ
Емкость корпуса........................... 0,3...0,34 пФ
Индуктивность диода....................... 0,45...0,65 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянная рассеиваемая мощность......... 40 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
при Ги < 1 мкс, /< 1000 Гц............... 1 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность при крат-
ковременном воздействии (не более 5 мин),
Ги < 1 мкс, /< 1000 Гц................... 2 Вт
Энергия СВЧ импульсов.................... 3 • 10"’ Дж
Температура окружающей среды............. —196...+25 ’С
Зависимость емкости перехода
от напряжения
Зависимость постоянной времени
от температуры
ЗА409А, ЗА409Б, ЗА409В, ЗА409Г
Диоды арсенидгаллиевые, планарно-эпитаксиальные, па-
раметрические. Предназначены для применения в параметри-
ческих усилителях дециметрового и сантиметрового диапазо-
нов длин волн. Выпускаются в металлокерамическом корпусе
с жесткими выводами. Тип диода приводится на этикетке.
Масса диода не более 0,05 г.
ЗА40Ю-Г)
02.1,
0072
Выбод 1
Выбод 1
Выбод 2
Выбод 2
01,3
Электрические параметры
Постоянная времени при = 2 В,
Г= 1...7.5 ГГц, не более:
ЗА409А................................... 1,2 пс
ЗА409Б................................... 1 пс
ЗА409В................................... 0,8 пс
ЗА409Г................................... 0,6 пс
Постоянный обратный ток, не более:
при С/обр = 2 В:
Г=-196 и+25’С................................ 1 мкА
Т = +85 ’С........................... 2 мкА
при 6/0БР = 4 В, Г= -196 ’С............. 10 мкА
при С/06Р = 6 В, Т = +25 ‘С.............. 5 мкА
Общая емкость при (/0БР = 0, /= 10 МГц:
ЗА409А...................................... 0,7... 1,1 пФ
ЗА409Б................................... 0,6...0,9 пФ
ЗА409В................................... 0,5...0,8 пФ
ЗА409Г.................................. 0,4...0,6 пФ
Емкость корпуса............................. 0,2...0,3 пФ
Индуктивность диода, не более................ 0,3 нГн
Постоянное обратное напряжение:
при Т = —269...—60 ’С................. 4 В
при Г= —60...+85 ’С.................. 5 В
при Г=+25’С.......................... 6 В
Постоянная рассеиваемая мощность........ 30 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность........ 100 мВт
Рассеиваемая мощность плоской части проса-
чивающегося импульса при Т = —60...+85 ’С.. 50 мВт
Энергия СВЧ импульсов при Т = —60...+85 ’С,
Ги = 3...10 нс.......................... 2-10”8Дж
Температура окружающей среды............ —26Э...+85 ’С
Основной метод крепления диодов в схеме — прижим.
Величина сжимающего усилия на диод не должна превышать
9,8 Н (1 кгс).
Разрешается пайка диодов со стороны кристаллодержате-
ля при температуре не свыше +180 ’С, время пайки 1 мин.
'Г/'Сдго
Зависимость постоянной
времени от температуры
ЗА410А, ЗА410Б, ЗА410В, ЗА410Г,
ЗА410Д, ЗА410Е, АА410А, АА410Б,
АА410В, АА410Г, АА410Д, АА410Е
Диоды арсенидгаллиевые, планарно-эпитаксиальные, па-
раметрические. Предназначены для применения в параметри-
ческих усилителях сантиметрового диапазона длин волн. Вы-
пускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами.
Тип диода приводится на этикетке.
Масса диода не более 0,05 г.
Электрические параметры
Постоянная времени при (/обр = 2 В,
/= 8,6 ГГц, не более:
ЗА410А, АА410А..................... 0,8 пс
ЗА4Ш-Н
02А
00.72
Выбод 1
Выбод 1
Выбод 2
Выбод 2
—г-
01.5
ЗА410Б, ЗА410Г, АА410Б, АА410Г............ 0,6 пс
ЗА410В, ЗА410Д, АА410В, АА410Д............ 0,4 пс
ЗА410Е, АА410Е............................ 0,3 пс
Постоянный обратный ток, не более:
при 44эбр = 2 В:
Г=-196 и+25’С................................. 1 мкА
Г=+85’С............................... 2 мкА
при С/Об₽ = 6 В, Т- +25 'С................ 5 мкА
Общая емкость при С/Об₽ = 0, /= 10 МГц:
ЗА410А, АА410А............................... 0,55...0,85 пФ
3А410Б, АА410Б............................ 0,5...0,8 пФ
ЗА410В, АА410В............................ 0,6...0,8 пФ
ЗА410Г, ЗА410Е, АА410Г, АА410Е............ 0,4...0,6 пФ
ЗА410Д, АА410Д............................ 0,42...0,56 пФ
Емкость корпуса............................... 0,2...0,29 пФ
Индуктивность диода, не более................. 0,2 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
при Т- -269..-60 ’С................. 4 В
при Т = —60...+85 ’С................ 5 В
при Г= +25 ’С....................... 6 В
Постоянная рассеиваемая мощность....... 30 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
при Ги = 1...4 мкс, 0= 1000............ 100 мВт
Рассеиваемая мощность плоской части им-
пульса при Г = —60...+85 ’С..............
Энергия СВЧ импульсов при Ги = 3...10 нс,
Т= -60...+85 ’С..........................
Температура окружающей среды.............
50 мВт
2 Ю-» Дж
—269...+В5 ’С
При пайке выводов рекомендуется принимать меры по за-
щите диодов от воздействия статического электричества.
При пайке выводов рекомендуется применять мягкий при-
пой с предварительным обслуживанием. Температура пайки
или лужения не свыше +180 ’С, продолжительность пайки не
более 1 мин.
ЗА411А, ЗА411Б, ЗА411В,
ЗА411Г, ЗА411Д
Диоды арсенидгаллиевые, планарно-эпитаксиальные, па-
раметрические. Предназначены для применения в параметри-
ческих усилителях сантиметрового диапазона длин волн. Вы-
пускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выво-
дами. Тип диода приводится на этикетке.
Масса диода не более 0,01 г.
ЗАИЦА-О)
Электрические параметры
Постоянная времени при С/оа» = 2 В,
Г= 8,6... 12 ГГц, не более:
ЗА411А, ЗА411Б, ЗА411Г................... 0,5 пс
ЗА411В, ЗА411Д..................... 0,3 пс
Постоянный обратный ток при (/обр = 2 В,
не более:
7=-196 и+25’С............................. 1 мкА
7 = +85 ’С................................ 2 мкА
Постоянный обратный ток при = 6 В,
не более...................................... 5 мкА
Общая емкость при С/0Бр = 0, Л= 10 МГц:
ЗА411А........................................ О,35...О,75 пФ
ЗА411Б.................................... 0.26...0.45 пФ
ЗА411В.................................... 0,26...0,45 пФ
ЗВ411Г.................................... 0,2...0,36 пФ
ЗА411Д.................................... 0,2...0,36 пФ
Емкость корпуса............................... 0,08...0,14 пФ
Индуктивность диода, не более................. 0,16 мГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянная рассеиваемая мощность
при 7= —26Э...+85 ’С...................... 0,03 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность при
4 = 1...4 мкс, 0 = 1000, 7= -26Э...+85 ’С. 0,1 Вт
Рассеиваемая мощность плоской части проса-
чивающегося импульса при 7 = —60...+85 ’С.. 0,05 Вт
Постоянное обратное напряжение:
при 7= —26Э...+85 ’С................... 4 В
при 7 = +25 ’С......................... 6 В
Энергия СВЧ импульсов при > 3 нс,
7=-60...+85 ’С............................ 2-10-® Дж
Температура окружающей среды.............. —269...+85 ’С
Не допускается воздействие статического электричества.
Основной метод крепления диодов в схеме — прижимной.
Величина сжимающего усилия на диод не должна превы-
шать 1 кг.
(М/СМ* -0)
Разрешается пайка диодов
стороны кристаллодержате-
и крышки при температуре
выше +180 ’С, время пайки
более 1 мин.
Зависимость емкости перехода от на-
пряжения
Зависимость постоянней времени
от температуры
Зависимости прямого тока от на-
пряжения
ЗА412А-5, ЗА412Б-5, ЗА412В-5,
ЗА412Г-5, ЗА412Д-5, ЗА412Е-5
Диоды арсенидгаллиевые, планарно-эпитаксиальные, па-
раметрические. Предназначены для применения в параметри-
ческих усилителях коротковолновой части сантиметрового и
длинноволновой части миллиметрового диапазонов длин волн
в устройствах герметизированной аппаратуры. Бескорпусные,
с контактными площадками без кристаллодержателя. Тип ди-
ода приводится на этикетке.
Масса диода не более 1 мг.
Электрические параметры
Постоянная времени при 6/0БР = 2 В, не более:
ЗА412А-5, ЗА412Б-5, ЗА412В-5............... 0,25 пс
ЗА412Г-5, ЗА412Д-5, ЗА412Е-5............ 0,4 пс
Емкость структуры при С/обр я 0» Ю МГц:
ЗА412А-5, ЗА412Г-5......................... 0,08...0,2 пФ
ЗА412Б-5, ЗА412Д-5...................... 0,05...0,12 пФ
ЗА412В-5, ЗА412Е-5...................... 0,03...0,09 пФ
Постоянный обратный ток при С/одр = 2 В,
не более................................... 1 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
при Т= -269...-60 X....................... 4 В
при 7= -60...-85 X.................... 5 В
Постоянная рассеиваемая мощность
при 7= —269...—85 X....................... 0,03 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность при
'и < 4 мкс, О> 1000, 7= —26Э...+85 X..... 0,1 Вт
5А112(А-5-Е-5)
Выбод 1
57
Выбод 2
Рассеиваемая мощность плоской части проса-
чивающегося импульса при —60...+85 ‘С....
Энергия СВЧ импульсов при 4, = 3...10 мс,
7 = -60...+85 ’С.........................
Температура окружающей среды.............
0,05 Вт
10-’Дж
-26Э...+85 ’С
Основной метод крепления диодов в схему — пайка со
стороны контакта диода большей площади или прижимом со
стороны контакта диода меньшей площади. Пайка произво-
дится при температуре не более +180 ’С, продолжительность
пайки не более 10 с.
Зависимость емкости перехода
от напряжения
Зависимость постоянной времени
от температуры
Зависимость емкости перехода
от температуры
Зависимость прямого тока от на-
пряжения
ЗА414А, ЗА414Б, ЗА414В, ЗА414Г
Диоды арсенидгаллиевые, планарно-эпитаксиальные, па-
раметрические. Предназначены для применения в параметри-
ческих усилителях сантиметрового диапазона длин волн. Вы-
пускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выво-
дами.
Масса диода не более 0,01 г.
ЗАШ(А-Г)
Электрические параметры
Постоянная времени при С/0БР = 6 В,
Л= 8,6...12 ГГц, не более:
ЗА414А..................................... 0,25 пс
ЗА414Б................................... 0,3 пс
ЗА414В, ЗА414Г.......................... 0,5 пс
Постоянный обратный ток, не более:
при 7 = +25 ’С:
Цк,» = 15 В для ЗА414В, ЗА414Г.... 5 мкА
Цжр = 25 В для ЗА414А, ЗА414Б..... 5 мкА
4/обр = 6 В для ЗА414А, ЗА414Б,
ЗА414В, ЗА414Г.................... 1 мкА
при 7 = —196 и +85 ’С................. 2 мкА
Общая емкость при С/0БР = О, Л= 10 МГц:
ЗА414А, ЗА414В........................ 0,47...0,67 пФ
ЗА414Б, ЗА414Г...................... 0.57...0.97 пФ
Емкость корпуса.......................... 0.07...0.14 пФ
Индуктивность диода, не более............ 0,15 нГн
типичное значение*.................... 0,11 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
при 7 = -269...-60 ’С:
ЗА414А, ЗА414Б.................... 16 В
ЗА414В, ЗА414Г :.................. 9 В
при 7 = —60...+85 ’С:
ЗА414А, ЗА414Б.................... 21 В
ЗА414В, ЗА414Г.................... 12 В
при 7 = +25 ‘С:
ЗА414А, ЗА414Б.................... 25 В
ЗА414В, ЗА414Г.................... 15 В
Постоянная рассеиваемая мощность
при X = 3 см, 7 = —26Э...+85 ’С:
ЗА414А, ЗА414Б........................ 120 мВт
ЗА414В, ЗА414Г........................ 60 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
при Ги < 1 мкс, 1000 Гц, X = 3 см,
7= —26Э...+85 ’С:
ЗА414А, ЗА414Б........................ 200 мВт
ЗА414В, ЗА414Г........................ 100 мВт
Энергия СВЧ импульсов при 7 = —60...+85 ’С,
<и = 3 нс................................ 2 • 10"’ Дж
Постоянное обратное напряжение без СВЧ
мощности:
при 7 = —269...—60 ’С:
ЗА414А, ЗА414Б.................... 16 В
ЗА414В, ЗА414Г.................... 9 В
при 7= -60...+85 ’С:
ЗА414А, ЗА414Б....................... 21 В
ЗА414В, ЗА414Г.................... 12 В
при Т = +25 ’С:
ЗА414А, ЗА414Б...................... 25 В
ЗА414В, ЗА414Г................... 15 В
Рабочий диапазон длин волн.............. 1...10 см
Температура окружающей среды............ —26Э...+85 ’С
Допустимое значение статического потенциала 1 В.
Допускается применение диодов в умножителях частоты
при мощности рассеивания, не превышающей предельные зна-
чения, и частоте преобразуемого сигнала не менее 6 ГГц.
Основной метод крепления диодов в схеме — прижимной.
Величина сжимающего усилия не должна превышать ЮН
(1 кг), при этом усилие должно прикладываться к торцам плав-
но без толчков.
Разрешается пайка диодов со стороны кристаллодержате-
ля и крышки при температуре не выше +180 ’С, время пайки
(лужения), не более 1 мин.
Зависимости прямого тока от на-
пряжения
Стр ((Осзс-О)
Зависимость емкости перехода
от напряжения
Зависимость постоянной времени
от температуры
ЗА415А-5, ЗА415Б-5
Диоды арсенидгаллиевые, планарно-эпитаксиальные, па-
раметрические. Предназначены для применения в параметри-
ческих усилителях миллиметрового диапазона длин волн в
устройствах герметизированной аппаратуры. Бескорпусные, с
контактными площадками, без кристаллодержателя. Тип ди-
ода приводится на этикетке.
Масса диода не более 1 мг.
ЗА415(А-5,Б-5)
Электрические параметры
Постоянная времени при 1/оы> = 2 В, не более:
ЗА415А-5................................ 0,2 пс
ЗА415Б-5................................ 0,16 пс
Постоянный обратный ток, не более:
при С/он> = 2 В, Т- —196 и +85 ’С.......... 2 мкА
при С/оа» = 6 В, Т- +25 ’С.............. 5 мкА
Общая емкость при 6/0БР = 0, 1- 10 МГц:
ЗА415А-5................................... 0,02...0,05 пФ
ЗА415Б-5................................ 0,01...0,03 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение без СВЧ
мощности:
7=-269...-60 ’С....................... 4 В
7= -60...+85 ’С.................... 5 В
7=+25’С............................ 6 В
Постоянная рассеиваемая мощность
при Т= —26Э...+85 ’С..................... 25 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при
< 1 мкс, /’С 1000 Гц, Т- —26Э...+85 ’С. 50 мВт
Энергия СВЧ импульсов при Ги > 3 нс,
Г= —60...+85 ’С.......................... 5-Ю"* Дж
Нижнее значение частоты рабочего диапазона 35 ГГц
Верхнее значение частоты рабочего диапазона 100 ГГц
Температура окружающей среды............. —26Э...+85 ’С
Допустимое значение статического потенциала 1 В.
Допускается применение диодов в умножителях частоты
при мощности рассеивания, не превышающей предельные зна-
чения, и частоте преобразуемого сигнала не менее 20 ГГц.
Основной метод крепления диодов в схеме: пайка со сто-
роны контакта диода со сплошной металлизацией или прижа-
тием со стороны диода с барьерными контактами. Пайка ди-
одов производится при температуре не более +180’С, про-
должительность пайки не более 10 с.
Зависимость емкости перехода
от напряжения
т(Т)/т(Т^2(ГС)
Зависимость постоянной времени
от температуры
т(1)/т(Ы00ГГц)
Зависимость постоянной времени
от частоты
Зависимость предельной импульс-
ной рассеиваемой мощности от
длительности импульсов
4.4. Переключательные и ограничительные диоды
1А501А, 1А501Б, 1А501В, 1А501Г,
1А501Д, 1А501Е, 1А501Ж, 1А501И,
ГАБ01 А, ГАБ01 Б, ГА501В, ГАБ01 Г,
ГА5О1Д, ГА501Е, ГАБ01 Ж, ГА5О1И
Диоды германиевые, диффузионные, переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройст*
вах в диапазоне длин волн 3,2...3,9 см. Выпускаются в метал-
локерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода
приводится на этикетке. Маркируются цветными точками и
полосками у положительного вывода: 1А501А — одной крас-
ной точкой, 1А501Б — двумя красными точками, 1А501В —
тремя красными точками, 1А501Г — одной красной полоской,
1А501Д — двумя красными полосками, 1А501Е — тремя крас-
ными полосками, 1А501Ж — одной красной полоской и од-
ной красной точкой, 1А501И — одной красной полоской и
двумя красными точками. Маркировка диодов ГА501А—ГА501И
аналогичная, только цвет точек и полосок голубой.
Масса диода не более 0,6 г.
Электрические параметры
Потери пропускания при /ПР = 20 мА,
Рпп = 1 мВт» Х = 3,2 см для 1А501А, 1А501Б,
1А501В, 1А501Ж, 1А501И, ГА501А, ГА501Б,
ГА501В, ГА501Ж, ГА501И, К = 3,9 см для
1А501Г, 1А501Д, 1А501Е, ГА501Г, ГА501Д,
ГА501Е, не более........................ 0,8 дБ
Качество диода при С/обр = 12... 18 В для
1А501А, 1А501Г, ГА501А, ГА501Г, а0Б₽ = 8...
13 В для 1А501Б, 1А501Д, ГА501Б, ГА501Д,
Ц)б₽ = 4...Э В для 1А501В, 1А501Е, ГА501В,
ГА501Е, 4/об₽ = 2,2...4,2 В для 1А501Ж,
ГА501Ж, 6ЬбР = 0.5...2.5 В для 1А501И,
ГА501И, Рщ. = 1 мВт, X = 3,2 см для 1А501А,
1А501Б, 1А501В, 1А501Ж, 1А501И, ГА501А,
ГА501Б, ГА501В, ГА501Ж, ГА501И, Х = 3,9 см
для 1А501Г, 1А501Д, 1А501Е, ГА501Г,
ГА501Д, ГА501Е, не более............. 150
Пробивное напряжение, не менее:
при 7=+25’С....................... 19 В
при 7=-60’С........................ 16 В
1А50ЦА-И), ГА50КА-И)
Постоянный обратный ток при 6/0БР = 10 В,
не более:
Г =+25 ’С.........................
7”=+70’С..........................
Емкость корпуса......................
0,5 мкА
3,0 мкА
0,12...0,18 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая мощность:
1А501А, 1А501Б, 1А501Г, 1А501Д,
1А501Е, ГА501А, ГА501Б, ГА501Г,
ГА501Д, ГА501Е....................... 100 мВт
1А501В, ГА501В....................... 50 мВт
1А501Ж, 1А501И, ГА501Ж, ГА501И....... 1 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
при О = 1000, 2 мкс................... 2,5 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность при воз-
действии не более 5 мин, О1000, Ти 2 мкс 5 Вт
Непрерывная падающая СВЧ мощность
при 41р = 10...30 мА.................... 1 Вт
Импульсная падающая СВЧ мощность в те-
чение 50 ч при Г +70 ’С, Ги < 0,15 мкс,
О > 3000................................ 50 Вт
Мощность просачивающегося импульса...... 450 мВт
Энергия просачивающегося импульса....... 5 • 10"8 Дж
Температура окружающей среды............ —60...+70 ’С
Допускается применение диодов в переключающих устрой-
ствах на длине волны 3 см и более.
Не разрешается подача обратного напряжения более 18 В
и прямого тока более 30 мА для 1А501А, 1А501Б, 1А501Г,
1А501Д, 1А501Е и 20 мА для 1А501В, 1А501Ж, 1А501И.
Зависимость потерь запирания
от температуры
2А503А, 2А503Б
Диоды кремниевые, сплавные, переключательные. Рабо-
чим элементом диода является полупроводниковая структура
типа рч-п. Предназначены для применения в переключающих
устройствах, модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сан-
тиметрового и дециметрового диапазонов длин волн гермети-
зированной аппаратуры. Бескорпусные, с жесткими выводами.
Тип диода приводится на индивидуальной таре.
Масса диода не более 0,00214 г.
2А50ЯА.Б)
Выбод 1
V
Выбод 2
Электрические параметры
Прямое напряжение при /ЛР = 100 мА,
Г = —60...+125 ’С, не более.............. 0,3 В
Прямое сопротивление потерь
при Рпд > 5 мВт, /- 3 ГГц:
/ЛР = 100 мА, не более:
2А503А............................... 3,3 0м
2А503Б............................ 5Ом
/пр = 0, не менее..................... 1500 Ом
Время прямого восстановления при
Рпд 1 мВт, /пр = 100 мА, /= 3 ГГц, не более 6 мкс
222
Время обратного восстановления при
> 1 мВт, /ПР = 0, /= 3 ГГц, не более..... 60 мкс
Емкость перехода диода при Рт 5 мВт,
/ = 3 ГГц:
2А503А................................... 0,365...
0,435 пФ
2А503Б................................... 0,33...0,425 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Рассеиваемая мощность при длительном воз-
действии................................ 1 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность в линии
с И' = 50 Ом при длительном воздействии. 1 кВт
Температура перехода.................... +125 ’С
Температура окружающей среды............ —60...+125 ’С
Необходимо принимать меры, исключающие повреждение
диодов от воздействие разрядов статического электричества,
токов утечки посторонних источников напряжения.
Пайку диодов рекомендуется проводить любым мягким
припоем при температуре не свыше +170 ’С. Затекание припоя
и флюса на боковую поверхность кристалла не допускается.
Разрушающее усилие на диод составляет 29,4 Н.
Полярность диодов определяется тестером.
При включении диода в линию с волновым сопротивлени-
ем, отличным от 50 Ом, допустимая импульсная рассеиваемая
мощность определяется по формуле
^рас.и = 50РрДС1 ИМАКС/И4
Зависимость прямого сопротивле-
ния потерь от напряжения
Зависимость прямого сопротивле-
ния потерь от тока
1А504А, 1А504Б,
ГА504А, ГА504Б, ГА504В
Диоды германиевые, диффузионные, переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройст-
вах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Маркируются цветной точкой на керамической части
корпуса: 1А504А, ГА504А — красной, 1А504Б, ГА504Б — чер-
ной, ГА504В — желтой. Схема соединения электродов с выво-
дами приводится на керамической части корпуса.
Масса диода не более 1 г.
Электрические параметры
Потери пропускания при /ПР = 50 мА,
Рпд = 1 мВт, X, = 3,9 см, не более:
1А504А, ГА504А.......................... 0,5 дБ
1А504Б, ГА504Б....................... 0,8 дБ
1А504В............................... 1 дБ
Качество диода при /ЛР = 50 мА, = 50 В,
Рпд = 1 мВт, К, = 3,9 см, не менее:
Г= -60 и +25 ’С:
1А504А, ГА504А................... 500
1А504Б, ГА504Б................... 200
1А504В........................... 100
Г= +70 'С:
1А504А, ГА504А................... 350
1А504Б, ГА504Б................... 150
1А504В........................... 50
Время переключения при = 50 В,
= 2,5 Вт, К = 3,9 см, не более............. 40 нс
Постоянный обратный ток при = 50 В,
не более:
Г = —60 и+25’С............................. 100 мкА
7=+70’С................................ 500 мкА
Общая емкость при 1/0№ = 50 В:
1А504А, 1А504Б, ГА504А, ГА504Б....... 0,5...0,8 пФ
ГА504В................................. 0,45... 1,0 пФ
Емкость корпуса при ^ое₽ = 50 В............ 0,3...0,4 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение........... 50 В
Постоянный прямой ток.................... 50 мА
Рассеиваемая мощность:
при 7 = —60...+35 ’С.................. 0,5 Вт
при 7=+70’01 2 * ч * * * В............ 0,3 Вт
Рассеиваемая мощность в течение 1 мин.... 0,6 Вт
Непрерывная падающая СВЧ мощность:
при 7 = -60...+35 ’С.................. 2,5 Вт
при 7 = +70 ’С........................ 1,5 Вт
Непрерывная падающая СВЧ мощность
при кратковременном воздействии (не
более 1 мин)............................. 3 Вт
Температура окружающей среды............. —60...+70 С
Температура корпуса...................... +85 ’С
1 Рассеиваемая мощность связана с непрерывной падающей СВЧ мощ-
ностью в линии передачи Ря соотношениями:
в состоянии пропускания
П>АС ПЬ
в состоянии запирания
о
П>АС “ . П1>
ч
где 4П — потери пропускания волноводного устройства с диодом, определяе-
мым отношением падающей СВЧ мощности к прошедшей при номинальном токе
/V, — потери запирания волноводного устройства с диодом, определяемые
отношением падающей СВЧ мощности к прошедшей при номинальном напряже-
нии
В диапазоне температур +35...+70 ’С максимальная рассеиваемая мощ-
ность изменяется по линейному закону.
2А505А, 2А505Б, 2А505В
Сборки из двух диодов кремниевых, сплавных, переключа-
тельных. Рабочим элементом диодов является полупроводни-
ковая структура типа пч-р-Рп. Предназначены для применения
в переключающих устройствах, модуляторах, фазовращате-
лях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазо-
нов длин волн герметизированной аппаратуры. Бескорпусные,
с гибкими выводами. Тип сборки и схема соединения электро-
дов с выводами приводятся на индивидуальной таре.
Масса сборки не более 0,05 г.
2А5051А-В)
Выбод 2
+Выбод 1
Выбод 2
Электрические параметры
Потери пропускания при Рпл > 1 мВт, /ПР = 0,
/= 9...9,8 ГГц, не более:
Г= +25 “С:
2А505А, 2А505Б........................ 0,25 дБ
2А505В............................. 0,4 дБ
Г= -60 и +125 ’С:
2А505А, 2А505Б........................ 0,4 дБ
2А505В............................. 0,7 дБ
Потери запирания при Рпл > 1 мВт, /пр = 0,
Г= 9...8 ГГц, не менее:
2А505А.................................... 25 дБ
2А505Б, 2А505В........................ 21 дБ
Время прямого восстановления при
Рпд 1 мВт, /ПР = 100 мА, /= 9...9,8 ГГц,
не более.................................. 6 мкс
Время обратного восстановления при
Рпд > 1 мВт, /ПР = 0, Г= 9...9,8 ГГц, не более.. 60 мкс
226
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение........... 100 В
Рассеиваемая мощность.................... 2 Вт
Импульсная падающая СВЧ мощность в линии
с И^ = 250 Ом при = 1 мкс, О = 500:
4м>= О’
в Н-образном волноводе и полосковых
линиях............................. 5 кВт
в резонансной щели................. 2 кВт
/ПР = 100 мА........................... 100 кВт
Температура окружающей среды.............. —60...+125 ’С
Допускается воздействие температуры окружающей среды
+140’С в течение 30 мин. Потери запирания практически не-
изменны в интервале температур от —60 дэ +125 ’С.
При установке диодов в аппаратуру запрещается переги-
бать выводы ближе 5 мм от основания и прикладывать растя-
гивающее усилие к выводу более 0,98 Н. При монтаже диодов
не допускается затекание припоя на боковые поверхности ди-
ода. Пайку диодов рекомендуется проводить при температуре
не свыше +200 ’С. Допускается двух-трехкратная перепайка
диодов.
При включении диода в линию с волновым сопротивлении,
отличным от 250 Ом, допустимая импульсная падающая СВЧ
мощность определяется по формуле
Рпд. и = 250РЦД, И| макс/
^лр.<?6
Зависимость потерь пропускания
от температуры
Зависимость потерь пропускания
от непрерывной падающей СВЧ
мощности
Зависимости прямого тока от не-
пряжения
зависимость потерь запирания
от тока
2А506А, 2А506Б, 2А506В,
2А506Г, 2А506Д
Диоды кремниевые, сплавные, переключательные. Рабо*
чим элементом диода является полупроводниковая структура
типа пч-рч-п. Предназначены для применения в переключаю-
щих устройствах, модуляторах, фазовращателях, аттенюато-
рах сантиметрового диапазона длин волн герметизированной
аппаратуры. Бескорпусные, с гибким выводом. Тип диода при-
водится на корпусе. Положительный вывод — гибкий.
Масса диода не более 2,5 г для 2А506А, 2А506Б, 2А506В,
2А506Г и 2 г для 2А506Д.
Электрические параметры
Потери пропускания при Рпд > 1 мВт, /п₽ = О,
не более:
7 = +25 ’С:
2А506А, 2А506Б на частоте
^= 9800 ±50 МГц.................... 0,4 дБ
2А506В, 2А506Г на частоте
^=9100 ±50 МГц..................... 0,4 дБ
2А506Д на частоте / = 13700 ± 50 МГц 0,7 дБ
при 7=-60 и+125’С..................... 0,7 дБ
Потери запирания при Рпд > 1 мВт,
4,р = 100 мА, не менее:
2А506А на частоте / = 9800 ± 50 МГц... 22 дБ
2А506Б на частоте 7= 9800 ± 50 МГц.... 18 дБ
2А506В на частоте 9100 ± 50 МГц....... 22 дБ
2А506Г на частоте 7= 9100 ± 50 МГц.... 18 дБ
2А506Д на частоте 7= 13700 ± 50 МГц .... 22 дБ
Время прямого восстановления при
Рпд 1 мВт, /ПР =100 мА, не более:
2А506А, 2А506Б на частоте
7 = 9800 ± 50 МГц........................ 6 мкс
2А506В, 2А506Г на частоте
1- 9100 ± 50 МГц..................... 6 мкс
Время обратного восстановления
ПРИ ^пд мВт, /пр = 0, не более:
2А506А, 2А506Б на частоте
7 = 9800 ± 50 МГц......................... 60 мкс
2А506В, 2А506Г на частоте
7= 9100 ± 50 МГц....................... 60 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение............. 100 В
Рассеиваемая мощность...................... 2 Вт
Импульсная падающая СВЧ мощность в линии
с IV = 250 Ом при = 1 мкс, О = 500:
/ПР = 0..................................... 2 кВт
/п₽ = 100 мА............................ 100 кВт
Температура окружающей среды............... —60...+ 125 ’С
Разрешается подстройка частоты диодов 2А506А, 2А506Б
До 9100 МГц, 2А506В, 2А506Г до 8400 МГц, 2А506Д до
>3000 МГц.
Допускается кратковременное воздействие температуры
.29
окружающей среды +140 ’С в течение 30 мин. Потери запира-
ния в интервале температур —60...+125 ’С практически оста-
ются неизменными.
При установке диодов в аппаратуру запрещается переги-
бать выводы ближе 2,5 мм от основания и прикладывать рас-
тягивающее усилие к выводу более 0,98 Н. Пайка выводов
рекомендуется при температуре не свыше +150 ’С в течение
1 мин. Допускается двух-трехкратная перепайка диодов.
При включении диода в линию с волновым сопротивлени-
ем, отличным от 250 Ом, допустимая импульсная падающая
СВЧ мощность определяется по формуле
Рпд, и = 250Рпд, и, макс/ И6
Зависимости прямого тока от на-
Зависимость потерь запирания
пряжения
от тока
Зависимость потерь пропускания
от температуры
Зависимость потерь пропускания
от непрерывной падающей СВЧ
мощности
2А507А, 2А507Б,
КА507А, КА507Б, КА507В
Диоды кремниевые, эпитаксиальные, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая струк-
тура типа рч-п. Предназначены для применения в коммутаци-
онных устройствах сантиметрового и дециметрового диапазо-
нов длин волн. Выпускаются в металлокерамическом корпусе
с жесткими выводами. Тип диода приводится в этикетке. Мар-
кируются цветными точками: 2А507А — черной, КА507А —
двумя черными, 2А507Б — желтой, КА507Б — двумя желты-
ми, КА507В — двумя красными. Положительный вывод — со
стороны крышки.
Масса диода не более 1,3 г.
Выбод 1
— Выбод 2
Электрические параметры
Критическая частота при = 1 мВт,
/ПР = 100 мА, С/обр = 100 В, А, = 7 см, не менее:
Г =+25 ’С:
2А507А, 2А507Б, КА507А, КА507Б .... 200 ГГц
КА507В............................ 150 ГГц
при Т = —60 и +100 ’С для 2А507А,
2А507Б, КА507А, КА507Б............... 180 ГГц
Накопленный заряд диода при /ПР ~ 100 мА,
вад = 1 мВт, /ПР =100 мА, А. = 7 см, не более:
2А507А, 2А507Б, КА507А, КА507Б........ 1,5 Ом
КА507В..................................... 2,5 0м
Общая емкость при С/обр = 100 В:
2А507А, 2А507Б, КА507А, КА507Б........ 0,8...1,2 пФ
КА507В..................................... 0,65... 1,2 пФ
Емкость корпуса................................ 0,3...0,45 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение......... 200 В
Мгновенное обратное напряжение:
2А507А, КА507А..................... 500 В
2А507Б, КА507Б, КА507В.............. 300 В
Постоянный прямой ток.................. 200 мА
Рассеиваемая мощность:
при Г = —60...+35 ’С................... 5 Вт
приГ=+100’С......................... 2 Вт
Температура окружающей среды........... —60...+100 ’С
Расчетная индуктивность диода 1 = 0,5 нГн. Общая ем-
кость диода в диапазоне СВЧ не зависит от обратного напря-
жения (от 0 до максимально допустимого напряжения).
Зависимость предель-
ной рассеиваемой мощ-
ности от температуры
Зависимость времени
обратного восстанов-
ления от напряжения
Зависимость накоплен'
иого заряда от тока
Зависимость прямого сопротивле
иия потерь от тока
Зависимость обратного сопротив-
ления потерь от напряжения
2А508А-1, КА208А-1
Сборки из двух диодов кремниевых (на основе ионной
технологии), переключательных. Рабочим элементом диодов
является полупроводниковая структура типа пч-рч-п. Предна-
значены для применения в переключающих устройствах, моду-
ляторах фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и де-
циметрового диапазонов длин волн герметизированной аппа-
ратуры. Бескорпусные, с гибкими выводами. Тип сборки при-
водится на полиэтиленцеллофановой ленте.
Масса сборки не более 0,05 г.
2А508А-1.КА508А-1
Выбод2 Выбод!
Выбод 2
+Выбод 1
Выбод 2
Электрические параметры
Потери пропускания при Рпд = 1 мВт, 4р = 0»
9370 МГц, не более:
Г=+25’С............................. 0,4 дБ
Г= —60 и+125’С для 2А508А—1......... 0,6 дБ
Качество диода на низком уровне мощности
при Рпд = 1 Вт, 9370 МГц, не менее..... 600
Время прямого восстановления при
/ПР = 100 мА, 1- 1000 Гц, Ги = 100 мкс,
Рн = Ю0 Ом, не более................... 6 мкс
Время обратного восстановления при
/ПР = 100 мА, 1- 1000 Гц, = 100 мкс,
Рн = Ю0 Ом, не более................... 40 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение
при Т= -60...+85 ’С................... 100 В
Постоянный прямой ток при Т = —60...+85 ’С 500 мА
Рассеиваемая СВЧ мощность при
Т= -60...+60 ’С для 2А508А-1,
Г= -60...+35 'С для КА508А-1 ............ 1,5 Вт
Коммутируемая импульсная СВЧ мощность
при = 1 мкс, О = 1000 в резонансной щели 0,8 кВт
Температура окружающей среды:
2А508А-1.............................. —60...+125 ’С
КА508А-1 ............................. -60...+85 ’С
При постоянном прямом токе допускается импульсная мощ-
ность 50 кВт при Г„= 1 мкс, О= 1000 при условии, что рассе-
иваемая мощность диода не превышает допустимую.
Изгиб проволочного вывода допускается не ближе 7 мм от
структуры. Допускается воздействие сжимающего усилия на
структуру диода не более 0,98 Н. При монтаже диода в моду-
ле допускается нагрев до +160...+170 ’С в течение 15 с. Раз-
решается перепаивать диоды не более 2 раз.
При включении диода в линию с сопротивлением, отлич-
ным от волнового сопротивления с сечением 5 х 23 мм2, допус-
тимая коммутируемая импульсная СВЧ мощность
Ри, ком = ком. МАКе/ ^2»
где IV, — волновое сопротивление линии с сечением 5Х23 мм2;
1% — волновое сопротивление линии с сечением, отличным от
5Х23 мм2.
Зависимость качества диода
от тока
Зависимость качества диода
от температуры
Зависимости предельной рассеивае-
мой мощности от температуры
Зависимость потерь преобразова-
ния от температуры
Зависимость времени обратного
восстановления от напряжения
2А509А, 2А509Б,
КА509А, КА509Б, КА509В
Диоды кремниевые, эпитаксиальные, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая струк-
тура типа р-!-п. Предназначены для применения в переключаю-
щих устройствах сантиметрового и дециметрового диапазонов
длин волн. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с
жесткими выводами. Тип диода приводится на вкладыше, ко-
торый помещается с диодом в индивидуальную тару. Маркиру-
ются цветными точками и черточками: 2А509А — красной
точкой, КА509А — красной черточкой, 2А509Б — синей точ-
кой, КА509Б — синей черточкой, КА509В — черной черточ-
кой. Положительный вывод — со стороны крышки.
Масса диода не более 1,3 г.
2А509(А,Б), КА509(А-В)
+ Выбод 1
Выбод 2
Электрические параметры
Критическая частота при РПд = 1 мВт,
/пр = 25 мА, С/0БР = 100 В, X = 7 см, не менее:
7 = +25 ’С:
2А509А, 2А509Б, КА509А. КА509Б .... 150 Пц
КА509В............................... 100 ГГц
7= +100 ’С для 2А509А, 2А509Б,
КА509А, КА509Б........................ 100 ГГц
Накопленный заряд при /пд = 25 мА, не более 25 нКл
Прямое сопротивление потерь пои
Рпд = 1 мВт, ХР = 25 мА, X = 7 см, не более:
2А509А, 2А509Б, КА509А, КА509Б........... 1,5 Ом
КА509В................................ 2,5 0м
Пробивное напряжение при /0БР =10 мА,
7 = 5 кГц, („ = 3 мкс, не менее.......... 200 В
Общая емкость при (/0БР = 100 В:
2А509А, КА509А........................... 0,9...1,2 пФ
2А5С9Б, КА509Б........................ 0,7... 1 пФ
КА5Э9В................................ 0,5... 1,2 пФ
Емкость корпуса.......................... 0,3...0,45 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение........ 150 В
Мгновенное напряжение................... 175 В
Постоянный прямой ток................... 100 мА
Рассеиваемая мощность:
при 7К = —60...+35 ’С.............. 2 Вт
при Гк =+100’С..................... 1 Вт
Температура окружающей среды.......... —60... 7К =
= +100 ’С
Общая емкость диода в диапазоне СВЧ не зависит от
обратного напряжения (от нуля до максимального значения).
Расчетная индуктивность диода 0,5 нГн.
Зависимость предель-
ной рассеиваемой мощ-
ности от температуры
корпуса
Зависимость накоплен-
ного заряда от тока
Зависимость прямого
сопротивления потерь
от тока
Зависимость обратного сопротив-
ления потерь от напряжения
кс.о&НС
Зависимость времени обратного
восстановления от напряжения
2А510А, 2А510Б, 2А510В,
КА510А, КА510Б, КА510В,
КА510Г, КА510Д, КА510Е
Диоды кремниевые, планарно-эпитаксиальные, ограничи-
тельные. Предназначены для применения в устройствах ограни-
чения и стабилизации СВЧ мощности, защиты входных цепей
приемников сантиметрового и дециметрового диапазонов длин
волн. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жестки-
ми выводами. Тип диода указывается в этикетке. Маркируются
цветными точками: 2А510А — одной черной, КА510А — двумя
черными, 2А510Б — одной зеленой, КА510Б — двумя зеле-
ными, 2А510В — одной желтой, КА510В — двумя желтыми,
КА510Г — черной и зеленой, КА510Д — черной и желтой,
КА510Е — зеленой и желтой.
Масса диода не более 0,15 г.
2А510(А-В), КА510(А-Е)
Выбод 1
Выбод 2
Электрические параметры
Сопротивление СВЧ диода при высоком зна-
чении СВЧ мощности и /пр = 100 мА, не более:
2А510А, 2А510Б, 2А510В, КА510А,
КА510Б, КА510В....................... 1,5 0м
КА510Г, КА510Д, КА510Е............... 2,5 Ом
Сопротивление СВЧ диода при низком значе-
нии СВЧ мощности Рпд = 1 мВт, /= 4,5 ГГц,
не более:
Т= -60...+25 ’С:
2А510А, КА510А, КА510Г............... 15 Ом
2А510Б, КА510Б, КА510Д.............. 9 Ом
2А510В, КА510В, КА510Е.............. 5 Ом
Г= +125 ’С:
2А510А, КА510А, КА510Г............... 25 Ом
2А510Б, КА510Б, КА510Д.............. 15 Ом
2А510В, КА510В, КА510Е.............. 8 Ом
Накопленный заряд при = 100 мА, не более 10 нКл
Время прямого восстановления при
Рцд = 1 мВт, /др = МА, /= 4,5 ГГц,
че более................................... 1* нс
Время обратного восстановления при
Рдд = 1 мВт, 41Р = 0, /= 4,5 ГГц, не более. 230* нс
Пробивное напряжение, не менее............. 30* В
Общая емкость при С/0БР = 0, / = 10 МГц:
2А510А, КА510А...........................
2А510Б, КА510Б........................
2А510В, КА510В........................
КА510Г, не менее......................
КА510Е, не более......................
Емкость корпуса..........................
Индуктивность диода......................
0,7 ...1,4 пФ
1,2...2,4 пФ
2,2...3,4 пФ
0,6 пФ
3,6 пФ
0,25*...0,3* пФ
0,6*...0,8* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение.......... 25 В
Постоянный обратный ток................. 200 мА
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Гк = -60...+50 ’С.................. 1 Вт
при Гк = +125 ’С..................... 0,25 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность при
Ги = 1 мкс, /= 1 кГц, Гк = —60...+35 ’С. 40 Вт
Температура перехода.................... +150 ’С
Температура окружающей среды............ —60... Тк =
= +125 ’С
Допустимое значение статического потенциала не более
500 В.
Мощность ограничения, под действием которой емкость
возрастает в 2 раза, Р^р = 1 мВт (при волновом сопротивле-
нии 75 Ом).
Зависимости предельной
импульсной падающей
СВЧ мощности от тем-
пературы корпуса
Зависимость непрерыв-
ной падающей СВЧ
мощности от темпе-
ратуры корпуса
Зависимость предель-
ной постоянной рассе-
иваемой мощности от
температуры корпуса
Зависимость предель-
ной импульсной рассе-
иваемой мощности от
температуры корпуса
2А511А
Диод кремниевый, диффузионный, переключательный.
Предназначен для применения в переключающих устройствах,
модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового
и дециметрового диапазонов длин волн. Выпускается в метал-
локерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода в
виде первой цифры приводится на корпусе.
Масса диода не более 0,25 г.
4- Выбод 1
Выбод 2
Электрические параметры
Качество диода на высоком уровне мощности
при и < 10 кВт, /ПР = 500 мА, С/см = 50 В,
не менее.............................. 700
Качество диода на низком уровне мощности
при Рдд 1 Вт, /да — 500 мА, ~ 50 В,
/= 3 ГГц, не менее:
Г =+25’С......................... 2500
Г=+125’С......................... 1500
7=-60’С.......................... 1750
Прямое сопротивление потерь при Рад 1 Вт,
4,р = 500 мА, /= 3 ГГц, не более.... 2 Ом
Накопленный заряд при 7^ = 100 мА,
С/См = Ю0 В, Т- 1 кГц, Ти = 10 мкс, не более.. 350 нКл
Общая емкость при = 200 В, Рщ, 1 Вт,
/= 10...30 МГц...................... 0,55...0,75 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение..... 50...200 В
Постоянный прямой ток................... 700 мА
Импульсная падающая СВЧ мощность в коак-
сиале с IV = 50 Ом...................... 10 кВт
Температура окружающей среды............ —60...+100 ’С
Разрешается применение диодов на низком уровне мощ-
ности при —60...+125 ’С.
При включении диода в линию, волновое сопротивление
которое отличается от 50 Ом, импульсная падающая СВЧ мощ-
ность определяется по формуле
^пд.и = 50РПц и, макс/ ИС
Зависимости прямого
сопротивления потерь
от тока
Зависимости обратного
сопротивления потерь
от напряжение
Зависимость обратного
сопротивления потерь
от импульсной падаю-
щей СВЧ мощности
Зависимости обратного сопротив-
ления потерь от напряжения
Зависимость накопленного заряда
от тока
2А512А-4, 2А512Б-4
Диоды кремниевые, сплавные, переключательные. Рабо-
чим элементом диода является полупроводниковая структура
типа р-/-п. Предназначены для применения в переключающих
устройствах, фазовращателях дециметрового и длинноволно-
вой части сантиметрового диапазонов длин волн герметизиро-
ванной аппаратуры. Бескорпусные, с жесткими выводами. Тип
диода приводится на выводе 2 (отрицательный вывод).
Масса диода не более 3 г.
2АБ121А-4.Б-4)
Выбод 1
Выбод 2
Электрические параметры
Качество диода на высоком уровне мощности
при /ПР = 500 мА, 1/Обр = 200 В, не менее. 1200
Качество диода на низком уровне мощности
при Рпд = 1 Вт, /пр = 500 мА, (/эбр = 200 В,
Не менее:
7 = —60...+25 ’С.......................... 4000
Г =+85’С............................... 3000
Прямое сопротивление потерь при Р™ - 1 Вт,
/„р = 500 мА, 4/оы» = 200 В, 7 = -60...+85 ’С,
не более.................................. 2,5 Ом
Время прямого восстановления
при /Пр = 900 мА...-...................... 3*...6* мкс
Время обратного восстановления при
Рпд = Вт, 41Р = 500 мА, Цэвр = 30 В,
не более.................................. 40 мкс
Постоянное прямое напряжение
при /ПР = 500 мА.......................... 1,15...1,9 В
Общая емкость при (/обр = 200 В, Г = 30 МГц . 0,45...0,85 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение............ 100...200...
250 В
Постоянный прямой ток..................... 0,35...0,5...
0,75 А
Постоянный обратный ток при 1/обр = 200 В ... 500 мкА
Импульсный обратный ток................... 12 мА
Рассеиваемая мощность..................... 4 Вт
Температура перехода...................... +100 ’С
Температура окружающей среды.............. —6О...+85 ’С
Вдоль продольной оси диода не разрешается приклады-
вать сжимающее усилие более 29,4 Н.
Общая емкость диода, измеренная в диодной камере на
низком уровне СВЧ мощности, составляет 0,3...0,7 пФ.
Зависимости времени обратного
восстановления от напряжения
Зависимость обратного тока
от температуры
Зависимости качества на низком
уровне от тока
Зависимости качества на высоком
уровне от тока
Зависимости прямого сопротнвле-
ния потерь от тока
Зависимость рассеиваемой мощно-
сти от температуры
2А513А-1, 2А513Б-1,
КА513А-1, КА513Б-1
Диоды кремниевые, переключательные, с переходами, со*
зданными на основе ионной технологии. Рабочим элементом
диода является полупроводниковая структура типа п-1-рч-п.
Предназначены для применения в поглощающих переключаю-
щих устройствах в диапазоне длин волн 0,8...2 см герметизи-
рованной аппаратуры. Бескорпусные, с гибкими выводами. Тип
диода приводится на таре.
Масса диодов 2А513А—1, КА513А—1 не более 0,075 г,
2А513Б-1, КА513Б-1 не более 0,06 г.
2А513(А-1,Б-1),КА513(А-1,Б-1)
Выбод 2
+Выбод 1
Выбод 2
Электрические параметры
Потери запирания при = 1 Вт,
4р = 10... 100 мА, не менее:
2А513А—1, КА513А—1 на частоте
37,5 ГГц.......................... 27 дБ
2А513Б—1, КА513Б—1 на частоте
Г = 15...20 ГГц...................... 25 дБ
Потери пропускания при Рт = 1 Вт,
Г= 30—37,5 ГГц для 2А513А-1, КА513А-1,
(= 15...20 ГГц для 2А513Б-1, КА513Б-1,
не более:
Г =+25’С............................. 0,7 дБ
7=-60 и+125’С........................ 0,9 дБ
Время прямого восстановления при
41р.и = 100 мА, Т- 1 кГц, Ги = 100 мкс,
/?н = 100 Ом, не более.................. 6 мкс
Время обратного восстановления при
41р и = Ю0 мА, /= 1 кГц, /?н = 100 Ом,
не более:
2А513А-1, КА513А-1................... 100 мкс
2А513Б-1, КА513Б-1................... 70 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение
при 7 = -60...+85 ’С................. 150 В
Рассеиваемая мощность при Т = —60...+85 ’С:
2А513А-1, КА513А-1......................
2А513Б-1, КА513Б-1...................
Импульсная падающая СВЧ мощность
при Ги = 1 мкс, /= 1 кГц:
в Н-волноводе с IV = 150 Ом для
2А513А-1, КА513А-1......................
в Н-волноводе с IV = 80 Ом для
2А513Б-1, КА513Б-1...................
Температура окружающей среды:
2А513А-1, 2А513Б-1......................
КА513А-1, КА513Б-1 ..................
2 Вт
1,5 Вт
75 Вт
140 Вт
-60...+125 ’С
-60...+85 ’С
Изгиб выводов допускается не ближе 7 мм от структуры
диода. Сжимающее усилие на структуре не должно превышать
19,6 Н.
При впайке диодов в модули должны использоваться при-
пой ПОИн—50 и флюс (15% раствор канифоли в этиловом
спирте). Для этого необходимо:
облудить индиевым припоем стенки щели модуля;
облудить электроды структуры индиевым припоем;
вставить диод с облужеными электродами в облуженый
модуль симметрично краям щели;
поместить диод с модулем в нагревательное устройство и
выдержать при температуре +160...+170 ’С не более 15 с.
Перепаивать диоды допускается не более 2 раз.
Потери запирания остаются практически неизмененными
при 7= —60...+ 125’С. Потери пропускания не зависят от по-
стоянного обратного напряжения, изменяющегося от 0 до
300 В.
При включении диода в
линию с волновым сопротив-
лением IV,, отличным от вол-
нового сопротивления IV, до-
пустимая импульсная падаю-
щая СВЧ мощность опреде-
ляется по формуле
РПД. и = ^ПД. И. МАКС
Зависнмость потерь пропускания
от температуры
Зависимости потерь запирания
от тока
Зависимость времени обратного
восстановления от напряжения
Зависимость времени прямого вос-
становления от тока
Зависимость времени обратного
восстановления от тока
Зависимости рассеиваемой мощно-
сти от температуры
2А515А
Диод кремниевый, эпитаксиальный, переключательный, с
Р-1-п структурой. Предназначен для применения в переключа-
247
ющих устройствах коротковолновой части сантиметрового диа-
пазона. Выпускается в металлокерамическом корпусе с жест-
кими выводами. Тип диода приводится на вкладыше, помеща-
емом в индивидуальную тару. Маркируется зеленой точкой на
корпусе. Положительный вывод — со стороны крышки.
Масса диода не более 1,3 г.
2А515А
4- Выбод 1
V
— Выбод 2
Электрические параметры
Критическая частота при /ПР = 25 мА,
(/оы> = 50 В, не менее:
7=+25’С................................... 100 ГГц
7=-60 и+125’С.......................... 70 ГГц
Накопленный заряд при - 25 мА, не более 15 нКл
Прямое сопротивление потерь при /ПР = 25 мА,
не более.................................. 2,5 Ом
Пробивное напряжение при /Оы>, и = Ю мА,
2- 5 кГц, 4, = 3 мкс, не менее............ 100 В
Общая емкость при (/0БР = 50 В............ 0,4...0,7 пФ
Емкость корпуса........................... 0,3...0,45 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение........... 75 В
Импульсное обратное напряжение.......... 85 В
Постоянный прямой ток................... 100 мА
Рассеиваемая мощность:
при 7К = —60...+35 ’С................ 0,5 Вт
при Гк = +125 ’С..................... 0,3 Вт
Температура окружающей среды............ —60... 7К =
= +125 ’С
Зависимость прямого сопротивле-
Зависимость накопленного заряда
от тока
ния потерь от тока
Зависимость обратного сопротив-
Зависимость рассеиваемой мощно-
ления потерь от тока
сти от температуры
2А516А-5
Диод кремниевый, сплавной, переключательный. Рабочим
элементом диода является полупроводниковая структура типа
р-1-п. Предназначен для применения в переключающих устрой-
ствах, модуляторах, аттенюаторах сантиметрового и дециме-
трового диапазонов длин волн герметизированной аппарату-
ры. Бескорпусный, с жесткими выводами. Тип диода приводит-
ся на упаковке. Полярность определяется тестером.
Масса диода не более 1,3 г.
Электрические параметры
Критическая частота, не менее........ 70* ГГц
Прямое сопротивление потерь
при /пр = 100 мА, не более:
7=+25’С........................... 5,5 0м
7=—60 и+125’С..................... 6,5 0м
2А516А-5
Выбод 1
Выбод 2
Прямое сопротивление потерь при
вщ = 5 мВт, /пр = 0, / = 3 ГГц, не менее.. 3000 Ом
Время прямого восстановления при
Рлд = 5 мВт, /Пр = 100 мА, /= 3 ГГц, не более 6 мкс
Время обратного восстановления при
Ряд = 5 мВт, 4и> = 0, Г = 3 ГГц, не более. 45 мкс
Емкость перехода при Ряд = 5 мВт, 1№ = 3 ГГц,
не более.................................. 0,18 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение............. 200 В
Постоянный прямой ток...................... 100 мА
Рассеиваемая мощность...................... 1 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность в линии
с 1У= 50 Ом, Ц - 1...5 мкс, 0 = 200...1000. 1 кВт
Температура окружающей среды............... —60...+125 ’С
При монтаже диодов в аппаратуру допустимое усилие не
должно превышать 29,4 Н.
Пайка диодов при монтаже рекомендуется любым мягким
припоем при температуре не свыше +170 ’С. Время пайки не
более 3 с на каждую операцию. В качестве флюса рекоменду*
ется использовать спиртовой раствор канифоли ЛТИ—120,
ФКСи. Допускается предварительная протирка контактных пло-
щадок тампоном, смоченным спиртом. Отмывку деталей после
пайки рекомендуется проводить спиртом в течение 1...2 мин.
Для промывки мест пайки рекомендуется использовать воло-
сяную кисточку или ватный тампон.
Допускается повторение операции обслуживания или пай-
ки с интервалом не менее 10 с. При пайки затекание припоя и
флюса на боковые поверхности диода не допускается.
Обратное сопротивление остается практически неизмен-
ным при изменении обратного напряжения от 0 до 150 В.
При включении диода в линию с волновым сопротивлени-
ем, отличным от 50 Ом, допустимая импульсная рассеиваемая
мощность определяется по формуле
^рас, и = 50Рраси#макс/И<
Зависимость прямого
сопротивления потерь
от тока
Зависимость прямого
сопротивления потерь
от температуры
Зависимость обратного
сопротивления потерь
от температуры
2А517А-2, 2А517Б-2,
КА517А, КА517Б
Диоды кремниевые, эпитаксиальные, переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройст-
вах СВЧ диапазона герметизированной аппаратуры. Бескор-
пусные, с гибким выводом. Тип диода приводится на этикетке.
Положительный электрод имеет гибкий вывод.
Масса диода не более 0,01 г.
Электрические параметры
Коитическая частота при = 10 мА,
^пл = 1...10 мВт, к = 7 см, (/0ВР = 20 В,
не менее.................................... 75 ГГц
Накопленный заряд при 7^ = 10 мА............ 8...25 нКл
Прямое сопротивление потерь при /ПР = 10 мА,
^пд = 1...10 мВт, к = 7 см, ье более........ 5 Ом
Пробивное напряжение, не менее.............. 300 В
Общая емкость диода при (/Овр ~ 100 В:
2А517А—2, КА517А........................ 0,15...0.3 пФ
2 Б517Б-2, КА517Б....................... 0,25...0,4 пФ
2А5Г71А-2.Б-2), КА5Ш.Б)
Выбод 1
Выбод 2
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение.......... 150 В
Импульсное обратное напряжение.......... 270 В
Постоянный прямой ток................... 100 мА
Рассеиваемая мощность:
при 7=-60...+35 ’С.................. 0,5 Вт
при Госн =+125’С.................... 0,2 Вт
Температура окружающей среды............. —60... Т^н =
= +125 ’С
Зависимость предельной рассеи-
ваемой мощности от температуры
основания
Зависимость накопленного заряда
от тока
Г ПР. о И Г ПР. Ом
Зависимость прямого сопротивле-
ния потерь от напряжения
Зависимость прямого сопротивле-
ния потерь от тока
2А518А-4, 2А518Б-4
Диоды кремниевые, диффузионные, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая струк-
тура типа р-/-п. Предназначены для применения в переключаю-
щих устройствах дециметрового и сантиметрового диапазонов
длин волн герметизированной аппаратуры. Бескорпусные, с
жесткими выводами на кристаллодержателе. Тип диода приво-
дится на таре.
Масса диода не более 0,4 г.
2А5181А-4.Б-4)
Выбод 1
Выбод 2
Электрические параметры
Критическая частота при - 15 к^т>
= 100 мА, (/он, = 100 В, не менее:
2А518А—4............................. 70 ГГц
2А518Б—4....*........................ 50 ГГц
Критическая частота при Рщ - 30 мВт,
/ПР= 100 мА, 4/оы>® В, /= 2 ГГц, не менее:
7 = -60...+25 ’С: 2^к514 ••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••• 2А518Б-4 7=+100 ’С Прямое сопротивление потерь при 130 ГГц 90 ГГц 70 ГГц
/’пд.и = 15 кВт, /Пр = 100 мА, не более: 2А518А-4 2А518Б-4 1 Ом 2Ом
Прямое сопротивление потерь при
Рпп = 30 мВт, = 100 мА, /= 2 ГГц, не более:
7= -60...+25 ’С:
2А518А-4 2А518Б 4 •••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••• 7=+100 °С: 2А518А—4 ••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••• 2^К5186 4 ••••••••••••••»••••••••••••••••••••••••••••••• Время прямого восстановления при 1 Ом 2Ом 1,5 Ом 2Ом
Рпд = 30 мВт, /ПР = 100 мА, Цзн, = 100 В,
/ = 1,5 ГГц, не более:
2 А518 А—4 2А518Б-4 Время обратного восстановления при 2,5 мкс 1 мкс
Рпд = 30 мВт, /пр = 100 мА, ^/овр ” 100 В,
7= 1,5 ГГц, не более:
2А518А-4 2А518Б-4 Общая емкость при = 100 В, /= 30 МГц . Индуктивность диода при Р„д = 30 мВт, 4, = 100 мА, /= 2 ГГц 6 мкс 2,5 мкс 0,6...0,8 пФ 0,5...0,8 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение Постоянный прямой ток Импульсная рассеиваемая мощность Температура перехода Температура окружающей среды 200 В 500 мА 2 кВт +125 ’С -60...+85 ’С
Крепление диодов производится за металлический цилин-
дрический держатель. Контакт по цилиндрической поверхно-
сти должен обеспечивать теплоотвод так, чтобы в любых усло-
виях температура на держателе не превышала +85 ’С.
Механические усилия на изоляционное покрытие кристал-
ла не допускаются. Второй контакт — прижимной, с усилием
254
не более 29,4 Н. Не разрешается прикладывать сжимающее
усилие более 29,4 Н вдоль продольной оси диода.
Зависимости прямого сопротивле-
ния потерь от тока
Зависимость прямого сопротивле-
ния потерь от температуры
Зависимости качества диода от на-
пряжения
Зависимость качества диода от им-
пульсной падающей СВЧ мощности
Зависимость времени обратного
восстановления от тока
1вх,ПР.МКС______
?А518(А-4.Б-и
0,5020 4/7 60 Ь.м/
Зависимость времени прямого вос-
становления от тока
2А519А
Диод кремниевый, эпитаксиальный, ограничительный. Пред-
назначен для применения в устройствах ограничения и упра-
вления мощностью в сантиметровом и дециметровом диапазо-
нах длин волн. Выпускается в металлокерамическом корпусе с
жесткими выводами. Тип диода приводится на вкладыше, по-
мещенном в индивидуальной упаковке вместе с диодом. Поло-
жительный вывод — со стороны крышки.
Масса диода не более 0,1 г.
2А519А
Выбод 1
Выбод 2
Электрические параметры
Сопротивление при высоком значении СВЧ
мощности, /ПР = 100 мА, не более...... 2,2 Ом
Сопротивление при низком значении СВЧ
мощности, / = 9,4 ГГц, Рпд = 1 мВт, не более:
Т= -60...+25 ’С........................ 20 Ом
Т=+125'С............................ 25 0м
Накопленный заряд при /ПР = 100 мА, не более 8 нКл
256
Время обратного восстановления, не более ... 200 нс
Общая емкость при нулевом смещении........... 0,5...0,9 пФ
Емкость корпуса.............................. 0,2...0,3 пФ
Индуктивность диода, не более.............. 0,7* нГн
Постоянный обратный ток при С/обр = 20 В,
не фолее..................................... 100 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение Постоянный прямой ток Постоянная рассеиваемая мощность: при Гк = —60...+80 ’С при Гк = +125 ’С Импульсная рассеиваемая мощность 10 В 100 мА 0,3 Вт 0,1 Вт
при О > 1000, Ги < 1 мкс: Гк " -"60... 1 80 С Гк = +125 ’С Температура перехода ••••••••••••••••••••••••••••••••••••• Температура окружающей среды 30 Вт 10 Вт +150 ’С -60...+125 ’С
Пайка диодов не допускается.
Зависимость предельной постоян-
ной рассеиваемой мощности от
температуры корпуса
Зависимость прямого сопротивле-
ния потерь от тока
Зависимость предельной импульс-
ной рассеиваемой мощности от
температуры корпуса
Зависимость общей емкости
от температуры корпуса
1о№.мкА.1п>.мА
Зависимости прямого и обратного
токов от температуры корпуса
2А520А, КА520А, КА520Б
Диоды кремниевые, эпитаксиальные, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая струк-
тура типа р-1-п. Предназначены для применения в коммутаци-
онных устройствах сантиметрового и дециметрового диапазо-
нов длин волн. Выпускаются в металлокерамическом корпусе
с жесткими выводами. Тип диода приводится в этикетке. Поло-
жительный вывод — со стороны крышки.
Масса диода не более 1,3 г.
2А520А. КА520(А,Б)
Вывод 1
Вывод 2
Электрические параметры
Критическая частота при Рцд = 1 мВт,
4> - 100 мА, к = 7 ± 0,1 см, не менее:
Т= +25 X:
2А520А, КА520А
КА520Б
••••••••••••••••••••••••••••••••••
200 ГГц
150 ГГц
Т- -60 и +125 X................... 170 ГГц
Прямое сопротивление потерь при Рпд = 1 мВт,
/„ = 100 мА, к = 7 ± 0,1 см, не более:
* Т=+25’С:
2А520А, КА520А 2 0м
КА520Б 3 Ом
Т= -60 и +125 ’С 2,3 Ом
Накопленный заряд при /ПР = 100 мА, не более 300 нКл
Пробивное напряжение при = 100 мкА,
не менее:
2А520А, КА520А 800 В
К^к520Б •••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••• •••••••••• 600 В
Общая емкость при Уоы> = 0, /= 10 МГц 0,4... 1 пФ
Емкость корпуса 0,3...0,45 пФ
Индуктивность диода, не более 0'45 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение Мгновенное обратное напряжение Постоянный прямой ток Постоянная рассеиваемая мощность: при Гк = —60...+35 ’С при Гк — +125 С •••••••»••••••••••••••••••••••••••••••••• 300 В 750 В 200 мА 4 Вт 1,3 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность при 4, = 1 мкс: Тк = -60...+35 ’С Тк = +125 ’С Температура окружающей среды 10 кВт 3,2 кВт -6О...ГК = = +125 ’С
Допускается кратковременный чв течение 0,5 мин) нагрев
диода до +200 ’С.
Зависимость иаколлеиного заряда
от тока
9*
259
Гпр, Ом
Зависимость прямого солротивле
ния потерь от тока
Зависимость прямого сопротивле-
ния потерь от напряжения
Зависимость предельной импульс
иой рассеиваемой мощности от
длительности импульса
Зависимость предельной постоян-
ной рассеиваемой мощности от
температуры корпуса
2А521А
Диод кремниевый, диффузионный, переключательный.
Предназначен для применения в переключающих устройствах,
фазовращателях дециметрового и длинноволновой части сан-
тиметрового диапазонов длин волн. Выпускается в металли-
ческом корпусе с жесткими выводами. Тип диода приводится
на цилиндрической поверхности. Положительный вывод — с0
стороны конического прижимного контакта.
Масса диода не более 3 г.
Электрические параметры
Критическая частота при РПд. и = 16 кВт,
/пр = 100 мА, (/оу, = 100 В, не менее. 80 ГГц
2А521А
ц. Выбод 1
Выбод 2
Критическая частота при Р™ = 30 мВт,
/пр = 100 мА, С/06Р = 100 В, Л. = 15 см,
не менее:
7= —60...+25 ’С...................... 90 ГГц
7=+85’С.............................. 50 ГГц
Прямое сопротивление потерь при
Рпди = 10 кВт, /пр = Ю0 мА, не более.... 1,5 Ом
Прямое сопротивление потерь при
Рпд = 30 мВт, /ПР = 100 мА, Л = 15 см,
не более:
Г = —60...+25 ’С..................... 1,5 0м
7=+85’С.............................. 2 0м
Накопленный заряд при Р^ = 30 мВт,
/пр = 100 мА, Цзы» = 80 В, не более..... 900 нКл
Общая емкость при = 30 мВт,
а0Б₽ = 100 В, К = 15 см................. 0,63...0,77 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение........... 50...200 В
Постоянный прямой ток.................... 0,1...1,5 А
Постоянный обратный ток при 1У0№ = 200 В ... 150 мкА
Постоянная рассеиваемая мощность
при 7= -60...+25 ’С...................... 3 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность
при С 7 мкс, /= 100 Гц, И<= 25 Ом........ 6 кВт
Непрерывная падающая СВЧ мощность
при 7 = -60...+25 ’С..................... 20 Вт
Импульсная падающая СВЧ мощность при
4| 7 мкс, 7= 100 Гц, И<= 25 Ом, диод вклю-
чен параллельно в линию, работающую на со-
гласованную нагрузку, 7 = —60...+25 ’С... 10 кВт
Температура перехода..................... +125 ’С
Температура окружающей среды............. —60...+85 ’С
Крепление диодов осуществляется за металлический ци-
линдрический держатель. Контакт по цилиндрической поверх-
пости должен обеспечивать теплоотвод так, чтобы при любых
условиях температура на держателе не превышала +100 ’С.
Механические усилия на изоляционное покрытие кристалла не
допускаются. Второй контакт — прижимной, с усилием не
более 29,4 Н. Сжимающее усилие вдоль продольной оси ди-
ода не должно превышать 29,4 Н.
Зависимости обратного сопротив-
ления потерь от импульсной пада-
ющей СВЧ мощности
Гже. кОм
6
5
4
3
2
0 20 40 60 80 ТХ
Зависимость обратного сопротив-
ления потерь от температуры
Зависимости обратного сопротив-
ления потерь от импульсной пада-
ющей СВЧ мощности
Зависимость обратного сопротив-
ление потерь от длины волны
Зависимость прямого сопротивле-
ния потерь от температуры
Гпр. Ом
Зависимости прямого сопротивле-
ния потерь от тока
гпр. Ом
Зависимости прямого сопротивле-
ния потерь от непрерывной пада-
ющей СВЧ мощности
Зависимости прямого сопротивле-
ния потерь от тока
Зависимости обратного сопротив-
ления потерь от напряжения
2А522А-2
Сборка из двух диодов кремниевых, мезаэпитаксиальных,
ограничительных. Предназначена для применения в ограничи-
тельных устройствах сантиметрового и дециметрового диапа-
зонов длин волн герметизированной аппаратуры. Бескорпус-
ная, с гибкими выводами на кристаллодержателе. Тип сборки
приводится на этикетке.
Масса сборки не более 10 мг.
Электрические параметры
Сопротивление при низком значении СВЧ
Мощности, /= 4,28 ГГц, не более:
Т--60...+25 *С.......................... 12 0м
Т- +125 X............................ 17 0м
2А522А-2
+ Выбод 1
Выбод 1
—Выбод 2
Накопленный заряд при /ПР = 50 мА, не более 10 нКл
Дифференциальное сопротивление
при /ПР = 100 мА, не более.............. 1,8 Ом
Общая емкость при Мэбр ~ 0.............. 0,35.„0,75 пФ
Постоянное обратное напряжение
при /обр = 100 мкА, не более............ 70 В
Предельные эксплуатацией! ые данные
Постоянное обратное напряжение:
при Т- -60...+85 ’С................... 5 В
при Г =+125'С...................... ЗВ
Постоянный прямой ток:
при Т- —60...+85 ’С................... 100 мА
при Т = +125 ’С’................... 50 мА
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Т - —60...+35 ’С.................. 0,3 мВт
при Т - +125 ’С.................... 0,09 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
при С 1 мкс, /С 1 кГц:
Госн = "60...+35 ’С................... 40 мВт
Госн =+125’С....................... 8 мВт
Температура окружающей среды.......... —60...+125 ’С
1 При Т = +85...+125 *С максимально допустимые обратное напряжение и
прямой ток снижаются линейно; при Гжн = +35...+125 °С рассеиваемая мощ-
ность и импульсная рассеиваемая мощность снижаются линейно.
Выводы рекомендуется паять мягким припоем ПОСК—50
не ближе 0 3 мм от заливки.
Зависимость предельного обратно-
го напряжения от температуры ос-
нования
Зависимость предельного прямого
тока о г температуры основания
Зависимость предель-
ной рассеиваемой мощ-
ности от температуры
основания
Зависимость предель-
ной импульсной рассе-
иваемой мощности от
температуры основания
Зависимости предель-
ной импульсной рассе-
иваемой мощности от
длительности импульса
2А523А-4, 2А523Б-4
Диоды кремниевые, диффузионные, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая струк-
тура типа р-/-п. Предназначены для применения в коммутаци-
онных устройствах сантиметрового и дециметрового диапазо-
нов длин волн герметизированной аппаратуры. Бескорпусные,
на кристаллодержателе, с защитным покрытием, с жесткими
выводами. Маркируются: 2А523А—4 — одной черной точкой у
положительного электрода, 2А523Б—4 — двумя черными точ-
ками.
Масса диода не более 0,15 г.
2А523(А-4,Б-4)
4- Выбод 1
Выбод 2
Электрические параметры
Критическая частота при Рпд = 30 мВт,
/ПР = 50 мА, 4/овр = 100 В, X = 10 см, не менее:
7=+25 X............................... 200 ГГц
Т=-60 и +125 ‘С.................... 170 ГГц
Прямое сопротивление потерь при
Рпд = 30 мВт, /ПР = 50 мА, X = 10 см,
не более.............................. 0,5 Ом
Время обратного восстановление при
41р ~ 100 мА, = 50 В, = 150 Ом,
не более.............................. 1,5 мкс
Накопленный заряд при /пр = 50 мА,
- 100 В, не более.................. 220 нКл
Пробивное напряжение при /0БР - 30 мкА,
не менее:
2А523А-4........................... 500 В
2А523Б-4........................... 600 В
Общая емкость при 4/0БР = 100 В,
/= 10...30 МГц:
2А523А-4........................... 0,9... 1,5 пФ
2А523Б-4........................... 1...2 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение.......... 40...200 В
Постоянный прямой ток................... 300 мА
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Тп = -60...+25 X................. 20 Вт
при 7д = +125 X...................... 7 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность
при 4, = 300 мкс, О ? 5, Тл = +25 X..... 100 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус,
не более................................ 4,5 Х/Вт
Температура окружающей среды............ —60... ТД =
= +125 X
Пайку выводов диодов рекомендуется проводить низко-
температурными припоями с температурой плавления не свы-
ше +145 ’С. Время пайки не более 1 мин. Перед пайкой торце-
вую поверхность диодов следует зачистить скальпелем или
бритвой до появления блестящей поверхности. Глубина погру-
жения выводов в припой не более 0,6 мм от торцевой поверх-
ности диода.
При монтаже и в условиях эксплуатации сжимающее уси-
лие на диод не должно превышать 19,6 Н.
Допускается применять диоды при постоянных обратных
напряжениях, меньших 40 В, при амплитуде напряжения СВЧ
не более 20 В.
Зависимости прямого
сопротивления потерь
от тока
Зависнмости обратного
сопротивления потерь
от напряжения
Зависимость накоплен*
кого заряда от тока
Зависимость теплового сопроти-
вления переход—корпус от дли-
тельности импульса
Зависимость предельной рассеива-
емой мощности от температуры
2А524А-4, 2А524Б-4
Диоды кремниевые, диффузионные, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая струк-
тура типа р-1-п. Предназначены для применения в переключаю-
щих устройствах, модуляторах, фазовращателях, аттенюато-
рах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн
герметизированной аппаратуры. Бескорпусные, на кристалло-
держателе, с защитным покрытием, с жесткими выводами. Тип
диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте. Марки-
руются: 2А524А—4 — одной красной точкой у положительно-
го электрода, 2А524Б—4 — двумя красными точками.
Масса диода не более 0,15 г.
ц. Выбод 1
И
— Выбод 2
Электрические параметры
Критическая частота:
при Рпди = 3 кВт, /ПР =150 мА,
Ц)6₽ = 100 В, не менее.............. 40* ГГц
при РПд = 30 мВт, /ПР =150 мА,
6/О6р = 30 В, не менее:
Т=-60...+25 ’С.................. 200 ГГц
Т=+125’С........................ 160 ГГц
Прямое сопротивление потерь при
Рпд = 30 мВт, /пр = 150 мА, не более... 0,5 Ом
Время обратного восстановления при
/Пр = 150 мА, 4/об₽ = 100 В, /?г = 150 Ом,
не более............................... 1,5 мкс
Накопленный заряд при /ПР = 150 мА,
4/об₽ = 100 В, не более................ 400 нКл
Пробивное напряжение при /обр = 100 мкА,
не менее:
2А524А-4 ........................... 400 В
2А524Б-4 ........................... 300 В
Общая емкость при С/0БР = 100 В,
/= 10...30 МГц:
2А524А-4............................ 0,7... 1,2 пФ
2А524Б-4............................ 0,5...0,8 пФ
Постоянное обратное напряжение........ 30... 100 В
Постоянный прямой ток................. 500 мА
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Т = —60...+85 "С.................. 1,5 Вт
приГ=+125Х......................... 1 Вт
Импульсная падающая СВЧ мощность
при 1/оы> ~ Ю0 В в параллельной схеме
с И<= 50 Ом, Т= -60...+85 X........... 3 кВт
Температура окружающей среды.......... —60...+125 X
Пайку выводов диодов рекомендуется проводить низко-
температурными припоями с температурой плавления не свы-
ше +145 X. Время пайки не более 1 мин. Глубина погружения
выводов в припой не более 0,5 мм от торцевой поверхности
диода.
Сжимающее усилие вдоль продольной оси диода не долж-
но превышать 16,5 Н.
Зависимость обратного сопротив-
ления потерь от напряжения
Зависимость накопленного заряда
от тока
Зависимости прямого сопротивле-
ния потерь от тока
Зависимости обратного
сопротивления потерь
от импульсной падаю-
щей СВЧ мощности
Зависимости обратного
сопротивления потерь
от импульсной падаю-
щей СВЧ мощности
Зависимости обратного
сопротивления потерь
от импульсной падаю-
щей СВЧ мощности
Зависимости предельной импульс-
ной падающей СВЧ мощности от
температуры
Зависимость предельной рассеива-
емой мощности от температуры
2А526А-5
Диод кремниевый, диффузионный, переключательный.
Предназначен для применения в переключающих устройствах
СВЧ диапазона герметизированной аппаратуры. Бескорпусной,
с жесткими выводами. Тип диода приводится на вкладыше.
Масса диода не более 0,004 г.
Электрические параметры
Критическая частота при /ПР = 30 мА,
4/обр ~ Ю В, Рпц = 25 мВт, А. = 30 см, не менее:
Т= -60...+25 *С..................... 35 ГГц
Г=+125’С......................... 27 ГГц
2А526А-5
Выбод 1
Выбод 2
Прямое сопротивление потерь при /ПР = 30 мА,
Р„д = 25 мВт, к = 30 см, не более........ 2,5 Ом
Накопленный заряд при /п₽ = 30 мА, не более 30 нКл
Пробивное напряжение, не менее............ 40 В
Емкость перехода, не более............... 0,1 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение........... 15 В
Постоянный прямой ток.................... 0,1 А
Рассеиваемая мощность:
при Т = —60...+85 ’С.................. 0,1 Вт
при 7 = +125 X’....................... 0,08 Вт
Температура окружающей среды............. —60...+125 ’С
1 При Г = +85...+125 *С рассеиваемая мощность снижается линейно.
Монтаж диода осуществляется
припоями с температурой плавления
+125...+180 ’С, время пайки не бо-
лее 30 с. Перепайка диода допуска-
ется не более 2 раз.
Зависимость накопленного заряда
от тока
Зависимости прямого сопротивле-
ния потерь от тока
Зависимости обратного сопротив-
ления потерь от напряжения
Зависимость обратного сопротив-
ления потерь от непрерывной па-
дающей СВЧ мощности
КА528АМ, КА528БМ, КА528ВМ
Диоды кремниевые, диффузионные, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая струк-
тура типа р-/-п. Предназначены для применения в переключаю-
щих устройствах при длинах волн до 7 см герметизированной
аппаратуры. Бескорпусные, с жесткими выводами. Маркиру-
ются точкой у положительного вывода. Тип диода приводится
на полиэтиленцеллофановой ленте.
Масса диода не более 0,5 г.
Электрические параметры
Критическая частота при РПп - 30 мВт,
/ПР = 100 мА, С/0БР = 100 В, А = 10 см,
Т = —60...+125 °С, не менее:
КА528АМ, КА528БМ.................. 200 ГГц
КА528ВМ........................... 40 ГГц
КА528/АМ.БМ.ВМ)
Выбод 1
Выбод 2
Прямое сопротивление потерь при
Рпд = 30 мВт, /ПР = 100 мА, к = 10 см,
не более:
КА528АМ, КА528БМ..................
КА528ВМ...........................
Накопленный заряд при /ПР = 100 мА,
^об₽ ~ Ю0 В, не более:
КА528АМ, КА528БМ.....................
КА528ВМ...........................
Пробивное напряжение при /обр = 10 мкА,
не менее:
КА528АМ, КА528БМ..................
КА528ВМ...........................
Общая емкость при Цжр = 400 В, 7= 30 МГц:
КА528АМ..............................
КА528БМ...........................
КА528ВМ, не более.................
0,5 Ом
0,7 Ом
900 нКл
1500 нКл
1000 В
600 В
1,4...2,4 пФ
2,2...3 пФ
3,5 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение................. 50...250 В
СВЧ напряжение при 120№ = 200 В •«•••••••••«••••••с 800 В
Постоянный прямой ток................. 50...500 мА
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Г = —60...+25’С................... 50 Вт
при 7=+85’С........................ 17 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность:
при 7=+25’С........................... 1500 Вт
при 7=+85’С........................ 200 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус. 2 ’С/Вт
Температура окружающей среды.......... —60...+125 ’С
При монтаже диодов допускаются воздействия сжимаю-
щего усилия вдоль продольной оси диода не более 19,8 Н,
273
скручивающего момента не более 4,4 Н * м, изгибающего мо-
мента не более 1,96 Н * м.
Пайку выводов диода рекомендуется проводить низкотем-
пературными припоями с температурой плавления не свыше
+180 ’С. Допускается не более двухкратное воздействие тем-
пературы +180 ’С на каждый вывод диода. Время температур-
ного воздействия на каждый вывод диода не более 30 с.
Разрешается зачистка торцевых поверхностей выводов диода.
Возможно погружение выводов в припой на глубину не более
0,5 мм от торцевой поверхности диода.
Зависимости обратного сопротив-
Зависнмости прямого сопротивле-
ления потерь от напряжения
Зависимость предельной темпера-
туры от частоты
ния потерь от тока
Зависимость накопленного заряда
от тока
ЗА531А-6
Диод арсенидгаллиевый, планарно-эпитаксиальный, с барь-
ером Шотки, переключательный. Предназначен для примене-
ния в переключающих устройствах СВЧ диапазона герметизи-
рованной аппаратуры. Бескорпусной, с жесткими выводами.
Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте. На
основании положительной площадки ставится синяя точка.
Голубая точка у основания другой контактной площадки обо-
значает тип диода.
Масса диода не более 0,01 г.
ЗА531А-6
Выбод 1
И
Выбод 2
Электрические параметры
Критическая частота при 4м> а 10 мА,
Цэвр = 5 В, А, = 3,2 см, не менее:
Г=+25 *С.......................................... 150 ГГц
Г=-60 и+125’С................................ 120 ГГц
Прямое сопротивление потерь при /ПР = 10 мА,
X. = 3,2 см, не более............................ 30 Ом
Обратное сопротивление потерь
при (/он, = 5 В.................................. 1,2...2,2 Ом
Накопленный заряд при 4? = 10 мА, не более. 3 пКл
Реактивное сопротивление при С/06Р = 5 В,
X. = 3,2 см...................................... 5...20 Ом
Пробивное напряжение при =10 мкА,
не менее •••••••••••••••••••••••••••••••••••••••«•••••••••••••••••••а 10 В
Общая емкость при 1!^ = 5 В...................... 0,15...0,3 пФ
Индуктивность диода.............................. 1.5...2 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
при Т- +25 ’С........................ 10 В
при 7=+125’0...................... 5 В
Постоянный прямой ток:
при 7 = +25 ’С....................... 30 мА
при 7=+125’0...................... 10 мА
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Т = +25 ’С....................... 50 мВт
при Т = +85 ’С.................... 30 мВт
при 7 = +125 ’С................... 15 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
при 4, 1 мкс, 7 = 1000 Гц:
7=+25’С.............................. 100 мВт
7=+125’0.........................* 20 мВт
Тепловое сопротивление переход—среда. 200...500 ’С/В1
Температура окружающей среды......... —60...+120 ’С
1 При Т = +25...+125 ’С максимально допустимое обратное напряжение,
прямой ток, рассеиваемая мощность н импульсная рассеиваемая мощность
изменяются линейно.
Зависимость критиче-
ской частоты от напря-
жения
Зависимость критиче-
ской частоты от непре-
рывной падающей СВЧ
мощности
Зависимость критиче-
ской частоты от темпе-
ратуры
Зависимость прямого
сопротивления потерь
от тока
Зависимость прямого
сопротивления потерь
от напряжения
Зависимость прямого
сопротивления потерь
от температуры
КА532А
Диод кремниевый, эпитаксиальный, переключательный.
Предназначен для применения в коммутационных устройствах
сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн. Вы-
пускается в металлокерамическом корпусе с жесткими выво-
дами. Тип диода приводится на вкладыше, который вставляет-
ся в отдельный отсек полиэтиленовой упаковки. Положитель-
ный вывод — со стороны фланца диаметром 4,9 мм.
Масса диода не более 0,11 г.
КА532А
Выбод 1
V
Выбод 2
Электрические параметры
Критическая частота при /пР =100 мА,
Мэбр = 100 В, не менее:
Г=+25’С............................. 200 ГГц
Г= —60 и+125’С................... 170 ГГц
Прямое сопротивление потерь
при /ЛР = 100 мА, не более................ 1 Ом
Накопленный заряд при /од» = 100 мА,
не более.................................. 250 нКл
Пробивное напряжение при 4>б₽ = 10 мкА,
не менее.................................. 300 В
Общая емкость при С/0БР - 100 В, /= 10 МГц,
не более.................................. 0,9 пФ
Емкость корпуса........................... 0,25...0,4 пФ
Индуктивность диода, не более............. 0,1 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение......... 150 В
Мгновенное обратное напряжение......... 270 В
Постоянный прямой ток.................. 200 мА
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Г= -60...+35 ’С................... 10 Вт
при 7"=+125’С’..................... 2,6 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность
при Ги = 1 мкс:
7К = —60...+35 ’С..................... 20 кВт
7К =+125’С......................... 6,5 кВт
Тепловое сопротивление переход—корпус 15 ’С/Вт
Температура окружающей среды............ -60... Гк =
= +125 ’С
1 В диапазоне температур корпуса диода +35...+125 ’С рассеиваемая мощ-
ность и импульсная рассеиваемая мощность изменяются линейно.
Вывод диода (диск) рекомендуется паять мягким припоем,
например ЛОСК—50—18 или другими, слабо растворяющими
золотое покрытие. Температура пайки или лужения не свыше
+180 'С в течение не более 5 с. Запрещается промывать диод
в спиртобензиновой смеси.
При расчете радиотехнических
устройств следует учитывать, что
общая емкость диода в диапазоне
СВЧ не зависит от напряжения сме-
щения (от 0 до максимально до-
пустимого значения).
Зависимость накопленного заряда
от тока
Зависимость прямого сопротивле-
ния потерь от тока
Зависимость обратного сопротив-
ления потерь от напряжения
2А533А-3
Диод кремниевый, планарный, переключательный. Предна-
значен для применения в переключающих устройствах СВЧ
диапазона герметизированной аппаратуры. Бескорпусной, с
гибкими выводами. Тип диода приводится на вкладыше.
Масса диода не более 0,001 г.
2А533А-3
Электрические параметры
Критическая частота при 4м> = 50 мА,
= 10 В, не менее...................... 200 ГГц
Прямое сопротивление потерь при /го = 50 мА,
не более:
Т- -60...+25 ’С..................... 6 0м
7=+100’С............................ 8 0м
Накопленный заряд при /пр = 50 мА,
Ц)бр - Ю В, не более...................... 15 нКл
Время прямого и обратного восстановления... 50...250 нс
Пробивное напряжение при /обр =100 мкА,
не менее.................................. 70 В
Емкость перехода, не более................ 0,05 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение.......... 50 В
Постоянный прямой ток................... 100 мА
Рассеиваемая мощность................... 0,1 Вт
Температура окружающей среды............ —60...+100 ’С
Монтаж диодов осуществляется методом термокомпрес-
сии не ближе 0,05 мм от края кристалла или методом пайки
мягким припоем с температурой плавления не свыше +175 ’С.
2А534А, 2А534Б
Диоды кремниевые, планарно-эпитаксиальные, ограничи-
тельные. Предназначены для применения в устройствах огра-
ничения и управления мощностью в СВЧ диапазоне. Выпуска-
ются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами.
Тип диода приводится на групповой таре. Положительный вы-
вод — со стороны крышки.
Масса диода не более 0,05 г.
Электрические параметры
Сопротивление при низком значении СВЧ
мощности Рпд 1 мВт, не более:
7 = -60...+25 ’С:
2А534А............................. 10 Ом
2А534Б.......................... 15Ом
7= +125 ’С:
2А534А............................. 15Ом
2А534Б.......................... 20 Ом
Накопленный заряд при /л₽ = 10 мА,
Мзи» = Ю В, не более.................. 1 нКл
2А53ЦА.Б)
Выбод /
57
Выбод 2
Дифференциальное сопротивление
при /ПР = 100 мА, не более:
2А534А.................................... 1,8 0м
2А534Б................................. 2,5 0м
Постоянное обратное напряжение
при /обр = Ю мкА.......................... 30...110 В
Общая емкость при нулевом смещении:
2А534А.................................... 0,4...0,65 пФ
2А534Б................................. 0,35...0,4 пФ
Емкость корпуса............................. 0,18—0,26 пФ
Индуктивность диода, не более............. 3 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
при Гк = —60...+35 ’С.............. 25 В
при Гк =+125’С..................... 15 В
Постоянный прямой ток:
при Гк = —60...+35 ’С:
2А534А............................. 150 мА
2А534Б.......................... 100 мА
при Гк = +125 ’С’:
2А534А............................. 60 Ом
2А534Б.......................... 40 Ом
1 При Гк = +35...+125 ”С максимально допустимые обратное напряжение и
постоянный прямой ток изменяются линейно.
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Гк = —60...+35 ’С
2А534А.................................. 0,25 Вт
2А534Б............................... 0,15 Вт
при Гк = +125 ’С:
2А534А.................................. 0,06 Вт
2А534Б............................... 0,03 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность
при 4, 1 мкс, /'< 1 кГц:
Гк = -60...+35 ’С:
2А534А.................................. 10 Вт
2А534Б............................... 6 Вт
Гк = +125 ’С’:
2А534А.................................. 3 Вт
2А534Б............................... 1,5 Вт
Температура окружающей среды •••••••••••••••••«•а -6О...ТК =
= +125 ’С
1 При Гк = +35...+125 *С максимально допустимые рассеиваемая мощность
и импульсная рассеиваемая мощность изменяются линейно.
2А536А-5, 2А536Б-5,
2А536А-6, 2А536Б-6
Диоды кремниевые, эпитаксиальные, переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройст-
вах СВЧ диапазона герметизированной аппаратуры. Бескор-
пусные, с жесткими выводами. Тип диода приводится в эти-
кетке.
Масса диодов 2А536А—5, 2А536Б—5 не более 0,0003 г,
2А536А—6, 2А536Б—6 не более 0,02 г.
Электрические параметры
Критическая частота при 41₽ = 100 мА,
Ц®₽ = 100 В, не менее 300 ГГц
Прямое сопротивление потерь при /лр = 100 мА, 4,3 ГГц, не более Накопленный заряд при /№ = 100 мА, не более: 1,5 Ом
Т ~ 25 ••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••• 150 нКл
Г= +85 ’С 250 нКл
Тж 60 •••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••*••• 140 нКл
2А536А-5
2А536Б-5
2А536А-6
2А536Б-6
Выбод 1
з:
Выбод 2
Пробивное напряжение при /ов₽ = 10 мкА,
не менее................................. 300 В
Общая емкость при = 100 В:
2А536А-5, 2А536А-6........................ 0,08.-0,16 пФ
2А536Б-5, 2А536Б-6...................... 0.12..Д2 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение........... 150 В
Мгновенное обратное напряжение........... 270 В
Постоянный прямой ток.................... 150 мА
Рассеиваемая мощность:
при Тоси = ~60...+35 ’С.............. 1 Вт
при 7осн = +85 ’С’................... 0,5 Вт
Температура окружающей среды............ —60...+85 *С
1 При Госи = +35...+85 ’С максимально допустимая рассеиваемая мощность
изменяется линейно.
Диоды рекомендуется паять припоями, слабо растворяю-
щими золотое покрытие. Температура пайки (лужения) не свы-
ше +190 °С.
Допускается соединение диода в аппаратуре способом
механического прижима, усилие прижима не должно превы-
шать 0,05 кгс.
Гпр, Ом
Онк, нК/1
Зависимость прямого сопротивле-
Зависимость
накопленного заряда
от тока
ния потерь от
тока
Зависимость критиче-
ской частоты от тока
Зависимость прямого
сопротивления потерь
от температуры
Зависимость накоплен-
ного заряда от темпе-
ратуры
КА537А
Диод кремниевый, диффузионный, переключательный.
Предназначен для применения в переключающих устройствах
сантиметрового, дециметрового и метрового диапазонов длин
волн. Выпускается в металлокерамическом корпусе с изолиро-
ванным теплоотводом. Тип диода приводится на корпусе. По-
ложительный вывод — срезанный.
Масса диода не более 2 г.
Электрические параметры
Критическая частота при 4н> = 100 мА,
Ц)Б₽ = ЮО В, не менее................... 200 ГГц
КА537А
_ 07.2
Прямое сопротивление потерь
при /ПР = 100 мА, не более............. 0,5 Ом
Накопленный заряд при /№ - 100 мА:
Г =+25’С............................ 400... 1000 нКл
Г=+125’С........................... 400...1500 нКл
7=-60’С............................. 200... 1000 нКл
Пробивное напряжение при =10 мкА,
не менее............................... 600 В
Общая емкость при С/0БР = 100 В, /= 10 МГц,
не более............................... 3 пФ
Индуктивность диода, типовое значение.. 2 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение........... 300 В
Мгновенное напряжение.................... 575 В
Постоянный прямой ток.................... 500 мА
Постоянная рассеиваемая мощность:
при 7К = —60...+35 *С................. 20 Вт
при Тк =+125’С..................... 4 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность
при Ти = 1 мкс:
Гк = -60...+35 ’С..................... 100 кВт
Гк =+125'С......................... 20 кВт
Температура окружающей среды.......... —60...+125 ’С
1 При температуре +35...+125 ’С рассеиваемая мощность и импульсная
рассеиваемая мощность изменяется линейно.
Диод рекомендуется крепить к теплопроводящей плате
(радиатору) гайкой М4, класс чистоты поверхности не хуже 2,5.
Выводы диода рекомендуется паять мягким припоем, на-
пример ПОСК— 50—18 или другими припоями, слабо растворя-
ющими золотое покрытие. Температура пайки не свыше +180 ’С
в течение 5 с.
Общая емкость диода в диапазоне СВЧ не зависит от
постоянного обратного напряжения (от 0 до максимально до-
пустимого напряжения).
Зависимость прямого сопротивле-
ния потерь от тока
Зависимость накопленного заряда
от тока
2А541А-6, 2А541 Б-6
Диоды кремниевые, эпитаксиальные, переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройст-
вах СВЧ диапазона герметизированной аппаратуры. Бескор-
пусные, с жесткими выводами. Тип диода приводится в этикет-
ке. Маркируются белой точкой у отрицательного вывода.
Масса диода не более 0,2 г.
Электрические параметры
Критическая частота при 4? = 100 мА,
Цжр = 100 В, не менее................ 400 ГГц
2АШ1А-6.Б-6)
Выбод 1
Выбод 2
Прямое сопротивление потерь
при 41р = 100 мА, не более............. 1,3 Ом
Накопленный заряд при /пр =100 мА:
Г=+25’С................................ 60...150 нКл
Г=+125’С............................ 60...200 нКл
Г =-60’С.......................... 40...150нКл
Пробивное напряжение при /0БР =10 мкА,
не менее............................... 300 В
Общая емкость при = 100 В:
2А541А-6............................... 0,15... 0,22 пФ
2А541Б-6............................ 0,18.„0,25 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение........... 150 В
Мгновенное обратное напряжение........... 270 В
Постоянный прямой ток.................... 150 мА
Постоянная рассеиваемая мощность:
при 7^сн = —60...+35 'С ...л.......... 0,5 Вт
при Госн = +125 ’С.................... 0,15 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность
при /и 1 мкс:
Госн = -60...+35 ’С...................... 0,5 кВт
Госн =+125’С’......................... 0,15 кВт
Температура окружающей среды............. —60...+125 ’С
1 При Грен = +35...+125 ’С максимально допустимые рассеиваемая мощ-
ность и импульсная рассеиваемая мощность изменяются линейно.
При пайке диодов температура не должна превышать
+190 ’С.
Для повышения быстродействия радиотехнических ус*
тройств на переключательных диодах рекомендуется исполь-
зовать импульс обратного напряжения, создающий переход-
ной обратный ток с амплитудой не более 1,75 А.
Гпр. Ом
Зависимость прямого сопротивле-
ния потерь от тока
Зависимость накопленного заряда
от тока
Гкр.Ом
Зависимость обратного сопротив-
ления потерь от напряжения
Зависимость накопленного заряда
от температуры
КА542А
Диод кремниевый, эпитаксиальный, переключательный.
Предназначен для применения в переключающих устройствах
СВЧ диапазона. Выпускается в металлокерамическом корпусе
с жесткими выводами. Тип диода приводится на вкладыше,
который вместе с диодом помещается в индивидуальную тару.
Маркируется цветными точками — двумя черными и одной
красной. Положительный вывод — со стоооны крышки.
Масса диода не более 0,5 г.
КА5МА
Выбод 1
И
Выбод 2
Электрические параметры
Критическая частота при /ПР =100 мА,
//0БР = В, не менее.......................... 250 ГГц
Прямое сопротивление потерь
при /ПР = 100 мА, не более................... 1,7 Ом
Накопленный заряд при /пр =100 мА,
не более:
Г= -60...+25 X •••••••«••••••••••••••••••••••••••••••••• 300 нКл
Г=+125Х.................................. 400 нКл
Пробивное напряжение при /обр = 100 мкА,
не менее..................................... 1100 В
Общая емкость при = 0, /= 10 МГц,
не более..................................... 1 пФ
Индуктивность диода (типовое значение) •••••••• 0,5* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение......... 400 В
Мгновенное напряжение.................. 1000 В
Постоянный прямой ток.................. 200 мА
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Гк = —60...+35 X................... 4 Вт
при Гк =+125 X’..................... 1,3 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность
при ?и = 1 мкс, О'» 1000:
Гк = -60...+35 *С................... 10 кВт
Гк = +125 X’........................ 3 кВт
Температура окружающей среды.......... —60... Тк -
= +125 X
1 При температуре корпуса диода +35...+125 ’С рассеиваемая мощность и
импульсная рассеиваемая мощность изменяются линейно.
Пайка выводов диодов рекомендуется мягким припоем,
например ПОСК—50—18 или другими припоями, слабо раство-
ряющими золотое покрытие; температура пайки не свыше
+180 ’С в течение 5 с. Запрещается промывать диод в спирто-
бензиновой смеси.
Допустимое значение статического потенциала не более
500 В.
Зависимость критической частоты
от температуры
Зависимость предельной импульс-
ной рассеиваемой мощности от
длительности импульса
Зависимость прямого
сопротивления потерь
от тока
Зависимость накоплен-
ного заряда от тока
Зависимость обратного
сопротивления потерь
от напряжения
2А543А-5, 2А543А-6, 2А543Б-6
Диоды кремниевые, меза-эпитаксиальные с р-7-л структу-
рой, переключательные. Предназначены для применения в пе-
реключающих устройствах СВЧ диапазона герметизированной
10* 291
аппаратуры. Бескоргусные, с контактными площадками, без
кристаллодержателя, без выводов (исполнение 5) и с контакт-
ными площадками, на кристаллодержателе без выводов (ис-
полнение 6). Тип диода приводится на этикетке. Дополнитель-
но диоды типа 2А543А—б маркируются синей точкой со сто-
роны минусового вывода.
Масса диодов 2А543А—5 не более 15 мг, 2А543А—6 не
более 30 мг, 2А543Б—6 не более 10 мг.
2А5Ш-5.2А5Ш-6,2А5иБ-6
Электрические параметры
Критическая частота при /ПР = 5 мА,
(/о». = 20 В, не менее................... 300 ГГц
Прямое сопротивление потерь при /ПР = 5 мА,
не более................................. 1,5 0м
Накопленный заряд при 4р = 5 мА.......... 0.5...3 нКл
Пробивное напряжение при /0БР = 10 мкА,
не менее................................. 100 В
Общая емкость при С/0БР = 20 В, 10 Мгц:
2А543А-5, 2А543А-6....................... 0,12...0,19 пФ
2А543Б-6.............................. 0,15...0,22 пФ
Постоянное прямое напряжение
при = 5 мА, не более:
7=+25 и+125‘С............................ 0,9 В
7=-60’С............................... 1,2 В
Последовательная индуктивность
для 2А543Б—6, не более................... 0,7 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение....... 50 В
Мгновенное обратное напряжение......... 80 В
Постоянный прямой ток.................. 30 мА
Постоянная рассеиваемая мощность:
при 7= -60...+35 'С.................... 0,5 Вт
при 7=+125’С........................ 0,1 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность
при С 1 мкс, О > 1000:
7 = —60...+35 ’С.................... 0,5 кВт
7=+125’С............................ 0,1 кВт
Рабочий диапазон частот................ 0,3... 18 ГГц
Температура окружающей среды........... —60...+125 ’С
1 В диапазоне температур окружающей среды +35...+125 ’С постоянная и
импульсная рассеиваемые мощности снижаются линейно.
При пайке диодов температура не должна превышать
+200 ’С, продолжительность пайки не более 5 с.
Допустимое значение статического потенциала: 30 В для
2А543А-5, 2А543А-6, 200 В для 2А543Б-6.
Допускается эксплуатация диодов в диапазоне частот
0,1...0,3 ГГц.
Зависимость прямого сопротивле-
ния потерь от тока
Зависимость накопленного заряда
от тока
Зависимость накопленного заряда
от температуры
Зависимость обратного сопротив-
ления потерь от напряжения
2А546А-5, 2А546Б-5
Диоды кремниевые, эпитаксиальные, переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройст-
вах СВЧ диапазона герметизированной аппаратуры. Бескор-
пусные, с контактными площадками без кристаллодержателя.
Тип диода приводится на этикетке.
Масса диода не более 0,3 мг.
Выбод1 2А5к>(А-5,Б-5)
Выбод 1
и
Выбод 2
Электрические параметры
Критическая частота при /пр =100 мА,
ООБ₽ = 100 В, не менее.................. 300 ГГц
Прямое сопротивление потерь
при /ПР = 100 мА, не более.............. 1,5 Ом
Накопленный заряд при /ПР = 100 мА:
Т = +25 ’С........................... 50...200 нКл
Г=+125’С............................. 50...300 нКл
Т=-60’С.............................. 30...200 нКл
Пробивное напряжение при /Обр = Ю мкА,
не менее................................ 300 В
Общая емкость при Ц^р = 100 В, /= 10 МГц.... 0,12...0,2 пФ
2<м
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение......... 150 В
Мгновенное обратное напряжение......... 270 В
Постоянный прямой ток.................. 150 мА
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Г = —60...+35 ’С................... 2,5 Вт
при Т = +125 ’С..................... 0,9 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность
при Ги 1 мкс, О = 1000:
Г = —60...+35 ’С....................... 5 кВт
Г= +125 ’С.......................... 1 кВт
Рабочий диапазон частот................ 0,3... 18 ГГц
Температура окружающей среды........... —60...+125 ’С
’ В диапазоне температур окружающей среды +35...+125 *С постоянная и
импульсная рассеиваемые мощности снижаются линейно.
При пайке диодов температура не должна превышать
+190 ’С, продолжительность пайки не более 5 с.
Допустимое значение статического потенциала не более
100 В.
Зависимости прямого тока
от напряжения
2А547А-3, 2А547Б-3,
2А547В-3, 2А547Г-3
Диоды кремниевые, диффузионные, переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройст-
вах СВЧ диапазона герметизированной аппаратуры. Бескор-
пусные, с жесткими выводами без кристаллодержателя. Тип
диода приводится в этикетке.
Масса диода не более 0,03 мг.
2А5171А-ЗБ-З.В-З.Г-3)
Электрические параметры
Критическая частота при /пр = 3 мА,
С/0БР = 10 В, /= 4 ГГц, не менее......... 300 ГГц
Прямое сопротивление потерь при /пр = 3 мА,
/ = 1 ГГц, не более...................... 3 Ом
Накопленный заряд при /ПР = 3 мА, = 10 В:
2А547А-3, 2А547Б-3.................... 0,08...0,2 нКл
2А547В-3, 2А547Г-3.................... 0,18...0,3 нКл
Пробивное напряжение при /обр = Ю мкА,
не менее................................. 50 В
Общая емкость при 4/0Бр = 10 В:
2А547А-3, 2А547В-3........................ 0,06...0,12 пФ
2А547Б-3, 2А547Г-3.................... 0,1—0,2 пФ
Обратное сопротивление потерь
при //0БР = 10 В, / = 4 ГГц, не менее.... 20 кОм
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение........... 30 В
Мгновенное обратное напряжение........... 40 В
Постоянный прямой ток.................... 20 мА
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Т = —60...+25 °С................ 200 мВт
при 7=+125’С’.................... 70 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность:
при Ги 2 нс, О > 10:
7=-60...+25’С....................... 400 мВт
7=+125'С...................... 270 мВт
при Ги Э 10 нс, О > 10:
7=-60...+25 ’С................... 200 мВт
7=+125°С...................... 70 мВт
Температура окружающей среды........ —60...+ 125 ’С
1 В диапазоне температур окружающей среды +25...+125 'С постоянная и
импульсная рассеиваемые мощности снижаются линейно
Допускается применение диодов в фазовращателях, моду-
ляторах, аттенюаторах, ограничителях (стабилизаторах) мощ-
ности.
Допустимое значение статического потенциала 100 В.
При пайке диодов температура не должна превышать
+185 ’С, время пайки не более 20 с. Допускается температура
пайки +195 ’С при времени пайки не более 3 с.
СдпФ
Зависимости емкости диода от иа- Зависимость прямого сопротивле-
пряжения ния потерь от температуры
Зависимость прямого сопротивле-
ния потерь от тока
Онк.нКл
Зависимость накопленного заряда
от тока
2А551А-3, 2А551Б-3, 2А551В-3,
2А551Г-3, 2А551А1—3, 2А551Б1-3,
2А551В1-3, 2А551Г1-3
Диоды кремниевые, диффузионные, переключательные
прямой (2А551А-3, 2А551Б-3, 2А551В-3, 2А551Г-3) и об-
ратной (2А551А1-3, 2А551Б1-3, 2А551В1-3, 2А551Г1-3) по-
лярности. Предназначены для применения в переключающих
устройствах СВЧ диапазона герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные, с жесткими выводами без кристаллодержате-
ля. Тип диода приводится на этикетке. На длинном выводе
наносят знак минус, обозначающий диоды прямой полярно-
сти, и знак плюс, обозначающий диоды обратной полярности.
Масса диода не более 0,1 мг.
Электрические параметры
Критическая частота при /ПР = 3 мА,
Мэи> = Ю В, не менее.................... 300 ГГц
Прямое сопротивление потерь при /пр = 3 мА,
/ = 1 ГГц, не более..................... 3 Ом
Накопленный заряд при ^Р = 3 мА:
2А551А-3, 2А551А1-3, 2А551Б-3,
2А551Б1-3............................ 0,08...0,2 нКл
2А551В-3, 2А551В1-3, 2А551Г-3,
2А551Г1-3.......................... 0,18...0,3 нКл
Пробивное напряжение при /06Р =10 мкА,
не менее................................ 50 В
Обратное сопротивление потерь
при (/ой» = 10 В, / = 4 ГГц, не менее... 20 кОм
2А551А-3-Г-3
2А551А1-3-Г1-3
Выбод 1
Выбод 2
Постоянное прямое напряжение
при /пр = 3 мА, не более................. 0,9 В
Время обратного восстановления
при /пр = 3 мА, /0БР = 200 мА, не более:
2А551А-3, 2А551А1-3, 2А551Б-3,
2А551Б1-3............................. 2 нс
2А551В-3, 2А551В1-3, 2А551Г-3,
2А551Г1-3............................. 5 нс
Общая емкость при (/0БР = 10 В:
2А551А-3, 2А551А1-3, 2А551В-3,
2А551В1-3............................. 0,0б...0,12 пФ
2А551Б-3, 2А551Б1-3, 2А551Г-3,
2А551Г1-3............................. 0,1...0,2 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение........... 30 В
Мгновенное обратное напряжение........... 40 В
Постоянный прямой ток.................... 30 мА
Импульсный обратный ток................. 200 мА
Рассеиваемая мощность:
при Г= -60...+25 ’С.................. 1000 мВт
при Т = +125 ’С...................... 350 мВт
Температура окружающей среды............ —60...+125 ’С
1 В диапазоне температур окружающей среды +25...+125 *С допустимая
рассеиваемая мощность снижается линейно.
Допустимое значение статического потенциала 100 В.
Разрешается применение диодов в диапазоне частот
0.5...75 ГГц.
При пайке диодов температура не должна превышать
+185 ’С, время пайки не более 20 с. Допускается температура
пайки +195 ’С при времени пайки не более 3 с.
Зависимости прямого тока от не-
зависимость емкости диода от на-
пряжения
пряжения
Зависимость прямого сопротивле-
ния потерь от температуры
Зависимость прямого сопротивле-
ния потерь от тока
2А552А, 2А552Б
Диоды кремниевые, диффузионные, переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройст-
вах на частотах до 3 ГГц. Выпускаются в металлокерамиче-
ском корпусе с гибкими выводами. Тип диода приводится на
этикетке.
Масса диода не более 5 г.
2А552(А,Б)
Электрические параметры
Критическая частота при /ПР =100 мА,
^обр = 100 В, Г= 1 ГГц, не менее..... 100 I Гц
Прямое сопротивление потерь
при /ПР = 100 мА, не более:
Г =+25’С.......................... 0,5 Ом
Т=-60 и+125’С..................... 0,8 Ом
Накопленный заряд при /ПР = 100 мА,
4/обр = Ю0 В, не менее:
2А552А................................... 1000 нКл
2А552Б................................ 500 нКл
Пробивное напряжение, не менее........... 700 В
Постоянное прямое напряжение
при /пр =100 мА, не более................ 0,9 В
Постоянный обратный ток при 6/0БР = 600 В,
не более................................. 10 мкА
Общая емкость диода при 6/0БР = 100 В.... 2,2...3,0 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение....... 600 В
Постоянный прямой ток................ 1 мА
Рассеиваемая мощность в режиме прямого
смещения:
Т= +25 ’С......................... 30 Вт
Г= +85’С.......................... 18 Вт
Г=+125’С.......................... 10 Вт
Рассеиваемая мощность в режиме коммута-
ции:
при Г =+25’С...................... 20 Вт
при Г =+85’С...................... 8 Вт
Температура окружающей среды......... —60...+125 ‘С
При пайке выводов диодов температура не должна превы-
шать +180 ’С, продолжительность пайки не более 5 с.
Зависимости прямого тока от на-
пряжения
Зависимость иакоплеиного
заряда от тока
Зависимость прямого сопротивле-
Зависимость обратного сопротив-
ния потерь от тока
ления потерь от напряжения
4.5. Умножительные и настроечные диоды
Д501
Диод кремниевый, точечный, умножительцый. Предназна-
чен для применения в умножителях частоты дециметрового
диапазона длин волн. Выпускается в металлокерамическом
корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения
электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 3,5 г.
Д501
Вывод 1
Вывод 2
Электрические параметры
Мощность 8-й гармоники на длине волны
К = 25,6 см, Глосл = ЮО Ом, не менее:
Рпд = 130 мВт:
Г =+25’С.......................... 300 мкВт
Т=-60’С........................ 100 мкВт
Рпд = 100 мВт, Г = +100 'С......... 100 мкВт
Рассеиваемая мощность.................... 100 мВт
Рассеиваемая мощность при кратковременном
воздействии (не более 30 мин)............ 200 мВт
Температура окружающей среды............. —60...+100 ’С
Зависимость мощности 8-й гармо-
ники от непрерывной падающей
СВЧ мощности
Зависимость мощности 8-й гармо-
ники от температуры
2А601А
Диод кремниевый, точечный, умножительный. Предназна-
чен для применения в умножителях частоты. Выпускается в
металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип ди-
ода и схема соединения электродов с выводами приводятся на
корпусе.
Масса диода не более 3,5 г.
2А601А
+ Выбод 1
Выбод 2
Электрические параметры
Мощность 3-й гармоники при Рщ = 75 мВт,
Л= 2940 МГц, Гпосд = 300 Ом, не менее:
Г =+25’С...................... 7 мВт
Г= —60 и+100’С................ 5 мВт
Предельные эксплуатационные данные
Рассеиваемая мощность.................... 75 мВт
Рассеиваемая мощность при кратковременном
воздействии (не более 30 мин)............ 150 мВт
Температура окружающей среды............. —60...+ 100 ’С
Зависимость мощности 3-й гармо-
ники от непрерывной падающей
СВЧ мощности
Зависимость мощности 3-й гармо-
ники от температуры
2А602А, 2А602Б, 2А602В, 2А602Г,
2А602Д, КА602А, КА602Б, КА602В,
КА602Г, КА602Д, КА602Е
Диоды кремниевые, планарно-эпитаксиальные, умножитель-
ные. Предназначены для применения в СВЧ умножителях час-
тоты. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жестки-
ми выводами. Тип диода и схема соединения электродов с
выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 2,5 г.
Электрические параметры
Предельная частота при = 6 и 9 В,
не менее:
2А602А, КА602А на частоте 3 ГГц..... 15 ГГц
2А602Б, КА602Б на частоте Г = 3 ГГц. 25 ГГц
2А602В, КА602В на частоте /= 3 ГГц.. 35 ГГц
2А6021А-Д), КА6021А-Е)
Выбод 1
Выбод 2
2А602Г, КА602Г на частоте /= 5 ГГц....... 50 ГГц
2А602Д, КА602Д на частоте /= 5 ГГц....... 60 ГГц
КА602Е на частоте /= 3 ГГц............... 20 ГГц
Пробивное напряжение при /да = 100 мкА,
Т = —60...+100 ’С, не менее:
2А602А, 2А602Б, КА602А, КА602Б................ 60 В
2А602В, 2А602Г, КА602В, КА602Г........ 45 В
2А602Д, КА602Д............................. ЗОВ
КА602Е................................... 50 В
Общая емкость при С/да = 6 В, /= 10 МГц:
2А602А, КА602А.............................. 4,7...8,7 пФ
2А602Б, КА602Б........................... 2,7...4,7 пФ
2А602В, КА602В........................... 1,7...2,7 пФ
2А602Г, КА602Г........................... 1,2... 1,7 пФ
2А602Д, КА602Д........................... 1... 1,3 пФ
КА602Е................................... 3,5...4,7 пФ
Емкость корпуса.............................. 0,5...0,7 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Пробивное напряжение:
2А602А, 2А602Б, КА602А, КА602Б...... 60 В
2А602В, 2А602Г, КА602В, КА602Г.. 45 В
2А602Д, КА602Д...................... ЗОВ
КА602Е.............................. 50 В
Рассеиваемая мощность:
при Т= -6О...ГК = +60 ’С:
2А602А, КА602А...................... 2,5 Вт
2А602Б, КА602Б................... 1,5 Вт
2А602В, КА602В................... 1 Вт
2А602Г, КА602Г................... 0,7 Вт
2А602Д, КА602Д, КА602Е........... 0,5 Вт
при Гк = +100 ’С:
2А602А, КА602А....................... 1 Вт
2А602Б, КА602Б.................... 0,6 Вт
2А602В, КА602В.................... 0,4 Вт
2А602Г, КА602Г.................... 0,3 Вт
2А602Д, КА602Д, КА602Е............ 0,2 Вт
Температура окружающей среды............. —60... Гк =
= +100 ’С
Запрещается бросать диод, работать с незаземленной и
неприсоединенной к корпусу аппарата диодной камерой, оста-
влять и перевозить радиотехнические устройства с вставлен-
ными в них диодами при наличие присоединенных к диодной
камере свободных проводников, которые могут принять на
себя электрические заряды, включать диоды в схему методом
пайки.
Допустимое значение статического потенциала 150 В.
Ррас.нмс.Вп) [пРСД.ГГЦ Сд.ПФ
Зависимости предель-
ной рассеиваемой мощ-
ности от температуры
Зависимости предель-
ной частоты от темпе-
ратуры
Зависимости общей ем-
кости от напряжения
ЗА6ОЗА, ЗА602Б, ЗА6ОЗВ, ЗА6ОЗГ,
АА603А, АА602Б, АА603В, АА603Г
Диоды арсенидгаллиевые, эпитаксиальные, умножительные.
Предназначены для применения в умножителях частоты на
длине волны 3 см. Выпускаются в металлокерамическом кор-
пусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на корпусе.
Масса диода не более 0,65 г.
ЗАбОЗ(А-Г), ААбОЗ(А-Г)
Выбод 1
Выбод 2
Электрические параметры
Предельная частота при 1 = 2300 ± 400 МГц,
не менее:
ЗА6ОЗА, АА603А......................... 100 ГГц
ЗА6ОЗБ, АА603Б......................... 150 ГГц
ЗА6ОЗВ, АА603В......................... 200 ГГц
ЗА6ОЗГ, АА603Г......................... 250 ГГц
Постоянное обратное напряжение
при /0Бр = 50 мкА, не менее:
Г= +25 ’С:
ЗАбОЗА, ЗА6ОЗБ, АА603А, АА603Б.... 20 В
ЗА6ОЗВ, АА603В.................... 10 В
ЗА6ОЗГ, АА603Г.................... 15 В
Т= -60 и +85 ’С:
ЗАбОЗА, ЗА6ОЗБ, АА603А, АА603Б.... 15 В
ЗА6ОЗВ, АА603В..................... 7 В
ЗА6ОЗГ, АА603Г.................... 10 В
Общая емкость диода при 6/обр - 0, Г= 30 МГц:
ЗАбОЗА, АА603А......................... 0,5... 1,5 пФ
ЗА6ОЗБ, ЗАбОЗВ, ЗА6ОЗГ, АА603Б,
АА603В, АА603Г...................... 0,5... 1,2 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
при Т = +25 ’С:
ЗАбОЗА, ЗА6ОЗБ, АА603А, АА603Б.... 20 В
ЗАбОЗВ, АА603В.................... 10 В
ЗА6ОЗГ, АА603Г.................... 15 В
при Т- —60 и +85 °С:
ЗА6ОЗА, ЗА6ОЗБ, АА603А, АА603Б.... 15 В
ЗА6ОЗВ, АА603В........................ 7 В
ЗА6ОЗГ, АА603Г..................... 10 В
Рассеиваемая мощность:
ЗА6ОЗА, ЗА6ОЗБ, АА603А, АА603Б............ 0,4 Вт
ЗА6ОЗВ, АА603В......................... 0,16 Вт
ЗА6ОЗГ, АА603Г......................... 0,25 Вт
Температура окружающей среды.............. —60...+85 °С
Зависимость общей емкости от на-
пряжения
2А604А, 2А604Б
Диоды кремниевые, мезаэпитаксиальные, умножительные.
Предназначены для применения в умножителях частоты в
3-сантиметровом диапазоне длин волн. Выпускаются в метал-
локерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода
приводится на групповой таре. Маркируются белой точкой на
керамической втулке. Положительный вывод 1.
Масса диода 2А604А не более 0,3 г, 2А604Б не более
2,5 г.
Электрические параметры
Предельная частота при Рцд = 3 мВт,
(/овр = 6 и 9 В, /= 5 ГГц:
2А604А................................. 100... 180* ГГц
2А604Б................................. 80... 140* ГГц
Время обратного восстановления
при 1№ = 10 мА, С/0БР = 10 В, не более.... 0,3 нс
Эффективное время жизни неравновесных но-
сителей заряда при /ПР = 10 мА, Ц^р = 10 В,
не менее.................................. 10 нс
2А60^А
Выбод I
Общая емкость при У0ЪР = 6 В, / = 10 МГц:
2А604А..................................
2А604Б...............................
Пробивное напряжение при /^р = 10 мА,
не менее:
Г= +25...+125 ’С.....................
Г= -60 ’С............................
Емкость корпуса:
2А604А..................................
2А604Б...............................
Индуктивность диода при /ПР = 100 мА,
Г= 1,5 ГГц:
2А604А...............................
2А604Б...............................
0,8... 1,1 пФ
1...1.3 пФ
35 В
30 В
0,35...0,45 пФ
0,б...0,7 пФ
0,45...0,65 нГн
1,6... 1,8 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Рассеиваемая мощность:
в течение 3000 ч:
Г=-6О...ГК =+70’С..................... 1 Вт
Гк = +125 ’С.................... 0,3 Вт
в течение 10000 ч:
Г= -60... Тк = +70 ’С......... 0,5 Вт
Гк =+125’С.................... 0,15 Вт
Температура окружающей среды........ —60... Тк =
= +125 ’С
РрАС,нла.ВП1
2А60ЦА.Б)
Ср,пФ
1.0
0.8
0.6
0А
0.2
Продолжитель-
ность работы
10000 ч ।
3000 ч
2А604Б
2А604А
1.7
1.5
1,3
1.1
0.9
0 7'--------------
' 0 10 20 иае.В
Зависимости общей ем-
кости от напряжения
-60-20 20 60 ТК.‘С
Зависимости предель-
ной рассеиваемой мощ-
ности от температуры
корпуса
Гпка.ГГц
Зависимости предель-
ной частоты от темпе-
ратуры корпуса
2А605А, 2А605Б,
КА605А, КА605Б, КА605В
Диоды кремниевые, мезаэпитаксиальные, умножительные.
Предназначены для применения в умножителях на длине вол-
ны 3 см. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жест-
кими выводами. Тип диода приводится в этикетке. Маркируют-
ся цветными точками: 2А605 — черной, 2А605Б — красной,
КА605А — черной и красной, КА605Б — зеленой и красной,
КА605В — двумя красными. Положительный вывод — со сто-
роны крышки.
Масса диода не более 0,2 г.
Электрические параметры
Предельная частота при С/0БР = 6 В, не менее:
2А605А, КА605А на частоте /= 5 ГГц....... 100 ГГц
2А605Б, КА605Б, КА605В на частоте
/ = 7,5 ГГц.............................. 130 ГГц
Общая емкость при С/Обр = 6 В, /= 10 МГц:
2А605А, КА605А............................... 0,85... 1,45 пФ
2А605Б, КА605Б........................... 0,55...0,95 пФ
КА605В................................... 0,5...1,5 пФ
2А605(А,Б), КА605(А-В)
Выбод 1
57
Выбод 2
Емкость корпуса..........................
Индуктивность диода не более.............
Постоянный обратный ток при С/Обр = 30 В,
Г= -60...+ 125 ’С, не более..............
0,2...0,3 пФ
0,7 нГн
100 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение.......... 30 В
Рассеиваемая мощность:
при Т = -60... Гк = +60 ’С:
2А605А, КА605А...................... 1 Вт
2А605Б, КА605Б, КА605В........... 0,7 Вт
при Гк = +100 ’С:
2А605А, КА605А...................... 0,4 Вт
2А605Б, КА605Б, КА605В........... 0,3 Вт
при Тк = +125 ’С:
2А605А, КА605А...................... 0,07 Вт
2А605Б, КА605Б, КА605В........... 0,06 Вт
Температура перехода.................... +125 ’С
Температура окружающей среды............ —60... Тк =
= +125 ’С
Запрещается бросать диоды, работать с незаземленной и
неприсоединенной к корпусу аппарата диодной камерой, оста-
влять и перевозить радиотехнические устройства с вставлен-
ными в них диодами при наличии присоединенных к диодной
камере свободных проводников, которые могут принять на
себя электрические заряды.
Зависимости предельной рассеи-
ваемой мощности от температу-
ры корпуса
Зависимости общей емкости от на-
пряжения
Зависимости предельной частоты
от температуры корпуса
КА606А-2, КА606Б-2
Диоды кремниевые, мезаэпитаксиальные, умножительные.
Предназначены для применения в умножителях частоты сан-
тиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в гер-
метизированной аппаратуре. Бескорпусные, с гибкими выво-
дами и защитным покрытием. Тип диода приводится в этикет-
ке. Маркируются цветной точкой у отрицательного вывода:
КА606А—2 — черной, КА606Б—2 — зеленой.
Масса диода не более 0,03 г.
Электрические параметры
Предельная частота, не менее:
КА606А-2..............................
КА606Б—2...........................
100* ГГц
130* ГГц
Выбод 1
V
Выбод 2
Дифференциальное сопротивление
при /ПР = 100 мА, 5 кГц, не более:
КА606А-2............................. 1,5 0м
КА606Б—2.......................... 2 0м
Общая емкость диода при = 6 В,
/= 10 МГц:
КА606А-2.......................... 0,5... 1,2 пФ
КА606Б-2......................... О.З..Д7 пФ
Контактная разность потенциалов...... 0,6* В
Постоянный обратный ток при = 30 В,
не более:
Т= -60...+60 ’С...................... 100 мкА
Г=+125’С.......................... 200 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение.......... 30 В
Рассеиваемая мощность:
при Госн = —60...+60 ’С:
КА606А-2............................ 0,8 Вт
КА606Б-2......................... 0,6 Вт
при Госн = +60...+125 ’С:
КА606А-2............................ 0,25 Вт
КА606Б-2......................... 0,15 Вт
Температура окружающей среды............ —60...+125 ’С
Зависимости предельной рассеи-
ваемой мощности от температу-
ры основания
Зависимость общей емкости от на-
пряжения
ЗА607А, АА607А
Диоды арсенидгаллиевые, мезаэпитаксиальные, умножи-
тельные. Предназначены для применения в умножителях ча-
стоты на длине волны 2 см. Выпускаются в металлокерамиче-
ском корпусе с жесткими выводами. Тип диода приводится на
групповой таре. Положительный вывод — со стороны крышки.
Масса диода не более 0,65 г.
ЗА607А, АА607А
4- Выбод 1
— Выбод 2
Электрические параметры
Предельная частота при С/0БР = 6 В,
Г= 2 ± 0,05 ГГц, не менее................ 100 ГГц
Общая емкость при и^, = 6 В, /= 1...30 МГц .. 0,8... 1,9 пФ
Емкость перехода при и^р = 0, Г= 1...30 МГц . 0,25...0,35 пФ
Индуктивность диода при /ПР - 30 мА,
/= 3 ГГц, не более....................... 1,5 нГн
Постоянный обратный ток, не более:
при Т = +25 ’С, {/обр = 30 В для ЗА607А.. 100 мкА
при Т = —60 и +85 ’С, (/об₽ = 20 В
для ЗА607А............................. 100 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
при Г =+25’С........................ ЗОВ
при Г =-60 и+85’С................... 20 В
Постоянный прямой ток в режиме умножения 1 мА
Рассеиваемая мощность.................. 1 Вт
Тепловое сопротивление переход—среда... 70 ’С/Вт
Температура корпуса.................... +90 ’С
Температура окружающей среды........... —60...+85 ’С
Запрещается вынимать и устанавливать диод в диодную
камеру при введенной СВЧ мощности, подавать СВЧ мощность
при отсутствии напряжения смещения на диоде или при отсут-
ствии сопротивления автосмещения, превышать значение вы-
прямленного тока в режиме умножения частоты более 5 мА,
вынимать и устанавливать диод в камеру без предварительно-
го касания операторов заземления.
Зависимость предельного обрат-
ного напряжения от температуры
2А608А, КА608А
Диоды кремниевые, эпитаксиальные, умножительные. Пред-
назначены для применения в умножителях частоты на длине
волны 3 см. На частотах 6... 7 ГГц диоды позволяют получить
мощность 1,5 Вт в режиме умножения на 4. Выпускаются в
металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип ди-
ода приводится на групповой таре. Положительный вывод —
.о стороны крышки.
Масса диода не более 0,3 г.
2А608А, КА608А
Выбод /
Выбод 2
Электрические параметры
Предельная частота при 12^ = 6 В, (- 2 ГГц,
не менее.................................. 60 ГГц
Время выключения при /ПР = 5 мА,
(/оы> = 40 не более....................... 1* нс
Эффективное время жизни неравновесных но-
сителей заряда при /ПР = 10 мА, 12^ = 10 В,
не менее.................................. 50* нс
Общая емкость при Цзы» = 6 В, /= 1...30 МГц 1,25...3,5 пФ
Емкость корпуса, не более................. 0,45* пФ
Индуктивность диода при /ПР = 30 мА,
Г= 3 ± 0,5 ГГц, не более.................. 1,5 нГн
Постоянный обратный ток не более:
при Т = +25 ’С, ^/обр = 45 В........... 100 мкА
при Т - —60 и +125 ’С, 6/0БР = 30 В.... 100 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение диода:
при 7=+25’С............................ 45 В
при 7=-60 и+125’С.................... ЗОВ
Рассеиваемая мощность:
при Г = —60... 7К = +85 ’С............. 4 Вт
при Гк =+125’С...................... 1 Вт
Тепловое сопротивление переход—среда... 100 ’С/Вт
Температура окружающей среды.......... —60... 7К =
= +125 ’С
Запрещается вынимать и устанавливать диод в диодную
камеру при введенной СВЧ мощности, подавать на диод СВЧ
мощность при отсутствии напряжения смещения или сопроти-
вления автосмещения, допускать скручивающее усилие более
317
0,147 Н * м, допускать отрицательный ток в режиме умножения
более 5 мА, допускать работу без теплоотвода, вкручивать
диод в устройство за крышку (необходимо использовать толь-
ко шлиц на резьбовом выводе).
При монтаже, регулировке и эксплуатации обязательно
применение мер по защите диодов от статического электри-
чества.
Зависимость предельной рассеи-
ваемой мощности от температу-
ры корпуса
Зависимость предельного обратно-
Зависимость общей емкости от на-
го напряжения от температуры
пряжения
2А609А, 2А609Б,
КА609А, КА609Б, КА609В
Диоды кремниевые, мезаэпитаксиальные, умножительные.
Предназначены для применения в схемах умножения частоты
сантиметрового диапазона длин волн. Выпускаются в металло-
керамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода при-
водится на упаковочной карте. Маркируются цветным кодом:
2А609А — поперечной черной полосой на керамической втул-
318
ке, 2А609Б — красной полосой, КА609А — черной полосой и
черной точкой, КА609Б — красной полосой и красной точкой,
КА609В не маркируется. Положительный вывод — со стороны
крышки.
Масса диода не более 0,2 г.
2А609(А.Б). КА609(А-В)
Электрические параметры
Предельная частота при и0ЪР = 6 В, Г= 5 ГГц:
2А609А, 2А609Б, КА609А, КА609Б...............
КА609В, не менее..........................
Время выключения при 4м> ~ 5 МА,
Ц»».и = Ю В:
2А609А, 2А609Б, КА609А, КА609Б...............
КА609В....................................
Эффективное время жизни неравновесных но-
сителей заряда при /ПР = 10 мА, 6/0БР и = 10 В:
2А609А, КА609А •••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••
2А609Б, КА609Б...............................
Общая емкость при = 6 В, (= 10 МГц:
2А609А, КА609А...............................
2А609Б, КА609Б............................
КА609В ...................................
Емкость перехода при С/обр = 0...............
Постоянный обратный ток при = 40 В,
не более:
Т=-60...+25 ’С...............................
7= +125 ’С...............................
150...370* ГГц
100 ГГц
0,1*...0,25 нс
0,1*...0,3 нс
30...72* нс
25...72* нс
1,1...1,8 пФ
0,9... 1,3 пФ
0,8...1,8 пФ
0,2...0,3 пФ
100 мкА
1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
при 7 = -60... 7К = +75 ’С............ 40 В
при 7К = +75...+125 'С................ 30 В
Рассеиваемая мощность:
при Т - —60... Гк = +70 'С:
2А609А, КА609А...................... 2 Вт
2А609Б, КА609Б, КА609В........... 1 Вт
при Гк = +125 ’С:
2А609А, КА609А...................... 0,4 Вт
2А609Б, КА609Б, КА609В........... 0,3 Вт
Температура перехода.................... +155 ’С
Температура окружающей среды............ —60... Гк =
= +125 ’С
Запрещается работать с незаземленной и неприсоединен-
ной к корпусу аппарата диодной камерой, оставлять и пере-
возить радиотехнические устройства с вставленными в них
диодами при наличии присоединенных к диодной камере сво-
бодных проводников, которые могут принять на себя электри-
ческие заряды, присоединять диоды методом пайки.
Зависимости общей ем-
кости от напряжения
Зависимость предель-
ной частоты от темпе-
ратуры корпуса
Зависимости предель-
ной рассеиваемой мощ-
ности от температуры
корпуса
ЗА610А, ЗА610Б
Варикапы арсенидгаллиевые, мезаэпитаксиальные, с барь-
ером Шотки. Предназначены для применения в устройствах
перестройки частоты или фазы в СВЧ диапазоне. Выпускаются
в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип
диода приводится на групповой таре. Положительный вывод —
со стороны крышки.
Масса диода не более 0,1 г.
ЗА611Ш)
Выбод 1
Выбод 2
Электрические параметры
Постоянное обратное напряжение
при 4жр = Ю мкА, не менее:
Г= +25 и +85 ’С:
ЗА610А •••••••••••••••••••••••••••••••*••••••••••••••••••
ЗА610Б......................................
Г =-60 ’С:
ЗА610А ••••••••••••••••«•••«••*••••••••••••••••••••••••••
ЗА610Б......................................
Общая емкость при У0БР = 6 В, /= 1...3 ГГц...
Емкость корпуса......................................
Коэффициент перекрытия по емкости
при Г» 1 МГц, не менее:
ЗА610А, У0Б₽ = 0 и 25 В ••••••••••••••••••••••••а*»**
ЗА610А, 6/0Б₽ = 0 и 50 В.........................
Добротность при У0Б₽ = 6 В, (- 1...3 ГГц,
не менее.............................................
Индуктивность диода при /ПР = 30 ± 20 мА,
3 ± 0,5 ГГц, не более............................
30 В
50 В
20 В
ЗОВ
1,8...2,7 пФ
0,18...0,25 пФ
4
5,5
50
1 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
при Т - +15...+85 ’С............ 30 В
при 7=-60’С..................... 20В
’ При Г=+15...~60 ’С максимально допустимое постоянное обратное на-
пряжение снижается линейно.
100 мВт
Рассеиваемая мощность....................
Температура окружающей среды............. —60...+85 ’С
Запрещается допускать превышение выпрямленного тока
свыше 30 мА.
Пайку проводить заземленным паяльником с температурой
не свыше +250 'С в течение не более 3 с, допускается 3. пере-
пайки.
2А611А, 2А611Б, КА611А, КА611Б
Варикапы кремниевые, мезаэпитаксиальные, диффузион-
ные. Предназначены для применения в устройствах перестрой-
ки частоты или фазы в сантиметровом диапазоне длин волн.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе. Тип диода при-
водится на групповой таре. Положительный вывод — со сто-
роны крышки.
Масса диода не более 0,1 г.
2А611(А,Б). КА61КА.Б)
Выбод 1
V
Выбод 2
Электрические параметры
Постоянное обратное напряжение
при /0БР = 10 мкА, не менее:
7=+25...+125 ’С.................... 50 В
Т=-60’С......................... 40 В
Общая емкость при (/^р = 6 В, /= 1,0 ГГц:
2А611А, КА611А.......................................... 3,1...4,7 пФ
2А611Б, КА611Б....................................... 1,4...2,2 пФ
Коэффициент перекрытия по емкости
при ^4>бр = 0 и 50 В:
2А611А, КА611А............................... 6...7*
2А611Б, КА611Б............................ 5...5,5*
Добротность диода при ио6Р = 6 В,
/= 1...3 ГГц:
2А611А, КА611А............................... 30...45*
2А611Б, КА611Б............;............... 45...Б5*
Емкость корпуса при /= 1 ГГц................. 0,18...0,25 пФ
Индуктивность диода при 4» = 30 ± 10 мА,
/= 3 ± 0,5 ГГц, не более..................... 1 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
при Г= +25...+125 °С................ 50 В
при Г=-60‘С......................... 40 В
Выпрямленный ток....................... 30 мА
Рассеиваемая мощность.................. 100 мВт
Температура окружающей среды........... —60...+125 "С
Зависимости общей емкости от на- Зависимости добротности от на-
пряжения пряжения
КА612А, КА612Б
Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные, умножитель-
ные. Предназначены для применения в схемах умножения ча-
стоты сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода приводится на упаковочной таре. Мар-
кируются поперечной цветной полосой: КА612А — черной,
КА612Б — красной. Положительный вывод — со стороны
крышки.
Масса диода не более 0,18 г.
КА612(А,Б)
Выбод 1
V
Выбод 2
Электрические параметры
Предельная частота при 1/06Р = 6 и 9 В,
1- 5 ГГц:
КА612А.................................. 60...80* ГГц
КА612Б................................... 40...69* ГГц
Общая емкость при (/0БР = 6 В, 1 = 10 МГц:
КА612А..................................... 1...2 пФ
КА612Б................................... 2...4пФ
Емкость перехода при 1/0БР = 0............. 0,1...0,3 пФ
Постоянный обратный ток:
при Т- -60...+25 ’С:
КА612А, {/он» = 45 В....................... 100 мкА
КА612Б, (/ОБР = 60 В................ 100 мкА
при Г= +125 ’С:
КА612А, (/обР = 45 В................... 1 мА
КА612Б, 6/0БР = 60 В................ 1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
КА612А................................. 45 В
КА612Б.............................. 60 В
Рассеиваемая мощность:
при Г = —60...+60 ’С:
КА612А.............................. 1 Вт
КА612Б........................... 2 Вт
при 7=+125 ’С’:
КА612А.............................. 0,3 Вт
КА612Б........................... 0,6 Вт
Температура перехода................... +155 ’С
Температура окружающей среды........... —60...+ 125 ’С
1 В диапазоне температур окружающей среды +60...+125 *С рассеиваемая
мощность снижается линейно.
Запрещается подключать диоды методом пайки. Разреша-
ется присоединять к положительному электроду золотую фоль-
гу сечением не более 0,5*0,02 мм2 методом точечной сварки.
Время сварки не более 0,1 с, максимальный ток сварки не
свыше 150 А.
Максимально допустимая непрерывная рассеиваемая СВЧ
мощность гарантируется при применении теплоотвода с тепло-
вым сопротивлением не более 5 ’С/Вт.
Зона возможных положений зави-
симости общей емкости от напря-
жения
Зона возможных положений зави-
симости общей емкости от напря-
жения
Зависимости предельной рассеива-
емой мощности от температуры
Зоны возможных положений зави-
симости предельной частоты от
температуры корпуса
2А613А, 2А613Б, КА613А, КА613Б
Диоды кремниевые, диффузионные, умножительные. Пред-
назначены для применения в схемах умножения частоты ме-
трового и дециметрового диапазонов длин волн, позволяют
создавать в этих диапазонах широкополосные умножители с
= 20% при коэффициенте полезного действия до 40%.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода приводится в этикетке. Маркируются цвет-
ными точками: 2А613А, КА613А — синей, 2А613Б, КА513Б —
красной. Положительный вывод — со стороны крышки.
Масса диода не более 2 г.
Электрические параметры
Предельная частота при Ц>БР = 6 В, 1- 2 ГГц:
2А613А, КА613А.......................... 10...40* ГГц
2А613Б, КА613Б....................... 25...60* ГГц
Время выключения при /оы> = 5 мА,
Цэы> = Ю В, не более.................... 3* нс
Эффективное время жизни неравновесных но-
сителей заряда при /ПР = 5 мА, - 10 В,
не менее................................ 50 нс
Общая емкость при = 6 В, 1...30 МГц:
2А613А, КА613А....................... 4...8 пФ
2А613Б, КА613Б....................... 3...5 пФ
Емкость перехода при - 0, не более...... 0,85 пФ
Индуктивность диода при /ПР = 30 мА,
3 ГГц, не более......................... 5 нГн
2А613(А,Б). КА6131А.Б)
Постоянный обратный ток:
при Г = +25 ’С:
2А613А, КА613А, и0ЬР = 80 В........ 0,1* ..10 мкА
2А613Б, КА613Б, (/0БР = 70 В....... О,1*...1О мкА
при Т = —60 и +125 ’С:
2А613А, КА613А, (/обр = 80 В....... 1* ..100 мкА
2А613Б, КА613Б, У0БР = 70 В........ 1*...1ОО мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
2А613А, КА613А....................... 80 В
2А613Б, КА613Б....................... 70 В
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность:
при 7 = -60...+70 ’С, 7К < +80 ’С:
2А613А, КА613А........................ 10 Вт
2А613Б, КА613Б.................... 8 Вт
при Т- +125 ’С, 7К < +127,5 ’С:
2А613А, КА613А........................ 2,5 Вт
2А613Б, КА613Б.................... 2 Вт
Тепловое сопротивление переход—среда.... 12 ’С/Вт
Температура окружающей среды............ —60...+125 ’С
Пайка диодов допускается заземленным паяльником с тем-
пературой нагрева не свыше +200 ’С в течение 2 с. Допускает-
ся не более 3 перепаек.
Запрещается вынимать и устанавливать диод в диодную
камеру при введенной СВЧ мощности, подавать СВЧ мощность
при отсутствии обратного напряжения смещения и теплоотво-
да с тепловым сопротивлением менее 1 ’С/Вт, использовать
при пайке активные флюсы, разрушающие конструкцию ди-
одов.
Зависимости предельной рассе< ве-
емой мощности от температурь*
Зависимости общей емкости от на-
пряжения
ЗА614А
Диод арсенидгаллиевый, мезадиффузионный, умножитель-
ный. Предназначен для применения в схемах умножения ча-
стоты СВЧ диапазона. Выпускается в металлокерамическом
корпусе с жесткими выводами. Тип диода приводится на груп-
повой таре.
Масса диода не более 0,3 г.
ЗА6НА
Выбод 1
V
Выбод 2
Электрические параметры
Предельная частота при 1/Обр = 6 В,
1- 2,3 ± 0,4 ГГц, не менее............... 320 ГГц
Общая емкость при 1/дер = 6 В, А = 30 МГц. 0,4...0,7 пФ
Емкость корпуса........................... 0,18...0,26 пФ
Индуктивность диода при 3 ГГц, не более. 0,7 нГн
Постоянный обратный ток при = 20 В,
не более:
7= +25*С............................... 10 мкА
7=-60 и+125'С.......................... 100 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение, равное сумме напря-
жения смещения и амплитуды переменного
сигнала................................. 20 В
Рассеиваемая мощность:
при Г = —60...+70 ’С.................... 0,4 Вт
при 7=+85’С'......................... 0,25 Вт
Температура окружающей среды............ —60...+85 ’С
1 При Г = +70...+85 *С максимально допустимая рассеиваемая мощность
снижается линейно.
При установке диода в диодную камеру допускается изги-
бающее усилие не более 0,98 Н • см (100 г • см).
Максимально допустимое значение выпрямленного тока
при работе диода в режиме умножения не более 5 мА.
Зависимость общей емкости от на-
пряжения
ЗА615А, ЗА615Б, ЗА615В
Диоды арсенидгаллиевые, диффузионные, меза-эпитакси-
альные, умножительные. Предназначены для применения в
схемах умножения частоты СВЧ диапазона. Выпускаются в
металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип ди-
ода приводится на этикетке. Маркируются цветными точками:
зеленой — ЗА615, черной — ЗА615Б, белой — ЗА615В.
Масса диода не более 25 мг.
Электрические параметры
Предельная частота при и = 6 В, не менее:
ЗА615А............................. 500 ГГц
ЗА615Б............................. 400 ГГц
ЗА615В............................. 320 ГГц
ЗА615(А,Б,В)
Общая емкость при 14>бр = 6 В:
ЗА615А....................................... 0,25...0,35 пФ
ЗА615Б.................................. 0,3...0,4 пФ
ЗА615В................................... 0,35...0,5 пФ
Постоянное обратное напряжение
при /06Р =10 мкА, не менее:
ЗА615А........................................ 15 В
ЗА615Б................................... 18 В
ЗА615В................................... 25 В
Емкость корпуса.............................. 0,13...0.17 пФ
Индуктивность диода.......................... 0,3...0,45 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
при Т = +25 и +85 ’С:
ЗА615А......................... 15 В
ЗА615Б......................... 18 В
ЗА615В......................... 25 В
при Г = —60 ’С:
ЗА615А............................ 13 В
ЗА615Б......................... 15 В
ЗА615В......................... 22 В
Рассеиваемая мощность при Т = —60...+85 °С:
ЗА615А............................. 0,16 Вт
ЗА615Б............................. 0,25 Вт
ЗА615В............................. 0,4 Вт
Температура окружающей среды.......... —60...+85 ’С
1 В диапазоне температур окружающей среды —60...+25 °С допустимое
постоянное обратное напряжение изменяется линейно.
Прямой ток диода не должен превышать 15 мА.
Монтаж диодов в схемах осуществляется пайкой (сваркой)
при температуре не выше +150 ’С и времени не более 1 мин.
Прохождение тока через диод при пайке (сварке) не допуска-
ется.
При установке диодов в камеру или в какие-либо держа-
тели механические усилия на изгиб не должны превышать
50 г*см, осевое усилие сжатия — не более 100 гс.
Зависимости емкости перехода
Зависимости прямого тока
от напряжения
от напряжения
2А616А-2, 2А616Б-2
Диоды кремниевые, мезапланарные, умножительные. Пред-
назначены для применения в схемах умножения частоты СВЧ
диапазона герметизированной аппаратуры. Бескорпусные, с
гибкими выводами, с защитным покрытием. Тип диода приво-
дится в этикетке. Маркируются цветной точкой у положитель-
ного вывода: 2А616А—2 — синей, 2А616Б—2 — белой.
Масса диода не более 0,1 г.
Электрические параметры
Предельная частота при = 6 В, не менее.. 100 ГГц
Выбод 1
Выбод 2
Дифференциальное сопротивление
при /пр = 100 мА, Л= 1...5 кГц, не более:
2А616А-2............................... 1,5 0м
2А616Б-2............................ 2 0м
Общая емкость при (/Обр = 6 В:
2А616А-2............................... 0,6... 1,2 пФ
2А616Б-2............................ 0,3...0,8 пФ
Приращение емкости при изменении постоян-
ного обратного напряжения от 10 до 30 В,
не более:
2А616А-2......................... 0,08 пФ
2А616Б-2......................... 0,06 пФ
Постоянный обратный ток при 1!^ = 6 В,
не более:
Т - —60 и +25 X.................. 1 мкА
Т=+100’С......................... ЗмкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение......... 30 В
Рассеиваемая мощность с теплоотводом
при /?т < 3 ’С/Вт:
Т=-60...+60 Х....................... 0,75 Вт
Т=+100’С’........................... 0,3 Вт
Температура окружающей среды........... —60...+ 100 X
1 В диапазоне температур окружающей среды +60...+100’С рассеиваемая
мощность снижается линейно.
Выводы диодов присоединяют не ближе 2 мм от кристал-
ла. При монтаже должно быть обеспечено отсутствие натяже-
ний выводов диодов, допускается трехкратный изгиб выводов
не ближе 2 мм от кристалла, радиус изгиба не менее 0,5 мм.
Температура держателя и выводов при монтаже не должна
превышать +190 ’С.
ЗА617А, ЗА617Б
Диоды арсенидгаллиевые, меза-диффузионные, умножи-
тельные. Предназначены для применения в схемах умножения
частоты СВЧ диапазона. Выпускаются в металлокерамическом
корпусе с жесткими выводами. Тип диода приводится на эти-
кетке. Анодный вывод диода расположен со стороны крышки.
Масса диода не более 60 мг.
ЗА6171А.Б)
4- Выбод 1
— Выбод ?
Электрические параметры
Предельная частота при Ц^р = 6 В,
Л= 10 ± 2 ГГц, не менее:
ЗА617А................................ 750 ГГц
ЗА617Б................................ 500 ГГц
Постоянный обратный ток, не более:
при 4/обр = 15 В, Т= +25 ’С............ 50 мкА
при {/сер = 10 В, Т - —60 и +85 ’С.... 50 мкА
Общая емкость при = 6 В, /= 1...30 МГц .. 0,3...0,53 пФ
Емкость корпуса........................... 0,17...0.3 пФ
Индуктивность диода....................... 0,22...0,36 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Рассеиваемая мощность:
при Г= —60...+60 ’С................................. 0,2 Вт
при Т = +85 ’С’ ••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••в 0,16 Вт
Обратное напряжение:
при Г=+25’С......................................... 15 В
при Г=-60,+85 ’С2............................... 10 В
Температура окружающей среды........................ —60...+85 ’С
1 В диапазоне температур окружающей среды +60...+85 *С допустимая
рассеиваемая мощность снижается линейно.
1 В диапазонах температур окружающей среды — 60...+15 и +35...+85 *С
допустимое обратное напряжение изменяется линейно.
Допустимое значение статического потенциала 30 В.
Допускается работа диода без теплоотвода.
Сжимающее усилие на корпус диода не должно превышать
1 Н (0,1 кгс).
Основной вид электрического соединения диода со схе-
мой — ранговое крепление или прижимный контакт. Допуска-
ется пайка диодов при температуре не более +230 ’С в тече-
ние 5 с, количество перепаек не более 3.
Зависимости прямого тока от на-
пряжения
Зависимость предельной частоты
от температуры
ЗА618А-6, ЗА619А-6, ЗА620А-6,
ЗА621А-6, ЗА622А-6, ЗА62ЦА-6
Варикапы арсенидгаллиевые, эпитаксиальные, с барьером
Шотки. Предназначены для применения в устройствах пере-
стройки частоты или фазы в СВЧ диапазоне герметизирован-
ной аппаратуры. Бескорпусные, с жесткими выводами. Тип
диода приводится на групповой таре. Анодный вывод обозна-
чается точкой красного цвета, которая наносится на керами-
ческом держателе.
Масса диода не более 0,01 г.
ЗА618А-6.3А619А-6.3А620А-6,
ЗА621А-6.3А622А-6.3А623А-6
Выбод I
V
Выбод 2
Электрические параметры
Постоянное обратное напряжение
при /обр = Ю мкА, не менее:
Т=+25 и+100’С................... 55 В
Т=-60*С......................... 45 В
Общая емкость при 11^ = 6 В, 1 МГц:
ЗА618А-6 1,4...2,2 пФ
ЗА619А-6 0.9...1.5 пФ
ЗА620А-6 0,6... 1 пФ
ЗА621А-6 0,4...0,7 пФ
ЗА622А-6 0,3...0,5 пФ
ЗА623А-6 0,2...0,35 пФ
Коэффициент перекрытия по емкости
при 4/оьр = 0...50 В, /= 1 МГц, не менее:
ЗА618А- 6....................... 5,8
ЗА619А-6......................... 5,6
ЗА620А-6......................... 5
ЗА621А-6......................... 4,2
ЗА622А-6......................... 3,5
ЗА623А-6......................... 2,8
Добротность при 1 ГГц, не менее:
ЗА618А-6......................... 90
ЗА619А-6......................... 120
ЗА620А-6......................... 180
ЗА621А-6......................... 220
ЗА622А-6......................... 250
ЗА623А-6......................... 270
Индуктивность диода................. 0,14...0.19 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
при Г= +15...+100 ’С............. 55 В
приГ=— 60’С...................... 45 В
Постоянный прямой ток:
при Г = -60...+35 ’С:
ЗА618А-6......................... 100 мА
ЗА619А-6...................... 75 мА
ЗА620А-6...................... 55 мА
ЗА621А-6...................... 45 мА
ЗА622А-6...................... 36 мА
ЗА623А-6...................... 30 мА
при 7"= +100 ’С’:
ЗА618А-6......................... 25 мА
ЗА619А-6...................... 20 мА
ЗА620А-6...................... 14 мА
ЗА621А-6...................... 11 мА
ЗА622А-6...................... 9 мА
ЗА623А-6...................... 7 мА
Рассеиваемая мощность:
ЗА618А-6............................ 100 мВт
ЗА619А-6......................... 75 мВт
ЗА620А-6......................... 55 мВт
ЗА621А-6......................... 45 мВт
' При Г - — 60...+15 *С максимально допустимое обратное напряжение изме-
няется линейно, при Т = +35...+100 “С максимально допустимый постоянный
прямой ток изменяется линейно.
ЗА622А-6.......................... 36 мВт
ЗА623А-6.......................... 30 мВт
Температура окружающей среды......... —60...+100 ’С
Пайка выводов рекомендуется заземленным паяльником с
температурой не свыше +230 ’С в течение не более 3 с. Допу-
скается не более двух перепаек. Амплитудное значение наво-
док между паяльником и электродом диода при пайке не
более 0,4 В.
Прижимающее усилие при измерении электрических пара-
метров, монтаже и испытаниях не должно превышать 0,59 Н
(60 гс). Прижимающее устройство должно иметь плоскую по-
верхность шириной не менее 0,8 мм.
ЗА627А, ЗА628А, ЗА629А,
ЗА630А, ЗА631А, ЗА632А
Варикапы арсенидгаллиевые, эпитаксиальные, с барьером
Шотки. Предназначены для применения в устройствах пере-
стройки частоты или фазы в СВЧ диапазоне. Выпускаются в
металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип ди-
ода приводится на групповой таре.
Масса диода не более 0,01 г.
ЗА627А, ЗА628А, ЗА629А
Выбод /
V
Выбод 2
Электрические параметры
Постоянное обратное напряжение
при /од, = 10 мкА, не менее:
Т=+25и+100’С................ 55 В
Т=-60’С..................... 45 В
Общая емкость при (/обр = 6 В, = 1 МГц:
ЗА627А................................. 1,4.-2,2 пФ
ЗА628А.............................. 0,9... 1,5 пФ
ЗА629А.............................. 0,6... 1 пФ
ЗА630А.............................. 0,4...0,7 пФ
ЗА631А.............................. 0,3...0,5 пФ
ЗА632А.............................. 0,2...0,35 пФ
Коэффициент перекрытия по емкости
при (/0БР = 0...50 В, 7= 1 МГц, не менее:
ЗА627А................................ 5,6
ЗА628А.............................. 5
ЗА629А.............................. 4,2
ЗА630А.............................. 3,4
ЗА631А.............................. 2,8
ЗА632А.............................. 2,2
Добротность при (/обр = 5 В, 7= 1 ГГц,
не менее:
ЗА627А.............................. 100
ЗА628А.............................. 120
ЗА629А.............................. 180
ЗА630А.............................. 220
ЗА631А.............................. 250
ЗА632А.............................. 270
Индуктивность диода, не более.......... 0,2 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
при Т=+50...+100 ’С................. 55 В
при Г = —60’С....................... 45 В
Постоянный прямой ток:
ЗА627А................................. 80 мА
ЗА628А.............................. 60 мА
ЗА629А.............................. 40 мА
ЗА630А.............................. 35 мА
ЗА631А.............................. 25 мА
ЗА632А.............................. 20 мА
Постоянный обратный ток................ 20 мА
Рассеиваемая мощность:
ЗА627А................................. 100 мВт
ЗА628А.............................. 75 мВт
ЗА629А.............................. 55 мВт
ЗА630А.............................. 45 мВт
ЗА631А.............................. 37 мВт
ЗА632А.............................. 30 мВт
Температура окружающей среды........... —60...+100 ’С
Пайка выводов рекомендуется заземленным паяльником с
температурой не свыше +150 ‘С в течение не более 10 с.
Цепи питания и управления диодов должны обеспечивать
защиту по обратному току.
ЗА634А-6, ЗА634Б-6
Диоды арсенидгаллиевые, диффузионные, мезапланарные,
умножительные. Предназначены для применения в схемах умно-
жения частоты СВЧ диапазона герметизированной аппарату-
ры. Бескорпусные, с контактными площадками, на кристалло-
держателе. Тип диода приводится на этикетке групповой тары.
Масса диода не более 2 мг.
Электрические параметры
Предельная частота при (/0Б₽ = 6 В, не менее:
ЗА634А-6................................ 150 ГГц
ЗА634Б-6............................. 100 ГГц
Постоянный обратный ток, не более:
при (/0БР = 20 В для ЗА634А—б........... 50 мкА
при (/он, = 30 В для ЗА634Б—б........ 50 мкА
Общая емкость при (/0БР = 6 В, /= 1...30 МГц .. 0,6... 1,4 пФ
Емкость конструкционная................. 0,045...
0,066 пФ
Индуктивность диода..................... 0,3...0,5нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
при Т - +25 ’С:
ЗА634А-6....................... 20 В
ЗА634Б-6....................... ЗОВ
при Т - —60 и +85 ‘С:
ЗА634А-6....................... 15 В
ЗА634Б-6....................... 20 В
Рассеиваемая мощность:
при Т = —60...+70 ’С:
ЗА634А-6........................... 0,6 Вт
ЗА634Б-6....................... 1,0 Вт
при Т= +85 ’С:
ЗА634А-6........................... 0,4 Вт
ЗА634Б-6....................... 0,6 Вт
Температура окружающей среды......... —60...+85 ’С
1 В диапазоне температур окружающей среды +70...+85 ’С допустимая
рассеиваемая мощность снижается линейно.
Допустимое значение статического потенциала 100 В.
Монтаж диодов в схеме проводится пайкой к выводам или
микросваркой. Пайка проводится при температуре не более
+180 ’С, время пайки вывода 2 — не более 10 с, вывода 1 —
не более 2 с.
Зависимость емкости диода от на-
пряжения
Зависимости максимально до-
пустимого постоянного напря-
жения от температуры
2А636А, 2А636Б
Диоды кремниевые, мезадиффузионно-эпитаксиальные,
умножительные. Предназначены для применения в схемах умно-
жения частоты СВЧ диапазона. Выпускаются в металлокера-
мическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода приводит-
ся в этикетке. Маркируются цветной полоской на керамиче-
ской втулке: 2А636А — синей, 2А636Б — белой.
Масса диода не более 0,3 г.
2А63ИА.Б)
Электрические параметры
Предельная частота при = 6 В, не менее:
2А636А........................................... 100 ГГц
2А636Б........................................... 150 ГГц
Общая емкость при Уоы> = 6 В:
2А636А............................................... 1,25...2,25 пФ
2А636Б •••••••••••••••••••••••••••••••♦••••••••••в••••••••••••• О,75...1,55 пФ
Емкость корпуса...................................... 0,2...0,3 пФ
Постоянный обратный ток при = 6 В,
не более:
Г= +25’С............................................. 10 мкА
Т=+125’С......................................... 100 мкА
Г =-60’С......................................... 20 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
при Гк = —60...+60 ’С................. 40 В
при Тк = +125 ’С...................... 30 В
Рассеиваемая мощность:
при Гк = —60...+60 ’С:
2А636А................................ 5 Вт
2А636Б............................. 3 Вт
при Гк = +125 *С:
2А636А.............................. 1 Вт
2А636Б........................... 0,7 Вт
Тепловое сопротивление................. 8...18 ’С/Вт
Температура окружающей среды........... —60... Гк =
= +125 ’С
1 При Гк = +60...+125 ’С максимально допустимая рассеиваемая мощность
изменяется линейно.
ЗА637А—6, ЗА637Б-6, ЗА637В-6,
ЗА637Г-6, ЗА637Д-6
Диоды арсенидгаллиевые, эпитаксиальные, с барьером
Шотки, настроечные. Предназначены для применения в устрой-
ствах перестройки частоты или фазы в дециметровом и санти-
метровом диапазонах длин волн герметизированной аппарату-
ры. Бескорпусные, с контактными площадками, на кристалло-
держателе. Тип диода приводится на групповой таре. Анодный
вывод на контактной площадке кристалла, катодный — на
кристаллодержателе.
Масса диода не более 0,1 г.
ЗА637(А-6-Д-6)
Выбод 1
И
Выбод 2
Электрические параметры
Постоянное обратное напряжение
при /0ВР < 10 мкА, не менее........... 27 В
Общая емкость при €/об₽ = 6 В: .
ЗА637А-6............................... 0,16...0,24 пФ
ЗА637Б-6............................ 0,2...0,35 пФ
ЗА637В-6............................ 0.3...0.5 пФ
ЗА637Г-6............................ 0,4-Д7 пФ
ЗА637Д-6............................ 0,6... 1,0 пФ
Коэффициент перекрытия по емкости
при 1/дер = 0...25 В, не менее:
ЗА637А-6.............................. 9,0
ЗА637Б-6........................... 9,5
ЗА637В-6, ЗА637Г-6.................. 10
ЗА637Д-6............................ 11
Добротность при / = 1 ГГц, (/оы> = 6 В,
не менее:
ЗА637А-6............................ 250
ЗА637Б-6............................ 220
ЗА637В-6............................ 200
ЗА637Г-6............................ 170
ЗА637Д-6............................ 150
Индуктивность диода, не более.......... 0,1 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
при Г= +15...+85 ’С.................. 27 В
при 7=—60’С......................... 20 В
Рассеиваемая мощность при Т = —60...+85 ’С:
ЗА637А-6............................... 30 мВт
ЗА637Б-6............................ 35 мВт
ЗА637В-6............................ 40 мВт
ЗА637Г-6............................ 50 мВт
ЗА637Д-6............................ 60 мВт
Температура окружающей среды........... —60...+85 ’С
’ В диапазоне температур окружающей среды — 60.,,+15’С допустимое
обратное напряжение изменяется линейно.
Максимальное обратное напряжение является суммой на-
пряжения постоянного обратного смещения и напряжения,
наводимого от СВЧ мощности.
Допустимое значение статического потенциала 30 В.
Пайка катода проводится заземленным паяльником с тем-
пературой нагрева не более +150’С, время пайки 2...3 с.
Допускается не более 2 паек. Амплитудное значение наводок
между паяльником и электродом диода при пайке не более
0,4 В.
Прижимающее усилие при измерении электрических пара-
метров, монтаже и испытаниях не должно превышать 0,245 Н
(25 г). Прижимающее устоойство должно иметь плоскую по-
верхность диаметром не менее 25 мкм
Зависимости прямого тока от на-
пряжения
Зависимости емкости диода от на- Зависимости добротности от на-
пряжения пряжения
ЗА639А-6, ЗА639Б-6, ЗА639В-6
Диоды арсенидгаллиевые, эпитаксиальные, с барьером
Шотки, настроечные. Предназначены для применения в устрой-
ствах перестройки частоты или фазы в СВЧ диапазоне герме-
тизированной аппаратуры. Бескорпусные, с контактными пло-
щадками, на кристаллодержателе. Тип диода приводится на
групповой таре.
Масса диода не более 2,5 мг.
Электрические параметры
Постоянное обратное напряжение
при /0БР = 10 мкА, не менее:
Т=+15...+85 *С...................... 15 В
Т=-60’С.......................... 12 В
ЗА639(А-6 Б-6.В-6)
Общая емкость при €/06Р = 6 В:
ЗА639А-6.................................. 0,2...0,3 пФ
ЗА639Б-6............................... 0,14...0,26 пФ
ЗА639В-6............................... 0,06...0,14 пФ
Коэффициент перекрытия емкости при
4/обр = 0...10 В, Г = —60...+85 ’С, не менее:
ЗА639А-6, ЗА639Б-6..................... 2,5
ЗА639В-6............................... 1,8
Добротность при 4/0БР = 6 В, /= 1 ГГц,
не менее:
ЗА639А-6............................... 800
ЗА639Б-6............................... 1000
ЗА639В-6............................... 1200
Индуктивность диода....................... 0,163...
0,245 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
при Г= +15...+85 ’С.............. 15 В
при Г=-60’С....................... 12В
Рассеиваемая мощность:
ЗА639А-6............................... 25 мВт
ЗА639Б-6............................ 20 мВт
ЗА639В-6............................ 15 мВт
Рабочий диапазон частот................ 18...65 ГГц
Температура окружающей среды........... —60...+85 ’С
’ В диапазоне температур окружающей среды — 6О...+15’С допустимое
обратное напряжение изменяется линейно.
Максимальное значение обратного тока диода при совмест-
ном воздействии на него постоянного обратного напряжения и
СВЧ мощности не должно превышать 20 мкА.
Допустимое значение статического потенциала 30 В.
Контакт при креплении диода в аппаратуре — прижимной.
Величина прижимного усилия не должна превышать 100 г.
Прижимное устройство должно иметь плоскую параллельную
кристаллодержателю поверхность.
Допускается проводить пайку кристаллодержателя (като-
да) при температуре нагрева не более +200 ’С, время пайки
3...5 с. Допустимое количество перепаек — 1.
Зависимости добротности от иа-
Зависнмости прямого тока от на-
пряжения
пряжения
ЗА641А—5, ЗА641Б-5
Диоды арсенидгаллиевые, эпитаксиальные, с барьером
Шотки, /множительные. Предназначены для применения в схе-
мах умножения частоты СВЧ диапазона герметизированной
аппаратуры. Бескорпусные, с контактными площадками, без
кристаллодержателя. Тип диода приводится на этикетке.
Масса диода не более 1 мг.
Выбод 2
Выбод 1
Электрические параметры
Предельная частота при = 6 В, не менее.. 800 ГГц
Общая емкость при 4/оы> = 0, / = 1 МГц:
ЗА641А-5............................... О,О7...О,15 пФ
ЗА641Б-5............................... 0.05...0,11 пФ
Постоянный обратный ток при 1/дер = 6 В,
не более:
Г =+25'С............................... 1 мкА
Т - —60 и +85 ’С.................. 2 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение
при Г= -60...+85 ’С....................... 12 В
Постоянная ассеиваемая мощность
при X 1,5 см.............................. 60 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
при ?и < 1 мкс, 1000 Гц, X С 1,5 см...... 60 мВт
Нижнее значение входной частоты рабочего
диапазона:
ЗА641А-5............................ 20 ГГц
ЗА641Б-5............................ 30 ГГц
Верхнее значение входной частоты рабочего
диапазона:
ЗА641А-5............................ 50 ГГц
ЗА641Б-5............................ 75 ГГц
Температура окружающей среды........... —60...+85 ’С
Допустимое значение статического потенциала 1 В.
Допускается применение диодов в параметрических усили-
телях и модуляторах.
Основной метод крепления диодов в схеме — пайка со
стороны диода со сплошной металлизацией и термокомпрес-
сия со стороны диода с барьерными контактами.
Пайка диодов должна проводится при температуре не бо-
лее +300 ’С, время пайки не более 10 с. Допускается одно-
кратная пайка.
Сд(Цо5р)/сд(Цобр=0) 1А641/А-5.Б-5) 0.1 < 0.85 \ \ ММГц 0.7 — 0.55 — 0.4 ГТ ~ 0 2 4 6 8 Ообр.В 1пр.нА Ш4М-5.Б-57 / 4 — _4- Г«05Г /1/ / 3 / Л25-С / 2 //~ \ / . </ 1 — — 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 Опр.В Зависимости прямого тока от на- пряжения Зависимость емкости диода от на- пряжения 5А64ЦА-5.Б-5) 3,0 [—7 — 2.5 2.0-1- 1.5-/- 100 2 4 6 Оо6р.В Зависимость предельной частоты от напряжения
4.6. Генераторные диоды
ЗА7ОЗА, ЗА7ОЗБ, АА703А, АА703Б
Диоды арсенидгаллиевые, эпитаксиальные, на эффекте
Ганна, генераторные. Предназначены для применения в гене-
раторах сантиметрового диапазона длин волн. Выпускаются в
металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип ди-
ода приводится на корпусе. Отрицательный вывод — со сто-
роны крышки.
Масса диода не более 0,65 г.
ЗАЮЗ(А.Б). АА703ГА.Б)
Выбод 1
з:
Выбод 2
Электрические параметры
Минимальная непрерывная выходная СВЧ
мощность на одной из частот диапазона
8,24...12,5 ГГц при II- 8,5 В, не менее
ЗА7ОЗА, АА7ОЗА........................... 100 мВт
ЗА7ОЗБ, АА7ОЗБ....................... 20 мВт
Постоянный рабочий ток при и - 8,5 В,
не более:
Г = +25 ’С:
ЗА7ОЗА, АА703А....................... 270 мА
ЗА7ОЗБ, АА703Б.................... 320 мА
Т= -60 ’С:
ЗА703А, АА703А....................... 340 мА
ЗА7ОЗБ, АА7ОЗБ.................... 390 мА
Т= +60 ’С:
ЗА7ОЗА, АА703А....................... 220 мА
ЗА7ОЗБ, АА703Б.................... 270 мА
Сопротивление диода при /ПР = 10 мА...... 3...20 Ом
Индуктивность диода, не более............ 1,7 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение.-................... 8,5 В
Температура корпуса....................... +75 ’С
Температура окружающей среды.............. —60...+60 ’С
Схема и конструкция выводов цепи смещения должны обес-
печивать надежный теплоотвод от положительного вывода
диода, плавную подачу напряжения питания на диод или преду-
сматривать защитную цепь, предохраняющую диод от выбро-
сов напряжения. Пайка выводов не допускается. Рекомендует-
ся цанговое крепление диодов в резонаторе.
Рвыхнин/Рвых.нин(и:8,5В)
Зависимость выходной мощности
от напряжения
Зависимость частоты генерируе-
мых колебаний от напряжения
1А704А, 1А704Б, 1А704В
Диоды германиевые, планарно-диффузионные, лавинно-
пролетные. Предназначены для применения в генераторах в
диапазоне частот 6... 10 ГГц. Выпускаются в металлокерами-
ческом корпусе с жесткими выводами. Тип диода приводится
на групповой таре.
Масса диода не более 0,7 г.
Электрические параметры
Минимальная выходная СВЧ мощность
при рабочем токе 15...50 мА, не менее:
Г =+25 ’С:
1А704А, Г= 6...Б.7 ГГц........................ 10 мВт
1А704Б, Г= 6,7...8,3 ГГц.................. 30 мВт
1А704В, Г= 8.3...10 ГГц................... 20 мВт
1А70ЦА-В)
Выбод 1
Выбод 2
Г =+70 *С:
1А704А....’.............................. 6 мВт
1А704Б................................ 18 мВт
1А704В................................ 12 мВт
Обратное напряжение при рабочем токе
10...15 мА, Т = —60...+25 *С, не более....... 60 В
Общая емкость................................ 0,75...1,07 пФ
Емкость корпуса.............................. 0,23*..0,29* пФ
Индуктивность диода.......................... 0,82*...
1,02* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Рабочий ток при длительном воздействии (не
более 100 ч), Гк = +80 *С............... 0,774
Рабочий ток при кратковременном воздейст-
вии (не более 2 ч), Т= +25 ’С........... 1,44
Температура окружающей среды............ —60...+60 °С
Рабочий ток 4 указывается в паспорте на диод.
Источник питания диода должен быть стабилизированным
источником тока с внутренним сопротивлением более 2 кОм и
емкостью менее 10 пФ. Напряжение на зажимах источника
тока при разрыве цепи питания диода не должно превышать
более чем на 15 В напряжения при замкнутой цепи питания и
установлении на диоде рабочего режима. Пределы регулиро-
вания тока источника 15...50 мА. Максимальный ток диода с
учетом выбросов не должен превышать 1,214 (для 1А704А,
1А704Б) и 1,44 (для 1А704В). В этом режиме допускается
работа диода не более 3 мин.
Не допускается проверка годности диодов с помощью при-
бора, который может задавать прямой ток более 50 мА.
Допускается работа диода в импульсном режиме при токе
в импульсе 4^4 любой длительности и скважности.
Допускается работа диодов 1А704В в диапазоне частот
6...8,3 ГГц, 1А704Б — в диапазоне 6...6,7 ГГц.
Зависимости выходной мощности
от тока
Рщх.нин.мВт
20[----------------------
6000 6800 7600 [.мГц
Зависимости выходной мощности
от частоты
ЗА705А, ЗА705Б, АА705А, АА705Б
Диоды арсенидгаллиевые, эпитаксиальные, на эффекте
Ганна, генераторные. Предназначены для генерирования коле-
баний сантиметрового диапазона длин волн. Выпускаются в
металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип ди-
ода приводится на корпусе. Отрицательный вывод — со сто-
роны крышки.
Масса диода не более 0,65 г.
ЗА705(А,Б). АА705(А.Б)
Выбод 1
Выбод2
Электрические параметры
Минимальная непрерывная выходная
мощность на одной из частот диапазо-
на 5,2...8,2 ГГц при Ц- 10 В, не менее:
ЗА705А, АА705А.................................. 20 мВт
ЗА705Б, АА705Б.............................. 50 мВт
Постоянный рабочий ток при (/= 10 В,
не более:
Т = +25 ’С:
ЗА705А, АА705А....................... 280 мА
ЗА705Б, АА705Б.................... 300 мА
Г= -60 ’С:
ЗА705А, АА7О5А........................ 350 мА
ЗА705Б, АА705Б..................... 370 мА
Г= +60 ’С:
ЗА705А, АА705А........................ 230 мА
ЗА705Б, АА705Б..................... 250 мА
Сопротивление диода при /№ = 10 мА...... 3...15 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение................. 10 В
Рассеиваемая мощность:
при Т = —60 ’С:
ЗА705А, АА705А.................. 3,5 Вт
ЗА705Б, АА705Б.................. 3,7 Вт
при Т = +25 ’С:
ЗА705А, АА705А................... 2,8 Вт
ЗА705Б, АА705Б................... 3 Вт
при Т = +60 ’С:
ЗА705А, АА705А....................... 2,3 Вт
ЗА705Б, АА705Б................... 2,5 Вт
Температура корпуса..................... +70 ’С
Температура окружающей среды............ —60...+60 ’С
Р^и^ов)/ршх, ЮН ' дБ
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
7.5 8.0 8.5 9.0 9,517.3
ДГ.МГц
Зависимость частоты генерируе-
мых колебаний от напряжения
Зависимость выходной мощности
от напряжения
2А706А, 2А706Б, 2А706В, 2А706Г
Диоды кремниевые, мезадиффузионные, лавинно-пролет-
ные, генераторные. Выпускаются в металлокерамическом кор-
пусе с жесткими выводами. Тип диода приводится на возврат-
ной таре. Диоды маркируются цветной точкой на торце выво-
да 2:2А706А — красной, 2А706Б — синей, 2А706В — белой,
2А706Г — черной.
Масса диода не более 0,2 г.
2А 706(А-Г)
Выбод 1
зг
Выбод2
Электрические параметры
Минимальная непрерывная выходная мощ-
ность при /Р лпд ~ 30...60 мА в рабочем диа-
пазоне частот, не менее:
2А706А, 2А706Б......................... 100 мВт
2А706В, 2А706Г......................... 50 мВт
Рабочий диапазон частот:
2А706А, 2А706Б......................... 8,5... 10 ГГц
2А706В, 2А706Г......................... 10... 11,5 ГГц
Рабочее напряжение....................... 70*... 120* В
Спектральная плотность шума в полосе 1 Гц
на расстоянии 1 кГц от несущей:
при амплитудной модуляции.............. 130* дБ
при частотной модуляции................ 80* дБ
Коэффициент полезного действия........... 3,5*...6*%
Общая емкость............................ 0,4*...0,6* пФ
Емкость перехода......................... 0,2*...0,6* пФ
Индуктивность диода...................... 0,2*...0,5* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный рабочий ток:
при Гк = +25 'С..................... /Р
при Гк = —60 ’С..................... 1,2/р
при Гк =+70’С....................... 0,7/Р
Тепловое сопротивление переход—корпус 25...50 ’С/Вт
Температура перехода................... +200 ’С
Температура окружающей среды.............. —60... Тк =
= +70 ’С
При эксплуатации приборов должен обеспечиваться на-
дежный тепловой контакт по боковой поверхности вывода 2.
Тепловое сопротивление вывод 2— корпус резонатора не бо-
лее 1 ’С/Вт. Разрешается пайка вывода 1 при температуре не
свыше +150 ’С в течение 5 с.
Питание диода разрешается только от источника с вну-
тренним сопротивлением не менее 2 кОм. Источник питания
диода не должен давать даже кратковременных (порядка еди-
ниц микросекунд) выбросов тока, превышающих рабочее зна-
чение более чем на 20%, и должен иметь защиту от разрыва
по цепи питания диода с временем срабатывания не более
0,2 мкс.
Значение рабочего тока диода указывается на индивиду-
альной таре.
Запрещается работа диодов в импульсном режиме.
Зависимость выходной мощности
от тока
Зависимости выходной мощности
от частоты
АА707А, АА707Б, АА707В, АА707Г,
АА707Д, АА707Е, АА707Ж, АА707И,
АА707К
Диоды арсенидгаллиевые, с барьером Шотки, лавинно-
пролетные, генераторные. Предназначены для применения в
генераторах и усилителях в диапазоне длин волн 2...3 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается в талоне. Маркируются цвет-
ной точкой на торце минусового вывода: АА707А — красной,
АА707Б — белой, АА707В — черной, АА707Г — синей,
АА707Д — зеленой, АА707Е — желтой, АА707Ж — коричне-
вой, АА707И — голубой, АА707К — бежевой.
Масса диода не более 0,1 г.
АА7О7(А-К)
Выбод!
Выбод?
Выбод 1
Выбод 2
0,5
2
Электрические параметры
Минимальная непрерывная выходная мощ-
ность в рабочем диапазоне частот:
АА707А при (/0БР = Б5...85 В....................... 0,5... 1* Вт
АА707Б при Цжр = 60...80 В..................... 0,5... 1* Вт
АА7О7В при (/о», = 50...70 В................... 0.5...1* Вт
АА707Г, АА7О7Д при (/0Бр = 35...60 В........... 0,2...0,4* Вт
АА707Е при (/обр = 33...50 В................... 0,1...0,3* Вт
АА707Ж при (/обр = 65...85 В................... 0,2...0,3* Вт
АА707И при (/0БР = 60...80 В................... 0,2...0,3* Вт
АА707К при (/обр = 50...70 В................... 0,2...0,3* Вт
Рабочий диапазон частот:
АА707А, АА707Ж..................................... 8,3...9,2 ГГц
АА7О7Б, АА707И.......................... 9,2... 10,3 ГГц
АА707В, АА707К.......................... 10,3... 11,5 ГГц
АА7О7Г.................................. 12,4...13,7 ГГц
АА707Д.................................. 13,7...15,1 ГГц
АА707Е.................................. 15,1... 16,7 ГГц
Пробивное напряжение при /0БР = 1 мА:
Г= +25 ’С:
АА707А, АА707Ж......................... 55...70 В
АА707Б, АА707И...................... 50...65 В
АА7О7В, АА707К...................... 40...50 В
АА707Г, АА707Д...................... 30...50 В
АА7О7Е.............................. 25...42В
Г= +85 ’С:
АА707А, АА707Ж......................... 55...85 В
АА707Б, АА707И...................... 50...75 В
АА7О7В, АА7О7К.......-.............. 40...65 В
АА707Г, АА707Д...................... 20...60 В
АА7О7Е.............................. 20...42 В
Г= -60 ’С:
АА707А, АА7О7Ж......................... 45...70 В
АА707Б, АА7О7И...................... 40...65 В
АА707В, АА707К...................... 30...55 В
АА707Г, АА707Д...................... 20...50 В
АА707Е.............................. 20...42 В
Постоянный рабочий ток:
АА707А при (/об₽ = Б5...85 В............... 50... 100 мА
АА707Б при (/обР = 60...80 В............ 60... 120 мА
АА7О7В при 4/оы, = 50... 70 В........... 70... 140 мА
АА707Г при 1/оы, = 35...60 В............ 60... 140 мА
АА7О7Д при (/о» = 35...60 В............. 70...140 мА
АА707Е при 4/об₽ = 33...50 В............ 70... 140 мА
АА707Ж при (/0Б₽ = 65...85 В............ 20...45 мА
АА707И при 6/0БР = 60...80 В............ 25...50 мА
АА707К при С/оы» = 50...70 В............ 25...60 мА
Коэффициент полезного действия:
АА7О7А, АА707Б, АА707В..................... 7*...14*%
АА707Г, АА707Д.......................... 5*... 10*%
АА707Е.................................. 4*...8*%
АА707Ж, АА7О7И, АА7О7К.............. 10*...14*%
Общая емкость:
АА707А, АА707Б, АА707В..................... 0,8*...1,4* пФ
АА707Г, АА707Д, АА707Е................... 0,65*...1,1* пФ
АА707Ж, АА7О7И, АА707К.............. 0,55*...0,8* пФ
Емкость корпуса............................ 0,4* пФ
Индуктивность диода........................ 0,3* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный рабочий ток.................. /₽
Температура перехода...................... +225 ’С
Температура окружающей среды............. —60... Гк =
= +85 ’С
Значение постоянного рабочего тока указывается в инди-
видуальном талоне.
Тепловое сопротивление переход—корпус для АА707А,
АА707Б, АА707В 15...25 ’С/Вт, для АА707Г, АА707Д, АА707Е
28...45 ’С/Вт, для АА707Ж, АА7О7И, АА7О7К 30...60 ’С/Вт.
Тепловое сопротивление корпус—резонатор со стороны отри-
цательного электрода должно быть не более 1,5 ’С/Вт.
Диоды должны применяться с источником питания с вну-
тренним дифференциальным сопротивлением более 3 кОм и
емкостью не более 50 пФ.
При работе диодов в генераторах и усилителях питание
рекомендуют подавать через фильтр низких частот, в состав
которого включен стабилизирующий резистор сопротивлени-
ем 200 Ом (или 200...400 Ом с параллельно включенным дрос-
селем). Емкость фильтра не должна превышать 5 пФ.
Зависимость выходной Зависимость выходной Зависимость выходной
мощности от тока
мощности от тока
мощности от тока
Рвых нн. Вт
1р/!р (Решит -0.19Вт)
Зависимость выходной мощности
от тока
Рщх /Рвых(Тк *+25К)
Зависимость выходной мощности
от температуры корпуса
2А709А, 2А709Б, 2А709В
Диоды кремниевые, мезадиффузионные, лавинно-пролет-
ные, генераторные. Предназначены для применения в генера-
торах сантиметрового диапазона длин волн. Выпускаются в
металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип ди-
ода приводится на индивидуальной таре. Маркируются цвет-
ной полоской на торце вывода 2: 2А709 — красной, 2А709Б —
белой, 2А709В — черной. Положительный вывод — со сторо-
ны крышки.
Масса диода не более 0,2 г.
2Д 709(4-6)
Выбод 1
V
Выбод 2
Электрические параметры
Минимальная непрерывная выходная мощ-
ность в рабочем диапазоне частот при но-
минальном рабочем токе.................. 500 мВт
Рабочий диапазон частот:
2А709А............................... 8,3—9 ГГц
2А709Б............................... 9-9,7 ГГц
2А709В............................... 9,7-10,5 ГГц
Постоянное рабочее напряжение........... 70... 130 В
Постоянный рабочий ток.................. 70... 120 мА
Тепловое сопротивление переход—корпус... 16...22 ’С/Вт
Общая емкость при С/обр - %роб.......... 0,7...0,9 пФ
Емкость корпуса......................... 0,4...0,6 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный рабочий ток:
при Гк = —60...+25 ’С..................... /р
при Гк = +70 ’С....................... 0,74/р
Постоянный рабочий ток при кратковремен-
ном воздействии (не более 10 с) с интерва-
лом не менее 5 мин....................... 1,24
Температура перехода..................... 200 ’С
Температура окружающей среды............. —60... 7*к =
= +70 ’С
1 При Гк = +25...+70 *С максимально допустимый постоянный рабочий ток
рассчитывается по формуле
4 = 4.иакс(200 - Г^/175.
Разрешается пайка вывода 1, при этом температура выво-
да не должна превышать +150 ’С в течение 5 с.
Значение рабочего тока диода указывается на индивиду-
альной таре.
АА715А, АА715Б, АА715В, АА715Г,
АА715Д, АА715Е, АА715Ж, АА715И,
АА715К, АА715Л, АА715М
Диоды арсенидгаллиевые, мезаэпитаксиальные, на эффек-
те Ганна, генераторные. Предназначены для применения в ге-
нераторах сантиметрового диапазона длин волн. Выпускаются
в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип
диода приводится на групповой таре.
Масса диода не более 0,15 г.
АА715(А-М)
Выбод 1
V
Выбод 2
Электрические параметры
Минимальная непрерывная выходная
мощность в рабочем диапазоне частот
при и= 9,5 В:
АА715А, АА715В, АА715Е, АА715К......... 100...240* мВт
АА715Б, АА715Г, АА715Ж, АА715Л......... 200...360* мВт
АА715Д, АА715И, АА715М................. 300...500* мВт
Рабочий диапазон частот:
АА715А, АА715Б........................... 8...9,5 ГГц
АА715В, АА715Г, АА715Д................. 9...10.5 ГГц
АА715Е, АА715Ж, АА715И................. 10...11.5 ГГц
АА715К, АА715Л, АА715М................. 11...12,5 ГГц
Рабочий ток при и = 9,5 В:
АА715А, АА715В, АА715Е, АА715К........... 0,5*... 1,2 А
АА715Б, АА715Г, АА715Ж, АА715Л......... 0,5*... 1,3 А
АА715Д, АА715И, АА715М................. 0,5*... 1,5 А
Сопротивление диода при / = 10 ± 1 мА:
7" =+25 °С................................ 0,6...2,5 Ом
Г=+85’С............................... 0.6...3 Ом
Г=-60°С............................... 0,2...2,5 Ом
Коэффициент полезного действия, не менее .. 1,5%
Емкость корпуса, не более................. 0,5 пФ
Индуктивность диода, не более............. 0,5 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение.................... 9,5 В
Температура корпуса (отрицательный вывод) . +85 °С
Температура структуры.................... 200 ’С
Температура окружающей среды............. —6С...- 70’С
Нестабильность источника напряжения не должна превы-
шать ±2%.
Величина сжимающей силы не более Т9,6 Н (2 кгс).
Зона возможных положений зави-
симости прямого тока от напряже-
ния
Зона возможных положений зави-
симости выходной мощности от
температуры
АА716А, АА716Б, АА716В, АА716Г,
АА716Д, АА716Е, АА716Ж, АА716И
Диоды арсенидгаллиевые, мезаэпитаксиальные, на эффек-
те Ганна, генераторные. Предназначены для применения в ге-
нераторах и усилителях сантиметрового диапазона длин волн.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода приводится на групповой таре. Положи-
тельный вывод — со стороны крышки.
Масса диода не более 0,166 г.
АА7Ш-И)
Выбод 1
37
Выбод 2
Электрические параметры
Минимальная непрерывная выходная мощ-
ность в режиме генерации в рабочем диа-
пазоне частот при I] - 6,3 В:
АА716А, АА716В, АА716Д, АА716Ж,
не менее............................... 150 мВт
АА716Б, АА716Г, АА716Е, АА716И......... 250...280*...
320* мВт
Непрерывная выходная мощность в режиме
генерации на одной из рабочих частот при
и= 6,3 В для АА716Б, АА716Г, АА716Е,
АА716И.................................... 300*..320*..
350* мВт
Минимальная непрерывная выходная мощ-
ность в режиме усиления при Рт = 125 мВт,
и= 6,3 В для АА716Б, АА716Г, АА716Е,
АА716И.................................... 350*...400*...
475* мВт
Рабочий диапазон частот:
АА716А, АА716Б............................ 18...20 ГГц
АА716В, АА716Г......................... 20...22 ГГц
АА716Д, АА716Е......................... 22...24 ГГц
АА716Ж, АА716И......................... 22...25,86 ГГц
Рабочий ток при (/= 6,3 В................. 0,9*... 1,5*...
2 А
Сопротивление диода при /= 10 мА,
Т=-60...+70 ’С............................ 0,29...0,45*...
0,9 Ом
Емкость корпуса........................... 0,35*...0,4*...
0,5* пФ
Индуктивность диода, не более............. 0,5* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение..................... 6,4 В
Температура корпуса....................... +85 ’С
Температура окружающей среды.............. —60...+70 ’С
Величина сжимающей силы не более 19,6 Н (2 кгс).
Для сохранения минимального значения выходной мощ-
ности на заданном уровне допускается уменьшение постоян-
ного напряжения до 4 В.
Зона возможных положений зави-
симости прямого тока от напряже-
ния
Зависимость выходной мощности
от температуры
Зависимость выходной мощности
от температуры
2А717А-4, 2А717Б-4,
2А717В-4, 2А717Г-4
Диоды кремниевые, мезадиффузионные, лавинно-пролет-
ные, генераторные. Предназначены для применения в генера-
торах миллиметрового диапазона длин волн герметизирован-
ной аппаратуры. Бескорпусные, на кристаллодержателе, с
жесткими выводами. Тип диода приводится на индивидуальной
таре.
Масса диода не более 0,5 г.
Электрические параметры
Минимальная непрерывная выходная мощ-
ность в рабочем диапазоне частот при но-
минальном рабочем токе:
2А717А—4, 2А717 Б-4..................... 50 мВт
2А717В-4, 2А717Г-4.................. 100 мВт
2Д7/7М-4 - Г-47
Рабочий диапазон частот:
2А717А-4, 2А717Б-4....................... 31...37.5 ГГц
2А717В-4, 2А717Г-4................... 37.5...52 ГГц
Постоянное рабочее напряжение:
2А717А—4, 2А717Б—4 ...................... 25...40 В
2А717В-4, 2А717Г-4................... 20...35 В
Постоянный рабочий ток.................. 80...250 мА
Общая емкость диода при = 10 В.......... 0,2... 1,0 пФ
Емкость изолятора*, типовое значение.... 0,15 пФ
Индуктивность диода*, типовое значение.. 0,12 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный рабочий ток’:
при Гк = —60...+25 ‘С.............. /Р
при Тк =+70’С....................... 0,74
Постоянный рабочий ток при кратковремен-
ном воздействии не более 30 с с интервалом
не менее 5 мин:
Тк =-60...+25 ’С.................... 1,14
Тк =+70’С1 2 * 4.................... 0,84
Температура перехода................... +200 ’С
Температура окружающей среды........... —60... Тк =
= +70 ’С
1 Значение рабочего тока диода указывается в индивидуальной этикетке.
2 В диапазоне температур корпуса +25...+70 ’С постоянный рабочий ток
рассчитывается по формуле
4 = 4 н*кс(200 - Гк)/17э.
Пайка (сварка) выводов не допускается.
Диаметр верхнего прижимного устройства не менее 0,5 мм.
Прижимное усилие не более 50 гс.
Зависимость КПД от рабочего тока
настроенного на максимум выход-
ной мощности генератора
Зависимость выходной мощности
от рабочего тока настроенного на
максимум выходной мощности ге-
нератора
АА718А, АА718Б, АА718В, АА718Г,
АА718Д, АА718Е, АА718Ж, АА718И
Диоды арсенидгаллиевые, мезаэпитаксиальные, генератор-
ные. Предназначены для применения в генераторах сантиме-
трового диапазона длин волн. Выпускаются в металлокера-
мическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода приводит-
ся на групповой таре. Положительный вывод — со стороны
крышки.
Масса диода не более 0,1 г.
Электрические параметры
Минимальная непрерывная выходная мощ-
ность в рабочем диапазоне частот, не менее:
АА718А при 4/= 5,5 В...................... 25 мВт
АА718Б, АА718В при 4/= 5 В................ 25 мВт
АА718Г, АА718Д, АА718Е, АА718Ж,
АА718И при и = 4 В......................... 25 мВт
Рабочий диапазон частот:
АА718А........................................ 17.44...20 ГГц
АА718Б..................................... 2О...23ГГц
АА718В..................................... 23...26 ГТц
АА718Г..................................... 26...29,2 ГГц
АА718Д..................................... 29...32,2 ГГц
АА718Е..................................... 32...35,2ГГц
АА718Ж..................................... 35...37.5 ГГц
АА718И..................................... 37,3...40^5 ГГц
АА718(А-И),АА719А.АА720А.
АА 735А.АА 727(А-Г).АА 728(А-Г)
Выбод 1
V
Выбод 2
Постоянный рабочий ток, не более:
АА718А при (/= 5,5 В................... 1А
АА718Б, АА718В при С/= 5 В........... 1А
АА718Г, АА718Д, АА718Е, АА718Ж,
АА718И при (/=4 В..........—......... 1,2 А
Сопротивление диода при /= 10 ± 1 мА:
Г =+25 ’С:
АА718А, АА718Б, АА718В.............. 0.4...5 Ом
АА718Г, АА718Д, АА718Е, АА718Ж,
АА718И........................~.. 0.5...4 Ом
7 = +70 ’С:
АА718А, АА718Б, АА718В.............. 0.4...6 Ом
АА718Г, АА718Д, АА718Е, АА718Ж,
АА718И........................... 0,5.„4 Ом
7 = -60 ’С:
АА718А, АА718Б, АА718В.............. 0,3—5 Ом
АА718Г, АА718Д, АА718Е, АА718Ж,
АА718И........................... 0,5...4 Ом
Емкость корпуса, не более.............. 0,5 пФ
Индуктивность диода, не более.......... 0,35 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение:
АА718А.............................. 5,7 В
АА718Б, АА718В....................... 5,2 В
АА718Г, АА718Д, АА718Е, АА718Ж,
АА718И.............................. 4 В
Температура корпуса..................... +85 ’С
Температура окружающей среды............ —60...+70 ’С
Величина сжимающей силы не более 19,6 Н (2 кгс).
Нестабильность источника напряжения не должна превы-
шать ±2%.
Зона возможных положений зави-
симости прямого ток от напряже-
ния
АА719А, АА720А, АА733А
Диоды арсенидгаллиевые, мезаэпитаксиальные, на эффек-
те Ганна, генераторные. Предназначены для применения в ге-
нераторах миллиметрового и сантиметрового диапазонов длин
волн. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жестки-
ми выводами. Тип диода приводится на групповой таре. Поло-
жительный вывод — со стороны крышки.
Масса диода не более 0,15 г.
Электрические параметры
Минимальная непрерывная выходная мощ-
ность в рабочем диапазоне частот:
при Г= +25 ’С:
АА719А при (/ = 5 В..................... 10...15*...
25* мВт
АА720А при и - 4 В, не менее.......... 10 мВт
АА733А при У = 6,3 В................ 25...50*...
90* мВт
при Т - —30 и +60 ‘С:
АА719А при и = 5 В, не менее.......... 5 мВт
АА720А при (/= 4 В, не менее.......... 5 мВт
АА733А при (/ = 6,3 В, не менее....... 12 мВт
Рабочий диапазон частот:
АА719А.................................... 17,44...25,9 ГГц
АА720А.................................. 25.86...39.6 ГГц
АА733А.................................... 17,44...
25,95 ГГц
Выбод 1
57
Выбод 2
Постоянный рабочий ток: АА719А при и= 5 В 0,25* ..0,45*
АА720А при и= 4 В 1 А 0,3*..0,7*..
АА733А при и= 6,3 В 1,3 А 0,3*...0,7*...
1,2 А
Сопротивление диода при /= 1...10 мА:
Г= —60...+25 ’С:
АА719А....................................... 0,4... 1,2*...
5 Ом
АА720А................................... 0,32...0,9*...
3,8 Ом
АА733А................................... 0,4...1*...5 Ом
Г= +70 ’С:
АА719А....................................... 0,4...6 Ом
АА720А................................... 0.32...5 Ом
АА733А................................... 0,4...6 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение:
АА719А............................ 5,2 В
АА720А............................. 4,2 В
АА733А............................. 6,4 В
Рассеиваемая мощность:
АА719А, АА720А........................ 6,5 Вт
АА733А............................. 7 Вт
Температура корпуса................... +85 ’С
Температура окружающей среды.......... —60...+70 ’С
Величина сжимающей силы не более 9,8 Н (1 кгс).
Зависимости тока
от напряжения
Рбых.нВт
Зависимости выходной
мощности от частоты
Рбых.нВт
Зависимости выходной
мощности от частоты
АА721А, АА722А, АА723А, АА724А
Диоды арсенидгаллиевые, мезаэпитаксиальные, на эффек-
те Ганна, генераторные. Предназначены для применения в ге-
нераторах сантиметрового диапазона длин волн. Выпускаются
в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип
диода приводится на групповой таре. Отрицательный вывод —
со стороны крышки.
Масса диода не более 0,15 г.
Электрические параметры
Минимальная непрерывная выходная
мощность в рабочем диапазоне частот
при Т= -30...+60 ’С:
АА721А, (/= 9... 12 В..................... 10... 15* мВт
АА722А, и = 8... 11 В..................... 10... 15* мВт
АА723А, и= 7...9 В........................ 10...15* мВт
АА724А, У = 5...7 В..................... 10...15* мВт
Рабочий диапазон частот:
АА721А.................................... 3,86...5,96 ГГц
АА722А.................................... 5,6...8,24 ГГц
АА723А.................................... 8,15...12,42 ГГц
АА724А.................................... 11,71...
17,85 ГГц
Постоянный рабочий ток:
АА721А при (/= 9...12 В........................ 200*...370 мА
АА722А при и = 8... 11 В.................. 200*...370 мА
АА723А при и = 7...9 В.................... 190*...400 мА
АА724А при (/= 5...7 В.................... 250*...420 мА
ДД 721 А. А А 722А. Д А725Д, ДД 724Д
Вывод 1
I
I
Вывод 2
Сопротивление диода при / = 10 ± 0,2 мА:
7 = +25 ’С:
АА721А, АА722А.................... 3...15 Ом
АА723А............................. 2,5... 11 Ом
АА724А............................. 1,5—10 Ом
7 = +70 ’С:
АА721А, АА722А....................... 3...18 Ом
АА723А............................. 2.5...13 Ом
АА724А............................. 1.5...12 Ом
7= -60 ’С:
АА721А, АА722А....................... 1,5... 15 Ом
АА723А............................. 1,4... 11 Ом
АА724А............................. 0.7...10 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение при 7 = —60
АА721А
АА722А......................
АА723А......................
АА724А......................
Рассеиваемая мощность при 7 = —60
Температура корпуса............
Температура окружающей среды...
+85 ’С
+85 'С
12,5 В
11,5В
9,5 В
7,5 В
6,5 Вт
+85’С
-60...+70 ’С
Величина сжимающей силы не более 9,8 Н (1 кгс).
При монтаже и эксплуатации диодов применять специаль-
ные меры по защите от статического электричества не требу-
ется.
АА725А, АА725Б, АА725В,
АА725Г, АА725Д, АА725Е
Диоды арсенидгаллиевые, мезаэпитаксиальные, на эффек-
те Ганна, генераторные. Предназначены для применения в ге-
нераторах сантиметрового диапазона длин волн. Выпускаются
в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип
диода приводится на групповой таре. Положительный вывод —
со стороны крышки.
Масса диода не более 0,15 г.
ДД 725(Ь-Е)
Выбод 1
57
Выбод 2
Электрические параметры
Минимальная непрерывная выходная
мощность в рабочем диапазоне частот
при и~ 11 В:
АА725А, АА725Б, АА725В.................. 200...250*...
300* мВт
АА725Г, АА725Д, АА725Е.................. 300...330*...
440* мВт
Непрерывная выходная мощность на одной
из частот рабочего диапазона при и = 11 В:
АА725А, АА725Б, АА725В.................. 300*...400*...
500* мВт
АА725Г, АА725Д, АА725Е.................. 500*...560*...
650* мВт
Рабочий диапазон частот:
АА725А, АА725Г............................. 5...6 ГГц
АА725Б, АА725Д.......................... 6...7 ГГц
АА725В, АА725Е.......................... 7...8,25 ГГц
Постоянный рабочий ток при и = 11 В:
АА725А, АА725Б, АА725В..................
АА725Г, АА725Д, АА725Е.............
Сопротивление диода при /= 10 мА:
7=+25 ’С................................
7=+70 ’С.............................
7= -60 ’С............................
Емкость корпуса, не более...............
Индуктивность диода при 10 ГГц,
не более................................
0,8*...1,3*...
1,5* А
0,8*... 1,4*...
2 А
0,6... 1,4*...
3 Ом
0.7...3.5 Ом
0,3...2,8 Ом
0,45 пФ
0,25 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение.................... 1,2 В
Температура корпуса...................... +85 ’С
Температура окружающей среды............. —60...+70 ’С
Допускается работа диода при напряжениях питания ниже
номинального.
АА726А, АА726Б, АА726В,
АА726Г, АА726Д
Диоды арсенидгаллиевые, мезаэпитаксиальные, на эффек-
те Ганна, генераторные. Предназначены для применения в ге-
нераторах на длине волны 2 см. Выпускаются в металлокера-
мическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода приводит-
ся на групповой таре. Положительный вывод — со стороны
крышки.
Масса диода не более 0,15 г.
Электрические параметры
Минимальная непрерывная выходная
мощность в рабочем диапазоне частот
при и = 8 В:
АА726А, АА726Б, АА726В.................. 100... 150*...
200* мВт
АА726Г, АА726Д......................... 200...250*...
300* мВт
АА726А.АА726Б.АА726В.
АА726Г.АА726Д
Выбод 1
57
Выбод 2
Непрерывная выходная мощность на одной
из частот рабочего диапазона при и = 8 В:
АА726А, АА726Б, АА726В...................... 200* ..300*...
400* мВт
АА726Г, АА726Д.........................' 400*...520*...
600* мВт
Рабочий диапазон частот:
АА726А, АА726Г ...;......................... 12,05...13,5 ГГц
АА726Б, АА726Д.......................... 13,5... 15 ГГц
АА726В.................................. 15... 16,7 ГГц
Постоянный рабочий ток при и - 8 В......... 0,8... 1,4*...2 А
Сопротивление диода при /=10 мА:
7=+25'С................................. О,З...О,8*...
2,5 Ом
7=+70’С................................. 0,4...3 Ом
7=-60’С................................. 0,2...2,4 Ом
Емкость корпуса, не более.................. 0,45 пФ
Индуктивность диода при /= 9,2 ГГц,
не более................................... 0,25 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение................. 8,5 В
Рассеиваемая мощность:
при 7"=+25’С.......................... 17 Вт
при 7=+70’С........................ 15 Вт
при 7=-60’С........................ 20 Вт
Температура корпуса................... +85 ’С
Температура окружающей среды.......... —60...+70 ’С
Зависимости тока от напряжения
1.А
АА727А, АА727Б, АА727В, АА727Г
Диоды арсенидгаллиевые, мезаэпитаксиальные, на эффек-
те Ганна, генераторные. Предназначены для применения в ге-
нераторах миллиметрового диапазона длин волн. Выпускают-
ся в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип
диода приводится на групповой таре. Положительный вывод —
со стороны крышки.
Масса диода не более 0,13 г.
Выбод 1
57
Выбод 2
Электрические параметры
Минимальная непрерывная выходная мощ-
ность в рабочем диапазоне частот:
АА727А при (/= 3...4 В..._............. 75...1ОО*...
140* мВт
АА727Б при и - 3...4 В....................... 50...75*...
90* мВт
АА727В при и - 2,5...3,5 В................... 50...75...
90* мВт
АА727Г при У = 2,4...3,1 В................... 25...50*...
80* мВт
Непрерывная выходная мощность на одной
из частот рабочего диапазона:
АА727А при (/= 3...4 В....................... 100... 120* ..
150* мВт
АА727Б при и = 3...4 В....................... 75...90*...
100* мВт
АА727В при (/= 2,5...3,5 В................... 75...100*...
120* мВт
АА727Г при У = 2,4...3,1 В................... 50...100*...
120* мВт
Рабочий диапазон частот:
АА727А, АА727Б................................... 37.5...42 ГГц
АА727В....................................... 42...47 ГГц
АА727Г....................................... 47...53 э7 ГГц
Постоянный рабочий ток:
АА727А при У = 3...4 В..................... 0,7*... 1,1*...
1,7 А
АА727Б при У = 3...4 В....................... О,5*...О,7*...
1,5 А
АА727В при У = 2,5...3,5 В................... 0,5*...0,8*...
1,5 А
АА727Г при (/ = 2,4...3,1 В.................. 0,5*...0,9*...
1,5 А
Коэффициент полезного действия:
АА727А, АА727В................................... 0,5*...2*...
3,5*%
АА727Б....................................... 0,9*...2*...4*%
АА727Г....................................... 0,3*...2*...3*%
Сопротивление диода при /= 10 мА,
Г= -60...+70 ’С:
АА727А....................................... 0,3...0,8*...
1,6 Ом
АА727Б, АА727Г....................................... 0,3...0,6*...
2Ом
АА727В....................................... 0,3...0,8*...
2Ом
Емкость корпуса, не более........................ 0,5 пФ
Индуктивность диода при /= 6 ГГц,
не более......................................... 0,35 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение
АА727А, АА727Б.................... 4,2 В
АА727В............................. 3,6 В
АА727Г............................. 3,2 В
Температура корпуса................... +85 'С
Температура окружающей среды.......... —60...+70 ’С
АА728А, АА728Б, АА728В, АА728Г
Диоды арсенидгаллиевые, мезаэпитаксиальные, на эффек-
те Ганна, генераторные. Предназначены для применения в ге-
нераторах сантиметрового и миллиметрового диапазонов длин
волн. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жестки-
ми выводами. Тил диода приводится на групповой таре. Поло-
жительный вывод — со стороны крышки.
Масса диода не более 0,1 г.
Электрические параметры
Минимальная непрерывная выходная мощность в рабочем
диапазоне частот при и = 3...4,5 В:
АА728А, АА728Б, АА728В:
7=+25'С.................................. 50...60*...
80* мВт
7=+70’С.................................. 20...30*...
85* мВт
7 =-60'С................................ 5О...7О*...
100* мВт
АА728Г при 7= +25 'С.......................... 25...35* ..
50* мВт
Непрерывная выходная мощность на одной из частот
рабочего диапазона:
при 7=+25’С................................ 100*..120*..
160* мВт
при 7=+70’С............................. 35*...5О*...
70* мВт
при 7=-60’С............................. 110*... 120*...
140* мВт
Рабочий диапазон частот:
АА728А..................................... 25.86...29.3 ГГц
АА728Б.................................. 29...33,33 ГГц
АА728В.................................. 33...37.5 ГГц
АА728Г.................................. 25,86...37,5 ГГц
Постоянный рабочий ток при (/= 3—4,5 В...... 0,75*...1,0...
1,5 А
Сопротивление диода при /= 10 мА............ 0,3...0,63...
1,5 Ом
Емкость корпуса, не более................... 0,5 пФ
Индуктивность диода, не более............... 0,35 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение....................... 5 В
Температура корпуса......................... +85 ’С
Температура окружающей среды................ —60...+70 ’С
Зависимости тока от напряжения
ЗА730А, ЗА730Б, ЗА730В, ЗА73ОГ,
ЗА730Д, ЗА730Е, ЗА730Ж, ЗА730И
Диоды арсенидгаллиевые, эпитаксиальные, с барьером
Шотки, лавинно-пролетные, генераторные. Предназначены для
применения в генераторах и усилителях сантиметрового диапа-
зона длин волн. Выпускаются в металлокерамическом корпусе
с жесткими выводами. Тип диода приводится на групповой
378
таре. На диоды наносят маркировку — цветную точку: жел-
тую — ЗА730А, голубую — ЗА730Б, коричневую — ЗА730В,
красную — ЗА730Г, белую — ЗА73ОД, черную — ЗА730Ж,
зеленую — ЗА730И. Маркировка наносится на торце минусо-
вого вывода.
Масса диода не более 0,2 г.
ЗА730(А.Б.В,ГЛЕЛИ)
Электрические параметры
Минимальная непрерывная выходная мощ-
ность в режиме генерации в рабочем диа-
пазоне частот при /Р':
ЗА730А, ЗА730Б, ЗА73ОВ.................... 1,5 Вт
ЗА730Г, ЗА730Е, ЗА730И................. 0,5 Вт
ЗА730Д, ЗА73ОЖ......................... 1,0 Вт
Рабочий диапазон частот:
ЗА730А.................................... 8...9,2Пц
ЗА730Б................................. 9,2... 10,3 ГГц
ЗА73ОВ................................. 10,3...11,5 ГГц
’ Значение рабочего тока /Р каждого диода указывается в индивидуальной
этикетке при Гк = +85 ’С.
ЗА730Г, ЗА73ОД......................... 11,5—13,5 ГГц
ЗА7 ЗОЕ, 3А7 ЗОЖ....................... 13,5... 15 ГГц
ЗА73ОИ................................. 15—16,6 ГГц
Постоянный рабочий ток:
ЗА730А, ЗА73ОБ, ЗА730В..................... 0,17—0,3 А
ЗА730Г, ЗА73ОЕ......................... 0,12—0,2 А
ЗА730Д, ЗА730Ж......................... 0,15...0,22 А
ЗА730И................................. 0,14...0,22 А
Постоянное рабочее напряжение:
ЗА730А..................................... 65...Э5 В
ЗА730Б................................. 60...85 В
ЗА730В................................. 5О...7ОВ
ЗА730Г, ЗА730Д, ЗА730Е, ЗА730Ж......... 35...80 В
ЗА730И................................. 33...75 В
Емкость перехода:
ЗА73ОА, ЗА730Б, ЗА730В..................... 0,8... 1,2 пФ
ЗА730Г, ЗА730Д, ЗА730Е, ЗА730Ж,
ЗА730И................................. 0,3.„0,9 пФ
Емкость корпуса*, типовое значение......... 0,55 пФ
Индуктивность диода*, типовое значение 0,2 нГн
Тепловое сопротивление переход—корпус:
ЗА730А, ЗА730Б, ЗА730В..................... 7... 13 ’С/Вт
ЗА730Г, ЗА730Е, ЗА730И................. 12...18 ’С/Вт
ЗА730Д, ЗА730Ж......................... 11...15’С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Пробивное напряжение при /да = 1 мА:
ЗА730А..................................... 55...80 В
ЗА73ОБ................................. 50...70 В
ЗА730В................................. 40...55 В
ЗА73ОГ, ЗА730Е......................... 30...50 В
ЗА730Д................................. 35...50 В
ЗА730Ж................................. 30...45 В
ЗА73ОИ................................. 28...42 В
Температура перехода....................... +225 ’С
Температура окружающей среды............... —60...+85 ’С
Диоды устойчивы к электрическому воздействию тока до
1,24.
Допустимое значение статического потенциала 30 В.
Допускается кратковременная, не более двух часов экс-
плуатация диода при токе 1,3/р.
Пайка (сварка) плюсового вывода проводится при темпе-
ратуре не более +170 ’С в течение 1 мин.
360
Р&ых.Вт Ъых1Т«)/р6ых(т1(..И-0
Зависимость выходной мощности
от частоты
Зависимость выходной мощности
от температуры корпуса
Зависимость выходной мощности
от тока
Рбых.Вт
Зависимость выходной мощности
от тока
ЗА735А-6, ЗА735Б-6, ЗА735В-6,
ЗА735Г-6, ЗА735Д-6
Диоды арсенидгаллиевые, мезаэпитаксиальные, на эффек-
те Ганна, генераторные. Предназначены для применения в ге-
нераторах сантиметрового диапазона длин волн герметизиро-
ванной аппаратуры. Бескорпусные, с контактными площадка-
ми, на кристаллодержателе. Тип диода приводится на группо-
вой таре.
Масса диода не более 0,1 г.
Электрические параметры
Минимальная непрерывная выходная мощ-
ность в режиме генерации в рабочем диа-
пазоне частот:
Т= -60...-30 ’С для ЗА735А-6,
ЗА735Б-6, ЗА735В-6, ЗА735Г-6...... 15 мВт
ЗА735(А-6.Б-6.В-6.Г-6.Д-6)
Выбод 1
Выбод 2
Т= -60...0 ’С для ЗА735Д-6............ 10 мВт
7 = -30...-70 ’С для ЗА735А-6,
ЗА735Б-6, ЗА735В-6, ЗА735Г-6.......... 25 мВт
7= +25 X для ЗА735Д-6................. 20 мВт
7= 0...+15’С для ЗА735Д—6............. 10 мВт
Рабочий диапазон частот:
ЗА735А-6..................... ........... 4...4,5 ГГц
ЗА735Б—б.............................. 5,3...8,5 ГГц
ЗА735В-6.............................. 8... 12,5 ГГц
ЗА735Г-6.............................. 11,7—18,5 ГГц
ЗА735Д—б.............................. 8,15.-17,85 ГГц
Постоянный рабочий ток при 7= +70...—60 ’С,
не более:
4/„р = 1? В для ЗА735А—б................... 0,6...0,7 А
и№ = 12 В для ЗА735Б—б..................... 0,6...0,7 А
и№ = 10,2 В для ЗА735В-6................... 0.7...0.8 А
(/„₽ = 8,2 В для ЗА735Г-6.................. 0,7...0,8 А
(/п₽ = 10,2 В для ЗА735Д-6................. 0,7...0,8 А
Сопротивление диода при /= 10 мА:
7 = —60’С:
ЗА735А-6..................................... 1,4,..Ю0м
ЗА735Б—6.......................——....... 1Д..8 Ом
ЗА735В—6....................... 1Д..6 Ом
ЗА735Г-6.....................
ЗА735Д-6.....................
7=+25 ’С:
0.6...5 Ом
0.5...6 Ом
ЗА735А-6
••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••а
2... 10 Ом
ЗА735Б—6......................... 1,8... 8 Ом
ЗА735В—6......................... 1Д...6 Ом
ЗА735Г-6......................... 1...5 Ом
ЗА735Д—6......................... 1...6 Ом
Индуктивность диода...........„........ 0,21...0,42 нГн
Емкость конструкции.................... 0,042...
0,052 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение:
ЗА735А-6............................ 13,3 В
ЗА735Б—6......................... 12,3 В
ЗА735В-6, ЗА735Д-6.................. 10,5 В
ЗА735Г-6............................ 8,5 В
Температура кристаллодержателя......... +85’С
Температура окружающей среды............. —60...+70 ’С
Монтаж диодов производится методом прижима или пай-
кой. Прижимающее усилие к контактной площадке не более
150 г. Температура пайки к кристаллодержателю не более
+160 ’С. Время пайки не более 5 с, количество перепаек не
более 2.
Защита диодов от статического электричества не требу-
ется.
При 7 = —60...0 ’С работоспособность диода обеспечива-
ется термостабилизацией температуры кристаллодержателя на
уровне не менее +10 ’С.
Значение рабочего тока указывается на индивидуальной
таре.
Зависимости выходной мощности Зависимости выходной мощности
от частоты от частоты
ЗА739А, ЗА739Б, ЗА739В
Диоды арсенидгаллиевые, эпитаксиальные, лавинно-про-
летные, с барьером Шотки, генераторные. Предназначены для
применения в генераторах сантиметрового диапазона длин волн.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода приводится в групповой таре. Диоды мар-
кируются цветной полосой: ЗА739А — красной, ЗА739Б —
желтой, ЗА739В — голубой. Положительный вывод — со сто-
роны крышки.
Масса диода не более 1 г.
ЗА739(А-В)
Выбод 1
Выбод 2
Электрические параметры
Минимальная непрерывная выходная мощ-
ность в режиме генерации в рабочем диа-
пазоне частот, не менее.............. 4 Вт
Рабочий диапазон частот:
ЗА739А...................................... 8...9,2 ГГц
ЗА739Б.................................. 9,2... 10,3 ГГц
ЗА739В.................................. 10,3... 11,5 ГГц
Постоянный рабочий ток:
ЗА739А.................................. 0,25...0,4 А
ЗА739Б.................................. 0,3...0,45 А
ЗА739В.................................. 0,35...0,55 А
Рабочее напряжение:
ЗА739А.................................. 60...80В
ЗА739Б.................................. 50...65 В
ЗА739В.................................. 40...55 В
Емкость перехода............................ 1...2 пФ
Емкость корпуса*, типовое значение.......... 0,7 пФ
Индуктивность диода*, типовое значение...... 0,2 нГн
Тепловое сопротивление переход—корпус 6... 10 ’С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный рабочий ток при 7К = +85 ’С’. 4
Температура корпуса..................... —60...+85 ’С
1 Значение рабочего тока 4 каждого диода указывается в индивидуальной
этикетке.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В.
Монтаж диодов в схемы производится методом пайки (свар-
ки) или прижимом. Температура пайки выводов не более
+170 ’С, в течение не более 1 мин. Количество перепаек не
более 3. Воздействие сжимающей силы, направленной вдоль
оси, не более 3 кгс.
Зависимость выходной мощности
от частоты
Зависимость выходной мощности Зависимость выходной мощности
от частоты
от частоты
Зависимость выходной мощности Зависимость выходной мощности
от тока от температуры
ЧАСТЬ, ТРЕТЬЯ
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ
ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ
Раздел пятый
Излучающие диоды ИК диапазона
ЗЛ1ОЗА, ЗЛ1ОЗБ, АЛ ЮЗА, АЛ103Б
Диоды излучающие, арсенидгаллиевые, эпитаксиальные,
бескорпусные. Предназначены для работы в качестве источни-
ков излучения в ближнем ИК диапазоне. Тип диода приводит-
ся на вкладыше, помещаемом вместе с диодом в упаковку.
Масса диода не более 0,1 г.
ЗЛЮЗ(А.Б), АЛЮЗ(А.Б)
Электрические и излучательные параметры
Мощность излучения при /ПР = 50 мА,
ЗЛ ЮЗА, АЛ ЮЗА.......................... 1 мВт
ЗЛЮЗБ, АЛЮЗБ......................... 0,6 мВт
Длина волны излучения в максимуме спек-
тральной характеристики, типовое значение... 0,95 мкм
Ширина спектра излучения................ 10...50 нм
Время нарастания импульса излучения..... 200...300 нс
Время спада импульса излучения.......... 500 нс
Постоянное прямое напряжение
при /пр = 50 мА, не более............... 1,6 В
Предельные эксплуатационные данные
Обратное импульсное напряжение........... 2 В
Постоянный прямой ток.................... 52 мА
Температура окружающей среды:
' ЗЛ1ОЗА, ЗЛ1ОЗБ........................ -60...+85 ’С
АЛ ЮЗА, АЛ 103Б....................... -40...+85 ’С
Зона возможных положений зави-
симости мощности излучения от
длины волны
Зона возможных положений зави-
симости мощности излучения от
длины волны
Зона возможных положений зави-
симости мощности излучения от
длины волны
Зона возможных положений зави-
симости мощности излучения от
тока
АЛ106А, АЛ106Б, АЛ 106В
Диоды излучающие, арсенидгаллиевые, мезаэпитаксиаль-
ные. Предназначены для работы в качестве источников ИК
излучения. Выпускаются в металлопластмассовом корпусе.
Масса диода не более 0,5 г.
АЛЮб(А-В)
Электрические и излучательные параметры
Мощность излучения при 4» = 100 мА,
не менее:
АЛ106А........................
0,2 мВт
АЛ106Б.............................. 0,4 мВт
АЛ 106В............................. 0,6 мВт
Длина волны излучения в максимуме спек-
тральной плотности при 4» = Ю0 мА, типо-
вое значение........................ 0,92...
0,935 мкм
Угол излучения (на уровне 0,5)......... 25*
Время нарастания импульса излучения (между
уровнями 0,9 и 0,1).................... 10 нс
Время спада импульса излучения (между
уровнями 0,9 и 0,1).................... 20 нс
Постоянное прямое напряжение
при /ПР = 100 мА, не более:
Т>+25*С............................. 1,7 В
Т=-60’С............................. 1,9 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток:
при Т- +25 *С......................... 120 мА
при Г = +85 и —60 *С................. 100 В
Температура окружающей среды............ —60...+85 *С
Зона возможных положений вольт-
ампериой характеристики
Р/РШХМ .№>[)
Зоны возможных положений зави-
симости мощности излучения от
тока
Зависимости мощности излучения
от длины волны
Зависимость прямого тока от тем-
пературы
Диаграмма направленности излуче-
ния (1, 2 — возможные положения
оси диаграммы направленности)
ЗЛ107А, ЗЛ107Б, АЛ 107А, АЛ107Б
Диоды излучающие, арсенидгаллиевые, мезаэпитаксиаль-
ные. Предназначены для работы в качестве источников ИК
излучения. Конструктивно оформлены в пластмассовом кор-
пусе. Маркируются: ЗЛ107А — одной полоской, ЗЛ107Б —
двумя полосками, АЛ 107А — одной точкой, АЛ107Б — двумя
точками.
Масса диода не более 0,2 г.
Электрические и излучательные параметры
Мощность излучения1 при Т < +25 ’С,
/пр = 100 мА, не менее:
ЗЛ107А, АЛ107А...................... 6 мВт •
ЗЛ107Б, АЛ107Б...................... 10 мВт
Импульсная мощность излучения при
41? и = 0,8 А, 4 = 50 мкс, не менее:
' ЗЛ107А............................. 30 мВт
ЗЛ107Б.............................. 50 мВт
Ддрна волны излучения в максимуме спек-
тральной плотности при /ПР = Ю0 мА..... 0,9... 12 мкм
Постоянное прямое напряжение
при /ПР = 100 мА, не более:
7>+25’С............................. 2 В
7=-60’С............................. 2,5В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток:
при Г < +35 ’С.................... 100 мА
при Г = +85 ’С.................... 80 мА
Импульсный прямой ток при < 50 мкс,
О = 20 для ЗЛ107А, ЗЛ107Б:
7 <+35’С.......................... 0,8 мА
7=+85’С........................... 0,65 мА
Температура окружающей среды......... —60...+85 ’С
1 При Т = +85 ’С мощность излучения снижается не более, чем в 2 раза.
392
Диаграмма направленнос'ги излуче-
ния (/— 3 — возможные положения
оси диаграммы направленности)
Зависимости мощности излучения
от длины волны
ЗЛ1О7(А,Б) —И
АЛ107(А.Б) 60 —Ц-
40 — 1 -
Цо№.В-8-6-4-2О У
I м-гл
1обр,мкА
Зона возможных положений вольт-
амперной характеристики
Зависимость допустимого прямого
тока от температуры
1лРИНАКС-А
Г I Н111111
0.8
0.6
0.4
НИИ
ЗЛ107(А.Б)
ГIII ш
11111111
ИНИН
11111!
’0 20 50 100200 5ОО7цМКС
Зависимость допустимого импульс-
ного прямого тока от длительности
импульса
Зависимости допустимого импульс-
ного прямого тока от скважности
ЗЛ108А, АЛ108А
Диоды излучающие, арсенидгаллиевые, эпитаксиальные.
Предназначены для работы в качестве источника ИК излуче-
ния. Выпускаются в пластмассовом корпусе. Маркируются бе-
лой точкой.
Масса диода не более 0,15 г.
ЗЛ108А.АЛ108А
Электрические и излучательные параметры
Мощность излучения при /пр =100 мА,
не менее................................ 1,5 мВт
Длина волны излучения в максимуме спек-
тральной плотности при /ПР =100 мА, типо-
вое значение............................ 0,94 мкм
Температурный коэффициент положения ма-
ксимума спектра......................... 2,3 нм/'С
Ширина спектра излучения при Т +85 ’С .... 35...70 нм
Время нарастания импульса излучения..... 0,4...2,4 мкс
Время спада импульса излучения.......... 1...2 мкс
Постоянное прямое напряжение
при /ПР = 100 мА, не более.............. 1,35 В
Прямое импульсное напряжение при /ПР>И = 4 А 2,5...3,2 В
Дифференциальное сопротивление
при /пр. н ~ 0»5 А, не более............ 1 Ом
Общая емкость диода..................... 100...400 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение.......... 2 В
Постоянный прямой ток................... 110 мА
Импульсный прямой ток при С 20 мкс...... 4 А
Температура окружающей среды............ —60...+85 ’С
Пределы изменения
положения максимума
0.50М0.20.10
Зависимость мощности излучения
от длины волны
Диаграмма направленности излуче-
ния (7, 2 — возможные положения
оси диаграммы направленности)
0.012 6600.12 6601Г.МГц
Зона возможных положений зави-
симости мощности излучения от
импульсного тока
Зависимость мощности излучения
от частоты
Зона возможных положений зави-
симости прямого напряжения от
температуры
Зона возможных положений зави-
симости мощности излучения от
температуры
ЗЛ109А-1, АЛ109А-1
Диоды излучающие, арсенидгаллиевые, эпитаксиальные,
бескорпусные с гибкими выводами. Предназначены для ис-
пользования в оптоэлектронных гибридных микросхемах, име-
ющих герметичный корпус. Тип диода приводится на этикетке.
Масса диода не более 0,06 г.
АША-1. ЗША-1
Электрические и излучательные параметры
Мощность излучения при /пр = 20 мА,
не менее.............................................. 0,’2 мВт
Длина волны излучения в максимуме спек-
тральной плотности при /ПР = 20 мА, типо-
вое значение •••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••• 0,93 мкм
Постоянное прямое напряжение
при /пр = 20 мА, не более............................. 1,2 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток................... 22 мА
Температура окружающей среды............ —60...+80 °С
Диаграмма направленности излу-
чения
р/р
1/1 нвк
Зона возможных положений зави-
симости мощности излучения от
прямого тока
0.5
О
0.8
0 9 Л.МКМ
Зависимость мощности излучения
от длины волны
ЗЛ115А, АЛ115А
Диоды излучающие, арсенидгаллиевые, мезаэпитаксиаль-
ные. Предназначены для работы в качестве источников ИК
излучения. Выпускаются в защитной пластмассовой оболочке.
Тип диода приводится на групповой таре. Положительный вы-
вод отмечается белой точкой.
Масса диода 0,2 г.
ЗЛ115А, АЛ115А
Электрические и излучательные параметры
Мощность излучения при /пр = 50 мА,
не менее............................... 10 мВт
Длина волны излучения в максимуме спек-
тральной плотности при 41Р = 50 мА, около .... 0,95 мкм
Ширина спектра излучения при /ПР = 50 мА,
не более................................ 0,05 мкм
Ширина диаграммы направленности, не более 90°
Коэффициент полезного действия, не менее .. 10%
Время нарастания импульса излучения,
не более................................. 300 нс
Вре.*я спада импульса излучения, не более.... 500 нс
Постоянное прямое напряжение
при /пр = 50 мА, не более............... 2 В
Дифференциальное сопротивление
при /пр = 50 мА, не более............... 3 Ом
Постоянный обратный ток при 4/оы> = 4 В,
не более................................. 100 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение........... 4 В
Постоянный прямой ток.................... 50 мА
Рассеиваемая мощность.................... 100 мВт
Температура окружающей среды:
ЗЛ115А................................... —60...+85 °С
АЛ115А................................ —40...+85 °С
Зона возможных положений зави-
симости вольт-амперной характе-
ристики
Зона возможных положений зави-
симости мощности излучения тока
от тока
Диаграмма направленности излуче-
ния
Зависимости мощности излучения
от длины волны
ЗЛ118А, АЛ118А
Диоды излучающие, арсенидгаллиевые, импульсные, меза-
эпитаксиальные. Предназначены для использования в аппара-
туре в качестве источников ИК излучения. Выпускаются в пласт-
массовом корпусе Диоды ЗЛ118А маркируются черным обод-
ком на корпусе. Черная точка на корпусе ставится со стороны
анодного вывода.
Масса не более 0,2 г.
Электрические и излучательные параметры
Мощность излучения при /ПР = 50 мА,
не менее................................... 2 мВт
Импульсная мощность излучения при
/ПР1И = 500 мА, 4, = 50 мкс, не менее...... 10 мВт
Длина волны излучения в максимуме спек-
тральной плотности:
ЗЛ118А................................. 0,91...0,95 мкм
АЛ118А................................. 0,9... 1 мкм
Ширина спектра излучения................... 0,04 мкм
Время нарастания импульса излучения,
не более................................... 100 нс
Время спада импульса излучения, не более.... 150 нс
Постоянное прямое напряжение
при /пр = 50 мА, не более.................. 1,7 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение........ 1 В
Постоянный прямой ток................. 50 мА
Импульсный прямой ток при 4, = 50 мкс,
0= 20:
Г^+35'С............................... 500 мА
Г=+85’С............................ 350 мА
Температура окружающей среды:
ЗЛ118А................................. —60...+85 ’С
АЛ118А............................. —40...+85 ’С
Диаграмма направленности излуче-
ния
Зона возможных положений зави-
симости мощности излучения от
температуры
Зависимости мощности излучения
от длины волны
Зависимости мощности излучения
от тока
1лг,нА
0.5
0.4
0.3
0.2
Т=-6Т..*ЗУС
3/1118А
'А/111(ЗА~
-♦Й5Г|—
1*50нс
_1___1_
0,,0 10 20 30 40 О
Зависимости импульсного прямого Зона возможных положений зави-
тока от скважности симости импульсного прямого тока
от импульсного прямого напряже-
ния
ЗЛ119А, ЗЛ119Б, АЛ119А, АЛ119Б
Диоды излучающие, арсенидгаллиевые, мезаэпитаксиаль-
ные. Предназначены для использования в аппаратуре в качест-
ве источников ИК излучения. Выпускаются в металлостеклян-
ном корпусе. Тип диода приводится на групповой таре.
Масса не более 0,3 г.
3/1119(А.Б) А/1119(А.Б)
Электрод?
Электрические и излучательные параметры
Мощность излучения при /„> = 300 мА,
не менее............................. 40 мВт
Длина волны излучения в максимуме спек-
тральной плотности.......................... 0,93...0,96 мкм
Время нарастания импульса излучения,
МА ПЛЛАА*
ЗЛ119А, АЛ119А.......................... 1000 нс
ЗЛ119Б, АЛ119Б.......................... 350 нс
Время спада импульса излучения, не более.... 1500 нс
Постоянное прямое напряжение
при /ПР = 300 мА, не более.................. 3 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток:
при Т < +35 ’С.......................... 300 мА
при Т = +85 ’С....................... 200 мА
Температура окружающей среды............ —60...+85 ’С
Р.мВт
Зона возможных положений зави-
симости мощности излучения от
тока
Зона возможных положений зави-
симости мощности излучения от
температуры
Зона возможных положений зави-
симости изменения длины волны
излучения в максимуме спектраль-
ной плотности от температуры
Зависимость допустимого прямого
тока от температуры
Зона возможных положений зави-
симости прямого тока от напряже-
ния
ДЦпр/Цпр. О//°
Зона возможных положений зави-
симости напряжения от темпера-
туры
ЗЛ120А, ЗЛ120Б, АЛ120А, АЛ 120Б
Диоды излучающие, эпитаксиальные, на основе твердых
растворов арсенида галлий—алюминия. Предназначены для
использования в качестве источников ИК излучения в системах
передачи информации. Выпускаются в пластмассовом корпу-
се. Тип диода приводится на корпусе.
Масса диода не более 0,2 г.
3/1120(А.Б).А/1120(А.Б)
Электрические и излучательные параметры
Мощность излучения при 4,₽ = 50 мА,
не менее:
ЗЛ120А, АЛ120А........................... 0,8 мВт
ЗЛ120Б, АЛ120Б....................... 1,0 мВт
Длина волны максимума излучения, не более. 0,88 мкм
Время нарастания и спада импульса излуче-
ния, при /пр = 50 мА, не более:
ЗЛ120А, АЛ120А......................... 10 нс
ЗЛ120Б, АЛ120Б......................... 20 нс
Постоянное прямое напряжение
при /ПР = 50 мА, не более.................. 2 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное (импульсное) обратное напряже-
ние..................................... 1 В
Постоянный прямой ток................... 55 мА
Температура окружающей среды............ —60...+85 °С
ЗЛ123А, АЛ123А
Диоды излучающие, арсенидгаллиевые, мезаэпитаксиаль-
ные. Предназначены для использования в качестве источников
ИК излучения в системах передачи информации. Выпускаются
в металлостеклянном корпусе. Тип диода приводится на кор-
пусе.
Масса диода не более 0,3 г.
Электрические и излучательные параметры
Импульсная мощность излучения:
пРи 41р. и ~ 1 А, - 20 мс, 0= 3, не менее 30 мВт
при 4р и = 10 А, /и = 20 мс, О = 250,
7=+25’С....................................... 500...700*...
950* мВт
Длина волны максимума излучения*
при 41р,и я Ю А............................... 0,92...0,94...
0,96 мкм
Угол излучения*............................... 120’... 160’...
180’
Время нарастания импульса излучения
при 41р.и = 1 А, Ги = 5 мс, 7 = 1000 Гц....... 240*...326*...
350 нс
Время спада импульса излучения
при 41р И = 1 А, 4< = 5 мс, 7 = 1000 Гц....... 320*...440*...
500 нс
Постоянное прямое напряжение
при /др = 300 мА:
7=+25’С....................................... 1,3*...1,5*...2 В
7 = +85 и —60 ’С, не более................ 2 В
ЗЛ123А
А/1123А
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение...... 2 В
Постоянный прямой ток:
-60’С С ГС+35’С.................. 400 мА
Г=+85’С’......................... 300 мА
Импульсный прямой ток при Ги < 20 мкс,
250:
—60’С С ГС+35’С.................. 10 А
Г=+85’С.......................... 7 А
Температура окружающей среды........ —60...+85 ’С
' В диапазоне температур окружающей среды +35...+85 ’С постоянный и
импульсный прямые токи снижаются линейно.
Зона возможных положений зави-
симости относительной мощности
излучения от постоянного прямо-
го тока
Зона возможных положений зави-
симости относительной мощности
излучения от импульсного прямо-
го тока
Зона возможных положений зави-
симости импульсного прямого то-
ка от напряжения
Зависимость максимальной дли-
тельности импульса от амплиту-
ды импульсного прямого тока
Зависимость максимального сред-
него прямого тока от амплитуды
импульсного прямого тока
.МКМ
МША АЛША
-60 ЛО^20 20 1Л 60 Ют/С
Зависимость длины волны максимума излучения от температуры
ЗЛ124А, АЛ124А
Диоды излучающие, эпитаксиальные, на основе твердых
растворов арсенида галлий—алюминия. Предназначены для
использования в качестве источников ИК излучения в системах
передачи информации по открытым и волоконно-оптическим
линиям связи. Выпускаются в металлостеклянном корпусе. Тип
диода приводится на корпусе.
Масса диода не более 0,3 г.
ША, А/1124А
Электрические и излучательные параметры
Мощность излучения при /ПР = 100 мА....... 4...5,6*...
8,4* мВт
Импульсная мощность излучения* при
и ~ 1 А, 41Р.СР ~ 35 мА, " 15 мкс,
не менее...................................... 30 мВт
Длина волны максимума излучения
при /рр = 100 мА.............................. 0,84...0,86...
0,9 мкм
Ширина спектра излучения на уровне 0,5*
при /рр = 100 мА.............................. 0,02...0,03...
0,06 мкм
Время нарастания импульса излучения
при = 100 мА, <и = 100 нс..................... 8*...12*...2О нс
Время спада импульса излучения
при « 100 мА, в 100 нс........................ 7*...8*...2О нс
Постоянное прямое напряжение
при 4* = 100 мА:
7=+25’С.........’......................... 1,4*..1,6*..2 В
Т - +85 ’С не более....................... 2 В
Т - —60 ’С, не более...................... 3 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное (импульсное) обратное напряже-
ние................................... 2 В
Постоянный прямой ток:
V* “ I «•••••••••«•••••••••••••••••••••••• I IV МН
7=85’С’..................................... 70 мА
Импульсный прямой ток при 4м>,ср < 35 мА,
/*и = 15 мкс:
-60’С € 7<+35’С............................. 1А
7 = +85 ’С’................................. 0,7 А
Температура окружающей среды.................... —60...+85 ’С
1 В диапазоне температур окружающей среды +35...+85 ’С постоянный и
импульсный прямые токи снижаются линейно.
Зона возможных положений зави-
симости длины волны максимума
спектра излучения от постоянного
прямого тока
Зона возможных положений зави-
симости относительной мощности
излучения от импульсного прямо-
го тока
Зависимость максимального сред-
него прямого тока от амплитуды
импульса прямого тока
Зависимость максимального им-
пульсного тока от длительности
импульса
ЗЛ129А
Диод излучающий, на основе арсенида галлий—алюми-
ния, мезаэпитаксиальный. Предназначен для использования в
качестве источников непрерывного или импульсного ИК излу-
чения. Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выво-
дами. Длинный вывод соответствует положительной полярно-
сти подаваемого напряжения.
Масса диода не более 0,2 г.
Электрические и излучательные параметры
Мощность излучения при = 50 мА,
не менее................................. 1,3 мВт
Импульсная мощность излучения при
/пр, и - 200 мА, /и < 32 мкс, О > 4 не менее .... 5 мВт.
Длина волны излучения в максимуме спек-
тральной плотности при 41р = 50 мА:
не менее.............................. 0,8 мкм
не более.............................. 0,9 мкм
Время нарастания (спада) излучения при
/пр, и = 200 мА, /и € 32 мс, О > 4, не более. 10 нс
Постоянное прямое напряжение
при = 50 мА, не более...................... 2 В
Предельные эксплуатационные данные
Импульсный прямой ток:
при Т С +35 ’С........................ 300 мА
при 7=+85’С’....................... 250 мА
Постоянный прямой ток:
при Г +35 ’С.......................... 100 мА
при Г = +85 ’С..................... 50 мА
Температура окружающей среды.......... —60...+85 ’С
’ В диапазоне температур +35...+85 *С 4> макс и 4н> и макс снижаются ли-
нейно.
Зона возможных положений зависи-
мости мощности излучения от темпе-
ратуры
Зона возможных по*
ложеннй зависимости
мощности излучения
от тока
Зона возможных поло*
женин зависимости пря-
мого тока от напряже-
ния
Зависимость мощности
излучения от длины
волны
ЗЛ130А
Диод излучающий, эпитаксиальный, на основе твердого
расплава арсенида галлия—фосфида индия. Предназначен для
использования в качестве источников ИК излучения в системах
передачи информации. Выпускается в металлическом корпусе.
Тип диода приводится на корпусе.
Масса диода не более 7 г.
+
Электрические и излучательные параметры
Мощность излучения при 4п> = 3 А, не менее.. 350 мВт
Длина волны максимума излучения
при /ПР = 3 А, не более.................. 0,95 мкм
Время нарастания и спада импульса излучения
при /ПР = 3 А, не более.................. 1500 нс
Постоянное прямое напряжение при /ПР = 3 А,
не более.................................. ЗВ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное (импульсное) обратное напряже-
ние................................... 1 В
Постоянный прямой ток:
-60 ’С $ 73+35 ’С..................... ЗА
7=+85’С’........................... 2 А
Температура окружающей среды.......... —60...+85 ’С
1 В диапазоне температур окружающей среды +35...+85°С постоянный
прямой ток снижается линейно.
ЗЛ132А, АЛ132А
Диоды излучающие, эпитаксиальные, на основе твердого
расплава арсенида галлия—фосфида индия. Предназначены
для использования в качестве источников ИК излучения в све-
товодных системах связи и передачи информации. Выпуска-
ются в металлическом корпусе. Тип диода приводится на кор-
пусе.
Масса диода не более 5 г.
Мощность излучения при /ПР = 50 мА............. 10... 19*...
75* мкВт
Длина волны максимума излучения*
при /ПР = 50 А................................. 1.2...1.27...
1,35 мкм
Время нарастания импульса излучения
при /ПР = 100 А................................ 4*...8*...2О нс
Время спада импульса излучения
при /п₽ = 100 А................................ 4*...9*...2О нс
Постоянное прямое напряжение:
при /ПР = 50 мА:
Г=+25’С.................................... 0,91*..1,3*...
2 В
Т = —60 ’С, не более..................... 3 В
при /ПР = 20 мА, Т = +85 ’С, не более...... 2 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное (импульсное) обратное напряже-
ние.................................. 1 В
Постоянный прямой ток:
-60 ’С < 74 +35 ’С................. 50 мА
Т=+85’С............................ 20 мА
Импульсный прямой ток при /Пр.ср = Ю мА,
4, = 15 мкс:
-60 ’С < 74 +35 ’С................. 1А
Г=+85’С’........................... 0,4 А
Температура окружающей среды.......... —60...+85 ’С
' В диапазоне температур окружающей среды +35...+85 ’С постоянный и
импульсный прямые токи снижаются линейно.
Зона возможных положений зави-
симости постоянного прямого тока
от напряжения
Зона возможных положений зави-
симости относительной мощности
излучения от постоянного прямо-
го тока
Зависимость длины волны ма-
ксимума спектра от температуры
ЗЛ135А
Диод излучающий, эпитаксиальный, на основе твердого
расплава арсенида галлия—фосфида индия. Предназначен для
использования в качестве источников ИК излучения в свето-
водных системах связи и передачи информации. Выпускается
в металлическом корпусе.
Масса диода не более 5 г.
Электрические и излучательные параметры
Мощность излучения при /ПР = 100 мА,
не менее..................................................... 0,15 мВт
Длина волны максимума излучения
при /№ = 100 мА.............................................. 0,82...0,9 мкм
Время нарастания и спада импульса излучения
при 4м> ~ Ю0 мА, не более ••••••«••••••••••••••••••••••а* 20 нс
Постоянное прямое напряжение
при - 100 мА, не более....................................... 2 В
ЗЛ135А
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное (импульсное) обратное напряже-
ние.................................... 2 В
Постоянный прямой ток:
-60 °С < 74+35 °С..................... 100 мА
Г=+85’С’............................ 40 мА
Температура окружающей среды........... —60...+85 ’С
1 В диапазоне температур окружающей среды +35...+85 *С постоянный
прямой ток снижается линейно.
ЗЛ136А-5, АЛ136А-5
Диоды излучающие, планарные,
эпитаксиальные, на основе гетеро-
структуры арсенида галлий—алюми-
ния, бескорпусные с контактными
площадками. Предназначены для ис-
пользования в качестве источников
ИК излучения в герметизируемых
волоконно-оптических линиях пере-
дачи информации. Тип диода при-
водится на вкладыше, помещаемом
в упаковке.
Масса диода не более 0,03 г.
ЗЛ136А-5. А/1136А-5
1—М 2
Электрические и излучательные параметры
Мощность излучения при 4»> = 50 мА,
не менее................................... 0,6 мВт
типовое значение........................ 0,8* мВт
Длина волны максимума излучения
при /ПР = 50 мА............................ 810...830...
850 нм
Время нарастания и спада импульса излучения
при /лр - 50 мА, не более.................. 14 нс
типовое значение........................ 12* нс
Время задержки при включении и выключении •
при /ПР = 50 мА, не более.................. 8 нс
типовое значение........................ 4* нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное (пиковое импульсное) обратное
напряжение 5 В
Постоянный (средний) прямой ток:
—60 С Т + 36 С •••••••••••••••••••••••••<•••••••»• 60 мА
7 = +70 ’С’ 30 мА
Импульсный прямой ток при 7И = 20 нс:
—60 ’С < 7 < +35 ’С 80 мА
7= +70 ’С’ 40 мА
Средняя рассеиваемая мощность:
-60 ’С < 7< +35 'С 120 мВт
7= +70 ’С’ 60 мВт
Температура окружающей среды —60...+70 ’С
1 В диапазоне температур окружающей среды +35...+70 ’С постоянный
(средний), импульсный прямые токи и средняя рассеиваемая мощность снижа-
ются линейно.
3/И36А-5
АЛ136А-5
90"
IПРИМАК ,мА
Зона возможных положений зави-
симости постоянного прямого тока
от напряжения
Зависимость максимального прямо-
го тока от длительности импульса
Зависимость относительной мощ-
ности излучения от постоянного
прямого тока
Спектр излучения
ЗЛ137А, АЛ137А
Диоды излучающие, эпитаксиальные, на основе твердых
растворов арсенида галлий—алюминия. Предназначены для
использования в качестве источников ИК излучения в волокон-
нооптических линиях передачи информации. Выпускаются
14-373 417
в металлостеклянном корпусе. Тип диода приводится на кор*
пусе.
Масса диода не более 0,5 г.
ЗЛ137А. АЛ137А
Электрические и излучательные параметры
Мощность излучения при /ПР = 50 мА,
не менее........................................ 0,5 мВт
Длина волны максимума излучения*
при /ПР = 50 мА................................. 0,8...0,82...
0,9 мкм
Время нарастания импульса излучения
при /пр = 50 мА................................. 3*...6*...7 нс
Время спада импульса излучения
при 41₽ = 50 мА................................. 3*...6*...7 нс
Время задержки импульса излучения
при включении при = 50 мА....................... 1*...4*...8 нс
Постоянное прямое напряжение:
при> /лр = 50 мА:
Г =+25’С.................................... 1,4*..1,9*..
2,4 В
Г = —60 ’С, не более.................... 3 В
при /ПР = 30 мА, Т = +70 ’С не более........ 2,5 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное (импульсное) обратное напряже-
ние................................ 5 В
Постоянный (средний) прямой ток:
-6О’С< +35’С.................. 60 мА
Т=+70’С......................... 30 мА
' В диапазоне температур окружающей среды +35...+70 ’С постоянный
(средний) прямой ток снижается линейно.
Импульсный прямой ток при Ти < 20 нс:
-6О’С< 74+35’С................... 80 мА
Г=+70’С......................... 50 мА
Средняя рассеиваемая мощность:
-60’С < 74+35’С.................... 120 мВт
Г=+70°С*........................ 60 мВт
Температура окружающей среды........ —60...+70 ’С
1 В диапазоне температур окружающей среды +35...+70 °С импульсный
прямой ток и средняя рассеиваемая мощность снижаются линейно.
Зона возможных положений зави-
симости постоянного прямого тока
от напряжения
Р(Л)
шие=о)
Диаграмма направленности излу-
чения
Зависимость относительной мощ-
ности излучения от постоянного
прямого тока
Зависимость максимального по-
стоянного прямого тока от тем-
пературы
ЗЛ138А
Диод излучающий, эпитаксиальный, на основе твердых рас-
творов арсенида галлий—алюминия. Предназначен для ис-
пользования в качестве источников ИК излучения в волокон-
нооптических линиях передачи информации. Выпускается в
металлостеклянном корпусе.
Масса диода не более 0,5 г.
ЗЛ138А
Электрические и излучательные параметры
Мощность излучения при /ПР = 50 мА,
не менее................................. 0,4 мВт
Длина волны максимума излучения
при 4н> = 50 мА, не более,.............. 0,81 мкм
Время нарастания и спада импульса излучения
при 4м» = 50 мА, не более............... 5 нс
Постоянное прямое напряжение
при 4р = 50 мА, не более................. 2,4 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное (импульсное) обратное напряже-
ние................................... 5 В
Постоянный (средний) прямой ток
-60’С* Г<+35’С........................ 60 мА
Г=+85’С’........................... 30 мА
Температура*окружающей среды.......... —60...+85 ’С
' В Диапазоне температур окружающей среды +35...+85 ’С постоянный
(средний) прямой ток снижается линейно.
АЛ402А, АЛ402Б, АЛ402В
Диоды излучающие ИК диапазона, импульсные, на основе
соединения галлий—алюминий—мышьяк, эпитаксиальные. Вы-
пускаются в металлостеклянном корпусе с линзой из прозрач-
ного компаунда. Маркируется цветными точками на корпусе:
АЛ402А — красной, АЛ402Б — зеленой, АЛ402В — синей.
Масса не более 0,5 г.
А/1402(А-В)
Электрические и излучательные параметры
Мощность излучения при /ПР = 10 мА,
не менее:
АЛ402А................................ 0,05 мВт
АЛ402Б................................ 0,025 мВт
АЛ402В................................ 0,015 мВт
Импульсная мощность излучения
при 4|р и = 3 А, = 50 нс, не менее:
АЛ402А................................... 10 мВт
АЛ402Б................................ 5 мВт
АЛ402В................................ 3 мВт
Длина волны излучения в максимуме спек-
тральной плотности....................... 0,69...0,7 мкм
Ширина спектра излучения (на уровне 0,5). 0,025 мкм
Время нарастания импульса излучения,
не более................................. 25 нс
Время спада импульса излучения, не более.... 45 нс
Постоянный прямой ток................ 12 мА
Импульсный прямой ток при Ги = 50 нс,
0 = 2000 ............................ 3,1 А
Температура окружающей среды......... —30...+55 ’С
Зона возможных изменений мощ-
ности излучения от температуры
Зависимость относительной мощ-
ности излучения от прямого им-
пульсного тока
Раздел шестой
Светоизлучающие диоды
2Л101А, 2Л101Б,
КЛ101А, КЛ101Б, КЛ101В
Диоды светоизлучающие, карбидокремниевые. Предназна-
чены для визуальной индикации, а также для использования в
устройствах автоматического регулирования. Выпускаются в
металлическом корпусе. Тип диода приводится на групповой
таре.
Масса диода не более 0,03 г.
2/1101(А,Б),К/1101(А-В)
Электрические и свэтовые параметры
Цвет свечения............................ Желтый
Яркость не менее:
при Т = +25 ’С:
2Л101А, КЛ101А....................... 1С кд/м2
2Л101Б, КЛ101Б................... 15 кд/м2
КЛ101В........................... 20 кд/м2
при Т = +70 ’С:
2Л101А, КЛ101А, КЛ101Б............... 4 кд/м2
2Л101Б, КЛ101В................... 6 кд/м2
при Г = —10 ’С:
2Л101А, КЛ101А..................... 4 кд/м2
2Л101Б, КЛ101Б.................. 6 кд/м2
КЛ101В.......................... 8 кд/м2
Постоянное прямое напряжение при макси-
мальном токе, не более:
Т> +25 ’С:
2Л101А, 2Л101Б.................. 5 В
КЛ101А, КЛ101Б, КЛ101В.......... 5,5 В
при Т- -10 ’С для 2Л101А, 2Л101Б,
КЛ101А, КЛ101Б, КЛ101В.............. 10 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток:
2Л101А, КЛ101А.......................... 10 мА
2Л101Б, КЛ101Б....................... 20 мА
КЛ101В............................... 40 мА
Температура окружающей среды............ —10...+70 ’С
//Лины
Зона возможных положений зави-
симости яркости от тока
Спектр излучения диодов
Зависимость яркости от темпера-
туры
ЗЛ102А, ЗЛ102Б, ЗЛ102Г,
АЛ102А, АЛ102Б, АЛ102Г
Диоды светоизлучающие, фосфидогаллиевые, эпитаксиаль-
ные. Предназначены для визуальной индикации. Выпускаются
в металлостеклянном корпусе. Маркируются цветными точка-
ми: АЛ102А — красной, АЛ102Б — двумя красными, АЛ102Г —
тремя красными, ЗЛ102А — черной, ЗЛ102Б — двумя черны-
ми, ЗЛ102Г — тремя черными.
Масса диода не более 0,25 г.
ЗЛ102(А-Г).АЛ102(А-Г)
Электрические и световые параметры
Цвет свечения........................ Красный
Сила света, не менее:
АЛ102А при /ПР = 5 мА................ 40 мккд
ЗЛ102А при /ПР = 5 мА:
Т +25 °С....................... 40 мккд
Г=+70’С........................ 25 мккд
АЛ102Б при /ПР = 20 мА............ 100 мккд
ЗЛ102Б при /ПР = 20 мА:
Т = +25 и —60 "С.................. 100 мккд
Т- +70 "С...................... 40 мккд
АЛ102Г при /ПР = 10 мА............ 209 мккд
ЗЛ102Г при /ПР = 10 мА:
Т +25 °С.......................... 200 мккд
Г=+70 °С....................... 100 мккд
Постоянное прямое напряжение ЗЛ102А,
АЛ102А при /ПР = 5 мА, ЗЛ102Б, АЛ102Б при
/ПР = 20 мА, ЗЛ102Г, АЛ102Г при /ПР = 10 мА,
не более............................. 2,8 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное или импульсное обратное напря-
жение при /и < 20 мкс, Л < 1 кГц........ 2 В
Постоянный прямой ток:
при Т < +50 ’С:
ЗЛ102А, ЗЛ102Г, АЛ 102А, АЛ 102Г. 10 мА
ЗЛ102Б, АЛ102Б................... 20 мА
при Т - +50...+70 ’С................. 10 мА
Температура окружающей среды............ —60...+70 'С
Зона возможных положений за-
висимости прямого тока от на-
пряжения
Зависимость силы света от тока
Ато Лилло
Зона возможных положений за-
висимости силы света от темпе-
ратуры
Диаграмма направленности излу-
д чення
ЗЛ102(А-Г).АЛ102(А-Г)
30' 20'10'0' 10'20' 30"
0.6 ОЛ 0,2
АЛ112А, АЛ112Б, АЛ 112В, АЛ112Г,
АЛ112Д, АЛ112Е, АЛ112Ж, АЛ112И,
АЛ112К, АЛ112Л, АЛ112М
Диоды светоизлучающие, с рассеянным излучением, эпита-
ксиальные. Изготовляются на основе соединения галлий—алю-
миний—мышьяк. Предназначены для визуальной индикации.
Диоды АЛ 112Г, АЛ 112Д, АЛ 112Е, АЛ 112Ж, АЛ 112И выпускают-
ся в металлостеклянных корпусах, остальные — в корпусах из
металла и оптически прозрачного компаунда. Маркируются цвет-
ными полосами и точками на корпусе: АЛ 112А, АЛ 112Г — крас-
ной полосой, АЛ112Б, АЛ112Д — зеленой полосой, АЛ 112В —
синей полосой, АЛ112Е, АЛ112К — красной течкой, АЛ112Ж,
АЛ112Л — зеленой точкой, АЛ112И, АЛ112М — синей точкой.
Масса диода не более 0,5 г.
А/1112А. А/1112Б. А/1112В
А/1112Г. А/1112Д. А/1112Е. А/1112Ж. АЛ112И
Электрические и световые параметры
Цвет свечения........................... Красный
Яркость при /пр = 10 мА, не менее:
АЛ112А, АЛ112Е, АЛ112К.................. 1000 кд/м2
АЛ112Б, АЛ112Ж, АЛ112Л............... 600 кд/м2
АЛ112Г............................... 350 кд/м2
АЛ112В, АЛ112И, АЛ112М............... 250 кд/м2
АЛ112Д............................... 150 кд/м2
Неравномерность яркости................. ±50%
Длина волны излучения в максимуме спек-
тральной плотности...................... 0,68 мкм
Постоянное прямое напряжение
при /ПР = 10 мА, не более............... 2 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток................... 12 мА
Температура окружающей среды............ —60...+70 ’С
Диаграмма направленности излу-
чения
Зона возможных положений зави-
симости относительной яркости от
температуры окружающей среды
Спектр излучения
АЛ301А—1, АЛ301Б-1
Диоды светоизлучающие, фосфидогаллиевые, эпитакси-
альные, бескорпусные. Предназначены для использования в
индикаторах, оптопарах, гибридных микросхемах. Бескорпус-
ные, с гибкими выводами. Маркируются цветным кодом:
АЛ301А—1 — одной красной точкой, АЛ301Б—1 — двумя
красными точками.
Масса диода не более 9 мг.
А/ША-1.Б-1)
Цветные
Электрические и световые параметры
Цвет свечения.......................... Красный
Яркость, не менее:
АЛ301А—1 при /ПР = 5 мА............. 25 мккд
АЛ301Б—1 при /ПР = 10 мА............ 100 мккд
Постоянное прямое напряжение АЛ 301 А— 1
при /ПР = 5 мА, АЛ301Б—1 при /ПР = 10 мА,
не более............................... 2,8 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток................... 11 мА
Температура окружающей среды............ —60...+70 *С
Зона возможных изменений силы
света от температуры
Диаграмма направленности излу-
м чения
1.0 0,5 0,5 1.0
виснмости силы света от темпе-
ратуры
Зависимость яркости от тока
АЛ307А, АЛ307Б, АЛ307В, АЛ307Г,
АЛ307Д, АЛ307Е, АЛ307И, АЛ307Л,
АЛ307АМ, АЛ307БМ, АЛ307ВМ,
АЛ307ГМ, АЛ307ДМ, АЛ307ЕМ,
АЛ307ЖМ, АЛ307КМ, АЛ307НМ
Диоды светоизлучающие, с рассеянным излучением, эпи-
таксиальные. Изготовляются на основе соединений галлий—
алюминий—мышьяк АЛ307А, АЛ307Б и фосфида галлия
АЛ307В, АЛ307Г, АЛ307Д, АЛ307Е, АЛЗО7И, АЛЗО7Л. Выпу-
скаются в пластмассовых корпусах. Маркируются цветными
точками на корпусе: АЛ307А, АЛ307В, АЛ307Д — одной чер-
ной, АЛ307Б, АЛ307Г, АЛ307Е — двумя черными, АЛ307И —
одной белой, АЛ307Л — двумя белыми. Маркировка диодов
АЛ307АМ—АЛ307НМ приводится на групповой таре.
Масса диода не более 0,35 г.
Электрические и световые параметры
Цвет свечения:
АЛ307А, АЛ307Б, АЛ307АМ, АЛ307БМ,
АЛ307КМ.......................... Красный
АЛ307В, АЛ307Г, АЛ307ВМ, АЛЗО7ГМ,
АЛ307НМ............................... Зеленый
АЛ307Д, АЛ307Е, АЛ307ДМ, АЛ307ЕМ,
АЛ307ЖМ............................... Желтый
АЛ307И, АЛ307Л........................ Оранжевый
Сила света:
при /ПР = 10 мА:
АЛ307А, АЛ307АМ................... 0,15...0,5*...
0,9* мкд
АЛЗО7Б, АЛЗО7БМ................... 0,9... 1,6*...
2* мкд
АЛ307Д, АЛ307И, АЛ307ДМ............. 0,4...0,9*...
1,5* мкд
АЛ307Е, АЛ307Л, АЛ307ЕМ............. 1,5... 1,9*...
3,5* мкд
АЛ307ЖМ.......................... 3,5...4*...
5,5* мкд
АЛЗО7КМ............................. 2...3*...
3,6* мкд
при 4>р = 20 мА:
АЛ307В, АЛ307ВМ..................... 0,4... 1*...
1,5* мкд
АЛЗО7Г, АЛ307ГМ..................... 1,5...3,9*...
6* мкд
АЛ307НМ.............................. 6...7*...
8,5* мкд
Угол излучения*, типовое значение.......... 45°
Площадь светящейся поверхности*, не менее 2 мм2
Постоянное прямое напряжение:
при /пр = 10 мА, Т - +25 *С:
для АЛ307А, АЛ307Б, АЛ307АМ,
АЛ307БМ............................. 1,5*..1,7*..2 В
АЛ307КМ, не более................... 2 В
типовое значение................. 1,65* В
для АЛ307Д, АЛ307Е, АЛ307ДМ,
АЛЗО7ЕМ............................. 1,85*. ..2,1*...
2,5 В
АЛ307ЖМ, не более................... 2,5 В
типовое значение................. 1,85* В
при 4)Р = 10 мА, не более:
АЛ307А, АЛ307Б, АЛ307АМ,
АЛ307БМ, АЛ307КМ:
Г=+70°С.......................... 2 В
Г=-60°С.......................... 2,4 В
АЛ307Д, АЛ307Е, АЛ307ДМ,
АЛ307ЕМ, АЛЗО7ЖМ:
Г= +70 °С........................... 2,5 В
Г=-60°С.......................... 3,0 В
при /ПР = 10 мА, Г= +25 °С для АЛ307И,
АЛ307Л, не более........................ 2,5 В
яри /пр = 20 мА, Т = +25 °С:
АЛ307В, АЛЗО7Г, АЛЗО7ВМ,
АЛ307ГМ.......................... 1,85*...2,2*...
2 8В
АЛ307НМ, не более................... 2,6 В
типовое значение................. 2,4* В
при /пр = 20 мА для АЛ307В, АЛ307Г,
АЛ307ВМ, АЛ307ГМ, АЛ307НМ, не более:
7=+70’С....................... 2,8 В
7=-60’С....................... 3,4 В
Длина волны излучения в максимуме спек-
тральной плотности:
АЛ307А, АЛ307Б, АЛ307АМ, АЛ307БМ,
АЛ307КМ.......................... 0,666 мкм
АЛ307В, АЛ307Г, АЛЗО7ВМ, АЛЗО7ГМ,
АЛ307НМ.......................... 0,566 мкм
АЛ307Д, АЛ307Е, АЛЗО7И, АЛЗО7Л,
АЛ307АМ, АЛ307ЕМ................. 0,56 и 0,7 мкм
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение...... 2 В
Постоянный прямой ток:
АЛ307А, АЛ307Б, АЛЗО7АМ, АЛ307БМ,
АЛЗО7КМ.......................... 20 мА
АЛ307В, АЛ307Г, АЛ307Д, АЛЗО7Е,
АЛ307И, АЛ307Л, АЛ307ВМ, АЛ307ГМ,
АЛ307ДМ, АЛ307ЕМ, АЛЗО7НМ........ 22 мА
Температура окружающей среды........ —60...+70 ’С
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 4 мм
от корпуса при температуре не более +260 ’С в течение не
более 3 с. При лайке выводов не допускается прохождение
через прибор электрического тока. Изгиб выводов допускает-
ся радиусом не менее 1,5 мм на расстоянии не менее 3 мм от
корпуса.
АЛ307(А -Л) О' 10' 20' 30' 0 0.5 90 Диаграмма направленности излу- чения АЛ307(АМ -НМ) О' 10' 20' 0 0.590 Диаграмма направленности излу- чения
Зависимость относительной силы
света от прямого тока
1у /I* ИМ
АЛ310А, АЛ310Б
Диоды светоизлучающие, с рассеянным излучением, эпи-
таксиальные. Изготовляются на основе соединений галлий—
алюминий—мышьяк. Выпускаются в корпусе из металла с диф-
фузно рассеивающие компаундом. Маркируются цветными
точками на корпусе: АЛ310А — одной красной, АЛ310Б —
одной синей.
Масса диода не более 0,3 г.
А/1310(А.Б)
Катодный
Электрические и световые параметры
Цвет свечения.........................
Сила света при = 10 мА:
АЛ310А.................................
АЛ310Б ............................
Красный
0,61...1,2 мкд
0,25...0,6 мкд
Длина волны излучения в максимуме спек-
тральной плотности........................ 0,67 мкм
Постоянное прямое напряжение
при /пр = 10 мА, не более................. 2 В
Предельные эксплуатационные данные
Прямой постоянный ток...................
Температура окружающей среды............
12 мА
-60...+70 ’С
Зона возможных положений за-
висимости силы света от прямо-
го тока
Спектр излучения
АЛ 316А, АЛ316Б
Диоды светоизлучающие, с рассеянным излучением, эпи-
таксиальные. Изготовляются на основе соединения галлий—
алюминий—мышьяк. Предназначены для визуального пред-
ставления информации. Выпускаются в пластмассовом корпу-
се. Маркируются цветной полосой на корпусе: АЛ316А —
красной, АЛ316Б — синей.
Масса диода не более 0,4 г.
Электрические и световые параметры
Цвет свечения............................ Красный
Сила света при /№ = 10 мА, не менее:
АЛ316А................................... 0,8 мкд
АЛ316Б................................ 0,25 мкд
Длина волны излучения в' максимуме спек-
тральной плотности....................... 0,67 мкм
Постоянное прямое напряжение
при 4м» = 10 мА, не более................ 2 В
0,7x0,7
АЛ516(А.Б)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток:
при Т +25 ’С............................. 20 мА
при Т = +70 ’С........................ 12 мА
Температура окружающей среды............. —60...+70 ’С
Зависимость силы света от прямо-
го тока
ЗЛС331А, АЛС331А
Диеды светоизлучающие, фосфидгаллиевые, эпитаксиаль-
ные, с управляемым цветом свечения. Выпускаются в металло-
стеклянном корпусе. *
Масса диода не более 0,5 г.
3/1С331А.А/1С331А
Вывод2\ Выбод!
Электрические и световые параметры
Цвет свечения........................... Переменный:
от красного
до зеленого
Длина волны излучения в максимуме спек-
тральной плотности....................... 0,7 и 0,56 мкм
Постоянное прямое напряжение, не более:
при /„р = 10 мА для ЗЛС331А.............. 3 В
при - 20 мА для АЛС331А............... 4 В
Сила света при 4>Р = 10 мА для ЗЛС331А,
не менее................................ 0,25 мкд
Яркость индикатора* при /лр = 10 мА, типовое
значение:
для р-п перехода красного свечения... 60 кд/м2
для р-п перехода зеленого свечения... 50 кд/м2
Примечание, Указаны два максимума спектрального распределения
излучения: красного н зеленого цветов свечения, соответствующие свечению
двух переходов. Соотношение их интенсивностей регулируется путем измене-
ния токов через переходы.
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение............ 2 В
Постоянный прямой ток:
через один переход:
при Т +50 ’С................... 20 мА
при Т +70 ’С................... 11 мА
суммарный ток через оба перехода:
при Т +50 ’С................... 20 мА
при Т +70 ’С................... 11 мА
Температура окружающей среды............. —60...+70 ’С
1 В диапазоне. температур окружающей среды +50...4-70 *С постоянный
прямой ток снижается линейно.
Пайка выводов индикаторов допускается не ближе 5 мм от
корпуса в течение не более 3 с с использованием теплоотвода
(например пинцета с медными плоскими губками шириной не
менее 3 мм). Допускается одновременное включение обоих
р-п переходов для получения промежуточных (от красного до
зеленого цветов свечения). Прямые токи р-п переходов для
получения промежуточных цветов свечения определяются по
данным, приведенным на рисунке.
Зависимость максимально допусти-
мого постоянного прямого тока от
температуры окружающей среды
Спектр излучения зеленого р-п пе-
рехода
Спектр излучения красного р-п пе-
рехода
Ток через переход красного
цвета сбечения, нА
?0 15_____11
Цвет свечения ЗЛС331А, АЛС331А
Оранжевый
Ток через переход зеленого
цбета сбечения. нА
Зависимость постоянного прямого
тока от постоянного прямого на-
пряжения для красного и зелено-
го р-п переходов
Зависимость цвета свечения от по-
стоянного прямого тока при одно-
временном включении р-п перехо-
дов
Зависимости силы света от постоян-
ного прямого тока (1 — для красно-
го цвета свечения, 2 — для зелено-
го цвета свечения)
Зависимости силы света от темпера-
туры окружающей среды (/ — для
красного цвета свечения, 2 — рря
зеленого цвета свечения)
О
АЛ336А, АЛ336Б, АЛ336В, АЛ336Г,
АЛ336Д, АЛ336Е, АЛ336Ж, АЛ336И,
АЛ336К
Диоды светоизлучающие, с рассеянным излучением, эпита-
ксиальные. Изготовляются на основе соединений галлий—алю-
миний—мышьяк (АЛ336А, АЛ336Б, АЛ336К) и фосфида галлия
(АЛ336В, АЛ336Г, АЛ336Д, АЛ336Е, АЛ336Ж, АЛ336И). Пред-
назначены для визуальной индикации. Выпускаются в пласт-
440
массовом корпусе с гибкими выводами. Маркируются цветовы-
ми точками на корпусе: АЛ336А — одной красной, АЛ336Б —
двумя красными, АЛ336В — одной зеленой, АЛ336Г — двумя
зелеными, АЛ336Д — одной желтой, АЛ336Е — двумя желты-
ми, АЛ336Ж — тремя желтыми, АЛ336И — одной белой,
АЛ336К — одной черной. Полярность диодов АЛ336А, АЛ336Б
и АЛ336К указывается на чертеже. Диоды АЛ336В—АЛ336И
имеют обратную полярность.
Масса диода не более 0,35 г.
А Л336(А -К)
Электрические и световые параметры
Цвет свечения:
АЛ336А, АЛ336Б, АЛ336К.............................. Красный
АЛ336В, АЛ336Г, АЛ336И.......................... Зеленый
АЛ336Д, АЛ336Е, АЛ336Ж............................. Желтый
Сила света при /□₽ = 10 мА, не менее:
АЛ336А.............................................. 6 мкд
АЛ336Б, АЛ336И.................................. 20 мкд
АЛ336В, АЛ336Д.................................. 4 мкд
АЛЗЗбГ, АЛ336Ж.................................. 15 мкд
АЛ336Е.......................................... 10 мкд
АЛЗЗбК •••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••• 40 мкд
Постоянное прямое напряжение
при /№ = 10 мА, не более:
АЛ336А, АЛ336Б, АЛ336К............. 2 В
АЛ336В, АЛ336Г, АЛ336Д, АЛ336Е,
АЛ336Ж, АЛ336И................... 2,8 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение........ 2 В
Постоянный прямой ток................. 20 мА
Температура окружающей среды.......... —60...+70 ’С
Зависимость силы света от прямо-
го тока
ЗЛ341А, 3Л341 Б, 3Л341 В,
ЗЛ341Г, ЗЛ341Д, ЗЛ341Е
Диоды светоизлучающие, фосфидогаллиевые, эпитаксиаль-
ные, с направленным излучением. Выпускаются в металлосте-
клянном корпусе.
Масса диода не более 0,45 г.
Электрические и световые параметры
Цвет свечения:
ЗЛ341А, ЗЛ341Б............................ Красный
ЗЛ341В, ЗЛ341Г......................... Зеленый
ЗЛ341Д, ЗЛ341Е.......................... Желтый
МШ(А-Е)
Сила света при /щ. = 10 мА, не менее:
ЗЛ341А, ЗЛ341В, ЗЛ341Д......................... 0,15 мкд
ЗЛ341Б, ЗЛ341Г, ЗЛ341Е..................... 0,5 мкд
Длина волны излучения в максимуме спек-
тральной плотности:
ЗЛ341А, ЗЛ341Б............................. 0,69...0,71 мкм
ЗЛ341В, ЗЛ341Г............................. 0,55...0,56 мкм
ЗЛ341Д, ЗЛ341Е............................. 0,68...0,7 мкм;
0,55...0,56 мкм
Постоянное прямое напряжение
при /ПР = 10 мА, не более...................... 2,8 В
Примечание. Указан допустимый разброс максимумов спектрально-
го распределения излучения. Для диодов желтого цвета свечения указаны два
максимума: красного и зеленого цветов свечения, отношение нх интенсивно-
стей находится в интервале 0,15...0,5.
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение.......... 2 В
Постоянный прямой ток:
при Г= +50 ’С:
ЗЛ341А, ЗЛ341Б........................ 20 мА
ЗЛ341В, ЗЛ341Г, ЗЛ341Д, ЗЛ341Е... 22 мА
при Г= +70 ’С:
ЗЛ341А, ЗЛ341Б........................ 11 мА
ЗЛ341В, ЗЛ341Г, ЗЛ341Д, ЗЛ341Е;.. 12 мА
Импульсный прямой ток при Ти = 2 мс, О ? 1,0 60 мА
Температура окружающей среды............ —60...+70 ’С
Спектры излучения
ЗЛЗбОА, ЗЛЗбОБ, АЛ360А, АЛ360Б
Диоды светоизлучающие, на основе арсенида галлия, с
антистоксовым люминофором, мезаэпитаксиальные. Предна-
значены для применения в матричных устройствах визуально-
го отображения информации, а также в качестве элементов
дискретной информации. Выпускаются в металлостеклянном
корпусе с гибкими выводами.
Масса диода не более 0,4 г.
ЗЛЗбО(А.Б), АЛЗбО(А.Б)
Электрические и световые параметры
Цвет свечения............................ Зеленый
Сила света при /ПР = 10 мА, не менее:
ЗЛЗбОА, АЛ360А........................... 0,3 мкд
ЗЛ36ОБ, АЛ360Б........................ 0,6 мкд
Постоянное прямое напряжение
при /ПР = 10 мА:
ЗЛЗбОА, ЗЛ360Б, -60 ’С € +85 ’С,
не более.............................. 1,7 В
АЛ360А, АЛ360Б:
Г=+25’С............................ 1,3*... 1,5*..2 В
Т = +85 ’С, не более............... 2 В
Т = —60 ’С, не более............... 2,2 В
Угол излучения по уровню 0,5.............. 20°...40°...60’
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток................... 20 мА
Импульсный прямой ток при /и € 3 мс:
О = 4 для ЗЛ360А, ЗЛ360Б, АЛ360А,
АЛ360Б.................................. 80 мА
О > 4 для АЛ360А, АЛ360Б............. 20 мА
Постоянная рассеиваемая мощность........ 40 мВт
Температура окружающей среды............ —60...+85 ’С
Зона возможных положений за-
висимостей силы света от пря-
мого тока
2.0 0.8 0.4 ЗЛЗбО(А.Б) АЛЗбО(А.Б)
-60-40 -20 20 й) 60 т,0С
Зависимость силы света от темпе*
ратуры окружающей среды
ИПД01А-1Л,
КИПД01А-1Л, КИПД01Б-1Л
Индикаторы светоизлучающие с рассеянным излучением,
эпитаксиальные на основе фосфида галлия. Предназначены
для использования в качестве элементов средств отображения
информации в виде прямоугольника. Выпускаются в пластмас-
совом корпусе с гибкими выводами. Тип диода приводится на
корпусе.
Масса индикатора не более 1 г.
ИПД01А-1Л, КИПД1А-1Л. Б-1Л
Электрические и световые параметры
Цвет свечения........................... Зеленый
Сила света при 4г = Ю мА, не менее:
ИПД01-1Л, КИПД01-1Л...................... 0,8 мкд
КИПД01Б-1Л........................... 0,6 мкд
Постоянное прямое напряжение
при 4» = Ю мА, не более................. 7 В
Длина волны излучения в максимуме спек-
тральной плотности...................... 0,55...0,56 мкм
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение.......... 8 В
Постоянный прямой ток................... 12 мА
Импульсный прямой ток при ?и € 10 мс.... 12 мА
Температура окружающей среды............ —60...+70 ’С
Зависимости прямого напряжения
от прямого тока
Относительная зависимость силы
света к постоянному прямому то-
ку от постоянного прямого тока
КИПД02А-1К, КИПД02Б-1К,
КИПД02В-1Л, КИПД02Г-1Л,
КИПД02Д-1Ж, КИПД02Е-1Ж
Индикаторы светоизлучающие, с рассеянным излучением,
эпитаксиальные. Изготовляются на основе соединений галлий—
алюминий—мышьяк (КИПД02А—1К, КИПД02Б—1К) и фосфида
галлия (остальные индикаторы). Предназначены для визуаль-
ной индикации. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гиб-
кими выводами. Маркируются цветовыми точками на корпусе:
КИПД02А-1К, КИПД02В-1Л, КИПД02Д-1Ж - одной черной,
КИПД02Б-1К, КИПД02Г-1Л, КИПД02Е-1Ж — двумя черными.
Полярность индикаторов КИПД02А— 1К, КИПД02Б—1К указы-
вается на чертеже; остальные индикаторы имеют обратную
полярность.
Масса индикатора на более 0,15 г.
КИПД02(А - 1К.Б- 1К.В- 1/1.Г- 1Л.
Д-1Ж.Е-1Ж)
Электрические и световые параметры
I свечения*
КИПД02А—1К, КИПД02Б—1К-........... Красный
КИПД02В-1Л, КИПД02Г-1Л.......... Зеленый
КИПД02Д-1Ж, КИПД02Е—1Ж.......... Желтый
Сила света при /пр = 5 мА, не менее:
КИПД02А-1К......................... 0,4 мкд
КИПД02Б-1К...................... 0,9 мкд
КИПД02В-1Л, КИПД02Д-1Ж.......... 0,25 мкд
КИПД02Г-1Л...................... 0,5 мкд
КИПД02Е—1Ж...................... 0,65 мкд
Постоянное прямое напряжение
при /ПР = 5 мА, не более:
КИПД02А-1К, КИПД02Б-1К............. 1,8 В
КИПД02В-1Л, КИПД02Г-1Л,
КИПД02Д-1Ж, КИПД02Е—1Ж.......... 2,5 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение........... 2 В
Постоянный прямой ток.................... 10 мА
Температура окружающей среды............. —60...+70 °С
Зависимость силы света от прямо-
го тока
Зона возможных положений зави-
симости постоянного прямого тока
от прямого напряжения
КИП ДОЗА- 1К— 5, КИПД03А-1Л-5,
КИПД03А-1Ж-5
Индикаторы светоизлучающие на основе эпитаксиальных
структур арсенида галлий—алюминия (КИПД03А—1К—5), струк-
тур фосфида галлия (КИПД03А—1Л—5, КИПД03А—1Ж—5), бес-
корпусные. Предназначены для использования в качестве эле-
ментов герметизируемых блоков средств отображения инфор-
мации.
Масса индикатора не более 0,03 г.
Электрические и световые параметры
Цвет свечения:
КИПД03А-1К-5................. Красный
КИПД03А—1Л—5................. Зеленый
КИПД03А-1Ж-5.................. Желтый
1\ИПД03А-1К-Ч.1/1-^.1Ж-5.
Сила света при /ПР = 5 мА, не менее:
КИПДОЗА—1К—5..................... 60 мккд
КИПД03А-1Л-5.................. 32 мккд
КИПДОЗА-1Ж-5.................. 30 мккд
Длина волны максимума излучения, не более:
КИПД03А-1К-5..................... 0,65 мкм
КИПД03А-1Л-5.................. 0,57 мкм
КИПДОЗА-1Ж-5.................. 0,6 мкм
Постоянное прямое напряжение
при /пр = 5 мА, не более:
КИПД03А-1К-5.................. 2 В
КИПД03А-1Л-5.................. ЗВ
КИПД03А-1Ж-5.................. 2,5 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение.......... 5 В
Постоянный прямой ток................... 8 мА
Температура окружающей среды............ —60...+70 ’С
ИПД04А-1К, ИПД04Б-1К
Индикаторы светоизлучающие на основе эпитаксиальных
структур арсенида галлий—алюминия. Предназначены для ис-
пользования в качестве элементов средств отображения ин-
формации. Выпускаются в металлостеклянном корпусе. Тип
прибора наносится на корпусе.
Масса индикатора не более 0,45 г.
ИПДМА-1К, ИПДМБ-1К
Электрические и световые параметры
Цвет свечения......................... Красный
Сила света при /ПР = 10 мА, не менее:
ИПД04А-1К............................. 15 мкд
ИПД04Б-1К.......................... 10 мкд
Длина волны максимума излучения, не более. 0,7 мкм
Постоянное прямое напряжение
при /ПР = 10 мА, не более............. 2 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение........... 2 В
Постоянный прямой ток.................... 30 мА
Температура окружающей среды............. —60...+70 'С
КИПД05А-1К, КИПД05Б-1Л,
КИПД05В-1Ж
Индикаторы светоизлучающие на основе эпитаксиальных
структур арсенида галлий—алюминия (КИПД05А—1К) и струк-
тур фосфида галлия (КИПД05Б—1Л, КИПД05В—1Ж). Предна-
значены для использования в качестве элементов средств ото-
бражения информации. Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса индикатора не более 0,3 г.
Электрические и световые параметры
Цвет свечения:
КИПД05А-1К..................... Красный
КИПД05Б—1Л................... Зеленый
КИПД05В-1Ж.................... Желтый
КИПД05А - 1К.КИПД05Б- /Д
КИПД05В-1Ж
Выход
Сила света при /ПР = 5 мА, не менее:
КИПД05А—1К........................... 0,2 мкд
КИПД05Б-1Л, КИПД05В—1Ж............ 0,1 мкд
Яркость излучения* при 4г = 2 мА, не менее. 300 кд/м2
Длина волны максимума излучения*:
КИПД05А-1К........................ 65О...675 нм
КИПД05Б-1Л, КИПД05В-1Ж............ 680...700 и
690...710 нм
Отношение силы излучения максимумов*:
КИПД05Б- 1Л, не менее............. 0,15
КИПД05В-1Ж........................ 0,15...0,5
Температурный коэффициент длины волны
максимума спектра излучения*, типовое зна-
чение ............................... 0,2 нм/’С
Угол излучения*, типовое значение.... 120е
Постоянное прямое напряжение
при /пр = 5 мА, не более:
КИПД05А—1К:
+25 ’С « +70 °С...„._.... 1,8 В
Т=-60’С....................... 2,2 В
КИПД05Б-1Л, КИПД05В-1Ж:
7=+25 и+70’С.............. 2,5 В
Г=-60’С................... ЗВ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное (импульсное) обратное напряже-
ние..................................... 6 В
Постоянный прямой ток................... 6 мА
Импульсный прямой ток................... 20 мА
Постоянная (средняя) рассеиваемая мощность:
КИПД05А— 1К............................. 11 мВт
КИПД05Б-1Л, КИПД05В-1Ж............... 15 мВт
Температура окружающей среды............ —60...+70 'С
Зависимость постояниого прямого тока
от напряжения
КИПД05А-1К.КИПД05Б-1Л.КИПД05В-1Х
& (Г
Диаграмма направленности излу-
чения
Спектг излучения
1г(А)/1г(А)/ик
Зависимость относительной силы све-
та от постоянного прямого тока
КИПД06А-1К, КИПД06Б—1К,
КИПД06В-1Л, КИПД06Г-1Л
Индикаторы светоизлучающие на основе эпитаксиаль*
ных структур арсенида галлий—алюминия (КИПД06А—1К,
КИПД06Б—1К) и структур фосфида галлия (КИПД06В—1Л,
454
КИПД06Г— 1Л). Предназначены для использования в качестве
элементов в информационных табло коллективного пользова-
ния. Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса индикатора не более 1,5 г.
КИПД06А-1К. КИПД06Б-1К. КИПД06В-1Л,
КИПД06Г-1Л
Электрические и световые параметры
Цвет свечения:
КИПД06А— 1 К, КИПД06Б— 1К.......... Красный
КИПД06В-1Л, КИПД06Г-1Л........... Зеленый
Сила света при /ПР = 25 мА, не менее:
КИПД06А—1К......................... 4 мкд
КИПД06Б-1К....................... 6 мкд
КИПД06В-1Л....................... 3 мкд
КИПД06Г—1Л....................... 5 мкд
Яркость излучения* при /пр = 25 мА, не менее:
КИПД06А-1К......................... 35 кд/м2
КИПД06Б-1К....................... 53 кд/м2
КИПД06В-1Л....................... 26 кд/м2
КИПД06Г-1Л....................... 44 кд/м2
Длина волны максимума излучения*:
КИПД06А-1К, КИПД06Б-1К................. 650...675 нм
КИПД06В-1Л, КИПД06Г—1Л.............. 565...575 и
680...700 нм
Отношение силы излучения максимумов*
для КИПДВ-1Л, КИПДГ-1Л, не менее...... 0,15
Температурный коэффициент длины волны
максимума спектра излучения*, типовое зна-
чение ................................. 0,2 нм/’С
Угол излучения*, типовое значение...... 90*
Постоянное прямое напряжение
при /пр = 25 мА, не более:
КИПД06-1К, КИПД06-1К:
+25’С 74+55'С................... 5,5 В
Г = —45’С........................ 6,5 В
КИПД06В-1Л, КИПД06Г—1Л:
+25 ’С « 74 +55 ’С............... 7,5 В
Г = —45’С........................ 9 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное (импульсное) обратное напряже-
ние.................................. 10 В
Постоянный прямой ток................. 25 мА
Импульсный прямой ток при Ги $ 2 мс, О» 10:
КИПД06А-1К, КИПД06Б-1К................ 75 мА
КИПД06В-1Л, КИПД06Г-1Л............. 50 мА
Средняя рассеиваемая мощность:
КИПД06А-1К, КИПД06Б-1К................ 140 мВт
КИПД06В-1Л, КИПД06Г-1Л............. 190 мВт
Температура окружающей среды.......... —45...+55 ’С
Зависимости постоянного прямого
тока от напряжения
Зависимости импульсного пря-
мого тока от напряжения
Ц1гг^^1>(111пг25мА)
Зависимости относительной силы
света от импульсного прямого тока
КИПД06А-1К, КИПД06Б-1К.
Диаграмма направленности излу-
чения
Зависимость относительной
силы света от постоянного
прямого тока
КИПД06А-1К. КИПДЛ6Б-1К
Зависимость максимального им-
пульсного прямого тока от дли-
тельности импульса
КИПД06В-1Л, КИПД06Г-1Л
Зависимость максимального им-
пульсного прямого тока от дли-
тельности импульса
Спектр излучения
КИПД07А-1К, КИПД07Б-1К
Индикаторы светоизлучающие, на основе эпитаксиальных
структур арсенида галлий—алюминия. Предназначены для ис-
пользования в качестве элементов средств отображения ин-
формации. Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса индикатора не более 0,25 г.
Электрические и световые параметры
Цвет свечения.......................
Сила света при /пр = 5 мА, не менее:
КИПД07А— 1К.........................
КИПД07Б-1К.......................
Красный
0,4 мкд
0,15 мкд
КИПД07А-1К. КИПД07Б-1К
Яркость излучения при /пр = 5 мА, не менее:
КИПД07А—1К............................
КИПД07Б-1К ........................
Длина волны максимума излучения*......
Температурный коэффициент длины волны
максимума спектра излучения, типовое зна-
чение ................................
Угол излучения*, не менее.............
Постоянное прямое напряжение
при /п₽ = 5 мА, не более:
+25 ’С С Г +70 ’С.....................
Г =-60 ’С..........................
100 кд/м2
40 кд/м2
650...675 нм
0,2 нм/’С
40’
1,8 В
2,2 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное (импульсное) прямое напряжение
Постоянный прямой ток.....................
Импульсный прямой ток при Ти < 1 мс, О = 10
Постоянная средняя рассеиваемая мощность .
Температура окружающей среды..............
3 В
20 мА
100 мА
40 мВт
-6О...+7О ’С
КИПД07А 1К. КИПД97Б-1*
КИПД07А-1К, КИПД07Б-1К
30° 20° 10° 1у(в)/1^6=0)
Зависимость максимального им-
пульсного прямого тока от дли-
тельности импульса
Диаграмма направленности излу-
чения
Зона возможных положений
зависимости прямого тока от
напряжения
КИПД07А-1К. КИПД07Б-1К
1у(1п>)/1у(111р=5мА)
Зависимость относительной силы
света от прямого тока
Раздел седьмой
Знакосинтезирующие индикаторы
2Л105А
Индикатор знакосинтезирующий, карбидокремниевый.
Предназначен для визуальной индикации. Индикатор имеет
семь сегментов, излучающих свет при воздействии прямого
тока. Различные комбинации сегментов, обеспечиваемые внеш-
ней коммутацией, позволяют воспроизвести цифры от 0 до 9.
Выпускается в пластмассовом корпусе. Отрицательный вывод
маркируется цветной точкой на торце цифрового индикатора у
общего вывода 1. Высота знака 5 мм.
Масса прибора не более 0,8 г.
Электрические и световые параметры
Цвет свечения..-...................... От желтого до
оранжевого
461
Порядок подключения выводов для формирования цифр
Воспроизводимые цифры Выводы
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 2, 3, 4, 5, 6. 8 2, 8 или 4, 5 3, 4, 6. 7, 8 2, 3, 6, 7, 8»л» 3, 4, 5, 6. 7 2, 5, 7, 8шм 2, 4, 5, 7 2, 3, 5, 6, 7 2, 3, 4, 5, 6. 7 или 2, 3, 5, 6, 7, 8 2, 6, 8 или 3, 4, 5 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 2, 3, 5, 6, 7, 8 или 2. 3, 4, 5, 6, 7
Яркость при /ЛР = 10 мА через каждый сег-
мент, не менее........................ 15 кд/м2
Коэффициент изменения яркости не менее:
при Г =+70 “С......................... 0,5
при Т = —60 ’С..................... 0,25
Постоянное прямое напряжение
при /лр = 10 мА:
Г =+20’С.............................. 2.2...6В
Г=+70’С............................ 1,8—6 В
Г=-60’С............................ 2,2... 10 В
Предельные эксплуатационные данные
Прямое напряжение, при котором отсутствует
свечение................................. 1 В
Прямой ток через сегмент при температуре
корпуса Гк = —60...+85 ’С................ 12 мА
Температура окружающей среды............. —60...+70 ’С
Зона возможных положении за-
висимости прямого тока от на-
пряжения
Зона возможных положений за-
висимости яркости от тока
Зона возможных положений зави-
симости яркости от температуры
Зона возможных положений спек-
тра излучения
АЛ113А, АЛ 11 ЗБ, АЛ113В, АЛ113Г,
АЛ113Д, АЛ 11 ЗЕ, АЛ113Ж, АЛ113И,
АЛ113К, АЛ113Л, АЛ113М, АЛ113Н,
АЛ113Р, АЛ113С
Индикаторы знакосинтезирующие, на основе соединений
галлий—алюминий—мышьяк, эпитаксиальные. Предназначены
для визуальной индикации. Индикаторы имеют семь сегментов и
децимальную точку, излучающие свет при воздействии прямого
тока. Различные комбинации элементов, обеспечиваемые внеш-
ней коммутацией, позволяют воспроизвести цифры от 0 до 9 и
децимальную точку. Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Маркируются цветными полосами на корпусе: АЛ113Л, АЛ 113Е,
АЛ113К, АЛ113Н — красной, АЛ 11 ЗБ, АЛ113Г, АЛ113Ж,
АЛ113Л, АЛ113Р — зеленой, АЛ 113В, АЛ113Д, АЛ 11 ЗИ,
АЛ113М, АЛ113С — синей. Высота знака у АЛ 113А—АЛ 113И
3 мм, у АЛ113К-АЛ113С 2 мм.
Масса прибора не более 0,5 г.
Электрические и световые параметры
Цвет свечения............................ Красный
Яркость при /пр = 5 мА через каждый сегмент:
АЛ113А, АЛ113Е, АЛ113К, АЛ113Н........... 600 кд/м2
АЛ113Б, АЛ113Г, АЛ113Ж, АЛ113Л,
АЛ113Р................................ 350 кд/м2
АЛ223В, АЛ 113Д, АЛ 113И, АЛ 113М,
АЛ ПЗС................................ 120 кд/м2
АЛШ(А-Д), АЛПЗ(К-М)
Неравномерность яркости индикатора....... ±50%
Длина волны излучения в максимуме спек-
тральной плотности....................... 0,68 мкм
Постоянное прямое напряжение
при /ПР = 5 мА, не более................. 2 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток:
через один сегмент....................... 5,5 мА
через все сегменты.................... 44 мА
Температура окружающей среды............. —60...+70 *С
КЛЦ201А, КЛЦ201Б, КЛЦ202А
Индикаторы знакосинтезирующие, на основе соединений
арсенид—галлий—алюминий (КЛЦ201А, КЛЦ201Б) и фосфид—
арсенид—галлий (КЛЦ202А), эпитаксиально-диффузионные, со-
стоящие из дискретных элементов. Предназначены для визу-
альной индикации. Индикаторы имеют семь сегментов и деци-
мальную точку, излучающие свет при воздействии прямого
тока. Различные комбинации элементов, обеспечиваемые внеш-
ней коммутацией, позволяют воспроизвести цифры от 0 до 9 и
децимальную точку. Выпускаются в пластмассовом корпусе с
гибкими выводами. Высота знака 18 мм.
Масса прибора не более 10 г.
Электрические и световые параметры
Цвет свечения........................... Красный
Сила света при 1№ = 20 мА через сегмент,
не менее:
для сегмента:
КЛЦ201А.............................. 2 мкд
КЛЦ201Б, КЛЦ202А.................. 0,5 мкд
для точки:
КЛЦ201А.............................. 0,1 мкд
КЛЦ201Б, КЛЦ202А.................. 0,07 мкд
Относительная неравномерность силы света
между элементами, не более.............. 3
Постоянное прямое напряжение при
/пр = 20 мА через сегмент, не более:
для сегмента............................ 4 В
для точки............................ 2,5 В
КЛЦ201(А.&). КЛЦ202А
20
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное или импульсное обратное напря-
жение любой формы и периодичности..... 10 В
Постоянный прямой ток через сегмент':
при Г= —25...+35 'С................. 25 мА
1 При Т = +35...+70 "С /ПР макс рассчитывается по формуле
4р,м*кс = 25 - 0,5(Г— 35), мА.
при Г =+70’С...................... 7,5 мА
Рассеиваемая мощность':
при Т- -25...+35 ’С................. 750 мВт
приГ=+70’С........................ 150 мВт
Температура окружающей среды......... —25...+70 ’С
’ При Г = +35...+70 ’С Рнаис рассчитывается по формуле
Амкс = 750 - 17,0 (Г - 35), мВт.
Зона возможных положений за-
висимости прямого тока от на-
пряжения
Зона возможных положений за-
висимости силы света от прямо-
го тока
Спектр излучения
Зависимость силы света от темпе-
ратуры
КЛЦ301А—5
Индикатор знакосинтезирующий, на основе фосфида гал-
лия, планарный, бескорпусный. Предназначен для визуальной
индикации в приборах точного времени, электронных наруч-
ных часах. Индикатор имеет девять сегментов и децимальную
точку, излучающие свет при воздействии прямого тока. Раз-
личные комбинации элементов, обеспечиваемые внешней ком-
мутацией, позволяют воспроизвести цифры от 0 до 9, отдель-
ные буквы латинского и русского алфавитов и децимальную
точку. Высота знака 2,6 мм.
Масса прибора 0,2 г.
КЛЦ301А-5
Электрические и световые параметры
Цвет свечения.............................. Зеленый
Сила света элемента при /ПР = 5 мА, не менее 20 мккд
Длина волны излучения в максимуме спек-
тральной плотности, типовое значение....... 550 нм
Относительная неравномерность силы света
между элементами при /пр = 5 мА, не более... 3
Постоянное прямое напряжение излучающего
элемента при /ПР = 5 мА, не более....... 2,5 В
Предельные эксплуатационные данные
Максимально допустимое обратное напряже-
ние любой формы и периодичности......... 5 В
Средний прямой ток' излучающего элемента:
при Т = —10...+35 ’С................. 3 мА
при Т = +60 ’С....................... 2 мА
Импульсный прямой ток1 2 излучающего эле-
мента при частоте следования импульсов бо-
лее 100 Гц и длительности импульсов не бо-
лее 1 мс:
Г= -10...+35 ’С...................... 40 мА
Г=+60’С.............................. 35 мА
Температура окружающей среды............ —10...+60 ’С
1 При Т - +35...+60 *С значение 4Р( СР макс рассчитывается по формуле
4» ср,макс = 3 “ 0,04 (Г~ 35), мА.
2 При Т ~ +35...+60 *С значение /щ» и макс рассчитывается по формуле
4» и макс = 40 “ 0,2 (Т “ 35), мА.
Зона возможных положений за-
висимости прямого тока от на-
пряжения
Зависимость силы света от пря-
мого тока
Зависимость силы света от темпе*
ратуры окружающей среды
КЛЦ302А, КЛЦ302Б
Индикаторы знакосинтезирующие, фосфидгаллиевые, эпи-
таксиальные. Предназначены для отображения цифровой ин-
формации. Индикаторы имеют семь сегментов и децимальную
точку, выполненных из дискретных элементов. Различные ком-
бинации элементов, обеспечиваемые внешней коммутацией,
позволяют воспроизвести цифры от 0 до 9 и децимальную
точку. Высота знака 18 мм. Выпускаются в пластмассовом кор-
пусе с гибкими выводами. Тип прибора приводится на корпусе.
Масса индикатора не более 10 г.
Электрические и световые параметры
Цвет свечения......................... Зеленый
Средняя сила света элемента при /ПР = 20 мА
через элемент, не менее:
КЛЦ302А................................ 2 мкд
КЛЦ302Б............................. 0,5 мкд
Сйла света точки при /пр = 20 мА, не менее:
КЛЦ302А................................ 0,1 мкд
КЛЦ302Б............................. 0,07 мкд
Относительная неравномерность силы света
между элементами, не более............. 3
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное (импульсное) обратное напряже-
ние................................... 10 В
22
--1--
I
-----
Щ|
КЛЦ302(А,Б)
28
Вывод
г~
2
3
4
5
6
9
10
11
12
14
Назначение
Катод А
Катод К
Общий анод
Катод Е
Катод Н
Катод О
Общий анод
Катод С
Катод О
Катод В
Общий анод
Постоянный прямой ток через элемент:
—25’С < Г <+35’С..................... 25 мА
Г=+70’С’.......................... 7,5 мА
1 В диапазоне температур окружающей среды +35...+70 ’С постоянный
прямой ток снижается линейно.
Рассеиваемая мощность:
-25’С < Т<+35’С................... 1,3 Вт
7=+70’С’.......................... 0,32 Вт
Температура окружающей среды......... —25...+70 ‘С
1 В диапазоне температур окружающей среды +35...+70 ’С рассеиваема'
мощность снижается линейно.
Зависимость относительной силы света
от температуры
Зона возможных положений
зависимости постоянного пря-
мого тока сегмента от напря-
жения
Спектр излучения
Зона возможных положений зави-
симости силы света сегмента от по-
стоянного прямого тока
КЛЦ401А, КЛЦ402А, КЛЦ402Б
Индикаторы знакосинтезирующие, на основе соедине-
ний фосфид—арсенид—галлий (КЛЦ401А), фосфид—галлий
(КЛЦ402А, КЛЦ402Б), эпитаксиально-диффузионные, состоя-
щие из дискретных элементов. Имеют семь сегментов и деци-
мальную точку, излучающие свет при воздействии прямого
тока. Различные комбинации элементов, обеспечиваемые внеш-
ней коммутацией, позволяют воспроизвести цифры от 0 до 9
и децимальную точку. Выпускаются в пластмассовом корпусе
с гибкими выводами. Высота знака 18 мм.
Масса прибора не более 10 г.
Электрические и световые параметры
Цвет свечения........................... Желтый
Сила света при /ЛР = 20 мА через сегмент,
не менее:
сегмента:
КЛЦ402А............................. 2 мкд
КЛЦ401А, КЛЦ402Б................. 0,5 мкд
точки:
КЛЦ402А.......................... 0,1 мкд
КЛЦ401А, КЛЦ402Б.................. 0,07 мкд
Относительная неравномерность силы света
между элементами, не более.............. 3
Постоянное прямое напряжение при
/ПР = 20 мА через элемент, не более:
для сегмента.......................... 6 В
для точки............................ 3,5 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное или импульсное обратное напря-
жение любой формы и периодичности....... 10 В
Постоянный прямой ток через элемент:
при Т - —25...+35 ’С’................... 25 мА
при Т = +70 'С....................... 7,5 мА
Рассеиваемая мощность:
при Т- —25...+35 ’С2.................... 1130 мВт
при Т = +70 ’С:
КЛЦ401А.......................... 540 мВт
КЛЦ402А, КЛЦ402Б................. 320 мВт
Температура окружающей среды............ —25...+70 ’С
1 При Т - +35...+70 ’С /,»> ндкс рассчитывается по формуле
41р макс = 25 0,5 (Г- 35), мА.
2 При Г = +35...+70 ’С Амкс Для КЛЦ402(А, Б) рассчитывается по формуле
Ямдкс = 1130 - 23,0(Г- 35), мВт,
для КЛЦ401А снижается линейно.
Зоны возможных положений за-
висимостей прямого тока от на-
пряжения
Зона возможных положений за-
висимостей силы света от пря-
мого тока
Спектр излучения
АЛ304А, АЛ304Б, АЛ304В, АЛ304Г
Индикаторы знакосинтезирующие, на основе соединения
арсенид—фосфид—галлий, эпитаксиально-планарные. Пред-
назначены для отображения цифровой информации. Индика-
торы имеют семь сегментов и децимальную точку, излучаю-
щие свет при воздействии прямого тока. Различные комбина-
ции элементов, обеспечиваемые внешней коммутацией, позво-
ляют воспроизвести цифры от 0 до 9 и децимальную точку.
Выпускаются в пластмассовом корпусе. Высота знака 3 мм.
Масса прибора не более 0,25 г.
А/тА-Г
АЛ304А—АЛ304В: 1 — анод Г; 2 — анод О', 3, в — катод общий; 4 — анод С;
5 — анод Н; 6 — анод В; 7 — анод А; 9 — анод ф 10 — анод Р,
АЛ304Г: 1 — катод 8; 2— катод 0,3,8— анод общий; 4— катод С; 5— катод М
6 — катод В; 7 — катод А; 9 — катод О, 10 — катод Р
Электрические и световые параметры
1 1аат гйАидииа'
АЛ304А, АЛ304Б, АЛ304Г..................... Красный
АЛ304В................................. Зеленый
Яркость при /ПР = 5 мА, не менее:
АЛ304А................................... 140 кд/м2
АЛ304Б................................ 80...320 кд/м2
АЛ304В при токе через сегмент 10 мА... 60 кд/м2
АЛ304Г................................ 350 кд/м2
Неравномерность яркости между элементами. —60%
Постоянное прямое напряжение
при /пр = 5 мА, не более:
Т- +25 и +70 X для АЛ304А, АЛ304Б ... 2 В
Г= -60 X для АЛ304А, АЛ304Б........... 2,4 В
Г= +25 и +70 X для АЛ304В, АЛ304Г .... 3 В
7 = -60 X для АЛ304В, АЛ304Г....... 3,6 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток:
через каждый сегмент..................... 11 мА
через все сегменты.................... 88 мА
Рассеиваемая мощность.................... 264 мВт
Температура окружающей среды............. —60...+70 X
Зона возможных положений за*
висимости прямого тока от на-
пряжения
Зона возможных положений за-
висимости прямого тока от на-
пряжения
Зона возможных положений за-
висимости яркости от тока
КАКАЛО
туры
АЛ305А, АЛ305Б, АЛ305В, АЛ305Г,
АЛ305Д, АЛ305Е, АЛ305Ж, АЛ305И,
АЛ305К, АЛ305Л
Индикаторы знакосинтезирующие, на основе соединения
арсенид—фосфид—галлий, эпитаксиальные. Предназначены
для отображения цифровой информации. Индикаторы имеют
семь элементов и децимальную точку, излучающие свет при
воздействии прямого тока. Различные комбинации элементов,
обеспечиваемые внешней коммутацией, позволяют воспроиз-
вести цифры от 0 до 9 и децимальную точку. Выпускаются в
пластмассовом корпусе. Маркируются точками, число и цвет
которых приведены в таблице. Высота знака 6,9 мм.
Масса прибора не более 1,5 г.
Маркировка приборов
Тип прибора Число и цвет точек Тип прибора Число и цвет точек
АЛ305А АЛ305Б АЛ305В АЛ305Г АЛ305Д Две белые Одна белая Две красные Одна красная Две синие АЛ305Е АЛ305Ж АЛ305И АЛ305К АЛ305Л Одна синяя Две черные Одна черная Черная и белая Без маркировки
АЛ305(А-Л)
19.5
АЛ305А—АЛЗС5Е: 1 — катод А 2— катод Р, 3, 9, 14— аиод общий; 6— катод М
7 — катод Е; 8 — катод 10 — катод С-, 11 — катод С; 13 — катод В;
АЛ305Ж-АЛ305Л: 1 — анод А; 2— анод Р\ 3, 9, 14— катод общий; 6— аиод М
7 — анод Е; 8 — аиод О; 10 — анод С; 11 — аиод О', 13 — анод В
Электрические и световые параметры
Цвет свечения:
АЛ305А, АЛ305Б, АЛ305В, АЛ305Г.......... Красный
АЛ305Д, АЛ305Е...................... Зеленый
АЛ305Ж, АЛ305И, АЛ305К, АЛ305Л...... Красный
Яркость при /ПР = 20 мА, не менее:
АЛ305А, АЛ305Ж.......................... 350 кд/м2
АЛ305Б, АЛ305И...................... 200 кд/м2
АЛ305В, АЛ305Д, АЛ305К.............. 120 кд/м2
АЛ305Г, АЛ305Е, АЛ305Л.............. 60 кд/м2
Неравномерность яркости между элементами:
АЛ305А, АЛ305В, АЛ305Ж.................. -60%
АЛ305Б, АЛ305Г, АЛ305Е, АЛ305И,
АЛ305К, АЛ305Л...................... ±60%
АЛ305Д.............................. -50%
Постоянное прямое напряжение
при /ПР = 20 мА, не более:
АЛ305А, АЛ305Б.......................... 4 В
АЛ305В, АЛ305Г, АЛ305Д, АЛ305Е,
АЛЗО5Ж, АЛ305И, АЛ305К, АЛ305Л...... 6 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный ток через каждый элемент
при 7 = -60...+70 ’С.................... 22 мА
Температура окружающей среды............ —60...+70 ’С
Зоны возможных положений за-
висимостей прямого тока от на-
пряжения
Зависимость яркости от темпера-
туры
Зона возможных положений зави-
симости яркости от тока
Зона возможных положений зави-
симости яркости от тока
АЛ306А, АЛ306Б, АЛ306В, АЛ306Г,
АЛ306Д, АЛ306Е, АЛ306Ж, АЛ306И
Индикаторы знакосинтезирующие, на основе соединений ар-
сенид—фосфид—галлий (АЛ306А, АЛ306Б), арсенид—галлий—
алюминий (АЛ306В—АЛ306Е) и фосфид—галлий (АЛ306Ж—
ДЛ306И), состоящие из дискретных элементов, изготовленных
по планарной технологии. Предназначены для визуальной инди-
кации. Индикаторы имеют 35+1 элементов, соединенных в ма-
трицу с перекрестной коммутацией, излучающих свет при воз-
действии на соответствующие элементы прямого тока. Различ-
ные комбинации элементов, обеспечиваемые внешней коммута-
цией, позволяют воспроизвести цифры от 0 до 9, буквы А, Б, Г,
Е, 3, Н, О, П, Р, С, У, Ч и децимальную точку. Маркируются
точками (см. таблицу маркировки приборов). Соединение эле-
ментов матрицы с выводами и полярность подаваемого напряже-
ния приведены в таблице. Высота знака 8,9 мм.
Масса прибора не более 1,5 г.
Маркировка приборов
Тип прибора Число и цвет точек Тип прибора Число и цвет точек
АЛ306А АЛ306Б АЛ306В АЛ306Г Две белые Одна белая Дее черные Одна черная АЛ306Д АЛ306Е АЛ306Ж АЛ306И Две зеленые Одна зеленая Две красные Одна красная
Цоколевка приборов и полярность подаваемого напряжения
Номер вывода Ряд, колонка Полярность
АЛЗОб(В-Е) АЛ306(А, Б, Ж. И)
1 Колонка 3 — +
2 Ряд 1 + —
3 Ряд 3 + —
4 Ряд 4 + —
5 Колонка 2 — +
6 Отсутствует
7 Колонка 1 — +
8 Колонка 4 — +
9 Ряд 7 —
10 Ряд 6 + —
11 Ряд 5 + —
12 Ряд 2 + —
13 Колонка о — +
14 Колонка 5 — +
Цветная Цветная
точка точка
АЛЗОб(А-И)
7.45 г | |л 7.5 г|
Электрические н световые параметры
IIПАТ /“ПАиАЫМа*
АЛ306А, АЛ306Б, АЛ306В, АЛ306Г,
АЛ306Д, АЛ306Е................... Красный
АЛ306Ж, АЛ306И................... Зеленый
Яркость при /ПР = 10 мА, не менее:
АЛ306А, АЛ306В......................... 350 кд/м2
АЛ306Б, АЛ306Г...................... 200 кд/м2
АЛ306Д, АЛ306Ж...................... 120 кд/м2
АЛ306Е, АЛ306И...................... 60 кд/м2
Неравномерность яркости между элементами:
АЛ306А, АЛ306В......................... -60%
АЛ306Б, АЛ306Г, АЛ306Д, АЛ306Е,
АЛ306И.............................. +60%
АЛ306Ж.............................. -50%
Постоянное прямое напряжение
при /Пр = Ю мА, не более:
АЛ306А, АЛ306Б......................... 2 В
АЛ306В, АЛ306Г, АЛ306Д, АЛ306Е,
АЛ306Ж, АЛ306И...................... 3 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный ток через каждый элемент..... 11 мА
Импульсный прямой ток через элемент
при $ 1 мс, О > 30...................... 300 мА
Рассеиваемая мощность:
АЛ306А, АЛ306Б....................... 792 мВт
АЛ306В, АЛ306Г, АЛ306Д, АЛ306Е,
АЛ306Ж, АЛ306И....................... 1188 мВт
Температура окружающей среды............ —6О...+7О ’С
Зона возможных положений зав I-
симости яркости от тока
Зависимость яркости от темпера-
туры
Зона возможных положений зави-
симости яркости от тока
Зоны возможных положений за-
висимостей прямого тока от на-
пряжения
АЛС311А
Сборка знакосинтезирующих индикаторов пятиразрядная,
на основе соединения арсенид—фосфид—галлий, планарно-
эпитаксиальных, с общим катодом. Предназначена для ис-
пользования в мультиплексном режиме работы в качестве та-
бло, отображающего цифровую информацию в радиоэлек-
тронных устройствах, в частности в электронных калькулято-
рах. Выпускается в пластмассовом корпусе. Верхняя часть
корпуса выполнена в виде линз, расположенных над кристал-
лами соответствующих индикаторов. Каждый кристалл пред-
ставляет собой восьмиэлементный индикатор.
Масса прибора не более 5 г.
Электрические н световые параметры
Цвет свечения........................... Красный
Сила света разряда при ^Р СР = 0,8 мА через
каждый элемент, О = 16, не менее........ 400 мккд
Относительная неравномерность силы света
между элементами, не более............. 2,5
Длина волны излучения в максимуме спек-
тральной плотности...................... 650...660 нм
Постоянное прямое напряжение
при 1пр = 4 мА, не более............... 2 В
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение на элементе, пиковое
значение............................... 6 В
АЛС311А
Ц5±
6 х 3.75 = 15
1 — разряд 1 (катод); 2 — сегмент Е(анод); 3 — сегмент С; 4 — разряд 3 (катод);
5 — сегмент //(анод); 6 — сегмент О (анод); 7— разряд 5 (катод); 8— сегмент
О (анод); 9 — разряд 4 (катод); 10 — сегмент Е (анод); 11 — разряд 3 (катод);
12 — сегмент В (анод); 13 — разряд 2 (катод); 14 — сегмент А (анод)
Средний прямой ток через элемент,
при Г=—10...+35 ’С’.................... 110 мА
Импульсный ток через элемент при 7И = 1 мс,
Т= -10...+35 ’С2....................... 110 мА
Температура окружающей среды........... —1С...+50 ’С
' При Г = +35...+50 *С /пр с₽ ммс рассчитывается по формуле
/пр.СР.м*« = 5 - 0,167 (Г- 35), мА.
’ При Г = +Зе...+50 *С /пр. и макс рассчитывается по формуле
/пр. и макс = 110 — 3,67 (Г~ 35), мА.
Зона возможных положений зави-
симости силы света от импульсно-
го тока
Зависимость силы света от темпе-
ратуры
Зона возможных положений зави-
симости импульсного прямого тока
от напряжения
и*.в
1.70
1.65
1.60
1.55
-50 0 50Т.аС
Зависимость прямого напряжения
от температуры
АЛС312А, АЛС312Б
Индикатор знакосинтезирующий, на основе соединений
галлий—алюминий—мышьяк, эпитаксиальный. Предназначен
для визуальной индикации. Индикатор имеет семь сегментов и
децимальную точку, излучающие свет при воздействии прямо-
го тока. Различные комбинации элементов, обеспечиваемые
внешней коммутацией, позволяют воспроизвести цифры от О
до 9 и децимальную точку. Выпускается в пластмассовом кор-
пусе. Высота знака 7 мм.
Масса прибора не более 0,4 г.
АЛС3121А.Б)
27.5
Электрические и световые параметры
Цвет свечения.......................... Красный
Яркость при /ПР = 10 мА через каждый сег-
мент, не менее:
АЛС312А............................. 350 кд/м2
АЛС312Б............................. 150 кд/м2
Постоянное прямое напряжение
при /пр = 10 мА, не более.............. 2 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение........... 3 В
Постоянный прямой ток:
через один сегмент....................... 11 мА
через все сегменты.................... 88 мА
Температура окружающей среды............. —60...+70 °С
Зона возможных положений зави-
симости яркости от прямого тока
АЛС313А-5
Индикатор знакосинтезирующий, на основе соединения
галлий—фосфор—мышьяк, планарно-эпитаксиальный, бескор-
пусный. Предназначен для индикации цифровой и буквенной
информации, в частности в электронных наручных часах. Ин-
дикатор имеет семь сегментов и децимальную точку, излучаю-
щие свет при воздействии прямого тока. Различные комбина-
ции элементов, обеспечиваемые внешней коммутацией, позво-
ляют воспроизвести цифры от 0 до 9, отдельные буквы рус-
ского алфавита и децимальную точку. Высота знака 2,58 мм.
Масса прибора не более 0,01 г.
А/1С313А-5
01.„. 1.17 ,02
ГЛ - номера, размеры и места расположения быбодоб
Электрические и световые параметры
Цвет свечения............................ Красный
Сила света сегмента при /ПР = 5 мА, не менее 50 мккд
Неравномерность силы света между элемента-
ми, не более............................. 30%
Длина волны излучения в максимуме спек-
тральной плотности, типовое значение..... 660 ± 10 нм
Прямое напряжение на сегменте
при /Пр = 5 МА, не более................. 1,65 В
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение любой формы и перио-
дичности ................................ 5 В
Средний прямой ток через элемент при семи
включенных сегментах, Т = —10...+35 ’С... 5 мА
Импульсный прямой ток через элемент при
семи включенных сегментах, /и = 100 Гц,
7=-10...+35’С1 2......................... 20 мА
Температура окружающей среды............. —10...+60 ’С
1 При Т = +35...+60 ’С /пр Ср рассчитывается по формуле
/ЛР Ср = 5 - 0,04 (Т - 35), мА.
2 При Т = +35...+60 ’С /Пр и рассчитывается по формуле
/пр „ = 20-0,2(7-35), мА.
Зависимость прямого тока от на-
пряжения
Зона возможных положений за*
висимостн силы света от темпе*
ратуры
ЗЛС314А, АЛС314А
Индикаторы знакосинтезирующие, на основе соединения
арсенид—фосфид—галлий, эпитаксиально-планарные. Пред-
назначены для визуальной индикации. Индикаторы имеют семь
сегментов и децимальную точку, излучающие свет при воздей-
ствии прямого тока. Различные комбинации элементов, обес-
печиваемые внешней коммутацией, позволяют воспроизвести
цифры от 0 до 9 и децимальную точку. Выпускаются в пласт-
массовом корпусе. Высота знака 2,5 мм.
Масса прибора 0,25 г.
Электрические и световые параметры
Цвет свечения............................. Красный
Яркость при /пр = 5 мА через сегмент,
не менее.................................. 350 кд/м2
Неравномерность яркости между элементами. ±50%
Длина волны излучения в максимуме спек-
тральной плотности........................ 650...670 нм
Постоянное прямое напряжение на каждом
сегменте при /ПР = 5 мА................... 2 В
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение любой формы и перио-
дичности .............................. 5 В
Постоянный прямой ток:
через каждый сегмент:
Г=-60...+35 ’С...е.................. 8 мА
7"=+70’С........................ 5 мА
ЗЛСША. А/1СЗНА
1 — анод Е; 2 — анод О', 3, 8 — катод общий; 4 — анод С; 5 — анод Н; 6 —
анод В; 7 — анод А; 9 — анод О, 10 — анод
через все сегменты:
7= —60...+35 ’С................. 64 мА
7=+70'С......................... 40 мА
Температура окружающей среды.......... —60...+70 ’С
Зависимость яркости от темпера*
туры
/пр.мА
Зона возможных положений за-
висимости яркости от тока
Зона возможных положений за-
висимости прямого тока от на-
пряжения
ЗЛС317А, ЗЛС317Б, ЗЛС317В, ЗЛС317Г,
ЗЛС317Д, АЛС317А, АЛС317Б, АЛС317В,
АЛС317Г
Шкалы линейные. Приборы ЗЛС317А, ЗЛС317Б, АЛС317А,
АЛС317Б изготовляются на основе соединений галлий—фос-
фор—мышьяк, ЗЛС317В, ЗЛС317Г, ЗЛС317Д, АЛС317В,
АЛС317Г — из фосфида галлия, эпитаксиальные. Предназна-
чены для визуальной индикации. Шкала имеет пять сегментов,
излучающих свез при воздействии прямого тока. Выпускаются
в пластмассовом корпусе. Тип прибора определяется по цвету
корпуса и цветным точкам на нем. Цвет корпуса: у ЗЛС317А,
ЗЛС317Б, АЛС317А, АЛС317Б - красный, у ЗЛС317В, ЗЛС317Г,
ЗЛС317Д, АЛС317В, АЛС317Г — зеленый. Цветные точки на
корпусе: АЛС317А, АЛС317В — одной черной, АЛС317Б,
АЛС317Г — двумя черными, ЗЛС317А, ЗЛС317В — без точки,
ЗЛС317Б, ЗЛС317Г — одной синей, ЗЛС317Д — двумя си-
ними.
Масса прибора не более 0,25 г.
Электрические и световые параметры
Цвет свечения:
ЗЛС317А, ЗЛС317Б, АЛС317А, АЛС317Б .. Красный
ЗЛС317В, ЗЛС317Г, ЗЛС317Д, АЛС317В,
АЛС317Г............................ Зеленый
ЗЛС317(А-Д). АЛС317(А-Г)
ЗЛС317(А.Б), АЛСЗП(А.Б)
ЗЛС317(В-Д), АЛС317(В,Г)
Сила света одного сегмента при /пр = 10 мА,
не менее:
ЗЛС317А, ЗЛС317Г, АЛС317А, АЛС317Г ... 0,16 мкд
ЗЛС317Б, АЛС317Б...................... 0,35 мкд
ЗЛС317В, АЛСЗ17В...................... 0,08 мкд
ЗЛС317Д............................... 0,32 мкд
Относительная неравномерность силы света
элементов шкалы, не более............... 3
Длина волны излучения в максимуме спек-
тральной плотности:
ЗЛС317А, ЗЛС317Б, АЛС317А, АЛС317Б .. 0,665 мкм
ЗЛС317В, ЗЛС317Г, ЗЛС317Д, АЛС317В,
АЛС317Г.............................. 0,568 мкм
Постоянное прямое напряжение на одном сег-
менте при Др = 10 мА, не более:
ЗЛС317А, ЗЛС317Б, АЛС317А, АЛС317Б .. 2 В
ЗЛС317В, ЗЛС317Г, ЗЛС317Д, АЛС317В,
АЛС317Г.............................. ЗВ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток одного сегмента... 12 мА
Температура окружающей среды............ —60...+70 °С
Зависимость силы света от пря-
мого тока
Зависимость прямого тока от на-
пряжения
АЛС318А, АЛС318Б, АЛС318В, АЛС318Г
Индикаторы знакосинтезирующие, на основе соединения
галлий—фосфор—мышьяк, планарные. Предназначены для ви-
зуальной индикации. Индикаторы состоят из девяти кристал-
лов, каждый из которых содержит семь сегментов и децималь-
ную точку. Различные комбинации элементов, обеспечиваемые
внешней коммутацией, позволяют воспроизвести цифры от 0
до 9, отдельные символы и децимальную точку. Выпускаются
в пластмассовом корпусе.
Масса прибора не более 7,7 г.
Электрические и световые параметры
Цвет свечения...................... Красный
АЛС318(А-Г)
Вид А
АЛС318А. АЛС318В
1-й разряд 1-й разряд
'^|в
'Ы'------------------Ш
7 I................... □ 17
АЛС318Б, АЛС318Г
1-й.разряд 2-й разряд 1-й разряд
АЛС318А, АЛС318В: 1 — катод разряда 1; 2 — аиод элементов С; 3 — катод
разряда 2; 4— анод элементов Н-, 5— катод разряда 3, 6 — анод элементов А;
7 — катод разряда 4; 8 — анод элементов Е; 9 — катод разряда 5; 10 — аиод
элементов О, 11 — катод разряда 6; 12 — анод элементов С; 13 — катод раз-
ряда 7; 14— анод элементов В, 15— катод разряда 8; 16 — анод элементов Е,
17 — катод разряда 9;
АЛС318Б, АЛС318Г. 1 — катод разряда 1; 2— анод элементов Сразрядов 2-9;
3 — катод разряда 2; 4 — анод элементов С разряда 1, анод элементов Н
разрядов 2—9; 5 — катод разряда 3; 6 — анод элементов А разрядов 2-9; 7-
катод разряда 4; 8 — анод элементов Е разрядов 2—9, анод элементов Е раз-
ряда 1; 9 — катод разряда 5; 10 — аиод элементов О разрядов 2-9, 11 — катод
разряда 6; 12 — аиод элементов 6 разрядов 2-9, 13 — катод разряда 7; 14 —
анод элементов В разрядов 2-9, анод элементов А разряда 1; 15 — катод
разряда 8; 16 — анод элементов Г разрядов 2-9, аиод элементов 6 разряда 1;
17 — катод разряда 9
Сила света разряда при /ПР, и = 5 мА через
каждый сегмент или точку.................. 950 мккд
Постоянное прямое напряжение на сегменте
или точке при /ПР = 5 мА, не более....... 1,9 В
Обратный ток при 4/обр = 3 В на каждом сег-
менте или точке, не более.................. 10 мкА
Сопротивление сегмент—сегмент,
разряд—разряд, не менее..................... 2 кОм
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение любой формы и перио-
дичности ............................. 5 В
Средний прямой ток через сегмент или точ-
ку при любом числе включенных сегментов,
7= —25...+35 °С’...................... ЗмА
Импульсный ток через сегмент или точку
при частоте следования импульсов 100 Гц
и любом числе включенных сегментов,
7=-25...+35 ’С2....................... 40 мА
Рассеиваемая на знаке мощность при
включенных семи сегментах и точке,
7=-25...+35 ’С3....................... 45 мВт
Температура окружающей среды.......... —25...+55 °С
' При Г = +35...+55 °С /Лр с₽ рассчитывается по формуле
/пр ср = 3 ~ 0,12 (Г— 35), мА.
’ При Г = +35...+55 ’С /„> н рассчитывается по формуле
/»и = 40 - 1,2 (Г- 35), мА.
1 При Г = +35...+55 ’С мощность рассчитывается по формуле
Р = 45 - 1,8 (Г — 35), мВт.
Зонв возможных положений за-
висимости силы света от темпе-
ратуры
Зона возможных положений за-
висимости прямого напряжения
от температуры
ЗЛС320А, ЗЛС320Б, ЗЛС320В, ЗЛС320Г,
АЛС320А, АЛС320Б, АЛС320В, АЛС320Г
Индикаторы знакосинтезирующие, на основе соединений
аллий—фосфор—мышьяк (ЗЛС320А, ЗЛС320Г, АЛС320А,
36
ДЛС320Г) и галлий—фосфор (ЗЛС320Б, ЗЛС320В, АЛС320Б,
ДЛС320В), эпитаксиальные. Предназначены для визуальной
индикации. Индикаторы имеют семь сегментов, излучающие
свет при воздействии прямого тока. Различные комбинации
сегментов, обеспечиваемые внешней коммутацией, позволяют
воспроизвести цифры от 0 до 9. Выпускаются в пластмассовом
корпусе. Тип прибора определяется по цвету корпуса и цветным
точкам. Цвет корпуса ЗЛС320А, ЗЛС320Г, АЛС320А, АЛС320Г —
красный, ЗЛС320Б, ЗЛС320В, АЛС320Б, АЛС320В — зеленый.
Цветные точки: АЛС320А, АЛС320Б точек не имеют, АЛС320В,
АЛС320Г — одна белая, ЗЛС320А, ЗЛС320Б — одна белая и
одна желтая, ЗЛС320В, ЗЛС320Г — одна белая и две желтые.
Высота знака 5 мм.
Масса прибора не более 0,3 г.
ЗЛС320(А-Г), А/1С320(А-Г)
Электрические и световые параметры
Цвет свечения:
ЗЛС320А, ЗЛС320Г, АЛС320А, АЛС320Г ... Красный
ЗЛС320Б, ЗЛС320В, АЛС320Б, АЛС320В... Зеленый
Сила света одного сегмента при Ь? = 10 мА,
не менее:
ЗЛС320А, АЛС320А........................ 0,4 мкд
ЗЛС320Б, АЛС320Б........................ 0,15 мкд
ЗЛС320В, АЛС320В........................ 0,25 мкд
ЗЛС320Г, АЛС320Г........................ 0,6 мкд
Длина волны излучения в максимуме спек-
тральной плотности:
ЗЛС320А, ЗЛС320Г, АЛС320А, АЛС320Г ... 0,62...0,67 мкм
ЗЛС320Б, ЗЛС320В, АЛС320Б, АЛС320В... 0,55...0,57 мкм
Постоянное прямое напряжение
при /пР = 10 мА, не более:
ЗЛС320А, ЗЛС320Г, АЛС320А, АЛС320Г ... 2 В
ЗЛС320Б, ЗЛС320В, АЛС320Б, АЛС320В... 3 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
ЗЛС320А, ЗЛС320Г, АЛС320А, АЛС320Г ... 2 В
ЗЛС320Б, ЗЛС320В, АЛС320Б, АЛС320В... 5 В
Постоянный прямой ток через один сегмент:
при Т С +60 ’С........................ 12 мА
при 7 = +60...+70 ’С.................. 10 мА
Импульсный прямой ток через один сегмент
при Ги = 1 мс, О - 12.................... 60 мА
Температура окружающей среды............. —6О...+7О ’С
Зависимость силы света от прямо-
го тока
ЗЛС321А, ЗЛС321 Б, АЛС321А, АЛС321Б
Индикаторы знакосинтезирующие, фосфидогаллиевые.
Предназначены для визуальной индикации. Индикаторы имеют
семь сегментов и децимальную точку, излучающие свет при
воздействии прямого тока. Различные комбинации элементов,
498
обеспечиваемые внешней коммутацией, позволяют воспроиз-
вести цифры от 0 до 9 и децимальную точку. Высота знака
7 5 мм. Выпускаются в пластмассовом корпусе. У индикаторов
3/1С321 А, АЛС321А элементы имеют общий катод, у ЗЛС321Б,
ДДС321Б — общий анод.
Масса индикатора не более 2,5.
ЗЛС32КА.Б), АЛС32ЦА.Б)
3/1С321А. А/1С321А
АЛС321А: 1 — анод Р, 2 — анод С; 4,
анод О, 8 — анод С; 9 — анод
АЛС321Б- 1 — катод А; 2 — катод Р,
7 — катод Е; 8 — катод Ц I
3/1С321Б, АЛС321Б
12 — катод общий; 6 — анод Е; 7 —
И 13 — анод В, 14 — анод А
1, 9, 14 — анод общий; 6 — катод И,
9 — катод С; 13 — катод В
Электрические и световые параметры
Цвет свечения.......................... Желто-зеленый
Сила света при постоянном токе 20 мА через
элемент, не менее:
элемента............................... 0,12 мкд
децимальной точки................... 0,02 мкд
Относительная неравномерность силы света
между элементами, не более............. 3
Постоянное прямое напряжение
при /Пр = 20 мА, не более:
Т- +25 и +70 ’С..................... 3,6 В
7=-60’С............................. 4 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное (импульсное) обратное напряже-
ние излучающего элемента............. 5 В
Постоянный прямой ток через элемент:
7=-60...+35 ’С....................... 25 мА
7=+70’С*.......................... 17,5 мА
Рассеиваемая мощность:
7 = —60...+35 ’С..................... 720 мВт
7=+70’С*.......................... 400 мВт
Температура окружающей среды......... —60...+70 ’С
1 В диапазоне температур окружающей среды +35...+7О ’С постоянный
прямой ток через элемент и рассеиваемая мощность снижаются линейно.
Разрешается соединять выводы индикатора с элементами
аппаратуры на расстоянии не менее 3 мм от корпуса способа-
ми, исключающими механические повреждения и нагрев кор-
пуса не более +85 ’С, а также прохождение тока через эле-
менты индикатора. Расстояние от корпуса до начала изгиба
вывода не менее 3 мм. Допускается трехразовый изгиб вывода
на расстоянии не менее 1 мм.
В процессе хранения, транспортировки, монтажа и эксплу-
атации должны соблюдаться условия, обеспечивающие сохра-
нение чистоты поверхности корпуса индикатора. Загрязнен-
ную поверхность индикатора разрешается протирать этило-
вым спиртом. Использование спирто-бенэиновых смесей не
допускается.
Для управления индикаторами ЗЛС321Б, АЛС321Б реко-
мендуется применять ИС 514ИД2.
Зависимость силы света от темпе-
ратуры
Зона возможных положений за-
висимости прямого тока от на-
пряжения
Спектр излучения
Зона возможных положений за-
висимости силы света от тока
АЛС322А-5
Индикатор знакосинтезирующий, на основе соединения
галлий—фосфор—мышьяк, эпитаксиальный, бескорпусной. Вы-
пускается в виде кристаллов с контактными площадками. При-
меняется в электронных часах, а также гибридных микросхе-
мах в герметичных блоках аппаратуры. Индикатор имеет де-
вять сегментов, излучающих свет при воздействии прямого
тока. Различные комбинации элементов, обеспечиваемые внеш-
ней коммутацией, позволяют воспроизвести цифры от 0 до 9.
Высота знака 2,7 мм.
Масса прибора не более 0,01 г.
Электрические и световые параметры
Цвет свечения..................... Красный
А/1С322А-5
ГЛ - номера, размеры и места
расположения выводов
Средняя (по индикатору) сила света сегмента
при /ПР = 5 мА, не менее................ 60 мккд
Неравномерность силы света между элемен-
тами ................................... ±30%
Длина волны излучения в максимуме спек-
тральной плотности...................... 0,66 мкм
Постоянное прямое напряжение
при 41р = 5 мА, не более................ 1,65 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение........... 5 В
Постоянный или средний прямой ток через
один сегмент:
при одном включенном сегменте индика-
тора, +35 ’С......................... 16 мА
при любом числе включенных сегментов
индикатора, Т +35 ’С.................. 4 мА
Импульсный прямой ток через сегмент при
/побом числе включенных сегментов индика-
тора, Т =* +35 'С........................... 20 мА
Температура окружающей среды................ —10...+60 ’С
АЛС323А—5
Индикатор знакосинтезирующий, на основе соединения
галлий—фосфор—мышьяк, эпитаксиальный, бескорпусной. Вы-
пускается в виде кристаллов с контактными площадками. При-
меняется в электронных часах, а также гибридных микросхе-
мах в герметичных блоках аппаратуры. Индикатор имеет де-
вять сегментов, излучающих свет при воздействии прямого
тока. Различные комбинации элементов, обеспечиваемые внеш-
ней коммутацией, позволяют воспроизвести цифры от 0 до 9.
Высота знака 2,0 мм.
Масса прибора не более 0,01 г.
Электрические и световые параметры
Цвет свечения............................. Красный
Сила света элемента при /яр = 3 мА, не менее 50 мккд
Длина волны излучения в максимуме спек-
тральной плотности, типовое значение...... 660 ± 10 нм
Постоянное прямое напряжение на элементе
при /Г1Р = 3 мА, не более.................. 1,65 В
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение любой формы и перио-
дичности ............................... 5 В
Средний прямой ток через элемент при семи
включенных сегментах, Т - —10...+35 ’С’. 4 мА
Импульсный прямой ток через элемент при
семи включенных элементах, 4 = 100 Гц,
Т=-10...+35’С2.......................... 20 мА
Температура окружающей среды............ —10...+60 ’С
’ При Г = +35...+60 ’С с» рассчитывается по формуле
4, ср = 4 — 0,04 (Г — 35), мА.
2 При Г = +35...+60 ’С /пр и рассчитывается по формуле
4р. и = 20 — 0,2 (Г — 35), мА.
Зона возможных по-
ложений зависимости
Зависимость прямого
тока от напряжения
Зависимость силы све-
та от тока
силы света от темпе-
ратуры
АЛС324А, АЛС324Б
Индикаторы знакосинтезирующие, на основе соединения
арсенид—фосфид—галлий. Предназначены для визуальной ин-
дикации. Индикаторы имеют семь сегментов и децимальную
504
точку, излучающих свет при воздействии прямого тока. Раз-
личные комбинации элементов, обеспечиваемые внешней ком-
мутацией, позволяют воспроизвести цифры от 0 до 9 и де-
цимальную точку. Выпускаются в пластмассовом корпусе,
у индикаторов АЛС324А элементы имеют общий катод, у
ДЛС324Б — общий анод. Высота знака 7,5 мм.
Масса прибора не более 2 г.
А/1С32Ш)
АЛ С324А: 1 — анод Р-, 2 — анод &, 4, 12 — катод общий; 6 — анод Р, 7 —
анод О, 8 — анод С; 9 — анод Н-, 13 — анод В, 14 — анод Л;
АЛС324Б: 1 — катод А; 2 — катод Р; 3, 9, 14 — анод общий; 6 — катод Н; 7 —
катод Р, 8 — катод Л 10 — катод С; 11 — катод 6; 13 — катод В
Электрические и световые параметры
Цвет свечения............................ Красный
Сила света при /ПР = 20 мА через элемент,
не менее:
сегмента.............................. 0,15 мкд
децимальной точки..................... 0,05 мкд
Относительная неравномерность силы света
между элементами, не более................ 3
Длина волны излучения в максимуме спек-
тральной плотности....................... 650...670 нм
Постоянное прямое напряжение на элементе
при /ПР = 20 мА, не более................ 2,5 В
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение любой формы и перио-
дичности ................................ 5 В
Постоянный прямой ток через элемент:
при Т = —60...+35 ’С..................... 25 мА
при Т = +70 ’С........................ 17,5 мА
Импульсный прямой ток при 7И < 10 мс,
/ПР> Ср = 25 мА.......................... 300 мА
Рассеиваемая мощность:
при Т - —60...+35 ’С..................... 500 мВт
при Г= +70 ’С......................... 150 мВт
Температура окружающей среды............. —60...+70 ’С
1 В диапазоне температур окружающей среды +35...+70 "С постоянный
прямой ток через элемент снижается линейно, рассеиваемая мощность опреде-
ляется по формуле:
Аикс = 500 — 10(Г— 35), мВт.
Корпус индикатора рекомендуется крепить к плате клеем
или распайкой выводов на расстоянии не менее 2 мм от кор-
пуса. Пайку выводов рекомендуется производить в течение
2...3 с с применением теплоотвода между корпусом индикато-
ра и местом пайки.
В процессе хранения, транспортировки, монтажа и эксплу-
атации должны соблюдаться условия, обеспечивающие сохра-
нение чистоты поверхности корпуса индикатора. Загрязнен-
ную поверхность индикатора разрешается протирать этило-
вым спиртом. Использование спирто-бензиновых смесей'не
допускается.
Спектр излучения
Зависимость силы света от темпе-
ратуры
Зона возможных положений за-
висимости прямого тока от на-
Зона возможных положений за-
висимости силы света от тока
пряжения
АЛС326А, АЛС326Б
Индикаторы знакосинтезирующие, на основе соединения
арсенид—фосфид—галлий, эпитаксиально-диффузионные.
Предназначены для визуальной индикации. Индикаторы имеют
пять сегментов и децимальную точку, излучающих свет при
воздействии прямого тока. Различные комбинации элементов,
обеспечиваемые внешней коммутацией, позволяют воспроиз-
вести знаки полярности «+» и «—», знаки «—1», «+1» и деци-
мальную точку. Выпускаются в пластмассовом корпусе. Высо-
та знака 7 мм.
Масса прибора не более 2 г.
Электрические и световые параметры
Цвет свечения....................... Красный
АЛС526(А,Б)
10.2
Сила света при /пр = 20 мА через сегмент,
не менее:
сегмента................................. 0,15 мкд
децимальной точки..................... 0,08 мхд
Относительная неравномерность силы света
между элементами не более................. 3
Длина волны излучения в максимуме спек-
тральной плотности....................... 650...670 нм
Постоянное прямое напряжение на каждом
элементе при /ПР = 20 мА, не более....... 2,5 В
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение любой формы и перио-
дичности (пиковое значение)......... 5 В
Постоянный ток через элемент1
при Г= -60...+35 ’С......................
Импульсный прямой ток через элемент
при /и < 10 мс...........................
Рассеиваемая мощность2 при Т = —60...+35 °С
Температура окружающей среды.............
25 мА
300 мА
375 мВт
-60...+70 ’С
1 В интервале температур +35...+7О *С максимально допустимый постоян-
ный ток 4р иакс определяется по формуле
4» м*кс = 25 — 0,5 (Г — 35), мА.
2 В интервале температур +35...+70 "С максимально допустимая рассеивае-
мая мощность Я|ихс определяется по формуле
Амкс 375 - 7,5 (Г- 35), мВт.
Зона возможных положений за-
висимости прямого тока от на-
пряжения
Зона возможных положений за-
висимости силы света от прямо-
го тока
Спектр излучения
Зависимость силы света от темпе-
ратуры
АЛС327А, АЛС327Б
Индикаторы знакосинтезирующие, фосфидогаллиевые, эпи*
таксиально-диффузионные. Предназначены для визуальной
индикации. Индикаторы имеют пять сегментов и децимальную
точку, излучающих свет при воздействии прямого тока. Раз-
личные комбинации элементов, обеспечиваемые внешней ком-
мутацией, позволяют воспроизвести знаки полярности «+» и
«—», знаки «+1», «—1» и децимальную точку. Выпускаются в
пластмассовом корпусе. Высота знака 7 мм.
Масса прибора не более 2 г.
Электрические и световые параметры
Цвет свечения......................... Желто-зеленый
Сила света при /ПР = 20 мА через элемент,
не менее:
сегмента.............................. 0,12 мкд
децимальной точки..................... 0,04 мкд
Относительная неравномерность силы света
между элементами, не более............... 3
Длина волны излучения в максимуме спек-
тральной плотности....................... 550...610 нм
Постоянное прямое напряжение на элементе
при /пр - 20 мА, не более................ 3,6 В
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение любой формы и перио-
дичности (пиковое значение).............
Постоянный прямой ток через элемент'
при Т - —60...+35 ’С....................
Импульсный прямой ток через элемент
при ?и < 10 мс..........................
Рассеиваемая мощность2 при Т = —60...+35 ’С
Температура окружающей среды............
5 В
25 мА
300 мА
540 мВт
-6О...+7О ’С
1 В интервале температур +35...+70 ’С максимально допустимый постоян-
ный прямой ток 4». макс определяется по формуле
4«>. макс = 25 — 0,5 (Т ~ 35), мА.
2 В интервале температур +35...+70 ’С максимально допустимая рассеивае-
мая мощность Дик определяется по формуле
Аикс = 540 - 10,8(Г - 38), мВт.
Зона возможных положений за-
висимости прямого тока от на-
пряжения
Зависимость силы света от темпе-
ратуры
Зона возможных положений за-
висимости силы света от прямо-
го тока
Спектр излучения
АЛС328А, АЛС328Б, АЛС328В, АЛС328Г
Индикаторы знакосинтезирующие, многоразрядные, на
основе соединения галлий—фосфор—мышьяк, эпитаксиаль-
ные. Применяются для отображения информации в электрон-
ных секундомерах и микрокалькуляторах. Индикаторы имеют
пять разрядов, каждый разряд образован элементами, излуча-
ющими свет при воздействии прямого тока. Различные комби-
нации элементов, обеспечиваемые внешней коммутацией в муль-
типлексном режиме, позволяют воспроизвести многоразряд-
ные числа. Выпускаются в пластмассовом корпусе. Высота
знака у АЛС328А, АЛС328Б 2,5 мм, у АЛС328В и АЛС328Г
3,75 мм.
Масса прибора не более 0,85 г.
Электрические и световые параметры
Цвет свечения.......................... Красный
Средняя по индикатору сила света элемента
при /ПР = 3 мА, не менее............... 50 мккд
Относительная неравномерность силы света
индикатора (между разрядами), не более. 2
Постоянное прямое напряжение на элементе
при /ПР = 3 мА, не более............... 1,85 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение............ 5 В
Постоянный или средний прямой ток через
один элемент при Т С +35 ’С............... 5 мА
А/1С328(А- ~)
74 13 12 11 10 9 8
ЧТР «ГГТ.ЧТР «ГГР ЧТР.ЧТР «ГПР
7-4 - разновидности
разрядов
л 1^,1» л [тар;
1 2 3 4 5 6 7
18.75__________
13 4 9 7
Импульсный прямой ток через один элемент
при 7И= 1 мс, +35 °С.................................... 120 мА
Температура окружающей среды ••••••••••••••••••••в -25...+55 С
17-373
АЛС329А, АЛС329Б, АЛС329В, АЛС329Г,
АЛС329Д, АЛС329Е, АЛС329Ж, АЛС329И,
АЛС329К, АЛС329Л, АЛС329М, АЛС329Н
Индикаторы знакосинтезирующие, многоразрядные на ос-
нове соединения галлий—фосфор—мышьяк, эпитаксиальные.
Применяются для отображения информации в электронных
секундомерах и микрокалькуляторах. Индикаторы АЛС329В
АЛС329Г, АЛС329Д, АЛС329Е, АЛС329К, АЛС329Л, АЛС329М,
АЛС329Н — трехразрядные, АЛС329А, АЛС329Б, АЛС329Ж,
АЛС329И — четырехразрядные, каждый разряд образован
элементами, излучающими свет при воздействии прямого тока.
Различные комбинации элементов, обеспечиваемые внешней
коммутацией в мультиплексном режиме, позволяют воспроиз-
вести многоразрядные числа. Выпускаются в пластмассовом
корпусе. Маркируются точками на корпусе: АЛС329А — од-
ной белой, АЛС329Б — двумя белыми, АЛС329В — одной
черной, АЛС329Г — двумя черными, АЛС329Д — одной жел-
той, АЛС329Е — двумя желтыми, АЛС329Ж — одной зеле-
ной, АЛС329И — двумя зелеными, АЛС329К — зеленой и
белой, АЛС329Л — зеленой и черной, АЛС329М — зеленой и
желтой, АЛС329И — желтой и черной. Высота знака у прибо-
ров АЛС329А—АЛС329Е 2,5 мм, АЛС329Ж-АЛС329Н 3,75 мм.
Масса прибора не более 0,68 г.
АЛС329(В-Е,К-Н)
'6
АЛС329(А.Б.Ж.И)
Электрические и световые параметры
Цвет свечения............................... Красный
Средняя (по индикатору) сила света элемента
ПРИ /пр = з мА, не менее.................... 50 мккд
17» 515
Относительная неравномерность силы света
индикатора (между разрядами), не более. 2
Постоянное прямое напряжение на элементе
при /пр = 3 мА, не более............... 1,85 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение......... 5 В
Постоянный или средний прямой ток через
один элемент при Т +35 ’С.............. 5 мА
Импульсный прямой ток через один элемент
при = 1 мс, Т С +35 ’С................. 120 мА
Температура окружающей среды........... —25...+55 ’С
АЛСЗЗОА, АЛСЗЗОБ, АЛСЗЗОВ, АЛСЗЗОГ,
АЛСЗЗОД, АЛСЗЗОЕ, АЛСЗЗОЖ, АЛСЗЗОИ,
АЛСЗЗОК
Индикаторы знакосинтезирующие, многоразрядные, на ос-
нове соединения галлий—фосфор—мышьяк, эпитаксиальные.
Применяются для отображения информации в электронных
секундомерах и микрокалькуляторах. Индикаторы АЛСЗЗОВ,
АЛСЗЗОГ, АЛСЗЗОД, АЛСЗЗОЕ, АЛСЗЗОИ, АЛСЗЗОК - двухраз-
рядные, АЛСЗЗОА, АЛСЗЗОБ, АЛСЗЗОЖ — трехразрядные.
Каждый разряд образован элементами, излучающими свет при
воздействии прямого тока. Различные комбинации элементов,
обеспечиваемые внешней коммутацией в мультиплексном ре-
жиме, позволяют воспроизвести многоразрядные числа. Вы-
пускаются в пластмассовом корпусе. Маркируются точками на
корпусе: АЛСЗЗОА — одной белой, АЛСЗЗОБ — двумя белыми,
АЛСЗЗОВ — одной черной, АЛСЗЗОГ — двумя черными,
АЛСЗЗОД — одной желтой, АЛСЗЗОЕ — двумя желтыми,
АЛСЗЗОЖ — двумя зелеными, АЛСЗЗОИ — зеленой и белой,
АЛСЗЗОК — зеленой и желтой. Высота знака у приборов
АЛСЗЗОА—АЛСЗЗОЕ 3,75 мм, АЛС330Ж-АЛС330К 5 мм.
Масса прибора не более 0,55 г.
Электрические и световые параметры
Цвет свечения........................... Красный
Средняя (по индикатору) сила света элемента
при /ПР = 3 мА, не менее................ 50 мккд
Относительная неравномерность силы света
индикатора (между разрядами), не более.. 2
Постоянное прямое напряжение на элементе
при /ПР - 3 мА, не более................ 1,85 В
АЛСЗЗО'А-К/
12 11 10 9 в 7
1Г>
Х>
1-4 - разновидности
разрядов
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение........... 5 В
Постоянный или средний прямой ток через
один элемент при Т < +35 ’С.............. 5 мА
Импульсный прямой ток при = 1 мс,
Т < +35 *С............................. 120 мА
Температура окружающей среды........... —25...+55 *С
АЛСЗЗЗА, АЛСЗЗЗБ,
АЛСЗЗЗВ, АЛСЗЗЗГ
Индикаторы знакосинтезирующие, фосфидгаллиевые, эпи-
таксиально-диффузионные. Предназначены для визуальной
индикации. Индикаторы имеют семь сегментов и децимальную
точку, излучающих свет при воздействии прямого тока. Раз-
личные комбинации элементов, обеспечиваемые внешней ком-
мутацией, позволяют воспроизвести цифры от 0 до 9 и деци-
мальную точку. Выпускаются в пластмассовом корпусе. Высо-
та знака 12 мм.
Масса прибора не более 2,6 г.
А
АЛСЗЗЗ(А.В)
АЛСЗЗЗ(Б.Г)
Электрические и световые параметры
Цвет свечения........................... Красный
Сила света при 7^, = 200 мА через элемент,
не менее:
сегмента:
АЛСЗЗЗА, АЛСЗЗЗБ.................. 0,2 мкд
АЛСЗЗЗВ, АЛСЗЗЗГ.................. 0,15 мкд
децимальной точки:
АЛСЗЗЗА, АЛСЗЗЗБ.................. 0,1 мкд
АЛСЗЗЗВ, АЛСЗЗЗГ.................. 0,08 мкд
Относительная неравномерность силы света
между элементами, не более............... 3
Постоянное прямое напряжение на элементе
при /ПР = 20 мА, не более............... 2 В
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение любой формы и перио-
дичности (пиковое значение)............... 5 В
Постоянный прямой ток через элемент1:
при Т- +60...+35 ’С........................ 25 мА
при Т - +70 ’С......................... 7,5 мА
1 В интервале температур +35...+70 *С максимально допустимый прямой ток
4р, макс определяется по формуле
4> и*кс = 25-0,5 (Г-35), мА.
Рассеиваемая мощность':
при Т = —60...+35 ’С................. 400 мВт
при Т - +70 ’С....................... 90 мВт
Температура окружающей среды............. —6О...+7О ’С
1 В интервале температур +35...+70 *С максимально допустимая рассеивае-
мая мощность Рмкс определяется по формуле
Риме = 400 - 8,75 (Г - 35), мВт.
Зона возможных положений за-
висимости прямого тока от на-
пряжения
Зона возможных положений за-
висимости силы света от прямо-
го тока
Зависимость силы света от темпе-
ратуры
АЛС334А, АЛС334Б, АЛС334В, АЛС334Г
Индикаторы знакосинтезирующие, фосфидгаллиевые, эпи-
таксиально-диффузионные. Предназначены для визуальной ин-
дикации. Индикатор имеет семь сегментов и децимальную точку,
излучающих свет при воздействии прямого тока. Различные ком-
520
бинации элементов, обеспечиваемые внешней коммутацией, по-
зволяют воспроизвести цифры от 0 до 9 и децимальную точку.
Выпускаются в пластмассовом корпусе. Высота знака 12 мм.
Масса прибора не более 2,6 г.
АЛСЗЗЦЛ.В)
Электрические и световые параметры
Цвет свечения.......................... Желтый
Сила света при /ПР = 20 мА через элемент,
не менее:
сегмента:
АЛС334А, АЛС334Б................ 0,2 мкд
АЛС334В, АЛС334Г................ 0,15 мкд
децимальной точки:
АЛС334А, АЛС334Б................ 0,1 мкд
АЛС334В, АЛС334Г................ 0,08 мкд
Относительная неравномерность силы света
между элементами, не более.............. 3
Постоянное прямое напряжение на элементе
при /пр = 20 мА, не более.............. 3,3 В
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение любой формы и перио-
дичности (пиковое значение)........... 5 В
Постоянный прямой ток через элемент':
при Т = —60...+35 ’С................ 25 мА
при Т - +70 ’С...................... 7,5 мА
Рассеиваемая мощность2:
при Т = —60...+35 ’С................ 660 мВт
при Т - +70 ’С...................... 168 мВт
Температура окружающей среды........... —60...+70 ’С
1 В интервале температур +35...+70 *С максимально допустимый прямой ток
Ар макс определяется по формуле
/п₽ м*кс = 25-0,5(Г-35), мА.
1 В интервале температур +35...+70 ’С максимально допустимая рассеивае-
мая мощность Рмакс определяется по формуле
вике = 660 - 14,1 (Г — 35), мВт.
Зона возможных положений за-
висимости прямого тока от на-
пряжения
Зависимость силы света от темпе-
ратуры
Зона возможных положений за-
висимости силы света от прямо-
го тока
АЛС335А, АЛС335Б, АЛС335В, АЛС335Г
Индикаторы знакосинтезирующие, фосфидгаллиевые, эпи-
таксиально-диффузионные. Предназначены для визуальной
индикации. Индикатор имеет семь сегментов и децимальную
точку, излучающих свет при воздействии прямого тока. Раз-
личные комбинации элементов, обеспечиваемые внешней ком-
мутацией, позволяют воспроизвести цифры от 0 до 9 и деци-
мальную точку. Выпускаются в пластмассовом корпусе. Высо-
та знака 12 мм.
Масса прибора 2,6 г.
Электрические и световые параметры
Цвет свечения............................ Зеленый
Сила света при /ПР = 20 мА через элемент,
не менее:
сегмента:
АЛС335А, АЛС335Б................... 0,25 мкд
АЛС335В, АЛС335Г................... 0,15 мкд
точки:
АЛС335А, АЛС335Б................... 0,12 мкд
АЛС335В, АЛС335Г................... 0,08 мкд
Относительная неравномерность силы света
между элементами, не более............... 3
Постоянное прямое напряжение на элементе
при /пр = 20 мА, не более................ 3,5 В
АЛС335(А-Г)
А/1СН5(А.В)
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение любой формы и перио-
дичности (пиковое значение).......... 5 В
Постоянный прямой ток через элемент'-3:
при 7 = —60...+35 ’С........................ 25 мА
при Т- +70 ’С............................ 7,5 мА
Рассеиваемая мощность2:
при Т - —60...+35 ’С........................ 660 мВт
при 7= +70 ’С............................ 90 мВт
Температура окружающей среды................ —60...+70 ’С
1 В интервале температур +35...+70 ’С максимально допустимый постоян-
ный прямой ток через элемент 4р. макс определяется по формуле
4р макс = 25 — 0,5 (Г—35), мА.
1 В интервале температур +35...+70 ’С максимально допустимая рассеивае-
мая мощность Рмакс снижается линейно.
3 Допускается использовать индикаторы в импульсном режиме. При этом
максимально допустимый импульсный ток через сегмент при ги $ 2,5 мс соста-
вляет 200 мА, а эиачеиие среднего тока определяется по формуле
4»Р СР = 41Р МАКС — 0,06 (4р И “ /пр, макс)-
Зона возможных положений за-
висимости прямого тока от пря-
мого напряжения
Зона возможных положений за-
висимости силы света от прямо-
го тока
Зависимость силы света от темпе-
ратуры
АЛС338А, АЛС338Б, АЛС338В
Индикаторы знакосинтезирующие, фосфидгаллиевые, эпи-
таксиально-диффузионные. Предназначены для визуальной
индикации. Индикаторы АЛС338А, АЛС338Б имеют семь сег-
ментов и децимальную точку, АЛС338А содержит элементы с
общим катодом, АЛС338Б — с общим анодом. Индикатор
АЛС338В имеет три сегмента, два полусегмента и децималь-
ную точку и формирует знаки полярности и переполнения,
излучающие свет при воздействии прямого тока. Различные
комбинации элементов, обеспечиваемые внешней коммутацией
индикаторов АЛС338А, АЛС338Б, позволяют воспроизводить
цифры от 0 до 9 и децимальную точку, АЛС338В — знак
переполнения «±1», знаки полярности «+» и «—» и децималь-
ную точку. Выпускаются в пластмассовом корпусе. Высота
знака 7 мм.
Масса прибора не более 2,5 г.
7
6
5
С
3
2
1
8
9
10
11
12
13
И
Цбетная точка
О
о
о
О
о
АЛСИ8А Л/1СН86
1.12-
оИший
катод
АЛС338В
Н \в.ц
1 — катод В, 2 — анод Д 4 — катод С; 5 — катод Г; 6 — анод Е;
7 — анод С; 8 — катод И, 9 — анод Н, 10 — катод В, 11 — катод А;
13 — анод А; 14 — анод В
Электрические и световые параметры
Цвет свечения............................. Зеленый
Сила света при /пр = 20 мА через элемент,
не менее:
сегмента............................... 0,15 мкд
децимальной точки...................... 0,08 мкд
Постоянное прямое напряжение на элементе
при /пр = 20 мА, не более................. 3,5 В
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение любой формы и перио-
дичности (пиковое значение)............
Постоянный прямой ток через элемент' 1 2
при Г= -60...+35 ’С....................
Импульсный прямой ток через элемент'
при ги < 2,5 мс, Т - —60...+35 ’С......
Рассеиваемая мощность' при Т = —60...+35 ’С:
АЛС338А, АЛС338Б....................
АЛС338В.............................
Температура окружающей среды...........
5 В
25 мА
200 мА
700 мВт
525 мВт
-60...+70 ’С
1 В диапазоне температур окружающей среды +35...+70 °С максимально
допустимый постоянный прямой ток через элемент снижается с коэффициентом
0,5 мА/’С, максимально допустимый импульсный ток — с коэффициентом
4 мА/’С, а максимально допустимая рассеиваемая мощность снижается линей-
но с коэффициентом 15,9 мВт/’С для АЛС338А, АЛС338Б и 10,5 мВт/’С для
АЛС338В.
2 Максимальный прямой (средний) ток должен быть меньше максимально
Допустимого постоянного прямого тока во всем диапазоне рабочих температур.
Зона возможных положений за-
висимости прямого тока от на-
пряжения
Спектр излучения
Зависимость силы света излучающего
элемента от температуры
Зависимость силы света
излучающего элемента
от прямого тока
ЗЛС339А
Индикатор знакосинтезирующий, фосфид—арсенид—тал-
лиевый, эпитаксиальный. Предназначен для визуальной инди-
кации. Индикатор имеет семь сегментов и децимальную точку,
излучающих свет при воздействии прямого тока. Различные
комбинации элементов, обеспечиваемые внешней коммутации,
528
позволяют воспроизвести цифры от 0 до 9 и децимальную
точку. Высота знака 2.5 мм. Выпускаются в стеклокерамиче-
ском корпусе.
Масса прибора не более 3 г.
3/1С339А
Подключами» выводов
при формировании цифр и знака
Цифры
и знак
О
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Десятич-
ный знак
Выводы
2, 3. 4, 5, 6, 8, 9, 10
3, 6. 8, 9
1, 3. 4, 5, 8, 9, 10
1, 3. 5, 6, 8, 9, 10
1, 2, 3, 6. 8, 9
1, 2, 3, 5, 6, 8, 10
1, 2. 3, 4. 5, 6, 8, 10
3, б, 8, 9, 10
1, 2, 3, 4. 5, 6, 8, 9, 10
1, 2, 3, 5, б, 8, 9, 10
2, 3, 8
Электрические и световые параметры
Цвет свечения.......................... Красный
Сила света индикатора при /Пр = 3 мА,
не менее............................... 160 мккд
Отношение силы света двух любых сегментов 1...3
Постоянное прямое напряжение сегмента
при /пр = 3 мА, не более:
Г=’+25 и+70 °С.......................... 1,9 В
Г=-60‘С............................. 2,5 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное (импульсное) обратное напряже-
ние ............................... 5 В
Постоянный прямой ток сегмента:
-60’С « 7«+35’С................. 5 мА
7=+70’С......................... ЗмА
Импульсный прямой ток сегмента
при ги = 2,5 мс:
-60 ’С < 7*5 +35 ’С:
0*512........................... 5 мА
О > 12....................... 60 мА
7 = +70 ’С:
0*5 12.......................... ЗмА
О >12........................ 36 мА
Рассеиваемая мощность сегмента:
-60’С « 7«+35’С................. 76 мВт
7=+70’С......................... 46 мВт
Температура окружающей среды....... —60...+70 ’С
1 В диапазоне температур окружающей среды +35...+70 ’С прямой постоян-
ный и импульсный токи, рассеиваемая мощность снижается линейно.
Разрешается присоединять выводы индикатора к элемен-
там аппаратуры на расстоянии не ближе 2,5 мм от корпуса.
При пайке выводов в течение 2...3 с нагрев индикатора в
любой точке не должен превышать +85 ’С. Крепление индика-
тора должно осуществляться путем зажима в специальный
соединитель или распайкой его на печатную плату.
При загрязнении поверхность индикатора рекомендуется
протирать ватным тампоном, смоченном в этиловом спирте.
В качестве схемы управления
рекомендуется применять микро-
схему 514ИД1.
МЛ)
Зона возможных положений зависи-
мости прямого тока от напряжения
Зависимость силы света от сред-
него прямого тока при различ-
ных значениях скважности
Зона возможных положений за-
висимости силы света от темпе-
ратуры
Зависимость максимального импульс-
кого прямого тока от скважности
Зависимость постоянного прямого
напряжения от температуры
ЗЛС340А, АЛС340А
Индикаторы знакосинтезирующие, на основе соединения
фосфид—арсенид—галлий, эпитаксиально-диффузионные.
Предназначены для визуальной индикации. Индикаторы имеют
35 элементов (7 рядов по 5 элементов в ряду) и левую деци-
мальную точку, излучающих свет при воздействии прямого
тока. Различные комбинации элементов, обеспечиваемые внеш-
ней коммутацией, позволяют воспроизвести цифры от 0 до 9
и децимальную точку, а также буквы русского и латинского
алфавитов и другие символы. Выпускаются в пластмассовом
корпусе. Высота знака 9 мм.
Масса прибора не более 3,5 г.
ЗЛСЗ^ОА. А/1СМ0А
Электрические и световые параметры
Цвет свечения............................. Красный
Сила света элемента (среднее значение)
при /п₽ = 10 мА, не менее................. 0,125 мкд
Сила света точки при /пр = 10 мА, не более.... 0,06 мкд
Относительная неравномерность силы света
между элементами при /пр = 10 мА, не более. 4
Постоянное прямое напряжение на каждом
элементе при /ПР = 10 мА, не более........ 2,5 В
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение любой формы и перио-
дичности ............................. 4 В
Постоянный прямой ток через элемент':
при 7=-60...+35 ’С.................... 11 мА
при 7 = +70 ’С..................... 3 мА
Импульсный прямой ток через элемент1
при 4, 10 мс, /= 50 Гц:
7=-60...+35 ’С........................ 200 мА
7=+70’С............................ 55,2 мА
Рассеиваемая мощность1:
при 7 = —60...+35 ’С.................. 550 мВт
при 7=+70’С........................ 120 мВт
Температура окружающей среды.......... —60...+70 ’С
1 В диапазоне температур +35...-1-70 ’С максимально допустимый постоян-
ный прямой ток и максимально допустимый импульсный ток снижаются с
коэффициентами 0,229 мА/’С и 4,12 мА/’С соответственно, максимально
допустимая рассеиваемая мощность снижается с коэффициентом 12,29 мВт/’С.
Зона возможных положений зависи-
мости силы света от прямого тока
/пр .мА
Зона возможных положений за- Зависимость прямого напряжения
висимости прямого тока от на- от температуры
пряжения
ЗЛС342А, ЗЛС342Б, ЗЛС342В, ЗЛС342Г
Индикаторы знакосинтезирующие, фосфид—арсенид—тал-
лиевые, эпитаксиальные. Предназначены для визуальной ин-
дикации. Индикаторы имеют семь сегментов и децимальную
точку, излучающих свет при воздействии прямого тока. Раз-
личные комбинации элементов, обеспечиваемые внешней ком-
мутацией, позволяют воспроизвести цифры от 0 до 9 и деци-
мальную точку. Высота знака 8 мм. Выпускаются в пластмас-
совом корпусе.
Масса индикатора не более 2,5 г.
Электрические и световые параметры
Цвет свечения......................... Желтый
Сила света при /ПР = 20 мА, не менее:
сегмента:
ЗЛС342А, ЗЛС342Б................ 0,45 мкд
ЗЛС342В, ЗЛС342Г................ 0,15 мкд
точки:
ЗЛС342А, ЗЛС342Б................ 0,15 мкд
ЗЛС342В, ЗЛС342Г................ 0,05 мкд
Относительный разброс силы света между
сегментами, не более.................. 3
Постоянное прямое напряжение излучающего
сегмента при 4н> = 20 мА, не более:
Г=+25’С............................ 3,5 В
Г=+70’С............................ 3,3 В
Т=-60'С............................ 5,0 В
3/1Си2(А-Г)
5ЛСМ2(А.В)
Подключение выводов при формировании цифр и знака
Цифры Выводы
и знак ЗЛС342А, ЗЛС342В ЗЛС342Б, ЗЛС342Г
0 7, 4, 6, 7, 8, 12, 13, 14 1, 2, 3, 7, 8, 9, 10, 13, 14
1 4, 8, 13, 14 3, 9, 10, 13, 14
2 2, 4, 6, 7, 12, 13, 14 1, 3, 7, 8, 9, 11, 13, 14
3 2, 4, 7, 8, 12, 13, 14 1, 3, 8, 9, 10, 11, 13, 14
4 1, 2, 4, 8, 12, 13 2, 3, 9, 10, 11, 13, 14
5 1, 2, 4, 7. 8, 12, 14 1, 2, 3, 8, 9, 10, 11, 14
6 1, 2, 4, 6, 7, 8, 12, 14 1, 2, 3, 7, 8, 9, 10, 11, 14
7 4, 8, 12, 13, 14 1, 3, 9, 10, 13, 14
8 1, 2, 4, 6, 7, 8, 12, 13, 14 1, 2, 3, 7, 8. 9, 10, 11, 13, 14
9 1, 2, 4. 7, 8, 12, 13, 14 1, 2, 3, 8, 9, 10, 11, 13, 14
Десятич- ный знак 4, 9, 12 3. 6, 9, 14
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное (импульсное) обратное напряже-
ние.................................. 5 В
Постоянный прямой ток сегмента:
-60 ’С^ 74+35 ’С..................... 25 мА
Г=+70’С1,2........................ 7,5 мА
Импульсный прямой ток сегмента
при /*и = 2,5 мс:
-60 ’С 74 +35 ’С.................. 200 мА
7=+70’С........................... 60 мА
Рассеиваемая мощность сегмента:
-60’С 74+35’С........................ 700 мВт
7=+70’С........................... 180 мВт
Температура окружающей среды......... —60...+70 ’С
' В диапазоне температур окружающей среды +35...+7О ’С прямой постоян-
ный и импульсный токи, рассеиваемая мощность снижаются линейно с коэффи-
циентами: для 4р. ндкс — 0,5 мА/’С, для 4р и мдкс — 4 мА/‘С, для —
14,9 мВт/’С.
г Средний максимальный прямой ток сегмента рассчитывается по формуле
4р, СР МАКС = 4]Р КАКС — 0,®® (41Р, и ” 4р макс)-
Разрешается присоединять выводы индикатора к элемен-
там аппаратуры на расстоянии не ближе 2 мм. При пайке
выводов в течение 2...3 с нагрев индикатора в любой точке не
должен превышать +85 ’С.
При загрязнении поверхность индикатора рекомендуется
протирать ватным тампоном, смоченном в этиловом спирте.
Использование спирто-бензиновых смесей не допускается.
В качестве схемы управления для индикаторов ЗЛС342Б,
ЗЛС342Г рекомендуются применять микросхемы 541ИД2.
Зона возможных положений за-
висимости прямого тока от на-
пряжения
Диаграмма направленности излу-
чения
Зависимость силы света от темпе-
ратуры
Зависимость силы света от пря-
мого тока
№)/!$)цлк
Спектр излучения
5ии бии 7оол.нм
ЗЛС343А-5, АЛС343А-5, АЛС366А-5
Линейки светоизлучающие, на основе соединения галлий-
фосфор—мышьяк, эпитаксиальные, бескорпусные. Линейки
имеют 100 элементов отображения (ЗЛС343А—5, АЛС343А—5)
и 128 элементов (АЛС366А—5), излучающих свет при воздей-
ствии прямого тока. Применяются для записи информации на
фотопленку в составе гибридных микросхем в герметизиро-
ванных блоках. Маркировка на индикаторе отсутствует. Тип
прибора приводится на вкладыше в индивидуальной таре.
Масса прибора не более 0,05 г.
5/О45А-5. АЛСМЗА-5. АЛС366А-5
Электрические и световые параметры
цвет свечения......................... Красный
Сила света элемента при /пр = 1 мА, не менее:
ЗЛС343А—5, АЛС343А—5.................. 5 мккд
типовое значение*............... 80 мккд
АЛС366А—5.......................... 6 мккд
типовое значение*............... 80 мккд
Длина волны излучения в максимуме спек-
тральной плотности.................... 0,66 мкм
Относительный разброс силы света между
элементами, не более.................. 3
типовое значение*.................. 1,8
Яркость элемента, не менее............. 55000 кд/м2
типовое значение*.................. 90000 кд/м2
Постоянное прямое напряжение, не более:
при Т = +25 и +70 ’С, <)₽ = 1 мА для
ЗЛС343А—5, АЛС343А-5, АЛС366А-5 2 В
при Т - —60 ’С:
/ПР = 2 мА для ЗЛС343А—5,
АЛС343А—5....................... 2,2 В
4р = 3 мА для АЛС366А—5......... 2,2 В
при Т = +25 ’С, /п₽ = 10 мА для
ЗЛС343А-5, АЛС343А-5, АЛС366А-5 2,6 В
типовое значение*.................. 1,9 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное (импульсное) обратное напряже-
ние................................... 3 В
Постоянный (средний) прямой ток сегмента:
-60 7^ +35 ’С:
ЗЛС343А-5, АЛС343А—5............... 4 мА
АЛС366А—5....................... 5 мА
7= +70 ’С’:
ЗЛС343А-5, АЛС343А—5............... 2 мА
АЛС366А—5....................... ЗмА
Импульсный прямой ток сегмента:
—60 ^7^+35’С.......................... 30 мА
7=+70’С’........................... 20 мА
Рассеиваемая мощность сегмента:
-60’С^ 7^+35’С........................ 15 мВт
7=+70’С’........................... 9 мВт
Температура окружающей среды.......... —60...+70 ’С
1 В диапазоне температур окружающей среды +35...+7О 'С постоянный
едний), импульсный токи, рассеиваемая мощность снижаются линейно.
Диаграмма направленности и,
лучения
НМ
ЗЛСЗШ -5 А/1С363А -5 АЛС366А -5
л,
700
600
О 20 ЬО 60ТХ
Зависимость длины волны макси-
мума спектра излучения от темпе-
ратуры
Зона возможных положений пря-
мого тока от напряжения
Зависимость силы света от темпе-
ратуры
ЗЛС345А, АЛС345А, АЛС345Б
Шкалы линейные, на основе соединения галлий—алюми-
ний-мышьяк, эпитаксиальные. Применяются для визуальной
индикации. Шкалы имеют восемь элементов, излучающих свет
при воздействии прямого тока. Выпускаются в пластмассовом
корпусе.
Масса прибора не более 1,5 г.
3/7С345А АЛСЗМА.Б)
0.6
03
| 1.25
7x1.25=8.75
Вид А
12 3 4 5
ОО ООО
ООО ОО
10 9 8 7 6
9.9
Электрические и световые параметры
Цвет свечения........................... Красный
Сила света одного элемента при /ПР = 10 мА,
не менее:
ЗЛС345А, АЛС345А..................... 0,3 мкд
АЛС345Б.............................. 0,2 мкд
Неравномерность силы света шкалы, не более:
ЗЛС345А............................. 30%
АЛС345А............................. 40%
АЛС345Б............................. 50%
Длина волны излучения в максимуме спек-
тральной плотности..................... 0,67 мкм
Постоянное прямое напряжение на элементе
при = 10 мА, не более................... 2,2 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение.......... 4 В
Постоянный прямой ток через один элемент .. 12 мА
Температура окружающей среды............ —60...+70 ‘С
ЗЛС347А, АЛС347А
Модули экрана на основе соединения фосфид—арсенид—
галлий, планарные. Модули имеют 64 элемента (8 столбцов по
8 элементов в столбце) с перекрестной коммутацией, излучаю-
щих свет при воздействии прямого тока. Позволяют осущест-
влять бесшовную стыковку и набор в экраны различной вели-
чины для отображения информации. Выпускаются в пластмас-
совом корпусе. Размеры модуля 10х 10 мм2.
Масса прибора не более 3,5 г.
3/04 7А А/1С347А
Электрические и световые параметры
Цвет свечения............................. .Красный
Сила света элемента при /ПР = 10 мА (среднее
значение), не менее....................... 0,1 мкд
Относительная неравномерность силы света
между элементами модуля при /ПР = 10 мА,
не более................................... 4
Постоянное прямое напряжение на излучаю-
щем элементе при /щ» = 10 мА, не более.... 2,5 В
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение любой формы и перио-
дичности излучающего элемента (пиковое зна-
чение) ................................ 2 В
Постоянный (средний) прямой ток элемента1:
при Т = —60...+35 ’С................... 11 мА
при Т = +70 ’С...................... 3,3 мА
Импульсный прямой ток через элемент1
при 4, < 20 мс:
Г=-60...+35 ’С......................... 200 мА
Г=+70’С............................. 56 мА
Постоянная рассеиваемая мощность1:
при Т - —60...+35 ’С................... 340 мВт
при Т = +70 ’С...................... 90 мВт
Температура окружающей среды........... —60...+70 ’С
1 В диапазоне температур окружающей среды +35...+7О *С постоянный
прямой ток снижается с коэффициентом 0,22 мА/’С, рассеиваемая мощность
модуля снижается с коэффициентом 7,15 мВт/“С, импульсный прямой ток
рассчитывают по формуле
= 1,9 + 0,07 (70 - Т) О°*. мА,
где 0 — скважность импульсов. Зависимость прямого напряжения от температуры Ц»В .... МС347А 16_^^ 1<^10мА АЛС347А 1.7 — 1.6 '-6й -А -2(7 Л)
Зона возможных положений за-
висимости прямого тока от на-
пряжения
!«.мкд
Спектр излучения
Зона возможных положений за-
висимости силы света от прямо-
го тока
160
80
3/1С347А
А/1С347А
/?! I I I
-60 -60 -20 *20 ^ОТ <^
Зависимость силы света от темпе-
ратуры
ЗЛС348А
Индикатор знакосинтезирующий, фосфидгаллиевый, эпи-
таксиальный. Предназначен для визуальной индикации. Индика-
тор имеет семь сегментов и децимальную точку, излучающих
свет при воздействии прямого тока. Различные комбинации
элементов, обеспечиваемые внешней коммутацией, позволяют
воспроизвести цифры от 0 до 9 и децимальную точку. Высота
знака 2,5 мм. Выпускается в стеклокерамическом корпусе.
Масса индикатора не более 3 г.
3/1С348А
Электрические и световые параметры
Цвет свечения........................... Зеленый
Сила света индикатора при /ПР = 5 мА,
не менее................................ 160 мккд
Отношение силы света двух любых сегментов,
не более................................. 3
Постоянное прямое напряжение сегмента
при /пр = 5 мА, не более:
Г= +25 и +70 ’С....................... 2,7 В
Г=-60*С.............................. 3,0 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение...... 5 В
Постоянный прямой ток сегмента:
-60’С < 7"^+35’С..................... 8 мА
Г=+70’С........................... 5 мА
Импульсный прямой ток сегмента
при 4, = 2,5 мс:
-60 ’С < +35 ’С:
0^8............................ 8 мА
О > 8.......................... 64 мА
Г= +70 ’С:
О < 8............................. 5 мА
О > 8.......................... 40 мА
Рассеиваемая мощность:
-60 ’С < 7" «г +35 ’С................ 170 мВт
Г«г+70’С.......................... 105 мВт
Температура окружающей среды......... —60...+70 ’С
' В диапазоне температур окружающей среды +35...+70 ’С прямой постоян-
ный и импульсный токи, рассеиваемая мощность снижаются линейно.
Разрешается присоединять выводы индикатора к элемен-
там аппаратуры на расстоянии не ближе 2,5 мм от корпуса.
При пайке выводов в течение 2...3 с нагрев индикатора в
любой точке не должен превышать +85 ’С.
Крепление индикатора должно осуществляться путем за-
жима в специальный соединитель или распайкой его на печат-
ную плату.
При загрязнении поверхность индикатора рекомендуется
протирать ватным тампоном, смоченным в этиловом спирте.
В качестве схемы управления рекомендуется применять
микросхему 514ИД1.
Зона возможных положений за-
висимости прямого тока от на-
пряжения
Зона возможных положений за-
висимости силы света от темпе-
ратуры
Зависимость силы света от прямо-
го тока
Зона возможных положений за-
висимости прямого напряжения
от температуры
АЛС355А-5, АЛС355Б-5
Индикаторы знакосинтезирующие арсенид—фосфид—тал-
лиевые бескорпусные. Предназначены для отображения визу-
альной цифровой и аналоговой информации в герметизируе-
мой кино- и фотоаппаратуре. Индикаторы содержат по 12 из-
лучающих элементов. Тип прибора приводится на вкладыше в
индивидуальной таре.
Масса индикатора не более 0,05 г.
Электрические и световые параметры
Цвет свечения....................... Красный
Сила света элемента, точки, элемента «ноль»
Для АЛС355А—5 при /ПР = 3 мА, не менее. 20 мккд
10 11 12
Сила света элемента «стрелка» при
4,Р = 17 мА, горизонтального элемента
знака «±» при /№ = 8 мА, вертикального
элемента знака «±» при /ПР = 3 мА, для
АЛС355Б—5, не менее......................
Постоянное прямое напряжение, не более:
элемента для АЛС355А—5, 4тр = 3 мА:
+25 ’С < 7^ +70 ’С.................
элемента «нуль» для АЛС355А—5,
= 15 мА, 7=+25’С.....................
элемента «стрелка», для АЛС355Б—5,
/ПР = 17 мА, 7= +25 ’С...............
элемента горизонтального знака «±»
для АЛС355Б—5, 4,Р = 8 мА, 7 = +25 ’С...
20 мккд
1,75 В
2 В
1,75 В
1,75 В
1,75 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение любого
элемента................................ 5 В
Постоянный (средний) прямой ток:
при -60 ’С« 7« +35 'С:
элементы цифры и точки............... 5 мА
элемент «нуль».................... 20 мА
элемент «стрелка»................. 20 мА
элемент горизонтального знака «±» ... 12 мА
элемент вертикального знака «±»... 5 мА
при 7= +70 ’С’:
элементы цифры и точки............... 3 мА
элементы «нуль» и «стрелка»....... 10 мА
элемент горизонтального знака «±» ... 6 мА
элемент вертикального знака «±»... 3 мА
Импульсный прямой ток при Ги = 1 мс, 12,
-60 ’С 7< +70 ’С:
для элементов цифры и точки.......... 40 мА
элементов нуль, стрелка.............. 100 мА
элемент горизонтальный «±»........... 50 мА
элемент вертикальный «±»............. 50 мА
Температура окружающей среды............ —60...+70 'С
1 В диапазоне температур окружающей среды +35...+70 *С постоянные
(средние) прямые токи элементов соответственно снижаются линейно.
Зона возможных положений по
стояиного прямого тока от на*
пряжения
Зависимость силы света от темпе-
ратуры
Спектр излучения
Зависимость силы света от сред-
него прямого тока
АЛС356А, АЛС356Б
Индикаторы знакосинтезирующие, фосфидгаллиевые, пла*
нарные. Предназначены для визуальной индикации. Индикато-
ры имеют девять разрядов (кристаллов), каждый из которых
состоит из семи сегментов и децимальной точки, излучающих
свет при воздействии прямого тока. Различные комбинации
550
элементов, обеспечиваемые внешней коммутацией, позволяют
воспроизвести цифры от 0 до 9 в каждом разряде и децималь-
ную точку. Индикаторы работают в импульсном мультиплекс-
ном режиме. Выпускаются в пластмассовом корпусе. Высота
знака 2,5 мм.
Масса прибора не более 5 г.
АЛС556(А,Б)
1
1-й разряд 9-й разряд
5 9 13 17
11; да
Щ-Ш'Ш ।
I I
'(НАЕ РОВ
Я*
I?
Электрические и световые параметры
Цвет свечения............................. Зеленый
Сила света элемента при /ПР = 10 мА, не менее 40 мккд
Постоянное прямое напряжение на элементе
при /пр = 20 мА, не более................. 2,8 В
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение любой формы и перио-
дичности, пиковое значение.............. 5 В
Средний прямой ток':
при Т = —25...+35 °С.................... 4 мА
при Т = +55 ’С....................... 1,6 мА
Импульсный прямой ток через сегмент'
при /и < 1 мс:
Т=-25...+35 ’С.......................... 40 мА
Г=+55’С.............................. 16 мА
Рассеиваемая мощности' на знак:
при Т = —25...+35 ’С.................... 90 мВт
при Т = +55 ’С....................... 54 мВт
Температура окружающей среды............ —25...+55 ’С
' В диапазоне температур +35...+55 ’С максимальный импульсный прямой
ток, средний прямой ток и максимальная рассеиваемая мощность снижаются с
коэффициентами 1,2 мА/’С, 0,12 мА/’С и 1,8 мВт/’С соответственно.
Спектр излучения
Зона возможных положений за-
висимости силы света от темпе-
ратуры
Зона возможных положений за-
висимости прямого напряжения
от температуры
/к /1у ООпА)
Зависимость силы света от им-
пульсного прямого тока
4, мккд
Зависимости силы света от сред-
него прямого тока
ЗЛС357А, АЛС357А
Индикаторы знакосинтезирующие, на основе соединения
фосфид—арсенид—галлий, эпитаксиально-планарные. Пред-
назначены для визуальной индикации. Индикатор имеет 35 эле-
ментов (7 рядов по 5 элементов в ряду) и децимальную точку,
излучающих свет при воздействии прямого тока. Различные
комбинации элементов, обеспечиваемые внешней коммутацией,
позволяют воспроизвести цифры от 0 до 9 и децимальную
точку, а также буквы русского и латинского алфавитов и
другие символы. Выпускаются в пластмассовом корпусе. Вы-
сота знака 9 мм.
Масса прибора не более 3,5 г.
Электрические и световые параметры
Цвет свечения........................... Желтый
Сила света при /ПР = 10 мА, не менее:
элемента................................ 0,04 мкд
точки................................ 0,02 мкд
Относительная неравномерность силы света
между элементами, не более.............. 4
Постоянное прямое напряжение на элементе
пРи /пр = 10 мА, не более............... 4 В
МС357А, А/1С357А
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное или импульсное обратное напря-
жение любой формы и периодичности (пико-
вое значение)........................... 4 В
Постоянный (средний) прямой ток через эле-
мент:
при Т - —60...+35 °С -............... 10 мА
при Т = +70 °С....................... 3 мА
Импульсный прямой ток через элемент
при /и < 20 мс:
Т= -60...+35 ’С...................... 200 мА
Г=+70 °С............................. 60 мА
' В диапазоне температур +35...+70 'С максимально допустимый постоян-
ный прямой ток снижается линейно, а максимально допустимый импульсный
прямой ток рассчитывается по формуле.
/пр и «*« = 1.8 + 0,07 (70 - Г) О»« мА,
где О — скважность импульсов юка.
рассеиваемая мощность:
при Т - —60...+35 ’С...................... 550 мВт
при Т = +70 ’С’........................ 120 мВт
Температура окружающей среды.............. —60...+70 ’С
1 В диапазоне температур +35...+70 ’С максимально допустимая рассеивае-
мая мощность снижается линейно.
Спектр излучения
Зона возможных положений за-
висимости силы света от прямо-
го тока
Зависимость силы света от темпе-
ратуры
Зона возможных положений
зависимости прямого тока
от напряжения
ЗЛС358, АЛС358
Индикаторы знакосинтезирующие, фосфидгаллиевые, эпи-
таксиально-диффузионные. Предназначены для визуальной
индикации. Индикатор имеет 35 элементов (7 рядов по 5 эле-
ментов в ряду) и децимальную точку, излучающих свет при
воздействии прямого тока. Различные комбинации элементов,
обеспечиваемые внешней коммутацией, позволяют воспроиз-
вести цифры от 0 до 9 и децимальную точку, а также буквы
русского и латинского алфавитов и другие символы. Выпуска-
ются в пластмассовом корпусе. Высота знака 9 мм.
Масса прибора не более 3,5 г.
5ЛС558, А/1С358
Электрические и световые параметры
Цвет свечения............................ Желтый
Сила света при /ПР = 10 мА, не менее:'
элемента.................................. 0,04 мкд
точки................................. 0,02 мкд
Относительная неравномерность силы света
между элементами, не более............... 4
Постоянное прямое напряжение элемента
и точки при /ПР = 10 мА, не более........ 4 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное или импульсное обратное напря-
жение любой формы и периодичности, пико-
вое значение............................ 4 В
Постоянный (средний) прямой ток через эле-
мент':
при Т = —60...+35 °С.................... 10 мА
при Т = +70 ’С....................... 3 мА
Импульсный прямой ток через элемент'
при 7И 20 мс:
Г=-60...+35 ’С.......................... 280 мА
7”=+70’С............................. 85 мА
Рассеиваемая мощность':
при Т = —60...+35 ’С.................... 550 мВт
при Т = +70 ’С....................... 120 мВт
Температура окружающей среды............ —60...+70 ’С
1 В диапазоне температур +35...+70 ’С максимально допустимый постоян-
иый прямой ток и максимально допустимая рассеиваемая мощность снижаются
линейно, а максимально допустимый импульсный прямой ток рассчитывают по
формуле
4г. и. макс = 2,3 + 0,07 (70 - Г) О»'», мА,
где О — скважность импульсов тока.
Зависимость силы света от темпера-
туры
Зона возможных положений за-
висимости прямого тока от на-
пряжения
Спектр излучения
Зона возможных положений за-
висимости силы света от прямо-
го тока
ЗАС359А, ЗЛС359Б, АЛС359А, АЛС359Б
Индикаторы знакосинтезирующие, арсенидгаллиевые, эпи-
таксиальные. Предназначены для визуальной индикации. Ин-
дикаторы имеют семь сегментов и децимальную точку. Раз-
личные комбинации элементов, обеспечиваемые внешней ком-
мутацией, позволяют воспроизвести цифры от 0 до 9 и де-
цимальную точку. Высота знака — 9 мм. Выпускаются в
металлостеклянном (ЗЛС359А, ЗЛС359Б) и пластмассовом
(АЛС359А, АЛС359Б) корпусах.
Масса индикатора не более 3,5 г.
Электрические и световые параметры
Цвет свечения........................... Зеленый
Сила света при /ПР = 20 мА, Т = +25 'С,
не менее:
сегмента............................. 0,2 мккд
точки................................ 0,1 мккд
Относительный разброс силы света между
элементами, не более.................... 3
Длина волны максимума спектра излучения*.. 545...550...
555 нм
Постоянное прямое напряжение сегмента,
не более:
при /ПР = 20 мА, Т= +25 ’С........... 2 В
типовое значение*.................... 1,4 В
при /ПР = 20 мА:
Г=+70’С.......................... 2 В
Г=-60’С.......................... 2,5 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение сегмента.... 3 В
Постоянный прямой ток сегмента......... 22 мА
ЗЛСЗБ9А.Б, АЛС359А.Б
12 . 185
ЗЛС359А, АЛС359А
ЗЛС359А, АЛС359А: 1, 2, 7, 8, 10, 11, 13— аноды; 6 — анод течки; 3, 9, 14 —
общие катоды;
ЗЛС359Б, АЛС359Б: 1, 2, 6, 7, 8, 13, 14 — катоды; 4, 12 — общие аноды; 9 —
катод точки
Импульсный прямой ток сегмента
при Ги = 3 мс:
-60'С < +35 ’С:
8............................
О> 8.............................
Г= +70 ’С:
8..................................
О> 8.............................
Средняя рассеиваемая мощность индикатора.
Температура окружающей среды...........
15 мА
120 мА
10 мА
80 мА
350 мВт
-60...+70 ’С
' В диапазоне температур окружающей среды +35...+70 °С импульсный
прямой ток снижается линейно.
Распайку выводов рекомендуется проводить припоем
ПОС—61 в течение 2...3 с с температурой припоя не более
+250 °С.
Крепить индикатор к плате рекомендуется клеем или мето-
дом распайки.
Для индикаторов ЗЛС359Б, АЛС359Б рекомендуется при-
менять в качестве схемы управления микросхемы 514ИД2.
Зависимость прямого тока от на-
пряжения
Зона возможных положений от-
носительной зависимости силы
света от прямого тока
1ч(Х)/1ч(Х)1ШС
ЗЛС362А, ЗЛС362Б, ЗЛС362В, ЗЛС362Г,
ЗЛС362Д, ЗЛС362Е, ЗЛС362Ж, ЗЛС362И,
ЗЛС362К, ЗЛС362Л, ЗЛС362М, ЗЛС362Н,
АЛС362А, АЛС362Б, АЛС362В, АЛС362Г,
АЛС362Д, АЛС362Е, АЛС362Ж, АЛС362И,
АЛС362К/АЛС362М, АЛС362Н, АЛС362П
Индикаторы знакосинтезирующие шкальные, эпитаксиаль-
ные. На основе соединений арсенида алюминия (ЗЛС362А—
ЗЛС362Г, АЛС362А—АЛС362Г, АЛС362П) и фосфида галлия
(ЗЛС362Д-ЗЛС362Н, АЛС362Д--АЛС362И, АЛС362К—АЛС362Н).
Предназначены для визуального и уровневого отсчета и отобра-
жения информации в аналоговых приборах в виде неоцифро-
ванных и дискретных шкал. Индикаторы состоят из двух, четы-
рех, восьми и десяти элементов с внешней и внутренней комму-
тацией. Выпускаются в пластмассовых корпусах, обеспечиваю-
щих бесшовную стыковку. Высота знака 4,5 мм.
Масса индикатора не более 1,0 г.
Электрические и световые параметры
Цвет свечения:
ЗЛС362А, ЗЛС362Б, ЗЛС362В, ЗЛС362Г,
АЛС362А, АЛС362Б, АЛС362В, АЛС362Г,
АЛС362П.................................. Красный
ЗЛС362Д, ЗЛС362Е, ЗЛС362Ж, ЗЛС362И,
АЛС362Д, АЛС362Е, АЛС362Ж, АЛС362И Желтый
ЗЛС362К, ЗЛС362Л, ЗЛС362М, ЗЛС362Н,
АЛС362К, АЛС362М, АЛС362Н.............. Зеленый
Сила света элемента при /ПР = 10 мА,
не менее:
ЗЛС362А, ЗЛС362Б, ЗЛС362В, ЗЛС362Г .... 0,3 мкд
ЗЛС362Д, ЗЛС362Е, ЗЛС362Ж, ЗЛС362И,
ЗЛС362К, ЗЛС362Л, ЗЛС362М, ЗЛС362Н ... 0,15 мкд
АЛС362А, АЛС362Б, АЛС362В, АЛС362Г . 0,3 мкд
типовое значение*..................... 0,43 мкд
АЛС362Д, АЛС362Е, АЛС362Ж, АЛС362И 0,15 мкд
типовое значение*..................... 0,21 мкд
АЛС362К, АЛС362М, АЛС362Н............. 0,15 мкд
типовое значение*..................... 0,27 мкд
АЛС362П............................... 0,35 мкд
типовое значение*..................... 0,43 мкд
АЛС362А. АЛС362К. АЛС362М.
АЛС362Н, АЛС362П.
ЗЛС362А - ЗЛС362Н
9.95 ~ Л.9
8 7 6 5
8 2 7 3 4
АЛС362(А-В) ЗЛС362(А-В)
АЛС362(Д-Ж) ЗЛС362(Д-Ж)
АЛС362(К-М) ЗЛС362(К.М)
АЛС362Г. ЗЛС362Г
Относительный разброс силы света между
элементами, не более:
ЗЛС362А, ЗЛС362Б, ЗЛС362В, ЗЛС362Г,
ЗЛС362Д, ЗЛС362Е, ЗЛС362Ж, ЗЛС362И,
ЗЛС362К, ЗЛС362Л, ЗЛС362М, ЗЛС362Н ... 3,0
АЛС362А, АЛС362Б, АЛС362В, АЛС362Г,
АЛС362Д, АЛС362Е, АЛС362Ж, АЛС362И,
АЛС362К, АЛС362М, АЛС362Н, АЛС362П 2,5
Яркость излучения, не менее:
АЛС362А................................ 14 кд/м2
типовое значение*................... 21 кд/м2
АЛС362Б, АЛС362В.................... 33 кд/м2
типовое значение*................... 48 кд/м2
АЛС362Г............................. 89 кд/м2
типовое значение*................... 127 кд/м2
АЛС362Д............................. 7 кд/м2
типовое значение*................... 10 кд/м2
АЛС362Е, ЗАС362Ж.................... 17 кд/м2
типовое значение*................... 23 кд/м2
АЛС362И............................. 44 кд/м2
типовое значение.................... 62 кд/м2
АЛС362К............................. 7 кд/м2
типовое значение*................... 13 кд/м2
АЛС362Л, АЛС362М.................... 17 кд/м2
типовое значение*................... 30 кд/м2
АЛС362Н............................. 44 кд/м2
типовое значение*................... 80 кд/м2
АЛС362П............................. 129 кд/м2
типовое значение*................... 159 кд/м2
Постоянное прямое напряжение элемента
при = 10 мА, не более:
Т= +25 ’С:
ЗЛС362А, ЗЛС362Б, ЗЛС362В, ЗЛС362Г 2,0 В
ЗЛС362Д, ЗЛС362Е, ЗЛС362Ж,
ЗЛС362И, ЗЛС362К, ЗЛС362Л,
ЗЛС362М, ЗЛС362Н................... 3,5 В
АЛС362А, АЛС362Б, АЛС362В,
АЛС362Г, АЛС362П................ 2 В
типовое значение*............... 1,64 В
АЛС362Д, АЛС362Е, АЛС362Ж,
АЛС362И, АЛС362К, АЛС362М,
АЛС362Н......................... 3,5 В
типовое значение*............... 2,1 В
Г= +70 ’С:
АЛС362А, АЛС362Б, АЛС362В,
АЛС362Г, АЛС362П................ 2,2 В
АЛС362Д, АЛС362Е, АЛС362Ж,
АЛС362И, АЛС362К, АЛС362М,
АЛС362Н......................... 4,0 В
Г= -60 ’С:
АЛС362А, АЛС362Б, АЛС362В,
АЛС362Г, АЛС362П................ 2,2 В
АЛС362Д, АЛС362Е, АЛС362Ж,
АЛС362И, АЛС362К, АЛС362М,
АЛС362Н......................... 4,0 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение элемента ... 4 В
Постоянный прямой ток элемента для
ЗЛС362А, ЗЛС362Б, ЗЛС362В, ЗЛС362Г при
4/п₽ С 2,5 В, ЗЛС362Д, ЗЛС362Е, ЗЛС362Ж,
ЗЛС362И, ЗЛС362К, ЗЛС362Л, ЗЛС362М,
ЗЛС362Н при 4/ПР С 4,3 В, АЛС362А, АЛС362Б,
АЛС362В, АЛС362Г, АЛС362Д, АЛС362Е,
АЛС362Ж, АЛС362И, АЛС362К, АЛС362М,
АЛС362Н, АЛС362П при 4/п₽ С 4,0 В... 12 мА
Импульсный прямой ток элемента:
ЗЛС362А, ЗЛС362Б, ЗЛС362В, ЗЛС362Г,
ЗЛС362Д, ЗЛС362Е, ЗЛС362Ж, ЗЛС362И,
ЗЛС362К, ЗЛС362Л, ЗЛС362М, ЗЛС362Н,
при (ц > 10 мс................... 12 мА
АЛС362А, АЛС362Б, АЛС362В, АЛС362Г,
АЛС362Д, АЛС362Е, АЛС362Ж, АЛС362И,
АЛС362К, АЛС362М, АЛС362Н, АЛС362П,
при 4, = 3 мс:
-60 ’С С Т С +35 ’С:
ОС 8....................... 15 мА
0=8........................ 120 мА
Г = +70 ’С:
ОС 8.......................... 10 мА
0=8........................ 80 мА
Средняя рассеиваемая мощность всех эле-
ментов индикатора для АЛС362А, АЛС362Б,
АЛС362В, АЛС362Г, АЛС362Д, АЛС362Е,
АЛС362Ж, АЛС362И, АЛС362К, АЛС362М,
АЛС362Н, АЛС362П....................... 350 мВт
Температура окружающей среды........... —60...+70 ’С
1 В диапазоне температур окружающей среды +35...+70 ’С импульсный
прямой ток снижается линейно.
10'
АЛС362А, ЗПС362А.
АЛС362Д ЗЛЕ3620
АЛЕ362К ЗЛЕ362К
О'
10
0.9
0.8
07
06
А/1С362Г.
А/1С362И.
А/1С362Н
--0.9
--0.8
--0 7
--0.6
СО'
--0.5
50'
-_0С
--0.3
60'
70'
80'
90'
А/1С362М
3/1С362М
ЗЛС362Г,
ЗЛС362И.
ЗЛС362Н
0.5 О.С 0.3 02 01
20‘
А/1С3626. 3/1С362Б.
АПС362В. 3/К362В.
А/1С362Е ЗЛС362Е.
АЛС362Ж 3/1С362Ж
Диаграммы направленности излучения
Относительные зависимости силы
света от прямого тока
ЗЛСЗбЗА, АЛС363А
Индикаторы знакосинтезирующие на основе арсенидгал-
лиевых эпитаксиально-планарных излучающих диодов и анти-
стоковых люминофоров. Предназначены для отображения ци-
фро-буквенной информации. Индикаторы имеют 35 элементов
и децимальную точку. Высота знака — 9 мм. Выпускаются в
пластмассовом корпусе.
Масса индикатора не более 3 г.
Электрические и световые параметры
Цвет свечения............................
Средняя сила света индикатора
при /ПР = 20 мА..........................
Сила света элемента при /ПР = 20 мА......
Сила света точки при 4р = 20 мА..........
Относительный разброс силы света между
элементами...............................
Яркость элементов (кроме децимальной точ-
ки) при /ПР = 20 мА, не менее............
Длина волны максимума спектра излучения*,
типовое значение.........................
Зеленый
0,1...0,13*...
0,184* мкд
0,07...0,13*...
0,23* мкд
0,075...0,12*...
0,209* мкд
1,0...4,0
1000 кд/м2
ЗЛСЗбЗА.АЛЗбЗА
Ширина спектра излучения на уровне 0,5*,
типовое значение......................... 10 нм
Постоянное прямое напряжение излучающего
элемента и децимальной точки при /ПР = 20 мА:
ЗЛСЗбЗА, Т = +25 ’С, не более......... 2,5 В
АЛС363А:
Г =+25’С.......................... 1,2*..1,4*..2 В
Т - +70 ’С, не более.............. 2 В
Т - —60 ’С, не более.............. 2,5 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное (импульсное) обратное напряже-
ние................................... 2 В
Импульсный прямой ток элемента и децималь-
ной точки при 4, = 1...3 мс:
-60 ’С С Т С +35 ’С:
ОС 7............................... 100, мА
0=7............................. 70 мА
Т= +70 °С':
ОС 7.................................
0=7...............................
Средняя рассеиваемая мощность индикатора:
при -60 ’С < Т < +35 ’С...............
при Г= +70 ’С.........................
Температура окружающей среды.............
7,50, мА
52,5 мА
720 мВт
540 мВт
-60...+70 ’С
1 В диапазоне температур окружающей среды +35...+70 "С импульсный ток
и средняя рассеиваемая мощность снижаются линейно.
МС363А.АЛ363А
Основной режим
эксплуатации индика-
торов — импульсный.
Крепление индика-
торов к плате рекомен-
дуется проводить при-
клеиванием или рас-
пайкой за выводы.
Распайка выводов
производится при тем-
пературе +250 ’С в те-
чение 2...3 с на рассто-
янии не менее 3 мм от
корпуса.
Диаграмма направленности
излучения
Зависимости относительной силы света от длитель-
ности импульса прямого тока
1*/1п>, мкд/мА
Зона возможных положений за-
висимости прямого тока от на-
пряжения
Зона возможных положений отно-
сительной зависимости силы света
прямому току от прямого тока
к
Зависимость относительной силы
света от температуры
Зависимость относительной си-
лы света к среднему прямому
току от среднего прямого тока
Зависимости относительной силы
света от среднего прямого тока
ЗЛС364А-5, АЛС364А-5
Индикаторы знакосинтезирующие эпитаксиально-планарные
арсенид—фосфид—таллиевые с торцевым выводом излуче-
ния. Предназначены для отображения информации в виде че-
тырехстрочной шкалы в составных средствах устройств об-
работки и регистрации информации индивидуального пользо-
вания, для записи информации на фотопленку в составе гиб-
ридных интегральных микросхем. Содержат 32 излучающих
элемента. Выпускаются в бескорпусном исполнении.
Масса индикатора не более 0,05 г.
Электрические и световые параметры
Цвет свечения..........................- Красный
Сила света элемента при /ПР = 3 мА, не менее 1,3 мккд
типовое значение*....................... 3 мккд
Относительный разброс силы света между
элементами, не более.......„........... 3
типовое значение*................... 2,3
Постоянное прямое напряжение не более:
при /ПР = 3 мА:
Г =+25’С........................ 2 В
типовое значение*................ 1,85 В
Г=-60’С.......................... 2,5 В
при /ПР = 2,5 мА, Т = +70 ’С........ 2 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное (импульсное) обратное напряже-
ние................................... 3 В
3/1С364А-5.А/1С364А-5
Постоянный (средний) прямой ток элемента:
-60’С +35’С......................... 5 мА
Г=+70’С........................... 2,5 мА
Импульсный прямой ток элемента
при ти = 1 мс:
-60 ’С $ 74 +35 ’С.................. 30 мА
Г=+70’С........................... 15 мА
Рассеиваемая мощность:
-60 ’С $ 74 +35 ’С.................. 150 мВт
Г=+70’С’.......................... 75 мВт
Температура окружающей среды......... —60...+70 ’С
В диапазоне температур окружающей среды +35...+7О “С прямые токи и
Рассеиваемая мощность снижаются линейно.
Выводы индикатора рекомендуется присоединять к кон-
тактным площадкам кристалла методом ультразвуковой свар-
ки или термокомпрессии. Конструкция кристалла обеспечива-
ет возможность монтажа на общую плату с сохранением шага
между элементами 0,2 мм.
Индикаторы могут работать в мультиплексном режиме и в
режиме постоянного тока.
Допускается хранить индикаторы при температуре окружа-
ющей среды +80 °С без подачи электрического режима.
Зона возможных положений зави-
Зона возможных положений зави-
симости прямого тока элемента от
симости относительной силы света
напряжения
от температуры
Зона возможных положений зависимости относительного
прямого напряжения от температуры
Спектр излучения
КИПВ02А—8/48К
Индикаторы знакосинтезирующие буквенно-цифровые, ар-
сенид—фосфид—таллиевые, эпитаксиально-планарные. Пред-
назначены для отображения экспонометрических данных в фо-
тоаппаратуре высокого класса и автономных экспонометрах.
Индикаторы представляют собой гибридную схему на печат-
ной плате из восьми семисегментных цифровых индикаторных
кристаллов (без децимальной точки): первые пять и седьмой
кристаллы служат для отображения цифр от 0 до 9, шестой
кристалл служит для отображения запятой, восьмой кри-
сталл — для отображения символов. Всего в индикаторе —
48 элементов, высота знака — 0,9 мм.
Масса индикатора не более 1 г.
Электрические и световые параметры
Цвет свечения.......................... Красный
Средняя сила света элемента при /ПР = 5 мА,
не менее............................... 45 мккд
типовое значение*................... 60 мккд
Относительный разброс силы света между
элементами, не более................... 3
типовое значение*................... 2,5
Яркость излучения элемента, не менее... 1125 кд/м2
типовое значение*................... 1500 кд/м2
Длина волны максимума спектра излучения,
типовое значение*....................... 0,665 мкм
Постоянное прямое напряжение
при /пр = 5 мА, не более:
Г=+25’С............................. 1,8 В
типовое значение*................... 1,7 В
Г=+55’С............................. 2 В
Г= —25’С............................ 2,1В
КИП302А - 8Л8К
Выводы: 1'—14‘— внешней коммутации, 1—14— измерительные. Г, 7 — анод
6 и I, 2', 2 — анод Р и /, 3', 3 — анод Е и 3, 4', 4 — катод второго разряда,
5', 5 — катод первого разряда, 6‘, 6 — катод третьего разряда, 7', 7 — катод
четвертого разряда, 8‘, 8 — катод пятого разряда, 9', 9 — катод точки и нуля,
10', 10 — катод шестого разряда, 11', 11 — анод О и точки, 12', 12 — анод
Си К, 13', 13 — анод В и Н, 14', 14 — анод А
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное (импульсное) обратное напряже-
ние •••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••а о в
Постоянный (средний) прямой ток элемента:
-25 ’С < 74 +35 ’С...................................... 0,8 мА
Т=+55’С............................................. 0,5 мА
Импульсный прямой ток элемента
при /и = 500 нс, О ? 4:
-25 ’С « 74 +35 ’С...................................... 10 мА
7=+55’0............................................. 6 мА
Средняя рассеиваемая мощность:
-25’С $ 74 +35’С........................................ 70 мВт
7=+55 ’С’ •••••••••••••»••••••••••••••••••••••••»••••••••••• 45 мВт
Температура окружающей среды............................ —25...+55 ’С
1 В диапазоне температур окружающей среды +35...+55 ’С постоянный
(средний), импульсный прямые токи и средняя рассеиваемая мощность снижа-
ются лииейио.
Зона возможных положений за-
висимости прямого напряжения
от температуры
Зона возможных положений за-
висимости прямого тока от на-
пряжения
4 ?9кр)/ 4, ср( Т+20 Г)
Зона возможных положений зави-
симости относительной силы света
от температуры
Зависимость относительной силы
света от прямого тока
Зависимость средней силы света
от прямого напряжения
ИПГ01А-8х8Л, КИПГ01А-8х8Л
Модули экрана на основе арсенидгаллиевых эпитаксиаль-
но-планарных излучающих диодов и антистоковых люминофо-
ров. Предназначены для применения в составных средствах
отображения информации в виде букв, цифр, символов, гра-
фиков и другой сложной информации. Модули содержат 8Х8
излучающих элементов с перекрестной коммутацией, образу-
ющих модули размером 10*10 мм2, которые обеспечивают
возможность набора экрана (табло) любых размеров. Выпу-
скаются в пластмассовокерамическом корпусе.
Масса модуля не более 1,5 г.
Электрические и световые параметры
Цвет свечения............................
Средняя сила света при /ПР = 20 мА.......
Яркость индикатора при 4^ = 20 мА........
Относительный разброс силы света между
элементами...............................
Время нарастания импульса излучения......
Время спада импульса излучения...........
Зеленый
0,1...0,15*...
0,19* мкд
125...180*...
240* кд/м2
2*...3*...4
0,5*...1,0*...
2 мс
0,25*...0,5*...
1,5 мс
Постоянное прямое напряжение
при /□₽ = 20 мА:
Г=+25 ’С...........................
Т = +70 ’С, не более...............
Т = —60 'С, не более...............
1,22*...1,28*...
2 В
2 В
2,5 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное (импульсное) обратное напряже*
ние..................................... 2 В
Импульсный прямой ток элемента
при 0,5 мс $ /и $ 3 мс:
О $ 8................................... 5 мА
О > 8................................ 40 мА
Средняя рассеиваемая мощность модуля:
-60’С С ГС+35’С................ 500 мВт
7=+70’0........................ 300 мВт
Температура окружающей среды.*.... —60...+70 ’С
1 В диапазоне температур окружающей среды +35...+70 "С рассеиваемая
мощность снижается линейно.
Пайка выводов производится при температуре +250 ’С в
течение 2...3 с, на расстоянии не ближе 3 мм от корпуса.
Загрязненную поверхность модуля разрешается протирать
ватным тампоном, смоченным этиловым спиртом. Использова-
ние спирто-бензиновых смесей не допускается.
ИПГ01А-8*8/1.КИПГ01А-8*8/1
Диаграмма направленности излу-
ИПГ01А-8*8Л.КИПГ01А-8x8/1
Зависимости постоянного прямого
чения
тока от напряжения
Зависимость относительной силы
Спектр излучения
света от температуры
Зона возможных положений зави-
симости относительной силы света
от прямого тока
Зависимости силы света от средне-
го прямого тока при п одновремен-
но включенных элементов
ИПГ02А-8х8Л, КИПГ02А-8х8Л
Модули экрана светоизлучающие, фосфидгаллиевые, пла*
нарные. Применяются для набора в экраны отображения
информации путем бесшовной стыковки. Модули состоят из
64 элементов (8*8) с перекрестной коммутацией, излучающих
свет при воздействии прямого тока в мультиплексном режиме.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Размеры модуля 10*10 мм2.
Масса прибора не более 3 г.
Электрические и световые параметры
Цвет свечения........................... Зеленый
Средняя сила света модуля при /ПР = 10 мА
через элемент, не менее................. 0,36 мкд
Относительная неравномерность силы света
между элементами, не более............. 4
Постоянное прямое напряжение на элементе
при /пр = 10 мА через элемент, не менее. 3,6 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное или импульсное обратное напря-
жение излучающего элемента любой формы
и периодичности, пиковое значение...... 2 В
Импульсное прямое напряжение
при /и с 20 мкс........................ 5 В
ИПГ02А-8х8Л. КИПГ02А-8х8Л
7 х 1.25 = 875
Вид А
Цбетная точка
А
31
38
0.34
3x2.5 = 7.5
0.6 .
3 х 2.5 = 8.75
357
,1.25
7 х 1.25 = 8.75
10
364
1
г
Постоянный прямой ток через элемент':
при Г= —60...+35 ’С..................... 11 мА
при Т - +70 ’С........................... 3 мА
1 В диапазоне температур +35...+70 ’С 4» макс снижается линейно с коэф*
фнциентом 0,23 мА/’С.
Импульсный ток через элемент' при 7И < 20 мс:
7= -60...4-35 ’С........................
7=+70 ’С
Постоянная рассеиваемая мощность':
при 7 = —60...4-35 ’С..............
при 7 = 4-70 ’С................
Температура окружающей среды......
11 Сб,С4О0,5«
< 230 мА
3 <2,28 О075 «
< 85 мА
610 мВт
180 мВт
—60...4-70 ’С
1 В диапазоне температур +35...+70 °С /пР и макс и Ачаис снижаются линейно.
Зона возможных положений за-
висимости силы света от прямо-
го тока
Зона возможных положений за-
висимости прямого тока от на-
пряжения
Зависимость силы света от темпе-
ратуры
Спектр излучения
ИПГОЗА—8*8К, КИПГОЗА—8*8К
Модули экрана светоизлучающие, на основе соединения
алюминий—галлий—мышьяк, эпитаксиальные. Применяются ддя
набора в экраны отображения информации путем бесшовной
стыковки. Модули состоят из 64 элементов (8x8) с перекрест-
ной коммутацией, излучающих свет при воздействии прямого
тока в мультиплексном режиме. Выпускаются в пластмассовом
корпусе с плоскими выводами. Размеры модуля 20х20 мм2.
Масса прибора не более 6,5 г.
ИПГОЗА - 8х8К. КИПР 03А - 8х8К
7 х 2.5 -- 17.5
Электрические и световые параметры
Цвет свечения.......................... Красный
Средняя сила света модуля при /ПР = 10 мА
через элемент, не менее................ 0,35 мкл
Относительная неравномерность силы света
между элементами при /пР = 10 мА, не более . 4
Постоянное прямое напряжение излучающе-
го элемента при /пр = 10 мА через элемент,
не более............................... 2,5 В
Допустимое число неработоспособных эле-
ментов:
ИПГОЗА—8Х8К......................... 0
КИПГОЗА—8*8К........................ 1
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное или импульсное обратное напря-
жение излучающего элемента любой формы
и периодичности....................... 2 В
Постоянный прямой ток через элемент’:
при 7=-60...+35’С.................. 11 мА
при 7 = +70 ’С..................... 3 мА
Импульсный ток через элемент' при Ги < 20 мс
и заданном значении О:
7= —60...+35 ’С..................... 11<4,35О06^
С 180 мА
7=+70’С............................ ЗС 1,90м С
< 65 мА
Постоянная рассеиваемая мощность':
при 7 = —60...+35 ’С............... 440 мВт
при 7 = +70 ’С..................... 120 мВт
Температура окружающей среды.......... —60...+70 ’С
' В диапазоне температур +35...+70 °С 4,Р МАКС, /,,р и мд<с н Рмдкс снижаются
линейно с коэффициентами 0,23 мА/°С, 3,28 мА/“С и 9,1 мВт/’С соответ-
ственно.
Зависимость силы света
от температуры
-40 -20 0 <20 <40 Т X
Зона возможных положений за*
виснмости прямого тока от на-
пряжения
Зона возможных положений за*
виснмости силы света от прямо-
го тока
КИПМ01А-1К, КИПМ01Б-1К, КИПМ01В-1Л,
КИПМ01Г-1Л, КИПМ01Д-1Л, КИПМ02А-1К,
КИПМ02Б-1К, КИПМ02В-1Л, КИПМ02Г-1Л,
КИПМ02Д-1Л, КИПМ03А-1К, КИПМ03Б-1К,
КИПМ03В-1Л, КИПМ03Г-1Л, КИП МОЗ Д-1 Л,
КИПМ04А-1К, КИПМ04Б-1К, КИПМ04В-1Л,
КИПМ04Г-1Л, КИПМ04Д-1Л
Индикаторы знакосинтезирующие мнемонические эпита-
ксиальные на основе структур арсенида галлий—алю-
миния (КИПМ01(А—1К, Б-1К), КИПМ02(А-1К, Б-1Ю,
КИПМ03(А-1К, Б-1К), КИПМ04(А-1К, Б-1К)) и структур фос-
фида галлия (КИПМ01(В—1К—Д—1К), КИПМ02(В-1К-Д-ЛО-
584
КИПМ03(В—1К—Д—1К), КИПМ04(В-1К-Д--1К». Предназначе-
ны для визуального отображения мнемонической информации.
Индикаторы имеют следующие формы излучающих площадок:
КИПМ01 — прямоугольная, КИПМ02 — квадратная, КИПМОЗ —
треугольная, КИПМ04 — круглая. Высота знака 5 мм. Выпу-
скаются в пластмассовых корпусах. Маркируются цветными
точками: КИПМ01А-1К, КИПМ02А—1К, КИПМ03А-1К,
КИПМ04А-1К - одной красной, КИПМ01Б—1К, КИПМ02Б—1К,
КИПМ03Б-1К, КИПМ04Б—1К - двумя красными, КИПМ01В-1Л,
КИПМ02В-1Л, КИПМ03В-1Л, КИПМ04В-1Л — одной зеленой,
КИПМ01Г- 1Л, КИПМ02Г-1Л, КИПМ03Г-1Л, КИПМ04Г-1Л —
двумя зелеными, КИПМ01Д—1Л, КИПМ02Д—1Л, КИПМОЗД—1Л,
КИПМ04Д— 1Л — тремя зелеными.
Масса индикатора не более 0,5 г.
КИПМ01А-1К-Д-1Л. КИПМ02А-1К.Д-1Л
КИПМОЗА - 1К'Д- 1Л. КИПМО'.А - 1К-Д-1Л
Электрические и световые параметры
Цвет свечения:
КИПМ01А-1К, КИПМ01Б—1К,
КИПМ02А—1К, КИПМ02Б-1К,
КИПМ03А-1К, КИПМ03Б-1К,
КИПМ04А-1 К, КИПМ04Б-1К........... Красный
КИПМ01В—1Л, КИПМ01Г—1Л,
КИПМ01Д—1Л, КИПМ02В—1Л,
КИПМ02Г—1Л, КИПМ02Д-1Л,
КИПМОЗВ—1Л, КИПМОЗГ- 1Л,
КИПМОЗД—1 Л, КИПМ04В-1Л,
КИПМ04Г—1Л, КИПМ04Д-1Л......... Зеленый
а света при /ПР = 10 мА, не менее:
КИПМ01А—1К, КИПМ02А—1К,
КИПМОЗА— 1К, КИПМ04А1К.......... 0,4 мкд
КИПМ01Б-1К, КИПМ02Б—1К,
КИПМОЗА—1К, КИПМ04Б-1К.......... 1,0 мкд
КИПМ01В-1Л, КИПМ02В-1Л,
КИПМОЗВ—1Л, КИПМ04В—1Л.......... 0,4 мкд
КИПМ01Г-1Л, КИПМ02Г-1Л,
КИПМ03Г-1Л, КИПМ04Г-1Л.......... 1,0 мкд
КИПМ01Д-1Л, КИПМ02Д-1Л,
КИПМОЗД-1 Л, КИПМ04Д-1Л......... 2,5 мкд
Длина волны максимума спектра излуче-
ния:
КИПМ01А—1К, КИПМ01Б-1К,
КИПМ02А-1К, КИПМ02Б-1К,
КИПМОЗА-1 К, КИПМОЗВ—1 К,
КИПМ04А-1К, КИПМ04Б-1К........ 650...675 нм
КИПМ01В-1Л, КИПМ01Г-1Л,
КИПМ01Д-1Л, КИПМ02В-1Л,
КИПМ02Г-1Л, КИПМ02Д-1Л,
КИПМ03В-1Л, КИПМОЗГ-1 Л,
КИПМ03Д-1Л.................... 555...570 нм
Постоянное прямое напряжение, не более:
при /ПР = 10 мА, для КИПМ01А—1К,
КИПМ01Б-1К, КИПМ02А-1К,
КИПМ02Б-1К, КИПМОЗА-1 К,
КИПМ03Б-1К, КИПМ04А-1К,
КИПМ04Б-1К:
+25’С С ГС+70’С................ 2 В
Г=-60’С..................... 2,4 В
при /ПР = 20 мА для КИПМ01В— 1 Л,
КИПМ01Г-1Л, КИПМ01Д-1Л,
КИПМ02В-1Л, КИПМ02Г-1Л,
КИПМ02Д-1Л, КИПМ03В-1Л,
КИПМ03Г-1Л, КИПМ03Д-1Л,
КИПМ04В-1Л, КИПМ04Г-1Л,
КИПМ04Д-1Л:
+25’С С Г С+70’С............... 2,8 В
Г=-60’С..................... 3,4 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение........ 2 В
Постоянный прямой ток:
-60’С С Г <+35’С................... 30 мА
Г=+70’С'........................... 22 мА
Импульсный прямой ток при ?и = 2 мс, О - 10 60 мА
Температура окружающей среды.......... —6О...+7О ’С
В диапазоне температур окружающей среды +35 ..+70 ’С постоянный
прямой ток снижается линейно.
Зависимости относительной силы
света от температуры
Зависимости постоянного прямого
тока от напряжения
Зависимость относительной силы
света от прямого тока
КИПМ01А-1К.
КИПМ01Б-1К,
КИПМ02А-1К.
КИПМ02Б-1К,
КИПМ05А-1К.
КИПМ03Б-1К,
КИПММА-1К.
КИПМ04Б-1К
Спектр иэлучення
КИПТ05А- 16К
Индикатор знакосинтезирующий, шкальный, арсенид—фос-
фид—таллиевый, эпитаксиальный. Предназначен для использо-
вания в фотоаппаратуре высокого класса для визуальной инди-
кации параметров фотосъемки. Индикатор содержит 16 элемен-
тов отображения информации, объединенных по четыре эле-
мента в каждой группе. Выпускается в пластмассовом корпусе.
Масса индикатора не более 0,28 г.
КИПТ05А-16К
Электрические и световые параметры
Цвет свечения............................. Красный
Средняя сила света элемента при /ПР = 3 мА .. 20...30*...
40* мкд
Относительный разброс силы света между
элементами, не более........................ 2
Яркость излучения индикатора*
при 1пр - 1 мА, не менее.................... 300 кд/м2
Длина волны максимума спектра излучения.... 640...675 нм
Постоянное прямое напряжение
при 1пр = 3 мА:
Г =+25‘С.................................... 1,5*..1,63*...
1,8 В
Т - +55 ’С, не более.................... 1,8 В
Т = —25 ’С, не более.................... 2 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное (импульсное) обратное напряже-
ние .................................... 5 В
Постоянный прямой ток элемента.......... 3,5 мА
Импульсный прямой ток элемента
при < 1 мс, О = 10...................... 6 мА
Температура окружающей среды............ —25...+55 ’С
Зона возможных положе-
ний зависимости прямого
тока от напряжения
Зависимость относительной силы
света от прямого тока
Зависимость относительной сред-
ней силы света от температуры
Спектр излучения
ИПЦ01А-1/7К, ИПЦ01Б-1/7К,
ИПЦ01В-1/7К, ИПЦ01Г-1/7К
Индикаторы знакосинтезирующие цифровые, алюминий—
арсенидгаллиевые, планарно-эпитаксиальные. Предназначены
для отображения информации в виде цифр от 0 до 9 и деци-
мальной точки. Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса не более 2,5 г.
Электрические и световые параметры
Цвет свечения.......................... Красный
Средняя сила света сегмента индикатора и де-
цимальной точки при /ПР = 20 мА, не менее:
сегмент:
ИПЦ01А-1/7К, ИПЦ01Б-1/7К......... 1,0 мкд
ИПЦ01В-1/7К, ИПЦ01Г-1/7К......... 0,5 мкд
децимальная точка:
ИПЦ01А-1/7К, ИПЦ01Б-1/7К......... 0,3 мкд
ИПЦ01В-1/7К, ИПЦ01Г-1/7К......... 0,2 мкд
Относительный разброс силы света между
сегментами индикатора, не более........ 3
Постоянное прямое напряжение
при /ПР = 20 мА, Т - +25 ’С, не более.. 3 В
ИПЩ01А - 1/7К.01Б- 1/7К.01В- 1/7К.01Г- 1/7К)
ИПЦ01А-1/7К, ИПЦ01В-1/7К ИПЦ01Б-1/7К. ИПЦ01Г-1/7К
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное (импульсное) обратное напряже-
ние............................... 6 В
Постоянный (средний) прямой ток сегмента:
-60’С С Г <+35’С.................. 25 мА
Г=+70’С........................ 7,5 мА
Импульсный прямой ток сегмента:
при Ги » 10 мс:
-60’С С ГС+35’С............. 25 мА
Г=+70’С...................... 7,5 мА
' В диапазоне температур окружающей среды +35...+70 ’С прямые токи
снижаются линейно.
при /и < 10 мс:
-6О’С« Г <+35’С................. 180 мА
7=+70’С.....................60 мА
Рассеиваемая мощность индикатора:
-60’С « Т«+35’С.................... 700 мВт
7=+70’С......................... 178 мВт
Температура окружающей среды....... —60...+70 ’С
1 В диапазоне температур окружающей среды +35...+7О ’С рассеиваемая
мощность снижается лииейио.
Пайку выводов индикатора рекомендуется проводить при
температуре +250 ’С в течение 2...3 с с применением теплоот-
вода между местом пайки и корпусом. Индикатор рекоменду-
ется крепить к плате клеем за контактные выводы в штейсель-
ном разъеме, распайкой выводов к плате.
Зона возможных положений за*
висимости средней силы света
от прямого тока
25
20
ИПЦ01А-1/7К
ИПЦ015-1/7К-
ИПЦ01В-1ЛК\
15ИПЦ01Г-1ЛК'Ъ
и -2^1
Зона возможных положений за-
висимости постоянного прямого
тока от напряжения
Зависимость относительной силы
Сектор излучения
света сегмента от температуры
ИПЦ02А—1/7КЛ, ИПЦ02Б-1/7КЛ
Индикаторы знакосинтезирующие цифровые эпитаксиаль*
ные на основе структур фосфид—галлия и арсенид—фос-
фид—галлия. Предназначены для отображения информации
цифр 0—9 и децимальной точки с регулируемым цветом свече-
ния. Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса индикатора не более 2,5 г.
ИПЦ02А-1/7К/1. ИПЦ02Б-1/7КЛ
Электрические и световые параметры
Цвет свечения........................ Красный,
зеленый
Средняя сила света элемента индикатора
при /пР = 20 мА, не менее:
ИПЦ02А-1/7К........................... 250 мккд
ИПЦ02Б-1/7К....................... 150 мккд
Сила света децимальной точки
при /пр = 20 мА, не менее:
ИПЦ02А-1/7К........................... 80 мккд
ИПЦ02Б-1/7К......................... 50 мккд
Относительный разброс силы света элементов
индикатора при /пр = 20 мА, не более. 3
Постоянное прямое напряжение
при /ПР = 20 мА, не более............ 3,5 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное (импульсное) обратное напряже-'
ние.................................. 5 В
Постоянный прямой ток элемента:
Т= -60...+35 ’С....................... 25 мА
Г=+70’С’.......................... 7,5 мА
Импульсный прямой ток элемента
при ги С 10 мс:
7" = —60...+35 ’С.................... 180 мА
Г=+70’С1 * * * * * * В............ 60 мА
Рассеиваемая мощность индикатора:
Т= -60...+35 ’С....................... 700 мВт
Г=+70’С’.......................... 200 мВт
Температура окружающей среды......... —60...+70 ’С
1 В диапазоне температур окружающей среды +35...+70 ’С прямые токи и
рассеиваемая мощность снижаются линейно.
Корпуса индикаторов рекомендуется крепить к плате при-
клеиванием, с использованием штейсельного соединения, рас-
пайкой выводов.
Паять выводы рекомендуется на расстоянии не ближе 2 мм
от корпуса в течение 2...3 с при температуре, исключающей
нагрев корпуса индикатора в любой точке, не более +85 ’С.
Загрязненную поверхность индикатора разрешается про-
тирать ватным тампоном, смоченным в этиловом спирте.
В качестве схемы управления рекомендуется применять
ИС типа 514ИД2.
Спектр излучения
Зависимости силы света элемента
при красном и зеленом свечении
от прямого тока
Зависимости прямого тока
от напряжения
Зависимости относительной силы
элемента от температуры
КИПЦ04А—1/8К
Индикатор знакосинтезирующий цифровой, арсенид—
галлий—алюминиевый, планарно-эпитаксиальный. Предназна-
чен для отображения визуальной информации. Индикатор со-
595
держит семь сегментов и децимальную точку. Высота знака
25 мм. Выпускается в пластмассовом коопусе.
Масса индикатора не более 20 г.
КИПЦМА-1/8К
Электрические и световые параметры
Цвет свечения................................ Красный
Средняя сила света элемента при /пр = 20 мА,
не менее................................... 2 мкд
типовое значение*....................... 2,8 мкд
Сила света точки при /ПР = 20 мА, не менее.... 0,4 мкд
типовое значение*........................ 0,6 мкд
Относительный разброс силы света между
элементами, не более......................... 3
Постоянное прямое напряжение элемента:
/ПР = 20 мА, Г= +25 ’С...................... 3,4*...3,5*...
4,2 В
/ПР = 20 мА, Т - —25 ’С, не более....... 6 В
/ПР = 7,5 мА, Т - +70 ’С, не более...... 4 В
Постоянное прямое напряжение точки
при /щ, = 20 мА, Г0КР = +25 ’С, не более... 2,5 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное (импульсное) обратное напряже-
ние.................................... 10 В
Постоянный прямой ток элемента:
-25 ’С С ГС+35 ’С...................... 25 мА
7" =+70’С'.......................... 7,5 мА
Импульсный прямой ток элемента:
-25’С С ТС+35’С........................ 180 мА
7" =+70’С'.......................... 60 мА
Рассеиваемая мощность:
—25’С < 74+35’С........................ 787 мВт
Г=+70’С'.........ж.................. 225 мВт
Температура окружающей среды........... —25...+70 ’С
' В диапазоне температур окружающей среды +35...+70 ’С постоянный,
импульсный прямые токи, рассеиваемая мощность снижаются линейно.
Зона возможных положений за-
висимости прямого тока от на-
пряжения
Зависимость относительной силы
света от температуры
Зона возможных положений за-
висимости силы света от прямо-
го тока
490ИП1, К490ИП1
Микросхемы десятичного счетчика — знакосинтезирующе-
го индикатора. Содержит КМОП-схему управления со счетчи-
ком импульсов и семисегментный знакосинтезирующий инди-
катор с децимальной точкой. Применяются для счета по моду-
лю 10 импульсов положительной полярности, отображения их
числа в виде цифр от 0 до 9 и формирования импульса пере-
носа на старший разряд. Выпускаются в пластмассовом корпу-
се. Высота знака 2,5 мм.
Масса прибора не более 1,5 г.
Электрические и световые параметры
Цвет свечения........................ Красный
490ИП1, К490ИП1
0.6
I х 2.5 = 10
Вид А
Ключ
10
6
12
1
Т
О
б-!—
/?
М
10
1
2
Схема выхода
С
Н
2.6
7.9
Схема входов
4
5
6
А
В
►
►
1>
5~|
»
>
**
«4
8
Ы' вывода Назначение внешнего вывода
1 Питание индикации
2 Вход гашения
4 Выход
5 Питание схемы
6 Установка нуля
7 Счетный вход
8 Одший
9 Управление точкой
Сила света в состоянии счетчика «8»
при 4/ип = 7,2 В, 4/илд = 5 В, не менее.. 75 мккд
Выходное напряжение низкого уровня
при 4/иП = 7,2 В, 4/инд = 5 В, не более.. 0,29 В
Выходное напряжение высокого уровня
при (/иП = 7,2 В, 4/инд = 5 В, не менее.. 6,9 В
Ток потребления при (/ип = 9,9 В, 4/инд = 5,5 В:
К490ИП1............................... 1,8 мА
490ИП1................................ 0,95 мА
Ток индикации при 4/ип = 9,9 В, 4/инд = 5 В,
не более................................. 33 мА
Входной ток низкого и высокого уровней
при = 9,8 В, 4/ип = 9,9 В, не более..... 0,9 мкА
Частота счета при 1/ип = 7,2 В, не менее. 1 МГц
Предельные эксплуатационные данные
Входное напряжение..................... —0,5...+9,9 В
Напряжение питания..................... +9 В ± 10%
Напряжение индикации................... +5 В ± 5%
Длительность фронта и среза входного им-
пульса, не более....................... 150 нс
Температура окружающей среды........... —60...+70 ’С
Допускается использование микросхем при пониженном
напряжении питания (1/ип до 7,2 В), напряжение индикации
(4/инд до 4 В). При этом сила света не регламентируется.
Установка счетчика индикатора в состояние 0 происходит
при подаче высокого уровня на вывод 6, гашение индикатора
происходит при подаче низкого уровня на вывод 2, :ашение
точки происходит при подаче низкого уровня на вывод 9.
Для увеличения изображения цифры до 3,5...4,0 мм реко-
мендуется применять линзовую крышку, поставляемую в ком-
плекте с микросхемой. Крышку рекомендуется крепить к кор-
пусу путем прилакировки лаком УР—231, покрывая им боко-
вую поверхность микросхемы.
490ИП2, К490ИП2
Индикаторы знакосинтезирующие, управляемые, состоя-
щие из четырехразрядного регистра, дешифратора — преоб-
разователя двоичного кода в позиционный и семисегментного
индикатора с децимальной точкой. Предназначены для визу-
альной индикации. Индикаторы позволяют воспроизвести ци-
фры от 0 до 9 и децимальную точку при подаче на входы
600
двоичного кода десятичного числа и сигнала управления деци-
мальной точкой. Выпускаются в пластмассовом корпусе. Вы-
сота знака 7,5 мм.
Масса прибора не более 3,5 г.
М0ИП2, Ш0ИЛ2
Таблица назначения выводов
Обозначение вывода Назначение вывода Обозначен не вывода Назначение вывода
1 Общий 8 Питание индикации
2 Вход 2’3 11 Вход 2'1
3 Разрешение записи 12 Управление точкой
4 Вход гашения 13 Вход 2’2
5 Питание 14 Вход 2°0
Электрические и световые параметры
Цвет свечения........................... Красный
Сила света при 1/ип = 5,0 В, 1/инд = 3 В (ото-
бражается цифра «8»), не менее.......... 700 мккд
Входной ток низкого уровня при 1/ВХФ = 0,4 В,
ит = 5,5 В для 490ИП2, 4/вхо = 0,4 В,
1/ип = 5,25 В для К490ИП2, не более..... 1,6 мА
Входной ток высокого уровня при 1/вх1 = 2,4 В,
Цт = 5,5 В для 490ИП2, 4/ВХ1 = 2,4 В,
1/ип = 5,25 В для К490ИП2, не более:
для всех входов, кроме входа разрешения
записи............................... 100 мкА
для входа разрешения записи.......... 200 мкА
Ток потребления по цепи питания схемы
(отображается цифра «8») для 490ИП2
при = 5,5 В, К490ИП2 при = 5,25 В,
не более................................ 75 мА
Ток потребления по цепи индикации (ото-
бражается цифра «8») для 490ИП2 при
Цт = 5,5 В, </Инд = 3.0 В, К490ИП2 при
1/ип = 5,25 В, {/инд = 3,0 В, не более.. 160 мА
Предельные эксплуатационные данные
Входное напряжение...................... —0,5...+5,5 В
Напряжение питания...................... 5,5 В
Напряжение индикации.................... 3,3 В
Импульсное напряжение индикации
при 1/инд ср 1.4 В, 4, < 20 мс.......... 5,5 В
Длительность фронта и среза входного им-
пульса ................................. 150 нс
Гашение десятичной точки происходит при подаче сигнала
низкого уровня на вывод 12.
Гашение индикатора происходит при подаче сигнала низ-
кого уровня на вывод 4.
Запись входной информации происходит при подаче сиг-
нала высокого уровня на вывод 3. При подаче сигнала низкого
уровня на вывод 3 форма знака соответствует информации на
выводах 2, 11, 13, 14.
Максимальное значение входной емкости микросхемы по
каждому входу 10 пФ.
Минимальное время между фронтом информационных сиг-
налов на входах 2, 11, 13, 14 и фронтом сигнала высокого
уровня на входе 3, необходимое для работы в режиме памяти,
соответствует 50 нс.
Минимальное время между фронтом сигнала высокого уров-
ня на входе 3 и срезом информационных сигналов на входах
2, 11, 13, 14, необходимое для записи информации в регистр
памяти, составляет 50 нс.
Предельно допустимое напряжение индикации 1/инд при
изменении температуры окружающей среды в диапазоне
+35...+7О ’С изменяется по закону
4,нд= 3,7 - 0,011(7 - 35), В,
а при +35 ‘С 1/инд = 3,7 В.
При работе с периодическим гашением индикатора путем
подачи прямоугольных импульсов на вывод 4 (вход гашения)
или вывод 8 (напряжение индикации) скважность О выбирает-
ся из условия:
при 7 < +35 ’С:
О" (Цждмакс ~ 1,7) 1/Инд. макс/7,4;
при 7 = +35...+70 ’С:
о = ((«и МАКС - 1,7) «и макс]/{[2 - 0,011 (7- 35)] *
х (3,7-0,011(7- 35))},
где 4/инд. макс — максимальное значение напряжения индикации.
Зависимость силы света от темпе- Зависимость силы света от напря-
ратуры жения иа индикаторной части при-
бора
Зона возможных положений зави-
симости силы света от напряжения
на индикаторной части прибора
Зависимость силы света от на-
пряжения питания цифровой ча-
сти прибора
Раздел восьмой
Оптопары
ЗОДЮ1А, ЗОДЮ1Б, ЗОДЮ1В, ЗОДЮ1Г,
АОДЮ1А, АОДЮ1Б, АОДЮ1В, АОДЮ1Г,
А0ДЮ1Д
Оптопары диодные. Образованы излучающим диодом на
основе соединения арсенид—галлий—алюминий и кремние-
вым фотодиодом. Предназначены для гальванической развяз-
ки электрических цепей, между которыми осуществляется ин-
формационная связь. Выпускаются в металлическом корпусе.
Масса прибора не более 1,1 г.
30Д101(А-Г). А0Д10ЦА-Д)
Электрические параметры
Входное напряжение при /вх = 10 мА,
Нв ЗОД101А, ЗОДЮ1Б, ЗОДЮ1В, ЗОДЮ1Г,
АОДЮ1А, АОДЮ1Б, АОДЮ1В, АОДЮ1Г 1,5 В
АОДЮ1Д........................ 1,8 В
Коэффициент передачи тока при 4х = Ю мА,
не менее:
ЗОДЮ1А, АОДЮ1А, АОДЮ1Д......... 1%
30ДЮ1В, А0ДЮ1В.................. 1,2%
30ДЮ1Б, 30ДЮ1Г, А0ДЮ1Б.......... 1,5%
А0ДЮ1Г.......................... 0,7%
Ток утечки на выходе при максимальном
обратном напряжении, не более:
ЗОДЮ1А, ЗОДЮ1В, ЗОДЮ1Г, АОДЮ1А,
АОДЮ1В.......................... 2 мкА
ЗОДЮ1Б, АОДЮ1Б.................. 8 мкА
АОДЮ1Г.......................... 10 мкА
АОДЮ1Д.......................... 5 мкА
Время нарастания и спада выходного импуль-
са при /вх = 20 мА, не более:
ЗОДЮ1А, АОДЮ1А..................... 100 нс
АОДЮ1Д.......................... 250 нс
ЗОДЮ1Б, ЗОДЮ1Г, АОДЮ1Б, АОДЮ1Г.. 500 нс
ЗОДЮ1В, АОДЮ1В.................. 1000 нс
Сопротивление изоляции оптопары при на-
пряжении между входом и выходом 100 В,
не менее:
ЗОДЮ1А, ЗОДЮ1Б, ЗОДЮ1В, ЗОДЮ1Г,
АОДЮ1А, АОДЮ1Б, АОДЮ1В, АОДЮ1Д 10’ Ом
АОДЮ1Г.......................... 5-10’Ом
Проходная емкость, не более........ 2 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Обратное выходное напряжение:
ЗОДЮ1А, ЗОДЮ1В, АОДЮ1А, АОДЮ1В,
АОДЮ1Г, АОДЮ1Д.................... 15 В
ЗОДЮ1Б, АОДЮ1Б....................... 100 В
ЗОДЮ1Г............................... 40 В
Импульсное обратное выходное напряжение
при Ги 100 нс, 0^2:
ЗОДЮ1А, ЗОДЮ1В.................... 20 В
ЗОДЮ1Б............................... 120 В
ЗОДЮ1Г............................... 60 В
Обратное входное напряжение............. 3,5 В
Напряжение изоляции..................... 100 В
Постоянный или средний входной ток...... 20 мА
Импульсный входной ток при /и < 100 мкс. 100 мА
Температура окружающей среды............ —6О...+7О ’С
виснмости входного напряжения
от входного тока
Зависимости выходного тока
от входного
Зона возможных положений зави-
симости выходного напряжения от
тока нагрузки
Зависимость коэффициента пере-
дачи от температуры
Зависимость времени нарастания
и времени слада от температуры
ЗОДЮ7А, ЗОДЮ7Б,
А0ДЮ7А, А0ДЮ7Б, АОДЮ7В
Оптопары диодные. Образованы излучающим диодом на
основе арсенида галлия и кремниевым фотодиодом. Предна-
607
значены для гальваническом развязки электрических цепей
радиоэлектронной аппаратуры. Выпускаются в металлостеклян-
ном корпусе с гибкими выводами.
Масса не более 1,0 г.
30Д107(А.Б). А0Д107(А-В)
Электрические параметры
Входное напряжение при 4х = Ю мА,
не более............................. 1,5 В
Коэффициент передачи тока при 4х = Ю м^,
не менее:
ЗОДЮ7А, АОДЮ7А.................... 5%
ЗОДЮ7Б, АОДЮ7Б.................... 3%
АОДЮ7В..................:......... 1%
Ток утечки на выходе, не более....... 5 мкА
Время нарастания и спада выходного импуль-
са при 4х = 20 мА, не более:
ЗОДЮ7А, АОДЮ7А.................... 500 нс
ЗОДЮ7Б, АОДЮ7Б, АОДЮ7В............ 300 нс
Сопротивление изоляции, не менее..... 10'° Ом
Проходная емкость, не более.......... 2 пФ
Предельные эксплуатационные данные*
Обратное входное напряжение............. 2 В
Обратное выходное напряжение:
при Г= +25 “С.................................. 15 В
приГ=+85’С................................... 5 В
Постоянный входной ток •••••••••••••••••••••••••••••а» 20 мА
Температура окружающей среды:
ЗОДЮ7А, ЗОДЮ7Б................................... -60...+85 *С
АОДЮ7А, АОДЮ7Б, АОДЮ7В....................... -40...+85 °С
Нагрузочные характеристики в фо- Зависимость коэффициента пере-
тогеиераторном режиме
Зона возможных положе-
ний зависимости темново-
го обратного тока от тем-
пературы
дачи от температуры
А0ДЮ9А, АОД109Б, АОД109В,
АОДЮ9Г, АОДЮ9Д, АОДЮ9Е,
А0ДЮ9Ж, АОДЮ9И
Многоканальные оптоэлектронные приборы, состоящие из
трех отдельных оптопар. Каждая оптопара образована излуча-
ющим диодом на основе соединения арсенид—галлий—алю-
миний и кремниевым фотодиодом. Предназначены для ис-
пользования в радиоэлектронной аппаратуре управления и
устройствах автоматики для гальванической развязки электри-
ческих цепей. Выпускаются в металлокерамическом корпусе.
Масса прибора не более 0,49 г.
Электрические параметры
Входное напряжение при /8Х = 10 мА,
не более............................ 1,5 В
А0Д109(А-И)
Коэффициент передачи тока при /вх = 10 мА,
(/Обр вых = 5 В, не менее:
АОДЮ9А, АОДЮ9В, АОДЮ9Г, АОДЮ9Д,
АОДЮ9Е, А0ДЮ9Ж, АОДЮ9И............... 1,2%
АОДЮ9Б............................ 1%
Ток утечки на выходе при /вх = 0, •
^об₽ вых = 35 В для АОДЮ9А, АОДЮ9В,
АОДЮ9Г, АОДЮ9Д, АОДЮ9Е, АОДЮ9Ж,
АОДЮ9И, при МэбР.вых = 8 В для АОДЮ9Б,
не более............................. 2 мкА
Число каналов в оптопаре:
АОДЮ9А, АОДЮ9Б.................... 3
АОДЮ9В, АОДЮ9Г, АОДЮ9Д............ 2
АОДЮ9Е, А0ДЮ9Ж, АОДЮ9И............ 1
Время нарастания и спада выходного им-
пульса тока при /вх = 10 мА, 4/Обр, вых = Ю В,
более»
АОД109А, АОДЮ9В, АОДЮ9Г, АОДЮ9Д,
АОДЮ9Е, АОДЮ9Ж, АОДЮ9И.............. 1 мкс
АОДЮ9Б.............................. 0,5 мкс
Сопротивление изоляции при напряжении
между входом и выходом 100 В, не менее. 10’ Ом
Проходная емкость каждой оптопары и между
оптопарами, не более........................ 2 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Обратное входное напряжение.......... 3,5 В
Обратное выходное напряжение:
А0ДЮ9А, АОДЮ9В, АОДЮ9Г, А0ДЮ9Д,
А0ДЮ9Е, А0ДЮ9Ж, А0ДЮ9И............ 40 В
АОДЮ9Б............................ 10 В
Напряжение изоляции.................. 100 В
Входной ток.......................... 10 мА
Импульсный входной ток при Ги < 100 мкс,
О > 5................................ 100 мА
Температура окружающей сред ।........ —60...+70 °С
Зависимости коэффициента пере-
дачи тока от обратного напряже-
ния
Зависимости коэффициента пере-
дачи тока от обратного напряже-
ния
Зависимость коэффициента пере-
дачи тока от температуры
!угвых
Зав <си «ости точа утечки от выход-
ного нал яжения
Зависимости допустимого импульс-
иого входного тока от длительно-
сти импульса
АОД111А
Оптоэлектронный диодный прибор с одним арсенидгалли-
евым излучающим диодом и двумя кремниевыми фотодиодами.
Применяется в качестве датчика положений близких к нему
предметов, отражающих излучение диода, а также в качестве
датчика пульса в электронных пульсметрах. Изготовляется в
металлокерамическом корпусе с оптическим окном.
Масса прибора не более 0,5 г.
Электрические параметры
Входное напряжение при 4х = 10 мА,
Т = +25 ’С, не более....................... 2 В
Приращение выходного тока (при приближе-
нии к оптическому окну отражающей метал-
лической поверхности), не менее............ 1 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Обратное выходное напряжение любой фор-
мы и периодичности...................... 6 В
Постоянный или средний входной ток...... 40 мА
Импульсный входной ток при Ги = 10 мкс,
О > 20.................................. 100 мА
Температура окружающей среды............ —10...+60 ’С
Зависимости входного напряжения
от входного тока
Зависимости тока утечки
от выходного напряжения
Зависимости выходного тока
от обратного напряжения
ЗОД112А—1, АОД112А-1
Оптопары диодные, бескорпусные. Образованы излучаю-
щим диодом на основе арсенида галлия и кремниев- >м фото-
613
диодом. Предназначены для использования в составе гермет
зированных гибридных микросхем.
Масса прибора не более 0,02 г.
ЗОД112А-1.АОД112А-1
Электрические параметры
Входное напряжение при /вх = 20 мА,
не более............................... 167 В
Коэффициент передачи тока при /вх = 10 мА,
не менее............................... 2,5%
Время нарастания и спада выходного импуль-
са при 4х = 20 мА, не более............ 3 мкс
Сопротивление изоляции, не менее....... 10’° Ом
Проходная емкость, не более............ 2,5 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Обратное входное напряжение............ 3,5 В
Напряжение изоляции.................... 100 В
Постоянный или средний входной ток:
при Т < +35 ’С.......................... 30 мА
при Т = +70 ’С...................... 20 мА
Импульсный входной ток................. 100 мА
Температура окружающей среды........... —60...+70 ’С
Выходные характеристи-
ки в фотогенераторном
режиме
Овых-З'
ЗОД120А-1, АОД120А-1, АОД120Б-1
Оптопары диодные, бескорпусные. Образованы излучаю-
щим диодом на основе соединения арсенид—галлий—алюми-
ний и кремниевым фотодиодом. Предназначены для гальвани-
ческой развязки элементов в составе гибридных оптоэлек-
тронных микросхем.
Масса прибора не более 0,02 г.
ЗОД120А-1, А0Д120(А-1.Б-1)
Электрические параметры
Входное напряжение при 4х = Ю мА,
не более:
Г=+25 и+85’С................ 1,7 В
Г=-60’С..................... 1.Э В
Коэффициент передачи тока при 4х = 10 мА,
^обр вых = 5 В:
Т = +25 ’С, не менее:
ЗОД120А-1, АОД120А-1..................... 1%
АОД120Б-1.............................. 0,4%
ЗОД120А—1, Т=+85’С........................ 0,6%
ЗОД120А—1, Т= —60’С...................... 1%
Ток утечки на выходе при /вх = 0,
^обр вых = 8 В, не более:
ЗОД120А— 1, АОД120А-1, АОД120Б-1,
Т=+25’С.................................. 2 мкА
ЗОД120А—1, Т=+85’С.................... 20 мкА
ЗОД120А-1, Т= -60 ’С.................. 2 мкА
Время нарастания и спада выходного им-
пульса тока при 4х = Ю мА, ^овр.вых = Ю В,
Т = +25 ’С, не более:
ЗОД120А-1, АОД120А-1..................... 30 нс
АОД120Б-1................................ 50 нс
Время задержки включения, не более:
ЗОД120А-1, АОД120А-1........................ 50 нс
АОД120Б-1................................ 70 нс
Сопротивление изоляции при напряжении
между входом и выходом 200 В, Т = +25 ’С,
не менее ••••••••••••«••••••••••••••••••••••••••••••••••••в 10м Ом
Емкость проходная, не более.................. 2 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Обратное входное напряжение............. 3,5 В
Напряжение изоляции..................... 200 В
Повторяющееся импульсное напряжение изо-
ляции при < 1 с, О > 2.................. 400 В
Обратное выходное напряжение............ 10 В
Постоянный или средний входной ток':
при Т = —60...+70 ’С................... 20 мА
при Т - +85 ’С....................... 4 мА
Импульсный входной ток при Ги = 100 мкс. 100 мА
Температура окружающей среды............ —60...+85 ’С
’ В диапазоне температур +7О...+85 ’С допустимый входной ток снижается
линейно.
Зона возможных положений за-
висимости входного напряжения
от входного тока
Зависимость коэффициента пере-
дачи тока от температуры
Зависимости выходного тока
от входного
Зависимость времени нарастания
и спада от обратного напряжения
Зависимости допустимого импульс-
ного входного тока от длительно-
сти импульса
ЗОД121А—1, ЗОД121Б— 1, ЗОД121В-1
Оптопары диодные, бескорпусные. Образованы излучаю-
щим диодом на основе соединения галлий—алюминий—мы-
шьяк и кремниевым фотодиодом. Предназначены для исполь-
зования в составе герметизированных гибридных микросхем.
Масса прибора не более 0,05 г.
ЯД12НА-1-В-1)
Электрические параметры
Входное напряжение при /вх = 10 мА,
не более.............................. 1,7 В
Коэффициент передачи тока при /цх - 10 мА,
не менее:
ЗОД121А-1.......................... 1,5%
ЗОД121Б-1 ......................... 2,5%
ЗОД121В-1 ......................... 3,2%
Время нарастания и спада выходного импуль-
са при /вх = 50 мА, не более:
ЗОД121А-1.......................... 70 нс
ЗОД121Б-1, ЗОД121В-1............... 100 нс
Сопротивление изоляции, не менее...... 1010 Ом
Проходная емкость, не более:
ЗОД121А-1............................. 1 пФ
ЗОД121Б-1, ЗОД121В-1............... 2 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Обратное входное напряжение............ 5 В
Обратное выходное напряжение........... 20 В
Напряжение изоляции.................... 500 В
Пиковое напряжение изоляции при гн = 1 с ....
Постоянный входной ток..................
Импульсный входной ток..................
Температура окружающей среды............
1000 В
10 мА
100 мА
-60...+85 ’С
ДОД 129 А
Оптопара диодная, состоящая из
арсенид—галлий—алюминиевого из-
лучателя на основе двойных гетеро-
структур, кремниевого рч-п фотопри-
емника, изготовленного по эпитакси-
альной технологии, и имерсионной
среды между ними. Предназначена
для гальванической развязки элек-
трических цепей. Выпускается в ме-
таллостеклянном корпусе.
Масса прибора не более 1,9 г.
А ОД 129А
Электрические параметры
Входное напряжение при /вх = 10 мА:
Т = +25 ’С.................................. 1*...1,2*...1,3 В
7=+70’С, не более....................... 1,5 В
Т = —60 ’С, не более.................... 1,9 В
Коэффициент передачи по току
при /вх = Ю мА, вых = 5 В:
+25 ’С С -60 ’С............................. 1...1,5*...2,2*%
Т = +70 ’С, не менее.................... 0,6%
Ток утечки на выходе при 1/вых = 8 В, не более 2 мкА
типовое значение............................ 0,2* мкА
Время нарастания и спада выходного тока
при 4х ~ Ю мА, 4/Обр. вых = Ю В............. 18*...22*...
30 нс
Сопротивление изоляции при (/из = 500 В,
не менее................................ 10'° Ом
типовое значение..................... 10”* Ом
Проходная емкость при (/и3 = 0.......... 0,5*... 1,2*...
2 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Обратное входное напряжение............. 3,5 В
Обратное выходное напряжение............ 10 В
Напряжение изоляции..................... 500 В
Пиковое напряжение изоляции при Ги = 10 мс,
0=2..................................... 1000 В
Входной постоянный (средний) ток:
при -60 ’С « +55 ’С............... 20 мА
при Г=+70’С’......................... 8 мА
Импульсный входной ток при 4, = 100 мкс. 100 мА
Температура окружающей среды............ —60...+70 ’С
1 В диапазоне температур окружающей среды +55...+70 ’С значение вход-
ного постоянного (среднего) тока снижается линейно.
/обр.вых, мкА
Зависимости входного напряжения
от входного тока
Т = >7{К
"""
""" 60-С
А0Д129А
0 5 Ущр ни, В
Зависимости обратного выходного
тока от обратного выходного на-
пряжения
Зависимость времен нарастания
и спада от температуры
Зависимость времен нарастания
и спада от обратного выходно-
го напряжения
Зависимости выходного тока
от входного
Зависимость выходного обратного
тока от температуры
Зависимость максимально допусти-
мого импульсного входного тока от
длительности импульса
Зависимости относительного коэф-
фициента передачи по току от об-
ратного выходного напряжения
АОД130А
Оптопары диодные. Образованы излучающим диодом на
основе соединения мышьяк—галлий—алюминий и кремние-
вым фотодиодом. Предназначены для гальванической развяз-
ки электрических цепей, между которыми осуществляется пе-
редача информации. Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса прибора не более 1 г.
Электрические параметры
Входное напряжение при /вх = 10 мА:
не менее............................... 1,15 В
не более............................ 1,5 В
АОД130А
Коэффициент передачи тока при /вх = 10 мА,
Мзбр. вых ~
не менее.................................. 1%
не более............................... 2%
Ток утечки на выходе при /вх - 0, не более .... 0,5 мкА
Время нарастания и спада выходного импуль-
са тока при /вх = 10 мА, 6/0БР_ вых = Ю В:
не менее.................................. 60 нс
не более............................... 100 нс
Сопротивление изоляции при 1/из = 500 В,
не менее.................................. 10” Ом
Проходная емкость, не более............... 0,5 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Обратное входное напряжение............. 3,5 В
Обратное выходное напряжение............ 30 В
Напряжение изоляции.................... 1500 В
Пиковое напряжение изоляции при /и < 2 мкс,
0^2.................................... 3000 В
Максимальный постоянный или средний вход-
ной ток’:
при температуре от нижнего значения
до+55’С............................. 20 мА
при+70’С............................ 10 мА
Импульсный входной ток при 4, 10 мкс... 100 мА
Температура окружающей среды........... —45...+70 ’С
1 В диапазоне температур +55...+70 *С значение /ах ммс (4х ср макс) снижает-
ся линейно.
Зависимость коэффициента пере-
дачи тока от входного тока
Зависимости тока утечки от обрат-
ного напряжения на выходе
Зона возможных положений зави-
симости сопротивления изоляции
от напряжения изоляции
Зависимость времени нарастания
и спада выходного тока от об-
ратного напряжения
Зависимость коэффициента пере-
дачи тока от температуры
Зависимости входного напряжения
от входного тока
АОД133А
Оптопара диодная, состоящая из
арсенидгаллиевого излучателя и крем*
ниевого фотоприемника, изготовлен-
ных по эпитаксиальной технологии,
иммерсионной среды и внутреннего
экрана между ними. Предназначена
для использования в качестве элемен-
тов гальванической развязки электри-
ческих цепей. Выпускается в метал-
лостеклянном корпусе.
Масса прибора не более 1,9 г.
Электрические параметры
Входное напряжение при /вх = 10 мА:
Т= +25 ’С..............................
Г= +70 ’С, не более.................
Г = —60 ’С, не более................
1*...1,2*...2,5 В
1,5 В
1,9 В
Коэффициент передачи по току
при 4х = Ю мА, Ц)б₽, вых = Ю В:
7 = +25 ’С............................... 0,5...0,8*...
1,2*%
7 = +70 ’С, не менее..................... 0,3%
Ток утечки на выходе при //ВЬ1Х - 10 В,
не более..................................... 2 мкА
типовое значение......................... 0,1* мкА
Время нарастания и спада выходного тока
при /вх = 10 мА, 1/овр. вых = Ю В............ 50* ..70*...
100 нс
Сопротивление изоляции при 1/из = 500 В,
не менее..................................... 10’ Ом
типовое значение......................... 10'° Ом
Проходная емкость при Цо = 0............. 0,01*...0,02*...
0,05 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Обратное входное напряжение............. 3,5 В
Обратное выходное напряжение............ 20 В
Пиковое напряжение изоляции при /и = 10 мс,
0 = 2................................... 1000 В
Входной постоянный (средний) ток........ 20 мА
Импульсный входной ток при /и = 100 мкс. 100 мА
Температура окружающей среды............ —60...+70 ’С
Зона возможных по-
ложений зависимости
входного напряжения
от входного тока
Зависимости входного
напряжения от вход-
ного тока
Зависимости обратного
выходного тока от об-
ратного выходного на-
пряжения
Зависимость относительного коэф-
фициента передачи по току от тем-
пературы
Зависимость выходного обратного
тока от температуры
Зависимости выходного тока
от входного
Зона возможных положений зави-
симости времен нарастания и спа-
да от обратного выходного напря-
жения
ЗОД201А-1, ЗОД201Б—1, ЗОД201В-1,
ЗОД201Г-1, ЗОД201Д-1, ЗОД201Е-1
Оптопарные диодные, бескорпусные. Образованы излуча-
ющим диодом на основе соединения арсенид—галлий—алю-
миний и кремниевым фотодиодом. Предназначены для приме-
нения в составе гибридных микросхем.
Масса прибора не более 0,05 г.
Электрические параметры
Входное напряжение при /вх = 10 мА:
7=+25’С............................ 1,1...1,5 В
7=+70’С.......................... 1...1.5 В
7 = -60 ’С:
ЗОД201А-1, ЗОД201Б-1, ЗОД201В-1 1,1...1,85 В
ЗОД201Г-1, ЗОД201Д-1, ЗОД201Е-1 1.1...1.65 В
ЗОД20КА-1-Е-1)
Коэффициент передачи тока при /^ = 5 мА:
ЗОД201А—1, ЗОД201Г-1................... 0,6...1,3%
ЗОД201Б—1, ЗОД201Д-1 ............... 0,9...2%
ЗОД201В-1, ЗОД201Е-1................ 1,5...3,5%
Ток утечки на выходе при ^об₽, вых = 6 В,
Т - +25 ’С, не более................... 2 мкА
Время нарастания и спада выходного им-
пульса тока при /вх и = 25 мА, Т - +25 ’С,
не более:
ЗОД201А-1, ЗОД201Б-1, ЗОД201В-1..... 100 нс
ЗОД201Г-1, ЗОД201Д-1, ЗОД201Е-1 .... 800 нс
Сопротивление изоляции при 1/и3 = 100 В,
Т = +25 ’С, не менее................... 10’° Ом
Проходная емкость не более............. 1,8 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Обратное входное напряжение........... 3,5 В
Напряжение изоляции................... 100 В
Обратное выходное напряжение.......... 6 В
Входной ток........................... 20 мА
Импульсный входной ток................ 100 мА
Темпера)ура окружающей среды.......... —60...+70 ’С
1нР ЛнР ^СП /1сП (*№С)
Зависимость времени нарастания
и спада от температуры
Зона возможных положений зави-
симости сопротивления нагрузки
от температуры
Зона возможных по-
ложений зависимости
входного напряжения
от входного тока
Зависимости коэффи-
циента передачи тока
от обратного напря-
жения
Зависимости коэффи-
циента передачи тока
от входного тока
АОД202А, АОД202Б
Оптопары диодные, бескорпусные. Образованы излучаю-
щим арсенидгаллиевым диодом и кремниевым фотодиодом.
Предназначены для использования в составе герметизирован-
ных гибридных микросхем.
Масса прибора не более 0,05 г.
Электрические параметры
Входное напряжение при /вх = 10 мА,
не более............................ 1,7 В
АОД202(А.Б)
Коэффициент передачи тока:
АОД202А.............................. 1,5%
АОД202Б........................... 2,5%
Ток утечки на выходе, не более....... 1 мкА
Время нарастания и спада выходного импуль-
са, не более:
АОД202А.............................. 100 нс
АОД202Б........................... 150 нс
Сопротивление изоляции, не менее:
АОД202А.............................. 10'° Ом
АОД202Б........................... 10’ Ом
Проходная емкость, не более:
АОД202А.............................. 1 пФ
АОД202Б........................... 2 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Обратное выходное напряжение............ 20 В
Напряжение изоляции..................... 200 В
Импульсный входной ток при Ги = 10 мкс.. 100 мА
Температура окружающей среды............ —60...+85 ’С
Зависимость допустимого вход-
ного тока от длительности им-
пульсов
ОЛ201А
Оптопары диодно-транзисторные, состоящие из кремние-
вого фотодиода, п-р-п кремниевого планарного транзистора у
эпитаксиального излучающего диода на основе соединения
мышьяк—галлий—алюминий. Предназначены для гальваниче-
ской развязки электрических цепей, между которыми осуще-
ствляется передача информации. Выпускаются в металлосте-
клянном корпусе с гибкими выводами.
Масса прибора не более 2 г.
0Л201А
Электрические параметры
Входное напряжение при /вх = 10 мА,
не более..................................... 1,5 В
Коэффициент передачи тока при 4х = 0,5 мА,
(/обр. вых = 5 В, не менее................... 10%
Ток утечки на выходе при Уобр. вых = 5 В,
не более..................................... 2 мкА
Время нарастания и спада выходного им-
пульса тока при 4х.и = 10 МА, Ц&р.вых 8 5 В,
не более..................................... 1 мкс
Время нарастания выходного импульса тока
в микромощном режиме при /вх, и = 0,5 мА,
Мжр, вых = 5 В, не более..................... 2 мкс
Время спада выходного импульса тока
в микромощном режиме при /вх и = 0,5 мА,
//0Бр, вых = 5 В, не более................... 0,5 мкс
Время задержки включения и выключения
ПРИ 4х. и 8 10 мА, //0Б₽ вых = 5 В, не более. 0,2 мкс
Сопротивление изоляции при Уиз = 500 В,
не менее..................................... 10’° Ом
Проходная емкость, не более.................. 2 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Обратное входное напряжение............. 3,5 В
Обратное выходное напряжение:
диодный выход....................... 10 В
транзисторный выход.................. 10 В
Напряжение изоляции..................... 500 В
Пиковое напряжение изоляции при Ти С 10 мс,
О>2..................................... 1000 В
Постоянный (средний) входной ток':
при Г= -60...+70 ’С.................... 10 мА
при Т - +85 °С....................... 2 мА
Импульсный входной ток при Ти С 100 мкс. 50 мА
Выходной ток............................ 10 мА
Температура окружающей среды............ —60...+85 °С
' В диапазоне температур +/0...+85°С 4Х идкс и 4 с» макс снижаются
линейно.
Зависимости тока утечки от выход-
ного обратного напряжения
Зависимости выходного тока
от входного тока
Зависимости входного напряжения
от входного тока
Зависимости коэффициента пере-
дачи тока от выходного обратно-
го напряжения
Зона возможных положений за-
висимости входного иапряжеиня
от входного тока
Зависимости задержки включения
и выключения от входного тока
А0ТЮ1АС, А0ТЮ1БС
Оптопары, транзисторные, двухканальные, состоящие из
эпитаксиальных излучающих диодов на основе соединения
галлий—алюминий—мышьяк и кремниевых фототранзисторов.
Применяются для электронной коммутации однополярного тока
с гальванической развязкой между входом и выходом. Выпу*
скаются в пластмассовом корпусе.
Масса прибора не более 3 г.
АОТиИ(АС.БС)
12 3 4
8 7 6
Электрические параметры
Входное напряжение при 4х 3 15 мА,
не более.................................. 1,7 В
типовое значение....................... 1,3 В
Входное напряжение при /вх = 5 мА, не более 1,6 В
типовое значение....................... 1,2 В
Выходное остаточное напряжение:
°ри /вх = 2,5 мА, 4ых = 0,5 мА, не более .. 0,4 В
типовое значение................... 0,2 В
при 4х = Ю мА, 4ых = 1,5 мА для
АОТЮ1АС, /^х = 10 мА для АОТЮ1БС,
не более........................... 0,4 В
Ток утечки на выходе при 4х = 0, 1/Ком = Ю В,
не более.............................. 10 мкА
типовое значение................... 1 мкА
Сопротивление изоляции при = 500 В,
не менее.............................. 10” Ом
типовое значение................... 10'2 Ом
Время нарастания и спада выходного сигна-
ла при (УкОМ = 10 В, /вх = 10 мА, /?н = 100 Ом,
не более.............................. 10 мкс
типовое значение................... 3 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Коммутируемое напряжение.............. 15 В
Обратное входное напряжение........... 1,5 В
Напряжение изоляции при Т = +25 ± 10 ’С.... 1,5 кВ
Входной ток' при Т = —10...+50 ’С..... 20 мА
ВЫХОДНОЙ ТОК2 При 4х МАКС-
АОТЮ1АС............................ 5 мА
АОТЮ1БС............................ 10 мА
Входной импульсный ток при 4 С 10 мкс. 50 мА
Температура окружающей среды.......... —10...+70 ’С
1 В диапазоне температур +50...+70 ’С /вх идкс снижается линейно с коэф-
фициентом 0,25 мА/’С. В импульсном режиме среднее значение входного тока
ие должно превышать 0,5 4х макс-
’ Значение 4х и м*кс не должно превышать 4ых макс-
20 Л "-АОТШБС 6 Ю 1м, м2 Зависимости коэсЬфициента пере- дачи тока от входного тока 2 -А0Т101АС Иш --ММ) 1 -А0П01БС *5нА) -20 20 60 1 ’С Зависимости остаточного напряже- ния от температуры
Кь %
Зависимости коэффициента пере-
дачи тока от температуры
1вхл1ик. мА
Зависимости допустимого импульс-
ного входного тока от длительно-
сти импульса
ЗОТЮ2А, ЗОТЮ2Б, ЗОТЮ2В, ЗОТЮ2Г,
ЗОТЮ2Д, ЗОТЮ2Е, ЛОТ 102А, АОТЮ2Б,
АОТЮ2В, АОТЮ2Г, АОТ102Д, АОТЮ2Е
Оптопары, состоящие из излучающего диода на основе
соединения мышьяк—галлий—алюминий и кремниевого одно-
переходного транзистора. Предназначены для использования
в аппаратуре управления и устройствах автоматики для гальва-
нической развязки электрических цепей. Выпускаются в ме-
таллическом корпусе.
Масса прибора не более 1,5 г.
30Т102(А-Е). АОШ(А-Е)
Электрические параметры
Прямое напряжение на входе при 4х = 15 мА 2 В
Остаточное напряжение при /э = 50 мА,
не более..................................... 4 В
Коэффициент передачи тока:
ЗОТЮ2А, АОТЮ2А........................... 0,5...0,55
ЗОТЮ2Б, АОТЮ2Б........................... 0,54...0,6
ЗОТЮ2В, АОТЮ2В........................... 0,59...0,66
ЗОТЮ2Г, АОТЮ2Г........................... 0,64.,.0,71
ЗОТЮ2Д, АОТЮ2Д........................... 0,7...0,78
ЗОТЮ2Е, АОТЮ2Е........................... 0,77...0,85
Изменение коэффициента передачи тока,
не менее:
при /вх = 15 мА.......................... 10%
при 4х = 40 мА........................... 20%
Ток утечки эмиттерного перехода
при 1/Б)Б2 = 30 В, не более.................. 1 мкА
Ток выключения при (/Б1Б2 = 20 В, не менее.... 1 мА
Межбазовое сопротивление..................... 4... 12 кОм
Сопротивление изоляции, не менее............. 10* Ом
Предельные эксплуатационные данные
Межбазовое напряжение при Т = —45...+55 ’С
Обратное напряжение между эмиттером
и второй базой при Т = —45...+55 ’С......
Напряжение изоляции
при Р = 2,7 • 104...3 • 105 Н/м1 2.......
Входной ток при Т - —45...+35 ’С.........
Амплитуда входного тока при /и = 10 мкс,
0=200, Т=-45...+35 ’С....................
Постоянный ток эмиттера в открытом состоя-
нии при Т = —45...+35 ’С.................
Амплитуда эмиттерного тока при
макс = Ю мкс, Омии = 200, Т — 45...+35 С
Рассеиваемая мощность' при Т = —45...+35 ’С
Температура окружающей среды.............
30 В
30 В
500 В
40 мА
150 мА
50 мА
1 А
300 мВт
-45...+70 ’С
1 В диапазоне температур +35...+70 ’С рассеиваемая мощность определяет-
ся по формуле
Аикс = 1 (125 Г)/А. мВт,
где А = 0,3 ’С/мВт.
636
Зона возможных положений зави-
симости межбазового сопротивле-
ния от напряжения
Зона возможных положений зави-
симости коэффициента передачи
тока от температуры
Зона возможных положений зави-
симости коэффициента передачи
тока от входного тока
Зона возможных положений за-
висимости прямого напряжения
от температуры
ЗОТ110А, ЗОН ЮБ, ЗОН 10В, ЗОТ110Г,
АОТ1ЮА, АОТ1ЮБ, АОТ1ЮВ, АОТ110Г
Оптопары транзисторные, состоящие из излучающего ди-
ода на основе соединения мышьяк—галлий—алюминий и со-
ставного кремниевого фототранзистора. Предназначены для
использования в качестве переключателя в гальванически раз-
вязанных электрических цепях радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускаются в металлическом корпусе.
Масса прибора не более 1,5 г.
Электрические параметры
Входное напряжение при 1т = 25 мА,
не более............................ 2 В
Остаточное (выходное) напряжение при
/вх = 25 мА, = 100 мА для ЗОТ1ЮБ,
ЗОН 10В, АОТ1ЮБ, АОТ1ЮВ, 4ыХ = 200 мА
для ЗОТ1ЮА, ЗОТ1ЮГ, АОТ1ЮА, АОТ1ЮГ,
не более................................ 1,5 В
Ток утечки на выходе при 4х = 0, Г= +25 ’С,
//ком = 15 В для ЗОТ1ЮГ, АОТ1ЮГ,
4/ком = 50 В для ЗОТ1ЮА, ЗОН ЮБ,
ЗОН 10В, АОТ110А, АОТ1 ЮБ, АОТ1ЮВ,
не более................................ 110 мкА
Сопротивление изоляции при Уиз = 100 В.
не менее................................. Ю’ Ом
Предельные эксплуатационные данные
Коммутируемое напряжение:
ЗОТ1ЮА, ЗОТ1ЮВ, АОТ1ЮА, АОТ110В .. 30 В
ЗОТ1ЮБ, АОТ1ЮБ..................... 50 В
ЗОТ1ЮГ, АОТ110Г...................... 15 В
Напряжение изоляции................... 100 В
Обратное входное напряжение........... 0,7 В
Постоянный входной ток' при Т = —60...+35 ’С 30 мА
Амплитуда входного тока2 при /и С 10 мкс,
Т=-60...+35 ’С........................ 100 мА
1 В диапазоне температур окружающей среды +35...+70 ’С /вх м*кс снижает-
ся линейно с коэффициентом 0,43 мА/“С.
1 При изменении длительности импульса от 10"* до 10"г с и температуры
окружающей среды в диапазоне +35...+70 ’С 4х.и макс определяется по формуле
'« ки*« мА.
Постоянный выходной ток
при Т = -60...+35 ’С:
ЗОТ1ЮА, ЗОТ1 ЮГ, АОТ110А, АОТ1 ЮГ... 200 мА
ЗОТ1 ЮБ, ЗОТ1ЮВ, АОТ1 ЮБ, АОТ1ЮВ... ЮО мА
Амплитуда выходного тока при /и < 10 мс:
ЗОТ1ЮА, ЗОТ1 ЮГ, АОТ1ЮА, АОТ1 ЮГ ... 200 мА
ЗОТ110Б, ЗОТ1ЮВ, АОТ1ЮБ, АОТПОВ... 100 мА
Средняя рассеиваемая мощность’
при Т = —60...+35 'С.................. 360 мВт
Температура окружающей среды.......... —60...+70 ’С
1 При температуре окружающей среды свыше +35 *С допустимая рассеивае-
мая мощность определяются по формуле
Ар макс а А (80 - Г), мВт,
где А 8,0 мВт/*С.
Зона возможных положений за-
висимости входного напряжения
от входного тока
/уг, нА
1^ * 50В
для 30Т110А-В
А0Т110А-В
30Г110(А -Г)
А0Т110(А -Г)
10*
10’
Зона возможных положений за-
висимости тока утечки от темпе-
ратуры
АОТ122А, АОТ122Б, АОТ122В, АОТ122Г
Оптопары транзисторные, состоящие из излучающего ар-
сенидгаллиевого диода и кремниевого фототранзистора. Пред-
назначены для бесконтактной коммутации цепей постоянного
тока с гальванической развязкой между входом и выходом.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вывода-
ми. Тип прибора приводится на корпусе.
Масса оптопары не более 0,6 г.
АОТШ(А-Г)
Ибыбодоб
Электрические параметры
Входное напряжение при 4х - 5 мА:
Г=+25’С............................... 1—1,6 В
Т = +80 ’С, не более............... 1,6 В
Т = —60 ’С, не более............... 1,8 В
Выходное остаточное напряжение:
при 4х = 5 мА, 4ых = 15 мА для АОТ122А,
АОТ122В, АОТ122Г, 4ЫХ = 25 мА для
АОТ122Б, не более:
Г=+25 и+80’С.................... 1,5 В
Т=-60’С......................... 1,9 В
при 4х 1 мА, 4ых — 1 мА для АОТ122А,
4ых = 3 мА для АОТ122В, АОТ122Г,
4ых = 5 мА для АОТ122Б, не более... 1,5 В
Ток утечки на выходе при 4х = 0, (4ом = 50 В
для АОТ122А, (/ком = 30 В для АОТ122Б,
АОТ122В, Уком = 15 В для АОТ122Г, не более 10 мкА
Время нарастания при /8х ~ 5 мА,
/?н = 100 кОм, (/ком = 10 В, не более. 6 мкс
Время спада при /вх = 5 мА, /?н = 100 кОм,
*4ом = Ю В, не более.................. 100 мкс
Сопротивление изоляции при 1/из = 100 В,
не менее.............................. 10’ Ом
Предельные эксплуатационные данные
Коммутируемое напряжение при /? = 1 МОм
между выводами 10 и 11:
АОТ122А............................. 50 В
АОТ122Б, АОТ122В..................... ЗОВ
АОТ122Г.............................. 15 В
Напряжение изоляции..................... 100 В
Входной ток............................. 15 мА
Импульсный входной ток' при 4, < 10 мкс. 85 мА
Импульсный выходной ток при /? = 1 МОм
между выводами 10 и 11:
АОТ122А, АОТ122В, АОТ122Г.............. 15 мА
АОТ122Б.............................. 25 мА
Температура окружающей среды............ —60...+80 ’С
1 При изменении длительности импульса от 10’5 до 10'! с 4х и макс определя-
ется по фору уле
, 70./10-1 2\ .. .
4к И МАКС ” * 5’ МА'
Изгиб выводов допускается не ближе 1 мм от корпуса,
пайка выводов нс ближе 2 мм при температуре не свыше
+250 ’С в течение 3 с.
Допускается применение оптопар АОТ122А при напряже-
ние питания 48 В.
Зависимости времени спада от со-
противления база—эмиттер
Зависимости выходного тока от со-
противления база—эмиттер
ЗОТ123А, ЗОТ123Б, ЗОН 23В, ЗОТ123Г,
ЛОТ 123А, АОТ123Б, АОТ123В, АОТ123Г
Оптопары транзисторные, состоящие из излучающего ди-
ода на основе соединения галлий—алюминий—мышьяк и крем-
ниевого фототранзистора. Предназначены для применения в
ключевом режиме. Между выводами 3 и 5 должен быть под-
ключен резистор сопротивлением 100 кОм. Выпускаются в
металлостеклянном корпусе.
Масса прибора не более 2 г.
30Е125(А-Г),А0Т123(А-Г)
Электрические параметры
Входное напряжение при 4х = 20 мА,
не более................................ 2 В
Выходное остаточное напряжение, не более:
30Т123А, 30Т123В, АОТ123А, АОТ123В
при ^ых = 10 мА...................... 0,3 В
30Т123Б, 30Т123Г, АОТ123Б, АОТ123Г
при 4ых = 20 мА...................... 0,5 В
Ток утечки на выходе 30Т123А, АОТ123А
при */ком = 50 В, 30Т123Б, 30Т123В, АОТ123Б,
АОТ123В при */КОм = 30 В, 30Т123Г, АОТ123Г
при 1/ком = 15 В, не более.............. 10 мкА
Время нарастания и спада выходного тока,
не более:
30Т123А, 30Т123Б, 30Т123В, 30Т123Г .... 4 мкс
АОТ123А, АОТ123Б, АОТ123В, АОТ123Г.. 2 мкс
Сопротивление изоляции, не менее........ 10® Ом
Обратное входное напряжение............ 0,5 В
Коммутируемое выходное напряжение:
30Т123А, АОТ123А.................... 50 В
30Т123Б, 30Т123В, АОТ123Б, АОТ123В... 30 В
30Т123Г, АОТ123Г.................... 15 В
Напряжение изоляции.................... 100 В
Постоянный или средний входной ток
при Т < +35 ’С......................... 30 мА
Импульсный входной ток при 4, = 10 мкс. 100 мА
Выходной ток:
30Т123А, 30Т123В, АОТ123А, АОТ123В .. 10 мА
30Т123Б, 30Т123Г, АОТ123Б, АОТ123Г.... 20 мА
Температура окружающей среды:
30Т123А, 30Т123Б, 30Т123В, 30Т123Г .... -60...+85 ’С
АСТ123А, АОТ123Б, АОТ123В. АОТ123Г.. • 6Э...+70 ’С
Зона возможных положений пере-
даточной характеристики
Зависимости допустимого импульс-
ного входного тока от длительно-
сти импульсов
ЗОТ126А, ЗОТ126Б, ЛОТ 126А, АОТ126Б
Оптопары транзисторные, состоящие из излучающего ди-
ода на основе соединения галлий—алюминий—мышьяк и крем-
ниевого фототранзистора. Предназначены для бесконтактной
коммутации постоянного тока с гальванической развязкой меж-
ду входом и выходом. Выпускается в металлостеклянном кор-
пусе с гибкими выводами.
Масса прибора не более 2 г
Электрические параметры
Входное напряжение при 4х = 20 мА,
не более................................ 2 В
типовое значение..................... 1,3 В
Выходное остаточное напряжение при
4х = 20 мА, 4ых = Ю мА, не более........ 0,3 В
типовое значение..................... 0,2 В
Выходное остаточное напряжение при
10 мА < 4х 20 мА, = 0,5 /вх, не более:
ЗОТ126А.................................. 0,3 В
ЗОТ126Б............................... 0,4 В
Ток утечки на выходе при /вх = 0, не более:
ЗОТ126А, //ком = 30 В................ 10 мкА
ЗОТ126Б, (/ком ® 15 В................ 10 мкА
Время нарастания выходного тока при
4х = 20 мА, (/КОм = 10 В, /?н = 100 Ом,
типовое значение........................ 2 мкс
Время спада при 4х = 20 мА, (/ком = Ю В,
/?н = 100 Ом, типовое значение.......... 2 мкс
Время включения при /вх = 20 мА, (/ком = Ю В,
/?н = 100 Ом, типовое значение.......... 2,5 мкс
Время выключения при /вх = 20 мА,
С/ком = Ю В, /?н = 100 Ом, типовое значение... 3 мкс
Сопротивление изоляции при //из = 500 В,
не менее.................................... 10” Ом
Предельные эксплуатационные данные
Коммутируемое напряжение:
ЗОТ126А, АОТ126А........................
ЗОТ126Б, АОТ126Б.....................
Напряжение изоляции1 при Т = —60...+35 ’С..
Обратное входное напряжение2............
Входной ток3 4 при Т - —60...+35 ’С.....
Импульсный входной ток при /и С 10 мкс..
Выходной ток1,4 при Т- —60...+35 ’С.....
Температура окружающей среды:
ЗОТ126А, ЗОТ126Б.....................
АОТ126А, АОТ126Б.....................
ЗОВ
15 В
1000 В
0,5 В
30 мА
100 мА
10 мА
-60...+100 ’С
-60...+85 ’С
' В диапазоне температур окружающей среды +35 ’С... идкс снижа-
ется линейно до 5 мА, снижается линейно до 500 В.
2 Значение <4^ и> до мдКС не должно превышать МАК(;.
1 Значение 4» ндкС в диапазоне температур окружающей среды +35...+100 ’С
для ЗОТ126А, ЗОТ126Б снижается линейно с коэффициентом 0,31 мА/’С, в
диапазоне температур +35...+85 ’С для АОТ126А, АОТ1266 снижается линейно
с коэффициентом 0,4 мА/’С.
4 Значение 4ых. и. макс не должно превышать М)М.
Зависимость коэффициента пере-
дачи тока от входного тока
Зависимости допустимого импульс-
ного входного тока от длительно-
сти импульса
Зависимости времени нарастания
и спада выходного тока от сопро-
тивления нагрузки
ЗОТ127А, ЗОТ127Б,
ЛОТ 127А, АОТ127Б, АОТ127В
Оптопары транзисторные, состоящие из излучающего ди*
ода на основе соединения галлий—алюминий—мышьяк и крем-
ниевого фототранзистора. Предназначены для бесконтактной
коммутации цепей постоянного тока с гальванической развяз-
кой между входом и выходом. Выпускаются в металлостеклян-
ном корпусе с гибкими выводами.
Масса прибора не более 2 г.
Электрические параметры
Входное напряжение при 4х = 5 мА, не более 1,6 В
Выходное остаточное напряжение, не более:
при /вх = 5 мА, 4ыХ = 70 мА для ЗОТ127А,
ЗОТ127Б, АОТ127А....................... 1,5 В
при 4х = 5 мА, 4ых = 15 мА для АОТ127Б,
АОТ127В............................. 1,5 В
при /вх = 0,5 мА, 4ых = 2,5 мА для ЗОТ127А 1,2 В
Ток утечки на выходе, не более:
при 4х = 0, //ком = 30 В для ЗОТ127А,
ЗОТ127Б, АОТ127А, АОТ127Б............... 10 мкА
при /вх = 0, //КОм = 15 В для АОТ127В. 10 мкА
Сопротивление изоляции при {/из = 500 В,
не менее............................... 10" Ом
30Т127(А.Б).А^Т127(А-В)
Предельные эксплуатационные данные
Обратное постоянное или импульсное вход-
ное напряжение......................... 1,5 В
Коммутируемое напряжение:
ЗОТ127А, ЗОТ127Б, АОТ127А, АОТ127Б .. 30 В
АОТ127В............................. 15 В
Напряжение изоляции* 1................. 1000 В
Постоянный (импульсный при > 10 мкс)
входной ток2 при Т +35 °С:
ЗОТ127А, ЗОТ127Б....................... 20 мА
АОТ127А, АОТ127Б, АОТ127В........... 15 мА
1 В диапазоне температур окружающей среды +35...+85 *С с (ижается
линейно до 500 В.
1 В диапазоне температур окоужающей соеды +35...+85 ’С 4х.м*кс снижает
ся линейно с коэффициентом 0,3 м \/’С.
Импульсный входной ток1 при Ги < 10 мкс,
74+35 ‘С:
ЗОТ127А, ЗОТ127Б................... 85 мА
АОТ127А, АОТ127Б, АОТ127В.......... 100 мА
Выходной ток2:
ЗОТ127А, ЗОТ127Б....................... 100 мА
АОТ127А, АОТ127Б, АОТ127В.......... 70 мА
Температура окружающей среды.......... —60...+85 ’С
1 В диапазоне температур окружающей среды +35...+85 °С 4, и мде снижа-
ется линейно с коэффициентом 1,3 мА/*С. При изменении = 1О‘$...1О"2 с
4х и ммс определяется по формуле
4х,и.накс = 65 «Ю-’/У/З + 20, мА, для ЗОТ127А, ЗОТ127Б,
4х и м*кс = 85 1д(10-*/и/3 + 15, мА, для АОТ127А-АОТ127В.
1 В диапазоне температур +35...+85 "С мдкс снижается линейно с коэф-
фициентом 1,6 мА/’С.
Зависимости входного напряжения
от входного тока
Зона возможных положений за-
висимости тока утечки на выхо-
де от температуры
Зависимость времени нарастания
выходного тока от входного тока
Зависимость времени спада выход-
ного тока от сопротивления между
базой и эмиттером
АОТ128А, АОТ128Б, АОТ128В, АОТ128Г
Оптопары транзисторные, состоящие из излучающих дио-
дов на основе соединения галлий—алюминий—мышьяк и крем-
ниевых фототранзисторов. Предназначены для бесконтактной
коммутации постоянного тока с гальванической развязкой меж-
ду входом и выходом. Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса прибора не более 1 г.
Электрические параметры
Входное напряжение:
при = Ю мА, не более................ 1,6 В
типовое значение..................... 1,25 В
при /вх = 40 мА, не более............ 1,8 В
типовое значение..................... 1,4 В
Выходное остаточное напряжение при
/вх = 10 мА, /?вэ = 100 кОм, не более:
4ых = 10 мА для АОТ128Б................. 0,4 В
/вых = 5 мА для АОТ128В, АОТ128Г..... 0,4 В
/вых = 2 мА для АОТ128А.............. 0,3 В
Напряжение изоляции, не менее........... 1,5 кВ
Пиковое напряжение изоляции в течение
1 мин, не менее......................... 3 кВ
А0Т128(А-Г)
Ток утечки на выходе при /вх = О,
/?6Э = 100 кОм:
(/ком = 50 В для АОТ128А, (/ком = 30 В
для АОТ128Б, АОТ128В, (/ком = 15 В для
АОТ128Г, не более...................... 10 мкА
(/ком = Ю В, /?6Э = 100 кОм, не более.. 0,05 мкА
Время нарастания и спада выходного тока
при 4х = Ю мА, 4/ком = Ю В, /?н = 100 Ом,
/?6Э = 100 кОм, не более.................. 5 мкс
типовое значение....................... 3 мкс
Сопротивление изоляции при (/из = 500 В,
не менее.................................. 10” Ом
типовое значение....................... 1012 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Обратное входное напряжение......... 0,5 В
Коммутируемое напряжение:
АОТ128А................................ 50 В
АОТ128Б, АОТ128В.................... ЗОВ
АОТ128Г............................. 15 В
Входной ток’ при Т = —40...+35 ’С...... 40 мА
Выходной ток’-2 при Т = —40...+35 ’С:
АОТ128А................................ 8 мА
АОТ128Б............................. 32 мА
АОТ128В, АОТ128Г.................... 16 мА
Входной импульсный ток при < 10 мкс.... 100 мА
Температура окружающей среды........... —40...+85 ’С
1 В диапазоне температур окружающей среды +35...+85 "С максимальный
входной ток снижается линейно с коэффициентом 0,6 мА/*С, максимальный
выходной ток снижается линейно с коэффициентом 1/8 мА/°С для АОТ128А,
1/2 мА/’С для АОТ128Б и 1/4 мА/“С для АОТ128В, АОТ128Г.
Значение и макс должно превышать макс*
Зона возможных положений за-
висимости относительного изме-
нения коэффициента передачи
тока от температуры
Зона возможных положений за-
висимости тока утечки от темпе-
ратуры
Зависимости допустимого импульс-
ного входного тока от длительно-
сти импульса
Оптопары транзистор-
ные, состоящие из излуча-
ющих мезаэпитаксиальных
диодов на основе соедине-
ния галлий—алюминий—
мышьяк и кремниевых фо-
тотранзисторов. Предна-
значены для бесконтактной
коммутации постоянного
тока с гальванической раз-
вязкой между входом и вы-
ходом. Выпускаются в ме-
таллостеклянном корпусе с
гибкими выводами.
Масса прибора не бо-
лее 2 г.
Электрические параметры
Входное напряжение при /вх = 10 мА,
не более................................. 1,7 В
типовое значение...................... 1,25 В
Выходное остаточное напряжение
при /вх = 2 мА, 4ыХ = Ю мА, не более..... 1.5 В
типовое значение...................... 0,9 В
Коэффициент передачи тока при /вх = Ю мА,
не менее................................ 50%
Ток утечки на выходе при (/КОм = 15 В, /вх = 0,
не более................................ 10 мкА
типовое значение..................... 1 мкА
Время нарастания выходного тока при
4х = Ю мА, 4/ком = 10 В, /?н = 100 Ом,
/?6Э = 1 МОм, типовое значение.......... 10 мкс
Время спада выходного тока при /вх = 10 мА,
4/ком = Ю В, /?н = 100 Ом, /?Бэ = 1 МОм, типо-
вое значение............................ 70 мкс
Время задержки включения при /вх = 10 мА,
4/ком = Ю В, /?н = 100 Ом, /?бэ = 1 МОм, типо-
вое значение............................ 1 мкс
Время задержки выключения при /вх = Ю мА,
М<ом = Ю В, /?н = 100 Ом, /?вэ = 1 МОм, типо-
вое значение............................ 0,5 мкс
Сопротивление изоляции при 4/и3 = 500 В,
не менее................................ 10” Ом
типовое значение..................... 10’1 2 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Обратное входное напряжение............. 3,5 В
Коммутируемое напряжение................ 15 В
Напряжение изоляции’ при Т = —60...+35 ’С .. 1000 В
Входной ток’ при Т = —60...+35 ’С....... 30 мА
Импульсный входной ток при 7И $ 10 мкс.. 50 мА
Выходной ток'-2 при Т = —60...+35 ’С.... 10 мА
Температура окружающей среды............ —60...+85 ’С
1 В диапазоне температур +35...+85 °С значение /вм НАКС снижается линейно с
коэффициентом 0,3 мА/’С, значение им снижается линейно с коэффи-
циентом 0,06 мА/'С, значение Цо снижается линейно с коэффициентом 10 В/°С.
2 Значение 4ых. и. макс ие должное превышать 4ыХ. макс-
Зона возможных положений зависи-
мости коэффициента передачи тока
от входного тока
Зона возможных положений зави-
симости времени нарастания вы-
ходного тока от входного тока
Зона возможных положений зави-
симости времени включения от со-
противления нагрузки
Зона возможных положений за-
висимости времени выключения
от сопротивления нагрузки
Зона возможных положений зави-
симости коэффициента передачи
тока от температуры
АОТ137А
Оптопара транзисторная, состоящая из арсенид—галлий—
алюминиевого эпитаксиально-планарного инфракрасного диод-
ного излучателя и кремниевого эпитаксиально-планарного п-р-п
транзисторного фотоприемника. Предназначена для использо-
вания в качестве миниатюрных первичных фотоэлектрических
преобразователей (датчиков) линейных и угловых перемеще-
ний. Выпускается в пластмассовокерамическом корпусе.
Масса прибора не более 0,3 г.
АОТ137А
Электрические параметры
Входное напряжение, не более:
при /вх = 10 мА:
Г=+25’С..................... 1,8 В
типовое значение............. 1,3* В
Г=-10’С...................... 2 В
7=+55’С...................... 1,8 В
при 4х = 4 мА, Гокр = +25 ’С, не более .... 1,6 В
типовое значение................ 1,2* В
Выходное остаточное напряжение, не более:
при 4х = 4 мА, /вых = 8 мкА:
Т = +25 ’С...........................
типовое значение.....................
Т= +55 ’С............................
при /вх = 10 мА, /вых = 20 мкА:
Т= +25 ’С...............................
типовое значение.....................
Г= +55 ’С............................
при /вх = 4 мА, /ВЬ1Х = 4 мкА, Г0КР = —10 ’С
при /вх = Ю мА, 4ых = Ю М1<А,
Гокр = —Ю’С.............................
Ток утечки на выходе при С/кэо = 5 В,
не более:
Т= +25 'С...............................
типовое значение........................
Г= +55 ’С...............................
Г= -10 ’С...............................
Напряжение коллектор—эмиттер при 4х = 0,
/к = 100 мкА, не менее......................
Коэффициент передачи по току*, не менее:
/4э = 0,4 В, /вх = 4 мА.................
типовое значение........................
4/кэ = 0,4 В, /вх = Ю мА................
типовое значение........................
//кэ = 5 В, /вх = 4 мА..................
типовое значение........................
С/кэ = 5 В, 4х = Ю мА...................
типовое значение........................
Время нарастания* при 1/кв0 = 10 В,
/вх = 10 мА, типовое значение:
/?н = 1 кОм.............................
/?н = 10 кОм............................
Время спада* при С/КБ0 = 10 В, 4х = 10 мА,
типовое значение:
/?н = 1 кОм.............................
/?н = 10 кОм............................
0,4 В
0,1* В
0,4 В
0,4 В
0,1* В
0,4 В
0,4 В
0,4 В
0,1 мкА
0,01 мкА
1 мкА
0,1 мкА
35 В
0,2%
0,5%
0,2%
0,7%
0,25%
0,7%
0,35%
1%
10 мкс
45 мкс
15 мкс
40 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Обратное входное напряжение............. 2 В
Коммутируемое напряжение коллектор—эмит-
тер .................................... 5 В
Постоянный входной ток
при -10 ’С $ Т< +35 ’С................. 30 мА
1 В диапазоне температур +35 ’С < Т < +55 ’С постоянный входной ток
:нижается линейно с коэффициентом 0,75 мА/’С.
Импульсный входной ток при 4, = 10 мкс.. 50 мА
Температура окружающей среды............ —10...+55 °С
Зона возможных положе-
ний зависимости входно-
го тока от входного на-
пряжения
Зависимости выход-
ного тока от вход-
ного напряжения
Зависимость относитель-
ного изменения выходно-
го тока от расстояния до
отражающей поверхности
Зона возможных положений тока
ходного остаточного напряжения
от температуры
утечки на выходе от температуры
Зона возможных положений отно-
сительного коэффициента переда-
чи по току от температуры
симости относительного коэффи-
циента передачи по току от вход-
ного тока
Зона возможных положений зави-
симости времени нарастания от со-
противления нагрузки
Зона возможных положений зави-
симости времени спада от сопро-
тивления нагрузки
АОТ138А, АОТ138Б
Оптопары транзисторные, состоящие из кремниевого эпи-
таксиально-планарного п-р-п транзисторного приемника и ар-
сенид—галлий—алюминиевого эпитаксиального инфракрасного
диодного излучателя, предназначены для внутриблочной и
межблочной электрической изоляции. Выпускаются в метал-
лостеклянном корпусе.
Масса прибора не более 2 г.
Электрические параметры
Входное напряжение при 4х = Ю мА
для АОТ138А, АОТ138Б не более:
Г= +25’С.......................... 1,8 В
типовое значение.................. 1,2* В
Г=-60’С........................... 2 В
Г =+85’С.......................... 1,8 В
Выходное остаточное напряжение при
/вх = 10 мА, /?бэ = 100 кОм, не более:
7= +25 ’С:
/вых = 4 мА, для АОТ138А...... 0,3 В
типовое значение............... 0,1* В
/вых = 9 мА, для АОТ138Б....... 0,4 В
типовое значение............... 0,2* В
4ых = 1 мА, для АОТ138А........ 0,3* В
типовое значение............... 0,1* В
А0Т138А.Б
08,5 4 1
4ых = 2 мА, для АОТ138Б........ 0,4* В
типовое значение............... 0,2* В
Г = —60’С:
4ых = 2,5 мА, для АОТ138А..... 0,3 В
4ыХ = 5 мА, для АОТ138Б........ 0,4 В
Т- +85 ’С:
/вых = 3 мА, для АОТ138А...... 0,3 В
4ых ~ 6 МА, для АОТ138Б........ 0,4 В
Ток утечки на выходе при = 0, - 30 В,
/?ю = 100 кОм, для АОТ138А, АОТ138Б,
не более:
Т=+25’С........................... 10 мкА
типовое значение.................. 1* мкА
Т=-60’С........................... 10 мкА
Т = +85 ’С........................ 100 мкА
Коэффициент передачи по току* при
/вх = 10 мА, /?6Э = 100 кОм, не менее:
Цо = 0,3 В, для АОТ138А........... 40%
4/кэ = 0,4 В, для АОТ138Б......... 80%
Сопротивление изоляции при 4/изл = 500 В,
для АОТ138А, АОТ138Б, не менее....... 10” Ом
гиповое значение.................. 10”* Ом
Время нарастания при = 10 мА,
/^э = МО кОм» Л’н = Ю0 Ом, для АОТ138А,
АОТ138Б, не более.................... 2 мкс
типовое значение.................. 1* мкс
Время спада при /вх = Ю мА, /?6Э = 100 кОм,
/?н = 100 Ом, не более:
АОТ138А............................... 1 мкс
типовое значение................... 0,65* мкс
АОТ138Б............................ 2 мкс
типовое значение................... 1* мкс
Время включения* при /вх = Ю мА,
Абэ = кОм, /?н = 100 Ом, для АОТ138А,
АОТ138Б............................... 2,5 мкс
Время выключения* при = 10 мА,
Аю = Ю0 кОм, /?н = 100 Ом, не более:
АОТ138А............................... 1,5 мкс
АОТ138Б.....;...................... 2,5 мкс
Проходная емкость для АОТ138А, АОТ138Б,
типовое значение...................... 1,5 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Обратное входное напряжение для АОТ138А,
АОТ138Б.;............................. 3,5 В
Коммутируемое напряжение коллектор—эмит-
тер для АОТ138А, АОТ138Б.............. 30 В
Напряжение изоляции для АОТ138А,
АОТ138Б, при -60 ’С $ 74 +35 ’С‘...... 1000 В
Постоянный входной ток для АОТ138А,
АОТ138Б, при -60 ’С $ 74 +35 ’С1 2.... 25 мА
Постоянный (импульсный) входной ток
при $ 10 мкс для АОТ138А, АОТ138Б..... 50 мА
Импульсный выходной ток
при -60 ’С < 74 +35 ’С3:
АОТ138А............................ 10 мА
АОТ138Б............................ 20 мА
Температура окружающей среды
для АОТ138А, АОТ138Б.................. -60...+85 ’С
1 В диапазоне температур окружающей среды +35...+85 ’С напряжение
изоляции снижается линейно до 500 В.
2 В диапазоне температур окружающей среды +35...+85 ’С входной ток
снижается линейно с коэффициентом 0,3 мА/’С.
2 В диапазоне температур окружающей среды +35...+85 ’С выходной ток
снижается линейно с коэффициентом 0,14 мА/’С для АОТ138А и 0,28 мА/°С
для АОТ138Б.
1(№РВЫХ
Зона возможных поло-
жений входного напря-
жения от температуры
Зона возможных положе-
ний зависимости входного
тока от входного иапряже-
Зона возможных поло-
жений тока утечки на
выходе от температуры
ния
К/ К/ыус)
%\г10нА Цо~У«г
Яа=100к0м А0Т138А А0Т138Б
-60 +25 +85
Т.°С
Зона возможных положений оста-
точного напряжения на выходе от
температуры
Зона возможных положений изме-
нения коэффициента передачи по
току от температуры
>^МКС____________
1.5Г\АОТ138А-АОП38Б\
Г „.мкс
1.5
1.0
0.5
1А0Т138А-А0Т138Б
50 100 500 1000
Рвз .кОм
50100 500 1000
.кОм
1вхшик .мА
60
50
40
52°0~МТ138А
1ДА0Т138Б
М5-С
10*10'’ 10* 10'Чц.С
Зона возможных поло-
жений зависимости вре-
мени спада от сопроти-
вления база—эмиттер
Зона возможных поло-
жений зависимости вре-
мени нарастания от со-
противления база—эмит-
тер
Зависимость максималь-
но допустимого входно-
го импульсного тока от
длительности импульса
А0Р113А, А0РС113А
Оптопары резисторные, с открытым оптическим каналом
отражательного типа, состоящие из излучающего арсенид*
галлиевого диода и фотоприемника — дифференциального
селенисто-кадмиевого фоторезистора. Предназначены для при-
менения в качестве позиционно-чувствительных датчиков
устройств автоматики прецизионных металлообрабатывающих
станков с числовым программным управлением. Для отраже-
ния лучей используются зеркала диаметром 20 мм и радиусом
кривизны 50 мм. Выпускаются в металлическом корпусе со
стеклянным окном.
Масса приборов не более 3,5 г.
А0Р113А. АОРС113А
А0Р113А А0РС113А
Основные параметры
Позиционная чувствительность при
/вх = 10 мА, (/вых = 10 В, относитель-
ном световом отверстии 1: 1,8, не менее. 2 мкА/мкм
Число контролируемых координат:
АОР113А............................ 1
АОРС113А........................... 2
Предельные эксплуатационные данные
Выходное напряжение..................... 10 В
Входной ток каждой оптопары............. 20 мА
Температура окружающей среды............ +1...+50 ’С
Зона возможных положений пози-
ционной характеристики
АОУ ЮЗА, АОУЮЗБ, АОУ 103В
Оптопары тиристорные, состоящие из излучающего диода
на основе соединения галлий—алюминий—мышьяк и кремни-
евого тиристора. Предназначены для использования в качест-
ве управляемого ключа в узлах радиоэлектронной аппарату-
ры, в которых требуется гальваническая развязка между вы-
ходной цепью и цепями управления. Выпускаются в металло-
стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Масса прибора не более 1,2 г.
Электрические параметры
Прямое напряжение выходной цепи, не менее:
АОУЮЗА.......................... 50 В
АОУ 103Б, АОУ 103В.............. 200 В
АОУЮЗ(А-В)
Обратное напряжение выходной цепи,
не менее:
АОУ 103В............................ 200 В
АОУ ЮЗА, АОУ1036 ................... Не нормиру-
ется
Остаточное напряжение, не более........ 2 В
Ток утечки в выходной цепи запертого тири-
стора, не более........................ 100 мкА
Номинальный входной ток включения
при Ц)р, зкр. т = Ю В:
АОУЮЗА, АОУ 103В.................... 20 мА
АОУЮЗБ............................... 50 мА
Ток выключения, не более................ 10 мА
Время включения, не более............... 15 мкс
Время выключения, не более............. 100 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Входное напряжение..................................
Скорость изменения напряжения выходной
цепи, не более......................................
Входной ток •••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••а*
Постоянный прямой ток в выходной цепи:
при Т= -60...+50 X..............................
при +70 X.......................................
Ток помехи..........................................
Температура окружающей среды........................
2 В
5 В/мкс
55 мА
100 мА
20 мА
0,5 мА
-60...+70 X
Зона возможных положений зави-
симости входного тока от входно-
го напряжения
Зона возможных положений за-
висимости напряжения в откры-
том состоянии от температуры
Зона возможных положений зави-
симости тока удержания от темпе-
ратуры
Зона возможных положений за-
висимости времени включения
от входного тока
Зона возможных положений зави-
симости отпирающего тока управ-
ляющего электрода от температуры
Зона возможных положений за-
висимости времени выключения
от выходного тока
А0У115А, А0У115Б, АОУ 115В
Оптопары тиристорные с кремниевым планарным фототи-
ристором и арсенидгаллиевым излучающим диодом инфра-
красного диапазона предназначенные для использования в
качестве бесконтактных ключевых элементов в схемах упра-
вления, усилителях мощности, формирователях импульсов и
других устройствах, требующих гальванической развязки вход-
ных и выходных цепей. Выпускаются в пластмассовом кор-
пусе.
Масса прибора не более 0,8 г.
АОУ115А-АОУ115В
Электрические параметры
Входное напряжение при 4х = 20 мА,
не более................................. 2 В
Выходное остаточное напряжение
ПРИ 4ых = Ю0 мА, не более................ 2,5 В
Ток утечки на выходе при выходном напряже-
нии в закрытом состоянии 50 В для АОУ115А,
200 В для АОУ115Б, АОУ 115В, не более.... 5 мкА
типовое значение...................... 0,5* мкА
Выходной удерживающий ток при 1/^ = 10 В,
не более................................. 10 мА
Ток включения при С/вых = 10 В, не более. 20 мА
Сопротивление изоляции при 1/изл = 500 В,
не менее................................. 10" Ом
типовое значение...................... 1013* Ом
Время включения при (/8ЫХ = 10 В,
4кл = 100 мА, не более................... 10 мкс
Время выключения при = 50 В,
4ых = Ю0 мА. более....................... 200 мкс
Обратное входное напряжение.....................
Выходное напряжение в закрытом состоянии:
АОУ115А.....................................
АОУ 115Б, АОУ 115В..........................
Обратное выходное напряжение для АОУ 115В
Напряжение изоляции.............................
Постоянный входной ток..........................
Импульсный входной ток при Ги < 1 мс, О» 10
Постоянный выходной ток:
-45 ’С ^7^+25 ’С................................
Средний выходной ток:
при угле проводимости 90*:
-45 °С« 7^+25 *С........................
7= +55 °С‘..............................
при угле проводимости 180°:
-45 °С« 7^+25 °С............................
7= +55 °С’..............................
Скорость изменения напряжения выходной
цепи ••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••
Температура окружающей среды....................
2 В
50 В
200 В
200 В
1500 В
30 мА
60 мА
100 мА
20 мА
15 мА
5 мА
50 мА
10 мА
0,75 В/мкс
—45...+55 °С
1 В диапазоне температур окружающей среды постоянный и средний выход-
ные токи снижаются линейно.
Зона возможных положений зави-
симости входного тока от входно-
го напряжения
Зона возможных положений зави-
симости входного тока от входно-
го напряжения
Зона возможных положений зави-
симости входного тока от входно-
го напряжения
Зона возможных положений зави-
симости выходного тока от оста-
точного напряжения на выходе
Зависимость сопротивления изоляции
от напряжения
Раздел девятый
Оптоэлектронные интегральные микросхемы
К249КН1А, К249КН1Б, К249КН1В,
К249КН1Г, К249КН1Д, К249КН1Е
Микросхемы полупроводниковые оптоэлектронные, состо-
ящие из оптопар и управляемых ими транзисторных преры-
вателей. Предназначены для использования в качестве опто-
электронных коммута-
торов (ОК) аналоговых
электрических сигна-
лов при необходимости
гальванической развяз-
ки между цепями упра-
вления и сигнала. Вы-
пускаются в металличе-
ском корпусе.
Масса прибора не
более 2,5 г.
К2^9КН1(А-Е)
Тил прибора Число оптопар Число микросхем Действую- щий ОК Выводы
Вход Выход
К249КН1А 4 2 1,11 в. 10; 12, 14 7, 5; 3, 1
К249КН1Б 2 1 1 8, 10 7, 5
К249КН1В 2 1 II 12, 14 3, 1
К249КН1Г 4 2 1. И 8, 10; 12, 14 7, 5; 3, 1
К249КН1Д 2 1 1 8, 10 7, 5
К249КН1Е 2 1 II 12, 14 3, 1
Электрические параметры
Входное напряжение при = 20 мА, не более:
7 = +25 ’С.......................................
7 = +70 ’С:
К249КН1А, К249КН1Б, К249КН1В................
К249КН1Г, К249КН1Д, К249КН1Е.............
7= -60 ’С •••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••
Выходное остаточное напряжение
при /вх = 20 мА, не более:
7= +25 ’С....................................
7=+70 ’С.....................................
7 = -60 ’С:
К249КН1А, К249КН1Б, К249КН1В................
К249КН1Г, К249КН1Д, К249КН1Е.............
Ток утечки между эмиттером при 4х = 0»
(/ком = 30 В, не более:
7= +25 ’С:
3,5 В
3,5 В
3,6 В
4В
200 мкВ
350 мкВ
700 мкВ
750 мкВ
К249КН1А, К249КН1Б, К249КН1В..... 50 нА
К249КН1Г, К249КН1Д, К249КН1Е..... 100 нА
7= +70 и —60 ’С...................... 200 нА
Время задержки включения, не более...... 10 мкс
Время задержки выключения, не более..... 10 мкс
Сопротивление выходное в открытом состоя-
нии:
К249КН1А, К249КН1Б, К249КН1В при
4х = 20 мА, /ком = 0,5 мА, не более:
7 =+25’С.......................... 200 Ом
7=+70’С........................ 300 Ом
7 = —60 ’С..................... 400 Ом
К249КН1Г, К249КН1Д, К249КН1Е при
/вх = 20 мА, /ком = 0,1 мА, не более:
7 = +25 ’С..................... 200 Ом
7=+70’С......................... 300 Ом
7 = —60’С....................... 400 Ом
Сопротивление изоляции при С/из = 100 В,
не менее.............................. 10’ Ом
Проходная емкость, не более........... 5 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Коммутируемое напряжение............... 30 В
Входное обратное напряжение............ 3,5 В
Напряжение изоляции..-.. .............. 100 В
Коммутируемый ток при Т-г-|-25 ’С...... 500 мкА
Входной ток’ при Т = —60...+35 ’С........
Входной импульсный ток при Ц = 100 мкс...
Температура окружающей среды.............
30 мА
100 мА
-6О...+7О ’С
1 В диапазоне температуры +35...+70 ’С значение 4х макс определяется по
формуле
4х макс = 40 — 2 Т/1, мА.
Зависимости напряжения и сопро-
тивления в открытом состоянии от
входного тока
Зависимость тока утечки между
эмиттерами от температуры
Зависимость времени включения
и времени выключения от темпе-
ратуры
Зона возможных положений зави-
симости выходного сопротивления
в открытом состоянии от входного
тока
Зона возможных положений за-
висимости входного напряжения
от входного тока
К249КП1, К249КП2
Оптоэлектронные ключи, состоящие из излучающего ди-
ода на основе соединения арсенид—галлий—алюминий и крем-
ниевого фототранзистора. Предназначены для гальванической
развязки узлов аппаратуры, между которыми передаются сиг-
налы.
Прибор К249КП1 состоит из двух тран-
зисторных оптопар. В приборе К249КП2
работоспособность второй оптопары не
гарантируется или она отсутствует.
У приборов К249КП1 вывод 1 с клю-
чом; у приборов К249КП2 вывод 1 обо-
значается точкой; отсчет выводов — про-
тив часовой стрелки.
Масса прибора не более 2 г.
К2Ш11, К2Ш12
Электрические параметры
Выходное остаточное напряжение
при /вх = 10 мА, /ком = 2 мА, не более............ 0,4 В
Ток утечки на выходе при (/ком = 30 В,
не более •••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••а* 100 мкА
Коэффициент передачи тока при 1/ком = 10 В,
/вх = Ю мА, /?н = 1,2 кОм, не менее............... 0,5%
Время задержки включения:
при /?н = 100 Ом, 1/ком = 10 В, /вх = 10 мА,
не более...................................... 4 мкс
при /?н = 1 кОм, /ком ~ 2 мА, /вх = 10 мА,
не более...................................... 8 мкс
Время задержки выключения, не более:
при /?н = 100 Ом, Цом = Ю В, /вх = 10 мА 4 мкс
при /?н = 1000 Ом, /ком = 2 мА, /вх = 10 мА 25 мкс
Сопротивление изоляции при 1/из = 100 В,
не менее.......................................... 5* 10е Ом
Предельные эксплуатационные данные
Коммутируемое напряжение на выходе......
Обратное напряжение на входе............
Напряжение изоляции.....................
Постоянный коммутируемый ток на выходе....
Постоянный входной ток..................
Импульсный входной ток:
при С 10 мс, О = 2...................
при Уи = 0,1 мс, 0= 10...............
Рассеиваемая мощность транзистора.......
Рассеиваемая мощность всем прибором.....
Температура окружающей среды............
ЗОВ
2,5 В
100 В
5 мА
10 мА
15 мА
10...20 мА
20 мВт
34 мВт
—45...+55 ’С
Зона возможных положений зави-
симости времени задержки вклю-
чения от сопротивления база-
эмиттер
Зона возможных положений зави-
симости коэффициента передачи
тока от входного тока
Зоны возможных положений зави-
симости входного тока от входно-
го напряжения
Зависимость коэффициента пере
дачи тока от температуры
Зона возможных положений зависи-
мости коэффициента передачи тока
от сопротивления база—эмиттер
249ЛП1А, 249ЛП1Б, 249ЛП1В
Коммутаторы логических сигналов, оптоэлектронные, со-
стоящие из арсенидгаллиевого излучателя, кремниевого фото-
диода и интегрального усилителя, обеспечивающего на выхо-
де цифровые уровни напряжения для совместной работы с
ТТЛ микросхемами. Предназначены для передачи цифровых
сигналов между узлами аппаратуры при необходимости обес-
печения между ними гальванической развязки.
Масса прибора не более 0,4 г.
Электрические параметры
Напряжения питания..................................
Выходное напряжение при = 10 мА:
7 = +25 ’С.......................................
7 = +70 ’С ••••••••••••••••••в•••••••••• •••••••••••••••••••••
7= -60 ’С ••••«•••••••••••••••••••••в в • •••••••••••••••••••
5 В ± 10%
1,1...1,5 В
1...1.5 В
1,1...1,9 В
Выходное напряжение низкого уровня
при = 10 мА, /н = 1,8 мА (втекающем),
не более..............................
Выходное напряжение высокого уровня
при /вх - 1 мА, /н = 0,12 мА (вытекающем),
не более..............................
Время задержки включения при = 10 мА,
не более:
249ЛП1А:
Г= +25 ’С.......................
Т= —60 и+70’С...................
249ЛП1Б:
т= +25 ’С...........................
т»-60 и+70’С....................
0,3 В
2,3 В
500 нс
900 нс
300 яс
6ЭЭ нс
24ъ/1П1В:
7 = +25 ’С- 1000 нс
Т— —6С °с „ 1500 нс
7 = +7С ’С 1200 нс
Время задержки выключен »я при 4х = 10 мА, не более:
249ЛП1А:
7=+25 и-60 ’С 900 нс
7 = +70 ’С 500 нс
249ЛП1Б:
7 = +25 и -60 ’С 600 нс
7 = +70 ’С 300 нс
249ЛП1В:
7= +25 ’С 1200 нс
Т *“ 60 С •••••»•»••••••••••••••••••••••••••••••••••••< 1300 нс
7=+70 ’С 1000 нс
Сопротивление изоляции при 1/ = 100 В,
не менее 10е Ом
Проходная емкость, не более 2 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение изоляции..................... 100 В
Обратное входное напряжение............. 3,5 В
Входной ток............................. 20 мА
Входной импульсный ток пр». 4, = 10 мкс. 100 мА
Минимальный входной ток:
249ЛП1А................................ 5 мА
249ЛП1Б, 249ЛП1В..................... 8 мА
Выходной вытекающий ток................. 1,5 мА
Выходной втекающий ток.................. 1,8 мА
Потребляемая мощность, не более......... 5 мВт
Температура окружающей среды............ —60...+70 ’С
Зона возможных положений за-
висимости входного напряжения
от входного тока
1аа.вкл НС
Зависимости времени задержки
включения от входного тока
11И.ВЫКЛ, НС
Зависимости выходного напряже-
ния от входного тока
Зависимости времени задержки
выключения от входного тока
295АГ1А, 295АГ 1 Б, 295АГ1В,
295АГ1Г, 295АГ1Д
Микросхемы интегральные, оптоэлектронные, содержащие
тиристорную оптопару, тиристор и однопереходный транзи-
стор. Предназначены для использования в качестве однови-
браторов в схемах, в которых требуется гальваническая раз-
вязка цепи запуска от выходной цепи. Выпускаются в металли-
ческом корпусе.
Масса прибора не более 2,5 г.
Электрические параметры
Напряжение источника питания:
295АГ1А................................ 12 В
295АГ1Б, 295АГ1В.................... 27 В
295АГ1Г, 295АГ1Д.................... 48 В
295АГКА-Д)
00.6
Напряжение включения при 4х. и = 50 мА
для 295АГ1А, 295АГ1Б, /вх и = 100 мА для
295АГ1В, 295АГ1Г, /вх.и = 200 мА для
295АГ1Д, не более:
7 = +25 ’С
36 В
7=-10’С........................... 5,2 В
Т- +70 ’С, = 50 мА............ 4,6 В
Остаточное напряжение при /вых. и = 50 мА
для 295АГ1А, 295АГ1Б, 4ыХ и =100 мА для
295АГ1В, 295АГ1Г, /вых, и = $00 мА для
295АГ1Д, не более.'...................................... 2,5 В
Ток утечки на выходе, не более:
при Т - +25 ’С........................ 10 мкА
при Т = —10 ’С......................... 50 мкА
при Т = +70 ’С......................... 50 мкА
Ток включения, не более................... 20 мА
Сопротивление изоляции, не менее.......... 10е Ом
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение источника питания, не более:
295АГ1А................................ 13,2 В
295АГ1Б, 295АГ1В.................... 29,7 В
295АГ1Г, 295АГ1Д.................... 52,8 В
Скорость нарастания напряжения источника
питания при Т = —10...+70 ’С........... 50 В/мкс
Напряжение включения................... 5,25 В
Напряжение изоляции.................... 100 В
Выходной импульсный ток при /и < 2 мкс,
Т= -10...+35 ‘С:
295АГ1А, 295АГ1Б....................... 50 мА
295АГ1В, 295АГ1Г.................... 100 мА
295АГ1Д............................. 200 мА
Рассеиваемая мощность при Т = +25 ’С... 500 мВт
Температура окружающей среды........... —1О...+7О'’С
Зона возможных положений за-
висимости напряжения включе-
ния от температуры
Зона возможных положений за-
висимости входного тока от тем-
пературы
Зона возможных положений за-
висимости напряжения в откры-
том состоянии от температуры
Зона возможных положений за-
висимости тока утечки от темпе-
ратуры
Зависимость рассеиваемой мощно-
сти от температуры
К262КП1А, К262КП1Б
Микросхемы оптоэлектронные, с диодной оптопарой на
входе и интегральным усилителем, обеспечивающим на выхо*
де напряжения уровни для совместной работы с ТТЛ-микро-
схемами. Предназначены для передачи цифровых сигналов
между узлами аппаратуры при необходимости обеспечения
между ними гальванической развязки.
Масса прибора не более 2,5 г.
Электрические параметры
Напряжение питания..................... 5 В ± 10%
Входное напряжение высокого уровня..... 0,8... 1,7 В
К262КПКА.Б)
Выходное напряжение низкого уровня,
не более................................ 0,3 В
Выходное напряжение высокого уровня,
не менее................................ 2,3 В
Ток потребления, не более............... 5 мА
Входной ток высокого уровня, не более... 10 мА
Выходной ток высокого уровня (вытекающий),
не более................................ 1 мА
Время задержки включения и выключения
при /вх = Ю мА, Си = 40 пФ, не более:
К262КП1А............................. 700 нс
К262КП1Б............................. 350 нс
Сопротивление изоляции при С/из = 100 В,
не менее................................ 108 Ом
Проходная емкость, не более............. 5 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Скорость нарастания напряжения между вхо-
дом и выходом.......................... 10 В/мкс
Выходной ток низкого уровня (втекающий).... 10 мА
Время нарастания и спада входного импульса,
не более................................. 100 нс
Температура окружающей среды............. —Д5...+55 ’С
Зона возможных положений зави-
симости выходного напряжения
низкого уровня от температуры
Зона возможных положений за-
висимости входного напряжения
от температуры
Зона возможных положении за-
висимости выходного напряжения
высокого уровня от температуры
Зависимость времени задержки
включения от напряжения источ-
ника питания
Зависимость времени задержки вы-
ключения от напряжения источника
ЗАРУБЕЖНЫЕ АНАЛОГИ ОТЕЧЕСТВЕННЫХ ДИОДОВ
Тип прибора Зарубежный аналог Фирма-изготовитель, страна
2А116А-1 А28520 ТКУУ М|сго«ауе, США
ОС1570Е, ОС1571Е Магсоп) Е1ес1гоп!с Оеукез Мд, США
2А118А-6 РКМ911 Рагате1пс 1пдизпез,1пс., США
80М2400-011, 80М4400—011 801, 1пс„ США
2А120А 80М2400—144, 8ОМ24Ю-011 801,1пс., США
2А124А-6, ВАТ51, ВАТ52 МиПагд 1лти1ед, Англия
2А124Б—6 144603 Аскалсед 8ет)'сопдис1огз, 1пс, США
2А125А- 3 РКМ011 РагатеШс 1лдиз1лез, 1пс., США
80М2400—011, 80М4400—011 801, 1пс., США
2А131А-3 РКМ911 РагатеШс 1лдиз1пез, 1пс., США
80М2400-011, 80М4400-011 801, 1пс., США
2А132А ОМА5632, ОМА5632М А1рЬа 1пдиз(пез, 1пс., США
МА491С М/А Сотт3еп11сопдис(ог Ргодиси, США
2А201А ОС1517 Магсол1 Е1ес1готс 0еу)се5, Мд., США
2А202А МА7715АООО7 М/А Сотт 8ет)солс1ис(ог Ргодис15, США
2А203А, 2А203Б МА40291 М/А Сотт 8епи'сопдис(ог Ргодиси, США
2А503А, К88321, Егециепсу Зоигсев, 1пс., США
2А503Б К88330
2А507А, 2А5О7Б К89302 ЕгеяиеПСуЗоигсез, 1пс., США
2А509А, МА418 М/А Сотт ЗетколдисЮг Ргодиси, США
2А509Б ОРЮ05СМ 8011пс., США
2А515А ОС2011 Массоп) Е1ес1гоп)С Овуасез, Ид., США
2А52ОА МА47897-30, МА47897-54 М/А Сотт 8ет)сопдис(ог Ргодис1з, США
2А524А-4, МА47895-54 М/А Сотт 5ет!сопдис(ог Ргодиси, США
2А524Б-4 0С2Ю1, ОС2ЮЗ Магсоп) Е1ес1гоп!с 0еУ)сез, Ид., США
2А533А-3 0С2Ю1, ОС2ЮЗ Магсол) Е1ес1гоп)с Оеукез, Ид., США
ОР1005В003 801, 1пс., США
О8У4539О А1рЬа 1лдиз1пез, 1лс., США
Тип прибора Зарубежный аналог Фирма-изготовитель, страна
2А536А-5, МА47898—30, М/А Сотт Зет1сопдис1ог Ргодиси, США
2А536Б-5 МА47898-131, МА47899—54
2А536А-6, МА47898—30, М/А Сотт 8еткопдис1ог Ргодиси, США
2А536Б-6 МА47898—131, МА47899-54
2А541А-6, ОС4431 Егериепсу Зоигсез, 1пс., США
2А541Б- 6 НРЫО-4001 Неуу1е11 Рагкагд, США
2А543А-5, МА47425, М/А Сотт Зет(сопдис1ог Ргодиси, США
2А543Б-5 МА47426
2А546А-5, МА47424 М/А Сотт ЗеткопдисЮг Ргодиси, США
2А546Б-5 ОС4431 Егериепсу Зоигсез, 1пс., США
БС2104 Магсот Е1ес1гопк Оеукез, Ид., США
2А547А-3, ' МА47420 М/А Сотт 8ет!сопдис1ог Ргодиси, США
2А547Б-3, 2А547В-3, 2А547Г-3 ОС2312 Магсот Е1ес1готс 0еу!сез, Ид., США
2А551А-3, О8У4539А, А1рЬа 1пдиз1лез, 1пс., США
2А551Б-3, 2А551В-3, 2А551Г-3 О8У4539В
2А551А1-3, О8У4539А, А1рЬа 1пдиз1г<ез, 1пс., США
2А551Б1-3, 2А551В1-3, 2А551Г1-3 ОЗУ4539В
2А552А, МА47895-109, М/А Сотт ЗеткопдисЮг Ргодиси, США
2А552Б МА47895-54, МА47895-131
2А611А, МС403 Еаз(гол Согр., США
2 Аб 116 УУС780 Кпох 8ет1сопдис(ог 1пс., США
2А613А, ОС4267В, Магсот Е1ес1готс Оеу!се$, Мд., США
2А613Б ОС4210В
2А709А ВХУ50 МиПагд ЬтНед, Англия
М1.4704 Мкгошауе Аззоаа1ез, Мй, Англия
2А709Б ВХУ50 МиПагд ИтНед, Англия
М14704 Мкгошауе Аззос|'а(ез, Мд, Англия
2А709В ВХУ51 МиНагд ЬтПед, Англия
М1.4704 Мкгоууауе Аззоаа1ез, Ид, Англия
2А717А-4, ЫО8К50УУ1Т №С Е1ес1готсз 13СА, 1пс„ США
2А717Б-4, 2А717В-4, ЫО8М30-1Ы №рроп Е1ес1лс Со., Ид., Япония
2А717Г-4 РСС224-01, Р6С225-01 Рагате1гк 1пдиз1пез, 1пс., США
Тип прибора Зарубежный аналог Фирма-изготовитель, страна
ЗА115А РЕМ 191. РЕМ202, РЕМ401 Рагатетлс 1лс1и$ле$,1пс., США
ЗА 12 ЗА, М434Е, А1рЬа 1пс1и$1ле$, 1пс., США
ЗА123Б М436Е, М433У
ЗА 129 А, М434Е, А1рЬа 1лс1и$1ле$, 1пс., США
ЗА129Б М436Е, М437Г
ЗА130АС-3, ОС1323, Магсот Е1ес(гопк Оеу)се$, ЬЮ., США
ЗА130БС—3 ОС 1324, 1Ы5764, ОС 1334
ЗА135А-3, ОС 1323, Магсот Е1ес1гошс Оеу!се$, ЬЮ., США
ЗА135Б-3 ОС 1324
ЗА136А, ЗА136Б М439Е А1рЬа 1лс1и$1пе$,1пс., США
ЗА137А, ОС1306 Магсот Е1ес1гоп>с Оеу)се$, НО., США
ЗА137Б РЕМ 195, РГМ196 Рагате1пс 1пди51пе$,1пс., США
ЗА138А-3 М434Е А1рКа 1пс1и$1ле$,' 1пс., США
ЗА138Б-3 М439Е А1рКа 1п<1и$1ле$,1пс., США
ЗА138В-3 М437Е А1рЬа 1п<1и51лез, 1пс., США
ЗА140А-3, М432А, А1рЬа 1пди5(лез, 1пс., США
ЗА140Б-3 М434А
ЗА 141А М437Е А1рЬа 1лс1и51ле$, 1пс., США
ЗА143АС-3, ЗА143БС-3 ЗМ562 8оН1гоп 0еу!сез, 1пс., США
ЗА206А-6 МА40251 М/А Сотт Зеткопдисюг РгоОиси, США
ЗА406А, ОС5512А, Ггедиепсу 8оигсез, 1пс„ США
ЗА406Б, ОС5511А
ЗА406В ОУЕ4588—01 ОУЕ4588—02 ОУЕ5033—10 А1рЬа 1пс1и$1ле$, 1лс., США
ЗА409А, СХУЮ МиНагд Ь(т<1е<1, Англия
ЗА409Б, ЗА409В, ЗА409Г М84407 КауЖеол Сотралу, США
6С5517А Ргедиелсу 8оигсез, 1пс., США
ЗА410А, 6С5512А, Ггеяиепсу 8оигсе$, 1пс., США
ЗА410Б, 6С5513А
ЗА410В, ЗА410Г, ЗА410Д, ЗА410Е М84407 КауЮеол Сотралу, США
СХУЮ МиИагд Ит1<ес1, Англия
Тип прибора Зарубежный аналог фирма-изготоаитель, страна
ЗА411А, 6С5512А Егериепсу Зоигсез, 1пс., США
ЗА411Б, ЗА411В, ЗА411Г, СХУ10 МиПагР МтНей, Англия
ОУЕ4588-03 А1рЬа 1п4из1пез, 1пс., США
ЗА411Д
ЗА412А-5, ОУЕ5033—11, А1рЬа 1пРиа(пеа, 1пс., США
ЗА412Б-5, ОУЕ4588-01
ЗА412В- 5, ЗА412Г-5, ОС5511А Егериепсу Зоигсез, 1пс., США
ЗА412Д-5, ЗА412Е—5
ЗА414А, ОУЕ4575А, А1рЬа 1пРиз(Г1ез, 1пс., США
ЗА414Б. ОУЕ4557В
ЗА414В, ЗА414Г МА46541С30 М/А Сотт ЗеткопРисЮг РгоРиси, США
М84154, М34156 Кау(Ьеоп Сотрапу, США
ЗА415А-5, 0УЕ4588-01, А1рЬа 1пди51пез, 1пс., США
ЗА415Б-5 ОУЕ5033—10
ЗА61ВА- 6 ОС51412, ОС51612 Егериепсу Зоигсеа, 1лс., США
ЗА621А-6 СС51605, Егериепсу Зоигсеа, 1пс., США
ОС51606, ОС51607
ЗА628А ОС51608, ОС51609 Егериепсу Зоигсез, 1пс., США
ЗА730А, М3825А КауИгеоп Сотрапу, США
ЗА730Б М1.4122, М 1.4124 М(сгошауе Аз5оаа(еа, Мд., США
ЗА730В М3826А ПауИгеоп Сотрапу, США
ЗА730Г, М3827А КауЖеоп Сотрапу, США
ЗА730Д, ЗА730Е, ЗА730Ж, ЗА730И
ЗА735А-6 ОС 12030, ОС1203Е Магсот Е1есТготс 0еу!сез, США
ОСВ8212 А1рЬа 1пдиз1пез, 1пс., США
СС5602А Егециепсу Зоигсез, 1пс., США
ЗА735Б-6 ОС1201Е Магсоп! Е1ес1гоп!с 0еу!сез, Ш., США
ОС5602В Егериепсу Зоигсез, 1пс., США
ЗА735В-6 ОС120Ю Магсот Е1ес1готс 0еу1сез, МЬ., США
СХУ13Е09, СХУ11009 МиИагд ИтНей, Англия
ОСВ8225 А1рЬа 1пдиз1пез, 1пс., США
СС5602С Егериепсу Зоигсез, 1пс., США
Тип прибора Зарубежный аналог Фирма-изготовитель, страна
ЗА735Г- 6 СХУ14С ОС12320 ОСВ8231 6С5602О, СС5602Е МиПагд |_«тИе<1, Англия Массоп! Е1ес(гоп1с Оеу)сев, На., США А1рЬа 1паив1пев, 1пс. США Ггечиепсу Воиггев, к>с., США
ЗА735Д-6 6С5602Е Ггеяиепсу Воигсев, 1пс., США
ЗА739А МА46038 М1.4142 М/А Сотт Вепн'сопйисЮг Рго<1ис1з, США Мкгошауе Авзос!а1ев, На., США
ЗА739Б МА46036 М 1.4142 М/А Сотт ВеткопдисЮг Ргойиси, США Мкгожауе Аввос!а1ев, На., Англня
ЗА739В М 1.4143 Мкгошауе Аввос)а(ев, На., Англия
ЗАС127А-4, ЗАС127Б-4 ААГ51, ААУ52 ОС 1323, ОС1325 МиНагд Итиеа, Англия Магсот Е1ес1гопк Оеукев, Ь«а., США
АА715А, АА715Б, АА715В, АА715Г, АА715Д, АА715Е, АА715Ж, АА715И, АА715К, АА715Л, АА715М ОСВ8625 А1рЬа 1пдив1пев, 1пс., США
АА716А, АА716Б, МА46041, М14117 Мкгошауе Аввоаасев, иа, Англия
АА716В, АА716Г, АА716Д, АА716Е, АА716Ж, АА716И МВ856В, М2873В Кау1Ьеоп Сотралу, США
АА718А, ОО518А №рроп Е1ес(гк Со., 1ла., Япония
АА718Б, АА718В, АА718Г, АА718Д, АА718Е, АА718Ж, АА718И МА49179—116, МА49172-136 М/А Сотт ВеткопаисЮг Ргоаис(в, США
Тил прибора Зарубежный аналог Фирма-изготовитель, страна
АА721А 06В8211 А1р1>а 1пдиз(пез, 1пс., США
СС5601А Егериепсу Зоигсез, 1пс., США
АА722А ОСВ8121, ООВ8211 А1рЬа 1пдиз1пез, 1пс., США
СС5601В Егериепсу Зоигсез, 1пс., США
АА723А ОЗВ8122, ОСВ8221 А1рЬа 1пдиз1пез, 1пс., США
СА020Е-0 31етепз АкНепдезекзскаи, Германия
6С560Ю Егериепсу Зоигсез, 1пс., США
АА724А ОСВ8131, ОСВ8232 А1рЬа 1пдиз1лез, 1лс., США
6А0201-Н 3)етелз АкПепдезеПзсНаи, Германия
6С5601Е Егериепсу Зоигсез, 1пс., США
АА725А, АА725Б, АА725В, АА725Г, АА725Д, АА725Е ОСВ8613 А1рПа 1пдиз1пез, 1пс., США
АА726А, АА726Б, АА726В, АА726Г, АА726Д ЭСВ8535 А1рЬа 1пдиз1пез, 1пс., США
АА727А, ОСВ8356 А1р1>а 1пдиз1лез, 1лс., США
АА727Б ОА1276Е Магсол! Е1ес1гол(С Оеугсез, Мд., США
АА727В ОСВ8366 А1рЬа 1пс1из1пез, 1пс., США
АА727Г О6В8266 А1р1>а 1лс1из(пез, 1пс., США
КА509А, МА418 М/А Сотт ЗеткопдисЮг Ргодиси, США
КА509Б □Р1005СМ 301 1пс., США
КА520А, МА47897-30, М/А Сотт ЗеткопдисЮг Ргодиси, США
КА520Б МА47897-54
КА528АМ, МА47891—109, М/А Сотт ЗеткопдисЮг Ргодиси, США
КА528БМ, МА47891-131,
КА528ВМ МА47891-150
КА537А МА47890-131, МА47890-150 М/А Сотт ЗеткопдисЮг Ргодиси, США
КА542А МА47892-109, МА47892-131, МА47892—150 М/А Сотт ЗелысопдисЮг Ргодиси, США
КА611А, МС403 Еаз1гол Согр., США
КА611Б УУС780 Кпох ЗеткопдисЮг 1пс., США
КА613А, ОС4267В, Магсот Е1ес1гопк 0еу|сез, 1лд., США
КА613Б ОС421ОВ
УКАЗАТЕЛЬ ТИПОВ ДИОДОВ
Тип прибора Стр. Тип прибора Стр. Тип прибора Стр.
1А106(А—В) 66 2А203(А, Б) 183 2А552(А, Б) 301
1А401 195 2А207А- 6 190 2А601А 304
1А40ЦА-В) 195 2а209(А—3, Б—3) 193 2А602(А—Д) 305
1А402(А—Г) 197 2А503(А, Б) 222 2А6О4(А, Б) 309
1А403(А—Д) 199 2А505(А—В) 226 2А605(А, Б) 311
1А404(А—Ж) 201 2А506(А—Д) 228 2А608А 316
1А405(А, Б) 203 2А507(А, Б) 231 2А609(А, Б) 318
1А408(А, Б) 206 2А508А-1 233 2А61ЦА, Б) 322
1А50ЦА- И) 220 2А509(А, Б) 235 2А613(А, Б) 326
1А504(А, Б) 224 2А510(А—В) 237 2А616(А—2, Б-2) 331
1А704(А—В) 350 2А511А 240 2А636(А, Б) 341
249ЛП1(А—В) 674 2А512(А—4, Б-4) 242 2А706(А—Г) 354
295АГЦА-Д) 677 2А513(А-1, Б—1) 244 2А709(А—В) 359
2А101(А, Б) 55 2А515А 247 2А717(А—4—Г—4) 364
2А102А 58 2А516А-5 249 2Л101(А, Б) 423
2А103(А, Б) 59 2А517(А—2, Б-2) 251 2Л105А 461
2А104А 61 2А518(А—4, Б-4) 253 ЗА110(А, Б) 77
2А105(А, Б) 64 2А519А 256 ЗА111(А, Б) 80
2А107А 68 2А520А 258 ЗА112А 83
2А108А 71 2А521А 260 ЗА114А 88
2А109А 75 2А522А-2 263 ЗА115А 91
2А116А-1 93 2А523(А—4, Б-4) 265 ЗА117(А—6, Б—6) 95
2А118А 98 2А524(А—4, Б-4) 267 ЗА119А-6 102
2А118А-6 100 2А526А-5 270 ЗА123(А, Б) 109
2А120А 105 2А533А-3 279 ЗА129(А, Б) 118
2А124(А—6, Б—6) 111 2А534(А, Б) 280 ЗА130АС-3 120
2А125А-3 113 2А536(А—5, Б—5) 282 ЗА130БС—3 120
2А131А-3 123 2А536(А—6, Б—6) 282 ЗА134А-6 129
2А132А 125 2А541(А—6, Б—6} 287 ЗА135(А—3, Б—3) 131
2А132А-5 127 2А543(А—6, Б—6) 291 ЗА136(А, Б) 133
2А139АС—4 143 2А543А-5 291 ЗА137(А, Б) 136
2А139БС—4 143 2А546(А—5, Б—5) 294 ЗА137(А—5, Б—5) 138
2А145(А—9—В—9) 155 2А547(А—3—Г—3) 295 ЗА138(А—3—В—3) 141
2А145(А—В) 152 2А55ЦА-3—Г—3) 298 ЗА140(А—3, Б—3) 146
2А146АС-4 157 2А551А1-3 298 ЗА142А-5 148
2А146БС-4 157 2А551Б1-3 298 ЗА143АС-3 150
2А201А 180 2А551В1—3 298 ЗА143БС—3 150
2А202А 182 2А551Г1-3 298 ЗА143ВС-3 150
Тип прибора Стр. Тип прибора Стр. Тип прибора Стр.
ЗА147(А—3—В—3) 158 ЗАС1221А—4, Б-4) 107 ЗЛСЗбЗА 566
ЗА206А-6 188 ЗАС127(А—4, Б-4) 116 ЗЛС364А-5 570
ЗА208А 191 ЗАС359(А, Б) 558 ЗОД10ЦА—Г) 605
ЗА406(А—В) 204 ЗЛ102(А, Б, Г) 425 ЗОДЮ7(А, Б) 607
ЗА409(А—Г) 207 ЗЛ1ОЗ(А, Б) 387 ЗОД112А-1 613
ЗА410(А—Е) 209 ЗЛ 107(А, Б) 391 ЗОД120А-1 615
ЗА411(А—Д) 211 ЗЛ108А 394 ЗОД12ЦА—1—В—1) 617
ЗА412(А—5—Е—5) 213 ЗЛ109А-1 396 ЗОД20ЦА—1—Е—1) 626
ЗА414(А—Г) 215 ЗЛ115А 397 ЗОТЮ2(А—Е) 635
ЗА415(А—5, Б—5) 218 ЗЛ118А 399 ЗОТ110(А—Г) 637
ЗА531А-6 275 ЗЛ119(А, Б) 401 30Т123(А—Г) 642
ЗАбОЗ(А-Г) 307 ЗЛ120(А, Б) 403 ЗОТ126(А, Б) 643
ЗА607А 315 ЗЛ123А 404 ЗОТ127(А, Б) 646
ЗА610(А, Б) 320 ЗЛ124А 407 30Т131А 652
ЗА614А 328 ЗЛ129А 409 490ИП1 598
ЗА615(А—В) 329 ЗЛ130А 411 490ИП2 600
ЗА617(А, Б) 333 ЗЛ132А 412 АА111(А, Б) 80
ЗА618А-6 335 ЗЛ135А 414 АА112(А, Б) 83
ЗА619А-6 335 ЗЛ136А-5 415 АА113(А, Б) 86
ЗА620А-6 335 ЗЛ137А 417 АА204(А—В) 186
ЗА621А-6 335 ЗЛ138А 420 АА410(А—Е) 209
ЗА622А-6 335 ЗЛ341(А—Е) 442 ААбОЗ(А-Г) 307
ЗА623А-6 335 ЗЛ360(А, Б) 444 АА607А 315
ЗА627А 337 ЗЛС314А 490 АА703(А, Б) 349
ЗА628А 337 ЗЛС317(А—Д) 492 АА7О5(А, Б) 352
ЗА629А 337 ЗЛС320(А—Г) 496 АА7О7(А—К) 356
ЗА630А 337 ЗЛС32ЦА, Б) 498 АА715(А—М) 360
ЗА631А 337 ЗЛС331А 437 АА716(А—И) 362
ЗА632А 337 ЗЛС339А 528 АА718(А—И) 366
ЗА634(А—6, Б—6) 339 ЗЛС340А 531 АА719А 368
ЗА637(А—6-Д- 6) 342 ЗЛС342(А—Г) 534 АА720А 368
ЗА639(А—6—В—6) 344 ЗЛС343А-5 538 АА721А 370
ЗА641(А—5, Б—5) 346 ЗЛС345А 541 АА722А 370
ЗА7ОЗ(А, Б) 349 ЗЛС347А 542 АА723А 370
ЗА705(А, Б) 352 ЗЛС348А 544 АА724А 370
ЗА730(А—И) 378 ЗЛС357А 553 АА725(А—Е) 372
ЗА735(А-6-Д- 6) 381 ЗЛС358 555 АА726(А—Д) 373
ЗА739(А—В) 384 ЗЛС362(А—Н) 561 АА727(А—Г) 375
Тил прибора Стр. Тип прибора Стр. Тип прибора Стр.
АА728(А—Г) 377 АЛС322А—5 501 АОД202(А, Б) 628
АА733А 368 АЛС323А— 5 503 АОР113А 662
АЛ102(А, Б, Г) 425 АЛС324(А, Б) 504 АОРС113А 662
АЛ103(А, Б) 387 АЛС326(А, Б) 507 АОТЮ1(АС, БС) 633
АЛЮб(А-В) 389 АЛС327(А, Б) 510 АОТЮ2(А—Е) 635
АЛ107(А, Б) 391 АЛС328(А—Г) 512 АОТИО(А-Г) 637
АЛ 108 А 394 АЛС329(А-Н) 514 АОТ122(А—Г) 639
АЛ 109 А-1 396 АЛСЗЗО(А-К) 516 АОТ123(А—Г) 642
АЛ112(А—М) 427 АЛС331А 437 АОТ126(А, Б) 643
АЛ113(А—Н, Р, С) 463 АЛСЗЗЗ(А-Г) 518 АОТ127(А-В) 646
АЛ115А 397 АЛС334(А—Г) 520 АОТ128(А—Г) 649
АЛ118А 399 АЛС335(А—Г) 523 АОТ137А 655
АЛ119(А, Б) 401 АЛС338(А—В) 526 АОТ138(А, Б) 658
АЛ120(А, Б) 403 АЛС340А 531 АОУЮЗ(А-В) 663
АЛ123А 404 АЛС343А—5 538 АОУ115(А—В) 666
АЛ124А 407 АЛС345(А, Б) 541 ГА401 195
АЛ 132 А 412 АЛС347А 542 ГА401(А-В) 195
АЛ 136 А- 5 415 АЛС355А—5 547 ГА402(А—Г) 197
АЛ137А 417 АЛС355Б—5 547 ГА403(А—Д) 199
АЛ301(А-1, Б—1) 429 АЛС356(А, Б) 550 ГА501(А—И) 220
АЛ304(А—Г) 475 АЛС357А 553 ГА504(А—В) 224
АЛ305(А-Л) 478 АЛС358 555 ДЗ(А, Б) 167
АЛЗОб(А-И) 481 АЛС359(А, Б) 558 Д401 44
АЛ307(А—Е, И, Л) 431 АЛС362(А—К) 561 Д402 44
АЛ307(АМ—ЖМ) 431 АЛС362(М—П) - 561 Д403(Б, В) 46
АЛ307(КМ, НМ) 431 АЛС363А 566 Д404 44
АЛ310(А, Б) 435 АЛС364А—5 570 Д405 47
АЛ316(А, Б) 436 АЛС366А—5 538 Д405(А, Б) 47
АЛ360(А, Б) 444 АОДЮЦА—Д) 605 Д405(АП, БП) 47
АЛ402(А—В) 421 АОДЮ7(А—В) 607 Д406А 49
АЛС311А 484 АОДЮЭ(А-И) 609 Д406АП 49
АЛС312(А, Б) 486 АОД111А 612 Д407 50
АЛС313А—5 488 АОД112А-1 613 Д408 52
АЛС314А 490 АОД120А-1 615 Д408П 52
АЛС317(А—Г) 492 АОД120Б-1 615 Д409А 53
АЛС318(А—Г) 494 АОД129А 619 Д409АП 53
АЛС320(А- Г) 496 АОД130А 621 Д501 303
АЛС32ЦА, Б) 498 АОД133А 624 Д602(А, Б) 168
Тил прибора Стр. Тип прибора Стр. Тил прибора Стр.
Дбоз 169 К249КП2 672 КИПД05А-1К 451
Д604 171 К262КП1(А, Б) 680 КИПД05Б-1Л 451
Д605 172 К490ИП1 598 КИПД05В-1Ж 451
Д606 173 К490ИП2 600 КИПД06А-1К 454
Д607 174 КА104А 61 КИПД06Б-1К 454
Д607А 174 КА208А-1 233 КИПД06В-1Л 454
Д608 176 КА507(А—В) 231 КИПД06Г-1Л 454
Д608А 176 КА509(А—В) 235 КИПД07А-1К 458
Д609 178 КА510(А- Е) 237 КИПД07Б-1К 458
ДГ-С1 41 КА513(А—1, Б—1) 244 КИПМ01А-1К 584
ДГ-С2 41 КА517(А, Б) 251 КИПМ01Б—1К 584
ДК-В1 161 КА520(А, Б) 258 КИПМ01В—1Л 584
ДК-В11 165 КА528(АМ—ВМ) 272 КИПМ01Г-1Л 584
ДК-В2 161 КА532А 277 КИПМ01Д-1Л 584
ДК-ВЗ 162 КА537А 284 КИПМ02А—1К 584
ДК-В4 162 КА542А 289 КИПМ02Б—1К 584
ДК-В5М 163 КА602(А—Е) 305 КИПМ02В-1Л 584
ДК-В6М 163 КА605(А—В) 311 КИПМ02Г—1Л 584
ДК-В7М 163 КА606(А—2, Б-2) 313 КИПМ02Д-1Л 584
ДК-В8 164 КА608А 316 КИПМ03А—1К 584
ДК-И1М 166 КА609(А—В) 318 КИПМ03Б-1К 584
ДК-И2М 166 КА61ЦА, Б) 322 КИПМ03В-1Л 584
ДК-С1М 42 КА612(А, Б) 324 КИПМ03Г-1Л 584
ДК-С2М 42 КА613(А, Б) 326 КИПМОЗД—10 584
ДК-С7М 43 КИПВ02А-8/48К 573 КИПМ04А-1К 584
ИПГ01А—8Х8Л 576 КИПГ01А—8Х8Л 576 КИПМ04Б—1К 584
ИПГ02А-8»8Л 579 КИПГ02А—8Х8Л 579 КИПМ04В-1Л 584
ИПГОЗА—8Х8К 582 КИПГОЗА- 8»8К 582 КИПМ04Г-1Л 584
ИПД01А-1Л 446 КИПД01А-1Л 446 КИПМ04Д-1Л 584
ИПД04А-1К 450 КИПД01Б-1Л 446 КИПТ05А-16К 588
ИПД04Б-1К 450 КИПД02А-1К 447 КИПЦ04А—1/8К 595
ИПЦ01А-1/7К 590 КИПД02Б-1К 447 КЛЮЦА-В) 423
ИПЦ01Б—1/7К 590 КИПД02В-1Л 447 КЛЦ20ЦА, Б) 465
ИПЦ01В-1/7К 590 КИПД02Г-1Л 447 КЛЦ202А 465
ИПЦ01Г-1/7К 590 КИПД02Д-1Ж 447 КЛЦ301А- 5 468
ИПЦ02А-1/7КЛ 593 КИПД02Е-1Ж 447 КЛЦ302(А, Б) 470
ИПЦ02Б-1/7КЛ 593 КИПД03А-1Ж-5 449 КЛЦ401А 473
К249КН1(А—Е) 669 КИПДОЗА—1К—5 449 КЛЦ402(А, Б) 473
К249КП1 672 КИПД03А-1Л-5 449 ОЛ201А 630
ПЕРЕЧЕНЬ ТИПОВ ДИОДОВ,
вошедших в 1—3 тт. издания
Тип прибора Том Тип прибора Том Тип прибора
О.ЗСЗФ 2 2А118А-6 3 2А536(А-5, Б—5)
0.5С6Ф 2 2А120А 3 2А536(А—6, Б—6)
10С2 2 2А124(А—6, Б—6) 3 2А54ЦА-6, Б—6)
1А106(А—В) 3 2А125А-3 3 2А543(А—6, Б—6)
1А401 3 2А131А-3 3 2А543А-5
1А40ЦА-В) 3 2А132А 3 2А546(А-5, Б—5)
1А402(А—Г) 3 2А132А-5 3 2А547(А—3—Г—3)
1А403(А—Д) 3 2А139(АС—4, БС-4) 3 2А55ЦА-3-Г—3)
1А404(А-Ж) 3 2А145(А—9—В—9) 3 2А551А1-3
1А405(А, Б) 3 2А145(А—В) 3 2А551Б1-3
1А408(А, Б) 3 2А146АС—4 3 2А551В1-3
1А501(А-И) 3 2А146БС—4 3 2А551Г1-3
1А504(А, Б) 3 2А201А 3 2А552(А, Б)
1А704(А-В) 3 2А202А 3 2А601А
1Д402(А, Б) 2 2А203(А, Б) 3 2А602(А—Д)
1Д5О7А 2 2А207А-6 3 2А604(А, Б)
1Д508А 2 2А209(А—3, Б—3) 3 2А605(А, Б)
1И102(А- К) 2 2А503(А, Б) 3 2А608А
1И103(А- В) 2 2А505(А—В) 3 2А609(А, Б)
1И104(А—Е) 2 2А506(А—Д) 3 2А611(А, Б)
1И304(А, Б) 2 2А507(А, Б) 3 2А613(А, Б)
1И305(А, Б) 2 2А508А-1 3 2А616(А—2, Б—2)
1И308(А- К) 2 2А509(А, Б) 3 2А636(А, Б)
1И401(А, Б) 2 2А510(А—В) 3 2А706(А—Г)
1И403А 2 2А511А 3 2А709(А—В)
1И404(А—В) 2 2А512(А—4, Б-4) 3 2А717(А—4—Г—4)
1Ц104АИ 1 2А513(А—1, Б—1) 3 2В102(А—Ж)
20С2 2 2А515А 3 2В103(А, Б)
249ЛП1(А-В) 3 2А516А-5 3 2В104(А—Е)
295АГ1(А—Д) 3 2А517(А—2, Б—2) 3 2В105(А, Б)
2А101(А, Б) 3 2А518(А—4, Б-4) 3 2В106(А, Б)
2А102А 3 2А519А 3 2В110(А—Е)
2А103(А, Б) 3 2А520А 3 2В112(А—1, Б—1)
2А104А 3 2А521А 3 2В113(А, Б)
2А105(А, Б) 3 2А522А-2 3 2В114А-1
2А107А 3 2А523(А—4, Б-4) 3 2В117А
2А108А 3 2А524(А—4, Б-4) 3 2В119А
2А109А 3 2А526А-5 3 2В124А
2А116А-1 3 2А533А-3 3 2В124А- 5
2А118А 3 2А534(А, Б) 3 2В124АГ- 5
Том
Тип прибора Том Тип прибора Том Тип прибора Том
2В124АК-5 2 2Д232(А—В) 1 2Д630(А, Б) 2
2В124АР-5 2 2Д234(А—В) 1 2Д631А 2
2В125А А 2Д235(А, Б) 1 2Д701А-5 2
2В127А-5 2 2Д236(А, Б) 1 2Д705А9 2
2В133А 2 2Д237(А, Б) 1 2Д709А-6 2
2В133АР 2 2Д238(АС—ВС) 1 2Д801А-5 2
2В141А-6 2 2Д239{А—В) 1 2Д806(А, Б) 2
2В143(А—В) 2 2Д245(А—В) 1 2Д809(А, Б) 2
2ВС118(А, Б) 2 2Д249(А—В) 1 2Д901(А—1—Г—1) 1
2Г401(А—В) 2 2Д250А 1 2Д903(А, Б) 1
2Д101А 1 2Д25ЦА-Е) 1 2Д904(А—1—Е—1) 1
2Д102(А, Б) 1 2Д252(А—В) 1 2Д906(А-В) 1
2Д103А 1 2Д253(А—Е) 1 2Д907(Б—1, Г-1) 1
2Д104А 1 2Д254(А—Г) 1 2Д908А 1
2Д106А 1 2Д255(А—5—В—5) 1 2Д908А1 1
2Д108(А, Б) 1 2Д262(А—3—Г—3) 1 2Д910(А—1—В—1) 1
2Д115А-1 1 2Д2990(А—В) 1 2Д911(А— 1, Б—1) 1
2Д118А-1 1 2Д2992(А—В) 1 2Д912(А—3—В—3) 1
2Д120А 1 2Д2993(А—В) 1 2Д913А-3 1
2Д120А1 1 2Д2995(А—И) 1 2Д917А 1
2Д121А 1 2Д2997(А—В) 1 2Д917А-1 1
2Д123А9 1 2Д2998(А—В) 1 2Д918(Б— 1, Г-1) 1
2Д125(А—5, Б—5) 1 2Д2999(А-В) 1 2Д919А 1
2Д20ЦА- Г) 1 2Д401(А—В) 2 2Д920А 1
2Д202(В, Д, Ж, К, 2Д411(А, Б) 2 2Д921(А, Б) 2
М, Р) 1 2Д412(А—В) 2 2Д922(А—В) 2
2Д203(А—Д) 1 2Д413(А, Б) 2 2Д924А 2
2Д204(А—В) 1 2Д416А 2 2Д925(А, Б) 2
2Д206(А—В) 1 2Д419(А—В) 2 2Д926А 2
2Д207А 1 2Д420А 2 2ДЛ112-10 1
2Д210(А—Г) 1 2Д422А 2 2ДЛ112—25 1
2Д212(А, Б) 1 2Д423(А, Б) 2 2ДЛ132-50 1
2Д213(А- 0 1 2Д426А 2 2ДЛ132-80 1
2Д215(А—В) 1 2Д502(А—Г) 2 2ДЛ133-500 1
2Д216(А, Б) 1 2Д503(А, Б) 2 2ДЛ161-200 1
2Д217(А, Б) 1 2Д504А 2 2ДЛ171—320 1
2Д219(А—Г) 1 2Д509А 2 2ДМ502А—М 2
2Д220(А—И) 1 2Д510А 2 2ДМ502Б—М 2
2Д222(АС—ВС) 1 2Д520А 2 2ДМ502В—М 2
2Д225(АС—ВС) 1 2Д522Б 2 2ДМ502Г-М 2
2Д229(АС—ВС) 1 2Д524(А—В) 2 2ДС408(А— 1-Г-1) 1
2Д230(А—И) 1 2Д528(А, Б) 2 2ДС413(А—1, Б—1) 1
2Д231(А-Г) 1 2Д531(А—6, Б—6) 2 2ДС414(А—1, Б-1) 1
Тип прибора Той Тип прибора Том Тип прибора Том
2ДС415(А—1—Е—1) 1 2С139А 2 2С190А 2
2ДС523(А—Г) 1 2С139Б 2 2С19ЦМ-Р) 2
2ДС523(АМ—ГМ) 1 2С139Д-1 2 2С191(С—Ф) 2
2ДС627А 1 2С143Д-1 2 2С191А 2
2ДС628А 1 2С147(В, Г) 2 2С191Е 2
2ДЧ135-50Х 1 2С147А 2 2С191Ж 2
2ДЧ135-63 1 2С147Б 2 2С191К-1 2
2ДЧ135-63Х 1 2С147Т-1 2 2С191Х 2
2ДЧ135-80 1 2С147У-1 2 2С191Ц 2
2ДЧ135-80Х 1 2С151Т-1 2 2С205А 2
2ДЧ251-160 1 2С156(В, Г) 2 2С210А 2
2ДЧ251-160Х 1 2С156А 2 2С210Б 2
2ДШ112- 32Х 1 2С156Б 2 2С210Е 2
2ДШ112-40Х 1 2С156Т-1 2 2С210Ж 2
2ДШ122-50Х 1 2С156У-1 2 2С210К-1 2
2ДШ122-63Х 1 2С156Ф 2 2С210Х 2
2Л101(А, Б) 3 20162(6—1, В-1) 2 2С210Ц 2
2Л105А 3 2С162А 2 2С211А 2
2МДШ145—32Х 1 2С164(Н—Т) 2 2С211Е 2
2МДШ145—40Х 1 2С164М-1 2 2С211Ж 2
2МПДШ155-100Х 1 2С166(А—В) 2 2С211И 2
2МПДШ155—80Х 1 2С166(Г—К) 2 2С211К-1 2
2МПДШ245—40Х 1 2С168А 2 2С211Х 2
2МПДШ245—63Х 1 2С168Б 2 2С211Ц 2
2С107А 2 2С168В 2 2С212В 2
2С108(А—В) 2 2С168К-1 2 2С212Е 2
2С108(Г-Р) 2 2С168Х 2 2С212Ж 2
2С11ЦА- В) 2 2С170А 2 2С212К-1 2
2С112(А—В) 2 2С175А 2 2С212Х 2
2С113А 2 2С175Е 2 2С212Ц 2
2С117(А—П) 2 2С175Ж 2 2С213А 2
2С119А 2 2С175К-1 2 2С213Б 2
2С122(А—Е) 2 2С175Х 2 2С213Е 2
2С123(А— Е) 2 2С175Ц 2 2С213Ж 2
2С124Д-1 2 2С180А 2 2С215Ж 2
2С127А-1 2 2С182А 2 2С216Ж 2
2С127Д-1 2 2С182Е 2 2С218Ж 2
2С130Д-1 2 2С182Ж 2 2С220Ж 2
2С133(В, Г) 2 2С182К-1 2 2С222Ж 2
2С133А 2 2С182Х 2 2С224Ж 2
2С133Б 2 2С182Ц 2 2С291А 2
2С133Д—1 2 2С190(Б—Д) 2 2С401А 2
2С136Д-1 2 2С190(Е—Т) 2 2С401БС 2
Тип прибора Той Тип прибора Том Тил прибора Том
2С408А 2 2С591А 2 2Ц116А 1
2С41ЦА, Б) 2 2С600А 2 2Ц202(А—Е) 1
2С414А 2 2С602А 2 2Ц203(А—В) 1
2С416А 2 2С602А1 2 2Ц414(А- Д) 1
2С433А 2 2С603А 2 2Ц415(А—Д) 1
2С439А 2 2С603А1 2 2Ц416(А—Д) 1
2С447А 2 2С603Б 2 30С2 2
2С456А 2 2С603Б1 2 ЗА110(А, Б) 3
2С468А 2 2С604А 2 ЗА111(А, Б) 3
2С482А 2 2С604А1 2 ЗА112А 3
2С501А 2 2С604Б 2 ЗА114А 3
2С501АС 2 2С604Б1 2 ЗА115А 3
2С501Б 2 2С801А 2 ЗА117(А—6, Б—6) 3
2С501БС 2 2С802А 2 ЗА119А-6 3
2С503АС 2 2С802А1 2 ЗА123(А, Б) 3
2С503БС 2 2С802Б 2 ЗА129(А, Б) 3
2С503ВС 2 2С802Б1 2 ЗА130(АС-3, БС-3 3
2С510А 2 2С803А 2 ЗА134А-6 3
2С512А 2 2С803А1 2 ЗА135(А—3, Б—3) 3
2С514А 2 2С803Б 2 ЗА136(А, Б) 3
2С514А1 2 2С803Б1 2 ЗА137(А, Б) 3
2С514Б 2 2С901А 2 ЗА137(А—5, Б—5) 3
2С514Б1 2 2С901А1 2 ЗА138(А—3—В—3) 3
2С514В 2 2С901Б 2 ЗА140(А—3, Б—3) 3
2С514В1 2 2С901Б1 2 ЗА142А-5 3
2С515А 2 2С920А 2 ЗА143АС-3 3
2С516(А— В) 2 2С930А 2 ЗА143БС- 3 3
Х517А 2 2С950А 2 ЗА143ВС-3 3
2С517А1 2 2С980А 2 ЗА147(А—3—В—3) 3
2С517Б 2 2СМ133Б 2 ЗА206А-6 3
2С517Б1 2 2СМ139Б 2 ЗА208А 3
2С517В 2 2СМ147Б 2 ЗА406(А-В) 3
2С517В1 2 2СМ156Б 2 ЗА409(А—Г) 3
2С517Г 2 2СМ168Б 2 ЗА410(А— Е) 3
2С517Г1 2 2Ц101А 1 ЗА41ЦА- Д) 3
2С518А 2 2Ц102(А—В) 1 ЗА412(А—5—Е—5) 3
2С521А 2 2Ц103А 1 ЗА414(А—Г) 3
2С522А 2 2Ц106(А—Г) 1 ЗА415(А—5, Б—5) 3
2С524А 2 2Ц108(А—В) 1 ЗА527(А, Б) 2
2С527А 2 2Ц110(А, Б) 1 ЗА529(А, Б) 2
2С530А 2 2Ц112А 1 ЗА529(АР, БР) 2
2С536А 2 2Ц113А-1 1 ЗА530(А, Б) 2
2С551А 2 2Ц114(А, Б) 1 ЗА531А- 6 3
Тил прибора Том Тип прибора Том Тип прибора Том
ЗА538А 2 ЗДЧЗО4-25Х 1 ЗЛС347А 3
ЗА538АР 2 ЗДШ122—25 1 ЗЛС348А 3
ЗА539А 2 ЗДШ122-25Х 1 ЗЛС357А 3
ЗАбОЗ(А-Г) 3 ЗИЮЦА-И) 2 ЗЛС358 3
ЗА607А 3 ЗИ201(А—Л) 2 ЗЛС362(А—Н) 3
ЗА610(А, Б) 3 ЗИ202(А—К) 2 ЗЛСЗбЗА 3
ЗА614А 3 ЗИ2ОЗ(А, Б, Г) 2 ЗЛС364А-5 3
ЗА615(А—В) 3 ЗИ2ОЗ(Д, Ж, И) 2 ЗОДЮ1(А—Г) 3
ЗА617(А, Б) 3 ЗИЗО6(Г, Е, Ж) 2 ЗОДЮ7(А, Б) 3
ЗА618А-6 3 ЗИЗОб(К-Н) 2 ЗОД112А-1 3
ЗА619А-6 3 ЗИЗО6(Р, С) 2 ЗОД120А-1 3
ЗА620А-6 3 ЗИЗОЭ(Ж-Н) 2 ЗОД12ЦА—1—В—1) 3
ЗА621А-6 3 ЗИ402(А—Е, И) 2 ЗОД20ЦА—1—Е—1) 3
ЗА622А-6 3 ЗЛ102(А, Б, Г) 3 ЗОТЮ2(А—Е) 3
ЗА623А-6 3 ЗЛ 103(А, Б) 3 ЗОТ1Ю(А—Г) 3
ЗА627А 3 ЗЛ 107(А, Б) 3 30Т123(А—Г) 3
ЗА628А 3 ЗЛ108А 3 ЗОТ126(А, Б) 3
ЗА629А 3 ЗЛ109А-1 3 ЗОТ127(А, Б) 3
ЗА630А 3 ЗЛ115А 3 30Т131А 3
ЗА631А 3 ЗЛ118А 3 490ИП1 3
ЗА632А 3 ЗЛ119(А, Б) 3 490ИП2 3
ЗА634(А—6, Б—6) 3 ЗЛ120(А, Б) 3 АА11ЦА, Б) 3
ЗА637(А—6—Д—6) 3 ЗЛ123А 3 АА112(А, Б) 3
ЗА639(А—6—В—6) 3 ЗЛ124А 3 АА113(А, Б) 3
ЗА641(А—5, Б—5) 3 ЗЛ129А 3 АА204(А—В) 3
ЗА7ОЗ(А, Б) 3 ЗЛ130А 3 АА410(А—Е) 3
ЗА705(А, Б) 3 ЗЛ132А 3 ААбОЗ(А-Г) 3
ЗА730(А—И) 3 ЗЛ135А 3 АА607А 3
ЗА735(А—6—Д—6) 3 ЗЛ136А-5 3 АА703(А, Б) 3
ЗА739(А-В) 3 ЗЛ137А 3 АА705(А, Б) 3
ЗАС122(А—4, Б-4) 3 ЗЛ138А 3 АА707(А—К) 3
ЗАС127(А—4, Б-4) 3 ЗЛ341(А—Е) 3 АА715(А—М) 3
ЗАС359(А, Б) 3 ЗЛ360(А, Б) 3 АА716(А—И) 3
ЗД110А 1 ЗЛС314А 3 АА718(А—И) 3
ЗДЧ104-10 1 ЗЛС317(А—Д) 3 АА719А 3
ЗДЧ 104- ЮХ 1 ЗЛС320(А—Г) 3 АА72ОА 3
ЗДЧ104-25 1 ЗЛС32ЦА, Б) 3 АА721А 3
ЗДЧЮ4-25Х 1 ЗЛС331А 3 АА722А 3
ЗДЧ 122-20 1 ЗЛСЗЗЭА 3 АА723А 3
ЗДЧ122-20Х 1 ЗЛС340А 3 АА724А 3
ЗДЧ 122-50 1 ЗЛС342(А—Г) 3 АА725(А—Е) 3
ЗДЧ122-50Х 1 ЗЛС343А-5 3 АА72б(А—Д) 3
ЗДЧЗО4-25 1 ЗЛС345А 3 АА727(А—Г) 3
Тил прибора Том Тил прибора Том Тип прибора Том
АА728(А—Г) 3 АЛС314А 3 АОРС113А 3
АА733А 3 АЛС317(А—Г) 3 АОТЮЦАС, БС) 3
АД110А 1 АЛС318(А—Г) 3 АОТЮ2(А—Е) 3
АД112А 1 АЛС320(А—О 3 АОТ1Ю(А—Г) 3
АД516(А, Б) 2 АЛС321(А, Б) 3 АОТ122(А—Г) 3
АИ10ЦА-В) 2 АЛС322А—5 3 АОТ123(А—Г) 3
АИ101(Д, Е, И) 2 АЛС323А—5 3 АОТ126(А, Б) 3
АИ201(А, В, Г) 2 АЛС324(А, Б) 3 АОТ127(А—В) 3
АИ20ЦЕ-Л) 2 АЛС326(А, Б) 3 АОТ128(А—Г) 3
АИ301(А—Г) 2 АЛС327(А, Б) 3 АОТ137А 3
АИ402(Б, Г, Е, И) 2 АЛС328(А—О 3 АОТ138(А, Б) 3
АЛ102(А, Б, Г) 3 АЛС329(А—Н) 3 АОУЮЗ(А-В) 3
АЛ103(А, Б) 3 АЛСЗЗО(А-К) 3 АОУ115(А—В) 3
АЛЮб(А-В) 3 АЛС331А 3 В10 1
АЛ107(А, Б) 3 АЛСЗЗЗ(А-Г) 3 В11-50 1
АЛ 108 А 3 АЛС334(А—Г) 3 В14-100Х 1
АЛ109А—1 3 АЛС335(А—О 3 В14-125Х 1
АЛ112(А—М) 3 АЛС338(А—В) 3 В14-160Х 1
АЛ113(А—Н, Р, С) 3 АЛС340А 3 В14-200Х 1
АЛ115А 3 АЛС343А—5 3 В14-250Х 1
АЛ118А 3 АЛС345(А, Б) 3 В14-320Х 1
АЛ119(А, Б) 3 АЛС347А 3 В14-400Х 1
АЛ120(А, Б) 3 АЛС355(А—5, Б—5) 3 В2-1600 1
АЛ123А 3 АЛС356(А, Б) 3 В2-320 1
АЛ124 А 3 АЛС357А 3 В200 1
АЛ 132 А 3 АЛС358 3 В25 1
АЛ 136 А- 5 3 АЛС359(А, Б) 3 В320 1
АЛ 137 А 3 АЛС362(А—К) 3 В5-200 1
АЛ301(А—1, Б—1) 3 АЛС362(М—П) 3 В50 1
АЛ304(А—Г) 3 АЛС363А 3 В500 1
АЛ305(А—Л) 3 АЛС364А—5 3 В7-200 1
АЛЗОб(А-И) 3 АЛС366А—5 3 В7-200-3 1
АЛ307(А—Е, И, Л) 3 АОДЮ1(А-Д) 3 В7-320 1
АЛ307(АМ—ЖМ) 3 АОДЮ7(А—В) 3 В800 1
АЛ307(КМ, НМ) 3 АОДЮ9(А—И) 3 ВЛ 10 1
АЛ310(А, Б) 3 АОД111А 3 ВЛ 14-200 1
АЛ316(А, Б) 3 АОД112А-1 3 ВЛ 14-320 1
АЛЗЗб(А-К) 3 АОД120(А—1, Б—1) 3 ВЛ200 1
АЛ360(А, Б) 3 АОД129А 3 ВЛ25 1
АЛ402(А—В) 3 АОД130А 3 ВЛ320 1
АЛС311А 3 АОД133А 3 ВЛ5-200 1
АЛС312(А, Б) 3 АОД202(А, Б) 3 ВЛ50 1
АЛС313А—5 3 АОР113А 3 ВЧ-25 1
Тип прибора Том Тип прибора Том Тип прибора Том
ВЧ2-160 1 ДЮ4-16Х 1 Д161-250 1
ВЧ2-200 1 ДЮ4-20 1 Д161-320 1
ГА401 3 ДЮ4-20Х 1 Д171-400 1
ГА401(А-В) 3 Д104А 1 дю 2
ГА402(А-Г) 3 ДЮ5 1 Д20 2
ГА403(А—Д) 3 ДЮ5А 1 Д202 1
ГА50ЦА-И) 3 ДЮ6 1 Д203 1
ГА504(А—В) 3 Д106А 1 Д204 1
ГД Ю7(А, Б) 1 Д112-10 1 Д204-10 1
ГД113А 1 Д112-ЮХ 1 Д204-ЮХ 1
ГД402(А, Б) 2 Д112-16 1 Д204-16 1
ГД403(А—В) 2 Д112-16Х 1 Д204-16Х 1
ГД404АР 1 Д112-25 1 Д204-20 1
ГД507А 2 Д112-25Х 1 Д204-20Х 1
ГД508(А, Б) 2 Д122-32 1 Д205 1
ГД511<А-В) 2 Д122-32Х 1 Д206 1
ГИЮЗ(А-Г) 2 Д122-40 1 Д207 1
ГИ304(А, Б) 2 Д122-40Х 1 Д208 1
ГИ305(А, Б) 2 Д131-50 1 Д209 1
ГИЗО7А 2 Д131-50Х 1 Д2Ю 1
ГИ308(А-К) 2 Д131-63 1 Д211 1
ГИ40ЦА, Б) 2 Д131-63Х 1 Д214 1
ГИ403А 2 Д131-80 1 Д214(А, Б) 1
ДЮ 1 Д131-80Х 1 Д215 1
ДЮ(А, Б) 1 Д132-50 1 Д215(А, Б) 1
Д1004 1 Д132-50Х 1 Д219А 2
ДЮ05(А, Б) 1 Д132-63 1 Д219С 2
Д1006 1 Д132-63Х 1 Д220 2
Д1007 1 Д132-80 1 Д220(А, Б) 2
Д1008 1 Д132-80Х 1 Д220С 2
Д1009 1 Д133-400 1 Д223 1
Д1009А 1 Д133-500 1 Д223(А, Б) 1
Д101 1 Д133-800 1 Д223С 2
ДЮНА 1 Д141-100 1 Д226 1
Д101А 1 Д141-100Х 1 Д226(А, Е) 1
Д102 1 Д143-1000 1 Д229(А, Б) 1
Д102А 1 Д143-2000 1 Д229(В—Л) 1
ДЮЗ 1 Д143-630 1 Д231 1
ДЮЗА 1 Д143-800 1 Д231(А, Б) 1
ДЮ4 1 Д151-125 1 Д232 1
Д 104-Ю 1 Д151-160 1 Д232(А. Б) 1
Д104-ЮХ 1 Д161-200 1 Д233 1
ДЮ4-16 1 Д161-200Х 1 Д233Б 1
Тип прибора Той Тип прибора Том Тип прибора Том
Д234Б 1 Д409АП 3 ДЛ112-16 1
Д237(А—В) 1 Д501 3 ДЛ112-25 1
Д237(Е, Ж) 1 Д602(А, Б) 3 ДЛ122-32 1
Д242 1 Д603 3 ДЛ122-40 1
Д242(А, Б) 1 Д604 3 ДЛ123-320 1
Д243 1 Д605 3 ДЛ 132-50 1
Д243(А, Б) 1 Д606 3 ДЛ 132-63 1
Д245 1 Д607 3 ДЛ 132-80 1
Д245(А, Б) 1 Д607А 3 ДЛ 133-500 1
Д246 1 Д608 3 ДЛ161-200 1
Д246(А, Б) 1 Д608А 3 ДЛ 171-320 1
Д247 1 Д609 3 ДЧ103-100 1
Д247(А, Б) 1 Д7(А—Ж) 1 ДЧ103-125 1
Д248Б 1 Д808 2 ДЧ151-100 1
Д253-1600 1 Д809 2 ДЧ151-80 1
Д253-4000 1 Д8Ю 2 ДЧ161-125 1
ДЗ(А, Б) 3 Д811 2 ДЧ161-160 1
Д310 2 Д813 2 ДЧ171-250 1
Д311 2 Д814(А-Д> 2 ДЧ 171-320 1
Д311А 2 Д815(А—Ж) 2 ИПГ01А—8*8Л 3
Д312 2 Д816(А—Д) 2 ИПГ02А—8*8Л 3
Д312-10 1 Д817(А-П 2 ИПГОЗА—8*8К 3
Д312-10Х 1 Д818(А-Е) 2 ИПД01А-1Л 3
Д312А 2 ДЭ(Б-М) 1 ИПД04А-1К 3
Д322-25 1 Д90ЦА-Е) 2 ИПД04Б-1К 3
Д322-25Х 1 Д902 2 ИПЦ01А-1/7К 3
Д332-50 1 ДГ-С1 3 ИПЦ01Б-1/7К 3
Д332-50Х 1 ДГ-С2 3 ИПЦ01В-1/7К 3
Д332-80 1 ДК-В1 3 ИПЦ01Г-1/7К 3
Д332-80Х 1 ДК-В11 3 ИПЦ02А-1/7КЛ 3
Д401 3 ДК-В2 3 ИПЦ02Б-1/7КЛ 3
Д402 3 ДК-ВЗ 3 К249КН1(А—Е) 3
Д403(Б, В) 3 ДК-В4 3 К249КП1 3
Д404 3 ДК-В5М 3 К249КП2 3
Д405 3 ДК-В6М 3 К262КПЦА, Б) 3
Д405(А, Б) 3 ДК-В7М 3 К490ИП1 3
Д405(АП, БП) 3 ДК-В8 3 К490ИП2 3
Д406А 3 ДК-И1М 3 КА104А 3
Д406АП 3 ДК-И2М 3 КА208А-1 3
Д407 3 ДК-С1М 3 КА507(А—В) 3
Д408 3 ДК-С2М 3 КА509(А—В) 3
Д408П 3 ДК-С7М 3 КА510(А—Е) 3
Д409А 3 ДЛ112-10 1 КА513(А—1, Б—1) 3
Тип прибора Том Тип прибора Том Тип прибора Том
КА517(А, Б) 3 КВ128АК 2 КД40ЦА, Б) 2
КА52О(А, Б) 3 КВ129А 2 КД407А 2
КА528(АМ—ВМ) 3 КВ130А 2 КД409(А9, Б9) 2
КА532А 3 КВ130АГ 2 КД409А 2
КА537А 3 КВ 132 А 2 КД410(А, Б) 2
КА542А 3 КВ132АР 2 КД41ЦА—Г) 2
КА602(А—Е) 3 КВ134А 2 КД41ЦАМ-ГМ) 2
КА605(А—В) 3 КВ134АТ 2 КД412(А—Г) 2
КА606(А—2, Б—2) 3 КВ135А 2 КД413(А, Б) 2
КА608А 3 КВ 135 АР 2 КД416(А, Б) 2
КА609(А—В) 3 КВС11ЦА, Б) 2 КД417А 2
КА611(А, Б) 3 КВС120(А, Б) 2 КД421А 2
КА612(А, Б) 3 КВС120А1 2 КД424А 2
КА613(А, Б) 3 КГ401(А- В) 2 КД5ОЗ(А, Б) 2
КВ101А 2 КД102(А, Б) 1 КД504А 2
КВ102(А—Д) 2 КД103(А, Б) 1 КД509А 2
КВ103(А, Б) 2 КД104А 1 КД510А 2
КВ104(А—Е) 2 КД105(Б—Г) 1 КД512А 2
КВ105(А, Б) 2 КД 106 А 1 КД513А 2
КВ106(А, Б) 2 КДЮЭ(А-В) 1 КД514А 2
КВ107(А- Г) 2 КД111(А-В) 1 КД518А 2
КВ109(А—Г) 2 КД116(А—1, Б-1) 1 КД519(А, Б) 2
КВИО(А-Е) 2 КД202(А, В, Д, Ж, КД520А 2
КВ112(А—1, Б-1) 2 К, М, Р) 1 КД52ЦА-Д) 2
КВ113(А, Б) 2 КД203(А-Д) 1 КД522(А, Б) 2
КВ114(А, Б) 2 КД204(А— В) 1 КД529(А—Г) 2
КВ114Б-1 2 КД205(А—Л) 1 КД805А 2
КВ115(А— В) 2 КД206(А-В) 1 КД901(А-1-Г-1) 1
КВ116А-1 2 КД208А 1 КД903(А, Б) 1
КВ117(А, Б) 2 КД209(А—В) 1 КД904(А-1-Е-1) 1
КВ119А 2 КД210(А-Г) 1 КД906(А-Е) 1
КВ121(А, Б) 2 КД212(А—Г) 1 КД907(Б—1, Г-1) 1
КВ122(А-В) 2 КД213(А-Г) 1 КД908А 1
КВ123А 2 КД22ЦА—Г) 1 КД908АМ 1
КВ126А-5 2 КД226(А-Д) 1 КД909А 1
КВ126АГ-5 2 КД240(А—К) 1 КД910(А-1-В-1) 1
КВ127(А— Г) 2 КД2991А 1 КД91ЦА-1, Б-1) 1
КВ127(АГ—ГГ) 2 КД2994А 1 КД912(А-3-В-3) 1
КВ127(АТ—ГТ) 2 КД2995(А—Е) 1 КД913А- 3 1
КВ127АР 2 КД2996(А—В) 1 КД914(А—В) 1
КВ127БР 2 КД2997(А—В) 1 КД917А 1
КВ127ГР 2 КД2998(А—Д) 1 КД917АМ 1
КВ 128 А 2 КД2999(А—В) 1 КД918(Б—1, Г-1) 1
Тип прибора Том Тип прибора Том Тип прибора Том
КД919А 1 КИПМ02В-1Л 3 КС175Е 2
КД922(А—В) 2 КИПМ02Г- 1Л 3 КС175Ж 2
КД923А 2 КИПМ02Д-1Л 3 КС175Ц 2
КДС413(А—В) 1 КИПМ03А—1К 3 КС175Ц-1 2
КДС414(А—В) 1 КИПМОЗБ—1К 3 КС182А 2
КДС415(А—В) 1 КИПМОЗВ—1Л 3 КС182Е 2
КДС523(А—Г) 1 КИПМОЗГ-1Л 3 КС182Ж 2
КДС523(АМ—ГМ) 1 КИПМ03Д-1Л 3 КС182Ц 2
КДС525(А—Л) 1 КИПМ04А—1К 3 КС182Ц-1 2
КДС526(А—В) 1 КИПМ04Б-1К 3 КС190(Б—Д) 2
КДС627А 1 КИПМ04В-1Л 3 КС19ЦМ-Р) 2
КДС628А 1 КИПМ04Г-1Л 3 КС19ЦС-Ф) 2
КИПВ02А-8/48К 3 КИПМ04Д-1Л 3 КС191А 2
КИПГ01А—8*8Л 3 КИПТ05А- 16К 3 КС191Е 2
КИПГ02А-8«8Л 3 КИПЦ04А-1/8К 3 КС191Ж 2
КИПГ03А—8*8К 3 КЛЮЦА—В) 3 КС191Ц 2
КИПД01А-1Л 3 КЛЦ201(А, Б) 3 КС191Ц-1 2
КИПД01Б-1Л 3 КЛЦ202А 3 КС210Б 2
КИПД02А—1К 3 КЛЦЗО1А- 5 3 КС21ОЕ 2
КИПД02Б-1К 3 КЛЦЗО2(А, Б) 3 КС210Ж 2
КИПД02В-1Л 3 КЛЦ401А 3 КС210Ц 2
КИПД02Г-1Л 3 КЛЦ402(А, Б) 3 КС21ОЦ-1 2
КИПД02Д-1Ж 3 КС106А 2 КС21ЦБ-Д) 2
КИЛД02Е-1Ж 3 КС107А 2 КС211Е 2
КИПД03А-1Ж-5 3 КСЮ8(А—В) 2 КС211Ж 2
КИПД03А—1К—5 3 КС113А 2 КС211Ц 2
КИПДОЗА-1Л-5 3 КС119А 2 КС211Ц-1 2
КИПД05А-1К 3 КС13ОД-5 2 КС212Е 2
КИПД05Б-1Л 3 КС133А 2 КС212Ж 2
КИПД05В-1Ж 3 КС133Г 2 КС212Ц 2
КИПД06А-1К 3 КС139А 2 КС212Ц-1 2
КИПД06Б-1К 3 КС139Г 2 КС213Б 2
КИПД06В-1Л 3 КС 147 А 2 КС213Е 2
КИПД06Г-1Л 3 КС147Г 2 КС213Ж 2
КИПД07А-1К 3 КС156А 2 КС215Ж 2
КИПД07Б-1К 3 КС156Г 2 КС216Ж 2
КИПМ01А-1К 3 КС162А 2 КС218Ж 2
КИПМ01Б-1К 3 КС164М-1 2 КС220Ж 2
КИПМ01В-1Л 3 КС166(А—В) 2 КС222Ж 2
КИПМ01Г-1Л 3 КС168А 2 КС224Ж 2
КИПМ01Д-1Л 3 КС168В 2 КС291А 2
КИПМ02А—1К 3 КС170А 2 КС405А 2
КИПМ02Б—1К 3 КС175А 2 КС40б(А, Б) 2
Тил прибора Том Тип прибора Том Тип прибора Том
КС407(А—Д) 2 КЦ109А 1 МПД155-50Х 1
КС409А 2 КЦ111А 1 МПД165-100 1
КС410АС 2 КЦ114(А, Б) 1 МПД165-100М 1
КС412А 2 КЦ117(А, Б) 1 МПД165-100Х 1
КС433А 2 КЦ20ЦА-Е) 1 МПД165-80 1
КС439А 2 КЦ40КА, Г) 1 МПД165-80М 1
КС447А 2 КЦ402(А—И) 1 МПД165-80Х 1
КС456А 2 КЦ403(А—И) 1 МПДЧ145-16 1
КС468А 2 КЦ404(А—И) 1 МПДЧ145-16М 1
КС482А 2 КЦ405(А—И) 1 МПДЧ145—16Х 1
КС506А 2 КЦ407А 1 МПДЧ145-32 1
КС5О7А 2 КЦ409(А—И) 1 МПДЧ145—32М 1
КС508(А—Д) КС509(А—В) КС510А КС511(А, Б) КС512А КС513А КС515А 2 2 2 2 2 2 2 КЦ410(А—В) КЦ412(А—В) КЦ417(А- В) МД217 МД218 МД218А МД226 1 1 1 1 1 1 1 МПДЧ145—32Х МПДЧ155—40 МПДЧ155-40М МПДЧ155-40Х МПДЧ155—63 МПДЧ155-63М 1 1 1 1 1 1
КС515Г КС518А 2 2 МД226(А, Е) МДЧ 155-40 1 1 МПДЧ155-63Х МПДЧ 165-125 1 1
КС520В 2 МДЧ155—40М 1 МПДЧ165-125М 1
КС522А 2 МДЧ155-40Х 1 МПДЧ165-125Х 1
КС524Г 2 МДЧ 155-63 1 МПДЧ165—80 1
КС527А 2 МДЧ155-63М 1 МПДЧ165-80М 1
КС531В 2 МДЧ155-63Х 1 МПДЧ165-80Х 1
КС533А 2 МДЧ165-125 1 МПДЧ255-40 1
КС539Г 2 МДЧ165-125М 1 МПДЧ255-40М 1
КС547В 2 МДЧ165—125Х 1 МПДЧ255—40Х 1
КС551А 2 МДЧ165-80 1 МПДЧ255-63 1
КС568В 2 МДЧ165-80М 1 МПДЧ255-63М 1
КС582Г 2 МДЧ165-80Х 1 МПДЧ255—63Х 1
КС591А 2 МПД145-16 1 МПДЧ265—100 1
КС596В 2 МПД145-16М 1 МПДЧ265-100М 1
КС600А 2 МПД145-16Х 1 МПДЧ265— 100Х 1
КС620А 2 МПД145-25 1 МПДЧ265-80 1
КС630А 2 МПД145-25М 1 МПДЧ265-80М 1
КС650А 2 МПД145-25Х 1 МПДЧ265-80Х 1
КС680А 2 МПД155-40 1 МПДШ145—40Х 1
КЦ103А 1 МПД155-40М 1 МПДШ145-63Х 1
КЦ105(В-Д) 1 МПД155-40Х 1 МПДШ155—100Х 1
КЦЮб(А-Д) 1 МПД155-50 1 МПДШ155—80Х 1
КЦЮв(А-В) 1 МПД155-50М 1 ОЛ201А 3
ББК 32.852.2
Х95
ИЗДАТЕЛЬСТВО «РАДИОСОФТ»
Отдел реализации тел /факс (095) 177-47-20, е-таН. гаФ08Й@аЬа гц
Адрес и телефон для заявок на книги по почте наложенным платежом
111578 Москва, а/я 1 «Пост-Пресс», тел./факс (095) 307-06-61,307-06-21
е-таП: ро$1ргез@<1о1.ги
Хрулев А. К., Черепанов В. П., Савельев Ю. Н.
Х95 Диоды и их зарубежные аналоги. Справочник. В 3 т. Т. 3.—
М.: ИП РадиоСофт, 2000.— 704 с.: нл.
18ВЫ 5-93037-011-7
В третьем томе справочного издания приводятся электрические и эксплуата-
ционные характеристики полупроводниковых диодов — стабилитронов, ограничите-
лей напряжения, импульсных диодов, высокочастотных диодов, варикапов, туннель-
ных и обращенных диодов Даются классификация и система обозначений, основные
стандарты для описанных в справочнике приборов Для конкретных типов приборов
приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных
размерах и маркировке В приложении даются зарубежные аналоги полупроводни-
ковых диодов, помещенных в справочнике, и названия фирм-изготовителей. Пред-
ставлен перечень полупроводниковых диодов, вошедших в 1-3 тт. издания.
Для инженерно-технических работников, занимающихся разработкой, эксплуа-
тацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры.
ББК 32.852.2
Хрулев Аркадий Квннтилианович
Черепанов Вадим Павлович
Савельев Юрий Николаевич
ДИОДЫ И ИХ ЗАРУБЕЖНЫЕ АНАЛОГИ
СПРАВОЧНИК
Том 3
Ответственный за выпуск А А Халоян
Редактор М Ю Нефёдова
Издательское предприятие РадиоСофт
109125, Москва, ул Саратовская, 6/2
Лицензия ЛР № 065866 от 30 04 98
Сдано в набор 2 12 98 Подписано в печать 12 02 99 Формат 84* Юв’/з?
Печать высокая Бумага газетная Леч л 22.0 Тираж 5 000 Заказ 373
Отпечатано с готовых диапозитивов во Владимирской книжной типографии Госкомпечати России
18ВЫ 5-93037-011-7
© А. К. Хрулев, В. П. Черепанов,
Ю. Н. Савельев, 2000
© Составление, оформление.
Издательское предприятие
РадиоСофт, 2000