Автор: Черепанов В.П. Хрулев А.К.
Теги: радиоэлектроника микроэлектроника электроника электрооборудование электроснабжение справочник электрика издательство радиософт
ISBN: 5-93037-062-1
Год: 2002
Текст
СПРАВОЧНИК
ТИРИСТОРЫ
И ИХ ЗАРУБЕЖНЫЕ АНАЛОГИ
СПРАВОЧНИК
В. П.Черепанов А. К. Хрулев
ТИРИСТОРЫ И ИХ ЗАРУБЕЖНЫЕ АНАЛОГИ
В ДВУХ ТОМАХ
Том 2
Каталог
ИЗДАТЕЛЬСКОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ РадиоСофт
МОСКВА
ББК 32 852 3
446
Черепанов В. П., Хрулев А. К.
446 Тиристоры и их зарубежные аналоги Справочник!
В2тТ2 — М ИП РадиоСофт 2002--512 с . ил I
ISBN 5-93037-062-1 |
Во втором томе справочного издания приводятся данные по электрическим параметрам габаритным размерам, предельным эксплуатационным характеристикам сведения по основному функциональному назначению отечественных силовых тиристоров Приводятся динами-ческие импульсные частотные температурные зависимости параметров а также описываются особенности применения тиристоров в радиоэлектронной аппаратуре
Для инженерно-технических рабо(ников занимающихся разработкой эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры
ББК 32 852 3
ISBN 5'93037-062-1
© В П Черепанов А К Хрулев 2002 ©Оформление ИП РадиоСофт, 2002
ОАО «Фотон»
700047 Узе. зт'’.
Ташкент уг Мовароуннохп 13
Теп В 10 (SS 871)1334230 1300116
Факс S 10 [99 871)1361454 135O11S Е п ail foton'og oLalret lz nttpx/wA/ jfotcnuz
Открытое Акционерное Общество «Фотон» -известный в СНГ изготовитель полупроводниковых приборов и интегрированных изделий элек-
тронной техники.
«Фотон» обладает производственной базой для изготовления и испытания полупроводниковых приборов» а также машиностроительным комплексом, оснащенным самым современным оборудованием
«Фотом» имеет высококвалифицированных специалистов и систему обеспечения качества продукции, что позволяет осуществлять выпуск и поставку изделий с приемками «1», «5» и «9». Производство изделий с приемками «5» и «9» еттветоввно.
Специализация ОАО «фотон»:
Типы выпускаемых изделий:
выпрямительные диоды
• высоковольтные малогабаритные выпрямительные столбы
•малошумящие полевые транзисторы,
умножители напряжения
СПЛИТ трансформаторы
Торговый Дом «Фотон Р» Россия Москва
Теп {095)782 91 68 782 91 69
для ТВ приемников и мониторов
СПЛИТ трансформатоды изготавливаются «на автоматизированном оборудовании что обеспечивает высокое качество воспроизводимость параметров и возможность быстрой перестройки производства на выпуск издалий необходимых потребителю
Продукция ОАО << Фотон» может реализовываться как непо средственно из Ташкента по прямому договору ток и через торговые дома а Москве и Киеве
Выпрямительные диодь и столбы
КД208А КД209А Г
2Д212АБ 2Д212Д S Б6 КД21ЭА г
КД212Д S Б 6 2021ЗА Г 2Д213А В Б5
КД213А " КД21ЭА6 Г 6
КЦ22-АЕ КД2Э94А
ЭЦ106АГ КЦ106А кцпед в 2Д120А1 2Д237Д Б
КД237Д Б КД244Д Г
КД275А Н КД231А П КД298ЭА Д 2Д2992А Б 2Д2997А В КД2997Д 8
2Ц111Д
Полевые ТраНЗИСтОро 2П303А И КПЗОЗАИ 2ПЗО7А Б Г КПЗО7Д Б Г Ж
ЭП308Д 1 Д 1 ЭП334
ЭП601А Б КПБО'А Б
У множите ли напряжения
УН9/27 1 3 УН9/27 1 Зм УН9 х18 03м1
УН 8 5/25 1 2м1
СМИТ трансформаторы
ТДКС 17/350 ТДКС 22/10
Тд КС 24 10 ТДКС 9 21
Корпуса для интегральных
Ьикросхем тигаТО 5
Научно-технический центр
опто
НИКА
e-mail: optonika@ana.ru http://www optomka.ru
Адрес: 109542 Москва, а/я 69
Теп./факс: (095) 305-7738, 305-7748
Научно-технический центр "ОПТОНИКА" основан s 19S9 году
Главная задача НТЦ "ОПТОНИКА” - максимально полно и оперативно отвечать потребностям российских заказчиков в импортных электронных компонентах Список поставщиков НТЦ "ОПТОНИКА" постоянно расширяется. Это позволяет работать с информацией о ценах и наличии необходимого количества микроэлектронных компонентов на складах фирм в Европе, Канаде и США. Основные направления деятельности:
♦ оказание информационных и консалтинговых услуг по подбору импортных электронных компонентов; ♦ обеспечение легальных поставок любых количеств самых современных изделий микроэлектроники;
♦ разработка и изготовление электронных устройств (светофоров, саетодинамических табло -“бегущая строка1', дорожных знаков, дополнительных сигналов торможения и т п.)
Научно-технический центр "ОПТОНИКА" является официальным дистрибьютором и представляет интересы следующих компаний’
Компания Поставляемые компоненты
Agilent Technologies (Hewlett-Packard) Оптоэлектронные компоненты (светодиоды, индикаторы, матрицы, шкалы), волоконно-оптические линии связи, датчики вращения и перемещения, устройства считывания штрих-кодов, твердотельные репе, ВЧ- и СВЧ-компоненты, драйверы IGBT/MOSFET
Kingbright Оптоэлектронные компоненты (светодиоды, семисегментные цифровые иод и кагоры с высотой знака от 2,7 до 127 мм всех цветов, светодиодные матричные индикаторы со схемой управления с высотой знака от 3.5 до 100 мм)
Wustlich Opto-Elektronik Оптоэлектронные компоненты (сверхъяркие светодиоды белого, зеленого. синего, сине-зеленого цвета свечения, светодиодные сборки, индикаторы, матрицы)
N1CHIA Оптоэлектронные компоненты (сверхъяркие светодиоды зеленого, синего, белого цвета свечения, светодиодные кластеры, матрицы, источники света на основе явления люминесценции)
SEMIKRON Мощные полупроводниковые компоненты и устройства различного назначения (мощные MOSFET-транзиоторы и lGBT-транзисторы, драйверы, мощные диоды и диодные мосты)
LITE-ON Полупроводниковые оптоэлектронные компоненты (светодиоды, семисегментные цифровые индикаторы, шкальные индикаторы)
BOLYMIN Жидкокристаллические матричные и графические индикаторные модули с подсветкой и без подсветки
MOK SAN electronic Инфракрасные излучающие диоды, фотодиоды и фототранэисторы, фотолриемные устройства для дистанционного управления, олтолары щелевого и отражательного типа
FP-Displays AG Матричные и цифровые электромагнитные индикагоры-блинкеры с высотой знака до 350 мм
Легальные поставки продукции ведущих мировых производителей со склада в Москве и на заказ - оптроны, светоизлучающие диоды, индикаторы, датчики, волоконно-оптические линии связи, 84- и СВЧ-электроника, полупроводниковые лазеры видимого и инфракрасного диапазонов, микросхемы управления и обработки сигналов, фотоприемные устройства, ПЗС-линейки и ПЗС-матрицы с различным количеством элементов, силовая электроника, аналоговая электроника, компараторы, ЦАП, АЦП любой разрядности, стабилитроны, цифровая электроника, электромеханические индикаторы (блинкеры)
В целях расширения перечня поставляемых компонентов Научно-технический центр "ОПТОНИКА4 постоянно дополняет список своих зарубежных поставщиков. Это позволяет работать с информацией о ценах и наличии необходимого количества микроэлектронных компонентов на складах фирм по всему миру. По каждой заявке на поставку импортных электронных компонентов НТЦ “ОПТОНИКА" проводит оперативное исследование возможностей всех своих поставщиков по основным критериям.
• наличие на складе необходимого количества изделий;
• минимальное время доставки;
• оптимальная цена.
ОПТОНИКА - МИКРОЭЛЕКТРОНИКА БЕЗ ГРАНИЦ
С-Петербург: (812) 278-8484 Москва: (095) 214-2555 Екатеринбург1 (3432) 703-384 Розничная продажа в 1ных магазинах Микроннха»: С-Петербург.
195196. С-Петербург, а/я 49 E-mail, npo@symmetron.ru Новосибирск: (3832) 119-081 Ростов-на-Дону: (8632) 923-273 Ново черкас с кий, 51 (812) 444-0488 Новосибирск, Геодезическая, 2
http //www.symmetron ru Ставрополь: (8652) 357-775
Киев: (044) 239-2065 (3832)119-045
Харьков: (0572) 303-577 Киев, ул М Расковой, 13 /Кюгитжяпрянме мктауиеи’)
Минск: (017) 222-5959 (0441517-7377,516-5942
СОДЕРЖАНИЕ
Предисловие............................................ 10
ЧАСТЬ ПЕРВАЯ
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ТИРИСТОРАХ
Раздел первый. Классификация тиристоров
1.1. Классификация и системы условных обозначений........ 11
1.2. Условные графические обозначения..................... 20
1.3. Термины, определения и условные обозначения электрических параметров тиристоров....................... 21
1.4. Стандарты по полупроводниковым прмборам-тири-сторам.................................................... 33
Раздел второй. Особенности применения тиристоров в радиоэлектронной аппаратуре
2.1. Общие положения...................................35
2.2. Основные особенности тиристоров...................40
2.3. Рекомендации по выбору и применению тиристоров.... 4В
ЧАСТЬ ВТОРАЯ
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ТИРИСТОРОВ
Раздел третий. Силовые тиристоры (продолжение)
3.1. Тиристоры быстродействующие ТБ151—50, ТБ151—63....................'............... 53
2ТБ151—50, 2ТБ161—80, 2ТБ261—80....................... 67
ТБ161-80, ТБ 161-100.................................. 70
ТБ2-160, ТБЗ -200..................................... 86
ТБ171—160, ТБ171—200................................. 102
2ТБ171—160, 2ТБ171—200 ............................. 117
ТБ200, ТБ250......................................... 120
ТБ133—200, ТБ133-250 ................................ 130
2ТБ133—200, 2ТБ133 - 250 ............................ 146
2ТБ143—320, 2ТБ143 - 400 ............................ 149
2ТБ253-630, 2ТБ253—800 .............................. 152
2ТБ271-250 .......................................... 155
ТБ320, ТБ400......................................... 170
ТБ143—320, ТБ143—400 ................................ 186
2ТБ233-400 .......................................... 201
ТБ 153—630, ТБ 153- 800 ............................. 214
ТБ253-800, ТБ253—1000 ............................... 229
2ТБ153-1000 ......................................... 232
3.2. Тиристоры симметричные
ТС2-10, ТС2-16, ТС2—25 .............................. 245
~С 112—10, ТС 112—16................................. 255
2ТС112-10, 2ТС122-25 ................................ 258
ТС122—20, ТС 122—25...................................
ТС2-40, ТС2-50, ТС2-63, ТС2-8О ...................... 263
ТС 132 -40, ТС 132-50................................ 274
2ТС132-50, 2ТС142-80 ................................ 276
ТС 142-63, тс 142-80 ................................ 279
ТС80, ТС125, ТС16О................................... 282
ТС161-ЮО, ТС161-125, ТС161-160 ...................... 294
2ТС161-160,2ТС161-200 ............................... 301
ТС 171-200, ТС171-250................................ 304
2ТС171-25О, 2ТС171-320 ............................... ЗЮ
3.3. Тиристоры лавинные
ТЛ2-160, ТЛ2-200..................................... 313
2ТЛ171-200, 2ТЛ17 1-250 ............................. 324
ТЛ4-250 .............................................. 32 7
ТЛ171—250, ТЛ171—320 ................................ 336
2ТЛ271-250 .......................................... 343
3.4, Тиристоры оптронные
ТО2-Ю................................................ 350
ТО2-Ю, ТО2-40 ...................................... 353
10125-10 ............................................ 363
ТСО-10............................................... 366
Т0125-12,5 .......................................... 368
ТО132-25, ТО132-40................................... 370
2ТО132-25, 2ТО132-40 ................................ 373
ТО142-50, ТО142-63, ТО142-80 ........................ 375
2ТО142-50, 2ТО142-63, 2ТО142-80 ..................... 378
3.5. Тиристоры комбинирован но-выключаемые, т ири сто ры-ди оды
ТБК171-125, ТБК171—160 .............................. 380
ТБК143—250, ТБК143—320 .............................. 384
ТДЧ171—125/50, ТДЧ171—160/63......................... 387
ТДЧ153—320/125, ТДЧ153—400/160 ...................... 389
3.6. Тиристоры бескорпусные
Т130 40, Т130—50 .................................... 392
Т140-63. Т140-80 .................................... 395
3.7. Фототиристоры бескорпусные
ТФ130-40, ТФ130-50 ................................. 397
ТФ140-63, ТФ140-80 .................................. 399
Раздел четвертый. Силовые модули
4.1. Модули тиристорные
МТ2-10............................................ 401
МТ2-16 ........................................... 403
МТ2-25 ........................................... 405
МТТ-40 ........................................... 407
МТТ-63 ........................................... 409
МТТ-80.......................................... 412
МТТ100, МТТ125.................................... 414
МТТ160............................................ 416
4.2. Модули тиристорно-диодные
МТД40 ............................................ 419
МТД63 ............................................ 421
МТД80 ............................................ 423
МТД100, МТД125 ................................... 425
МТД160 ........................................... 428
4.3. Модули диодно-тиристорные
МДТ2-10........................................... 430
МДТ2-16........................................... 432
МДТ2-25 .......................................... 434
МДТ40 ............................................ 436
МДТ63 ............................................ 438
МДТ80 ............................................ 440
МДТ100 ........................................... 443
МДТ125 ........................................... 445
МДТ160 ........................................... 447
4-4. Модули оптотиристорные
МЮ2-10......................................... 449
МТ02— 1б . 451
МТО2-25........................................ 454
МТОТО40 ....................................... 456
МТОТО63........................................ 458
МТОТО80........................................ 460
МТОТОЮО, МТОТО125 ............................. 463
МТОТО160 ...................................... 465
4.5. Модули диодно-оптотиристорные
МДТО2-Ю........................................ 468
МДТО2-16....................................... 470
МДТО2-25 ...................................... 472
МДТО40 ........................................ 475
МДТО63 ........................................ 477
МДТО80 ........................................ 479
МДТ0100, МДТ0125, МДТ0160 ..................... 481
4.6. Модули оптотиристорно-диодные
МТОД40 ........................................ 484
МТОД63 ........................................ 486
МТОД80 ........................................ 488
Раздел пятый. Охладители воздушных систем охлаждения для силовых тиристоров
□ 111.................................................. 491
0221................................................... 492
0131................................................... 493
0231................................................... 494
0141................................................... 495
0151................................................... 496
0241................................................... 497
Зарубежные аналоги отечественных тиристоров............ 499
Указатель типов тиристоров............................. 503
Перечень типов диодов, вошедших в 1—2 тт. издания...... 505
ПРЕДИСЛОВИЕ
Во втором томе справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные характеристики и параметры быс|-родействующих тиристоров, их классификация, условные графические обозначения и обозначение электрических параметров, общие сведения по стойкости тиристоров к эксплуатационным воздействиям и рекомендации при использовании их в аппаратуре. Приведены также силовые полупроводниковые модули и охладители воздушных систем охлаждения для тиристоров.
От предшествующих справочников настоящий отличается тем, что в него включены все тиристоры независимо от мощности, которые изготавливаются или в недавнем прошлом изготавливались отечественной промышленностью.
Справочные сведения о тиристорах составлены на основе данных, зафиксированных в государственных стандартах, технических условиях и информационных материалах на отдельные типы приборов. Они содержат сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке, параметрах и режимах их измерения, предельных эксплуатационных данных и их зависимостей от электрических н температурных условий эксплуатации.
Так как в процессе серийного выпуска приборов в техническую документацию очень часто вносятся изменения, касающиеся электрических и эксплуатационных режимов их работы и значений некоторых параметров, то приведенные в справочнике данные следует использовать главным образом для выбора необходимого типа прибора. Применение конкретного прибора при разработке и эксплуатации аппаратуры должно производиться в строгом соответствии с техническими условиями на него.
Справочник предназначен для специалистов, занимающихся разработкой, ремонтом и эксплуатацией радиоэлектронной аппаратуры, преобразователей электроэнергии, систем автоматики и телемеханики, а также для студентов и аспирантов радиотехнических, электротехнических, приборостроительных и других специальностей.
ЧАСТЬ ПЕРВАЯ
.........„...........
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ТИРИСТОРАХ
Раздел первый
Классификация тиристоров
1.1. Классификация и системы условных обозначений
Классификация современных тиристоров по их принципам действия, назначению, основным электрическим параметрам, конструктивно технологическим признакам, роду исходного полупроводникового материала находит отражение в системе условных обозначений их видов, типов и типономиналов.
По мере возникновения новых видов и классификационных групп приборов развивалась и совершенствовалась система их условных обозначений, которая с 1968 года трижды претерпевала изменения.
В настоящее время в эксплуатации находится большое число тиристоров, имеющих различные обозначения и маркировки. Поэтому для эквивалентной замены вышедших из строя устаревших или ранее разработанных приборов представляется целесообразным проследить процесс изменения системы обозначений и маркировки с начала их выпуска.
Необходимо отметить, что с самого начала разработок и производства тиристоров сложились две системы их условных обозначений, которые с определенными изменениями действуют и в настоящее время. Одна система распространяется на силовые тиристоры на средний ток 10 А и более, предназначенные (в основном) для применения в цепях постоянного и переменного тока преобразователей электроэнергии различного назначения, другая — на импульсные тиристоры, средний ток которых не превышает 20 А.
Для импульсных тиристоров и тиристоров, предназначенных для систем автоматики, условные обозначения в различные периоды регламентировались ГОСТ 10862—64 и ГОСТ 10862-72
В соответствии с ГОСТ 10862—64 разработанным приборам присваивались обозначения типов из трех элементов.
Первый элемент — буква или цифра, обозначающая исходный материал: К или 2 — кремний.
Второй элемент — буква, указывающая вид прибора:
Н — динисторы (диодные тиристоры);
У — тринисторы (триодные тиристоры).
Третий элемент — число, указывающее назначение или электрические свойства прибора:
малой мощности — от 101 до 199;
средней мощности — от 201 до 299;
большой мощности — от 301 до 399.
Обозначение типономинала определялось введением четвертого элемента — букв А, Б, В и т. д., указывающих разновидности приборов из состава типа с определенным сочетанием основных параметров.
Пример условных обозначений по ГОСТ 10862-64:
КУ201А - кремниевый триодный тиристор средней мощное I и, с сочетанием параметров А.
Начиная с 1973 года виовь разрабатываемым приборам присваивались обозначения в соответствии с ГОСТ 10862—72, состоящие также из четырех элементов.
Первый элемент — буква или цифра, обозначающая мате-оиал:
Г или 1 — германий или его соединения;
К или 2 — кремний или его соединения;
А или 3 — соединения галлия.
Второй элемент — буква, указывающая класс прибора:
Н — тиристоры диодные;
У — тиристоры триодные.
Третий элемент — число, указывающее назначение и качественные свойства приборов, а также порядковый иомер разработки.
Тиристоры диодные и незапираемые триодные:
малой мощности /ос СР < 0,3 А — от 101 до 199;
средней мощности 0,3 А £ /ас СР 10 А — от 201 до 299.
Тиристоры триодные запираемые:
малой мощности /пг СР £ 0,3 А — от 301 до 399;
средней мощности 6,3 А £ /ог ср < 10 А - от 401 до 499.
Тиристоры триодныесимметричные незапираемые:
малой мощности /ос, ср 0,3 А — от 501 до 599;
средней мощности 0,3 А /ос< СР 10 А — от 601 до 699.
Назначение четвертого элемента и его обозначения остались прежними.
Условные обозначения силовых полупроводниковых приборов устанавливались в соответствии с ГОСТ 14069—68;
ГОСТ 14069-72; ГОСТ 20859-75; ГОСТ 20859-79. До 1968 г. обозначения этих тиристоров состояли из следующих элементов.
Первый элемент — группа букв, обозначающих вид i ирис-тора: ВКУ, ВИДУ, ВКДУС, где В — вентиль, К — кремниевый, у _ управляемый, Д — диффузионный, С — симметричный. После букв могла следовать цифра, обозначающая номер конструктивного исполнения. Для приборов с водяным охлаждением после последней буквы добавлялась буква В (ВКДУВ — вентиль кремниевый диффузионный управляемый с водяным охлаждением).
Второй элемент — цифры, указывающие номинальный ток прибора в открытом состоянии (среднее значение) в амперах.
Третий элемент — цифра, обозначающая соответствующий класс прибора по номинальному напряжению (сотни вольт).
Четвертый элемент — цифра, указывающая среднее значение напряжения в открытом состоянии в сотых долях вольта при номинальном токе.
При маркировке на корпусах некоторых типов приборов четвертая цифра заменялась буквой (А, Б, В или Г), указывающей группу прибора по среднему напряжению в открытом состоянии (табл. 1).
Пример обозначения:
ВКДУ 150—4—0,65 — вентиль кремниевый диффузионный управляемый на средний тбк 150 А, номинальное напряжение 400 В, среднее значение напряжения в открытом состоянии от 0,65 до 0,75 В.
С введением ГОСТ 14069—68 были установлень( новые обозначения тиристоров, состоящие из пяти элементов.
Первый элемент — буквы, указывающие вид прибора.
Т — тиристор;
ТС — тиристор симметричный;
ТЛ — тиристор лавинный.
Второй элемент — цифры, указывающие номинальный ток в амперах.
Таблица 1
Группа А Б В Г
У^.В €0,65 0,65 € 0,75 0J5 € 0,85 0,85 € 1,4
Третий элемент — цифра, указывающая класс прибора по номинальному напряжению.
Четвертый элемент — цифры указывающие величину падения напряжения в соответствии с группами в табл. 1.
Пятый элемент — цифра, соответствующая группе по времени выключения при Гк — +25 ’С:
I — время выключения не более 25 мкс;
II — время выключения от 25 до 70 мкс;
III — время выключения от 70 до 250 мкс.
Пример обозначения по ГОСТ 14069—68:
110—4—0,75—11 — тиристор на номинальный ток 10 А, номинальное напряжение 400 В, падение напряжения 0,75 В, время выключения от 25 до 75 мкс,
С введением в 1972 г. новых стандартов на тиристоры ГОСТ 14069-- 72 и ГОСТ 5.1587—72 на симметричные тиристоры тип прибора уже определяется не по номинальному, а предельному току, класс прибора не по номинальному, а повторяющемуся напряжению.
По сравнению с прежним стандартом в новом введены группы по критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии, увеличено число групп по времени выключения, а также введены группы по критической скорости нарастания тока в открытом состоянии (табл. 2).
Таблица 2
Условное Классификационные параметры
o6n3t«WHne
группы (dy^/dr)^, В/мкс. Imv мкс. <rf(x/dr)hP> А/мкс,
не менее не более не менее
0 Не нормируется
1 20 250 20
2. 50 150 40
3 100 100 70
4 200 70 100
5 500 50 200
6 1000 30 400
1 — 20 600
8 — 15 800
9 — 12 1000
Согласно ГОСТ 14069—72 в обозначении типа тиристора содержатся следующие элементы.
Первый элемент — буква Т (или группа букв), обозначающая тиристор.
Для тиристоров с лавинной характеристикой добавляется буква Л (ТЛ).
Для тиристоров с водяным охлаждением после буквы Т или Л добавляется буква В (ТВ или ТВЛ). При наличии нескольких конструктивных исполнений одного и того же типа буквенная часть обозначений дополняется цифрой (для первого исполнения цифра 1 не указывается), при этом после цифры ставится черточка.
У тиристоров с обратной полярностью (катод на корпусе) обозначение типа дополняется буквой X.
Второй элемент — цифры, означающие предельный ток в амперах.
Третий элемент — цифра (цифры), означающая (означающие) класс по напряжению.
Четвертый элемент — три цифры, первая из которых указывает группу по {dU-^ / вторая — группу по гВЬ|К1 и третья — группу по (<7/Ос/<#)кр в соответствии с табл. 2,
В некоторых случаях, например, когда тиристоры поставляются для параллельного включения, после этих элементов могут следовать цифры, означающие прямое напряжение (амплитудное значение) в вольтах.
Для симметричных тиристоров в обозначении типа приводится действующее значение предельного тока, а не среднее. Кроме того, вместо группы по критической скорости нарастания прямого напряжения для симметричных тиристоров указывается группа по критической скорости нарастания напряжения после коммутации (ГОСТ 5.1587—72).
Пример обозначения по ГОСТ 14069—72:
ТВ2—1000—6—121 — тиристор с водяным охлаждением второго конструктивного исполнения на предельный ток 1000 А, повторяющееся напряжение 600 В, с критической скоростью нарастания напряжения в закрытом состоянии 20 В/мкс, временем выключения до 150 мкс и критической скоростью нарастания тока в открытом состоянии 20 А/мкс.
В основу системы обозначений силовых полупроводниковых приборов согласно ГОСТ 20859—75 и ГОСТ 20859-79 также положен буквенно-цифровой код.
ГОСТ 20859—75 устанавливал обозначение неунифицированных силовых полупроводниковых приборов. В соответствии С этим стандартом:
Первый элемент — буква, обозначающая вид тиристора;
Т — тиристор;
ТС — симметричный тиристор;
ТО — оптронный тиристор.
Второй элемент — буква, определяющая функциональное назначение (свойство) приборов:
И — импульсный;
Ч — высокочастотный (для низкочастотных приборов на 4аб < 2 кГц буква не вводится);
Л — лавинный.
Третий элемент — число (цифры от 2 до 9), соответствующее конструктивному обозначению прибора (для первого исполнения цифра 1 не используется).
Четвертый элемент — число, обозначающее значение предельного тока в амперах (среднее значение).
Пятый элемент — буква X — вводится только для приборов с обратной полярностью (основание корпуса — катод).
Для обозначения типономинала прибора применяют дополнительные цифры, которые определяют:
класс по напряжению — цифры (1, 2, 3, 4 и т. д.), соответствующие сотням вольт;
группы по критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии — цифры от 0 до 6;
группы по критической скорости нарастания тока в открытом состоянии — цифры от 0 до 9.
Группы по ГОСТ 20859—75 соответствуют группам ГОСТ 14069-72 (табл. 2).
Пример обозначения по ГОСТ 20859—75;
Т160—10—542 — низкочастотный тиристор 1-го конструктивного исполнения на предельный ток 160 А, повторяющееся напряжение 1000 В, скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии 500 В/мкс (5 группа), время выключения 70 мкс (4 группа), критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии 40 А/мкс (2 группа).
ГОСТ 20859—79 устанавливает обозначение унифицированных силовых полупроводниковых приборов всех новых разработок, начиная с 1980 г. По ГОСТ 20859—79 все тиристоры в зависимости от характера вольт-амперной характеристики и способа управления подразделяют на виды, приведенные в табл. 3.
| Вид прибора Условное обозначение вида Примечание
Триодный тиристор, не проводящий в обратном направлении (тиристор} Т —
Лавинный тиристор ТЛ С лавинной аольт-амлерной характеристикой
Симметричный триодный тиристор (симметричный тиристор, симистор) тс —
Фототиристор ТФ Управление от внешнего светового сигнала
Оптронный тиристор (оптотиристор) то Управление с помощью светового сигнала от светодиода, расположенного внутри корпуса прибора
Симметричный оптотиристор (оптосимистор) тсо То же
Комби нированно-выклю-чаемый тиристор ТБК Выключение с помощью тока управления при одновременном воздействии обратного анодного напряжения
Тиристор—ДИОД тд Допускается работа в обратном направлении в качестве диода
Вид прибора является первым элементом в обозначении типа тиристора.
Вторь 1м элементом обозначения типа является буква, определяющая подвид тиристора. Классификация подвида тиристора производится в зависимости от его коммутационных параметров:
Ч — быстровключающийся (высокочастотный). Буква «Ч» указывается для тиристоров с временем выключения не менее 63 мкс;
Б — быстродействующий. Для тиристоров с временем выключения менее 63 мкс и временем включения менее 4 мкс;
И — быстровключающийся (импульсный). Для тиристоров с временем включения менее 4 мкс.
Третий элемент определяет конструкцию тиристора и состоит из трех знаков:
первый — порядковый номер модификации (от 1 до 9);
второй — условное обозначение размера в соответствии с табл. 4;
третий — условное обозначение конструктивного исполнения по табл. 5.
Условное обозначение Размера ;СТ ру LZT rJ2 *'",л мсгтллиоиил
Штыревое Таблеточное Фланцевое
Размер шестигранника «под ключ», мм Диаметр корпуса, мм Диаметр окружности расположения отверстий для монтажа, мм
1 11 4
2 14 40 26
3 17 52 30
4 22 58 34
5 27 73 42
6 32 85 50
7 41 105 61
8 — 125 72
9 — — 85
Четвертый элемент в обозначении типа состоит из цифр, которые определяют максимально допустимый средний ток в открытом состоянии для тиристоров, импульсный ток для быстровключаемых тиристоров и максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии для симисторов. Перед обозначением тока ставится тире.
В зависимости от конструктивного расположения анодного и катодного выводов тиристоры штыревого и фланцевого исполнения подразделяют на приборы с прямой полярностью (основание корпуса — анод) и приборы с обратной полярностью (основание корпуса — катод). Приборы с обратной полярностью обозначают буквой «X», которая ставится после цифр, указывающих значение тока, и является последним элементом в обозначении типа тиристора.
Таблица 5
Конструктивное обозначение корпуса Условное обозначение Конструктивное обозначение корпуса Условное обозначение
тиристора конструктивного тиристора конструктивного
исполнения исполнения
Бескорпусное Штыревое с гибким 0 Таблеточное Под запрессовку 3
выводом 1 4
Штыревое с жестким ВЫВОДОМ 2 фланцевое 5
Условное обозначение класса 1 2 3 4 13 14 15 16 18
Напряжение, В, не мене<* 100 200 300 400 1300 1400 1500 1600 1800
Условное обозначение класса 20 22 24 28 32 36 40 44 50
Напряжение, В, не менее 2000 2200 2400 2800 3200 3600 4000 4400 5000
Тиристоры каждого типа всех видов и подвидов подразделяются на классы по значениям повторяющегося импульсного напряжения в закрытом состоянии и повторяющегося импульсного обратного напряжения. Симметричные тиристоры подразделяются на классы по значениям повторяющегося импульсного напряжения в закрытом состоянии в обоих направлениях.
Значения повторяющегося импульсного напряжения в закрытом состоянии и повторяющегося импульсного обратного напряжения приведены в табл. 6.
Тиристоры одного типа и класса подразделяются на группы по следующим параметрам:
низкочастотные по (dU3C/dt) КР;
быстровыключаемые по (dU3C/dt)Kf> и Твыкл;
быстро включаемые по [dU3c/dt)KP и /акл;
быстродействующие по (dU3C/ dt)KP;
^вкл и ^выкл!
диодные тиристоры и симметричные незапираемые триодные по (сУС/зс/с7г)ком-
Группы тиристоров обозначаются цифрами в зависимости от значений параметров, указанных в табл. 7.
По ГОСТ 20859—79 группы по критической скорости нарастания тока в открытом состоянии не устанавливаются, а значения этого параметра для каждого типа тиристоров всех видов и подвидов устанавливается в стандартах или ТУ соответственно с рядом R10: 6,3; 8; 10; 12,5; 16; 20; 25; 32; 40; 50; 63; 80; 100; 125; 160; 200; 250; 320; 400; 500; 630; 800; 1000; 1250; 1600 А/мкс.
Примеры обозначения по ГОСТ 20859—79:
ТЛ171—320—10—6 — тиристор лавинный первой модификации, размер шестигранника «под ключ» 41 мм, конструктивное исполнение штыревое с гибким выводом, средний ток в от-
Т
Условное обозначение группы К; iaC ч н <-р г Л Цг! С II,ыс
(dt^/df)^, В/мкс, не менее мкс-не более мкс-не более В/мкс’ не менее
0 Не нормируется
1 20 63 4 2,5
2 50 50 3,2 4,0
3 100 40 2,5 6,3
4 200 32 2,0 10
5 320 25 1.6 16
6 500 20 1,2 25
7 1000 16 1.0 50
в 1600 12,5 0,63 100
9 2500 8 0,4 200
крытом состоянии 320 А, повторяющееся напряжение 1000 В (10 класс), критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии 500 В/мкс.
ТБ 151—63—6—445 — тиристор быстродействующий, первого конструктивного исполнения, размер шестигранника «под ключ» 27 мм, конструктивное исполнение штыревое с гибким выводом-
Средний ток в открытом состоянии 63 А, повторяющееся напряжение 600 В (6 класс), критическая скорость нарастания 200 В/мкс (4 группа), время выключения не более 32 мкс (4 группа), время включения не более 1,6 мкс (5 группа).
Для тиристоров, предназначенных для работы при параллельном соединении, в заказе необходимо указывать пределы импульсного падения напряжения с разбросом в партии приборов до 5%, например:
ТЛ171-320-10-6-1,60-1,70, где 1,60-1,70 — пределы импульсного падения напряжения.
1.2. Условные графические обозначения
В технической документации и специальной литературе следует приводить условные обозначения тиристоров в соответствии с ГОСТ 2.730—73.
Графические обозначения тиристоров, помещенных в справочнике, приведены в табл. 8.
1.3. Термины, определения и условные обозначения электрических параметров тиристоров
Термины, определения и условные обозначения параметров тиристоров, помещенных в справочнике, приведены в соответствии с ГОСТ 20332 (табл. 9).
Таблица 9
Термин Буквенное обозначение Определение
отечественное междуна родное
Параметры тиристоров и предельно допустимых режимов в закрытом состоянии
Напряжение переключе- ц у Основное напряжение на ти-
ния п₽к (3t)’ ристоре в точке переключения
ttjpMHH Буквенное обозначение VJ( 1р^Дс^Г1КГ'-
отечественное международное
Напряжение включения ^вкл Основное напряжение на ди-нисторе, при котором он переходит из закрытого состояния в открытое
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии 4/к нп ^AsH Наибольшее мгновенное значение любого неповторяющегося переходного напряжения в закрытом состоянии
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии U* п Наибольшее мгновенное значение напряжения в закрытом состоянии, прикладываемого к тиристору, включая все повторяющиеся переходные напряжения
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии Наибольшее значение скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии, которое не вызывает переключения тиристора из закрытого состояния в открытое
Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения ^зс/^Лком {cfUD/df)wl Наибольшее значение скорости нарастания основного напряжения, которое непосредственно после нагрузки током в открытом состоянии или в обратном проводящем состоянии в противоположном направлении не вызывает переключения тиристора из закрытого состояния в открытое
Ток переключения Аок 4вщ Основной ток тиристора в момент переключения
Постоянный ток в закрытом состоянии 4с 4 Постоянный ток тиристора, обусловленный постоянным напряжением в закрытом состоянии
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии Ас и Arm Импульсный ток в закрытом состоянии, обусловленный импульсным напряжением в закрытом состоянии
Н г р—-
Буквенное обозначение ное ' | родное
Определение
Параметры тиристоров и предельно допустимы тс режимов в обратном непроводящем состоянии
Постоянное обратное напряжение и* Отрицательное постоянное анодное напряжение
Обратное напряжение пробоя ^ПР1>5 ^KiR) Обратное напряжение тиристора, при котором обратный ток достигает заданного значения
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение нп ^RSM Наибольшее мгновенное значение неповторяющегося переходного обратного напряжения, прикладываемого к тиристору
Повторяющееся импульсное обратное напряжение ^<!БР П ^RRM Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения, включая только повторяющиеся переходные напряжения
Постоянный обратным ток Аадр fa Постоянный анодным ток в непроводящем состоянии
Повторяющийся импульсный обратный ток Л16Р п /rrm Обратный ток тиристора, обусловленный повторяющимся импульсным обратным напряжением
Параметры тиристоров и предельно допустимых режимов в открытом состоянии
Постоянное напряжение в открытом состоянии
Импульсное напряжение в открытом состоянии
U(>
Пороговое напряжение
б*пор
</г
U™
(ТО)
Основное напряжение на тиристоре, обусловленное постоянным током в открытом состоянии
Наибольшее мгновенное значение напряжения на тиристоре, обусловленное импульсным током в открытом состоянии
Значение напряжения, определяемое точкой пересечения линии прямолинейной аппроксимации ВАХ открытого состояния с осью напряжения
и
Tfommh 1 | Буквенное обозначение | йрц 1 1 । Определение
| ное | | родное |
Ток удержания /уд /н Наименьший основной ток, необходимый для поддержа-
ния тиристора в открытом состоянии
Ток включения / ВКЛ 4 Наименьший основной ток, необходимый для поддержания тиристора в открытом состоянии непосредственно после окончания действия импульса тока управления после переключения тиристора из закрытого состояния а открытое
Постоянный ТОК В ОТТОМ СОСТОЯНИИ Л, /. Основной постоянный ток в открытом состоянии
Средний ток в открытом состоянии / Р /j-W Среднее за период значение тока в открытом состоянии
Действующий ток в от крытом состоянии / д /(ЯМЛ —
Повторяющийся импульс- Наибольшее мгновенное зна-
ный ток в открытом со /щ п /fRM чение тока в открытом состоя-
СТОЯНИИ нии, включая все повторяющиеся переходные токи
Ток перегрузки в открытом СОСТОЯНИИ Ли ПРГ Л(>У) Ток в открытом СОСТОЯНИИ, который при длительном протекании вызвал бы превышение максимально допустимой температуры перехода, но который так ограничен по времени, что эта температура не превышается
Ударный неповторяющий- Наибольший импульсный ток
ся ток в открытом СОСТОЯ- /ос /др /тем в открытом состоянии, протека-
НИИ ние которого вызывает превышение максимально допустимой температуры перехода, но воздействие которого за время срока службы тиристора предполагается редким, с ограниченным числом повторений
L, 1 | Буквенное обозначение
Термин L | агечествен- 1 rlkM- междума" Определение
Критическая скорость нарастания тока в от крытом состоянии
Запираемый ток
!
Динамическое сопротивление в открытом состоянии
гдин
Наибольшее значение скорого, /<УГ)КР сти нарастания тока в открытом состоянии, при котором тиристор остается в рабочем состоянии
/Т1 Наибольшее значение тока в открытом состоянии, при котором обеспечивается запирание тиристора по управляющему электроду
Сопротивление, определяемое по наклону прямой, аппроксимирующей ВАХ в открытом состоянии
Параметры тиристоров и предельно допустимых режимов в обратном проводящем состоянии
Постоянное напряжение в обратном проводящем состоянии
Импульсное напряжение в обратном проводящем состоянии и t/RlH Наибольшее мгновенное значение напряжения в обратном проводящем состоянии, обусловленное импульсным током в обратном проводящем состоянии заданного значения
Пороговое напряжение в обратном проводящем состоянии ПОР |Т<>| Значение напряжения, определяемое точкой пересечения линии прямолинейной аппроксимации ВАХ обратного проводящего состояния с осью напряжения
Постоянный ток в обратном проводящем состоянии /лс —
Средний ток в обратном проводящем состоянии 41С LP fw (AV] Среднее за период значение тока в обратном проводящем СОСТОЯНИИ
Действующий ток в обратном проводящем состоянии /пс д ^RC IRMS[ —
Термин Буквенное обозначение Определение
отечествен-ное междуна родное
Повторяющийся импульсный ток в обратном проводящем СОСТОЯНИИ 61< и (RH, Наибольшее мгновенное значение тока в обратном проводящем состоянии, включая все повторяющиеся переходные токи
Ток перегрузки в обратном проводящем состоянии ^п- прг R (ПУ) Ток в обратном проводящем состоянии, который при длительном протекании вызвал бы превышение максимально до-пус тимой температуры перехода, но который так ограничен по времени, что эта температура не превышается
Ударный неповторяющии ся ток В обратном проводящем СОСТОЯНИИ Лс удр SM Наибольший импульсный ток в обратном проводящем состоянии, протекание которого вызывает превышение максимально допустимой температуры перехода, но воздействие которого за время службы тиристора предполагается редким, с ограниченным числом повторений
Динамическое сопротивление в обратном проводящем СОСТОЯНИИ r nt дин гй Сопротивление, определяемое по наклону прямой, аппроксимирующей ВАХ обратного проводящего состояния
Параметры динамических процессов
включения и выключения
Время включения
Интервал времени, в течение которого тиристор включается импульсом тока управления. (Интервал времени измеряют от момента в начале импульса тока управления до момента, когда основное напряжение понижается до заданного наг пряжения. Время включения может быть определено по нарастанию тока в открытом состоянии до заданного значения)
Буквенное обозначение лтрирггяш | межЛУнЛ-ное { родное
Определение
Время задержки ^1Д> зд
Время нарастания 7цр> н₽
Время выключения ^выкл
f<n Интервал времени между заданным моментам в начале импульса тока управления и моментом, когда основное напряжение понижается до заданного значения, близкого к начальному
Интервал времени между моментом, когда основное напряжение понижается до значения, близкого к начальному, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора импульсом тока управления
Примечание в практике принято считать началом импульса тока или напряжения управления момент, когда их значение достигает 0,1 от амплитуды. За время задержки считают интервал до момента спада напряжения до 0,9 от амплитуды или до момента возрастания тока до 0,1 от амплитуды. Время нарастания определяется В интервале спада напряжения от 0,9 до 0,1 от начального значения, а по току — от 0,1 до 0,9 от амплитуды. Время включения равно сумме времен задержки и нарастания
Наименьший интервал времени между моментом, когда основной ток после внешнего переключения основных цепей понизился до нуля, и моментом, когда тиристор способен выдерживать в закрытом состоянии с определенной скоростью его нарастания
Буквенное обозначение
и< ciecraen мовдуна ное родное
Тсргтмн
Определение
Время обратного восстановления 'в- tJD t Интервал времени между моментом, когда основной ток, проходит через нулевое значение, изменяя направление от прямого на обратное, н моментом, когда обратный ток уменьшается с его амплитудного значения до заданного значения, или когда экстраполированный обратный ток достигает нуля
Время прямого новления восста- 10 c Время, необходимое для достижения током или напряжением заданного значения после мгновенного переключения с заданного тока е обратном проводящем состоянии на заданное прямое напряжение
Время выключения по управляющему электроду fy выкл Интервал времени, в который тиристор переключается из открытого состояния в закрытое с помощью импульса запирающего тока управления
Обратный ток восстановления J6P /, Обратный ток тиристора, протекающий во время обратного восстановления
Ток прямого восстало- . . вления В) ’рр * Анодный ток тиристора, протекающий во время прямого
восстановления
Параметры тиристоров и предельно допустимых режимов
по цепи управления
Отпирающее постоянное напряжение управления
Отпирающее импульсное у напряжение управления
Постоянное напряжение управления, соответствующее отпирающему постоянному току управления
Импульсное напряжение управления, соответствующее импульсному отпирающему току управления ____
Термин Буквенное обозначение Определение
отечественное международное
Прямое импульсное напряжение управления Уу пр и Импульсное напряжение управления, при котором эмит-терный переход находится в открытом состоянии
Неотпирающее постоянное напряжение управления ног Наибольшее постоянное напряжение управления, не вызывающее включения тиристора
Неотпирающее импульсное напряжение управления нет и ^GOM Наибольшее импульсное напряжение управления, не вызывающее включения тиристора
Запирающее постоянное напряжение управления 3 Постоянное напряжение управления, соответствующее запирающему постоянному току управления
Запирающее импульсное напряжение управления </узи ^ООМ Импульсное напряжение управления, соответствующее запирающему импульсному току управления
Незапирающее постоянное напряжение управления ^у нз ^он' Наибольшее постоянное напряжение управления, не обеспечивающее выключение тиристора
Незапирающее импульсное напряжение управления нз и Наибольшее импульсное напряжение управления, не обеспечивающее выключение тиристора
Отпирающий постоянный ток управления h от Ли Наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения тиристора
Отпирающий импульсный ток управления ! у. от. и Лям Наименьший импульсный ток управления, необходимый для включения тиристора
Прямой импульсный ток управления Лг.ПР.И 4 gm Импульсный ток управления, соответствующий прямому импульсному напряжению управления
Термин Буквенное обозначение 0, рсди ''m
отечествен ное международное ।
Неотпирающий постоянный ток управления С нот А,и Наибольший постоянный ток управления, не вызывающий включения тиристора
Неотпирающий импульсный ток управления /у И >1 и им Наибольшим импульсный ток управления, не вызывающий включения тиристора
Запирающий постоянный ток управления /у , /о Наименьший постоянный ток управления, необходимый для выключения тиристора
Запирающий импульсным гок управления у т и 1 . >м Наименьший импульсный ток управления, необходимый для выключения тиристора
Незапирающим постоян ный гок управления / / ш / >н Наибольший постоянный гок управления, не вызывающим выключения тиристора
Незапирающий импульсный ток управления Л Н’ и ^нм Наибольший импульсным ток управления, не вызывающий выключения тиристора
Мощностные и энергетические характеристики
Средняя рассеиваемая мощность р р р * rut Сумма всех средних мощностей, рассеиваемых тиристором
Средняя рассеиваемая мощность в закрытом Рзс р Р ZD(A^ Произведение мгновенных значений тока и напряжения
состоянии Средняя рассеиваемая мощность в открытом Ак р Р t А У) в закрытом состоянии, усредненное по всему периоду Произведение мгновенных значений тока и напряжения
СОСТОЯНИИ Средняя рассеиваемая мощность в обратном непроводящем состоя- РНЛС СР Рч (AV> 8 открытом состоянии, усредненное по всему периоду Произведение мгновенных значений тока и напряжения в обратном непроводящем со-
НИИ Ударная рассеиваемая мощность в обратном непроводящем состоя- Pq№. У ДР ^RSM стоянии, усредненное по все Му периоду Наибольшее мгновенное значение рассеиваемой мощности в обратном непроводящем
НИИ состоянии в области пробоя при нагрузке одиночными импульсами тока
Тер-- ’ ’ Буквенное обозначение Определение
ное родное
Средняя рассеиваемая мощность в обратном проводящем состоянии Рр< АУ Произведение мгновенных значений тока и напряжения в обратном проводящем состоянии, усредненное по всему периоду
Рассеиваемая мощность при включении f ВкЛ Р„ Мощность, рассеиваемая тиристором при его переключении с заданного напряжения в закрытом состоянии на заданный ток в открытом состоянии
Рассеиваемая мощность при выключении Рвыкл Р HG РОО Мощность, рассеиваемая тиристором во время перехода из открытого состояния в закрытое или обратное непроводящее состояние при переключении тиристора с заданного тока в открытом состоянии на заданное напряжение в закрытом состоянии противоположной полярности или на заданное обратное напряжение
Средняя рассеиваемая мощность управления Ру <Р РС |АVI Произведение мгновенных значений тока и напряжения управления, усредненное по всему периоду
Импульсная рассеиваемая мощность упраа ленич Ру и ^ЬМ Произведение мгновенных значений тока и напряжения управления
Прямая рассеиваемая мощность управления Ру ПР pf(, —
Обратная рассеиваемая мощность управления Р У ОВР Рк, —
Средняя энергия потерь f<P f... Сумма всех средних энергий потерь в тиристоре
Энергия потерь в от крытом СОСТОЯНИИ fflC fr Энергия потерь, обусловленная током в открытом состоя-
НИИ
Буквенное обозначение —г u 1 ГЧСИ ОСП I ное | родное Лппедрленир
Энергия потерь при включении £”вкл £тт Энергия потерь в тиристоре при его переключении с заданного напряжения в открытом состоянии на заданный ток в открытом состоянии
Энергия потерь при выключении £выкл ffto Энергия потерь в тиристоре при его переходе из открытого состояния в закрытое или обратное непроводящее состояние при переключении тиристора с заданного тока в открытом состоянии на заданное напряжение в закрытом состоянии противоположной полярности или на заданное обратное напряжение
Тепловые параметры тиристоров
Температура окружающей среды Т ГА —
Температура перехода Гп Т —
Температура корпуса к Гс Температура в заданной точке корпуса тиристора
Тепловое сопротивление переход—среда Я Г(Л г) Отношение разности между температурой перехода и температурой окружающей среды к мощности, рассеиваемой тиристором в заданном режиме
Тепловое сопротивление переход—корпус ^Т(ПК| ^*11,14 Отношение разности между температурой перехода и температурой корпуса к мощности, рассеиваемой тиристором в заданном режиме
Тепловое сопротивление переход—анод Я-г П Д| —
Тепловое сопротивление переход—катод /?Т|П К} ^ihjk —
32
I ермин - Буквенное обозначение Определение
отечествен 222 междуна 1 полное
И Дополнительные термины и буквенные обо значения параметров
Скорость спада тока в открытом состоянии (сЛ\н /<^)( । {dly/dt).
Скорость нарастания импульсного гока управления сУ/у/<УГ
Длительность импульса тока или напряжения в закрытом coi юянии fn ,
Длительность импульса тока или напряжения в открытом СОСТОЯНИИ Gi t
Длительность импульса тока или напряжения управления t,
1.4. Стандарты по полупроводниковым приборам — тиристорам
ГОСТ 15133-77 Основные стандарты Приборы полупроводниковые. Термины
ГОСТ 20559-79 и определения Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические условия
ГОСТ 2.730-73 Приборы полупроводниковые. Условные обозначения графические
ГОСТ 18472-82 Приборы полупроводниковые. Основные
ГОСТ 23900-79 размеры Приборы полупроводниковые силовые. Габаритные и присоединительные раз-
ГОСТ 20332-84 меры Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
ГОСТ 24461-80 Приборы полупроводниковые силовые. Методы измерений и испытаний
OCT 11 0948-95
OCT 11.336.907.10-82
PTM OAA.682.032-72
Приборы полупроводниковые. Система условных обозначений
Приборы полупроводниковые. Тиристоры. руководстве по
Методика типового расчета воздушных ребристых охладителей силовых полупроводниковых приборов
Методы измерения параметров тиристоров
ГОСТ 19138.0—/4
ГОСТ 19138,1-73
ГОСТ 19138.2-73
ГОСТ 19138.3-73
ГОСТ 19138.4-73
ГОСТ 19138.5-74
ГОСТ 19138.6-74
ГОСТ 19138.7-74
ГОСТ 19138.8-75
ГОСТ 19138.9-75
ГОСТ 1913&. 10-75
ГОСТ 19*138.11-75
Тиристоры. Методы измерения электрических параметров. Общие положения Тиристоры. Методы измерения напряжения включения
Тиристоры. Метод измерения импульсного отпирающего тока и импульсного отпирающего напряжения управляющего электрода
Тиристоры. Метод измерения времени выключения
Тиристоры. Метод измерения времени включения, нарастания и задержки
Тиристоры. Метод измерения времени включения, нарастания и задержки по управляющему электроду
Тиристоры. Метод измерения критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии
Тиристоры. Метод измерения импульсного запирающего тока, импульсного запирающего напряжения, импульсного коэффициента запирания
Тиристоры. Метод измерения удерживающего тока
Тиристоры. Метод измерения тока в закрытом состоянии и обратного тока Тиристоры. Метод измерения напряжения в открытом состоянии
Тиристоры. Метод измерения постоянного отпирающего тока и постоянного отпирающего напряжения управляющего электрода
Раздел второй
Особенности применения тиристоров в радиоэлектронной аппаратуре
ИН 2.1. Общие положения
I Тиристоры, сведения о которых приводятся в настоящем справочнике, являются приборами общего применения и могут использоваться в разнообразных условиях и режимах, характерных для различных классов радиоэлектронной аппаратуры.
Общие технические требования, регламентирующие условия применения и поставки приборов, предназначенных для аппаратуры определенного класса, содержатся в общих технических условиях (ОТУ) на эти приборы. Конкретные значения электрических параметров и специфические требования, характерные для данного типа приборов, изложены в частных технических условиях (ЧТУ), технических условиях (ТУ) и ГОСТ.
Высокая надежность радиоэлектронной аппаратуры на полупроводниковых приборах может быть обеспечена лишь при условии учета на стадиях ее проектирования, изготовления и эксплуатации следующих особенностей приборов:
разброса параметров, их зависимости от режима и условий работы;
изменения параметров в течение времени наработки или хранения;
хорошего отвода теплоты от корпусов мощных приборов;
обеспечения запасов по электрическим, механическим и другим нагрузкам на приборы;
принятие мер, обеспечивающих отсутствие перегрузок приборов во время эксплуатации, монтажа и сборки аппаратуры.
Приведенные в справочнике значения параметров измерены в определенных режимах и условиях заводских классификационных испытаний приборов. Как правило, режимы классификационных испытаний являются предельно допустимыми или оптимальными для данной группы приборов.
Параметры приборов одного типа не одинаковы, а находятся в некотором интервале. Этот интервал ограничивается минимальными или максимальными значениями, указанными в справочнике. Некоторые параметры имеют двустороннее ограничение значений.
Большинство параметров полупроводниковых приборов изменяется в зависимости от режима работы и температуры, напри-2* 35
мер, время обратного восстановления зависит от значения прямого тока, напряжения и сопротивления нагрузки, значительно изменяется в диапазоне температур обратный ток.
Приведенные в справочнике волы-амперные характеристики, зависимости параметров от режима и температуры являются усредненными для большого числа приборов данного типа. В некоторых случаях на рисунках штриховыми линиями показаны зоны возможных значений электрических параметров для всей совокупности приборов данного типа. В этой зоне сплошной линией показана типовая зависимость.
Приведенные зависимости могут использоваться при выборе типа прибора для конкретной схемы и ориентировочного ее расчета. При расчетах схем следует учитывать разброс значений параметров приборов.
Подбор приборов по значениям параметров может привести к затруднениям при ремонте аппаратуры.
Для некоторых параметров приборов даются два значения (минимальное и максимальное) или три значения (минимальное, типовое и максимальное).
В разделах «Предельные эксплуатационные данные» в правой части звездочкой отмечены значения параметров, приведенные в ТУ в разделах справочных данных. При производстве приборов они могут не контролироваться.
В тех случаях, когда у предельно допустимых эксплуатационных данных не указан интервал температур, эти данные гарантированы во всем интервале температур окружающей среды (корпуса).
Применение и эксплуатация приборов должны осуществляться в соответствии с требованиями ТУ и стандартами-руководствами по применению.
При конструировании радиоэлектронной аппаратуры необходимо обеспечить ее работоспособность в возможно более широких интервалах изменений важнейших параметров приборов. Разброс параметров и изменение их значений во времени при проектировании аппаратуры учитываются расчетными методами или экспериментально, например, методом граничных испытаний.
Время, в течение которого полупроводниковые приборы могут работать в аппаратуре (их срок службы), практически неограничено. Тем не менее за время наработки и хранения могут происходить изменения параметров приборов. У отдельных экземпляров эти изменения оказываются стопь значительными, что вызывают отказ аппаратуры.
Для определения надежности приборов используют такие показатели, как гамма-процентный ресурс, гамма-процентная сохраняемость, минимальная наработка (гарантийная наработка), интенсивность отказов, определяемые при специальных испытаниях. Нормы на эти показатели устанавливаются в Ту на приборы.
Для расчета надежности радиоэлектронной аппаратуры следует использовать количественные показатели надежности, получаемые при обработке статистических данных различных заводских испытаний, а также при эксплуатации приборов в аппаратуре.
Экспериментально установлено, что интенсивность (вероятность) отказов приборов уменьшается при снижении рабочей температуры, напряжений на электродах и токов.
Снижение рабочей температуры уменьшает отказы практически всех видов: короткие замыкания, обрывы и значительные изменения параметров.
Снижение напряжения значительно уменьшает отказы приборов с высоковольтными переходами.
Снижение рабочего тока приводит, главным образом, к замедлению деградации контактных соединений и токоведущих дорожек металлизации на кристаллах.
Приближенная зависимость интенсивности отказов От нагрузок имеет вид:
А.(ГП ,(/,/) = Л.(ГП Мм/С, ЦлАКС, )(-п ) f ~i 1 '
\ имлкс / * 'мдкс )
1
МАКС
ГДе МАКС ’ ^мдкс ’ Ллдкс ) — интенсивность отказов при максимальных нагрузках (может быть получена из результатов кратковременных испытаний в форсированных режимах); В' 6000 К, Г, и Гпмдкс — в градусах Кельвина.
Для повышения надежности работы приборов в аппаратуре рекомендуется устанавливать напряжения и тока (мощность) на уровне 0,5...0,8 предельных (максимальных) значений. Не допускается даже кратковременное (импульсное) превышение предельно допустимых электрических режимов при эксплуатации. Поэтому необходимо принимать меры по защите приборов от электрических перегрузок, возникающих при переходных процессах (при включении и выключении аппаратуры, при изменении режима ее работы, подключении нагрузок, случайных изменениях напряжения источников питания).
Режимы работы приборов должны контролироваться с учетом возможных неблагоприятных сочетаний условий эксплуатации аппаратуры (повышенная окружающая температура, пониженное атмосферное давление и др.).
Если требуемое значение тока или напряжения превышает предельно допустимое для данного прибора, то рекомендуется применение более мощного или высоковольтного прибора, а для диодов — их параллельное или последовательное соединение.
При параллельном соединении необходимо выравнивать токи через диоды с помощью резисторов, включаемых последовательно с каждым диодом.
При последовательном включении диодов обратные напряжения на них выравниваются с помощью шунтирующих резисторов или конденсаторов. Рекомендуемые значения резисторов и емкостей шунтов обычно указываются в ТУ на диоды.
Между последовательно или параллельно включенными приборами должна быть обеспечена хорошая тепловая связь (например, все приборы устанавливаются на одном радиаторе). В противном случае распределение нагрузки между приборами может быть неустойчивым.
Для защиты структур полупроводниковых приборов от внешних воздействий (температуры, влаги, агрессивных химических сред и др.) служат корпуса приборов.
Корпуса мощных приборов одновременно обеспечивают необходимые условия отвода теплоты. Необходимо иметь в виду, что корпуса приборов имеют ограничения по герметичности и коррозионной устойчивости, поэтому при эксплуатации приборов в условиях повышенной влажности рекомендуется покрывать их специальными лаками (например, типа УР—231, ЭП-730).
Обеспечение отвода теплоты от мощных полупроводниковых приборов является одной из главных задач при конструировании радиоэлектронной аппаратуры. Необходимо придерживаться принципа максимально возможного снижения температуры переходов и корпусов приборов.
Для охлаждения мощных диодов или тиристоров используются теплоотводящие радиаторы, работающие в условиях естественной конвекции или принудительного обдува, а также конструктивные элементы узлов и блоков аппаратуры, имеющие достаточную поверхность или хороший теплоотвод. Крепление приборов к радиатору должно обеспечивать надежный тепловой контакт.
Если корпус прибора необходимо изолировать, то для уменьшения общего теплового сопротивления лучше изолировать радиатор ог корпуса аппаратуры, чем диод или тиристор от радиатора.
Отвод теплоты улучшается при вертикальном расположении активных поверхностей радиатора, так как при этом улучшаются условия конвекции.
Ориентировочные размеры теплоотводящих радиаторов в форме вертикально ориентированных пластин из алюминия (квадратных или прямоугольных) в зависимости от рассеиваемой мощности приборов можно определить по формуле. 5= 40Р, где S — площадь одной стороны пластины, см2; Р — рассеиваемая в приборе мощность, Вт.
Пластины площадью до 25 см7 могут иметь толщину 1...2 мм, площадью до 100 см7 и свыше 100 см7 — 3...4 мм.
При сборке приборов с радиатором необходимо использовать специальные ключи с нормированным усилием крутящего момента, а для приборов таблеточной конструкции — устройства с нормированным сжимающим усилием. При этом следует учитывать, что превышение допустимых усилий создает дополнительные механические напряжения в кристалле и корпусе, что может привести к их разрушению. При недостаточном усилии увеличивается тепловое сопротивление корпус—охладитель, в результате возможен выход прибора из строя вследствие его перегрева
Для улучшения теплового контакта прибор — радиатор следует применять специальные теплоотводящие пасты, например КПТ-8.
В случае заливки плат с полупроводниковыми приборами компаундами, пенопластами, пенорезиной следует учитывать изменение теплового сопротивления между корпусом прибора и окружающей средой, а также возможность увеличения дополнительного нагрева приборов от расположенных вблизи элементов, обладающих большим тепловыделением.
Температура при заливке не должна превышать максимальной температуры корпуса прибора, указанной в ТУ. При заливке также не должны возникать механические нагрузки на выводы, нарушающие целостность стеклянных изоляторов или корпусов приборов.
В процессе подготовки и проведения монтажа полупроводниковых приборов в аппаратуру механические и климатические воздействия на них не должны превышать значений, указанных в ТУ.
Рихтовка, формовка и обрезка участков выводов приборов должна производиться так, чтобы в выводах не возникали изгибающие или растягивающие усилия. Оснастка и приспособления для формовки выводов должны быть заземлены. Расстояние от корпуса прибора до начала изгиба вывода, как правило, должно быть не менее 2 мм. Радиус изгиба при диаметре вывода до 0,5 мм должен быть не менее 0,5 мм, при диаметре 0,6... 1 мм — не менее 1 мм, при диаметре свыше 1 мм — не менее 1,5 мм.
Паяльники, применяемые для пайки выводов приборов, должны быть низковольтными. Расстояние цт корпуса или изолятора до места лужения или пайки вывода должно быть не менее 3 мм.
Для отвода теплоты участок вывода между корпусом и местом пайки зажимается пинцетом с губками из красной меди. Жало паяльника должно быть надежно заземлено. Если температура припоя не превышает 260 “С, а время пайки не более 3 с, то можно производить пайку без теплоотвода или групповым методом (волной, погружением в припой и др-).
Очистка печатных плат от флюса производится жидкостями, которые не влияют на покрытие, маркировку или материал корпуса (например, спиртобензиновой смесью).
В настоящем разделе приведены наиболее общие особенности использования полупроводниковых приборов в радиоэлектронной аппаратуре. Комплекс более конкретных указаний по применению тиристоров приведен в стандартах-руководствах по применению.
2.2. Основные особенности тиристоров
Основой тиристора, определяющей его параметры и характеристики, является многослойная полупроводниковая структура, состоящая из четырех чередующихся слоев р- и л-тила проводимости pt-fl,-p2-n2, образующих три электронно-дырочных перехода /, h и / (рис. 2.1).
Внешние слои pt и л2 и переходы /, и принято называть эмиттерными, внутренние слои л, ир^ — базовыми, а центральный переход — коллекторным.
Структура тиристора рассчитана так, что взаимодействие между слоями при приложении напряжения различного направления дает вольт-амперную характеристику (ВАХ) с отрицательным участком (рис. 2.2).
Рис. 2 1. Модель полупроводниковой структуры тиристора
Тиристор — полупроводниковый ключевой элемент, характеризующийся тремя основными рабочими состояниями: закрытым, когда он блокирует приложенное прямое напряжение; непроводящим, когда он блокирует приложенное обратное напряжение; открытым, когда он проводит основной ток.
При переходе тиристора из закрытого состояния в открытое или наоборот имеют место переходные процессы включения и выключения соответственно.
Трехэлектродный тиристор включается с помощью импульсов управления, двухэлектродный (динистор) — подачей прямого напряжения включения. Основные рабочие состояния тиристора и переходные процессы между ними показаны на рис. 2.3 и рис. 2.4.
Рис. 2.2. Типичная вольт-амперная характеристика тиристора
&№> Ur If
Рис 2 4 Переходные процессы включения и выключения
Рис 2 3 Вольт-амперная характеристика тиристора в открытом состоянии
Закрытое и непроводящее состояние. Эти состояния хорошо описываются ВАХ при разомкнутой цепи управления (рис. 2.5). В закрытом состоянии работает обратно-смещенный центральный коллекторный переход j2, в непроводящем — обратно-смещенные крайние эмиттерные переходы / и Значения параметров в этих состояниях определяются геометрией
Рис 2 5 Вольт амперные характеристики тиристора в закрытом и непроводящем состояниях при разомкнутой цепи управления
многослойной полупроводниковой структуры, используемой защитой выходов р-п переходов на поверхность структуры, а также поверхостными свойствами выпрямительного элемента.
Открытое (проводящее) состояние. Когда тиристор находится в открытом состоянии, все его р-п
переходы смещены в пря
мом направлении и сопро тивление прямому току минимально.
Тиристор работает при высоких плотностях тока (порядка сотен ампер на квадратный сантиметр), т. е. при высоком уровне инжекция неосновных носителей заряда.
П_ . Г.С vnrtBMP ММЖРИИИИ пса М2 Tnav П’ОП'ЧОС'ЧСЩС. >, .Ь.Х
>рм Л г-> г~ г-
переходов (крайние) имеют обычно близкие, но противоположные по знаку, значения падения напряжения, В полное напряжение в открытом состоянии Uor: вносит вклад только один коллекторный переход.
Переходной процесс включения. Этот процесс характеризуется Тремя параметрами временем задержки t,iR, временем нарастания /НАР и временем включения fBKJ1, которые связаны отношением ?ВКЛ = Л»АР-
Эти параметры зависят в основном от режима работы тиристора: от тока в открытом состоянии; от тока управления, от скорости нарастания импульса тока управления, от температуры перехода.
Переходный процесс включения зависит от характера нагрузки, на которую работает прибор, и стойкости его к эффекту di/dL
При индуктивной нагрузке dl/ dt определяется индуктивностью. В этом случае ток через тиристор нарастает медленно, а напряжение спадает быстро. Этот режим характеризуется малыми потерями при включении. При этом тиристор включается на большой площади.
При активной нагрузке стойкость тиристора к эффекту d!/dt определяется самим прибором, т. е. конструкцией его электрода управления и способностью включаться как можно на большей площади В таком режиме ток нарастает быстро и при включении может быть выделена большая мощность
Переходный процесс выключения. Этот процесс характеризуется комплексным воздействием на тиристор практически всех параметров режима. Здесь имеют место прохождение импульса тока в открытом состоянии, воздействие обратного напряжения, импульсного напряжения в закрытом состоянии с определенной скоростью его нарастания.
Наиболее сильно ^БЬ1КЛ зависит от импульсного напряжения в закрытом состоянии и скорости его нарастания, обратного напряжения и температуры перехода.
Время выключения ^Выкл характеризует инерционность вы--ключения тиристора как ключевого элемента. Эта инерционность тиристора является причиной полных отказов приборов при эксплуатации.
Быстродействующие тиристоры
В настоящее время отечественной промышленностью освоены и серийно вь’нугкаются тиристоры двух классов:
мощные и сверхмощные высоковольтные тиристоры с низкими динамическими характеристиками (низкочастотные тиристоры), они имеют блокирующее напряжение до 6 кВ и более;
тиристоры с высокими динамическими характеристиками (быстродействующие), которые являются низковольтными. Блокирующее напряжение у них не более 2 кВ.
Это деление обусловлено тем, что существует ряд ограничений, которые делают невозможным сочетание в одном классе приборов максимальных значений его основных характеристик — повторяющегося импульсного напряжения в закрытом состоянии (U, с г1), импульсного напряжения в открытом состоянии ((/о г и), времени выключения (ГВЬ|КЛ), заряда обратного восстановления (О3пс) и других.
Одни ограничения носят принципиальный характер и связаны с особенностями работы приборов на основе многослойных структур с р-п переходами, другие ограничения связаны с техническим уровнем производства (качество исходного кремния, технологическое оснащение и т. д.).
При изготовлении тиристоров с повышенным быстродействием используются технологические процессы, применяемые в серийном производстве силовых полупроводниковых приборов, а также методы регулирования времени жизни неравновесных носителей заряда (ННЗ).
Улучшения динамических свойств и получения оптимального сочетания основных параметров быстродействующих тиристоров связаны с уменьшением времени жизни (т) неравновесных носителей заряда (ННЗ).
Практически все методы уменьшения жизни ННЗ в монокристаллическом кремнии основаны на создании дополнительных каналов рекомбинации носителей заряда через глубокие центры в запрещенной зоне, вводимых в объем кристалла либо путем диффуции атомов соответствующих элементов (например, золота или платины), либо радиационными методами при облучении полупроводника пучком частиц высоких энергий.
Процессы, протекающие при выключении тиристоров, определяют предельное быстродействие, энергетические показатели и надежность работы тиристорного устройства. Параметры, характеризующие процесс выключения, оказывают решающее влияние на выбор элементов, обеспечивающих запирание тирис-44
ов (узлов коммутации). Эти параметры в значительной степе-тОРопределяют массу, габаритные размеры, стоимость, КПД и ряд других технико-экономических показателей тиристорной аппара-в целом.
'^Область применения быстродействующих тиристоров чрез-
вычайно широка: мощные импульсные модуляторы, инверторы для ВЧ преобразователей, импульсные регуляторы постоянного и переменного токов, тиристорные стабилизаторы, бесконтактная коммутирующая аппаратура, преобразователи частоты, схемы автоматики и т. д.
Ниже приведены некоторые упрощенные схемы, которые показывают возможность использования в них быстродействую
щих тиристоров.
Импульсные модуляторы
В импульсных модуляторах быстродействующие тиристоры используются в качестве переключающего элемента. Для такой схемы типичен линейный модулятор (рис. 2.6). По принципу работы он во многом напоминает последовательный инвертор. В схеме линейного модулятора конденсаторы в цепи формирующей линии (ФЛ) заряжаются через индуктивность L до 2Е. Диод V2 поддерживает напряжение на ФЛ до того момента, пока не включится тиристор VL В этот момент ФЛ разряжается через импульсный трансформатор Тр в течение времени, определяемого параметрами ФЛ, образуя на нагрузке мощный короткий импульс.
Рис. 2.6. Схема линейного модулятора
Выключение тиристора в схеме (рис. 2.6) может происходить либо за счет перезаряда емкости конденсаторов ФЛ при незначительном ее рассогласовании, либо за счет того, что величина тока, протекающего через зарядный дроссель, диод V2 н тиристор, будет меньше, чем ток удержания тиристора.
Современные быстродействующие тиристоры позволяют в нагрузке получить короткие импульсы мощности до несколь-45
ких мегаватт. Тиристоры, используемые в этих схемах, должны иметь весьма высокие значения скорости нарастания тока.
Олной из обширных областей применения инверторов являются различного рода преобразователи ниыоянногс тока в переменный, переменного тока одной частоты в переменный ток. другой частоты и т. д. Такое преобразование осуществляется с помощью:
инверторов — устройств, преобразующих постоянный ток в ‘переменный с постоянной или регулируемой частотой;
преобразователей частоты — устройств, преобразующих переменный ток одной частоты в переменный ток другой частоты;
модуляторов, преобразующих постоянный ток в импульсный;
трансформаторов постоянного тока, преобразующих постоянный ток одного уровня в постоянный ток другого уровня.
Простым примером применения быстродействующих тиристоров является схема однополосного инвертора, используемая в телевизионных приемниках (рис. 2,7).
Схема работает следующим образом. В начальный момент конденсатор СЗ заряжен до напряжения При включении тиристора 1/7 через него протекают токи /, и 12, направление которых указано на рисунке.
Перез полупериод собственных колебаний контура LC3 конденсатор перезаряжается с полярностью, указанной в скобках. В следующий полупериод собственных колебаний нарастающий ток перезаряда конденсатора, протекая навстречу току включает тиристор в момент равенства нулю суммарного тока тиристора.
Рис. 2 7 Схема тиристорного инвертора
Кратковременное протекание через первичную обмотку транс-. пматора Тр прерывистого тока \ создает на вторичной обмотке импульсное напряжение, которое затем преобразуется _ рлггляниое и подается в нагрузку.
° ' Применение быстродействующих тиристоров, обладающих высокой стойкостью к dU/dt и малым временем выключения, обеспечивает работу инвертора на частоте строчной развертки. Благодаря этому, габариты и масса силового трансформатора 7р могут быть в 5 раз меньше, чем у силового трансформатора, работающего на частоте 50 Гц.
Преобразователи частоты (циклоинаертогры}
Применение быстродействующих тиристоров в циклоинверторах показано на рис. 2.8.
Рис. 2 8. Однофазная схема преобразователя частоты (циклоинвертора)
Если включать тиристоры У?и УЗ, затем У2и V4, изменяя у каждой пары угол управления, то через сопротивление нагрузки будет проходить ток с частотой- более низкой, чем частота питания. Для устранения пульсаций выходного тока применяется ДС-фильтр.
Циклоинверторы используются в системах электроснабжения, где генератор переменного тока приводится во вращение двигателем с переменной скоростью (например, авиационным двигателем).
Другим применением циклоинверторов являются устройства, где необходимо изменение как частоты-, так и величины выходного напряжения, что необходимо, например, в регулируемом электроприводе переменного токз. Этот вид электропривода основан. на применении бесколлекториых двигателей и может быть использован, в частности; на передвижных объектах и в тяжелых условиях работы.
2,3. Рекомендации по выбору и применению тиристоров
Правильность выбора и применения тиристоров является одним из важнейших условии, обеспечивающих требуемые технические и эксплуатационные характеристики аппаратуры, ее надежность, а также надежность самих приборов. В связи с этим выбираемые для любого устройства тиристоры должны удовлетворять следующим общим требованиям.
1. Технические характеристики и параметры приборов должны обеспечивать заданные характеристики функциональных узлов или устройств, в которых они используются.
2. Номенклатура применяемых приборов должна быть минимальной.
3. По своим параметрам и характеристикам приборы должны соответствовать требованиям по устойчивости к воздействию механических, климатических и биологических факторов, предъявляемых к аппаратуре, иметь гарантийную наработку не менее заданного ресурса на аппаратуру. Начальные значения параметров и их изменения должны обеспечивать требуемую долговечность и безотказность работы аппаратуры в течение заданного времени,
4. Тиристоры должны быть, как правило, освоены в серийном производстве.
5. Приборы должны применяться по своему прямому назначению в соответствии с требованиями ТУ на них. Всякое отклонение от ТУ должно согласовываться с разработчиками и изготовителями тиристоров.
Для правильного выбора тиристоров необходимо определить требования к их режиму в соответствии с режимом схемы и составить перечень предельных параметров и условий эксплуатации. На их основе выбирают необходимый тип тиристора. Выбор обычно проводят в несколько этапов.
Вначале тиристоры выбирают по величине тока и напряжения с учетом зависимости тока от частоты, длительности и формы импульсов или угла проводимости. Необходимо учитывать зависимость тока от температуры корпуса.
Если режим по току отличается от справочных данных, то его значение определяется расчетным путем в соответствии с методами, указанными в информационных материалах.
Далее сопоставляют условия эксплуатации с допустимыми механическими, климатическими и другими воздействующими факторами, указанными в ТУ. В результате определяется один или два типа тиристоров, отвечающих заданным требованиям. 48
Рис 2 9 Схема ограничения скорости нарастания напряжения
В заключении определяется режим возможных перегрузок по току, напряжению и скорости их мдпягтания. Пои наличии в схеме рабочих перегрузок по току проводят их сопоставление с учетом зависимости тока рабочей перегрузки от времени и режима работы тиристора. После этого определяется окончательный тиристор.
Для некоторых схем применения, например, в схемах электропривода, порядок выбора тиристора может быть иной. В этом случае его выбор начинают с расчета допустимых токов рабочей перегрузки.
Если в схеме могут возникнуть аварийные перегрузки по току, то намечаются мероприятия по их предупреждению с использованием средств защиты. Причем средства защиты должны обеспечивать защиту тиристоров с учетом допустимой аварийной перегрузки по величине тока в зависимости от его длительности. При прохождении тока аварийной перегрузки через тиристор возможна временная потеря его работоспособности. Это необходимо учитывать при выборе средств защиты.
Эффективными и простыми средствами защиты могут быть быстродействующие предохранители или автоматические выключатели, включаемые в цепь последовательно с тиристорами или с нагрузкой и срабатывающие в течение времени, меньшего, чем полупериод.
Для предупреждения самопроизвольного включения тиристоров от эффекта dU/dt может быть использована схема, приведенная на рис. 2.9. В этой схеме скорость нарастания напряжения на аноде прибора определяется постоянной времени т= /?н С. Значение Т может быть определено из формулы dU/dt — 0,67 Е/т, тогда при известном /?н можно определить емкость конденсатора С — x/R^ Резистор R1 служит для разряда конденсатора.
Во многих случаях для увеличения мощности устройств приходится использовать параллельное или последовательное соединение тиристоров. Последовательное и параллельное соединение этих приборов часто используется для повышения надежности схем на тиристорах, в которых выход из строя отдельного прибора не должен вызывать нарушения работы всей установки.
а)
л Unpt
В)
Рис 2 10 Параллелоное (aj г последовательное (б) соединения тиоис юрон и вольт амперные хаоактеристики при таких соединениях
1 — для VL 2 — для V2
Несовпадение прямых и обратных ветвей вольт-амперных характеристик приборов, соединенных в группу последовательно или параллельно, приводит к тому, что определенные приборы будут перегружаться по току (при параллельном соединении) или по напряжению (при последовательном соединении (рис. 2.10,<7, б).
Несовпадение времени включения и выключения в тиристорах при их параллельном или последовательном включении может также явиться причиной отказа приборов.
При параллельном соединении тиристор, имеющий меньшее время включения, будет в начальный момент принимать на себя весь ток цепи, что может вызвать выход прибора из строя.
При последовательном соединении к тиристору с меньшим временем прикладывается напряжение всей цепи, вследствие чего может произойти его самопроизвольное включение или пробой структуры.
Для выравнивания токов параллельно включенных приборов используют индуктивные делители тока, выполненные в виде тороидального витого магнитопровода, сквозь окно которого пропущены токоведущие шины таким образом, чтобы ЭДС, 50
создаваемые токами, протекающими в этих шинах, действовали навстречу друг другу (рис. 2.11),
Для выравнивания напряжения на последовательно вклю-erlHQ!'4 Пр l6opav Е ррчгимд папалл^пкмп [/лмгдому
из них включается шунтирующий резистор (рис. 2.12), сопротивление которого может быть определено по формуле
ш Ь>-1)/УТМДКс’
где П — число последовательно включенных'Приборов; Un — повторяющееся напряжение прибора; (У7МДКС — наибольшее напряжение на ветви с последовательно включенными приборами, /утмдкс — наибольший ток утечки.
Рис 2 11 Схема включения индуктивных делителей тока
Для выравнивания напряжения на последовательно соединенных приборах в переходном режиме параллельно им включаются АТ-цепочки (рис. 2.12), емкость конденсаторов которых определяется по формуле
- (Jv мдкс
где Д0м„кс — наибольшая возможная разность зарядов восстановления последовательно включенных приборов.
Резисторы /?5 и R4 служат для ограничения тока анода во время включения. Их величины обычно лежат в пределах нескольких десятков омов.
Рис 2 12 Схема ограничения перенапряжений
Защита тиристоров от перенапряжений может быть осуществлена с помощью полупроводниковых ограничителей напряжения, стабилитронов или лавинных диодов (на рис. 2.12 они показаны штрихом).
ЧАСТЬ ВТОРАЯ
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ТИРИСТОРОВ
Раздел третий
Силовые тиристоры (продолжение)
3.1. Тиристоры быстродействующие
ТБ151-50, ТБ151-63
Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п. Предназначены для применения в качестве ключевых элементов в цепях постоянного и переменного токов частотой до 10 кГц, где требуются малые времена включения и выключения, высокие скорости нарастания тока и напряжения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими силовыми выводом. Анодом является основание. Обозначение типономинала и полярности силовых выводов приводится на корпусе.
Масса не более 290 г.
ТЫ 51 55 тБ151-65
?пп
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии лри 4с и = 3,14/оС ср MAKCf = Ю мс, не более:
ТБ151-50.............................. 2,5 В
ТБ151-63............................. 2,15 В
Пороговое напряжение, не более: ТБ151-50 ............................... 1,56 В
ТБ151-63............................. 1,4 В
Отпирающее напряжение управления при t/3C = 12 В, не более:
7“п = —60 °C,/у от = 0,4 А........... 5 В
Гп = +25 °C, /у от = 0,12 А.......... 2,5 В
Неотлирающее постоянное напряжение управления при UiC и = 0,67 Uv- п, /?у = 10 Ом, Гп = +125 С, не менее..................... 0,2 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при из< и = 6/ п, /?у =
Гп = +125 °C, не более.................... 20 мА
Ток удержания при — 12 В, Ay == о®, не более.. 0,2 А Ток включения при /у пр и ~ 1 А, dl^/dt — 1 А/мкс, fy = 10 мкс, не более... 0,3 А
Повторяющийся импульсный обратный ток при t/0№ и= £/0БР1п, Тп = +Т25 °C......... 20 мА
Отпирающийся постоянный ток управления при = 12 В, не более:
Тп = -60 °C ......................... 0,4 А
Гп = +25 °C.......................... 0,12 А
Неотпирающий постоянный ток управления при £/зг>и = 0,67 U3C п, /?у = 10 кОм, Т, — +125 °C, не менее.................... 2 мА
Время включения при U>, = 300 В, /ос И — 4)С СР МАКС г ^Ос/& ~ 25 А/мкс, А, пр и — 0,75 A, d!y/dt= 1 А/мкс, = 10 мкс, не более........................ 2 мкс
Время задержки при 6/ = 300 В, и= /ос ср макс> dt(y/dt— 25 А/мкс, 4 пр и — 0,75 А, d!y/dt= 1 А /мкс, = 10 мкс, не более...... 1 мкс
Время выключения при U3C и — 0,67t/3cn, dt — (dU-v/dt}vp, UQbP и — 100 В,
/>с и /зс ср, макс, (<7/ос/dt){n — 10 А/мкс, 4, =+125 °C, не более..................... 16...32 мкс
Время обратного восстановления
при t/u6P и = 100 В, /ос и = /ос, ср МАКС, (d/w/dfjin— Ю А/мкс, Тп = + 125 °C, не более... 2 мкс Заряд обратного восстановления
при Mjbp и = 100 В. /ос, И — 41С СР МАКС, (d/0L/dt)a] — 10 А/мкс, 7“п= +125 С, не более... 60 мкКл Динамическое сопротивление в открытом состоянии, не более:
ТБ151—50>.............................. 7,5 мОм
ТБ151-63............................. 3J5 мОм
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более.................................. 0,32 °С/Вг
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии....................... 500...1200 В
* HLrunn | J^nnOWAI и JC
ЦеповI Оряг .Им(Ч^| ,Г,4-в закрытом состоянии....................... 1,1£АС ц
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение в закрытом состоянии........ 0г6Цс п
Повторяющееся импульсное обратное напряжение.....................-........... 500... 1200 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение................................. 1Л^обрп
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение........................................... 0,6£Авр
Максимально допустимое обратное постоянное напряжение управления.................. 5 В
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при (Узс и = 0,67 Ц<- п, 7^ = + 125°С...............'............... 200...
1000 В/мкс Максимально допустимый средний ток
в открытом состоянии при f— 50 Гц, [3 = 180°, Тк = +85 еС:
ТБ151-5О............................ „ 50 А
ТБ151-63............................... 63 А
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при f= 50 Гц, |3 — 180°, Гк = +85 °C:
ТБ151-50 .............................. . 78 А
ТБ151-63............................... 99 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при t/дьр = О, /и ~ 10 мс, 7^ = +125 °C:
ТБ151-50............................... 1000 А
ТБ151-63............................... 1100 А
Защитный показатель при (У0БР = 0, ги — 10 мс, А; = +125 °C:
ТБ151—5О.._............................ 5 кА2*с
ТБ151-63............................... 6,05 кАг<
Критическая скорость нарастания тока в открытом СОСТОЯНИИ При £/ЗС|И = t/3f п, 4)с, и 2/ос fp, Мд^, dly/ dt — 1 А/мкс,
1...5 Гц, / = 10 мкс, Гп ~ +125 °C..... 400 А/мкс
Минимально допустимый прямой импульсный ток управления............................. 0,5 А
Максимально допустимый прямой импульсный ток управления......,...................... 10,5 А
Температура перехода...................... 4-125 °C
Температура корпуса....................... —60...4-85 °C
Т а б л и ц а
СОЧЕТАНИЕ КЛАССИФИКАЦИОННЫХ ПАРАМЕТРОВ ДЛЯ ТИПОНОМИНАЛОВ
Класс по напряжению Значение У к п и Ц1Ы> п> В В/мкс МКС мкс
Группы классификационных параметров
4 5 6 7 11 5 6 4
Значение классификационных параметров
200 320 500 1000 32 25 20 15 2
5~9 500... 900 + + + + - + + + 4-
10-12 1000... 1200 + + + + + + + - +
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от импульсного напряжения
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от импульсного напряжения
Зоны возможных положений зависимости постоянного напряжения управления от тока
Зоны возможных положений зависимости импульсного напряжения управления от тока
-звисимости импульсного тока управления от длительности импульса
Зависимости импульсного повторяющегося тока от длительности импульса
Зависимости импульсного повторяющегося тока от длительности импульса
Зависимости импульсного по-“торяющегося тока от длительности импульса
Зависимости импульсного повторяющегося юка от длительности импульса
Зависимости импульсного повторяющегося тока от длительности импульса
Зависимости импульсного повторяющегося тока от длительности импульса
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока В открытом СОСТОЯНИИ
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
dlo^dt.A/c
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
ЬО
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
dhc/dt.A/c
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости -импульсного повторяющегося тока от скорости -нарастания тока В открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
/х, улрХ/1
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
Зависимости импульсною ударного тока от длительности импульса
/х, чдр.кА
20 4Z7 60 80 W0 КО tn,С
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
tn,C
Зависимости импульсного тока а открытом СОСТОЯНИИ ОТ ДДИг тельности импульса
Зависимости импульсного тока в открытом* СОСТОЯНИИ от длительности импульса
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости импульсного тока а открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости импульсного тока а открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости времени задержки и времени включения от импульсного тока управления
Зависимость времени выключения от обратного напряжения
Зависимость времени выключения ОТ скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии
Зависимость времени выключения от импульсного тока е открытом состоянии
Зависимости времени выключения от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости времени обратного восстановления от скорости нарастания тока в открытом состоянии
(dbc/atkn.^^KC
Зависимости времени обратного восстановления от скорости нарастания трка в открытом состоянии
Зависимости заряда обратного восстановления от скорости нарастания тока в открытом состоянии
(dUx/dt)Kp.B/w(c
ш 5SQ 300 208 180
48
О 20 40 60 00 100
Узе /УзС. П , °/о
Зависимости заряда обратного восстановления от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости скорости нарастания напряжения от напряжения в закрытом состоянии
Uofp/Uosj>.n,% U%/U3cn,%
Зависимости скорости нарастания напряжения ОТ обратного напряжения и от напояжения в закро'-
Зависимости переходного теплового сопротивления переход—корпус от времени
гом СОСТОЯНИИ
2ТБ151-50, 2ТБ161-80, 2ТБ261-80
Тиристоры кремниевые диффузионные рп-рп. Предназначены для применения в качестве ключевых элементов в цепях постоянного и переменного токов частотой до 10 кГц, где требуются малые времена включения и выключения, высокие скорости нарастания тока и напряжения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими силовыми выводом. Анодом является основание. Обозначение типономинала и полярности силовых выводов Приводится на корпусе.
Масса не более 290 г.
3
67
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии при и = 3,14^ €₽.«««.» С, = Ю мс> не более:
2ТБ151—50.............................. 2,3 В
2ТБ161-80, ТБ261-80 ................... 2,2 В
Пороговое напряжение, не более: 2ТБ151-50............................ 1,56 В
2ТБ161-63,2ТБ261-80................... 1,4 В
Отпирающее напряжение управления
при U1C~ 12 В, не более:
Гп» -60 ПС, /у от - 0,6 А............. 6 В
ЛП = +25С, /ОТ = 0,2А................. ЗВ
Неотпирающее постоянное напряжение управления при tAc и = 0,67/7ЗС п, Ry — 10 Ом, Тп — + 125 С, не менее................... 0,2 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при Узс>и = из(: п, /?у = «>, 7"п = +125 "С, не более:
2ТБ151-50 ............................ 20 мА
2ТБ161-80,2ТБ261-80................... 30 мА
Ток удержания при £/зс == 12 В, /?у = не более:
2ТБ151-50............................. 0,3 А
2ТБ161-80, 2ТБ261-80 ................. 0,35 мА
Ток включения при 4 пр. и = 1 А, d^/dt— 1 А/мкс, Гу = 10 мкс, не более.... 0,3 А
Повторяющийся импульсный обратный ток при 6/0БР и = £/0БР п» = Гп 1-125 С:
2ТБ151-50 ............................ 20 мА
2ТБ161-80, 2ТБ261-80 ................. 30 мА
Отпирающийся постоянный ток управления
при — 12 В, не более:
7j, = -60 СС.......................... 0,6 А
Гп = +25 СС........................... 0,2 А
Неотпирающий постоянный ток управления при t/3C и = 0,67 U3C п, Rv = 10 кОм,
Тп — +125 °C, не менее................... 2 мА
Время включения при Uv — 300 В,
4)С И — (jc.cp.mako ^4с/25 А/мкс,
4, пр, и = 0,75 A, dly/dt= 1 А/мкс, гу = 10 мкс, не более.................... 3,2 мкс
Время задержки при £/зс - 300 В, /(х и = ср. макс> 25 А/мкс,
4 ПР и = 0,75 A, d!y/dt= 1 А/мкс, fv = )0 МКС, не бол её.................... 1 МКС
Время выключения при £/зс н = 0,67 Uy п, dUjc/dt— (dU3Q/dt)np, £Абр и Ю0 В, /Ос, и = /ос. СР, МАКС- (^Ос/^ОсП = 10 А/мкс,
Гп'=: +125 “С, не более................... 16...32 мкс
Время обратного восстановления
при £/обр и = ЮО В, /ос и = /ос ср maw»
(d^/dtjcn ~ Ю А/мкс, Гп ~ +125 еС, не более... 2 мкс Заряд обратного восстановления
при t/оьр. и = ЮО В, /ос и = /ог гр МАШ ' (dl(K/dt)cn- 10 А/мкс, 7*ц — +125 °C, не более.................................. 60 мкКл
Динамическое сопротивление в открытом состоянии, не более:
2ТБ151-50.............................. 7,5 мОм
2ТБ161-80, 2ТБ261-80 .................. 3,75 мОм
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более:
2ТБ151-50.............................. 0,4 °C/Вт
2ТБ161—80,2Т6261—80.................... 0,24 гС/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии...................... 500...1100 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии...................... 1,1 Uir ц
Постоянное напряжение в закрытом состоянии .................................. 0,6£/к п
Повторяющееся импульсное обратное
напряжение................................ 500... 1100 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение................................ 1,1£/пьП1П
Постоянное обратное напряжение........... 0,6£/ПБР п
Постоянное обратное напряжение управления .................................... 5 В
Критическая скорость нарастания напряжения
в закрытом состоянии при Цс и = 0,67/Ас,п. /?у=~, ТП = + 125СС.......’.........'..... 100...
500 В/мкс
Средний ток в открытом состоянии
при f= 50 Гц, р = 180°, Гк = +85 °C: 2ТБ151—50................................
2TG1G1-80, 2То2и1-80..................
Действующий ток в открытом состоянии при f— 50 Гц, р = 180\ Тк = +85 "С:
2ТБ151-50.............................
2ТБ161-80, 2ТБ261—80 .................
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при Ц)ЬР = 0, /и = 10 мс, +125 X:
2ТБ151-50.............................
2ТБ161-80,2ТБ261-80...................
Защитный показатель при UObP = 0, Ги = 10 мс, 7*п = +125 X:
2ТБ151-50.............................
2ТБ161-80,2ТБ261-80...................
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при U3C >и = U3Q (1, 4х и ср. макс» 1 А/мкс,
/= 1...5ГЦ, /у= 10 мкс, Тл = +125 СС.....
50 А
80 А
78 А
126 А
950 А
1900 А
5 кАЧ
24.4 кА2-с
Минимально допустимый прямой импульсный ток управления ..........................
Максимально допустимый прямой импульсный ток управления...........................
Температура перехода ....................
Температура корпуса......................
100...
400 А/мкс
0,5 А
15 А
+ 125 °C
-60...+85 'С
Применять дроссели насыщения в цепи нагрузочного тока тиристоров не рекомендуется.
На выходном контроле у потребителя тиристоры не подвергаются испытанию ударным неповторяющимся в открытом состоянии. При монтаже тиристоров без гибкого основного вывода катода втулка тиристора вместе с применяемым выводом должны быть обжаты по длине L = 7 мм и с размерами шестигранника S= 10 мм для 2ТБ151—50 и S — 12 мм для 2ТБ161-80, 2ТБ261-80.
ТБ161-80, ТБ161-100
Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п. Предназначены для применения в качестве ключевых элементов в цепях постоянного и переменного токов частотой до 10 кГц, 70
где требуются малые времена включения и выключения, высокие скорости нарастания тока и напряжения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими силовыми выво-Диплом является основание. Обозначение типономинала
и полярности силовых выводов приводится на корпусе. Масса не более 290 г.
ТБ161-80, 1Б161-М0
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии При = 3,14(jc СР. МАКС* “ Ю мс, не более:
ТБ161—80............................. 2,6 В
ТБ161—100............................ 2,15 В
Пороговое напряжение, не более; ТБ161-80................................ 1,45 В
ТБ161-100 ........................... 1,35 В
Отпирающее напряжение управления при Uv — 12 В, не более:
Гп = -60 Т, 4 от = 0,5 А............. 5 В
7J1 = +25”C, 4ОТ —0,15 А............. 2,5 В
Неотпирающее постоянное напряжение управления при 0зс и == 0,67 t/3t п, /?у = 10 Ом, Гп = +125 'С, не менее.................. 0,2 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом СОСТОЯНИИ при U>lC и = Ui( п, /?у = со, Т'п= +125 °C, не более.................. 30 мА
Ток удержания при ~ 12 В, Яу — «>, не более................................ 0,25 А
Ток включения при 4, пр. и = 1 А, <*4/<# — 1 А/мкс, 4 = 10 мкс, не более.. 0,4 А
Повторяющийся импульсный обратный ток при и = £4>бр, п, =”. 7^ = +125 С....... 30 мА
Отпирающийся постоянный ток управления при /Дс = 12 В, не более:
7j} = -60 °C........................... 0,5 А
Тп = +25 °C............................ 0,15 А
Неотпирающий постоянный ток управления при f/3r и ~ 0,67(7^ п, /?у = 10 кОм, 7^ =+125 “С, не менее...................... 3 мА
Время включения при t/x — 300 В,
4с и = 4с ср макс» <^4с/= 25 А/мкс,
/у ПР и = 1 A, dh/dt= 1 А/мкс, гу = 10 мкс, не более................................... 2 мкс
Время задержки при = 300 В,
4с, и = 4с, ср. макс» ^4с/ofr = 25 А/мкс,
4,пр,и ~ 1 А» d!y/dt= 1 А/мкс, Гу = 10 мкс, не более................................... 1 мкс
Время выключения при U3r = 0,67 U3C п»
dU^/dt — {dU3C/dt)KP, 1^бр,и “ Ю0 В,
4с,И ~ 4с. СР, МАКС» (<^4с/°^)сп ~ Ю А/мкс, 71] = +125 °C, не более.................... 16...32 мкс
Время обратного восстановления
при £/оьр,и ~ ЮО В, /(х- и = 4с,ср.макс»
(d/ol/dt),n — 10 А/мкс, 7^ = + 125 °C, не более................................... 2,5 мкс
Заряд обратного восстановления
при f/овр и = 100 В, /ос и = 4с. ср, МАКС»
(^(jc/^Ocn ~ Ю А/мкс, Тп = + 125вС, не более................................... 80 мкКл
Динамическое сопротивление в открытом состоянии, не более:
ТБ 161-80.............................. 5,3 мОм
ТБ161-100.............................. 2,64 мОм
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более................................... 0,2 °С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии....................... 500... 1100 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии....................... IJt^n
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение в закрытом состоянии .. 0,6t/3C п
Повторяющееся импульсное обратное напряжение............................... 500... 1100 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение ............................. ММзбр.п
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение .................... 0,6f/O6Pn
Максимально допустимое обратное напряжение управления ................... 5 В
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при U3C и = 0,67 U3C п, /?у^оо, Гп==+125вС ......’............... 200...
1000 В/мкс
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при f= 50 Гц, 0= 180’, 7^ =+85 °C:
ТБ161-80............................. 80 А
ТБ161-100............................ 100 А
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при f = 50 Гц, р = 180°, Гк = 4-85 °C:
ТБ161-80............................. 126 А
ТБ161-100............................ 157 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при и0Бр = 0, Ги = 10 мс, Гп = +125 °C: •
ТБ161-80............................. 2200 А
ТБ161-100 ........................... 2500 А
Защитный показатель при 6/0БР — 0, 7И = 10 мс, Гп == +125 °C:
ТБ161-80............................. 24,4 кА2-с
ТБ161-100............................ 31,2 кА2-с
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при 6/ЗС/И = изс п> (к. и — 2/0С СР МДКС, — 1 А/мкс, f— 1...5 Гц, tv= 10 мкс, Гп = +125 °C.... 800 А/мкс
Минимально допустимый прямой импульсный ток управления........................... 0,5 А
Максимально допустимый прямой импульсный ток управления........................... 15 А
Температура перехода..................... +125 °C
Температура корпуса...................... —60...+85 °C
Таблица
СОЧЕТАНИЕ КЛАССИФИКАЦИОННЫХ ПАРАМЕТРОВ ДЛЯ ТИПОНОМИНАЛОВ
К/?йСС го напряжению Значение И' в В/мкс мкс ^вкл мкс
Группы Классификационных параметров
4 5 € 1 4 5 6 7 4
Значение классификационных параметров
200 i 320 SOO 1000 32 25 20 16 2
5-9 500,..900 + + + + + + + +
10, 11 1000. 1100 + + + +• + + + - +
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от импульсного напряжения
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от импульсного напряжения
-ТБ161-80. ТБ161-Ю0-
24
32
t^lOncc
16
е
1ч=10гш:
Рцн ~4Bi&
'Q^Pv--8QBw
/у IDmkc Q=V Ру,и=1Впъ f_________
hf - Постоянный ток
8 4 В 12 16 ^пя.йгА
Зоны возможных положений зависимости постоянного напряжения управления от тока
Зоны возможных положений зависимости импульсного напряжения управления от тока
Зависимости импульсного повторяющегося така от длительности импульса
Зависимости импульсного повторяющегося тока от длительности импульса
Зависимости импульсного повторяющегося тока от длительности импульса
Зависимости импульсного повторяющегося тока от длительности импульса
he. п, A
Зависимости импульсного повторяющегося тока от длительности импульса
Зависимости импульсного повторяющегося тока от длительности импульса
d/oc/dtM
diffMA/c
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Iосп, A
dhe Adt.A/c dheAdt, A /с
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
iiMt A /с
Зависимости импульсного повторя ющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторя ющегося тока от скорости нараста ния тока в открытом состоянии
dh^dt А/с
dhe/dtA/c
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нараста ния тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
dhi^dt^/c
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нараста ния тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нараста ния тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повтори ющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повтори ющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного тока управления от длительности импульса
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от дли тельности импульса
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости импульсного тока в открытом СОСТОЯНИИ от ДЛИ тельноеги импульса
Зависимости времени задержки и времени включения от импульсного тока управления
Зависимость времени выключения от обратного напряжения
1вихд/Ьвися лл %
ТЫ61-80 ТБ161-1П0
(dUsc/dt) /(dUx/dt)xp
Зависимость времени выключения от скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии
Зависимость времени выключения от среднего тока
teOCteP .мкс
I I I II I \ТБ161-80\
(dhc^tkn. А/мкс
8 2D & 60 80 да
(dhc/dtkn. А/мкс
Зависимость времени выключения от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости времени выключения от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости времени обратного восстановления от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости заряда обратного восстановления от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости заряда обратного восстановления от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости скорости нарастания напряжения от напряжения в закрытом состоянии
С/Вт
Зависимости скорости нарастания напряжения от обратного напряжения и от напряжения в закрытом состоянии
Зависимости переходного теплового сопротивления переход—корпус от времени
ТБ2-160, ТБЗ-200
Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п, Предна-дпа примрмвниа r идиргтдр ипюирдых ^dpmphtqq в цепях постоянного и переменного токов частотой до 10 кГц преобразователей электроэнергии, где требуются малое времена включения и выключения, высокие скорости нарастания тока и напряжения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе фланцевой конструкции с гибким силовым выводом. Анодом является плоское основание. Обозначение типономи-нала и полярности силовых выводов приводится на корпусе.
Масса не более 470 г.
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии при /ре и = 3,144к.ср макс- *и * 10 не более:
ТБ2-160.............................. 2 В
ТБЗ-200.............................. 1,7 В
Пороговое напряжение при Тп = +110 °C, не более:
ТБ2-160.........-.................... 1,41 В
ТБЗ-200.............................. 1,06 В
Отпирающее постоянное напряжение управ-
ления при U3C = 12 В, не более:
7"п — —50 “С,/у от — 0,75 А.......... 8 В
7’П = +25°С, 4от = О,35 А............. 5,5 В
7п =+1Ю °C,/у от = 0,22 А............ 4 В
Неотпирающее постоянное напряжение управления при и “ ^зс, п» ~ 5 Ом, Г = +110 °C, не менее.................... 0,2 В
Повторяющийся импульсным ток в закрытом СОСТОЯНИИ При Цу и — ^ЗС.П* ~ °°* 7"n =s 4-110 °C, не более................ 30 мА
Ток удержания при /?у = », не более...... 70 мА
Ток включения при /у п₽(и = 2 А, о/у/о/~ 5 А/мкс, Д = 10 мкс, не более.... 0,45 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток при С4)бр.и~ П. Я = Гп ИЮ С.............. 30 мА
Обратный ток восстановления при (ДБр и = ЮО В, 4?С, И ~ kiC, СР, МАКС* (<йос/^)сп ~ 40 А/мкс, Гп = +1Ю “С, не более................................. 140 А
Отпирающийся постоянный ток управления при t/зс = 12 В, не более:
Гп = —50 °C........................... 0,75 А
Гя = +25вС............................ 0,35 А
Гп = +110сС........................... 0,22 А
Неотпирающий постоянный ток управления ПРИ ^зс.и ~ ^зс, п» 7?у = 5 Ом, Гп = +110 X, не менее................................. 2 мА
Время включения при 1/зс и = 300 В, 4м:, и = {ус, с₽, макс* пр и = 20 В,
5 А/мкс, /?у = 4,5 Ом, fy = 10 мкс, не более................................. 5 мкс
Время задержки при и = 300 В, 4к,и ж 4)С,СР МАКС* Uy ПР и ~ 20 В, tf/у/ dt— 5 А/мкс, /?у = 4,5 Ом, tv = 10 мкс, не более................................. 1 мкс
Время выключения при 1/зс и = 0,67U3C п, (dU3C/dt)KP, бй.'и = 100 В, ’
4х, и ~~ Дс ср. макс* (^oc/dt)cn = Ю А/мкс, Т’пв +110 °C, не более................... 20.„50 мкс
Время обратного восстановления для групп
110 ^ВЫКЛ ПрИ 47оьр(И = 100 В, Дси = /ос СР. МАКС* (tfW^)cn= 10 А/мкс, Гл==+110 °C, не более:
группа 5.............................. 8,5 мкс
группа 6.............................. 5 мкс
группа 7................................ 3,5 мкс
Заряд обратного восстановления для групп ^ВЫКЛ ПРИ ^ОБР И — ^00 В, ц /ос Ср мдко (c7oc/cfr)cn = 10 А/мкс, Гп = +110 °C, не более:
группа 5.............................. 200 мкКл
группа 6.............................. 86 мкКл
группа 7.............................. 50 мкКл
Динамическое сопротивление в открытом состоянии при Тп = +110 °C, не более:
ГБ2—160............................... 0,98 мОм
ТБЗ-200............................... 0,86 мОм
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более................................. 0,14 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—среда, не более.......................’......... 0,83 °С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии:
ТБ2-160............................... 300...1200 В
ТБЗ-200............................... 300... 1000 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии...................... 1,12^ п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................ 0,7£/зс п
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение в закрытом состоянии.................................. 0,5£/зсп
Повторяющееся импульсное обратное напряжение:
ТБ2-160............................... 300...1200 В
ТБЗ-200............................... 300...1000 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение............................... 1,12£/0БР п
Рабочее импульсное обратное напряжение... 0,74/обр.п
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение........................... 0,5(7ОБР п
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при £/зс и = 0,67 £/зс п,
- 7"п = +110°С........’.............. 100...
1000 В/мкс
Максимально допустимое обратное постоянное напряжение управления............... 3 В
Максимально допустимый средний ток t гпгтпянии При f— 50 Гн.
Ь =180\'Гк =+70 °C:
Г ТБ2-160............................... 160 А
ТБЗ-200.............................. 200 А
Максимально допустимый действующий ток t открытом состоянии при f— 50 Гц, В = 180е, Гк = +70°С:
ТБ2-160.............................. 250 А
ТБЗ-200.............................. 314 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при (/ОБр = 0, 4, = 10 мс, Тп — +110 °C:
ТБ2-160.............................. 4000 А
ТБЗ-200.............................. 4500 А
Защитный показатель при 4/0БР = 0,
Юме, Гп = +110°С:
ТБ2-160.............................. 80 кА2-с
ТБЗ-200.............................. 101 кА2-с
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при (Узе и = U3C п, и ср макс» ?= 6 Гц, dk//dt— 5 А/мкс, ty = 10 мкс, Тп = +110 °C............... 200...
400 А/мкс Минимально допустимый прямой импульсный ток управления.......................... 2 А
Максимально допустимый прямой импульсный ток управления.......................... 25 А
Температура перехода.................... +110 °C
Температура корпуса..................... —50...+70 °C
Корпус тиристора с плоским основанием соединяется с охладителем при помощи прижимного устройства, обеспечивающего хороший электрический и тепловой контакт во всем диапазоне рабочих температур. Диаметр контактной поверхности охладителя должен быть не менее 56 мм, неплоскост-ность контактной поверхности не более 0,03 мм, чистота обработки не хуже 2,5. Внешнее осевое прижимное усилие при монтаже должно быть не менее 15000...25000 Н, закручивающий момент при завинчивании болтов не более 3,5 Н-м.
Таблица
СОЧЕТАНИЕ КЛАССИФИКАЦИОННЫХ ПАРАМЕТРОВ ДЛЯ ТИПОНОМИНАЛОВ
Тип тиристора Класс по напряжению Значение У Tt п и п< В 3/мкс ^ВЫКЛ' мкс А/мкс
Группы классификационных параметров
3 4 5 6 5 6 7 5 6
Значение классификационных параметров
106 200 500 1000 50 30 20 200 400
ТБ2-160 3-8 30». ..800 + + + + + + + - +
9-12 900... 1200 + + + + + + - + -
ТБЗ-200 3-7 300... 700 + + + + + + + - +
8-10 800... 1000 + 4- + + + + + -
Зависимости импульсного тока в от- Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от напряжения крытом состоянии от напряжения
Зоны возможных положений эави-|снмости импульсного напряжения I управления от тока
№
8
„ ТБЗ-200
7/Н~
£Иласл1б<Т<Р гаринашроВаиного' тпирания^л^
4 ьа^гтп I .Li 1X1 и О 0,2 ОЛ 0,6 0,8 1У1А
Зона возможных положений напряжения управления от тока управления
Зависимости импульсного отпирающего тока управления от длительности импульса управления
Зависимости Повторяющегося тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости повторяющегося тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости повторяющегося тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости повторяющегося тока а открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости повторяющегося тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости повторяющегося тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости повторяющегося тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости повторяющегося тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости повторяющегося тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости повторяющегося тока в открытом состоянии от длительности импульса
lot, r A
Зависимости повторяющегося тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости повторяющегося тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости повторяющегося тока Зависимости повторяющегося тока в открытом состоянии от длитель- в открытом состоянии от длительности импульса ности импульса
Зависимости повторяющегося тока в открь’том состоянии от длительности импульса
Зависимости повторяющегося тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости повторяющегося тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости повторяющегося тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости повторяющегося тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости повторяющегося тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости повторяющегося тока Зависимости повторяющегося тока в открытом состоянии от длитель- в открытом состоянии от длительности импульса иости импульса
Зависимости повторяющегося тока е открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости повторяющегося тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости импульсного тока от длительности импульса
4-1723
Зависимости импульсного тока от длительности импульса
97
he, и. A
Зависимоеги импульсного г ока от длительности импульса
Зависимости импульсного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного тока от длительности импульса"
Зависимости импульсного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного тока or длительности импульса
Зависимости импульсного тока от длительности импульса
Зависимости ударного тока Зависимости ударного тока
от длительности импульса от длительности импульса
4*
Зависимости ударного тока Зависимости ударного тока
от длительности импульса от длительности импульса
99
Зависимости времен задержки и включения от прямого импульсного тока управления
Зависимость времени выключения от напряжения
Зависимость времени выключения от импульсного тока
Зависимость времени выключении от импульсного тока
(dloc/iitkn.A/tf-t
Зависимость времени выключения от критической скорости нарастания напряжения
Зависимость времени выключения от скорости спада тока
Зависимость времени обратного восстановления от скорости спада тока
Зависимость времени обратного восстановления от скорости спада тока
Зависимости критической скорости нарастания напряжения от напряжения
Зааисимости критической скорости нарастания напряжения от напряжения
Зависимости заряда обратного восстановления от скорости спада тока
Зависимости заряда обратного восстановления от скорости спада тока
Зависимости переходного теплового сопротивления от времени
ТБ171-160, ТБ171-200
Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п. Предназначены для применения в качестве ключевых элементов в цепях постоянного и переменного токов частотой до 10 кГц, где требуются малые времена включения и выключения, высокие скорости нарастания тока и напряжения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибким силовым выводом. Анодом является основание. Обозначение типономинала и полярности силовых выводов приводится на корпусе.
Масса не более 510 г.
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии
при /ос и = 3,(Р МАКС, 4, = 10 мс, не более: ТБ171-160............................. 2 В
ТБ171-200 ......................... 1,75 В
Попоговое напряжение, не более: ТБ171-160................................. 1,35 В
ТБ171-200 ............................ 1,15 В
постоянное напряжение управ-
ления при £/зс — 12 В, не более: Гп =-60 °C, 4 ог = 0,75 А.............. 5 В
ГП = +25°С, <ОТ=0,25А................. 2,5 В
Неотлирающее постоянное напряжение управления при Uv и = 0,67 U3C п, /?у = 10 кОм, fn = +125 °C, не менее................... 0,2 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом СОСТОЯНИИ При Ц<и = U* п, Я — О», 7"п = +125 °C, не более.................. 40 мА
Ток удержания при U,( — 12 В, /?у = <», не более................................. 0,3 А
Ток включения при /у Пр и = 1 А, d!y/dt~ 1 А/мкс, ty= 10 мкс, не более.... 0,5 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток в закрытом состоянии при £/0БР и = Ц,БР п, 7^ = +125 °C ............................ 40 мА
Отпирающийся постоянный ток управления при U, = 12 В, не более:
Тп^-бОХ .............................. 0,75 А
Тп +25 °C............................. 0,25 А
Неотпмрающий постоянный ток управления при U3C и = 0,67 п, Я = 10 кОм, Тп = +125 °C, не менее................... 5 мА
Время включения при U3e и “ 300 В, Ас, и ~ Ас СР макс» 25 А/мкс,
/у Пр и = 1,2 A, di^/dt — 1 А/мкс, Ту = 10 мкс, не более.................... 2 мкс
Время задержки при и = 300 В, (х и~ Ас,ср,макс» ^Ас/0^ — 25 А/мкс, А пр,и 1»2 A, dly/dt — 1 А/мкс, Ту = 10 мкс, не более.................... 1 мкс
Время выключения при 4ДГ и = 0,674ДГгп, dt — {dU.,/dt}^, £Абр = 100 В, Ac И “ Ac СР, МАКС» (dtoc/dt}^ - 10 А/мкс, 7"n = +125 °C, ие более.................. 20...50 мкс
Время обратного восстановления ПРИ Ц>БР,И = Ю0 В, Ас. И = Ас, СР МАКС»
(оАс/<*)сп ~ Ю А/мкс, Гп « +125 °C, не более... 2,8 мкс
Заряд обратного восстановления при UObPi и = 100 В, /ос и = (к, ср. макс» (cf/QC/dt)cn = 10 А/мкс, Гп = +125 °C, не более... 100 мкКл Динамическое сопротивление в открытом состоянии при 7"п = +110 °C, не более:
ТБ171—160............................ 1,75 мОм
ТБ171-200 ........................... 1,05 мОм
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более................................ 0,12 °С/Вт
Предельные эксплуатационные, данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии.................... 500...1200 В
Не повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии.................... 1,1 t^c.n
Максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии ........ 0,6£/с п
Повторяющееся импульсное обратное
напряжение ............................. 500...1200 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение.............................. 1»1^обр,п
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение.......................... 0,6^БРП
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при U3C и = 0,67 U3<z п, %=<*>, Тп = +125ГС................:..... 200...
1000 В/мкс
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при f = 50 Гц, (3 = 180 , = +85 °C:
ТБ171-160 ........................... 160 А
ТБ171-200 ........................... 200 А
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при f= 50 Гц, [3- 180е, Тк = +85 °C:
ТБ171-160 ........................... 251 А
ТБ171-200 ........................... 314 А
Ударный не повторяющийся ток в открытом состоянии при {/О5Р = 0, = 10 мс, 7"п = +125 °C:
ТБ171-160 ........................... 4000 А
ТБ171-200............................ 5200 А
Защитный показатель при 6/0БР = 0,
4, = 10 мс.Тр = +125 °C: ТБ 171-160 ............................ 80 кА2-с
ТБ171-200 ........................... 135 кА2-с
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии При U3C и “ ^зс, п> 4)С И = 2/of Ср МАКС? diy/dt— 1 А/мкс, ?„ * к г.. ♦ - in миг т = +125 “С Минимально допустимый прямой импульсный
ток управления ...........................
Максимально допустимый прямой импульсный ток управления............................
Температура перехода......................
Температура корпуса.......................
800 А/мкг
0,5 А
23 А + 125 °C
-60...+85 °C
Таблица
СОЧЕТАНИЕ КЛАССИФИКАЦИОННЫХ ПАРАМЕТРОВ ДЛЯ ТИПОНОМИНАЛОВ
Класс но напряжению Значение п" 1,. в В/мкс 1 аыкл1 мкс мкс
Группы классификационных параметров
4 5 6 7 2 3 4 5 6 4
Значение классификационных параметров
200 320 500 1000 50 40 32 25 20 2
5-9 500...900 + + + + - - + + + +
10-12 1000... 1200 + + + + 9- + + - - +
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от импульсного напряжения
/осн. к А
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от импульсного напряжения
Зона возможных положений зависимости постоянного напряжения управления от тока
?4
16
8
8 W /у при А
О
Зоны возможных положений зависимости импульсного напряжения управления от тока
Зависимости импульсного тока управления от длительности импульса
Зависимости им пульс него повторяющегося тока от длительности импульса
Зависимости импульсного повторяющегося тока от длительности импульса
j—Lj.LlI il ,-1—t—L-vUJ
W2 4 2 tit X
Зависимости импульсного повторяющегося тока от длительности импульса
Зависимости импульсного повторяющегося тока от длительности импульса
Зависимости импульсного повторяющегося тока от длительности импульса
Зависимости импульсного повторяющегося тока от длительности импульса
dhMA/c
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсною повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
dMt.A/c
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока а открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости наоаста-ния тока в открытом состоянии
dfa/dLM
digest А /С
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
d /oc/o‘t,A/£
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока а открытом состоянии
dloMA/c
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания гока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости наоаста-ния тока в открытом состоянии
dMt.A/c
dlgc^dt.A/c
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного ударно- Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса го тока от длительности импульса
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности импульса
/ffi н И
Зависимое и импульсною тока а открытом состоянии о г дли тельности импульса
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости времени задержки и времени включения от импульсного тока управления
Зависимость времени выключения oi обратного напряжения
Зависимость времени аыключе ния от скорости нарастания на пряжения в закрытом состоянии
Зависимость времени выключе ния от импульсного тока в от крытом СОСТОЯНИИ
(dlor/dtjrn А/мкс
Зависимость времени выключения от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости времени обратного вое становления от скорости нарастания тока в открытом состоянии
(d lock'dt h-A/Mfcc
(d!ec/dt)cfi.A/tiKc
Зависимости времени обратного восстановления от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости заряда обратного восстановления от скорости нарастания тока в открытом состоянии
(dUx/dDw.B/nKt
О 20 45 60 80 WO
Ujf/Ux,p, %
О 20 Ьв 60 80 WO
(dbcfitknf А/мкс
Зависимости заряда обратного восстановления от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости скорости нарастания напряжения от напряжения в закрытом состоянии
2Г, tn t) г C/Blfl
кг1 м3 t.c
Зависимость скорости нарастания напряжения от обратного напряжения и от напряжения в закрытом состоянии
Зависимости переходного теплового сопротивления переход—корпус от времени
2ТБ171-160, 2ТБ171-200
(Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п. Предна-цйцрны для применения в качестве ключевых элементов |[ цепях постоянного и переменного токов частотой до 10 кГц, [де требуются малые времена включения и выключения, высокие скорости нарастания тока и напряжения. Выпускаются Г металлокерамическом корпусе с гибким силовым выводом. Анодом является основание. Обозначение типономинала и полярности силовых выводов приводится на корпусе.
Масса не более 510 г.
2ТБ171-160. 2ТБ171-200
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии при /qc 3,14^с ср мдкс> — Ю мс, не более:
2ТБ171—160........................... 2,3 В
2ТБ171—200 .......................... 1,9 В
Пороговое напряжение, не более;
2ТБ171-160 .......................... 1,35 В
2Т171—200 ........................... 1,15 В
Отпирающее постоянное напряжение управ-
ления при U3C = 12 В, не более:
Гп = -60°С, 4 от = 0,6 А............. 6 В
Тп = +25 °C, /у от - 0,2 А........... 3 В
Неотпирающее постоянное напряжение управления при Цс<и = 0,67 U,. п, Я = Ю кОм,
—+125 °C, не менее.................... 0,2 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом
СОСТОЯНИИ При U3c И = 4/зс п, Я — оо ?п ~ +125 “С, не более................... 40 мА
Ток удержания приЧ/зс = 12 В, /?у = <®, не более................................... 0,4 А
Ток включения прн 4. пр.и = 1
1 А/мкс, zy = 10 мкс, не более.... 0,5 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток в закрытом состоянии при £/0БР и = 44бр п, /?у = оо, 7"Л = +125°С.......’.....'....... 40 мА
Отпирающийся постоянный ток управления при U3C = 12 В, не более:
Тп = -60 °C............................ 0,6 А
ТЛ = +25°С............................. 0,2 А
Неотпирающий постоянный ток управления ПРИ <4с.и = 0,67U3Z л, /?у = 10 кОм, Тп — +125 °C, не менее..................... 5 мА
Время включения при U3Z = 300 В, 4с,И = 4с,СР, МАКО &ktc/25 А/мкс, 4,пр.и= 1»2 A, dly/dt— 1 A/mkg, 4 = 10 мкс, не более....................... 3,2 мкс
Время задержки при U3Z = 300 В, 4с,И ~ 4c.CP.MAKO ^Ос/25 А/мкс, 4, пр, и = 1,2 A, dly/dt= 1 А/мкс, fy = 10 мкс, не более...................... 1,6 мкс
Время выключения при Цс,и “ 0,67^^, dU3Z/dt — (dU3C/dt)KPr £70ЁР 100 В,
/ос, И = 4с СР, МАКС» (d/oz/dt)cn = 10 А/мкс,
= +125 °C, не более.................... 20...63 мкс
Время обратного восстановления при t/оБР, и ” Ю0 В, /ос и 4с, СР, мдко (о4с/<#)сп ~ Ю А/мкс, 7*п — + 125 X, не более................................... 2,8 мкс
Заряд обратного восстановления при /70бр и ~ ЮО В, /0Ср И — 4с, СР. МАКС» (о4с/<#)сп ~ Ю А/мкс, 7"п = +125 °C, не более................................... 100 мкКл
Динамическое сопротивление в открытом состоянии при Тп = +125 °C, не более:
ТБ171-160 ............................. 1,75 мОм
ТЫ 71—200 ............................. 1,05 мОм
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более................................... 0,12 Х/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 500... 1100 В
НвПОвТОрЯКЛЬЦее^х имн^ЛоСпОс НаПрЯ/Кбпиё
В закрытом состоянии.....................
Максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии............... 0,6 п
Повторяющееся импульсное обратное напряжение............................... 500... 1100 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение............................... 1,1(4эбр, п
Постоянное обратное напряжение............ 0,bUQ№ п
Постоянное обратное напряжение управления ................................... 5 В
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при и = 0,67£/х п, ^==с®, 7^ = +125*С...................... 100...
500 В/мкс
Средний ток в открытом состоянии при f-50 Гц, 0 = 180°, 7К = +85 °C: 2ТБ171-160 ............................. 160 А
2ТБ171—200........................... 200 А
Действующий ток в открытом состоянии при f = 50 Гц, р = 180°, Гк = +85 °C: 2ТБ171-160 ............................. 251 А
2ТБ171-200 .......................... 314 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при = 0, 4) = 10 мс:
7П = +25 °C (для 2ТБ171-160)......... 4,4 кА
Гп = +25 °C (для 2ТБ111-200)......... 5 кА
Гп - +125 °C (для 2ТБ171-160)........ 4 кА
Л==+125 С (для 2ТБ171-200)........... 4,5 кА
Защитный показатель при t/ObP = 0, 4 = 10 мс, Гп = +125 ’С:
2ТБ171-160 .......................... 80 кА2-с
2ТБ171-200 .......................... 135 кА<с
Критическая скорость нарастания тока в открытом СОСТОЯНИИ При l/зс и = б^С.П, ^ос,и — 2/0С Ср мако #4/^ж 1 А/мкс, f- 1...5 Гц, ty = 10 мкс, ГП"+125°С..... 800 А/мкс
Минимально допустимый прямой импульсный ток управления.......................... 0,5 А
Максимально допустимый прямой импульсный ток управления ...........................
Температура перехода......................
Темпера! корпуса..........................
23 А
+ 125 DC
—60...+85 “С
ТБ200, ТБ250
Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п. Предназначены для применения в качестве ключевых элементов в цепях постоянного и переменного токов частотой до 10 кГц преобразователей электроэнергии, где требуются малые времена включения и выключения, высокие скорости нарастания тока и напряжения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе таблеточной конструкции. Анодом и катодом служат плоские основания. Обозначение типономинала и полярности силовых выводов приводится на корпусе и на бирке.
Масса не более 230 г.
Импульсное напряжение в открытом со-
стоянии при /ос и = 3,144с, ср, макс» 4i ~ Ю мс, не более:
ТБ200 ................................ 2,4 В
ТБ250 ................................ 2 В
Пороговое напряжение при Тп = +110 °C, не более:
ТБ200 ................................ 1,5 В
ТБ250 ................................ 1,2 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при U3C = 12 В, не более:
^ = -50 0,/у.Ог = 0,75 А............. 8 В
т = +25 “С, lr. ст = 0.3S А.... 5,5 В
^»+110вСЛот = 0,22А.................. 4 В
Неотпирающее постоянное напряжение управления при и = п, /?у = 5 кОм, f = +110 “С, не менее.................... 0,2 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом СОСТОЯНИИ При U3c И ~ ^4с, П» Ъ = °°»
Гп = +110 С, не более.................... 30 мА
Ток удержания при “ *э, не более......... 70 мА
Ток включения при 4. пр. и — 2 А, dly/dt— 5 А/мкс, ty — 10 мкс, не более... 0,5 мА
Обратный ток восстановления при £4бр,и = 1®® В» 4с,и “ 4с,СР,МАКС» (d^/dt) = 40 А/мкс, Гп = +110 °C, не более:
ТБ200................................ 140 А
ТБ250 ............................... 155 А
Отпирающийся постоянный ток управления при i/3C = 12 В, не более:
Гп = -50 °C.......................... 0,75 А
Тп = +25 X........................... 0,35 А
ГП = +125°С.......................... 0,22 А
Неотпирающий постоянный ток управления при и = ^4с, п, = 5 кОм, = +1Ю С,
не менее................................. 2 мА
Время включения при t/3C и = 300 В, 4с и = 4с. ср, макс» <4 р₽ и = 20 В, d!y/dt— 5 А/мкс, /?у = 5 Ом, = 10 мкс, не более................................. 5 мкс
Время задержки при U3C и = 300 В, 4с, и “ 4с, ср, макс» ^4, пр, и ~ 20 В, dly/dt~ 5 А/мкс, /?у = 5 Ом, fy = 10 мкс, не более................................. 1 мкс
Время выключения при i/3C и = 0,67 6/зг>п, dUv /dt= (d/QC/dt)Qn = 10 А/мкс, ^4бр,и = 100 В, 4с,и = 4c.cp.makc» (<*4с/<#)сп = Ю А/мкс, Гп = + 110 °C, не более................................. 20...50 мкс
Время обратного восстановления для групп по Гвыкл При £/Обр,и = 100 В, 4г,И = 4с, СР, МАКС» (^4с/^)cn = 10 А/мкс, /"п — -т 11w °C, пе: ООлее. группа 5.................................. 8,5 мкс
группа 6.............................. 5 мкс
группа 7.............................. 3,5 мкс
Заряд обратного восстановления для групп fBbjKJ1 при 6/ОБР и = 100 В, 4с.и = 4с,СР макс» (^4г/^Осп = Ю А/мкс, Гп = +1Ю сС, не более:
ТБ200 группа 5....................... 200 мкКл
ТБ250 группа 5....................... 240 мкКл
ТБ200 группа 6....................... 86 мкКл
ТБ250 группа 6....................... 103 мкКл
ТБ2С0 группа 7....................... 50 мкКл
ТБ250 группа 7....................... 60 мкКл
Динамическое сопротивление в открытом состоянии при Тп = +110 °C, не более: ТБ200 .................................... 1,4 мОм
ТБ250 ................................ 0,92 мОм
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более.................................. 0,091 сС/Вт
Тепловое сопротивление переход—анод, не более.................................. 0,16 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—катод, не более.................................. 0,21 сС/Вт
Тепловое сопротивление переход—среда, не более.................................. 0,57 пС/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии...................... 300... 1200 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии...................... 1,1264с,п
Рабочее импульсное обратное напряжение.... 0>7^4с,л
Максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии................ 0,564с,п
Повторяющееся импульсное обратное напряжение................................ 300...1200 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение............................ 1,12^обр.п
Рабочее импульсное обратное напряжение... 0,7£/О6Р, п
м^ь-гимйпннс допустимое постоянное обратное напряжение........................... 0,5£/ОБР п
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при U3C и = 0,67 п, /?у = оо, Гп =+110 "С..............'..... 100...
1000 В/мкс
Максимально допустимое обратное постоянное напряжение управления................. 3 В
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при f= 50 Гц, Р= 180°, Гк = +70сС:
ТБ200 ................................ 200 А
ТБ250 ................................ 250 А
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при f= 50 Гц, р = 180", Гк = +70 СС;
ТБ200 ................................ 314 А
ТБ250 ................................ 393 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при 6/0БР = 0, Ги = 10 мс, 7'п = +110°С:
ТБ200 ................................ 4500 А
ТБ250 ................................ 5000 А
Защитный показатель при £/0БР = 0,
Ги = 10 мс, 7*п = +110 °C:
ТБ200 ................................ 101 кА2-с
ТБ250 ................................ 125 кА2-с
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при £/зс и ~ п» /пс.и = 2^с ср макс» 5 Гц, 5 А/мкс,
гу=10мкс, 7п = +110°С.................... 100;
200 А/мкс
Минимально допустимый прямой импульсный ток управления........................... 0,4 А
Максимально допустимый прямой импульсный ток управления........................... 20 А
Температура перехода..................... +110 °C
Температура корпуса.................-.... —50...+ 110 °C
Таблица
СОЧЕТАНИЕ КЛАССИФИКАЦИОННЫХ ПАРАМЕТРОВ ДЛЯ ТИПОНОМИНАЛОВ
Тип тиристора Класс по напряжению Значение пи tv В 6/мкс Вз1КГ 1 мкс А/мкс
Группы классификационных параметрон
3 4 5 6 5 6 5
Значение классификационных параметров
100 200 500 1000 50 30 20 100 200
ТБ200 3-8 300 -800 + + + + + + + - +
9-12 900... 1200 + + + + + + - + -
ТБ250 3-7 300. 700 + + + + + ь + — +
з-ю 800... 1000 + + + + + — + -
Таблеточный корпус тиристора соединяется с охладителем с помощью прижимного устройства, обеспечивающего хороший электрический и тепловой контакт во всем диапазоне рабочих температур. Сборка тиристора с охладителями должна производиться в соответствии с инструкцией завода-изготовителя. Диаметр контактной поверхности должен быть не менее 40 мм, неплоскостность контактных поверхностей не более 0,03 мм, чистота обработки не хуже 1,25.
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от импульсного напряжения
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от импульсного напряжения
Зависимости напряжения управления от тока управления
Зависимости прямого импульсного напряжения управления от импульсного тока управления
Зависимости импульсного отпирающего тока управления от длительности импульса управления
Зависимости повторяющегося тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости повторяющегося тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости повторяющегося така в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости повторяющегося тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости повторяющегося тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости повторяющегося тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости ударного тока от длительности импульса
Зависимости ударного тока от длительности импульса
Зависимости ударного тока от длительности импульса
Зависимости ударного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного тока от длительности импульса
tUM / 1вК/1 НОВ А) ‘ Ьнр /trip (IBS А)
ГБ200
^в*77
0/>МГ тсГ i
Зависимости времен нарастания и включения от импульсного тока
Зависимости времен нарастания и включения от импульсного тока
Зависимости времен задержки и включения от прямого импульсного тока управления
Зависимости времен задержки исключения от скорости нарастания тока управления
1нР t ФУ/tsKtiWC)
Зависимости времен нарастания и включения от температуры перехода
Зависимость времени выключения от напряжения
1вШ^9ЫКЛ{21М}
Зависимость времени выключе ния от импульсного тока
Зависимость времени выключения от импульсного тока
(dbefit
Зависимость времени выключения от скорости спада тока
Зависимость времени выключения от температуры iepexofla
Зависимость времени обратного восстановления от скорости спа да тока
Зависимость времени обратного восстановления от скорости спада тока
Зависимости заряда обратного Зависимости заряда обратного
восстановления от скорости спа- восстановления от скорости спада тока да тока
Зависимости критической скорости нарастания напряжения от напряжения
Зависимости критической скорости нарастания напряжения от напряжения
Зависимости критической скорости нарастания напряжения от напряжения управления
Зависимости переходного теплового сопротивления переход—корпус от времени
ТБ133-200, ТБ133-250
Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п. Предназначены для применения в статических преобразователях электроэнергии, а также в различных силовых установках постоянного и переменного токов, где требуются небольшие времена включения и выключения, высокие скорости нарастания тока и напряжения. Тиристоры обладают большой нагрУ” зочной способностью по току на высоких частотах. Выпускаются в металлокерамическом корпусе таблеточной конструкции. Анодом и катодом являются плоские основания. Обозна-130
чение типономинала и полярности силовых выводов приво ит-|СЯ на корпусе.
Масса не более 200 г.
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии при /ПС| и = 3,14^с ср МАКГ, ~ 10 мс, не более:
ТБ133-200............................... 2,4 В
ТБ 133-250................................. 2 В
Пороговое напряжение, не более:
ТБ133-200 ................................ 1,4 В
ТБ 133-250 ............................... 1,2 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при 6/дс = 12 В, не более:
ГП = -60 °C, 4 ог = 0,75 А................ 5 В
Гп = +25 С, 4 от = 0,25 А............... 2,5 В
Неотпирающее постоянное напряжение управления при бДс и = 0,67£/зс П' Я= Ю кОм, 7^i = +125 °C, не менее.................... 0,2 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом
СОСТОЯНИИ ПрИ [ff ~~ Hi ^У 7гг=+125 °C, не более....................... 40 мА
Ток удержания при £/зс = 12 В, /?у — 00, не более................................... 0,3 А
Ток включения при пр и = 1 А, tf/у/dt— 1 А/мкс, Гу = 10 мкс, не более...... 0,5 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток
при 4/0БРИ == иоьр п, /?у = оо, Гп = +125 “С. 40 мА
5*
131
Отпирающийся постоянный ток управления при U3C = 12 В, не более:
Т — lie "Г 'fl “• ' ............................
Неотпирающий постоянный ток управления при £/К(И 28 0г674/ЗСр п» = Ю кОм,
Гп = +125 °C, не менее..................
Время включения при UiC — 300 В,
4ic, и = 4с,ср млко &t= 25 А/мкс, /у пр,и = 13 A, dh/dt = 1 А/мкс, Гу “ 10 мкс, не более...................
Время задержки при (/?с и = 300 В,
4)с,и = 4к,ср,иако g^oc/dt= 25 А/мкс,
4,пр.и 13 A, d^/dt = 1 А/мкс, Гу = 10 мкс, не более..................
Время выключения при U3C и = 0,67
<^Ас/{d(J3Q/“ 100 В, /сс,и “ 4эс,ср МАКС, (<^Ос/“ 10 А/мкс, Гп = +125 X.............................
Время обратного восстановления при £/оь[> и 100 В, 4>с,и = 4к,ср,макс> (J/oc/J/jcn = 10 А/мкс, Тп = +125 °C, не более:
ТБ133-200............................
ТБ133-250............................
Заряд обратного восстановления
При = Ю0 В, /ос и = 4)С,СР,МАКС> (d/0C/dr)Cn = 10 А/мкс, Гп = +125 °C, не более:
ТБ133-200 ...........................
ТБ133-250 ...........................
Динамическое сопротивление в открытом состоянии, не более:
ТБ133-200............................
ТБ133-250............................
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более ...............................
Тепловое сопротивление переход—анод, не более ...............................
Тепловое сопротивление переход—катод, не более ...............................
0,75 А Л ПС А
5 мА
2 мкс
1 мкс
20...40 мкс
2 мкс
2,3 мкс
80 мкКл
95 мкКл
2,22 мОм
1,29 мОм
0,08 °С/Вт
0,141 °С/Вт
0,185 °C/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии................ 600... 1200 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии....................
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии .......................
Максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии..............
Повторяющееся импульсное обратное напряжение ...............................
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение..............................
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение..........................
Максимально допустимое обратное постоянное напряжение управления...............
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при и = 0,67//зс п,
Гр = +125“С.................;....
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при f— 50 Гц, р= 180е, Гк -+85 С:
ТБ133-200............................
ТБ 13 3-250..........................
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при f= 50 Гц, 180\ Гк = +85 °C;
ТБ133-200 ...........................
ТБ 133-250 ..........................
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при £/обр = 0, 4, — 10 мс, Гп = +125 °C:
ТБ133-200 ...........................
ТБ133-250 ...........................
Защитный показатель при £/0ЁР = 0, Ги = 10 мс, Тг = +125 °C:
ТБ133-200 ...........................
ТБ133-250 ...........................
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при изс— С/Зс,п> - ^ос,и — 2/ос СР МАКС, d!,/dt— 1 А/мкс,
f= 1 ...5 Гц, ty = 10 мкс, Гп == +125 X.
Минимально допустимый прямой импульсный ток управления .........................
Максимально допустимый прямой импульсный ток управления .........................
1»1 ^зс,п
0.7£Дсп
п
600...1200 В
1,1£/обр.п
0,5 (/0БР п
5 В
200...
1000 В/мкс
200 А
250 А
315 А
392 А
5200 А
5500 А
135 кА2-с
161 кА2*с
800 А/мкс
0,5 А
23 А
Температура перехода ..................... +125 ПС
Температура корпуса....................... —60...+85 °C
Таблеточным корпус тиристора соединяется с охладителем с помощью прижимного устройства, обеспечивающего надежный электрический и тепловой контакт во всем диапазоне рабочих температур. Неплоскостность контактных поверхностей не более 0,01 мм, чистота обработки не хуже 1,25.
Не допускается эксплуатация тиристоров без обеспечения осевого усилия сжатия в диапазоне 6400...9600 Н.
Таблица
СОЧЕТАНИЕ КЛАССИФИКАЦИОННЫХ ПАРАМЕТРОВ ДЛЯ ТИПОНОМИНАЛОВ
Класс по напряжению Значение . и ,'..в В/мкс ^ВЫКЛ' мкс Gian * мкс
Группы классификационных параметров
4 5 6 7 2 3 4 5 6 2
Значение классификационных параметров
200 320 500 1000 50 40 32 25 20 2
6-9 600...900 + + + + - - + + + +
10-12 1000...1200 + + + + + + + - - +
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от импульсного напряжения
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от импульсного напряжения
US', пр, и, В
Зона возможных положений зависимости постоянного напряжения управления от тока
Зоны возможных положений зависимости импульсного напряжения управления от тока
Зависимости импульсного тока уп равнения от длительности импульса
Зависимости импульсного повторяющегося тока от длительности импульса
Зависимости импульсного повторяющегося тока от длительности импульса
2 4 6 8^ 2
Зависимости импульсного повторяющегося тока от длительности импульса
Зависимости импульсного повторяющегося тока от длительности импульса
Зависимости импульсного повторяющегося тока от длительности импульса
Зависимости импульсного повторяющегося тока от длительности импульса
2 4 6 8ц?
rf/oc/dt.A/c
dfoc/dt А/с
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
dbc^dt.A/c
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
dloc/dt.A/с
Зависимости импульсного повторяющегося тока сг скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
d hc/dt.A/c
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
dloc^dt А/с
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсною повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
d kc/dtA/c
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
d foc/dl.A/t
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом ссртоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
dhc/dt.A/c
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
dloMA/c
Зависимости импульсною повторяющегося -ока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса 141
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от Длительности импульса
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости импульсного тока в открытом СОСТОЯНИИ О1 дли тельности импульса
Зависимости импульсного тока в открытом сос оянии or дли тельное™ импульса
? 4 6 8W < ? I 6^ с
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от дли тельности импульса
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости времени задержки и времени включения от импульсного тока управления
Зависимость времени выключения от обратного напряжения
Зависимость времени выключения от скорости нарастания напряже
ния в закрытом состоянии
Зависимосгь времени выключения от импульсного тока в открытом
состоянии
(d for/dtkn. А/мкс
Зависимость времени выключения от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости времени обратного восстановления от скорости нарастания тока в открытом состоянии
(dto^dDcn. А/мкс
Зависимости времени обратного восстановления от скорости нарастания
Зависимости заряда обратного восстановления от скорости нарастания
тока в открытом состоянии
тока в открытом состоянии
Зависимости заряда обратного восстановления от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости скорости нарастания напряжения от напряжения в закрытом состоянии
UospAJosp.n. % Ux/Ux,n, % Зависимости скорости нарастания напряжения от обратного напряжения и от напряжения в закрытом состоянии
Зависимости переходного теплового сопротивления переход—корпус от времени
2ТБ133-200, 2ТБ133-250
Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п. Пред-uajujbiQUki для применения в статических преобразователях электроэнергии, а также в различных силовых установках постоянного и переменного токов, где требуются небольшие времена включения и выключения, высокие скорости нарастания тока и напряжения. Тиристоры обладают большой нагрузочной способностью по току на высоких частотах. Выпускаются в металлокерамическом корпусе таблеточной конструкции. Анодом и катодом являются плоские основания. Обозначение типономинала и полярности силовых выводов приводится на корпусе.
Масса не более 200 г.
Импульсное напряжение в открытом состоянии при /ГК1 и = 3,14^Г Ср мдкс, /и = 10 мс, не более:
2ТБ133—200 .......................... 2,4 В
2ТБ133-250 .......................... 2,2 В
Пороговое напряжение, не более;
2ТБ133-200 .......................... 1,4 В
2ТБ133-250 .......................... 1,2 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при Uv- = 12 В, не более:
7"п = —60 °C, 4 от = 0,75 А......... 6 В
7"п =+25 °C, от = 0,25 А............. ЗВ
Неотпирающее постоянное напряжение управления при £4с, и — 0,67£/зс п, /?у = 10 кОм, уп = +125 °C, не менее.................... 0,2 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом
СОСТОЯНИИ При и = п, /?у = <*>, Гп = +125 еС, не более.................... 40 мА
Ток удержания при U3C = 12 В, /?у = не более.................................. 0,5 А
Ток включения при 4,пр,и ~ 1 А, d!y/dt=-1 А/мкс, /у = 10 мкс, не более.... 0,6 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток
при ^4бр и ^4бр, п* Я °°> 125 С........ 40 мА
Отпирающийся постоянный ток управления
при W3C = 12 В, не более:
7‘л = -60°С............................ 0,75 А
ГЛ = +25Х.............................. 0,25 А
Неотпирающий постоянный ток управления
при t/jf и 0,67 л, /?у = 10 кОм, 7П = +125 °C, не менее.................... 5 мА
Время включения при = 300 В,
4с и 4с СР.МАКО *^4с/dt= 25 А/мкс,
Аг.пр.и = 13 A, dkf/dt— 1 А/мкс, tY = 10 мкс, не более..................... 1,6...3,2 мкс
Время задержки при £/зс и = 300 В,
4с и k)C ср Макс» ^4с/dt— 25 А/мкс,
4, пр, и = 13 A, dly/dt~ 1 А/мкс, ty — 10 мкс, не более..................... 0,8... 1,6 мкс
Время выключения при U3C и = 0,67п,
(^зс/^)кР» М)ЬР И = 100 В,
4с и ~ 4с. ср. макс» (°^Ас/°^)сп = 10 А/мкс, 7J] = +125 ’С............................. 20...50 мкс
Время обратного восстановления
При UqsP'H— 100 В, 4с, И = 4с, СР, МАКС»
(сУ4с/^)сп = 10 А/мкс, Гп — +125 °C, не более: 2ТБ133-200 ............................... 2 мкс
2ТБ133-250 ............................ 2,3 мкс
Заряд обратного восстановления
при ^4бр.и = ЮО В, 4с,и ~ 4с,ср,макс>
(с/4с/^)сп == 10 А/мкс, Гп = + 125 Т, не более:
2ТБ133-200............................. 80 мкКл
2ТБ133-250 ............................ 95 мкКл
Динамическое сопротивление в открытом состоянии, не более:
2ТБ133-200 .......................... 2,22 мОм
2ТБ133—250........................... 1,29 мОм
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более................................. 0,08 С/Вт
Тепловое сопротивление переход—анод, не более................................. 0,141 Х/Вт
Тепловое сопротивление переход—катод,
не более................................. 0,185 Х/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 500... 1100 В
Неповторяющееся импульсное напряжение
в закрытом состоянии................... 1,1^Ас.п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................ 0,7t/3C. п
Постоянное напряжение в закрытом со-
стоянии ................................. 0,5t/3C п
Повторяющееся импульсное обратное напряжение............................... 500...1100 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение............................... М^обр.п
Постоянное обратное напряжение.......... 0,50/ОБР п
Постоянное обратное напряжение управления .................................. 5 В
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при и = 0,6 7 п,
/?у = ~, 7"П = +125Х.....'.........1..... 100...
500 В/мкс
Средний ток в открытом состоянии
при 50 Гц, 3 = 180°, = +85 X:
2ТБ133-200 .......................... 200 А
2ТБ133-250 .......................... 250 А
Действующий ток в открытом состоянии
при f= 50 Гц, 0 = 180°, Гк = +85 "С: 2ТБ133-200 ........................... 315 А
2ТБ133-250 .......................... 392 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при {/0БР = 0, 4, = 10 мс:
7?, = +25 X (для 2ТБ133-200)......... 5 кА
Гл = +25 X (для 2ТБ133-250).......... 5,5 кА
т = +125 X (для 2ТБ133-200)........... 4,5 кА
Гп = +125 X (для 2ТБ133-250).......... 5 кА
Защитный показатель яри </0БР = 0, t = 10 мс, 7п = + '25 "С: 2ТБ133-200 .............................. 135 кА2-с
2ТБ133-250 ........................... 161 кА2-с
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при (/зси = £/ЗС1П, /ос и = 2/ог Ср МАКС, d!y/dt= 1 А/мкс, /= 1...5 Гц, ty = 10 мкс, ГП = +125Х..... 400 А/мкс
Минимально допустимый прямой импульсный ток управления....................... 0,5 А
Максимально допустимый прямой импульсный ток управления....................... 23 А
Температура перехода..................... +125 X
Температура корпуса...................... —60...+85 X
2ТБ143-320, 2ТБ143-400
Тиристоры кремниевые диффузионные р-лрл. Предназначены для применения в статических преобразователях электроэнергии, а также в различных силовых установках постоянного и переменного токов, где требуются небольшие времена включения и выключения, высокие скорости нарастания тока и напряжения. Тиристоры обладают большой нагрузочной способностью по току на высоких частотах. Выпускаются в металлокерамическом корпусе таблеточной конструкции. Анодом и катодом являются плоские основания. Обозначение типономинала и полярности силовых выводов приводится на корпусе.
Масса не более 280 г.
2ТБШ-520, 2T5U5-t>00
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии при V и ~ 3,14/ос ср МАКС, Ти — 10 мс, ие более:
2ТБ143-320 ........................ 2,5 В
2ТБ143-400 ........................ 2,1 В
Пороговое напряжение, не более: 2ТБ143-320 ........................... 1,4 В
27Б143-400 ........................ 1,11 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при U3r = 12 В, не более:
Гп =-60 °C, 4 от = 0,8 А........... 6 В
Гп = +25 °C, <от = 0-28 А.......... 3 В
Неотпирающее постоянное напряжение управления при и = 0,67 U3C п-/?у = 10 кОм, 7^ = +125 С, не менее.... 0,2 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом СОСТОЯНИИ при и = t/3f п, /?у — °°, 7^+125 ЭС, не более.................... 50 мА
Ток удержания при — 12 В, не более............................... 0,6 А
Ток включения при /y nP и = 1 А, d^/dt — 1 А/мкс, Ту = 10 мкс, не более. 1,2 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток при и= ^обр, п, Я °°i Гп +125 С........ 50 мА
Отпирающийся постоянный ток управления при = 12 В, не более:
Тп = -60 °C........................ 0,8 А
Гп —+25°С.......................... 0,28 А
Неотпирающий постоянный ток управления при и —* 0,67п- — Ю кОм,
Гп =+125 еС, не менее.................. 5 мА
Время включения при U3C — 300 В,
И= 4)С, СР, МАК( - ^(1с/25 А/мкс,
4. пр. и = 1-5 A, dly/dt= 1 А/мкс, Ту — 10 мкс, не более.................. 2...4 мкс
Время задержки при t/3C и = 300 В, 4>с,и = 4)С СР МАКС, ^4)с/^— 25 А/мкс, А-.пр.и ~ 1.5 A, d!y/dt= 1 А/мкс,
Ту — 10 мкс, не более.................. 1...2 мкс
Время выключения при U3C н = 0,67 U3C п, <№&/(<^3с/°^)кр, М)БР, и = ЮО В, 4)С, И = 4>С, СР, МАКС- (с^/(/Т)сп= 10 А/мкс,
ГП’=+125Т.............................. 25...50 мкс
Время обратного восстановления
ЛрИ t/obp и = ЮО В, /qc m = 4)С, СР, НАКО
(dbc/dOcn = 10 А/мкс, Гп = +125 °C, ?
Не ...................................... ........
Заряд обратного восстановления
при i/оБР, и ” ЮО 4с и — ,СР МЛКС’
№/4п = 10 А/мкс, ГП = +125Х, не более:
2ТБ143-320 ........................... 190 мкКл
2ТБ143-400 ........................... 230 мкКл
Динамическое сопротивление в открытом состоянии, не более:
2ТБ143-320 ........................... 1,3 мОм
2ТБ143-400............................ 0,8 мОм
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более................................. 0,05 *С/Вт
Тепловое сопротивление переход—анод,
не более................................. 0,087 'С/Вт
Тепловое сопротивление переход—катод, не более................................. 0,12 Х/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение
в закрытом состоянии..................... 500... 1100 В
Неповторяющееся импульсное напряжение
в закрытом состоянии..................... 1,1 п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................ 0,7//зсп
Постоянное напряжение в закрытом со-
стоянии.................................. 0,56/зсп
Повторяющееся импульсное обратное
напряжение............................... 500... 1100 В
Неповторяющееся импульсное обратное
напряжение............................... 1,ШОБРП
Постоянное обратное напряжение.......... 0,5 Ц^рпВ
Постоянное обратное напряжение управ-
ления ................................... 5 В
Критическая скорость нарастания напряжения
в закрытом состоянии при U3C и = 0,6 7 п, /?у = ~, ГЛ = + 125СС............. 1...... 100...
500 В/мкс
Средний ток в открытом состоянии
при Г= 50 Гц, Р = 180°, Гк = +85 X:
2ТБ143-320............................ 320 А
2ТБ143-400 ........................... 400 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при 6/0БР = 0, 4i = Ю мс:
Гп = +25 DC (для 2ТБ143-320)........
/п = 1'25 С (для 2ТБ143—4GG).........
Гп = +125 °C (для 2ТБ143-320).......
Гп = +125 =С (для 2ТБ143-400).......
Защитный показатель при UObf> = 0f tn = 10 мс, Гп = +125 "С:
2ТБ143-320 .........................
2ТБ143-400..........................
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при U3C и = U3C п, 4с, И = 2/ос,€Р, МАКС» ^4/1 А/мкс, r= 1...5 Гц, Гу = 10 мкс, Гп = +125 °C..
Минимально допустимый прямой импульсный ток управления..........................
Максималено допустимый прямой импульсный ток управления .........................
Температура перехода....................
Температура корпуса.....................
6,5 кА ? к. - д б’кА 7 кА
180 кА2-с
245 кА2<
400 А/мкс
0,5 А
23 А
+ 125 вС
—60...+85 °C
2ТБ253-630, 2ТБ253-800
Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п. Предназначены для применения в статических преобразователях электроэнергии, а также в различных силовых установках постоянного и переменного токов, где требуются небольшие времена включения и выключения, высокие скорости нарастания тока и напряжения. Тиристоры обладают большой нагрузочной способностью по току на высоких частотах. Выпускаются в металлокерамическом корпусе таблеточной конструкции. Анодом и катодом являются плоские основания. Обозначение тилоно-минала и полярности силовых выводов приводится на корпусе.
Масса не более 600 г.
2ТБ253-630. 2ТБ253-800
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии при /ос и — 3,14{)С ср, мдкс’ 4» = "I® МС’ 7"п = +25 °C, не белее.
2ТБ253-630 ............................... 2,5 В
2ТБ253-800................................ 2,2 В
Пороговое напряжение, не более: 2ТБ253-630 .............................. 1,5 В
2ТБ253-800 ............................... 1,25 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при = 12 В, не более:
Гп = -60ХЛоТ = 0,8 А...................... 6 В
Тп =+25 еС,/от = 0,3 А.................... 3 В
Неотпирающее постоянное напряжение управления при „ = 0,67п, /?у = 10 кОм, Тп = +125 вС, не менее......... 0,25 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом СОСТОЯНИИ при t/3C и = U2Z п, Я — °°>
Тп —+ 125 °C, не более....................... 70 мА
Ток удержания при (/jc = 12 В, /?у — со, не более..................................... 0,7 А
Ток включения при /у пр, и = 1 А, dly/dt— 1 А/мкс, Гу = 10 мкс, не более....... 1,2 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток при £()бр и — М>бр п» *у = Гп +125 С......... 50 мА
Отпирающийся постоянный ток управления при U3C = 12 В, не более:
Тп = -60 еС............................... 0,8 А
Тп = +25 СС............................... 0,3 А
Неотпирающий постоянный ток управления при ^Ас, и 0,67 £/}с п» /?у - 10 кОм, Тп =+125 °C, не менее........................ 5 мА
Время включения при L/3f = 300 В, и — 4>с ср макс’ *%с/dt— 25 А/мкс,
4 пр, и ~ 2 A, d!y/dt = 1 А/мкс, tv ~ 10 мкс. 3,2...4 мкс
Время задержки при U,r и = 300 В, 4зс, И = 4>С СР МАКС’ ^4>с/dt— 25 А/мкс,
4 Пр и = 2 A, dl^/dt— 1 А/мкс, б = 10 мкс.... 2...3 мкс
Время выключения при и = 0,67 L/^ п, dU-^/dt — (dU2C/dt)KP1 U0GP = 100 В, 4с,И = (к СР, МАКС’ (dfac/dt)C[]= 10 А/мкс,
ТП = +125’С.................................. 40...63 мкс
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более..................................... 0,03 “С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение я закрытом состоянии.................... 500... 1100 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии.................... 1,1У)СП
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии............................... О»764с,п
Постоянное напряжение в закрытом состоянии................................. 0’51/зс.л
Повторяющееся импульсное обратное напряжение.............................. 500...1100 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение............................. 1>1Мшр,п
Постоянное обратное напряжение.......... 5 В
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при UK- и = 0,67t/3C п, й**», Tn=+125DC......................... 100...
500 В/мкс
Средний ток в открытом состоянии при f= 50 Гц, 3 = 180s, Гк = +85 С: 2ТБ253-63О.............................. 630 А
2ТБ253-800........................... 800 А
Действующий ток в открытом состоянии
при /= 50 Гц, [3 = 180°, Тк = +85 “С: ЩВ
2ТБ253-630 .......................... 1255 А^
2Т6253-800 .......................... 1570 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при t/OhP == 0, ?и = 10 мс
Тп = +25 °C (для 2ТБ253-630)........ 10 кА
Гп = +25 вС (для 2ТБ253-800)......... 11 кА
Тп = +125 X (для 2ТБ253-630)......... 9 кА
Тп == +125 °C (для 2ТБ253-800)....... 10 кА
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при и = и^с. п> 4>С.И ~ 24)С,СР.МДКС» ^4/1 А/мкс, /= 1...5 Гц, ty = 10 мкс, Гл = +125 "С.. 400 А/мкс
Минимально допустимый прямой импульсный ток управления.......................... 0,5 А
Максимально допустимый прямой импульсный ток управления.......................... 23 А
Температура перехода.................... +125 °C
Температура корпуса..................... —60...+85 °C
2ТБ271-250
Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п. Предназначены для применения в качестве ключевых элементов в цепях постоянного и переменного токов частотой до 10 кГц, где требуются малые времена включения и выключения, высокие скорости нарастания тока и напряжения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибким и без гибкого силового вывода. Анодом является основание. Обозначение ти-пономинала и полярности силовых выводов приводится на корпусе.
Масса не более 480 г.
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоя-
нии При foc и — 3,14/гу- ср, МАКС* — Ю МС, = +25 qC, не более.......................... 2,5 В
Пороговое напряжение, не более............. 1,15 В
Отпирающее постоянное напряжение управ-
ления при U3C = 12 В, не более: Тп = -60°С, 4ОТ = 0,75А.................. 6В
7’П = +25Х,4>ОТ = 0,2А.................. ЗВ
Неотпирающее постоянное напряжение управления при Цзс и — 0,6 7 t^c. п, Л* = Ти = +125 °C, не менее...................... 0,2 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при £/зс и = п, /?у = Гп = +125 °C, не более...................... 40 мА
Отпирающийся постоянный ток управления при U3C — 12 В, не более:
Гп = -60 °C............................ 0,6 А
Тп = +25 °C............................ 0,2 А
Неотпирающий постоянный ток управления при U3C и = 0,67 64с п, /?у = 10 кОм, Гп = +125 °C, не менее...................... 5 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток при t/овр, и = М>6Р, п» 7?у = 7^ = +125 С,
не более.................................... 40 мА
Ток удержания при U3C = 12 В, /?у = <>=, не более.................................... 0,5 А
Ток включения при /Уг Пр, и ~ 1 А, dk,/dt= 1 А/мкс, /у == 10 мкс, не более..... 0,5 А
Время включения при t/3C ~ 300 В, 4>с и = 4>c,cp,makci diac/dt^ 25 А/мкс, 4, пр, и = 1,2 A, dly/dt— 1 А/мкс, Гу = 10 мкс, не более....................... 3,2 мкс
Время задержки при = 300 В, 7(х.и ~ 4>с,ср,макс> ^4к/25 А/мкс, / пр. и ” 1,2 А, d/v/dt — 1 А/мкс, Гу - 10 мкс, не более....................... 1 мкс
Время выключения при 6^с и “ 0,676/- п, dt~ [dU3f/еГГ)КР, и = 100 В, 4>c ГР, МАКС> (^Ос/fifrjcn = Ю А/мкс, = +125 °C, не более:
группа 2.................................. 32 мкс
группа 3.................................. 40 мкс
группа 4.................................. 50 мкс
группа 5.................................. 63 мкс
Время обратного восстановления При t/oeph и = 100 В, /ос и — 4)С, СР, МАКС, (d/oc/dt)^ = 10 А/мкс, Гп = +125 °C, не более.................................... 2,8 мкс
Заряд обратного восстановления при £/0БР и = 100 В, /ос,и ~ 4зс, ср, макс, (с7/с/с7Г)сп = Ю А/мкс, Тп — +125 °C, не более.................................... 100 мкКл
Динамическое сопротивление в открытом состоянии, не более...................... 1,05 мОм
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более................................. О, i v/ dt
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 500.., 1100 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 1,1п
Постоянное напряжение в закрытом состоянии.................................. 0,6 (7ЗС п
Повторяющееся импульсное обратное
напряжение............................... 500... 1100 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение............................... М14в>.п
Постоянное обратное напряжение.......... 0,64/ОБР п
Постоянное обратное напряжение управления ................................... 5 В
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при U3Q и — 0,6 7 ^зс п, /?у=-, ТП = +125°С........:.......’...... 200...
1000 В/мкс
Средний ток в открытом состоянии при f = 50 Гц, £ = 180°, Гк = +70 °C..... 250 А
Действующий ток в открытом состоянии
при f= 50 Гц, Р = 180°, Тк = +70 °C...... 375 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом
состоянии при i/06P = 0, == 10 мс:
ГП=+25°С............................. 5500 А
7п = +125 “С......................... 5000 А
Защитный показатель при Z/0EP ® 0, /и = 10 мс, Гп«+125°С................................ 35,6 кА2-с
Критическая скорость нарастания тока
в открытом состоянии при и = U3C п,
и 2/qC CP(НД((С, dly/dt — 1 А/мкс, f~ 1...5 Гц, /у — 10 мкс, 7^| = +125 °C.. 630 А/мкс
Минимально допустимый прямой импульсный
ток управления........................... 0,5 А
Максимально допустимый прямой импульсный ток управления........................... 15 А
Температура перехода..................... +125 ’С
Температура корпуса...................... —60...+85 °C
Допускается последовательное и параллельное включение тиристоров. Тиристоры, предназначенные для параллельной работы, должны отбираться по значениям импульсного напряжения в открытом состоянии с разбросом в нар1ии не более 0,5 В.
При последовательном соединении тиристоров необходимо учитывать зависимость времени задержки (времени включения) от амп-литуды импульса управления, приведенных в информационных материалах.
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от импульсного1 напряжения
1 — 7,, = +25 СС. 2 — Тп = +125 °C
Зависимости среднего тока от температуры корпуса при различных углах проводимости, /= 50 Гц
IoccpA
Зависимости среднего тока от температуры корпуса при различных углах проводимости, f= 50 Гц
Зависимости среднего тока от температуры охлаждающей среды при различных углах проводимости, 50 Гц
Зависимости среднего тока от температурь) охлаждающей среды при различных углах проводимости, f= 50 Гц
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности импульса:
1 - 630 Гц, 2 - 1000 Гц,
3 - 1600 Гц, 4 — 2500 Гц;
5 — 4000 Гц, 6 — 6300 Гц
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности импульса
1 — 630 Гц, 2 - 1000 Гц,
3 - 1600 Гц, 4 - 2500 Гц,
5 _ 4000 Гц
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности
импульса;
1 - 630 Гц; 2 - 1000 Гц;
3 - 1600 Гц; 4 - 2500 Гц
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности импульса при температуре окружающей среды +40 °C:
1 — 630 Гц; 2 — 1000 Гц;
3 — 1600 Гц; 4 — 2500 Гц
dioc^dtA/c
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от скорости нарастания тока;
1 — 630 Гц; 2 — 1000 Гц;
3 — 1600 Гц; 4 — 2500 Гц;
5 — 4000 Гц; 6 — 6300 Гц
Зависимости импульсного тока В открытом состоянии от скорости нарастания тока;
1 - 630 Гц; 2 - 1000 Гц;
3 — 1600 Гц; 4 — 2500 Гц;
5 - 4000 Гц
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от скорости нарастания гока:
1 — 630 Гц; 2 — 1000 Гц;
3 — 1600 Гц; 4 — 2500 Гц;
5 — 4000 Гц
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от скорости нарастания гока:
1 — 630 Гц; 2 — 1000 Гц;
3 — 1600 Гц; 4 — 2500 Гц;
5 — 4000 Гц
/ох к А
jfecfiX
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от скорости нарастания тока:
1 — 630 Гц; 2 — 1000 Гц;
3 — 1600 Гц; 4 — 2500 Гц;
5 — 4000 Гц
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от скорости нарастания тока:
1 - 630 Гц; 2 - 1000 '’ц;
3 — 1600 Гц; 4 — 2500 Гц
Завис имот импульсного тока в от-
крытом состоянии от скорости нара-тания тока.
1 — 630 Гц 2 — 1000 Гц
3 - №00 Гц 4 - 2500 Гц
Зависимости импульсного тока в от крытом состоянии от скорости нара стания тока.
1 — 630 Гц 2 — 1000 Гц, 3 - 1600 Гц
ЬсиА
Зависимости импульсного тока в от кротом состоянии от скорости нара стания тока
1 - 630 Гц, 2 — 1000 Гц - 1600 Гц
Зависимости импульсною тока в от крь том состоянии от скорости нара стания тока при температуре окружа ющеи среды +40 °C
1 — 630 Гц 2 — 1000 Гц
3 — 1600 Гц, 4 — 2500 Гц
5 _ 4000 Гц
Зависимости импульсного тока в от крытом сос оянии от скорости нара стания тока при юмперагуре окружающей среды +40 С
1 - 630 Гц 2 - 1000 Гц
3 _ 1600 Гц 4 — 2500 Гц
Зависимости импульсного гока В ОТ крытом состоянии от скорости нара стания тока при температуре окружа ющеи среды +40 С
1 — 630 Гц 2 — 1000 Гц
3 — 1600 Гц
Зависимости тока нагрузки в от крьтом состоянии от длитель
(jh ^ср I л — ~ J 'ср макс )
Зависимости ударного тока от дли тельности импульса
1 - +25 С 2 - +125 °C, = О
*=0(1) №05(2), *—0 75(3), К = 1 (4) Г - 50 Гц
Зависимости ударного тока а от-крытом состоянии от длительности импульса;
f = 50 Гц; О = 2; U0№ =
1 — +25 ‘С; 2 - +125 °C
Зона возможных положений зависимости отпирающего постоянного напряжения управления от тока: А1 — область негарантированного отпирания;
А2 — область гарантированного
отпирания
th при. В
u Z 4 Р <3 1U 7Z 74 161УИРИМ 1УПРИ.А
Зоны возможных положений зависимости импульсного напряжения управления от тока:
1 — 0= 1, постоянный ток, Ру и = 2 Вт;
2 — О — 2, = 10 мкс, Ру и = 4 Вт;
3 — О = 5, = 10 мкс, Ру и = 110 Вт;
4 — О = 40, 4, = 10 мкс, РУр и = SO Вт
Ьот.огпн.ед
о 1 ? s 4 i 6 I в у
Зависимости отпирающего импульсного тока управления от длительности импульса:
1 — Ь25 ‘С; 2 — 60 °C; Ux =12 8
Зависимости времени задержки (1) и времени включения (2) от импульсного тока управления
Зависимость времени выключения от обратного напряжения
tsblM %
Зависимость времени выключении от импульсного тока в от крытом СОСТОЯНИИ
Зависимость- времени выключения от скорости спада тока
5 2№ 4в0 Ш MOdttx/dt В/мкс
Зависимость времени выключения от скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии
Qgocosp мкК/f
Зависимости заряда обрашого восстановления от скорости спада тока в открытом состоянии
1 И ~ 1г5ЦС гр,
2 и = 41 <р
3 4>с и ~ 0>514х р
Зависимости заряда обратного восстановления от скорости спада тока в открытом состоянии
1 ~ 4k И = СР«
2 /ос И = /ос СРг
3 /ос. и = 14>г ср
Роххр.Вш
Зависимости средней рассеиваемой мощности от среднего тока при различных углах проводимости
Зависимости средней рассеиваемой мощности от среднего тока при различных углах проводимости
Зависимости импульса тока от Длительности при различной суммарной энергии потерь:
1 — 1,0 Дж; 2 — 0,6 Дж;
3 — 0,4 Дж; 4 — 0,2 Дж;
5 - 0,1 Дж; 6 - 0,06 Дж;
7 — 0,04 Дж
Зависимости импульса тока от длительности при различной суммарной энергии потерь:
1 — 1,0 Дж; 2 — 0,6 Дж;
3 — 0,4 Дж; 4 — 0,2 Дж;
5 — 0,1 Дж; 6 — 0,06 Дж
Зависимости импульса тока от длительности при различной суммарной энергии потерь:
1 — 1,0 Дж; 2 — 0,6 Дж;
3 — 0,4 Дж; 4 — 0,2 Дж;
5 — ОД Дж
Зависимости импульса тока от длительности при различной суммарной энергии потерь:
1 - 1,0 Дж; 2 - 0,6 Дж;
3 — 0,4 Дж; 4 — 0,2 Дж;
5 — 0,1 Дж
2пп-к/,
Зависимости скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии от прямого напряжения: группы 4, 5, 6, 7 по (dU/dt)KP
Зависимости переходного теплового сопротивления от времени:
1, 2 — переход—среда при скорости охлаждающего воздуха 1 — 0 м/с, 2 — 6 м/с; 3 — переход—корпус
dU^/dt snw ед
Зависимость скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии от обратного напряжения и от напряжения в закрытом состоянии
ТБ320, ТБ 400
Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п. Предназначены для применения в качестве ключевых элементов в цепях постоянного и переменного токов частотой до 10 кГц преобразователей электроэнергии, где требуются малые времена включения и выключения, высокие скорости нарастания тока и напряжения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе таблеточной конструкции. Анодом и катодом служат плоские основания* Обозначение типономинала и полярности си-| ловых выводов приводится на корпусе и.на бирке. I
Масса не более 420 г. I
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии при (к и “ 3,144k гр мдкс, = Ю мс, не более:
ТБ320 ............................ 2,8 В
ТБ400............................. 2,1 В
Пороговое напряжение при 7J, = +110 °C, не более:
ТБ320 ............................ 1,4 В
ТБ400 ............................ 1,11 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при — 12 В, не более:
7;| = -50“СЛот = 0,85А............ 8 В
Тп = +25 “С, 4 ог = 0,4 А......... 5,5 В
Тп =+1ЮХ,/ 01 = 0,25 А............ 4 В
Неотпирающее постоянное напряжение управления при Uv и = п> Яу — 5 Ом, 7"п = +110 “С, не менее................. 0,2 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при UK ц — t/3c п, ftf — <*>,
Гп =+110 °C, не более..................... 35 мА
Ток удержания при ft, не более............ 80 мА
Ток включения при Zy пр_ и — 2 А, £^4/dt— 5 А/мкс, Гу * 10 мкс, не более... 0,5 А
Повторяющийся импульсный обратный ток при Z/bp w = UqW, п> ~
7^ = +110 °C, не более.................... 35 мА
Обратный ток восстановления
при UGbPi 0 = 100 В, — 4х,с₽ МАКС»
(^4х/^Осп ~ 5 А/мкс, Тп = +110 “С, не более;
ТБ320................................. 180 А
ТБ400................................. 195 А
Отпирающий постоянный ток управления при U3C = 12 В, не более:
Гп = -50 С............................. 0,85 А
Г - +25 СС ............................ 0,4 А
Гп = +110°С............................ 0,25 А
Неотпирающий постоянный ток управления
При и^г и = UK п, /?у = 5 Ом, / —+110 °C, не менее....................... 2 мА
Время включения при и = 300 В, 4>Г,И ~ 41Г, СР, МАКС> Ц1 ПР и = 20 В, d//dt— 5 А/мкс, Ry = 5 Ом, fv = 10 мкс, не более................................... 5 мкс
Время задержки при Uv и — 300 В,
41с.и = ср.макс.’ £4 пр и = 20 В, dly/dt— 5 А/мкс, Ry = 5 Ом, гу = 10 мкс, не более........... 1,5 мкс
Время выключения при 4/зс и = 0,674/зс и,
/dt — (d(J^/dt)KP, (JObp и = 100 В, 41С. И = V СР, МАКС’ (^4с/^)сп = Ю А/мкс, Гп = +110 еС, не более..................... 30; 35 мкс
Время обратного восстановления для групп по Гвыкл при и = 100 В,
и= 4>г ср мако (dfoc/dt)cn = 10 А/мкс,
Гп = +110 °C, не более: группа 5................................... 6 мкс
группа 6............................... 1 мкс
Заряд обратного восстановления для групп по Гвыкл при 4/G5P|M = 100 В, he. и he о> makci (d/oc/dt)cr}'~ 10 А/мкс, /i = + 110 X, не более:
ТБ320 группа 5......................... 320 мкКл
ТБ400 группа 5......................... 380 мкКл
ТБ320 группа 6......................... 140 мкКл
ТБ400 группа 6......................... 165 мкКл
Динамическое сопротивление в открытом состоянии при Тц — +110 X, не более:
ТБ320 ................................. 1,3 мОм
ТБ400 ................................. 0,8 мОм
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более................................... 0,0505 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—анод, не более................................... 0,087 “С/Вт
Тепловое сопротивление переход—катод, не более................................... 0,12 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—среда, не более................................... 0,48 °С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение о закрытом состоянии:
ТБ320................................. 300...1200 В
ТБ400................................. 300... 1000 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 1,124/зс п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................ 0,7(/зс п
Максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии.......... 0,5 t/3c n
Повторяющееся импульсное обратное напряжение:
ТБ320................................. 300... 1200 В
ТБ400 ................................ 300... 1000 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение............................. 1,12(/0БрП
Рабочее импульсное обратное напряжение... 0,74/О6Р п
Максимально допустимое постоянное
обратное напряжение...................... 0,5tG6P п
Критическая скорость нарастания напряжения
в закрытом состоянии при U3C и = 0,67 п, Лр^+110 'С............................... 100...
1000 В/мкс
Максимальное допустимое обратное постоянное напряжение управления................ 3 В
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при f— 50 Гц, Р = 180°, К = +70 “С:
ТБ320 ................................ 320 А
ТБ400................................. 400 Л
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при 7= 50 Гц, Р — 180s, 7к = +70 X:
ТБ320 ................................ 500 А
ТБ400................................. 630 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом со-
стоянии при (/0БР = 0, ги = 10 мс, Гп - +110 °C:
ТБ32О................................. 6000 А
ТБ400 ................................ 7000 А
Защитный показатель при == 0,
<и = Юме, ГП = +1Ю°С: ТБ320.................................... 180 кА2’С
ТБ400................................. 245 кА2-с
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при Uir и = U3C п, ~~ 2/qc ср макс* f 5 Гц, <йу/dt 5 А/мкс, < = 10 мкс. Г = +110 °C................. 100;
200 А/мкс
Минимально допустимый прямой импульсный ток управления........................... 2 А
Максимально допустимый прямой импульсный ток управления........................... 40 А
Температура перехода..................... +110 ‘С
Температура корпуса...................... —50...+70 “С
Таблица
СОЧЕТАНИЕ КЛАССИФИКАЦИОННЫХ ПАРАМЕТРОВ ДЛЯ ТИПОНОМИНАЛОВ
Тип тиристора Класс по напряжению Значение rr В В/мкс мкс А/мкс
Группы классификационных параметров
3 4 I 5 6 5 6 4 5
Значение классификационных ларамеipoa
100 200 500 1000 50 30 100 200
ТБ320 3-8 300 ,.800 + + + + + + - +
9-12 900 .. 1200 + + + + + + + -
ТБ400 3-7 300.700 + + + + + + - +
8—10 800 . 1000 + + + + + + + -
Таблеточный корпус тиристора соединяется с охладителем с помощью прижимного устройства, обеспечивающего хороший электрический и тепловой контакт во всем диапазоне рабочих температур. Сборка тиристоров с охладителями должна производиться в соответствии с инструкцией завода-изготовителя. Диаметр контактной поверхности должен быть не менее 45 мм, неплоскостность контактных поверхностей не более 0,02 мм, чистота обработки не хуже 2,5.
Не допускается эксплуатация тиристоров без обеспечения внешнего усилия сжатия со стороны оснований в диапазоне 12000...13000 Н.
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от импульсного напряжения
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от импульсного напряжения
Зона возможных положений зависимости напряжения отпирания от тока
Зависимости прямого импульсного напряжения управления от импульсного тока управления
Зависимости импульсного отпирающего тока управления от длительности импульса управления
/г/ зги (5 мкс)
Зависимости повторяющегося тока в открытом состоянии от дли тельности импульса
Зависимости повторяющегося тока в открытом СОСТОЯНИИ от дли тельности импульса
Зависимости повторяющегося тока в открытом состоянии от дли-телвности импульса
Зависимости повторяющегося тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости повторяющегося тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости повторяющегося тока в открытом состоянии от длительности импульса
Ьсп А /осп А
Зависимости повторяющегося тока в открытом СОСТОЯНИИ от дли тельности импульса
Зависимости повторяющегося тока в открытом состоянии от длительности импульса
hen А
hen А
Зависимости повторяющегося тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости повторяющегося тока в открытом состоянии от длительности импульса
hen А
hen А
Зависимости повторяющегося тока а открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости повторяющегося то на в открытом состоянии от дли тельности импульса
Зависимости повторяющегося тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости повторяющегося тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости повторяющегося тока а открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости повторяющегося тока в открытом состоянии от длительности импульса
/осп. А
ТБШ
Зависимости повторяющегося тока в открытом состоянии ст длительности импульса
Зависимости повторяющегося тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости повторяющегося тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости повторяющегося тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости повторяющегося тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости повторяющегося тока в открытом состоянии ОТ длительности импульса
Зависимости повторяю] । ^гося тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости повторяющегося тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости импульсного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного гока от длительности импульса
Зависимости импульсного тока от длительности импульса
Ьсудр.кА
?осудр,кА
Зависимости ударного тока от длительности импульса
Зависимости ударного тока от длительности импульса
/осмр.кА
/осудр.кА
Зависимости ударного тока от длительности импульса
Зависимости ударного тока от длительности импульса
Зависимости времен задержки и включения от прямого импульсного тока управления
Зависимость времени выключения от напряжения
Зависимость времени выключения от импульсного тока
Зависимость времени выключения от импульсного тока
Зависимость времени выключе- Зависимость времени выключения от критической скорости на- ния от .скорости спада тока
растания напряжения
Зависимость времени обратного восстановления от скорости спада гока
Зависимости заряда обратного восстановления ог скорости спада тока
Зависимость критической скорости нарастания напряжения от обратного напряжения и от напряжения в закрытом состоянии
Зависимости заряда обратного сопротивления от скорости спада тока
Зависимости критической скорости нарастания напряжения от отношения импульсного и повторяющегося напряжений
Зависимости переходного теплового сопротивления переход—корпус от времени
ТБ143-320, ТБ143-400
Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п. Предназначены для применения в статических преобразователях электроэнергии, а также в различных силовых установках постоянного и переменного токов, где требуются небольшие времена включения и выключения, высокие скорости нарастания тока и напряжения. Тиристоры обладают большой нагрузочной способностью по току на высоких частотах. Выпуска-186
ются в металлокерамическом корпусе таблеточной конструкции Анодом и катодом являются плоские основания. Обозначение типономинала и полярности силовых выводов приводится ыя корпусе.
Масса не более 280 г.
ТБЦЗ-320. ТБНЗ-tfO
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии При И = 3,144x7 СР, МАКС' 4 10 мс>
не более: ТБ143-320............................... 2,5 В
ТБ143-400 ........................... 2,1 В
Пороговое напряжение не более: ТБ143-320............................... 1,4 В
ТБ 143-400 .......................... 1,11 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при Узс = 12 В, не более:
Гп = -60°Сг/уот = 0,8 А.............. 5 В
ГП = +25°С, от = 0,28 А.............. 2,5 В
Неотпирающее постоянное напряжение управления при U3Q Vt = 0,67n, /?v = 10 кОм, Al = +125 "С, не менее.................. 0,2 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом
состоянии при иЛС и = i/jc.n» /?у = °°> TJi = +125 °C, не более................. 50 мА
Ток удержания при Узс = 12 В, /?у = не более................................ 0,3 А
Ток включения при 4, пр, и — 1 А, </4/1 А/мкс, fy = 10 мкс, не более...... 0,6 А
Повторяющийся импульсный обратный ток
при и = ^обр, п> = Bi = +125 С, не более................................ 50 мА
Отпирающий постоянный ток управления
при U3C = 12 В, не более:
Тп « -60 °C .......................... 0,8 А
Тп = +75 ’С. ......................... 0,28 А
Неотпирающий постоянный ток управления
при Узс.и = 0,67 6<зс п, Ry = 10 кОм, Тп == +125 °C, не менее.................. 5 мА
Время включения при (7ЗС = 300 В,
4кги = ср макс» ^ос/25 А/мкс,
4.п₽ и = 1»5 A, dk//dt— 1 А/мкс, К == 10 мкс, не более ................... 2,5 мкс
Время задержки при Uv и = 300 В,
4эг, и = 4)С СР МАКС» °^Ог/25 А/мкс,
h пр,и ~ A, dly/dt — 1 А/мкс, 4 — 10 мкс, не более..................... 1,3 мкс
Время выключения при Узс и — 0,67 <ЛС и,
^обр, и = 100 В,
4>С И = ^ОС СР МАКС- (°%>с/^)сп “10 А/МКС, Гп = +125 °C............................. 25...50 мкс
Время обратного восстановления
при Цоди = ЮО В, foe И ~~ foe СР. МАКС г
(<%с/<#)сп ~ Ю А/мкс, Тп = +125 С, не более... 2,7 мкс Заряд обратного восстановления
При УоБР, И = 100 В, и — 4ic, СР МАКС»
(tf/oc/<rt)cn = Ю А/мкс, Тл = +125 °C, не более:
ТБ 143-320 ........................... 190 мкКл
ТБ143-400 ............................ 230 мкКл
Динамическое сопротивление в от-
крытом состоянии не более:
ТБ143-320............................. 1,3 мОм
ТБ143-400 ............................ 0,8 мОм
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более................................. 0,05 "С/Вт
Тепловое сопротивление переход—анод, не более................................. 0,087 ’С/Вт
Тепловое сопротивление переход—катод, не более................................. 0,12 °С/Вт ,
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение
в закрытом состоянии..................... 600...1200 В
Неповторяющееся импульсное напряжение
в закрытом состоянии..................... 1,1 t^c,п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии.................................
Максимально допустимое постоянное иапря-
я закрытом состоянии................ 0,5 £А<- п
Повторяющееся импульсное обратное напряжение................................ 600.,.1200 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение................................ 1«1^обрп
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение......................... 0,5£/ОБРП
Максимально допустимое обратное постоянное напряжение управления................. 5 В
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при м = 0,67{/эс п,
ТЛ = + 125“С.................'..... 200...
1000 В/мкс Максимально допустимый средний ток
в открытом состоянии при f — 50 Гц, 0 = 180°, ТК = +85°С:
ТБ143-320 ............................ 320 А
ТБ143-400 ............................ 400 А
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при f — 50 Гц, 0 = 180% ТК = +85°С:
ТБ 143-320 ........................... 500 А
ТБ 143-400............................ 630 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при £/обр == 0, Ги == 10 мс, Гп = +125 °C:
ТБ143-320 ............................ 6000 А
ТБ143-400 ............................ 7000 А
Защитный показатель при 6^БР — 0, 4. = Ю мс, Тп = +125 “С:
ТБ143-320............................. 180 кАЧ
ТБ 143-400............................ 245 кА<с
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при и — Узс п, и — 2&, ср макс» dk/1 А/мкс,
f~ 1...5 Гц, ty ~ 10 мкс, Гп = +125 X..... 800 А/мкс
Минимально допустимый прямой импульсный ток управления............................ 0,5 А
Максимально допустимый прямой импульсный ток управления............................ 23 А
Температура перехода...................... +125 X
Температура корпуса....................... —60...+85 °C
Таблеточный корпус тиристора соединяется с охладителем с помощью прижимного устройства, обеспечивающего на дежный электрический и тепловой контакт во всем диапазоне рабочил температур. Неплоскостность контактных повеохно-стей не более 0,01 мм, чистота обработки не хуже 1,25.
Не допускается эксплуатация тиристоров без обеспечения осевого усилия сжатия в диапазоне 6400.. 9600 Н.
Таблица
СОЧЕТАНИЕ КЛАССИФИКАЦИОННЫХ ПАРАМЕ1 РОВ ДЛЯ ТИПОНОМИНАЛОВ
Класс по напряжению Значение й п и П В Б/мкс ^выки ’ мкс > МКС
Группы классификационных параметров
4 5 6 ? 2 3 4 5 25
Значение классификационных параметров
200 320 500 1000 50 40 32 24 25
6-9 600 900 + + + + - + + -Ь +
10-12 1000 1200 + + + -Ь + + + - +
Зависимости импульсного тока а открытом состоянии от им пульсного напряжения
Зависимости импульсного тока 5 открытом состоянии от импульсного напряжения
Зона возможных положении за висимости постоянного напряжения управления от тока
26
16
8
3
by при В
ТБШ-&0 ТЫАЗ 4QQ
4 в f2 16 }y fjpu A
ty-Шнкс QifyKfiem -
8 2Рур 88m tyzlQикс ___
5 / Рун J 8mty-lQMKt
Зоны возможных положении за висимости импульсного напряжения управления от тока
Зависимости импульсного гака уп равления от длительности импульса
hen А
Зависимости импульсного повторяющегося тока от длительности импульса
Зависимости импульсного повторяющегося тока от длительности импульса
Зависимости импульсного повторяющегося тока от длительности импульса
Зависимости импульсного повторяющегося тока от длительности импульса
Зависимости импульсного повторяющегося тока от длительности импульса
Зависимости импульсного повторяющегося тока от длительности импульса
Зависимости импульсного повторяющегося тока of скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося чока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока о г скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
7
195
Зависимости импульсного повторяющегося тока о г скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
/ос.п, А
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
/оси.А
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности импульса
1оси.А
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости импульсного тока е открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности импульса
bcrf.A
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости импульсного тока б снкрытом состоянии от длительности импульса
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости времени задержки и времени включения от импульсного тока управления
Зависимость времени выключения от обратного напряжения
от среднего тока от скорости нарастания напряже-
ния в закрытом состоянии
(dbc^dtkn.A/'MKc
Зависимость времени выключения от скорости нарастания тока в открытом состоянии
(дкМсп.А/мкс
Зависимости времени обратного восстановления от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости времени обратного восстановления от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости заряда обратного восстановления от скорости нарастания тока в открытом состоянии
ОвОС.бБР .мкКд
(dbc^t)cn. А/мкс
Зависимости заряда обратного восстановления от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости скорости нарастания напряжения от напряжения в закрытом состоянии
(dUx /dt)/(dUx /Мкр Z кя-к). T/Bm
За&исимосгь скорости нарастания напряжения от обратного напряжения и от напряжения в закрытом состоянии
Зависимости переходного теплового сопротивления переход—корпус от времени
2ТБ233-400
Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п. Предназначены для применения в статических преобразователях электроэнергии, а так же в различных силовых установках постоянного и переменного токов, где требуются небольшие времена включения и выключения, высокие скорости нарастания тока и напряжения. Тиристоры обладают большой нагрузочной способностью по току на высоких частотах. Выпускаются в металлокерамическом корпусе таблеточной конструкции. Анодом и катодом являются плоские основания. Обозначение типономинала и полярности силовых выводов приводится на корпусе.
Масса не более 120 г.
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом со-
стоянии при /ос, и — 3,144зс, СР. МАКС»
= Ю мс, не более........................ 2,6 В
Пороговое напряжение, не более........... 1 В
Отпирающее постоянное напряжение управ-
ления при £/зс = 12 В, не более:
Тп = —60 °C, 4 от — 0,75 А............ 6 В
Гп =+25 °C, 4 от= 0,25 А............... ЗВ
Неотлирающее постоянное напряжение управ-
ления при и = 0,67 U3C п, /?у = 10 кОм, = +125 X, не менее....................... 0,2 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом СОСТОЯНИИ при U3C и — U3C п, /?у =
Тп = + 125 X, не более................... 40 мА
Ток удержания при U3C = 12 В, /?у = не более................................. 0,6 А
j Ток включения при /у пр и = 1 А, dly/dt— 1 А/мкс, = 10 мкс, не более...... 0,6 А
Повторяющийся импульсный обратный ток при У0БРрИ = t/ObP л, /?у = оз, Гл = + 125 X, не более.................... 40 мА
Отпирающий постоянный ток управления при U3Q — 12 В, не более:
Тп = -60 X............................. 0,75 А
Тл = +25 X............................. 0,25 А
Неотпирающий постоянный ток управления при U3C и = 0,67 U3CгП, /?у = 10 кОм, Тп = + 125 X, не менее................... 5 мА
Время включения при (Аг — 300 В, G „ = (к ср.нлкс ^/dt= 25 А/мкс, Г™>и=1’5А-^<^=1А/МКС’ fv= |0 МКС, пб более ..............
Время задержки при Uv и = 300 В, /ис и — /оС, СР. МАКС) d/oc/dt~ 25 А/мкс, ^пРИ= 1,5 A, dly/dt = 1 А/мкс, Гу = Ю мкс, не более..............
Время выключения при Ux,и = 0,67 U-IX и, dU^/dt — (dUx/dt)КР, Сдобр и “ Ю0 В, 4к И = 41Г СР.МАКС* (^/^)сп ” Ю А/мкс, Тп = +125 °C......................
Время обратного восстановления ПРИ М)6Р. И ~ 10® В, 4к И = (г, СР НАКО > (dlx/dfkn = Ю А/мкс, Гп = +125 иС, не более..........................
Заряд обратного восстановления при МзБР И ~ 10® В, /ос И = 4зс, СР МАКС» (d/oc/^)cn = 10 А/мкс, 7“п = +125 °C, не более..........................
Динамическое сопротивление в открытом состоянии, не более.......................
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более..................................
Тепловое сопротивление переход—анод, не более .................................
Тепловое сопротивление переход—катод, не более .................................
4 мкс
2 мкс
32...63 мкс
4 мкс
400 мкКл
1,3 мОм
0,06 °С/Вт
0,087 °С/Вт
0,12 еС/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение
в закрытом состоянии..................... 500... 1100 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 1,1 Ux (1
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................ 0,7 (/зс п
Постоянное напряжение в закрытом состоянии................................ 0,5tZ,r п
Повторяющееся импульсное обратное напряжение............................... 500...1100 В
Непоаторяющееся импульсное обратное напряжение . 1,1 л
Постоянное обратное напряжение............. 0,5
Постоянное обратное напряжение управ' ления...................................... 5 В
FCp/ri । ичсская скорость нарастания напрЯ/Ке-ния в закрытом состоянии
при Цс и = 0,67/Л.1П) Ау = ~:. 7п = +125вС. 200...
1000 В/мкс Средний ток в открытом состоянии
при /= 50 Гц, (J = 180% Гк = +70 “С........ 400 А
Действующий ток в открытом состоянии
при f = 50 Гц, Р = 180% % = +70 °C......... 628 А
Ударный НРПОЕЗОрЯЮЩИЙСЯ ток в открытом состоянии при (/0БР — 0, Ли = 10 мс, 7П= +125 °C................................ 6000 А
Защитный показатель при £/0БР = 0, Ги = 10 мс, Гп = +125 °C................... 1,8-Ю5 А2-с
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при U3Ci и = <Ac. п>
И “ 2/qc, СР, МАКС» ^4/dt "I А/мкс, f= 1...5 Гц, fy = 10 мкс, “ +125 С......... 630 А/мкс
Минимально допустимый прямой импульсный ток управления......................... 0,5 А
Максимально допустимый прямой импульсный ток управления......................... 23 А
Температура перехода....................... +125 °C
Температура корпуса........................ —60...+85 °C
Допускается последовательное и параллельное включение тиристоров.
Тиристоры, предназначенные для параллельной работы, должны отбираться по значениям импульсного напряжения в открытом состоянии с разбросом в партии не более 0,5 В.
При последовательном соединении тиристоров необходимо учитывать зависимость времени задержки (времени включения) от амплитуды импульса управления, приведенных в информационных материалах. 204
Зависимости импульсного тока в от-коытом состоянии от импульсного н напряжения:
Тл = +25 X; 2 - Гп = +125 X
1600
800
100
8
/о.иср.А
Зависимости среднего тока от температуры корпуса при различных углах проводимости, Г= 50 Гц
Зависимости среднего тока от температуры корпуса при различных углах проводимости, f = 50 Гц
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности импульса:
1 — 630 Гц; 2 — 1000 Гц;
3 — 1600 Гц; 4 — 2500 Гц;
5 — 4000 Гц; 6 — 6300 Гц
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности импульса:
1 - 630 Гц; 2 - 1000 Гц;
3 - 1600 Гц; 4 - 2500 Гц;
5 _ 4000 Гц; 6 — 6300 Гц
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности импульса
1 — 530 Гц. 2 — 1000 Гц,
3 — 1600 Гц, 4 — 2500 Гц,
5 — 4000 Гц
Зависимости импульсною тока в от крытом состоянии от скорости на растания тока
1 — 630 Гц, 2 — 1000 Гц,
3 — 1600 Гц, 4 — 2500 Гц,
5 - 4000 Гц. 6 — 6300 Гц
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от скорости нара стания тока
1 - 630 Гц, 2 — 1000 Гц;
3 — 1600 Гц, 4 — 2500 Гц,
5 - 4000 Гц, 6 — 6300 Гц
Зависимости импульсного тока а открытом состоянии от скорости нарастания тока
1 — 630 Гц, 2 — 1000 Гц,
3 — 1600 Гц; 4 - 2500 Гц,
5 — 4000 Гц
Зависимости импульсного гока в открытом состоянии от скорости нара стания тока
1 — 630 Гц, 2 — 1000 Гц,
3 — 1600 Гц. 4 — 2500 Гц.
5 - 4000 Гц
Зависимости импульсного тока в от крытом состоянии от скорости нарастания тока
1 — 630 Гц. 2 — ЮОО Гц
3 — 1600 Гц 4 — 2500 Гц
5 — 4000 Гц
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от скорости нарастания тока
1 — 630 Гц, 2 — 1000 Гц,
3 — 1600 Гц, 4 — 2500 Гц
Зависимости импульсного тока в от-крьтом состоянии от скорости нарастания тока
1 — 630 Гц, 2 — 1000 Гц,
3 — 1600 Гц, 4 — 2500 Гц
Зависимости импульсного тока а открытом состоянии от скорости нарастания тока:
1 - 630 Гц; 2 - 1000 Гц;
3 — 1600 Гц, 4 — 2500 Гц
Зависимости импульсного юка в открытом состоянии от скорости нарастания тока-
1 — 630 Гц; 2 - 1000 Гц;
3 — 1600 Ги
ЦуПРмВ
Зоны возможных положений зависимости импульсного напряжения управления от импульсного прямого тока управления;
1 — Q= 1, постоянный ток, Pv и = 2 Вт;
2 — О = 2, tH = 10 мкс, Ру,и = 7 Вт;
3 — О = 5, tH 10 мкс, Ру и = 30 Вт;
4 — О = 40, tH = 10 мкс, РЛ и = 60 Вт
Зависимости ударного тока от длительности импульсов: 1 - +25 X; 2 - +125 X; (4да> = ®
Зависимости ударного тока от длительности перегрузки: 1 - +25 X; 2 - +125 X;
£/ом> = 0,8t/O6P; f = 50 Гц
Зависимости отпирающего импульсного тока управления от длительности импульса:
1 - +25 °C; ? — 60 X; U3Z = 12 В
Зависимости времени задержки (1) и времени включения (2) от амплитуды управляющего импульса тока
а/ /о
Зависимость времени выключения от обратного напряжения
Зависимость времени выключения от импульсного тока в открытом состоянии
Зависимость времени выключения от скорости спада тока в открытом состоянии
Зависимость времени выключения от скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии
QeOCC/SP мкКл
Зависимости заряда обратного восстановления от скорости спада тока:
1 -
Мэбр ~ ЮО В, /ос и ~ 1,514,,
А/мкс
Зависимости времени обратного восстановления от скорости спада тока
1 ~ Цжр = Ю0 В, Лэс и = 1,514k; ср,
2 4>с и = 4к ср,
3 4к И = 0,514k; ср
Рос ср, Вт
Зависимости средней рассеиваемой мощности от тока в открытом состоянии гри различных углах проводимости
Зависимости средней рассеиваемой мощности ог тока в открытом состоянии при различных углах проводимости
ЬгнА
Зависимости импульса тока в открытом состоянии от длительности при различной суммарной энергии потерь:
1 •— 1,0 Дж; 2 — 0,6 Дж;
3 — 0,4 Дж; 4 — 0,2 Дж;
5 — 0,1 Дж; 6 — 0,06 Дж
Зависимости импульса тока в открытом состоянии от длительности при различной суммарной энергии потерь:
1 — 1,0 Дж, 2 — 0,6 Дж,
3 — 0,4 Дж; 4 — 0,2 Дж,
5 — 0,1 Дж; 6 - 0,06 Дж
Зависимости импульса тока в открытом состоянии от длительности при различной суммарной энергии потерь:
1 — 1,0 Дж; 2 — 0,6 Дж;
3 — 0,4 Дж; 4 — 0,2 Дж
Зависимости импульса тока в открытом состоянии от длительности при различной суммарной энергии потерь.
1 — 1,0 Дж; 2 — 0,6 Дж;
3 — 0,4 Дж; 4 — 0,2 Дж-5-0,1 Дж
Зависимости скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии от амплитуды прямого напряжения;
4, 5, 6, 7 — группы по (dU^/df}*?
Зависимость скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии от обратного напряжения и от напряжения в закрытом состоянии
ТБ153-630, ТБ 153-800
Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п. Предназначены для применения в статических преобразователях электроэнергии, а так же в различных силовых установках постоянного и переменного токов, где требуются небольшие времена включения и выключения, высокие скорости нарастания тока и напряжения. Тиристоры обладают большой нагрузочной способностью по току на высоких частотах. Выпускаются в металлокерамическом корпусе таблеточной конструкции. Анодом и катодом являются плоские основания. Обозначение типономинала и полярности силовых выводов приводится на корпусе.
Масса не более 560 г.
ТБ153-630, ТБ153-800
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом со
CTCWinnr* -г п
t = 10 мс, не более: И ТБ153—630 ............................... 2,2 В
ТБ 153-800 .................................. 1,8 В
Пороговое напряжение, не более.
ТБ153-630.................................... 1,45 В
ТБ153-800.................................... 1,21 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при — 12 В, не более:
7^ — —60 С, 4 от= 0,8 А...................... 5 В
Гп = +25 °C, 4 01 = 0,28 А................... 2,5 В
Неотпирающее постоянное напряжение управления при Ujc и ~ 0,67 U-# п, /?у = 10 кОм, Гр = +125 °C, не менее........................... 0,2 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом СОСТОЯНИИ при изс и = изс п> Я = °°>
Гп — +125 °C, не более........................... 70 мА
Ток удержания при t/3C — 12 В, /?у = не более —....................................... 0,3 А
Ток включения при 4 пр и = 1 А, dly/dt— 1 А/мкс, ty — 10 мкс, не более........... 0,7 А
Повторяющийся импульсный обратный ток При t/оьр И ~ ^О&Р П* /?У = Т'п — + 125 С,
* не более....................................... 70 мА
Отпирающий постоянный ток управления
при Ux — Т2 В, не более:
Гп = -60 °C.................................. 0,8 А
Гп - +25 °C.................................. 0,28 А
Неотпирающий постоянный ток управления при и — 0,67 6/ п> 7?у = 10 кОм, 4 — +125 °C, не менее............................ 5 мА
Время включения при UK = 300 В, zoc и = /ос СР макс» dkx/dt— 25 А/мкс, 4 пр и 55 2 A, d!,/dt= 1 А/мкс, /и — 10 мкс, не более............................ 3,2 мкс
Время задержки при Ux и = 300 В,
И “ ср МАКС» 2 5 А/мкс,
4 пр и — 2 A, dly/dt~ 1 А/мкс, 4 = 10 мкс, не более „........................... 1,7 мкс
Время выключения при t^c, и = ^.67 б/зс и> = (^х/^)кр. ^ОБР,И= ЮО В, 4с, И = 4с. ср, МАКСГ (^4с/dt)сП = 10 А/мкс, /п = + 125 X.............................. 32...63 мкс
Время обратного восстановления
При ^0Ь₽, и = Ю0 В, и ~ 4с.СР. МАКС ’
(cV0C/fff)cn = 10 А/мкс, Гп — +125 X, не более: ТБ153-630................................. 3,9 мкс
ТЫ 53-800 ............................ 4,5 мкс
Заряд обратного восстановления
При t^JbP И 100 В, 4с,И ~ 4с СР. МАКС»
(t7/oc/c/f)cn « 10 А/мкс, 7J, = +125 X, не более: ТБ153-630................................. 360 мкКл
ТБ153-800............................. 440 мкКл
Динамическое сопротивление в открытом состоянии, не более:
ТБ153—630............................. 0,38 мОм
ТБ153-800 ............................ 0,231 мОм
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более.................................. 0,03 Х/Вт
Тепловое сопротивление переход—анод, не более.................................. 0,05 "С/Вт
Тепловое сопротивление переход—катод, не более.................................. 0,075 С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии...................... 600...1200 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии...................... 1,1 Ui:- п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии ................................ 0,7£/1С л
Максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии................ 0,5С/)СП
Повторяющееся импульсное обратное напряжение................................ 600...1200 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение................................ 1,1£4брп
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение............................ 0,5^4бр.л
Максимально допустимое обратное постоянное напряжение управления................. 5 В
Критическая скорость нарастания напряжения _ оакоытом состоянии при Wjc и = 0,67 (Zjc п, ^£,7^+125 4:...............................
200...
1000 В/мкс
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при f— 50 Гц, В= 180°, ГК = +85°С:
ТБ 153'630 ..........................
ТБ 153-800 ..........................
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при f= 50 Гц, р= 180°, ГЧ = +85 'Г:
ТБ 153-630...........................
ТБ153-800............................
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при 6/ОБР — 0, Ги = 10 мс, Гп = -Ы25 °C:
ТБ153-630 ...........................
ТБ153-800............................
Защитный показатель при UObP = 0, /и= Юме, 7П = +125°С:
ТБ153-630 ...........................
ТБ153-800 ...........................
630 А
800 А
990 А
1255 А
10000 А
12000 А
500 кАг-с
720 кА2-с
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при t/3C и = U3C п, 4>с,и ~ 24с,ср,makci d!y/dt= 1 А/мкс, f= 1...5 Гц, = 10 мкс, Гц = +125 "С......... 800 А/мкс
Минимально допустимый прямой импульсный ток управления.......................... 0,5 А
Максимально допустимый прямой импульсный ток управления.............................. 23 А
Температура перехода........................ +125 °C
Температура корпуса......................... — 60...+85 *С
Таблеточный корпус тиристора соединяется с охладителем с помощью прижимного устройства, обеспечивающего надежный электрический и тепловой контакт во всем диапазоне рабочих температур. Непл ос костност ь контактных поверхностей не более 0,01 мм, чистота обработки не хуже 1,25.
Не допускается эксплуатация тиристоров без обеспечения осевого усилия сжатия в диапазоне 6400...9600 Н-
Таблица
СОЧЕТАНИЕ КЛАССИФИКАЦИОННЫХ ПАРАМЕТРОВ ДЛЯ Ти ПОНОМ И НАЛОВ
Класс по напряжению Значение к п и ^nsf П’ в В/мкс ^ВИКЛ 1 МКС ^ВКЛ» мкг
Группы классификационных параметров
4 5 б 7 1 2 3 4 1
Значение класт ификационных параметров
200 320 500 1000 63 50 40 32 3.2
6-9 600, „900 + + + + + + + + +
10-12 1000... 1200 + + + + + + + - +
loot, К А
/ос,и. кА
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от импульсного напряжения
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от импульсного напряжения
Зона возможных положений зависимости постоянного напряжения управления от тока
Зоны возможных положений зависимости импульсного напряжения управления от гока
Зависимости импульсного тока управления от длительности импульса
hcu.A
Зависимости импульсного повторяющегося тока от длительности импульса
Зависимости импульсного повторяющегося тока от длительности импульса
ben, A ben, A
Зависимости импульсного повторяющегося тока от длительности импульса
Зависимости импульсного повторяющегося тока от длительности импульса
Зависимости импульсного повторяющегося тока от длительности импульса
Зависимости импульсного повторяющегося тока от длительности импульса
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
/осп А
hcn.A
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсното повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нараста ния тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторя ющегося тока от скорости нараста ния тока s открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания гока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нараста ния тока в открытом СОСТОЯНИИ
hen A
Ю1 8
6
4
182
hen А
2 (68 J^dMtA/c
4 6 о 10s dbc/dt A/c
4
2
2
Зависимости им^льсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повтор?
ющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повтори ющегося тока от скорости нараста ния тока в открытом состоянии
hen A hen A
4 6 8 ^dhc/dtA/c 2 4 6 8 d^dhe/dtA/c
Зааисимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока а откосном состоянии
Зависимости импульсного повторя ющегося гока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного повторяющегося тока от скорости нарастания тока в открытом СОСТОЯНИИ
Зависимости импульсного повторя ющегося тока or скорости нарастания юна а открытом состоянии
Зависимости импульсного повторя ющетося тока от скорости нараста ния тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости импульсного така в открытом состоянии от длительности импульса
Ьы, А
Зависимости импульсного тока 8 открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости времени задержки и времени включения от импульсного тока управления
Зависимость времени выключения от обратного напряжения
Зависимость времени выключения °т скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии
Зависимость времени выключения от тока в открытом состоянии
квшЛвЫКЛМ Afart) . %
160
ио
120
100
Ю 20 50 ^dhcfltkfi. А/мкс
Зависимость времени выключения от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости времени обратного восстановления от скорости нарастания тока в открытом состоянии
ОвОСОбР .мкК/7
dUsc/dt. В/мкс
Зависимости заряда обратного восстановления от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости скорости нарастания напряжения от напряжения в закрытом состоянии
Зависимость скорости нарастания напряжения от обратного напряжения и от напряжения в закрытом состоянии
^кп-ю , "С/Вт
Зависимости переходного теплового сопротивления переход—корпус от времени
ТБ253-800, ТБ253-Ю00
Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п. Предназначены для применения в статических преобразователях электроэнергии, а так же в различных силовых установках постоянного и переменного токов, где требуются небольшие времена включения и выключения, высокие скорости нарастания тока и напряжения. Тиристоры обладают большой нагрузочной способностью по току на высоких частотах. Выпускаются в металлокерамическом корпусе таблеточной конструкции. Анодом и катодом являются плоские основания. Обозначение типономинала и полярности силовых выводов приводится на корпусе.
Масса не более 600 г.
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом со-
стоянии при 4)С. И ~ 3,144к СР МАКС,
4i = 10 мс, не более: ТБ253-800............................. 2,25 В
ТБ253-1000 ......................... 1,9 В
Пороговое напряжение, не более: ТБ253-800........................... 1,5 В
ТБ253-1000 ......................... 1,25 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при £/к = 12 В, не более:
7;, =-60‘С, 4 -0,7 А................ 6 в
Тп = +25 °C, 4 от = 0,25 А.......... 2,5 В
Неотпирающее постоянное напряжение управления при U- и = 0,67 £/зс л, Ry = 10 кОм, 7^ =+125 С, не менее..................... 0,25 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при UtC и = Uv п, Ry = «э,
Тп — + 125 СС, не более.................. 70 мА
Ток удержания при = 12 В, /?у = с-а, не более................................. 0,3 А
Повторяющийся импульсный Обратный ток приУ06РИ-^Рп./?у=~.Г„ = +125С, не более...............................
,*м постоянный ток упоавления
Отлирв'^'''
// = 12 В, не более:
"Ри^=_60<..............................
Гл'= +25-С..........;.............
Неотпирающий постоянный ток управления При и^с и ~ Q&U-tc п» = 10 К<^М’ f я+ 125 С, не менее...................
Время включения при Узс = 300 В, /(К И — 4м: СР «АКО 25 А/мкс,
4 ПР>и = 2 A, db/dt= 1 А/мкс, 4 =10 мс, не более.....................
Время задержки при и = 300 В, /ос и — 4k.cp.makc. d^/dt— 25 А/мкс, 4 пр> и = 2 A, d/y/dt- 1 А/мкс, 4 = 10 мс, не более....................
Время выключения при = 0,67 (7К- и, dUv/dt — {dU3C/dt)Wt Уобр и 100 В,
4jC И = 4к ср МАКС’ (с/70С/Cfr)cn = 1° А/мкс, Л = +125 ’С............................
Тепловое сопротивление переход- корпус, не более ..............................
70 мА
0,7 А
0,25 А
5 мА
4 мкс
3 мкс
32...63 мкс
0,025 сС/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 600... 1400 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 1.1 Мс п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................ 0,7(/кп
Максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии............... 0,544 п
Повторяющееся импульсное обратное напряжение............................... 600... 1400 В
Непоеторяющееся импульсное обратное напряжение................................. 1Мы>п
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение........................... 0,5 U^p п
Максимально допустимое обратное постоянное напряжение управления................ 5 8
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при (J3C и = 0,674/jc п» /?у = оо, / — + 125'0 ..’.........'..... 200...
1000 В/мкс
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при 50 Гц, р = 180е, 7к = +85 еС:
ТБ253-800 ........................... 800 А
ТБ253-1000 .......................... 1000 А
Максимально допустимый действующий ток
в открытом состоянии при f — 50 Гц,
р = 180°, Гк = +85 °C:
ТБ253-800............................ 1255 А
ТБ253—1000 .......................... 1570 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при У0БР — 0, — 10 мс,
Гп = +125 °C:
ТБ253-800 ........................... 20000 А
ТБ253—1000 .......................... 21000 А
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при Z73C и — </зг п, 4с и 2/ос СР МЛКС, dfy/dt— 1 А/мкс, f= 1...5 Гц, гу ™ 10 мкс, Гп = +125 °C.. 800 А/мкс
Минимально допустимый прямой импульсный ток управления.......................... 0,5 А
Максимально допустимый прямой импульсный ток управления.......................... 23 А
Температура перехода ................... +125 °C
Температура корпуса..................... —60...+85 "С
2ТБ153-1000
Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п. Предназначены для применения в статических преобразователях электроэнергии, а так же в различных силовых установках постоянного и переменного токов, где требуются небольшие времена включения и выключения, высокие скорости нарастания тока и напряжения. Тиристоры обладают большой нагрузочной способностью по току на высоких частотах. Выпускаются в металлокерамическом корпусе таблеточной конструкции. Анодом и катодом являются плоские основания. Обозначение типономинала и полярности силовых выводов приводится на корпусе.
Масса не более 660 г.
2ТБ153-1000
Электрические параметры
08-BJ6
Импульсное напряжение в открытом состоянии при Ас и ~ 3,144, ср макс» ?и = 10 мс, не более..................... 2,6 В
Пороговое напряжение, ие более........... 1,5 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при 44с « 12 В, не более:
7*п ~ “60 °C, 4 от = 0,8 А........... 6 В
7п'+25ХЛ1ОТ = 0,3 А.................. ЗВ
Неотпирающее постоянное напряжение управления при (Ас и = 0,67 U3C п, /?у = 10 кОм, ?п ~ +125 °C, не менее................... 0,2 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом
СОСТОЯНИИ При <4- и = <4 п, /?у = оо, 4 = +125 °C, не более..................... 70 мА
Ток удержания при U3C — 12 В, /?у — *>, не более................................. 0,7 А
Повторяющийся импульсный обратный ток Г->ГЧ., I / —II О —
"Г"'1 ’-'□ЬР И ’“'ОБР П> 'ХУ > 7"п = +125 °C, не более.................. 70 мА
Отпирающий постоянный ток управления при = 12 В, не более:
Тц = -60 °C........................... 0,8 А
= +25 “С............................ 0,3 А
Неотпирающий постоянный ток управления при UiC и — 0,67 Ux п, Rv ® 10 кОм, Гп = +125 “С, не менее................... 5 мА
Время включения при (/зс — 300 В, 4)С И ~ 4х СР МАКС» 25 А/мкс,
4 Пр и ~ 2 A, dly/dt = 1 А/мкс, fv = 10 мс, не более......„.............. 4 мкс
Время задержки при U3Z и = 300 В, 4г г1 4с ср, макг» 25 А/мкс,
4 пр и = 2 A, dt./dt — 1 А/мкс,
= 10 мс, не более.................-.... 3 мкс
Время выключения при (/зс и = 0,67 и, dU^ /dt — {dU^r/dt)KP, 64бр и = Ю0 В, 4и и — 4с ср макс» (<^4с/dt)zz = 10 А/мкс, Гп = +125 °C, не более:
группа 1.............................. 40 мкс
группа 2.............................. 50 мкс
группа 3.............................. 63 мкс
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более................................. 0,026 3С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
• Повторяющееся импульсное напряжение
в закрытом состоянии..................... 500... 1100 В
Неповторяющееся импульсное напряжение
в закрытом состоянии..................... 560... 1230 В
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................ 375...825 В
Максимально допустимое постоянное напря-
жение в закрытом состоянии............... 350...770 В
Повторяющееся импульсное обратное напряжение............................... 500... 1100 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение............................... 560... 1230 В
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение........................
Максимально допустимое обратное постоян-пое ::апр?м<ГРНИР управления...............
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при (/зг и = 0,676/ п, Я = ГП = +125°С ...........................
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при f = 50 Гц, 0 = 180°, Гк = +70 X.......................
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при /== 50 Гц,
Р = 180°, 7^= +70 еС...................-...
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при б/ и = п, 4х,и = ср м/'кг» 1 А/мкс,
f— 1...5 Гц, fy= 10 мкс, Гп = +125 аС......
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при </0БР = 0, Ги = 10 мс:
Гп - +25 еС............................
Тп = +125 еС...........................
Минимально допустимый прямой импульсный ток управления.............................
Максимально допустимый прямой импульсный ток управления ............................
Температура перехода.......................
Температура корпуса........................
350...770 В
5 В
200...
1000 В/мкс
1000 А
1570 А
800 А/мкс
14,3 кА
13 кА
0,5 А
23 А
+ 125 °C
—60...+85 ’С
Допускается последовательное и параллельное включение тиристоров. Тиристоры, предназначенные для параллельной работы, должны отбираться по значениям импульсного напряжения в открытом состоянии с разбросом в партии не более 0,5 В.
При последовательном соединении тиристоров необходимо учитывать зависимость времени задержки (времени включения) от амплитуды импульса управления, приведенных в информационных материалах.
Во время эксплуатации допускается увеличение значений ^ос, и выше нормы на 20%.
&
Зависимости импульсного тока крытом состоянии от импульсного напряжения
ОТ-
Зависимости среднего тока от температуры корпуса при различных углах проводимости
Зависимости среднего тока от температурь! корпуса при различных углах проводимости
Зависимости среднего тока от температуры окружающей среды при различных углах проводимости
Зависимости среднего тока от температуры окружающей среды при различных углах проводимости
Зависимости импульснсио тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности импульса
!<к.а.А
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности импульса при температуре окружающей среды +40 "С
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от скорости нарастания тока
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от скорости нарастания тока
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от скорости нарастания тока
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от скорости нарастания тока
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от скорости нарастания тока
Зависимости импульсного тока а открытом состоянии О1 скорости нарастания тока
dML А/мкс
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от скорости нарастания тока
dML А/мкс
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от скорости нарастания тока
dMt А/мкс
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от скорости нарастания тока
Зависимости ударного тока в открытом состоянии от длительности импульса
Зависимости тока перегрузки в открытом состоянии от длительности импульса: К — отношение среднего тока к максимально допустимому среднему току
пирающего постоянного напряжения управления от тока управления:
А1 — область негарантированного отпирания;
А2 — область гарантированного отпирания
пульсного напряжения управления от импульсного тока управления:
О 1(1); О - 2(2); О = 5(3), О = 40(4)
Зависимости отпирающего импульс- Зависимости времени задержки (1) ного тока управления от длительно- и времени включения (2) от импульс-сти импульса ного тока управления
Зависимость времени выключения от обратного напряжения
Зависимость времени выключения от импульсного тока в открытом состоянии
Зависимость времени выключения от скорости нарастания тока
Зависимость времени выключения от скорости нарастания напряжения
Зависимости заряда обратного восстановления qt скорости спада тока:
1 /ос, и = 1 Iqc ср,
2 (тс, и = (х ср» О (тс, и = 0,51 /ос СР
Зависимости времени обратного восстановления от скорости спада тока:
1 (хи = 1,51 (^ СР;
2 и = (с, ср»
5 /ос и = 0,51 /ос, ср
Зависимости средней рассеиваемой мощности в открытом состоянии от среднего тока при различных углах проводимости
Зависимости средней рассеиваемой мощности в открытом состоянии от Среднего тока при различных углах проводимости
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности импульса при различной суммарной энергии потерь
1 - 1,0 Дж, 2 - 0,6 Дж,
3 - 0,4 Дж; 4 - 0,2 Дж;
5 - 0,1 Дж; 6 - 0,06 Дж;
7 - 0,04 Дж
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности импульса при различной суммарной энергии потерь:
1 — 1,0 Дж; 2 — 0,6 Дж;
3 — 0,4 Дж; 4 — 0,2 Дж;
5 — 0,1 Дж; 6 — 0,Об Дж
!ос,и,А
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности импульса при различной суммарной энергии потерь:
1 - 1,0 Дж; 2 - 0,6 Дж;
3 — 0,4 Дж; 4 — 0,2 Дж;
5 — 0,1 Дж, 6 — 0,06 Дж
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии ОТ длительности импульса при различной суммарной энергии потерь
1 - 1,0 Дж; 2 - 0,6 Дж;
3 - 0,4 Дж; 4 - 0,2 Дж;
5 — 0,2 Дж; 6 — 0,1 Дж
Зависимости скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии от импульсного прямого напряжения: группы 4, 5, 6, 7 по (dU/dt)&
Зависимости скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии от обратного напряжения и напряжения в закрытом состоянии
Зависимости переходного теплового сопротивления переход—корпус и переход—среда от времени1
1 — скорость охлаждающего воздуха 0 м/с; 2 — скорость охлаждающего воздуха 6 м/с;
3 — переход—корпус
3.2. Тиристоры симметричные
ТС2-10, ТС2-16, ТС2-25
Тиристоры симметричные (симисторы) кремниевые диффузионные р-п-р-п-р. Предназначены для применения в системах и устройствах бесконтактной коммутации и регулирования электроэнергии, а также в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Выпускаются в металлостеклянном корпусе штыревой конструкции с жесткими силовыми выводами. Символическим анодом является основание. Обозначение типономинала приводится на корпусе.
Масса не более 12 г.
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии при /ос и 1j41 /0С1 д, МАкс» в Ю не более............................. 2 В
ТС2-10, ТС2-16, ТС2-25
Пороговое напряжение, не более: ТС2-10................................... 1,54 В
ТС 2-16........................... 1,28 В
ТС2-25................................ 1,12 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при U3C — 12 В, не более:
Гп = -50 °C, 4 от = 0,45 А............ 6 В
•ГП = +25°С, 4от = 0,15 А.............. 3,5 В
Гп = +110°С, 4.ОТ = 0,075А........... 2,5 В
Неотпирающее постоянное напряжение управления при Uv и ~ *4 п, = 10 Ом,
= +110 "С, не менее ............... 0,2 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при и = 1/зг п, /?у = », 7^= +110 X, не более..................... 5 мА
Ток удержания при /?у = о°, не более....... 45 мА
Ток включения при = 12 В, Ц и = 36 В, /?у = 36 Ом, нр — 1 мкс, fy = 50 мкс, не более................................... 60 мА
Отпирающий постоянный ток управления при U3C ~ 12 В, не более:
Гп = “ 50 °C........................ 0,45 А
Гп =+25 °C ......................... 0,15 А
ГП = + 1Ю°С.......................... 0,075 А
Неотпирающий постоянный ток управления при и ~ ^зс, п. Mr ~ Ю 0м' т = + 110 °C, не менее...................
п н — «ЛЛ D
Время включения при <^лг. и “ ,уи /ос и = 4с.д мдко 4,и - 1 A, <V*= 1 А/мкс, fy = 50 мкс, не более....................
Время задержки при Цс.и — 100 В, /ос и = /осд.мдкс> 4,и = 1 A, 1 А/мкс,
« 50 мкс, не более.....................
Время выключения (в тиристорном ражиме работы) при = Цс.л» /оси ~ Асдмакс» dU^c/dt** (^зс/^0кр> М1бр, и ~ 100 В, (dloc/dtkn = 5 А/мкс, Тп = +110 X, не более ................................
2 мА
12 мкс
6 мкс
250 мкс
динамическое сопротивление в открытом
состоянии, не более:
ТС2-Ю................................
ТС2-16...............................
ТС2-25...............................
32 мОм
22,5 мОм
14,5 мОм
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более:
ТС2-10...........................-...
ТС2-16...............................
ТС2-25...............................
Тепловое сопротивление переход—среда, не более:
ТС2-10.....................:.........
ТС2-16...............................
ТС2-25...............................
2,4 сС/Вт
1,7 Х/Вт
1,2 Х/Вт
6,4 Х/Вт
5,52 Х/Вт
5 Х/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение
в закрытом состоянии..................... 100... 1100 В
Неповторяющееся импульсное напряжение
в закрытом состоянии.................... 1,1Ш1Г.п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................ 0,8С^с<л
Максимально допустимое постоянное им-
пульсное напряжение в закрытом состоянии. О,674с и
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии (в тиристорном режиме
Работы) при £АС, и = 0,6774с. п, /?у = *>, *и = +110 X.............................. 50...500 В/мкс
Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения при Цси ~ 0,67 Цс п, 4>с, И Ч, Д, МАКС, 4i ~ 10 мс, 4, и 1 А, /Ж— 1 Л А.,,,- # — КО ....г Т - ХИЛ "Г и.у/ U. I , v I..HV, ,у JV ' И ’ 1,0 ....
Максимально допустимое обратное постоянное напряжение управления...............
Максимально допустимый действующий ток в закрытом состоянии при f ~ 50 Гц, Р= 180°, Гк =+70 °C:
ТС2-10.............................
ТС2-16...............................
ТС2-25...............................
Ударный не повторяющийся ток в открытом состоянии при иОЬР = 0, = Ю мс, Гп =+110 °C:
ТС2—10...............................
ТС2-16...............................
ТС2-25...............................
Защитный показатель при ЦБР = 0, 4, = 10 мс, Гц == +1Ю °C:
ТС2-10...............................
ТС2-16...............................
ТС2-25...............................
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при Цс И = 0,67Цс п, Ьс.И ~ 2/оС,МАКС, Т= 1...5 Гц, Ц и “ 36 В, Яу = 36 Ом, fy пр == 1 мкс, Гп — +110 °C.
Минимально допустимый импульсный ток управления .............................
Максимально допустимый импульсный ток управления .............................
Температура перехода....................
Температура корпуса.....................
5...30 В/мкс
0,2 В
10 А
16 А
25 А
110 А
130 А
150 А
60 АЧ
84 АЧ
112 АЧ
40; 70 А/мкс
0,45 А
2,5 А
+ 110 °C
-50...+70 °C
Закручивающий момент не более 1 Н-м. Время пайки выводов паяльником мощностью 60 Вт при температуре припоя +220 °C не более 2...3 с.
Таблица
СОЧЕТАНИЕ КЛАССИФИКАЦИОННЫХ ПАРАМЕТРОВ ДЛЯ ТИПОНОМИНАЛОВ
Класс по напряжению Значение п и & (<rt/x/<#U. В/мкс КР' А/мкс (^зг /4Г) ким, В/мкс
Группы классификационных параметров
2. 3 ..±|2 3 2 3 4
Значения классификационных параметров
50 100 200 500 40 70 5 10 20 30
1 100 + — — — + — + + — —
1,5 150 + — — — 4- — + + — —
2 200 + + + — + 4- + 4 4- —
2,5 250 + + + + + 4- + 4- 4- —
3 300 + + 4- + + + + 4- 4- +
4 400 + + + 4- + 4- + 4- 4- +
5 500 + + + + + + + 4- 4- 4-
6 600 + + + + + + + 4- 4- +
7 700 + + + 4- + + 4- 4- 4- 4-
8 800 + + + + + '— + 4- 4- —
9 900 + 4- + + — + 4- 4- —
10 1000 + + + — + - + 4- 4- —
11 1100 + 4- + - 4- — + 4- - —
!ос,и,А
*/ос и, А
W 17 2.1U0CM.B
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от импульсного напряжения
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от импульсного напряжения
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от импульсного напряжения
Зоны возможных положений зависимости постоянного напряжения управления от тока управления
Зоны возможных положений зависимости постоянного напряжения управления от постоянного тока управления
Зависимости импульсного отпирающего тока управления от длительности импульса
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
foe юр. А
/ос.юр.А
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
1осудр А
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
Ьсчдр А
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного ударно го тока от длительности импульса
1осудр А
Зависимости импульсного ударно го тока от длительности импульса
Зависимости импульсного тока включения от импульсного пря мого тока управления
Зависимости времени задержки и времени включения от импульсного прямого тока управления
Зависимость тока удержания от температуры перехода
Зависимости времени задержки и времени включения от скорости нарастания тока управления
Зависимости времени задержки и времени включения от импульсного тока а открытом состоянии
Зависимости времени нарастания и времени включения от температуры перехода
(dJjc/dthoH
(dLhc/dthoH
Зависимость скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии от температуры перехода
Зависимость скорости нараста-ния напряжения в закрытом состоянии от постоянного напряжения в закрытом состоянии
ШзМ)ком (dU3£/dt)KOMIO,OB7A^Kc)
(d hcdjt fa, A //IK C
Зависимость скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости переходного теплового сопротивления переход—корпус от времени
Зависимости переходного геплово-)о сопротивления переход—корпус от времени
Зависимости переходного теплового сопротивления переход—корпус от времени
ТС112-10, ТСШ-16
Тиристоры симметричные (симисторы) кремниевые диффузионные р-п-р-п-р. Предназначены для применения в системах и устройствах бесконтактной коммутации и регулирования электроэнергии, а также в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Выпускаются в металлостеклянном корпусе штыревой конструкции с жесткими силовыми выводами. Символическим анодом является основание. Обозначение типономинала приводится на корпусе.
Масса не более 6 г.
ТС 112-10, ТС112-16
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии при/ос<и= 1,4Чсдмакс> *и= 10 мс, мр болАй ................... 1.85 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при Uy — 12 В, не более:
Гп = -60 °C, 4 от = 0,34 А............ 5,6 В
ГП = -50'СЛОТ = 0,3 А................. 5 В
ГП“+25’С,<ОТ=®0,1 А................... ЗВ
Неотпирающее постоянное напряжение управления при U3Q и = U3C п, 10 Ом, Гп = +125 °C, не менее................... 0,25 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом
состоянии при 6/ и = U2C п< Яу = °°>
Тп = +125 °C, не более................... 3 мА
Отпирающий постоянный ток управления
при U3C ~ 12 В, не более:
Гп = ~50’С............................ 0,34 А
Тп = -50ьС............................ 0,3 А
ТП = +25°С............................ 0,1 А
Неотпирающий постоянный ток управления при ^зс.и= <Асп> Яу = 10 Ом, 7^ = +125 °C, не менее................................. 2 мА ;
Время включения при U-., и = 100 В,
Ас,и Ас. д. макс» 4 и 0,3 A, diy/dt 1 А/мкс, ty — 50 мкс, не более.................... 12 мкс
Время задержки при U3Q и = 100 В,
Ас и Ас. д макс, 4и“ ^3 A, d!y/dt = 1 А/мкс, ty = 50 мкс, не более.................... 5 мкс
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более:
ТС112-10.............................. 2,5 °С/Вт
ТС112-16.............................. 1,55 °С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 100...1200 В
Неповторяющееся импульсное напряжение
в закрытом состоянии................... 1>11Цс,п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................ 0»8^4с,П
Максимально допустимое постоянное импульсное напряжение в закрытом состоянии. 0,6t^c и
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при Узс, „ 0,67 Цс.
Я = ~. Г„ = +125 С:
группа 1•..............................
группа 2...............................
Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения при Uv и - 0,67илс п, / -/ X, и — 0,3 A, d^/dt = 1 А/мкс,
4х-.й~ бслмАкс»'/ и > ’ .г_
ty = 50 мкс, Я — 50 Ом, /и +125 С.
группа 1...............................
группа 2...............................
группа 3...............................
группа 4...............................
Максимально допустимое обратное постоян-
СП D ju о/ ivjim-
100 В/мкс
ное напряжение управления................
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при Г = 50 Гц, Р = 180’, L-+85C:
ТС 112-10.............................
ТС112-16..............................
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при Uibp — 0, Ги = Ю мс, Гп = +125 “С:
ТС112-10..............................
ТС112-16..............................
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при (/зс и = 0,67 U-,.z п, 4)с и — 24)с.д макс» 1..-5 Гц, /у и = 0,3 А,
= 30 Ом, rY НР = 1 мкс, гу = 50 мкс, гп=+125 г:...............................
Минимально допустимый импульсный ток управления ..............................
Максимально допустимый импульсный ток управления ..............................
Температура перехода.....................
Температура корпуса:
для исполнения УХЛ....................
2,5 В/мкс
4 В/мкс
6,3 В/мкс
10 В/мкс
0,2 В
10 А
16 А
90 А
120 А
для исполнения У.......................
50 А/мкс
0,45 А
4 А
+ 125 “С
—60...+85 °C
-50...+85 °C
Чистота обработки поверхности охладителя не хуже 1,25. Время пайки выводов паяльником мощностью 50...60 Вт при температуре припоя +220 °C не более 5 с. Закручивающий момент не более 0,8.„0,08 Н-м.
2ТС112-10, 2ТС122-25
Тиристоры симметричные (симисторы) кремниевые диф-/4-1У т; [j qlj lj l io л и род i_i о о шз’ю и ь! для п рмМSн ИЯ В С!4СТС-
мах и устройствах бесконтактной коммутации и регулирования электроэнергии, а также в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Выпускаются в металлостеклянном корпусе штыревой конструкции с жесткими силовыми выводами. Анодом является основание. Обозначение типономинала приводится на корпусе.
Масса не более 12 г.
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом со-
стоянии при /0( и = 1,41/ос д макс» = 10 мене более................................... 1,85 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при U3C = 12 В, не более:
7"п == —60 °C, 4 от =0,3 А (для 2ТС112-10)... 6 В Гп = —60 °C,/у = 0,45 А (для 2ТС112—25) .. 7 В 7; = +25 'С, 4 от = 0,1 А (для 2ТС112-10)... 3 В Г, = +25 ПС, ^от = 0,15А(для 2ТС112-25)... 3,5 В Неотпирающее постоянное напряжение управления при fZjc и = t/3Ci п, Ay = 2 кОм, 7"п = +125 °C, не менее................. 0,25 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при £ДГ и = tAf,n> Ry = °°( 7"п = +125 JC, не более:
для 2ТС112—10........................ 3 мА
для 2ТС112—25........................ 3,5 мА
Отпирающий постоянный ток управления
, , I - 12 В, не более: при Нх= -60 ”С (для 2ТС112-10)..........
'п . _ Т = — OU С. W* Л I I ...........
т =+25 *С (для 2ТС112—10)...........
Г =+25'С (для 2ТС112-25)............
Неотпирающий постоянный ток управления при ик^ик,„.^= ЮОм, Г„ = + 125 С, не менее...........у;...;•—••••.........
Время включения при U3C и 1UU о,
= 4с.ДИМС- <- и = °-3 А’ 1 А/МКС-
/у я 50 мкс, не более..................
Время задержки при и = 100 В, 4с н - 4с.дим» 4.и = 0-3 А- 4/*’ 1 А/МКС, - 50 мкс, не более......................
Тепловое сопротивление переход—-корпус, не более:
2ТС112-10...........................
2ТС112-16...........................
0,3 А
О 45 Л ол А 0,15 А
2 мА
12 мкс
5 мкс
2,5 'С/Вт
1 аС/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение
в закрытом состоянии........................ 100... 1200 В
Неповторяющееся импульсное напряжение
в закрытом состоянии........................ 1,11 £Дс п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом
состоянии................................... 0,8t/3C л
Постоянное напряжение в закрытом состоянии..................................... 0,6(7^ и
Критическая скорость нарастания напряжения а закрытом состоянии при 4/JC и = 0,67U,. п, Яу = -, ГИ = +125°С:
группа 1 ....а.......................... 50 В/мкс
группа 2................................ 100 В/мкс
Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения при £/зси = 0,67 Ui: п,
М = 4с. д макс» 4 И = о,3 A, dk//dt= 1 А/мкс,
= 50 мкс, Я = 50 Ом, Ти = +125 °C: гРУппа 1................................. 6,3 В/мкс
гРУпла2................................... 10 В/мкс
гРУппа 3.................................. 16 В/мкс
группа 4................................ 25 В/мкс
Обратное постоянное напряжение управления .................................. 0,2 В
Действующий ток в открытом состоянии при f= 50 Гц, р = 180", Гк = +85 "С: 2ТС112-10................................ 10 А
2ТС112-16............................. 25 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при t/0BP = 0, ft = 10 мс, А, = + 125 “С:
2ТС112-10............................. 45 А
2ТС112-16............................. 90 А
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при U3C и = 0,67(/зс п, к и- 2()с,д. makci 1—5 Гц, ft и ~ А, /?у = 30 Ом, ty НР = 1 мкс, ft =* 50 мкс, Тп — +125 °C............................. 50 А/мкс
Минимально допустимый импульсный ток управления .............................. 0,45 А
Максимально допустимый импульсный ток управления .............................. 4 А
Температура перехода .................... +125 °C
Температура корпуса...................... — 60...+85 еС
Для предохранения симистора от повреждений пайку изолированных выводов производить в течение времени не более 5 с с паяльником мощностью (50...60) Вт припоем, температура плавления которого не превышает (220±5) °C без применения кислотных флюсов. Место пайки монтажных проводов-поверх-ность лепестков или обжатая часть поверхности выводов.
Для обеспечения теплового и электрического контакта шероховатость контактной поверхности охладителя должна быть не более 3,2 мкм. Сопрягаемые поверхности при сборке симистора с охладителем рекомендуется покрывать полиме-тилсилоксановой жидкостью или пастой КПТ—8. В зазоры между охладителем и лепестком, лепестком и основанием симистора щуп 0,03 мм не должен проходить. При эксплуатации симисторов необходимо периодически очищать поверхность стеклоизолятора от пыли и других загрязнений.
ТС122-20, ТС122-25
Тиристоры симметричные (симисторы) кремниевые диф-~ « и-1 И /1 Пгчо ПНД7ЫЙЦАИЫ ППЯ ППИМ^НРМЫС R ГЫГТР-сЬузионные р-п-н-П Р- ---„........рим-----и.. _ _и_._
ах и устройствах бесконтактной коммутации и регулирова-Ми\Х электроэнергии, а также в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей Электроугли Выпускаются в металлостеклянном корпусе штыревой
ЭНвр1 ИИ- Ь' 7
конструкции С жесткими силовыми выводами. Символическим анодом является основание. Обозначение типономинала приводится на корпусе.
Масса не более 12 г.
ТС122-20, ТС122-25
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом со-
стоянии при /ос и = 1,41АС д макс» 4т = Ю мс>
не более................................ 1,85 В
Отпирающее постоянное напряжение
управления при,£/зс = 12 В, не более: Гп = -60вС, /у с: =0,5 А............. 6,7 В
Гп = -50вС, 4 от = 0,45 А............ 6 В
Т’п = +25°С,Ст = 0,15А............... 3,5 В
Неотпирающее постоянное напряжение
Управления при = Цс п, Ъ = 2 кОм, Тп ~ +125 ’С, не менее.................. 0,25 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом
состоянии при t/lc, и = илг п, /?у =
'п +125 °C, не более.................... 3,5 мА
Отпирающий постоянный ток управления при t/3c = 12 В, не более:
Гп = -60 СС.......................... 0,5 А
Т — “50 С л ля д
= +25 X............................ 0,15 А
Неотпирающий постоянный ток управления при и = б/зс. л, /?у ~ 2 кОм, Гп = + 125 ‘С, не менее................................. 2 мА
Время включения при Цг и = 100 В,
Ас, и Ас, д, макс» А. и = 0,3 A, diy/dt 1 А/мкс, 4 — 50 мкс, не более..................... 12 мкс
Время задержки при U3C и = 100 В,
Ас и Ас д макс, 4, и = 0,3 A, d!y/dt— 1 А/мкс, 4 = 50 мкс, не более..................... 5 мкс
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более:
ТС122-10............................. 1,3 “С/Вт
ТС122-16............................. 1 °С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 100...1200 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии .................... 1,11U-& п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................ 0,8Цс п
Максимально допустимое постоянное им-
пульсное напряжение в закрытом состоянии. 0,6Цси
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при и = 0,67 Цсп, /?у = К = +125 “С.-
группа 2............................. 50 В/мкс
группа 3............................. 100 В/мкс
группа 4............................. 200 В/мкс
группа 5............................. 320 В/мкс
группа 6............................. 500 В/мкс
Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения при Цс и = 0,67 Z/c n, Ас и ” Ас д макс, А и= 0,3 A, с//у/dt — 1 А/мкс, 4 = 50 мкс, /?у = 50 Ом, Гп = + 125 ВС:
группа 1............................. 2,5 В/мкс
группа 2............................. 4 В/мкс
группа 3............................. 6,3 В/мкс
группа 4............................. 10 В/мкс
группа ..............
Максимально допустимое обратное постоям-ное напряжение управления.........-.......
Максимально допустимый действующий ток В открытом состоянии при f- 50 Гц, В = 180s, Гк =+85 СС:
ТС 122-20.............................
ТС 122-25.............................
Ударный не повторяющийся ток в открытом состоянии при t/06P “ 0, 4i — 10 мс, Гп - +125 С:
ТС122-Ю...............................
ТС122-16..............................
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при и — 0,67 foe И = 2/оС Д МАМ ' 1—5 Гц, 4 И = 0-3 А,
/?у = 50 Ом. 4 НР = 1 мкс- 4 = 50 мкс, 7/ +125 X.................................
Минимально допустимый импульсный ток управления .............•.................
Максимально допустимый импульсный ток управления ...............................
Температура перехода......................
Температура корпуса:
для исполнения УХЛ....................
для исполнения У......................
16 В/мкс
25 В/мкс
0,2 В
20 А
25 А
150 А
180 А
50 А/мкс
0,5 А
5 А + 125 X
-60...+85 °C
-50...+85 “С
Чистота обработки поверхности охладителя не хуже 2,5. Время пайки выводов паяльником мощностью 50,.,60 Вт при температуре припоя до +220 °C не должно превышать 5 с. Закручивающий момент не более 1±0,05 Н-м.
ТС2-40, ТС2-50, ТС2-63, ТС2-80
Тиристоры хсимметричные (симисторы) кремниевые диффузионные р-п-р-п-р. Предназначены для применения в системах и устройствах бесконтактной коммутации и регулирования электроэнергии, а также в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Выпускаются в металлостеклянном корпусе штыревой конструкции с жесткими силовыми выводами. Символическим анодом является основание. Обозначение типономинала приводится на корпусе.
Масса не более 45 г.
TC2-W. ТС2-50, ТС2-63, TC2-8Q
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии при /ос и = 1,41/ос Л МАКС, Ги = 10 мс, не более................................ 2 В
Пороговое напряжение, не более: ТС2-40.................................. 1,05 В
ТС2-50............................... 1 В
ТС2-63............................... 0,94 В
ТС2-80............................... 0,88 В
Отпирающее постоянное напряжение управ-
ления при t/3C = 12 В, не более: 7^ — — 50 вС, /УО1 = 0,6 А........... 10 В
7"п =+25 X,/у от = 0,25 А............ 7 В
ТГ1 —+110Х, 4ОТ —0,1 А............... 5 В
Неотпираюицее постоянное напряжение управления при (X и = (Аг п, /?у = 10 Ом, 7"п = +110 °C, не менее.................. 0,2 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом
состоянии При и — t/3C п, /?у = Тп = +110 °C, не более.................... 10 мА
Ток удержания при /?=«>, не более........ 0,4 А
Ток включения при (/из = 12 В, Ц и = 36 В,
/?у = 36 Ом, fy нр — 1 мкс, — 50 мкс, не более................................ 0,25 А
Отпирающий постоянный ток управления
при U3<: = 12 В, не более: 7-п=-50 °C............................... 0,6 А
Тп = +25 °C.......................... 0,25 А
7п = +110Х............................ 0,1 А
Неотпирающий У"РаВле™Я
при изс и "" ^зГ п’ у
г\= +110 °C, не менее.................
опемя включения при (Ас и ~ 10и В-
Ги = ^А-о4и = 0,ЗА.^=1А/мкс, t = 50 мкс, не более..................
Время задержки при U3C и = 100 В,
t „ = <Х АИАКС, И = 0,3 A, tf/y/<*= 1 А/МКС, t - 50 мкс, не более..................
Время выключения (в тиристорном режиме работы) при </зс,и = 0,67 U3C п,
^)кр> М)бр и = ЮО В,
и = Бамако 5 А/мкс,
7"п'=+110 “С, не более................
Динамическое сопротивление в открытом состоянии, не более:
ТС2-40.............................
ТС2-50.............................
ТС2-63.............................
ТС2-80.............................
2 мА
20 мкс
10 мкс
250 мкс
10,5 мОм
7 мОм
6,25 мОм
3,5 мОм
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более:
ТС2-40..............................
ТС2-50..............................
ТС2-63..............................
ТС2-80..............................
Тепловое сопротивление переход—среда, не более:
ГС2-40..............................
ТС2-50..............................
ТС2-63..............................
ТС2-80..............................
0,73 °С/Вт
0,65 °С/Вт 0,575 °С/Вт 0,47 С/Вг
3,67 ‘С/Вт
3,55 °С/Вт
3,44 lC/Bt
3,39 С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение
в закрытом состоянии........................ 100...1100 В
Неповторяюицееся импульсное напряжение в закрытом состоянии........................ 1,11 t/3c л
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................... 0,8(/зсп
Максимально допустимое постоянное импульсное напряжение в закрытом состоянии.... 0,6(/зс и
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии (в тиристорном режиме работы) при Uv и = 0,67 {/^ п, /?у = оо, Ги = 110 ..........................
Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения при U3C и ~ Q,b7U3C п, ^ос и = (к,д макс, /и = Ю мс> 4,1 d/.r/dt = 1 А/мкс, ty — 50 мкс, Ги — +110 °C.
Максимально допустимое обратное постоянное напряжение управления...............
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при f — 50 Гц, Р = 180°, Гк = +70 °C:
ТС 2-40..............................
ТС2-50...............................
ТС2-63...............................
ТС2-80...............................
Ударный неповторяющийся ток в открытом СОСТОЯНИИ При 6/0Бр = 0, = 10 мс,
Гп “+110ФС:
ТС2-40................................
ТС2-50, ТС2-63........................
ТС2-80...............................
Защитный показатель при £/0БР = 0, Ги = 10 мс, Гп= +110 °C:
ТС2—40...............................
ТС2-50...............................
ТС2-63...............................
ТС2-80...............................
Критическая скорость нарастания тока
В открытом СОСТОЯНИИ При {Де и “ 0,67 изс и, Гс И — 2/пс д МАКС г 1...5 Гц, Uy и — 36 В,
Ry “ 36 Ом, ty НР = 1 мкс, Гп = +110 °C......
Минимально допустимый импульсный ток управления ..............................
Максимально допустимый импульсный ток управления ..............................
Температура перехода.....................
Температура корпуса......................
50...
500 В/мкс
5...30 В/мкс
0,2 В
40 А
50 А
63 А
80 А
300 А |Й|
350 А
460 А И
162 Аг-с
200 Аг-с
265 А<с
545 Аг с
40; 70 А/мкс
0,6 А
5,5 А + 110 °C —50...+70 °C
Закручивающий момент не более 5,6 Н-м.
Таблица
СОЧЕТАНИЕ КЛАССИФИКАЦИОННЫХ ПАРАМЕТРОВ ДЛЯ ТИПОНОМИНАЛОВ
Класс по налряже НИЮ ' i Значение п и П’ В {dUv/dt}^ В/мкс А/мкс КГ н’ В/мкс
Группы классификационных параметрон
21 1 4 5 2 3 2: 3 4
Значения классификационных параметров
50 100 200 500 40 70 5 ю 20 30
100 + — — — 4- — 4- 4- — -
1.5 150 4- — — — 4- — 4- 4- — —
2 200 4- 4- 4- — 4- 4- 4- 4- 4- —
2.5 250 + 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- —
3 300 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4-
~ 4 400 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- +
5 500 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- ' 4- 4- 4-
6 600 + 4- + 4- + + 4- 4- 4- 4-
1 700 4- 4- + 4- + + 4- 4- 4- 4-
8 800 4- 4- + 4- 4- - 4- 4- 4- —
9 400 4- 4- 4- 4- 4- - 4- 4- 4- —
10 1000 + 4- 4- - 4- - 4- 4- 4- —
11 1100 4- 4- 4- 4- - 4- 4- - —
Зависимости импульсного тока Зависимости импульсного гока
в открытом состоянии от им- в открытом состоянии от импульсного напряжения пулысного напряжения
/ос.и,А
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от импульсного напряжения
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от импульсного напряжения
Зоны возможных положений зависимости постоянного напряжения от постоянного тока управления
Зоны возможных положений зависимости импульсного прямого напряжения управления от импульсного Прямого тока управления
1к.УЯР.А
.Зависимости импульсного отпирающего тока управления от длительности импульса
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
/осада»./.
/осада». А
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
tociwp.A
Завигимости импульсного ударного тока or длительности импульса
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
/ос.щр.А
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса 270
Зависимости импульсного ударного кжа от длительности импульса
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
-4G -25 О 25 50 15 100ТпХ
Зависимость постоянного тока удержания от температуры перехода
t зд/t 33(W' XiK/Xt вши)
И времени задержки от импульсного тока управления
1шЛ астмчгс)
и времени задержки от скорости нарастания гока управления
Зависимости времени включения и времени задержки от импульсного тока в открытом состоянии
(dlhc/dOtm
(dUx/dO/wfwx)
tsK/d tsKfl(2S T/' t пр/t №(2S Г)
Зависимости времени нарастания и времени включения от температуры перехода
Зависимость скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии от температуры перехода
d(Jt) ком
(dhc&t А/мкс
Зависимость скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии от постоянного напряжения в закрытом состоянии
Зависимость скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии от скорости нарастания тока в открытом состоянии
7т(п-юХ/Вт
Зависимости переходного теплового сопротивления переход—корпус от времени
Зависимости переходного теплового сопротивления переход—корпус от времени
Зависимости переходного теплового сопротивления переход—корпус от времени
Зависимости переходного теплового сопротивления переход—корпус от времени
ТС 132-40, ТС 132-50
Тиристоры симметричные (симисторы) кремниевые диф-фулиОнныё р~п~р^п-р. Предназначены для применения б системах и устройствах бесконтактной коммутации и регулирования электроэнергии, а также в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Выпускаются в металлостеклянном корпусе штыревой конструкции с жесткими силовыми выводами. Символическим анодом является основание. Обозначение типономинала приводится на корпусе.
Масса не более 27 г.
ТШ2-М. ТС132-50
(МШетм ।
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии при /ос и = 1,414С ДМАКС, Ги = 10 мс, не более............................... 1,85 В
Опирающее постоянное напряжение управ-
ления при Uw — 12 В, не более:
ГП = -60’СЛОТ = 0,55А................ 7,8 В
Тп--50°C, 4 от“0-48 А............... 7 В
Гп = +25вС,<от = 0,2А............... 4 В
Неотпирающее постоянное напряжение управления при fAr и = п» 7?у = 10 Ом,
Гп = +125 °C, не менее...’............. 0,25 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом
СОСТОЯНИИ При И ~ Цс п, — °°> 7"п = +125 “С, не более................ 5 мА
ющий постоянный ток управления Отпира не более:
..........................
--------------------------
Гп=+25 S...........:•................
ирлтпиоающии постоянный ток управления ЛЦ > = UX п. /?у= ЮОм,
При и3с и зс п’ у j- — +-|25 *С, не менее.................
Время включения при 44с и ~ ЮО В»
и = 4с д, макс» 4. и = 0.3 A, dl*/dt = 1 А/мкс, f = 50 мкс, не более....................
Время задержки при £/ЗС|И = 100 В, /ос и 4с, д макс. 4 и = 0,3 А, <//v/dt ~ 1 А/мкс, я 50 мкс, не более......................
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более:
ТС 132-40............................
ТС 132-50............................
0,55 А 0,48 А
0,2 А
2 мА
12 мкс
5 мкс
0,65 °C/Вт
0,52 °С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 100—1200 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 1,11
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................ 0,8£/зс п
Максимально допустимое постоянное им-
пульсное напряжение в закрытом состоянии. 0,6Цс<и
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при и ~ 0,6744с п»
7и =+125'С: группа 1.............................. 50 В/мкс
группа 2.............................. 100 В/мкс
группа 3.............................. 200 В/мкс
группа 4 ............................. 320 В/мкс
группа 5.............................. 500 В/мкс
Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения при £/зс и - 0,6744с п. 4с,и = 4с, д, макс» 4. и = 0.5 A, d\/dt = 1 А/мкс, - 50 мкс, Rv = 50 Ом, Ги = +125 °C:
гРУппа 1.............................. 2,5 В/мкс
группа 2.............................. 4 В/мкс
группа 3..............................
группа 4..............................
группа 5..............................
группа 6..............................
Максимально допустимое обратное постоянное напряжение управления.................
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при f— 50 Гц, Р= 180°, Тк =+85 °C:
ТС 132-40.............................
ТС132-50..............................
Ударный не повторяющийся ток в открытом состоянии при £/Обр = 0, 4, ~ 10 мс, 7^ = +125 °C:
ТС132-40..............................
ТС 132-50.............................
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при £/зси = 0,67 4/зс п, 4)с,и ~ 2/ос д макс» 1 ...5 Гц, /у и = 0,5 А, Я = 50 Ом, ty Нр = 1 мкс, = 50 мкс, Гп = +125 °С^.............................
Минимально допустимый импульсный ток управления ...............................
Максимально допустимый импульсный ток управления ...............................
Температура перехода .....................
Температура, корпуса:
для исполнения УХЛ....................
для исполнения У......................
6,3 В/мкс
10, В/мкс
16 В/мкс
25 B/mkl J
0,2 В j
40А
50 А
300 А
350 А
63 А/мкс <
1
0,45 A j
4 A i
+ 125 °C - i
<1
-60...+85 СС ]
—50...+85 °C
Чистота обработки поверхности охладителя не хуже 2,5. Время пайки выводов паяльником мощностью 50...60 Вт при температуре припоя до +220 ’С ие должно превышать 5 с. Закручивающий момент не более 8 Н-м.
2ТС132-50, 2ТС142-80 1
Тиристоры симметричные (симисторы) кремниевые диф-’ фузионные р-п-р-п-р. Предназначены для применения в системах и устройствах бесконтактной коммутации и регулирования электроэнергии, а также в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электрет энергии. Выпускаются в металлостеклянном корпусе штыревой 276
укции С жесткими силовыми выводами. Анодом явля-констрУ^вание обозначение типономинала приводится на
корлУсе\ 6лпоА аз г
[Иассо нс и------ •
2ТС132-50. 2TCU2-8O
Упра&ляющии
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии При 4)С, И = 1»41 4jc, д МАКС, 4i ~ Ю мс>
не более................................. 1,8 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при £/зс = 12 В, не более:
ТП = -60 °C, /у от = 0,6 А (для 2ТС132—50)... 8 В
Тп = -60 °C, /у от = 0,6 А (для 2ТС142-80)... 9 В
ГП = +25Х, < от = 0,2 А (для 2ТС132-50) ... 4 В
Гп = +25 X, <от == 0,2 А (для 2ТС142-50)... 4,5 В
Неотпирающее постоянное напряжение управления при U3C н = U3C п, Ry ~ 10 Ом, Гр = +125 "С, не менее................... 0,25 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом
состоянии при U3Cih = п, Ry = <*>,
Гр = +125 °C, не более: 2ТС132-50 ............................... 5 мА
2ТС142-80............................. 7 мА
Отпирающий постоянный ток управления при U2C ~ 12 В, не более:
гп = -60 X........................... 0,6 А
ГЯ = +25Х............................ 0,2 А
Неотпирающий постоянный ток управления
"риЦС(И = 4/зсп,/?у= Ю Ом, п * +125 X, не менее...................... 2 мА
Время включения при С/зс и = 100 В,
/ос, И ~ /ос,Д, МАКО 4. И = 0,3 A, itf/y/dt = 1 А/мкс, tY = 50 мкс, не более..................... 12 мкс
Время задержки при (7ЗС и = 100 В,
(к, и ~ /ос,д, макс» 4, и = 0,3 Ал dty/dt — 1 А/мкс, ty = 50 мкс, не более..................... 5 мкс
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более;
ТС 132-50............................. 0,52 °C/Вт
ТС 142—80 ............................ 0,34 °C/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии...................... 100... 1200 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии...................... 1,11 t/3c п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................. 0,8(^сп
Постоянное импульсное напряжение в за-
крытом состоянии ......................... 0,6Z/3C(И
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при £/зс и = 0,6 7 U3C п, /?у = оог Tnt= + l25°C:
группа 1.............................. 50 В/мкс
группа 2.............................. 100 В/мкс
группа 3............................... 200 В/мкс
группа 4.............................. 320 В/мкс
группа 5.............................. 500 В/мкс
Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения при t/3c и = 0,67Цг п, k)c.и = 4ic д,макс» 4 и “ "0’5 A, dfy/dt — 1 А/мкс, ty — 50 мкс, /?у — 50 Ом;
группа 1.............................. 6,3 В/мкс
группа 2.............................. 10 В/мкс
группа 3.............................. 16 В/мкс
группа 4.............................. 25 В/мкс
Обратное постоянное напряжение управления .................................... 0,2 В
Действующий ток в открытом состоянии
при f= 50 Гц, ₽ = 180°, Гк = +85 °C: ТС132-50.............................. 40 А
ТС 142-50............................. 70 А
.й неповторяющиися ток в открытом ^ниипри«« = 0,4,= 10мс.
+125 °C:
ТС 132-50..........................
ТС 142—80..........................
Критическая скорость нарастания тока
В открытом состоянии при «,с В - О.б/Узст |(хИ = 2/0с.д.нлко f ’•"5,Гц,Л" 0,5 А’ о '= 50 Ом, t, » = 1 мкс- = 50 мкс>
Г^+125-С..............................
Минимально допустимым импульсным ток
200 А
330 А
63 А/мкс
0,45 А
4 А
+ 125 °C
-60...+85 СС
управления ...........................
Максимально допустимый импульсный ток управления ........................... Температура перехода.................. Температура корпуса...................
Для предохранения симистора от повреждений пайку изолированных выводов производить в течение времени не более 5 с паяльником мощностью 50...60 Вт припоем, температура плавления которого ие превышает 220±5 °C без применения кислотных флюсов. Место пайки монтажных проводов-поверх-ность лепестков или обжатая часть поверхности выводов.
Для обеспечения теплового и электрического контакта шероховатость контактной поверхности охладителя должна быть не более 3,2 мкм. Сопрягаемые поверхности при сборке симистора с охладителем рекомендуется покрывать полиметилсилоксановой жидкостью или пастой КПТ—8. В зазоры между охладителем и лепестком, лепестком и основанием симистора щуп 0,03 мм не должен проходить. При эксплуатации симисторов необходимо периодически очищать поверхность стеклоизолятора от пыли и других загрязнений.
ТС142-63, ТС142-80
Тиристоры симметричные (симисторы) кремниевые диффузионные р-л-р-л-р. Предназначены для применения в системах и устройствах бесконтактной коммутации и регулирования электроэнергии, а также в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Выпускаются в металлостеклянном корпусе штыревой конструкции с жесткими силовыми выводами. Символическим анодом является основание. Обозначение типоиоминала приводится на корпусе.
Масса не более 53 г.
TCU2-63. TCU2-80
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом со-
стоянии ПрИ /(1С И= М^.ЛИАКС» /и ~ Ю мс, не более..................... 1,8 В
Отпирающее постоянное напряжение управ-
ления при U-* = 12 В, не более:
Гп =-60 °C,/у от = 0,55 А........... 8,3 В
^ = -50 "С, 4ОТ=0,48 А.............. 7,5 В
ГП = +25°С, 4ОТ = 0,2А.............. 4,5 В
Неотпирающее постоянное напряжение управления при (Лг и = £АС п, ₽у = Ю Ом, Гп = +125 °C, не менее.................. 0,25 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при и = t/3C п, /?у — °*, Тп = +125 °C, не более.................. 7 мА
Отпирающий постоянный ток управления при U3C~ 12 В, не более:
Гп^-бОХ............................. 0,55 А
Гп = -50 °C......................... 0,48 А
7^ - +25 °C......................... 0,2 А
Неотпирающий постоянный ток управления
при 7/1С,и ~ ^Ас,п» Я = Ю Ом, Гп = +125 °C, не менее.................. 2 мА
Время включения при £/ЗС/И == 100 В, he, И = he Д, МАКО 4, И A, dly/dt — 1 А/мкс,
/у = 50 мкс, не более................... 12 мкс
Время задержки при £/зс и = Ю0 В, he, и he, д, макс> 4, и А, с^4/dt 1 А/мкс,
ty ~ 50 мкс, не более................... 5 мкс
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более. ТС142-63 . 0,44 ’С/Вт . и,34 °С/Вт
ТС1^* ‘ "** Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение . 100... 1200 В
в закрытом состоянии
Не повторяющееся импульсное напряжение • 1,11Цс.П
в закрытом состоянии
рабочее импульсное напряжение в закрытом . 0,8£Х)С п
состоянии
Максимально допустимое постоянное им- . 0,6Цс и
пульсное напряжение в закрытом состоянии ....
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при и = 0,67 U3( п, = 7*п —+125“С:
группа 1 . 50 В/мкс
группа 2 . 100 В/мкс
группа 3 . 200 В/мкс
группа 4 . 320 В/мкс
группа 5 . 500 В/мкс
Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения при U3C и = 0,67 0зс п, (1С.И = 4>С Д, МАКС» 4 И “ 0,5 А, 1 А/мкс, ty = 50 мкс, Ry — 50 Ом, Тл = +125 °C:
группа 1 . 2,5 В/мкс
группа 2 . 4 В/мкс
группа 3 . 6,3 В/мкс
группа 4 , 10,? В/мкс
группа 5 . 16 В/мкс
группа 6 . 25 В/мкс
Максимально допустимое обратное постоян-
ное напряжение управления . 0,2 В
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при А= 50 Гц, В — 180’, К == +85 ’С:
ТС142-63 . 63 А
ТСЦ2-80 . 80 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при (70БР = 0, 7И = 10 мс, 'n = +125 °C:
ТС132-63 . 500 А
ТС142-80 . 550 А
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при U3C и = 0,67Z73C(i, 41(2. И ~ 24x2, Д МАКО f~ 1--5 Гц, 4. И ~ 0*5 А, ГСу OV С^М, iy цр I МКС, ty —— .xv МКс,
7"n — +125 X............................. 63 A/mkc
Минимально допустимый импульсный ток управления............................... 0,45 А
Максимально допустимый импульсный ток
управления................................. 4 А
Температура перехода....................... +125 °C
Температура корпуса: для исполнения УХЛ......................... —60...+85 'С
для исполнения У........................ —50...+85 °C
Чистота обработки поверхности охладителя не хуже 2,5. Время пайки выводов паяльником мощностью 50...60 Вт при температуре припоя до +220 °C не должно превышать 5 с. Закручивающий момент не более 10 Н-м.
ТС80, ТС125, ТС160
Тиристоры симметричные (симисторы) кремниевые диффузионные р-п-р-п-р. Предназначены для применения в системах и устройствах бесконтактной коммутации и регулирования электроэнергии, а также в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Выпускаются в металлостеклянном корпусе штыревой конструкции с гибкими силовыми выводами. Символическим анодом является основание. Обозначение типономинала приводится на корпусе.
Масса не более 480 г.
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом со-
стоянии при /ос,и = 1,41/Г)Г д МАКС, = 10 мс, не более:
ТС80................................... 2,3 В
ТС125 ................................. 1,46 В
ТС160 1,45 В
Пороговое напряжение при Тп = +110 еС, не более:
ТС80 .................................. 1,45 В
ТС125.................................. 0,% В
ТС160.................................. 0,88 В
ТСвО, ТС125. ТС160
Отпирающее постоянное напряжение управ-
ления при t/jc = 12 В, не более:
Гп = -50ХЛО1 = 0,8 А................. 10 В
Гп = +25 °C, 4 о7 = 0,4 А............ 5 В
ГП = +110Х4 ОТ —0,25 А............... 4 В
Неотпирающее постоянное напряжение управ-
ления при U3C и — U3C п, /?у = 20 Ом, Гп = +110 °C, не менее.................. 0,3 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом
состоянии при £/зс и = tZjf р, /?у = Гп = +110 °C, не более.................. 20 мА
Ток удержания при Ry — не более......... 0,2 А
Ток включения при t/3C 12 В, 4 и — 1 А, cily/dt~ 1 А/мкс, tv = 10 мкс, не более. 0,25 А
Отпирающий постоянный ток управления
при = -|2 В, не более:
Гп = -50 X........................... 0,8 А
^п = +25Х............................ 0,4 А
Гп = +110Х........................... 0,25 А
Неотпирающий постоянный ток управления приЦси = ЦсП,Я = 20 Ом,
в Н Ю X, не менее...................... 10 мА
Время включения при (7ЗС и = 100 В, 4с. и ~ 4с.Д.МДКС» 4, и 2 А, оУу/dt — 2 А/мкс, tv = 50 мкс, не более..................... 20 мкс
Время задержки при бзс и ” 1 4с.и = 4с дмакс» 4.и = 2 A, dly/dt— 2 А/мкс, ty = 50 мкс, не более..................... 10 мкс
Время выключения (в тиристорном режиме работы) при £/зс.и = °.67М»з,п.
°^4с/dt — (dUiC/dt)KP, t70BP и я 100 В, 4с, И = 4с,Д, МАКС, (^4с/<*)сП = 0>1 А/мкс, 7*п = +110 "С, не более................... 70...250 мкс
Динамическое сопротивление в открытом состоянии при 7"п = +110 *С, не более:
ТС80.................................. 8 мОм
ТС125................................. 3 мОм
ТС 160................................ 2,4 мОм
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более:
ТС8О, ТС 125 ......................... 0,25 °C/Вт
ТС160................................. 0,2 °C/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии...................... 100...1200 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии...................... 1,16t4f п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................. 0,8£/зс г
Максимально допустимое постоянное импульсное напряжение в закрытом состоянии.. 0,756^с,и
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии (в тиристорном режиме работы) при Уки = 0,674/зс п, /?у = « Гп = + 110°С...........1.......... 10...
1000 В/мкс
Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения при (7ЗС и = U3C п, 4с, И = 4с,ДМАКС1 Woe/cfr)cn — 0,1 А/мкс, /?у = оо, Гп = + 110°С.................... 5...50 в/мкс
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при 7= 50 Гц, 0 - 180\ 7к = +70 °C;
ТС80.................................. 80 А
ТС125 ................................ 125 А
ТС160................................. 160 А
НЬ1Й неповторяющийся ток в открытом стоянии при <АВР = ОЛи = 10 мс, Т ^+110 °C: / п
" TC8U...................................
ТС125 .................................
ТС160 .................................
Защитным показатель при (J^^p — О, = 10 мс, т =+110 °C:
7 ТС80.....................................
ТС125..................................
ТС160 .................................
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при изс и = изс п, 4к и 24к.дмакс> f~ 1-*5 Гц» Ц<_и = 12 В, /?у = 20 Ом, d!/dt= 1, fy = 50 мкс, Гп = + ПО °C .. Минимально допустимый импульсный ток управления ................................
Максимально допустимый импульсный ток управления ................................
Температура перехода.......................
Температура корпуса........................
1700 А
2000 А
2200 А
14,4 кА2*с
20 кА2*с
24 кА2-с
5...70 А/мкс
2 А
10 А
+110 °C
-50...+70 °C
Условно анодом симистора принято считать основание, катодом — гибкий силовой вывод. Закручивающий момент не более 45±5 Н-м.
Таблица
СОЧЕТАНИЕ КЛАССИФИКАЦИОННЫХ ПАРАМЕТРОВ ДЛЯ ТИПОНОМИНАЛОВ
Класс по напряжению Значение ^3L Л И ^ОВР п1 ® В/мкс %Ь1КГ’ МКС
Группы классификационных параметров
1 2 3 _±J 5 6 1 2J 3 4
Значения классификационных параметров
10 50 100 200 500 1000 70 100 150 250
1-3 100... 300 + + + + + + + + + +
4-7 8-10 400...700 + + + + - - + + + +
800... 1000 + + - - - - + + - —
11,12 П 1100, 1200 + - - - - - + — - -
Окончание
Класс по на пряже нию Значение U к о и Л' В А/ мкс ГУ z и/ мм.
Группы классификационных параметров
Г 3 4 5 ТР 4
Значения классификационных Параметров
5 10 20 40 70 5 10 20 30 50
1-3 100... 300 + + + + + + + + + +
4-7 400... 700 + + + - — + + + — -
8-10 800... 1000 + + — - — + + - - -
11. 12 1100. 1200 + - - - - + + — - -
Зависимость импульсного тока в открытом состоянии от импульсного напряжения
Зависимость импульсного тока в открытом состоянии от импульсного напряжения
Зависимости импульсного тока 8 открытом состоянии or импульсного напряжения
Зоны возможных положений зависимости постоянного напряжения управления от тока управления
Uy И.В
38
20
10
о
сию|Ь1 BO3MtWHblx положений зави-vnnaC™ импУльсного напряжения Управления от импульсного тока управления
Зависимости импульсного отпирающего тока управления от длительности импульса
/осудр.кА
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
1.7
1,5 1J
1.1
09
0.7
1 2 6 6 10 20 40 60 80100 t.MC
Зависимости импульсного ударно- Зависимости импульсного ударно-
Зависимости импульсного ударно- Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса го Тока от длительности импульса
Зависимость действующею тока в открытом состоянии от частоты
Зависимости импульсного тока включения ог импульсного гака управления
Зависимое 1Ь постоянного тока удержания от температуры перехода
1зкл Л вышит
10-1723
Зависимость времени включения от импульсного гака в открытом состоянии
Зависимость времени включения от импульсного тока в открытом состоянии
Зависимость времени включения от импульсного тока в открытом состоянии
Зависимости времени задержки и времени включения от импульс ного тока удержания
Зависимости времени задержки и времени включения от скорости нарастания тока управления
Зона возможных положений зависимости времени включения и времени нарастания от температуры перехода
Зависимость времени выключения от постоянного напряжения в закрытом состоянии
Зависимость времени выключения ОТ скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии
Зависимость времени выключения от скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии
Зависимость времени включения от импульсного тока в открытом состоянии
Зависимость времени включения от импульсного тока в открытом состоянии
Зэв
и впем^*"™ времени задержки Зависимости времени задержки Ре’чени включения от импульс и времени включения от скоро-ного тока управления сти нарастания тока управления
£вм/£вК/1(25 ГУ tHp/t НР(К Г?
Зона возможных положений зависимости времени включения и времени нарастания от температуры перехода
Зависимость времени выключения от постоянного напряжения а закрытом состоянии
(dLhc/dt)f<OM
Зависимость скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии от температуры перехода
Зависимость скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии от постоянного напряжения в закрытом состоянии
Зависимость времени выключения ОТ скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии
Зависимость времени выключения от скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии
Зависимость скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии от постоянного напряжения в закрытом состоянии
имость переходного геплово-сопротивления переход—корпус От времени
Зависимость переходного теплового сопротивления переход—корпус от времени
TC161-100, ТС161-125, ТС161-16О
Тиристоры кремниевые симметричные (симисторы) фузионные р-п-р-п-р. Предназначены для применения в сисга мах и устройствах бесконтактной коммутации и рогулиров^~
ния электроэнергии, а также в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Выпускаются в металлокерамическом корпус штыревой конструкции с гибкими силовыми выводами. Символическим анодом является основание. Обозначение типономи-нала приводится на корпусе. В I и II квадрантах симисторы
управляются положительными импульсами управления, в IH и IV
квадрантах — отрицательными. Масса не более 298 г.
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии при 4,г и= 1,41 /0Г Д МАКС-
4, “ 10 мс, не более................. 1,45 В
Пороговое напряжение при Гп = +110 ‘С, не более............................... 0,95 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при Uy — 12 В, не более;
= -60 СС, 4 от = 0,8 А............. 8,5 В
Гп = +25вС, 4ОТ = 0,4А.............. 5 В
/уот —-0,25 А............ 3,5 В
Неотпирающее постоянное напряжение управления при (/JC и = 0,67 Г7ЗС п, /?у = 10 Ом, = +110 °C, не менее ....... 0,3 В
яЮщийся импульсным ток в закрытом 2Х°янии при 4/зс И = п> Ъ = °°> +110 °с; не более....................
...........„ппы //.- 1?Й Я, =оо Ток удер*4^.г- -и.
Ток включения при U3C = 12 ВД и — 2 А, dL/dt- 2 А/мкс, fy = 50 мкс, не более.
Отпирающий постоянный ток управления при ^с=12В- не 6олее: = ....................................
Гп=+25С-..........................
Гп = 4-110 °C.....................
Неотпирающий постоянный ток управления при (Ас И = 0.67(4 п,/?у=100м, ^ = +110 “С, не менее.................
Время включения при (/с и = 100 В, Аг И = Ас, А МАКС» А» dly/dt— 1 А/мкс, Г = 50 мкс, не более.................
Время задержки при (Дс и — ТОО В, Ас и= Ас д макс. А и А, с/Д/dt 1 А/мкс, Гу = 50 мкс, не более................
Время обратного восстановления при (706р й = 100 В, Ас, и = Ас д макс. (d/oc/<^)cn = 1 А/мкс, А = 0,5 мс, Тп = +110 °C, не более...............
Заряд обратного восстановления при (ДБР и — 100 В, Ас и = Ас д макс. (^Аг/^Осп = 1 А/мкс, 4, = 0,5 мс, 4 ~ +110 °C, не более.................
Динамическое сопротивление в открытом состоянии при 4 = 4-110 °C, не более:
ТС 16 W0O..........................
ТС161-125..........................
ТС161-160..........................
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более.......
15 мА
0,2 А
500 мА
0,8 А
0,4 А
0,25 А
5 мА
20 мкс
10 мкс
15 мкс
50 мкКл
3,9 мОм
3,1 мОм
2,4 мОм
0,2 ‘С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии....................... 200-1200 В
^повторяющееся импульсное напряжение закрытом состоянии...................... 1,12ЦС п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................ 0,Wx п
Максимально допустимое постоянное импульсное напряжение в закрытом состоянии 0,?5£,з(-. Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения при U3C и “ U3Ci п, 4>с и — tc д, макс» 4i ~ 5 мс, c//qc/c/T= 0,1 А/мкс, иу и = 20 В, ty НР = 1 мкс, fy = 50 мкс, /?у — 5 Ом, Ги = + 110 °C:
группа 3.............................. 6,3 В/мкс
группа 4...............................10 В/мкс
группа 5.............................. 16 В/мкс
группа 6.............................. 25 В/мкс
группа 7.............................. 50 В/мкс
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при /= 50 Гц, 0 = 180°, - +70 °C:
ТС161-100............................. 100 А
ТС 161-125 ........................... 125 А
ТС161-160 ............................ 160 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при = 0, 4, = 10 мс, Тп = +110 3С:
ТС161-100 ............................ 1200 А
ТС161-125 ............................ 1420 А
ТС161-160 ............................ 1900 А
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при (/ЗС|И — 0,67(/зс п,
И МАКС» Т= 1...5 Гц, Uyn = 20 В,
/?у — 5 Ом, Ту нр = 1 мкс, Гу — 50 мкс, 7^ = +110 "С............................. 16 А/мкс
Минимально допустимый импульсный ток управления............................... 0,25 А
Максимально допустимый импульсный ток управления .............................. 12 А
Температура перехода..................... +110 С
Температура корпуса...................... —60...+70 “С
Закручивающий момент для симистора ТС161—100 не более 5О±5 Н-м, для симисторов ТС 161-*125 и ТС161 —160 — не более 60±5 Н-м.
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от импульсного напряжения
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от импульсного напряжения
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от импульсного напряжения
О 2 4 6 8 W !у яр и, /
Зоны возможных положений зависимости импульсного напряжения управления от тока
Зависимости импульсного тока управления от длительности импульса
Зависимости импульсного ударного юка от длительности импульса
Зависимости импульсного ударного юка от длительности импульса
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
lockup, к А
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
/огядр.юЗ
^висимосги импульсного ударно-ТОКа от длительности импульса
Зависимость тока удержания от температуры перехода
и времени включения от импульсного тока управления
О ОЛ 08 1.2 (/(у /й1 а /мкс
Зависимости времени задержки и времени включения от скорости нарастания тока управления
Зависимость времени нарастания й времени включения ОТ тока в открытом состоянии
Зона возможных положений зависимости времени нарастания и времени включения от температуры перехода
Оаос.оБР /Овос, ОБР а Мкс)
ТС161-100, ТС161-125.
~ТС16116О
1.25 —I--------
1.0
075
a'S0 ZH м
Зависимость времени обратного восстановления от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимость заряда обратного восстановления от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимость скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии от скорости нарастания тока
Зависимость переходного теплового сопротивления переход—корпус от времени
2ТС161-160, 2ТС161-200
Тиристоры кремниевые симметричные (симисторы) диффузионные р-п-р-п-р. Предназначены для применения в системах и устройствах бесконтактной коммутации и регулирования электроэнергии, а также в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии и различных силовых электроустановок. Выпускаются в металлокерамическом корпусе штыревой конструкции с гибкими силовыми выводами. Анодом является основание. Обозначение типономинала приводится на корпусе.
Масса не более 510 г.
2ТС161-160, 2ТС161-200
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии при /ос и = 1,414х:.д МАКС» <и = 10 мс> не более:
2ТС161-160 ......................... 1,75 В
2ТС161-200 ......................... 1,6 В
Пороговое напряжение при Гп == +110 °C, не более................................ 0,95 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при U1( = 12 В, не более:
Гп = -60 °C, от = 0,8 А............. 8,5 В
Гп = +25 °C, /у от = 0,4 А.......... 5 В
Гп = + 110 °C, 4>От = 0,25 А........ 3,5 В
Неотпирающее постоянное напряжение управления при t/зс и — 0,67(/эс п, /?у = Ю Ом, Гп — + 110 "С, не менее................. 0,3 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом
СОСТОЯНИИ при (Дс и = </зс,п, Ry — Гп = +110 °C, не более.................. 15 мА
Ток удержания при 4Д3 = 12 В, Ry — ие более................................ 15 мА
Ток включения при Ux = 12 В, 4 и = 2 А, diy/dt— 2 А/мкс, ty = 50 мкс, не более.. 0,2 А
Отпирающий постоянный ток управления при £/зс — 12 В, не более:
Гп = -60 °C......................... 0,8 А
ГП = +25°С.......................... 0,4 А
ГП = +1ЮХ........................... 0,25 А
Неотпирающий постоянный ток управления при и = 0,67(Дс п, Я = 10 Ом,
ГП = + 110 °C, не менее................. 15 мА
Время включения при 4ДГ и — 100 В,
/х и = 4к,д макс» 4 и= 1 A, di,/dt= 1 А/мкс, ty = 50 мкс, не более................... 20 мкс
Время задержки при (Дг, и = 100 В,
/ос и Д МАКС» 4 и — 1 A, diy/dt = 1 А/мкс, ty = 50 мкс, не более................... 10 мкс
Время обратного восстановления
при (У0БР и — 100 В, и — Дс, Д, МАКС» (diOQ/dt}C[} = 1 А/мкс, 4, = 0,5 мс, Гп = +110 °C, не более.................. 15 мкс
яи обратного восстановления Зар^ ЮО В, к,й = к,д МАКС*
= 1 А/мкс, *и = 0,5 мс, г +110 °C, не Ролее..................
л Омическое сопротивление в открытом Деянии при Гл = +110 X, не более: С 2ТС161-160.........................
2ТС161-200 .......................
Тепловое сопротивление переход-корпус, не более...............*.............
50 мкКл
2,4 мОм
1,9 мОм
0,2 ’С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии......................
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии .....................
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии.................................
Постоянное напряжение в закрытом состоянии.................................
Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения при и = Цс п, 4)L И ~ Д, МАКС* 4| 5 МС* ^Ос/ 1 А/мкс,
Uyi и = 20 В, ИР = 1 мкс, = 50 мкс, fly = 5 Ом, Гп = +110 °C:
группа 1...............................
группа 2...............................
группа 3...............................
группа 4...............................
группа 5...............................
группа 6...............................
Действующий ток в открытом состоянии при f= 50 Гц, р = 180°, 7L - +85 °C: 2ТС161-160..........
2ТС161-200.......................
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при (/оьр = о, ги = 10 мс, Гп« +1Ю °C:
2ТС161-160 .
2ТС161-200........
Критическая скорость нарастания тока открытом состоянии при U3C и = 0,67 i/зс п,
А’17 ^.Диакс f= 1-5 ГИ- и = 20 В, ’
4 = +?1’Й-^*=1мкс-,* = 50мкс’
200... 1200 В
1*12^с.п
0*8 Z/jC п
0,75^и
5 В/мкс
6,3 В/мкс
10 В/мкс
16 В/мкс
25 В/мкс
50 В/мкс
160 А
200 А
1800 А
2000 А
6,3 А/мкс
Минимально допустимый импульсный ток управления............................... 0,25 А
Максимально допустимый импульсный ток управления............................... 12 А
Температура перехода..................... +110 “С
Температура корпуса...................... —60,..+85 х
ТС 171-200, ТС 171-250
Тиристоры кремниевые симметричные (симисторы) диффузионные р~п-р~п-р. Предназначены для применения в системах и устройствах бесконтактной коммутации и регулирования электроэнергии, а также в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии и различных силовых электроустановок. Выпускаются в металлокерамическом корпусе штыревой конструкции с гибкими силовыми выводами. Символическим анодом является основание. Обозначение типономинала приводится на корпусе. В I и II квадрантах симисторы управляются положительными импульсами управления, в III и IV квадрантах — отрицательными.
Масса не более 510 г.
ТС171-200. ТС171-250
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом со-
стоянии при /ос и — 4к.д. макс» 4i “ Ю мс» не более:
ТС171-200............................. 1,45 В
ТС 171-250............................ 1,35 В
Пороговое напряжение при Т„ = +110 "С, не более-
Н ТС171-2ОО............................
ТС171-250 ...............•..........
ипающее постоянное напряжение
управления при Узс = 12 В не более: уЛр г =—60 °C,/у от = 0-8 А............
г =+25 °C, 4 от = 0,4 А.............
7*п = +110 °C, 4 от= 0,25 А.........
Неотпирающее постоянное напряжение управления при t/3c,n = 0,67(/зс п> Я ~ Ю Ом, у - +1Ю °C, не менее...................
Повторяющийся импульсный ток в закрытом СОСТОЯНИИ при изс и = Узс.П, Я = °°>
Тп = +110 °C, не более.................
Ток удержания при 6/из = 12 В, /?у = <*>, не более ..............................
Ток включения при U3C = 12 В, /у,и = 2 А,
= 2 А/мкс, ty = 50 мкс, не более.....
Отпирающий постоянный ток управления при U3C — 12 В, не более:
Гп = -60 °C.........................
4, = +25 СС.........................
Гп = +1 Ю °C........................
Неотпирающий постоянный ток управления при U3C и = 0,67 1Лг п, /?у = 10 Ом,
Гп = +110 "С, не менее.................
Время включения при U3<- и = 100 В,
4>с, и /ос д макс> 4, и 1 A, dly/dt — 1 А/мкс, 4 = 50 мкс, не более...................
Время задержки при Узс и = 100 В,
4>С И = /ос, Д, МАКС- /у И “ 1 A, d!y/dt= 1 А/мкс, 4 = 50 мкс, не более...................
Время обратного восстановления
ПРИ ^Абр.и = 100 В, /ос и = /ос д МАКС-
I tc/rt)cn = 1 А/мкс, 4, = 0,5 мс, ,+ = +110 °C, не более.................
аряд обратного восстановления (£/ И 1В* 4)0. И = /ос. Д МАКС-
oc/tf)cn — 1 А/мкс, 4| = 0,5 мс, п +110 °C, не более....................
0,95 В 0 81В
8,5 В
5 В
3,5 В
0,3 В
15 мА
0,2 А
0,5 А
0,8 А 0,4 А
0,25 А
5 мА
20 мкс
10 мкс
20 мкс
60 мкКл
Динамическое сопротивление в открытом состоянии при 7’п = +110°С, не более:
ТС171-2ОО............................. 1,9 мОм
ТС I7 i—250........................... 7,48 мОм
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более.................................. 0,15 °С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии....................- 200... 1200 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии...................... 1,1264с п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................. 0,864с. п
Максимально допустимое постоянное импульсное напряжение в закрытом состоянии..... 0,75 64с, и
Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения при U3C и = 0,67 64с. п, 4с, и = 4с, д макс, ~ 6 мс, с//0С/dt— 0,1 А/мкс, 6/у и =» 20 В, бу нр = 1 мкс, бу = 50 мкс, /?у = 5Ом, Гп = + 1 Ю С:
группа 3.............................. 6,3 В/мкс
группа 4.............................. 10 В/мкс
группа 5.............................. 16 В/мкс
группа 6.............................. 25 В/мкс
группа 7.............................. 50 В/мкс
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при б— 50 Гц, р = 180J, Гк = +70 °C:
ТС 171-200 ........................... 200 А
ТС 171-250 ........................... 250 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при 6/0БР — 0, би = 10 мс, Тп = +110°С:
ТС171-200............................. 2140 А
ТС171-250 ............................ 2400 А
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при 64с.и = 0,6764с. п, 4с, и = 24с, д, макс, 1 .--5 Гц, 6/у. и = 20 В,
/?у = 5 Ом, бу нр — 1 мкс, бу = 50 мкс,
Гп = +110°С............................... 16 А/мкс
Минимально допустимый импульсный ток управления................................ 0,25 А
Максимально допустимым импульсным ток «правления......................-......
Температура перехода...................
’ _ 4/ЛЛПХ/Г-Я
Темпера у-«'i-/-..............
12 А
+ 110 °C
-60 ..+70 °C
Закручивающий момент не более 6О±5 Н-м.
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от импульсного напряжения
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от импульсного напряжения
Зоны возможных положений зависимости импульсного напряжения управления от тока
Зависимости импульсного тока управления от длительности импульса
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного ударно-
го тока от длительности импульса
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
/,3&/ tsKWA)
Зависимость тока удержания от температуры перехода
Зависимости времени задержки и времени включения от импульсного тока управления
tn?/tupft} > tern/tarn
1с171-200. ГСЬ1-к$
Iqc/IoC, CP. HAXC
Зависимости времени задержки и времени включения от скорости нарастания тока управления
Зависимости времени нарастания и времени включения от тока в открытом состоянии
Зоны возможных положений зависимости времени нарастания и времени включения от температуры перехода
tnp/ tnpas-с}' tew/ 1вкл№0
Зависимость времени обратного восстановления от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимость заряда обратного восстановления от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимость скорости нарастания Зависимость переходного теплово-напряжения в закрытом состоянии го сопротивления переход—корпус от скорости нарастания тока в от- от времени
крытом состоянии
2ТС171—250, 2ТС171-320
Тиристоры кремниевые симметричные (симисторы) диффузионные р-п-р-п-р. Предназначены для применения в системах и устройствах бесконтактной коммутации и регулирования электроэнергии, а также в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии и различных силовых электроустановок. Выпускаются в металлокерамическом корпусе штыревой конструкции с гибкими силовыми выводами. Анодом является основание. Обозначение типономинала приводится на корпусе.
Масса не более 510 г.
2ТС171-250, 2ТС171-320
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии При 4k и “ 4>с Д МАКС» = 10 МС>
не более:
2ТС171-250 ........................... 1,7 В
2ТС171-320 ........................... 1,5 В
Пороговое напряжение при Гп — +110 СС, не более:
2ТС171-250 .......................... 0,95 В
2ТС171-320 .......................... 0,81 В
Отпирающее постоянное напряжение управ-
ления при U3C = 12 В, не более:
Гп = —60 X, 4 О1 = 0,8 А............. 8,5 В
Гп =+25 °C,/у от —0,4 А.............. 5 В
Гп =+110 X,/у от = 0,25 А............. 3,5 В
Неотпирающее постоянное напряжение уп-
равления при U-K и = 0,67fA- п, /?у = 10 Ом,
= +110 “С, не менее.................... 0,3 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом
СОСТОЯНИИ при и^с и = п» Яу - 00»
Гп ~ +110 X, не более..................... 25 мА
Ток удержания при М-в = 12 В, Я =о°»
не более................................. 0,2 мА
Ток включения при U3C = 12 В, 4 и = 2 А,
dt= 2 А/мкс, = 50 мкс, не более...... 0,5 А
Отпирающий постоянный ток управления
ПРИ ~ 12 В, не более:
Гп = -60 X............................ 0,8 А
Гп = +25 X............................ 0,4 А
Гп = + 110Х.......................... 0,25 А
Неотпирающий постоянный ток управления при f/$ckn = 0»67f/$c. п> >?у = 10 Ом, Гп = +110 X, не менее..................... 15 мА
Бремя включения при и* и = 100 Б, (к.и = (к: дмакс» 4, и ~ 1 A, di?/dt — У А/мкс, Ту = 50 мкс, не более..................... 20 мкс
Время задержки при и = 100 В, /ос, и = (}С,Д, МАКС> 4, и ~ 1 А» <^4/1 А/мкс, Ту = 50 мкс, не более..................... 10 мкс
Время обратного восстановления ,
ПРИ ^обр, и s ЮО В, /ос и = 4)С, Д.МАКС' (ой(х./^)сп 1 А/мкс, Ти = 0,5 мс, Тп — +110 °C, не более.................... 20 мкс
Заряд обратного восстановления при = ЮО В, /ос и = 4)С, Д, МАКС' (d/oc/d0cn = 1 А/мкс, Ги = 0,5 мс, Гп = +110 X, не более..................... 60 мкКл
Динамическое сопротивление в открытом состоянии при Гп = +110 X, не более:
2ТС171-250 ........................... 1,9 мОм
2ТС171—320............................ 1,48 мОм
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более.................................. 0,15 Х/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии...................... 200...1200 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии...................... 1,12^с п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................. 0.8L4c,n
Постоянное напряжение а закрытом состоянии.................................
Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения при и = 0,67 U3C п, /ос, и = 4с, д, макс» = 5 мс, dl^/dt— 0,1 А/мкс, t/y и = 20 В, fy Нр — 1 мкс, Гу — 50 мкс, /?у = 5 0м, Гп = +110Х:
группа 2.............................. 5 В/мкс
группа 3.............................. 6,3 В/мкс
группа 4.............................. 10 В/мкс
группа 5.............................. 16 В/мкс
группа 6.............................. 25 В/мкс
группа 7.............................. 50 В/мкс
И агтвиощий ток в открытом состоянии
Я 7-У50 Гц. ₽ = 180". Гк = +85 ”С:
при ' ~ * лел *
Р 2ТС171-250 ............................. 250 А
2ТС171-320............................. 320 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом
состоянии при Ц]бр — 0, /и — 10 мс:
Т =+25 °C (для 2ТС171—250)............ 3300 А
Гп-+25 °C (для 2ТС171-320)............ 3600 А
Гп « +110 °C (для 2ТС171-250)......... 3000 А
Гп = +110 °C (для 2ТС171-320)......... 3300 А
Критическая скорость нарастания тока
в открытом состоянии при f/зс, и в 0,67t^C. П»
И = 24х,дмакст Гц, 44, и ” 20 В,
/?у = 5 Ом, fy> нр = 1 мкс, 4 = 50 мкс, /п = +110вС................................ 6,3 А/мкс
Минимально допустимый импульсный ток
управления.................................. 0,25 А
Максимально допустимый импульсный ток
управления.................................. 12 А
Температура перехода........................ +110 еС
Температура корпуса......................... —60...+85 °C
3.3. Тиристоры лавинные
ТЛ2-160, ТЛ2-200
Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п с повышенной устойчивостью к перенапряжениям (лавинные). Предназначены для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Выпускаются в металлокерамическом корпусе штыревой конструкции с гибкими силовыми выводами. Анодом является основание. Обозначение типономинала и поляриости силовых выводов приводится на корпусе.
Масса не более 420 г.
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии при 4с,и = 3,14/ос ср Мдкс, /и = 1® мс» не более:
ТЛ2-160............................ 1,9 В
ТС2-200............................ 1,6 В
Пороговое напряжение при Гп = +140 °C, не более:
ТЛ2-160................................ 1,15 В
ТЛ2-2ОО................................ 0,9 Б
Отпирающее постоянное напряжение управления при (J3C == 12 В, не более:
Гп = -50 °C, 4 от = 0,6 А.............. 10 В
Тп = +25 СС, 4 от = 0,28............... 5 В
Тп = +140°С, 4, от = 0,2 А............. 3,5 В
Неотпирающее постоянное напряжение управления прн U3C и = U3i п, = 5 Ом, Гп = +140 аС, не менее.................... 0,25 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом СОСТОЯНИИ при Lkr И “ £Дс п, Я = °°» гп = +140 °C, не более.................... 20 мА
Ток удержания при /?у — не более.......... 0,3 мА
Ток включения при 4, пр. и = 2 А, dl^/dt = 2 А/ мкс, 4 = 20 мкс, не более... 1,2 А
Повторяющийся импульсный обратный ток при ^4)БР и = МэбР Пг 7?у ~
Гп = +140 °C, не более.................... 20 мА
Обратный ток восстановления для групп
ПО 4ыКЛ ПРИ ^ОБР, И 100 В, И 4)С, ср макс» (t//oc/cfr)cn = Ю А/мкс, Тп = +140 “С, не более:
ТЛ2-160 группа 1............................... 135 А
группа 2.............................. 112 А
группа 3............................... 90 А
группа 4............................... 75 А
ТЛ2-200 группа 1............................... 145 А
группа 2............................... 120 А
группа 3............................... 96 А
группа 4............................... 80 А
Отпирающий постоянный ток управления при U,r = 12 В, не более:
Гп = -50 °C............................ 0,6 А
Тп = +25 СС............................ 0,28 А
Тп = +140°С............................ 0,2 А
Неотпирающий постоянный ток управления при U3C и — L/jt т|, /?у “ 5 Ом, Тп = +140 “Ст не менее.................... 2 мА
Время включения при - 100 В, / м ~ !ос СР.МАКО Ц/.нр.и - 20 ц»
2 А/мкс, Яу = 5 Ом, Гу = 20 мкс, не более...................................
Время задержки прн U^, и - ЮО В,
с₽, макс» ^Л.ир.и — 20 В,
2 А/мкс, Яу = 5 Ом, Гу = 20 мкс, не более...................................
Время выключения при С/Зси ~ 0,67 t/ir и, р5[Д(./<№ (^^зс/^)к₽» ^4)бр, и “ ^00 В, /0<- И ~ Ас.СР МАКС» (^Ac/^icn = 5 А/мкс, Т =. +140 °C, не более.....................
Время обратного восстановления для групп ПО ГвЫКЛПРН %БР. И = В, и = Ас, СР, МАКС» (tf/oc/^)cn = 5 А/МКС, Тп = +140 °C, не более:
группа 1.............-.................
группа 2 ..............................
группа 3...............................
группа 4...............................
Заряд обратного восстановления для групп по febiKl' ПРИ и — t00 В, Ас, И Ас, СР,МАИС» (dfac/dt)Cn — 5 А/мкс, Тп = +140 °C, не более:
группа 1...............................
группа 2...............................
группа 3 ..............................
группа 4...............................
Динамическое сопротивление в открытом состоянии при Тп = +140 °C, не более:
ТЛ2-160................................
ТЛ2-200................................
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более...................................
Тепловое сопротивление переход—среда, не более...................................
5 мкс
70...250 мкс
16,2 мкс
13,5 мкс
10,8 мкс 9 мкс
500 мкКл
400 мкКл
300 мкКл
200 мкКл
1,05 мОм
9 мОм
0,18 °С/Вт
1,34 °С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 600.„900 В
пеповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 1»2^Асп
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии............................... 0,7 U* п
Максимально допустимое постоянное напряжение ь закрьиим сислиянии ............. 0,5и/ и
Повторяющееся импульсное обратное напряжение.............................. 600...900 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение.............................. 1,12^6РП
Рабочее импульсное обратное напряжение.. ОДЦкр.п
Максимально допустимое постоянное обрат- <
ное напряжение.......................... 0,5£/ОБР и
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при 4/1С и = ^,67U3r п, /?у = оо, Гп = +140°С ...’......."..... 50...
1000 В/мкс
Максимально допустимое обратное постоянное напряжение управления................ 3 В
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при f= 50 Гц, (3 = 180 °:
ТЛ2-160 при Гк = 95 X................ 160 А
ТЛ2-200 при =* +85 °C................ 200 А
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при f— 50 Гц, р = 180 X:
ТЛ2-160 при 7L = 95 °C............... 250 А
ТЛ2-200 при Гк = +85 X............... 314 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при = 0, = 10 мс, 7?! = +140 X:
ТЛ2-160.............................. 3500 А
ТЛ2-200 ............................. 4000 А
Защитный показатель при f/06P = 0,
Ги - 10 мс, Гп = +140 X: ТЛ2-160.................................. 61 кА2-с
ТЛ2-200.............................. 80 кА2-с
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при U3C>и « U3C п> 4>си ₽ 2/qc ср МАКС, f— 5 Гц, Uy пр,и ~ 20 В, /?у = 5 Ом, d!y/dt~ 2 А/мкс, ty = 100 мкс, Гп = + 140Х............................. 40; 70 А/мкс
Минимально допустимый импульсный ток управления.............................. 2 А
Максимально допустимый «правления ...........
температура перехода ....
импульсный ток ................. 10 А
................. +140 °C
Температура корпуса...................
ТЛ2-160............................ —50...+95 °C
ТЛ2-200............................ —50,..+85 °C
Закручивающий момент 50± 10 Н-м.
Таблица
СОЧЕТАНИЕ КЛАССИФИКАЦИОННЫХ ПАРАМЕТРОВ ДЛЯ ТИПОНОМИНАЛОВ
' " Класс по напряжению Значение U-К П и ^об₽, п’ В (<Л7зс/*)кр. В/мкс МКС А/мкс
Группы классификационных параметров
2 3 4 5 6 1 2 3 4 2 3
Значение классификационных параметров
50 100 200 500 1000 250 150 100 70 40 70
6-7 600... 700 + + + + + + + + + - +
8-9 800... 900 + + + + - + + + + + —
/ос,и.А
Зависимости импульсного тока от импульсного напряжения
Зависимости импульсного тока от импульсного напряжения
Гтс дин. Ом
'ТЛ2-160, Т/12 200
ю2
io1
108
w->
/.
Iosp.mA
Зависимость динамического сопротивления в обратном проводящем состоянии от обратного тона
Ikpm.A
Зависимости импульсного обратного напряжения от импульсного обратного тока
!о£.СР,А
Зависимость среднего тока от частоты
Зоны возможных положений зависимости напряжения управления от тока управления
Зоны возможных положений зависимости импульсного напряжения управления от импульсного тона управление
Зависимости импульсного тока управления от длительности импульса
Зависимости ударного тока ОТ длительности импульса
Зависимости ударного тока от длительности импульса
Ьсмр.кА
Зависимости ударного тока от длительности импульса
Зависимости ударного тока от длительности импульса
Зависимость тока удержания от температуры перехода
Зависимости времени нарастания и времени включения от импульсного тока
t8X/l^tBX‘/l^OOA)'f.Hp/tnpf20OAjr %
Зависимости времени нарастания и времени включения от импульсного тока
Зависимости времени задержки и времени включения от импульсного тока управления
tex/l/t BWAAhxc)'t 3!1Лзй(2А/нкд %
Зависимости времени задержки и времени включения от скорости нарастания тока управления
Зависимости времени нарастания и времени включения от температуры перехода
Зависимость времени выключения от импульсного тока
Зависимость времени выключения от импульсного тока
Зависимость времени выключе- Зависимость времени выключения от постоянного напряжения ния от скорости нарастания на-в закрытом состоянии пряжения в закрытом состоянии
Зависимость времени выключения от обратного напряжения
Зависимость времени выключения От скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимость времени выключе- Зоны возможных положений за-Ния от температуры перехода висимости скорости нарастания напряжения от напряжения в закрытом состоянии
11-1723
321
Зависимости скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии от напряжения управления
Зависимость времени обратного восстановлении от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Qsocosp ,мкКл
Зависимость времени обратного восстановления от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости заряда обратного восстановления сгт. скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости заряда обратного восстановления от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного обратного тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости импульсного обратного тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимость скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии от обратного напряжения и напряжения в закрытом состоянии
Зависимость средней обратной Зависимость средней обратной рассеиваемой мощности от дли- рассеиваемой мощности от длительности импульса тельности импульса
®в”сиМость ударной рассеива-ои мощности в обратном не-ровоДЯщем состоянии от частоты 11*
Зависимость ударной рассеиваемой мощности в обратном непроводящем состоянии от частоты
Зависимости переходного теплово-го сопротивления переход—корпус от времени
2ТЛ171-200, 2ТЛ171-250
Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п с повышенной устойчивостью к перенапряжениям (лавинные). Предназначены для применения в статических преобразователях электроэнергии, а также в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц различных силовых электроустановок без дополнительных мер защиты в условиях возникновения определенных обратных перенапряжений. Выпускаются в металлокерамическом корпусе штыревой конструкции с гибкими силовыми выводами. Анодом является основание. Обозначение типономинала и полярности силовых выводов приводится на корпусе.
Масса не более 510 г.
2ТД171-200, 2ТЛ171-250
Электрические параметры
пульсное напряжение в открытом состоянии „пик и = 3,14/0С.Ср(МАКС, Ь = 10 мс, не более; “г 2ТЛ171-2ОО...................................
2ТС171—250 ..................................
Пороговое напряжение при Гп = +140 °C, не более:
2ТЛ171-200 ..................................
2ТЛ171—250 ..................................
Отпирающее постоянное напряжение управления при U3C — 12 В, не более:
7?)= 00 С» 4. от ~ ОД А......................
Гп = +25 °C, 4 от = 0,3 А....................
Неотпирающее постоянное напряжение управления при и = 0,67 Узе п, /?у = 10 кОм, уп = +140 °C, не меиее..........................
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при = U3C п, Ry =
7"п = +140 "С, не более.........................
Ток удержания при U3Z = 12 В, /?у = ©«, не более .......................................
Ток включения при t/3C = 12 В, Uy ПР1И = 10 В, ty Пр — 1 мкс, ty = 10 мкс, Ry = 5 Ом, не более.
Повторяющийся импульсный обратный ток при и0БРг и — ио5Р> п, Ry = гп = +140 С,
не более .......................................
Отпирающий постоянный ток управления при U3C = 12 В, не более:
Гп = -60 °C..................................
= +25 °C...................................
Неотпирающий постоянный ток управления при ^зс.и = 0,67 Ujr n, Ry - 10 кОм, 7"п = +140 СС, не меиее.........................
Обратный ток восстановления
при Цжр.и~ ЮО В, /осн = 4с,СР,МАКС» И4с/<#)сп 50 А/мкс, /и = 0,2 мс,
7^i = +140 °C, не более.........................
Время включения при t^c, и ® 100 В( w/' / ~ ^0С'CPj МАКС’ при = 0,54 А,
Wy/dt~ 0,54 А/мкс, fy = 50 мкс, не более........
Время выключения при U3C и = 0,67 U3C и, dUx/dt = (Л1Х/Л}№, = 100 в,
'ос,ср, макс. (с70с/<#)сп = 5 А/мкс, п +140 °C, не более............................
2,05 Б
1,65 В
1 В
0,9 В
8 В 5 В
0,25 В
35 мА
0,4 мА
0,5 А
35 мА
0,6 А
0,3 А
6 мА
200 А
15 мкс
160 мкс
Время обратного восстановления при 44)ьр. и ~ 100 В, 4)С, и — /х. СР. НАКО (<У/ог/а?)сп = 50 А/мкс, 4, = 0,2 мс, т — Ж1 лп 9<~ .f. и.,-t и * • v ч— р • •••••**« V FIKC
Заряд обратного восстановления
ПРИ Ц)ЬР и = ЮО В, /Ог,и — Се. СР МАКС» (d/CtC / dt)cn = 50 А/мкс, ти = 0,2 мс, 7J| = +140 'С, не более.................. 550 мкКл
Динамическое сопротивление в открытом состоянии при Гп = +140 X, не более:
2ТЛ171-200 .......................... 1,43 мОм
2ТЛ171—250 .......................... 0,72 мОм
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более................................. 0,11 °С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 600... 1000 В
Не повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 1,2(/зсп
Обратное напряжение пробоя .............. 1,2£/0&Р п
Постоянное обратное напряжение управления ................................... 5 В
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии
при U3C и = 0,67 U3C п, Ау = 7"п == +140 “С:
группа 4............................. 200 В/мкс
группа 5............................. 320 В/мкс
группа 6............................. 500 В/мкс
группа 7............................. 1000 В/мкс
Средний ток в открытом состоянии при f= 50 Гц, Р = 180°, Тк = +100 °C:
2ТЛ171-200........................... 200 А
2ТЛ171-250 .......................... 250 А
Действующий ток в открытом состоянии
при f= 50 Гц, р = 180°, т; = +100 X:
2ТЛ171-200 .......................... 380 А
2ТЛ171-250 .......................... 520 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при £/обр = 0, = 10 мс, у = +140 вС:
7п = +25 “С (для 2ТЛ171-200)......... 4,7 кА
Т’п = +25 °C (для 2ТЛ171-250)........ 5,3 кА
Тп = +140 °C (для 2ТЛ171-200)........ 4,3 кА
7b = +140 ’С (для 2ТЛ171-250)........ 4,8 кА
Защитный показатель при — О, 10 мс» г +140 °C:
'л 2ТЛ171-200 ...........................
2ТЛ1/1-250............................
К итическая скорость нарастания тока в откры-т<»1 состоянии при t/jc и = U3C п, /ос и = 1000 А, 1...5 Гц, М'.пр.и - 10 В, 7У пр 1 мкс,
t == 10 мкс, Ry- 5 Ом, Гп = + 140’С......
Минимально допустимый прямой импульсный ток управления...........................
Максимально допустимый прямой импульсный ток управления ..........................
Ударная рассеиваемая мощность в обратном непроводящем состоянии...................
Температура перехода.....................
Температура корпуса......................
231 кА?-с
2R? кА2-с
100 А/мкс
0,5 А
11 А
40 кВт
4-140 вС
-60...+100 ’С
ТЛ4-250
Тиристор кремниевый диффузионный р-п-р-п с повышенной устойчивостью к перенапряжениям (лавинные). Предназначены для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Выпускаются в металлокерамическом корпусе штыревой конструкции с гибким силовым выводом. Анодом является основание, Обозначение типономинала и полярности силовых выводов приводится на корпусе.
Масса не более 700 г.
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоя-и ПРИ в 785 А, = 10 мс» не более..... 1,8 В
Пороговое напряжение при Тп = +140 °C, не более................................. 1,35 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при UM = 12 В, не более:
Тп = -50 'С, 4 от = 0.8 А............ 15 В
Тп = +25 ‘С, /у от = 0,4 А........... 6 В
7"п = +140 СС,/у от= 0,25 А.......... 4 В
Неотпирающее постоянное напряжение управления при Uv и — Uw Rv = 5 Ом, 7П =+140 °C, не менее..:................. 0,25 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при и = изс Пг /?у =
Тп = +140 3С, не более................... 40 мА
Ток удержания при /?у = не более......... 0,3 А
Ток включения при 4. пр и = 2 В, dly/dt~ 2 А/мкс, tv = 20 мкс, не более... 1,2 А
Обратный ток восстановления при £/об₽1 и — 100 В, /ос и = 250 А, (<У/0-/<#)сп = 50 А/мкс, 7"п = +140 °C, не более................................. 150 А
Отпирающий постоянный ток управления прн U3Q = 12 В, не более:
Тп = -50 °C.......................... 0,8 А
ТП = +25°С........................... 0,4 А
Гп = +140Х........................... 0,25 А
Неотпирающий постоянный ток управления при ^зс, и ^зс п, Лу а 5 Ом, Тп = +140 °C, не менее................... 2 мА
Время включения при и = 100 В,
и = 250 A, Uy пр и = 20 В, dly/dt = 2 А/мкс, /?у = 5 Ом, fy = 20 мкс, не более........ 15 мкс
Время задержки при £/зс и = 100 В, /ос, и — 250 A, Uy Пр и « 20 В, dly/dt= 2 А/мкс, Ry« 5 Ом, ty — 20 мкс, не более.......... 8 мкс
Время выключения при U3c и = 0,67 ^/)СИ,
dt~ (dUx./^Jkp» Мэьр. и — ЮО В, /ос и “ 250 A, (df^/^Осп “ 8 А/мкс, Тп = +140 °C, не более................... 70...250 мкс
Время обратного восстановления для групп по %ыкл ПРИ ^Абр. и = ЮО В, 4)с, и ~ 250 А, (с^с/^Осп ~ 5 А/мкс, Тп = +140 °C, не более:
группа 1............................. 18 мкс
группа 2............................. 15 мкс
группа 3.....................
группа 4.....................
_ ияД обратного восстановления для групп noW приври =Ю0 В, /0СД1 = 250 А, (ХАп=5а/мкс-^=+,4ох-не более:
группа 1.....................
группа 2.....................
группа 3...................................
группа 4 ..................................
Динамическое сопротивление в открытом состоянии при Тп + 140 С, не более.........
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более ...............................
Тепловое сопротивление переход—среда, не более ...............................
12 мкс
10 мкс
625 мкКл
500 мкКл
375 мкКл
250 мкКл
0,38 мОм
0,13 °С/Вт
0,81 сС/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 400...1000 В
Неповторяющееся импульсное напряжение
в закрытом состоянии..................... 1,12ЦСП
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................ 0,7i/3Cfl
Максимально допустимое постоянное напря-
жение в закрытом состоянии............... 0,5£/зсп
Повторяющееся импульсное обратное напряжение............................... 400... 1000 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение............................... 1,12t/0Bp п
Рабочее импульсное обратное напряжение...
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение в закрытом состоянии......
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при £/зс и = 0,67 t/3c п, = Гп = +140 С ....................... 20...
1000 В/мкс
Максимально допустимое обратное постоянное напряжение управления................ 0,5 В
Максимально допустимый средний ток ® открытом состоянии при /= 50 Гц, Р=!80°, 7-к = +85°С...................... 250 А
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при f— 50 Гц, Р= 180э, Тк ~ +85 °C......................
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при иоьР — 0, = 10 мс, 7"п == +140 °C, не более..................
Защитный показатель при = 0, 4, = 10 мс, Гп = +140 3С..................
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при £ДС и — б^п, tie и 500 A, f — 5 Гц, Ц, пр и = 20 В,
= 5 Ом, d!y/dt= 2 А/мкс, Гу — 100 мкс, 7-п = +140 “С.............................
Минимально допустимый прямой импульсный ток управления ...........................
Максимально допустимый прямой импульсный ток управления ...........................
Ударная рассеиваемая мощность в обратном непроводящем состоянии....................
Температура перехода .....................
Температура корпуса.......................
390 А
4500 А
101,25 кА<с
40; 70 А/мкс
2 А
10 А
40 кВт
+140 °C
—50...+85 °C
Закручивающий момент не более 50±10 Н-м.
Таблица
СОЧЕТАНИЕ КЛАССИФИКАЦИОННЫХ ПАРАМЕТРОВ ДЛЯ ТИПОНОМИНАЛОВ
Класс по напряжению Значение ^31 п и ^ПБР п> 8 В/мкс ^аы*п’ мкс А/мкс
Группы классификационных параметров
1 2 3 4 5 6 1 2 3 4 2 3
Значение классификационных параметров
20 50 100 200 500 1000 250 150 100 70 40 70
4-6 400...600 4- + + 4“ + + + + — 4-
7-10 700... 1000 + + 4- + + 4~ 4~ 4~ 4- + + -
Зависимости импульсного тока от импульсного напряжения
Зависимость динамического сопротивления в обратном непроводящем состоянии от импульсного обратного тока
Зависимости обратного напряжения от обратного тока
Зависимость среднего тока от частоты
Зоны воз>'сжг!П'Ч положений зависимости напряжения управления от постоянного тока управления
Зоны возможных положений зависимости импульсного напряжения управления от импульсного тока управления
Зависимости импульсного отпирающего тока управления от длительности импульса
Зависимости импульсного ударного тока оу длительности импульса
1вым/1вьш(259 А)
Зависимость времени выключения от импульсного тока в открытом состоянии
Зависимость времени выключения от напряжения в закрытом состоянии
Зависимость времени выключения от обратного напряжения
Зависимости импульсного ударно- Зависимость тока удержания
го тока от длительности импульса от температуры перехода
Зависимость времени нарастания и времени включения от постоянного тока в открытом состоянии
Зависимости времени задержки и времени включения от импульсного тока управления
Зависимости времени задержки и времени включения от скорости нараста-
Зависимости времени нарастания и времени включения
ния импульсного тока управления
от температурь! перехода
[вшЛвыт
(dUx^AMdUx /dtkfi
Зависимость времени выключения от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимость времени выключения от скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии
Зависимость времени выключе-
ния от температуры перехода
Зависимость времени обратного восстановления от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Q SOC Обр/Q ВОС 0БР(2 ИЛМ
Зависимости импульсного обратного тока от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости заряда обратного восстановления от скороеwi нарастания тока в открытом состоянии
она возможных положении зааи-М.?'ОСТИ скорости нарастания напря-Ия в закрытом состоянии от напряжения в закрытом состоянии
Зависимость скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии от обратного напряжения и напряжения в закрытом состоянии
(dUx/dt)/(dUx/dt)xP
Зависимость скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии от постоянного напряжения управления
Зависимость ударной рассеиваемой мощности в обратном непроводящем состоянии от частоты
Зависимость ударной рассеиваемой мощности в обратном непроводящем состоянии от длительности импульса
Зависимости переходного теплового сопротивления переход—корпус от времени
ТЛ171-250, ТЛ171-320
Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п с повышенной устойчивостью к перенапряжениям (лавинные). Пред' назначены для применения в статических преобразователях электроэнергии, а также в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц различных силовых электроустановок без дополнительных мер защиты в условиях возиикнове-336
определенных обратных перенапряжений. Выпускаются НИЯ -галлокерамическом корпусе штыревой конструкции с гиб-а м силовыми выводами. Анодом является основание. Обозначение типоиомнкала и полярности силовых выводов приводится на корпусе.
Д Масса не более 510 г.
ТЛГ71-200. ТШ1-250
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии при !qq и = 3,14£)С'Ср.макс» = Ю мс, не более:
ТЛ171-250..........................
ТЛ171-320 .........................
Пороговое напряжение при 7^ = +140 °C, не более:
ТЛ171-25О..........................
ТЛ171—320..........................
Отпирающее постоянное напряжение управления при Узс = 12 В, не более:
Тп =-60 °C, < от = 0,6 А...........
Гп = +25 “С, 4>ОТ = 0,25А..........
Неотпирающее постоянное напряжение управления при изс и = 0,67изс>п, /?у = 10 кОм, — +140 “С, не менее...................
овторяющийся импульсный ток в закрытом
?РИ = «ко п +140 С, не более.....................
о*Удержания при f/зс = 12 В, /?у = ~, не более..
2,05 В
1,65 В
1 В
0,9 В
6 В ЗВ
0,4 В
35 мА
0,2 А
Ток включения при U3r = 12 В, Uy ПР и = 10 В, ty мр = 1 мкс, ty = 10 мкс, Ry = 5 Ом, не более. 0,5 А
Повторяющийся импульсный обратный ток при 6/,БР и = t/оБр, п, /?у = °°> = +140 С,
не более........................................ 35 мА
Отпирающий постоянный ток управления при t/3C = 12 В, не более;
Гп = -60 °C.................................. 0,6 А
Гп =+25 °C .................................. 0,25 А
Неотпирающий постоянный ток управления при Uv: <и = 0,67 £/эс п, Ry = Ю кОм, Гп = +140 °C, не менее.......................... 6 мА
Обратный ток восстановления при £/0БР и = 100 В, /ОС1И 4>с,ср макс, (cVoc/cttjcri = 50 А/мкс, 4, = 0,2 мс, Гп — +140 СС, не более.......................... 200 А
Время обратного восстановления при t/оБР.и^ 100 В, 4>С, И — 4>с, СР, МАКС» (cVoc/t/f)fn = 50 А/мкс, 4, = 0,2 мс, Гп = +140 °C, не более.......................... 6 мкс
Заряд обратного восстановления при t/06p и = 100 В, /ос и — Jql, СР, МАКО (еЧ>с/<Я")сп = 50 А/мкс, 4, = 0,2 мс, Гп = +140 °C, не более.......................... 550 мкКл
Динамическое сопротивление в открытом состоянии при Т3 — +140 °C, не более:
ТЛ 171—250 .................................. 1,43 мОм
ТЛ 171—320 .................................. 0,72 мОм
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более........................................ 0,085 сС/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии............................ 500... 1000 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии............................ 1,16^ п
Повторяющееся импульсное обратное напряжение...................................... 500... Ю00 В
Обратное напряжение пробоя .......... 1,2£/Обр,п
Максимально допустимое обратное постоянное напряжение управления....................... 5 В
скорость нарастания напряжения ^гго^остоянии при </*.„ = 0,67Узс.п. BJa P Л = +140 °C:
Ну ’ 11 fi группа о...............................
группа 5............................
группа 7............................
Максимально допустимый средний ток .открытом состоянии при 50 Гц, в ° 180% 4 = +Ю0 °C:
Р ТЛ171-250............................
ТЛ171-320...........................
Максимально допустимый действующий ток
R открытом состоянии при 50 Гц,
R — 180% Гк = +Ю0°С: ТЛ171-250..............................
ТЛ171-320...........................
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при £4эбр О» 4| — 1® МС, Тп = +140 °C:
ТЛ 171—250 .........................
ТЛ 171—320 .........................
Защитный показатель при У0БР = 0,
Ти= 10 мс, Гп = +140 °C: ТЛ171-250 .............................
320 В/мкс
500 В/мкс
1000 В/мкс
250 А
320 А
380 А
520 А
6800 А
7500 А
ТЛ171-320 .............................
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при Ujc и ® 0,674/зс п> 4с, и = 1000 A, f = 1...5 Гц, Ц, пр,и ® 10 В, ’ Vhp= 1 мкс, Гу = Ю мкс, /?у = 5Ом, 7-п = +140 °C.............................
Минимально допустимый прямой импульсный ток управления............................
Максимально допустимый прямой импульсный ток управления............................
Ударная мощность обратных потерь пРи Тп = +14ох............................
Температура перехода .....................
Температура корпуса.......................
231 кА?-с
282 кА2-с
100 А/мкс
0,5 А
11 А
40 кВт
+140 “С
—60...+100 °C
Закручивающий момент (50+20%) Н-м. илие для силового вывода не более 150 Н VI LJ П « 1 - _
Растягивающее
ddiпс иилсс ।ju it. Растягивающее БопЛИе ДЛя Дополнительного катодного и управляющего вы-
Дов не более 40 Н.
fОС Ji, A
!оси. А
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от импульсного напряжения
Зависимости импульсною тока в открытом состоянии от импульсного напряжения
Область гарантира-
tsS to много отпирания
7/11/1-258
Т/Н71-320
и^в
6
4
2
О 0.2 0,6 06 О.В ~У.О
Зона возможных положений зависимости постоянного напряжения управления от тока
24
16
8
О
Зависимости импульсного тока управления от длительности импульса
Uy пря.В
2 4 6 8 /у optf А
Зоны возможных положений зависимости импульсного напряжения управления от тока
Зависимости импульсного ударно* го тока от длительности импульса
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного ударно- Зависимости времени обратного вос-го тока от длительности импульса становления от скорости нарастания тока в открытом состоянии
QsoCffiP ,МКК/7
становления от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Qbocosp .мкКл
Ржрмр.кВт
Зависимости заряда обратного восстановления от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимость обратной ударной мощности от длительности импульса
Зависимости скорости нарастания напряжения от напряжения В закрытом состоянии
Зависимость скорости нарастания напряжения от обратного напряжения и от напряжения в закрытом состоянии
Зависимости переходного теплово- Зависимости переходного теплового сопротивления переход—корпус го сопротивления переход—корпус
ют времени от времени
2ТЛ271-250
Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п с повышен-к п^пйяяппажрниям {naRHMukipl Ппапня-НОИ у----------- ' ...- -<---
значены для применения в статических преобразователях электроэнергии, а также в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц различных силовых электроустановок без дополнительных мер защиты в условиях возникновения определенных обратных перенапряжений. Выпускаются в металлокерамическом корпусе штыревой конструкции с гибкими силовыми выводами и без гибкого силового вывода. Обозначение тилономинала и полярности силовых выводов приводится на корпусе.
Масса не более 0,2 кг.
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом со-^"оянии при /ос и — 3,14{)С Ср МАКС, Ги “ 10 мс, 'п =+25 °C, не более................. 2,1В
Отпирающее постоянное напряжение управления при t/зс = 12 В, не более:
Гп = -60 °C, 4 от = 0,6 А.......... 8 В
Т"П = +25°С, 4ОТ = 0,ЗА............ 5 В
Неотпирающее постоянное напряжение управления при t/3C и = 0,67i/3C п, Лу = 10 кОм, Гп = 4-140 °C, не менее................. 0,2 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при £/зс, и = ^зс, п> /?у = 00, rn = +140 ’С, не более........ 30 мА
Ток удержания при U3C = 12 В, Ry = не более................................ 0,4 А
Ток включения при U3C = 12 В, Ц ПР и = 10 В, fy нр = 1 мкс, Гу = 10 мкс, /?у = 5 Ом, не более................................ 0,5 А
Повторяющийся импульсный обратный ток При £4)БР, и e МзБР. пт-^у °°> 4" 140 С,
не более................................ 30 мА
Отпирающий постоянный ток управления при t/зс = 12 В, ие более:
Гп = -60 °C........................ 0,6 А
7"П=+25°С.......................... 0,3 А
Неотпирающий постоянный ток управления при и ” 0,6 7 пт ^у 1 ® кОм,
Тп = +140 6С, не менее.................. 5 мА
Обратный ток восстановления при ^/обр.и = 100 В, he, И “ he, СР, МАКГ> (tf/oc/^Осп = 50 А/мкс, ги = 0,2 мс, Гп = +140 °C, не более.................. 200 А
Время обратного восстановления при i/DbP,n == ЮО В» 4lC, И — he, СР, МАКС> (cfhe/dtkn ~ 50 А/мкс, Ги = 0,2 мс, Гп = +140 °C, не более.................. 6 мкс
Время выключения при С/оы> и = 100 В, <^4с/(‘Л'зс/ ^)кр, he, и = 4с,ср,макс> (tf/QC/^)cn = 10 А/мкс, Тп = +140 °C, не более................................ 160 мкС
Заряд обратного восстановления при t/0BP, и = ЮО В, /ос, и = he. ср, мдкс> (tf/oc/^icn ” 50 А/мкс, = 0,2 мс,
Гп = +140 “С, не более.................. 600 мкКл
Динамическое сопротивление в открытом состоянии при Гп = +140 “С, не более..... 1,95 мОм
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более................................. и.ОУ “С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 600...1000 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 670... 1120 В
Повторяющееся импульсное обратное напряжение............................... 600...1000 В
Обратное напряжение пробоя .............. 720...1200 В
Максимально допустимое обратное постоянное напряжение управления................ 5 В
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при Цс. и = 0,6 7
Ry — Гп = +140 °C:
группа 4............................. 200 В/мкс
группа 5............................. 320 В/мкс
группа 6............................. 500 В/мкс
группа 7............................. 1000 В/мкс
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при f — 50 Гц, 0 = 180е, Гк = +100 °C................... 250 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при (/0БР = 0, 4,5= 10 мс, Гп = +140 ’С............................. 6000 А
Защитный показатель при £/0БР = 0,
= Ю мс, Тп = +140 ’С................... 230 кА2с
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии прн U3C ц = 0,67 t/3C п, /ос И =" 1000 A, f= 1...5 Гц, Ц.пр.и== 10 В,‘ /у.нр = 1 мкс, ty — 10 мкс, Ry ~ 5 Ом, /п = + 140 °C............................ 200 А/мкс
Минимально допустимый прямой импульсный ток управления........................... 0,5 А
Максимально допустимый прямой импульсный ток управления........................... 11 А
Ударная мощность обратных потерь при 7^ = 4-140 °C....................... 40 кВт
Температура перехода..................... +140 °C
Температура корпуса...................... -60...+ Ю0 °C
При монтаже тиристоров без гибкого вывода втулка тиристора вместе с применяемым выводом должны быть обжаты по длине 7 мм с размерами шестигранника 10,5 мм.
Приложение крутящих и илибающих усилий к втулке не допускается.
У тиристоров без гибкого вывода допускается отсутствие гальванического покрытия и наличие следов испытаний внутри силовой втулки корпуса.
lorn /4
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от импульсного напряжения при температуре перехода;
1 — +25 °C, 2 — +125 'С
Зависимости среднего тока в открытом состоянии от температуры корпуса при различных углах проводимости
to сел А
/осспА
Зависимости среднего тока в открытом состоянии от температуры корпуса при различных углах проводимости
Зависимости среднего тока в открытом состоянии от температура» окружающей среды при различных углах проводимости
Зависимости среднего тока в открытом состоянии от температуры окружающей среды при различных углах проводимости
Зависимости тока перегрузки в открытом состоянии от длительности импульса:
№0(1), К= 0.5(2), К- 0,75(3);
/(= 1(4), К— отношение среднего тока к максимально допустимому среднему току
Ь&удр кА
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса: 1 - 25 'С; 2 - 125 °C
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса при различной скважности: 0= 1(1); Q= 2(2)
Зона возможных положений зависимости постоянного напряжения управления и отпирающего постоянного напряжения управления от тока управления:
А1 — область негарантированного отпирания;
А2 — область гарантированного отпирания
Uyj№,B
Зоны возможных положений зависимости постоянного и импульсного напряжения управления от гока управления при различной скважности:
1 - Q = 1; 2-0 = 2; 3-0 = 5; 4-0 = 40
Зависимости отпирающего тока управления от длительности импульса:
1 — 25 "С; 2-----60 °C
О 10 20 30 50 60 70 80-dhMA/HKC
Зависимости заряда обратного восстановления от скорости нарастания тока в открытом состоянии:
1 /ос. И = СР> 2 4jc,H = 4>сср, 3 — /ос и = СР
Зависимости времени обратного восстановления от скорости спада тока в закрытом состоянии;
1 и = h51/uc cpi 2 — и = ср*
3 и — 0>5/(х Гр
Зависимости скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии °г амплитуды прямого напряжения: группы 4, 5, 6, 7 по dU/dt
Uobp/Ux.n.%-^ 0 l0 2Q^/Uxn/>/o
Зависимость скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии от обратного напряжения и напряжения в закрытом состоянии
Ро.с,ср,Вт
Poc.cp.Bm
Зависимости средней мощности потерь в открытом состоянии от среднего тока при различных углах проводимости
Зависимости средней мощности потерь в открытом состоянии от среднего тока при различных углах проводимости
Зависимости переходного теплового сопротивления от времени
3.4. Тиристоры оптронные
ТО2-Ю
Тиристор оптрониый (оптотиристор) кремниевый диффузионный р-п-р-п. Два полупроводниковых элемента: кремниевый фототиристор и арсенидгаллиевый излучающий диод — 350
бъединены в одну конструкцию. Предназначен для примене-в помехоустойчивых схемах автоматики в цепях постоян-о и переменного токов преобразователей электроэнергии, п. .„„даются в пластмассовом корпусе фланцевой конструкции. Анодом является основание. Обозначение типономинала и полярности выводов и выводов управления (излучающего диода) приводится на корпусе.
Масса не более 24,4 г.
Т02-Ю
57
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом со-
стоянии при (х и ~ 31,4 А, = 10 мс, не более................................. 1,75 В
Отпирающее постоянное напряжение управ-
ления при U1C - 12 В, Гп = +25 °C, /у от = 150 мА, не более................. 2,5 В
Неотпирающее постоянное напряжение уп-
равления при 1А( и = 0,67 (Аг п> 7JU = Ю Ом»
7п = + 110 X, не менее................... -0,9 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом
состоянии при изс и = (/эсп, /?у = оо, гп ~ +110 °C, не более................... 1,3 мА
ток удержания при </эс и = 12 В, /?у = «, не более..........’...................... 30 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток
Ч)6Р И = ^ОБР П» Лу “ °°»
п ~ +110 °C, не болеем..,™-.............. 1,3 мА
Отпирающий постоянный ток управления при U3C = 12 В, Тп = +25 X, не более..... 150 мА
Время включения при U3C и = 100 В, 'ос, и ~ Ю А, 4, пр, и = A, 4, пр = 1 мкс, ty = 50 мкс, не более.................... 15 мкс
Время задержки при 1/ЗС| и * 100 В, /ос, и = Ю А, 4, пр, и = 0,5 А, 4, пр = 1 мкс, ty — 50 мкс, не более.................... 10 мкс
Время выключения при U3C и = 0,67 Цс п,
и — 10 A, dUv/dt — 50 В/мкс, Цжр и = 100 В, Тп~ +110 “С, не более..... 150 мкс
Сопротивление изоляции оптопары, не менее .... 1000 МОм Тепловое сопротивление переход—корпус, не более................................. 1,76 °С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 100... 1000 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 1,12£4с,п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................ 0)5^4с,п
Постоянное напряжение в закрытом состоянии................................ 0,6{^сп
Повторяющееся импульсное обратное i
напряжение............................... 100... 1000 В'
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение........................... 1,126,ОЬР)1
Рабочее импульсное обратное напряжение... 0,8Ц>б₽,п
Постоянное обратное напряжение........... 0,6t()№ п
Средний ток в открытом состоянии при /= 50 Гц, р = 180е, Гк = +70 ’С...... 10 А
Действующий ток в открытом состоянии
при f— 50 Гц, р — 180е, 7^ = +70 ’С...... 20 A i
Ударный -неповторяющийся ток в открытом состоянии при </0БР = 0, /и= 10 мс, 7^ = +110 “С............................. 250 A i
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при Цси = 0,67 t/3C П’ /ос, и = 20 A, f= 1...5 Гц, 4, пр, и = 0,5 А, 4, пр = 1 мкс, 4 = 50 мкс, Гп = +110 °C.. 40 А/мкс
Температура перехода..................... +110 °C
Температура корпуса...................... —60...+110 “С
Т02-Ю, ТО2-40
Тиристоры оптронные (оптотиристоры) кремниевые мЛсЬузнонные р'П-р'П. Два полупроводниковых элемента: ое'мниевый фототиристор и арсенидгаллиевый излучающий од — объединены в одни корпус. Предназначен для применения в помехоустойчивых схемах автоматики и в цепях постоянного и переменного токов преобразователей электроэнергии. Выпускаются в металлостеклянном корпусе штыревой конструкции с жесткими силовыми выводами. Анодом является основание. Обозначение типономинала и полярности силовых выводов приводится на корпусе.
Масса не более 46 г.
Т02-10. T02-W
Электрические параметры \
Импульсное напряжение в открытом со- \
СТОЯНИИ При И = 3,1/ос, СР, МАКО /и Ю МС, \ /
не более.............................. 1.S5 В
Пороговое напряжение при Гп = +100 °C, не более:
Т02-Ю.............................. 1,38 В
ТО2-40............................. 1,14 В
Отпирающее постоянное напряжение управ-
ления при Wjc = 12 В, не более
Тп = -40 °C, 4 от = 0,3 А........... 2,5 В
^, =+25 С,/У 0Т= 0,15 А............ 2 В
Гп = + 100 “С, /у от = 0,08 А....... 1,6 В
Неотпирающее постоянное напряжение управления при U3C и — U3C п, /?у = 5 Ом, ^ = +110°С,неменее^:.2.......1......... 0,8 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при О,с> и = п, Ry = оо 'п +100 °C, не более................... 6 мА
Ток удержания при U3C и = 12 В, /?у = не более:
Т02-Ю................................ 10 мА
Т02 4П *м ..л
Ток включения при и = 12 В,
А/, пр, и = 0,5 А, fy нр = 0,5 мкс, /у == 50 мкс, не более;
ТО2-Ю................................ 14 мА
ТО2-40 .............................. 20 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток
при и = ^4)6р [|,/?у оо, 7J]= +100 С, '
не более................................. 6 мА
Отпирающий постоянный ток управления
при U-k = 12 В, не более: Тп = -40 X .............................. 0,3 А
—+25 X............................. 0,15 А
Гп = +100 4С..,...................... 0,08 А
Неотпирающий постоянный ток управления при U3r и = 4ДС п, /?у = 5 Ом, Тп = +100 X, не менее................................. 3 мА
Время включения при и ~ Ю0 В,
Ас, И “ Ас, СР МАКС» А, ПР, И = 0,5 A, fy,HP 1 мкс, А = 50 мкс, не более..................... 15 мкс
Время задержки при = 100 В,
Аг И = А( , ГР, МАКС < ПР, И = 0,5 А, ,У> Пр ““ 1 МКС» ty = 50 мкс, не более.................... 10 мкс
Время выключения при U-^ и = 0,6764с я> А<, И — Ас, ГР МАКС» dUx/dt= (dUx/dt)№, бАкр.и = ЮО В, (tfAc/^)сп ~ 5 А/мкс, /и = 500 мкс, Тп — +100 X, не более: группа 2................................. 150 мкс
группа 3............................. 100 мкс
группа 4............................. 70 мкс
группа 5............................. 50 мкс
Время обратного восстановления
При £АьР, И = ЮО В, Ас, И = Ас, СР, МДКО
(<%с/<#)сп = А/мкс, А = 500 мкс, Гр = +100 X, не более:
ТО2-10............................... 4,6 мкс
ТО2-40............................... 7,3 мкс
Заряд обратного восстановления при У«₽.н= ’°°В; <,с и.=_ЧппИА^’ (dbc/<ftn = 5 А/мкс’ <•= 500 мкс’ У -|уу "С, не иилее.
П Т02-Ю...............................
ТО2-40.............................
Динамическое сопротивление в открытом состоянии при 7р -Н100 С» не более,
ТО2-Ю..............................
ТО2-40.............................
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более:
ТО2- Ю.............................
ТО2-40.............................
Тепловое сопротивление переход-среда, ие более:
ТО2-Ю..............................
ТО2-40.............................
24 мкКл
76 мкКл
13 мОм
4,7 мОм
1,76 ’С/Вт 0,467 °С/Вт
4,4 ’С/Вт
2,9 ’С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 100...1000 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 1,12 U3C п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................ 0,8 п
Максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии............... 0,6 н
Повторяющееся импульсное обратное напряжение............................... 100...1000 В
Не повторяющееся импульсное обратное напряжение............................... 1,12</0БР,п
Рабочее импульсное обратное напряжение... 0,8С4>бр.п
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение........................... 0,6 п
Напряжение развязки между силовой и управляющей цепями............................ 2000 В
Критическая скорость нарастания тока
в закрытом состоянии при Цс и - 0,67 U3C п»
= Гп = + Ю0оС: группа 1............................... 20 В/мкс
группа 2.............................. 50 В/мкс
группа 3.............................. 100 В/мкс
группа 4.............................. 200 В/мкс
Максимально допустимый средний ток а открытом состоянии при f— 50 Гц, 180°, = +70 °C:
ТО2—10..............................
ТО2-40..............................
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при f= 50 Гц, Р = 180’, Гк = +70*С:
ТО2-Ю...............................
ТО2-40..............................
Ударный неповторяющнйся ток в открытом состоянии при the? = 0, /и == 10 мс, Гп == +100 °C:
ТО2-Ю...............................
ТО2-40..............................
Защитный показатель при Ц,БР = 0,
4, = 10 мс, = +100 ’С: ТО2-10.................................
ТО2—40..............................
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при t/3C и = 0,67 U3Ci п, 4эС, И “ 2/qC, ср, МАКС> Гц, /у Пр, и = 0,5 А, ty нр = 1 мкс, ty = 50 мкс, Гп = +100 SC:
группа 1............................
группа 2............................
Минимально допустимый прямой импульсный ток управления......................
Максимально допустимый прямой импульсный ток управления......................
Температура перехода....................
Температура корпуса.....................
И Л Л IV /А
40 А
15,7 А
63 А
250 А
800 А
312 А2-с
3200 А2-с
20 А/мкс 40 А/мкс
0,25 А
0,5 А + 100 °C
-40...+70 ’С
Типономиналы допускают произвольное сочетание класси фикационных параметров.
Закручивающий момент не более 5,6±0,6 Н-м.
ЬсИ.А
Зависимости импульсного тока а открытом состоянии от импульсного напряжения
Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от импульсного напряжения
Зоны возможных положений по- Зависимости импульсного прямо-ст°янного напряжения управления го напряжения управления от им-°т постоянного тока управления пульсного тока управления
Зависимости импульсного отпирающего тока управления от длительности импульса
Зависимости импульсного отпирающего тока управления от длительности импульса
1пс.чдр.кА
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного ударного тока от длительности импульса
Зависимости импульсного тока включения от импульсного прямого тока управления
Зависимости импульсного тока включения от импульсного прямого гока управления
№025А)'1вКл/1ш(025А)
1ЗДЮ. 25А) ;tBKfi/tsK/HO25А)
Зависимости времени включения и времени задержки от импульсного прямого тока управления
Зависимости времени включения и времени задержки от импульсного прямого тока управления
/ шЛ вКМААкс) 't зд/t 3JWA/wr)
Зависимости времени включения и времени задержки от скорости нарастания тока управления
1tBKffiA /»кс) '1здЛЗД()А/к*с>
и времени задержки от скорости нарастания тока управления
1ж/Ьд(25 Г)
Зависимость постоянного тока удержания от температуры перехода
Зависимость постоянного тока удержания от гемпературы перехода
Зависимости времени нарастания „ и времени включения от импульсного тока в открытом состоянии
Зависимости времени нарастания и времени включения от импульсного тока в открытом состоянии
0.2 ОА 0.6 0.8 IM Ujc.n/Uscn
Зависимость времени выключения от постоянного напряжения в закрытом состоянии
Зависимость времени выключения от постоянного напряжения в закрытом состоянии
ния в закрытом состоянии ния в закрытом состоянии
Зависимость времени выключения от нал ряжения переключения
Зависимость Времени выключения от напряжения переключения
квыкяЛаыкж а/мк)
tfoW! ЛвЫК/1(5 А/мкс}
Зависимость времени выключения от скорости нарастания тока в открытом состоянии
от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимость времени выключения от температуры перехода
Зависимость времени обратного восстановления от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимость времени обратного восстановления от скорости нарастания тока в открытом состоянии
ОвОС^/ОвО/.ОЬРЬА/мкс)
Зависимость заряда переключения от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимость заряда обратного восстановления от скорости нарастания тока в открытом состоянии
Зависимости скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии от постоянного напряжения
2т(п-к).Т/8п}
Зависимости переходного теплово- Зависимости переходного теплового сопротивления переход—корпус го сопротивления переход—корпус
от времени ст времени
ТО125-Ю
Тиристор оптронный (оптотиристор) кремниевый диффузионный р-п-р-п. Два полупроводниковых элемента: кремниевый фототиристор и арсенидгаллиевый излучающий диод —-объединены в одну конструкцию. Предназначен для применения в помехоустойчивых схемах автоматики в цепях постоянного и переменного токов преобразователей электроэнергии.
Выпускаются в пластмассовом корпусе фланцевой конструкции. Анодом является основание. Обозначение типономинала и полярности выводов и выводов управления (излучающего диода) приводится на корпусе.
Масса не более 24,4 г.
Т0125-10
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии при /ос.и = 31,4 А, 4, = 10 мс,
не более............................... 1,4 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при = 12 В, Гп = +25 °C,
4,от= 80 мА, не более.................. 2,5 В
Неотпирающее постоянное напряжение управления при U-г и = О,677/к п, /?у = 10 Ом, 7^ = +110 *С, не менее................. 0,9 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом
СОСТОЯНИИ При и = (/ЗС1П, /?у = «>, = +110 С, не более........................ 3 мА
Ток удержания при U3C и == 12 В, /?у = «>, не более................................ 30 мА
Отпирающий постоянный ток управления при U3C = 12 В, Тп = +25 “С, ие более... 80 мА
Неотпирающий постоянный ток управления при и 0,67Ry Ом, Тп — +110 °C, не менее................... 2 мА
йпемя включения при и — 100 В, , = 10 А, //.пр,и = 0,5 A, fv пр = 1 мкс,
^=50 мкс, не более....................... 10 мкс
Время задержки при U3C и — 100 В, » 10А, /у.пр.и 0,5 А, /у(пр “ 1 мкс,
f = 50 мкс, не более..................... 5 мкс
Время выключения при Uv и = О,67£/ЗС п, , « Ю A, dUv/dt = 50 В/мкс,
и = ЮО В, rn = +110 °C, не более..... ЮО мкс
Сопротивление изоляции оптопары, не менее .... 1000 МОм Тепловое сопротивление переход—корпус, не более................................. 1,5 “С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... Ю0...1400 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 1J2WjC п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................ 0,8 U3C л
Постоянное напряжение в закрытом со
стоянии.................................. 0,6б/зс п
Повторяющееся импульсное обратное
напряжение............................... 100...1400 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение............................. 1,12£/0БРП
Рабочее импульсное обратное напряжение... 0,844бр,п
Постоянное обратное напряжение........... 0,6 ^6₽(П
Критическая скорость нарастания напряжения
в закрытом состоянии при U3C и = 0,67 U3C п, /?У^ОФ, Гп = +110°С............... :..... 20...
500 В/мкс Средний ток в открытом состоянии
при Г= 50 Гц, Р= 180\ Гк = +85 °C........ 10 А
Действующий ток в открытом состоянии
при Г= 50 Гц. р = 180°, Гк = +85 °C...... 20 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при 44бр = 0, = 10 мс, 7^+110 °C................................ 250 А
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при 7ДС и = 0,67 <ЛгП, 4к.и « 20 A, f= 1...5 Гц, 4.п7и - 0,5 А, 4,пр «1 мкс, ty ~ 50 мкс, Гп» +110 ’С.... 100 А/мкс
Температура перехода...................... +110 °C
Температура корпуса....................... —60...+85 °C
тсо-ю
Тиристор симметричный олтронный (оптосимистор) кремниевый диффузионный р-П'р-п-р, Предназначен для применения в помехоустойчивых схемах автоматики и в цепях постоянного и переменного токов преобразователей электроэнергии. Выпускаются в пластмассовом корпусе фланцевой конструкции. Обозначение типономинала приводится на корпусе.
Масса ие более 24,4 г.
ТСО-Ю
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии при и = 14,1 А, Ги = 10 мс, не более.................................. 1,85 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при U3C = 12 В, 4 от = 80 мА, не более.................................. 3 В
Неотпирающее постоянное напряжение управления при 64с.и = 0»67Цс.п, Я* = Ю Ом, Тп — +100 “С, не менее.................... 0,75 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при U,, и — (Аг п> К
Гп -+100 *С, не более.................... 3 мА
Ток удержания при /?у - «>, не более.
IОтпирающий постоянный ток управления
при -гтт........:::
иротпирающми пос.^яннь.,: ток управления при U3c и = °»67fAc.n, Я ~ Ю Ом, т == +100 'С, не менее...............
Время включения при U->r и = 100 В, /о< и = 14’1 А' /уи = 0,5 A, fy нр = 1 мкс, Г = 50 мкс, не более.................
Время задержки при Цс и = 100 В, 4КИ = 14,1 А, // и = 0,5 A, fyjjp = 1 мкс, 4 = 50 мкс, не более.................
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более.............................
50 мА
80 мА
3 мА
10 мкс
5 мкс
2 °C/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии...................... 100...1000 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии...................... 1,12£/зс п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................. 0,8 Uv п
Максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии............. 0,67Л( п
Напряжение развязки между силовой и управляющей цепями.......................... 2000 В
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии (в тиристорном режиме работы) при U3C и = 0,67U3C п, /?? = «>, 4 = +100 "С:
группа 1.............................. 20 В/мкс
группа 2.............................. 50 В/мкс
группа 3.............................. 100 В/мкс
группа 4............................. 200 В/мкс
Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения при (Ас м = 0,6 7 Дг
= 14,1 А, ги = 10 мс, 4,и = 0,5 А, (//у/dt = 1 А/мкс, fy = 50 мкс, Гп = +100 °C: группа 1.................................. 1 В/мкс
группа 2.............................. 5 В/мкс
Максимально допустимый действующий ток ? открытом состоянии при f— 50 Гц,
Р'180°, Гк = +80°С........................ 10 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при 4/обр = 0, Ги = 10 мс, Trt = +100X................................ 100 А
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при Z/3C и ~
/0С(и — 14,1 A, f— 1...5 Гц, 4.и = 0,5 А, 4 нр= 1 мкс, = +Ю0 °C........................ 70 А/мкс
Температура перехода......................... +100 °C
Температура корпуса........................... —50...+80 °C
Типономиналы допускают произвольное сочетание классификационных параметров.
70125-12,5
Тиристор оптронный (оптотиристор) кремниевый диффузионный р-п-р-п. Два полупроводниковых элемента: кремниевый фототиристор и арсенидгаллиевый излучающий диод — объединены в одну конструкцию. Предназначен для применения в помехоустойчивых схемах автоматики в цепях постоян-. ного и переменного токов преобразователей электроэнергии. Выпускаются в пластмассовом корпусе фланцевой конструкции. Анодом является медное основание. Обозначение типо-номинала и полярности выводов и выводов диода приводится на корпусе.
Масса не более 24,4 г.
Электрические параметры
Импульсное напряжение в опсрытом состоянии при 4к , и ~ 39 А, — 10 мс,
не более ...........................
Отпирающее постоянное напряжение управления при изс = 12 В, не более:
Гп« -50 °C, 4 от =Ю0 мА..........
7^ —+25 “С, <От = 80 мА..........
Неотпирающее постоянное напряжение управления при i/jc, и ~* 0,67 (Zjc п» Ry 10 Ом,
/ — +110 СС, не менее...................
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при U3Zi и = U3q р, /?у = <», 7"п —+110 °C, не более..................
Ток удержания при U3Ci и — 12 В, /?у = со,
не бояее......................................
Повторяющийся импульсный обратный ток
При (У[>БР, И = ^4>БР,П> У?у = — +1 10 С,
не более......................................
Отпирающий постоянный ток управления при Цс = 12 В, Тп = +25 °C, не более:
Тп = -50 °C..........................
Тп = +25 °C..........................
Неотпирающий постоянный ток управления при 44с — 0,67 44с п, Яу — 10 Ом, Гп = +110 °C, не менее...................
Время включения при 44с. и = Ю0 В, 4с,и 12,5 А, 1у пр,и 0,5 А, нр 1 МКС, 4 == 50 мкс, не более....................
Время задержки при U3Z,и = 100 В, 4>с,ив 12,5 А, 4, пр, и “ 0,5 А, ?у НР = 1 мкс, ty ~ 50 мкс, не более....................
Время выключения при U3Z и = 0,6744с, п» 4к,ц ~ 12,5 A, dU3C/dt = 50 В/мкс, Чбр,и ~ 100 В, Тп = +110 °C, не более....
Сопротивление изоляции оптопары, не менее ................................
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более.......
1,4 В
3 В
2,5 В
0,9 В
3 мА
30 мА
3 мА
100 мА
80 мА
2 мА
10 мкс
5 мкс
100 мкс
1000 МОм
1,5 °С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение закрытом состоянии................... 100...1400 В
Не повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии......................
Рабочее импульсное напряжение в закрытом
Максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии................
Повторяющееся импульсное обратное напряжение................................
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение................................
Рабочее импульсное обратное напряжение....
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение............................
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при /= 50 Гц, 0 = 180°, Гк = +85 °C...............................
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при f= 50 Гц, Р = 180°, Гк = +85 °C.....................
Ударный не повторяющийся ток в открытом состоянии при 77ОБР = 0, Ги — 10 мс, Гп = +110°С...............................
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при U3C и — 0,67 U3C п, 4с. и 25 A, f — 1 ...5 Гц, 4 пр, и = А, tv НР = 1 мкс, /у = 50 мкс, 7^ = + 110 "С.
Температура перехода......................
Температура корпуса.......................
ПОН
0»6Цс,П
100...1400 в
1,12(/орр п
О,8С4б₽ п
12,5 А
19.6 А
350 А
100 А/мкс + 110 °C .
-50...+85 °C
Т0132-25, Т0132-40
Тиристоры оптронные (оптотиристоры) кремниевые диффузионные р-п-р-п, Два полупроводниковых элемента: кремниевый фототиристор и арсен ид таллиевый излучающий диод — объединены в одну конструкцию. Предназначены для применения в помехоустойчивых схемах автоматики и в цепях постоянного и переменного токов преобразователей электроэнергии. Выпускаются в металлостеклянном корпусе штыревой конструкции с жесткими силовыми выводами. Аиодом является основание. Обозначение типономинала и полярности выводов и выводов управления (излучающего диода) приводится на корпусе.
Масса не более 25,5 г.
Т0132-25, Т0132-40
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом со-
стоянии При 4)С, И — 3,1^4x2, СР, НАКО 4l ~~ Ю МС, не более:
Т0132-25............................. 1,85 В
Т0132-40....................... -... 1,75 В
Отпирающее импульсное напряжение управления при 44с = 12 В, не более.......... 2,5 В
Неотпирающее постоянное напряжение управления при 44с, и = 4/зс п, = +100 °C, не менее..............................О,® В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при 4/зс w = 44с. n, Гп =+100 °C, не более.................... 3 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток при 4/0БР и 4/0Бр п, /?у = оа, 7J| =+100 С, не более................................. 3 мА
Отпирающий постоянный ток управления при 44с = 12 В, не более —........<...... 150 мА
Электрическая прочность изоляции между силовой и управляющей цепями, не менее... 2 кВ
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более:
Т0132-25............................. 0,7 "С/Вт
ТО132-40............................. 0,47 °C/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии................. 600... 1200 В
^повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии.................. 1,126^
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................. ОЗЦс.Л
Максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии................ 03Цс,п
Повторяющееся импульсное обратное напряжение .................................... 600... 1200 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение............................. 1J2t/0Bpn
Рабочее импульсное обратное напряжение.... ОЗ^обр.п
Максимально допустимое постоянное обрат-
ное напряжение............................ 0(6Цжр.п
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при t/3c и = 0,67^ п.
= Гп = + 100°С:
группа 1............................... 20 В/мкс
группа 2............................... 50 В/мкс
группа 3............................. 100 В/мкс
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии прн f— 50 Гц, р — 180°, Гк = +70 °C:
ТО132-25............................... 25 А
Т0132-40............................... 40 А
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при 50 Гц, р= 180°, 7^ = +70 °C:
ТО132-25............................... 39 А
Т0132-40............................... 63 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при Uqsp = 0, = 10 мс, Тп = +100 °C:
Т0132-25............................... 800 А
Т0132-40 .............................. 750 А
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при Uy и в 0,67^0, и = 24к. ср, макс* 1.**5 Гц, 4. ПР, и = 0,5 А, ty нр — 1 мкс, ty = 50 мкс, Тп = + 100 “С. 40 А/мкс
Температура перехода...................... +100 °C
Температура корпуса....................... —40...+70 °C
Чистота обработки контактной поверхности охладителя не хуже 2,5. Время пайки выводов управления паяльником мощностью 50...60 Вт при температуре припоя до +220 X не должно превышать 5 с. Закручивающий момент не более 6 Н-м-372
2ТО132-25, 2ТО132-40
Тиристоры оптронные (оптотиристоры) кремниевые диф-.. .лианные р-п-р-п. Два полупроводниковых элемента: оемниевый фототиристор и арсенидгаллневыи излучающии Гдд — объединены в одну конструкцию. Предназначены для применения в помехоустойчивых схемах автоматики и в цепях постоянного и переменного токов преобразователей электроэнергии. Выпускаются в металлостеклянном корпусе штыревой конструкции с жесткими силовыми выводами. Диодом является основание. Обозначение типономннала и полярности выводов и выводов управления (излучающего диода) приводится нв корпусе.
Масса не более 25,5 г.
2Т0132-25. 2T0132-W
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии при 4}с,и 3,144>с ср,макс» 4) = МС,
не более:
2Т0132-25........................... 1,85 В
2Т0132-40........................... 1,75 В
Отпирающее импульсное напряжение управ-
ления при Ux — 12 В, не более: = -60 °C........................... 3 в
гп« +25 °C........................... 2,5 В
Неотпирающее постоянное напряжение управления при U3C и = U3Z п, = +100 °C, не менее..........wb\................. 0,9 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом
П — +100 С, не более................... 3 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток при t/оьр, И ~ МзБР, Л> *У ~ оо, Тп — +100 С, не более................................. 3 мА
иирй>иш,ии и м пу л осн bi и ток управления
при U«: = 12 В, не более:
Гп = -60 °C........................... 300 мА
ГП = +25Х............................. 150 мА
Неотпирающий постоянный ток управления при 7"п = +100 °C, не менее.............. 3 мА
Ток включения при Гп = +25 °C» не более.. 100 мА
Ток удержания при == +25 °C, не более ... 50 мА
Время включения при Гп = +100 X, не более;
группа 3.............................. 160 мкс
группа 4.............................. 100 мкс
группа 5.............................. 63 мкс
Сопротивление изоляции между гальванически развязанными электродами, не более....... 10 МОм
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более:
2Т0132-25............................. 0,7 °С/Вт
2ТО132-40............................. 0,47 Х/Вт !
Предельные эксплуатационные данные |
Повторяющееся импульсное напряжение !
в закрытом состоянии..................... 600...1200 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 1,12t/3C п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии ............................... 0,8(/jqn
Постоянное напряжение в закрытом
состоянии................................ О,644с.п
Повторяющееся импульсное обратное напряжение............................... 600... 1200 В
Неповторяющееся импульсное обратное j
напряжение................................... МОДздп j
Рабочее импульсное обратное напряжение... 0,86/OhPп
Постоянное обратное напряжение........... 0,6^обр,п
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при t/3C и в 0,67 п, /?у = <х>, Гп = +Ю0Х:
группа 2.............................. 50 В/мкс
группа 3.............................. 100 В/мкс
группа 4.............................. 200 В/мкс
группа 5.............................. 320 В/мкс
г^пний ток В открытом состоянии % 50 Гц, р = 180% Гк = +70 °C
пр 2Т0132-25............................
- . <-л ЛЛ
2IUIJ- ..............................
п^йгтаующий ток в открытом СОСТОЯНИИ ^и%Л0Гц,Р = 180\Гк = +70Х:
Р 2ТО132-25........-...................
2Т0132-40............................
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при 6/ПБР — 0, 4i — 10 мс, г = +100 °C:
Л 2ТО132-25............................
2Т0132-40............................
25 А
40 А
39 А
63 А
500 А
700 А
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при U3C и = 0,6 7 U3C п, /от и ~ 2/ос, ср, макс, f~ 1---5 Гц, /у, пр, и” 0,5 А,
НР = 1 мкс, fv = 50 мкс...................
Температура перехода.........................
Температура корпуса..........................
32 А/мкс
+ 100 °C
-60...+70 °C
Для обеспечения теплового и электрического контакта шероховатость контактной поверхности охладителя должна бьпь не более 3,2 мкм. Сопрягаемые поверхности при сборке оптотиристора с охладителем рекомендуется покрывать полиметилоксановой жидкостью илн пастой КПТ—8. В зазоры между охладителем и лепестком, лепестком и основанием оптотиристора щуп 0,03 мм не должен проходить. При эксплуатации оптотиристоров необходимо периодически очищать поверхность стеклоизолятора от пыли и других загрязнений. Запрещается изгибать выводы оптотиристора.
Т0142-50, Т0142-63, Т0142-80
Тиристоры оптронные (оптотиристоры) кремниевые диффузионные р~п-р-п. Два полупроводниковых элемента: кремниевый фототиристор и арсенидгаллиевый излучающий диод — объединены в одну конструкцию. Предназначены для применения в помехоустойчивых схемах автоматики и в цепях постоянного и переменного токов преобразователей электроэнергии. Выпускаются в металлостеклянном корпусе штыревой конструкции с жесткими силовыми выводами. Анодом является основание. Обозначение типономинала и полярности выводов и выводов управления (излучающего диода) приводится на корпусе.
Масса не более 48,5 г.
T0U2-50, T0U2-63, T0U2-80
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии При 4х:, И = 3,14^ СР_ МАКС» = Ю МС, не более:
ТО142-50............................ 1,85 В
ТО142-63, ТО142-80 ................. 1,75 В
Отпирающее импульсное напряжение управления при U3C = 12 В, не более......... 2,5 В
Неотпирающее постоянное напряжение управления при Wjc, и = п> 7?| = ‘Ы00'С,
не меиее............................... 0,9 В
Электрическая прочность изоляции между силовой и управляющей цепями не менее.. 3 кВ
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при U3C и = t/3Cin, /?у = оо, Тп ==-ЬЮО °C, не более................. 5 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток при t/0EP и = £/обр п, /?у = оо, Тп «+100 Т, не более................... 5 мА
Отпирающий импульсный ток управления '
при 4/зс = 12 В, не более.............. 150 мА
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более:
ТО142-50............................ 0,36 вС/Вт /
ТО142-63............................ 0,3’С/Вт
Т0142—80............................ 0,24 °С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................600...1200 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии.................. 1,12Цс,п
рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................ О.ВЦсп
Максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии............... 0,6Цс.п
Повторяющееся импульсное обратное напряжение .................................... 600.-1200 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение............................... 1,127/ОЬРГ1
рабочее импульсное обратное напряжение ... .... 0,86{jBp п
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение...................♦....... О.бб^п
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при = 0,67L^n, Rv = °°, 7^+IOOX:
группа 1.............................. 20 В/мкс
группа 2.............................. 50 В/мкс
группа 3.............................. 100 В/мкс
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при f = 50 Гц, £ = 180°, Гк = +70 X:
ТО142-50.............................. 50 А
ТО142-63.............................. 63 А
Т0142-80.............................. 80 А
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при А= 50 Гц, |3 = 180е, Тк = +70Х:
ТО142-50.............................. 78 А
ТО142-63.............................. 98 А
Т0142-80.............................. 125 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом со-
стоянии при Uqsp = 0, = 10 мс, 7J) = +100 °C:
ТО142-50.............................. 800 А
ТО142-63.............................. 1200 А
ТО142-80.............................. 1350 А
Критическая скорость нарастания тока
в открытом Состоянии при и = 0,67t/3C п,
и ~ ср макс» 1 —5 Гц, 4, пр, и в А,
+ нр — 1 мкс, /у — 50 мкс................ 40 А/мкс
Температура перехода..................... +100 X
Температура корпуса...................... -40...+70 X
Чистота обработки контактной поверхности охладителя не хуже 2,5. Время пайки выводов управления паяльником мощностью 50.„60 Вт при температуре припоя до +220 X не должно превышать 5 с. Закручивающий момент не более 10 Н-м.
2Т0142-50, 2Т0142-63, 2Т0142-80
Тиристоры оптронные (оптотиристоры) кремниевые диффузионные р-п-р-п. Два полупроводниковых элемента; кремниевый фототиристор и арсенидгаллиевый излучающий диод — объединены в одну конструкцию. Предназначены для применения в помехоустойчивых схемах автоматики и в цепях постоянного и переменного токов преобразователей электроэнергии. Выпускаются в металлостеклянном корпусе штыре вой конструкции с жесткими силовыми выводами. Диодом является основание. Обозначение типономинала и полярности выводов и выводов управления (излучающего диода) приводится на корпусе.
Масса ие более 48,5 г.
2TOU2-SO, 2Т0М2-61 2TOU2-80
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии при /ос и = 3,144)С.СР, МАКС» = 10 мс, не более:
2ТО142-50...........................
2Т0142-63, 2Т0142—80 ...............
Отпирающее импульсное напряжение управления при U3C ~ 12 В, не более:
Гп = -60 °C.........................
ТП = +25 X..........................
Неотпирающее постоянное напряжение управления при f/3C и = U3C п, Гп = +100 X, не менее ...............................
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при п» Яу =
Гп = +100 °C, не более..................
1,85 В
1,75 В
3 В
2,5 В
0,9 В
5 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток при ^БР.И = и^. п> Ъ = у _-+1Й0 с, не более . 5 мА
Опирающий импульсный ток управления при ^=12 ?, не более: 7п = '60 £ Гп = +25 °C Неотпирающий постоянный ток управления при / =+Ю0 "С, не менее.... Ток включения при Гп = +25 *С, не более Ток удержания при Гп - +25 °C, не более 300 мА 150 мА 3 мА 120 мА 70 мА
Время включения при Гп = +100 X, не более; группа 3 группа 4 группа 5 Сопротивление изоляции между гальваническими развязанными электродами, не более .. Тепловое сопротивление переход—корпус, не более: 160 мкс 100 мкс 63 мкс 20 МОм
2Т0142-50 2Т0142-63 2Т0142-80 0,36 Х/Вт 0,3 Х/Вт 0,24 Х/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии....................... 600,.. 1200 В
Не повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии....................... 1,12ЦС п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии.................................. 0,8£/зс ,п
Постоянное напряжение в закрытом состоянии.................................. 0,66^-п
Повторяющееся импульсное обратное напряжение................................. 600...1200 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение.............................. 1,12£/0БР[1
Рабочее импульсное обратное напряжение..... 0,8^бр,п
Постоянное обратное напряжение............. 0>6£/ОБР,п
Критическая скорость нарастания напряжения
в закрытом состоянии при t/3C и = 0,67U3C п-
= Гп== + 100°С: группа 2................................ 50 В/мкс
группа 3................................ 100 В/мкс
группа 4............................... 200 В/мкс
группа 5............................... 320 В/мкс
Средний ток в открытом состоянии при 50 Гц, р = 180°, Гк = +70 °C: 2Т0142-50............................... 50 А
2ТО142—63............................ 63 А
2ТО142-80............................ 80 А
Действующий ток в открытом состоянии при /= 50 Гц, р = 180е, Гк = +70 °C: 2ТО142-50............................... 78 А
2ТО142—63............................ 98 А
2Т0142—80............................ 125 А
Ударный не повторяющийся ток в открытом состоянии при £/0ЬР — 0, /и = 10 мс,
Гп = +Ю0 °C: 2Т0142-50............................ 900 А
2Т0142-63............................ 1200 А
2Т0142-80............................ 1350 А
Критическая скорость нарастания тока
В открытом СОСТОЯНИИ При изс и — 0,67t/3C П' 4?с, и — 2^)с ср. мдко 1---5 Гц, / и,- и — 0,5 А,
/У НР = 1 мкс, /у = 50 мкс.............. 40 А/мкс
Температура перехода.................... +100 °C
Температура корпуса..................... — 60...+70 °C
Для обеспечения теплового и электрического контакта шероховатость контактной поверхности охладителя должна быть не более 3,2 мкм. Сопрягаемые поверхности при сборке оптотиристора с охладителем рекомендуется покрывать полиметилоксановой жидкостью или пастой КПТ—8. В зазоры между охладителем и лепестком, лепестком и основанием оптотиристора щуп 0,03 мм не должен проходить. При эксплуатации оптотиристоров необходимо периодически очищать поверхность стеклоизолятора от пыли и других загрязнений. Запрещается изгибать выводы оптотиристора.
3.5. Тиристоры комбииироваино-выключаемые, тиристоры-диоды
ТБК171-125, ТБК171-160
Тиристоры кремниевые диффузионные комбинированно-выключаемые р-п-р-п. Предназначены для применения в качестве ключевых элементов в цепях постоянного и перемен-380
токов частотой свыше 10 кГц преобразователей электро-И°Г°гии; где требуются малые времена включения и выключе-ЭНеР высокие скорости нарастания тока и напряжения. Выпус-НИются В металлокерамическом корпусе штыревой конструк-ка с гибкими силовыми выводами. Анодом является основание Обозначение типономинала и полярности силовых выводов приводится на корпусе
Масса не более 420 г.
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии при /ос, и " 3,14/ОС СР;МАКС, = 10 мс, не более:
ТБК171—125........................... 2,3 В
ТБК171-160........................... 1,9 В
Отпирающее импульсное напряжение управ-
ления при (7ЗС = 12 В, не более: Гп ——60 X, 4 от = 0,75 А............. 6 В
7Ji = +25°C,<OT=0,3 А................ 4 В
Неотлирающее постоянное напряжение
управления при U3Q и = 0,67 Цс rt, Яу — 10 кОм, Тп = +125 X, не менее...... 0,25 В
Пороговое напряжение при Гп = +125 X, не более:
ТБК171-125........................... 1,6 В
ТБК171-160........................... 1,14 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом при и = </зс. п» Ъ =
п +125 С, не более.................... 40 мА
Ток включения при U3C = 12 В, U, пр и = 10 В, Гу нр = 1 мкс, Ь ~ 10 мкс, Rv — 5 Ом, не более. 0,5 А
Повторяющийся импульсный обратный ток
при t/оБР.и = ^обр, п» 41 = +125 °C, не более.. 40 мА
Отпирающий постоянный ток управления
при Цс == 12 В, не более:
Гп = -60 °C.......................... 0,75 мА
Тл = +25 °C................................ 0,3 мА
Неотпирающий постоянный ток управления при U3C Vi = 0,67 t/3C n, dU^/dt — 5 В/мкс, Ry — 10 кОм, Лп = +125 "С, не менее............ 30 мА
Время включения при — 300 В, 4)С, И = 4)С, СР, МАКО 25 к/МКС,
Uy ПР И ~' 10 В, ty HP —’ 1 МКС, ty ““ 10 мкс, Ry — 5 Ом, не более............................ 4 мкс
Время выключения при U^ — 0,67 f4cn, dUy;/dt= 50 В/мкс, t/O5p, и = Ю0 В, 4с, И = 4с, СР, МАКС, (dfoc/dt}cn~ 10 А/мкс, Ги — 0,2 мс, Цу'Зл = Ю В- 4,з.н₽ — 3 мкс,
Ry — 1 Ом, ty = 3fBbO, не более:
для 5—8 классов по напряжению
ТБК171-125................................. 5...8 мкс
ТБК171-160.........-....................... 8...12,5 мкс
для 9—12 классов по напряжению
ТБК171-125................................. 8...12,5 мкс
ТБК171-160................................. 10...16 мкс
Динамическое сопротивление в открытом состоянии при Гп = +125 °C, не более:
ТБК171-125................................. 1,9 мОм
ТБК171-160................................. 1,5 мОм
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более....................................... 0,145 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—среда, не более....................................... 0,875 “С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии........................... 500...1200 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии........................... 1,1t/3cn
Рабочее импульсное напряжение в закрытом
состоянии...................................... 0,7(Ас.п
Максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии ...........
Повторяющееся импульсное обратное напряженно...... ....................
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение.........-..................
рабочее импульсное обратное напряжение ... Максимально допустимое постоянное обратное напряжение........................
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при f - 50 Гц, р = 180°, Тк - +85 °C:
ТБК171-125.........................
ТБК171—160.........................
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при f~ 50 Гц:
ТБК171-125.........................
ТБК171-160.........................
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при — 0, 4j = 10 мс, Лп - +125 °C:
ТБК171-125.........................
0-5(/3с,п
500... 1700 В
К 1^ОБР,П 0»7(/обр.п
0,5 UQ№ п
125 А
160 А
196 А
251 А
ГБК171-160..............................
Защитный показатель при (7ОЬР = О, (и = 10 мс, Тл = +125 °C:
ТБК171-125..............................
ТБК171-160..............................
Критическая скорость нарестания напряжения в закрытом состоянии при (/« и ~ 0,67 U3(- п, & = 200...250 мкс, /?у = оо, Гп = +125 “С:
группа 4 ...............................
группа 5................................
группа 6 ...............................
Критическая скорость нарастания тока
в открытом СОСТОЯНИИ ЛрИ (Ас и == 0,67 (Аг п.
4си = 2000 A, f= 5 Гц, = 10 В.
А.нр— 1 мкс, /у= 10 мкс, Ry= 5 Ом,
К = +125 °C................................
Температура перехода.......................
Температура корпуса........................
2500 А
3500 А
31,2 кА2>с
61,2 кАг-с
200 В/мкс
320 В/мкс
500 В/мкс
1250 А/мкс + 125 °C -60...+85 °C
Растягивающее усилие для вывода катода не более 150 Н, ^ля выводов управления и дополнительного катодного — не Лее 40 Н. Закручивающий момент не более 40...60 Н*м.
ТБК143-250, ТБК143-320
Тиристоры комбинированно-выключаемые кремниевые диффузионные п-п-п-п Ппелназначены для применения в качестве ключевых элементов в цепях постоянного и переменного токов частотой до 10 кГц преобразователей электроэнергии, где требуются малые времена включения и выключения, высокие скорости нарастания тока и напряжения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе таблеточной конструкции. Анодом и катодом служат плоские основания. Обозначение типономинала и полярности силовых выводов приводится на корпусе.
Масса не более 280 г.
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом со-
стоянии при /ос и = ЗЛ4<Ьс, СР. МАКС» 4| = to мс« не более:
ТБК143-250.......................... 2,8 В
ТБК143-320.......................... 2,3 В
Пороговое напряжение при Гп = +125 “С, не более:
ТБК143-250.......................... 1,6 В
ТБК143-320.......................... 1,19 В
иоающее импульсное напряжение управ-
?1"ия при = 12 в, не более:
т = —60 °C, 4, от— 0»85 А...........
т =+25 С, 4, от ОЛА.................
Неотпирающее постоянное напряжение управления при Узси ~ 0)67£/г п, dU3C/dt- 5 В/мкс, /?у = 10 кОм, f = +125 °C, не менее...................
Повторяющийся импульсный ток в закрытом СОСТОЯНИИ при изс и = ик п, /?у = оо, у- _ +125 °C, не более..................
Ток включения при Ux = 12 В, Ц ЛР и — Ю В, нр = 1 мкс, — 10 мкс, /?у — 5 Ом, не более.
Повторяющийся импульсный обратный ток при Уобр и = Мжр.п» = + 125 С, не более.
Отпирающий постоянный ток управления при U3Q = 12 В, не более:
/--60Х..................
/,-+25 С .............................
Время включения при Узс = 300 В,
^ос и = /ос, ср макс* d!oc/dt= 25 А/мкс, Uv ПР и = 10 В, / нр = 1 мкс, / « 10 мкс, /?у - 5 Ом, не более ....................
6 В /1 R
0,25 В
40 мА
0,7 А
40 мА
0,85 мА
0,4 мА
4 мкс
Время выключения при U3C = 0,67 U3C п, dU,t/dt= 50 В/мкс, Уобр.и = О, 4x2, И = /ос, СР, МАКС' {d!oc/dt}(^~ 10 А/мкс, 0,2 мс, t/y 3 и “ Ю В, / Нр — 3 мкс, /?у= 1 Ом, ty — Згвыкл, /, — +125 аС, не более: группа 1...................................
группа 2................................
группа 3................................
Динамическое сопротивление в открытом состоянии при Тп = +125 X, не более: ТБК143-250.................................
ТБК143-320..............................
Тепловое сопротивление переход—-корпус, не более ..................................
Тепловое сопротивление переход—среда, не более ...
63 мкс
50 мкс
40 мкс
1,7 мОм
1,2 мОм
0,058 °С/Вт
0,358 °С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение закрытом состоянии.................... 1300...2400 В
13-1723 ™
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии.....................
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................ Oj^c,n
Максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии .............. 0,5£/3f п
Повторяющееся импульсное обратное напряжение............................... 1300...2400 В
Не повторяющееся импульсное обратное напряжение............................... 1,Ш06Р п
Рабочее импульсное обратное напряжение... 0,7Г/ОБР п
Максимально допустимое постоянное обрат-
ное напряжение........................... 0,5Lk6Pri
Критическая скорость нарастания напряжения
в закрытом состоянии при U3C и — 0,67 п>
7И = 200...250 мкс, Я = «>, Гп = +125 °C: группа 4................................. 200 В/мкс
группа 5 ............................. 320 В/мкс
группа 6.............................. 500 В/мкс
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при f= 50 Гц,
[3 = 180", 4 = +85 °C: ТБК143-250............................ 250 А
ТБК143-320............................ 320 А
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при f~ 50 Гц, = +85 СС:
ТБК143-250 ........................... 392 А
ТБК143-320............................ 502 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом
состоянии при Ц1БР = 0, = 10 мс,
Тп = +125 °C: ТБК143-250............................... 4500 А
ТБК143-320............................ 5500 А
Защитный показатель при У0БР — 0, — 10 мс,
Гп = +125 X: ТБК143-250............................... 101 кА2с
ТБК143-320............................ 125 кА2<
Критическая скорость нарастания тока
в открытом состоянии при £/зс и = 0,67 Ux п,
/ос и ~ 2000 A, f= 5 Гц, пр и = 10 В,
НР = 1 мкс, ty ~ 10 мкс, Ry = 5 Ом, ГП-+125СС................................ 1000 А/мкс
-jewnepaTyP3 Тем перату pa
перехода ......................
корпуса........................
+ 125 X
—60...+85 'С
п=>ю1нрр vcnnwe для выводов управления не более О Н Не допускается эксплуатация тиристоров без обеспече-внешнего усилия сжатия со стороны оснований в диапа-зоне 10000... 14000 Н.м.
ТДЧ171-125/50, ТДЧ171-160/63
Тиристоры-диоды кремниевые диффузионные. Тиристорная р-л-р-л-структура на определенном секторе кремниевого писка шунтируется диодной р-л-структурой. При обратном напряжении прибор работает как диод. Предназначены для применения в широтно-импульсных системах пуска и регулирования скорости электродвигателей, в автономных инверторах преобразователей частоты, а также в других цепях постоянного и переменного токов различных силовых установок. Выпускаются в металлокерамическом корпусе штыревой конструкции с гибкими силовыми выводами. Анодом является основание. Обозначение типономинала и полярности силовых выводов приводится на корпусе.
Масса тиристора-диода не более 510 г.
ТДЧ171-125/50, ТДЧ171-160/63
250
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом со-стоянии при /ос и = 3,14k СР МЛКС. Ь = 10 мс, не оолее .......
Импульсное напряжение в обратном про-t с°ст°янии при 4>с.и= 3,144с, ср млкс>
2,2 В
2,2 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при (J3r — 12 В, не более:
6 В
G D
т — , пг -'Г / — п ос л
/П— I <-> /у QJ- — V,JJ Г-1 ..........
Неотпирающее постоянное напряжение управления при U3C и = £/с п, /?у — 10 кОм, Гп = +125 С, не менее......................
Повторяющийся импульсный гок в закрытом состоянии при £/зс и = U-,c п, /?у —
Гп ” +125 "С, не более....................
Отпирающий постоянный ток управления при — 12 В, не более:
Гп = —60 X.............................
Гп = +25 СС...........................
Неотпирающий постоянный ток управления при U3C и = £/зс п, /?у — Ю кОм,
Гп = +125 °C, не менее....................
Время выключения при ZAC = Q,67U3C п, 4с, и — 4с, СР макс, f^4c/50 В/мкс, (d/oc/cft)cn ~ 10 А/мкс, 7"п “ +125 “С, не более:
группа 1...............................
группа 2...............................
группа 3...............................
группа 4...............................
Тепловое сопротивление переход—корпус в открытом состоянии, не более.............
Тепловое сопротивление переход—корпус в обратном проводящем состоянии, не более ..................................
0,25 В
30 мА
0,7 А
0,35 А
30 мА
63 мкс
50 мкс
40 мкс
32 мкс
0,125 °С/Вт
0,32 °С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии.................... 600...1600 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии.................... 1,12£/зс,и
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии............................... 0,86/ >п
Максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии.............. 0,6t/3C п
Критическая скорость нарастания коммута-
ционного напряжения при Гп = +125 °C: группа 7................................. 50 В/мкс
группа 8............................. 100 В/мкс
- группа 9............................ 200 В/мкс
л ^ымально допустимый средний ток М\оытом состоянии при Г= 50 Гц. В т-___сое
R = 180 , Тк = +8Ь с-Р /ЯЛ
Тдч и 1 “-^z ...............
ТДЧ171-160/63......................
Максимально допустимый действующий ток
п открытом состоянии при Л = 50 Гц,
ВЛ 180", Л “+85 X:
Р ТДЧ171-125/50.......................
ТДЧ171-160/63......................
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при — Ю мс, 7"п +125 С;
ТДЧ 171-125/50.....................
ТДЧ171-160/63.....................
Максимально допустимый соедини ток
в обратном проводящем состоянии
при f= 50 Гц, Р = 180е, Тк = +85 “С:
ТДЧ171—125/50.......................
ТДЧ171-160/63.......................
Максимально допустимый действующий ток в обратном проводящем состоянии
при / = 50 Гц, Р = 180°, / « +85 СС:
ТДЧ171-125/50......................
ТДЧ171-160/63......................
Ударный неповторяющийся ток в обратном
проводящем состоянии при Узс = 0,
7И= 10 мс, Гп =' + 125 °C:
ТДЧ 171-125/50......................
ТДЧ171-160/63.......................
Критическая скорость нарастания тока
В открытом СОСТОЯНИИ при £/зси = Ux п, 7qc и — 24к,с₽.мако 1—5 Гц, 7р = +125 С ... Температура перехода .................
Температура корпуса...................
175 А
160 А
196 А
250 А
3000 А
3500 А
50 А
63 А
80 А
100 А
900 А
1000 А
200 А/мкс +125 X -60...+85 X
ТДЧ153-320/125, ТДЧ 153-400/160
Тиристоры-диоды кремниевые диффузионные. Тиристор-Ная Р"""Р-^структура на определенном секторе кремниевого Диска шунтируется диодной р-л-структурой. При обратном наряжении прибор работает как диод. Предназначены для при-ения в широтно-импульсных системах пуска и регулирова-
ния скорости тяговых электродвигателей, в автономных инве^ торах преобразователей частоты, а также в других цепях постоянного и переменного токов различных силовых установок Выпускаю! си в ме [алликерамическим корпусе таблеточной конструкции. Анодом и катодом являются плоские основания Обозначение типономинала и полярности силовых вывод0в приводится на корпусе.
Масса не более 560 г.
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии при к. и ~ 3,144* гр мдкг, = 10 мс, не более............................... 2,7 В
Импульсное напряжение в обратном проводящем состоянии при /ос и ” 3J44jc. СР, МАКС>
— 10 мс, не более.................... 2,7 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при = 12 В, не более:
Тп^-бОХ, 4ОТ = 0,7А................ 6 В
7-п = +25ъС, /УОт = 0,35 А......... 5 В
Неотпирающее постоянное напряжение управления при t/3C M = </ЗСгП, Ry— 10 кОм, Гп = +125 “С, не менее................ 0,25 В
РЯЮЩИЙСЯ импульсный ток в закрытом состоянии при t/зс.и = П- *У = т = +125 X, не более...............
ААиоаюЩИЙ ПОСТОЯННЫЙ юк управлений От л S12 В, не более: При ь'зс о ч т - -60 с .......................
г" = +25‘с......................
ьъптпирающий постоянный ток управления при^и=^п^у-ЮкОМ, ГП = +125°С, 1зе менее...........
Время выключения при U. /ос ия t°c'ср'МАКС1 Ас и = Ас СР МАКС । 7п = +125 ‘ группа группа группа группа
Тепловое сопротивление переход—корпус в открытом состоянии, не более........
Тепловое сопротивление переход—корпус в обратном проводящем состоянии, не более ....
ri,
, G^Ac/= (^^Ас/°^)kp>
, (сУ/ос/Лп = Ю А/мкс, °C:
1 .............................
2..............................
3..............................
4..............................
70 мА
0,7 А
0,35 А
30 мА
63 мкс
50 мкс
40 мкс
32 мкс
0,04 С/Вт
0,1 °С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии.................... 600... 1600
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии.................... 1,12£/зс п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии............................... 0,8 £АС п
Максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии.............. 0,6L/JC п
Критическая скорость нарастания коммута-
ционного напряжения при ?n = +125 °C: группа 7................................. 50 В/мкс
группа 8............................. 100 В/мкс
группа 9............................. 200 В/мкс
Максимально допустимый средний ток
в открытом состоянии при Т = 50 Гц, В = 180°,
А = +85 °C: ТДЧ153-320/125........................... 320 А
ТДЧ153-400/160....................... 400 А
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при /= 50 Гц, р = 180s, Тк = +85 X:
ТДЧ153—320/125.............................. 500 А
ТДЧ153-400/160.............................. 630 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при 4, = 10 мс, Гп = +125 °C:
ТДЧ153—320/125....................... 5500 А
ТДЧ153-400/160....................... 6600 А
Максимально допустимый средний ток ;
в обратном проводящем состоянии 1
при /= 50 Гц, |i = 180°, 4 = +85 °C:
ТДЧ153—320/125.............................. 125 А I
ТДЧ153—400/160.............................. 160 А
Максимально допустимый действующий ток в обратном проводящем состоянии при 50 Гц, 0 = 180е, Лк == +85 °C:
ТДЧ 153—320/125............................. 195 А
ТДЧ 153—400/160............................. 250 А
Ударный неповторяющийся ток в обратном проводящем состоянии при = 0, 4, = 10 мс, 7^ = +125 °C:
ТДЧ153-320/125....................... 1700 А
ТДЧ153-400/160....................... 2500 А
Критическая скорость нарастания тока в открытом СОСТОЯНИИ при £/зси = Ux.n, 4)с,и = 2/псгср|Мдкс> f= 1---5 Гц, Гп = +125 С. 200 А/мкс
Температура перехода........................... +125 X
Температура корпуса............................ —60...+85 X
3.6. Тиристоры бескорпусные
Т130-40, Т130-50
Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п. Предназначены для применения в составе ключевых модулей и монолитных больших интегральных схемах преобразователей электроэнергии. Выпускаются в бескорпусном исполнении. Анодом и катодом являются плоские основания. Обозначение типо-номинала и полярности силовых выводов приводится на бирке. Управляющий электрод находится в центре со стороны катода.
Масса не более 1,3 г.
T130-U). 1130-50
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом со-
стоянии При 4>С,И ” 3J4/OC СР. МАКО 4l Ю мс» не более................................. 1,75 В
Отпирающее постоянное напряжение управ-
ления При U,, - 12 В, не более:
Гп = —50 ЛС, 4 от= 0,3 А............. 9В
Гп==+25Х,4.от = 0,1 А................ 3,5 В
Неотпирающее постоянное напряжение управления при £ЛС и = 0,67 изс п, /?у = 50 Ом, Гп = + 125 “С, не менее.................. 0,9 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при U3C и — п> 7?у = Тп — +125 ЛС, ие более:
Т130-40 ............................. 5 мА
Т130-50 ............................. 6 мА
Ток удержания при U-« = 12 В, // = не более................................. 90 мА
Ток включения при 4, пр, и = 1 А, d/у/dt~ 0,3 А/мкс, 4 — 50 мкс, не более.. 150 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток при Ц)БР.и = Уобр.п. Гп = +125 “С, не более:
Т130-40 ............................. 5 мА
Т130-50 ............................. 6 мА
Отпирающий постоянный ток управления при t/3c ~ 12 В, не более:
Гп = -50 °C.......................... 0,3 А
Т”п —+25’С........................... 0,1 А
е°тпирающий постоянный ток управления
= 0,67Узс„, R, = 50 Ом, " —"^125 °C, не менее.................. 2 мА
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 500... 1200 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 1>ИЦс,п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................ 0,8(4,- п
Максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии............... 0,6(4с п
Повторяющееся импульсное обратное напряжение............................... 500... 1200 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение............................. 1,11£АБРП
Рабочее импульсное обратное напряжение... 0,8£/ОБР>П
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение........................... 0,6(/оьрл
Критическая скорость нарастания напря-
жения в закрытом состоянии
при (/зс и = 0,6 7 (/зс п, R, = оо, 7"п = + 125 аС: группа 2................................ 50 В/мкс
группа 3............................. 100 В/мкс
группа 4............................. 320 В/мкс
группа 5............................ 500 В/мкс
группа 6............................. 1000 В/мкс
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при f= 50 Гц, р — 180°, + - +125 X:
Т130-40 ............................. 40 А
Т130-50 ............................. 50 А
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при /= 50 Гц, [3 = 180е, 4, =+125 °C:
Т130-40 ............................. 63 А
Т130-50 ............................. 78 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при (7ПВР — 0, (ц = 10 мс, Тп = +125 °C:
Т130-40 ............................. 750 А
Т130-50 ............................. 800 А
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при U3C и = 0,67 U3Ct п, /ос и = ср макс» Гц, 4 пр и = 0,5 А,
4 нр = 1 мкс, (у = 50 мкс, 7"п = +125 X.. 100 А/мкс
Температура перехода..................... +125 X
Т140-63, Т140-80
I тиристоры кРемниевые диффузионные р-п-р-п. Предка-1 йены ДЛЯ ПрИМвНсНИЯ Б СССТББС КЛЮЧвВЫХ МОДуЛБИ И MOHO-тиых больших интегральных схемах преобразователей электроэнергии. Выпускаются в бескорпусном исполнении. Анодом " катодом являются плоские основания. Обозначение типо-номинала и полярности силовых выводов приводится на бирке Управляющий электрод находится в центре со стороны
катода.
Масса не более 2,6 г.
TU0-65. IU0-80
07
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии при /ос.и - 3,14^.ср МАКС, 4, == 10 мс,
не более................................ 1,75 В
Отирающее постоянное напряжение управ-
ления при (JiC ~ 12 В, не более:
Гп =-50 °C,/у от = 0,35 А............ 10 В
7^ = +25 °C, 4.от = 0,15А............ 4 В
Неотпирающее постоянное напряжение управления при £ДС и = 0,67£4с п, /?у - 50 Ом, Тп« +125 X, не менее..................... 0,9 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при 4/зс.и = изс.п, /?у =
Л1 +125 “С, не более.................... 6 мА
Ток удержания при (/зс = 12 В, /?у = «>,
"е более................................. 120 мА
л/!^'еНИЯ "ри <'№•» = 1 А'
N/at 0,3 А/мкс, fy = 50 мкс, ие более... 210 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток
при £/0БР и = Уобр, п» Я = 'X’t Тп ~ +125 С, не более..................................... 6 мА
к^ТПираЮщии ПОСТОЯННЫЙ ТОк управлений
при — 12 В, не более: Гр = -50 °C.................................. 0,35 А
7^ = +25 “С.............................. 0,15 А
Неотпирающий постоянный ток управления
при 6/зс>и = 0,67 £/зс п, /?у = 50 Ом, Tn — +125 °C, не менее....................... 2 мА
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии.................... 500...1200 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии.................... 1,11 t4c.n
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии............................... 0,8 СЛ ,П
Максимально допустимое постоянное напряжение з закрытом состоянии.............. 0,6£/зс п
Повторяющееся импульсное обратное напряжение.............................. 500...1200 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение ............................. 1.11 ^обр.п
Рабочее импульсное обратное напряжение.. 0,8£/ОБР п
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение.......................... 0,6£/ОБРП
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при t/3C и = 0,67 t/3C п, /?у=™, тп = +125 СС: группа 2................................ 50 В/мкс
группа 3............................. 100 В/мкс
группа 4............................. 320 В/мкс
группа 5............................. 500 В/мкс
группа 6............................. 1000 В/мкс
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при /= 50 Гц, Р = 180°, 7’п = +125'-С
Т140-63 ............................. 63 А
Т140-80 ............................. 80 А
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при f— 50 Гц, р = 180°, Лп = +125 °C:
Т140-63 ............................. 98 А
Т140-80 ............................. 125 А
Ударный неповторяющиися ток в открытом СОСТОЯНИИ При t4)BP — 4l — мс»
= +125 X: Т140—63 ............................... |200 А
Т140-80 .............................. 1350 А
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при 4/зс и = 0,67 t/3C п, Lc и = /ос,ср,макс» 1—5 Гц, /у,пр,и = 0,5 А, ^=1 мкс, Гу - 50 мкс, Гп = +125 X...............
Температура перехода............................
100 А/мкс + 125 “С
3.7. Фототиристоры бескорпусные
ТФ130-40, ТФ130-50
фототиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п. Предназначены для применения в ключевых высоковольтных модулях, управляемых от внешнего источника света. Выпускаются в бескорпусиом исполнении. Анодом и катодом являются плоские основания. Обозначение типономинала и полярности силовых электродов приводится на бирке.
Масса фототиристора не более 1,3 г.
ТФ150-М, ТФ130-50
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом со-стоянии при /ос и = 3,14/ос ср 4, = 10 мс, не более..............................
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при 1/,с, и = »зс,п. Тп = + 110 °C, не оолее...
3 мА
Позторяющийся импульсный обратный ток при Ux'H = Uv п, Т’п = +110 °C, не более. 3 мА
Длина волны источника излучения.......... 0,9...1,2 мкм
Мощность источника излучения............. 10 мВт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 500... 1000 В
Не повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 1,1Цс.п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................ 0,864с.П
Максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии............... 0«64/>с,п
Повторяющееся импульсное обратное напряжение............................... 500...1000 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение............................... 1,1 £Абр,п
Рабочее импульсное обратное напряжение... 0,8 ^БР П
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение........................... 0,6п
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при U3C v = 0,67U3C п. Т, = +110 "С: группа 1................................. 20 В/мкс
группа 2............................. 50 В/мкс
группа 3............................. 100 В/мкс
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при f— 50 Гц, р = t80r, 7^ ==+110 °C:
ТФ130-40 ............................ 40 А
ТФ130-50 ............................ 50 А
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при f— 50 Гц, р = 180°, 7^ = +110 “С:
ТФ 130-40 ........................... 63 А
ТФ130-50 ............................ 78 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при (УОБР — 0, 4, = 10 мс, 7;, =+110 °C:
ТФ 130-40 ........................... 750 А
ТФ 130-50 ........................... 800 А
Критическая скорость нарастания тока в от-^rthlTOM состоянии при UJC и = 0,67 t/3C п, ? ^2/ог,ср,макс, '“1—5 Гц, 7-п = +110'С ... Температура перехода.........................
100 А/мкс
I 110 °C
расстоянии от источника излучения до фоточувствитель-поверхности не должно превышать 1...1,5 мм.
|юй
ТФ140-63, ТФ140-80
фототиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п. Предназначены для применения в ключевых высоковольтных модулях, управляемых от внешнего источника света. Выпускаются в бескорпусном исполнении. Анодом и катодом являются плоские основания. Обозначение типономинала и полярности силовых электродов приводится на бирке.
Масса фототирисгора не более 2,6 г.
ТФ1ОШ. ТФЦ0-80
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом со-
стоянии При 4)С И 3,144)С СР МАКС> 1® МС, не более....................................... 1,65 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом
состоянии при £/зс и = U>( ||, Тп = +110 °C, не более......................... 6 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток
ПРИ ^оср. и = t/0Sp, п, Гп = +110 еС, не более. 6 мА
Длина волны источника излучения................ 0,9...1,2 мкм
Мощность источника излучения................... 10 мВт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии................ 500... 1000 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 1,1 £4сп
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии .............................. 0,ООзС п
Максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии .............. 0,6 (J3C п
Повторяющееся импульсное обратное напряжение .............................. 500...1000 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение............................. IJ^obp.fi
Рабочее импульсное обратное напряжение... 0,8/7ОБр, п
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение........................... 0,6Л/ОБр. п
Критическая скооость нарастания напряжения в закрытом состоянии при £/зс и = 0,67 £/зс п,
Гп = +110 'С: группа 1................................ 2.0 В/мкс
группа 2............................. 50 В/мкс
группа 3............................. 100 В/мкс
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при f— 50 Гц, [5 ~ 180’, Гп = +110 СС:
ТФ140-63 ............................ 63 А
ТФ140-80............................. 80 А
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при f= 50 Гц, 3 = 180". Л == +110 "С:
ТФ140-63 ............................ 98 А
ТФ140-80 ............................ 125 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при и0БР — 0, — 10 мс, Тп =+110 "С:
ТФ140-63 ............................ 1200 А
ТФ140-80 ............................ 1350 А
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при Uy? и = 0,67Uy п, /оси ср макс> 1-..5 Гц, +110 С........... 100 А/мкс
Температура перехода..................... +110 Т
Расстоянии от источника излучения до фоточувствитель-ной поверхности не должно превышать 1...1.5 мм. 400
Раздел четвертый
Силовые модули
4.1. Модули тиристорные
МТ2-10
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных тиристоров р-П'р-п. Предназначены для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе,
Масса не более 150 г.
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом со-
стоянии При /сс м = 3,14/пг Со МЛ*С’ = Ю мс* 7"п = +25 X, не более................... 1,4 В
Отпирающее постоянное напряжение
управления при t/3C = 12 В, Гп = +25 X, не более................................ 3,5 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом
состоянии при и — Ux п, 7?у = 00,
Тп = +125 °C, не более.................. 5 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток
при 6/Обр и М?ьр п> Гп — +125 С, не более................................ 5 мА
Отпирающий импульсный ток управления
при Ux = 12 В, Гп = +25 X, не более..... 100 мА
Время включения при Цс и = 300 В, 4с И 4с СР, МАКС’ 4, ПР, И К4А,
d!y/dt= 5 А/мкс, dfQC/dt~ 25 А/мкс, fy = 10 мкс, Тп = +25 'С, не более...... 10 мкс
Время выключения при Z73C и = О,67ЦГ п, ^^4с/(^^4с/ ^)кр» ^4бр и e I'QO в,
4с и ~ 4с ср макс> <*4с/dt— 25 А/мкс, (d^c/dt)cn — 5 А/мкс, Гл = +125 X, не более................................ 100 мкс
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более................................ 1,5 Х/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии.................... 400... 1400 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии.................... 1,12 <4-,п
Рабочее импульсное напряжение а закрытом состоянии..................-...-........ 0,7<4-,п
Постоянное напряжение в закрытом состоянии............................... 0,564с, п
Повторяющееся импульсное обратное
напряжение.............................. 400... 1400 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение....................... 1,12(/Обргп
Рабочее импульсное обратное напряжение.. OJC^n
Постоянное обратное напряжение.......... 0,5(/ОБР п
ическая скорость нарастания напряжения ^якоытом состоянии при U3C и = 0,67£/зсп, &р Л, Т^+125Х...............................
Гпедний ток в открытом состоянии при%50 Гц, 0 = 180\ ГК = +85Х............
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при £/0Ьр = 0, = 10 мс,
7^+125’С.................................
Критическая скорость нарастания тока в открытом СОСТОЯНИИ При f/jc. и = ^Ас п»
Lr и = 24к с₽ макс» '= 1 Гц, d!v/dt~ 2 А/мкс, ^=20 мкс. ГП = +125Х.....................
Температура перехода.....................
Температура корпуса......................
50...
1000 В/мкс
10 А
300 А
100 А/мкс + 125 X
—60...+85 °C
МТ2-16
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных тиристоров р-п-р-п. Предназначены для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергий. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цели. Обозначение типономинала приводится на корпусе.
Масса не более 150 г.
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом со-
стоянии при /ог и — Х144х:. ср. макс, 4i “ Ю мс» Гп = +25 X, не более........................ 1,45 В
Отпирающее постоянное напряжение управ-
ления при Цс = 12 В, Гп = +25 X, 4,от — 0,1 А, не более.................... 3,5 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при £/зс,и = £/зсп, R. =
/п +125 X, не более....................... 5 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток
при i/0EP и = {/0БР ш гп = +1 25 X, Не б°лее.................................... 5мА
МТ2-16
Отпирающий постоянный ток управления при ~ 12 В, Гп = +25 °C, не более....... 100 мА
Время включения при Цс и “ 300 В, 4)С.И — 4)С СР МАКО 4 ПР И = 4 А, d/v/df= 5 А/мкс, dl^/dt— 25 А/мкс, fy = 10 мкс, Гп = +25 ’С, не более...... 10 мкс
Время выключения при (/зс и = 0,67 £/зс п, d£/3c/dt = {dUv/dt)xp, t/ObP н = 100 В, J
kx и ~ 4к, ср млксг dt= 25 А/мкс, J
(tf/or/tyf)Cn = 5 А/мкс, Гп — +125 "С, не более .... 100 мкс j Тепловое Сопротивление переход—корпус, |
не более................................ 0,9 °С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии.................... 400... 1400 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии.................. 1,12t^c,n
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии............................... O,7t4c.n
Постоянное напряжение в закрытом СОСТОЯНИИ.................................
Повторяющееся импульсное обратное напряжение.................*.............
^повторяющееся импульсное обратное напряжение......•.••......................
рабочее импульсное обратное напряжение....
Постоянное обратное напряжение............
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при U3Z и = О,67£/ЗС(П, я = „,7-п = +125"С........................
Средний ток в открытом состоянии при Г= 50 Гц, р = 180", 4 = +85 *С........
Ударный не повторяющийся ток в открытом СОСТОЯНИИ При (?ОБР = Of 4| = 10 мс.
Тп = +125 °C..............................
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при и = ^/зс, п» /ог и = 2/Ос ср макс. 1 Гц, d!y/dt= 2 А/мкс, fy = 20 мкс, Гп = +125 СС.................
Температура перехода......................
Температура корпуса.......................
0.5
400... 1И00 В
1.12^БР(П
0,7t/O5Pn
0,5С/ОБР п
50,..
1000 В/мкс
16 А
600 А
100 А/мкс +125°C -60...+85 °C
МТ2-25
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес-^ корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных тиристоров р-п-р-п. Предназначены для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе.
Масса не более 150 г.
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом со-оянии при /ос и 3,14/ОС ср мд= 1® мс,
у ГI - -ОС. ЬГ ’Г1 - -F
п +25 С, не более........................... 1,4 В
пирающее постоянное напряжение управ-
ления при изе = 12 в, Тп = +25 вС, Voi — 0,1 А, не более........................ 3,5 В
МТ2-25
Повторяющийся импульсный ток в закрытом
состоянии при йзс и — £/3с. п> Ry ~ °°>
Тп = +125 °C, не более.'................... 5 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток
ПРИ МзБР, И ~ ^4бр. п> Ry ~ ™> ?п = Т" 125 С, не более................................... 5 мА
Отпирающий постоянный ток управления
при 1/зс — 12 В, Гп = +25 С, не более...... 100 мА
Время включения при и = 300 В,
4с. и ж 4с. СР, МАКС» 4 пр. и “ 4 А,
dly/dt= 5 А/мкс, <У/0С/<#= 25 А/мкс, /у = 10 мкс, Гп = +25 °C, не более......... 10 мкс
Время выключения при U3C> и = 0,67 (7ЗСП, dUv_/dt — {dU3C/dt)wpt ^4бр, и = В, 4с, и = 4с ср, макс» <ЛосЛ#~ 25 А/мкс,
(^4с/<#)сп ~ 5 А/мкс, Гп - +125 X, не более .... 100 мкс Тепловое сопротивление переход—корпус,
не более................................... 0,6 еС/Вт
Предельные эксплуатационные данные
теряющееся импульсное напряжение
-,,Лмтом состоянии..................... 400... 1400 В
А ЗСМ'Г--
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии.................... 1,12(/с.п
рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................ 0,704с ,п
Постоянное напряжение в закрытом
состоянии................................ 0,5
Повторяющееся импульсное обратное напряжение............................... 400... 1400 В
Неповторяющееся импульсное обратное
напряжение............................. 1,12€4бр.п
Рабочее импульсное обратное напряжение... 0,7£4БР п
Постоянное обратное напряжение........... 0,5£4бр.п
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при U3C и = 0,67£/зсгь
^ = оо, ГП^ + 125°С...................... 50...
1000 В/мкс
Средний ток в открытом состоянии при Г=50 Гц, |3 = 180°, Тк = +85 =С...... 25 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при £/Обр = 0, <и = Ю Мс»
ТП = +125°С.............................. 800 А
Критическая скорость нарастания тока в от-
крытом состоянии при Ции = t4c, п»
4с,и ~ ,ср,макс» 1 Гц, dk^/dt- 2 А/мкс,
/у = 20 мкс, Тп — +125 °C................ 100 А/мкс
Температура перехода..................... +125 СС
Температура корпуса...................... —60...+85 °C
МТТ-40
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес-норпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных тиристоров р-п-р-п. Предназначены для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 00 Гц преобразователей электроэнергии. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе.
Масса не более 250 г.
мттло
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии при /ос>и = 3,14/ос.Ср МАКС, /и = 10 мс, Гп = +25 Т, не более .................. 1,45 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при U,.- = 12 В, Гп = +25 °C, /у от = 0,1 А, не более................ 4 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом СОСТОЯНИИ при изси = изс п, Яу == 7"п == +125 X, не более................ 6 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток при f/оБР.И ~ Мэбр П- Я = °°> 4l = +125 С, не более............................... 6 мА
Отпирающий постоянный ток управления при U3C — 12 В, Гп = +2 5 °C, не более. 100 мА
Время включения при U3C>и = 300 В,
И = 4эс, СР, МАКС» 4, ПР, И ” 4 А, dly/dt— 5 А/мкс, dlx/dt= 25 А/мкс, /у = 10 мкс, Гл = +25 °C, не более..... 10 мкс
R емЯ выключения при U3C и — 0,67(/зс п, л/ /dt — (dU3c/dt)^, t/зБр,и “ ЮО В, / и == /ос ср,макс, ^ос/^” 25 А/мкс, {Х/^)СП = Ь А/мкс, Гп= +125 X, не более ........
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более ..............................
100 мкс
0,72 Х/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии...................... 400... 1400 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии...................... 1,12(/зс п
рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................. 0,7 (/зс п
Постоянное напряжение в закрытом состоянии................................. 0,5 (7ЗС п
Повторяющееся импульсное обратное напряжение................................ 400... 1400 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение................................ 1,12(/0БР п
Рабочее импульсное обратное напряжение.... 0,7 (/0БР л
Постоянное обратное напряжение............ 0,5£7ОБРП
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при (7ЗС и — 0,67(/зг п, Яу = оо, 7"П = +125Х......’.........i..... 50...
1000 В/мкс Средний ток в открытом состоянии
при f = 50 Гц, |3 = 180°, Тк = +85 °C..... 40 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом СОСТОЯНИИ при (/0Бр = 0, = 10 мс,
ГП = +125’С............................... 1200 А
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при Цси = Uv п, 4к,и= 2/ос ср МАКГ, 1 Гц, di*/dt = 2 А/мкс, С--20 мкс, 7"п = +125 "С.................. 100 А/мкс
Температура перехода...................... +125 X
Температура корпуса....................... -60...+8 5 °C
МТТ-63
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных тиристоров р-п-р-п. Предназначены для примене
ния в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован ь и yidCTMdULUbuiv] кирпу Lt; и и 14 ев Г Во|БОДо1 ДЛЯ ПОДКЛЮЧЕНИЯ к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе.
Масса не более 150 г.
МП-63
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии при /ог и - 3,14/ос ср МАКС, 4, = 10 мс, Гп — +25 °C, не более.................. 1,55 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при (/зс = 12 В, Гп — +25 °C, /у от = 0,1 А, не более................ 4 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при изс и = изс п, /?у — 7^ = +125 °C, не более................. 6 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток При (/0БР и = П; Тр] — +125 С,
не более............................. 6 мА
п писающей постоянный ток управления
ш у — 12 В, Л, — 4 25 °C, не более.......... 100 мА
Время включения при ~ 300 В, / г и = /ос ср.макс, 4,пр и — ** м,
Ti/dt- 5 А/мкс, d!w/dt= 25 А/мкс, t = Ю мкс, Гп = +25 X, не более............. 10 мкс
Время выключения при £/зс и = 0,67t/v п,
(<^3с/<^)кр» ^ОБР И = В,
Lc и ~ 4* с₽ макс, dbx/dt^ 25 А/мкс, (dlQ(/dt}^\ — 5 А/мкс, Гп = +125 °C, не более .... 100 мкс
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более.................................... 0,44 С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии........................ 400...1400 В
Неповюряющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии........................ 1,12//зсп
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................... 0,7 U3C п
Постоянное напряжение в закрытом состоянии................................... 0,5 С/зс п
Повторяющееся импульсное обратное напряжение.................................. 400... 1400 В
Не повторяющееся импульсное обратное напряжение.................................. 1,12б/0БР п
Рабочее импульсное обратное напряжение...... 0,7//ОБР п
Постоянное обратное напряжение.............. 0,5//ОЬРП
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при U3C и = 0,67Цг л, 7^ = + 125гС.............................................. 50...
1000 В/мкс
Средний ток в открытом состоянии при 50 Гц, 3 = 180", Гк = +85 °C............ 63 А
Ударный не повторяющийся ток в открытом
состоянии при </0БР = 0, = 10 мс, ^п=+125’С................................... 1350 А
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при U3C и = U3C п,
Рс_и ~ 2/ос СР макс, f = 1 Гц, d!y/dt= 2 А/мкс, /у "20 МКС, 7п = +125°с..................... 100 А/мкс
емпература перехода......................... +125 X
’емпература корпуса......................... -60...+85 X
МТТ-80
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных тиристоров р-п-р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Корпус модуЛД4 изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи, Обозначение типономинала приводится иа корпусе.
Масса не более 300 г.
МТТ-80
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом со-
стоянии при /0С1И = 3,14/0с, СР МАКС* /и = 1° мс-Гп = +25 °C, не более.................. 1,55 В
Отпирающее постоянное напряжение управ-
ления при 6/зс — 12 В, Гп = +25 °C, /у. от 0J А, не более.................. 4 В
вторяющийся импульсный ток а закрытом состоянии при £Ас и ~ Цс.п, Я =
т ss +125 ’С, не более.....................
Повторяющийся импульсный обратный ток
I / — бг\С_Ц> Па 7п 125 С*
При Ц)БР. И 0ЬР‘п' у п
не более....*.................
Отпирающий постоянный ток управления при^=12В, Гп =+25 °C, не более............
Время включения при и - 300 В, /пГ И = ^с, ср’МАКС' ПР. И =
dh/dt~ 5 А/мкс, di^/dt~ 25 А/мкс, /у = W мкс, Гп = +25 °C, не более........
Время выключения при ~ 0,67 dUjz/dt ~ (^^Ас/^)кр> ^обр, и ““ 100 В, /ос,ив /ос ср.макс> dlQZ/dt — 25 А/мкс, {dk^/dt^n ~ 5 А/мкс, Тп = +125 “С, не более ....
б мА
6 мА
100 мА
10 мкс
100 мкс
0,36 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус,
не более ..................................
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии......................
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии......................
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии ................................
Постоянное напряжение в закрытом состоянии.................................
Повторяющееся импульсное обратное напряжение................................
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение................................
Рабочее импульсное обратное напряжение....
Постоянное обратное напряжение............
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при £/зс и = 0,6 7 U3Z п, = ГП = +125°С............'..........‘.....
Средний ток в открытом состоянии при f= 50 Гц, Р = 180е, Гк = +85 °C.......
Дарнын неповторяющийся ток в открытом состоянии при и0№ = о, 7Н = 10 мс, Гп = +125ПС.....
400...1400 В
®>7б/зс п
400... 1400 В
1 J2(/Ohl> п 0»7б/ОБРП
0(5 //}БР, П
50...
1000 В/мкс
80 А
1350 А
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при (/зс и — t/3C п,
и = 24x2 ср макс» 1 Гц, d/у/dt = 2 А/мкс, Гу — 20 мкс, /, = + i 25С................
Температура перехода.....................
Температура корпуса......................
ЮО А/мкс + 125 °C —60,..+85 °C
МТТ100, МТТ125
Модули силовые полупроводниковые на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных тиристоров р-п-р-п. Предназначены для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе.
Масса не более 300 г.
MTTW0, МТТ125
3 отд 06
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытомто-При 4х: и “ 3»144>с СР. МАКС» 4» Ю МС»
........................................ь,
МТТ125..................................... 1.25 В
Отпирающее постоянное напряжение управ-ления при Uv = 12 В, не более:
Т. = - 60 "С, 1,о,= 1А..................... 10 В
Гп = +25-СЛт = 0,4А.._..................... 4 В
Неотпирающее постоянное напряжение управления при U3C и == 0,67U3C п, Гп = +125 С, не менее...................................... ®,3 в
Повторяющийся импульсный ток в закрытом СОСТОЯНИИ При и ~ ^ЗС. П» Я уп = +125 °C, неболее......................... 6 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток при t/оБР и ~ ^обр гп Я = °°> 571 = +125 С, не более ..................................... 6 мА
Отпирающий постоянный ток управления при t/jc — 12 В, не более:
Гп = -60 'С................................ 1 А
Гг|=+25°С.................................. 0,4 А
Время включения при i/3C k1 = 100 В, /ос и ~ 4)с ср макс, не более................. 10 мкс
Время выключения при t/3C и = 0,67£/jC dU3C/dt — (dU^ /dt)^p, t^Qp и — 100 В,
и ~~ 4)с,ср макс' ^ - +125 С, не более...».. 100 мкс
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более:
МП 100..................................... 0,3 °C/Вт
МТТ125..................................... 0,16 *С/Вт
Сопротивление изоляции основания модуля, не меиее:
при нормальных условиях.................... 30 МОм
при относительной влажности (95±3)%........ 0,5 МОм
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии.................. 400...1600 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии................. 1,12(4с п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии............................... 0,8 Z/c п
Постоянное напряжение в закрытом
состоянии............................... 0,75Ц, п
Повторяющееся импульсное обратное напряжение.............................. 400.„1600 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение.............................. 1,12£/0БР п
Рабочее импульсное обратное напряжение.. 0,8t/0BP п
Постоянное обратное напряжение.......... 0,75t/ObP п
Максимальное напряжение изоляции основа-
ния модуля.............................. 2500 В
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при Uv и = 0,67U3Q п, /?у = оо, / = + 125 °C.................. 200...
1000 В/мкс Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при f— 50 Гц, |3 = 180°, 7к = +85 X:
МТТ100............................... 100 А
МТТ125............................... 125 А
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при f= 50 Гц, Гк = +85 С:
МТТ100............................... 160 А
МТТ125............................... 200 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при t/0BP = 0, ?и = 10 мс, ГП = +125СС;
МТТЮО................................ 2,8 кА
МТТ125............................... ЗкА
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при t/c и = 4/ЗС|П,
и = 2/ос ср мдкс> — +125 С........... 40 А/мкс
Температура перехода.................... +125 °C
Температура корпуса..................... —60...+85 °C
МТТ160
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диф' фузионных тиристоров р-п-р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой Д° 500 Гц преобразователей электроэнергии. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован 416
в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе.
Масса не более ^50 г
МТТ160
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом со-
стоянии при в ~ 3,144>с ср макс» 4i 1^ мс, ~+25 °C, не более........................ 1,75 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при U3C = 12 В, Гп = +25 “С, Ъ от= 0,4 А, не более.................... 4 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при U3C и = U3C п, /?у = <», 7р == +125 С, не более................... 6 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток при ^обр и « UQ№ п, /?у = «, Гп = +125 'С, Ие более................................. 6 мА
U-1723 417
Отпирающий постоянный ток управления при — 12 В, Тп = +25 X, не более......... 400 мА
Время включения при Uv и — 300 В, 4>С И = 4*С СР МАКС’ 4 пр и — 4 А, dL,/dt = 5 А/мкс, dt{}(/dt= 25 А/мкс, = 10 мкс, Тп = +25 °C, не более........... 10 мкс
Время выключения при £ДС и == О,67О/ЗС п, dUy-/dt = {dU3(~/dt)yj>, t/ойр и — 100 В, и = ^ог ср макс’ dl^c/dt— 25 А/мкс, (c7oc/dT)cn — 5 А/мкс, Тп =+125 X, не более .... 100 мкс Тепловое сопротивление переход—корпус, ие более.................—............ 0,16 Х/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии................ 400...1600 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 1,12ЦС п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................ 0,7£Дсп
Постоянное напряжение в закрытом состоянии................................ 0,5 U3C гг
Повторяющееся импульсное обратное напряжение............................... 400... 1600 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение ............................. 1,12^аБРп
Рабочее импульсное обратное напряжение... 0,7L^bp п
Постоянное обратное напряжение........... 0,5£^БР,,
Критическая скорость нарастания напряжения
в закрытом состоянии при t/K и = 0,67 п, = 7;, = +125 С.......'.............. 200...
1000 В/мкс
Средний ток в открытом состоянии при 50 Гц, Р = 180е, Гк =+85 X............ 160 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при 6/0БР = 0, = 10 мс, 7}, = +125Х............................... 3300 А
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при UiC и = п,
и ” 24>с ср макс’ f 1 Гц, d!y/dt— 2 А/мкс, Гу = 20 мкс, 7Г1 = + 125Х................. 40 А/мкс
Температура перехода...................... +125 С
Температура корпуса....................... —60...+85
4.2. Модули тиристорио-диодные
МТД40
силовой полупроводниковый на основе двух бес-последовательно соединенных кремниевых диф-тиристора р-п-р-п и диода р-п. Предназначен для в цепях постоянного и переменного токов часто-Гц преобразователей электроэнергии. Корпус мо-
пуля" изолировал от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типо-иоминала приводится иа корпусе.
Масса не более 300 г.
Модуль корпусных фузионных применения
МТД40
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом со-
Г ^ос J = ср макс> 4, “ МС>
фП. +25 С, не более...................... 1,45 В
лирающее постоянное напряжение управ-
®нияприУзс=12в, ГП = +25°С, v.OT-0,1 А, не более.................... 4 В
14*
Повторяющийся импульсный ток в закрытом
СОСТОЯНИИ при t/зс и = Хс, ги ~ °°> Гп = +125 X, не более.................... 6 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток при 7/0БР,И = М)БР,П> = Tfl = +125 С, не более................................. 6 мА
Отпирающий постоянный ток управления при U3C — 12 В, Гп = +25 °C, не более.... 100 мА
Время включения при U3C и = 300 В, /оси ~' А>С СР, МАКС> 4. ПР, И = 4 А, dl^/dt — 5 А/мкс, dlfx/dt— 25 А/мкс, ty = 10 мкс, Гп = +25 °C, не более ...... 10 мкс
Время выключения при U3Q и = 0,67 U3C п, (Шзс/dt — (dU3C/dt)KP, Хбр.и Ю0 4с,И = /or.CP.MAKC» %с/dt= 25 А/мкс, (<#ос/<#)сп = 5 А/мкс, гп — +125 °C, не более .. . 100 мкс Тепловое сопротивление переход—корпус, не более................................. 0,72 Х/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии .................... 400...1400 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии.................... 1,127/^^
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................ 0,77/зсп
Постоянное напряжение в закрытом состоянии................................ 0,57/с п
Повторяющееся импульсное обратное напряжение............................... 400...1400 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение........................... 1,127/Обр.п
Рабочее импульсное обратное напряжение... 0,7Хбр,п
Постоянное обратное напряжение........... 0,57/ОБР п
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при 7/зс и = О,677/Зс п,
X--, ГП = +125"С........................ 50...
1000 В/мкс
Средний ток в открытом состоянии при f= 50 Гц, р = 180°, = +85 X.......... 40 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом
состоянии при 7/О6Р = 0, = 10 мс, ГП = +125'С.............................. 1000 А
Критическая скорость нарастания тока в отбытом состоянии при изс и = U3(. п, /. , = 2/ос,ср.мако Г= 1 Гц, d!y/dt= 2 А/мкс, ft 20 мкс, Г = +125Х...........................
Температура перехода...........................
Температура корпуса............................
100 А/мкс + 125 С
—60...+85 °C
МТД63
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных тиристора р-п-р-я и диода р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цели. Обозначение типо-номинала приводится на корпусе.
Масса не более 300 г.
мшз
------о/
/О—оД И °ОЗ
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии при Ас и = 3,14Ас,ср мдко А Ю мс, Tjj = ! 25 °C, не бмлее................. 1,55 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при = 12 В, 7j| = +25 X, 4 от - 1 А, не более.................... 4 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом СОСТОЯНИИ При (/,( и = Uv п, Я = оо, 7^ =+125 X, не более.................... 6 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток при и = ^пьр п. = +125 С,
не более................................ 6 мА
Отпирающий постоянный ток управления
при t/ц =12 В, Ti} = +25 С, не более.... 100 мА
Время включения при </зг>и = 300 В,
и ~ А. ср макс 7У пр, г ~4А, d^/dt = 5 А/мкс, Р70С/а?= 25 А/мкс, t, = 10 мкс, Т’п = +25 X, не более...... 10 мкс
Время выключения при Щг и = О,67£АГ п, ^fAr/ dt = (d(J3C/dt)KP, £Абр,и = 100 В, A«* И = 4x- ГР МАКС- ^Ас/^= 25 А/мкс, (с/А< /dt).-n — 5 А/мкс, Тп = +125 С, не более .... 100 мкс Тепловое сопротивление переход—корпус, не более................................ 0,4 °С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии.................... 400...1400 В
Неловторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии.................... 1,12 £Дс п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии............................... 0,7п
Постоянное напряжение в закрытом состоянии............................... 0,5£/зс п
Повторяющееся импульсное обратное
напряжение.............................. 400... 1400 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение............................ 1,12£Абр.п
Рабочее импульсное обратное напряжение.. О^Мзбр.п
Постоянное обратное напряжение.......... 0,5t/O5P.n
итическая скорость нарастания напряжения чакоытом состоянии при изс,и = 0,67£4- п,
£Лгл-+125Х.....................
Гг^ПНИЙ ток в открытом состоянии ^Т= 50 Гц, 0=180“, Гк =+85 X...........
ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при i/OfoP — 0, = 10 мс,
7^+125 °C..............................
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при Цс и = (Дс п. /пг и — 2/ог ср макс» Г= 1 Гц, dly/dt~ 2 А/мкс, ® 20 мкс, Гп = +125 °C.................
Температура перехода...................
Температура корпуса....................
50...
1000 В хмкс
63 А
1200 А
100 А/мкс
+ 125 °C
—60...+85 X
МТД80
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных тиристора р-п-р-п и диода р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Корпус модуля изолировагн от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типо-номинала приводится на корпусе.
Масса не более 300 г.
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом со-
стоянии при и ~ 3,144>е, ср, макс» ti = Ю мс>-
Гл = +25 X, не более .................... 1,5 В
Отпирающее постоянное напряжение управ-
ления при = 12 В, 7п ~ +25 X, от = 0,1 А, не более..................... 4 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом
состоянии при и^н= ш Ry =
дп —+125 X, не более...................... 6 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток
пРи Чбр.и = t/0BP п, /?у = оо, тп = +125 X, ие более.................................. 6 мА
I-----------------07
I J —1 ot?
IX -------------------*3
Отпирающий постоянный ток управления при U3C = 12 В, Гп = +25 °C, не более.... 100 мА
Время включения при U3C и = 300 В,
41С И = £ic, СР, МАКС» 4 ПР, И = А,
diy/dt= 5 А/мкс, diQC/dt= 25 А/мкс, = 10 мкс, Гп “ +25 ’С, не более.......... 10 мкс
Время выключения при £/зс>и = 0,67 U3C п,
^Цс/dt= (dU3c/<^)кр» ^4)6Р, и = ^00
И ~~ 4зс, СР, МАКС» %г/^— 25 А/мкс,
(diQc/dt^n ~ 5 А/мкс, Тп = +125 °C, не более .... 100 мкс Тепловое сопротивление переход—корпус,
не более................................. 0,36 °С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 400... 1400 В
Неповторяющееся импульсное напряжение
в закрытом состоянии................... 1,12(^с.п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................ 0,7Цс,п
Постоянное напряжение в закрытом состоянии................................. °’5Уэс,п
поягоояющееся импульсное обратное
напряжение................................ 40U...14UO В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение................................ 1,12С/0БР п
рабочее импульсное обратное напряжение.... 0,7 £/0БР п
Постоянное обратное напряжение............ 0,5Л/ОБР п
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при t/3C и = 0,67 п, я = 7"П = + 125°С...................... 50...
1000 В/мкс
Средний ток в открытом состоянии при/= 50 Гц, р= 180°, ГК = +85°С.......... 80 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии При £/06р = 0, й = 10 мс, т-+125 °C................................. 1350 А
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при ц = р, /<х и = 2/ос ср Нако 1 Гц, сНу/dt — 2 А/мкс, ^ = 20 мкс, 4) = +125 °C.................. 100 А/мкс
TeMnepaiypa перехода...................... +125 °C
Температура корпуса....................... —60...+85 °C
МТД100, МТД125
Модули силовые полупроводниковые на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных тиристора p-n-p-п и диода р-п. Предназначены для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе.
Масса не более 300 г.
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом со-
ПРИ = 3,14(х:гср.мак<.> 4i = Ю мс>
не Сюлее:
МТД100................................... 1,75 В
МТД125 .................................. 1,25 В
МТДЮО, МТД125
О/
/О
Отпирающее постоянное напряжение управления при £/зс — 12 В, не более:
Гп --60 С,/у 01 = 1А................. 10 В
Гп = +25оС,4’О| = 0,4А................ 4 В
Неотпирающее постоянное напряжение управления при Уки = 0,67 п, Гп = +125С, не менее................................ 0,3 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при </,* и = /?у = ОО,
4) ~ +125 С, не более..................... 6 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток
При i/lBP И ^OLP. П> = Г1 +125 С, не более.................................. 6 мА
Отпирающий постоянный ток управления
при = 12 В, не более: ГП = -6О Х ............................... 1 А
Гп = +25 °C......................... 0,4 А
Время включения при Цс и = 100 В, /ос, и= 4)с ср, makcj не более........... 10 мкс
йоемя выключения при U3C и - O,67t/3C п, /у//,г/Р^ = ИАсМр» ^4>БР и = 100 В,
г и — foe ср, макс» Л1— +125 С, не более.
Епловое сопротивление переход—корпус, L более:
г мтдюо..................................
МТД125................................
Сопротивление изоляции основания модуля, не менее:
при нормальных условиях...............
при относительной влажности (95±3)% .
100 мкс
0,3 °С/Вт
0,16 С/Вт
30 МОм
0,5 МОм
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии.................... 400... 1600 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии.................... 1,12/Л. п
рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии............................... 0.8 п
Постоянное напряжение в закрытом состоянии............................... 0,75 U,. п
Повторяющееся импульсное обратное напряжение.............................. 400...1600 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение............................... 1.126^^
Рабочее импульсное обратное напряжение.. 0,8£/ОЬР п
Постоянное обратное напряжение.......... 0,75£/-,ЬР п
Максимальное напряжение изоляции основания модуля.............................. 2500 В
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при и = 0,67 п, ГП = +125Т.............................. 200...
1000 В/мкс
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при f = 50 Гц, В — 1&0и, К = +85 С:
МТД100 .............................. 100 А
МТД125 .............................. 125 А
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при f= 50 Гц, гк = +85 X: МТДЮО................................... 160 А
МТД125 .............................. 200 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при £/оер = 0, = 10 мс,
Гп —4-125 °C:
МТД100.................... .. .......
МТД125................................
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при Цг и ® £/зг п,
4)с, и = 2/ог ср. мако 7"п = 4-125 еС....
Температура перехода.....................
Температура корпуса......................
2,8 кА
3 кА
40 А/мкс + 125 *С
-60...+85 °C
МТД160
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных тиристора р-п-р-п и диода р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе.
Масса не более 350 г.
мтдш
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом со-^оянии при /ос,и ~ 3,14()С ср MAKC, Ли == 10 мс, • ss+25 °C, не более ......................
Опирающее постоянное напряжение управ-ения при = 12 В, 7"п +25 С, ! от ~ не более............................
|0ВТОрЯЮЩИЙСЯ импульсный ток в закрытом СОСТОЯНИИ При (/зг и = п, /?у = DO, jr = +125 °C, не более.....................
Повторяющийся импульсный обратный ток при M)SP| и= ^овр, ги Яу = 7"п = +125 С,
не более ..................................
Отпирающий постоянный ток управления при (4с ~ 12 В, 7"п = +25 °C, не более.....
Время включения при Цс и = 300 В, /ос, и “ /°^.ср,маки V пр, и = diy/dt- 5 А/мкс, di^/dt— 25 А/мкс, — 10 мкс, Гп — +25 °C, не более............
Время выключения при £/ЗС|И = 0,67Цс п, dU<c/di= [dU^c/dt)KP, и = 100 В,
/ос, и ~ ^с,ср,мдкс» d^/dt 25 А/мкс, (d/oc/dOcn ~ 5 А/мкс, 7"п — +125 °C, не более .... Тепловое сопротивление переход—корпус, не более ..................................
1,75 В
4 б
6 мА
6 мА
400 мА
10 мкс
100 мкс
0,16 °C /Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии.................... 400... 1600 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии.................... 1,126^(- п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом
Состоянии............................... 0,7Цс.п
Постоянное напряжение в закрытом состоянии............................... 0,54/зс<п
Повторяющееся импульсное обратное напряжение.............................. 400... 1600 В
Не повторяющееся импульсное обратное напряжение.............................. 1,12£/0БР п
Рабочее импульсное обратное напряжение.. 0t7t/OBP п
Постоянное обратное напряжение.......... 0,5//ОВР|]
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при U3C м = 0,67 U3C п, /?у = оо, ГП = +125ОС...................... 200...
1000 В/мкс
Средний ток в открытом состоянии при f= 50 Гц, (J = 180°, Гк = +85 °C....... Т60 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом со-
стоянии при £/обр = 0, 4| ~ 10 мс, Тп = +125 °C.... 3300 А
Критическая скорость нарастания тока в от-
крытом состоянии при U3C и = п,
4>с и гр макс» 1 Гц, dly/dt 2 А/мкс, — 20 мкс, Гп = +125 °C..................... 40 А/мкс
Температура перехода....................... +125 °C
Температура корпуса........................ —60...+85Х
4.3. Модули диодно-тиристорные
МДТ2-Т0
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных диода р-п и тиристора р-п-р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типо-номинала приводится на корпусе.
Масса не более 200 г.
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии при /ос и = 3,14^1С ср МАКС, = 10 мс, Тц — +25 С, не более.................. 1,4 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при = 12 В, Гп = +25 еС,
4 от= А, не более..................... 3,5 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при £/зс и = U,.- п, Ry ~ <*>, 7J] = +125 °C, не более....-.......... 5 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток При ЦэБР И = М)БР П> =<ао, +125 CF
не более.............................— 5 мА
;о—1|>} оД
VD1 VD2
Отпирающий постоянный ток управления при UJC = 12 В, Гп = +25 С, не более........ 100 мА
Время включения при Цс и = 300 В, Ас и = Ас ср мдкс > 4 ПР и “ А,
5 А/мкс, (/4)С/а£= 25 А/мкс, 4 — 10 мкс, 7"п = +25 °C, не более........... 10 мкс
Время выключения при £Дс и Ог674Ас п, ^Ас/dt — [dU#-/dt}^>, й = 100 В,
Ac и — Ac CP makc> d’Ac/dt— 25 А/мкс, Мс/^)сп = 5А/мкс, Tn = + 125°C, не более.................................... 100 мкс
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более.................................... 1,5 С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение
в закрытом состоянии..................... 400... 1400 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии...................... п
Рабочее импульсное напряжение -в закрытом состоянии................................. 0,7ЦГ п
Постоянное напряжение в закрытом состоянии................................. 0,544- п
Повторяющееся импульсное обратное напряжение................................ 400...1400 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение................................ 1,124/()№ п
Рабочее импульсное обратное напряжение.... 0,744^ п
Постоянное обратное напряжение............ 0,5С/ОБР п
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при 4/эс и = 0,67(/зс п,
= - 7п = + 125ьС....................... 50...
1000 В/мкс
Средний ток в открытом состоянии при f = 50 Гц, (J = 180\ Гк = +85 °C...... 10 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом со-
стоянии при 4/О6Р = 0, 4 ~ 10 мс, 4 — +125 СС.... 300 А Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при и — п, 4с и 2/ос {р г»дКС, f — 1 Гц, oVy/dt='l А/мкс, ty ~ 20 мкс, 7J] = +125 °C................ 100 А/мкс
Температура перехода...................... +125 °C
Температура корпуса....................... —60...+85 °C
МДТ2-16
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных диода р-п и тиристора р-п-р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе.
Масса не более 200 г.
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии при 4с и 3,144с СР МАКС» 4 ~ W мс» Гп = +25 С, не более................. 1,4 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при Цс = 12 В, Гп = +25 °C,
4 от = 1 А, не более................. 3,5 В
80
-°7
VD1 VD2
Повторяющийся импульсный ток в закрытом
СОСТОЯНИИ при £^с>и = t/зс, л- =со>
7"п = +125 С, не более.................... 5 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток
при У06Р и — У0БР п, /?у =
Гп = +125 “С, не более.................... 5 мА
Отпирающий постоянный ток управления
при Узе — 12 В, Гп = +25 °C, не более..... 100 мА
Время включения при Узс и = 300 В,
и = 4>с ГР МАКС- 4 ПР и = А,
dt^/dt— 5 А/мкс, d!w/dt— 25 А/мкс, Ту = 10 мкс, Гп = +25 СС, не более........ 10 мкс
Время выключения при Узг и = 0,67 Узс>п,
dU^/dt = {dUv/dt)KP, и — 100 В,
= (ic,cp макс- <%с/dt= 25 А/мкс,
(dfcr/fifr)cn ~ 5 А/мкс, 7"п = + 125 “С, не более .... 100 мкс Тепловое сопротивление переход—корпус,
не более.................................. 0,9 °С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии............... 400... 1400 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии...................... 1,12£/с п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии...................... 0.7(Ас п
Постоянное напряжение в закрытом состоянии................................. 0,5U3Q п
Повторяющееся импульсное обратное напряжение................................ 400...1400 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение................................ 1,126^ п
Рабочее импульсное обратное напряжение.... 0,7 (/0БР п
Постоянное обратное напряжение............ 0,56^ п
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии яри и = 0»’67£7зс‘1ь
Я = ->, ГП =+125’С........................ 50...
1000 В/мкс
Средний ток в открытом состоянии при f= 50 Гц, 0 = 180е, Тк =+85 °C........ 16 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом со-
стоянии при (/0БР — 0, 4| = 10 мс, Тп — +125 °C.... 600 А Критическая скорость нарастания тока в от-
крытом состоянии при £4с и = t/3C q,
(к и == 2/ос гр maku 1 Гц, diy/dt= 2 А/мкс, ty = 20 мкс, Г, = +125 °C................. 100 А/мкс
Температура перехода...................... +125 °C
Температура корпуса....................... —60...+85 “С i
МДТ2-25
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных диода р~п и тиристора р-п-р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе.
Масса не более 250 г.
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии при 4)С и = 3,14/ос ср „дкс, =10 мс, Гп = +25 °C, не более............... 1,4 В
<7
об оЗ
/о-
VD1
Отпирающее постоянное напряжение управления при U3C = 12 В, Гп — +25 °C,
4 от = 0,1 А, не более...................
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при Цс и = U3C п, Ry = <», Тп — +125 °C, не более...................
Повторяющийся импульсный обратный ток При и = МэБР П» Я °°> 7^] — +125 С, не более.................................
Отпирающий постоянный ток управления при Ьзс = 12 В, Тп ~ +25 °C, не более....
Время включения при Uv и = 300 В,
4< И = 4с СР МАКС» 4 пр и = 4 А, dty/dt — 5 А/мкс, d^/dt— 25 А/мкс, ty ~ 10 мкс, Гп = +25 °C, не более.......
Время выключения при (/^си = 0,67Цс п» °^4с/dt — {dU3C/dt}^, = 100 B,
4c и 4c ср макс» di;!-/dt 25 А /мкс, (^4с/^0сп= 5 А/мкс, Гп = + 125 °C, не более ... Тепловое сопротивление переход—корпус, не более.................................
3,5 В
5 мА
5 мА
100 мА
10 мкс
100 мкс
0,6 °С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии.................... 400...1400 В
Неповторяющеегя импульсное напряжение в закрытом состоянии.................... 1,12^- п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии............................... 0,7t/3Cn
Постоянное напряжение в закрытом
СОСТОЯНИИ .............................. 0,5</зс,П
Повторяющееся импульсное обратное напряжение.............................. 400...1400 В
Неяовторяющееся импульсное обратное напряжение.............................. 1, 126{)бр п
Рабочее импульсное обратное напряжение.. 0,7(/ОБР п
Постоянное обратное напряжение.......... 0,5£/о6Р1П
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при U3C и — 0,67t/3C п, /5у = оо> 7^ = +125 °C.................. 50...
1000 В/мкс
Средний ток в открытом состоянии при/= 50 Гц Ji = 180", Тк = +85 "С...... 25 А
Ударный не повторяющийся ток в открытом состоянии при У0БР == 0, Ги — 10 мс, Гп = +125 °C............................ 800 А
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при t/3Ci и — t/3C п, 4к,и ~ 2^>с ср. макс» 1 Гц, ^4/dt— 2 А/мкс, fy — 20 мкс, ГП = +125°С................ 100 А/мкс
Температура перехода.................... +125 ’С
Температура корпуса..................... —60...+85 “С
МДТ40
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных диода р-п и тиристора р-п-р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепн. Обозначение типр-номинала приводится на корпусе.
Масса не более 250 г.
мдш
------07
/о 1 |> —оЯ К| о5
VD1 VD2
Электрические параметры
мпульсное напряжение в открытом со-
ГОЯНИИ При /ос и — 3,144)С СР МАКС> 4l “ 10 мСг =+25 °C, не более............................. 1,45 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при (/зс == 12 В, Гп = +25 °C, Gt “ 0,1 А, не более..................... 4 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при (/к и — (/зс л, /?у = », Гп = +125 °C, не более................... 6 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток при U0№ и = t/o6p п» *у ~ °°> Тп = +125 С, не более................................. 6 мА
Отпирающий постоянный ток управления при (/зс = 12 В, Тп “ +25 °C, не более... 100 мА
Время включения при (/к и = 300 В, Tqc И = /ос, СР, МАКСг /у, ПР, И = d!y/dt= 5 А/мкс, c/ikc/tff= 25 А/мкс, /у = 10 мкс, Гп = +25 °C, не более....... 10 мкс
Время выключения при (J3C и = 0,67 t/3C п,
d^3c/dt — [dU3C/°^)кр> М)бр и 100 В,
и = 4м- ср maw , ^4»с/dt— 25 А/мкс,
(dfnr /dt)^r, ~ 5 А/мкгг 71 = 4-125 &С, не 100 мкс
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более................................... 0,72 ’С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии....................... 400...1400 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии....................... 1,12(/зс л
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии.................................. 0,7 U3C п
Постоянное напряжение в закрытом состоянии.................................. 0,5 U3C п
Повторяющееся импульсное обратное
напряжение ................................ 400... 1400 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение................................. 1, 12<4>6р л
Рабочее импульсное обратное напряжение..... 0,7Ц)СР п
Постоянное обратное напряжение............. 0,56/OhP п
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при и — 0,67^с п, ^ = «, 7^ = 4-12542 ....................... 50..
1000 В/мкс
Средний ток в открытом состоянии
' при f= 50 Гц, £ = 180\ Гк = +85 X......... 40 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом со-
стоянии при С/ОБР = 0, 4, ~ 10 мс, Гп = +125 °C.... 1000 А Критическая скорость нарастания тока
В открытом СОСТОЯНИИ При и = ик п<
и ~ 24у гр мако 1 Гц, dly/dt— 2 А/мкс,
4 = 20мкс, Гп = +125иС..................... 100 А/мкс
Температура перехода....................... +125 °C
Температура корпуса........................ —60...+85 °C
МДТ63
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных диода р-п и тиристора р-п-р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Корпус мо-438
дуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типе-номинала приводится па корпусе.
Масса не более 250 г.
Электрические параметры
[мпульсное напряжение в открытом состоянии при Iqq и = 144к ср макс’ = Ю МС’
7^1 = +25 ‘С, не более.................. 1,55 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при U3C ~ 12 В, Гп — +25 “С, 4 ог = 0,1 А, не более.................. 4 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при U3C и = 64с П> =
ГГ1 = +125 °C, не более................. б мА
Повторяющийся импульсный обратный ток при 6/0БР и = 6/0БР n, Ry — со, Гп = +125 С, не более................................ 6 мА
Отпирающий постоянный ток управления
при 64с - 12 В, Тп = +25 °C, не более.... 100 мА
Время включения при 7/зс и = 300 В, 4с, и = 4с, ср, макс, 4, пр.и = 4 А, dl7/dt~ 5 А/мкс, dt0<z/dt— 25 А/мкс, д, = 10 мкс, Гп = +25 °C, не более...... 10 мкс
Время выключения при 7/зс и = 0,677/зс п, dU-зс/dt (dU3C/dt)KP, 7/0БР и = 1GG В, 4c, и ““ 4c ср, макс» &kx./dt— 25 А/мкс, (dfoc/dt)cn = 5 А/мкс, Tn = + 125 ’С, не более .... 100 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное иапряжеиие в закрытом состоянии.................... 400...1400 В
Неловторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии.................... 1,12(7^ п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии............................... 0,774с п
Постоянное напряжение в закрытом состоянии............................... 0,5 Цсп
Повторяющееся импульсное обратное напряжение.............................. 400...1400 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение............................. 1,1274№J1
Рабочее импульсное обратное напряжение.. 0,774бр.п
Постоянное обратное напряжение.......... 0,57/^^
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при 7/зс и = 0,67 7/зс п, /?у^оо, ГП = +125’С.......’........:.... 50...
1000 В/мкс
Средний ток в открытом состоянии при /= 50 Гц, р = 180°, Гк = +85 “С..... 63 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при Цжр = 0, 4 = 10 мс, 7"п = +125 вС.... 1200 А Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при 7/зс и = 77зс п, 4с. и = 24с.ср.макс» 1 Гц, dkf/dt— 2 А/мкс, (
4 = 20 мкс, — +125 °C................... 100 А/мкс
Температура перехода.................... +125 С
Температура корпуса..................... —60...+85 °C
МДТ80
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных диода р-п и тиристора р-п-р-п. Предназначен для
применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей- Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе.
Масса не более 300 г.
НДТ80
°7
Г т —°*
;о I [>|--о/1— ----о5
VD1 VD2
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии при /ос и = 3,14/ОС Ср мдкс, = 10 мс, Гп = +25 СС, не более................... 1,5 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при U3Z = 12 В, Тп = +25 вС, 4 от ~ 1 А, не более...................... 4 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при Цс и ~ Цс.п> Л’у = °°>
= +125 °C, не более..................... b мА
Повторяющийся импульсный обратный ток при Ц)бр,и~ Цзбр.л' Ry —ж, Тп — +125 С, не более.................................. 6 мА
Отпирающий постоянный ток управления при i/jc = ^2 Тп = +25 X, не более...... W0 мА
Время включения при (J# и = 300 В,
dl,/dt=5 А/мкс* *dC/dt= 25 А/мкс, fv = 10 мкс, Тп — +25 °C, не более....... 10 мкс
Время выключения при U3C и = 0,677/зг п, сУ£Ас/dt — {dU3Z/df}^, ^обр, и ~ Ю0 В, 4к- и ~ 4)с, ср.макг’ %с/25 А/мкс, (e//or/d/)cn = 5 А/мкс, ГП = +125'С, не более................................. 100 мкс
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более................................. 0,36 °С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 400... 1400 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 1,12^ п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................
Постоянное напряжение в закрытом состоянии................................ 0,5 п
Повторяющееся импульсное обратное напряжение............................... 400... 1400 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение............................. lJ2£/0E)Pn
Рабочее импульсное обратное напряжение... 0,76^. л
Постоянное обратное напряжение........... 0,5£/ОЁР л
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при U3C и — 0,67 t/3c п, /<V = oo, Гп = +125’С.................... 50...
1000 В/мкс Средний ток в открытом состоянии
при f= 50 Гц, |J = 180°, Гк = +85 С...... 80 А
Ударный неловторяющийся ток в открытом состоянии при UDEfi = 0, Ти = 10 мс, ГП = +125Х............................... 1350 А
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при U3C и = U3C п, tic и = 2/ос Ср нд«с> 1 Гц, di,/dt— 2 А/мкс,
4 = 20 мкс, Гп —+ 125 X.................. 100 А/мкс .
Температура перехода..................... +125 °C
Температура корпуса...................... —60...+85 X
мдтюо
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных диода р-п и тиристора р-(1-р-н. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе.
Масса не более 350 г.
МДТЮО
VD1 VD2
Электрические параметры
импульсное напряжение в открытом со-
стоянии при /0С1И ~ 3,14/ос.СР МАКС» = 10 мс, '7^ = +25 °C, не более ....................... 1,75 В
^Отпирающее постоянное напряжение управ-
ления при U3C = 12 В, 7J) = +25 СС, Ч, от ~ 0,4 А» не более........................ 4 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при U]C и = Uy; п, Ry == <*>, Гп = +125 °C, не более................. 6 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток при 14)бр и М)бр п» Я ~ Т’п = +125 С, не более............................... 6 мА
Отпирающий постоянный ток управления при Цс = 12 В, Гп = +25 ’С, не более... 400 мА
Время включения при 44с и = 300 В, (зс И = 4>с СР МАКС. 4 ПР И 28 4 А, dly/dt— 5 Л/мкс, d!az/dt~ 25 А/мкс, /у = 10 мкс, 7J, = +25 °C, не более.... 10 мкс
Время выключения при 44с и = 0,67 U:iC п, <ЯАс/= ((Л4с/^(збр и = В, (зс И = СР МАКС, ^(зс/25 А/мкс, (4//ос/^)сп = 5А/мкс ГП = + 125ОС, не более............................... 100 мкс
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более............................... 0,3 ’С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии................... 400...1600 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии................... 1,1244с п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии.............................. 0,74/сп
Постоянное напряжение в закрытом состоянии.............................. 0,544с п
Повторяющееся импульсное обратное напряжение............................. 400.„1600 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение............................. 1,1244Бр п
Рабочее импульсное обратное напряжение. О,74/ьг „
Постоянное обратное напряжение......... 0,54/ОЕ,Р п
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при U3Z и = 0,61U.C п, /?у = со, ГП = + 125°С................. 200...
1000 В/мкс Средний ток в открытом состоянии при 50 Гц, р— 180’, Гк = +85 °C........ 100 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом СОСТОЯНИИ При f/овр = О, /и — 10 мс, ГП = +125‘С...............................
Критическая скорость нараскяпия ТмКа в открытом состоянии при U3C и = (/зс п, Ас и “ ср макс» 1 Гц, tf^/dt~ 2 А/мкс, fv = 20 мкс, Гп =+125 °C..................
Температура перехода......................
Температура корпуса.......................
2800 А
40 А/мкс
+ 125 °C
-60...+85 °C
МДТ125
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных диода р-п и тиристора р-п-р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе.
Масса не более 350 г.
МДТ125
Ю1 VD2
Электрические игранетрь»
Импульсное напряжение в открытом состоянии При Ас И = 3,14 Ас ср МАКС* 41 = Ю МС, /п = +25 "С, не более.................... 5,25 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при (Ас = 12 В, 7J] = +25 ’С, 4 от = 0*4 А, не более................... 4 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при ц ~ Цс л* Яу 00 л ^ — +125 °C, не более.................... 6 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток при (Абр и ~ (Абр п> Лу = ?п = 125 С, не более................................. 6 мА
Отпирающий постоянный ток управления при (J3C ~ 12 В, 7"п = +2 5 “С, не более. 400 мА
Время включения при Цс и “ 300 В, Ас И = Ас СР МАКС* 4 ПР W ~ 4 А, dl</dt= 5 А/мкс, d^/dt— 25 А/мкс, ty = 10 мкс, Гп = +25 °C, не более....... 10 мкс
Время выключения при (/зс и = 0,67(/зс п, dU^c/dt {dU^/dt)^» (Абр и = 100 В, Ас и = Ас ср макс। dff^/dt~ 25 А/мкс, (d/oc/dt)cn ~ 5 А/мкс, Гп = +125 “С, не более.................................. 100 мкс
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более................................. 0,16 °С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 400,,.1600 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 1,12(Ас п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................ 0,7(Ас п
Постоянное напряжение в закрытом состоянии................................ 0,5(Ас п
Повторяющееся импульсное обратное
напряжение............................... 400...1600 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение.....................-......... 1,12(Абрп
Рабочее импульсное обратное напряжение... 0,7 (Абр п
Постоянное обратное напряжение........... 0,5 (Аы> п
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при (/зс И — 0,67(/зс п,
/?* = «, ГП = + 125Х...................... 200...
W00 В/мкс
Средний ток в открытом состоянии при 50 Гц, р = 180°, / = +85 °C........... 125 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при (70ЬР — 0, = 10 мс,
ГП = +125’С............................... ЗОООА
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при (/к и = UiC п, Zk и ” 2 Ас ср макс» 1 Гц, d^/dt~ 2 А/мкс,
= 20 мкс, Гп “ +125 °C.................. 40 А/мкс
Температура перехода...................... +125 °C
Температура корпуса....................... —60...+85 °C
МДТ160
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных Диода р-п и тиристора р-п-р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение .типономинала приводится на корпусе.
Масса не более 350 г.
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом со-
стоянии при /ос и = 3,144к ср макс» /и = Ю мс, Гп = +25 °C, не более.................... 1,75 В
Отпирающее постоянное напряжение управ-
ления при = 12 В, 7“п = +25 X, 4 от= 0,4 А, не более.................... 4 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом
состоянии при U3C и = U3C л, /?у = со, =+125 X, не более......................... 6 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток
при £/0БР и — UQbP п, /?у ~ со, Тц — +125 С, не более................................. 6 мА
МДТ160
Отпирающий постоянный ток управления
при — 12 В, Гп = +25 °C, не более............. 400 мА
Время включения при Z/c. и = 300 В,
foe И = 4с СР МАКС» 4 ПР И = 4 А,
dly/dt— 5 А/мкс, dloc/dt= 25 А/мкс, ty — 10 мкс, Гп = +25 °C, не более............. 10 мкс
Время выключения прн и ~ 0,67 (7ЗГ п, dU3r/dt= (dl^/dt)^ (/ОБР и = 100 В, ’ 4х и “ 4с. ср. макс» dhe/dt—25 А/мкс, (d/0C/dt)Cn ~ 5 А/мкс, Тп = + 125 аС,
не более............................... 100 мкс
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более............................... 0,16 “С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии................... 400... 1600 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии................... 1,12t/3c n
рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии.................................
Постоянное напряжение в закрытом состоянии...................
Повторяющееся импульсное обратное напряжение................................
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение................................
рабочее импульсное обратное напряжение....
Постоянное обратное напряжение............
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при и — 0,67 (/згп, /?у —7n = +125°C..........................
Средний ток в открытом состоянии при / = 50 Гц, £ = 180“, Гк = +85 °C......
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при {/0БР = 0, /и = 10 мс, Гп = +125 °C..............................
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при и п, и = ср макс» 1 Ч» *^4/dt ~ 2 А/мкс,
I, = 20 мкс, 7^ = +125 °C.................
Температура перехода .....................
Температура корпуса.......................
7 U3C п
0.5(Ас ~
400...1600 В
Т п 0>7 п 0,5£/пбр п
200...
1000 В/мкс
160 А
3300 А
40 А/мкс
+ 125 Т
-60...+85 °C
4.4. Модули оптотиристорные
МТО2-Ю
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров р-п~р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе.
Масса не более 250 г.
MT02-W
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии при /ос И = 3,14/ос,Ср МАКС- /и “ to МС, Тп — +25 X, не более.................. 1,4 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при U3Q = 12 В, Тп = +25 X, 4 от = 88 мА, не более................ 2,5 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при Uv и — Uv п, /?у = <*>, Тп ~ +110 X, не более.................. 5 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток при и ~ п, /?у — °0, 7^] = +110 С, не более............................... 5 мА
Отпирающий постоянный ток управления при fAr = 12 В, А, — +25 X, не более... 88 мА
Время включения при £Л, и = 300 В, Ас и СР, МАКС- 4 ПР и — 4 А, dly/dt~ 5 А/мкс, dlr(/dt— 25 А/мкс, А = 10 мкс, Гп = +25 X, не более....... 10 мкс
Время выключения при U3C и « 0,67 (7ЗС п,
<ЛАс/(^зс/^Окр» ^обр и = 100 В,
Аг и = 4с ср макс» ^4с/25 А/мкс, (стАс/^Осп = 5 А/мкс, Гп = +110 иС, ие более ............................... 100 мкс
Общая емкость, не более................. 20 пФ
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более................................ 1,5 С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии.................... 400... 1200 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии........................... п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии............................... 0,7 U* п
Постоянное напряжение в закрытом состоянии............................... 0,5L/3C п
Повторяющееся импульсное обратное напряжение.............................. 400...1200 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение............................. 1,12Ц,БРП
Рабочее импульсное обратное напряжение.. 0,7 W . - п
Постоянное обратное напряжение.......... 0,5Ц:,БР п
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при (Аг и = 0,67£Аг п.
R^ — ^, Гл = +110 X..................... 20...100 В/мкс
Средний ток в открытом состоянии при 50 Гц, Р = 180е, Гк = +70 X......... 10 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при (/0БР = 0, Ги — 10 мс, Гп = +110Х.............................. 300 А
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при и = £/к п, Ас*и 2/ог ср мдкс, f 1 Гц, d/y/2 А/мкс, — 20 мкс, 7^ = +110 “С........,......... 100 А/мкс
Температура перехода.................... +110 С
Температура корпуса..................... —60...+70 °C
МТО2-16
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диф 15*
фузионных оптотиристоров р-п-р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе.
Масса не более 250 г.
МТ02-16
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии при и = 3,14^.ср МдкС, Ги - 10 мс,
Гп ~ +25 °C, не более.................. 1,45 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при U3C = 12 В, Гп = +25 °C,
от = 88 мА, не более.................. 2,5 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом СОСТОЯНИИ При изс и = 6/зс, п, /?у = оо,
Гп = +110 °C, не более.................. 5 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток При tVO6p и = t/эьр, П> Яу = Гп h 110 С,
не более.................................... 5 мА
VJ 111 и раЮщи и постоянный ТОК уПрыиЛСПИЯ при U3Q - 12 В, Тп = +25 °C, не более....... 88 мА
Время включения при U2C и = 300 В,
Ас И = Ас СР МАКС’ 4. ПР И = А> diy/dt — 5 А/мкс, di^/dt — 25 А/мкс, fy = 10 мкс, Тп — +25 °C, не более.......... 10 мкс
Время выключения при (7ЗС и ~ 0,67 (У-г dU3^/dt= (dUjt/dt)wt ^обр.и ~~ В, Ac и ~ Ac.cp.makc» d'Ac/25 А/мкс, (dAc/cfr)cn = 5 А/мкс, Tn = +110 ‘C,
не более.................................. 100 мкс
Общая емкость, не более................... 20 пФ
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более.................................. 0,9 С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии...................... 400... 1200 В
Неловторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии...................... 1,12(Л. п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................. 0,7tAcn
Постоянное напряжение в закрытом состоянии................................. 0,5 (Ас п
Повторяющееся импульсное обратное напряжение................................ 400...1200 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение.............................. 1,12(/ОБРП
Рабочее импульсное обратное напряжение.... 0,7(/о6РП
Постоянное обратное напряжение............ 0,56^ п
Критическая скорость нарастания напряжения
в закрытом состоянии при U3C и = 0,67U3C п>
R.= <, 7п = +110°С.................’...... 20...100 В/мкс
средний ток в открытом состоянии при f = 50 Гц, Р = 180°, Гк = +70 °C...... 16 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при Ц)Бр = 0, = 10 мс,
!гп = +110°С.............................. 600 А
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при U-* и = п, fcc и 2/Of ср мдкс, f 1 Гц, (74/2 А/мкс, = 20 мкс. Л, = +110пС........
Температура перехода.......................
Температура корпуса........................
1 (1(1 А /м кг
+ 110 °C
-60...+70 сС .
МТО2-25
, 1
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес* корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров р-п-р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе.
Масса не более 250 г.
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии При И 3,144)С с₽ МАКС> 4f 1® МС.
= +25 *С, не более.........................4 3
Отпирающее постоянное напряжение управления при (/у = 12 В, 7"п = +25 °C,
4 от = 88 мА, не более..................... 2,5 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом
состоянии при и = U3C п> Rv ~ °°> 7[, = +110 "С, не более................... 5 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток
при 0/Обр и — 0/ОБР r!, /?v = оо, Tjr = +110 С, не более................................... 5 мА
Отпирающий постоянный ток управления при U3C = 12 В, Тп = +25 ГС, не более...... 88 мА
Время включения при У# и — 300 В,
^ОС И — 4эс СР МАКС’ 4 ПР И ~ 4 А,
dly/dt — 5 А/мкс, dlaQ/dt = 25 А/мкс, » 10 мкс, Л, = +25 °C, не более............ 10 мкс
Время выключения при t73C и — 0,67 U3r п>
(/£^с/dt= (dU^/dt)кр, 6()бр и ~ 7ос и ~ Ас ср макст ^ос/dt— 25 А/мкс, (^Ас/^)сп = 5 А/мкс, — +110 С, не более................................... 100 мкс
Общая емкость, не более.................... 20 пФ
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более................................... 0,4 ’С/Вг
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии................... 400... 1200 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 1,124Х|С п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии............................... 0,7ЦГГ|
Постоянное напряжение в закрытом состоянии................................ 0,5£/1С п
Повторяющееся импульсное обратное напряжение.............................. 400...1200 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение............................... 1,12 Uq^ п
Рабочее импульсное обратное напряжение................................. 0,7{7ОБРП
Постоянное обратное напряжение............. 0,56/0БР п
Критическая слороств нарастания напряжения в закрытом состоянии при t/x и — 0,67 £/зс п,
Ry = ™, Гп = +110°С.......'..........;..... 20...100 В/мкс
Средний ток в открытом состоянии при f= 50 Гц, Р= 180е, Гк = +70 °C......... 25 А
Ударный неповгоряющийсл ток в открытом состоянии при £/обр = 0, = 10 мс, 7п = +И0вС................................. 800 А
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при U3c и = ^зс п, и = 2/ос ср макс» 1 Гц, dt 2 А/мкс, t4 = 20 мкс, Тц = +110 “С.................. 100 А/мкс
Температура перехода....................... +110 вС
Температура корпуса........................ —60...+70 ’С
МТОТО40
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров р-п-р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной, силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе.
Масса не более 300 г.
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом со-
стоянии при /ос и = 3,14^0, МАКС, Ги « 10 мс, Гп = +25 °C, не более.................... 1,45 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при (/зс — 12 В, Гп — +25 °C,
4 от = 80 мА, не более................... 2,5 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом
СОСТОЯНИИ При Пзс и = Ujc П’ Ъ = °°» Гп = +1 Ю °C, не более.................... 6 мА
овторяющийся импульсный обратный ток
рИ И — М)БР П1 °°* 7^ —•+110 С, е более................................... 6 мА
Отпирающий постоянный ток управления
при Z/jc = 12 В, Тп = +25 °C, не более..... 80 мА
Время включения при U3C и = 300 В,
4>С И = 4>С СР МАКС» /у ПР И = 4 А,
dly/dt— 5 А/мкс, d!m /dt— 25 А/мкс, /у = 10 мкс, Тп = +25 °C, не более ........ 10 мкс
Время выключения при l/# и = 0,676/зс п, tf£/3f/dt = {dU2C/с^)кр> ^обр и = ЮО В, 4х и “ 4>г, с₽, макс» ^4jc/dt — 25 А/мкс, (dZ0C/t#)cn “ 5 А/мкс, Гп = +110 °C,
Не более.................................. 100 мкс
Общая емкость, не более................... 20 пФ
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более.................................. 0,72 °С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии...................
400... 1200 В
45;
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 1>12Цс п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом сосюянии................................. 0>7<Асп
Постоянное напряжение в закрытом состоянии................................ 0,5£/,с п
Повторяющееся импульсное обратное
напряжение............................... 400... 1200 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение............................... 1,12%6РП
Рабочее импульсное обратное напряжение... 0,7£/ОБР п
Постоянное обратное напряжение........... 0,5{7ОБР п
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при С/!( и — 0,67(4; п»
/?у ~ ж, Гп = +110 Т.................... 20... 100 В/мкс
Средний ток а открытом состоянии
при /= 50 Гц, 180°. 4 = +70Т............. 40 А
Ударный неповторяющийся гок в открытом состоянии при (/DBp = 0, = 10 мс,
Гп = +110°С.............................. 1200 А
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при U^c и “ £7ЭС п, /ос и 2/ос ср МАКС, / 1 Гц, d!^/dt 2 А/мкс, ?/ = 20мкс, 4 = + 1106С.................. 100 А/мкс
Температура перехода .................... +110 'С
Температура корпуса...................... —60...+70 °C
МТОТО63
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров р-п-р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение ти-пономинала приводится на корпусе.
Масса не более 300 г.
МТ0Т063
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии При !0с л = 3, 14/ос ср МАКС> 4l = ^0 мс> Лп = +25 °C, не более ................. 1,55 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при £/зг = 12 В, Гп = +25 °C»
4 от = 80 мА, не более................. 2,5 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом СОСТОЯНИИ При Ujc и = £/-к п> ~ °°»
Тп ~ +110 ЧС, не более................. 6 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток При (/06р И — Цэьр Rf = °°» 4| = Ю С, не более............................... 6 мА
Отпирающий постоянный ток управления
при Цс — 12 В, Тп = +25 °C, не более... 80 мА
Время включения при L^r и = 300 В,
И = СР НАКО 6, ПР, И А, dlj/dt— 5 А/мкс, 25 А/мкс,
= 10 мкс, Ггт — +25 °C, не более.—... 10 мкс
Время выключения при U3C и — 0,67 U3r п, dt73c/dt~ [dU^/dt}Vp, ^Абр и = ЮО В, 4>с и — 4с. ср МАКС, dtOc/df— 25 А/мкс, / / ^Х —г л _ т — । 4dn°r-
О-"<)С/ wt/cn — J «/ мпл-, /л — I I IV V-, не более................................. 100 мкс
Общая емкость, не более.................. 20 пФ
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более................................. 0,44 “С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 400...1200 В
Не повторяющееся импульсное напряжение
в закрытом состоянии..................... 1,12£4С п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................ 0,7 п
Постоянное напряжение в закрытом
состоянии................................ 0,54/зс п
Повторяющееся импульсное обратное напряжение............................... 400... 1200 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение............................. 1,12£/ГБРП
Рабочее импульсное обратное напряжение... 0,7 (/0БР п
Постоянное обратное напряжение........... 0,5(/0БР п
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при и — 0,67 U3C п,
Я..--, Гп = +110°С....................... 20... 100 В/мкс
Средний ток в открытом состоянии при f= 50 Гц, 180°, Гк= 4-70 °C.......... 63 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при £/аБР = 0, 4, = 10 мс, 7'п = +110°С............................. 1350 А
Критическая скорость нарастания тока
В открытом СОСТОЯНИИ При £/зс и SS п,
4< и 2/q^ СР Идке» 1 Гц, dkf/dt~ 2 А/мкс, 4у = 20мкс, Гп = 4-110 °C................ 100 А/мкс
Температура перехода..................... +110 “С
Температура корпуса...................... —60...+70 °C
МТОТО80
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диф-460
фузионных оптотиристоров р-п-р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с осповпОи силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение ти-пономинала приводится на корпусе.
Масса не более 300 г.
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом со-
стоянии при /ос и = 3,14/ОГСР МАКГ, Ги = 10 мс, 7П = +25 °С( не более .................... 1,5 В
Отпирающее постоянное напряжение управ-
ления при Z73C — 12 В, = +25 °C, 4,от = 80 мА, не более.................... 2,5 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом
состоянии при 7/к и = ^зс.п» Яу = 00»
Гп в +110’С, не более..................... 6 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток при Ц15Р и МэБР ги °°г ?П +110 С, не более................................. 6 мА
Отпирающий постоянный ток управления при 1Л( = 12 В, Гп = +25 сС, не более.... 80 мА
Время включения при Ц- и = 300 В, ^)С и = 4)С ср макс» 4 пр и = 4 А, dt^/dt — 5 А/мкс, difx/dt— 25 А/мкс, fy = 10 мкс, 7Л == +25 °C, не более...... 10 мкс
Время выключения при и — 0,67i7K n, б/УзС/dt — (dU3C/dt)^p, U<yap к = 100 В, 4>C И = 41C CP MAKCI / dt — 25 А/мкс,
(d^/dt)zn = 5 А/мкс, 7п = +110Х, не более................................. 100 мкс
Общая емкость, не более.................. 20 пФ
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более................................. 0,36 °С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии .................... 400... 1200 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии .................... 1,12ЦСП
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................ 0,7U3C п
Постоянное напряжение в закрытом состоянии................................ 0,5i73C п
Повторяющееся импульсное обратное напряжение............................... 400...1200 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение .............................. 1,126/ОЬР п
Рабочее импульсное обратное напряжение... 0,7i7OE,p п
Постоянное обратное напряжение........... 0,5 ^Бр п
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при Цс й= 0,67 U3C п,
= Гп = + 110 °C.........’.............. 20... 100 В/мкс
Средний ток в открытом состоянии при f= 50 Гц, р = 180°, 7^= +70 СС....... 80 А
Ударный неповторяющмйся ток в открытом состоянии при б/0БР = 0, = 10 мс, Гп = + 110°С............................. 1350 А
Критическая скорость нарастания тока
В открытом СОСТОЯНИИ при 6/-ЭС и — U3Q п, 4)С И = 2£>С,СР МАКС, 1 Гц, d/,/dt— 2 А/мкс, ty - А) мкс, = +110 °C.....................
Температура перехода.......................
Температура корпуса........................
100 А/мкс
+ 110 °C
-60...+70 X
МТОТО1М, МТОТО125
Модули силовые полупроводниковые на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров р-п-р-п. Предназначены для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих -частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала и схемы соединения оптотиристоров приводится на корпусе.
Масса не более 300 г.
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом со-
стоянии при /ос и = 3,14/ос СР МАкс- 4| = 10 мене более................................. 1,75 В
Отпирающее постоянное напряжение
управления при (Дс = 12 В, Д от = 80 мА, не более................................. 2,5 В
Неотпирающее постоянное напряжение уп-
равления при (Дс и = U3t: п, 7^ = +100 еС, не менее................................. 0,9 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом
состоянии при изс и = П, Яу = оа> Тп = +100 "С, не более................... 6 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток
при 77О5р и = Uq^p п, /?у = Тп +10® С, не более................................. 6 мА
Отпирающий постоянный ток управления
при U3C = 12 В, не более................. 80 мА
Время включения при и = 100 В, 4с,и 4с ср макс- не более................ 10 мкс
Время выключения при и = 0,67 U3C п»
dU:i.:/dt = 100 В/мкс, UQ&> и “ ЮО В,
4с. и ~ 4с СР МАКС- (ctfoc/<ff)cri = 5 А/мкс, TJ, — +100 СС, не более.................. 100 мкс
Сопротивление изоляции оптопар модуля,
не менее................................. 1000 МОм
Сопротивление изоляции основания модуля
(при нормальных условиях), не менее...... 40 МОм
Тепловое сопротивление переход—корпус,
не более................................. 0,15 °С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 400... 1600 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии...................... 1,12Цс п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом
СОСТОЯНИИ ............................... 0,8Т4с п
Максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии............... 0,75бД;П
Повторяющееся импульсное обратное
напряжение............................... 400... 1600 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение............................. 1,126^ п
рабочее импульсное обратное напряжение. 0,86/ОБР п
Максимально допустимое постоянное обрат-
ное напряжение......................... 0,75Ц)бр,п
Максимальное напряжение изоляции основа-
ния модуля............................. 2500 В
Критическая скорость нарастания напряжения
в закрытом состоянии при ~ 0,6 7 П(
4 — 100 мкс, Rv = <*>, 7^ = +100 °C.... 100 В/мкс
Максимально допустимый средний ток
в открытом состоянии при f = 50 Гц, р = 180°, 7к = +70 °C:
МТОТОЮО............................. 100 А
МТОТО125............................ 125 А
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при f~ 50 Гц, Тк = +70 °C:
МТОТОЮО............................. 160 А
МТОТО125............................ 200 А
Ударный не повторяющийся ток в открытом состоянии при (/0БР — 0, 7И = 10 мс, 7'п = + 100 °C:
МТОТОЮО............................. 2 кА
МТОТО125............................ 2,5 кА
Максимально допустимый постоянный ток управления............................. 100 мА
Критическая скорость нарастания тока
в открытом состоянии при я 0,67 Цс п,
и ~ 2/Ос,ср, макг> f= Гц,
4 пр и ~ 400...600 мА, ty ~ 50 мкс,
Гп-+Ю0 "С.............................. 70 А/мкс
Температура перехода................... +100 °C
Темдература корпуса.................... —60...+70 в1
МТОТО160
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров р-п-р-п. Предназначены для применения а цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цель управ-465
ления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от то ко ведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для ппд|/ni<>L>ew!,,p к внешней электрической цепи. Обо значение типономинала и схемы соединения оптотиристоров приводится на корпусе.
Масса не более 500 г.
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии при /0С1 и = 502 А, 7И = 10 м, не более.............................. 1,75 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при = 12 В, 4 От — 80 мА, не более............................. 2,5 В
Неотпирающее постоянное напряжение управления при и — п, Ги = +100 С, не менее.................... .....—..... 0,9 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом
СОСТОЯНИИ При iAc и = <Ас п> Я ~ м’> Гп = +100 *€, не более.................. 6 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток
При i/оБР И = МзБР П> ^У =='*=, 7"п ~ +100 С, не более................................. 6 мА
Отпирающим постоянный ток управления при Цг = 12 В не более................... 80 мА
Время включения при и 100 В, /ос и ~ 4к ср макс, не более............. Ю мкс
Время выключения при и = 0,67 п, dU^/dt — 100 В/мкс, (4)6Р н = 100 В, /<« И~ ()Г ГР МАКО (d/oc/dt)cn = 5 А/мкс, Тц = +100 °C, не более................... 100 мкс
Сопротивление изоляции оптопар модуля, не менее................................. 1000 МОм
Сопротивление изоляции основания модуля (при нормальных условиях), не менее...... 40 МОм
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более................................. 0,15 сС/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии .................... 400..,1600 В
Не повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 1,126/ п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................ 0,8//г п
Максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии............... 0,756/ п
Повторяющееся импульсное обратное напряжение............................... 400...1600 В
Нрповторяющееся импульсное обратное напряжение.............................. 1>12М)брп
Рабочее импульсное обратное напряжение... 0,8 (/000 п
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение........................... 0,75/7^ п
Максимальное напряжение изоляции основания модуля ..........-................... 2500 В
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при U3C и = 0,67 U3C л, Ги ~ 100 мкс, /?у = оог 7"п = +100 °C ... 100 В/мкс
Максимально допустимый средний ток в открытом СОСТОЯНИИ при f= 50 Гц, р= 180°, Гк = +70°С...................... 160 А
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при f— 50 Гц, ^ = +70 °C............................... 250 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при /70Б₽ — О, = 10 мс, Гп = +100Х............................... 3,2 кА
Максимально допустимый постоянный ток управления............................... 100 мА
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при (/зс и — 0,67U3Ct п, ки= 24)с,ср, мдкс> Гц,
/у ПР И МЛ1, (у — эи мкс,
Ъ = +100 X................................ 70 А/мкс
Температура перехода...................... +100 X
Температура корпуса....................... —60...+70 X
4.5. Модули диодно-оптотиристорные
МДТО2-10
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных диода р-п и олтотиристора р-п-р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 кГц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе.
Масса не более 200 г.
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии ПрИ И - 3, = 10 мс,
Тп = +25 X, не более................. 1,4 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при Ux = 12 В, ГП = +25 X,
4, от “88 мА, не более............... 2,5 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом
СОСТОЯНИИ При изги= U1C П, М- = оя,
Гп = +110 X, не более................ 5 мА
МДТ02-10
Повторяющийся импульсный обратный ток
при £4>БР И ” Пг ^П 4*1 10 С,
не более.................................... 5 мА
Отпирающий постоянный ток управления при Цс » 12 В, Тп = +25 °C, не более....... 88 мА
Время включения при Цс и 1=1 300 В,
At, И ~ Ас, СР МАКС» 4, ПР, П ~ А, d!y/dt= 5 А/мкс, d!a( /dt— 25 А/мкс, t, — 10 мкс, Гп = +25 °C, не более......... 10 мкс
Время выключения при Uif „ — 0,67^п, dt}-#/dt — (dUK/dt)Kp, (Абр и 100 В, At и “ Ас,ср макс, °Ас/25 А/мкс, (c//0C/cfr)fn = 5 А/мкс, Гп = +125 X,
не более.................................. 100 мкс
Общая емкость, не более................... 20 пФ
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более.................................. 1,5 “С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии................ 400.., 1200 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии.....................
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................
Постоянное напряжение в закрытом состоянии ...............................
Повторяющееся импульсное обратное напряжение...............................
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение...............................
Рабочее импульсное обратное напряжение...
Постоянное обратное напряжение...........
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при и = 0,67 U3C п,
= 7^ = +110 °C.................’.....
Средний ток в открытом состоянии при f= 50 Гц, 3= 180°, Гк == -4-70 РС....
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при 6/0БР — 0, ги = 10 мс, /n = +noec..............................
Критическая скорость нарастания тока а открытом СОСТОЯНИИ При ик и = U3Q п> 4jc, и ~~ 24jc.cp мако 1 Гц, d!y/dt— 2 А/мкс,
ty = 20 мкс, 7"n = +1l0°C................
Температура перехода ....................
Температура корпуса......................
1Л2ЦС.П
0»5Цс,п
400.,. 1200 В
1,12(/О6РП 0,7£/обр п О,574)бр,п
20... 100 В/мкс
10 А
300 А
100 А/мкс + 110 °C -60...+70 °C
МДТО2-16
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных диода р-п и оптотирисгора р-п-р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе.
Масса не более 200 г.
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом со-
стоянии при /ос.и = 3,14/fjc, СР, МАКС- 4 ~ Ю мс, +25 °C, не более.................... 1,45 В
МД ГО 2-16
Отпирающее постоянное напряжение управления при U3C = 12 В, TR~ +25 “С, 4,от= 88 мА, не более............. ..... 2,5 В-
Повторяющийся импульсный ток в закрытом СОСТОЯНИИ При изс и — U3Z п, /?у = оо, Гп = +110 °C, не более................... 5 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток ПрН Ц)Ы\ И = Ц1БР, Пг ^==О°» 7^ = +110 С, не более................................. 5 мА
Отпирающий постоянный ток управления при (/к » 12 В, 7"п == +25. ’С, не более. 88 мА
Время включения при U3r и ® 300 В,
И = ^ОС, СР, МАКС* 4, ПР, И = 4 А, dkf/dt- 5 А/мкс, dlac/dt — 25 А/мкс, fy ~ 10 мкс, Гп — +25 °C, не более....... 10 мкс
Время выключения при (/зс м = 0,67 Цс,п, ^Цс/^7 = (^зс/^Окр* Цж₽, и = Ю® В*
И"= (к, СР, МАКС г ^с/ “ 25 А/ мкс, — 5 А/мкс, Гп = +125>вС, не более___-.............................. 100 мкс
Общая емкость, не более.................. 20 пФ
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более................................. 0,9 °С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 400...1200 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 1>12(^с п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................ 0»7(4qn
Постоянное напряжение в закрытом СОСТОЯНИИ ............................... 0,56/jc п
Повторяющееся импульсное обратное напряжение............................... 400...1200 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение............................... 1,12(/()Ы> п
Рабочее импульсное обратное напряжение... 0,7(У0БР п
Постоянное обратное напряжение........... 0,5(/aj₽ п
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при (Ас и = 0,67 (Ас л*
/?у = ~. Гл = +1Ю °C..................... 20...100 В/мкс
Средний ток в открытом состоянии при f= 50 Гц, |3 = 180\ Тк = +70 °C...... 16 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при (/0&р = 0, 4) = 10 мс, 7*п = +110вС............................. 600 А
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при (Zjc и = (/де п, 4си = 2/ос Ср Мдкг, 1 Гц, d!y/ dt~2, А/мкс,
— 20 мкс, 7"п = +110 °C................ 100 А/мкс
Температура перехода..................... +110 °C
Температура корпуса...................... —6O...+7O °C
МДТО2-25
Модуль силовой полупроводниковый на основе^двух бес-корпусных последовательно соединенных кр?мниевых диффузионных диода р-п н оптотиристора р-п-р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной снло-472
>й цепью. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе имеет выводы для подключения к внешней электрической :пи. Обозначение типономинала приводится иа корпусе.
Масса не более 250 г.
Электрические параметры
1мпульсное напряжение в открытом со-
ТОЯНИИ при И ~ 3,14/ОС СР, МАКС> 4l = Ю МС, ГП — +25 °C, не более .................... 1,4 В
Опирающее постоянное напряжение управ-
ения при (/зс = 12 В, Гп = +25 ’С, от= 88 мА, не более....................... 2,5 В
1овторяющийся импульсный ток в закрытом остоянии при (J3C и “ U3C п, /?у = »о, п = +1 Ю °C, не более..................... 5 мА
!овторяющийся импульсный обратный ток
ри УэБР PI “ (/обр = °°> ?П +110 С, е более................................... 5 мА
Опирающий постоянный ток управления
ри U3C — 12 В, Тп “ +25 °C, не более...... 88 мА
Время включения при ldv и = 300 В, k)C, И = Ак. СР МАКС* ПР и “ 4 А, d!,/dt~ 5 А/мкс, dl^/dt^ 25 А/мкс, ?у — 10 мкс, Тп — +25 °C, не более....... 10 мкс
Время выключения при U3C и = 0,67 77зс >п, о^зс/dt — [dU3r/dt)KP, ^обр и = ^00 В, /оси “ Ьс ср макс* d^/dt— 25 А/мкс, {d!QC/dt)(^ — 5 А/мкс, Гп = +125 °C, не более................................. 100 мкс
Общая емкость, не более.................. 20 пФ
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более................................. 0,4 сС/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 400...1200 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 1,1277зс
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................ ОДЦсп
Постоянное напряжение в закрытом состоянии................................ 0,5п
Повторяющееся импульсное обратное
напряжение............................... 400... 1200 В
Неповторяющееся импульсное обратное нап ряжен ие............................. 1,12 Т/0БР п
Рабочее импульсное обратное напряжение... 0,777ОБР
Постоянное обратное напряжение........... 0,577ОЬР п
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при Цс и = 0,67 б/зс п,
= /, = +110'С.........’............. 20... 100 В/мкс
Средний ток в открытом состоянии
при Г= 50 Гц, [3 = 180°, Гк = +70 'С..... 25 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при (У0БР — О, = 10 мс, Гп==+110сС............................... 800 А
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии При Цс, и &зс, п, 4>с и = 24>с,ср макс» 1 dly/dt — 2 А/мкс, fy = 20 мкс, Гп = +110 °C................ 100 А/мкс
Температура перехода..................... +110 °C
Температура корпуса...................... —60.. .+70 °C
I МДТ040
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных диода р-п и оптотиристора р-п-р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной сило-рой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе.
Масса не более 300 г.
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом со-
стоянии при 4с и = 3,144с ср макс. 4 = 10 «с, Гп = +25 С, не более................... 1,45 В
Отпирающее постоянное напряжение управ-
ления при t/3C = 12 В, Гп = +25 °C, 4 от “ 80 мА. и® более.................... 2,5 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом
СОСТОЯНИИ Прн Uy и — <4 п, Дг = °°> Гп = +110 °C, не более.................... 6 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток
При и Ц1БР пг "» Гп +110 С, не более.................................. 6 мА
Отпирающий постоянный ток управления
при t73f = 12 В, Гп = +25 °C, не более.... 80 мА
Время включения при и = 300 В,
И = £)С СР МАКС> 4 ПР И = 4 А,
dly/dt— 5 А/мкс, d!^/dt~ 25 А/мкс, Дг = 10 мкс, Гп = +25 °C, не более........ 10 мкс
Время выключения при Uy- и = 0,67 U* п,
dt~ {dU3Q/cfr)KP, Ц)БР и = Ю0 В,
/ос и ” /ос, ср, макс, ^/qc/25 А/мкс, (<У/ОГ/^)СП - 5 А/мкс, Гп = +125 °C, не более.................................. 100 мкс
Общая емкость, не более................... 20 пФ
Тепловое сопротивление переход—корпус,
не более.................................. 0,72 °С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии...................... 400... 1200 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии...................... 1,12Узг п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................. 0,7С/ЗСп
Постоянное напряжение в закрытом состоянии................................. 0>5/Ас и
Повторяющееся импульсное обратное
напряжение................................ 400...1200 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение............................... 1,12Ц5Р|П
Рабочее импульсное обратное напряжение.... 0,7f/0Bp,п
Постоянное обратное напряжение............ 0,5£/ОБРП
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при — 0,67 п,
/?у = ~, Гп = + 110°С..................... 20...100 В/мкс
Средний ток в открытом состоянии
при f= 50 Гц, £ = 180“, гк = +70 СС....... 40 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при (У0БР = 0, /и = 10 мс»
Гп = +110сС............................. 1000 А
Критическая скорость нарастания тока в открытом СОСТОЯНИИ При ЦС.И = WjC.fl» /ос и = 2/ос, ср макс» 1 Гц, dkf /dt~ 2 А/мкс,
/у-20 мкс, Гп = +110°С................... 100 А/мкс
Температура перехода...................... +110 ’С
Температура корпуса....................... —60...+70 X
МДТО63
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных диода р-п и оптотиристора р-п-р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы длл подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе.
Масса не более 300 г.
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии При 4с, И “ 3,144с, СР, МАКС, /и = 10 МС» 7Р) = +25 °C, не более................ 1,55 В
Отпирающее пос1оянное напряжение управления при (4с — 12 В, Тп — +25 °C,
4 от = 80 мА, не более................ 2,5 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом СОСТОЯНИИ при изс и = t/зс п» Яу =
Тп = +110 °C, не более................ 6 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток При /4бР, и = /4б₽, П» 7ji = +1 10 С, не более.............................. 6 мА
Отпирающий постоянный ток управления при U3C = 12 В, Тп — +25 “С, не более. 80 мА
Время включения при //Jr и = 300 В, 4с. и ~ 4)С, СР, макс» 4 пр, и “ 4 А, d^/dt = 5 А/мкс, dioc/dt^ 25 А/мкс,
4 — 10 мкс, Гп = +25 °C, не более..... 10 мкс
МДТ063
Время выключения при U-^ и = 0,67£/3с.п, tff/jc/flV (^Дс/^)кР* ^О№, Я = ЮО В, 4)С И = 4)С,СР,МАКС> ^4>с/= 25 А/мкс, (<У/ос/г#)сп — 5 А/мкс, Гп« +125 °C, не более................................. 100 мкс
Общая емкость, не более.................. 20 пФ
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более................................. 0,4 °С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 400... 1200 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 1,12£/зс п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................ 0,7£/зс п
Постоянное напряжение в закрытом состоянии................................ 0,5£4с.п
Повторяющееся импульсное обратное
напряжение............................... 400...1200 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение.................................. 1,12Ц,№ п
Рабочее импульсное обратное напряжение..... 0,?М)6р,п
Постоянное обратное напряжение................... п
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при £/зс и — 0,6 7^ п, /?у = ~, ГП = +1Ю°С........’............... 20... 100 В/мкс
Средний ток в открытом состоянии прн 50 Гц, р = 180’, Т* = +70 С............ 63 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии прн (/ОБР — 0, — 10 мс,
7ц = +110 °C............................... 1200 А
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при и = /7ЗС п,
и 2/qc Ср,мдксг Гц, d!y/dt 2 А/мкс,
Ъ = 20 мкс, Тп = +110 °C................... 100 А/мкс
Температура перехода....................... +110 'С
Температура корпуса........................ —60...+70 “С
МДТО80
Модуль силовой полупроводниковый на основе деух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных диода р~г\ и оптотиристора р-п-р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обоз-! начение типономинала приводится на корпусе.
Масса не более 300 г.
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом со-
стоянии при (к и = 3,14^ Ср мдкс, /и = 10 мс, Гп — +25 °C, не более.................... 1,5 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при = 12 В, 7*п = +25 °C,
4 от “ 80 мА, не более................... 2,5 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом
СОСТОЯНИИ При f/зс и Цс,п, /?у ~ °0, 7ц — +110 °C, не более................... 6 мА
МДТ080
Повторяющийся импульсный обратный ток
При МзБР, И ~ ^ОБР П> Лу ~ W> ?n = +110 С, не более................................... 6 мА
Отпирающий постоянный ток управления при — 12 В, 7"п = 4-25 °C, не более........ 80 мА
Время включения при U3C и = 300 В,
4>С И = СР. МАКС’ 4 пр и = 4 А,
d!^/dt= 5 А/мкс, dl^/dt— 25 А/мкс, rv = 10 мкс, Гп = +25 еС, не более......... 10 мкс
Время выключения при U3C и = О,67(ДС п,
tft/jc/dt~ (dU3c/dt)KPr (/)бр и = ЮО В,
4)с и = ср макс» °^ос/dt~ 25 А/мкс,
(d/oc/drJcn = 5 А/мкс, ГП = +125°С, не более................................... 100 мкс
Общая емкость, не более.................... 20 пФ
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более................................... 0,36 °С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии................ 400... 1200 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии .................... 1,12ЦС п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................ 0,7Цс п
Постоянное напряжение в закрытом состоянии................................. 0,5 Цсп
Повторяющееся импульсное обратное напряжение................................ 400...1200 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение............................... 1,126^ п
Рабочее импульсное обратное напряжение... ОДМжр.п
Постоянное обратное напряжение........... 0,5//оьр п
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при U3C и = 0,67 Z/3C п, /?у = оо, 7^ = +110 °C................... 20... 100 В/мкс
Средний ток в открытом состоянии при f= 50 Гц, р = 180е, Гк = +70 еС...... 80 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при {/0БР = 0, = 10 мс,
Гп = +110Х............................... 1350 А
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при U3r и — U3C п, (зс,и = 24>с СР макс’ f= 1 Гц, гУ/у/dt- 2 А/мкс, ty = 20 мкс, Тп — +110 °C................ 100 А/мкс
Температура перехода .................... +110 °C
Температура корпуса...................... —60...+70 °C
МДТО100, МДТО125, МДТО160
Модули силовые полупроводниковые на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных диода р-п и оптотиристора р-п-р-п. Предназначены для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала и схемы соединения полупроводниковых элементов приводится на корпусе.
Масса не более 500 г.
МДТ0100. МДТ0125, МДТ0160
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом со-
стоянии при 4k и - 3,14/ОС ср, макс, = 10 мс, не более............................... 1,75 В
Отпирающее постоянное напряжение
управления при (/зс “ 12 В, 4 от = 80 мА, не более................................ 2,5 В
Неотпирающее постоянное напряжение уп-
равления при (/зс и — U3i п, Гп = +100 °C, не менее................................ 0,9 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом
СОСТОЯНИИ При WjC и = <7ЗСП, ^у ~ °°z
rn«+iooxf
не более................................ 6 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток
при £4)БР. и M1SP, п,^у +100 С,
не более................................ 6 мА
Отпирающий постоянный ток управления при //зс = 12 В, не более.............. 80 мА
Время включения при U3C и = 100 В, /ос. и = к. СР. макс- не более '....... 10 мкс
Время выключения при U^7 и « 0,67 L^c п> dUv/dt= 100 В/мкс, а0ВР<и = 100 В, 4к И = 4>С СР МАКСг (^Ос/^Осп ~~ 5 А/мкС, Гп — +100 °C, не более................. 100 мкс
Сопротивление изоляции оптопар модуля, не менее ............ ................. 1000 МОм
Сопротивление изоляции основания модуля (при нормальных условиях), не менее.... 40 МОм
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более.....................♦......... 0,15 еС/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии................... 400...1600 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии................... 1,12(/г п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии.............................. Qt8U3C п
Максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии............. 0,75п
Повторяющееся импульсное обратное
напряжение............................. 400... 1600 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение............................. 1,12<4,ЬР п
Рабочее импульсное обратное напряжение. 0,8(/0БР п
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение......................... 0,75/7ОБР п
Максимальное напряжение'изоляции основания модуля....?........................ 2500 В
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при и = 0,67 п, 4 = 100 мкс, /?у = 00,7?, = +100 “С.“.. 100 В/мкс
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при f« 50 Гц, Р = 180°, Гк = +70 "С:
МДТО100............................. 100 А
МДТО125............................. 125 А
МДТО160............................. 160 А
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при /и 50 Гц, 7"к = +70 аС:
МДТОЮО.............................. 160 А
МДТО125............................. 200 А
МДТО160............................. 250 А
16
483
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при 4/обр = О, — 10 мс,
Тп = +100 °C: МДТОЮО.................................. 2 кА
МДТО125.............................. 2,5 кА
МДТОЮО............................... 3,2 кА
Максимально допустимый постоянный ток управления ............................. 100 мА
Критическая скорость нарастания тока
в открытом СОСТОЯНИИ При Цс.И ~ 0,67t/3C п, И = 2/ос, СР, МАКГ> Гц,
4 пр, и “ 400...600 мА, fy = 50 мкс, Гп — +100 °C............................ 70 А/мкс
Температура перехода.................... +100 °C
Температура корпуса..................... —60...+70 °C
4.6. Модули оптотиристори о-диодные
МТОД40
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристора р-п-р-п и диода р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе.
Масса не более 300 г.
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии при /ос и ~ 3,14/ос ср МАКС, 4i = 10 мс, Гп = +25 С, не более ................ 1,45 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при U3C — 12 В, Гп = +25 СС, h от = 80 мА, не более................ 2,5 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом СОСТОЯНИИ при //ЗС1И = изс л, Я =оо,
Zn —+ 110 °C, не более................ 6 мА
мтомо
vdi
5°-
/о-
t>6
Повторяющийся импульсный обратный ток
при 4/обр и ^обр, п» ^у Тл — +110 С, не более...................................... 6 мА
Отпирающий постоянный ток управления
при U3C ~ 12 В, Гп — +25 °C, не более........ 80 мА
Время включения при н = 300 В,
/к, и ~ СР, макс, 4 пр. и ~ 4 А,
d!y/dt — 5 А/мкс, dlQZ/dt~ 25 А/мкс, ty = 10 мкс, Гп = +25 °C, не более........... 10 мкс
Время выключения при U3C и — 0,67 U3Z п, dU3C/dt ={dU^/dt}^, 7/06Р,; = 100 В, ' 4>С. И = kx,. СР, МАКС» ^4>с/ & 25 А/мкс, (<//ос/^)сп — 5 А/мкс, Гп = +125 °C,
не более.................................. 100 мкс
Общая емкость, не более................... 20 пФ
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более.................................. 0,72 “С/Вт
Предельные эксплуатационные данные Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии.................... 400... 1200 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии.................... 1,12ЦС п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии............................... 0,7Цс п
Постоянное напряжение в закрытом состоянии............................... 0,5(4^^
Повторяющееся импульсное обратное напряжение............................... 400... 1200 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение.............................. 1,126^ п
Рабочее импульсное обратное напряжение.. 0,7Мжр.п
Постоянное обратное напряжение.......... 0,56^ п
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при U3C и — 0,67 i/3C п,
= Гп=+110°С........................ 20... 100 В/мкс
Средний ток в открытом состоянии при f=- 50 Гц, р = 180°, Г* = +70 °C.... 40 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при Т/0БР = 0, 4, = 10 мс, 7,,^+ИОС................................ 1000 А
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при и = изс п» ()С И — 2/qc СР МАКС) 1 Гц, dly/ dt=2 А/мкс, Ту = 20 мкс, Гп = +110 °C............... 100 А/мкс
Температура перехода ................... +110 °C
Температура корпуса..................... —60...+70 °C
МТОД63
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес-корлусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристора р-п-р-п и диода р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цель управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе.
Масса не более 300 г.
МТОД63
ч®------
voi
Jo Г*
об
о/
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии ПрИ ^и = 3,14/ос I P, МАКС’ ~ 10 мс, Гп = +25 °C, не более'................ 1,55 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при t/зс « 12 В, Гп = +25 °C, 4 от = 80 мА, не более................ 2,5 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при и — U2Z п, /?v » <*>, Гп = +110 ‘С, не более................ 6 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток При //обр и ~ //qep.di /?у “ Гп +110 С, не более.............................. 6 мА
Отпирающий постоянный ток управления при Ьзс — 12 В, Тп — +25 °C, не более. 80 мА
Время включения при Uv и = 300 В, kxL,^~ (х.ср макс. 4 пр. и = А, dtf/dt = 5 А/мкс, dloc/dt~ 25 А/мкс, ty= 10 мкс, Тп — +25 “С, неболее...... 10 мкс
Время выключения при U,- и = 0,67 t/3C, п,
<ЛДс/(С^Зс/^)кр* и — ЮО В,
4>С И — ^ОС, СР, МАКС* С^Ос/0^ 25 А/МКС,
(c//0C/cfr)cn = 5 А/мкс, Гп = +125 °C, не более .... 100 мкс Общая емкость, не более.................. 20 пФ
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более................................. 0,44 °С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 400... 1200 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 1,12(/jC п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................ 0,7t/3cn
Постоянное напряжение в закрытом состоянии................................ 0.5U:iQ п
Повторяющееся импульсное обратное напряжение............................... 400...1200 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение............................... 1,12(/ОБР п
Рабочее импульсное обратное напряжение... 0,74/ОБР. п
Постоянное обратное напряжение........... 0,5(/О6Р п
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при 6L и = 0,676/ п,
/^ = оо, ГП = +1Ю°С.......'........'..... 20...100 В/мкс
Средний ток в открытом состоянии
при f= 50 Гц, 0 = 180°, Гк = +70 °C...... 63 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии При Т/0Бр = 0, 4, = 10 мс, 7п = +110пС.............................. 1200 А
Критическая скорость нарастания тока
В открытом СОСТОЯНИИ При Цси = (/зс п*
7ос и — 2/пг ср мдкг* f 1 Гц, df^/dt 2 А/мкс, fy = 20 мкс, Гп - +110 °C................ 100 А/мкс
Температура перехода..................... +110 °C
Температура корпуса...................... —60...+70 “С
МТОД80
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристора р-п-р-п и диода р-п. Предназначен для применения в целях постоянного и переменного 488
токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе.
Масса не более 300 г.
МГ0Д80
92
16 20 20 2 omb. 06А
80
V01
Зо-
Электрические параметры
Импульсное напряжение в открытом состоянии При 4эс, И “ ^,14{)С.СР МАКС, — Ю МС, А, =+25 "С, не более.................. 1,5 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при </зс = 12 В, 7П = +25 °C, 4 от = 80 мА, не более................ 2,5 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии При и п, Ry 7П = 4-110 °C, не более............... 6 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток
1 при ^Абр. И ^ОБР, П, Ъ ~ = +110 С,
не более.............................. 6 мА
Отпирающий постоянный ток управления при Uyc — 12 В, Тп = +25 °C, не более.... 80 мА
Время включения при Ul{ и = 300 В,
И = k)C СР МАКС» ПР И = 4 А»
dly/dt— 5 А/мкс, df^/dt— 25 А/мкс, Гу = 10 мкс, Гп “ +25 “С, не более....... 10 мкс
Время выключения при Цг и ~ 0,67 </«-. п» сУГДс/dt= {dUx/dt)KP, 4/0БР и ~ Ю0 В, 4ic и= 4>с, ср, мдкс- ^4)с/dt™ 25 А/мкс, (dhc/dt)r[] = 5 А/мкс, 7J, = +125 ’С, не более .... 100 мкс Общая емкость, не более.................. 20 пФ
Тепловое сопротивление переход—корпус, не более................................. 0,36 °С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 400.,,1200 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии..................... 1,12(/зс п
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии................................. 0,76/зсп
Постоянное напряжение в закрытом состоянии................................ O.SUjcn
Повторяющееся импульсное обратное напряжение............................... 400...1200 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение............................... 1,12(/О6Р п
Рабочее импульсное обратное напряжение... 0,7(/ОБР п
Постоянное обратное напряжение........... 0,5£/ОБР<п
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при и = 0,67
= 7’П = +1Ю°С....................... 20... 100 В/мкс
Средний ток в открытом состоянии
при 50 Гц, [1= 180 , 7к = +7(ГС.......... 80 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при £/0БР — 0, = 10 мс, 7п = + 110вС............................. 1350 А
Критическая скорость нарастания тока
в открытом состоянии при U3C>и = (/Зс. п>
и = 2(>с.ср.макс» 1 f’Ur dlf/dt— 2 А/мкс, /у = 20 мкс, ГГ)= +110 СС................ 100 А/мкс
Температура перехода..................... +110 °C
Температура корпуса...................... —60...+70 аС
Раздел пятый
Охладители воздушных систем охлажденш для силовых тиристоров
0111
Охладитель, рекомендуемый для тиристоров штыревой конструкции типов Т112—10, Т112—16, ТС112—10, ТС112—16.
Масса не более 110 г.
ОШ
55
Тепловое сопротивление контактная поверхность охладителя—охлаждающая среда при естественном охлаждении и мощности
отводимого тепла 10 Вт, не более............ 5,6 "С/В1
Тепловое сопротивление контакта корпус
прибора—охладитель, не более......... 0,2 ’С/Вт
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при естественном охлаждении тиристоров:
Т112-10.................................... 4 А
Т112-16.................................... 6 А
ТС112-10................................... 7 А
ТС112-16................................... 8 А
0221
Охладитель, рекомендуемый для тиристоров штыревой конструкции типов Т122—20, Т122—25, ТС 122—20, ТС122—25, Т222-20, Т222-25.
Масса не более 180 г.
0221
Тепловое сопротивление контактная поверхность охладителя—охлаждающая среда при естественном охлаждении и мощности
'отводимого тепла 18 Вт, не более......... 2,8 ’С/Вт
Тепловое сопротивление контакта корпус
прибора—охладитель, не более.............. 0,2 °С/Вт
Максимально допустимый средний ток
в открытом состоянии при естественном охлаждении тиристоров:
Т122-20................................ 12 А
Т122-25 ............................... 14 А
ТС122—20............................... 13 А
ТС122-25............................... 15 А
Т222-20................................ 12 А
Т222-25 ............................... 14 А
0131
Охладитель, рекомендуемый для тиомсторов штыревой конструкции типов Т132—16, Т132—25.
Масса не более 190 г.
0131
Тепловое сопротивление контактная поверхность охладителя—охлаждающая среда при естественном охлаждении и мощности
отводимого тепла 18 Вт, не более......... 2,8 Т/Вт
Тепловое сопротивление контакта корпус
прибора—охладитель, не более............. 0,2 °С/Вг
Максимально допустимый средний ток
в открытом состоянии при естественном охлаждении тиристоров:
Т132-16.............................. 9 А
Т132-25 ............................. 12 А
0231
Охладитель, рекомендуемый для тиристоров штыревой конструкции типов Т132—16, Т232—16, Т132—25, ТО132—25, Т232-25, Т131-40, ТС 131—40, Т132-40, ТО132-40, ТС132-40, Т232-40, Т131-50, ТС131-50, Т132-50, ТС132-50, Т232-50.
Масса не более 410 г.
Тепловое сопротивление контактная поверхность охладителя—охлаждающая среда при мощности отводимого тепла 30 Вт, не более:
при естественном охлаждении............. 2,1 ФС/Вт
при принудительном охлаждении (скорость охлаждающего воздуха
в межреберном пространстве 6 м/с)....... 0,67 ФС/Вт
Тепловое сопротивление контакта корпус
прибора—охладитель, не более............... 0,2 еС/Вт
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при естественном охлаждении тиристоров:
Т132-16, Т232-16 .................... 9 А
Т132-25, Т232-25 .................... 12 А
ТО132-25............................. 13 А
ТО132-40............................. 15 А
Т131-40, Т132—40, Т232-40 ........... 19 А
ТС131—40, ТС132—40, Т131—50, Т132—50,
Т232-5О.............................. 21 А
ТС131-50,ТС132—50.................... 22 А
0141
Охладитель, рекомендуемый для тиристоров штыревой конструкции типов Т142—32, Т242-32, Т141—40, Т142-40, Т242-40, Т141-50, Т142-50, Т242-50.
Масса не более 100 г.
0141
Тепловое сопротивление контактная поверхность охладителя—охлаждающая среда при естественном охлаждении и мощности
отводимого тепла 18 Вт, не более.......... 2,8 °С/Вт
Тепловое сопротивление контакта корпус
прибора—охладитель, не более.............. 0,15 °С/Вт
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при естественном охлаждении тиристоров:
Т142-32................................ 13 А
Т242-32 ............................... 13,5 А
Т141—40, Т142-40, Т242-40 ............. 14 А
Т141-50, Т142-50, Т242-50 ............. 15 А
0151
Охладитель, рекомендуемый для тиристоров штыревой конструкции типов 7Б151—50, ТБ151-63, Т151 —100*
Масса не более 420 г.
0151
Тепловое сопротивление контактная поверхность охладителя—охлаждающая среда при мощности отводимого тепла 50 Вт,
не более: при естественном охлаждении............... 1,9 °С/Вт
при принудительном охлаждении (скорость охлаждающего воздуха
в межреберном пространстве 6 м/с)..... 0,67 °С/Вт
Тепловое сопротивление контакта корпус прибора—охладитель, не более:
ТБ151—50, ТБ151-63.................... 0,2 °C/Вт
Т151-100 ............................. 0,08 °C/Вт
Максимально допустимый средний ток
в открытом состоянии: при естественном охлаждении тиристора Т151-100 .......................’...... 30 А
при скорости охлаждающего воздуха
в межреберном пространстве 6 м/с: ТБ151-50................................ 34 А
ТБ151-63............................... 41 А
Т151-100 .............................. 60 А
при скорости охлаждающего воздуха в межреберном пространстве 12 м/с
для тиристора Т151—100................ 70 А
0241
Охладитель, рекомендуемый для тиристоров штыревой конструкции типов ТО142—50, ТО142—63, ТО142—80, ТС141—63, ТС142-63, ТС141-80, ТС142-80, Т141-63, Т142—63, Т242-63, Т141-80, Т142-80, Т242-80, Т142-32, Т242-32, Т141-40, Т142-40, Т242-40, Т141—50, Т142—50, Т242-50.
Масса не более 410 г.
Тепловое сопротивление контактная поверхность охладителя—охлаждающая среда при мощности отводимого тепла 30 Вт, не более:
при естественном охлаждении......... 2,1 °С/Вт
при принудительном охлаждении
(скорость охлаждающего воздуха
в меж ребер ном пространстве 6 м/с).. 0,67 °С/Вт
Тепловое сопротивление контакта корпус прибора—охладитель, не более............ 0,15 Х/Вт
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при естественном охлаждении тиристоров:
ТО142-50, 141-40, Т242-40.............. 17 А
ТО142-63, Т141-50, Т142-50, Т242-50.... 19 А
Т0142-80............................... 20 А
ТС141-63, ТС 142-63, Т141- 80,Т142-80,
Т242-80 ............................... 27 А
ТС141-80, ТС142-80 .................... 29 А
Т141—63, Т142—63,1242—63 .............. 24 А
Т141-80, Т142-80,1242—80 .............. 27 А
Т142-32, Т242-32 ...................... 15 А
ЗАРУБЕЖНЫЕ АНАЛОГИ ОТЕЧЕСТВЕННЫХ ТИРИСТОРОВ
Тип прибора Зарубежный аналог Фирма-изготовитель, страна
Т353-800 С390С, C390N, С390Т, С390Р FT8QQC4. FT800C6, FT8QQC8,FT800C10, FT800C12,FT800C16 General Electric Company, США Mitsubishi Electric Corporation, Япония
ТБ 1160-80 CR31-104CA, CR31-104ВА, CR31-104АА, CR31-2O4DA, CR3f—304СА, CR31- 304ВА, CR31-304АА, CR31-404DA, CR31-404СА, CR31-4О4ВА AEI Semiconductors ins, США
ТБ 133-200 T171F600EEC, T171F800EEC, T171F1000EAC, T171F1100EFC, T6Q7011374В,Т AEG-Tetefunken, Германия
ТБ 133-250 FT250BY6, FT250BX4, FT250BY8, FT250BX6, FT250BY10, FT250BX10 Mitsubishi Slectric Corporation, Япония
ТБ143-320 PSIE401—1STF, PSIE401—2STF, PSIE401-3STF, PSIE401-4STF, PSIE401-5STF, PSIE4016STF Power Semiconductors, Ins, США
ТБ 143-400 240PAL60, 24ОРАМ7О, 24OPAL70, 240РАМ80, 240PAL80, 240РАМ90, 240PAL90, 240РАМ100, 240PAL100, 240PAL110 Internationa! Rectfier Corporation, США
Тип прибора Зарубежный аналог Фирмати^гоговитель, страна
ТБ151-50 37ТВ1-37ТВ12 Hind Rectifier Ltd, Индия
ТБ151-63 C148S30, C148N30, С148Т30, С148Р30, С149АЮ, С149А20, С149В10, С149В20, С149СЮ General Electric Company, США
ТБ153-езо FT5OODY16, FT500DX16, FT500DY20, FT500DX20, FT500EY20, FT500EX20, FT500DY24, FT500EY24, FT500DX24, FT500EX24 Mitsubishi Electric Corporation, Япония
ТЫ53-800 ТБ161-100 500S10H ??? Nippon Electric Co,Япония
ТБ171-16О С578- 10gv2, С578- l0gv3, С579- 10gv3, C579~l0gw2, C579- 10gw3, C578-I2gu2, C578- 12gu3, C57S-12gu3, C579- I2gv2, C579-I2gv3 Brown, Boveri Cie, Германия
ТБ171—200 C578- 10gv2 T171F400EEC Brown, Boven Cie, Германия AEG-Telef unken, Германия
ТБ253—1000 C448E,C448M,C448S, C448NrC44ST, C448P, C448PA, C448PB General Electric Company, США
Гио прибора Зарубежный аналог Фирма-изготовитель, страна
“Б253-800 5OOSS12H,500S12H 550RBQ10, 550RBQ20, 550RBQ30, 55ORBQ40, 550RBQ50 Nippon Electric Со,Япония International Rectfier Corporation, США
"6151-63 C148S30,Cl48N30, General Electric Company, США
"С-80 T8420D RCA Corporation, США
'С 112-10 2N6151, 2N6154, 2N6152, 2N6155, 2N6153, 2N6156 2N6143 Motorola Semiconductors Products, TIC, США American Microsemiconductor Inc, США
"С112-16 Т6001В,Т6006В, Т6001С, T6Q06C, T6001D, T6Q06D, Т6000Е, Т6001Е, Т6006Е RCA Corporation, США
“С 122—20 Т120КВ, Т220КВ, Т320КВ, Т420КВ, Т520КВ, Т530КВ, Т620КВ, Т820КВ, Т1020КВ', ????? Thyrotek Corporation, США
“С 122-25 25КН01—25КН06, 25КН08 Westcode Semiconductor, Semicon, Англия
“С125 BCR150B4 Mitsubishi Electric Corporation, Япония
“С132-40 2N5441-2N5443 Т6400М,Т6406М T640D8,Т640КВ RCA Corporation, США Motorola Semiconductors Products, TIC, США Thyrotek Corporation, США
"С 132-50 50АС40А, 50АС60, 50АС60А, 50АС80, 50АС80А, 50АС100, 50АС100А, 50АС120, 50АС120А International Rectfier Corporation, США
Тип прибора Зарубежный аналог Фирма-изготоаитель, страна
ТС142-63 SPT260 Т8421В РТ360, SPT360, РТ460, SPT460, РТ560, SPT560 Hutson Industries, Box, США RCA Corporation, США Hutson Industries, Box, США
ТС142-80 Т8420М,T841QB, T8410D,Т8410М RCA Corporation, США
ТС 160 FB150A16 Mitsubishi Electric Corporation, Япония
ТС161-100 TKAL110, TKAL120 100АС40, 100АС60 TKAL180, 100АС100, TKAL1100, TKAL1120 Silec-Semi Conducteurs, Франция international Rectfier Corporation, США Silec-Semi Conducteurs, Франция
ТС161-125 FB150A4, FB15OA6, BCR15OB6, BCR150B8 Mitsubishi Electric Corporation, Япония
ТС161-160 BCR150B20, FB150A20, BCR150B24, FB150A24 Mitsubishi Electric Corporation, Япония
ТС171-200 2N5257, 2N5258, 2N5259, 2N5260, 2N5261 International Rectfier Corporation, США
ТС 171-250 TKAL210, TKAL220, TKAL240, TKAL260, TKAL280, TKAL2100 Silec-Semi Conducteurs, Франция
ТС2-10 2N6142 Space Power Electronic Inc, США
ТС2-16 N6000B RCA Corporation, США
ТС2-25 2N5806-2N5808 RCA Corporation, США
ТС2-40 2N5444-2N5446 RCA Corporation, США
ТС2-50 50АС40 International Rectfier Corporation, США
ТС2-63 РТ260 Hutson Industries, Box, США
ТС2-80 Т8420В RCA Corporation, США
УКАЗАТЕЛЬ ТИПОВ ТИРИСТОРОВ
Тил прибора Стр. Тип прибора Стр. Тип прибора Стр.
2ТБ133-200 146 2ТС161-16О 301 МТД125 425
ЛБ133-250 146 2ТС161—200 301 МТД160 428
ГГБ143—320 149 2ТС171-250 310 МТД40 419
2ТБ143-400 149 2ТС171—320 310 МТД63 421
_ТБ151—50 67 мдтюо 443 МТД80 423
2 Тб 161—80 67 МДТ125 445 МТО2-Ю 449
:ТБ261-80 67 МДТ160 447 МТО2-16 451
Л6153-1000 232 МДТ2-1О 430 МТО2-25 454
2ТБ171-160 117 МДТ2-16 432 МТОД40 484
Лб П1-200 117 МДТ2-25 434 МТОД63 486
ЛБ233—400 201 МДТ40 436 МТОД80 488
2Т6253-630 152 МДТ63 438 М ТОКИО 456
ЛБ253-800 152 МДТ80 440 МТОТО63 458
ЛБ27 1-250 155 МДТО2-Ю 468 МТОТО80 460
ЛЛ171-200 324 МДТО2-16 470 мтотоюо 463
ЛЛ 171-250 324- МДТ02-25 472 МТОТО125 463
7ТЛ271-250 343 МДТО40 475 МТОТО160 465
Л0132-25 373 МДТО63 477 МТТ-40 407
ЛО132-40 373 МД ТО 80 479 МТТ-63 409
Л0142-50 378 МДТО100 481 МТТ-80 412
7 ТО М2—63 378 МДТО125 481 мттюо 414
:тон2-8о 378 МДТО160 481 МТТ125 414
2TCI12-10 258 МТ2-10 401 МТТ160 416
2ТС122-25 258 МТ2-16 403 0111 491
2ТС132-50 276 МТ2-25 405 0131 493
2ТС142-80 276 МТД100 425 0141 495
Тип прибора Стр. Тип прибора Стр. Тип прибора Стр.
0151 496 ТБ320 170 ТС122-20 261
0221 492 ТБ400 170 ТС 122-25 261
0231 494 ТБК143-250 384 ТС 125 282
0241 497 ТБК143-320 384 ТС 132-40 274
Т130-40 392 ТБК171-125 380 ТС132-50 274
Т13О-5О 392 ТБК171-160 380 ТС142-63 279
Т140-63 395 ТДЧ153-320/125 389 ТС 142-80 279
Т140-80 395 ТДЧ153-400/160 389 ТС161-100 294
ТБ133-200 130 ТДЧ171—250/50 387 ТС161-125 294
ТБ 133—250 130 ТДЧ171-160/63 387 ТС161-160 294
ТБ143-320 166 ТЛ 171-250 336 ТС171-200 304
ТБ143-400 166 ТЛ171-320 336 ТС 171-250 304
ТБ 151 — 50 53 ТЛ2-160 313 ТС 160 262
ТБ151-63 53 ТЛ 2-200 313 ТС2-10 245
ТБ153-630 214 ТЛ4-250 327 ТС2-16 245
ТБ153-600 214 ТО125-Ю 363 ТС2-25 245
ТБ161-80 70 ТО125-12,5 368 ТС2-40 263
ТБ161-100 70 Т0132-25 370 ТС2-50 263
Т6171-160 102 ТО132-40 370 ТС2-63 263
ТБ171-2ОО 102 Т0142-50 375 ТС2-80 263
ТБ2-160 86 Т0142-63 375 ТС80 282
ТБ200 120 Т0142-80 375 тсо-ю 366
ТБ250 120 Т02-Ю 350 ТФ130-40 397
ТБ253-600 229 ТО2-40 353 ТФ130-50 397
ТБ253-1000 229 ТС112-10 255 ТФ140-63 399
ТБЗ-200 66 ТС112-16 255 ТФ 140-60 399
ПЕРЕЧЕНЬ ТИПОВ ТИРИСТОРОВ, вошедших в 1—2 тт. издания
Тип прибора Том Тип прибора Том Тип прибора Том
2Н101(А-Ж, И) 1 2Т233-200 1 2Т0142-80 2
2НЮ2(А—Ж, И-Л) 1 2Т253-1000 1 2ТС112-10 2
2Т112-10 1 2Т253—1250 1 2ТС122-25 2
2Т122-25 1 2Т253-800 1 2ТС132-50 2
2Т123-200 1 2ТБ133-200 2 2ТС142-80 2
2Т123-250 1 2ТБ133-250 2 2ТС161-160 2
2Т123-320 1 2Т6143-320 2 2ТС161-200 2
2Т132-25 1 2ТБ143-400 2 2ТС171-250 2
2Т132-50 1 2ТБ151-50 2 2ТС171-320 2
2Т133-320 1 2ТБ153-Ю00 2 2У10ЦА—Б, Г-Ж, И) 1
2Т133-400 1 2ТБ161-80 2 2У102(А—Г) 1
2Т142-50 1 2ТБ171-160 2 2У103В 1
2Т142—80 1 2ТБ171-200 2 2У104(А-Г) 1
2Т143-400 1 2ТБ233—400 2 2У105(А-Е) 1
2Т143-500 1 2ТБ253-630 2 2У 106(А—Г) 1
2Т143-630 1 2ТБ253-800 2 2У107(А-Е) 1
2Т151-100 1 2ТБ261-80 2 2У 110(А-В) 1
2Т152-80 1 2ТБ271-250 2 2У111( А-Г) 1
2Т153-630 1 2ТИ17 3—12500 1 2У113(А, Б) 1
2Т153-800 1 2ТЛ171-200 2 2У114А 1
2Т161-125 1 2ТЛ171-250 2 2У116АС 1
2Т161-160 1 2ТЛ271-250 2 2У20ЦА-Ж, И-Л) 1
2Т171-200 1 2Т0132-25 2 2У202(Д-Ж, И-Н) 1
2Т171-250 1 2Т0132-40 2 2У203(А-Ж( И) 1
2Т171-320 1 2Т0142-50 2 2У204(А- В) 1
2Т223-100 1 2Т0142-63 2 2У205(А—Г) 1
г
Тил прибора Той Тип прибора Том Тип прибора Том t
2У206(А—Г) 1 2У222В (ТИЧ 1200-10-2) ь 1 J
2У207(А—Е) 1 (ТИЧ 400-20-2) 1 2У703Г г *
2У2О8(А—Г) 1 2У222Г (ТИЧ1200—8-2) 1 *
2У215(А,Б) (ТИЧ400-16-2) 1 2У704(А, Б) 1 >5
(ТИЧ-250) 1 2У225А 2У705(А—В) 1
2У220А (ТИЧ4-100-20) 1 2У706(А, Б) 1
(ТИЧЗ-100-10-11) 1 2У226(А( Б) 1 2У7О7(А, Б) 1
2У220Б 2У227(А, Б) 1 2У708А 1
(ТИЧЗ—100—10—12) 1 2У229(А—Ж, И-Н) 1 ЗТОПБ132—32Х 1
2У220В 2У233(А, Б) 1 ЗТОПБ132—50Х 1
(ТИЧЗ—100—10—21) 1 2У234(А, Б) 1 ЗТОПБ132-63Х 1
2У 220Г 2У235(А, Б) 1 Д235(А-Г) 1
(ТИЧЗ—100—10—22) 1 2У238(А, Б) 1 Д238(А—Е) 1
2У220Д 2У701А КН102(А-Ж, И) 1
(ТИЧЗ-100-8-21) 1 (ТИЧ 200—8—1) 1 КУ 101 (А—Б, Г, Е) 1
2У220Е 2У701Б КУ102(А-Г) 1
(ТИЧЗ-100-8-22) 1 (ТИЧ200-8-2) 1 КУ103(А, В) 1
2У221А 2У7О1В КУ104(А- Г) 1
(ТИЧ5-Ю0-8-12) 1 (ТИЧ200—6—1) 1 КУ105(А- Е) 1
2У221Б 2У701Г КУЮб(А-Г) 1
(ТИЧ 5-100-8-21) 1 (ТИЧ 200-6-2) 1 КУ108(В,Ж,М,Н,С) 1
2У221В 2У7О2(А—Г) 1 КУ108(Т, Ф. Ц) 1
(ТИЧ5-100-6-23) 1 2У7ОЗА КУ Ю9(А- Г) 1
2У222А (ТИЧ1200-12-1) 1 КУПО(А-В) 1
(ТИЧ400—20—1) 1 2У703Б КУПЦА, Б) 1
2У222Б (ТИЧ 1200-12-2) 1 КУ113(А, Б) 1
(ТИЧ400-16-1) 1 2У703В КУ20ЦА-Ж, К-Л) 1
Тип прибора |Том Тип прибора Том Тип прибора | Том
КУ202(А—Ж, И-Н) 1 МДТО2-10 2 МТТ-80 2
КУ2ОЗ(А-Ж, И) 1 МДТО2-16 2 МП 100 2
КУ204(А-В) 1 МДТО2-25 2 МТТ125 2
КУ208(А—Г) 1 МДТО40 2 МП 160 2
КУ210(А—В) 1 МДТО63 2 0111 2
КУ211{А—Ж, И) 1 МДТО80 2 0131 2
КУ215(А—В) 1 МТ2-10 2 0141 2
КУ218(А—Ж, И) 1 МТ2-16 2 0151 2
КУ219(А—В) 1 МТ2-25 2 0221 2
КУ220(А-Д) 1 МТД100 2 0231 2
КУ22ЦА-Д) 1 МТД125 2 0241 2
КУ222(А—Г) 1 МТД40 2 ТЮ-10 1
КУ223(А-Ж, И) 1 МТД63 2 ПО-12 1
КУ224А 1 МТД80 2 Т10-16 1
КУ228(А—Д, Ж, И* 1 МТО2-Ю 2 ПО—20 1
КУ601(А-Г) 1 МТО2-16 2 Т10-25 1
мдтюо 2 МТО2-25 2 ПО-40 1
МДТ125 2 МТОД40 2 T1D-50 1
МДПбО 2 МТОД63 2 Т10-63 1
МДТ2-10 2 МТОД80 2 ПО—80 1
МДТ2-16 2 мтотоюо 2 Т100 1
МДТ2-25 2 МТОТО125 2 И ООО 1
МДТ40 2 мтотоюо 2 Т112-10 1
МДТ63 2 МТОТО40 2 Т112-1Б 1
МДТ80 2 МТОТО63 2 Т122-20 1
мдтоюо 2 МТОТО80 2 Т122-25 1
МДТО125 2 МП—40 2 Т123-200 1
МДТ0160 2 МП-63 2 Т123-250 1
Тип прибора Том Тип прибор* Том Тип прибора Том
Т123-320 1 Т15-200 1 Т2-320 1
Т130-40 2 Т15-250 1 Т2-800 1 1
Т130-50 2 Т15-32 1 Т222-20 1
Т131-40 1 Т15-40 1 Т222-25
Т131-50 1 Т15-80 1 Т232-16 1
Т132-16 1 Т151-100 1 Т232-25 1
Т132-25 1 Т151-63 1 Т232-40 1
Т132-40 1 Т151-80 1 Т232-50 1
Г132-50 1 Т152-63 1 Т242-32 1
Т133-320 1 Т152-80 1 Т242-40 1
Т133-400 1 Т153-630 1 Т242-50 1
Т140-63 2 1153-800 1 Т242-63 1
Т140-80 2 Т16-250 1 Т242-80 1
Т141-40 1 Т16-320 1 Т25 1
Т141-50 1 Т16-400 1 Т252-63 1
Т141-63 1 Т16-500 1 Т252-80 1
Т141-80 1 Т160 1 Т253-1000 1
Т142-32 1 Т161-125 1 Т253-1250 1
Т142-40 1 Т161-160 1 Т253-800 1
Г142-50 1 Т111-200 1 Т 3—320 1
Т142-63 1 Т171-250 1 Т 353-800 1
Т142-80 1 Т171-320 1 Т4-500 1
Т143-400 1 Т173-1250 1 Т50 1
Т143-500 1 Т2-12 1 Т500 1
Т143-630 1 Т2-12М 1 Т630 1
Т15-100 1 Т2-160 1 Т800 1
Т15-125 1 Т2-25 1 Т9-250 1
Т15-16О 1 Т2-25М 1 ТБ 133-200 2
Тип прибора Том Тип прибора Том Тип прибора Том
ТБ133-250 2 ТЛ 171-250 2 ТС171-200 2
ТБ143-320 2 ТЛ171-320 2 ТС171-250 2
ТБ143-400 2 ТЛ2-160 2 ТС2-10 2
ТБ 151-50 2 ТЛ2-200 2 ТС2-16 2
ТБ151-63 2 ТЛ4-250 2 ТС2-25 2
ТБ153—630 2 Т0125-10 2 ТС2-40 2
ТБ153-800 2 ТО125-12,5 2 ТС2-50 2
ТБ161-100 2 Т0132-25 2 ТС2-63 2
ТБ161-80 2 Т0132-40 2 ТС2-80 2
ТБ171-160 2 Т0142-50 2 ТС80 2
ТБ171-200 2 Т0142-63 2 тсо-ю 2
ТБ2-16 2 ТО142-80 2 ТФ 130-40 2
ТБ200 2 Т02-Ю 2 ТФ130-50 2
ТБ250 2 ТО2-40 2 ТФ140-63 2
ТБ253-1000 2 ТС112—10 2 ТФ140-80 2
ТБ253-800 2 ТС112-16 2 ТЧ100 1
ТБЗ-200 2 ТС122-20 2 тчюос 1
ТБ320 2 ТС122-25 2 ТЧ125 1
ТБ400 2 ТС125 2 ТЧ25 1
ТБК 143-250 2 ТС 132-40 2 ТЧ25С 1
ТБК 143-320 2 ТС 132-50 2 ТЧ40 1
ТБК 171-125 2 ТС142-63 2 ТЧ50 1
ТБК171—160 2 ТС 142-80 2 ТЧ50С 1
ТДЧ153-320/125 2 ТС160 2 ТЧ63 1
ТДЧ153-400/160 2 ТС161-100 2 ТЧ80 1
ТДЧ 171 —160/63 2 ТС161-125 2 ТЧИ100 1
ТДЧ171-125/50 2 ТС161-160 2 тчиюос 1
ИЗДАТЕЛЬСТВО «РАДИОСОФТ» http://www.radiosoft.ru e-mail: info@radiosoft.ru
Отдел реализации тел./факс: (095) 177-4720 e-mail: real@radiosoft.ru
Адрес и телефон для заявок на книги по почте наложенным платежом: 111578 Москва, а/я 1 «Пост-Пресс», тел: (095) 307-0661,307-0621 e-mail: poslpres@dol.ru
СПРАВОЧНИК
Черепанов Вадим Павлович Хрулев Аркадий Квинтилианович
ТИРИСТОРЫ И ИХ ЗАРУБЕЖНЫЕ АНАЛОГИ
В двух томах
Том 2
Ответственный за выпускА А. Халоян Редактор М. Ю. Нефедова
Сдано в набор 20.03.2002, Подписано в печать 16.04.2002. Формат 84х1087,?, Бумага газетная. Печать высокая Печ. л. 16. Тираж 5000 экэ. Заказ 1723
Издательское предприятие РадиоСофт
109125, Москва, Саратовская ул,,д, 6/2
Лицензия № 065866 от 30 04.98
ФГУП Владимирская книжная типография
600000, г, Владимир, Октябрьский проспект, д, 7 Качество печати соответствует качеству представленных диапозитивов
ISBN 5-93037-062-1