СПРАВОЧНИК
Диоды,
тиристоры,
транзисторы
и
микросхемы
широкого
применения.
Воронеж
Издательско-полиграфическая фирма "ВОРОНЕЖ"
1994г.
ББК32.852.3
С74
Составители:
Б. Ф. Бессарабов, В. Д. Федюк, Д. В Федюк.
Диоды, тиристоры, транзисторы и микросхемы широкого
применения. Справочник. / Б.Ф.Бёссарабов, В.Д Федюк,
Д.В. Федюк - Воронеж : ИПФ "Воронеж", 1994 г.
В справочнике приведены электрические параметры, предельные эксплуатаци-
онные данные, габаритные размеры и другие характеристики отечественныхсерий
но выпускаемых, диодов, тиристоров, транзисторов и микросхем, применяемых в
быговой радиоаппаратуре и радиолюбительской практике. Приведены зарубежные
аналоги отечественных микросхем, а также таблицы зарубежных диодов и транзи
сторов и их отечественные аналоги. Для телерадиомастеров и подготовленных ради
олюбителей.
q 23(М.О2ШО0Д111 без обьявл.
Ж13(03)-94
I
ISBN5-89981-030-0
© ИПФ ’Воронеж".
© Б Ф Бессарабов, В.Д. Федюк,
Д.В. Федюк (составление)
3
ПРЕДИСЛОВИЕ
В справочнике приведены сведения о параметрах диодов, тиристоров, транзисторов
и интегральных микросхем широкого применения. Справочник состоит из четырех са-
мостоятельных разделов.
Первый раздел включает в себя сведения о выпрямительных диодах со средним то-
ком не более 10А, блоках и сборках «выпрямительных, выпрямительных столбах, уни-
версальных и импульсных диодах, матрицах и сборках диодных, стабилитронах и ста-
бисторах, варикапах, излучающих диодах, знакосинтезирующих индикаторах, фотодио-
дах и оптопарах.
Второй раздел посвящен тиристорам. В нем приводятся сведения по динисторам,
запираемым тиристорам, незапираемым тиристорам, симисторам и оптронным
тиристорам.
В третьем разделе приведены сведения о параметрах биполярных и полевых тран-
зисторов широкого применения, а также о фототранзисторах.
Четвертый раздел по интегральным микросхемам включает в себя наиболее рас-
пространенные в бытовой радиоаппаратуре и радиолюбительской практике серии циф-
ровых и аналоговых микросхем.
В начале каждого раздела дается краткая характеристика и классификация приво-
димых приборов В приложении к каждому разделу приводятся габаритные чертежи. В
разделах приводятся, известные авторам, зарубежные аналоги отечественных приборов.
Для удобства пользования справочником обозначения приборов расположены в алфа-
витно-цифровой последовательности. Сведения о параметрах приборов, не вошедших в
данный справочник, можно найти в литературе, список которой приведен в конце спра-
вочника. Справочник не заменяет технических условии, утверждаемых в установленном
порядке, и не является юридическим документом для предъявления рекламации.
Справочник рас читан на широким круг радиолюбителей и может быть полезен спе-
циалистам. занимающимся разработкой, ремонтом и эксплуатацией радиоэлектронной
аппаратуры.
4
СПИСОК ОСНОВНЫХ СОКРАЩЕНИЙ
ДМ - амплитудная модуляция
АПЧ - автоматическая подстройка частоты
АПЧФ - автоматическая подстройка частоты и фазы
АРУ - автоматическая регулировка усиления
АРУЗ - автоматическая регулировка усиления в канале записи
БШН - бесшумная настройка
ВЧ ~ высокая частота
ГУН - генератор управляемый напряжением
ДВ - длинные волны
КВ *- короткие волны
КСС - комплексный стереосигнал
JI3 - линия задержки
НЧ - низкая частота
ООС - отрицательная обратная связь
ОС - обратная связь, отклоняющая система
ОУ - операционный усилитель
114 - промежуточная частота
САР - система автоматического регулирования
СВ - средние волны
УВЧ - усилитель высокой частоты
УКВ - ультракороткие волны
УНЧ - усилитель низкой частоты
УПЧ - усилитель промежуточной частоты
УПЧЗ - усилитель промежуточной частоты звука
УПЧИ - усилитель промежуточной частоты изображения
ФАПЧ - фазовая автоматическая подстройка частоты
ФНЧ - фильтр нижних частот
ФПЧ - фильтр промежуточной частоты
ЧМ - частотная модуляция
NTSC - система цветного телевидения от National Television System
of Colour
PAI - система цветного телевидения co строчно-переменной фазой от
Phase Alternating Line
SECAM - система цветного телевидения с последовательной передачей и
памятью от Systeme Sequentiel Coleurs a Memoire
VHS - формат записи в бытовых видеомагнитофонах от Video Поте System
диоды
5
РАЗДЕЛ ПЕРВЫЙ
I. ДИОДЫ
Выпрямительные диоды - полупроводниковые диоды, используемые в электричес-
ких устройствах для преобразования переменного тока в ток одной полярности. По
вольтамперной характеристике известно, что значения прямого и обратного токов от-
личаются на несколько порядков, а прямое падение напряжения не превышает единиц
вольт по сравнению с обратным напряжением, которое может составлять сотни вольт.
Поэтому диоды обладают односторонней проводимостью, что позволяет использовать
их в качестве выпрямительных приборов.
Выпрямительные блоки и сборки - это два, четыре или более диода, электрически
независимых или соединенных в виде моста и размещенных в одном корпусе.
Выпрямительные столбы - это совокупность выпрямительных диодов, соединенных
последовательно и собранных в единую конструкцию с двумя выводами. Эти приборы
характеризуются теми же параметрами, что и выпрямительные диоды и служат для вы-
прямления переменного тока напряжением свыше нескольких киловольт.
Универсальные и импульсные диоды - это диоды, которые могут быть использова-
ны в выпрямителях на высокой частоте, модуляторах, преобразователях, формировате-
лях импульсов, ограничителях и других импульсных устройствах.
Диодные матрицы и сборки предназначены для использования в многоступенчатых
диодно-резистивных логических устройствах, выполняющих операции И, ИЛИ,
диодных функциональных дешифраторах, различных коммутаторах зека и других
импульсных устройствах. Конструктивно они выполнены в одном корпусе и могут быть
электрически соединены в отдельные группы или в одну группу (общий анод и
раздельные катоды, общий катод и раздельные аноды), последовательно соединены или
электрически изолированы.
Стабилитрон - полупроводниковый диод, напряжение на котором в области элек-
трического пробоя при обратном смещении слабо зависит от тока в заданном его диа-
пазоне, предназначен для стабилизации напряжения. Существующие стабилитроны
имеют минимальное напряжение стабилизации примерно до 3 в. Для получения мень-
шего напряжения стабилизации используются стабисторы. Стабистор - полупровод-
никовый диод, напряжение на котором в области прямого смещения слабо зависит от
тока в заданном диапазоне, предназначен для стабилизации напряжения. Важным пара-
метром стабилитронов и стабисторов является температурный коэффициент напряже-
ния стабилизации (ТКН), который показывает на сколько процентов изменится напря-
жение стабилизации при изменении температуры прибора на 1° С.
Варикап - это полупроводниковый диод, в котором используется зависимость ем-
кости р-п перехода от обратного напряжения. Варикапы удобны тем, что подавая
на них постоянное напряжение смещения, можно дистанционно и практически без-
инерционно менять их емкость и тем самым резонансную частоту контура, в который
включен варикап. Варикапы применяют для усиления и генерации СВЧ сигналов, пе-
рестройки частоты колебательных контуров или автоподстройки частоты. Принцип
работы варикапа основан на свойствах барьерной емкости р-п перехода, причем
при увеличении обратного напряжения на переходе его емкость уменьшается. Эта
емкость имеет относительно высокую добротность, низкий уровень собственных шу-
мов и не зависит от частоты, вплоть до миллиметрового диапазона.
Излучающим диодом называют полупроводниковый прибор, излучающий кванты
света при протекании через него прямого тока. По характеристике излучения из-
лучающие диоды можно разделить на две группы: с излучением в видимой части
спектра (светодиоды) и инфракрасной - диоды ИК излучения. Светодиоды выпуска-
6
диоды
ются красного, оранжевого, зеленого, желтого цветов свечения, а также с пере-
менным цветом свечения. Последние имений два электронно-дырочных перехода Об-
щий цвет свечения зависит от соотношения токов, протекающих через эти перехо-
ды. Светодиоды чаще всего используют как индикаторные устройства, а диоды с
переменным цветом свечения применяют в качестве индикаторов изменения токовых
режимов в электронных цепях. Областями применения диодов ИК излучения являются
системы внешних устройств вычислительной техники, оптронные устройства комму-
тации, оптические линии связи и различные узлы коммутации систем автоматики^
Знакосинтезирующие индикаторы - полупроводниковые приборы, состоящие из
нескольких светоизлучающих диодов, предназначенных для использования в уст-
ройствах визуального представления информации в качестве индикаторов различных
знаков
Фотодиод - фоточувствительный полупроводниковый диод с р-п переходом
(между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом). При
освещении р-п перехода в нем возникают электронно-дырочные пары Направление
тока этих носителей совпадает с направлением обратного тока перехода. Фотодио-
ды используют в фотодиодном и фотогальваническом режимах. В первом - р-п пере-
ход смещается в обратном направлении и фототок является функцией освещенности
Во втором режиме прибор работает в режиме генерации фото-ЭДС По сравнению с
фотогальваническим, с|ю'годиодный режим обладает рядом достоинств, пониженной
инерционностью, повышенной чувствительностью к длинноволновой части оптическо-
го спектра, широким динамическим диапазоном линейности характеристик Основной
недостаток этого режима - наличие шумового тока, протекающего через нагрузку.
В ряде случаев, при необходимости обеспечения низкого уровня шума фотоприемника,
фотогальванический режим может оказаться более выгодным, чем фотодиодный
Оптопара - оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящим из изучаю-
щего и фотоприемного элементов, между которыми имеется оптическая связь,
обеспечивающая электрическую изоляцию между входом и выходом
Буквенные обозначения параметров и их определения
Lo6p
^обр,и
Ь’
^вых
^вх,обр
^вых,обр
ииз
L’KOM
р
изл
;.,р
пр,и
‘пр.ср
обр
1црг
-	постоянное прямое напряжен^ диода
-	постоянное обратное напряжение диода
-	наибольшее мгновенное значение обратного напряжение диода
-	прямое падение напряжения на диодах, соединенных по мостовой
схеме и при коротком замыкании со стороны нагрузки
-	значение напряжения стабилитрона при протекании тока стабили-
зации
-	значение рабочего напряжения фотодиода
-	значение входного напряжения оптопары
-	значение выходного остаточного напряжения оптопары
-	значение обратного входного напряжения
-	значение обратного выходного напряжения
-	значение напряжения изоляции оптопары
значение коммутируемого напряжения
-	значение мощности излучения
-	постоянный прямой ток диода
-	наибольшее мгновенное значение прямого тока диода, исключая по-
вторяющиеся и неповторяюшиеся переходные токи
-	среднее за период значение прямого тока диода
-	постоянный обратный ток диода
-	значение прямого тока выпрямительного диода, длительное
диоды
7
	протекание которого вызвало бы превышение максимально допустимой температуры перехода, но который так ограничен во времени, что эта температура не превышается
'хх	- значение обратного тока диодов, соединенных по мостовой схеме и отключенной нагрузке
гот I	- значение постоянного тока, протекающего через стабилитрон в ре- жиме стабилизации - значение темнового тока фотодиода
5* д’*1 я"" сГ  2 S Е * £ х х о 2ч	3 ОХ	н	-	значение входного тока оптопары -	значение постоянного выходного тока оптопары -	значение максимально допустимой частоты -	время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевой значение до момента достижения обратным током заданного значения
а ст	- отношение относительного изменения напряжения стабилизации стабилитрона к абсолютному изменению температуры окружающем среды при постоянном значении тока стабилизации
8 U ст	- отношение наибольшего изменения напряжения стабилизации ста- билитрона к начальному значению напряжения стабилизации за за- данный интервал времени
С 0в	- значение емкости варикапа - отношение реактивного сопротивления варикапа на задан- ной частоте к сопротивлению потерь при заданном значении емкости или обратного напряжения (добротность варикапа)
Кс	- значение коэффициента перекрытия по емкости варикапа
'с .	- значение светового потока, излучаемого светодиодом, приходящегося на единицу телесного угла в направлении, перпендикулярном к плоскости излучающего кристалла
L	- величина, равная отношению силы света светодиода к площади све-
X max	тящейся поверхности (яркость светодиода) - значение длины волны светового излучения, соответствующая мак- симуму спектральной характеристики светодиода
*нр,изл	- интервал времени, в течение которого мощность излучения диода после включения изменяется от 0,1 до 0,9 максимального значения
’сп,изл	- интервал времени, в течение которого мощность излучения диода
ДХ	после выключения изменяется от 0,9 до 0,1 максимального значения - значение диапазона спектральной характеристики фотодиода
$1 ИНТ 1нс,сп	- значение интегральной токовой чувствительности фотодиода - значение времени нарастания и спада выходного импульса оптопары
Обеспечение отвода тепла от полупроводниковых приборов является одной из
главных задач при конструировании аппаратуры. Необходимо придерживаться прин-
ципа максимально возможного снижения температуры переходов и корпусов прибо-
ров. Для охлаждения мощных приборов используются тепло проводящие- охладители, а
также конструктивные элементы узлов и блоков аппаратуры, имеющие дос i а сочную
поверхность или хороший теплоотвод. Крепление приборов к охладителю должно
обеспечивать-надежный тепловой контакт. Если корпус прибора необходимо изо пи-
ровать, то для уменьшения общего теплового сопротивления лучше изолировать ох-
ладитель от корпуса аппаратуры, чем диод от охладителя.
Рихтовка, формовка и обрезка участков выводов приборов должна произво-
8	. ч	ДИОДЫ
диться так, чтобы в выводах не возникали избыточна или растягивающие усилия-
Расстояние от корпуса прибора до начала изгиба вывода должно быть не менее 2мм;
радиус изгиба вывода не менее 0,5мм при его диаметре 0,5мм; 1мм - при
диаметре 0,6мм, и не менее 1,5 мм при диаметре свыше 1мм.
Расстояние от корпуса прибора до места пайки или лужения должно быть не
менее Змм.
Цветовая маркировка диодов приведена в приложении 1.1.
Зарубежные диоды и их функциональные отечественные аналоги приведены в при-
ложении 1.2.
Габаритные чертежи диодов приведены в приложении 1.3.
диоды
9
1Л. Диоды выпрямительные со средним током не более 10 А
Т а б п и ц а /. /
Тип прибора	'пр. <.р шах, А(мА)	^обр.и ' max, В	^обр max. В	^ирг. А	^тах, МГц ‘	Unp. В	ъос. обр, мкс	Прило- жение 1.3
Д2Б	(16)	30	10	-	150	1	3	
Д2В	<25>	40	30	-	150	1	3	
Д2Г	(16)	75	50	-	150	1	.3	
Д2Д	< 16)	75	50	-	150	1	3	Д45,
Д2Е	<161	100	100	-	150	1	3	Д99
Д2Ж	(S)	150	150		150	1	3	
Д2И	(16)	100	100		150	1	3	
Д7А	0.3	50	-	1	0,02	0,5	-	
Д7Б	0.3	100	-	1	0.02	0.5	-	
Д7В	0.3	150	-	1	0,02	0,5	-	Д5а
Д7Г	0.3	200		1	0,02	0.5	-	
Д7Д	0.3	300	-	1	0,02	0.5	-	
Д7Е	0.3	350	-	1	0,02	0,5	-	
Д7Ж	0.3	400	-	1	0.02	0.5	-	
Д9Б	(40)	10	-	V -	40	1	0.8	
Д9В	(20)	30	-	-	40	1	0,8	
Д9Г	(30)	30	-	-	40	1	0,8	
Д9Д	<3<»	30	- 	-	40	1	0.8	Д22,
Д9Е	<20>	50	-	-	40	1	0,8	Д46
Д9Ж	(15)	100	-	-	40	1	0.8	
Д9И	(30) -	30	-	-	40	1	0.8	
Д9К	(30)	50		-	40	1	0.8	
Д9Л	(15)	100	-	-	40	1	0.8	
Д9М	(30)	30		-	40	1	0.8	
дни	(30)	75	75	-	150	9	-	
ДИНА	(30)	75	75	-	150	1	-	
Д102	(30)	50	50	-	150	2	-	Д4
Д102А	(30)	50	50		150	1	-	
ДН13	(30)	30	30	-	150	2	-	
ДЮЗА .	(30)	30	.30	-	150	1		
Д104	(30)	100	100	-	0.15	2	0.5	
Д104А	(30)	100	100	-	0.15	1	0.5	
Д105	(30)	75	75		0.1 5	2	0,5	Д4
Д105А	(30)	75	75	-	0.1 5	1	0.5	
ДНИ)	(30)	.30	30	-	0.15	2	0.5	
Д106А	(30)	30	.30	-	0.15	1	0.5	
10
диоды
Продолжение табл. 1.1
Тип прибора	'пр, ср max, А(мА)	^обр,и max, В	иобр шах, В	^прг, А	^тах, МГц	Lnp, в	’вое, обр, мкс	Прило- жение 1.3
Д202	0,4	100	100	-	0,02	1	-	-
дгоз	0,4	200	200	-	0,02	1		Д101
Д204	0,4	300	300	-	0,02	1	-	
Д205	0,4	400	400	-	0,02	1	-	
Д206	од	100	-	-	0,001	1	-	
Д207	од	200		-	0,001	1	-	
Д208	0,1	300	-	-	0,001	1	-	Д5а
Д209	0,1	400	-	-	0,001	1	-	
Д210	0,1	500	-	-	0,001	I	-	
Д2И	0,1	600	-	-	0,001	1	-	
Д214	10	100	-	100	0,001 1	1,2	-	
Д214А	10	100	-	100	0,0011	1	-	Д16
Д214Б	5	00		50	0,001 1	1		
Д215	10	200	-	100	0,001 1	1,2	-	
Д215А	10	200	-	100	0,001 1	1	-	Д16 г
Д215Б	5	200	-	50	0.001 1	15	-	ъ
Д217	0,1	800	-	-	0,001	1	-	
Д218	0,1	1000	-	-	0.001	0,7	-	Д5а
Д223	0,05	-	50	0,5	-	1	-	
Д223А	0,05	-	100	0,5	-	1	-	Д4
Д223Б	0,05	-	150	0,5	-	1	-	
Д226	о,з	400	-	-	0,001	1	-	
Д226А	0,3	300		-	0,001	1	-	Д5а
Д226Е	0,3	200	-		0.001	4		
Д229А	0,4	200	-	10	,0,001	1		
Д229Б	0,4	400	-	10	0,001	1	-	
Д229В	0,4	100х	ЛОО	2	0.001	1	-	дп
Д229Г	0,4	200	\о	-	0.001	1	*	
Д229Д	0,4	300	зоб	-	0,001	1	-	
Д229Е	0,4	400	400	-	0 (ХИ	1	-	
Д229Ж	0,7	100	100	-	0,001	1	-	
Д229И	0,7	200	200	-	0,001	1	-	
Д229К	0,7	300	300	-	0,001	1	-	
Д229Л	0,7	400	400	-	0,001	1	-	
ДИОДЫ
и
Продолжение табл. 1.1
Тип прибора	Jnp, ср max, А (мА)	^обр,и max, В	иобр max, ’ В	'прг, А	^тах, МГц	Unp, В	*вос, обр, мкс	Прило- жение 1.3
Д231	10	300	-	100	0,001	1	-	
Д231А	10	300	-	100	0,0b 1	1,2	-	
Д231Б	5	’ 300	-	50	0,001	1,5	-	
Д232	10	400	-	100	0,001	1	-	
Д232А	10	400	-	100	0,001	1,2	-	Д1б
Д232Б	5	400	-	50	0,001	1,5	-	
Д233	10	500	-	100	0,001	' 1	-	
Д233Б	5	500	-	50	0,001	1,5	-	
Д234Б	5	600		50	0,001	1,5	-	
Д237А	0,3	200		10	0,001	1		
Д237Б	0,3	400	-	10	0,001	I	-	
Д237В	0,1	600	-	10	0,001	1	-	Д5а
Д237Е	0,4	200	-	10	0,001	1	-	
Д237Ж	0,4	400	-	10	0,001	I	-	
Д242	’ 10	100	-	-	0,01	1,25		
Д242А	10	100	-	-	0,01	1	-	
Д242Б	5	Ц)0	-	-	0,01	1,5	-	
Д243	10	200	•	-	0,01	1,25	-	
Д243А	10	 200	-	-	0,01	1	-	Д16
Д243Б	5	200	-	-	0,01	1,5	-	
Д245	10	300	, -	-	0,01	1,25	-	
Д245А	10	300	-	-	0,01	1	-	
Д245Б	5	300	-	-	0,01	1,5	-	
Д246	L0	400	-	-	0,01	1,25	-	
Д246А	10	400	-	-	0,01	1	-	
Д246Б	5	*	400	-	-	0,01	1,5	-	
Д247	10	500	-	-	0,01	1,25	-	
Д247Б	5	500	-	-	0,01	1,5	-	
Д248Б	5	600	-	-	0,01	1,5	-	
Д302	1	200	-	4 >	0,005	0,25	-	
ДЗОЗ	3	150	-	4,5	0,005	0,3	-	Д14
Д304	5	100	-	12,5	0,005	0,25	-	
Д305	10	50	-	20	0,005	' 0,3	-	
КД102А	о,1	-	250	2	0,005	1	-	
КД102Б	0,1	-	300	2	0,005	1	-	ДЗ
КД103А	0,1	-	50	2	0,02	1	-	
КД103В	0,1	-	50	2	0,02	1,2	-	
КД104А	(10)	300	300	1	0,02	1	4	ДЗ
12
ДИОДЫ
Продолжение табл. 1.1
Тип прибора	®пр, ср шах, А(мА)	Ц>бр,и max, В	%бр max, В	^прг, А	^пах, МГц	Unp, В	*вос, обр, мкс	Прило- жение 1.3
КД105Б	0,3	400	-	15	0,001	1	-	
КД105В	0,3	600	-	15	0,001	1	-	Д8
КД105Г	0,3	800	-	15	0,001	1	-	
КД106А	0,3	100	100	3	0,03	1	0,45	Дб
КД109А	0,3	100	-	-	-	1	-	
КД109Б	0,3	300	-	-	-	1	-	Д7
КД109В	0,3	600	-	-	-	1	-	
КД126А	0,25	-	300	-	0,02	1,4	-	
КД127А	0,25	-	800	-	0,02	1,4	-	
КД202А	5	50	35	9	0,005	0,9		
КД202Б	3,5	50	35	9	0,005	0,9	-	
КД202В	5	100	70	9	0,005	0,9		
КД202Г	3,5	100	70	9	0,005	0,9	-	
КД202Д	5	200	140	9(	0,005	0,9	-	
КД202Е	3,5	200	140	9	0,005	0,9	-	
КД202Ж	5	300	210	9	0,005	0,9	-	Д15
КД202И	3,5	300	210	9	0,005	0.9	-	
КД202К	5	400	280	9	0,005	0,9	-	
КД202Л	3,5	400	280	9	0,005	0,9	-	
КД202М	5	500	350	1 9	0,005	0.9	-	
КД202И	3,5	500	350	9	0,005	0,9	-	
КД202Р	5	600	420	9	0.005	0,9	-	
КД202С	3,5	600	420	9	0,005	0,9	-	
КД203А	10	600	420	50	0,001	1	-	
КД203Б	5	800	560	50	0,001	1	-	
КД203В	10	800	560	50	0,001	1	-	Д16
КД203Г	5	1000	700	50	0,001	1		
КД203Д	10	1000	700	50	0,001	1	-	
КД204А	0,4	400	400	0,8	0,05	1,4	1.5	
КД204Б	0.6	200	200	1,2	0,05	1,4	1.5	Д12а
КД204В	1	50	50	2	0.05	1,4	1-5	
КД206А	10	400	400	100	0,02	1.2	10	
КД206Б	10	500	500	100	0,02	1,2	10	Д12а
КД206В	10	600	600	100	0,02	1.2	10	
ДИОДЫ
13
Продолжение табл. 1.1
Тип прибора	^пр, ср max, А(мА)	^обр,и max, В	^обр max, В	^прг, А	^шах, МГц	ипр, В	'вое, обр, мкс	Прило- жение 1.3
КД208А	1,5	100	100	-	0,001	1	-	
КД209А	0,7	400	400	6	0,001	1	-	Д8
КД209Б	0,5	600	600	6	0,001	1	-	
1СД209В	0,5	800	800	6	0,001	1	-	
КД210А	5	800	-	25	0,005	2		
КД210Б	10	800	-	50	0,005	2	-	Д12а
КД210В	5	1000	-	25	0,005	2		
КД210Г	10	1000	-	50	0,005	2	-	
КД212А	1	200	200	50	0,1	1	0,3	
КД212Б	1	200	200	50	0,1	1,2	0,5	Д13
КД212В	1	100	100	50	0,1	1	0,3	
КД212Г	1	100	100	50	0,1	1,2	0,5	
КД213А	10	200	200	100	0,1	1	0,3	
КД213Б	10	200	200	100	0,1	1,2	0,17	Д17
КД213В	10	• 200	200	100	о,1	1,2	0,5	
КД213Г	10	100	100	100	0,1	1,2	0,3	
КД221А	0,7	100	100	7	0*001	1,4	1.5	
КД221Б	0,5	200	200	5	0,001	1,4	1,5	Д44
КД221В	0,3	400	400	3	0,001	1,4	1,5	
КД221Г	0,3	600	600	3	0,001	1,4	1,5	
КД223А	2	200	200	-	-	1,3	-	,'19
								
КД226А	1,7	100	100	10	0,035	1,4	0,25	
КД226Б	1,7	200	200	10	0,035	1.4	0.25	Д9
КД226В	1,7	400	400	10	0,035	1,4	0,25	
КД226Г	1,7	600	600	10	0.035	1.4	0,25	
КД226Д	1.7	800	800	10	0,035	1.4	0.25	
КД227А	5	150	100	-	0,001	1.6	-	
КД227Б	5е	300	200	-	0.001	1.6	-	
КД227В	5	450	300	-	0,001	1.6	-	Д84а
КД227Г	5	600	400	-	0,001	1.6	-	
КД227Д	5	700	500	-	0,00 1	1.6	-	
КД227Е	5	850	600	-	0.00 1	1,6		
КД227Ж	5	1 200	800	-	0,001	1.6 .	-	
14
диоды
Окончание табл. 1.1
Тип прибора	*пр, ср max, А(мА)	^обр,и max, В	иобр max, В	*прг, А	fmax, МГц	и Н ипр, В	*во.с, обр, мкс	Прило- жение 1.3
КД257А	3	-	200	-	0,05	1,5	0,25	
КД257Б	3	-	400	-	0,05	1,5	0,25	Д27
КД257В	3	-	600	-	0,05	1,5	0,25	
КД257Г	3	-	800	-	0,05	1,5	0,3	
КД257Д	3	-	1000	-	0,05	1,5	0,3	
КД258А	1,5	-	200	-	0,05	1,5	0,25	
КД258Б	1,5	-	400	-	0,05	1,5	0,25	
КД258В	1,5	-	600	-	0,05	1,5	0,25	Д27
КД258Г	1,5	-	800	-	0,05	1,5	0,3	
КД258Д	1,5	-	1000	-	0,05	1,5	0,3	
1.2. Блоки и сборки выпрямительные
Таблица 1.2
Тип прибора	*пр, ср max, А	^обр.и max, В	Чбр max, В	^прГ А	^шах’ кГц	’Jng.cp*	*ХХ’ (1обр>’ мкА	Прило- жение 1.3
КД205А	0,5	500	500	-	5	(1)	ООО)	
КД205Б	0,5	400	400	-	5	(1)	ООО)	
КД205В	0,5	300	300	-	5	(1)	(100)	
КД205Г	0,5	200	200	-	5	(1)	(100)	Д10
КД205Д	0,5	100	100	-	5	(1)	(100)	
КД205Е	0,3	500	500	-	5	(1)	(100)	
КД2П5Ж	0,5	600	600	-	5	<1)	ООО)	
КД205И	0,5	700	700	-	5	< 1 >	(100)	
КД205К	0,7	юр	100	-	5	О)	(100)	
КД205Л	0.7	200	200	-	5	(1)	(100)	
КДС111А	0.2	300	-	3	20	(1,2)	(3)	Д53а
КДС111Б	0,2	300	-	3	20	(1,2)	(3)	Д53б
КДС111В	0,2	300	-	3	20	(1,2)	(3)	Д53в
КЦ401А	0,4	500	-	-	1	/2,5)	(50)	Д54
КЦ401Г	0,5	500	-	-	1	(2,5)	,(50)	Д52
КЦ402А	1	600	-	28	5	4	125	
КЦ402Б	I	500	-	28	5	4	125	Д60
диоды
15
Продолжение т а б л. 1.2
Тип прибора	'’Р, ср max, А	Цэбр-И max’ В	^обр max, В	^прГ А	'max’ кГц'		*хх’ %бгЛ МкА	Прило- жение 1.3
КЦ402В	1	400		28	5	4 4	125	
КЦ402Г	1	300	-	28	5	4	125	
КЦ402Д	1	200	-	28	5	4	125	Ц60
КЦ402Е	1	100		28	3	4	125	
КЦ402Ж	0,6	600	-	28	5	4	125	
КЦ402И	0,6	500	-	28	5	4	125	
КЦ403А	1	600	-	28 !	5	4	125	
КЦ403Б	1	500	-	28		4	125	
КЦ403В	I	400	-	28	5	4	125	
КЦ403Г	1	300	-	28	5	4	125	Д61
КЦ403Д	1	200	-	28	т	4	125	
КЦ403Е	1	100	-	28	5	4	125	
КЦ403Ж	0,6	600	-	28	5	4 .	125	
КД403И	0.6	500	-	28	5	4	125	
КЦ404А	1	600	-	28	5	4	125	
КЦ404Б	1	500	-	28	5	4	125	
КЦ404В	1	400	-	28	5	4	125	
КЦ404Г	1	300	-	28	5	4	125	Д62
КЦ404Д	1	200	-	28	5”	4 >	125	
KU404E	1	100	-	28	э	4	125	
КЦ404Ж	0,6	600	-	28	5	4	125	
КЦ404И	0,6	500	-	28	5	4	125	
КЦ405А	1	600	-	28	5	4	125	
КЦ405Б	1	500	-	28	ч	4	125	
КЦ405В	1	400	-	28	л	4	125	
КЦ405Г	1	300		28	5	4	125	2163
КЦ405Д	1	200	-	28	5	4	125	
КЦ405Е	1	100	-	28		4	125	
КЦ405Ж	0,6	600	-	28	J	4	125	
КЦ405И	0,6	500	-	28		4	125	
КЦ407А	0,5	400	-	3	•	?,v '	2.5	5	Д48
К.Ц4.09А	3	600	-	-	1	2,5	3	
КЦ409Б	3	500	-	-		2,5	3	
КЦ409В	3	400		-	1	2,5	3	
КЦ409Г	3	300	-	-	I	2,5	з	Д67
КЦ409Д	3	200		Ч	1	2,5	3	
КЦ409Е	3	100	-	-	1	2,5	3	
16
ДИОДЫ
Окончание табл. 1.2
Тип прибора	*пр, ср max, А	^'обр.и max, В	Чбр max, В	I прг- А	Лпах’ кГц	LK.r	’хх’ «обр»’ мкА	Прило- жение 1.3
КЦ409Ж	6	200	-	-	1	2,5	3	Д67
КЦ409И	6	100	-	-	1	2,5	3	
КЦ410А	3	50	-	45		1,2	< 10)	
КЦ410Б	3	100	-	45	-	1,2	(10)	Д66
КЦ410В	3	200	-	45	-	1,2	(10)	
КЦ412А	1	50	-	15	-	*,2	(50)	
КЦ412Б	1	100	-	15	-	1,2	(50)	Д64
КЦ412В	1	200	-	15	-	1,2	(50)	
КЦ417А	I	600	-	4	5	3	15	
КЦ417Б	1	400	-	4	5	3	15	Д65
КЦ417В	1	200	-	4	5	3	15	
1.3. Столбы выпрямительные ,
	Г а б /							и ца 1.3
Тип	*пр, ср max,	V «г оор,и max,	4>бр max.	^прг’	f max’	ьпр-	’вое' обр.	11рило- жение
прибора	мА	кВ	кВ	А	кГц	в	мкС	1.3
Д1004	100	2			1	5		
Д1005А	50	4	-	-	1	5	-	
Д1005Б	100	4	-	-	1	10	-	Д69
Д1006	100	6		-	1	10	-	
дюо,	75	8	-	-	i	10	-	
Д1008	50	10	-	-	1	10	-	
Д1009	100	2			1	2.6		
Д1009А	100	1	-	-	I	1,5		
дюю	300	2	-	-	1	8	-	Д71.
Д1010А	300	1	-	-	1	5	-	
ДЮНА	300	0,5	-	-	1	1.5	-	
КЦ105А	100	2	-	-	Г	3.5	. 3	
КЦ105Б	100	4	-	-	1	3,5	3	
КЦ105В	100	6	-	-	I	7	3	Д70
КЦ105Г	75	8	-	-	I	7	3	
КЦ105Д	50	10	-	-	i	7	3	
диоды
17
Окончание т а б л. 1.3
Тип прибора	^Пр. ср max, мА	Чэбр,и max, кВ	Lo6p max, кВ	*ирг’ Л	^тах’ кГц	Ьпр’ в	’вое’ обр. мкС	Прило- жение 1.3
Kill 06 А	10	4	т	1	20	35	3,5	
КЦ106Б	10	6	-	1	20	35	3,5	
КП106В	10	8	-	1 1	20	.35	3.5	Д68
КЦ106Г	10	10	-	1	20	35	3.5	
КЦ106Д	10	2.	-	I	‘	20	35	3.5	
КЦ109А	300	6		1	15,6	7	1.5	Д 103
К1Ц17А	1300	10	-	-	15,6	35	0.3	Д102
КЩ17Б	3000	12	-	-	15,6	35	0.3	
КЦ201А	500	2	-	, 3	1	3	-	Д1«
КЦ201Б	500	4	-	3	1	3	-	
КЦ201В	500	6	-	3	1	6	-	
КЦ201Г	500	8	-	3	1	6	-	Д19
КЦ201Д	500	10	-	3	I	6	-	
К Ц20 IE	500	15	-	3	1	10	-	/120
1.4. /Диоды универсальные и импульсные
Г а б 1 и ц а 14
Тип прибора	^обр max. В	^обр.и max. В	'пр- так. мА( А)	'пр- и max. А	^тах* Ml’it	*BOC  обр. ПС	Lnp* В	11ри ло- же! 1ИС 1 .3
Д18	20		16 ’	0.05	-	100	1	
Д20	20	-	16	-	40	-	1	Д4
Д219А	70	-	50	0.5	-	500'	1	
Д220	50	-	- 50	0.5	-	500	1.5	Д4
Д220А	70	-	50	0.5	-	500	1.5	
Д22ОБ	100	-	50	0.5	-	500	1.5	
							Л	
								
Д310	20	-	(0.5)	0.8	-	.300	0.55	
Д311	30	-	40	0,5	-	50	0.4	
Д311А	зо,	-	80	0.6	-	50	0.4	Я 4
Д312	100	-	50	0.5	-	500	0,5	
Д312А	, 75		50	0.5	-	500	0.5	
18
ДИОДЫ

П роде л ж е н и е т а б t. 14
Тип	< г- оор	^обр.И	’пр’	пр’	^max’	*вос	Lnp’	При ю
	шах	шах	шах.	и max.		обр.		жсние
прибора	В	В	м А< А)	А	Mill		в	1 3
ГД 402 А	1 5		чо	0 1	100		0 45	.121
ГД402Б	1 5		30	0 1	100	-	0 45	
ГД403А	5		5			-		
Г. 141В Б	5	-	5					U
1 140 Ш	5		5		-			
ГД5(ПД	20	30	16	0 1		100	0 5	
ГД 508 А	8	10	И)	0 03	-	-	0 7	121
ГТ. 508 Б	8	-.0	)О	0 tn		-	0 65	
ГТЧ1 А	И		1 5	0 05			0 6	
ГТ.511Б	1 2		1 5	0 05			0 6	.122
Г ,1511В	12		1 5	0.05			0 h	
К .1401 А		75	30	0.09	0 1 5	2000	1	л/
К 1401b		75	30	0 09	0 1 5	2000	1	
К 141ПА	24	^4	50	0 5				(21
-*								
К1409А	24	21	50	0 5				1254
КД410Д	1 000		50			,3000	7	126
К 141ОБ	600	-	50			3000	2	
К141 1 А	-	4 700	()	1 00	0 03	2500	1 4	
К 14(1 Б		600	\2)	100	0 03	1 500	1 4	128
К 1411 В		500	12>	ИЮ	0 (В	2500	1 4	
КД 41 1Г		400	<2)	100	0 0.3	1 500	2	
К 1412 Л	НЮ0	1 000	10)	100	0 02	1 5()0	э	
КД412Б	800	><>!>	( 10)	i оо	0 02	1 500	э	129
К ,14i 2В	ЛОО	600	« 10)	100	б 02	1 500	7	
КД41Л	>00	400	( 10)	100	0.02	1 500		
К1413А	24	24	20		50		1	(23
К 141 ЗБ	24	24	20		50	-	S	
К 1 1 - ОД	40 ’	100	МИ)	1 5	0 0005	-	3	128
К 7416*5	’•'П	.'00	МИ)	1 5	0 0005		3	
К .14 Г А	24 ....		20							]	123
диоды
19
Продолжение табл. 1.4
Тип Прибора	^обр max, В	^обр,и max, В	пр’ шах, мА( А)	’пр’ и шах, А	’max’ МГц	1вос’ обр, НС	%’ В	Прило- жение 1.3
КД419А	15	-	10	-	400	-	0,4	
КД419Б	30	-	10	-	400	-	0,4	Д23
КД419В	50	-	10	-	400	-	0,4	
КД419Г	15	-	10	-	400	-	0,4	
КД424А	250	250	350	2	-	1000	1.1	Д47а
КД503А	30	30	20	0.2	-	Ю	1	Д21
КД503Б	30	30	20	0.2	-	10	1,2	
КД504А	40	-	160	I	-	-	1,2	Д4
КД509А	50	70	100	1.5	-	4	1.1	Д21
КД510А	50	70	200	1.5	-	4	1,1	Д2
КД512А	15	-	20	0,2	-	I	1	Д21
КД513А	50	70	100	1.5	-	4	1 1	Д24
КД514А	10		10	0.05		-	I	Д23
КД51ХА	-	-	100	1.5	-	-	0,57	Д24
КД519А	30	40	30	0.3	-	-	1.1	Д21
КД519Б	30	40	30	0.3	-	-	1,1	
К1520А	15	25	20	0.05	-	4	1	Д23
КД521 А	75	so	50	0.5	-	$	1	
КД521Б	00	65	50	0.5	-	4	1	
КД521В	50	55	50	0.5		4	1	Д2
КД521Г	30	35	50	0.5	-	4	1	
КД521Д	12	15	50	0.5	-	4	1	
КД522А	30	40	100	1.5	-	4	1.1	Д2
КД522Б	50	60	100	1.5	-	4	1.1	
КД529 А	-	2000	(S)	-	0.005	2000’	3.5	
КД529Б	-	2000	СК)	-	0.005	3000	3.5	Д72
20
ДИОДЫ
Окончание табл. 1.4
Тип прибора	Lo6p max, В	^обр,и max, В	*пр’ max, мА(А)	пр’ и max, А	^тах’ МГц	*ВОС’ обр, НС	Unp’ В	Прило- жение 1.3
КД529В	-	1600	(8)	-	0,005	2000	3,5	Д72
КД529Г	-	1600	(8)	-	0,005	3000	3,5	
КД922А	18	18	50	0,1	1000	-	1	
КД922Б	21	21	35	0,07	1000	-	1	Д73
КД922В	10	10	10	0,02	1000	-	0,55	
КД923А	14	14	100	0,2	700	• ' -	0,34	Д1
1.5. Матрицы и сборки диодные
	Табл							и и, а 1.5
Тип	1,обр max,	Ц)бр,И max,	•пр’ max,	!пр’ и max,	'вОС’ обр,	ипр-	*обр’	Прило- жение
прибора	В	В	мА	А	нс	в	мкА	1.3
КДС523А	50	70	20	0,2	4	1	5	Д58
КДС523Б	50	70	20	0,2	4	1	5	
КДС523В	50	70	20	0,2	4	1	5	Д59
КДС523Г	50	70	20	0,2	4	. 1	5	
КДС525А	15	20	20	0,2	5	0,9	1	
КДС525Б	15	20	20 *	0,2	5	0,9	1	
КДС525В	15	20	20	0,2	5	0,9	1	
КДС525Г	15	20	20	0,2	5	0,9	1	
КДС525Д	15	20	20	0,2	5 .	0,9	1	Д50
КДС525Е	20	40	20	0,2	5	0,9	1	
КДС525Ж	20	40	20	0.2	5	0,9	1	
КДС525И	20	40	20	0,2	5	0,9	1	
КДС525К	20	40	20	0,2	5	0,9	1	
КДС525Л	20	40	20	0,2	5	0,9	1	
КДС526А	-	15	20	0,05	5	Ы	-	Д49а
КДС526Б	-	15	20	0,05	5	1,1	-	Д496
КДС526В	-	15	20	0,05	5	1,1	-	Д49в
КДС627А	50	(>0	200	1.5	40	1.3	2	Д83
КДС628	50	60	300	1,5	50	1,3	5 		Д80
диоды
21
Окончание табл. 1.5
Тип прибора	Uo6p max, В	Ц)бр,и max, В	'пр' max, мА	•пр- и max, А	*ВОС’ обр, НС	ипр' В	^обр’ мкА	Прило- жение 1.3
КД903А.Б	20	30	75	0,35	150	1,2Х	0,5	Д51
КД906А	75	100	100	2	2000	1	2	
КД906Б	50	75	100	2	2000	1	2	Д85а
КД906В	30	75	100	2	2000	1	2	
КД906Г	75	100	10Q	2	2000	1	2	
КД906Д	50	75	100	2	2000	1	2	Д856
КД906Е	30	75	too	2	2000	1	2	
КД908А	40	60	200	1,5	30	1,2	5	Д78а
КД908АМ	40	60	200	1,5	30	1,2	5	Д79а
КД909А	40	60	200	1,5	70	1,2	10	Д81
КД914А	20	-	20	0,05	-	1	1	Д49г
КД914Б	20	-	20	0,05	-	1	1	Д49д
КД914В	20	-	20	0,05	-	1	1	Д49е
КД917А	40	60	200	1,5	10	1,2	5	Д786
КД917АМ	40	60	200	1,5	10	1,2	5	Д796
КД919А	40	40	loo	0,7	100	1,35	1	Д82а
КД920А	40	40	100	0,7	100	1,5	1	Д826
1.6. Стабилитроны и стабисторы
Таблица 1.6
Тип прибора	Uct, НОМ, В	‘ст, НОМ, мА	Р max, мВт	“ст, %/»С	±бист, , (±8UCT10-2) /о	‘ст min, мА	‘ст max, мА	Прило- жение 1.3
Д808	8	5	280	0,07	1	3	33	
Д809	9	5	280	0,08	1	3	29	
Д810	10	5	280	0,09	1	3	26	ДЗЗб
Д811	11	5	280	0,095	- 1	3	23	
Д813	13	5	280	0,095	1	3	20	
22
ДИОДЫ
Продолжение табл. 1.6
Тип прибора	ист, ном, В	^ст, ном, мА	р max, мВт	“ст, %/°C	±suCT> (±8LCT10-Z) %	ст min, мА	^ст max, мА	Прило- жение 1.3
Д814А	8	5	340	0,07	1	3	40	
Д814Б	9	5	340	0,08	1	3	36	
Д814В	10	5	340	0,09	1	3	32	дззб
Д814Г	11	5	340	0,095	I	3	29	
Д814Д	13	5	340	0,095	1	3	24	
Д815А	5,6	1000	8000	4,5	4	50	1400	
Д815Б	6,8	1000	8000	5	4	50	1150	
Д815В	8,2	1000	8000	7	4	50	950	
Д815Г	10	500	8000	8	4	25	800	
Д815Д	12	500	8000	9	4	25	650	
Д815Е	15	500	8000	10	 4	25	550	Д31
Д815Ж	18	500	8000	11	4	25	450	
Д816А	22	150	5000	12	5	10	230	
Д816Б	27	150	5000	12	5	10	180	
Д816В	33	150	5000	12	5	10	150	
Д816Г	36	150	5000	12	5	10	130	
Д816Д	47	150	5000	12	5	10	1 10	
Д817А	56	50	5000	14	6	5	90	
Д817Б	68	50	5000	14	6	5	75	
Д817В	82	50	5000	14	6	5	60	
Д817Г	100	50	5000	14	6	5	50	
Д818А	9	10	300	0,02	(0,11)	3	33	
Д818Б	9	10	300	-0,02	(0,13)	3	33	
Д818В	9	10	300	±0,01	(0,12)	3	33	ДЗЗа
Д818Г	9	10	300	±0,005	(0,12)	3	33	
Д818Д	9	10	300	±0,002	(0,12)	3	33	
Д818Е	9	10	300	±0,001	(0,12)	3	33	
КС107	0,7	10	125	-0,34	3,2	1	100	дззб
КС108А	6,4	7,5	70	±0,002	(0,05)	3	10	
КС108Б	6,4	7,5	70	±0,001	(0,05)	3	10	Д1
КС108В	6,4	7,5	70	±0,0005	(0,05)	3	10	
КС113А	1,3	10	200	-0,42	3,5	I	100	дззб
КС119А	1,9	10	200	-0,42	5	1	100	
КС133А	3,3	10	300	-0,1 1	1	3	81	дззб
КС133Г	3,3	5	125	 -	-	1	37,5	Д1
диоды
23
Продолжение табл. 1.6
Тип прибора	ист, ном, В	^ст, ном, мА	р	1 max, мВт	“ст, %/°C	±8ист, , (±8Сст10-2) %	'ст min, мА	'ст max, мА	Прило- жение 1.3
КС139А	3,9	10	300	-0,1	1	3	70	дззб
КС139Г	3,9	5	125	-	-	I	32	Д1
КС147А	4,7	10	300	-0,09	1	3	58	дззб
КС147Г	4,7	5	125	-	-	1	26,5	Д1
KC1S6A	5,6	10	300	±0,05	1	3	55	дззб
КС156Г	5,6	5	125	-	-	1	22,4	Д1
КС162А	6,2 к	10	150	-0,06	1,5	3	22	Д34
КС168А	6,8	10	300	±0,06	1	3	45	дззб
КС168В	6,8	10	150	±0,05	1,5	3	20	Д34
КС170А	7	10	150	±0,01	1,5	3	20	Д34
КС175А	7,5	5.	150	±0,04	1,5	3	18	Д34
КС175Ж	7,5	4	125	0,07	-	0,5	17	Д32
КС182А	8,2	5	150	0,05	1,5	3	17	Д34
КС182Ж	8,2	4	125	0,08	-	0,5	15	Д32
КС190Б	9	10	150	±0,005	(0,02)	5	15	
КС190В	9	10	150	±0,002	(0,02)	5	15	ДЗЗа
КС190Г	9	10	150	±0,001	(0,02)	5	15	
КС190Д	9	10	150	±0,0005	(0,02)	5	15	
КС 191А	9,1	5	150	0,06	1,5	3	15	Д34
КС191Ж	9,1	4	125	0,09	-	0,5	14	Д32
КС191М	9,1	10	150	±0,005	(0,005)	5	15	
КС191Н	9,1	10	150	±0,002	(0.005)	5	15	ДЗЗа
КС191П	9,1	10	150	±0,001	(0,005)	5	15	
24
ДИОДЫ
Продолжение табл. 1.6
Тип прибора	ист, ном, В	‘ст, ном, мА	Р max, мВт	“ст, . %/°C	±6п ст, <±8UCT10-2) %	«ст min, мА	^ст шах, мА	Прило- жение 1.3
КС191Р	9,1 .	10	150	±0,0005	(0,005)	5	15	
КС191С	9,1	10	200	±0,005	-	3	20	
КС191Т	9,1	10	200	±0,0025	-	3	20	-
КС191У	9,1	10	200	±0,001	-	3	20	ДЗЗа
КС191Ф	9,1	10	200	±0,0005	-	3	20	
КС210Б	10	5	150	0,07	1,5	3	14	Д34
КС210Ж	10	4	125	0,09	-	0,5	13	
КС211Ж	11	4	125	0,092	-	0,5	12	Д32
КС212Ж	12	4	125	0,095	-	0,5	11	
•КС213Б	13	5	150	0,08	1,5	3	10	Д34
КС213Ж	13	4	125	0,095	-	0,5	10	
КС215Ж	15	4	125	0,1	-	0,5	8,3	
КС216Ж	16	4	125	0,1	-	0,5	7,3	Д32
КС218Ж	18	4	125	0,1	-	0,5	6,9	
КС220Ж	20	4-	125	0,1	-	0,5	6,2	
КС222Ж	22	4	125	0,1	-	0,5	5,7	
КС224Ж	24	4	125	0,1	-	0,5	5,2	
КС291А	91	I	250	0,11	1,5	0,5	2,7	Д4
КС405А	6,2	0,5	400	±0,002	0,1	0,1	60	ДЭ2
КС406А	8,2	15	500	0,09	1,5	0,5	35	
КС406Б	10	12,5	500	0,11	1,5	0,5	28	
КС407А	3,3	20	500	-0,08	1,5	1	100	Д32
КС407Б	3,9	20	500	-0,07	1,5	1	83	
КС407В	4,7	20	500	-0,03	1,5	1	68	
КС407Г	5,1	20	500	±0,02	1,5	* 1	*59	
КС407Д	6,8	18,5	500	0,05	1,5	.1	42	
КС409А	5,6	5	-400		1,5	1	48	Д32
КС412А	6,2	5	400		1,5	1	55	*
КС433А	3,3	30	1000	-о,1	1,5	3	191	
КС439А	3,9	30	1000	-0,1	1,5	3	176	
КС447А	4,7	30	1000	-0,08..+0,03	1,5	3	159	ДЗЗб
КС456А	5,6	30	1000	0,05	1,5	3	139	
КС468А	6,8	30	5 000	-0,065	1,5	3	1 19	
диоды
25
Продолжение табл. 1.6
Тип прибора	Uct, ном, В	^ст, ном, мА	р max, мВт	а ст, %/°C	±8U . ст, _ <±8UCT10-2) %	^ст min, мА	®ст max, мА	Прило- жение 1.3
КС482А	8,2	5	1000	0,08	1,5	1	96	дззб
КС508А	12	10,5	500	0,11	1,5	0,25	23	
КС508Б	15	8,5	500	0,11	1,5	0,25	18	
КС508В	16 '	7,8	500	0,11	1,5	0,25	17	Д32
КС?508Г	18	7	500	0,11	1,5	0,25	15	
КС508Д	24	5,2	500	0,12	1,5	0,25	11	
КС509А	15	15	750	0,09	1,5	0,5	42	
КС509Б	18	15	750	0,09	1,5	0,5	35	Д32
КС509В	20	10	750	. 0,09	1,5	0,5	31	
КС510А	10	5	1000	0,1	1,5	1	79	
КС512А	12	5	1000	0,1	1,5	1	67	ДЗЗа
КС515А	15	5	1000	од	1,5	1	53	
КС518А	18	5	1000	0,1	1,5	1	45	
КС520В	20	10	500	±0,01	(0,5)	3	22	Д35
КС522А	22	5	1000	0,1	1,5	1	37	ДЗЗа
КС524Г	24	10	500	±0,005	(0,5)	3	19	Д35
КС527А	27	5	1000	0,1	1,5	1	30	ДЗЗа
КС531В	31	10	500	±0,005	-	3	15	Д35
КС533А	33	10	640	0,1	3	3	17	Д34
КС539Г	39	10	720	±0,005	0,5	3	17	Д36
К547В	47	10	500	±0,01		3	10	Д35
КС551А	51	1,5	1000	±0,12	1,5	1	14,6	ДЗЗа
КС568В	68	10	720	±0,01	(1)	3	.ю	ДЗб
КС582Г	82	10	720	±0,01	(0,5)	3	8	
КС591А	91	1,5	1000	±0,12	1,5	1	8,8	ДЗЗа
КС596В	96	5	720	±0,01	(1)	3	7	Д36
26
ДИОДЫ
Окончание табл 1.6
Тип прибора	UCT, НОМ, В	*ст, ном, мА	Р max, мВт	а ст, 7о/°с	±SL’ , ' ст, _ (±6UCT10-2) %	‘ст min, мА	‘ст max, мА	Прило- жение 1,3
КС608А	100	1,5	1000	±0,12	1,5	1	8,1	ДЗЗа
КС620А	120	50	5000	0,2	5	5	42	
КС630А	130	50	5000	0,2	5	5	38	Д31
КС650А	150	25	5000	0,2	5	2,5	33	
КС680А	180	25	5000	0,2	5	2,5	28	
1.7. Варикапы
Таблица 1.7
Тип прибора	с ном, пФ	emln, пФ	с max, пФ	4>бр, В	QB	Кс	иобр шах, В	Прило- жение 1.3
ДО01А	27	22	32	4	25	3,6...4,4	80	
Д901Б	27	22	32	4	30	2,7...3,3	45	
Д901В	33	28	38	4	25	3,6...4,4	80	ДЗЗ
Д901Г	33	28	38	4	30	2,7...3,3	45	
Д901Д	39	34	44	4	25	3,6...4,4	80	
Д901Е	39	34	44	4	30	2,7...3,3'	45	
Д902	9	6	12	4	30	2,5	25	Д4
КВ101	200	160	240	0,8	150	-	4	Д42
КВ102А	18,5	20	25	4	40	1,8	45	
КВ102Б	24,5	19	30	4	40	1,8	45	Д32
КВ102В	32,5	25	40	4	40	1,8	45	
КВ102Г	24,5	19	30	4	100	1,8	45	
КВ102Д	24,5	19	30	4	40	1,8	80	
КВ103А	20	18	32	4	50	-	80	Д12б
КВ103Б	38	28	48	4	40	-	80	
КВ104А	105	90	120	4-	100	2,1	45	
КВ104Б	125	106	144	4	100'	1,8	45	
КВ104В	160	128	192	4	100	1,8	45	Д41
КВ104Г	119	95	143	4	100	2,1	80	
КВ104Д	160	128	192	4	100	2,1	80	
КВ104Е	1 19	95	143	4	ISO	1,8	45	
диоды
27
Продолжение табл. 1.7
Тип прибора	с НОМ, пФ	с . min, пФ	^тах, пФ	U©6p, . В		Кс	иобр так, В	Прило- жение 1.3
КВ 105 А	500	400	600	4	500	4	90	Д44
КВ105Б	500	400	600	4	500	3	50	
КВ106А	35	20-	50	4	40	-	120	Д12б
КВ106Б	25	15	35	4	60	-	90	
КВ107А	25	10	40	2...9	20	-	16	
КВ107Б	25	10	40	6...18	20	-	31	Д38
КВ 107В	47,5	30	65	2...9	20	-	16	
КВ107Г	47,5	30	65	6... 18	20	-	31	
КВ109А	2,45	2,24	2,74	25	300	4. .5,5	25	
КВ109Б	2,15	2,0	2,3	25	300	4,5...6,5	25	
КБ109В	2,5	1,9	3,1	25	160	4...6	25	Д25б
КВ109Г	12.5	8	17	3	160	4	30	
КВ109Д	1 1,5	7	16	3	30	2,2	30	
КВ109Е	2,15	2	2,3	25	450	4,5...6	30	
КВ110А	15	12	18	4	300	2,5	45	
КВИОБ	18	14,4	21.6	4	300	2,5	45	
КВ110В	22	17,6	26,4	4	300	2,5	45	Д21
КВ1ЮГ	15 .	12	18	4	150	2,5	45	
квпод	18	14,4	21.6	4	150	2,5	45	
КВ110Е	22	17,6	26,4	4	150	2,5	45	
КВС111А	33	29,7	36.3	4	200	2,1	30	Д40
КВС111Б	33	29,7	36,3	4	150-	2,1	30	
КВ113А	68	54,4	81.6	4	300	4,4	150	Д76
КВН ЗБ	68	54,4	81,6	4	300	3,9	115	
КВ115А	400	100	700	0		-	100	
КВ115Б	400	100	700	0	-	-	100	дзз
КВ115В	400	100	700	0		-	100	
КВ117А	33	26,4	39,6	3	180	5...7	25	Д21
КВ117Б	33	26,4	39.6	3	150	4...7	25	
КВ119А	210	168	252	1	100	18	12	Д1
КВС120А	275	230	320	1	100	.. 2	32	Д43
КВС120Б	275	230	320	1	100	2	32	
28
ДИОДЫ
Окончание табл. 1.7
Тип прибора	с ном, пФ	С • min, пФ	с max, пФ	Uo6p, В		«с	иобр max, В	Прило- жение 1.3
КВС120А1	275	230	320	1	100	2	32	Д77
КВ121А	5,25	4,3	6	25	200	7,6	30	Д25б
КВ121Б	5,25	4,3	6	25	150	7,6	30	
КВ122А	2,55	2.3	2,8	25	450	4—5,5	30	
КВ122Б	2,15	2,0	2,3	25	450	4,5...6,5	30	Д25б
КВ 122В	2,5	1,9	3,1	25	300	4-6	30	
КВ123А	3,2	2,6	3,8	25	250	6,8	28	Д39
КВ127А	255	230	280	1	140	20	32	
КВ127Б	290	260	320	1	140	20	32	Д256
КВ127В	245	230	260	1	140	20	32	
КВ127Г	275	230	320	1	140	20	32	
КВ 128 А	25	22	28	1	300	1,9	12	Д746
КВ129А	9	7,2	10,8	4	. 504	25		
КВ130А	4.1	3,7	4,5	28	300	12	28	Д25б
КВ131А	485	440	530	1	130	18	14	Д75
КВ132А	33	26,4	39,6	2	300"	3,5	12	Д256
КВ134А	20	18	22	1	400	2	23	Д25б
КВ135А	540	486	594	1	150	20	13	Д75
КВ138А	18	16	20	2	200	3,5	12	Д256
КВ138Б	19	17	21	2	200	3,5	12	
КВ139А	560	500	620	1	160	18	16	Д75
диоды
29
1.8 Диоды излучающие
1.8.1 Диоды светоизлучающие
Таблица 1.8.1
Тип прибора	'с. мккд (Ь,кд/м2)	'пр ном, мА	ипр, в	X max, мкм	*пр max, мА	Чэбр max, ^обр-И тах^ В	Прило- жение 1.3
			Красный цвет излучения				
АЛ102А	40	5	2,8	0,69	10	(2)	
АЛ102Б	100	20	2,8	0,69	20	(2)	Д88а
АЛ102Г	200	10	2,8	0,69	20	(2)	
АЛ112А	(1000)	10	2	0,68	12	2	
АЛ112Б	(600)	10	2	0,68	12	2	Д87
АЛ112В	(250)	10	2	0,68	12	2	
АЛ112Г	(350)	10	2	0,68	12	2	
АЛ112Д	(150)	10	2	0,68	12	2	
АЛ112Е	(1000)	10	2	0,68	12	2	Д886
АЛ112Ж	(600)	10	2	0,68	12	ч 2	
АЛ112И	(250)	10	2	0,68	12	2	
АЛ112К	(1000)	10	2	0,68	12	2	
АЛ112Л	(600)	10	2	0,68	12	2	Д89
АЛ112М	(250)	10	2	0,68	12	2	
АЛ307А	150	10	2	0.666	20	2	
АЛ307Б	900	10	2	0,666	20	2	Д91
АЛ307АМ	150	10	2	0.666	20	2	
АЛ307БМ	900	10	2	0,666	20	2	Д92
АЛ307КМ	2000	10	2	0,666	20	2	
АЛ310А	610	10	2	0,67	12	2	
АЛ310Б	250	10	2	0,67	12	2	Д93
АЛ316А	800	10	2	0,67	20	2	
АЛ316Б	250	10	2	0,67	20	2	Д95
А Л336А	6000	10	2	-	20	2	
АЛ336Б	20000	10	2	-	20	2	ДЗО
АЛ336К	40000	10	2	-	20	2	
30
диоды
					Продолжение т		а б л. 1.8. J
Тип	*с.	!пр	ипр,	X	*пр	^обр max,	ГТрило-
прибора	мккд	ном,		max,	max,	^обр.и тах^	жение
	(Ь.кд/м2)	мА	В	мкм	мА		1.3
			Оранжевый цвет изл		учения		
АЛ307И	400	10	2,5	0,56;0,7	22	2	
АЛ307Л	1500	ю	2,5	0,56;0,7	22	2	Д91
			Желтый	цвет излучения			
КЛ101А	(10)	10	5,5	0,64	10	-	
КЛ101Б	(15)	10	5,5	0,64	20	-	Д86
КЛ101В	(20)	10	5,5	0,64	40	-	
АЛ307Д	400	10	2,8	0,56;0,7	22	2	
АЛ307Е	1500	10	2,8	0,56;0,7	22	2	Д91
АЛ307ДМ	400	10 ,	2,5	-	2?	2 .	
АЛ307ЕМ	1500	10	2,5	-	22	2	Д92
АЛ307ЖМ	3500	10	2,5	-	22	2	
АЛ336Д	4000	10	2,8	-	20	2	
АЛ336Е	10000	10	2,8	-	20	2	ДЗО
АЛ336Ж	15000	10	2,8	-	20	2	
			Зеленый	цвет излучения			
АЛ 102В	200	20	2,8	0,53	 22	(2)	
АЛ102Д	400	20	2,8	0,53	22	(2)	Д88а
АЛ307В	400	20	2,5 .	0,566	22	2	
АЛ307Г	1500	20	2,5	0,566	22	2	Д91
АЛ307ВМ	400	20	2,5	-	22	2	
АЛ307ГМ	1500	20	2,5	-	22	2	Д.92
АЛ307НМ	6000	20	2,5	-	22	2	
АЛ336В	4000	10	2,8	-	20	2	
АЛ336Г	15000	. 10	2,8 -	-	20	2	Дзо
АЛ336И	20000	10	2,8	-	20	2	
АЛ360А	300	10	1,7	-	20	-	
АЛ360Б	600	10	1,7	-	20	-	Д97
							к
							7
диоды
Окончание табл. i.8.1
Тип прибора	'с, мккд (1_,кд/м2)		I яр ном, мА	ипр, В	.< S _	I - пр max, мА	*"'обр max, ^обр.и пис? В	- Прило- жение 13
КЛД901А	150		3	Синий цвет излучения 12	| 0,466 |	6				Д88б
АЛС331А	600	Переменный |	20		цвет излучения от красного д 4	| 0,56,0,71	20			> зеленого	Д94
1 8.2 Диоды излучающие ИК диапазона
	Т а б л и							и, а 1.8 2 j
Тип	Р изл,	‘пр	*нр,изл,	*сн,изл,	ипр	‘пр	Ч,йр	При то-
		ном.				max,	max.	же ще
Прибора	мВт	мА	НС	нс	в	мА	В	1.3
АЛ 106 А	0,2	100	10	20	1,7	120		
АЛ106Б	0,4	100	10	20	1.7	120	-	
АЛ 106В	0,6	100 t	10	20	1,7	120	-	Д55
АЛ106Г	1	100	10	20	1,7	120	-	
АЛ 106 Д	1,5	100	10	20	1,7	120	-	
АЛ 107 А	6	100	-	-	2	100	6	Д56
АЛ 107 Б	19	доо	-	-	2	100	6	
АЛ 108 А	1 5	100	2400	2000	1,35	1 10	2	Д47
АЛ USA	10	50	'300	500	2	50	4	Д57
АЛ USA	Z	50	100	150	1,7	50	1	
АЛ119А	40	300	1000	1500	3	300	-	
' АЛ119Б	40	300	350	1500	3	300	-	Д90
АЛ 5 24 А	4	100	20	20	2	1 10	2	Д90
АТИ »2А	0,01	50	20	20	2	50	1	Д98
A'IS37А	0,22	50	7	7	3	60	5	Д100
32
ДИОДЫ
Окончание табл. 1.8.2
Тип прибора	р изл, мВт	!пр ном, мА	*нр,изл, нс	*сн,изл, НС	lJnp’ В	!пр max, мА	Uofip max, В	Прило- жение 1.3
АЛ402А	0,05	10	25	45	-	12	-	
АЛ402Б	0,025	10	25	45	-	12	-	Д96
АЛ402В	0,015	10	25	45	-	12	-	
1.9 Знакосинтезирующие индикаторы
Таблица 7.9
Тип прибора	*с,мкд’ (Цкд/м2)	!пр ном, мА	Высота знаков, мм (число разр)	Unp, В	lJo6p max, В	!пр max, мА	р изл, мВт	Прило- жение 1.3
			Линейные шкалы					
АЛС317А	0,16	10	1,6	2		12	-	
АЛС317Б	0,35	10	1,6	2	-	12	-	ЗИ1
АЛС317В	0,08	10	1,6	3	-	12	-	
АЛС317Г	0,16	10	1,6	3	-	12	-	-
АЛС345А	0,3	10	1,5	2,2	4	12	-	
АЛС345Б	0,2	10	1,5	2,2	4	12	-	ЗИ2
		Индикаторы красного цвета свечения						
АЛ113А	(600)	5	3	2	-	5,5	-	
АЛ113Б	(350)	5	3	2	-	5,5	-	
АЛ113В	(120)	5	3	2	-	5,5	-	ЗИП
АЛ113Г	(350)	5	3	2	-	5,5	-	
АЛ113Д	(120)	5	3	2	-	5,5	-	
АЛ113Е	(600)	5.	3	2	-	5,5	-	
АЛ113Ж	(350)	5 -	3	2	-	5,5	-	ЗИ12
АЛ113И	(120)	5	3	2	-	5,5 	-	
АЛ113К	(600)	5	2	2	-	5,5	-	
АЛ 113Л	(350)	5	2	2	-	5,5	-	ЗИН
АЛ113М	(120)	5	2	2	-	5,5	-	
АЛ113Н	(600)	5	2	2	-	5,5	-	
АЛ113Р	(350)	5	2	2	-	5,5	-	ЗИ12
АЛ113С	(120)	5	2	2	-	5,5		
диоды
33
Прада л-ж ение табл. 1.9
Тип прибора	^с,мкд, (Ь,кд/м2)	пр ном, мА	Высота знаков,мм (число разр)	Unp, В	иобр, max, В	'пр max, мА	Р изл, мВт	Прило- жение 1.3
КЛЦ201А	. 2	20	18	4	10	25	750	
КЛЦ201Б	0,5	20	18	4	10	25	750	ЗИ22
КЛЦ202А	0,5	20	18	4	10	25	750	
АЛ304А	(140)	5	3	7	-	1 1	264	
АЛ304Б	(320)	5	3	2	-	11	264	ЗИЗ
АЛ304Г	(350)	5	3	3	-	11	264	
АЛ305А	(350)	20	6,9	4	-	22	-	
АЛ305Б	(200)	20	6,9	4	-	22	-	
АЛ305В	(120)	20	6,9	6	-	22	-	
АЛ305Г	(60)	20	6,9	' 6	-	22	-	ЗИ4
АЛ305Ж	(350)	20	6,9	6	-	22	-	
АЛ305И	(200)	20	6,9	6	-	22	-	
АЛ305К	(120)	20	6,9	6	-	22	-	
АЛ305Л	(60)	20	6,9	6	-	22	-	
АЛ306А	(350)	10	8,9	2	-	11	792	
АЛ306Б	(200)	' 10	8,9	2	-	11	792	
АЛ306В	(350) -	10	8,9	3	-	11	1188	ЗИ5
АЛ306Г	(200)	10	8,9	3	-	11	1188	
АЛ306Д	(120)	10	8,9	3	-	11	1188	
АЛ306Е	(60)	10	8,9	3	-	11	1188	
АЛС311А	0,4	0,8	3(5)	2	6	5 *	-	ЗИ6
АЛ312А	(350)	10	7	2	3	1 1	- 	ЗИ13
АЛ312Б	(150)	10	7	2	3	1 1	-	
АЛС314А	(350)	5	2,5	2	5	8	-	ЗИ7
АЛС318А	0,95	5	2.5(9)	'1,9	5	3	45	
АЛС318Б	0,95	5	2,5(9)	1,9	5	3	45	.. ЗИ8
А ЛСЗ18В	0,95	5	2,5(9)	1.9	5	3	45	
АЛС318Г	0,95	5	2,5(9)	1.9	5	3	45	
АЛС320А	0,4	10	5	2	7	12	-	ЗИ23
АЛС320Г	0,6	10	5	2	2	12	-	
АЛС324А	0,15	20	7,5	2.5	5	25	500	ЗИ24
АЛС324Б	0,15	20	7,5	2,5	5	25	500	
2. Зак. 4971
34
ДИОДЫ
Предо л ж е ние т а б л. 1.9
Тип прибора	!с,мед, (Ь,кд/м^)	*пр ном, мА	Высота знаков, мм (число ра?р)	Ц1р, . В	Vo6p, max, В	*np max, мА	Ризл. мВт	Прило- жение 1.3
АЛС326А,Б	0,15	20	7.5	2.5	5	25	375	ЗИ15
АЛС328А,Б	0,05	3	2,5(5)	1,85	5	5	-	ЗИ16
АЛС328В,Г	0,05	3	3.75(5)	1.85	5	5	-	
АЛ СЗ 29 А, Б	0,05	3	2,5(4)	1.85	5	5	..	
АЛС329В.Г	0,05	3	2.5(3)	1.85	5	5	-	
АЛС329Д,Е	0,05	3	2,5(3)	1.85	5	5	-	ЗИМ
АЛС329Ж.Г1	0,05	3	3.75(4)	1.85	5	5	-	
АЛС329К.Л	0,05	3	3,75(3)	1,85	5	5	-	
АЛС329М.Н	0,05	3	3,75(3)	 1.85	5	5	-	
АЛС330А,Б	0.05	3	3.75(3)	1,85	5	5		
АЛС330В.Г	0,05	3	3,75(2)	1.85	5	5	-	
АЛСЗЗОД.Е	0.05	3	3.75(2)	1.85	5	5	-	31118
АЛСЗЗОЖ	0,05	3	5(3)	1.85	5	5	-	
АЛСЗЗОИ.К	0,05	3	5(2)	1,85	5	5	-	
АЛСЗЗЗА.Б	0.2	20	1 1	э	5	25	400	ЗИ17
АЛСЗЗЗВ.Г	0,15	20	1 1	2	5	25	400	
АЛС340А	0.125	10	9	2.5	4	1 1	550	ЗИЮ
		Индикаторы зеленого цвета свечения						
А Л304В	(60)	10	♦ 3	3	7	1 1	264	зиз
АЛ305Д	(120)	20	6,9	6	-	тт	-	ЗИ4
АЛ305Е	(60)	20	6.9	6	-	22	-	
АЛ306Ж	(120)	10	-8.9	3	-	1 1	1 188	ЗИ5
АЛ306И	(60)	10	8.9	3		1 1	1 188	
АЛС320Б	0.1.<	10	5	3	5	12	-	ЗИ23
АЛС320В	0,25	10	5	3	5	12	-	
АЛС335А.Б	0,25	20	1 1	3.5	5	25	660	ЗИ17
АЛС335В.Г	0,15	20	1 1	3,5	5	25	660	
АЛС338А.Б	0,15	20	7,5	3.5	5	25	700	ЗИ 19
АЛС338В	0,15	20	7.5	3 5	5	25	525	
диоды
35
Окончание табл. 1.9
Тип Прибора	*С,МКД, (Цкд/м2)	1пр ном, мА	Высота знаков,мм (число разр)	Unp, В	иобр, max, В	fnp max, мА	Р изл, мВт	Прило- жение 1.3
АЛС356А.Б	0,04	10	2,5(9)	2,8	5	4	90	ЗИ20
		Индикаторы желтого цвета свечения						
АЛС334А.Б	0,2	20 '	11	3,3	5	25	660	ЗИ17
АЛС334В.Г	0,15	20	11	3,3	5	25	660	
АЛС357А	0,04	10	8,9	4	4	10	550	ЗИ21
АЛС358	0,04	10	8,9	4 ’	4	10	550	
КЛЦ401А	0,5	20	18	6	10	25	1 130	
КЛЦ402А	2	20	18	6	10	25	1 130	ЗИ22
КЛЦ402Б	0,5	20 '	18	6	10	25	1 130	
	Индикаторы желто-зеленого цвета свечения							
АЛС321А.Б	Q,12	20	7,5	3,6	5	25	720	ЗИ9
АЛС327А.Б	0,12	20	7,5	3,6	5	25	540	ЗИ15
1.10 Фотодиоды
1.10.1 Кремниевые фотодиоды
Т а бл'и ца 1.10 1
Тип прибора	Размеры фотоэлемента мм (кол., шт)	Д1, мкм	X ,тах мкм	ь'р. в	*т, мкА	1 инт, мА/лм (мкА/лк)	П рило- жение 1.3
ФДК-1	0 1	0,5... 1,1	0,8...0,9	20	з,	3	ДЮ4
ФДК-,10	01	0,5 .1,1	0,8...0,9	0	3	3	
ФД-ЗК	0 1,13	0,5... 1,1	0,8 „0,9	15	0,5	3	Д124
ФД-6К	1,9x1,9	0,4...1,1	0,82...0,86	20	1	(0,014)	Д1 19
ФД-7К	0 10	0,4... 1,1	0,82...0,86	27	5	(0,47)	Д120
ФД-8К	2x2	0,5...1,12	0,85...0,92	20	1	(0,006)	Д121
2*
36
диоды
Продаже ние табл. 1.10.1
Тип прибора	Размеры фотоэлемента мм (кол., шт)	АХ, мкм	X ,тах мкм	UP, в	’т. мкА	$1.инт, мА/ям (мкА/лк)	Прило- жение 1.3
ФД-9К	4,4x4,4	0,5... 1,12	0,85...0,92	10	10	3	ДН8
ФД-10К	1,9x1,9	0,5... 1,12	0,85...0,92	20	1	4,4(0,07)	Д119
ФД-10КП	0 0,5	0,5... 1,05	0,82...0,92	10	0,005	3	Д121
ФД-11К	0 2,5	0,5... 1,15	0,88...0,94	10	0,2	5	Д122
ФД-17К	0 10	0,55... 1,1	0,82...0,92	15	10	(0,47)	Д120
ФД-18К	0 10	0,47...1,1	0,85.„0,92	27	5	6	Д123
ФД-19КК	1x1(4)	0,5... 1,1	0,75...0,8	3	0,1	3,8	ДЮ5
ФД-20КП	2x2(4)	0,5... 1,1	0,85...0,92	7	0,1	4	Д126
ФД-20-ЗОК	1,5x1,5 (2)'	/ 0,5... 1,1	0,85...0,95	5	0,1	-	Д129
ФД-20-31К	0 1,4 ’	0,47... 1,1 7	0,78..,0,82	0;20	0,1	3,8	ДЮ7
ФД-20-32К	2x1,35 (2)	0,45... 1,06	0,78...0,92 t	3	0,1	4	Д128
ФД-20-ЗЗК	0,6x1,4(4)	0,45... 1,9	0,72... 1	5	0,05	4,5	ДНО
ФД-21-КП	0 1,55.	0,4...1,1	0,72...0,85	10	0,017	3,3	ДЮ8
ФД-22-КП	1x1(4)	0,45...1,1	0,75...0,9	7	0,05	4,4	Д126
ФД-23К	1,9x1,9	0,5... 1,12	0,8...0,85	20	0,1	4,4	ДИ9
ФД-24К	0 10	0,47...!, 12	0*75...0,85	27	2,5	-	.6	Д120
ФД-25К ФД-26К	1,9x1,9 1,9x1,9	0,4... 1,1 0,4... 1,1	0,8...0,9 0,8...0,95	20 20	1 3	(0,004) (0,004)	Д108 ДЮ8
ФД-27К	1,9x1,9	0,4... 1,1	.0,8...0,95	20	1	(0,0075)	Д121
ФД-28КП	1,24x1,24	0,4... 1,1	0,72...0,85	4	0,02	3,5	Д125
диоды
37
Окончание табл. 1.10.1
Тип прибора	Размеры фотоэлемента мм '(кол., шт)	Л)., мкм	Х,тах мкм	UP. в	ч мкА	ИНТ, мА/лм (мкА/лк)	Прило- жение 1.3
ФД-К-142	0 13,7(4)	0,3... 1,1	0,72...0,85	120	1,5	10	Д127
ФД-К-155	05	0,4... 1,1	0,75...0,85	10	10	3,5	Д106
ФД-К-227	01,17	0,4... 1,1	0,78...0,88	10	0,1	3	Д131
ФД-246 •	12x0,3(12)	0,5... 1,1	0,75. ..0,9	0,2	1	,	3,5	Д132
ФД-252 ФД-252-01	0 0,6 0 0,3	0,4... 1,1 0,4... 1,1	0,76...0,88 0,78...0,88	24 24	0,01 0,01	-	Д109
ФД 256	01,37	0,4... 1,1	0,75...0,9	10	0,005	6	ДНО
ФД-265А ФД-265Б	1,4x1,4 1,4x1,4	0,4... 1,1 0,4... 1,1	0,75...0,9 0,75. „0,9	4 0	0,1 1	(0,0075) 0,006	•Д1Н
1.10.2 Германиевые фотодиоды
Т а б л и ца 1.10.2
Тип прибора	Размеры фотоэлемента мм (кол., шт)	АХ мкм	,шах мкм	UP, в	1т мкА	SI ИНТ, мА/лм (мкА/лк)	Прило- жение 1.3
ФД-1	0 5	0,4... 1,9	1,5... 1,6	20	30	6,6	Д112
ФД-2	01,3	0,4... 1,8	1,5... 1,6	.30	25	5	Д113
ФД-ЗА	0 2,45	0,4... 1,8	1,5... 1,6	10	10	6,5	ДП4
ФД-4Г	0 2,45	0,4... 1,8	1,5... 1,55	20	30	5	Д116
ФД-5Г	0 2,5	0,3... 1,8	1,5... 1,55	15	8	7	ДИ5
ФД-7Г	0 2,5	0,3... 1,8	1,5;.. 1,55	10	8	10	ДП7
38
ДИОДЫ
1.11. Оптопары
	Табл							ица 1.11
Тип	^вх,опт,	^вх,опт,и <1вых>7	^вх,обр,	U £ вых,оор,	Ubx, ‘	ИС С S	*нр,сп, нс	' Прило- жение
прибора	мА	мА	в	в	В	В	(мкс) .	1.3
АОД101А	20	100	3,5	15	1,5	100	100	
АОДЮ1Б	20	100	3,5	100	1,5	100	500	ОП1
АОД101В	20	100 '	3,5	15	1,5	100	1000	
АОДЮ1Г	20	100	3,5	15	1,5	100	500	
АОД101Д	20	100	3,5	15	1,8	100	250	
АОДЮ7А	20	-	2	15	1,5	-	500	ОП6
АОДЮ7Б	20	-	2	15	1,5	-	300	
АОДЮ7В	20	-	2	15	1,5	-	300	
АОДЮ9А	10	100	3,5	40	1,5	100	1000	опз
АОДЮ9Б	10	100	3,5	10	1,5	100	500	
АОД109В	10	100	3,5	40	1,5	100	1000	
АОД109Г	10	100	3,5	40	1,5	100	1000	
АОД109Д	10	100	3,5	40	1,5	100	1000	
АОДИ19Е	10	100	3,5	40	1,5	100	1000	
АОДЮ9Ж	10	10.0	3,5	40	1,5	100ч	1000	
АОД109И	10	100	3,5	40	1,5	100	1000	
АОД111А 	L	40	•	100	-	6	 2	-	-	ОП8
АОД130А	20	100	3,5	30	1,5	1500	100	ОП7
АОТЮ1АС	20	50	1,5	(15)	1,6	1500	10000	ОП10
АОТ101БС	20	50	1,5	(15)	1,6	1500	10000	
АОТ102А	40	150	-	30	'г	500		
АОТЮ2Б	40	150		30	2	500	-	
АОТЮ2В	40	150		30	2	500	-	ОП2
АОТЮ2Г .	40	150	-	30	2	500	-	
АОТ102Д	40	150	-	30	2	500	-	
АОТЮ2Е	40	150	-	30	2	500	-	
АОТ110А	30	100	0,7	(30)	2	100	..	
ЛОТ 11 ОБ	30	100	0,7	(50)	2	100	-	ОП5
АОТПОВ	30	100	0,7	(30)	2	100	-	
АОТНОГ	30	100	0,7	(15)	2	100	-	
диоды
39
Тип прибора	Чх,ОПТ, мА	*вх,опт,и (1вых)- мА	^вх.обр, в	^вых.обр, ^ком>. В	LBX. В	г	1нр,сп. нс (мкс)	Прило- 'жение 1.3
АОТ122А	15	85	-	(50)	1.6	100	(6/100)	
АОТ122Б	15	85		(30)	1.6	100	(6/100)	ОП4
АОТ122В	15	85	-	(30)	1,6	100	(6/100)	
АОТ122Г	15	85	-	(15)	1.6	100	(6/100)	
АОТ123А	30	100	0.5	(50)	ч	100	(2)	
АОТ123Б	30	100	0.5	(30)	т	100	(2)	ОПП
ЛОТ 123В	30	100	0.5	(30)	2	100	(2)	
А ОТ 123 Г	30	100	0.5	(15)	2	100	(2)	
АОТ126А	30	100	0.5’	(30)	э	1000	(2)	от 1
АОТ126Б	30	100	0.5	(15)	2	1000	(2)	
АОТ127А	15	100	1,5	(30)	1.6	1000	-	01112
АОТ127Б	15	100	1.5	(30)	1.6	1000	-	
АОТ127В	15	100	1.5	(15)	1.6	1000	-	
ЛОТ 128 А	40	100	0.5	(50)	1.6	1000	(5)	от 2
АОТ128Б	40	100	0.5	(30)	1.6	1000	(5)	
АОТ128В	40	100	0.5	(30)	1.6	1000	(5)	
ЛОТ 128 Г	40	100	0.5	(15)	1.6	1000	(5)	
АОУ103А	55	(100)	-	-	э	50	-	
АОУ103Б	55	(100)	-	-	2	200	-	0119
АОУ103В	55	(100)	-	200		200	-	

40

ДИОЛЫ.
Приложение 11
Цветная маркировка диодов
Д2 обозначается желтой точкой или полосой у положительного (анодного) вывода
и цветной точкой или полосой:
»Д2Б	- белой.	Д2Е -	зеленой,
Д2В	- оранжевой.	Д2Ж - .	черной,
Д2Г	- красной.	Д2И -	серой.
Д2Д	- голубой.		
Д9 обозначается красной точкой или полосой у положительного вывода и цветными
точками или полосами:
Д9Б	- красной.	Д9Ж -	зеленой.
Д9В	- оранжевой.	Д9И -	двумя желтыми.
Д9Г	- желтой.	Д9К	двумя белыми.
лад	- белой.	Д9Л -	двумя зелеными.
Д9Е	- голубой.	Д9М -	двумя голубыми.
КД 102 обозначается цветной точкой у положительного вывода.
КД102А - зеленой,	КД102Б	- синеи.
КД 103 обозначается цветной точкой у положительного вывода:
КД ЮЗА - синеи.	КДЮЗБ	-	желтой.
КД 104А обозначается красной точкой v положительного вывода.
КД 105 обозначается желтой полосой у положительного вывода и цветной точкой*
КД105Б - точка отсут с гвует.	КД105Г - красной
КД 105В	- зеленой.
КД208А обозначается красной полосой у положительного вывода
КД2О9 обозначается красной полосой у положительного вывода и цветной точкой.
КД209А - точка отсутствует,	КД209В	- красной
КД209Б - зеленой.
КД221 обозначается белой полосой у положительного вывода и* цветной точкой:
КД221А	-	точка отсутствует.	КД221В	-	зеленой.
КД221Б	-г	белой.	КД221Г	-	красной.
КД226 обозначается цветным кольцом со стороны отрицательного вывода (катода):
КД226А	-	оранжевым.	КД226Г	-	желтым.
КД226Б	-	красным.	КД226Д	-	белым
КД226В	-	зеленым.
КД257. КД25Х обозначаются черном краской со стороны катодного вывода.
КДС1 1 1 обозначается цветном точкой:
КДС1 1 1А - красной	КДС1 1 1В -желтой
КДС11-1Б - зеленой.
диоды
41
Приложение 1,1
КЦ117 обозначается цветной полосой у положительного вывода:
КЦ117А - белой, '	КЦ117Б - *чериой.
Д20 обозначается закрашиванием в зеленый цвет утолщенной части катодного
вывода, а полярность - закрашиванием в красный цвет утолщенной части анодного
вывода.
КД409А обозначается желтой точкой на корпусе.
КД410 обозначается цветной точкой у положительного вывода:
КД410А - красной,	КД410Б	- синей.
КД413 обозначается цветной точкой у положительного вывода:
КД413А - белой,	КД413Б	- белой и красной.
КД417А обозначается белой точкой со стороны положительного вывода.
КД509А обозначается одной широкой и одной узкой полосами синего цвета со
стороны катодного вывода,
- КД510А обозначается одной широкой и одной узкой полосами зеленого цвета со
стороны катодного вывода.
КД514А обозначается желтой точкой со стороны положительного вывода.
КД519 обозначается цветной точкой у положительного вывода:
КД519А - белой,	КД519Б - красной.
КД520А обозначается желтой точкой у положительного вывода.
КД521 обозначается одной широкой и двумя узкими полосами на корпусе со
стороны положительного вывода.
КД521А	-	синие,	КД521Г	-	белые,
КД521Б	-	серые,	КД521Д	-	зеленые.
КД521В	-	желтые,
КД 522 обозначается черными кольцевыми полосами на корпусе со стороны
положительного вывода:
КД522А * - двумя,	КД522Б - тремя.
Стабилитроны группы ”А” обозначаются голубой кольцевой полосой со стороны
катодного вывода и цветной полосой со стороны анодного вывода:
КС 133 А	-	белая*.	КС 156 А	-	оранжевая,
КС 139 А	-	зеленая,	КС 168 А	-	красная,
КС 147 А - серая,
‘Стабилитроны группы ’Т” обозначаются желтой меткой на торце корпуса со
стороны анодного вывода, и серой меткой со стороны катодного вывода, а также
кольцевой полосой на корпусе со стороны катодного вывода:
КС133Г	- оранжевой,	КС156Г - красной.
КС 147 Г	- зеленой.
42
ДИОДЫ
Приложение 11
Стабилитроны группы "Ж", выпускаемые в корпусе КД-3, обозначаются условным
цветным кодом, в состав которого входят цвет окраски корпуса и цвет кольцевой полосы
со стороны анодного вывода:
КС 175Ж КС 182Ж КС 1-9 1Ж КС210Ж - КС2 М Ж КС212Ж - КС213Ж КС215Ж КС216Ж КС218Ж КС220Ж КС222Ж КС224Ж		корпус серый, полоса белая; корпус серый, полоса желтая: корпус серый, полоса красная. 	корпус серый, полоса зеленая; корпус серый, полоса синяя, корпус серый, полоса черная, корпус серый, полоса голубая; корпус черный, полоса белая; -	корпус черный, полоса желтая: корпус черный’, полоса красная; корпус черный, полоса зеленая: корпус черный, полоса синяя: Kopnvc черный, полос.) голубая.
КС405А обозначается цветным кодом: фоновая средняя полоса серого цвета, красная
кольцевая по юса - со стороны катодного вывода, черная кольцевая полоса - со слоррны
анодного вывода.
КС406 обозначается цветным кодом - фоновая средняя полоса черного цвета и по
одной цветной кольцевой полосе со стороны катодного и анодного выводов
соотве тстве ино
КС406А	- серая и белая.
КС406Б	- бе тая и оранжевая.
КС407 обозначается цветным кодом - фоновая средняя полоса черного цвета,
красная кольцевая полоса со стороны катодного вывода и цветная потоса со стороны
анодного вывода
КС407А	- голубая.	КС4О7Г । -	зеленая.
КС407Б	- оранжевая.	К.С4О7Д -	серая.
КС407В	же пая.
КС50Х обозначается цветным кодом - фоновая средняя полоса черного цвета, и но
одной цветной кольцевой полосе со стороны катодного и ано.рюго выводов
соответственно.
КС5О8А - оранжевая и зеленая.
КС508Б	-	желтая и	белая,
КС508В	-	красная и	зеленая.
КС508Г	-	голубая и	белая.
КС508Д	-	зеленая и	белая.
КС509 обозначается цветным кодом - фоновая средняя полоса белого или серого
цветов, голубая кольцевая полоса со стороны катодного вывода и цветная полоса со
стороны анодного вывода'
КС509А	- красная.	КС509В - зеленая.
КС5О9Б - же п ая
КВ 101 А. Тип варикапа указывается на упаковке. Положительный вывод
обозначается черной точкой
диоды
43
Приложение 1.1
ш КВ 102. Тип варикапа указывается на упаковке. Положительный вывод обозначается
белой точкой.
КВ 104. Тип варикапа указывается на упаковке. Положительный вывод обозначается
оранжевой точкой
КВ 104 обозначается цветной точкой у положительного вывода:
КВ 109 А	-	белой.	КВ 109В	-	зеленой.
КВЮ9Б	-	красной.	КВ109Г	-	не имеет	точки.
К.ВС1 1 1 обозначается цветной точкой у отрицательного вывода:
КВС1 1 1А - белой.	КВС111Б - оранжевой.
КВ1 13. Тип варикапа указывается на корпусе. Положительный вывод обозначается
цветной точкой:
КВ 11 ЗА желтой.	КВ ИЗБ	зеленой.
КВ 121 обозначае гс я цветной точкой >	положительного	вывода'
КВ 121 А - синеи.	КВ 121Б	желтой
КВ 122 обозначается цветной точкой >	/ положительного	вывода.
КВ 122 А	оранжевой.	КВ 122В -	коричневом
КВ122Б - фиолетовой,
КВ 123А обозначается бетой полосой у потожительного вывода.
КВ 127 обозначается окраской поверхности корпуса со стороны отрицательного
вывода:
КВ 127 А	-	белого.	КВ 127В	-	желтого,
КВ127Б	-	красного,	КВ127Г	-	зетеного.
Отрицательный вывод обозначается цветной точкой на корпусе.
КВ 127 АР-КВ 127ГР - комплекты, состоящие из двух варикапов;
КВ 127АТ-КВ 127ГТ - комплекты, состоящие из трех варикапов;
КВ 127АГ-КВ 127ГГ - комплекты, состоящие из четырех варикапов.
КВ 128А обозначается красной точкой на корпусе у положительного вывода.
КВ128АК - комплект, состоящий из шести варикапов.
КВ 129 А обозначается черной точкой на корпусе у положительного вывода
КВ 1ЗОА обозначается красной точкой на корпусе со стороны катода.
КВ130АГ - комплект, состоящий из четырех варикапов.
КВ132А обозначается белой точкой на корпусе со стороны положительного вывода.
КВ132АР - комплект, состоящий из двух варикапов.
КВ134А обозначается желтой точкой на корпусе со стороны отрицательного вывода.
44
ДИОДЫ
Приложение 1.1
КВ 134АТ - комплект, состоящий из трех варикапов.
КВ135А обозначается белой точкой на корпусе со стороны положительного вывода.
КВ 135 АР - комплект, состоящий из двух варикапов.
АЛ 107 обозначается точками на корпусе со стороны положительного вывода:
АЛ 107 А - одной.	АЛ107Б - двумя.
АЛ 108А обозначается белой точкой.
АЛ 1 1 5А обозначается белой точкой на корпусе со стороны положительного вывода.
АЛ 1 18А обозначается черной точкой на корпусе со стороны положительного
вывода.
АЛ402 обозначается цветной точкой на корпусе:
АЛ402А - красной.	АЛ402В - синей.
АЛ402Б	-	зеленой,
АЛ 102 обозначается цветными точками:
АЛ 102А	-	красной.
АЛ102Б	-	двумя красными,
АЛ 102В	-	тремя красными.
АЛ1 12 обозначается цветными полосами и точками иа корпусе:
АЛ112А. АЛ! 12Г - красной полосой,
АЛ 112Б. АЛ 1 12Д - зеленой полосой,
АЛ 112В	- сииеи полосой,
АЛ 1 12Е. АЛ И 2К - красной точкой,
АЛ1 12Ж, АЛ1 |2Л - зеленой точкой,
АЛ 112И, АЛ 1 12М - сииеи точкой.
АЛ307 обозначается цветными точками на корпусе:
АЛ307А, АЛЗО7В, АЛЗО7Д - одной черной,
АЛЗО7Б. АЛЗО7Г, АЛЗО7Е двумя черными,
АЛ307И	- одной белой,
АЛ307Л	- двумя белыми.
АЛЗО7АМ-АЛЗО7Н.М - обозначение приводится на групповой таре.
АЛЗ10 обозначается цветной точкой на корпусе:		
АЛ310А - одной красной.	АЛЗ1ОБ	одной синей.
АЛЗ 16 обозначается цветной полосой	на корпусе:	
АЛЗ 16А - красной.	АЛ316Б	синей.
АЛ336 обозначается цветными точками на корпусе:		
АЛ336А - одной красной,	АЛ336Е -	двумя желтыми.
АЛ336Б - двумя красными,	АЛ336Ж-	тремя желтыми,
АЛ336В - одной зеленой,	АЛ336И -	одной белой,
АЛ336Г - двумя зелеными, АЛ336Д - одной желтой.	АЛ336К -	одной черной.
диоды
45
• Приложение 1.1
Полярность диодов АЛЗЗбА, АЛ336Б и АЛ336К указывается на чертеже. Диоды
AJI336B - АЛ336И имеют обратную полярность.
Плюсовой вывод фотодиодов обозначается на- корпусе знаком точкой или
цветной меткой на вводе. При отсутствии меток выводы фотодиодов выполняются
разной длины и плюсовым является более длинный вывод.
Во всех остальных случаях тип Диода и схема соединения электродов с выводами
приводятся на корпусе-или на вкладыше в групповой таре.
Для маркировки зарубежных малогабаритных полупроводниковых диодов вместо
цифровых и буквенных обозначений используется цветовое кодирование по двум
системам: Pro Electron и JEDEC.
По системе Pro Electron первым двум буквам соответствует первая широкая полоса
со стороны катода (ВА красная, АА - черная), третьей -букве соответствует вторая
широкая полоса (Z - белая, Y - серая, X - черная, W - синяя, V - зеленая, Т - желтая, S
- оранжевая). Узкие полосы соответствуют цифрам (О - черная, 1 - коричневая, 2 -
красная, 3 оранжевая, 4 - желтая, 5 - зеленая, б - синяя или голубая, 7 - фиолетовая,
8 - серая, 9 - белая). Тип диода читается по цветным полоскам от катода.
В отличие от системы Pro Electron, в системе JEDEC одна широкая полоса. При
использовании цветового кода в обозначении диодов по системе JEDEC первая цифра ц
и буква N опускаются. Следующий за буквой N типовой номер, состоящий из двух,
трех или четырех цифр, обозначается цветными полосами по следующим правилам.
1	Номера, состоящие из двух цифр, обозначаются одной (первой) черной Полосой
и двумя (второй и третьей) цветными, соответствующими цифрам. Если в обозначении
имеется буква, то используется четвертая полоса.
2.	Номера из трех цифр ’обозначаются тр<?мя цветными полосами
соответствующими цифрам. Четвертая полоса обозначает букву.
3.	Номера из четырех цифр обозначаются четырьмя цветными полосами и пятой
черной. Если после цифр требуется обозначить букву, то используют пятую цветную
Полосу (вместо черной).
4.	Для обозначения полярности цветные полосы либо смещаются ближе к катоду,
либо первая от катода делается более широкой (двойной ширины).
5.	Тип диода читается по цветным полоскам от катода.
В системе JEDEC цветное обозначение букв и цифр такое же, как в системе Pro
Electron.
46
ДИОДЫ
Приложение!.2
Зарубежные диоды и их функциональные отечественные аналоги
Тип зарубежного диода	Отечественный аналог	Тип зарубежного диода	- Отечественный аналог
А2А4	КД204В	АЕ150	Д223Б
А2С4	КД205Г	АМОЮ	Д229Ж
A2DI	Д229К	АМ030	Д229В
A2D5	КД205В	АМ12	Д229В
A2D9	КД205В	АМ42	Д229Е
A2EI	Д229Л	АМ410	Д229В
А2ЕЗ	Д229Л	АМ440	Д245
А2Е4	КД205Б	AZ6,8	КС 168В
А2Е5	Д229Л	AZ7,5	КС 175 А
А2Е9	Д229Л	AZ8,2	КС182А
A2F4	КД205А	AZ9,I	КС191А
АЗВ1	Д229Ж	AZ 10	КС210Б
АЗВЗ	Д229Ж	AZ11	КС211Ж
АЗВ5	.	Д229Ж	AZ13	КС213Б
АЗВ9	Д229Ж	AZ15	КС215Ж
АЗС1	. КД205Л	A2.22	КС222Ж
АЗСЗ	КД205Л	AZX84S1 1	КС211Ж
АЗС5	КД205Л	B2D5	Д229К
АЗС9	КД205Л	B2D9	Д229К
A3D1	Д229К	B2E1	Д229Л
A3D3	Д229К	B2E5	Д229Л
A3D5	Д229К	B2E9	Д229Л
A3D9	Д229К	B3B5	Д229Ж
АЗЕ!	Д229Л	B3B9	Д229Ж
АЗЕЗ	Д229Л	B3CI	КД205Л
АЗЕ5	Д229Л	B3C9	КД205Л '
АЗЕ9	Д229Л	B3D1	Д229К
A7BI	КД208А	B3D5	Д229К
А7В5	КД208А	B3D9	Д229К
А7В9	КДЗО8А	B3EI	Д246Б
AIOO	Д229Ж	B3E5	Д246Б
А121-И	КД2О8А	B7B1	КД208А
А132-И	КД208А	B7B5	КД208А
А168-И	КД208А	B7B9	КД2О8А
АЗОО	Д229К	1500Sit	КД208А
А400	Д229Л	B8OC3OO	КД204Б
АА112	ДЮ	B250C300	КД201И
АА112Р	ДЮ	BA 128	КД ЮЗА
AAI13P	ДЮ1	BA 147/220	Д207
АА137	Д9В	BAI 47/300	Д208
AAI38	ДЮ	BA 179	ДЮ2
AAY32	Д311	BAV54-30	КД521Г
AAZIO	Д9В	BAW14	Д226В
AAZ15	Д312А	BAW14TF24	Д226В
AD150	Д223Б	BAW32B	Д223Б
диоды
47
Приложение 1.2
Тип зарубежного диода	Отечественный аналог	Тип зарубежного диода	Отечественный аналог
BAW62	КД521А	BY 158	Д229Л
BAW63	КД 521Б	BYX42/300	Д245
BAW63A	КД521Г	BYX42/600	КД206В
ВАХ 13	КД509А	BYX60-100	Д229В
ВАХ1 ЗА	КД509А	BYX60-400	Д229Е
ВАХ80	КД509А	BYY67	Д245
BAX91C/TF102	КД521	BYY68	Д245
BAX95/TF600	КД521	BZ6.8	КС 165 А
BAY21	Д226В	BZ7,5	КС175А
3AY38	КД509А	BZ8,2	КС182А
BAY63	КД509А	BZ9,1	КС191А
BAY71	КД509А	BZX29C4V7	КС447А
BAY74	КД509А	BZX29C5V6	КС456А
BAY89	КД 105 А	BZX29C35V6	Д246
BLVA168	КС 168 А	BZX46C3V3	КС 133 А
BLVA168A	КС 168 А	BZX55C3V3	КС 133 А
BLVA168B	КС 168 А	BZX58C6V8	КС 168 А
BLVA168C	КС 168 А	BZX59C1 1	Д811
BLVA195	КС196А	BZX69C1 1	Д8П
BLVA195A	КС196А	BZX83C3V3	КС 133 А
BLVA195B	КС196А	BZX84C7V5	КС175А
BLVA195C	КС196А	BZX84C7V8	КС 175 А
BLVA468	КС 168 А	BZX84C9V1	KC19IA
BLVA468A	КС 168 А	BZX84C10	КС210Б
BLVA468B	КС 168 А	BZX84C11	КС211Ж
BLVA468C	КС 168 А	BZX85C4V7	КС447А
BLVA495	КС196А	BZX85C5V6	КС456А
BLVA495A	КС196А	BZY56	КС 147 А
BLVA595B	КС 196 А	BZY60	КС 168 А
BLVA495C	КС196А	BZY83C4V7	КС 147 А
BR22	КД2О5Г	BZY83C6V 8	КС1 I68A
BR24	КД205Б	BZY83C11 .	Д811
BR26	КД205Ж	BZY83D4V7	КС 147 А
BR41	Д229Ж	BZY83D6V8	КС 168 А
BR42	КД205Л	BZY85B3V3	КС133А
BR44	Д246Б	BZY85C4V7	КС 175 А
BR81D	КД208А	BZY85C11	Д811
BR1O1А	Д242	BZY85C39	КС 139 А
BR102A	Д243	BZY88C33	КС 133 А
BR104A	Д246	C4010	ДЮ2
BR106A	КД206В	C6102	КС 133 А
BR108A	КД210Б	CA50	ДЮ2
BR2O5	КД204В	CA100	Д223А
BSA71	КД5О9А	CB50	ДЮ2
BY1 18	Д245Б	CB100	Д223А
BY 157	КД1О5Г	CER68 '	Д229Ж
48
ДИОДЫ
Приложение 1.2
Тип зарубежного диода	Отечественный аналог	Тип зарубежного диода	Отечественный диалог *
CER69	КД205Г	DD056	КД205Б
CER69G	КД 105В	DD236	Д246Б
CER70	КД 105В	DD266 '	Д246Б
CER70B	КД105	DD452I	Д242
CER70B	Д7Ж	DD4523	Д243
CER70G	КД205Б	DD4526	Д246
CER71В	КД 105В	DK75I	Д229Ж
CER72C	КД205Е	DK752	КД205Л
CER500B	КД205Е	DK753	Д229К
CER500G	КД205А	DK754	Д229Л
CER710	КД205Ж	DR402	Д220Б
CG84H	КД503В	DR464	ДЮ
CGD309	МДЗА	DR482	Д219А
COD 1531	Д229Ж	DR500	Д219А
COD 1532	КД209Л	DR695	Д209
• COD 1533	Д229Ж	DR698	Д209
COD 1534	Д229Л	DR699	Д208
COD 1554	Д7Ж	DT230H1	Д226В
COD 1555	КД205Е	ЕЗВЗ	Д304
COD 1556	КД 105В	ЕЗСЗ	Д243Б
COD15314	КД208А	ЕЗЕЗ	Д245Б
COD 15524	КД205Г	ЕЗНЗ	Д247Б
COD 15534	КД205В	ЕЗКЗ	Е248Б
COD 15544	КД205Б	Е5АЗ	Д305
COD 15554	КД2О5А	Е6ВЗ	Д242
COD 15564	КД205Ж	Е6СЗ	Д243
CTN100	КД208А	Е6ЕЗ	Д245
CTP100	КД208А	E6G3	Д246
GY40	Д246Б	Е6НЗ	КД205Б
GZ5.6 .	КС456А	Е6КЗ	КД206Б
D2D	ДЮ1	Е6МЗ	КД203Г
D25C	КД205Г	E6N3	КД210Б
D45C	КД205Г	ED304A	Д229Л
D65C	КД205Ж	EG 100	КД205Б
D100	Д229Ж	EG 1 ООН	КД205А
D200	' КД205Л	EPD300	КД205В
D400	. Д229Л	ER3I	Д229К
D1010	Д242	ER41	Д229Л
D1646	Д229К	ERD200	КД205Г
DI 647	Д229Л	ERD400	КД205Б
D3010	Д245	ERD300	КД205В
D4010	Д246	ERD500	КД205А
D5010	КД206Б	ERD600	КД205Ж
D6010	КД206В	ESP5100	Д304
D8010	КД210Б	ESP5200	Д243Б
DD003	КД205Г	ESP53OO	Д245Б
DD006	КД205Б	ESP5400	Д246Б
диоды
49
Приложение 1.2
Тип	Отечественный	Тип	Отечественный
зарубежного диода	аналог	зарубежного диода	аналог
EZ100	МД218	HGR30	КД 104 А
F1C3	Д243Б	HMG626A	Д220
F1E3	Д245Б	HMG662	Д220Б
F1G3	Д246Б	HMG662A	Д220Б
F1H3	Д247Б	НМ6663	Д220Б
F1K3	Д248Б	HMG664	Д220Б
F2B3	Д242	HMG844	Д220Б
F2C3	Д243	HMG904	КД521Г
F2E3	Д245	HMG904A	КД521Г
T2G3	Д246	HMG9O7	КД521Г
F2H3	КД206Б	HMG9O7A	КД521Г
F2K3	КД206В	HMG3064	КД521А
F2M3	КД203Г	HMG3596	КД521Г
F2N3	КД210Б	HMG3598	КД521Г
F3C3	Д243Б	HMG36OO	КД509А
T3G3	Д246Б	HMG3873	КД509А
FD100	КД509А	HMG3954	КД509А
FD600	КД 521А	HMG4147	КД503А
FDN600	КД521А	HMG4I50	КД509А
FPZ5V6	КС456А	HMG4319	КД521 А
G4HZ	Д246	HMG4322	КД509А
G8HZ	КД210Б	HR1 1	Д811
G65HZ	Д248Б	HR9O	Д818А
G1010	Д242	HS033A	КС 133 А
G2010	Д243	HS033B	КС'133 А
G3010	Д245	HSI395	КД5ОЗА
G4010	-	Д246Б	ИS2039	КС 139 А
G5010	КД2О6Б	HS2047	КС 147А
G8010	КД 21 ОБ	HS21 10	Д81 1
GD72E3	Д9В	HS7O33	КС 133 А
GD72E4	Д9Б	HSQ009	КД509А
GD72E5	ДЭВ	HS9010	КД52Н
GLA47A	КС 147 А	HS9501	КД521 А
G1 А47В	КС 147 А	HS9504	КД 521 А
GP33O	КД521Г	» HS9507	КД 521 А
GP350	КД509А	HSP100I	Д207
GP360	КД512Б	HGR30	КД 104 А
GPM2NA	Д9В	J200	КД205Г
GSM53	КЛЮЗА	.1400	КД205Б
Н100	Д229Ж	.1600	КД205Ж
Н200	КД205Д	JAN 1N 633	Д22ОБ
нзоо	Д229К	JAN 1 N3827A	КС456А
Н400	Д229Л	JE2	КД205Б
И6010	КД206В	К2В5	Д229В
HD4I01	КД503Л	KSO33A	КС 133 А
HDS9009	КД509 Л	KSO33B	КС 133 А
HDS9010	КД521Г	KS77	КС 190 А
50			ДИОДЫ
		Пр	иложение 1.2
Тип	Отечественный	Тип	Отечественны й
зарубежного диода	аналог	зарубежного диода	аналог
KS78	КС190А	МВ260	КД205Л
KS78B	КС 190А	МВ261	КД205В
KS2039A	КС 139 А	МВ262	Д229К
KS2O39B	• КС139А	МВ263	КД205Б
KS2047A	КС 147 А	МВ 264	Д229Л
KS2O47B	КС 147 А	МВ265	КД205А
KS2O68A	КС 168 А	МВ 267	КД2О5Ж
KS2O68B	КС 168 А	МВ270	Д229Ж
KS2110А	Д811	МВ271	КД205Л
KS2110В	Д81 I	МВ272	Д229К
LAC2002	КС 147 А	МВ273	Д226Л
LDD5	КД521Б	МС030	Д226В
LDD10	КД521Б	МС030А	Д226В
LDD15	КД521Б	МС51	Д226В
LDD50	КД521Б	МС52	КД521 А
LDZ70/6A8	КС 168 А	МС53	КД521Г
LR33H	КС 133 А	МС55	КД521Б
LZ8,2	КС182А	МС58	КД5О9Л
Ml 4	Д229В	МС59	КД521Б
М1В1	КД208А	MCI 03	КД509А
М 1В5	КД208А	МС108	КД509А
М1В9	КД 208А	МС433	КД521А
M4.HZ	Д229Е	МС903	КД509А
М68	Д229Ж	МС903А	КД509 А
М69	КД205Л	МС905	КД521Г
М69С	КД205Г	МС905А	КД521Г
М70В	Д7Ж	МС906	КД521Г
М70С	КД205Б	МС906А	КД521Г
М71В	Д21 1	МС908	КД509А
М72В	КД 105В	, МС9О8А	КД509А
М500В	КД 205Е	МС5321	КД521Г
М500С	КД205 Л	МС6010А	КД 168 А
МА215	КД205В	МС6015А	Д811
МА231	Д242	MCPD521A	КД521Б
МА232	Я 243	MCPD521B	КД521Б
МА240	Д243	MCPD521C	КД521Б
МА4303	КД509А	MGD72	КД521Г
МА4304	КД509А	MGD73	КД521А
МА4305	КД509 А	MGLA39A	КС 139 А
МА4306	КД509А	MGLA39B	КС7139А
МА4307	КД521А	MHD61 1	КД521 А
МА4308	КД521А	MHD612	КД521 А
МВ 23 6	КД 208 А	MHD614	КД521А .
МВ 253	Д229К	MHD615	КД521А
МВ254	;(229л	MHD616	КД509А
МВ 258	Д229Ж	ММС1001	КД521 А
MB2S9	КД2051		
диоды
51
Приложение 1.2
Тип зарубежного диода	Отечественный аналог	Тип зарубежного диода	Отечественный аналог
ММС1002	КД521А	OAZ244	КС 168 А
‘ММС1003	КД521А	Р2К5	Д2Ю
ММС1004	КД521А	Р2М5	Д2П
ММС1005 ,	КД521А	P4F5	КД204Б
ММС1006	КД521А	Р4Н5	Д7Ж
ММС1007	КД521А	P4HZ	.	Д246
MR39C-H	КС 139 А	Р4К5	КД205Е
MR47C-H	КС 147 А	Р4М5	КД105В
MR60	Д248Б	P5D5		Д229В
MR80	МД217	Р5Н5	Д229Е
MR90	МД218	P6F5	КД205Г
MR100	МД218	P6G5	КД205В
MR1337-2	Д229Ж	Р6Н5	КД205Б
MR1337-4	Д229К	P6HZ	КД206В
MR1337-5	Д229Л	Р6К5	КД205А
MS5	Д305	Р6М5	КД205Ж
МТ020А	КД205Г	P7G5	Д229К
мтозо	КД205В	Р7Н5	Д246Б
МТ030А	КД205Б	P8HZ	КД210Б
МТ040	КД205В	Р100А	Д229Ж
МТ040А	КД205Б	Р100В	КД208А
МТ050	КД205А	PI50B	КД208А
МТ050А	КД205А	Р200А	КД205Л
МТ060	КД205Ж	Р400А	Д229Л
МТ060А	КД205Ж	Р665	КД205В
МТ14	Д229В	Р1010	Д242
МТ44	Д229Е	Р2010	Д243
МТ458	Д223Б	Р3010	Д245
МТ462А	КД ЮЗА	Р4010	Д246
МТ705	КД521Б	Р5010	КД206Б
MZ4A	КС 147 А	Р6010	КД206В
MZ6A	КС 168 А	Р8010	КД210Б
MZ1009	Д818А	РА05	Д305
MZ4622	КС 139 А	PD116	МД218
MZ4624	КС L 47 А	PD126	Д220Б
MZC3,3A10	КС 133 А	PD127	Д312А
0102	КД102А	PD133	ДЮ1
0112	КД102А	PD910	Д2О9
0502	Д226В	PD911	Д210
0507	КД105Г	PD912	Д211
0604	КД206В	PD914	МД217
ОА90	Д9В	PD915	МД218
ОА92	МДЗА	PD916	МД218
OAZ200	КС 147 А	PD6004A	КС139А
OAZ204	КС 168 А	PD6006A	КС147А
OAZ240	КС 147 А	PD6010A	КС 168 А
52
ДИОДЫ
Приложение 1.2
Тип зарубежного диода	Отечественный аналог	Тип зарубежного диода	Отечественный аналог
PD6045	КС139А	RZ18	КС218Ж
PD6047	'КС 147 А	RZ22	КС222Ж
PD6051	КС168А	RZZ11	КС211Ж
PD6056	Д811	RZZ18	КС218Ж
PD6202	КС147А	RZZ22	КС222Ж
PD6206	КС168А	S1A	Д229Л
РЕЮ	Д304	S1AN12	Д242
РЕ20	Д243Б	S 1,5-0,1	КД208А
РЕ40	Д246Б	S2A10	КД208А
РЕ60	Д248Б	S2AN12	Д243
PS12O	КД205Г	S2H1	КД208А
PS130	КД205В	S2E20	КД205Г
PS140	КД205Б	S2E60	КД205Ж
PSL5O	КД205А	S3AN12	Д245
PS160	КД205Ж	S4AN12	Д246
PS410	Д229В	S5A1	Д304
PS440	Д229Е	S5A2	Д243Б
PS632	Д226В	S5A3	Д245Б
PS633	Д226В	S5A4	Д2465Б
PS2415	Д211	S5A5	Д247Б-
PS2416	МД217	S5A6	Д248Б
PS2417	МД218	S5AN12	КД206Б
РТ520	КД205Л	S5M2	Д229Л
РТ530	Д229К	S6AN12	КД206В
РТ540	Д229Л	S7AN12	КД203Г
PZZ11	КС2ИЖ	S8AN12	КД 21 ОБ
Q12-200	КД521Д	S11	КД208А
Q12-200А	КД521Д	S15	КД205А
Q12-200В	КД521Д	S16	КД205Б
Q12-200C	КД521Д	S16A	КД205Б
Q12-200D	КД521Д	S16B	Д229Л
Q12-200T	ВД521Д	S17	/КД205Г
Q12-300	КД521Д	S17A	КД205Г
Q12-300А	КД521Д	S18	КД205А
Q12-300B	КД521Д	S18A	КД205А
R421	Д243	S19	Д7Ж
R602	Д243	S19A	КД205Е
R604	Д246	S20-06	Д248Б
R606	КД 206В	S23A	КД205Ж
R611	Д242	S26	Д229К
R612	Д243	S28	КД105Г
R614	Д246	S30	КД205Ж
R616	КД206В	S31	КД205В
RPX50	Д220	SS1	Д229Ж
RPX100	Д220Б	S83	Д229К
RPX100A	Д220Б	S84	Д229Ж
ДИОДЫ
53
При ложен и е 1.2
Тип зарубежного диода	Отечественный аналог	Тип зарубежного диода	Отечественный аналог
S91A	Д229Ж	SD94A	Д229Л
S92A	КД205Л	SD500	Д229Л
S93A	Д229К	SE05A	КД205Б
S100	КД205Г	SE05B	КД205Ж
S101	КД205Г	SE05S	КД205Г
S102	Д229Е	SE1,5	КД208А
S105	КД205Б	SE1.5SS	КД208А
S106	Д7Ж	SED107	дю
S108	КД2О5Б	SFD43	КД521Г
S125	КД206В	SFD83	КД521Г
S205	Д210	SG105	Д229В
S206	Д211	SG221	Д219А
S208	МД217	SG5100	КД509А
S210	МД218	SG5200	КД521А
S219	Д7Ж	SG5250	КД521Г
S222	КД205Г	SG5260	КД521А
S223	КД205В	SG9150	КД503А
S224	КД205Б	SJ103E	Д304
S234	КД105Г	SJ103K	Д304
S235	КД205Г	SJI04E	Д242
S243	Д229Л	SJ104K	Д242
S252	КД205Г	•	SJ203E	Д243Б
S253	КД205В	SJ203K	Д243Б
S254	КД205Б	SJ204E	Д243
S255	КД205Ж	SJ204K	Д243
S256	КД205Ж	SJ304E	Д245
S420	Д242	SJ304K	Д245
S423	Д246	SJ404E	Д246
S425	КД206Б	SJ404K	Д246
S427	КД210Б	SJ603E	Д248Б
SA1ANI2	Д242	SJ6O3K	Д248Б
SA1N12	КД20А	SJ604E	КД206В
SA1M1	КД208А	SJ604K	КД206В
SA4AN12	КД246	SKN5/04	Д246Б
SA5AN12	КД2О6Б	SL3	Д245Б
SA6AN12	|	КД206В	SL103M	Д245Б
.SA8AN12	|	КД210Б	SM10	Д229Ж
SD1	КД205Б	SM20	КД205Л
SD1A	КД205Ж	SM30	Д229К
SD1Z	КД205Г	SM40	Д229Л -
SD11F	Д101	SM230	Д229К
SD91A	Д229Ж	1	SM240	Д229Л
SD92A	КД205	SR11	КД208А
SD93	Д229К	SRI IT	КД208А
SD93A	Д229К	SR20	Д305
SD94	Д229Л	SV131	Д818А
54
ДИОДЫ
Приложение 1.2
Тип зарубежного диода	Отечественный аналог	Тип зарубежного диода	Отечественный аналог
SV132	KC196A	VT5105		Д305
SV134	Д811	VT6105	ДЗО5
SVM91	Д818А	VB10	МД218
SVM905	Д818А	VB100	КД 208
SVM9010	Д818А	VG1	МД218
SVM9011	Д818А '	VRE400X	Д246Б
. SVM9020	Д818А	VRF400X	Д246Б
SVM9021	Д818А	XRG400X	Д246Б
SW05A '	КД205Б	VZ33CH	KC433A
SW05B	КД205Ж	VZ39CH	KC439A
SW05S	КД205Г	VZ47CH	KC447A
SW1S	Д229Ж	VZ56CH	KC456A
SWISS	КД205Л	XS10	Д229Ж
SZ9	Д818А	XS17	КД205Л
SZ11	Д811	XS17A	КД205Л
Т16	МДЗА	Z1550	KC156A
ТН4148	КД521А	Z1555	KCI56A
TF24	Д226В	Z1560	KC1 56A
ТК10	Д229Ж	Z1565	KC156A.
ТК20	КД205Л	«1570	KC156A
ткзо	Д229К	Z1A5 6	KC156A
ТК40	Д229Л	Z1A6.8	КС 168 A
TKF20	КД205Г	Z1A11	Д8Н
TKF40	КД205Б	Z1B5.6	KC156A
TMD45	Д207	Z1B6.8	КС 168 A
TMD50	КД509А	Z1B11	Д81 Г
TMD914	КД521А	Z1CS,6 .	KC156A
TMD916	КД521А	Z1C6.8	KC168A
TR501	КД206Б	Z1C11	Д811
TS1	Д229Ж	Z1D4.7	KCI47A
TS2	КД205Л	Z1D5.6	KC156A
TS4	Д229Л	Z1D6.8	КС 168 A
UP 12069	КД205Л	Z3D3.3	КС433А
UP 12069А	КД205Л	Z4A3.3	КС433А
VP 12070	Д229Л	Z4B3,3	КС433А
VPI2070A	Д229Л	Z4A3.9	КС439А
UR2I5	ДЗОЗ	Z4A4,7	КС447А
URE100X	Д304	Z4B3,9	КС439А
VRFIOOX	Д304	Z4B4,7	КС447А
VRG100X '	Д304	Z4C3,3	КС433А
VSA55191/1	КД509А	Z4C3,9	КС439А •
UT112	Д229Ж	Z4C4.7	КС447А
UT113	КД205Л	Z4D3,3	КС433А
UTI14	Д229К	Z4D4.7	КС447А
VT1 15	Д229Л	Z4,7	КС447А
VT2I2	Д229К	Z5A3,3	КС433А
UT213	Д229Л	Z5B3,3	КС133А
диоды
55
Приложение 1.2
Тип зарубежного диода	Отечественный аналог	Тип зарубежного диода	Отечественный аналог
Z5C3,3	х	КС 133 A	1В539	Д229К
Z5D3,3	КС 133 A	IN74 ’	ДЮ1
Z6,8	KC168B	1N87T	Д9В
Z7,5	KCI75A	IN113	Д245
Z8,2	KC182A	1N149	Д229Л
Z9,1	KCI9IA	1N192	Д219А
Z10	КС210Б	1N210	ДЮ2
Zll	КС211Ж	IN2H	ДЮ2
Z13	КС213Б	1N212	ДЮ1
ZI5	КС215Ж	1N213	Д101
Z22	КС222Ж	1N2I9	КД 104 А
Z47CH	KC447A	1N22Q	КД 104 А
ZC53	Д226В	1N249	Д242
ZEC4,7	KC447A	1N250	Д243
ZF3,3	KC113A	1N255	Д229Е
ZG3,3	KC133A	1N295X	Д9В
ZL103M	КД208А	1N320	КД205Е
ZM4.7	KC447A	1N324	Д229В
ZP3,3	КС 133 A	1N324A	Д229В
ZR20	ДЗО5	1N332	Д229Е
ZR61	Д229Ж	1N339	Д229В
ZR62	КД205Л	1 XJ341	Д229Е
ZR63	Д229К	1N348	Д229В
ZR64	Д229Л	1N354	КДЮ4А
ZR200	ДЗО5	TN365	МД218
ZS2I	Д2О7	1N388	„ДЮ2
ZS22	Д208	1М389	Д102
ZS24	Д209	1N39I	ДЮ1
ZS30A	КД2О4В	1N427	КД 21 ОБ
ZS3OB	КД204В	1N440B	Д229Ж
ZS123	Д226В	1N441	КД204Б
ZS140	КД512А	1N441B	КД205Л
ZS171	Д229Ж	1N442B	Д229К
ZS172	КД205Л	1N443	Д7Ж
ZS174	Д229Л	1N443B	•Д229Л
ZS271	КД 208 Л	1N444	КД205Е
ZZ6.8	КС 168В	1N445	КД 105В
ZZ7.5	КС175А	1N458	Д223Б
ZZ8,2	КС182А	1N483	КД ЮЗА
ZZ9.1	КС191А	1N485	Д207
ZZ10	КС210В	1N486	Д207
Z71 1	КС21 1Ж	1N487	Д208
ZZ13	KC2I3B	1N487A	Д226В
ZZ15	КС215Ж	1N488	Д209
ZZ22	КС222Ж	1 V531	-КД2О4Б
		1N533	КД205Б
56
ДИОДЫ
Приложение 1.2
Тип *	। зарубежного диода	Отечественный аналог	Тип зарубежного диода	Отечественный аналог
1N534	КД205Е	1N908A	КД509А
1N535	КД 105В	1N908AM	КД509А
1N537	Д229Ж	1N914A	КД521А
1N538	КД205Л	1N914B	КД521А
1N539	Д229К	1N914M	КД521А
1N540	Д229Л	1N916A,	КД521 А
1N551	КД205Г	1N916B	КД521А
1N552	КД205В	1N996	ДЗЮ
1N553	Д7Ж	1N1031	КД205Г
1N554	КД205А	1N1032	КД205В
1N555	КД205Ж	1N1033	КД205Б
1N560	КД105Г	1N1053	КД20КА
1N602	КД204Б	1N1059	Д304
1N602A	КД204Б	LN1061	Д243Б
1N604	Д7Ж	1N1062	Д245Б
1N605	КД205Е	1N1O63	Д246Б
1N605A	КД205Е	1N1065	Д304
1N606	КД 105В	1N1067	Д243Б
1N606A	КД 105В	1N1068	Д245Б	.
1N627A	Д312А	1N1O69	Д246Б
1N647	•	Д229Е	1NI071	Д304
1N662	Д220Б	IN1073	Д243Б
1N662A	Д22ОБ	1N1074	Д245Б
1N663	Д220Б	1NI075	Д246Б
1N667	Д229В	1N1081A	Д229Ж
1N673	Д229Е	1N1082A	КД205Л
1N695	ДЗЮ	1N1083	КД205В
1N770	Дзю	1N1O83A	Д229К
1N710A	КС168А	1N1084	КД205Б
1N764-3	Д818А	1N1085	КД208А
1N777	Д312А	1N1089	ДЗО4
1N844	Д220Б	1N1089A	Д304
1N873	Д2Ю	1N1090	Д243Б
1N874	Д211	1N1091	Д245Б
FN876	МД217	1N1092	Д246Б
1N878	МД218 •	1N1092A	Д246Б
1N903A	КД509А	1N1115	КД208А
1N903AM	КД509А	1N1169A	КД205Б
1N903M	КД509А	1N1219	КД521Г
1N904	КД521Г	1N1220	КД521Г
1N905A	КД521Г	1N1251	КД204В
1N905AM	КД 521Г	1N1253	КД205Г
1N905M	КД521Г	1N1254	КД205В
1N906A	КД521Г	1N1255	КД205Б
1N9O6AM	КД521Г	1N1256	КД205Е
. 1N906M	КД521Г	1N1257	КД Ю5В
1N907	КД521Г.	1N1258	ВД205И
диоды
57
Приложение 1.2
Тип зарубежного диода	Отечественный аналог	Тип зарубежного диода	Отечественный аналог
1 N 1259	КЛ105Г	UN 1927	KCI39A
IN 1407	МД217	IN 1984	КС 168В
1 N 1440	КД205Л	IN I984A	КС 168В
IN 1441	Д229К	IN 1984В	КС 168В
1N 1446	КД208А	1N1985	КС182А
IN 1450	КД208А	IN 1985А	КС182А
IN 1473	КД521Г	1 N1985В	КС.182А
IN 1487	Д229Ж	1NI986	КС210Б
IN 1488	КД205Л	1N1986A	КС21ОБ
1 N 1489	КД205Л	IN 1986В	КС210Б
1 N 1490	‘	Д229Л	1N1988	КС215Ж
1 N 15'20 A	KC456A	IN1988A	КС215Ж
1N 1556	Д229Ж	IN 1988В	КС215Ж
1 N 1 557	КД205/1	IN 1989 .	КС218Ж
IN 1558'	Д229К	IN 1989А	КС218Ж
IN 1559	Д229Л	IN 1989В	КС218Ж
IN 1563	КД208А	IN 1990	КС222Ж
1NI613	Д304	IN 1990А	КС222Ж
INI6I3A	Д304	INI99OB	КС222Ж
IN1614A	Д243Б	IN 2023	Д245
1NI615A	Д246Б	IN2025	Д246
1NI6I6	Д248Б	I N2069A	КД205Л
IN1616A	Д248Б	1N2070	Д229Л
IN 1617	КД208А	IN 2070A	Д229Л
IN 1621	1242	1 N2073	. Д229Ж
IN 1622	Д243	1 N2O8O	КД204В
IN 1623	Д245	1N2082	КД205Г
IN 1624	Д246	IN 2083	КД205В
, IN16324	КД104А	IN2084	КД205Б
1 N 1645	Д229Ж	IN 2085	КД205А
LN 1647	КД205Л	1N2086	КД205Ж
1 N 1649	Д229К	IN209I	Д229Ж
IN1651	Д229Л	IN 2092	КД20571
1 N 1694	Д229К	IN 2093	Д229К
1N1695	Д229Я	IN2094	Д229Л
1 N1703	КД204Б	IN2104	Д229Ж
I N 1706	КД205 Е	1N2I05	КД205Л
1 N 1709	КД205Г	IN2106	Д229К
1NI710	КД205В	IN2I07	Д229К
LN 1711	КД205В	IN 2230	Д243Б
LN 1712	КД205А	1N223OA	Д243Б
IN 1763	КД205Б	1N2231	Д243Б
I N 1764	КД205А	IN2231A	Д243Б
1N 1765	КС456А	1N2232	Д245Б
1N 1765A	.КС456А	1N2232A	Д245Б
1 N 1844	Д102	1N2233	Д245Б
4 N 1849	КД404А	IN2233A	Д245Б
58
ДИОДЫ
FLp иложение 1.2
Тип зарубежного диода	Отечественный аналог	Тип зарубежного диода	Отечественный аналог
IN 2234	Д246Б	1N2373	Д211
1N2234A	Д246Б	1N2374	МД218
’ 1 N2235	Д246Б	1N2391	КД208А
IN2235A	Д246Б	1N2400	КД208А
IN 2236	Д247Б	1N2409	КД208А
1 N2237	Д247Б	IN2418	КД208А
1N2237A	Д247Б	IN 2482	КД205Л
IN 2238	Д248Б	IN 2483	Д229Л
1N2238A	Д248Б	IN 2487	Д229Л
IN 2239	Д248Б	IN 2505	КД105Г
IN 2239A	Д248Б	IN2610	Д229Ж
1 N2246	Д305	1N261 1	КД205Л
IN2246A	Д305	IN26I2	Д229К
1 \'2247	ДЗО5	1N2613	Д229Л
IN 2247A	Д305	IN 2638	'	КД208А
IN 2248	Д242	- 1N2786	Д243
IN 2248A	Д242	IN 2793	Д305
IN 2249	Д242	IN 2837	КД208A
IN 2249A	Д242	IN 2859	Д229Ж
IN 2250	Д243	IN 2860	КД205Л
1 N225OA	Д243	1N2862	Д229Л
1N2251	Д243	IN2878	КД205И
1N2251A	Д243	1N2879	КД205И
1N2252	Д245	1 N3063	КД521А
1N2252A	Д245	1 N3064	КД509А
IN 2253	Д245	IN3064M	КД521А
IN 2253A	Д245	IN 3065	КД521А
IN 2254	Д246	1 N3067	КД521Г
1 N2254A	Д246	1 N3082	КД205Г
IN 2255	Д246	1 N3083	КД205Б
IN 2255A	Д246	1N3I21	Д220
IN 2256	КД206Б	IN3184	КД205A
IN2256A	КД206Б	1N3193	КД205Л
IN 2257	КД206Б	1N3194	Д229Л
IN 2257A	КД206Б	IN3228	КД205Г
IN2258	КД206В	1N3229	КД205А
1 N2258A .	КД206В	1 N3238	Д229Ж
IN 2259	КД206В	1 N3239	КД205Л
z	IN 2259A	КД206В	1N3240	Д229Л
IN 2260	КД210Б	1N3253	КД205Л
“TN2260A	КД210Б	1N3254	Д229Л
IN 2261	КД210Б	IN3270	' Д246Б,
IN2289	КД208А	1N3277	КД205Л
1 N2289A	КД208А	1N3278	Д229Л
1 N2290	ДЗО4	1N3282	МД218
1N2290A	КД2О8А	1N3545	КД2О5Г
IN 2350	ДЗОЗ	1 N3547	Д229Л
ДИОДЫ
59
Приложение 1.2
Тип зарубежного диода	Отечественный аналог	Тип	s зарубежного диода	Отечественный аналог
1N3600	КД509А	1N4817	КД208А
1 N3604	КД521А	1N5151	КД521А
1N3606	КД521А	1N5209	Д223Б
1N3607	КД521А	1N5215	КД205Г
1N3639	КД205Л	1N5216	КД205Б
1N3640	Д229Л	1N5217	КД205Ж
1N3656	КД205Л	LN5318	КД521А
1N3657	Д229Л	1N5392	КД2О8А
1N3748	КД205Г- -	1N5518B	КС133А
1N3749	КД205Б	1N5518C	КС 133 А
1N3750	КД205Ж	1N5518D	КС 133 А
1N3827	КС456А	1N5720	КД503А
1N3827A	КС456А	1Р644	Д229В
IN3873	КД509А	1Р647	Д229Е
1N3873H	КД509А	1S020	КД208А
1N3954	КД509А	1S031	Д229Ж
1N4008	МДЗБ	1S032	КД205Л
1N4099	КС 168 А	1S034	Д229Л
1N4147	КД503А	1S40	'Д229Ж
1N4148	КД 521А	1S41	КД205Л
1N4149	КД521А	1S42	Д229К
1N4L53	КД521А	1S43	Д229Л
1N4305	КД521А	1S75	Д9В
1N4306	КД509А	1SIOO	Д229Ж
1N4307	КД509А	1S10I	КД205Л
1N4364	Д229Ж	1SI03	Д229Л
1N4365	КД205Л	1S113	Д229Е
1N4366	Д229К	1S148	Д229К
1N4367	Д229Л	1S161	Д241
1N4436	Д243	1S162	Д243
1N4437	Д246	1S163	Д245
1N4438	КД206В	1S164	Д246
1N4439	КД210Б	1S165	КД206Б
1N4446	КД521А	1S166	КД206В
1N4447	КД521А	1S206	Д210
1N4448	КД521А	1S240	Д242
1N4449	КД521А	1S307	Д18
1N4454	КД509А	1S3I2	КД205Г
1N453I	КД521А	1S313	КД205В
1N4532	КД509А	1S314	КД205Б
1N4622	КС 139 А	1S315	КД205А
1N4624	КС 147 А	1S334	Д818А
1N4655	КС456А	1S421	Д243
1N4686	КС 139 А	1S423	Д246
1N4688	КС 147 А	1S425	КД206В
1N4734	КС456А	1S426	ДЮ
1N4734A	КС456А		
60
диоды
Приложение 1.2
Тип зарубежного диода	Отечественный аналог	Тип зарубежного диода	Отечественный аналог
1S427	КД210Б	2Т503	КД205В
1S442	КД202Б	2Т504	КД205Б
1S444	КД208А	2Т505	КД205А
1S472	КС190А	2Т506	КД205Ж
1S473	Д8П	ЗС15	ДЗОЗ
1S544	КД210Б	3FDL21	МДЗА
1S 558	КД205А	3G8	Д229К
1S559	КД2О5В	ЗТ502	КД205Г
1S751	Д243Б	3T503	КД205В
IS1071	КД208А	ЗТ504	КД205Б
1S1219	КД521Г	ЗТ5О5	КД205А
1S1220	КД521Г	ЗТ506	КД2О5Ж
1S1221	КД205Г	4D4	Д229Е
1S1224	Д211	4G8	Д229Л
1S1225A	МД218	4Т502	КД205Г
1S1230	КД205Б	4Т503	КД205В
1S1231	КД205А	4Т504	КД205Б
1S1232	КД205Ж	4Т505	КД205А
1S1473	КД521Г	4Т306	КД205Ж
1S1660	дзоз	5BR1	Д304
1S1763	КД205Б	5D4	Д246Б
1S1849	КД208А	5Е1	Д229Ж
1S1942	КД205Г	5Е2	КД205Г
1S1943	КД205Б	5ЕЗ	КД205В
IS1944	КД205Ж	5Е4	КД205Б
1S2033	КС 133 А	5Е5	КД205А
1S2033A	КС 133 А	5Е6	КД205Ж
1S2310	КД 105В	5J2	КД205Г
1S2352	Д211	5J3	КД205В
1S2354	МД21	5J4	КД205Б
1S7033	КС I33A	5J5	КД205А
1S7033A	КС 133А	5J6	КД205Ж
1S7033B	КС 133 А	5МА2	КД205Л
1Т502	КД205Г	5МА4	Д246Б
1Т503	КД205В	5РМ1	Д304
1Т504	КД205Б	5РМ2	Д243Б
1Т505	КД205А	5РМ4	Д246Б
1Т506	КД205Ж	5РМ6	Д248Б
ITT44	КД509А	7Е1	Д229Ж
1ТТЗЗ	КД512А	7Е2	КД205Л
ITT3OO3	Д207	7ЕЗ	Д229К
1WS1	КД 20 8 А	7Е4	Д229Л
1,5Е1	КД208А	7J1	Д229Ж
1,5Л	КД208А	7J2	КД205Л
2А44	КС133А	7J3	Д229К
2G8	КД205Л	7J4	Д229Л
2Т502	КД205Г	10F5	Д304
диоды
61
Приложение 1.2
Тил зарубежного диода	Отечественный аналог	Тип зарубежного диода	Отечественный аналог
10РМ1	Д242	366К	Д247Б
10РМ2	Д243	366М	Д248Б
10РМ4	Д246	367В	Д242
10РМ6	КД206В	367D	Д243
10РМ8’	"КД210Б	367F	Д245
10R6B	Д2И	367Н	Д246
10R10B	МД218	367К	КД206Б
11R1S	Д242	367М	КД206В
11R2S	Д243	407К	Д247Б
11R3S	Д245	407М	Д248Б
11R4S	Д246	408К	КД206Б
14Р2	Д223Б	408М	КД206В
20AS	КД205Г	408Р	КД203Г
2OSS	КД205Г	408S	КД210Б
24J2	Д223Б	500R1B	Д304
26Р1	Д220	616С	ДЮ2
3OAS	КД205В	618С	Д101
30F5	Д245Б	653C3	КС 168В
30S5	КД205В	653 С4	КС170А
40AS	КД205Б	654С9	КС190А
40F5	Д246Б	655С9	КС210Б
40S5	КД205Б	1103	КС 133 А
50AS	КД205А	1104	КС 147 А
50F5	Д247Б	1 106	КС 168 А
50J2P	КД206Б	1111	Д811 •
5OLF	Д247Б	5508	КС133А
50М	КД205А	7708	КС433А
50S5	КД205А	9607	КС175А
60 AS	КД205Ж	40109	Д242
60F5	Д248Б	40110	Д243
60LF	Д248Б-	40111	Д245
60М	КД205Ж	40! 12’	Д246
60S5	КД.205Ж	40113	КД206Б
62R2	Д243	40114	КД206В
64R2	Д246 .	40115	КД210Б
66R2	КД206В	40808	КД205Ж
66R1S	КД206В		
68R2	КД210Б		
68R2S	КД210Б		
72R2B	КД205Л		
75R2B	КД205Л		
1 000 10	МД218		
100К10	МД218		
. 366В	Д304		
366D	Д243Б		
366F	Д245Б		
366Н	Д246Б		
62
ДИОДЫ
диоды
63
Приложение 1.3
64
ДИОДЫ
диоды
65
Приложение 1.3
3. Зак.*4971
66
диоды
Приложение 1.3
диоды
67
Приложение 1.3
3*
68
ДИОДЫ
Приложение 1.3
днидгн
69
Приложение 1.3
70
ДИОДЫ
диоды
71
72
ДИОДЫ
диоды
73
Д 78
Приложение 1.3
.,ЩШИ
„щпш
Д 7»
„щши
и П II >ю
Д 80
74
ДИОДЫ
Приложение 1.3
диоды
75
Приложение 1.3
76
ДИОДЫ
диоды
77
Пр иложение 1.3
78
ДИОДЫ
ДИОДЫ
79
Приложение 1.3
80
диоды
Приложение 1*3
диоды
81
Приложение 1.3
'-ибчпиоя метка на дыдоде
или длинный дыдод
Плоскость фото'/удстди-
тельного элемента	,5
82
ДИОДЫ
Приложение 1.3
диоды
83
ДИОДЫ
84
Приложение 1.3
диоды
85
Приложение 1.3
86
ДИОДЫ
Приложение L3
диоды
87
88
ДИОДЫ
Приложение 1.3
диоды
89
Приложение L3
90
ДИОДЫ
Приложение 1.3
диоды
91
92
ДИОДЫ
Приложение 1.3
Ю,2
12 И J б 7 S 6 *
диоды
93
94
ДИОДЫ
Приложение 1,3
диоды
95
96
ТИРИСТОРЫ
РАЗДЕЛ ВТОРОЙ ч
’	2. ТИРИСТОРЫ
Тиристор - полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями,
имеющий три и более р-п - переходов, который может переключаться из закрытого
состояния в открытое и наоборот. В зависимости от характера ВАХ и способа'
управления, тиристоры подразделяются на динисторы; триодные тиристоры, не
проводящие в обратном направлении, запираемые тиристоры, симметричные
тиристоры, оптронные тиристоры.
Динистор (диодный тиристор) имеет два вывода и переключается в открытое
состояние импульсами напряжения заданной амплитуды.
Триодный тиристор, не проводящий в обратном направлении (тиристор),
включается импульсами тока управления, а выключается либо подачей обратного
напряжения, либо прерыванием тока в открытом состоянии.
Запираемый тиристор выключается с помощью импульсов тока управления.
Симистор (симметричный тиристор) является эквивалентом встречно-
параллельного соединения двух тиристоров и способен пропускать ток в открытом
состоянии как в прямом, так и в обратном направлениях. Включается симистор одно- и
разнополярными импульсами тока управления.
Оптронныи тиристор (оптотиристор) управляется с помощью светового сигнала от
светодиода, расположенного внутри корпуса прибора.
Термины и буквенные обозначения параметров тиристоров
^ос.ср max ^ос,д max	-	максимальный допустимый средний ток в открытом состоянии; -	максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии (для симисторов).
Ь,и	запираемый импульсный ток (для запираемых тиристоров);
*ос,п	- повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: наибольшее мгновенное значение тока в открытом состоянии тиристора, включая все повторяющиеся переходные токи.
1ос,удр	- ударный неповторяющиися ток в открытом состоянии: наибольший импульсный ток в открытом состоянии, протекание которого вызывает превышение максимально допустимой температуры перехода, но воздействие которого за время службы тиристора предполагается редким, с ограниченным числом повторении.
•зс ^обр	- постоянный ток в закрытом состоянии;	f - постоянный обратный ток.
1у.от	- отпирающий постоянный ток управления: наименьший постоянный ток управления, необходимей для включения тиристора;
^у.от,и 1у,3,И	- отпирйющии импульсный ток управления:	ч - запирающий импульсный ток управления: наименьший импульсный ток управления, необходимый для выключения тиристора;
Чс,п	- повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии, наи- большее мгновенное значение напряжение в закрытом состоянии, прикладываемое к тиристору, включая только повторяющиеся пере- ходные напряжения;
Чс	- максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоя- нии.
ТИРИСТОРЫ
97
U	- наименьшее значение прямого напряжения, необходимое для перек-
лючения динистора из закрытого состояния в открытое;
^обр п “ повторяющееся импульсное обратное напряжение: наибольшее мгно-
вениное значение обратного напряжения, прикладываемого к тирис-
тору, включая только повторяющиеся переходные напряжения;
U©6p ” максимально допустимое постоянное обратное напряжение;
Uoc	-	постоянное напряжение в открытом состоянии;
S от	“	опирающее постоянное напряжение управления;
Uy от и	”	отпиРаю11>ее импульсное напряжение управления;
Uy з и	“	запирающее импульсное напряжение управления;
-	время включения;
-	время выключения;
пЫгС!
t	- время нарастания;
tcr|	- время спада.
Требования по охлаждению и монтажу тиристоров аналогичны требованиям к
диодам. Габаритные чертежи приведены в приложении 2.1.
2.1. Динисторы
Таблица 2.1
Тип прибора	V, ср max, А	*ос,п, А	иот, в	иобр, max, В	Uoc, В	’зс, мкА	^обр, мА	*выкл, мкс	Прило жеиие 2.1
КН102А	0,2	10	20	10	1,5 •	80	0,5	40	
КН102Б	0,2	10	28	10	1,5	80	0,5	40	
КН102В	0,2	10	40	10	1,5	80	0,5	40	
КН102Г	0,2	10	56	10	1,5	80	о,5	40	ТИ1
КН102Д	0,2	10	80	10	1,5	80	0,5	40	
КН1025К	0,2 е	10	120	10	1,5	80	 0,5	40	
КН102И	0,2	10	150	10	1,5	80	0,5	40	
2.2. Запираемые тиристоры
Таблица 2.2											
Тип	’з.и.	^ос,п,	ЪЗС,	4>бр,	*у,от,и,	1у,3,И,	Uy,от, И	Uy,3,H,	*вкл	'выкл	Прило
прибора	А	А	в	в	мА	мА	в	В	%>' мкС	(,cn>J мкС	жение 2.1
КУ102А	0,05	5	50	5	20	20	7	12	5	20	
КУ102Б	0,05	5	100	5	20 .	20	7	12	5	20	ТИ2
КУ 102В	0,05	5	150	5	20	20	7	12	5	20	
КУ102Г	0,05	5	200	5	20	20	7	12	5	20	
4. Зак. 4971
98
ТИРИСТОРЫ
Окончание табл. 2.2
Тип прибора	!3,М, А	^ос,п, А	изс В	СобР, В	^у,от,и, мА	Sw, мА	Цу.от,и В	иу,з,и, В	1вкл %)’ мкС	1выкл «сп>’ мкС	Прило жение 2.1'
КУ204А	2	12	50	20	150	360	5	40	(4)	(5)	
КУ204Б	2	12	100	20	150	360	5	40	(4)	(5)	ТИ5
КУ204В	2	12	200	20	150 '	360	5	40	<4)	(5)	
2.3.	Незапираемые тиристоры
Т а б ли ца 2.3
Тип прибора	*ос,ср ГПЙХ,‘ А	^ос,п. А	изс, <изс,п>, в	Uo6p, ^об|Э,П^	1у,от, ^у,от,и^, мА	Uy,от, (UytoT,M\ В	1вкл’ мкС	*выкл, %>, мкС	Прило жение 2.1
Д235А	2	10	50	-	150	(5)	5	35	
Д235Б	2	10	100	-	150	(5)	5	35	ТИ6
Д235В	2	10	50	50	150	(5)	5	35	
Д235Г	2	10	100	too	150	. (5)	5	35	
Д238А	ю.	100	50	-	150	(8)	10	35	
Д238Б	10	100	100	-	150	(8)	10	35	
Д238В	10	100	150	-	150	(8)	10	35	ТИ18
Д238Г	10	100	50	50	150	(8)	10	35	
Д238Д	10	100	100	100	150	(8)	10	35	
Д238Е	10	100	150	150	150	(8)	10	35.	
КУ103А.Б	-	0,001	150	150	40	(0,4...2)	-	-	ТИ4
КУ104А	0,1	3	15	6	15	(2)	0,29	2,5	
КУ104Б	0,1	3	30	6	15	(2)	0,29	2,5	ТИ2
КУ104В	0,1	3	60	6	15	(2)	0,29	2,5	
КУ104Г	о,!	3	100	6	15	(2)	0,29	2,5	
КУ 105 А	0,05	2	30	30	(5)	(2)	0,1	1,5	
КУ105Б	0,05	2	15 .	15	(5)	<2>	0,1	1,5	
КУ105В	0,05	2	30	5	(5)	(2)	0,1	1,5	тиз
КУ105Г	0,05	2	15	5	(5)	(2)	0,1	1,5	
КУ105Д	0,05*	2	30	30	(5)	(2)	0,1	1,5	
КУ105Е	0,05	2	15	15	(5)	(2)	0,1	1,5	
КУ108В	5	150	1000	500	4500	(25)	35	(0,1)	
КУ108Ж	5	150	1000	500	4500	(25)	100	(0,1)	ТИ8
КУ108М	5	150	800	400	4500	(25)	35	(0,1)	
ТИРИСТОРЫ
99
Продолжение табл. 2.3
Тип прибора	^ос,ср max, А	*ос,п, А	U3€, ^зс,п\ В	Llo6p, <Lo6j>,n>	^у,от,и\ мА	ky,OT, ^у,от,и^, В	1ВКЛ’ мкС	1выкл, «нр>, мкС	Прило жение 2.1
КУ108Н	5	150	800	400	4500	(25)	35	(0,3)	ТИ8
КУ108С	5	150	800	400	4500	(25)	100	(0,1)	
КУ10ХТ	5	150	800	400	4500	(25)	100	(0,3)	
КУ10ХФ	5	150	600	300	4500	(25)	35	(0,3)	
КУ1рхц	5	150	600	300	4500	(25)	100	(0,3)	
КУ 109 А	1	12	(700)	(50)	100	3(7)	-	6	
КУ Ю9 Б	!	12	(750)	(50)	100	3(7)	-	4	ТИ7 *
КУЮ9В	1	12	(700)	(50)	100	3(7)	-	8	
КУЮ9Г	1	12	(600)	(50)	100	3(7)	-	-	
КУ110А	0,3	0,6	300	(10)	0,1	0,3 .0,6	1	40	ТИ19
КУ1ЮБ	0,3	0,6	200	(10)	0,1	0.3 .0,6	!	40	
КУИОВ	0,3	0,6	100	(10)	0,1	0,3...0,6	1	40	
КУША	0,3	15	400	(400)	(100)	-	-	20	ТИ2
КУШБ	0,3	15	200	(200)	(100)	-	-	20	
КУ 201А	2	30	25	-	200	10	2	35	
КУ201Б	2	30	25	25	200	10	2	35	
КУ201В	2	30	50	-	200	10	2	35	
КУ201Г	2	30	50	50	200	10	2	35	
КУ201Д	2	30	100	-	200	10	2	35	ТИ5
КУ 201Е	2	30	100	100	200	10	2	35	
КУ201Ж	2	30	200	-	200	10	2	35	
КУ201И	2	30	200	200	200	10	2	35	
КУ 201К	2	30	300	-	200	10	2	35	
КУ201Л	2	30	300	300	200	10	2	35	
КУ202А	10	30	25	-	300	7	-	150	
КУ202Б	10	30	25	25	300	7	- -	150	
КУ202В	10	30	50	-	300	7	50	150	
КУ202Г	10	30	50	50	300	7	50	150	
КУ2О2Д	10	30	100	-	300	7	50	150	
КУ202Е	10	30	100	100	300	- 7	50	150	
КУ202Ж	10	30.	200	-	300	7	50	150	•ТИ5
КУ202И	10	30	200	200	300	7	50	150	
КУ202К	10	30	300	-	300	7	50	150	
КУ202Л	10	30	300	300	300	7	50	150	
КУ202М	10	30	400	-	300	7	50	150	
КУ202Н	10	30	400	400	300	7	50	150	
КУ 203А	5	100	50	-	(450)	(10)	3	7	ТИ20
КУ203Б	5	100	100	-	(450-	(10)	3	7	
4*
100
ТИРИСТОРЫ
Продолжение табл. 2.3
Тип прибора	*ос,ср max, А	^ос,п, А	иС С ton w	4>бр, (Lo6^.n>	1у,ОТ, ^У,ОТ,и\ мА	Uy,от, (UytOT,H>, В	<ВКЛ’ мкС	*выкл, (‘нр’, мкС	Прило жеиие 2.1
КУ203В	5	100	150	-	(450)	(10)	3	7	
КУ203Г	5	100	200	-	(450)	(10)	3	7	ТИ20
КУ203Д	5	100	50	50	(450)	(10)	3	7	
КУ203Е	5	100	100	100	(450)	(10)	3	7	
КУ2ОЗЖ	5	100	150	150	(450)	(10)	3	7	
КУ203И	5	100	200	200	(450)	(10)	3	7	
КУ210А	20	2000	(600)	(600)	150	40	-	150	
КУ210Б	20	2000	(500)	(500)	150	40	-	150	ТИ17
КУ210В	20	2000	(400)	(400)	150	40	-	150	
КУ211А	10	200	800	800	600	-	-	60	
КУ211Б	10	200	800	800	600	-	-	120	
КУ211В	10	200	700	700	600	-	-	60	
КУ211Г	10	200	700	700	600	-	-	120	ТИН
КУ211Д	10	200	600	600	600	-	-	60	
КУ211Е	10	200	600	600	600	-	-	120	
КУ211Ж	10	200	500	500	600	-	-	60	
КУ211И	10	200	500	500	600	-	-	120	
КУ215А	5	250	(1000)	(500)	(4000)	(50)	-	(0,25)	
КУ215Б	5	250	(800)	(400)	(4000)	(50)	-	(0,3)	ТИ10
КУ215В	5	250	(600)	(300)	(4000)	(50)	-	(0,4)	
КУ218А	20	100	(2000)	(2000)	500	7	-	250	
КУ218Б	20	100	(2000)	(1000)	500	7	-	250	
КУ218В	20	100	(1800)	(1800)	500	7	-	250	
КУ218Г	20	100	(1800)	(900)	500	7	-	250	ТИ11
КУ218Д	20	100	(1600)	(1600)	500	7	-	250	
КУ218Е	20	100	(1600)	(800)	500	7	-	250	
КУ218Ж	20	100	(1400)	(1400)	500	7	-	250	
КУ218И	20	100	(1400)	(700)	500	7	-	250	
КУ219А	20	1200	(1200)	(1200)	(3000)	(40)	-	100	
КУ219Б*,	20	1200	(1000)	(1000)	(3000)	(40)	-	150	тип
КУ219В	20	1200	(800)	(800)	(3000)	(40)	-	200	
КУ220А	4	100	(1000)		(2000)	(40)	0,2	50	
КУ220Б	4	100	(1000)	-•	(2000)	(40)	0,2	75	
КУ220В	4	100	(1000)	-	(2000)	(40)	0,3	75	ТИ9
КУ220Г	4	100	(800)	-	(2000)	(40)	0,3	50	
КУ220Д	4	100	(800)	-	(2000)	(40)	0,3-	75	
 ТИРИСТОРЫ
101
Окончание табл. 2.3
Тип прибора	1©С,Ср шах, А	*ос,п, А	, м оса □	Ьобр, <Со^>,п)	*у,от, ^У,ОТ,и\ £ мА	Uy,от, <UyjOT,n), В	*вкл’ мкС	*выкл, <w, мкС	Прило жение 2.1
КУ221А	3,2	100	(700)	(50)	(150)	(7)	-	4,5	
КУ221Б	3,2	100	(750)	(50)	(150)	(7)	-	6	
КУ221В	3,2	100	(700)	(50)	(150)	(7)	-	2,4	ТИ7
КУ221Г	3,2	100	(600)	(50)	<150)	<7)	-	20	
КУ221Д	3,2	100	(500)	(50)	(150)	(7)	-	20	
									
КУ222А	20	400	(2000)	-	(5000)	(50)	-	. 125	
КУ222Б	20	400	(1600)	-	(5000)	(50)	-	125	ТИП
КУ222В	20	400	(2000)	-	(5000)	(50)	-	250	
КУ222Г	20	400	(1600)	-	(5000)	(50)	-	250	
КУ224А	3,2	150	400.	50	100	3	-	10	ТИ7
2.4.	Симисторы
Таблица 2.4
Тип прибора	!ос,д max, А	<Ч,с>- В	!ос,удр, А	1у,от, ^у,от,и^’ мА	Uy,от, (Uy,от ,и^ ’ В	*вкл’ мкС	1выкл’ %>’ мкС	Прило жение 2.1
КУ208А	5	(100)	30	(160)	(5)	10	150	
КУ208Б	5	(200)	30	(160)	(5)	10	150	ТИ5
КУ208В	5	(300)	30	(160)	(5)	10	150	
КУ208Г	5	(400)	30	(160)	(5)	10	150	
ТС106-10-1	10	100	70	75	3,5	9	(6)	
ТС106-10-2	10	200	70	75	3,5	9	(6)	
ТС106-10-3	10	300	70	75	3,5	9	(6)	
ТС106-10-4	10	400	70	75	3,5	9	(6)	ТИ16
ТС106-10-5	10	500	70	75	3*5	9	(6)	
ТС106-10-6	10	600	70	75	3,5	9	(6)	
ТС106-10-7	10	700	70	75	3,5	9	(6)	
ТС106-10-8	10	800	70	75	3,5	9	(6)	
ТС112-10-1...	10	100	60	100	3	12	(7)	
ТС112-Ю-12	10	1200	60	100	3	12	(7)	ТИ15
ТС112-16-1...	16	100	85	100	3	12	(7)	
ТС112-16-12	16	1200	85	100	3	12	(7)	
102'
ТИРИСТОРЫ
Окончание табл 2.4
Тип прибора	!ос,д шах, А	изс,п- <изс), В	!ос,удр, А	^у,от, ^у,от,и^’ мА	Uy,ОТ, <иу,от,и>’ в	*вкл* мкС	*вык.т <‘нр>- мкС	Прило жение 2.1
ТС122-20-1».	20	100	105	150	3,5	12	(7)	
ТС122-20-12	20	1200	105	150	3,5	12	(7)	ТИ12
ТС122-25-1...	25	100	130	150	3,5	12	(7)	
ТС122-25-12 -	25	1200	130	150	3,5	12	(7)	
ТС132-40-1..	40	100	210	200	4	12	(7)	
ТС132-40-12	40	1200	210	200	4	12	(7)	ТИ14
ТС132-50-1..	50	100	250	200	4	12	(7)	
ТС132-50-12	50	1200	250	200	4	12	(7)	
ТС 142-63-1...	63	100	350	200	4,5	12	(7)	
ТС 142-63-12	63	1200	350	200	4,5	12	(7)	ТИ13
ТС 142-80-1...	80	100	390	200	4,5	12	(7)	
ТС 142-80-12	80	1200	390 '	200	4,5	12	(7)	
2.5.	Оптронные тиристоры
Таблица 2.5
Тип прибора	!ос,д max, А	Usc,n* <изЛ В	^ос,удр, А	!у,от, (1у,от,и)? мА	Uy,oT, ^у.оТ.И^ В	*ВКЛ’ мкС	*ВЫКЛ’ мкС	Прило жение 2.1
ТО 125-12,5-1...	12,5	100	350	80	2,5	10	100	ТИ21
ТО125-12.5-14	12,5	1400	3J0	80	2,5	10	100	
ТО132-25-6...	25	600	600	(150)	(2,5)	-	-	
ТО132-25-12	25	1200	600	(150)	(2,5)	-	-	ТИ22
ТО132-40-6...	40	600	750	(150)	(2,5)	-	-	
ТО132-40-12	40	1200	750	(150)	(2,5)	-	-	
TO142-5D-6...	50	600	800	(150)	• (2,5)	--	-	ТИ23
ТО142-50-12	50	1200	800	(150)	(2,5)	-	-	
тиристоры
103
Прило жсе н и е 2.1
Габаритные чертежи и цоколевка тиристоров
104
ТИРИСТОРЫ
П р 1>л о ж е н и е 2.1
ТИРИСТОРЫ
105
106
ТИРИСТОРЫ
Приложение 2.1
ТРАНЗИСТОРЫ
107
РАЗДЕЛ ТРЕТИЙ
3. ТРАНЗИСТОРЫ
Биполярный транзистор - полупроводниковый прибор с двумя взаимодействую-
щими переходами и тремя или более выводами, усилительные свойства которого обус-
ловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда. Работа би-
полярного транзистора зависит от носителей обеих полярностей.
Полевой транзистор - полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого
обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и
управляемый электрическим полем. Действие полевого транзистора вызвано носителя-
ми заряда одной полярности.
Фототранзистор - фоточувствительный полупроводниковый приемник излучения,
по структуре подобный транзистору и обеспечивающий внутреннее усиление сигнала
В корпусе фототранзистора предусмотрено прозрачное окно, через которое световой по-
ток попадает на одну из областей транзистора. Напряжение питания подводят так, что-
бы коллекторный переход был. закрыт, а эмиттерный открыт. База может быть отклю-
ченной.
Для удобства пользования материал по биполярным транзисторам сгруппирован по
классам, соответствующим принятому в ГОСТе делению транзисторов по мощности и
частоте, а внутри классов по возрастанию номеров.
Малой мощности	-	до 0,3 Вт.
Средней мощности	-	от 0,3 до I,5 Вт.
Большой мощности	-	более 1,5 Вт.
Низкой частоты	-	не более 3 МГц.
Средней частоты	-	от 3 до 30 МГц.
Высокой и сверхвысокой частоты -	более 30 МГц.
Необходимо отметить, что в некоторых случаях фактическое значение мощности
или граничной частоты не соответствует тому классу, к которому транзистор принад-
лежит по его обозначению (например, иногда мощность указывается с теплоотводом).
Такие транзисторы отмечены знаком *.
Транзисторы с вводимым новым семиэлементным обозначением (например
КТ81О1А, КТ8Ю2Б и др.) помещены в конце соответствующего класса
Термины и буквенные обозначения параметров биполярных транзисторов:
Р, щах “ максимальная рассеиваемая мощность коллектора;
UK3 тах - максимальное напряжение коллектор-эмиттер;
шах	" максимальнее напряжение коллектор-база;
^эб max	” максимальное напряжение эмиттер-база;
UK3 нас - напряжение насыщения коллектор-эмиттер при постоянном токе ба-
зы
щах - максимальный постоянный ток коллектора;
1К и max ' максимальный импульсный ток коллектору;
- обратный, ток коллектора при постоянном напряжении коллектор-
база
Ь21э “ статический коэффициент передачи тока в схеме с общим
эмиттером;
fpp	- граничная частота коэффициента передачи тока.
Полевые транзисторы сгруппированы в классы по мощности- и принципам управ-
ления носителями заряда.
Малой мощности - до 0,3 Вт
Средней мощности - от 0,3 до 1,5 Вт.
108
ТРАНЗИСТОРЫ
Большой мощности - более 1,5 Вт.
Термины и буквенные обозначения параметров полевых транзисторов:
P
шах
^си, шах
^зс, max
^зи, max
^зи, отс
max
Ч нач
S
С11м
-	максимальная рассеиваемая постоянная мощность;
-	максимальное напряжение сток-исток;
-	максимальное напряжение затвор-сток;
-	максимальное напряжение затвор-исток;
-	напряжение отсечки;
-	максимальный*постоянный ток стока;
-	начальный ток стока;
-	крутизна характеристики;
-	входная емкость;
-	проходная емкость.
12и
Термины и буквенные обозначения параметров фототранзисторов:
ир
-	постоянное напряжение, приложенное к фототранзистору, при котором
обеспечиваются номинальные параметры при длительной его работе;
-	максимально допустимая рассеиваемая мощность;
-	интервал длины волны спектральной характеристики фототранзистора, в
котором его чувствительность равна 10% и более от своего максималь-
ного значения;
-	длина волны максимума спектральной чувствительности;	'»
-	ток, протекающий через фототраизистор при заданном напряжении на
нем в отсутствии потока излучения;
-	отношение фототока к значению мощности (или освещенности) потока
излучения с заданным спектральным составом, вызвавшего появление
фототока (интегральная чувствительность);
-	коэффициент усиления фототока.
В процессе монтажа транзисторов в схемы механические и тепловые воздействия на
них не должны превышать значений, указанных 8 ТУ, так как это может привести к
растрескиванию изолятора и, следовательно, к нарушению герметичности корпуса
р
max
ЛХ
^тах
Si инт.
транзистора.
При рихтовке, формовке и обрезке участок вывода у корпуса транзистора должен
быть закреплен таким образом, чтобы в месте выхода вывода из корпуса (изолятора) он
не испытывал изгибающих или растягивающих усилий. Оснастка для формовки выво-
дов должна быть заземлена.
Расстояние от корпуса транзистора до начала изгиба вывода при формовке должно
быть не менее 2 мм, если в ТУ на конкретный тип транзистора не указано иное. При
диаметре вывода не более 0,5 мм радиус его изгиба должен быть не менее 0,5 мм, при
диаметре от 0,6 до I мм - не менее 1 мм, при диаметре более 1 мм - ие менее 1,5 мм.
При лужении, пайке и монтаже транзисторов следует принимать меры, исклю-
чающие возможность их повреждения из-за перегрева и механических усилий. В
процессе'выполнения операций лужения и пайки расстояние от корпуса (изолятора) до
места лужения и пайки должно быть не менее 3 мм, если в ТУ на конкретный тип
транзистора не указано иное.
Пайку выводов биполярных транзисторов можно выполнять с применением стан-
дартного паяльника мощностью 40 Вт, рассчитанного на непосредственное включение в
электросеть напряжением 220 или 127 В. При монтаже аппаратуры с полевыми тран-
зисторами следует применять низковольтный паяльник с регулируемой температурой
нагрева. Включают такой паяльник через понижающий трансформатор, заземляя его
вторичную обмотку Применение автотрансформатора недопустимо!
Процесс пайки должен быть кратковременным - не более 8 сек. Повторную пай-
ку того же соединения (при необходимости) можно проводить не раиее, чем через 3...4
мин Выводы транзистора во время пайки необходимо держать плоскогубцами или ис-
ТРАНЗИСТОРЫ
109
пользовать какой-либо теплоотвод, иначе возможен перегрев элементов, что может
привести к необратимому ухудшению их параметров.
Поскольку полевые транзисторы могут быть повреждены электрическими зарядами
небольшого потенциала, при их монтаже необходимо принимать следующие дополни-
тельные меры защиты:
а)	работу проводить на столе, поверхность которого покрыта хлопчатобумажным
материалом или антистатическим линолеумом;
б)	применять деревянные стулья с матерчатой (не синтетической!) обивкой й
электропроводящие настилы под ногами, обувь на кожаной подошве и одежду из хлоп-
чатобумажной ткани;
в)	заземлять надежно рабочий инструмент (жало паяльника, пинцет и т.п.) и кор-
пус (общую шину) монтируемого устройства, панели; использовать заземляющий
браслет;
г)	исключать возможность соприкосновения выводов полевых транзисторов с пред-
метами, для которых свойственна возможность сильной электризации, например, с
предметами вуз синтетических материалов.
Цветовая‘маркировка транзисторов приведена в приложении 3.1.
Зарубежные транзисторы и их функциональные отечественные аналоги приведены в
приложении 3.2.
Габаритные чертежи и цоколевка транзисторов приведены в приложении 3.3.
110	ТРАНЗИСТОРЫ
3.1. ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ
ill!		3.1.1. Транзисторы малой мощности низкой частоты										
										Т а б л и ц		а 3.1.1.
Тип	Тип	Рк	Чэ	Ь'кб	иэб	’к	Чи	Ь21э	Чэ	^кбо,	ч>,	Прило-
прибора	Пров.	шах,	шах,	шах,	max,	max,	max,		нас,			жение
		мВт	в	в	В	мА	мА		В	мкА	МГц	3.3
												
1	МП16	р-п-р	200	15	15	15	100	300	20...35	0,15	25	i	ТР16
1	МП16А		200	15	15	15	100	300	30...50	0,15	25	1	
МП16Б		200	15	15	15	100	300	45... 100	0,15	25	2	
МП20		150	30	50	50	.100	300	50... 150	0,3	50	1	ТР16
MII21	р-п-р	150	35	70	50	100	300	20...60	0,3	50	1	
МП21А		150	35	70	50	100	300	50... 150	0,3	50	1	
МП21Б		150	40	70	50	100	300	20...80	0,3	50	0,5	
МП25		200	40	60	40	150	400	10...25	-	75	0,25	ТР16
МП25А		200	40	60	40	150	400	20...50	-	75	0,25	
МП25Б	р-п-р	200	40	60	40	150	400	30...80	-	75	0,5	
МП26		200	70	100	70	150	400	1O...25	-	75	0,25	
МП26А		200	70	100	70	150	400	20...50	-	75	0,25	
МП26Б		200	70	100	70	150	400	ЗО...8О	-	75	0,5	
1	П27		30	5	5	-	6	-	20...90	-	3	1	ТР2
П27А	р-п-р	30	5	5	-	6	-	20...60		3	1	
П27Б		30	5	5	-	6	-	42... 126	-	3	3	
1128		30	5	5	-	6	-	33... 100	-	3	5	
МП35		150	15	15	-	20	150	13... 125	-	30	0,5	
ИВ	МП36А		150	15	15	-	20	150	15...45	-	30	1	
МП37		150	15	15	-	20	150	15...30	-	30	1	
П	МП37А	п-р-п	150	30	30	-	20	150	15...30	-	30	• 1	ТР16
МП37Б		150	30	30	-	20	150	25...50	-	30	1	
М	МП38		150	15	15	-	20	150	25...S5	-	зо	2	
 мп“д		150	15	15	-	20	150	45... 100	-	30	2	
МП39		150	15	15	10	30	1-50	12	-	15	0,5	
МП39Б		150	15	15	10	30	150	20...60	-	15	0,5	
| I I	МП40	р-п-р	150	15	15	10	30	150	20...40	-	15	1	ТР16
МП40А		150	30	30	5	20	150	20...80	-	15	1	
III	МП41		150	15	15	10	30	150	30...60		15	1	
 МП41А		150	15	15	10	io	150	50... 100	-	15	1	
[. 1	МП101		150	20	20	20	20	100	I0...30	-	3	0,5	ТР2
МП101А	п-р-п	150	10	10	10	20	100	I0...30	-	1	0,5	
1ДД	МП101Б		150	20	20	20	20	100	15 45	-	3	0,5	
1 I												
i
I
ТРАНЗИСТОРЫ
in
								Продолже		н и е	табл 5.L1.	
Тип	Тип	Pk	Чсэ	икб	4,6	V	I Чс,и?	Ь21э	Чсэ	•кбо.	%,	Прило-
прибора	пров.	max,	max,	max,	max,	max,	max,		нас,			жение
		мВт	В	В	В	мА	мА		В	мкА	МГц	3.3
MI 1102	n-p-n	150	10	10	10	20	100	15...45		3	0,5	
МП103		150	10	10	10	20	100	15.. 45		3	1	ТР2
МП103А		150	10	10	10	20	100	10...30	-	3	1	
Mil.104	p-n-p	150	60	60	30	10	50	9			0,1	
МП105		150	30	30	15	10	50	9.. 45	-	-	ол	ТР16
MI 1106 1				150	15	15	10	1О	50	15 ЛОО	-	-	0,5	
КТЮ4А		150	30	30	10	50	-	9...36	0,5	1	5	
КГ104Б	p-n-p	150	15	15	10	50	-	20...80	0,5	1	5	ТР6
KT104B		150	15	15	10	50	-	40... 160	0,5	1	5	
' КТ104Г		150	30	30	10	50	-	15...60	0,5	1	5	
ГТ108А		75	-	5	-	50		20 ..50		10	0,5	
ГТ108Б	p-n-p	75	-	5	-	50	-	35...80	-	10	1	ТР8
ГТ108В		75	-	5	-	50	-	60... 130	-	10	1	
ГТ108Г		75	-	5	-	50	-	110. .250	-	10	1	
ГТ109А		30	6	10		20	-	20...50		5	1	
ГТ109Б		30	6	10	-	20	-	35...8O	-	5	1	
ГТ109В		30	6	10	-	20	-	60... 130	-	5	1	
ГТ109Г	p-n-p	30	6	10	-	20	-	ПО...250	-	5	1	ТР10
ГТ109Д		30	6	10	-	20	-	2O...7O	-	9	3	
ГТ109Е		30	6	10	-	20	-	50...100	-	1	5	
ГТ109Ж		30	6	10	-	20	-	20...50	-	1	1	
ГТ109И		30	6	10	-	20	-	20...80	-	5	1	
МП111		150	20	20	5	20	100	10...25		3	0,5	
МП1Т1А		150	10	10	5	20	100	. 10...30	-	1	0,5	
МП111Б	n-p-n	150	20	20	5	20	100	15..45	-	3	0,5	ТР2
MI 1112		150	10	10	5	20	100	15...45	-	3	0,5	
МП113		150	10	10	5	20	100	15...45	-	3	1	
МП 113 A		150	10	10	5	20	100	35... 105	-	3	1,2	
МП114	p-n-p	150	60	60	10	10	50	9		10	ол	
Mill 15		150	30	30	10	10	50	9...45	-	10	0,1	ТР!б
МП116		150	15	15	10	Го	50	15..100	-	10	0,5	
ГТ115А		50		20	20	30		20...80		40	1	
ГТ115Б	p-n-p	50	-	30	20	30	-	20...80	-	40	1	
ГТ115B		50	-	20	20	30	-	60 .Л50	-	40	1	ТРЗ- 
ГТ115Г		50	-	30	20	30	-	60...150	-	40	1	
ГТ115Д		50		20	20	30	-	125...250	-	40	1	
												
112
ТРАНЗИСТОРЫ
Окончание табл. 3.1.1.
Тип прибора	Тип Пров.	Рк шах, мВт	икэ max, В	икб max, В	иэб max, В	1к max, мА	^к,и max, мА	Ь21э	нас, В	^кбо, мкА	гр, МГц	Прило- жение 33
ГТ122А	п-р-п	150	35	35	-	20	150	15...45	-	20	1	
ГТ122Б		150	20	20	-	20	150	15...45	-	20	1	ТР2
ГТ 122В		150	20	20	-	20	150	30...60	-	20	2	
ГТ122Г		150	20	20	-	20	150	30...60	-	20	2	
ГТ124А		75	20	25	10	50	100	28...56	0,5	15	1	
ГТ124Б	р-п-р	75	20	25	10	50	100	45,..90	0,5	15	1	ТРЗ
ГТ124В		75	20	25	10	50	100	71...162	0,5	15	1	
ГТ124Г		75	20	25	10	50	100	120...200	0,5	15	1	
ГТ125А		150	30	35	20	100	300	28...56	0,3	50	1	
ГТ125Б		150	30	35	20	100	300	45...90	0,3	50	1	
ГТ125В		150	30	35	20	100	300	71... 140	0,3	50	1	
ГТ125Г		150	30	35	20	100	300	120... 200	0,3	50	1	ТР16
ГТ125Д	р-п-р	150	30	35	20	100	300	2S...56	0,3	50	1	
ГТ125Е		150	30	35	20	100	300	45...90	0,3	50	1	
ГТ125Ж		150	30	70	20	100	300	71...140	0,3	50	1	
ГТ125И		150	. -	20	20	100	300	28...56	0,3	• 50	1	
ГТ125К		150	-	20	20	100	300	45...90	0,3	50	1	
ГТ125Л		150	-	20	20	100	300	71. ..140	•0,3	5в	1	
3.1.2.	Транзисторы малой мощности средней частоты
Т а бл и ца 3.1.2.
Тип прибора	Тип Пров.	Рк max, мВт	икэ max, В	икб max, В	я" са	1к max, мА	1 к,и max, мА	Ь21э	икэ нас, В	^кбо, мкА	f МГц	Прило- жение 3.3
П29	р-п-р	30	10	12	12	50	100	20...50	0,2	4	5	
П29А		30	10	12	12	50	100	40... 100	0,2	4	5	ТР2
ПЗО		30	10	12	12	50	100	80... 180	0,2	4	10	
КТ201А		150	20	20	20	30	100	20...60		0,5	10	
КТ201Б		150	20	20	20	30	100	ЗО...9О	-	0,5	10	
КТ201В	п-р-п	150	10	10	10	30	100	30.. 90	-	0,5	10	ТР4
КТ201Г		150	10	10	10	30	100	7О...2Ю	-	0,5	10	
КТ201Д		150	10	10	10	30	100	ЗО...9О	-	0,5	10	
КТ203А		150	60	60	30	10	50	9	-	1	5	ТР4
КТ203Б	р-п-р	150	30	30	15	10	50	30... 150	1	1	5	
КТ203В		150	15	15	10	10	50	30...200	0,5	1	5	
ТРАНЗИСТОРЫ
113
Окончание табл. 3.1.2.
Тип прибора	Тип пров.	рк шах, мВт	икэ шах, В	икб max, В	Ьэб max, В	'к шах, мА	«к,и max, мА	Ь21э	Чсэ нас, В	’кбо, мкА	МГц	Прило- жение 3.3
КТ 208 А		200	20	20	20	150	300	20...60	0,4		5	
КТ208Б		200	20	20	20	150	зоо	40... 120	0,4	-	5	
КТ208В		200	20	20	20	150	300	80..240	0,4	-	5	
КТ208Г		200	30	30	20	150	300	20...60	0,4		5	
КТ208Д		200	30	30	20	150	300	40... 120	0,4	-	5	ТРПб
КТ208Е	р-п-р	200	30	30	20	150	300	80...240	0,4	-	5	
КТ208Ж		200	45.	45	20	150	300	2O...6O	0.4	-	5	
КТ208И		200	45	45	20	150	•зоо	40... 120	0.4	-	5	
КТ208К		200	45	45	20	150	300	80...240	0,4	-	5	
КТ208Л		200	60	60	20	150	зоо	20...60	0.4	-	5	
КТ208М		200	60	60	20	150	зоо	40... 120	0,4	-	5	
КТ209А		200	15	15	10	300	500	2O...6O	0,4		5	
КТ209Б		200	15	15	10	300	500	40... 120	0,4	-	5	
КТ209В		200	15	15	10	300	500	80.240	0,4	-	5	
КТ209Г		200	30	30	10	300	500	20 .60	0.4	-	5	
КТ209Д		200	30	30	10	300	500	40... 120	0.4		5	ТР26а
КТ209Е	р-п-р	200	30	30	10	300	500	80 .240	0,4	-	5	ТР53а
КТ209Ж		200	45	45	20	300	500	20..60	0,4		5	<*
КТ209И		200	45	45	20	300	500	40.. 120	0,4	-	5	
КТ209К		200	45	45	20	300	500	80...240	0.4	-	5	
КТ209Л		200	60	60	20	300	500	20.60	0,4	-	5	
КТ209М		200	60	60	20	300	500	40... 120	0.4	-	5	
-П307		250	80	80	3	30	120	16...50	-	3	20	-
II307B	п-р-п	250	60	60	3	30	120	50... 150'	-	3	20	ТР1а
П308		250	120	120	3	30	120	30. .90	-	3	20	
II309		250	120	120	3	30	120	16...50	-	3	20	-
11406	р-п-р	30	6	6	-	5	-	20	-	6	10	ТР5
П407 ..	р-п-р	30	6	6	-	5	-	20	-	6	20	ТР5
114
ТРАНЗИСТОРЫ
3.1.3.	Транзисторы малой мощности высокой и сверхвысокой частоты
Т а б л и ц а 3.1.3.
Тип прибора	Тио прев.	Рк max, мВт	Чсэ max, В	max, В	иэб max, В	«к max, мА	1к,И max, мА	Ь21э	Ькэ нас, В	*кбо, мкА	ГР. МГц	Прило- жение 3.3
КТ301		150	20	20	3	10	20	20...60	3	10	20	
КТ301А		150	20	20	3	10	20	40. .120	3	ю	20	
КТ301Б		150	30	30	3	Ю	20	10..32	3	10	20	
КТ301В	п-р-п	150	30	30	3	10	20	20-60	3	10	20	ТР7
КТ301Г		150	30	30	3	10	20	10...32	3	10	30	
КТ301Д		150	30	30	3	10	20	20-60	3	10	30	
КТ301Е		150	30	30	3	. 10	20	40... 120	3	10	30	
КТ301Ж		150	20	20	3	10	20	80...300	3	10	30	\
КТ302А		100	15	15	4	10	-	110...250		1	-	
КТ302Б	п-р-п	100	15	15	4	10	-	90... 150	-	1	-	ТР9
КТ302В		100	15	15	4	10	-	11O...25O	-	1	-	
КТ302Г		100	15	15	4	10	-	200...800	-	1	-	
												
ГТ305А		75	12	15	1,5	40	100	25... 80	. 0,5	6	140	
ГТ305Б	р-п-р	75	12	15	1,5	40	100	60.. 180	0,5	6	160	ТР15
ГТ305В		75	12	15	1,5	40	100	40... 120	0,5	6	160	
КТ306А		150	10	15	4	30	50	20...60	0,3	0,5	300	
КТ306Б		150	10	15	4	30	50	40...120	0.3	0,5	500	
КТ306В	п р-п	150	10	15	4	30	50	20... 100	0,3	0,5	300	ТР12а
КТ306Г		150	10	15	4	30	50	40.. 200	0,3	0,5	500-	
ктзобд		150	10	15	4	30	50	30... 150	0,3	0,5	200	•
ГТ308А		150	15	20	3	50	120	25-75	1,5	5	100	
ГТ308Б	р-п-р	150	15	20	3	50	120	50... 120	1,2	5	120	ТР18
ГТ308,В		150	15	20	3	50	120	80... 150	1 2	5	120	
ГТ308Г		150	15	20	3	50	120	90. 200	1,2	5	120	
ГТ309А		50	10	-	-	10	-	20.70	-	5	120	
ГТ309Б		50	10	-	-	10	-	60.. 180	-	5	120	
ГТ309В	р-п-р	50	10	-	-	10	-	20...70		5	80	ТР6
ГТ309Г		50	10	-	-	10	-	60 .. 1 80	-	5	80	
ГТ309Д		50	10	-	-	10	-	20...70	-	5	40	
ГТ309Е		50	10		-	10	-	60 180	-	5	40	
ТРАНЗИСТОРЫ
115
Продолжение табл. 3.1.3.
Тип прибора	Тип Пров.	Рк max, мВт	икэ max, В	икб max, В	иэб max, В	А max, мА	’к,и max, мА	Ь21э	Скэ нас, В	•кбо, мкА	f гр, МГц	Прило- жение 3.3
ГТЗЮА		20	10	12	-	10		20...70			160	
ГТ310Б		20	10	12	-	10	-	60... 180	-		160	
ГТ310В	р-п-р	20	. 10	12	-	: 10	-	20...70	-	-	120	ТР10
ГТ310Г		20	10	12	-	10	-	60. .180			120	
ГТ310Д		20	10	12	-	10	-	2O...7O	-		100	
ГТ310Е		20	10	12	-	10	-	60... 180	-	-	100	
ГТ311А		150	12	12	2	50	-	15... 180	0,3	5	300	*
ГТ311Б		150	12	12	2	50	-	30... 180	0,3	5	300	
ГТ311В		150	12	12	2	50	-	150...300	0,3	5	600	
ГТ311Г	п-р-п	150	12	12	2	50	-	15...50	0,3	5	450	ТР17
ГТ311Д		150	12	12	2	50	-	30...80	0,3	5	450	
ГТ311Е		150	12	12	2	50	-	60... 180	0,3	5	600	»
гтзиж		150	12	12	2	50	-	15... 80	0,3	5	250	
ГТ311И		150	10	10	1,5	50	-	100...300	0,3	10	450	
КТ312А	п-р-п	225	20	20	4	30	60	10...100	0,8	10	80	ТР126
КТ312Б		225	35	35	4	30	60	25... 100	0,8	10	120	
КТ312В		225	20	20	4	30	60	50...280	0,8	10	120	
КТ313А	р-п-р	300	5	6	5	35	-	30... 120	0,5	0,5	200	TPlla
КТ313Б		300	5	6	5	35	-	80...300	0,5	0,5	200	
ГТ313А	р-п-р	100	15	15	0,7	30	-	20...250	0,7	5	900	
ГТ313Б		100	15	15	0,7	30	-	2O...25O	0,7	5	900	ТР17
ГТ313В		100	15	15	0,7	30	-	30. .170	0,7	5	900	
КТ315А		150	25	25	6	100		20.190	0,4	1	250	
КТ315Б		150	20	20	6	100	-	50...350	0,4	1	250	
КТ315В		150	40	40	6	100	-	20...90	0,4	1'	250	
КТ315Г	п-р-п	150	35	35	6	100	-	5O...35O	0,4	1	250	ТР13
КТ315Д		150	40	40	6	100	-	20...90	1	1	250	
КТ315Е		150	35	35	•6	100	-	5O...35O	1	1	250	
КТ315Ж		100	15	15	6	50	-	ЗО...25О	0,5	1	250	
КТ315И		100	60	60	6	50	-	30	-	1	250	
КТ316А		150	10	10	4	50	50	20...60	0,4	0,5	600	
КТ316Б		150	10	10	4	50	50	40... 120	0,4	0,5	800	
КТ316В	п-р-п	150	10	10	4	50	50	40... 120	0,4	0,5	800	ТР16а
КТ316Г		150	10	10	4	50	50	20... 100	0,4	0,5	600	
ктззбд		150	10	10	4	50	50	60...300	0,4	0,5	800	
												
116
ТРАНЗИСТОРЫ
Продолжение табл. 3.1.3.
Тип прибора	Тип пров.	Рк max, мВт	Скэ max, В	икб max, В	иэб max, В	'к max, мА	•к.И max, мА	Ь21э	икэ нас, В	*кбо, мкА	fn>, МГц	Прило- жение 3.3
ГТ320А	р-п-р	200	12	20	3	150	300	2O...8O	9	10	80	
ГТ320Б		200	1 1	20	3	1150	300	50... 120	9	10	120	ТР24
ГТ320В		200	9	20	3	150	300	80...250	2	10	200	
KT32IA		210	50	60	4	200	2000	20...60	2,5	100	60	
КТ321Б		210	50	бо	4	200	2000	40... 120	2,5	100	60	
КТ321В	р-п-р	210	50	60	4	200	2000	80... 120	2,5	100	60	ТР20
КТ321Г		210	40	50	4	200	2000	20... 60	2,5	100	60	
КТ321Д		210	40	50	4	200	2000	40... 120	2,5	100	60	
КТ321Е		210	40	50	4	200	2000	80...200	2,5	100	60	
ГТ321А		160	40	50	4	200	2000	20...60	2,5	500	60	
ГТ321Б		160	40	50	4	200	2000	40... 120	2,5	500	60	
ГТ321В	р-п-р	160	40	50	4	200	2000	80...200	2,5	500	60	ТР24
ГТ321Г		160	30	40	2,5	200	2000	20...60	2,5	500	60	
ГТ321Д		160	30	40	2,5	200	2000	40... 120	2,5	500	60	
ГТ321Е		160	30	40	2,5	200	2000	80...200	2,5	500	60	
ГТ322А		50	10	25	-	10	30	30... 100		4	80	
ГТ322Б		50	6	25	-	10	30	50... 120	-	4	80	
ГТ322В	р-п-р	50	10	25	-	10	30	20... 120	-	4	50	ТР19
ГТ322Г		50	15	15	-	5	-	50... 120	-	4	50	
ГТ322Д		50	15	15	-	5	-	20...70	-	4	50	
ГТ322Е		50	15	15		5	-	50... 120	-	4	50	-
КТ325А	п-р-п	225	15	15	4	30	60	30...90	-	0,5	800	
КТ325Б		225	15	15	4	30	60	70...210	-	0,5	800	ТР14
КТ325В		225	15	15	4	30	60	160...400	-	0,5	1000	
КТ326А	р-п-р	200	15	20	4	50	-	20...70	1,2	0,5	400	ТРПа
КТ326Б		200	15	20	4	50	-	45... 160	1,2	0,5	400	
КТ326АМ	р п-р	200	15	20	5	50	-	20...70	0,3	0,5	250	ТР26в
КТ326БМ		200	15	20	5	50	-	45... 160	0,3	0,5	250	
ГТ328А	р-п-р	50	15	15	0,25	10	-	20... 200	-	10	400	ТР16а
ГТ328Б		50	15	15	0,25	10	-	40... 200	-	10 	300	
ГТ328В		50	15	15	0,25	10	-	10...50	-	10	300	
ГТ329А		50	5	10	0,5	20	-	15...300	-	5	1200	
ГТ329Б	п-р-п	50	5	10	0,5	20	-	15...300	-	5	1700	ТР22
ГТ329В		50	5	10	1	20	-	15...300	-	5	1000	
ГТ329Г		50	5	10	0,5	20	-	15...300	-	5	700	
ТРАНЗИСТОРЫ
117
II р о д о л ж е ние т а б л. 3. /. 3.
Тип прибора	Тип прок	Рк max, мВт	LK3 шах. В	Скб max, В	max, В	’к max, мА	'к,и max, мА	Ь21э	нас, В	^кбо мкА	frp. МГц	Прило- жение 3.3
гтззад	п-р-п	50	-	10	1.5	20		30...400	0,3	5	500	
гтззож		50	-	10	1.5	20	-	30...400	0,3	5	1000	ТР21
гтззои		50	-	10	1.5	20		10 400	0.3	5	500	
ГТ335А		200	13	- 20	3	150	250	40...70	2	10	80	ТР1а
ГТ335Б	р-п-р	200	13	20	3	150	250	60... 100	2	10	80	
ГТ335В		200	10	20	3	150	250	40.. 70	7	10	80	
ГТ335Г		200	10	20	3	150	250	60... 100	1.5	10	300	
ГТ335Д		200	10	20	А	150	250	50.. 100	1.5	10	300	
КТ337А	р-п-р	150	6	6	4	30		30... 70	0,2	1	500	ТР1 1а
КТ337Б		150	6	6	4	30	-	50.75	0,2	1	600	
КТ337В		150	6	6	4	30	-	70... 120	0,2	1	600	
КТ339А		260	25	40	4	25	-	25	-	1	300	ТР166
КТ339Б	п-р-п	260	12	25	4	25		15	-	1	250	
КТ339В		250	25	40	4	25	-	25	-	1	450	
КТ339Г		260	25	40	4	25	-	40		1	250	
КТ339Д		260	25	40	4	25	-	15	-	1	250	
КТ339АМ	п~р~п	260	25	40	4	25	-	25	-	1	300	ГР266
KT34UA		150	15	15	5	50	200	100 .150	0.2	1	300	
КТ3411Б	п-р-п	150	20	20	5	50	200	100	0,25	1	300	ТР4
КТ340В		150	15	15	5	50	200	35	0,4	1	300	
КТ340Г		150	15	15	5	75	500	16	0,6	1	300	
КТ340Д		150	15	15	5	50	200	40	0,3	1	300	
ГТ341А	п-р-п	35	5	10	0.3	10	-	15. .300	-	5	1500	ТР25
ГТ 341Б		35	5	10	0,3	10	-	15...300	-	5	2000	
Г1341В		35	5	10	0,5	10	-	15. 300	-	5	1500	
КТ342А		250	30		5	50	300	100.. 250	0,1	1	250	
КТ342Б	п р-п	250	25	-	5	50	300	200 .500	0.1	1	300	ТРИа
КТ342В		250	10		5	50	300	100.. ЮОО	од	0,05	300	
КТ342Г		250	60	-	5	50	300	50. 125	0,2	0,05	300	
КТ343А		150	17	20	4	50	150	30	0,3	1	300	
КТ343Б	р-п-р	150	17	20	4	50	150	50	0,3	1	300	ТР11а
КТ343В		150	9	20	4	50	150	30	0,3	1	300	
КТ343Г		150	17	20	4	50	150	20	0,3	I	300	
118
ТРАНЗИСТОРЫ
Продолжение табл, 3.1.3.
Тип прибора	Тип Пров.	рк тах, мВт	икэ max, В	икб max, В	иэб max, В	'к max, мА	^к,и max, мА	Ь21э	икэ нас, В	^кбо, мкА	frp. МГц	Прило- жение 3.3
КТ345А	р-п-р	100	20	20	4	200	300	20. .60	0,3	' 1	350	ТР29
КТ345Б		100	20	20	4	200	300	50...85	0,3	1	350	
КТ345В		100	20	20	4	200	300	70... 105	0,3	1	350	
ГТ346А	р-п-р	50	15	20	0,3	10	-	10... 150	-	10	700	ТР16а
ГТ346Б		50	15	20	0,3	10	-	10... 150	-	10 .	550	
ГТ346В		50	15	20	0,3	10	, -	10... 150	-	10	550	
КТ347А,	р-п-р	150	15	15	4	50	ПО	30...400	0,3	1	500	TPlIa
КТ347Б		150	9	9	4	50	ПО	30...400	0,3	1	500	
КТ347В		150	6	6	4	50	ПО	50...400	0,3	1	500	
КТ349А	р-п-р	200	15	20	4	10	40	20...80	1,2	1	300	ТРИа
КТ349Б		200	15	20	4	10	40	40.. Л 60	1,2	1	300	
КТ349В		200	15	20	4	10	40	12О...ЗЗО	1,2	1	300	
КТ350А	Р-п-р	300	15	20	5	60	600	^0. .200	1	1	100	ТР29
KT3S1A	р-п-р	300	15	20	5	50	400	20...80	0,6	1	200	ТР29
КТ351Б		300	15	20	5	50	400	50...200	0,6	1	200	
КТ352А	р-п-р	300	15	20	5	50	200	25... 120	0,6	1	200	ТР29
КТ352Б		300	15	20	5	50	200	70...300	0,6	1	200	
КТ355А	п-р-п	225	. 15	15	4	30	60	80...300	-	0,5	1500	ТР32а
КТ357А		100	6	6	3,5	40	80	20... 100	0,3	5	300	ТР536
КТ357Б	р-п-р	100	6	6	3,5	40	80	бф... 300	0,3	5	300	
КТ357В		100	20	20	3,5	40	80	20.2; 100	0,3	5	300	
КТ357Г		100	20	20	3,5	40	80	бо...3оо	0,3	5	300	
КТ358А	п-р-п	100	15	15	4	30	60	ю... ion	0,8	10	80	ТР536
КТ358Б		100	30	30	4	30	60	25... 100	0,8	10	120	
КТ358В		100	15	15	4	30	60	50...280	0,8	10	120	
КТ361А*		150	25	25	4	50		20...90	0,4	1	250	
КТ361Б		150	20	20	4	50	-	50...350	0,4	1	250	
КТ361В	р-п-р	150	"40	40	4	50	-	40.. .160	0,4	1	250	ТР13а
КТ361Г		150	35	35	4	50	-	50...350	0,4	1	250	
ктзб1Д		150	40	40	4	50	-	20 ..90	1	1	150	
КТ361Е		150	35	35	4	50	-	50.. 350	1	1	150	
ТРАНЗИСТОРЫ
119
Про др лже нив табл. 3.1.3
Тип прибора	Тип пров.	Рк max, мВт	4э max, В	4б max,	иэб max, В	1к max, мА	I К,и max, мА	Ь21э	4э нас, В	•кбо, мкА	frp> МГц	Прило- жение 3.3
ГТ362А	п-р-п	40	5	5	0,2	10	-	10...200	-	5	2400	ТР21
ГТ362Б		40	5	5	0,2	10	-	10...250	-	5	2400	
КТ363А	р-п-р	150	15	15	4	30	50	20...70	0,35	0,5	1200	ТР11а
КТ363Б		150	12	15	4	30	50	40.. 120	0,35	0,5	1500	
КТ368А	п-р-п	225	15	15	4	30	60	50.. 300	-	0,5	900	ТР16а
КТ368Б		225	15	15	4	30	60	50...300	-	0,5	900	
КТ368АМ	п-р-п	225	15	15	4	30	60	50 .450	-	0,5	900	ТР29
КТ368БМ		225	15	15	4	30	60	50...450	-	0,5	900	
КТ371А	п-р-п	100	10	10	3	20	40	30...240	-	0,5	3000	ТР28
КТ372А	п-р-п	50	15	15	3	10	-	10	-	0,5	2400	ТРЗОа
КТ372Б		50	15	15	3	10	-	10	-	0,5	3000	
КТ372В		50	15	15	3	10	-	10	-	0,5	2400	
КТ373А		150	30	-	5	50	200	100.. 250	0,1	0,05	250	
КТ373Б	п-р-п	150	25	•	5	50	200	200...600	0,1	0,05	300	ТР31
КТ373В		150	10	-	5	50	200	500 ..1000	0,1	0,05	300	
КТ373Г		150	60	-	5	50	200	50... 125	0,1	0,05	250	
KT37SA	п-р-п	200	60	60	5	100	200	10... 100	0,4	1	250	ТР36
КТ375Б		200	30	30	5	100	200	50...280	0,4	1	250	
ГТ376А	р-п-р	35	7	7	0,25	10	-	10... 150	-	5	1000	ТР16а
КТ382А	п-р-п	100	10	15	3	20	40	40...330	9	0,5	1800	ТР28
КТ382Б		100	10	15	3	20	40	40...330	2	0,5	1800	1
КТ399А	п-р-п	150	15	15	3	-20	40	40	-	0,5	1800	TP 16а
П401	р-п-р	100	10	-	1	20	-	16...3OO	-	10	30	ТР24
П402	р-п-р	100	10	-	1	20	-	16...250	-	5	60	ТР24
П403	р-п-р	100	10		1	20		30 ..100	-	5	120	ТР24
1141)3 А		100	10	-	1	20		16 .200	-	5	120	
120
ТРАНЗИСТОРЫ
Продолжение pi а б л. 3.1.3.
Тип прибора	Тип пров.	Рк max, мВт	°кэ max, В	икб max, В	иэб max, В	'к max, мА	^к,и max, мА	Ь21э	Чо нас, В	кбо, мкА	frp, МГц	Прило- жение 3.3
П414	р-п-р	100	10	10	1	10	30	25-100	-	4	60	ТР42
1Г414А		100	10	.10	I	10	30	60... 120	-	4	60	
П414Б		100	10	10	1	10	30	100...200		4	60	
П415	р-п-р	100	10	10	1	10	30	25...100	-	4	120	ТР42
П415А		100	10	10	1	10	30	60... 120	-	4	120	
П415Б		100	10	10	1	10	30	100...200	-	4	120	
П416	р-п-р	100	12	15	3	25	120	20...80	7	5	40	ТР24
П416А		100	12	15	3	25	120	60... 125	1,7	5	60	
П416Б		100	12	15	3	25	120	90...200	1,7	5	80	
П417	р-п-р	50	8	-	0,7	10	-	24... 100	-	3	200	ТР34
П417А		50	8	-	0,7	10	-	65...200	-	3	200	
П418Г		50	7	10	0,3	10	-	8...7O	-	3	400	
П418Д		50	7	10	0,3	10	-	8...70	-	3	400	
П418Е		50	6,5	10	0,3	10	-	60... 170	-	3	400	
П418Ж	р-п-р	50	6,5	10	0,3	10	-	60-170	-	3	400	ТР38
П418И		50	6,5	-	0,3	10	-	60... 170	-	3	200	
П418К		50	6,5	-	0,3	10	-	60. .170	-	3	200	
П418Л		50	7	-	0,3	10	-	8...7O	-	3	200	
П418М		50	7	-	0,3	10	-	8... 70	-	3	200	
П412	р-п-р	100	10	-	-	20	-	24... 100	-	5	50	ТР24
П423	р-п-р	100	10	-	-	20	-	24... 100	-	5	100	ТР24
КТ3102А		250	50	50	5	100	200	100 ..250	-	0,05	100	
КТ3102Б		250	50	50	5	100	200	200...500	-	0,05	100	
КТ3102В	п-р-п	250	30	30	5	100	200	200...500	-	0,015	100	ТР11а
КТ3102Г		250	20	20	5	100	200	400... 1 000	 -	0,015	100	
КТ3102Д		250	30	30	5	100	200	200..,500	-	0,015	100	
КТ3102Е		250	50	50	5	100	200	400... 100С	-	0,015	100	
КТ3102АМ		250	50	50	5	100	200	1OO...25O	-	0,0$	100	
КТ3102БМ		250	50	50	5	100	200	200...500	-	0,05	100	
КТ3102ВМ		250	30	30	5	100	200	200...500	-	0,015	100	
КТ3102ГМ	п-р-п	250	20	20	5	100	200	400... 100С	-	0,015	100	ТР29
КТ3102ДМ		250	30	30	5	100	200	200...500	-	0,015	100	
КТ3102ЕМ		250	50	50	5	100	200	400... 1001	-	0,015	100	
КТ3102Ж1У		250	50	50	5	100	200	100...250	-	0,05	100	
ТРАНЗИСТОРЫ
121
Окончание табл. 3.1.3.
Тип прибора	Тип пров.	рк max, мВт	Чсэ max, В	Lk6 max, В	иэб max, В	max, мА	ж,и max, мА	Ь21э	икэ нас, В	^кбо, мкА	frp, МГц	Прило- жение 3.3
КТ3102ИМ	п-р-п	250	50	50	5	100	200	200...500	-	0,05-	100	ТР29
КТ3102КМ		250	30	30	5	100	200	200...500		0,015	100	
КТ3107А		300	45	50	5	100	200	70... 140	6,5	0,1	200	
КТ3107Б		300	45	50	5	100	200	120...220	0,5	<М	200	
КТ3107В		300	25	30	5	100	200	70... 140	0,5	о,1	200	
КТ3107Г		300	25	30	5	100	200	120...220	0,5	0,1	200	ТР29
КТ3107Д	р-п-р	300	25	30	5	100	200	I80...460	0,5	0,1	200	
КТ3107Е		300	20	25	5	100	200	120...220	0,5	0,1	200	
КТ3107Ж		300	20	25	5	100	200	180...460	0,5	0,1	200	
КТ3107И		300	45	50	5	100	200	180...460	0,5	0,1	200	
КТ3107К		300	25	30	5	100	200	38O...8OO	0,5	0,1	200	
КТ3107Л		300	20.	25	5	100	200	380...800	0,5	0,1	200	
КТ3108А	р-п-р	300	60	60	5	200	-	50... 150	0,25	0,2	250	ТРИа
КТ3108Б		300	45	45	S	200	-	50... 150	0,25	0,2 z	250	-
КТ3108В		300	45	45	5	200	-	100...300	0,25	0,2	300	
КТ3109А	р-п-р	170	25	30	3	50	-	20... 120	-	0,1	2000	ТР28
КТ3109Б		170	20	25	3	50	-	20... 120	-	0,1	2000	
КТ3109В		170	20	25	3	50	-	20... 120	-	о,1	600	
КТ3117А	п-р-п	300	50	60	4	400	800	40...200	0,6	10	200	ТРИа
КТ3120А	п-р-п	100	15	15	3	20 .	40	40	-	0,5	1000	ТР28
КТ3126А	р-п-р	150	20	20	3	20	-	25... 150	1,2	1	600	ТР23
КТ3126Б		150	20	20	3	20	-	60... 180	1,2	I	600	
КТ3127А	р-п-р	100	20	20	3	20	-	25... 150	-	1	600	ТР16а
КТ3128А	р-п-р	100	20	20	3	20	-	15... 150	-	1	800	ТР16а
КТ3144А	п-р-п	150	15	15	3	-	-	40	-	0,5	1800	ТР29
—	1												
122
ТРАНЗИСТОРЫ
3.1.4.	Транзисторы средней мощности низкой частоты
Таблица 3.1.4
Тип прибора	Тип Пров.	рк max, мВт	ГС CQ Е	икб max, В	1эб max, В	>к max. мА	•к,и max, мА	Ь21э	Чсэ нас, В	*кбо, мкА	МГц	Прило- жение 3.3
ГТ402А-1		600	25	-	-	500	-	30. .80	-	20	1	
ГТ402Б-1	р-п-р	600	25	-	-	500	-	60... 150	-	20	1	ТР37
ГТ402В-1		600	40	-	-	500		30...80	-	20	1	
ГТ402Г-1		600	40	-	-	500	-	60...150	-	20	I	
ГТ402А-2		300	25	-	-	500	-	30...80	-	25	1	
ГТ402Б-2	р-п-р	300	25	-	-	500	-	60... 150	-	25	1	ТР35
ГТ402В-2		зоо	40	-	-	500	-	30... 80	-	25	1	
ГТ402Г-2		зоо	40	-	-	500	-	60... 150		25	I	
ГТ403А		650	30	45	20	1250	-	20... 60	0,5	50	0,008	
ГТ4ПЗБ		650	30	45	20	1250	-	. 50... 150	0,5	50	0,008.	
ГТ4ПЗВ		650	45	60	20	1250	-	20...60	0,5	50	0,008	
ГТ403Г		650	45	60	20	1250	-	50... 150	0.5	50	0,006	
ГТ403Д	р-п-р	650	45	60	30	1250	-	50... 150	0,5	50	0,006	ТР27
ГТ403Е		650	45	60	20	1250	-	30	0.5	50	0,008	
ГТ403Ж		650	60	80	20	1 250	-	20 .60	0.5	70	0,008	
ГТ403И		650	60	80	20	1250	•	30	0,5	70	0,008	
ГТ403Ю		650	30	45	20	1250	-	30 .60	0,5	50	0,008	
ГТ404А-1		600	25			500	-	30. 80	-	25	1	
ГТ404Б -1	п-р-п	600	25	-	-	500	-	60.. 150	-	25	1	ТР37
ГТ404В-1		600	40	-	-	500	-	30...80		25	I	
ГТ404Г-1		600	40	-	-	500	-	60. .150	-	25	1	
ГТ404А-2		ЗОО	25		-	500	-	30...80	-	25	I	
ГТ404Б-2	п-р-п	300	25	-	-	500	-	60. . 150	-	25	I	ТР35
ГТ404В-2		ЗОО	40	-	-	500	-	30 .80	-	25	1	
ГТ4П4Г-2		300	40	-	-	500	-	60... 150	-	25	1	
ГТ405А		600	25	-	-	500		30. .80	-	25	I	
ГТ405Б	рп-р	600	25	-		500	-	60. 150	-	25	1	ТР44
ГТ405В		600	40		-	500		30 80	-	25	1	
ГТ405Г		600	40	-	-	500		60 150	-	25	1	
ТРАНЗИСТОРЫ
123
3.1.5.	Транзисторы средней мощности средней частоты
Т аблица 3.1.5
Тип прибора	Тип пров.	Рк max, мВт	Чэ max, В	и 1 *с о\	'й * я гс га J Е	к max, мА	к,и max, мА	Ь21э	Чэ нас, В	кбо, мкА	кр, МГц	Прило- жение 3.3
КТ501А		350	15	15	10	300	500	20...60	0,4	1	5	
КТ501Б		350	15	15	10	300	500	40. . 120	0,4	-1	• 5	
КТ501В		350	15	15	10	300	500	80 ..240	0,4	1	5	
КТ501Г		350	30	30	10	300	500	20 .60	0,4	1	5	
КТ501Д		350	30	30	10	зоо	500	40... 120	0,4	1	5	ТР116
КТ501Е	р-п-р	350	30	30	10	300	500	80.. 240	0,4	1	5	
КТ501Ж		350	45	45 ,	20	300	500	20...60	0,4	1	5	
КТ501И		350	45	45	20	300	500	40... 120	0,4	1	5	
КТ501К		350	45	45	20	300	500	SO. .240	0,4	1	5	
КТ501Л		350	60	60	20	300	500	20... 60	0,4	1	5	
КТ501М		350	60	60	20	300	500	40. 120	0,4	1	5	
КТ502А		350	25	40	5	150	350	40 ..120	0,6	1	5	
КТ502Б		350	25	40	5	150	350	80...240	0,6	1	5	
КТ502В	р-п-р	350	40	60	5	150	350	40... 120	0,6	1	5	ТР26а
КТ502Г		350	40	60	5	150	350	SO. .240 '	0,6	1	5	
КТ502Д		350	60	80	5	150	350	40... 120	0,6	1	5	
КТ502Е		350	80	90	5	150	350	40... 1 20	0,6	1	5	
КТ503А		350	25	40	5	150	350	40... 120	0,6	1	5	
КТ503Б		350	25	40	5	150	350	80. .240	0,6	I	5	
КТ503В	п-р-п	350	40	60	5	150	350	40... 120	0,6	1	5	ТР26а
КТ503Г		350	40	60	5	150v	350	80...240	0,6	1	5	
КТ503Д		350	60	80	5	150	350	40... 120	0,6	1	5	
КТ503Е		350	80	100	5	150	350	40... 120	0,6	1	5	
3.1.6.	Транзисторы средней мощности высокой и сверхвысокой частоты
Таблица 3.1.6
Тип прибора	Тип пров.	Рк max, Вт	Чэ max, В	Чб max, В	Чб max, В	к max, мА	к,и max, мА	Ь21э	Чэ нас, В .	^кбо, мкА	frp, МГц	Прило-' жение 3.3
КТ6П1А	п-р-п	0,5	100	.100	2	30	-	16	-	500*	. 40 j	ТР1а'
КТ601АМ		0,5	100	100	2 	30	-	16	-	500	40	ТРЗЗ
124
ТРАНЗИСТОРЫ
Продолжение табл. 3.1.6
Тип прибора	Тип пров.	Рк max, Вт	Чо max, В	икб max, В	иэб max, В	'к max, мА	^к,и max, мА	h213	икэ нас, В	*кбо, мкА	%7 МГц	Прило- жение 3.3
*КТ602А		2,8	70	120	5	75	500	20... 80	3	70	*150	
•КТ602Б	п-р-п	2,8	70	120	5	75	500	50...220	3	70	150	ТР41а
’КТ602В		2,8	70	80	5	75	500	15...80	3	70	150	
»КТ602Г		2,8	70	80	5	75	500	50	3	70	150	
*КТ602АМ	п-р-п	2,8	70	120	5	75	500	20...80	3	70	150	ТР45
*КТ6П2БМ		2,8	70	120	5	75	500	50...220	3	70	150	
КТ603А		0,5	30	30	3	300	600	10...80	1	10	200	
КТ603Б		0,5	30	30	3	300	600	60	I	10	200	
КТ603В	п-р-п	0,5	15	15	3	300 ,	600	10...80	1	5	200	ТР40
КТ603Г		0,5	15	15	3	300	600	60	I	5	200	•
КТ603Д		0,5	10	10	3	300	600	20...80	1	1	200	
КТ603Е		0,5	10	10	3	300	600	60...200	1	1	200	
КТ604А	п-р-п	0,8	250	300	5	200	-	10.. .40	8	100	40	ТР41а
КТ604Б		0,8	250	300	5	200	-	30... 120	8	100	40	
КТ604АМ	п-р-п	0,8	250	300	5	200	-	10...40	8	100	40	ТР45
КТ604БМ		0,8	250	300	5	200	-	30... 120	8	100	40	
КТ605А	п-р-п	0,4	250	300	5	100	200	10...40	8	20	40	ТР1а
КТ605Б		0,4	250	300	5	100	200	30... 120	8	20	40	
КТ605АМ	п-р-п	0,4	250	300	5	100	200	10...40	8	20	40	ТРЗЗ
КТ605БМ		0,4	250	300	5	100	200	30... 120	8	20	40	
*КТ606А	П-рА1	2,5	60	60	4	400	800	-	1	1500	350	ТР60
*КТ606Б		2,5	60	60	4	400	800	-	1	1500	300	
КТ608А	п-р-п	0,5	60	60	4	400	800	20...80	1	100	200	ТР1а
КТ608Б		0,5	60	60	4	400	800	40... 160	1	100	200	
КТ610А	п-р-п	1,5	20	20	4	300	-	50...300		.500	1000	ТР46
КТ610Б		1,5	20	20	4	300	-	20...300	-	500	700	
КТ611А		0,8	180.	200	3	100	-	10..40	8	100	60	
КТ611Б	п-р-п	0,8	180	200	3	100	-	30... 120	8	100	60	ТР41а
КТ611Б		0,8	150	180	3	100	-	10...40	8	100	60	
КТ611Г		0,8	150	180	3	100	-	30... 120	8	100	60	
ТРАНЗИСТОРЫ
125
Продолжение табл. 3.1.6
Тип	Тип	Рк	Чсэ	Ькб	^эбч	*к	’к,и	h213	Ькэ	^кбо,	frp.	Прило-
прибора	пров.	max,	шах,	max,	max.	max,	max,		нас,			жение
		Вт	В	В	В	мА	мА		В	мкА	МГц	3.3
КТ611АМ	п-р-п	0,8	180	200	3	100	-	ю.:.4О	8	100	60	ТР45
КТ611БМ		0,8	180	200	3	100	-	30... 120	8	100	60	
КТ616А	п-р-п	0,3	20	20	4	400	600	40	0,6	12	100	ТР39
КТ616Б		0,3	20	20	4	400	600	25	0,6	12	100	
КТ617А	п-р-п	0,5	20	30	4	400	600	30	0,7	5	100	ТР39
КТ618А	п-р-п	0,5	250	300	5	100	-	30	-	50	40	ТР39
КТ620А	р-п-р	0,22	50	50	3	200	-	100	1	5	200	ТР1а
КТ620Б		0,22	20	50	4	200	-	30...100	I	5	200	
«КТ626А		6,5	45	45	-	500	1500	40...250	1	150	75	
*КТ626Б	р-п-р	6,5	60	60	-	500	1500	30... 100	1	150	75	ТР45
*КТ626В		6,5	80	80	-	500	1500	15...45	1	150	45	
*КТ626Г		6,5	20	20	-	500	1500	15... 80	1	150	45	
*КТ626Д		6,5	20	20	-	500	1500	40...250	I	150	45	
КТ630А		0,8	120	120	7	1000	2000	40... 120	0,3	1	50	
КТ630Б		0,8	120	'120	7	1000	2000	80...240	0,3	1	50	
КТ630В	п-р-п	0,8	150	150	7	1000	2000	40... 120	0,3	1	50	ТР43
КТ630Г		0,8	100	100	7	1000	2000	40... 120	0,3	I	50	
КТ630Д		0,8	60	60	7	1000	2000	80...240	0,3	1	50	
КТ630Е		0,8	60	60	7	1000	2000	160...480	0,3	1	50	
КТ632Б	р-п-р	0,5	100	-	5	100	-	30	0,8	10	200	ТР43
КТ633А	п-р-п	1,2	15	30	4,5	200	500	40... 140	0,5	3	500	ТР14
КТ633Б		1,2	15	30	4,5	200	500	20... 160	0,6	10	500	
												
КТ635А	п-р-п	1,5	45	60	4	1000	1200	25... 150	0,5	10	250	ТР14
КТ635Б		1,5	35	60	5	1000	1200	20... 150	0,9	30	200	
КТ639А		1	45	45	5	1500	2000	40... 100	0,5	0,1	80	
КТ639Б		I	45	45	5	1500	2000	63... 160	0,5	0,1	80	
КТ639В		1	45	45	5	1500	2000	100...250	0,5	0,1	80	
КТ639Г	р-п-р	I	60	60	5	1500	2000	40...100	0,5	0,1	80	ТР45
КТ639Д		I	60	60	5	1500	2000	63... 160	0,5	0,1	80	
КТ639Е		I	100	-	5	1500	2000	40... 100	0,5	0,1	80	
КТ639Ж		I	100	-	5	1500	2000	63... 160	0,5	0,1	80	
КТ639И			30	30	5	1500	2000	180. 400	0,5	0,1	80	
												
126
ТРАНЗИСТОРЫ
Окончание табл. 3.1.6
Тип прибора	Тип пров.	Рк max, Вт	Чсэ max, В	Чсб max, В	иэб тз£' в'*’	*к -max, мА	>к,и max, мА	И21э	Чэ нас, В	^кбо, мкА	Ггр, МГц	Прило- жение 3.3
КТ644А		1	60	60	5	600’	1000	40... 120	0,4	0,1	200	
КТ644Б	р-п-р	1	60	60	5	600	1000	100. .300	0,4	0,1	200	ТР45
КТ644В		1,	40	60	5	600	1000	-40... 120	0,4	од	200	
КТ644Г		1	40	60	5	600	1000	100 .300	0,4	0,1	200	
КТ645А	п-р-п	0,5	50	60	4	300	600	20...200	0,5	10	200	ТР23
КТ645Б		0,5	40	40	4	300	600	80	0,5	10	700	
КТ646А	п-р-п	1	' 50	60	4	1000	1200	40...200	0,85	10	200	ТР45
КТ646Б		1	40	40	4	1000	1200	150...200	0,85	10	200	
КТ659А	п-р-п	1	50	80	6	1200	-	35	0,96	0,5	300	ТР43а
КТ668А	р-п-р	0,5	45	50	5	100		75... 140	о,3	15	200	ТР26а
КТ668Б		0,5	45	50	5	100	-	125..;250	0,3	15	200	
КТ668В		0,5	45	50	5	100	-	220...475	0,3	15	200	
ЗЛ.у. Транзисторы большой мощности низкой частоты
Таблица 3.1.7
Тип прибора	Тип пров.	Рк max, Вт	Чэ max, В	икб max, В	Чб max, В	1к max, А	1к,и max, А	Ь21э	Чэ нас, В	^кбо, мА	Ч МГц	Прило- жение 3.3
П202Э	р-п-р	10	55	70	-	2	2,5	20	2,5	0,4	о,1	ТР71
П210		60	60			12	-	15	-	12	о,1	
П210А		60	50	65	25	12	-	15	0,6	8	0,1	ТР55
П210Б	р-п-р	45	50	65	25	12	-	10	-	15	0,1	
П210В		45	40	45	25	12	-	10	-	15	0,1	
П210Ш		60	50	-	25-	-	9	15...60	-	8	0,1	
П213	р-п р	11,5	30	45	15	5	-	20...50	0,5	0,15	0,15	ТР62
П213А		10	30	45	10	5	-	20	-	1	0,15	
П213Б		10	30	45	10	5	-	40	2,5	I	0,15	
П214		10	45	60	15	5	-	20...60	0,9	0,3	0,15	
П214А	р-п-р	to	45	60	15	5	-	50... 150	0,9	0,3	0,15	ТР62
П214Б		11,5	45	60	15	5	-	20... 150	0,9	0,15	0,15	
ТРАНЗИСТОРЫ
127
Продолжение табл. 3.1.7
Тип прибора	Тип Пров.	рк max, Вт	Чсэ max, В	Ькб max, В	Ьэб max, В	!к max, А	^К,и max, А	Ь21э	икэ нас, В	•кбо, мА	*гр, МГц	Прило- жение 3.3
П214В	р-п-р	10	55	60	10	5	-	20	2,5		0,15	ТР62
П214Г		10	55	60	10	5	-	-	2,5	1,5	0,15	
П215	р-п-р	10	60	80	15	5	-	20. .150	0,9	0,3	0,15	ТР62
П216		30	30	40	15	7,5		18	0,75	40	0,1	
П216А		30	30	40	15	7,5	-	20... 80	0,75	40	0,1	
П216Б	р-п-р	24	35	35	15	7,5	-	10	0,5	1,5	0,1	ТР62
П216В		24	35	35	15	7,5	-	30	0,5	2	0,1	
П216Г		24	50	50	15	7,5	-	5	-	2,5	0,1	
П216Д		24	50	50	15	7,5	-	15...30	0,5	2	0,1	
П217		30	45	60	15	7,5	-	15	1	50	0,1	
П217А	р-п-р	30	45	60	15	7,5	-	20...60	I	50	0,1	ТР62
П217Б		30	45	60	15	7,5	-	20	1	50	0,1	
П217В		24	60	60	15	7,5	-	15...40	0,5	3	0,1	
П217Г		24	60	60	15	7,5	-	15...40	1	3	0,1	
П302	р-п-р	7	35	35	-	0,5	-	10	-	0,1	0,2	ТР57
пзоз	р-п-р	10	60	60	-	0,5	-	6	-	0,1	0,1	tP57
ПЗОЗА		10	60	60	-	0,5	-	6	-	0,1	0,1	
П304	р-п-р	10	80	80	-	0,5	-	5	-	0,1	0,05	ТР57
П306	р-п-р	10	60	60	-	0,4	-	7. .30	-	0,1	0,05	ТР57
П306А		10	80	80	-	0,4	-	5...50	-	0,1	0,05	
ГТ701А	р-п-р	50	55	-	15	12	-	10	-	6	0,05	ТР49
ГТ703А		15	20	-	-	3,5	-	30...70	0,6	0,5	0,01	
ГТ703Б	р-п-р	15	20	-	-	3,5	-	50... 100	0,6	0,5	0,01	ТР54
ГТ703В		15	30	-	-	3,5	-	30...70	0,6	0,5	0,01	
ГТ7ОЗГ		15	30	-	-	3,5	-	50... 100	0,6	0,5	0,01	
ГТ7ОЗД		15	40	-		3,5	-	20. .45	0,6	0,5	0,01	
КТ704А	п-р-п	15	500		4	2,5	4	10...100	5	5	3	ТР78
КТ704Б		15	400	-	4	2,5	4	10... 100	5	5	3	
KT704JB		15	400	-	4	2,5	4	10... 100	5	5	3	
128
ТРАНЗИСТОРЫ
Окончание табл. 3.1.7
Тип прибора	Тип Пров.	Рк max, ЛВт	икэ max, В	икб max, В	Ьэб щах, В	’к max, А	‘к,и max, А	h213	икэ нас, В	^кбо, мА	%, МГц.	Прило- жение 3.3
ГТ705А		15	20	-		3,5	-	 30...70	1	1,5	0,01	
ГТ705Б	п-р-п	15	20	-	-	3,5	-	55... 100	1	1,5	0,01	ТР54
ГТ705В		15	30	-	-	3,5	-	30...70	I	1,5	0,01	
ГТ705Г		15	30	-	-	3,5	-	50... 100	1	1,5	0,01	
ГТ705Д		15	20	-	-	3,5-	-	90...250	I	1,5	0,01	
3.1.8.	Транзисторы большой мощности средней частоты
Таблица 3.1.8
Тип прибора	Тип пров.	Рк max, Вт	икэ max, В	э е	Сэб max, В	*к max, А	'к,и max, А	Ь21э	икэ нас, В	*кбо, мА	fl’p, МГц	Прило- жение 3.3
П701	п-р-п	10	40	40	2	0,5	-	10...40	7	0,1	20	ТР51
П701А		10	60	60	2	0,5	-	15...60	7	0,1	20	
П701Б		10	35	35	2	0,5	-	30... 100	7	0,1	20	
П702	п-р-п	40	60	60	3	2	-	25	2,5	5	4	ТР48
П702А		40	60	60	3	2	-	10	4	2,5	4	
КТ801А	п-р-п	5	80	-	2,5	2	-	13...50	2	10	10	ТР416
КТ801Б		5	60	-	2,5	2	-	20... 100	2	10	10	
КТ802А	п-р-п	50	-	150	3	5	-	15...35	2	60	10	ТР48
КТ803А	п-р-п	60	60	-	4	10	-	10...70	2,5	2,5	20	ТР48
ГТ804А	р-п-р	15	100	-	-	10	-	20... 150	0,4	12	10	ТР77
ГТ804Б		15	140	-	-	10	-	20... 150	0,5	12	10	
ГТ804В		15	190	-	-	10	-	20... 150	0,6	12	10	
КТ805А	п-р-п	30	160	-	5	5	8	15	2,5	0,1	20	ТР48
КТ805Б		30	135	-	5	5	8	15	5	0,1	20	
КТ805АМ	п-р-п	30	160	-	5	5	8	15	2,5	0,1	20	ТР56а
КТ805БМ		30	135	-	5	5	8	15	5	0,1	20	
КТ805ВМ		30	135	-	5	5	8	15	2,5	0,1	20	
ГИАНЗИСТОРЫ
129*
Пр одолжение табл. 3.1.8
Тип	Тип	Рк	икэ	икб	иэб	*к	«к,и	h213	UK3	^кбо,		Прило-
прибора	пров.	max,	max,	max,	max,	max,	max,		нас,			жение
		Вт	В	в	В	А	А		В	мА	МГц	3.3
ГТ806А		30	75	75	1,5	15	-	10... 100	0,6	15	Ю|	
ГТ806Б	р-п-р	30	100	100	1,5	15	-	Ю...Ю0	0,6	15	ю-	ТР48
ГТ806В		30	120	120	1,5	15	-	ю... юо	0,6	15	10	
ГТ806Г		30	50	50	1,5	15	-	10... 100	0,6	15	10	
ГТ806Д		30	140	140	1,5	15	-	10... 100	0,6	15	10	
КТ807А	п-р-п	10	100	-	4	0,5	1,5	15...45	1	5	5	ТР45,
КТ807Б		10	100	-	4	0,5	1,5	зо... юо	1	5	5	ТР65
КТ808А	п-р-п	50	120	-	4	10	-	10...50	-	3	8,4	ТР48
КТ808АМ		60	130	250	5	10	12	20... 125	2	2	10	
КТ808БМ	п-р-п	60	100	160	5	10	12	20... 125	2	2	10	ТР50
КТ808ВМ		60	80	135	5	10	12	20... 125	2	2	10	
КТ808ГМ		60	70	80	5	10	12	20... 125	2	2	10	
КТ809А	п-р-п	40	400	-	4	3	5	15... 100	1,5	3	5,5	ТР48
ГТ810А	р-п-р	15	200	200	*,4	10	10	15	0,7	20	15	ТР52,
												ТР62
КТ812А	п-р-п	50	350	-	7	8	12	4	2,5	5	3,5	ТР50
КТ812Б		50	350	-	7	8	12	4	2,5	5	3,5	
КТ812В		50	350	-	7	8	12	10...125	2,5	5 ’	3,5	
КТ814А		10	25	-	5	1,5	3	40	0,6	0,05	3	ТР45
КТ814Б	р П-р	10	40	-	5	1,5	3	40	0,6	0,05	3	
КТ814В		10	60	-	5	1,5	3	40	0,6	0,05	3	
КТ814Г		10	80	-	5	1,5	3	30	0,6	0,05	3	1
													
КТ815А		10	25	-	5	1,5	3	40	0,6	0,05	3	ТР45
КТ815Б	п-р-п	10	40	-	5>	1,5	3	40	0,6	0,05	3	
КТ815В	-	10	60	-	5	1,5	3	40	0,6	0,05	3	
КТ815Г		10	80	-	5	1,5	3	30	0,6	0,05	3	
— .		-										
КТ816А		25	25		5	3	5	25	0,6	0,1	3	
КТ816Б КТ816В	Р-п-р	25 25	45 60	-	5 5	3 3	5 5	25 25	0,6 0,6	0,1 0,1	3 3	ТР45
КТ816Г		25	80	-	5	3	5	25	0,6	о,1	3	
КТ817А КТ817Б	п-р-п	25 25	25 45	-	5 5	3 3	5 5	25 25	0,6 0,6	0,1 0,1	3 3 _	ТР45
Зак. 4971
130
ТРАНЗИСТОРЫ
		П родолже ние									т а б	л. 3.1.8
•Тип	Тип	Рк		1кб	ц,б	’к	Jk,h	h213	LK->	^кбо,	frp,	Прило-
прибора	Пров.	тах^	max,	max,	max,	max,	max,		нас,			жение
		Вт	В	В	В	А	А		В	мА	МГц	3.3
КТ817В	п-р-п	25	60		5	3	5	25	0,6	0,1	3	ТР45
КТ817Г		25	80	-	5	3	5	25	0,6	0,1	3	
КТ818А		60	25	-	5	10	15	15	2	1	3	
КТ818Б	р-П-р	60	40	-	5	10	15	20	2	1	3	ТР56а
КТ818В		60	60	-	5	10	15	15	2	1	3	
КТ818Г		60	80	-	5	10	15	12	2	1	3	
КТ818АМ		100	25	-	5	15	20	15	2	1	3	
КТ818БМ	р-п-р	100	40	-	5	15	20	20	2	1	3	ТР50
КТ818ВМ		100	60	-	5	15	20	15	2	1	3	
КТ818ГМ		100	80	-	5	15	20	12	2	I	3	
КТ819А		60	25	-	5	10	15	15	2	1	3	
КТ819Б	п-р-п	60	40	-	5	10	15	20	2	1	3	ТР56а
КТ819В		60	60	-	5	10	15	15	2	1	3	
КТ819Г		60	80	-	5	10	15	12	2	1	3	
КТ819АМ		100	25	-	5	15	20	15	2	1	3	
КТ819БМ	п-р-п	100	40	-	5	15	20	20	2	1	3	ТР50
КТ819ВМ		100	60	-	5	15	20	15	2	1	3	
КТ819ГМ		100	80	-	5	15	20	12	2	1	3	
КТ825Г	р-п-р	125	70	-	5	20	30	750	2	-	4	ТР50
КТ825Д		125	45	-	5	20	30	750	2	-	4	
КТ825Е		125	25	-	5	20	30	750	2	-	4	
КТ826А	п-р-п	15	500	-	-	1	I	10... 120	2,5	2	6	. ТР50
КТ826Б		15	600	-	-	1	I	10... 120	2,5	2	6	
КТ826В		15	500	-	-	1	1	10... 120	2,5	2	6	
КТ827А	п-р-п	125	100	100	5	20	40	750... 18000	2	-	4	ТР50
КТ827Б		125	80	80	5	20	40	750*.. 18000	2	-	4	
КТ827В		125	60	60	5	20	40	750... 18000	2	-	4	
КТ828А	п-р-п	50	700	-	5	5	7,5	2,25	3	5	4	ТР50
КТ828Б		50	600	-	5	5	7,5	2,25	3	5	4	
КТ829А		60	100	100	5	8	12	750	2	-	4	
КТ829Б	п-р-п	60	80	80	5	8	12	750	2	-	4	ТР75
КТ829В		60	60	60	5	8	12	750	2	-	4	
КТ829Г		60	45	45	5	8	12	750	2	-	4	
ТРАНЗИСТОРЫ
131
Ц-родолжение табл. 3.1.8
Тип прибора	Тип Пров.	Рк max, Вт	LIK3 max, В	икб max, < В	иэб max, В	'к max, А	*к,и max, А	Ь21э-	икэ нас, В	^кбо, мА-	Ч>, МГц	Прило- жение 3.3
КТ834А	п-р-п	100	400	-	8	15	20	150...3000	2		4	ТР50
КТ834Б		100	350	-	8	15	20	150...3000	2	-	4	
КТ834В		100	300	-	8	15	20	150...3000	2	-	4	
КТ835А	р-п-р	25	30	30	4	3	--	25	0,35	0,1	3	ТР56а
КТ835Б		25	30	45	4	7,5	-	10... 100	0,5	0,15	3	
КТ837А		30	60	80	15	7,5	-	10...40	2.5	0,15		
КТ837Б		30	60	80	15	7,5	-	20...80	2,5	0,15	- .	
КТ837В		30	60	80	15	7,5	-	50... 150	2,5	0,15	-	
КТ837Г		30	45	60	15	7,5	• -	10...40	0,9	0,15	-	
КТ837Д	р-п-р	30	45	60	15	7,5	-	20..80	0,9	0,15	-	
КТ837Е		30	45	60	15	7,5	-	50... 150	0,9	0,15	-	ТР56а
КТ837Ж		30	30	45	15	7,5	-	10...40	0,5	0,15	-	
КТ837И		30	30	45	15	7,5	-	2O...8O	0,5	0,15	-	
КТ837К		30	30	45	15	7,5	-	50... 150	0,5	0,15	-	
КТ837Л		30	60	80	5	7,5	-	10...40	2,5	0,15	-	
КТ837М		30	60	80	5	7,5	-	20...80	2,5	0,15	-	
КТ837Н		30	60	80	5	7,5	-	50... 150	2,5	0,15	-	
KT837II		30	45	60	5	7,5		10...40	0,9	0,15	-	
КТ837Р		30	45	60	5	7,5	-	20...80	0,9	0,15	-	
КТ837С		30	45	60	5	7,5	-	50.. 150	0,9	0,15	-	
КТ837Т		30	30	45	5	7,5	-	10...40	0,5	0,15	-	
КТ837У		30	30	45	5	7,5	-	20... 80	0,5	0.15		
КТ837Ф		30	30	45	5	7,5.	-	50 ...150	0,5	0,15	-•	
КТ838А	п-р-п	12,5	700	-	-	5	7,5	-	5	-	3	ТР50
КТ839А	п-р-п	50	1500	1500	5	10	-	5	1,5	1	5	ТР50
КТ840А	п-р-п	60	400	900		6	8	10... 100	3	3	8	ТР50
КТ840Б		60	350	750	-	6	8	10... 100	3	3	8	
КТ841А	п-р-п	50	-	600	5	10	-	12...45	1,5	5	13	ТР50
КТ844А	п-р-п	50	250	250	4	10	16	10...50	2,5	3	1	ТР50
К.Т845А	п-р-п	40	400	-	4	5	-	15...100	1,5	3	5,1	ТР50
КТ846А с	п-р-п	12	1500	-	-	5	-	--	1	1	2	ТР50
КТ847А	п-р-п	125	650	-	8	15	-	8...25	1,5	3	15	ТР50
5*
132
ТРАНЗИСТОРЫ
Продолжение табл. 3.1,8
Тип прибора	Тип пров.	Рк шах, Вт	max, В	Чсб max, В	иэб max, В	•к max, А	•к,и max, А	Ь21э	икэ нас, В	^кбо, мА	МГц	Прило- жение 3.3
К1848А	п-р-п	35	400	-	15	15	-	20	2	3	-	ТР50
КТ850А	п-р-п	25	200	250	5	2	3	40...200	1	0,1	20	ТР566
КТ850Б		25	250	300	5	2	3	20...200	1	0,5	20	
КТ850В		25	150	180	5	2	3	20...200	1	0,5	20	
КТ851А	р-п-р	25	200	250	5	2	3	40...200	1	0,1	20	ТР566
КТ851Б		25	250	300	5	2	3	20...200	1	0,5	20	
КТ851В		25	150	180	5	2	3	20...200	1	0,5	20	
КТ852А	•	50	100	100	5	2,5	-	500	2,5	1	7	ТР566
КТ852Б	р-п р	50	80	80	5	2,5	-	500	2,5	I	7	
КТ852В		50	60	60	5	2,5	-	500	2,5	I	7	
КТ852Г		50	45	45	5	2,5	-	500	2,5	1	7	
KT8S3A		60	100	100	5	8	-	750	2	0,2	7	ТР566
КТ853Б	р-п-р	60	80	80	5	8	-	750	2	0,2	7	
КТ853В		60	60	60	5	8	-	750	2	0,2	7	
КТ853Г		60	45	45	5	8	--	750	2	0,2	7	
КТ854А	п-р-п	60	500	600	5	10	-	20	2	3	10	ТР566
КТ854Б		60	300	400	5	10	-	20	2	3	10	
КТ855А	р-п-р	40	250	250	5	5	-	20	1	1	5	ТР566
КТ855Б		40	150	150	5	5	-	20	I	1	5	
КТ855В		40	150	150	5	5	-	15	I	1	5	
КТ857А	п-р-п	60	250	250	5	7	-	7,5	I	5	10	ТР566
КТ858А	п-р-п	60	400	400	5	7	-	10	1	5	10	ТР566
КТ859А	п-р-п	40	800	800	10	3	-	10	1,5	I	25	ТР566
КТ864А	п-р-п	100	160	200	6	10	-	40...200	2	0,1	15	ТР50
КТ865А	р-п-р	100	160	200	6	10	-	40...200	2	0,1	15	ТР50
КТ872А	п-р-п	100	700	-	-	8	15	-	I	I	7	ТР83
КТ872Б		100	700	-	-	8	15	-	5	1	7	
ТРАНЗИСТОРЫ
133
Окончание табл. 3.1.8
Тил прибора	Тип Пров.	Рк. max, Вт	икэ шах, В	а 1 “	4,6 max, В	’к max, А	>к,и max, А	~Ь21э	UK3 нас, В	‘кбо, мА	Ч>, МГц	Прило- жение 3.3
КТ8101А КТ8101Б	п-р-п	150- 150	200 160	200 160	6 6	16 16	25 25	80... 180 80... 180	2 2	1 1	10 10 f	ТР83
КТ8102А КТ8102Б	р-п-р	150 150	200 160	200 160	6 6	16 16	25 25	80.,. 180 80... 180	2 2	1 1	10 10	ТР83
3.1.9.	Транзисторы большой мощности высокой и сверхвысокой частоты
Таблица 3.1.9
Тип прибора	Тип пров.	Рк. max, Вт	05 | ХС	max, В	иэб max, В	'к max, А	^к,и max, А	Ь21э	кэ нас, В	кбо, мА	frp, МГц	Прило- жение 3 3
КТ902А	п-р-п	30	110	65	5	5	-	15	15	2	35	ТР48
КТ902АМ	п-р-п	30	НО	65	5	5	-	15	15	2	35	ТР56а
КТ903А	п-р-п	30	60	60	4	3	10	15...70	2,5	10	120	ТР48
КТ903Б		30	60	60	4	3	10	40..^0	2,5	10	120	
КТ904А	п-р-п	5	40	60	4	0,8	1.5	10...60	0,6	1.5	350	трбо
.JKT904B		5	40	60-	4	0,8	1,5	10...60	0,6	1,5	300	
ГТ905А	р-п-р	6	65	75	-	3	-	35... 100	0,5	2	60	ТР52
ГТ905Б		6	65	60	-	3	-	35... 100	0,5	2	60	
ГТ906А	р-п-р	15	75	75	1,4	10	-	30... 150	0,5	8	-	ТР77
КТ907А	п-р-п	13,5	60	-	4	1	3	10...80	0,65	3	350	ТР60
КТ907Б		13,5	60	-	4	1	3	10...80	0,65	3	300	
КТ908А	п-р-п	50	100	140	5	10		8...60	1.5	25	30	ТР48
КТ908Б		50	60	140	5	10	-	20	1,5	25	30	
КТ909А		27	, 60		3,5	2	4		0,3	30	360	
КТ909Б	п-р-п	54	60		3.5	4	8	-	0.3	60	500	ТР85
КТ909В		27	60	-	3,5	э	4	-	0,3	30	300	
КТ909Г		54	60	-	3.5	4	8	-	0,3	60	450	
134
ТРАНЗИСТОРЫ
Продолжение табл. 3.1.9
Тип прибора	Тип пров.	Рк max, _ Вт	икэ max, В	'кб max, В	иэб max, В	max, А	>к,и max, А	Н21э	икэ нас, В	^кбо, мА	%, МГц	Прило- жение 3.3
КТ911А		3	40	55	3	0,4	-	15...80		5	750	
КТ911Б	п-р-п	3	40	55	3	0,4	-	15...80	-	5	600	ТР86
КТ911В		3	30	40	3	0,4	-	15...80	-	5	750	
КТ911Г		3	30	40	3	0,4	-	15...80	-	5	600	
КТ912А	п-р-п	35	70	-	5	20	-	10...50		50	90	ТР76
КТ912Б		35	70		5	20	-	20... 100	-	50	90	
КТ913А	п-р-п	4,7	55	-	3,5	0.5	1		0,45	25	900	ТР46
КТ913Б		8	35	-	3,5	1	2	-	0,45	50	900	
КТ913В		8	55	-	3,5	1	2	-	0,45	50	900	
КТ914А	р-п-р	7	65	-	4	0,8	1,5	10...60	0,6	2	350	ТР60
КТ916А	п-р-п	30	55	-	3.5	2	4	35	0,4	25	1 100	ТР46
КТ918А	п-р-п	2.5	-	30	2.5	0.25	-			2	800	ТР58
КТ918Б		2.5	-	30	2,5	0.25	-	-	-	2	1000	
КТ919А		10	-	45	3,5	0.7	1,5	-		10	1350	
КТ919Б	п-р-п	5	-	45	3,5	0,35	0,7	-	-	5	1350	ТР64
КТ919В		3,25	-	45	3,5	0,2	0,4	-	-	2	1350	
КТ919Г		10	-	45	3.5	0.7	1,5	• -	-	10	1350	
КТ920А		5	36	-	4	0.5	1	-		2	400	
КТ920Б	п-р-п	1'0	36	-.	4	1	2	-	-	4	400	ТР84
КТ920В		25	36	-	4	3	7	-	-	7,5	400	
КТ920Г		25	36	-	4	3-	7	-	-	7,5	350	
КТ921А	п-р-п	12.5	65	-	4	3.5	-	10.. 80		10	90	ТР60
КТ921Б		12.5	65	-	4	3.5	-	10...80	-	10'	90	
КТ922А		8	65	-	4	0.8	1,5	10... 150	-	5	300	
КТ922Б	п-р-п	20	65	-	4	1.5	4,5	10... 150	-	20	300	ТР84
КТ922В		40	65	-	4	3	9	10... 150	-	40	300	
КТ922Г		20	65	-	4	1.5	4,5	10... 150	-	20	250	
КТ922Д		40	65	-	4	3	9	10... 150	-	40	250	
КТ925А		5.5	36	36	4	0.5	1	8...70	-	7	500	
КТ925Б	п-р-п	1 1	36	36	4	I	3	10...55	-	12	500	ТР84
КТ925В		25	36	36	3.5	3.3	8,5	17...15Р	-	30	450	
КТ925Г		25	36	36	3.5	3.3	8,5	50	-	30	450	
ТРАНЗИСТОРЫ
135
Продолжение табл. 3.1.9
Тип прибора	Тип пров.	рк max, Вт	икэ max, В	max, В	Чб max, В	‘к max, А	‘к,и max, А	Ь21э	Чэ нас, В	*кбо, мА	fn>, МГц	Прило- жение 3.3
КТ926А	п-р-п	50	150	-	5	15	25	10...60	2,5	25	50	ТР78
КТ926Б		50	150	-	5	15	25	10...60	2,5	25	50	
КТ927А	п-р-п	83,3	35	-	3,5	10	30	15.. .50	0,7	40	105	ТР73
КТ927Б		83,3	35	-	3,5	10	30	25...75	0,7	40	105	
КТ927В		83,3	35	-	3,5	10	30	40... 100	0,7	40	105	
КТ928А	п-р-п	2	40	60	5	0,8	1,2	20... 100	-1-	1	250	ТР59
КТ928Б		2	40	60	5	0,8	1,2	50...200	1	1	250	
КТ929А	п-р-п	6	30	30	3	0,8	1,5	25...50	-	5	400	ТР84
КТ930А	п-р-п	75	50	-	4	6	-	15... 100	-	20	450	ТР74
КТ930Б		J20	50	-	4	10	-	10... 100	-	100	600	
КТ931А	п-р-п	150	60	-	4	15	-	5... 100	0,16	30	250	ТР74
КТ932А	р-п-р	20	80	80	4,5	2	-	5.. 80	1,5	1,5	80	ТР60
КТ932Б	•	20	60	60	4,5	2	-	30... 120	1,5	1,5	80	
КТ932В		20	40	40	4,5	2	-	40	1,5	1,5	80	
КТ933А	р-п-р	5	80	80	4,5	0,5	-	15...80	1,5	0,5	75	ТР48
КТ933Б		5	60	60	4,5	0,5	-	30... 120	1,5	0,5	75	
КТ934А		7,5	60	-	4	0,5	-	5... 150	0,35	7,5	500	
КТ934Б	п-р-п	15	60	-	4	1	-	5... 150	0,3	15	500	ТР84
КТ934В		30	60	-	4	2	-	5... 150	0,3	30	500	
КТ934Г		10	60		4	1	-	5... 150	0,4	15	450	
КТ934Д		30	60	-	4	2	-	5... 150	0,3	30	450	
КТ935А	п-р-п	60	70	-	5	20	30	20... 100	1	30	50	ТР78
КТ939А	п-р-п	4	18‘	30	3,5	0,4	-	40...200	-	1	2500	ТР46
КТ939Б		4	30	30	3,5	0,4	-	20...200	-	2	1500	
КТ940А	п-р-п	10	300	300	5	0,1	0,3	25	1	-	90	ТР45
КТ940Б		10	250	250	5	0,1	0,3	25	I	-	90	
КТ940В		10	160	160	5	0,1	0,3	25	1	-	90	
КТ942В	п-р-п	25	-	45	3,5	1,5	3	-	-	20	1950	ТР64
136
ТРАНЗИСТОРЫ
Продолжение табл. 3.1.9
Тип прибора	Тип пров.	Рк max, Вт	икэ max, В	Чсб max, В	иэб max, В	'к max, А	*к,и max, А	Ь21э	Чсэ нас, В	^кбо, мА	*гр> МГц	Прило- жение 3.3
КТ943А		25	45	45	5	2	6	40...200	0,6	0,1	30	ТР45
КТ943Б		25	60	60	5	2	6	40... 160	0,6	0,1	30	
КТ943В	П-р-П	25	80	100	5	2	6	40... 120	1,2	1	30	
КТ943Г		25	80	100	5	2	6	20...60	Г,2	1	30	
КТ943Д		25	' 60	too	5	2	6	зо„ лоо	1,2	I	30	
КТ944А	п-р-п	55	100	-	5	12,5	20	I0...80	2,5	80	105	ТР69а
КТ945А	п-р-п	50	150	-	5	15	25	10...60	2,5	25	50	ТР60
КТ946А	п-р-п	37,5	-	50	3,5	2,5	5	-		50	720	ТР72
КТ947А	п-р-п	200	100	-	5	20	50	10...80	-	100	75	ТР69а
КТ948А	п-р-п	40	-	45	2	2,5	5	-	-	35	1950	ТР81
КТ948Б		20	-	45	2	1,2	2,5	-	-	15	1950	
КТ955А	п-р-п	20	70	-	4	6	-	I0...80	-	10	(00	ТР88
KT9S6A	п-р-п	70	100	-	4	15	-	10...80	-	80	100	ТР68
КТ957А	п-р-п	100	60	-	4	20	-	I0...80	-	100	100	ТР68
KT9S8A	п-р-п	85	36	-	4	10	-	10...250	0,J5	25	300	ТР74
КТ960А	п-р-п	70	36	-	4	7	-	-	0,15	-20	600	ТР74
КТ961А	п-р-п	12,5	80	100	5	1,5	2	40... 100	0,5	0,01	50	ТР45
КТ961Б		12,5	60	80	5	1,5	2	63... 160	0,5	0,01	50	
КТ961В		12,5	45	60	5	1,5	2	100. .250	0.5	0,01	50	
КТ962А	п-р-п	17	-	50	4	1,5	-	-	-	20	750	ТР84
КТ962Б		27	-	50	4	2,5	-	-	-	50	750	
КТ962В		56	-	50	4	4	-	-	-	30	600	
КТ965А	п-р-п	30	36	-	4	4	-	10...60	-	10	100	ТР88
КТ966А	п-р-п	70	36	-	4	8	-	10.. 70	-	15	100	ТР88
КТ967А	п-р-п	100	36	-	4	15	-	10... 100	-	20	180	ТР68
ТРАНЗИСТОРЫ
137
Окончание табл. 3.1.9
Тип прибора	Тип пров.	Рк- max. Вт	Ькэ max, В	lk6 max, В	Чб max, В	'к max. А	>к,и max, А	Ь21э	икэ нас, В	^кбо, мА	МГц	Прило- жение 3.3
КТ969А	п-р-п	6	250	300	5	0.1	0,2	50...250	1	-	60	ТР45
КТ970А	п-р-п	170	50	-	4	13	-	-	-	100	600	ТР70-
КТ971А	п-р-п	200	50	-	4	17.	-	-	-	60	220	ТР70
КТ972А	п-р-п	8	60	60	5	4	-	750	1.5		200	ТР45
КТ972Б		8	45	45 .	5	4	-	750	1,5	-	200	
КТ973А	p-n-D	8	60	60	5	4	-	750	1.5	-	200	ТР45
КТ973Б		8	45	45	5	4	-	750	1,5	-	200	
КТ976А	п-р-п	75	-	50	4	6	-	-	-	60	750	ТР84
КТ977А	п-р-п	200	-	50	3	-	8	-	-	25	600	ТР72
KT98IA	п-р-п	70	36	-	4	10		10	-	10	-	ТР88
КТ984А	п-р-п	1.4	-	65	4	-	7	-	-	30	720	ТР47
КТ984Б		4,7	-	65	4	-	16	-		80	720,	
КТ9115А	р-п-р	10	300	300	5	0.1	0.3»	25...250	1	0.0005	90	ТР45
3.2, ТРАНЗИСТОРЫ ПОЛЕВЫЕ
3.2.1.	Транзисторы малой мощности (Р<0,3 Вт)
с р-п - переходом и каналом р-типа
Таблица 3.2.1.
Тип прибора	р max, мВт	Чи max, В	U,C max, В	з Г. Ш a W	'с max, мА	Чи отс, В	S, мА/В	>с нач, мА	С11и, пФ	С12и, пФ	Прило- жение 3.3
Knioir	50	10	10	10	2	5	0,15	0,3	12	-	TPI 1в
КП101Д	50	10	10	10	5	10	0,3	0,3	12	-	
КП101Е	50	10	10	10	5	10	0,3	0,3	12	-	
138
ТРАНЗИСТОРЫ
Окончание табл. 3.2.1.
Тип прибора	р max, мВт	'си max, В	'-ЗС max, В	Чи max, В	max, мА	отс, В	S, мА/В	нач, мА	С11и. пФ	С12и, пФ	Прило- жение 3.3
КП102Е	-	15	15	10	0,55	2,8	0,25...0,7	0,18	10	5	ТР136,
КШ02Ж	-	15	15	10	1	4	0,3-0,9	0,4	10	5	ТРбба
КГП02И	-	15	15	10	1,8	5,5	0,35...!	0,7	10	5	
КП102К	-	15	15	10	3	7,5	0,45... 1,2	1,3	10	5	ТР136,
КП102Л	-	15	15	10	6	10	0,65... 1,3	2,4	10	5	ТРбба
КП ЮЗЕ	7	10	15	-	-	0,4... 1,5	0,4... 2,4	0,3-2,5	20	8	TP6I
КП ЮЗЕР	7	10	15	-	-	0,4... 1,5	0.4...2,4	0,3-2,5	20	8	ТР63
КП103Е1	7	10	-	-	-	0,4... 1,5	0,4—2,4	2,5	20	-	ТР61
КП103Ж	12	10	15	-	-	0,5-2,2	0,5-3,8	0,35...3,8	' 20	8	ТР61,
КПЮЗЖР	12	10	15	-	-	0,5...2,2	0,5...3,8	0,35. .3.8	20	8	ТР63
КП103Ж1	12	10	-	-	-	0,5...2,2	0,5-3,8	3,8	20	-	ТР61
КП ЮЗИ	21	12	15	-	-	0,8—3	0,8—2,6	0,8, .1,8	20	8	TP6I,
КПЮЗИР	21	12	15	-		0,8 ..3	0,8...2,6	0,8...1,8	20	8	ТР63
кпюзи!	21	12	-	-	-	0,8.. 3	0,8 ..2,6	1,8	20		TP6I
КП103К	38	10	15	-	-	1,4...4	1...3	1...5.5	20	8	TP6I,
КПЮЗКР	38	10	15	-	-	1,4...4	1...3	1...5.5	20	8	ТР63
КШ03К1	38	10	-	-	-	1,4...4	1...3	5,5	20	-	ТР61
кшозл	66	12	ч	-	-	2—6	1,8...3,8	1,8...6,6	20	8	TP6I,
КП103ЛР	66	12	17	-	-		1,8-3,8	1,8—6,6	20	8	ТР63
КШОЗЛ 1	66	12	-		-	2.. 6	1,8.. 3,8	6,6	20	-	ТР61
кшозм	120	10	17	-	-	2,8—7	1,3...4,4	3...I2	20	8	ТР61,
КП103МР	120	10	17	-	-	2,8...7	1,3...4,4	3 12	20	8	ТР63
КШ03М1	120	10	-	-	-	2,8-7	1,3.„4,4	12	20	-	ТР61
ТРАНЗИСТОРЫ
139
3.2.2.	Транзисторы малой мощности (Р<0,3 Вт)
с р-п - переходом и каналом п-типа
									Та	блиц	а 3.2.2.
Тип	р	LCH	Uac	U3h	‘с	изи	S,	‘с	С11и,	Сп 12и,	Прило-
прибора	шах	max,	max;	max,	max,	отс,		нач,			жение
	мВт	В	В	в	мА	В	мА/В	мА	пФ	пФ	3.3
КП302А	300	20	20	10	24	5	5	3	20	8	
КП302Б	ЗОО	20	20	10	43	7	7	18	20	8	ТР666
К11302В	зоо	20	20	10	43	10	5	33	20	8	
КП302Г	300	20	. 20	10	65	7	7	15	14	8	
КПЗОЗА	200	25	30	30	20	0,5-3	1-4	0,5-2,5	6	2	
КПЗОЗБ	200	25	30	30	20	0.5...3	1-4	0,5...2,5	6	2	
К11303В	200	25	30	30	20	1...4	2-5	1,5—5	6	2	
кпзозг	200	25	30	30	20	8	3...7	3...12	6-	2	ТР666
кпзозд	200	25	30	30	20	8	2,6	3...9	6	2	
КПЗОЗЕ	200	25	30	30	20	8	4	5...20	6	2	
кпзозж	200	25	30	30	20	0,3.„3	1-4	0,3-3	6	2	
кпзози	200	25	30	30	20	0,5...2	2...6	1,5...5	6	2	
КП307А	250	25	27	27	25	0.5...3	4...9	3...9	5	1,5	
КП307Б	250	25	27	27	25	1...5	5... 10	5... 15	5	1,5	
КП307В	250	25	27	27	25	1...5	5... 10	5...15	5	1,5	
КП307Г	250	25	27	27	25	1,5...6	6... 12	8...24	5	1,5	ГРббб
КП307Д	250	25	27	27	25	1,5-6	6... 12	8-24	5	1,5	
КП307Е	250	25	27	27	25	2,5	3...8	1,5-5	5	1,5	
КП307Ж	25b	25	27	27	25	7	4	3...25	5	1,5	
КП312А	100	' 20	25	25	25	8	4	8	4	1	ТРЗОб
КП312Б	100	20	25	25	25	6	2	1,5	4	I	
КП314А	200	.35	30	30	-	-	4	2,5...20	6	2	ТР11В
140
ТРАНЗИСТОРЫ
3.2.3.	Транзисторы малой мощности (Р<0тЗ Вт)
с изолированным затвором и каналом р-типа
	Таблиц										а 3.2.3.
Тип	р	Ни	Нс	Ни	Л	Ни	S,	•с	С11и,	С12и,	Прило-
прибора	max,	max,	max,	max,	max,	отс,		нач,			жение
	мВт	В	В	В	мА	В	мА/В	мкА	пФ	пФ	3.3
КП301Б	200	20	-	30	15	2,7...5,4	I	0,5	3,5	I	ТРббв
КП301В	200	20	-	30	15	2,7...5,4	2	0,5	3,5	I	
КП301Г	200	20	-	30	15	2,7...5,4	0,5	0,5	3,5	I	
КП304А	200	25	30	30	30	5	4	0,2	9	2	ТРббг
3.2.4.	Транзисторы малой мощности (Р<0,3 Вт)
с изолированным затвором и каналом п типа
Т а б л и ц а 3.2.4.
Тип прибора	р max, мВт	Ни max, В	Нс max, В	Ни max, В	•с max, мА	Ни отс, В	S, мА/В	'с нач, мА	С11и, пФ	С(П 12и, пФ	Прило- жение 3.3
КП305Д	150	15	15	15	15	6	5,2... 10,5		5	0,8	
КП305Е	150	15	15	15	15	6	4...8	-	5	0,8	ТРббг
КП305Ж	150	15	15	15	15	6	5,2... 10,5		5	0,8	
КП305И	150	15	15	15	15	6	4... 10,5	-	5	0,8	
КП313А	75	15	15	10	15	6	1,5-10,5	-	7	0,9	ТР13в
КП313Б	75	15	15	10	15	6	4,5... 10,5	-	7	0,9	
КП313В	75	15	15	10	15	6	4,5... 10,5	-	7	0,9	
3.2.5.	Транзисторы большой мощности (Р>1,5 Вт)
с р-п - переходом и каналом п-типа
Т а б л и ц а 3.2.5.
Тип прибора	Р max, Вт	Ни max, В	изс max, В	Ни max, В	•с max, А	Ни отс, В	S, мА/В	'с нач, мА	С11и, пФ	С.п 12и, пФ	Прило- жение 3.3
КП601А	2	20	-	15	-	4..9	40...87	400	-	6	ТР326 •
КП601Б	2	20	-	15	-	6.. 12	40.. 87	400	-	6	
ТРАНЗИСТОРЫ
141
Окончание табл. 3.2.5.
Тин прибора	р шах, Вт	Сси max, В	изс max, В	Сзи max, В	«с max, А	% ото, В	S, мА/В	‘с нач, мА	С11и, пФ	С12и, пФ	Прило- жение 3.3
КП801А	60	65	100	-35	5	-25	600			-	ТР67
КП801Б ;	30	65	100	-35	2,5	-25	220	-	f	-	
КП805А	6₽	600	600	20	' 8	-	3500	2	1300	40	ТР89
КП805Б	60	600	600	20	8	-	3500	2	1300	40	
КП8И5В	60	500	500	20	8	-	3500	2	1300	40	
КП903А	6	20	20	15	0,7	5... 12	85... 140	700	18	15	ТР87а
КП903Б	6	20	20	15	0,7	1...6,5	50... 130	480	18	15	
КП903В	6	20	20	15	0,7	1...10	60... 140	600	18	15	
3.2.6.	Транзисторы большой мощности (Р>1,5 Вт)
с изолированным затвором и каналом п-типа
Таблица 3.2.6.
Тип прибора	р max, Вт	иси max, В	max, В	Чи max, В	< е	отс, В	S, мА/В	*с нач, мА	С11и, пФ	С12и, пФ	Прило- жение 3.3
КП709	75	600	-	±20	4	-	2000	0,5	650	70	ТР67
КП901А	20	70	85	30	4	_ •	50... 160	200	100	10	ТР876
КП901Б	20	70	85	30	4	-	60... 170	200	100	10	
КП902А	3,5	50	-	30	0,2	-	10...25	10	11	0,6	ТР87б
КП902Б	3.5	50	-	30	0,2	-	10...25	10	11	0,6	
КП902В	3,5	50	-	30	0,2	-	10...25	10	11	0,8	
КП904А	75	70	90	30	16		250...520	350	-	-	ТР696
КП904Б	75	70	90	30	5		250...510	350	-	-	
КП905А	4	60	-	30	-	-	18	20	7	-	
КП905Б	4	60	-	30	-	• -	18	20	11	-	ТР82
КП905В	4	60	-	30	-	-	18	20	13	-	
КП907А	11	60	70	30	2,7	-	110...200	100	-	3	
КП907Б	11	60	70	30	1,7	-	110...200	100	-	3	ТР82
КП907В	1 1	60	70	30	1,3	-	80... 110	100	-	3	
142
ТРАНЗИСТОРЫ
Окончание табл, 3.2.6.
Тип прибора	р max, Вт	Чи max, В	Чс max, В	Чи шах, В	'с max, ' А	Чи отс, В	S, мА/В	'с нач, мА	С11и, пФ	С12и, пФ	Прило- жение 3.3
КП912А	40	100	1 10	20	20	-	800...2000	0,1...20	-	16	ТР67
КП912Б	40	60	70	20	25	-	800...2000	0,1...20	-	16	
КП921А	15	45	-	40	10	-	1500	2,5	-	-	
КП922А	60	100	100	30	10	-	1000	2	-	-	ТР89
КП922Б	60	100	100	30	10	-	1000	2	-	-	
3.2.7.	Транзисторы малой мощности (Р<0,3 Вт)
с двумя изолированными затвороми и каналом п-типа
Т а б л и ц а 3.2.7.
Тип прибора	Р max, мВт	Чи max, В	Чс max, В	Чи max, В	*с max, мА	Чи отс, В	S, ‘ мА/В	«с нач, мА	С11и, пФ	С12и, пФ	Прило- жение 3.3^
КП306А	150	20	20/20	20/20	20	0,8...4	3...8	-	5	0,07	
КП306Б	150	20	20/20	20/20	20	0,2...4	3...8	-	5	0,07	ТРббд
КП306В	150	20	20/20	20/20	20	13...6	3...8	-	5	0,07	
КП322А	200	20	-	20/20	-	2,2... 12	3,2...6,3	42	6	-	ТР79а
КП327А	200	18	21/6	6/-	-	2,7	11	10	2,5	0,04	-
КП327Б	200	18	21/6	6/-	-	2,7	11	10	2,5	0,04	-
КП350А	200	15	21/15	15/15	30	0,7...6	6...13	3,5	6	0,07	
КП350Б	200	15	21/15	15/15	30	0,7...6	6... 13	3,5	6	0,07	ТРббд
КП350В	200	15	21/15	15/15	30	0,7...6	6... 10	6	6	0,07	
3.2.8.	Транзисторные сборки малой мощности (Р<0,3 Вт)
с р-п - переходом и каналом п-типа
Таблица 3.2.8.
Тип прибора	р max, мВт	Чи max, В	Чс max, В	В5 | wC	>с max, мА	^зи отс, В	S, мА/В	’с нач, мА	С11и, пФ	С12и, пФ	Прило- жение 3.3
КЦС104А	45	—s— 25	30	0,5	-	0,2... 1	0.35	0,1. .0,8	4,5	1,5	ТР796
ТРАНЗИСТОРЫ
143
Окончание табл. 3.2.8.
Тип прибора	р max, мВт	иси шах, В	изс шах, В	Чи max, В	>с max, мА	Чш отс, В	S, мА/В	>с нач, мА	С11 и, пФ	С12и, пФ	Прило- жение 3.3
КТК1С4Б	45	25	30	0,5	-	0,2...!	0,35	0,1...0,8	4,5	1,5	ТР796
КПС104В	45	25	30	0,5	-	0,4... 1	0,65	0,35...!,5	4,5	1,5	
КПС104Г	45	25	30	0,5	-	0.8...3	1	0,1...3	4,5	1,5	
КПС104Д	45	25	30 ’	0,5	-	0,8...3	1	0,1...3	4,5	1,5	
КПС104Е	45	25	30	0,5	-	0,4.,.2	0,65	0,1...3	4,5	1,5	-
КПС315А	300	25	30	30	-	1...5	2,8	1...20	8	-	ТР80
КПС315Б	300	25	30	30	-	0,4...2	1...5	1 ...20	8	-	
33. ФОТОТРАНЗИСТОРЫ
3.3.1. Фототранзисторы кремниевые (п-р-п)
Т а б л и и, а 3.3.1.
Тип Прибора V	Площадь фотоэле- мента, мм^	АХ мкм	max, мкм	LP, В	*т, мкА	С 1 ИНТ, мА/ лм (мкА/лк)	Чф	р max, мВт	Прило- жение 3.3
ФТ-1К(гр-1)	2	0,4... 1,12	0,8...0,9	5	3	(0,4)	-	25	ТР90
ФТ-1К(гр-2)	2	0,4... 1,12	0,8...0,9	5	1	(0,2)	-	25	
ФТ 2К(гр.1)	2	0,5... 1,1 2	0,85,..0,9	5	3	(0,4)	-	25	
ФТ-2К(гр.2)	2	0,5... 1,12	0,85...0,9	5	1	(0,2)	-	25	
ФТ7Б	1,21	0,4... 1,1	0,8...0,9	2...30	0,1	40...400	до 800	150	ТР92
ФТ7Б-01	1,21	0,4...1,1	0,8.„0,9	2...30	0,1	350	до 800	150	
ФТ-8К	2	0,5...1,1	0,85...0,9	5	0,2	(2)	-	25	ТР94
144
ТРАНЗИСТОРЫ
3.3.2. Фототранзисторы германиевые (р-п-р)
Таблица 3.3.2.
Тип	Площадь	ДЛ	X max,	UP,	*Т,	ИНТ,	Ку.ф.	Р max,	Прило-
прибора	фотоэле- мента, мм^	мкм	мкм	В	мкА	мА/лм (мкА/лк)		мВт	че 3.3
ФТ-1	2	0,4... 1,8	1,5... 1,6	3	300	200...500	20	50	ТР96
ФТ-1Г	3	0,4... 1,8	1,5... 1,6	5	300	200	20	50	ТР97
ФТ-2Г	1	0,4... 1,8	1,5... 1,6	24	500	2000	20	50	TP9I
ФТ-ЗГ	3	0,4... 1,8	1,5..1,6	12	10000	2000...7000	100	50	ТР93
ФТТ-1	3	0,4... 1,7	1,5... 1,6	15	1000	2000... 10000	100	50	
ФТГ-3	3	0,4... 1,9	1,5... 1,55	5	50	1000	40	45	ТР95
ФТГ-4	3	0,4... 1,8	1,5... 1,55	5	40.	3000	40	45	
ФТГ-5	3	0,4... 1,8	1,5...!,55	5	50	1000	50	45	
ТРАНЗИСТОРЫ
145
Приложение 3.1.
ЦВЕТОВАЯ МАРКИРОВКА ТРАНЗИСТОРОВ
Для некоторых типов транзисторов ГОСТом предусмотрена цветная маркировка.
КТ502 обозначается желтой точкой на боковой поверхности, а буквенный индекс -
цветной точкой на торце корпуса.
КТ502А - красной.	, КТ502Г - голубой,
КТ502Б - желтой,	КТ502Д- синен.
КТ502В - зеленой,	КТ5О2Е - белой.
КТ503 обозначается белой точкой на боковой поверхности, а буквенный индекс -
Цветном точкой на торце корпуса:
КТ503А - красной,	КТ503Г - го лубой,
КТ503Б - желтой,	КТ5ОЗД - синеи.
КТ503В - зеленом,	КТ503Е - белой.
KT3IO2 обозначается темно-зеленой точкой на боковой поверхности, а буквенный
индекс - цветной точкой на торце корпуса:			
КТ31О2АМ	- темно- красном.	КТ31О2ГМ	- голубой.
#КТ3102БМ	- желтой.	КТ3102ДМ	- синеи.
КТ3102ВМ	- тем но-зеленой.	КТ31О2ЕМ	- белой.
КТ3102ЖМ	- темно-коричнево и.	КТЗ 102 ИМ	- светло-табачной.
		КТ310?КМ	- серой.
КТ3107 обозначается голубой точкой на боковой поверхности, а буквенный индекс -
цветной точкой на торце корпуса:
КТЗ107 А	- розовой,	КТ3107Е	- цвета электрик.
КТ3107Б	- желтой.	КТЗ 107 Ж	- салатовой.
КТЗ 107В	- емнеи.	КТЗ107И	- зеленой.
КТЗ 1071	- бежевой.	КТ3107К	- красной.
КТ3107Д	- оранжевой,	КТ31О7Л	- серой.
КТ3109 обозначается белой точкой на корпусе у вывода базы, а буквенный индекс -
цветной точкой там же:
КТЗ109А - розовом,
КТ3109Б - желтой.
КТ3109В	-синеи.
КТ3144А обозначается белой полосой на плоской боковой стороне корпуса.
Транзисторы КТ315 и КТ361 выпускаются в одинаковых корпусах. Различить их по
надписи на корпусе можно следующим образом. У КТ361 на боковой поверхности кор-
пуса в первой строке проставляется только буквенным индекс, а у КТЗ 15 рядом с бук-
венным индексом наносится графическое обозначение завода-изготовителя. Во второй
строке проставляются месяц и последние две цифры года изготовления.
В остальных случаях тип транзистора обозначается на корпусе или приводится на
этикетке, сопровождающей транзисторы.
146
ТРАНЗИСТОРЫ
П риложе н. и е 3.2
Зарубежные транзисторы и мх отечественные аналоги
Транзистор	Аналог	Транзистор	Аналог
АС 107	ГТ1 15А	AD 1 55	1Т403Е
АС1 16	VHI25A	AD161	ГТ705Д
ЛС1 17	ГТ402И	AD162	ГТ703Г
АС121	МП 20 А	AD163	П217
АС 122	ГТ115Г	AD164	ГТ403Б
АС 124	ГТ402И	ADI69	ГТ403Е
АС 1 25	МП20Б	AD262	П213
AC 126	МП20Б	AD263	П214А
АС 127	ГТ404Б	AD301	ГТ7ОЗГ
АС 128	ГТ402И	AD302	П216
АС 132	МП20Б. ГГ402Е	AD3O3	П217
AC 1 38	ГТ4О2И	AD304	П217
АС 139	ГТ402И	AD312	П216
АС141	ГТ404Б	AD313	П217
АС141В	ГТ404Б	AD314	П217, ГТ701А
АС 142	ГТ402И	AD325	П217. ГТ701А
AC 1 50	МГТ108Д	AD431	П213
AC 152	1Т402И	AD436	П213
АС 160	П28	AD438	П214А
ACITO	МГТ1081-	AD439	П215
АС 171	МГТ108Г	AD457	П214А
АС 176	ГТ404А	AD465	П213Б
АС181	ГТ404Б	AD467	П214А
АС 182	МП20Б	AD469	П215
АС 183	МП36А. МП38А	AD542	П217 ГТ701А
AC 1 84	ГТ402И	AD545	П210Б
AC 1 85	ГТ404Г	ADI202	П213Б
АС 187	ГГ404Б	AD12O3	П214Б
АС 188	ГТ402Е	ADP665	ГТ403Б
АС540	МП 39 Б	ADP666	ГГ403Г
АС541	МП39Б	ADP670	П201АЭ
АС542	МП39Б, МП41А	ADP671	П.201АЭ
АСУ 24	МП26Б	ADP672	П202Э
ACY33	ГТ402И	ADY27	ГТ703В
AD130	П217	AF106	ГГ328Б
AD131	П217 /	AF106A	ГТ328В
AD132	П2Г7	AFI09	ГТ328А
AD138	П216	AF139	ГТ346Б
AD139	П213	AF178	ГТ309Б
AD142	П210Б	AF200	ГТ328А
AD143	П210В	AF201	ГТ328А
AD145	П210В, П216В	AF2O2	ГТ328А
AD148	ГТ7ОЗВ	AF239	ГТ346А
AD149	ГТ703В	AF239S	ГГ346А
AD150	ГТ703Г	AF240	ГТ346Б
AD152	ГГ403Б	AF25I	ГТ346А
ТРАНЗИСТОРЫ
147
Приложение 3.2
Транзистор	Аналог	Транзистор	Аналог
AF252	ГТ346А	АС 108	ГТ806Б
AF253	ГТ328А	АС 110	ГТ806Д
AF256	ГТ348Б	АС1 13	ГТ810А
AF260	П29А	AVYI0	П6О8А, ГТ905А
AF261	ПЗО	AVY18	П214А
AF266	МП42Б, МП20А	AUY19	П217
AF27I	ГГ322В	ACY20	П217
AF272	ГТ322В	AUY21	П210Б
AF275	ГТ322Б	AUY21A	П210Б
AF279	ГТЗЗОЖ	AUY22	П210Б
AF280	ГТЗЗОИ	AVY22A	П210Б
AF426	ГТ322Б	AUY28	П217
AF429	ГТ322Б	AUY35’	ГТ806А
AF430	ГТ322В	AUY38	ГТ806В
AFY11	ГТ313А	ВСП/16	КТ638
AFY12	ГТ328Б	ВС100	КТ605А
AFY13	ГТ305В	ВС101	КТ301Е
AFY15	ПЗО	ВС 107 А	КТ342А.
AFY29	ГТ305Б	ВС 107 АР	KT3I02A
AFZI1	ГТ309Б	ВС 107В	КТ342Б
AL1OO	ГТ806В	ВС107ВР	КТ3102Б
AL102	ГТ806В	ВС 108 А	КТ342А
AL1O3	ГТ806Б	ВС 108 АР	КТ3102В
ASX11	МП42Б	ВС108В	КТ342Б
ASX12	МП42Б	ВС108ВР	КТ3102В
ASY26	МП42А, МП20А	ВС108С	КТ342В
ASY31	МП42А	ВС108СР	КТ3102Г
ASY33	МП42А, МП20А	ВС 109В	КТ342Б
ASY34	МП42А, МП20А	ВС109ВР	ктзюад
ASY35	МП42Б, МП20А	ВС109С	КТ342В
ASY70	МП42	ВС109СР	KT3I02E
ASY76	ГТ403Б	ВС140	КТ630Г
ASY77 '	ГТ403Г	ВС141	КТ630Г
ASY80	ГТ403Б	ВС147А	КТ373А
ASZ15	П217А, ГТ701А	ВС 147В	КТ373Б
ASZ16	П217А	ВС148А	КТ373А
ASZ17	П217А	ВС148В	КТ373Б
ASZ18	П217В, ГТ701А	ВС 148С	КТ373В
ASZI015	П217В	ВС 149В	КТ373Б
ASZ1016	П217В	ВС149С	КТ373В
ASZ1017	П217В	ВС 157	КТ361Г
ASZ1018	П217В	ВС158А	КТ349В
АТ270	МП42Б, МП20А	ВС 160-6	КТ933Б
АТ275	МП42Б, МП20А	ВС161-6	КТ933А
АС 103	ГТ810А	ВС167А	КТ373А
АС 104	ГГ810А	ВС 167В	КТ373Б
АС 107	ГТ810А	ВС168А	КТ373А
148
ТРАНЗИСТОРЫ
Приложение 3.2
Транзистор	Аналог	Транзистор	Аналог
ВС 168В	КТ373Б	ВС237А	КТЗ102А
ВС168С	КТ373В	ВС237В	КТ3102Б
ВС 169В	КТЗ 73 Б	ВС238А	КТЗ 102А, КТЗ 102В
ВС169С	КТЗ 73В	ВС238В	КТЗ 102В
ВС170А	КТ375Б	ВС238С	КТ3102Г
ВС 170В	КТ375Б	ВС239В	КТ3102Д
ВС171А	КТ373А	ВС239С	КТ3102Е
ВС171В	КТ373Б	ВС250А	КТ361А
ВС172А	КТ373А	ВС250В	КТ361В
ВС 172В	КТ373Б	ВС285	П308
ВС172С	КТ373В	ВСЗОО	КТ630Б
ВС 173В	КТ373Б	ВС307А	КТ3107Б
ВС ПЗС	КТ373В	ВС307В	КТ3107И
ВС 174	КТЗ 102	ВС308А	КТ3107Г
ВС 177 АР	КТЗ107А	ВС308В	КТ3107Д
BC177VIP	КТ3107Б	ВС308С	КТ3107К
ВС178А	КТ349В	ВС309В	КТЗ 107Ж
ВС178АР	КТЗ107В	ВС309С	КТЗ 107 л
ВС178ВР	КТ3107Д	ВС320А	КТ3107Б
BC178V1P	КТЗ 107В	ВС32ОВ	КТ3107Д
ВС 179 АР	КТ3107Е	ВС321А	КТ3107Б
ВС179ВР	КТ3107Ж	ВС321В	КТ3107И
ВС182А	КТЗ102А	ВС321С	КТ3107К
ВС182В	КТЗ1026	ВС322В	КТЗ 107Ж
ВС182С	КТ3102Б	ВС322С	КТЗ 107Л ,
ВС183А	КТ3102А	ВС328	КТ313	‘
ВС 183В	КТ3102Б	ВС337	КТ3102Б
BCL83C	КТ31О2Б, КТ3102Г	ВС338	КТ645, КТ646
BCI84A	КТ3102Д	ВС355	КТ352Б
ВС 184В	КТ3102Е	ВС355А	КТ352А
ВС192	КТ351Б	ВС382В	КТ3102Б
ВС212А	КТ3107Б	ВС382С	КТ3102Г
ВС212В	КТЗ 107И	ВС383В	КТ3102Д
ВС212С	КТ3107К	,	ВС383С	КТ3102Е
ВС213А	КТ3107Б	ВС384Е	КТ3102Д
ВС213В	КТЗ 107 И	ВС384С	КТ3102Е
ВС213С	. КТ3107К	ВС440	КТ630
ВС216	КТ351А	ВС451	КТЗ 102В
ВС216А	КТ351А	ВС453	КТ3102Д
ВС218	КТ340Б	ВС454А	КТ3107Б
ВС218А	КТ340Б	ВС454В	КТ3107И
ВС226	КТ351Б	ВС454С	КТ3107К
ВС226А	КТ351Б	ВС455А	КТ31О7Г
ВС234	КТ342А	ВС455В	КТ3107Д
ВС234А	КТ342А	ВС455С	КТ3107К
ВС235	КТ342Б	ВС456А	КТ3107Е
ВС235А	КТ342Б	ВС456В	КТ3107Ж
ТРАНЗИСТОРЫ
149
Приложение 3.2
Транзистор	Аналог	Транзистор	Аналог
ВС456С	КТЗ 107 Л	BCY79	КТ3107Б
ВС513	КТ345А	BCY90	КТ208Е
ВС527	КТ342Б, КТ342В	BCY90B	КТ501Г
ВС528	КТ342В	BCY91	КТ208Е
ВС547А	КТ3102А	BCY91В	КТ501Г
ВС547В	КТ3102Б	BCY92	КТ208Е
ВС547С	КТ3102Г	BCY92B	КТ501Д
ВС548А	КТ31О2А	BCY93	КТ208К
ВС548В	КТЗ 1.02В	BCY93B	КТ501Л
ВС548С	КТ31О2Г	BCY94	КТ2О8К
ВС549А	КТ3102Д	BCY94B	КТ5О1.7
ВС549В	КТ3102Д	BCY95	КТ208К
ВС549С	КТЗ102Е	BCY95B	КТ501М
ВС557	КТ361Д	BD109	КТ805Б
ВС639	КТ645А	BDI21	КТ9О2А
ВСР627А	КТ373А	ВЫ 23	КТ902А, КТ805Б
ВСР627В	КТ373Б	BDI31	КТ943В
ВСР627С	КТ373В	BD135-6	КТ343А
ВСР628А	КТЗ 73 А	ВЫ 36	КТ626А
ВСР628В	КТ373Б	BD137-6	КТ943Б
ВСР628С	КТ373В	BD138	КТ926Б
BCW47	КТ373А	BD139-6	КТ943В
BCW48	КТ373Б, КТ373В	BD140	КТ626В
BCW49	КТ373Б. КТ373В	BD148	КТ8О5Б
BCW57	КТ361Г	BD149	КТ805Б
BCW58	КТ361Е	BD165	КТ815А
BCW62A	КТ361Г	BD166	КТ814Б
BCW63A	КТ361Г	BDI67	КТ815Б
BCYIO	КТ208Е	BD 168	КТ814В
BCY11	КТ208Д	BD169	КТ815В
BCY3O.	КТ2О8Л	BD170	КТ814Г
BCY31	КТ208М	BD175	КТ817Б
BCY32	КТ208М	BD176	КТ816Б
BCY33	КТ208Г	BDI77	КТ817В
BCY34	КТ2О8Г	BD178	КТ816В
"bcY38	КТ501Д	BDI79	КТ817Г
BCY39	КТ501М	BD180	КТ816Г
BCY40	КТ501Д	BD181	КТ819БМ
BCY42	КТ312Б	BD182	КТ819ВМ
BCY43	КТЗ 12В	BD183	KT819IV
BCY54	КТ5О1К	BD201	КТ819В
BCY56	КТЗ 12В	BD202	КТХ18Б
BCY58A	КТ342А	BD203	КТ819Г
BCY58B	КТ342Б	BD204	КТ818В
BCY58C	КТ342Б	BD2I6	КТ809А
BCY58D	КТ342В	BD223	КТ837Н
BCY59	КТЗ102А	BD224	КТ837Ф
BCY69	КТ342В	BD225	КТ837С
150
ТРАНЗИСТОРЫ
П р и л о ж е н и е 3.2
Транзистор	Аналог	Транзистор	Аналог
BD226	КТ943А	BD6I9	КТ817Г
BD227	КТ639Б	BD62O	КТ816Г
BD228	КТ943Б	BD813	КТ815А
BD229	КТ639Д	BD814	КТ814А
BD230	КТ943В	BD815	КТ815Б
BD233	КТ817Б	BD816	КТ814В
BD234	КТ816Б	BD817	КТ815В
BD235	КТ817В	BD818	КТ814Г
BD236	КТ816В	BD825	КТ646А
BD237	КТ817Г	BD826	КТ639Б
BD238	КТ816Г	BD827	КТ646А
BD239	КТ817В	BD828	КТ639Д
BD239A	КТ817В	BD840	КТ639В
BD240	КТ816В	BD842	КТ639Д
BD240A	КТ816В	"	BD933	КТ817Б
BD240B	КТ819Г	BD934	КТ816Б
BD246	КТ818АМ	BD935	КТ817В
BD253	КТ8О9А	BD936	КТ816В
BD291	КТ819А	BD937	КТ817Г
BD292	КТ818А	BD938	КТ816Г
BD293	КТ819Б	BD944	КТ 83 7 Ф
BD294	КТ818Б	BD946	КТ837Ф
BD295	КТ819В	BD948	КТ837Ф
BD296	КТ818В	BD949	КТ819Б
BD375	КТ943А	BD950	КТ818Б
BD377	КТ943Б	BD951	КТ819В
BD379	КТ943В	BD952	КТ818В
BD386	КТ644Б	BD953	КТ819Г
BD433	КТ817А	BD954	КТ818Г
BD434	КТ816А	BDT91	КТ819Б
BD435	КТ817А	BDT92	КТ818Б
BD436	КТ816А	BDT93	КТ819В
BD437	КТ817Б	BDT94	КТ818В
BD438	КТ816Б	BDT95 '	КТ819Г
BD439	КТ817В	BDT96	КТ818Г
BD440	КТ816В	BDV91	i КТ819Б
BD441	КТ817Г	£DV92	КТ818Б
BD442	КТ816Г	BDV93	КТ819В
BD466	КТ973Б	BDV94	КТ818В
BD61 1	КТ817А	BDV95	КТ819Г
BD612	КТ816А	BDV96	КТ818Г
BD613	КТ8Т7А	BDX25	КТ8О5Б, КТ8О8А
BD614	КТ816А	BDX77	КТ819Г
BD615	КТ817Б	BDX78	КТ818Г \
BD616	КТ82-6Б	BDX91	КТ819БМ
BD617	КТ817В	BDX92	КТ818БМ
BD618	КТ816В	BDX93	КТ819ВМ
ТРАНЗИСТОРЫ
151
Приложение 3.2
Транзистор	Аналог	Транзистор	[	Аналог
BDX94	КТ818ВМ	BF459	КТ940А
BDX95	КТ819ГМ	BF469	КГ940Б
BDX96	КТ818ГМ	BF471	КТ605БМ, КТ940А
BDY12	КТ805Б	BF494	КТ339АМ
BDY13	КТ805Б	BF6I5	КТ940Б
BDY23	КТ8ОЗА	BF617	КТ940А
BDY24	КТ8О8А	BFJ57	КТ602Б
BDY25	КТ812В	BFJ7O	КТ339В
BDY72	КТ805А	BFJ93	КТ324Б
BDY78	КТ805Б	BFJ98	КТ611Г
BDY79	КТ8О5А	BFP177	КТ611В
BDY90	КТ945А, КТ9О8А	BFP178	КТ6ПГ
BDY9I	КТ945А, КТ9О8А	BFPI79A	КТ611Г
BDY92	КТ908А, КТ9О8Б	BFPI79B	КТ611Б
BDY93	КТ812А. КТ828А	BFPI79C	KT6I8A
BDY94	KT8I2A, КТ7О4Б	BFP719	КТ315А
BDY95	КТ704Б	BFP72O	КТ315Б
BF111	KT6I 1А	•BFP721	КТЗ15В
BF1 14	КТ611Г	BFP722	КТ315Г
BF137	КТ611Г	BFR34	КТ372Б
BF140A	KT61IB	BFR34A	КТ372Б
BF173	КТ339В	BFWI6	KT6JOA
BF177	КТ6О2А	BTW45	КТ61 11
BF178	КТ611Г	BFW89	КГ351Б
BF179B	KT611Б	BFW90	КТ351Б
BFI79C	КТ618А	BFW91	КТ351Б
BF186	КТ611Г	BFX12	КТ326А
ВГ197	КТ339Г	BFX13	КТ326Б
BFI99	КТ339АМ	BFX44	КТ340В
BF2O8	КТ339А	BFX73	КТ368А
BF223	КТ339В	BFX89	КТ355А
ВГ24О	КТЗ 12В	BFX94	KT3II7A
BF254	КТ339АМ	BFY19	КТ326Б
BF257	КТ611Г	BFY34	КТ630Г
BF258	КТ6О4В	BFY45	КТ611Г
BF259	КТ604Б	BFY46	КТ630Д
BF273	КТ339А	BFY5O	ктбзог
BF291	КТ611Г	BFY51	КТ630Д
BF297	КТ940В	BFY52	КТБЗОД
BF298	КТ940Б	BFY53	КТ630Д
BF299	КТ940А	BFY55	КТ63ОГ
BF336	КТ61 1Г	BFY56	КТ630Г
BF337	КТ604Б	BFY56A	КТ630Г
BF338	КТ604Б	BFY65	КТ611Г
BF419	КТ940А	BFY66	КТ355А
ВГ457	КТ940В	BFY78	КТ368А
BF458	КТ94ОБ	BFY80	П308, КТ601А
152
ТРАНЗИСТОРЫ
П р и ложе н и е 3.2
Транзистор	Аналог	Транзистор	Аналог
BLWJ8	КТ920Б	BSY26	КТ340В
ELW24	КТ922Г	BSY27	КТ340В
BLX92 .	КТ913А	BSY34	КТ608А
BLX93	КТ913Б	BSY38	КТ340В
BLY47	КТ8О8А	BSY39	КТ340Б
BLY47A	KT80SA	BSY40	КТ343А
BLY48	КТ808А	BSY41	КТ343Б
BlY48A	КТ808А	BSY58	КТ608А
BIY49A	КТ8О9А	BSY62	КТ616Б
BLY50	КТ8О9А	BSY72	КТ352А
BI.Y50A	КТ809А	BSY73	КТЗ12Б
BLY63	КТ92ОГ	BSY95	КТ340В
BLY88A	КТ920Г	BSY95A	КТЗ40В
BSJ36	КТ351Б	BSYP62	КТ340В
BSJ63	КТ340Б	BSYP63	КТЗ40В
BSV49A	КТ351В	BSZ1O	КТ104Б
BSV59-V 1 1 1	КТ3117А	BSZ1 1	КТ104Б
BSW19	КТ343Б	BSZ12	КТ203А
BSW20	КТ361Г	BL106	КТ812Б
BSW21	КТ343Б	BL1O8	КТ839А
BSW27	КТ928А	ВБ 120	КТ809А
BSW36	КТ6ОЗБ	ВБ 123	КТ802А
BSW41	КТ616А	BL126	КТ7О4Б.КТ828А
BSW88A	КТ375Б	BL129	КТ809А
BSX2I	ПЗО8	ВБ132	КТ704А
BSX32	КТ635АЛТ625А	ВБ 133	КТ704Б,КТ828А
BSX38A	КТ340А	BL204	КТ838А
BSX51	КТ340В	BL205	- КТ838А
BSX52	КТ34ОВ	BL207	КТ838А
BSX53A	КТ340А	BL2O7A	КТ838А
BSX59	КТ928А	В L'208	КТ838А
BSX60	КТ928А	BL’32fe	КТ828А
BSX61	КТ928А	BU3 26А	КТ828А.КТ840А
BSX62	КТ801Б	BLX82	КТ812А
BSX63	КТ801А	BLX83	КТ812А
BSX66	КТ306А, КТ306Д	BCY43	П702
BSX67	КТЗО6А, КТЗО6Д	BVY46	П702А
BSX8O	КТ375Б	BUY55	КТ808А
BSX81A	КТ375Б	BUYP52	КТ802А
BSX89	КТ616А	BLYP53	КТ802А
BSX97	КТЗИ7А	BБYP54	КТ802А
BSXP59	КТ928А	BVX49	КТ8О7А,КТ63ОА
BSXP60	КТ928А	D41D1	КТ626А
BSXP61	КТ928А	D41D4	КТ626Б
BSXP87	К7340В	D41D7	КТ626В
BSY17	КТ616Б	EFT212	П216
BSY18	КТ616Б	EFT2I3	П216
ТРАНЗИСТОРЫ
153
ПриложениеЛ2
Транзистор	Аналог	Транзистор	Аналог
EFT214	П217	GDI 60	П213Б
EFT250	П217	GD170	П213Б
EFT3O6	МП 40	GDI 75	П213Б
EFT3O7	МП40	GDI 80	П214А
EFT368	КТ208Б	GD240	П213
EFT311	МП20А	GD241	П213
EFT312	МП 20 А	GD242	П214А
EFT3I3	МП20Б	GD243	П214А
EFT317	И 401	GD244	П215
EFT3J 9	П401	GD607	ГТ404Г
EFT32O	П401	GD60S	ГТ404Б
EFT32I	МП 20 А	GD609	ГТ404Б
ЕГТ322	МП 20 А	GD617	П201АЭ
EFT323	МП20Б	GD618	П201АЭ
EFT33 J	МП 20 А	GD619	П2ОЗЭ
EFT332	МП 20 А	GF 126-	1Т309Г
EFT333	МГ120Б	GF 128	ГТ309Б
CFT341	МГ121Д	GF 130	ГТ309Д
EFT342	МП21Д	GF J 45	ГТ346А
EFT343	МП21Д	GF 147	ГТ346А
GC100	ГТ 109 А	GF50I	ГТ313Б
GC10J	ГТ109А	GF5O2	ГТ313А
GC112	МП 26 А	GF503	IT3I3I1
GC1 16	МГТ108Д	GF504	'	ГТЗ J3A
GC1 17	МГТ108Д	GF505	ГТ328Б
GC1 18	МГТ108Д 	GF506	ГТ328Б
GC121	МП20А. МП39Б	GF 507	ГТ346Б
GC122	МП20А	GF514	IT322A. 1ПГ313Б
GC 1 23	МП21Г	GF515	ГТЗ 22 А
GC500	ГТ4О2Д	GF516	ГТЗ 22 А
GC501	ГТ402Е	GF517	ГТ322Б
GC502	ГТ402И	GFY50	ГТ322Б
GC507	МП 30 А	GS109	МП42А
GC5O8	МП20Б	GS1 1 1	МП42Б
GC509	МП 21Г	GS1 12	МП25А
GC510K	IT403 Е	GS121	МП42
GC5 J 2 К	ГТ403Е	КС 147	КТ373А. КТ373Б
GC515	МП 20 А	КС 148	КТ373А. КТ373Б
GC516	МП20А	КС 149	КТ373Б КТ373В
GC517	МП ЗОБ	KC507	КТ342Б
GC518	МП ЗОБ	KC508	КТ342Б
GC5 19	МП20Б	KC509	КТ342Б
GC525	МП36А. М Г135А	KD601	КТ8ОЗА
GC526	МП36А, Ml 137 А	KD6O2	КТ808А
GC527	МП36А. МП38А	KF 173	КТ339В
GCM55	МП 20 А	KF5O3	КТ602Б
GCN56	МП21Г	KF504	КТ611Г
154
ТРАНЗИСТОРЫ
П р и л о ж е н и е 3.2
Транзистор	Аналог	Транзистор	Аналог
KF507	КТ617А	MPSW1 А	КТ8О7Б
KFY18	КТЗ1ЗА	MPSU05	КТ807Б
KSY21	КТ616Б	MPSUO6	КТ807Б
KSY34	КТ608А	MPSU07	KTS07A
KSY62	КТ616Б	MPSU51	КТ626А
KSY63	КТ616Б	MPSL5IA	КТ626А
KSY8I	КТ347Б	MPSU55	КТ626Б
KL601	КТ801Б	MPSU56	КТ626Б
КБ'602	KT80I А	MSA7505	КТ9О7А
KU605	KT8I2B	NE1010E-28	КТ91 ЗБ
KU606	КТ8О8А	NKT1 1	МГГ108Г
KL607	КТ812В	NKT73	МГТ108Б
KU61 1	КТ801Б	ОС25	П216
KL6I2	KT80LA	ОС26	ГТ703Д
KUYI2	КТ812В	ОС27	ГТ7ОЗГ
МА909	МП 26 А	ОС28	П217
МА910	МП26А	осзо	П201Э
MJ42O	KT6I8A	ОС35	П217
MJ48O	КТ8ОЗА	OC4I	П29
MJ481	КТ8ОЗА	ОС42	П29А
М <2501	КТ825Г	ОС57	ГТ 109 А
MJ300I	КТ827Б	ОС58	ГТ109Б
MJ3O55	КТ819Б	ОС59	ГТ 109В
MJ3480	КТ839А	ОС60	ГТ 109В
MJE52O	КТ943А	ОС70	МП40А
ММ 404	МП42Б	ОС71	МП40А
ММ 1748	КТ316А	ОС75	МП40А, МП41А
ммзооо	КТ602А	ОС76	МП40А
MM300I	КТ602Б, КТ611В	ОС77	МП26Б
ММ3375	КТ904Б	ОС 169	ГГ322Б
MPS404	КТ209Е'	ОС 170	ГГ309Г, ГТ322Б
MPS404A	КТ209К	OCI71	ГТ309Г
MPS706	КТ375Б	ОС200	КТ104Г
MPS7.06A	КТ375Б	ОС201	КТ104Б
MPS3638	КТ351А	ОС202	КТ 104В
MPS3638A	КГ351А	ОС203	КТ203А
MPS3639	КТ357А .	ОС204	КТ208Г
MPS3640	КТ347Б	ОС205	КТ208Л
MPS3705	КТ645А	ОС206	КТ208Г
MPS6530	КТ645А	ОС207	КТ208А
MPS6532	КТ645А	ОСЮ16	IT7O3B
MPS6562	КТ350А	ОС 1044	ГТ109Е
MPS6563	КТ350А	ОС 1045	ГТ109Д
MPS-H37	КТ339АМ	ОС 1070	МП40А
MPSL07	КТ363А	* OC107I	МП40А7 МП39Б
MPSL08	КТЗ 63 А	ОС 1072	МП41А, МП39Б
MPSUOi	КТ807Б	ОСЮ74	МП20А
ТРАНЗИСТОРЫ
155
Приложение 3.2
Транзистор	Аналог	Транзистор	Аналог
ОС 1075	МП41А, МП39Б	SFI36F	КТ342В
ОС 1076	МП42Б, МП20А	SF137D	КТ342А
ОС 1077	МП21Г	SF137E	КТ342Б
ОС 1079	МП20А	SF137F	КТ342В
PBCI07A	КТ373А	SF150B	КТ611Г
PBCI07B	1 КТ373Б	SF150C	КТ611Г
РВС108А	КТ373А	SF215C	КТ375Б, КТ373А
РВС108В	КТ373Б	SF215D	КТ373А
РВС108С	КТ373В	SF2I5E	КТ373Б
РВС 109В	КТ373Б	SF216C	КТ375А, КТ373Г
PBCI09C	КТ373В	SP216D	КТ373А
РТ6670	КТ9О9Г	SF216E	КТ373Б
РТ668О	КТ9О9В	SF240	КТ339АМ
RFD401	КТ606Б	SFTI24	KT50IE
RFD4I0	KT9I3A	SFTI25	KT50IE
RFD420	КТ913Б	SFT130	KT50IE
RFO421	КТ904А	SFTI31	КТ501Е
SC206D	КТ373А	SFT163 .	П423
SC206E	' КТ373Б	•SFT187	КТ6О2А
SC206F	КТ373В	SFT212	ГТ7ОЗГ
SC2O7D	КТ373А	SFT213	ГТ7ОЗГ
SC2O7E	КТ373Б	SFT214	П217
SC2O7F	КТ373Б	SFT223	МП20Б
SDT3207	КТ9О8Б	SFT238	П216
SDT32O8	КТ908А	SFT239	П217
SDT70L2	КТ908Б	SFT240	П217
SDT7O13	КТ908А	SFT25O	П217, ГТ702А
SE5O35	КТ339А	SFT251	МП 20А, МП39Б
SF21	КТ617А	SFT252	МП20А, МП39Б
SF22	KT6I7A	SFT253	МП20А, МП39Б
SF23	КТ608А	SFT306	МП39Б
SFI2IA	КТ617А	SFT3O7	КТ208В
SF12IB	КТ617В	SFT308	КТ208В
SF122A	КТ617А	SFT316	П422
SF122B	KT6I7A	SFT319	П416
SFI23A	КТ602В	SFT320	П416
SF123B	КТ602Г	SFT321	МП20А
SF123C	КТ602Г	SFT322	МП20Б
SF126A	КТ617А	SFT323	МП20Б
SF126B	KT6I7A	SFT325	ГГ4О2И
SF126C	КТ617А	SFT351	МП39Б
SFI3IE	КТЗ102В	SFT352	МП39Б
SF13IF	КТЗ102Г	SFT353	МП39Б
SFI32E	КТЗЮ2Б	SFT354	П422
SF132F	КТ3102Г	SFT357	П422	*
SF136D'	КТ342А	SFT358	П423
SF136E	КТ342Б	SFT377	ГТ404Ж
156
ТРАНЗИСТОРЫ
П р ило же ние 3.2
Транзистор	Аналог	Транзистор	Аналог •
SS1O6	КТ340В	TIP41C	КТ819Г
SS1O8	КТ340В	Т1Р61.	КТ815А
SS1O9	КТ340В	TIP6IA	КТ815Б
SSI2O	КТ608А	Т1Р61В	KT8I5B
SS125	КТ617А	Т1Р61С	КТ815Г
SS126	КТ6О8А	Т1Р62	KT8I4A
SS2I6	КТ375Б,1 КТ340Г	TlР62А	'	।	КТ814Б
SS218	КТ375Б, КТ340Г	Т1Р62В	КТ814В
SS219	КТ375Б, КТ340Г	Т1Р62С	КТ814Г
T321N	МП38, МП37А	TIPI46	КТ825Г
T322N	МП37Б	Т1ХМ101	ГТ341А
T323N	МП38А	Т1ХМЮЗ	ГТ362А
, Т354Н	П403, П416А	TIXMI04	ГТ341В
Т357Н	П403А	Т1X3024	ГТ341Б
Т358Н	П403	ZT2475	КТ316Б
ТСН98	КТ208Е	2SA49	ГГ109Е
ТСН98В	КТ501К	2SA50	ПЗО
ТСН99	КТ208К	2SA52	ГТ109Е
ТСН99В	КТ501М	2SA53	ТТ109Д
TG2	МГТ108А	2SA58	ГТ322Б
TG3A	МГТ108В	2SA60	ГТ322Б
TG3F	МГТ108Г	2SA69	ГТЗО9Е
TG4	МГТ108А	2SA7O	1Л309Е
TG5	ГТ115Б	2SA71	ГТ309Е
TG5E	ГТ115А, П27	2SA72	ГТ322В
TG50	МП20А	2SA73	ГТ322В
TG5I	МП21Г	2SA78	ГТ321Д
TG52	МП20А	2SA92	ГТ322Б
TG53	МП20А	2SA93	ГТ322В
TG55	МП20А	2SAI01	ГТ322В
Т1Р29	KT8I5A	2SAI02	ГТ322В
TIP29A	КТ815Б	2SAI03	ГТ322В
Т1Р29В	КТ815В	2SAI04	ГТ322Б
Т1Р29С	КТ815Г	2SAI05	ГТ310Е
Т1РЗО	КТ814А	2SA106	ГТ310Е
tipsob	КТ814В	2SA107	ГТЗ 1 ОД
T1P3I	КТ817А	2SAIO8	П422
TIP31A	КТ817Б	2SA109	П422
Т1Р31В	КТ817В	2SAI 10	П422
TIP31C	КТ817Г	2SA111	П422
Т1Р32	КТ816А	2SAI12	П422
TIP32A	КТ816Б	2SAI16	ГТЗ 10В
TIP32B	КТ816В	2SA1L7	ГТЗ 1 од
Т1Р32С	КТ816Г	2SAII8	ГТЗ! ОД
Т1Р4Т	КТ819А	2SA219	ГТ322В
T1P4IA	КТ819Б	2SA22I	ГТ322Б
TJP4IB	КТ819В	2SA223	1Т322В
ТРАНЗИСТОРЫ
157
Приложение 3.2
Транзистор	Аналог	1 Транзистор	Аналог
2SA229	ГТ313А	2SA495	КТ357Г
2SA23O	ГТ313А	2SA496	КТ639Б
2SA234	ГТЗО9Б	2SA5OO	КТ352А
2SA235	ГТЗО9Б	2SA5O4	КТ933А
2SA236	ГГ322В	2SA5O5	КТ639Д
2SA237	ГТ322В	2SA522	КТ326Б
2SA246 ,	ГТЗО5В	2SA555	КТ361Г
2SA254	ГТ1О9Е	2SA556	КТ361Е
2SA255	ГТ1О9Д •	2SA559	КТ352А
2SA256	ГТ322Б	2SA561	КТ31О7Б
2SA257	ГТ322В	2SA564	КТЗ КПД, КТ3107К
2SA258	ГГ322В	2SA564A	КТ3107И
2SA259	ГГ322В	2SA568	КТ345В
2SA260	ГТ31ОА	2SA603	КТЗ 1 ЗБ
2SA266	ГТЗО9Г	2SA628	КТ357Г
2SA267	ГТЗО9Г	2SA64O	КТ31О7К, КТЗ ЮТИ
2SA268	ГТЗО9Д	2SA641	КТ3107Л
2SA269	ГТЗО9Д	2SA671	КТ816Б
2SA27O	ГТЗО9Г	2SA712	КТ632А
2SA27I	ГТ309Г	2SA718	КТЗ1 ЗБ
2SA272	ГТЗО9А	2SA719	КТ35ОА
2SA279	П416Б, ГГЗО5Б	2SA733	КТ3107И
2SA285	ГТ322Б	2SA75O	КТ3107К
2SA286	ГТ322Б	2SA999	КТЗ юти
2SA287	ГТ322Б	2SA999L	КТЗ 107 И
2SA32I	ГТ322В	2SA1O15	КТ31О7Б
2SA322	ГГ322В	2SA1O9O	КТЗ 1 ЗБ
2SA338	ГТ322В	2SB32	МП39А
2SA339	ГГ322Б	2SB33	МП41А
2SA340	ГТ322Б	2SB37	МП41А
2SA34I	ГГ322Б	2SB39	ГТ115А
2SA342	ГТ322Б	2SB40	МП42Б
2SA343	ГТЗО9Б	2SB47	МГТ108Д, МГТ108Г
2SA35O	П422	2SB54	МГТ108Д, МГТ108Г
2SA351	П422	2SB57	МГТ108Б
2SA352	П42.2	2SB6O	МП41А
2SA354	П422	2SB61	МП41А
2SA355	П422	2SB9O	ГТ109Г
2SA374	П609А	2SB97	ГТ109В
2SA400	ГГЗО9Г	2SB120	МП41А
2SA412	ГТЗО8Б	2SBI3O	П201А
2SA416	П605А	2SB136	МП25А, МП20Б .
2SA422	ГГ346Б	2SB136A	МП25А, МП20Б
2SA440	ГТ313А	2SB17O	МП39А, МП40А
2SA467	КТ351Б	2SB171	МП40А
2SA473	КТ639А	2SB172	МП20А, МП25Б
2SA494	КТ349В	2SB173	МП39А
158
ТРАНЗИСТОРЫ
Приложение 3.2
Транзистор	Аналог	Транзистор	Аналог
2SB175	МП41А	2SC68	КТ340В
2SBI76	МП25Б, МП20Б	2SC10J А	КТ902А
2SB18OA	П201 А	2SC105	КТЗ12Б
2SB181А	П202	2SC109A	КТ928Б
2SB200	МП25Б, МП20А	2SCJ3J	КТ616Б
2SB201	МП25Б, МП20А	2SCI32	КГ616Б
2SB261	ГТ115А	2SC133	КТ616Б
2SB262	ГТ1 15В	2SC134	КТ616А. КТ342А
2SB263	МП25Б	2SC135	КТ616А
2SB3O2	ГТ109Е	2SC137	КТ616Б
2SB3O3	m 15Г	2SC170	КТ306Д
2SB335	МП'108В	2SC171	КТЗО6Д
2SB336	МГТ108В	2SC172	КТ306Д
2SB361	ГТ806А	2SC188	КТ617А
2SB362	ГТ8О6Б	2SC247	КТ602Г
2SB367	П201А	2SC249	КТ602Б
2SB368	П201 А	2SC253	КТЗ25А
2SB400	МГТ1О8Г	2SC281	КТЗ 12В
2SB434	КТ837Р	2SC282	КТЗ 12 В
2SB434G	КТ837Р	2SC306	КТ630Д
2SB435	КТ837У	2SC307	КТ630Г
2SB435G ’	КТ837Р	2SC308	КТ630Г
2SB439	МП41А. МГ139Б	2SC309	КТ630А
2SB440	МП41А. МП39Б	2SC3 10	КТ630В
2SB443A	МГТ108Г	2SC366G	КТ645 А
2SB443B	МГТ108Г	2SC367	КТ645А
2SB444A	МГТ1О8Г	2SC370	КТ375Б
2SB444B	МГТ108Г	2SC371	КТ375Б
2SB448	П201 А	2SC372	КТ375Б
2SB456	П202	2SC390	КТ368А
2SB466	П201 А	2SC395A	КТ616А
2SB467	11202	2SC400	ктзобв
2SB468.	ГТ810А	2SC401	КТ358В .
2SB473	П201А	2SC402	КТ358В
2SB48!	П201А	2SC403	КТ358Б
2SB497	МГТ108Б	2SC404	КТ358В
2SB558	КТ818 ГМ	2SC481	КТ630Д
2SC33	КТЗ122Б	2SC482	, КТ617А
2SC4O	КТ316Г	ъ 2SC493	КТ8ОЗА
2SC4J	КТ802А	2SC497	КТ630Б
2SC42	КТ8О2А	2SC498	КТ630Б
2SC43	КТ8О2А *	2SC5O3	КТ630Г
2SC44	КТ803А -	2SC5O4	КТ630Г
2SC64	КТ601А	2SC5O5	КТ618А
2SC65	КТ6 ив	2SC506	КТ611Б
2SC66	КТ611Г	2SC507	КТ632А
2SC67	КТ340В	2SC508	КТ802А
ТРАНЗИСТОРЫ
159
Приложение 3.2
Транзистор	Аналог	Транзистор	Аналог
2SC5I0	КТ630В	2SC850	КТ209М, КТ501М
2SC51 2	КТ630Г	2SC853	КТ2О9М
2SC517	КТ903А	2SC893	П701А
2SC519A	КТ802А	2SC900	КТ3102Г
2SC520A	КТ802А ,	2SC923	КТ3102Г
2SC521А	КТ8ОЗА	2SC936	КТ826А
2SC525	П701А	2SC945	КТ3102Д
2SC526	КТ611Б	2SC959	КТ63ОБ
2SC538	КТ31О2Г	2SC976	КТ9ИГ
2SC538A	КТ31О2Б	2SC977	KT9I3A
2SC543	КТ907Б	2SC978	КТ913Б
2SC549	КТ904Б	2SC988B	КТ399А
2SC553	КТ907Б	2SC1000QTM	КТ31О2Б
2SC563	КТ339Г	2SC1008	КТ630Д
2SC583	КТ368Б	2SCI008A	КТ63ОБ
2SC589	КТ611Б	2SC1044	КТ355А
2SC598	КТ904А	2SC1056	КТ6О5Б
2SC6O1	КТЗО6Б	2SC106IK	КТ817Б
2SC612	КТЗ 25В	2SC1O9O	КТ372А
2SC618	КТ325А	2SC1 129	КТ339А
2SC618A	КТ325А	- 2SCU72	КТ839А
2SC62O	КТ375А	2SC1172А	КТ839А
2SC633	КТ315Б	2SC1172В	КТ839А
2SC634	КТЗ15Г	2SCJ 173	КТ943А
2SC635	КТ904Б	2SC12J0	КТ645А
2SC641	КТ315Г	2SC12J 1	КТ645А
2SC642	КТ904А	2SC1317	КТ645А
2SC68O	КТ802А	2SC1 406	КТ646А
2SC691	КТ904А	2SCI440	КТ945А
2SC712	КТ375Б	2SC1504	КТ809А
2SC722	КТ339АМ	2SCI550	КТ940Б
2SC727	ПЗО7Б	2SC1566	КТ940Б
2SC728	КТ618А. КТ940Б	2SC1569	КТ940Б
2SC752TM	КТ645А	2SC1576	КТ81 2А, КТ828Б
2SC776	КТ646А	2SCI617	КТ812Б
2SC779	KTSO9A	2SC1618	КТ808А
2SC788	КТЫ8А	2SC1619	КТ8О8А
2SC790	КТ817Б	2SC1619A	КТ808А
2SC793	КТ8ОЗА	2SCJ624	КТ943В
2SC796	КТ603А	2SC1625	КТ943В
2SC8O9	КТ325Б	2SC1815	КТ3102Б
2SC815	КТ645А	2SC1846	КТ645А
2SC825	КТ8О9А	2SC1X94	КТ839А
2SC828	КТЗ102В	2SC1895	КТ839А
2SC828A.	КТЗ102Б	2SCI896	• КТ839А
2SC829	КТ358Б	2SC1983	КТ817Г
2SC848	КТ342Б. КТЗ 102А	2SC2001	КТ645А
160
ТРАНЗИСТОРЫ
П риложе ние 3.2
Транзистор	Аналог	Транзистор	Аналог
2SC2O68	КТ940А	4NU72	ГТ403Б
2SC212L	КТ828А	5NU72	ГТ403Е
2SC2137	КТ812А, КТ828Б	2NU73	ГТ7ОЗБ
2SC2138	KT8I2A	3NL73	ГТ703Г
2SC2258	КТ940Б	4NU73	ГТ7ОЗД
2SC2314	КТ646А	5NU73	П213
2SC2431	К‘Г945А	6NU73	П215
2SC26I 1	КТ604Б.М	7NU73	П215
2SD31	МП35	101N70	МП35
2SD32	МПЗ 8 А	1O2N7O	МП35
2SD33	МП38А	103N70	МП37
2SD37	МП37А	104N70	МП36А
2SD47	КТ908А	105N70	МП36А
2SD68	КТ902А	106N70	МП36А, МП37А
2SD72	ГТ404И	107N70	МП36А, МП38А
2SD75	МП38, МП36А	152N70	МП36А, МП38
2SD75A	МП37А, МП36А	153N7O	МП36А
2SD127	ГТ404Е	154N70	МП38
2SD128	ГГ404И	155N7O	МП38А
2SDI28A	ГТ404И	2NU74	ГТ701А, П21ОА
2SDL46	П7О2А	3NU74	ГТ7О1 А, П210А
2SDI47	П702	4NU74	ГТ7О1А, П21ОА
2SDL48	П7О2	5NV74	ГТ7О1А, П21ОА
2SD177	КТ819ГМ	6NL74	П210Б, ГТ7О1А
2SD195	МП38А	7NU74	П21ОБ, ГТ7О1А
2SD2O1	КТ8О8А	2N43.	МП25Б
2SD202	КТ8О8А	2N44	МП25Б
2SD203	КТ8О8А	2N44A	МП40А
2SD234	KT8I7B	2N45	МП40А
2SD235	КТ817Б	2N45A	МП40А
2SD292	КТ817В	2N59	МП20А, МП20Б
2SD438	КТ63ОБ	2N59A	МП20А, МП20Б
2SD526	КТ817Г	2N59B	МП21Д
2SD640	КТ828Б	2N59C	МП21Д
2SD668	KT6I 1БМ	2N60	МП20Б
2SD668A	КТ611БМ •	2N60A	МП21В
2SD675A	КТ945А	2N60B	МП21Д
2SD820	КТ839А	2N60C	-МП21Г
2SD821	КТ839А	2N6!	МП20А
2SD822	КТ839А	2N61A	МП 20В
2SD88O '	КТ817В	- 2N6IB	МП21Д
2Т3531	ПЗО8, КТ602А	2N6IC	МП21Г
2Т3674	КТ355А	2N65	МП20А
2T384I	КТ343А	2N77	ГТ 109 Б
2NU72	КТ4ОЗБ	2N94	МП38
3NU72	ГТ4ОЗБ	2NI04	МП40А
ТРАНЗИСТОРЫ
161
Приложен и е 3.2
Транзистор	Аналог	Транзистор	Аналог
24105	ГТ109Б	24 502А	ГТ313А
24107	ГТ 115А	24502В	ГТ313А
24109	МП20Б	24503	ГТ310Б
24123	МП42Б	24506	ГТ1 15Б
24128	ГТ310Д	24535А	ГТ115В
24130	МГТ108А	24535В	ГГ115В
24131	МГТ108Б	24536	ГТ115Г
24131А	МГТ108Б	24554	11216В
24132	МГТ108В	24555	П216В
24132А	МГГ108В	24560	.	П307В
24133	МГТ108Б	24581	МП 42 А
24139	1Т109Е	24591	ГТ115Г
24175	П27	24602	П416
2NI7S	П216Б	24603	П416
2NI86A	МП25Б. МП20А	24604	П416А
24189	МП25А	24653	МП 20 А
24190	МП 25 А	24654	МП20А
24191	МП25Б	24655	МП20Б
24193	МП38	24696 '	КТ630Д
24206	МГТ108А	24697	КТ630Д
24207	МГТ108Г	24698	КТ630А
24207А	мт 081	, 24699	КТ630А
24207В	МГТ108Г	24700	ГТ313Б. ГТ376А
2N215	МП40А	24700А	ГТ376А
24218	ГТ109Е	24702	КТЗ12А
24220	1I27A	24703	КТЗ 12В
2N237	МП40А	24705	ГТ320В
24 265	МГТ108Г	24706	КТ340В
2N273	МП39А	24708	КТ340В
24283	МП40А	2N709	КТ316Б 1
24326	ГТ705В	2N709A	КТ316Б
2N33I	МП39Б	2N710	ГТ320В
24368	МП40А	2N711	ГТ320В .
24369	МП41А	2N7IIA	ГТ320Б
24404	МД42Б	2N711В	ГТ320Б
2N405	МП39А	24726	КТ349А
24406	МП39А	24727	КТ349Б
2N444	.МП35	24728	КТЗ 12В
24444А	МП35	24729 '	КТ312Б
24445	МП38	2N734	ПЗО7. КТ601А
24445А	М.П37	24735	П307А. КТ601А
24456	П210В	24735А	КТ601А, П307А
24457	П210Б	24738	П309
24458	П-21 ОБ	2N739	ПЗО8
2.4499А	ГТ305А	2N74I	ГТ313В
24501	ГТЗО5А/	24741А	ГТ313А
6. Зак. 4694
162
ТРАНЗИСТОРЫ
П р и л о ж е н и е 3 2
Транзистор	Аналог'	Транзистор	Аналог
2N743	КТ340В	2N 1 204	ГГ321Г
2N744	КТ340В	2N 1204А	ГТ321Г
2N753	КТ340Б	-2N1218	ГТ7О5Г
2N754	ПЗО7В	2N1219	КТ104Г
2N755	11308	2N 1220	КТ 104 А
2N78O	КТЗ12Б	2N1221	КТ104Г
2N784A	КТ340В	2N1222	КТ104А
2N794	ГТЗО8А	. 2N1223	КТ104А
2N795	ГТЗО8А	2N1292	ГТ705В
2N796	ГТЗО8Б	2N1300	П'308А
2N797	ГТЗ11И	2N1301	ГТЗО8А
2N834	КТ340В	2N13O3	МП20А
2N835	КТ340В	2N1321	ПГ705В
2N842	К1301Д	2N1329	ГТ7О5В
2 N 8'43	КТ301В, КТ301Ж	2N1353	МП42А
2N844	ПЗО7В KT60IA	2N1354	МП42Б
2N845	ПЗО8, КТ601А	2N 1 384	ГГ321Д
2N869	КГ352А	2N1387	КТ301Б
2N869A	КТ347А	2N139O	КТ301Д
2N914	КТ616Б	2N1413	МП39Б, МП20А
2N915	КТ342Г	2N1414	МП39Б, MII20A
2N916	КТ342А	2NI415	МП39Б. МП20А
2N9 1 7	КТ368Б	2N1420	КТ630Е
2N91 8	КТ368Л	2N1494	ГТ321Г
2N919	КТ340В	2NI494A	ГГ321Г
2N920	КТ340В	2N1499A	ГГ305А
2N923-	КТ2ОЗБ	2N1499В	ГТ305Б
2N924	КТ203Б	2N1500	ГТЗО5Г
2N929	КТ342А	2N1507	КТ63ОЕ
2N930	КТ342А	2N1524	П422
2N943	КТ2ОЗБ	2NI526	П422
2N944	КТ2ОЗБ	2N1565	КТ601А
2N955	ггзии	2N1566	ПЗО7Б, КТ602Г
2N955A	ГТ31 1И	2N1566A	КТ602Б
2N978	КТ350А	2NI572	ПЗО9
2N979	ГТЗО5А	2N1573	ПЗО8
2N980	ГТ305А	2N1574	ПЗО8
2N987	ГТ322Б	2N1585	ГГ311Ж
2N990	ГТ322В	2N1613	КТ630Г
2N991 z	ГТ322В	2N1643	КТ 104 А
2N993	ГТ322В	2N1681	МП42Б
2N995	КТ352А	2N 1 683	ГТЗО8Б
2N996	•	КТ352А	2N1700	КТ801Б
2N1024	КТ104Б	2N1701	J17O2,
2N1027	КТ104Б	2N1702	КТ8ОЗА
2N1028	КТ 104 А	2N171I	КТ63ОЕ, КТ63ОГ
2N1175	МП20Б	2N1714	П701А
ТРАНЗИСТОРЫ
163
П р и л о ж е н и е 3.2
Транзистор	Аналог	Транзистор	Аналог
2NI716	П701А	2N2195	ктбзод
2N1726	П417А	2N2199	ГТЗО5А
2NI727	П417	2N2200	КТ305Б
214 1728	П417А	2N2217	КТ928А
’ 2N1742	ГТЗ 1 ЗБ	2N2218	КТ928Б
2NI743	ГТЗ I ЗА	2N2218A	КТ928Б
2N1745	ГТ305Б	2N2219	КТ928Б
2N1746	П417	2N2219A	КТ928Б
2N1747	П417	2N222I	КТ3117А
2N 1748	ГТЗО5В	2N2221A	КТЗ! 17А
2N1752	П417	2N2222	КТ31 17А
2N1754	ГТ305А	2142224	КТ608-Б
2N1785	П417А	2N2236	КТ617А
2N1786	П417	2 N2237	КТ603Б, КТ608Б
2N1787	П417	2N2242	КТ340В
2N1838	КТ617А	2N2243	КТ63ОА
2N1839	КТ617А	214 2243А	КТ630А
2141840	КТ617А	2N2270	КТ630Д
2N1854	1Т308Б	2N2273	ГТ305Б
2N I 864	П417	2N2274	КТ2ОЗБ
214 1865	П417Б	2N2275	КТ2ОЗБ
2N1889	КТ630Г	2N2276	КТ203В
2N 1890	КТ630Б	2142277	КТ2ОЗВ
2N 1893	КТ630А	2N2297	КТ63ОГ
2N1924	МП21Г	2N236O	ГТ376А
2NI925	МП21Г	2142361	ГТ376А
2NI926 .	МП21Д	2142372	КТ201В
*	2N1958	КТ608А	2N2373	КТ201В
2N1959	КТ608Б	2142400	ГТ308Б
2N2020	КТ3117А	2N2405	КТ63ОБ
2N2O48	ГТЗО8Б	2N2410	КТ928А
214 2048 А	ГТЗО8Б	2N2411	КТ352А
2N2089	П403. П416А	2N2412	КТ352А
2142102	КТ630А	2N2415	ГТ376А
2N21O2A	КТ630А	2142416	ГТ376А
2N2137A	ГТ701А	2142428	МП41А
2N2I38A	ГТ701А	2N2432	КТ201Б
2N2142A	ГТ701А	214 2432А	КТ201Б
2N2143	ГТ701А	2N2475	КТ316Б
2N2147	ГТ905А	2N2482	ГТ311И
2142148	ГТ905Б	2N2537	КТ928Б
2142192	КТ63ОЕ	2N2538	КТ928Б
• 2N2192A	КТ63ОЕ	2N2539	КТ3117А
2N2193	КТ630Г	2N2615	КТ325А
2N2I93A	КТ630Г	2N2616	КТ325Б
2142194	КТ630Д	2N2617	КТ201А
2N2194A	КТ630Д	2N2635	ГТ320В
6*
164
ТРАНЗИСТОРЫ
Приложение 3.2
Транзистор	Аналог	Транзистор	Аналог
2N2659	П214А	2N3249	КТ345Б
2N2660	П2+15	2N3250	КТ3132Б
2N2661	П-215	2N3250A	КТЗ 1 ЗБ
242665	П214А	2N3267	ГТ376А
2N2666	П214А	2N3279	ГТ328А
2N2667	П215	2N3280	ГТ328А
2N2696	КТ351А	2N3281	ГТ328Б
2N2708	КТ325Б	2N3282	ГТ328В
2N271I	КТ315Ж	2N3283	ГТ328А
2N2712	КТ315Б	2N3284	ГТ328Б
2N2784	КТ316Б	2N3286	ГТ328Б
2N28I1	'КТ908Б	2N3299	КТ608Б
2N2813	КТ908А	2N3301	КТ3117А
•2N2835	П213	243304	КТЭ37А
2N2836	ГТ703Д	2N3375	КТ904А
2N2868	ктбзод	2N339O	КТ373В
2N2890	КТ801А	2N3391	КТ373Б
2N2891	КТ801А	2N3392	КТ373А
2N2894	КТ347Б	2N3393	КТ37ЭА
2N2906	КТЗ 1 ЗА	2N3394	КТ373Г
2N2906A	КТ313А	2N3397	КТ315Е
2N2907	КТЗ1 ЗБ	 2N3399	ГТ346Б
2N2907A	КТЗ 1 ЗБ	2N3440	КТ604Б
2N2947	КТ903А	2N3441	КТ805А
2N2948	КТ903А	2N3442	КТ945А
2N2958	КТ608Б	2N3451	КТ337А
2N2999	ГТ341В	2N3545	КТ343Б
2N3010	КТ316Б	2N3546	КТ363А
2N3O12	КТ347Б	2N3576	КТ347А
2N3015	КТ928А	2N3584	КТ809А
2N3019	КТ630В	2N3585	КТ704А, КТ704Б
2N3O2O	ктбзов	2N3600	КТ368А
2N3053	КТ630Д, КТ608Б	2N36O5	КТ375Б
2N3054	КТ8О5Б	2*43606	КТ375Б
2N3054A	КТ803А	2N3607	КТ375Б
2N3055	КТ819ГМ	2N36I 1	ГТ701А
2N31O7	КТ630Б	2N3613	ГТ701А
2*43108	КТ63ОГ	2N3702	КТ345Б
2N31O9	КТ630Б	2N3704	КТ3117А, КТ928Б
2N3110	КТ63ОГ	2N3707	КТ3102А
2N31 14	КТ611Г	243709	КТ358А, КТ373А
2N3121	КТ351А	2N3710	КТ358В, КТ373А
2*43127	ГТ328А. ГТ376А	2N371 1	КТ373Б
2N3134	КТ646А	2N37I2	КТ61 1Г
2*43209	КТ347А	2N3716	КТ819ГМ
2N321O	КТ616Б	2N3722	КТ608Б
2*43248	KT35I А	2N3724	КТ608Б
ТРАНЗИСТОРЫ
165
Приложение 3.2
Транзистор	Аналог	Транзистор	Аналог
2N3730	. ГТ810А	2N4915	КТ8О8А
2N3732	ГТ905А	2N4922	КТ817Г
2N3733	КТ9О7А	2N4924	КТ611Г
2N3738	КТ809А	2N4925	КТ611Г
2N3739	КТ8О9А	2N4926	КТ604Б
2N3741	КТ816Б	2N4927	КТ604Б
2N3742	КТ604Б	2N4960	КТ928Б
2N3766	КТ8О5Б	2N4976	КТ911А
2N3767	КТ805Б	2N5043	ГТ329Б
2N3883	ГТ320Б	2N5044	ГТ329А
2N3903	КТ375А	2N5050	КТ802А
2N3904	КТ375А, КТ375Б	2N5O51	КТ802А
2N3905	КТ361Г	2N5052	КТ8О2А
2N3906	КТ361Г	2N5056	КТЭ47Б
2N4030	КТ93ЭБ	2N5O67	КТ803А
2N4031	КТ933А	2N5068	КТ803А
2N4034	КТ326Б, КТ347А	2N5069	КТ803А-
2N4036	КТ933А	2N5070	КТ912А
2N4037	КТ933Б	2N5090	КТ606А
2N4077 '	ГТ7О5Д	2N5177	КТ909А
2N4125	КТ361Б	2N5I78	КТ9О9Б
2N4127	КТ922Г	2N5188	КТ6ОЗБ
2N4128	КТ922Д	2N5209	КТ31О2Д
2N4138	КТ2О1Б	2N5210	КТ31О2Е
2N4207	КТ337Б	2N5219	КТ375Б
2N4208	КТ337Б	2N522I	KT35IA
2N4222	КПЗО2А	2N5223	КТ375Б
21N423 I	П702	2N5226	КТ350А
2N4232	П702	2N5228	КТ357А
2N4233	П702	2N5239	КТ812Б
2N4237	КТ801А	2N5240	КТ812А
2N4238	КТ8О1Б	2N5313	КТ908А
2N4239	КТ801А	2N5315	КТ9О8А
2N4240	КТ704А. КТ704Б	2N5317	КТ9О8А
2N4260	КТ363А	2N5319	КТ908А
2N426I	КТ363Б	2N5354	КТ351А
2N4301	КТ9О8А	2N5365	КТ351А
2N4314	КТ933А	2N5366	КТ351Б
2N4429	КТ911Б	2N5427	КТ8О8А
2N4430	КТ913А	2N5429	КТ8О8А
2N4431	КТ913Б	2N5447	КТ345Б
2N4440	КТ9О7Б	2N5481	КТ911А
2N4910	Г17О2А	2N5490	КТ819Б
2N49 I 1	П702	2N5492	КТ819Б
2N4912	П702	2N5494	КТ819В
2N4913	КТ8О8	2N5496	КТ819Г
2N4914	КТ8О8А	2N5641	КТ922Л
166
ТРАНЗИСТОРЫ
Приложение 3.2
Транзистор	Аналог	Транзистор	Аналог
2N5642	КТ922Б	2N6385	КТ827Б
2 N5643	КТ922В	2N6469	КТ818БМ
2N5652	КТ372В	2N6470	КТ819БМ
2N5681	КТ630Г	2N6471	КТ819ВМ
2N5682	КТ63ОА	2N6472	КТ819ГМ
- 2N5764	КТ913А	40675	КТ912Б
2N5765	КТ913Б		
2N5842	КТ355А		
2N5851	КТ355А		
2N5852	КТ355А		
2N5887	IT701A, П216		
2N5888	ГТ701А, П216		
2N5889	ГТ701А, П216		
2N5890	ГТ701А, П216Г		
•2N5891	ГТ701А, П217		
2N5995	КТ920Г		
2N5996	КТ920Г		
2N6077	КТ812Б		
2N6078	КТ812Б		
2N6079	КТ812А		
2N6080	КТ920Б		
2N6O81	КТ92ОГ		
2N6093	КТ912Б		
2N6099	КТ819В		
2N610I	КТ819Г		
2N6124	КТ-839Ф		
2N6125	КТ839С		
2N6126	КТ839Н		
2N6129	КТ819Б		
2N6130	КТ819В		
2N6131	КТ819Г		
2N6132	КТ818Б		
2N6133	КТ818В		
2N6134	КТ818Г		
2N6135	КТ610А		
2N6246	КТ8 1 8ВМ		
2N 6247	КТ818ГМ		
2N6248	КТ818ГМ		
2N6253	КТ819БМ		
2N6288	КТ819А		
2N6289	KT8I9A		
2N6290	КТ819В		
2N6291	КТ819В		
2N6292	КТ819Г		
2N6293	КТ819Г		
2N6371	КТ819БМ		
2N6383	КТ827В		
ТРАНЗИСТОРЫ
167
Приложение 3'3
Габаритные чертежи и цоколевка транзисторов
16«
ТРАНЗИС1ОРЫ
Приложение 3.3
ТРАНЗИСТОРЫ
169
Приложение 3.3
ТРАНЗИСТОРЫ
70
Приложение 3.3
ТРАНЗИСТОРЫ
171
172
ТРАНЗИСТОРЫ
Приложение 3.3
ТРАНЗИСТОРЫ
173
Приложение 3,3
?-Wh 5-П, 4-JJ. f л«Л».
»-мт. 1-CI. 8-П
174
ТРАНЗИСТОРЫ
МИКРОСХЕМЫ
175
РАЗДЕЛ ЧЕТВЕРТЫЙ
4.	МИКРОСХЕМЫ
Микросхема - это микроэлектронное изделие, выполняющее определенную
функцию преобразования, обработки сигнала и (или) накапливания информации и
имеющее высокую плотность упаковки электрически соединенных элементов и
кристаллов. Под плотностью упаковки понимается отношение числа элементов и
компонентов микросхемы, в том числе содержащихся в составе компонентов, к объему
микросхемы без учета объема выводов. Микросхемы являются основной элементной
базой современной радиоэлектронной аппаратуры - от сложнейших устройств
автоматического управления, связи, вычислительной техники, систем контроля, до
бытовых приборов (телевизоров, магнитофонов и др.). Внедрение микросхем в
различные радиолюбительские устройства позволяет уменьшить габаритные размеры,
массу, упростить разработку, повысить качество и надежность аппаратуры, уменьшить
потребление мощности от источников питания
В зависимости от технологии изготовления микросхемы делятся на:
полупроводниковые, пленочные и гибридные
Полупроводниковая микросхема - это микросхема, все элементы и межэлементные
соединения которой выполнены в объеме и на поверхности полупроводника.
Пленочная микросхема - это микросхема, все элементы и межэлементные
соединения которой выполнены в виде пленок. Вариантами технического исполнения
пленочных микросхем являются: тонкопленочные - толщина пленки до 1 мкм, все
элементы нанесены на подложку с помощью термовакуумного осаждения и катодного
распыления; .толстопленочные - толщина пленки более 1 мкм, элементы МС
изготовлены преимущественно методом шелкографии с последующим вжиганием.
Гибридная микросхема - микросхема, содержащая кроме элементов простые и
сложные компоненты .(например, кристаллы микросхемы полупроводниковых
микросхем). Одним из видов гибридной микросхемы является многокристальная
микросхема.
По степени интеграции микросхемы характеризуются числом содержащихся в них
элементов и компонентов. Интегральной схемой 1-й степени интеграции является
микросхема, содержащая от 1 до 10 элементов и компонентов включительно
Микросхемы (2,..6)-й степеней интеграции содержат соответственно И...100,
101...1000, 1001...10000, 10001...100000, 100001 ...1000000 элементов и компонентов.
Микросхема, содержащая 500 и более элементов, изготовленных по биполярной
технологии, 1000 и более элементов, изготовленных по МДП-технологии, называется
большой интегральной схемой (БИС).
В зависимости от функционального назначения интегральные микросхемы делятся
на цифровые и аналоговые.
Цифровая микросхема - это микросхема, преобразующая и обрабатывающая
сигналы, изменяющиеся по закону дискретной функции. Частным случаем цифровых
микросхем является логическая микросхема, выполняющая операции с двоичным кодом,
которые'описываются логической алгеброй.
Условное обозначение микросхем состоит из четырех элементов (1533JIA3,
555ТМ8). Первый элемент - цифра, указывающая на конструктивно-технологическое
исполнение: 1, 5, 6, 7 - полупроводниковые; 2, 4, 8 - гибридные; 3 - прочие
микросхемы.* Второй элемент - две-три цифры, обозначающие порядковый номер
разработки данной серии микросхем. Номер серии образуется цифрами первого и
второго элементов.
176
МИКРОСХЕМЫ
Третий элемент - две буквы, обозначающие функциональную классификацию
микросхемы, при этом первая буква обозначает подгруппу, а вторая - вид микросхемы.
Четвертый элемент - порядковый номер разработки по функциональному признаку
микросхемы. Эч^гг номер может состоять из одной или нескольких цифр.
Для микросхем широкого применения в начале условного обозначения указывается
буква ”К", например К555ТМ8. В конце условного обозначения микросхемы может быть
буквенный индекс (от А до Я), характеризующий отличие микросхемы данного типа по
численному значению одного или нескольких параметров, например К140УД8А
отличается от К140УД8Б. Микросхемы с шагом выводов корпуса 2,54 мм или 1,27 мм,
предназначенные для экспорта, имеют в условном обозначении перед буквой ”К” букву
”Э”.
Корпуса микросхем выполняют ряд' функций, основные из которых следующие’
защита микросхемы от климатических и механических воздействий; для соединения ее
с внешними электрическими цепями с помощью выводов; экранирование от помех;
унификация по габаритным и установочным размерам. Конструкция корпусов во
многом определяет надежность микросхем, плотность монтажа аппаратуры и
технологичность ее изготовления.
По конструктивно-технологическому признаку различают корпуса:
металлостеклянные, металле пол и мерные, металлокерамические, керамические,
пластмассовые. Каждый вид корпуса характеризуется габаритными и
присоединительными размерами, числом выводов и расположением их относительно
плоскости основания корпуса. Выводы микросхем могут лежать в плоскости основания
корпуса (планарные выводы) или быть перпендикулярными ему (штыревые выводы).
Планарные выводы по сечению, как правило, прямоугольные, штыревые - круглые или
п рямоугол ьные.
В соответствии с ГОСТ 17467-79 приняты пять типов корпусов:
Тип 1 - прямоугольный с выводами, перпендикулярными плоскости основания и
расположенными в пределах проекции тела корпуса на плоскость основания;
Тип 2 - прямоугольный с выводами, перпендикулярными плоскости основания
корпуса и выходящими за пределы проекции тела корпуса на плоскость основания (тип
ДИП);	,
Тип 3 - круглый с выводами, перпендикулярными основанию корпуса и
расположенными в пределах проекции тела корпуса на плоскость основания;
Тип 4 - прямоугольный с выводами, расположенными параллельно плоскости
основания и выходящими за пределы проекции его тела на плоскость основания;
Тип 5 - прямоугольный плоский ’’безвыводныи корпус”, электрическое соединение
микросхемы, размещенной в таком корпусе, осуществляется с помощью
металлизированных контактных площадок по периметру корпуса. _
По габаритным и присоединительным размерам сходные по конструкции корпуса
подразделяются на типоразмеры.
Шаг выводов для корпусов 1-го и 2-го типов - 2,5 мм (для подтипа 22 - 1,25 и 2,5
мм); для корпусов 3-го типа - 360°/^; типа 4 - 1,25 и 0,625 мм; типа 5 - 1,25 мм
Выводы могут иметь сечение круглой, квадратной или прямоугольной формы.
Условное обозначение корпуса состоит из шифра типоразмера микросхемы,
включающего подтип корпуса и двузначное число, обозначающее порядковый номер
типоразмера, цифрового Индекса, определяющего действительное число выводов и
порядкового регистрационного номера Например, корпус 2106.16-2	- это
прямоугольный корпус подтипа 21, порядковый номер типоразмера 06, с 16 выводами,
регистрационный номер два
Нумерация выводов микросхемы на поверхности корпуса нс наносится. Для
определения номера вывода пользуются известным правилом отсчета выводов На
корпусе имеется ключ в виде ,вывода специальной формы или маркировочной метки.
МИКРОСХЕМЫ	'	t 177
обозначающей вывод с номером один. Отсчет остальных выводов производят от первого
вывода против часовой стрелки, если смотреть на микросхему со стороны крышки
корпуса.
Корпуса микросхем, разработанные до 1980 года и широко применяющиеся* в
настоящее время имеют условное обозначение по ГОСТ 17467-72. Пример прежнего
обозначения корпуса: 421.48-1. Цифровой индекс 421 - шифр типоразмера корпуса;
первая цифра 4 уквзывает на тип корпуса, две другие цифры - 21 указывают на
порядковый номер типоразмера. Второй элемент - цифровой индекс 48 - указывает на
число выводов. Третий элемент - цифровой индекс 1 - указывает порядковый
регистрационный номер разработки корпуса.
Для надежной работы аппаратуры, смонтированной с использованием микросхем,
необходимо строгое соблюдение требований по установке, монтажу и пайке микросхем.
Микросхемы необходимо устанавливать на печатных платах на возможно большем
удалении от компонентов аппаратуры, выделяющих большое количество тепла, вне
магнитных полей постоянных магнитов, трансформаторов и дросселей. Между
корпусом микросхемы и монтажной платой должен быть зазор: для микросхем в
корпусах со штырьковыми выводами - 1 мм; с планарными выводами - не менее 0,5 мм;
микросхему в круглом корпусе необходимо устанавливать на печатную плату с зазором
не менее 3,5 мм.
Перед установкой микросхемы на печатную плату необходимо произвести
формовку (изгибание) и обрезку выводов микросхемы. Формовку и обжатие выводов
следует производить с помощью монтажного инструмента, исключая механические
нагрузки на месте крепления выводов к корпусу. Радиус изгиба вывода должен быть не
менее двойной толщины (диаметра) вывода, а расстояние от корпуса до центра
окружности - не менее 1 мм. Длина выводов после формовки и обрезки при толщине
печатной платы 1 мм должна быть 5,4 мм, а при увеличении толщины платы на 0,5; 1
и т.д. длина вывода должна увеличиваться на то же значение.
Большинство микросхем не терпят нагревания, поэтому при пайке их выводов
используют припои ПОСВ-33, ПОСК-50 и ПОС-61 с пониженной температурой
плавления (130... 182°С) с применением спиртоканифольного флюса. Паяльник для
монтажа и демонтажа микросхемы должен иметь мощность не более 40 Вт и
пониженное напряжение питания (12..36 В). Целесообразно снабдить паяльник набором
сменных жал различных размеров и форм. Время касания паяльника к каждому выводу -
не более 3 с, минимальное расстояние от тела корпуса микросхемы до границы припоя
по длине вывода - 1 мм, а интервал времени между пайками соседних выводов - не
менее 3 с. Жало паяльника должно быть заземлено (переходное сопротивление
заземления не более 5 Ом). Для того, чтобы уменьшить вероятность перегрева
микросхемы, не следует паять подряд выводы, расположенные рядом. Один из
рекомендуемых вариантов последовательности пайки четырнадцативыводной
микросхемы таков: 10-14-3-9-13-4-8-12-5-1-11-6-2-7.
4.1.	Цифровые микросхемы
Цифровые микросхемы включают в себя логические и арифметические устройства,
триггеры, запоминающие , устройства и микропроцессорные комплекты. В основу
классификации цифровых микросхем положены следующие признаки: вид компонентов
логической схемы (биполярные, униполярные), способ соединения полупроводниковых
приборов в логическую схему и вид связи между логическими схемами.
По этим трем признакам логические микросхемы можно классифицировать
следующим образом: РТЛ-схемы, входная логика которых осуществляется на
резисторных цепях; РЕТЛ-схемы с резисторно-емкостными связями; ДТЛ-схемы,
входная логика которых осуществляется на диодах; ТТЛ и ТТЛШ-схемы, входная логика
178
МИКРОСХЕМЫ
которых выполняется многоэмиттерным транзистором; ЭСЛ-схемы со связанными
эмиттерами; НСТЛМ-схемы с непосредственными связями на МОП-структурах; И^Л-
схемы с совмещенными транзисторами (интегрально-инжекционные логические).
В настоящее время наиболее широко используются микросхемы серий ТТЛ, ТТЛШ
и КМОП типов. Основным преимуществом для ТТЛ и ТТЛШ серий является высокое
быстродействие, а для КМОП серий - малая потребляемая мощность.
В настоящее время выпускается несколько серий микросхем ТТЛ. Все серин
совместимы по входам и выходам: выходное напряжение логического нуля 0,4 В;
входное напряжение логического нуля 0,4 В; выходное напряжение логической единицы
2,4 В; входное напряжение логической единицы 2,4 В. При использовании микросхем
различных серий в одном устройстве следует учитывать взаимную нагрузочную
способность. Все серии содержат кроме элементов со стандартным выходом элементы с
повышенной нагрузочной способностью (буферы) .В таблице 4.1 первое число указывает
нагрузочную способность для элемента со стандартным выходом, а второе - для буфера
Таблица 4.1
Выход микросхем серий	Вход микросхем серий				
	К155	К531	К555	КР1531	КР1533
К155	10/30	8/24	40/120	26/80	80/240
К531	12/30	10/24	50/120	30/100	100/240
К555	5/15	4/12	20/60'	13/40	40/120
КР1531	12/40	10/25	50/150	30/100	100/250
КР1533	5/15	4/12	20/60	13/40	40/120
КМОП микросхемы характеризуются малым потреблением мощности в статическом
режиме и большей помехоустойчивостью по сравнению с ТТЛ микросхемами.
Микросхемы серий К176, К561 и КР1561 имеющие одинаковые названия,
выполняют одинаковые функции и совпадают по разводке внешних выводов.
При построении схем на микросхемах часто используются не все их входы. Исходя
из логики работы схемы, на эти входы следует подать либо логический уровень нуля,
либо единицы. Логический уровень нуля как в ТТЛ, так и в КМОП микросхемах
подается подключением неиспользуемого входа к корпусу. Логический уровень единицы
подается на неиспользуемые входа подключением их к источнику напряжения питания,
однако входы ТТЛ-микросхем рекомендуется подключать к источнику через
токоограничивающий резистор Для защиты от скачков напряжения, возникающих,
например, при включении питания. Логический уровень единицы можно также подать с
выхода элемента НЕ, вход которого заземлен. У многовходовых логических элементов
неиспользуемые входы можно подключить к используемым. Если вход ТТЛ микросхемы
не подключен ни к корпусу, ни к* источнику питания, то микросхема будет работать
так, как будто на этот вход подан уровень логической .единицы, но надежность работы
будет низка (импульсные помехи, вызванные переключениями соседних входов и
выходов, могут привести к непредусмотренному срабатыванию микросхемы), В КМОП-
микросхемах нельзя оставлять неподключенным ни одного неиспользованного входа.
МИКРОСХЕМЫ К155
179
4,1.1	Серия К155, КМ 155
Широкое применение для построения устройств автоматики -и вычислительной
техники находят цифровые микросхемы серии К155. которые изготовляются по
стандартной технологии .биполярных микросхем транзисторно-транзисторной логики
(ТТЛ).
Все микросхемы серии К155 имеют напряжение питания +5 В i 5%. Интегральные
микросхемы выпускаются в пластмассовых корпусах -четырех типов, отличающихся
количеством выводов (8,14,16,24) и размерами, и имеют диапазон рабочих температур
от -10 до +70°С. Часть микросхем выпускается также в керамических корпусах и
имеют обозначение КМ 155. Температурный диапазон микросхем в керамических
корпусах от -45 до +85°С.
Интегральные микросхемы серии К155 имеют выходной уровень логического нуля
не более 0.4 В (типовое значение 0,1...0.2 В), выходной уровень логической единицы не
менее 2,4 В (типовое значение 3,2...3,5 В), типовую нагрузочную способность t - 10
входов микросхем той же серии. Средняя, потребляемая одним логическим элементом,
мощность - 10 мВт, средняя задержка распространения сигнала - 20 нс.
Напряжение питания подводят к. выводу микросхем с максимальным номером,
кроме микросхем: К155РУ1. К155ИМ2, К155ТМ5 - у них напряжение питания
подводится к выводу 4 и К155ИД1. К155ИЕ2, К155ИЕ4. К155ИЕ5, К155ИМЗ. К155РУЗ.
К155ТМ7 - у них напряжение питания подводится к выводу 5.
Общий провод подводят к выводу с вдвое меньшим номером, чем напряжение
питания, крокСё микросхем: К155РУ1, К155ИЕ2, К155ИЕ4, К155ИЕ5 - у них общий
провод подводится к выводу 10; К155ИМ2, К155ТМ5 - у них общий провод подводится
к выводу II и К155ИД1, К155ИМЗ, К155РУЗ, KI55TM7 - у них общий провод
подводится к выводу 12.
Неиспользуемые входы микросхем можно никуда не подключать, т.е, подпаивать к
контактной площадке минимальных размеров, к которой (это важно) не подключены
проводники. При этом несколько уменьшается быстродействие микросхем. Возможно
подключать неиспользуемые входы к используемым входам того же элемента, но это
увеличивает нагрузку на микросхему, которая является источником сигнала, что также
ведет к снижению быстродействия. Неиспользуемые входы триггеров можно
подключать к инверсным выходам тех же триггеров, а входы К - к прямым выходам. Это
очень удобно, так как указанные выводы триггеров обычно расположены рядом. Можно
подключать неиспользуемые входы к выходу неиспользуемого элемента И-НЕ, входы
которого при этом надо соединить с общим проводом. Наконец, можно объединять
неиспользуемые входы микросхем и подключать их к источнику питания +5 В через
резистор 1 кОм (до 20 входов к одному резистору). Последние два способа не снижают
быстродействия микросхем. Недопустимо подключать ко входу микросхемы проводник,
который во время работы может оказаться неподключенным к выходу источника
сигнала, например при управлении от кнопки или переключателя. Такие проводники
обязательно следует подключать к источнику +5 В через резистор 1...10 кОм.
На печатных платах с использованием микросхем серии К155 необходимо
устанавливать блокировочные конденсаторы между цепью +5 В и общим проводом. Их
количество определяется одним-двумя конденсаторами емкостью 0,02...0,15 мкФ на
каждые пять микросхем, конденсаторы следует располагать на плате равномерно. Их
необходимо также установить рядом со всеми микросхемами £ мощным выходом
(К1-55ЛА6, К155ЛА7 и др.) или с потребляемой мощностью более 500 мВт.
Основная номенклатура микросхем серии К155, КМ 155 приведена в таблице 4.1.1.
В скобках после функционального назначения некоторых микросхем первая цифра
обозначает число информационных входов, вторая цифра - число выходов, букаы ОК -
180
МИКРОСХЕМЫ К155
наличие выхода с открытым коллектором, буква. Z - возможность переключения выходов
в высокоимпедансное состояние, буквы ОЭ - наличие выхода с открытым эмиттером.
Знаком * обозначается зарубежный аналог отличной от SN74 серии микросхем.
Предельно допустимые режимы эксплуатации микросхем серии К155
Максимальное напряжение питания	+6 В
Максимальное напряжение на входе	+5,5 В
Максимальное напряжение, приложенное к
выходу закрытой микросхемы	+5,25 В
Минимальное напряжение на входе	-0,4 В
Максимальная емкостная нагрузка	200 пФ.
Обозначение электрических параметров
Pjiuix" значенис мощности, потребляемой микросхемой в предельном режиме
потребления;
1ЗХр~ интервал времени, равный полусумме времени задержки распространения
сигнала при включении и выключении цифровой микросхемы.
Условное графическое обозначение функциональных схем серии К155 приведено на
рис. 4.1.
Таблица 4.1.1.
К155 KMI55	Функциональное назначение	Число ВЫВО- ДОВ	Р max, мВт	*з.ср, нс	Аналог серии SN74
АГ1	Одновибратор с логическим элементом	14	200	75	121
	на входе				
АГЗ	Два одновибратора	16	330	40	123
АП1	Формирователь разрядной записи, . усилитель воспроизведения и устрой- ство установки нуля	14	175	55	
ИВ1	Приоритетный шифратор (8->3)	16	300	20	148
ИД1	Высоковольтный дешифратор управле- ния газоразрядными индикаторами	16	132		141
идз	Дешифратор (4-М 6)	24	280	31	154
ИД4	Два дешифратора (2-*4)	16	210	27	155
ИД8	Дешифратор для управления непол- ной матрицей 7x5 на дискретных светодиодах (ОК)	24	325	-	-
ИД9	Дешифратор для управления неполной матрицей 7x4 на дискретных свето- диодах (ОК)	24	325	-	-
идю	Дешифратор (4-+10; ОК)	16	350	50	145
иди	Дешифратор (3-*8) для управления шкалой с заполнением (ОЭ)	16	850	-	-
ИД12	Дешифратор (3-^8) для управления шкалой со сдвигом одной точки (ОЭ)	16	300	-	X
ИД13	Дешифратор (3—>8) для управления шкалой со сдвигом двух точек (ОЭ)	16	350	-	-
иди	Дешифратор для управления линейной шкалой с общими анодами	16 •	250	130	-
ИЕ1	Декадный счетчик с фазоимпульсным -представлением информации 				14	150	10	-
МИКРОСХЕМЫ К155
181
Продолжение табл. 4.1 1.
К155 КМ155	Функциональное назначение	Число выво- дов	Р max, мВт	*з.ср, нс	Аналог серии SN74
ИЕ2	Четырехразрядный асинхронный двоично-десятичный счетчик	14	265	100	90
ИЕ4	Четырехразрядный асинхронный счетчик-делитель на 12	14	255	100	92
ИЕ5	Четырехразрядный асинхронный двоичный счетчик	14	265	135	93
ИЕ6	Четырехразрядный реверсивный двоич- но-десятичный счетчик с предуста- новкой	16	510	24	192
ИЕ7	Четырехразрядный реверсивный двоич- ный счетчик с предустановкой	16	510	24	193
ИЕ8	Делитель частоты с переменным коэф- фициентом деления	16	600	30	97
ИЕ9	Четырехразрядный синхронный двоич- но-десятичный счетчик с предуста- новкой	16	505	35	160
ИЕ14	Асинхронный двоично-десятичный счетчик с предустановкой	14	295	39	196
ИМ1	Одноразрядный двоичный полный сумматор	14	175	51	80
ИМ2	Двухразрядный двоичный полный сумматор	14	290	34	82
имз	Четырехразрядный двоичный полный сумматор	16	640	43	83
ИП2	Восьмиразрядное устройство контро- ля четности и нечетности	14	294	53	180
ИПЗ	АЛУ для обработки двух четырех- разрядных слов	24	580	56	181
ИП4	Устройство ускоренного переноса для АЛУ	16	378	20	182
ИР1	Четырехразрядный универсальный сдвиговый регистр	14	410	35	95
ИР13	Восьмиразрядный универсальный, синхронный реверсивный сдвиговый регистр	24	580	28	198
ИР 15	Четырехразрядный регистр хранения (Z)	16	360	37	173
ИР17	Двенадцатиразрядный регистр после- довательного приближения для АЦП	24	620	33	DM2504* АТ2504*
КП1	Селектор-мультиплексор (16-М) со стробированием	24	360	26	150
КП2	Два селектора-мультиплексора (4-М) со стробированием и общими адрес- ными входами	16	315	27	153
КП5	Селектор-мультиплексор (8—>1) с инверсией	14	230	17	152
182
МИКРОСХЕМЫ К155
Продолжение табл. 4.1.1.
К155	Функциональное	Число	Р max,	Ч.ср,	Аналог
КМ 155	назначение	выво-			серии
		ДОВ	мВт	нс	SN74
КП7	Селектор-мультиплексор (8 —>1> с	16	260	17	151
	прямым и инверсным выходами, со стробирован ие м				
ЛД1	Два элемента 4И-НЕ	14	78	19	20
ЛА2	Элемент 8И-НЕ	14	21	19	30
ЛАЗ	Четыре элемента 2И-НЕ	14	78	19	00
ЛА4	Три элемента ЗИ-НЕ	14	57	19	10
ЛА6	Два буферных элемента 4И-НЕ	14	92	19	40
ЛА7	Два элемента'4И-НЕ (ОК)	14	79	22	22
ЛА8	Четыре элемента 2И-НЕ (ОК)	14	79	22	01
ЛАЮ	Три элемента ЗИ-НЕ (ОК)	14	82,5	30	12
ЛАП	Четыре высоковольтных элемента 2И-НЕ (ОК)	14	1 10	21	26
ЛА12	Четыре буферных элемента 2И-НЕ	14	270	19	37
ЛА13	Четыре буферных элемента 2И-НЕ (ОК)	14	270	19	38
ЛА18	Два элемента 2И-НЕ с мощным выходом (ОК)	8	355	21	75452*
ЛД1	Два четырехвходовых логических расши- рителя по ИЛИ	14	20	5	60
лдз	Восьмивходовой логический расширитель по ИЛИ	14	20	5	-
ЛЕ1	Четыре элемента 2ИЛИ-НЕ	14	135	19	02
ЛЕ2	Два элемента 4ИЛИ-НЕ со стробированием на одном элементе и возможностью расши- рения по ИЛИ на другом	16	95	19	23
ЛЕЗ	Два элемента 4ИЛИ-НЕ со стробированием	14	95	19	25
ЛЕ4	Три элемента ЗИЛИ-НЕ	14	130	19	27
ЛЕЗ	Четыре буферных элемента 2ИЛИ-НЕ	14	285	19	28
ЛЕ6	Четыре элемента 2ИЛИ-НЕ (магистральный усилитель)	14	285	19	"128
ЛИ1	Четыре элемента 2И	14	165	23	08
ЛИЗ	Два элемента 2И с мощным выходом (ОК)	8	325	21	75451*
ЛЛ1	Четыре элемента 2ИЛИ '	14	190	19	32
ЛЛ2	Два элемента 2ИЛИ с мощным выходом (ОК)	8	340	21	75453*
ЛН1	Шесть элементов НЕ	14	165	19	04
ЛН2	Шесть элементов НЕ (ОК)	14'	165	35	05
ЛНЗ	Шесть высоковольтных буферных элемен- тов НЕ	14	155	12,5	06
ЛН5	Шесть буферных элементов НЕ (ОК)	14	155	12,5	16
ЛН6	Шесть элементов НЕ (Z)	16	385	27	366
ЛП4	Шесть буферных повторителей (ОК)	14	126’	13	17
ЛП5	Четыре двухвхчЮВЫХ элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ	14	262	26	86
ЛП7	Два элемента 2И-НЕ с общим входом и два мощных транзистора	14	55	21	75450*
МИКРОСХЕМЫ К155
183
Продолжение табл. 4.1.1.
К155 "KM1S5	Функциональное назначение	Число выво- дов	р шах, мВт	f3.cp, нс	Аналог серии SN74
ЛП8	Четыре буферных повторителя (Z)	14	270	10	125
ЛП9	Шесть буферных повторителей (ОК)	14	150	13	07
ЛП10	Шесть повторителей (Z)	16	425	27	365
лип	Шесть повторителей с раздельным уп- равлением по входу (Z)	16	425	27	367
ЛР1	Два элемента 2И-2ИЛИ-НЕ, один рас- ширяемый по ИЛИ	14	58	19	50
ЛРЗ	Элемент 2-2-2-ЗИ-4ИЛИ-НЕ с рас- ширением по ИЛИ	14	47	. 19	53
ЛР4	Элемент 4-4И-2ИЛИ-НЕ с рас- ширением по ИЛИ	14	58	19	55
ПП5	Преобразователь двои чно-десяти чного кода в сигналы семиэлементного кода полупроводникового индикатора с общим анодом	14	235	150	49
ПР6	П реобразовател ь дво ично-десятичного кода в двоичный	16	520	40	184
ПР7	Преобразователь двоичного кода в двоично-десятичный	16	520	35	185
РЕЗ	ПЗУ иа 256 бит (32x8) с устройствами управления	16	550	50	N 8223)5*
РЕ21	ПЗУ на 1024 бит, преобразователь дво- ичного кода в код знаков русского алфавита	16	650	60	187
. РЕ22	ПЗУ иа 1024 бит, преобразователь дво- ичного кода в код знаков латинского алфавита	16	650	60	187
РЕ23	ПЗУ на 1024 бит, преобразователь дво- ичного кода в код арифметических знаков и цифр	16 S	650	60	187
РЕ24	ПЗУ на 1024 бит, преобразователь дво- ичного кода в код знаков, отсутствующих в РЕ21-РЕ23	16	650	60	187
РШ (ИР32)	Шестнадцати разрядное регистровое ЗУ (4x4; ОК)	16	525	23	170
РИЗ	Ш естнадцатиразряд ное регистровое ЗУ (8x2; Z)	24	850	45	172
РУ1	ОЗУ на 16 бит (16x1) с устройствами управления	14	*	60	81
РУ 2	ОЗУ на 64 бита (16x4) с произволь- ной выборкой	16	525	60	89
РУЗ	ОЗУ на 16 бит (16x1) с двумя до- полнительным и входами усилителей записи	16	455	60	84 !
РУ5	ОЗУ на 256 бит (256x1) с устройствами управления (ОК)	16	700	60	F93410C*
184
МИКРОСХЕМЫ К155
Окончание табл. 4.1.1.
К155 КМ 155	функциональное 1	назначение	Число выво- дов	р max, мВт	t з.ср, нс	Аналог серии SN74
РУ 7	ОЗУ на 1024 бнт (1024xl;Z)	16	850	45	F93425*
• ТВ1	Универсальный Л£-триггер с логикой ЗИ на входе	14	105	,40	72
ТВ15	Два универсальных JK-триггера	,	16	150	40	109
ТЛ1	Два триггера Шмитта с элементом 4И-НЕ на входе	14	160	25	13
ТЛ2	Шесть триггеров Шмитта с инверто- рами на входе	14	300	15	14
тлз	Четыре триггера Шмитта с элемен- том 2И-НЕ на входе	14	200	15	132
ТМ2	Два D-триггера	14	158	55	74
ТМ5	Четыре D-триггера с попарно объеди- ненными тактовыми входами	. 14	265	20	77
ТМ7	Четыре D-триггера с попарно объеди- ненными тактовыми входами и прямыми и инверсными выходами	16	265	26	-75
ТМ8	Счетверенный D-триггер с прямыми и инверсными выходами	16	225	30	175
ХЛ1	Многофункциональный элемент для ЭВМ	14	500	35	-
МИКРОСХЕМЫ КР531
185
4.1.2.	Серия КР531
При необходимости увеличения быстродействия, рекомендуется использовать мик-
росхемы серии КР531.
Стандартные статические параметры микросхем серии КР531 имеют следующие
значения: максимальный уровень логического нуля на выходе при втекающем токе 20
мА равен 0,5 В, минимальный уровень логической единицы при вытекающем токе 1 мА
на выходе 2,7 В, входной ток при уровне логического нуля на входе - не более 2 мА, а
при уровне логической единицы на входе - не более 50 мкА, что обеспечивает
нагрузочную способность 10 входов микросхем той же серии. Средняя потребляемая
одним логическим элементом мощность - 19 мВт, средняя задержка распространения
сигнала - 5 ис.
Микросхемы серии К.Р531 выпускаются в пластмассовом корпусе, о чем сообщает
буква ”Р” в обозначении. Ранее микросхемы серии КР531 не имели в обозначении бук-
вы ”Р”, но в конце его ставилась буква ”П”, например, К531ЛАЗГТ.
Температурный интервал работоспособности микросхем серии КР531 - от -10до +
70°С.
Напряжение питания микросхем серии КР531, равное +5 В ^*5%, подводят к вы-
воду с максимальным номером, общий провод - к выводу с номером, вдвое меньшим.
Микросхемы этой серии требуют особого внимания к разводке цепей питания и общего
провода. При изготовлении промышленных устройств на микросхемах этой серии
обычно используют многослойные печатные платы, один из слоев которой служит об-
щим проводом, другой - проводом питания. Если же применяют двусторонние платы,
то проводник питания и общий провод выполняют навесными в виде латунных полос
Шириной около 5 мм. Керамические блокировочные конденсаторы емкостью 0,047 - 0,15
мкФ подпаивают непосредственно к этим полосам (один конденсатор на одну - две
микросхемы). В радиолюбительских конструкциях одну сторону двусторонней печатной
платы можно использовать для общего провода, а другую - для сигнальных цепей и
провода питания.
Основная номенклатура микросхем серии КР531 приведена в таблице. Большинст-
во их после номера серии имеют цифро-буквенные сочетания, совпадающие с обозна-
чением микросхем серий К155, К555, КР1531 или КР1533. Как правило, совпадает н
логика их работы. В таблице после функционального назначения в скобках буквы ”ОК”
обозначают наличие у микросхемы выхода с открытым коллектором, буква ”Z” свиде-
тельствует о возможности перевода в высокоимпедансное (Z) состояние, первая цифра
указывает число информационных входов, вторая цифра - число выходов. Знаком * обо-
значается зарубежный аналог отличной от SN74S серии микросхем.
Основные правила использования микросхем серии КР531 те же, что и микросхем
серии К155. Входы микросхем этой серии нельзя оставлять свободными - их нужно
подключать к проводнику напряжения питания через резистор сопротивлением 1 кОм
(До 20 входов к одному резистору) или непосредственно к общему проводу, в зависи-
мости от логики работы микросхемы.
Предельно допустимые режимы эксплуатации микросхем серии КР531
Максимальное напряжение питания	+6 В
Максимальное напряжение на входе	+5 В
Максимальное напряжение, приложенное к выходу закрытой схемы	+5,25 В
Минимальное напряжение на входе	-0,4 В
Максимальная емкестная-нагрузка	200 пФ
186
МИКРОСХЕМЫ КР531
Обозначение электрических параметров
Ртах ” значение мощности, потребляемой микросхемой в предельном режиме
потребления
Чср ~ интервал времени, равный полусумме времени задержки распростране-
ния сигнала при включении и выключении цифровой микросхемы
. Условное графическое обозначение функциональных схем серии КР531 приве-
дено на рис. 4.1
Таблица 4.1.2.
КР531	Функциональное назначение	Число выво- дов	р max, мВт	Ч.ср, нс	Аналог серии SN74S
АП2	Двунаправленный усилитель-формирова- тель	16	675	40	-
АПЗ	Два четырехканальных формирователя с инверсией (Z)	20	725	7	240
АП4	Два четырехканальных формирователя (Z)	20	850	9	241
ВГ1	Четырехразрядный элемент микроуправ- ления	20	-		482
ГГ1	Два генератора, управляемых нвпряже- нием	16	750	-	124
ИД7	Двоичный дешифратор (декодер) (3-»8)	16	370	11	138
ИД14	Два дешифратора-демультиплексора (2-»4)	16	450	14	139
ИЕ9	Четырехразрядный синхронный десятичный счетчик	16	635	15	160
ИЕ10	Четырехразряднын синхронный двоичный счетчик	16	635	19	161
ИЕ11	Двоично-десятичный счетчик	16	800	20	162
ИЕ14	Двоично-десятичный счетчик с пред- установкой	>	14	600	37	196
ИЕ15	Двоичный счетчнк с предустановкой	14	600	37	197
ИЕ16	/Четырехразрядный двоично-десятичный р?аерсивный счетчик	16	800	1-2	168
ИЕ17	Четырехразрядный двоичный реверсивный счетчик	16	800	12 	169
ИЕ18	Двоичный счетчик с синхронными пред- установкой и сбросом	16	800	20	163
ИК1	Схема быстрого умножения 2x4 разряда	24	935	34	AM25S05*
ИК2 ИПЗ	Четырехразрядное АЛУ АЛУ для записи двух четырехразрядных	24	800	34	381
	слов	24	1100	16,5	181
ИП4	Четырехразрядная схема ускоренного переноса	16	750	10	182
ИП5	Девяти разрядная схема контроля четности	14	525	20	280
ИП10	Девяти разрядная схема контроля четности	16	-		AM93S48
ИР11	Четырехразрядный универсальный сдвиго- вый регистр	16	575	17	194
ИР12	Четырехразрядный паралллельный сдвиго- вый регистр	16	545	17	195
МИКРОСХЕМЫ КР531
187
Продолжение табл. 4.12.
КР531	Функциональное назначение	Число выво- дов	Р max, мВт	1з,ср, нс	Аналог серии SN74S
ИР18	Шестиразрядный регистр хранения	16	720	14,5	AM25S07’
ИР19	Четырехразрядный регистр хранения	16	480	14,5	AM25S08/
ИР20	Четырехразрядный двухвходовый регистр	16	600	14,5	AM25S09*
ИР21	Четырехразрядный сдвиговый регистр (Z)	16	425	18,5	AM25S10*
ИР22	Восьмиразрядный регистр хранения (Z)	20	700	19	3.73
ИР23	Восьмиразрядный регистр хранения (Z)	20 '	700	19	374
ИР24	Восьмиразрядный реверсивный регистр (Z)	20	1125	20	299
ИР25	Четырехразрядный паралллельный регистр	16	-	-	3.95
	сдвига				
КП2	Два мультиплексора (4~»1)	16	300	32	153
КП7	Мультиплексор (8+1)	16	350	18	. 151
КПП	Четырехразрядный селектор (2-*1 ;Z)	16	450	16	257
КП12	Двухразрядный четырехканальный комму- татор (Z)	»	16	350	18	253
КПП	Четырехразряд^ый селектор (2*1;Z) с инверсией	16	400	16	258
КП15	Мультиплексор (8-*l;Z)	16	425	19	251
КШ6	Четырехразрядный селектор-мультиплек- сор (2*1)	16	420	16	157
КП 18	Четырехразрядный селектор-мультиплек- сор (2-»1) с инверсией	16	400	16	158
ЛА1	Два элемента 4И-НЕ	14	40	5	20
ЛА2	Элемент 8И-НЕ	14	50	6,5	30
Лаз	Четыре элемента 2И-НЕ	14	180	5	00
ЛА4	Три элемента ЗИ-НЕ	14 .	135	5	10
Ла7	Два элемента 4И-НЕ (ОК)	14	 60	7,5	22
Ла9	Четыре элемента 2И-НЕ (ОК)	14	125	7,5	03
Л£12	Четыре буферных элемента 2И-НЕ	14	290	6,5	37
Ла 13	Четыре буферных элемента 2И-НЕ (ОК)	14	290	10	38
Ла 16	Два элемента 4И-НЕ с мощным выходом	14	155	6,5	140
ЛА17	Два элемента 4И-НЕ (Z)	• 14	185	10	-
ЛА19	Элемент 12И-НЕ (Z)	16	74	7	134
ЛЕ1	Четыре элемента 2ИЛИ-НЕ	14	190	5,5	02
ЛЕ7	Два элемента 5ИЛИ-НЕ	14	185	6	260
ЛИ1	Четыре элемента 2И	14	220	7,5	08
ЛИЗ	Три элемента ЗИ	14	170	8	1 1
ЛЛ1	Четыре элемента 2ИЛИ	14	250	7	32
ЛН1	Шесть элементов НЕ	14	195	5	04
ЛН2	Шесть элементов НЕ (ОК)	14	185	7,5	05
ЛП5	Четыре двухвходовых элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ	14	190	10	86
ЛР9	Элемент 2И+2И+ЗИ+4И+ИЛИ-НЕ	14	80	5,5	64
ЛР10	Элемент 2И+2И+ЗИ+4И+ИЛИ-НЕ (ОК)	14	80	8	65
ЛР11	Два элемента 2И+2И-ИЛИ-НЕ	14	1 10	5 5	51
РУ8	ОЗУ 16x4	16	577	35	189
188
МИКРОСХЕМЫ КР531
Окончание табл. 4.1.2.
КР531	Функциональное назначение	Число выво- дов	Р max, мВт	'з.ср, нс	Аналог серии 'SN74S
РУ9	ОЗУ 16x4	16	551	35	289
РУ 10	ОЗУ 16x4	24	630	40	225
РУП	ОЗУ 16x4	18	550	40	DM85S68
СП!	Четырехразрядная схема сравнения чисел	16	575	17,5	85
ТВ9	Два JK-триггера с установкой выходов в 1 и 0	16	250	7	112
ТВ 10	Два JK-триггера с установкой 1	14	250	7	1 13
ТВ11	Два JK-Тригтера с установкой 1, общей установкой 0 и синхронизацией	14	250	7	1 14
тлз	Четыре триггера Шмитта 2И-НЕ	14	340	12	132
ТМ2	Два D-триггера	14	250	7	74
ТМ8	Четырехразрядный регистр хранения	16	480	15	175
ТМ9	Шестиразрядный регистр хранения	16	720	15	174
ХЛ1	Многофункциональный элемент для ЭВМ	16	900	20	-
МИКРОСХЕМЫ К555
189
4.1.3.	Серия К555
На смену микросхемам серии К155 промышленность сейчас выпускает микросхе-
мы серии К555, отличающиеся существенно меньшей потребляемой мощностью, кото-
рые изготавляются по стандартной технологии ТТЛШ.
Все микросхемы серии К555 имеют напряжение питания +5 В +5%. Микросхемы
выпускаются в пластмассовых корпусах и имеют диапазон рабочих температур от -10
до +70°С. Часть микросхем выпускается также в керамических корпусах и имеют обо-
значение КМ555. Температурный диапазон микросхем в керамических корпусах от -45
до +85°С.
Микросхемы серии К555 имеют уровень логического нуля не более 0,4 В, выходной
уровень логической единицы не менее 2,6 В, типовую нагрузочную способность - 20
входов микросхем той же серии. Средняя, потребляемая одним логическим элементом,
мощность - 2 мВт, средняя задержка распространения сигнала -20 нс.
Напряжение питания подводят к выводу микросхемы с максимальным номером,
кроме микросхем: К555ИЕ2, К555ИЕ5, К555ТМ7 - у них напряжение питания
подводится к выводу 5.
Общий провод подводят к выводу микросхем с вдвое меньшим номером, чем на-
пряжение питания, кроме микросхем: К555ИЕ2, К555ИЕ5 - у них общий провод под-
водится к выводу 10; К555ТМ7 - у нее общий провод подводится к выводу 12.
Основные правила использования микросхем серии К555 - такие же, что и серии
К155, Следует, однако, иметь в виду, что они менее помехоустойчивы, а потому кри-
тичны к взаимному расположению сигнальных цепей. Более существенно влияет на их
работу и индуктивность цепей питания, поэтому последние обязательно должны быть
зашунтированы керамическими конденсаторами емкостью 0,02...0,15 мкФ на каждые
3...5 .микросхем и расположены на плате равномерно. Входы микросхем нельзя остав-
лять свободными. Их следует соединить с используемыми входами того же элемента
или подать на них уровень логической единицы, подключив через резистор сопротив-
лением 1 кОм к источнику напряжения +5 В или к выходу инвертирующего логического
элемента, входы которого соединены с общим проводом. Неиспользуемые входы эле-
ментов ИЛИ и ИЛИ-HE также соединяют с общим проводом.
При соблюдении указанных правил микросхемы серий К555 и К155 взаимозаме-
няемы. Однако при их совместном применении следует помнить, что нагрузочная
способность микросхемы серии К555 на входы элементов серии К155 равна 5.
Основная номенклатура микросхем серий К555, КМ555 приведена в таблице. В
скобках после функционального назначения некоторых микросхем первая цифра обо-
значает число информационных входов, вторая цифра - число выходов, буквы '"ОК” -
наличие выхода с открытым коллектором, буква ”Z" - возможность переключения вы-
ходов в высоко импедансное состояние. Знаком * обозначается зарубежный аналог от-
личной от SN74LS серии микросхем.
Предельно допустимые режимы эксплуатации микросхем серии К555
Максимальное напряжение питания	+5,25 В
Максимальное напряжение на входе	+4,5 В
Максимальное напряжение, приложенное к выходу закрытой схемы +5,25 В
Минимальное напряжение на входе	-0,4 В
Максимальная емкостная нагрузка	150 пФ
190
МИКРОСХЕМЫ К555
Обозначение электрических параметров
р max *з.ср У слов рис. 4.1.	-	значение мощности, потребляемой микросхемой в предельном режиме потребления -	интервал времени, равный полусумме времени задержки распространения сигнала при включении и выключении цифровой микросхемы. юе графическое обозначение функциональных схем серии К555 приведено на				
	Т			а б Л и и, а 4.1.3	
К555 КМ555	Функциональное назначение	Число выво- дов	р max, мВт	'зхр, НС	Аналог серии SN74LS
АГЗ	Сдвоенный одновибратор с повторным запуском	16	1 10	41	123
АГ4	Сдвоенный мультивибратор с триггером Шмитта	16	-	-	221
АПЗ	Два четырехканальных формирователя с. инверсными выходами (Z)	20	220	18	240
АП4	Два четырехканальных формирователя с прямым и инверсным управлением (Z)	20	230	18	241
АЛ5	Два четырехканальных формирователя с инверсным управлением (Z)	20	230	18	244
АП6	Восьмиканальный двунаправленный фор- мирователь (Z)	20	450	23	245
ВЖ1	Шестнадцатиразрядная схема контроля по коду "Хэмминга"	28	-	. -	630
ИВ1	Приоритетный шифратор (8->3)	16	102	48	148
ивз	Приоритетный шифратор (9-»4)	16	100	33	147
идз	Дешифратор-демультиплексор (4~> 16)	24	56	31	154
ИД4	Два дешифратора (2-44)	16	50	29	155
ИД5	Два дешифратора (2->4; ОК)	16	50	29	156
ИД6	Двоично-десятичный дешифратор (4410)	16	65	30	42
ИД7	Двоичный дешифратор на восемь на- правлений	16	50	34	138
ИД 10	Дешифратор (4410; ОК)	16	65	50	145
ИД18	Дешифратор двоично-десятичного кода в код семисегментного индикатора	16	65	100	247
ИЕ2	Четырехразрядйый асинхронный двоично- десятичный счетчик	14	75-	49	90
ИЕ5	Четырехразряднын асинхронный двоичный счетчнк	14	75	70	93
ИЕ6	Четырехразрядный реверсивный двоично- десятичнын счетчик с предустановкой	16	170	43,5	192
ИЕ7	Четь)рехразрядный реверсивный двоичный счетчик б предустановкой	16	170	43,5	193
ИЕ9	Десятичный синхронный счетчик	16	176	31	160
ИЕ10	Четырехразрядный двоичный счетчик	16	176	35	161
ИЕ13	Паралллельнын реверсивный двоичный счетчнк	16	175	42	191
МИКРОСХЕМЫ К555
191
Продолжение табл. 4.1.3.
К555 КМ555	Функци опальное назначение	Число выво- дов	р max, мВт	‘з.ср; НС	Аналог серии SN74LS
ИЕ14	Асинхронный двоично-десятичный счет- чик с предустановкой	14	150	4г	196
ИЕ15	Асинхронный двоичный счетчик с пре- дустановкой	14	150	45	197
ИЕ18	Четырехразрядный двоичный синхронный счетчик	16	160	35	163
ИЕ19	Два четырехразрядных двоичных счетчика	14	130	60	393
имв	Двоичный полный сумматор с ускоренным переносом	14	85	23	183
ИМ6	Четырехразрядный двоичный полный сум- матор с ускоренным переносом	16	190	24	283
ИМ7	Четырехразрядный сумматор-вычитатель	24	375	30	385
И ИЗ	АЛУ для записи двух четырехразрядных слов	24	120	56	181
И114	Схема ускоренного переноса для АЛУ	16	80	22	182
ИП5	Девятиразрядная схема контроля четности	14	‘ 135	50	280
ИП6	Четырехшинный приемопередатчик с инверсными выходами	14	130	16	242
ИП7	Четырехшйнный приемепередатчик	14	130	18	243
ИП8	Параллельный двоичный умножитель 2x4 разряда	16	200	40	261
И119	Восьмиразрядный последовательно-парал- лельный двоичный перемножитель	16	200	32,5	384
ИР8	Восьмиразрядный последовательный сдви- гающий регистр	14	135	34	164
ИР9	Восьмиразрядный параллельный сдви- говым регистр	16	180	40	165
ИР1(Р	Восьмиразрядный параллельный сдви- говый регистр	16	190	35	166
ИР11А	Четырехразрядный реверсивный регистр сдвига	16	115	31	194
ИР15	Четырехразрядный регистр хранения (Z)	16	100	30	173
ИР16	Четырехразрядный универсальный регистр сдвига	14	115	65	295
ИР22	Восьмиразрядный регистр хранения (Z)	20	200	42,5	373
ИР23	Восьмиразрядный регистр хранения (Z)	20	235	42,5	374
ИР26	Накопительный регистр 4x4 (Z)	16	250	42,5	670
ИР27	Восьмиразрядный регистр с разрешением записи	20	154	'30	377
ИРЗО	Восьмиразрядный регистр хранения с ад- ресацией	16	180	34	259
ИР32	Четыре ^разрядный регистр (ОК)	16	200	42,5	170
ИР35	Восьмиразрядный регистр с установкой нуля	20	150	30	273
КП2	Два мультиплексора <4—>1) со стробиро- ванием	16	50	33,5	153
192
МИКРОСХЕМЫ K55S
Продолжение табл. 4.1.3.
KSSS KMS5S	Функциональное назначение	Число выво- дов	Р max, мВт	*з.ср, нс	Аналог серии SN74LS
КП7	Мультиплексор (8-М) со стробиро- ванием	16	50	24	151
КПП	{Четырехразрядный селектор (2-»1; Z)	16	66	21	257
КП12	Двухразрядный четырехканальный комму- татор (Z)	16	59	31	253
КП13	Четыре мультиплексора (2-М) с памятью	16	116	29,5	298
. КП14	Четыре мультиплексора (2-М) с инвер- сией (Z)	16	60,5		258
КП15	Селектор-мультиплексор (8-Я; Z)	16	60,5	28	251
КП16	Четырехразрядный мультиплексор (2-Я)	16	80	25	157
КШ7	Сдвоенный инверсный селектор-мульти- плексор (4-М; Z)	ч	16	65	26	353
ЛА1	Два элемента 4И-НЕ	14	11	20	20
ЛА2	Элемента 8И-НЕ	14	5,5	27,5	30
ЛАЗ	Четыре элемента 2И-НЕ	14	22	20	00
ЛА4	Три элемента ЗИ-НЕ	14	13,5	20	10
ЛА6	Два буферных элемента 4И-НЕ	•• 14	33	24	40
ЛА7	Два элемента 4И-НЕ (ОХ)	14	12	30	22
ЛА9	Четыре элемента 2И-НЕ (ОК)	14	16,5	30	03
ЛАЮ	Три элемента ЗИ-НЕ (ОК)	14	13	30	12
ЛАП	Четыре высоковольтных Элемента 2И-НЕ (ОК)	14	22	30	26
ЛА12	Четыре буферных элемента 2И-НЕ	14	38,5	24	37
ЛА13	Четыре буферных элемента 2И-НЕ (ОК)	14	38,5	30	38
ЛЕ1	Четыре элемента 2ИЛИ-НЕ	14 ’	34	20	02
ЛЕ4	Три элемента ЗИЛИ-НЕ	14	32,5	15	Т1
ЛИ1	Четыре элемента 2И	14	36,5	24	08
ЛИ2	Четыре элемента 2И (ОК)	14	37.4	35	09
ЛИЗ	Три элемента ЗИ	14	28	35	11
ЛИ4	Три элемента ЗИ (ОК)	14	25,5	*35	15
ЛИ6	Два элемента 4И	14	18,7	24	21
ЛЛ1	Четыре элемента 2ИЛИ	14	44	22	32
ЛН1	Шесть элементов НЕ	14	25	20	04
ЛН2	Шесть элементов НЕ (ОК)	14	25	30	05
ЛП5	Четыре двухвходовых элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ	14	55	23	86
ЛП8	Четыре буферных повторителя (Z)	14	55	17	125
ЛП12	Четыре элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ	14	50	30	136
ЛРЗ	Элемент 2-2-2-ЗИ-4ИЛИ-НЕ с возмож- ностью расширения по ИЛИ	14	10	20	
ЛР4	Элемент 4-4-2ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ	14	7,1	20	55
ЛР11	Элемент 2-2И-2ИЛИ-НЕ и элемент _ 3-ЗИ-2ИЛИ-НЕ	14	14	20	51
ЛР13	Элемент 2-3-3-2И-4ИЛИ-НЕ	14	• 10	20	54
РЕ4	ПЗУ знакогенератора 16Кх1	24	170	110	6275-1*
МИКРОСХЕМЫ К555
193
Окончание табл. 4.1.3.
К555 КМ555	Функциональное назначение	Число ВЫВО- ДОВ	Р max, мВт	*з.ср, нс	Аналог серии SN74LS
CII1	Четырехразрядная схема сравнения чисел	16	110	33	85
ТВ6	Два JK-триггера со сбросом	14	40 .	25	107
ТВ9	Два JK-триггера с установкой выходов в 1 и 0	16	40	25	112
ТЛ2	Шесть триггеров Шмитта с инверторами на входе	14	80	22	14
ТМ2	Два D-триггера	14	40	32,5	74
ТМ7	Четыре D-триггера с прямыми и инверс- ными выходами	16	60	27,5	75
ТМ8	Счетверенный D-триггер со сбросом	16	90	32,5	175
ТМ9	Шесть D-триггеров со сбросом	16	130	32,5	174
ТР2	Четыре RS-тригтера-защелки	16	35	24	279
1. Зак. 4694
194
МИКРОСХЕМЫ КР1531
4.1.4: "Серия КРГ531
Наибольшим быстродействием среди схем ТТЛ обладают микросхемы серии
КР1531 (функциональный аналог SN74F), созданные на основе модернизированного
технологического-процесса, позволяющего получать, транзисторы с очень высокой, хо-
рошо управляемой скоростью переключения и малыми ^паразитными свойствами. Час-
тота переключения у этих схем достигает 5 ГГц. Эти микросхемы не только более быс-
тродействующие по сравнению со схемами ТТЛ, но и менее подвержены влиянию ем-
кости и имеют стабильное значение задержки распространения при переключении схе-
мы, которое изменяется всего на 0,5 нс в широком диапазоне значений емкости нагруз-
ки.
Стандартные статические параметры микросхем серии КР1531 имеют следующие
значения. Максимальный уровень логического нуля на выходе равен 0,8 В, минималь-
ный уровень логической единицы 2,0 В, входной ток при уровне логического нуля на
входе - не более 0,6 мА, а при уровне логической единицы на входе - не более 20 мкА,
что обеспечивает нагрузочную способность 30 входов микросхем той же серии. Средняя
потребляемая одним логическим элементом мощность - 4 мВт, средняя задержка рас-
пространения сигнала - 3,8 нс.
Микросхемы серии КР1531 выпускаются в пластмассовом корпусе, о чем сообщает
буква ”Р” в обозначении. Температурный интервал работоспособности микросхем серии
КР1531 - от -10 до +70°С.
Напряжение питания микросхем серии KP153I, равное +5 В +5%, поДводят к вы-
воду с максимальным номером, общий провод - к выводу с иомером, вдвое меньшим.
На печатных платах с использованием микросхем серии КР1531 необходимо уста-
навливать блокировочные конденсаторы между цепью +5 В и общим проводом. Их ко-
личество определяется одним конденсатором емкостью 0,47...0,15 мкФ на каждые три-
пять микросхем, конденсаторы следует располагать на плате равномерно.
Основная номенклатура микросхем серии КР1531 приведена в таблице. Большинс-
тво их после номера серии имеют цифро-буквенные сочетания, совпадающие с обозна-
чением микросхем других серий ТТЛ. Как правило, совпадает и логика их работы.
Основные правила использования микросхем серии КР1531 те же, что и микро-
схем серии КР531. Входы микросхем этой серии нельзя оставлять свободными - их
нужно подключать к проводнику напряжения питания через резистор сопротивлением
1 кОм (до 20 входов к одному резистору) или непосредственно к общему проводу, в за-
висимости от логики работы микросхемы.	ч
Предельно допустимые режимы эксплуатации микросхем серии КР1531
Максимальное напряжение питания	„	+5,25 В
Максимальное напряжение на входе	'	-	+4,5 В
Максимальное напряжение, приложенное к выходу закрытой схемы +5,25 В
Минимальное напряжение на входе	-0,5 В
Максимальная емкостная нагрузка	'	’	200 пФ
Обозначение электрических параметров
f*max - значение мощности, потребляемой микросхемой в предельном режиме
потребления
f3.cp
- интервал времени, равный полусумме времени задержки распростране-
ния сигнала при включении и выключении цифровой микросхемы.
Условное графическое обозначение функциональных схем серии KPI531 приведе-
но на рис. 4.1.
МИКРОСХЕМЫ КР1531
195
Таблица 4. 1.4.
КР1531	Функциональное назначение	Число ВЫВО- ДОВ	Р max, мВт	*з.ср, НС	Аналог серии SN74F
АПЗ	Два четырехканальных формирователя с инверсными выходами (Z)	20	450	8	240
АП4	Два четырехканальных формирователя (Z)	20	450	8,5	241
АПЗ	Два четырехканальных формирователя с инверсным управлением (Z)	?о	450	7	244
АП6	Восьмиканальный двунаправленный фор- мирователь (Z)	20	600	6	245
ИЕ6	Четырехразрядный реверсивный двоично- десятичный счетчик с предустановкой	16	302	11,5	192
ИЕ7	Четырехразрядиый реверсивный двоичный счетчик с предустановкой	16	302	11,5	193
ИЕ10	Двоичный синхронный счетчик	16	275	11	161
ИМ6	Четырехразрядный двоичный полный сум- матор с ускоренным переносом	16	275	-	283
ИПЗ	АЛУ для записи двух четырехразрядных слов	24	350	22,5	181
ИП4	Схема ускоренного переноса для АЛУ	16	200	12,5	182
ИР11	Четырехразрядный универсальный сдвиго- вый регистр	16	230	7	194
ИР22	Восьмиразрядный регистр хранения (Z)	20	275	6	373
ИР23	Восьмиразрядный регистр хранения (Z)	20	430	8,5	374
КП2	Два мультиплексора (4->1)	16	100	9	153
КП7	•Мультиплексор, (8-Я)	16	105	8,5	151
КПП	Четырехразрядный селектор (2->1; Z)	16	115	9	257
КПП	Двухразрядный четырехканальный комму- татор (Z)	\	16	115	9	253
КП15	Селектор-мультиплексор (8-И; Z)	16	220	9,5	251
КП17	Сдвоенный мультиплексор (4—*1) с инверсией (Z)	16	115	8	353
КП19	Сдвоенный мультиплексор (4-Я) с инвер- сией (Z)	16	100	7,5	352
ЛА1	Два элемента 4И-НЕ	14	13,4	3,9	20
ЛАЗ	Четыре элемента 2И-НЕ	14	51	4,3	00
ЛА4	Три элемента ЗИ-НЕ	14	13,5	3,8	10
ЛЕ1	Четыре элемента 2ИЛИ-НЕ	14	17,1	4,2	02
ЛИ1	Четыре элемента 2И	14	16,9	5,3	08
ЛИЗ	Три элемента ЗИ	14	17	5,3	11
ЛЛ1	Четыре элемента 2ИЛИ	14	20,3	5,3	32
ЛН1	Шесть элементов НЕ	14.	13,4	3,7	04
ЛП5	Четыре двухвходовых элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ	14	125	6	86
ЛР9	Элемент 2И+2И+ЗИ+4И-ИЛИ-НЕ	14	23,5	5,5	64
ЛР11	Два элемента 2И+2И-ИЛИ-НЕ 3-ЗИ-2ИЛИ-НЕ	14	• 100	5,5	51
7*
196
МИКРОС ХЕМЫ КР1531
Окончание табл. 4.1.4.
КР1531	Функциональное назначение	Число выво- дов	р max, мВт	*з.ср, нс	Аналог серии SN74F
ТВ9	Два Ж-триггера с установкой выходов в 1 и 0	16	95	-	112
ТВ10	Два Ж-тригтера с установкой 1	14	95	-	ИЗ
ТВ11	Два JK-триггера с установкой 1, общей установкой 0 и синхронизацией	14	95	-	114
ТЛ2	Шесть триггеров Шмитта с инверторами на входе	14	50	5	14
ТМ2	Два D-тригтера	14	85	4	74
ТМ8	Четыре D-триггера со сбросом	16	170	7,5	175
ТМ9	Шесть D-триггеров со сбросом	16	225	9	174
МИКРОСХЕМЫ KPI533
197
4.1.5.	Серия КР1533
Дальнейшим развитием микросхем серии К555 можно назвать разработку микро-
схем серии КР1533. Основное эксплуатационное отличие микросхем этой серии от се-
рии К555 - меньшая (в 1,5 ...2 раза) потребляемая мощность при сохранении и повы-
шении быстродействия.-
Стандартные статические параметры микросхем серии КР1533 имеют следующие
значения: максимальный уровень логического нуля на входе - 0,5 В при втекающем
входном токе 8 мА, минимальный уровень логической единицы на выходе 2,5 В при вы-
текающем входном токе 0,4 мА, входной ток при уровне логического нуля на входе - не
более 0,2 мА, при уровне логической единицы на входе - не более 20 мкА, что обеспе-
чивает нагрузочную способность до 40 входов микросхем той же серии. Средняя по-
требляемая одним логическим элементом мощность - 1,2 мВт, средняя задержка рас-
пространения сигнала - 4 нс.
Микросхемы серии КР1533 выпускаются в пластмассовом корпусе, о чем сообщает
буква ”Р” в обозначении. Температурный интервал работоспособности микросхем серии
КР1533 - от -10 до +70°С.
Напряжение питания микросхем серии КР1533, равное +5 В +5%, подводят к вы-
воду, имеющему максимальный номер, общий провод - к выводу с вдвое меньшим но-
мером, кроме микросхемы КР1533ИР31, у нее наоборот: напряжение питания - к выво-
ду 14, общий провод - к выводу 28,
Основные правила использования микросхем серии КР1533 в основном те же, что и
дЛя серии К555. Неиспользуемые входы микросхем этой серии нельзя оставлять сво-
бодными - их нужно подключить к общему проводу или к источнику питания без ре-
зисторов. Цепи питания должны быть зашунтированы керамическими конденсаторами
емкостью 0,02...0,15 мкФ на каждые 5.. 10 микросхем и расположены на плате равно-
мерно.
Основная номенклатура микросхем серии КР1533 приведена в таблице. Большинс-
тво микросхем после номера серии имеют такие же буквенно-цифровые обозначения,
что и микросхемы серии К155 или К555. Логика работы однотипных микросхем этих
серий одинакова. В скобках после функционального назначения некоторых микросхем
первая цифра обозначает число информационных входов, вторая цифра - число выхо-
дов, буквы ”ОК” - наличие выхода с открытым коллектором, буква "Z” - возможность
переключения выходов в высоко импедансное состояние.
Предельно допустимые режимы эксплуатации микросхем серии КР1533
Максимальное напряжение питания	+5,25 В
Максимальное напряжение на входе	+4,5 В
Максимальное напряжение, приложенное к выходу закрытой схемы +5,25 В
Минимальное напряжение на входе	-0,4 В
Максимальная емкостная нагрузка	50 мкФ
Обозначение электрических параметров
Р
шах
t
з.ср .
-	значение мощности, потребляемой микросхемой в предельном режиме
потребления
-	интервал времени, равный полусумме времени задержки распростране-
ния сигнала при включении и выключении цифровой микросхемы.
Условное графическое обозначение функциональных схем серии КР1533 приведено
на рис. 4.1.
198
МИКРОСХЕМЫ КР1533
Таблица 4.1.5.
KP1S33	Функциональное назначение	Число выво- дов	Р max, мВт	*з.ср, нс	Аналог серии SN74ALS
АПЗ	Два четырехканальных формирователя с	20	125	9	240
АП4	инверсными выходами (Z) Два четырехканальных формирователя	20	150	И	241
АП5	с прямым и инверсным управлением (Z) Два четырехканальных формирователя с	20	135	10	244
АП6	инверсным управлением (Z) Восьмиканальный двунаправленный фор-	20	290	20	245
ИДЗ	мирователь (Z) Дешифратор-демультиплексор 0-416)	24	75	33	154
ИД4	Два дешифратора (2-44)	16	35	28	155
ИД7	Двоичный дешифратор на восемь на-	16	50	19,5	138
ИД17	правлений Дешифратор состояний	28	450	12	
ИЕ6	Четырехразрядный реверсивный двоично-	16	110	23	192
ИЕ7	десятичный счетчик с предустановкой Четырехразрядный реверсивный двоичный	16	110	23,5	193
ИЕ9	счетчик с предустановкой Десятичный синхронный счетчик	16	105	27	160
НЕЮ	Двоичный синхронный счетчик	16	105	27	161
ИЕН	Десятичный синхронный счетчик с синх-	16	105	24,5	162
ИЕ18	ронными предустановкой и сбросом Двоичный счетчик с синхронными пре-	16	105	27	163
ИПЗ	дустановкой и сбросом АЛУ для записи двух четырехразрядных	24	ио	80	181
ИП4	слов Схема ускоренного переноса для АЛУ	16	75	35	182
ИП5	Девяти разрядная схема контроля четности	14	100	42,5	280
ИП6	Четырехшинный приемопередатчик с	14	135	11	242
ИП7	инверсными выходами Четырехшинный приемопередатчик	14	160	и	243
ИР22	Восьмиразрядный регистр хранения (Z)	20	135	26,5	373
ИР23	Восьмиразрядный регистр хранения (Z)	20	155	16	374
ИР24	Восьмиразрядный реверсивный сдвигающий	20	200	22	299
ИР31	регистр (Z) Двадцатичетырехразрядный последователь-	28	200	100	-
ИРЗЗ	ный регистр сдвига Восьмиразрядный регистр.хранения <Z)	20	135	14	573
ИР34	Два четырехразрядный регистра хранения	24	135	16	873
ИР37	(Z) Восьмиразрядный регистр хранения (Z)	20	155	20	-
ИР38	Два/четырехразрядных регистра хранения	24	155	13,5	-
ИР39	(Z) БИС регистров общего назначения с много-	42	600	25	-
КП2	канальным доступом Два мультиплексора (4->1)	16	- 70	29	153
КП7	/Мультиплексор (8->1)	16	60	30,5	1У1	 . ,/	
МИКРОСХЕМЫ КР1533
199
Окончание табл. 4.1.5.
КР1533	Функционал ьное назначение	Число выво- дов	Р шах, мВт	‘з.ср, нс	Аналог серии SN74ALS
КИНА	Четырехразрядный селектор (2-М; Z)	16	45	26	257
КП12	Двухразрядный четырехканальный комму- татор (Z)	16	70	15,5	253
КП 13	Четыре мультиплексора (2-Я) с памятью	16	50	30 .	298
КП14А	Четыре мультиплексора (2->1) с инверсией (Z)	16	37/	17	258
КП15	Селектор-мультиплексор (8-И, Z)	16	70	19	251
КП16	Четырехразрядный мультиплексор (2-М)	16	75	18	157
КП17	Сдвоенный мультиплексор (4-М) с инвер- сией (Z)	16	60	18,5	353
КШ8	Четыре мультиплексора (2-М) с инвер- сией	16	50	10	158
КП19	Сдвоенный мультиплексор С4-М) с инвер- сией (Z)	16	50	18,5	. 352
ЛА1	Два элемента 4И-НЕ	14	7,5	18,5	20
ЛА2	Элемент 8И-НЕ	14	4,5	18,5	30
ЛАЗ	Четыре элемента 2И-НЕ	14	15	12	00
ЛА4	Три элемента ЗИ-НЕ	14	7	10,5	10
ЛА7	Два элемента 4И-НЕ (ОК) х	14	6,5	31,5	22
ЛА8	Четыре элемента 2И-НЕ (ОК)	14	15	41	01
ЛА9	Четыре элемента 2И-НЕ (ОК) >	14	15	38	03
ЛЕ!	Четыре элемента 2ИЛИ-НЕ	14	20	10	02
ЛИ!	Четыре элемента 2И	14	16	12	08
ЛН1	Шесть элементов НЕ	14	12,3	12	04
ЛН2	Шесть элементов НЕ (ОК)	14	19	34	05
ЛН7	Шесть мощных инверторов (Z)	16	37,5	6,5	
ЛН8	Шесть мощных инверторов	14	50	14,5	-
лпз	Три мажоритарных клапана	16	35	37,5	-
ЛП5	Четыре двухвходовых элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ	14	29,5	14,5	86
ЛР4	Элемент 4И+4И-ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ	14	6	27,5	55
ЛР11	Элемент ЗИ+ЗИ-ИЛИ-НЕ и элемент 2И+2И-ИЛИ-НЕ	14	11,	20	51
ЛР13	Элемент ЗИ+2И+ЗИ+2И-ИЛИ-НЕ	14	8	20	54
СП1	Четырехразрядная схема сравнения чисел	16	55	40	85
ТВ15	Два Ж-триггера	16	20	16,5	109
ТМ2	Два D-триггера	14	20	15,5	74
TMS	Четырехразрядный регистр хранения	16	70	20	175
ТМ?	Шестиразрвдный регистр хранения	16	95	20	174
ТР2	Четыре RS-триггера	16	27.5	22	279
ХЛ!	Многофункциональный элемент для ЭВМ	14	55	40	-
200
МИКРОСХЕМЫ ТТЛ
Рис. 4.1
КР531АПЗ
К555АПЗ
КР1531АПЗ
КР1533АПЗ
КР531АП4
К555АЛ4 ’
КР1531АП4
КР1533АП4
К555АП5
КР1531АП5
КР1533АП5
К555АП6
КР1531АП6
КР1533АП6
МИКРОСХЕМЫ ТТЛ
201
Рис. 4.1
К155ИДЗ
К555ИДЗ
КР1533ИДЗ
К155ИВ1
КР531ГГ1
47 г а.
£&ле а -4
be, а£
47 74
К155ИД4
К555ИД^
КР1533ИД4
К555ИД6
202
МИКРОСХЕМЫ ТТЛ
Рис. 4.1
я.,
%2
0-4
!Я8
К155ИД9
л/х
Ж® @
Й® ®
>® ®
«н® ©
В1®®®®
К155ИД12
7J
/2
Н
К155ИД13
с
о
S
f
£
I
2
J
4
‘5
'Г
2 £
ИЮ0<
2'
J.
I
2
КР531ИД14
г
МИКРОСХЕМЫ ТТЛ
203
Рис. 4.1
. КР1533ИД17
6
10
9
a
7
13
5
IS
и
3
г
17
19
1»
-ачсз
00
01
02
03
00
05
05
т
01
50
001
002
СОЗ
02
SYH
СОН
ос
001 
001 
002 
002
тко
СТО!
СТ02
сто
2i
20.
И
25
27
V
U
2Z
К555ИД1В
’I?
2
б
8
2
♦
ЬС
Е01
СО
а
b
с
tf
е
f
13
Н
О
к
л
К155ИЕ1
ст
2
V
л
К155ИЕ6
К155ИЕ7
К555ИЕ7
' КР1531ИЕ7
КР1533ИЕ7
К155ИЕ8
о
«
Л
1
2
3
СПб
а
о
1
и.
4 17
И-н
I
и
15
2
L
2
е_ .
з
2
3
h
5
12
10.
cm
НМ6

с_
у
6
zM- ’

К155ИЕ9
КР531ИЕ9
К555ИЕ9
КР1533ИЕ9
3_
4
5
2
3
ст
а
о
№
и
2
и
г
ю
п
Е
J
и
IS
КР531ИЕ10
К555ИЕ10
КР1531ИЕ10
КР1533ИЕ10
S
2
3
2_.
i1
СПб
п
е
а
о
к
о
2
п
3
п
п£
204
МИКРОСХЕМЫ ТТЛ
Рис. 4.1
КР531ИЕ11
КР1533ИЕ11
ЯНк
Л 2
t z
4г г*
г-ч
-
W —
К155ИЕ14
КР531ИЕ14
К555ИЕ14
КР531ИЕ15
К555ИЕ15
КР531ИЕ16

КР531ИЕ18
К555ИЕ18
КР1533ИЕ18
КР531ИЕ17
J. 4 5	/ 2	ста	0 0	/С
£	J		1	IL
л	•L		2	!?
2_	>С		J	Н-
7 Ю	п г			
4			F4	
К555ИЕ19
		ста	0	.1
	>С		О /	4
			2	
	/?		J	X.
/J	>с	m	а 0	11
2?			2 J	9
КР531ИК1
!
КР531ИК2
К155ИМ1
SM
C/'U
205
МИКРОСХЕМЫ ТТЛ
Рис. 4.1
К555ИМ6
КР1531ИМ6
ЭД
fS
у 82
SM
а
SJ
ю
2
 В!
М
ВО
а
с
я
$0-
К155ИПЗ
КР531ИПЗ
КР531ИП5
К555ИП5
К555ИП8
206
МИКРОСХЕМЫ ТТЛ
Рис. 4.1
К555ИП9
К155ИР1
К555ИР8
К555ИР9
Я		Л6		t
/4 1 1 7				
г а.	1 Cl С2			
и	Z5	•		
К555ИРК)
КР531ИР11
К555ИР11А
КР1531ИР11
1 4 I 1	? J	Кб-	0 0 7	Hl
п_	>с		2	11
1 2	к J 0		J	fZ
9_ 11				
1	R			
КР531ИР12
К155ИР13 •
К155ИР15
К555ИР15
К555ИР16
МИКРОСХЕМЫ ТТЛ
207
Рис. 4.1
К155ИР17
КР531ИР19
КР531ИР23
К555ИР23
КР531ИР21
I 4 Т £	5 0 2 3	W 1	6 к/ 0 2 3	11 /4 3 //
£	т 2			
	Ж			
КР531ИР22
К555ИР22
КР1531ИР22
КР1533ИР22
2	У			
4	1		00	
1 8_	2 J		0 1	2 5
и	4		2	b
S	5		j	.4!..
// S	6 7		4 5 5	12 и 16
11	L		7	
	Л			
КР1531ИР23
КР1533ИР23
КР531ИР20
20
21
о
о
!
2
3
2_
7
W
s
74
И
30
31
КР531 ИР24
КР1533ИР24
я 11	IK 7 0	RS	00 V	{i.
п	к		ГВ 0	7 /5
! Тя1	но		1 2	2 /4
				
			4	7
л	•р т		5 б	11 4 А5
2	ot			
4L			Q1	Т7
КР 531 ИР 25
К555ИР27
К555ИР30
208
МИКРОСХЕМЫ ТТЛ
Рис. 4.1
КР1533ИР31
КР1533ИР34
К155ИР32
К555ИР32
КР15ЭЗИРЗЗ
и
'R
I
ЯС
U
К555ИР35
КР1533ИР37
КР1533ИР38
МИКРОСХЕМЫ ТТЛ
209
Рис. 4.!
К155КП1
К155КП2
КР531КП2
К555КП2
КР1531КП2
КР1533КП2
К155КП5
К155КП7
КР531КП7
К555КП7
КР1531КП7
КР1533КП7
КР531КП12
210
МИКРОСХЕМЫ ТТЛ
Рис. 4.1
К555КП13
КР1533КП13
J Z	г 01		с 0	а
т	10 п	мин	/	
9	20 21		2	а
7 Т	J/		J	а
КР531КП14
К555КП14
КР1533КП14А
КР 531 КП 15
К555КП15
КР1531КП15
КР1533КП15
я J
№ с
ilt
s
КР531КП16
К555КЛ16
КР1533КП16
i	01	XIX	0	
			r	L
a				
	il		2	9_
a. n	% 7/		3	12.
	7			
	E			
К555КП17
КР1531КП17
КР1533КП17
4-х $DZ J-DJ	HS lz
-7	
	H5 ts_
^7	
77	
КР531КП18
КР1533КП18
КР1531КП19
КР1533КЛ19
6 T 7 7	X w 02 0}	MS	2
2.	s		
10\ TL	w DI	MS	
	DI		
	DJ		
JJ	Is		
к	1		
	f		
К155ЛА1
КР531 ЛА 1
К555ЛА1
КР1531ЛА1
КР1533ЛА1
К155ЛА2
КР531ЛА2
К555ЛА7
КР1533ЛА2
f г~- 1
К155ЛАЗ
КР531ЛАЗ
К555ЛАЗ
КР1531ЛАЗ
КР1533ЛАЗ
К155ЛА4
КР531ЛА4
К555ЛА4
КР1531ЛА4
КР1533ЛА4
К155ЛАЙ
К555ЛА6
МИКРОСХЕМЫ ТТЛ
211
Рис.4.1
К155ЛА7
КР531ЛА7
К555ЛА7
КР1533ЛА7
К155ЛА8
НР1533ЛА8
2	£1	1
3		
S		у
6		
в	£&.	ю
в		
11	&SL	13
12		
КР531ЛА9
К555ЛА9
КР1533ЛА9
К155ЛА10
К555ЛА 10
1 г		12
13		
3 •t	Sit	6
5		
S 10	Sit	8
11		
К155ЛА11
К555ЛА11
К155ЛА12	К155ЛА13
КР531 ЛА 12	' KP53J ЛА 13
К555ЛА12	К555ЛА13
КР531ЛА17
К155ЛА18
КР531ЛА19
К155ЛД1
21?
МИКРОСХЕМЫ ТТЛ
Рис. 4.1
К155ЛДЗ
К155ЛЕ1
КР531ЛЕ1					
К555ЛЕ1	К155ЛЕ2					
КР1531ЛЕ1	Z			1	s	
КР1533ЛЕ1	-|i					
3	1				
		t			
					7
					
				E		
6					
	1	V	75			
5					
			E		
9	1	к i	7	s	
11	-	%			$
	1	/3	~			
12		p	12			
—			f		
К155ЛЕЗ
К155ЛЕ4
К555ЛЕ4
г
»
3
ь
3
S
- л
и
К155ЛЕ5	К155ЛЕ6
J г	1	J-	J г	1	11	КР531ЛЕ7	
Ы” 1	1	4	s 5	1	t 4	1. 1 z. -K- n	t5
8 9 11 12	1 1	to f3	8 9 // 12	1 1 .	to t3	s. ir 2 11	£
К155ЛИ1
КР531ЛИ1
К555ЛИ1
КР1531ЛИ1	КР531ЛИЗ
МИКРОСХЕМЫ ТТЛ
213
Рис. 4.1
К155ЛЛ1
КР531ЛЛ1
К555ЛЛ1
К555ЛИ6
КР1531ЛЛ1
К155ЛН1
КР531ЛН1
К555ЛН1
КР1531ЛН1
КР1533ЛН1
5 1 \ е
К155ЛН2
КР531ЛН2
К155ЛН6
КР 1533ЛН7
КР1533ЛН8
2
2
н
/!>
/С>
4
А
& />.
КР 1533ЛПЗ
214
МИКРОСХЕМЫ ТТЛ
Рис. 4.1
К155ЛЛ5
КР531ЛП5
К555ЛП5
К155ЛП4	КР1531ЛП5
К155ЛП9
К155ЛП7
К155ЛП10
К555ЛП12
8
10

12
13
-1&.

3
6
8
11
К155ЛР1
К155ЛП8
К555ЛЛ8
1
£
$
£
й
п
К155ЛП11
К155ЛРЗ
К555ЛРЗ
iff
а
МИКРОСХЕМЫ ПЛ
215
Рис 4 1
КР531ЛР9
КР1531ЛР9
К155ЛР4
2
У
ff
К555ЛР13
КР1533ЛР13
К155ПП5
К155ПР6
К155ЛР7
216
МИКРОСХЕМЫ ТТЛ
Рис. 4.1
К155РЕЗ
К155РЕ21
№
С
СО
К155РЕ22
KI55PE23
К155РЕ24
К155РЛЗ
е
ВОЕ
Т
9
W
о
I
2
ЛИ
22
кк
ЕВ
21
5
IS
№
17
IL'
ч

DIB
о
f
7в
ВОВ
К155РУ2
МИКРОСХЕМЫ ТТЛ
217
Рис. 4.1
К155РУЗ
£
J.
2.
/
*1
хг
Хз
Хч
о^ч
flfix
Ч)
в_
2.
£
в.
*1
Гг
Уз
Уч
Si
14
So
13
10
11_
Ча
Ч»
1В
11
Ча
К155РУ7
КР531РУ8
КР531РУ9
КР531РУ11
т
О
1 S-
г'-i
Зп-

КР531СП1
К555СП1
КР1533СП1
К155ТВ1
218
МИКРОСХЕМЫ ТТЛ
Рис. 4.1
К555ТВ6
КР531ТВ9
К555ТВ9
КР1531ТВ9
КР531ТВ10
КР1531ТВ10
4		т	5
			
1 - 1	J		6
	ус		
	к		
zd	-J	т	9
и	J		
			8
Е	к		
К155ТВ15
КР1533ТВ15
КР531ТВ11
КР1531ТВ11
К155ТЛ1
К155ТЛ2
К555ТЛ2
КР1531ТЛ2
К155ГЛЗ
К155ТМ2
КР531ТМ2
K55STM2
КР1531ТМ2
КР1533ТМ2
МИКРОСХЕМЫ ТТЛ
219
Рис. 4.1
К155ТМ7
К155ТМ8
КР531ТМ8	KP53ITM9
К555ТР2
KPI533TP2
KP53IХЛ1
КР1533ХЛ1
220
МИКРОСХЕМЫ К176
4.1.6.	Серия К176
Микросхемы серии К176 изготавливаются по технологии комплементарных
транзисторов структуры металл-окисел-полупроводник (КМОП). Основной
особенностью микросхем является ничтожное потребление тока в статическом режиме -
0,1..Л00 мкА. При работе на максимальной рабочей частоте 1...5 МГц потребляемая
мощность увеличивается и доходит до значения потребляемой мощности наименее
мощных ТТЛ-микросхем.
Микросхемы выпускаются в пластмассовых корпусах с 14, 16 и 24 выводами.
Номинальное напряжение питания микросхем серии К176	+9В+5%, однако они
сохраняют работоспособность в диапазоне питающих напряжений 5... 12В. Диапазон
рабочих температур микросхем серии К176 - -10,..+70°С.
Выходные уровни микросхем при работе на однотипные микросхемы практически
не отличаются от напряжения питания и потенциала общего провода. Максимальный
выходной ток большинства микросхем не превышает единиц миллиампер, что
несколько затрудняет непосредственное согласование микросхем серии К176 с какими-
либо индикаторами и микросхемами других серий.
При монтажных работах для исключения случайного пробоя за счет статического
электричества потенциалы монтируемой платы, паяльника и тел^ монтажника должны
быть уравнены. Для этого на ручку паяльника можно намотать несколько витков
неизолированного провода или укрепить жестяную пластинку и соединить через
резистор 100.,.200 |фм с металлическими частями паяльника. Конечно, обмотка
паяльника не должна иметь контакта с его корпусом. При монтаже свободной рукой
следует касаться шин питания монтируемой платы. Если микросхема лежит в
металлической коробке или ее выводы упакованы в фольгу, прежде чем взять
микросхему, следует дотронуться до коробки или фольги.
Применение микросхем серии К176 имеет свои особенности. Ни один из входов
микросхемы не может быть оставлен неподключенным, даже если логический элемент в
микросхеме не использован. Свободные входы элементов должны быть или соединены с
используемыми входами того же элемента, или подключены к шине питания или
общему проводу в соответствии с логикой работы микросхемы. Напряжение источника
питания должно подаваться ранее или одновременно с подачей входных сигналов.
Напряжение питания подводят к выводу с наибольшим номером-^общи hi i ровод
подключают к выводу с вдвое меньшим номе м, кроме микросхем К176ПУ1, К176ПУ2,
КГ76ПУЗ и К1 7БПУ 5, имеющих дополнительное питание +5В, у первых трех
микросхем подводят к выводу один, а у К176ПУ5 - к выводу пятнадцать.
Номенклатура микросхем серии К176 указана в таблице. В скобках посЛе
функционального назначения некоторых микросхем первые цифры обозначают число
информационных входов, вторые цифры - число выходов, буква Z - возможность
переключения выходов в высокоимпедансное состояние, буквы ОС - обозначают наличие
у микросхемы выхода с открытым стоком.
Обозначения электрических параметров
1ПОТ значение тока, потребляемое микросхемой в статическом режиме.
интервал времени, равный Полусумме времени задержки распространения
сигнала при включении и выключении цифровой микросхемы.
з.ср.
^хпах " максимальная частота следования импульсов входного напряжения.
Условное графическое обозначение функциональных схем серии К176 приведено на
рис.4.2.
МИКРОСХЕМЫ К176
221
Т а б л и ц а 4.1.6
К176 /	Функциональное назначение	Число ВЫВО- ДОВ	*пот, мкА	^шах, МГц	*з.ср, нс	Аналог
ИД1	Дешифратор с прямыми выходами (4-»10>	16	ню	-	350	CD4028E
ИД2	Преобразователь двоично-десятичного кода в код семисегментного индикатора	16	100	-	850	MCI 4543
ИДЗ	Преобразователь даоично-десятичного кода в код семисегментного индикатора (ОС)	16	100	-	850	-
ИЕ1	Шестиразрядный двоичный счетчик	14	20	1	-	CD4024E
ИЕ2	Пятиразрядный двоичный и десятич- ный счетчик	16	100	2	-	ТА-5971
ИЕЗ	Счетчик-делитель на 6 с выходами . на семисегментный индикатор	14	250	1	-	
ИЕ4	Декада с выходами на семисегмент- ный индикатор	14	250	1	-	CD4026E
ИЕ5	Кварцевый генератор и делитель частоты на 32768	14	250	1	-	CD4033E
ИЕ8	Десятичный счетчик с дешифратором	16	100	2	-	CD4017F
ИЕ12	Кварцевый генератор н делитель частоты на 32768 и 60	16	25	1,2	-	-
ИЕ13	Счетчик для часов с будильником	16	50	1,2	-	-
ИЕ17	Счетчик-календарь	16	600	0,03	-	-
ИЕ18	Кварцевый генератор и делитель частоты на 32768 и 60	16	50	-	-	-
ИМ1	Четырехразредный полный сумматор	16	20	-	600	CD4008E
ИР2	Два четырехразрядных сдвигающих регистра	16	100	2	-	CD4015E
ИРЗ	Четырехразрядный сдвигающий регистр	14	100	2	-	CD40115Е
ИР10	Восемнадцати разрядный сдвигающий регистр	16	100	2	-	CD4006E
КТ1	Четыре двунаправленных переклю- чателя	14	0,4	-	250	CD4016Е
ЛА7	Четыре элемента 2И-НЕ	14	0,3	1	200	CD401 1Е
Л АХ	Два элемента 4И-НЕ	14	0,3	1	200	CD4012E
ЛА9	Три элемента ЗИ-НЕ	14	0,3	1	200	CD4023E
ЛЕ5	Четыре элемента 2ИЛИ-НЕ	14	0,3	1	200	CD4001E
ЛЕ6	Два элемента 4ИЛИ-НЕ	14	0,3	1	200	CD4OO2E
ЛЕЮ	Три элемента ЗИЛИ-НЕ	14	0,3	1	200	CD4O25E
ЛИ1	Элемент 9И и НЕ	14	0,4	-	250	-
ЛП1	Шесть транзисторов	14	0,3	1	200	CD4OO7E
ЛП2	Четыре элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ	14	10	-	500	CD4030E
ЛП4	Два элемента ЗИЛИ-НЕ и элемент НЕ	14	0,3	1	200	CD4000E
ЛП11	Два элемента 4ИЛИ-НЕ и Элемент НЕ	14	0,3	-	200	-
ЛП12	Два элемента 4И-НЕ и элемент НЕ	14	0,3	-	200	-
222
МИКРОСХЕМЫ К176
Окончание табл. 4.1.6
К176	Фуньщиональное назначение	Число выво-- Дов	^пот, мкА	ffflax, МГц	*з.ср, нс	Аналог
ЛС1	Три элемента ЗИ-ИЛИ	14	20	-	600	-
ПУ1	Пять преобразователей уровня КМОП-ТТЛ с инверсией	14	0,7	-	250	-
ПУ2	Шесть преобразователей уровня КМОП-ТТЛ с инверсией	16	5	-	120	CD4009E
ПУЗ	Шесть преобразователей уровня	♦ КМОП-ТТЛ	16	5	-	120	CD4010E
ПУЗ	Четыре преобразователя уровня ТТЛ-КМОП (Z}	16	0,1	-	265	
РМ1	Матрица-накопитель ОЗУ на 16 бит	14	10	-	-	CD4005E
РУ2	ОЗУ на 256 бит (256x1)	16	500	, -	-	-
ТВ1	Два JK-триггера	16	10	2	-	CD4027E
ТМ1	Два D-триггера	14	3	1	-	CD4003E
ТМ2	Два D-триггера с установкой 0 и 1	14	3	1	-	CD4013E
МИКРОСХЕМЫ К561
223
4.1.7.	Серия К561
Микросхемы серии К561 во многом аналогичны микросхемам серии К176
построены на комплементарных транзисторах структуры металл-окисел-полупроводник
(КМОП), потребляют ничтожно малую мощность в статическом режиме, имеют очень
небольшой определяемый лишь токами утечки входной ток.	. ।
Микросхемы выпускаются в пластмассовых корпусах с 14, 16 и 24 выводами.
Напряжение питания может находиться в пределах от 3 до 15В. Номинальное
напряжениеz +10Bil0%. Микросхемы серии К561 обеспечивают большие
быстродействия и выходные токи, они ориентированы преимущественно на применение
в цифровых вычислительных машинах, не имеют разновидностей, специализированных
на использование в электронных часах. Диапазон рабочих температур микросхем серии
К561 -45. .+85°С.
Выходные уровни микросхем при работе на однотипные микросхемы практически
не отличаются от напряжения питания и потенциала общего провода Максимальный
выходной ток большинства микросхем не превышает единиц миллиампер.
Меры предосторожности, которые необходимо применять при монтаже и
налаживании устройств на микросхемах серии K56L такие же, как и для микросхем
серии К176.
Применение микросхем серии. К561 имеет свои особенности. Ни один из входов
микросхем не может быть оставлен неподключенным, даже если логический элемент в
микросхеме не использован Свободные* входы элементов должны быть или соединены с
используемыми входами того же элемента, или подключены к шине питания или
общему проводу в соответствии с логикой работы микросхемы. Напряжение источника
питания (очжно подаваться ранее или одновременно с подачей входных сигналов.
При конструировании аппаратуры на микросхемах серии К561 необходимо
учитывать, что емкость связи между проводниками, соединяющими передатчики с
приемниками информации, является емкостью нагрузки для микросхем, передающих
информацию. Увеличение емкости приводит к возрастанию динамического тока
потребления. Для исключения влияния перекрестных помех между одиночными
проводниками в асинхронных устройствах, емкость связи не должна превышать 100 пф.
При конструировании аппаратуры на микросхемах серии К561 необходимо
предусматривать защиту от попадания импульсных помех на щины «питание» и
«общая», для чего в цепях питания рекомендуется устанавливать низкочастотные и
высокочастотные конденсаторы. Типы конденсаторов и их емкости выбираются в
зависимости от конструкции аппаратуры. Ориентировочно емкость конденсаторов
можно выбрать из расчета: низкочастотный электролитический - не менее 0,03 мкФ на
одну микросхему; высокочастотный керамический - 0,068 мкФ на каждые 50 микросхем.
Напряжение питания подводят к выводу с наибольшим номером, общий провод
К1одключаюг“к~выводу с вдвое меньшим номером^ кроме микросхем К561КП1, К561КП2
и"К5?ПТГУТ У'Пчих общий провод подводят к выводу восемь. Напряжение питания
микросхемы К561ПУ4 подводят к выводу один. Напряжение питания микросхем
K561K11I и К561КП2- подводят к выводам шестнадцать и семь. Диапазон рабочих
температур микросхем серии К561 -45...+85°С.
Номенклатура микросхем серии К561 указана в таблице. В скобках после
функционального назначения некоторых микросхем первые цифры обозначают число
информационных входов, вторые цифры - число выходов, буква Z - возможность
Переключения выходов в высокоймледансное состояние.
224
МИКРОСХЕМЫ К561
Обозначения электрических параметров
^пот ” значение тока5 потребляемого микросхемой в статическом режиме;
t3 Ср - интервал времени, равный полусумме времени задержки распростра
нения сигнала при включении и выключении цифровой микросхемы;
^тах ” максимальная частота следования импульсов входного напряжения.
Условное графическое обозначение функциональных схем серии К561 приведено на
рис. 4.2.	'
Таблица 4.1.7
К 561	Функциональное назначение	Число выво- дов	*пот, мкА	^тах, МГц	Ч.ср, нс	Аналог
ИЛ1	Дешифратор с прямыми выходами (4—>10)	16	100	-	230	CD4028AE
ИЕ8	Десятичный счетчик с дешифра- тором	16	20	-	350	CD4017AE
ИЕ9	Двоичный счетчик с дешифратором	16	100	-	3150	CD4O22AE
ИЕ10	Два четырехразрядных двоичных счетчика	16	100	-	500	MCI 4520АР
ИЕ11	Четырехразрядный двоичный реверсивный счетчик	16	20	-	400	МС14516АР
ИЕ14	Четырехразрядный десятичный реверсивный счетчик	16	100	-	320	CD4029AE
ИЕ15	Делитель частоты с переключае- мым коэффициентом деления	24	50	-	180	CD4O59AE
ИЕ16	Четырнадцати разрядный десятич- ный реверсивный счетчик	16	20	-	340	CD4020AE
ИЕ19	Счетчик с переключаемым коэф- фициентом деления	16	50	-	350	CD4018AE
ИК1	Три мажоритарно-мультиплек- сорных элемента	16	100	-	150	-
ИМ1	Четырехразрядный полный сумматор	16	20	-	140	CD4008AE
ИП2	Четырехразрядная схема сравнения двух чисел	16	100	-	1400	МС14585АР
ИП5	Универсальный двухразрядный умножитель	16	100	-	900	МС14554АР
ИР2	Два четырех разрядных сдвигающих регистра	16	100	-	380	CD4O15AE
ИР6	Восьмиразрядный сдвигающий регистр (Z)	24	100	-	620	CD4034AE
ИР9	Четырехразрядный сдвигающий регистр	16	20	-	298	CD4035AE
ИР11	Многоцелевой регистр (8x4)	24	800	-	450	МС1458ОАР
ИР12	Многоцелевой регистр (4x4)	24	400	-	2250	МС1458ОАР
кт	Два мультиплексора (4->1)	16	20	-	600	CD4052AE
КП2	Мультиплексор (8-Я)	16	100	-	400	CD4051AE
КТЗ	Четыре аналоговых ключа	14	5	-	25	CD4066AE
ЛА7	Четыре элемента 2И-НЕ	14	2	-	80	CD401 1АЕ
(МИКРОСХЕМЫ К561
225
Окончание табл. 4.1.7
К561	Функциональное ' назначение	Число выво- дов	*пот, мкА	^тах, МГц	*з.ср, нс	Аналог
ЛА8	Два элемента 4И-НЕ	14	2	-	80	CD4012AE
ЛА9	Три элемента ЗИ-НЕ	14	5	-	125	CD4023AE
ЛЕ5	Четыре элемента 2ИЛИ-НЕ	14	5	-	123	CD4001АЕ
ЛЕ6	Два элемента 4ИЛИ-НЕ	14	5	-	123	С04002АЕ
ЛЕЮ	Три элемента ЗИЛИ-НЕ	14	5	-	135	CD4025AE
ЛН1	Шесть элементов НЕ (Z)	16	10	-	405	МС14502АР
ЛН2	Шесть элементов НЕ	14	2	-	70	CD4069AE
лнз	Шесть повторителей (Z)	16	-	-	70	р PD45O3BC
ЛП2	Четыре элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ	14	10	-	70	CD4O3OAE
лшз	Три мажоритарных элемента	14	20	-	160	-
ЛС2	Четыре элемента И-ИЛИ	16	100	-	190	CD4O19AE
ПУ4	Шесть преобразователей уровня КМОП-ТТЛ	16	5	-	75	CD405OAE
ПУ7	Шесть преобразователей уровня ТТЛ-КМОП с инверсией	14	20	-	ПО	-
ПУ8	Шесть преобразователей уровня ТТЛ-КМОП	14	20	-	1 10	-
РУ2А	Статическое ОЗУ (256x1)	16	10	-	800	CD4O61AE
РУ2Б	Статическое ОЗУ (256x1)	16	200	-	1300	CD4061AE
СА1	Тринадцати входовый сумматор по модулю 2	16	100	-	900	MCI 453 IBP
ТВ1	Два JK-тригтера	16	20	-	240	CD4027AE
ТЛ1	Четыре триггера Шмитта И-НЕ	14	2	2	300	CD4093AE
ТМ2	Два D-триггера с установкой 0 и 1	14	20	-	150	CD4O13AE
ТМЗ	Четыре D-триггера	16	20	-	560	CD4042AE
ТР2	Четыре RS-триггера (Z) ъ	16	20	-	360	CD4043AE
8- Зак. 4694
226
МИКРОСХЕМЫ KPI561
4.1.8.	Серия КР1561
Микросхемы серии КР1561 структуры КМОП во многом преемственны
микросхемам серии К176 и К561. Они тоже потребляют чрезвычайно малый ток в
статическом режиме (доли микроампера), их входные токи определяются только
токами утечки, а выходные напряжения практически равны нулю или напряжению
питания при работе на другие микросхемы структуры КМОП
Отличительная особенность серии КР1561 - наличие буферных элементов на
входах и выходах всех микросхем не зависимо от их сложности, а не только на выходах
сложных, как в сериях К176 и К.561 В результате большинство микросхем этой серии
имеют примерно одинаковые выходные характеристики и одну и ту же входную
емкость. Кроме того, микросхемы серии КР1561 защищены от перегрузок как по входу,
так и по выходу (в выходные цепи добавлены токоограничительные резисторы)
Напряжение питания микросхем может находиться в пределах от 3 до 18В. Однако при
изготовлении микросхемы контролируют только при напряжениях 5, 10 и 15В, для
которых и гарантированы их параметры.
Микросхемы серии КР1561 имеют следующие статические нагрузочные
характеристики. При уровне логического нуля на выходе микросхемы и контрольных
напряжениях питания 5, 10 и I5B выходной втекающий ток равен не менее 0,44; 1,1 и 3
мА при выходных напряжениях 0,4; 0,5 и 1,5В соответственно. Т$ же нормы
существуют и для вытекающих токов при входных напряжениях 4,6; 9,5 и 13,5В уровня
логической единицы на выходе. Кроме того, гарантируется, что при напряжении
питания 5В и выходном напряжении 2,5В уровня логической единицы выходном
вытекающий ток равен не' менее 1,36мА. Реальные выходные токи микросхем серии
КР1561 значительно больше.
Ток короткого замыкания при напряжении питания 5В равен 10мА при уровне
логического нуля и около 6мА при уровне логической единицы, что позволяет
подключать практически любые светодиоды к выходам микросхем этой серии бе i
ограничительных резисторов. При напряжении питания 10 или 15В ток короткого
замыкания может достигать 2О...6ОмА, поэтому включение ограничительных резисторов
необходимо.
Выходной ток 0,44мА при напряжении питания 5В и выходном напряжении 0,5В
уровня логического нуля гарантирует нормальную работу микросхем серии КР1561 на
один вход микросхем серии К5.55. Однако, так как реальный выходной ток больше, их
можно нагружать и на несколько входов микросхем серии К555 или даже на один вхо i
микросхемы серии К155.
Номенклатура микросхем серии КР 1561, указанная в таблице, пока невелика. В
скобках после функционального назначения некоторых микросхем первые цифры
обозначают число информационных входов, вторые цифры - число выходов, буква Z -
возможность переключения выходов в высокоимпедансное состояние. Если буквенно-
цифровое обозначение после номера серии совпадает с обозначением микросхем серии
К176 или K56L то полностью совладает и логика их работы. Однако в серии KPI561
есть микросхемы, имеющие аналоги в сериях К176 и К561 с несовпадающими
буквенно-цифровыми обозначениями (например, КР1561ЛГ114 - аналог микросхем
К176ЛП2 и К561ЛП2), ест* и оригинальные микросхемы, отсутствующие в ранее
выпускавшихся сериях.
Простые логические микросхемы с буквами ЛА, ЛЕ, ЛИ и другими в обозначениях
этой серии имеют максимальную задержку распространения сигнала около 250, 120 и
90 нс при напряжениях питания 5, 10 и 15В соответственно, сложные микросхемы -
больше указанных.
МИКРОСХЕМЫ КР1561
227
Микросхемы1 серии КР1561 имеют пластмассовые корпуса с 14 или 16 выводами,
их конструкции н размеры аналогичны корпусам серий К176 и К561. Напряжение
питания подводят к выводу с наибольшим номером, общий провод подключают к
выводу с вдвое меньшим номером, кроме микросхем КР1561КП1 и КР1561ПУ4. У них
общий провод подводят к выводу восемь. Напряжение питания микросхемы
КР1561ПУ4 подводят к выводу один. Напряжения питания микросхемы КР1561КП1
подводят к выводам шестнадцать и семь.
Диапазон рабочих температур микросхем серии КР 1561 -45..+85°С,
Обозначения электрических параметров
Irot ' значение тока, потребляемого микросхемой в статическом режиме;
!з ср " интеРвал времени, равный полусумме времени задержки распростра
нения сигнала при включении и выключении цифровой микросхемы;
?тах - максимальная частота следования импульсов входного напряжения.
Условное графическое обозначение функциональных схем серии КР1561 приведено
на рис 4 .2.
Таблица 4.1.8
КР1561 •	Функциональное назначение	Число ВЫВО- ДОВ	^пот, мкА	^тах, МГц	*з.ср, нс	Аналог
АП	Два одновибратора	16	4	-	250	CD4O98BE
ИД6	Два дешифратора с прямыми выходами (2-»4)	16	L00	-	140	МС14555ВР
ВД7	Два дешифратора с инверсными выходами (2-*4)	16	100	-	140	МС14556ВР
ИЕ10	Два четырехразрядных двоичных счетчика	16	-	-	160	CD4520BE
ИЕ20	Двенадцати разрядный двоичный счетчик	16	80	-	1400	МС14040ВР
ИЕ21	Синхронный двоичный счетчик с предустановкой	16	80	-	?50	МС14194ВР
ИР 14	Четырехразрядный регистр хранения (Z)	16	-	-	-	МС14076ВР
ИРК	Реверсивный четырехразрядный регистр	16	80	-	170	
КП1	Два мультиплексора (4->1)	16	-	-	200	CD4052BE
КП2	Мульти плексор (8-41)	16	80	-	170	CD4051BE
КТЗ	Четыре аналоговых ключа	14	4	-	15	CD4066BE
ЛА7	Четыре элемента 2И-НЕ	14	2	-	25	CD401IBE
ЛА8	Два элемента 4И-НЕ	14	2	-	25	CD40I2BE
ЛАО	Три элемента ЗИ-НЕ	14	4	-	90	CD4023BE
ЛЕ5	Четыре элемента 2ИЛИ-НЕ	14	5	-	25	CD4001BE
ЛЕ6	Два элемента 4ИЛИ-НЕ	14	5	-	25	CD4002BE
ЛЕЮ	Три элемента ЗИЛ И-НЕ	14	5	-	25	CD4025BE
ЛИ 2	Четыре элемента 2И	14	5	-	90	CD408IBE
8»
228	МИКРОСХЕМЫ KPlSbi
Окончание табл. 4.1.8
КР1561	Функциональное назначение	Число выво- дов	I * пот, мкА	'max, МГц	*з.ср, НС	Аналог
ЛП14	Четыре элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ	14	10	-	32	
ПУ4	Шесть преобразователей уровне КМОП-ТТЛ	16	16	-	45	CD4050BE
ТВ1	Два JK-триггера	16	-	-	80	CD4027BE
ТЛ1	Четыре триггера Шмитта	14	16	-	240	CD4093BE
МИКРОСХЕМЫ КМОП
229
Рис. 4.2
КР1561АГ1
К176ИДЗ
/АО
Ар
4
В
С
о
Е
F
G
9
и_
Й
U
15
И
К176ИЕЗ
К176ИЕ4
К176ИЕ5
К176ИЕ8
	>с	g	А В С В в F В	э_ 10_ и Й U. /
н Iе*	F 8		а 3	2 2_
Z'.	>с	т	0	4
3_	в		If	5
£	0V		5	
Q		ms	№	J
	X			12
			6i	И
	W			л
К561ИЕ8
t	то	0	2.
	ос	1	4
а О	>	2 3 4	1.
С2		5	
		б 7	£
		8	У
		9	II
R		й	&
230
МИКРОСХЕМЫ КМОП
Рис. 4.2
К561ИЕ9
К561ИЕ1О
КР1561ИЕ10
CTS
DC
ОД
/ С! а	т >	0 0 / 2 J
1 =° 1 Й^- 1	ст >	0 0 / 2 3
К561ИЕ15
К176ИЕ13
К561ИЕ14
То
DO
О
4
СТ
И
м
од
и
74
Й
СТ
№/Ю
1 —
1
Л
4
5|
б_
I
20
!7
И
IL
-Ц>с
II
К561ИЕ16
МИКРОСХЕМЫ КМОП
231
Рис. 4.2
К176ИЕ18
К561ИК1
К561ИЕ19
КР1561ИЕ21
&		т	е	/9 . 3 /7
1	D1 DZ пч м			
£			р	15
				
				
	с			
i Е	% 12 П	*2 №Ц	DO 1	а
j 4 11	21 22 23		2	3.
S 7Г 7	12 33		3	3.
7_ 9_	1 2			
К176ИМ1
К561ИМ1
	13	зм		
	Bl		а	/4
i	п В2		S3	Л.
£	AI BI		S2	12
			SI	
	АО			
2	11		SO	Ю
	со			
К176ИР2
К561ИП5
КР1561ИЕ20
К561ИЛ2
К561ИР6
232
МИКРОСХЕМЫ КМОП
Рис. 4.2
К561ИР11
К561ИР9
2 —
К176ИР10
дг 0	те	а 0J
BS 1 DS 2 п С		0 /3 № О ,23 а jj 34
К5Й1ИР12
КР1561ИР14
П
ш
HZ
—п
ft
КР1561ИР15
МИКРОСХЕМЫ КМОП
233
Рис. 4.2
К561КП1
КР1561КП1
К561КП2
КР1561КП2
К176КТ1
К561КТЗ
КР1561КГЗ
К176ЛА7
К561ЛА7
КР1561ЛА7
К176ЛА8
К561ЛА8
КР1561ЛА8
К176ЛА9
К561ЛА9 .
КР1561ЛА9
К176ЛЕ5
К561ЛЕ5
КР1561ЛЕ5
К176ЛЕ1О
К176ЛЕ6	К561ЛЕ10
234
МИКРОСХЕМЕ! КМОЦ
, Рис 4,2
КР1561ЛИ2
К176ЛИ1
КР1561ЛИ1
£
12
13
К561ЛН!
К561ЛН2
К561ЛНЗ
К176ЛП1
К176ЛП2 К561ЛП2		
2	=/	3
5		
6	=/	
8	—/	
12 13	=/	11
К176ЛП4
К176ЛП! 1
К176ЛП12
2
£
МИКРОСХЕМЫ КМОП
235
Рис. 4.2
КР1561ЛП14
К561ЛП13
К176ЛС1
2 1,	0 >1	лиг
3_	7	
12 и,	57 $	тх
£	А	
		пих
8_	7	
К561ЛС2
К176ПУЗ
К561ПУ4
КР1561ПУ4
К176ПУ2
К176ПУ5
♦5S 4SB
4W
36
МИКРОСХЕМЫ KMOfl
К176РЛА
K176TBI
Рис. 4 2
<561 РУ.

bw

7
6
2..
2.
//
2
3
4
5
f

&
K56ICA1
Ж
\М2
г
1
12.
и
Ж
И
И
J& Г5-
*44-
К561ТЛ1
'«Л
К176ТМ2
К561ТМ7
ГО
К561ТМЗ
я
а,
4
2
1
2
ir
п

\9
7
1frK
44 И
К176ТМ1
5
•HP
1
4

9_
п
12
л
г
с
К561ТР2
±1

о
к
г
/5
«

57
Я/
Z
52
9_
«г
12
S3
54
5
74
10
МИКРОСХЕМЫ К537
237
4,1.9.	Серия К537
Статические ОЗУ на МОП-транзисторах, несмотря на среднее быстродействие,
получили широкое распространение, что объясняется существенно большей
плотностью размещения ячеек на кристалле, чем у биполярных ОЗУ. Наиболее
развитым функциональным составом из серии КМДП-микросхем обладает серия К537,
функциональный ряд серии включает более 15 типов микросхем, отличающихся
информационной емкостью, организацией, быстродействием, уровнем потребляемой
мощности. Имеются отличия и в системе управляющих сигналов и в конструктивном
оформлени И.
Общими свойствами микросхем серии К.537 являются: единое напряжение питания
+5В, ТТЛ-уровни входных и выходных сигналов, выход с тремя состояниями, высокая
помехоустойчивость, допустимая значительная емкость нагрузки (200пФ и более),
небольшое энергопотребление, причем при хранении почти на три порядка меньше,
чем при обращении, способность сохранять записанную информацию при пониженном
др 2...3 В напряжении питания.
В устройствах памяти иа микросхемах серии' К537 для снижения потребляемой
мощности следует предусмотреть возможность автоматического переключения питания
микросхем в режиме хранения с основного источника +5В на маломощный буферный
источник напряжения, который обеспечивает питание только микросхем ОЗУ на
уровне, достаточном для сохранения информации. Для микросхем К537РУ1, КР537РУ8
допускается снижать напряжение до ЗВ, для микросхем КР537РУ6, К537РУ9 - до 3,3В,
для микросхем КР537РУ4, КР537РУ13, К537РУ14 - до 2,2В. Наименьшую мощность от
низковольтного источника питания потребляют микросхемы КР537РУЗА (11 .мкВт).
КР537РУ6А (1 15 мкВт), К537РУ13 и К537РУ14 <100 мкВт).
Микросхемы на МДП-транзисторах любого типа чувствительны к воздействию
статического электричества из-за высокого входного сопротивления. Даже
кратковременное повышение входного напряжения с недопустимо высоким уровнем
может вызвать электрический пробои тонкого слоя подзатворного диэлектрика. Для
защиты от вредного воздействия перенапряжения все входы микросхем защищают
Диодно-резистивными цепями, встроенными внутрь кристалла.
Для многих типов КМДП-микросхем. и в частности для микросхем серии К537,
существует опасность теплового пробоя р-п переходов в кристалле из-за "тиристорного
эффекта". Сущность этого явления заключается в том, что при повышении напряжения
в шиие питания, до 1 1 ..12 В из-за бросков тока при включении и влияния
индуктивностей шин. а также при превышении входным сигналом напряжения питания
кнутри кристалла активизируются паразитные биполярные р-п-р-n структуры и из-за
наличия положительной обратной связи по цепям токов утечки может появиться
эффект неуправляемого нарастания тока стока, близким по механизму к аналогичному
явлению в тиристорах в момент их переключения. Поскольку в КМДП-структурах
отсутствуют токоограничивающие резисторы нагрузки, то нарастание тока приводит к
развитию теплового пробоя в кристалле и, как следствие, к неисправности микросхемы.
С повышением уровня интеграции микросхем опасность возникновения в них
тиристорного эффекта увеличивается. В некоторых типах микросхем рассмотренный
рффект практически не наблюдается. В структурах этих микросхем сформированы так
называемые "охранные кольца", шунтирующие паразитные транзисторы и за счет этого
устраняющие тиристорныи эффект Для тех микросхем, у которых защита отсутствует,
необходимо предусматривать конструктивные меры предупреждения v тиристорного
эффекта снижать индуктивность шин питания, не допускать бпмиодго расположения с
сильноточными микросхемами и т.д.
238
МИКРОСХЕМЫ К537
При* Применении микросхем памяти серии К537 необходимо соблюдать порядок
включения питания и подачи входных сигналов: вначале должно быть включено
напряжение питания. При выключении блока ОЗУ следует снять входные сигналы
(адресные, управляющие и информационные) и затем отключить источник напряжения
питания. Необходимо обеспечить также выполнение условия, по которому напряжение
сигналов не должно превышать напряжения питания микросхемы
Микросхемы серии К537 работают в режимах записи, считывания и хранения
Сравнение динамических параметров микросхем показывает, что в серии К537
наибольшим быстродействием обладают микросхемы КР537РУ10 и К537РУ14
Микросхемы К537РУ14 и КР537РУ13 являются асинхронными. За этим исключением
все микросхемы серии К537 являются тактируемыми: в режимах записи и считывания
необходимо сигнал CS подавать импульсом, а сигнал W/R может иметь форму уровня
напряжения или импульса.
Микросхемы КР537РУ8 и КР537РУ10 имеют дополнительный управляющий сигнал
ОЕ (Разрешение по выходу)- при подаче этого сигнала одновременно с сигналом CS
отсчет времени появления сигнала ведется от отрицательного перепада сигнала *CS=OE.
Существует возможность стробирования выходной информации сигналом ОЕ
подаваемым с некоторой задержкой относительно сигнала CS. В этом случае при ОЕ~ 1.
т.е. до момента подачи этого сигнала, выходы находятся в третьем состоянии даже при
CS=O. Только в момент поступления сигнала ОЕ выходы переходят в функциональное
состояние.
Предельные режимы эксплуатации микросхем серии К537
Максимальное напряжение питания	-	+6В
Максимальное напряжение на входе	-	+6В
Максимальное напряжение на выходе-	+6В
Максимальная емкость нагрузки	-	200	пФ
Обозначения электрических параметров
Ртах “ максимальная потребляемая мощность в режиме обращения;
tB	- время выборки адреса;
1цЗП (сч)" время цикла записи (считывания)
Условное графическое обозначение функциональных схем серии К.53.7 приведено на
рис. 4.3.
Т а б л и ц а 4.1.9
Тип микросхемы	Емкость бит	Число выводов	Р max, мВт	'в.а., нс	*ц.зп.(сч), нс	Зарубежный аналог
К537РУ1А	IKxl	16	14	1100	1300	НМ65О81
К537РУ1Б	IKxl	16	14	1700	2000	HM6508I
К537РУ1Б	IKxl	16	14	3400	4000	HM6508I
КР537РУ2А	4Кх1	18	28	410	500	НМ6504-3
КР537РУ2Б	4Кх1	18	28	580	670	НМ6504-4
КР537РУЗА	4Кх1	18	1 10	320	290	HMC6504N
МИКРОСХЕМЫ К537
239
Окончание табл. 4.1.9
Тип микросхемы	Емкость бит	Число выводов	Р max, мВт-	*в.а., нс	*ц.зп. (сч), НС	Зарубежный, аналог
КР537РУЗБ	4Кх1	18	1 10	220	210	HMC6504N
КР537РУЗВ	4Кх1	18	1 10	320	290	HMC6504N
КР537РУ6А	4Кх1	18	-	240	340	-
КР537РУ6Б	4Кх1	18	-	420	530	
КР537РУ8А	2Кх8	24	160	270	350	НМ6516-2
КР537РУ8Б	2Кх8	24	160	470	530	НМ6516-2
КР537РУ9А	2Кх8	24	-	240	400	-
КР537РУ9Б	2Кх8	24	-	420	580	
КР537РУ10	2Кх8	24	300	170	180	НМ 6516-9
КР537РУ13	!Кх4	18	75	200	200	НМ6514
К537РУ14А	4Кх!	18	225	135	1 10	TC5504AD
К537РУ14Б	4Кх!	18	225	215	180	TC5504AD
240
МИКРОСХЕМЫ К537
Рис. 4.3


МИКРОСХЕМЫ К537
241
Рис. 4.3
242
МИКРОСХЕМ!.! КР556
4.1.10.	Серия КР556
Среди микросхем, используемых в" цифровой и вычислительной технике,
существует многочисленный класс приборов, выполняющих функции долговременного и
оперативного хранения информации. В микросхемах запоминающих устройств
информация хранится в двоичном виде и при запросе поступает на выходы микросхем.
Если при отключении питания информация в ЗУ не пропадает, а при подаче
напряжения ее можно считывать, то такое ЗУ называется постоянным запоминающим
устройством - ПЗУ.
По способу занесения информации ПЗУ разделяются на программируемые
изготовителем (масочные ПЗУ) и на программируемые потребителем. Операция
программирования заключается в разрушении (пережигании) части плавких перемычек
на поверхности кристалла импульсами тока амплитудой 30...50 мА. Технические
средства для выполнения этой операции достаточно просты и могут быть построены
самим пользователем.
Выпускаемые отечественной промышленностью микросхемы ППЗУ в большинстве
своем изготовлены по ТТЛШ-технологии, и среди них преобладающее положение
занимает серия КР556. Функциональный состав серии включает микросхемы емкостью
до 64 Кбит со словарной, четырех и восьмиразрядной организацией с временем выборки
45...85 нс и уровнем потребляемой мощности от 0,6 до 1 Вт. Напряжение питация
микросхем серии КР556 +5В+5% подается на вывод £ максимальным—номером, а
общий провод - на вывод с вдвое меньшим номером. Уровень логического нуля
составляет 0,4В, а логической единицы 2,4В, однотипные выходы, либо с тремя
состояниями (Z), либо с открытым коллектором (ОК).
Микросхемы серии КР556 выпускаются в пластмассовых корпусах с количеством
выводов 16, 18, 24 и 28 и диапазоном температур ~10...+70°С.
Предельные режимы эксплуатации микросхем серии КР556
Максимальное напряжение питания	-	+6,0В
Максимальное входное напряжение	-	+5,5В
Максимальный входной ток	-	5мА
Максимальная емкость нагрузки	-	100 пФ
Обозначения электрических параметров
Рпот ~ максимальная мощность, потребляемая микросхемой;
tB а - время выборки адреса.
Условное графическое обозначение функциональных схем серии КР556 приведено
на рис 4 4.
Таблица 4.1 10
Тип микросхемы	Чис чо выводов	Емкость бит	'в.а, нс	рпог. мВ г	Исходное состояние	Зарубежный ана чог
КР556РТЦОК)	28	пям	70 ’	850	1920	N82S101
KP556PT2(Z)	28	плм	80	950	1920	N82S100
КР556РТ4(ОК)	16	256x4	70	690	0	13601
МИКРОСХЕМЫ КР556	243
Окончание табл 4.1.10
Тип микросхемы	Число выводов	Емкость бит	fB.a., нс	Р пот., мВт	Исходное состояние	Зарубежный аналог
КР556РТ4А(ОК)	16	256x4	45	690	0	13601
КР556РТ5(ОК)	24	512x8	80	1000	1	13604
KP556PT6CZ)	24	2Кх8	80	900	0	N82S19O
КР556РТ7(ОК)	24	2Кх8	80	900	0	N82S191
KP556PT11(Z)	16	256x4	45	650	0	93427С
КР556РТ12(ОК)	18	1Кх4	60	740	0	N82S136
KP556PT13(Z)	18	1Кх4	60	740	0	N82S137
КР556РТ14(ОК)	18	2Кх4	60	740	0	DM82SI84
KP556PT15(Z)	18	2Кх4	60	740	0	DM82S185
KP556PT16CZ)	24	8Кх8	85	1000	0	НМ76641
KP556PT17(Z)	24	512x8	50	900	1	3624А
KP556PT18(Z)	24	2Кх8	60	950	0	НМ76161
KP556PT2U(Z)	24	2Кх8	30	960	। 0	AM27S35C
244
МИКРОСХЕМЫ КР556
Рис. 4.4
КР556РТ1
КР556РТ2
9 В 7 6 5	А 0 1 2 J 9	PLH	£ по с	IB
	5			17
3	6			16
I7	7		3	15
	в			13
тГ	ю		5	12
23 и 21 20	11 !Z и		6 7 Осс	It 10 28
	0Е-			й
/	PR		0V	
		КР556РТ4		
5	А	РРОП /л	Л	
Е	0		V	
	t		00	12
	г		о	
3	3		t	и
2	5		г	10
/ 15	в		3	9
	7			
				
13	CSf			fS
			^сс	
	CS2		0V	8
9 8 х Е 5 Ч 3 2 1L 2S ~г5 IV 23 22 21 20 19 7_	А 0 1 2 3 9 5 6 7 8 9 10 II 12 !3 /♦ !5 06 PR	PLM	G 00 0 1 2 3 9 5 Б 7 Осс 0V	te /7 16 15 13 12 11 10 28 Hl
		КР556РТ5		
8 7 23 !8 ~7У 20	Т 0 t 2 3 <1 5 6 7 в CS! CS2 CS3 ы	PR071 9Н	£ по 0 1 г 3 9 5 6 7 Осс 0Y	9 10 11 1У 75" /Г 17 2<в 22 12
КР556РТ6
КР556РТ7
МИКРОСХЕМЫ КР556
245
Рис. 4.4
Z4O
МИКРОСХЕМЫ КР556
Рис. 4.4
КР556РТ18
8

2Dt
19_
IB
A
0
I
V
5
S
7
8
9
W
OS/
DSZ
CSS
PPOPf
!6К
§
DO
О
/
z
16
17
2h
12
9
10
Н
f3
1Ь
МИКРОСХЕМЫ КР565
247
4.1.11.	Серия КР565
Микросхемы ОЗУ по типу элементов памяти разделяют на статические и
динамические. В микросхемах статических ОЗУ в качестве элемента памяти применены
статические триггеры на биполярных или МДП-транзисторах. Как известно,
статический триггер способен при наличии напряжения питания сохранять свое
состояние неограниченное время. Число состояний, в которых может находиться
триггер, равно двум, что и позволяет использовать его для хранения двоичной единицы
информации
В микросхемах динамических ОЗУ элементы памяти выполнены на основе
электрических конденсаторов, сформированных внутри полупроводникового кристалла.
Такие элементы памяти не могут долгое время сохранять свое состояние, определяемое
наличием или отсутствием электрического разряда, и поэтому нуждаются в
периодическом восстановлении (регенерации). Микросхемы динамических ОЗУ
отличаются от микросхем статических ОЗУ большей информационной емкостью, что
обусловлено меньшим числом компонентов в одном элементе памяти и, следовательно,
более плотным их размещением в полупроводниковом кристалле.
Однако динамические ОЗУ сложнее в применении, поскольку нуждаются в
организации принудительной регенерации, и в дополнительном оборудовании, и в
усложнении устройств управления. Для изготовлдения микросхем динамических ОЗУ в
основном применяют п^МДП-технологию, которая позволяет повышать быстродействие
и уровень интеграции микросхем, обеспечивать малые токи утечки и за этот счет
увеличивать время сохранения заряда на запоминающем конденсаторе.
Микросхемы динамических ОЗУ отечественного производства представлены в
основном серией КР565. Она включает в свой состав ряд микросхем, отличающихся не
только своими характеристиками, но и использованными в них структурными
решениями. В состав серии КР565 входит также микросхема статического ОЗУ
КР565РУ2, которая в таблицу не включена.
Микросхема К565РУЗ выпускается в металлокерамическом корпусе, а остальные
выпускаются и в пластмассовых корпусах с 16 и 22 выводами и диапазоном температур
~10...+70°С.
Общий провод подводится к выводу с? максимальным номером, а напряжение
питания +5Bi5% подается на вывод с вдвое меньшим номером. Кроме того у
микросхемы КР565РУ1 на вывод один подается напряжение -5В±10%, а на вывод
восемнадцать напряжение +12BilO%.
У микросхемы К565РУЗ напряжение -5В+10% подается на вывод один, а
напряжение +12В±10% - на вывод восемь. Первым подключают источник -5В, а
отключают последним. Задержка - 100 мс.
Предельные режимы эксплуатации микросхем серии К556 и КР565
Максимальные напряжения питания -	+ 13,5В; +6В и -4В.
Максимальное входное напряжение -	+6,5В.
Максимальный входной ток	-	30мА
Максимальная емкость нагрузки -	200 пФ
Обозначения электрических параметров
Рпот _ максимальная мощность, потребляемая микросхемой;
t|( (сч ) “ время цикла записи (считывания);
248
МИКРОСХЕМЫ КР565
tRAS " время выборки относительно сигнала RAS;
Т г " "ериод регенерации.
Условное графическое обозначение функциональных схем серии КР565 приведено
на рис. 4.5.
. Т а б л и ц а 4.1.11
Тип микросхемы	Число выво- дов	Емкость бит	*ц.зп (сч.), НС	‘ras, НС	Рпот, мВт		Т per мс	Зару- бежный аналог
					обра- щение	хране- ние		
КР565РУ1А	22	4Кх1	5оо	400	400	20	7	I2107A-4
КР565РУ1Б	22	4Кх1	900	590	400	20	2	12107А-6
К565РУЗА	16	16Кх1	510	300	460	40	7	МК4116Р 4
К565РУЗБ	16	16Кх1	510	300	- 460	40	1	МК4116Р-4
К565РУЗВ	. 16	16Кх1	410	250	460	. 40	7	МК41 161'4
К565РУЗГ	1’6	16Кх1	370	200	460	40	2	МК4Ц6Р-4
КР565РУ5Б	16	64Кх1	230	120	250	22	2	4164
КР565РУ5В	16	64Кх1	280	150	195	22	2	4164
КР565РУ5Г	16	64Кх1	360	200	185	22	2	4164
КР565РУ5Д	16	64Кх1	460	250	160	21	1	4164
КР565РУ5Д1*	16	32Кх1	460	250	160	21	1	-
КР565РУ5Д2**	16	32Кх1	460	250	160	21	1	-
КР565РУ5ДЗ*	16	16Кх1	460	250	160	21	1	-
КР565РУ5Д4**-	16	16Кх1	460	250	160	21 ’	1	-
КР565РУ6Б	16	16Кх1	230	120	150	20	2	12118
КР565РУ6В	16	16Кх1	280	150	140	20	2	12118
КР565РУ6Г	16	16Кх1	360	200	130	20	2	12118
КР565РУ6Д	16	16Кх1	460	250	120	20	1	12118
КР565РУ7В	16	256Кх1	340	150	350	35	8	MB8I256
КР565РУ7Г	16	256Кх1	410	200	350	35	8	МВ81256
* - А7 = О
** - А7 = 1
МИКРОСХЕМЫ КР565
249
Рис. 4.5
КР565РУ1

з
ч
5
6
7
8
9
10
11
РГ
CS
с
W/R
ХАНЯ
УХ
250
МИКРОСХЕМЫ К573
4.1.12.	Серия К573
Многократно программируемые ПЗУ серии К573 выполнены по ЛИЗМОП
технологии Вариант элементов памяти на структуре ЛИЗМОП с двойным затвором
представляет собой n-МОП транзистор, у которого в подзатворном однородном
диэлектрике окисла кремния сформирована изолированная проводящая область из
металла или поликристалл ического кремния Этот затвор получил название
’’плавающего”.
В режиме программирования на управляющий затвор, исток и сток подают
импульс напряжения 21...25В положительной полярности. В обратно смещенных р-п
переходах возникает процесс лавинного размножения носителей заряда и часть
электронов инжектирует на ’’плавающий затвор”. В результате накопления на
"плавающем затворе" отрицательного заряда передаточная характеристика транзистора
смещается в область высокого порогового напряжения, что соответствует записи
логического нуля.
Стирание записанной информации, т.е. вытеснение заряда с плавающего затвора, в
структурах ЛИЗМОП осуществляют двумя способами: в РПЗУ-ЭС электрическими
сигналами, в РПЗУ-УФ с помощью ультрафиолетового облучения. В структурах со
стиранием электрическими сигналами импульсом положительного напряжения на
управляющем затворе снимают заряд электронов с плавающего затвора, восстанавливая
низковольтный уровень порогового напряжения, что соответствует логической единице
В структурах с ультрафиолетовым облучением электроны рассасываются с плавающего
затвора в подложку в результате усиления теплового движения за счет полученной
энергии от источника ультрафиолетового излучения.
Отличие между микросхемами групп ЭС и УФ состоит в способе реализации
режима стирания. Для микросхем РПЗУ группы ЭС в режиме общего стирания на
управляющие входы подают соответствующие сигналы, в том числе напряжение
программирования Lp^ e 22В. Процесс стирания начинается с момента подачи
импульса ЕР, который должен иметь длительность 50 мс. По окончании стирания вис
элементы памяти матрицы переходят в состояние, соответствующее логическому нулю.
В этом режиме сигналы на адресных и информационных выводах могут - иметь
произвольные значения. Для микросхем РПЗУ группы УФ в режиме общего стирания
необходим источник ультрафиолетового излучения. Для стирания записанном
информации микросхему извлекают из контактного устройства, но тогда надо
отключить напряжения питания и сигналы. Типовые источники стирающего излучения
- дуговые ртутные лампы и тампы с парами ртути в кварцевых баллонах: ДРТ-220
ДРТ-375, ДБ-8. ДБ-6() и др Излучение проникает к полупроводниковому кристалл}
РПЗУ через прозрачное окно в крышке корпуса. Время стирания информации
составляет 30...60 мин. Расстояние от корпуса до баллона лампы должно быть 2.5 см
Очевидно, необходимо обеспечит чистоту стекла крышки, так как в противном случае
стирание будет неполным.
Недостатками микросхем РПЗУ-УФ является малое число циклов
перепрограммирования (от 10 до 100). что обусловлено быстрым старением
диэлектрика под воздействием ультрафиолетового излучения, необходимость изъятия
из аппаратуры для стирания информации, большое время стирания, высокая
чувствительность к освещению и возможность случайного стирания информации
Вместе с тем у микросхем этой группы есть и существенные достоинства, сравнительно
высокое быстродействие. большое разнообразие вариантов исполнения по
информационном емкости, невысокая стоимость и доступность Эти свойства
микросхем РПЗУ-УФ обуславливают их широкое применение в радиолюбительских
разрлост ах.
МИКРОСХЕМЫ К573	251
Функциональный состав серии К573 включает микросхемы емкостью до 256К бит
со словарной, восьми и шестнадцатиразрядной организацией, с временем выборки
300...450 нс и уровнем потребляемой мощности от 0,45 до 1,1 Вт. Напряжение питания
микросхем серии К573 +5В±5% подается на вывод с максимальным номером, а общий
провод - на вывод с вдвое меньшим номером, кроме микросхемы К573РФ4, у которой
напряжение +5В подается на вывод 26, а напряжение +12В - на вывод 28. У микросхемы
К537РФ1 напряжение +5В подается на вывод 24, напряжение + 12В - на вывод 19, а
напряжение -5В подается на вывод 21. Уровень логического нуля составляет 0,4В, а
логической единицы 2.4В, выходы с тремя состояниями.
Микросхемы серии К573 выпускаются в пластмассовых или металлокерамических
корпусах с количеством выводов 24 или 28 и диапазоном температур -1О...+7О°С.
Предельные режимы эксплуатации микросхем серии К573
Максимальное напряжение питания -
Максимальное входное напряжение
Максимальная емкость нагрузки
+6В; + 13,2В; -4,5В.
+6В
100,1000 пФ
Обозначения электрических параметров
РПот	~	максимальная мощность, потребляемая микросхемой;
tg	-	время выборки адреса;
Unp	-	напряжение программирования;
tnp	-	время программирования указано	в	расчете на всю емкость
микросхемы.
Условное графическое обозначение функциональных схем серии К573 приведено на
рис 4.6.
Таблица 4.1.12
Тип микро- схемы	Чис- ло ВЫ- ВО- ДОВ	Емкость бит	Гв а нс	р ПОТ., мВт 9	Unp, В	1пр, С	Задей- ство- ванные раз- ряды	Задейст- вованные адреса	Зару- беж- ный ана- ‘ лог
К573РР2	24	2Кх8	350	620	22	100	Все	Все	12816
К573РР21	24	1Кх8	350	620	22	100	Все	Все, A j о=0	-
К573РР22	24	1Кх8	350	620	22	100	Все	Все, A iq=1	-
К573РФ1	24	1Кх8	450	1100	26	300	Все	Все	12708
К573РФ11	24	512x8	450	1100	26	300	Все	Все,А^=0	-
К573РФ12	24	512x8	450	1100	26	300	Все	Все,А^=1	-
К573РФ13	24	1Кх4	450	1100	26	300	2,3,4,6	Все	-
К537РФ14	24	1Кх4	450	1100	26	300	1,2,3,6	Все	-
К573РФ2	24	2Кх8	450	580	25	100	Все	Все	12716,
К573РФ21	24	1Кх8	450	580	25	100	Все	Все, А1 Q=0	-
К537РФ22	24	1Кх8	450	580	25	100	Все	Все,А^0=1	
К537РФ23	24	2Кх4	450	580	25	100	2,3,4,6	Все	-
К537РФ24	24	2Кх4	450	580	25	100	1,23,6	Все	- '
К537РФЗ	24	4Кх16	450	450	18	40	Все	Все	-
К537РФ31	24	2Кх16	450	450	18	40	Все	Bce,Aj2~l	-
252
МИКРОСХЕМЫ К573
Окончание табл. 4.1,12
Тип микро- схемы	Чис- ло ВЫ- ВО- ДОВ	Емкость бит	1в.а., нс	Р пот., мВт	Спр, В	ч, с	Задей- ство- ванные раз- ряды	Задейст- вованные адреса	Зару- беж- ный ана лог
К537РФ32	24	2Кх16	450	450	18	40	Все	Все, А12^	
К537РФЗЗ	24	1Кх16	450	450	18	40	Все	Все,А !2=1,А| |=1	-
К537РФ34	24	1Кх16	450	450	18	40	Все	Все,А । у=0,А । । =0	-
К537РФ4А	28	8Кх8	300	700	25	800	Все	Все	12764
К537РФ4Б	28	8Кх8	500	700	25	800	Все	Все	12764
К537РФ41	28	4Кх8	500	700	25	800	Все	Все,А^=0	-
К537РФ42	28	4Кх8	500	700	25	800	Все	Все,А^=1	-
К537РФ43	28	8Кх4	500	700	25	800	3,4,5,7	Все	-
К537РФ44	28	8Кх4	500	700	25	800	2,3,4,7	Все	-
К537РФ5	28	2Кх8	450	580	25	100	Все	Все	12716
К537РФ6А	28	8Кх8	300	870	19	400	Все	Все	12764
К537РФ6Б	28	8Кх8	450	870	19	400	Все	Все	12764
К537РФ8А	28	32Кх8	300	600	18	1600	Все	Все	127256
К537РФ81А	28	16Кх8	300	600	18	1600	Все	Все,А|д=О	127128
МИКРОСХЕМЫ К573
253
Рис. 4.6
К573РФ1
К573РР2
К573РР21
К573РР22
К573РФП
К573РФ12
К573РФ13
АО
А1
А!
АЗ
А4
AS
А6
Al
At
АО
А»
(РИМ
К573РФ14
К573РФ2
К573РФ21
К573РФ22
К573РФ23
К573РФ24
К573РФЗ
К573РФ31
К573РФ32
К573РФЗЗ
254
МИКРОСХЕМЫ К573
Рис. 4.6
10
—L
1
6
5-
4
3
32
24
21
23
2
22
20
10
9
8
1
В
5
4
3
24
21
23
2
22
20
К573РФ4
К573РФ41
К573РФ42
К573РФ43
К573РФ44
AD
Al
A2
A3
44
AS
A6
Al
A8
A9
AID
All
A12
CS
EFRON
e
DOO
101
102
103
004
105
106
101
Uwr
II
12
13
13
IB
19
21
26
NO -2-
Utt
OB
К573РФ6
AO
Al
A2
A3
A 4
A5
AG
Al
AB
A9
AW
All
412
EPROM
e
100
001
102
103
004
105
006
101
OS
28
14
12
13
15
Uwr
NO
Urt
Vrt
00
21
28
28
14
AO
A2
A3
A4
A5
A6
Al
AB
A9
A10
22
19
20
JUtS
10
9
В
6
?
3
25
24
~ 21
23
____2_
26
21
22
К573РФ5
EPROM
AO
Al
A2
A3
A4
$
ООО
101
102
103
104
105
106
101
UH
Ucc
OB
К573РФ8
К573РФ81
EPROM
$
9
10
II
13
14
15
16
11
21
24
12
AS
Al
A8
A9
AID
All
A12
A13
AI4
100
001
102
103
104
105
101 —
12
13
15
16
11
18
19
UH----
Utcl-Д-
08
28
14
МИКРОСХЕМЫ ОУ
255
4.2. Аналоговые микросхемы
4.2.1.	Операционные усилители
Операционный усилитель (ОУ) - это усилитель, предназначенный для выполнения
различных (в том числе математических) операций над аналоговыми сигналами при
использовании его в схеме с обратной связью (ОС). Основное назначение ОУ - по-
строение устройств с фиксированным коэффициентом усиления и точно синтезиро-
ванной передаточной функцией. Благодаря своей универсальности и возможности мно-
гофункционального использования с помощью ОУ могут быть сделаны УПЧ видео-
усилители, УЗЧ и гетеродины радиоприемников, активные'фильтры, генераторы сиг-
налов, стабилизаторы источников питания, АЦП и ЦАП, ограничители, сумматоры, пе-
ремножители, масштабирующие, логарифмические, дифференцирующие, интегрирую-
щие и другие усилители. Область применения ОУ, выполненного в виде микросхемы
очень широка. Поэтому в настоящее время под ОУ принято понимать микросхему -
усилитель постоянного тока, позволяющий строить узлы аппаратуры, функции и тех-
нические характеристики которых зависят только от свойств цепи ОС, в которую он
включен.
Так как ОУ в подавляющем большинстве случаев своего применения работают в ре-
жиме с ОС, то необходимо обеспечение устойчивости ОУ (устранение самовозбужде-
ния). Устойчивость ОУ достигается применением цепей частотной коррекции, которые
могут быть внешними (например в ОУ серий К153 и К553) или внутренними, то есть
выполненными прямо на кристалле (например большинство ОУ серии КИО).
ОУ реализуется в виде микросхемы со значительным числом транзисторов, харак-
теристики которых имеют разброс по параметрам, что приводит к появлению постоян-
ного напряжения на выходе (напряжение смещения нуля) в отсутствие сигнала на вхо-
де. В большинстве ОУ предусматриваются выводы, через которые осуществляется ком-
пенсация (балансировка) напряжеиия смещения нуля с помощью внешнего подстроеч-
ного (балансировочного) резистора.
Возможности изменения ОУ зависят от его электрических параметров. Основны-
ми из которых являются:
1.	Коэффициент усиления напряжения при разомкнутой ОС - отношение при-
ращения выходного напряжения к вызвавшему его приращению входного напряжения. В
настоящее время Kjj некоторых ОУ по постоянному току достигает 10?. Однако его зна-
чение уменьшается с ростом частоты входного сигнала.
2.	Частота единичного усиления fj - значение частоты входного сигнала, при ко-
тором значение коэффициента усиления по напряжению равно единице. Этот пара-
метр определяет максимально реализуемую полосу усиления ОУ. У современных ОУ f ।
достигает значения 50 МГц.
3.	Максимальное выходное напряжение UBblx тах - максимальное значение выход-
ного напряжения, при котором искажения не превышают заданного значения. Этот па-
раметр измеряется относительно нулевого потенциала как в положительную, так и в
отрицательную сторону +	Его значение, как правило, на 1...5 В ниже напря-
г вых шах
жения питания.
4.	Скорость нарастания выходного напряжения V^j вых - наибольшая скорость из-
менения выходного напряжения ОУ при воздействии на его вход импульса максималь-
ного входного напряжения прямоугольной форм&, то есть отношение изменения UBbJX
от 10 до 90% от своего максимального значения ко времени за которое произошло это
изменение. У большинства ОУ Vjj вЫх составляет 0,1... 100 В/мкс
256
МИКРОСХЕМЫ ОУ
5.	Напряжение смещения нуля UCM - значение постоянного напряжения, которое
необходимо подать на вход ОУ, чтобы напряжение на выходе было равно нулю. Значе-
ние этого параметра у большинства ОУ лежит в пределах 0,1...50 мВ.
6.	Входной ток 1ВХ - среднее арифметическое значение входных токов, протекаю-
щих через входные контакты ОУ. Эти токи обусловлены базовыми токами входных би-
полярных транзисторов .и токами утечки затворов для ОУ с полевыми транзисторами
на входе. Входные токи, проходя через внутреннее сопротивление источника входного
сигнала, создают падения напряжений, которые могут вызвать появление напряжения
на выходе ОУ в отсутствие сигнала на входе.
7.	Разность входных токов А 1	- разность значений токов, протекающих через вхо-
ды ОУ. Входные токи могут отличаться друг от друга на 10...20%. Зная разность вход-
ных токов, можно легко подобрать номинал балансировочного резистора.
Все параметры ОУ изменяют свое значение - дрейфуют с изменением температу-
ры. Особенно важными дрейфами являются:
8.	Температурный коэффициент напряжения смещения (дрейф напряжения сме-
щения) TKUCM - отношение максимального изменения напряжения смещения к выз-
вавшему его изменению окружающей температуры в диапазоне температур от мини-
мальной до максимальной.
9.	Температурный коэффициент разности входных токов (дрейф разности входных
токов) ТК А 1ВХ - отношение максимального изменения разности токов к вызвавшему
его изменению окружающей температуры в оговоренном диапазоне значений.
10.	Максимальное синфазное входное напряжение 0сф тах - наибольшее значение
напряжения, прикладываемого одновременно к обоим входным выводам ОУ относи-
тельно нулевого потенциала, превышение которого нарушает работоспособность при-
бора.
11.	Максимальное дифференциальное входное напряжение ^диф тах - наибольшее
значение напряжения, прикладываемого между входными выводами ОУ, превышение
которого ведет к выходу параметров за установленные границы или разрушению при-
бора.
12.	Коэффициент ослабления синфазного сигнала KQC сф - отношение коэффици
ента усиления для дифференциального напряжения (приложенного между входами ОУ)
к коэффициенту усиления для синфазного напряжения (общего для обоих входов ОУ).
Или же отношение приращения синфазного входного напряжения к приращению диф-
ференциального, вызывающих одно и то же приращение выходного напряжения ОУ.
13.	Входное сопротивление Rgx - сопротивление между входными выводами ОУ,
равное отношению приращения входного напряжения ОУ к приращению активной -сос-
тавляющей входного тока при заданном значении частоты сигнала. У большинства ОУ
значение этого параметра составляет 0,01...10^ МОм.
14.	Минимальное сопротивление нагрузки RH m-n - определяется максимальным
значением выходного тока ОУ 1ВЫХ, при котором гарантируется работоспособность при-
бора.
Помимо перечисленных параметров, существенное значение имеют и шумовые па-
раметры ОУ. Шумовые свойства ОУ характеризуются эквивалентными генераторами
ЭДС шумов Еш и тока шумов Напряжение шумов Ещ измеряется на выходе ОУ в
режиме короткого замыкания на обоих входах и приводится ко входу. Шумовые токи по
инвертирующему -1Ш и неинвертирующему +1Ш входам определяются в режиме хо-
лостого хода на одном входе и короткого замыкания на другом.
ОУ согласно классификации по ГОСТ 4.465-86 делятся на следующие группы:
1.	Универсальные (общего применения) - наиболее многочисленная группа ОУ,
универсальных по использованию, со средними значениями параметров. У этих ОУ
K(J = 1О3...1О5 fj = 1...10 МГц (К140УД1 - К140УД9, К140УД14, К140УД18,
К153УД1- К153УДЗ, К553УД1- К553УДЗ и др.).
МИКРОСХЕМЫ ОУ
257.
2.	Прецизионные (инструментальные), обладающие повышенной точностью уста-
новки передаточной функции, большим значением коэффициента усиления Kjj>O,5xl()6
и подавления синфазного сигнала, гарантированным малым напряжением смещения ну-
ля UCM 0,5 мВ и его дрейфом, малыми уровнями шумов, большим входным сопро-
тивлением. Эти ОУ предназначены для применения в контрольно-измерительной ап-
паратуре (К140УД17, К140УД21, К140УД24 - К140УД27, К153УД5, К551УД1 и др.).
3.	Быстродействующие (широкополосные), имеющие повышенную скорость нарас-
тания выходного напряжения VjjBbIX ^-20 В/мкс, широкую полосу пропускания fj=5...3O
МГц и малое время установления (К1.40УД10, К140УД1 1-, К140УД23, К154УД2-
К154УД4, К544УД2, К574УД1 и др.).
4.	Микромощные (регулируемые), характеризуемые малой потребляемой мощ-
ностью 1пот 5 1 мА, а также возможностью внешней регулировки тока потребления, та-
кие ОУ называют программно-управляемыми. Потребляемый ток можно регулировать
не только путем изменения напряжения питания, но и с помощью внешнего тока сме-
щения, задающего ток покоя транзисторов ОУ/ При этом обычно изменяются в
определенных диапазонах и другие параметры ОУ, например, Vjj fBX, 1вх, fj и
др. Для регулировки параметров эти ОУ имеют специальный вывод, который обычно
подключается через резистор определенного номинала к выводам питания или общему
выводу (К140УД12, К153УД4, серия К1407, К1423УД1 и др.).
Кроме названных групп в отдельные группы можно выделить многоканальные ОУ
(К140УД20, К157УД2, К551УД2, серия К1401, К1416УД1, К1423УД2 и др.) и ОУ с
повышенными выходными характеристиками U_LIV и L ,v (1D.,V " I А, К157УД1,
К1408УД1, К1422УД1 и др.).
Микроэлектронные ОУ, как и цифровые микросхемы выпускают преимущественно
сериями, причем обычным стало объединение в одну серию усилителей, значительно
отличающихся по принципу построения, назначению и характеристикам. Примерами
серий с широко развитой номенклатурой микросхем ОУ могут служить К140, К153 и
КД53 (аналог серии К153, но в прямоугольном пластмассовом корпусе).
Конструктивно ОУ выполнены в следующих типах корпусов: круглый металло-
стеклянный 301.12-1 (К140УД1-К140УД5, К140УД9), круглый металлостеклянный
301.8 -2 (К140УД6, К140УД7, К140УД10-К140УД17, серии К153, К154 и др.),
прямоугольный пластмассовый 201.14-1	(КР140УД1, КР140УД9, КР140УД20,
К157УД2, серия К553 и др.), прямоугольный пластмассовый 2101.8-2 (КР140УД608,
КР140УД708, КР140УД8, КР140УД1101, КР140УД22, КР544УД1, серия КР574 и др.).
Кроме этих типов корпусов некоторые ОУ выпускаются в прямоугольном пластмассо-
вом корпусе с лепестками для крепления к теплоотводу 201.9-1 (К157УД1). Буквы Р и
М, поставленные в обозначении микросхем ОУ после буквы К, указывают на материал
корпуса (Р - пластмасса, М - керамика).
Электрические характеристики ОУ сведены в таблицу. Указайные в ней значения
параметров измерены при температуре окружающей среды 25+10°С и номинальных на-
пряжений питания и сопротивлений нагрузки. В таблице приняты следующие обозна-
чения:
U
пит
^ПИТ ном
*пот
ки
исм
ТКисм
1
Л1вх
U л,
диф max
исф max
-	напряжение питания (диапазон значений);
-	номинальное напряжение питания;
-	потребляемый ток;
-	коэффициент усиления напряжения;
-	напряжение смещения нуля;
-	температурный коэффициент напряжения смещения нуля;
-	входной ток;
-	разностный входной ток;
-	максимальное значение дифференциального входного напряжения;
-	максимальное значейие синфазного входного напряжения;
9. Зак. 4694
258
МИКРОСХЕМЫ ОУ
Кос сф	- коэффициент ослабления Синфазного сигнала;
f	-	частота единичного усиления;
^Свых	”	СКОРОСТЬ нарастания выходного напряжения;
i^Bbix max " максимальная амплитуда выходнЬго напряжения;
RH т|п	-	минимальное сопротивление нагрузки;
RgX	-	входное сопротивление.
На рис.4.7 показана цоколевка микросхем ОУ с элементами частотной коррекции и
установки нуля. В необходимых случаях рядом даны сведения о параметрах корректи-
рующих цепей^ Согласно ЕСКД на рисунке использованы следующие обозначения:
+U и -U - выводы для подключения двухполярного напряжения питания;
FC - вывод для подсоединения элементов частотной коррекции;
NC - вывод Для подключения элементов балансировки ОУ;
СС - вывод для подключения элементов регулирования ОУ
(в программно-управляемых ОУ).
Операционный усилитель серии	^ПИТ’ В	^ПИТ. ном, в	^ПОТ’ мА	КихЮЗ	UCM. мВ	тки,., см мкВ/°C	’вх’ нА
К140УД1А,	+(3...7>	+6,3	6	0,5	5... 10	20	5000
КР140УД1А К140УД1Б.	+(7...13>	±12,6	12	1,3	5... 10	20	8000
КР140УД1Б К140УД1В, КР140УД1В	+(7... 13)	+12,6	12	8	5... 10	20	8000
	+С7...13)	+12,6	16	35	5	20	700
К140УД2							
К140УД5А1)	+(6...13)	+12	12	0,5	10	35	5000
К140УД5БО	+(6...13)	+12	12	1	7	10	10000
К140УД6,	+<5...2О)	+15	3	30	8	20	50
КР140УД608, К140УД7, КР140УД708	+(5...20>	+15	2,8	30	9	10	400
К140УД8.	+(12... 16)	+15	5	20...	20...	50	0,2
КР140УД8 (А-В)				...50	...50		
К140УД9	+(9...18)	+12,6	8	35	5	20	350
К140УД10	+(5... 18)	+15	10	50	5	20	250
К140УД11. КР140УДД101	1 + 00	+15	8	30	10	50	500
К140УД12,	+ (1,5...18)	+3/	0,03/	25/50	6	5/6	10/50
?КР14вУД12(1»2)	- *	/15	/0,17				
К140УД13	+(9...М>	+1Л	1...2	10	" 0,05	, 0,5	р,5
К140УД14,	+(5...М)	+15	1	25...	5	20 •	5
КР140УД1408(А,Б)				...50			
К140УД17,	+(3...18)	+15	5	120...	0,1...	1,3	4... 12
КР140УД17(А,Б)				...200	...0,25		
КР140УД18	+(6...18)	+ 15	4	25...50	10	-	0,2
К140УД20. КР140УД20(А,Б)	+(5...2О)	+15	3	25...50	3...6	2	100
К140УД21	-	+ 15	5,5	1000	0,06	0,5	0,5
К140УД22, К140УД2201	+(13,5... 16,5)	+15	10	50	10	10	0,2
МИКРОСХЕМЫ ОУ
259
Таблица 4.2,1
Д1ВХ' [ нА	идиф: max, В	%, max, В	Кос. сф., Дб	fl МГц	' 11вых, В/мкс	±ивых. max, В	*н ' min, кОм	Rbx„ мОм	Зарубежный аналог
1500	1,5	3	60	3	0,2	2,8	5	0,004	|Х А702
1500	1.5	6	60	8	0,5	5,7	5	0,004	|Х А7О2
1500	1,5	6	60	8	0,5	5,7	5	0,004	р А702
200	4	6	80	2	0,12	10	5	0,3	/1 А723
1000	3	6	50	5	6	6,5	5	0,05	САЗОЗО
5000	3	6	60	10	6	6,6	5	0,003	САЗОЗО
15	30	11	70	1	2	12	1	1	MCI 456
200	20	15	70	0,8	0,3	10,5	2	0,4	р А741
0,1... ...0,15	6	10	70	1	2	10	2	10	р А740
100	4	7	80	1	0,2	10	1	0,3	р А709
70	4	6	70	15	30	12	2	0,4	LM118
200	10	11	70	15	50	12	2	0,4	LM318
6/28	-	1,2/ /12	70	0,2/1	0,1/ /0,8	2/12	5	50/5	|Х А776
0,2	-	1	90	0,01	-	1	5	50	-
1	13	13	85	0,5	о,1	12	1	30	LM3O8
2... ...6	15	13	100	0,4	6,1	12	2	30	ОР07Е
0.2	-	16	80	2,5	5	11	2	10б	LF-355
30	10	12	70	0,5	0,3	11	1	0,4	. |Х А747
-		10	1 10			10,5	2	-	ХА2900
0,05	20	10	80	5	12	10	2	-	LF336
9*
260
МИКРОСХЕМЫ ОУ
Операционный усилитель серии	ипит.« В	и пит. ном, В	^пот* ?лА	KjjXl03	UCM- мВ	TKUcm мкВ/°С	нА	
К140УД23	-	+15	7,5	50	5		0,1	
К140УД24	-	+5	3,5	1000	0,005	0,05	0,01	
К140УД26А	+(13,5.. 16,5)	+15	4,7	1000	0,025	0,6	35	
К140УД26Б	+(13,5... 16,5)	+15	4,7	1000	0,06	1,3	50	
К140УД26В	+(13,5... 16,5)	+15	4,7	700	0,1	1,8	75	
К140УД27А	+(13,5... 16,5)	+15	4,7	1000	0,025	0,6	35	
К140УД27Б	+(13,5... 16,5)	+15	4,7	1000	0,06	1,3	50	
К140УД27В	+(13,5. .16,5)	+15	4,7	700	0,1	1,8	75	
К153УД1	+(9... 18)	+15	6	20...80	7,5	30	1500	
К153УД2	+(5... 18)	+ 15	3	25. ..50	7,5	30	1500	
К153УДЗ	+(9. .18)	+15	6...8	25...35	2...5	15	200	
К153УД4	+G...9)	+6	0,2... ...0,7	5...10	5	50	400	
К153УД5	+(5..16)	±15-	3,5	500... ...1000	1...2	10	100	
К153УД6	+(5. 18)	+15	3	50	2	15	75	
К154УД1	+(4... 18)	+15	0,15	100.. ...200	5	30	40	
К154УД2	+(5...18)	+15	6	10	2	20	100	
К154УДЗ	+(5... 18)	+15	7	8... 10	10	30	200	
К154УД4	+(5 ..17)	±15	7	8...10	6	50	1200	
К157УД1	+(3...20)	+15	9	50	5	50	500	
К157УД2	+(3...18)	+15	7	50	10	50	500	
К544УД1. КР544УД1 (А,Б)	+(3...20)	±15	3,5	50	20	50	о,1	
К544УД2, КР544УД2 (А-В)	+(8...16)	+15	7	20	50	50	0,5	
К551УД1 (А,Б)	+(5...16,5)	+15	5	500	1,5	10	120	
КМ551УД1 (А.Б)	+(5...16,5)	+ 15	5	500	2	10	120	
К551УД2, КР551УД2 (А,Б)	+(5.. 16,5)	+15	10	500	5	20	2000	
К553УД1 (А-В)	+(9...18)	+15	6	10... 20	7,'5	30	200	
К553УД2	+(5... 18)	+15	3	20	7,5	30	1500	
К553УДЗ	+(9..,18)	+15	4	30	2	15	200	
К574УД1,	+(13,5... 16,5)	+ 15	8	50	50	50	0.5	
МИКРОСХЕМЫ ОУ
261
Продолжение табл. 4.2.1
^ВХ* нА	U ж ДИф. max, В	исф. max, В	Кос. сф., Дб	МГц	VUbhx, В/мкс	шах, В	я s	*Чх., мОм	Зарубежный аналог
-	-		-	10	30	10,5	2 ’	-	LF157
-	-	2	120	2	2,5	4,7	10	-	ICL7650
-	-	11	114	-	-	12	2	-	ОР37
-	-	11	114	-	-	12	’ 2	-	ОР37
-	-	11	114	-	-	11,5	2	-	ОР37
-	-	И	108	-	-	12	2		ОР27
-	-	И	100	-	-	z 12	2	-	ОР27
-	-	и	94	-	-	11,5	2	-	ОР27
500	5	8	70	/1	0,2	10	2	0,2	J1A709
500	30	12	70	1	0,5	10	2	0,3	LM101
50	5	8	80	1	0,5...2	10	2	0,4	р А709А
150	2	5	70	0,7	0,15	.4	5	0,2	WCCI88
20	5	13	100	0,2	0,01	10	2	1	рА725
10	30	12	80	0,7	0,5	10	2	0,3	LM301A
20	10	10	80	1 •	10	11	2	1	НА27О0
20	10	10	70	15	+1503) -75	10	2	0,5	НА2530
50	10	10	80	15	80	10	2‘	1	AD509
300	-	10	70	30	400	10	2	1	НА2520
150	-	20	70	0,5	0,5	12	0,02	1	-
150	-	18	70	1	0,5	13	0,3	0,5	2xLM301
0,05	10	10	80	1	3	10	2 ’	10	р А740
0,1	10	10	70 '	15	20	10	2	10	САЗ 130
35	5	13	100	0,8	0,01	12	2	1	-
35	5	13	100	0,8	0,01	12	2	1	ц А725
1000	5 /	8	70	1	0,25	12	2	0,5	р А739
60	5	8	65	1	0,2	10	2	0,2	ц А7О9С
500	30	12	70	1	0,5	10	2	0,3	LM301
50	5	8	80	1	0,2	10	2	0,3	р А709А
0,2	10	30	80	10	50	10	2	10	AD513
161
МИКРОСХЕМЫ ОУ
Операционный усилитель серии	^ПИТ.’ В	^ПИТ. ном, в	^ПОТ’ мА	Ких103	исм- мВ	™см мкВ/°С	^Х’ нА
КР574УД1 (А-В) К574УД2,	+(13,5... 16,5)	+1.5	10	25	50	30	1
КР574УД2 (А-В) К574УДЗ, КР574УДЗ	+(13,5... 16,5)	+15	7	20	5	•5	0,5
КФ1032УД14)	+ (1...1,5)	+ 1,2	1,2	25	5	-	50
К1401УД1	+(2..,15)	+ 15	8,5	2	5	30	150
К1401УД2А	+(1,5... 16,5)	+15	3	50	5	30	150
К1401УД2Б	3...16.5	5	2	25	7,5	30	150
К1401УДЗ	+(1,5... 16,5)	+15	2,5	50	6	-	250
К1401УД4	+(5...15>	+15	11	50	7,5	-	-
К1407УД1, КР1407УД1	+(3...12)	+5	8	10	10	50	10000
К1407УД2,	+(1,2... 13,2)	+ 12	0.1	50	5	-	150
КР1407УД2 К1407УДЗ, КР1407УДЗ	+(2..,12)	+6	2	10	5' .	20	5000
КФ1407УД4	+(1,5...6)	+1,5	2	3	5	-	2000
К1408УД1,	+(7...4О)	+27	5	70	8	12	40
КР1408УД1 К1408УД2	+(5...2О)	+15	2,8	50	4	-	200
К1409УД1 (А.Б)	+(5... 15)	+15	6	20	15	-	0,05
К1416УД1	-	+6	8	5	5	-	5000
К1422УД1	-	+15	25	50	5	-	500
К1423УД1Я	+(0,9...8)	+1,3/-	0,01/1	10/10	5/5	-	0,001/ /0,001
К1423УД2	+(2,5... 15)	+15	2,5	25	7	-	250
К1423УДЗ	-	+12	-	3	15	-	-
К1426УД1 6)	+ (6... 18)	±18	4	60	3	-	2000
К1427УД1	-	+15	4	200	-	-	800
К1429УД1	+(0,9...5,5)	±5	14	10	15	-	0,05
МИКРОСХЕМЫ ОУ
263
Окончание табл. 4.2.1
Г Л1ВХ’ нА	^Диф. max, В	исф. max, В	Кос. сф., . Дб	fl МГц	^Евых, В/мкс	i^BbJX. max, В	Rh min, кОм	^вх., мОм	Зарубежный аналог
0,5	10	10	60	2	10	10	10	103	TL0837
0,2	-	10	80	15	30	10	10	103	LF151
20		/ 1,5	70	1	-	0,7	-	-	TAB 1042
-	12	13	70	2,5	0,5	12,5		0,1	LM2900
30	12	13	70	1	0,35	12	-	0,2	LM324
60	2	3,5	70	0,7	6,35	3	-	0,2	LM324
100	12	13	70	2,5	-	12	-	0,2	TDB0146
-	12	13	75	2,5	-	10	-	-	MSLP-347
2000	2,5	4	70	20	10	3	I	-	-
50	2,5	10	70	3	0,5	10	2	-	LM4250
1000	2,5	4	75	5	5	3	2	-	EK-41
500	2,5	1,5	. 70	1	1	0,65	0,25	-	TAB 1042
10	43	21	70	0,5	1,5	19	5	I	LM343
70	-	15	70	0,8	0,7	11,5	2	0,4	• g A747C
0,03	10	Ю	70	1	4	12	2	106	CA3140
-	-	-	-	-	5	2,5	-		-
-	-	-	-	-	-	12	-	j -	p. A79I
0,0005/	-	-	70/	0,044/	0,016/	1,2/-	-	-	ICL7612
/0,0005			/70	/1,4	/1,6	13	2		--
50	-	-	-	-	-	10,5	-	-	LM392
400	14	14	80	-	5	16	10	-	N1M2043
-	-	-	-	2	3	10,5	-	-	NE5517
	3	-	-	-	-	4,5	100		L272
264
' МИКРОСХЕМЫ ОУ
I)	Эти микросхемы имеют две пары входных выводе®: высокоомный вход - 8 и I L, ни<-
коомный - 9 и 10. Параметры для К140УД5Б указаны для низкоомного входа (вывод 8
соединен с 9, 10 с II).
2)	Параметры указаны для двух значений управляющего тока 1уПр-1,5/15 мкА.
3)	Значение параметра для положительного перепада выходного напряжения и отрица-
тельного неодинаковы.
4)	Содержит два ОУ и два компаратора напряжения. >
Параметры указаны для двух значений управляющего тока 1уПр"Ю/ ЮООмкА.
Q Микросхема предназначена для построения усилителя-корректора магнитной головки
звукоснимателя.
МИКРОСХЕМЫ ОУ
265
Рис. 4.7
К140УД1
(КР140УД1)
9(10) Ш 9/5)\	1	> сю	FC FC *и -и	MZL .12(12) II &
				II 1 718) «П П1) т
				
ос	М.кОн	Ct, nV
/	0,02	10000
	0,2	1000
(00	2	юс 
м=зооо* сьшоопФ
С2=0,С15нкФ СЗ-1000 пф
К140УДЗА
(К140УД5Б)
К140УД6
КР140УД608
К140УД7
КР140УД708
М 51к
^ос	a, nv	02, nV	05,nV
1 >10	10(15)	51(15)	10(15) <150
К140УД8
(КР140УД8)
266
МИКРОСХЕМЫ ОУ
Рис. 4.7
К140УД10
К140УД11
(КР140УД1101)
К140УД12
К140УД14
К140УД17
КР140УД17
КР140УД18
К140УД20
КР140УД20
МИКРОСХЕМЫ ОУ
267
Рис. 4.7
К140УД22
К140УД2201
К140УД23
t
М40УД2Ь
К140УД27
К153УД1
(К553УД1)
Кос	R1,K0n	а,пФ	02,пФ
1	1,5	5100	200
10	1,5	510	20
ЮО	1,5	110	3
1000	0	10	3
К153УД2
(К553УД2)
Кос	1	10	100
01,пФ	30	.5	3
К153УДЗ
(К553УДЗ)
Кос	R1,n0n	01,пф	02,пФ
1	1,5	5100	200
10	1,5	510	20
100	1,5	110	3
1000	0	10	3
268
МИКРОСХЕМЫ ОУ
Рис. 4.7
...ЛЗУД4
5 ос	С1, пФ	С2,пФ
1...Ю	^150/Кос	•‘50/КОС
>,10	15	5,1
К153У.Д5
^ос	1	10	100	1000
R^Om C2tn<P	10 moo	27 moo	47 10000	Ц70 1000
R3,0m С1,пФ	39 22	270 1.5	~~	-
К153У.Д6
5 oc	' 1	10	Ю0
Ct,пФ	30	5	3
При Кос<*3 С1*5,6пФ;
при Кос>3 С1 снять.
К154УДЗ
К154УД2
Г1 3. 10-
5 ОС	C2,n<P
4.3	30/КОС
>3	10
MkiAгосАЁхМЫ ОУ
205»
Рис. 4.7
К154УД4
К157УД1
К157УД2
01*02 <30 пФ
К544УД1
КР544УД1
К551УД1
КМ551УД1
К544УД2
КР544УД2
При Кос4,2О 01*
“(1...50) пФ или со-
единить выводы 1и8
при К0с>20 01
Дос	1	10	too	1000
R9,0m	10	27	97	970
С2,пФ	тоо	97000	10000	1000
R3,0n С1,пФ	39 22	270 1.5	-	-
270
МИКРОСХЕМЫ ОУ
К551УД2
КМ551УД2
Рис. 4.',
Кос	1	10	ЮО
а,пч>	10	%s	—
Kt, Ом	%7	33	150
СЗ.мкФ	0,1	0,01	0,001
К574УД1
(КР574УД1)
При КОс4-6 С1"'(30/Кос),пФ-,
при Крс>6 С1“5пФ
К574УД2
(КР574УД2)
К574УДЗ
(НР574УДЗ)
МИКРОСХЕМЫ ОУ
271
Рис, 4,7
К1407УД2
(КР1407УД2)
К1407УД1
(КР1407УД1)
Byfjp*(2Unnm~^J В)^1уПр;
1упр*10-8...1(Г*А.
К140>УДЗ
(КН4р7УДЗ)
5500
Купр
Rynp'lZUnHrrrO, 7 Bjflynp;
1упр=0,01-0.15мА.
272
МИКРОСХЕМЫ ОУ
Рйс. 4.7
К1408У Д2
К1408УД1
(НР1408УД1)
К14О9УД1
К1423УД1
К1423УД2
МИКРОСХЕМЫ ОУ
273
Рис. 4.7
К1426УД1
Типовая схема включения микросхемы КР1426УД1
К1427УД1
К1429УД1
274
МИКРОСХЕМЫ К142
4.2.2.Микросхемы серии К142
Микросхемы серии К142 и КР142 - стабилизаторы напряжения, выполненные ме-
тодом полупроводниковой технологии на основе биполярных транзисторов с изоляцией
элементов р-п переходом и диэлектриком. Предназначены для построения источников
вторичного электропитания.
В состав серии входят:
К142ЕН1А - К142ЕН1Г, КР142ЕН1А - КР142ЕН1Г - стабилизаторы напряжения с
выходным напряжением, регулируемым в пределах 3...12 В, и током нагрузки до 150
мА;
К142ЕН2А -- К142ЕН2Г, КР142ЕН2А - КР142ЕН2Г - стабилизаторы напряжения с
выходным напряжением, регулируемым в пределах 12...3O В, и током нагрузки до 150
мА;
К142ЕНЗА, К142ЕНЗБ, КР142ЕН4А, КР142ЕН4Б - стабилизаторы напряжения
повышенной мощности с регулируемым выходным напряжением в пределах 3...30 В и
максимальным током нагрузки 0,75...! А, системой защиты от перегрева и перегрузки
по току;
К142ЕН5А - К142ЕН5Г, КР142ЕН5А - КР142ЕН5Г - стабилизаторы напряжения с
фиксированным выходным напряжением +5 и +6 В, током нагрузки до 3 А:
К142ЕН6А - К142ЕН6Е - двухполярный стабилизатор напряжения с фиксирован-
ным выходным напряжением + 15 В и током нагрузки до 200 мА на каждом выходе;
К142ЕН8А - К142ЕН8Е - стабилизаторы напряжения, с фиксированным выходным
напряжением +9, +12 и +15 В и током нагрузки 1 и 1,5 А;
К142ЕН9А - К142ЕН9Г - стабилизаторы напряжения с фиксированным выходным
напряжением +20, +24 и +27 В и током нагрузки I и 1,5 А;
К142ЕН10 - стабилизатор напряжения с выходным напряжением, регулируемым в
пределах 3...30 В и током нагрузки до 1 А;
К142ЕНП - стабилизатор напряжения с выходным напряжением, регулируемым в
пределах 1.2...37 В и током нагрузки до 1,5 А;
К142ЕН12 - стабилизатор напряжения с выходным напряжением, регулируемым в
пределах 1,3...37 В и током нагрузки до 1 А;
К142ЕН15 - двухполярный стабилизатор напряжения с фиксированным выходным
напряжением + 15В и током нагрузки до 200 мА иа каждом выходе, системой защиты от
перегрева и перегрузки по току;
К142ЕП1А, К142ЕП1Б - устройства управления импульсными стабилизаторами
напряжения.
я
ч
К142ЕШ А, К142ЕШБ. К142ЕН1В, К142ЕШГ,
КР142ЕН1А, КР142ЕН1Б. КР142ЕШВ, КР142ЕШ, K14JEH2A, К142ЕН2Б,
К142ВН2В, К142ЕН2Г, КР142ЕН2А, КР140ЩЖЖП42ЕН2В, K.R142EH2T
Микросхемы представляют собой регулируемые стабилизаторы напряжения.
Микросхемы К142ЕН1А-К142ЕН1Г, К142ЕН2А-К142ЕН2Г имеют корпуса типов
402.16-7 й 4112.16-15: КР142ЕН1А-КР142ЕЖГ, КР142ЕН2А-КР142ЕН2Г - типа
2102.14-1. Микросхемы в корпусах 402.16-7, 4112.16-15 предназначены только для
экспериментальных работ, в корпусах 2102.14-1 - для применения в серийной
аппаратуре. Обозначение типов микросхем в корпусе 2102.14-1 приводится на корпусе;
на микросхемы в корпусе 402.16-7 Заносится сокращенное обозначение: К142ЕН1А,
К142ЕН2А-КЕН1 А, КЕША; К142ЕН1Б, К142ЕН2Б-КЕН1 Б, КЕН2Б; К142ЕН1В,
К142ЕН2В-КЕН1В, КЕН2В; К142ЕН1Г, К142ЕН2Г-КЕН1Г, КЕН2Г; на микросхемы в
корпусе 4112.16-15 наносится двухзначный код с буквой ”К”:
МИКРОСХЕМЫ К142ЕН1, К142ЕН2
275
К142ЕН1А-КО6; К142ЕН1Б-К07; К142ЕН1В-К27; К142ЕН1Г-К28; К142ЕН2А-К08:
К142ЕН2Б-КО9; К142ЕН2В-К29; К142ЕН2Г-К30.
Масса микросхем в корпусах 402.16-7 и 4112.16-15 не более Г,4 г, в корпусе
2102.14-1 не более 1,2г.
Зарубежный аналог: р А723С.
Назначение выводов:
в корпусах 402.16-7 и 4112.16-15: 2 - фильтрация; 4 - вход 2; 6 - опорное напря-
жение- 8 - общий (-Un); 9 - выключатель; 10,11 - защита по току; 12 - регулировка вы-
ходов; 13 - выход 1; 14 - выход 2; 16 - вход 1;
в корпусе 2102.14-1: 1,2 - защита по току; 3 - обратная связь; 4 - вход дифферен-
циального усилителя; 5 - опорное напряжение; 6,9 - не используются; 7 - общий <-Un>;
8 - выход 1; 10 - выход 2; 11 - вход 2; 12 - вход Г, 13 - коррекция; 14 - выключатель.
Электрические параметры
Выходное напряжение при Ц^-10 В, 1вых“ 50 мА, Т - -45...+85° С:
КР142ЕН1А - КР142ЕН1Г, К142ЕН1А - К142ЕН1Г........................3...12 В
КР142ЕН2А - КР142ЕН2Г, К142ЕН2А - К142ЕН2Г........................12...30 В
Ток потребления при UBX-20 В, Ц^-12 В для К142ЕН1А-К142ЕН1Г, КР142ЕН1А-
КР142ЕН1Г и UBX-40 В , Ьвых-30 В для К142ЕН2А-К142ЕН2Г, КР142ЕН2А-
КР142ЕН2Г, Т - +25° С, не более......................................„4 мА
Дрейф напряжения за 24 ч при Свх” 20 В для К142ЕН2А - К142ЕН2Г, UBX ” 40 В для
К142ЕН2А - К142ЕН2Г, 1^- 50 мА, Т - +25° С ие более..................0,5 %
Минимальное падение напряжения при *вых“^° мА, Т " -45°С, не более:
схемы с совместным питанием......................................4,5 В
схемы с раздельным питанием..............;.......................2,5 В
Коэффициент нестабильности по напряжению при ^вх“ 20 В, ^вых“12 В для К142ЕН1
и Ue - 40 В, Ue - 30 Б для К142ЕН2, не более:
вх	вых
при Т - +250 с (1вых- 50 мА ):
КР142ЕН1А, КР142ЕН2А, К142ЕН1А, К142ЕН2А......................0,3%/В
КР142ЕН1Б, КР142ЕН2Б, К142ЕН1Б, К142ЕН2Б......................0,1%/В
КР142ЕН1В, КР142ЕН1Г, КР142ЕН2В, КР142ЕН2Г,
К142ЕН1В, К142ЕН1Г, К142ЕН2В, К142ЕН2Г........................0,5%/В
при Т - +85 и -45° С <1вых- 35 мА при Т - +85° С, 1вых~ 50 мА при Т - -45° С:
КР142ЕН1А, КР142ЕН2А, К142ЕН1А, К142ЕН2А......................0,5%/В
КР142ЕН1Б, КР142ЕН2Б, К142ЕН1Б, К142ЕН2Б..................... 0,2%/В
КР142ЕН1В, КР142ЕН1Г, КР142ЕН2В, КР142ЕН2Г, К142ЕН1В, К142ЕН1Г,
К142ЕН2В, К142ЕН2Г............................................0,8%/В
Коэффициент нестабильности по току при UBX - 16,5 В, UBbJX " 12 В, Т “ +25° С, не
более:
КР142ЕН1А, КР142ЕН2А.К142ЕН1 А, К142ЕН2А.....................11.1%/А
КР142ЕН1Б, КР142ЕН2Б, К142ЕН1Б, К142ЕН2Б......................4,4%/А
КР142ЕН1В, КР142ЕН2В, К142ЕН1В, К142ЕН2В.....................44,4%/А
КР142ЕН1Г, КР142ЕН2Г, К142ЕН1Г, К142ЕН2Г.....................22,2%/А
Температурный коэффициент напряжения при 1>вх- 12 В, Т - -45...+85° С, не более:
КР142ЕН1А, КР142ЕН1Б, К142ЕН2А, КР142ЕН2Б, К142ЕН1А, К142ЕН1Б,
К142ЕН2А, К142ЕН2Б, КР142ЕН1В, К? 142ЕН1Г, КР142ЕН2В, КР142ЕН2Г,
К142ЕН1В, К142ЕН1Г, К142ЕН2В, К142ЕН2Г.........................  0,05%/С
Предельные эксплуатационные данные
Входное напряжение при Т - -45...+85° С:
КР142ЕН1А - КР142ЕН1Г, К142ЕН1А - К142ЕН1Г.......................20 В
КР142ЕН2А - КР142ЕН2Г, К142ЕН2А -К142ЕН2Г........................40 В
Минимальное входное напряжение при Т - -45...+85° С для КР142ЕН1А - КР142ЕН1Г,
vI47F.H1A - К142ЕН1Г....................................................9	В
276
МИКРОСХЕМЫ К142ЕН1, Ка42Еп.
Выходной ток (с учетов внешнего делителя) во всем диапазоне входных и выходных на-
пряжений................................................................150	мА
Рассеиваемая мощность *.
при Т - -45. +55° С......f...........................................0,8	Вт
при Т - +850 Q.................................................  ...	0,55 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность при tM " 1 с, Q — 5..................^^рас	max
Температура окружающей среды..................................45°	С...Т*" +85° С
Примечание: 1 .Допускается соединение с общим выводом аппаратуры как положи-
тельного, так и отрицательного выходного напряжения микросхемы: при этом ”+’’ и
входного напряжения (аккумулятора, выпрямителя, фильтра и т.д.) должны быть изо-
лированы от общего вывода аппаратуры.
2.	Разрешается производить монтаж микросхемы 2 раза, демонтаж 1 раз.
3.	При эксплуатации минимальный ток делителя 1,5 мА.
4.	Разрешается использовать микросхемы К142ЕН1А - К142ЕН1Г при UBXmjn -
5,5 В в схеме с дополнительным источником питающего напряжения, превышающим 9
В. Разрешается использовать микросхемы К142ЕН2А - К142ЕН2Г при Свхп]|п - 9 В;
при этом электрические параметры остаются в пределах, указанных для диапазона
Ч,ЫХ-12..3ОВ

16
4
13
K1W1
Г —
Л. 01
HL
R2
1,6к
|Л/
\22к+
СЗт^Т
5,0
0.1
8
Типовая схема включения микросхемы К142ЕН1 и К142ЕН.
Схема включения K142EHI и KI42EH2 в состав стабилизатора с использованием внут-
ренней схемы защиты от коротких замыканий в цепи нагрузки (Rl, R2 - делитель в це-
пи базы транзистора защиты; R5 - резистор- датчик схемы защиты; Rl “ ?
(V + 0,5 В)/ 0,3 мА, кОм; R5 - 0,5 В/1„ЛП, А, Ом),
выл	пор
(1) При Т “ +55...+85° С Р„„	изменяется линейно.
рас,шах
-iMivrOCXEMbl K142EH1, K142EH2
277
Принципиальная схема стабилизатора напряжения отрицательной полярности На-
пряжение стабилитрона VD1 выбирается, для К142ЕН1 от 7 до 17 В, для К142ЕН2 от 7
до 37 В. Ток, протекающий через резисторы R6, R7, R8, должен быть не менее 1,5 мА.
Среднее значение нестабильности по напряжению стабилизатора 0,015 %, по току
0,025 %
Принципиальная схема стабилизатора с улучшенными характеристиками.
Принципиальная схема стабилизатора напряжения с повышенной нагрузочной спо-
собностью. При указанных» номиналах резисторов и токе нагрузки 0,5 А напряжение
’•жл выводами 10 и 1 1 равно 0,04 В. Устройство защиты устойчиво срабатывает при
278
МИКРОСХЕМЫ К142ЕНЗ, К142ЕН4
Inop " 1»15 А; в этот момент выходное напряжение стабилизатора скачком уменьшается
до 5 В и уже при токе нагрузки 1н - 1,1 А стабилизатор автоматически возвращается в
рабочий режим (1КЗ «• 70 мА, нестабильность по напряжению 0,2% при 1н - 0,5 А)
Принципиальная схема стабилизатора напряжения с регулируемым выходным на-
пряжением в широких пределах (обеспечивает регулировку выходного напряжения от
нуля до максимального значения, установленного для данных микросхем).
К142ЕНЗА, К142ЕНЗБ, К142ЕН4А, К142ЕН4Б
Микросхемы представляют собой регулируемые стабилизаторы напряжения с сис-
темой защиты от перегрева и перегрузки по току.-Они допускают выключение внешним
управляющим сигналом. При срабатывании системы защиты от перегрузки по току вы-
ходное напряжение уменьшается почти до 0. В случае срабатывания системы тепловой
защиты повторное включение стабилизатора возможно только после остывания микро-
схемы.
Корпус типа 4116.8-2. Масса не более 3 г.
Зарубежный аналог:ЕМ317.
Назначение выводов; 2 - вход системы защиты; 4 - вход сигнала обратной связи; 6 -
цепь выключения; 8 - общий вывод, электрически соединен с фланцем; 11, 17 - кор-
рекция; 13 - выход; 15 - вход.
Электрические параметры
Выходное напряжение при Т " +25° С:
при ивх " 25 В’ ^вых " 10 мА для К142ЕНЗА, К142ЕН4А......................3...30	В
ПРИ " 40 В, I™, “ Ю мА для К142ЕНЗБ, К142ЕН4Б......................ф....5.„30 В
вх	вых
Дрейф напряжения (за сутки) при Т - +40° С, не более:
при Unv " 45 в’ " 30 + A U В, 1	- 10 мА для К142ЕНЗА, К142ЕН4А..0,15%
ВА	вых	вых
при Uov - 40 В, L' - 30 + Ди В, - 10 мА для К142ЕНЗБ, К142ЕН4Б..0,15%
ВА	ВЫЛ	—	ВЫХ
Минимальное падение напряжения при Т - +-25° С, не более:
при UBX - 19 В, ивых - 16В для К142ЕНЗА, К142ЕН4А....................3 В
ПРИ Ч. " 19 В, U - 15В для К142ЕНЗБ, К142ЕН4Б....................4 В
Вл	вых
Коэффициент нестабильности по напряжению, не более:
. Т - +25° С:
при U - 45 В, U -ЗОВ и U - 12В, U В. 1вых - 10 мА для
ВА	оЫЛ	ВА	ВЫА	ВЫЛ
К142ЕНЗА, К142ЕН4А...........................................0,05%/В
при U - 40 В, U -30 В и U - 12,5 В, UBblx - 5 В, I - 10 мА для
МИКРОСХЕМЫ К142ЕНЗ, К142ЕН4
279
К142ЕНЗБ, К142ЕН4Б.............................................  0,05%/В
Т - +85 и -45° С
при и - 45 В, и - 30 + ДО В, 1	- 10 мА для Ю42ЕН’Л,
ИЛ	t>D!A	ИЕ>1Л
К142ЕН4А......................................;.................. О,Т%/В
п₽»	" 40 в- “ 3° + AU, " 1° мА для К142ЕНЗБ,
К142ЕН4Б...........................................................0,1 %/В
Коэффициент нестабильности по току при U_v - 19В, U v*= I5B, +25° С, не бо-
вх	вых
лее:
К142ЕНЗА, К142ЕН4А.....................!.........................0,25%/В
К142ЕНЗБ, К142ЕН4Б...............................................0,33%/В
Температурный коэффициент напряжения при U0X - 20 В, Ъ'вых *= 5 + Д U В,
1ВЬ1Х " 1° мА, Т “ +85...-45° С, не более:
К142ЕНЗА, К142ЕН4А.................................................0,01 %/С
К142ЕНЗБ, К142ЕН4Б.................................................0,02%/С
Ток потребления при Т " +25° С, не более:
при ивх " 45 В- Цвых " 30 в ли» К142ЕНЗА, К142ЕН4А.................10 мА
при ивх " 40 В’ ивых “ 30 В для К142ЕНЗБ, К142ЕМ4Б.................10 мА
Примечание: ДО определяется значением опорного напряжения микросхемы и па-
раметрами делителя выходного напряжения.
Предельные эксплуатационные данные
Входное напряжение при Тк — -45...+85° С:
К142ЕНЗА, К142ЕН4А...................................................  45	В
К142ЕНЗБ, К142ЕН4Б...................................................  40	В
Минимальное входное напряжение при Тк - -45...+85° С:
К142ЕНЗА, К142ЕН4А......................................................9	В
К142ЕНЗБ, К142ЕН4Б....................................................9.5	В
Выходной ток (с учетом тока делителя):
при Т - -45...+85° С:
К142ЕНЗА, К142ЕН4А......................................................1	А
К142ЕНЗБ, К142ЕН4Б...................................................0,75	А
при Тк - +100° Си1)вх< 30 В:
К142ЕНЗА, К142ЕН4А................................................... 0,5	А
К142ЕНЗБ, К142ЕН4Б....................................................0,4	А
при Тк - +100° С и U8X > ЗОВ:
К142ЕНЗА, К142ЕН4А...................................................0,25	А
К142ЕНЗБ, К142ЕН4Б..................................................  0,2	А
Рассеиваемая мощность:
при Т “ -45.+85° С
U 30 В..................................................................6	Вт
вх	,
UBX > 30 В..............................................................4	Вт
при Тк-+Ю0° С:
UBX<:30 В...........................................................2ЛВт
ивх > 30 В................v..........................................  13	Вт
Температура окружающей среды.......„..л....'.................:..............-45° С...ТК “= +100° С '
Примечание: 1. Допускается соединение с общим выводом аппаратуры ”+” или
выходного напряжения микросхемы: при э*.'ом корпус микросхемы должен быть изоли-
рован от общего вывода аппаратуры.
2.	При выборе делителя выходного напряжения следует руководствоваться следую-
щим: минимальный ток делителя 1,5 мА; сопротивления резисторов R1 и R2 выбира-
ются из‘условия U„.,v - UURl + R2)/R2, где U„ - 2,6 В напряжение - обратной
J	ВЫХ О.<-	v.u
связи на выводе 4.
280
МИКРОСХЕМЫ К142ЕНЗ, К142ЕН4
3.	Разрешается производить монтаж микросхемы в аппаратуре 2 раза, демонтаж 1
раз.
4.	Разрешается эксплуатация микросхем при U . - 8,5 В; при этом
Кь<0,15%/В..	ВХга,П
5	Емкость входного конденсатора С| > 2,2 мкФ, а расстояние от конденсатора до
микросхемы не более 70 мм.
При эксплуатации микросхем с включенной внутренней защитой от перегрузок по
току допускается не включать резистор R5; при этом UBX 20 В и TR ^+100° С.
Допускается также не включать резисторы R5 и R7; при этом UBX 1-5 В и
тк^+юо° С.
6.	Допустимое значение статического потенциала 2 кВ.
С2
Типовая схема включения микросхем К142ЕНЗ (А,Б), К142ЕН4 (А,Б): Rl, R2 - дели
тель выходного напряжения; CI - входной конденсатор емкостью не менее 2,2 мкФ; С2
- корректирующий конденсатор емкостью не менее 0,01 мкФ, СЗ - выходной конденса=
тор емкостью не менее 0,68 мкФ.
Схема включения микросхем К142ЕНЗ (А,В) и К142ЕН4 (А,В) с использованием внут-
ренней схемы защиты от перегрузок по току: R4£5,4k0m - ограничительный резистор
регулировки тепловой защиты; R3 - ограничительный резистор регулировки токовой
защиты: R3 [Ом]-{М - N - 0,023 (LI -U )}/!	, где М - 1,25 В; N - 0,51:
ИА НЕмА ilup	ЧМр
1 пор^1 ’^вых.тах'
МИКРОСХЕМЫ К142ЕН5
281

_0/
~10fi
КН2ЕНЗМ
т2ЕМ(А,Е)
в
С}
1,0
tf|/7|	11\U

Скема включения микросхем'К 142ЕНЗ (А,Б), К142ЕН4 (А,Б) с использованием внут-
ренней тепловой защиты : R3 - ограничительный резистор для регулирования порога
срабатывания тепловой защиты в диапазоне температур корпуса +65...+100° С:
R3 = 1 (xOm)((KTk-6,65)/(1-0,42KTk)J, где К-0,037° С'1

02 0,/
J VTI
K1SQ5A
IS
_0/
70,0
4
KU2EH3M [к
КШЕШ(А,Б) ф
IW
0J
1,0
=
R1
02
Схема включения микросхем К142ЕНЗ (А.Б), К142ЕН4 (А,Б) с дополнительным’тран-
зистором для увеличения выходного тока.
К142ЕН5А. К142ЕН5Б, К142ЕН5В, К142ЕН5Г. КР142ЕН5А. КР142ЕН5Б,
КР142ЕН5В, КР142ЕН5Г
Микросхемы представляют собой стабилизаторы напряжения с фиксированным вы-
ходным напряжением и защитой от перегрузок по току. Корпус микросхем К142ЕН5А -
К142ЕН5Г типа 4116.4-2, КР142ЕН5А - КР142ЕН5Г типа КТ-28-2. Микросхемы в ме-
таллокерамическом корпусе (41 16.4-2) предназначены только для экспериментальных
работ, в металле пол и мерном (КТ-28-2) - для применения в серийной радиоаппаратуре.
Масса микросхем в корпусе 4116.4-2 не более 3 г., в корпусе КТ-28-2 не более
2,5г
Зарубежный аналог:
К142ЕН5А, КР142ЕН5А, К142ЕН5В, КР142ЕН5В -рА7805С;
К142ЕН5Б, КР142ЕН5Б, К142ЕН5Г, КР142ЕН5Г - р. А7806С
Назначение выводов: 2 - выход; 8 - общий; 17 - вход.
Электрические параметры
Выходное напряжение при UBX“ 10 В, 1ВЫХ “ Ю мА, Т “+25° С:
К142ЕН5А, КР142ЕН5А...............................................5+0,1	В
К142ЕН5Б, КР142ЕН5Б.............v................................6+0,12	В
К142ЕН5В, КР142ЕН5В...-.......................................-...5+0,18 В
К142ЕН5Г, КР142ЕН5Г..Д........................................  .6+0,21	В
282
МИКРОСХЕМЫ К142ЕН5
Ток потребления при L’BX - 15 В, Т в +25° С,
не более................................................................    ...10	мА
Дрейф напряжения (за 500ч) при LJ - 15 В, I v - 0,5 А, Т - +100® С, не бо-
/	вх	вых	к
лее:..........................................................................1,5	%
Коэффициент нестабильности по напряжению при С’вх “ 10 В, 1вых - 10 мА,
Т “ -45...+85° С, не более....................................................0,05%/	В
Предельные эксплуатационные данные
Входное напряжение при TR “ -45...+100° С.........................................15	В
Минимальное входное напряжение при- - -45...+100° С:
К142ЕН5А, К142ЕН5В, КР142ЕН5А, КР142ЕН5В..................................7,5 В
К142ЕН5Б, К142ЕН5Г, КР142ЕН5Б, КР142ЕНН5Г.................................8,5 В
Входной ток I;
при Тк - -45 и +100° С:
К142ЕН5А, К142ЕН5Б, КР142ЕН5А, КР142ЕН5Б....................................2 А
К142ЕН5В, К142ЕН5Г, КР142ЕН5В, КР142ЕН5Г..................................1,5 А
при Тк - -20...+40° С:
К142ЕН5Л, К142ЕН5Б, КР142ЕН5А, КР142ЕН5Б.......................................3	А
К142ЕН5В, К142ЕН5Г, КР142ЕН5В, КР142ЕН5Г,.....................................................2 А
Коэффициент нестабильности по току при Т - +25° С, не более:
при UBX - 8,3 В для К142ЕН5А, KI42EH5B, КР142ЕН5А, КР14...................1%/А
при UBX - 9,3 В для К142ЕН5Б. К142ЕН5Г, КР142ЕН5Б, КР142ЕН5Г..............1%/А
Температурный коэффициент напряжения при Свх -10 В, 1В-Ь1Х“,° МА,
Т* • -45...+85° С, не более:
К142ЕН5А, К142ЕН5Б, КР142ЕН5А, КР142ЕН5Б......................................0,02%/	С
К142ЕН5В, К142ЕН5Г, КР142ЕН5В, КР142ЕН5Г..................................0,03%/	С
Коэффициент сглаживания пульсаций при UBX в 10 В, f - 1 кГц, Т - +25° С, не ме-
нее...............................................................................60	дБ
Рассеиваемая мощность 1 (с теплоотводом):
при Тк - -45...+70° С...........................7......................10	Вт
Тк - +100° С............................................................5	Вт
Температура окружающей среды.....................................    -45...+1000	С
Примечания: 1. Разрешается производить монтаж микросхем 2 раза, демонтаж 1
раз.
2.	Допускается подача напряжения на выход микросхемы до 8 В при отсутствии на-
пряжения на входе. Допускается увеличение входного напряжения до 20 В при условии,
что разность напряжений между входом и выходом микросхемы находится в пределах
2,5... 10 В, а Р « Р
’	’ рас к рас.тас
КН2ЕН5(А-Г)
ШН5(АгГ)
Типовая схема включения микросхемы К142ЕН5(А - Г) и КР142ЕН5(А - Г)
1 При “ +40...+1000 С, 1_. _av и	изменяются линейно.
К	ВЫл,«Пал р<Ю,1ЦаХ
МИКРОСХЕМЫ К142ЕН6
283
3.	Емкость входного конденсатора должна быть не менее 2,2 мкФ, а расстояние от
конденсатора до микросхемы не более 70 мм. В этих условиях гарантируется
отсутствие генерации на входе с амплитудой, превышающей U^xmax.
4.	Допустимое значение статического потенциала 2 кВ.
Схема включения микросхем К142ЕН5(А - Г) и КР142ЕН5(А - Г) для повышения вы-
ходного напряжения; RI - 300 Ом; R2 - (UBX - UBbJX>Rl/ (Ц^ + 1ПОТ RD
К142ЕН6А, К142ЕН6Б, К142ЕН6В, К142ЕН6Г, К142ЕН6Д, К142ЕН6Е
Микросхемы представляют собой двухполярный стабилизатор напряжения с
фиксированным выходным напряжением.
Корпус типа 4116.8-2.
Масса не более 3 г.
Зарубежный аналог: SG15O1.
Назначение выводов: 2 - регулировка; 4 - выход (-); 6 - вход (-); 8 - общий; II -
коррекция (+); 13 - выход (+)£ 15 - вход (+); 17 - коррекция (-).
Электрические параметры
Выходное напряжение при +USX - 20 В, +1рых “ 5мА, Т - +25° С:
KI42EH6A, К142ЕИбБ~............................................. +15+0,3	В
К142ЕН6В, К142ЕН6Г......................................  .+15+0,5	В
К142ЕН6Д, KI42EH6E.............................................+15+1	В
Ток потребления по положительному и отрицательному выходу при UBX - 30 В,
!вых " Тк " +25° С’не болес.............;...........................18	мА
Дрейф напряжения (за 500 ч) при +^вх “ + 30 В, +1ВЫХ “75 мА и +UBX - +25 В,
+1ВЫХ - Ю4 мА, Тк - +85° С, не более.................................1	%
Минимальное падения напряжения при TR • +25° С, не более:
на положительном входе при Ах - Аых! + ипд.тщ. Ах - -20 В- ±'вых - 5 мА:'
К142ЕН6А. К142ЕН6Б, К142ЕН6Д,	К142ЕН6Е..........................2,3	В
KI42EH6B, К142ЕН6Г...............................................2,7	В
на отрицательном входе при +UBJ£ - +20 В, -UBX -	+ ипд min. +1вых - 5 мА:
К142ЕН6А, К142ЕН6Б, К142ЕН6Д,	К142ЕН6Е........................... 3	В
К142ЕН6В, К142ЕН6Г.............................................. 3.2	В
Коэффициент нестабильности по напряжению при +<JBX “ 20 В, -UBX - -20 В,
1*вых ” 5 мА' нс ®олее;
при Т - +23° С:
К142ЕН6А.........;.....................................0.0015%/	В
К142ЕН6Б, К142ЕН6Д,	К142ЕН6Е.............................0,003%/	В
К142ЕН6В.................................................0,0025%/	В
К142ЕН6Г.................................................0,0075%/	В
284
МИКРОСХЕМЫ К142ЕН6
при Т “ -45 и +85° С
К142ЕН6А......................................................0,003%/	В
К142ЕН6Б, К142ЕН6Д, К142ЕН6Е...................................0,01%/	в
К142ЕН6В...................................................   0,005%/	В
К142ЕН6Г......................................................0,015%/	В
Коэффициент нестабильности по току при +UBX - 20 В, -UBX - -20 В, +1вых “ 5 мА,
Т - +25° С, не более:
К142ЕН6А, К142ЕН6Б, К142ЕН6Д, К142ЕН6Е..........Г...............0,2%/	А
К142ЕН6В, К142ЕН6Г..............................................0,3%/	А
Температурный коэффициент напряжения при +U„„ “ 20 В, -U “ -20 В, +!	“ 5 мА,
Вл	ВХ	ВЫХ
Т - -45...+85° С:
К142ЕН6А, К142ЕН6Б, К142ЕН6Д, К142ЕН6Е, не более......................0,01%/	С
типовое значение..................................................0,003%/	С
К142ЕН6В, К142ЕН6Г, не более.................................      0,03%/	С
типовое значение..................................................0,01%/	С
Коэффициент сглаживания пульсаций при +UBX - 20 В, -UBX “ -20 В, +1вых - 5 мА,
Т “ +25° С, ие менее..................................................30	дБ
Предельные эксплуатационные данные
Входное напряжение на каждом входе при Тк “ -45...+85° С:
К142ЕН6А, К142ЕН6Б,	К142ЕН6Д,	К142ЕН6Е............................40	В
К142ЕН6В, К142ЕН6Г..............................................  .30	В
Напряжение между входами при Тк - -45...+85° С:
К142ЕН6А, К142ЕН6Б,	К142ЕН6Д,	К142ЕН6Е.............................60	В
К142ЕН6В, К142ЕН6Г....................................................50	В
Выходной ток на кождом выходе при Тк “ -45...+85° С..................200	мА
Рассеиваемая мощность I
при тк - -45...+70° С:
К142ЕН6А, К142ЕН6Б, К142ЕН6Д, К142ЕН6Е..................................5	Вт
К142ЕН6В, К142ЕН6Г..................................................4	Вт
при Тк - +850 с.................................................  2,5	Вт
Температура окружающей среды..............................-45° С,..ТК - +85° С
Примечания*. 1. При эксплуатации микросхем допускается подключение нагрузки к
одному любому каналу или к двум каналам одновременно. Общие шины источника
входного напряжения должны быть подключены к выводу 8.
При подключении нагрузки только к положительному каналу входное напряжение
на отрицательном канаЛе должно быть |-UBX| > |-^вых1 + I -^вх-вых.шш । •
При подключении нагрузки только к отрицательному каналу входное напряжение на
положительном канале должно быть уменьшено до 10 В.
При подключении нагрузки одновременно к двум каналам допускается эксплуата-
ция микросхем как при несимметричном входном напряжении на каналах, так и при их
несимметричной нагрузке выходным током; при этом максимальные значения входного
напряжения, выходного тока и рассеиваемой мощности не должны превышать предель-
но допустимых, а VBX>n - Свых +	min.
2.	Разрешается производить монтаж микросхем 2 раза, демонтаж 1 раз.
3.	Допустимое значение статическо!’о потенциала 2 кВ.
1 При Tv -• +70 ,.+85°С Р „ изменяется линейно
г к	рас,max
iPOCXEMbl К142ЕН6
285
о>
Типовые схемы включения микросхем К142ЕН6 iA E) а - Cl  C2e С5  С6  1 15
мкФ; СЗ - С4 - 0,01..0,1 мкФ; б - Cl, С2 J. 1 мкФ; С5, С6 > 2 мкФ; СЗ-С4-
0,01...0,1 мкФ
286
МИКРОСХЕМЫ К142ЕН6
б)
Принципиальные схемы регулируемых стабилизаторов напряжения. Диапазон регу-
лировки +15...+25 В для K14ZEH6 (А, Б, Д, Е) и +I5...+20 В для К142ЕН6В, К142ЕН6Г.
а-Cl -С2-С5 -С6 - 1...I5 мкФ; СЗ - С4 - 0,001...0,2 мкФ; R > 6,8 кОм; б-Cl - С2 М
мкФ; С5 - С6 » 2 мкФ; СЗ - С4 - 0,01...0,1 мкФ; R - 2...700 кОм
6)
Принципиальные схемы регулируемых стабилизаторов напряжения на микросхемах
К142ЕН6 (А - Е). Диапазон регулировки +5...+15 В:а -Ri 6,8 кОм; б - R - 2...700 кОм
МИКРОСХЕМЫ К142ЕН8
28,
К142ЕН8А, К142ЕН8В, К142ЕН8В, К142ЕН8Г, К142ЕН8Д, К142ЕН8Е, КР142ЕН8А.
КР142ЕН8Б, КР142ЕН8В, КР142ЕН8Г, КР142ЕН8Д. КР142ЕН8Е
Миркосхемы представляют собой стабилизаторы напряжения с фиксированным вы-
ходным напряжением и защитой от перегрузок по току. Корпус микросхем К142ЕН8А -
KI42EH8E типа 4116.4-2; KPI42EH8A - KPI42EH8E типа КТ-28-2. Микросхемы в ме-
таллическом корпусе (4116.4-2) предназначены только для экспериментальных работ, в
. еталлопблимерном (КТ-28-2) - для применения в серийной аппаратуре.
Масса микросхем в корпусе 4116.4-2 не более 3 г, в корпусе КТ-28-2 не более 2,5 г.
Зарубежный аналог:
К142ЕН8А, КР142ЕН8А, К142ЕН8Г, КР142ЕН8Г - SC78O8K
К142ЕН8Б, КР142ЕН8Б, К142ЕН8Д, КР142ЕН8Д - SG78I2K
KI42EH8B, KPI42EH8B, KI42EH8E, КР142ЕН8Е - SC7815K
Назначение выводов: 2 - выход; 8 - общий; 17 - вхда.
Электрические параметры
Выходное напряжение при UBX - 20 В, 1вых - 10 мА, Т - +25° С:	>
К142ЕН8А, КР142ЕН8А.......................а......................9+0.27	В
К142ЕН8Б, КР142ЕН8Б...........................................  12+0,36	В
К142ЕН8В, КР142ЕН8В.............................................15+0.45В
К142ЕН8Г, КР142ЕН8Г..............................................9+0,36	В
К142ЕН8Д, КР142ЕН8Д.............................................12+0,48	В
К142ЕН8Е, КР142ЕН8Е..............................................15+0,6	В
Ток потребления при UBX - 35 В для К142ЕН8А - К142ЕН8В и Ugx - 30 В для
К142ЁН8Г - К142ЕН8Е, Т - +25° С, не более...............................10	мА
Дрейф напряжения (за 500 ч) при l^j^- 0,5 А, Тх - +100° С, не более:
при UBX- 18,6 В для К142ЕН8А, КР142ЕН8А......................,.....'.....1	%
при UBX - 21,6 В для К,142ЕН8Б, КР142ЕН8Б..........................1 %
при UBX - 24,5 В для К142ЕН8В, KPI42EH8B..............................1	%
при UBX - 18,6 В для К142ЕН8Г, КР142ЕН8Г............................1.5	%
при UBX - 21,6 В для 1<142ЕН8Д, КР142ЕН8Д...........................1.5	%
при UBX - 24,5 В для 14142ЕН8Е, КР142ЕН8Е...........................1,5	%
Коэффициент нестабильности по напряжению при UBX - 20 В, 1ВЫХ "10 мА, не более:
Т-+25...850 С:
К142ЕН8А - К142ЕН8В, КР142ЕН8А - КР142ЕН8В.......................0.05%/	В
К142ЕН8Г -К142ЕН8Е, КР142ЕН8Г -КР142ЕН8Е............,.............0,1%/	В
* при Т - -450 С:	।
К142ЕН8А - К142ЕН8В, КР142ЕН8А - КР142ЕН8В........................0,1%/	В
К142ЕН8Г -К142ЕН8Е, КР142ЕН8Г - КР 142ЕН8Е...'..................  0,2%/	В
Минимальное падение напряжения при 1>вх - 11вых - +2,5 В, Т - +25° С, не бо-
лее................................................................    2,5	В
Температурный коэффициент напряжения при Ugx - 20 В, 1вых - 10 мА,
Т - -45...+85О С, не болея:	г ,
КМ2ЕН8А - К142ЕН8В, КР142ЕН8А а КР142ЕН8В.............  ,..........0.02%/	С
к142ЕН8Г'-К142ЕН8ГЕ, КР142ЕН8Г - КР142ЕН8Е.........................0,03%/	С
Коэффициент сглаживания пульсаций при UBX - 20 В, 1вых - 10 мА, Т - +25° С, не
Менее.....................................................................30	дБ
Коэффициент нестабильности по току при Т - +25° С, не более:
при ивх - 12	В дляI К142ЕН8А, КР142ЕН8А...................... 0,67%/	А
при UBX - 15	В для К142ЕН8Б, КР142ЕН8Б........................0,67%/	А
при UBX - 18	В для К142ЕН8В, КР142ЕН8В........................0.67%/	А
при UBX - 12	В для К142ЕН8Г, КР142ЕН8Г.........................1.5%/	А
при UBX - 15	В для К142ЕН8Д, КР142ЕН8Д.........................1,5%/	А
при UBX - 18	В для К142ЕН8Е, КР142ЕН8Е........................ 1,5%/	А
288
МИКРОСХЕМЫ К142ЕН9
Предельные эксплуатационные данные
Входное напряжение при Тк - -45... 100° С’:
К142ЕН8А - KI42EH8B, КР142ЕН8А - КР142ЕН8В............................35 В
К142ЕН8Г - К142ЕН8Е. КР142ЕН8Г - КР142ЕН8Е.,........................30 В
Выходной ток:
при Тк - -25...+700 С:
KI42EH8A - К142ЕН8В.................................................1,5 А
К142ЕН8Г - К142ЕН8Е..................................................*..1 А
при Тк - -45 и +100° С..............................................0.5	А
Рассеиваемая мощность 1
при Тк - -45...700 С..................................................8	Вт
при Тк - +100° с.....................................:................5	Вт
Температура окружающей среды...............................-45°	С..ТК - +1000 С
Примечания: 1. В качестве вывода "Общий" рекомендуется использовать (наряду с
выводом 8) корпус микросхемы.'
2. Допускается подача напряжения на выход микросхемы до 15 В при отсутствии
напряжения на входе.
3. Разрешается производить монтаж микросхем 2 раза, демонтаж 1 раз.
4. Емкость входного конденсатора должна быть не менее 0,33 мкФ, а расстояние от
коцдесатора до микросхемы не более 50 мм. При этом гарантируется отсутствие гене-
Типовая схема включения микросхем KI42EH8, КР142ЕН8, К142ЕН9 (С1 i- О,ЗЗмкФ,
С2- 1 мкФ).
К142ЕН9А, К142ЕН9Б, К142ЕН9В, К142ЕН9Г, К142ЕН9Д, К142ЕН9Е
Микросхемы представляют собой стабилизаторы напряжения с фиксированным вы-
ходным напряжением. Принципиальная схема соответствует приборам К142ЕН8А -
К142ЕН8Е.
Корпус типа 4116.4-2.
Масса не более 3 г.
Зарубежный аналог:
KI42EH9A, К142ЕН9Г - SG78I8K
К142ЕН9Б, К142ЕН9Д - SG7824K
К142ЕН9В, К142ЕН9Е - LAS1528
Назначение выводов: 2 - выход; 8 - общий; 17 - вход.
.* ПриТк"+70...+100ОСРра£ тах
изменяется линейно.
МИКРОСХЕМЫ К142ЕН9
289
Электрические параметры
Выходите напряжение при Пвх — 35 В для KI42EH9A - К142ЕН9В, и UBX - 30 В для
К142ЕН9Г - К142ЕН9Е, 1вых - 10 мА, Т -+25° С:
К142ЕН9А....................................................................20+0,4	В
К142ЕН9Б................................................................ 24+0,48	В
К142ЕН9В.................................................................27+0,54	В
К142ЕН9Г................................................................. 20+0,6	В
К142ЕН9Д...............................................................  24+0,72	В
KI42EH9E.................................................................27+0,81	В
Ток потребления при UBX - 40 В для KI42EH9A - К142ЕН9В, и UBX - 35 В для
К142ЕН9Г - К142ЕН9Е, 1ВЫХ - О , Т - +25° С, не более:
KI42EH9A- К142ЕН9В...............................................................1	мА
К142ЕН9Г - К142ЕН9Е.....................................................1,5 мА
Дрейф напряжения (за 500 ч) при UBX “ 40 В для К142ЕН9А - К142ЕН9ВГ и — 35
В для К142ЕН9Г - К142ЕН9Е, Т - +100® С, не более:
К142ЕН9А - К142ЕН9В..........................................................  1	%
К142ЕН9Г - К142ЕН9Е.......................................................   1,5	%
Коэффициент нестабильности по напряжению при <JBX - 35 В для К142ЕН9А -
KJ42EH9B и U - 30 В для К142ЕН9Г - К142ЕН9Е. 1	- 10 мА, не более:
ВХ	ВЫЛ
при Т - +25...+85° С:
К142ЕН9А - К142ЕН9В...................................................  0,05%/В
К142ЕН9Г - К142ЕН9Е......................................................0,1%/В
при Т — -45° С:
К142ЕН9А - К142ЕН9В......................................................0,1%/В
К142ЕН9Г - К142ЕН9Е......................................................0,2%/В
Минимальное падение напряжения при UBX - UBb|X “ +2,5 В, Т — +25° С, не бо-
лее............................................................................2,5	В
Температурный коэффициент напряжения при UBX - 35 В, для К142ЕН9Л - К142ЕН9В
и UBX - 30 В для К142ЕН9Г - KI42EH9E, Т - -45...+85° С, не более:
К142ЕН9А - К142ЕН9В........................................................ 0,02%/°С
К142ЕН9Г - К142ЕН9Е....................................................0,03%/°С
Коэффициент сглаживания пульсаций при UBX - 35 В для К142ЕН9А - К142ЕН9В и
U-3OB для К142ЕН9Г - KI42EH9E, - 10 мА, Т - +25° С, не
КЭЛ	ВЫЛ
• менее................................................___________.......................ЗО дБ
Коэффициент нестабильности по току при UBX - 23 В для К142ЕН9А, К142ЕН9Г, Ubx
“ 27 В для К142ЕН9Б, К142ЕН9Д и UBX - 30 В для К142ЕН9В, К142ЕН9Е, Т - +25° С,
не более:
KI42EH9A - К142ЕН9В....................................................0,67%/А
К142ЕН9Г-К142 9Е........................................................1,5%/А
Предельные эксплуатационные данные
Входное напряжение при Тк “ -45...+100° С:
К142ЕН9А - К142ЕН9В................................................................40	В •
К142ЕН9Г - KI42EH9E........................................................  -35	В
Выходной ток 1;
при Тк - -20...+700 С:
К142ЕН9А - К142ЕН9В..........................................................1.5	А
К142ЕН9Г - К142ЕН9Е..............................+.............................1	А
при Тк- -45° С.................................................................................................... ......05 А
при Тк - +100° С..........................................................  -0,5	А
—-------------
1 При Тк - +70’...+100°С 1вых тах и Ppacm3x изменяются линейно.
Ю. Зак. 4694
290
МИКРОСХЕМЫ К142
Рассеиваемая мощность >:
Тк - -45...+700 С............................................................  6	Вт
Тк - +100° С......................................,1...........................3	Вт
Примечания . I. В качестве вывода ’’Общий” рекомендуется использовать (наряду с
выводом 8) корпус микросхемы.
2.	Допускается подача напряжения на выход микросхемы до 27 В при отсутствии
напряжения на входе.
3.	Разрешается производить монтаж микросхем 2 раза, демонтаж 1 раз.
4.	Емкость входного конденсатора должна быть не менее 0,33 мкФ, а расстояние от
конденсатора до микросхемы не более 50 мм. При этом гарантируется отсутствие гене-
рации на входе с амплитудой UBX max.
Схема включения: типовая схема включения [см. К142ЕН8 (А - Е)].
К142ЕН10
Микросхема представляет собой регулируемый стабилизатор напряжения отрица-
тельной полярности с системой защиты от перегрузок по току. Она допускает выклю-
чение внешним управляющим сигналом.
Корпус типе 4116.8-2; Масса не более 3 г.
Зарубежный аналог: pA78G.
Назначение выводов: 2 - общий (+Un); 4 - вход сигнала обратной связи; 6,11,16 -
не используются; 8 ▼ вход, электрически соединен с фланцем; 13 - выход; 15 - вход сиг-
нала выключения.
-	Электрические параметры
Выходное напряжение при UBX - 25 В, Т - +25° С.........................3...30	В
Ток потребления при UBX - 40 В, Т - +25° С, не более..;...................7	мА
Дрейф напряжения (за 500 ч) при UBX - 40 В, Т* - 100° С, не более....«....1	%
Минимальное падеиие напряжения при UBX “ 20 В, UBblJ£ "	17,5	В,	Т - +25° С,
не более ................................................................  2.5«В
Коэффициент нестабильности по напряжению при UBX “ 40 В, Т - +25° С,
не более ..........................................................  .0,05%	/В
Коэффициент нестабильности по току при UBX - 20 В, UBWX * 17,5 В, Т = +25° С,
не более ..................................................................1% /А
Температурный коэффициент напряжения при UBX - 20 В, Т - -60 . .+ 100° С,
не более............,..............................................   0.01%	/° С
Коэффициент сглаживания пульсаций при UBX - 40 В, f - 1кГц, Т - +25° С,
не менее .....................„.......«....................................40 дБ
Предельные эксплуатационные данные
Входное напряжение при Тк“ -60...+I250 С..................................40 Б
Минимальное входное напряжение при Тк" -60...+125° С............................9	Б
Выходной ток (с учетом тока делителя):
при Тк - -20...+I00O С.................................................1 А
Рассеиваемая мощность:
_при Тк - -20...+100О С..........  „..........  -......................5 Вт
• при Тк - +125° С.................................:......................2 Вт
Температура окружающей среды............................  ......-60..-+1250	С
1 При Тк - +70...+100ОС 1вых max и PpaCtinax изменяются линейно.
МИКРОСХЕМЫ К142
291
Примечания: 1. Разрешается производить монтаж микросхемы 2 раза, демонтаж 1
раз.
2.	При выборе делителя выходного напряжения следует руководствоваться следую-
щим: минимальный ток делителя 1,5 мА; сопротивления резисторов R1 н R2 выбира-
ются из условия Свых" UOC<1+R1/R2), где Uoc « -2,3 В - напряжение обратной связина
выводе 4, Ufibix - напряжение на выходе стабилизатора.
3.	Емкость входного конденсатора С1 должна быть не менее 2,2мкФ, а расстояние
от конденсатора до микросхемы не более 70 мм. Емкость выходного конденсатора С2
должна быть не менее 1 мкФ.
4.	Допустимое значение статического потенциала 2 кВ.
Типовая схема включения микросхемы К142ЕН10: Rl, R2 - делитель выходного напря-
жения, С1 - входной конденсатор, С1 2,2 мкФ, С2 - выходной коденсатор, С2 > 1 мкФ
Принципиальная схема стабилизатора напряжения с управлением от внешнего сигна-
ла: R3 - UBbJKJ|/iBbJK7] - RaH; кОм, где UBbljaj »3 В - напряжение источника внешнего
выключающего напряжения, 1выкл > 1Л мА - ток, потребляемый от источника выключе-
ния, RfiH « 1,5 кОм - сопротивление внутреннего резистора микросхемы.
К142ЕН11
Микросхема представляет собой регулируемый стабилизатор напряжения отрица-
тельной полярности с системой защиты от перегрузок по току. Она содержит встроен-
ный источник образцового напряжения.
Корпус типа 4116,4-2. Масса не более 3 г.
Зарубежный аналог: LM137K.
Назначение выводов: 2 - вход сигнала обратной связи; 8 - вход, электрически со-
единен с фланцем; 1 I - выход 1; 17 - выход 2.
Электрические параметры
Выходное напряжение при UBX ” 30 В, Т " +25° С.................. 1.2...37	В
Ток потребления при UBX “ 45 В, Т “ +25° С, не более.................    7	мА
Дрейф напряжения (за 500 ч) при Ufix “ 45 В, TR - 100° С, не более.......1	%
10*
292
МИКРОСХЕМЫ К142
Минимальное падение напряжения при и*х - 20 В, Ивых - 16,5 В, Т - +25° С, не
более.............................................Л.„.....................3,5 в
Коэффициент нестабильности по напряжению при. UBX « 45 В, Т — +25° С,
не более ........................................................    0,02%	/В
Коэффициент нестабильности по току при UBX — 20 В, UBbJX - 16,5 В, Т — +25° С,
не более.........................................................  ..0,33%	/А
Температурный коэффициент напряжения при UBX - 20 В, Т - -60 ...+100° С,
не более.....................................................  „.....0,02%	/<>С
Коэффициент сглаживания пульсации при UBX - 45 В, f - 1кГц, Т - +25° С,
не менее ..................................................    ’........50	дБ
.Предельные эксплуатационные данные
Входное напряжение при Тк" -60...+1250 С....................,...........45	В
Минимальное входное напряжение при Тк* -60...+125° С.........................5 В
Выходной ток (с учетом тока делителя): при Тк - -20...+100° С...........1,5 А
Рассеиваемая мощность:	* *
при Тк - -20...+100° С................Л..............................8	Вт
при Тк-+125о С.......................................................4	Вт
Температура окружающей среды...............................    -60...+1250	С.
Примечания: 1. Разрешается производить монтаж микросхемы 2 раза, демонтаж 1
раз.
2.	При выборе делителя выходного напряжения следует руководствоваться следую-
щим: минимальный ток делителя 1,5 мА; сопротивления резисторов R1 и R2 выбира-
ются из условия UBblx “ Uogp(l+R2/Rl), где LTogp * -1,25 В - образцовое напряжение,
формируемое внутренним источником микросхемы; UBbJX - напряжение на выходе ста-
билизатора, R1 — 120 Ом.
3.	Емкость входного конденсатора С1 должна быть не менее 2,2 мкФ, а расстояние
от конденсатора до микросхемы не более 70 мм. Емкость выходного конденсатора С2
должна быть не менее 1 мкФ.
4.	Допустимое значение статического потенциала 2 кВ.
Типовая схема включения микросхемы К142ЕН11: Rl, R2 - делитель выходного напря-
жения, С1 - входной конденсатор, С1 > 2,2 мкФ, С2 - выходной конденсатор, С2 > 1
мкФ
КР142ЕН12А, КР142ЕН12Б
Микросхемы КР142ЕН12А, КР142ЕН12Б представляют собой регулируемый ста-
билизатор напряжения компенсационного типа. Они выполнены по планарной диффу-
зионной технологии с изоляцией р-п переходом. Стабилизатор работает с внешним де-
лителем напряжения в измерительном элементе, что позволяет регулировать выходное
напряжение в очень широких пределах - от 1,3 до 37 В. Регулирующий элемент стаби-
лизатора включен в плюсовой провод питания. Выходной ток (ток нагрузки)-до 1 А.
МИКРОСХЕМЫ К142
293
Эти микросхемные стабилизаторы относятся к самым "высоковольтным” в серии
К142. Они устойчивы к импульсным перегрузкам по мощности, оснащены системой
защиты от перегрузок по выходному току.	,
Приборы оформлены в пластмассовом корпусе КТ-28-2. Со стороны одной из ши-
роких граней в корпус вмонтирован удлиненный теплоотводящий фланец с крепежным
отверстием.
Масса прибора - не более 2,5 г.
Зарубежный аналог: LM117HVH.
Электрические параметры при Токр ср - 25° С
Минимальное выходное напряжение, при входном напряжении 5 В и токе нагрузки
5 мА, не более....................................................    1,3	В
Минимальное падение напряжение, при входном напряжении 18,5 В, не
более.................................................................3.5	8
Нестабильность выходного напряжения по входному напряжению при увеличен» < и
входного напряжения от исходного значения 20 В, выходном напряжении 15 В и выход-
ном токе 5 мА, не более, для
КР 142ЕН12А V....................................................(ЦП % /
КР142ЕН12Б......\ ...............................................0,03% / «
Нестабильность выходного напряжения по выходному току при входном напряжении
20 В, выходном 15 В и увеличении выходного тока от исходного значения 5 мА, нс бо-
лее .................................................................0,2%	/А
Температурный коэффициент выходного напряжения, при входном напряжении 5 В,
минимальном выходном напряжении и выходном токе 5 мА, не более......0,02%	/С
Изменение выходного напряжения за 500 ч работы, при входном напряжении 45 В, вы-
ходном 15 В и выходном токе 23 мА, не более.............................1	%
Предельные эксплуатационные данные
Входное напряжение.................................................5...4S	Б
Выходное напряжение.................................................   37	В
Выходной ток.............................................-..»..........1 А
Мощность, рассеиваемая микросхемой без теплоотвода, при температуре окружающей
среды (-10...+40)° С..................................................  1	Вт
+700 с.............................................................0,7	Вт
КТ-28-2
294
МИКРОСХЕМЫ К142
Температурный рабочий интервал.....................................-10...+70О с
Микросхема рассчитана на работу с теплоотводом; крепление к теплоотводу винтом
с гайкой. Мощность, рассеиваемая микросхемой с тепл>м/пюдом, не должна превышать
10 Вт. В качестве заменителя теплоотвода может быть использована печатная плата.
Теплоотводящий фланец микросхемы электрически соединен с выв. 2: это необходимо
учитывать при монтаже теплоотвода на плате илй на кожухе аппарата.
Типовая схема включения микросхем КР142ЕН12А и КР124ЕН12Б показана ниже.
Резисторы R1 и R2 образуют внешний регулируемый делитель напряжения, входящий
в измерительный элемент стабилизатора. Значения сопротивления резисторов должны
быть связаны формулой
^вых " ^вых min <1 + R1/R2) + R2 • I ft э,
ГДе 1и э - ток через резисторы R1 и R2 измерительного элемента; минимально допус-
тимое значение этого тока - 55 мкА.
Типовая схема включения микросхем КР142ЕН12А, КР142ЕН12Б
Для снижения уровня фона при выходном напряжении, близком к минимальному,
рекомендуется в измерительный элемент стабилизатора включать сглаживающий кон-
денсатор С2. Емкость этого конденсатора должна быть достаточной для эффективного
сглаживания (обычно около 10 мкФ). Емкость конденсатора С1 - не менее 0; 1 мкФ, СЗ
- не менее 1 мкФ.	*
При выходном напряжении, превышающем 25 В, если возможно замыкание вход-
ной цепи стабилизатора, следует при наличии конденсатора С2 ввести в стабилизатор
диоды VD1 (КД510А) и VD2 (КД521А); при отсутствии конденсатора С2 достаточно
одного диода VD1, когда емкость конденсатора СЗ больше, или равна 25 мкФ. Если не
исключено замыкание только выходной цепи стабилизатора, достаточно при наличии
конденсатора С2 включения только диода VD2,
При наличии "сглаживающего фильтра на входе стабилизатора в том случае, когда
между иыхолным конденсатором фильтра и микросхемой нет коммутирующих устрой-
ств, приводящих к относительно медленному увеличению входного напряжения, и когда
длина соединительных проводников между фильтром и микросхемой не превышает 70
мм, входным конденсатором стабилизатора может быть выходной конденсатор фильтра.
Если выходной конденсатор фильтра керамический и его емкость менее 1 мкФ, или ес-
ли он алюминиевый и его емкость менее 10 мкФ, то необходимо включение конденса-
МИКРОСХЕМЫ К142
295
тора С1 емкостью не менее 0,1 мкФ, причем располагать его следует на расстоянии не
более 70 мм от микросхемы.
Для максимальной реализации стабилизирующих качеств микросхемы необходимо
подключать резистивный делитель напряжения R1R.2 и выходной конденсатор СЗ как
можно ближе к ее выходу, а саму микросхему монтировать в непосредственной близос-
ти к нагрузке.
КР142ЕН15А, КР142ЕН15Б
Микросхемы представляют собой двухполярные стабилизаторы напряжения с фик-
сированным значением выходного напряжения +15 В и максимальным током нагрузки
до 100 мА (КР142ЕН15А) и до 200 мА (КР142ЕН1 5Б). Предусмотрена возможность
регулировки выходного напряжения в пределах +(8 . 23)В и имеется встроенная тепло-
вая защита и защита по току
Корпус типа 201.14-1 1. Масса не более 1,5 г.
Зарубежный аналог: LM325.
Назначение выводов: I - общий; 2 - установка напряжения U ВЬ1Х’ 3, 12 - частотная
коррекция; 4 - первый выходки вых; 5 - второй выход U вых; 6, 9, 13 - не использо-
ваны; 7 - вход U  8 - вход U , • |0 - второй выход U 11 - первый выход U„._ •
ВЛ	ВХ	ВЫХ	ВЫХ
14 - установка напряжения U вых-
Электрические параметры
Выходное напряжение при UBX ”+20 В, • 1 мА:
Т - +25° С ..............~...................................+(15+0.5)	В
Т - +70° С .....................................................15+1) В
Ток потребления при UBX ” +30 В, 1н - 1 мА, Т - +25° С, не более
положительным каналом ......................................'...........5	мА
отрицательным каналом . ...  .	.....................................6 мА
Ток нагрузки при L’ “ + 18,5 В, L’ v “ +15 В, Т ” +25° С.
вх	вых —
КР142ЕН15А ................................................... 1...100	мА
КР142ЕН15Б......................................................1...200 мА
Нестабильность по напряжению при U_v ” +20 В, ” 1 мА, Т “ -40 . +70° С. не бо-
ВЛ "	— выл
лее ...............................................................0,(11 %/ В
Нестабильность по току при Т = -40, .+70° С для КР142ЕН15А при Нвхв+(Ьвых+3) В,
1 - 1 ,.100мА и КР142ЕН15Б при U -+(Ь' , +3,5) В, I “ 1.. 200мА, не бо-
Н	вх ™ вых	н
да ..........................................  ....................   4%/	А
Температурный коэффициент напряжения при UBX - +20В, 1н = 1гаА, Т - -40...+70° С,
типовое значение.............................................     0,01%/°	С
Минимальное падение напряжения на регулирующем элементе при Т” +25° С’
КР142ЕН15А при 1Н “ 1. .100 мА ................................... .. ЗВ
КР142ЕН15Б при 1н ~ 1.. 200 мА ................................... 3,5	В
Коэффициент сглаживания пульсаций при UBX ” +20 В, +1вых “ 1 мА, Т “ -40...+70° С,
f = 100 Гц, не менее . ...............................      ’..........70	дБ
Примечание. Значения всех параметров (за исключением тока потребления) даны
Для каждого канала.
Предел ьн ыё эксплуатационные да иные
Выходное напряжение
фиксированное.. .... .. ............................... ....	...... ......+(14,5... 15.5) В
регулируемое .. .. .. .............................          ...	.. +С8...23) В
Входное напряжение.............  ....	...... ..	,..   .... ....+(10...30) В
МезкеимаЛысый ток нагрузки.
КР142ЕН15А . ........................    .	........................... .100	мА
296
МИКРОСХЕМЫ К142
КР142ЕН15Б.........................................................200 мА
Тепловое сопротивление кристалл-окружающая среда, не более..........140° С/ Вт
Максимальная рассеиваемая мощность h
при Т — -10...+400 С.............................................ц...0,8 Вт
при Т - +40...+70° С.................................................0,5	Вт
Температуратура окружающей среды..................................-40...+70О	С
Примечания: 1. При эксплуатации микросхем допускается подключение нагрузки к
одному любому каналу или к двум каналам одновременно. Общие шины источника
входного напряжения должны быть подключены к выводу 1.
2. Разрешается производить монтаж микросхемы 2 раза, демонтаж 1 раз.
3. Допустимое значеиие статического потенциала 2 кВ. --
Типовая схема включения микросхем КР142ЕН15 (А,Б): Cl - С4 > 0,01 мкФ; С5, С6 >
1 мкФ, при этом рекомендуется выдерживать соотношение С5/СЗ — С6/С4 - 50... 100.
Сопротивления резисторов R1 и R2 выбираются из условия R1 “ Спд/1вых; R2 - Спд /
1ВЫХ‘
Схема включения микросхем КР142ЕН15 (А,Б) с регулируемым выходным напряжени -
ем: Cl - С4 >0,01 мкФ; С5, С6 > 1 мкФ, при этом рекомендуется выдерживать соот-
ношение С5/СЗ - С6/С4 - 50... 100. Сопротивления резисторов R1 и R2 выбираются из
условия R, -	R2 - иПд/1вых.
* В диапазоне температур +40.. +70° С рассеиваемая мощность снижается линейно
МИКРОСХЕМЫ К142
297
Принципиальная электрическая схема мощного двухполярного стабилизатора напряже-
ния с регулировкой уровня выходного напряжения. Сопротивления резисторов R3 и Й4
выбираются из условия R3 “ R4 ~ U__„/kLlv.
пд вых
К142ЕП1А, К142ЕП1Б
Микросхемы представляют собой устройство управления импульсными стабили-
заторами напряжения.
Корпус типа 402.16-7. Масса не более 1,4 г.
Зарубежный аналог: LM100.
Назначение выводов: 1 - база VT2; 2 - коллектор VT2; 3 - коллектор VT3; 4 - база
VT3; 5 - питание (+Un[); 6 - эмиттер VT1; 7 - база VT1; 8 - общий; 9 - опорное на-
пряжение; 10- питание (+Un2); П - выход порогового устройства; 12, 13 - входы уп-
равления; 14, 15 - входы синхронизации; 16 - эмиттер VT2.
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания:
Unl ...*.........................................................10.„40 В
ип2 ...............................,..............................«~7	В
Ток закрытой микросхемы при Un । — 40 В, UK0M “ 40 В, не более:
при Т — +25...-45° С........-.....*...............................100	мкА
при Т - +85° С.......................................  .Т.........200	мкА
Ток потребления узла опорного напряжения при Un| я40 В, Ти +25° С, не более:
К142ЕП1А ..........*................................................2	мА
К142ЕП1Б.........................................................   3	мА
Ток потребления узла порогового устройства при U . “ 40 В, f - 50 Гц; Т - +25° С, не
более.
К142ЕП1А........................................................    9	мА
К142ЕП1Б.....................................................      12	мА
Опорное напряжение при U . - 40 В, L' “ 40 В, +25° С, не более:
К! 1	КОМ
К142ЕП1А.................................................   1.7...2.2	В
К142ЕП1Б ................................................    1,65-2,3	В
Напряжение гистерезиса при Un । « 40 В, UKQM - 40 В, 1вых = 50 мА, Т = +25° С, не
более:
К142ЕП1А.......ж....’............................................   5	мВ
К142ЕП1Б..........................................................  6	мВ
Остаточное напряжение при Un “ 40 В. не более:.
298
МИКРОСХЕМЫ К142
при Т = +25° С, 1вх - 200 мА:
К142ЕП1А................................................  1,8	В
К142ЕП1Б................................................  1,9	В
при Т - -45° С, 1вх - 200 мА:
К142ЕП1А..................................................2,2	В
К142ЕП1Б
2,3 В
при Т - +850 с, 1вх - 50 мА:
К142ЕП1А ч................................................  1,8	В
К142ЕП1Б..................................................  2	В
Температурный коэффициент опорного напряжения при ЬП, - 40 В,
не более...................................................................0,05%	/°C
Коэффициент нестабильности опорного напряжения по напряжению питания при
Unl “ 40 В’ СКом “ 40 В’ нс более.......................1................  п-03%	/В
Коэффициент нестабильности по напряжению при работе в режиме широтно-импуль-
сной модуляции:
при Т - +25° С:
U - 20 В, ивых - 5 В,	С - +5 В; 1и “ 0,5 А....................0,02...0,29%	/В
МА	МЕ51А	МЛ	г*
Свх - 40 В, U_„v “ 30 В,	L' - +5 В; 1м  0,5 А.................0,001...0,03%	/В
МЛ	МЫЛ	МЛ “	Г1
при Т - -45° С:
U - 20 В, С - 12 В, U - +5 В; 1„ - 0,2 А........................0.01...0,02%	/В
Мл	ММ1Л	Мл —	от
при Т - +85° С:
Свх - 20 В, Свых - 12 В, Свх - +5 В; 1и - 0,2 А, не более..............0,03%	/В
Коэффициент нестабильности по току при работе в режиме широтно-импульсной мо-
дуляции:
при Т - +25° С:
Чх ” 20 В- Чых " 5 ₽ >н “ °.5 А' 'н "-°-5 'н.тах.................... 0,002-0.016%	/А
UBX " 4fl В- ивых " 30 В-.’н “ °’5 А’ >н - °'5 ‘„.max...........0.001.„0,003% / А
при Т * -45° С:
С “ 20 В, и  12 В, 1 - 0.2 А, I - 0,5 I ............................,0,05...0.09%	/ А
МЛ	ВЫЛ	И	И	rt.lliaA
при Т и +85° С:
и  20 В, и  12 В, I - 0,2 А, I - 0,5 I ............................0,08...0,14%	/ А*
_	МЛ	МЕИЛ	Г1	Г1	П.1НПЛ
Длительность фронта импульса выходного тока при - 40 В, 1вых в 50 мА,
f “ 100 кГц, Т “ +25° С, не более ..........„..................................    0,2	мкс
Длительность среза импульса выходного тока при L'nl “40 В, Двых “ 50 мА,
f “ 100 кГц, Т “ +25° С, не более ...........................        .0,2	мкс
Предельные эксплуатационные данные
Входное коммутируемое напряжение .......................................       40	В
Напряжение питания
узла опорного напряжения......,..,..... ........................      10...40	В
узла порогового устройства ..............г......... ....	............- 5...7 В
Амплитуда импульсов синхронизирующего напряжения .. ---------., ----------- . Z...4 В
Выходной ток   ............... ........................... .....   ..............200 мА
Рассеиваемая мощность
при р “6,7 х 104 - 3 х 10* Н/м^;
при Т = -45 +550 с ...............................    ...............  ...0.8	Вт
при Т - +85° С . . .................................................     0,55	Вт
при р = 6.7 х 1()2 н/м2 и Т “ -45. +85° С .............................0,2	Вт
Частота коммутации ... .... .....	.....................    —...... ....... 100 кГц
Температура окружающей среды ..................................        -4S...+85®	С
* При Т “ +55, +85»С Р„__ изменяется линейно.
	рас max
МИКРОСХЕМЫ К142
299
Схема включения микросхем К142ЕП1 (А,Б) в состав устройств защиты для контроля
напряжения по верхнему и нижнему предельным значениям: Rl^ 40 кОм при
^111	^0 В; при LfJ| < 20 В резистор не включается; Р - реле постоянного тока
Схема включения микросхем К142ЕП1 (А,Б) в состав стабилизатора напряжения, ра-
ботающего в режиме широтно-импульсной модуляции с внешней синхронизацией
300
МИКРОСХЕМЫ К142
'Примечания: 1 Не допускается контакт корпуса микросхемы с токопроводящими и
заземленными элементами аппаратуры.
2.	Разрешается производить монтаж микросхемы 2 раза, демонтаж I раз.
3.	Не допускается „отсутствие напряжения на выводе 5 при поданном напряжении
питания порогового устройства и соединительных выводах би 10; при этом напряже-
ние на выводе 5 должно быть равно или больше напряжения на выводе 10, но не выше
40 В.
4.	Запрещается подведение каких-либо электрических сигналов и в том числе шин
’’Питание”, "Общий” к незадействованным выводам корпуса микросхемы.
5.	Ток внешнего резистивного делителя не менее 1,5 мА.
6.	Входное управляющее напряжение, прикладываемое между выводами 12-8 или
13-8 микросхемы, не должно превышать''г, 8 В.
7.	Допустимое значение статического потенциала 2 кВ.
МИКРОСХЕМЫ К157
301
4.2.3. Микросхемы серии К157
Микросхемы серии К157 предназначены для применения в стереофонической ап-
паратуре магнитной записи первого и второго классов со сквозным или универсальным
каналом записи-воспроизведения. Выполнены по планарно-эпитаксиальной технологии
с разделением элементов р-п переходом. Конструктивно оформлены в пластмассовых
корпусах с двухрядным расположением жестких выводов.
В состав сёрии входят:
К157ДА1 - двухканальный двухполупериодный выпрямитель среднего значения
сигналов;
К157УД1 - операционный усилитель средней мощности;
К157УД2 - двухканальный операционный усилитель;
К157УЛ1А, К157УЛ1Б - дву/канальные предварительные усилители воспроизведе-
ния;
К157УН1А, К157УН1Б - трехкаскадные'предварительные усилители низкой часто-
ты;
К157УП1А, К157УП1Б - двухканальные микрофонные усилители и двухканальные
предварительные усилители записи;
К157УП2А, К157УП2Б - двухканальные микрофонные усилители и двухканальные
предварительные усилители записи;
К157ХА1А, К157ХА1Б - универсальные высокочастотные усилители-преобразова-
тели;
К157ХА2 - усилитель промежуточной частоты с АРУ и амплитудным детектором;
К157ХП1 - двухканальное пороговое устройство управления приборами индикации
пиковых уровней записи с выпрямителем для системы АРУЗ;
К157ХП2 - стабилизатор напряжения с электронным управлением и элементы ге-
нератора токов стирания и подмагничивания;
К157ХПЗ - адаптивный противошумный процессор, действующий по принципу
динамической фильтрации;
.	К157ХП4 - динамический шумопонижающий фильтр для аппаратуры магнитной
записи с автономным питанием.
‘ К157ДА1
Микросхема представляет собой двухканальный двухполупериодный выпрямитель
среднего значения сигналов для управления приборами индикации средних уровней за-
писываемого сигнала в стереофонических магнитофонах. Может быть использован в
различных устройствах в качестве преобразователя напряжения в полосе рабочих
частот до 100 кГц. Выходные напряжения на нагрузке каждого канала микросхемы
имеют положительную полярность. Уровни выходных напряжений соответствуют с
высокой степенью точности средним выпрямленным значениям входных сигналов в
Диапазоне входных напряжений не менее 50 дБ.
Корпус типа 201.14 - I. Масса не более 1,5 г.
Зарубежный аналог отсутствует.
Функциональный состав? 1 « буферный усилитель; II - преобразователь двухпо-
лярного сигнала; III - стабилизатор-рабочих режимов.
Назначение выводов: 1 - обратная связь, первый канал; 2 - вход буферного усили-
теля первого канала; 3 - вход сигнала-обратной связи первого канала; 4 -питание <-Un);
5 - вход сигнала обратной связи второго канала; 6 - вход буферного усилителя второго
канала; 7 - обратная связь, второй канал; 8 - выход делителя обратной связи второго ка-
нала; 9 - вывод детектора второго канала; 10 - выход второго канала; 11.- питание
(+Un); 12 - выход Первого канала; 13 - вывод детектора первого канала; 14 - выход де-
302
МИКРОСХЕМЫ К157
К157ДА1
лителя обратной связи первого канала.
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания ..........*..............................+15 В
Ток потребления в отсутствии сигнала (по двум каналам) при Un — +15 В, Т — +25°С,
не более..........................................л.....................1,6 мА
Коэффициент усиления напряжения при Un “+3...+15 В, UBX • +100 мВ,
ивых “ ОД...!,° В, Т - +25° С............Z.....7.........7...........7...10
Выходное напряжение при Un -+15 В, UBX~+1500 мВ, Т -+25° С, не менее.....9 В
Выходное напряжение покоя при Un - +15 В, UBX"О В, Т “ +25° С, не более.50 мВ
Входной ток каждого канала при Un — +15 В, Т — +25° С, не более.........200 нА
Выходной ток каждого канала при Un “ +15 В, UBX “ +500 мВ, Т — +25° С,
не менее.........................................................2,5...б	мА
Верхняя граничная частота при U„ - +15 В, - 1 В, UDUIV - 4,5,.. 10 В, Т - +25° С, не
менее  .................................................................100 кГц
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания..................................................+3...+18 В
Максимально допустимая рассеиваемая мощность при Т “ -25...+25° С,
не более..................   :.......................................500	мВт
Температура окружающей среды.......................................-25...+700 С
Принципиальная схема индикатора уровня записи стереофонического магнитофона с
газоразрядным индикатором
МИКРОСХЕМЫ К157
303
а>
яг пк
б)
Принципиальные схемы индикаторов уровня записи для стереофонического магнита
фона: а - с двухполярным питанием; б - с однополярным питанием; (СЗ, С4 -10,0 х
15 В, С5, С6 - 100,0 х 15 В, Pl, F2 - М4761)
304
МИКРОСХЕМЫ К157
К157УД1
Микросхема представляет собой универсальный операционный усилитель средней
мощности с максимальным выходным током до 300 мА Предназначена для применения
в аппаратуре магнитной записи и воспроизведения звука. Микросхема имеет ограни-
чители пиковых значений выходного тока, предотвращающие выход усилителя из строя
при переходных процессах или кратковременных замыканиях на выходе
Корпус типа 201 9-1. Масса не более 1,5 г.
Зарубежный аналог: отсутствует.
Назначение выводов. 1, 4, 5 - коррекция; 2 - питание 3 - подложка-тепло-
отвод; 6 - выход усилителя; 7 - питание (+Un); 8 - инвертирующий вход (-); 9 - неин-
вертирующий вход (+)
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания ................,..........................+15 В
Ток потребления при RH - 0,2 кОм, не более:
при Un - + 15 В, Т- +25 и +70° С......................................9 мА
Т== -25 ° С...........................................................11 мА
при О “ + 18 В, Т » +25° С...................................... 10 мА
при L’n “ + 3 В, Т =“ +25° С...................................       8	мА
Коэффициент усиления напряжения при RH “ 0,2 кОм, f = 0.. 50 Гц, не менее:
при ип = +15 В, Т = +25 и -25° С...............................     5х1С4
Т“<70"С ......................................................       3xlU4
при U - + 18 В, Т = +25° С.........................................  5х104
МИКРОСХЕМЫ К157
305
ПРИ Ln “ ± 3 В, Т - +25» с....................................Зх1()4
Выходное напряжение при R^ — 0,2 кОм, не менее:
при 0п “ +15 В, Т - +25 и +700 С.....................................+12	В
Т-+25° С.........................................................±11,5 В
при Un “±18 В, Т-+25О С..........................................+15 В
|при Un “ + 3 В, Т - +250 с..........................................+1,2 В
Напряжение смещения нуля при RH - 0,2 кОм, не более:
при Un “ +15 В, Т - +25° С............................................±5	мВ
Т - +70 и-25° С...................................................±8	мВ
при U,, “ +18 В, Т “ +25° С.......................................+8 мВ
при Un “ ± 3 В, Т - +250 с.......................................+6 мВ
Входной ток при RH - 0,2 кОм, не более:
при Un - +15 В, Т - +250 с..........................................500	нА
Т - +70° С........................................................600	нА
Т - -25° С.......................................................1500	нА
при Un - +18 В, Т - +25° С........................................500	нА
при Ил - ±3 В, Т - +250 с........................................ 600	нА
Разность входных токов при RH “ 0,2 кОм, не более:
при Un - +15 В, Т - +250 с...........................................150	нА
Т - +70° С .......................................................200	НД
Т - -25° С ...................................................... 500	нА
при Un - +18 В, Т “ +25° С.......................................200 нА
при Un - + 3 В, Т - +25° С.......................................300 нА
Ток короткого замыкания при Ип и+5 В, ^“0, Т“ +25° С...........400...1000	мА
Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений при Un — +15 В,
RH “ 0,2 кОм, Т “ +25° С, не менее:...............................  ...70	дБ
Частота среза АХЧ при Un " +15 В, RH “ 0,2 кОм, Т “ +25° С, не менее:.0,5	МГц
Скорость нарастания выходного напряжения при Un “ +15 В, R^ — 0,2 кОм, Т - +25° С,
не менее:.......7..................................................0,5 В /мкс
Температурный дрейф напряжения смешения нуля при Un — +15 В, RH — 0,2 кОм,
Т - -25...+70° С, не более: ....................................±80 мкВ /°C
Температурный дрейф разности входных токов при Un “ +15 В, R,( — 0,2 кОм,
Т - -25...+70° С, не более:.......................................±10	НА /°C
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания..............................................+3...+20	В
Максимально допустимые синфазные напряжения.........,................±20	В
+15В
Типовая схема включения микросхемы К157УД1
306
МИКРОСХЕМЫ К157
Максимально допустимый выходной ток ................................  300	мд
Максимально допустимая рассеиваемая мощность в интервале температур
Т - -25...+25O С, не более.......................................0,5 Вт*. 1Вт* **
Температура окружающей среды...................................-25...+7O0	С***
« 10,0*15
А/ 11 к KZ 11 к 7+ W 10
С1330
А7 5,0к
05\\ 82
СО* 220
С7 W
о + ОВ
К157УД1
05	10к_
1/1 КЗ
Щ910
Ki
ио
.+ 03
330	"
___,08 2, in
Г^~
-К-
W, П2
КД312
ИЮ* 1В В1
С х
кн ггок
Г ?пп I* Bio
0,01 ~Г1,9 wu ’ напряжения
~и поОиагничидания
Принципиальная схема генератора стирания и подмагничивания магнитофона с авто-
номным питанием
Принципиальная схема усилителя для стереофонических телефонов: IG, • R3/ R1
Без внешнего теплоотвода.
** С внешним тел-тоогиодом площадью поверхности не менее 18 см^_
*** При Т > +25° С рассеиваемая мощность, Вт, рассчитывается по формулам
Ррзс “ 125° С - Т / 200° С/Вт (без теллоотвода);
ррас -l25° с " T/25QO С/Вт + 125° С/150« С/Вт - Тк (с теплоотводом).
[ИКРОСХЕМЫ К157
307
К157УД2
Микросхема представляет собой двухканальный операционный усилитель универ-
сального назначения, обладающий низким уровнем собственных шумов, большим диа-
пазоном входных дифференциальных напряжений; имеет защиту от коротких замыка-
ний на выходе. Большой коэффициент усиления операционных усилителей во всем ди-
апазоне звуковых частот и линейность амплитудной характеристики в широком диапа-
зоне выходных напряжений позволяют использовать эту микросхему в самых разнооб-
разных устройствах стереофонической аппаратуры.
Корпус типа 201.14-1. Масса не более 1,2 г.
Зарубежный аналог: 2 х LM301.
Назначение выводов: 1, 14 - коррекция первого канала; 2 - вход неинвертирующий пер-
вого канала (+); 3 - вход инвертирующий первого канала (-); 4 - питание (-Un); 5 -
вход’ инвертирующий второго канала («); 6 * вход неинвертирующий первого канала
(+); 7, 8 - коррекция второго канала; 9 - выход второго канала; 11 - питание (+Un); 13 -
выход первого канала.
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания .......,................................  +15	В
Ток потребления при 1^ — 0,2 кОм, не более:
при Un	“ +15	В,	Т - +25 и +700 С.................................7	мА
при Un	- +15	В,	Т - -25° С....................................9	мА
при Un	“ + 18	В,	Т - +25о С....................................9	мА
при Un	“ + 3 В,	Т - +25° С....................................7	мА
Коэффициент усиления напряжения при RH  0,2 кОм, не менее:
при ип - + 15 В, Т - +25 и -25° С....................................5.10-»
! при Un-+15 В, Т —+70° С.............................................2*104
при ип-+!8 В, Т-+25° С.............................................5-Ю4
| при Un- + 3 В, Т-+25°С.............................................3*10-»
Выходное напряжение при RH — 0,2 кОм, не менее1
при Un = +15 В, Т,- +25° С........'................................     .+13	В
при Un = +15 В, Т - -25 и +70°_С...1...............................+12,5	В
при Un -+18 В, Т “+25° С.......................................... +15,5	В
при Un - + 3 В, Т - +25° С......................................... +1,8	В
Напряжение смешения нуля при RH “ 0,2 кОм, не более:
при Un -+15 В, Т = +25° С........................................... +10	мВ
при Un - +15 В Т - -25 и +700 с...........................„......+12	мВ
при Un - +18 В, Т - +25° С.....................................  +12	мВ
при Un - + 3 В, Т - +25° С...........................................+10	мВ
Входной ток при R^ “ 0,2 кОм, не более:
при Un-+I5B, Т- +25 и +70° С........................................ 500	нА
при Un -+15 В, Т- -25° С......................................  1000	нА
при Un - +18 В, Т - +250 с.......................................500 нА
при Un - + 3 В, Т - +25° С.......................................800	нА
Разност входных токов при RH “ 0,2 кОм, ие более:
при Un	- +15 В,	Т - +25 и +700 с................................ 150	нА
при Un	- +15 В,	Т - -250 с......................................300	нА
при Un	-+18 В,	Т = +25° С...........................................150	нА
при Un	- + 3 В, Т = +250 с..........................................300	нА
Ток короткого замыкания при Un и +5 В, RH — 0, Т — +25° С, не более. .45	мА
Коэффициент ослабления,синфазных входных напряжений при Un “+15 В,
“ 0,2 кОм, Т — +25° С, не менее:...................................70	дБ
Частота среза АХЧ при Un — +15 В, RH — 0,2 кОм, Т - +25о С, не менее.;. ,1 МГц
308
МИКРОСХЕМЫ К157
Скорость нарастания выходного напряжения при Un “ +15 В, RH “ 0,2 кОм, Т = +25° С,
не менее: ........................................................0,5 В/ мкс
Температурный дрейф напряжения смещения нуля при UfI — +15 В, RH “ 0,2 кОм, '
Т - -25_+70° С, не более: ........................................+50 мкВ/° С
Температурный дрейф разности входных токов при Vn “ +15 В, RH “ 0,2 кОм,
Т » -25...+70° С, не более: ......................................+5 нА/о С
Коэффициент ослабления сигнала соседнего канала при Оп —+15 В, RH == 0,2 кОм,
Т » +25° С, не более:...............................................  -80	дБ
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания.............................................  +3...+18	В
Максимально допустимые синфазные напряжения...........................+18	В
Максимально допустимая рассеиваемая мощность в интервале температур
Т = -25...+25° С, не более .................................... !.....0,5	Вт 1
Температура окружающей среды...................................-25...+7С0	С
Принципиальная схема инвертирующего усилителя: К у *• R3/R1
-15 В
Принципиальная схема неинвертирующего усилитеЛя: Ку у “ 1	R1/R2
1 При Т > +25.° С рассеиваемая мощность» Вт, рассчитывается по формуле
Ррас - 125° С - Т / 220° С/Вт .
МИКРОСХЕМЫ К157
309
Принципиальная схема генератора синусоидального напряжения со стабилизатором ам-
п хитуды f = 1/2 ЯКС
Принципиальная схема усилителя воспроизведения портативного стереофонического
Кассетного магнитофона
316
МИКРОСХЕМЫ К157
звукосни мателя
К157УЛ1А, К157УЛ1Б
Микросхемы представляют собой двухканальный предварительный усилитель вос-
произведения для стереофонического магнитофона. В пределах своего назначения они
относятся к разряду малошумящих, обладают низким уровнем шумов типа 1/f. Спект-
ральная плотность напряжения шумов в диапазоне частот 10... 100 Гц не более 4 нВ^Ги.
Приведенное ко входу напряжение шумов в полосе частот 2ОГц...2О кГц составляет нс
более 0,5 мкВ, что позволяет получить отношение сигнал-шум не менее 54 дБ.
Корпус типа 201.14-1. Масса не более 1,5 г.
Зарубежный аналог: отсутствует.
Функциональный состав: I - входной каскад, II - промежуточный каскад основного
усиления; III - выходной каскад, IV - стабилизатор режима работы.
Назначение выводов. 1 - обратная связь первого канала; 2 - вход первого канала; 3 -
общий вывод первого канала; 5 - общий вывод второго канала; 6 - вход второго канала, 7
- обратная связь второго канала, 8 - емкость фильтра второго канала, 9 - выход второго
канала; 10 - питание второго канала (+Цр, 12 - питание первого канала (+0^), 13 -
выход первого канала; 14 - емкость фильтра первого канала.
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания ...............................................9 В
Ток потребления по двум каналам при Un “9 В, Тм +25° С, не более..........3...6 мА
Коэффициент усиления напряжения в полосе частот 20 Гц...20 кГц без ООС при
(Un “9 В, UBX “0,1 мВ, Т - +250 С..................................  8000...13000
Входное сопротивление при Un  9 В, Тв +25° С, не менее ..................60 кОм
[ИКРОСХЕМЫ К157
ЗИ
К157УЛ1(А,Б)
Выходное сопротивление при Un “ 9 В, Т  +25° С, ие менее..........300	Ом
Коэффициент гармоник при Un — 9 В, Чвых — 1 В, f “ 400 Гц, Т “ +25° С,
не более........................................................:..0,2	%
Коэффициент ослабления сигнала соседнего канала при Un “ 9 В, Ьвых “ I В,
f - 400 Гц, Т - +250 с, не менее....................................70	дБ
Напряжение шумов, приведенное ко входу, в полосе частот 20 Гц..,20 кГц при
1^-10 Ом, Un “ 9 ВЛНЧ - 3180 мкс,Хвч - 70 мкс, Т -+25° С, не более
К157УЛ1А ......................................................... 0,3	мкВ
с; =
5Ю...12Х
-UZS нВ
-0,25иВ
Cl'c=z
5Ю... 12X
.	03,^700
KI SI КЗ Vik
20hk*1SB.— j
2Dkx-1SB ‘ !
тЧ!1------ s
KI'
ISOrn
KZ'SI
ЭД
13
12
Ki 5№к \
-СЗ—X
а
IOOhk'ISB
ЮОпк* 1SB
КС SSOn
KSi.7x KI
. св /,г*
,0^'5S ВыкоВЛК
K7 WO
+ ll _______ВьиоВЛК
№' IOhk^SB ~130kB
RS'i.lx KB' ,
I.Zk
l/Wx
н
г
Ю
---- 7

s
о

Принципиальная схема усилителя воспроизведения кассетного стереофонического маг-
ни^офонз
312
МИКРОСХЕМЫ К157
К157УЛ1Б..................................................л..........0,6-1 мкВ
Приведенный ко входу шумовой ток при Rj,— 10 Ом, Vn — 9 В, Т “ +25° С, не более:
К157УЛ1А.................................................................120 пА
К157УЛ1Б.........................................'...................,140 пА
Спектральная плотность напряжения шумов в диапазоне частот 10... 100 кГц при
 9 В, Т * +25° С, не более:
К157УЛ1А.....................................v.................... .4hB/V?U
К157УЛ1Б ......................................................  5-7	нВ/^ГЦ
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания...............................................,.......8,1...20 В
Максимальный выходной ток .................. ...............................5 мА
Максимальный входной ток......................................................1 мА
Максимальная рассеиваемая мощность.......................................250 мВт
Температура окружающей среды........................................  -25...+7O0	С
Принципиальная схема усилителя записи кассетного магнитофона
К157УН1А, К157УН1Б
Микросхемы представляют собой трехкаскадный предварительный усилитель низ-
кой частоты для переносных и автомобильных радиоприемников и другой радиоэлек-
тронной аппаратуры.
Корпус типа 201.14-1. Масса не более 1,5 г.
Зарубежный аналог: отсутствует.
Назначение выводов: 1 - обратная связь; 2 - регулировка усиления, 3 - вход уси-
лителя; 4 - общий вывод, питание (-Vn); 5, 11 - смещение, б, !0 - коррекция; 7 - выход
усилителя, 9 - питание (+Un)
\	Электрические параметры
Номинальное напряжение питания:
К157УН1А ......................................................................      9	В
К157УН1Б ...............................................................................12 В
Ток потребления при Т * +25° С, не более:
при Un - 9 В для К157УН1А .......................................................   5	мА
при Un - 12 В для К157УН1Б..................................................... б	мА
Выходное напряжение при RH “ 6,5 Ом, Т * +25° С, не менее:
МИКРОСХЕМЫ К157
313
1,8 В’
.'...3 В’
9 В для К ШУША .
12 В для К157УН1Б.
15...31 мВ’
при Ц
п при
Чувствительность по входу на частоте 1 кГц при Rh — 6,49 Ом, Т — +25° С:
при 1)вых - 1,8 В, Un - 9 В для К157УН1А......................
при ивых - 3 В, Оп - 12 В для К157УН1Б......................25...50 мВ1
Полоса пропускания при неравномерности коэффициента усиления +6. дБ, U 1
Un ном, RH “ 6,49 Ом, Овх - 2 мВ ........................  50...	15000 Гц
Коэффициент гармоник на частоте 1 кГц при RH " 6,49 Ом, не более:
К157УН1А:
при Т - +25° С, Оп “ 9 В:
ивых“2-2В
ивых-'-8В.........................................
Vn-5,6B, UBbIX-I,3B...............................
при Т - +700 С, ип - 10 В:
ивь.х-2’2В........................................
приТ- -25° С, Un “ 5,6 В,ивь,х-1В.................
К157УН1Б:
при Т - +25° С, Un - 12 В, СВЬ|Х - 3 В............
при Т - +700 с, U - 9 В, U - 1,8 В................
11	DD1А
при Т “ 25° С, 1’п  9 В, Свь,х-1В................
Потребляемая мощность при RH “ 6,49 Ом, Т — +25° С, не более:
при Un “9В для К157УН1А...............................
 при ип « 12 В для К157УН1Б........................
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания:
К157УН1А..............................................
К157УН1Б..........................................
...0,3* %
Дз* %
.50* мВт
.90* мВт
....5.6...10 В
......9... 15 В
Максимальное напряжение на выводах 1 и 7:
К157УН1А..............................:...-..........................юв
К157УН1Б .....................................................   .15	В
Максимально допустимый ток нагрузки по выводу 7...................... 15	мА
Максимальная выходная мощность .....................................  30	мВт
Температура окружающей среды................................  -25-..+700	С
Принципиальная схема усилителя низкой частоты с выходной мощностью 0,5.. 1 Вт
Значения указанных параметров приведены для типовой схемы включения.
314
МИКРОСХЕМЫ К157
К157УП1А, К157УШБ, К157УП2А, К157УП2Б
Микросхемы представляют собой две модификации двухканального микрофонного
усилителя, конструктивно совмещенного с двухканальным предварительным усилите-
лем записи. Предназначены для применения в высококачественной аппаратуре магнит-
ной записи.
Микрофонный и предварительный усилители записи обладают малым уровнем соб-
ственных шумов н обеспечивают усиление сигналов от 160 мкВ и 10 мВ, подводимых к
микрофонному входу и входу предварительного усилителя записи соответственно, до
стандартного уровня линейного выхода магнитофона, равного 250 мВ. Высокая перегру-
зочная способность по микрофонному входу свыше 36 дБ, а по входу предварительного
усилителя записи 16 дБ позволяет ^спользовать микросхемы в НЧ трактах с автома-
тической регулировкой усиления.
Отличие микросхем К157УП1 от К157УП2 заключается в том, что первая требует
применения регулирующих элементов АРУ, управляемых положительным напряжени-
ем, а вторая - отрицательным. Микросхемы различаются также цоколевкой.
Корпус типа 201.14-1. Масса не более 1,5 г.
Зарубежный аналог: отсутствует.
I
Функциональный состав: I - микрофонный усилитель, II - предварительный уси -
литель записи
Назначение выводов: 1 - вход предварительного усилителя записи первого канала; 2
- выход микрофонного усилителя первого каната, 3 • вход микрофонного усилителя
МИКРОСХЕМЫ К157
315
первого канала; 4 - общий вывод, питание первого какала (-Un); 5 - общий вывод, пи-
тание второго канала <-Un>; 6 - вход микрофонного усилителя второго канала; 7 -
выход микрофонного усилителя второго канала; 8 - вход предварительного усилителя
записи второго канала; 9 - К157УП1А, К157УП1Б - выход предварительного усилителя
записи второго канала; К157УП2А, К157УП2Б - вывод для АРУ второго канала; 10 -
К157УП1А, К157УП1Б - вывод для АРУ второго канала; К15.7УП2А, К157УП2Б - вы-
ход предварительного усилителя записи второго канала; 11 - напряжение питания
(+Un); 12 - К157УП1А, К157УП1Б - вывод для АРУ первого канала, К157УП2А,
К157УП2Б - не подключен; J'S - выход предварительного усилителя записи первого ка-
нала; 14 - К157УП1А, К157УП1Б - не подключен, К157УП2А, К157УП2Б - вывод для
АРУ первого канала.
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания..............................................12 В
Ток потребления при Un — 12 В, Т “ +25° С ..........................5...9,5	мА
Коэффициент усиления напряжения микрофонного усилителя прн L!n — 12 В,
Свх- б мВ, Свых- 540... 1080 мВ, f - 1000 Гц, Т - +25° С.............100...	165
Коэффициент усиления напряжения предварительного усилителя записи при Un“l2 В,
Ьвх " 60 мВ’ ивых " 1080 • 1840 мВ, f - 1000 Гц, Т - +25° С............19,5...28
Коэффициент гармоник микрофонного усилителя при Un “12 В, UBfcJX “ 800
f - 1000 Гц, Т - +25° С, не более.....................................  0,2	%
Коэффициент гармоник предварительного усилителя записи при Un “12 В,
ивых " 1600 мВ’ f " 1000 Гц* Т * +25° С’ 140 607,60....................03 %
Напряжение шумов, приведенное ко входу микрофонного усилителя в полосе частот
20 Гц...20 кГц при сопротивлении источника сигнала 200 Ом, Un “ 13,2 В, Т “ +25° С.
не более;
К157УП1А, К157УП2А................................................0,6 мкВ
К157УП2Б, К157УП2Б.................................................  1	мкВ
Напряжение шумов, приведенное ко входу предварительного усилителя записи в
полосе частот 20 Гц...20 кГц при сопротивлении источника сигнала 16 кОм,
Un - 13,2 В, Т “ +25° С, не более:
К157УШ А, К157УП2А.................................................3,2	мкВ
К157УП1Б, К157УП2Б......................„.....:....................5.2	мкВ
Входное сопротивление микрофонного усилителя при Un “ 12 В, f “ 1000 Гц,
Т - +25° С........................................................1.6...2.4	кОм
Входное сопротивление предварительного усилителя записи при Un “12В,
f - 1000 Гц, Т - +25° С...........................................160...240	кОм
Выходное сопротивление микрофонного усилителя при “ 12 В,
ивых “ 540-1080 мВ, Т “ +25° С, не более ...............................  5	кОм
’ Выходное сопротивление предварительного усилителя записи при Un “12 В,
Свых " 270~460 мВ» Т " +25° с’ и® 607,60..................................1	кОм
Коэффициент Ослабления выходного сигнала соседнего канала при
ивых " Ю00... 1700 мВ, Un - 12 В, Т - +25° С, не менее.................. 70	дБ
Верхнее значение полосы рабочих частот при L!n “ 12 В, Т " +25° С, не менее.50 кГц
Предельные эксплуатационные двнные
Напряжение питания.......................................%.......  3...15	В
Максимальный выходной ток:
микрофонного усилйтел.я....................................        3	мА
предварительного усилителя записи................................  3	мА
Максимально допустимая рассеиваемая мощность -------------------......250 мВт
Температура окружающей среде»!..................................-25..+70° С
И6
МИКРОСХЕМЫ К157
Вход предо, усил. . Кб ВОб'к
записи (ЛК) ЛТ'дайсГ^Н-Еа—
*’----—---(7
Выход кикроу/.
усил. (лк) ‘Ц
Вход никршр.^
у сил. (Л К)
КИОк

К71В0к
Rail
JUL
isT
Hi
ZIk
М' 22к
Вход nикр.
усы, (пн)
Выход никр. [
усы. (ПК) £gi
*	КЗ7
ZC.4ZZ
пн

Виод npeSO. L
—r RS'UO, Кб'воех

Схема включения микросхем К157УП! (К157УП2/ в канале записи стереофонического
магнитофона. В скобках указана нумерация выводов для микросхемы К1.57УП2.
К157ХА1А, К137ХА1Б
Микросхемы представляют собой универсальный высокочастотный усилитель пре
образователь для переносных радиоприемников СВ и КВ диапазонов. В состав микрос
хемь. К157ХА1 входят высокочастотный усилитель, гетеродин и балансный смеситель.
В зависимости от верхней граничной частоты полосы припускания микросхемы де-
лятся на группы А и Б.
Корпус типа 201.14-1. Масса не более 1,5 г.
Зарубежный аналог: отсутствует.
Назначение выводов: I - вход усилителя высокой частоты; 2 - эмиттер транзистора
усилителя высокой частоты; 5 - выход гетеродина; 6, 8 - коррекция; 7 - общий вывод
гетеродина и смесителя, питание (-Un); 9 - питание гетеродина н смесителя (+Un);
10, 12 - выход напряжения промежуточной частоты; И - вход смесителя; 13 - питание
усилителя высокой частоты (+Un); 14 - выход усилителя высокой частоты.
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания..............................................5	В
Ток потребления при Un “ 5 В, Т — +25° С, не более.......................3,3 мА
Коэффициент усиления в режиме преобразования на частоте входного сигнала 150 кГц:
при Сп - 5 В, Т - +25о с..................................w....150...350
При Un - 6 В, Т - +70° С.........................................100...400
при Un - 3,6 В, Т - -25° С.......................................100...4Ш)
Снижение коэффициента усиления в режиме преобразования при Un «5 В, Т* +25° С.
К157ХА1Ана частоте 15 МГц ...........................................5 дБ
К157ХА1Б на частоте 25 МГц...........................................5 дБ
Диапазон рабочих частот по уровню АХЧ - 5 дБ при U "5 8. Т = +25° С:
K157XAIA.........................................  ?.............15 МГн
К157ХА1Б ........................................................  25МГн
МИКРОСХЕМЫ К157
317
I
Коэффициент шума! в режиме преобразования на частоте 150 кГц при С'п “5 В,
Т " +25° С, не более.......................................................6	дБ
Напряжение гетеродина на частоте 15 МГц на эквивалентном сопротивлении контура
гетеродина 4 кОм, включенного между выводами 5 и 8 при Un “= 5 В,
Т - +25° С .........................................................300...450 мВ
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания ..............................................    3.6...6	В
Максимальный ток по выводу 14, не более.................................. 10	мА
Температура окружающей среды................................... ..-25...+700	С
и 780 мГн
С2 „ К*
ZJ |/Пц ~ ^65 кГц
выход ПУ
R2 100
Вход АРУ
22001	150
Ж)
/♦ 13 11 11 10 9 8
62к
01
вход 7200
сигнала -•—|Г“*“
fz* 0,15+15(25) МГц
*'Й К157Ш(!ША1Б)
13 3*507
Св9
0,033
+58

+58 .
Принципиальная схема усилителя-преобразователя частоты малогабаритного СВ - КВ
радиоприемника.
1 Коэффициент шума определяется по формуле
кш - 201g 8m Кд Свх иш / ^«4^.
где m 0,3 - глубина модуляции входного сигнала; К — 0,1 - коэффициент переда-
чи делителя на входе микросхемы; С!вх - напряжение входного сигнала, мкВ; Д f “ 10,5
+ 0,5 кГц - полоса пропускания тракта УПЧ и контура смесителя; * 0,576 кОм - со-
противление шумового резистора (между выводами 1 и 14 микросхемы); Ц, - макси-
мальный выходной сигнал на выходе УПЧ; Сш - напряжение шума на выходе УПЧ при
отключенной модуляции несущей частоты.
318
МИКРОСХЕМЫ К157
К157ХА2
Микросхема представляет собой усилитель промежуточной частоты с автомати-
ческой регулировкой усиления и амплитудным детектором. Предназначена для приме-
нения в малогабаритных переносных и автомобильных радиоприемниках.
Корпус типа 201.14-1. Масса не более 1,5 г.
' Зарубежный аналог: отсутствует.
Функциональный состав: 1 - регулируемый усилитель; И - основной усилитель; Ш
- амплитудный детектор; IV - усилитель напряжения АРУ.
Назначение выводов 1 - вход регулируемого усилителя; - 2, 6, 10 - коррекция; 3 -
общий вывод, питание (-Un>; 4 - регулировка усиления; 5 - вход основного усилителя;
9 - выход амплитудного детектора; 11 - питание <+Un); 12 - емкость фильтра; 13 - вы-
ход усилителя АРУ; 14 - выход регулируемого усилителя.
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания..............................................    5	В
Ток потребления прн — <» , UBX " 0, не более:
при Un - 5 В, Т - +25° с..................................................4 мА
при Un - 6 В, Т - +70° С.....................................:....................5.5 мА
• Изменение выходного сигнала при изменении входного в пределах 50 мкВ...З мВ,
m - 30%. f - 465 кГц, fm - 400 Гц, Un - 5 В, Т - +25°	С, не	более .._.....6	дБ
Глубина регулировки АРУ при RH — ««о , f " 465 кГц,	f	" 1	кГц, m " 0,3, не менее:
при Un - 5 В, UBX - 0,5...30 мВ, Т - +25° С.................................120	дБ
при Un - 6 В, UBX - 5...300 мВ, Т - +700 С..................................120	дБ
при Un - 5 В, UBX - 0,5...30 мВ, Т - -25° С.................................150	дБ
Коэффициент гармоник при L’ - 5 В, LI — 0,3 мВ, f " 465 кГц, f " 1 кГц, го " 0,8,
п	вх	ш
Т - +25° С, не более .......................................................    3	%
Входное сопротивление при Нп “ 5 В, f " 465 кГц, Т " +25°................0,43... 1 кОм
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания ...............................................        3.6...6	В
Максимально допустимое напряжение между выводами 10 и И, не более............1,75 В
Максимальный ток усилителя АРУ (вывод 13), не более.......................    1,5	мА
Температура окружающей среды...........................................-25...+700	С
МИКРОСХЕМЫ KI S'?
319
+55
"08 0,1
выход АРУ мчо
070,015 М1.2К выход НУ
dH^Fr^*
Н 13 12 11 W 9 8
К157ХА2
1 2 3 У 5 6 Т
Принципиальная схема усилителя промежуточной частоты с детектором для малогаба-
ритного радиоприемника.
Рабочую точку (постоянное напряжение 0,25 В на выводе 9) устанавливают резис-
тором R! при входном напряжении, равном нулю Для обеспечения устойчивой работы
и улучшения характеристик УПЧ на микросхеме К157ХА2 в его состав рекомендуется
включать одиночный колебательный контур или полосовой фильтр. Одиночный контур
включается между выводами 14, 3 и 5.
Схема подключения одиночного контура к микросхеме KI57XA2
320
МИКРОСХЕМЫ KI 57
К157ХП1
Микросхема представляет собой двухканальное устройство, каждый канал которого
состоит из предварительного усилителя с амплитудным дискриминатором на входе и
усилителем индикации, включающего в себя формирователь временных интервалов и
усилитель мощности. Общим для обоих каналов является режимное устройство, за-
дающее .образцовое напряжение для двух усилителей, и выпрямитель системы авто-
матической регулировки уровня записи, обрабатывающий сумму сигналов двух каналов.
Предназначена для управления приборами индикации пиковых уровней сигналов в ка-
нале записи стереофонических магнитофонов и формирования сигналов управления
для системы автоматической регулировки уровня записи.
Корпус типа 201.14-1. Масса не более 1,5 г.
Зарубежный аналог: отсутствует.
К157ХП1
Функциональный состав: I - предварительные усилители; П - усилители индика-
ции; Ш - источник образцовых и смещающих напряжений; IV - выпрямители системы
ДРУЗ.
Назначение выводов: 1 - выход предварительного усилителя первого канала; 2 -
вход усилителя индикации первого канала; 3 - выход усилителя индикации первого ка-
нала; 4, 9 - общий вывод, питание (-Un); 5 - выход усилителя индикации второго ка-
нала; 6 - вход усилителя индикации второго канала; 7 - выход предварительного уси-
лителя второго канала; 8 - вход предварительного усилителя второго канала; 10 - не-
инвертирующий выход АРУЗ; 11 - питание (+Un); 12 - инвертирующий выход АРУЗ;-
13 - выход источника опорного напряжения; 14 • вход предварительного усилителя
первого канала.
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания.....................................      ..15	В
Ток потребления при Un * 15 В, Uynp " 4 В, Т — +25° С, не более: ......S...9 мА
Напряжение срабатывания по выходу усилителя индикации и системы АРУЗ при
Un - 15 В, Uynp - 0,8... 1,6 В, Т - +250 С.............................1... 1,45 В
Выходное эталонное напряжение при Un — 15 В, иупр "О , Т - +25° С....I.2...1,35 В
Напряжение Опускания по выходу усилителя индикации и системы АРУЗ при
Un - 15 В. Uynp - 0,8... 1,6 В, Т - +250 с, не менее......................0,9	В
Выходное напряжение предварительного усилителя при Un - 15 В, U — 4 В,
Т-+25°С................................................................   5ЛФВ
Выходкой ток предварительнрго усилителя при Un - 15 В, U “ 4 В,
Т - +25° с.............................................................4... 10 мА
Выходной ток покоя усилителя индикации при — 15 В, 1’ ,Пр — О ,
Т - +250 с...........................................................35...65 мкА
МИКРОСХЕМЫ KI57	321
_------------------------------------------------------------------------------
Выходной ток закрытого усилителя индикации при Un - 18 В, Т « +25° С,
не более.......................,......................................     1	мкА
Выходной ток покоя выпрямителя системы АРУЗ при С’п - 18 В, U - 0 ,
Т “ +25° С, не более.................................*..................  30	нА
Входной ток предварительного усилителя при Un “15 В, ^уПр “ 4 В, Т ш +25° С, не
более......................................................................2 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания..............................................    7.2...20	В
Напряжение на входах предварительного усилителя, не более ..................+7 В
Выходной ток, не более:
по вывода^ 3 и 5......................................................70 мА
по выводам 10 и 12.................................................г. 10 мА
Максимально допустимая рассеиваемая мощность '......... ............... 250 мВт
। Температура окружающей среды ............................     ........-25...+700 С
01* 10,0*25 г~
2
-f>f—(ZZJ— j
♦
-bi—CZZ}— 5
YD1
АЛ501
VD2
АЛМ7
CZ 10,0*25
Принципиальная схема измерителя пиковых уровней в канале записи со свето-
диодными индикаторами
В этой схеме емкости конденсаторов С1 и С2 определяет значение постоянной вре-
мени индикации, сопротивления резисторов R3 и R4 определяются из условия
R- (Пп - i,2B)/IVD1 (2)ном‘
К157ХП2
Микросхема представляет собой стабилизатор напряжения с электронным управ-
лением и содержит элементы генератора токов стирания и подмагничивания. Предназ-
начена для применения в аппаратуре магнитной записи звука. В состав микросхемы
входят источник образцового напряжения с устройством управления, усилитель сигнала
рассогласования, регулирующий элемент с токовой и тепловой защитой, выходной де-
литель и отдельные транзйсторные структуры с цепями смещения для создания гене-
ратора токов стирания и подмагничивания (ГСП).
Корпус типа 201.14-1. Масса не более 1,5 г.
Зарубежный аналог: отсутствует.
Функциональный состав: I - выходной делитель; II - регулирующий элемент с то-
ковой и тепловой защитой|; III - усилитель сигнала рассогласования; IV - источник об-
разцового напряжения с устройством управления временем включения и выключения;
VT30, VT29 - транзисторные структуры для ГСП с цепями смещения RI6 и RI7.
11. Зак. 4694
322
МИКРОСХЕМЫ К157
К157Ш
Назначение выводов: I - общий эмиттер транзисторных структур для ГСП; 2 - ба-
за транзистора VT30; 3 - коллектор транзистора VT30; 4, 5 - выводы для установки вы-
ходного напряжения Стабилизатора; 6 - вход усилителя сигнала рассогласования; 7 -
общий вывод, питание (-Un); 8 - вывод источника опорного напряжения, подключение
в рем «задающего конденсатора к устройству управления временем включения и выклю-
чения стабилизатора; 9 - управление стабилизатором; 10 - вход стабилизатора (+L'n);
11 - выход стабилизатора; 12 - коллектор транзистора VT29; 13 - база транзистора
VT29; 14 - общая точка смещения R16 и R17.
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания........................................      15	В
Пределы регулирования выходного напряжения 1 при Ъ’вх - 15 В, 1Н “О,
Т - +25° С...............................’..........................И.3.,.12,7	В
Выходное напряжение закрытого стабилизатора при UBX — 15 В, 1н - О, Т - +25° С, не
более......................................................................0,1	В
Ток холостого хода при L’BX * 36 В, 1н * 0, Т “ +25° С...............3,2...	7 мА
Ток холостого хода закрытого стабилизатора при Ufix “ 36 В, ПВЬ|Х “ 0...0,! В, 1Н « 0,
Т « +250 с............................................................0,5...	2 мА
Входной ток усилителя сигнала рассогласования при С!вх - 15 В,Т “ +25° С,
не более.........................................................        0,5	мкА
Выходной ток устройства управления при UBX “ 15 В, Т “ +25° С........1...2.6	мА
’ * Необходимое выходное напряжение стабилизатора может быть установлено внут-
ренним или внешним делителем, подключаемым к выводам 11, 6, и 7 микросхемы- Д°‘
пускается совместное использование делителей. При использовании внутреннего де-
лителя выходные напряжения могут бьгщ> установлены следующим образом:
12 В ...................................?..............соединить	выводы 5 и 6
10,5 В.................................................соединить	выводы 4, 5, 6
9 В ............................................соединить выводы 4 у 6, 5 и 7
5,5 В ...........................................      соединить	выводы 4 и 6
3 В ............................................соединить выводы 5 и 6, 4 и 11
1,3 В.............._.................................соединить выводы би 11.
С помощью внешнего делителя можно установить выходное напряжение в диапа-
зоне 1,33...33 В. Для нормальной работы стабилизатора входное напряжение должно
превышать выходное не менее чем на 2,5 В.
Время включения и выключения выходного напряжения стабилизатора определяется
емкостью конденсатора, подключаемого к выводам 7 и 8 микросхемы.
МИКРОСХЕМЫ К157
323
Ток потребления устройства управления при UBxm 15 В, Т - +25° С......1...2,9	мА
Коэффициент нестабильности по напряжению при UBX — 12... 18 В, Свых “ 8,3...9,7 В,
I »0, Т  +25° С, не более............................................441,002
Коэффициент нестабильности по току при UBX — 15 В, ивых“8-3...9,7 В,
I - 9,3-..Ю,7 мА, Т - +25° С, не более..................................+0,01
Относительный температурный коэффициент выходного напряжения при UBX  15 В,
не более.....................................,....................+0,95	% /о С
Ток короткого замыкания при UBX ж4 В , Т" +25° С ..................150...450	мА
< Параметры транзисторных структур
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при “ Ю0 мА, Ig3 = 2,5 мА, Т - +25° С,
не менее .......................................................        0,75	В
Напряжение насыщения база-эмиттер при 1Ю “ Ю0 мА, Ig3 “ 2,5 мА, Т - +25° С, не
более.................................................         ......1,25	В
Начальный ток коллектора при Rg - 10 кОм, m 36 В, Т “ +25° С, не более.1 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Входное напряжение...........................................      4...40	В
Максимальный выходной ток стабилизатора..................................150'мА
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер транзисторных структур.......40	В
Максимальное напряжение эмиттер-база транзисторных структур.............7	В
Максимальный ток коллектора транзисторных структур....................150	мА
Максимально допустимая рассеиваемая мощность *..........................1	Вт
Температура окружающей среды **.........................       -25...+700	С
^ЗЦВынл.
Е<1 \ Вкл.
Принципиальная схема генератора стирания и подмагничивания для аппаратуры маг-
нитной записи
* При Т - -25° С...+25О С.
** При Т “ +25° С...+700 С максимально допустимая рассеиваемая мощность, Вт,
Рассчитывается по формуле Ррас тах “ (125° С - Т) /100° С/ Вт.
11*
324
МИКРОСХЕМЫ К157
К157ХПЗ
Микросхема представляет собой адаптивный противошумный процессор, дейст-
вующий по принципу динамической фильтрации. Предназначена для систем пониже-
ния шумов при прослушивании звуковых фонограмм, особенно эффективна в кассет-
ных магнитофонах. Ее основа - управляемый фильтр нижних частот, полоса пропуска-
ния которого автоматически изменяется в зависимости от спектра входного сигнала с
учетом особенностей слухового восприятия звука.
Шумопонижающее устройство на К157ХПЗ способно подавлять шумы звуковой
фонограммы с динамическим диапазоном 40...50 дБ, практически не внося искажений в
обрабатываемый сигнал. Уменьшение шумового, напряжения на выходе фильтра в ши-
рокой полосе частот достигает 15 дБ, в области высшйх звуковых частот превышает 30
ДБ.
Корпус типа 2120.24-3. Масса не более 4 г.
Зарубежный аналог: отсутствует.
К157Ш
Функциональный состав: I - амплитудный детектор; II - частотный корректор-диф-
ференциатор; III - управляющий усилитель; IV - ограничитель минимума; V - управ-
ляемый напряжением резистор в цепи управления порогом шумопонижения; VI - регу-
лятор-ограничитель конечного (верхнего) значения частоты греза; VII - регулятор на-
чального (нижнего) значения частоты среза; VIII - алгебраический сумматор; IX -
входной повторитель напряжения; X - источник образцового напряжения и стабилизи-
рованных токов; XI - операционный усилитель управляемого фильтра; XII - управляе-
мый резистор 1-го звена основного управляемого фильтра; XIII - управляемый резис-
тор 2-го звена основного управляемого фильтра.
Назначение выводов: 1 ~ регулировка времени реакции динамической системы по-
нижения шумов на нарастание сигнала малого уровня; 2 - управление включением сис-
темы шумопонижения; 3 - регулировка времени реакции динамической системы по-
нижения шумов на нарастание сигнала малого уровня; 4 - вход корректора-дифферен-
циатора и амплитудного детектора; 5 - установка порога шумопонижения динамичес-
 :
МИКРОСХЕМЫ К157	325
кого фильтра; 6 - установка конечного (верхнего) значения полосы Пропускания дина-
мического фильтра; 7 - установка начального (нижнего) значения полосы пропускания
динамического фильтра; 8 - внутренний резистор установки конечного (верхнего) зна-
чения полосы пропускания динамического фильтра; 9 - питание (—Un) J 10 - питание
(+Un); II - выход динамического фильтра; 12 - выход 2-го звена основного управляе-
мого фильтра (подключение частотозадающего конденсатора); 13 - управляющий вход
1-го звена основного и дополнительного управляемых фильтров; 14 - управляющий
вход 2-го звена основного управляемого фильтра; 15 - выход линеаризующего уст-
ройства 2-го звена основного управляемого фильтра; 16 - выход линеаризующего
устройства 1-го звена основного управляемого фильтра; 17 - вход динамического
фильтра; 18 - выход 1-го звена основного управляемого фильтра (подключение часто-
тозадающего конденсатора); 19 - инвертирующий вход алгебраического сумматора; 20 -
выход алгебраического сумматора; 21 - 1-е звено весового фильтра; 22 - 2-е звено ве-
сового фильтра; 23 - выход ограничителя минимума; 2А'~ общий.
Принцип работы.
Эффект понижения шума основан на изменении полосы пропускания управляемого
фильтра нижних частот в зависимости от спектра обрабатываемого сигнала. При
отсутствии входного сигнала или очень малом уровне высокочастотных составляющих в
его спектре полоса пропускания управляемого фильтра ограничивается частотой
800... 1600 Гц. Сужение полосы пропускания приводит к снижению общего уровня
шумового напряжения на выходе устройства. При появлении во входном сигнале
высокочастотных составляющих достаточного уровня полоса пропускания управляемого
фильтра соотиетстнух’щим образом расширяется, но возрастающий при этом шум не
воспринимается слухом из-за эффекта маскирования его прлезным сигналом с более
высокой энергией.
Канал обработки сигнала представляет собой активный фильтр нижних частот вто-
рого порядка, выполненного на ОУ (XI). В качестве управляемых напряжением резис-
торов (XII и XIII) использованы каналы линеаризованных и идентичных по конст-
рукции МДП-транзисторов с индуцированным каналом p-типа. Форма АЧХ управляе-
мого фильтра определяется соотношением емкостей конденсаторов С1 и С2 (см. схему
включения) в цепи ООС и емкостью конденсатора СЮ на входе усилителя XI. На входе
канала обработки сигнала включен повторитель напряжения IX, ослабляющий влияние
входного делителя напряжения (R1 и R2) на АЧХ управляемого фильтра.
Канал управления состоит из алгебраического сумматора VIII, управляющего уси-
лителя III, ограничителя минимума IV, частотного корректора-дифференциатора II, ам-
плитудного детектора I, регулятора VII начального значения частоты среза и регулято-
ра-ограничителя VI ее конечного значения. АЧХ канала управления формируется ак-
тивным фильтром нижних частот второго порядка, состоящим из управляющего уси-
лителя III, внутренних резисторов R2 и R3, внешних конденсаторов С7 и С8 с частотой
среза около 1,6 кГц и наклоном АЧХ 12 дБ/октаву. Спад АЧХ за пределом рабочего
диапазона частот определяется внутренним резистором R12 и конденсатором CI (см.
функциональную схему) в цепи ООС, охватывающей усилитель II. Внешний конденса-
тор С4, подключенный выводами 18 и 19, увеличивает крутизну спада АЧХ до 18
дБ/октаву. Если необходимо изменить АЧХ канала управления, то дополнительные эле-
менты могут быть подключены между выводом 20 и общнм проводом устройства.
Кроме того, в состав микросхемы входят источники образцового напряжения и ста-
билизированных токов, условно обозначенных на схеме блоком X.
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания (двухполярное) .............*.........+15 В
Ток потребления при Un • 16,5 В, Т — +25° С, не более.........  ........8,5	мА
Выходное напряжение покоя при Un “ +15 В$ Т “ +25° С, не более..........-+0,5 Е
Коэффициент усиления напряжения при Un “+15 В, UfiX - 100 мВ, f - 400 Гц,
326
МИКРОСХЕМЫ KI5?
Т - +250 с................................................................4,7...5,3
Ослабление усиления при U-n * +15 В, Т * +25° С:
при UBX - 100 мВ, f - 20 кГц..........................................-2.5...I	дБ
f * 32 кГц, не более.............................................  .....-3	дБ
при UBX * 10 мВ, f * I кГц, не менее .............................      -3	дБ
f * 2,5 кГц, не более..............;....................................-3	дБ
при UBX * 0,32 мВ, f  6 кГц, не менее..............................  ..-3	дБ
при UBX — 3,2 мВ, f * 6 кГц, не более...................................-3	дБ
при UBX * I мВ, f - 10 кГц, не более...................................-26	дБ
Коэффициент гармоник при bn * +12 В, fBX * 400 кГц и 20 кГц, UBX “ 400 мВ,
Т * +250 с, не более...........................................    ........0,5	%
Входной ток через вывод 17 при U *+15 В, Т ""+25° С, не более..............0,5	мкА
Выходной ток через выводы 13 и 14 при Un*+l5 В, UBX“ О,
Т-+25° С.............................................................. 13...26	мкА
Выходной ток через выводы 13 и 14 на частоте 10 кГц, Un~ + 15 В,Т * +25° СТ-
при UBX*1 мВ.....................................................'....3...10 мкА
при U *10 мВ....................................................150...450 мкА
Приведенное ко входу напряжение шумов в полосе частот 20 Гц...20 кГц при
Un * +15 В, UBX “ О, Т « +25° С, не более...............................    15	мкВ
Электрические параметры К157ХПЗ в основной схеме включения динамической
системы понижений шумов при Un* +15 В
Подавление шумов (невзвешеиное значение), не менее........................  11	дБ
Крутизна наклона АЧХ управляемого фильтра (с частотой 3 кГц и более),
не меиее.................................................        ...12	дБ /октаву
Эффективность подавления шумовых компонент в области высоких частот,
ие менее................................................................    30	дБ
Неравномерность АЧХ в полосе пропускания:
не менее.........................................................    .-1,5	дБ
не более ...........................................................    +1	дБ
Коэффициент гармоник (при перегрузке 12 дБ), не более......................0,3	%
Минимальный порог шумопонижения, не более..................................-50	дБ
Соотношение сигнал-помеха в полосе частот 20 Гц...2О кГц, не менее..........80	дБ
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания:
02 „1800
Вход
Wk
81
39к
cs_
ft 100Q
1
н
» .
№
П
19 В
и
п
10
Выход
01
2700
820
11
и
гз
05	__________
22 0,1 cs^
CW {700
0*1Мк
-Un
85220к
86 Wk
87330к
Основная схема включения микросхемы К157ХПЗ
/
МИКРОСХЕМЫ К157
I
327;
положительное.................................,................  +5	... +18 В
отрицательное....................................................-9	... -18 В
Максимальное входное напряжение (амплитудное значение) ...................+Un
Максимальное выходное напряжение при Un""+I5 В, UBX“+3 В, не менее.......11	В
Максимальный выходной ток по выводу 11 при Un“ +15 В, ^вх“ +3 В .....6...20	мА
Температура окружающей среды.................................  ....,..-25..Я70° С
В этой схеме порог шумопонижения устанавливается резистором R7: при R7*0 на-
ходится на уровне -30 дБ, а при максимальном значении резистора R7-330 кОм дости-
гает значение -50 дБ.
Установка конечного (верхнего) и начального (нижнего) значений полосы пропус-
кания осуществляется резисторами R5 и R6: при изменении сопротивления резистора
R5 от 0 до 220 кОм начальное значение верхней граничной частоты полосы пропуска-
ния изменяется от I до 2,5 кГц; при изменении сопротивления резистора R6 от 0 до 47
кОм конечное значение верхней граничной частоты полосы пропускания изменяется от
20- до 30 кГц.
К157ХП4
Микросхема представляет собой динамический шумопонижающий фильтр для ап-
паратуры записи и воспроизведения звука с автономным питанием. Обеспечивает
уменьшение шумового напряжения до 15 дБ в звуковой фонограмме с динамическим
диапазоном до 50 дБ. Эффективность подавления шумовых компонентов в области вер-
хних звуковых частот превышает 30 дБ.
Корпус типа 2103.16-6. Масса не более 1.5 г.
Зарубежный аналог: отсутствует.
Функциональный состав: I - повторитель напряжения сигнала; II - формирователь
линеаризующих и пороговых напряжений; III - усилитель управляемого фильтра; IV -
преобразователь сопротивления; V - суммирующий усилитель; VI - управляющий уси-
литель; VII - усилитель-дифференциатор; VIII - формирователь управляющего напря-
жения; IX - преобразователь напряжение/ток; X - стабилизатор напряжения и токов;
XI - повторитель - формирователь напряжения OV/0,5 Vn; XII - регулятор конечного
значения частоты среза управляемого фильтра.
Назначение выводов: 1 - общий вывод (напряжение питания 0,5 U ); 2 - выход
суммирующего усилителя: 3,4 - цепь коррекции амплитудно-частотной характеристики
управляющего усилителя. 5 - выключение режима динамической фильтрации; 6 - вы-
ход формирователя управляющего напряжения; 7 - напряжение питания (+L’n); 8 - на-
пряжение питания (-LJ , общий вывод OV); 9 - выход преобразователя сопротивления,
328
МИКРОСХЕМЫ К157
К157ХП4
10 - выход динамического фильтра (500 мВ); II - выход второго звена управляемого
фильтра; 12 - вход суммирующего усилителя; 13 - выход первого звена управляемого
фильтра; 14 - вход динамического фильтра (50 мВ), вход повторителя напряжения сиг-
нала; 15 - вход динамического фильтра (500 мВ), вход делителя напряжения 1:10; 16 -
выход повторителя - формирователя напряжения OV / 0,5 Un.
Работа микросхемы в составе типовой схемы включения
Динамический шумопонижающий фильтр К157ХП4 содержит управляемый
фильтр нижних частот с автоматически изменяемой полосой пропускания в зависи-
мости от спектра входного сигнала
В состав управляемого фильтра входят два частотозависимых звена, в которых в ка-
честве управляемых Элементов используются сопротивления каналов полевых тран-
зисторов VT1 и VT2 микросхемы, а в качестве реактивных - конденсаторы С9 и СЮ ти-
повой схемы включения.
Сопротивления каналов транзисторов VTI и VT2 включены между выходом повто-
рителя напряжения входного сигнала (I) и не инвертирующим входом операционного
усилителя (III), являющегося активным элементом управляемого фильтра.
Коэффициент усиления ОУ задан равным 10 посредством делителя выходного на -
пряжения в цепи обратной связи.
МИКРОСХЕМЫ К15? '
329
Входной сигнал Может быть подан на выводы 14 или 15 микросхемы, причем вывод
15 соединен со входом повторителя напряжения (I) входного сигнала через делитель
напряжения, обеспечивающий 10-кратное его ослабление. Выход управляемого фильтра
подведен к выводу 10.
Связь динамического фильтра с источником сигнала и нагрузкой при однополяр-
ном питании, осуществляется через разделительные конденсаторы С5, С7, С8’ Конден-
сатор С9,-входящий в состав первого частотозависимого звена, соединен через преобра-
зователь сопротивления (IV) с точкой делителя выходного напряжения, уровень сигна-
ла в которой равен удвоенному значению входного сигнала ОУ. Это позволяет сформи-
ровать амплитудно-частотную характеристику динамического фильтра с наклоном пе-
реходной области, приближающейся к 12 дБ/октава.
Управляющая часть микросхемы. Для формирования напряжения управления по-
лосой пропускания управляемого фильтра в данной микросхеме используется напря-
жение, энергетический спектр которого равен разности спектров входного и выходного
сигналов динамического фильтра. С этой целью напряжение, действующее на входе и
выходе первого частотозависимого звена, т.е. канала транзистора VT1, подводится ко
входам суммирующего усилителя (V). Этот усилитель обеспечивает вычитание на-
пряжений, действующих на его входах, и формирует, таким образом, выходной сигнал,
спектр которого представляет разность спектров входного и выходного сигналов сис-
темы. —
Для улучшения подавления компонент сигнала, расположенных ниже частоты среза
управляемого фильтра, напряжение с выхода первого частотозависимого звена подво-
дится к соответствующему входу суммирующего усилителя (V) через дополнительный
управляемый фильтр, образованный конденсатором С6 и каналом полевого транзистора
VT3. Дополнительный фильтр позволяет увеличить наклон переходной области ре-
зультирующей амплитудно-частотной характеристики управляющей части микросхемы
до 18 дБ / октава, обеспечивая лучшее подавление низкочастотных компонент в спектре
управляющего сигнала.
Нагрузкой суммирующего усилителя является резистор R1 1, а также внешний ре-
зистор R1 в цепи вывода 2, позволяющий изменять усиление суммирующего усилителя
в процессе установки порога шумопонижения.
С выхода суммирующею усилителя сигнал через внешний конденсатор С8 в цепи
выводов 2 и 3 поступает на управляющий усилитель (VI) с пороговым элементом в
выходном каскаде, обеспечивающим функцию ограничителя сигнала по минимуму.
Конденсатор СЗ и другой внешний конденсатор CI, включенный в цепи отрица-
тельной обратной связи управляющего усилителя, совместно с внутренними резисто-
рами микросхемы образуют взвешивающий фильтр верхних частот, амплитудно-час-
тотная характеристика которого имеет наклон минус 12 дБ/октава с граничной часто-
той несколько килогерц, что также способствует более глубокому подавлению низко-
частотных компонент в спектре управляющего сигнала.
Компоненты сигнала, амплитуды которых превышают установленный порог шумо-
понижения ограничителя по минимуму, подводятся далее к частотному корректору-
дифференциатору (VII), содержащему конденсатор CI микросхемы и скорректирован-
ный усилитель, и далее с выхода они подводятся к амплитудным детекторам формиро-
вателя управляющего напряжения (VIII), в состав которого входит также фиксатор ко-
нечного значения полосы пропускания, управляемый с вывода 5 путем подачи нулевого
напряжения Выходное напряжение формирователя выделяется на интегрирующем кон-
денсаторе С4 (в цепи вывода 6 схемы включения) и подводится затем к преобразовате-
лю напряжение-ток (IX). Выходные токи преобразователя подводятся к резисторам вы-
ходных цепей формирователя начальных пороговых и линеаризующих напряжений (II).
где и выделяются напряжения, управляющие проводимостью каналов транзисторов в
управляемых фильтрах.
330
МИКРОСХЕМЫ К157
В управляющую часть микросхемы входит также регулятор конечного значения по-
лосы пропускания (XII), обеспечивающий необходимое управление в зависимости от
значения питающего напряжения, а также порогового наряжения полевых транзисторов
микросхемы.
Необходимый режим перечисленных узлов микросхемы обеспечивается стабилиза-
тором напряжения и источником опорных токов (X), а также повторителем-формиро-
вателем напряжения QCI) соответственно при двухполярном или однополярном источ-
никах питания.
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания...........................;...............+9 В
Ток потребления, не более:
при Un- +9 В, Т » +250 с ...........................................6	мА
Т - +700 С.....................................................  7	мА
при Un- +2 ВД- -25° С...............................................6	мА
Коэффициент усиления нвпряжения при U » +9 В, f - 400 Гц, LL. “ 500 мВ,
п	вх	вых
Т - +25° С:
Ubx,14” 50 мВ............................................  '.....
UBX’i5“ 5°° мВ................................................0,93...	1,07
Коэффициент ослабления на верхней граничной частоте при LIn— +9 В, Т - +25° С :
ивх,14~ 50 мВ’ 'вх“ 14 кГ**.......................................-1,5...+2 дБ
’fBX- 31 кГц...................................................-30	дБ
Выходное напряжение динамического фильтра на выводе 10 при Un“ +9 В,
UBX |4~ S0 мВ, fBX“ 2,5 кГц, не более............................... +500	мВ
Выходной ток формирователя управляющего напряжения по выводу 6 при f - 10 кГц,
Т - +250 с:
ивх,15 “ 5 В> Чг!9 В......................................................  50...600	мкА
Un“ +3 В, не менее..........................................................  50	мкА
UBX 15- 500 мВ, Un -+9 В..................................................800...2500	мкА
Un— +3 В, не менее ..........................................................800	мкА
Выходной ток динамического фильтра'по выводу 10 при Un“ +9 В, VBX 5 В,
Т “ +25° С.................................................................... 500...3000	мкА
Коэффициент гармоник на выходе динамического фильтра при Т “ +25° С, не более*
ивх,15 “ 2 В- ЧГ i4'5 В- 'вх" 400 Гц.........................................."-5 %
Ч,х,15 “ 1 В. ЧГ ±3 В- 'вх“ 400 Гц..............................................°-5 %
Ц- +? В, fBX“ 10 кГц........................................................ 0,5	%
Un“+3B, fBX- 10 кГц ..........................................................0,5%
Приведенное ко входу напряжение шумов при Un«" +3 В, при Т “ +25° С, не более;
Пвых« 0,2 мВ....................................................................  20	мкВ
Пвых4 5 мВ ........................Z...........................................................50 мкВ
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания...........................................  4(+2)...18(+9)	В
Максимальное входное напряжение на выводе 15.............................  +7	В
Максимальное выходное напряжение на выводе 10..............................+1	В
Допустимое значение статического потенциала...............................200	В
Минимальное сопротивление нагрузки........i...............................ДО кОм
Температура окружающей среды..........,...........................    -10...+700	С
Примечание. При эксплуатации микросхемы с двумя источниками питания не до-
рускается неодновременная подача питающих напряжений, а также отключение любого
из источников.
woMHiMifd мпнйкгончляг т tUXXSiN ^woyood^M» кинэьснгча екэЪ кеаопи ^
IsaillWXlHI KHUdKL'Onoin'O 3 ЙЦХ££1Х ИЭХЗОдЧШч ПИНЭЬОП'Ча ГЛЛХЛ KWlOtlltj,
4SIN 14 КД ХЭОИХIIW
332
МИКРОСХЕМЫ К174
*	4.2.4. Микросхемы серии К174
Микросхемы серии К174 предназначены для применения в звуковоспроизводящей,
звукозаписывающей, радиоприемной и телевизионной бытовой радиоаппаратуре.
Выполнены по планарно-эпитаксиальной технологии с разделением элементов р-n пе-
реходом. Конструктивно оформлены в пластмассовых корпусах с двухрядным располо-
жением жестких выводов.
В состав серии входят:
К174АФ1 - устройство синхронизации генератора строчной развертки телевизион-
ного приемника; z
К174АФ4А - R-G-B-матрица цветовых сигналов и регулятор цветовой
насыщенности;
К174АФ5 - R-G-B-матрица цветовых сигналов и устройство фиксаций уровня
черного и баланса белого цветов;
К174ГЛ1, К174ГЛ1А - генераторы кадровой развертки;
К174ГЛ2 - генератор кадровой развертки для черно-белых и цветных кинескопов с
размером экрана Т5олее 32 см;
К174ГФ1 - задающий генератор строчной развертки телевизионного приемника;
К174КН1 - 8 - ми канальный коммутатор напряжения;
К174КН2 - 8 -ми канальный коммутатор напряжения с режимом кольцевого пере-
ключения;
К174КП1 - 2-х канальный аналоговый мультиплексор на четыре входа и один вы-
ход в каждом канале;	«
К174ПС1, КФ174ПС1, К174ПС4 - двойные.балансные преобразователи частоты;
К174УВ5 - широкополосный регулируемый дифференциальный усилитель;
К174УК1 - регулятор яркости, контрастности, насыщенности и формирователь зе-
леного Цветоразностного сигнала;
К174УНЗ - предварительный УНЧ;
К174УН4А, К174УН4Б - УНЧ'с выходной мощностью I Вт;
К174УН5 - УНЧ с выходной мощностью 2 Вт;
К174УН7 - УНЧ с выходной мощностью 4,5 Вт;
К174УН8 - УНЧ с выходной мощностью 2 Вт;
К174УН9А.К174УН9Б-УНЧ с выходной мощностью 5 Вт и системой защиты от ко-
роткого замыкания и перегрузок на выходе;
К174УН10А, К174УН10Б - электронные двухканальные регуляторы тембра высших
и низших звуковых частот;
К174УН11 - УНЧ с выходной мощностью 15 Вт и системой защиты от перегрузок
на выходе;
К174УН12 - электронный двухканальный регулятор громкости и баланса каналов;
К174УН13 - усилитель записи с АРУ и предварительный усилитель воспроизведе-
ния;
К174УН14 - УНЧ с выходной мощностью 4,5 Вт и системой тепловой защиты и
защиты от короткого замыкания на выходе;
К174УН15 - двухканальный УНЧ с выходной мощностью 6 Вт в каждом канале и
системой тепловой и токовой защиты на выходе;
К174УН17 - двухканальный УНЧ для стереотелефоиов;
К174УН18 - двухканальный УНЧ с выходной мощностью 1 Вт в каждом канале и
системой тепловой и токовой защиты на выходе;
К174УН19 - УНЧ с выходной мощностью 15 Вт и системой тепловой защиты и за-
щиты от короткого замыкания в нагрузке,
К174УП1 - усилитель яркостного сигнала и устройство электронной регулировки
выходного сигнала, фиксации и регулировки уровня черного;
МИКРОСХЕМЫ К174
333
К174УР1 - усилитель-ограничитель ЧМ-сигнала, демодулятор и предварительный
УНЧ;
К174УР2А,К174УР2Б - УПЧ канала изображения телевизионного приемника;
К174УРЗ - усилитель-ограничитель, ЧМ-де модулятор и предварительный УНЧ;
К174УР4 - усилитель-ограничитель, ЧМ-демодулятор и предварительный УНЧ с
АРУ;
К174УР5 - УПЧ канала изображения с АРУ, видеодетектором и устройством обра-
ботки видеосигнала;
К174УР8 - многофункциональная микросхема для работы в радиоканалах телевизи-
онных приемников с квази параллельным' каналом звука;
К174УР11 - УПЧ звука с электронной регулировкой громкости и тембра и уст-
ройство электронной коммутации звукового сопровождения для работы с видеомагни-
тофоном;
K174XAI - одноканальныи синхронный демодулятор цветовой поднесущей для сиг-
налов, кодированных по системе SEC AM;
К174ХА2 - многофункциональная схема приемного АМ-тракта;
KI74ХАЗА.К174ХАЗБ - компандерные шумоподавители;
К174ХА4 - тракт фазовой АПЧ;
К174ХА5 - многофункциональная микросхема ПЧ-ЧМ-тракта радиоприемного уст-
ройства?
К174ХА6 - многофункциональная схема тракта ПЧ-ЧМ радиоприемного устройства;
К174ХА8 - сдвоенный синхронный демодулятор цветовой поднесущей для систем
SECAM и PAL; .
К174ХА9 - предварительный усилитель и ограничитель сигналов цветности для
работы в системе SECAM и в двухсистемных телевизорах PAL-SECAM;
К174ХА10 - многофункциональная микросхема радиоприемного АМ-ЧМ-тракта;
К174ХА1 1 - схема синхронизации генераторов строчной и кадровой разверток и ка-
нала цветного изображения;
К174ХА12 - универсальная высокочастотная система ФАПЧ с замкнутым контуром
обратной связи;
K174XAI4 - стереодекодер системы полярной модуляции;
К174ХА15 - многофункциональная микросхема для УКВ блоков радиоприемных
устройств;
KI74XAI6 - декодер сигналов цветности системы SECAM;
KI74XAI7 - схема обработки демодулированных цветоразностных и яркостных сиг-
налов;
К174ХА19 - источник стабилизированного напряжения настройки и устройство об-
работки сигнала АПЧ в блоках УКВ радиоприемных устройств;
К174ХА20 - многофункциональная схема для селекторов каналов телевизионных
приемников;
KI74XA24 - устройство синхронизации и управления строчной и кадровой
развертками;
KI74XA25 - корректор геометрических растровых искажений;
К174ХА26 - многофункциональная схема - приемное устройство ЧМ-сигналов;
KI74XA27 - корректор четкости изображения и цветовых переходов;
К174ХА28 - декодер сигналов цветности системы PAL;
K174XA3I - декодер сигналов цветности системы SECAM с автоматическим опоз-
наванием сигнала цветности;
К174ХА32 - мультисистемный декодер сигналов цветности систем PAL, SECAM и
NTSC;
К174ХАЗЗ - видеопроцессор;
334
I
МИКРОСХЕМЫ К174
К174АФ1
Микросхема представляет собой устройство синхронизации генератора строчной
развертки телевизионного приемника и выполняет функции, амплитудного селектора
синхросигнала, генератору импульсов строчной частоты, автоматической подстройки
задающих импульсов строчной развертки по частоте и по фазе, В состав К174АФ1 вхо-
дят генератор импульсов строчной частоты, фазовый дискриминатор АПЧФ генерато-
ра, пиковый детектор совпадения переключения полосы АПЧФ, схема защиты от им-
пульсных помех, схема формирования выходного импульса, выходной каскад, фазовый
дискриминатор АПЧФ выходного импульса, амплитудный селектор.
Задающая часть микросхемы представляет собой автогенератор, охваченный коль-
цом автоматического регулирования частоты и фазы по приходящим импульсам син-
хронизации строчной развертки.	»
Формирующая часть микросхемы включает каскады обработки формируемых на-
пряжений и окончательного фазирования выходных импульсов по строчным синхроим-
пульсам.
Наличие двух раздельных колец автоматического регулирования позволяет сущес-
твенно повысить помехоустойчивость канала синхронизации телевизионного приемни-
ка.
Корпус типа 238.16-2. Масса не более 1,5 г.
Зарубежный аналог- ТВА920
КГМАЧЧ
Функциональный состав: 1 - выходной каскад; П - устройство формирования вы-
ходного импульса; Ill - фазовый дискриминатор автоподстройки фазы выходного им-
пульса; IV - амплитудный селектор; V - устройство защиты от импульсных помех; VI -
детектор совпадения переключения полосы АПЧФ; VII - фазовый дискриминатор
АПЧФ генератора; VIII - генератор импульсов строчной частоты.
Назначение выводов: 1 - питание (+Un); 2 - выход; 3 - вход формирователя; 4 - вы-
ход фазового дискриминатора; 5 - вход фазового дискриминатора АПЧФ'выходного им-
пульса; 6 - вход фазового дискриминатора АПЧФ генератора; 7 - выход детектора со-
впадения; 8 - вход видеосигнала; 9 - вход импульса помехи; 10 - вывод подключения
времязадающей -цепи коммутатора; I 1 - выход детектора совпадения; 12 - выход фазо-
вого дискриминатора АПЧФ генератора; 13 - вывод для подключения блокировочного
конденсатора; 14 - частотозадающии конденсатор; |5 - вывод для подключения частото-
задающей RC-цепи; 16 - общий (-Un>.
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания.........................................  12	В
Ток потребления при Un ~ 12 В, Т1 +25° С............................32...54 мА
Длительность,выходного управляющего импульса при Ъ’п~ 12 В. Т = -10...+60° С:
МИКРОСХЕМЫ К174
335
'зд,о,х“ 0..........................................    -..............12-17	мкс
гзд ох"*5 мкс..................................................*.....26...32	мкс
Амплитуда выходного строчного импульса при V “ 12 В, Т =* -10...+60° С, не ме-
нее .......................................      Л...............................8 В
Амплитуда полного синхросигнала на выводе 7 при Un“12 В, Т“-10...+60° С,
не менее ........................................................................8 В
Пределы перестройки частоты собственных колебаний выходного генератора при
ип-12В;
нижняя граница, Т " +25° С -.......................................12,9... 14,9 кГц
Т - -10 и +60° С...........................................    12,6—15,0	кГц
верхняя граница, Т “ +25° С......................................17,0...22,0	кГц
Т - -10 и +60° С.............................................  16,7-21,3	кГц
Полоса захвата АПЧ при URW 12 В, Т " -10...+600 С, не менее.................+700	Гц
Нестабильность частоты внутреннего генератора от времени, температуры и напря-
жения питания при Un * 12... 13,2 В, Т • -10...+600 С, не более........Л.....+350 Гц
Длительность фронта вмхпднеях. строчного импульса при Vn" 12 В, Т " +25° С,
не более ...................................................................   1	МКС
типовое значение..................................................       0,3	МКС
Длительность фронта строчного синхроимпульса в полном синхросигнале на выводе 7
при Unw 12 В, Т • +25° Ct не более ....................................      1,5	мкс
Крутизна регулирования системы АПЧФ при 12 В, Т • +25° С .0,4...!,2 кГц/мкс
Остаточный сдвиг фаз между фронтами строчного синхроимпульса и импульса обрат-
ного хода при длительности импульса обратного хода 10 мкс, Un" 12 В, Т • +25° С,
не более.............................................  Л....................+1,5 МКС
Предельные эксплуатационные данные
Максимальное напряжение питания......................................  15	В
Минимальное входное напряжение полного видеосигнала.....................1	В
Размах полного видеосигнала отрицательной полярности (синхроимпульсами вверх) на
выходе..............................................................  1—6	В
Максимальное напряжение на выводе 5...................................  3	В
Температура окружающей среды................................   -10...+600	С
Фазовые соотношения между входными и выходными сигналами микросхемы К174АФ1
336
МИКРОСХЕМЫ KI 74
Схемы включения
Типовая схема включения К174АФ! с указанными номиналами внешних навесных
элементов обеспечивает оптимально-" режим работы микросхемы. Изменение номина-
лов внешних элементов позволяет в некоторых пределах изменять параметры схемы.
Резистором R18 можно регулировать порог срабатывания амплитудного селектора. Из-
менение номиналов элементов, подключаемых между выводами 6 и 7, позволяет умень-
шать или увеличивать постоянный фазовый сдвиг, вносимый этими элементами
тности, исключение конденсатора СЮ уменьшает остаточный фазовый сдвиг между
синхроимпульсами и импульсами обратного хода развертки до +0,5 мкс. Однако одно-
временно необходимо изменить постоянную времеии фильтра коммутатора R17C11, так
как при столь малых значениях остаточного сдвига" фаз коммутатор будет срабатывать
несколько раньше, что приведет к сужению «полосы захвата. Для исключения этого
явления целесообразно уменьшить сопротивление резистора R17 до 82 кОм.
Если микросхема применяется в телевизионном устройстве, работающем сов-
местно с видеомагнитофоном, когда бывают большие скачки частоты строчных веду-
щих синхроимпульсов и их пропуски, автоматический режим работы коммутатора
отключается с помощью внешней коммутации замыканием ключа S.
Для защиты от помех в микросхеме можно запирать амплитудный селектор иа вре-
мя действия помехи большого уровня. Импульсы помех выделяются при этом с по-
мощью внешних устройств из полного телевизионного сигнала и подаются иа вывод 9
микросхемы.
Типовая схема включения микросхемы К174АФ1 z
МИКРОСХЕМЫ К174
337
вход упривоеш
режимом работы
системы ФАвч
входы дидеосиемала
Л	I
Принципиальная сх^ма генератора строчной развертки на микросхеме К174АФ1
К174АФ4А
Микросхема представляет собой, RGB-матрицу. Выполняет следующие функции:
регулировку цветовой насыщенности; формирование зеленого цветоразностного сигна-
ла; формирование сигналов R, G, В из яркостного и трех цветоразностных сигналов;
предварительное усиление сигналов R, G, В. Предназначена для применения в телеви-
зионных приемниках цветного изображения совместно с микросхемами К174УШ и
К174ХА1.
К174А4ЦА
338
МИКРОСХЕМЫ К174
Корпус типа 238.16-2, Масса не более 1,5 г.
Зарубежный аналог: ТВА53О
Функциональный состав: 1- - регулятор насыщенности R - Y; II - регулятор насы-
щенности В - Y; 11! - матрица G - Y; IV - матрица R; V - матрица G; VI -матрица В;
VII, VHI, IX - предварительные усилители R, G, В.
Назначение выводов: 1,2 - вход синего цветоразностного сигнала В - Y; 3,13 - регу-
лировка насыщенности; 4, 12 - вход яркостного сигнала; 5 - опорное напряжение кана-
ла В;* 6 - выход сигнала В; 7 -выход сигнала G; 8 - питание (-Оп>; 9 - опорное напря-
жение канала G; 10 - выход сигнала R; 1 1 - опорное напряжение канала R; 14, 15 - вход
красного цветоразностного сигнала R - Y; 16 - питание (+Un).
Схема обозначений коэффициентов передачи
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания........................................   12	В
Ток потребления при Un" 13,2 В, Т “+25° С, не более.................25...60	МА
Коэффициенты передачи Кр К2, К3 с яркостного входа на выходы R, G. В при
Un- 12 В, UBX “ 280 мВ, f « 1МГц, U4 { 2 - 1,8 В, U3 13 “ 3,8 В, Т - +25° С.3,1...3.9
Коэффициенты передачи Кд, К^ с цветоразностных входов на выходы R, В при
Un-12 В, Uax ~ 400 мВ, f - 1МГц, Од l2=- 1.8 В, U3 |3 - 3,8 В, Т“ +25© С....2.4...3.6
Коэффициент передачи со ахода В - Y на выход G, К6 при Un“ 12 В, UBX— 400 мВ,
f - 1МГц, U4 12 *» 1,8 В, U3 13 - 3,8 В, Т » +25° С.............. ,.0,5,..0,7
Коэффициент передачи К? со входа R на выход G при Un“ 1 2 В, Uex“ 400 мВ,
f- 1МГц, U4 12 - 1,8 В, U3 13 =-3,8 В, Т=-—25° С....................1.4...1.8
Отклонение коэффициентов передачи Кр К2, К3 от Кя Ср, не более..............+5	%
Отклонение коэффициентов передачи К4, К^ от Kj* р, не более..............,+7,5	%
Отклонение коэффициента передачи К^ от 0,19 Кцср, не более .............+10	%
Отклонение коэффициента передачи Kj от 0,51 Кц ср, не более...............+7,5	%
Отклонение коэффициентов передачи Кр К2, К3 от Кя ср при регулировке насыщен-
ности на 12-1,5 дБ (изменение U3 j3 от 3,8 до 1,8 В), не более ..........+5	%
Отклонение коэффициентов передачи Кд, К^ от К^ ср при регулировке насыщенности
на 12*®$ дБ (изменение U3 j3 от 3,8 до 1,8 В), не &олее ..............  +10	%
Нелинейные искажения по яркостному каналу при Un"12 В, UBX“280 мВ,
Т-+25О С.......................................................
Полоса пропускания по яркостному каналу по уровню -3 дБ, не менее
..5 %
.6 МГц
’ja,cp=<Kl+K2 + K3>/3
Ku,cp “ (	+ К5 > / 2
Полоса пропускания по цветоразностным каналам по уровню -3 дБ, не ме-
нее....................................................................1»5 МГц
Подавление перекрестных искажений между яркостным и цветоразностными каналами
и между цветоразностными каналами, при Une!2 В и Т—+25° С, не менее ....36 дБ
Входное сопротивление, не менее ........................................100 кОм
Входная емкость, не более .7............................................5 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания:
при Т “ +250 с...................................‘.................10,8... 15 В
при Т “+60° С....................s..............................10,8—13,2	В
Размах сигналов по цветоразностным входам, не более.....................1,5 В
Размах сигнала по яркостному входу, не более............................1,1 В
Напряжение на выводах 3, 13, не более...................................4,4 В
Напряжение на выводах 3, 12, не более..................................2,7 В
Сопротивление внешних резисторов между выводами 6, 7, 10 и -UR, не менее ...3,3 кОм
Температура окружающей среды.....................................-10...	+60° С
Температура корпуса при Т “ +60° С, не более.........Л..................+80° С
Типовая схема включения микросхемы К174АФ4А
К174АФ5
Микросхема представляет собой RGB-матрицу. Выполняет следующие функции:
формирование красного, зеленого и синего сигналов из трех цветоразностных и яркост-
340
МИКРОСХЕМЫ К174
него сигнала; фиксацию уровня черного; установку баланса белого. Предназначена для
применения в телевизионных приемниках цветного изображения совместно с микро-
схемами К174ХА8 , К174ХА9 , К174УК1.
Корпус типа 238.16-2. Масса не более 1,5 г.
Зарубежный аналог: TDA2530
Функциональный состав: 1 - предварительный усилитель яркостного сигнала ; II,
VI, X - узлы фиксации уровня; III, VII,XI - матрицы; IV, VIII, XII - узлы установки
усиления; V; IX, XIII - усилители R, G, В; XIV - предварительный усилитель фикса-
ции.
Назначение выводов: I - вход яркостного сигнала Y; 2 - вход цветоразностного сиг- -
нала R - Y; 3 - установка усиления канала R; 4 - вход цветоразностного сигнала G-Y; 5
- установка усиления канала G; 6 - вход цветоразностного сигнала В - Y; 7 - установка
усиления канала В; 8 - вход импульса фиксации; 9 - питание (+Un); 10 - выход сиг-
нала В; 11 - вход ООС канала В; 12 - выход сигнала G; 13 - вход ООС канала G; 14- вы-
ход сигнала R; 15 - вход ООС канала R; 16 - питание <-Un>.
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания .................................................12 В
Ток потребления при 13,2 В, 1^-1,5 В, U3 5 7 - 5 В, Т - -10...+6QO С .......30...80 мА
Полоса пропускания яркостного сигнала при Un" 12В, Uj— 1ДВ, Uj В,
GBX- 100 мВ, Т - 25° С, не менее...............................................б	МГц
Полоса пропускания цветоразностных сигналов при О^ 12 В, Uj" 1,5 В, Ug $ 7 “ 5 В,
UBX — 100 мВ, Т =» 25° С, не менее...........................................1,5	МГц
Коэффициент передачи напряжения Яркостного сигнала по любому из трех каналов при'
Un- 12 В, 1,5 В, U35 7 - 5 В, UBX- 300 мВ, f- 100 кГц, Т - -10...+60<> С......0.9...1.1
Коэффициент передачи цветоразностных сигналов по любому из трех каналов при
Un- 12 В, П,- 1,5 В, U3 5 7 - 5 В, UBX- 300 мВ, f- 100 кГц, Т - -1О...+6(К> С „..0,9-1 Д
Пределы регулировки коэффициентов передачи цветоразностных сигналов при уста-
новке баланса белого при изменении U3 5 7 от 0 до 10 В, Ип« 12 В, Uj- 1,5 В,
UBX- 300 мВ, f - 100 кГц...............’.................................  0.7...1.3
МИКРОСХЕМЫ К174
341
Входное сопротивление по цветоразностным входам при L!n“ 1 2, В, Uj®8 1,5 В,
U3 $ 7 “ 5 В, UBX" 300 мВ, f - 100 кГц, не менее .....................100 кОм
Входное сопротивление по яркостному входу при Une 12 В, Uj"* 1,5 В, Uj “5 В,
UBX" 300 мВ, f — 100 кГц, не менее ...................................100 кОм
Напряжениеимпульса фиксации уровня черного:
при включенной фиксации ..........................................6,5... 12 В
при выключенной фиксации ........................................0...5.5	В
Длительность импульса фиксации, не менее .............................3,5 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания ..................................................10,8... 13,2 В
Уровень черного сигнала яркости .........................................1,8	В
Размах яркостного сигнала ........................................... ...1.1	В
Размах входного цветоразностного сигнала
R-Y .................................................................1,4	В
G - Y .................................................................1	В
В - Y ................................................................1Л	В
Максимальное напряжение сигналов на выводах 10, 12, 14 ..................  3	В
Максимальное постоянное напряжение на выводах 1-8, 11, 13, 15 относитель-
но -L’n ................................. .,..-.......................    15	В
Рассеиваемая мощность, не более ..................  •.................1000 мВт
Температура окружающей среды .....................................-10	... +60° С
Типовая схема включения микросхемы К174АФ5
342
МИКРОСХЕМЫ К174
К174ГЛ1, К174ГЛ1А
Микросхемы представляют собой генератор кадровой развертки для цветного и чср.
но-белого телевизоров ‘ В соответствии с синхроимпульсами .микросхема формирует
мощные импульсы пилообразной формы. В состав микросхемы входят: усилитель сиц.
хроимпульсов, генератор напряжения кадровой частоты, генератор вилообразного на-
пряжения, буферный каскад, усилитель мощности, стабилизатор напряжения. По срав-
нению с К174ГЛ1А микросхема К174ГЛ1 дополнена устройством формирования обрат-
ного хода развертки, позволяющим увеличить напряжение питания выходных каскадов
микросхемы во время обратного ходя развертки, тем самым обеспечивается
необходимое время обратного хода при сравнительно небольшом напряжении основного
источника питания.
Корпус типа 238.12-1. Масса не более 2,5 г.
Зарубежный аналог: К174ГЛ1 - TDA1 170
К174ГЛ1 А - TDA127O
Функциональный состав: I - буферный каскад; 11 - усилитель; III - стабилизатор
напряжения; IV - устройство формирования обратного хода развертки (только в
К174ГЛ1); V - генератор напряжения кадровой частоты; VI - усилитель мощности; VII
- усилитель синхроимпульсов; VIII - генератор напряжения пилообразной формы.
Назначение выводов: 1 - выход буферного каскада; 2 - вход стабилизатора напря-
жения и питание микросхемы' (+Un); 3 - выход схемы формирования обратного хода
развертки (в К174ГЛ1А не задействован); 4 - выход усилителя мощности, 5 - питание
выходного каскада (+Un), 6 - выход стабилизатора напряжения для питания частотоза-
дающих цепей генератора; 7 - вход генератора пилообразного напряжения, 8 - вход уси-
лителя синхроимпульсов; 9 - вход генератора напряжения кадровой частоты; 10 - вывод
усилителя для подключения линеаризующих цепей; 11 - вывод подключения линеари-
зующей цепи, 12 - вывод подключения линеаризующей цепи; Т - теплоотвод (-Un).
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания .........................................   25	В
Ток потребления при 25 В, !н“1 А, Т"+25° С, не более .................  180	мА
Выходной ток в нагрузке при Un" 25 В, f w 50 Гц:
при Ln- 20 мГн, Rh* 10 Ом, Т " +25° С для К174ГЛ1, не менее ..........1,5	А
- Т - -10..+60° С.....................................................0,8... 1.5 А
при R^ 12 Ом, Т —+25° С для К174ГЛ1А, не менее ....................  1.06	А
Т - -10...+600 с...................................................0.5... 1 А
Время обратного хода при ипш 25 В, IH" I АТ“ +25° С, не более:
1ИКРОСХЕМЫ К174
343
при 20 мГн, 1^“ 10 Ом для К174ГЛ1 ...............................  0,9	мс
при 12 Ом для К174ГЛ1А ..................,.........................0,6	мс
Диапазон перестройки частоты внутреннего генератора при Un" 25 В,
т-+25°с ......................................................... Z8...66	Гц
Диапазон устойчивой синхронизации при <Jn“ 25 В, Т «+25° С .......44...50	Гц
Нелинейные искажения при Un« 25 В, Т - -10...+60° С, не более:
К174ГЛ1 ..............................................................+8 %
К174ГЛ1А ..........................................................+9%
Нестабильность размера изображения в диапазоне температур -10...+60° С при
U “ 25 В, не более:
" К174ГЛ1 ...................’.....................................   .+3	%
К174ГЛ1А ..........................................................,‘.+3,5 %
Входное сопротивление микросхемы по входу синхросигнала (вывод 8) при L'n в 25 В,
Т » +25° С, не менее .................................................3,5	кОм
Амплитуда входного синхроимпульса, не менее ......................  ....1	В
Тепловое сопротивление переход-корпус ........................    20°	С /ВТ
Тепловое сопротивление переход-среда .............................100° С /Вт
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания ..............................................21...27 В
Максимальный ток нагрузки:
К174ГЛ1 .............................................................1,6	А
К174ГЛ1А .................................................!.......1,1	а
К174ГЛ1А (без дополнительного теплоотвода) .......................100	мА
Ток потребления К174ГЛ1 при 1Н" 1,5 А ...............................240	мА
Максимальная температура корпуса при Т *• +60° С ...................+85°	С
Типовая схема включения микросхемы К174ГЛ1
344
МИКРОСХЕМЫ КХ74
Типовая схема включения микросхемы К1741X11К
КХ74ГЛ2
Микросхема представляет собой генератор кадровой развертки. Предназначена для
применения в блоках свдюоой развертки цветных и черно-белых телевизоров с разме-
ром экрана 32 см и более.	>
Корпус типа 1505Ю.17. Масса не более 7 г.
Зарубежный аналог ТЕА1120
ктглг
Функциональный состав: I - генератор пилообразного напряжения; И - генератор
импульса гашения обратного хода кадровой развертки; III - предварительный усили-
тель; IV - усилитель мощности; V - формирователь импульса гашения обратного хода
кадровой развертки; VI - устройство тепловой зашиты; VII - устройство токовой заши-
ты.
Назначение выводов: 1 - общий <-Un); 2 - вход импульса синхронизации; 3 - вывод
для подключения внешнего конденсатора, является выходом источника постоянного то-
ка, которым заряжается конденсатор генератора пилообразного напряжения; 4 - вывод
МИКРОСХЕМЫ К174
345
для подключения внешнего резистора, задающего режим работы источников тока в ге-
нераторе пилообразного напряжения; 5 - выход генератора пилообразного напряжения;
6 - вспомогательный выход генератора пилообразного напряжения; 7 - выход генерато-
ра импульса гашения обратного хода; 8 - выход цепи управления работой генератора
импульсов гашения; 9 - вход усилителя инвертирующий; 10 - вход цепи коррекции
частотных характеристик для компенсации влияния паразитных связей; 1 1 - вход уси-
лителя неинвертирующий; 12 - питание (+Un); 13 - выход генератора обратного хода;
14 - питание верхнего плеча выходного каскада; 15 - выход; 16 - эмиттер транзистора
нижнего плеча выходного каскада; 17 - общий (-Un).
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания
при RH- 2,5 Ом, 1^- 6,5 мГн ...............................................20	В
при 6 Ом, Гн« 10 мГн .............................."................................29 В
Ток потребления при U — 29 В, f — 50 Гц, U (2)“ 1 В, i - 160 мкс, не более
при 1н« 2,2 А, Т « +250 с ............................................385 мА
при 1Н_ 2 А, Т- +70° С  ..............................................355 мА
при 1н« 0, Т - +25° С ..................................................50	мА
типовое значение.................................................       .5	мА
Амплитуда импульса гашения обратного хода при Un“ 29 В, 1нв 2,2 A, f — 50 Гц,
UBX " 1 В’ Vn" 160 мкс’ не МСНее ............................................12	В
Ток нагрузки при fc|J- 50 Гц, UBX(2)- 1 В, tc||- 160 мкс;
при RH“ 2,5 Ом, 6,5 мГн, Un“ 20 В, Т - +25° С, не Меиее ...............2,6	А
при RH_ 6 Ом, LH« 10 мГн, Un“ 29 В, Т « -10...+25° С, не менее ........2,2	А
Т —+70° С ............................................................1,8...2,2 А
Время обратного хода при f - 50 Гц, 0 (2)« 1 В, t - 160 мкс, Т - +25° С , не более:
при 1И- 2,2 А, Сп“ 29 В .......................................................1	мс
при 1Н— 2,3 А, Г’п“ 16 В  .........................................   1,35	мс
Длительность импульса гашения обратного хода при Un“ 29 В, 1Н* 2,2 А, (си“ 50 Гц,
Ubx (2) - 1 В, t - 160 мкс, Т - +25° С .............................. 1,2...1.5	мс
Период свободных колебаний при Unm 25 В, Т — +25° С, не менее .............22.5	мс
Нестабильность частоты собственных колебаний генератора от напряжения питания
при Un- 15...25 В, Т - +25° С, не более ............................  +0,25	Гц/ В
Нестабильность частоты собственных колебаний генератора от температуры при
Un- 25 В, Т - +25...+70° С, не более .................................0.01 Гц/ ° С
Диапазон устойчивой синхронизации при 29 В, 1Н- 2,2 A, 50 Гц,
UBX(2)- 1 В, tCM~ 160 мкс, Т - +250 £, Нс менее .....•........................5	Гц
Нелинейные искажения в основной схеме включения при Un— 20 и 29 В, Ц - 2,6 и
1,6 A, fCH - 50 Гц, UBX(21- I В, (си- 1 60 мкс. Т - +25° С, не более ....... +8	%
Нестабильность тока нагрузки от температуры при Uf]e 29 В, !н- 1,6 A. fc|1e 50 Гц.
SUBX (2) - I В, 1СИ- 160 мкс, Т « +25...+700 С, не более .....................3	%
Тепловое сопротивление кристалл-корпус ................................  3°	С/ Вт
Тепловое сопротивление переход-среда, не более .......................  35°	С/ Вт
Входное сопротивление по выводу 2, не менее .................................. Ом
Постоянное напряжение на выводе 7 при отключенной нагрузке, не менее ........12	В
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания .................................................    15...33	В
Максимальный ток нагрузки по выводу 7 ...............2......................3,5	мА
Максимальный ток нагрузки:
при Ъ’п* 29 В ........................................................ 2,7	А
при 20 В   ......................................................     3,35	А
Максимальное напряжение, прикладываемое к выводу 15 во время обратного Хода...65 В
Максимальная амплитуда импульса синхронизации ............................... 2	В
346
МИКРОСХЕМЫ К174
Максимально допустимая рассеиваемая мощность при Т — +25° С, не бо-
лее................................................................3	Вт*, 16 Вт**
Температура окружающей среды ........................................-1O...+6O0 С
Типовая схема блока кадровой развертки на микросхеме К174ГЛ2
К174ГФ1
Микросхема К174ГФ1 представляет собой задающий генератор с автоматической
подстройкой частоты и фазы. Предназначена для применения в телевизионных прием-
никах в качестве задающего генератора строчной развертки и в импульсных источни-
ках питания
Корпус типа 201.14-1 Масел не более 1 г.
Зарубежным аналог: отсутствует.
Без внешнего теплоотвода
С внешним телчоотводом с тепловым сопротивлением корпус - теплоотвод 5° С /Вт
\
МИКРОСХЕМЫ К174
347
Функциональный состав: I - фазовый дискриминатор; II - усилитель; III -
синхронизируемый генератор-формирователь; IV - выходной усилитель.
Назначение выводов: 1,7- выводы для подключения конденсатора обратной связи;
2 - вход выходного усилителя; 3 - общим вывод <-Un); 4 - выход выходного усилителя;
5 - напряжение питания (+Пп); 6 - выход усилителя-формирователя; 8 - вход усили-
теля; 9 - выход фазового дискриминатора; 10, 12 - входы синхронизации фазового
дискриминатора; II - стробирующий вход фазового дискриминатора; 13 - вывод для
подключения RC-фильтра; 14 - вывод для подключения элементов регулировки частоты
синхронизатора.
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания............................................ 12	В
Ток потребления при RH0) “ 500 Ом, f — 15625 Гц, не более:
Т - +250 С, Сл =* 12 В.............................................-...20	мА
Т - +700 с, Un - 13,2 В .............................................  22	мА
Т - -100 с, С(1 “ 9 В .............................................. 19,5	мА
Амплитуда выходных импульсов при RH^4) " 500 Ом, f “ 15625 Гц, не менее:
Un - 12 В, Т - +25...+70° с...............................................4 В
Un - 9 В, Т- -10° С.................................................... 3	В
Длительность выходного импульса при ПГ( « 1 2 В, RH(4) “ 500 Ом,
Т « +25° С................................................................15...25	мкс
Частота генерирования импульсов при Un “ 12 В, Т" -10...+70° С.
верхняя ...........................................................     17190	Гц
нижняя..........................................................    14060	Гц
номинальное значение............................................... 15625	Гц
Полоса захвата при Un — 12В, RH^j = 500 Ом, Т = -10...+70° С ...................... .+500 Гц
Уход частоты генерирования импульсов, не более:
при изменении температуры окружающей среды:
от+25 до -10° С....................................................... +2	%
от +25 до +709 С................................................    -2 %
при изменении напряжения питания.
’ на +10% ............................................................. -2	%
на -10% ..*...........................................г................+2	%
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания ................  ?.............................    9—13,2	В
Максимальная амплитуда входных синхроимпульсов на выводах 10 и 12 — .. ...0,5	Un
Температура окружающей среды...................................... -10...+700	С
348
МИКРОСХЕМЫ К174
Форма напряжения входных запускающих синхроимпульсов: Ьд — 0,5 Ьп, разность ам-
плитуд не более 2 %; и " 5 мкс + 10 %; X . - Л сп < 0,2 мкс; выходное сопротивле-
ние источника синхроимпульсов не более 600 Ом на частоте 15625 Гц
В5 100
ЗОмк'Кв
К1
27к
Частота
—	\Z 2r^A М ЗВк
щ Н±Э--СЭ-
'сю
!00пк*1ВВ
12
10
СЗ
С2* JL 1000
зе о "Г
ко
зео
5нк*1БВ
07 » СВ 3300
о,огг	се
ззоо
CS н
	*—о -J*-1 Входы
> запускающих
-	«—о Tj-J импульсов
Вход импульса
*—о напряжения
обратной связи
3300
Выход импульса нолря-'
>. женил обратной связи
1
г
3

J
6
7
и
И
3
I
Типовая схема включения микросхемы KI74ГФ1 в импульсных источниках питания
РОСХЕМЫ К174
349
Дли/псльы/сыь Частота
импульса К</ 2Zk
BU-
ZZ*
02
</70
ЗОнкЫбВ
А7 560 5rtK*!6B г
Xсп
100™* 16В
06
08 </70О'
OS i
3300
СЮ 3300 66 6,2к
Входы
> зопусха/ощих
и-J инпульсоб
Вход U.O.X.
Выход строуоого
----► синхроимпульса


Типовая схема включения микросхемы К174ГФ1 в качестве задающего генератора
строчной развертки
К174КН1, К174КН2
Микросхемы представляют собой коммутаторы напряжений на восемь выходов, уп-
равляемые по выходам и трехразрядным двоичным кодам по адресным входам управле-
ния.
Отличие микросхемы KI 74КН2 от KI74KHI заключается в том, что первая допус-
кает режим кольцевого переключения каналов последовательностью импульсов, пода-
ваемых на ее управляющий вход. Предназначены для применения в блоке выбора про-
грамм телевизионных приемников с электронными селекторами каналов.
Корпус типа 238.16-2. Масса не более 1,5 г.
Зарубежные аналоги: отсутствуют.
Функциональный состав: I - формирователь импульса блокировки АПЧГ; II - логи-
ческая схема управления; III - многофазный триггер-дешифратор; IV - выходной элект-
ронный ключ; V - трехразрадный двоичными счетчик (только в KI74KH2).
Назначение выводов: I - вход-блокировки АПЧГ; 2 - выход канала 1; 3 - общий, пи-
тание <-Пп>; 4, 5, б - выходы каналов 3, 5 и 7; 7, 8, 9 - адресные входы управления (9 -
старший разряд двоичного кода, 8 - младший); 10 - питание (+0^); II, 12, 43, 14 - вы-
ходы каналов 8, 6), 4 и 2; 15 - вход дистанционного управления; 16 - выход блокировки
АПЧГ.
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания...........................................12 В
Ток.потребления при Un « 12 В, Т - +25° С, не более:
К174КН1 ...и.............................:...........................8 мА
KI74KH2.............................................................10 мА
Входной ток при Un ~ 12 В, Т - +25° С, не более:
высокого уроЬня.....................л..................................0,5 мА
низкого уровня'............................................. ......0,5 мА
Ток утечки аналогового выхода при С' « 12 В. Т " +25° С, не более:
350
МИКРОСХЕМЫ К174
каналов 1 - 8 ..........................................................  4	мкА
на выводе 1 6........................................................,...3 мкА
Остаточное напряжение при L'n =* 12 В, Т “ +25° С, не более:
каналов 1 - 8 ..........................................................    0,5	В
на выводе 16................„...........................................0.5	В
Время замыкания в режиме кнопочного управления при Un и 12 В, не менее....... 1 мс
К174КН1
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания ........................................      ...10.8...13.2	В
Коммутируемое напряжение
каналов 1-8.......................    ,..........................     10.8...33	В
на выводе 16    .....................................................JJ... 13,2 В
Входное напряжение управляющих входов,
высокого уровня.......................................................10.8... 13,2 В
низкого уровня ....................................................  JD...4	В
Коммутируемый ток
каналов 1-8 .... ........................................................    20	мА
на выводе 16........................ л......... .......................  15	мА
Температура окружающей среды.............................,....... ....-Ю...+7О0	С
Схема включения
При подаче питающего напряжения триггер-дешифратор III устанавливается в сос-
тояние, соответствующее нажатию на кнопку QI, при котором открыт электронный
ключ IV канала 1. Переключение программ в режиме кнопочного управления осуществ-
ляется путем замыкания выбранного выхода с выводом 1 с подошью кнопок QI - Q8.
При этом триггер-дешифратор переключается в соответствующее нажатой кнопке сое-
МИКРОСХЕМЫ К174
351
тояние, открывается электронный ключ выбранного канала и начинает светиться свето-
диод, индицирующий включение соответствующей программы. Одновременно напря-
жение с выхода электронного ключа выбранной программы через один из диодов VD9 -
VD16 поступает на коммутатор диапазонов, включая нужный поддиапазон селектора
каналов. Напряжение на варикапах селектора каналов будет зависеть от положения
движка только одного из подстроечных резисторов Rl - R8, также соответствующего
нажатой кнопке.
Переключение программ в режиме дистанционного управления осуществляется по-
дачей трехрвзрядного двоимого кода на адресные входы управления. При этом на вы-
воде 15 должно присутствовать напряжение высокого уровня, разрешающее прохожде-
ние двоичного кода через логические схемы управления П и блокирующее срабатывание
триггера-дешифратора от кнопок QI - Q8.
Микросхема К174КН2 допускает кольцевое переключение каналов, которое осу-
ществляется последовательностью одиночных импульсов, подаваемых на вывод 15. Кон-
денсаторы Cl, С2, СЗ подключаются к выводам 8, 7, 9, соответственно, только в режиме
кольцевого переключения программ.
При каждой смене программ на выводе 16 формируется отрицательный импульс,
блокирующий устройство АПЧГ телевизора на время переключения селектора с одного
канала на другой. Состояние микросхемы после отключения управляющих напряжений
со входов управления сохраняется.
352
МИКРОСХЕМЫ К174
+ -<38 Q1
Вход двоичного кода
напряжение
настройки
//
коммутатору диапазонов
Об
VD14
•W-

07
//
w^3
08
R1-5-R8 100k
C14-C3 0,015
VDI4-VD8 КД103Б
VD54-VD16 КД522А
VD17-^VD24 АЛ307
Типовая схема вклк>чения микросхем К174КН1, К174КН2
К174КП1
Микросхема представляет собой двухканальный аналоговый мультиплексор, имею-
щий четыре входа и один выход в каждом канале. Усилители, входящие в состав каж-
дого канала, выполнены в виде конверторов сопротивления с единичным усилением по
напряжению. Переключение входов осуществляется подачей соответствующих потен-
циалов на управляющие входы. Микросхема предназначена для применения в высоко-
качественной усилительно-коммутационной аппаратуре высшего класса.
Корпус типа 238Л 6-2. Масса ре более 1,5 г.
Зарубежный аналог: TDA1029.
• КПЬКП!
Функциональный состав: 1 - входное устройство; II - коммутатор; 111 - повторитель на-
пряжения; IV - стабилизатор напряжения; V - схема управления переключением; VI -
источник напряжения смещения.
Назначение выводов: 1 - вход 1 канала А; 2 - вход 2 канала А; 3 - вход 3 канала А; 4
- вход 4 канала А; 5 - вход 1 канала Б; 6 - вход 2 канала Б; 7 - вход 3 канала Б; 8 -вход 4
канала Б; 9 - выход канала Б; 10 - выход напряжения смещения; И, 12, 13 - выводы уп-
равления переключением входов; 14 - питание (+Vn); 15 - выход канала А; 16 - об-
щий, питание (-Un).
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания.........................................15	В
Ток потребления, не более;
при Un -	16,5 В, Т - +25° С.....................................  5	мА
при Un -	15 В, Т - -250 с ........................................9	мА
при Un -	15 В, Т = +25° С........................................ 8	мА
Коэффициент усиления по каждому входу при 0п - 15 В, Ь'вх = 3 В, f = 1 кГц,
Rp — 47 кОм, RH “= 4,7 кОм, не менее:
при Т~+250 с............................................................-1	дБ
при Т - -25° С ................................................... -4	дБ
при Т-+550 С....................................................^.-2,5 дБ
Коэффициент гармоник при UBX ~ 3 В, f = 20 Гц...20 кГц, Т - +25° С:
12. Зак 4694
354
МИКРОСХЕМЫ KI 74
при Un “ 6. .23 В, типовое значение.......................................0,05 %
Переходное затухание между смежными входами одного канала при Un “15В,
UBX - 3 В, Rj,« 47 кОм, RH - 4,7 кОм, Т - +25° С, не менее:
при f — 1 кГц..........................................................60 дБ
при f “ 10 кГц..............,,.........................................46 дБ
Переходное затухание между каналами при Un — 15 В, UBX “ 3 В, Rr -= 47 кОм,
R^ " 4,7 кОм, Т - +25° С, не менее:
при f - 1 кГц......................  ..................................70 дБ
при f “ 10 кГц ..................................а.....................66 дБ
Отношение сигнал-шум при Ь’п « 15 В, UBX " I В, Rr - 47 кОм, RH “ 4,7 кОм,
Т"+25°С;
не менее...............................................................90 дБ
типовое значение.......................................................100 дБ
Коэффициент неравномерности амплитудно-частотрой характеристики при Ь'п • 15 В,
Т “ +25° С, не более.......................................................0,2 дБ
Среднее квадратическое значение напряжения шумов на выходе (на выводах 9 и 15)
при Un “ 15 В, f “ 20 Гц...20 кГц, R^ “ 4,7 кОм, Сн - 100 пФ, Т “ +25° С,
не более...................................................................5 мкВ
Управляющее напряжение-
высокого уровня  ...............................................................3,3 B...Un
низкого уровня у.......................................................0...2Д В
Ток через выводы управления при низком уровне управляющего напряжения, Un “15В,
Т “ +25° С, не более.......................................................250 мкА
типовое знвчение.......................................................100 мкА
Ток через выводы управления при высоком уровне управляющего напряжения,
Un “ 15 В, Т “ +25° С, не более............................................1 мкА
Выходное сопротивление при Un • 15 В, Т “ +25° С......................350...450 Ом
Предельные эксплутациоиные данные.
Напряжение питания ........................................................6...23 В
Входное напряжение на выводах 1-8.................................    -0,5	B...+Un
Управляющее напряжение на выводах 11, 12, 13...............................0...23 В
Входной ток через выводы I - 8 ............................................10 мА
Ток управления через выводы 11, 12, 13 ......................................30 мА
Сопротивление нагрузки на выводах 9 и li>, не менее........................4,7 кОм
Емкость Нагрузки на выводах 9 и 15, не более...............................100 пФ
Температура окружающей среды..........................................~25..,+55° С
Переключение входов осуществляется в соответствии с приведенной ниже табли-
цей.
Состояние управляющих входов			Коммутируемые выводы	
Вывод 11	Вывод 12	Вывод 13	Канал А	Канал Б
1	1	1	1 и 15	5 и 9
1	1	0	2 и 15	6 и 9
1	0	X	3 И 15	7 и 9
0	X	X	4 и 15	8 и 9
Примечание. 0 напряжение 0.. 2 В, 1 - напряжение 3,3 B-..+Un, X - напряжение
°-+ЬП
МИКРОСХЕМЫ К174
355
R1-uR8 47 Он
Типовая схема включения микросхемы К174КП1
Принципиальная схема переключателя для семи стереофонических источников сигнала
на двух микросхемах К174КП1
12*
356
МИКРОСХЕМЫ KI74
Схема включения К174КП1 в составе усилительно-коммутационного устройства
К174ПС1, КФ174ПС1
Микросхема представляет собой преобразователь частоты. Выполнена по схеме
двойного балансного смесителя, позволяющего получить выходное напряжение до 300
мВ. Микросхема имеет внутренний стабилизатор напряжения и смешения. Предназна-
чена для работы в радиоприемных устройствах, в том числе в УКВ блоках радиовеща-
тельной аппаратуры. Кроме преобразователя частоты может быть использована в ка-
честве усилителя, модулятора, демодулятора, умножителя частоты, делителя частоты и
ДР.
Отличие К174ПС1 от КФ174ПС1 состоит в конструкции корпуса Корпус
К174ПС1 типа 201.14-1, КФ174ПС1 - типа М04.10-1.
Масса К174ПС1 не более 1,5 г, КФ174ПС1 - не более 0,07 г.
Зарубежный аналог S042.
Назначение выводов
К174ПС1 Корпус 201.14-1	КФ174ПС1 Корпус М04.10-1	Назначение вывода
1, 4, 6, 9, 14	. 8	Общий вывод (~Un> s
2	9	Выход ПЧ
3	10	Выход ПЧ
5	1	Питание (+Un>
7, 8	2, 3	Вход сигнала
10, 12	4, 6	Коррекция
1 1, 13	5, 7	Вход опорного напряжения 1хтеродина
МИКРОСХЕМЫ К174
357
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания...........................................9	В
Ток потребления при Un • 9,9 В, Т “ +55° С, не более.....................3	мА
Коэффициент ослабления опорного напряжения при Un “ 9,9 В, Ц*х “ 25. мВ,
Uon “150 мВ, Т • +25° С, не менее:
при fBX - 2,8 МГц,’ fon - 3 МГц, fn4 - 200 кГц......................30 дБ
при fex - 10 МГц, fon - 12 МГц, fn4 - 2 МГц.........................30 дБ
при fBX - 200 МГц, fon - 210,7 МГц, fnq - 10,7 МГц...................10	дБ
Коэффициент шума при Un — 9,9 В, fBX “ 100 МГц, fQn ~ 110,7 МГц, Uon “ 200 мВ,
f - 10,7 МГц, Т - +25° С, не более.......................................8	ДБ
Крутизна преобразования при ОП " 9,9 В, Ьцх " 25 мВ, UQn “ I 50 мВ, Т “ +25° С, не
менее:
при fBX “ 2,8 МГц, fon " 3 МГц, fn4 - 200 кГц...................5 мА / В
при fBX - 100 МГц, fon - 110,7 МГц, fn4 - 10,7 МГц..............4.5.МА / В
при fBX - 200 МГц, fon - 210,7 МГц, fn4 - 10,7 МГц..............3,5 мА / В
Верхняя граничная частота входного и опорного напряжения, не менее.....200	МГц
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания..................................................  4...	15 В
Максимальный ток потребления...........................................4,5	мА
Максимальное входное напряжение.....................................     1	®
Максимальное опорное напряжение..........................................1	В
Температура окружающей среды  .....................................-10...+550 С

Ct 0,1
н
Я0
Выход ПЧ
3(10) 12(9)
С 4 0,1
М(5),.
U.*
8(3)
К174ПС1
13(7)
Uon
С2 0, f
10(4)
1,4,6,$!
t2(6) CS 0.1
14(8)
Rl А СЗ
200U ,0°
Г/2
¥200
358
МИКРОСХЕМЫ KI 74
б)
Типовые схемы включения микросхем К174ПС1 и КФ174ПС1: а) с внешним гетероди-
ном; б) с внутренним гетеродином.
Номера выводов без скобок приведены для корпуса 201.14-1, в скобках - для кор-
пуса М04.10-1. Значения L и С подбирают в зависимости от выбранной ПЧ. Для уве-
личения крутизны преобразования выводы 10 (4) и 12 (6) могут быть соединены через
резисторы R1 и R2 с общим проводом.
Выход

К17ЦГТС1
JT ?|-------II----В 1,1)11
 09
aoi ик
08 0,0!ик
021,5
 04,
YDI KBIOS
В/ Ю0К
07 0,047мк
К2 ШОК
—CSJ------Лад
Типовая схема преобразователя частоты радиовещательного приемника на микросхеме
К174ПС1
МИКРОСХЕМЫ KI74
359
Схема включения микросхемы К174ПС1 в качестве дифференциального усилителя с
регулируемыми полосой пропускания и коэффициентом усиления. Коэффициент уси-
ления регулируется в диапазоне О...20 дБ подачей управляющего напряжения Ь' р.
Полоса пропускания регулируется резистором R3 в диапазоне 100 Гц ..200 МГц.

CZ Ц01нк
----II--—— 16IM0
СЗ 0.01НК
К17ЬПС1
м о,Шик
« ню
‘упр
AJ Ю0к г
К? Юк
Схема включения микросхемы К174ПС1 в качестве резонансного усилителя радиочас-
тоты с АРУ. Коэффициент усиления 20 дБ.
К174ПС4
Микросхема представляет собой двойной балансный смесителе на основе
транзисторного аналогового перемножителя функций. Предназначена для применения в
радиоприемной аппаратуре до частоты 1000 МГц, в частности в селекторах каналов
дециметрового диапазона телевизионных приемников , Кроме преобразователя частоты,
может быть использована в качестве усилителя, модулятора, демодулятора, умножителя
частоты, делителя частоты и др.
Корпус типа 201 14-1. Масса не более 1,5 г.
Зарубежный аналог отсутствует.
Назначение выводов: 1, 4, 6, 9, 14 - общим	” выход промежуточной час-
тоты; 5 - питание (+Un); 7 - вход 1 принимаемого сигнала; 8 - вход 2 принимаемого
сигнала; 10, 12 - обратная связь; 11 - вход 1 опорной;- сигнала гетеродина, 13 - вход 2
опорного сигнал? гетеродина
360
МИКРОСХЕМЫ К174
Номинальное напряжение питания.......................<..................6 В
Ток потребления при Un “ 6 В, UBX “0,Ти +25° С, не более ............10 мА
Крутизна преобразования при L'n “6 В, fBX =“ 1000 МГц, fon “ 989,3 МГц, 0ОП “ 300 мВ,
Т “ +25° С, не менее..............................................4,5 мА/В
Коэффициент шума при Un “ 6 В, fBX “ 100 МГц, fon “ 110,7 МГц, UQn “= 300 мВ,
Т " +25° С, не более ................................................12 дБ
Коэффициент шума при Un “ 6 В, fBX “ 1000 МГц, fon - 989,3 МГц, Ъ’О|1 “ 300 мВ,
Т — +25° С, типовое’ значение........................................14 дБ
Коэффициент ослабления входного и опорного напряжений при fBX “ 1000 МГн,
fQn =“ 989,3 МГц, UBX — 25 мВ, L'on “= 150 мВ, Un “6 В, Т —+25° С, типовое значе-
ние .................................................................20 дБ
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания...................................................5...9 В
Максимальная частота входного сигнала.............................1000 МГц
Максимальная частота опорного сигнала.............................1000 МГц
Максимальное напряжение сигнала на выводах 7, 8, II, 13 .............500 мВ
Минимальное сопротивление нагрузки...................................10 Ом
Температура окружающей среды .....................................-45...+550 С
Типовая схема включения микросхемы К174ПС4 в качестве преобразователя частоты.
Величины L и С* выбирают в зависимости от выбранного значения ПЧ. Для увеличе-
ния крутизны преобразования выводы 10 и 12 могут быть соединены через резисторы
R1 и R2 с общим проводом
МИКРОСХЕМЫ К174
361
Типовая схема включения микросхемы К174ПС4 в качестве широкополосного усилите-
ля. Усилитель имеет верхнюю граничную частоту 300 МГц и коэффициент усиления
напряжения около 16 дБ
К174УВ5
Микросхема представляет собой широкополосный регулируемый дифференциаль-
ный усилитель широкого применения. Имеет возможность регулировки коэффициента
усиления и формы амплитудно-частотной характеристики. •
Корпус типа 201.14-2, Масса не более 3 г.
Зарубежный аналог: NE592,
Назначение выводов: 1 - вход I; 2, 6, 9, 13 - не подключены; 3, 4, II, 12 -
коррекция; 5 - питание (-Un); 7 - выход 1; 8 - выход 2; 10 - питание (+Un); 14 - вход
2.
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания..........................................^6.3 ®
Ток потребления при Un — +6,3 В, не более:
«Ф - +250 с..............................................................24 мА
Т - +70 ®С и -25° С..................................................28	мА
Модуль разности выходных напряжений в статическом режиме 1 при Un — +6,3 В,
Т — -25.,.+70° С, не более .............................................0,6 В
Коэффициент усиления напряжения 2 при Un — +5,7 В, UBX • 3 мВ, RH - 2 кОм,
fBX - 1 МГц, Т - -25 .+70° С, не менее...................................105
Коэффициент ослабления усиления 2 на частоте 30 МГц при Un — +5,7 В, UBX • 3 мВ,
RH - 2 кОм, fBX - 1 МГц, Т - +250 с.....................................-3 дБ
Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений 1 при Un - +6,3 В,
f • 50 кГц, Т • +25° С, не менее........................................60 дБ
Коэффициент гармоник 1 при Un - +5,7 В, f - 120 кГц, RH - 2 кОм, UBbJX - 0,75 В,
Т • +25° С,не более.......................................................5 %
Входное сопротивление I при L’n * +6,3 В, f • 100 кГц, Т — +25 °C, не менее .......10 кОм
* Режим 1 - выводы 3 и 12 замкнуты.
2 Режим 2 - выводы 4 и 11 замкнуты.
362
МИКРОСХЕМЫ К174
Предельные эксплуатационные данные
Максимальное напряжение питания ....  ................................................. ...........................+6,6 В
Максимальное синфазное входное напряжение _____________________________________'.....................................1,0	В
Минимальное сопротивление нагрузки ..........................................................  ......	................1 кОм
Температура окружающей среды .............................. ............................................. -25..+70° С
Схемы включения
Коэффициент усиления напряжения и соответствующая полоса пропускания уста-
навливаются ступенчато с помощью внешней коммутации выводов'
режим I - выводы 3 и 12 замкнут^,
режим 2 - выводы 4 и 11 замкнуты.
Плавная регулировка коэффициента усиления напряжения может осуществляться
помощью резисторов, включенных между выводами 4 и 11 или 3 и 12. Допускаете я
включение емкости между выводами 4 и 1 I или 3 и 12 для регулировки формы амп ш-
тудно-частотной характеристики.
+ ^п
сг /,о
t3
2
К/
30
К770/В3
К2
Л7
/г
КЪ
!к
КЗ
/л
сз г,о
иыход

3
// ю
Ь 5
s
в
6
7
СЕ 0,Ь у ~[/п
Типовая схема включения микросхемы К174УВ5 х
К174УК1
Микросхема представляет собой регулятор яркости, контрастности, насыщенности
и формирователь зеленого цветоразностного сигнала Формирование зеленого цвето-
разностного сигнала осуществляется суммированием красного й^синего выходных иве
торазностиых сигналов на резне.тивнои матрице и инвертированием результата с по-
мощью инвертирующего усилительного каскада с усилением О дБ Предназначена для
применения в телевизионных приемниках цветного изображения »
Корпус типа 238.16-2 Масса не более 1,5 г
Зарубежный аналог: ТСА660
Функциональный состав' 1 усилитель Y. И - узел фиксации уровня. Ill -усили-
тель G - Y, IV, VII - узлы установки насыщенности; V. VI - узлы установки контраст-
ности.
Назначение выводов I - выход яркостного сигнала, 2 - вход импульса фиксации 3
- вход импульса гашения. 4 - питание 5 - регулировка контрастное! и. 6 регу-
лировка насыщенности, 7 - выход В - Y, 8 вход В Y 9.- вход R -Y, 10 - выход R Y,
I I - вход G - Y, 12 - выход G Y, 13 - питание (+t-ni регулировка яркости; 15 _
блокировка, 16 - вход яркостного сигнала.
МИКРОСХЕМЫ К174
363
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания ... ..................-...................12	В
Ток потребления при Ъ’п “ 13,2 В, U.^ ** 12 В, С “ 5,7 В, в 7 В, “8 В,
1^2 “ »2 В, не более:
при Т “ +250 С и - 10° С ..................................................46 мА
при Т - +650 с ........................................................50 мА
Выходное постоянное напряжение при L'r] “ 12 В, U" 12 В, Е.д “ 5,7 В, Uj "12 В,
L5 “ 7 В, “ 8 В.
на выводах 7 и 10 .......................................................5,4...6,8 В
на выводе I .........................................................3,7...4.7 В
Пределы регулировки уровня черного при L(| “ 12 В, L.g - 12 В, С|д “ 4,5...7,7 В,
7 В, I, = 8 Б, Т ° +25° с .....................................-....2.2...S.2 В
э	о
Изменение уровня черного при Е = 1? В, Ь = 12 В. О|д “ 5,7 В, U-? ° 8 В,
Г ° +25° С, не более.
при изменении контрастности и “ 2. .7 В ...............................40 мВ
при изменении сюжета изображения и “ 7 В ..............................20 мВ
Изменение постоянного выходного напряжения на выводах 7 и 10 при U(1 в 12 В,
IJ.к = 12 В, U. . - 5,7 В, Т “ +25° С, не более:
16’14’
при регулировке контрастности и	“ 2...7 В, “ 8 В ....................500 мВ
при регулировке насыщенности и	в7В, " 3...8 В ......................500 мВ
Полоса пропускания при L‘rj в 12 В, l)j4B 5,7 В, Т “ +25° С. не менее
по яркостному каналу при U8X “ 65 мВ ......................................6 МГц
по цветоразностным каналам при LBX “ 100 мВ..........................2,5 МГц
Коэффициент усиления при CfJ “ 12 В, L, 2 ” 12 В, " 5,7 В. - 7 В, * 8 В.
Lbx = 100 мВ> f “ 100 кГи’ Т “ +25 °С’
по каналам R - Y и В - Y, не менее....................................     2
по каналу G - Y ............................... -.... .................0,9... 1,1
Диапазон регулировки контрастности по каналам R - Y, В - Y, Y при С = 12 В,
LI6 2 “ i2B’ и|4“ 5’7 В’ С5 ” 2"7 В’ L6 ” 8 В’ Lbx “ 100 мВ’ f ° 100 кГц’ Т “ +25° С’
не менее .......................................... .......................12 дБ
Диапазон регулировки насыщенности по каналам R - Y, В - Y. при Un “12 В,
= 12 В, и.л = 5,7 В, L\ “7 В, L’ » 3...8 В, L’ » 100 мВ, fB 100 кГц,
*0,2.	14	Л	О	вх
Г = +25° С, не менее .....................................................12 дБ
364
МИКРОСХЕМЫ К174
Отношение выходного напряжения яркостного канала к входному току при = 12 В,
и16,2" 12 В’ L'14 ” 5’7 В’ lJ5“ 7 В»^6 “ 8 В’ IJbx = 100 мВ’ f “ 100
Т - +25° с..............................................  ~.......1,5...б	В /мА
Коэффициент подавления перекрестных искажений при Un “ 12 В, 2 w 12 В,
Ul4 “ 5,7 В, U5 » 7 В, U6 - 8 В, UBX » 100 мВ. Т - +250 С, не менее.
между яркостным и цветоразностным каналами при f ~ 1 МГц..............40 дБ
между цветоразностными каналами при f “ 10 МГц .......................30 дБ
Примечание. Все динамические параметры сохраняются при проверке на стандартных
телевизионных сигналах размахом от уровня белого до вершины синхроимпульса 1 В.
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания...................„.................................15	в
Входное напряжение на выводах 8, 9, II ........... ...................2,5	В
Импульсное напряжение на выводах 2, 3 ....    ?......................  12	В
Температура окружающей среды...................................-1O...+550	С
К! ч
11Н V
Выход /
Вход инпулхса
фиксации'*’'
Вход ин-
пульса
гашения
RY
1,1 к
RS
15к
10
15
Л2 2,2кЛ
.Насыщен-\ F
„Конгресс
сс ноту—
'ад
Я
В»
0,68
100,0
R15
~“^к
Выход 8-^-*
Вход 8-1—
R3
1,6 к
и
10
а.
0.1
Ct
21Я
RIO 6,8k
\| R7 ю R
Rii
ёнтт
*
RII C5
Юк 10,0
R1Y
1,8к
BxoBY
8171,2k
й „Яркость"
Выход G-Y
Выход R-Y
С7 Вход R-Y
22,0
№
I
2
J
4

Типовая схема включения микросхемы К174УК1.
К174УНЗ
Микросхема представляет собой предварительный усилитель низкой частоты, об-
ладающий малым энергопотреблением, низким уровнем собственных шумов и хорошей
линейностью выходной характеристики. Предназначена для применения в переносной
звуковоспроизводящей аппаратуре.
Корпус ти пг 201.14-1. Масса не более 1,5 г.
Зарубежный аналог: отсутствует.
Назначение выводов: 1, 3, 4, 5, 11 s 12 - не подключены; 2 - выход; 6 - вывод ОС; 7 -
питание (+Un), 8, 13 - коррекция; 9 - напряжение смещения; 10 - вход; 14 - общий,
питание (“U )
МИКРОСХЕМЫ К174
365
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания..........................................6 В
Ток потребления при Un и 6 В, UBx - О, Т в +25° С, не более.............6 мА
Коэффициент усиления по напряжению при Un — 6 В, UBX - 0,1 мВ, f = 1 кГц,
Т - +25° С...............................’..........................600... 1400
Коэффициент гармоник при Un - 6 В, Овк — 0,5 В, f "= 1 кГц, Т — +25° С, не бо-
лее.....................................................................1,2 %
Верхняя граничная частота при UR  6 В, RH = 10 кОм, Т “ +25° С,
не менее...............................................................20	кГц
Нижняя граничная частота при Un “ 6 В, RH = 10 кОм, Т “ +25° С,
не более................................................................20 Гц
Напряжение шумов, приведенное ко входу в полосе частот О...20 кГц, при L’n и 6 В,
RBbJB |з " I кОм, Т = +25° С, не более..................................2	мкВ
Входное сопротивление при Un -= 6 В, f -= 1 кГц, Т — +25° С, не менее..10	кОм
Предельные эксплуатационные данные
Максимальное значение напряжения питания................................7 В
Минимальный коэффициент усиления по напряжению во всем диапазоне рабочих тем-
ператур ...............................................................400
Минимальное сопротивление нагрузки ....................................10	кОм
Температура окружающей среды ..................................  -25...+550	С
Сход
С1 10,0X6,3
СЗ
330
R7 З.Зк
R4
47к

_ I С5 10,0X6,3
- - $R6 820
14 13 12 П 10 9 8
К174УНЗ
I 2 3 4 5 6 .7
MR9 47
R2 68к
R8 Юк
С6 10,0x6,3
-I Ьо
R3 1к
R5 100к
Типовая схема включения микросхемы К174УНЗ
366
МИКРОСХЕМЫ К174
К174УН4А, К174УН4Б
Микросхемы представляют собой усилитель мощности низкой частоты с номиналь-
ной выходной мощностью 1 Вт на нагрузке 4 Ом. Предназначены для применения в Пе-
реносных телевизорах и радиоприемниках.
Корпус типа 201.9-1. Масса не более 1 ,5 г.
Зарубежный аналог: ТААЗОО.
Назначение выводов: 1 - управление стабилизатором тока; 2 - обратная связь, 3 -
теплоотвод; 4 - вход; 5 - фильтр, 6 - вольтодобавка; 7 - питание (+Un);.8 - выход, 9 -
общий, питание (-Un).
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания .........................................     9	В
Ток потребления при Un - 9 В, UBX - О, Т - +25° С, не более.................10	мА
Коэффициент усиления по напряжению при Un '9 В, UBX 100 мВ, f “ 1 кГц.
Т - +25° с......................................................................................¥..4...40
Выходная мощность при Un - 9 В, RH - 4 Ом, Кр^ 2% Т - +25° С, не менее.
К174УН4А.................................................................1	Вт
К174УН4Б...............................................................0,7 Вт
Коэффициент гармоник при ' 9 Б, - 4 Ом, Т “ +25° С, не более:
ПРИ Рвых“ 1 Вт’ Свых " 2 В для К174УН4А..................................2	%
при Рвых - 0,7 Вт, - 1,7 В для К174УН4Б ....................._...........2	%
Полоса пропускания при Un - 9 В, Т - +25° С......................30Гц...20кГц
Входное сопротивление при Un — 9 В, f — 1 кГц, Т « +25° С, не менее.........10	кОм
Коэффициент полезного действия при Un " 9 В, • 4 Ом, Т +25° С, не менеег.
при Рвых " 1 Вт для К174УН4А............................................50	%
при Рвых - 0,7 Вт для К174УН4Б ....................’....................35	%
Предельные эксплуатационные данные
Максимальное напряжение питания..........................................  9.9	В
Максимальное амплитудное значение тока нагрузки ...........................860	мА
Минимальное сопротивление нагрузки ........................................3,2	Ом
Типовая схема включения микросхемы К174УН4. Регулировкой резистора R2 в преде-
лах 240 Ом...2,7 кОм изменяют чувствительность в пределах 50...500 мВ
МИКРОСХЕМЫ К174
367
Максимальная рассеиваемая мощность ..........................    1*	Вт, 2** Вт
Температура окружающей среды....... .......... ................-25.	..+55° с* ***
Температура кристалла, не более ..-...............................   +125°	С
Принципиальная схема экономичного усилителя на микросхеме К174УН4
К174УН5
Микросхема представляет собой усилитель мощности низкой частоты с номиналь-
ной выходной мощностью 2 Вт на нагрузке 4 Ом. Предназначена для применения в
трактах НЧ бытовой радиоаппаратуры.
Корпус типа 238.12-1. Масса не более 2,5 г.
Зарубежный аналог: отсутствует.
Назначение выводов: 1,12- общий <-L'n); 2 - выход, 3, 10 - не подключены; 4 -
питание (+Un); 5 - фильтр; 6 - инвертирующий вход (вывод ОС): 7 - неиивертирую-
щий вход; 8 - вольтодобавка; 9, 1 I - коррекция
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания....................... ...............................12 В
Ток потребления при (Jn “12 В, L'BX “ О, Т « +25° С, не более .......................30 мА
Коэффициент усиления по напряжению при L'n “ 12 В, L’BX “ И) мВ, f - 1 кГц,
Т " +25° С..................................................................     8B...I20
Выходная мощность при Un “ 12 В, RH =* 4 Ом, f e I кГц, 1 %, Т “ +25° С, не ме-
нее ,.................................... . .........................................2 Вт
Полоса воспроизводимых частот при Un Е 12 В, ДКц< ЗдБ, Т ” +25° С .. „,30Ги...20кГи
Коэффициент гармоник при Un “ 12 В, RH “ 4 Ом, Рвых и 2 Вт, f = 1 кГц, нечбо-
- лее ................. .............................................................1 %
Коэффициент полезного действия при Un “ 12 В, Рвых • 2 Вт, f = 1 кГц, Т “ +25° С, не
менее ............................................................... ...............50 %
Входное сопротивление при Un — 12 В, f ” 1 кГц, Т ” +25° С, не менее...............10 кОм
Без внешнего теплоотвода.
С внешним теплоотводом
*** При Т > +25° С рассеиваемая мощность, Вт, рассчитывается по формулам.
Грас " ^525° С - Т) / 135 (без теплоотвода),
Ррас ” (125° С - Т) / 135 + (125° С - Тк> / 60 (с теплоотводом).
368
МИКРОСХЕМЫ кп\
Тепловое сопротивление кристалл-корпус, не более.....................20° С /Вт
Тепловое сопротивление кристалл-среда, не более.....................100° С /Вт
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания, нефболее  ..........................................Л3,2 В
Максимальное амплитудное значение входного напряжения.................„.1,5	В
Входное синфазное напряжение............................................5,5	В
Максимальное амплитудное значение тока в нагрузке .....................1,45	А
Минимальное сопротивление нагрузки .................................    3,2	Ом
Температура кристалла, не более.......................................+125°	С *
Температура окружающей среды...................................  -25,..+55°	С
Типовая схема включения микросхемы К174УН5
К174УН7
Микросхема представляет собой усилитель мощности низкой частоты с номинале
ной выходной мощностью 4,5 Вт на нагрузке 4 Ом. Предназначена для применения в
трактах НЧ бытовой радиоаппаратуры.
Корпус типа 201.12-1 или 238.12-1. Масса нс более 2 и 2,5 г соответственно.
Зарубежный аналог: ТВ AS 10.
Назначение выводов: 1 - питание	2, 3, 11 - не используются; 4 - вольтодо-
бавка; 5 - коррекция; 6 - обратная связь, 7 - фильтр; 8 - вход; 9 - общим (-1^); 10 -
эмиттер выходного каскада; 12 - выход.
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания...........................................15	В
Ток потребления при Un —15В, UBX «0,Т» +25° С......................  5...20	мА
Амплитуда входного напряжения при Un =» 15 В, РВЬ|Х “ 2,5 Вт 2%, Т — +25° С, не
более...............................................................।...70 мВ
Не допускается эксплуатация микросхемы без дополнительного теплоотвода.
МИКРОСХЕМЫ К174
369
Выходная мощность при CR “ 15 В, UH - 4 Ом, f “ 1 кГц, Т “ +25° С, не менее:
К,.< 2 % ..........................................................2,5 Вт
Kj.« 10 % .....................................................,—4,5 Вт
Диапазон рабочих частот при UR “ 15 В, Д Kjj 3 дБ, Т = +25° С .40Гц-.20кГц
Коэффициент гармоник при V “ 15 В, IJR ** *** 4 Ом, f - 1 кГц, Т “ +25° С, не более:
П₽и Рвых - 2'5 Вт.................................................
при ?вых 4,5 Вт...................................................Ю /о
Коэффициент полезного Действия при Un = 15 В, Р№1Х “ 4,5 Вт, f = 1 кГц, Т « +25° С,
не менее.........................................................      50%
Входное сопротивление при Un " 15 В, f = 1 кГц, Т * +25° С, не менее......50 кОм
Тепловое сопротивление кристалл-корпус, не более .......................20°	С /Вт
Тепловое сопротивление переход-среда, не более..................100° С /Вт
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания..................................................... ~18	В
Максимальное амплитудное значение входного напряжения.......................  2	В
Максимальное амплитудное значение тока в нагрузке  .........................1.8 А
Допустимое постоянное напряжение:
на выводе 7, не более...................................................... 15	В
на выводе 8 ....................................................  -0.3...+2	В
Максимальная рассеиваемая мощность.................. ...............   0.5	Вт
Допустимая температура корпуса при температуре окружающей среды TQ ” 60° С,
не более....................................................................
Температура окружающей среды'................................... -10...+600	С
Улучшенная схема включения микросхемы К174УН7 Коэффициент гармоник на час-
тоте 1 кГц составляет 0,1. .0,2 %
* Время действия не более 3 мин
** Без теплоотвода.
*** При Т > +25° С рассеиваемая мощность. Вт, рассчитывается по формулам
Р в (125° С - Т) / 100 (без теплоотвода):
рР^ = (Р25° С - Т) / 100 + (125° С - Тк) / 20 (с теплоотводом)
370
МИКРОСХЕМЫ К174
Cl 100.0*15
Типовая схема включения микросхемы К174УН7
Принципиальная схема мостового УНЧ с выходной мощностью 9 Вт на двух микросхе-
мах К174УН7
К174УН8
Микросхема представляет собой усилитель мощности низкой частоты с номиналь-
ной выходной мощностью 2 Вт при сопротивлении нагрузки 4 Ом Предназначена для
применения в звуковоспроизводящей и радиоприемной аппаратуре.
Корпус типа 201.9-1 Масса не более 1,5 г.
Зарубежный аналог: отсутствует.
Назначение выводов- 1 - установка тока покоя; 2 - обратная связь; 3 - теплоотвод, 4
- вход; 5 - фильтр, 6 - вольтодобавка; 7 - питание (+Un), 8 - выход, 9 - общий, пита-
ние
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания ..........................   _.................12 В
Ток потребления при Une 12 В, UBX~ 0,Т» +25° С, не более.....................15 мА
Коэффициент усиления по напряжению при L’n—12 В, UBX“ 50 мВ, f • 1 кГц,
Т “+25° С ......................................................40
Выходная мощность при Un*12 В, R - 4 Ом, f - I кГц, Т — +25° С, не менее-
Кг.< 2% ......... ..............................................................2 Вт
МИКРОСХЕМЫ KI74
371
Кг« 10% ..........................................................................2,5	Вт
Диапазон рабочих частот при Un”12 В,	дБ, Т - +25° С .............30 ГН...20 кГц
Коэффициент гармоник при Unel2 В, 4 Ом, f - 1 кГц, Т - +25° С, не более.
при Рвых” 2 Вт ...................................................................  2	%
при Рвых" 2,5 Вт ................................................................  10	%
Коэффициент полезного действия при Е'п“12 В, Рвых” 2 Вт, f - ! кГц, Т - +25° С, не
менее ,..............  ......................................."................................................ ....50 %
Входное сопротивление при Ъ’п*12 В, f " 1 кГц, Т - +25° С, не менее ................10 кОм
Тепловое сопротивление кристалл-корпус, не более ..............................60° С /Вт
Тепловое сопротивление кристалл-среда. на более ...............................135° С /Вт
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания, не более .................................................... ...13,2	В
Максимальное амплитудное значение тока в нагрузке .................................  .1,1	А
Минимальное сопротивление нагрузки ...................................................3,2	Ом
Температура кристалла, не более ................................................    +125°	С ,
Температура окружающей среды ................................................  ~25...+55°	С
Типовая схема включения микросхемы К174УН8
Схема включения микросхемы К174УН8 с заземленной нагрузкой
Не допускается эксплуатация микросхемы без дополнительного теплоотвода.
372
МИКРОСХЕМЫ К174
К174УН9А, К174УН9Б
Микросхемы представляют собой усилитель мощности низкой частоты с номи-
нальной выходной мощностью 5 Вт на нагрузке 4 Ом. Предназначены для применения в
трактах низкой частоты бытовой радиоаппаратуры. Микросхемы имеют защиту вы-
ходного каскада от короткого замыкания и перегрузки.
Корпус типа 238.12-1. Масса не более 2,5 г.
Зарубежный аналог: ТСА940'.
Ш9(А, Б)
Функциональный состав: I - предварительный усилитель; II - выходной каскад; 111 -
тепловая защита; IV - защита от коротких замыканий; V - стабилизатор тока.
Назначение выводов: 1 - питание (+ОП); 2, 3 - не подключены; 4 -вольтодобавка; 5
- коррекция; б - обратная связь; 7 - фильтр; 8 - вход; 9 - общий, питание <-Un); 10 -
вход датчика тепловой защиты нижнего плеча выходного каскада; 11 - вход датчика
тепловой защиты верхнего плеча выходного каскада; 12 - выход.
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания ....................................»....18 В
Ток потребления при 0п"18 В, UBX“ 0, Т “ +25° С, не более ..............30 мА
Входное напряжение при Un"*18 В, Рвых“ 5 Вт, RH” 4 Ом, Т •• +25° С.50...120 мВ
Напряжение шумов на выходе при Оп * 18 В, RH •• 4 Ом, Rp « 50 кОм, Т “ +25° С, не
более...................................................................1,5 мВ
Выходная мощность при Un“18 В, RH« 4 Ом, Т “+25° С, не менее:
при Кг-1 % для К174УН9А ............................................5 Вт
при Кр-2% для К174УН9Б .............................................5 Вт
Коэффициент полезного действия при U.,-18 В, Р„,, - 5 Вт, R„- 4 Ом, Т - +25° С, не
II	II
менее ..................................................................50 %
Коэффициент гармоник при Un-18 В, RH«* 4 Ом, Овыхвв 0,45...4,5 В, Р„ых“ 0,05...5 Вт,
f •• I кГц, Т “ +25° С, не более:
К174УН9А ......................................................  1.%
К174УН9Б ...........................................................2 %
Диапазон рабочих частот при Д дБ, Un~18 В, RH“ 4 Ом, Рвых“ 0,05...5 Вт,
Т - +250 С;	У
К174УН9А ........,.............................................40 Гц.,.20 кГц
К174УН9Б ......................................................40 Гц... 16 кГц
Входное сопротивление при 0^18 В, f “ I-кГц, Т * +25° С, не менее:.100	кОм
Тепловое сопротивление переход-среда, не более: ......................100° С /Вт
МИКРОСХЕМЫ KI74
373
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания .................. ...........................................3.4. .19,8 В
Максимально допустимое напряжение питания I ............................ ............... 24	В
Максимальное входное напряжение 2 .....................................................  30	мВ
Минимальное сопротивление нагрузки  ...................................................4 Ом
Максимальная температура кристалла 3, 4 ...............................................150°	С
Температура окружающей среды ..............................................      -10...+350	С
, • ।
К174УШ0А, К174УН10Б
Микросхемы представляют собой электронный двухканальныи раулятор тембра
высших и низших звуковых частот Предназначены для использования в з и уко нос про-
изводящей и приемно-усилительной аппаратуре 1-го и 2-го классов совместно с
К174УН12. В состав К174УН10А, К174УН10Б входят управляемые напряжением уси-
лители и преобразователи напряжения.
Корпус типа 238.16-2. Масса не более 1,5 г.
Зарубежный аналог: ТСА74ОА.
1	Допускается кратковременное повышение напряжения источника питания до 40 В
в течение времени не более 50 мс с периодичностью не менее 0,5 с.
2	Допускается кратковременное повышение входного напряжения до 1,5 В в тече-
ние времени не более 50 мс с периодичностью не менее 0,5 с.
3	Не допускается применение микросхемы без дополнительного теплоотвода
4	При Тк > +55° С максимальная рассеиваемая мощность, Вт, рассчитывается по
формуле:
Ррас" ( 150° С-Тк) / 12
374
МИКРОСХЕМЫ КГ74
ктшЩ'Б)
Функциональный состав: 1, П, IV, V - управляемые напряжением усилители; III, VI
- преобразователи напряжения.
Назначение выводов: Д, 2 - вход управляемого напряжением усилителя I; 3 - выход
управляемого напряжением усилителя I; 4 - управление управляемыми напряжением
усилителями I и П; 5_- выход управляемого напряжением усилителя II; 6, 7 - вход уп-
равляемого напряжением усилителя П; 8 - питание (+0п); 9, 10 - вход управляемого
напряжением усилителя III; 11 - выход управляемого напряжением усилителя HI; 12 -
управление управляемыми напряжением усилителями III и IV; 13 - выход управляе-
мого напряжением усилителя IV; 14, 15 - вход управляемого напряжением усилителя
IV; 16 - общий <-Un).
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания............................................15 В
Ток потребления при Un - 15 В, Т в +25° С, не более...................  40	мА
типовое значение....................................................34	мА
Диапазон рабочих частот по уровню -1 дБ при Un —15 В, UBbIX " I В,
Т - +25° С........................................................20	Ги...20 кГц
Глубина регулировки усиления низших звуковых частот (40 Гц) относительно коэф-
фициента усиления на частоте 1 кГц при изменении напряжения управления от 1 до
10 В, Un - 15 В, UBX - 1 В, Т - +25° С, не менее.........................+15 дБ
типовое значение.....................................................+16 дБ
Глубина регулировки усиления высших звуковых частот (16 кГц) относительно коэф-
фициента усиления на частоте 1 кГц при изменении напряжения управления от 1 до
10 В, Un - 15 В, UBX - 1 В, Т - +25° Q, не менее.........................+15 дБ
типовое значение.....................................................+16 дБ
Изменение коэффициента передачи регулятора на частоте 1 кГц при изменении нап-
ряжения управления на выводах 4 и 12 от 1 до 10 В, Unw15 В, 5 кОм, Т • +25° С,
не более.................................................................+2 дБ
типовое значение...т:................................................+1,5 дБ
Коэффициент гармоник при UBblx “ 1 В, - 15 В, Т - +25° С:
К174УН10А, не более..............................х......................0,2 %
типовое значение ....................................................0,1 %
К174УН10Б, не более..................................................0,5 %
МИКРОСХЕМЫ К174
375
типовое значение................................................      0,3	%
Входное и выходное/напряжения при	0,7%, Un «• 15 В, Т - +25° С:
К174УН10А, не менее.................................................. 1.6	В
типовое значение....................    .	........................... 2 В
К174УН10Б, не менее ................................................  1,2	В
типовое значение. ..  у.......... ................................    1,5	В
Отношение сигнал-шум на выходе прй ^'вых “ 50 мВ, f “ 10 Гц .. 20 кГц, — 15 В,
Т — +25° С, не менее:
К174УН10А.........................................................     66	дБ
К174УН10Б.............-.......,....................................... 60	дБ
Переходное затухание между каналами при L'Bb)X “ 1 В, Ъ’п =• 15 В, Тв +25° С*
при f “ 250 Гц ... 12,5 кГц, не менее .... .	......................... . .56 дБ
типовое значение...................     %	.........................60 дБ
при f - 20 Гц 20 кГц, не менее........... ............... . .. ........46	дБ
типовое значение..............,...................................     50	дБ
Управляющее напряжение на выводах 4 и 12 при изменении коэффициента передачи
на частотах 40 Гц и 16 кГц на + 15 дБ, L'n - 15 В,
Т -+25° С.................................. -..........................1...10	В
Входной ток по выводам управления при Ufi“ 15 В, 8 В, Г 8 В, Т +25° С, не
более .............................   ..................................   25	мкА
Входное сопротивление регулятора между выводами 1 и 2, б и 7, 9 и 10, 14 и 15 на
частоте 1 кГц, 15 В, Т — +25° С, не менее...............................   15	кОм
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания..........................................-......13,5.-16,5	В
Максимальное постоянное управляющее напряжение на выводах 4 и 12...........12	В
Максимальное напряжение сигнала на выводах 1, 2, 6, 7, 9, 10, 14, 15........2	В
Минимальное сопротивление нагрузки.......................................   5	кОм
Температура окружающей среды.....................................  -1O...+550	С
Амплитудно-частотные характеристики при Un “ 15 В, Ъвых |кГц - 1 В и различных
значениях управляющего напряжения на выводах 4 и 12
376
МИКРОСХЕМЫ KI 74
Схемы включения
В типовой схеме включения управляемые напряжением усилители I и IV объеди-
нены в канал А, а II и V - в канал Б. При этом на усилителях I и II выполнены регуля-
торы тембра низших звуковых частот в каналах А и Б соответственно, а на усилителях
IV И V - высших. Но такой вариант использования усилителей не является обязатель-
ным. Возможно объединение в один канал усилителей 1 и V, а в 'Другой -Пи IV.
Однако в любом случае объединения, регуляторы тембра низших звуковых частот
следует выполнять на усилителях I и II, а высших - на IV и V.
ВходЛК
—It
1,045
ВхМПК jp.
1,045
00 2,246 ffjd/ZK
Типовая схема включения микросхемы К174Н10 (А,Б)
К174УН11
Микросхема представляет собой усилитель мощности низкой частоты с номиналь-
ной выходной мощностью 15 Вт на нагрузке 4 Ом, имеет защиту выходного каскада от
короткого замыкания и перегрузок.
Корпус типа 201.14-12. Масса не более 1,5 г.
Зарубежный аналог: TDA2020
Функциональный состав. I - входной каскад; II - усилительный каскад; III - мощ-
ный выходной каскад; IV - тепловая защита; V - защита от короткого ^замыкания.
Назначение выводов' 1 - питание (+Un); 2, 4. 6, 11, 13 - не подключены; 3, 12 - вы-
воды задания режима; 5 - <-Un) при двухполярном источнике питания, общий - при
однополярном; 7 - неинвертирующий вход; 8 - инвертирующий вход (вывод обратной
связи); 9, 10 - коррек^я; 14 - выход.
[ИКРОСХЕМЫ К174
377
КШУНП
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания (двухполярное)..............................+17'В
Ток потребления при L!n" + 17 В, Овх" О, Т " +25° С, не более......... 100	мА
Выходная мощность при Un" +17 В. 4 Ом. Кг“1%, Т - +25° С, не менее.........15 Вт
Коэффициент гармоник при Un“ + 17 В, Rf|- 4 Ом. PBbJX" 0,15 .. 15 Вт, Т - +25° С не
более...................................................................1%
Выходное напряжение пркоя при Ln” + 17 В, ОвХ" 0, Т - +25° С, не более.....100 мВ
Входное напряжение при Un" +17 В, PBbIX“ Ю Вт, Т " +25° С. не более........250 мВ
Напряжение шумов на выходе при L{n« + 17 В. RH- 4 Ом. Т - +25° С. не более.1 мВ
Коэффициент подавления пульсаций частотой 100 Гц. не менее............  45	дБ
Входное сопротивление при L'n"* +17 В, f — 1 кГц. Т - +25° С. не менее.100	кОм
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания............................................    +S...+18	В
Максимальный ток нагрузки при L'n” +17 В. R^ “ 0,1 Ом. Т - +25° С......2,4	А
Максимальное входное напряжение.....................................    10	В
Максимальная температура кристалла....................................150°	С
Температура окружающей среды....................................-1O...+550	С
Типовая схема включения микросхемы К174УН1 1
* Не допускается эксплуатация микросхемы без дополнительного теплоотвода
378
МИКРОСХЕМЫ К ГМ
Принципиальная схема мостового УНЧ с выходной мощностью 30 Вт на двух микро-
схемах К174УН 11
К174УН12
Микросхема представляет собой двухканальный электронный регулятор громкости
и баланса каналов в стереофонической звуковоспроизводящей и радиоприемной
аппаратуре. Имеет возможность подключения и выбора оптимальной тонкоррекции. По
большинству параметров микросхема удовлетворяет требованиям на приемно-
усилительную аппаратуру 1-го и 2-го классов.
тми
МИКРОСХЕМЫ К174
379
Корпус типа 238.16-2. Масса не более 1,5 г.
Зарубежный аналог; ТСА73ОД
Функциональный состав: I - управляемый ^усилитель регулятора баланса канала Д;
II - преобразователь напряжения регулятора баланса; Ш - управляемый усилитель ре-
гулятора баланса канала Б; IV - преобразователь напряжения регулятора громкости; V -
управляемый усилитель регулятора громкости канала Д; VI - управляемый усилитель
регулятора громкости канала Б.
Назначение выводов; 1,2 - входы управляемого усилителя регулятора громкости ка-
нала А; 3 - выход управляемого усилителя регулятора громкости канала А; 4 - вывод
управления тонкоррекцией; 5 - выход управляемого усилителя регулятора громкости
канала Б ; 6, 7 - входы управляемого усилителя регулятора громкости канала Б; 8 - пи-
тание (+UR); 9 - выход управляемого усилителя регулятора баланса канала Б; 10 - вы-
вод стабилизатора напряжения; 11 - вход управляемого усилителя регулятора баланса
канала Б; 12 - вход управления регулятора баланса; 131 - вход управления регулятора
громкости; 14 - вход управляемого усилителя регулятора баланса канала Б; 15 - общий
вывод GL!n); 16 - выход управляемого усилителя регулятора баланса канала Б,
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания..........................................15	В
Ток потребления при Un“15 В, Т “ 4-25° С, не более.....................40 мА
типовое значение....................................................35 мА
Коэффициент усиления входного напряжения управляемых усилителей при Пл“15 В,
^вых ” * В, f “ 1 кГц, Rr“ 22 кОм, 1^ "5,6 кОм, Т - +25°-С, не менее...17 дБ
типовое значение....................................................20 дБ
Коэффициент ослабления входного напряжения управляемых усилителей при Un"15 В,
Ъ'вх - 1 В, f » I кГц, Rr” 22 кОм, RH" 5,6 кОм, Т “ +25° С, не менее....70 дБ
типовое значение....................................................80 дБ
Входное сопротивление управляемых усилителей при Une15 В, f - I кГц, Т “ +25° С,
ие менее..............................................................3 МОм
Входной ток управляемых усилителей через выводы 11 и 14 при Un“15 В, Т - +25° С,
не более................................................................2 мкА
Выходное напряжение управляемых усилителей при U “15 В, Овх“ЮО мВ ... 1 В,
Ьу < 0,2%, f “ 1 кГц, Т “ +25° С, типовое значение............................1 В
Коэффициент гармоник управляемых усилителей при Ь’п“15 В, Овых“1 В,
Ку и - 10 ... 20 дБ, f « 1 кГц, Т - +25° С, не более.......................0,2 %
типовое значение....?...........................................  *.....0,1 %
Ток управления при Un “ 15 В, Т m +25° С:
через вывод 13, U । у- 6,9 В, не более.....................................50 мкА
типовое значение.......................................................15 мкА
.25 мкА
...8 мкА
через вывод 12, U j 5,9 В, не более........................................
типовое значение...........................................................
Электрические параметры в типовой схеме включения
Диапазон регулировки уровня громкости с выключенной тонкоррекцией при Un “15 В,
f - 1 кГц, Rr- 22 кОм, R^“ 5,6 кОм, 0ВХ“100 мВ, ОупрОЗ)" 2 ... 9,5 В, Т - +25° С не
менее.....................................................................  „.77дБ(-60...+17	дБ)
типовое значение..................................................      90	дБ(-70...+20 дБ)
Диапазон регулировки баланса каналов с выключенной тонкоррекцией при Оп“15 В,
f - 1 кГц, Rr“ 22 кОм, RH- 5,6 кОм, U^-100 мВ, Чупр(12)" 2,5	9 В’ Т " +25° С не
менее.....................................................................................+6 дБ
типовое знвчение...................................................................  +10	дБ
Диапазон рабочих частот по уровню -1 дБ с выключенной тонкоррекцией при Unm 15 В,
и“ О, Т ~ +250 с..............................................................................20 ГЦ...20 кГц
380
МИКРОСХЕМЫ К174
Коэффициент гармоник в схеме с выключенной тонкоррекцией при Un— 15 В, f " 1 кГц,
Т - +25° С:
при UBblx/UBX" +20 - +10 дБ, V8fclx-l В, не более...................0,2	%
типовое значение....................    .....х................  я...0,1	%
ПРИ ивых/ивх” +1° ••• 0 дБ’ ивых”1 В- не более.......................°'5 %
типовое значение.. .................    ?.........................  0,3	%
"Ри Ьвых/Ьвх" °	50 дБ’ ивых"* В’ не более.......................°’5	%
типовое значение..............................................      0,3	%
ПРИ ивых/ивх" ~50	-70 дБ’ Ьвых"‘ В’ не более........................1	%
типовое значение...........................  .......................0,5	%
Переходное затухание между каналами при Un “ 15 В, f - 1 кГц, UBfc(X “1 В,Т« +25° С:
при f “ 250 Гц ... 12,5 кГц, не менее....................................................................  56	дБ
типовое значение.......................................................................................    60	дБ
при f “ 20 Гц ... 20 кГц, не менее......................................................  ...........46	дБ
типовое значение,....................................................................................50	дБ
Рассогласование коэффициента передачи между каналами при Un - 15 В, Т • +25° С:
при ^вых^вх* 0 * ”50 дБ’ не б°лее.........................................2	ДБ
типовое значение.....................................................  1	дБ
при ^вых/^вх“ “^0 — “70 дБ, не более...................................4	дБ
типовое значение.............................................        ..2	дБ
Отношение сигнал-шум с выключенной тонкоррекцией при Un “ 15 В, UBX « 100 мВ,
^вых” 50 МБ, Т “ +25° С, не менее..............................    4......52	дБ
типовое значение..................................................... 57	дБ

0,015'
К612к
КВ 500
КО Юк
/?4 ЗЗк
120к
01 0.1
15В
П 3
5
К11 1к
final ПК
Валоне'
Я2
270к
R1S
1.5к
Вход ЛК К1 Д I
г, 270кг1
50.045
02 0,1 |
.058200 j
Выход ЛК
13
к
Выход ПК
К10 33к
01 £200
500,045
K,s
100,0*16
ка Wk
fit ISk
К!3 12к
j^o.ois

Принципиальная схема электронного регулятора громкости и баланса каналов. Типовая
схема включения микросхемы К174УН 12
МИКРОСХЕМЫ KI74
381
Предельные эксплуатационные данные
Максимальное напряжение питания.........................................18 В
Максимальное постоянное напряжение:
на выводах 12 и 13..................................................12 В
на выводе 3..........................................................3 В
Максимальное входное напряжение на выводах 1, 2, 6, 7, 11, 14............1 В
Минимальное сопротивление нагрузки на выводах 3, 5, 9, 16..............5	кОм
Температура окружающей среды..................................... -10	С
При необходимости амплитудно-частотные характеристики тонкорректора регуля-
тора громкости можно оптимизировать в соответствии с акустическими особеностями
помещений и звуковоспроизводящих акустических систем. Значения элементов цепей
тонкоррекции могут быть определены из соотношений:
S СО " R2/R1 ’ S U(A) “ R4 Z R3; f A “ 1 /2 П R4C2’
S c(B) “ R6 7 R3' fB " 1 7 2 n R3C,;
S C(B) “ R6 7 R5; fB“ 1 7 2K R5CI;
Вариант цепей тонкоррекции регулятора громкости на микросхеме К174УН12
Амплитудно-частотные характеристики тонком пеней рованного регулятора громкости,
построенного по предыдущей схеме
382
МИКРОСХЕМЫ К174
К174УН13
Микросхема представляет собой универсальный усилитель для аппаратуры маг-
нитной записи и воспроизведения звука. В ее состав входит усилитель записи с уст-
ройством автоматической регулировки уровня записи и усилитель, который может
быть использован в качестве предварительного усилителя воспроизведения или мик-
рофонного усилителя в канале записи.
Корпус типа 238.16-1. Масса не более 1,5 г.
Зарубежный аналог: TDA1002
Функциональный состав: I - универсальный предварительный усилитель; II - схема
автоматической регулировки уровня записи; 111 - усилитель записи.
Назначение выводов’ 1 - вход универсального предварительного усилителя; 2 - вход
обратной связи универсального предварительного усилителя; 3 - конденсатор фильтра;
4 - выход универсального предварительного усилителя; 5 - общий вывод универсаль-
ного предварительного усилителя; 6 - выход устройства АРУЗ; 7 - инвертирующий
вход усилителя записи; 8 - неинвертирующий вход усилителя записи; 9 - выход уси-
лителя записи, 10 - общий вывод усилителя записи и схемы АРУЗ; 11 - конденсатор
фильтра; 12 - вывод для подключения навесных элементов; 13, 14 - входы схемы АРУЗ,
15 - питание усилителя записи и схемы \РУЗ; 16 - питание универсального предва-
рительного усилителя.
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания.............................................9 В
Ток потребления предварительного усилителя через вывод 16 при “9 В, не более
при Т - +25® С.....................................................„.8 мА
при Т = -25 и +55° С............................................ 9 мА
Ток потребления усилителя записи с устройством АРУЗ через вывод 15 при U и 9 В,
не более:
при Т = +25° С ...................................................  16	мА
при Т « -25 и +550 с...............................................18 мА
Коэффициент усиления напряжения усилителя записи с устройством АРУЗ при
U "9 В. f = 1 кГц, не менее:
при Т - +250 С, и » 0,22 мВ.......................................  50	дБ
при Т = -25 и +55° С, U - 1 мВ.....................................50	дБ
Коэффициент усиления предварительного усилителя при L’n ° 9 В, f ° 1 кГц,
Т “ +25° С, не менее.. ................................................ 28	дБ
Коэффициент гармоник предварительного усилителя при 1П ° 9 В, Ку « 28 дБ,
I вх“ 20 мВ. f “ 1 кГц. Т и +25° С, не более. .......................  0,2	%
Коэффициент гармоник усилителя записи без устройства АРУЗ при Un — 9 В,
МИКРОСХЕМЫ К174
383
Ку и “ 54 дБ. UBX“1 мВ, f - 1 кГц, Т - +25® С, не более....................0,4 %
Изменение напряжения на выходе усилителя записи с включенной системой АРУЗ при
изменении входного напряжения от ЮО до 1000 мВ (20 дБ), Un	I кГц,
Т “ +25° С, не более ...................................................... 6	дБ
Эквивалентное напряжение шума, приведенное ко входу предварительного усилителя
при Rr “ 500 Ом, Un » 9 В, Т “ +25° С, не более*
в диапазоне частот 0,3... 15 кГц._.............  ...................0,8	мкВ
в диапазоне частот 15...22,5 кГц....................................1,2	мкВ
Входное сопротивление усилителя записи в типовой схеме включения при Un — 9 В,
f ° I кГц, Т “ +25° С, не менее ..................................     .40	кОм
Входное сопротивление предварительного усилителя при “9 В, f = I кГц,
Т - +25° С, не менее................................................,....40	кОм
Входное сопротивление усилителя записи в типовой схеме включения при UR “ 9 В,
f = 1 кГц, Т “ +25° С, не менее .........................................40	кОм
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания ...........................................................    4...12	В
Максимальное входное напряжение....................................................100 мВ
Максимальное напряжение на выводах 15 и 16......................................................12 В
Минимальное сопротивление нагрузки ................................................10 кОм
Температура окружающей среды .......................................   v......-25...+550 С
Типовая схема включения микросхемы К174УН13 в качестве предварительного усилю
'теля воспроизведения
384
МИКРОСХЕМЫ К174
Л ft
С5 ^0,1
16 15	/4	13	12	11 10	9
киши
12	3	9	5	6 7	5
Типовая схема включения микросхемы К174УН13 в качестве микрофонного усилителя
От ГСП
Принципиальная схема универсального усилителя кассетного магнитофона на микро-
схеме К174УН13
МИКРОСХЕМЫ К174
385
Типовая схема включения микросхемы К174УН13 в качестве усилителя записи с АРУЗ
К174УН14
Микросхема представляет собой усилитель мощности низкой частоты с номиналь-
ной выходной мощностью 4,5 Вт на нагрузке 4 Ом. Усилитель имеет встроенную теп-
ловую-защиту ц защиту от коротких замыканий на выходе. Предназначена для исполь-
зования в автомобильной и стационарной бытовой звуковоспроизводящей радиоаппа-
ратуре.
Корпус типа 1501Ю.5-1 Масса не более 2,5 г.
Зарубежный аналог TDA2003,
КГ7Ш1Ь
Функциональный состав: I - устройство защиты от перегрузок; П - предваритель-
ный усилитель; III - управляющий каскад, IV - мощный выходной каскад; V - тепловая
защита
13. Зак 4694
386
МИКРОСХЕМЫ К174
Назначение выводов: 1 - не инвертирующий вход; 2 - инвертирующий вход; 3 -об-
щий (~НП); 4 - выход; 5 - питание (+Un).
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания.....................................  13,5	В
Ток потребления при Un “ 16,5 В, Ugx “О, Тп +25° С..................10...80 мА
Номинальная выходная мощность при Un “ 13,5 В, f e 1 кГц, К^, *" 10%, RH — 4 Ом,
Т и +25° С, не менее . .............................................. 4,5	Вт
Коэффициент усиления напряжения при Un“ 15 В, U'BX - 10 мВ, f - 1 кГц, RH - 4 Ом,
Т — +25° С, не менее............................................................40	дБ
Выходное напряжение при f — 1 кГц, RH * 4 Ом, Т и +25° С:
при Un “ 15 В, Upx и 47 мВ...........................................3,6...4,6	В
при Ь'п “ 13,5 В, UBX и 10 мВ, не менее...................................   1	В
Коэффициент гармоник при f - 1 кГц, RJJ и 4 Ом.
при РВЬ1Х - 0,05 Вт. Un - 13,5 В, ивых - 0,45 В, Т и +25° С, нс более: ..0,5%
типовое значение ...... ...................................‘..............0,15	%
при pm,v и 2’5 Вт, ип - 13.5 В, U - 3,16 В. Т “ +25° С, нс более:..........0.5	%
о|НЛ	11	НМЛ
типовое значение ....................................................     0,15	%
при РВЬ(Х - 5.5 Вт, Ьп ~ 15 В, ивых - 4,7 В, Т -.+25° С, не более- .......10%
Т ° +60° С. не более....,................................................   12	%
Входное напряжение при L’n и 13,5 В, f “ I кГц, UBbJX “3,16 В, RH - 4 Ом,
Т “ +250 С.............................................................    20...50	мВ
Входное сопротивление при Un и 15 В, f — I кГц. Т и +25° С, не менее.....70	кОм
Тепловое сопротивление кристалл-корпус...................................3°	С/Вт
Типовая схема включения микросхемы К174УН14. Допускается изменять сопротивле-
ние резисторов RI и R2 (R2 “ 22 Ом) с целью изменения коэффициента усиления схе-
мы. Цепь R4C7 подключается в случае самовозбуждения усилителя
МИКРОСХЕМЫ KI74
387
Предельные эксплуатационные данные
’‘'Напряжение питания М .................................        13,5.„16,5	В
Максимальное входное напряжение 3,4................................  ,...42	мВ
Минимальное сопротивление нагрузки .................................    3.2	Ом
Максимальная температура корпуса.................................    .+100°	С
Температура окружающей среды....................................  -Ю...+600	С
К174УН15
Микросхема представляет собой сдвоенный усилитель мощности низкой частоты с
номинальной выходной мощностью 2x6 “Вт на нагрузке 2 Ом. Каждый усилитель имеет
встроенную тепловую защиту и защиту от коротких замыканий на выходе. Предназна-
чена для использования в автомобильной и стационарной стереофонической бытовой
звуковоспроизводящей радиоаппаратуре. Наличие двух усилителей в едином корпусе
позволяет повысить выходную мощность для монофонического сигнала в 2 раза без из-
менения питающего напряжения за счет включения усилителей по мостовой схеме.
Корпус типа 15033Ю. 11-1. Масса не более 5 г.
Зарубежный аналог: TDA2004.
Функциональный состав: 1 - предварительный усилитель канала А; 11 - предвари-
тельный усилитель канала Б; III - предвыходной каскад канала А; IV - предвыходной
каскад канала Б; V - тепловая защита-канала А; VI - защита от перегрузок канала А; VII
- защита от перегрузок канала Б; VIII - тепловая защита канала Б; IX - мощный вы-
ходной каскад канала А; X - мощный выходной каскад канала Б.
I Допускается кратковременное повышение напряжения щеточника питания до 40 В
в течение времени не более 50 мс с периодичностью не менее 0,5 с.
2	Разрешается эксплуатация микросхемы при напряжении питания менее 8 В; при
этом значения основных электрических параметров не будут соответствовать установ-
ленным выше.
3	Допускается кратковременное повышение входного напряжения до 1,5 В в течение
Времени не более 50 мс с периодичностью не менее 0,5 с.
4	Допускается повышение входного напряжения при условии, что сопротивление
нагрузки более 3,2 Ом, а рассеиваемая мощность не более 5,5 Вт.
13*
I
Мостовая схема УПЧ с выходной мощностью 12 Вт на микросхеме К174УН15
К174УН15
о
Назначение выводов ! - сигнальным общим вывод канала \ 2 - немннертируюн’ии
вход каналл X. 3 - инвертирующим вход канала А, 4 - мощный общим вывод канала А, 5
- выход канала Л. 6 питание (+L>_) 7 выход каната Б, 8 мощный общий вывод кт-
I
МИКРОСХЕМЫ К174
389
Разбаланс выходных напряжений в каналах при ЦуЧЛ B,f° 1 кГц, R и 2 Ом,
РВых= 6 Т “ +25° С, не более ______________......._._ ______ i......... .	. . 2 дБ
Тепловое сопротивление^среда-кбрпус ..................      Л........	2° С/ Вт
Тепловое сопротивление кристалл-корпус .................. ......	.. 2° С / Вт
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания .........  __..........	.............. ,	..10,5. .16,5 В
Максимальное напряжение питания ... ................ .	. ............... . 28 В
Максимальное входное напряжение ........................................  500	мВ
Максимальная выходная мощность ................................... ..........9-Вт
Минимальное сопротивление нагрузки .... ....... ......................  ..1,6	Ом
Температура окружающей среды .......... .	, ...................     -25.	,+55° С
Вход лк
с/_
10пк*16В
*ипнт
\9700нк* =*= сз
?/09 2200ПК*
1i +i\*16 В
0,1МН
шЛомЯК i2°
п*16В„ W32,2
* у г-еэ-
7	43
______
5 C8Jj,G35hk
|К5;
Сб'О.ОЗЗмн 1
«а
t
R1\
«82,2
С9"
2500Н&
. *16 В 4R9 2? П
CQ
±011 «Р
2200МК*
*16 В '
Вход	1
Типовая схема включения микросхемы К174УН15
КФ174УН17
Микросхема представляет собой "двухканальныи усилитель низкой частоты с выхо-
дом рассчитанным на подключение головных стереофонических телефонов. Предназ-
390
МИКРОСХЕМЫ К174
начена для применения в малогабаритной переносной звуковоспроизводящей радиоап-
паратуре.	\
Корпус типа Ф08.16-1. Масса не более I г.
Зарубежный аналог: TDA.7688.
Назначение выводов. 1 - плюсовой вывод питания усилителя мощности канала 2; 2,
10, 15 - не подключены; 3 - волътодобавка канала 2; 4 - неинвертирующий вход канала
2; 5 - плюсовой вывод питания предварительных усилителей обоих каналов, 6 - неин-
вертирующий вход канала I; 7 - вольтодобавка канала 1; 8 - плюсовой вывод питания
усилителя мощности канала I; 9 - выход канала 1:11- общий вывод канала 1; 12 - ин-
вертирующий вход канала I; 13 - инвертирующий вход канала 2; 14 - общий вывод ка-
нала 2; 16 - выход канала 2.
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания .............................................ЗВ
Ток потребления при L'n“ 3. 6.6 В, VBX“ 0. f“ I кГц, R|(" 40 Ом, Т и +25° С, не бо-
лее ........................................«..............................5	мА
Выходное напряжение при Ufle 6.6 В. Ъвх“ 150 мВ. f e I кГц. RHe 40 Ом.
Т и +25° С .........................................................  1,3...	1,7 В
Напряжение шумов в полосе частот 20 Гц 20 кГц при Ьпи 6.6 В. С'вхи 0. RH«= 40 Ом,
Т и +25° С. не более . . ............................................   0.06	мВ
Коэффициент уси ления напряжения при L’ns 3.0 В. f и 1 кГц. Ь’вхи 60 мВ, RH“ 40 Ом.
Т ° +25° С, не менее ..................................................   20	дБ
Коэффициент гармоник при L’n= 3 В. рвых“Ю мВт, f = 1 кГц, Т = +25° С. не бо-
лее ................................................................       1	%
Рассогласование каналов по коэффициенту усиления напряжения рри U = 3 В,
f " 1 кГц, Т = +25° С, RH= 40 Ом. не более’
при РВЬ1Х“5 мРт ...................................................... 1	дБ
при рВЬ1Х" 0,625 мВт . .......................  .......................2	дБ
Верхняя граничная частота при Ь’п= 3 В. RH= 40 Ом. Т = +25° С. не менее ..20	кГц
Нижняя граничная частота при Ъ'п= 3 В. Rjf= 40 Ом. Т = +25° С, не более ..20	Гц
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания ............... ............. .... ............. 1.6...6.6 В
Максимальное входное напряжение ....................................  150	мВ
Минимальное сопротивление нагрузки .................................   30	О.м
Температура окружающей среды ........................ ...........-25...+55° С
МИКРОСХЕМЫ К174
391
Вход V/
канала 2 п_т
С1 +" А
Ь,7мк*ЗВ И
R3 Т
5/*1.
Вход И
канала 1 ц_т
Г1
4,7/W« АЧ'И
*3 В 51 кА-
FU
51к
R2
51к
~ПА1	100н^ С12 100l1^
09 Т+И 1
0,68 НК BF1.1Q
6-
В	Т +
07 Ч,7нк*ЗВ
С8 67мк»
/г и
я__ й+Г
9 . т
RiOR^K
-L- 013
100нк*6,ЗВ
+T7v?	0,68 мк _BF12t_
100 мн х 6,3 В Т
220 мн»6,3 В
С9
220 мк х
хб.5 В
0,1 мк
Типовая схема включения микросхемы КФ174УН17
В случае применения микросхемы при напряжении питания менее 2,1 В о типовой
схеме включения рекомендуется использовать подбор внешних делителей Rl, R2, R5,
R6 (ориентировочное значение делителем Rl, R2 « 43 кОм; R5, R6 ” 62 кОм)?
Принципиальная схема монофонического мостового УНЧ на микросхеме КФ174УН17
392
МИКРОСХЕМЫ К174
К174УН18
Микросхема представляет собой двухканаЯьный усилитель мощности низкой
частоты с номинальной выходной мощностью 2x1 Вт на нагрузке 4 Ом Каждый
усилитель имеет встроенную тепловую защиту и защиту от перегрузок на выходе
Предназначена для применения в звуковоспроизводящей и радиоприемной аппаратуре
Корпус типа 1505Ю.17. Масса не более 7,5 г.
Зарубежный аналог: AN7145.	4
К17ЧУН18
1 I 3 4 5 6 7 В 9 W It 11 13 Ц 15 16 П
Функциональный состав: I, П - предварительные усилители; III, IV - промежуточ-
ные усилители; V, VI - выходные каскады; VIJ, VIII - делители напряжения ООС; IX, X
- устройства защиты от перегрузок; XI - управляющий каскад; XII - устройство тепло-
вой защиты.
Назначение выводов: 1 - общин вывод канала 2 (сильноточный); 2 - общий вывод
канала 2 (слаботочный), 3 - выход канала 2; 4 - питание выходного каскада канала 2; 5 -
вольтодобавка канала 2; 6 - коррекция канала 2; 7 - делитель ООС канала 2; 8 - вход ка-
нала 2; 9 - питание предварительных каскадов; 10 - вход канала 1; И - делитель ООС
канала 1; 12 - коррекция канала 1; 13 - вольтодобавка канала I; 14 - питание выходного
каскада канала 1; 15 - выход канала 1; 16 - общий вывод канала 1 (слаботочный); 17 -
общий вывод канала 1 (сильноточный).
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания..............................................9	В
Ток потребления при RH • 4 Ом, UBX «0, Т • -25..,+55° С, не более:
г при Ъ’п  12 В.....?.................................................35 мА
при Ъ'п • 9 В ......................................................25 мА
Выходное напряжение при V — 12 В, IC • 4 Ом, U • 20 мВ, f — 1000 Гц,
Т--25...+55°С ..........."..........  :.....“...........................2.5-4	В
Напряжение шумов на выходах при Ъ'п • 12 В, RH - 4 Ом, С'вх - 0, Т • +25° С, не бо-
лее ....................................................................2 мВ
Коэффициент усиления по напряжению при L'n в9 В, RH“ 4 Ом, f*« 1000 Гц,
Ъ'вх - 10 мВ, Т - +25° С..............................................42...46 дБ
Коэффициент гармоник, не более:
при Un - 9 В,	0вых - 2 В, RH - 4 Ом, f - 1000 Гц, Т - +25<> С..........1	%
при Un “ 9 В,	Ъ’вых - 2,83 В, RH - 4 Ом, f - 1000 Гц, Т * +25° С....10	%
при U - 5 В,	U v - 1,2 В, R - 4,8 Ом, f - 1000 Гц, Т - +25<> С.<.....10	%
II	вых	н
МИКРОСХЕМЫ К174
393
Рассогласование каналов по усилению при L'n “9 В, 1^-4 Ом, f “ 1000 Гц,
С'вх " Ю мВ, Т "+25° С, не более..........................................1	дБ
Верхняя граничная частота (типовое значение) ..._......................  20	кГц
Нижняя граничная частота (типовое значение) .......................      20	Гц
Тепловое сопротивление переход - корпус, не более....................... 4°	С/ Вт
Тепловое сопротивление переход - среда без внешнего теплоотвода, не более„35° С/ Вт
Предел ьн ые^эксплуата ционные да иные
Напряжение питания.....................................................5...	12 В
Максимальное входное напряжение........................................  20	мВ
Максимальная выходная мощность..........................................  2	Вт
Минимальное сопротивление нагрузки .....................................3,2	Ом
Тепловое сопротивление внешнего теплоотвода корпус - среда, не более..2° С/ Вт
Температура окружающей среды.....................................-25...+550	С
С13 2200,0
Типовая схема включения микросхемы К174УН18
К174УН19
Микросхема представляет собой усилитель мощности низкой частоты с номиналь-
ной выходной мощностью 15 Вт на нагрузке сопротивлением 4 Ом. Предназначена для
применения в высококачественной звуковоспроизводящей и телевизионной аппаратуре.
Устойчива при тепловых перегрузках и коротких замыканиях в нагрузке.
Корпус типа 1501.5-1. Масса не более 2 г.
394
МИКРОСХЕМЫ К174
Зарубежный аналог: TDA2030.
Функциональный состав: I - источник тока; II - входной дифференциальный уси-
литель; 111 - фазоинверсный каскад; IV - устройство тепловой защиты; V т каскад фор-
мирования тока покоя; VI - устройство защиты от короткого замыкания; VII - двухтак-
тный выходной каскад.
Назначение выводов: 1 - не инвертирующий вход; 2 - инвертирующий вход; 3 -
(-Un) - при двухполярном источнике питания, общий - при однополярном; 4 - выход;
5 - напряжение пйтания (+Ъ'П).
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания-
двухполярное ..............................................................     +15	В
однополярное ............................................................. ,30 В
Ток потребления при О'вых “0, RH“4 Ом, не более
ип "±16-5 в. Ч -+25° С........................................................	.. 56 мА
Un —+15 В, Т - -10 и +70° С................................................  65	мА
Un - +12 В, Т - +700 С.....................................................  60	мА
Выходная мощность при Un - +15 В (или Ъ'п - 30 В), RH « 4 Ом, К “30 дБ,
f - 1 кГц, Кг - 10%, Т - +250 с, не менее...............................-....... 15	Вт
типовое значение.............................   ..........................   18	Вт
Выходное напряжение при Rr - 4 Ом, f - 1 кГц:
Un -+16,5 В, UBX “ 235 мВ,Т -+25° С............. ...........................7...7,9	В
ип " ±12 В’ Ь'вх " 175 мВ’ Т " "10 и +70° С.........*’..................   5.^6	В
Выходное напряжение покоя при UBX — О, RH “ 4 Ом, Т — +25° С:
L’n “+15 В.................................................................... .+20	мВ
Ъ'п -+16,5 В..............................................................  +30	мВ
Приведенное ко входу напряжение шумов при RH “ 4 Ом, Т “ +25б С, не более?
Un -+15 В......................................................................  10	мкВ
Un -+16В................        ..........................................   12	мкВ
Коэффициент усиления напряжения при Un -+15 В, О'вх - 208 мВ, f - 1 кГц,
RH “ 4 Ом, Т “ +25° С, типовое значение.................................  „.30...3J	дБ
Коэффициент ослабления:
на нижней граничной частоте при Un - +15 В, L'gx в 208 мВ, f - 0,01 кГц,
RH - 4 Ом, Т - +25° С, не более...................................................3	дБ
на верхней граничной частоте при Ъ'п - +15 В, О'вх - 208 мВ, f - 30 кГц, R^ - 4 Ом,
Т — +25° С, не более........................................................................... .3 дБ
МИКРОСХЕМЫ К174
395
...20 кОм
.150 кОм
.4-145° С
Коэффициент гармоник на частоте 1 кГц при Rh “ 4 Ом, Т • 4-25° С, нс более:
Ь'п - ±*5 В. - 0,632 В, Рвых - 0,1 Вт................................0.5	%
Ь'вых " 6’93 В- Рвых-12Вт.........................................°-5	%
Ч,ых-7-74 В- Рвых - 15 Вт...........................................Ю%
U - +13,5 В, U - 6,32 В, Рвых - 10 Вт..............................10	%
Коэффициент подавления пульсаций источника питания при Un - +15 В, К^ у * 30 дБ,
f  100 Гц, RH * 4 Ом, не менее...................................    40	дБ
Входное сопротивление микросхемы, типовое значение:
U„-±>SB
при L'n - 30 В (однополярное)................................
Температура кристалла при срабатывании устройства тепловой защиты
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания:
двухполярное......*............................................  +6...+18	Б
однополярное....................................................12...36	В
Максимальное входное напряжение...................................+(Un-l,5)	В
Максимальный выходной ток...............................................3,5 А
Минимальное сопротивление нагрузки..................................3,2 Ом
Максимальная мощность, рассеиваемая микросхемой При температуре корпуса
Тк< +50° С.............................................................20	Вт
Максимальная температура кристалла..................................+150°	С
Тепловое сопротивление кристалл-корпус..............................3° С /Вт
Пг
Ct
1,0*t6 В
СЗ
!О00* 25 В
Ci
0,1
22 к
82
680 И
С2 +ф
22,0* 16В
2
ктшп9
i____
'ВЗ С7
4 !	82
Bi 22 к Z к
VBf
НД208
R5
Юн
4=4^Z VD2 4= С8
С5 +С6 КД 208
"1000* 25В
0,22
Типовая схема включения микросхемы К174УН19 с двухполярным источником пита-
ния. Элементы R3, С7 устанавливаются при появлении самовозбуждения, VD1, VD2 -
при работе на индуктивную нагрузку (L £1 мГн)
Примечания: 1. Типовое значение тока потребления при RH - 4 Ом, ?вых " 12 Вт,
L'n " +15 В составляет 800 мА, при RH • 8 Ом, Рвых “ 9 Вт, L'n — +15 В - 550 мА.
396
МИКРОСХЕМЫ KI 74
2. Конструкция микросхемы обеспечивает защиту от короткого замыкания в на-
грузке в течение не более 10 с
Типовая схема включения микросхемы К174УН19 с однополярным источником пита
иия Элементы R6, С6 устанавливаются при появлении самовозбуждения, VD1, VD2
при работе на индуктивную нагрузку (L £ 1 мГн)
К174УП1	/
Микросхема представляет собой узел обработки яркостного сигнала Выполняет
следующие функции усиление яркостного сигнала регулировку яркости без изменения
контрастности регулировку контрастности без изменения яркости, фиксацию уровня
черного при изменении тока лучей кинескопа Предназначена для применения в теле
визионных приемниках черно-бечого и цветного изображения
КШУП1
Корпус типа 23& 16 2. Масса не более 1 5
Зарубежный аналог ТВЛ970
МИКРОСХЕМЫ К174
397
Функциональный состав. I - усилитель, II - регулятор яркости; Ш ~ устройство
фиксации уровня черного, IV - ограничитель тока лучей.
Назначение выводов 1 - выход видеосигнала, 2 - питание (+Ь’П), 2 - вход, видео-
сигнала; 4 - коллектор вспомогательного транзистора, 5 - база вспомогательного тран
зистора; 6 - Эмиттер вспомогательного транзистора;1 7 - управление регулировкой конт-
растности, 8 - вход ограничителя, 9 - опорное напряжение ограничителя, 10 - вход про-
дифференцированного напряжения строчной развертки, 11 - вход импульса обратного
хода строчной развертки; 12 - управление регулировкой яркости; 13,14 - блокировка,
15 - вход компаратора, 16 - питание (~U )
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания...........................................12 В
Ток потребления при Ъ’п * 12 В, Т • +25° С...........	................16...34 мА
Усиление яркостного сигнала при Ъ’п “12В, LTBX " 400 мВ, Т “ +25° С .. ,2...2,8 раза
Диапазон регулировки усиления яркостного сигнала (регулировки контрастности) при
Un * 12 В, UBX " 400 мВ, Т • +25° С, не менее.............................4 раз
Изменение уровня черного при регулировке контрастности и изменении сюжета
изображения при Ъ’п * 12 В, Т “ +25° С, не более ........ ...............20 мВ
Нелинейность амплитудной характеристики при Un "12 В, LTBX • -400. +400 мВ,
Т “ +25° С, не более.... .	........................... .................,40 мВ
Диапазон регулировки уровня черного при Ъ'п • 12 В, Т +25° С, не менее . 1,2—3,7 В
Нелинейность регулировки контрастности при L'n - 12 В, Ти +25° С, не
более ..............,.......?.......... ........... .....................13 %
Полоса пропускания, не менее
по уровню - ЗдБ .	.	.... .	..	....	.............. ... ... 6 МГц
по уровню - бдБ...	. -	... ................9 МГц
Входное сопротивление при U * 12 В, Т“ +25° С, не менее................ 8	кОм
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания .	.	................ ... .. ... 11,4.15 В
Полный входной видеосигнал на выводе. 3 не более.....................   1,2	В
Входное напряжение на выводах 8, 9 .............. ................ .	,1,6...2,4 В
Амплитуда строчного импульса на выводе 11, не более	.... ------ ...	6 В
Напряжение на выводе 7......... . , ... ......... .... ..............1,6.-4,2 В
Напряжение на выводе 12 ..................... ................. ........ -1—5,5 В
Сопротивление резистора между выводами 1 и 16, не менее.............. 200 Ом
Мощность рассеяния, не более . .................................... ... 650 мВт
Температура окружающей среды ..	..................... -10...+600 С
Схема включения
На вход микросхемы (вывод 3) подается видеосигнал через режекторный фильтр,
ослабляющий цветовые поднесущие Сигнал поступает на регулируемый усилитель 1 с
максимальным коэффициентом усиления, равным 4 Усилитель имеет раздельные ре-
гулировки переменной составляющей (контрастность), управляемой напряжением на
выводе 7, и постоянной составляющей (яркость), управляемой напряжением на выводе
12 При регулировке контрастности постоянная составляющая (уровень черного) ije из-
меняется. При регулировке яркости размах выходного сигнала остается постоянным
Фиксация постоянного уровня осуществляется с помощью строб-импульса, формируе-
мого из полного н продифференцированного импульса обратного хода строчной раз-
вертки, подаваемого на выводы 10 и 1 1 соответственно.
Микросхема имеет узел ограничения тока лучей, представляющий собой компара-
тор, один вход которого (вывод 8) управляется напряжением с делителя, включенного в
цепь катодов кинескопа, а на другой (вывод .9) подается опорное напряжение от ис-
398
МИКРОСХЕМЫ К174
точника питания. При срабатывании компаратора автоматически снижается напряже-
ние на выводе 7, что приводит к уменьшению тока лучей.
В схеме имеется дополнительный транзистор, используемый обычно в цепи ком-
мутации входного режекторного фильтра (выводы 4,5,6).
ыг «в/
.Кия/шсяиот"
W А.
Bxel Т
(z)W
»--------------------п
Типовая схема включения микросхемы К174УП1 *
'	К174УР1
Микросхема представляет собой узел обработки ЧМ-сигнала. Она состоит из уси-
лителя-ограничителя, частотного демодулятора и предварительного усилителя звуковой
частоты, а также имеет регулировку выходного напряжения звуковой частоты, управ-
ляемую внешним постоянным напряжением. Предназначена для применения в телеви-
зионных приемниках.
Корпус типа 238.14-1. Масса не более 1,5 г.
Зарубежный аналог: TBA120S.
K17W1
МИКРОСХЕМЫ К174
399
Функциональный состав: I - усилитель-ограничитель; II - демодулятор; III - пре-
варительный усилитель низкой частоты.
Назначение выводов: 1,3,12 - питание (-Un\ 2 - 2-й вход усилителя-ограничите-
ля; 4 - не подключен; 5 - управление коэффициентом передачи; 6 - выход усилителя-
ограничителя; 7, 9 - к опорному контуру; 8 - выход звуковой частоты ; 10 - выход уси-
лит^ тя-ограничителя; 1 1 - питание (+Un); 13 - блокировка; 14 -1-й вход усилителя-ог-
раничителя.
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания.....................................-....12 В
Ток потребления при LJn — 12В, Ъ'вх «О, Т- +25° С, не более.............22 мА
Коэффициент передачи при Ь'п " 12 В, f “ 6,5 МГц, fm — 1 кГц, Af“ +50 кГц,
Коэффициент подавления амплитудной модуляции при Ъ'п -12В, Ъ'вх “ 1 мВ,
f - 6,5 МГц, fm - 1 кГц, m - 0,3, Т - +25° С, не менее................46 дБ
Диапазон электронной регулировки коэффициенту передачи при — 12 В,
f - 6,5 МГц, fm - 1 кГц, Af - +50 кГц, Т - +25° С, не менее...........60 дБ
Коэффициент гармоник при Ь'п • 1 2 В, f — 6,5 МГц, fm • 1 кГц, Af “ +50 кГц,
UBX - 1 мВ, Т - +25° С, не более......................................2 %
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания.................................................10,8... 15 В
Максимальное постоянное управляющее напряжение на выводе 5 ...X..:....4 В
Максимальная амплитуда входного сигнала............................-300 мВ
Максимальная потребляемая мощность.................................400 мВт
Максимальное сопротивление внешнего резистора между выводами 13 и 14..1 кОм
Максимально допустимый запирающий ток по выводу 2 или 13...........300 мкА
Температура окружающей среды ................................  -10...+600	С
Типовая схема включения микросхемы К174УР1
Примечание. Подача внешнего постоянного напряжения на выводы 6, 7, 10 не до-
пустима.
400
МИКРОСХЕМЫ К174
•	К174УР2А, К174УР2Б
Микросхемы представляют собой усилитель промежуточной частоты канала изоб-
ражения. Выполняют следующие г кции: усиление промежуточной частоты с АРУ;
синхронную демодуляцию видеосигнале?; предварительное усиление видеосигналов;
формирование сигнала АРУ для селектора каналов. Система АРУ ключевая, управляет-
ся строчным импульсом. Микросхемы предназначены для применения в телевизионных
приемниках цветного и черно-белого изображения.
Корпус типа 238 16-2. Масса не более 1,5 г.	X
Зарубежный аналог: TDA440.
КтУРг(А,Б)
1S	15	rt	/J	11	И	ID	У
t
*	*	J	*	s	5	7	8
Функциональный состав: I - усилитель промежуточной частоты; И - синхронный
демодулятор; Н1 - Предварительный видеоусилитель; IV - система АРУ
Назначение выводов' 1 - вход УПЧ; 2 - фильтр цепи обратной связи, 3 - питание
(-U^), 4 - фильтр АРУ, 5 - выход АРУ на селектор каналов, 6 - регулировка задержки
АРУ; 7 - вход строчного импульса; 8,9 - к опорному контуру демодулятора, 10 - регу-
лировка усиления, 1 1 - выход видеосигнала <’UBblxK 12 - выход видеосигнала (+UBblx),
13,14 - питание (+Un), 15 - фильтр цепи обратной связи; 16 - вход УПЧ
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания .....................................           .	.12 В
Ток потребления при Un * 12 В, L'BX - О Т - +25° С-
по выводу 13  ..............................................          10...	24 мА
по выводу 14....................................................       40...50	мА
Чувствительность при несимметричной подаче входного сигнала l’n “12В,
t - 38 МГц, fm - 15625 Гц, m - 0,5, L’ . £ 2,4 В, Т - +25° С,не более.
Н	Пв	вых
К174УР2А................... .................................... . .25(1...5(1(1 мкВ
К174УР2Б..................................................................300	мкВ
МИКРОСХЕМЫ К174
401
Эффективность АРУ при Un " 12 В, fH “ 38 МГц, " 15625 Гц, гп " 0,5, UBb(X •“ +2 дБ,
Т “ +25° С, не менее......................................................50 дБ
Размах выходного видеосигнала положительной и отрицательной полярности (выводы
11 и 12) при Un - 12 В, fH - 38 МГц, fm - 15625 Гц, m - 0,5, ицх - 10 мВ,
Т -+25° С...........................................................2,4...	4,2 В
Полоса пропускания при U “ 12 В, f " 38 МГц, f “ О... 10 МГц, U " Ю мВ,
Т - +250 с, не менее......................................................7 МГц
Напряжение на видеовыходе при Пп “ 12 В, fH " 38 МГц, UBX «» 10 мВ, Т * +25° С, не
более:
1-й гармоники ПЧ.....................................................30 мВ
2-й гармоники ПЧ.....................................................50 мВ
Изменение частотной характеристики в диапазоне действия АРУ, не бо-
лее .............................................. ..............2 дБ в полосе 0...5 МГц
Амплитуда стробирующего импульса...................................... ...1.5...5 В
Дифференциальные искажения, не более......................................15 %
Напряжение промежуточной частоты звука на выводе 12, не менее ............10 мВ
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания.................. ..........................    10,8...	13,2 В
Максимальная амплитуда напряжения входного сигнала ...	1 В
Максимальная амплитуда тока нагрузки.........	. 16 мА
• Максимальная амплитуда напряжения строчного импульса на выводе 7	6 В
Температура окружающей среды . .. .	................... -1O...+6O0 С
Типовая схема включения микросхемы К174УР2 (А,Б)
К174УРЗ
Микросхема представляет собой тракт обработки ЧМ-сипгалов промежуточной час-
тоты. Содержит усилите ль-ограни чите ль, синхронный демодулятор и предваритель-
ный усилитель низкой частоты с выключением внешним управляющим током для ор-
ганизации бесшумной настройки. Предназначена для применения в радиовещательных
приемниках.
402
МИКРОСХЕМЫ KI 74
Корпус типа 201.14-1. .Масса не более 1,5 г.
Зарубежный аналог ТВА120
ктурз
Функциональный состав- 1 - усилитель-ограничитель, II - частотный демодулятор,
III - предварительный усилитель низкой частоты.
Назначение выводов: 1 - питание (-U ); 2 - фазосдвигающии контур; 3,5 - выходы
усилителя-ограничителя, 4, 1 1 - ие подключены; 6 - фазосдвигающии контур, 7 - уп-
равление усилителем НЧ, 8 - выход НЧ; 9 - питание (+Urj); 10 - выход частотного де-
модулятора; 12 - блокировка, 13 - вход промежуточной частоты; 14 - блокировка
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания ..............................................   6	В
Ток потребления при L’n -6В.Т* +25° С, не более . ......	. . 12 мА
Выходное напряжение НЧ при UJ(-6B, I- 10.7 МГц. fm - 1 кГц. Af - +50 кГц.
L’bx " 1 мВ, не менее.. .. . .......... ..... ..............	.........	100 мВ
при Т - +25° С......................................................      100	мВ
при Т " +55° С....................................................     КО мВ
Типовая схема включения микросхемы К174УРЗ
МИКРОСХЕМЫ К174
403
Входное напряжение при начале ограничения при Un * 6 В, f - 10,7 МГц, fm - 1 кГц,
Af "+50 кГц, Т - +25° С, не более............ <..........................100 мкВ
Коэффициент подавления амплитудной модуляции при Un * 6 В, f " 10,7 МГц,
fm " 1 кГц, A f - +50 кГц, UBX " + 1 мВ, Т " +25° С, не меиее..............40 дБ
Коэффициент гармоник при Ъ’п " 6 В, f - 10,7 МГц, fffl - 1 кГц, Af " +50 кГц,
ИвХ "0,5 мВ, Т " +25° С, не более..................................................2 %
Ток управления по выводу 7.......................  ,................0,05...!	мА
Изменение выходного напряжения иа выводе 8 при подаче управляющего тока на вывод
7, не менее................................................................60 дБ
Входное сопротивление иа частоте 15 МГц, не менее........................3,9 кОм
Выходное сопротивление, не более........................'.............. .1,5 кОм
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания.......................................................5...9 В
Максимальное входное напряжение..........................................300 мВ
Максимальное сопротивление постоянному току между выводами 12 и 13.......500 Ом
Минимальное сопротивление нагрузки.......................................1,5 кОм
Температура окружающей среды......................................  -25...+550	С
174УР4
Микросхема представляет собой тракт обработки сигналов промежуточной частоты
с частотной модуляцией. Выполняет следующие функции: усиление-ограничение сиг-
налов ПЧ; частотную демодуляцию сигналов; предварительное усиление сигналов НЧ;
регулировку усиления НЧ, управляемую внешним постоянным напряжением. Предназ-
начена для применения в телевизионных приемниках черно-белого и цветного изобра-
жения.
Корпус типа 238.14-1. Масса не более 1,5 г.
Зарубежный аналог: TBA120U.
Функциональный состав: 1 - усилитель-ограничитель; 11 - частотный демодулятор;
111 - нерегулируемый предварительный усилитель низкой частоты; IV - регулируемый
предварительный усилитель низкой частоты; V - стабилизатор напряжения.
Назначение выводов: 1 - питание (-Un>; 2 - блокировка обратной связи; 3 - вход
усилителя НЧ; 4 - выход стабилизатора; 5. - регулировка усиления НЧ; 6,10 - выход
404
МИКРОСХЕМЫ К174
усилителя ПЧ, 7,9 - опорный контур, 8 - выход УНЧ регулируемый, 11 питаний
(+Un), 12 - выход УНЧ нерегулируемым, 13 - блокировка, 14 - вход усилителя ПЧ
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания ....................	... ..............12 В
Ток потребления при V’ - 12 В, Т " +25° С..... .......... 9,5—17,5 мА
Стабилизированное напряжение на выводе 4 при Vn " 12 В, 1 " +25° С ..	4,2 5,3 В
Выходное напряжение при Ип - 12 В, f • 6,5 МГц, fn] * 1 кГц, Af -+50 кГц,
UBX “ 1 мВ, Т “ +25° С, не менее:
на выводе 8 ...................................      '......... .300	мВ
на выводе 12 ..... ............. ..... ____________ ............ 250	мВ
Входное напряжение начала ограничения при U - 12 В, f - 6,5 МГц, * 1 кГц,
Af "+50 кГц, Т +25° С, не более .	.................................... 100 мкВ
Коэффициент подавления амплитудной модуляции при * 12 В, fH* 6,5 МГц,
fm • 1 кГц, m * 0,3, UBX * I мВ, Т " +25° С, не менее ...... ........ 46	ц Б
Коэффициент гармоник при Сп * 12 В, fH * 6,5 МГц, fm “ 1 к! ц, Af “ +50 к( ц,
UFX - 1 мВ, Т - +250 с, не более....................... ~	1.5 %
Коэффициент усиления напряжения НЧ при Vn "12 В fma I кГц, Vnx " 10 мВ,
Т * +25° С, не менее................   ......	,.......... . 10 дБ
Диапазон электронной регулировки усиления НЧ при Un - 12 В, fm * j кГц,
Т" +25° С, не менее ....	......	65 дБ
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания .......................   .	. ........ 10.8.. 13,2 В
вариант 1 вариант I
выход НЧ +Vn
Ш С1 36
очО	>
сг
3S0
Q-75
6,5 НГц
СЗ X
г,г +Г
выхов НЧ
(регулируемый)
: С4
2,2
св
С7
С, ОН ~р
ШУ Ph
И fl 11 11 10
СЮ
14
К4
Юн
R5
Юн
6,6 НГц
внешний
НЧ-сигнал
К $
зЭД $
и
Типовая схема включения микросхемы К174УР4
МИКРОСХЕМЫ К174
405
'Максимальное постоянное управляющее напряжение на выводе 5	.......	6 В
Максимальное входное напряжение на выводе 14 ................. 350 мВ
Максимальный выходной ток по выводу 4 ,.,w................. .......	5 мА
Максимальное сопротивление внешнего резистора между выводами 13 и 14	1000 ОМ
Температура окружающей среды .	.	. .......... . .	. 1О.+ЪО°С
К174УР5
Микросхема представляет собой усилитель промежуточной частоты канала изоб
ражеиия Выполняет следующие функции, усиление сигналов промежуточной частоты с
АРУ, синхронную демодуляцию видеосигналов, предварительное усиление видеосигна-
лов, частотную демодуляцию и формирование управляющего напряжения автопод
стройки частоты, формирование сигналов АРУ для селектора каналов, подавление им-
пульсных помех Предназначена для применения в телевизионных приемниках цветно
го и черно-белого изображения
Корпус типа 238 16-2. Масса не более 1,5 г
Зарубежный аналог TDA2541.
K17W5
Н V » W « И w 8
1	г	j	4	$	т	г	в
Функциональный состав Г - усилитель промежуточной частоты, II демодулятор
1П - предварительный видеоусилитель IV усилитель ограничитель V - устройство
автоматической подстройки частоты, VI -г детектор и усилитель АРУ, V11 • -рас пред
"итель АРУ, VIII - усилитель внешнего АРУ (АРУ на селектор каналов), IX выходной
каскад видеоусилителя, X - подавитель импульсных помех (’’белых1) XI подавитечь
импульсных помех ("черных”)
Назначение выводов I - вход ПЧ, 2 - фильтр обратной связи, 3 - регулировкэ за-
держки АРУ на селектор кандлов, 4 - выход АРУ на селектор каналов, 5 -выход АПЧ, ь -
блокировка АПЧ, 7, 10 - опорный контур АПЧ, 8,9 - опорный контур демодулятора, 1 1
питание (+Un), 12 выход видеосигнала; 13 - питание (-Urj 14 фильтр АРУ и бю
кировка УПЧ; 15 - фильтр обратной связи 16 вход ПЧ ''
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания	.......................... 12 В
Ток потребления при Пп “ 12 В, Т “ +25° С...................... .31). .65 мА
406
МИКРОСХЕМЫ Ki 74
Выходное напряжение при “ 12 В, — 38 МГц, •" 15625 Гц, m “ 0,5, U0X * 10 мВ,
Т * +250 с...........................................................2,2~.3,5 В
Чувствительность при e 12 В, fH « 38 МГц, fm в 15625 Гц, in — 0,5, Т = +25° С, не
хуже.................................................................200 мкВ
Размах выходного напряжения АПЧ при Un “ 12 В, fR в 38 МГц, Af я + 100 кГц,
VBX “ 10 мВ, Т - +25° С, не менее........................................10 В
Диапазон АРУ по напряжению при Un “ 12 В, f|t в 38 МГц, fm в 15625 Гц, m = 0,5,
Т * +25° С, не менее................’........................... .....50	дБ
Ток АРУ на СК При Un в 12 В, U0X * 60 мВ, Т в +25° С, не менее........10	мА
Крутизна амплитудно-частотной характеристики узла АПЧ при Пп “ 12 В, f в 38 МГц,
Евх * 10 мВ’ Af “ ±50 кГц’ Т * +25° С’ не менее..................50 В МГц
Полоса пропускания по уровню - 3 дБ при Ь!п - 12 В, f - 38 МГц, fm  0.,. 10 МГц,
С0х - 10 мВ, Т*+25° С, не менее.....................................   6	МГц
Дополнительные электрические параметры
Дифференциальные искажения, не более ...г............................. 10%
Напряжение блокировки АПЧ по выводу 6, не более ................   ....2	В
Напряжение включения АПЧ по выводу 6, не менее.........................3	В
Напряжение блокировки УПЧ по выводу 14, не более......................  IB
Диапазон входных напряжений .....................................200 мкВ-95 мВ
Ослабление ПЧ и ее 2~й гармоники, не менее.:.........................40 дБ
Ослабление интермодуляционных искажений, не менее .................  .46	дБ
Входное сопротивление, нс менее........................................2	кОм
Входная емкость, не более........................................    ..2	пФ
Дифференциальные фазовые искажения, не более......................... 10	%
Типовая форма и уровни напряжений в выходном видеосигнале при L' *«12 3,
Т - +25° С
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания..........................................   ,10.8	...13,2 В
Максимальное входное напряжение (амплитудное значение) .............. ..ЗВ
Максимальное напряжение на выводах 7, 10.................................5 В
Максимальное напряжение на выводах 4-6 ....................................U
Максимальный ток АРУ на СК........................................... 15	мА
Максимальный ток по выводу 3..................................   .	.... .0,3 мА
Максимальный ток нагрузки............................................ 10	мА
Минимальное сопротивление нагрузки.................................. 600	Ом
МИКРОСХЕМЫ К174
407
Максимальная рассеиваемая мощность..................................1050 мВт
Температура окружающей среды........................................-10...+600 С
о.
*ив ВыиЗАПО
ИамноВ/а
АРИ
К1
100^
вз
4*И/х1
CS
=kv =
+ св
- щ
А. оз
Т tsoo
Выкл
МО
С/ »00
ВхеВ " г—-
сз то
BicB
С2 -L
то
ЭД
L1
8
7
S
Б
2
J
K17W5
\КЗ
330
w!'
011 I
т= I
ВО I
C15inV
f- 38 НГц
ВтеЗ ВиВсоусалшпыи
OS
0,33
СО _L
0,011"
oto i
0,33



Типовая схема включения микросхемы К174УР5
„	К174УР7
Микросхема представляет собой экономичный тракт обработки ЧМ-сигналов с низ-
кой промежуточной частотой Выполняет следующие функции' усиление-ограничение
сигналов; частотную демодуляцию, предварительное усиление сигналов звуковой час-
тоты Предназнэчена для применения в экономичном радиоприемном аппаратуре
ктур?
1В 13 ю 13	12	11	10 S
12	3	0	3	6	7	8
408
МИКРОСХЕМЫ KI74
Корпус Типа 238 16-1. Масса не более 1,5 г.
Зарубежный аналог: ТСА77О
Функциональный состав: I - усилитель-ограничитель, II - частотный демодулятор, |
III - операционный усилитель.
Назначение выведет: 1 - вход ПЧ; 2,4 - блокировка, 3.14 - не используются; 5, 16 -
питание <-Un>; 6, 7 - выходы УПЧ; 8, 9 - фазосдвигающий контур, 10 - выход НЧ (вы-
ход частотного демодулятора); 11 - инвертирующий вход ОУ; 12 - не инвертирующий
вход ОУ; 13 - выход ОУ; 15 - питание (+Un).
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания...........................................6 В
Ток потребления при Un " 6 В, UBX • О, не более, при Т * +25° С......0,6	мА
при Т “ -25 и +55° С.............................................0,8	мА
Входное напряжение начала ограничения при Un * 6 В, f • 250 кГц, f|n * 1 кГц,
Af “+3,5 кГц, Т " +25° С, не более.................................  70	мкВ
Выходное напряжение низкой частоты при Un “6 В, 1 • 250 кГц, f - I кГц,
Д f “ +3,5 Цц, UBX e 10 мВ, не менее:
при Т *^25° С.......................................................  90	мВ
при Т “ -25 и +55° С..............................................50	мВ
Коэффициент ослабления амплитудной модуляции при Un " 6 В, f * 250 кГц,
fm - 1 кГц, Af +3,5 кГц, m * 0,3; UBX " 10 мВ, Т - +25° С, не менее...30 дБ
Коэффициент гармоник при Пп * 6 В, f " 250 кГц, fm - 1 кГц, Af - +3,5 кГц,
Пвх •" 10 мВ, Т • +25° С (типовое значение) ......................   0,8	%
Диапазон частот входного сигнала..............................  95...500	кГц
Типовая схема включения микросхемы К174УР7
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания...................................  ...	.....5,4...6,6 В
Максимально допустимое напряжение питания...........................   10	В
МИКРОСХЕМЫ К174
409
Максимальное напряжение входного сигнала . .......... .100 мВ
Максимальный выходной ток..... . . . ................ .0.1 мА
Температура окружающей среды .  ...........   ....	-25...+55° С
Схемы включения
Для получения максимального коэффициента усилейия ОУ допускается уменьше-
ние сопротивления резистора R4 до 6,8 кОм. Резистор R7 предназначен для обеспече
ния необходимой полосы пропускания фазосдвигающего контура. Конденсаторы С4 и
С5 служат для развязки по переменному напряжению Для улучшения фильтрации
сигнала НЧ допускается подключение резистора сопротивлением 82 кОм между
выводами 10 и 12 микросхемы.
К174УР8
БИС представляет собой мио 1х>функциопальную схему для работы в радиоканалах
черно-белых и цветных телевизионных приемников с квази параллельным каналом звука
и обеспечивает усиление сигнала промежуточной частоты с АРУ, детектирование сиг-
налов ПЧ изображения и звука и предварительное усиление сигнала втором ПЧ звука в
квази параллельном канале звука.
Корпус типа 2103.16-9. Масса не более 1,1 г.
Зарубежный аналог TDA2545
Функциональным состав 1 - усилитель опорного сигнала, 11 - усили гсль-огранн-
читель; 111 - усилитель промежуточной частоты; IV - смеситель; V - выходной каскад,
VI - схема согласования регулирующего напряжения АРУ; V11 - усилитель постоянно-
го тока АРУ; VIII - формирователь регулирующего сигнала АРУ.
Назначение выводов. 1, 16 - дифференциальные входы УПЧ; 2, 15 - выводы цепи
обратной связи; 3 - для подключения интегрирующем емкости усилителя АРУ. 4-7, 10,
13, 14 - общие выводы <-П >, 8, 9 - для подключения опорного контура, I I - напря-
жение питания <-MJ ); 12 - выход
410
МИКРОСХЕМЫ К174
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания...................... ........................12 В
Ток потребления при Ъ'п “12 В, “ 10 мВ, fj = 38 МГц, f2 “ 31.5 МГц.
Сиых(12) " 3’3 мВ-
Т - +25° С.........................................................25 ..60 мА
Типовое значение..................................................     43	мА
Т--10°С............................... ..	25-..62 МА,
Типовое значение ....................................................  44	мА
Т » +70о с .....................................................  2Z...58	мА
Типовое значение . .	.	....... 37 мА
Выходное напряжение на выводе 12 при L.(J “12В. Сихц ж 1G мВ. ^вхр в 3.3 мВ.
fj “38 МГц. f2* 31,5 МГц, Т“+25° С, нс менее	~	45 мВ
Постоянное выходное напряжение на выводе 3 при I = i 2 В, f j *=38 Ml ц.
f2 “31,5 МГц-
Laxfl “ S' Luxf2 “ S 1 3-
T - +25° C ................................................     7.7—111.4	В
T-+7()°C...	.............. 7,4—11),1 В
Luxfl- 155 мВ.
T - +25° C . .	.	............... . ...	.	4,4...7.2 В
T - +70° C.....................................  ...	. 4.Л...6.9 В
Постоянное выходное напряжение на выводе 12 при 0 “ 12 В
Т-+25°С ............г,......................................................... 4,1	...6,6 В
Т “ +70° С .	......... .	. . ..	4,2.„6,7 В
Диапазон АРУ но напряжению при изменении выходного напряжения в пределах
(0,71... 1,12) С (vuriM, L « 12 В. Г, - 38 МГц. fo “31,5 МГн, Т - +25“ С не ме-
ВЫХ НОМ I)	J	д
нее.................................. ... ... .	.. .	60 дБ
«Гувс-.вительжк.ть при Lm„x - 0,7 I Lm>lx 11DM, L„ - I 2 В. LB>f, / L„xf, -31,-3» Ml o.
f2 “ 3 1 5 МГц. T “ +25° , не xjxe	...	...	.155 мкВ
Входное сопротивление по выводам 1 16 .	. ..	2,0 кОм
Входная емкость По выводам 1-16	.	2 ,0 нФ
Отношение сИриал/шум .	44 (Б
ZZ (РП1П8£?г 02
Гиповая схема включения микросхемы К174УР8
МИКРОСХЕМЫ Ki74
411
Примечания. 1. Указанные параметры обеспечиваются при работе на
телевизионном стандарте МККР с частотами f j - 38,9 МГц и f2 “ 33,4 МГц.
2. Разрешается применять микросхему для работы на американском стандарте с
частотами f । “ 45,75 МГц и f2“ 41,25 МГц.
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания .............................«...............10,8...	13,2 В
Максимальное входное напряжение.....................................  155	мВ
Максимальный выходной ток~по выводу 12..............................  0,4	мА
Минимальное сопротивление нагрузки по постоянному току на выводе 12... 10	кОм
Температура окружающей среды ...................... ......................-1D...+700 С
К174УР10
Микросхема представляет собой широкополосный усилитель. Предназначена для
применения в телевизионных приемниках в качестве предваригечыюго УПЧ для ком-
пенсации потерь в пьезофильтрах.
Корпус типа 2101.8-1. .Масса не более 1 г.
Зарубежный аналог' SL1430
Функциональный состав. 1 - входной дифференциальным усилитель, II
предварительный дифференциальным усилитель; 111 - выходной усилитель.
Назначение выводов: 1 - питание (+Ln); 2, 3 - выходы; 4, 7, 8 - не подключены, 5 -
вход, 6 - питание (-L ).
Электрические параметры
Номинальное напряжение питан Л я .........................................12 В
Ток потребления при L’n - 13,2 В, Т - +25° С...........................15...35 мА
Коэффициент усилений напряжения при Un “ 12 В, f - 38 МГц, Ъ'в " Ю мВ,
Т - +25° С ......Л.....................................................21...30 дБ
Верхняя граничная частота полисы пропускания (по уровню минус 3 дБ) при
Vn “ 12 В, Т “ +25° С, не менее ................... ...........	............. 60 МГц
Разность постоянных выходных напряжении между выводами 2 и 3 при L’n “12 В,
Ь’вХ “ 0, Т “ +25° С, не более ......... .................................,.1,2 В
Интермодуляционные искажения, не более ...................................-40 дБ
Перекрестные искажения, не более».........................................J %
Предельнее эксплуатационные данные
Напряжение питания ..............................................  10,8...	13,2 В
Максимальное входное напряжение ..........................................300 мВ
Максимально допустимая рассеиваемая мощность..............................530 мВт
Минимальное сопротивление нагрузки........................................200 Ом
Максимальная емкость нагрузки ................. ..........................30 пФ
412
МИКРОСХЕМЫ К174
Температура окружающей среды.......
. 25...+7ВО С
Типовая схема включения микросхемы К174УР1О
К174УРП
'Многофункциональная БИС выполняет функции усиления сигналов промежуточной
частоты звука, регулировок громкости и тембра по иизшим и высшнм звуковым
частотам, а также осуществляет коммутацию сиг-налов звукового сопровождения в
режимах "запись На видеомагнитофон” и "воспроизведение с видеомагнитофона”
Корпус типа 2104,18-4 Масса не более 1,5 т.	'
Зарубежный аналог- TDА1236
Функциональный состав: I - усилитель-ограничитель сигналов ПЧ звука II уст-
ройство коммутации и сопряжения с видеомагнитофоном, 11! частотный детектор: IV
- блок регулировки громкости, V стабилизатор напряжения. VI - блок регулировки
МИКРОСХЕМЫ К174
413
тембра БЧ; VII блок регулировки тембра НЧ; VIII - блок тонкоррекции регулировки
громкости,. IX - выходной каскад
Назначение выводов 1 - переключение режимов ’’запись-воспроизведение”, 2 - уп-
равление режимом работы УПЧЗ и подключение обратной связи, 3 - вход УПЧЗ, 4 об
ший вывод 5 - выход частотного демодулятора, 6 - вход-выход звука на видео-
магнитофон, 7 - управление блоком регулировки громкости; 8, 12 подключение кон-
денсатора тонкоррекции НЧ, 9 подключение конденсатора тонкоррекции ВЧ 10 - вход
блока регулировки громкости, 11 выход сигнала звуковой частоты к УНЧ телевизион-
ного приемника, 13 - управление блоком регулировки тембра низких частот, 14 - уп
равление блоком регулировки тембра верхних частот, 15 - напряжение питания (4-U
16, 17 подключение фазосдвигающего контура ЧМ демодулятора, 18 подключение
блокировочного конденсатора
Основные электрические параметры
Номинальное напряжение питания	12 В
Ток потребления при;
ип « 10.8 В, Т - +25° С............................................. 14	40 мА
Un - 12 В, Т - -10° С............................................... 16	50 мА
Т “ +70° С....... .. ...... .......... .	.	10.. 45 мА
Ufl - 13.2 В, Т - +70° С .	.... . .	18. 45 мА
Т * +250 с.......,. ........................... . 12. 48 мА
Выходное напряжение низкой частоты ' на выводе I I в режиме ' воспроизведение' при
f - 1 кГц.
Ъ - 12 ВЛ --10° С .............................................. 950...	1550 мВ
Т -+70О С .......................   ,	....	900 1550 мВ
Lrn = 13,2 ВЛ - +70° С ....	.	900 .1500 мВ
Выходное напряжение частотного демодулятора । (вывод 5) при UHX " ЮмВ
fKX - 6,5 МГц, fm - I кГц, Дf - +50 кГц, L'n - 10 8 В, Т - +25° С	300 ,900 мВ
Выходное напряжение низком частотыI (вывод 6) в режиме ’’запись” при ГвХ = 10 мВ
Гвх " 6’5 МГц’ " 1 кГи Af " +-° кГц’ ип “ 1О’Х в г “ *25° с	300 900
Выходное напряжение1 (вывод 1 1) при LU( « ЮмВ fex = 6,5 Ml u fm ~ 1 к! ц,
Af -+50 кГц, Ln - 10,8 ВЛ “+250 С	300 900 мВ
Чувствительность 1 при fBX “ 6,5 МГц, fm в 1 кГц f “ +50 кГц./Ьп “ 13 2 В,
Т - +25° С, не хуже ...	60 мВ
Постоянное напряжение при UfJ — 13,2 В 1 “ +25° С
на выводе 8	6 6 „8,2 В
на выводе 9	.................. . ...	.	...	5.5..7.1 В
Изменение входного напряжения на выводе 1 1 при регулировании тембра по высшим и
низшим частотам при fgx “ 1 кГц, Un - 12 В, L'BX * 300 мВ, Т “ +25° С, не более 4 дБ
Коэффициент подавления амплитудном модуляции при Ln “ 10,8 В VBX * 1 мВ
f в 6,5 МГц, f^ = 1 кГц, Д f “ +50 кГц, m в 30 %, Т " +25° С, не менее	46 дБ
Коэффициент передачи напряжения блока сопряжения с видеомагнитофоном в режиме
’вех.произведение" при Ьп “ 10,8 В, L’BX в 300 мВ, ffiX • I кГц Т « +25° С . т. 0,8...1,3
Коэффициент передачи сигнала в тракте обработки сигнала низкой частоты при
Ьп = 10,8 В, С'вх - 300 мВ, fBX - 1 кГц, Т = +25° С . .	11,8. .1,3
Коэффициент гармоник тракта ПЧ при U = 10,8 В, U v “ 300 .мВ, f =“ 1 кГц.
п	вх	вх
Т — +25° С, не более
на выводе 1 1 .......................... ...	2 %
1 Движок регулятора громкости должен находиться в верхнем положении (см ти-
повую схему включения), а движки регуляторов тембра - в среднем положении, (.pet-
нее положение движков регуляторов тембра соответствует наиболее линейной час тс» г-
нои характеристике в диапазоне частот 100 Гц .10 kJ’u.
414
МИКРОСХЕМЫ KI 74
на выводе 6..........................................................2	%
Диапазон регулирования уровня громкости при Un — 10,8 В, L'BK - 10 мВ, f~ 6,5 МГц,
fm - 1 кГц, Д f - 4^0 кГц, Т “ +250 С, не менее.........................60	дБ
Глубина регулировки тембра при UR “ 10,8 В, L'BX в 3(Х) мВ, Т “ +25° С, не менее:
низших частот fBX » 100 Гц.........................................’ «t9 ДБ
высших частот fgx - 10 кГц........................................  +Ю	дБ
Дополнительные параметры
Коэффициент гармоник на выходе ЧМ демодулятора при f ** 6,5 МГц, С'вх 15<> мВ,
U„ - 10,8 В, f - 1 кГц, Д f " +50 кГц. Т в +25° С, не более:
при Q - 20.......................................................... 1	%
при Q * 45 ............................................            2,2	%
Входное сопротивление блока сопряжения с видеомагнитофоном, не менее ...22	кОм
Выходное сопротивление блока сопряжения с видеомагнитофоном, не более .I кОм
Входное сопротивление по входу (вывод 3) ............................... 5	кОм
Входная емкость по входу (вывод 3) ...........’.........................1°	пФ
Типовое значение выходного напряжения на выводе 5 при Г'п • 10,8 В, fBX •» 5,5 МГц,
Q - 45, Т - +250 с .................................................-. 61Ю мВ
Типовое значение диапазона регулирования громкости при Un **12 8, fBX e 5,5 МГц,
Q - 45, Т - +250 с.........'........................................-...70	ДБ
Примечание. Разрешается использовать микросхему на частотах лоднесушей зву-
кового сопровождения 4,5 МГц (американский стандарт), 5,5 МГц (европейский стан-
дарт), 6,5 МГц (отечественный стандарт).
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания .............................................10,8...	13.2 В
Л7 ^6
,А31
. ВоелроизО'/. За лиев
К1
Zt *Zr|
<РП1П8-02,02
вз otozz
XC6'
~~SIOO
ВлоВ
ПО “Г"
зОуна
Гр он нос mb Тен Op HO L2 100 м к Гн
г—Л W rJl
FV®*	-VOi
Л7
100к __
НН
\аз о,1
СЮ СП
О, IS ПОО
Г-Ll-I-TJL
♦ 5 О 7 В S
итоги
№ Г7 Ю Н a ZZ // ю
С12
Вход-Выход
зСуна Sudetr-
магии/порола
бвоо I
7ГЕ "1 —।
0р5Х 1----Hl—
R5 ЮОк CIS 1,0
К У ВЦ /лсле-
ci X

г

С5
^С8 0tf
|<UAZ»| |
-t// 3,3 ни Гн
Кб 100и
=с ci

лриел/шха
Типовая схема включения микросхемы К174УР11. Сопротивление резистор.) R4 под-
бирается так, чтобы эквивалентная добротность ненагружешил’о фазосдвигакинего кон-
тура на резонансной чистоте 6,5 МГц сое гав л ял а 45
МИКРОСХЕМЫ К174
415
Максимальное входное напряжение сигнала рромежуточной частоты звука на вы-
воде 3 .............................................................  150	мВ
Максимальное напряжение на входе блока сопряжения с видеомагнитофоном (вы-
вод 6) ............................................................     1	В
Управляющее напряжение на выводах 7, 13 и 14 ..................  0...13.2	В
Максимальный ток управления:
ho выводу 7................................................  ....	..... ..25 мкА
по выводам 13 и 14 ........................................ . . .15 мкА
Максимальный выходной ток по выводу 1 1 ...........................     4	мА
Температура окружающей среды..............................     -1U...+700	С
I
К174ХА1
Микросхема представляет собой одиоканальный синхронный демодулятор цветовой
поднесущей для сигналов, кодированных по системе SECAM. Выполняет следующие
функции: коммутацию прямого и задержанного сигналов; усиление-ограничение; синх-
ронное частотное детектирование; выключение сигнала цветности. Опорный сигнал для
синхронного демодулятора формируется из принимаемого сигнала с помощью настро-
енного контура. Коммутатор прямого и задержанного сигналов управляется от схемы
цветовой синхронизации логическими уровнями ТТЛ Предназначена для применения в
телевизионных приемниках цветного изображения.
Корпус типа 238.16-2. Масса не более 1,5 г.
Зарубежный аналог, отсутствует.
mxAi
Функциональный состав: 1 - электронный коммутатор; 11 - усилитель-ограничи-
тель; 111 - частотный детектор.
Назначение выводов: 1 - опорный контур; 2 - выход демодулятора, 3 - питание
(+L’n); 4 - выход коммутатора; 5 - питание усилителя И б - вход коммутатора; 7
- управление коммутатором; 8 - питание (-Ь'п); 9 - управление коммутатором; 10 -
вход коммутатора; 11, 12 - входы усилителя-ограничителя; 13 - выключение цвета; 14,
16 - выходы усилителя-ограничителя; 15 - опорный контур.
416
"МИКРОСХЕМЫ KI 74
Основные электрические параметры
Номинальное напряжение питания..............................................12 В
Ток потребления при Un “ 12 В, Т в +25° С..........................   30.-50	мА
Размах выходного цветоразностного сигнала при f “ 4,3 МГц, ^ШуНТ " ЮО кОм,
A f “ +250 кГц, Т “ +25° С, не менее...................................   1,1В
Управляющие напряжения электронного коммутатора на выводе 13:
высокого уровня .................................................. . ..Z.4...5.5 В
низкого уровня ......................................................0—0,4 В
Изменение размаха выходного напряжения при изменении входного от 350 до 700 мВ,
f ~ 4,3 МГц, Af ~ +250 кГц, - 12 В, Т - +25° С, не более ...................5 %
Приведенная нестабильность постоянного уровня на выходе относительно площадки га-
щения, не более:
при изменении напряжения питания на -10% и изменении выходного сигнала иа
-10 дБ при f “ 4,3 МГц, L'n “12В,
Т - 4-250 с.......... „..............................................    10	кГц
при изменении температуры от +25 до +60° С, L'n e 12 В, f“ 4,3 МГц,
Ьвх“35ОмВ................................................................  5	кГи
Нелинейность АЧХ при (Jn - 1 2 В, f - 4,3 МГц, Т ” +25° С, не более
при A f*+250 кГц.........................•..... ........... .	5%
при A f«^+460 кГц....................................... 25 %
Перекрестные искажения при f । “ 4,3 МГц, f2 “ 4,05 МГц. L'n “12В, Г в +25° С. не бо-
лее......................................................... ....... -40 дБ
Полоса пропускания от входа микросхемы до выхода усилителя-ограничителя по уров-
ню -3 дБ, не менее ...................................       .	...... 12-МГн
Выходное сопротивление .....................................     2,2	кОм + 2(1 %
Сопротивление между выводами 8 и 13, обеспечивающее запирание канала, не бо-
Типовая схема включения микросхемы K.174XAI
МИКРОСХЕМЫ К174
417
лее.....................................................................  100	Ом
Выходная емкость, не более..................  _.........................10 пФ
Дополнительные электрические Параметры
Постоянный уровень напряжения на выходе.............................6,5...8,5	В
Ток управления по выводам коммутатора .... .......................  .50...500	мкА
Неравномерность АЧХ усилителя-ограничителя в полосе 3 6 МГц, не более ......1	дБ
Входное сопротивление по выводам би 10 на частоте 4,3 МГц, не менее ....2 кОм
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания .........................................    10,8...	13,2 В
Максимальное входное напряжение на выводах 6, 10 (амплитудное значение) .+1,5	В
Максимальное управляющее напряжение на выводах 7, 9 ...................   5.5	В
Сопротивление внешнего резистора, не менее:
между выводами 3, 5 ...............................................    160	Ом
между выводами 2, 3 .................................................   ,2	кОм
Температура окружающей среды....................................... 10...+60° С
Примечание. Подача постоянных напряжений на выводы 1, 4, 6, 10, 11, 12, 14, 15, 16
не допускается.
К174ХА2
К174ХА2 представляет собой многофункциональную микросхему радиоприемного
тракта, выполняющую функции усиления и преобразования сигналов с частотой до
27 МГц. В состав микросхемы входят: усилитель ВЧ сигналов с АРУ, смеситель,
гетеродин, усилитель ПЧ с АРУ.
Корпус типа 238.16-2. Масса не более 1,5 г.
Зарубежный аналог: ТСА440.
Функциональный состав: 4 - усилитель высокой частоты, II - усилитель АРУ; 111 -
гетеродин; IV - смеситель; V - стабилизатор напряжения, VI ~ усилитель промежуточ-
ной частоты; VII - усилитель АРУ.
Назначение выводов: I - вход I усилителя высокой частоты, 2 - вход 2 усилителя
высокой частоты; 3 - вход усилителя АРУ усилителя высоко, частоты; 4, 5, 6 - выводы
гетеродина; 7 - выход усилителя промежуточной частоты; 8 - обилий вывод, питание
14. Зак. 4694
418
МИКРОСХЕМЫ К174
(-Un); 9 - вход усилителя АРУ усилителя промежуточной частоты; 10 - выход усили-
теля индикации; 11, 13 - выводы усилителя промежуточной частоты; 12 - вход усили-
теля промежуточной частоты; 14 - вход стабилизатора напряжения, питание (+Г’П); 15,
16 - выходы смесителя.
Электрические параметры
Номинальное нвпряжение питания.......................................................9 В
Ток потребления при Un — 9 В, Т “ +25° С, ие более.................................16 мА
Отношение сигнал-шум при I' “9 В, - 1 МГц, - 10 мкВ, m - 0,8, Т - +25° С,
II	НХ	Вл
не более ..........................................................................24 дБ
Выходное напряжение низкой частоты при 0п - 9 В, fBX “ 1 МГц, fn4 - 465 кГц,
f - 1 кГц, m - 0,8, Т - +2о С;
при ивх “20 мкВ, не менее..............*.......................................60 мВ
при U0X - 500 мВ........................................................100...560	мВ
Изменение выходного напряжения низкой частоты при изменении напряжения источ-
ника питания в диапазоне 4,8...9 В при fBX/“ 1 МГц, fm “ 1 кГц, Л “ 0,3,
UBX - 10 мкВ, Т “ +25° С, не более...............-...................................6 дБ
Верхнее значение частоты входного сигнала при “9 В, Т — +25® С, не ме-
иее................................................................................27	МГц
Коэффициент гармоник при Un “ 9 В, fBX “ 1 МГц, ffi4 - 465 кГц, fm - I кГц, m - 0,8,
Т »’ +25° С, ие более:
при UBX - 500 мВ...............................................................10	%
при UBX - 30 мВ..................„...............................................................................8 %
Входное сопротивление УПЧ при Un - 9 В, Т - +25° С, не менее............................3	кОм
Входное сопротивление УВЧ при Un - 9 В, Т - +25° С, не менее............................3	кОм
Выходное сопротивление УПЧ при Un - 9 В, Т - +25° С, не менее..........................60	кОм
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания............................................................. 4,8-.	15 В
Максимальное входное напряжение.........................................................2	В
Минимальное сопротивление нагрузки по постоянному току на выводах:
7.......................................................:.....................0.1	кОм
ю............................................................................ 1.3	кОм
Максимальная температура кристалла..................................................+125°	С
Температура окружающей среды.................................................-2S...+550 С
Практическая схема включения микросхемы К174ХА2
МИКРОСХЕМЫ К174
419
Липовая схема включения микросхемы К174ХА2
Схема включения микросхемы К174ХА2 с предварительным УВЧ на полевом транзис-
торе
14*
420
МИКРОСХЕМЫ KL74
Схема подключения дополнительного фильтра ПЧ к микросхеме К174ХА2
К174ХАЗА, К174ХАЗБ
Микросхемы представляют собой компандерный шумоподавптель. Предназначены
для подавления шумов в трактах бытовой аппаратуры магнитной записи и ЧМ-стерео-
вещания. Обеспечивают эффективное подавление аддитивных помех (щелчков, высоко-
частотных помех с грампластинки или магнитной ленты), а также модуляционных шу-
мов и шумов от копирэффекта.
Работа микросхем основана на сжатии динамического диапазона исходной фоно-
граммы при записи и расширении ее динамического диапазона при воспроизведении.
Это воспринимается как подъем высокочастотных составляющих фокограм,м <f > I кГц)
при записи и обратная коррекция при воспроизведении.
Корпус типа 238.16- ]. Масса не более 1,5 Г.
Зарубежный аналог: NE545B.
Функциональный состав: I - стабилизатор, напряжения; II - детектор; 111 ~ 5-и уси-
литель; IV ~ 3-й усилитель; V - ограничитель напряжения; VI - управляемый резистор;
VII - 4-й усилитель; VIII - 2-й усилитель; IX - 1-й усилитель;
МИКРОСХЕМЫ KI 74
421
Назначение выводов: 1 - вход 4-го усилителя; 2 - вход 2-го усилителя, 3 - выход 2-
го усилителя и вход 3-го усилителя; 4 - выход опорного напряжения; 5 - вход 1-го
усилителя; 6 - выход 1-го усилителя; 7 - выход 3-го усилителя; 8 - коррекция 4-го
усилителя; 9 - общий вывод (~Un); 10 - коррекция 5-го усилителя; II - выход 5-го
усилителя; 12 - вход детектора; 13 - вывод опорного напряжения детектора; 14, 15 -
коррекция постоянной времени детектора; 16 - питание (+Сп>.
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания..........................................15 В
Ток потребления при Un “15 В:
при Т “ +25° С...................................................15...30 мА
при Т - +55° С...................................................18... 35 мА
при Т “ -10° С...................................................15...35 мА
Постоянное напряжение на выводах 4, 7, 11, при Сп - 15 В, Т - +25° С.6,5...9,5 В
Подъем АЧХ в режиме записи при Un - 15 В, UBX — 1 мВ, Т “ +25° С:
при f — 5 кГц.....................*..............................6,5—9,5 дБ
при f - 10 кГц....4,5... 8,5 дБ
Коэффициент усиления напряжения последовательно включенных 1 -го, 2-го и 3-го уси-
лителей при UBX “ 10 мВ, Un “ 15 В, f “ 1 кГц, Т —+25° С............16...24	дБ
Коэффициент усиления напряжения последовательно включенных 1-го и 2-го усили-
телей при UBX - 30 мВ, Un - is В, f - 1 кГц, Т - +25° С.............24...29	дБ
Коэффициент усиления напряжения последовательно включенных 3-го и 4-го усилите-
лей при ивх - 1 мВ, ип - 15 В, 1 “ 1 кГц, Т - +25° С................10...17	дБ
Коэффициент усиления напряжения последовательно включенных 4-го и 5-го усили-
телей при ивх - 10 мВ, - 15 В, 1-1 кГц, Т - +25» С .................................34...38 ДБ
Коэффициент ослабления усиления на верхней граничной частоте при Нвых — 0,2 В,
Un - 15 В, f - 20 кГц, Т - +25® с, не более.............................  3	дБ
Коэффициент гармоник последовательно включенных 1-го, 2-го и 3-го усилителей при
ивых - 2 В, Un - 15 В, 1-1 кГц, Т - +25° С, не более....................0.5	%
Коэффициент гармоник последовательно включенных 3-го и 4-го усилителей при
ивых “ °’2 В’ Un “ 15 В’ f “ 1 т “ +25° С' не бо7,ее......................1	%
Коэффициент гармоник последовательно включенных 4-го и 5-го усилителей при
ивых “ 2 В, Un - 15 В, f - 1 кГц, Т -+25O С, не более .................  10	%
Напряжение шумов при Un “ 15 В, Т - +25° С, не более:
К174ХАЗА..........................................................’.365	мкВ
'К174ХАЗБ ...........................................................730	мкВ
Отношение сигнал-шум относительно выходного напряжения 730 мВ при Ur| — 15 В,
Т — + 25° С, не менее:
KI74XA3A....................................................:........66	дБ
К174ХАЗБ .............................  :............................60	дБ
Входное сопротивление усилителей при UBX - 10 мВ, Une 15 В, f “ 1 кГц,
Т - +25° С:
1-го..............................................................50 кОм
2-го.............................................................S...9 кОм
Выходное сопротивление усилителей при U - 15 В, f - 1 кГц, Т - +25° С:
1 -го...................................................».....2.5...3.5	кОм
2-го и 3-го.......................................................80... 120 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания ...........................................      10...20	В
-Минимальное сопротивление нагрузки ...........................................I кОм
Температура окружающей среды.................................... -10...+550	С
422
МИКРОСХЕМЫ К174
16	15 М 15	11	11	10	9
ктш(А, в)
ЙЯ/J
'QlOOK
T* 75 мне ч^15пм
,СЗ.Л0ЧИВ
- Л-ио
Cl =j=
Выкп.
SI.I-
кг мок
1 г 3 . i 5	6 7	8
Выход
Принципиальная схема шумоподавителя для УКВ-ЧМ приемника
Принципиальная схема компандерного шумоподавителя в канале воспроизведения кас-
сетного магнитофона
МИКРОСХЕМЫ К174
423
014 ТЕ '
S
Вход от преВОари-
тепыюго усилителя
записи
—*--------1,0*10
п то
СЗ
200
К17ШЗ(А,Б)
1	2	3	4	5	8
07
ЩЮОк
015,
W 040	Выходя
-J- 05
T.0.0Z7
2200
^t=C6
Cl, 1J300
84
♦ 7К
S№0~C-^t^'
88 180 Вм
017100*10 усилителю
и/ ю,и ю записи
^зё^ЗООО
_ Выкл
+L ею
Т моча
Si „ шумпанижеяие'
7
8
Принципиальная схема компандерного шумоподавителя в канале записи кассетного
магнитофона
Вход
811
120
01
30,0*15
81 ]
100к\
W 0>м
1,5П }•/,
012 ,,18045
57.
47я
ВыхоОк
усилителю
записи
014 ВоспроизМение
10,0*15
Запись
^*15 < „
4300
1%
05
0,027
/%’
К17ШЗ(А,Б)
08 ,,3300
L2
ЗбнГн
015.
Е13
L0
810
121
+ ilW „ „	- X л
~-|р——»- Универсальный ЗыхоО
10,045
80 Й
—Схема включения К.174ХАЗ (А, Б) в состав кассетного магнитофона * универсалы'
каналом запие и-4юс i •. роиэведе н и я
424
МИКРОСХЕМЫ К174
�