Похожие
Текст
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ приборы:
диоды, тиристоры,
оптоэлектронные приборы
ПОЛУ-
ПРОВОДНИКОВЫЕ
ПРИБОРЫ
Диоды, тиристоры,
оптоэлектронные
приборы
СПРАВОЧНИК
Под общей редакцией Н II. ГОРЮНОВА
гэ
МОСКВА ЭНЕРГОИЗДАТ 1982
ББК 32.852
П53
УДК 621.382.21.3(035)
Авторы: А. В. Баюков, А. Б. Гитцевич,
Л. Л. Зайцев, В. В. Мокряков, В. М. Петухов,
Л. К. Хрулев
Рецензенты: Е. И. Крылов, В В. Павлов
Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры,
П53 оптоэлектронные приборы. Справочник/ А. В. Баю-
ков, А. Б. Г тцевич, А А Зайцев и др.; Под общ.
род. Н. Н. Горюнова. — М.: Энергоиздат, 1982,—
744 с., ил.
В пер.: 2 р. 60 к.
Приведены электрические параметры, 1абаритные размеры, пре-
дельные эксплуатационные данные и другие характеристики отече-
ственных серийно выпускаемых полупроводниковых диодов, тиристоров,
светодиодов и он громов широкого применения
Для широкого крута специалистов ио электронике, автомат икс,
измерительной и вычислительной технике, занимающихся разработкой,
эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры
п 2403000000 265 201-82. ББК 32 852
051(01)-82 6Ф0.32
© Энергоиздат, 1982
СОДЕРЖАНИЕ
Предисловие.......................................... 12
ЧАСТЬ ПЕРВАЯ
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДАХ,
ТИРИСТОРАХ И ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРАХ
Раздел первый. Классификация диодов, тиристоров и опто-
электронных приборов.............................. 13
1.1. Классификация и система обозначений.......... 13
1.2. Условные графические обозначения............. 22
1.3. Условные обозначения электрических параметров . . . 24
1.4 Основные стандарты в области полупроводниковых
приборов....................................... 30
Раздел второй. Особенности использования полупроводни-
ковых приборов в радиоэлектронной аппаратуре .... 31
ЧАСТЬ ВТОРАЯ
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Раздел третий. Диоды выпримительные............. 36
Д2 (Б, В, Г, Д, Е, Ж, И)..................... 36
МДЗ.......................................... 39
ДММЗ.............................................. 41
Д7 (А, Б, В, Г, Д, Е, Ж).......................... 43
Д9 (Б, В, Г, Д. Е, Ж, И, К. Л. М)................. 45
ДЮ, ДЮ (А, Б)..................................... 47
ДЮ1, ДЮ1А, ДЮ2, ДЮ2А. ДЮЗ, ДЮЗА.............. 49
ДЮ4, ДЮ4А, ДЮ5, ДЮ5А, ДЮ6, ДЮ6А.............. 51
Д206, Д207, Д208, Д209, Д2Ю, Д211................. 53
Д214, Д214 (А, Б), Д215, Д215 (А, Б).............. 54
МД217, МД218, МД218А.............................. 56
Д223, Д223 (А, Б)................................. 58
МД226, МД226А, МД226Е............................. 60
Д226, Д226А, Д226Е................................ 62
Д229 (А, Б)....................................... 64
Д229 (В, Г, Д, Е, И К, Л)...................... 66
Д231, Д231 (А, Б)( Д232, Д232 (А, Б). Д233, Д233Б 68
Д234Б............................................. 70
Д237 (А, Б В, Е, Ж)............................... 70
Д242, Д242 (А, Б), Д243, Д243 (А, Б), Д245, Д245 (А, Б , 72
Д246, Д246 (А, Б), Д247, Д247Б, Д248Б . . 72
3
Д302, ДЗОЗ, Д304, ДЗО5...................................... 74
2Д101А...................................................... 76
2ДМ101А..................................................... 77
2Д102 (А, Б), КД102 (А Б).................. 78
2Д103А, КД103 (А, Б)........................................ 80
2Д104А, КД104А..........*................................... 82
КД105 (Б, В, Г)........._\.................................. 83
2Д106А КД106А............................................... 85
ГД107 (А Б)................................................. 87
КД109 (А, Б В).............................................. 89
АД110А ..................................................... 90
АД112А.................................................... 91
ГД113А...................................................... 91
2Д115А-1.................................................... 92
2Д118А-1.................................................... 94
2Д201 (А, Б, В, Г).......................................... 95
2Д202 (В, Д, Ж, К, М, Р), КД202 (А, В. Д, Ж,
К, М Р)..................................................... 97
2Д203 (А, Б, В, Г, Д), КД203 (А, Б, В. Г, Д). 99
2Д204 (А, Б, В), КД204 (А, Б, В)....102
КД205 (А, Б В Г, Д, Е Ж, И К, Л).104
2Д206 (А, Б, В) КД206 (А Б. В)....105
КД208 (А).................................................107
КД209 (А, Б, В)...........................................108
2Д210 (А, Б, В, Г), КД210 (А, Б, В, Г)......................109
2Д212 (А. Б), КД212 (А. Ь)................................111
2Д213 (А, Б В, Г), КД213 (А, Б, В, Г) . . . 113
2Д215 (А, Б В)............................................. 116
2Д216 (А, Б)................................................118
2Д217 (А, Б) . .120
2Д219 (А, Б)................................................122
2Д220 (А, Б В, Г, Д, Е, Ж, И)......123
Раздел четвертый. Выпрямительные столбы и блоки . . . 126
Д1004, Д1005 (А, Б), Д1006, Д1007, Д1008 ............ 126
Д1009, Д1009А, ДЮНА.........................................128
2Ц101А .........................................129
2Ц102 (А, Б. В).............................................131
2Ц1ОЗ (А, В)................................................132
1Ц104АИ.....................................................134
КЦ105 (А, Б, В, Г, Д)........................135
21Д106 (А, Б В, Г), КЦ106 (А, Б. В, Г. Д) ... . 136
2Ц108 (А. Б, В)............................................139
КЦ109А.............. .................. . 141
2Ц110 (А. Б)................................................142
2Ц111А-1....................................................144
2Ц112А......................................................146
2Ц113А-1....................................................147
КЦ201 (А. Б В, Г, Д, Е).................................148
2Ц202 (А, Б, В Г, Д, Е)................................ 149
2Ц203 (А, Б, В).............................................152
4
КЦ401 (А, Б)........................................154
КЦ402 (А, Б, В Г Д. Е, Ж, И), КЦ403 (А, Б В. I
Д, Е, Ж, И), КЦ404 (А, Б, В, Г. Д. Е, Ж. И). КЦ405
(А Б, В, Г, Д, Е. Ж. И).............................156
КЦ407А..............................................158
КЦ409 (А, Б, В. Г, Д, Е, Ж, И)......................160
КЦ410 (А, Б, В) .... !.........................161
КЦ412 (А. Б В)......................................162
Раздел пятый. Диолы универсальные и имиздьсные . ... 163
Д18................................'................163
Д20.................................................165
Д219А Д220. Д220 (А. Б).............................166
Д310................................................168
Д311, Д311 (А Б)....................................170
Д312, Д312 (А, Б)...................................173
2Д401 (А, Б, В). КД401 (А. Б)......................176
1Д402 (Л. Б) ГД402 (А Б)........................178
ГД403 (А, Б В)......................................180
КЦ407Л..............................................181
КД409А..............................................182
2Д413 (А, Б) КД413 (А, Б)........................184
2Д502 (А. Б В. Г)...................................185
2ДМ502 (А. Б. В. Г).................................187
2Д503 (А Б) КД5ОЗ (А, Б)........................188
2Д504Л, КД504А......................................191
1Д507А. ГД507А......................................193
1Д5О8А, ГД508 (А. Б)................................195
2Д509А, КД509А .....................................196
2Д510А, КД510А......................................199
ГД511 (А Б, В)......................................202
КД512А.............................................203
КД513А.............................................204
КД514А.............................................206
КД518А................................. 207
КД519 (А, Б).......................................208
2Д520А, КД520А.....................................210
КД521 (А В Г)......................................211
2Д522Б, КД522 (А, Б)............................2 2
2Д524 (А, Б В).....................................215
АД516 (А, Б).....................................217
ЗА527 (А, Б).....................................219
ЗА529 (А, Б).....................................221
3A53O (А. Б) .....................................22}
Раздел шестой Диодные сборки и Maiputibi..............224
КДС111 (А, Б, В)...................................2_4
2ДС408 (А-1, Б-1, В-1, Г-1)........................225
2ДС413 (А-1, Б-1), 2ДС414 (А-1, Б-1). 2ДС415 (А 1. Б-1
В-1, Г-1, Д-1 Е1). КДС413 (А Б, В). КДС414 (А. Б
В), КДС415 (А, Б. В)................................228
2ДС523 (А. Б, В, Г), КДС523 (А, Б, В Г).............232
5
КДС525 (А. Б, В Г Д. E, Ж, И. К. Л)...................235
КДС526 (А Б В)........................................239
2ДС627А КДС627А.......................................240
2ДС628А, КДС628А......................................243
2Д901 (А-1. Б-1, В-1. Г-1), КД901 (А-1, Б 1, В-1, Г-1) 245
2Д903 (А. Б), КД903 (А Б).............................347
2Д904 (А 1 Б-1. В-1, Г 1, Д 1. Е-1). КД904 (А-1, Б-1.
В-1. Г-1, Д-1, Е-1)...................................249
2Д906 (А. Б В), КД906 (А, Б. В Г. Д, Е)...............252
2Д907 (Б-1, Г-1), КД907 (Б-1, Г-1)....................254
2Д908А, КД908А 256
КД909А................................................259
2Д910 (А 1, Б1, В 1), КД910 (А-1, Б-1, В-1)...........260
2Д911 (А-1, Б-1), КД911 (А-1, Б-1)...........262
2Д912 (А-3, Б-3, В-3), КД912 (А-3, Б-3, В-3).........265
2Д913А-3, КД913А-3....................................268
КД914 (А Б В).........................................270
2Д917А, КД917А........................................271
2Д918 (Б-1, Г-1), КД918 (Б-1, Г-1)....................274
2Д919А КД919А.........................................276
2Д920А................................................278
Раздел седьмой Варикапы ........................... . . 281
Д901 (А, Б В, Г, Д, Е)................................281
Д902 ................................................ 283
КВ101А................................................284
2BI02 (А, Б. В, Г, Д. Е, Ж). КВ102 (А, Б В Г, Д) 285
2В103 (А Б), КВ103 (А, Б).............................286
2В104 (А, Б, В. Г, Д. Е), КВ104 (А, Б, В, Г, Д, Е) 288
2В105 (А, Б), KBI05 (А Б)..........................289
2В106 (А. Б), КВ106 (А Б)..........................291
КВ107 (А, Б В Г).................................292
КВ109 (А, Б, В, Г)................................293
2В110 (А. Б, В. Г, Д. Е), КВ110 (А. Б, В, Г, Д. Е) 295
КВС111 (А, Б).........................................297
2В112 (А-1, Б-1), KBI12 (А 1 Б-1)....................298
2В113 А, Б) КВ113 (А, Б).............................299
2В114 (А-1, Б-1), KBII4 (А-1. Б-1)...................301
KB1I5 (А Б В).......................................302
КВ116А................................................303
2В117А, КВ117 (А, Б)..................................304
2BC1I8 (А Б)..........................................305
КВ119А .........................................307
КВС120 (А Б)..........................................308
КВ121 (А Б).........................................309
КВ122 (А, Б, В).....................................311
КВ123А................................................312
Раздел восьмой. Диоды туннельные н бращенные . . 314
8.1. Усилительные диоды...............................314
ЗИ101 (А, Б, В, Г, Д, Е, Ж, И), АИ101 (А, Б, В,
Д Е, Ж, И) . 314
6
1И102 (А. Б В, Г, Д, Е, Ж И К)................317
1И103 (А. Б В), ГИ103 (А, Б, В Г)................319
1И104 (А. Б, В. Г, Д, Е).........................321
8 2 Генераторные диолы...............................324
ЗИ201 (А, Б, В, Г. Д, Е, Ж, И. К. Л). АИ201 (А. В Г.
Е. Ж. И. К, Л).......................................324
ЗИ202 (А, Б, В, Г, Д, Е, Ж, И, К)....................327
ЗИ2ОЗ (А. Б Г, Д, Ж, И)..............................330
8 3 Переключательные диоды.......................... 331
АИ301 (А, Б В Г)..................................331
1ИЗО4 (А, Ь), ГИ304 (А, Б).........................333
1И305 (А, Б), ГИЗО5 (А, Б).........................336
ЗИЗО6 (Г, Е, Ж, К, Л, М Н, Р, С) ................338
ГИ307А...............................................340
1ИЗО8 (А. Б. В, Г, Д, Е, Ж И, К) ....................341
ЗИЗО9 (Ж, И, К, Л, М, Н).............................344
8 4 Обращенные переключательные диоды................346
1И401 (А, Б), ГИ401 (А, Б)............346
ЗИ402 (А. Б, В. Г. Д, Е. И). АИ402 (А. Г, Е, И) 348
1И403А, ГИ403А.......................................351
1И404 (А, Б В).......................................353
Раздел девятый. Генераторы шума..........................356
2Г401 (А, Б, В), КГ401 (А, Б," В)....................356
Раздел десятый Диоды сверхвысокочастотные . . 359
10.1. Смесительные диоды.............................359
ДГ-С1, ДГ-С2.........................................359
ДК-С1М ДК-С2М........................................360
ДК-С7М...............................................360
Д402, Д404 ......................................... 361
Д403 (Б, В)..........................................362
Д405, Д405 (А, Б АП, БП).............................364
Д406 (А, АП).........................................366
Д407 ............................................... 367
Д408, Д408П..........................................368
Д409 (А, АП).........................................369
2А101 (А, Б) ....................................371
2А102А...............................................374
2AIO3 (А, Б)........................................375
2А104А, КА 104 (А, Б)................................377
2А105 (А, Б)........................................380
1А106 (А, Б В)......................................382
2AI07A...............................................384
2А108А...............................................386
2А109А...............................................390
ЗА 110 (А, Б)........................................393
ЗА111 (А, Б), АА111 (А, Б)...........................396
ЛА112 (А, Б), ЛАНЗ (А, Б)...........................399
10.2. Детекторные диоды..............................400
ДК-В1 ДК В2..........................................400
ДК-ВЗ, ДК-В4.........................................401
7
ДК-В5М ДК В6М, ДК-В7М.................................402
ДК В8.................................................403
ДКВ11.................................................403
ДК-И1М, ДК И2М .......................................404
ДЗ (А, Б).............................................405
Д602 (А, Б)...........................................406
Д603 407
Д604 408
Д605 410
Д606 ................................................ 411
Д607, Д607А...........................................411
Д608, Д608А...........................................413
Д609 415
2А201А................................................416
2А202А................................................418
2А203 (А, Б) . .......................................420
10.3. Параметрические диоды..........................422
1А401, 1А401 (А, Б, В), ГА401, ГА401 (А, Б, В) . . . 422
1А402 (А Б, В, Г), ГА402 (А, Б, В, Г).........424
1А403 (А, Б. В. Г. Д), ГА403 (А, Б, В, Г. Д) . . . . 426
1А404 (А, Б, В, Г, Д, Е, Ж).....................428
1А405 (А, Б).....................................429
1А408 (А. Б).....................................430
10.4. Переключательные и ограничительные диоды . . . 432
1А501 (А, Б, В. Г, Д. Е. Ж, И), ГА501 (А, Б, В, Г, Д. Е, Ж, И) 432
2А503 (А, Б ..........................................433
1А504 (А, Б), ГА504 (А, Б. В).........................435
2А505 (А, Б, В).......................................437
2А506 (А, Б В Г, Д)...................................439
2А507 (А. Б), КА507 (А. Б. В).........................441
2А508А, КА508А...................................... 443
2А509 (А, Б), КА509 (А, Б. В).........................444
2А510 (А, Б, В), КА510 (А, Б, В, Г. Д. Е) . . . . 447
2А511А................................................449
2А512 (А, Б)..........................................451
2А513 (А, Б), КА513 (А, Б)............................453
2А515А................................................455
2А516А................................................457
2A5I7 (А, Б), КА517 (А, Б)............................458
2А518 (А-4, Б-4)......................................459
2А519А................................................462
’’А520А КА520 (А, Б)..................................464
2А521А................................................466
2А522А-2..............................................469
2А523 (А 4, Б-4)......................................471
2А524 (А-4. Б-4)......................................473
10.5. У множительные и пасчроечные диоды.............476
Д501 ..........'................................... 476
2А601А................................................477
2А602 (А Б, В Г, Д), КА602 (А Б, В, Г. Д) . . . . 478
8
ЗА6ОЗ (А Б. В Г). АА6ОЗ (А, Б, В, Г) .... 480
2А604 (А Б).............................481
2А605 (А. Б).............................483
КА606 (А Б).............................485
ЗА607А.................................................486
2А608, КА608 ......................................... 487
2А609 (А. Б).............................488
2А611 (А, Б), КА611 (А, Б).............................490
2А613 (А, Б).............................491
10.6. Генераторные диоды...............................493
3A703 (А. Б), АА703 (А, Б).............................493
1А704 (А, Б, В)........................................494
ЗА705 (А, Б), АА705 (А, Б).............................496
2А706 (А, Б, В, Г).....................................497
Раздел одиннадцатый. Стабилитроны и стабисторы . . . 499
11.1. Сi аби.чнтроны общего назначения.................499
Д808, Д809. Д810, Д811, Д813...........................499
Д814 (А, Б, В, Г, Д)...................................501
Д815 (А, АП. Б. БП В, ВП, Г, ГП, Д. ДП. Г ЕП,
Ж, ЖП), Д816 (А, АП, Б, БП. В, ВП, Г, ГП, Д, ДП),
Д817 (А, АП, Б, БП, В, ВП, Г, ГП)...................504
2С124Д-1, 2С127Д-1, 2С130Д-1, 2С133Д-1, 2С136Д-1,
2С139Д-1, 2С143Д-1.....................................510
2С127А-1...............................................513
2С133А. КС133А. 2С139А. КС139А, 2С147Л КС147/Х
2С156А, КС156А, 2С168А, КС168А.........................513
2С133Б, 2С139Б, 2С147Б, 2С156Б, 2С168Б.................516
2СМ133Б, 2СМ139Б, 2СМ147Б 2СМ156Б, 2СМ168Б. ... 519
2С133В, 2С133Г, КС133Г, КС139Г, 2С14'В 2С147Г, КС147Г, -
2С156В, 2С156Г, КС156Г.................................522
2С147Т-1, 2С147У-1, 2С151Т-1, 2С156Т-1, 2С156У-1 . ... 525
2С156Ф.................................................527
2С162Б-1, 2С162В-1.....................................528
2С168Х, 2С175Х, 2С182Х, 2С191Х 2С210Х, 2С21IX, 2С212Х 530
2С175Ж, КС175Ж, 2С182Ж КС182Ж, 2С191Ж КС191Ж,
2С210Ж, КС210Ж, 2С211Ж КС211Ж, 2С212Ж. КС212Ж,
2С213Ж, КС213Ж, 2С215Ж, КС215Ж, 2С216Ж. КС216Ж,
2С218Ж, КС218Ж 2С220Ж, КС220Ж, 2С222Ж, КС222Ж.
2С224Ж, КС224Ж.........................................532
2С175Ц, 2С182Ц, 2С19Щ, 2С210Ц, 2С211Ц, 2С212Ц . . . 539
2С180А, 2С190А, 2С210А, 2С211А 2С213А..................542
2СМ180А, 2СМ190А. 2СМ210А. 2СМ211А, 2СМ213А . . . 545
2С291А............................................548
2С433А, КС433А, 2С439А, КС439А, 2С447Л, КС447А,
2С456А, КС456А, 2С468А, КС468А....................549
2С482А, КС482А, 2С510А, КС510А, 2С512А КС512А,
2С515А, КС515А, 2С518А, КС518А, 2С522А, КС522А,
2С524А. 2С527А, КС527А, 2С530А, 2С536А............553
КС533А............................................557
2С551А, КС551А, 2С591А, КС591А, 2С600А КС600А ... 558
9
КС620 (А, АП), KC630 (А, АП), KC65O (А, АП),
KC680 (А АП)........................................560
2C920 (А АП) 2C930 (А, АП), 2C950 (А, АП), 2C98O (А АП) 562
11.2. Стабилитроны прецизионные.....................565
Д818 (А, Б, В Г, Д, E)..............................565
2С164М-1, 2С168М-1..................................567
2С191 (М Н П Р), КС191 (М Н, П Р)...................569
2С191 (С, Т У Ф), КС191 (С, Т У, Ф).................571
КС211 (Б, В, Г, Д)..................................574
КС520В КС531В, КС547В, КС568В, КС596В...............575
11.3 Стабилитроны импульсные........................577
2С168К-1, 2С175К-1, 2С182К-1, 2С191К-1, 2С210К1,
2С211К-1, 2С212К-1..................................577
2С175Е, КС175Е, 2С182Е, КС182Е, 2С191Е, КС191Е,
2С210Е, KC2I0E, 2С211Е, КС211Е, 2С212Е, КС212Е,
2С213Е, KC2I3E......................................580
114. Стабилитроны двухаполныс.......................584
2С162А, КС162А, 2С168В, КС168В, 2С175А, КС175А,
2С182А, КС182А, 2С191А КС191А, 2С210Б, КС210Б,
2С211И, 2C2I2B, 2С213Б, КС213Б.....................584
2CI70A, КС170А......................................590
11 5. Стабисторы....................................591
Д219С, Д220С, Д223С.................................591
2С107А, КС107А......................................592
2С113А, КС113А 2С119А, КС119А.....................594
ЧАСТЬ ТРЕТЬЯ
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ТИРИСТОРОВ
Раздел двенадцатый. Тиристоры.......................... 596
Д235 (А, Б, В, Г).................................. 596
2HI02 (А Б В, Г, Д, Е, Ж И), КН102 (А, Б, В, Г,
Д, Ж, И)........................................... 600
2У101 (А Б, Г, Д, Е, Ж. И), КУ101 (А, Б, Г, Е) 603
2У102 (А Б, В Г), КУ102 (А, Б В, Г).................607
2У1О.ЗВ, КУ103 (А, В)...............................611
2У 04 (А, Б, В, Г), КУ104 (А Б, В, Г)....613
2У105 (А, Б В Г, Д, Е), КУ 105 (А, Б В. Г. Д, Е) 617
2У106 (А, Б, В, Г)................................621
2У107 (А, Б, В Г, Д, Е)...........................625
КУ108 (В, Ж М Н, С, Т, Ф, Ц).....................628
КУ 109 (А Б, В, Г)..................................630
2У201 (А, Б, В Г Д, Е, Ж, И, К, Л), КУ201
(А, Ь. В, 1 Д, Е, Ж, И. К, Л)..................631
2У202 (Д, Е, Ж, И К, Л, М Н), КУ202 (А, Б В
Г Д, Е, Ж И К Л, М, Н)..............................634
2У203 (А. Б В, Г Д, Е, Ж, И).................-638
2У204 (А Б, В), КУ204 (А, Б, В)..................643
2У205 (А Б В, Г)....................................646
2У206 (А Б В, Г)....................................650
2У207 (А, Б, В Г, Д, Е).............................654
2У208 (А, Б, В Г), КУ208 (А, Б, В, Г)...............658
ЧАСТЬ ЧЕТВЕРТАЯ
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ
Раздел тринадцатый Излучающие диоды ИК диапазона 662
ЗЛ1ОЗ (А, Б), АЛ103 (А Б)......................662
АЛ106 (А, Б. В).................................664
ЗЛ107 (А, Б) АЛ107 (А, Б)......................666
ЗЛ108А, АЛ108А...................................668
ЗЛ109А-1, АЛ109А 1...............................670
ЗЛП5А, АЛ115А....................................672
ЗЛ118А...........................................673
ЗЛ119 (А, Б).....................................676
Раздел четырнадцатый. Светоизлучающие диоды. Зна-
ковые индикаторы................................678
2Л101 (А, Б), КЛ101 (А Б В)..................678
ЗЛ102 (А, Б, Г), АЛ 102 (А, Б Г)............679
2Л105А...........................................681
АЛ 301 (А, Б)................................684
АЛ304 (А, Б В Г)...........................685
АЛ305 (А, Б, В, Г, Д, Е, Ж, И, К, Л)......687
АЛ306 (А, Б, В. Г, Д, Е, Ж И)..............690
АЛ307 (А, Б, В, Г).........................693
АЛС311А..........................................694
АЛС313А-5........................................697
ЗЛС314А, АЛС314А 698
АЛС317 (А, Б, В, Г)...........................700
АЛС318 (А, Б, В, Г)............................702
АЛС321 (А, Б).................................704
АЛС323А-5........................................707
АЛС324 (А, Б)..................................708
Раздел пятнадцатый. Оптопары. Оптоэлектронные ключи 711
ЗОДЮ1 (А Б В, Г). АОДЮ1 (А. Б, В, Г, Д) ... . 711
ЗОТЮ2 (А. Б, В Г, Д Е), АОТЮ2 (А, Б В Г, Д. Е) 713
АОУЮЗ (А, Б, В)..................................716
АОДЮ9 (А, Б, В Г Д, Е, Ж И)......................718
ЗОТНО (А Б, В, Г), АОТПО (А, Б, В Г).............720
АОД111А..........................................722
ЗОД120А-1, АОД120 (А-1 Б-1)......................724
ЗОД201 (А 1, Б-1, В-1, Г-1, Д-1, Е-1)............726
К249КН1' (А, Б, В Г, Д Е)........................728
К249КП1, К249КП2.................................731
249ЛП1 (А, Б, В).................................733
К262КП1 (А, Б)...................................736
295АГ1 (А, Б, В. Г Д)............................738
АОТ122 (А, Ь, В, Г)..............................740
ПРЕДИСЛОВИЕ
В справочнике приводятся электрические и эксплуатационные
характеристики и параметры диодов (выпрямительных, импульсных,
варикапов, туннельных, сверхвысокочастотных), стабилитронов (обще-
го назначения, прецизионных, импульсных, двуханодных, стабисторов),
тиристоров, оптоэлектронных приборов, классификация современных
полупроводниковых приборов, система парамо ров и условные обозна-
чения, общие сведения по устойчивости к эксплуатационным воз-
действиям, меры предосторожности при использовании в аппа-
ратуре.
От предшествующих настоящий справочник отличается полнотой
справочных параметров и их зависимостей от режимов использова-
ния.
Справочные сведения о полупроводниковых приборах составлены
на основе данных, зафиксированных в государственных стандартах
и технических условиях на отдельные типы приборов. Авторами
сохранена удачная форма представления данных, использовавшаяся
в предыдущих изданиях аналотчных справочников издательства
«Энергия»: приведены сведения об основном назначении, габаритных
и присоединительных размерах, маркировке, важнейших параметрах,
режимах измерения, предельных эксплуатационных режимах и зависи-
мостях полупроводниковых приборов.
Справочник предназначен для специалистов, занимающихся разра-
боткой, ремонтом и эксплуатацией радиоэлектронной аппаратуры,
студентов и аспирантов радиотехнических факультетов вузов и широко-
го круга радиолюбителей.
Справочник подготовлен под общей редакцией Н Н. Горюнова
авторами А В Баюковым, А. Б. Гитцевичем, А. А Зайцевым,
В В Мокряковым, В. М Петуховым, А. К. Хрулевым.
Отзывы и замечания о справочнике авторы просят направлять
по адресу 113114, Москва, М-114, Шлюзовая наб., 10, Эиергоиздат.
Авторы
12
Часть первая
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ
О ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДАХ,
ТИРИСТОРАХ И ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ
ПРИБОРАХ
Раздал первый
К ЛАССИФИКАЦИЯ ДИОДОВ, ТИРИСТОРОВ
И ОПТОЭЛЕК1 ройных приборов
1.1. КЛАССИФИКАЦИЯ И СИСТЕМА ОБОЗНАЧЕНИЙ
Классификация современных полупроводниковых приборов по
их назначению, физическим свойствам, основным электрическим
пара мет рам. конструктивно-технологическим признакам, роду исходно-
го полупроводникового материала находит отражение в системе
условных обозначений их типов
В соответствии с возникновением новых классификационных
групп приборов совершенствуется и система их условных обозначений,
которая на протяжении последних 15 лет трижды претерпевала
изменения
Система обозначений современнных полупроводниковых диодов,
тиристоров и оптоэлектронных приборов установлена отраслевым
стандартом OCT 11 336.038-77 и базируется на ряде классификаци-
онных признаков этих приборов.
В основу системы обозначений положен семизначный буквенно-
цифровой код, первый элемент которого (буква — для приборов
широкого применения, цифра — для приборов, используемых в уст-
ройствах специального назначения) обозначает исходный полупровод-
никовый материал, па основе которого изготовлен прибор. Второй
элемент обозначения — буква, определяет подкласс приборов трегий
элемент - цифра (или буква для оптопар), определяет один из основ-
ных характеризующих прибор признаков (параметр, назначение или
принцип дейсI вия). Четвертый, пятый и шестой элеменi ы — трехзначиос
число, обозначающее порядковый номер разработки технологического
типа прибора, седьмой элемент — буква, условно определяет класси-
фикацию по параметрам приборов, изготовленных по единой тех-
ноло ии
В стандарте предусмотрено также введение в обозначение допол-
нительных знаков при необходимости отметить отдельные сущест-
венные конструктивно-технологические особенности приборов.
13
Для обозначения исходного материала используются следующие
символы (первый элемент обозначения):
Г или 1 — для германия или его соединений;
К или 2 — для кремния или его соединений;
А или 3 — для соединений галлия (например, для арсенида
галлия ;
И или 4 — для соединений индия (например, для фосфида индия)
Для обозначения подклассов приборов используется одна из
следующих букв (второй элемент обозначения):
Д — для диодов выпрямительных, импульсных, магнитодиодов,
термо диодов;
Ц — выпрямительных столбов и блоков'
В — варикапов;
И — туннельных диодов;
А — свсрхвысокочастотных диодов,
С — стабилитронов (включая стабисторы и отраничители);
Г — генераторов шума
Л — излучающих оптоэлектронных приборов'
О — оптопар,
У — триодных тиристоров.
Для обозначения наиболее характерного признака прибора исполь-
зуются следующие символы применительно к различным подклассам
приборов (третий элемент обозначения).
Диоды (подкласс Д)
1 — для выпрямительных диодов с постоянным или средним значением
прямого тока не более 0,3 А;
2 — для выпрямительных диодов с постоянным или средним значением
прямого тока от 0,3 до 10 А;
3 — для магнитодиодов и термо диодов;
4 для импульсных диодов с временем восстановления обратного
сопротивления более 500 нс;
5 — для импульсных диолов с временем воссгановлеиия от 150 до
500 нс,
6 — для импульсных диодов с временем воссгановлеиия от 30 до
150 нс;
7 — для импульсных диолов с временем восстановления от 5 до 30 нс;
8 — для импульсных диодов с временем восстановления от 1 до 5 ис;
9 — для импульсных диолов с эффективным временем жизни неосновных
носителей заряда менее 1 нс.
Выпрями тельные столбы н блоки (полкласс Ц)
1 — для столбов с постоянным или средним значением прямого
тока не более 0,3 А;
2 — для столбов с постоянным или средним значением прямого
тока от 0,3 до 10 А
3 — для блоков с постоянным или средним значением прямого тока
не более 0,3 А
4 для блоков с постоянным или средним значением прямого тока
от 0,3 до 10 А
14
Варикапы (подкласс В)
1 — для построечных варикапов;
2 — для умножительных варикапов.
Туннельные диоды (подкласс И)
1 — для усилительных туннельных диодов;
2 — для генераторных туннельных диодов;
3 — для переключательных туннельных диодов;
4 — для обращенных диодов.
Сверхвысокочастотные диоды (подкласс А)
1 — для смесительных диодов;
2 — для детекторных диодов;
3 — для усилительных диодов;
4 — для параметрических диодов;
5 — для переключательных и ограничительных диодов;
6 — для умножительных и настроечных диодов;
7 — для генераторных диодов;
8 — для прочих СВЧ диодов
Стабн итроны (подкласс С)
I — для стабилитронов мощностью нс более 0,3 В с номинальным
напряжением стабилизации менее 10 В
2 — для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальным
напряжением стабилизации от 10 до 100 В
3 — для стабилитронов мощностью ие более 0,3 Вт с номинальным
напряжением стабилизации более 100 В;
4 — для стабилитронов мощностью от 0,3 до 5 Вт с номинальным
напряжением стабилизации менее 10 В;
5 - для стабилитронов мощностью от 0,3 до 5 Вт с поминальным
напряжением стабилизации от 10 до 100 В
6 — для стабилитронов мощностью от 0,3 до 5 Вт с поминальным
напряжением стабилизации более 100 В
7 — для стабилитронов мощностью от 5 до 10 Вт с номинальным
напряжением стабилизации менее 10 В
8 —для стабилитронов мощностью от 5 до 10 Вт с номинальным
напряжением стабилизации от 10 до 100 В;
9 — для стабилитронов мощностью от 5 до 10 Вт с поминальным
напряжением стабилизации более 100 В
Генераторы шума (подкласс Г)
I — для низкочастотных генераторов шума;
2 — для высокочасто1ных генераторов шума.
15
Излучающие оптоэлектронные приборы (подкласс Л)
Источники инфракрасного излучении
1 — для излучающих диолов;
2 — для излучающих модулей.
Приборы визуального представ чення информации
3 — для светоизлучающих диодов:
4 — для знаковых индикаторов;
5 — для знаковых табло;
6 — для шкал;
7 — для экранов.
Оптопары (подкласс О)
Р — для резисторных оптопар;
Д — для диодных оптопар;
У — для тиристорных оптопар;
Т — для транзисторных оптопар.
Триодные тиристоры (подкласс У)
Нсзапирасмые тиристоры
1 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего
тока в открытом состоянии не бозее 0,3 А или с максимально
допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии
не более 15 А
2 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего
тока в 01 крытом состоянии от 0,3 до 10 А или с максимально
допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии
от 15 до 100 А;
7 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего
тока в открытом состоянии более 10 А или с максимально
допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии
более 100 А.
Запираемые тиристоры
3 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднею
тока в открытом состоянии не более 0,3 А или с максимально
допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии
нс более 15 А;
4 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего
тока в открытом состоянии от 0,3 до 10 А или с максимально
допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии
от 15 до 100 А
8 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего
тока в открытом состоянии более 10 А пли с максимально
допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии
более 100 А
16
Си иметричные тиристоры
5 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего
тока в открытом состоянии не более 0,3 А или с максимально
допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии
не более 15 А;
б — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего
тока в открытом состоянии от 0,3 до 10 А или с максимально
допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии
от 15 до 100 А;
9- для тиристоров с максимально допустимым значением среднего
I тока в открытом состоянии более 10 А пли с максимально
допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии
более 100 А,
Для обозначения порядкового номера разработки используются
двузначные числа от 01 до 99 (четвертый и пятый элементы
обозначения), в качестве классификационной литеры (шестой элемент)
используются буквы русского алфавита от А до Я. за исключе-
нием букв, сходных по начертанию с цифрами 3 0 и 4
В качестве дополнительных элементов обовпачеппя используются
следующие символы;
буква С после второго элемента обозначения — для наборов
в общем корпусе однотипных приборов, не соединенных электри-
чески или соединенных одноименными выводами;
цифра, написанная через дефис, после седьмого элемента обозна-
чения — для бескорпусных приборов; цифры соответствуют следующим
модификациям конструктивного исполнения
1 — с
2-е
3-е
4 — с
5 — с
вы волов (кристалл);
6 — с контактными площадками па кристаллодержателе без выводов
(кристалл па подложке);
буква Р после последнего элемента обозначения — для СВЧ
диодов с парным подбором,
буква И после второго элемента обозначения — для импульсных
тиристоров
Таким образом, современная система обозначений позволяет по
типу прибора получить значительный объем информации о свойствах
прибора
Приведем примеры обозначения некоторых приборов:
КД215А — кремниевый выпрямительный диод с 0,3 А < 1пр < 10 А,
предназначенный для устройств широкого применения; номер разра
бот кг 15, группа А;
2ДС523Г — набор кремниевых импульсных диодов, предназна-
ченных для устройств специального назначения, с временем установ-
ления обратного сопротивления от 150 до 500 нс; д^ИКмШ^'ботки
23, группа Г;
гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки);
гибкими выводами на кристаллодержателе;
жесткими выводами без кристаллодержателя;
жесткими выводами па кристаллодержателе;
контактными площадками без кристаллодержателя и без
17
Al 131 ОБ-2 — арссиид-таллисвый переключательный бескорпуспой
туннельный диол с гибкими выводами па кристаллодержателе, пред-
назначенный для устройств широкого применения; помер разработки
10, группа Б.
Поскольку ОСТ 11 336.038-77 введен в действие в 1978 г.,
для обозначения большинства типов приборов, включенных в насто-
ящий справочник, использована иная система обозначений. У прибо-
ров, разработанных до 1964 г. и выпускаемых до настоящего времени,
условные обозначения состоят из двух или трех элементов.
Первый элемент обозначения — буква Д, характеризующая весь
класс полупроводниковых диодов.
Второй элемент обозначения - число (номер), которое указывает
на область применения-
от 1 до 100 — для точечных германиевых диодов;
от 101 до 200 — для точечных кремниевых диодов;
от 201 до 300 — для плоскостных кремниевых диодов;
от 301 до 400 — для плоскостных германиевых диодов;
от 401 до 500 — для смесительных СВЧ детекторов;
от 501 до 600 — для умножительных диодов;
от 601 до 700 — для видеодетекторов,
от 701 до 749 — для параметрических германиевых диодов;
от 750 до 800 — для параметрических кремниевых диодов;
от 801 до 900 — для стабилитронов;
от 901 до 950 — для варикапов;
от 951 до 1000 — для туннельных диодов;
от 1001 до 1100—для выпрямительных столбов.
Третий элемент обозначения — буква, указывающая на разновид-
ность групп однотипных приборов.
Данная система обозначений содержала значительно меньшее
количество классификационных признаков и зачастую не позволяла
определить даже подкласс диода по его условному обозначению.
Так, импульсный диод получил обозначение Д219А, стабистор —
Д219С, триодный тиристор Д235А
В 1964 г. была утверждена новая система обозначений полу-
проводниковых приборов (ГОСТ 10862-64), действовавшая до 1973 г.
В соответствии с этой системой вновь разработанным приборам
присваивались обозначения из четырех элементов.
Первый элемент обозначения — буква или цифра — определяет
исходный материал:
1 или Г —германий;
2 или К — кремний,
3 или А — арсенид галлия или другие соединения таллия
Второй элемент обозначения — буква, характеризующая подкласс
приборов:
Д — выпрямительные, универсальные, импульсные диоды ;
•В — варикапы;
А — сверхвысокочастотные диоды;
Ф — фотоприборы;
Н — диодные тиристоры (динисторы);
У триодные тиристоры (тринисторы);
18
И — туннельные диоды;
С — стабилитроны,
II — выпрямительные столбы и блоки.
Третий элемент обозначения — трехзначное число, указывающее
назначение или электрические свойства прибора в пределах подкласса:
Диоды низкой и высокой частоты
Or 101 до 399 — выпрямительные;
от 401 до 499 — универсальные.
от 501 до 599 — импульсные
Варикапы
От 101 до 999 — все тины.
Сверхвысокочастотиые диоды
От 101 до 199 — смесительные;
от 201 до 299 — видеодетекторы
от 301 до 399 — модуляторные
от 401 до 499 — параметрические,
от 501 до 599 - переключающие;
от 601 до 699 — умножите льные.
Фотоприборы
От 101 до 199 — фотодиоды,
от 201 до 299 — фототрапзисторы.
Диодные тиристоры
От 101 до 199 — малой мощности;
or 201 до 299 — средней мощности;
от 301 до 399 — большой мощности
Триодные тиристоры
От 101 до 199 — малой мощности
от 201 до 299 — средней мощности;
от 301 до 399 — большой мощности.
Туннельные диоды
IO1 101 до 199 — усилительные;
от 201 до 299 — генераторные,
от 301 до 399 - переключающие;
I от 401 до 499 — обращенные.
19
Стабилитроны:
малой мощности (Р^О.З Вт)
от 101 до 199—с напряжением стабилизации от 0 1 до 9,9 В
от 210 до 299 — с напряжением стабилизации от 10 до 99 В;
от 301 до 399 с напряжением стабилизации от 100 до 199 В;
средней мощности (0,3 Вт < Р «5 5 Вт)
от 401 до 499 —с напряжением стабилизации от 0,1 до 9,9 В;
от 510 до 599 -с напряжением стабилизации от 10 до 99 В
от 601 до 699 — с напряжением стабилизации от 100 до 199 В
большой мощности (Р> 5 Вт)
от 701 до 799 — с напряжением стабилизации от 0,1 до 9,9 В,
от 810 до 899 — с напряжением стабилизации от 10 до 99 В’
от 901 до 999 — с напряжением стабилизации от 100 до 199 В.
Две последние цифры соответствуют номинальному напряжению
стабилизации стабилитронов данного типа например 2С162А — крем-
ниевый стабилитрон малой мощности с 17ст ном = 6,2 В.
Выпрямительные столбы и блоки
От 101 до 199 — столбы малой мощности (711р ср 0,3 А);
от 201 до 299 — столбы средней мощности (1пр ср > 0,3 А);
от 301 до 399 — блоки малой мощности (/пр>ср 0,3 А);
от 401 до 499 — блоки средней мощности (0,3 А < ср С 10 А);
от 501 до 599 — блоки большой мощности (7пр ср > '0 А)
Четвертый элемент обозначения — буква, указывающая на разно-
видность типа из данной группы приборов.
Начиная с 1973 г. и до введения ОСТ 11 336.038-77 вновь
разрабатываемым приборам присваивались обозначения в соответствии
с ГОСТ 10862-72. Обозначения состоят из четырех элементов.
Первый элемент — буква или цифра, обозначающая исходный
материал:
1 или Г — германий или его соединения;
2 или К — кремний или его соединения;
3 или А — соединения галлия.
Второй элемент — буква, характеризующая подкласс прибор
Д — диоды;
Ц — выпрямительные столбы и блоки;
А — диоды СВЧ
В — варикапы;
И — диоды туннельные и обращенные,
Н тиристоры диодные,
У — тиристоры триодные;
Л — излучатели;
Г — генераторы шума,
Б - диоды Ганна;
К — стабилизаторы тока;
С — стабилитроны и стабисторы.
Третий элемент — число, указывающее назначение и качественные
свойства прибора, а также порядковый помер разработки.
20
Диоды
От 101 до 199 выпрямительные малой мощности (7 < 0,3 А);
от 201 до 299 — выпрямительные средней мощности (0,3 А < 7<
с 10 А)
от 401 до 499 — универсальные (f < 1 ГГц),
от 501 до 599 — импульсные (7ВОС > 150 нс);
от 601 до 699 — импульсные (30 нс < ZB0C < 150 нс);
от 701 до 799 — импульсные (5 нс < Z„oc < 30 нс);
от 801 до 899 — импульсные (1 нс < /вос < 5 нс);
от 901 до 999 — импульсные (ZBOC < 1 пс).
Выпрямительные столбы и блоки
От 101 до 199 — столбы малой мощности (7 <0,3 А);
от 201 до 299 — столбы средней мощности (0,3 Л<7< 10 А);
от 301 до 399 — блоки малой мощности (/<0,3 А);
от 401 до 499 — блоки средней мощности (0,3 А < / < 10 А).
Диоды СВЧ
От 101 до 199 — смесительные;
от 201 до 299 — детекторные;
от 401 до 499 — параметрические,
от 501 до 599 — регулирующие
от 601 до 699 - умножительные;
от 701 до 799 — генераторные.
Варикапы
От 101 до 199 — подстроечные,
от 201 до 299 - умножительные.
Тиристоры диодные
От 101 до 199 — малой мощности (/<0,3 А);
от 201 до 299 — средней мощности (0,3 А < / < 10 А).
Тиристоры триодные
От 101 до 199 — пезапираемые маной мощности (/ < 0,3 А);
от 201 до 299 — незапирасмые средней мощности (0,3 А < / <
< 10 А);
от 301 до 399 — запираемые малой мощности (7 < 0,3 А).
от 401 до 499 - запираемые средней мощности (0,3 А < 7 <
< 10 А):
от 501 до 599 — симметричные незапирасмые малой мощности
(7 <0,3 А);
I от 601 до 699 — симметричные незапирасмые средней мощности
(0 3 А < 7 < 10 А).
21
Излучатели
От 101 до 199 — инфракрасного диапазона;
or 301 до 399 — видимого диапазона с яркостью менее 500 кд/м2;
от 401 до 499— видимого диапазона с яркостью более 500 щм2.
Система условных обозначений стабилитронов, стабисторов, тун-
нельных и обращенных диодов в ГОСТ 10862-72 аналогична системе
в ГОСТ 10862-64.
Четвертый элемент — буква, указывающая разновидность типа нз
данной группы приборов (деление на параметрические группы).
Наряду с приборами, условное обозначение которых соответствует
описанным системам обозначений, в настоящем справочнике приведены
сведения о некоторых типах диодов более ранних лет разработки,
до сих пор находящих применение в аппаратуре и обозначаемых
иными способами (смесительные диоды ДГ-С1, ДК-С7М, детекторные
диоды ДК-В1, ДКВ-2, ДК И1М и некоторые другие).
1.2. УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ
В технической документации и в специальной литературе следует
применять условные графические обозначения полупроводниковых
приборов в соответствии с ГОСТ 2.730-73.
Графические обозначения полупроводниковых приборов, помещен-
ных в данном томе справочника, приведены в табл. 1.1.
Т а б. н ц а 1. I рафические обозначения полупроводниковых приборов
Продолжение там. 1.1
Наименопапия iip-.iGopoe
Тирксчор нсзаиирасмый триодный:
с управлением по аноду
с управлением по каюду
Тпрнстор запираемый:
с управлением по аноду
с управлением по кт оду
Диод светоизлучающий
Оптопары:
диодная
тприс горная
транзисторная
с однопсрсходпым транзистором
23
1.3 УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ
ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ
(Упр постоянное прямое напряжение
СОбр— постоянное обратное напряжение диола
1/оСр макс — максимально допустимое постоянное обратное напря-
жение диода
U, р Ц— импульсное прямое напряжение лиода
17обр,и— импульсное обратное напряжение диода
^обр.п.макс- максима 1ЫЮ допустимое импульсное обратное напря-
жение лиода
17пр р- среднее прямое напряжение диода
U„— напряжение пика туннельного диода
17в- напряжение впадины туннельного диода
17рр— напряжение раствора туннельного диода
(1ВП — выпрямленное диодом напряжение
17в„г выпрямленное диодом напряжение при темпера гуре Т
^проб- пробивное напряжение
17опф т — напряжение в открытом состоянии тиристора
17у ОТ т — постоянное отпирающее напряжение па управляющем
электроде тиристора
^у.от.и у — импульсное отпирающее напряжение на управляющем
электроде тиристора
^у.неог т неотпирающее напряжение на управляющем электроде
тиристора
1'нсог>и>т — импульсное неотпирающее напряжение тиристора
Ця.и.т — импульсное отпирающее напряжение тиристора
^у,1и,и,т ~ импульсное незапирающее напряжение на управляю-
щем электроде тиристора
^у,нз,т “Незапирающее напряжение на управляющем электроде
тиристора
Цкр, мин.т — минимальное напряжение в закрытом состоянии
тиристора
Цзр. зкр. макс, т ~ максимально допустимое постоянное прямое напряже-
ние в закрытом состоянии тиристора
Ы„р,зкр,и,макс.т — максимально допустимое импульсное прямое напря-
жение в закрытом состоянии тиристора
^обр.у..макс.т максимально допустимое постоянное обратное напря-
жение на управляющем электроде тиристора
^обр у и,макс.т ~ максимально допустимое импульсное обратное напря-
жение на управляющем электроде тиристора
dUm
—1 критическая скорость нарастания напряжения в закры-
кр том состоянии тиристора
— максимально допустимая скорость нарастания иапря-
макс же11ия в закрытом состоянии тиристора
напряжение между базами 1 и 2 двухбазового диода
17ст— напряжение стабилизации
^ст.иом- номинальное напряжение стабилизации
617ст— временная нестабильность напряжения стабилизации
ДСгст— температурный уход напряжения стабилизации
17ВЬ1Х, 17вых — выходное напряжение логического нуля, единицы
ГПр— постоянный прямой ток диода
1Пр..макс— максимально допустимый постоянный прямой ток
лиода
1цр. и- импульсный прямой ток диода
1цр |, кикс- максимально допустимый импульсный прямой ток
диата
1„р ср— средний прямой ток диода
^пр.ср.чакс- максимально допустимый средний прямой ток диода
1„ от- амплитуда импульса тока одноразовой нерырузки
стабилитрона
Лф, и, олп — амплитуда импульса прямого тока одноразовой пере-
1рузки диода
1„р пер— постоянный перегрузочный прямой ток диода
1(1р.и.пср— импульсный перегрузочный прямой л ок диола
1Обр_ постоянный обратный ток диода
loop,макс- макснмвлыю допустимый постоянный обратный ток
диола
1Обр.и,макс— максимальный импульсный обратный ток диода
1Обр,ср— средний обратный ток диода
1<.,бр.пср— посюяиный обратный перегрузочный ток диода
1Отсч— юк, при котором производится отсчет времени
восстановления обратного сопротивления диода
1ВП — выпрямленный ток диода
1вп,ср— средний выпрямленный ток диода
1вп.ср макс- максимально допустимый средний выпрямленный ток
диода
/„ — пиковый ток туннельного диода
1В — ток впадины туннельного диола
1П/1В— отношение токов туннельною диола
1ВК1 — ток включения тиристора
1уд — удерживающий ток тиристора
Акр,т — ток в закрытом состоянии тиристора
1у от т — постоянный отпирающий ток управляющего электрода
тиристора
/у ог „ т - импульсный отпирающий ток управляющего электрода
тиристора
/у.„сот..] — неотпирающий ток управляющего электрода тиристора
1у з — запирающий ток управляющего электрода тиристора
1у з „ —импульсный запирающий ток управляющего электрода
тиристора
1у.из,т — незапирающий ток управляющею электрода тиристора
/отар т — ток в открытом состоянии тиристора
4>ткр,мин,т - минимальный ток в открытом состоянии тиристора
/дин т — динамический ток включения тиристора
4>тир ср. макс, 7 — максимально допустимый средний ток в открытом
состоянии тиристора
1Огкр, макс.т “ максимально допустимый постоянный ток в открытом
состоянии тиристора
24
25
^откр
dt
/откр и т — импульсный ток в открытом состоянии тиристора
4ткр.и.ма«с т — максимально допустимый импульсный ток в открытом
сое 1оянии 1иристора
Alp у макс • —максимально допустимый постоянный прямой ток
управляющего электрода тиристора
7Пр у в ,икс т — максимально допустимый импульсный прямой ток
управляющего электрода тиристора
/о5р j макс — максимально допустимый постоянный обратный ток
управляющего электрода тиристора
4бр.>.и.мак.Т — максимально допустимый импульсный обратный тик
управляющего электрода тиристора
/>.макс.т — максимально допустимый постоянный запирающий
ток тиристора
— максимально допустимая скорость нарастания тока в
MJKC открытом состоянии тиристора
/вкз— ток включения двухбазового диода
^ст.мив- минимально допустимый постоянный гок стабилизации
^сг.макс- максимально допустимый постоянный ток стабили-
зации
/ст и.ма«~ максимально допустимый импульсный ток стабили-
зации
7МЛКС— максимально допустимый постоянный прямой ток
стабилитрона
qlK- накопленный заряд диода
Qrr- заряд переключения диола
/в, опг— входной ток оптопары
/вых — выходной ток нагрузки, втекающий для приборов с
цифровым выходом
7вых— выходной ток нагрузки, выiекающий для приборов с
цифровым выходом
/ут.вых- ток утечки на выходе онтопары
1т~ входной ток логического пуля, единицы
Р„— рассеиваемая мощность варикапа
/*„ мвкс — максимально допустимая рассеиваемая мощность ва-
рикапа
Рср д— средняя рассеиваемая мощность диода
^’сп.л.макс— максимально допустимая средняя рассеиваемая мощ-
ность диода
/\икс— максимально допустимая рассеиваемая мощность
диода
^1'ас.макс— максимально допустимая рассеиваемая мощность СВЧ
диода
Ри,Макс— максимально допустимая импульсная рассеиваемая
мощность диода
Рн.рас чахс- максимально допустимая импульсная рассеиваемая
мощность СВЧ диода
Рт — рассеиваемая мощность тиристора
^ср.маге.т — максимально допустимая средняя рассеиваемая мощ-
ное >ь тиристора
26
Рп макс — максимально допустимая импульсная рассеиваемая
мощность тиристора
Ру.ср.макс.! -максимально допустимая средняя мощность на управ-
ляющем электроде тиристора
и макс т — максимально допустимая импульсная мощность на
управляющем электроде тиристора
Ломакс- максимально допустимая непрерывная падающая СВЧ
мощность
Р„д— падающая на диод СВЧ мощность
Лтх.мии- минимальная выходная непрерывная СВЧ мощность
Рй — мощность 8-й гармоники
Р3 — мощность 3-й гармоники
^евч и мак макс11мальио допустимая импульсная рассеиваемая
СВЧ мощность
Р ма макснмально допустимая непрерывная рассеиваемая
СВЧ мощность
Р д ] макс~ максимально допустимая импульсная падающая СВЧ
мощность
Р — максимально допустимая импульсная рассеиваемая
и. рас. макс J J 1
МОЩНОСТЬ
Гвос— время восстановления обратного сопротивления диола
fvci- время установления прямого напряжения диода
Gicp- время переключения
/нр т — время нарастания тиристора
/выв । т — время выключения тиристора
/Вк-|,-г • время включения тиристора
tln — время задержки тиристора
S.’t.t — время задержки по управляющему электроду тиристора
fy.mci.T — время включения по управляющему электроду тирис-
тора
S.bhk.t.t _ время выключения по управляющему электроду ти-
ристора
Gn.T ~ время запаздывания тиристора
время выхода стабилитрона на режт м
t„- время нарастания импульса (тока, напряжения)
гс— время спада импульса (тока, напряжения, излучения)
1ХВК,— время задержки распространения сигнала (включения)
G.BbiK.T~ время задержки распространения сигнала (выключения)
г„— длительность импульса
тпсрсгр— длительность импульса перст рузки
Тфр— длительность фронта импульса
т, — длительность отпирающего импульса
т2— длительность запирающего импульса
ту,и т “длительность импульса по управляющему электроду
тиристора
т4> у.т “длительность фронта импульса по управляющему
электроду тиристора
гфт у.т ~ длительность фронта отпирающего импульса по управ-
ляющему электроду тиристора
т— постоянная времени
27
К|1Ср — отрицательное сопротивление перехода
Ru— сопротивление нагрузки
Кобр— обратное сопротивление диода
^г.кр-кор— тепловое сопротивление кристалл — корпус
К,— общее тепловое сопротивление
Кш— сопротивление шунта между управляющим электродом
и катодом тиристора
Ко,. рр— сопротивление между сегментами или разрятами
прибора с перекрестной коммутацией (сопротивления
сегмент — сегмент, разряд — разряд)
R^,^ — статическое сопротивление стабилитрона
R„ — сопротивление изоляции (сопротивление гальваничс-
ской развязки)
Кбб- межбазовос сопротивление
</нСр— отрицательная проводимость перехода
г„— сопротивление потерь диода
г1ЮС— сопротивление нагрузки, включенное последовательно
с диодом СВЧ
г„р прямое сопротивление диода по постоянному току
гобр обратное сопротивление диода по постоянному току
гст— дифференциальное сопротивление стабилитрона
гвь]х — выходное сопротивление СВЧ диода
гш шумовое сопротивление СВЧ диода
1 тиф- дифференциальное сопротивление диода
Сд— общая емкость диода
Собш.-г — общая емкость тиристора
Скор11— емкость корпуса диода
С— полная емкость стабилитрона
СЛСр— емкость перехода диода
Сстр— емкость структуры
Св— общая емкость варикапа
С„ — номинальная емкость варикапа
£л— индуктивность днода
LB- последовательная индуктивность варикапа
L— последовательная индуктивность стабилитрона
В— яркость излучающего оптоэлектронного прибора
/0— резонансная частота туннельного диода
/1р— граничная частота генератора шума
/— рабочая частота диода
/у— частота следования импульсов по управляющему
электроду тиристора
сила света излучающего оптоэлектронного полупровод-
никового прибора
Iv— интенсивность излучения оптоэлектронного прибора
сида излучения оптоэлектронного прибора
нормированный коэффициент шума СВЧ диода
К,п— шумовая постоянная туннельного диода
Кпср/—коэффициент перетрузки диода по прямому току
качество диода
КИ1П— качество диола па низком уровне
28
Кв- качество диода па высоком уровне
KctU- коэффициент стоячей волны по напряжению СВЧ диода
Кс- коэффициент перекрытия по емкости варикапа
К— относительный разброс яркости или силы света опто-
электронного прибора
К— коэффициент передачи тока
— потери запирания
Lnp— потери пропускания
LnpC— потери преобразования смесительного диода
Lnpi- т— потери преобразования при температуре Т
М— коэффициент качества детекторного диода
Mj— коэффициент качества детекторного диода при тем-
пературе Т
пш— шумовое отношение СВЧ диода
Р — мощность излучения
р — атмосферное дав icnnc
Qn — добротное 1ь варикапа
Q— добротность
5ШС,— спектральная плотность шума стабилиipona
S— спектральная плотность напряжения генератора шума
Т— температура окружающей среды
Лике— максимальная температура окружающей среды
7МИ„— минимальная температура окружающей среды
Тк— температура корпуса
Тп— температура перехода
Т^н- температура кристаллодержателя
IV— волновое сопротивление
а— угол излучения излучающего оптоэлектронного при-
бора
а,.,— средний температурный коэффициент напряжения
стабилизации стабилитрона
«ст io- средний температурный коэффициент напряжет ия ста-
билизации стабилитрона при токе 10 мА
ис — температурный коэффициент емкости варикапа
();— чувствительность по току детекторного диола
Pfr— чувствительность но току детекторного диода при
температуре Т
Хм— длина волны, соответствующая максимуму спектраль-
ной характеристики излучения
А\— ширина спектральной характеристики излучения (на
уровне 0.5 максимального значения)
Звездочкой * отмечены параметры или их значения, приведенные
в ТУ в разделах справочных данных. При производстве при-
боров они могут не контролироваться
В тех случаях, когда у предельно допустимых эксп туатационцых
данных не указан интервал температур, эти данные i арантированы
во всем интервале температур окружающей среды (корпуса).
29
1.4. ОСНОВНЫЕ СТАНДАРТЫ В ОБЛАСТИ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
ГОСТ 15133-77
ОСТ 11 336 038-77.
ГОСТ 2.730-73.
ГОСТ 18472-77.
ГОСТ 23448-79.
ГОСТ 19613-80
ГОСТ 18216-72.
ГОСТ 18994-73
ГОСТ 20004-74
ГОСТ 20005-74.
1ОСТ 20331-74
ГОСТ 20332-74
ГОСТ 21154-75
ГОСТ 22274-76
ГОСТ 2.3562-79.
ГОСТ 18986.
ГОСТ 19138.
Приборы полупроводниковые. Термины и опре-
деления
Приборы полупроводниковые. Система обозна-
чений.
Приборы полупроводниковые. Условные обозна-
чения графические.
Приборы полупроводниковые. Корпуса. Габарит-
ные и присоечинитсльпые размеры.
Приборы полупроводниковые излучающие. Ос-
новные размеры.
Диоды полупроводниковые. Столбы и блоки
выпрямительные. Корпуса. Габаритные и присое-
динительные размеры.
Диоды туннельные. Электрические параметры.
Термины, определения и буквенные обозначения.
Стабилитроны полупроводниковые. Электриче-
ские параметры. Термины, определения и буквен-
ные обозначения.
Диолы полупроводниковые. Электрические пара
метры общие. Термины, определения и буквен-
ные обозначения.
Диоды полупроводниковые. Варикапы Электри-
ческие параметры. Термины, определения и бук-
венные обозначения
Диоды полупроводниковые сверхвысокочастот-
ныс. Электрические параметры. Термины, опре-
деления и буквенные обозначения.
Тиристоры. Электрические параметры Термины,
определения и буквенные обозначения.
Дноды полупроводниковые. Генераторы шума.
Электрические параметры Термины, определения
и буквенные обозначения.
Приборы полупроводниковые оптоэлектронные
излучающие. Параметры. Термины, определения
и буквенные обозначения.
Оптопары. Термины определения и буквенные
обозначения параметров
Комплекс стандартов на методы измерения элекг
рических параметров диодов Комплекс состоит
из стандарта общих положений (ГОСТ 18986 0-74)
и час I пых стандартов (ГОСТ 18986.1-73,
ГОСТ 18986 2-73 и т. д.).
Комплекс стандартов на методы измерения
параметров тиристоров. Комплекс состоит из
стандарта общих положений (ГОСТ 19138 0-74)
и частных стандартов (ГОСТ 19138.1-73,
ГОСТ 19138.2-73 и т. д ).
30
ГОСТ 19834.
ГОСТ 22440.
Комплекс стандартов на методы измерения
параметров излучающих дполов Комплекс сос-
тоит из стандарта общих положений (ГОСТ
19834.0-75) и частных стандартов (ГОСТ 19834.1-
74 ГОСТ 19834.2-74 и т. д.).
Комплекс стандартов на методы измерения пара-
метров оптоэлектронных переключателей Ком-
плекс состоит из стандарта общих положений
(ГОСТ 22440.0-77) и частных стандартов (ГОСТ
22440.1-77, ГОСТ 22440 2-77 и т. д).
Комплекс стандартов па методы измерения пара-
метров оптоэлектронных коммутаторов. Комп-
лекс состоит из стандарта общих положений
(ГОСТ 22604.0-77) и частных стандартов (ГОСТ
22604.1-77, ГОСТ 22604 2-77 и т д.).
Комплекс стандартов-руководств по примене-
нию полупроводниковых приборов. Комплекс
состоит из стандарта общих положений (ОСТ 11
336.907 0-79) и частных руководств на каждую
классификационную группу полупроводниковых
приборов (ОСТ 11 336.907.1-79, ОСТ 11
336.907.2-79 и т. д.).
ОСТ 11 П0.336 001. Приборы полупроводниковые бескорпусные. Ру-
ГОСТ
22604.
ОСТ 11 336.907.
ководство по применению
Разде I второй
ОСОБЕННОСТИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
В РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЕ
Полупроводниковые приборы, сведения о которых приводятся
в справочнике являю<ся приборами общею применения. Они могут
работать в разнообразных условиях и режимах, характерных для раз-
личных классов радиоэлектронной аппаратуры широкого, промышлен-
ного и специального применения.
Общие технические требования к приборам, предназначенным для
аппаратуры определенного класса, содержатся в общих технических
условиях (ОТУ) на эти приборы. Конкретные нормы па значения
электрических параметров и специфические 1ребования к данному тину
приборов излагаются в частных технических условиях (ЧТУ) и ГОСТ
на приборы.
Высокая надежность радиоэлектронной аппаратуры па полупро-
водниковых приборах может быть обеспечена лишь при условии учета
на сталии се проектирования, изютовления и эксплуатации следую-
щих особенностей приборов:
разброса значений параметров, их зависимости от режима и
условий работы.
31
изменения значений параметров в течение времени хранения ити
работы;
необходимости хорошего отвода тепла от корпусов приборов;
необходимости обеспечения запасов по электрическим, механиче-
ским и другим нагрузкам на приборы в радиоэлектронной аппаратуре;
необходимости принятия мер, обеспечивающих отсутствие пере-
грузок приборов во время монтажа в сборки радиоэлектронной
аппаратуры.
Значения параметров приборов одного типа не одинаковы а лежач
в некотором интервале. Этот интервал ограничивается минимальными
или максимальными значениями, указанными в справочнике. Некою
рыс параметры имею! двухстороннее ограничение значении. Приве-
денные в справочнике вольт-амперные харак юристпки, зависимости
параметров от режима и температуры являются усредненными для
большого количеова экземпляров приборов данного типа. Эти зави-
симости могут использоваться при выборе типа прибора для данной
схемы и ориентировочного се расчета.
Большинегво параметров полупроводниковых приборов значитель-
но изменяется в зависимости от режима работы и температуры.
Например, время восстановления обратного сопротивления импульс-
ных диодов зависит от значения прямого тока, напряжения переклю-
чения п сопротивления нагрузки; потери преобразования и коэффи-
циент шума СВЧ диодов зависят от уровня подводимой мощности.
Зиачтнельио изменяется в диапазоне температуры, указанном в тех-
нических условиях, обратный ток диода В справочнике приводятся
значения параметров, гарантируемых ТУ для соответствующих опти-
мальных или предельных режимов использования.
Применение и эксплуатация приборов должны осуществляться
в соответствии с требованиями ТУ и ciандартами — руководствами
но применению. При конструировании радиоэлектронной аппаратуры
необходимо стремиться обеспечить ее работоспособность в возможно
более широких интервалах изменений важнейших параметров прибо-
ров. Разброс параметров приборов и изменение их значений во вре-
мени при проекIировапии аппаратуры учи!ываются расчетными ме-
тодами или экспериментально, например методом граничных ис-
пытаний.
Время, в течение которого полупроводниковые приборы могут
работать в annapaiype (их срок службы), практически неограниченно.
Нормативно-техническая докуметация на поставку приборов (ГОСТ,
ТУ), как правило, гарантирует минимальную наработку не менее
15 000 ч, а в облегченных режимах и условиях эксплуашции — до
30000 ч. Однако теория и эксперименты показывают, что через
50 — 70 тыс. ч работы возрастания интенсивности отказов не наблю-
дается. Тем не менее за время хранения и работы могут происходить
изменения значений параметров приборов. У отдельных экземпляров
эти изменения оказываются столь значительными, что происходит
отказ аппаратуры. Для кошроля уровня надежности изготовляемых
приборов используются такие показа юли, как гамма-процентный
ресурс, га.мма-процешная сохраняемость, минимальная наработка
(гарантийная наработка), интенсивность отказов при специальных
32
кратковременных испытаниях в форсированном режиме. Нормы на
эти показатели устанавливаются в У на приборы.
Для расчета надежности радиоэлектронной аппаратуры следует
использовать количественные показатели надежности, устанавливаемые
путем проведения специальных испытаний, обработки большого объема
статистических данных о различных испьпаниях и эксплуатации при-
боров в разнообразной аппаратуре.
Экспериментально установлено, что интенсивность (вероятность)
отказов приборов растет при увеличении рабочей температуры пере-
ходов, напряжения на электродах и тока. В связи с повышением
температуры ускоряются практически отказы всех видов: короткие
замыкания, обрывы и значительные изменения параметров. Повышение
напряжения значительно ускоряет отказы приборов с МДП структу-
рами и с низковольтными переходами. Увеличение тока приводит,
главным образом, к ускоренному разрушению контактных соединений
и токовсдущих дорожек металлизации на кристаллах.
Приближенная зависимость интенсивности отказов от нагрузки
имеет вид
( U \г/ / \2 ~в( 1 - 1 )
О ~ ^(^п.макс- ^макс* ^макс) I V. I I _-I С Vn ^п.макс/,
\ бмакс / \ 'макс /
где Х(Тл макс, С'макс, 7макс) — интенсивность отказов при максимальной
нагрузке (может быть взята из результатов кратковременных испы-
таний в форсированном режиме). Значение В приблизительно равно
6000 К
Для повышения надежности работы приборов в аппаратуре необ-
ходимо снижать, главным образом, температуру переходов и крис-
таллов, а также рабочие напряжения и токи, которые должны быть
существенно ниже предельно допустимых. Рекомендуется устанавли-
вать напряжения и токи (мощность) на уровне 0,5 —0,7 предельных
(максимальных) значений. Эксплуатация полупроводниковых приборов
при температуре, напряжении или токе, равных предельному значению,
запрещается. Не допускается даже кратковременное (импульсное)
превышение предельно допустимого режима при эксплуатации. Поэ-
тому необходимо принимать меры по защите приборов от электри-
ческих перегрузок, возникающих при переходных процессах (при вклю-
чении и выключении аппаратуры, при изменении режима ее работы,
подключении на1рузок, случайных изменениях напряжения источников
питания).
Режимы работы приборов должны контролироваться с учетом
возможных неблагоприятных сочетаний условий эксплуатации аппара-
туры (повышенная окружающая темпера iура. пониженное дав тение
окружающей среды и др.).
Если необходимое значение тока или напряжения превышает
предельно допустимое для данного прибора значение, рекомендуется
применение более мощного или высоковольтного прибора, а в случае
диодов — их параллельное или последовательное соединение. При
параллельном соединении необходимо выравнивать токи через диоды
с помощью резисторов с небольшим сопротивлением, включаемых
последовательно с каждым диодом. При последовательном включении
2 под ред. Н Н Горюнова
33
диодов обратные напряжения на них выравниваются с помощью
шунтирующих резисторов или конденсаторов. Рекомендуемые сопро-
тивления и емкости шунтов обычно указываются в ТУ на диоды.
Между последовательно или параллельно включенными приборами
должна быть хорошая тепловая связь (например, все приборы уста-
навливаются на одном радиаторе). В противном случае распределение
нагрузки между приборами будет неустойчивым.
При воздействии различных факторов (температуры, влати, хими-
ческих, механических и других воздействий) параметры, характеристики
и некоторые свойства полупроводниковых приборов могут изменяться.
Для зашиты структур полупроводниковых приборов от внешних воз-
действий служат корпуса приборов. Корпуса мощных приборов одно-
временно обеспечивают необходимые условия отвода тепла, а корпуса
СВЧ приборов — оптимальное соединение электродов приборов со
схемой. Необходимо иметь в виду, что корпуса приборов имеют
ограничения по герметичное ги и коррозионной устойчивости, поэтому
при эксплуатации приборов в условиях повышенной влажности реко-
мендуется покрывать их специальными лаками (например, типа
У Р-231 или ЭП-730).
Обеспечение оiвода тепла от полупроводниковых приборов яв-
ляется одной из итавных задач при конструировании радиоэлектрон-
ной аппаратуры. Необходимо придерживаться принципа максимально
возможного снижения температуры переходов и корпусов приборов.
Для охлаждения мощных диодов или тиристоров используются
теплоотводящие радиаторы, работающие в условиях естественной
конвекции или принудительного обдува, а также конструктивные
элементы узлов и блоков аппаратуры, имеющие достаточную поверх-
ность или хороший теплоотвод. Крепление приборов к радиатору
должно обеспечивать надежный тепловой контакт Если корпус при-
бора должен быть изолирован, то для уменьшения общего теплового
сопротивления лучше изолировать радиатор от корпуса аппаратуры,
чем диод или тиристор от радиатора.
Отвод тепла улучшается при вертикальном расположении актив-
ных поверхностей радиатора, так как при этом лучше условия
конвекции Ориентировочные размеры тсплоотводящих радиаторов
в форме вертикально ориентированных пластин из алюминия (квад-
ратных или прямоугольных) в зависимости от рассеиваемой ими
мощности, можно определить по формуле
S - 40Р,
где S — площадь одной стороны пластины, см2; Р — рассеиваемая
в приборе мощность, Вт. Пластины площадью до 25 см2 могут иметь
толщину 1—2 мм, площадью от 25 до 100 см2 2 — 3 мм, свыше
100 см2 — 3 4 мм.
При заливке плат с полупроводниковыми приборами компаун-
дами, пенопластами, пенорезиной необходимо учитывать изменение
теплового сопротивления между корпусом прибора и окружающей
средой, а также возможность увеличения дополнительного нагрева
приборов от расположенных вблизи элементов схемы с большим
тепловыделением. Температура при заливке не должна превышать
34
максимальной температуры корпуса прибора, указанной в ТУ. При
заливке не должны возникать механические нагрузки на выводы,
нарушающие целостность стеклянных изоляторов или корпусов
приборов.
В процессе подютовки и проведения монтажа полупроводнико-
вых приборов в аппаратуру механические и климатические воздей-
ствия на них не должны превышать значений, указанных в ТУ
При рихтовке, формовке и обрезании выводов участок вывода
около корпуса должен быть закреплен так. чтобы в проводнике нс
возникали изгибающие или растягивающие усилия Оснастка и при-
способления для формовки выводов должны быть заземлены. Расстоя-
ние от корпуса прибора до начала изгиба вывода должно быть не
менее 2 мм. Радиус изгиба при диаметре вывода до 0,5 мм должен
быть не менее 0,5 мм, при диаметре 0,6—1 мм — не менее 1 мм,
при диаметре свыше 1 мм — не менее 1,5 мм.
Паяльники, применяемые для пайки выводов приборов, должны
быть низковольтными. Расстояние от корпуса или изолятора до
места лужения или пайки вывода должно быть не менее 3 мм. Для
отвода тепла участок вывода между корпусом и местом пайки зажи-
мается пинцетом с губками из красной меди. Жало паяльника должно
быть надежно заземлено. Если температура припоя не превышает
533±5 К, а время пайки не более 3 с, то можно производи!ь
пайку без теплоотвода или групповым методом (волной, погружением
в припой и др.).
Очистка печатных плат от флюса производится жидкостями, ко-
торые не влияют на покрытие, маркировку или материал корпуса
(например, спирто-бензиновой смесью).
В процессе монтажа, транспортировки, храпения СВЧ приборов
необходимо обеспечивать их защиту от воздействия сiэтического
электричества. Для этого все измерительное, испытательное, монтаж-
ное оборудование и инструменты надежно заземляются; для снятия
заряда с тела оператора применяются заземляющие браслеты или
кольца, используются антистатическая одежда, обувь, покрытия с го-
лов рабочих мест.
Диоды СВЧ необходимо предохранять от воздействия внешних
электрических наволок и электромагнитных полей. Не следует хранить
или даже кратковременно оставлять СВЧ диоды без специальной
экранирующей упаковки. Перед установкой СВЧ диодов в аппаратуру
последняя должна быть заземлена. Входы и выходы СВЧ тракта
в нерабошющем или хранящемся блоке аппаратуры с использованием
СВЧ диодов должны быть перекрыты металлическими заглушками.
При эксплуатации аппаратуры должны быть приняты меры, пре-
дохраняющие СВЧ диоды от электрических СВЧ перегрузок, которые
могут привести либо к необратимому ухудшению (загрублению) па-
раметров, либо к полному отказу (выгоранию) диодов. Для защиты
от СВЧ перирузок в аппаратуре применяются резонансные разряд-
ники, ферритовые oi раничители, газоразрядные аттенюаторы.
2*
35
Часть вторая
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Раздел третий
ДИОДЫ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ
Д2Б, Д2В, Д2Г, Д2Д, Д2Е, Д2Ж, Д2И
Диоды германиевые точечные. Предназначены для преобразования
и детектирования сигналов с частотой до 150 МГн в амплитудных
н фазовых детекторах.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими ленточными выво-
дами. Тип диода и схема соединения электродов выбиты на ленточном
выводе
Масса листа не более 0,3 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при температурах
о г 298 до 343 К и прямых токах 5 мА для Д2Б,
9 мА - Д2В, 2 мА Д2Г, Д2Ж, Д2И, 4,5 мА Д2Д,
Д2Е при температуре 213 К и прямых токах 0,6 мА
для Д2Б, 1,5 мА — Д2В. 0,3 мА - Д2Г, Д2Ж, Д2И,
0,5 мА — Д2Д, Д2Е, не более........................ 1 В
Постоянный обратный ток при £7о,-р = 1/о(;р мли., не более
при 298 и 213 К
Д2Б...........................................100 мкА
Д2В, Д2Г Д2Д, Д2Е, Д2Ж, Д2И.................. 250 мкА
при 343 К
Д2Б.......................................... 400 мкА
Д2В Д2Г, Д2Д . . . . . . 1,0 мА
Д2Е, Д2И, Д2Ж................................0,7 мА
Импульсное прямое напряжение при /1|р = 30 мА, нс более 7 В
Время восстановления обратного сопротивления при
4р. и= Ю мА, Uo6p = 10 В, не более................. 3 мкс
Емкость диода при 17оСр = 1,5 В, ие более...........0,2 пФ
36
Предельные эксплу атапиопные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от 213
до 308 К ’
Д2Б................................................ 10 В
Д2В.............................................. 30 В
Д2Г, Д2Д........................................ 50 В
Д2Е, Д2И....................................... 100 В
Д2Ж............................................. 150 В
Импульсное обратное напряжение при температуре:
от 213 до 308 К
Д2Ь............................................ 30 В
Д2В............................................ 40 В
Д2Г.Д2Д........................................ 75 В
Д2Е.Д2И....................................... 100 В
Д2Ж........................................... 150 В
при 343 К
Д2Б.............................................. 30 В
Д2В............................................ 40 В
Д2Г.Д2Д........................................ 56 В
Д2Е, Д2И....................................... 75 В
Д2Ж........................................... 112 В
Импульсный прямой ток:
Д2Ж............................................... 25 мА
Д2Б, Д2Г, Д2Д, Д2Е, Д2И..................... 50 мА
Д2В.......................................... 78 мА
Средний выпрямленный ток на частотах до 0,1 МГн
Д2Ж................................................ 8 мА
Д2Б. Д2Г Д2Д, Д2Е, Д2И..................... 16 мА
Д2В.......................................... 25 мА
Отношение среднею выпрямленного тока на частоте
100 МГц к току на частоте 0.1 МГц, нс менее:
при нагрузке 1 кОм.............................
при нагрузке 10 кОм............................ 0,3
при нагрузке 100 кОм........................... 0,5
Общее тепловое сопротивление..................... 460 К. Вт
Средняя рассеиваемая мощность:
Д2Б, Д2Г, Д2Д, Д2Е.................................16 мВт
Д2В.........................................25 мВт
Д2Ж............................................8 мВт
Температура окружающей среды...................... От 213 до
343 К
Примечания: 1. 7/оСр ма1[С в диапазоне температур от 308
до 343 К определяется по формуле
1/( 7) = 1/(343 К) + —(343 - 7Д[£7(Л08 К) - 1/(343 К)].
37
2 Минимальное расстояние места пайки выводов — 5 мм от кор-
пуса диода. При пайке выводов необходимо обеспечивать темпера-
туру корпуса не более 343 К. Минимальное расстояние места пере-
гиба выводов — 3 мм от корпуса.
Вольт-амперная характеристика.
Вольт-ампериая характеристика.
38
Вольт-амперная харак 1 ерист ика.
мдз
Диод германиевый точечный.
Выпускается в стеклянном малогабаритном корпусе с гибкими
выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами
приводятся на упаковке диодов.
Масса диода не более 0,035 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение, не более:
при 213 К
при 711р = 5 мА................................... 1,0 В
при /,,р = 2,5 мА.............................. 0,9 В
при 298 и 343 К
при Znp = 5 мА.................................. 1,0 В
при Znp = 2,5 мА .... . ... 0,7 В
Импульсное прямое напряжение при ZIlp „ = 20 мА, не
более............................................... 3,5 В
39
Постоянный обратный ток, не более:
от 213 до 298 К [/о6р= 15 В..........................100 мкА
343 К........................................... 250 мкА
Время восстановления обратного сопротивления при
4Р, и = 20 мА, 1/обр = Ю В, не более.................0,1 мкс
Емкость диода, нс более............................... 1 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение................................. 15В
Прямой ток........................................ 12 мА
Импульсный прямой ток при т„ < 10 мкс..............50 мА
Температура окружающей среды.......................От 213 до
343 К
Примечание. Пайку выводов производить па расстоянии не
менее 5 мм от корпуса в течение 1—2 с припоем ПОС-61.
Зависимость прямого тока
напряжения.
от
Зависимость обратного тока от
напряжения.
Зависимость импульсного пря-
мого напряжения от тока.
Зависимость
диода от
общей емкости
напряжения.
49
Зависимость прямою тока от частоты
дммз
Диод германиевый точечный. Предназначен для применения в за-
ливных и капсулированных микромодулях.
Выпускается па керамических микроплатах с распайкой выводов
к пазам 1—6, 1 — 4 или 2 — 5 Тип диода указывается на мпкроплате.
Положительный электрод диода соединен с пазом / или 2 микроплаты.
Масса диола с микроплатой не более 0,35 г.
9,9
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение, не ботее:
при 213 К
при 4р = 5 мА .................................... 10В
при /Пр = 2,5 мА.............................. 0,9 В
при 298 и 343 К
при /пр = 5 мА ................................. 10В
при /пр = 2,5 мА ............................. 0,7 В
Импу льсное прямое напряжение при/пр „ = 20 мА, не более 3,5 В
41
Постоянный обратный ток при Uoc>p = 15 В не более:
при 213 и 298 К....................................100 мкА
при 343 К...................................... 250 мкА
Время восстановления обратного сопротивления при
4р. и = 20 мА. С/о5р.и=10 В, не более...............0,1 мкс
Емкость диода, не более........................... 1 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение............................... 15В
Постоянный прямой ток............................... 12 мА
Импульсный прямой ток при т„ < 10 мкс и скважности,
равной 4.............................................50 мА
Температураокрхжаюшейсреды...........................Or 213 до
343 К
Примечание Диоды перед заливкой и герметизацией должны
быть покрыты демпфирующей пастой КЛТ-30.
Зависимость прямого тока от
напряжения.
Зависимость обратного тока от
напряжения.
Зависимость импульсного пря-
мого напряжения от тока.
Зависимость обшей емкости
диода от напряжения
42
Зависимость прямою тока от частоты.
Д7А, Д7Б, Д7В, Д7Г, Д7Д, Д7Е, Д7Ж
Диоды германиевые сплавные.
Выпускаются в металлостеклянно.м корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса диода не более 2 г.
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при / , ср = 300 мА и
^обР= ^'обрд-акс- не более.......................... 0,5 В
Средний обратный ток при Сойр = СоСр макс и
/11р tp = 300 мА, не более.........................100 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение (амплитудное значение):
от 213 до 293 К
Д7А............................................ 50 В
Д7Б........................................... 100 В
Д7В........................................... 150 В
Д7Г........................................... 200 В
Д7Д........................................... 300 В
Д7Е........................................... 350 В
Д7Ж........................................... 400 В
43
при 323 К
Д7А.......................................... 35 В
Д7Б....................................... 80 В
Д7В....................................... 90 В
Д7Г....................................... 150 В
Д7Д....................................... 200 В
Д7Е....................................... 225 В
Д7Ж....................................... 250 В
при 343 К
Д7А.......................................... 25 В
Д7В....................................... 50 В
Д7В....................................... 50 В
Д7Г....................................... 100 В
Д7Д....................................... 130 В
Д7Е....................................... 140 В
Д7Ж....................................... 150 В
Средний прямой ток:
от 213 до 323 К................................ 300 мА
при 343 К......................................... 200 мА
Прямой ток однократ ной перегрузки в течение 0,1 с . . . 1 А
Частота без снижения режимов...........................2,4 кГц
Температура окружающей среды............................От 213 до
343 К
Примечания: I. При неизменных значениях подводимого пе-
ременного напряжения и сопротивления нагрузки выпрямленное напря-
жение снижается на частого 10 кГц па 20 % и на частоте 20 кГц на
50% по сравнению с напряжением на частоте 2,4 кГц.
2 Последовательное соединение допускается при условии шунти-
рования диода сопротивлением 100 кОм на каждые 100 В.
3. Диоды допускают работу на емкостную нагрузку при условии,
что среднее значение тока через диод не превышает 0,5 /пр, ср, махе-
4. Пайка и изгиб выводов допускаются на расстоянии не ближе
10 мм от корпуса.
Зависимость допустимого об-
ратного напряжения от тока.
Зависимость допустимого об-
ратного напряжения от темпе-
ратуры.
44
в
300
200
100
^ОБр, МО.КС 193 К АЗА
згзк /
333 к
зчзк 1лР» ср
О 100 100 300 Ч00*А
Зависимость допустимого об-
ратного напряжения от тока.
Зависимость допустимого об-
ратного напряжения от тока.
Зависимость допустимого об-
ратного напряжения от тока.
Зависимость допустимого об-
ратного напряжения от тока.
Д9Б, Д9В, Д9Г, Д9Д, Д9Е, Д9Ж, Д9И,
Д9К, Д9Л, Д9М
Диоды германиевые точечные.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Диоды
маркируются точками или кольцами на корпусе: Д9Б — красными,
Д9В — оранжевыми, Д9Г — желтыми, Д9Д — белыми, Д9Е — голубыми,
Д9Ж — зелеными, Д9И — двумя желтыми, Д9К — двумя белыми,
Д9Л — двумя зелеными, Д9М — двумя голубыми Положительный
вывод диода обозначается красной точкой.
Масса диода не более 0,3 г.
$2,35
SO
Место Обозначение
маркировки плюсового
Вывода
45
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр= 10 мА для
Д9В, Д9Ж, 30 мА для Д9Г, Д9Е, Д9И, Д9Л, 60 мА для
Д9Д, Д9К, Д9М, 90 мА для Д9Б, не более .... 1 В
Постоянный обратный ток, не более:
при макс
Д9Б, Д9В Д9Г Д9Д, Д9Е, Д9Ж. Д9Л, Д9М . . 250 мкА
Д9И..........................................120 мкА
Д9К...........................................60 мкА
при иоьр= 1 В для Д9М........................2,5 мкА
Преде ьные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение:
от 213 до 308 К
Д9Б. . . ............................ 10 В
Д9В, Д9Г Д9Д, Д9И Д9К, Д9М .... 30 В
Д9Е............................................ 50 В
Д9Ж, Д9Л.................................. 100 В
при 343 К
Д9Б.......................................... 10 В
Д9В, Д9Г, Д9Д, Д9И, Д9К, Д9М .................. 20 В
Д9Е............................................ 30 В
Д9Ж, Д9Л ... 45 В
Импульсный прямой ток
от 213 до 308 К
Д9Ж, Д9Л..................................... 48 мА
Д9В, Д9Е..................................... 62 мА
Д9Г, Д9Д, Д9И, Д9К, Д9М...................... 98 мА
Д9Б............................................125 мА
при 343 К
Д9Ж, Д9Л..................................... 38 мА
Д9В, Д9Е..................................... 54 мА
Д9Г, Д9Д, Д9И, Д9К, Д9М.................... 80 мА
Д9Б............................................105 мА
Средний выпрямленный ток:
от 213 до 308 К
Д9Ж, Д9Л......................................15 мА
Д9В Д9Е.......................................20 мА
Д9Г, Д9Д, Д9И, Д9К, Д9М.....................30 мА
Д9Б...........................................40 мА
при 343 К
Д9Ж, Д9Л .....................................12 мА
Д9В, Д9Е......................................17 мА
Д9Г, Д9Д, Д9И, Д9К, Д9М.....................25 мА
Д9Б...........................................34 мА
Температура окружающей среды.......................От 213 до
343 К
46
Зависимость прямого импуль-
сною напряжения oi тока.
Зависимое it времени восстанов-
ления обратного сопротивления
от тока.
Зависимость допустимого об-
ратного напряжения от темпе-
ратуры.
Зависимость лоиуегцмого вы-
прямленною тока от темпера-
туры.
ДЮ, Д10А, Д10Б
Диолы германиевые точечные
Выпускаются в мсталлостеклянпом корпусе с гибкими выводами.
Диолы маркируются цветной точкой у положительного вывода:
ДЮ — зеленой, Д10А — желтой, Д10Б — красной.
Масса диода не более 1.3 г.
78
47
Электрические параметры
Выпрямтеччччый юк при t/BX= 1,5 В, /= 70 МГц, Я„ = 0,
не менее:
ДЮ ... . .................... 3 мА
Д10А......................................... 5 мА
ДЮБ ..................................... 8 мА
Постоянный обратный чок при — 10 В не более:
при 213 и 298 К
ДЮ..........................................0,1 мА
Д10А, ДЮБ ..................................0,2 мА
при 343 К
ДЮ, ДЮА.....................................0,2 мА
ДЮБ.........................................0,4 мА
Емкость диода, не более........................... 1 пФ
Предельные эксплуатационные чанные
Обратное напряжение................................. 10 В
Средний выпрямленный ток
от 213 до 298 К................................. 16 мА
при 343 К....................................... 10 мА
Частота выпрямления.................................150 МГц
Температура окружающей среды.........................От 213 до
343 К
Зависимость обратного тока от
температуры
Зависимость допустимого пря-
мого чока от температуры.
48
Д101, Д101А, ДЮ2, Д102А, ДЮЗ, ДЮЗА
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для работы в видео-
каналах телевизоров, в схемах АРУ и дискриминаторов ЧМ и
AM приемников
Выпускаются в металлостсклянном корпусе с гибкими ленточными
выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами
приводятся на положительном выводе.
Масса диода не более 13г
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение, не более
Д101, Д102, ДЮЗ (/„р= 2 мА)...................... 2 В
Д101А, Д102А, ДЮЗА (/np= 1 мА).................. 1 В
Постоянный обратный ток при СОбР~ СоСр макс, не более.
от 218 до 298 К
ДЮ1, Д101А, Д102, ДЮ2А.......................10 мкА
ДЮЗ, ДЮЗА.....................................30 мкА
при 213 К
Д101.Д101А....................................150 мкА
ДЮ2, Д102А, ДЮЗ, ДЮЗА......................100 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное и импульсное обратое напряжение:
Д101.Д101А. . . . . 75 В
Д102.Д102А.................................. 50 В
ДЮЗ, ДЮЗА................................... 30 В
Средний прямой ток:
от 218 до 298 К.................................30 мА
при 373 К.................................... 8 мА
Температура окружающей сре ды......................От 218 до
373 К
49
Зависимость прямого напряже-
ния от температуры.
Зависимость обратного тока от
температуры.
Зависимость прямого напряже
ния от температуры
Зависимость обратною тока от
температуры.
Зависимость допустимого пря-
мого тока от температуры.
Зависимость обратного тока от
температуры
50
Д104, Д104А, ДЮЗ, ДЮЗА, ДЮ6, ДЮ6А
Диоды кремниевые микросплавные.
Выпускаются в метал лостеклян пом корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на
корпусе.
Масса диода не более 0,53 г.
S0
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при 1ар = 30 мА, не
более:
при 298 К
Д104, Д105, Д106................................... 2 В
Д104А, Д105А, Д106А................................ 1 В
при 213 К
Д104, Д105, Д106.................................. 2,3 В
Д104А, Д105А, Д106А............................... 1,2 В
Постоянный обратный ток при ^обр — 1А>бр.макс> НС бОЛСе
при 298 К.............................................5 мкА
при 398 К
Д104, Д104А, Д105, Д105А, Д106 ............. 100 мкА
Д106А..............................................50 мкА
Емкость диода, не более:
при Uo6p = 0,3 В для Д104А, Д105А, Д106А ... 0,7 пФ
при t/o6p = 1,0 В для Д104, Д105, Д106.............0,7 пФ
при l/o6P=10 В .......................~..........06 пФ
Отношение выпрямленного тока на высокой частоте к
выпрямленному току на частоте 0,15 МГц, не менее:
при /= 5 МГц, Я„ = 1 кОм ............................ о 14
при f = 25 МГц, Ян — 10 кОм..................... 0
при /= 100 МГц, RK = 100 кОм........................... 0,1
Время восстановления обратного сопротивления, не
более ...............................................®'5 мкс
Предсльиые эксплуатационные данные
Постоянное и импульсное обратное напряжение,
от 213 до 305 К
Д104, Д104А......................................... 1°° в
Д105, Д105А............................ .... 75 В
Д106, Д106А........................................... 30 В
51
при 398 К
Д104, Д104А.................................... 50 В
Д105, Д105А, Д106, Д106А..................... 20 В
Средний выпрямленный ток:
от 213 до 308 К ............................... 30 мА
при 398 К.................................... . 8 мА
Частота без снижения режимов ......................0,15 МГц
Температура окружающей среды.......................От 213 до
до 398 К
Зависимость прямого тока
от напряжения
Зависимость обратного тока от
напряжения.
Зависимость выпрямленного
тока от частоты.
Зависимость допустимого пря-
мого тока от температуры.
52
Д206, Д207, Д208, Д209, Д210, Д211
Диоды кремниевые сплавные. Предназначены для преобразования
переменного напряжения в постоянное.
Выпускаются в металлостскляниом корпусе с гибкими выводами
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса диода не более 2 г.
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при /11р = 100 мА, ие
более................................................ 1 В
Средний обратный ток при 1/оСр = Собр макс, нс
более:
при 213 и 298 К ...............................50 мкА
при 398 К .....................................ЮО мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение
Д206 ....................................... 100 В
Д207 ....................................... 200 В
Д208 ....................................... 300 В
Д209 ....................................... 400 В
Д210 ....................................... 500 В
Д211........................................ 600 В
Средний выпрямленный ток.........................100 мА
Частота без снижения режимов...................... 1 кГц
Температура окружающей среды......................От 218
до 398 К
Примечание. При работе иа емкостную нагрузку эффектив-
ное . значение прямого тока не должно превышать 1,5 /11р,ср.мак:-
53
Зависимое 1ь прямого то-
ка or напряжения
Зависимое!ь обратного тока от на-
пряжения.
Д214, Д214А, Д214Б, Д215, Д215А, Д215Б
Диоды кремниевые диффузионные.
Выпускаются в металлостскляшюм корпусе с жесткими вь водами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса диода не более 12 г (с комплектующими деталями 18 г).
54
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при /Пр.ср = Л1р.ср.макс, ^обр
= ^обр.макс, не более.
при 213 К
Д214, Д215................................................ 1,2 В
Д214А, Д215А.............................................. 1,0 В
Д214Б, Д215Б.............................................. 1,5 В
при 393 К................................................... 1,0 В
Средний обратный ТОК при 17„бр = С/Обр.макс и 4р,ср =
= 4р,ср, макс, не более.........................................3,0 мА
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение (амплитудное):
Д214, Д214А, Д214Б................................. 100 В
Д215, Д215А, Д215Б................................. 200 В
Средний прямой ток при температуре-:
от 213 до 403 К
Д214А, Д215А......................................... Ю А
от 213 до 348 К
Д214, Д215........................................... Ю А
Д214Б, Д215Б......................................... 5 А
при 403 К
Д214, Д215........................................... 5 А
Д214Б, Д215Б......................................... 2 А
Средний прямой ток перегрузки на частоте 50 Гц.
в течение 20 мс при 1/^ < 0,2 1/обр.макс
при 298 К
Д214, Д214А, Д215, Д215А........................... 100 А
Д214Б, Д215Б.................................... 50 А
от 213 до 348 К
Д214, Д214А Д215, Д215А............................. 50 А
Д214Б, Д215Б........................................ 25 А
при 403 К
Д214А, Д215А........................................ 50 А
Д214 Д215........................................... 25 А
Д214Б, Д215Б......................................... Ю А
в течение 1,5 с при (7о6р = Собр..макс
от 213 до 348 К
Д214, Д214А, Д215, Д215А . . ... 30 А
Д214Б, Д215Б........................................ 15 А
при 403 К
Д214А, Д215А........................................ 30 А
Д214, Д215.......................................... 15 А
Д214Б, Д215Б 6 А
Частота без снижения режимов..............................1,1 кГц
55
Температура окружающей среды.........................От 213 до
7, = 403 К
Температура корпуса.................................. 403 К
Пр и м е ч а н и е 11ри последовательном соединении диодов реко-
мендуется шунтировать диод резистором с сопротивлением 10—
15 кОм на каждые 100 В амплитуды обратного напряжения.
Зависимость допустимого
среднего тока от темпе-
ратуры корпуса.
МД217, МД218, МД218А
Диоды кремниевые диффузионные.
Выпускаются в металлосгекляшюм корпусе с тибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе
Масса диода не более 2 г
Э тектрнчеекне параметры
Среднее прямое напряжение при /пр ср = 100 мА, U^p —
='Побр-макс. не более:
МД217 МД218..................................
МД218А.....................
Средний обратный ток при 1/обр .= 4Zo6p,/пр,ср =
= 100 мА, ие более:
от 213 до 298 К..............................
при 398 К ...................................
1,0 В
1,1 В
50 мкА
150 мкА
56
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение:
МД217 ........................................ 800 В
МД218 .... . ........... 1000 В
МД218А...................................... 1200 В
Средний прямой ток.
от 213 до 358 К ..................................100 мА
при 373 К..................................... 70 мА
при 398 К..................................... 50 мА
Частота без снижения режимов.....................До 1 кГц
Температура окружающей среды......................От 213
до 398 К
Примечания- 1 Допускается работа диодов на частотах
выше 1 кГц при условии что значение среднего обратною тока
на рабочей частоте будет пс более 500 мкА.
2. Допускается работа диодов па емкостную шнрузку. при этом
эффективное значение прямого тока через диод нс должно пре-
вышать 1,57 7пр.ср.мякс-
Зависимость среднего прямо-
го тока от напряжения.
Зависимость среднего обратного тока
от напряжения.
0 250 500 750 в
Зависимость средне! о прямо-
го тока от напряжения
Зависимость среднего обратного тока
от напряжения.
57
Зависимость среднего прямо-
го тока от напряжения.
Зависимость среднего обратного тока
от напряжения.
1пр,ср, макс МД 217,
МД218
M4Z18A
I Т
193 133 173 313 353 к
Зависимость предельного сред-
него прямого тока о г темпе-
ратуры.
Зависимость допустимого пере-
грузочною тока от темпе-
ра! уры.
Д223, Д223А, Д223Б
Диоды кремниевые микросплавныс
Выпускаются в металлосгеклянпом корпусе с гибкими вывода-
ми. Тип диода и схема соединения электродов с выводами при-
водятся на корпусе.
Масса диода не более 0,53 г
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при 7пр = 50 мА, не более:
при 298 и 393 К. . ... 1,0 В
при 213 К.......................... . . . 1.25 В
ПОСТОЯННЫЙ Обратный ТОК При 1/о6р = ^оор.мако ||е
более
при 213 и 298 К...................................10 мкА
при 393 К.........................................50 мкА
58
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
Д223 ............................................ 50 В
Д223А......................................... ЮО В
Д223Б......................................... 150 В
Выпрямленный ток:
от 213 до 298 К..................................... 50 мА
при 393 К........................................ 20 мА
Импульсный прямой ток при т„ < 2 с................. 500 мА
Предельная рабочая частота..........................20 МГц
Температура окружающей среды........................От 213
до 393 К
Примечание. /П1.СрЛ,а1с в диапазоне температур от 298 до
393 К определяется по формуле.
ЦТ) = I (393 К) + 0,01(393 - Т) [/(298 К) - 7(393 К)]
0 W W 60 80 8
Зависимость прямого тока
от напряжения
Зависимость обратного тока от на-
пряжения.
Зависимость прямого тока
Зависимость обратного тока от на-
от напряжения.
пряжения.
59
Зависимость прямого тока
от напряжения
Зависимость обратного тока от на-
пряжения.
МД226, МД226Л, МД226Е
Дноды кремниевые, диффузионные.
Выпускаются в металлостек.пянном корпусе с тнбкимп выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся
па корпусе.
Масса диода не более 2 г
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение прн /пр ср = 300 мА и С'обр =
“ Co6p<MJKC •
Средний обратный ток при = (/ос,р.макс 11 4р.ср =
— А|р,ср.макс» более
при 213 и 298 К . .....................50 мкА
при 353 К ............................................................100 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение (амплитудное значение) при темпе-
ратуре до 323 К
МД226 .................................. 400 В
МД226А.................................. 300 В
МД226Е.................................. 200 В
60
при 353 К
МД226 ............................................ 300 В
МД226А......................................... 200 В
МД226Е......................................... 150 В
Средний прямой ток’
от 213 до 323 К ....... 300 мА
при 353 К...................... . . . 250 мА
Апмлнтудное значение выпрямленного тока перегрузки
в течение 3 — 4 периодов........................ 2,5 А
Частота без снижения режимов.................... 1 кГц
Температура окружающей среды....................От 213
до 353 К
Температура корпуса............................. 358 К
Примечание. Допускается работа
диодов на емкостную нагрузку, при этом
эффективное значение прямого тока не долж-
но превышать 1,57 /пр.ср,ыак.
Зависимость прямого тока от напряжения
напряжения.
Зависимость обратного тока от
напряжения.
61
Зависимость прямого тока от
частоты.
Зависимость обратного тока от
напряжения.
Зависимость допустимого сред
него прямого тока от темпе-
ратуры.
Зависимость допустимого об-
ратного напряжения от темпе-
ратуры.
Д226, Д226А, Д226Е
Диоды кремниевые сплавные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса диода не более 2 г
62
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при 7,|р = 300 мА, Со6р =
= 1/о6р.ма«, не более....................................
Средний обратный ток при U^p = Со6рмакс и 7гр.ср =
~ Лф.ср.мако нс более
при 213 н 298 К .....................................
при 353 К ...........................................
Преде |ьные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение:
от 213 до 323 К
Д226 .........................................
Д226А.........................................
Д226Е.........................................
от 323 до 353 К
1 0 В
50 мкА
100 мкА
400 В
300 В
200 В
Д226 ........................ 300 В
Д226А .......... . 200 В
Д226Е........................150 В
Средний прямой ток:
от 213 до 323 К................ 300 мА
от 232 до 353 К................ 250 мА
Амплитудное значение тока одноразо-
вой перегрузки в течение 10 мс . . 2,5 А
Частота без снижения режимов ... 1 кГц
Температура окружающей среды . . . От 213
до 353 К
Температура корпуса.................. 358 К
Примечание Допускается работа
диодов па емкостную нагрузку, при этом
эффективное значение прямого тока не долж-
но превышать 1 57 Aip.cp. макс*
Зависимость прямого тока от напряжения.
Зависимость обратного тока от
напряжения
Зависимость обратного тока от
напряжения.
63
Зависимость обратного тока от
напряжения (для Д226Е).
Зависимость обратного тока от
напряжения (для Д226А).
Зависимое lb дот устимого сред-
него прямого тока от темпе-
ратуры.
Зависимость допустимого об-
ратного напряжения от темпе-
ратуры (для Д226, Д226А,
Д226Е соответственно).
Д229А, Д229Б
Диоды кремниевые диффузионные.
Вь пускаются в металлостскляппом корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на
корпусе.
Масса диода не более 3,5 г.
64
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при /|1р ср — 400 мА, (7сСр =
= CoC,pMJKC, температуре от 213 до 398 К, не
более .....................................................
Сред шй обратный ток при l/o6p = Co6p.v1Jla н /11рср =
= 400 мА, не более:
при 213 и 298 К .......................................
при 398 К .............................................
1 В
50 мкА
250 мкА
Предельные экси пат анионные данные
Импульсное обратное напряжение
Д229А......................................... 200 В
Д229Б........................................ 400 В
Средний прямой ток:
от 213 до 373 К ................................... 400 мА
от 374- до 398 К............................... 200 мА
Одиночные импульсы прямого тока при ти < 10 мс
(время между двумя импульсами нс менее 15 мин) и
температуре от 213 до 358 К......................... 10А
Частота без снижения режимов . 1 кГц
Температура окружающей среды От 213
до 398 К
Примечание. Допускается работа %дд
диодов на емкостную нагрузку, при этом
эффективное значение тока через диод не
должно превышать значения 1,57 /iIp.tp. макс-
750
0
Зависимость прямою тока от напряжения. 0,1 0,4 0,6 В
Зависимость обратного тока от
напряжения.
3 под ред Н Н Горюнова
Зависимое 1ь обратного тока от
напряжения.
65
Зависимость допустимого
среднего прямого тока от
частоты
Зависимость импульсного прЯМОГО
тока от длительности импуЛЗДН.
Зависимость допустимого сред-
него прямою тока от темпе-
ратуры
Зависимость допустимой псре-
грузки по прямому току от
температуры
Д229В, Д229Г, Д229Д, Д229Е, Д229И, Д229К, Д229Л
Диоды кремниевые диффузионные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выво-
дами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами при-
водятся на корпусе.
Масса диода не ботее 3,5 г.
66
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение прн 7„р = Л1р.ср.ма»:> ,,е
ботее................................................. IB
Средний обратный ток прн 17о5р = 1/оСр.м.и.с- не более:
от 213 до 298 К........................................50 мкА
при 398 К......................................... 250 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение
Д229В, Д229Ж............................................. 100 В
Д229Г, Д229И 200 В
Д229Д, Д229К....................................... 300 В
Д229Е, Д229Л....................................... 400 В
Средний прямой ток:
от 213 до 323 К
Д229В, Д229Г, Д229Д Д229Е....................... 400 мА
Д229Ж, Д229И, Д229К, Д229Л...................... 700 мА
прн 358 К
Д229В, Д229Г. Д229Д, „Д229Е....................... 300 мА
Д229Ж, Д229И. Д229К, Д229Л...................... 500 мА
Частота бед снижения режимов.......................... 1 кГц
Температура окружающей среды..........................От 213
до 358 К
Примечание. Допускается работа диодов на емкостную на-
грузку, при этом эффективное значение тока через диод не должно
превышать значения 1,57 /„р,ср.макс-
Зависимость среднего прямо-
го тока от частоты.
Зависимость среднего обратно-
го тока от напряжения.
Зависимость допустимою сред-
него прямого тока от темпе-
ратур! ।
3*
67
Д231, Д231А, Д231Б, Д232, Д232А, Д232Б, Д233, Д233Б,
Д234Б
Диоды кремниевые диффузионные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с винтом и жестки-
ми выводами. Тип диода и схема соединения этектродов с вы-
водами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 18 t (12 г без комплектующих де-
талей).
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение прн /рср - /прср,макс н
Г'обр ^/обр макс* не более.
от 213 до 298 К
Д231, Д231А, Д232, Д232А, Д233 ............. 1 В
Д231Б, Д232Б, Д233Б, Д234Б....................... 1.5 В
при 393 К.......................................... 1,0 В
Средний обратный ток при 1/о6р = СоСрл,лкс, /пр ср =
— 4р,ср.макст от 213 до 393 К, не более:................3,0 мА
Предельные эксн ту ат анионные данные
Амплитудное обратное напряжение:
Д231, Д231А, Д231Б.............................. 300 В
Д232, Д232А, Д232Б.............................. 400 В
Д233, Д233Б...................................... 500 В
Д234Б............................................ 600 В
Средний прямой ток при темпера!уре.
от 213 до 403 К
Д231А Д232А......................................... 10 А
от 213 до 348 К
Д231, Д232, Д233 ............................ 10 А
Д231Б, Д232Б, Д233Б, Д234Б......................... 5 А
при 403 К
Д231, Д232, Д233 .................................... 5 А
Д231Б, Д232Б, Д233Б, Д234Б......................... 2 А
Средний прямой ток перегрузки на частоте 50 Гц:
в течение 20 мс прн U^p = 0,2 С„Ср
68
-»егпрн 298 К
U Д231, Д231А, Д232, Д232А, Д233 ............. 100 А
Д231Б, Д232Б, Д233Б, Д234Б........................ 50 А
от 213 до 348 К
Д231, Д231А, Д232, Д232А, Д233 ............. 50 А
Д231Б, Д232Б, Д233Б. Д234Б........................ 25 А
при 403 К
Д231А, Д232А........................................ 50 А
Д231, Д232, Д233 .............................. 25 А
Д231Б, Д232Б, Д233Б, Д234Б........................ 10 А
в течение 1,5 с при 1/о6р = Б'сСрмакс;
от 213 до 348 К
Д231. Д231А, Д232, Д232А, Д233 ................... 30 А
Д231Б. Д232Б, Д233Б, Д234Б........................ J5 А
при 403 К
Д231А, Д232А........................................ 30 А
Д231, Д232, Д233 .............................. 15 А
Д231Б, Д232Б, Д233Б, Д234Б......................... 6 А
Частота без снижения режимов............................1,1 кГц
Температура окружающей среды от 213 К до Тк = 403 К
Температура корпуса.................................... 403 К
Зависимость допустимого сред-
него прямого тока о г темпе-
ратуры.
Зависимость допустимого им-
пульсного прямого тока пере-
трузки от температуры.
Зависимость допустимого им-
пульсного прямого тока пере-
грузки от температуры
А
60
50
40
30
го
ю
(>9
Д237А, Д237Б, Д237В, Д237Е, Д237Ж
Диоды кремниевые диффузионные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса диода не более 2 г
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при /пр ср = /прср Лкс*
<-'обр.и = 1/обр.и.маи:. температуре от 213 до 298 К. не
более................................................. 1 В
Средний обратный ток при Со6р11 = СО(-Г„ м.11чС
1 Aip ср “ 4 р сР. макс* оолее.
при 213 и 298 К.............................. . 50 мкЛ
при 398 К..........................................100 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение
Д237А, Д237Е......................................... 200 В
Д237Б, Д237Ж.................................... 400 В
Д237В........................................... 600 В
Ср дпий прямой ток:
от 213 до 323 К
Д237А, Д237Б...................................... 300 мА
Д237В............................................100 мА
от 213 до 373 К
Д237Е, Д237Ж...................................... 400 мА
от 324 до 358 К
Д237А, Д237Б...................................... 200 мА
Д237В............................................100 мА
от 374 до 398 К
Д237Е, Д237Ж...................................... 200 мА
от 359 до 398 К
Д237А, Д237Б, Д237В................................100 мА
Импульсный прямой ток при температуре от 213 до 358 К.
одиночные импульсы при т„ < 10 мс..................... 10 А
периодические импульсы при ти < 30 мс . . . . 5 А
(время между импульсами не менее 15 мин)
70
Частота без снижения режимов . 1 кГц
Температура окружающей среды От 213 до
398 К
Примечание. Допускается работа
диодов па емкостную нагрузку, при этом
эффективное значение тока через диод не
должно превышать 1.57 /пр.ср>макс.
Зависимость среднего прямого тока от на-
пряжения.
Зависимость среднего обратно-
го тока от напряжения.
Зависимость среднего обратного
тока от напряжения.
Зависимостх. среднего прямого
Зависимость среднего обратного
тока от частоты.
тока от напряжения.
71
Зависимость допустимого им-
пульсного тока от длительнос-
ти импульса.
Зависимость допустимого сред-
него прямого тока от темпе-
ратуры.
Д242, Д242А, Д242Б, Д243, Д243А, Д243Б, Д245, Д245А,
Д245Б, Д246, Д246А, Д246Б, Д247, Д247Б, Д248Б
Диоды кремниевые диффузионные.
Выпускаются в металлостекаянном корпусе с жесткими выводами
Тип диода н схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса диода не более 12 г (с комплектующими деталями 18 г).
44
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при 7пр ср = /Пр,ср. макс и ^обр =
“ ^обр,макс» не более
от 213 до 348 К
Д242А, Д243А, Д245А, Д246А........................ 1,0 В
Д242, Д243, Д245, Д246, Д247 .................... 1,25 В
Д242Б, Д243Б, Д245Б, Д246Б, Д247Б, Д248Б ... 1,5 В
при 403 К............................................. 1 В
Средний обратный ток прн Собр = 17о6р> макс, 7пр,ср =
= 4р, ср, мако температуре от 213 до 403 К, не более ... 3 мА
72
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряже не (амплитудное зна чение):
Д242, Д242А, Д242Б............................... 100 В
Д243, Д243А, Д243Б............................... 200 В
Д245, Д245А, Д245Б............................... 300 В
Д246, Д246А, Д246Б............................... 400 В
Д247, Д247Б....................................... 500 В
Д248Б............................................. 600 В
Средний прямой ток:
Д242А Д243А, Д245А, Д246А....................... 10 А
Д242, Д243, Д245, Д246, Д247 (от 213 до 348 К) 10 А
Д242Б, Д243Б, Д245Б, Д246Б, Д247Б, Д248Б .... 5 А
Д242, Д243, Д245, Д246, Д247 (при 398 К) . . . 5 А
Д242Б, Д243Б, Д245Б, Д246Б. Д247Б, Д248Б .... 2 А
Средний прямой ток перегрузки в ечсннс 0,5 с . . . 3/11р ср
Частота без снижения режимов.......................1,2 кГц
Температура окружающей среды.......................От 213 до
398 К
Температура корпуса................................ 398 К
1пр,ср макс Д2Ч1А, Дг93Л,Д2Ч5Л, дгчбл,дгчг,дгчз, - Д2Ч5 , Д246, Д247
Д2Ч56,Д246Б,
\Д2Ч' Б, Д248Б
i 1 ? Ц7 К
Д243Б
Тк
А
1Z
10
В
6
Ч
2
0
333 343 353 363 373 383 353 403 К
Зависимость допустимого среднего пря-
мого тока от температуры.
прямого тока от частоты.
Зависимость среднего обрат-
ного тока от напряжения.
73
Д302, ДЗОЗ, Д304, ДЗО5
Диоды германиевые сплавные.
Выпускаются в металлостскляипом корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса диода нс более 16
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 7^, макс, не более:
при 298 К
ДЗО2, ДЗО4......................................0,25 В
ДЗОЗ, ДЗО5..................................... 0,3 В
при 213 К
Д302 ........................................... 0,5 В
ДЗОЗ........................................... 0,6 В
Д304 .......................................... 0,8 В
Д305 ............................................ 1 В
Средний обратный ток при 1/о6р — 14, ,г макс, ие более:
при 298 К
Д302 ........................................... 0,8 мА
ДЗОЗ........................................... 1,0 мА
Д.304 ......................................... 2,0 мА
ДЗО5............................................2,5 мА
при 343 К'
Д302 ........................................ 3,0 мА
ДЗОЗ......................................... 4,0 мА
Д304 ....................................... 10,0 мА
Д305 ....................................... 20,0 мА
Предельные экептуатационные данные
Обратное напряжение (амплитудное значение) при темпе-
ратуре от 213 до 298 К
Д302 ........................................
ДЗОЗ.........................................
ДЗО4.........................................
Д305 ........................................
Обратное напряжение (амплитудное значение):
при 313 К
Д302 ........................................
ДЗОЗ ... . ...................
200 В
150 В
100 В
50 В
150 В
140 В
74
Д304 ............................. . . 100 В
ДЗО5.................................... 50 В
при 323 К
Д302, ДЗОЗ................................ 120 В
Д304 ..................................... 100 В
ДЗО5.................................... 50 В
при 333 К
Д302, ДЗОЗ................................. 90 В
Д304 .................................. 70 В
Д305 .................................. 50 В
при 343 К .................. . 50 В
Средний прямой ток:
от 213 до 298 К
Д302 ............................... . . 1 А
ДЗОЗ....................................... ЗА
Д304 ........................................ 5 А
ДЗО5........................................ 10 А
при 313 К
Д302 ..................................... 1 А
ДЗОЗ.................................... ЗА
Д304 ................................... 4 А
Д305 ................................... 8 А
при 323 К
Д302 ......................................... 1 А
ДЗОЗ....................................... 2,5 А
Д304 .................................... ЗА
ДЗО5....................................... 6,5 А
при 333 К
Д302 ..................................... 0,9 А
ДЗОЗ.............................. . . 2 А
Д304 ................................... 2,5 А
Д305 .................... . . . 5 А
прн 343 К
Д302 ..................................... 0,8 А
ДЗОЗ.................................... 1,5 А
Д304 ................................... 1,8 А
ДЗО5....................................... ЗА
Средний прямой ток перегрузки в течение 0,5 с
ДЗО2.........................................4 /пр>ср1МакС
ДЗО ................ -1,5 /пр.ср,макс
Д304....................................2,5 /Нр Cpt макс
ДЗО5........................... .... 2 /пр, ср, макс
Частота без снижения режимов................... 5000 Гц
Температура окружающей среды от 213 до 343 К
Температура корпуса.......................... 353 К
Примечание. Допускается последовательное и параллельное
соединение. При последовательном соединении каждый днод должен
шунтироваться резистором с сопротивлением 10—15 кОм. Для па-
раллельного соединения следует подбирать диоды с близкими зна-
чениями прямого падения напряжения.
75
Зависимость допустимого об
ратного напряжения от темпе-
ратуры.
Зависимость допустимого сред-
него выпрямленного тока от
температуры.
2Д101А
Диод кремниевый микросплавной.
Выпускается в мсталлостек-
лянном малогабаритном корпусе.
Тип диода приводится на его упа-
ковке. С отрицательным электро-
дом диода соединен приваренный
вывод.
Масса диода не более 0,05 г.
Э. ектрнческие параметры
Постоянное прямое напряжение при /гр 100 мА, не более 1 В
Постоянный обратный ток при t/oCp = 30 В, не более:
от 213 до 298 К.................................... 5 мкА
при 358 К......................................25 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение любой формы.................. 30 В
Средний прямой ток
от 213 до 298 К.............................. 20 мА
при 358 К ................................... 10 мА
Импульсный прямой ток............................ 300 мА
Температура окружающей среды...................... От 213 до
358 К
Примечания: 1. Диоды в аппаратуре применяются с заливкой
эмалью ЭП-274Т после монтажа на микроплату.
2. Пайка выводов допускается на расстоянии нс менее 1 м.м от
корпуса; изгиб выводов диода не допускается.
76
Зависимость прямого тока от
напряжения
Зависимость обратного тока от
напряжения.
2ДМ101А
Диод кремниевый микросплав-
нон. Предназначен для применения
в залитых и капсулированных
микромодулях.
Выпускается на керамических
микромодульных платах с рас-
пайкой к пазам 1—6, 1—4 или
2—5. Тип диода приводится на
микроплате Положительный элект-
род диода соединен с пазами 1
или 2 микроплаты.
Масса диода с микроплатой
не более 0,4 г
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при 7пр = 100 мА, не
более.............................................. 1 В
Постоянный обратный ток при 17обр = 30 В, не более:
от 213 до 298 К ................................... 5 мкА
при 358 К.......................................25 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение любой формы . . . 30 В
Средний прямой ток:
от 213 до 298 К.......................... . . 20 мА
при 358 К...................................... 10 мА
Импульсный прямой ток.............................. 300 мА
Температура окружающей среды от 213 до 358 К
Примечания 1. Диоды в аппаратуре применяются в составе
микромодуля с заливкой влагозащитным составом
2. Температура пайки пазов микроплаты не более 513 К в течение
не более 1 с.
77
Зависимость прямого тока от
напряжения.
Зависимость обратного тока от
напряжения.
Зависимость допустимого сред-
него прямого тока от темпе-
ратуры.
2Д102А, 2Д102Б, КД102А, КД102Б
Диоды кремниевые диффу-
зионные.
Выпускаются в пластмассовом
корпусе с тибкнми выводами.
Диоды маркируются цветными
точками у положительного вывода:
2Д102А — желтой, КД102А — зеле-
ной, 2Д102Б — оранжевой,
КД102Б — синей
Масса диода не более 0,1 г
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при 7пр = 50 мА, не более:
при 298 К и Тмакс......................................... 1 В
при 213 К............................................... 1,2 В
78
Постоянный обратный ток при С7о6р - 14>бр.Мате» нс более:
при 298 К
2Д102А, КД102А ..................................0,1 мкА
2Д102Б, КД102Б.................................1,0 мкА
ПРИ Тмахс
2Д1О2А КД102А....................................50 мкА
2Д102Б, КД102Б.................................75 мкА
Предельные эксплуатационные чанные
Постоянное обратное напряжение:
2Д102А КД102А..................................... 250 В
2Д102Б, КД102Б .................... 300 В
Постоянный прямой или средний выпрямленный ток при температуре:
от 213 до 323 К...................................100 мА
при 373 К для КД102А, КД102Б................... 30 мА
при 393 К для 2Д102А 2Д102Б....................30 мА
Импульсный прямой ток при т„ « 10 мкс, Znp ср 30 мА:
ог 213 до 363 К........................’.......... 2 А
от 213 К до 7'мак.............................. 0,5 А
Температура окружающей среды.
2Д102А 2Д102Б.....................................От 213 до
393 К
КД102А, КД102Б...............................От 213 до
373 К
Примечания. 1. Допускается работа диода на емкостную на-
грузку при этом эффективное значение тока через днод нс должно
превышать 1,57 /Г1р ср_ макс, а /пр< и нс более 6 /пр ср> макс.
2. Допускается параллельное и последовательное соединение дио-
дов. При параллельном соединении последовательно с каждым диодом
должен быть присоединен резистор с сопротивлением 30 Ом При
последовательном соединении диодов каждый диод рекомендуется шун-
тировать выравнивающим конденсатором.
79
Зависимость обратного тока от
частоты.
Зависимость допустимого сред-
него прямого тока от темпе-
ратуры
2Д103А, КД ЮЗА, КД103Б
Диоды кремниевые диффузи-
онные.
Выпускаются в пластмассовом
корпусе с гибкими выводами Дио-
ды маркируются цветной точкой у
положительного вывода: 2Д103А —
белой, КД ЮЗА — синей,
КД103Б — желтой.
Масса диода не более 0,1 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 50 мА, не более:
при 298 К и Гча1;с
2Д1ОЗА. КД103А............................ 1 В
КД103Б............................. 1,2 В
при 213 К для 2Д103А................. 1,2 В
Импульсное прямое напряжение, не ботсе:
при /пр,н = 2 А....................... 2,5В
при 4р,и = 0,5 А ..................... 1,5 В
Время восстановления обратного сопротивления при
1-обр = 20 В, 1„р = 50 мА не более........ 4 мкс
Емкость диода при бгобр = 5 В не более....20 пФ
Постоянный обратный ток при С^бр = t/обр. макс, не более
при 213 и 298 К........................... 1 мкА
при Тмакс ................. 50 мкА
80
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение.
2Д103А........................................ 75 В
КДЮЗА, КДЮЗБ................................. 50 В
Импульсное обра1ное напряжение через 20 мкс после
окончания импульса прямого тока для 2Д103А .... 75 В
Импульсное обратное напряжение через 10 мкс после
окончания импульса прямого тока для 2Д103А ... 100 В
Постоянный прямой ток.
от 213 до 323 К...............................100 мА
при 373 К для КД ЮЗА КД103Б и 398 К для 2Д103А 30 мА
Импульсный прямой ток при тп < 10 мкс и температуре
от 213 до 363 К
при /Пр.ср = 30 мА............................ 2 А
при 4р ср = 60 мА............................. 1 А
Частота без снижения режимов......................20 кГц
Темпера!ура окружающей среды
2ДЮЗА........................................От 213 до
398 К
КД ЮЗА. КДЮЗБ................................От 213 до
373 К
Примечания: 1. Диоды допускают работу на емкостную
нагрузку, при этом эффективное значение тока через диод не должно
превышать 1,57 7Пр.ср.макс» Aip.it не более 6 /цр.ср.макс.
2. Диоды допускают параллельное соединение, при этом последо-
вательно с диодом должен быть включен резистор с сопротивлением
30 Ом Диоды допускают последовательное соединение с шунтирова-
нием каждого диода выравнивающим конденсатором
Зависимое гь прямого то-
ка от напряжения.
Зависимость обратного тока
от напряжения
81
Зависимость обратного тока от
частоты.
Зависимость допустимого пря-
мого тока от температуры.
2Д104А, КД104А
Диоды кремниевые диффузи-
онные.
Выпускаются в пластмассовом
корпусе с i ибкими выводами.
Диоды маркируются цветной точ-
кой у положительного вывода:
2Д104А — белой и КД104А — крас-
ной.
Масса диода не более 0,1 г
Электрические параметры
Постоянное прямее напряжение при J р — 10 мА, не более:
при 298 и 343 К................................... 1 В
типовое значение....................., . . . . 0,75 * В
при 213 К....................................... 1,3 В
Постоянный обратный ток при <7О6Р = 300 В, не более:
от 213 до 298 К....................................... 3 мкА
прн 343 К........................................100 мкА
Время восстановления обратного сопротивления при 7пр =
— 10 мА, Г/о6р — 20 В, не ботее........................4 мкс
типовое значение...................................3 * мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное (импульсное) обратное значение........... 300 В
Постоянный прямой ток или средний выпрямленный ток:
до f— 10 кГц..........................................10 мА
при f = 20 кГц.................................... 5 мА
Импульсный прямой ток при 7„р ср = 50 мА в течение
1с.................................................... 1 А
Частота без снижения режимов..........................20 кГц
Температура окружающей среды от 213 до 343 К
82
i Примечания: 1 Диоды допускают параллельное соединение
без добавочных резисторов. Диоды допускают последовательное
соединение, при этом рекомендуется каждый диод шунтировать вырав-
ди электри чсск ими комп аундами
кивающим конденсатором о
2. Диоды допускают заливку
Зависимость прямого то-
ка от напряжения.
Зависимость обратного тока
от напряжения.
КД105Б, КД105В, КД105Г
Диоды кремниевые диффузионные.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами
Диоды маркируются цветной точкой на поверхности- КД 105В —
зеленой, КД105Г — красной; у диода КД105Б точка отсутствует. Поло-
жительный вывод диода обозначается желтой полоской.
Масса диода не более 0 5 г.
83
Электрические параметры
Средт ее прямое напряжение при /11Р,СР = 300 мА, не ботее 1 В
Средний обратный ток при 1/обр — Ц>бр,и,махс, не более:
при 298 К...................................................100 мкА
при 358 К.............................................. 300 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение при температуре:
от 218 до 328 К
КД105Б....................................... 400 В
КД 105В...................................... 600 В
КД105Г...................................... 800 В
при 358 К
КД105Б........................................ 300 В
КД105В....................................... 450 В
КД105Г....................................... 600 В
Импульсный прямой ток (однократная перст рузка)
при т„ « 20 мкс.................................... ] 5 А
Средний прямой ток............................... 300 мА
Частота без снижения режимов....................... 1 кГц
Частота без снижения
режимов................. 1 кГц
Температура окружаю-
щей среды...............От 218 до
358 К
Примечание. При работе на
емкостную нагрузку эффективное зна-
чение прямою тока нс должно превы-
шать 1,57 7пр с« v.aKC*
Зависимость прямого тока от напря-
жения.
мкА
15
10
5
0
Зависимое>ь обра кого тока от Зависимость обратного тока от
напряжения. напряжения.
84
Зависимость допустимого об-
ратного напряжения от темпе-
ратуры
Зависимость обратного тока от
напряжения
2Д106А, КД106А
Диоды кремниевые диффузионные.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения э сктродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса диода не более I г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при Zip = 300 мА, не более:
при 298 К и Тмли....................................... 1,0 В
при 213 К . . ..................................... 1,5 В
Постоянный обратный ток при t/ogp = 100 В, не более,
от 213 до 298 К......................................... 10 мкА
при Гмак«............................................ЮО мкА
Емкость диода, не более :
при <7обр = 5 В......................................150 пФ
при 1/о6р = 100 В................................... 50 пФ
Время восстановления обратного сопротивления,
не более................................................0,45 мкс
типовое значение................................. 0,385 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное и импульсное обратное напряжение .... 100 В
Постоянный прямой ток или средний выпрямленный ток:
от 213 до 343 К................................ 300 мА
при ............................................100 мА
85
Импульсный прямой ток при т„ С 500 мкс,200 Гц
и температуре:
от 213 до 343 К........................................ ЗА
при Гмаке • .............• ‘ * 1А
при t„ 100 мс и скважности более 1000 .... ЗА
Средняя рассеиваемая мощность:
от 213 до 343 К....................................... 750 мВт
при 7\ыкс..........................................100 мВт
Частота без снижения режимов:
синусоидального напряжения..............................30 кГц
меандра с Тф > 1 мкс................................10 кГц
Тепловое сопротивление переход — среда.................140 К/Вт
Температура окружающей среды
2Д106А..................................................От 213 до
398 К
КД106А..............................................От 213 до
358 К
Примечания 1 Диоды допускают разовые перегрузки им-
пульсами обратного тока не более 3 А длительностью не более
50 мкс.
2. Допускается применение диодов в режиме меандра с дли-
тельностью фронта переключения не менее 1 мкс на частотах до
50 кГц.
3 Допускается параллельное соединение диодов при условии
обеспечения отсутствия перегрузки диодов по прямому току. Допуска-
ется последовательное соединение диодов при условии, что обратное
напряжение па каждом диоде не превышает допустимого значения.
Зависимость прямот о тока
напряжения.
от Зависимость обратного тока от
напряжения.
86
Зависимость общей емкости от
напряжения.
Зависимость допустимого пря-
мою тока от температуры.
ГД107А, ГД107Б
Диоды германиевые точечные.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Диоды
маркируются цветной точкой у положительного вывода: ГД 107 А —
черной, ГД107Б — серой.
Масса диода не более 0,3 г
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 10 мА для
ГД 107А и /пр = 1,5 мА для ГД107Б, не более:
при 298 и 333 К
ГД107А...................................... 1 В
ГД107Б..................................... 0,4 В
при 213 К
ГД107А..................................... 1 В
ГД107Б..................................... 0,7 В
Постоянный обратный ток при t/ogp = 10 В для ГД107А
и t/ogp = 20 В для ГД107Б, не более:
от 213 до 298 К
ГД107А.....................................20 мкА
ГД107Б....................................100 мкА
87
при 333 К
ГД107А..................................... 200 мкА
ГД107Б...................................>000 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение
ГД107А............................................ 15 В
ГД107Б....................................... 20 В
Средний прямой ТОК''
от 213 до 308 К...................................20 мА
при 333 К ............... .....................17 мА
Температура окружающей среды......................От 213
до 333 К
Примечание В диапазоне температур о г 308 до 333 К
4р.ср.макс определяется по формуле
1(Т) = /(333 К) + 0,04(333 - 7)[/(308 К) - 7(333 К)].
Зависимость прямого тока
от напряжения.
Зависимость обратного тока
от напряжения.
Зависимость прямого тока
от температуры.
88
КД109А, КД109Б, КД109В
Диоды кремниевые диффузионные.
Выпускаются в пластмассовом корпусе
с гибкими выводами Тип диода приводится
на корпусе. Положительный вывод диода
обозначается цветной точкой.
Масса диода не более 1 г.
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при 7,!p,cp = 300
более......................................
1,5
мА, не
... IB
Средний обратный ток при Г/о6р = 1/о6рмакс, не более:
от 23.3 до 298 К.............................................100 мкА
при 358 К................................................... 300 мкА
Прелетьиые эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение
от 233 до 323 К
КД109А....................................... 100 В
КД109Б....................................... 300 В
КД109В....................................... 600 В
при 358 К
КД 109А........................................ 70 В
КД109Б....................................... 200 В
КД 109В...................................... 400 В
Средний и постоянный прямой ток:
от 233 до 323 К .............................. 300 мА
при 358 К..................................... 200 мА
Температура окружающей среды.......................От 233
I пр, паке КД103
, г
до 358 К
^овр, и,на.кс v
КД105Я^
,КД1С9Б
, КД 109 в
"т
273 Z93 313 333 353 К 113 Z93 313 333 353 К
Зависимость допустимого пря-
мого тока от температуры.
Зависимость обратного напря-
жения от температуры.
89
АД110А
Диод арсенид-галлиевый мсза-
диффузионный.
Выпускается в металлокера-
мическом корпусе с гибкими лен-
точными выводами. Тип диода и
схема соединения электродов с вы-
водами приводятся на упаковке.
Масса диода не более 0,15 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /||р = 10 мА не
более:
при 298 и 358 К .................................... 1,5 В
при 213 К....................................... 1,8 В
Постоянный обратный юк при (7о6р = 20 В, не более'
от 213 до 298 К ...................................... 5 мкА
при 358 К........................................100 мкА
Емкость диода, не более............................... 3 пФ
Дифференциальное сопротивление при Zllp = 10 мА, не
более ................................................20 Ом
Время восстановления обратного сопротивления при
/пр = 10 мА, 1/о6р =10 В, не более....................10 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение.................... 30 В
Импульсное обратное напряжение.................... 50 В
Посюянпый прямой ток:
ог 213 до 308 К...............................10 мА
при 358 К..................................... 5 мА
Частота без снижения режимов.................... . I МГц
Тепловое сопротивление переход — среда............ 350 К/Вт
Температура окружающей среды......................От 213
до 358 К
Температура перехода.............................. 373 К
5-10 5-Юг 5-Ю3 5 10ч 5-Ю5 Гц
Зависимость выпрямленного то-
ка от частоты.
АД НО А
0 I Ч 6 8 мА
Зависимость времени восстанов-
ления от тока.
90
Зависимость времени восстанов-
ления от напряжения.
АД112А
Диод арссппд-галлисвый диф-
фузионный.
Выпускается в металлостсклян-
ном корпусе с жесткими вывода-
ми Тип диода и схема соедине-
ния электродов с выводами при-
водятся на корпусе.
Масса диода не бо ее 1,5 г.
Э тектрические параметры
Постоянное прямое напряжение при 1„р = 300 мА, не
более.............................................. ЗВ
Постоянный обратный ток при i/OnP = 50 В. нс более:
от 213 до 298 К....................................0.1 мА
при 473 К......................................0,3 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обра|ное напряжение...................... 50 В
Постоянный прямой ток.............................. 300 м \
Температура окружающей среды.........................От 213
до 523 К
ГД113А
Диоды германиевые микросплавные.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип
диода и схема соединения выводов с электродами приводятся на
корпусе.
Масса диода пс более 0,3 г
91
Электрические параметры
Прямое напряжение при /,1р = 30 мА, ие более .... IB
Обратный ток при C'„gp = ) В не более . . . 250 мкА
Преде тьные эксплуатационные данные
Амплитуда обратного напряжения:
от 213 до 298 К.................................... 115 В
при 333 К . ..................................... 45 В
Импульсный выпрямленный ток
от 213 до 298 К......................................48 мА
при 333 К.........................................38 мА
Средний выпрямленный гок
от 213 до 298 К......................................15 мА
при 333 К.........................................12 мА
Температура окружающей среды..........................От 213
до 333 К
2Д115А-1
Диод кремниевый мезаплапар-
ный. Предназначен для гашения
ЭДС самоиндукции электромагнит-
ных реле.
Выпускается в бескорпусном
исполнении без кристалле держате-
ля с гибкими серебряными выво-
дами. Широкий вывод соединен с
отрицательным электрогом диода.
Масса диода не более 0,05 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /[]р = 50 мА, не
более
при 213 К.......................................... 1,5 В
от 298 до 398 К ............................... 1.0 В
Постоянный обратный ток при Е/о6р — 100 В
от 213 до 298 К...................................1,0 мкА
при 398 К......................................30 мкА
Время восстановления обратного сопротивления при
Цйр = 40 В, /|р = 30 мА, не более. . . .... 1,6 мкс
Емкость диода при C'„gp — 0, не более..............45 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение..................... 100 В
Постоянный прямой ток:
от 213 до 333 К...................................30 мА
при 398 К...................................... 15 мА
Импульсный прямой ток при т„ < 10 мс, f 10 Гц . . . 100 мА
Температура окружающей среды от 213 до 398 К
92
Примечания: 1. Допускается присоединение выводов диода
на расстоянии не менее 1,5 мм от защитного покрытия. При
сварке (пайке) выводов необходим теплоотвод между местом сварки
и диодом, обеспечивающий температуру диода не более 398 К
2 При монтаже должно быть обеспечено отсутствие натяжений
выводов диола.
Зависимость прямого тока
от напряжения.
Зависимость обратною тока от на-
пряжения.
Зависимость емкости от на-
пряжения.
Зависимость допустимо! о прямого то-
ка от частоты.
Зависимость допустимого пря-
мого тока от температуры.
2Д118А-1
Диод кремниевый диффузионный. Предназначен для примене-
ния в составе гибридных интегральных микросхем.
Выпускав гея без корпуса с защитой пресс-ма терна лом ЭПФ-С
н компаундом ЭКМ. Тип диода приводится на упаковке. Положи
тельный вывод обозначается точкой
Масса диода не более 0,5 г
Элек грнческне параметры
Постоянное прямое напряжение при Znp = 0,3 А. не
более:
при 213 К........................................... 12В
при 298 и 373 К................................. 1,0 В
Посюяпный обратный ток при t/o6p = 200 В, не более:
от 213 до 298 К..................................... 50 мкА
при 373 К....................................... 2000 мкА
Время восстановления обратного сопротивления при
1пр = 1 A, t/oBp = 20 В, нс более...................0,3 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение................................. 200 В
Постоянный прямой или средний выпрямленный ток
при R, < 250 К,Вт.
от 213 до 298 К .................................... 0,3 А
при 373 К ... 0.1 А
Импульсный прямой ток прн ти 1 мс и скважности,
равной или менее 1000 .............................. 10 А
Частота без снижения режима (в режиме меандра с
Тф < 0,2 мкс с активной нагрузкой)..................100 кГц
Тепловое сопротивление переход — подложка, не бо-
лее ...............................................60 К/Вт
Температура окружающей среды........................От 213
до 373 К
Примечание. Установка диода в гибридную схему произво-
дится путем приклейки на держатель или подложку с последую-
щей припайкой выводов к контактным площадкам.
94
^пр,ср,махс 2Д118
^'Z 3
Z-313 К з-зззк
11-353 К 5-313 К 1 f = 100 кГц ^"5 *L_
^nf,Cp,MtLKC 2Д118
1-313к''"'^ 2
1-ЗЗЗК 3-353К -50 кГц 3
Ч-313К f=
50 100 150 ZOO К/Вт 50 100 150 ZOO К/Вт
Зависимость допустимого вы Зависимость допустимого вы-
прямленного тока oi теплово- прямленного тока от теплового
го сопротивления сопротивления.
2Д201А. 2Д2О1Б, 2Д201В, 2Д201Г
Диоды кремниевые диффузионные.
Выпускаются в мстатлостеклянно.м корпусе с жесткими выво-
дами. Тил диода и схема соединения электродов с выводами при-
водятся на корпусе.
Масса диода нс более 12 г (с комплектующими деталями
18 г).
95
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при /цр.ср = Л1р.ср,мако ^обр =
= СоВрЛикс. температуре от 213 до 393 К, не
более.................................................... 'В
Средний обра гный ток при U^p = СоВрЛ1акс, Aip.cp ~~
= Znp р>ма1к, температуре от 213 до 393 К, не
более................................................. 3 мА
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение (амплитудное значение):
2Д201А, 2Д201Б........................................... 100 В
2Д201В, 2Д201Г....................................... 200 В
Средний прямой ток:
2Д201А, 2Д201В............................................. 5 А
2Д201Б, 2Д201Г....................................... 10
Средний прямой ток перетрузки па частоте 50 Гц'
в течение 0,5 с при t/oBp = .макс
2Д201А 2Д201В....................................... 15 А
2Д2О1Б, 2Д201Г...................................... 30 А
в 1ечение 20 мс при СоВр = 0,2 Cn6pMaKt
2Д201А, 2Д201В........................................ 25 А
2Д201Б, 2Д201Г.................................... 50 А
в течение 20 мс при (7оВр = 0,2 С/оВрлшкс и 328 К
2Д201А, 2Д201В ....................................... 50 А
2Д201Б, 2Д2О1Г..................................... 100 А
Частота без снижения режимов.............................1100 Гц
Температура окружающей среды..........................От 213 К до
?; = 403 К
Температура корпуса...................................... 403 К
Примечание. При последовательном соединении диодов ре-
комендуется шунтировать диод резистором с сопротивлением 10 —
15 кОм на каждые 100 В амплитуды обратного напряжения.
Зависимость прямого тока
от напряжения.
Зависимость обратного тока от на-
пряжения.
96
2Д202В, 2Д202Д, 2Д202Ж, 2Д202К, 2Д202М, 2Д202Р,
КД202А, КД202В, КД202Д, КД202Ж, КД202К, КД202М,
КД202Р
Диоды кремниевые диффузионные. Предназначены для преобра-
зования переменного напряжения с частотой до 5000 Гн в постоянное.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с винтом и жестким
выводом. Тип диода и схема соединения электродов с выводами
приводятся на корпусе.
Масса диода не более 7 г.
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при /пр,ср = 3 А. Со6р =
= ^'обр.млкс 11 температуре от 213 до 398 К, не
более ............................................... 1 В
Средний обратный ток при = UcC,p макс и температуре
о-т 213 до 398 К. не более............................. 1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение (амплитудное значение)
КД202А............................................... 50 В
2Д202В. КД202В................................... 100 В
2Д202Д. КД202Д................................... 200 В
2Д202Ж, КД202Ж................................... 300 В
2Д2О2К, КД202К................................... 400 В
2Д202М, КД202М................................... 500 В
2Д202Р. КД202Р................................... 600 В
Постоянное обратное напряжение....................0,7 (/оСр и макс
Средний прямой ток для КД202А, КД202В, КД202Д,
КД202Ж, КД202К, КД202М, КД202Р .... 5 А
4 пол рсд Н IT Горюнова 97
Импульсный прямой ток при т„ = 10 мс./= 50 Гц для
2Д202В. 2Д202Д. 2Д202Ж. 2Д202К, 2Д202М,
2Д2О2Р....................................... 30 А
Импульсный прямой ток в течение 1,5 с, / = 50 Гц
2Д202В. 2Д202Д. 2Д202Ж. 2Д202К, 2Д202М,
2Д202Р ................................. 9 А
Частота без снижения режимов................... 1,2 кГц
Температура перехода диода .................... 423 К
Температура окружающей среды.....................От 213 К до
Тк = 403 К
Температура корпуса диода...................... 403 К
мк/1
100
150
100
50
О,г 0,4 0,Б 0,8 В 0 10 40 60 80 °/о
Зависимое 1ь среднею
прямого тока от напря-
жения.
Зависимость обрашого тока
от напряжения.
Зависимость обратного тока от
частоты.
Зависимость допустимого пря-
мою тока от температуры.
98
Зависимое ль допустимого пря-
мого тока oi температуры кор-
пуса.
1 — для групп Л. В, Д. Ж, К. М,
Р; 2 — для групп Б, Г. Е И. Л.
Н. С.
Зависимость допустимого пря-
мого тока от час голы.
Зависимость коэффициента до-
пустимой перегрузки по прямо-
му току от длительности им-
пульса.
2Д203А, 2Д203Б, 2Д203В, 2Д203Г, 2Д203Д,
КД203А, КД203Б, КД203В, КД203Г, КД203Д
Диолы кремниевые диффузионные.
Выпускаются в мсталлос1ек 1янном корпусе с жесткими выво-
дами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами
приводя 1ся на корпусе.
Масса диода нс бопсс 18 г.
4*
99
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при = /Пр.макс ^'обр —
= l/обр.макс и температуре от 213 до 398 К, не
более................. .............................. 1В
Прямое постоянное напряжение при 7пр = /пр.макс и тем-
пературе от 213 до 398 К, не более..................... 2 В
Средний обратный ТОК при /гр = Л1р.макс> ^обр ^обр макс
и температуре от 213 до 398 К, не более................15 мА
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение (амплитудное значение):
2Д203А, КД203А . . 600 В
2Д203Б КД203Б, 2Д203В, КД203В................ 800 В
2Д203Г КД203Г, 2Д203Д, КД203Д............... 1000 В
Постоянное обратное напряжение:
2Д203А, КД203А...................................... 420 В
2Д203Б КД203Б 2Д203В, КД203В................ 560 В
2Д203Г, КД203Г, 2Д203Д, КД203Д................ 700 В
Постоянный (средний) прямой ток:
от 213 до 323 К....................................... 10 А
при 373 К
2Д203А, КД2ОЗА, 2Д203В, КД203В, 2Д203Д,
КД2ОЗД.......................................... 10 А
2Д2ОЗБ, КД2ОЗБ. 2Д203Г, КД203Г.................. 5 А
при 403 К
2Д203А, 2Д203В. 2Д203Д.......................... 5 А
2Д2ОЗБ, 2Д203Г................................... 2 А
Импульсный прямой юк при /= 50 Гц, т„ = 50 мс,
Собр 0,2 Со5р>макс.
при 298 К............................................ 100 А
при Тк от 213 до 323 К............................ 50 Л
при Тк = 373 К
2Д203А, 2Д203В 2Д203Д, КД203А, КД203В
КД2ОЗД.......................................... 50 А
2Д203Б, 2Д203Г, КД203Б, КД203Г................. 25 А
при Тк = 403 К
2Д203А, 2Д203В 2Д203Д........................ 25 А
2Д203Б, 2Д203Г.................................. 10 А
при т„ = 1,5 с, Тк от 213 до 323 К................ 30 А
при 7К= 373 К:
2Д203А, 2Д203В, 2Д203Д......................... 30 А
2Д203Б, 2Д203Г.................................. 15 А
при Тк = 403 К:
2Д2ОЗА, 2Д203В, 2Д203Д........................ 15 А
2Д203Б, 2Д203Г................................... 6 А
Частота без снижения режимов........................... 1 кГц
Средняя рассеиваемая мощность* при 298 К .... 20 В г
Тепловое сопротивление переход — корпус...............2.5 К/Вт
Температура окружающей среды . . . От 213 К до Тк = 403 К
100
Температура корпуса:
2Д2ОЗА. 2Д2ОЗБ. 2Д2ОЗВ, 2Д203Г, 2Д203Д ... 403 К
КД203А. КД203Б КД203В, КД203Г, КД203Д . . 373 К
Температура перехода................................ 413 К
Примечание. Прн работе диодов на емкостную нагрузку
эффективное значение тока через диод не должно превышать
1 *57 Дф.ср.макс-
Зависимость допустимого пря-
мот о тока от температуры.
Зависимость допустимого прямого
тока от температуры корпуса.
i„Pt я,
ЩОЗСБ.О
КД203(Б,ГУ
__1И -50 нс.
^1^^0Бр,маКС
1=50Гц
А |1лр,и,макс гД203(Д.8,Д),КД203(Л,В,Д)
Z73 193 313 333 353 373 333 К
Л
50
40
30
Z0
10
Z73 гзз 313 333 353 373 393 к
Зависимость допустимого тока
перегрузки о г температуры кор-
Зависимость тока перегрузки от
температуры корпуса.
Зависимость тока перегрузки от
Зависимость допустимого прямого
длительности импульса.
тока от частоты.
101
2Д204А, 2Д204Б, 2Д204В, КД204А, КД204Б, КД204В
Диоды кремниевые диффузионные Предназначены для преобра-
зова зия переменного напряжения частотой до 50 кГп в постоянное
Выпускаются в металлост скляшюм корпусе с жесткими выводами
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся
па корпусе.
Масса диода не более 7,5 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при I р = 600 мА не более
при 298 К............................................ 14В
при 213 К........................................ 1,6 В
Постоянный обратный ток при бо5р = t'o6piMdKC. нс более:
от 213 до 298 К
2Д204А КД204А.................................150 мкА
2Д204Б КД204Б.................................100 мкА
2Д204В, КД204В .................................50 мкА
при 358 К для КД2О4А. КД204Б, КД204В и 398 К
тля 2Д204А, 2Д2О4Б. 2Д204В
2Д204А, КД204А .................................. 2000 мкА
2Д204Б, КД204Б..................................1000 мкА
2Д204В КД204В................................... 500 мкА
Время восстановления обратною сопротивления при
1/оГ>р.и = 30 В /11р „ = 1 А, не более..................15 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное и импульсное обратное напряжение
2Д204А, КД204А . . 400 В
2Д204 Б, КД2О4Б................................. 200 В
2Д204В, КД204В................................... 50 В
Сред тий прямой ток:
при / = 50 Гц
2Д204А КД204А 400 мА
2Д204Б, КД204Б..................................... 600 мА
2Д204В, КД204В.................................... 1000 мА
102
при f = 50 кГц
2Д2О4А, КД204А................................. 300 мА
2Д204Б, КД204Б................................. 600 мА
2Д204В, КД204В................................ 1000 мА
Прямой ток перегрузки в течение 10 мкс............10 /11р ср макс
ИМПУЛЬСНЫЙ ПрЯ.МОЙ ТОК При Тф > 1 мкс.............2 /|р :р макс
Частота питающего напряжения при Тф > 1 мкс ... 50 кГц
Температура корпуса:
минимальная....................................... 213К
максимальная
КД204А, КД204Б, КД204В....................... 358 К
2Д204А, 2Д204Б, 2Д204В....................... 398 К
Примечание. Допускается параллельное и последовательное вклю-
чение диодов. При параллельном соединении должна отсутствовать
перегрузка по прямому току. При последовательном включении каждый
диод должен быть зашуптировап шунтом, обеспечивающим отсут-
ствие перегрузки по напряжению.
I 1 1 пр, ср, махе 1 358 К
1 — )Срадиатором S -^36с г 4
1 ШОЧБ 1
без р адиа тора.
Z27 . _35в« ' 398 К~ - ~39в~!<~ f
J) t - .к
О 10 W 30 40 50 60 нГц
Зависимость допустимого пря-
мого тока от частоты
Зависимость допустимою пря-
мого тока от частоты.
1пр,ср,махс 2ДZ04A
351 К
2>Cj>adi сатиром 35 вк
з радиатора 39 — 8К
— - - 4-— 396 К ’ — f
0 10 10 30 40 50 60 кГц
Зависимость допустимого пря-
мого тока сиг частоты.
Зависимость общей емкости от
напряжения.
103
КД205А, КД205Б, КД205В, КД205Г, КД205Д, КД205Е,
КД205Ж, КД205И, КД205К, КД205Л
Блоки из кремниевых
диффузноппых диодов.
Выпускаются в пласт-
массовом корпусе Тип
диода, схемы расположе-
ния диодов п соединения
электродов с выводами
приводятся па корпусе.
Масса блока ис бо-
лее 6 I.
)лектрические параметры
Среднее прямое напряжение при /ир ср =/пр. Р. чгк> ||с
более ....................................................... 1.0 В
Средний обратный ток прн = Соер,1ИКС, нс более 0,1 ,мА
Предельные эксп лз ат анионные данные
Импульсное обратное напряжение
КД2С5А, КД205Е............................. 500 В
КД2О5Б..................................... 400 В
КД205В..................................... 300 В
КД205 Г, КД205Л............................ 200 В
КД205Д, КД205К............................. 100 В
КД2О5Ж..................................... 600 В
КД2О5И..................................... 700 В
Средний прямой ток:
КД205А КД205Б.КД205В КД205Г КД2О5Д, КД205Ж 500 мЛ
КД205Е, КД205И............................. 300 мА
КД205К КД205Л.............................. 700 мА
Импульсный прямой ток при т„ <1 мкс........... 0,8 А
Частота без снижения режимов..................50 кГц
Темпера гура окружающей ере ы..................О г 233 до
358 К
Зависимость допустимого пря-
мою тока от гсмисрагуры
104
2Д206А, 2Д206Б, 2Д206В, КД206А, КД206Б, КД206В
Диоды кремниевые мезаднффузпоппые лавинные. Предназначены
для преобразования переменного напряжения частотой до 20 кГц
в noc t о явное.
Выпускаю 1ся в металлостекляппом корпусе с жесткими выводами.
Тип диода п схема соединения электродов с выводами привозятся
на корпусе.
Масса диода с комплектующими деталями не бо тес 9 I.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение, не более
при /,,г = I А
при 298 и 398 К...................................... 1.2 В
прн 213 К......................................... 1,5 В
при /Г1р = /1:р, miikv .......................... 1.5 В
Постоянный обрашый ток при С'О(-,р = Uvf,p 4dKC. не более:
от 213 ло 298 К...................................... 0.7 мА
при 398 К..........................................1.5 мА
Время восстановления обратною сопротивления*
при 4р.и = 5 А. 1/О1-т = 1/обр.хикс, пс более..........10 мкс
Время установления прямою сопротивления*
при /|1р „ =100 А, не более............................10 мкс
Пр тельные эксплу a i анионные данные
Постоянное обратное напряжение:
2Д206А. КД206А................................ 400 В
2Д206Б, КД206Б................................ 500 В
2Д206В, КД206 В............................... 600 В
Средний прямой ток:
от 213 до 343 К для КД206А, КД206Б, КД206В 10 А
от 213 до 358 К для 2Д206А, 2Д206Б, 2Д206В 5 А
при 403 К для 2Д206А, 2Д206Б. 2Д2О6В .... 1 А
105
Импульсный прямой ток при т„ < 100 мкс. /С 1000 Гц.
Jnp,cp “
от 213 ло 358 К................................... 100 А
при 403 К........................................ 20 А
Однократный импульс прямого тока при т,, С 1 с:
от 213 до 358 К для 2Д206А. 2Д206Б. 2Д206В . . . 15 А
при 403 К для 2Д206А. 2Д206Б. 2Д206В ... ЗА
Импульсный обратный ток при т„ = 50 мкс:
от 213 до 358 К
2Д206А................................................ 2 А
2 Д206 Б........................................ 1 А
2Д206В........................................ 0.5 А
при 403 К
2Д2О6А.......................................... 0,4 А
2Д206Б........................................ 0.2 А
2 Д206 В...................................... 0,1 А
Средняя рассеиваемая мощность:
ог 213 ло 358 К 10 Bi
при 403 К....................................... 1.5 Вт
Частота без снижения режимов........................ 1 кГц
Частога питающего напряжения........................До 20 кГц
Температура окружающей среды........................От 213 К до
Гк = 403 К
Температура корпуса................................. 403 К
Примечания: 1. Допускается последовательное соединение
диодов без шунтирования до 40 кВ.
2. Допускается кратковременное превышение установленного пре-
дельного обратного напряжения, при этом амплитуда перегрузочного
обратного тока не должна превышать допустимых значений, а фронг
импульса тока должен быть не менее 0,5 мкс При повторяющихся
перегрузках значение средней перегрузочной мощности нс должно
превышать 2 Вг при температуре корпуса 358 К и 0,4 Вт при 403 К.
Зависимость допустимого вы
прямленного тока от темпера-
туры корпуса.
Зависимость допустимого им-
пульсного перегрузочного об-
ратною тока от длительности
импульса.
106
Зависимость импульсного пря-
мою юка о г напряжения.
Зависимость прямого тока oi
напряжения.
КД208А
Диод кремниевый диффузионный. Предназначен для преобразо-
вания переменного напряжения в постоянное.
Выпускав 1ся в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип .диола указывается на корпусе Положительный вывод обозна-
чается зеленой полоской на корпусе.
Масса диода не более 0.7 i.
Электрические иарамезры
Постоянное прямое напряжение при /11р =1 А, не более:
при 298 и 358 К....................................... IB
при 233 К....................................... 1,3 В
Постоянный образный ток при (7оРр = 100 В, не более:
оз 213 до 298 К.....................................100 мкА
при 358 К......................................1000 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное или импульсное образное напряжение . . . 100 В
Постоянный или средний прямой ток................. 1,5 А
Темпераз ура окружающей среды.......................Оз 233 до
358 К
107
КД209А, КД209Б, КД209В
Диоды кремниевые диффузионные.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Диоды маркируются цветной точкой' КД209Б — зеленой. КД209В —
красной у диодов КД209А — отсутс1вует. Положитстытый вывод обоз-
начается красной полосой.
Масса диода не более 0,5 i
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = /пр MJKC. нс более
при 298 К............................... ... . 1 В
при 213 К....................................... 1.2 В
Постоянный обра1ный ток при 17о(;р = Сгг,бр маю |1с более:
от 213 до 298 К........................" . . . . . 100 мкА
при 358 К....................................... 300 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное и импульсное обратное напряжение:
КД209А...................................... 400 В
КД209Б...................................... 600 В
КД209В...................................... 800 В
Постоянный или средний прямой ток:
КД209А.......................................... 700 мА
КД209Б...................................... 500 мА
КД209В
до 328 К................................. 500 мА
при 358 К................................ 300 мА
Импульсный прямой ток при ти < 20 мкс............. 6 А
Частота без снижения режимов...................... 1 кГц
Температура окружающей среды......................От 213 до
358 К
Примечания 1. При работе диодов на емкостную нагрузку
эффективное значение прямого тока не должно превышать
1 57 /
'пр. ср, макс
2. Допускается работа диодов на частотах выше 1 кГц в режи-
мах при которых средний обратный ток не превышает 500 мкА.
108
2Д210А, 2Д210Б, 2Д210В, 2Д210Г, КД210А, КД210Б,
КД210В, КД210Г
Диолы кремниевые диффузионные тавпнные.
Выпускаются в мсталлосгеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса диода нс более 12 г (с комплектующими деталями 18 г).
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при /11р.ср = 10 Л 1'о5р =
= t'oop.suKc 11 температуре от 213 К до 7"к макс, не более 1 В
Средний обратный ток при Со6р = СоСр макс, /пр ср = 10 А,
от 213 К до Тк_Matc, не более...........................15 мА
Постоянный обратный ток при Сог>Р = С„'р М5КС, не более 4.5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение
2Д210А. КД210А, 2Д210Б. КД210Б................ 800 В
2Д210В. КД210В. 2Д210Г. КД210Г................ 1000 В
Наименьшее обратное пробивное напряжение* при 298 К.
2Д210А, 2Д210Б............................... 1000 В
2Д210В 2Д210Г.............................. 1250 В
Постоянный иди средний прямой ток от 213 до 323 К: 10 Л
при Тк = 373 К
2Д210А, 2Д210В................................. 5 А
2Д210Б, 2Д210Г................................ 10 А
при Тк = 403 К
2Д210А. 2Д210В................................. 1 А
2Д210Б. 2Д210Г................................. 2 А
Импульсный прямой ток при f 50 Гп, т„ = 50 мс,
при Тк от 213 до 323 К................................ 50 Л
при Т, = 373 К
. 2Д210А, 2Д210В.................................. 25 А
2Д210Б, 2Д210Г.................................. 50 А
109
при Тк — 403 К
2Д210А, 2Д210В..................................... 5 А
2Д21ОБ, 2Д21ОГ.................................. 10 А
при ти = 1,5 с, /= 50 Гц, Тк от 213 до 323 К . . . 30 А
при Тк = 373 К
2Д210А 2Д210В.............................. 15 А
2Д210Б, 2Д210Г.............................. 30 А
при У, = 403 К
2Д210А 2Д210В................................ ЗА
2Д210Б, 2Д21ОГ ............................. 6 А
Импульсный обрашый юк перегрузки в течение 100 мкс:
2Д210А, 2Д210В .................................1.5 Л
2Д210Б, 2Д210Г................................. 1.2 А
Частота без снижения режимов.........................1000 Гц
Частота со снижением 1пр ср.......................... 5000 Гн
Рассеиваемая мощность при Тк от 213 до 323 К . . . 20 Вт
при Тк = 373 К
2Д210А, 2Д210В.................................... 10 Вг
2Д210Б, 2Д21ОГ.................................. 20 Вг
при 7'к = 403 К
2Д210Л, 2Д210В.................................... 2 Вт
2Д210Б, 2Д210Г.................................. 4 Вг
Тсмпера|ура окружающей среды:
2Д2 0Л, 2Д210Б, 2Д210В, 2Д2101...............От 213 К до
Тк = 403 К
КД210Л, КД210Б, КД210В, КД210Г...............От 213 К до
Ук = 373 К
Температура корпуса
2Д210А, 2Д21ОБ, 2Д210В, 2Д210Г..................... 403 К
КД210А, КД210Б. КД210В. КД210Г............... 373 К
Температура перехоти............................... 413 К
Тепловое сопротивление кристалл — корпус...........3 К/Вг
Примечание. Допускается последовательное соединение диодов
без шунтирования до напряжения 30 кВ.
Зависимость допустимого сред-
нею прямого ока от темпе-
ра уры корпуса.
Зависимость среднего прямого тока
перегрузки от температуры кор-
пуса.
НО
Зависимость допусчимой крат-
ности перегрузки по прямому
току о г длительности импульса.
Зависимость среднего прямого
тока перегрузки от температу-
ры корпуса.
Зависимость допустимого об-
ратного тока перегрузки от дли-
тельности импульса.
2Д212А, 2Д212Б, КД212А, КД212Б
Диолы кремниевые диффузионные. Предназначены для преобразо-
вания переменного напряжения повышенной часю1ы в постоянное.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими вывода-
ми Тип диола указывается на корпусе. Отрицательный электрод
соединен с металлическим основанием корпуса.
Масса диода не более 1.5 г.
28 3 Ч
плоскость
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 1 А, ие более:
при 298 и 398 К....................................... 1 В
при 213 К....................................... 1,2 В
111
Постоянный обратный ток при 17^ = 200 В, не более:
от 213 до 298 К......................................50 мкА
при 398 К........................................... 2000 мкА
Время восстановления обратного сопротивления при
7р = 2 А, Побр = 200 В для 2Д212А, КД212А и
lap = 1 А, = 100 В для 2Д212Б, КД212Б, не более 300 нс
Емкость диола*, не более
при иоър = 1,0 В................................170 пФ
типовое значение................................140 пФ
при С/ойр = 100 В............................... 40 пФ
типовое значение................................ 30 нФ
Процельные эксплуатационные данные
Постоянное или импульсное обратное напряжение:
2Д212А, КД212А.................................. 200 В
2Д212Б, КД212Б.................................. 100 В
Постоянный прямой ток или средний выпрямленный ток:
от 213 до 353 К.................................. 1 А
при 398 К.................................... 0,2 А
Импульсный прямой ток при т„ = 10 мс...............50 /|1р макс
Частота без снижения режимов в меандре с Тф > 0,2 мкс
при работе на активную нагрузку....................100 кГц
Температура окружающей среды:
2Д212А 2Д212Б......................................От 213 до
398 К
КД212Л. КД212Б.................................От 213 ло
358 К
Температура перехода*.............................. 413 К
Тепловое сопротивление кристалл — корпус *.........10 К/Вт
Общее тепловое сопротивление*......................ПО К/Вт
Примечай и с. Допускается параллельное и последовательное со-
единение диолов.
Зависимость прямот о
тока о г напряжения.
Зависимость обратного тока от
напряжения.
112
Зависимость общей ем-
кости оч напряжения
Зависимость допустимого пря-
мою тока от теплового сопро-
тивления
Зависимость допустимого пря-
мого тока перегрузки о г дли-
тельности импульса.
Зависимость допустимо! о
прямого тока перегрузки от
длительности импульса.
2Д213Л, 2Д213Б, 2Д213В, 2Д213Г, КД213А, КД213Б,
КД213В, КД213Г
Диолы кремниевые диффузионные. Предназначены для прсоора-
зования переменного напряжения повышенной частоты в постоянное.
Выпускаются в металло-
пластмассовом корпусе с гиб-
кими выводами. Тип диода и
схема соединения электродов с
выводами приводятся на корпу-
се. Отрицательный электрод со-
единен с металлическим ос-
нованием корпуса.
Масса диода не бо iee 4 г
113
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /11р = 10 А. не более:
при 298 К
2Д213А, 2Д213В КД213А, КД213В...................... 1 В
2Д21 Б 2Д213Г, КД213Б. КД213Г.................... 1,2 В
при /пр = 5 А для 2Д213Б, 2Д213Г...................1,0* В
при 213 К
2Д213А, 2Д213В................................... 1.5 В
2Д213Б 2Д213Г.................................... 1,7 3
при 398 К (7г1р = 3 А для 2Д213А, 2Д213В и /|1р =
- 1 А для 2Д213Б, 2Д213Г)............................ 1 В
Постоянный обратный ток при 17о5р = б'оор.млкс- 1|с более:
от 213 до 298 К.........................................0,2 мА
при 398 К
2Д213А, 2Д213В.................................... 10 мА
2Д213Б, 2Д213Г.....................................25 мА
Время восстановления обратного сопротивления при
Л1р.и = • А 17о5р = 20 В, нс более:
2Д213А, 2Д213В. КД213А, КД213В................ 300 нс
2Д213Б, 2Д213Г, КД213Б, КД213Г................ 170 нс
Емкость дно а, не более:
11 ри б’обр ~ 100 В................................. 550 1Ф
пр" 5 В.............................................1600 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное и импульсное обратное напряжение:
2Д213А, 2Д213Б, КД213А, КД213Б................... 200 В
2Д21 В 2Д213Г, КД213В, КД213Г.................... 100 В
Постоянный и средний прямой тек-
ст 213 до 358 К .................................... 10 А
при 398 К
2Д213Л, 2Д21 В........................................ ЗА
2Д213Б, 2Д213Г................................. 1 А
Импульсный прямой ток при т„ < 10 мс, Q = 1000 ... 100 А
Импульсный обра1ный ток при температуре корпуса
от 213 до 358 К при ти < 20 мкс....................... 10 Л
Частота без снижения режимов в меандре с тф > 0,2 мкс
при работе на активную патрузку.........................100 кГц
Тепловое сопрэтивленис:
переход - корпус.................................1,5 К/Вт
переход - среда..................................70 К/Вг
Температура окружающей среды-
2Д213А, 2Д213Б, 2Д213В, 2Д213Г.................От 213 до
398 К
КД213А, КД213Б, КД213В КД213Г . . . . От 213 до
358 К
114
Температура перехода:
2Д213А, 2Д213В............................... 413 К
2Д213Б, 2Д213Г............................... 403 К
Примечание. Изгиб выводов допускается только в направ-
лении, перпендикулярном плоскости диода, на расстоянии не менее
3 мм от корпуса.
Рекомендуется крепление
ивания.
Зависимость прямого тока
о г напряжения.
диода к теплоотводу методом прнкле-
Зависимосзь обра1ного тока от на-
пряжения.
Зависимость времени восста-
новления обратного сопро-
тивления от напряжения.
Зависимость допустимого
прямого тока oi темпера-
туры
Зависимость допустимого
прямого тока от длитель-
ности импульса.
А
10
В
6
0
г
о
1пр,ср,макс 2Д213
35В К
го 50 100 Z00 500 икс
115
2Д215А, 2Д215Б, 2Д215В
Диоды кремниевые диффузионные.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Торец корпуса у положи
тельного вывода маркируется
красной точкой; на диоде
2Д213Б дополнительно нано-
сится красная точка, диод
2Д215А точки не имеет, у
диода 2Д215В на боковой по-
верхности ставится буква В
Масса диода нс более 0,5 г
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /|1р = 711рл1аК1.-, нс
бо.тес:
при 298 и 398 К
2Д215А, 2Д215Б....................................... 1,2 В
2Д215В............................................... 1,1 В
при 213 К.
2Д215А, 2Д215Б....................................... 1,5 В
2Д215В............................................... 1,2 В
Постоянный обратный ТОК при t/oSp = I оВр,м1кс> нс
более:
от 213 до 298 К..........................................50 мкА
при 7\гакс..............................................100 мкА
Предельные эксп. уатационные данные
Постоянное п импульсное обратное напряжение:
2Д215А............................................. 400 В
2Д215Б........................................ 600 В
2Д215В........................................ 200 В
Постоянный прямой гок:
при R-, < 75 К'Вт
от 213 до 333 К..............................1000 мА
при 358 К 2Д215А, 2Д215Б.................. 850 мА
при 398 К 2Д215А, 2Д215Б.................. 200 мА
при Rf С 180 ЮВг-
до 333 К ....................................... 500 мА
при 358 К 2Д215А, 2Д215Б...................... 300 мА
при 398 К 2Д215А, 2Д215Б.......................100 мА
Импульсный прямой ток:
одиночные импульсы с ти < 10 мкс и временем между
двумя импульсами не менее 15 мин
от 213 до 358 К 2Д215А, 2Д215Б................. 10 А
от 358 до 398 К 2Д215А, 2Д215Б.................... ЗА
116
периодические колоколообразные импульсы т„ < 1300 мкс
на уровне 0.1 и т„ < 300 мкс на уровне 0,9. / < 100 Гн
при температуре от 213 до 328 К для 2Д215В .... 13 А
Частота без снижения режима......................... 1 кГц
Температура окружающей средь........................От 213
до 398 К
Примечания: 1. Общее тепловое сопротивление менее
180 К/Вг обеспечивается при любом способе крепления диода при
условии сохранения длины вывода не менее 20 мм. В качестве
радиатора рекомендуется применять металлическую пластину разме-
ром 10 х 15x2 мм2 для каждого вывода, припаянную па рас-
стоянии 1 мм от корпуса диода.
2. При работе диодов па емкостную нагрузку эффективное
значение прямого тока не должно превышать 1,57 7Пр.Ср.мак<;.
Зависимость допустимого среднего прямого тока от частоты
Зависимость допустимого импульсного прямого тока от длитель-
ности импульса.
117
Зависимость допустимого пря- Зависимость допустимого по-
мою тока перегрузки от тем- стоящим о прямого тока oi гем
пера гуры. иературы.
2Д216А, 2Д216Б
Диоды кремниевые диффузионные. Предназначены для преобра-
зования переменного напряжения повышенной частоты в ноегояппос.
Выпускаются в мста.тлостекляином корпусе с жесткими выводами.
Тип диола и схема соединения электродов с выводами приводятся
па корпусе.
М юса диода нс 61 ice 3 г.
Электрические параморы
Постоянное прямое напряжение, не более
при /„„= I А, 213 К.................................. 1.2 В
при 298 К......................................... 1.0 В
ПРИ 4р= 10 А, 213 К............................... 1.6 В
при 298 К......................................... 1,4 В
Постоянный обратный юк, не более, при С'о6р =
= ^обр.макс- температуре or 213 до 298 К ... . 50 мкА
Средний обрагный ток при (;о6р = 1/обр. ча1(с, не более:
448 К, /пр.ср = 0................................ 10 мА
358 К, /пр.ср=10 А..................... 2 мА
Заряд переключения при t'c6p = 10 В, /,1р = 200 мА,
нс более...............................................80 нКл
Прете тьные эксплуатационные данные
Постоянное и гмпуяьсное с Тф > 1 мкс обратное на-
пряжение:
2Д216А................................................. ЮО В
2Д216Б............................................ 200 В
118
Постоянный и средний прямой ток..................... 10 А
Импульсный прямой ТОК.............................3 /пр ср. макс
Частота выпрямления.................................100 кГц
Температура корпуса................................ 448 К
Окружающая температура............................От 213 К до
Тк = 448 К
Температура перехода............................... 448 К
Примечания: 1. Допускается работа диода при 1/обр = 1'обр,макс
произвольной формы:
с частотой до 50 кГц при тф > 0,3 мкс и /11р < /11р.срл,.,кс, »°
не более 3 А;
с частотой до 30 кГц при тф > 0,1 мкс и /пр.ср « /„р,Ср.макс,
по не более 1 А
2. Допускается paooia диодов на емкостную нагрузку, при этом
эффективное значение прямого тока не должно превышать
1>57 /пр.ср.макс
3. При монтаже диодов не допускаются механические воздей-
ствия на остеклованную поверхность диода и крепление диода за
эту поверхность или пайка по всей длине тонкого вывода диода;
допускается ввинчивание диода.
4. Допускается последовательное соединение любого числа диодов
одною типа при условии, чго обратное напряжение на каждом
диоде не превышает максимально допустимого значения.
Допускается параллельное соединение любого числа диолов од-
ного типа при условии, что прямой ток через каждый диод нс
должен превышать максимально допустимого
Зависимость прямою
тока от напряжения
Зависимость обритого тока от
напряжения.
119
Зависимость допустимого пря-
мого тока о г температуры
корпуса.
2Д217А, 2Д217Б
Диоды кремниевые диффузионные. Предназначены для преобра-
зования переменного напряжения повышенной частоты в постоянное.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с iнекими вывода-
ми. Тип диода н схема соединения электродов с выводами при-
во ятся на корпусе.
Масса диода не более 1,5 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение, не более:
при 7, = I А, 213 К.................................. 1.3 В
при 7np= I А, 298 К.................................. 1.1 В
при /,,р - 3 А, 298 К.................................. 1,3 В
при /11р = 3 А, 213 К.................................. 1,5 В
Постоянный обратный ток, не более'
при б'обр = ^обр.макс и температуре от 213 до
298 К................................................... 50 мкА
при 398 К......................................... 2000 мкА
Средний обрашый ток при 1/орр = С'о5рмакс, f— 50 Гц, •
/цр.ср = 1 A iipn 398 К, /прср = 3 А при 298 К . . . 2000 мкА
Заряд переключения при 7„р = 200 мА, Uc6p =10 В.
не более.............................................. 20 пК.ч
120
Прелельиье эксплуатационные тайные
Постоянное и импульсное с Тф > 1 мкс обратное на-
пряжение
2Д217А.......................................... 100 В
2Д217Б...................................... 200 В
Постоянный и средний прямой ток-
от 213 до 298 К ................................. ЗА
при 398 К................................... I Л
Импульсный прямой ток............................3 /Ир,ср
Частота без снижения режимов....................100 кГц
Темпера I >а окружающей среды....................От 213
до 39S К
Примечания: 1. При распайке диодов на печатную плату
толщиной 1.5 мм и расстоянии между точками крепления от 12.5 до
37,5 мм /|1рма1ж и. и 7„р.с,, 41hC при 298 К нс более 1.1 А.
2. Допускается работа диодов па емкостную натрузку, при этом
эффективное значение прямого тока нс должно превышать
1,57 7.,ГСр.
3. Допускается работа диода при 1/о5р = Гобр маЕС произвольной
формы.
с частотой до 50 кГц при Тф > 0,3 мкс и /1|рср — 7ирсрл1а«<
с частотой до 30 к Гн при тф > 0.1 мкс и /,,гср < / г.ср.ма1(с,
но нс более I А.
4 Прн монтаже диодов нс допускаются механические воздей-
ствия на остеклованную поверхность диода
5. Допускается пос.тедова тельное и парад, с.тьпос соединение лю-
бою числа диолов
Зависимость прямою
тока от напряжения.
Зависимость обратною тока
от напряжения
121
Зависимость допустимого пря-
мою тока от температуры.
Зависимость допустимого пря
мого тока от теплового со-
противления переход — среда.
2Д219А, 2Д219Б
Диоды кремниевые эпитаксиальные с барьером Шоттки. Пред-
назначены для работы в низковольтных вторичных источниках
электропитания на час ютах ло 200 кГц.
Выпускаются в металлостек тянном корпусе с жесткими выво-
дами. Тип диода п схема соединения электродов с выводами при-
водятся на корпусе.
Масса диода не более 8 г.
Электрические параметры
Посюянное прямое напряжение, нс более:
при /,,г = 10 А.......................................... 0,6 В
при /пр = 5 А . ............................ 0,54 * В
при /„J, = 35 Л........................................0,92* В
Средний обратный юк, не более;
при Содр СобрЧ1акс, /,рСр — 10 А, 358 К.......................75 мА
ipn 0о£,р Собр,макс, Aip.cp = - А, э73 К..................75 мА
Постоянный обратный ток при Со5р = С'ог,ГЛИКС, нс
более.
от 213 до 298 К .............................................. 20 мА
при 373 К.................................................150 мА
Предельные эксплу a i анионные данные
Постоянное и импульсное обрапюс напряжение
2Д219А......................................................... 15 В
2Д219Б.................................................... 20 В
122
Постоянный и средний прямой ток:
от 213 до 358 К.................................... 10 А
при 373 К.......................................... 5А
Импульсный прямой ток:
одиночный импульс ти < 10 мс с периодом пов-
торения нс менее 10 мии............................25 /11р.Срмакс
серия импульсов (не более 90) ти < 10 мс, /= 50 Гц
с периодом повторения серии не менее 10 мин ... 10 /Пр,ср.ма1гс
Частота без снижения режимов............................. 200 кГп
Наименьшая температура окружающей среды . . . . 213 К
Наибольшая тех псратура корпуса.......................... 373 К
Температура перехода .................................... 398 К
Зависимость обратною тока от на-
пряжения.
Зависимость допустимого прямою то-
ка от температуры.
2Д220А, 2Д220Б, 2Д220В, 2Д220Г, 2Д220Д, 2Д220Е,
2Д220Ж, 2Д220И
Диоды кремниевые диффузионные. Предназначены для приме-
нения в высокочастотных выпрямительных и преобразовательных
устройствах.
123
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выво-
дами. Диоды маркируются со стороны положительного (исрезьбо-
вого) вывода двумя цветными точками. Первая точка обозначает
диапазон частот работы диода: белая — от 1 до 50 кГц (2Д220А,
2Д220Б, 2Д220В 2Д220Г), красная - от 50 Гц до 20 кГц (2Д220Д,
2Д220Е, 2Д220Ж, 2Д220И). Вторая точка определяет тип диода:
белая — 2Д220А и 2Д220Д; зеленая — 2Д220Б и 2Д220Е; желтая —
2Д220В и 2Д220Ж; голубая - 2Д220Г и 2Д220И.
Масса диода не бо iee 3 г
•4 <•
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение не более:
при 4р = 1 А
при 213 К
2Д220А. 2Д220Б. 2Д220В. 2Д220Г..................... 1.4 В
2Д220Д. 2Д220Е, 2Д220Ж, 2Д220И................... 1.3 В
при 298 К
2Д220А, 2Д220Б, 2Д220В, 2Д220Г..................... 1,2 В
2Д220Д, 2Д220Е, 2Д220Ж. 2Д220И................... 1.1 В
при 4Р= 3 А:
при 298 К
2Д220А, 2Д220Б, 2Д220В, 2Д220Г.................. 1,5 В
2Д220Д, 2Д220Е, 2Д22ОЖ, 2Д220И.................. 1,3 В
при 213 К
2Д220А, 2Д220Б, 2Д220В, 2Д220Г.................. 1,7 В
2Д220Д, 2Д220Е, 2Д220Ж, 2Д220И.................. 1,5 В
Постоянный обратный ток при 1/о6р = ^обрликс’ не
более:
при 298 К............................................... 45 мкА
при 398 К......................................... 1500 мкА
Средний обрашый ток в режиме однополуперио.чного
выпрямления синусоидального напряжения частотой
50 Гц при 1/обр = С/Обр.ма1х, Тк = 428 К, не
более............................................... 2000 мкА
Время восстановления обратного сопротивления при
/|1р — I А, {7о6р = 5 В, не более:
2Д220А, 2Д220Б, 2Д220В, 2Д220Г........................0.5 мкс
2Д220Д, 2Д220Е, 2Д220Ж, 2Д220И..................... I мкс
124
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение
2Д220А, 2Д220Д....................................... 400 В
2Д220Б, 2Д220Е................................. 600 В
2Д220В, 2Д220Ж................................. 800 В
2Д220Г, 2Д220И................................. 1000 В
Импульсное обратное напряжение:
в диапазоне частот от 1 до 50 Гц при Тф > 0,5 мкс
2Д220А............................................. 400 В
2Д220Б......................................... 600 В
2Д220В......................................... 800 В
2Д220Г......................................... 1000 В
в диапазоне частот от 50 Гц до 20 кГц при
Тф > 1 мкс
2Д220Д........................................... 400 В
2Д220Е......................................... 600 В
2Д220Ж......................................... 800 В
2Д220И.........................................1000 В
Постоянный прямой ток при Тк от 213 до
398 К................................................ ЗА
Средний прямой ток в режиме выпрямления напряжения
любой формы со скважностью, равной или более 1,3:
при Гк от 213 до 398 К, 10 кГц, Тф > 0,5 мкс
для 2Д220А, 2Д220Б, 2Д220В, 2Д220Г............... ЗА
при Тг от 213 до 398 К, /= 50 кГц, Тф > 0,5 мкс
для 2Д220А, 2Д220Б, 2Д220Г..................... 0,5 А
при Гк от 213 до 398 К, /=10 кГц, Тф > 1 мкс
для 2Д220Д, 2Д220Е, 2Д220Ж, 2Д220И............... ЗА
при Гк от 213 до 398 К, f = 20 кГц, Тф > 1 мкс для
2Д220Д, 2Д220Е, 2Д220Ж, 2Д220И................. 0,5 А
Импульсный прямой ток при т„ < 10 мс (одиночный
импульс) до 398 К и периодом повторения не менее
10 мин.............................................. 60 Л
Частота без снижения режима..........................10 кГц
Тепловое сопротивление кристалл — корпус..........3.5 К/Вт
Температура корпуса диода............................От 213
до 428 К
Температура перехода................................. 448 К
Примечания: 1. При моншже диодов не допускаются креп-
ление за остеклованную поверхность и механические воздействия
на нес.
2. Прн установке диодов на теплоотвод рекомендуется приме-
нение теплопроводной пасты КПТ-8 (ГОСТ 19783-74).
3. Допускается последовательное и параллельное соединение лю-
бого числа диодов.
125
Зависимость допустимого пря-
мого пока от температуры
корпуса
Зависимость допустимого им-
пульсного прямого тока от час-
то гы.
Раздел четвертый
ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ СТОЛБЫ И БЛОКИ
Д1004, Д1005А, Д1005Б, Д1006, Д1007, Д1008
Столбы из кремниевых
сплавных диодов. Выпускаются
в пластмассовых корпусах с
жесткими выводами. Тип прибо-
ра и схема соединения электро-
дов с выводами приводятся на
корпусе.
Масса столбов Д1004,
Д1005А нс более 35 г, Д1005Б,
Д1006, Д1007, Д1008 не бо-
лее 60 г.
126
Э.тект ричсские параметры
Среднее прямое напряжение при /пр ср = 100 мА для
Д1004. Д1005Б, Д1006: 75 мА для Д1007: 50 мА для
Д1005А, Д1008, не более:
при 298 К
Д1004. Д1005А.................................... 5 В
Д1005Б. ДЮ06, Д1007. Д1008 ..................... 10 В
при 213 К
Д1004, Д1005А...................................... 6 В
Д1005Б, Д1006, Д1007. Д1008 .................... 12 В
Средний обратный ток при 1/„Рр = 2000 В для Д1004;
4000 В для Д1005А. Д1005Б: 6000 В для Д1006,
8000 В для Д1007: 10000 В для Д1008. нс более:
при 298 К.........................................100 мкА
при 398 К........................................ 250 мкА
Пре ильные Зкстыуат анионные данные
Импульсное обратное напряжение при температуре от
213 до 398 К:
Д1004 ............................................. 2000 В
Д1005А, Д1005Б..................................... 4000 В
Д1006 ............................................. 6000 В
Д1007 ............................................. 8000 В
Д1008 .........................................10000 В
Средний прямой ток.
от 213 до 353 К
Д1004, Д1005Б. Д1006 ...........................100 мА
Д1005А, Д1008 .............................. 50 мА
Д1007 .......................................... 75 мА
при 373 К
Д1004. Д1005 Б. Д1006 .......................... 60 мА
Д1005А, Д1008 .............................. 30 мА
Д1007 .......................................... 40 мА
при 398 К
Д1004. Д1005 Б. Д1006 .......................... 40 мА
Д1005А, Д1008 ........................... 20 мА
Д1007 .......................................... 30 мА
Частота бел снижения режимов........................... 1 кГц
Температура окружающей среды.......................От 213
до 398 К
Температура корпуса..................................... 413К
Примечания- 1. Допускается работа столбов на емкостную
нат рузку при условии, что эффективное значение тока через столб
не превышает 1,57 значения среднего прямого тока.
2. Допускается работа столбов на частотах выше 1 кГц при
условии, что значение среднего обратного тока будет ие более
250 мкА.
3. Допускается ттерет рузка столбов но прямому току до 2,5 А
в течение 3 4 периодов
127
4. Допускается параллельное и последовательное (до 50 кВ)
соединение столбов одного типа. Прн последовательном соединении
столб необходимо шунтировать конденсатором, емкость которого
выбирается из условия С = 2,8 С3№, где Cj — емкость столбов
относительно земли, N — число последовательно соединенных столбов.
5. При монтаже столбов долж-
ны быть приняты меры по обес-
печению электрической прочности
изоляции, а также по обеспечению
емкости столба относительно зем-
ли менее 3 пФ. Для этого воз-
душный промежуток между шасси
и корпусом столба должен быть
не мопсе 5 мм. Целесообразно
располагать столбы вертикально
по отношению к шасси для обес-
печения минимальной емкости.
6. При давлениях ниже
5.3-104 Па выводы столбов н
оголенные части подводящих про-
водов должны быть защищены изо-
Зависимость среднего прямого
тока от температуры
пирующими материалами для пре-
дотвращения пробоя по по-
верхности.
Д1009, Д1009А, ДЮНА
Столбы из кремниевых диффузионных диодов.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с заливкой эпоксидным
компаундом с жесткими выводами. Тип прибора и схема соедине-
ния электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса столба не более 53 г.
Элеюрнческие параметры
Среднее прямое напряжение при /прср = ^00 м^- ,1С более:
при 298 К
Д1009 .......................................... 2,6 В
Д1009А, ДЮНА.................................. 1,5 В
128
при 213 К
Д1009 ......................................... 3.3 В
Д1009А, ДЮНА................................... 2,0 В
Средний обратный ток прн 1/оСр „ = 2000 В для Д1009,
1000 В для Д1009А, 500 В для Д1011 А, /11р-ср = 300 мА.
нс более:
при 298 К.........................................100 мкА
при 358 К........................................ 300 мкА
Пре дельные эксп .ту а i анионные данные
Импульсное обратое напряжение синусоидальной фор-
мы при темпера! у ре oi 213 до 358 К.
Д1009 ........................................... 2000 В
Д1009А........................................1000 В
ДЮНА ......................................... 500 В
Средний прямой ток в режиме однонолупериодного
выпрямления напряжения синусоидальной формы при
температуре от 213 до 358 К....................... 300 мА
Частота без снижения режимов........................ 1 кГц
Температура окружающей среды........................От 213
до 358 К
Температура корпуса................................ 373 К
Примечания: 1. При монтаже допускается одноразовый из! иб
выводов на расстоянии нс ближе 5 мм от корпуса столба.
2 . При давлениях ниже 0,54 104 Па выводы столбов и оголен-
ные части подводящих проводов должны быть защищены изоли-
рующими материалами для предотвращения пробоя по поверхности.
Степень снижения предельных электрических режимов в зависимости
от давления в диапазоне до 666 Па и ниже должна выбираться
из условия, чтобы температура на корпусе в процессе работы нс
превышала 373 К.
3 . Допускается работа столбов на частотах выше 1 кГц при
условии, чго среднее значение обратного тока ие будет превышать
500 мкА.
4 Допускается работа столбов иа емкостную нагрузку при усло-
вии, чго эффективное значение тока через столб не превышает
1,57 значения средне! о прямого тока.
5 Допускаются перегрузки по прямому току до 2.5 А в те-
чение 3 4 периодов.
2Ц101А
Столб из кремниевых сплавных диодов
Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приво-
дятся на корпусе. Положительный вывод отмечен точкой на торце
прибора.
Масса столба не более 2 г.
5 под род. Н Н Горюнова 129
Электрические параме ры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 50 мА, не
более............................................... 8,3 В
Постоянный обратный ток при 1/обр = 700 В, не
более:
при 298 К............................................ 10 мкА
при 343 К . . . . ............... ... 100 мкА
Пре тельные jKCii.iyai анионные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 до 343 К .......................................... 700 В
Постоянный прямой юк при температуре от 213
до 343 К................................................ 10 мА
Средний выпрямленный ток (время усреднения нс более
10 с) при температуре от 213 до 343 К..................10 мА
Импульсный прямой ток при температуре от 213
до 343 К................................................. 1 Л
Средняя рассеиваемая мощност ь при темпер < гуре от
213 до 343 К .......................................... 0,3 В1
Частота без снижения режимов при температуре от
213 до 343 К ............................................20 кГц
Температура окружающей среды.............................От 213
до 343 К
Примечание. Столбы допускают последовательное соедине-
ние без специального подбора при условии, что обратное напря-
жение па них не превышает предельного значения.
вольт-амперных характеристик.
вольт-амперных характеристик.
130
Зона возможных положений
вольт-амперных характеристик
2Ц102А, 2Ц102Б, 2Ц102В
Сюлбы из кремниевых сплавных диодов.
Выпускаются в пластмассовом корпусе е шбкими выводами.
Тип прибора и схема соединения электродов с выво хами приво-
дятся на корпусе.
Масса столба не более 5 1.
0J
Э 1ск । рическис иарамет ры
Постоянное (среднее) прямое напряжение при /П|, ср =
= 100 мА при 213 и 298 К, и 50 мА при 398 К. не
более:
при 298 н 398 К................................. 1.5 В
при 213 К....................................... 2,0 В
Постоянный (средний) обратный ток для 2Ц102Л при
<4>с,р = 8ОО В, для 2Ц102Б — 1000 В. для 2Ц102В -
1200 В, нс более:
при 298 К........................................90 мкА
при 398 К........................................150 мкА
при 213 К........................................50 мкА
Предельные эксплуатационные чанные
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 до 398 К:
2Ц102А.............................................. 800 В
2Ц102Б............................................. 1000 В
2Ц102В............................................. 1200 В
5*
131
Постоянный (средний) прямой ток:
при температуре от 213 до 358 К . . ... 100 мА
при 373 К......................................70 мА
при 398 К.................................. ... 50 мА
Частота без снижения режимов....................... 1 кГц
Температура окружающей среды.................. .... от 213 до
398 К
Примечания 1. Допускается работа столбов па частотах,
превышающих I кГц, при условии, что значение обратного тока
на частоте и в режимах, ие превышающих предельные, будет не
более 500 мкА среднего значения.
2. Столбы допускают перегрузки по прямому току, нс превышаю-
щие 2,5 А, в течение 3—4 периодов.
3. Допускается последовательное соединение столбов при условии,
что обратное напряжение иа каждом столбе не превышает предель-
ного При последовательном соединении каждый из последовательно
соединенных столбов рекомендуется шунтировать выравнивающим
конденсатором.
Зависимость среднего или по-
сюянного прямого тока от тем-
пературы.
2Ц103А, 2Ц103В
Столбы из кремниевых диффузионных диодов.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на его корпусе. Положительный вывод
отмечен точкой на торце корпуса прибора.
Масса столба не более 2 г.
132
Электрические параметры
Постоянное прямое панряжение при /1|р = 50 мА, не
бо ice:
при 298 К ....................................
при 213 К ....................................
Постоянный обратный ток при С'обр = 2000 В (для
2Ц103В при С'О5р = 1000 В), не более.
при 298 К.....................................
при 348 К.....................................
9 В
12 В
10 мкА
80 мкА
Предельные экептуаг анионные данные
Постоянное (или любой формы) обратное напряжение
при температуре от 213 до 348 К:
2Ц103А............................................. 2000 В
2Ц1ОЗВ............................................ 1000 В
Постоянный прямой ток или среднее значение прямого
тока при leMiiepaiype от 213 до 348 К................ 10 мА
Импульсный прямой ток при среднем значении тока
за 2 с не более 50 мА и температуре 213 до
348 К................................................ I А
Средняя рассеиваемая мощность при температуре от 213
до 348 К.............................................0, 35 Вт
Частота при синусоидальном сигнале без снижения
режима при температуре от 213 до 348 К:
при /вп.ср= 10 мА..................................50 кГц
при /Ш1,ср = 5 мА................................100 кГц
Тепловое сопротивление общее..........................150 K/Bi
Температура окружающей среды..........................от 213 до
348 К
Примечания: 1. Допу ека-
ет ея работа столбов на емкое i-
ную нагрузку при условии, что
амплитуда обратного напряжения
не превышает предельно! о значе-
ния, а зарядный юк не превы-
шает 1 Л при среднем значении
за 2 с не белее 50 мА.
2. Допускается последователь-
ное соединение столбов без спе-
циального подбора при условии,
что обратное напряжение на них
ие превышает предельного зна-
чения.
Допускается параллельное со-
единение столбов при условии от-
сутствия перегрузок любого столба
по прямому току.
кГц
80
ВО
40
Z0
О
Зависимость предельной часто-
ты выпрямления от прямого
тока.
133
1Ц104АИ
Столб из германиевых диффузионных диодов. Предназначен для
работы в импульсном режиме.
Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип
прибора указывается на его корпусе. Положительный вывод отмечен
точкой на торце прибора.
Масса столба нс более 5 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр — 50 мЛ. не
более:
при 298 К......................................От 5.5 до
8.0 В
при 213 К...................................... 15 В
Импу. ьснос прямое напряжение прн 7ир и = 20 мА,
1/60 Гц, не более............................. 17 В
Постоянный обратный ток при (7оПр = 2000 В, нс более 150 мкА
Время переключения при /Г|р = 30 мА. Собр и = 30 В.
/ < 700 Гц.......................................От 0.3 до
1,5 мкс
Длительность среза импульса обратного тока при 7р =
= 30 мА, Собр „ = 30 В, /<700 Гц, не более . . , 0,25 мкс
Импульсный об мтный ток при Cc^p lI = 2000 В,1, 10 Гц
н 343 К, нс более................................ 5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре:
от 213 до 308 К ....................................... 1000 В
при 323 К........................................... 400 В
при 343 К........................................... 200 В
Импульсное обратное напряжение прн одиночных импуль-
сах (с частотой следования нс бо юс 1/60 Гц),
ти < 20 мкс и температуре от 213 до 343 К . . . . 2000 В
Импульсное обратное напряжение в режиме переключения
с прямого тока до 15 А и длительности импульса
прямого тока до 30 мкс при температуре от 213 до
343 К (длительность импульса обратного напряжения
не более 20 мкс)....................................... 1600 В
134
Постоянный прямой ток при температуре'
от 213 до 343 К....................................... 10 мА
при температуре о г 213 до 308 К в течение не
более 10 с...........................................50 .мА
Импульсный прямой ток при одиночных импульсах
(с частотой следования нс более 1/60 Гц) длитель-
ностью до 100 мкс..................................... 20 Л
Частота выпрямления па активную нагрузку (форма
тока — синусоидальная) при температуре от 213 до
343 К..................................................10 кГц
Температура окружающей среды...........................От 213 до
343 К
Примечания: 1. Допус-
каегся параллельное соединение
столбов при условии обеспече-
ния отсутствия перегрузки но
прямому току.
2. Допускается последова-
тельное соединение столбов
при условии, что обратное на-
пряжение на каждом столбе нс
превышает предельного.
Зависимость обратною напря-
жения от темпера гуры.
КЦ105А, КЦ105Б, КЦ105В, КЦ105Г, КЦ105Д
Столбы из кремниевых диффузионных диодов.
Выпускаю 1ся в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приво-
дятся на корпусе.
Масса столбов КЦ105А, КЩ05Б не бо ice 10 г, КЦ105В,
КЦ105Г, КЦ105Д не более 15 г
135
Электрические параме т ры
Среднее прямое напряжение при /,1р сг 100 мА тля КЦ105А.
КЦ105Б, КЦ105В; 75 мА для КЦ105Г; 50 мА для КЦ105Д,
нс более.
КЦ105Л КЦ105Б................................... 3.5 В
КЦ105В, КЦ105Г. КЦ105Д.......................... 7.0 В
Средний обратный гок при р „ = 2000 В для КЦ105А: 4000 В
для КЦ105Б. 6000 В для КЦ105В; 7000 В для КЦ105Г 8500 В
для КЦ105Д, нс более:
прн 298 К.......................................100 мкА
прн 358 К....................................... 200 мкА
Время восстановления обратного сопротивления при
Cpf.p и = 30 В, /,,р , = 1000 мА. /О1СЧ = 10 мА. нс более 3 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение
КЦ105А ...................................... 2000 В
КЦ105Б.................................... 4000 В
КЦ105В .......................... 6000 В
КЩ05Г..................................... 7000 В
КЩ05Д..................................... 8500 В
Средний прямой ток.
КЦ105А, КЦ 05Б. КЦ105В...................100 мА
КЦ105Г......................................75 мА
КЦ105Д......................................50 мА
Частота без снижения режимов................. 1 кГц
Температура окружающей среды.................Ог 233 до
358 К
2Ц106А, 2Ц106Б, 2Ц106В, 2Ц106Г, КЦ106А, КЦ106Б,
КЦ106В КЦН16Г, КЦ106Д
Сюлбы из кремниевых диффузионных диодов.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами
Тип прибора указывается па корпусе. Положительный вывод при-
бора отмечен точкой на торце корпуса.
Масса столба нс более 2,5 г
136
Элск|рнческне параметры
Постоянное прямое напряжение при /,,р = 10 мА. не более-
при 298 К......................................... 25 В
прн 213 К (218 К для КЦ106А. КЦ106Б.
КЦ106В КЦ106Г КЦ106Д)......................... 35 В
Постоянный обратный ток при С'ойр - 4000 В для
2ЦЮ6А, КЦ106А, 6000 В для 2Ц106Б, КЦ106Б-
8000 В для 2Ц106В, КЦ106В 10000 В для 2Ц106Г,
КЦ106Г; 2000 В дтя КЦ106Д, нс более:
при 29S К.....................................10 мкА
при 398 К для 2Ц106А, 2Ц106Б, 2Ц106В.
2Ц106Г........................................50 мкА
прн 358 К для КЦ106А. КЦ106Б, КЦ106В. КЦ106Г.
КЦ106Д........................................30 мкА
Время воссщиовления обратною сопротивления при
/,,р = 20 мА. „ = 500 В Я„ = 25 кОм, д.тшель-
носги фронта переключения 0,2 мкс. не более .... 35 мкс
Предельные экси.ту а i анионные данные
Постоянное обратное напряжение (или амплитудное любой формы
и периодичности) при температуре:
от 213 до 358 К (от 218 К для КЦ106А. КЦ106Б.
КЦ106В, КЦ106Г, КЦ106Д)
2Ц1О6А. КЦ106А................................ 4000 В
2Ц106Б. КЦ106Б ............................. 6000 В
2Ц106В. КЦ106В ............................. 8000 В
2Ц106Г. КЦ106Г..............................10000 В
КЦ106Д...................................... 2000 В
при 398 К
2Ц106А........................................1000 В
2Ц1О6Б...................................... 2000 В
2Ц106В...................................... 3000 В
2Ц106Г...................................... 4000 В
Постоянный прямой ток при температуре:
от 213 до 358 К (от 218 К для КЦ106А, КЦ106Б,
КЦ106В, КЦ106Г, КЦ106Д).......................10 мА
прн 398 К для 2Ц106А, 2Ц106Б, 2Ц106В. 2Ц106Г 1 мА
Импульсный прямой ток при ти — 50 мкс, f = 1 имп/мпп
работе на активную нагрузку и при форме питающего
напряжения в визе симметричной синусоиды или сим-
метричного меандра с фронтом переключения нс менее
5 мкс при температуре от 213 до 358 К (от 218 К
для КЦ106А, КЦ106Б, КЦ106В КЦ106Г, КЦ106Д) 1 А
Частота без снижения режимов.....................20 кГц
137
Температура окружающей среды
2Ц106А, 2Ц 06Б, 2Ц106В, 2Ц106Г......................От 213 до
398 К
КЦ106А, КЦ106Б, КЦ106В КЦ106Г КЦ106Д. . . От 218 до
358 К
Тепловое сопротивление общее........................120 К/Вт
Температура перехода..................................413 К
Примечания: 1. Допускается работа столбов на емкостную
нагрузку при условии, что амплитуда тока заряда емкости не пре-
вышает 60 мА, амплитуда обратною тока — 20 мА.
2. Рекомендуется изолировать поверхность потенциального выво-
да. Допускается работа без изоляции потенциального вывода при
давлениях: при (7обр= 10000 В 6,66-104 Па; прп 1/о6р = 8000 В
5,33- 10-» Па; при 1/о6р = 6000 В 5,0 10^ Па; при 1/обр = 4000 В
2,67 10* Па.
3 Столбы 2ЦЮ6Б, 2Ц106В, КЦ106Б, КЦ106В допускают работу в
повторно-кратковременном режиме в емкостных схемах зажит ания. Ре-
жим работы схемы: повторно-кратковременными циклами по 10
включений, длительность одного вк печения не более 1 мин, перерыв
между включениями не менее 2 мни перерыв между циклами не
менее 10 мин.
4 Обратные напряжения на столбах 2Ц106Б, 2Ц106В не должны
превышать соответственно 6 и 8 кВ. Частота следования имтпльсов
пе более 30 Гц. Фронт переключения с прямого тока па обратное
напряжение не менее 200 мкс. Средний выпрямленный гок: до
40 мА для 2Ц106Б, до 30 мА для 2Ц106В. Допускается производить
включение в течение 3 мин с перерывом нс менее 10 мин. Таких
включений должно быть не более I “и общего количества одно-
минутных включений. При температуре окружающей среды от 213
до 373 К количество одноминутных включений не более 5000.
Зависимость максимально
допустимого обратного на-
пряжения от температуры.
Зависимость максимально
допустимого прямого тока
от температуры.
138
нА
ВО
60
40
го
Зависимость среднего выпрям-
ленного тока от час i си ы при
температуре от 213 до 353 К
при работе па акцизную па-
I ру тку.
Зависимое гь обратного тока
исрарузки от длительности
импульса перегрузки.
Зависимость импульсного прямого тока от длительности импульса
перегрузки.
2Ц108А, 2Ц108Б, 2Ц108В
Столбы из кремниевых диффузионных диодов.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе. Масса столбов 2Ц108А, 2Ц108Б не более 20 г,
2Ц108В не более 25 г
139
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение прн среднем прямом токе 180 мА
в режиме однополунсриоднот о выпрямления синусоидального на-
пряжения часюгой 50 Гц, не более:
при 298 К
2Ц1О8А, 2Ц108Б................................... 6 В
2Ц108В............................................ 10 В
при 213 К
2Ц108А, 2Ц108Б.................................. 7,5 В
2Ц108В........................................... 12,0 В
Средний обратный ток при импульсном обратном напряжении сн-
пусондалыюи формы частотой 50 Гц для 2Ц108А 2000 В, 2Ц108Б
4000 В, 2Ц1О8В 6000 В, не более
при 298 К и /„р.ср = 180 мА.........................150 мкА
при 398 К и /пр,ср = 40 мА......................1000 мкА
Время восстановления обратного сопротивления в режиме
переключения с /11р „ = 1 А на С7овр „ = 30 В при со-
против. енитт нагрузки 500 Ом.......................От 0,6 до
0,9 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение произвольной формы с крутизной
фронтов не более 3000 В/мкс в диапазоне частот от 50 Гц до
50 кГц и температуре корпуса от 213 до 403 К:
2Ц108А...................................... 2000 В
2Ц108Б...................................... 4000 В
2Ц108В...................................... 6000 В
Средний прямой ток в режиме выпрямления напряжения произволь-
ной формы с частотой от 50 Гт до 50 кГц прн давлении
от 10,1-104 до 666 Па, /яр „ < 3,14 /пр,ср:
прн температуре корпуса от 213 до 373 К.......100 мА
при температуре корпуса 403 К.................20 мА
Импульсный перегрузочный прямой ток при длительности фронта
импульса Тф > 1 мкс, т„ < 10 мс (не более 3 импульсов в течение
20 мин с интервалами между импульсами нс менее 1 мин):
при температуре корпуса от 213 до 373 К .... 5000 мА
при температуре корпуса 403 К.................... 1500 мА
Температура окружающей среды.........................От 213 до
398 К
Температура корпуса................................... 403 К
Примечания: 1. Выводы столбов и оголенные части под-
водящих проводов должны быть защищены изолирующими мате-
риалами при давлениях ниже 1,6 • 104 Па для 2Ц108Б, 2Ц108В и
ниже 0.4-104 Па для 2Ц108А, При давлениях ниже указанных пре-
дельное импульсное обратное напряжение имеет следующие значения:
140
Таблица 41
А । мосферное давление, Па Импульсное образное на пряжение, В
2II1O8A 2Ц1О8Б 2UI0SB
1,6- км 2000 4000 6000
0,4-10-« 2000 2000 2600
666 1500 1500 1700
2. Допускается последовательное соединение двух столбов одною
типа на напряжение до 8000 В для 2Ц108В и на напряжение до
5600 В для 2Ц108Б
*-лр,и, НИКС
0,266 0533 0,8 1,01 1,33 -10 * Па 0 2S3 313 333 353 373 3S3 К
В
5000
4000
3000
1000
1000
0
Зависимое 1Ь импульсного об- Зависимость среднего прямого
ратного напряжения от атмос- и 1 мпульспого тока от темпе-
ферного д вления ратуры корпуса
КЦ109А
Столб из кремниевых диффузионных диодов
Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе. Положительный вывод прибора
отмечен точкой на торне корпуса.
Масса столба не более 0,18 г.
141
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при /11р#ср = 300 мА, не
более.................................................. 7 В
Среднее значение обратного тока при t/o6p = 6000 В, не
более ... . .............................10 мкА
Предельные эксп. уатациониые данные
Импульсное обратное тапряженис...................... 6000 В
Среднее значение прямого тока........................ 300 мА
Импульсный прямой юк при среднем значении прямого
тока не более предельного и т„ < 55 мкс................ 1 А
Температура окружающей среды..........................О г 228 до
358 К
Зависимость среднего нря- Зависимое ь импульсного об-
мого тока о1 температуры. разною напряжения от темпе-
ратуры.
2Ц110А, 2ЦП ОБ
Столбы из кремниевых диффузионных диодов.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса столба не более 15 г
142
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение на частоте 50 Гн, не более
при 298 К и /,1р-(:р = 100 мА............................... 10 В
при 398 К и /||рср = 25 мА.................................. 10 В
при 213 К и /прср = 100 мА.................................. 12 В
Средний обратный ток при t/c6p и = 10000 В для 2Ц110А
и 15000 В для 2Ц110Б,/=50 Гц, не более:
при 298 К и /пр,ср = Ю0 мА..................................100 мкА
при 398 К и /пр.ср = 25 мА................................. 500 мкА
Преле 1ьные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение синусоидальной формы с /< 1 кГц
при температуре от 213 до 398 К при давлении от 10,1 104 до
5,33-104 Па: '
2Ц110А..........................................10000 В
2Ц110Б......................................... 15000 В
при 666 Па.................................... 1500 В
Средний прямой ток на частоте /XI кГп:
при давлении от 10.1 -10-* до 5.33-104 Па и температуре
от 213 до 343 К.................................100 мА
при 398 К....................................... 25 мА
при давлении 666 На и температуре
оз 213 до 343 К .... '..............................20 мА
при 398 К........................................ 5 мА
Импульсный перегрузочный прямой ток при Тф > 5 мкс, интервал
между импульсами >90 с:
при т„ < 2 с...................................... 20 /1р
при т„ « 0,02 с................................... 50 /пр
Температура окружающей среды...........................От 213 до
398 К
Температура корпуса.................................. 398 К
Примечания: 1 Допускается кратковременная работа столбов
2Ц110Б (3 мин работа, 15 мни паузе) при (7о6р и = 16 000 В
и Лтр.с₽. макс= ЮО мА при температуре от 213 до 328 К и 50 мА
при 358 К. Наработка в этом режиме не более 60 часов
2. Крепление столбов осуществляется за выводь Монтаж столбов
непосредственно на металлические шасси не допускается. При монтаже
столбов должны быть приняты меры по обеспечению емкости столба
относительно земли не более 3 пФ.
3. Допускается последовательное соединение двух столбов без
выравнивающих элементов, при этом прямое напряжение не должно
превышать 20 В
4. Допускается работа его тбов при давлении ниже 5,33-104 Па
при Ц>бр.и= 10000 В для 2Ц110А и 15000 В для 2Ц110Б, при этом
выводы столбов и оголенные части подводящих проводов должны
быть защищены изолирующими материалами.
143
Зависимость импульсного об-
ратного напряжения oi дав-
ления.
Завпенмоегь среднею прямого
тока oi давления.
Зависимое !ь средне! о прямого
юка от давления.
2Ц111А-1
Столб из кремниевых диффузионных диодов Пре (назначен для
не юльзоваппя в гер.мет изпрованной ai пара туре.
Бескорпусиый с защитным покрытием с гибкими выводами.
Тип прибора указывав гея на упаковке. Положительный электрод
обозначав 1ся точкой на поверхности компаунда.
Масса столба не более 5 мт.
Э тектрическне параметры
Постоянное прямое напряжение при /,р 1 мА, не более:
при 298 К........................................ 12 В
при 213 К........................................ 14 В
144
Постоянный обратный ток при G\<ip = 3000 В, нс более:
при 298 К.........................................0,1 мкА
при 333 К.....................................0.5 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 ло 333 К.................................... 3000 В
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до
333 К..............................'.............. 1 мА
Средний выпрямленный ток на частоте / < 400 Гц при
емпературе от 213 до 333 К........................ 1 мА
Импульсный прямой ток при дли тельное in импульса
перегрузки ти < 100 мкс при температуре от 213 ло
333 К............................................. 1 Л
Частота при среднем выпрямленном токе 200 мкА при
температуре от 213 до 333 К.......................20 кГц
Темпера 1 ура окружающей среды......................Oi 213 до
333 К
Примечание. Допускас|ся работа столбов при любой форме
питающею напряжения при скоросш изменения не более 3-IOs В/с.
Зависимость импульсного прямого
тока о г длите плюсти перегрузки.
Зависимость импульсною прямого
тока от длшслыюсги перегрузки.
мА
1,0
0,8
0,6
0,4
0,Z
Зависимость среднего выпрямлен-
ного тока от частоты.
145
2Ц112А
Сголб из кремниевых диффузионных диодов.
Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на этикетке. Вывод анода обозначае1ся
точке । па горне корпуса.
Масса столба не бо i :е 0,25 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 10 мА, не более:
при 298 К...................................... 10В
при 213 К...................................... 12 В
Постоянный обратный ток при L/o6p = 2000 В, не более:
при 298 К............................................10 мкА
при 358 К........................................50 мкА
Время восстановления обратною сопротивления при
/пр и ~ 20 мА, 1/о6р „ — 50 В, пе более.............0,3 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
от 213 до 358 К..................................... 2000 В
при 398 К........................................ 600 В
Постоянный прямой ТОК'
от 213 до 358 К..................................... 10 мА
при 398 К........................................ 3 мА
Импульсный прямой ток при среднем значении тока
за 2 с не более 50 мА
от 213 до 358 К.................................. 1 А
при 398 К при среднем значении тока за 2 с пе
ботее 20 мА...................................... 0.5 А
Темпера гура окружающей среды........................От 213 до
398 К
Примечания: 1. Допускается последовательное соединение
столбов без специального подбора при условии, что обратное напря-
жение на них не превышает допустимого значения
2. Допускается параллельное соединение при условии отсутствия
перегрузок по прямому току.
146
8
zooo
1000
1500
1000
500
О
213 253 2 93 333 373 К
Зависимость постоян-
ного обратного на-
пряжения от темпера-
туры.
Зависимое lb постоян-
ного прямого тока от
температуры.
Зависимость нмпуль-
СПО1 о прямо! о тока от
температуры.
2Ц113А-1
Сголб из кремниевых диффузионных диолов. Предназначен для
использования в герметизированной аппаратуре.
Бескорпуспый с защитным покрытием и гибкими выводами.
Тип прибора указывается па упаковке. Потожиюльньш вывод прибора
обозначается точкой па поверхности компаунда.
Масса столба пе более 30 мг.
Э.1ек|рнчсскнс параметры
Постоянное прямое напряжение при 7пр = 0.5 мА. пе более:
от 298 до 358 К...................................... 8 В
прн 213 К........................................ 10 В
Постоянный обрашый юк при t овр = 1600 В, не ботее:
от 213 до 298 К....................................0.05 мкА
при 358 К........................................1,5 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 до 358 К..................................... 1600 В
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до
358 К...............................'..............0,5 мА
Средний выпрямленный ток на частоте 400 Гц при тем-
пературе от 213 до 358 К...........................0,5 мА
Импульсный прямой ток при длительности импульса
перегрузки нс более 100 мкс при температуре от 213
ДО 358 К........................................... 1,5 А
147
Частота без снижения режимов при температуре
от 213 до 358 К..............................'. 20 кГц
Тсмпера1ура окружающей среды....................От 213 до 358 К
Примечания' 1. Снижение импульсного прямого тока, А,
при длительности перегрузки в интервале от 0,1 до 300 мкс опре-
деляется но формуле
_ 0,15
^пр. к. га. =
тн
Снижение среднею выпрямленного тока, мА, на частотах выше
400 Гц определяется по формуле
I ..ер, маке = 0,5-0.18 1g ~ ,
где f— частота, кГц.
2. Допускается работа столбов при любой форме питающего
напряжения и скорости изменения напряжения ДС.'Лт < 3 • 10* В. с.
3 Не допускается монтаж столбов непосредственно на метал-
лическую поверхность без диэлектрических прокладок.
КЦ201А, КЦ201Б, КЦ201В, КЦ201Г, КЦ201Д, КЦ201Е
Сто тбы кремниевые диффузионные.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами
Тин прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса столбов КЦ201А, КЦ201Б нс более 40 г, КЦ201В,
КЦ201Г, КЦ201Д не более 70 г, КЦ201Е не более 90 г.
Электрические параметры
Среднее значение прямого напряжения па частоте f 50 Гц при
4р,ср = 500 мА, пе-более:
КЦ201А, КЦ201Б.................................... ЗВ
КЦ201В, КЦ201Г, КЦ201Д............................ 6 В
КЦ201Е....................................... 10 В
148
Среднее значение обратного тока на частоте /'=50 Гц
пр« 14х>Р.и = 2000 В для КЦ201А, 4000 В для КЦ201Б.
6000 В для КЦ201В 8000 В для КЦ201Г, 10000 В
дтя КЦ201Д. 15000 В для КЦ201Е, ие более:
при 298 К и /1|р.Ср = 500 мА.......................................................100 мкА
при 373 К и /|,р.ср = 500 мА...................................................... 250 мкА
Предельные эксп.п a i анионные данные
Импульсное обратное напряжение любой формы с дли
гсльностью фронта импульса не менее 50 мкс,/'< 1 кГц
и температуре от 213 до 373 К.
КЦ201А......................................... 2000 В
КЦ201Б......................................... 4000 В
КЦ201В......................................... 6000 В
КЦ201Г......................................... 8000 В
КЦ201Д.........................................10000 В
КЦ201Е........................................ 15000 В
Среднее значение прямого тока любой формы е длшель-
поегью фронта импульса не менее 50 мкс при
/< 1 кГц. температуре oi 213 до 373 К........... 500 мА
Имнун.снын перегрузочный ток при длигельпосш
импульса перегрузки 100 мс при 298 К.................. ЗА
Частота без снижения режимов.................... 1 кГц
Темпера 1 ура окружающей среды..................Or 213 до
373 К
2Ц202А, 2Ц202Б, 2Ц202В, 2Ц2021, 2Ц202Д, 2Ц202Е
Столбы кремниевые лавинные диффузионные.
Выпускаются в плас!массовом корпусе. Тип прибора и схема
соединения электродов с выводами приводятся на корпусе
Масса столбов 2Ц202А, 2Ц202Б нс более 40 г. 2Ц202В, 2Ц202Г,
2Ц202Д — не бо lee 70 г, 2Ц2О2Е — не более 90 г
149
Э 1сктрические параметры
Среднее значение прямого напряжения при /, ср = ^00 мА
при 298 К и 100 мА для 2Ц202А, 2Ц202Б, 2Ц202В,
2Ц2О2Г, 2Ц202Д и 50 мА для 2Ц202Е при 398 К,
не более
2Ц202А. 2Ц202Б.............................. ЗВ
2Ц202В. 2Ц202Г. 2Ц202Д.......................... 6 В
2Ц202Е......................................... 10 В
при 213 К
2Ц202А, 2Ц202Б......................... 3,5 В
2Ц202В. 2Ц2О2Г 2Ц202Д.................. 7.0 В
2Ц202Е......................................... 12,0 В
Среднее значение обратного тока при 1/о6р = 2000 В для
2Ц202А, 4000 В для 2Ц202Б, 6000 В для 2Ц202В.
8000 В для 2Ц202Г, 10000 В для 2Ц202Д, 15 000 В
для 2Ц202Е. f— 50 Гц, не более:
при 298 К.....................................100 мкА
при 398 К
2Ц2О2Л. 2Ц202Б 2Ц202В 2Ц202Г, 2Ц202Д . . . 250 мкА
2Ц202Е...................................... 500 мкА
Предельные эксплуатационные чанные
Импульсное обратное напряжение любой формы с длительностью
фронта импульса не менее 50 мкс, /С 1 кГц прн температуре
от 213 до 398 К, давлении от 666 Па до 30.3-104 Па:
2Ц202А......................................... 2000 В
2Ц202Б ........................................... 4000 В
2Ц202В...................................... 6 000 В
2Ц202Г...................................... 8 000 В
2Ц202Д........................................ 10000 В
2Ц202Е.........................................15000 В
Средний прямой юк любой формы с длительностью
фронта импульса нс менее 50 мкс, f < 1 кГц (ампли-
туда импульса не должна превышать 1,5 А):
при давлении от 6,66-КН до 30.3 Ю4 Па:
от 213 до 328 К .............................. 500 мА
при 358 К
2Ц2О2А. 2Ц202Б. 2Ц202В. 2Ц202Г, 2Ц202Д . . . . 500 мА
2Ц202Е...................................... 300 мА
при 398 К
2Ц2О2Л 2Ц202Б. 2Ц202В. 2Ц2021. 2Ц202Д ... 100 мА
2Ц202Е...................................... 50 мА
при 666 Па
or 213 чо 328 К.......................... 100 мА
при 358 К
2Ц202А. 2Ц202Б, 2Ц 01В, 2Ц202Г, 2Ц202Д ... 100 мА
2Ц202Е...................................... 60 мА
при 398 К
2Ц202А, 2Ц202Б, 2Ц2О2В, 2Ц202Г, 2Ц202Д ... 30 мА
150
21Д202Е........................................ 20 мА
Средний прямой ток синусоидальной формы в цикли-
чески повторяющемся режиме с частотой 1 кГц при
работе в охлаждающей жидкости при 7Г < 343 К:
в течение Зс........................................ 2А
в течение 12 с.................................. 0,8 А
Импульсный nepei рузочный прямой ток при переходных
процессах при длиге.тыюс|н переходных процессов:
нс более 1.5 с........................................12 /||р ир
нс более 0,05 с...................................30 /,1р ср
Средний прямой ток любой формы с длительностью
фрош а импульса не менее 50 мкс при f С I кГн
и амплитудой не более 2 А при работе в охлаждающей
жидкоы и при 7"к < 343 К.............................. 1 2 А
Температура окружающей среды..........................Ог 213 до
398 К
Температура корпуса................................. 403 К
Примечания: 1. Допускается параллельное соединение сюл-
бов. Разрешается Поспелова тельное соединение столбов одного и того
же типа до напряжения
30 кВ без применения шунтирующих элементов,
60 кВ с применением шунтирующих конденсаторов, емкое!ь кото-
рых выбирается из ус ювия С — 2,8 С3А“ где С,— емкое!ь cioi6ob
относи 1СЛЫЮ земли; А' — число последовательно соединенных столбов.
При монтаже столбов должны бьнь приняты меры, исключающие
воз.мож1ЮС1Ь электрического пробоя, а также обеспечивающие емкоечь
столба С, < 3 пФ.
2 Прн давлении ниже 5,33-Ю4 Па выводы столбов и оголенные
части подвсыящих проводов должны бьнь защищены изолирующими
материалами для предотвращения пробоя по поверхности.
3. Допускается раоота в любых охлаждающих жидкостях, не
разрушающих э.чемен!ы столба обладающих достаточной электри-
ческой прочностью и обеспечивающих температуру корпуса столба
не более 343 К.
Зависимость среднего прямого
тока от давления.
Зависимость среднею прямого
тока от давления
151
Зависимость среднего прямого
гока от частоты.
Зависимость средне) о прямого
тока от частоты.
2Ц203А, 2Ц203Б, 2Ц203В
Столбы кремниевые диф-
фузионные
Выпускаю 1ся в пластмас-
совом корпусе с плоскими
жесткими выводами. Тип при-
бора и схема соединения элект-
родов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса столба пе ботее 50 г
Электрические параметры
Среднее значение прямого напряжения при f— 50 Гц,
/ р Ср 1000 мА, нс более:
прн 298 К.......................................... 8 В
при 213 К......................................... 10 В
Среднее значение обратного гока при /= 50 Гн, „ = 6 000 В
для 2Ц203А. 8000 В для 2Ц2ОЗБ, 10000 В для 2Ц203В, не более:
при 298 К и /„р.ср 1000 мА............................100 мкА
при температуре корпуса 403 К и /11₽ЛгГ
= 100 мА......................................... 500 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение любой формы с длительпостЮо
фронта импульса нс менее 50 мкс прн /с 1 кГц, температуре
корпуса от 213 до 403 К:
2Ц203А.......................................... 6000 В
2Ц203Б......................................... 8000 В
2Ц203В..........................................10000 В
Среднее значение прямого тока любой формы с длительностью
фронта импульса нс менее 50 мкс при /С 1 кГц и температуре
корпуса.
152
от 213 до 373 К.............................. 1000 мА
403 К........................................ 100 мА
Импульсный iiepei рузочиый прямой ток (одна полуволна
прямого тока синусоидальной формы f = 50 Гц с интср
валом следования не .менее 1ч) ........ 30 /1|р.ср М.11С
Импульсный перегрузочный прямой ток (три полуволны
прямого тока синусоидальной формы f = 50 Гц с iinicp-
валом следования пе менее 1 ч)...................10 / р ip Ы;1Л.
Температура окружающей среды.....................Oi 213 до
398 К
Температура корпуса.............................. 403 К
Примечания 1. При давлениях ниже 0.93-10* 2 3 4 * Па выводы
столбов и оголенные части подводящих проводов должны бьпь
защищены изолирующими материалами.
Разрешается применяв сюлбы при давлениях ниже 0.93 104 Па
без дополнительной изоляции, при этом необходимо снижать предель-
ное импульсное обратное напряжение в соответствии с данными
следующей таблицы:
Таблица 4 7
Дав 1СНИС. На
Импульсное обратное напряжение. В
0,93 -10-»
666
10000
2500
2. Разрешается последовательное соединение сюлбов одного и loi о
же типа до напряжения 3 1/оВр.п.макс без применения шунтирующих
элементов.
3. Допускае1ся работа столбов на емкостную nai рузку при условии,
что амплитуда „ на столбе не превышает I л-)р „ ыакс, а эффек
тивпое значение тока через сголб нс превышас! 1,57 /|,p.tp,MJkk
Зависимость импульсного об
ратною напряжения от давле-
ния
Зависимость среднего прямого
тока О1 1смнсрат)ры корпуса.
153
КЦ401А, КЦ401Б, КЦ401В, КЦ401Г, КЦ401Д
Блоки IB кремниевых сплавных диолов.
Внутри блоков диоды соединены по схеме моста (КЦ401Б)
и по схеме удвоения напряжения (КЦ401А. КЦ401Б). Выпускаются
в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора и схема
соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса блока для КЦ401А не более 90 г для КЦ401Б — не более
ПО ।
Схема- саеди.нени.я
Зля цЗваи-теля
напряжения
КЦЧ01Г
154
КЦЧ013
Исполнения I
Исполнения 1
Схемы соединений
Э тек।рнчсскне параметры
Постоянное прямое напряжение (при /Пр,ср.макс) ,,а каждом
плече, не более.............................................. 2,5 В
Постоянный обратный ток при б'СбРмакс 298 и 333 К,
не более.......................................................ЮО мкЛ
Табл и па 43
Тип блока
Параметры КЦ401Л. КЦ40Н** КЦ401Д** KLUU1K, КЦ4ШВ КЦ401Б. КЦЮ11’*, КЦ401Д”
Схема ЛВОСНИЯ Схема моста
Средний выпрямлен- ный ток, мА 1-е плечо 2-е плечо Постоянное обратное напряжение, В 400, 500* 300, 500*, 400** 500 200 200 500 250, 500*. 400** 250, 500*, 400** 500
155
Предельные эксплуатационные данные
Частота без снижения режимов....................... 1 кГц
Температура окружающей среды.......................От 218 до
333 К
Температура корпуса................................ 358 К
КЦ402А, КЦ402Б, КЦ402В, КЦ402Г, КЦ402Д, КЦ402Е,
КЦ402Ж, КЦ402И, КЦ403А, КЦ403Б, КЦ403В, КЦ403Г,
КЦ403Д, КЦ403Е, КЦ403Ж, КЦ403И, КЦ404А, КЦ404Б,
КЦ404В, КЦ404Г, КЦ404Д, КЦ404Е, КЦ404Ж, КЦ404И,
КЦ405А, КЦ405Б, КЦ405В, КЦ405Г, КЦ405Д, КЦ405Е,
КЦ405Ж, КЦ405И
Б юки из кремниевых диффузионных диодов.
Выпускаются в пластмассовых корпусах с жесткими выводами:
КЦ402А, КЦ402Б, КЦ402В, КЦ402Г, КЦ402Д, КЦ402Е, КЦ402Ж,
КЦ402И — однофазный мост; КЦ403А, КЦ403Б, КЦ403В, КЦ403Г,
КЦ403Д, КЦ403Е, КЦ403Ж, КЦ403И — два электрически не соеди-
ненных между собой однофазных моста для навесного монтажа,
КЦ404А, КЦ404Б, КЦ404В, КЦ404Г, КЦ404Д, КЦ404Е, КЦ404Ж,
КЦ404И - два электрически не соединенных между собой однофазных
моста для навесного монтажа с держателями предохранителей типа
ПМ; КЦ405А, КЦ405Б, КЦ405В, КЦ405Г, КЦ405Д, КЦ405Е, КЦ4О5Ж,
КЦ405И — однофазный мост для монтажа на печатную плату. Обоз-
начение типа и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса блоков не более. КЦ402А, КЦ402Б, КЦ402В, КЦ402Г,
КЦ402Д, КЦ402Е, КЦ402Ж, КЦ402И - 7 г; КЦ403А, КЦ403Б,
КЦ403В, КЦ403Г, КЦ403Д, КЦ403Е, КЦ403Ж, КЦ403И, КЦ404А,
КЦ404Б, КЦ404В КЦ404Г, КЦ404Д, КЦ404Е, КЦ404Ж, КЦ404И -
15 г; КЦ405А, КЦ405Б КЦ405В, КЦ405Г, КЦ405Д, КЦ405Е,
КЦ405Ж КЦ405И - 20 г.
KU/tOZA-И КЦ^ОЗА-И
156
Электрические параметры
Напряжение короткого замыкания прн максимальном
среднем выпрямленном гоке, не более:
при 298 К ....................................
при 233 К ....................................
Ток холостою хода при максимальном импульсном об-
ратном напряжении, не более :
при 298 К ....................................
при 358 К.....................................
4 В
4,5 В
125 мкА
250 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение
КЦ402А, КЦ402Ж, КЦ403А, КЦ403Ж, КЦ404А,
КЦ404Ж, КЦ405А, КЦ405Ж.............. 600 В
КЦ402Б, КЦ402И, КЦ403Б, КЦ403И КЦ404Б,
КЦ404И, КЦ405Б, КЦ405И.............. 500 В
КЦ402В, КЦ403В, КЦ404В, КЦ405В............... 400 В
КЦ402Г, КЦ403Г, КЦ404Г, КЦ405Г............... 300 В
КЦ402Д КЦ403Д, КЦ404Д, КЦ405Д............... 200 В
КЦ402Е, КЦ403Е, КЦ404Е, КЦ405Е............... 100 В
Средний выпрямленный ток на частоте /< 5 кГц
КЦ402А КЦ402Б КЦ40: Г КЦ402Д КЦ402Е,
КЦ403А, КЦ403Б, КЦ403Г, КЦ4ОЗД, КЦ403Е,
КЦ404А, КЦ404Б, КЦ404Г, КЦ404Д, КЦ404Е,
КЦ405А КЦ405Б, КЦ405Г КЦ405Д, КЦ405Е . . . 1000 мА
КЦ402Ж, КЦ402И, КЦ403Ж, КЦ403И, КЦ404Ж,
КЦ404И, КЦ405Ж, КЦ405И...................... 600 мА
Частота без снижения режимов.................... 5 кГц
Температура окружающей среды....................От 233
до 358 К
157
Зависимое гь среднего выпрям-
ленного тока от температуры.
Зависимость среднего выпрям-
ленною юка от частоты
Зависимость импульсного пря-
мого тока перетру эки о г дли
тельное I н импульса.
КЦ407А
Блок из кремниевых мезадиффузионных диодов.
Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводя 1ся
на корпусе.
Масса блока пе более 0,5 г
158
Электрические параметры
Напряжение короткого замыкания при токе короткого
замыкания 200 мА не более.
при 298 К .................................... 2,5 В
при 213 К..................................... 27В
Ток холостого хода при напряжении холостою хода,
равном 300 В нс более
при 298 К . ......... ...... 5,0 мкА
при 358 К.....................................100 мкА
Время восстановления обратною сопротивления при
14>бр,и = 200 В, /|1р и 0,05 А, по более........ 5 мкс
Преде ьные эксплуатационные данные при включении блока в качестве
моста при работе иа активную натрузку
Переменное напряжение на входе (амплитудное зна-
чение) ........................................... 300 В
Импульсное напряжение па входе.................... 400 В
Средний выпрямленный ток па выходе
от 213 до 328 К ...................... 500 мА
при 358 К..................................... 300 мА
Однократная перегрузка по значению выпрямленною
тока на выходе (время между однократными импуль-
сами не менее I ч):
в течение 10 мкс.............................. ЗА
в течение 1 мс................................ 1 А
Частота без снижения режимов......................20 кГц
Температура окружающей среды......................От 213 то
328 К
Предельные эксплуатационные данные при включении блока выводами
1 (6) и 3 (4), выводы 2 н 5 изолированы
Импульсное обратное напряжение при температуре от
213 до 358 К.................................... 500 В
Постоянный (или средний) прямой ток:
от 213 до 328 К ................. 300 мА
при 358 К....................'................150 мА
Импульсный прямой ТОК при Ти < 10 МКС, /др.ср =
200 мА.......................................... ЗА
Однократная перегрузка но импульсному прямому току
(время между однократными импульсами не менее
I ч) при температуре от 213 до 358 К
в течение 10 мкс.............................. ЗА
в течение 1 мс.............. - • • 1 А
Частота без снижения режимов......................20 кГц
Температура окружающей среды......................От 213 до
358 К
159
10 Я1 Ю11 10sикс 213 153 2S3 333 К
Зависимость имиуль- Зависимость среднего
сного прямого тока от прямого тока о г тем-
длитслыюстп нм- перат уры при работе
пульса. матрицы в качеств
моста.
Зависимость среднего
прямого тока от тем-
пературы при включе-
нии блока выводами
1(6) и 3(4), выводы
2 и 5 изолированы.
КЦ409А, КЦ409Б, КЦ409В, КЦ409Г, КЦ409Д, КЦ409Е,
КЦ409Ж, КЦ409И
Блоки из кремниевых диф-
фузионных диодов.
Выпускаются в пластмассовом
корпусе с жеемкими выводами.
Тип прибора н схема соединения
электродов с выводами приводятся
на корпусе. Диоды в блоке соб-
раны по зрехфазной мостовой
схеме.
Масса блока не более 50 г.
Электрические параметры
Напряжение короткого замыкания при токе короткого
замыкания 3 А для КЦ409А, КЦ409Б, КЦ409В,
КЦ409Г, КЦ409Д, КЦ409Е и 6 А для КЦ409Ж,
КЦ409И, не более.................................. 2,5 В
Ток холостого хода при максимальном линейном напря-
жении, нс более....................................3,0 мкА
Предезьиые эксплуатационные данные
Линейное напряжение на входе (амплитудное значение):
КЦ409А............................................. 600 В
КЦ409Б......................................... 500 В
160
КЦ409В................. 400 В
КЦ409Г .................. 300 В
КЦ409Д, КЦ409Ж .... 200 В
КЦ409Е, КЦ409И .... 100 В
Средний выпрямленный ток на выходе
КЦ409А, КЦ409Б, КЦ409В, КЦ409Г,
КЦ409Д, КЦ409Е .... ЗА
КЦ409Ж, КЦ409И .... 6 А
Частота без снижения режимов 1 кГц
Температура окружающей среды От 233
до 358 К
Зависимость среднею
прямого тока от темпе-
ратуры.
КЦ410А, КЦ410Б, КЦ410В
Блоки из кремниевых диф-
фузионных диодов.
Выпускаются в пластмассовом
корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора и схема соединения
элек|ролов с выводами приводятся
ira корпусе. Диоды в блоке соб-
раны по однофазной мостовой
схеме.
Масса блока не более 20 г.
Электрические параметры
Напряжение короткого замыкания при токе короткого
замыкания 1,5 А, не более........................ 1,2 В
Средний обратный ток холостого хода при максималь-
ном импульсном обратном напряжении холостого хода,
не более..........................................10 мкА
Предельные эксплуатапионные данные
Импульсное обратное напряжение холостого хода
КЦ410А............................................... 50 В
КЦ410Б.......................................... 100 В
КЦ410В........................................ 200 В
Средний выпрямленный ток при креплении прибора на
печатную плату без теплоотвода..................... ЗА
Средний прямой ток корщкою замыкания.............. 1,5 А
Импульсный перегрузочный выпрямленный ток в течение
одного периода частотой 50 Гц с интернатом с едо-
вания не менее 1ч............................... 45 А
Температура окружающей среды.......................От 233 до
358 К
6 под род. Н Н. Горюнова
161
Зависимоеi ь средне! о
выпрямленного тока
от температуры.
КЦ412А, КЦ412Б, КЦ412В
Ь Юки из кремниевых
диффузионных диодов.
Выпускаются в пласт-
массовом корпусе с гибки-
ми выводами. Тип прибора
и схема соединения электро-
дов с выводами приводятся
на корпусе. Диоды в блоке
собраны по однофазной мос-
товой схеме
Масса блока не бо-
лее 6 г.
Э тектрические параметры
Напряжение короткого замыкания при токе короткого
замыкания 500 мА, нс более.......................... 1 В
Средний обратный ток холостого хода при максималь-
ном импу тьсном обратном напряжении холостого хода,
не бо тес.......................................... 50 мкА
Предельные экспауат анионные тайные
Зависимость среднего
выпрямленного тока оз
температуры.
Импульсное обратное напряжение холос-
того хода:
КЦ41 А....................50 В
КЦ412Б......................100 В
КЦ412В ... . . 200 В
Средний выпрямленный ток . I А
Импульсный перегрузочный выпрям-
ленный ток в течение олнот о периода
частотой 50 Гц с интервалом следо-
вания пе менее 1ч.... 15 А
Температура окружающей среды От 233
до 373 К
162
Раздел пятый
ДИОДЫ УНИВЕРСАЛЬНЫЕ И ИМПУЛЬСНЫЕ
Д18
Диод германиевый 1 очечный.
Выпускается в мсталлостекляпном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода укатывается на корпусе. Положи! ельный вывод диода
обозначается красной точкой, отрицательный — желтой.
Масса днода не более 0,6 г.
БО
Электрические параметры
Посюянное прямое напряжение при /11р 20 мА. не
ботее
при 298 и 343 К . . .......... 1 В
при 213 К..................................... 1,2 В
Импульсное прямое напряжение при /пр „ = 50 мА, не
более........................................... 5,0 В
Посюянный обратный ток при </о6р 20 В, нс более:
при 213 и 298 К ................................50 мкА
при 343 К......................................150 мкА
Время восстановления обратного сопротивления при
/пр,и - 50 мА и 17о6р „ = 10 В, не более...........0,1 мкс
Время усыновления прямого сопротивления прн /пр и =
= 50 мА и С'обр.и “ЗВ ис более....................0,08 мкс
Общая емкость диода при 1/оВр - 3 В, не более ... 0,5 пФ
Предельные жстуатационные данные
Постоянное обратное напряжение..................... 20 В
Постоянный или средний прямой ток...................16 мА
Импульсный прямой юк при ти <5 10 мкс п скважности
более 4.............................................50 мА
Темпера iypa окружающей среды.......................От 213
до 343 К
6*
163
Зависимость прямого тока от
напряжения.
Зависимое 1ь обратного тока от
напряжения.
Зависимость прямого тока от
температуры.
Зависимость прямого напряже-
ния о г температуры.
Зависимость времени восстанов-
ления от напряжения.
Зависимость времени восста-
новления от тока.
164
Зависимое ib прямого напряже-
ния от тока.
Зависимость общеii емкости от
напряжения
Д20
Диол германиевый точечный.
Выпускается в металлостекляппом корпусе с i пбкнмп выводами.
Тип диода указывается на корпусе. Утолщенная часть положитсль-
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 20 .мА, не
более............................................. 10В
Постоянный обратный ток при 1/оСр = 10 В, не
более ...............................................100 мкА
Прямое сопротивление при 1/11р — 50 мА, не более . . . 100 Ом
Общая емкость диода при 1/о(;р = 3 В, не более ... 0,5 пФ
Выходное напряжение при работе в качестве ВЧ де-
тектора на частоте f = 40 МГц при l/BX = 1 В, нс
менее.............................................. 0,7 В
Изменение выходного напряжения ВЧ детектора в диа-
пазоне частот 30—40 МГц, не более.................... 5%
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение...................... 20 В
Постоянный или средний прямой ток.................. 16 А
Температура окружающей среды........................От 233
до 333 К
165
OtZ 0,4 0,6 0,8 1,0 8
Зависимость прямою то-
Зависимость обратного тока от на-
пряжения.
ка oi напряжения.
Зависимое 1ь выходною напря-
жения дет ек юра от час юты.
Зависимость обратною сопро-
тивления от л штетьносш им-
пульса.
Д219А, Д22О, Д220А, Д220Б
Диоды кремниевые мнкросилавныс
Выпускаются в металлостекляпном корпусе с гибкими выводами
Тип диода и схема соединения ыекгродов с выводами нрпволячея
па корпусе.
Масса диода не Co ice 0,53 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /11р — 50 мА, не
Солее;
Д219А
при 298 К ............. 1-0 В
при 373 К................................... 1,1В
при 213 К...................................... 1,3 В
Д220, Д220А, Д220Б
при 298 К................................... 1.5 В
при 373 К................................... 1,6 В
при 213 К................................... 1,75 В
166
Постоянный обратный ток, не более:
Д219А, Д220А
при Сго6р = 70 В. 298 К н 213 К ... . 1 мкА
при 373 К.......................................... 30 мкА
Д220
при 1/оВр — 50 В 298 К п 213 К . . . . 1 мкА
при 373 К...........................................20 мкА
Д220Б
при 1/о6р = 100 В 298 К п 211 К..................... 1 мкА
при 373 К...........................................40 мкА
Импульсное прямое сопротивление при /„ и = 50 мА.
не более:
Д219Л.................................................50 Ом
Д220, Д220А, Д220Б....................................75 Ом
Общая емкое ib диола при 1/Л-)р - 5 В, не более ... 15 пФ
Время восстановления обратного сопротивления при
Air» = 30 мА, С/обр.п — 30 В. /„тсч= 400 мкА. пс
более................................................... 0 5 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное или импульсное обратное напряжение при
температуре от 213 до 373 Ю
Д219А Д220А.................................... 70 В
Д220 .......................................... 50 В
Д220Б.......................................... 100 В
Постоянный или средний прямой ток при температуре:
от 213 до 308 К..............................50 мА
при 373 К......................................20 мА
Импульсный прямой ток при т„ С 10 мкс (бы превышения
среднего прямого тока) при 308 К................... 500 мА
Температура окружающей среды.........................От 213 до
373 К
О 0,4 0,8 7,2 1,6 в
Зависимость прямого тока oi
О 0,4 0,8 7,2 1,6 в
Зависимость прямого тока от
напряжения
напряжения.
167
Зависимость обратного тока от
напряжения.
Зависимость обратного тока от
напряжения.
Зависимости макси-
мально допустимого
постоянного (средне-
го) прямого тока от
температуры
Диод термапиевый диффузионный.
Выпускается в мсталлосгеклянном корпусе с гибкими выпотами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса диода не более 0,5 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение прн /1|р = 0,5 А, нс
более'
при 298 К...........................................0,55 В
при 213 К ....................... .............. 0, В
Импульсное прямое напряжение при /,]рн = 0,8 А, ти =
= 1 -т- 3 мкс, не более............................. 2,4 В
типовое значение . ...............................0,9* В
168
Постоянный обратный ток, не более:
при = 25 В...........................................30 мкА
при 1/обр = 20 В 213 К н 298 К...................20 мкА
при 343 К........................................150 мкА
Общая емкость диода прн = 20 В, не более ... 15 пФ
Время установления прямого сопротивления при /при =
= 0,8 А, ти — 1 -? 3 цкс, f = 3 4- 6 кГц, не более . . . 0,15 мкс
типовое значение..................................... 0 09* мкс
Время восс га нов лени я обратного сопротивления
при /,!р.и = 0,5 Л, 1/ойр,и = 20 В, т„ = 1 4- 3 мкс. /=
= 3 4-10 кГц, не более...............................0 3 мкс
типовое значение...................................0.09* мкс
Прелс.ты1ые эксплуатационные данные
Постоянное или импульсное обратное напряженке при
температуре от 213 до 343 К......................... 20 В
Аварийная перегрузка по обратному напряжению в те-
чение не более 0,5 с при 298 К...................... 35 В
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до
343 К............................................... 500 мА
Импульсный прямой ток при ти С 10 мкс со скваж-
ностью не менее 8 и температуре от 213 до
343 К ........................... .................. 800 мА
Выпрямленный ток при температуре от 213 до
343 К ............... 250 мА
Аварийная перегрузка по прямому току в течение нс
более 0,5 с при 298 К............................... 1500 мА
Средняя рассеиваемая .мощность при температуре от
213 до 298 К ....................................... 275 мВт
Температура окружающей среды.........................Oi 213 до
343 К
Примечание. Допускается импульсный прямой ток до 1500 мА
при т„ < 5 мкс и среднем прямом токе не более 100 мА.
Зависимость прямого тока от
напряжения.
Зависимость обратного тока от
напряжения
169
Зависимость обратного тока от
напряжения
Зависимость обшей емкости от
напряжения (заштрихована зо-
на разброса трафиков зависи-
мости)
ДЗП, Д311А, ДЗНБ
Диоды терманиевые меч а диффузно иные.
Выпускаются в мета.тлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса диода не более 0,6 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /,,р = 10 мА, не
более
ДЗП, Д311А при 298 и 343 К...................... 0,4 В
Д311Б при 298 К................................. 0,5 В
Д311, Д311А при 213 К . . 0,7 В
Импу тьснос прямое напряжение при /,,рн 50 мА не
более:
ДЗП............................................ 1.25 В
Д311А........................................... 1,0 В
ДЗНБ............................................ 1,5 В
Постоянный обратный ток при Ц,бР = 30 В. не более:
ДЗП. Д311А при 213 н 298 К и ДЗНБ при
298 К............................................100 мкА
Д311, Д311А при 343 К.......................... 1000 мкА
Общая емкость диода при (7оСр = 5 В. не ботее
Д311 . . .....................1 5 пФ
170
Д311А.............................................3.0 пФ
ДЗНБ..............................................2.0 пФ
Время восстановления обратною сопротивления прн
Aip.и 50 мА, .бри I1 ® А>тсч ~ 1 мА, не бо-
лее ...............................................0,05 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное или импульсное обратное напряжение ДЗП,
ДЗПА при температуре от 213 до 343 К и ДЗНБ
при температуре от 233 до 333 К................ 30 В
Постоянный или средний прямой ток при температуре
от 233 до 308 К
ДЗП.............................................40 мА
Д311А...........................................80 мА
ДЗНБ при температуре от 233 до ЗЗЗК и ДЗП,
ДЗПА при 343 К...............................20 мА
Импульсный прямой ток при т„ С 10 мкс (без превышения
среднею прямого тока) при температуре от 213 до
308 К
ДЗП........................................... 500 мА
ДЗПА.......................................... 600 мА
ДЗПБ при температуре от 233 до 293 К и ДЗП
прн 343 К ... '............................. 250 мА
ДЗПА при 343 К............................ 300 мА
ДЗП прн 333 К................................. 200 мА
Температура окружающей среды•
ДЗП. ДЗПА...........................................Or 213 до
343 К
ДЗНБ.............................................О г 233
до 333 К
Температура перехода для ДЗП н ДЗПА............... 348 К
Зависимость обратного тока от
напряжения
Зависимое!ь прямого тока от
напряжения
171
Зависимость обратно о тока от
напряжения.
Зависимость обратного тока от
напряжения.
Зависимость общей емкости от
напряжения.
Зависимость максимально допусти-
мого постоянного (среднего) и
импульсного прямого тока от
температуры.
Зависимость времени восста-
новления обратного сопротив-
ления от прямого тока.
Зависимость максимально допусти-
мого импульсного прямого тока
от температуры
172
Скважность
Зависимость максимально до-
пустимого импульсного прямо-
го тока от скважности.
Зависимость максимально до-
пустимого импульсного прямо-
го тока от скважности.
Д312, Д312А, Д312Б
Диоды германиевые диффузионные.
Выпускаются в металл ос геклян ном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса диода пе более 0,6 г.
Э тек । рнчсские параметры
Постоянное прямое напряжение при / р = 10 мА, не более.
Д^12, Д.312А, Д.312Ь при 298 К и Д312, Д312А
при 343 К............................................ 0,5 В
Д312, Д312А при 213 К............................ 1.0 В
Импульсное прямое напряжение при /,р и — 50 мА, не более:
Д312, Д312А......................................... 1,25 В
Д312Б........................................ . 1,0 В
Постоянный обратный юк не более
,н' Д312 при 1/обр = 100 В и Д312А при 1/оСр = 75 В
при 298 К и 213 К.....................................100 мкА
при 343 К...................................... 500 мкА
173
Д312Б при С'ойрЬ 100 В..................................10 мкА
Общая емкость диода при С'^р = 5 В, не более ... 3 пФ
Время воссгановлеиия обратною сопротивления при
/1ри = 50 мА б'обр и = Ю В /о1<а, = 1 мА не более-
Д312. Д312А..............................................0.5 мкс
Д312Б..................................................0,7 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное или импульсное обратное напряжение
Д312 при температуре oi 213 до 343 К . . . . 100 В
Д312Л при температуре от 213 до 343 К . . . . 75 В
Д312Б при температуре от 233 до 333 К . . . . 100 В
Посюяннын или средний прямой ток:
Д312. Д.312А при температуре or 213 до 308 К
и Д312Б при температуре от 233 до 293 К . . . 50 мА
Д312, Д312Л при 343 К и Д312Б при 333 К . . . 20 мА
Импульсный прямой ток при т„ С 10 мкс (без превыше-
ния среднего прямого тока):
Д312. Д312А при температуре ог 213 до 308 К
и Д312Б прн температуре от 233 до 293 К . . . . 500 мА
Д312. Д312Л при 343 К и Д312Б при 333 К . . . 200 мА
Температура окружающей среды
Д312? Д.312Л....................................От 213 до
343 К
Д312Б...........................................О г 233 до
333 К
Температура перехода для Д312, Д312А................ 348 К
Зависимость прямого тока о г на-
пряжения.
Зависимость времени восста-
новления обратного сопротив-
ления от прямого юка.
174
Зависимоегь обратного тока oi напря-
жения
Зависимость импульсного пря-
мою напряжения от импуль-
сного прямо! о тока.
Д312,Д3121 Д312Б
/Т ptMQ.KC ।
-900 -200 I
—дт.дзш'
Д312Б Г
253 193 '""к
Зависимость общей емкости от на-
пряжения.
Зависимость максимально до-
пустимого постоянного (сред-
него) и импульсного прямого
тока от температуры.
Зависимость максимально до-
пустимого импульсного прямо-
ю тока от скважнос>н.
Скба-жность
175
2Д401А, 2Д401Б, 2Д401В, КД401А, КД401Б
Диоды кремниевые микросплавные. Предназначены для детекти-
рования высокочастотных сигналов.
Выпускаются в мсталлостсклянном корпусе с 1ибкнми выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся
па корпусе.
Масса диода ис более 0,53 г
60
Электрические параме1 ры
Постоянное прямое напряжение при /,,р = 5 мА
для 2Д401А, КД401А, 2Д401В и /,1р = 10 мА для
2Д401Б, КД401Б. нс более:
при 298 К....................................... 1,0 В
при 213 К для 2Д401А, 2Д401Б, 2Д401В и при
218 К для КД401А, КД401Б........................ 1,2 В
Постоянный обратный ток при 1/о6р = б'Рбр.не более:
при 298 К............................................. 5 мкА
при ?мажс......................................100 мкА
Общая емкость диола при 1/оСр = 5 В. не более:
2Д401А, 2Д401В, КД401А................................ 1 пФ
2Д401Б КД401Б....................................1,5 пФ
Время восстановления обратного сопротив гения при
/11р = Ю мА, t,'o6p 30 В, не бо iee................... 2 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение (амплтудное значение):
2Д401А, 2Д401Б, КД401А, КД401Б................ 75 В
2Д401В...................................... 100 В
Постоянный прямой ток:
ог 213 (от 218 для КД401А. КД401Б) до 308 К . . . 30 мА
। ри 373 К для КД401А, КД401Б................. 16 мА
при 398 К Д1я 2Д4 IA, 2Д401Б, 2Д401В .... 8 мА
Импульсный прямой юк:
от 213 (от 218 для КД401А, КД401Б) до 308 К . . . 92 мА
при 373 К для КД401А, КД401Б...................50 мА
при 398 К для 2Д401А, 2Д401Б, 2Д401В .... 25 мА
176
Отношение значения выпрямленного тока к значению
выпрямленного тока на частоте 0,15 МГц при вход-
e oi
ном напряжении 1,5 В, не хуже
на частоте 5 МГн при Л„ = 1 кОм
2Д401 А, КД401 А, 2Д401В......................... 0,4
2Д401Б, КД401Б.................................. 0.5
на частоте 25 МГц при Л„ 10 кОм
2Д401А, КД401А, 2Д401В.......................... 0 15
2Д401Б. КД401Б................................... 0,5
на частоте 100 МГц при = 100 кОм
2Д401А, КД401А. 2Д401В....................... 0,1
2Д401Б, КД401Б................................... 0,5
Частота без снижения режимов........................0,15 МГц
Температура окружающей среды:
2Д401А, 2Д401Б 2Д401В...........................От 213 до
398 К
КД401А, КД401Б..................................От 218 до
373 К
2ДЧ01
КД 401
1пр= 5мА для 2ДЧ01А,
1ДЧО1В ---------------
1Пр-10мАдля 2ДЧО1Б
В
1,0
0,5
0
213 253 2 93 333 К
Зависимость прямого напряже-
ния от температуры
Ъвиснмость обратного тока от
температуры.
Зависимость вынрям тепното то-
ка от частоты.
Зависимость обшей емкости от
напряжения.
177
Зависимость максимально до-
пустимого прямого тока O1
темпера iypw.
Записпмость максимально до-
пусшмого импульсного прямо-
ю тока от температуры
1Д402А, 1Д402Б, ГД402А, ГД402Б
Диолы 1срманиевыс мнкросплавные. Предназначены для преобра-
зона1слсй высокочастотных сигналов.
Выпускаются в аек шипом корпусе с гибкими выводами. Тип
диода и схема соединения электродов с выводами приводяюя на
корпусе.
Масса диода нс более 0,21 г.
Электрические параметры
Носюяпное прямое напряжение ири /,|р — 15 мА, не ботее 0,45 В
Дифференциальное сопро i пиление при /ир=15 мА. не
более:
при 298 К
1Д402А, ГД402А ................................4.5 Ом
1Д402Б, ГД402Б...................................6,0 Ом
при 213 и 343 К
1Д402А, ГД402А.....................................6.0 Ом
1Д402Б ГД402Б....................................8,0 Ом
Постоянный обратный ток при I7osp 10 В
до 298 К................................................50 мкА
при 343 К......................................... 200 мкА
при 1/оСр =15 В и 298 К . . ...........150 мкА
Общая емкость диода при = 5 В нс более
1Д402А, ГД402А.........................................0.8 иф
1Д402Б, ГД402Б.....................................0,5 пФ
178
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение....................... 15 В
Постоянный прямой ток:
от 213 до 308 К.....................................30 мА
при 343 К . ................20 мА
Импульсный прямой юк (при среднем значении прямого
тока нс более /пр.ср,ма1!С и ти < 10 мкс):
от 213 до 308 К ................100 мА
при 343 К ................50 мА
Температура окружающей среды...........................Ог 213 до
343 К
мкА
25
20
15
10
5
0 5 10 15 10 25 ЗОнА О 5 10 15 В
Зависимость дифференциаль-
ною сопротивления от тока.
Зависимость обратного тока от
напряжения.
Зависимость максимально до-
пустимою прямого гока от
температуры.
Зависимость диффереицна тыю-
то сопротивления от частоты.
179
Зависимость общей емкости от
напряжения.
Зависимость значений реакшв
нон сощавляюшей импеданса
от частоты.
ГД403А, ГД403Б, ГД403В
Диоды германиевые микроепдавпые. Предназначены для работы
в качестве детекторов амплитудно-модулироваиных сшналов в радио-
вещательных приемниках.
Выпускаются в мсталлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диола и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса диода не более 0,6 г.
Э тектричсские параметры
Постоянный прямой ток при </пр = 0,5 В, не менее 5 мА
Коэффициент передачи дстекюра в пределах:
ГД403А .......................От 0 33 до
0.47
ГД403Б......................................О । 0,4 до 0,56
ГД403В .....................................Oi 0.47 до
0,66
Входное сопротивление детектора в пределах:
ГД403А........................ .................От 15 до
30 кОм
ГД403Б......................................От 11 до
24 кОм
ГД403В .....................................От 8 до
20 кОм
180
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение.................... 5 В
Температура окружающей среды........................О г 248 до
328 К
КД407Л
Диод кремниевый эпитакснально-планарный. Предназначен для
применения в схемах высокочастотных детекторов.
Выпускается в стек. янном корпусе с гибкими выводами. Тип
диода и схема соединения электродов с выводами приводя гея па
корпусе
Масса диода по более 0,3 г.
Электрические параметры
Постоянный обратный ток при 17^ — 24 В, нс более:
при 298 К..............................................0.5 мкА
при 373 К...........................................10 мкА
Общая емкость диода при 6^ — 5 В, не бочее . . . 1 пФ
Дифференциальное сопротивление при /пр 10 мА, /=
= 50 . 300 М Гц, нс более............................... 1 Ом
Преле 1ьпые эксп туатат ионные данные
Постоянное или импульсное обратное напряжение при
температуре от 213 до 373 К............................ 24 В
Постоянный ти средт ин прямой ток при температуре:
от 213 до 308 К.........................................50 мА
при 373 К...........................................25 мА
181
Импульсный прямой ток при т„ < 10 мкс н скважности, равной или
более 10, при температуре:
от 213 до 308 К.................................. 500 мА
при 373 К........................................ 250 мА
Температура окружающей среды.........................Oi 213 до
373 К
Ом
0,6
0,4
о,г
0 10 Z0 30 40мА
Зависимость дифференциаль-
ного СОПрОШВЛСПИЯ от пря-
хою юка
Зависимость дифференциально! о со-
противления от температуры
Зависимость заряда пере-
ключения от прямою чока.
Зависимость максимально допустимо-
го постоянного (среднего) п импуль-
сного тока от темпера еры.
КД409А
Диол кремниевый эпитак-
сиальный. Предназначен для
использования в селекторах тс-
левн шопных каналов и схемах
высокочастотных детекторов.
Выпускается в пластмассе
вом корпусе с гибкими выво-
дами. Диод маркируется на кор-
пусе желтой точкой.
Масса диода ие более 0,16 i
182
Электрические параметры
Постоянный обратный ток нри Со6р = 24 В, не более:
при 298 К.........................................0,5 мкА
при 373 К ... .......................10 мкА
Общая емкость диола при = 15 В, нс более ... 2 пФ
Дифференциальное сопротивление нри /пр = 10 мА, f=
= 50 — 1000 МГц, не более........................... 1 Ом
Преле 1Ы1ыс эксплуатационные данные
Постоянное или импульсное обратное напряжение прн
температуре от 213 до 373 К......................... 24 В
Посюяпный или средний прямой ток при температуре
oi 213 до 308 К.....................................50 мА
нри 373 К.......................................25 мА
Импульсный прямой ток нри т„ < 10 мкс и скважное in. большей
или рапной 10, при температуре,
от 213 до 308 К .................................... 500 мА
при 373 К....................................... 250 мА
Температура окружающей среды..........................От 213 до
373 К
Зависимость дифференциаль-
ного сопротивления от пря-
мого тока.
Записи чость дифференциального со-
противления oi температуры.
or напряжения.
го постоянно! о нли среднего и им-
пульсного прямого тока от темпе-
ра ту ры
183
2Д413А, 2Д413Б, КД413А, КД413Б
Диоды кремниевые эпитаксиальные со структурой типа p-i-n.
Предназначены для применения в качестве управляемых высокочастот-
на резистивных элементов.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Диоды-
маркируются цветными точками у положительного вывода: 2Д413А —
зеленой, 2Д413Б зеленой и красной, КД41 ЗА — белой, КД413Б —
белой и красной.
Масса диола нс более 0,035 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /,,р = 20 мА, не более:
2Д413А, 2Д413Б при 298 и 398 К и КД41-ЗА, КД413Б
прн 298 К . .................... 1,0 В
2Д413Л, 2Д413Б при 213 К........................ 1,2 В
Дифференциальное сопротивление при /1р 2 мА на
частоте 50 МГц
2Д413А, КД413А.................................. 30-48* -
60 Ом
2Д413Б, КД413Б.................................. 40 - 62*-
80 Ом
Заряд переключения при /пр = 2 мА — 10 В . .2 — 2,5* —
3,8* нКл
Общая емкость диода при 1/обр = 0, не более ... 0,7 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное импульсное обратное напряжение для
2Д413А, 2Д413Б при температуре от 213 до 398 К
и для КД413А, КД413Б- от 213 до 353 К ... . 24 В
Постоянный или средний прямой ток для 2Д413А,
2Д413Б при температуре от 213 до 398 К и для
КД413А КД413Б - от 213 до 353 К.....................20 мА
Рассеиваемая мощность для 2Д413А, 2Д413Б при темпе-
ратуре от 213 до 398 К и для КД413А, КД4НБ—
от 213 до 353 К.....................................20 мВт
Температура окружающей среды:
2Д413А, 2Д413Б......................................От 213 до
398 К
КД413А, КД413Б..................................От 213 до
353 К
Температура перехода для 2Д413А, 2Д413Б............. 403 К
184
Зависимое! ь диффереициа тыюго
сопротивления от прямою тока для
образцов диодов с га = 30 Ом (/),
40 Ом (2), 60 Ом (3), 80 Ом (4)
при /пр 2 мА
Зависимость заряда пере-
ключения от прямою тока.
Зависимость общей емкост
от напряжения.
Зависимость выпрямленною тока
от частоты.
2ДЯ02А, 2Д502Б, 2Д502В, 2Д502Г
Диолы кремниевые микро-
сплавные.
Выпускаются в мсталлостск
ляппом малогабаритном корпусе.
Тип диола указывается на упа-
ковке. С отрицательным электро-
дом диода соединен приваренный
вывод.
Масса диода не более 0,05 г.
185
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение для 2Д5О2А, 2Д5О2В
при 1пр = 10 мА и 2Д5О2Б 2Д5О2Г при /пр = 50 мА,
не более... • . . 1,0 В
Импульсное прямое напряжение при /пр„ = 50 мА, нс более:
2Д502А, 2Д5О2В...................i............. 3.5 В
2Д5О2Б, 2Д502Г................................ 2,5 В
Постоянный обратный ток при Б’обр = б'о6р макс, не более:
от 213 до 298 К..................................... 5 мкА
при 358 К
2Д502А, 2Д502Б................................25 мкА
2Д502В, 2Д502Г................................40 мкА
Время восстановлен ия обратного сопротивления при
^обр 30 В /пр = 30 мА, не более...................0,5 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Обра1нос напряжение:
2Д502А, 2Д502Б ......................... 30 В
2Д502В, 2Д502Г.............................. 100 В
Средний прямой ГОК’
от 213 до 298 К.................................. 20 мА
при 358 К..................................... Ю мА
Импульсный прямой ток............................. 300 мА
Температура окружающей среды......................Ог 213 до
358 К
Примечания: 1. После монтажа па Miixpoiuiaiy диоды зали-
ваются эмалью ЭП-274Т.
2. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее I мм
от корпуса, температура корпуса при пайке не выше 353 К
3 Изгиб выводов диода не допускается.
Зависимость прямого тока от
напряжения
Зависимость обратного гока от
напряжения.
186
Зависимость общей емкости от
напряжения
пФ
15
2ДМ502А-М, 2ДМ502Б-М, 2ДМ502В-М, 2ДМ502Г-М
Диолы кремниевые мпкро-
С11.т-.|виыс. Предназначены для при-
менения в заливных и капсули-
рованных мпкромолулях.
Выпускаются на керамических
платах с распайкой к пазам
1-6, 1 4 или 2-5. Тип диола
приводится на мпкроплате. Поло
житсльный э.чек|рол диота соеди-
нен с пазами / или 2
Масса диода с .микроплат oii
не более 0.4 i.
Э 1ск । рическис параметры
Постоянное прямое напряжение для 2ДМ5О2А 2ДМ502В
при /,,р = Ю мА и 2ДМ502Б, 2ДМ502Г при /,,р =
= 50 мА. не более...................................... 1 В
Импульсное прямое напряжение при /,,г „ — 50 мА не более
2ДМ502А. 2ДМ5О2В................................... 3,5 В
2ДМ502Б, 2ДМ5О2Г................................. 2,5 В
Постоянный обратный ток при UOKp = бобр,м.1кс:
от 213 до 298 К....................................... 5 мкА
при ''58 К
2ДМ502А, 2ДМ502Б.................................25 мкА
2ДМ502В, 2ДМ502Г.................................40 мкА
Время восстав ов тения обратною conpoi пвлепня при
17о5р — 30 В, /|1р 30 .мА, ис более...................0,5 мкс
187
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение:
2ДМ502А, 2ДМ5О2Б.............................. 30 В
2ДМ502В, 2ДМ502Г............................. 100 В
Средний прямой ток.
до 298 К.......................................20 мА
при 358 К...................................... 10 мА
Импульсный прямой юк............................ 300 мА
Темпера гура окружающей среды....................От 213 до
358 К
Примечание. Температура пайки пазов микрон та ili 513 К
в течение не более 1 с.
Зависимость прямою тока
о г н тпряжепия
Зависимость обратного тока от
напряжения.
2Д503А, 2Д503Б, КД503А, КД503Б
Диоды кремниевые эпитаксиально-п танарныс
Выпускаются в щекшниом корпусе с гибкими выводами. Тип
диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на
корпусе.
Масса диода нс более 0,3 г
188
Электрические параме i ры
Постоянное прямое напряжение при /, р = 10 мА
2Д5ОЗА и КД5ОЗА при 298 К........................0,72*-
0,8* —
1.0 В
2Д5ОЗБ и КД503Б при 298 К........................0,7*-
0,85 * -
1,2 В
2Д503А при 213 К и 398 К, не более .... 1.4 В
2Д503Б при 213 К и 398 К, нс более .... 1,6 В
Импульсное прямое напряжение* при /пр и = 50 мА:
2Д503А, КД503А...................’ . 1,53 *-1,75 *-2,5 В
2Д503Б, КД5ОЗБ..................... 1,1 *-1,8 * 3,5 В
Постоянный обратный ток при </оСр = 30 В, не более:
2Д503А, 2Д503Б при температуре от 213 до 298 К 4 мкА
2Д503А, 2Д503Б при 398 К.......................50 мкА
КД503А, КД5ОЗБ при температуре от 233 до 343 К 10 мкА
Заряд переключения при /,1р = 10 мА, </о6р и = Ю В для
2Д503Л, 2Д503Б.......................’.............25 * - 30 * -
120 пКл
Общая емкооь диода при С/Оср = 0:
2Д5ОЗА, КД503А..........................1,45* - 1,5* - 5 пФ
2Д503Б, КД503Б..........................1,22* - 1,4* - 2,5 пФ
Время восстановления обратного сопротивления при
/11р,и = 10 мА (/о6р „ =Ю В, /отсч — 2 мА нс более 10 нс
Предельные экептуатаниониые данные
Постоянное пли импу 1ьсиое обратное напряжение для
2Д503А 2Д503Б при температуре от 213 до 398 К,
для КД503А, КД5ОЗБ нри температуре or 233 до 343 К 30 В
Постоянный или средний прямой ток:
2Д503А, 2Д5ОЗБ при температуре от 213 до 308 К
и КД5ОЗА, КД5ОЗБ при температуре от 233 до 298 К 20 мА
КД5ОЗА, КД503Б при 343 К........................ 15 мА
2Д503А, 2Д503Б при 398 К.........................10 мА
Импульсный прямой ток нри тн < 10 мкс со скваж-
ностью не менее 10:
2Д503А, 2Д503Б при температуре от 213 до 308 К
и КД503А, КД503Б при температуре от 233 до 298 К 200 мА
КД5ОЗА, КД5ОЗБ при 343 К........................150 мА
2Д5ОЗА, 2Д503Б при 398 К........................100 мА
189
Температура окружающей среды.
2Д503Л, 2Д503Б...................................От 213 до
398 К
КД503А, КД503Б...................................Ог 233 до
343 К
Зависимость прямого импуль-
сного напряжения от импуль-
сного тока
Зависимость общей емкост
от напряжения.
Зависимость времени восста-
новления обратного сопротив-
ления от прямого тока.
Зависимость максимально до-
пустимого импульсного прямо-
го тока от дли тельное ги им
пульса.
Зависимое гь максималь-
но допустимого постоян-
ного (среднего) и им-
пульсного прямых токов
от температуры.
190
2Д504А, КД504А
Диоды кремниевые микросплавные
Выпускаются в металтостскляппом корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводя гея
па корпусе.
Масса диода пс ботее 0,7 г
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /по = 100 мА не более:
2Д504А, КД504А при 298 К и 2Д504А при 398 К 1,2 В
2Д504А при 213 К и КД5О4А при 233 К............... 1.4 В
Импульсное прямое напряжение при /,,р н 500 мА. не
более, 2Д504А при 298 К.............................. 20В
Постоянный обрашый ток при 1/о6р 40 В, не более
2Д504А, КД504А при 298 К и 2Д504А при 213 К 2 мкА
2Д504А при 398 К и КД504А при 373 К . . . . 100 мкА
Заряд переключения, не более:
2Д504А, КД504А при /пр = 300 мА, 30 В 1,5 10 е KJ
2Д504А при /пр = 500 мА, = 30 В................I • 10 9 Кл
Обшая емкость диода при l/^p = 5 В, ие более......20 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение для 2Д504А при тем-
пературе от 213 до 398 К и для КД504А при тем-
пературе от 213 до 373 К . . 40 В
Постоянный прямой ток для 2Д504А при температуре:
от 213 до 308 К.................................... 300 мА
при 398 К........................................100 мА
Средний прямой ток для КД504А при т„ = 10 мкс и
амплитуде импульса 2 А
при 308 К............................................160 мА
прн 373 К.........................................80 мА
Средний выпрямленный или прямой ток для КД504А
при ти < 10 мкс, амплитуде импульса 1 5 А и
т„ > 10 мкс, амплитуде импульса 1,0 А при темпе-
ратуре:
от 213 до 308 К................................. 240 мА
при 373 К.........................................80 мА
191
Импульсный прямой ток для 2Д504А при среднем токе
300 мЛ при 298 К и 100 мА при 398 К‘
при ти = 10 мкс................................ 1,5 А
при т„ > 10 мкс............................... 1,0 А
Импульсный прямой ток для 2Д504А при среднем токе
160 мА при 298 К и 80 мА при 398 К при
Тн — 10 мкс....................................... 2 А
Аварийная перегрузка для КД504А при однократном
импульсе тока длительностью 0,5 с и при 298 К 1 А
Температура окружающей среды.
2Д504А..............................................От 213 до
398 К
Зависимость общей емкости от
напряжения.
Зависимость прямого импуль-
сного напряжения от импуль-
сного тока.
Зависимое ib заряда переклю-
чения от обратного напря-
жения
Зависимость времени воссза
новления образного сопротив-
ления от обратного напряже-
ния.
192
1Д507А, ГД507А
Диоды германиевые микросплавные.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип
диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на
корпусе
Масса диода не более 0,2 г
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 5 мА нс более •
1Д507А при 298 и 343 К и ГД507А при 298 и
313 К......................................... 0,5 В
1Д507А при 213 К и ГД5О7А при 233 К.......... 0,7 В
1Д507А при /пр = 20 мА и 298 К............... 0,8 В
Импульсное прямое напряжение при /пр „ = 50 мА. не более
1Д507А .................................... 3,5 В
ГД507А........................................ 4,0 В
Постоянный обратный ток при Ua-_,p = 20 В нс более
1Д507А при 213 и 298 К и ГД507А при 298 К 50 мкА
1Д507А при 343 К.............................. 300 мкА
Общая емкость диода при 1/обр = 5 В, не более .... 0.8 пФ
Время восстановления обрагиого сопротивления при
/np,B—Ю “А. 12обр.и = 20 В, /о сч = 1 мА, не более 0,1 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное или импульсное обратное напряжение. ... 20 В
Импульсное обратное напряжение при скважности ие
менее 4 для 1Д507А при ти < 5 мкс и ГД507А при
тн < 2 мкс..................................... 30 В
Постоянный или средний прямой ток................16 мА
Постоянный или средний прямой ток при снижении
обратного напряжения до 12 В.....................35 мА
Импульсный прямой ток (бет превышения среднего
прямого тока):
1Д507А при т„ < I мкс........................ 200 мА
ГД507А при т„ С 10 мкс.......................100 мА
Температуры окружающей среды
1Д5О7А..........................................От 213 до
343 К
ГД507А.......................................От 233 до
333 К
7 под ред. Н II Горюнова
193
Зависимое । ь обратного юка о г
температуры.
Зависимость импульсного пря-
мого напряжения от импуль-
сного тока
Зависимость общей емкости от
напряжения.
Зависимость времени восста-
новления обратного сопро-
тивления от прямого тока.
Зависимость максимально
допустимого импульсного
прямого тока от длитель-
ности импульса.
15М
1Д508А, ГД508А, ГД508Б
Диоды германиевые микросплавные
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип
диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на
корпусе.
Масса диода не более 0,2 г
Электрические параметрь!
Постоянное прямое напряжение, нс более:
при 1„р = I мА для 1Д508А...................... 0,4 В
при 4р — Ю МА для 1Д508А при 343 К и ГД5О8А
при 298 и 328 К .............................. 0,7 В
ГД508Б при 298 и 328 К........................0,65 В
1Д5О8А при 213 К.............................. 09 В
Импульсное прямое напряжение для 1Д5О8А при
I „ „ = 30 мА и ГД5О8А, ГД5О8Б при Z )и=12 кА,
ие более................................ 1,5 В
Постоянный обратный ток при l/обр = 8 В. не более-
1Д508А при 213 и 298 К и ГД5О8А при 298 К 60 мкА
ГД508Б при 298 К..................................100 мкА
1Д5О8А при 343 К и ГД508А при 328 К...........150 мкА
ГД5О8Б при 328 К.............................. 200 мкА
1Д5О8А при 1/о6р = 5 В . ..........20* мкА
Заряд переключения при /||р = 10 мА, 17обр.и 5 В, не
более.......................... ..................20 пКл
Общая емкость диода при U^p = 0,5 В, не более .... 0,75 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение ................... 8 В
Импульсное обратное напряжение при ти < 5 мкс и скваж-
ности нс менее 4.................................. 10 В
Постоянный или средний прямой ток.................10 мА
Импульсный прямой гок при т„ < 10 мкс (без превы-
шения среднего прямого тока)......................30 мА
Температура окружающей среды.
1Д508А............................................От 213 до
343 К
ГД5О8А ГД5О8Б ... От 233 до
328 К
Температура перехода для 1Д5О8А .................. 343 К
7*
195
Зависимость обратного тока от
температуры.
Зависимость общей емкости от
напряжения.
Зависимость заряда переключе-
ния от прямого тока.
2Д509А, КД509А
Диоды кремниевые эпитаксиально-планарные.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами Тип
диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на
корпусе.
Масса диода нс более 0,25 г.
Заряд переключения при 1пр= 50 мА, 1/обр,в = 10 В для
2Д509А, не более.................................... 400 пКл
Общая емкость диода при С'о6р = 0 для 2Д509А,
не более............................................4 0 пФ
Время восстановления обратного сопротивления при
/11р=10 мА, 1/о6р в = 10 В, /огсч = 2 мА для 2Д509А,
ие более............................................. 4,0 нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение для 2Д509А при
температуре от 213 до 398 К............................ 50 В
Импульсное обратное напряжение при длительности им-
пульса (на уровне 50 В) не более 2 мкс и скважности
не менее 10 для 2Д5О9А при температуре от 213
до 398 К и КД509А при температуре от 218 до
358 К............................................ 70 В
Постоянный или средний прямой ток
2Д5О9А прн температуре от 213 до 323 К и КД509А
при 298 К....................................100 мА
2Д5О9А три 398 К и КД5О9А при 358 К.............50 мА
Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс (без пре-
вышения среднею прямого тока).
2Д509А при температуре от 213 до 323 К и
КД509А при 298 К ............................ 1500 мА
2Д5О9А при 398 К и КД5О9А при 358 К........... 500 мА
Температура окружающей среды
2Д5О9А . .'.....................................От 213 до
398 К
КД509А........................................ От 218 до
358 К
Температура перехода для 2Д509А................... 423 К
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 100 мА, не
более:
2Д509А, КД509А при 298 К и 2Д509А при 398 К 1,1 В
2Д5О9А при 213 К и КД509А при 218 К.......... 1,5 В
Постоянный обратный ток при U^p = 50 В, не более:
2Д509А, КД509А при 298 К и 2Д509А при 213 К 5 мкА
2Д509А при 398 К и КД509А при 358 К..........100 мкА
Зависимость прямою тока от
Зависимость обратного тока от
напряжения.
напряжения.
196
197
Зависимость общей емкости от
напряжения.
Зависимость импу.тьснот о пря
мото напряжения от импульсно-
го тока.
Зависимость заряда переключе-
О I 4 6 810 Z0 40
Скважность
ция от прямою юка
Д
2,0
1,5
1,0
0,5
О
10~6 10 s 10~1 10~*с
Зависимость максимально
допустимо! о прямого им-
пульсною тока от длитель-
ности импульса»
Завнсимость максимально ло-
пустимого импульсного прямо»
Зависимость максимально допустимо-
го постоянно! о (среднего) и импу ib-
сного прямых токов от темпера!уры
198
2Д510А, КД510А
Диоды кремниевые эпитаксиально-планарные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса диода не более 0,7 г
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 200 мА, не
бо ice
2Д510А при 298 и 398 К и КД510А при 298
и 358 К........................................ 1,1 В
2Д510А, КД510А при 213 К ...................... 1,5 В
Постоянный обратный ток при 1/о6р = 50 В, нс ботсе:
2Д510А, КД510А при 298 и 213 К.....................5 мкА
КД510А при 358 К ..............................100 мкА
2Д510А при 398 К...............................150 мкА
Заряд переключения при /,,р = 50 мА, 1/оВр и = 10 В
не более........................................... 400 пКл
Общая емкость диода при Со6р = 0, нс более .... 4 пФ
Время восстановления обратного сопротивления при
/пр= Ю мА. 1/о6р>и= 10 В, 7ОТСЧ = 2 мА для 2Д510А,
не более......................................... 4 нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное, импульсное обратное напряжение (любой
формы и периодичности) для 2Д510А при температуре
от 213 до 393 К и КД510А при температуре от
213 до 358 К....................................... 50 В
Импу ьсное обратное напряжение при длительности им-
пульса (на уровне 50 В) не более 2 мкс и скваж-
ности не менее 10 для 2Д51ОА при температуре от
213 до 393 К и КД510А при температуре от 213
до 358 К........................................... 70 В
199
Постоянный или средний прямой ток
2Д510А при температуре от 213 до 323 К и КД510Л
при температуре от 213 до 298 К................ 200 мА
2Д510А при 393 К и КД510А при 358 К.............100 мА
Импульсный прямой ток при тм < 10 мкс (без превы-
шения среднего прямого тока):
2Д510А при температуре от 213 до 323 К и КД510А
при температуре от 213 до 358 К............... 1500 мА
2Д510Л при 393 К............................... 500 мА
Температура окружающей среды:
2Д510А...............................................От 213 до
393 К
КД510А...........................................От 213 до
358 К
Температура перехода для 2Д510А.................... 393 К
Зависимость импульсного
прямою напряжения от им-
пульсною тока.
Зависимость заряда переклю-
чения от прямого тока.
Зависимость прямого тока
от напряжения.
Зависимость обратного тока
от напряжения.
Зависимость максимально до-
пустимого импульсного прямо-
го тока от длительности им-
пульса.
1пр,и,никс 213-323 К
-2Д510А -КД510Л 213~35вК)
/ (
393 К 1
Л
7,5
1,0
0,5
О
1 I Ч 0810 10 40
Скважность
Зависимость максимально до-
пустимого импульсного прямо-
го тока от скважности.
Зависимость общей емкости
от напряжения.
Зависимость обратного тока
от напряжения.
Зависимость максимально допустимого постоянною (среднего) и
импульсного прямых токов от температуры
200
201
ГД511А, ГД511Б, ГД511В
Диоды германиевые точечные.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Диоды
маркируются цветными точками у положительного вывода' ГД511А -
двумя юлубыми. ГД511Б — голубой и желтой, ГД511В — голубой
и оранжевой.
Масса диода не более 0,3 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при 1„р = 5 мА, не более:
при 298 К..................................... 0,6 В
при 213 К.................................... 1.5 В
Постоянный обратный ток при U^p = 10 В, не более:
при 298 К
ГД511Л........................................50 мкА
ГД511Б.......................................100 мкА
ГД511В...................................... 200 мкА
при 343 К
ГД511А....................................... 200 мкА
ГД511Б...................................... 400 мкА
ГД511В..................................... 600 мкА
Заряд переключения при /пр = 10 мА, 1/о6р и = 10 В, не более:
ГД511А ГД511В.....................................100 пКл
ГД511Б.......................................40 пКл
Общая емкость диода при L'o6p 5 В нс более .... I пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение............... . 12 В
Средний прямой ток................................. 15 мА
Импульсный прямой ток...............................50 мА
Температура окружающей среды........................От 213 до
343 К
202
Зависимость прямого напряже-
ния от температуры
Зависимость обратного тока oi
температуры
КД512А
Диод кремниевый эпитаксиалыю-планариый
Выпускае1ся в стеклянном корпусе с ihGkiimh выводами. Тип
диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на кор-
пусе.
Масса диода не более 0,3 г
Э тектричсские параметры
Постоянное прямое напряжение при 7„р = 10 мА, не более.
при 298 К....................................... В
при 233 К....................................... 1,5 В
Постоянный обратный ток при = 15 В не более,
при 298 К...........................................5 мкА
при 358 К.......................................100 мкА
Заряд переключения при Znp = Ю мА Vo$p — 10 В, не
более .......................................... ... 30 пКл
Общая емкость диода при t/^p = 5 В не бо. ее........ 1 пФ
Время восстановления обратного сопротивления при
Л1Р,и = Ю мА, Uo6p „ = Ю В, /отсч = 2 мА, не более 1 нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от
233 до 373 К........................................ 15 В
Постоянный нли средний прямой ток
при 233 и 308 К......................................20 мА
при 373 К........................................10 мА
203
Импульсный прямой ток при т„ < 10 мкс
при 233 и 308 К.................................. 200 мА
при 373 К.........................................100 мА
Температура окружающей среды.........................От 233 до
373 К
Зависимость обшей емкости от
ап ряжения.
чсния от прямою тока.
Зависимость максимально
допустимого среднего и им-
пульсного прямых токов от
температуры
КД513А
Диод кремниевый эпитаксиально-
планарный
Выпускается в пластмассовом корпу-
се. Тип диода и схема соединения
э ектродов с выводами приволягся на
корпусе.
Масса диода не более 0,11 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при 7„р — 100 мА не более’
при 298 и 358 К.................................. 1,1 В
при 213 К .................................... 1,5 В
Постоянный обратный ток при [/^ — 50 В, не более:
при 298 и 213 К.................................5 мкА
при 358 К.......................................100 мкА
Заряд переключения при 7пр = 50 мА, 1/<>бР1И—10 В,
не более............................................40 пК
204
Общая емкость диода при С7обр = 0, не более .... 4 пФ
Время восстановления обратного сопротивления при
Znp = 10 мА, 10 В, не более................... 4 нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение..................... 50 В
Импульсное обратное напряжение при ти = 2 мкс и
скважности не менее 10............................. 70 В
Постоянный или средний прямой ток при температуре
от 213 до 308 К...................................100 мА
при 358 К......................................50 мА
Импульсный прямой ток при ти = 10 мкс и скважности
не менее 20 без превышения среднего тока при тем-
пературе-
от 213 до 308 К.................................... 1,5 А
при 358 К......................................0,5 А
Температура окружающей среды.......................От 218 до
358 К
»0 1000
Зависимост ь обшей ем-
кости от напряжения.
Зависимость импульсного пря-
мого напряжения от прямого
тока.
Зависимость максимально допустимого
среднего и импульсною прямых токов
от температуры
Зависимость заряда переключения ог
прямого тока
205
КД514Л
Диод кремниевый эпитаксиально-планарный.
Выпускается в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип
диода и схема соединения электродов с выво! ами приводятся на
корпусе.
Масса диода > е более 0,35 г
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при / р - 10 мА, не более:
при 293 К ...................................
при 233 и 343 К..............................
Постоянный обратный ток при t/o6p — 6 В и темпера-
туре от 233 до 343 К, не более...................
Общая емкость диода при </о6р = 0 не более . . .
Дифференциальное прямое сопротивление при 711р — 10 мА,
не более.............. ..........................
1,0 В
1,5 В
5 мкА
0,9 пФ
30 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение . . '.............. 10 В
Постоянный прямой ток............................... 10 мА
Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс при |ем-
nepaiype:
от 233 до 298 К....................................50 мА
при 343 К........................................20 мА
Температура окружающей среды.........................От 233 до
373 К
Зависимость общей емкости от на-
пряжения.
Зависимость дифференциаль-
ного coi роэивления от пря-
мого тока.
206
Зависимость максимально допустимо-
го импульсного прямого тока от тем-
пературы.
Зависимость
допустимого
прямого тока
максимально
импульсного
о г скважности.
КД518А
Диод кремниевый эпитакеиачьно-
плапарпый.
Выпускается в пластмассовом кор-
пусе. Тип диода и схема соединения
электродов с выводами приводятся на
корпусе.
Масса диода нс более 0,11 i
Электрические параметрь
Постоянное прямое напряжение, не более
при Znp 1 мА
при 298 К.......................................0,57 В
при 358 К.......................................0,44 В
при 213 К.......................................0,75 В
при 7„р = 100 мА
при 298 и 358 К................................. 1,1 В
при 213 К....................................... 1,5 В
Температурный коэффициент прямого напряжения в диа-
пазоне температур от 213 до 358 К.................... 0,0022 В К
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный или средний прямой ток:
при 308 К.......................................100 мА
при 358 К........................................50 мА
207
Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс и скважности
не менее 20 без превышения среднего прямого тока:
при 308 К.................................... 1,5 А
при 358 К....................................0,5 А
Температура окружающей среды.......................От 213
до 358 К
Завис» мое гь макси маль-
по допустимого среднего
и импульсного прямых
токов от температуры.
КД519А, КД519Б
Диоды кремниевые эпитаксиалыю-планарные.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Диоды
маркируются цветной точкой у положительного вывода: КД519А —
белой, КД519Б — красной.
Масса диода не более 0,2 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при 2пр - 100 мА, не
более:
при 298 и 358 К................................... 1,1 В
при 233 К . . . ........................... 1,5 В
Постоянный обратный ток при 17обр = 30 В, не более:
при 233 и 298 К...................................5 мкА
при 358 К......................................100 мкА
Заряд переключения при /пр = 50 мА, UO6p, и = Ю В,
не более.............................................400 пК
Общая емкость диода при Uo5p = 0, не более
для КД519А........................................... 4 пФ
для КД519Б........................................2,5 пФ
208
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение................... 30 В
Импульсное обратное напряжение при длитслы ости им-
пульса 2 мкс и скважности не менее 10............ 40 В
Постоянный или средний прямой гок................30 мА
Импульсный прямой ток при ти = 10 мкс без превышения
среднего прямого тока............................ 300 мА
Температура окружающей среды.....................От 233
до 358 К
Зависимость общей емкое и от
напряжения.
Зависимость импульсного
прямо! о напряжения от им-
пу 1ьсного тока.
Зависимость заряда переключения
от прямого тока.
Зависимость
допустимого
прямого тока
максимально
импульсного
г скважности.
209
2Д520А, КД520А
Диоды кремниевые эпитаксиально-планарные.
Выпускаются в стеклянном корпусе с i ибкими выводами Мар-
кировку наносят на упаковочной таре. На корпусе у положи-
тельного вывода наносится желтая точка.
Масса диода не более 0,2 i
Электрические параме ры
Постоянное прямое напряжение при /пр - 20 мА, не
более:
2Д52ОА при 298 и 398 К, КД52ОА при 298 К . . . 1.0 В
2Д520А КД520А при 213 К........................ 1,2 В
Постоянный обратный ток при 1/обр=15 В, нс более.
2Д520А при 213 и 298 К и КД520А при 298 К. . . 1,0 мкА
КД520А при 373 К..............................20 мкА
2Д520А при 398 К .............................25 мкА
Заряд переключения при 1пр = 10 мА, 1/обр.и = Ю В не
более ..............................................100 и К л
Общая емкость диода при 1/о6р — 5 В, не более .... 3 пФ
Время восстановления обратного сопротивления при
Zlip = 10 мА, 1/о6ри = 10 В /otc,= l мА для 2Д520А,
не более........................................10 * нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение...................... 15 В
Импульсное обратное напряжение...................... 25 В
Постоянный и и средний прямой ток....................20 мА
Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс и скважности
не менее 2 5.........................................50 мА
Температура окружающей среды
2Д520А...............................................От 213
до 398 К
КД520А ......................... • От 213
до 373 К
Температура перехода для 2Д52ОА.....................403 К
210
Зависимость общей емкое!и oi
напряжения
Зависимое ib заряда переключе-
ния oi прямого тока.
Зависимое । ь пмпуЛьснО! о
прямою напряжения от им-
пульсною юка
Зависимость максимально
допус ГИМО1 О И МП) JlbCHOl о
прямою тока oi длиiединое -
1п импульса.
КД521А, КД521В, КД521Г
Диоды кремниевые эпитаксиально-нланарныс
Выпускаю 1ся в стеклянном корпусе с гибкими
Диоды маркируются черными кольцевыми полосками на
у положительного вывода КД521А — одним кольцом, КД521В
кольцами, КД521Г — тремя кольцами.
Масса диода не более 0,15 г
выводами.
корпусе
двумя
211
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /,,р = 50 мА. нс
более.................................................. 1,0 В
Постоянный обратный ток для КД521А при 1/о6р =
= 75 В, КД521В при 1/о6р = 50 В, КД521Г нрн С'сбр =
— 30 В, не более.....................................1.0 мкА
Заряд переключения при /пр=10 мА, С70бр,и = 10 В
4tci — 1 мА, ,,е более.............................. 200 пКл
Общая емкость диола при 1/оСр — 0, не более .... 4 пФ
Время восстанопления обратного сопротивления при
Aip ~ >0 мА, б/ойр,и ~ Ю В, 7О|СЧ = 1 мА, нс
бо iee................................................ 4 не
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
КД521А.............................................. 75 В
КД521В...................................... 50 В
КД521Г...................................... 30 В
Импульсное обратное напряжение
КД521А............................................. 100 В
КД521В......................................... 75 В
КД521Г...................................... 40 В
Постоянный или средний прямой ток................50 мА
Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс без превышения
среднего прямого тока............................ 500 мА
Температура окружающей среды.....................От 213 до
398 К
2Д522Б, КД522А, КД522Б
Диоды кремниевые эпитаксиально-планарные.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Диоды маркируются черными кольцевыми полосками на корпусе
у положительного вывода : 2Д522Б — одним кольцом, КД522А —
двумя кольцами, КД522Б — тремя кольцами.
Масса диода не более 0,15 г.
212
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 100 мА, не
более:
2Д522Б при 298 и 398 К и КД522А, КД522Б при
298 К.............................................. 11В
2Д522Б прн 213 К и КД522А, КД522Б при 218 К . . . 1,5 В
Постоянный обратный ток, не более.
2Д522Б и КД522Б при 1/оСр = 50 В 298 К и
2Д522Б при 1/о6р = 50 В, 213 К ... 5 мкА
КД522А при 1/о6р = 30 В 298 К ............2 мкА
2Д522Б при 1/оГ1р = 50 В. 398 К...........100 мкА
КД522Б при 1/обр = 50 В и КД522А при 17о6р =
= 30 В, 358 К.................................50 мкА
Заряд переключения при /,1р = 50 мА t/o(ipJ1 = *0 В
/отс., = 2 мА. не бо iee........................ 400 пКл
Общая емкость диода при 1/о6р = 0, не более........ 4 пФ
Время восстановления обратною сопротивления при
/пр = 10 мА, Со0р1| — 10 В /отс, — 2 мА, нс более ... 4 нс
Предельные эксплуа анионные данные
Постоянное обратное напряжение:
2Д522Б при 213 и 398 К и КД522Б при 218 и
358 К......................................... 50 В
КД522А при 218 и 358 К........................ 30 В
Импульсное обратное напряжение при скважности не
менее 10:
2Д522Б при т„ < 2 мкс и 213 398 К . . 75 В
КД522А при т„ < 10 мкс и 218 — 358 К . . . . 40 В
КД522Б при т„ < 10 мкс и 218 — 358 К . . . 60 В
Средний прямой ток:
2Д522Б при 213 32.3 К и КД522А КД522Б при
218 - 308 К ..................................100 мА
2Д522Б при 398 К и КД522А. КД522Б при 358 К . . . 50 мА
Импульсный прямой ток прн ти С 10 мкс без превышения
среднего прямого тока:
2Д522Б при 213-323 К и КД522А, КД522Б при 218-
308 К ........................................1500 мА
2Д522Б при 398 К.............................. 500 А
КД522А. КД522Б при 358 К...................... 850 мА
Температура окружающей среды
2Д522Б........................................От 213
до 398 К
КД522А. КД522Б................................От 218
до 358 К
. Температура перехода-
2Д522Б........................................ 4 3 К
КД522А, КД522Б................................ 398 К
213
Зависимость обшей емкости от
напряжения.
Зависимость заряда псрсключе
пня от прямою гока.
Зависимое ib импульсного пря
мого напряжения от импуль-
сного прямого тока.
Зависимость максимально до-
пустимого импульсного прямо-
го тока от скважное!и.
Зависимость максимально допустимого среднего и импульсного пря-
мых токов от температуры
214
2Д524А, 2Д524Б, 2Д524В
Диоды кремниевые эпитаксиальные с накоплением заряда. Пред-
назначены для использования в схемах формирователей импульсов.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе. Диолы маркируются
пветной точкой: 2Д524Л — черной. 2Д524Б — зеленой, 2Д524В — жел-
той. Положительный вывод диола имеет диаметр 3,7 мм
Масса диода не более 0.21 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /ир = 40 мА:
при 298 К .......................................0,85*
0,9* —
1,0 В
при 213 К, не более.............................. 1,5 В
при 398 К, пе бо iee........................... 1.0 В
Постоянный обратный ток, не более-
при 298 К и С/обр = 10 В............................2.0 мкА
прн 213 К для 2Д524А при l/m-,p = 24 В, для
2Д524Б при и^р = 30 В, для 2Д524В при —
= 15 В...........................................20 мкА
при 398 К i |я 2Д524А при 1/о6р 24 В. для
2Д524Б при Uo6p = 30 В. для 2Д524В прн t/o6p =
= 15 В......................................... 300 мкА
Заряд переключения при /1р 10 мА,
^'обр.п Ю В.
2Д524А................................ 250-270 *-300 пКл
2Д524Б, 2Д524В...................... 300-330 *-350 пКл
Общая емкость диода прн (/оСр = 0.
2Д524А ... . . 2* —2,5*—3 пФ
2Ц524Б..............................1,5* 1,9*-2,5 пФ
2Д524В.............................. 2.5 *-3,3*-4 пФ
Емкость корпуса диола, не более .... 0,3 пФ
Индуктивность корпуса диода, нс более. . . 0,7 нГн
Время выключения при J р = 5 мА 1/обр и =
= 10 В
2Д524А.............................. 100 * —130 * —150 пе
2Д524Б............................... 200* -250* -300 пс
2Д524В.............................. 80* 85* -100 пс
215
Эффективное время жизни неосновных носи-
телем заряда:
2Д524А................................ 25 *-27* 30* нс
2Д524Б, 2Д524В........................ 30 *-33 *-35* нс
Предельная частота, не менее.................. 100* ГГц
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное импульсное обратное напряжение при темпе-
ратуре от 213 до 398 К
2Д524А................................................. 24 В
2Д524Б............................................... 30 В
2Д524В............................................... 15 В
Постоянный (средний) прямой ток при температуре-
от 213 до 308 К.....................................40 мА
при 398 К........................................20 мА
Импульсный прямой ток при ти « 10 мкс и скважности,
равной или более 10, при температуре
от 213 до 308 К ................................. 400 мА
при 398 К........................................ 200 мА
Импульсный обратный ток при скважности, равной пли
более 10:
2Д524А, 2Д524В........................................ 600 мА
2Д524Б...........................................1000 мА
Рассеиваемая мощность при температуре
от 213 до 308 К..................................... 200 мВт
при 398 К........................................50 мВт
Температура окружающей среды.......................От213
до 398 К
Примечание. Запрещается монтировать диоды в схему путем
пг н или механическим способом при помощи цанг, транспортиро-
вать диоды не в стан (артной упаковке, оставлять или перевозить
радиотехнические устройства со вставленными в них диодами при
наличии присоединенных к держателю диодов свободных проводников,
которые могут принять на себя электрические заряды.
пФ
Ч
3
2
1
0 5 10 15 20 25 В
Зависимость общей емкости от
напряжения.
пКл
600
500
400
300
200
0 5 10 15 10 25 В
Зависимость заряда переключе-
ния от образного напряжения.
Зависимость заряда переключе-
ния от прямого тока
Зависимость импульсного пря-
мого зока or длительности
импульса.
Зависимость максимально допустимого среднего и импульсного пря-
мых токов от температуры
АД516А, АД516Б
Диоды арсен ид-таллиевые эпитаксиально-планарные. Предназна-
чены для использования в импульсных схемах наносекундного диа-
пазона.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выво-
дами Тип диода и схема соединения электродов с выводами
привозятся на корпусе.
Масса диода не более 0,6 г.
216
217
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 2 мА нс
более
при 298 и 373 К................................... 1,5 В
при 213К...................................... 1.8 В
Постоянный обратный ток при C7oGp = 10 В. не более:
при температуре ог 213 до 298 К................... 2 мкА
при 373 К.....................................100 мкА
Заряд переключения при /пр = 5 мА, С/обрн = 10 В, не
более . . .................................5 пКл
Общая емкость диода при L -0, не более:
АД516А ........................0 5 пФ
АД516Б........................................0,35 пФ
Время восстановления обратного сопротивления при
/,1р = 5 мА, С/о6р.и = 10 В /отс = 0,1 мА, не более ... 1 нс
Дифференциальное сопро гивление при /пр = 2 мА не
более.............................................150 Ом
Предельные жсплуатацнониые данные
Постоянное обратное напряжение..................... 10 В
Постоянный или средний прямой ток:
при температуре от 213 ло 308 К................ 2 мА
при 373 К...................................... 1 мА
Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс и скважности
не менее 1000:
прн температуре от 213 до 358 К . . . . 30 мА
при 373 К ..................................... 15 мА
Температура окружающей среды.......................От 213 ло
373 К
Температура перехода............................... 373 К
Зависимость обшей емкости
от напряжения
Зависимость максимально допус-
тимого импульсного прямого то-
ка от длительности импульса.
218
Зависимое п> заряда пере-
ключения от напряжения
Зависимость максимально допустимо-
го среднего и имиульсно! о прямых
токов от температуры
ЗА527А, ЗА527Б
Диоды арсснид-гаилиевые эпитак-
сиально-планарные с барьером UJoi-
тки Предназначены для использова-
ния в импульсных схемах пико- и
и аносекчндного ди a i ia зона.
Выпускаются в металлокерамиче-
ском корпусе с жесткими выводами.
Диоды маркируется цветной точкой
у положительного вывода: ЗА527А
желтой ЗА527Б — двумя жепымн
Масса диола нс более 0.5 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /|1р = 2 мА, не
более:
при 298 н 358 К
ЗА527А....................................... 1,0 В
ЗА527Б...................................... 1,1 В
при 213 К
ЗА527А....................................... 1.3 В
ЗА527Б...................................... 14В
Постоянный обратный ток при £7обр — 9 В, не более:
при 213 и 298 К .................................20 мкА
при 358 К.....................................20 мкА
Общая емкость диода при 17^ — 0, не ботсе:
ЗА527А...........................................0,5 пФ
ЗА527Б......................................0,3 пФ
Дифференциальное сопротивление при /пр — 2 мА, не
более .............................. • .... 100* Ом
Эффек инное время жиз! и неравновесных носителей за-
ряда не более.................. ..................100* пс
219
Предельные желлуатанионные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 до 358 К.......................................... 9 В
Импульсный прямой ток при т„ < 10 мкс и частоте нс
более 1 кГц при температуре:
от 213 до 308 К.....................................30 мА
при 358 К......................................... 15 мА
Средний прямой ток при температуре
от 213 до 308 К....................................... 2 мА
при 358 К.......................................... 1 мА
Импульсная рассеиваемая мощность прн ти < 1 мкс и
скважности, равной или более 1000, при температуре
от 213 до 358 К......................................0,5 мВт
Температура окружающей среды...........................От 213
до 358 К
Примечание. Запрещается хранить диод без индивидуальной
защитной упаковки
Зависимость общей емкости
о г напряжения
Зависимость дифференциаль-
ного сопротивления от пря-
мою тока.
Зависимость максимально допус Зависимость максимально допусти
тимого импульсного прямого тока moi о среднего и импульсно1 о
от длительности импульса. прямых токов от температурь!
220
3A529A, ЗА529Б
0 J,7
Диоды арсенид-галлиевыс эпитаксиальные
с барьером Шопки. Предназначены для ис-
пользования в схемах преобразования импуль-
сных сигналов иико- и наносекундного диапа-
зона.
Выпускаются в металлокерамическом кор-
пусе с жесткими выводами. Тип диола ука-
зывается на групповой таре. Положительный
вывод имеет диаметр 3,7 мм.
Масса диода нс более 0,1 г
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 2 мА, нс более:
при 298 и 358 К
ЗА529А........................................ 09В
ЗА529Б...................................... 1,0 В
прн 213 К
ЗА529А........................................ 1,2 В
ЗА529Б...................................... 1,3 В
Постоянный обратный ток при t/o6p = 5 В, не более:
при 213 и 298 К..................................1,0 мкА
при 358 К...................................50 мкА
Общая емкость диода при 1/обр = 0 В, не более-
ЗА529А..............................................0,4 пФ
ЗА529Б......................................0,25 пФ
Дифференциальное сопротивление при /11р = 2 мА, не
более............................................70 * Ом
Эффективное время жизни неравновесных носителей за-
ряда, не более.............................................100* пс
Предельные экептуат анионные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 до 358 К.......................................... 5 В
Импульсное обратное напряжение при ти < 10 мкс и
частоте не более 1 кГц при температуре:
от 213 до 308 К..................................... 7 В
при 358 К....................................... 3,5 В
Средний прямой ток при температуре
от 213 до 308 К .... ................................. 2 мА
при 358 К......................................... 1 мА
Импульсный прямой ток при т„ < 10 мкс и частоте
не более 1 кГц при температуре
ог 213 до 308 К..................................... 5 мА
при 358 К........................................2,5 мА
Импульсная рассеиваемая мощность при т„ < 1 мкс,
скважное!и 1000 и температуре от 213 до 358 К . . . 0,5 мВт
Темпера ура окружающей среды от 213 до 358 К
Примечание. Запрещается хранить диод без индивидуальной
защитной упаковки
221
Зависимость общей емкости
oi напряжения
Зависимость максимально допусти-
мого импульсного обратного на-
пряжения от температуры.
Зависимость дифференциаль-
ного сопротивления от пря-
мого тока.
Зависимость максимально доиус-
1имого среднего и импульсного
прямых токов от Температуры
3A530A, ЗА530Б
Диоды арсенид-таллиевые эпитаксиальные
с барьером Шоттки Предназначены для нс
пользования в схемах преобразования им-
пульсных сигналов нико- и наносекундною
диапазона.
Выпускаются в метал покерам пческом кор-
пусе с жесткими выводами. Тип диода ука-
зывается на групповой таре. Положительны,!
вывод имеет диаметр 3,7 мм.
Масса диода не более 0,2 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр= 10 мА, не более:
при 298 и 358 К
ЗА53ОА.......................................... 10В
ЗА53ОБ....................................... 12В
222
при 213 К
3A53OA......................................... 1.3 В
ЗА530Б........................................ 1.5 В
Постоянный обратный ток при С'овр= 30 В. не более:
при 213 и 298 К.............................. 5 мкА
при 358 К.......................................20 мкА
Общая емкость диола при 1/обр = 0. не более:
3A53OA.............................................1,0 пФ
ЗА530Б........................................0,75 пФ
Эффек ивное время жизни неравновесных носителей
заряда, не более . .............................100* пс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при темпера type от 213
до 358 К . . ................................. 30 В
Постоянный । ти средний прямой ток при 1емпературе:
ог 213 до 313 К.................................... 10 мА
при 358 К....................................... 5 мА
Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс и скважности
не менее 1000 при температуре:
от 213 до 313 К.....................................50 мА
при 358 К....................................... 15 мА
Температура окружающей среды........................От 213
до 358 К
Примечания: 1 Допускается подавать на диод обрапюе
напряжение до 40 В при температуре от 213 до 313 К при условии,
что через диод протекает обратный ток не ботее 5 мкА.
2. Запрещайся хранить диод без индивидуальной заппнноп уна
ковки.
Зависимость общей емкости
от напряжения
максимально допусш
среднего прямого тока от гем
пературы.
Зависимость
мого
Зависимость максимально до-
пустимого импульсного прямо
ю гока от температуры.
223
Ра дел шестой
ДИОДНЫЕ СБОРКИ И МАТРИЦЫ
КДС111А, КДС111Б, КДС111В
Сборки из двух кремниевых мезадиффузионных диодов.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Сборки маркируются цветной точкой: КДС111А красной, КДС111Б —
зеленой, КДС111В — желтой.
Масса сборки нс более 0,3 г.
035
Электрические параметры
(каждого диода)
Прямое напряжение при /,,р = 100 мА не более .... 1,2 В
Обратный ток при (/о6р = Со6рмакс, нс более:
при 298 К............... ..........................3,0 мкА
при 358 К......................................50 мкА
Предельные эксплуатационные данные
(каждого диода)
Постоянное обратное напряжение..................... 300 В
Постоянный (средний вынрям. енный) ток
до 328 К........................................... 200 мА
при 358 К......................................100 мА
Импульсный прямой ток:
при ти < 10 мкс....................................... ЗА
при ти < 1 мс.................................. I А
Частота без снижения режимов.......................20 кГц
Температура окружающей среды.......................От 213 К
до 358 К
224
Зависимое 1 ь допустiimoi о
прямого чока от темпера-
туры.
Зависимость допустимого пере-
грузочного импульса прямого
тока о 1 длитсльпосш импульса.
2ДС408Л-1, 2ДС408Б-1, 2ДС408В-1, 2ДС408Г-1
Диодные сборки, состоящие каждая из четырех кремниевых
нланарпо-днффузнонных диодов с раздельными выводами. Пре наз-
начены для использования в герметизированной аппаратуре.
Бсскорпусиые с гибкими выводами и защитным покрытием
Каждая сборка упаковывается в индивидуальную тару. Сборки мар-
кируются цветной точкой на крышке инднвпдуа imioii тары:
2ДС408А-1 - красной, 2ДС408Б-1 - синей, 2ДС408В 1 - зеленой,
2ДС408Г-1 черной.
Масса сборки не более 0,006 г.
Вывод подложки
Вывод подложки
Электрические параме|ры
Постоянное прямое напряжение при /11р = 0,01 мА:
при 298 К ..........................................0,5-0,73 В
при 358 К, нс менее.................................0,34 В
при 213 К, нс более................................. 1,2 В
8 пол рсд. Н. Н. Горюнова
225
Постоянное прямое напряжение при 7пр= 0,1 мА . . .0,73—0,83 В
Постоянное прямое напряжение при /пр = 1 мА, не
более.............................................. 0,2 В
Разность прямых шпряжст ий между диолами:
при 1 р— 0,05 - 1 мА и 298 К нс более
2ДС408А-1...................................... 3 мВ
2ДС408Б-1.................................... 10 мВ
2ДС408В-1.................................... 5 мВ
2ДС408Г-1.................................... 15 мВ
при /пр= 1 мА и 358 К, не более
2ДС408А 1...................................... 6 мВ
2ДС408Б-1.................................... 18 мВ
2ДС408В-1.................................... 9 мВ
2ДС408Г-1....................................27 мВ
при /пр= * МА 1 213 К не более
2ДС408А-1......................................7,5 .мВ
2ДС408Б-1....................................21,5 мВ
2ДС408В-1....................................10,5 мВ
2ДС408Г-1....................................32.0 мВ
Постоянный обратный ток при б'обр = 10 В, нс более:
при 298 К
2ДС408А-1, 2ДС408Б-1 2ДС408В-1.............. 10 нА
2ДС408Г-1....................................100 нА
при 358 К
2ДС408А-1, 2ДС408Б-1, 2ДС408В-1.............0,1 мкА
2ДС408Г-1....................................1,0 мкА
Ток утечки между катодами диодов п выводом подложки
при U = 20 В, нс более........................... 10 нА
Об цая емкость диода при б ойр—0,5 В, нс более ... 1,3 пФ
Емкость между катодами соседних диодов при t/o6p= 0 В,
нс более...........................................2,5 пФ
Время восстановления обратного сопротивления при
Ц,бр.|| 5 В, /пр = 5 мА, не более.................. 40 нс
Температурный кох]х|лщиеи1 разности прямых напряже-
ний, нс более:
2ДС408А-1........................................30 мкВ, К
2ДС408Б-1....................................100 мкВ,К
2ДС408В-1....................................50 мкВ,'К
2ДС408Г-1....................................170 мкВ/К
Предельные эксплуа анионные данные
Постоянное или импульсное обратное напряжение при
температуре от 213 до 358 К .......................... 12 В
Постоянный прямой ток одного диода при температуре
от 213 до 358 К........................................10 мА
Импульсный прямой ток одною диода при длительности
импульса ти < 10 мкс при температуре от 213 до 358 К 100 мА
226
Постоянный суммарный
прямой ток всех диолов
сборки при темпера-
туре от 213 до
358 К.................
Температура окружаю-
щей среды.............
20 мА
СИ 213
до 358 К
Примечай и е. Защитное по-
крытие Сборок ИЗГО1ОВЛС1Ю из
эмали ЭП-91 (ГОСТ 15943-70).
Зависимость прямого тока от на-
пряжения.
Зависимое 1ь обратного тока от
напряжения (при 7 = 298 К).
Зависимость обра кого тока от
напряжения (при Т — 298 К).
Зависимость времени восстанов-
ления обратного сопро1ивле-
ния от прямою тока
Зависимость времени восс анов-
ления обратного сопротивле
ния от импульсного обратною
напряжения.
8’
227
Зависимость обратного тока
от темпера туры.
Зависимость обратного тока от
темпера туры.
Зависимость максимально до-
пустимого импульсного трямо-
го тока от длительности им-
пульса.
Зависимость тока утечки между
катодами диодов и базовым
выводом сборки от темпе-
ратуры.
2ДС413А-1, 2ДС413Б-1, 2ДС414А-1, 2ДС414Б-1,
2ДС415А-1, 2ДС415Б-1, 2ДС415В-1, 2ДС415Г-1,
2ДС415Д-1, 2ДС415Е-1, КДС413А, КДС413Б, КДС413В,
КДС414А, КДС414Б, КДС414В, КДС415А, КДС415Б,
КДС415В
Диодные сборки, состоящие каждая из десяти (2ДС413А-1,
2ДС413Б-1) и двенадцати (КДС413А, КДС413Б, КДС413В) кремниевых
планарно-дифф з тонных диодов с общим катодом, десяти (2ДС414А 1,
2ДС414Б-1) и двенадцати (КДС414А, КДС414Б, КДС414В) диодов
228
с общим анодом, шести (2ДС415А-1. 2ДС415Б-1, КДС415А КДС415Б,
КДС415В), пяти (2ДС415В-1. 2ДС415Г-1) и четырех (2ДС415Д-1
2ДС415Е-1) изолированных диодов.
Предназначены для использования в дешифраторах, диодных
функциональных преобразователях, умножительных схемах герме! нзи-
ровапнон аппаратуры.
Бескорпусные с ибкпми выводами и защитным покрытием.
Сборки 2ДС413А-1, 2ДС413Б-1, КДС413А, КДС413Б, КДС413В,
2ДС414А-1. 2ДС414Б-1, КДС414А, КДС414Б, КДС414В имеют тринад-
цать выводов. Вывод общего катода пли общего анода — тринад-
цатый. Сборки 2ДС415А-1, 2ДС415Б-1. 2ДС415В-1, 2ДС415Г-1,
2ДС415Д-1, 2ДС415Е-1, КДС415А, КДС415Б, КДС415В имеют две-
надцать выводов Выводы анодов нечетные, выводы катодов — после-
дующие чешые.
Сборки упаковываются и индивидуальную тару, на которую
наносится обозначение типа. Выводы тарраковапиых диодов сборок
2ДС413А-1.2ДС413Б-1. 2ДС414А-1. 2ДС414Б-1. 2ДС415В-1, 2ДС4151-1,
2ДС415Д-1. 2ДС415Е-1 отмечаются цвечиой меткой через контактные
о 1 вере 1 ня в иидивцдуалы1оп таре.
Масса сборки - не более 0,02 г
229
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение гри J„p - 1 мА и 298 К 0,6 — 0,75 В
Разность прямых напряжений между диодами при одина-
ковом постоянном токе в диапазоне значений от 0,1
до 1 мА, не более
при 298 К
2ДС413А-1, 2ДС414А-1, 2ДС415А-1, 2ДС415В-1,
2ДС415Д-1 КДС413А КДС414А, КДС415А ... 5 мВ
2ДС413Б-1, 2ДС4 4Б-1, 2ДС415Б 1 2ДС415Г 1.
2ДС415Е-1, КДС41.3Б, 1 ДС414Б, КДС415Б. ... 15 мВ
КДС413В КДС414В КДС415В......................20 мВ
при 213 и 373 К
2ДС413А-1. 2ДС414А-1. 2ДС415А-1, 2ДС415В-1,
2ДС415Д-1,................................... Ю мВ
2ДС413Б-1. 2ДС414Б-1, 2ДС415Б-1, 2ДС415Г-1
2ДС415Е-1.................................... 25 мВ
Постоянный обратный зек прн СоСр = 10 В, нс более:
при 213 н 298 К
2ДС413А-1, 2ДС414А-1 2ДС415А-1, 2ДС415В-1,
2ДС415Д-1 ............................... 0,025 мкА
при 298 К
КДС413А КДС414А, КДС415А.......................0.01 мкА
при 213 и 298 К
2ДС413Б-1, 2ДС414Б-1, 2ДС415Б-1 2ДС415Г-1.
2ДС415Е-1....................................0.1 мкА
при 373 К
2ДС413Л-1, 2ДС414Л-1, 2ДС415А-1, 2ДС415В-1,
2ДС415Д-1....................................1.5 мкА
при 373 К
2ДС413Б-1, 2ДС414Б-1, 2ДС415Б-1, 2ДС415Г-1,
2ДС415Е-1....................................2.0 мкА
Общая емкость диода при Со6р = 0, не более .... 3 нФ
Время восстановления обратного сопротивления при
4Р= 5 мА, Сойр = 10 В, /отсч= 1 мА, нс более ... 40 нс
Сопротивление изоляции между изолированными диодами
сборок 2ДС415А-1, 2ДС415Б-1, 2Д415В-1, 2ДС415Г-1,
2ДС415Д-1. 2ДС415Е 1 при напряжении 10 В. нс
менее............................................ 200 МОм
Температурный коэффициент разности прямых напряже-
ний при /пр 0,1 -к I мА, не более:
от 213 до 373 К...............................50 мкВ К
2ДС.413А-1, 2ДС414А-1, 2ДС415А-1, 2ДС415В-1,
2ДС415Д-1 при температуре от 213 до 298 К . . .130 мкВ/К
2ДС413Б-1, 2ДС414Б-1, 2ДС415Б-1, 2ДС415Г-1,
2ДС415Е-1 при температуре от 298 до 373 К . . .100 мкВ/К
230
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение..................... 20 В
Импульсное обратное напряжение при длительности им-
пульса т„ < 2 мкс и скважности не менее 10 ... . 30 В
Постоянный прямой (средний) ток одною диода ... 10 мА
Постоянный прямой (средний) ток всех диодов сборки 20 мА
Импульсный прямой ток одного диода при длительности
импульса ти < 10 мкс и скважности нс менее 10 . , . 100 мА
Рассеиваемая мощность всей сборкой.................16 мВт
Температура окружающей среды для 2ДС413А-1,
2ДС413Б 1. 2ДС414А-1. 2ДС414Б-1 2ДС415А-1
2ДС415Б-1. 2ДС415В-1. 2ДС415Г-1 2ДС415Д-1.
2ДС415Е-1........................................От 213 ло
373 К
Температура перехода для 2ДС413А-1, 2ДС413Б-1.
2ДС414А-1. 2ДС414Б-1. 2ДС415А 1 2ДС415Б-1.
2ДС415В-1. 2ДС415Г-1. 2ДС415Д-1. 2ДС415Е-1 . ... 398 К
Температура окружающей среды для КДС413А,
КДС413Б КДС413В, КДС414А КДС414Б. КДС414В.
КДС415А КДС415Б КДС415В..........................От 213 до
358 К
Примечания 1. Защитное покрытие сборки нзтотовлено из
эмали ЭП 91 (ГОСТ 15943-70).
2. Запрещаются изгиб выводов ближе 0,3 мм от места выхода
из защитного покрытия, соприкосновение выводов и граней кристалла
сборки и перегиб вывода на инструменте с острыми краями. Рекомен-
дуется обрывать выводы у неиспользуемых и забракованных диодов
после установки сборки па плату без нарушения защитного покрытия
3. При установке сборки на теплоотвод должно обеспечиваться
тепловое сопротивление переход — среза нс более 3 К/мВг.
Зависимость разности прямых напряжений па диодах (даны зоны
разброса) от температуры
231
Зависимость разности прямых напряжений на диодах (даны зоны
разброса) от температуры
Зависимость общей емкости Зависимость времени восстапов-
(даны зоны разброса) от па- ления обратного сопрошвтения
пряжения (даны зоны разброса) от пря-
мою тока.
2ДС523А. 2ДС523Б, 2ДС523В, 2ДС523Г, КДС523А,
КДС523Б, КДС523В, КДС523Г
Диодные сборки, состоящие каждая из двух (2ДС523Л. 2ДС523Б
КДС523А, КДС523Б) и четырех (2ДС523В 2ДС523Г, КДС523В,
КДС523Г) кремниевых плаиарно-эпнгаксиальпых диолов с раздель-
ными выводами
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Сборки 2ДС523Л, 2ДС523В, КДС523А. КДС523В маркируются цвет-
ной точкой на корпусе. У сборок 2ДС523Б. 2ДС523Г, КДС523Б,
КДС523Г цвет пая точка отсутствует.
Масса сборок 2ДС523Л 2ДС523Б КДС523А КДС52.3Б не более
0,12 I , 2ДС523В, 2ДС523Г, КДС523В, КДС523Г — не более 0,24 г.
232
цветная точка
7 о------------[>|----------о 4
2 о---------Ы----------° ?
7 о---------И----------о 8
гдагзл, гдсьгзь
КДС523А, КДС5236
2ДС5238,2ДС523Г
КДС523В, КДС523Г
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр= 20 мА, не более:
2ДС523А 2ДС523Б 2ДС523В, 2ДС523Г при 298 и
398 К и КДС523А КДС523Б, КДС523В КДС523Г
при 298 К ...................................... 10В
при 213 К....................................... 1,2 В
Разнос!l прямых напряжений между диодами прн оди-
наковом постоянном токе в диапазоне значений от 0,05
до 2 мА, не более:
2ДС523А КДС523А.................................... 5 мВ
2ДС523В, КДС523В 10 мВ
2ДС523Б, 2ДС523Г, КДС523Б, КДС523Г .... 20 мВ
Постоянный обратный ток при 1/Обр = 50 В нс более:
2ДС523А, 2ДС523Б, 2ДС523В, 2ДС523Г при 213 и
298 К и КДС523А. КДС523Б. КДС523В, КДС523Г
.при 298 К ......................................5 мкА
2ДС523А, 2ДС523Б, 2ДС523В, 2ДС523Г при 398 К
и КДС523А, КДС523Б, КДС523В, КДС523Г прн 373 К 150 мкА
Заряд переключения при /,1р= 20 мА, UOGp „ 10 В для
2ДС523А, 2ДС523Б. 2ДС523В, 2ДС523Г, нс более . . . 150 пКл
Общая емкое!ь диода при L'o(-,p=0.1 В, не ботее ... 2 пФ
Время восс1а11овлення обратного сопротивления при
/пр= 10 мА, L'( ,p, „ 10 В /0|с.,= 2 мА, не более ... 4 пс
Пре i ьные экенлуа анионные данные
Постоянное обратное напряжение для 2ДС523А, 2ДС523Б,
2ДС523В, 2ДС523Г при температуре от 213 до 398 К
и КДС523А, КДС523Б, КДС523В, КДС523Г нрп темпе-
ратуре от 213 до 373 К ................................ 50 В
233
Импульсное обратное напряжение при длительности
импульса ти < 3 мкс для 2ДС523Л. 2ДС523Б. 2ДС523В,
2ДС523Г при температуре от 213 до 398 К и КДС523Л.
КДС523Б КДС523В. КДС523Г при температуре oi 213
до 373 К . . . ........................... 70 В
Постоянный или средний прямой ток одною диода при
температуре от 213 до 358 К .........................20 мА
Импульсный । рямоп ток одною диода при длительное ш
импульса т„ < 10 мкс бел превышения среднего пря того
юка при температуре от 213 до 358 К................ 200 мА
Температура окружающей среды
2ДС523А, 2ДС523Б. 2ДС523В. 2ДС523Г...............От 213 до
398 К
КДС523А. КДС523Б. КДС523В, КДС523Г...............От 213 до
373 К
Примечание. Допускается папка выводов на расстоянии не
менее I мм от корпуса сборки к металлической детали площадью
не менее 7 мм- оловянно-евншювым припоем при температуре не
выше 473 К при этом допускается затекание припоя до герметизи-
рующего материала.
Зависимое 1ь общей емкоеi и Зависимость заряда псрсключс-
диода от напряжения ния от прямого тока
Зависимость импу; ьсиого пря-
мою напряжения от импульсно-
го прямого тока.
Зависимость импульсного пря
.мою тока о г дли юльносги им-
пульса.
Зависимость paruociu прямых напряжений между диодами сборки
при одинаковом постоянном токе в диапазоне от 0.05 до 2 мА
от температуры.
За<
го
Скважность
го импуль
НОС! 11.
КДС525А, КДС525Б, КДС525В,
КДС525Е, КДС525Ж, КДС525И,
КДС525Г, КДС525Д,
КДС525К, КДС525Л
Диодные сборки состоящие каждая из деся ти или восьми кремние-
вых диодов, объединенных в три группы по пять, три и два диола
с общим анодом (КДС525А, КДС525Б) или с общим катодом
(КДС525Е, КДС525Ж) и в три группы по четыре, два и два диода
234
235
с общим анолом (КДС525В, КДС525Г, КДС525Д) или с общим като-
дом (КДС525И, КДС525К. КДС525Л). Диоды изготовлены методом
ионно-лучевой ТСХНОЛО1 ин
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип
прибора указывается на корпусе.
Масса сборки не более 0,7 г
КДС525
ААМАЛЛ
113 1211 io 3 в 1 2 3 Ч 5 5 1, Л 1
у w у у у и
КДС525Л
1 п ЬН- -IN МУ
7 О
5 Гс W O7J
Z V TxJ
•? - t-H
J О J4J'— 1x1 O7Z
и 7?
5 о-И—। —О—о?й
КДС525Б
7о К] Н>-о rt
3 о Ю —0-0^2
* °—и— 0 77
5° К] Н>-о70
5 о—К -ОН’s 0 8
НДС525В
НДС525Г
КДС52ЧД
КДС525И
7о r-KJ-ort
2о Й ——о 75
—КН> 2
7° [> о 77
КНо7С
КДС525Н
КДС525 Д
—КЗ—0 14
Z U “1x1 О 7J
Зо-Й— L—KI—0 72
о [21 —К)—о '0
6 0-01
2О-Й— о 8
236
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /, г 0,2 мА. нс менее 0,5 В
Постоянное прямое напряжение для КДС525А. КДС525Б.
КДС525В. КДС525Г, КДС525Д прн / =2 мА п
КДС525Е. КДС525Ж, КДС525И, КДС525К. КДС525Л
при /|1р= 5 мА. не более......................... 0.9 В
Пробивное напряжение на уровне обрапюго тока 5 мкА,
не менее:
КДС525А, КДС525Б КДС525В. КДС525Г, КДС525Д 20 В
КДС 525Е, КДС525Ж КДС525И. КДС525К, КДС525Л 40 В
Постоянный обратный ток при температуре 233 298
358 К для КДС525А. КДС525Б, КДС525В, КДС525Г,
КДС525Д прн = 10 В и КДС525Е КДС525Ж,
КДС525И. КДС525К. КДС525Л при [/обр = 20 В, нс более 1 мкА
Общая емкость диола при бойр= 5 В. не более .... 8 пФ
Время восстановления обратного сопротивления при
^обр. и= *0 В, /пр „= 10 мА, /отсч = 2 мА, не более ... 5 нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение’
КДС525А, КДС525Б, КДС525В, КДС525Г, КДС525Д 15 В
КДС525Е, КДС525Ж КДС525И, КДС525К, КДС525Л 25 В
Импульсное обратное напряжение при т„ < 10 мкс и
скважности не менее 100:
КДС525А. КДС525Б, КДС525В. КДС525Г, КДС525Д 20 В
КДС525Е, КДС525Ж, КДС525И, КДС525К. КДС525Л 40 В
Постоянный прямой юк одного диода при температуре:
от 233 до 308 К.................................. 20 мА
при 358 К..................................... 10 мА
Импульсный прямой юк одного диода прн ти < 10 мкс
н скважности не менее 100 прн температуре:
от 233 до 308 К....................’........... 200 мА
при 358 К.....................................100 мА
Рассеиваемая мощность всей сборкой при температуре
от 233 до 308 К
КДС525А КДС525Б КДС525Г КДС525Ж ... 100 мВт
КДС525В, КДС525Г, КДС525Д, КДС525И,
КДС525К, КДС525Л............................80 мВт
прн 358 К
КДС525А, КДС525Б, КДС525Е, КДС525Ж .... 50 мВт
КДС525В КДС525Г, КДС525Д, КДС525И,
КДС525К, КДС525Л............................40 мВт
Температура окружающей среды......................От 233 до
358 К
237
Зависимость времени восстанов-
ления обратного сопротивления
от прямого тока.
Зависимость обшей емкости
диода от напряжения.
Зависимость максимально до-
вустмого импульсного прямо-
го пока of длительности им-
пульса.
Зависимое !Ь максимально до-
пустимого среднего и импуль-
сною прямых токов от темпе-
ра I у ры.
Зависимость максималь-
но допуешмой мощности
рассеивания сборки от
температуры.
238
КДС526А, КДС526Б, КДС526В
Диодные сборки, состоящие нз четырех (КДС526А), трех
(КДС525Б), двух (КДС526В) диодов с общим анодом. Дноды изго-
товлены методом ионно-лучевой технологии.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип
прибора указывается па корпусе
Масса сборки не более 0.3 г.
KAC5Z6A
НДС526 В
1 о—К)—
2 о-----
3 о—К)—.
5 0———
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение:
при /Ер= 5 мЛ не более
при 298 К........................................ 1,1 В
при 358 К...................................... 10В
прн 233 К...................................... 1,8 В
при 7пр 0,2 мА, нс менее
при 233 и 298 К..................................0.55 В
прн 358 К...................................... 0 45 В
Общая емкость диода при С>’оер = 0, не более .... 5 пФ
Время восстановления обратного сопротивления при
7„р = Ю б'обр, и= 10 В, 7ОТСТ= 2 мА, не более ". . . 5 пс
Предеты ые эксплуатационные тайные
Импульсное обратное напряжение........................ 15 В
Постоянный нлн средний прямой ток одного диода при
температуре-
от 233 до 343 К ............................ ... 20 мА
при 358 К .........................................10 мА
239
Импульсный прямой юк одного диода при т„ < 10 мкс
без превышения среди, о прямого тока.................50 мА
Рассеиваемая мощность всей сборкой при температуре:
от 233 до 343 К............................• . . 50 мВт
при 358 К..............
Температура окружающей среды
25 мВт
От 233 до
358 К
Зависимость общей емкости
диода от напряжения.
Зависимость максимально до-
пустимого импульсного прямо-
го тока oi дштслытостн им-
и у тиса.
Зависимость максималь-
но допустимого среднего
прямою тока одного дио-
да и мощности рассеива-
ния сборки от темпера-
туры.
2ДС627Л, КДС627А
Диодные матрицы, состоящие из восьми изолированных кремние-
вых зштгаксналыю-планарпых диодов. Предназначены для использо-
вания в коммутаторах тока и дру их импульсных схемах
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами
Тин прибора указывается на корпусе Аноды диодов соединены с вы-
водами 1-8, катоды соответствующих диодов — с 16 — 9
Масса матрины не более 0,6 г.
240
9 о
i
66600000
123*5678
Э дектрическпе парами ры
Постоянное прямое напряжение при 71|р = 200 мА
2ДС627А при 213 К ..................................0.95- 1.35 В
при 298 К.......................................0.85—1,15 В
при 398 К.......................................0,65-0,95 В
КДС627Л при 298 К не более ....................... 1,3 В
Постоянный обратный ток при t/oCp= 50 В, для
2ДС627А КДС627А не более:
при 298 К.........................................2 мкА
при 398 К.......................................100 мкА
Общая емкость диода при L'o6p = 0 В, не более ... 5 нФ
Время восстановления обратного сопротивления при
/,1р= 200 мА б'(>Ср= 20 В /окч 10 мА, ис более . . . 40 нс
Предельные эксплулт анионные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от 213
до 398 К............................................... 5° В
Импульсное обратное напряжение при т„ < 2 мкс и
скважности ис менее 10 при температуре от 213 до
398 К.................................................. 60 В
Средний прямой ток черед любое число диодов или
любой одиночный диод при температуре:
от 213 до 323 К.................................... 200 мА
при 398 К............................................80 мА
241
Импульсный прямой ток через любое число диодов или
любой одиночный диод при т„ < 10 мкс без превыше-
ния среднего прямого токл при температуре:
от 213 до 323 К................................. 1500 мА
при 398 К....................................... 750 мА
Температура окружающей среды..........................От 213 до
398 К
Температура перехода для 2ДС627А..................... 428 К
Зависимость заряда переключе-
ния ог прямо! о тока.
Зависимость общей емкост и
диода от напряжения.
Зависимость импульсною пря-
мою напряжения от импульсно-
го прямою тока.
Зависимость максимально допустимого среднего прямого тока от
температуры.
242
Зависимость максимально допустимого импульсного прямого тока
от темпера i у ры.
2ДС628А, КДС628А
Диодные матрицы, состоящие из шестнадцати кремниевых эпи-
таксиалыю-илапарных диодов.
Вып}скаются в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса матрицы не более 0,7 г.
Элек 1 рическне иарамет ры
Постоянное прямое напряжение при /,|р = 300 мА.
2ДС628А
при 213 К.....................................1,0 —1,4 В
при 298 К..................................0,95-1,25 В
прн 398 К...................................0,7 1,0 В
КДС628А при 298 К, нс ботее..................... 1,3 В
243
Постоянный обратный ток при 1/о6р = 50 В, не более:
2ДС628А, КДС628А прн 298 К...........................5 мкА *
2ДС 628А
при 213 К.....................................5 мкА
при 398 К.....................................100 мкА
Общая емкость дисыа при С'оБр= 0 В. не более ... 32 пФ
Время восстановления oopanioi о сопротивления при
Aip= ЭДО мА, 1/обр „= 30 В, /01сч= 10 мА, не более ... 50 нс
Предельные эксплуа анионные данные
Постоянное обратное напряжение при Температуре ог
213 до 398 К............................................ 50 В
Импульсное обратное напряжение при ти < 2 мкс и
скважности нс менее 10 при температуре от 213 до
398 К .... .............................................. 60 В
Импульсный прямой ток через любое число диодов или
любой одиночный диод при ти С 10 мкс без превы-
шения среднею прямого тока при температуре:
ог 213 до 323 К................................... 1500 мА
при 398 К.......................................... 750 мА
Средний прямой гок через любое число днодов пли лю-
бой одиночный диод при /пр „ С 600 мА при темпе-
ратуре :
от 213 до 323 К.................................... 300 мА
при 398 К............................................80 мА
Средний прямой ток через любое чис. о диодов пли
любой одиночный диод прн температуре:
от 213 до 323 К при /11р „ = 1500 мА............... 200 мА
при 398 К и /пр,„=750’ мА............................60 мА
Температура окружающей среды.............................Oi 213 до
398 К
Температура перехода для 2ДС628А....................... 428 К
мА
1,6
V
0,8
0,4
О 0,15 0,3 0,45 0,6 0,75 0,9 1,05 1,2 А
Зависимость импульсного прямого напряжения от импульсного пря-
мого тока.
244
Зависимость максимально допустимого среднего прямого юка от
температуры
Зависимость максимально до-
пустимого средне! о прямого то-
ка от максимально допустимого
импульсного прямого тока.
Зависимость максимально до-
пустимого среднего прямого то-
ка от максимально допустимого
импульсного прямого тока.
Зависимость максимально допустимого импульсного прямою тока
от температуры
2Д901А-1, 2Д901Б-1, 2Д901В-1, 2Д901Г-1, КД901А-1,
КД901Б-1, КД901В 1, КД901Г-1
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых планарных диодов.
Предназначены для работы в герметизированной аппаратуре.
Ьескериусиые с защитным покрытием и гибкими выводами. Тип
и полярность прибора приводятся па ярлыке, помещаемом в ииди-
245
видуальную тару. 31ак полярности располагается у общего вывода
(катода) в окне тары.
Масса матрицы нс более 10 мг
2Д307Я-7 гД901Б-1
КД301А-1 КД301Б-1
гдзо1в-1 гдзо1г-1
КД901В-1 КД301Г-1
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /, р 10 мкА. пе менее:
при 298 К............................... . ... 04В
прн 358 К.......................................0.2.3 В
Постоянное прямое напряжение при 7,|р = 1 мА, не более:
прн 298 К......................................... 0.7 В
прн 213 К........................................ 0,9 В
Постоянный обрашый ток при (оГ1р 10 В. не более,
при 298 К.............................................0.2 мкА
при 358 К.........................................1.0 мкА
Время восс 1НОВ.1СННЯ обратного сопротивления при исрс-
к но юниц с 5 мА посто иного прямого тока на 10 В
обратного напряжения при уровне отсчета обратною
гока 2 мА, пе более................................... 20 нс
Общая емкость при постоянном напряжении смещения
0,1 В. f 1 : 10 МГц, не ботее.......................... 4 пФ
Нртдс.и.ные эксплуатационные данные
Обратное напряжение любой формы и периодичное™ прн
TCMnepaiype oi 213 до 358 К............................ 10 В
Постоянны! прямой ток (суммарный ток всех диодов
матрицы) при температуре от 213 до 358 К ... . 5 мА
Импульсный прямой ток при т„ 10 мкс и /1р ср < 5 мА
ври температуре от 213 до 358 К.......................100 мА
Температура окружающей среды...........................От 213
до 358 К
Примечания: 1 Расстояние от места пайки (сварки) до защит-
ного покрытия должно быть нс менее 2 н не более 7 мм Нагрев
кристалла и защитного покрытия при панке (сварке) не выше 358 К
Расстояние места нзтмба от защитного покрытия не менее. 0,3 1мм
246
Не допускается соприкосновение выводов с кристаллом и перегиб
выводов на инструменте с острыми краями
2. При включении матриц в измерительную или испытательную
схему, находящуюся под напряжением, общий вывод (катод) должен
присоединяться первым и отключаться последним
3. Защитное покрытие матриц изготовлено из эмали ЭП 91.
4. Допускается работа матриц при температуре 398 К, при этом
типовое значение обраитого тока равно 1—3 мк/Х, а типовое значе-
ние прямого напряжения 0,17 — 0,23 В.
Зависимость импульсною нря
мою тока от длительности им-
пульса.
Зависимость обшей емкости
диода от напряжения
2Д903А. 2Д903Б, КД903Л, КД903Б
Диодные матрицы, состоящие its кремниевых планарных диодов.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип
прибора указывается па корпусе Матрицы 2Д903Н, КД903Б выпус-
каются без выводов 12 и 13
Масса матрицы не более 0,5 г.
247
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /,,р = 75 мА. нс более:
от 298 до 343 К.................................... 1,2 В
прн 213 К....................................... 1.3 В
Постоянный обратный ток прн С'обр= 20 В. не более:
от 213 до 298 К.....................................0.5 мкА
при 343 К........................................5.0 мкА
Время восстанов тения обратного сопротивления при
Л1Р, и= 0.3 А, {/Обр. и= Ю В, 1ОКЧ = 1 мА, не более . . . 150 нс
Общая емкость диода при С 6р= 5 В,/= 1 10 МГц, нс
более.............................................. 10 пФ
Импульсное прямое напряжение прн /пр „-0,3 Л,
т„ = 3 мкс, нс более................................ 2,3 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 до 343 К......................................... 20 В
Суммарный постоянный прямой юк через все диоды или
через один любой при температуре от 213 до 343 К . . . 75 мА
Импульсный прямой ток при т„ < 3 мкс, /пр ср= 75 мА
и температуре от 213 до 343 К........................0,35 А
Импульсное обратное напряжение при т„ С 3 мкс, скваж-
ности не менее 10 и температуре от 213 до 343 К . . . 30 В
Температура окружающей среды.........................От 213
до 343 К
Зависимость обшей емкости
диода от напряжения
248
Зависимость времени восстанов-
ления обратною сопротивления
от импульсною прямого гока.
Зависимое 1ь импульсного пря-
мого тока от длительности им-
пульса.
2Д904А-1, 2Д904Б-1, 2Д904В-1, 2Д904Г-1, 2Д904Д-1,
2Д904Е-1, КД904Л-1, КД904Б-1, КД904В-1, КД904Г-1,
КД904Д-1, КД904Е-1
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых планарных диодов.
Предназначены дзя работы в герметизированной аппаратуре.
Бескорнусные с защитным покрытием и гибкими выводами Тнп
прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся па
ярлыке, помещаемом в индивидуальную тару В матрицах 2Д904А-1,
КД904А-1 один диод, 2Д904Б-1. КД904Б-1 - два, 2Д904В-1, 2Д904Д-1,
КД904В-1, КД904Д-1 - три. 2Д904Г-1,2Д904Е 1. КД904Г-1. КД904Е-1 -
четыре.
Масса матрицы нс более 10 мг.
гДЭ0ЧА~1 гД804Б-1
КД904Д-7 КД90ЧБ-7
гдзочв-ад-! 2Д90ЧГ-Ц-1
КДЭОЧВ-1^-1 КД90ЧГ-1,Е-1
249
Электрические параметры
Постоянное прямое ширяжеиис при 1„р= 0.01 мА. не менее:
при 298 К.........................................0.45 В
прн 358 К.........................................0.31 В
Постоянное прямое напряжение при /11р = I мА не более-
при 298 К......................................... 0,8 В
при 213 К......................................... 1.05 В
Постоянный обратный ток при I7ofip= '0 В. не более:
при 298 К...........................................0.2 мкА
при 358 К.......................................10 мкА
Разность прямых напряжений двух диодов из числа пер-
вых трех диодов при /пр от 0,05 мА до 0,5 мА для
2Д904Д-1, 2Д904Е-1, КД904Д-1. КД904Е-1. не более 10 мВ
Время восстановлення обратного сопротивления при
7пр = 5 мА, t'o6P, и= 5 В, не более................. 10 нс
Общая емкость каждого диода при (7о6р 0.1 В,
/= 1 — 10 МГц, нс более............................. 2 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение любой формы и периодичное-! и при
температуре от 213 до 358 К........................ 10 В
Импульсное обратное напряжение при т„< 2 мкс. скваж-
ности не меиее 10 и температуре от 213 ло 358 К . . . 12 В
Средний выпрямленный ток (суммарный ток всех диодов
магрины) при температуре ог 213 до 358 К . . . . 5 мА
Импульсный прямой ток при т„< 10 мкс и /пр tp<5 мА 100 мА
Температура окружающей среды........................Ог 213 до
358 К
Примечания: 1. Расстояние от меча пайки (сварки) до за-
щитного покрытия должно быть ис менее 2 мм и не более 7 мм.
Haiрев кристалла и защитного покрытия нри пайке (сварке) нс выше
358 К.
2 . Допускается изгиб вывода иа расстоянии ие менее 0,3 мм от
защитного покрытия
3 Нс допускается соприкосновение выводов с кристаллом и перегиб
выводов иа инструменте с ос рыми краями.
4 При включении матрицы в измерительную или испытательную
схему, находящуюся под напряжением, общий вывод (анод) должен
присоединяться первым и отключаться последним.
5 Защитное покрытие матриц изготовлено из эмачи ЭП-91
250
Зависимость заряда переключения
от постоянного прямого тока.
Зависимость заряда переключе-
ния oi постоянного обратного
напряжения.
Зависимое! ь импульсною пря-
мого юка о г длительное! и им-
пульса.
Зависимость импульсного пря-
мого напряжения от импульспо
го прямого тока прямоугольной
формы с временем нарастания
фронта 2 — 3 нс.
диода от обратного напряжения.
251
2Д906А, 2Д906Б, 2Д906В, КД906А, КД906Б, КД906В,
КД906Г, КД906Д, КД906Е
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых эпигаксиат .но-
планарных диодов.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип
прибора указывается на корпусе: тины 2Д906А, КД906А обозначаются
2Д906, КД906; 2Д906Б, КД906Б — 2Д906, КД906 — с одной красной
точкой, 2Д906В, КД906В - 2Д906. КД906 — с двумя красными точками
Белая полоса и рельефный знак ставя юя у четвертого вывода.
Масса мшрицы пс более 0.6 г.
КП ЗОЕ Г-Е
Э.ккчрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /|1р = 50 мА. пс бо ее:
при 298 К............................................ 1 В
при 213 К дтя 2Д906А, 2Д906Б. 2Д906В и при 218 К
для КД906А. КД906Б, КД906В. КД906Г, КД906Д.
КД906Е........................................ 1,2 В
Импульсное прямое напряжение при /1|р „ = 2 А,
/11р ср= 30 мА, т„= 10 мкс, пс более................. 5 В
Постоянный обратный юк при </о5р = 75 В для 2Д906А,
КД906А. КД9061 , бо5р= 50 В для 2Д906Б, КД906Б,
КД906Д, t'o5p=30 В для 2Д906В, КД906В. КД9()6Е,
пс более:
при 298 К....................................... 2 мкА
при 398 К для 2Д906А, 2Д906Б. 2Д906В .... 75 мкА
при 358 для КД906А, КД906Б. КД906В, КД906Г,
КД906Д, КД906Е..................................100 мкА
В [тем я восстановления обратного сопротивления при
7цр, м=50 мА 1/о5р и= 20 В ис более.................. 2 мкс
Время установления прямого сопротивления при /пр и = 2 А,
/нр ср= 30 мА, т„= 10 мкс. не более.................. 1 мкс
Общая емкость при 6/одр= 5 В, /=1 = 10 МГц, не более:
2Д906А, 2Д906Б, 2Д906В, КД906А, КД906Б, КД906В 20 пФ
КД906Г, КД906Д, КД906Е...............................40 пФ
252
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре oi 213
до 398 К для 2Д906А, 2Д906Б. 2Д906В и от 218 К
до 358 К для КД906А, КД906Б. КД906В, КД906Г.
КД906Д. КД906Е-
2Д906А, КД906А, КД906Г....................... 75 В
2Д906Б, КД906Б, КД906Д....................... 50 В
2Д906В, КД906В, КД906Е....................... 30 В
Импульсное обратное напряжение при т„< 10 мкс (при
подаче импульса о рицателыюй полярности не менее
чем через 3 мкс после окончания импульса прямого
тока) при темпера type от 213 до 398 К для 2Д906Л
2Д906Б, 2Д906В и oi 218 до 358 К для КД906А,
КД906Б, КД906В. КД906Г, КД906Д. КД906Е.
2Д906А КД906А ................................ 100 В
2Д906Б, 2Д906В, КД906Б, КД906В, КД906Г, КД906Д.
КД906Е........................................ 75 В
Постоянный средний прямой ток пли выпрямленный ток
для одного (любого) диода матрицы при температуре:
от 213 до 323 К для 2Д906А, 2Д906Б, 2Д906В ... 200 мА
при 398 К для 2Д906Л 2 1 'Об Ь 2Д906В .... 25 мА
от 218 до 323 К для КД906А. КД906Б, КД906В,
КД906Г. КД906Д. КД906Е........................100 мА
при 358 К для КД906А, КД906Б, КД906В, КД906Г,
КД906Д, КД906Е................................30 мА
Импульсный прямой ток для одного (любого) дио*а
матрицы при т„< 10 мкс:
при /пр ср = 30 мА и температуре от 213 до 398 К
для 2Д906Л. 2Д906Б, 2Д906В и от 218 до 358 К для
КД906Л, КД906Б, КД906В. КД906Г. КД906Д. КД906Е 2 Л
при /|1р Ср= 60 мА и температуре ог 213 до 363 К
для 2Д906А, 2Д906Б. 2Д906В.................... 1 Л
Частота без снижения режимов...................... 500 кГц
Температура окружающей среды:
2Д906А, 2Д906Б. 2Д906В.........................От 213 до
198 К
КД906А, КД906Б. КД906В, КД906Г, КД906Д,
КД906Е.........................................От 218 до
358 К
Примеч а п и я: 1. Допускае1ся параллельное соединение млрпн.
При работе в качестве выирямшетыюго моста общий прямой ток
не должен превышать 0.7 tilllp ср, где и чис ю иараллс н>ио соединен-
ных матриц.
2. Допускается последовательное соединение матриц, при этом
каждую из них рекомепд гтся шунтировать выравнивающим конден-
сатором.
3. Допускаеюя пайка па расстоянии 1 мм от корпуса матрицы
к металлической детали плошадыо не менее 7 мм2 отовяппо-евпп-
цовым припоем при температуре нс выше 473 К
253
Зависимость постоянного пря-
мого тока от температуры.
2Д907Ь-1, 2Д907Г-1, КД907Б-1, КД907Г-1
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых эгнпаксиатьно-пла-
париых диодов Предназначены для работы в герметизированной
аппаратуре
Бескорнусные с защитным покрытием и гибкими выводами Тип
прибора и полярность указываются па крышке индивидуальной тары.
Масса матрицы не более 5 мг.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр — 50 .мА'
при температуре
от 298 до 358 К........................... 0,75* 0,85* -1 В
при 213 К, не более........................... 1,3 В
254
Постоянный обратный ток при [7о6р = 40 В
и температуре
от 213 до 298 К .....................
при 358 К, не более..................
Заряд переключения при /пр и = 50 мА
^обР.и=«0В..................’..........
Общая емкость при [7о6р =0. f = 1 -=-
-F 10 МГц..............................
0,05*-0,25*-5 мкА
50 мкА
100*-250*-500 нКл
1* —2,5* —5 пФ
Прете 1ьные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 до 358 К ..................................... 40 В
Импульсное обратное напряжение при ти С 2 мкс. скваж-
ности, большей или равной 10, н температуре от
213 до 358 К...................................... 60 В
Суммарный средний прямой ток через все диоды или
любой одиночный диод прн температуре:
от 213 до 333 К ..............................50 мА
при 358 К.....................................30 мА
Суммарный импульсный прямой ток прн тн С 2 мкс,
А1р.ср.макс через все диоды или любой одиночный диод
прн температуре:
от 213 до 333 К............................... 0,7 Л
при 358 К..................................... 0,5 Л
Температура окружающей среды......................От 213
до 358 К
Температура перехода.............................. 378 К
Примечания: I. Допускается изгиб выводов па расстоянии
не ближе 1 мм от защитного покрытия с радиусом закругления
нс менее 0,3 мм. Длина выводов от места выхода из защитно-
го покрытия до места закрепления должна быть не бот ее 6 мм
2. Защитное покрытие матриц изготовлено из эмали ЭП-91.
Зона возможных положении зави-
симости установившегося прямого
напряжения от импульсного пря-
мого тока.
255
Зона возможных положений за-
висимое ги 1ряла переключения
от прямою тока.
Зона возможпь х положений за-
висимое ги обшей емкости диола
о г напряжения.
Зависимое 1ь среднего прямого
тока от температуры
Зависимость импульсного пря-
мого тока от температуры.
2Д908А, КД908А
Диодные матрицы, сосгоя| inc из кремниевых эппгаксиалыю-
U (аиариых диодов. Предназначены для работы в импульсных пере-
ключающих схемах с малым временем восстановления обратного
сопротивления
Выпускаются в металлостскляшюм корпусе с гибкими вывода-
ми. Тип прибора указывае!ся на корпусе. Maipnna состои» из
восьми диодов с общим катодом. Аноды диодов соединены с вы-
водами 1 —8, выводы катода — 9—12.
Масса матрицы не более 0,63 г
256
Электрические параметры
Лостоятшое прямое напряжение при /пр = 200 мА, нс
более, при темпера гуре:
от 298 до 398 К для 2Д908А п от 298 до 358 К
для КД908А....................................... 1,2 В
при 213 К........................................ 1,5 В
Постоянный обратный ток при t/OQp = 50 В. нс ботсс.
прн температуре:
от 213 до 298 К.................................... 5 мкА
нри 398 К для 2Д908А и 358 К для КД908А . . . 100 мк?Х
Время восстановления обратного сопротивления при
/,,р = 200 мА, Со6р„ = 1 В, /отеч = 3 мЛ, не
более .............................................. 30 нс
Общая емкость одного диода при С’и5р = 0 В, f=
= 1 — 10 МГц, пс более................................. 5 пФ
Предельные эксп; уатапиониые данные
Постоянное обратное напряжение при температуре
от 213 до 398 К дчя 2Д908Л........................ 50 В
от 213 до 358 К для КД908А..................... 40 В
Импульсное обратное напряжение при ти С 10 мкс скваж-
ности нс менее 10 и температуре от 213 до 398 К для
2Д908А и от 213 до 358 К для КД908А................ 60 В
Суммарный средний прямой ток через вес диоды пли
любой одиночный диод при температуре
от 213 до 323 К для 2Д908 и от 213 до 308 К
для КД908А..................................... 200 мА
при 398 К для 2Д908.А и 358 К для
КД908Л.........................................100 мА
Суммарный импульсный прямой ток при т„ < 10 мкс
бет превышения /„р.ср.Макс через все диоды или любой
одиночный диат при температуре
от 213 до 323 К для 2Д908 и от 213 до 308 К
для КД908А..................................... 1500 мА
при 398 К для 2Д908Л и 358 К для
КД908А......................................... 750 мА
Температура окружающей среды
2Д908А.............................................От 213
до 398 К
9 цод рад, Н Н Горюнова
257
КД908А.......................................От 213
до 358 К
Температура перехода для 2Д908А.................. 423 К
Зона возможных положений зави-
симое in общей емкости лиода от
обратною напряжения.
Зона возможных положений за-
висимости заряда переключения
от постоянною прямою тока.
Зависимость среднею прямою
тока or температуры.
Зона возможных положений за-
висимости прямою yciaHo-
вившегося напряжения от им-
пульсного прямого тока.
Зависимость импульсного пря-
мою тока от температуры»
КД909А
Диодная матрица, состоящая из кремниевых эпитаксиально-
планарных диодов.
Выпускается в пластмассовом корпусе с i некими выводами.
Тип прибора указывается mi корпусе. Матрица состоит из восьми
диолов с общим катодом. Аноды диодов соединены с выводами
1 —S. выводы катода — 9—10.
Масса матрицы не более 0 58 г.
Электрические парамеI ры
Постоянное прямое напряжение при /11р = 200 мА, нс
более:
прн 298 К......................................... 1,2 В
при 213 К....................................... 1.5 В
Посюяниый обратный ток при СоС1р = 40 В, не белее:
при 213 и 298 К..................................... 10 мкА
при 358 К.......................................100 мкА
Время восстановления обратного conpoi ив 1ення при
500 мА, Со5р.„ 10 В, /о,с„ = 5 м\. не
более ............................................ 70 нс
Общая емкость при Со5р = 0 В, f= 1 : 10 МГн не
более............................................... 5 нФ
Пр цельные зкеплуатанионные данные
Постоянное обратное напряжение....................... 40 В
Суммарный постоянный прямой ток (и in среднее зна-
чение) через все диоды пли через одни любой
диод................................................. 200 мА
Импульсный прямой ток при т„ < 3 мкс бет превышения
предельного среднего тока при температуре:
oi 213 до 298 К ................................. 1500 мА
при 358 К........................................1200 мА
Температура окружающей среды.........................От 213
до 358 К
258
9*
259
Зависимое ib импульсного пря-
мою гока от температуры.
Зависимость импульсного пря-
мою тока от д/ипелыюстп им-
пульса.
2Д910А-1, 2Д910Б-1, 2Д910В-1, КД910А-1, КД910Б-1,
КД910В-1
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых планарных диодов.
Предназначены для работы в герметизированной аппаратуре
Бескорпусные с защитным покрытием и гибкими выводами
Матрицы маркируются цветными точками 2Д910А-1, КД910А-1 —
красной, 2Д910Б-1, КД910Б-1 — двумя красными, 2Д910В-1,
КД9ЮН-1 - тремя красными. Гии н полярность прибора указыва-
ются на ярлыке, помещаемом в ищшвидуадьпую тару.
Масса матрицы не ботее 10 мг.
Э юкгрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 0 05 мА, ис
менее:
при 298 К................................................. 0,5 В
типовое значение........................................0,57* В
прн 358 К...............................................0,34 В
260
Постоянное прямое напряжение при /пр = 1 мА, не
более:
при 298 К............................................ 0,8 В
типовое значение.................................0,77* В
прн 213 К........................................ 1,1 В
Посюянный обратный юк при t'of-,p = 5 В, пс ботее:
при 298 К........................................... 0,5 мкА
типовое значение.................................0,02* мкА
при 358 К..........................................Ю мкА
Время воссишовлспня обратного сопротивления прн
Aip. и — 5 мА, ^обр. и “ 5 В, /отст ~ мА, скважности
пс менее 100, пс более........................... 5 пс
Общая емкость при С'о5р = 0,1 В, f = —10 МГц, нс
более ............................................1 . пФ
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение любой формы и пе-
риодичности прн темперЛуре oi 213 до 358 К . . . 5 В
Импульсный прях ой ток (суммарный ток всех диодов
матрицы) при температуре:
or 213 до 328 К ................................. 10 мА
при 358 К......................................... 5 мА
Температура окружающей ере ы..........................От 213
до 358 К
Примечания: 1 Расстояние от места папки (сварки) до
защитного покрытия должно быть нс менее 2 и нс ботее 7 мм.
Нагрев кристалла и защитного покрытия не выше 358 К Рас-
стояние места изгиба вывода от защитного покрытия не мепсс
0,3 мм.
2. Ilprt включении матрицы в из.мерщельпую пли испытатель-
ную схему, находящуюся под напряжением, общий вывод (анод)
должен присоедини।ься первым п отключаться последним.
3. Зашитое покрьппе изгоювлено из эмали ЭН 91.
Зависимость заряда переключе-
ния от прямого тока
Зависимость заряда переключе-
ния от обратного напряжения.
261
Зависимость импульсного пря-
мою тока от длительное! и им-
пульса.
Зависимость импульсного пря-
мого напряжения о г импульсно-
го прямого тока с временем
нарастания фронга 2 — 3 нс.
Зависимость общей емкости
диода от обратною напряжения.
Зависимость импульсною пря-
мого тока от температуры.
2Д911А-1, 2Д911Б-1, КД911А-1, КД911Б-1
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых планарных диодов
Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусныс, с защитим покрытием и гибкими выводами.
Количество диодов в матрице может быть i, 2 или 3 в зависи-
мости от заявок потребителя. Тип прибора и схема соед| нения
электродов с выводами приводятся па таре-спутнике. Матрицы мар-
кируются цветным кодом’ 2Д9ИА-1, КД9НА-1 черной точкой у
вывода катода, 2Д9НБ-1, КД911Б-1 — белой точкой.
Масса матрицы нс более 10 мг
262
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при 1„р 0.05 мА, нс
менее:
при 298 К
2Д9НА-1. КД911Л-1..............................0.62 В
2Д9ПБ-1. КД9ПБ-1 ..............................0.55 В
при 358 К
2Д9ПА-1, КД9НА-1................................. 0.5 В
2Д9ИБ-1, КД9ИБ-1 .............................. 0.4 В
Постоянное прямое напряжение при /1р = I мА. не
бо тес:
при 298 К для 2Д911А-1, 2Д9ИБ-1, КД911А I.
КД9НБ-1..........................................0.85 В
при 213 К для 2Д9ИА-1, 2Д9ИБ-1 и при 233 К
для КД911А-1, КД911Б-1.......................... 1.15 В
Постоянный обра1ный ток при {/обр = 5 В. не
более.
при 298 и 213 К для 2Д91IA I. 2Д91 lb I 298 К
и 233 К для КД911А-1. КД911Б-1 .... 0.5 мкА
при 358 К для 2Д911А-1, 2Д911Б I,
КД9НА-1, КД911Б 1 ................... 10 мкА
Время восстановления обратного сопротивления
при /Пр и = 5 мА, Соор,и = 1.5 Б. Азтсч 5.5 мА.
2Д911А-1, КД911Л 1 ........................ 30-70*-140* нс
2Д911Б-1, КД911Б-1..................... 80-100*-180* нс
Предельные жп туагациоииые тайные
Постоянное обратное напряжение нри температуре от
213 К до 358 К для 2Д9ПА-1, 2Д9ПБ-1 и от 233
до 358 К для КД911Л-1, КД911Б-1.................
Постоянный прямой ток (суммарный ток всех диодов
матрицы) при температуре
от 213 К до 328 К для 2Д911А-1. 2Д911Б-1 и
от 233 до 328 К для КД911А-1, КД911Б I . . . . 10 мА
при 358 К для 2Д911А1, 2Д911Б1, КД911А-1.
КД911Б1............................................ 5 мА
263
Температура окружающей среды:
2Д911А- , 2Д911Б-1..................................От 213
до 358 К
КД911А-1. КД91 Б-1..................................От 233
до 358 К
Примечания: I. Защитное покрытие матриц изготовлено
из эмали ЭП-91
2. При пайке выводов не допускается натрев кристалла и за-
щитною покрытия свыше 373 К.
3. Минимальное расстояние от места пайки (сварки) до защит-
ного покрытия должно быть нс менее 1 мм.
4. При эксплуатации матриц в аппаратуре должен быть обес-
печен отвод теплоты от кристалла с общим тепловым сопро-
тивлением нс более 3 К.мВт.
5. Допускается изгиб вывода на расстоянии не ближе 0,3 хм
от защитного покрытия.
6 При включении диодных матриц в измерительную или испы-
тательную схему, находящуюся под напряжением, базовый вывод
(катод) должен присоединяться первым и отключаться последи им.
Зависимость времени восста-
новления обратною сопротив-
ления от прямою тока.
Зависимость времени восстанов-
ления обратною соттротив. сипя
от прямою тока
Зависимость прямого тока от
темпера гуры.
264
2Д912А-3, 2Д912Б-3, 2Д912В-3, КД912А-3, КД912Б-3,
КД912В-3
Диодные матрицы состоящие из кремниевых планарных диодов.
Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре.
Бсскорпусные с жесткими выводами без криоа ьчолержателя.
Число диодов в матрицах в зависимост от заявок потреби-
телей — 1 (диагональный), 2, 3. Тип прибора указывается на ярлыке,
прилагаемом к групповой таре. Вывод анода имеет боль.. диаметр.
Масса матрицы не более 10 мг.
ФО, 25 ФО,18
Э зскгрпчсские парамиры
Постоянное прямое напряжение при /|1р 50 мкА. не
менее:
при 298 К
2Д912Л-3, КД912Л-3.................................. 0,5 В
2Д912Б-3. КД912Б-3................................0.62 В
2Д912В-3, КД912В-3................................0,55 В
при 358 К
2Д912А-3. КД912А-3..................................0.35 В
2Д912Б-.3, КД912Б-3...............................0,47 В
2Д912В 3. КД912В 3................................ 0,4 В
Постоянное прямое напряжение при /пр I мА. не
более:
при 298 К
2Д912А-3, КД912А-3.................................. 0,8 В
2Д912Б-3, 2Д912В-3, КД912Б-3, КД912В-3 . . . 0,85 В
при 213 К
2Д912А-3, КД91 АЗ................................. 1.1 В
2Д912Б 3, 2Д912В-3, КД912Б-3, КД912В-3 . . . 1.15 В
Постоянный обратный ток при (7о6р = 5 В.
при 298 К.........................................0,2 мкА
при 358 К.........................................5,0 мкА
165
при 213 К для 2Д912Б-3, 2Д912В-3, КД912Б-3,
КД912В-3..............................................О 5 мкА
Время восстановления обратного conpoi ив.тсния при
I = 2 мА, 1/оГ)р.и=5 В /Отсч = 2 мА «с более:
2Д912А-3, КД912А-3....................................... 5 нс
2Д912Б-3, КД912Б-3.................................. 30 нс
2Д912В-3, КД912В-3.................................. 80 нс
Общая емкость при Uw, =0,1 В f 1 10 МГц, не
более...................................................1,8 пФ
Предельные эксплуат анионные данные
Посюянпос (или импульсное любой формы и периодич-
ности) обратное напряжение при гемпсратуре or 213
до 358 К............................................. 5 В
Импульсный прямой ток (суммарный ток всех диодов
магрины) при температуре:
от 213 до 328 К ................................... 10 мА
при 358 К......................................... 5 мА
Постоянный прямой ток, средний выпрямленный юк
(суммарный ток всех диодов матрицы) при темпе-
ратуре:
от 213 до 328 К .................................3,5 мА
прут 358 К........................................20 мА
Температура окружающей среды..........................От 213
до 358 К
Примечания I. При монтаже матриц допускается вомей-
ствие на них температуры 573 К (2Д912А-3, КД912А-3) и 673 К
(2Д912Б-3, 2Д912В-3, КД912Б-3 КД912В-3) не более 5 с при кон-
тактировании с контактными площадками мпкроила гы. Допускается
нагрев на воздухе до 503 К не более 3 мин, а до 423 К в
течение 2 ч.
2 При эксплуатации диодных матриц должен бьпь обеспечен
отвод теплоты с общим тепловым сопротивлением не более 3 К мВт.
Зависимость импульсного прямого
напряжения ог импульсного пря-
мого тока с временем нарастания
фронта 2 — 3 нс
266
Зависимое ib импульсного прямого
тока ог .1 шге ibiioci и импульса.
Зависимость общей емкости
диола от напряжения
Зависимое >ь времени восс1анов-
лення oi пмпу тьсного обратно-
го напряжения.
Зависимость времени восстанов-
ления oi импульсного обрат-
ного напряжения.
Зависимость прямого тока от
Зависимость импульсного пря-
мою тока от температуры.
температуры
267
2Д913А-3, К I913A-3
Диодные матрицы, состоящие из трех кремниевых планарных
инодов с обшим катодом. Предназначены для применения в гер-
метизированной аппаратуре
Бескорнусные с жеокпын без крпста.т.тодержа геля выводами.
Тип прибора указывается на ярлыке, i рилагасмом к групповой
таре. Общий вывод (катод) маркируется.
Масса матрицы не бо iee 2 мг.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /1|р =
= 10 мкА:
при 298 К.............................. 0.4 0 45*-0,48* В
при 358 К. не менее.................. 0,23 В
Постоянное прямое напряжение прн /,|р —
= 1 мА
при 298 К............................ 0 61* —0.62* —0,7 В
при 213 К нс более................... 0,9 В
Разность посюяпных прямых напряжений
диода при/пр1 = 10 мкА,/пр2 = I мА . . . 0.16* —0 17* —0.25 В
Постоянный обратный ток при С'о,-,р = 10 В'
при 298 и 213 К...................... . 0.001 *-0,002*-0.2 мкА
при 358 К. не более.................. 1 .мкА
Время воссгановлеиия обратного сопротив-
ления при /при = 5 мА, 6/оСр.„ =10 В,
/о,я = 2мА................................ 2* —2,5* — 10 нс
Общая емкое!ь диода при 1/обр = 0,1 В
f 1 = 10 МГц................................ 2* —2,6* —4 пФ
Преле тьиые эксплуатационные данные
Постоянное (или импульсное) обратное напряжение диода
при температуре ог 213 ло 358 К......................... 10 В
Суммарный прямой ток через все тиолы или через
любой диод прн температуре от 213 до 358 К . . . 5 мА
268
Импульсный прямой ток диода прн т„ < 10 мкс без
превышения /„р^акс при температуре:
от 213 до 308 К ................................... 200 мА
при 358 К...........................................120 мА
Температура окружающей среды.............................От 213
до 358 К
Примечания 1, При монтаже допускается однократный
нагрев матрицы до 373 К в течение не более 6 с с подачей
ультразвуковых колебаний и нормальным давлением на кристалл до
200 г.
2. Выводы матриц медные, покрытые припоем ПСрОСЗ-58.
Зависимость импульсного пря-
мот о напряжения от импульсно-
го прямого тока.
Зависимость общей емкости
диода от напряжения.
Зависимость заряда переключе-
ния от импульсного прямого
тока.
Зависимость импульсного пря-
мою тока от температуры.
269
КД914А, КД914Б, КД914В
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых диолов, изготов-
ленных ПО ТДСКТрОИПО-ПОИНОЙ ТСХНОЛОТ ин
Выпускаются в пластмассовом корпусе с т ибкимп выводами
Тип прибора укатывается иа его корпусе.
Масса матрицы не более 0,3 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /„р = 5 мА
при 298 К тте более .... .......... 1 В
при 358 К..........................................От 0,45
'Ю 1 В
при /, -0.2 мА и 298 К. не менее................0,55 В
Постоянный обратный ток при 1/^ = 20 В. не более:
при 298 и 218 К.......................................1.0 мкА
нри 358 К...........................................Ю мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение..................... 20 В
Постоянный прямой ток..............................20 мА
Импульсный ток при т„ < 10 мкс.....................50 мА
Средняя рассеиваемая мощность при температуре:
ог 218 до 343 К....................................50 мВт
нри 358 К......................................25 мВт
Температура окружающей среды.......................От 218
до 358 К
270
Зависимость времени восстановле-
ния от постоянного прямоте тока.
Зависимость импульсного пря-
мого тока от длительности им-
пульса.
Зависимость средней рассеивае-
мой мощности от температуры,
2Д917А, КД917А
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых щппаксиально-
пдаиариых диолов
Выпускаются в мега ллостекляниом корпусе с гибкими вывода-
ми. Тип прибора указывается па его корпусе. Матрица состоит
из восьми диодов с общим анодом. Катоды диолов соединены
с выводами 1 8 выводы анода — 9— 12.
Масса матрицы не более 0,63 г.
12
7 2 J Ч 5 б 7 в
11
10
9
271
Элсктри'ескис параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр= 200 мА:
при 298 К
2Д917А..................................0,9-1,06*-1,2 В
КД917Л. не более....................... 1.2 В
при 398 К для 2Д917А....................От 0.8 до 1,2 В
прн 213 К для 2Д917А....................От 1.05 до 1,2 В
Постоянный обратный ток прн СоЕр = 50 В
при 298 и 213 К............................0.01*-0.1*-5 мкА
при 398 К для 2Д917А и 358 К для
КД917А, не более.......... ............. 100 мкА
Время восстановления обратного сопротивления:
2Д917А при /,,р „ = 200 мА, = Ю В,
I 3 мА ..............................6* —11* —50 пс
'О1сч л ........................
КД917А при /,ри 10 мА, СоСр11 = 10 В
/огсч = 2 мА. нс более................................. 10 нс
Общая емкость диода при б,'(,ор= 03)5 В . . . . 2* —3,5* —6 пФ
Общая емкость всех диодов прн l/oSp= 0,05 В,
/=1 -10 МГц, нс более..................................... 40 пФ
Заряд переключения с /,,р. „ 50 мА на „= 10 В
для КД917А, не более............................. 1000 пКл
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
2Д917Л при температуре от 213 до 398 К . . . 50 В
КД917А при температуре от 213 до 358 К. . . 40 В
Импульсное обратное напряжение при ти< 10 мкс,
скважности пс менее 10 (т„ определяется па уровне
4/о6р= 50 В) и температуре от 213 до 398 К для
2Д917А и от 213 до 358 К для КД917Л ... 60 В
С ммарныи средний прямой ток через все диоды
или любой один диод при температуре:
от 213 до 323 К для 2Д917Л и от 213 до
308 К для КД917А............................ 200 мА
при 398 К для 2Д917А и при 358 К для
КД917А .... . - 100 мА
Суммарный импульсный прямой ток при ти< 10 мкс
без превышения /пр ер маж через все диоды или
любой один диод при температуре:
от 213 до 323 К для 2Д917А и от 213 до
308 К дтя КД917А........................... 1500 мА
при 398 К для 2Д917А и при 358 К для
КД917Л...................................... 750 мА
Темпера тура окружающей среды:
2Д917А...................................От 213 до 398 К
КД917А...................................От 213 до 358 К
Температура перехода для 2Д917А................. 423 К
Примечание. Допускается обрезка неиспользуемых анодных
выводов на расстоянии пс ближе 0,3 мм от корпуса.
272
Зависимость общей емкости
диода oi обратного напряжения
Зависимость заряда переключе-
ния or постоянною прямого
тока.
Зависимость импульсного пря-
мого напряжения от импуль-
сною прямого тока.
Зависимость постоянного пря-
мого тока от температуры
Зависимость импульсною пря-
мого тока от температуры.
273
2Д918Б-1, 2Д918Г-1, КД918Б-1, КД918Г-1
Диодные марины, состоящие из кремниевых эпшаксиально-
планарных диолов. Пред ia шачсиы для применения в герметизиро-
ванной аппаратуре.
Бсскорпуспые с защитным покрытием и гибкими выводами. Тип
прибора и схема соединения элек родов с выводами приводя 1ся на
крышке тары-сиу ника.
Масса мприцы нс более 5 мг.
1(1) 2(3)
3(9)
КД 918 Г-1,
2Д918Г 1
КД918Б-1,
2Д918Г-1
Электрические параморы
Постоянное прямое напряжение при /11р = 50 мА,
нс более:
при 298 и 358 К.......................... 1 В
нри 213 К
2Д918Б-1 2Д918Г-1............................. 1,3 в
КД918Б-1, КД918Г-1..................... 1 5 В
Посюяниый обратный ток прн б'(Лр = 40 В. не более:
при 298 и 213 К
2Д918Б-1,2Д918Г 1 5 мкА
КД918Б-1, КД918Г-1.......................... 6 мкА
при 358 К
2Д918Б-1 2Д918Г 1........................... 50 мкА
КД918Б-1, КД918Г-1......................... 100 мкА
Заряд переключения при /, р „ 50 мА. ,,= 10 В.
IIC 6°iee............................ . . . 850 нК.ч
Общая емкость диола при С'оир= 0, f- I 10 МГц,
ис более..................................... 6 пФ
Время восстановления обра1ного сопротив |ения
"РИ 4р,и=Ю мА, <7оСр.„ =10 В, /огсч = 2 мА,
не более..................................... 4 нс
274
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре
от 213 ло 358 К............................. 40 В
Импульсное обратное напряжение при т„< 2 мкс,
скважное....... менее 10 и температуре от 213
до 358 К....................................... 60 В
Суммарный средний прямой ток через все диады
или любой одиночный диад при температуре.
ог 213 до 333 К.............................. 50 мА
при 358 К ................................... 30 мА
Суммарный импульсный прямой юк через все диоды
или любой диол при ти< 2 мкс, без превышения
максимального среднею прямого тока при тем-
пературе:
or 213 до 333 К............................. 0,7 А
при 358 К................................... 0,5 А
Температура окружающей среды................Ог 213 до 358 К
Температура перехода............................ 378 К
Примечания; 1. Защитное покрытие нзючовтспо из Эмали
ЭП-91.
2. При эксплуатации матриц в аппаратуре должен бьпь обеспечен
отпад теплоты с общим тепловым сопротивлением нс более 0.5 К/мВт.
Зависимость заряда переключения
от постоянного прямою юка.
Зависимость общей емкости
диада от обратного напряжения.
Зависимое i ь ус зановившег оси
прямого напряжения от импуль-
сного прямого тока.
0 0,1 0,4 0,6 0,8 1,0 А
275
Зависимость сре чисто прямого
юка от температуры.
Зависимость импульсного пря-
мого тока oi температуры.
2Д919А, КД919А
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых планарных диодов.
Выпускаются в мегаллопластмассовом корпусе с im6kh.mii выво-
дами. Тип прибора указывается на его корпусе. Матрица состоит
из 16 диодов с общим катодом. Аноды диодов соединены с выво-
дами / 16, выводы катода — 17, 18.
Масса матрицы нс более 1,2 г.
Э тектричсские параметры
Постоянное прямое напряжение диода при
/пр= 100 мА.
при 298 К.......................................От 0.85 до 1,35 В
при 358 К...................................Ot 0,75 до 1,4 В
при 213 К...................................От 0,95 до 1,4 В
Постоянный обратный ток при t/oC, = 40 В, не более:
при 298 и 213 К............................... ] МКА
при 35^ К................................. Ю МКД
Время восстановления образного сопротивления
при Д,р. „= ЮО мА, t'o6p. „= Ю В, /О1СЧ= Ю мА,
нс более......................................... 100 нс
Общая cMKocib каждого днодз при ( об — 10 В.
/=1-7-10 МГц. нс более............................ 6 пФ
Посюяппый обратный зок диода при С/о5р= 60 В,
не более.......................................... Ю0 мкА
Установившееся прямое напряжение диола при
/]р „= 400 мА, т„>0,5 мкс, нс более.............. 2,5 В
Импульсное прямое напряжение диода при
/11р , = 400 мА, 0.5 мкс пе более................ 9,4 В
Время усыновления прямою напряжения диола,
пе более.......................................... 40 нс
Предельные эксплуатационные тайные
Постоянное (или импульсное) обратное напряже-
ние при температуре от 213 до 358 К . . . . 40 В
Постоянный прямой ток матрицы или одною
любою лиода при темпера! ре
оз 213 до 308 К................................. 100 мА
при 358 К....................................... 75 мА
Импульсный прямой ток матрицы или одною лю-
бого лиода при 10 мкс, скважное!и более
10, прн температуре,
от 213 до 308” К................................... 700 мА
при 358 К...................................... 500 мА
Перегрузочный постоянный прямой зок диода
в течение 30 мин (одноразовый)..................... 125 мА
Средняя рассеиваемая мощность при температуре
от 213 до 358 К.................................... 180 мВт
Температура окружающей среды....................От 213 до 358 К
Зависимость времени восстанов-
ления обратного сопротивления
от постоянного прямого тока.
Зависимость пос оянпого пря-
мою тока от температуры
276
277
Зависимость общей емкости
диода or напряжения.
Зависимость обратного юка от
темпера туры.
Зависимость импульсною уста-
новившегося прямого напряже-
ния oi импульсною прямого
тока.
Зависимость постоянною пря-
мою напряжения or постоянно-
го прямою тока
2Д920А
Диодная .матрица, состоящая из кремниевых планарных диодов.
Выпускается в мсталлопластмассовом корпусе с т ибкнми выводами.
Тип прибора указывается па его корпусе. Матрица состоит из
16 диодов с общим анолом. Катоды диодов соединены с выводами
7 — 76, выводы анода — 77, 18.
Масса матрицы не ботес 1,2 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /11р= 100 мА
при 298 К.......................................Ог 0.9 до 1,5 В
при 358 К (7пр= 75 мА)......................От 0.85 ло 1,5 В
при 213 К...................................От 0.95 до 1,55 В
Постоянный обратный ток прн l/ogp = 40 В нс более
при 298 и 213 К............................... 1 мкА
при 358 К....................................... 10 мкА
Время восстановления обратного сопротивления
при 7пр— 100 мА, t/O6p>H= 17 В, /отсч Ю мА,
не более...................................... 100 нс
Общая емкость каждого диода при t/o5p= 10 В.
/=1 — 10 МГц, не более.............................. 6 нФ
Установившееся прямое напряжение при
/ в = 400 мА, пе более........................ 2,5 В
Преде.1 ьиые эксплуатационные таниыс
Постоянное или импульсное обратное напряжение
при температуре от 213 до 358 К............... 40 В
Постоянный прямой ток диода при температуре:
от 213 до 308 К................................... 100 мА
при 358 К....................................... 75 мА
Импульсный прямой ток диода при т„< 10 мкс,
скважности, большей или равной 10, при темпера-
туре:
'от 213 до 308 К................................... 700 мА
при 358 К...................................... 500 мА
Перегрузочный постоянный прямой ток в течение
30 ............................................... 125 мА
Средняя рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 308 К................................... 150 мВт
при 358 К ................................
Температура окружающей среды....................Or 213 до 358 К
278
Зависимость импульсного пря-
мого тока от темиершуры.
Зависимое 1 ь ус i аиовившсюся
импульсного прямого напряже-
ния ОТ импу IbCHOI о прямого
тока.
Зависимость обшей емкости
диода от напряжения
Зависимость времени восстанов-
ления обрапгого сопрогив |сиия
от импульсного прямою тока.
Зависимое 1ь времени восстанов-
ления обратною сопро1пвления
or импульсного обратного на-
пряжения.
Зависимость импульсного пря-
мого тока oi дтитсчьпости им-
пульса
280
Разд i седьмой
ВХРИКАПЫ
Д901А, Д901Б, Д901В, Д901Г, Д901Д, Д901Е
Варикапы кремниевые сплавные.
Выпускаются в металлостскляпиом корпусе с т ибкнми вывозами.
Тип прибора и схема соединений электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса варикапа не более 1 г.
Электрические парамст ры
Емкость варикапа при t/oCp= 4 В,/=1<-10 МГц:
Д901А, Д901Б...................................Or 22 до 32 пФ
Д901В, Д901Г...............................От 28 до 38 пФ
Д901Д. Д901Е...............................От 34 до 44 пФ
Коэффициент перекрытия по емкости
Д901А, Д901В, Д901Д при I оЯр =
4 -г 80 В..................................От 3,6 до 4,4
Д901Б. Д9011 , Д901Е при С/обр = 4-?45 В . . . От 2,7 до 3,3
Температурный коэффициент емкости. нс ботее
при b'rfip=4 В............................... 500-IO"6 1.К
при Го6р = 45 В.......................... 200 10 6 1 К
Добротность при Бобр = 4 В, f - 50 МГц и 293 К.
не менее.
Д901А. Д901В. Д901Д...................... 25
Д901Б. Д901Г, Д901Е...................... 30
Постоянный обратный ток при 0'обр = Б’оСр ма(х,
не бо тее *
при 213 К.................................... 10 мкА
при 298 К.................................... 1 мкА
при 398 К.................................... 50 мкА
Преде тытые эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
Д901А, Д901В, Д901Д.......................... 80 В
Д901Б, Д90Н , Д901Е...................... 45 В
Рассеиваемая мощность*
от 213 до 298 К.............................. 250 мВт
при 398 К................................ 50 мВт
Температура окружающей срсты...................От 213 до 398 К
281
Примечание Добрсяносгь варикапа при температуре выше
293 К определяется по формуле
С(Г) = С(293)[1 - 6-10“ 3(Т-293)],
где £>(293) — добротность при тем1ературе 293 К.
Зависимость емкости от напря-
жения.
Зивпсимость добротности от на-
пряжения.
Зависимость добротное! и от
температуры.
Зависимость добротности от Зависимость допуш имой рассен-
частоты. васмой мощности от темпера-
туры.
282
Д902
Варикап кремниевый сплавной
Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора н схема соединений элск1 ролов с выводами приводился
на корпусе.
Масса варнкана не более 0,6 г.
Элек i рические параметры
Емкость варикапа прн t/[j6p = 4 В,/=50 МГц . . . Oi 6 до 12 пФ
Коэффициент перекрытия по емкости , не ме-
нее ........................................ 2,5
Добротность при t/o(5p= 4 В. /=50 МГн, не менее 30
Постоянный обратный лок при t7o6p = UoCp маи. и
293 К, не более................................. 10 мкЛ
Предельные эксилуа i анионные данные
Постоянное обратное напряжение..............
Температура окружающей среды
25 В
От 233 до 373 К
283
Зависимое! ь добро uiocui от
час।о1 ы.
КВ101Л
ВI шкап кремниевый диффузионио-стшавпой Предназначен для
рабо1ы в радиокапсула.х медицинской радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускается в виде табле1ки с гибкими выводами. Тип прибора
указывается иа упаковке Положительный вывод маркируется черной
точкой.
М сса варикапа не более 0,05 г.
Этектричсекпе параметры
Emkocib варикапа при Т'о6р= 0.8 В.............. 200 пФ+20 %
Добро1нос1ь при £/о6р = 0.8 В иа часюге, не менее:
/-1 МГц.......................................... 150
J 10 МГц................................. 12
Постоянный обратный ток при (. о , -4 В. нс
более:
при 298 К........................................ 1 мкА
при 328 К..................................... 2 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение.............................. 4 В
Температура окружающей среды..................От 263 до 328 К
284
2В102А, 2В102Б, 2В102В, 2В102Г, 2В102Д, 2В102Е,
2В102Ж, КВ102А, КВ102Б, КВ 102В, КВ102Г, КВ102Д
Варикапы кремниевые диффузионно-сплавные.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими вывозами. Тип
прибора указывается на упаковке. Положительный вывод маркируется
цветной точкой: 2BI02 оранжевой, КВ102 -белой.
Масса варикапа не более 0.1 т.
Электрические параметры
Емкость варикапа при 17обр= 4 В./= 1 <-10 МГц:
2В1О2А...................................От 20 до 25 пФ
КВ102А...................................От 14 до 23 пФ
2В102Б...................................От 22 до 27 пФ
КВ 102В .................................От 19 до 30 пФ
2В102В...................................От 25 до 37 пФ
КВ102В...................................Or 25 до 40 пФ
2В102Г...................................От 14 до 22 пФ
КВ102Г...................................От 19 ло 30 пФ
2В102Д...................................От 19 до 28 пФ
КВ102Д...................................От 19 до 30 пФ
2В102Е...................................От 25 до 37 пФ
2В102Ж...................................От 19 до 28 пФ
Добротность при 1>'ейр= 4 В. /==50 МГц. не менее:
2В102А, KBI02A. 2В102Б. КВ102Б. КВ102В.
КВ102Д....................................... 40
2BI02B, 2В102Г. 2В102Ж....................... 50
2В102Д. 2В102Е, КВ102Г...................... 100
Постоянный обратный ток при 1'обР= Ц>бр. макс"
до 298 К................................... 1 мкА
ПР» Умам................................ 100 мкА
Претезытые эксплуатационные тарные
Обратное напряжение:
2В102А. 2В102Б, 2В102В. 2В102Г, 2В102Д,
2В102Е КВ102А. КВ102Б. КВ102В. КВ102Г . . 45 В
2В102Ж, КВ102Д.................................. 80 В
Рассеиваемая мощность:
до 323 К......................................... 90 мВт
ЧРИ ТМакс.................................... 20 мВт
Температура окружающей среды
2В10 А - 2В102Ж...........................От 213 до 393 К
KBI02A - КВ102Д...........................От 233 до 358 К
285
Зависимость емкости от напря-
жения.
Зависимость температурного
коэффициента емкости от на-
пряжения.
Зависимость добротное пт от
температуры.
Зависимоегь т е.мпсра т урного
коэффициента емкости ог тем-
пературы.
Z13Z93 313 333 353 373 393 К
Зависимость допустимой рассей
ваемоп мощности от те.мпсра-
ту ры.
2В103/\, 2В103Б, КВ103\, КВ103Б
Варикапы кремниевые эпитаксиальные Предназначены для приме-
нения в схемах умножения час госы
Выпускаются в мсгаллостсклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора п схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе
Масса варикапа в комплекте с крепежом нс более 15 г.
286
Элек I рпческие параме I ры
Емкость варикапа t'or,p = 4 В /— 1 — 10 MI ц:
2В103А. КВ103А...................................От 18 до 32 пФ
2В103Б, КВ103Б...............................От 28 ло 48 пФ
Добротность при f 'O6p=4 В./=50 МГц, не мснсс:
2В103А, КВ ЮЗА................................. 50
2В103Б, КВ103Б.............................. 40
Постоянный обратный ток при Бобр = 80 В не
бочее:
до 298 К........................................ 10 мкА
при /"маке.................................. 150 мкА
Преде 1Ы1ЫС эксилуа анионные данные
Постоянное обратное напряжение.................... 80 В
Рассеиваемая мощность:
от 213 до 323 К для КВ103А, КВ103Б и от
213 до 348 К для 2В103А 2В103Б ... 5 Вт
при Лткс..................................... 1,5 Вт
Температура корпуса:
2В103А 2В103Б.............................От 213 до 403 К
КВ103А, КВ103Б............................От 233 до 358 К
Примечание. При работе в предельных режимах отвод тепла
от варикапа должен осуществляться радиатором, эквивалентным плас-
тине с размерами 100x100x3 мм-’.
Зависимость емкост и от напряжения. Зависимость допустимой рас-
сеиваемой мощности ог тем-
пературы.
287
2В104А, 2В104Б, 2В104В, 2В104Г, 2В104Д, 2В104Е,
КВ104А, КВ104Б, КВ 104В, КВ104Г, КВ104Д, КВ104Е
Варикапы кремниевые диффузионно-сплавные.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора укатывается на упаковке. Положительный вывод мар-
кируется цветной точкой 2В104 — белой, КВ104 — оранжевой.
Масса варикапа не более 0.2 г.
Э.1ек|рические параметры
Емкость варикапа при СоВр = 4 В. /= 1 -=- 10 МГц:
2В104А. KBI04A.........................От 90 до 120 пФ
2В104Б, КВ104Б......................От 106 до 144 пФ
2В104В, КВ104В......................От 128 до 192 пФ
2В104Г, КВ104Г......................От 95 до 143 пФ
2В104Д, КВ104Д.....................От 128 до 192 пФ
2В104Е. КВ104Е.....................От 95 до 143 пФ
Добротность при б'„-,р=4 В,./=10 МГц, не менее:
2BI04A, 2В104Б 2В104В, 2В104Г, 2В104Д,
KBI04A, КВ104Б, КВ104В. КВ104Г. КВ104Д 100
2BI04E, КВ104Е.......................... 150
Постоянный обратны! ток прн t'of)p = Uoop ,ик.
до 298 К.............................. 5 мкА
при T,IJKC .............. 150 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное oopai юе напряжение:
2В104А, 2В104Б. 2В104В. 2В104Е, КВ104Л,
КВ104Б, КВ104В. КВ104Е............................ 45 В
2В104Г, 2В104Д. КВ104Г, КВ104Д.................... 80 В
Рассеиваемая мощность:
до 323 К............................................. 100 мВт
при ТМ1КС......................................... 30 мВт
Температура окружающей среды:
2В104 . . '......................................От 213 до 393 К
КВ 104.......................................От 233 до 358 К
288
Зависимость емкости or на-
пряжения
Зависимость температурного
коэффициента емкости от тем-
пературы.
Зависимость допустимой рассеи-
ваемой мощности от темпера-
туры.
Зависимость добротности от
темпера гуры.
2В105А, 2В105Б, КВ105А, КВ105Б
Варикапы кремниевые диффузионно-ставные.
Выпускаются в мсталлостскляппом корпусе с гибкими выводами.
Тин прибора и схема соединений ттсктродов с выводами приводя гея
на корпусе
Масса варикапа не более 2,5 г.
10 пол рс;г.‘Н. Н. Горюнова
289
Электрические параметры
Емкость варикапа при Ц>бр = 4 В,/= 1 МГц ... От 400 до 600 пФ
Коэффициент перекрытия по емкости, пе менее:
при t/oOp от 4 до 90 В для 2В105А, КВ105А 4
при Uofjp от 4 ло 50 В для 2В105Б, КВ105Б 3
Темпера!урный коэффициент емкости при СоСр —4 В,
не более..................................... 5-10-4 1 К
Добротность при t/o6p = 4 В, /= 1 МГц, не менее 500
Постоянный обратный ток при С'обр=б'обр макс,
не более:
от 213 до 298 К.......................... 20 мкА
при .................................. 150 мкА
Пределы 1ые эксплуа анионные данные
Постоянное обратное напряжение:
2В105А, КВ105А.................................. 90 В
2В105Б, КВ105Б.................................. 50 В
Рассеиваемая мощность:
ло 323 К....................................... 150 мВт
при Т агс ... ..................... 38 мВт
Температура окружающей среды:
2В105А, 2В105Б..............................Oi 213 до 398 К
КВ105Л, КВ105Б..............................От 213 до 373 К
Зависимость cmkocih от напря-
жения
Зависимость добротност от
температуры
Зависимость допустимой рас-
сеиваемой мо циос 1 и от тем
перату ры.
290
2В106А, 2В106Б, КВ106А, КВ106Б
Варикапы кремниевые эпитаксиально-диффузионные. Предназначе-
ны для применения в схемах умножения частоты.
Выпускаются в металлост екляштом корпусе с жесткими выводами.
Тин прибора и схема соединений э чек! ролов с выводами
приводятся иа корпусе.
Масса варикапа в комплексе с крепежом не более 15 г.
ФБ.35
Электрические парамсi ры
Емкость варикапа при Со5р = 4 В. J — 1 : 10 МГц:
2BI06A, КВ106А....................................От 20 до 50 пФ
2В10СБ, КВ106Б.............................От 15 до 35 пФ
Добротность при E'ofp — 4 В,/= 50 МГц, пе менее
2В106Л, КВ106Л..................... 40
2В106Б, КВ106Б................ 60
Постоянный обратный ток при Го6р = Б'о0р. макс-
не более:
от 213 до 298 К........................ 20 мкА
..„и т ........... 150 мкА
При л макс..........
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
2В106А. КВ106А...................................... 120 В
2В106Б, КВ106Б................................. 90 В
Рассеиваемая мощность:
от 213 до 348 К
2В106А, КВ 106А.................................. 7 Bl
2В106Б, КВ106Б.................................. 5 Вт
ПрН 7 м;1Кс
2В106А, КВ106Л.............................
2В106Б КВ106Б............................
Температура корпуса:
2В106А, 2В106Б................................От 213 до 403 К
КВ106А, КВ106Б..........................От 213 до 373 К
291
10*
Примечания: 1. Рекомендуемый диапазон рабочих частот ог
40 до 500 МГц для 2В106А, КВ106А и от 100 до 1000 МГц для
2В106Б, КВ106Б
2. Прн работе в схеме умножения с авгосмсщспис.м оптималь-
ное значение выпрямленною прямого тока см 0,2 до 3 мА,
Зависимость емкости от напряжения. Зависимость допустимой рас-
сеиваемой мощное 1 и от тем-
пературы.
КВ107А, КВ107Б, КВ107В, КВ107Г
Варикапы кремниевые эпитаксиально-диффузионные.
Выпускаются в мсталлостекляииом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе. Положительный вывод мар-
кируется красной точкой.
Масса варикапа не более 1 т.
Электрические параметры
Емкость
при (/обр = для КВ107А, КВ107Б.........................От 10 до
40 пФ
прибор 1'я, для КВ107В. КВ107Г...................От 30 до
65 пФ
Добротность прн f = 10 М! и, не менее................ 20
Постоянный обратный ток при t/O6pMaltvi не более:
при 298 К........................................100 мкА
при 343 К...................................... 2000 мкА
прн 233 К...................................... 1500 мкА
292
Предельные эксплуат анионные данные
Постоянное обратное напряжение
KBI07A, КВ107В.................................1.5Гя| +
+ 2,5 В
КВ107Б. КВ107Г.................................1.51/л, +
+ 4 В
Рассеиваемая мощность:
or 233 до 323 К....................................100 мВт
при 343 К......................................S0 мВт
Темпера тхра окружающей среды......................От 233 до
343 К
Примечание. VR , (/^ — значения напряжений, начиная с ко-
торых уменьшается емкость варикапа: для КВ107А. КВ107В
L = 2 9 В; для КВ107Б, КВ107Г UK = 6 18 В
К j <'2
Зависимость емкости от напря-
жения. (Дана зона разброса.)
Зависимость добротности or на-
пряжения (Дана зона разброса.)
КВ109А, КВ109Б, КВ109В, КВ109Г
Варикапы кремниевые
эпитаксиально-планарные.
Выпускаются в пласт-
массовом корпусе с гибки-
ми ленточными выводами
Варикапы маркируются цвет-
ной точкой у положитслы-
ного вывода: КВ109А бе-
лой, КВ:09Б — красной,
КВ109В — зеленой, КВ109Г
не имеет маркировки.
Масса варикапа нс бо-
лее 0,06 ।.
Маркировочная точкаег
293
Электрические параметры
Емкость при /= I ч- 10 МГц:
при ^обР = 3 В
КВ109В............................. От 8 до 16 пФ
КВ109Г. ..................... От 8 до 17 пФ
при l/osp - 25 В
КВ109Л............................. От 2,3 до 2.8 пФ
КВ109Б............................. От 2,0 ио 2,3 пФ
КВ109В .............................От 1,9 до 3,1 пФ
Коэффициент перекрытия по емкости:
КВ109А...................................... Ог 4 до 5.5
КВ109Б . ................ От 4.5 до 6,5
КВ109В................................. От 4 до 6
КВ109Г, не менее................ 4
Температурный коэффициент емкости . . . (500 + 300) • 10-6 1;К
Добротность при Г’обр = 3 В и частоте
/= 50 МГц. не менее:
KBI09A, КВ109Б................................ 300
КВ109В. КВ109Г........................... 160
/=470 МГц для КВ109А, КВ109Б . . . 30
Постоянный обратный ток при 6/обр = 25 В,
пс более................................... 0,5 мкА
Индуктивность выводов диода на расстоя
пин от корпуса до 1,5 мм, не более 4 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение .... 25 В
Рассеиваемая мощность прн температуре
до 323 К....................................... 5 мВт
Температура окружающей среды............... От 233 до 358 К
Примечание. В интервале температур о г 323 до 358 К
рассеиваемая мощность снижается линейно па 0,05 *тВт/К.
пряжения. пряжения
294
2В110А, 2В110Б, 2В110В, 2В110Г, 2В110Д, 2В110Е,
КВ110А, КВ11ОБ, KB11OB, КВ11ОГ, КВ110Д, KB11OE
Варикапы кремниевые эпитаксиально-планарные.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип
прибора и схема соединений электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса варикапа не более 0.25 г
'? ктрнческие параметры
Емкость варикапа при 17обр = 4 В, /= 1 4- 10 МГц:
2B11GA, 2В110Г, КВ110А, КВ110Г . . . От 12 до 18 пФ
2BI10B, 2В110Д, КВПОБ. КВ110Д . . . От 14,4 до 21, 6 нФ
2В110В, 2В110Е КВ110В, КВ110Е ... От 17,6 до 26,4 пФ
Добротность при L'o6p = 4 В,/= 50 МГц, не менее:
2В110А, 2В110Б, 2В110В, КБ110А.
RB11GE, КВ110В.............................. 300
2В110Г, 2В110Д, 2B1I0E, КВ1101
КВ110Д, КВ110Е.............................. 150
Постоянный обратный ток при 6/обр = 45 В:
при 298 К........................ 1 мкА
при 213 К............. 15 мкА
прн 398 К..................... ЮО мкА
Емкость корпуса, не б ice...................... 0,1 пФ
Индуктивность выводов на расстоянии 5 мм
от корпуса.............................. Ю и! н
Предельные экептуаташюнные данные
Постоянное обратное напряжение . . . .
Постояли тя рассеиваемая мощность при тем-
пературе:
от 213 до 323 К......................
при 398 К............................
Температура окружающей среды . . .
45 В
100 мВт
25 мВт
От 213 до 398 К
295
Зависимость емкости от на-
пряжения.
Зависимость добро! НОС ГII от
температуры.
Зависимость добротности о, па
пряжения.
Зависимое 1 ь тсмпсрат урпог о
коэффициента емкое!и от на-
пряжения.
Зависимость допустимой рассеи-
ваемой мощности от темпера-
туры.
296
КВС111А, КВС111Б
Сборки из двух кремниевых варикапов с общим катодом. Пред-
назначены для применения в УКВ блоках радиовещательных прием-
ников
Варикапы изготовляются ио эпитаксиально-планарной технологии.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Варикапы маркируются цветной точкой у отрицательного вывода:
КВС111Л — белой, KBCI11Б — оранжевой
Масса сборки нс более 0,2 г.
Элек-i ричоскис варане т ры
Емкость при Со,-,р = 4 В / = I МГц.................От 29,7 по
36.3 пФ
Коэффициент перекрытия по емкости. не менее...... 2.1
Температурный коэффициент смкссти. не более . . . .500 10 6 1/К
Добротность при б'обр * 4 В /—50 МГц, нс менее
КВС 1 НА....................................... 200
КВС111Б........................................ 150
Постоянный обратный юк при СоЛр 30 В:
до 298 К.......................................... 1 мкА
при 328 К...................................... 5 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение....................... 30 В
Температура окружающей среды...........................Ог 213 до
37.3 К
Зависимость емкости от на-
пряжения.
297
Зависимость добротное!и от на- Зав: сн.мость температурною коэф-
пряжения. фициен 1 а емкости от емпературы.
Зависимость е ткост от на- Зависимость емкости от на-
пряжения. пряжения.
2В112А-1, 2В112Б-1, КВ112А-1, КВ112Б-1
Варикапы кремниевые
эпитаксиально - планарные.
Предназначены для приме-
нения в гибридных интег-
ральных микросхемах.
Выпускаются без кор-
пуса с защи гиым покрытием
п । ибкими выводами. Тип
прибора указывается иа
упаковке. Положительный
вывод имеет меныпнй диа-
метр
Масса варикапа не бо-
лее 0,006 г
Электрические параметры
Емкость варикапа при Uo&p = 4 В,/ = I МГц:
2BII2A-I, KBII2A-1...................................Or 9,6 до
14.4 пФ
2В112Б-1, КВП2Б-1................................От 12,0 до
18,0 пФ
Температурный коэффициент cmkociи при t/o6p - 4 — 25 В,
не бо. ее...........................................5-10 4 I/K
Коэффициент перекрытия по емкости при t/o6p = 4 ч- 25 В,
не менее............................................ 1,8
Добротность при 6/обр = 4 В, f= 50 МГц, нс менее . . . 200
Постоянный обратный ток прн t/oCp = 25 В, не более:
от 213 до 293 К.......................................I мкА
при 398 К.........................................50 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное (импульсное) обратное напряжение .... 25 В
Температура окружающей среды..........................От 213 до
398 К
Зависимость добротности от иа- Зависимость le.Mirepa тури ого коэф-
пряжения. фнциента емкости от температуры.
2В1134, 2В113Б, КВ113А, КВ113Б
Варикапы кремниевые меза-
эпитакснальные.
Выпускаются в пластмассовом
корпусе с гибкими выводами. Тип
прибора указывается на корпусе.
Положительный вывод маркирует-
ся цвешой точкой.
Масса варикапа не более 0,2 г.
Электрические параметры
Емкость варикапа при Сойр = 4 В, /= 1 МГц
. От 54,4 до
81,6 пФ
298
299
Коэффициент перекрытия по емкости, не менее
2В113А. КВ113А при L’oCp от 4 до 150 В .
21111 ЗБ, КВ113Б при С’обр от 4 до 115 В .
Температурный коэффициент емкости при 1/оСр
Добротность при О'обр = 4 В f 10 МГц, не
Постоянный обратный ток при бо,-)р
температуре:
от 213 до 298 К ..............
прн 398
... 4,4
... 3,9
= 4 В 500 10 6 1/К
менее
^обр, макс при
300
к
10 мкА
300 мкА
Преде.тьиые эксплуатационные данные
обратное напряжение:
KB1I3A ....
КВН ЗБ...........
Постоянное
2В113А,
2В113Б.
Постоянная рассеиваемая мощность:
от 213 до 323 К.................
при 398 К....................
Температура окружающей среды .
150 В
115 В
100 мВт
25 мВт
Ог 213 до
398 К
пряжения
жения.
Зависимость температурного
коэффициента емкости от тем-
пера гуры.
Зависимость допустимой рас-
сеиваемой мощности от темпе-
ратуры.
300
2В114А-1, 2В114Б-1, КВ114А-1, КВ114Б-1
Варикапы кремниевые меза-
эпнтаксиалытыс. Предназначены
для применения в гибридных ин-
тегральных микросхемах.
Выпускаются без корпуса с
защитным покрытием и гибкими
выводами. Тип прибора указывает-
ся на упаковке. Положи дельный
вывод имеет меньший яиаме|р.
Масса варикапа не более 0,04 г.
Электрические параметры
Емкость варикапа при 1/о6р = 4 В./= 1 МГц..............От 54,4 до
81,6 пФ
Коэффициент перекрытия по емкост. пс менее:
2В114А-1, КВ114А-1 при По6рот4до 150 В............ 4,4
2В114Б-1, КВ114Б-1 при от 4 до 115 В.............. 3,9
Доброшоезь при 0^ = 4 В. f 10 МГц, не менее 300
110СТОЯПНЫЙ обратный ток при С'ос,Г1 = С/о5р мак
от 213 до 298 К.......................................10 мкА
при 398 К....................................... 300 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
2B114A-I, KB1I4A-1................................. 150 В
2В114Б-1, КВ114Б-1................................. 115 В
Темпера ту pi окружающей среды ........................От 213 до
398 К
Зависимость емкост oi на-
пряжения
301
Зависимое!ь добротности от
напряжения.
Зависимое!ь температурного коэф-
фициента емкости от температуры.
КВ115А, КВ115Б, КВ115В
Варикапы кремниевые сплавные.
Выпускаются в металлостскляниом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора н схема соединения э.лек! родов с выводами при-
водятся на корпусе.
Масса варикапа не более 1 г
Э. тек!рические параметры
Емкость при С/сбр = 0.............................От 100 до
700 пФ
Прямое напряжение при /,,р = 20 мА, нс более .... 1 В
Обратный ток при С^обр = 50 В не более:
КВ115А...........................................0,1 мкА
КВ115Б......................................0,05 мкА
КВН5В.......................................0,01 мкА
Пре тельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение...................... 100 В
Пост оянный прямой ток................................20 мА
Температура окружающей среды..........................От 233 до
358 К
302
КВ116А
Варикап кремниевый эпитаксиалыю-планарный. Предназначен для
применения в гибридных интегральных микросхемах.
Выпускается без корпуса с защитным покрытием и гибкими
выводами Тип прибора и схема соединения электродов с выводами
приводятся на сопроводительной таре.
Масса варикапа не более 0.006 г.
Элект рические параметры
Емкость при С/оЯр= 1 В /=1 МГц......................Or 168 до
252 нФ
Коэффициент перекрытия по емкости, не менее ....
Добротность при С/оСр =1 В f = I МГц, не менее 100
Постоянный обратный ток при t/o5p = 10 В. не более 1 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение..................... 10 В
Температура окружающей среды........................От 213 до
358 К
Зависимость емкости от на-
Зависимость доброт ностп о г
пряжения.
напряжения.
303
Зависимость темиературиог о
коэффициента емкости от тем-
пера I уры
Зависимость обратною тока от
напряжения.
2В117А, КВ117А, КВ117Б
Варикапы кремниевые эпитаксиально-планарные. с большим пе-
рекрытием по емкости и резкой зависимостью емкости от на-
пряжения.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип
прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся
иа корпусе
М icca варикапа нс бочсс 0,25 i
Э. чек । рячсские параметры
Емкость варикапа при С’О5р 3 В. / =
= 1 10 МГц..............................От 26.4 до 39,6 пФ
Коэффициент перекрытия по емкости при 3 -е- 25 В:
2В117А. KB1I7A.............................. От 5 яо 7
КВ117В.................................. От 4 до 7
Температурный коэффициент емкости иры
Ц,Вр = 3 В, не более................. 600-10 5 I/K
Добротность нри 1/обр 3 В. f 50 МГн, нс менее.
2В117А, КВ117А................................... 180
КВ117Б....................................... 150
Постоянный обратный ток нри Ue6v 25 В, пе более,
от 213 до 298 К...............‘.................. I мкА
при 7макс....................................10 мкА
304
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение....................... 25 В
Рассеиваемая мощность
or 213 до 323 К..................................100 мВт
при Лике.........................................7-5 мВг
Температура окружающей среды:
2В117А................................ От 213 до 398 К
КВ117А КВ117Б......................... От 213 до 373 К
Зависимость допустимой рас-
сеиваемой мощности от темпе-
ратуры.
Зависимость добротности от
частоты
2ВС118А, 2ВС118Б
Сборки из двух кремниевых мсзаэннтакснальиых варикапов.
Выпускаются в металлостсктяпном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается па корпусе. Выводы /, 2 аноды ва-
рикапов.
Масса сборки нс более 1,7 г.
305
Электрические параметры
Емкость варикапа при 1/с6р = 4 В,/= I МГц.................От 54,4 до
81,6 пФ
Разброс емкости между элементами сборки, пс более.
2BCII8A при от 4 В до 100 В........................ 2.5 %
2ВС118Б при 6/о0р от 4 В до 50 В............... 2.5 %
Коэффициент перекрытия по емкоети:
2BC1I8A при t/o5p от 4 до 100 В....................3,6-4,4
2ВСН8Б при t/o6p от 4 до 50 В..................2,7 3,3
Добротность при 6'^ = 4 В, f= 10 МГц, нс мспсс:
2BC1I8A............................................ 200
2ВС118Б ..................................... 250
Постоянный обратный ток прн Г/оСр = Г7о6р>макс, нс ботее:
до 298 К........................................... I мкА
при 398 К......................................150 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение:
2ВС11 А........................................ 115 В
2ПС118Б.......................................... 60 В
Температура окружающей среды..........................От 21 3 до
398 К
Зависимость емкости от на-
пряжения.
Зависимость температурного коэф-
фициента емкости от температуры.
306
КВ119Л
Варикап кремниевый эпитаксиально-планарный.
Выпускается в метал тостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приво-
дятся на корпусе.
Масса варикапа нс более 0.53 г
60
Электрические параметры
Емкость при С'орр = 1 В, f= — 10 МГн................О г 168 до
252 пФ
Добротность при < сбр = • f— • МГц, нс менее 100
Постоянный обратный ток прн L -р = 10 В, нс более I мкА
Предельные эксплуатационные данные
Посюянное обратное напряжение....................... 12 В
Температура ок ужато щей среды.......................От 213 до
373 К
Зависимость емкости от напря-
жения.
Зависимость добротности от на-
пряжения.
307
Зависимость температурною коэф-
фициента емкости or температуры.
Зависимое и. обра этого тока от
напряжения.
КВС120А, КВС120Б
Сборки, состоящие из трех (КВС120А) и двух (КВС120Б) крем-
ниевых эпитаксиально-планарных варикапов с общ тм кати том
Выпускаются в мет а.тлостекляппо.м корпусе с тибкп.ми выводами.
Тип прибора указывается иа корпусе.
Масса варикапа не более 1,7 г.
1— катод орщий
2-5 —Аноды
Электрические параметры
Емкость при <.'о6р = I В, /= I 10 МГн................Or 230 до
320 пФ
Коэффициент перекрытия по емкости, нс менее........ 2
Добротность прн Собр = I В, /=1 МГц, нс менее 100
Постоянный обратный ток при 0^=30 В, пе более 0,5 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение..................... 32 В
Температура окружающей среды.........................От 228 до
358 К
Зависимость емкости от на- Зависимость добротности от нанря-
нряжения. ження.
Зависимость темпсратурнот о
коэффициента емкости от гем-
перат уры.
Зависимость обратного тока от
напряжения
KB12LX, КВ121Б
Варикапы кремниевые
эпитаксиально - планарные.
Предназначены для примене-
ния в селекторах телевизион-
ных кама тов с электронным
управлением.
Выпускаются в пластмас-
совом корпусе с гибкими
ленточными выпотами Ва-
рикапы маркируются цвет-
ной точкой у положительно-
го вывода. KB12IA синей,
КВ121Б — желтой.
Масса варикапа не ботсс
0.069 г.
308
309
Электрические параметры
Emkocib при С'орр = 25 В, /= 1 -=- 10 МГц.........О г 4,3 по
6 0 пФ
Коэффициент перекрытия ио емкости при t'o5p от 1,5
до 25 В не менее............................. 7.6
Добротность при f= 50 МГц, ис менее
KB12IA........................................ 200
КВ121Б...................................... 150
Постоянный обратный ток нри Го5р 28 В. не более 0,5 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение..................... 30 В
Температура окружающей среды.........................От 213 до
373 К
Зависимость емкости от напря-
жен ня
Зависимость добротности ог на-
пряжения.
Зависимость температурною коэф-
фициента емкое нт от температуры.
Зависимость обратного тока oi
Напряжения.
310
КВ122А, КВ122Б, КВ122В
Варикапы кремниевые эпитаксиалыю-планарные.
Предназначены для применения в селекторах телевизионных
каналов с электронным управлением.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими ленточными
выводами. Варикапы маркируются цветной точкой у положтельного
вывода: KBI22A — оранжевой, КВ122Б — фиолетовой. КВ122В — корич-
нев ой.
Масса варикапа не более 0,069 г.
Электрические параметры
Емкость при С/о6р = 25 В. /= 1 МГц:
КВ122А.................................. От 2,3 ло 2,8 пФ
КВ122Б.............................. От 2,0 до 2,3 пФ
КВ122В.............................. Ог 1,9 до 3,1 пФ
Коэффициент перекрытия по емкости нри Го6р от 3 до 25 В:
KBI22A.............................. Ог 4,0 до 5,5
КВ122Б.............................. От 4 5 до 6.5
КВ122В.............................. От 4,0 до 6.0
Добротность прн f 50 МГц, не менее'
КВ122А, КВ122Б................................... 450
КВ 122В.......................................... 300
Постоянный обратный гок при Г'о6г = 28 В. нс более 0,2 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение .... 30 В
Температура окружающей среды . . . . Ог 213 до 373 К
311
Элек । ричсские нарамет ры
Емкость1 при бгобр = 25 В, /= 1 10 MI ц От 2.6 до 3.8 пФ
Коэффициент перекрытия по емкости при
в'обр °* 3 -4° 25 В- ,1с менее .... 6.8
Разброс ио емкости между- варикапами в ком-
илек тс, нс ботее............................... 3 '
Температурный коэффициент емкое! и . . . (500 + 3001-10"6 1 К
Добротность при /=50 МГц, нс менее................... 250
Постоянный обратный ток при бо6р - 25 В, не ботее 0,05 мкА
Зависимость емкости от на-
пряжения.
Зависимое।ь добротост ог на-
пряжения.
Предельные эксп-iyai анионные данные
Постоянное обратное напряжение.................... 28 В
Импульсное обратное напряжение при т„ 200 мс ... 30 В
Температура окружающей среды........................От 213 до
373 К
Зависимость т емпературного
коэффт цисты а емкости от тем-
пературы
Зависимость обратно! о т ока от
напряжения.
Зависимость емкости от на-
пряжения.
Зависимость добротности о г на-
пряжения.
КВ123А
Маркировочная полоса
со стороны анода
Варикап кремниевый эпи-
таксиально-п.танариыи. Пред-
назначен для применения в се-
лекторах те тевизиенпых капа
лове электронным управлением
Выпускается в пластмассо-
вом корпусе с 1 ибкими лен-
точными выводами Маркиру-
ется белой полоской у поло-
жи гетьнот о вывода. Варикапы
КВГИД поставляются комплек-
тами но 4 шт.
Масса варикапа 0,06 т
Зависимость температурною Зависимость обратного тока от
коэффициента емкосыт от тем- напряжения
псрат уры.
312
313
Разде.г восьмой
ДИОДЫ ТУННЕЛЬНЫЕ И ОБРАЩЕННЫЕ
8.1. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ
ЗИ101А, ЗИ101Б, ЗИ101В, ЗИ101Г, ЗИ101Д, ЗИ101Е,
ЗИ101Ж, ЗИ101И, АИ101А, АИ101Б. АИ101В, АИ101Д,
АИ101Е, АИ101Ж, АИ101И
Диоды арссиид i аллиевые гуиистьиыс сплавные. Предназначены
для расoiы в усилителях.
Выпускаются в мет гллоксрамичсском корпусе с лент очными выво-
дами. Топ цюда укатывается иа этикетке Диоды маркируются
условными обозначениями па крышке прибора. ЗИ101А, АИ101 — УА;
ЗИ101Б, АИ101Б - УБ: ЗИ101В, АН 101В - УВ; ЗИ101Г - УГ: ЗИ101Д,
АИ101Д-УД: ЗИ101Е, АИЮ1Е-УЕ; ЗИ101Ж-УЖ; ЗИ101И,
АН 101И УИ.
Масса диода нс бо icc ( 15 г.
3 юк । ричсскис парамо ры
Пиковый ток:
ЗИ101А, ЗИ101Б
мри 298 К .........................
при 373 К .......................
при 213 К........................
АИ101А. АИ101Б
при 298 К..........................
при 358 К........................
при 213 К........................
ЗИ101Н. ЗИ101Г, ЗИ101Д
при 298 К..........................
при 213 и 373 К..................
АИ101В, АИ101Д
при 298 К..........................
1 ри 358 К.......................
при 213 К........................
ЗИ101Е, ЗИ101Ж, ЗИ101И
при 298 К .........................
Or 0,75 до 1,25 мА
От 0,5 до От 0 5 до' 1,25 мА
1,5 мА
Or 0.75 до 1.25 > мА
От 0.5 до 1,25 мА
Or 0,5 до 1,5 мА
Or 1.7 до 2,3 мА
Oi 1,5 до 2,5 мА
От 1,7 до 2,3 мА
От 1,5 до 2,3 мА
От 1,5 до 2,6 мА
От 4,5 до 5,5 мА
314
при 373 К....................... От 4,0 до 5,5 мА
при 213 К....................... От 4,0 до 6,2 .мА
АИ101Е, АИ101И
при 298 К....................... Ог 4,5 до 5,5 мА
при 358 К....................... От 4,0 до 5,5 мА
при 213 К....................... От 4,0 до 6,2 мА
Отношение пикового тока к току впадины, нс менее"
ЗИЮ1А, ЗИ101Б, АИЮ1А, АИ101Б
при 298 К...................................... 5
ЗИ101В, ЗИ101Г, ЗИ101Д, ЗИ101Е, ЗИ101Ж, ЗИ101И.
АИ101В, АИ101Д, ЛИМЕ, АИ101И прн 298 К 6
ЗИМА, ЗИ101Б
при 373 К................................... 3
при 2I3K.................................. 4
ЗИ101В, ЗИ101Г, ЗИ101Д, ЗИМЕ, ЗИ101Ж, ЗИ101И
при 373 К................................... 4
при 213 К................................. 5
Напряжение пика не более
ЗИМА, ЗИ101Б, ЗИ101В, ЗИ101Г. ЗИ101Д . . . 0,16 В
ЗИМЕ, ЗИ101Ж, ЗИ101И............................0,18 В
ЛИМА, АИЮ1Б, АИ101В, ЛИ101Д.....................0,16 В
АИЮ1Е, АИ101И...................................0,18 В
Сопротивление потерь прн тн < 15 мкс, скважности не
менее 100, не более;
ЗИМА при /Оор>11 = 30 мА......................24 Ом
АИ101Л при 30 мА..................... 18 Ом
ЗИ101Б при 4йр.ц = 30 мА.......................22 Ом
ЛИМБ при /о6р „ = 30 мЛ.......................16 Ом
311101В при /„0^ = 50 мЛ.......................18 Ом
Л И101В при /Обг и = 40 мА....................... 16 Ом
ЗИ101Г при /lHjp.H = 50 мЛ.......................16 Ом
АИ101Д при „ = 40 мЛ.......................... 14 Ом
ЗИ101Д при /оир,и = 50 мА.............. . . 16 Ом
А И101Е при /оор ., = 80 м А.................. 8 Ом
ЗИМЕ при /о5р>1, = 100 мА..................... 10 Ом
ЛИ 101 И при /обр „ = 80 мА................... 7 Ом
ЗИ101Ж при 7оГ)р,„= !00 мА.................... 8 Ом
ЗИЮ!И при /о5р и= 100 мА...................... 7 Ом
Общая емкость диода в точке минимума вольт-ам-
перной характеристики при f 1 -г 10 МГн:
ЗИ101Л, ЗИ101Е, не более...................... 3 нФ
ЛИ101А, нс более.............................. 4 нФ
ЗИ1О1Б........................................Oi 2 до 6 пФ
Л И101Б.......................................От 2 до 8 пФ
ЗИЮ В не ботсе................................... 2 пФ
АИ101В, нс более................................. 5 пФ
ЗИ101Г...........................................Or 1 до
3,7 пФ
ЗИЮ1Д.........................................От 2,5 до
6 пФ
315
АИ101Д.........................................Or 2,5 до
iO пФ
ЗИ101Ж.........................................От 2 до
6 пФ
АИЮ1Е, ис более................................ 8 пФ
ЗИ101И.......................................От 4,5 до
10 пФ
АН 101И......................................О г 4,5 до
13 нФ
Емкость корпуса *, ие более......................0,8 пФ
Индуктивность диода* ис более....................1,3 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение
ЗИ101А, ЗИ101Б, ЗИ101В, ЗИ101Г, ЗИ101Д, ЗИ101Е,
ЗИ101Ж. ЗИЮ И при температуре от 213 до 373 К 0,35 В
АИЮ1Л, АИ101Б, АИ101В, АИ101Д, АИ101Е,
АИ101И при температуре от 213 до 358 К . . . 0,5 —0,6 В
Температура окружающей среды:
ЗИЮ'Л ЗИ101Б, ЗИ101В ЗИ101Г. ЗИ101Д, ЗИ101Е,
ЗИЮ1Ж, ЗИ101И....................................От 213 до
373 К
АИ101А, АИ101Б ЛИЮ В, АИ101Д, АИ101Е, От 213 до
ЛИ 101И....................................... 358 К
Примечания: 1. Прн креплении приборов в зажимных приспо-
соблениях допускается обрезать ленточные выводы без приложения
механической нагрузки к корпусу прибора. Давление на крышку
прибора, перпендикулярно ее плоскост, должно быть нс более 15 Н.
2. Не допускается проверка диодов тестером.
3. Допускается работа диодов иа первой восходящей ветви и на
участке отрицательного сопротивления волы-амперной характеристики.
рак герце тики.
Зола возможных по- Зона возможных по-
ложении
зависимости ложспин зависимости
пикового тока oi тем
тока впадины oi тем-
пературы
исратуры.
316
1И102А, 1И102Б, 1И102В, 1И102Г, 114102% 1И102Е,
1И102Ж, 1И102И, 1И102К'
Диоды германиевые туннс н>пые мезаентавные. Предназначены
дчя работы в усилителях на частоте до 5 ГГц.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выво-
дами. Диоды маркируются цветным кодом- 1И102А — одной крас-
ной точкой, 1Ш02Б —двумя красными точками, IИ102В —тремя
красными точками, 1И102Г — одной белой точкой, 1И102Д — двумя
бе»ыми точками, 1И102Е —тремя белыми точками, 1И102Ж — одной
черной точкой, 1И102И - двумя черными точками, 1И102К-тремя
черными точками. Вывод анода имеет выдавку.
Масса диола не более 0,08 г.
Пиковый ток:
при 298 К
1И102А, 1И102Б, 1И1О213 Oi 1,25 до 1,75 мА
1И102Г, 1И102Д, 1И102Е От 1,7 до 2.3 мА
1ИЮ2Ж, 1И102И, 1И 02К Ог 2,3 до 3,1 мА
прн 343 К
1И102А 1И102Б, 1И102В От 1,25 ДО 1,9 мА
1ИЮ2Г, 1И102Д, 1И102Е От 1.7 до 2,55 мА
1И102Ж. 1И102И, 1И102К От 2,3 до 3,4 мА
прн 213 К
1ИЮ2А 1И102Б, 1И102В От 0,9 ло 2.2 мА
1И102Г, 1И102Д, 1ИЮ2Е От 1,3 ДО 2,9 мА
1И102Ж, 1И102И, 1И102К .... Oi 2.3 до 4.0 мА
Отношение ннкового юка к юку впадины,
не менее:
при 298 К............................. 5
при 213 и 343 К.............................. 3.5
Общая емкость диода в точке минимума
ио тьт-амиернон характеристики при /'=
= 1-10 МГц:
1И102А............................. От 0,9 до 1,8 пФ
1И102Б............................. От 1,4 до 2,2 пФ
1И102В............................. От 1,8 до 3.0 нФ
1И102Г............................. Oi 1,0 до 2,0 иФ
1И102Д.......................... 01 1,6 до 2,6 пФ
1И102Е............ . .... От 2,2 до 3,2 пФ
317
1И102Ж........................... От 1,2 до 2,2 пФ
1И102И........................... От 1,8 до 2,7 пФ
1И102К........................... От 2,3 до 3,5 пФ
Сопротивление потерь при импульсном обратном токе для 1И102А,
1И102Б, 1И102В 20 мА, для 1И102Г, 1И102Д, 1И102Е-25 мА,
для 1И102Ж, 1И102И, 1И102К - 30 мА, не более:
1И102А, 1И102Б, 1И102Г, 1И102Д,
1И102Ж.................................... 6 Ом
1И102В, 1И102Е.......................... 4,5 Ом
1И102И.................................. 4,0 Ом
1И102К.................................. 3,0 Ом
Напряжение впадины *...................... От 320 до 400 мВ
Отрицательное дифференциальное сопротив-
ление* ................................... От 75 до 110 Ом
Индуктивность корпуса *....................Ог 0,24 до 0,35 нГн
Емкость корпуса *, не более................... 0,7 пФ
Шумовая постоянная * прн /ьр = 0,4 /п . . . 1,6
Резонансная частота*, ке менее:
1И102А, 1И102Г, 1И102Ж........................10 ГГц
1И102Б, 1И102Д, 1И102И........................ 8 ГГц
1И102В. 1И102Е, 1И102К........................ 5 ГГц
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток......................... 2/п
Постоянный обратный ток....................... 2/п
Температура окружающей среды .... От 213 до 343 К
Примечания: 1 Рекомендуется применять источники питания,
имеющие напряжение холостого хода не более 1 В.
2. При вставлении диода в резонатор во избежание пробоя необ-
ходимо свободной рукой коснуться резонатора.
3. Не рекомендуется располагать диоды вблизи нагревающихся
Зависимость пиковот о
тока от температуры.
Зависимость отноше-
ния пикового гока к
току впадины от тем-
пературы.
Зависимость напряже-
ния пика от темпера-
туры
318
1И103А, 1И103Б, 1И103В, ГИ103А, ГИ103Б, ГИ103В,
ГИ103Г
Диоды германиевые туннельные мезасплавные. Предназначены
для работы в усилителях на частотах до 10 ГГц.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вывода-
ми. Диоды маркируются цветным кодом: 1Ш03А, ГИ ЮЗА —двумя
голубыми точками, 1И103Б, ГИ103Б —двумя красными точками,
1И103В ГИ103В — двумя черными точками, ГИ ЮЗГ — двумя зелеными
точками Отрицательный вывод диода имеет больший диаметр.
Масса листа не более 0,08 г.
Электрические парамст ры
Пиковый ток:
1И103А, 1И103Б. 1И103В, ГИ103А,
ГИ103Б. ГИЮЗВ...................... Or 1,3 до 1,7 мА
ГИ103Г........................... . От» 1,3 до 2,1 мА
Отношение пикового тока к току впадины
при температуре от 213 до 343 К, не
менее......................................... 4
Напряжение пика *...................... От 60 до 90 мВ
Общая емкость диода при (/„р < 1 мВ, /= 10 МГц:
1И103А, ГИ103/\................... От 1,0 до 2,1 пФ
1И103Б, ГИ103Б.................... Ог 0.8 до 1,6 пФ
1И103В, ГИЮЗВ..................... От 0,7 до 1.3 кФ
ГИ103Г............................. Ог 1,0 до 3,2 пФ
Сопротивление потерь при т„ < 0,1 мкс, „ = 100 мА. не более:
1И103А, 1И103Б 1И103В, ГИ103А, ГИ103Б. ГИЮЗВ 6 Ом
1 И ЮЗГ.............................................. 7 Ом
Резонансная частота*:
1И103А . ».......................
ГИ103А...........................
1ИЮЗБ ...........................
ГИ103Б....................
1ИЮЗВ............................
1И103Г .........................
Напряжение впадины *.................
Индуктивность диода*............. .
Шумовая пост оянная * ..............
Отрицательная дифференциальная проводи-
мость ...............................
10 ГГц
От 8 до 14 ГГц
Около 15 ГГц
От 9 до 17 ГГц
Около 20 ГГц
Ог 5,5 до 13 ГГц
От 350 до 430 мВ
Ог 0,2 до 0,35 иГн
От 1 0 до 1,5
От 17 до 10 мС.м
319
Емкость корпуса*........................ 0,42 — 0,5 — 0,58 пФ
Температурный коэффициент отрицательной
проводимости при температуре or 213 до
343 К не более............................. + 0,17 %/К
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой и обратный ток.................15 мА
Постоянное прямое напряжение при температуре от 213
до 343 К......................................... 400 мВ
Постоянное обратное напряженке при температуре ог
213 до 343 К...................................20 мВ
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность:
прн 298 К
1ИЮЗА, ГИ103А...................................5 мВт
1И103Б, ГИЮЗБ.................................4 мВт
1ИЮЗВ, 1 И103В................................3 мВт
ГИЮЗГ.........................................6 мВт
при 343 К
1ИЮЗА, ГИ103А..................................2.5 мВт
1ИЮЗБ, ГИ103Б................................2,0 мВт
1И103В, ГИЮЗВ................................1,5 мВг
ГИЮЗГ........................................3,0 мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность:
при ти = 0 1 мкс, /= 1 кГц при 298 К
1И103А, ГИ103А.................................... 200 мВт
1ИЮ^Б, ГИЮЗБ.................................150 мВт
1И103В, ГИЮЗВ................................100 мВт
ГИЮЗГ....................................... 250 мВ ।
при 343 К
1И103А, ГИ103А................................100 мВт
1И103Б, ГИЮЗБ.................................75 мВт
1ИЮЗВ, ГИЮЗВ ................................ 50 мВт
ГИЮЗГ........................................40 мВт
при т„ = 1 мкс
при 298 К
1ИЮЗА..........................................60 мВ|
1И103Б.......................................40 мВт
1ИЮ1В........................................30 мВт
при 343 К
1И103А.........................................25 мВт
111ЮЗБ, 1ИЮЗВ ..............................20 мВт
при т,. = 4 мкс и 298 К *
1И103 А........................................20 мВт
1И103Б.......................................15 мВт
1И103В.......................................10 мВт
Температура окружающей среды .... От 213 до 343 К
Примечания 1. Нс допускается проверка диодов тестером.
2. Величина сжимающего корпус усилия не должна превышать
15 Н, при этом давление пе должно прикладываться к углубленным
или маркированным частям торцов.
320
Зона разброса вольт-
ам верной характерис-
тики.
Зависимое I ь отрица-
тельного сопротивле-
ния перехода от по-
стоянного прямого
напряжения
Зависимость шумовой
постоянной о г по-
стоянного прямого
напряжения
Зависимое ib пикового
тока от температуры.
Зависимость тока впа-
дины от температуры.
Зависимость напряже-
ния пика от темпера-
туры.
1И104А, 1И104Б, 1И104В, 1И104Г, 1И104Д, 1И104Е
Диоды германиевые туннельные мсзасплавные. Предназначены для
работы в усилителях в диапазоне длин воли от 2 до 10 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выво-
дами Тип диола указывается па вкладыше. Отрицательный вывод
диода имеет больший диаметр
Масса диода не более 0,025 г
0/.J
-----
11 иод ред. Н Н Горюнова
321
Электрические параметры
Пиковый ток............................ От 1,3 до 1,7 мА
Отношение пикового тока к току впадины
при температуре от 213 до 348 К не
менее................................. 4
Общая емкость диода при нулевом смещении и /= 1 <- 10 МГц:
1И 04А................................. От о,8 до 1,9 пФ
•И104Б........................... От 0,6 до 1,4 пФ
И104В........................... Ог 0,5 до 1,1 пФ
1И104Г........................... От 0,45 до 1 нФ
1И104Д........................... От 0,4 до 0,9 пФ
1И104Е........................... От 0,4 до 0,8 пФ
Сопротивление потерь, не более'
1И104А, 1ИЮ4Б.................................. 6 Ом
1И104В, 1И104Г, 1И104Д.................. 7 Ом
1И104Е................................... 8 Ом
Напряжение пика........................ 60-80*- 100 мВ
Напряжение впадины..................... 350 — 400 *- 450 мВ
Индуктивность диода....................0J 0,11 * - 0,13 нГн
Емкость корпуса........................ 0,25-0,3* 0,35 пФ
Резонансная частота*:
•И104А................................. Ог 11 до 25 ГГц
1И|04Е........................... От 15 до 27 ГГц
1И104В........................... От 17 до 31 ГГц
1ИЮ4Г............................ От 19 до 37 ГГц
1И104Д........................... От 21 до 45 ГГц
1И104Е;.......................... От 25 до 60 ГГц
Температурный коэффициент проводимости при температуре,
от 213 до 298 К........................От 0 до -0,25 %/К
от 213 до 343 К.................... +0,14 %/К
Предельные эксп туаташюииые данные
Импульсная рассеиваемая мощное in, мВт, на частоте f= 1 к1 ц
при 343 К
1И104А ти = 0,1 мкс 100 ти = 1 мкс 25 ти = 4 мкс 10
1И104Б 75 20 7,5
1И104В 50 15 5,0
1И104Г 25 10 4,0
1И104Д 20 6 3,5
1И104Е от 213 до 308 15 К 4 3,0
1И104Л 200 50 20
1И104Б 150 40 15
1И104В 100 30 10
1И104Г 50 20 8
1И104Д 40 12 7
1И104Е 30 8 6
322
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность
при 343 К
1И104А............................................2,5 мВт
1И104Б..........................................2,0 мВт
1И104В..........................................1,5 мВт
1И104Г, 1И104Д, 1И104Е..........................1,0 мВт
от 213 до 308 К
1И104А............................................ 5 мВт
1И104Б...........................................4 мВт
1И104В.......................................... 3 мВт
1И104Г, 1И104Д, 1И104Е...........................2 мВт
Постоянное прямое напряжение при температуре от 213
до 343 К............................................. 400 мВ
Постоянное обратное напряжение при температуре от 213
до 343 К . . ......................................20 мВ
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 343 К.
1И104А, 1И104Б 1И104В 1И104Г.................... 1 мА
1И104Д, 1И104Е..................................0,51 мА
Постоянный обратный ток при температуре ог 213 до
343 К..............................................1,5 мА
Температура окружающей среды........................От 213 до
343 К
Примечания: I Не допускается проверка диолов тестером.
2 Прижимное усилие на диод при креплении должно быть
не более 15 Н
3 . Разрешаются припайка и приварка ленточных выводов к кор-
пусу диода, при этом нагрев диода не должен превышать 343 К.
4 При измерениях и работе с диолом необходимо брать его
заземленным пинцетом или применять браслет д 1я снятия стагисти-
ческого заряда.
Вольт-амиерпая характе-
рце гика
Зона возможных по-
ложений зависимости
отрицательной про-
водимости перехода от
Зона возможных
положений зависи-
мости шумовой по-
стоянной от по-
постояппого прямот о
напряжения.
стояштого прямого
напряжения.
11*
323
Зона возможных по-
ложений зависимости
пикового тока oi
температуры
Зона возможных по-
ложен ий зав иен мост и
тока впал ины от тем-
пературы.
Зона возможных по-
ложений зависимости
отрицательной прово-
димости псрсхОгТа от
тсмпсрат уры.
8.2. ГЕНЕРАТОРНЫЕ ДИОДЫ
ЗИ201А, ЗИ201Б, ЗИ201В, ЗИ201Г, ЗИ201Д, ЗИ201Е,
ЗИ201Ж, ЗИ201И, ЗИ201К, ЗИ201Л, АИ201А, АИ201В,
АИ201Г, АИ201Е, АИ201Ж, АИ201И, АИ201К, АИ201Л
Диолы арсспнд-галлиевыс туннельные сплавные. Предназначены
для работы в генераторах.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими ленточ-
ными выводами. Тип диода указывается па этикетке. Диоды марки-
руются условными обозначения-
ми на крышке прибора:
ЗИ201А, АИ201-ГА;
ЗИ201Б- ГБ, ЗИ201В.
АИ201В- ГВ; ЗИ201Г,
АИ201Г- ГГ; ЗИ201Д-ГД;
ЗИ201Е, АИ201Е—ГЕ;
ЗИ201Ж, АИ201Ж-ГЖ;
ЗИ201И, АИ201И- ГИ;
ЗИ201К. АИ201К-ГК;
АИ201Л, АИ201Л - ГЛ.
Масса диода не более 0,15 г
Э юктрическне параметры
Пиковый ток
ЗИ201А ЗИ201Б, ЗИ201В
при 298 К..........................
при 373 К........................
при 213 К........................
От 9 до 11 мА
От 8 до 11 мА
От 8 до 12,5 мА
324
АИ201А ЛИ201В
при 298 К.........................
при 358 К.........................
при 213 К.........................
ЗИ201Г, ЗИ201Д ЗИ201Е
при 298 К .........................
при 373 К.........................
при 213 К
АИ201Г, АИ201Е
при 298 К..........................
при 358 К.........................
при 213 К ........................
ЗИ201Ж, ЗИ201И
при 298 К
при 373 К ........................
при 213 К ........................
АИ201Ж, АИ201И
прп 298 К..........................
при 358 К ........................
при 213 К.........................
ЗИ201К, ЗИ201Л
при 298 К..........................
при 373 К.........................
при 213 К ........................
АИ201К. АИ201Л
прп 298 К..........................
при 358 К.........................
при 213 К ........................
Отношение пикового тока к току впатипы, пс
От 9 до 11 мА
От 8 до 11 мА
Ог 8 до 12 5 мА
От 18 до 22 мА
Ог 16 до 22 мА
Oi 16 до 25 мА
Oi 18 до 22 мА
Ог 16 до 22 мА
Oi 16 до 25 мА
От 45 до 55 мА
От 40 до 55 мА
От 40 до 60 мА
От 45 до 55 мА
Or 40 до 55 мА
От 40 до 60 мА
От 90 до ПО мА
От 80 до 110 мА
От 80 до 120 мА
От 90 до 110 мА
От 80 до 110 мА
От 80 до 120 мА
менее:
ЗИ201А, ЗИ201Б, ЗИ201В, ЗИ201Г, ЗИ201Д; ЗИ201Е, ЗИ201Ж,
314201 И. ЗИ201К, ЗИ201Л
при 298 К...................................
при 373 К
при 213 К...................................
АИ201А, АИ201В, АИ201Г, АИ201Б. АИ201Ж
А14201И, АИ201К, АИ201Л.......................
Напряжение пика, не ботее:
3I4201A, ЗИ201Д, ЗИ201Е, АИ201Г, АИ201Е . . .
ЗИ201Б, ЗИ201В, АИ201А, A1I201B...............
ЗИ201Г........................................
ЗИ201Ж. ЗИ201И АИ201Ж, АИ201И.................
3112О1К, ЗИ201Л, АИ201К, АИ201Л...............
Сопротивление потерь, пс более:
311201 А, ЗИ201Б. ЗИ201В прн /о5р „ = 150 мА . .
АН201А. AI4201B при 7оСр.и = 100 мА ....
311201 Г, ЗИ201Д при /обр.и = 150 мА..........
АИ201Г при /обР.и=1М .........................
ЗИ201Е при /ог>р.и Is® мА.....................
АИ201Е при Icc>r „ = 100 мА ..................
314201Ж, 314201И при /<^.„ = 250 мА...........
10
6
8
10
0.2 В
0,18 В
0.21 В
0.26 В
0,33 В
8 Ом
8 Ом
5 Ом
5 Ом
4 Ом
4 Ом
2,5 Ом
325
АИ201Ж, АИ201И при I 51)j = 220 мА ... . 2.5 Ом
ЗИ201К ЗИ201Л при /обР1„=250 мА..............2,2 Ом
АИ201К, АИ201Л при 4бр и = 220 мА............2,2 Ом
Общая емкость диода в точке минимума полы-амперной характе-
ристики при /=1 — 10 МГц
ЗИ201А, не более......................... 3,5 пФ
АИ201А АИ201В не бо ice.................. 8.0 пФ
ЗИ201Б............................ Or 2,5 до 6,0 пФ
АИ201Г, не более.......................... 10 пФ
ЗИ201В............................ Oi 4,5 до 10 пФ
АИ201Е............................ От 6 до 20 пФ
ЗИ201Г, не более........................... 4 пФ
АИ2 Ж, не более........................... 15 пФ
ЗИ201Д............................ От 3 ло 7 пФ
ЗИ201Е............................ От 5 до 12 пФ
ЗИ201Ж, пе более.......................... 8 пФ
ЗИ201И............................ От 6 до 15 пФ
АИ201И............................ Oi 10 ло 30 пФ
ЗИ2О1К, не более......................... 15 пФ
АИ201К по более......................... 20 пФ
ЗИ201Л............................ Or 10 до 40 пФ
АИ201Л............................ Or 10 до 50 пФ
Емкость корпуса*, не fjp.iee......................0.8 пФ
Индуктивность диода* не более.....................1,3 иГп
Пре тельные экенлуа! анионные данные
Постоянное прямое напряжение при температуре:
or 213 до 373 К
ЗИ201А, ЗИ2О1Б ЗИ2О1В............ 0,4 В
ЗИ201Г, ЗИ201Д, ЗИ201Е, ЗИ201Ж,
ЗИ201И................................... 0,45 В
ЗИ201К, ЗИ201Л .................. 0,5 В
or 213 до 358 К
АИ201А, АИ201В, АИ201Г, АИ201Ж,
АИ201И АИ2 1К, АИ201Л .... 0,5-0,6 В
Температура окружающей среды•
ЗИ201А. ЗИ201Б, ЗИ201В, ЗИ201Г,
ЗИ201Д, ЗИ201Е, ЗИ2С1Ж, ЗИ201И,
ЗИ201К, ЗИ201Л...................... Or 213 до 373 К
АИ201А, АИ201В АИ201Г. АИ201Е,
АИ201Ж, АИ201И, АИ201К АИ201Л Or 213 до 358 К
Примечания: 1. При креплении приборов в зажимных приспо-
соблениях допускается обреза!Ь ленточные выводы без приложения
механической нагрузки к корпусу прибора.
2 Давление па крышку прибора, перпендикулярное ее плоскости,
должно быть пе более 15 Н.
3 Не допускается проверка диодов теыером.
4. Допускается работа диодов па первой восходящей ветви и на
участке от рицатсльного сопротивления вольт-амперной характеристики.
326
Вольт-амперные характерис-
тики.
Зона возможных положений
зависимости пикового тока
от температуры.
Зона возможных положений
зависимости тока впадины от
температуры
ЗИ202А, ЗИ202Б, ЗИ202В, ЗИ202Г, ЗИ202Д, ЗИ202Е,
ЗИ202Ж, ЗИ202И, ЗИ202К
Диоды арсен ил-таллиевые туннельные мела
сплавные. Предназначены для генерирования ко-
лебаний в диапазоне длин волн от 10 до 20 см
Выпускаются в металлокерамическом корпусе
с жесткими выводами. Приборы маркируются ус-
ловными обозначениями на крышке прибора’
ЗИ202А - ВА, ЗИ202Б ВБ, ЗИ202В - ВВ,
ЗИ202Г-ВГ, ЗИ292Д-ВД, ЗИ202Е - BE,
ЗИ2О2Ж - ВЖ, ЗИ202И - ВИ, ЗИ202К - ВК
Масса диода не более 0,1 г.
327
Электрические параметры
Пиковый ток:
при 298 К
ЗИ202А. ЗИ202Б. ЗИ202В................ Oi 9 до 11 мА
ЗИ202Г. ЗИ202Д. ЗИ202Е............... От 18 ло 22 мА
ЗИ202Ж, ЗИ2 2И....................... От 27 ло 33 мА
ЗИ202К............................... От 45 до 55 мА
при 213 и 358 К
ЗИ202А. ЗИ202Б. ЗИ202В................ Ог 7.5 ло 12 мА
ЗИ202Г, ЗИ202Д. ЗИ2О2Е............... Ог 15 ло 24 мА
ЗИ202Ж, ЗИ202И....................... От 22 до 36 мА
ЗИ2О2К............................... От 38 до 60 мА
Отношение пиковою г ока к току впадт ы, ис менее:
при 298 К.................................... 8
нри 213 и 358 К.............................. 7
На 1ряжспис пика:
ЗИ202А, ЗИ202Б. ЗИ2О2В................ Ог 0.09 ло 0 2 В
ЗИ202Г, ЗИ202Д. ЗИ202Е........... От 0.1 до 0.22 В
ЗЙ202Ж, ЗИ202И................... От 0 1 ло 0.24 В
ЗИ202К не более . ............. 0.26 В
Общая емкость диода;
ЗИ202А, не более . ............ 3 пФ
ЗИ202Б.......... ...... От 1 5 до 3 нФ
ЗИ202В........................... От 2,3 ло 4,8 пФ
ЗИ202Г, не бо ice................ 4 пФ
311202Д......... ................ От 2 ло 4 пФ
ЗИ202Е ... ................. От 3 ло 5 пФ
ЗИ202Ж, не более................. 5 пФ
ЗИ202И •......................... Ог 4 до 8 пФ
ЗИ202К, не более................. 10 пФ
Сопротивление потерь* при импульсном обратной! токе 250 мА,
не более:
ЗИ202А..................................... 5 Ом
ЗИ202Б. ЗИ202В ЗИ2021.......... 4 Ом
ЗИ202Д ЗИ202Е, ЗИ202Ж, ЗИ202И.. 3 Ом
ЗИ202К..................................... 2 Ом
На тряжение впадины*
3 4202А ЗИ202Б, ЗИ202В.....................0,58 В
ЗИ202Г. ЗИ202Д, ЗИ202Е, ЗИ202Ж, ЗИ202Й . . . 0,62 В
Резонансная частота*:
ЗИ202А.....................................9,2 ГГц
3 И 202 Б....................................10,5 ГГц
ЗИ202В..................................... 6.0 ГГц
ЗИ202Г.....................................9.9 ГГц
ЗИ202Д.......................................11,7 Пц
ЗИ202Е.....................................9,0 ГГц
ЗИ202Ж.......................................10,6 ГГц
ЗИ202И.....................................6,1 ГГц
ЗИ2О2К.....................................7.7 ГГц
Индуктивность диода*, не бо ice............. . . .0.5-10"9 Гн
328
Предельные эксплуатационные данные
Температура окружающей среды . . . . От 213 до 358 К
Температура корпуса............................ 358 К
Примечания: 1. Допускается работа диодов на первой восхо-
дящей вс ran и па участке отрицательного сопротивления. Работа
на второй восходящей ветви не допускается.
2. При креплении диодов в зажимных приспособлениях допуска-
ется давление па крышку перпендикулярно ее плоскости не более 15 Н
3. Нс допускается проверка диодов тестером.
Вотьт-ах первые харак те-
рне I пкп
Вольт-амперные характе-
рне п.кп.
Волы-амперные харак iс-
ристики
Во пл-амперные харакге
риешки.
329
9
температуры.
темпера гуры
ЗИ2ОЗА, ЗИ2ОЗБ, ЗИ2ОЗГ, ЗИ2ОЗД, 2И203Ж, ЗИ2ОЗИ
Диоды арсен ил-галлиевыс туннельные мстасплавные Предназна-
чены для генерирования колебаний в диапазоне длин воли ог 6 до
10 см. ,
Выпускаю юя в металлоке-
рамическом корпусе. Тип диола
указывается па этикетке. Диолы
маркируются условными обозначе-
ниями на
ЗИ2ОЗА Л,
ЗИ2ОЗГ - Г,
ЗИ2ОЗЖ - Ж;
на 1Слы1ый
больший диаметр.
М icca (иода пе бо ice 0,065 г.
01,6
крышке прибора:
ЗИ2ОЗБ Б
ЗИ2ОЗД - Д;
ЗИ2ОЗИ - И. Oipn-
вывод диода имеет
Пиковый ток:
Электрические парамс гры
при 298 К
ЗИ203А, ЗИ2ОЗБ
ЗИ2ОЗГ. ЗИ2ОЗД
ЗИ2ОЗЖ, ЗИ2ОЗИ
прп 358 К
ЗИ2ОЗА. ЗИ2ОЗБ
ЗИ2ОЗГ. ЗИ2ОЗД
ЗИ2ОЗЖ. ЗИ2ОЗИ
при 113 К
ЗИ2ОЗА, ЗИ2ОЗБ
ЗИ2ОЗГ, ЗИ2ОЗД
ЗИ2ОЗЖ, ЗИ2ОЗИ
......................... От 9 до 11 мА
......................... От 18 до 22 мА
......................... От 27 до 33 мА
.................Ог — 1,5 до /„ + 0,5 мА
.................От /„ — 3.0 до /п + 1,0 мА
.................От /„ — 4,5 до /„ + 1,5 мА
.................От /„ — 1,0 до /„ + 0,5 мА
. . . От— 2,0 до/„ + 1,0 мА
.................От /„ — 3,0 до /„ + 1,5 мА
От юшепис пикового тока к току впадины, пе мспсс:
при 298 К...................................... 10
прп 213 и 358 К.......... ...................
Напряжен ie пика не более.
ЗИ203А, ЗИ2ОЗБ............................... 0,2 В
330
ЗИ2ОЗГ, ЗИ2ОЗД..............................0.22 В
ЗИ2ОЗЖ. ЗИ2ОЗИ..............................0.24 В
Общая сх кость диода при нулевом смещении, / = 1 60 МГц
ЗИ203А, не более......................... 2 пФ
ЗИ2ОЗБ, ЗИ2ОЗД...................... От 1,5 до 3 пФ
ЗИ2ОЗГ, нс более....................... 2.5 пФ
ЗИ-ОЗЖ. нс более....................... 3.0 пФ
ЗИ2ОЗИ.............................. От 2.5 до 4.5 пФ
Сопротивление потерь при 1 ;р , = 250 мА, пс более
ЗИ20 А.....................’................... 6 Ом
ЗИ2ОЗБ. ЗИ2ОЗГ................. 4 Ом
ЗИ2ОЗД................................. 3,5 Ом
314203Ж.................................. 3 Ом
314203И................................ 2.5 Ом
Индуктивность диода*, не более............... 0,3 нГн
Емкость корпуса *......................... От 0 3 до 0,6 пФ
Наг ряжение впадины *........................ 0,6 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение прн Температуре от 213 до 358 К
ЗИ2ОЗА ЗИ2ОЗБ................................ 0,4 В
ЗИ2ОЗГ, ЗИ2ОЗД, ЗИ203Ж. ЗИ2ОЗИ...............0.45 В
Постоянный обратный ток:
ЗИ2ОЗА ЗИ2ОЗБ................................. 5 мА
ЗИ2ОЗГ, ЗИ2ОЗД.......................... 10 мА
ЗИ203Ж, ЗИ2ОЗИ.......................... 15 мА
Температура окружающей среды .... От 213 до 358 К
Примечания: 1. При креплении диодов допускается давление
па крышку перпендикулярно ее плоскости не более 30 Н и изги-
бающее усилие не более 1 Н с.м.
2. Не допускается постоянное смещение рабочей точки диодов
на вторую восхо яшую ветвь вольт-амперной характеристики.
3 Не допускается проверка диодов тестером.
8.3. ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ
АИ301А, АИ301Б, АИ301В, АИ301Г
Диолы арсенид-таллие-
вые туннельные. Предназна-
чены для работы в переклю-
чающих схемах
Выпускаются в металло-
керамическом корпусе с т ибкими
ленточными выво ами Тин
диода указывается на этикетке
Масса диода не более 0,15 т
331
Электрические параметры
Пиковый ток
при 298 К
АИ301А.................................. Oi 1,6 до 2,4 мА
АИ301Б, АИ301В..................... Ог 4,5 до 5,5 мА
АИ301Г.......................... От 9,0 до 11 мА
при 213 и 343 К
АИ301А............................. От 1,3 до 2,6 мА
АИ301Б, АИ301В..................... От 3,9 до 5,9 мА
АИ301Г..............................От 7,7 до 11,6 мА
Отношение пикового тока к току впадины, нс менее 8
Напряжение пика, не более........................0,18 В
Напряжение раствора
АИ301А, нс менее........................ 0,65 В
АИ301Б............................. От 0,85 до 1,15 В
АИ301В............................. От 1,0 до 1 3 В
АИ301Г, не менее......................... 0,8 В
Общая емкость диода в точке минимума вольт-амперной характе-
ристики при /= 1 — 10 МГц, ис более:
АИ301А........................................12 пФ
АИ301Б АИ301В................................. 25 пФ
АИ301Г........................................ 50 пФ
Емкость корпуса, не более..........................0,8 пФ
Индуктивность диода, не бо iee....................1,5 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до
343 К:
АИ301А, АИЗО Б . . . .
АИ301В................
АИ301Г................
Температура окружающей среды
.....................1,2 мА
.....................2,7 мА
.....................5,5 мА
от 213 до 343 К
Примечания: 1 Пайка и
изгиб выводов допускаются на
расстоянии ие менее 3 мм от
корпуса диода. При изгибе выво-
да необходима жесткая фиксация
его основания. Допускается укора-
чивать длину выводов до 8,5 мм
без приложения механической на-
грузки к корпусу.
2. При креплении диодов до-
пускается давление на крышку
диода, перпендикулярное ее плос-
кое in, не более 15 Н
3. Не допускается проверка
диодов тестером.
Зона возможных положений вольт-
амперных характеристик.
I
Зона возможных положений
воль I -амперных характеристик.
Зона возможных положений
во 1ьт-а.мпсрных характеристик.
Зона возможных положений за-
висимости пикового тока от
•температуры.
Во тьт-амнерныс характерис-
тики.
1И304А, 1И304Б, ГИ304А, ГИ304Б
Диоды германиевые туннельные мезасплавпые. Предназначены
для работы в быстродействующих переключающих схемах.
Выпускаются в мсталлостскляшю.м корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на этикетке. Диоды маркируются
цветной точкой: 1И304А, ГИ304А — черной иа положительном выводе,
1И304Б, ГИ304Б — черной на отрицательном выводе. Утлублепис
положительного вывода окрашивается в красный цвет
Масса диода не более 0,1 г.
333
Электрические параметры
Пиковый ток;
1И304А
при 298 К........................... От 4,6 до 5,2 мА
при 213 и 343 К...................От 0,85 /„ до 1,05 1п
ГИ304А
при 298 К......................... От 4,5 до 5,1 мА
при 333 К......................От 4,05 до 5,61 мА
при 233 К.........................От 3,6 до 5,61 мА
И304Б
при 298 К.......................... Ог 4,8 до 5,4 мА
при 213 и 343 К . . . . От 0,85 /п до 1,05 /п
ГИ304Б
при 298 К..........................От 4,9 до 5,5 м\
при 333 К.........................От 4,41 до 6,32 мА
при 233 К .........................Oi 3,92 ло 6,05 мА
Отношение пиковою тока к току впадины, не менее:
1И304А, 1И304Б
при 298 К.................................... 8
при 213 и 343 К............................. 4
ГИ304А, ГИ304Б
при 298 К.................................... 5
при 233 и 333 К............................. 4
Напряжение раствора-
1И304А, И304Б
при 298 К, не менее...................... 400 мВ
при 343 К, не менее..................... 0,85 Срр
при 213 К, не более..................... 1,25 Б’рр
1 И304А. Г ИЗО4Б
при 298 К не менее........................... 420 мВ
при 333 К, не менее........................... 336 мВ
при 233 К, нс более........................... 525 мВ
Общая емкость диода в точке минимума вольт-амперной
характеристики прн f— I — 10 МГц, не более .... 20 пФ
Преде 1Ы1ые эксплуатационные данные
Постоянный прямой и обратный ток:
1И304А, 1И304Б
от 213 до 293 К.............
10 мА
334
при 343 К............. ....................
ГИ304А, ГИ304Б
7,5 мА
от 233 до 293 К .
10 мА
при 333 К................................7,5 мА
Температура окружающей среды:
1И304А. 1ИЗО4Б................. О 213 до 343 К
ГИ304А ГИ304Б.................. Ог 233 до 333 К
Примечания: 1. В диапазоне темпера!уры от 293 до 343 К
для 1И304А, 1И304Б и от 293 до 333 К для ГИ304А, ГИ304Б
значение постоянного прямого и
0,5 мА на каждые 10 К и на
0,5 мА на каждые 8 К соот-
ветс темно
2. Пайка выводов допускается
на расстоянии не менее 2,5 мм
от корпуса, при этом темпера:.ура
корпуса не должна превышать
358 К
* 3 При из! ибе вывода необхо-
дима жесткая фиксация его ос-
нования.
4 После установки в аппара-
туре диоды должны заливаться
изоляционным компаундом.
обратного тока снижается на
Вольт-ампериыс характерист икн 0
28
24
20
76
72
8
4
0
213 253 293 333 К
Зона возможных поло-
жений зависимости пи-
кового тока о г тем-
пературы.
Зона возможных поло-
жений зависимости
отношения пикового
тока к току впадины
от температуры.
Зона возможных по-
ложений зависимости
напряжения раствора
от температуры.
335
1И305А, 1И305Б, ГИ305А, ГИ305Б
Диоды германиевые туннельные мезасплавпыс Предназначены для
рабо!Ы в переключающих схемах.
Выпускаются в металлостсклянпом корпусе с гибкими выводами.
Обо начение типа приводился на этикетке Диоды маркируются
цветной точкой: 1И305Б, ГИ305Б — голубой на отрицательном выводе;
1ИЗО5А, ГИ305А — точка отсутствует. У>дубление положительного
вывода окрашивается в красный цвет
Масса диола не более 0,1 г.
'Электрические параметры
Пиковый ток
1И 305А
при 298 К.................................От 9,2 до 10,4 мА
при 343 К...............................От 0,9 /п до 1., 1 /„
при 213 К...............................От 0,83 /п до 1,03 /п
ГИ305А
при 298 К.................................От 9,1 до 10,1 мА
прн 333 К...............................От 8,19 до 11,61 мА
ври 233 К...............................От 7,28 до 11,11 мА
1И305Б
при 298 К...............................Ог 9,6 до 10.8 мА
прп 343 К...............................Oi 0.9 /п до 1,1 1„
при 213К ........................От 0,83 1п до 1,03 /„
ГИ305Б
при 298 К.................................От 9,8 до 11,1 мА —
при 333 К...............................От 8,82 до 12,76 мА
при 233 К...............................От 7,84 до 12,21 мА
Отношение пикового тока к току впадины, не менее:
1И305А, 1И305Б
при 298 К.................................. ... 8
от 213 до 343 К................................ 4
ГИ305А, ГИ305Б
при 298 К........................................ 5
при 233 и 333 К................................ 4
336
Напряжение раствора:
1И 305А, 1И305Б
при 298 К не менее......................... 400 мВ
при 343 К............................Ог 0,85 до 1/рр
при 213 К пе более...................... 1,25 (7рр
ГИ305А, ГИ305Б
при 298 К, не менее........................... 430 мВ
при 333 К. не менее...................... . . 344 мВ
при 233 К нс более............................ 537 мВ
Напряжение пика, пс более:
1И305А, 1И305Б....................................70 мВ
ГИ305А, ГИ305Б....................................85 мВ
Общая емкость диода в точке минимума вольт-ампер-
ной характерист ики,/= 1 10 МГц, не более .... 30 нФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой и обратный ток
1И305А, 1И305Б
от 213 до 293 К...................
при 343 К.........................
ГИ305А, ГИ305Б
от 233 до 293 К...................
при 333 К ........................
Температура окружающей среды:
1И305А, 1И305Б ....................
ГИ305А, I И305Б....................
Темпераiypa перехоча...................
. . . . 20 мА
. . . . 15 мА
. . . . 20 мА
. . . . 15 мА
От 213 до 343 К
От 233 до 333 К
348 К
Примечания: 1. В чиапазопе температуры от 293 до 343 К
для 1И305А. 1И305Б и oi 293 до 333 К для ГИ305А, ГИ305Б
значение постоянного прямого п обрашого тока снижается линейно
па 1 мА на каждые 10 К
2 . Панка приборов допускается на расстоянии нс менее 2.5 мм
от корпуса, при этом температура корпуса нс должна превышать
358 К.
3 При изгибе вывода
необходима жесткая фик-
сация ею основания.
4 . Пос ie установки в
апиара гуру диоды должны
заливаться изоляционным
компаундом.
Волы-амперные характерис-
тики.
337
Зона возможных поло-
жений зависимости пи-
кового тока от тем-
пературы.
Зона возможных поло-
жений зависимости от-
ношения пикового то-
ка к току впадины от
температуры.
Зона возможных по-
ложений зависимости
пат ряжо ия раствора
от температуры.
ЗИЗО6Г, ЗИЗО6Е, ЗИЗО6Ж, ЗИЗО6К, ЗИЗО6Л, ЗИЗО6М,
ЗИЗО6Н, ЗИЗО6Р, ЗИЗО6С
Диоды арсенид-таллиевые туннельные сплавные. Предназначены
для работы в т ереключающих схемах.
Выпускаются в металлокерамическом корт усе с гибкими лен-
точными выводами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды
маркируются условными обозначениями на
ЗИЗО6Г - ПГ, ЗИЗО6Е - ПЕ, ЗИЗО6Ж - ПЖ,
ЗИЗО6Л ПЛ, ЗИЗО6М ПМ, ЗИЗО6Н - ПН,
ЗИЗО6С - ПС.
крышке прибора:
ЗИЗО6К - ПК,
ЗИЗО6Р - ПР,
Масса диода не более 0,15 г.
Электрические параметры
Пиковой ток:
при 298 К
ЗИЗО6Г, ЗИЗО6Е..................... От 1,8 до 2,2 мА
ЗИЗО6Ж, ЗИЗО6К, ЗИЗО6Р . . . . От 4,5 до 5,5 мА
ЗИЗО6Л, ЗИЗО6М, ЗИЗО6Н, ЗИЗО6С От 9,0 до 11 мА
при 373 К
ЗИЗО6Г, ЗИЗО6Е...................... От 1,5 до 2,4 мА
ЗИЗО6Ж, ЗИЗО6К, ЗИЗО6Р.............. От 3,9 до 5,9 мА
ЗИЗО6Л, ЗИЗО6М, ЗИЗО6Н, ЗИЗО6С От 7,7 до 11,8 мА
при 213 К
ЗИЗО6Г, ЗИЗО6Е...................... От 1,5 до 2,4 мА
ЗИЗО6Ж, ЗИЗО6К, ЗИЗО6Р .... От 3,8 до 5,9 мА
ЗИЗО6Л ЗИЗО6М, ЗИЗО6Н, ЗИЗО6С От 7,6 до 11,8 мА
Отношение пикового тока к току впадины, не меиее:
при 298 К . . . * ............ 8
при 373 К........................................... 6
Напряжение пика, ие более:
при 298 К.....................................0,17 В
при 373 К.......................................... 0,2 В
Напряжение раствора, нс менее:
при 298 К.....................................0.85 В
при 373 К..........................................0,72 В
при 213 К.......................................... 0.8 В
Общая емкость диода в точке минимума вольт-ампер-
ной характеристики при /= 1 10 МГц:
3 ИЗО 61' не более......................... 8 нФ
ЗИЗО6Е*......................... От 4 до 12 пФ
ЗИЗО6Ж, пе более........................... 15 нФ
ЗИЗО6К.......................... От 8 до 25 нФ
ЗИЗО6Л, не более........................... 12 нФ
ЗИ306М не более............................ 30 пФ
ЗИЗО6Н.......................... От 15 до 50 пФ
ЗИЗО6Р.......................... От 4 до 25 пФ
ЗИЗО6С.......................... От 10 до 50 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток на второй восходящей ветви вольт-ампер-
ной харак1српстики при температуре:
от 213 до 298 К
ЗИЗО6Г, ЗИЗО6Ж, ЗИЗО6Л. ЗИЗО6М 0,4 Z„
ЗИЗО6Е, ЗИЗО6К, ЗИЗО6Н, ЗИЗО6Р,
ЗИЗО6С.................................. 0,9 4
при 373 К
ЗИЗО6Г ЗИ306Ж, ЗИЗО6Л, ЗИЗО6М 0,15 4
ЗИЗО6Е. ЗИЗО6К, ЗИЗО6Н. ЗИЗО6Р
ЗИЗО6С.................................. 0,5 4
Импульсный ток на второй восходящей ветви вольт-амперной харак-
теристики при температуре:
от 213 до 298 К
ЗИЗО6Г, ЗИ306Ж, ЗИЗО6Л, ЗИ306М 0,4 /„
ЗИЗО6Е, ЗИЗО6К, ЗИЗО6Н, ЗИЗО6Р.
ЗИЗО6С.................................... 1,2 4
при 373 К
ЗИЗО6Г, ЗИ306Ж, ЗИЗО6Л, ЗИЗО6М.................... 0,3 /„
ЗИЗО6Е, ЗИЗО6К, ЗИЗО6Н ЗИЗО6Р, ЗИЗО6С ... 0,8 4
338
339
Постоянный обратный ток-
ЗИЗО6Г, ЗИЗО6Е................................. 4 мА
ЗИЗО6Ж, ЗИЗО6К, ЗИЗО6Р.................. 10 мА
ЗИЗО6Л, ЗИЗО6М, ЗИЗО6Н. ЗИЗО6С 20 мА
Температура окружающей среды.............. От 213 до 373 К
Примечание. Допускается укорачивать выводы ло 8,5 мм
без приложения механической нагрузки к корпусу прибора.
Зона возможных положений за-
висимости пикового тока оз
температуры.
Зона возможных положений за-
висимости тока впадины oi тем-
пературы.
Зона возможных положений за-
висимости напряжения paciBopa
от температуры.
ГИ307А
Диод терманисвый туннельный
мезасплавиой Предназначен для
работы в переключающих схемах.
Выпускается в металлостек
ляшюм корпусе с гибкими ленточ-
ными выводами. Тин диода ука-
зывается на этикетке. Диод мар-
кируется синей точкой у положи-
тельного вывода.
Масса диода не более 0,1 г.
340
Эзектрически параметры
Пиковый ток
при 298 К.............................................Ог 1,8
до 2,2 мА
при 333 К..........................................От 1,62
ло 1,98 мА
при 233 К..........................................От 1,67
до 2,09 мА
Отношение пикового тока к tokv впадины, не менее:
при 298 К.....................'..................... 7
при 233 и 333 К................................. 5
Напряжение пика, не менее..............................70 мВ
Напряжение раствора при токе 2 мА, ис меиее:
при 298 К........................................... 400 мВ
при 233 и 333 К.................................. 340 мВ
Общая емкость диода не более.......................... 20 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой и обратный ток................. 4 мА
Импульсный прямой и обратый ток при т„ < 10 мкс
и скважности не менее 2,5....................... 10 мА
Темпера ура окружающей среды.....................От 233
до 333 К
Во 1Ы -амперные характерис-
тики
1И308А, 1И308Б, 1И308В, 1И308Г, 1И308Д,
1И308Е, 1И308Ж, 1И308И, 1И308К
Диоды германиевые туннельные мезапланарные. Предназначены
для работы в переключающих устройствах субнаиосекундиого диа-
пазона.
Выпускаются в метал окерамичсском корпусе с жесткими вы-
водами. Тин диода указывается на этикетке. Диоды маркируются
цветным кодом: 1И308А — зеленой и черной точками, 1И308Б—
зеленой и белой точками, 1И308В — красной и черной точками,
1И308Г —двумя красными точками, 1И308Д — красной и белой точ-
341
ками, 1И 081 — белой и черной точками, 1ИЗО8Ж — двумя белыми
точками, 1ИЗО8И го убой и черной точками, 1И308К — голубой
и белой точками. Ожидательный вывод имеет больший диаметр.
Масса диода не более 0,1 г.
Электрические параметры
Пиковый ток
1И308А, 1И308Б.........................От 4.5 до 5,5 мА
1ИЗО8В 1ИЗО8Г 1ИЗО8Д...................От 9,0 до 11 мА
1ИЗО8Е, 1И308Ж.........................От 18 до 22 мА
1ИЗО8И, 1ИЗО8К.........................От 45 до 55 мА
Отношение пикового тока к току впадины, нс
менее:
при 298 К...................................... 5
при 213 и 343 К................................ 4
Общая емкость диода в точке минимума вольт-
амнерноп характеристики при /=1 — 10 МГц:
1И308А, 1ИЗО8Г........................От 1.5 до 5 пФ
1ИЗО8Б.................................О i 0,7 до 2 нФ
1ИЗО8В.................................Oi 4,0 до 10 пФ
1ИЗО8Д................................От 0,8 до 2 пФ
1И308Е...............................От 3.0 до 15 пФ
1И308Ж................................От 1,0 до 4 пФ
1И 08И ...........................От 5,0 до 20 нФ
1ИЗО8К...............................От 2,3 до 8 нФ
Напряжение пика*.
1И308А................................От 70 до 100 мВ
1И308Б................................От 70 до НО мВ
1И308В................................От 60 до НО нВ
1ИЗО8Г...............................От 60 до 120 мВ
1И308Д...............................От 70 до 130 мВ
1И308Е...............................От 80 до 140 мВ
1ИЗО8Ж...............................О । 85 до 160 мВ
1ИЗО8И..............................От
1И308К..............................От
Напряжение впадины*.......................От
Напряжение раствора * От
Температурный коэффициент пикового тока* при
100 до 150 мВ
100 до 180 мВ
350 до 480 мВ
510 до 630 мВ
температуре, не хуже:
от 273 до 333 К.......................... -0,35 %/К
от 213 до 343 К.......................... — 0,25%/К
342
Температурный коэффициент тока впадины * при
температуре от 213 до 343 К, не бо iee . . . 0,6 %/К
Температурный коэффициент напряжения раст-
вора* .................................... От 0,5 до 1,5 мВ/К
Емкость корпуса *...........................От 0 42 до 0,58 пФ
Индуктивность диода*.........................От 0,2 до 0,35 нГц
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток на второй восходящей ветви вольт-
амперной характеристики при температуре-
от 213 до 308 К
1И308А, 1И308Д........................................6 мА
1И308Б...............................................4 мА
1И308В. 1ИЗО8Е, 1И308К..............................20 мА
1И308Г 15 мА
1И308Ж...............................................8 мА
1И308И..............................................40 мА
при 343 К
I ИЗО8А..............................................2 мА
1ИЗО8В...............................................7 мА
1ИЗО8Г.......................................... 3 мА
1ИЗО8Е...............................................6 мА
1И308И..............................................15 мА
Импульсный прямой ток на второй восходящей ветви во ibT-
амнерной характеристики при температуре от 213 до 308 К
(при час юге следования импульсов не более 105 Гц):
т„ = 1 мкс 0,1 мкс 0,01 мкс 0.001 мкс
1ИЗО8А - . 12 20 30 50 мА
1ИЗО8Б 5 6 7 25 мА
1ИЗО8В 90 120 150 250 мА
1ИЗО8Г 30 45 60 100 мА
1ИЗО8Д ..... 10 12 15 50 мА
1И308Е 40 60 90 250 мА
1ИЗО8Ж. . . . 18 20 30 100 мА
1ИЗО8И 75 120 180 300 мА
1И308К 45 60 90 150 мА
Температура окружающей среды . . . От 213 до 343 К
• Примечания: 1. Значения постоянного и импульсного обрат-
ного тока в 1,5 раза больше соответствующих значений прямого
тока.
2 Диоды 1ИЗО8Б, 1ИЗО8Д при температуре оч 333 до 343 К
и 1И308Ж, 1И308К при температуре от 323 до 343 К в стати-
ческом режиме должны работать па первой восходящей ветви вольт-
амперной характеристики
3 Величина прижимного усилия при креплении диода не до 1жна
превышать 20 Н.
4 Не допускается проверка диодов тестером.
343
0,3 0,4 0,5 0,6 в
Вольт-амперные характеристики
Обратная ветвь вольт-амперной
характеристики (напряжение
указано в милливольтах).
Зависимость пикового тока от
температуры.
Зависимое! ь прямого тока о г
температуры.
ЗИЗО9Ж, ЗИЗО9И, ЗИЗО9К, ЗИЗО9Л, ЗИЗО9М, ЗИЗО9Н
Диоды арсенид-! аллисвыс
туннельные мезапланарные. Пред-
назначены для работы в пере-
ключающих схемах в герметизи-
рованной аппаратуре.
Бескорпусные с защитным по-
крытием и гибкими выводами. Тип
диода указывается на этикетке.
Масса диода ие более 5 мг.
344
Электрические параметры
Пиковый юк:
при 298 К
ЗИЗО9Ж, ЗИЗО9И. ЗИЗО9 К •.............Ог 4.5 до 5.5 мА
ЗИЗО9Л, ЗИЗО9М ЗИ.ЗО9Ц................Ог 9,0 до II мА
при 373 К
ЗИЗО9Ж ЗИЗО9И ЗИЗО9К.................От 3.9 до 5.9 мА
ЗИЗО9Л, ЗИЗО9М. ЗИЗО9Н................Oi 9.0 до 11 мА
при 213 К
ЗИЗО9Ж ЗИЗО9И. ЗИЗО9К..................От 3 8 до 5.9 мА
ЗИЗО9Л, ЗИЗО9М. ЗИЗО9Н.................От 7,6 до 11.8 мА
Отношение пикового тока к току впадины, пе
менее:
при 298 К....................................... 8
ври 373 К....................................... 6
Напряжение пика, пс ботее.
при 298 К
ЗИЗО9Ж, ЗИЗО9И, ЗИЗО9К........................ 0.18 В
ЗИЗО9Л, ЗИЗО9М ЗИЗО9Н........................ 0,2 В
при 373 К
ЗИЗО9Ж, ЗИЗО9И, ЗИЗО9К.................... 0.2 В
ЗИЗО9Л, 3H309M, ЗИ309Н................... 0.22 В
Напряжение раствора, не мспсс:
при 298 К......................................... 0.85 В
при 373 К..................................... 0.72 В
при 213 К...................................... 0.8 В
Общая емкость диода в точке минимума во |ьт-
амнерной характеристики при /=1 — 10 МГн:
ЗИЗО9Ж.................................... Oi 2,2 до 4.7 пФ
ЗИЗО9И..................................Ог 3.3 до 10 пФ
ЗИЗО9К Ог 6,8 до 5 пФ
ЗИЗО9Л..................................От 3,3 до 6.8 пФ
3H309M..................................Ог 4,7 до 15 пФ
ЗИЗО9Н................................ . От 10 до 22 пФ
Ilpc.ie тьиыс эксплуатационные данные
Постоянный прямой гок на второй восходящей ВС1ВИ
вольт-амперной характеристики при температуре,
ог 213 до 298 К
ЗИ309Ж, ЗИЗО9И, ЗИЗО9Л, ЗИ309М.................0.4 /„
ЗИЗО9К, ЗИЗО9Н .........................0.9 /„
при 373 К
ЗИЗО9Ж, ЗИЗО9И, ЗИЗО9Л, ЗИЗО9М.................0.2 /п
ЗИЗО9К, ЗИ309Н....................................0,5 Z,,
Импульсный прямой ток на второй восходящей ветви волы-
ампсриой характеристики в режиме переключения при
/> 50 Гц и температуре;
ог 213 до 298 К
ЗИ309Ж, ЗИЗО9И, ЗИЗО9Л, ЗИЗО9М . ..................04 /п
ЗИЗО9К, ЗИЗО9Н....................................1,2 /„
345
при 373 К
ЗИЗО9Ж, ЗИЗО9И, ЗИЗО9Л, ЗИЗО9М.................0.3 /„
ЗИЗО9К, ЗИЗО9Н.................................0,8 /„
Постоянный обратный ток:
ЗИЗО9Ж, ЗИЗО9И ЗИЗО9К......................10 мА
ЗИЗО9Л, ЗИЗО9М, ЗИЗО9Н......................20 мА
Температура окружающей среды.........................От 213
до 373 К
8.4 ОБРАЩЕННЫЕ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ
1И401А, 1И461Б, ГИ401А, ГИ401Б
Диоды германиевые обращенные меэасплавпые. Предназначены
для рабо!Ы в переключающих устройствах, детекторах, смесителях.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими летом
иыми выводами. Диоды маркируются цветным кодом: 1И401А,
ГИ401А красной точкой, 1И401Б. ГИ401Б синей точкой. Цветная
точка наносится в углублении вывода и указывает па положитель-
ный вывод.
Масса диода нс более 0,1 г.
346
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /„„ = 0,1 мА нс
менее:
нри 298 К...........................................330 мВ
прн 343 и 213 К (1И401А 1И401Б)................ 280 мВ
Постоянное обратное напряжение при /овр = 1 мА
при 298 К........................................90+1? мВ
нри 343 и 213 К (1И401А 1И401Б)..............1/0(,г + 15 мВ
Общая емкость диода при путевом смещении нс более
1И401А, ГИ401А.....................................2,5 нФ
1И401Б, ГИ401Б................................5,0 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток при температуре от 213
(218 К для ГИ401А ГИ401Б):
ло 298 К
1И401А, ГИ401А.................................0,3 мА
1И401Б, ГИ401Б.................................0,5 мА
при 343 К
1И401А, ГИ401А...................................0,2 мА
1И401Б ГИ401Б..................................0,3 мА
Постоянный обратный ток при температуре
от 213 (218 К для ГИ401А ГИ401Б)
до 298 К
1И401А, ГИ401А...................................4,0 мА
1И401Б. I И401Б................................5,6 мА
при 343 К
1И401А, ГИ401А...................................2,4 мА
1И401Б, ГИ401Б ................................4,0 мА
Температура окружающей среды:
111401 А, 1И401Б......................................От 213
до 343 К
ГИ401А ГИ401Б .............................От 218
до 343 К
Примечание. При работе в импульсном режиме независимо
от длительности импульса токи не должны превышать значений,
указанных для постоянных токов.
347
Вольт-а.м верные характерис-
тики.
ЗИ402А, ЗИ402Б, ЗИ402В, ЗИ402Г, ЗИ402Д, ЗИ402Е,
ЗИ402И, АИ402Б, АИ402Г, АИ402Е, АИ402И
Диоды арсенид-галлиевые обращенные мезасплавиые. Предназна-
чены для работы в переключающих устройствах, детекторах, сме-
сителях
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими ленточ-
ными выводами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды мар-
кируются условными обозначениями на крышке прибора' ЗИ402А —
ОА; ЗИ402Б, АИ402Б - ОБ, ЗИ402В - ОВ; ЗИ402Г, АИ402Г - ОГ;
ЗИ402Д ОД ЗИ402Е, АИ402Е - ОЕ ЗИ402И, АИ402И - ОИ
М<сса диода не более 0,15 г.
Э текгричсские параметры
Постоянное прямое напряжение при токе па второй восхо-
дящей ветви 0,1 мА (ЗИ402А, ЗИ402Б, ЗИ402В, ЗИ402Г,
АИ402Б АИ402Г); 0,2 мА (ЗИ402Д ЗИ402Е, АИ402Е);
348
0,4 мА (ЗИ402И, ЛИ402И), нс менее:
при 298 К..........................................0,6 В
при 373 К (ЗИ402А, ЗИ402Б, ЗИ4О2В. ЗИ402Г, ЗИ402Д, ,
ЗИ402Е, ЗИ402И)..................................0,4 В
при 358 К (АИ402Б, АИ402Г, АИ402Е, АИ4О2И) ... 0,4 В
при 213 К
ЗИ402А, ЗИ402Б, ЗИ402В, ЗИ402Г, ЗИ402Д, ЗИ402Е,
ЗИ402И..........................................0.6 В
АИ402Б, АИ402Г, AH402F, АИ402И..................0,5 В
Постоянное обратное напряжение при /о6р = I мА (ЗИ402Л,
ЗИ402Б, ЗИ402В, ЗИ402Г, АИ402Б, ЛИ402Г); 2 мА
(ЗИ4О2Д, 314402Е, ЛИ402Е); 4 мА (ЗИ402И, ЛИ492И),
не более:
при 298 К.......................................0,25 В
при 373 К (ЗИ402А, ЗИ402Б, ЗИ4О2В, ЗИ402Г, ЗИ402Д,
ЗИ402Е, ЗИ402И).................................0,29 В
при 358 К (АИ402Б, АИ402Г, АИ402Е, ЛИ402И) . . 0,29 В
при 213 К.......................................0,35 В
Общая емкость диода:
ЗИ402А, не более ..............................2 пФ
ЗИ402Б.........................................От 1,5
до 3.5 пФ
ЗИ402В...........................................Oi 2,7
до 5 пФ
ЗИ402Г, ЗИ402И не более.........................6 пФ
ЗИ402Д, не более ............................3.5 пФ
ЗИ402Е...........................................От 2
до 6 пФ
АИ402Б, не более...............................0,4 пФ
АИ4О2Г, АИ402Е, не более........................8,0 пФ
АП402И, пе бо.чее..............................10 пФ
Сопротивление потерь,* не более
ЗИ402А . . 18 Ом
ЗИ402Б...........................................16 Ом
ЗИ402В...........................................14 Ом
Пиковый ток, не более
АИ402Б. АИ402Г......................................0,1 мА
ЛИ402Е.........................................0 2 мА
АИ402Е..........................................0,4 мА
Предельные эксплу а (анионные данные
Постоянный обратный ток при температуре:
от 213 до 373 К
ЗИ402А, ЗИ402Б ЗИ402В, ЗИ402Г......................2 мА
ЗИ402Д, ЗИ402Г....................................4 мА
ЗИ402И............................................8 мА
от 213 до 358 К
АИ402Б, АИ402Г ....................................1 мА
АИ402Е............................................2 мА
АИ402И............................................4 мА
349
Постоянный прямой ток при температуре от 213
до 373 К:
ЗИ4О2А ЗИ402Б, ЗИ4О2Г, ЗИ402Д, ЗИ402И .... 0,05 мА
ЗИ4О2В. ЗИ402Е..................................0,1 мА
Температура окружающей среды-
ЗИ402А, ЗИ402Б, ЗИ402В ЗИ402Г. ЗИ402Д, ЗИ402Е,
ЗИ402И...........................................От 213
до 373 К
АИ402Б, АИ402Г, АИ402Е, АИ402И ..................От 213
до 358 К
Примечания I. Реко-
мендуется использовать диоды
при постоянном прямом на-
пряжении не более 0,5 В и
постоянном обратном токе пс
более 0,8 предельного.
2. Допускается укорачива!ь
выводы до 8,5 мм без при-
ложения механической нагрузки
к корпусу прибора
Вольт-амперные хара к герис-
тики.
Обратная ве!вь вольт-амперной
характеристики.
Зависимость пикового тока от
температуры.
350
Зависимость постоянного пря
мою напряжения от темпера-
туры.
Зависимость обратного напря-
жения ог температуры.
1И403А, ГИ403А
Диоды германиевые обращенные мезаенлавные. Предназначены
для работы в быстродействующих переключающих устройствах.
Выпуска отся в металлокерамическом корпусе с гибкими лен-
точными выводами. Тип диода указывается на этикетке Диолы
маркируются цветным кодом: зеленой точкой на о григга тельном
выводе; углубление положительного вывода окрашивается в красный
цвет.
Масса диода не более 0,1 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр 0,1 мА, не
менее:
при 298 и 213 К (233 К для ГИ403А)............... 350 мВ
при 343 К (1И403А) и 333 К (ГИ403А)............. 280 мВ
351
Постоянное обратное напряжение при /оСр = 3 мА, не
более:
при 298 К........................................120 мВ
при 343 и 213 К (1И403А) и 333 и 233 К
(ГИ4ОЗА).........................................135 мВ
Пиковый ток, не более,
при 298 К........................................100 мкА
нри 333 К (ГИ403А)................................100 мкА
прн 233 К (ГИ403А)................................150 мкА
Общая емкоеih диода в точке минимума вольт-амперной
характеристики при /=14-10 МГц, не более...............8 пФ
Сопротивление потерь*, не более......................2,5 Ом
Предельные эксплуатационные тайные
Амплитуда переменного синусоидального прямого и обрат-
ного тока с частотой не менее 50 Гц:
1И403А при температуре
от 213 до 298 К..................................10 мА
при 343 К......................................6 мА
ГИ403А при температуре
от 233 до 298 К ......................Ю мА
ог 298 до 333 К................................6 мА
Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс и скважности
пс менее 2:
1И403А при температуре
от 213 до 298 К..................................14 мА
при 343 К......................................9 мА
ГИ403А при температуре
от 233 до 298 К..................................10 мА
от 298 до 333 К................................6 мА
Температура окружающей среды-
1И403А...............................................От 213
до 343 К
ГИ403А...........................................От 233
до 333 К
Температура перехода для ГИ403А .... .... 343 К
Примечания: 1. В диапазоне температуры от 298 до 343 К
у приборов 1II403A значения предельных токов снижаются на
09 кА па каждые 10 К
2 По«.лс установки в аппаратуру диоды заливаются изоляцион-
ным компаундом ЭК-16Б или другим изоляционным материалом
352
Вольт-амперные характерис-
тики.
Вольт-амперные характерис-
тики (ток указан в микро-
амперах).
Обратная ветвь волы-ампер-
ной характеристики.
1И404А, 1И404Б, 1И404В
Диоды германиевые обращенные мезасплавные. Предназначены
для работы в преобразователях и детекторах сантиметрового диапа-
зона волн.
Выпускаются в металлокера-
мическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается на
этикетке. Диоды маркируются
цветным кодом 1И404А корич
невой точкой; 1И404Б — белой точ-
кой- 1И404В зеленой точкой. От-
рицательный электрод имеет боль
ший диаметр, положительный
маркируется цветной точкой
Масса диода не более 0,08 г.
цветная точка. +
353
12 под рсд. Н. Н. Горюнова
Электрические параметр^
Постоянное прямое напряжение при /11р = 0,5 мА,
не менее:
при 213 и 298 К.................................. 350 мВ
при 343 К ................................... 300 мВ
Постоянное обратное напряжение при = 3 мА
при 298 К....................................От 75 до 105 мВ
при 213 и 343 К...........................От Сойр - 15 мВ
ло 1/обр+ 15 мВ
Общая емкость диода в точке минимума вольт-
амперной характеристики при /=1<-10 МГц
1И404Л.........................................От 0,5 до 1,0 пФ
1И404Б...................................От 0,8 до 1,5 пФ
1И404В...................................От 1,0 до 2,0 пФ
Сопротивление потерь, пе более
1И404А............................................. 9 Ом
1И404Б....................................... 8 Ом
1И404В....................................... 7 Ом
Индуктивность диода*..........................Or 0,2 до 0,35 нГн
Емкость корпуса*..............................Or 0,45 до 0,55 пФ
Температурный коэффициент обратного напряже-
ния *, не более:
от 298 до 343 К.............................. +0,1 мВ/К
от 298 до 213 К.......................... +0,15 мВ/К
Температурный коэффициент прямого напряже-
ния *:
от 298 до 343 К не хуже.................. Мв/К
от 298 до 213 К не более.................... +1,5 мВ К
Пиковый ток* .................................От 0,14 до 0 19 мА
Предетьиые эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая мощность при температуре
от 213 до 308 К
1И404А..............................................2 мВт
1И404Б........................................3 мВт
1И404В........................................5 мВт
при 343 К
1И404А............................................1 мвг
1И404Б..........................................15 мВт
1И404В.........................................2,5 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при ти = 1 мкс и тем
псратуре:
от 213 до 308 К
1И404А.................................................8 мВт
1И404Б..........................................30 мВт
1И404В..........................................50 мВт
354
при 343 К
1И404А..........................................4 мВт
1И404Б.......................................15 мВт
1И404В.......................................25 мВт
Постоянный прямой тож при температуре
от 213 до 308 К
1И404А........................................0,4 мА
1И4О4Б......................................0.6 мА
1И4О4В......................................0,8 мА
при 343 К
1И404А........................................0,1 мА
1И404Б.......................................ОД мА
1И404В......................................0,3 мА
Постоянный обратный ток при температуре:
от 213 до 308 К
1И404А..........................................2 мА
1И404Б......................................3 мА
1И404В........................................4 мА
при 343 К
1И404А 1 мА
1И404Б......................................1,5 мА
1И404В........................................2 мА
Температура окружающей среды.......................От 213
до 343 К
Примечания: 1 Величина прижимного усилия иа корпус не
более 15 Н
2. Не допускается проверка диодов тестером.
3. При измерениях и работе с диодом необходимо брать его
заземленным пинцетом или применять браслет для снятия стати-
ческого заряда
Вольт-амперные характерис-
тики
Зона возможных положений об-
ратной ветви вольт амперной
характеристики.
12*
355
Раздел девятый
ГЕНЕРАТОРЫ ШУМА
2Г401А, 2Г401Б, 2Г401В, КГ401А, КГ401Б, КГ401В
05,34
04,55
Диоды кремниевые планар-
ные. Предназначены для генери-
рования шумов на частотах до
3,5 МГц.
Выпускаются в метадло-
стекляпном корпусе с гибкими
выводами. Тип диода указывает-
ся на корпусе. Положительный
вывод диода маркируется крас-
ной точкой.
Масса диода не более 1 г.
Электрические параметры
Спектральная плотность напряжения генератора шума
при токе 50 мкА, не менее:
при 213 и 298 К
2Г401А, КГ401А 7 мкВ/j/nj
2Г401Б, КГ401Б . ... .3 мкВ/]/Гц
2Г401В, КГ401В . 30 мкВ/]/Гц
при 343 К
2Г401А, КГ401А .... ... .3 мкВ/]/Гц
2Г401Б, КГ401Б 1,5 мкВ/]/Гц
2Г401В, КГ401В 15 мкВ/р'Тц
Граничная частота генератора шума при токе 50 мкА
не менее:
при 298 и 343 К
2Г401А, КГ401А......................................2,5 МГц
2Г401Б, КГ401Б..................................3,5 МГц
2Г401В, КГ401В..................................1,0 МГц
при 213 К
2Г401А, КГ401А....................................1,5 МГц
2Г401Б, КГ401Б..................................2,0 МГц
2Г401В, КГ401В..................................0,6 МГц
Температурный коэффициент спектральной плотности на-
пряжения генератора шума при токе 50 мкА, не
хуже.................................................-1,1 %/К
356
Напряжение пробоя при токе 100 мкА:
2Г401А 2Г401Б, КГ401А, КГ401Б...........................От 6,5
до 9,5 В
2Г401В, КГ401В................................... От 6
до 10 В
Предельные эксплуа анионные чанные
Максимальный ток пробоя при температуре от 213
до 343 К....................................... 1 мА
Минимальный ток пробоя при температуре от 213
до 343 К.......................................10 мкА
Температура окружающей среды....................Ог213
до 343 К
Примечания 1. Нижняя 1 ранила диапазона частот при не-
равномерности спектральной плотности напряжения шума на уровне
+ 3 дБ 20 Гц.
2. Рекомендуемый режим работы генератора шума; ток через
генератор шума 50 + 10 мкА, сопротивление нагрузочного резистора,
включенного последовательно с генератором шума, не менее 100 кОм;
входное сопротивление и емкость между точками схемы, к которым
подключается генератор шума, — не менее 20 кОм и пс более 20 пФ
соответственно.
3. При изменении тока через генератор шума на 5 мкА (на
10 мкА) от номинального тока 50 мкА спектральная плотность
напряжения шума изменяется примерно на 2 % (5 "J, а граничная
частота — на 8% (18 %) значений при номинальном токе.
4. Температурный коэффициент напряжения пробоя около
0,06 %/К.
Зона возможных положений
вольт-амперных характеристик.
Зона возможных положений за-
висимости спектральной плот-
ности напряжения шума от об-
ратного тока.
357
О W gO 110 160 мкА
Зона возможных положений за-
висимости спектральной плот-
ности напряжения шума от
обратного тока.
Зона возможных положений за-
висимости спектральной плот-
ности напряжения шума от об-
ратного тока.
Зависимости спектральной плот-
ности напряжения шума и гра-
ничной частоты от сопротивле-
ния нагрузки.
Зависимости спектральной плот-
ности напряжения шума н гра
личной частоты от емкости на-
грузки.
Зона возможных положений зави-
симости спектральной плотности
напряжения шума от температуры.
358
Раздел десятый
ДИОДЫ СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ
10 1. СМЕСИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ
ДГ-С1, ДГ-С2
Диоды ерманиевые точечные. Предназначены для работы в
преобразователях частоты на длине волны 10 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами Тип диола и схема соединения электродов с выводами
приводятся на этикетке. Диоды маркируются цветным кодом:
ДГ-С! — двумя черными точками; ДГ-С2 — двумя черными точками
и полоской черного цвета.
Масса диода не более 0,7 г.
Этекзрические параметры
Потери преобразования при Рпл 0,5 мВт, X — 9 8 см,
гпос 400 Ом, не более
ДГ-С1..............................................8,5 дБ
ДГ-С2.............................................6,5 дБ
Выпрямленный юк при Рпл = 0,5 мВт. 7- = 9 8 см, не
менее.............................................. .0,4 мА
Шумовое отношение при Ргл 1 мВт, 1 = 3,2 см, гпос =
= 150 Ом, не более.................................. 3
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Ргл —
= 0,5 мВт X = 9,8 см, гпос — 400 Ом, не более .... 3
Предельные эксплуатациоаиые данные
Полная просачивающаяся импульсная мощность . . 80 мВт
Энергия пика проса щвающейся мощности (среднее зна-
чение, измеренное при многократной подаче им-
пульсов) .........................................0,1 10“ Дж
Температура окружающей среды.......................От 213
до 343 К
359
ДК-Cl М, ДК-С2М
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для работы в пре-
образователях частоты на длине волны 10 см.
Выпускаются в металл окерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается на корпусе.
Масса диода не более 2,5 г.
+ I ВыВод1
Вывод 2
Электрические параметры
LT
Потерн преобразования прн Р„л = 1 мВт, X = 9,8 см,
гпос = 400 Ом, не более:
ДК-С1М............................................8,5 дБ
ДК-С2М..........................................6,5 дБ
Выпрямленный ток при Р11Д = 1 мВт, X = 9,8 см, г11ос =
= 350 Ом, не менее.................................0,4 мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению прн Р^ = 1 мВт,
X = 9,8 см, гпос = 350 Ом, не более:
ДК-С1М..........................................3,5
ДКС2М.......................................... 3
Шумовое отношение РПД = 1 мВт, X = 3.2 см, не более
ДК-С1М....................................... 2,7
ДК-С2М......................................... 2
Постоянный обратный ток, не более:
ДК-С1М...........................................150 мкА
ДК-С2М........................................250 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульс! ая рассеиваемая мощность при температуре
от 213 до 373 К ................................. 300 мВт
Энергия импульса при температуре от 213 до
373 К.........................................0,3-10-7Дж
Температура окружающей среды...................От 213
до 373 К
ДК-С7М
Диод кремниевый точечный. Предназначен для работы в пре-
образователях частоты в диапазоне волн от 3 до 12 см.
Выпускается в метал-
локерамическом корпусе с
жесткими выводами. Тип
диода указывается на кор-
пусе.
Масса диола не бо-
лее 0,7 г.
360
Электрические параметры
Потери преобразования прн Рпд = 0,7 мВт, X — 3,2 см,
''пос = 400 Ом
при 298 К, не более.............................. 7,5 дБ
при 213 и 358 К.............................£пр(3 + 1,2 дБ
Коэффициент стоячей волны по напряжению при
Ли = 0,7 мВт, X — 3,2 см, Гпос — 50 Ом, не более:
прн 298 К.......................................... 2
прн 213 и 358 К................................ 2,5
Шумовое отношение при Рпд = 0,7 мВт, X — 3,2 см,
гпос = 50 Ом, не более.............................. 2
Выходное сопротивление при Р„„ = 0,7 мВт, X =
= 3,2 см............................................. От 250
до 700 Ом
Постоянный обратный ток, нс более................... 250 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при т„ < 1 мкс,
скважности, большей или равной 1000, температуре
от 213 до 358 К.....................................100 мВт
Энергия одиночного импульса прн температуре от
213 до 358 К........................................0,3-10~7Дж
Постоянный прямой ток при температуре от 213
до 358 К............................................ 3 мА
Температура окружающей среды........................От 213
до 358 К
Д402, Д404
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для работы в
преобразователях частоты СВЧ диапазона.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Диоды выпускаются подобранными в пары: Д402Р, Д404Р
Тип диода указывается на корпусе.
Масса диода не более 10 г.
Вывод 1
361
Электрические параметры
Потери преобразования при Рпд = 1 мВт, гпос = 400 Ом,
нс более:
при 298 К
Д402 ........................................... 10 дБ
Д404 .......................................... 8,5 дБ
при 213 и 358 К
Д402 ............................................ 12,5 дБ
Д404 ........................................... 11 дБ
Коэффициент стоячей волны по напряжению при
Рпя = 1 мВт, гпос = 100 Ом, не более-
Д402 ............................................... 3
Д404 .......................................... 2,5
Выходное сопротивление при Р1д= 1 мВт, гпос= 100 Ом
Д402 ..............................................От 250
до 650 Ом
Д404 ........................................От 280
до 520 Ом
Шумовое отношение при = 1 мВт, — 100 Ом,
пе более........................................... 2,5
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования, не более..........................1 дБ
Выпрямленный ток, не более..............................10 %
Выходное сопротивление, не более........................50 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность прн скваж-
ности 500 — 3000, температуре от 213 до
358 К......................................... 15 мВт
Энергия СВЧ импульсов при температуре от 213
до 358 К........................................0,02 10“7 Дж
СВЧ мощность плоской части импульса, просачи-
вающегося через разрядник, при температуре о г
213 до 358 К.................................... 10 мВт
Температура окружающей среды.................... Ог 213
до 358 К
Д403Б, Д403В
Диоды германиевые точечные. Предназначены для работы в
преобразователях частоты в диапазоне длин волн от 3 до 12 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается на корпусе. Диоды выпускаются
подобранными в пары. Д403БР, Д403ВР.
Масса диода не более 0,7 г.
362
Электрические параметры
Потери преобразования при Рпл — 1 мВт, X = 3,2 см,
'пос - 400 Ом для Д403Б, не более...................8,5 дБ
Выпрямленный ток при Рпл 1 мВт, г11ОС = 100 Ом,
X = 1,95; 2; 2,5 см для Д4ОЗВ, не менее...............0 4 мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Р^ =
= 1 мВт, Гпос =>00 Ом, Х=1,95; 2; 2,25 см для
Д403В, не более................................... 3
Выходное сопротивление при Рпа = 1 мВт, X = 3,2 см . . .От 200
до 600 Ом
Нормированный коэффициент шума Д403В, не более . . . 11 дБ
Шумовое отношение при Рш = 1 мВт, X = 3,2 см, гпос =
= 50 Ом для Д403Б, не более . 3
Разброс электрических параметров в паре
Выпрямленный ток, не более
30 %
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность при температуре
от 213 до 343 К........................................150 мВт
Энергия СВЧ импульсов при температуре oi 213
до 343 К............................................0,3 Ю"7 Дж
Температура окружающей срезы.............................От 213
до 343 К
Зависимость по ерь преобра-
зования oi температуры.
Зависимость коэффициента
стоячей волны по напряже-
нию от температуры.
363
Д405, Д405А, Д405Б, Д405АП, Д405БП
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для работы в
преобра»ователях частоты диапазона волн 3 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами Тип диода и схема соединения электродов с выводами
приводятся на корпусе. Диоды Д405, Д405А, Д405Б — прямой по-
лярности, Д405АП. Д405БП — обратной полярности. Диоды выпус-
каются подобранными в пары: Д405АР, Д405БР Д405АПР, Д405БПР.
Э кктрическнс параметры
Потери преобразования при Р„л = 1 мВт, X =
= 3,2 см, гпос = 350 Ом:
при 298 К
Д405, не более.......................... 7 дБ
Д405А, Д405АП, не более................... 6,5 дБ
при 373 К
Д405 ..................................От 5 до 9 дБ
Д405А, Д405АП..........................От 4,5 до 8,5 дБ
прн 213 К
Д405 ...................................От 5,5 до 8,5 дБ
Д405А Д405АП ..........................От 5 до 8 дБ
Выпрямленный ток при Р11Л = 1 мВт, X = 3,2 см,
тпос = 50 Ом, нс менее....................... 1 мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при
Рвд = 1 мВт, X = 3,2 см, гпос = 50 Ом, не более:
Д405 ..........................•..........
Д405А Д405АП........................... 1,7
Д405Б, Д405БП.......................... 1,4
Выходное сопротивление прн Рпя = 1 мВт, X =
= 3,2 см, г„ж = 100 Ом:
Д405 .....................................От 250 до 550 Ом
Д405А. Д405АП .........................От 300 до 500 Ом
Д405Б, Д405БП..........................От 300 до 450 Ом
Нормированный коэффициент шума для Д405Б,
Д405БП, не более............................. 8,5 дБ
Шумовое отношение при Рвд = 1 мВт, Х= 3,2 см,
Гпос = 100 Ом, не более:
Д405 ..................................... 2,2
Д405А, Д405АП ........................... 2,0
364
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования, не более..........................1 дБ
Выпрямленный ток, не более..............................10 %
Выходное сопротивление, не более........................30 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная падающая СВЧ мощность при температуре
от 213 до 373 К..................................... 300 мВт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при 373 К
для Д405, Д405А, Д405АП.............................20 мВт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность прн температу-
ре от 213 до 373 К для Д405Б, Д405БП .... 5 мВт
Энергия СВЧ импульсов при температуре от 213 до
373 К...............................................0.3-КГ7 Дж
Температура окружающей среды........................ От 213
до 373 К
Зависимость потерь преобразо-
вания от непрерывной падаю-
щей СВЧ мощности.
Зависимость выпрямленного то-
ка от непрерывной падающей
СВЧ мощности.
Зависимость коэффициента
стоячей волны по напряжению
от непрерывной падающей СВЧ
мощности.
Зависимость выходного сопро-
тивления от температуры.
365
Д406А, Д406АП
Диоды кремниевые очечные. Предназначены для работы в
преобразователях СВЧ диапазона.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами
приводятся на корпусе Диоды Д406А — прямой полярности.
Д406АП — обратной полярности. Диоды выпускаются подобранными
в пары Д406АР, Д406АПР
Масса диода нс более 1.5 г.
Э |ектрические параметры
Потери преобразования при Рпя = 1 мВ г, гпос = 350 Ом,
не более
при 298 К........................................... 7 дБ
при 213 и 373 К................................. 8 дБ
Выпрямленный ток при Ргз = 1 мВт, г„ж - 100 Ом,
не менее.................... 0,7 мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при
Рцд = 0,5 мВт, гпос = 100 Ом, не более ....
Выходное сопротивление при Рш = I мВт,
= 100 Ом............................................От 240
до 460 Ом
Шумовое отношение при Рпл — 1 мВт, гпос = 100 Ом,
пс более ...........................................
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования, не более..................... 1 дБ
Выпрямленный ток, не более.......................... 10°.
Выходное сопротивление, не более....................30 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при темпера-
туре от 213 до 373 К ...............................100 мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при кратко-
временном воздействии (не более 20 мин) при тем-
пературе ог 213 до 373 К ........................... 300 мВт
Энергия СВЧ импульсов при температуре от 213
до 373 К............................................0,2 101 Дж
Температура окружающей среды........................От 213
до 373 К
366
Д407
Диод кремниевым
точечный. Предназначен
для работы в прсобра
зова гелях частоты СВЧ
диапазона
Выпускается в ме-
таллокерамическом кор-
пусе с жесткими выво-
дами Тип диода указы-
вается на корпусе
Масса диода нс бо-
лее 12,1 г.
Электрические параметры
Потери преобразования при Рга = 1 мВ г, гпос = 600 Ом,
не более:
прн 298 К .....................................
прн 358 К .....................................
при 213 К . . ...........................
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпз —
= 1 мВ г, гиос= 100 Ом, не ботее...................
Выходное сопротивление при Рю 1 мВт, гпос
= 100 Ом...........................................
12 дБ
14,5 дБ
13,5 дБ
3
Ог 400
до 1500 Ом
Шумовое отношение прн Рпя 1 мВт, г11ос 100 Ом,
не более............................................. 6
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при скваж-
ности 500 — 3000 и температуре от 213 до
358 К.............................................. 20 мВт
Эпсргия СВЧ импульса при температуре от 213
до 358 К...........................................0,02- 10"7 Дж
Температура окружающей среды......................... От213
до 358 К
Зависимость потерь преобразо-
вания от температуры
367
Д408, Д408П
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для работы в
преобразователях частоты в диапазоне волн 10 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами Тип прибора и схема соединения электродов с выводами
приводятся на корпусе. Диоды Д408 — прямой полярности,
Д408П — обратной полярности. Диоды выпускаются подобранными
в пары Д408Р Д408ПР.
Масса диода не более 2,7 г.
Выбод 1 ВыВод 7
ДЬ08 Д408П
Электрические параметры
Выпрямленный ток при Рпя = 0,5 мВт, 1 = 10 см,
гпос = Ом, пе менее..................................0,8 мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпл =
= 0,5 мВт, X 10 см гпос = 100 Ом, не более ... 1,3
Выходное сопротивление при Р1М = 0,5 мВт, 1=10 см,
гпос - 100 Ом ......................................От 290
до 390 Ом
Нормированный коэффициент шума при Р,1Д = 0,5 мВт,
1=10 см, гпос = 100 Ом
при 298 К, не более..............................7,5 дБ
при 398 К, не более.............................. 13 дБ
прн 213 К........................................ От 6
до 9 дБ
Разброс электрических параметров в парс
Выпрямленный ток, не более.......................... 10%
Выходное сопротивление, не более.......................25 Ом
Нормированный коэффициент шума, не более .... 0,5 дБ
Преде ьные эксплуатационные тайные
Импульсная падающая СВЧ мощность при ти < 7 мкс,
скважности большей ияи равной 100, температуре
от 213 до 398 К ..................................... 500 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при температуре
от 213 до 398 К.......................................100 мВт
Энергия СВЧ импульсов при ти < 7 мкс, скважности,
большей или равной 100, температуре от 213
до 398 К............................................0,5-10-7Дж
Температура окружающей среды...........................От 213
до 398 К
368
Зависимость нормированного коэф-
фициента шума от непрерывной
падающей СВЧ м |щности.
Зависимость выпрямленного то- Зависимооь нормированного коэф-
ка от непрерывной падающей фипнента шума от температуры.
СВЧ мощности.
Д409А, Д409АП
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для работы в
преобразователях частоты в диапазоне волн 3 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приво-
дятся на корпусе Диоды Д409А — прямой полярности, Д409ЛП —
обратной полярности Диоды выпускаю 1ся подобранные в пары:
Д409АР, Д409АПР.
Масса диода не более 3 г.
Электрические параметры
Потери преобразования прн Р„п 0,2 мВт Л. =
— 3,2 см, гпск 100 Ом, не более:
при 298 К .................................
7,5 дБ
369
при 373 К...................................... 10,5 дБ
при 213 К...................................... 11,5 дБ
Выпрямленный ток при Рдд = 0,2 мВт, Л = 3,2 см,
Пис - ЮО Ом:
при 298 К................................От 0,2 до 0 5 мА
при 373 К..............................От 0,1 до 0,75 .мА
при 213 К.............................От 0,05 до 0,875 мА
Выходное сопротивление при Рпд = 0,2 мВт, 1 =
= 3,2 см, гвос = 100 Ом.......................От 350 до 575 О.м
Коэффициент стоячей волны по напряжению при
Рта = 0,2 мВт, X = 3,2 см гпос = 100 Ом, не
более............................................ 1.7
Шумовое отношение на промежуточной частоте
10 кГц при Рпа — 0,2 мВт 1=3,2 см, гпос —
100 Ом не более.................................. 21
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования, не более....................... 1 дБ
Выпрямленный ток, не более..........................0,06 мА
Выходное сопротивление, не более.................... 50 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная падающая СВЧ мощность при температуре
от 213 до 373 К...................................... 300 мВт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при кратко-
временном воздействии (не более 2 ч) при температуре
от 213 до 373 К......................................30 мВт
Энергия импу ьсов при температуре о г 213 до
373 К.................................................0,3 10~7 Дж
Температура окружающей среды.......................... От 213
до 373 К
Зависимость потерь преобразо-
вания от температуры.
Зависимость выпрямленного то-
ка от температуры.
370
Зависимость выпрямленного то-
ка от непрерывной падающей
СВЧ мощности.
Зависимость потерь преобразо-
вания от непрерывной падаю-
щей СВЧ мощности.
2А101А, 2А101Б
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для работы в
преобразователях частоты СВЧ диапазона.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жещкими выво-
дами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами
приводятся на корпусе.
Масса диода не более 1,5 г.
16
Электрические параметры
Потери преобразования при Р„а — 1 мВт, г1юс = 100 Ом,
гм 400 Ом. не более
при 298 К
2А101А......................................... Ю дБ
2А101Б......................................... 9 дБ
при 213 и 373 К
2А101А........................................... И ДБ
2А101Б......................................... Ю дБ
Выпрямленный ток при Рпд = 1 мВт, rnot = 100 Ом,
не менее..............................................® 5 мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпд =
= 1 мВт, гпос - 100 Ом, не более.................. 3
Шумовое отношение прн Рпд = 1 мВт, гпос = 100 Ом,
371
не более............................................... 2
Выходное сопротивление при Рпд= 1 мВт, г ос = 100 Ом:
2А101А..................................................От 250
до 550 Ом
2А101Б...........................................От 150
до 300 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная падающая СВЧ мощность при ти = 1 мкс,
скважности, большей или равной 1000, и темпера-
туре от 213 до 373 К
2А101А..................................... 150 мВт
2А101Б..................................... 250 мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность при кратко-
временном воздействии (не более 20 мин) при
ти = 1 мкс, скважности, большей или равной 1000,
и температуре от 213 до 373 К
2А101А....................................... 200 мВт
2А101Б....................................... 300 мВт
Мощность плоской части просачивающегося через
разрядник импульса при температуре от 213 до
373 К:
2А101А........................................ 30 мВт
2А101Б........................................ 60 мВт
Энер 'ия острой части пика просачивающегося через
разрядник импульса при гемпературе от 213 до
373 К:
2А101А.....................................0,06 -10“7 Дж
2А101Б.....................................0,2-10-7Дж
Температура окружающей среды....................... От 213
до 373 К
Зависимость выпрямленного то-
ка от температуры
372
Зависимость потерь преобразо-
вания от температуры.
Зависимость коэффициента стоя-
чей волны по напряжению от
температуры.
Зависимость выходного со-
противления от температуры.
Зависимость шумового отноше-
ния от температуры.
Зависимость noiepb преобразо-
вания от непрерывной падаю-
щей СВЧ мошнос I и.
Зависимость выпрямленного то-
ка от непрерывной падающей
СВЧ мощности
Зависимость шумового отноше-
ния от непрс ывной падающей
СВЧ мощности.
373
2А102А
Диод кремниевый точечный. Предназначен для работы в пре-
образователях частоты в диапазоне длин волн от 10 до 30 см.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами Тип диода и схема соединения электродов с выводами
приводятся на корпусе
Масса диола не более 2,5 г
Электрические параметры
Коэффициент шума при /*^ = 0,5 мВт X 10 см,
Гпос — ЮО Ом
при 298 К, пе более...........................8.5 дБ
при 213 и 373 К...............................От 7,2
до 9,8 дБ
Выпрямленный ток прн Рвя = 1 мВт, Х = 15,5 с.м, гпос =
= 100 Ом, не менее................................12 мА
Выходное сопротивление при РН1 = 1 .мВт, Х=15,5 см,
гПос — ЮО Ом .....................................От 250
до 450 Ом
Коэффициент стоя гей волны напряжения при Рпд = 1 мВт,
Х = 15,5 см г11ОС = 100 Ом. пс более................ 1,5
Потери преобразования* при Рпд 0,5 мВт X- 10 см,
не более..........................................6,0 дБ
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощноегь при темпера-
туре от 213 до 373 К.................................. 500 мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при кратко-
временном воздействии (нс более 10 мин) при темпе-
ратуре от 213 до 373 К ................................. 6 Вт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при температу-
ре от 213 до 373 К......................................30 мВт
Температура окружающей среды............................От 213
до 373 К
374
Зависимость потерь преобра-
зования от температуры
За висимосгь коэффицисп г а
стоячей волны по напряже-
нию от непрерывной падаю-
щей СВЧ мощности.
2А103А, 2А103Б
Диоды кремниевые [очечные. Предназначены для работы в
преобразовате ях частоты СВЧ диапазона.
Выпускаются в метал токерамичсско.м корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами
приводятся на корпусе.
Масса диода не более 1,65 г.
Эле трические параметры
По 1ери преобразования при Р11Я — 1 мВт, г11ос = 400 Ом,
[с более:
при 298 К
2А103А....................................... 10 дБ
2А103Б........................................ 9 дБ
при 213 и 373 К
2А103А..........................................11 дБ
2А103Б....................................... 10 дБ
Выпрямленный ток при Р„л = 1 мВт, г11ОС = 100 Ом,
не менее..........................................0,5 мА
Выходное сопротивление при Р^ 1 мВт, гпос =
100 Ом.............................................От 200
до 550 Ом
375
Шумовое отношение при Рпд — 1 мВт, гпос = 100 Ом,
не более........................................... 2
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпл =
— 1 мВт, гпос = 100 Ом, не более................... 3
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная падающая СВЧ мощность при темпера-
туре от 213 до 373 К
2А103А....................................... 10 мВт
2А103Б................................... 15 мВт
Непрерывная падающая СВЧ мощность прн кратко-
временном воздействии (не более 10 мин) при
температуре от 213 до 373 К:
2А103А............................................ 75 мВт
2А103Б................................... 100 мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность при т„ < 1 мкс,
скважности, большей или равной 1000, и темпера-
туре от 213 до 373 К
2А103А......................................... 150 мВт
2А103Б................................... 250 мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность при кратко-
временном воздействии (не более 10 мин) при
ти < 1 мкс, скважности, большей или равной 1000,
и температуре от 213 до 373 К
2А103А......................................... 200 мВт
2А1ОЗБ................................... 300 мВт
Энергия СВЧ импульсов при температуре от 213
до 373 К:
2А103А...................................0,06-10-7Дж
2А103Б...................................0,2 IO"7 Дж
Мощность плоской части просачивающегося импульса
при температуре от 213 до 373 К:
2А103А....................................... 30 мВт
2А103Б................................... 60 мВт
Температура окружающей среды................... От 213
до 373 К
Зависимость выпрямленного то-
ка от температуры.
376
Зависимость noiept преобразо-
вания от температуры
Зависимость коэффициента стоя-
чей волны по напряжению от
температуры.
Зависимость выходного сопро-
тивления от температуры.
Зависимость шумового отноше-
ния от температуры.
2А104А, КА104А, КА104Б
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для работы в
преобразователях частоты в диапазоне длин волн от 8 до 60 см.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выво-
дами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды маркируются
цветным кодом- 2А104А, КА104А — красной полоской у положитель-
ного электрода, КА 104Б — синей полоской. Диоды, подобранные в пары,
обозначаются 2А104АР
Масса диода не более 0,15 Г
377
Электрические параметры
Потери преобразования при Р = 0,5 мВт, X = 8 см,
гпос 400 Ом, нс ботее:
при 298 К - . .............. 6,5 дБ
при 398 К....................................90 дБ
при 213 К....................................70 дБ
Выпрямленный зок при Рт = 0,5 мВт, X = 8 см,
гпос = 100 Ом, не менее.......................0.5 мА
Коэффициент стоячей во тяы по напряжению при
7>IU = 0,5 мВт. Х = 8 см, г11ос = 100 Ом, не более 1,5
Выходное сопротивление при Р , = 0,5 мВт, 7 = 10 см.
г11ОС = 100 Ом . . . . ’......................От 340 до
560 Ом
Нормированный коэффициент шума при Р\т < 1,5 дБ
не более.......................................8.5 дБ
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования, не более......................0.5 дБ
Выпрямленный ток, не более...........................0,1 мА
Выходное сопротивление не более.......................50 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная падающая СВЧ мощность при температуре
от 213 до 398 К......................................20 мВт
Непрерывная падающая СВЧ мощность при кратковре-
менном воздействии (не ботее 10 мин) при темпера-
туре от 213 до 398 К..................................150 мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность при ти < 1 мкс,
f < 1000 Гц и температуре от 213 ло 398 К . . . 300 мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность при кратковре-
менном воздействии (не более 1 ч) прн т„ < 1 мкс
/< 1000 Гц и температуре от 213 до 398 К . . . . 500 мВт
Энергия СВЧ импульсов при температуре от 213 до
398 К................................................ 0,5 х
Мощность плоской части импульса, просачивающегося
через разрядник, при температуре от 213 до 398 К
Температура окружающей среды.......................
х 10'7 Дж
100 мВт
От 213 до
398 К
Зависимость потерь преобразо-
вания от пепрерывтой падаю-
щей мощности
378
Зависимость выпрямленного то-
ка от непрерывной падающей
СВЧ мощности.
Зависимость коэффициента стоя-
чей волны по напряжению от
непрерывной падающей СВЧ
мощности.
Зависимость шумового от ноше
ния от непрерывной падающей
СВЧ мощности.
Зависимость потерь преобразо-
вания от температуры.
Зависимость выпрям тсниого то-
ка от температуры.
Зависимость коэффициента стоя-
чей волны по напряжению от
температуры
379
2А105А, 2А105Б
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для работы в пре-
образователях частоты в диапазоне волн от 3 до 8 см.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выво-
дами. Тип прибора указывается на этикетке. Диоды маркируются
цветным колом 2А105А — двумя красными полосками у положи-
тельного электрода (вывод 7), 2А105Б —двумя красными полосками
и точкой Диоды выпускаются подобранными в пары: 2А1О5АР
2А105БР
Масса диода не более 0,15 г
Электрические параметры
Потери преобразования при Р11Д = 1 мВт, 7. = 3,2 см,
гпос = 350 Ом, не более.
при 298 К
2А105А....................................... 7 дБ
2А105Б.....................................6,7 дБ
нри 213 и 398 К . . ................... 9 дБ
Выпрямленный ток при Рпл = 1 мВ г, 2 3,2 см,
гпос = 100 Ом, не менее...........................0,8 мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпл =
= 1 мВт X = 3,2 см, г„„ 100 Ом, ие более.
2А105А...................................... 1,7
2А105Б...................................... 1,5
Выходное сопротивление при = 1 мВт, 2, = 3,2 см,
Пюс 100 Ом'
2А105А..........................................От 250 до
500 Ом
2А105Б.......................................От 250 ло
450 Ом
Шумовое отношение прн Рпд = 1 мВт, 2, = 3,2 см, не более:
2AI05A.......................................... 1.7
2А105Б...................................... 1,6
Нормированный коэффициент шума (расчетный), не более:
2А105А............................................. 10 дБ
2А105Б....................................... 9 дБ
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования, не более........................0 5 дБ
Выпрямленный ток, не более.............................0,1 мА
Выходное сопротивление, не более........................50 Ом
380
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная падающая СВЧ мощность при темпера-
туре от 213 до 398 К...............................20 мВт
Непрерывная падающая СВЧ мощность при кратковре-
менном воздействии (не более 10 мин), при темпе-
ратуре от 213 до 398 К .............100 мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность при тн < 1 мкс,
1000 Гц и температуре от 213 до 398 К.............. 300 мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность при кратковре-
менном воздействии (ие более 5 мин), ти < 1 мкс,
/ < 1000 Гц и температуре от 213 до 398 К.......... 500 мВт
Энергия СВЧ импульсов при температуре от 213 до
398 К..............................................0,5-10 1 Дж
Мощность плоской части импульса, просачивающеюся
через разрядник, при температуре от 213 до 398 К 100 мВт
Температура окружающей среды.......................От 213 до
398 К
Зависимость потерь преобразо-
вания от непрерывной падаю-
щей СВЧ мощности
Зависимость выпрямленного то-
ка от непрерывной падающей
СВЧ мощности
Зависимость выпрямленного то-
ка от температуры.
Зависимость коэффициента
стоячей волны по напряжению
от температуры.
381
1А106А, 1А106Б, 1 Al 06В
Диоды германиевые микросплавные Предназначены для ра-
боты в преобразователях частоты в диапазоне волн 2 — 3 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе. Тип прибора и схе-
ма соединения электродов с выводами приводятся на этикетке.
Диоды маркируются цве ным кодом. 1А106А — одной желтой точ-
кой, 1А106Б — двумя желтыми точками, 1А106В тремя желтыми
точками. Диоды выпускаются подобранные в пары: 1А106АР,
1А106БР 1А106ВР.
Масса диодов не более 06 г.
В tBod!
вывод Z
Электрические параметры
Потери преобразования при Рпя = 200 мкВт. гпос = 100 Ом,
гм = 230 Ом, не более:
при 298 К
1А106А, 1А106Б...............................13,5 дБ
1А106В........................................12,5 дБ
при 213 и 343 К
IA106A, 1А106Б................................ 15 дБ
1А106В......................................... 14 дБ
Выпрямленный ток при Р1Ш — 200 мкВт, гпос = 100 Ом, не менее
1А106А, 1А106Б................................0,1 мА
1А106В........................................0,12 мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Р^ — 200 мкВт,
гпос = 100 Ом, гм 230 Ом, не более
1А106А................................................ 1.2
1А106Б........................................... 3
1А106В........................................... 2
Выходное сопротивление при Рпд = 200 мкВт,
г11ос = 100 Ом....................................От 160 до
300 Ом
Нормированный коэффициент шума (расчетный) на промежуточной
частоте 10 кГц, не более
1AI06A............................................ 22 дБ
1А106Б, 1А106В .......................... 19 дБ
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования, не более ........ 0.5 дБ
Выпрямленный ток, не более........................ 0,05 мА
Выходное сопротивление не более.......................25 Ом
382
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпе-
ратуре от 213 до 343 К..............................6 мВт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность прн кратко-
временном воздействии (не более 5 мин), при темпе-
ратуре от 213 до 358 К..............................30 мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при кратко-
временном воздействии (не более 5 мин) т„ = 1 мкс,
/= 1000 Гц и температуре от 213 до 358 К............100 mBi
Импульсная падающая СВЧ мощность ....... 40 мВт
Энергия СВЧ импульсов ..............................0.05 х
х 10“7 Дж
Температура окружающей среды........................От 213 до
343 К
Зависимость выходного сопро-
тивления от температуры
Зависимость потерь преобразо-
вания от температуры.
Зависимость коэффициента
стоячей волны по напряжению
от температуры.
Зависимость выпрямленного то-
ка от температуры
383
Зависимость нормированного
коэффициента шума от темпе-
ратуры.
Зависимость нормированного
коэффициента шума от непре-
рывной падающей СВЧ мощ-
ност и.
2А107Л
Диод кремниевый микросплавной. Предназначен для pauoiu в
преобразователях частоты в диапазоне волн 2 с.м.
Выпускается в металлокерамическом корпусе Тип прибора и
схема соединения электродов с выводами приводятся на этике!ке.
Диоды выпускаются подобранными в пары: 2А107ЛР
Масса диода не более 0.2 г
Элек рические парамс ры
Потери преобразования при Рпа = 0,5 мВт, Cogp 0,25 В,
гпос = 100 Ом гм = 350 Ом, нс более:
при 298 К.........................................7,5 дБ
при 213 и 398 К.................................. 9 дБ
Выпрямленный ток при Р11Л = 0,5 мВт, 1/о6р = 0,25 В,
к,юс = ЮО Ом, не менее................................0 3 мА
Коэффициент стоячей волиы по напряжению при
Р„л 0,5 мВт, 1/обр 0,25 В, г|1ОС = 100 Ом, не более 1,5
Выходное сопротивление при Рпл = 0,5 мВт, £7обр = 0,25 В,
гпос = 100 Ом........................................От 175 де
375 Ом
Нормированный коэффициент шума диода (расчетный),
не более............................................. 9 дБ
384
Разброс электрических параметров в парс
Потери преобразования, не более......................0,5 дБ
Выпрямленный ток, не более...........................0,05 мА
Выходное сопротивление, не более.....................30 Ом
Пре тельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность прн темпера-
туре от 213 до 358 К.................................20 мВт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при кратко-
временном воздействии (не более 3 ч).................50 мВт
Температура окружающей среды.........................От 213 до
373 К
Примечания: 1. При установке диода в диодную камеру сле-
дует предварительно касаться рукой заземлеппо!о устройства.
2. Допускается использование диодов без внешнего смещения при
мощности гетеродина 1 — 1.5 мВт.
3. Допускается применение диолов прн воздействии импульсной
падающей СВЧ мощности 300 мВт в течение 400 ч при 298 К,
Рцд < 1,5 мВт, т„ < 4 мкс скважное!и, большей или равной 200, при
этом значение нормированного (расчетного) коэффициента шума
сохраняется до < 10 дБ.
тока or температуры вапия от температуры.
тивленпя от температуры. ния от температуры.
13 под рсд. Н. Н. Горюнова
385
Зависимость нормированного
коэффициента шума от темпе-
ратуры.
Зависимость непрерывной рас-
сеиваемой СВЧ МОЩИОС1Н от
температуры.
2А108А
Диод кремниевый микросплавной. Предназначен для работы
в преобразователях частоты в диапазоне волн 10 см.
Выпускается в металлокерамическом корпусе. Тип прибора и
схема соединения электро юв с выводами приводятся на этикетке.
Диоды выпускаются подобранными в пары: 2А108АР.
Масса диода не более 0,15 г.
Для работы в диапазоне частот 1 — 100 МГц диоды выпускают-
ся одиночными, подобранными в пары и квартеты.
Масса диода не более 0.26 г.
Для работы на f ИГООМГц
Вывод 1
Вывод Z
Вывод 1
386
Э тек I ричсскнс парамо ры
Потери преобразования при Рпл = 1 мВт. г11ОС = 100 Ом.
гм = 500 Ом, не более:
при 298 К............................................ 5 дБ
при 213 н 398 К....................................6.5 тБ
Выпрямленный ток при Р11д = 1 мВт, г11ос = 100 Ом, не
менее...............................................0 7 мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при
Рпп = 1 мВт. гпос= 100 Ом, не более.............. . 1.5
Выходное сопротивление при Р, = I мВт, гпос — 100 Ом Oi 425 до
575 Ом
Нормированный коэффициент шума (расчетный). не более 6.5 дБ
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования, нс более........................0.5 дБ
Выпрямленный ток. не более............................0.05 мА
Вымкшос сопротивление, нс более.........................30 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность................ 1 мВт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при кратко-
временном воздействии (ис ботее 15 мин)...............100 мВт
Импу ьсная рассеиваемая СВЧ мощность прн
т„ = 0,5 - 1 мкс, скважности, большей или равной 1000,
и reMiiepaiype от 213 до 373 К.........................50 мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность прн кратко-
временном воздейшвии (не более 15 мин),
ти = 0,5 1 мкс, скважности, большей пли равной 1000.
и температуре от 213 до 373 К........................100 мВт
Температура окружающей среды............................От 213 до
398 К
Электрические параметры нри работе в диапазоне частот I 100 МГн
Постоянное прямое напряжение*
при /|1р = 0,005 мА, не менее..................... 0,3 В
при 1пр 0,5 мА, не более..........................0,55 В
при /|,р = 10 мА, не бо iee..................... 0.7 В
Постоянное обратное напряжение, не менее.............. 0,8 В
Коэффициент шума, нс более..............................7.0 дБ
Коэффициент передачи, нс менее....................... 0.6
Выходное сопротивление..................................От 50 ло
180 Ом
Ра рос электрических параметров в паре
Постоянное прямое напряжение, не более................. 15 мВ
Постоянное обратное напряжение, не более.............. 0,5 В
Выходное сопротив епие..................................От 50 до
180 Ом
13;
387
Разброс электрических параметров в квартете
Постоянное прямое напряжение, не более..................20 мВ
Постоянное обратное напряженно, нс более.............. 0,5 В
Выходное сопротивление..................................От 50 до
180 Ом
Предельные jkcii.iv a i анионные данные
Напряжение ieiepo.ni на:
при 298 К............................................... 1 В
при 358 К в течение 100 ч............................ 1 В
oi 213 до 358 К ... 04 В
Примечания 1 При установке диода в диодную камеру
следует предварительно каса!ься рукой заземленного устройства.
2. Допускается применение диодов с внешним смещением 0 2 —
04 В при мощное™ гетеродина 0,5—1 мВт.
Зависимость выпрямленного то-
ка от температуры.
Зависимость потерь преобразо-
вания от температуры.
Зависимость выходного сопро-
тивления от температуры.
388
Зависимость шумовою отноше-
ния от температуры
Зависимость нормированного
коэффициента шума oi темпе-
ратуры
Зависимость выпрямленного то-
ка ог непрерывной падающей
СВЧ мощности.
Зависимость потерь преобразо-
вания ог непрерывной падаю-
щей СВЧ мощности.
Зависимость выходного сопро-
тивления от непрерывной па-
дающей СВЧ мощности.
Зависимость шумового отноше-
ния от непрерывной падающей
СВЧ мощности.
389
Зависимость нормированного
коэффициента шума от непре-
рывной падающей СВЧ мощ-
Зависпмость непрерывной рас-
сеиваемой СВЧ мощности от
температуры.
пости.
2А109А
Диод кремниевый точечный Предназначен ,чтя работы в преоб-
разователях частоты в диапазоне воли 3 см.
Выпускается в мсталлостскаянном корпусе. Тип диода указы
вается на этикетке. Диод маркируется красной очкой у положи-
тельного электрода (вывод /). Диоды выпускаются подобранными
в пары. 2А109АР.
Масса диода не более 0 15 г
Электрические параметры
Потери преобразования при Рп1 1 мВт, т1)М = 350 Ом,
не более:
при 298 К........................................6,5 дБ
прп 213 и 398 К................................8,0 дБ
Выпрям зстшый ток при РП1 — 1 мВт, г|1ОС = 100 Ом
не менее...........................................0 9 мА
Коэффициент стоячей во пты по напряжению при
P1U = 1 мВт, гпос 100 Ом. не более................... 16
Выходное сопротивление при = 1 мВт гпос - 100 Ом От 220 до
380 Ом
Нормированный коэффициент шума при К>пч=1,5 дБ,
не более...........................................8 5 дБ
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования, нс более....................0,5 дБ
Выпрямленный ток, не более.........................0,1 мА
Выходное сопротивление, не более...................50 Ом
390
Предельные эксплуа! анионные данные
Непрерывная падающая СВЧ мощность прп темпе-
ра гуре.
от 213 до 358 К................................ 20 мВт
при 398 К....................................... Ю мВт
Непрерывная падающая СВЧ мощность прп кратко-
временном воздействий (пе более 1 ч) при тем-
пературе от 213 до 398 К........................... ЮО мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность прп т„ <
<0,5— 1 мкс, /< 1000 Гц и температуре от 213
до 398 К........................................ 300 мВт
Имну । .сная падающая СВЧ мощнос!ь при кратко-
временном воздействии (не более 5 мин). ти <
<0,5 4- 1 мкс, 1000 Гц и температуре от 213
До 398 К....................................... 500 мВт
Энергия СВЧ импульсов при температуре от 213 до
398 К...........................................0,3 10~7Дж
Мощность плоской части импульса, просачивающего-
ся через разрядник, при температуре от 213 до
398 К............................................. ЮО мВ(
Темпера iypa окружающей среды....................От 213 до
Примет а п и е. Диоды вы-
держивают воздействие температу-
ры 428 К в течение 15 мин и
воздействие непрерывной СВЧ
мощности 150 мВт в течение
10 мин.
Зависимость потерь преобразова-
ния от темпера |уры.
Зависимость коэффициента стоя-
чей волны по напряжению от
т смпсрату ры.
Зависимость выходного сопро-
тивления от температуры.
391
Зависимость нормированного
коэффициента шума от темпе-
ратуры.
Зависимость выпрямленного то-
ка от температуры.
Зависимость шумовою отноше-
ния от темпера гуры
Зависимость потерь преобразо-
вания от непрерывной падаю-
щей СВЧ мощности.
Зависимость нормированного
коэффициента шума от -непре-
рывной падающей СВЧ мощ
пости.
Зависимость непрерывной па-
дающей СВЧ мощности от
температуры.
392
ЗА ПОЛ, ЗЛ110Б
Диоды арсенид-таллиевые пданарпо-эпигаксиальпые с барьером
Шоттки. Предназначены для работы в преобразователях частоты
диапазона длин волн 2 см
Выпускаются в метал,юксрамичсском корпусе. Тич диода и его
полярность приводятся на этикетке. Диоды маркируются кодом'
первая цифра — указывает на тип диода (для ЗА110А-6, для
ЗА И ОБ-7), вторая — квартал выпуска диода, третья — последняя циф-
ра — юд выпуска диода. Диоды выпускаются подобранными в пары
ЗА 1 ЮАР. ЗА110БР.
Масса диода не более 0,15 г.
I вы бод 1
ф
18б водг
Электрические параметры
Потери преобразования при Р„д = 3 мВт, Х=2 см. не более
при 298 К
ЗА1ЮЛ.......................................... 6.5 дБ
ЗА110Б..................................... 6 дБ
при 213 и 398 К
ЗА110А....................................... 8 дБ
ЗА110Б.................................... 7.5 дБ
Выпрямленный ток нри Рпч = 3 мВт, Х = 2 см От 0.9 до 2,2 мА
Коэффициент стоячей войты по напряжению при Рпд - 3 мВт,
X = 2 см, нс более:
ЗА110А.................................. 2
ЗА110Б.............................. 16
Выходное сопротивление нри Рп1 = 3 мВт, Х=2 см:
ЗА110А.....................................От 200 до 500 Ом
ЗЛ110Б................................От 210 до 490 Ом
Нормированный коэффициент шума при Рпд =
— 3 мВт, X = 2 см, не более•
ЗА110А.............................. 8 дБ
ЗА110Б.............................. 7,5 дБ
Разброс электрических параметров в парс
Потери преобразования, нс более.................. 0,5 дБ
Выпрямленный ток, не более...................... 0,15 мА
Выходное сопротивление, не более.................. 30 Ом
Предельные »ксп.латационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при
температуре от 213 до 373 К..................
50 мВт
393
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощное ib при
кратковременном воздеГствпи (не более 3 ч)
и юмпсратуре ог 213 до 358 К.................... 100 мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при
температуре от 213 до 373 К, т„ < 4 мкс.
/< 1000 Гн...................................... 150 мВт
Импульсная падающая СВЧ мощное ib при краг
ковремспном воздействии (не бо iee 3 ч),
г„ < 4 мкс. f < 1000 Гц и темпера iype от
213 до 358 К.................................... 300 мВт
Энергия СВЧ импульсов при температуре от
213 до 358 К . '............................... 0.2- 10 7 Дж
TeMiiepaiypa окружающей среды.................От 213 до 373 К
Кра1ковремспное воздейщвие leMiiepaiypbt (не
более 20 мин)................................... 398 К
Примечание. Допускав гея приме ie ше диодов в режиме с внеш-
ним по । >жше 1ьным смешением, не превышающим 0.5 В.
Зависимость выпрямленного ю-
ка от непрерывной па чающей
СВЧ мощности.
Зависимость потерь преобразо-
вания от непрерывной падаю-
щей СВЧ мощности.
Зависимость выходного сопро-
тивления от непрерывной па-
дающей СВЧ мощности.
Зависимость нормированного
коэффициента шума от непре-
рывной падающей СВЧ мош-
ност и.
394
1вп ЗА110(Л,Ъ)
т
Z13 253 293 333 373 К
Зависимость выпрямленного то-
ка от температуры
Зависимоеib потерь преобразо-
вания от температуры
Зависимость выходного сопро-
тивления от температуры.
Зависимость нормирование! о
коэффициента шума oi Темпе-
ратуры.
Зависимость непрерывной рас
Сбиваемой СВЧ мощности от
температуры.
Зависимость импульсной рас-
сеиваемой СВЧ мощности от
температуры.
395
ЗЛ111А, ЗА111Б, ЛАША, АА111Б
Диоды арсснид-галлневыс планарно-эпитаксиальные с барьером
Шоттки Предназначены для работы в преобразователях частоты
диапазона волн 3 см
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды выпускаю 1ся подо-
бранными в пары ЗА111АР, АЛ111АР, ЗА111БР, АА111БР — одной
полярности, ЗА111ААР. АА111ААР, ЗА111ББР, АА1И ББР — разной
полярности На корпусе диода с обратным включением ставится
зеленая точка
Масса диода не более 0.2 г.
Зеленая тонка дня диодсВ
с обратным включением
В парном подборе
Э тек I рнческие параметры
Потери I реобразования при РП1 3 мВт. 1 = 3.2 см, нс более
при 298 К
ЗА111А, АА111А................................. 6 дБ
ЗА111Б, ААН1Б..................................5,5 дБ
при 213 и 398 К
ЗА111А............................................ 7 дБ
ЗА111Б .........................................6.5 дБ
Выпрямленный ток при Рпд 3 мВт, 1 = 3,2 см . . . . От 1 до
2,5 мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при
Р1Щ — 3 мВт, 1 = 3,2 см, не более................ 1,5
Выходное сопротивление при — 3 мВт, 1=3,2 см От 300 до
560 Ом
Нормированный коэффициент шума при Рпд = 3 мВт,
1 = 3,2 см, не более:
ЗА111А, АА111А................................7.5 дБ
ЗА111Б. АА111Б................................ 7 дБ
Разброс электрических параметров в парс
Потери преобразования, не более.......................0,5 дБ
Выпрямленный ток, нс более...........................0,15 мА
Выходное сопротивление................................30 Ом
396
Предельные jkcii туатаппоштые данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпера-
туре от 213 до 373 К....................................50 мВт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность прн кратковре-
менном воздействии (нс более 10 мин).................. 500 мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при ти < 1 мкс,
/< 1000 Гц и температуре от 213 до 358 К . . . . 550 мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при кратко-
временном воздействию! (нс более 10 мин), т„ < 1 мкс,
/<1000 Гц............................................. 750 мВт
Непрерывная рассеиваемая мощность при кратковремен-
ном воздействии (не более 24 ч)....................... 300 мВт
Температура окружающей среды............................От 213 до
373 К
Примечание. Допускается кратковременное (ис более 20 мни)
воздействие температуры окружающей среды 398 К
Зависимость импульсной рассе-
иваемой СВЧ мощности от
длины волны.
Зависимость импульсной рас-
сеиваемой СВЧ мощности от
темпера т уры.
Зависимость выпрямленного то-
ка от непрерывной падающей
СВЧ мощности.
Дб
6,00
5,15
5,50
5,15
5,00
1 Z 3 Ч 5 6 нВт
Зависимость потерь преобразо-
вания от непрерывной падаю-
щей СВЧ мощности.
397
Зависимое 11. выходного coitpo-
Iпаления oi непрерывной па-
дающей СВЧ мощности.
Зависимость нормированного
коэффициента шума от непре-
рывной падающей СВЧ мощ-
ности.
Зависимость выходного сопро-
тивления от температуры.
Зависимость нормированного
коэффициента шума от темпе-
ратуры.
Зависимость выпрямленного то-
ка от температуры.
Зависимость потерь преобразо-
вания от температуры.
398
АА112Х, АА112Б
Диоды арсенид-галл новые планарно-эпитаксиальные Предназна-
чены для работы в преобразователях на длине волны 3 см в гер-
метизированной аппаратуре.
Выпускаются в стеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип
диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на
индивидуальной таре. Диод АА112Б выпускается подобранным в
пары АА112БР
Масса диода не более 0,035 г.
Электрические параметры
Потерн преобразования при Рпл = 3 мВт, 1 = 3.2 см, нс
более............................................ 6 дБ
Выпрямленный ток при Р„я = 3 мВт, 1 = 3,2 см........О г I до
2.5 мА
Коэффициент стоячей во.пты но напряжению при Pt
3 мВт 1 = 3,2 см нс более
АА112А........................................ 1.3
АА112Б...................................... 1.8
Коэффициент шума при Рпл = 3 мВт, 1=3,2 см, пе
более............................................ 7 дБ
Выходное сопротивление при Рпя — 3 мВт, 1=3,2 см От 440 до
640 Ом
Пре тельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при темпера-
туре ог 213 до 373 К.................................
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпе-
ратуре от 213 до 373 К...............................
Температура окружающей среды.........................
300 мВ,
20 мВт
Ог 213 до
373 К
АА113А, AA113I.
Диоды арсспнд-тазлиевыс пла-
нарно-эпитаксиальные. 11редназна-
чсны для работы в преобразо-
вателях сантиметровою и де-
циметрового диапазонов воли в
। ермс I изированной аппарат у ре.
Бескорпусныс с гибкими вы-
водами. Тип диода и схема
соединения электродов с выво-
дами приводятся па индивидуаль-
ной таре.
Масса диода пе более 0,002 г.
399
Электрические параметры
Потери преобразования при Pni = 3 мВт, л = 3,2 см, не более:
ААПЗЛ............................................ 6 дБ
АА113Б........................................6,5 дБ
Выпрямленный ток при Рил = 3 мВт, к — 3,2 см . . . . От 0,7 до
2,5 мА
Козффипиент стоячей волны по напряжению при
Р„л = 3 мВт, >. = 3.2 см, не более.................. 3,5
Сопротивление диода в пулевой точке, не менее .... 1000 Ом
Коэффициент шума при Р,а = 3 мВт, Z. = 3.2 см, не
более
АА113А........................................7,5 дБ
АА113Б........................................ 9 дБ
Предельные эксн туат ациоштые данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпе-
ратуре от 213 до 373 К............................50 мВт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при кратко-
временном воздействии и температуре от 213 до
373 К............................................. 200 мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре
от 213 до 373 К...................................100 мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при кратко-
временном воздействии и температуре от 213 до
373 К............................................. 400 мВт
Температура окружающей среды......................От 213 до
373 К
10.2. ДЕТЕКТОРНЫЕ ДИОДЫ
ДК-В1, ДК-В2
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для детектиро-
вания сигналов в диапазоне волн 10 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается па корпусе.
Масса диода не более 0,7 г.
400
Электрические параметры
Чувствительность по чоку при Р11Л = 0 2 мВт X = 9,8 см,
*',ioc = *00 Ом, не менее:
ДК-В1............................................0 8 А/Вт
ДК-В2............................................12 А/Вт
Дифференциальное сопротивление в нулевой точке, пс
более:
ДК-В1............................................15 кОм
ДК-В2............................................10 кОм
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность при температуре от
213 до 343 К.......................................50 мВт
Температура окружающей среды.........................От 213
до 343 К
ДК-ВЗ, ДК-В4
Диоды кремниевые точечные Предназначены для детектирования
chi налов в диапазоне волн 3.2 см
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диола указывается на корпусе
Масса диода пс более 0,7 г.
Электрические параметры
Чувствительность ио току при Рпд = 0,02 мВт, 'к = 3,2 см,
'пос = 100 Ом, не менее:
ДК ВЗ.............................................0,4 A/Bi
ДК-В4............................................0.8 А/Вг
Дифференциальное сопротивление в нулевой точке не
более:
ДК-ВЗ.............................................15 кОм
ДК-В4.............................................10 кОм
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность при температуре
от 213 до 343 К......................................50 мВт
Температура окружающей среды..........................От 213
до 343 К
401
ДК-В5М, ДК-В6М, ДК-В7М
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для детектирования
сигналов в диапазоне волн 3 см (ДК-В7М) и 10 см (ДК-В5М,
ДК-В6М).
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами Тип диода указывается на корпусе.
Масса диода пе более 2,5 г.
Э тектрические парамет ры
Чувствительноеib по току при Рпд — 0.02 мВт, гпос =
= 50 Ом, не менее:
ДК-В5М, ДК В6М при X. — 9,8 см...............0,8 Л/Вг
ДК-В7М при к = 3,2 см.......................0.4 А/Вт
Дифференциальное сопротивление в нулевой точке:
ДК В М, ДВ В7М не более.........................10 кОм
ДК В6М...................................... От 5
до 25 кОм
1 Ipele I ьные эксплу а анионные данные
Импульсная рассеиваемая мощность при icMiiepai /ре от
213 до 373 К......................................... 200 mBi
Температура окружающей среды.......................... От 213
до 373 К
Температура окружающей среды при кратковременном
воздействии (ие более 20 мин)....................... 398 К
Зависимое! ь чувствительное i и
по току от температуры.
402
ДК-ВХ
Диод кремниевый точечный. Предназначен для детектирования
сигналов в диапазоне волн от 1,8 до 3,2 см.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается на корпусе.
Масса диода не более 0,7 г
Электрические параметры
Дифференциальное сопротивление в нулевой точке, не
более............................................. 1500 Ом
Коэффициент качества при Рпд = 0,01 мВт, X = 3,2 см,
ис менее..........................................15 Вт1/-
Коэффиписпт стоячей вотпы по напряжению при Р„с =
= 0.01 мВт, Х = 1,8; 2,4; 3,2 см; гпос = 20 Ом, не бо-
лее................................................ 3
Предельные экен.п ат анионные данные
Импульсная рассеивае-
мая мощность при тем-
перагуре от 213
до 343 К . . . . . 50 мВт
Температура окружато-
шей среды . . От 213
до 343 К
Зависимость коэффициента ка-
чества от температуры.
дк-ви
Диод кремниевый точечный. Предназначен для детектирования
СВЧ сигналов.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами
Тип диода указывается на корпусе.
Масса диода не ботее 0,7 г
403
Электрические параме ры
Чувствительность по току при Р|и = 0,02 мВт, т|10С
= 100 Ом, не менее....................................1,5 А/Вт
Дифференциальное сопротивление в пулевой точке, не
более..................................................10 кОм
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Ргл —
— 0,02 мВт, пе более.................................2.5
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность при температуре
от 213 до 343 К........................................50 мВт
Температура окружающей среды...........................От 213
до 343 К
ДК-И1М, ДК-И2М
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для детектирования
сигналов в диапазоне воли 10 см (ДК-И1М) и 3 см (ДК-И2М).
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается па корпусе
Масса диода ие более 2,5 г.
Электрические параметры
Чувствительность по току при Рпл = 0,02 мВт, г11ос =
= 1000 Ом, не мспее.
ДК-И1М при >, = 9,8 см.............................0,5 А/Вт
ДК И2М при X = 3,2 см..........................0,2 А/Вт
Выпрямленный ток при Рцд = 0,5 мВт, X = 9,8 см для
ДК-И1М и Р„л=1 мВт, X = 3,2 см для ДК-И2М,
пс менее.........................................0,4 мА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность при температуре
от’ 213 до 373 К................................... 200 мВт
Температура окружающей среды..........................От213
до 373 К
Температура окружающей среды при кратковременном
воздействии (не более 20 мин)...................... 398 К
404
Зависимость чувствительности
по току от температуры
ДЗА, ДЗБ
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для детектирования
сигналов в диапазоне воли от 2,9 до 30 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается на корпусе
Масса диода не более 0,7 г
Выбод 1 Выбод 2
J I S 5
Выбод)
*- Выбод 2
Э тек грнческие параме i ры
Коэффициент качества при Рпл 20 мкВт, гпос 20 Ом,
ис менее:
ДЗА при X = 3,2 см................................22 Вт 12
ДЗБ при X — 9.8 см................................40 Bi 1,2
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рал —
= 20 мкВт, X = 2,9 см (ДЗЛ) и X = 8 см (ДЗБ), не
более............................................. 2,5
Разброс полного входного сопротивления при Рпл =
= 20 мкВт, глос = 20 Ом, Х = 2,9; 5,4 см (ДЗА) и
Х = 8; 30 см (ДЗБ), не более.......................2,5 от. ед.
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность прп темпера-
туре от 213 до 343 К..................................50 мВт
Температура окружающей среды..........................Ог 213
до 343 К
405
Зависимость коэффициента качест-
ва от темпера «уры.
Д602А, Д602Б
Диоды германиевые точечные. Предназначены для детектирования
сигналов в диапазоне волн oi 2 7 до 60 ем.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выво-
дами. Тип диода указывается на корпусе.
Масса диода не более 0,7 г.
Вьбод!
Выбод 2
Этектрнческие парамезры
Чувствительность но току при Рпл = 0,02 мВт. X = 3 2 см,
/|1р = 150 мкА, не менее.............................1,5 А/Вт
Дифференциальное сопротивление при /пр - 150 мкА . . От 200 до
600 Ом
Коэффициент качества при Рил = 0.02 мВт, X = 3,2 см,
711р = 150 мкА нс менее.
Д602А.............................................15 В. 'I-
Д602Б.............................................20 Вт
Эквивалентное шумовое сонрогивтемне нри /пр - 150 мкА,
ие более............................................ 12 кОм
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Р,1А
= 0,02 мВт, X — 3,2 см, гпос 20 Ом, /,,р = 150 мкА,
не более.......................................... 3 2
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность при температуре от
213 до 358 К .........................................50 мВт
Температура окружающей среды..........................От 213
до 358 К
406
Д603
Диод кремниевый точечный. Предназначен для де1ек1проиания
сигналов в диапазоне волп от 6 до 60 см
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами
приводятся на корпусе.
Масса диода не более 3 г.
Вывод1 ButoSl
4.1ВыбеЗ1
—ГВыВоЗ!
Электрические параметры
Чувствительность по току при Рпл„ 4 мкВт, к = 10 см.
/11р 50 мкА, тпос=15 Ом и температуре от 213 до
373 К, ие менее..................................4 А/Вт
Дифференциальное сопрот ив тенис при/пр = 50 мкА . . . От 300
до 900 Ом
Коэффициент качества, не менее.....................45 Вт 12
Шумовое отношение при /пр = 50 мкА, не более ... 10
Коэффициент стоячей волны по напряжению нри Р1ЩИ =
4 мкВт, >.= 10 см /пр = 50 мкА, гпос — 15 Ом, не
более
при 298 К . . ................................. 2
при 213 и 373 К................................ 2,2
Прсде тытые эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при ти = 1 мкс,
/= 1000 Гц и температуре ог 213 до 373 К . . 200 мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при кратко-
временном воздействии (нс более 1 мин), т„ = 1 мкс,
/ = 1000 Гц и температуре от 213 до 373 К............... 2 Bi
Температура окружающей среды.............................От 213
до 373 К
Примечание. Разрешается применение диода при постоянном
прямом токе от 0 до 150 мкА. Температура окружающей среды
при кратковременном воздействии (не более 20 мин) 398 К.
407
Зависимость чувстви-
тельное in по току ог
постоянного прямого
тока.
Зависимость коэффи-
циента качества от по-
сюяппого прямого io-
ка.
Зависимость коэффи-
циента качссэ на от
температуры.
Д604
Диод кремниевый точечный. Предназначен для детектирования
сигналов в диапазоне волн от 2,7 см и более.
Выпускается в металлокерамическом кортусе с жесткими выво-
дами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами при-
водится па корпусе.
Масса диода нс более 3 г.
Выбод 1
Выбод 2.
Электрические параме т ры
Чувствительность по току при РПЛ11 = 10 мкВ г, 2. = 3,2 см,
7лр = 50 мкА, гпос = 20 Ом, не менее
при 213 и 298 К..................................2,5 А/Вт
при 373 К.......................................2,0 А/Вт
Дифференциальное со трот ивление при /,,р — 50 мкА ... От 500
до 900 Ом
Коэффициент качества, не менее......................35 В г
Шумовое отношение при /пр = 50 мкА, не более ... 8
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпд „ =
= 10 мкВт, X = 3,2 см, 711р = 50 мкА, г11ос = 20 Ом, ис
бо тее
при 298 К......................................... 18
при 213 и 373 К................................ 2
408
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощное!ь при тп = I мкс,
j = Ю00 Гц н температуре от 213 до 373 К............. 300 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при тн = 1 мкс
f= 1000 1ц н температуре ог 213 до 373 К в течение
10 мин............................................... I Bi
Непрерывная падающая СВЧ мощное 1ь прн 373 К . . . 10 мВт
Температура окружающей среды...........................От 213
до 373 К
Примечания: I. Разрешается применение диода при посюяп-
иом прямом токе от 0 до 150 мкА.
2 Предельная температура окружающей среды прн кратковре-
менном воздействии (нс более 20 мин) 398 К
Зависимое ib коэффициента ка-
чества от постоянного прямо-
го тока.
Зависимость коэффициента ка-
чества от температуры.
Зависимость чувствительности
по току от постоянного прямо-
го ТОКЦ.
409
Д605
Диод кремниевый точечный Предназначен для детектирования
импульсных амплитудпо-модулированных колебаний, индикации им-
пульсной мощности на частотах до 15 500 MI ц.
Выпускается в металло-
керамическом корпусе с жест-
кими выводами. Тип диода
и схемы соединения электро-
дов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса диода не бо-
лее 3,5 г.
Вывод 2 Вывод 1
Элек । рические параметры
Чувствительность по напряжению при Рпд„ = 150 мВт,
I. = 3.2 см, спос — 10 кОм, не менее.......................14 В/Вг
Выпрямленное напряжение при 60 мВт, X = 3,2 с.м,
*'пос = Ю кОм:
при 298 К..............................................От 10,5
до 16 В
при 373 К, не менее.................................... 5 В
при 213 К, пе менее.................................... 8 В
Предельные эксплуатационные данные
Вы 1рямленное напряжение иа г11ОС = 10 кОм и темпера
туре от 213 до 373 К, не менее:
при X = 3,2 см........................................ 10,5 В
при X — 2 см......................................... 7 В
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при кратко-
временных перегрузках и температуре от 213 до
373 К.................................................... 2 Вт
Зависимость выпрям-
ленного напряжения от
непрерывной падающей
СВЧ мощности.
Зависимость выпрямленного напряже-
ния от температуры.
410
Д606
Диод кремниевый точечный. Предназначен для детектирования
СВЧ импульсных амплитудпо-модулированных сигналов, индикации
импульсной СВЧ мощности
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается на корпусе
Масса диода не более 10 г.
Вывод 7
Элек I рические параметры
Чувствительность ио напряжению при = 20 мВт. не
менее..............................................14 В/Вт
Выпрямленное напряжение при Р11Л = 60 мВт, г11ос = 10 кОм,
нс менее:
при 298 К....................................... 5,2 В
при 358 К.......................................... ЗВ
при 213 К....................................... 3,5 В
Предельные эксплуаанионные данные
Импульсная рассеиваемая мощность при температуре от
213 до 358 К.......................................100 мВт
Температура окружающей среды........................От213
до 358 К
Температура окружающей среды прн кратковременном
воздействии в течение 20 мии....................... 373 К
Д607, Д607А
Диоды кремниевые точечные. Предназначены д 1я делегирования
СВЧ сш налов.
Выпускаются в мсталлосгеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода указывается па корпусе.
Масса диача пе более 1,4 г
411
Э тектрические параметры
Дифференциальное сопротивление при 7лр = 50 мкА . . . От 400
ло 1200 Ом
Коэффициент качества при Р„я = 15 мкВт, /,|р = 50 мкА,
пс менее-
при 298 К......................................30 Вт"'
при 213 и 398 К................................15 Вт
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпя =
= 15 мкВт, 7пр = 50 мкА, нс более . ....
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность при т„ = 1 мкс,
/= 1000 Гц и температуре от 213 до 398 К . . . .
Импульсная падающая СВЧ мощность при кратковре-
менном возчействии (не более 20 мин), т„ — 1 мкс,
f = 1000 Гц и температуре от 213 до 398 К............
Нс трерывиая рассеиваемая СВЧ мощность при кратко-
временном воздействии (не более 20 мин) и температуре
от 213 до 398 К......................................
100 мВт
300 mBi
5 мВт
го сопротивления от постоян-
чества от постоянного прямого
тивлення от постоянною пря-
мого тока
по току от постоянного пря-
мого тока.
412
Зависимость чу вс гви i ельнос ги
по току от температуры.
О 10 го 30 40 50 mA
Зависимость коэффииисп га ка-
чества oi постоянного прямою
тока.
Д608, Д608А
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для детектирования
СВЧ сигналов.
Выпускаются в металлостсклятнюм корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается па корпусе.
Масса диода не более 1,4 г.
Вывод 7
\Вь вод2
Этсктрическис параметры
Дифференциальное сопротивление при /пр = 50 мкА ... От 400
до 1200 Ом
Коэффициент качества при = 15 мкВт, 7пр — 50 мкА,
нс менее:
при 298 К......................................30 Вт"'/2
при 213 и 398 К................................15 Вт”1-2
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Р11д =
— 15 мкВт, I =50 мкА, нс более........................ 3
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность при т„ = 1 мкс,
f — 1000 Гц и температуре от 213 до 398 К
Д6О8..............................................150 мВт
Д608А............................................ 200 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при кратковременном
воздействии (нс более 20 мин), ти = I мкс, /= 1000 Гц
и температуре от 213 до 398 К........................ 500 мВт
413
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при кратко-
временном воздействии (не более 20 мин) и температуре
от 213 до 398 К.....................................7 мВт
Температура окружающей среды..........................От 213
до 398 К
Зависимое!ь коэффициента камееi
ва от постоянного прямого тока.
Зависимость дифференциально- Зависимость шумового сопро-
го сопротивления от посгоян- тивления от постоянного пря-
ного прямого тока. мого тока.
Зависимость чувствительности Зависимость чувствительности
по току от постоянного прямо- по току от температуры,
го тока.
414
Д609
Диод кремниевый точечный. Предназначен для детектирования
СВЧ сигналов
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тин диода и схема соединения электродов с выводами
приводятся иа корпусе
Масса диода нс более 1,5 г
74
Элект рические параметры
Дифференциальное сопротивление при 7пр = 20 мкА . . . От 1000
ло 2000 Ом
Коэффициент качества при /’цд= 10 мкВт, г|КХ. = 60 кОм,
/пр = 20 мкА, не менее.............................80 Bj -
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Р11Я —
= 10 мкВт, пе более.............................. 1,6
Изменение чувствительности по току нри Р11Л — 10 мкВт,
'пос = 60 кОм, 1„р = 20 мкА.
при 373 К...................................... + 40”п
при 213К....................................... +25 о
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при кратко-
временном воздействии (пе более 3 мни)................ 250 мВт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при кратко-
временном воздействии (не более 20 мин) и темпе-
ратуре от 213 до 373 К...................................2 мВт
Температура окружающей среды от 213 до 373 К
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от темпера
Зависимость коэффициента ка-
чества от температуры
туры.
415
Зависимость коэффициента стоя-
чей волны ио напряжению от
температуры.
Зависимое!ь дифференциально-
го сопротивления от постоян-
ного прямого тока.
Зависимость коэффициента ка-
чества от постоянного прямого
тока.
Зависимость коэффициента стоя-
чей волны по напряжению от
постоянного прямого гока.
2А201А
Диод кремниевый точечный Предназначен для детектирования
сигналов в диапазоне волн от 8 до 60 см.
Выпускается в мегаллостскляппом корпусе. Тин диода указывается
па этикетке. Диод маркируется красной точкой у положительною
вывода.
Масса диода не более 0,15 г.
416
Электрические параметры
Чувствительность по току при Рпл = 5 мкВт, X = 8 см, /„ = 50 мкА
гПос < 30 Ом:
при 298 К, не менее........................ 6,5 А/Вт
при 398 К..............................От 3,25 до 9,75 А,Вт
при 213 К-..............................О г 4,55 до 8.4 А/Вт
Дифференциальное сопротивление при /11р =
= 50 мкА.................................От 400 до 1000 Ом
Коэффициент качества, пс менее .... 80 Вт_1/г
Коэффициент стоячей волны по напряжению
ПРИ Лщ = 5 мкВт, X = 8 см, /пр = 50 мкА,
не более.............................. 1,5
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная падающая СВЧ мощность при
температуре от 213 до 398 К.................... 20 мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность прп
т„ < 1 мкс, f С 1000 Гц и температуре
от 213 до 398 К............................... 300 мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность при
кратковременном воздействии (не более
20 мин), т„ < 1 мкс, /С 1000 Гц и темпе-
ратуре от 213 до 398 К........................ 500 мВт
Температура окружающей среды .... Ог 213 до 398 К
Зависимость чувствительности
по току от постоянного пря-
мого тока
Зависимость коэффициента ка-
чества от постоянного прямого
тока.
14 под. ред. И Н. Горюнова
417
Зависимость чувствительности
по току от температуры.
Зависимость коэффициента стоя-
чей волны по напряжению от
температуры.
Зависимость коэффициента стоя-
чей волны по напряжению от
постоянного прямого тока.
О 40 80 ПО 160 ЫОнкЛ
Зависимос1ь дифференциально-
го сопротивления от постоян-
ного прямого тока.
2А202А
Диод кремниевый точечный Предназначен дтя детектирования
сигналов в диапазоне волн от 3 до 8 см
Выпускается в мегаллостеклянном корпусе. Тип диода укатывается
на этикетке. Диод маркируется двумя красными точками у поло-
жительного вывода
Масса диода не более 0,15 т.
14,4
418
Электрические параметры
Чувствительность по току при Рпд =
= 10 мкВт, 1 = 3,2 см, /11р = 50 мкА,
гпос < 30 Ом
при 298 К, нс менее......................... 2,5 А/Вг
при 398 К..............................Or 1,25 до 3,75 А Вт
при 213 К..............................Ог 1,75 до 3,25 А/Вт
Дифференциальное сопротивление при /11р =
= 50 мкА..................................От 400 ло 1000 Ом
Коэффициент качества, не менее................. 40 Вт-1/’
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Р[(д = 10 мкВт, >. = 3,2 см, 7пр = 50 мкА,
гПОс < 30 Ом, не более............................ 1,5
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная падающая СВЧ мопшость при
темпера гуре от 213 до 398 К . . . .
Импульсная падающая СВЧ мощность при
ти < I мкс, 1000 Гц и температуре
от 213 до 398 К........................
Импульсная падающая СВЧ мощность при
кратковременном воздействии (не более
5 мин), ти < 1 мкс, /с 1000 Гц и темпе-
ратуре от 213 до 398 К.................
20 мВт
300 мВт
500 мВт
Температура окружающей среды............. От 213 до 398 К
Зависимость чувствительное! и
по току от температуры
Зависимость коэффициента стоя-
чей волны по напряжению от
температуры.
14*
419
Зависимое i ь чувствительности
по току от постоянною пря-
Зависик ость коэффициента ка-
чества от постоянного прямого
мото тока
тока.
2А203А, 2Л203Б
Диоды кремниевые микросплавпыс. Предназначены для детекти-
рования сигналов в диапазоне волн 2 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выво-
дами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды маркируются
условным кодом' цифрой 4 — 2А203А, цифрой 5 — 2А203Б.
Масса диода нс более I .г.
Вывод 1 Вывод Z <о
+ вывод 1
—Твыводе
Электрические параметры
Чувствительность по току при Р„л = 0,01 мВт,
1пр = 20 мкА, гпос = 30 Ом, не менее:
при 213 и 298 К
2А203А...........................
2А203Б . • • •
при 398 К..........................
Дифференциальное сопротивление при /пр =
= 20 мкА
Коэффициент качества при Р„я — 0,01 мВт,
/пр 20 мкА, гпос = 30 Ом, ие менее:
2А203А...........................
2А2ОЗБ ..........................
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Р„Д = 0,01 мВт, /11р = 20 мкА,
Гпос = 30 Ом не более
2А203А...........................
2А203Б ................
3,8 А, Вт
2,8 А/Вт
1,5 А Вт
От 1000 до 2000 Ом
120 Вт-1/2
100 Вт-1/2
1,6
2,5
420
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при гпос < 100 Ом н тем-
пературе:
от 213 до 358 К....................................20 мВт
при 398 К...........................................5 мВт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при rlloc С
< 100 Ом, кратковременном воздействии (не более 3 ч)
и температуре от 213 до 358 К........................50 мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при ти < 4 мкс
f < 1000 Гц, rIloc С 10 кОм и темпера туре от 213 до
358 К...............................................100 мВт
Температура окружающей среды...........................От 213 до
358 К
Примечание. Допускается
токе не более 100 мкА
применение диодов при прямом
Зависимость шумового сопро
тивлеиия от постоянного пря-
мою тока.
Зависимое! ь дифференциально-
го сопротивления от постоян-
ного прямого тока.
Зависимость чувствительности
по току от постоянного пря-
мого тока.
Зависимость коэффициента стоя-
чей волны по напряжению от
постоянного прямого тока
421
Зависимоеib чувствительности Зависимость непрерывной рас-
по току от температуры. сеиваемой С Ч мощности от
10.3 ПАРАМЕТРИЧЕСКИЕ ДИОДЫ
1А401, 1А401А, 1А401Б, 1А401В, ГА401, ГА401А, ГА401Б,
ГА401В
Диоды германиевые диффузионные. Предназначены для работы
в параметрических усилителях в диапазоне волн от 6 до 60 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выво-
дами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами при-
водятся па этикетке. Диоды маркируются цветным кодом: 1А401,
I А401 — четырьмя красными точками у отрицательного электрода,
1А401А, ГА401А —одной красной точкой, 1А401Б. ГА401Б - двумя
красными точками, 1Л401В, ГА401В тремя красными точками.
Масса диода не более 0.7 г
42?
Электрические параметры
Постоянная времени при 1/о6р = 10 В, /= 2000 + 200 МГц, не более:
1А401, ГА401...........................................2.2 пс
1А401А, ГА401А.................................2 0 пс
1А401Б ГА401Б..................................]’g пс
1А401В, ГА401В.................................1’7 11С
Пробивное напряжение при /,Лр = 10 20 мкА, не менее:
при 298 К...................................... . . 20 В
при 213 К...................................... 15В
Постоянный обратный ток при Собр = 10 В, пе более:
при 298 К ......................................
при 343 К ...................................
0,5 мкА
4,0 мкА
Емкое 1Ь перехода при (7о(гр = 10 В. f < 30 МГц:
1А401, ГА401...........................От 0,45 до 0 87 пФ
1А401А, ГА401А..........................От 0,36 до 0,55 пФ
1А401Б, ГА401Б..........................Or 0,26 до 0,44 пФ
1А401В ГА401В...........................Or 0,12 до 0,33 пФ
Емкость корпуса.............................От 0,18 до 0,25 пФ
Индуктивность диода, не более.................... 2 и Гн
Прете гьные женлу ат анионные данные
Непрерывная падающая СВЧ мощность при температуре
от 213 до 343 К...................................... 200 мВт
Непрерывная падающая СВЧ мощноегь при кратковремен-
ном воздействии (не бо iee 5 мин) и температуре
от 213 до 343 К...................................... 400 мВт
Импульсная падающая СВЧ мощноегь при т„ < 4 мкс,
скважности, большей или равной 1000, п температуре
от 213 до 343 К...................................... 5 Вт
Импульсная падающая СВЧ мощность при кратковремен-
ном воздействии (пе бо гее 5 мин), ти С 4 мкс, скваж-
ности, большей или равной 1000, температуре от 213
до 343 К............................................. 10 Вт
Темпера гура окружающей среды.................
От 213 до
343 К
Примечания’ I Допускается применение диодов для умно-
жения и деления частоты в режимах, нс превышающих предс тыю
допустимые. Длина волны в этом режиме может быть короче
3 см.
2. Не разрешается подача обратного напряжения более 19 В
и прямого тока более 30 мА
3. Емкость перехода остается неизменной при температуре окру-
жающей среды от 213 до 343 К
423
Зависимость пробивного
напряжения от темпера-
туры.
Зависимость емкости
структуры от постоянно-
го обратного напряжения.
1А402А, 1А402Б, 1А402В, 1А402Г, ГА402А, ГА402Б,
ГА402В, ГА402Г
Диоды германиевые диффузионные. Предназначены для работы
в параметрических усилителях в диапазоне волн от 3 до 6 см.
Выпускаются в металлокерамическом коаксиальном корпусе с жест-
кими выводами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды марки-
руются цветным кодом: 1А402А, ГА402А -одной красной точкой
у положительного этектрода, 1А402Б, ГА402Б — лвумя красными
точками, 1А402В ГА402В — одной красной полоской, 1А402Г,
ГА402Г — двумя полосками.
Масса диода не более 0,6 г.
Электрические параметры
Постоянная времени при (7обр =10 В, /= 2000 + 200 МГц, нс более:
1А402А, ГА4 2А............................. 1,2 пс
1А402Б ГА402Б.............................. 0,9 пс
1А402В, 1А402Г, ГА402В, ГА402Г . . . 0,75 пс
Постоянный обратный ток при £7Обр = 10 В, не более.
при 298 К.................................. 0.5 мкА
при 343 К.................................... 3 мкА
Изменение пробивного напряжения при 213 К,
не более................................ 15 %
Емкость перехода при (7обр 10 В, /=
= 30 МГц:
1А402А, ГА402А, ие более.................... 0,3 пФ
424
1А402Б, 1А402Г ГА402Б, ГА402Г, не
более ..............................
1А402В, ГА402В......................
Емкость корпуса.........................
Индуктивность диода, не более...........
0,16 пФ
Ог 0,13 до 0,3 пФ
От 0,23 до 0.29 пФ
2 нГн
Прете тытые зксп.туатапно1П1ые данные
Непрерывная падающая СВЧ мощность при
темпера гуре от 213 до 343 К . . . . 50 мВт
Непрерывная падающая СВЧ мощность при
кратковременном воздействии (не более
5 мин) и тем пера гуре от 213 до
343 К................................... 100 мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность при
ти С 4 мкс, скважности, большей или рав-
ной 1000 и температуре от 213 до
343 К................................... 2,5 Вт
Импульсная падающая СВЧ мощность при
кратковременном воздействии (не более
5 мин), ти<4 мкс, скважности, большей
или равной 1000, и температуре от 213
до 343 К................................ 5 Вт
Энергия СВЧ импульсов при температуре от
213 до 343 К................................ 0 7-Ю-7 Дж
Мощность просачивающегося импульса при
температуре от 213 до 343 К . . . 200 мВт
Температура окружающей среды .... От 213 до 343 К
Примечания 1 Допускается применение диодов для умноже-
ния и деления частоты в режимах, не превышающих предельно
допустимые Длина волны в этом режиме может быть короче 3 см.
2. Нс разрешается подача обратного напряжения более 14 В
и прямого тока более 30 мА
Зависимость емкости Зависимость пробив-
структуры от постоян- кого напряжения от
ного обратного иапря- температуры,
жения
Зависимость прямого
сопротивления потерь
от температуры
425
1А403А, 1А403Б, 1А403В, 1А403Г, 1А403Д, ГА403А,
ГА403Б, ГА403В, ГА403Г, ГА403Д
Диоды германиевые диффузионные. Предназначены для работы
в параметрических усилителях с увеличенной линейностью амплитуд-
ной характеристики в умножителях, делителях частоты и модуля-
торах в сантиметровом и дециметровом диапазонах.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе. Тип диода и схема
соединения электродов с выводами приводятся на этикетке. Диоды
маркируются цветным кодом в центре баллона: 1Л403Л, ГА403А —
одной красной точкой, 1А403Б. ГА403Б — двумя красными точками,
1А403В, ГА403В — тремя красными точками, 1А403Г, ГА403Г — одной
красной полоской. 1А4О.ЗД. ГА403Д —двумя красными полосками.
Масса диода не более 0,7 г.
8ыШ1
ВьМ I
Электрические параметры
Постоянная времени при t/c5p = 20 В,/= 2000 + 200 МГц, не более:
1А403А, ГА403А.................................. 2 пс
1А403Б, 1А403В 1А403Г, ГА4ОЗБ, ГА403В, ГА403Г 1.6 пс
1А403Д, ГА403Д................................ 1,3 пс
Пробивное напряжение при Ic!ip = 10 . 20 мкА, не менее:
при 298 К........................................... 50 В
при 213 К........................................ 40 В
Постоянный обратный ток при (7о5р = 20 В. не более:
при 298 К
1А403А, ГА403А.........................................2 мкА
1А403Б, 1А403В 1А403Г, 1А403Д ГА403Б, ГА403В,
ГА403Г, ГА403Д.................................. 1 мкА
при 343 К
1А403А ГА403А.....................................10 мкА
1Л403Б, 1А403В, 1Л403Г, 1Л4ОЗД, ГА403Б. ГА403В,
ГА403Г, ГА403Д...................................5 мкА
Емкость перехода при 17обр = 20 В,/= 30 МГц:
1А40 А, ГА403А................................О г 0.32 до 0,5 нФ
1А403Б, ГА403Б
1А403В, ГА403В
1А403Г, 1А403Д
ГА403Г, ГА403Д
Oi 0,26 до 0,4 нФ
Ог 0,18 до 0,3 пФ
От 0,08 до 0,22 пФ
Емкость корпуса........................
Индуктивность диода....................
От 0,2 до 0,25 пФ
От 1,0 до 2,0 нГн
426
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная-падающая СВЧ мощность при температуре
от 213 до 343 К.................................... 400 мВт
Непрерывная падающая СВЧ мощность при кратковремен-
ном воздействии (не более 5 мин) и температуре
от 213 до 343 К...................................... 600 мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность при ти С 4 мкс,
скважности, большей или равной 1000, и температуре
от 213 до 343 К...................................... 15 Bi
Импульсная падающая СВЧ мощность при кратковремен-
ном воздействии (не более 5 мин), т„ С 4 мкс, скваж-
ности, большей или равной 1000, и температуре аг
213 до 343 К......................................... 25 Вт
Температура окружающей среды.........................О г 213 до
343 К
Примечания 1. Нс разрешается подача обратною напряже-
ния более 49 В и прямого тока более 30 мА
2. Емкость перехода остается неизменной при температуре от
213 до 343 К.
Зависимость обратною тока от
темпера 1>ры.
Зависимощь пробивного напря
жспия от температуры.
Зависимость постоянной време-
ни от температуры.
Зависимость емкости структуры
от постоянного обратного на-
пряжения.
427
1А404А, 1А404Б, 1А404В, 1А404Г, 1А404Д, 1А404Е,
1А404Ж
Диоды германиевые планарные. Предназначены дтя работы в па-
раметрических усилителях, умножителях и дслитетях частоты в диапа-
зоне both 3 см п более.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вывода-
ми. Ти I диода и схема соединения электродов с выводами приводятся
иа этике!ке. Диоды маркируются цветным кодом: 1Л404А —одной
красной точкой, 1А4О4Б — двумя красными точками, 1А404В — тремя
красными точками, 1А404Г— четырьмя красными i очками, 1А404Д —
одной красной полоской, 1А404Е — двумя красными полосками,
1А404Ж — тремя красными полосками.
Масса диода не более 0,7 г.
Электрические параметры
Постоянная времени при I) (р = 5 В f — 2 4- 2.5 ГГц,
нс более..........................................0,85 ис
Изменение постоянной времени в интервале 1ем гератур
от 213 до 343 К при 6'^=5 В /=2 4-2,5 ГГц.
нс более............................................. 22 %
Пробивное напряжение при 7о0р = 100 мкА. нс менее:
при 298 К............................................ 10 В
при 213К.............................................. 8В
Постоянный обратный ток при (7^=5 В пс ботес
при 298 К.....................................0,2 мкА
при 343 К........................................2.5 мкА
Емкость перехода нри 17о6р = 5 В,/=60 МГц:
1Л404А, не более................... 0,11 пФ
1А404Б................................От 0.09 до 0.14 пФ
Л404В................................От 0.11 до 0.16 нФ
1Л404Г................................От 0,13 до 0,23 пФ
1А404Д................................От 0,17 до 0,28 пФ
1А4041.............................От 0 22 до 0,36 пФ
1А404Ж................................ От 0,3 до 0.45 пФ
Емкость корпуса............................О г 0,2 до 0,26 пФ
Индуктвносгь диода..................... От 1,2 до 1 8 пГп
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мо1цнос1ь
при температуре от 213 до 343 К . . . 40 мВт
428
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность
при кратковременном воздействии (не более
5 мин) и температуре от 213 до 343 К
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность
при ти < 1 мкс f < 1000 Гц и температуре
от 213 до 343 К.........................
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность
при кратковременном воздействии (не более
5 мин), ти < 1 мкс, f < 1000 Гц и темпе-
ратуре от 213 до 343 К..................
Энергия СВЧ импульсов при температуре
от 213 до 343 К.........................
Импульсная падающая СВЧ мощность при
температуре от 213 до 343 К.............
Температура окружающей среды............
60 мВт
1 Вт
2 Bi
0,3 10- Дж
150 мВт
От 213 до 343 К
Зависимость емкости
структуры от постоянно-
го обратного напряжения.
Зависимость постоянной
времени от температуры.
1А405А, 1А405Б
Диоды германиевые мезадиффузионные Предназначены для рабо-
ты в параметрических усилителях, генераторах шума в диапазоне
воли 3 см и более.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выво-
дами Tim диода и схема соединения электродов с выводами
приводятся на этикетке Диоды маркируются цветными кодом:
1А405А — одной красной точкой, 1А405Б — двумя красными точками.
Масса диода не более 0,7 г.
ВыВод 2
Вывод 1
Вывод 1
Во Вод!
5
429
Электрические параметры
Постоянная времени прн £7о6р = 5 В, f—
= 2 -2,5 ГГц, не более........................ 1,2 пс
Пробивное напряжение при -^p = 70.-=- 100 мкА:
при 298 К.............................. Oi 8 до 15 В
при 213 К. не менее......................... 6 В
Постоянный обратный ток при =5 В, пе более:
при 298 К..................................... 0,2 мкА
при 343 К................................. 3,5 мкА
Емкость перехода при =5 В, f= 60 МГц:
1Л405А.................Р..................От 0,18 до 0,25 пФ
1А4 5Б..............................
Емкое 1Ь корпуса........................
Индуктивность диода.....................
От 0,22 до 0,4 пФ
От 0,19 до 0.25 пФ
От 1 до 2 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре
от 208 до 343 К......................................0,5 Вт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при кратковре-
менном воздействии (не более 5 мин) и температуре
от 208 до 343 К................................... 1,0 Вт
Мощность просачивающегося импульса....................25 мВт
Темпера iypa окружающей среды.........................От 208 до
343 К
Максимальная температура окружающей сре ды при крат-
ковременном воздействии (не более 30 мин) .... 358 К
Зависимое ib емкости структуры от
постоянного обратного напряжения.
1А408А, 1Л408Б
Диоды германиевые диффузионные планарно-эпитаксиальные.
Предназначены для работы в параметрических усилителях сантимет-
рового и дециметрового диапазонов.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается на рупповой таре Диоды марки-
руются цветным кодом: 1А408А—одной белой точкой, 1А408Б —
о; ной черной точкой.
Масса диода не более 0,7 г
430
Постоянная времени при {7о6 = 10 В, /=
= 7,5 ч- 7,7 ГГц и 77 К, не более ... 0.6 пс
Пробивное напряжение при I 100 мкА
и 77 К ие меиее .... .... 12 В
Постоянный обратный ток при (7оС = 10 В
и 77 К не более................Г . . . 0,05 мкА
Общая емкость диода при t/oCp =10 В, / =
= 10 МГц:
1А408А..............................От 0,5 до 0,56 пФ
1А408Б..............................О г 0,54 до 0.62 пФ
Емкость корпуса.........................От 0,3 до 0 34 пФ
Индуктивность диода.....................От 0,45 до 0 65 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощиощь
при температуре от 77 до 298 К . . . 40 мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при
ти < 1 мкс, /С 1000 Гц и температуре
от 77 до 298 К.................................. 1 Вт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при
кратковременном воздействии (не более
5 мин), ти < мкс f < 1000 Гц и темпера-
туре от 77 до 298 К............................. 2 Вт
Энергия СВЧ импульсов при температуре
от 77 до 298 К.............................. 0,3 10~7Дж
Импульсная падающая СВЧ мощность при
температуре от 77 до 298 К.................... 150 мВт
Температура окружающей среды............ От 77 до 298 К
Г 1AW8(A,6)
Т
пс
К
1,0
0,8
0,6
0,4
S3 133 173 Z13 Z53 Z93 К
Зависимость емкости струк-
туры от постоянного обрат
йот о напряжения.
Зависимость постоянной вре-
мени от температуры
431
10.4. ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЕ ОГРАНИЧИТЕЛЬНЫЕ
ДИОДЫ
1А501А, 1А501Б, 1А501В, 1А501Г, 1А501Д, 1А501Е,
1А501Ж, 1А501И, ГА501А, ГА501Б, ГА501В, ГА501Г,
ГА501Д, ГА501Е, ГА501Ж, ГА501И
Диоды германиевые диффузионные. Предназначены для применения
в переключающих устройствах в диапазоне воли 3 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выво-
дами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды маркируются
цветным кодом: 1А501А, ГА501А —одной точкой у положительного
вывода, 1А501Б, ГА501Б —двумя точками, 1A50IB, ГА501В —тремя
точками, 1А501Г, ГА501Г - одной полоской, 1А501Д, ГА501Д — двумя
полосками, 1А501Е, ГА501Е — тремя полосками, 1А501Ж, ГА501Ж —
одной полоской и одной точкой, 1А501И, ГА501И — одной полоской
и двумя точками
Масса диода не более 0,6 г.
Электрические параметры
Потери пропускания при I =20 мА, Р1И = 1 мВт,
1 = 3,2 см (1А501А 1А501Ь ”1A50IВ 1А501Ж 1А501И,
ГА501А, ГА501Б ГА501В. ГА501Ж ГА501И) и при
X 3,9см (1А501Г 1А501Д, 1А501Е, ГА501Г, ГА501Д,
ГА501Е), не более.....................................0,8 дБ
Качество диода при (/oRp = 12:18 В для 1А501А,
1А501Г ГА501А, ГА501Г. при </обр = 8^13 В для
1А501Б. 1А501Д, ГА501Б ГА501Д. при Гойр = 4 9 В
для 1А501В. 1А501Е, ГА501В, ГА501Е, при С'обр =
= 2,2 . 42 В для 1А501Ж, ГА501Ж при l/oCp = 0,5 =
2,5 В для 1А501И ГА501И при Рад = 1 мВт и ).=
= 3,2смдля 1А501А, 1А501Б, 1А501В 1А501Ж, 1А501И
ГА501А ГА501В. ГА501В ГА501Ж ГА501И, Х =
3.9смдля 1А501Г 1А501Д, 1А501Е, ГА501Г. ГА501Д,
ГА501Е, не менее................................. ИО
Емкость корпуса.....................................От 0,12 до
0 18 пФ
Постоянный обратный ток при С/оСр = 10 В, не более:
при 298 К ..............................0 5 мкА
при 343 К ...........................3 0 мкА
Пробивное напряжение, не менее ... .......... 19 В
432
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная падающая СВЧ мощность при скважности,
большей или равной 1000, ти<2 мкс и температуре
от 213 до 343 К.....................................2,5 Вт
Импульсная падающая СВЧ мощность при воздействии
ие более 5 мин, скважности, большей или равной 1000
ти < 2 мкс и температуре от 213 до 343 К . . . . 5,0 Вт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпера-
туре от 213 до 343 К
1А501А, 1А501Б, 1А501Г, 1А501Д 1А501Е, ГА501А,
ГА501Б, ГА501Г, ГА501Д, ГА501Е..................100 мВт
1А501В, ГА501В.....................................50 мВт
1А501Ж, 1А501И ГА501Ж ГА501И.................. 1 мВт
Непрерывная падающая СВЧ мощность при /,|р = 10
30 мА и температуре от 213 до 343 К............... 1 Вт
Мощность просачивающегося импульса при температуре
от 213 до 343 К..................................... 450 мВт
Энергия просачивающегося импульса при температуре
от 213 до 343 К.....................................0,5 10 7 Дж
Импульсная падающая СВЧ мощность в течение 50 ч
при Т С 343 К, ти С 0,15 мкс, скважности, бо п>шей
или равной 3000 .................................... 50 В г
Температура окружающей среды........................Oi 213 до
343 К
Примечания: 1. Допускается применение диодов в коммута-
ционных устройствах при длинах волн
2. Не разрешается подача обрат-
ного напряжения более 18 В и
прямого тока более 30 мА для 1А501 А,
1А501Б, 1А501Г, 1А501Д, 1A50IE
и 20 мА для 1A50IB, 1А501Ж,
1А501И.
Зависимость потерь запирания от тем-
пературы
более 3 см
2А503А, 2А503Б
Диоды кремниевые сплавные с p-i-n структурой. Предназначены
для применения в переключающих устройствах, модуляторах, фазо-
вращателях, аттенюаторах саптимет- 0T,Z5
ровою и дециметрового диапазонов t* " I "
Бескорпуспые с жесткими выво- ь
дами Тип диода указывается па g
индивидуальной таре “ , _______._______
Масса диода не более 0,00214 2-1 J
433
Электрические параметры
Прямое напряжение при /пр 100 мА и тем-
пературе от 213 до 398 К, не более
Прямое сопротивление потерь при 1П0 —
= ЮО мА, Рцд > 5 мВт, f — 3000 МГц, не
более
2А503А..............................
2А503Б..............................
Емкость перехода при Р11Д > 5 мВт f —
- 3000 МГц:
2А5ОЗА..............................
2А503Б..............................
Прямое сопротивление потерь при /пр = 0,
Епд > 5 мВт, f= 3000 МГц, не менее
Время установления прямого сопротивления
при /11р = 100 мА, Рпд > 1 мВт, /=
= 3000 МГц, не более....................
Время восстановления сопротивления при
/пр - 0 Рпд > 1 мВт, /= 3000 МГц, не
более...................................
0,3 В
3.3 Ом
5.0 Ом
От 0 365 до 0 435 пФ
От 0,33 до 0.425 пФ
1500 Ом
6 мкс
60 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Рассеиваемая мощность............................ 1 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность в линии
с волновым сопротивлением 50 Ом . 1 кВт
Темпера ура окружающей среды .... От 213 до 398 К
Температура перехода............................. 398 К
Примечание. При включении диола в линию с волновым
сопротивлением ГР, отличным от 50 Ом, допустимая импульсная
рассеиваемая мощность определяется по формуле
^и, рас. макс( В/ = ^и, рас, макс-
Зависимость прямого со-
противления потерь от по-
стоянного прямого напря
жен ия.
Зависимость
противления
постоянного
прямого со-
потерь от
прямого
тока.
434
1А504А, 1А504Б, ГА504А, ГА504Б, ГА504В
Диоды германиевые диффузионные. Предназначены для работы
в переключающих устройствах сантиметрового и дециметрового
диапазонов волн.
Выпускаются в металлокерамическом коаксиальном корпусе с жест-
кими выводами. Диоды маркируются цветной точкой на керами-
ческой части корпуса: 1А504А, ГА504А — красной, 1А504Б, ГА504Б —
черной, ГА504В желтой. Схема соединения электродов с выводами
приводится иа керамической части корпуса.
Масса диода не более 1 г.
Электрические параметры
Потери пропускания при /11р = 50 мА Р^ = 1 мВт,
1 = 3,9 см, ие более:
1А504А..............................................0,5 дБ
1А504Б ...................................0.8 дБ
Качество диода при /„р = 50 мА, (/обр = 50 В, Р„;1 =
= 1 мВт, ?, = 3,9 см, нс менее, при температуре:
ог 213 до 298 К
1А504А ГА504А.......................................
1А504Б, ГА504Б..................................... 200
ГА504В 100
при 343 К
1А504А, ГА504А..................................... 350
1А504Б ГА504Б...................................... 150
Общая емкость диода при Uoep 50 В
1А504А, 1А504Н, ГА504А, ГА504Б......................От 0,5
до 0,8 пФ
ГА504В..........................................От 0,45
до 1.0 пФ
Постоянный обратный ток при = 50 В не более,
при температуре
от 213 до 298 К.....................................100 мкА
при 343 К....................................... 500 мкА
Время переключения при С^р = 50 В Риа = 2,5 В т
X. 3,9 см не бо тсс................................. 40 нс
Емкость корпуса при Со5р 50 В.......................От 0,3
до 0,4 пФ
435
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпера-
туре корпуса:
от 213 до 308 К........................................0,5 Вт
при 343 К..........................................0,3 Вт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность в течение
1 мин при температуре корпуса от 213 до 358 К для
1А504А 1А504Б........................................0,6 Вт
Непрерывная падающая СВЧ мощность при температуре:
от 213 до 308 К...................................2,5 Вт
при 343 К......................................... 1,5 Вт
Непрерывная падающая СВЧ мощность при кратко-
временном воздействии (не более 1 мин) и темпера-
туре от 213 до 343 К...................................3,0 Вт
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 до 343 К.......................................... 50 В
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до
343 К...................................................50 мА
Температура окружающей среты............................От 213
до 343 К
Температура корпуса................................... 358 К
Примечания: 1 Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность свя-
зана с непрерывной СВЧ мощностью в линии передачи Р-, соот-
ношениями :
в состоянии пропускания Рсвч = —
„ 2(11^-11
е состоянии запирания гсвч = -Р „
L-t
cue L„ — потери пропускания волноводного устройства с диодом,
определяемые отношением падающей СВЧ мощности к прошедшей
при поминальном I р;
L-, — потери запирания волноводного устройства с диодом, опре-
деляемые отношением падающей СВЧ мощности к прошедшей при
поминальном (7о5р.
2. Общая емкость диода не зависит в диапазоне СВЧ от
напряжения смещения (от нуля до максимально допустимого об-
ратного напряжения).
Зависимость непрерывной рассеивае-
мой СВЧ мощности от температуры
корпуса.
436
2А505А, 2А505Б, 2А505В
Диоды кремниевые сплавные со структурой n-i-p-i-n. Пред-
назначены для работы в переключающих устройствах, модуля-
торах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметро-
вого диапазона в 1ерметнзированной аппаратуре.
Бескорпуспые с гибкими выводами. Тип диода и схема соеди-
нения электродов с выводами приводятся на индивидуальной таре.
Масса диода не более 0.05 г.
Вь вод Z
— Вывод 7
Вывод 2
Электрические параметры
Потерн пропускания при /пр 0> Ли 1 мВт, 1Р =
= 250 Ом, f= 9000 = 9800 МГц, не более:
прн 298 К
2А505А, '’А505Б.................................0.25 дБ
2А505В............................................0.4 дБ
при 213 и 398 К
2А505А 2А505Б..................................0.55 дБ
2А 505В...........................................0,7 дБ
Потери запирания при /пр = 100 мА P„i> 1 мВт, W
= 250 Ом, f = 9000 -? 9800 МГц, не менее:
2А505А.............................................. 25 дБ
2А505Б, 2А505В.................................... 21 дБ
Время восстановления сопротивления при Рт > 1 мВт,
f = 9000 -ь- 9800 М Гц, не более ......................60 мкс
Время установления прямого сопротивления при Рпд >
>1 мВт. /11р = 100 мА. /=9000 -? 9800 МГц, не
более ............................................... 6 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная падающая СВЧ мощность в линии с И =
= 250 Ом при ти = 1 мкс и скважности 500.
в Н-образпом волноводе и полосковых линиях ... 5 кВт
в резонансной щели.................................. 2 кВт
/пр = 100 мА.......................................100 кВт
Рассеиваемая мощность................................... 2 Вт
437
Обратное напряжение................................. 100 В
Температура окружающей среды.........................Ог 213
до 398 К
Примечания 1. Допускается воздействие температуры окру-
жающей среды 413 К в течение 30 мин,
2. Потери запирания практически неизменны в интервале тем-
пературы от 213 до 398 К
3 При включении диода в линию с волновым сопротивлением,
огличным от 250 Ом, допустимая импульсная СВЧ мощноыь опре-
деляется но формуле
Рпд. и, макс ( W) —
250
IV
пд, и, макс*
Зависимость постоянного пря-
мого тока от напряжения.
Зависимость потерь запирания
от постоянного прямою тока.
Зависимость потерь пропуска-
ния от температуры.
Зависимость потерь пропуска-
ния от импульсной падающей
СВЧ мощности.
438
2А506А, 2А506Б, 2А506В, 2А506Г, 2А506Д
Диоды кремниевые сплавные. Предназначены для рабсил в
переключающих устройствах, модуляторах, фазовращателях, аттенюа-
торах сантиметрового диапазона в герметизированной аппаратуре.
Бескорнусные, с гибким выводом. Тип диода указывается па
корпусе Положительный вывод диода — гибкий.
Масса пе более 2,5 г (2А506А, 2А506Б, 2А506В, 2А506Г) и
2 г (2А506Д).
2А50БД 21 £2
Вывод 7
Вывод 2
Элек рические параметры
Потерн пропускания при Р„л > 1 мВт, /пр = О, W =
= 250 Ом, пе более:
при 298 К •
2А506А, 2А506Б (/= 9800 ± 50 МГц)..............0,4 дБ
2А506В, 2А506Г (/=9100 ±50 МГц) .... 0,4 дБ
2А506Д (/= 13 700 ± 50 МГц)....................0,7 дБ
при 213 и 398 К
2А506А. 2А506Б. 2А 506В, 2А506Г..................0,7 дБ
Потери запирания при Pnl > 1 мВт, /пр = 100 мА, l!z =
= 250 Ом, пс менее:
2А506Б, 2А5061 .................................. 18 дБ
2А5О6А, 2А506В, 2А506Д......................... 22 дБ
Время восстанов тения сопротивления при Рпя > 1 мВт,
не бо тсс"
2А506А, 2А506Б (/= 9800 ± 50 МГц)...............60 мкс
2А506В. 2А506Г (/=9100 + 50 МГц)................60 мкс
Время установления прямого сопротивления при Рпа >
>1 мВт, /,,р = 100 мА, не более
2А506А. 2А 506Б (/= 9800 + 50 МГц).................. 6 мкс
2А506В. 2А506Г (/= 9100 + 500 МГц).............. 6 мкс
Предт тытыс эксплуатационные данные
Импульсная падающая СВЧ мощность в липни с IV =
= 250 Ом при ти 1 мкс и скважности 500:
при 4Р = 0......................................... 2 кВт
при Лф = *00 мА...................................100 кВт
439
Рассеиваемая мощность.............................. 2 Вт
Обратное напряжение................................ 100 В
Температура окружающей среды........................От 213
до 398 К
Примечания 1. Допускается кратковременное воздействие
температуры окружающей среды 413 К в течение 30 мин.
2. При включении диода в линию с волновым сопротивлением,
отличным от 250 Ом, допустимая импульсная СВЧ мощность опре
делястся по формуле
^iH. и,иакс(^ = z ^пд. и, макс-
3 Потери запирания в интервале температур от 213 до 398 К
практически остаются неизменными.
Зависимость постоянного пря-
мого тока от напряжения.
Зависимое!ь потерь запирания
от постоянного прямого тока.
Зависимость потерь пропуска-
ния от температуры.
Зависимое lb потерь пропуска-
ния от непрерывной падающей
СВЧ мощности.
440
2А507А, 2А507Б, КА507А, КА507Б, КА507В
Диоды кремниевые эпитаксиальные с p-i-n структурой. Пред-
назначены для работы в переключающих устройствах сантиметро-
вою и дециметрового диапазонов.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды маркирую 1Ся
цветным кодом 2А507Л, КА507А черной точкой, 2А507Б КА5О7Б —
желтой точкой, КА507В — двумя красными точками. Положительный
вывод — со стороны крышки.
Масса диода нс более I 3 г
Электрические параметры
Пробивное напряжение при /оСри = 10 мА /= 5 кГц,
ти = 3 мкс не менее
2А507А КА5О7А.................................. 500 В
2А5О7Б, КА507Б, КА507В......................... 300 В
Критическая частота при 7пр — 100 мА, 17оСр = 100 В,
Рп, = 1 мВт. 1 = 7 см нс менее
при 298 К
2А507А 2А507Б КА507А, КА507Б . . 200 ГГц
КА507В..........................................150 ГГц
при 213 и 373 К
2А507А, 2А507Б, КА50'А КА507Б ... .180 ГГц
Накопленный заряд при /пр = 100 мА не более .... 200 иКл
Прямое сопротивление потерь при /пр = 100 мА, Рпл =
— 1 мВт X = 7 см нс более
2А507А 2А507Б, КА507А, КА507Б.............1 5 Ом
КА507В.......................................2.5 Ом
Общая емкость при 17о0р = 100 В
2А507А 2А507Б КА507А, КА507Б.............От 0.8
до 1,2 нФ
КА507В . . ...............От 0.65
до 1.2 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Рассеиваемая мощность прн температуре корпуса
от 213 до 308 К.................................... 5 В
при 373 К ......................................... 2 Вт
Постоянное обратное напряжение при температуре кор-
пуса от 213 до 373 К................................. 200 В
441
Мгновенное обратное напряжение при температуре кор-
пуса от 213 до 373 К
2А507А, КА507А..................................... 500 В
2А507Б, КА507Б, КА507В.......................... 300 В
Постоянный прямой ток прн температуре корпуса от
213 до 373 К......................................... 200 мА
Температура окружающей среды...........................От 213
до 373 К
Примечания: 1. Расчснтая индуктивность диода 0,5 иГп.
2. Общая емкость диода не зависит в диапазоне СВЧ от
обратного напряжения (от нуля до максимально допустимою зна-
чения напряжения).
Зависимость рас-
сеиваемой мощ-
ности ог темпе-
ратуры корпуса.
Зависимость времени
восстановления от
постоянного обратно-
го на и ряжей ия
Зависимость накоп-
ленного заряда от
постоянною пря-
мого тока.
Зависимость прямого со-
противления потерь от по-
стоянного прямою тока
Зависимость обратного со-
нро1ивлеиия потерь от по-
стоянного обратною напря
жепия.
442
2А508А, КА508А
Диоды кремниевые, изготов генные на основе ионного легиро-
вания со структурой n-i-p-i-n. Предназначены для работы
в переключающих устройствах, модуляторах, фазовращателях, ат-
тенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов в терме
гизироваиной аппаратуре.
Бескорпусные с гибким выводом. Тип диола указывается па
таре.
Масса диола нс более 0,05 г.
Электрические параметры
Потери пропускания при /при = 100 мА, Рид = 1 Вт,
/= 9370 МГц, не более-
при 298 К...........................................0,4 дБ
при 213 и 398 К (2А5О8А)........................0 6 дБ
Качество при Р„д = 1 Вт /= 9370 МГц, нс менее . . . 600
Время установления при /при=100 мА, /=1000 Гц,
ти = 100 мкс, rI]oc = 1 кОм, пс более............... 6 мкс
Время восстановления при /при=100 мА, /= 1000 Гц.
ти = 100 мкс, гпос = 100 Ом, не более...............40 мкс
Предетъные эксплуатационные данные
Рассеиваемая СВЧ мощность при температуре от 213
до 333 К для 2А508А и от 213 до 308 К дтя
КА508А.............................................. 1,5 Вт
Коммутируемая импульсная СВЧ мощность при ти =
= 1 мкс, скважности 1000 в резонансной щели . . . 0.8 кВт
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 до 358 К.................................... 100 В
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до
. 358 К ............................................ 500 мА
Температура окружающей среды
2А508А..............................................От 213
до 398 К
КА508А..........................................От 213
до 358 К
Примечания: 1. При постоянном прямом токе допускается
импульсная мощность 50 кВт при ти = 1 мкс скважности 1000 при
условии, что мощность, рассеиваемая в диоде, не превышает до-
пустимого значения
2 При впайке диодов в модули должен использоваться припой
ПОИн-50
443
1200
1000
800
600
ЧОО
ZOO
О 40 80 ПО 160 200м Л
«А 2А508Л
КА5 OB fl
Трр
Зависимость качества диода от
постоянного прямого тока.
Зависимость времени восстанов-
ления от постоянного обрат-
ного напряжения.
Зависимость рассеиваемой СВЧ
мощност от температуры
Зависимое it погерь пропуска-
ния ог температуры.
Зависимость качества лиода от
температуры.
2А509А, 2А509Б, КА509А, КА509Б, КА509В
Диоды кремниевые эпитаксиальные с p-i-n структурой. Пред-
назначены для работы в переключающих устройствах сантимеipo
вого и дециметрового диапазонов.
444
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается па вкладыше, который помещается
с диолом в индивидуальную тару. Диоды маркируются цветным
кодом: 2А509А, КА509А — красной точкой, 2А509Б, КА509Б — синей
точкой, КА509В — черной точкой. Положительный вывод — со стороны
крышки. Масса диода не более 1,3 г
Электрические параметры
Прямое сопротивление потерь при 71|р = 25 мА, Рст =
= 1 мВт, Х = 7 см. нс более.
2А509А, 2А509Б. КА509А, КА509Б........................1,5 Ом
КА509В.............................................2,5 Ом
Критическая частота при /пр = 25 мА, 1/оСр = 100 В
Рсвч = 1 мВт, Л = 7 см, не менее:
при 298 К
2А509А, 2А509Б КА 509А, КА509Б...................150 ГГн
КА 509В ................................100 ГГц
при 373 К
2А509А 2А509Б, КА509А, КА509Б.....................100 ГГц
Накопленный заряд при !пр = 25 мА, не более .... 25 пКл
Пробивное напряжение при импульсном обратном токе
10 мА f= 5 кГц, тн — 3 мкс, пе менее.................. 200 В
Общая емкость диода прн С/о6р — 100 В:
2А509А, КА509А..........................................От 0,9
до 1,2 пФ
2А509Б КА509Б.....................................От 0 7
до 1,0 пФ
КА509В............................................От 0,5
до 1,2 пФ
Емкость корпуса........................................ От 0 3
до 0,45 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Рассеиваемая мощность при температуре корпуса'
от 213 до 308 К ....................................... 2 Вт
при 373 К........................................... 1 Вт
Постоянное обратное напряжение при температуре кор-
пуса от 213 до 373 К ................................. 150 В
Мгновенное напряжение при температуре корпуса от
213 до 373 К.......................................... 175 В
Постоянный прямой ток при температуре корпуса от
213 до 373 К...........................................100 .мА
445
Температура окружающей среды...........................От 213
до 373 К
Температура корпуса.................................. 373 К
Примечание O6i iaa емкость дио :а пе зависит в диапазоне
СВЧ от обратного напряжения (от пуля до максимальною зна-
чения напряжения).
Зависимость рассеиваемой мощ-
НОС1И ог темпера уры корпуса.
Зависимость накопленного заря-
да ог постоянного прямого тока.
Зависимость прямого сопротив-
ления от постоянного прямого
тока.
Зависимость обратного сопро-
тивления от постоянного обрат-
ного напряжения.
Зависимость времени восстанов-
ления от постоянного обрат-
ного напряжения
446
2А510А, 2А510Б, 2А510В, КА510А, КА510Б, КА510В,
КА510Г, КА510Д, КА510Е
Диоды кремниевые планарно-эпитаксиальные Предназначены для
работы в устройствах ограничения и стабилизации мощности, за-
щиты входных цепей приемников в сантиметровом и дециметровом
диапазонах
Выпускаются в метал юкерамичсском корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается па этикетке. Диоды маркируются
цветными точками: 2А510А, КА510А — одной черной точкой. 2А51ОБ,
КА510Б — зеленой, 2А510В, КА510В — желтой, КА510Г — черной и зе-
леной, КА510Д — черной и желтой, КА510Е — зеленой и желюй.
Масса диода не более 0,15 г
Вывод 1
Вывод 2
Э гектричсские параметры
Сопротив гение диода при высоком значении СВЧ мощ-
ност и и /„р = 100 мА пс более:
2А510А, 2А510Б, 2А510В, КА510А, КА510Б,
КА510В........................................1 5 Ом
КА510Г, КА510Д, КА510Е........................2,5 Ом
Сопротив ение диода при низком значении СВЧ мощ-
ности Рцд = 1 мВт, /= 4,5-10 3 МГц, не более:
при 213 и 298 К
2А510А КА510А...................................15 Ом
2А510Б, КА51'0Б............................... 9 Ом
2А510В, КА510В................................ 5 Ом
при 398 К
2А510А КА510А...................................25 Ом
2А510Б, КА510Б................................ 15 Ом
2А510В, КА510В................................ 8 Ом
Общая емкость диода прп пулевом смещении:
2А510А. КА510А......................................От 0,7
до 1.4 пФ
2А510Б, КА510Б, КА 10Д........................От 1,2
до 2,4 пФ
2А510В КА510В.................................Ог 2.2
до 3.4 пФ
КА510Г........................................От 0.6
до 1,4 пФ
КА510Е........................................О г 2,2
до 3,6 пФ
44
Накопленный заряд в режиме переключения с 1„о —
= 100 мА на 1/обр.и = 20 В, не более...............10 пКл
Пробивное напряжение, не менее......................... 30 В
Индуктивность диода *..................................От 0 б
до 0,8 нГн
Емкость корпуса * ................................От 0,25
до 0,3 пФ
Время установления*, не более.......................... 1 нс
Время восстановления*, не более........................ 230 нс
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпера-
туре корпуса:
от 213 до 323 К ................................. 1 Вт
при 398 К.......................................0,25 Вт
Рассеиваемая импульсная СВЧ мощность при ти = 1 мкс,
У= 1 кГц и температуре ог 213 до 308 К . , . . 40 Вт
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 до 398 К......................................... 25 В
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до
398 К ................................... 200 мА
Температура окружающей среды.....................От 213
до 398 К
Температура перехода............................... 423 К
Зависимость импульсной падающей
СВЧ мощности от температуры кор-
пуса в двухрезонаторн и камере на
/= 1 ГГц (4 = 100 Гц, /2 = 1000 Ги
/з- 10000 Гц, = 75 Ом),
Зависимость непрерывной
падающей СВЧ мощнос-
ти от температуры кор-
пуса.
448
Зависимость непрерывной рас-
сеиваемой СВЧ мощное 1 и от
температуры корпуса
Зависимость импульсной рас-
сеиваемой СВЧ мощности от
температуры корпуса.
2А511А
Диод кремниевый диффузионный. Предназначен для работы в
переключающих устройствах, модуляторах, фазовращателях, аттенюа-
торах сантиметрового и дециметрового диапазонов
Выпускается в мета л токерамичсском корпусе с жесткими вы
водами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами
приводятся на этикетке
Масса диода не более 0.25 г.
Электрические параме ры
Качество (на низком уровне мощности) на частоте
/= 3000 МГц нри Ссы = 50 В, = 500 мА И = 50 Ом.
Рщ, < ) Вт, не менее.
при 298 К........................................ 2500
при 398 К........................................ 1500
при 213 К........................................ 1750
Качество (по высоком уровне мошпост и) прн Р11д <
< 10 кВт. /,,р = 500 мА Ц.ч = 50 В IV 50 Ом. не
менее................................................ 700
Прямое сопротивление потерь на частоте f= 3000 МГц
при /пр = 500 мА, Рия С 1 Вт не более................ 2 Ом
Общая емкост ь диода нри 1/о6р = 200 В Рт С 1 Вт,
f 10-30 МГц..........................................От 0,55
до 0,75 пФ
Накопленный заряд при 1/см = 100 В 7„р = 100 мА,
f = 1 кГц, тн = 10 мкс, не более..................... 350 нКл
15 под род. Н Н Горюнова
449
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная падающая СВЧ мощность в коаксиальной
линии с W = 50 Ом................................... 10 кВт
Постоянное напряжение............................. От 50
до 200 В
Постоянный прямой ток.............................. 700 мА
Температура окружающей среды .......................Ог 213
до 373 К
Примечание. При включении диода в линию, волновое
сопротивление которой отличается от 50 Ом, импульсная мощ-
ность определяется по формуле
Зависимость прямого Зависимость обратно- Зависимость o6paiHo-
сопротивлення потерь го сопротивления по- го сопротивления по-
ог постоянного пря терь ог постоянного терь от импульсной
Зависимость обратно-
го сопротивления по-
терь от постоянного
обратного напряже-
Зависимость накоплен-
ного заряда от по-
стоянного прямого
тока.
ния
450
2А512А, 2А512Б
Диолы кремниевые сплавные с p-i-n структурой Предназначены
для раооты в переключающих устройствах, фазовращателях деци-
метрового и длинноволновой части сантиметрового диапазона в
герметизированной аппаратуре
Бсскорпусные с жесткими выводами. Тип диода указывается на
отрицательном выводе 2.
Масса диода не более 3 г.
Электрические параметры
Качество на высоком уровне мощности при 7пр = 500 мА,
1/обр = 200 В, не менее.............................. 1200
Качество на низком уровне мощности при Р11д = 1 Вт,
/|1р = 500 мА, 1/обр = 200 В, не менее:
при 213 и 298 К...................................... 4000
при 358 К ......................................... 3000
Прямое сопротивление потерь при /пр = 500 мА, 1/о6р =
= 200 В, Р,ш — 1 Вт, температуре от 213 до 358 К,
нс более...........................................2,5 Ом
Общая емкость диода при 1/^ = 200 В,/= 30 МГц . . . От 0,45
до 0,85 пФ
Постоянное прямое напряжение при 7||р = 500 мА . . . . От 1,15
до 1,9 В
Время восстановления при 7П|> = 500 мА t/oC,p = 30 В
РП1 1 Вт, не более...................................40 мкс
Время установления прямого напряжения * ... 3,6 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 до 358 К ........................................ 200 В
Постоянный прямой ток при температуре от 213
до 358 К............................................. 0,5 А
Постоянный обратный ток при 1/<Л[ 200 В и темпе-
ратуре от 213 до 358 К 500 мкА
Импульсный обратный ток при темпера!уре от 213
до 358 К............................................. 12 мА
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпера-
туре от 213 до 358 К ................................ 4 Вт
Температура окружающей среды...........................От213
до 358 К
Температура перехода................................. 373 К
15*
451
Зависимость прямого сопротив-
ления потерь от постоянного
прямого тока.
' иов uoBf 1II II сэ Сз О Ъ | ь» о» 4512 10В - (Я,6)
=• т= 2 984 —
358 К
Хпр
1ZOO0
10000
8000
6000
4000
ZOOO
О Z00 ЧОО 600 800 1000м Я
Зависимость качества диода (на
низком уровне) от постоянного
прямою тока.
(на высоком уровне) от по-
стоянного прямого тока.
Зависимость непрерывной рас-
сеиваемой СВЧ мощности от
температуры.
Зависимость времени восстанов-
273 293 333 333 353 373 К
Зависимость постоянного об-
ления обратного сопротивления
от постоянного обратного па-
ратного тока от температуры.
пряжения
452
2А513А, 2А513Б, КА513А, КА513Б
Диоды кремниевые с переходами, изготовленными на основе
ионного легирования со структурой n-i-p-i-n. Предназначены для
работы в поглощающих переключателях в диапазоне от 0,8 до
2 см в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные с гибкими выводами. Тип диода указывается
на таре.
Масса диодов не более 0,075 г (2А513А, КА513А) и 0,06 г
(2А513Б, КА513Б).
вывод 2
Вывод 2
Электрические параметры
Потери запирания при = I Вг, /пр = 10 4-100 мА,
не менее:
2А513А КА513А (f- 30000 - 37 500 МГц) .... 27 дБ
2А513Б, КАЯ ЗБ (/•= 15000 4- 20000 МГц) . . . . 25 дБ
Потери пропускания при РПД — 1 Вт f 30000 — 37 500 МГц
(2А513А, КА513А) и f= 15000 4-20000 МГц (2А513Б,
КА513Б), ие более:
при 298 К.................................. 0,7 дБ
при 213 и 398 К.................................0,9 дБ
Время установления при /11ри — НЮ мА, / — 1000 Гц,
ти = 100 мкс, R, = 100 Ом, не более................. 6 мкр
Время восстановления при /при 100 мА, f = 1000 Гц,
ти = 100 мкс. — 100 Ом, не более....................100 мкс
Преле ьные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 до 358 К ....................................... 150 В
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпера
туре от 213 до 358 К
2А513А КА513А .................................. 2 Вт
2А513Б, КА513Б.................................. 1,5 Вт
Импульсная падающая СВЧ мощность при ти 1 мкс,
/= 1000 Гц:
2А513А, КА513А в Н-волноводе с И/= 150 Ом . . 75 Вт
2А513Б, КА513Б в Н-волноводе с И'= 80 Ом . . . 140 Bi
Температура окружающей среды для 2А513А
2А513Б..............................................От 213
до 398 К
453
W для KA513A, КА513Б ................................От 213
до 358 К
Примечания 1 При включении диола в линию с волновым
сопротивлением отличным от W, допустимая импульсная па-
дающая СВЧ мощность определяется по формуле
W
и, макс (^|) уу ^пл. и. макс'
2 Потери запирания остаются практически неизменными при
температуре от 213 до 398 К Потери пропускания не зависят от
постоянного обратною напряжения в пределах от 0 до 300 В
3 При впайке диодов в модули должен использоваться при-
пой ПОИн-50.
Зависимость потерь пропуска
пия от температуры.
Зависимость потерь запирания
от постоянною прямою тока.
Зависимость времени восста-
новления от постоянного об-
ратного напряжения.
Зависимость времени уставов
ления от импульсного прямого
тока.
454
Зависимость времени восстанов-
ления от импульсного прямого
тока.
Зависимость непрерывной рас-
сеиваемой СВЧ мощности от
температуры.
2А515А
Диод кремниевый эпитаксиальный с p-i-n структурой Предназначен
для работы в переключающих устройствах коротковолновой части
сантиметрового диапазона.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими выво-
дами Тип диода указывается на вкладыше, помещаемом в инди-
видуальную тару. Диод маркируется зеленой точкой на корпусе.
Положительный вывод — со стороны крышки.
Масса диола не более 1,3 г.
Электрические параметры
Пробивное напряжение при /обри 10 мА /= 5 кГц,
т,, 3 мкс, не менее.................................. 100 В
Общая емкость диода при 1/о5р 50 В .От 0,4
до 0,7 пФ
Критическая частота при /пр = 25 мА, Гго5о = 50 В нс
менее:
при 298 К.........................................100 ГГц
прн 213 и 398 К....................................70 ГГц
Накопленный заряд при /пр = 25 мА, ие более .... 15 нКл
455
Прямое сопротивление noiepb при /пр = 25 мА не
более........................................... .... 2,5 Ом
Емкость корпуса......................................От 0,3
до 0.45 пФ
Предельные эксплуатаниоштые данные
Рассеиваемая мощность при температуре корпуса:
от 213 до 308 К......................................0,5 Вт
при 398 К........................................0,3 Вт
Постоянное обратное напряжение при температуре кор-
пуса • от 213 до 398 К............................... 75 В
Мгновенное напряжение при температуре корпуса от
213 до 398 К......................................... 85 В
Постоянный прямой ток при температуре корпуса от
213 до 398 К.........................................100 мА
Температура окружающей среды.........................От 213
до 398 К
Температура корпуса.................................. 398 К
Зависимость накопленного за-
ряда от постоянного прямого
тока.
Зависимость прямого сопротив-
ления потерь от постоянного
прямою тока.
ю прямого тока.
456
2А516А
Диод кремниевый сплавной с p-i-ti структурой Предназначен
для работы в переключающих устройщвах, модуляторах, фазовраща-
телях, аттенюаторах сантиметрового
и дециметрового диапазонов в гер-
ме гизироваиной аппаратуре.
Бескорпуспой с жесткими вывода-
ми. Тип диола указывался на упа-
ковке. Полярность диода определяется
тестером.
Масса диола не более 1,3 г.
Электрические параметры
Прямое сопротивление потерь прн /пр = 100 мА, ие более:
при 298 К..........................................5.5 Ом
при 213 и 398 К..................................6,5 Ом
Сопротивление диода в нулевой точке при Р1|д < 5 мВт,
не менее.............................................. 3000 Ом
Время установления прямого сопротивления при /'=
3000 МГц, Рпл > 1 мВт, т„ = 40 120 мкс, 1И = 100 мА,
нс более.......................................... 6 мкс
Время восстановления обратного сопротивления при
/= 3000 МГц, Рпл > 1 мВт, т„ = 40 -=- 100 мкс, не более 45 мкс
Общая емкость диода при нулевом смещении, не более 0,18 пФ
Критическая частота*................................70 ГГц
Предельные эксплуатационные данные
Рассеиваемая мощность при температуре от 213 до 398 К 1 Вг
Импульсная падающая СВЧ мощность при И7 =50 Ом,
скважности 200—1000, ти = 1 5 мкс и температуре
от 215 до 398 К................................... 1 кВт
Постоянный прямой ток...............................100 мА
Постоянное обратное напряжение...................... 200 В
Температура окружающей среды........................От 213 до
398 К
Температура перехода................................ 398 К
Зависимость прямого сопро, ивле-
пия потерь от постоянного пря-
мого напряжения.
457
Зависимость прямого сопротив-
ления потерь от постоянного
прямого тока.
Зависимость прямого сопротив-
ления потерь от температуры^
2А517А, 2А517Б, КА517А, КА517Б
Диоды кремниевые эпитаксиаль-
ные. Предназначены для работы в
переключающих устройст вах СВЧ
диапазона в герметизированной ап-
паратуре.
Выпускаются в микрокорпусиом
оформлении с гибким выводом. Тип
диода указывается на этикетке. По-
ложительный электрод имеет гибкий
вывод.
Масса диода ие более 0,01 г.
Электрические параметры
Пробивное напряжение, не менее....................... 300 В
Общая емкость диода при — 100 В
2А517А, КА517А.........................................От 0,15 до
0.3 пФ
2А517Б КА517Б....................................От 0,25 до
0,4 пФ
Накопленный заряд при /пр = 10 мА......................От 8 до
25 нКл
Критическая частота при /пр — 10 мА, Рпл = 1 + 10 мВт,
X 7 см, СоЕр = 20 В, не менее..........................75 ГГц
Прямое сопротивление потерь при /пр = 10 мА
= 1 — 10 мВт, X = 7 см, ие более....................... 5 Ом
Пре цельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре ог
213 до 398 К........................................... 150 В
Мгновенное обратное напряжение при температуре от
213 до 398 К........................................... 270 В
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до
398 К...................................................100 мА
458
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпера-
туре основания лиода:
ог 213 до 308 К.....................................0 5 Вт
прн 398 К...........................................0 2 Вт
Температура окружающей среды...........................От 213 до
398 К
Зависимость непрерывной рас-
сеиваемой СВЧ мощности от
температуры основания диода.
Зависимость прямо! о сопро-
тивления потерь от прямоте
юка.
Зависимость прямого сопро- Зависимость накопленного за
1ИВЛСНИЯ потерь от обратного ряда от прямого тока,
напряжения.
2А518А-4, 2А518Б-4
Диоды кремниевые диффузионные с p-i-n структурой. Предназна-
чены для работы в переключающих устройствах дециметрового
и сантиметрового диапазонов в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные с жесткими выводами на кристаллодержателе. Тин
диода указывается на таре
Масса диода ис более 0,4 г.
459
Вывод 1
Вывод 1
Вывод I
Электрические параметры
Критическая частота на низком уровне мощности при Р1Щ = 30 мВт,
/=2000 МГц, /пр= 100 мА, 1/о6р- 100 В, пе менее:
при 213 и 298 К
2Л518А-4.........................................130 ГГц
2А518Б-4........................................90 ГГц
при 373К..........................................70 ГГц
Критическая частота на высоком уровне мощности при
Р1П = 15 кВт, /пр - 100 мА, Uo6p - 100 В, не менее:
2А518А-4...........................................70 ГГц
2А518Б-4........................................50 ГГц
Прямое сопротивтение потерь, на низком уровне мощ-
ности при Р„Д = 30 мВт, / = 2000 МГц, 7пр = 100 мА,
не более:
прн 213 и 298 К
2А518А-4.......................................... 1 Ом
2А518Б-4........................................ 2 Ом
при 373 К
2А518А-4.........................................1,5 Ом
2А518Б4......................................... 2 Ом
Прямое сопротивление потерь на высоком уровне мощ-
ности при Рцд = 15 кВт, 7цр = 100 мА, не более:
2А518А-4........................................... 1 Ом
2А518Б4. :...................................... 2 Ом
Общая емкость диода при и^р = 100 В, /—30 МГц От 0.6 до
0,8 нФ
Время восстановления обратного сопротивления при
Рдд = 30 мВ /- 1500 МГц, 4р=100 мА, UoCp -
— 100 В не более:
2А518А-4........................................... 6 мкс
2А518Б-4.......................................2,5 мкс
Время установления прямою напряжения прн РпД =
30 мВ г, / 1500 МГц, /пр =Ю0 мА, С/о6р =
= 100 В, не более:
2А518А-4..........................................2,5 мкс
2А518Б-4.......................................1,0 мкс
Индуктивность лиода...................................От 0,5 до
0,8 пГп
460
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 до 358 К........................................ 200 В
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до
358 К............................................... 500 мА
Импульсная падающая СВЧ мощность при т„ С 8 мкс,
f 100 Гц, IF = 50 Ом при температуре от 213 до
358 К.................................................... кВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре
от 213 до 358 К..................................... 2 кВт
Темпера iypa окружающей среды.......................От 213 до
358 К
Температура перехода................................ 398 К
Примечания: 1. При включении диода в линию с волновым
сопротивлением 1Г, отличным от 50 Ом, допустимая импульсная
падающая СВЧ мощность определяется по формуле
2. Крепление диодов произведшей за металлический цилиндри-
ческий держатель
28518(8-4,6-4)
Зависимость прямого сопротив-
ления потерь от постоянного
прямого тока.
Зависимость качества от по-
стоянного обратного напря
жспия.
Зависимость качества от им-
пульсной падающей СВЧ мощ-
ности.
6
2
х103
10
На. 8ь соном ~
уровне
мощности,
— На. низком
уровне
Мощности
иоор
О 100 100 300 400 500 в
8
Ч
461
Z13 253 233 333 373 413 К
Зависимость прямого сопротив-
ления потерь от температуры.
273 253 283 333 313 413 К
Зависимость качества от тем-
пературы.
Зависимость времени восстанов-
ления обратного сопротивления
от постоянного прямого тока.
Зависимость времени установле-
ния прямого напряжения от
постоянного прямого тока.
2А519А
Диод кремниевый эпитаксиальный. Предназначен для применения
в устройствах ограничения и управления мощностью в сантиметровом
н дециметровом диапазонах.
Выпускается в металлокерамическом корпусе. Тип диода указы-
вается иа вкладыше, помещаемом в индивидуальной упаковке вместе
с диодом. Положительный вывод — со стороны крышки.
Масса диода не более 0,1 г.
462
Электрические параметры
Прямое сопротивление потерь при высоком значении
СВЧ мощности и 7пр = 100 мА. не более..............2,2 Ом
Прямое сопротивление потерь при низком значении СВЧ
мощности,/= 9,4 ГГц, Рпя = 1 мВт, не более:
при 298 н 213 К...................................20 Ом
при 398 К.......................................25 Ом
Общая емкость при нулевом смещении..................Ог 0,5 до
0,9 пФ
Постоянный обратный ток при (7^ = 20 В не более 100 мкА
Граничная мощность *................................Or 10 до
1000 мВт
Время восстановления обратного сопротивления ♦, не более 200 нс
Накопленный заряд при /11р = 100 мА, не более .... 8 иК.ч
Емкость корпуса.....................................От 0,2 до
0,3 пФ
Индуктивность диода*, не ботсе.....................0,7 нГп
Предельные эксплуатационные данные
Рассеиваемая мощность при температуре корпуса:
от 213 до 353 К ..................................0,3 Вт
при 398 К.....................................0.1 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность при скважности, большей или
равной 1000, т„< 1 мкс и температуре корпуса:
ог 213 до 353 К................................... 30 Bi
при 398 К .................................... 10 Вт
Постоянное обратное напряжение при температуре корпуса
от 213 до 353 К................................... 10 В
Постоянный прямой ток нри температуре корпуса от
213 до 353 К......................................100 мА
Температура окружающей среды........................От 213 до
398 К
Температура перехода.............................. 423 К
Примечание. Диоды не подлежат пайке.
Зависимость рассеиваемой мощ-
ности от температуры корпуса.
Зависимость импульсной рас-
сеиваемой мощное। и о г темпе-
ратуры корпуса
Зависимость прямою сопротив-
ления потерь при высоком зна-
чении СВЧ мощноеIи от по-
сгояиною прямого юка.
За вис и м ост ь об щен ем кос i и
диола от температуры корпуса.
Зависимости постоянною пря-
мого и обратного токов от
темпера 1уры корпуса
2А520А, КА520А, КА520Б
Диоды кремниевые эпитаксиальные с p-i-n структурой. Предназна-
чены для работы в переключающих устройствах СВЧ диапазона.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тин диода указывается на этикетке.
Масса диода не более 1,3 т.
Вывод 1
Выбод 1
Вывод 2
Вывод 2
464
Электрические параметры
Пробивное напряжение, не менее:
2А520А, КА520А......................................... 800 В
КА520Б........................................... 600 В
Общая емкость диода при £/оСр = 0.....................От 0,4 до
1,0 пФ
Критическая частота нри /,,р = 100 мА, {/о6р = 100 В,
Рпл > 1 мВт, К = 7 -г 4.5 см. не менее.
при 298 К
2А520А. КА520А.................................. 200 ГГц
КА520Б.........................................150 ГГц
при 213 и 398 К
2А520А, КА52ОА...................................170 I I ц
Накопленный заряд при 7пр = 100 мА, не более . . . 300 нК.ч
Прямое сопротивление потерь прн /,1р = 100 мА, Рн >
> 1 мВт, X = 7 4,5 см, не более:
нри 298 К
2А520А, КА520А............................... 2 Ом
КЛ520Б......................................... 3 Ом
при 213 и 398 К
2А520А. КА520А...............................2.3 Ом
Индуктивность выводов..............................0.45 пГп
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 до 398 К.......................................... 300 В
Мгновенное обратное напряжение при температуре от
213 до 398 К.......................................... 750 В
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при температу-
ре корпуса:
от 213 до 308 К ........................................ 4 Вг
при 398 К......................................... 1,3 Вт
Температура окружающей среды..........................От 213 до
398 К
Примечание. Допускается кратковременный (в течение 0.5 мин)
нагрев диода до 473 К.
Зависимость накопленного заряда
от постоянного прямого тока.
Зависимость прямою сопротив-
ления потерь от постоянного
прямого тока.
Зависимость прямого сопротив-
ления потерь от постоянною
обратного напряжения
Зависимость импульсной рас-
сеиваемой СВЧ мощности ог
длительности импульса.
Зависимость непрерывной рас-
сеиваемой СВЧ мощности от
температуры корпуса.
2А521А
Диод кремниевый диффузионный Предназначен для работы в пере-
ключающих устройствах, фазовращателях дециметрового и длинновол-
новой части сантиметрового диапазонов
Выпускается в мегалтическом корпусе с жесткими выводами.
Тип диода указывается на цилиндрической поверхности. Положитель-
ный вывод — со стороны конического прижимного контакта.
Масса диода не более 3 г.
466
Электрические параме ры
Критическая частота при Рвд = 30 мВт >.= 15 см
/Цр = 100 мА, Uogp = 100 В, нс менее,
при 213 и 298 К .....................................90 ГГц
при 358 К..........................................55 ГГц
Прямое сопротивление потерь при Рпд = 30 мВт,
Х= 15 см, /пр = 100 мА, не более:
при 213 и 298 К.....................................1,5 Ом
при 358 К.........................................2,0 Ом
Критическая частота при РПд.и ='6 Лф = 100 мА,
Р1Щ „ — 2,5 кВт, (7о6р = 100 В. не менее...............80 ГГц
Прямое сопротивление потерь при Л,Д|(=16 кВг,
/,,р = 100 мА, не более...............................1,5 Ом
Накопленный заряд при /11р = 100 мА, = 80 В,
Р„д — 30 мВт не более................................ 900 нКл
Общая емкость диода при U&p — 100 В, Р„д 30 мВт
X = 15 см............................................. От 0 63 до
0,77 нФ
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная падающая СВЧ мощность при ти < 7 мкс,
f— 100 Гц W 25 Ом (диод включен параллельно
в линию, работающую иа согласованную нагрузку)
и температуре от 213 до 298 К......................10 кВт
Непрерывная падающая СВЧ мощность при температуре
от 213 до 298 К.................................... 20 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность при т„ < 7 мкс,
/= 100 Гц, W = 25 Ом............................... 6 кВт
Рассеиваемая мощность при температуре от 213 до
298 К.............................................. 3 Вт
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 до 358 К.......................................Ог 50 до
200 В
Постоянный прямой ток при темпера уре от 213 до
358 К............................................ От 0.1 до
1,5 А
Постоянный обратный ток при = 200 В.................150 мкА
Температура окружающей среды........................От 213 до
358 К
Температура перехода................................ 398 К
Примечания: 1. При включении диода в линию с волновым
сопрот ивлением, отличным от 25 Ом допустимая импульсная падающая
СВЧ мощность определяется но формуле
Агп, И, макс ( ~ Лщ, и. макс
2 Крепление диодов производится за металлический цилиндри-
ческий держатель.
467
Зависимость прямого сопротивле-
ния потерь от постоянного пря-
мого тока.
Зависимость прямого сопротив-
ления потерь от непрерывной
падающей СВЧ мощности
Зависимость прямого сопротив-
ления потерь от температуры
Зависимое!ь прямого сопротив-
ления потерь от постоянного
прямого тока.
Зависимость обратного сопро-
тивления потерь от постоянно-
го обратного напряжения.
468
Зависимость обратного сопро-
тивления потерь от темпера-
туры.
Зависимость обрат него сопро-
тивления потерь от импульсной
падающей СВЧ мощности.
Зависимость обра i hoi о сопро-
тивления потерь ог импульсной
падающей СВЧ мощности.
Зависимость обратно! о сопро
тив пения потерь от длины
волны.
2А522А-2
Диод кремниевый меза-
эпитаксиальный. Предназначен
для применения в oi раничи-
тсльных устройствах сантимет-
рового и дециметрового диапа-
зонов в герметизированной ап-
napaiype.
Бескорпусноп с i ибкими
выводами на кристаллодержате-
ле. Тин диода указывается на
этикетке.
Масса диода не более 4 мг.
469
Электрические параметры
Дифференциальное сопротивление при /пр = 100 мА, не
ботее..............................................1.8 Ом
Общая емкость диода при = 0..........................От 0.35 до
0,75 нФ
Прямое сопро1ивленис потерь диода при низком значении
СВЧ мощности, /=4,28 ГГц, пе более.
при 213 и 298 К................................ 12 Ом
нри 398 К...................................... 17 Ом
Постоянное обратное напряжение при /о6р = 100 мкА,
не более............................................ 70 В
Накопленный заряд при /пр = 50 мА, не более ... 10 пК 1
Предельные экептуатапиот ные тайные
Постоянное обратное напряжение при температуре осно-
вания диода:
от 213 до 358 К.................................. 5 в
при 398 К............................................ ЗВ
Постоянный прямой зок прн температуре основания
диода:
от 213 до 358 К......................................100 мА
при 398 К........................................50 мА
Рассеиваемая мощность при температуре основания диода,
ог 213 до 308 К......................................0,3 Вт
при 398 К........................................0.08 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность при т„ < 1 мкс,
/< 1 кГц и температуре основания диода-
от 213 до 308 К...................................... 40 Вт
при 398 К........................................ 8 Вт
Температура окружающей среды...........................От 213 до
398 К
Зависимость постоянного образно-
го напряжения от температуры
основания диода.
Зависимое! ь постоянною пря- Зависимост ь рассеиваемой мощ-
мого тока от температуры ос- hocih от температуры основа-
иования диода. ния диода.
Зависимость импульсной рас- Зависимость импульсной рас-
сеиваемой мощности от темпе- свиваемой мощности от дли-
ратуры основания диода. тельиости импульса.
2А523А-4, 2А523Б-4
Диоды кремниевые диффузионные с p-i-n структурой. Предназна-
чены для работы в переключающих устройствах сантиметрового
и дециметрового диапазонов в герметизированной аппаратуре.
Бескориусные с жесткими выводами па криста члодержателе с за-
щитным покрытием Тнп диода указывается на таре. Диод 2А523А-4
маркируется одной черной точкой у положительного электрода,
2А523Б-4 — двумя черными точками.
Масса днода не ботее 0,15 г.
02
Выбод 2
Вывод 1
Вь Вод 1
Вывод г
471
Электрические параметры
Критическая частота при Р11Д < 30 мВт, X = 10 см.
/пр = 50 мА Uo6p = 10 В. пе менее:
при 298 К.......................................... 200 Г1 и
при 213 и 398 К ..................................170 I I ц
Прямое сопротивление потерь при Р,и < 30 мВт, / =
= 10 см, /,,р = 50 мА, нс более.......................0,5 Ом
Общая емкость диода при U^p = 100 В, f — 10 — 30 МГц:
2А523А-4...............................................Ог 0,9 до
1,5 пФ
2А523Б-4...........................................От 1.0 ло
2,0 пФ
Накопленный заряд при 1пр = 50 мА, С„бр =100 В, ле
более................................................ 220 нКл
Пробивное напряжение при /о0р < 30 мкА. не .менее:
2А523А 4 ............................................ 500 В
2А523Б-4 ....................................... 600 В
Тепловое сопротивление................................4,5 К/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 до 398 К.......................................... 200 В
Постоянный прямой ток при температуре ог 213 до
398 К.................................'............... 300 мА
Рассеиваемая мощность при температуре на держателе
диода:
от 213 до 298 К........................................ 20 Вт
при 398 К........................................... 7 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность при т„ = 300 мкс,
скважности 5 и температуре на держателе диола 298 К 100 Вт
Тсмперагура окружающей среды............................От 213 до
398 К
Примечания: 1. Допускается применять диоды при постоянных
обратных напряжениях меньше 40 В и амплитуде напряжения СВЧ
не более 20 В.
2 Допустимая амплитуда СВЧ
напряжения на диоде Ucm опре-
деляется по формуле
= ^4|роб ^обр •
Зависимость прямого сопрот ивле-
ння потерь от постоянною пря-
мою тока.
Зависимость обратного сопро-
тивления потерь в паратлель-
ной схеме от постоянного об-
Зависимое и, накопленного за-
ряда от постоянною прямою
тока.
ратно! о напряжения
Зависимость теплового сопро-
тивления от длительности им-
пульса.
2А524А-4,
Зависимость рассеиваемой мощ-
ности от температуры.
2А524Б-4
Диоды кремниевые диффузионные с p-i-n структурой. Предназ-
начены для применения в переключающих устройствах, модуляторах,
фазовращателях, аттенюаторах и других устройствах сантиметрового
и дсниметрово!о диапазонов в герметизированной аппаратуре.
Бескорнусные на кристал тодержателе с жесткими выводами с за-
щитным покрытием. Тип диода указывается на таре. Диод 2А524А-4
маркируется одной красной точкой у положительного электрода,
2А524Б-4 — двумя красными точками.
Масса диода не более 0,15 г.
Вывод 7
6 biBod I
МУ
Электрические параметры
Кршическая частота при Рш < 30 мВт, /11р = 150 мА,
t/oep 30 В не менее
прн 213 и 298 К................................. 200 ГГц
при 398 К........................................160 ГГц
Прямое сопротивление потерь при Рвд С 30 мВт, /,1р =
= 150 мА, не более...................................0,5 Ом
Общая емкость диода при = 100 В, f = 10 30 МГц:
2А524А-4........................................Ог 0,7 до
1,2 пФ
2А524Б 4........................................От 0,5 до
0,8 нФ
Накопленный заряд при 1вр = 150 мА, U^p 100 В,
не более............................................ 400 нКл
Пробивное напряжение нри /о5р = 100 мкА, не менее.
2А524А-4 ..................................... 400 В
2А524Б-4 ..................................... 300 В
Предельные эксплуа i ационные данные
Постоянное обрагное напряжение при лемнерагуре от
213 до 398 К .......................................От 30 до
100 В
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до
398 К........................................... 500 мА
Рассеиваемая мощность при темпера! уро
от 213 до 358 К..................................1,5 Вг
при 398 К ...................................... 1.0 Вт
Импу щеная падающая СВЧ мощность при = 100 В
температуре от 213 до 358 К в параллельной схеме
с W = 50 Ом......................................... 3 кВт
Температура окружающей среды..........................От 213 до
398 К
Примечание. При включении диода в линию с волновым
сопротивлением, отличным от 50 Ом, максимально допустимая им-
пульсная падающая СВЧ мощность определяется по формуле
50
___р
JJ, гпл, и. маис-
Зависимость обратного сопро-
тивления потерь в параллель-
ной схеме ог постоянного об-
ратного напряжения на низком
уровне мощности.
Зависимость прямого сонротив-
1СНИЯ потерь от постоянного
прямого тока на низком уровне
мощное I и
Зависимое!ь накопленною за-
ряда о г постоянного прямого
тока.
О 0,8 1,6 Z,4kBt 0 0,8 1,6 2,Чк8г 0 0,8 1,6 2,ЦнВт
а.) б) В)
Зависимость обратного сопротивления потерь от импульсной падаю-
щей СВЧ мощности.
Зависимость импульсной падаю-
щей СВЧ мощности от темпе-
ратуры.
Зависимость рассеиваемой мощ-
ности от температуры.
475
Зависимость импульсной падаю-
щей СВЧ мощности о г обрат-
ного напряжения.
10.5. У МНОЖИТЕЛЬНЫЕ И
НАСТРОЕЧНЫЕ ДИОДЫ
Д501
Диод кремниевый точечный. Предназначен для работы в умно-
жителях частоты дециметрового диапазона.
Выпускается в металлокерамическом корпусе Тип диода н схема
соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода нс более 3,5 г
Вывод 2
Выбод 1
Электрические параметры
Мощность 8-н гармоники на X = 25.6 см, гпос = 100 Ом,
не менее:
нри 298 К (Рпд = 130 мВт)..................... 300 мкВт
прп 373 К (Р,и = 100 мВт)......................100 мкВт
при 213 К (Рпд 130 мВт)......................100 мкВт
Пре тельные эксплуатационные данные
Непрерывная падающая СВЧ мощность при температуре
от 213 до 373 К.......................................100 мВт
Непрерывная падающая СВЧ мощность при кра гковремсн-
ном воздействии (пе более 30 мни) при температуре
от 213 до 373 К..................................' . 200 мВт
Температура окружающей среды...........................От 213 до
373 К
476
Зависимость мощности 8-й
гармоники от непрерывной
падающей СВЧ мощности.
Зависимость мощности 8-й
армоники от температуры.
2А601А
Диод кремниевый точечный. Предназначен для работы в умножи-
телях частоты.
Выпускается в метал юкера.мическом корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе
Масса диода ис более 3,5 г.
Элект рнческис параметры
Мощность 3-й гармоники при Р„д = 75 мВт, f — 2940 МГц,
тП1Х. = 300 Ом, нс менее:
при 298 К..............................................7 мВт
при 213 и 373 К....................................5 мВт
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная падающая СВЧ мощность при температуре
от 213 до 373 ....................................... 75 .мВт
Непрерывная падающая СВЧ мощность при кра т ковре
менном воздействии (ие более 30 мин) при темпе-
ратуре от 213 до 373 К...............................150 мВт
Температура окружающей среды..........................От 213
до 373 К
477
Зависимость мощности
3-й гармоники от непре-
рывной падающей СВЧ
мощности.
Зависимость мощности
3-й гармоники от темпе-
ратуры.
2А602А, 2А602Б, 2Л602В, 2А602Г, 2А602Д, КА602А,
КА602Б, КА602В, КА602Г, КА602Д
Диоды кремниевые планарно-эпитаксиальные. Предназначены для
работы в умножителях частоты.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами Тип диода и схема соединения электродов с выводами
приводятся на корпусе.
Масса диода не более 2,5 г.
Э метрические параметры
Предельная частота при 1/обР 6 и 9 В не менее:
при f = 3 ГГц
2А602А, КА602А.....................................15 ГГц
2А602Б, КА602Б...............................25 ГГц
2А602В, КА602В...............................35 ГГц
при f = 5 ГГц
2А60: Г КА602Г..................................50 ГГц
2А602Д, КА602Д...............................60 ГГц
Общая емкость диода при U^p — f> В [— 10 МГц:
2А602А, КА602А.....................................От 4,7
до 8,7 пФ
2А602Б, КА602Б................................От 2,7
до 4,7 пФ
2А602В, КА602В................................От 1,7
до 2,7 пФ
478
2А602Г, КА602Г.................................О 1,2
до 1,7 пФ
2А602Д. КА602Д.................................От 1,0
до 1,3 пФ
Пробивное напряжение при /о6р = 100 мкА при темпе-
ратуре от 213 до 373 К, не менее-
2А602А, 2А602Б, КА602А, КА602Б.................... 60 В
2А602В, 2А602Г, КА6О2В, КА602Г .... 45 В
2А602Д, КА602Д.................................... 30 В
Емкость корпуса..........................................От 0,5
до 0,7 нФ
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпера-
туре корпуса:
от 213 до 333 К
2А602А, КА602А...................................2,5 Вт
2А602Б, КА602Б................................. 1,5 Вт
2А602В, КА602В................................. 1,0 Вт
2А602Г, КА602Г.................................0,7 Вт
2А602Д, КА602Д.................................0,5 Вт
при 373 К
2А602А, КА602А................................... 1,0 Вт
2А602Б, КЛ602Б.................................0,6 Вт
2А602В, КА602В.................................0 4 Вт
2А602Г, КА602Г.................................0,3 Вт
2А602Д, КА602Д.................................0,2 В
Пробивное напряжение прн темпера iype корпуса от
213 до 373 К
2А602А, 2А602Б, КА602А, КА602Б...................... 6( В
2А602В 2А602Г, КА602В, КА602Г.................. 45 В
2А602Д, КА602Д................................. 30 В
Температура окружающей среды............................0213
до 373 К
Зависимость непрерывной рас-
сеиваемой СВЧ мощности от тем-
пературы корпуса.
479
Зависимость предельной часю-
ты от температуры корпуса.
3A603A, ЗА6ОЗБ, 3A603B, ЗА6ОЗГ, АА603А, АА603Б,
АА603В, АА603Г
Диолы арсеиид-галлиевыс
эп ит а ксиал ьные 11 редназна чсн ы
для рабоы в умножителях час-
тоты в диапазоне волн 3 см
Выпускаются в металлокера-
мическом корпусе с жес1кими вы-
водами Тип диода указывается па
корпусе.
Масса диода не более 0,65 г.
Этектрические параметры
Предельная частота при f— 2300 + 400 МГц, не менее;
3A603A. АА6ОЗА . ’..............................100 ГГц
ЗА6ОЗБ, АА603Б..............................150 ГГц
3A603B, АА603В............................. 200 ГГц
ЗА6ОЗГ, АА603Г............................. 250 ГГц
Постоянное обратное напряжение прн /(я-,р = 50 мкА, пс
менее:
нри 298 К
ЗА603А, ЗА6ОЗБ, АА603А, АА6ОЗБ................ 20 В
ЗА6ОЗВ АА6ОЗВ................................... 10 В
ЗА6ОЗГ, АА603Г.................................. 15 В
при 213 и 358 К
3A603A, ЗА6ОЗБ АА603А, АА6ОЗБ ............... 15 В
3A603B, АА603В................................... 7 В
ЗА6ОЗГ, AA603I.................................. 10 В
480
Общая емкость диода при = О, f = 30 МГц
3A603A, АА603А.............................................От 0,5
до 1,5 пФ
ЗА6ОЗБ, ЗАбОЗВ, ЗА6ОЗГ, АА603Б, АА603В,
АА603Г...............................................От 0,5
до 1,2 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая мощность при температуре
от 213 до 358 К
ЗАбОЗА. ЗАбОЗБ, АА603А, АА603Б................0,4 Вт
ЗАбОЗВ, АА603В................................0 16 Вт
ЗА6ОЗГ, АА603Г.................................0,25 Вг
Постоянное обратное напряжение
при 298 К
ЗАбОЗА, ЗАбОЗБ, АА603А, АА603Б.................. 20 В
ЗАбОЗВ, АА6ОЗВ.................................. 10 В
ЗА6ОЗГ, АА603Г.................................. 15 В
при 213 и 358 К
ЗАбОЗА, ЗАбОЗБ АА603А, АА603Б..................... 15 В
ЗАбОЗВ, АА603В................................... 7 В
ЗА6ОЗГ, АА603Г.................................. 10 В
Температура окружающей среды........................От 213
до 358 К
Зависимое ib общей ем-
кости диода от напря-
жения.
2А604Л, 2Л604Б
Дноды кремниевые мезалш-
гаксиальныс. Предназначены для
работы в умножителях частоты в
диапазоне волн 3 см.
Выпускаются в металлокера-
мическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается
на ipyimoBOH таре. Диоды марки-
руются белой точкой на керами-
ческой втулке
Масса диода 2А6О4А ие бо ice
0 3 г, 2А6О4Б нс бо >ес 2,5 г
481
16 ибл рсд. Н. Н. Горюнова
Электрические параметры
Предельная частота при Uo!i(l = 6 и 9 В, f= 5 ГГц,
Лш = 3 мВт
2А604А......................................100-180* ГГц
2А604Б....................................... 80-140* ГГц
Общая емкость диода при = 6 В, /= 10 МГц;
2А604А................................................. О г 0,8
до 1,1 пФ
2А604Б............................................. От 1
до 1,3 пФ
Пробивное напряжение при /обр = 10 мкА не менее:
при 298 и 398 К....................................... 35 В
при 213 К......................................... 30 В
Время восстановления обратного сопротивления при
/1|р = 10 мА, 1/о6р = 10 В не более...................0,3 нс
Эффективное время жизни неосновных постелей заряда
при Aip = Ю мА, {/„др = 10 В, нс менее................ 10 нс
Емкость корпуса:
2А604А.................................................От 0,35
до 0,45 пФ
2А604Б..............................................От 0,6
до 0,7 пФ
Индук!явность диода при /,,р = 100 мА, / = 1,5 ГГц:
2А604А.................................................От 0,45
до 0,65 нГн
2А604Б..............................................От 1,6
до 1,8 нГн
Пре те тьиые эксплуатационные тайные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность в течение
10000 ч при температуре корпуса:
от 213 до 343 К ... . . . .0,5 Вг
при 398 К........................................0,15 Вг
Непрерывная рассеиваемая С ВЧ мощное ib в течение
3000 ч при температуре корпуса
от 213 до 343К ... 1 Вт
при 398 К ... .
Температура окружаю-
щей среды..............
0,3 Вт
От 213
до 398 К
Зависимость непрерывной рассеи-
ваемой СВЧ мощности от темпе-
ратуры корпуса.
482
Зависимость предельной часто-
ты от температуры корпуса.
Зависимость общей емкости
диода от напряжения.
2А605А, 2А605Б
Диоды кремниевые мезаэпнтаксиальпые. Предназначены для ра-
боты в умножителях частоты в диапазоне волн 3 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывав юя на этикетке. Диоды маркируются
цветным кодом: 2А605А — черной точкой, 2А6О5Б — красной точкой.
Положительный вывод диода — со стороны крышки.
Масса диода не более 0,2 г.
Электрические параметры
Предельная частота при U^p 6 В, пс менее:
2А605А при/= 5 ГГц...................................100 ГГц
2А6О5Б при f— 7,5 ГГц..........................130 ГГц
Общая емкость диода при 1/„бр 6 В f 10 МГц:
2А6О5А..........................................От 0,85
до 1,45 пФ
2А605Б..........................................От 0 55
до 0,95 пФ
Постоянный обратный ток при <7пбр = 30 В и темпе-
ратуре от 213 до 398 К, не более......................100 мкА
Емкость корпуса.......................................От 0,2
до 0,3 пФ
Индуктивность диода, не более........................0,7 нГн
16*
483
Предельные эксплуатациошые данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпе-
ратуре корпуса:
от 213 до ЗЗЗК
2А605А............................................ 1 Вт
2А605Б..........................................0,7 Вт
при 373 К • яан:
2А605А......................................... 0,4 Вт
2А605Б..........................................0,3 В г
при 398 К м-
2А6О5А.........................................0,07 Вт
2А605Б.........................................0,06 Вт
Постоянное обратное напряжение при 1емпсратуре кор-
пуса от 213 до 398 К............................... 30 В
Температура окружающей среды.......................От 213
ло 398 К
Температура перехода............................... 398 К
Зависимость непрерывной рассеи-
ваемой СВЧ мощности от тем-
пературы корпуса.
Зависимость предельной часто-
ты от температуры корпуса.
Зависимость емкости структу-
ры от напряжения.
484
КА606А, КА606Б
Диоды кремниевые мезазпи-
таксиальные. Предназначены для
работы в умножителях частоты
сантиметрового и деци метрово-
го диапазонов в герметизирован
ион аппаратуре.
Бескорнусные с гибкими
выводами с зашшиым покры
тием. Тип диода указывается
на этикетке. Диоды маркируют-
ся цветной точкой' КА606А —
черной у отрицательного вы-
вода, КА606Б — зеленой у от-
рицательною вывода.
Масса диола не более 0,03 г.
Электрические параметры
Общая емкость лиода при 17^ = 6 В, f= 10 МГн:
КА606А............................................... От 0.5
до 1,2 пФ
КА606Б ....................От 0,3
до 0,7 пФ
Дифференциальное сопротивление при 7,1р = 100 мА, /=
= 5 кГц, не более:
КА606А...............................................1,5 Ом
КА606Б.........................................1,0 Ом
Постоянный обратный ток при Г7о6р 30 В не более,
при температуре
от 213 до 333 К .............100 мкА
при 398 К....................................... 200 мкА
Предо тьная частота *, пс менее:
КА606А........................................ ... 100 ГГц
КА6О6Б ........................................130 ГГц
Контактная разность потенциалов*.................... 0,6 В
Пре Тельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпера-
туре держателя:
от 213 до 333 К
КА606А . . . . . ... 08 Вт
КА606Б...........................................0 6 Вт
о г 333 до 398 К
КА606А..........................................0,25 Вт
КА606Б . 0,15 Вт
Постоянное обратное напряжение при температуре ог
213 до 398 К...................................... 30 В
Температура окружающей среды..........................От 213
до 398 К
485
Зависимость непрерывной рас-
сеиваемой СВЧ мощности от
температуры держателя
Зависимость общей ем-
кости диода от напря-
жения.
ЗА607А
Диод арт енид-га.т тиевый эпитаксиальный. Предназначен для ра-
боты в умножителях частоты в диапазоне волн 2 см.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается на корпусе.
Масса диода не более 0,65 г.
Предельная частота при /=2300 + 400 МГц, не
менее...............................................100 ГГц
Постоянное обратное напряжение при = 100 мкА,
не менее:
при 298 К......................................... 30 В
при 213 и 358 К................................... 20 В
Общая емкость диода при U^p = 6 В, /= 30 МГц ... Ог 0,8
до 1,9 пФ
Прете тытые эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
при 298 К............................................. 30 В
при 213 и 358 К................................... 20 В
Выпрямленный ток в режиме умножения.................... 5 мА
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпера-
туре корпуса от 213 до 358 К........................... 1 Вт
Температура окружающей среды...........................От 213
до 358 К
486
Зависимость постоянного обрат-
ного напряжения от темпера-
туры.
2А608, КА608
Диод кремниевый эпитаксиальный Предназначен для работы
в умножителях частоты в диапазоне волн 3 см. Па частотах
6—7 ГГц диод позволяет получить Рспч = 1,5 Вт в режиме умноже-
ния на 4.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается на этикетке. Положительный вы-
вод со стороны крышки.
Масса диода не более 0,3 г.
Электрн геенне параметры
Предельная частота при 1/^ = 6 В, /=2000 МГц, не
менее................................................ 60 ГГц
Общая емкость диода при С/о6р = 6 В,/= 1 — 30 МГц. . . От 1,25
до 3,5 пФ
Постоянный обратный ток, не более:
при 298 К, t/обр = 45 В.............................100 мкА
при 213 и 398 К, t/обр = 30 В для 2А608 .... 100 мкА
Емкость корпуса, не более............................0,45 пФ
Индуктивность диода при 7,1р = 30 мА,/ = 3000 + 500 МГц,
не более............................................... 1,5 нГн
Тепловое сопротивление*, не более....................24 К/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпера-
туре корпуса:
от 213 до 358 К ....................................... 4 Вт
при 398 К............................................. 1 Вг
487
Постоянное обратное напряжение:
при 298 К........................................
при 213 и 398 К...............................
Выпрямленный ток в режиме умножения . . . .
Температура окружающей среды ... . .
45 В
30 В
5 мА
От 213
до 398 К
Зависимость непрерывной рас-
сеиваемой СВЧ мощности от
температуры корпуса
Зависимость постоянного обрат-
ного напряжения от темпера
туры
Зависимость общей емкости
диода от напряжения.
2А609А, 2А609Б
Диоды кремниевые мезаэпнтаксиальные. Предназначены для ра-
боты в умножителях частоты сантиметрового диапазона.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается на этикетке Диоды маркируются
цветным кодом 2А609А — поперечной черной полоской на керами-
ческой втулке, 2А609Б — красной полоской
Масса диода не более 0 2 г.
488
Электрические параметры
Предельная частота при = 6 В, f 5 ГГц . . . От 150
до 370* ГГц
Общая емкость диода при L'l<ip = 6 В. /= 10 МГц:
2А609А............................................ От 1 1
до 1,8 пФ
. ш 2А609Б...........................................От 0,8
до 13 пФ
Постоянный обратный ток при = 40 В, не более:
при 213 и 298 К......................................100 мкА
при 398 К........................................1000 мкА
Время выключения при /1р= 5 мА, Ь'обрЛ1 = 10 В . . . От 0,1 *
до 0,25 нс
Эффективное время житии неосновных носителей заряда
ПРИ 4р = 10 мА, 6'обр.и Ю В
2А609А............................................. От 30
до 72* пс
2А609Б, не более............................. 25 нс
Емкость корпуса......................................От 0.2
до 0,3 пФ
Предельные тксплуатацно! ные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность прн темпе-
ратуре корпуса:
от 213 до 343 К
2А609А........................................... 2 Вт
2А6О9Б........................................... 1 Вг
прн 398 К
2А609А 0,4 Вт
2А609Б...........................................0,3 Вт
Постоянное обратное напряжение при температуре кор-
пуса .
от 213 до 348 К . . . . , ... 40 В
от 348 до 398 К ................................ 30 В
Температура окружающей среды.................От 213 до 398 К
Температура перехода................................ 428 К
Зависимость емкости структуры от
напряжения
Зависимость предельной
частоты от температуры
корпуса
489
Зависимость непрерывной рас-
сеиваемой СВЧ мощности от
температуры корпуса.
2А611А, 2А611Б, КА611А, КА611Б
Варикапы кремниевые мезаэпитакснальные диффузионные. Пред-
назначены для работы в устройствах перестройки частоты или
фазы в сантиметровом диапазоне.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе. Тип диода ука-
зывается на групповой таре. Положительный вывод — со стороны
крышки.
Масса дно.та не более 0,1 г.
Электрические параметры
Постоянное обратное напряжение при — 10 мкА,
нс менее:
при 298 и 398 К.................................. 50 В
при 213 К......................................... 40 В
Общая емкость диода при t/^-= 6 В, /= 1,0 ГГц-
2А611А, КА611А.........................................От 3,1
до 4,7 пФ
2А611Б, КА611Б . . . .... От 1,4
до 2,2 пФ
Коэффициент перекрытия по емкости при = 0 и
50 В
2А611А КА611А..................................... От б
до 7*
2А611Б, КА611Б.................................... От 5
до 5,5*
Добротность днода при U^p = 6 В, /= 1 ГГц:
2А611А, КА611А........................................ От 30
до 45 *
2А611Б, КА611Б.................................... От 45
до 65*
490
Емкость корпуса при f = 1 ГГц.......................От 0,18
до 0,25 пФ
Индуктивность диода прн /пр = 30 + 10 мА,/ =3 + 0,5 ГГц,
не более............................................ 1 мГн
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпе-
ратуре от 213 до 398 К..............................100 мВт
Постоянное обратное напряжение при температуре:
от 283 до 398 К..................................... 50 В
при 213 К....................................... 40 В
Выпрямленный ток....................................30 мА
Температура окружающей среды........................От213
до 398 К
Зависимость общей емкости
диода от напряжения.
Зависимость добротности от
постоянного обратного напря
жен ня.
Зависимость температурного
коэффициента емкости от по-
стоянного обратного напряже-
ния.
2А613А, 2А613Б
Диоды кремниевые диффузионные. Предназначены для работы
в умножителях частоты метрового и дециметрового диапазонов.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается иа этикетке. Диоды маркируются
цветным кодом: 2А61 ЗА — синей точкой, 2А61 ЗБ — красной точкой.
Положительный вывод со стороны крышки.
Масса диода не более 2 г.
491
Электрические параметры
Предельная частота при t/nSp = 6 В, /= 2000 МГт
2А613А................................ От 10
до 40* ГГц
2А613Б....................................... От 25
до 60 * ГГц
Общая емкость диода при 6 В. /'= 1 .-30 МГц:
2А613А......................................... От 4
до 8 пФ
2А613Б........................................... От 3
до 5 пФ
Постоянный обратный ток при t/o6p = 80 В для 2А613А
и 70 В для 2А613Б не более
при 298 К......................................Ю мкА
при 213 и 398 К................................100 мкА
Емкость корпуса, не более..........................0,85 пФ
Индуктивность диода при 1ар = 30 мА, f = 3000 МГц,
не более........................................... 5 нГн
Время выключения при /,,р = 5 мА U^p = 10 В, пе
ботее ............................................. 3 * нс
Эффективное время жизни неосновных носителей при
7„р = 5 мА, Urf,p = 10 В пе более..............50 * нс
Общее тепловое сопротивление, не более.............12 К/Вг
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпера-
туре корпуса:
ог 213 до 353 К
2А613А......................................... 10 Вт
2А613Б.......................................8 Вт
при 398 К
2А613А.........................................2 5 Вт
2А613Б....................................... 2 Вт
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 до 398 К-
2А613А........................................... 80 В
2А613Б....................................... 70 в
Температура окружающей среды.......................От 213
до 398 К
492
Зависимость непрерывной
рассеиваемой СВЧ мощнос-
ти от температуры.
Зависимость общей емкости
диода от напряжения.
10 6. ГЕНЕРАТОРНЫЕ ДИОДЫ
3A703A, ЗА7ОЗБ, АА703А, АА703Б
Диоды Ганна арсеннд-галлттевые эпнгакскнльные. Предназначе-
ны для работы в тенерагорах сантиметрового диапазона.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тин диода указывается на корпусе Отрицательный вывод —
со стороны крышки.
Масса диода не более 0.65 г.
Электрические параметры
Минимальная выходная непрерывная СВЧ мощность па
одной из частот диапазона 8,24 — 12,5 ГГц прп по-
стоянном номинальном напряжении 8,5 В, не менее:
ЗА7ОЗА, АА7ОЗА................................10 мВт
ЗА7ОЗБ АА7ОЗБ ... ................20 мВт
Постоянный рабочий ток при постоянном номинальном
напряжении 8,5 В, не более:
при 298 К
ЗА7ОЗА, АА703А.................................. 270 мА
ЗА7ОЗБ, АА7ОЗБ ............................... 320 мА
при ЗЗЗК
ЗА7ОЗА АА7ОЗА................................... 220 мА
ЗА7ОЗБ, АА7ОЗБ................................ 270 мА
493
при 213 К
ЗА7ОЗА, АА703А................................. 340 мА
ЗА7ОЗБ, АА7ОЗБ................................. 390 мА
Сопротивление диода при постоянном токе 10 мА ... От 3
до 20 Ом
Индуктивность диода, не более........................1 7 и Гн
Преде. ьные эксп туатационные данные
Постоянное напряжение при температуре от 213 до
333 К............................................... 8,5 В
Температура окружающей среды...........................От 213
до 333 К
Примечания; I. Схема и конструкция выводов нспи сме-
щения должна обеспечивать надежный отвод теплоты от поло-
жителытого вывода диода, плавную подачу напряжения питания
на диод, предусматривать защитную пень, предохраняющую диод от
выбросов напряжения
2. Папка выводов пс допускается; следует применять цашовое
крепление диодов в резонаторе.
мощности от напряжения
питания.
Зависимость частоты
генерируемых колебаний
от напряжения питания.
1А704А, 1А704Б, 1А704В
e?,F
Вывод "I
ВыВод I
ВыВод!
Мод 2
Диоды германиевые плапарио-
диффузионные лавпино-пролетпые.
Предназначены для работы в гене-
раторах в диапазоне частот 6—
10 ГГц.
Выпускаются в металлокера-
мическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается на
труп по вон таре.
Масса диода не более 0,7 г
494
Электрические параметры
Минимальная выходная непрерывная СВЧ мощность
при рабочем токе от 15 до 50 мА, не менее
при 298 К
1А704А (/= б -=- 6,7 ГГц)...................10 мВт
1А704Б (7=6,74-8,3 ГГц).....................30 мВт
1А704В (/= 8,3 -=- 10 ГГц)...................20 мВт
при 343 К
1Л704А ............................. 6 мВт
1А704Е........................................18 мВт
1А704В........................................12 мВт
Обратное напряжение при рабочем токе от 10 до 15 мА,
температуре 298 и 213 К, не более................... 60 В
Общая емкость диода*................................От 0,75
до 1,07 пФ
Емкость корпуса*....................................От 0,23
до 0,29 пФ
Индуктивность днода* .... . . . . От 0,82
до 1,02 иГн
Предельные эксплуатационные данные
Рабочий ток при температуре корпуса 353 К и кратко-
временном воздействии (не более 100 ч)............0,77 /р
Рабочий ток при температуре 298 К и кратковремен-
ном воздействии (не более 2 ч)...................... 1,4 7р
Температура окружающей среды . . . ... Оз 213
до 333 К
Примечания 1. Рабочий ток I указывается в паспорте на
диод.
2. Источник питания диода должен быть стабилизированным
источником тока с внутренним сопротивлением более 2 кОм и
емкостью менее 10 пФ Напряжение па зажимах источника тока
при разрыве цепи питания диода не должно превышать более
чем па 15 В напряжения при замкнутой цепи питания и уста-
новлении на диоде рабочего режима Пределы регулирования
тока источника от 15 до 50 мА. Максимальный ток диода с уче-
том выбросов не должен превышать 1,27р (для 1А704А, 1А704Б)
и 1,4/р (для 1А704В). В этом режиме допускается работа диода
не более 3 мин
3. Не допускается проверка годности диодов с помощью при-
бора, который может задавать прямой ток более 50 мА
4 Допускается работа диода в импульсном режиме при токе
в импульсе 1К < 1р любой длительности и скважности.
5. Допускается работа диодов 1А704В в диапазоне частот
6—8,3 ГГц, 1А704Б в диапазоне 6 6,7 ГГц.
495
Зависимость выходной мощ-
ное i и от постоянного рабо-
чего тока.
Зависимость выходной мощ-
ности от частоты.
ЗА705А, ЗА705Б АА705А, АА705Б
Диоды Гантта арсеттмл-галлисвые эпитаксиальные. Предназначены
дтя работы в генераторах сантиметрового диапазона.
Выпускаются в метаттоке-
рамическом корпусе с жестки-
ми выводами. Тип диода ука-
зывается на корпусе. Отрица-
тельный вывод — со стороны
крышки.
Масса диода не бо-
лее 0,65 т.
Элек т рпческие параметры
Минимальная выходная непрерывная СВЧ мощность на
одной ит частот диапазона 5.2-8.2 ГГи при С11ОЧ =
= 10 В, не менее:
ЗА7О5А, АА705А.................................20 мВт
ЗА7О5Б. АА705Б.................................50 мВт
Постоянный рабочий ток при 1/ном 10 В. не более.
при 298 К
ЗА7О5А АА705А.................................. 280 мА
ЗА705Б АА705Б . 300 мА
при 213 К
ЗА705А АА7О5А.................................. 350 мА
ЗА7О5Б. АА7О5Б............................... 370 мА
при 333 К
ЗА7О5А, АА7О5А................................. 230 мА
ЗА705Б, АА705Б 250 мА
Сопротивление диода при постоянном токе 10 мА ... От 3
до 15 Ом
Предельные зкен туат апнойные данные
Постоянное напряжение при температуре от 213 до
333 К............................................... 10 В
2
496
Рассеиваемая мощность
при 213 К
ЗА7О5А АА7О5А.................................3,5 Вт
ЗА7О5Б АА7О5Б ..............................3 7 Вт
при 298 К
ЗА7О5А АА7О5А .... . . 2 8 Bi
ЗА7О5Б, АА7О5Б................................. 3 Вт
при 333 К
ЗА7О5А, АА705Л...................................2,3 Вт
ЗА7О5Б, АА7О5Б.................................2,5 Bi
7,5 8,0 8,5 9,0 9,5 8
Зависимость выходной мощ-
ное tn от напряжения пи-
тания
Зависимость частоты гене-
рируемых колебаний от на-
пряжения питания.
2А706А, 2А706Б, 2А706В, 2А706Г
Диоды кремниевые мезалиффузионпыс лавшшо-пролстпые. Пред-
нашачепы для рабо1ы в ienepaiорах
both 3 см в непрерывном режиме
Выпускаются в металлокерами-
ческом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается на
tape. Диоды маркируются цветной
точкой' 2А706А — красной на торце
отрицательно! о вывода 2А706Б —
синей 2А706В белой, 2А706Г —
черной
Масса диода не более 0,2 г
и усилителях в диапазоне
Э. 1екгричсскне параметры
Минимальная выходная непрерывная СВЧ мощность при
рабочем токе, указанном на индивидуальной rape, в
заданной полосе частот, нс менее
2А706А 2А706Б ............................100 мВ г
2А7О6В, 2A706I...................................50 мВг
497
Рабочий диапазон частот:
2А706А, 2А706В......................... От 8,5 до 10 ГГц
2А706Б, 2А706Г..........................От 10 до 11,5 ГГц
Пробивное напряжение прп токе 5 мА и
температуре от 213 до 343 К . . . . От 60 до 120 В
Общая емкость диода при пробивном на-
пряжении* .............................. От 0,4 до 0,6 пФ
Емкость корпуса*.......................... От 0,2 до 0,6 пФ
Индуктивность корпуса *................... От 0,2 до 0,5 нГн
Тепловое сопротивление переход — корпус *............От 25 до
50 К/Вт
Коэффициент полезного действия *.....................От 3,5
До 6%
Рабочий ток диода*.................................. От 30
до 60 мА
Рабочее напряжение*............................... От 70
до 120 В
Спектральная плотность шума в полосе 1 Гц на рас-
стоянии I кГц от несущей:
AM шумы............................................Около
130 дБ
ЧМ-шумы..........................................Около
80 дБ
Предельные эксплуатационные данные
Рабочий ток при температуре корпуса:
ог 213 до 298 К.....................................Указывается
на индиви-
дуальной
Зависимость выходной мощ- Зависимость выходной мощ-
ности от постоянного рабо- пости от частоты.
чего тока диода.
498
Раздел одиннадцатый
СТАБИЛИТРОНЫ И СТАБИСТОРЫ
11.1. СТАБИЛИТРОНЫ ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ
Д808, Д809, Д810, Д811, Д813
Стабилитроны кремниевые сплавные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора и схема соединения электродов с выводами при-
водятся на корпусе.
Масса стабилитрона не более 1 г.
Электрические параметры
Разброс напряжения стабилизации при
1„ = 5 .мА:
при 298 К
Д808............................. От 7,0 до 8,5 В
Д809............................. От 8,0 до 9,5 В
Д810............................. От 9,0 до 10,5 В
Д811............................. Ог 10,0 до 12,0 В
Д813............................. От 11,5 до 14 0 В
при 213 К
Д808............................. От 6,0 до 8,5 В
Д809............................. От 7,0 до 9,5 В
Д810............................. От 8,0 до 10,5 В
Д811............................. От 9,0 до 12,0 В
Д813............................. От 10,0 до 14,0 В
при 398 К
Д808............................. От 7,0 до 9,5 В
Д809............................. От 8.0 до 10,5 В
Д810............................. От 9,0 до 11,5 В
Д811............................. От 10,0 до 13,5 В
Д813............................. От 11,5 до 15,5 В
Средний температурный коэффициент напря-
жения стабилизации при температуре от
303 до 398 К, не ботее.
Л808 .......................... 0,07 %/К
Д809 .......................... 0,08 %/К
Д810............................. 0,09 %/К
Д811, Д813 ...................... 0,095 %/К
499
Временная нестабильность напряжения ста-
билизации ...................... ± 1 %
Уход напряжения стабилизации через 5 с
после включения, нс более:
за первые 5 мин
Д808...................................... 170 мВ
Д809..................................... 190 мВ
Д810..................................... 210 мВ
Д811 .................................... 240 мВ
Д813..................................... 280 мВ г
за последующие 10 мин............. 20 мВ
Постоянное прямое напряжение при /пр =
= 50 мА, не более................... 1 В
Постоянный обратный ток прн 298 К, =
— 1 В, не более..................... 0,1 мкА
Дифференциальное сопротивление, не более:
прн 298 К, 7СТ = 1 мА
Д808....................................... 12 Ом
Д809...................................... 18 Ом
Д810...................................... 25 Ом
Д811...................................... 30 Ом
Д813...................................... 35 Ом
при 298 К, /С1 = 5 мА
Д808....................................... 6 Ом
Д809...................................... 10 Ом
Д810...................................... 12 Ом
Д811...................................... 15 Ом
Д813...................................... 18 Ом
при 398 К, /С1 = 5 мА
Д808....................................... 15 Ом
Д809...................................... 18 Ом
Д8Ю....................................... 25 Ом
Д811...................................... 30 Ом
Д813...................................... 35 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации........................ 3 мА
Максимальный ток стабилизации при температуре:
от 213 до 323 К
Д808 ........................................... 33 мА
Д809 .......................................... 29 мА
Д810...........................................26 мА
Д811...........................................23 мА
Д813...........................................20 мА
при 398 К
Д808 ........................................... 8 мА
Д809 ......................................... 7,5 мА
Д8Ю............................................6,5 мА
Д8П............................................6,0 мА.
Д813.................................... . , , 5,0 мА
500
Постоянный прямой ток.................................50 мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 323 К......................................2S0 мВт
при 398 К.........................................70 мBi-
Температура окружающей среды..........................От 213
до 398 К
Зависимость лифференциалыю-
ю сопротивления от темпера-
туры
Зависимость среднего темпера-
турного коэффициента напря-
жения стабилизации от тока.
Зависимоегь дифференциально-
ю соиротвления от тока.
Зависимость среднего темпера-
турив! о ко >ффиписнта напря-
жения стабилизации от тока.
Д814А, Д814Б, Д814В, Д814Г, Д814Д
Стабилитроны кремниевые сплавные.
Выпускаются в мсталлосгеклянном Kopnjce с гибкими выводами.
Тип прибора и схема соединения электродов с выводами при-
водятся иа корпусе
Масса стабилитрона не ботсе 1 г.
501
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 298 К,
Icr — 5 мА
Д814Л.......................................... 8,0 В
Д814Б...................................... 9,0 В
Д814В................................. 10,0 В
Д814Г................................. 11,0 В
Д814Д................................. 13,0 В
Разброс напряжения стабилизации /ст = 5 мА:
при 298 К
Д814А.................................От 7,0 до 8,5 В
Д814Б.................................От 8,0 до 9,5 В
Д814В.................................От 9,0 до 10,5 В
Д814Г.................................От 10,0 до 12,0 В
Д814Д.................................От 11,5 до 14,0 В
при 213 К
Д814А...................................От 6,0 до 8,5 В
Д814Б.................................От 7,0 до 9,5 В
Д814В.................................О г 8,0 до 10,5 В
Д814Г.................................От 9,0 до 12,0 В
Д814Д.................................От 10,0 до 14,0 В
при 398 К
Д814А...................................От 7,0 до 9,5 В
Д814Б.................................От 8,0 до 10,5 В
Д814В.................................Ог 9,0 до 11,5 В
Д814Г.................................От 10,0 до 13,5 В
Д814Д.................................От 11,5 до 15,5 В
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации при
температуре от 303 до 398 К, не более:
Д814А.................................... 0,07 %/К
Д814Б.................................. 0,08 %/К
Д814В.................................... 0,09 %/К
Д814Г, Д814Д............................ 0,095 %/К
Временная нестабильность напряжения стабилиза-
ции ....................................... +1 %
Постоянное прямое напряжение при 298 К, /Пр =
= 50 мА, не более............................... 1 В
Постоянный обратный ток при 298 К, = 1 В,
не более...................................... 0,1 мкА
Дифференциальное сопротивление, не более:
при 298 К, = 5 мА
Д814А........................................ 6 Ом
Д814Б..................................... 10 Ом
Д814В..................................... 12 Ом
Д814Г..................................... 15 Ом
Д814Д..................................... 18 Ом
при 213 и 398 К, /ст = 5 мА
Д814А....................................... 15 Ом
Д814Б..................................... 18 Ом
Д814В..................................... 25 Ом
Д814Г..................................... 30 Ом
Д814Д..................................... 35 Ом
при 298 К, 7СТ — 1 мА
Д814А....................................... 12 Ом
Д814Б..................................... 18 Ом
Д814В..................................... 25 Ом
Д814Г..................................... 30 Ом
Д814Д..................................... 35 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации.................... 3 мА
Максимальный ток стабилизации при температуре:
от 213 до 308 К
Д814А......................................... 40 мА
Д814Б.........................................36 мА
Д814В.........................................32 мА
Д814Г.........................................29 мА
Д814Д.........................................24 мА
при 398 К
Д814А..........................................11,5 мА
Д814Б........................................10,5 мА
Д814В........................................9,5 мА
Д814Г........................................8,3 мА
Д814Д........................................7,2 мА
Рассеиваемая мощность при температуре
от 213 до 308 К.............................. 340 мВт
при 398 К......................................100 мВт
Температура окружающей среды....................0213
до 398 К
Температура перехода............................ 398 К
Зависимость дифференциально-
го сопро ивления от тока.
502
503
Зависимость среднего темпера
турного коэффициента напряже-
ния стабилизации от тока.
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от темпера-
туры.
Зависимость максимальной рас- Зависимость максимального то-
сеивасмой мощности от темпе- ка стабилизации от темпера-
ра гуры. туры.
Д815Л, Д815АП, Д815Б, Д815БП, Д815В, Д815ВП,
Д815Г, Д815ГП, Д815Д, Д815ДП, Д815Е, Д815ЕП,
Д815Ж, Д815ЖП, Д816А, Д816АП, Д816Б, Д816БП,
Д816В, Д816ВП, Д816Г, Д816ГП, Д816Д, Д816ДП,
Д817А, Д817АП, Д817Б, Д817БП, Д817В, Д817ВП,
Д817Г, Д817ГП
Стабилитроны кремниевые диффузионные.
Выпускаются в металлостсклянном корпусе с жесткими выво-
дами. Тип диода указывается на корпусе У стабилитронов,, в обоз-
начении которых отсутствует буква П, корпус является отрица-
тельным электродом. У стабилитронов, имеющих в обозначении
букву П, полярность обратная.
Масса стабилитрона ис более 6 г.
504
t
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 298 К
при Тст.ном ЮОО мА
Д815А Д815АП.................................. 5.6 В
Д815Б, Д815БП................................. 6,8 В
Д815В, Д815ВП................................. 8,2 В
при /ст,ном = 500 мА
Д815Г Д815ГП.................................... 10 В
Д815Д. Д815ДП.................................. 12 В
Д815Е, Д815ЕП.................................. 15 В
Д815Ж, Д815ЖП.................................. 18 В
при /ст .НОМ = 15
Д816А, Д816АП ................................. 22 В
Д816Б Д816БП 27 В
Д816В Д816ВП................................... 33 В
Д816Г Д816ГП................................... 39 В
Д816Д, Д816ДП.................................. 47 В
•фи /ст.НОм = 50 мА
Д817А Д817АП ............................... 56 В
Д817Б Д817БП.......................... 68 В
Д817В Д817ВП................................. 82 В
Д817Г, Д817ГП............................... 100 В
Разброс напряжения стабилизации при 298 К,
/ст /ст .ном •
Д815А, Д815АП............................
Д815Б Д815БП..........................
Д815В Д815ВП..........................
Д815Г Д815ГП..........................
Д815Д, Д815ДП . . .
Д815Е Д815ЕП..........................
Д815Ж. Д815ЖП.........................
Д816А, Д816АП.........................
Д816Б, Д816БП.........................
Д816В Д816ВП..........................
Д816Г, Д816ГП.........................
Д816Д, Д816ДП.........................
Д817А, Д817АП.........................
Д817Б, Д817БП.........................
Д817В, Д817ВП.........................
Д817Г, Д817ГП.........................
От 5.0 до 6,2 В
От 6,1 до 7,5 В
От 7,4 до 9,1 В
От 9,0 до 11,0 В
От 10,8 до 13,3 В
От 13,3 до 16 4 В
От 16,2 до 19,8 В
От 19,6 до 24 2 В
От 24,2 до 29 5 В
О г 29,5 до 36 В
От 35 до 43 В
От 42,5 до 51 5 В
Ог 50,5 до 61,5 В
От 61 до 75 В
От 74 до 90 В
От 90 до 110 В
505
Средний температурный коэффициент напряжения
стабилизации при температуре от 213 до 398 К,
не более:
Д815А, Д815АП.......................... 0.045 %/К
Д815Б. Д815БП.......................... 0,050 % К
Д815В, Д815ВП.......................... 0,070 %/К
Д815Г, Д815ГП.............................. 0.080 %/К
Д815Д, Д815ДП.............................. 0,090 %/К
Д815Е, Д815ЕП.............................. 0.100 %/К
Д815Ж, Д815ЖП.......................... 0,110 % К
Д816А, Д816АП. Д816Б. Д816БП, Д816В.
Д816ВП, Д816Г. Д816ГП, Д816Д, Д816ДП . . 0,120%,К
Д817А, Д817АП Д817Б, Д817БП. Д817В,
Д817ВП, Д817Г. Д817ГП, Д817Д, Д817ДП . . 0,140 %/К
Временная нестабильность напряжения стабилиза-
ции, ие более:
Д815Л, Д815АП. Д815Б, Д815БП, Д815В,
Д815ВП. Д815Г, Д815ГП, Д815Д, Д815ДП,
Д815Е, Д815ЕП, Д815Ж, Д815ЖП .... 4%
Д816А, Д816АП. Д816Б, Д816БП. Д816В.
Д816ВП, Д816Г, Д816ГП, Д816Ж,
Д816ДП ...................................... 5%
Д817А, Д817АП, Д817Б, Д817БП. Д817В,
Д817ВП, Д817Г, Д817ГП........................ 6%
Постоянное прямое напряжение при 298 К, /11р =
= 500 мА, не более........................ 1,5 В
Постоянное обратное напряжение при 298 К,
/о6р = 50 мкА, не более:
Д816А. Д816АП................................ 15 В
Д816Б, Д816БП................................ 19 В
Д816В, Д816ВП................................ 23 В
Д816Г, Д816ГП................................ 27 В
Д816Д, Д816ДП................................ 33 В
Д817А Д817АП................................. 39 В
Д817Б, Д817БП................................ 47 В
Д817В. Д817ВП................................ 57 В
Д817Г, Д817ГП................................ 70 В
Дифференциальное сопротивление, ие более:
при 298 К, /ст - /ctjiom
Д815А, Д815АП............................... 0,6 Ом
Д815Б, Д815БП............................... 0,8 Ом
Д815В, Д815ВП.......................... 1,0 Ом
Д815Г, Д815ГП............................... 1,8 Ом
Д815Д, Д815ДП............................... 2,0 Ом
Д815Е, Д815ЕП............................... 2,5 Ом
Д815Ж, Д815ЖП.......................... 3,0 Ом
Д816А, Д816АП............................... 7,0 Ом
Д816Б, Д816БП............................... 8,0 Ом
Д816В, Д816ВП............................... 10,0 Ом
Д816Г, Д816ГП............................... 12,0 Ом
506
Д816Д, Д816ДП............................. 15,0 Ом
Д817А, Д817АП............................. 35,0 Ом
Д817Б, Д817БП............................. 40,0 Ом
Д817В, Д817ВП............................. 45,0 Ом
Д817Г, Д817ГП............................. 50,0 Ом
при 298 К, /С1 — 50 мА
Д815А, Д815АП................................ 20 Ом
Д815Б, Д815БП............................... 15 Ом
Д815В, Д815ВП................................ 8 Ом
при 298 К, 1СГ = 25 мА
Д815Г, Д815ГП................................ 15 Ом
Д815Д, Д815ДП............................... 20 Ом
Д815Е, Д815ЕП............................... 25 Ом
Д815Ж, Д815ЖП............................... 30 Ом
при 298 К, /ст = 10 мА
Д816А, Д816АП............................... 120 Ом
Д816Б, Д816БП, Д816В, Д816ВП, Д816Г,
Д816ГП, Д816Д, Д816ДП...................... 150 Ом
при 298 К, /ст = 5 мА
Д817А, Д817АП, Д817Б, Д817БП .... 200 Ом
Д817В, Д817ВП, Д817Г, Д817ГП............... 300 Ом
при 213 и 393 К, /ст = 50 мА
Д815А, Д815АП................................ 30 Ом
Д815Б, Д815БП............................... 20 Ом
Д815В, Д815ВГ1.............................. 12 Ом
при 213 и 393 К, 4т = 25 мА
Д815Г, Д815ГП................................ 20 Ом
Д815Д, Д815ДП............................... 30 Ом
Д815Е, Д815ЕП............................... 40 Ом
Д815Ж, Д815ЖП............................... 50 Ом
при 213 и 393 К, /ст = 10 мА:
Д816А, Д816АП............................... 150 Ом
Д816Б, Д816БП.............................. 180 Ом
Д816В, Д816ВП.............................. 200 Ом
Д816Г, Д816ГП.............................. 250 Ом
Д816Д, Д816ДП............................. 31)0 Ом
при 213 и 393 К, /ст = 5 мА
Д817А, Д817АП, Д817Б, Д817Ы1 .... 400 Ом
Д817В, Д817ВП.............................. 600 Ом
Д817Г, Д817ГП.............................. 800 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации
Д815А, Д815АП, Д815Б, Д815БП, Д815В
Д815ВП...........................................50 мА
Д815Г, Д815ГП, Д815Д, Д815ДП, Д815Е, Д815ЕП,
Д815Ж, Д815ЖП....................................25 мА
Д816А, Д816АП, Д816Б, Д816БП, Д816В, Д816ВП,
507
Д816Г, Д816ГП, Д816Д, Д816ДП.................10 .мА
Д817А, Д817АП, Д817Б, Д817БП, Д817В. Д817ВП,
Д817Г, Д817ГП................................ 5 мА
Максимальный ток стабилизации:
при 7‘к < 348 К
Д815А, Д815АП.................................. 1400 мА
Д815Б, Д815БП................................1150 мА
Д815В, Д815ВП.................................. 950 мА
Д815Г, Д815ГП ................................. 800 мА
Д815Д, Д815ДП.................................. 650 мА
Д815Е Д815ЕП................................... 550 мА
Д815Ж, Д815ЖП.................................. 450 мА
Д816А, Д816АП.................................. 230 мА
Д816Б Д816БП....................................180 мА
Д816В Д816ВП....................................150 мА
Д816Г, Д816ГП...................................130 мА
Д816Д, Д816ДП...................................ПО мА
Д817А, Д817АП...................................90 мА
Д817Б, Д817БП...................................75 мА
Д817В. Д817ВП...................................60 мА
Д817Г, Д817ГП...................................50 мА
при 403 К
Д815А, Д815АП................................... 360 мА
Д815Б, Д815БП.................................. 300 мА
Д815В, Д815ВП.................................. 250 мА
Д815Г, Д815ГП.................................. 200 мА
Д815Д, Д815ДП...................................170 мА
Д815Е, Д815ЕП...................................135 мА
Д815Ж, Д815ЖП...................................ПО мА
Д816А, Д816АП...................................90 мА
Д816Б, Д816БП...................................75 мА
Д816В, Д816ВП...................................60 мА
Д816Г. Д816ГП...................................55 мА
Д816Д, Д816ДП...................................45 мА
Д817А, Д817АП...................................35 мА
Д817Б, Д817БП...................................30 мА
Д817В, Д817ВП, Д817Г, Д817ГП....................25 мА
Постоянный прямой ток............................. 1 А
Перегрузка по току стабилизации в течение 1 с.
при Тк < 348 К
Д815А, Д815АП ................................ 2800 мА
Д815Б, Д815БП................................. 2300 мА
Д815В, Д815ВП................................. 1900 мА
Д815Г, Д815ГП................................. 1600 мА
Д815Д, Д815ДП................................. 1300 мА
Д815Е, Д815ЕП.................................1100 мА
Д815Ж, Д815ЖП................................ 900 мА
Д816А. Д816АП................................. 460 мА
Д816Б, Д816БП................................. 360 мА
Д816В, Д816ВП................................. 300 мА
508
Д816Г, Д816ГП................................. 260 мА
Д816Д, Д816ДП................................. 220 мА
Д817А, Д817АП..................................180 мА
Д817Б, Д817БП..................................150 мА
Д817В, Д817ВП..................................120 мА
Д817Г, Д817ГП..................................100 мА
* Ори Тк = 403 К
; Д815А, Д815АП.................................. 720 мА
Д815Б, Д815БП................................. 600 мА
Д815В, Д815ВП................................. 500 мА
Д815Г, Д815ГП................................. 400 мА
Д815Д, Д815ДП................................. 340 мА
Д815Е, Д815ЕП................................. 270 мА
Д815Ж, Д815ЖП................................. 220 мА
Д816А, Д816АП..................................180 мА
Д816Б, Д816БП..................................150 мА
Д816В, Д816ВП..................................120 мА
Д816Г, Д816ГП...................................НО мА
Д816Д, Д816ДП...................................90 мА
Д817А, Д817АП...................................70 мА
Д817Б, Д817БП...................................60 мА
Д817В, Д817ВП, Д817Г, Д817ГП....................50 мА
Рассеиваемая мощность:
при Тк < 348 К
Д815А, Д815АП, Д815Б, Д815БП, Д815В, Д815ВП
Д815Г, Д815ГП, Д815Д, Д815ДП, Д815Е, Д815ЕП,
Д815Ж, Д815ЖП................................... 8 Вт
Д816А, Д816АП, Д816Б, Д816БП, Д816В, Д816ВП.
Д816Г, Д816ГП, Д816Д Д816ДП, Д817А Д817АП,
Д817Б, Д817БП, Д817Г, Д817ГП.................... 5 Bi
при Тк = 403 К..................... . . . . 2 Вт
Температура окружающей среды минимальная .... 213 К
Температура перехода................................413 К
Температура корпуса................................ 403 К
Зависимость дифференциаль-
ною сопротивления от тока.
509
2С124Д-1, 2С127Д-1, 2С130Д-1, 2С133Д-1, 2С136Д-1,
2С139Д-1, 2С143Д-1
Стабилитроны кремниевые
планарные. Предназначены для
стабилизации напряжения в
герметизированной аппаратуре.
Бескорнусные с защитным
покрытием и гибкими выво-
дами. Тип прибора указывается
на ярлыке, помещаемом в
индивидуальную тару.
Масса стабилитрона нс бо-
лее 0,01 г.
Электрические параме ры
Напряжение стабилизации поминальное при
303 К. /сг = 3 мА-
2С124Д-1.......................... 2.4 В
2С127Д-1.......................... 2,7 В
2С130Д-1.......................... 3,0 В
2С133Д-1.......................... 3,3 В
2С136Д-1.......................... 3,6 В
2С139Д-1.......................... 3,9 В
2С143Д-1.......................... 4,3 В
Разброс напряжения стабн шзации при /сг =
= 3 мА:
при 303 К
2С124Д-1............................... От 2,2 до 2,6 В
2С127Д-1.............................. От 2,5 до 29 В
2С130Д-1.............................. От 2,8 до 3,2 В
2С133Д-1.............................. От 3,1 до 3,5 В
2С136Д-1.............................. От 3,4 до 3,8 В
2С139Д-1.............................. От 3,7 до 4,1 В
2С143Д-1.............................. От 4,0 до 4.6 В
при 213 К
2С124Д-1.............................. От 2.2 до 2,8 В
2С127Д-1.............................. Ог 2.5 до 3,1 В
2С130Д-1.............................. От 2,8 до 3,4 В
2С133Д-1.............................. От 3,1 до 3,8 В
2С136Д-1.............................. От 3 4 до 4,1 В
2С139Д 1.............................. От 3,7 до 4,4 В
2С143Д-1.............................. От 4,0 до 4,9 В
при 398 К
2С124Д 1............................... От 2,0 до 2,6 В
2С127Д-1 От 2,3 до 2,9 В
2С130Д-1.............................. От 2,6 до 3,2 В
510
2С133Д-1............................... От 2,9 до 3,5 В
2С136Д-1............................... От 3,2 до 3,8 В
2С139Д-1............................... От 3,5 до 4,1 В
2С143Д-1............................... От 3,8 до 4,6 В
Средний температурный коэффициент напря-
жения стабилизации при температуре о г
213 до 398 К, не менее:
2С124Д-1, 2С127Д-1, 2С130Д-1,
2С133Д1 .............................. -0,075 %/К
2С136Д-1 ............................. -0,070 °,;к
2С139Д-1 ............................. -0,065 %/К
2С143Д-1 ............................. -0,060 %/К
Временная нестабильность напряжения стаби-
лизации ....................................... ±1,5%
Постоянное прямое напряжение при 298 К,
/1|р =10 мА, не более................... 0,9 В
Постоянный обратный ток при 298 К, не
более:
при 1/обр = 1 В
2С124Д-1................................... 7,5 мкА
2С127Д-1.......................... 5,0 мкА
2С130Д-1.......................... 4 0 мкА
2С133Д-1.......................... 2,0 мкА
2С136Д-1................................. 1,0 мкА
2С139Д-1.......................... 0,8 мкА
при 1/о6р=1,5 В для 2С143Д-1 ... 7,5 мкА
Дифференциальное сопротивление, не более:
при 213 К, 298 К, 398 К, /„ =
= 3 мА................................ 180 Ом
при 298 К, /ст = 0,25 мА
2С124Д 1 ............................... 1200 Ом
2С127Д-1................................ 1250 Ом
2С130Д-1 ............................... 1300 Ом
2С133Д-1 ............................... 1400 Ом
2С136Д-1 ............................... 1500 Ом
2С139Д-1 ............................... 1600 Ом
2С143Д-1 ............................... 1650 Ом
Спектра ьиая плотность шума в диапазоне
частот от 20 Гц до 1 МГц при /п =
= 0,25 мА ие более.................... 0 3 мкВД/Гц
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации............................0,25 мА
Максимальный ток стабилизации при теи чоотводе, обеспе-
чивающем Ят < 1 K/мВт при температуре.
от 213 до 308 К
2С124Д-1..........................................20,8 мА
2С127Д-1..........................................18,5 мА
2С130Д-1..........................................16,7 мА
2С133Д-1..........................................15,2 мА
511
2С136Д 1......................................13,9 мА
2С139Д-1................................... . 12,8 мА
2С143Д-1......................................11,6 мА
при 398 К
2С124Д-1.......................................7,5 мА
2С127Д 1......................................6,7 мА
2С130Д 1......................................6,0 мА
2С133Д-1......................................5,5 мА
2С136Д 1 . ....................... 5 0 мА
2С139Д-1......................................4,6 мА
2С143Д-1......................................4,2 мА
Рассеиваемая мощность при гемплоотводс, обеспечива-
ющем Ят < 1 К,мВт при температуре;
от 213 до 308 К.................................50 мВт
при 398 К.......................................18 мВт
Тепловое сопротивление общее* . . . 3 К/мВт
Температура окружающей среды..................... От 213 до
398 К
Зависимое!ь среднего темпера-
турного коэффициента напря-
жения щабилизации от тока.
Зона возможных положений за-
висимости дифференциального
сопротивления от тока.
Зависимость общей емкости
диода от напряжения
512
2С127А-1
Стабилитрон кремниевый диффу-
зионно-сплавной. Предназначен для
стабилизации напряжения в гермети-
зированной аппаратуре.
Бескорпусной с защитным по-
крытием и гибкими выводами Вы-
пускается в индивидуальной таре. Тип
прибора указывается па этикетке. Вы-
вод стабилитрона, подключаемый в
режиме стабилизации к отрицагезыю-
му полюсу источника питания, при
расположении тары выводами вниз со
сюропы крышки находимся справа.
Масса смабилитрона не бо-
лее 0,02 I
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 298 К.
/с, = 3 мА........................................ 2,7 В
Разброс напряжения стабилизации при 298 К, /сг =
= 3 мА ...............................................±10",
Средний температурный коэффициент напряжения стаби-
лизации при температуре от 213 до 358 К, нс мсисс —0,2 °„/К
Дифференциальное сопротивление при /С1 = 3 мА. пс
более:
от 298 до 358 К....................................180 Ом
при 213К......................................... 330 Ом
Пре тельные эксплуатационные даш ые
Минимальный ток стабп тизации....................... I мА
Максимальный ток стабилизации....................... 6 мА
Рассеиваемая мощность...............................20 мВт
Температура окружающей среды............... От 213 до 358 К
2С133А, КС133А, 2С139А,
2С156А, КС156А,
С габплитроны кремниевые
сплавные.
Выпускаются в мсгаллостск-
лянпом корпусе с гибкими выво-
дами. Тип прибора указывается па
корпусе.
Масса стабилитрона не бо-
лее 1 т.
КС139А, 2С147А, КС147А,
2С168А, КС168А
Электрические параметры
Напряжение стабилизации поминальное при
298 К, /С1 = 10 мА:
2С133А КС13.3А.....................
17 под рсд И II Горюнова
3,3 В
513
2С139А КС 139A.................... 3,9 В
2С147А, КС 147А................... 4,7 В
2С156Л, КС 156А .................. 5,6 В
2С168А КС168А..................... 6,8 В
Разброс напряжения стабилизации при /С1. 10 мА:
при 298 К........................... + 10%
при 213 К
2С133А............................... От 3,0 до 4,1 В
2С139А............................... От 3,5 до 4,8 В
2С147А............................... От 4,0 до 5,6 В
2С156А............................... От 4,7 до 6,6 В
2С168А............................... От 5,6 до 8,0 В
при 398 К
2С133А............................... От 2,6 до 3,7 В
2С139А............................... От 3,1 до 4,3 В
2С147А............................... Ог 3,7 до 5,5 В
2С156А............................... Ог 4,7 до 6,6 В
2С168А............................... От 5,6 до 8,0 В
Средний температурный коэффициент напря-
жения стабилизации в диапазоне рабочей
температуры:
2С133Л, КС133А, не хуже .... — 0,11 %/К
2С139А. КС139А, не хуже .... — 0,10 %/К
2С147А, КС147А.....................От -0,09 до 0,01 %/К
2С156А, КС156А.................... ±0,05 %/К
2С168А КС 168А.................... _0,06 %/К
Временная нестабильнос ть напряжения стаби-
лизации 2С133А, 2С139А. 2С147А, 2CI56A,
2С168А........................................... + ] »/
— “ о
Посюяпное прямое напряжение при 298 К,
/пр = 50 мА, не более................. 1 В
Постоянный обратный ток * при 298 К,
СоСр = 0,7 для 2С133А, 2С139А,
2С147А, 2С156А, 2С168А, нс более ... 1 мА
Дифференциальное сопротивтсиие, не более:
при 298 К, /сг = 10 мА
2С133А, КС133А......................... 65 Ом
2С139А, КС139А.......................... 60 Ом
2С147А, КС147А.......................... 56 Ом
2С156А, КС156А.......................... 46 Ом
2С168А, КС 168А......................... 28 Ом
при 213 и 398 К, /ст — 10 мА
2С133А, 2С139А.............. 85 Ом
2С147А....................... 80 Ом
2С156А....................... 60 Ом
2С168А....................... 39 Ом
при 298 К /С1 = 3 мА
2С133А КС133А, 2С139А, КС139А 180 Ом
2С147А, КС 147А 2С156А, КС156А 160 Ом
2С168А, КС 168А............ 120 Ом
514
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации.................... 3 мА
Максимальный ток стабилизации при темпе-
ратуре :
от 213 до 323 К
2С133А, КС133А.......................... 81 мА
2С139А, КС139А.......................... 70 мА
2С147А, КС 147А......................... 58 мА
2С156А, КС156А.......................... 55 мА
2С168А, КС 168А......................... 45 мА
при 398 К
2С133А..................................... 27 мА
2С139А................................... 23 мА
2С147А................................... 19 мА
2С156А................................... 18 мА
2С168А................................... 15 мА
Импульсный прямой гок * при ти < 1 с (ава-
рийная перегрузка):
2С133А, КС133А.......................... 162 мА
2С139А, КС 139А......................... 140 мА
2С147А, КС147А.................... 116 мА
2С156А, КС156А........................... ПО мА
2С168А, КС168А........................... 90 мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 323 К........................... 300 мВт
при 398 К (2С133А, 2С139А, 2CI47A,
2С156А, 2С168А)........................... 100 мВт
Температура окружающей среды:
2С133А, 2С139А, 2С147А, 20 56А,
2С168А............................... От 213 до 398 К
КС133А, КС139А, КС147А, КС156А,
КС168А............................... От 213 до 373 К
Зависимость ди | ференциаль-
ного сопротивления от тока
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от тока.
17*
515
ксг/1сГлст T=Z13-r33SH
0,03
0,01
0,01
о
-0,01
-0,01
О 5 10 15 7.0 15 30 мА
1013 ЗА
20168 А
2С147А-
.гс ней
10141А
ZC139A
iciest
ZC16SA 10156А _
133 А
Зависимость дифференциаль-
ного сопротивления от тока
Зависимость среднего температур-
ною коэффициента напряжения
стабилизации о г тока.
2С133Б, 2С139Б, 2С147Б, 2С156Б, 2С168Б
Стабилитроны кремниевые сплавные с диффузионным экраном
микромодульные бескорнусные. Предназначены для стабилизации
напряжения в цепях постоянного тока
нс менее 3 мА в составе гермети-
зируемых микромолу.чей монолитной
и калсу ированной конструкции.
Стабилитроны маркируются цвет-
ными точками: 2С133Б — двумя белы-
ми, 2С139Б — двумя черными,
2С147Б — двумя желтыми, 2С156Б —
двумя зелеными, 2С168Б — двумя ю-
лу быми.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при
298 К, = 10 мА:
2С133Б.......... . . 3,3 В
2С139Б.................................. 3,9 В
2С147Б.................................. 4,7 В
2С156Б.................................. 5,6 В
2С168Б.................................. 6,8 В
Разброс напряжения стабилизации при /с, =
= 10 мА:
при 298 К
2С133Б................................ От 3,0 до 3,7 В
516
2С139Б................................ От 3,5 ДО 4,3 В
2С147Б................................ Or 4,1 до 5,2 В
2С156Б................................ От 5,0 до 6,4 В
2С168Б................................ От 6,0 до 7,5 В
при 213 К
2С133Б................................ От 3,0 до 4,1 В
2С139Б................................ От 3.5 до 4,8 В
2С147Б . ............................. От 4.0 до 5,6 В
2С156Б................................ Or 4,6 до 6,7 В
2С168Б................................ 01 5,5 до 7.5 В
прн 398 К
2С133Б................................ От 2.6 до 3,7 В
2С139Б................................ От 3 1 до 4.3 В
2С147Б................................ От 3 7 до 5,5 В
2С156Б................................ От 4,7 до 6,9 В
2С168Б................................ От 6,0 до 8,1 В
Средний температурный коэффициент напря-
жения стабилизации при температуре от
303 до 398 К:
2С133Б, 2С139Б, пс хуже .... — 0.10 %/К
2С147Б............................От -0.08 до +0,02 %/К
2С156Б............................Or -004 до + 0,07%/К
2С168Б, не хуже......................... + 0,07 %/К
Временная нестабильноеib напряжения сгабп
лизании........................................ ± 1 %
Постоянное прямое напряжение при 298 К,
/,,р = 50 мА, не более......................... 1 В
Дифференциальное conpoiивлепие, пс более:
при 298 К, /ст = 3 мА
2С133Б, 2С139Б, 2С147Б................. 180 Ом
2С156Б................................... 160 Ом
2С168Б..................................... 40 Ом
при 298 К, 1С, = 10 мА
2С133Б..................................... 65 Ом
2С139Б.................................... 60 Ом
2С147Б.................................... 56 Ом
2С156Б.................................... 45 Ом
2С168Б.................................... 15 Ом
при 213 и 398 К, /сг = 10 мА
2С133Б, 2С139Б............................. 85 Ом
2С147Б.................................... 80 Ом
2С156Б.................................... 70 Ом
2С168Б.................................... 25 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации..................... 3 мА
Максимальный ток сгаби штанин при температуре:
от 213 до 323 К
2С133Б........................................30 мА
2С139Б......................................26 мА
517
2С147Б.........................................21 мА
2С156Б.........................................18 мА
2С168Б.........................................15 мА
при 398 К
2С133Б...........................................21 мА
2С139Б......................................... 18 мА
2С147Б.........................................15 мА
2С156Б......................................... 12 мА
2С168Б.........................................10 мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 323 К....................................100 мВт
при 398 К........................................70 мВт
Температура окружающей среды:
для стабилитронов в составе микро модулей капсули-
рованной конструкции............................От 213 до
398 К
для стабилитронов в составе микромодулей залитой
конструкции
с предварительной защитой эластичным компаундом От 213 до
398 К
без предварительной защи>ы эластичным компаун-
дом* ...........................................От 213 до
343 К
Температура перехода*......................... . . 398 К
Примечание. При работе в режиме максимально допустимой
мощности необходимо применять теплоотвод для обеспечения усло-
вий теплообмена, соответствующих стабилитронам типов 2СМ133Б,
2СМ139Б, 2СМ147Б, 2СМ156Б, 2СМ168Б.
Зависимость среднего температур-
ного коэффициента напряжения
стабилизации от тока.
Зависимость дифференциально-
го сопротивления ог тока.
518
о ч е и к in Шнл
Зависимость дифференциал ьио-
ю соирошвления о г тока.
Зависимость дифферснциалыю-
ю сопротивления от тока.
2СМ133Б, 2СМ139Б, 2СМ147Б, 2СМ156Б, 2СМ168Б
Стабилитроны кремниевые сплавные с диффузионным экраном
микро.модульные Предназначены для стабилизации напряжения в цепях
постоянного тока при токе не менее 3 мА в составе герметизиру-
емых микромодулей монолитной и капсулированной конструкции.
Выпускаются напаянными па керами 1сскую микромодульную
плату Маркируются цветной точкой на плате около паза 11:
2СМ133Б -красной, 2СМ139Б - черной, 2СМ147Б — желтой,
2СМ156Б — зеленой, 2СМ168Б — голубой.
Масса стабилитрона не более 0,5 г.
519
Элек i рпческие параметры
Напряжение с1абитизации поминальное при
298 К, 7СТ = 10 мА:
2СМ133Б....................... 3,3 В
2СМ139Б....................... 3,9 В
2СМ147Б....................... 4.7 В
2СМ156Б....................... 5,6 В
2СМ168Б....................... 68В
Разброс напряжения соби шзации при 7СТ =
= 10 мА.
прп 298 К
2СМ133Б........................... Оз 3,0 до 3,7 В
2СМ139Б........................... От 3,5 до 4,3 В
2СМ147Б........................... Oi 4,1 до 5,2 В
2СМ156Б........................... От 5,0 до 6,4 В
2СМ168Б........................... Or 6,0 до 7,5 В
при 213 К
2СМ133Б............................ От 3,0 до 4,1 В
2СМ139Б........................... От 3,5 до 4,8 В
2СМ147Б........................... От 4,0 до 5,6 В
2СМ156Б........................... От 4,6 до 6,7 В
2СМ168Б........................... От 5,5 до 7,5 В
при 398 К
2СМ133Б............................ От 2,6 до 3,7 В
2СМ139Б........................... От 3,1 до 4,3 В
2СМ147Б........................... От 3,7 до 5,5 В
2СМ156Б........................... От 4,7 до 6,9 В
2СМ168Б........................... От 6,0 до 8,1 В
Средний температурный коэффициент напря-
жения стабилизации при температуре от
303 до 398 К:
2СМ133Б, 2СМ139Б, нс хуже . . . . -0,10 %/К
2СМ147Б.......................От -0,08 до +0,02%/К
2СМ156Б.......................От -0,04 до +0,07 %/К
2СМ168Б, не хуже...................... +0,07 %/К
520
Временная нестабильное гь напряжения ста-
билизации ................................... ± 1 “ о
Постоянное прямое напряжение при 298 К
4р = 50 мА, не более....................... 1 В
Дифференциальное сопротивление, пс более:
нри 298 К, /ст = 3 мА
2СМ133Б. 2СМ139Б. 2СМ147Б ... 180 Ом
2СМ156Б............................... 160 Ом
2СМ168Б................................ 40 Ом
при 298 К, /сг = 10 мА
2СМ13.3Б................................. 65 Ом
2СМ139Б................................ 60 Ом
2СМ147Б....................*. . 56 Ом
2СМ156Б................................ 45 Ом
2СМ168Б................................ 15 Ом
при 213 и 398 К. /ст — 10 мА
2СМ133Б, 2СМ139Б......................... 85 Ом
2СМ147Б................................ 80 Ом
2СМ156Б................................ 70 Ом
2СМ168Б................................ 25 Ом
Преле, ьные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации..................... 3 мА
Максимальный ток стабилизации прп температуре:
от 213 до 323 К
2СМ133Б........................................30 мА
2СМ139Б.....................................26 мА
2СМ147Б......................................21 мА
2СМ156Б...................................... 18 мА
2СМ168Б...................................... 15 мА
при 398 К
2СМ133Б........................................21 мА
2СМ139Б...................................... 18 мА
2СМ147Б...................................... 15 мА
2СМ156Б...................................... 12 мА
2СМ168Б...................................... 10 мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 323 К..............................100 мВт
при 398 К......................................70 mBi
Температура окружающей среды,
для стабилитронов в составе микромодулей капсу-
лированной конструкции........................От 213 до
398 К
для стабилитронов в сос аве микромодулей залитой
конструкции:
с предварительной защитой эластичным компаундом От 213 до
398 К
без предварительной защиты эластичным компаун-
дом* .......................................От 213 до
343 К
521
Температура перехода *............................. 398 К
Примечание. Зависимости основных параметров от режима
те же что и для стабилитронов 2С133Б — 2С168Б.
2С133В, 2С133Г, КС133Г, КС139Г, 2С147В, 2С147Г,
КС147Г, 2С156В, 2С156Г, КС156Г
Стабилитроны кремниевые диффузионно-сплавные.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип
прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса стабилитрона не более 0,5 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при
/сг = 5 мА
при 298 К
2С133Г, КС133Г................... 3,3 В
КС 139Г............................ 3.9 В
2С147Г, КС147Г................... 4,7 В
2С156Г, КС156Г................... 5,6 В
при 303 К
2С133В.............................. 3.3 В
2С147В..................................... 47В
2С156В............................. 5.6 В
Разброс напряжения стабилизации при /ст =
= 5 мА:
при 298 К
2С133Г...........................
КС133Г...........................
КС139Г...........................
2С147Г, КС147Г...................
2С156Г, КС156Г...................
при 303 К
2С133В...........................
2С147В ..........................
2С156В...........................
при 213 К
2С133В...........................
2С133Г...........................
2С.147В..........................
2С147Г...........................
От 3,0
От 2,95
От 3,5
Ог 4,2
От 5.0
От 3,1
От 4,5
От 5,3
От 3,1
Ог 3.0
Ог 4 5
От 4,2
до 3,6 В
до 3.65 В
до 4,3 В
до 5,2 В
до 6,2 В
до 3,5 В
до 4,9 В
до 5,9 В
до 3,8 В
до 4,0 В
до 5,3 В
до 5,5 В
522
2С156В................................ От 5,0 до 5,9 В
2С156Г................................ Ог 4,7 до 6,2 В
при 398 К
2С133В................................ От 2,8 до 3,5 В
2С133Г................................ От 2,7 до 3,6 В
2С147В................................ От 4,1 до 4,9 В
2С147Г................................ От 3,9 до 5,2 В
2С156В................................ Ог 5,3 до 6,3 В
2С156Г................................ От 5,0 до 6,6 В
Средний температурный коэффициент напр^
жеиия стабилизации прн температуре от
213 до 398 К:
2С133В, 2С133Г....................От -0,10 до -0,02%/К
2С147В, 2С147Г, не хуже........... -0,07 %/К
2С156В, пс более.................. +0,05 %/К
2С156Г, не более.................. +0,07 %/К
Временная нестабильность напряжения стаби-
лизации для 2С133В, 2С133Г, 2С147В,
2С156В, 2С156Г.................................. ±1,5%
Постоянное прямое напряжение при 298 К,
4р= 50 мА для 2С133В, 2С133Г, 2С147В,
2С147Г, 2С156В, 2С156Г, не более . ... 1В
Постоянный обратный ток* при 298 К,
t/o6p = 0,7С'ст псч для 2С133В, 2С133Г,
2С147В, 2С147Г, 2С156В, 2С156Г, не более 300 мкА
Дифференциальное сопротивление, пс более:
прн 298 К, 4т = 1 мА
2С133В, 2С133Г, 2С147В, 2С147Г . . . 680 Ом
2С156В, 2С156Г............................ 470 Ом
при 298 К, 4 г = 5 мА
КС133Г, КС139Г, КС147Г..................... 150 Ом
КС156Г.................................... 100 Ом
при 7СГ = 5 мА и температуре от 213 до
398 К
2С133В, 2С133Г, 2С147В, 2С147Г. . . 150 Ом
2С156В, 2С156Г.................... 100 Ом
Предельные эксплу ат анионные данные
Минимальный ток стабилизации........................... 1 мА
Максимальный ток стабилизации при температуре.
oi 213 до 308 К
2С133В, 2С133Г, КС133Г.........................37,5 мА
КС139Г.......................................... 32 мА
2С147В, 2С147Г, КС147Г..........................26,5 мА
2С156В, 2С156Г, КС156Г.........................22,4 мА
при 398 К
2С133В, 2С133Г................................... 15 мА
2С147В, 2С147Г...................................10 мА
2С156В, 2С156Г................................... 9 мА
523
от 213 до 308 К и р = 665 Па
2С133В, 2С133Г.................................... 18 мА
2С147В, 2С147Г.................................13,2 мА
2С156В 2С156Г ........................11 2 мА
при 398 К и р = 665 Па
2С133В 2С133Г . . . . 7,5 мА
2С147В 2С147Г.................................... 5 мА
2С156В 2С1561 ................................. 4 5 мА
Прямой ток при переходных процессах для 2С133В,
2С133Г, 2С147В 2С147Г, 2С156В, 2С156Г .... 50 мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 308 К..................................125 мВт
при 398 К для 2С133В, 2С133Г, 2С147В, 2С147Г,
2С156В, 2С356Г . . . . .................50 мВт
от 213 до 308 К и р = 665 Па
2С133В 2С133Г, 2С147В, 2С147Г 2CI56B. 2С156Г 63 мВт
при 398 К и р — 665 Па
2С133В, 2С1331. 2С147В, 2С147Г 2С156В, 2С156Г 25 мВт
Температура окружающей среды.........................От 213 до
398 К
Температура перехода* для 2С133В, 2С133Г, 2С147В,
2С147Г, 2С156В, 2С156Г............................... 423 К
Зависимое। ь дифференциально-
го сопротивления от тока.
Зависимость среднего темпера-
турного коэффициента напряже-
ния стабилизации от напря-
жения.
Зависимость среднего темпера-
турною коэффициент напряже-
524
2С147Т-1, 2С147У-1, 2C15IT-1, 2С156Т-1, 2С156У-1
Стабилитроны кремниевые
планарные бескорнусные с гиб-
кими выводами. Тип прибора
и схема соединения электродов
С выводами приводятся на
этикетке.
Масса стабилитрона не
более 0,01 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при
303 К, /_.т = 3 мА:
2С147Т 1, 2С147У-1....................... 4,7 В
2С151Т-1.................................. 5,1 В
2С156Т-1, 2С156У-1....................... 5,6 В
Разброс напряжения стабилизации при /сг =
= 3 мА:
при 303 К
2С147Т-1........................... От 4 4 до 4,9 В
2С147У-1........................... От 4,2 до 5,2 В
2С151Т-1........................... От 4,8 до 5,4 В
2CI56T-1........................... От 5,3 до 5,9 В
2С156У-1........................... От 5,0 до 6.2 В
прн 213 К
2С147Г-1............................. От 4.6 до 5,4 В
2С147У-1........................... От 4.4 до 5,6 В
2С151Т-1........................... От 4,8 до 5,8 В
2С156Т-1........................... От 5,0 до 5,8 В
2С156У-1........................... От 5,6 до 6,0 В
при 3*28 К
2С147Т 1........................... От 3 9 до 4,8 В
2С147У-1........................... От 3,7 до 5 1 В
2С151Т-1........................... От 4.5 до 5,5 В
2C156T-I........................... Ог 5,2 до 6,3 В
2С156У-1........................... От 4,8 до 6,6 В
Средний температурный коэффициент напря-
жения стабилизации прн температуре от
213 до 398 К
2С147Т-1, 2С147У-1, не хуже . . . -0,08 %/К
2С15ГГ-1.............................От -0,06 до 0,03 %/К
2С156Т-1, 2С156У-1...................От -0,04 до 0,06 %/К
Временная нестабильность напряжения стаби-
лизации ........................................ ±1,5%
Постоянный обратный ток* при t/o6p
= 0,76'CT и работе в режиме /сг =
— 14-5 мА, не более............................. 300 мкА
525
Дифференциальное сопротивление, не более:
нри 298 К, /„ = 1 мА......................... 560 Ом
при 213 и 298 К, = 3 мА
2С147Т-1, 2С147У 1....................... 220 Ом
2С151Т 1................................... 180 Ом
2С156Т-1, 2С156У-1......................... 160 Ом
при 398 К /ст = 3 мА
2С147Т-1, 2С147У 1....................... 240 Ом
2С151Т-1 .................................. 220 Ом
2С156Т-1, 2С156У 1....................... 180 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации .... 1 мА
Максимальный ток стабилизации при монта-
же с Л, « 1 K/мВт при температуре:
от 213 до 308 К
2С147Т-1, 2С147У-1...................... 10,6 мА
2С151Т-1................................... 10 мА
2C156T-I, 2С156У-1......................... 9 мА
при 398 К
2C147T-I, 2С147У-1...................... 3,75 мА
2С151Т-1................................. 3,55 мА
2С156Т-1, 2С156У-1...................... 3.15 мА
Рассеиваемая мощность при монтаже с R, <
< 1 К/мВг при температуре.
от 213 до 308 К.............................. 50 мВт
при 398 К.................................... 18 мВт
Тепловое сопротивление общее*, пс более 3 К/мВт
Температура окружающей среды . . . . От 213 до 398 К
Температура перехода ........ 423 К
о г ч s е ю нА
Зависимость амплитуды одно-
разовой нагрузки от длитель-
ности импульса.
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от тока.
526
Зависимое!ь дифференциально-
го сопротивления от тока.
Зависимое гь дифференциально-
го сопротивления от тока.
2С156Ф
Стабилитрон кремниевый планарный.
Выпускается в стеклянном корпусе с
прибора и схема соединения электродов с
корпусе.
Масса стабилитрона не более 0,7 г.
гибкими выводами. Тип
выводами приводятся иа
Электрические параметры
Напряжение стабилизации поминальное при
303 К, 7СТ = 5 мА................................ 5,6 В
Разброс напряжения стабилизации при = 5 мА.
при 303 К.................................... От 5,3 до 5,9 В
при 213 К................................ От 5,0 до 5,9 В
при 398 К ............................... От 5,3 до 6,3 В
Средний температурный коэффициент напря-
жения стабилизации при температуре от
213 до 398 К, не более........................ +0,04 %/К
Временная нестабильность напряжения стаби-
лизации ...................................... ±0,25 %
Уход напряжения стабилизации* за 10 мин
через 5 с после включения при токе
стабилизации от до 3 мА.................. ± 0,03 %
Дифференциальное сопротивление:
при 298 К, /ст = 1 мА....................От 170 до 290 Ом
при 213 и 298 К, /ст = 5 мА, не
более................................ 30 Ом
при 398 К, /ст — 5 мА, ие более . . . 100 Ом
527
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации............ I мА
Максимальный ток стабилизации нри темпера гуре"
ог 213 до 308 К..................... 20 мА
при 398 К........................... 8 мА
от 213 ло 308 К и р = 670 На . . . 10 .мА
нри 398 К и р = 670 Па ... 4 мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 308 К......................... 125 мВт
прн 398 К........................... 50 мВт
оз 213 до 308 К и р 670 Па ... . 62 мВт
прн 398 К и р = 670 Па.............. 25 мВт
Температура окружающей среды................ Ог 213 до 398 К
Темпера гура перехода................... 423 К
Зависимость дифференциально- Зависимость среднего тсмпсратур-
го сопротивления о г тока пого коэфф щиента напряжения ста-
билизации от тока.
2С162Б-1, 2С162В-1
Стабилитроны кремниевые планарные. Предназначены для ста-
билизации напряжения в герметизированной аппаратуре
Бескорпусные с защитным по-
крытием и гибкими выводами. Тип
прибора указывается на этикетке.
Выпускаются в индивидуальной та-
ре. Вывод стабилитрона, подклю-
чаемый в режиме стабилизации к
отрицательному полюсу источника
питания, при расположении тары
выводами вниз со стороны крыш-
ки второй слева.
Масса стабилитрона нс бо-
лее 0,005 г.
528
Электрические параметры
Напряжение стабилизации поминальное при 298 К,
1„ = 3 мА........................................... 6,2 В
Разброс напряжения стабилизации при 298 К, /ст = 3 мА
2С162Б-1............................................ ±5%
2С162В-1...........................................±Ю%
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации нри
температуре от 213 до 358 К. нс более.
2С162Б-1............................................0,06 %/К
2С162В-1 ..................................... 0,006 %/К
Временная нестабильность напряжения стабилизации при
температуре от 293 до 333 К............................ ± 1 %
Дифференциальное сопротивление прн = 3 мА. не более,
при 213 и 298 К
2С162Б-1.............................................. 15 Ом
2С162В-1.........................................25 Ом
при 358 К
2С162Б-1..........................................20 Ом
2С162В-1.........................................33 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный юк стабилизации....................... 1 мА
Максимальный ток стабилизации.....................34 мА
Рассеиваемая мощность.............................21 мВт
Температура окружающей среды ......... От 213 до
358 К
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от тока.
Зависимость среднего температур-
ного коэффициента напряжения ста-
билизации от тока.
529
2С168Х, 2С175Х, 2С182Х, 2С191Х, 2С210Х, 2С2ПХ,
2С212Х
Стабилитроны кремниевые планарные Предн шайены для стаби-
лизации напряжения в герметизированной аппаратуре.
Бескорнусные с жесткими вывозами. Тип прибора и схема
соединения электродов с выводами приводятся па этикетке.
Масса С1абилитропа не более 0,005 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 303 К, /сг = 0,5 мА:
2С168Х.......................... 6,8 В
2С175Х.......................... 7.5 В
2С182Х.......................... 8,2 В
2С191Х.......................... 9 1В
2С210Х.......................... 10 в
2С211Х.......................... Н В
2С212Х.......................... 12 В
Разброс напряжения стабилизации при 7СТ = 0,5 мА:
при 303 К
2С168Х................................ От 6,5 до 7,1 В
2С175Х.............................. От 7,1 до 7,9 В
2С182Х.............................. Ог 7,8 до 8,6 В
2С191Х.............................. Ог 8,6 до 9,6 В
2С210Х.......................... От 9,5 до 10,5 В
2С211Х.......................... От 10,4 до 11,6 В
2С212Х.......................... От 11,4 до 12,6 В
прн 213 К
2С168Х................................ От 6,2 до 7,1 В
2С175Х.............................. От 6,7 до 7,9 В
2С182Х.............................. От 7,2 до 8,6 В
2С191Х.............................. От 8,0 до 9,6 В
2С210Х.......................... От 8,7 до 10,5 В
2С211Х.......................... От 9,5 до 11,6 В
2С212Х..........................От 10,4 до 12,6 В
530
при 398 К
2С168Х................................ От 6,5 до 7,5 В
2С175Х...............................От 7,1 до 84 В
2С182Х.............................. От 7,8 до 9,3 В
2С191Х.............................. От 8,6 до 10,3 В
2С210Х.............................. От 9,5 до 11,4 В
2С211Х.............................. От 10,4 до 12,6 В
2С212Х.............................. Ог 11,4 до 13,8 В
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации при
температуре от 213 до 398 К, не более:
2С168Х................................. 0,050 % К
2С175Х................................. 0.065 %/К
2С182Х................................. 0,075 %/К
2С191Х................................. 0.080 %'К
2С210Х................................. 0,090 % К
2С211Х, 2С212Х......................... 0.095 %/К
Временная нестабильное!ь напряжения ста-
билизации ............................ ± 1,5 %
Дифференциальное сопротив. lenne при /сг = 0,5 мА, не более, при
температуре:
213 и 298 К...................... 200 Ом
при 398 К........................ 300 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации.......... 0,5 мА
Максимальный юк стабилизации при тем-
пературе :
от 213 до 308 К
2С168Х..................................... 3 мА
2С175Х.................................. 2,65 мА
2С182Х.................................. 2,5 мА
2С19 X........................................2,24 мА
2С210Х...................................... 2 мА
2С211Х......................................1 8 мА
2С212Х.........................................1,7 мА
при 398 К
2С168Х..........................................0,95 мА
2С175Х...........................................0,9 мА
2С182Х...........................................0,8 мА
2С191Х..........................................0,71 мА
2С210Х..........................................0,67 мА
2С211Х...........................................0,6 мА
2С212Х..........................................0,56 мА
Рассеиваемая мощность при температуре
от 213 до 308 К-...................................20 мВт
при 398 К..........................................6,6 мВт
Тепловое сопротивление общее*, не более..........3 К/мВт
Температура окружающей среды.........................От 213 до
398 К
Температура перехода максимальная................ 423 К
531
Зависимое! ь амплитуды одно-
разовой нагрузки ог длитель-
ности импульса.
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от тока.
Он
1Z0
100
го
60
чо
Зависимость дифференциально-
го сопротивления о г тока.
Зависимость дифферечцпально-
го сопротивления от тока.
2С175Ж, КС175Ж, 2С182Ж, КС182Ж, 2С191Ж, КС191Ж,
2С210Ж, КС210Ж, 2С211Ж, КС211Ж, 2С212Ж, КС212Ж,
2С213Ж, КС213Ж, 2С215Ж, КС215Ж, 2С216Ж, КС216Ж,
2С218Ж, КС218Ж, 2С220Ж, КС220Ж, 2С222Ж, КС222Ж,
2С224Ж, КС224Ж
Стабилитроны кремниевые планарные.
Стабилитроны выпускаются в стеклянных корпусах с гибкими
выводами КД-2, КД-3, КД-4. У стабилитронов в корпусе КД-4
тип прибора и схема соединения электродов с выводами приво-
532
дятся на корпусе. Стабилитроны в корпусе КД-3 маркируются
цветным кодом, в состав которого входят цвет окраски корпуса
и цвет кольцевой полосы у положительного вывода (анода):
КС175Ж — корпус серый, полоса белая,
КС182Ж — корпус серый, полоса желтая,
КС191Ж — корпус серый, полоса красная,
КС210Ж — корпус серый, полоса зеленая,
КС211Ж — корпус серый, полоса синяя,
КС212Ж — корпус серый, полоса черная,
КС21ЗЖ — корпус серый, полоса голубая.
КС215Ж — корпус черный, полоса белая,
КС216Ж — корпус черный, полоса желтая,
КС218Ж — корпус черный, полоса красная,
КС220Ж — корпус черный, полоса зеленая,
КС222Ж — корпус черный, полоса синяя,
КС224Ж — корпус черный, полоса голубая.
Стабилитроны в корпусе КД-2 маркируются цветным кодом,
в состав которого входят голубая метка у отрицательного вывода
(катода) и цвет кольцевых полос:
2С175Ж — белая у катода,
2С182Ж желтая у катода,
2С191Ж — голубая у катода,
2С210Ж — зеленая у катода,
2С211Ж —синяя у катода.
2С212Ж — оранжевая у катода,
2С21 ЗЖ — черная
2С215Ж — черная
2С216Ж — черная
2С218Ж — черная
2С220Ж — черная
2С222Ж - черная
2С224Ж — черпая
у катода,
у анода и белая у катода,
у анода и желтая у катода,
у анода и голубая у катода
у анода и зеленая у катода,
у анода и синяя у катода,
у анода и оранжевая у катода.
Масса стабилитронов не более 0,3 г.
Корпус КД-2
5Л
28
533
Электрические параметры
Напряжение стабилизации помина ьное при 303 К:
при /сг = 4 мА
2С175Ж, КС175Ж . . 7,5 В
2С182Ж, КС182Ж . . 8,2 В
2С191Ж, КС191Ж . . 9,1 В
2С210Ж, КС210Ж . . 10 В
2С211Ж, КС211Ж И В
2С212Ж, КС212Ж . . 12 В
2С213Ж, КС213Ж . . 13 В
при /С| = 2 мА
2С215Ж, КС215Ж............................. 15 В
2С216Ж, КС216Ж............................ 16 В
2С218Ж, КС218Ж............................ 18 В
2С220Ж, КС220Ж............................ 20 В
2С222Ж, КС222Ж............................ 22 В
2С224Ж, КС224Ж............................ 24 В
Ра брос напряжения стабилизации:
при 303 К, = 4 мА
2С175Ж, 2С182Ж КС175Ж ... Ог 7,1 ... От 7,8 до 7,9 В До 8,7 В
КС182Ж
2С191Ж, КС191Ж .... ... От 8,6 до 9.6 В
2С210Ж ... От 9,5 до 10,5 В
КС210Ж ... От 9 до 11 В
2С211Ж, КС211Ж ... От 10,4 до 11,6 В
2С212Ж . . . От 11,4 до 12,6 В
КС212Ж . . . От 10,8 до 13,2 В
2С213Ж, КС213Ж . ... ... От 12,3 до 13,7 В
при 303 К, 1„ = 2 .мА
2С215Ж . . От 14,2 до 15,8 В
КС215Ж . . . Or 13,5 до 16,5 В
2С216Ж . . . От 15,: ! до 17 В
КС216Ж . . . Ог 15,2 до 16,8 В
2С218Ж . . . От 17 до 19 В
КС218Ж . . . От 16,2 до 19,8 В
2С220Ж КС220Ж . . . От 19 до 21 В
2С222Ж ... От 20,9 до 23,1 В
КС222Ж . . . От 19,8 до 24,2 В
2С224Ж, КС224Ж ... От 22,8 до 25,2 В
при 213 F :, = 4 мА
2С175Ж, КС175Ж . . . От 6,4 до 7,9 В
КС182Ж . . . От 6,8 : до 9 В
2С182Ж . . . От 7,0 до 8,7 В
2С191Ж, КС191Ж . . . От 7,7 до 9,6 В
КС210Ж . . . От 8,2 до 11 В
2С210Ж ........ . . . От 8,5 до 10,5 В
2С211Ж, КС211Ж . . . От 9,3 до 11,6 В
КС212Ж • • • . ... . . . От 9,8 до 13,2 В
534
2С212Ж......................... От 10,3 до 12,6 В
2С213Ж, КС213Ж................. От 11 до 13,7 В
при 213 К, 7СТ = 2 мА
КС215Ж.......................... От 12,2 до 16,5 В
2С215Ж......................... От 12,8 до 15,8 В
КС216Ж......................... От 13,7 до 16,8 В
2С216Ж......................... От 13,7 до 17 В
КС218Ж......................... От 14,7 до 19,8 В
2С218Ж......................... Ог 15,8 до 19 В
2С220Ж, КС220Ж................. Ог 17,2 до 21 В
КС222Ж......................... От 17,8 до 24,2 В
2С222Ж....................... От 18.9 до 23,1 В
2С224Ж, КС224Ж................. От 20,6 до 25,2 В
при 398 К, 7СТ = 4 мА
2С175Ж, КС175Ж.................. От 7,1 до 8.6 В
КС182Ж......................... Ог 7,4 до 9.7 В
2С182Ж......................... От 7,8 до 9.5 В
2С191Ж, КС191Ж................. От 8.6 до 10,4 В
КС210Ж......................... Ог 9 ло 12 В
2С210Ж......................... Ог 9,5 до 11,4 В
2С211Ж, КС211Ж................. От 10,4 до 12,6 В
КС212Ж......................... От 10 8 до 14,4 В
2С212Ж......................... Ог 11,4 до 13,7 В
2С213Ж, КС213Ж................. Oi 12,3 до 14,9 В
при 398 К, /ст = 2 мА
КС215Ж.......................... Oi 13,5 до 18,1 В
2С215Ж......................... От 14.2 до 17.3 В
2С216Ж, КС216Ж................. Ог 15.2 до 18,6 В
КС218Ж......................... От 16,2 до 21,8 В
2С218Ж......................... Ог 17 до 20,8 В
2С220Ж, КС220Ж................. Ог 19 до 23 В
КС222Ж......................... От 19,8 до 26,6 В
2С222Ж........................... От 20.9 до 25,3 В
2С224Ж, КС224Ж................. О г 22,8 до 27,6 В
Средний температурный коэффициент на-
пряжения стабилизации при температуре
от 213 до 398 К, не более:
2С175Ж, КС175Ж................. 0,07 %, К
2С182Ж, КС182Ж................. 0.08 ° К
2С191Ж, КС191Ж, 2С210Ж, КС210Ж 0,09 %/К
2С2II Ж, КС211Ж................ 0,092 °о К
2С212Ж, КС212Ж, 2С213Ж, КС213Ж 0,095 7JK
2С215Ж, КС215Ж, 2С216Ж, КС216Ж,
2С218Ж, КС218Ж, 2С220Ж, КС220Ж,
2С222Ж, КС222Ж 2С224Ж, КС224Ж 0,1 %/К
Временная нестабильность напряжения ста-
билизации .......................... + 1,5 %
Постоянное прямое напряжение при 298 К, /пр = 50 мА
для 2С175Ж, 2С182Ж, 2С191Ж, 2С210Ж, 2С211Ж,
2С212Ж, 2С213Ж, 2С215Ж, 2С216Ж, 2С218Ж, 2С220Ж,
2С222Ж, 2С224Ж, не более...................... 2 В
535
Постоянный обратный юк* при 298 К, 1/оС,р = 0,71/ст иом
для 2С175Ж, 2С182Ж, 2С191Ж, 2С210Ж, 2С211Ж,
2С212Ж, 2С213Ж, 2С215Ж, 2С216Ж, 2С218Ж, 2С220Ж,
2С222Ж, 2С224Ж, не более 20 мкА
Дифференциальное сопротивление, ие более: при 298 К ZCT = 0,5 мА 2С175Ж, 2С182Ж, 2С191Ж, 2С210Ж 2С211Ж, 2С212Ж, 2С213Ж 200 Ом
2С215Ж, 2С216Ж 2С218Ж, 2С220Ж, 2С222Ж, 2С224Ж 300 Ом
при 298 К, /1Т = 4 мА для 2С175Ж КС175Ж, 2С182Ж, КС182Ж, 2С191Ж, КС191Ж, 2С210Ж, КС210Ж, 2С211Ж, КС211Ж, 2С212Ж, КС212Ж, 2С213Ж, КС213Ж 40 Ом
при 298 К, 7„ = 2 мА для 2С215Ж, КС215Ж, 2С216Ж, КС216Ж, 2С218Ж, КС218Ж, 2С220Ж, КС220Ж, 2С222Ж, КС222Ж, 2С224Ж, КС224Ж 70 Ом
при 213 К, /ст = 4 мА для 2С175Ж, КС175Ж 2С182Ж, КС182Ж, 2С191Ж, КС191Ж, 2С210Ж, КС210Ж, 2С211Ж, КС211Ж, 2С212Ж, КС212Ж 2С213Ж КС213Ж 70 Ом
при 213 К, /ст = 2 мА для 2С215Ж, КС215Ж, 2С216Ж, КС216Ж, 2С218Ж, КС218Ж, 2С220Ж КС220Ж 2С222Ж, КС222Ж, 2С224Ж, 1СС224Ж 90 Ом
при 398 К, 7СТ = 4 мА для 2С175Ж, КС175Ж, 2С182Ж, КС182Ж, 2С191Ж, КС191Ж, 2С210Ж, КС210Ж, 2С211Ж, КС211Ж, 2С212Ж, КС212Ж, 2С213Ж, КС213Ж 80 Ом
при 398 К, /ст = 2 мА для 2С215Ж, КС215Ж, 2С216Ж, КС216Ж, 2С218Ж, КС218Ж 2С220Ж, КС220Ж, 2С222Ж. КС222Ж, 2С224Ж, КС224Ж 125 Ом
Спектральная илошость шума в полосе частот oi 20 Гц до 1 МГц при 298 К, Г„ = 0,5 мА дтя 2С175Ж, 2С182Ж, 2С191Ж, 2С210Ж, 2С211Ж, 2С212Ж, 2С213Ж, 2С215Ж, 2С216Ж, 2С218Ж, 2С220Ж, 2С222Ж, 2С224Ж 10 мкВ/ Гц
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный юк стабилизации......................0,5 мА
Максимальный ток стабилизации при температуре
от 213 до 308 К.
2С175Ж КС175Ж............................ 17 мА
2С182Ж, КС182Ж............................ 15 мА
2С191Ж, КС191Ж 14 мА
2С210Ж, КС210Ж............................ 13 мА
2С211Ж, КС211Ж .... . . . 12 мА
2С212Ж КС212Ж........................... 11 мА
2С213Ж, КС213Ж .... . ... 10 мА
2С215Ж, КС215Ж............................8,3 мА
2С216Ж......................................7,8 мА
536
КС216Ж...................................7,3 мА
2С218Ж, КС218Ж...........................6.9 мА
2С220Ж, КС220Ж...........................6.2 мА
2С222Ж, КС222Ж...........................5,7 мА
2С224Ж. КС224Ж...........................5,2 мА
прн 398 К
2С175Ж, КС175Ж........................... 7 мА
2С182Ж. КС182Ж..........................6,4 мА
2С191Ж. КС191Ж..........................5.8 мА
2С210Ж, КС210Ж ...........................\5 мА
2С211Ж. КС211Ж........................4 5 мА
2С212Ж, КС212Ж..........................4.2 мА
2С213Ж, КС213Ж........................... 4 мА
2С215Ж, КС215Ж..........................3,3 мА
2С216Ж, КС216Ж..........................3.1 мА
2С218Ж, КС218Ж..........................2,7 мА
2С230Ж, КС220Ж..........................2.5 мА
2С222Ж КС222Ж..........................2.2 мА
2С224Ж КС224Ж..........................2,1 мА
от 213 до 308 К р - 665 Па
2С175Ж.....................................8 5 мА
2С182Ж...................................7,5 мА
2С191Ж...................................... 7 мА
2С210Ж......................................6.5 мА
2С211Ж...................................... 6 мА
2С212Ж......................................5,5 мА
2С213Ж...................................... 5 мА
2С215Ж......................................4.2 мА
2С216Ж......................................3.9 мА
2С218Ж......................................3,5 м А
2С220Ж......................................3,1 мА
2С222Ж......................................2,9 мА
2С224Ж......................................2,6 мА
при 398 К, р — 665 Па
2С175Ж........................................3,5 мА
2С182Ж......................................3.2 мА
2С191Ж . . . . :............................2.9 мЛ
2С210Ж......................................2.7 мА
2С211Ж......................................2.2 мА
2С212Ж......................................2.1 мА
2С213Ж...................................... 2 мА
2С215Ж......................................1,7 мА
2С216Ж......................................1,6 мА
2С218Ж......................................1,4 мА
2С220Ж......................................1,3 мА
2С222Ж......................................1,1 мА
2С224Ж 1 мА
Прямой ток при переходных процессах для 2С175Ж,
2С182Ж, 2С191Ж, 2С210Ж, 2С211Ж, 2С212Ж, 2С213Ж.
2С215Ж, 2С216Ж, 2С218Ж, 2С220Ж, 2С222Ж, 2С224Ж 50 мА
537
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 308 К.....................................125 мВт
при 398 К........................................50 мВт
от 213 до 308 К при р = 665 Па для 2С175Ж,
2С182Ж, 2С191Ж, 2С210Ж, 2С211Ж, 2С212Ж, 2С213Ж,
2С215Ж, 2С216Ж, 2С218Ж, 2С220Ж, 2С222Ж,
2С224Ж.............................................62 мВт
при 398 К, р = 665 Па для 2С175Ж, 2С182Ж, 2С191Ж,
2С210Ж, 2С211Ж, 2С212Ж, 2С213Ж, 2С215Ж, 2С216Ж,
2С218Ж, 2С220Ж, 2С222Ж, 2С224Ж.....................25 мВт
Температура окружающей среды.........................От 213 до
398 К
Ом
100
ВО
60
40
10
О 1,5 5,0 7,5 10 11,5мА
Ом
100
80
60
40
10
0 2 4 6 8 10 мА
Зона возможных положений за-
висимости дифференциального
сопротивления ог тока.
Зона возможных положений за-
висимое! и дифференциального
сопротивления от юка.
Зона возможных положений за
висимости дифференциального
сопротивления от тока.
Зона возможных положений за-
висимости дифференциального
сопротивления от тока.
538
Ом
Z50
ZOO
150
100
50
О
Зона возможных положений за-
висимости дифференциального
сопротивления or тока.
Зона возможных положений за-
висимости дифференциального
сопротивтения от тока
2С175Ц, 2С182Ц, 2С191Ц,
2С210Ц, 2С211Ц, 2С212Ц
Стабилитроны кремниевые планарные.
Выпускаются в стеклянных корпусах с гибкими выводами КД 2
и КД-4 Тип прибора и схема соединения электродов с выводами
для стабилитронов, выпускаемых в корпусе КД-4, приводятся на
корпусе Стабилитроны в корпусе КД-2 маркируются цветным кодом,
в состав которого входят белая метка па торце корпуса у от-
рицательного вывода (катода): желтая кольцевая полоса у вывела
катода и цвет кольцевой полосы у положительного вывода (анода)
2С175Ц — белый,
2С182Ц — красный,
2С19Щ — голубой,
2С210Ц — зеленый,
2С.211Ц — синий,
2С212Ц — оранжевый
Масса стабилитрона не
более 0,2 г в корпусе КД 2 и
пс более 0,3 г в корпу-
се КД-4.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 303 К, /С1 -0,5 мА.
2С175Ц................................ 7.5 В
2С182Ц................................ 8,2 В
2С191Ц................................. ’J В
2С210Ц.................................. Ю В
2С211Ц.................................. П В
2С212Ц................................. 12 В
539
Разброс напряжения стабилизации при 4г = 0,5 мА.
при 298 К
2С175Ц.............................. Ог 7.1 до 7,9 В
2С182Ц.............................. От 7,8 до 8,6 В
2С19Щ............................... Ог 8,6 до 9.6 В
2С210Ц.............................. О г 9.5 до 10,5 В
2С211Ц............................. От 10.4 до 11.6 В
2С212Ц.............................. От 11,4 до 12,6 В
при 213 К
2С175Ц. ... .............. Ог 6,7 до 7,9 В
2С182Ц.......................... О г 7,2 до 8,6 В
2С191Ц.......................... От 8 до 9,6 В
2С210Ц.............................. От 8,7 до 10,5 В
2С21 Щ.............................. От 9,5 до 11,6 В
2С212Ц.............................. От 10.4 до 12.6 В
при 398 К
2С175Ц............................ От 7,1 до 8,4 В
2С182Ц.......................... От 7,8 до 9,3 В
2С19Щ............................... От 8,6 до 10,3 В
2С210Ц.............................. О г 9,5 до 11,4 В
2С211Ц.............................. Ог 10.4 до 12.6 В
2С212Ц.............................. Ог 11,4 до 13,8 В
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации при
температуре oi 213 до 398 К, не более:
2С175Ц................................ 4 0,065 "'/К
2С182Ц.......................... 4-0,070 К
2С191Ц.......................... 4-0.080 ° „/К
2С210Ц, 2С211Ц, 2С212Ц.......... 4-0,085 °^К
Временная нестабильность напряжения С1абилизаппи ±1,5"'
Постоянное прямое напряжение при 298 К, /11р - 50 мА,
ие более........................................... э В
Постоянный обратный ток при 298 К, 6/„бр =
= °-7Сет.ном, не более...............................5 мкА
Дифференциальное сопротивление, нс более;
нри 298 К, 7СГ = 0,1 мА......................... 820 Ом
при 213 и 298 К, /„ = 0,5 мА................... 200 Ом
при 398 К, /сг = 0,5 мА......................... 300 Ом
Спектральная плотность шума в диапазоне частот oi
20 Гц до 1 МГц прн 298 К, 7СТ = 0,1 мА, не
°-,ее ............................................................. мкВ ф Гц
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации...................0.1 мА
Максимальный ток стабилизации при температуре:
от 213 до 308 К
2С175Ц........................................ 17 мд
2С182Ц...................................... 15 ыА
2С19Щ........................................и мА
2С210Ц.....................................12,5 мЛ
540
2С211Ц......................................11,2 мА
2С212Ц......................................10,6 мА
при 398 К
2С175Ц.........................................6,7 мА
2С182Ц....................................... 6 мА
2С191Ц.......................................5,6 мА
2С210Ц....................................... 5 мА
2С211Ц.......................................4,5 мА
2С212Ц....................................... 4 мА
от 213 ло 308 К
при р = 665 Па
2С175Ц.........................................8,5 мА
2С182Ц.......................................7,5 мА
2С19Щ........................................ 7 мА
2С210Ц.......................................6,2 мА
2С211Ц.......................................5,6 мА
2С212Ц.......................................5,3 мА
при 398 Кир- 665 Па
2С175Ц.........................................3,4 мА
2С182Ц....................................... 3 мА
2С191Ц.......................................2,8 мА
2С210Ц.......................................2.5 мА
2С21Щ........................................2,3 мА
2С212Ц....................................... 2 мА
Прямой гок при переходных процессах длительностью
не Солсе 1с.......................................50 мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
ог 213 до 308 К........................ . . 125 мВт
при 398 К...................................50 мВ г
от 213 до 308 Кир = 665 Па..................63 мВт
при 398 К и р = 665 Па......................25 мВт
Температура окружающей среды....................От 213 до
398 К
Зона возможных положений за-
висимое 1 и дифференциального
сопротивления от тока.
Зона возможных положений за-
висимости дифференциального
сопротивления от тока.
/ ^нанс
2С175Ц
ZC7S1Ц
2С210Ц 2С211 Ц _
2CZ1IU,
I Р
1,2
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
О
W 5 10 3 IO'110 103 105Ла
Зависимость максимальной рас-
сеиваемой мощности от давле-
ния.
2С180А, 2С190А, 2С210А, 2С211А, 2С213А
Стабилитроны кремниевые сплавные с диффузионным экраном
микромодульные бескорпусные. Предназначены для стабилизации на-
пряжения в цепях постоянного тока
при токе не менее 3 мА в составе
герметизированных микромодулей
монолитной и капсулированной
конструкции.
Стабнли троны маркируются
цветной точкой: 2С180А — белой,
2С190А — черной, 2С210А — жел-
той, 2C2I1A зеленой, 2С213А —
голубой.
Масса стабилитрона не бо-
лее 0,03 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 298 К, /сг = 5 мА:
2С180А.......................... 8 В
2С190А.......................... 9 В
2С210А.......................... 10 В
2С211А ..................... ИВ
2С213А.......................... 13 В
Разброс напряжения стабилизации при /„ = 5 мА
при 298 К
2С180А.............................. От 7 до 8,5 Б
2С190А.............................. От 8 до 9,5 В
2С210А.............................. От 9 до 10.5 В
2С211А.............................. От 10 до 12 В
2С213А.............................. От 11,5 до 14 В
при 213 К
2С180А.............................. От 6 до 8,5 В
2С190А.............................. От 7 до 9,5 В
542
2С210А........................... От 8 до 10,5 В
2С211Л........................... От 9 до 12 В
2С213А........................... От 10 до 14 В
при 398 К
2С180А........................... Or 7 до 9,5 В
2С190А........................... От 8 до 10,5 В
2С210А........................... От 9 до 11,5 В
2С211А .......................... От 10 до 13,5 В
2С213А........................... От 11,5 до 15,5 В
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации при
тем пера гуре от 303 до 398 К, нс более:
2С180А........................... +0,07 %/К
2С190А........................... +0,08 "JK
2С210Л........................... +0,09 °, К
2С211А, 2С213А ............ +0,095' „К
Временная нсстаби гьность напряжения стабилизации ±1,5%
Уход напряжения стабилизации* через 10 мин после включения
за последующие 5 мин, не более:
2С180А........................................40 мВ
2С190/Х.......................................45 мВ
2С210А....................................... 50 мВ
2С211А....................................... 55 мВ
2С213А........................................65 мВ
Постоянное прямое напряжение при 298 К, 1пр = 50 мА
не более........................................... 1 В
Дифференциальное сопротив гение, нс более:
при 298 К, /ст = 1 мА
2С180А ... 15 Ом
2С190А........................................22 Ом
2С210А........................................32 Ом
2С211А........................................36 Ом
2С213А........................................44 Ом
при 298 К, /сг = 5 мА
2С180А........................................ 8 Ом
2С190А........................................12 Ом
2С210А....................................... 15 Ом
2С211А....................................... 19 Ом
2С213А........................................22 Ом
при 213 и 398 К, /ст = 5 мА
2С180А . 20 Ом
2С190А . . . . . 25 Ом
2С210А........................... . 30 Ом
2С211А........................................40 Ом
2С213А........................................45 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации . . ................... 3 мА
Максимальный ток стабилизации при температуре:
от 213 до 323 К
2С180А.........................................15 мА
543
2С190Л..........................................13 мА
2С210А...........................................Н мА
2С211А.......................................... Ю мА
2С213А.......................................... 9 мА
при 398 К
2С180А............................................ 8 мА
2С190А.......................................7,5 мА
2С210А.......................................6,5 мА
2С211А.......................................... 6 мА
2С213А.......................................... 5 мА
Рассеиваемая мощность при температуре"
от 213 до 323 К...............................125 мВт
при 398 К.....................................70 мВт
Температура окружающей среды.
для стабилитронов в составе микромодулей капсу-
лированной конструкции........................От 213 до
398 К
д тя стабилитронов в составе микромодулей тали той конструк-
ции :
с предварительной зашитой эластичным ком-
паундом .....................................От 213 ло
398 К
без предвари тельной защиты эластичным ком-
паундом* ....................................От 213 до
343 К
Температура перехода *............................ 398 К
Примечание Прн работе в режиме максимально допустимой
мощности необходимо применять теплоотвод для обеспечения ус-
ловий теплообмена, соответствующих стабилитронам типов 2СМ180А,
2СМ190А 2CVI210A, 2СМ211А. 2СМ213А.
7о/Я
0,040
0,038
0,036
0,034
0,032
0,030
Зависимость среднею температур-
нот о коэффтщисн та напряжения ста-
бичи’ацни от тока.
Зависимост ь дифференциально-
го сопротивления от тока.
544
Зависимое гь днфферетшалыю-
ю сопротивления от тока.
то сопротивления от тока
За висим ос гь дифферепциалыю-
ю coiipoi пв гения от тока
Зависимое п> дифференпиалыю-
1 о сопроз ивления от тока
2СМ180А, 2СМ190А, 2СМ210А, 2СМ211А. 2СМ213А
Стабилитроны кремниевые сплавные с диффузионным экраном
мпкромодутьныс Предназначены для стабилизации напряжения в
пенях постоянного тока при то-
ке не менее 3 мА в составе
Iерметизированных микромоду-
лей монолитной и капсули-
рованной констру кипи.
Выпуска ются напаянными
на керамическую мнкромодуль-
ную плату. Стабилитроны мар-
кируются цветной точкой па
плате около паза 2 : 2СМ180А —
красной, 2СМ190А черной,
2СМ210 - желтой, 2С М211А
зеленой, 2CM2I3A — голубой
Масса стабилитрона пс
более 0,5 1.
545
18 под ред. Н. Н. Горюнова
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 298 К, Zcr = 5 мА:
2СМ180Л................................... 8 В
2СМ190А................................ 9 В
2СМ210А............................... 10 В
2CM2I1A............................... II В
2СМ213А............................... 13 В
Разброс напряжения стабилизации при /ст =
= 5 мА:
при 298 К
2СМ180А......................... Ог 7 до 8,5 В
2СМ190А....................... От 8 до 9,5 В
2СМ210А....................... Ог 9 до 10,5 В
2СМ211А....................... От 10 до 12 В
2СМ213А....................... От 11,5 до 14 В
при 213 К
2СМ180А......................... От 6 до 8,5 В
2СМ190А....................... От 7 до 9,5 В
2СМ210А....................... От 8 до 10,5 В
2CM21IA....................... От 9 до 12,0 В
2СМ213А....................... От 10 до 14 В
при 398 К
2СМ180А......................... От 7 до 9,5 В
2СМ190Л....................... От 8 до 10.5 В
2CM2I0A....................... От 9 до 11,5 В
2СМ211А....................... Ог 10 до 13.5 В
2СМ213А....................... Ог 11,5 до 15,5 В
Средний температурный коэффициент напряжения стабнтнзацни при
температуре от 303 до 398 К, пе более:
2СМ180А....................... + 0,07 %/К
2СМ190А....................... + 0,08 %/К
2СМ210А............................ +0,09 %/К
2СМ211А, 2СМ213А................... 0.095 %'К
Временная нестабильность напряжения стабилизации +1,5 %
Уход напряжения стабилизации* через 10 мин посте включения
за последующие 5 мин, не более.
2СМ180А.....................................40 мВ
2СМ190А.....................................45 мВ
2СМ210А.................................... 50 мВ
2СМ211А.................................... 55 мВ
2СМ213А.................................... 65 мВ
Постоянное прямое напряжение прп 298 К, /пр = 50 мА,
нс более........................................ 1 В
Дифференциальное сопротивление, пс более
при 298 К, /с| 1 мА
2СМ180А.................................... 15 Ом
2СМ190А.....................................22 Ом
2СМ210А.....................................32 Ом
546
2СМ211А......................................36 Ом
2СМ213А......................................44 Ом
при 298 К, /сг = 5 мА:
2СМ180А...................................... 8 Ом
2СМ190А...................................... 12 Ом
2СМ210А...................................... 15 Ом
2СМ211А...................................... 19 Ом
2СМ213А......................................22 Ом
при 213 и 398 К, Л, = 5 мА:
2СМ180А. . . ?...............................20 Ом
2СМ190А......................................25 Ом
2СМ210А......................................30 Ом
2CM2I1A......................................40 Ом
2С3421 ЗА....................................45 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный юк стабичитании....................... 3 мА
Максимальный юк стаби ниацин нри температуре
от 213 до 323 К
2СМ180А..................................... 15 мА
2СМ190А.................................... 13 мА
2СМ210А.................................... 11 мА
2СМ211А.................................... 10 мА
2СМ213А..................................... 9 мА
нри 398 К
2СМ180А...................................... 8 мА
2СМ190А....................................7,5 мА
2СМ21ОЛ....................................6,5 мА
2СМ211А..................................... 6 мА
2СМ213А..................................... 5 мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 323 К................................125 мВт
прн 398 К......................................70 мВт
Температура окружающей среды:
для стабилитронов в составе микро.молу теп капсу
тированной конструкции........................От 213 до
398 К
для слабили тропов в составе микромодулей залп,ой конструкции:
с предварителытои защитой э таентчным ком-
паундом ....................................От 213 до
398 К
без предвари тс тытон зашиты эластичным ком-
паундом* ...................................Ог 213 до
343 К
Температура перехода*.......................... 398 К
Примечание. Зависимости основных параметров от режима
те же, что и для стабилитронов '’С180Л 2С213А
18’
547
2С291А
Стабилитрон кремниевый планарный.
Выпускается и мсталлостсклятшом корпусе с гибкими вывода-
ми. Тин прибора и схема соединения элск1родов с выводами при-
водятся на корпусе.
Масса стабилитрона не более 0.7 г.
Э. тек т рические параме т ры
Напряжение стабилизации номинальное при 298 К,
/С1 1 мА........................................... 91 В
Рагброс напряжения стабилизации при /сг = 1 мА:
при 298 К.....................................От 86 до 96 В
при 213 К......................................От 76 до 96 В
нри 398 К.....................................От 86 до 106 В
Средний температурный коэффициент напряжения
стабилизации при температуре от 213 до 398 К,
нс более........................................... 0,11 °,,/К
Временная нестабильность напряжения стабилизации,
нс более......................................... 1,5%
Постоянный обратный ток* при 298 К, t/cGp
= 0,764, 1ЮЧ, не более......................... 20 мкА
Дифференциальное сопротивление, нс более:
и рн 298 К, Zc, = 1 мА......................... 700 Ом
нри 213 К, 7СТ = 1 мА......................... 1,8 кОм
при 398 К, /С1 = 1 мА........................... 2 кОм
прн 213 К, /ст = 0,5 мА*........................ 3 кОм
при 398 К, = 0,5 мА *....................... 4 кОм
Спектральная плотность шума в полосе частот от
20 Гц до 1 МГц при /С1 = 0.5 мА. не
более...........................................15 мкВД/Гц
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации...........................0 5 мА
Максимальный ток стабилизации нри температуре:
от 213 до 308 К .......................... 2,7 мА
при 398 К........................................1,1 мА
ог 213 до 308 К. при р — 665 Па ................1,3 мА
при 398 К и р = 665 Па..........................0,55 мА
Прямой ток прн переходных процессах ..................50 мА
Рассеиваемая мощность при температуре
от 213 до 308 К ................................ 250 мВт
прн 398 К........................................100 мВт
548
or 213 ло 308 К и /> = 665 Па.....................125 мВт
прн 398 К и р = 665 Па............................ 50 мВ г
Температура окружающей среды........................От 213
до 398 К
Температура перехода................................ 423 К
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от тока.
Зависимость среднего коэф-
фициента напряжения стабили-
зации от тока.
2С433А, КС433А, 2С439А, КС439А, 2С447А, КС447А,
2С456А, КС456А, 2С468А, КС468А
Стабилшроны кремниевые сплавные.
Выпускаются в металлостекляниом корпусе с гибкими вывода-
ми. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами
приводятся на корпусе.
Масса стабилитрона нс более 1 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное
при 298 К'
2С433А при /сг 11ом = 60 мА .... 3,3 В
КС433А прн /СГ'.11ОМ = 30 мА .... 3,3 В
2С439А при /LTJIOM = 51 мА .... 3,9 В
КС439А при /ст.„ом 30 мА .... 3,9 В
549
2С447Л при /СТ111ОМ = 4.3 мА .... 4.7 В
КС447А при /СГ.11ОМ = 30 мА ... . 4.7 В
2С456А при /с|.11нм 36 мА .... 5,6 В
КС456Л при /ст.иом = 30 мА .... 5,6 В
2С468А при /ст„о.., = 29 мА .... 6,8 В
КС468Л при /ст ||ом = 30 мА .... 6,8 В
Разброс напряжения стабилизации при 1С1 -- /ст ,,ом
при 298 К...............................” ±10%
при 213 К
2С433А, КС43.3А.................... Oi 2,97 ло 3,89 В
2С439А. КС439А..................... Ог 3.52 до 4,59 В
2С447А, КС447А..................... От 4 до 5.3 В
2С456А. КС456А..................... От А82 до 6,16 В
2С468А. КС468А..................... От 5,78 до 7,48 В
при 373 К
КС433А............................. От 2,66 до 3.63 В
КС439А............................. 01 3,15 до 4,29 В
КС447А............................. Ог 3,87 до 5,3.3 В
КС456А............................. Oi 5,04 до 6.49 В
КС468А............................. Ог 6,12 до 8 В
при 398 К
2С433А............................. Oi 2 66 до 3,63 В
2С439А............................. О г 3,15 ло 4,29 В
2С447А............................. Oi 3,87 до 5,33 В
2С456А............................. О г 5,04 до 6.49 В
2С468А............................. От 6,12 до 8 В
Средний температурный коэффициент напря-
жения стабилизации в диапазоне рабочих
температур:
2С433А, КС433А, 2С439А, КС439Л, нс
хуже .................................... -0,1 %/К
2С447А, КС447А.....................Ог -0,08 до +0.0.3 %/К
2С456А, КС456Л. не более .... 0.05 %/К
2С468А, КС468А пе более .... 0,065 %/К
Временная нестабильность напряжения
с । абилизации.................................. ±1,5%
Дифференциальное соцротв пение, пс более'
при 298 К, /С1 = /С1 11ОМ
2С433А........................................... 14 Ом
КС433А. КС439А........................... 25 Ом
2С439А..................................... 12 Ом
2С447А, КС456А........................... 10 Ом
КС447А..................................... 18 Ом
2С456А...................................... 7 Ом
2С468А, КС468Л............................ 5 Ом
при 213 К, 7tr /С11|11М
КС433А КС439А........................... 25 Ом
КС447А..................................... 20 Ом
2С433Л..................................... 17 Ом
2С4.39А.................................... 14 Ом
550
1
2С447Л, КС456А................... 12 Ом
2C456A.................................. 8,5 Ом
2С468А, КС468А.......................... 6,5 Ом
при 373 К, /С1 = иоч
КС433А, КС439А............................ 35 Ом
КС447А................................... 30 Ом
КС456А................................... 25 Ом
КС468А................................... 17 Ом
при .>98 К, /сг = /СГ-1|ОМ
2С433А 29 Ом
2С439А................................... 27 Ом
2С447А................................... 24 Ом
2С456А................................... 21 Ом
2С468А................................... 17 Ом
при 298 К, /С1 = 3 мА
2С433А, КС433А, 2С439А, КС439А.
2С447Л, КС447А.......................... 180 Ом
2С456А, КС.456А......................... 145 Ом
2С468А, КС468А........................... 70 Ом
Предельные эЦр|Иуатациониые данные
Миннма 1Ы1ЫЙ ток ciaOiuiinaiuni.................... 3 мА
Максимальный ток С|абили:анн11 при TCMiiepaiуре
от 213 до 308 К
2С433А, КС433А..............................191 мА
2С439Л, КС439А..............................176 мА
2С447А, КС447А..............................159 мА
2С456А, КС456?\.............................139 мА
2С468А, КС468А.............................119 мА
oi 213 до 323 К
КС433А.........................................191 мА
КС439А.......................................176 мА
КС447А.......................................159 мА
КС456Л.......................................139 мА
КС468А.......................................119 мА
прн 373 К
КС433А..........................................60 мА
КС439А........................................51 мА
КС447А........................................43 мА
КС456Л........................................36 мА
КС468А........................................30 мА
при 398 К
2С433А..........................................60 мА
2С439А........................................51 мА
2( 447А.......................................43 мА
2С456А........................................36 мА
2С468А........................................29 мА
Импульсный ток однора-овой перегрузки для двух им-
пульсов с т„ = I с II интервалом между ними 1 мин:
551
при 298 К
2С433А, КС433А.................................. 382 мА
2С439А. КС439А................................ 352 мА
2С447А, КС447А.................................318 мА
2С456А. КС456А................................ 278 мА
2С468А, КС468А................................ 238 мА
Рассеиваемая мощность при исмпсратурс.
от 213 до 308 К для 2С433А, 2С439А. 2С447А.
2С456А, 2С468Л....................................... 1 Вг
от 213 до 323 К для КС433А, КС439А, КС447А.
КС456А, КС468А................................... 1 Вт
при 373 К для КС433А. КС439А. КС447А. КС456А.
КС468А............................................0,2 Вт
при 398 К для 2С433А, 2С439А, 2С447А, 2С456А,
2С468А............................................0,2 В1
Температура окружающей среды:
2С433А, 2С439А, 2С447Л, 2С456А, 2С468А .... От 213
до 398 К
КС433А, КС439А, КС447А, КС456А, КС468Л ... От 213
до 373 К
Температура перехода для 2С433А, 2С439А. 2С447А,
2С456А, 2С468А . ............................... 423 К
Зависимое!ь ухода напряжения
стабилизации от температуры
Завпсимос1ь среднего темпера-
турное коэффициента напряже-
ния стабилизации от гока.
Зависимость дифференциально-
го сопротивления о г тока.
2С482А, КС482А, 2С510А, КС510А, 2С512А, КС512А,
2С515А, КС515А, 2С518А, КС518А, 2С522А, КС522А,
2С524А, 2С527А, КС527А, 2С530А, 2С536А
Стабилитроны кремниевые планарные.
Выпускаются в мсталлостсклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора укатывается на корпусе.
Масса стабилитрона не более 1 г.
Электрические пара.мет ры
Напряжение сгабилнзации номинальное нри
303 К = 5 мА:
2С482А, КС482А .......... 8.2 В
2С510А, КС510А.......................... 10 В
2С512А, КС512А.......................... 12 В
2С515А, КС515А.......................... 15 В
2С518А КС518А........................... 18 В
2С522А, КС522А.......................... 22 В
2С524А.................................. 24 В
2С527А, КС527А.......................... 27 В
2С53ОА.................................. 30 В
2С536А.................................. 36 В
Разброс напряжения стабилизации при /С1 = 5 мА
прн 303 К
2С482А КС482А 2С510А. КС510А, 2С512А,
КС512А, 2С515А, КС515А. 2С518А КС518А,
2С522А, КС522А, 2С527А. КС527А . . . ±10%
2С524А. 2С53ОА, 2С536А.................. +5%
нри 213 К
2С482А, КС482А............................Ог 6 9 до 9 В
2С510А. КС510А............................От 8,2 до 11 В
2С512А, КС512А........................От 9,9 до 13,2 В
2С515А КС515А.........................От 12.3 до 16,5 В
2С518А, КС518А.........................Oi 14,7 до 19.8 В
2С522А, КС522А.........................Ог 17,9 до 24.2 В
2С524А..................................От 20,5 до 25.2 В
2С527А. КС527А........................Oi 22,0 ло 29,7 В
2С530А..................................От 25,8 до 31,5 В
553
2С536А..................................От 30,8 до 37,8 В
при 373 К
КС482Л....................................От 7,4 до 9,7 В
КС510А..................................От 9,0 до 12.0 В
КС512Л.................................От 10.8 до 14,5 В
КС515А.................................От 13,5 до 18,1 В
КС518А.................................Or 16,2 до 21,7 В
КС522А.................................О г 19,8 до 26.6 В
КС527А..................................От 24,3 до 32.6 В
при 398 К
2С482Л.....................................О г 7.4 до 9,7 В
2С510А.................................От 9 до 12 В
2C5I2A..................................От 10,8 до 14,5 В
2С515А..................................От 13,5 до 18.1 В
2С518Л..................................Or 16,2 до 21.7 В
2С522А..................................Or 19,8 до 26.6 В
2С524А..................................Oi 22,8 до 27.9 В
2С527А..................................Oi 24,3 до 32.6 В
2С530А..................................Ог 28,5 до 34.6 В
2С536Л..................................Oi 34 2 до 42.0 В
Средний темпера 1урный коя|>фиШ1СНi напряжения стаей зизании и
диапазоне рабочих температур. не ботее:
2С482Л, КС482А . ................. 0,08 °,/К
2С510Л, KC5I0A. 2С512Л, KC5I2A, 2С515А,
КС515Л. 2С518А. КС518А. 2С522А, КС522А.
2С524А. 2С527А. КС.527А. 2( 53ОА.
2С536А...................................... 0 1 %/К
Временная нестабильность напряжения стабили-
зации ........................................... + 1,5%
Постоянное прямое напряжение нри 298 К,
/|1р = 50 мА, пс более.................... IB
Постоянный обратный ток* прп 298 К, 4„г,р =
= ном Д-зя 2С482А, 2С510А, 2С512А,
2C5I5A, 2С518А, 2С522А. 2С524Л, 2С527А,
2С530Л. 2С536А. не более........................ 20 мкА
Дифференциальное conpoiивтенис. не более:
при 298 К, /С1 - 1 мА
2С482Л, КС482А, 2С51ОА. KC5I0A. 2С512А.
КС512А. 2С515А, KC5I5A. 2С518Л. КС518А.
2С522А. КС522А, 2С524А. 2С.527А. КС527А,
2С530А.................................... 200 Ом
2С.536Л................................... 240 Ом
при 298 К. 4, 5 мА
2С482А. КС482А, 2С510А. KC5I0A, 2C5I2A,
КС512А, 2С515А. КС.515А, 2С518А,
КС518А, 2С522А, КС522А..................... 25 Ом
2С524А..................................... 30 Ом
2С527А КС527А.............................. 40 Ом
2С530Л..................................... 45 Ом
2С536А..................................... 50 Ом
554
при 213 К, /ст = 5 мА
2С482Л, 2С510А, 2C5I2A. 2С515А, 2С518А,
2С522Л. КС482Л, КС510А. КС512А, КС515А,
КС518А, КС522А.......................... 50 Ом
2С524А.................................... 60 Ом
2С527А, КС527А.......................... 80 Ом
2С53ОА.................................... 90 Ом
2С536А.................................... 100 Ом
при 373 К, /ст = 5 мА
КС482А, КС510А, КС512Л, КС515А,
КС518А. КС522А............................ 50 Ом
КС527А.................................... 65 Ом
при 398 К, /С1 = 5 мА
2С482А, 2С510А, 2С512А, 2С515А. 2С518А.
2С522А, 2С524А............................ 50 Ом
2С527А.................................... 65 Ом
2С530А.................................... 70 Ом
2С536А.................................... 75 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации........................ 1 мА
Максимальный ток стабилизации прп температуре:
от 213 до 308 К
2С482А.........................................96 мА
2С510А.........................................79 мА
2С512А.........................................67 Ом
2С515А.........................................53 мА
2С518А.........................................45 мА
2С522А.........................................37 мА
2С524А.........................................33 мА
2С527А.........................................30 мА
2С530А.........................................27 мА
2С536А.........................................23 мА
от 213 до 323 К
КС482А.........................................96 мА
КС510А.........................................79 мА
КС512А.........................................67 мА
КС515А.........................................53 мА
KC5I8A.........................................45 мА
КС522А.........................................37 мА
КС527А.........................................30 мА
прн 373 К
КС482А.........................................20 мА
КС510А........................................ 16 мА
КС512А........................................ 14 мА
КС515А........................................ 11 мА
КС518А......................................... 9 мА
КС522А........................................7,5 мА
КС527А......................................... 6 мА
555
прн 398 К
2C4S2A..........................................20 мА
2С51ОА....................................... 16 мА
2С512А....................................... 14 мА
2C5I5A....................................... 11 мА
2С518А........................................ 9 мА
2С522А.......................................7,5 мА
2С524А........................................ 7 мА
2С527А........................................ 6 мА
2С53ОЛ.......................................5,5 мА
2С536А........................................ 5 мА
от 213 до 308 К при /> = 665 Па
2С482Л......................................... 48 мА
2С510А......................................39.5 мА
2С512А......................................33,5 мА
2С515А......................................26.5 мА
2С518А......................................22,5 мА
2С522А......................................18,5 мА
2С524А......................................16,5 мА
2С527А....................................... 15 мА
2С530А......................................13,5 мА
2С536А......................................11.5 мА
прн 398 К, р = 665 Па
2С482А......................................... 10 мА
2С510А........................................ 8 мА
2С512А........................................ 7 мА
2С515А.......................................5,5 мА
2С518Л.......................................4.5 мА
2С522А.......................................3,8 мА
2С524А.......................................3,5 мА
2С527А........................................ 3 мА
2С530А.......................................2,7 мА
2С536А.......................................2,5 мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 308 К для 2С482А,' 2С510А, 2С512А,
2С515А, 2С518А, 2С522А. 2С527А, 2С530А,
2С536А............................................. 1 Вт
oi 213 до 323 К для КС482А, КС510А.
КС512А. КС515А, КС518А. КС522А, КС527А . . 1 Вт
при 373 К для КС482Л, КС5ЮА. КС512А,
1СС515А, КС518Л, КС522А, КС527А..............0.2 В г
при 39S К для 2С482А, 2С510А, 2С512Л, 2С515А,
2С518А, 2С522А. 2С.524А, 2С527А, 2С530А,
2С536А.......................................0,2 Вт
от 213 до 308 К, прн /> = 665 Па для 2С482А,
2С51ОЛ, 2С512Л, 2С515А, 2С518А, 2С522А, 2С524А,
2С527А, 2С53ОА, 2С536А.......................0,5 Вт
при 398 К, /7 = 665 Па для 2С482А, 2С510А,
2С512А, 2С5ИЛ, 2C5I8A, 2С522А, 2С524А, 2С527А,
2С530А, 2С536Л...............................0,1 Вт
556
Температура окружающей среды:
2С482А, 2С510А, 2С512А. 2С515А, 2С518А, 2С522А,
2С524А, 2С527А, 2С530А, 2С536А..........................Ог 213
до 398 К
КС482А, КС510А, КС512А, КС515А, КС518А,
КС522А, КС527А...................................От 213
до 373 К
Температура перехода* для 2С482А, 2С510А. 2С512А,
2С515А, 2С518А, 2С522А, 2С524А, 2С527А. 2С530А,
2С5.36А............................................... 423 К
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от тока.
Ом
60
50
40
3 0
Z0
10
’’ст 2СЧ82А, 2С510Л
2С518Л, 2C5ZZА
2С524Д,ZC5Z7A ZC530A, ZC536A
Г= 303к
Х/7 4т
КС533А
Стабилитрон кремниевый
диффузионный.
Выпускается в пластмассовом
корпусе с тибкими выводами. Тип
прибора и схема соединения
электродов с выводами приводят-
ся на корпусе.
Масса стабилитрона не бо-
лее 0.3 г.
О 10 10 30 40 50мА
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 298 К
= 10 мА............................................... 33 В
Разброс напряжения ст абилизации при 298 К,
4, = 10 мА............................................От 29.7
ло 36,3 В
Средний температурный коэффициент напряжения стаби-
лизации, не более....................................0,1 °JK
Постоянное прямое напряжение при /пр = 50 мА. пс
более................................................. 1 В
Дифференциальное сопротивление при 298 К, не
более:
при /п = 3 мА........................................100 Ом
при /„ 10 мА.................................... 40 Ом
557
Предельные эксплуатационные чанные
Минимальный ток стабилизации.......................... 3 мА
Максимальный ток стабтт тизаппн при температуре
от 233 до 323 К ..................................... 17 мА
при 358 К........................................ 10 мА
Одноразовая перегрузка по току стабилизации в те-
чение I с.............................................20 мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 233 ло 323 К.................................... 640 мВт
при 358 К....................................... 360 мВт
Температура окружающей среды..........................От 233
до 358 К
2С551А, КС551А, 2С591Л, КС591 2С600А, КС600А
Сгаби пт тропы крем
пневые планарные.
Выпускаются в ме-
тал.чостеклян пом корпу-
се с гибкими выводами.
Тип прибора указывается
на корпусе.
Масса с т абпли т рона
ие более 1 г.
') лектричсские иараме т ры
Напряжение стабилизации номинальное при 298 К.
1„ — 1.5 мА.
2С551А. КС551А................................... 51 В
21591 А. КС591А..................... . 91 В
2С600А. КС600А.............................. 100 В
Разброс напряжения стабилизации при /С1 = 1 5 мА.
прп 303 К
2С55-1А КС551А............................. От 48 до 54 В
558
2С591Л, КС591А...........................Oi 86 до 96 В
2С600А, КС600Л......................... От 95 ло 105 В
прн 213 К
2C55IA .....................От 42 ло 54 В
2C59IA.................................От 76 до 96 В
2С600А.................................О । 84 до 105 В
при 398 К
2С551А....................................От 48 до 61 В
2C59IA.................................От 86 до 107 В
2С600А.................................О г 95 до 117 В
Средний температурный коэффициент напряжения
стабилизации при температуре oi 213 до 398 К
для 2С551А, 2С591А, 2С600А. пс более . . . ±0,12 %/К
Временная нестабильное 1ь напряжения ешбилиза-
пии для 2С551А, 2C59IA. 2С600А............ ±1,5 %
Постоянное прямое напряжение при 298 К, /1|р =
= 50 мА для 2С551А. 2С591А. 2С600А.
не более........................................ IB
Постоянный обратный ток* при 298 К. Со6р =
0,7 Сст,11ом для 2C55IA, 2С591А, 2С600А,
не более.................................... 5 мкА
Дифференциальное сопротивление, пс более:
при 298 К, /сг = 1,5 мА
2С551А, КС551А....................... 200 Ом
2С591А, КС591А........................ 400 Ом
2С600А, КС600Л........................ 450 Ом
прн 213 К. /„=1,5 мА
2С551А.................................. 260 Ом
2C59IA................................. 520 Ом
2С600Л ............................. 600 Ом
при 398 К, /ст= 1,5 мА п 298 К, /„ = 1 мА
2С551Л.................................. 300 Ом
2C59IA................................. 600 Ом
2С6ООЛ................................. 700 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации..................... 1 мА
Максимальный ток стабилизации при температуре от
213 до 308 К
2С551А, KC55IA................................14.6 мА
2С591А, КС591А.............................. 8 8 мА
2С600А. КС600А............................... 8,1 мА
при 398 К
2C55IA..........................................3.4 мА
2С591А........................................1.9 мА
2С600А......................................1.6 мА
от 213 до 308 К, при р = 665 Па
2С551А........................................9,1 мА
2С591А .....................................5,5 мА
559
2С600А.........................................5,0 мА
при 398 К, р — 665 Па
2С551А............................................ 2 мА
2С591А. 2С.600А................................. 1 мА
Постоянный прямой ток.................................50 мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 308 К...................................... 1 Вг
при 398 К для 2С551А. 2С591А, 2С600А .... 0,2 Вт
от 213 до 308 К, при р 665 Па для 2С551А,
2С591А, 2С600А...............................0,62 Вт
при /> = 665 Па. Г = 398 К для 2С551А, 2С591А,
2С600А.......................................0,12 Вт
Температура окружающей среды.......................От 213
до 398 К
Зависимое!ь дифференциально-
го сопротивления от тока.
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от тока.
Зависимоегь дифференциааьно-
ю сопротивления от тока.
КС620А, КС620АП. КС630А, КС630АП, КС650А,
КС650АП, КС680А, КС680АП
Стабилитроны кремниевые сплавные
Выпускаются в металлостскляппом корпусе с жесткими выво-
дами Тип прибора укатывается на корпусе. У стабилитронов, в
обозначении типа которых отсутствует буква П, корпус является
560
отрицательным электродом. У стабилитронов, имеющих в обозначе-
нии буквы П, полярность обратная.
Масса стабилитрона пс более 6 i.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 298 К:
при 4i пом = 50 мА
КС620А, КС620АП.................................. 120 В
КС630А, КС630А11................................ НО В
при 4гпом = 25 мА:
КС650А, КС650АП.................................. 150 В
КС680А, КС680АП................................ 180 В
Разброс напряжения стабилизации прн 298 К, /ст —
= / . -й 15 ‘7
Средний температурный коэффициент напряжения стаби-
лизации при температуре от 213 до 343 К. пс
более .......................................+0,2 %/К
Постоянное прямое напряжение при 298 К, /пр 500 мА,
не бо iee........................................... 1,5 В
Постоянный обрашый юк при 298 К, [7ог,р =
0,7[/ст |1ОМ. не более...............................0,5 мА
Дифференциальное сопротивление, нс более:
при 298 К, /ст = /ст яоч
КС620А, КС620АГ1..................................150 Ом
КС630А, КС630АП.................................180 Ом
КС650А, КС650АП................................ 255 Ом
КС680А, КС680АП................................ 330 Ом
при 213, 298 и 373 К, /С1. = 5 мА
КС620А. KC620A1I.................................1000 Ом
КС630А. КС630АП................................1600 Ом
прп 213, 298 и 373 К. /Ст 2,5 мА
КС650А. КС650АП................................. 2400 Ом
КС680А. КС680ЛП............................... 3000 Ом
Пре тельные эксплуатационные тайные
Минимальный ток стабилизации:
КС620А, КС620АП, КС630А, КС630А11 .... 5 мА
КС650А, КС650АП, КС680А, КС680АП .... 2,5 мА
561
Максимальный ток стабилизации при температуре
корпуса:
ог 213 до 343 К
КС620А, КС620АП...............................42 мА
КС630А КС630АГ1.............................. 38 мА
КС650А, KC650AII..............................33 мА
КС680А, КС68ОАП...............................28 мА
прн 373 К
КС620А. КС620АП................................ 16 мА
КС630А, KC630AII............................. 15 мА
КС650А, КС650АП.............................. 13 мА
КС680А, КС680АП............................... Н мА
Постоянный прямой ток............................... 1 А
Перегрузка по току стабилизации в течение 1 с.
КС620А, КС620АП....................................84 мА
КС630А, КС630АП...............................76 мА
КС650А, КС650АП...............................66 мА
КС680А КС680АП................................56 мА
Рассеиваемая мощность при темпера! уре корпуса:
от 213 ло 343 К .................................... 5 в
при 373 К........................................ 2 В г
Температура корпуса.................................Ог 213
%/«
0,1Ю
0,105
0,100
0,095
0,090
0,085
О 2,5 5,0 1,5 10 12,5мЛ
до 373 К
Зависимость среднего 1емпера-
турпою коэффициента напря-
жения стабилизации ог тока.
2С920А, 2С920АП, 2С930А, 2С930АП, 2С950Л,
2С950АП, 2С980Л, 2С980АП
Стабилитроны кремниевые диффузионные
Выпускаются в мета пост еклянпом корпусе с жесткими вывода-
ми. Тип прибора указывается
на корпусе. У стабилитронов,
в обозначении типа которых
отсутствует буква П корпус
является отрицательным эдект
родом У стабили тронов, имею-
щих в обозначении букву П,
полярность обратная
Масса стабилитрона не
более 6 т.
562
Электрические параметры
Напряжение стабилизации поминальное при 298 К
при 4 ..ом = 50 мА
2С920А. 2C920AII.............................. 120 В
2С93ОА. 2С930АП............................. 130 В
при 4. .„ом - 25 мА
2С950А. 2C950AI1.............................. 150 В
2С980А 2С980А11............................ 180 В
Разброс напряжения сгабн ниацин при 298 К,
4г 4т.ном
2С920А. 2С920АП.........................Or 108 ло 132 В
2С930А. 2С93ОАП..........................Ог 117 до 143 В
2С950А. 2С950АП..........................Or 136 до 164 В
2С980А. 2С980АП..........................От 162 до 198 В
Средний температурный коэффициент напряжения
стабилизации при температуре or 213 до
393 К, ис более.............................. + 0.16 "О/К
Временная нестабильность напряжения стабилиза-
ции, не более....................................... 4 %
Постоянное прямое напряжение при 298 К. 4р
= 500 мА пе более............................ 1,5 В
Постоянное обратное напряжение при 298 К,
4,г,р = 0,2 мА. нс более:
2С920А, 2С920АП.............................. 84 В
2С930А, 2С930АП.............................. 91 В
2С950А. 2С950АП............................. 105 В
2С980А. 2С980АП............................. 126 В
Дифференциальное сопротивление. нс более,
при 298 К. 4, = 4, иоч
2С920А. 2С920АП........................... 100 Ом
2С930А. 2С930АП........................... 120 Ом
2С950А. 2С950АП........................... 170 Ом
2С980А. 2С980АП . .... 220 Ом
при 298 К 4. = 5 мА
2С920А. 2С920АП............................... 500 Ом
2С93ОА, 2С930АП............................. 800 Ом
при 298 К, 4т ~ 2.5 мА
2С950А, 2С950АП.............................. 1200 Ом
2С980А 2С980А11 . ......................... 1500 Ом
при 213 и 393 К. 4. = 5 мА
2С920А. 2С920АП.............................. 1000 Ом
2С930А. 2С930АП............................ 1600 Ом
при 213 и 393 К, 4, =2.5 мА
2С950А 2С950АП............................... 2400 Ом
2С980А 2С980АП............................. 3000 Ом
563
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации:
2С920А. 2С920АП, 2С930.А, 2С930АП................ 5 мА
2С950А, 2С950АП. 2С980А. 2С980АГ1...............2,5 мА
Максимальный ток стабилизации при температуре кор-
пуса :
от 213 до 348 К
2С920А. гСО-’ОАП................................42 мА
2С930А, 2С930АП.................................38 мА
2С950А, 2С950АП.................................33 мА
2С980А, 2С980АП.................................28 м.А
при 403 К
2С920А, 2С920АП................................. 16 мА
2С930А, 2С930АП................................ 15 мА
2С95ОА, 2С950АП................................ 13 мА
2С980А, 2С980АП.............................. 11 мА
Постоянный прямой гок................................ 1 а
Перегрузка по току стабилизации а течение 1 с при
температуре корпуса,
от 213 до 348 К
2С920А, 2С920АП.................................84 мА
2С930А 2С930АП..................................76 мА
2С950А, 2С950АП.................................66 мА
2С980А, 2С980АП.................................56 мА
при 403 К
2С920А, 2С920АП.................................32 мА
2С930А, 2С930АП.................................30 мА
2С950А, 2С950АП.................................26 мА
2С980А, 2С980АП.................................22 мА
Рассеиваемая мощность при температуре корпуса:
от 213 до 348 К...................................... 5 в,
при 403 К........................................ 2 Вг
Температура корпуса максимальная................... 403 К
Температура окружающей среды минимальная .... 213 К
Температура перехода............................... 413 К
«п
0 10 го 30 НО 50мА
564
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от тока.
П.2. СТАБИЛИТРОНЫ ПРЕЦИЗИОННЫЕ
Д818А, Д818Б, Д818В, Д818Г, Д818Д, Д818Е
Стабилитроны кремниевые диффузионно-сплавные прецизионные.
Предназначены для применения в качестве источника опорного
напряжения.
Выпускаются в мсталлосгет явном корпусе с ттибкими вывода-
ми. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами
приводятся на корпусе.
Масса сгабнлитрона не более 1 г.
Электрические парамол ры
Напряжение стабилизации номинальное нри
298 К, /ст = 10 мА.....................
Разброс напряжения стабилизации при 298 К,
/сг = 10 мА:
Д818А, не более..................
Д818Б, ие хуже...................
Д818В............................
Д818Г, Д818Д, Д818Е..............
Средний температурный коэффициент напря-
жения стабилизации при температуре от
213 до 398 К:
Д818А, нс более..................
Д818Б, нс хуже...................
Д818В............................
Д818Г............................
Д818Д............................
Д818Е............................
Температурный уход напряжения стабилиза-
ции при температуре от 213 до 398 К.
Д818А, пс более..................
Д818Б. не хуже...................
Д818В............................
Д818Г............................
Д818Д............................
Д818Е............................
Временная нестабильность напряжения стаби-
лизации:
Д818А............................
9 В
+ 15%
-15%
±10%
±5%
+ 0,020 %/К
0,020 %/К
±0,01 %/К
±0.005 %/К
±0,002 °JK
±0,001 “ К
+ 320 мВ
-320 мВ
+ 160 мВ
±80 мВ
±32 мВ
±16 мВ
±0,11 ”,
565
Д818Б.............................
Д818В, Д818Г. Д818Д, Д818Е . . .
Дифференциальное сопротивление, не более
при 213 и 298 К /ст= 10 мА . . .
при 398 К, /с, = 10 мА..................
I ри 298 К, /С1 = 3 мА .
±0.13"/
±0,12 %
18 Ом
25 Ом
70 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации.......................... 3 мА
Максимальный ток стабилизации при температуре
от 213 до 323 К....................................33 мА
при 398 К.......................................... И мА
Рассеиваемая мощность при температуре.
от 213 до 323 К.................................. 300 мВт
при 398 К.........................................100 мВт
Температура окружающей среды...........................О г 213 до
398 К
Температура перехода................................ 398 К
Зависимость средне! о темпера-
турного коэффициента напряже
пня стабилизации от тока
Зависимость среднего темпе-
ратурною коэффициента па-
нряжения стабилизации от тока.
Зависимость ухода напряжения
стабилизации от тока.
566
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от темпера-
туры.
Зависимость дифференциаль-
но! о сопротивления от тока.
2С164М-1 2С168М-1
Стаби ти।ропы кремниевые
планарные прецизионные. Вред-
на ипчены для применения в
качестве источника опорного
напряжения в герметизирован-
ной annapaiype.
Бескорпуепыс с защитным
покрытием и гибкими выво
дамп. Тип прибора указывается
на индивидуальной таре
Масса стабилитрона ие
более 0,01 г.
Электри ICCKHC параметры
Напряжение ciaoiijmamni поминальное при
298 К. 4, - 1.5 мА:
2С164М-1..........................
2С168М-1..........................
Разброс напряжения счаби.пиацнп при тем
пера гуре от 213 до 398 К, 4, = 1.5 мА'
2С164М-1..........................
2С168М-1..........................
( решай темпераlypiibiii коэффициент напря-
жения стабилизации прн температуре oi
213 до 398 К:
2С164М-1..........................
2С168М 1..........................
Гемпсрагурнып уход напряжения шабилнза-
пип при температуре ог 213 ло 398 К
2С164М-1 . ....................
2С168М 1..........................
6.4 В
6.8 В
Oi 6 до 6.7 В
От ( 4 до 7.1 В
+ 0,005 ° JK
+ 0.01 "JK
+ 60 мВ
+ 120 мВ
567
Временная нестабильность напряжения стаби-
лизации ................................
Дифференциальное сопротивление при /сг =
= 1.5 мА. нс более.
при 213 п 298 К.....................
при 398 К...........................
Спектральная плотность шума при /сг =
= 1,5 мА. нс более......................
±0.5%
12.0 Ом
150 Ом
0,5 мкВД/Гц
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации........................0,5 мА
Максимальный ток стабилизации при Кемпера i уре:
от 213 до 308 К...................................... 3 мА
при 398 К.......................................1,5 мА
Рассеиваемая мощность при температуре'
от 213 до 308 К......................................20 мВт
прн 398 К.........................................10 мВт
Тепловое сопротивление общее*......................1300 К/Вт
Температура окружающей среды.......................От 213 до
398 К
Зависимость дифференциально- Зависимость дифференциально-
го сопротивления от тока. ю сопротивления от тока.
Зависимость Лиффсрспциапыю-
ю сопротивления от частоты.
Зависимость амплитуды одно-
разовой нагрузки oi длитель-
ности импульса
568
2С191М, 2С191Н, 2С191П, 2С191Р, КС191М, КС191Н,
КС<9Ш, КС191Р
Стабилитроны кремниевые эпитаксиальные прецизионные. Пред
назначены для применения в качестве источника опорного напря-
жения.
Выпускаются в металлостекляпном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора и схема сошпнснпя электродов с выводами приво-
дятся на корпусе.
Масса стабилитрона пе более 1 г.
Элек грическне параметры
Напряжение стабилизации поминальное при
298 К, /сг = 10 мА...................
Разброс напряжения стабилизации при 298 К,
/„ = 10 мА...........................
Средний температурный коэффициент напря-
жения стабилизации при температуре:
от 213 до 393 К
2С191М..........................
2С191Н..........................
2С191П..........................
2С191Р..........................
от 213 до 333 К
КС191М..........................
КС191Н..........................
КС191П..........................
КС191Р..........................
Температурный уход напряжения стабилиза-
ции при температуре:
от 213 до 393 К
2С191М-.........................
2С191Н..........................
2С191П..........................
2С191Р..........................
ог 213 ло 333 К
КС191М..........................
KC19IH..........................
КС191П.................
КС191Р..........................
9,1 В
±5%
±0,005 %/К
±0,002 %/К
+ 0,001 %/К
±0,0005 %/К
±0,005 %/К
±0,002 %/К
±0,001 %/К
±0,0005 %/К
±90 мВ
±36 мВ
+ 18 мВ
±9 мВ
±55 мВ
+ 22 мВ
±11 мВ
±6 мВ
569
Временная нестабильность напряжения стаби-
лизации за 5000 ч в установившемся теп-
ловом режиме при 4т = +0,0005 мА для
КС191М, KC19IH, КС191П, КС191Р. . . ±0,5 мВ
Временная нестабильность напряжения стаби
лизании для 2С191М, 2C19IH. 2С191П.
2С191Р:
при /ст = 10 мЛ за 5000 ч н темпера
уре
ог 213 до 333 К................... ±0,5 мВ
от 213 до 398 К................... ±2 мВ
в установившемся тепловом режиме при
41 = ±0,0005 мА, 7’окр=±0,15 К*, не
более
через 2 ч пос те включения
за 1 ч........................... 0,001 %
за 8 ч........................... 0.002%
через 1 ч после включения
за 1 ч........................... 0.002 %
за 8 ч........................... 0,003 %
Дифференциальное сопротивление. не более:
при 298 К, 4, = 10 мА
2С191М, 2С191Н, 2С191П, 2С191Р 15 Ом
КС191М. КС191Н, KC191I1, КС191Р 18 Ом
при 298 К, 4г = 5 мА
2С191М. 2C191II, 2С191П, 2С191Р 30 Ом
КС191М, KCI91H, КС191П, КС191Р 39 Ом
при 213 К, 4т= Ю мА
2С191М, 2С191Н, 2С191П, 2CI91P 15 Ом
КС191М. КС191П, КС191П, КС191Р 18 Ом
прн 398 К, 4Т 10 мА для 2С191М,
2С191Н, 2С191П, 2С191Р..................... 25 Ом
при 373 К, /„=10 мА для КС191.М,
КС191Н, КС19 П, КС191Р..................... 25 Ом
Время выхода па режим *. пс более ... 30 мни
Предельные экенлуаг анионные данные
Минимальный юк стабилизации.......................... 5 м.А
Максимальный гок стабилизации при температуре:
ог 213 до 333 К................................. 15 мА
при 373 К для КС191М. КС191Н. КС191П, КС191Р 10 мА
прн 398 К для 2С191М, 2С191Н 2C191II, 2С191Р 10 мА
в аварийном режиме в течение 1 мин в диапазоне
рабочей температуры..............................20 мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 333 К................................150 мВт
при 373 К для КС191М. КС191Н, КС191П. КС191Р 100 мВт
при 398 К для 2С191М, 2С191Н, 2С191П,
2С191Р..........................................100 мВт
Тепловое сопротивление общее для КС191М, КС191Н,
КС191П, КС191Р, не более............................100 К.'Вг
570
Температура окружающей среды-
2С191М, 2C19IH, 2С191П, 2С191Р..................Ог 213 ло
398 К
КС191М, KCI91H, КС191П КС191Р...................От 213 ло
373 К
Температура перехода-
2С191М, 2С191Н, 2С191П 2C19IP....................... 408 К
КС191М КС191Н, КС191П, КС191Р* . ... 383 К
Зависимое 1ь дифферен-
циального сопротив ГСНИЯ о г
тока.
Зависимость среднего температурно-
го коэффициента напряжения стабн ги-
зации от гока.
2 73 Z43 273 303 333 363 393 ЧОЗ К
Зависимое!ь дифференциаль-
ного сопротивления от тем-
пера гуры.
Зона возможных положений зависи-
мости ухода напряжения стабилизации
от температуры
2С191С, 2С191Г, 2С191У, 2С191Ф, КС191С, КС191Т,
КС191У, КС191Ф
Стабилитроны кремниевые эпитаксиальные прецизионные Пред-
назначены для применения в качестве источника опорного напря-
жения.
571
Выпускаются в мс-
таллостекляшюм корпусе
с гибкими выводами. Тип
прибора и схема соеди-
нения электродов с вы-
водами приводятся на
корпусе. Масса стабили-
трона нс более I г
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при
298 К, /ст = 10 мА....................
Разброс напряжения стабилизации при 298 К,
ZCT = 10 мА...........................
Средний температурный коэффициент нанря
жения стабилизации при leMiieparype:
от 213 до 393 К
2CI91C............................
2С191Т..........................
2С191У..........................
2С191Ф..........................
от 213 до 333 К
КС191С..........................
КС191Т..........................
КС191У..........................
КС191Ф .........................
Температурный уход напряжения стабилиза-
ции прн температуре’
от 213 до 393 К
2C19IC..........................
2С191Т..........................
2С191У..........................
2С191Ф..........................
от 213 до 333 К
КС191С............................
КС191Т..........................
КС191У .........................
КС191Ф .........................
Временная нестабильность напряжения стаби-
лизации нри /с, = 10 мА для 2CI9IC.
2CI91T, 2С191У, 2С191Ф:
за 2 000 ч........................
за 8 ч, не более..................
Временная нестабильность напряжения ста-
билизации за 2000 ч прн Г ±0,2 К,
/ст = +0,005 мА для KCI91C, КС191Т,
КС191У, КС191Ф........................
Дифференциальное сопротивление, нс более:
при 298 К, /сг = 3 мА.................
прн 298 К, /сг = 10 мА............
9.1 В
±5%
±0,005 %/К
+ 0,0025 %/К
+ 0,001 %/К
+ 0,0005 %/К
±0,005 %/К
+ 0,0025 %/К
±0,001 %/К
±0,0005 %/К
+ 90 мВ
+ 45 мВ
+ 18 мВ
+ 9 мВ
+ 56 мВ
+ 28 мВ
+ 11 мВ
±6 мВ
+ 2 мВ
0,005 %
±2 мВ
70 Ом
18 Ом
572
при 213 К, 7С1 = 10 мА..................... 18 Ом
нри 373 К, /С1 = 10 мА для КС191С,
КС191Т, КС191У. КС191Ф..................... 25 Ом
при 398 К, /С1 = 10 мА для 2С191С,
2С191Т, 2С191У, 2С191Ф..................... 25 Ом
Время выхода на режим* с временной ста-
бильностью напряжения стабилизации
0.02% за 2000 ч для 2C19IC, 2CI91T,
2С191У, 2С191Ф.......................... Ог 5 до 20 мин
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации.......................... 3 мА
Максимальный ток стабилизации нри температуре:
ог 213 до 333 К для 2CI91C. 2С191Т. 2С191У,
2С191Ф............................................20 мА
от 213 до 323 К для КС191С. KCI91T. КС191У.
КС191Ф............................................20 мА
при 398 К для 2C19IC, 2С191Т. 2С191У. 2С191Ф 11 мА
при 373 К для KCI91C. КС191Т, КС191У, КС191Ф II мА
Рассеиваемая мощность нри темпера гуре:
от 213 до 333 К для 2C19IC. 2C19IT, 2С191У,
2С191Ф.......................................... 200 мВт
ог 213 до 323 К для KC19IC. КС191Т, КС191У,
КС191Ф.......................................... 200 мВг
при 373 К для КС191С. KC19IT, КС191У КС191Ф 100 мВт
нри 398 К для 2С191С, 2CI91T, 2С191У, 2С191Ф 100 мВт
Температура окружающей среды:
2C19IC, 2С191Т, 2С191У, 2С191Ф....................От 213 до
398 К
КС191С, 2С191Т, 2С191У, 2С191Ф....................От 213 до
373 К
Температура перехода для 2С191С, 2С191Т, 2С191У,
2С191Ф............................................... 408 К
Зависимость дифферепциаль- Зависимость среднего температурного
него сопротивления от тока коэффициента напряжения стабилиза-
ции ог гока.
573
113 143 113 303 333 363 к
Зависимое! ь дифференциаль-
ного сопротивления от тем-
пера |уры.
Зона возможных положений зависи-
мое ти ухода напряжения стабилиза-
ции от температуры.
КС2ПБ, КС211В. КС211Г, КС211Д
Стаби пироны кремниевые
сплавные прецизионные. Пред-
назначены для применения в ка-
честве иеючника опорного на-
пряжения.
Выпускаю гея в пластмассовом
корпусе с гибкими выводами. Тип
прибора и схема соединения элект
родов с выводами приводя 1Ся на
корпусе
Масса стабилитрона не бо-
лее 13 ।.
Э тскгрнчсские параметры
Напряжение стабилизации номинальное при
298 К. Л, = 10 мА....................
Разброс напряжения с iабилизации прн /С| =
= 10 мЛ
при 298 К
КС211Б...........................
КС211В...........................
КС211Г, КС211Д...................
при 213 и 398 К
КС211Б...........................
КС211В...........................
КС211Г, КС211Д...................
II В
Ог 11 до 12,6 В
От 9,3 до 11 В
От 9,9 до 12,1 В
Ог 11 до 13,2 В
От 8 8 до 11 В
Oi 9,35 до 12,65 В
574
Средний температурный коэффициент напря-
жения с 1 абилизации:
КС211Б, не более................. + 0,02 %/К
КС211В. не хуже................. -0.02 °1/К
КС211Г............................ + 0.01 ° „/К
КС211Д............................ ±0,005 ° „/К
Дифференциальное сопротивление нрн 298 К,
не более:
при 4, = 5 мА............................... 30 Ом
нрн /„ = 10 мА.............................. 15 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации.......................... 5 мА
Максимальный ток стабилизации:
от 213 до 298 К...................................33 мА
при 398 К......................................... 8 мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 323 К..................................... 280 мВт
при 398 К.........................................70 мВт
Температура окружающей среды..........................От 213 до
398 К
Зависимость среднего температур-
ного коэффициента напряжения ста-
билизации от тока
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от тока.
КС520В, КС531В, КС547В, КС568В, КС596В
Стабилитроны кремниевые диффузионно-сплавные прецизионные
Прсдпатначены для применения в качестве источников опорного
напряжения.
Выпускаются в пластмассовых корпусах с гибкими выводами.
Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приво-
дятся на корпусе.
Масса стабилитронов КС520В, КС531В. КС547В не более 0.8 г,
КС568В КС596В пс более 1,3 г
575
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное прн
298 К:
при /ст = 5 мА
КС520В............................
КС547В..........................
КС568В..........................
КС596В..........................
нри /ст = 10 мА для КС531В . . . .
Разброс напряжения стабптизации
при 298 К, /ст = 5 мА
КС520В..........................
КС547В..........................
КС568В..........................
КС596В..........................
при 298 К, /„=10 мА для КС531В
при 373 К, /„ = 5 мА
КС520В..........................
КС547В..........................
КС568В..........................
КС596В..........................
при 373 К, /сг = 10 мА для КС531В
Средний температурный коэффициент напря-
жения С1абилизации при температуре от
328 до 373 К-
КС52ОВ, КС547В, КС568В, КС596В
КС531В..........................
Дифференциа (ьное сопротивление прн 298 К,
не более.
при /„ = 3 мА
КС520В..........................
КС531В..........................
КС547В..........................
КС568В..........................
КС596В..........................
при /„ = 5 мА
КС520В..........................
КС547В..........................
КС568В..........................
КС596В..........................
при /„ = 10 мА для КС531В . . . .
20 В
47 В
68 В
96 В
31 В
От 19 до 21 В
От 44,65 до 49,35 В
От 64,6 до 71,4 В
От 91,2 до 100,8 В
О г 29,45 до 32,55 В
Ог 18,8 до 21,2 В
От 44,25 до 49,75 В
От 64,1 до 71,9 В
От 90,4 до 101,5 В
От 29,33 до 32,67 В
±0,001 %/К
±0,005 %/К
210 Ом
350 Ом
490 Ом
700 Ом
980 Ом
120 Ом
280 Ом
400 В
560 Ом
50 Ом
576
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации....................... 3 мА
Максимальный юк сгаб штанин
КС520В.........................................22 мА
КС531В........................................ 15 мА
КС547В, КС568В............................... 10 мА
КС596В......................................... 7 мА
Рассеиваемая мощное!ь при температуре от 218 до
323 К:
КС520В, КС531В, КС547В.......................... 500 мВт
КС568В, КС596В............................... 720 мВт
Температура окружающей среды.......................Ог 218 до
373 К
Ом
625
500
315
250
125
0 2,5 5,0 1,5 10 12,5 мА
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от тока.
Зависимость среднего тсмпсра-
1 урного коэффициента напря-
жения стабилизации от тока.
11.3. СТАБИЛИТРОНЫ ИМПУЛЬСНЫЕ
2С168К-1, 2С175К-1, 2С182К-1, 2С191К-1, 2С210К-1,
2С211К-1, 2С212К-1
Стабили гроны кремниевые
планарные импульсные Пред-
назначены для стабилизации
постоянною и импульсного на-
пряжения и ограничения им-
пульсов на тряжения при токе
нс менее 0,5 мА в герметизи-
рованной аппаратуре.
Бсскорпусныс с защитным
покрытием и гибкими вывода-
ми. Тип прибора указывается
на ярлыке, помещаемом в ин-
дивидуальную тару.
Масса стабилитрона не
более 0,01 г.
577
19 под ред. Н. Н Горюнова
Элек i рические параме! ры
Напряжение стабилизации поминальное при
298 К. /сг = 0,5 мА.
2CI68K-1..........................
2C175K-I..........................
2С182К-1..........................
2CI91K-I..........................
2С210К-1..........................
2С211К-1..........................
2С212К-1..........................
Разброс напряжения стабилизации при 7СГ =
0,5 мА:
прп 298 К
2CI68K-I..........................
2С175К 1..........................
2С182К-1 .........................
2CI91K-I.....................' . .
2C2I0K-I..........................
2C2I1K-I..........................
2C2I2K 1..........................
при 213 К
2CI68K-I..........................
2CI75K-I..........................
2GI82K-I..........................
2C19IK-1..........................
2C2I0K-1..........................
2C21IK-1..........................
2С21-К-1..........................
при 398 К
2CI68K-I..........................
2С175К-1..........................
2C182K-I..........................
2C19IK-1..........................
2C210K-I..........................
2С211К 1..........................
2С212К-1..........................
Средний температурный коэффициент напря-
жения сгабичпзации при температуре от
213 до 398 К, пс более:
2С168К-1..........................
2С175К-1..........................
2С182К-1..........................
2C19IK 1..........................
2C2I0K-1..........................
2С211К-1, 2C212K-I................
Временная нестабильность напряжения ста-
билизации ..............................
Постоянный обратный ток при 298 К, не
более ..................................
6,8 В
7,5 В
8,2 В
9,1 В
10 В
11 В
12 В
О1 6,46 до 7,14 В От 7,13 до 7,88 В От 7,79 до 8,61 В От 8,65 до 9,56 В От 9.5 до 10,5 В
От 10,45 до 11,55 В 12,6 В
Ог 1 1.4 до
От 6.16 ДО 7,14 В
От 6,69 До 7,88 В
От 7,24 до 8.61 В
Ог 8 до 9.56 В
О1 8.7 до 10,5 В
Oi 9.52 Oi 10,38 до 11,55 В до 12,6 В
От 6,46 до 7,49 В
Ог 7,13 до 8.39 В
От 7,79 до 9,25 В
Ог 8 65 до 10,32 В
От 9,5 до 11,44 В
От 10,45 до 12.64 В
От 11,4 до 13,79 В
0,05 %/К
0,065 %/К
0,075 °JK
0,08 %/К
0,09 %/К
0,095 '
±1.5%
50 мкА
578
при обратном напряжении:
для 2С168К-1............................... 4,8 В
2CI75K-1................................... 5,3 В
2C182K-I................................... 5.7 В
2C19IK-I................................... 6.4 В
2C21OK-I..................................... 7 В
2C2HK-I.................................... 7,7 В
2C2I2K-1................................... 8.4 В
Дифференциальное сопротивление при /сг =
0,5 мА, не более
при 213 и 298 К............................ 220 Ом
при 398 К.................................. 300 Ом
Общая емкость прп 6/лПр = 0,1 В, нс более 15 пФ
Предельные ж-cn tyai анионные данные
Минимальный ток стабилизации .... 0,5 мА
Максимальный постоянный ток стабилизации
при земпературе:
от 213 до 308 К
2С 168К-1............................... 2.94 мА
2С175К-1................................ 2,66 мА
2CI82K-1................................ 2,44 мА
2C19IK-1................................. 2,2 мА
2C2I0K-1................................... 2 мА
2C2UK-1.................................. 1.8 мА
2C2I2K-1................................. 1,7 мА
при 398 К
2С168К I................................... 0.88 мА
2CI75K-1................................. 0.8 мА
2CI82K 1................................. 0.73 мА
2CI91K-1................................. 0,66 мА
2С210К-1................................. 0.6 мА
2С2ПК-1, 2С212К-1........................ 0,55 мА
Максимальный импульсный юк стабилизации
при ти < 10 мкс и температуре
оз 213 до 308 К
при Q = 100 .............................. 30 мА
при Q 10.................................. 10 мА
при 398 К
при Q = 100................................ 10 мА
прп Q — 10................................. 5 мА
Рассеиваемая мощность прп температуре
от 213 до 308 К............................. 20 мВт
прп 398 К................................... 66 мВт
от 213 до 308 К и кратковременной
рабозе (до 100 ч)........................... 33 мВт
Тепловое сопротивление общее* .... 3000 К/Вт
Температура окружающей среды .... От 213 до 398 К
19*
579
о 0,5 1,0 1,5 г,о г,5мй
Зависимость импульсного об-
ритого гока от температуры.
Зависимость дифференциа тыю-
го сопротивления от тока.
2С175Е, КС175Е,
2С210Е, КС210Е,
2С182Е, КС182Е,
2С211Е, КС211Е,
2С213Е, КС213Е
2С191Е,
2С212Е,
КС191Е,
КС212Е,
Стабилитроиы кремниевые планарные импульсные Предназна-
чены для применения в схемах стабилизации постоянного и им-
пульсного напряжения и ограничения импульсов напряжения с дли-
тельностью фронта пе менее 5 пс.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами
(2С175Е, 2С182Е, 2С191Е, 2С210Е, 2С211Е, 2С212Е, 2С213Е) и
металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора
и схема соединения электродов с выводами для стабилитронов в
мсталлостсклянном корпусе приводи гея на корпусе. Стабилитроны
в стек Зинном корпусе маркируются цветным кодом, в состав ко-
торою входят зеленая метка на торце корпуса у вывода катода
и цвет кольцевой полосы у вывода
КС175Е — белый,
КС182Е — желтый,
КС191Е - голубой,
КС210Е — зеленый,
КС211Е — синий,
2С212Е орап-
Корпус КД-2
ге
Корпус | Д-6
катода:
2С175Е,
2С182Е,
2С.191Е,
2С210Е,
2С211Е,
2С212Е,
жсвый
2С21 ЗЕ, КС213Г. - черный.
Масса стабилитрон i не
более 0.2 г в стеклянном кор-
пусе и нс бопее 0,7 г в
мет аллостскляииом корпусе.
580
Элек i рические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 303 К, /сг = 5 мА
2С175Е, КС175Е.......................... 7,5 В
2С182Е, КС182Е.......................... 8,2 В
2С191Е, КС191Е.......................... 9,1 В
2С21ОЕ, КС210Е........................... 10 В
2С211Е, КС211Е........................... 11 В
2С212Е, КС212Е........................... 12 В
2С213Е, КС213Е........................... 13 В
Ра брос напряжения стабилизации при /С1 — 5 мА:
при 303 К
2С.175Е................................ От 7,15 до 7,9 В
2С182Е............................... От 7,8 до 8.6 В
2С191Е............................... От 8.6 до 9,5 В
2С210Е............................... От 9,5 до 10,5 В
2С211Е............................... От 10.5 до 11,6 В
2С212Е............................... От 11,4 до 12,6 В
2С213Е............................... От 12,4 до 13,7 В
КС175Е............................... От 7,1 до 7,9 В
КС182Е............................... От 7,4 до 9 В
КС191Е............................... От 8,6 до 9,6 В
КС210Е............................... От 9 до 11 В
КС211Е............................ От 10,4 до 11,6 В
КС212Е............................... Ог 10,8 до 13.2 В
КС213Е............................... Ог 12,3 до 13,7 В
при 213 К
2С175Е................................. От 5,9 до 7,9 В
2С182Е От 6.6 до 86 В
2С191Е............................... От 7,4 до 9 5 В
2С210Е............................... От 8,3 до 10,5 В
2С211Е............................... От 9,2 до 11 6 В
2С212Е............................... От 10,6 до 12,6 В
2С213Е............................... От 11,2 до 13,7 В
при 398 К
2С175Е................................. От 7,15 до 9,2 В
2С182Е............................... От 7,8 до 10 В
2С191Е............................ О г 8,6 до 10,9 В
2С210Е............................ От 9,5 до 11,8 В
2С211Е............................ От 10,5 до 12 9 В
2С212Е............................ От 11,4 до 13,9 В
2С213Е............................... От 12 4 до 15 В
Средний температурный коэффициент напряжения стаби-
лизации в рабочем диапазоне температуры, ие более +0,1 %/К
Временная нестабильность напряжения стабилизации для
2С175Е, 2С182Е, 2С191Е 2С210Е, 2С211Е, 2С212Е,
2С213Е..........................................±1,5%
Постоянное прямое напряжение при 298 К, 1пр = 20 мА
для 2С175Е, 2С182Е, 2С191Е, 2С210Е, 2С211Е, 2С212Е,
2С213Е, нс более................................ 1,5 В
581
Постоянный обратный юк при 298 К поп обратном
напряжении для 20175Е 6 В, 2С182Е 6.5 В, 2С191Е
7 В, 2С210Е 8 В. 20211Е 8,5 В. 2C2I2E 9.5 В,
20'21 ЗЕ. 10 В. не более...........................50 мкА
Дифференциальное сопротивление при /сг = 5 мА, ис более:
при 298 К.......................................... 30 Ом
при 213 К для 2С175Е, 2С182Е, 2CI91E, 2С210Е,
202НЕ. 2С212Е, 2021 ЗЕ.........................30 Ом
при 398 К для 2О175Е, 2С182Е. 2С191Е, 2О2ЮЕ,
20211Е. 20212Е, 2021 ЗЕ........................60 Ом
Общая емкость для 2С175Е, 2С182Е, 2С.191Е 2О2ЮЕ,
2021 IE. 2С212Е, 2О213Е. не ботсс-
прн 1/о6р = 0,1 В.................................. 15 нФ
при Оо6р = 5 В................................. 7 пФ
Время спада переходной характеристики* для 2О175Е,
2С182Е, 2О191Е, 2О2ЮЕ, 2C2I1E, 2O212F. 2О213Е,
не более
при переключении с /1р - 20 мА на предпробой-
пый участок.................................... 0,8 пс
при переключении с 7,.р = 50 мА па предпробойпын
участок........................................ 0.9 пс
прн перс к тюченпп с 7„р = 50 мА па участок ста-
билизации, /г= 15-=- 100 мА.................... 1,4 пс
Предельные эксп.туа'яинюпные данные
Минимальный юк стабилизации........................ 3 мА
Максимальный постоянный ток стабилизации при температуре
от 213 до 308 К
2С175Е.............................................20 мА
2CI82E....................................... 18 .мА
KG175E....................................... 17 мА
2G191E . . . . ............ 16 мА
2С210Е, КС182Е.............................. 15 мА
2C2I1E, KO191F.............................. 14 мА
2С212Е, КС210Е.............................. 13 мА
2С213Е. KC2UE............................... Р мА
КС212Е....................................... П мА
КС213Е....................................... Ю мА
при 398 К
2С175Е........................................ 13 мА
2С182Е....................................... 12 мА
2С191Е....................................... И мА
2О.2ЮЕ....................................... Ю мА
2С211Е....................................... 9 мА
20212Е....................................... 8 мА
2С213Е ........................7,5 мА
Максимальный импульсный ток стабилизации * нри ти <
< 10 мкс, Q 10 -=- 100 при температуре:
ог 213 до 308 К для 2С175Е, 2С182Е, 2С191Е,
2С210Е, 2021 IE, 2О212Е, 2C2I3E.................. 200 мА
582
прн 398 К
2С175Е............................................100 мЛ
2С182Е, 2С191Е..................................90 мА
2G210E, 2C21IE..................................80 мА
2С212Е, 2С213Е..................................70 мА
Постоянный прямой юк...................................20 мА
Рассеиваемая .мощность прн температуре
oi 213 до 308 К:
2С175Е, 2С182Е, 2С191Е, 2C210I;, 2С211Е, 2С212Е.
2C2I3E..........................................150 мВт
KCI75E, КС182Е, КС191Е, KC210L. КС211Е.
КС212Е КС213Е...................................125 мВ
прн 398 К для 2С175Е. 2С182Е, 2CI91E, 2С210Е.
2C2I1E, 2С212Е, 2С213Е............................100 мВт
Темпера!ура окружающей среды...........................От 213 до
398 К
Температура перехода* для 2С175Е, 2CI82E, 2С191Е,
2С210Е. 2С211Е, 2С212Е, 2С213Е....................... 423 К
Зона возможных положений за-
висимости дифференциально! о
сопротивления от тока.
Зависимость импульсного тока
стабилизации от длительности
импульса.
Зависимость амп.пиуды одно-
разовой нагрузки от длитель-
ности импульса.
Л
2, 5
1,0
1,5
1,0
0,5
0 0,25 0,5 0,75 1,0 1,25нс
583
11.4. СТАБИЛИТРОНЫ ДВУХАНОДПЫЕ
2С162А, 2С168В, 2С175А, 2С182А, 2С191А, 2С210Б,
2С211И, 2С212В, 2С213Б, КС162А, КС168В, КС175А,
КО82А, КС191А, КС2ШБ, КС213Б
Стабилитроны кремниевые сплавные двуханодныс Предназначены .
для применения в схемах стабилизации и двухстороппс! о ограни-
чения напряжения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тпп прибора указывается на корпусе.
Масса сталпбитрона не более 0,3 г.
Элек I рические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 298 К
при /сг = 10 мА
2С162А, КС162А............................... 6,2 В
2С168В, КС168В.................................. 68В
прп 4г = 5 мА:
2С175А, КС175А............................... 7,5 В
2С182А, КС182А............................... 8,2 В
2С191А, КС191А............................... 9,1 В
2С210Б, КС210Б............................... 10 В
2С211И....................................... 11 В
2С212В....................................... 12 В
2С213Б, КС213Б.............................. 13 В
Разброс напряжения стабилизации:
прп 298 К, 4, = 10 мА
2С162А.......................................+0,31 В
2С168В.......................................+ 0.34 В
КС162А.......................................+0,40 В
КС168В.......................................+0,50 В
при 298 К, 4г = 5 мА
2С175А.......................................+0.37 В
2С182А.......................................+0,41 В
2С191А.......................................+0,45 В
2С210Б, КС175А...................................±0,5 В
2С211И.......................................+0,55 В
2С212В, КС182А, КС191А...........................^0,6 В
2С213Б.......................................+0,65 В
584
КС210Б.........................................._0,7 В
КС213Б........................................ +0.9 В
при 213 К, /С1 = 10 мА
2С162А........................... Ог 5,66 до 7.13 В
2С168В.......................... Ог 5.94 до 7.73 В
при 213 К 1„ = 5 мА
2С175А........................... Oi 6.55 до 8.54 В
2С182А.......................... От 7,19 до 8,95 В
2С191А.......................... От 7,79 до 9.98 В
2С210Б..........................Ог 8,61 до 10,92 В
20211И..........................Oi 9.34 до 12.06 В
2С212В..........................Ог 10,19 до 13.1 В
2С213Б..........................От 11.1 до 14.24 В
прп 218 К, /сг = 10 мА
КС 162 А........................ От 5,5 до 7.2 В
КС168В.......................... О г 5,8 до 7,9 В
при 218 К, /С1 = 5 мА
КС 175А......................... ОI 6,5 до 8,6 В
КС182А.......................... Ог 6,9 до 9,1 В
КС191А.......................... От 7,7 до 10 1 В
КС210Б.......................... Oi 8,3 до 11.1 В
КС213Б.......................... Oi 10,7 до 14,4 В
прн 373 К, /сг = 10 мА
КС162А........................... От 5,3 до 6,9 В
КС168В . . . •.................. От 5,8 до 7,9 В
при 373 К, /ст = 5 мА
КС175А........................... От 6,4 до 8.6 В
КС182А.......................... От 7,3 до 9,5 В
КС191А.......................... От 8,1 до 10,5 В
КС210Б.......................... От 8,9 до 11,7 В
КС213Б.......................... От 11,6 до 15,4 В
при 398 К, /С1 = 10 мА
2С162А........................... От 5,20 до 6,74 В
2С168В.......................... От 5,8 до 7,8 В
при 398 К, /ст = 5 мА
2С175А........................... От 6,4 до 8,6 В
2С182А.......................... От 7,49 до 9,4 В
2С191А.......................... От 8,25 до 10,7 В
2С210Б.......................... От 9,12 до 11,7 В
2С211И.......................... От 9,98 до 13 В
2C2I2B..........................От 10,94 до 14,2 В
2С213Б..........................Oi 11,91 до 15,5 В
Несимметричное! ь напряжения стабилизации, пе ботее
прн /сг = 10 мА
20162А.....................................0,24 В
КС 162А...................................0,25 В
2С168 В...................................0,26 В
КС168В....................................0,27 В
при /сг = 5 мА
2С175А.....................................0,28 В
585
КС175А......................................... 0,3 В
2С182А.........................................0,31 В
KCI82A.........................................0,33 В
2С191А.........................................0,35 В
KC19IA.........................................0.36 В
2С210Б.........................................0.3S В
КС21ОБ....................................... 0,4 В
2С2ПИ..........................................0.42 В
2C2I2B.........................................0,46 В
2С213Б.........................................0.49 В
КС213Б.........................................0,52 В
Средний темпераlypni.-ii коэффициент напряжения ста-
билизации в рабочем диапазоне температуры:
2С162А, КС162А. не хуже . . ..........0.06 %;К
2С168В, КС168В . . . ................±0.05 % К
2CI75A, КС175А...............................+ 0.04 %/К
2С182А, пе более.............................+0,04 %/К
KC.I82A, не более............................+0.05 %/К
26 191.Л. KC19IA, 2С210Б не более............+0.06 % К
2С211И. КС210Б, не более.....................+0,07 “./К
26 212В, 2С213Б. не ботсе.................... 0,075 %/К
КС 21 ЗБ. не более...........................+ 0.08 %/К
Временная нестабильность напряжения стабилизации:
2CI62A, 2С168В. 2С.175А. 2С182А 7С191А. 2С210Б.
2С2ИИ. 2С212В. 2С213Б........................ + 1 %
KCI62A, КС168В. КС175А. КС182Л. КС191А.
КС210Б, КС213Б....................................+1,5%
Уход напряжения стабилизации после установления теп-
лового равновесия за 5 мин. нс более.
KCI62A...............................................93 мВ
KCI68B..........................................102 мВ
КС175А.........................................112,5 мВ
КС182А..........................................123 мВ
КС191Л.........................................136,5 мВ
КС210Б..........................................150 мВ
КС213Б..........................................195 .мВ
Постоянный обратный ток при 298 К, 1/иСр
= 0,81/„ пс более 2С I62A. КС162А . ... 0,5 м.А
2С168В, КС168В..................................0,4 мА
2С175А, КС175А..................................0,3 мА
2С182А, КС182А..................................0,1 мА
2CI91A. КС191А. 2С212В. 2С213Б. КС213Б . . . . 0,08 мА
2С210Б. КС210Б.................................0.06 мА
2C2111I......................................0.07 мА
Дифференциальное сопротивление, нс более:
при 298 К, 7vt = 10 мА
2С162А. КС 162А.................................35 Ом
2CI683. КС168В..................................28 Ом
при 298 К, /сг = 5 мА
2С175А, КС 175А................................. 16 Ом
586
2С182А. КС182А.............................. 14 Ом
2С191А, КС191А.............................. 18 Ом
2С21ОБ. КС210Б..............................22 Ом
2С211И..........................................23 Ом
’ 2С212В........................................24 Ом
2С213Б, КС213Б..............................25 Ом
нрн 298 К, /сг = 3 мА
2С162А..........................................160 Ом
КС 162А.........................................150 Ом
2С168В, КС168В.................................120 Ом
2С175А, КС175А.................................70 О.м
2С182А. КС182А, 2С191А, КС191А.................30 Ом
2С210Б. КС210Б.................................35 Ом
2С211И.......................................40 Ом
2С212В. 2С213Б, КС213Б.........................45 Ом
при 373 К, /ст — 10 мА
КС162А.......................................60 Ом
КС 168В......................................50 Ом
при 373 К. /С1 = 5 мА
КС175А, КС191А................................ 35 Ом
КС182А..........................................30 Ом
КС210Б..........................................40 Ом
КС213Б..........................................50 Ом
при 398 К, /с, = 10 мА
2С162А . 60 Ом
2С168В..........................................50 Ом
при 398 К. /С1 = 5 мА
2С175А, 2CI91A..............................35 Ом
2С182Л..........................................30 Ом
2С21ОБ, 2C2U1-1............................. 40 Ом
2С212В, КС213Б..............................50 Ом
Общая емкость при Собр = 0. не более:
2С162А.............................................. 690 пФ
2С168В......................................... 620 пФ
2С175А......................................... 540 нФ
2С182А......................................... 480 пФ
2С191А......................................... 420 пФ
2С210Б......................................... 370 пФ
2С211И......................................... 340 нФ
2С212В......................................... 300 пФ
2С213Б......................................... 280 нФ
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации......................... 3 мА
Максимальный постоянный ток стабилизации при тем-
пературе ’
нс более 323 К:
2С162А, КС 162А...................................22 мА
2С168В, КС168В...............................20 мА
587
2С175А, КС175А............................... 18 мА
2С182А, КС182А............................... 17 мА
2С191А, КС191А............................... 15 мА
2С210Б, КС210Б............................... 14 мА
2С211И......................................... 13 мА
2С212В......................................... 12 мА
2С213Б. КС213Б................................ 10 мА
при 373 К:
КС162А........................................... И мА
КС168В......................................... 10 мА
КС175А......................................... 9 мА
КС182А......................................... 8 мА
КС191А, КС2ЮБ............................... 7 мА
КС213Б......................................... 5 мА
при 398 К
2С162А........................................... 11 мА
2С168В......................................... Ю мА
2С175А......................................... 9 мА
2С182А......................................... 8 мА
2С191А, 2С210Б............................... 7 мА
2С211И, 2С212В............................... 6 мА
2С213Б......................................... 5 мА
Эффективное значение синусоидального тока в режиме
двухстороннего ограничения на частоте 50 Гц п прн
темпера гуре:
ог 213 до 323 К
2С162А...........................................22 мА
2С168В.........................................20 мА
2С175А......................................... 18 мА
2С182А........................................ 17 мА
2С191А.........................................15 мА
2С210Б 14 мА
2С211И......................................... 13 мА
2С212В......................................... 12 мА
2С213Б.........................................10 мА
при 398 К
2С162А...........................................11 мА
2С168В...................................... 10 мА
2С175А...................................... 9 мА
2С182А......................................... 8 мА
2С191А 2С210Б............................. 7 мА
2С211И, 2С212В.......................... ... б мА
2С213Б...................................... 5 мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
нс более 323 К...................................150 мВт
при 373 К для КС162А, КС168В, КС175А, КС182А,
КС191А, КС210Б, КС213Б.......................75 мВт
при 398 К для 2С162А, 2С168В, 2С175А, 2С182А,
2С191А, 2С2ЮБ, 2С211И, 2С212В, 2С213Б .... 75 мВт
588
Тепловое сопротивление общее для 2С162А. 2C16SB.
2С175А, 2С182А, 2С191А, 2С210Б, 2C2111I, 2С212В.
2С213Б, не более................................... 340 К В г
Температура окружающей среды:
2С162А, 2С16813. 2С175А, 2С182А, 2С191Л, 2С210Б,
2С211И. 2С212В, 2С213Б...........................От 213 до
398 К
КС162А, КС168В, КС175А, КС182А. КС191А,
КС210Б, КС213Б...................................От 218 до
373 К
Температура перехода для 2С162А. 2С168В, 2С175А.
2С182А, 2С191А, 2С210Б, 2С211И, 2С212В, 2С213Б 423 К
Зависимость среднего темпера-
турного коэффициента напряже-
ния стабилизации от напряже-
ния
Зависимость среднего 1емпсра-
турпого коэффициента напря-
жения стабилизации oi напря-
жения.
Зависимое!ь дифференциально-
го сопротивления от тока.
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от тока.
589
2С170А, КС170А
Стабнлшроиы кремниевые сплавные двуханодпые. Предназначены
для применения в качестве опорного элемента, в схемах стабили-
зации и двухстороннею ограничения напряжения.
Выпускаются в плас i массовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе. Вывод, подключаемый к отри-
цательному полюсу источника питания, обозначается точкой на бо-
ковой поверхности корпуса.
Масса стабнлтрона пе более 0,3 г.
3 зек грические параме! ры
Напряжение стабилизации номинальное при
298 К, /л - 10 мА.............................. 7 В
Разброс напряжения стабилизации при /С1 =
= 10 мА-
при 298 К Or 6,65 до 7,35 В
при 213 и 398 К для 2С170А ... Ог 6,37 до 7,66 В
при 218 и 373 К для КС170А . . От 6,33 до 7. 68 В
Несимметричность напряжения стабилизации при - 10 мА. не
более'
2С170А.................................. 0,27 В
КС170А.................................. 0,28 В
Средний температурный коэффициент на-
пряжения стабилизации в рабочем диапа-
зоне температур........................ + 0 01 %/К
Временная нестабильность напряжения стабилизации
2С170А............................................. +1%
КС170А.........................................±1,5%
Уход напряжения стабилизации после установления теп-
лового равновесия за 5 мин для КС170А не более 105 мВ
Постоянный образный ток прп 298 К, б/оГ,г 5,6 В
не более......................................... 0 04 мА
Дифференциальное сопротивление, не ботее:
при 298 К, /„ = 10 мА
2С170А.......................................... 18 Ом
КС170А........................................ 20 Ом
590
прн 298 К. /„ = 3 мА
2С170А....................................100 Ом
КС170А.......................................90 Ом
при 373 К, /сг = 10 мА для КС170А.............40 Ом
при 398 К, /ст= 10 мА для 2С170А.............35 Ом
Полная емкость при {/обр = 0 для 2С170А, пе более 590 пФ
Предельные зксплуатацнонные данные
Минимальный ток стабилизации....................... 3 мА
Максимальный постоянный ток стабилизации при температуре:
от 213 до 323 К................................. 20 мА
прн 373 К для КС 170 А......................... 10 мА
при 398 К для 2С170А........................... 10 мА
Эффективное значение максимально допустимого синусоидального
тока в режиме двухстороннего ограничения на частоте 50 Гц для
2С170А при температуре:
ог 213 до 323 К....................................20 мА
при 398 К...................................... 10 мА
Рассеиваемая мощность при темпера туре:
от 213 до 323 К....................................150 мВт
при 373 К для КС170А...........................75 мВт
прп 398 К для 2С170А..............................75 мВт
1 силовое сопротивление общее для 2С170А, не
более ............................................. 340 К/Вг
Температура окружающей среды:
2С170А ..................................От 213 до
398 К
КС170А.......................................От 218 до
373 К
Температура перехода для 2С170А.................... 423 К
11.5. СТАБИСТОРЫ
Д219С, Д220С, Д223С
Стабисторы кремниевые микросп.тавпыс Предназначены для ста-
билизации постоянного и импульсного напряжения и ограничения
импульсов напряжения.
Выпускаются в мста.тлостсклянпо.м корпусе с тибкпми выводами.
Тип прибора п схема соединения электродов с выводами приво-
дятся на корпусе.
Масса стабистора нс более 0,5 г.
591
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение:
при /ст = 1 мА, не менее
при 298 К
Д219С.........................................0,57 В
Д220С, Д223С..................................0,59 В
при 213К........................................ 0,7 В
при 393 К
Д219С...........................................0,35 В
Д220С, Д223С..................................0,36 В
при 7СГ = 50 мА, не более
при 298 К
Д219С, Д223С.................................. IB
Д220С....................................... 1,5 В
при 213 К
Д219С, Д223С.................................. 1,3 В
Д220С.........................................1,75 В
при 393 К
Д219С, Д223С.................................. 1,1 В
Д220С......................................... 1,9 В
Пре тельные эксплуатационные данные
Постоянный или средний прямой ток нри температуре:
от 213 до 298 К..................................50 мА
при 393 К.....................................20 мА
Импульсный прямой ток нри ти < 10 мкс............. 500 мА
Однократный импульс прямого тока при 298 К,
ти = 0,5 с (аварийная перегрузка)................. 200 мА
Температура окружающей среды......................От 213 до
393 К
2С107А, КС107А
Стабисторы кремниевые сплавные. Предназначены для работы
в стабилизаторах напряжения и
в качестве термокомпенсирующих
элементов.
Выпускаются в металлостек-
лянном корпусе с гибкими вы-
водами Тип прибора указывается
на корпусе.
Масса стабистора не бо-
лее 1 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при
298 К, Г„ = 10 мА.......................
Разброс напряжения стабилизации:
при 298 К, Г„ = 10 мА...................
при 298 К, I„ = 1 мА для 2С107А
0,7 В
±Ю%
От 0,57 до 0,73 В
592
при 213 К, Icr = 10 мЛ для 2С107Л От 0,63 до 1,05 В
при 398 К, 1„ = 10 мА для 2С107А От 0,41 до 0,77 В
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации при
температуре:
ог 303 до 398 К
2С107А, не хуже............................ -0,34 %/К
КС 107А не хуже......................... -0,3 %/К
от 213 до 398 К для 2С107А . . .От -0,45 до -0,1 %/К
Временная нестабильность напряжения ста-
билизации для 2С107А............................. ±3,2%
Пост оянный обратный ток * при 323 К, L'oCp = 1 В для
2С107А, не более.....................................1,5 мкА
Дифференциальное сопротивление при /сг = 10 мА, нс более:
при 213 и 298 К для 2С107А........................ 7 Ом
при 398 К для 2С107А.............................11 Ом
при 298 К, /ст = 1 мА д 1я 2CI07A................50 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Мипима пятый ток стабилизации......................... 1 мА
Максимальный постоянный ток стабилизации.
2С107А...........................................120 мА
КС 107А..........................................100 мА
Импульсный прямой ток прн /прср < 50 мА, времени усред-
нения 1с............................................ 500 мА
Однократный импульс прямого тока при 298 К,
ти С 0,5 с (аварийная перегрузка)..................... 1 А
Постоянное обратное напряжение при переходных про-
цессах для 2С107А..................................... 1 В
Рассеиваемая мощность для 2С107А.....................125 мВт
Тепловое сопротивление общее * . . . .... 300 К Вт
Температура окружающей среды..........................От 213 до
398 К
Температура перехода* 2С107А........................ 398 К
го сопротивления от тока. турного коэффициента напряже-
ния от тока.
593
2С113А, КС113А, 2С119А, КС119Л
Стабисторы кремниевые диффузионно-сплавные. Предназначены
для работы в стабилизаторах напряжения и в качестве термоком-
пспсируютих элементов.
Выпускаются в ме i ал лостек-
ляпном корпусе с гибкими вы-
водами. Тип прибора указывается
иа корпусе.
Масса стабистора нс бо-
лее 1 г.
Э.|ек грические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при
298 К, /с = 10 мА
2С113А, КС113А.............................. 1.3 В
2С119А, КС119А.......................... 1,9 В
Разброс напряжения стабилизации при /с =
= 10 мА:
при 298 К................................... ±10°'
при 213 К
2С113А........................... От 1.17 до 1,8 В
2С119А............................. Oi 1,71 до 2,6 В
при 398 К
2С113А............................... От 0.72 до 1 43 В
2С119А............................. От 1.16 то 2.09 В
Средний температурный коэффициент па
пряжения стабилизации при температуре,
от 213 до 398 К
2С113А, 2С119А......................От 0,42 до 0,2 К
КС И ЗА, пс .хуже....................... 0,3 "„/К
КС119А, пс хуже........................ -0,4 К
от 323 до 398 К
2C1I3A..............................Oi 0.42 то 0.31 °. К
2С119А..............................От 0,42 до 0,3 % К
Временная нестабильность напряжения cia-
бичизацпп для 2С113А, 2С119А . . . . ±3,5%
Постоянный обратный ток* при 298 К,
бобр = । В для 2С113А, 2С119А, нс
более....................................... 0.1 мкА
Дифференциальное сопротивление не более:
нрн 298 К, 4r 1 мА
2С113А................................... 80 Ом
2С119А........................... 130 Ом
при 298 К, / т 10 мА
2С113А, КСИ ЗА.......................... 12 Ом
2C1I9A, КС119А.......................... 15 О.м
при 213 К, /„ 10 мА
2С113А................................... 12 Ом
2С119А................................... 15 Ом
594
при 398 К,
2С113А
2С119А
/ст = 10 мА
18 Ом
25 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный юк стабилизации....................... 1 мА
Максимальный постоянный ток стабилизации............100 мА
Импульсный прямой ток при /прср < 50 мА, т„ С 100 мкс
для 2С113А. 2С119А, КС119А......................... 200 мА
Постоянное обратное напряжение при переходных про-
цессах для 2011 ЗА, 2CI19A........................ IB
Рассснпасмая мощность
2С113А..........................................180 мВт
2С119А......................................... 260 мВ 1
Температура окружающей среды.........................От 213 до
398 К
Температура перехода* 2С113А, 2С119А............... 398 К
Зависимость дифференциально
ю сопротивления от тока.
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от тока.
Зависимость среднего темпе-
ратурного коэффициента на-
пряжения стабилизации от тока.
Зависимость напряжения стаби-
лизации от температуры.
595
Часть третья
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ТИРИСТОРОВ
Раздел двенадцатый
ТИРИСТОРЫ
Д235А, Д235Б, Д235В, Д235Г
Тиристоры кремниевые диффузионно-сплавные р-п-р-п фиодныс
нсзапираемые. Предназначены для работы в качестве ключей срод-
нен МОЩИОС1И.
Выпускаются в мсгаллостекчянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса тиристора не более 16 г.
Э тектрические параметры
Напряжение в открытом состоянии при 1О1Кр = 2 А,
А.ог = 50 мА, не более:
прп 298 К......................................... 2 В
при 213 К....................................... 2.5 В
Импульсное отпирающее напряжение на управляющем
электроде прп 6/прлкр = 10 В, Т= 213 К, не более ... 5 В
Ток в закрытом состоянии прп максимальном напря-
жении, нс более:
при 298 п 213 К................................. 2 мА
при 373 К....................................... 3 мА
Постоянный отпирающий ток управляющего электрода
прп б,1|р.ЗКр= 10 В, не более:
при 298 К .’.....................................30 мА
прп 213 К.......................................50 мА
Импульсный отпирающий ток управляющего электрода
Нри С^,р ЗКр : 10В..
прп 213 К, ис бо «ее............................... 250 мА
596
прн 373 К. пс менее...........................0.5 мА
Обрэ ный ток нри .максимальном напряжении, нс более:
при 298 и 213 К............................. 2 мА
при 373 К..................................... 3 мА
Время включения по управляющему электроду при
^'пр.зкр = 25 В. /ОТКр 2 А, ^у.от.н = Ю мА, Тфд = 0.3 мкс,
/у = 50 100 Гц, т„ = 15 мкс, не более........... 5 мкс
Время включения при /О1КП = 2 А. длительности про-
текания прямого тока 50 мкс, частоте следования
импульсов отпирающего тока 50—100 Гн, амплитуде
контрольно! о импульса 25 В, скорости ’ нарастания
контрольного импульса 5 В/мкс, длительности спада
основного тока 0,2 -0,4 мкс, сопротивлении ограни-
чительного резистора 15 Ом, полном сопротивлении
цепи управления не более 30 Ом. не более .... 35 мкс
Предельные эксилуаВиноипыс данные
Постоянное обрашое напряжение на управляющем элек-
троде ........................................... 1 В
Посюяннос прямое напряжение в закрытом состоянии:
прп 298 К
Д235А, Д235В................................ 50 В
Д235Б, Д235Г................................ 100 В
при 213 и 273 К
Д235А, Д235В................................ 40 В
Д235Б, Д235Г................................ 80 В
Постоянное обрашое напряжение:
прн 298 К
Д235В....................................... 50 В
Д235Г....................................... 100 В
при 213 и 373 К
Д235В....................................... 40 В
Д235Г....................................... 80 В
Постоянный гок в открытом состоянии при температуре
корпуса от 213 до 343 К.......................... 2А
Импульсный ток в открытом состоянии при среднем
токе до 1 А и длительности импульса до 10 мс . . . . 10 А
Импульсный гок в открытом состоянии при единичных
импульсах длительностью до 50 мкс.............. 60 А
Постоянный прямой ток управляющего электрода при
температуре корпуса от 213 до 373 К............150 мА
Импульсный прямой ток управляющего электрода прн
длительное!и импульса 50 мкс, температуре корпуса
от 213 до 373 К.................................. 350 мА
Средняя рассеиваемая мощность при температуре кор-
пуса от 213 до 343 К........................... 4 Вг
Темпера!ура корпуса .............................От 213
до 343 К
Примечания: 1. Максимально допустимый постоянный ток,
А, в открытом состоянии при температуре корпуса от 343 до
597
373 К определяется но формуле
_ 375 - 7К
'игкр.макс .,
1О
2. Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность,
Вт. при температуре корпуса от 343 до 373 К определяется по
формуле
» 37э - 7К
J ср. макс '* «
о
3. Для повышения надежности тиристоров рекомендуется шун-
тирование цепи управления резистором сопротивлением 51 Ом.
4. Подача па управляющий электрод постоянного обратного
напряжения выше 1 В запрещается.
Зависимость ттмтту чьспот о отпи-
рающею тока управляющего
электрода от длительности от-
iiiipaioHici о ттмиу тьса
Зависимость импульсного от-
пирающего напряжения па уп
равляющем электроде от дли-
тельности отпирающего им-
пульса.
Зависимость импульсного отпи-
рающего тока управляющего
электрода от температуры.
Зависимость импульсного отпи-
рающего напряжения на управ-
ляющем электроде от темпера-
туры.
598
Зависимость прямого напряже-
ния от времени.
t ?,вк/1,т Д235(Д-Г)
т=зчз я
29J Х\
’'L лр ' У,ОТ, И 5В
I fBOi чЛ
* ,= 5нкс т _ 1откр,Т 1 1
О 5 10 15 го Z5 й
Зависимое гъ времени выключе-
Зависимость времени включения
по управляющему элск1ро.ту oi
Зависимость времени выклоче-
Завиенмость импульсного на-
пряжения в открытом состоя-
нии от тока.
Завпсимость времени задержки
по управляющему электроду от
импульсного отпирающего тока
управляющего электрода
2Н102А, 2Н102Б, 2Н102В, 2Н102Г, 2Н102Д,
2Н102Е, 2Н102Ж, 2Н102И, КН102А, КН102Б,
КН102В, КН102Г, КН!02Д, КН102Ж, КН102И
Тиристоры кремниевые диффузионные р-н-р-п диодные. Предна-
значены для работы в импульсных устройствах в качестве комму-
тирующих элементов.
Выпускаются в мега постсклянном корпусе с гибкими выводами.
Масса тиристора не более 2 г.
Элек । рнческне параметры
Минимальный юк в открытом состоянии
при 213 К......................................... 15 мА
прн 373 К.....................................0,1 мА
Напряжение в открытом состоянии при /О1кр = 200 мА,
поболее........................................ 1.5 В
Время выключения при максимальном напряжении, /о ,кр и =
1 А, т„ = 10 мкс, не более.........................40 мкс
Общая емкость прн 1/^=0 В f 1 + 10 МГц. пе
более..............................................КО пФ
Ток в закрытом состоянии при максимальном напря-
жении, не более
при 298 К..........................................S0 мкА
при 373 К.....................................150 мкА
Обратный ток при t/oCp = 10 В, не более...........0,5 мА
Пре тельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии:
2Н102А, K1I102A................................. 5 В
2Н102Б, КН102Б.................................. 7 В
2Н102В КН102В.................................. 10 В
2Н102Г, КН 1021................................ 14 В
600
2Н102Д, КН102Д.................................. 20 В
2Н102Е. 2Н102Ж, КН102Ж........................ 30 В
2111О2И. КН102И................................. 50 В
Импульсное от пирающее напряжение прп < 500 Ом,
длите тытости фронта пс более 0.6 мкс, т„ > 2 мкс.
2И102А, КН102Л........................................ 20 В
2.Н1О2Б. КН102Б................................. 28 В
2Н102В. КН 102В................................. 40 В
2Н102Г, КН102Г.................................. 56 В
211102Д, КН102Д................................. so В
2I1I02E........................................ 75 В
2111О2Ж, КН102Ж................................ 120 В
2Н102И, КН102И................................. 150 В
Импульсное Hconmpaioiiicc напряжение при /<, = 500 Ом,
тФр > 0,6 мкс, т„ < 2 мкс:
2Н102А, KII102A.................................. 2 В
2Н102Б, КН102Б................................ ЗВ
2Н102В KII102B................................ 4 В
2Н102Г, КН102Г................................ 6 В
2Н102Д, КН102Д................................ 8 В
2II102E........................................ 7,5 В
2Н102Ж, КН102Ж.................................. 12 В
2Н102И, КН102И.................................. 15 В
Постоянное обратное напряжение........................ 10 В
Средний ток в открытом состоянии.................. 200 мА
Импульсный ток в открытом состоянии
при т„ < 10 мс......................................... 2 А
при т„ < 10 мкс................................... 10 А
Температура корпуса:
2Н102А, 2Н102Б, 2Н102В, 2Н102Г, 2Н102Д, 2Н102Е,
2П102Ж, 2Н10211................................ 383 К
Температура окружающей среды:
2Н102А 2Н102Б, 2Н102В, 2Н102Г, 2Н102Д, 2Н102Е,
2Н102Ж, 2П102И...................................От 213
до 373 К
КН ЮЗА, КН102Б, КН 102В, КН102Г, КН102Д
КН102Ж, КН102И...................................От 233
до 343 К
Примечания: 1. Напряжение в открытом состоянии прн
температуре 213 К не более 3 В, прп 233 К не ботее 1,7 В.
2. Допускается работа тиристоров прп эквивалентном сопро-
тивлении нагрузки до 9 кОм
3 Емкость монтажа по отношению к выводам тиристора
при отключенных тиристоре и генераторе импульсов нс должна
превышать 15 пФ; индуктивность монтажа, включенная последо-
вательно с тиристором, пе должна превышать 5 мкГп
601
^ВЬ 1от КЛ,Т Kfllt'T -1А 2 К Н1(72( з юг( А И) л-и)
Г
1вьп Uiji1 агкр,и огкр,т ,т)2Н 1А) КН 102(1 102(1 Ч-И) 1-И)
Г отпр, и,Г
Z13 253 293 333 3 73 413 К О Z 4 6 8 10 А
Зависимое и. времени выклочс-
пряжения в открытом состоя
ипи ог длительности фронта.
Зависимость времени выключе-
ния oi импульсного гока.
Зависимость длительное! и
фронта отпирающего импульса
Зависимость импульсного на-
Зона возможных положений за-
пряженвя в открытом состоя-
нии ог импульсного гока.
висимосш минимальною тока
в открытом состоянии ог тем-
пературы.
602
Зона возможных положений за-
висимости импульсною напря-
жения в oi крытом состоянии от
iCMiiepaiypbi.
Зона возможных положений за-
висимости импульсного напря-
жения в открытом состоянии ог
ллшсльностп фронта отпираю-
щего импульса.
2У101А, 2У101Б, 2У101Г, 2У101Д, 2У101Е. 2У101Ж,
2У101И, КУ101А, КУ101Б, КУЮТ Г. КУ ЮТЕ
Тиристоры кремниевые диффузионно сплавные p-типа триодные
незапирасмые. Предназначены для работы в переключающих уст-
ройствах.
Выпускаются в метал.joe текляпиом корпусе с гибкими выводами.
Тин прибора указывается па корпусе
Масса тиристора нс более 2,5 г.
Электрические нарамс < ры
Постоянное отпирающее напряжение управляющего элек-
трода при t'„p1Kp 10 В
прн 298, 398 и 213 К
2У101А, 2У101Б, 2У101Д..........................От 1,5
до 8 В
603
2У101Г, 2У101Е, 2У101Ж, 2У101И ..........Or 0,25
до 4 5 В
при 298, 358 и 213 К
КУ101А, КУ101Б КУ101Г, КУ101Е.....................От 0,25
до 10 В
Постоянный отпирающий ток управляющего электрода
при <Л,Р.«Р = Ю В
при 298, 398 и 213 К
2У101А, 2У101Б 2У101Г, 2У101Д, 2У101Е, 2У101Ж
2У101И..............................................От 0,1
до 5 мА
при 298, 358 и 213 К
КУ101А, КУ101Б КУ101Г, КУ101Е....................Ог 0.05
до 7,5 мА
Импульсный отпирающий ток управляющего электрода
при 1/прлкр = 10 В пс более..........................14 мА
Ток утечки в закрытом состоянии при максимальном
напряжении, не более:
при 298 К.....................................0 15 мА
при 398 (358 для КУ101А, КУ101Б, КУ101Г, КУ101Е)
и 213 К..........................................0,5 мА
Обратный ток при максимальном напряжении, пе более:
при 298 К..........................................0,15 мА
при 398 (358 для КУ101А, КУ101Б КУ101Г, КУ101Е)
и 213 К .....................................0,5 мА
Время включения при 1/пр згр = 25 В /11р = 50 мА,
/11р у = 20 мА 7’= 298 К, не более................... 2 мкс
Время выключения при t'„p.31:p — 25 В 7пр = 50 мА, не
более:
при 298 К.............................................35 мкс
при 398 К (358 К для КУ101А КУ101Б, КУ101Г,
КУ101Е)...........................................70 мкс
Предельные экенлу a i анионные данные
Постоянное прямое напряжение в закрытом со-
стоянии.
2У101А, 2У101Б, 2У101Ж, 2У101И, КУ101Л.
КУ101Б............................................ 50 В
2У101Г, КУ101Г............................... 80 В
2У101Д, 2У101Е, КУ101Е..................... 150 В
Постоянное обратное напряжение:
2У101А, 2У101Ж, КУ101А..................... 10 В
2У101Б 2У101И, КУ101Б...................... 50 В
2У101Г КУ101Г................................ 80 В
2У101Д, 2У101Е, КУ101Е..................... 150 В
Постоянное обратное напряжение на управляющем
электроде:
2У101Г, КУ101Г................................ 2 В
604
Постоянный или средний ток в открытом состоя-
нии при температуре:
от 213 до 343 К (до 323 К для КУ 101 А,
КУ101Б, КУ101Г, КУ101Е)....................... 75 мА
от 343 (323 для КУ101А. КУ101Б, КУ101Г.
КУ101Е) до 398 К (до 358 К для КУ101А, ,0RnsxA _ т
КУ 101 Б, КУ 101 Г, КУ101Е)................— 2^---^_мА
0,75
Импульсный ток в открытом состоянии:
при т„ < 0,05 с, 7откр С 50 мА . . . ... . . 300 мА
прн т„ С 10 с, 7отир С 50 мА............. 150 мА
при ти < 10 с, /откр С 5 мА.................... 1 мА
Средний прямой ток управляющего электрода. . . 15 мА
Импульсная мощность иа управляющем электроде:
при т„ С 10 мкс, Руср С 25 мВт................... 0,5 Вт
при т„ < 20 мкс, Ру ср « 25 мВт.............. 0,2 Вт
Средняя рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 323 К.................................. 150 мВт
от 323 до 398 К (до 358 К для КУЮ1А, т
КУ101Б, КУ101Г, КУ101Е)..................-----------LMBr
0,5
Скорость нарастания напряжения в закрытом со-
стоянии ......................................... 100 В/мкс
Минимальное прямое напряжение в закрытом со-
стоянии .......................................... 10 В
Температура окружающей среды:
2У101А, 2У101Б, 2У101Г, 2У101Д, 2У101Е,
2У101Ж 2У101И............................От 213 до 398 К
КУ101А, КУ101Б, КУ101Г, КУ101Е ... От 213 до 358 К
Зависимость времени выключе-
ния от тока.
Зависимое и. времени включения
от тока.
605
Зависимость IlMnyjbCIIOrO О1П1
рающето iока управляющс! о
Э-icKipon oi времени включе-
ния ио управляющему j.icki-
Ui,ot,h,T
Z13K Z9BK 398 К
КУ 101 А, КУ 101Б
— 2У101А, Z11016,11104 Д —
_ 21Ю1Г, I3101U,23101Е _
КУ101Г,КУЮ1Е Z13K 2S8K
/-,3SSK
а,вил,7
В
В
5
Ч
3
г
1
0 1 Ч Б 8 10 мкс
Зависимое! ь импульсного от-
пирающею напряжения управ-
ляющего электрода от времени
включения по управляющему
Зависимость напряжения в от-
Зависимость времени выключе-
ка управляющего электрода от
пряжения управляющего элекн
темпера гуры
рода от температуры.
606
Зависимость времени включе-
ния от отпирающего тока уп-
ри в. bonier о электрода.
Зависимое! ь запирающего гока
управляющего электрода ог
1смнсра । уры.
2У102А, 2У102Б, 2У102В, 2У102Г, КУ102Л, КУ102Б,
КУ 102В КУ102Г
1 ирис юры кремниевые диффузионные р-п-р-п триодные запи-
раемые. Предназначены для работы в импульсных переключающих
устройствах малой мощности
Выпускаююя в металлос1ск.|яином корпусе с гибкими выводами.
Тин прибора указывается па корпусе.
Масса т ирис юра пс более 1,2 г.
Электрические параме)ры
Напряжение в открытом состоянии нри 7огкр = 50 мА,
/>от = 20 мА, 7 = 213 (233 для КУ102А, КУ102Б,
КУ102В, КУ102Г) н 298 К, не более............ 2,5 В
Импульсное запирающее напряжение на управляющем
электроде при максимальном напряжении, /откр = 50 мА,
/у < 1000 Гц, т; = 20 мкс, 7 = 298 и 343 К, нс более ... 12 В
Импульсное отпирающее напряжение на управляющем
эдеюролс при /откр — 30 мА, 1/пр1кр = 10 В,/у С 1000 Гц,
Xi = 5 мкс, 7 = 298 и 213 К (233 К для КУ102А,
КУ102Б, КУ102В, КУ102Г), пс более.................. 7 В
Незапирающее напряжение на управ, яюшем электроде
при Цчмкр ‘ 10 в> 4ткр = 30 мА, /у < 1000 Гц, т, =
20 мкс, 7= 333 К, не менее....................... 0,2 В
607
Нсотпирающсс напряжение на управляющем электроде
при 7откр — 50 мЛ, максимальном напряжении, fy С
< 1000 Гц, Т| = 5 мкс, Т= 373 К (358 К для КУ102А.
КУ102Б, КУ102В, КУ102Г), пе менее................. 0,2 В
Ток в закрытом состоянии при максимальном напря-
жении, не более,
при 213 (233 для КУ102Л, КУ102Б, КУ102В.
КУ102Г) и 298 К...................................0,1 мА
при 383 К (358 К для КУ102Л. КУ102Б, КУ102В,
КУ102Г).......................................0,5 мА
Импульсный отпирающий ток управляющего электрода
"Ри 1/..рлкР=10 В. /откр= 30 мА, /v С 1000 Гн, Т| =
5 мкс, 7=213 К (233 К для КУ102А, КУ102Б,
КУ102В, КУ102Г) и 298 К, не более...............20 мА
Импульсный запирающий ток управляющет о электрода
при максимальном напряжении, 7о1,.р = 50 мА. fy <5
1000 Гц, тп = 20 мкс, Т = 298 и 343 К, пс более ... 20 мА
Незапирающий ток управляющею электрода при 1/1|рЧ|;р =
•0 В, 7л,кр = 30 мА,/у С 1000 Гн, т2 = 20 мкс, Т= 213 К
(233 К для КУ102А, КУ102Б. КУ102В, КУ102Г),
нс менее........................................0.5 мА
Hcoi пираюший ток управляющего электрона при макси-
мальном напряжении, /огкр = 50 мА, f, < 1000 Гн,
т, = 5 мкс, 7=373 К (358 К для КУ102А, КУ102Б,
КУ 102В, КУ102Г), пе менее.....................0.2 мА
Удерживающий ток при ( |рзкр = 20 В, 7уо1=20 мА,
Т 213 К (233 К для КУ102А, КУ102Б. КУ 102В.
КУ 102Г), не более..............................20 мА
Время включения по управляющему электроду при
максимальном напряжении, 7„-кр = 50 .мА, 7у от „ = 20 мА,
тф.у = 0,5 мкс, /у С 1000 Гц. т, = 5 мкс,' 7= 298 К,
не более ......................................... 5 мкс
Время выключения по управляющему электроду при
максимальном напряжении, /у,и = 20 мА, 7О1кр = 50 мА,
т2 = 20 мкс, Т( = 70 мкс, fy < 1000 Гц, 7 = 298 К,
не более..........................................20 мкс
Предельные эк-енлуа т анионные данные
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии:
2У102А, КУ102А....................................... 50 В
2У102Б, КУ102Б................................... 100 В
2У102В, КУ102В................................... 150 В
2У102Г КУ102Г.................................... 200 В
Постоянное обратное напряжение........................ 5 В
Импульсное обратное напряжение на управляющем элек-
троде при длительности импульса, равной или меньшей
25 мкс............................................ 20 В
Постоянный запираемый ток.........................50 мА
Импульсный обратный ток управляющего электрода при
длительности импульса, равной или .меньшей 25 мкс . . 20 мА
608
Импульсный ток в открытом состоянии при частоте
следования импульсов до 50 Гц, Т = 298 К
при т„ < 10 мкс................................... 5 Л
при т„ < 100 мкс............................... ЗА
при тн < 1000 мкс............................... 0,5 А
Импульсный прямой ток управ 1яющсго электрода при
длительности импульса, равной или меньшей 25 мкс . . 100 мА
Средняя рассеиваемая мошносчь при температуре от
213 (от 233 К дтя КУ102А, КУ102Б. КУ102В, КУ102Г)
до 343 К..........................................0,16 Вт
Импульсная мощность на управляющем элск|роде при
длительности импульса, равной или меньшей 25 мкс,
^>>.ср.м.<кс 33 мВт .................................. 1 Вт
Критическая скорость нарастания напряжения в закры юм
состоянии........................................... 200 В/мкс
Температура окружающей среды
2У102А, 2У102Б. 2У102В, 2У102Г....................Oi 213
до 383 К
КУ102А, КУ102Б, КУ102В, КУ102Г....................От 233
до 358 К
Примечания: 1. Максимально допустимый постоянный за-
пираемый ток, мА, при температуре от 343 до 383 К определяется
по формуле
А,макс
383 -Г +25
1,6
2. Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность,
мВт, при температуре от 343 до 383 К определяется по формуле
Зависимость напряжения в от-
крытом состоянии от темпера
туры.
20 под реп Н II. Горюнова
Зависимость тока в закрытом
состоянии от температуры.
609
Зависимость удержи ваюшег о
Зависимое!ь неотпирающег о то-
Зависимость запираемого тока
иирагощего тока управляющею
электрода от длительности ог-
ка управ дяющего электрода о г
длительности отпирающего им-
пульса.
О ЧОО 800 1100 1600 1000
пирающего импульса.
Зависимость времени нараста-
ния о г тока.
Зависимость импульсного тока
в открытом состоянии от скваж-
ПОС! и.
610
Зависимость импульсного запи-
рающего напряжения управляю-
щего электрода от тока.
Зависимость импульсного запи-
рающего тока управляющего
электрода от тока.
Зависимость импульсного запи-
рающего тока управляющего
электрода от длительности за-
пирающего импульса.
Зависимость незапирающего то-
ка управляющего электрода от
длительности запирающего им
пульса.
2У103В, КУ103А, КУ103В
Тиристоры кремниевые мезапланарныс p-типа, триодные, незапи-
раемые. Предназначены для работы в качестве ключей малой мощ-
ности.
Выпускаются в металлостекляниом корпусе с тбкнми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе
Масса тиристора не более 2,5 г
20*
611
Электрические параметры
Напряженно в открытом состоянии прп 7сткр11=1 мА,
t-пр.зкр.и = ЗООВ./уот = ЮмА,/ = 50 Гц, ие более. ... ЗВ
Импульсное отпирающее напряжение на управляющем
электроде прн 7откр.„ = I мА, С/прзкр>„ = 300 В, /у. от =
10 мА, /=50 Гц, прп 213, 298 и 343 К (233 и
358 К для КУ ЮЗА, КУ 103В)......................От 0,4
до 2 В
Общая емкость при t/np 3k.p = 0, /= 5 МГц, не более . . . 50 пФ
Ток в закрытом состоянии при t/np3kp = 300 В не
более
при 298 К...................................0.2 мА
при 213 и 343 К (233 и 358 К дтя КУ ЮЗА,
КУЮЗВ)......................................0.3 мА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное прямое напряжение в закрытом состоянии
и обратное напряжение
2УЮЗВ, КУЮЗВ .................................. 300 В
КУЮЗА.......................................... 150 В
Импульсное обрашое напряжение на управляющем элек-
троде .............................................. 2 В
Импульсный ток в открытом состоянии ... . I мА
Обратный ток................................... . 1 мА
Средний прямой ток управляющего электрода . . .40 мА
Средняя рассеиваемая мощность...................150 мВт
Диапазон рабочих частот коммутируемых сигналов ... Oi 50
до 10000 Гц
Температура перехода............................ 398 К
Температура окружающей среды:
2УЮЗВ . .................. . 01213
до 343 К
КУЮЗА, КУЮЗВ................................От 233
до 358 К
Примечание Для повышения устойчивости работы необходимо
предусматривать включение между управляющим электродом и ка-
тодом шунта сопротявлением не более 1 кОм.
612
1
Зависимость напряжения в от-
крытом состоянии от темпе-
ратуры.
2У104А, 2У104Б, 2У104В, 2У104Г, КУ104А, КУ104Б,
КУ104В, КУ104Г
Тиристоры кремниевые эпитаксиальпо-плаиарныс р-п-р-п триодные
незапирасмые. Предназначены для работы в качестве ключей малой
мощности
Выпускаются в мсталлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса тиристора нс более 1,2 г.
Электрические параметры
Напряжение в открытом состоянии при /011ф = 100 мА,
Д от = 25 мА, Г =213 К (233 для КУ104А КУ104Б,
КУ104В, КУ104Г) и 298 К пе более.................... 2 В
Неотпирающее напряжение на управляющем электроде
при максимальном напряжении, /у от „ = 0,9/у от ,,,
fy = 50 Гц, Т| = 3 мкс, Т = 398 К (358 К для КУ104А,
КУ104Б, КУ104В КУЮ4Г), не менее................... 0,1 В
Импульсное отпирающее напряжение на управляющем
электроде при 1/пр1Кр 10 В /о,кр = 25 мА,/у = 50 Гп,
т,=3 мкс, Т=213 К (233 К для КУ104А КУ104Б,
КУ104В. КУ104Г), нс более......................... 2 В
Ток в закрытом состоянии при максимальном напряже-
нии. не более.
при 213 и 398 К (233 и 358 К для КУ104А,
КУ104Б, КУ 104В КУ 104Г) .....................0,5 мА
при 383 К для 2У104Д. 2У104Б, 2У104В, 2У104Г. . ’. 0,4 мА
при 443 К для 2У104А, 2У104Б, 2У104В, 2У104Г . . . 0 2 мА
при 298 К.....................................0,12 мА
613
I
Импульсный отпирающий ток управляющего электрода
при б/прлкр = Ю А>гкр ~ 25 мА, fy = 50 Гц, Т| =
3 мкс, не более:
при 213 К (233 К для КУ104А, КУ104Б, КУ104В,
КУ104Г).........................................20 мА
при 298 К...................................... 15 мА
Неотпирающий ток управляю, того электрода при мак-
симальном наиря тении. Д, = 50 Гц, т, = 3 мкс, Т =
398 К (358 К для КУ104А, КУ104Б, КУ104В КУ104Г),
не менее . ................................0,02 мА
Удерживающий ток при б'„рзкр=10 В, /уот = 25 мА,
7=213 К (233 К для КУ104А, КУ104Б КУ104В,
КУ104Г), пе более.....................................20 мА
Время включения по управляющему электроду при
максимальном напряжении, /от1:р = 100 мА /У1О,.И =
15 мА; fy = 50 Гц, Т| = 3 мкс, Тф1у < 150 нс, 7 =
298 К, не более.....................................0,29 мкс
Время нарастания при максимальном напряжении, /откр =
100 мА /уотн 15 мА, fy — 50 Гц, т, = 3 мкс, Тфу =
150 пс, 7 = 298 К, нс более.......................0,08 мкс
Время выключения при максимальном напряжении, /откр =
100 мА, /у.от.ц = 15 мА, fy = 50 Гц, Т| = 3 мкс.
^зкр.
dt
< 10 В/мкс, 7= 298 К, пе более
2,5 мкс
кр
Предельные эксплуатационные данные
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом
состоянии при /=50 Гц.............................10 В/мкс
Импульсный прямой ток управляющего электрода при
длительности импульса до 10 мкс частоте 50 Гц,
при температуре
от 213 до 343 К (от 233 К для КУ104Л, КУ104Б,
КУ104В, КУ104Г)...............................30 мА
от 343 до 383 К для 2У104А, 2У104Б, 2У104В,
2У104Г........................................20 мА
Импульсный ток в открытом состоянии при частоте
следования импульсов до 50 Гц:
при ти < 10 мкс................................... ЗА
при т„ < 100 мкс.............................. 1 Л
при ти < 1000 мкс............................. 05А
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии
2У104А, КУ104А............................ . 15 В
2У104Б, КУ104Б.............................. 30 В
2У104В КУ104В ................. 60 В
2У104Г, КУ104Г.............................. 100 В
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии
при испытании в ждущем режиме при темпера туре:
от 213 до 343 К (от 233 К для КУ104А, КУ104Б,
КУ 104В, КУ104Г)
614
2У104А КУ104А ... ..15В
2У104Б, КУ104Б.................................. 30 В
2У104В, КУ 104В................................. 60 В
2У104Г КУ104Г.................................. 100 В
от 343 до 383 К
2У104А.......................................... 15 В
2У104Б.......................................... 20 В
2У104В.......................................... 40 В
2У104Г.......................................... 75 В
Постоянное обратное напряжение........................ 6 В
Напряжение в закрытом состоянии..................... 10 В
Средний ток в открытом состоянии при температуре
от 213 до 343 К (от 233 К для КУ104А, КУ104Б,
КУ 104В КУ104Г).......................................100 мА
при 383 К (358 К для КУ104А КУ104Б, КУ104В,
КУ104Г)...........................................27 мА
Ток в открытом состоянии..............................25 мА
Средняя рассеиваемая мощность при температуре от
213 до 343 К (от 233 К для КУ104А, КУ104Б,
КУ104В, КУ104Г)............................... 200 мВт
при 383 К (при 358 К для КУ104А, КУ104Б,
КУ104В, КУ104Г)............................. 54 мВт
Температура перехода 2У104А 2У104Б, 2У104В,
2У104Г.......................................... 398 К
Температура окружающей среды:
2У104А 2У104Б 2У104В, 2У104Г..................От 213
до 398 К
КУ104А КУ104Б КУ104В, КУ104Г..................От 233
до 358 К
Примечания: 1. Максимально допустимый средний ток, мА,
в открытом состоянии при температуре от 343 до 383 К опреде-
ляется по формуле
4>ткр.ср,млкс = (398 — 7^/0.55
2. Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность,
мВт, при темпера iype от 343 до 383 К определяется по формуле
Лр. макс =(398 П'0,275.
3. Для повышения надеж-
ной работы рекомендуется шун
тирование цепи управления ре-
зистором сопротивлением
200 Ом 1 кОм
Зависимость импульсного на-
пряжения в открытом состоянии
от тока.
рающего напряжения управляю- рающего тока управляющего
шего электрода от температуры. электрода от длительности ог-
рающего тока управляющего ка от температуры.
электрода от температуры.
пия от прямого напряжения в ння от тока,
закрытом состоянии.
616
Зависимость максимального им-
пульсного тока в открытом со-
стоянии от скважности.
Зависимост ь максимального
прямого напряжения в закры-
том состоянии ог температуры.
2У105А, 2У105Б, 2У105В, 2У105Г, 2У105Д, 2У105Е,
КУ105А, КУ105Б, КУ105В, КУ105Г, КУ105Д, КУ105Е
Тиристоры кремниевые планарно-эпитаксиальные п-р-п-р триодные
псзапираемые Предназначены для работы в качестве ключей малой
мощности в герметизированной аппаратуре.
Бсскориуспые с защитным покрытием с гибкими выводами. Тип
прибора и его цоколевка приводятся па индивидуальной упаковке.
Масса тиристора не более 0.1 1.
Э.тек I рнческие парами ры
Напряжение в открытом состоянии при 7откр = 50 мА,
пс более:
при 298 К..................................... 1.1 В
при 213 К (233 К для КУ105А, КУ105Б КУ105В.
КУ105Г, КУ105Д. КУ105Е)....................... 1.35 В
Постоянный отпирающий ток управляющего электрода
при t/np зкр 10 В, не более
при 298 К....................................... 4 .мА
617
при 213 К (233 К для КУ105А, КУ105Б, КУ105В,
КУ105Г, КУ105Д, КУ105Е)........................ 7 мА
Минимальный ток в открытом состоянии при 17пр зкр = 10В,
Г =213 К (233 К для КУ105А, КУ105Б КУ105В,
КУ105Г, КУ105Д, КУ105Е).......................... 10 мА
Время выключения при 70Ткр = 50 мА, /у ог = 3 мА.
максимальном напряжении, не более..............1.5 мкс
Время включения при /откр = 50 мА, /у.от = 3 МА,
максимальном напряжении, не более..............0,1 мкс
Импульсный отпирающий ток управляющего электрода
при Б'Пр.1Кр = Ю В, не более...................... 5 мА
Импульсное отпирающее напряжение управляющею элек-
трода при 1/пр 13кр = 10 В, не более.............. 2 В
Неотпирающий ток управляющего электрода прн
(7лр.1Кр= 10 В .................................0, 01 мА
Неотпирающее напряжение управляющего электрода при
l/„p,Wp=10 В.................................... 0.1 В
Скорое 1Ь нарастания напряжения в закрытом состоянии
при максимальном напряжении, не менее.............10 В.'мкс
Ток в закрытом состоянии при максимальном напряже-
нии, не более:
при 298 и 213 К (233 К для КУ105А КУ105Б,
КУ 105В КУ105Г, КУ105Д, КУ105Е).................1 мкА
при 343 К......................................20 мкА
Обратный ток при максимальном напряжении, не более'
при 298 и 213 К (233 К для КУ105А, КУ105Б,
КУ 105В, КУ105Г, КУ105Д, КУ105Е)
2У105А, 2У105Б, КУ105А, КУ105Б................•. 3 мкА
2У105В, 2У105Г КУ105В, КУ105Г................30 мкА
при 343 К
2У105А 2У1О5Б КУ105А, КУ105Б...................60 мкА
2У105В 2У105Г. КУ105В, КУ105Г.............. 600 мкА
Предельные «ксплуатаниоииые данные
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии
при температуре:
от 213 до 343 К (от 233 до 323 К для КУ105А,
КУ105Б, КУ105В, КУ105Г, КУ105Д, КУ105Е)
2У105А, 2У105В 2У105Д, КУ105А, КУ105В
КУ105Д...................................... 30 В
2У105Б 2У105Г, 2У105Е, КУ105Б, КУ105Г
КУ105Е...................................... 15 В
от 343 до 398 К (от 323 до 358 К для КУ105А
КУ105Б, КУ105В КУ105Г, КУ105Д, КУ105Е)
2У105А, 2У105В, 2У105Д, КУ105А, КУ105В,
КУ105Д...................................... 20 Н
2У105Б, 2У105Г, 2У105Е, КУ 105Б, КУ 105Г, КУ 105Е 10 В
618
Обратное напряжение при температуре:
от 213 до 343 К (от 233 до 323 К для КУ105А, КУ105Б
КУ105В, КУ105Г, КУ105Д, КУ105Е)
2У105А, КУ105А............................................. 30 В
2У105Б, КУ105Б....................................... 15 В
2У105В, 2У105Г, КУ105В КУ105Г............... 5 В
от 343 до 398 К (от 323 до 358 К для КУ105А КУ105Б,
КУ105В, КУ105Г, КУ105Д, КУ105Е)
2У105А, КУ 105А.................................... 20 В
2У105Б КУ105Б.................................... 10 В
2У105В, 2У105Г, КУ105В, КУ105Г................... 5 В
Средний ток в открытом состоянии при температуре от
213 ло 343 К (от 233 до 323 К для КУ105А,
КУ105Б, КУ105В, КУ105Г, КУ105Д, КУ105Е) .... 50 мА
Средняя рассеиваемая мощность при температуре от 213 до 343 К
(от 233 до 323 К для КУ105А. КУ105Б, КУ105В, КУ105Г, КУ105Д,
КУ105Е):
при ^Ткристалл-воздух мВт ......... 15 мВт
при RT < 0,8 К/мВт.......................75 мВт
я кристаил-корпус
Импульсный ток в открытом состоянии при /= 50 Гц:
при ти < 10 мкс...................................... 2 А
при ти < 100 мкс..................................... 1 А
при ти < 1000 мкс................................... 0,5 А
Температура окружающей среды:
2У105А, 2У105Б. 2У105В, 2У105Г, 2У105Д. 2У105Е Ог 213 до
398 К
КУ105А, КУ105Б, КУ105В, КУ105Г, КУ105Д,
КУ105Е....................................... От 233 до
358 К
Примечания 1 Максимально допустимый средний ток, мА,
в открытом состоянии при температуре от 343 до 398 К (от
323 до 358 К для КУ105А, КУ105Б, КУ105В, КУ105Г, КУ105Д,
КУ105Е) определяется по формуле
398 (358) -Т
^откр.ср, Т ~ ||
2. Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность,
мВ, при температуре от 343 до 398 К (от 323 до 358 К для
КУ105А. КУ105Б, КУ105В, КУ105Г, КУ105Д, КУ105Е) определяется
по формуле
„ 398 (358) - Т
Лр. 7 =-------------- ДЛЯ /?т < 0 8 Kj'mBi ;
О,/46
_ 398(358)-Т „ , ... „
Рср т =---------—---- для Я г < 4 К,’мВт
3,66
3. Для 2У105Д, 2У1О5Е, КУ105Д, КУ105Е допускается кратковре-
менная подача обратною напряжения амплитудой пс ботсс 5 В
619
Зависимость тока в закрытом
состоянии от температуры.
Зависимость обратного тока от
температуры.
Зависимость отпирающего то-
ка управляющего электрода от
температуры
Зависимость отпирающего на-
пряжения управляющего элект-
рода от температуры,
Зависимость минимального то-
ка в открытом СОСТОЯНИИ от
температуры.
Зависимость напряжения в от
крытом состоянии от темпера-
туры.
620
Зависимость импульсною отпи-
рающего тока управляющего
электрода от длительности им-
пульса.
Зависимость импульсного отпи-
рающего напряжения управляю-
щего электрода от длительности
импульса.
Зависимость времени выключе-
ния от тока.
2У106А, 2У106Б, 2У106В, 2У106Г
Тиристоры кремниевые планарные р-п-р-п гибридные триодные
незапирасмые пороговые. Предназначены для использования в релакса-
ционных устройствах.
Выпускаются в металлостсклянном корпусе с гибкими выводами
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса тиристора не более 1,5 г.
621
Электрические параметры
Напряжение в открытом состоянии при
/ОГКр = ЮО мА, 298, 213, 343 К, не более 2 В
Коэффициент передачи однопереходного транзистора при 1'Б|Б2 — Ю В:
при 298 К
2У106А, 2У106В.............................. Oi 0.5 до 0,7
2У106Б 2У106Г......................... Ог 0 65 до 0,85
при 343 К
2У106А, 2У106В......................... От 0,45 до 0,7
2У106Б, 2У106Г........................ От 0,6 ю 0 85
при 213 К
2У106А, 2У106В......................... От 0,5 до 0,75
2У106Б, 2У106Г........................ От 0,65 до 0,9
Межбазовое сопротивление:
при 298 К.................. . . От 4 до 12 кОм
при 213 К............................... От 2 до 12 кОм
Ток в закрытом состоянии при максимальном напряжении, не
более:
при 298 и 213 К.................................10 мкА
при 343 К.......................................100 мкА
Постоянный отпирающий ток управляющею электрода
при С11рзкр - 10 В нс более....................... 10 мА
Минимальный ток в закрытом состоянии, ие более 10 мА
Ток утечки эмиттериого перехода однопереходного трап
зистора при С'ыб2 = 30 В не более...................1 мкА
Ток включения однопсреходного транзистора при
О'б1Б2 = Ю В, не более...............................20 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Межбазовое напряжение................................ 30 В
Обратное напряжение между эмиттером и базой 2 30 В
Постоянный ток эмиттера в открытом состоянии при
температуре от 213 до 308 К...........................50 мА
Средний ток тиристора в открытом состоянии при тем-
пературе от 213 до 308 К.............................100 мА
Ток эмиттера однопсреходного транзистора при
Ти < 10 мкс, скважности, большей или равной 200,
Яш = 20 Ом, температуре от 213 до 308 К . . . . 1 А
Импульсный ток тиристора в открытом состоянии при
ти « 500 мкс, скважности, большей или равной 20,
температуре от 213 до 308 К............................. 1 А
Средняя рассеиваемая мощность при температуре от
213 до 308 К.......................................... 400 мВт
622
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии
при Лш = 200 Ом...................................10 В,мкс
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии:
2У106А, 2У106Б.................................... 50 В
2У106В. 2У106Г................................ 100 В
Время включения триодною тиристора при 298 К, нс
более............................................. J мкс
Время выключения триодного тиристора при 298 К,
Л,„ = 200 Ом нс бо тее............................25 мкс
Нсотинрающсс напряжение на управляющем электроде
триодного тиристора, пс более..................... 0.4 В
Постоянный юк управляющего электрода триодною ти-
ристора ............................................100 мА
Обратное напряжение управляющего электрода тиристора 3 В
Обратное напряженпс на триодном тиристоре .... 10 В
Примечания- 1. Средняя рассеиваемая мощность. мВт. при
температуре от 308 до 398 К определяется по формуле
Р -1408 - 7)
1 ср ~
0,25
2. Температурная зависимость межбазового сопротивления
тКск1>1Б2 = °,,^0.9%/К,
ЛЬ1Ь2макс — ЙЫГДМПН 100 °
Ль.БЗср Л7 '
где /?5|Б2макс ” мсжбазонос сопротивление при максимальной тем-
пературе: Яыбзмин ~ межбазовое сопротивление при минимальной
температуре:
D _______ ^Б1Б2макс + ^Б!Б2ммн
ЛБ! Б2ср----------—----------’
Д7'= Т'макс ГМИ||.
3. Температурная зависимость коэффициента передачи однопе-
рсходпого транзистора находится в пределах
TKq = -0,05-0,1 % К;
т-i/- Пмакс Лмии Ю0 о
Пер'
Пмакс Т Импи
Пер
где г|ма1(С> ц„и11 — коэффициент ы передачи прн максимальной и ми-
нимальной температуре.
623
в открытом состоянии от тем- температуры.
псратуры.
крьпом состоянии от темпера- в открытом состоянии от темпс-
туры. ратуры
Зависимость отирающего тока Зависимость отпирающего тока
управляющего электрода от управляющею элек!рода оi вре-
гемпературы. мени задержки.
624
2У107А, 2У107Б, 2У107В, 2У107Г, 2У107Д, 2У107Е
Тиристоры кремниевые планарные />-типа триодные пезапираемыс.
Предназначены для работы в качестве ключей малой мощности.
Выпускаются в металлостек.тяшюм корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса тиристора не более 2.5 г
Электрические параме!ры
Посюяннос отпирающее напряжение на управляющем электроде при
Цтр.ткр = 10 В
при 298 К.................................... От 0,35 до
0, 55 В
при 398 К, нс менее.............................0.05 В
при 213 К, не более............................. 0,8 В
2У107А, 2У1О7Б нри температуре oi 213 до 358 К,
не более........................................ 0,6 В
Постоянный отпирающий ток управляющего электрода при
С'яр.ткр ю В
при 298 К.....................................Ог 20 до
10 мкА
при 213 К.....................................От 20 до
20 мкА
Напряжение в открытом состояний прп максимальном
токе, 298 и 213 К, не более......................... 1.5 В
Минимальный ток в открытом сосюянии не более •
при 298 и 213 К
2У107А...........................................0.3 мА
2У107Б.........................................0.6 мА
’У107В.........................................0,5 мА
2У1О7Г, 2У107Д 1.0 мА
при 298 К для 2У107Е...........................0,06 мА
прн 213 К для 2У107Е...........................0.15 мА
Время выключения при максимальном токе, Сг„г „р 10 В.
не более..............................................40 мкс
Импульсное напряжение в открытом состоянии при
Апкр.н = 20 А- не более:
2У107А 2У107Б..................................... 30 В
2У107В. 2У107Г, 2У107Д, 2У107Е................. 25 В
625
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии в режиме
переключения, не менее:
2У107А, 2У107Б ......................... 350 В
2У107В, 2У107Г................................ 200 В
2У107Д, 2У107Е................................ 75 В
Обратный ток при максимальном обратном напряжении,
не более:
при 298 К
2У107А, 2У107Б, 2У107В 2У107Г..................23 мкА
2У107Д, 2У107Е..................................18 мкА
при 398 К
2У107А, 2У107Б, 2У107В, 2У107Г..................57 мкА
2У107Д, 2У107Е................................. 37 мкА
Пре тельные эксплуатационные тайные
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии:
2У107А 2У1О7Б ................................... 250 В
2У107В, 2У107Г................................ 150 В
2У107Д, 2У107Е................................. 60 В
Постоянное обратное напряжение....................... 10 В
Постоянное обратное напряжение иа управляющем
элект роде........................................... 10 В
Средний ток в открытом состоянии при температуре
от 213 до 338 К......................................100 .мА
Средний прямой ток управляющего электро та при темпе
ратуре от 213 до 338 К................................40 мА
Средняя рассеиваемая мощность при температуре от
213 до 338 К ....................................... 200 мВт
Импу тьснып ток в открытом состоянии при
Анкр.ср = ЮО мА, т„<5 мс и температуре от 213
до 338 К......................................... 600 мА
Импульсный ток в открытом состоянии при темпера-
туре от 213 до 338 К:
2У107А, 2У107Б, при Г-t = 0,02 А-- с.......... 25 А
2У107В, 2У107Г, 2У107Д, 2У107Е при Г-t =
= 0,05 А’ с.................................... 45 А
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии:
2У107г\.......................................Юо В с
2У107Б, 2У107В 2У107Г, 2У107Д, 2У107Е . ... 10 Вс
Температура окружающей среды..........................От 213 до
398 К
И р и м е ч а п и е. В интервале температур от 338 до 398 К средняя
рассеиваемая мощность снижается на 12 мВт 5 К. средний ток
в открытом состоянии на 4 мА/5 К, средний прямой ток управ тяю-
нтсго электрода на 1,5 мА<5 К, импульсный ток в открытом со-
стоянии на 25 мА.5 К. импульсный ток в открытом состоянии
для 2У107А, 2У107Б (при I-t = 0,02 А2-с) на 1,6 А/5 К (по току)
и па 0,0013 А2с/5 К (по Г/), для 2У107В, 2У107Г, 2У107Д
2У107Е на 2 А/5 К (по току) и на 0,032 А2-с (по I-t).
626
Зависимость времени включения
от отпирающего тока управляю-
щего электрода.
Зависимость импульсного тока
в открытом состоянии от тем-
пературы.
213 253 293 333 373 413 К
Зависимость времени выключе-
ния от тсмпера1уры.
Зависимость минимального тока
в открытом состоянии от об-
ратного тока управляющего
электрода.
Зависимость напряжения в от-
крытом состоянии от среднего
тока.
Зависимость напряжения в от-
крытом состоянии от темпера-
туры.
627
Зависимость отпирающего на-
пряжения управляющего элект-
рода от температуры.
Зависимость отпирающего тока
управляющего электрода от
темпера гуры.
Зависимость времени включения
от температуры.
Зависимость импульсного на-
пряжения в открытом состоянии
от импульсного тока.
КУ108В, КУ108Ж, КУ108М, КУ108Н, КУ108С, КУ108Т,
КУ108Ф, КУ108Ц
Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п триодные незапи-
расмые. Предназначены для работы в
Катод
Анод
качестве ключей большой
мощности.
Выпускаются в ме-
таллокерамическом кор-
пусе. Тип прибора ука-
зывается на корпусе.
Масса тиристора пс
более 45 г, в сборе с
прижимным устройством
и радиатором ие бо-
лее 220 г.
628
Электрические параметры
Напряжение в открытом состоянии при /01кр = 5 А, нс более 4 В
Импульсное напряжение в открытом состоянии при
Лякр. и 50 А, /у,от.и’= 4.5 А не более....... 50 В
Ток в закрытом состоянии при максимальном напря
женин, не более................................2,5 мА
Обратный ток при максимальном обратном напряжении,
не более......................................... 3 мА
Время вк тючения при максимальном напряжении, /откр „ = 50 А
/у.от,и = 4,5 A, dU-^ldt — 20 В/мкс, нс более:
КУ108В, КУ108М КУ108Н КУ108Ф.................35 мкс
КУ108Ж, КУ108С, КУ108Т, КУ108Ц...............100 мкс
Время задержки при максимальном напряжении,
/огкр и = 50 А, нс более..........................0,5 мкс
Время нарастания при максимальном напряжении, /откр и = 50 А,
не более
КУ108В КУ108Ж КУ108М КУ108С..................0,1 мкс
КУ108Н КУ108Т, КУ108Ф КУ108Ц.................0,3 мкс
Удерживающий ток при Спр „р = 50 В, не более.....150 мА
Импульсное отпирающее напряжение на управляющем
электроде при 1у_тА, = 4,5 А, не более............ 25 В
Неотпирающее напряжение управляющего электрода, не
менее................................. . ... 0,1 В
Неотпирающий ток управляющего электрода, нс менее 5 мА
Общая емкость при Ц,р.зкр = ’00 В не более....... 500 пФ
Тепловое сопротивление кристалл — корпус, не более 6 К;Вт
Предетьиые эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии:
КУ108В, КУ108Ж...............................1000 В
КУ108М, КУ108Н КУ108С КУ108Т................ 800 В
КУ108Ф, КУ108Ц.............................. 600 В
Постоянное обратное напряжение:
КУ 108В, КУ108Ж.............................. 500 В
КУ108М КУ108Н, КУ108С, КУ108Т.............. 400 В
КУ108Ф, КУ108Ц............................... 300 В
Минимальное напряжение в закрытом состоянии .... 25 В
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии 20 В,'мкс
Импульсный ток в открытом состоянии.............. 150 А
Минимальный импульсный ток в открытом состоянии 2 А
Скорость нарастания тока в открытом состоянии . . . 500 Л.мкс
Постоянное обратное напряжение на управляющем
электроде...................................... 0.5 В
Импульсный прямой ток управляющего электрода . . . 4.5 А
Скорость нарастания прямого тока управляющего элек-
трода .........................................45 Ау'мкс
Импульсная мощность па управ тяюшем электроде . . . 150 В г
Длительность импульса тока управляющею элект-
рода от 0 8 до 2 мкс
629
Частота следования импульсов при длительности тока
в открытом состоянии 0,55 мкс...................... 2000 Гц
Длительность импульса тока в открытом состоянии 0,5 мкс
Температура окружающей среды..........................От 233 до
353 К
Примечание. При эксплуатации тиристора в режиме с током
в открытом состоянии более 50 А прямое напряжение на тиристор
должно прикладываться не ранее чем через половину периода сле-
дования импульса в открытом состоянии.
ка в открытом состоянии от
температуры корпуса
путьсного тока в открытом со-
стоянии от температуры.
Зависимость импульсного тока
в открытом состоянии от час-
юты.
КУ109А, КУ109Б, КУ109В, КУ109Г
Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п триодные незанира-
емыс. Предназначены для работы в качестве ключей.
Выпускаются в мсталлосгеклянном корпусе с жесткими вывода
ми. Тип прибора указывается на корпусе
Масса тиристора пс более 7 г.
630
Э зектрические параме ры
Напряжение в открытом состоянии при /01]ф = 150 мА,
/v от = 0,7 мА, не более......................... 1 В
Ток в закрытом состоянии при максимальном напряже-
нии, не более....................................0,3 мА
Отпирающий ток управляющего электрода при
Спр зкр = Ю В ие более.........................100 мА
Отпирающее напряжение на управляющем электроде
при /„ от «S 100 мА, не более.................... ЗВ
Импульсное отпирающее напряжение на управляющем
электроде при (/пр> зкр = 440 В, не более........ 7 В
Время выключения при /0TItp и = 12 А, пе более.
КУ109А при Unp 31ср = 441 В..................... 6 мкс
КУ109Б при Спр зкр = 360 В..................... 4 мкс
КУ 109В при Спр зкр — 440 В..................... 8 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии:
КУ109А, КУ109В.................................. 700 В
КУ109Б.......................................... 750 В
КУ109Г.......................................... 600 В
Постоянное обратное напряжение...................... 50 В
Постоянное обратное напряжение на управляющем
электроде........................................... 30 В
Импульсный ток в открытом состоянии................. 12 А
Средний ток в открытом состоянии.................... 1 А
Импульсный прямой ток управляющего электрода ... 2 А
2У201А, 2У201Б, 2У201В, 2У201Г, 2У201Д, 2У201Е,
2У201Ж, 2У201И, 2У201К, 2У201Л, КУ201А, КУ201Б,
КУ201В, КУ201Г, КУ201Д, КУ201Е, КУ201Ж, КУ201И,
КУ201К, КУ201Л
Тиристоры кремниевые планарно-диффузионные р-п-р-п триодные
иезапираемые. Предназначены для работы в качестве ключей средней
мощности.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Масса тиристора ие более 18 г
631
Электрические параметры
Напряжение в открытом состоянии при /0,Кр = 2 А, пе более'
при 298 К...................................... 2 В
прн 213 К...................................... 2,5 В
Постоянное отпирающее напряжение управляющего элек-
трода при /у.от= 100 мА, Т 213 К, нс более 6 В
Постоянный отпирающий ток управляющего электрода
при (/Пр ЧКр =10 В.
при 213 К, не более...............................100 мА
при 383 К (при 358 К для КУ201А, КУ201Б,
КУ201В КУ201Г, КУ201Д, КУ201Е, КУ201Ж,
КУ201И КУ201К, КУ201Л) пс мсиее................ 2 мА
Ток в закрытом состоянии при максимальном напряже-
нии и температуре 293, 213, 383 К (358 К для
КУ201А, КУ201Б КУ201В КУ201Г КУ201Д, КУ201Е,
КУ201Ж, КУ201И КУ201К, КУ201Л), не более ... 5 мА
Обратный ток при максимальном обратном напряжении
н температуре 293, 213, 383 К (358 К для КУ201А,
КУ201Б КУ201В КУ201Г, КУ201Д, КУ201Е, КУ201Ж
КУ201И КУ201К, КУ201Л) не более.................... 5 мА
Время включении при максимальном напряжении,
/01кр = 2 А, не более.............................10 мкс
Время выключения при максимальном напряжении,
Алкр =2 А, не более..............................100 мкс
Минимальный ток в открытом состоянии при Спр ,кр = 10В,
не более..........................................100 мА
Предельные эксплуатационные данные
Прямое напряжение на управляющем электроде .... 10 В
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии 5 В/мкс
Постоянный ток в открытом состоянии при температуре
корпуса до 343 К.................................. 2 А
Импульсный ток в открытом состоянии при т„ < 10 мс,
/откр < 1 А, Гм< 343 К........................... 10 А
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии:
2У201А, 2У201Б, КУ201А, КУ201Б............... 30 В
632
2У201В, 2У201Г, КУ201В, КУ201Г............... 60 В
2У201Д, 2У201Е, КУ201Д, КУ201Е............... 120 В
2У201Ж, 2У201И КУ201Ж, КУ201И ... 240 В
2У201К, 2У201Л, КУ201К, КУ201Л............... 360 В
Постоянное обратное напряжение:
2У201Б, КУ201Б................................... 25 В
2У201Г. КУ201Г................................... 50 В
2У201Е, КУ201Е.................................. 100 В
2У201И, КУ201И.................................. 200 В
2У201Л. КУ201Л............................... 300 В
Импульсный прямой юк управляющего элсмрода 200 мА
при т„ < 50 мкс....................................150 мА
Обратный ток управляющего электрода................ 5 мА
Скорость нарастания тока в oiкрытом состоянии . ... 3 А мкс
Средняя рассеиваемая moiuhociь при температуре корпу-
са до 343 К........................................ 4 Bi
Средняя рассеиваемая мощность при температуре кор-
пуса до 383 К для 2У201А, 2У2О1Б, 2У201В
2У201Г, 2У201Д, 2У201Е, 2У201Ж, 2У201И. 2У201К.
2У201Л...........................................0,25 В г
Мтовенное значение мощности на управляющем
TieKipoac.......................................... 1 Bi
Температура корпуса.
2У201А 2У201Б 2У201В 2У201Г. 2У201Д, 2У201Е,
2У201Ж, 2У201 И, 2У201К, 2У2О1Л..............От 213 до
383 К
КУ201А, КУ201Б, КУ201В КУ201Г, КУ201Д,
КУ201Е, КУ201Ж, КУ201И, КУ201К, КУ201Л От 213 до '
358 К
Примечания: 1. При эксплуатации тиристоров между като-
дом и управляющим электродом дотжен быть включен шунтирую-
щий резистор сопро!ивленисм 51 Ом.
2. При отрицательном напряжении па аноде подача тока уп-
равления не допускается
Зависимость максимального
среднего тока в открытом со-
стоянии от температуры кор-
пуса.
633
Зависимость отпирающего тока
управляющего электрода от
температуры.
Зависимость отпирающего тока
управляющего электрода от
длительное!и импульса.
Чпр,зкр,Т
232018,232011
< К3201Вх
\K3Z011
23ZQ1K
23201/1
К32О1К
K3ZO1/I
В
300
Z50
too
150
100
50
О
213 Z93 313 333 353 373 3S3 К
z/zodk, zyioiH,
Z3Z01A, Z3Z016
K3Z01K,
кзго и
-кзго1Д,кзго1£
гхго1д,гз2О1Е
K3Z01A,
КУ201Б
Зависимость напряжения в закры-
том состоянии от температуры.
Зависимое ib импульсного то-
ка в открытом состоянии от
длительноеги импульса.
2У202Д, 2У202Е, 2У202Ж, 2У202И, 2У202К, 2У202Л,
2У202М, 2У202Н КУ202А, КУ202Б, КУ202В, КУ202Г,
КУ202Д, КУ202Е, КУ202Ж, КУ202И, КУ202К, КУ202Л,
КУ202М, КУ202Н
Тиристоры кремниевые планарно-диффуэионныс р-п-р-п триодные
незапирасмые Предназначены для работы в качестве ключей средней
мощности.
Выпускаются в металлостскляпном корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе
Масса тиристора ие более 25 г.
634
Электрические параметры
Напряжение в открытом состоянии при /откр = 10 А, не ботее:
при 298 К....................................... 1,5 В
при 213 К................................... 2 В
Постоянное отпирающее напряжение управляющего
электрода при /у-от < 200 мА, 7=213 К, нс более 7 В
Постоянный отпирающий ток управляющего электрода
при </пр зкр=10 В, 7=213 К, не более............ 200 мА
Ток в закрытом состоянии при максимальном напря-
жении, 298 и 383 К (358 К для КУ202А, КУ202Б.
КУ202В, КУ202Г КУ202Д, КУ202Е, КУ202Ж, КУ202И,
КУ202К, КУ202Л, КУ202М, КУ202Н), не более ... 10 мА
Обратный ток при максимальном обратном напряжении
и температуре 298 и 383 К (358 К для КУ202А, КУ202Б,
КУ202В, КУ202Г, КУ202Д, КУ202Е, КУ202Ж, КУ202И,
КУ202К, КУ202Л, КУ202М, КУ202Н), не более ... 10 мА
Время включения при С/Пр 31ф = 50 В (25 В для КУ202А,
КУ202Б), /откр = 10 А, не более.................10 мкс
Время выключения при максимальном напряжении,
/огкр = 10 А, не более..........................150 мкс
Минимальный ток в открытом состоянии при
Unp зКр = 10 В, не более........................ 300 мА
Импульсное отпирающее напряжение управляющего элек-
трода при /у,от, и < 200 мА, ти > 10 мкс, 7= 213 К,
нс более ....................................... 7 В
Импульсный отпирающий ток управляющего электрода
при С7пр>зкр = 10 В, ти ? 10 мкс, 7 = 213 К, не более 200 мА
Неотпирающее напряжение на управляющем электроде
нри максимальном токе, 7 = 383 К (358 К для
КУ202А, КУ202Б, КУ202В, КУ202Г, КУ202Д, КУ202Е,
КУ202Ж, КУ202И, КУ202К, КУ202Л, КУ202М,
КУ202Н), не менее............................... 0,2 В
Неотпирающий ток управляющего электрода при мак-
симальном напряжении, 7 383 К (358 К для КУ202А,
КУ202Б, КУ202В, КУ202Г, КУ202Д, КУ202Е, КУ202Ж
КУ202И, КУ202К, КУ202Л, КУ202М, КУ202Н), пс
менее...........................................2,5 мА
Общая емкость при t/np зкр = 0 не более......... 800 пФ
635
Пре тельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии:
КУ202А, КУ202Б............. . 25 В
КУ202В КУ202Г................................... 50 В
2У202Д, 2У202Е, КУ202Д, КУ202Е. 120 В
2У202Ж. 2У202И. КУ202Ж, КУ202И. 240 В
2У202К, 2У202Л, КУ202К, КУ202Л. 360 В
2У202М. 2У202Н. КУ202М. КУ202Н. 480 В
Постоянное обратное напряжение на управляющем
электроде.............................................. 10В
Прямое напряжение на управляющем электроде .... 10 В
Постоянный ток в открытом состоянии при Тк < 343 К 10 А
Импульсный ток в открытом состоянии при ти < 10 мс,
/откр.ер < 5 А, Тк < 343 К . . . .............. 30 А
Импульсный ток в открытом состоянии при единичных
импульсах, ти < 50 мкс,/ = 50 Гц, Тк < 343 К.... 50 А
Импульсный прямой ток управляющего электрода при
7*к < 343 К....................................... 300 мА
Импульсный прямой ток управляющего электрода при
т„ < 50 мкс, Т* < 343 К......................... 500 мА
Обратный ток управляющего электрода............... 5 мА
Средняя рассеиваемая мощность при Тк < 343 К . . . . 20 Вг
Средняя рассеиваемая мощность при 7’ < 383 К (353 К
для КУ202А, КУ202Б, КУ202В, КУ202Г, КУ202Д,
КУ202Е, КУ202Ж. КУ202И, КУ202К, КУ202Л, КУ202М
КУ202Н)......................................... 1,5 Вт
Импульсная мощность на управляющем электроде при
т„ < 10 мкс, Суот,и < 20 В Гк < 343 К............. 20 Вт
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии 5 В,'мкс
Импульсная мощность иа управляющем электроде при
Ти < 50 мкс, Т’к < 343 К........................2,5 В г
Температура корпуса
2У202Д, 2У202Е, 2У202Ж, 2У202И, 2У202К, 2У202Л,
2У202М, 2У202Н................................Ог 213 до
383 К
КУ202А. КУ202Б, КУ202В, КУ202Г, КУ202Д, КУ202Е,
КУ202Ж. КУ202И. КУ202К, КУ202Л, КУ202М, КУ202Н От 213 до
358 К
Примечания: 1. При использовании тиристоров между ка-
тодом и управляющим электродом должен бьпь включен шунти-
рующий резистор сопротивлением 51 Ом.
2 При отрицательном напряжении на аноде тиристора подача
тока управления не допускается.
3 При креплении тиристоров к теплоотводу усилие затяжки
должно быть 20 — 25 кг-см.
636
213 253 293 333 373 413 К
Зависимость отпирающего тока
управляющего электрода от
температуры корпуса.
ратуры корпуса.
Зависимость неотпирающего то-
ка управляющего электрода от
температуры корпуса.
Зависимость отпирающего на-
пряжения управляющею элект-
рода от температуры корпуса.
Зависимость отпирающего тока
управ.тяющег о электрода от
д штсльности импульса.
Зависимость неотирающего на-
пряжения управляющего элект-
рода oi температуры корпуса.
637
Зависимость напряжения в за-
крытом состоянии от темпера-
туры корпуса.
Зависимоеib времени включения
от температуры корпуса
Зависимость времени выключе-
ния от температуры корпуса.
Зависимость скорости нараста-
ния напряжения в закрытом со-
стоянии от температуры кор-
пуса.
2У203А, 2У203Б,
2У203В, 2У203Г,
2У203Ж, 2У203И
2У203Д, 2У203Е,
Тиристоры кремниевые диффузионно-сплавные р п-р-п триодные
пезапираемые. Предназначены для работы в качеове ключей средней
мощности.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса тиристора не более 41,5 г.
638
Напряжение в открытом состоянии при /от|[р = 10 А,
А от = 350 мА, пс бо ice-
при 213 К........................................ 2.5 В
при 298 К..................................... 2 В
Импульсное отпирающее напряжение на управляющем электроде при
/у = 50 Гц, т, = 3 мкс, не бо iee:
при 213 К, 7у о, и С 1000 мА................ 10 В
при 298 К, /у о| и С 450 мА................. 5 В
Неотпирающее напряжение на управляющем электроде
при Ц|Г Jlip = 10 В, Т[ = 3 мкс, Т— 393 К, не менее 0,1 В
Ток в закрытом состоянии при максимальном напряжении,
dl .крДА 1-р 20 В/мкс, не более.
при 298 К...................................... 10 мА
при 393 К......................................20 мА
Обратный ют при максима п.ном обратом напряжении, \dUKf'dt р <
< 20 Вмкс, нс более
при 298 К...................................... 10 мА
при 393 К......................................20 мА
Импульсный отпирающий ток управляющею электрода при
I пр ткр = Ю И, А — 50 Гц, т, = 3 мкс. не более.
при 298 К ..................................... 450 мА
прн 213 К......................................1000 мА
Нсотпирающип ток управляющею электрода при
(„pup = 10 В. г, = 3 мкс. Т = 393 К, не менее .... 2 мА
Время включения по управляющему электроду при 1/,1р )кр = 50 В
(25 В для 2У203А, 2У2ОЗД), /о11.р = 10 А, /у = 50-=-100 Гц,
Т| = 15 мкс. Тфу^О.З мкс. нс более
при 298 К, 1у О1 и = 450 мА........................ 3 мкс
при 213 К. 'А.О1.и=1000 мА.................... 7 мкс
Время выключения при JOTI!p 10 А, длительноеiп про-
текания прямою тока 50 мкс. частоте следования
импульсов отирающего тока 50—100 Гц ампштудс
контрольною импульса 25 В, скорости парас1ания
контрольною импульса 5 В мкс, ( о0р 30 В, длитель-
ности спада основного юка 0.2 0,4 мкс. сонрот ив..те-
нии oi раиичительного резистора 15 Ом, полном со-
противлении цепи управ юния не более 150 Ом ... 7 мкс
639
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом
состоянии при максимальном напряжении, f— 50 Гц,
Г = 298 К.........................................20 В/мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии
при температуре корпуса от 213 до 393 К
2У203А 2У203Д..................................... 50 В
2У203Б, 2У203Е................................... 100 В
2У203В, 2У2ОЗЖ................................... 150 В
2У203Г, 2У203И................................... 200 В
Постоянное обратное напряжение при температуре кор-
пуса от 213 до 393 К:
2У203Д............................................. 50 В
2У203Е........................................... 100 В
2У203Ж........................................... 150 В
2У203И........................................... 200 В
Импульсное прямое напряжение на управляющем электро-
де при длительности импульса 3 мкс.................... 10 В
Средний ток в открытом состоянии в режима пере-
ключения при максимальном напряжении, = 50 Гц,
Тк < 333 К.................................. . . . 5 А
Импульсный прямой ток управ тяющего электрода при
длительности импульса 50 мкс.................... 1200 мА
Постоянный прямой ток управляющего электрода . . . . 0,35 А
Импульсный ток в открытом состоянии при длитель-
ности импульса 50 мкс и среднем токе в открытом
состоянии не более 0,5 А.......................... 100 А
Постоянный ток в открытом сос оянии при температуре
корпуса до 333 К.................................. 10А
Средняя мощпостьпа управляющем электроде..........1,75 Вт
Средняя рассеиваемая мощность при 1е.мпературе корпуса
до 333 К.......................................... 20 Вт
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии 20 В мкс
Температура корпуса...............................От 213 до
393 К
Примечания: 1. Для 2У203А, 2У203Б, 2У203В, 2У203Г до-
пуск е ся СоСрмакс = 2 В при /ЗКр С 30 мА
2. Максимально допустимый посюянный ток. А, в открытом
состоянии при темпера iype корпуса выше 333 К определяется по
формуле
= (393 - TJ.6.
3. Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность,
Вт, при температуре корпуса от 333 до 393 К определяется по
формуле
Лр.макс = (393 - 7-).'3.
4. При эксплуатации тиристоры необходимо крепить за корпус
прн помощи прижимного фланца. При этом допустимое усилие
прижима на каждое ушко фланца должно быть не бопее 16 кг.
640
Зависимость времени задержки
по управляющему электроду от
импульсного отпирающего тока.
Зависимость времени выключе-
ния от тока.
Зависимость времени включения
по управляющему электроду от
тока.
Зависимость импульсного на-
пряжения в открытом состоянии
oi импульсного тока
Зависимость импульсного отпи-
рающего тока управляющего
электрода ог температуры.
0t03 50 100 150 ZOO Z50 мй
Зависимость отпирающего на-
пряжения управляющего элект-
рода от тока.
под ред Н Н Горюнова
641
0,0030,6 1,0 1,5 2,0 2,5 Я
Зависимость импульсною отпи-
рающего напряжения управляю-
щего электрода от импульсного
Зависимость импульсного на-
пряжения в открытом состоя-
нии от длительное!и отпираю-
отпирающего тока,
щего импульса.
Зависимость импульсного от-
пирающего тока управляющего
электрода от длительности от-
пирающего импульса.
Зависимость импульсного отпи-
рающего напряжения управляю-
щего электрода от длительности
отпирающего импульса.
Зависимост ь максимальной
средней рассеиваемой мощности
от темпера гуры корпуса.
Зависимое! ь времени выключе-
ния от температуры корпуса.
642
2У204А, 2У204Б, 2У204В, КУ204А, КУ204Б, КУ204В
Тиристоры кремниевые планарпо-диффузпоппыс триодные запи-
раемые. Предназначены для работы в импульсных переключающих
устройствах средней мощности.
Выпускаются в метал, юстекляппом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса тиристора не более 18 г.
Эл ктрнческне параметры
Напряжение в открытом состоянии при 7от1:р = 2 А,
не бо тес:
нри 213 К для 2У204А. 2У204Б, 2У204В и 248 К
для КУ204А, КУ204Б, КУ204В.................... 4 В
при 298 К...................................... ЗВ
Импульсный отпирающий ток управляющего электрода
при 1/„р зкр 20 В, т„ 10 мкс, нс более:
при 213 К для 2У204А, 2У204Б, 2У204В........... 200 мА
при 248 К для КУ204А, КУ204Б, КУ204В .... 150 мА
Импульсный запирающий ток управляющего электрода при макси-
мальном напряжении, 7огкр.ср = 2 А, ти = 10 мкс, не более:
прп 333 К...................................... 400 мА
прп 298 К...................................... 360 мА
Импульсное отпирающее напряжение управляющего
электрода при Д,отп < 200 мА, пс более :
при 213 К для 2У204А, 2У204Б, 2У204В .... 7 В
при 248 К для КУ204А КУ204Б, КУ204В ... 5 В
Импульсное запирающее напряжение управляющего
электрода при 1у 3 и = 360 мА, Т = 333 К, не более 40 В
Неотпирающсс напряжение на управляющем электроде
при 1/пр зкр 60 В максимальном токе Т = 383 К
(343 К дтя КУ204А, КУ204Б, КУ204В), не менее 0,1 В
'/з21*
643
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии
при максимальном напряжении, не менее.................20 В мкс
Общая емкость при С/|1р>,кр = 0 В, не более.......... 500 пФ
Незапирающее напряжение на управляющем электроде
при С11р ,кр = 20 В, 7откр = 1 А, Г = 213 К (248 К для
КУ204А КУ204Б, КУ204В), пс менее................... 0,3 В
Незапирающий ток управляющего электрода при
^..Р.зкр = 20 В, /от(ф = 1 А, 7= 213 К (248 К для
КУ204А КУ204Б, КУ204В), не менее................... 3 мА
Ток в закрытом состоянии при максимальном напряжении,
213 К (248 К для КУ204А, КУ204Б, КУ204В) и
298 К, ие более.................................... 5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии:
2У204А, КУ204А..................................... 50 В
2У204Б, КУ204Б................................ 100 В
2У204В, КУ204В................................ 200 В
Неотпирающее напряжение на управляющем электроде
при /?„, = 51 Ом, Тк = 383 К (343 К для КУ204А,
КУ204Б, КУ204В)....................................0,15 В
Запирающее напряжение на управляющем электроде 100 В
Минимальное напряжение в закрытом состоянии ... 20 В
Постоянный ток в открытом состоянии при Тк - 333 К 2 А
Импульсный отпирающий ток управляющего электрода
при ти < 10 мкс.................................... 0,6 А
Мгновенное значение тока одиночного импульса в от-
крытом состоянии при т„ < 10 мкс.................... 12 А
Минимальный ток в открытом состоянии при 213 К
(248 К для КУ204А, КУ204Б, КУ204В)................... 1 А
Средняя рассеиваемая мощность при температуре от
213 (248 К для КУ204А, КУ204Б, КУ204В) до 298 К 8 Вт
Мгновенная мощность отпирающего импульса*
при ти > 10 мкс................................... 1,7 Вг
Мгновенная мощность запирающего импульса при
ти > 50 мкс............................................ 18 Вт
Минимальная длительность запирающего импульса при
4 । н/1у,1,н 50 мкс = 2,5.........................30 мкс
Максимальная длительность запирающею импульса 120 мкс
Температура корпуса:
2У204А, 2У204Б 2У204В.............................От 213 до
383 К
КУ204А, КУ204Б, КУ204В............................Ог 248 до
343 К
Температура перехода 2У204А, 2У204Б 2У204В .... 393 К
644
крытом состоянии о г температуры корпуса.
В 2 SO Unp,зкр,макс, Т
2У1048,43204 В
150
232045,432046 \
23104А, 47ZQ4А
эи 0 Тк
2» Z53 293 333 373 413 К
Зависимоеib максимального на-
пряжения в закрытом состоянии
от температуры корпуса.
Зависимость отпирающе! о тока уп-
равляющего электрода от дли-
тельности отпирающего импульса.
Зависимость импульсного отпираю-
шего юка управляющего электро-
да от температуры корпуса.
Зависимость импульсного запи-
рающего тока управляющего
электрода от импульсного тока.
21 под ред Н Н Горюнова
Зависимое!ь импульсного запи-
рающею гока и напряжения
управляющего электрода о г
времени запирания.
Зависимость мгновенной мощ-
ное in запирающего импульса ог
дли 1С.1ЫЮСТИ запирающего им-
пульса.
Зависимость напряже-
ния в открытом со-
стоянии от температу-
ры корпуса.
Зависимость частоты от длительности
импульса.
2У205А, 2У205Б, 2У205В, 2У205Г
Тиристоры кремниевые планарно-диффузиоиные р-п-р-п триодные
незапирасмые Предназначены для работы в качестве ключей средней
мощности.
Выпускаются в металлосгскляпном корпусе с жесткими выводами
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса тиристора пс более 16 г.
646
Электрические параметры
Постоянное онтираюшее напряжение управляющего
электрода при 7уо| = 150 мА, не более................. ЗВ
Постоянный отпирающий ток управляющего электрода
при 1/Пр.и<р = Ю И' ?’= 213 К, не более............... 250 мА
Ток в закрытом состоянии при максимальном напря-
жении, 298 и 383 К не более........................... 5 мА
Обратный ток при максимальном обратном напряжении,
383 К, не более....................................... 5 мА
Время включения при /Откр,и,макс = Ю0 А, не более:
2У2О5А при бпр, жр,макс = 400 В.....................0,5 мкс
2У205Б при С'пр зкр макс 600 В...................0,35 мкс
2У2О5В, 2У205Г при t/np,мр>мак = 800 В...........0,2 мкс
Время выключения при /окр „ маас = 100 A, dV^/dt < 30 В/мкс, i
более-
2У205А при б'пр. акр, макс = 400 В............. 45 мкс
2У205Б при б'пр. зкр. макс = 600 В...............30 мкс
2У205А, 2У2О5Г при Unp,31ф>ма11с - 800 В ... . 30 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии при тем-
пературе корпуса 358 К:
2У205А.......................................... 400 В
2У205Б.......................................... 600 В
2У205В, 2У205Г............................... 800 В
Неотпирающее напряжение на управляющем электроде 0,1 В
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии 30 В/мкс
Постоянное обратное напряжение:
2У205А, 2У205Б . ............................ 100 В
2У205В . ................. 400 В
2У205Г....................................... 800 В
Минимальное напряжение в закрытом состоянии .... 10 В
Постоянное обратное напряжение на управляющем
электроде......................................... 1В
21* 647
Импульсное обратное напряжение на управляющем
электроде при ту>и < 30 мкс....................... 4 В
Постоянный ток в открытом состоянии при частоте
следования 50 — 1000 Гц, амплитуде ие более 5 А,
температуре корпуса 358 К......................... 2 А
Импульсный ток в открытом состоянии при темпера-
туре корпуса 358 К................................ 100 А
Минимальный ток в открытом состоянии.............. 0,5 А
Максимальная частота следования импульсов анодного
тока.............................................. 1000 Гц
Мгновенная мощность управляющего импульса:
при Туи < 3 мкс................................... 80 Вт
при Туи 3 мкс.................................1,5 + 236
Ту. и
Импульсный ток управляющего элек1рода при
Ту и = 1 ч- 2 мкс................................. 2А
Средняя мощность управляющего импульса............1,5 Вт
Время установления импульсного тока управляющего
электрода:
при /ог1!р>и > 25 А...........................0,1 мкс
при 7откр> и < 25 А..........................0,25 мкс
Температура корпуса...............................От 213 до
373 К
Температура перехода.............................. 393 К
Примечания. 1. Категорически запрещав ся при монтаже при-
лагать к изолированным выводам усилие более 0,1 кг.
2. При эксплуатации и измерениях параметров между управляю-
щим электродом и катодом должен быть включен резистор сопро-
тивлением 50 Ом
Зависимость максимального на-
пряжения в закрытом состоя-
нии о г температуры корпуса
Зависимое ib максимального им-
пульсного тока в открытом со-
стоянии от температуры кор-
пуса.
648
^огкр^анс,/ ИУ2 5 Л-Г)
213 253 293 333 373 К
Зависимость максимального
тока в открытом состоянии от
температуры корпуса»
Зависимость длительности им-
пульса от импульсного тока.
Зависимость длительности им-
пульса от импульсного тока.
Зависимость длительности им-
пульса от импульсного тока.
Зависимость времени включения
от прямого напряжения в за-
крытом состоянии.
Зависимость времени включения
от температуры перехода»
649
Зависимость импульсного от-
пирающего напряжения управ-
ляющего электрода от длитель-
ности импульса.
Зависимость импульсного отпи-
рающего тока управляющего
электрода от длительности
импульса.
Зависимость времени выключе-
ния от температуры перехода.
Зависимость импульсного на-
пряжения в открытом состоянии
от импульсного тока.
2У206А, 2У206Б, 2У206В, 2У206Г
Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п триодные запи-
раемые Предназначены дтя работы в импульсных переключающих
схемах средней мощности
Выпускаются в мсталлосгекляином корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса тиристора не более 4 г.
6$0
Электрические параметры
Напряжение в открыюм сосюяпии при 7откр = 350 мА,
213 и 293 К, не более............................. 4 В
Импульсный отпирающий ток управляющего электрода при
1/пр1Кр = 20 В, 7огкр = 100 мА, Tj = 3 мкс, /у < 1000 Гц, нс более:
при 213 К........................................50 мА
при 298 К.....................................35 мА
Импульсное отпирающее напряжение па управляющем
электроде при Г'пр3кр = 20 В, /откр = 100 мА,
т, = 3 мкс, fy < 1000 Гц, Т = 213 К, нс более .... 2,5 В
Импульсный запирающий ток управляющего электрода
при 7OTItp = 350 мА, т2 = 7 мкс, fy < 1000 Гц, макси-
мальном напряжении, Т = 343 и 298 К, не более 70 мА
Ток в закрытом состоянии при максимальном напря-
жении, не более,
при 383 К.......................................1,5 мА
при 298 К....................................0,3 мА
Время включения по управляющему электроду при мак-
симальном напряжении 7откр = 350 мА, 7уоги=
= 50 мА, Т| = 3 мкс, fy < 250 Гц, не более .... 3 мкс
Время выключения по управляющему электроду при
максимальном напряжении /откр 350 мА, 7у.от.и —
= 50 мА, 7узи = 70 мА, ^=3 мкс, т2 = 7 мкс,
ти = 70 мкс, fy < 250 Гц, не более.............. 7 мкс
Импульсное запирающее напряжение на управляющем
электроде при максимальном напряжении, 7от(р =
= 350 мА, т2 = 7 мкс, fy < 1000 Гц, 343 К, не более 25 В
Неотпирающий ток управляющего электрода при мак-
симальном напряжении 7откр = 350 мА, Т| = 3 мкс,
fy < 1000 Гц, не менее...........................0,1 мА
Неотпирающее напряжение на управляющем электроде
при максимальном напряжении, /у,от,в а 45 мА,
/31!р < 0,3 мА, т( = 3 мкс, /у < 1000 Гц, не менее 0,1 В
Удерживающий ток при С/пр> 31!р = 20 В, 213 К, не более 90 мА
Незапирающий ток управляющего электрода при
^пр.зкр = 20 В, 7откр = 100 мА, т2 = 7 мкс, /у < 1000 Гц,
не менее...................................... 0,5 мА
651
Незапирающее напряжение на управляющем электроде
при Ц,р.,Кр = 20 В, 7о6р = 100 мА, т, = 7 мкс,
/у < 1000 Гц, не менее.............................0,05 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии
при температуре от 213 до 383 К
2У206А................................................ 50 В
2У206Б........................................... 100 В
2У206В........................................... 150 В
2У206Г......................................... 200 В
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии
в ждущем режиме при температуре от 213 до 343 К:
2У206А.............................................. 50 В
2У206Б........................................... 100 В
2У206В........................................... 150 В
2У206Г........................................... 200 В
Постоянное обратное напряжение........................ 5 В
Минимальное напряжение в закрытом состоянии .... 20 В
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоя-
нии ............................................. 200 В/мкс
Постоянный запираемый ток при температуре:
от 213 до 343 К................................... 350 мА
от 343 до 383 К.............................. 399 ~ Л м?
0,16 ’ '
Минимальный ток в открытом состоянии при 213 К 100 мА
Постоянный ток в открытом состоянии при 383 К 100 мА
Импульсный прямой ток управляющего •электрода при
длительности импульса от 3 до 20 мкс, fy - 50 Гц
и температуре:
от 213 до 343 К.................................... 200 мА
от 343 до 383 К...................................100 мА
Импульсный обратный ток управляющего электрода при
длительности импульса от 7 до 20 к к:, fy = 50 Гц,
прн температуре
от 213 до 343 К.......................................100 мА
or 343 до 383 К....................................90 мА
Импульсный ток в открытом состоянии нри fy = 50 Гц-
ти < 10 мкс........................................... 20 А
ти < 100 мкс....................................... 4 А
ти < 1000 мкс...................................... 2 А
Средняя рассеиваемая мощность при земпературе корпуса
от 213 до 343 К...................................... 1,4 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус.............40 К/Вт
Температура перехода................................. 398 К
Температура корпуса.................................От213
до 383 К
Примечание. Для повышения надежности необходимо шун-
тировать цепь управления резистором сопротивлением 20 Ом
652
Зависимость максимального
прямого напряжения в закрытом
coci оянии от температуры кор-
пуса.
В
250
200
160
100
50
О
313 353 3S3 373 383 333 К
Зависимость импульсного за-
пирающего напряжения управ-
ляющего электрода от длитель-
ности запирающего импульса.
О 5 10 15 20 мкс
Зависимость импульсного от-
пирающего тока и напряжения
управляющего электрода от
длительности отпирающего им-
пульса.
Зависимость импульсного запи-
рающего тока управляющего
элек рода от запирающего тока.
Зависимость импульсного запи-
рающего напряжения управляю-
щего электрода от запирающе-
го тока.
653
Зависимость удерживающего то-
ка от температуры.
Зависимость импульсного запи-
рающего напряжения управляю-
щего электрода от температуры.
Зависимость импульсного отпи-
рающего тока управляющего
электрода от температуры.
Зависимость тока в закрытом
состоянии от температуры.
2У207А, 2У207Б, 2У207В, 2У207Г, 2У207Д, 2У207Е
Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п триодные незапи-
раемые Предназначены для работы в импульсных переключающих
устройствах большой мощности.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами
Тип прибора указывается на корпусе
Масса тиристора не более 40 г.
654
Электрические параметры
Напряжение в открытом состоянии при /шкр = 10 А,
нс более:
при 298 К...................................... 2,5 В
при 213 К ..................................... 3,5 В
Импульсный отпирающий ток управляющего электрода
ПРИ ^пр зкр = Ю В, /„„р 10 А не более:
при 298 К...................................... 300 мА
прн 213 К...................................... 500 мА
Ток в закрытом состоянии при максимальном напря-
жении, не более:
при 298 К ............................. 5 мА
при 383 К .................................. 10 мА
Обратный ток 2У207Б, 2У207Г, 2У207Е при максималь-
ном обратном напряжении, не более:
при 298 К ....................................... 5 мА
при 383 К....................................... 10 мА
Время включения 2У207Д, 2У207Е при Unp зкр = 300 В
^у.от.и = 150 мА, т, = 10 мкс, 7огкр = 10 А, не более 0,5 мкс
Время выключения при максимальном напряжении
4,от,и= 150 мА, т2 = 10 мкс, 7откр — 10 А, не более 15 мкс
Импульсное отпирающее напряжение управляющего элек-
трода при Спрзкр = 10 В, 7уо1и = 300 мА т, = 10 мкс,
пе более............................................ 10 В
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии
при максимальном напряжении, нс менее.............10 В мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение в закрытом сосюянии
при температуре от 213 до 383 К
2У207А 2У207Б................................... 100 В
2У207В 2У207Г................................. 200 В
2У207Д, 2У207Е................................ 300 В
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 до 383 К
2У207Б .............. . .... 100 В
2У207Г........................................ 200 В
2У207Е........................................ 300 В
2У207А, 2У207В 2У207Д..........................Не допуска-
ется
Постоянный ток в открытом состоянии прн темпера-
туре корпуса от 213 до 308 К...................... 10А
Постоянный ток в режиме переключения при макси-
мальном напряжении,/= 50 Гц п температуре корпуса
от 213 до 343 К................................. 5 А
655
Импульсный ток в открытом состоянии при
/огкр ср < 0-5 А, т„ < 50 мкс и температуре корпуса
от 213 до 343 К....................................... 100 А
Средняя рассеиваемая мощность при температуре кор-
пуса от 213 до 308 К..................................... 20 Вт
Импульсный прямой ток управляющего электрода при
температуре от 213 до 383 К ... 2 А
Постоянное обратное напряжение на управляющем
электроде............................................... 1 В
Температура окружающей среды..............................От 213
до 383 К
Примечания: I. Постоянный ток. А, в открытом состоянии
при температуре корпуса от 308 до 383 К определяется по формуле
/откр = (383 - TJ/7,5.
2 . Постоянный ток, А в открытом состоянии в режиме пере-
ключения при температуре корпуса от 343 до 383 К определяется
по формуле
/откр = (383 - Тк)/8.
3 . Импульсный ток. А, в открытом состоянии при 1емпературе
корпуса от 343 до 383 К определяется по формуле
/откр.к = (383 - TJ/0,4.
4 Средний ток. А, в открытом состоянии при максимальном
импульсном токе и температуре корпуса от 343 до 383 К опреде-
ляется по формуле
/Откр.ср = (383 - TJ/80.
5 Средняя рассеиваемая мощность, Вт при температуре от
308 до 383 К определяется по формуле
/>ср = (383 - Гк)/3,75.
Зависимость времени выключе-
ния от температуры корпуса.
Зависимость времени выключе-
ния от импульсного тока.
656
Зависимость импульсного отпи-
рающего тока управляющего
электрода от длительности от-
пирающего импульса.
3,0
г, 5
z,o
1,5
1,0
0,5
О 2 Ч S 8 10 мм
Зависимость импульсного отпи-
рающего напряжения управляю-
щего электрода от длитель-
ности отпирающего импульса.
Зависимость времени включения
от импульсного тока.
Зависимость времени включения
от прямого напряжения в за-
крытом состоянии.
неот,Т Ш07(Д,Е)
Г«
мн А
ЧОО
300
100
100
О
213 253 2 93 333 373 413 К
Зависимость времени включения
от импульсного отпирающего
тока управляющего электрода
Зависимость нсотпирающего то-
ка управляющего электрода от
температуры корпуса
657
Зависимость пеотпирающсго на-
пряжения управляющего элект-
рода от температуры корпуса.
Зависимость минимального тока
в открытом состоянии от тем-
пературы корпуса.
Зависимость импульсного отпи-
рающего тока управляющего
электрода от длительности от-
пирающего импульса.
Зависимость напряжения в от-
крытом состоянии от темпера-
туры корпуса.
2У208А, 2У208Б, 2У208В, 2У208Г,
КУ208В, КУ208Г
КУ208А, КУ208Б,
Тиристоры кремниевые планарно-диффузионные|и-/>-п-/>-и триодные
незапирасмые Предназначены для работы в качестве симметричных
ключей средней мощности для устройств автоматического регули-
рования и коммутации
цепей силовой автомата
ки иа переменном токе.
Выпускаются в ме-
таллостеклянном корпусе
с жесткими выводами.
Тип прибора указывается
на корпусе.
Масса тиристора пс
более 18 г.
658
Элек । рические параметры
Напряжение в открытом состоянии при = 5 Л
298 и 213 К, нс более.............................. 2 В
Постоянный отпирающий ток управляющею электрода
при 1/Пр.1кр= 10 В, пс более-
при 298 К
2У208А, 2У208Б, 2У208В. 2У208Г......................150 мА
КУ208А КУ2О8Б, КУ208В, КУ2О8Г.................160 мА
при 213 К для 2У208А 2У208Б. 2У208В, 2У2О8Г 250 мА
Постоянное отпирающее напряжение управляющею
электрода, не более:
при 298 К для КУ2О8А КУ208Б. КУ208В, КУ2О8Г 5 В
при 213 К для 2У208А, 2У208Б 2У208В, 2У208Г 7 В
Ток в закрытом состоянии при максимальном напря-
жении и температуре 213 и 383 К (358 К для КУ2О8Л,
КУ2О8Б, КУ208В, КУ2О8Г). не более.................. 5 мА
Время включения при максимальном напряженни,
4ткР = 5 А, не более...............................10 мкс
Время выктюченття при максимальном напряжении.
701кр = 5 А. ис более...............................150 мкс
Минимальный ток в открытом состоянии при
Цф. ткр = >0 В, ие более............................150 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии
(постоянное обратное напряжение)
2У208А, КУ2О8А..................................... 100 В
2У2О8Б, КУ2О8Б............................... 200 В
2У208В КУ208В................................ 300 В
2У208Г, КУ208Г............................... 400 В
Импульсное прямое напряжение па управляющем элект-
роде при ти < 50 мкс, температуре корпуса от 213
до 383 К (358 К для КУ2О8А, КУ2О8Б, КУ2О8В
КУ2О8Г)............................................. 10 В
Скорость нарастания панряжения в закрытом состоя-
нии при температуре корпуса от 213 до 383 К
(до 358 К для КУ208А, КУ208Б КУ208В, КУ2О8Г).
КУ2О8А. КУ2О8Б КУ208В КУ2О8Г.................10 В мкс
2У208А, 2У208Б, 2У208В, 2У208Г...............15 В мкс
Постоянный ток в открытом состоянии при темпера-
туре:
от 213 до 343 К...................................... 5 А
при 383 К для 2У2О8А 2У208Б, 2У208В, 2У2О8Г 0,5 А
Импульсный ток в открытом состоянии при температуре:
от 213 до 343 К
2У2О8А 2У208Б, 2У2О8В, 2У208Г....................... 15 А
КУ208А КУ208Б. КУ2О8В КУ208Г.................. 10 А
при 383 К для 2У2О8А, 2У208Б, 2У2О8В, 2У2081 1,5 А
659
Импульсный перегрузочный ток в открытом состоянии
в течение одного полу периода при темпера! уре.
от 213 до 343 К................................. 30 А
при = 383 К для 2У208А, 2У208Б, 2У208В,
2У208Г.......................................... ЗА
Импульсный прямой ток управляющего электрода при
температуре от 213 до 383 К (до 358 К для КУ2О8А,
КУ208Б, КУ208В, КУ208Г)............................ 500 мА
Импульсный прямой ток управляющего электрода при
ти < 50 мкс, температуре от 213 до 383 К (до 358 К
для КУ208А, КУ208Б, КУ2О8В, КУ208Г)................ 1 А
Средняя рассеиваемая мощность при температуре кор-
пуса:
от 213 до 343 К.................................. 10 Вг
при 383 К для 2У208А, 2У208Б, 2У208В, '2У208Г 1 Вт
Импульсная мощность управляющего электрода при
ти < 50 мкс, fy < 400 Гц при температуре корпуса от
213 до 343 К...................................... 5 Вт
Предельная частота.................................. 400 Гц
Температура корпуса.
2У208А, 2У208Б, 2У208В, 2У208Г..................От 213
до 383 К
КУ208А, КУ208Б, КУ208В, КУ208Г..................От 213
до 358 К
Примечание. Нормальная работа тирис ора обеспечивается
при следующих полярностях анодного и управляющего напряжений:
Напряжение анода Напряжение управляющего
электрода
+ +
Зависимость максимального
тока в oiкрытом сосюянии от
температуры корпуса.
Зависимость отпирающего тока
управляюще! о электрода от
темпера уры.
660
Зависимость отпирающего и не-
пирающего тока управляющего
электрода от длительности им-
отпирающего напряжения управ-
ляющею электрода от тем-
273 Z53 Z93 333 373 413 К
Зависимость максимального
Зависимость напряжения в от-
крытом состоянии от темпера-
прямого напряжения в закрытом
состоянии от температуры.
Зависимоеib времени включения
и выключения от импульсного
и выключения от 1емпсратуры.
тока.
661
Часть четвертая
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ
ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ
Разде i тринадцатый
ИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ ИК ДИАПАЗОНА
ЗЛ1ОЗА, ЗЛ1ОЗБ, АЛ103А, АЛ103Б
Излучающие диоды арсенид-галлисвыс эпитаксиальные бескор-
пусллыс. Предназначены для работы в качестве источников излучения
в ближнем ИК диапазоне. Тип диода указывается па вкладыше,
помещаемом вместе с диодом в упаковку.
Масса диода пс более 0,1 г.
Электрические и излучательные параметры
Полная мощность излучения при /пр = 50 мА,
не менее:
АЛ ЮЗА, ЗЛ1ОЗА
АЛ103Б, ЗЛ1ОЗБ......................
Постоянное прямое напряжение при
/пр = 50 мА, при температуре от 233 до
358 К, ие более ......................
Типичное значение длины волны в максиму-
ме спектра льной характеристики из лучения
Ширина спектральной характеристики излу-
чения на уровне 0,5 ....................
Время нарастания импу льса излучения
Время спада импульса из лучения.........
1 мВт
0,6 мВт
1,6 В
0,95 мкм
От 10 до 50 нм
От 200 до 300 нс
500 нс
662
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток...............................52 мА
Обратное импульсное напряжение .... 2 В
Температура окружающей среды:
АЛ103А, АЛ103Б........................ Ог 233 до 358 К
ЗЛ1ОЗА, ЗЛ1ОЗБ........................ От 213 до 358 К
симости мощности излучения от
длины волны.
зависимости мощности излу-
чения от длины волны.
симости мощности излучения от
длины волны.
О 25 яЯ
Зоны возможных положений
зависимости мощности излу-
чения от тока.
663
Диаграмма направленности излучения.
АЛ106А, АЛ106Б, АЛ 106 В
Излучающие диоды фосфид-галлиевые мезадиффузионпые в пласт-
массовой заливке. Предназначены для работы в качестве источни-
ков инфракрасного излучения с длиной волны 0,93 мкм.
Масса диода нс более 0,5 г.
Место OmpuM,o.me/it-
маркировка цЫц gtl8od
Место наркироВки,
типа, диода,
Электрические н излучательные параметры
Полная мощность излучения при Z„p 100 мА, нс
менее:
АЛ106А............................................0,2 мВг
АЛ106Б............................................0,4 мВт
АЛ 106В...........................................0,6 мВт
Постоянное прямое напряжение при Znp = 100 мА, не
более:
от 298 до 358 К.................................. 1,7 В
при 213 К........................................ 1,9 В
Типичное значение длины волны излучения в макси-
муме спектральной характеристики при Zllp = 100 мА От 0,92 до
, 0,935 мкм
664
Ширина диаграммы направленности на уровне 0,5 * 25
Время нарастания импульса излучения между уровнями
0,1 и 0 9*........................... . ... 10 пс
Время спада импульса излучения между уровнями
0.9 и 0.1*.............................................. 20 нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток:
при 298 К........................................120 мА
при 358 и 213 К..................................100 мА
Температура окружающей среды..........................От 213
Зона возможных положений вольт-ам-
Зоиы возможных положений
перпой характеристики.
зависимости мощности излу-
чения от тока.
Зависимость мощности излу-
чения от длины волны
665
Диаграмма направленности из-
лучения (/, 2 — возможные по-
ложения оси диаграммы на-
правленности).
Зависимость прямого тока от
температуры.
ЗЛ107А, ЗЛ107Б, АЛ107А, АЛ107Б
Излучающие диоды арсеиид-галлиевые мезаэпитаксиальные. Пред-
назначены для работы в качестве источников инфракрасного из-
лучения.
Конст руктивно диоды оформлены в п iac rмассовой оболочке.
Масса диода ие более 0,2 г.
Элек трод 1 Электрод 2
Тип диода." ______ л
А Л ЮТ А одна, точка.
АЛ 10ТБ-две точки
2±/
6,3 S
Электрод 1
Электрод 2
Электрические и излучательные параметры
Полная мощность излучения при температуре от 213 до
298 К /пр = 100 мА не менее.
АЛ 107 А, ЗЛ107А.....................................^мВт
АЛ107Б, ЗЛ107Б..................................10 мВт
Импульсная мощность излучения * при /|1р и 0,8 А
и т„ = 50 мкс, не менее
АЛ107А, ЗЛ1О7А................................ЗОД мВт
АЛ107Б, ЗЛ1О7Б.................................50 мВт
666
1
Постоянное прямое напряжение при 7пр=100 мА,
не более:
при 298 К......................................... 2 В
при 213 К......................................... 2,5 В
Длина волны излучения в максимуме спектральной ха-
рактеристики при /пр = 100 мА и температуре от
213 до 358 К........................................ Oi 0.9 до
1.2 мкм
Предельные эксп iyai анионные данные
Постоянный прямой ток при температуре,
от 213 до 308 К................................. . . ЮО мА
при 358 К...........................................80 мА
Импульсный прямой ток при длительности импульса пс
более 50 мкс, скважности 20 и температуре
от 213 до 308 К .................................... 0,8 А
при 358 К........................................... 0 65 А
Температура окружающей среды............................От 213
до 358 К
Примечание При температуре 358 К мощность излучения
снижается не ботсс чем в 2 раза.
Г- -ЦЗКВля ЗЛ101 (А,Б),
308К Зля АА107(А,Б)
т= 358К
ЗЛ10Ц А,Б)
АЛ107(А,Б)
Скважность |
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
Зависимость максимального импульсного прямого тока от скваж-
ности.
1,0
0,9
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,5
0,2
0,1
0
ЗЛ107(Л,Б),АЛ107(А{Б)
Т=213К
ЮОнА
298 К
Т„~100"/{
358 К-
8В0 300
980 ни
Зависимость максимального импульсного
прямого тока от длительности импульса.
Зависимость мощности излучения от дли-
ны волны.
667
Диаграмма направленности излуче-
ния (1—3 — возможные положения
оси диаграммы направленности)
Зона возможных положений
вольт-амперной характеристики.
Зависимость прямого тока от темпе-
ратуры.
ЗЛ108А, АЛ108А
Излучающие диоды арсенид-таллиевые эпитаксиальные в пласт-
массовом корпусе. Предназначены для работы в качестве источника
инфракрасного излучения с -длиной волны 0,94 мкм. Диоды мар-
кируются белой точкой.
Масса диода не более 0,15 г
Электрические и излучательные параметры
Полная мощность излучения при 7пр =
100 мА не менее................................ 1,5 мВт
Постоянное прямое напряжение при /пр =
= 100 мА, не более............................ 1,35 В
£68
Типичное значение длины волны в максиму-
ме спектральной характеристики излучения
при/пр 100мА. ... 0 94 мкм
Температурный коэффициент положения мак-
симума спектра............................... 2,3 нм/К
Полуширина спектра излучения при темпе-
ратуре от 213 до 358 К.................... От 35 до 70 нм
Прямое импульсное напряжение при /пр и =
= 4 А.................................. От 2,5 до 3,2 В
Дифференциальное сопротивление при
/пр и — 0,5 А, не более........................ I Ом
Время нарастания импульса излучения От 0,4 до 2.4 мкс
Время спада импульса излучения............ От 1,0 до 2,0 мкс
Общая емкость диода........................От 100 до 400 пФ
Пре тельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток при температуре
от 213 до 358 К................................ ПО мА
Импульсный прямой ток при длительности
импульса не более 20 мкс и температуре
от 213 до 358 К .............................. 4 А
Постоянное обратное напряжение при темпе-
ратуре от 213 до 358 К ......................... 2 В
Температура окружающей среды............... От 213 до 358 К
1,0
0,9
0,8
0,1
0,6
0,5 0,4 0,3 0.Z 0,10
Зависимость мощности излуче-
ния от длины волны
Диаграмма направленности из-
лучения (/, 2 — возможные по-
ложения оси диаграммы на-
правленности).
669
Зона возможных положений за-
висимости прямого напряжения
от температуры.
Зона возможных положений за-
висимости мощности излучения
от температуры.
Зона возможных положений за-
висимости мощности излучения
от импульсного тока.
Зависимость мощности излу-
чения от частоты.
ЗЛ109А-1, АЛ109А-1
Излучающие диоды арсенид-галлисвые эпитаксиальные бескор-
пусные Предназначены для использования в оптоэлектронных гиб-
ридных микросхемах, имеющих герметичный корпус. Обозначение
типа диода приводится иа этикетке.
Масса диода не более 0,06 г.
670
I
Электрические н излучательные параметры
Полная мощность излучения при /пр = 20 мА, ие
менее..................................................0,2 мВт
Постоянное прямое напряжение при /пр = 20 мА, ие
более............................................... 1.2 В
Типичное значение длины волны в максимуме спект-
ральной характеристики излучения при /пр = 20 мА 0,93 мкм
Предельные эксплуатаииоиньн данные
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до
353 К...................................................22 мА
Температура окружающей среды............................От 213
до 353 К
Диа рамма направленности излучения
Зависимость мощности
излучения от длины вол-
ны.
Зона возможных положений зависи-
мости мощности излучения от пря-
мого тока
ЗЛ115А, АЛ115А
Излучающие диоды арсенид-галлиевые мезаэпигаксиатьпые в
защитной пластмассовой оболочке. Предназначены для работы в ка-
честве источников инфракрасного излучения с длиной волны
0,95 мкм. Тип диода указывается на групповой таре. Положи-
тельный вывод отмечается белой точкой.
Масса диода 0,2 г
Электрические и излучательные параметры
Полная мощность излучения при 1пр = 50 мА, нс
менее..............................................10 мВт
Постоянное прямое напряжение нри /пр = 50 мА, не
более.............................................. 2 В
Дифференциальное сопротивление нри /пр = 50 мА, не
более.............................................. 3 Ом
Длина волны излучения в максимуме спектральной ха-
рактеристики * при /пр = 50 мА .......................Около
0,95 мкм
Ширина спектра излучения * на уровне 0 5 при
/пр 50 мА не более.................................0,05 мкм
Ширина диаграммы направленности * на уровне 0,5,
не более...........................................90 град
Коэффициент полезного действия*, не менее.......... 10 %
Параметры импульса излучения*
время включения, не более.......................... 300 нс
время выключения, ие более..................... 500 нс
Постоянный обратный ток при 1/о6р 4 В не более 100 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток АЛ115А при температуре oi
233 до 358 К и ЗЛ115А при температуре от 213
до 358 К.............................................50 мА
Постоянное обратное напряжение........................ 4 В
Рассеиваемая мощность . . .......... . 100 мВ г
Температура окружающей среды:
АЛ115А................................................Oi 233
до 358 К
ЗЛН5А.............................................От 213
до 358 К
672
Зона возможных положений вольт-
амперной характеристики тока от на-
пряжения
Зона возможных положений
зависимости мощности излу-
чения от тока
Диаграмма направленности из-
лучения
Зависимость мощности излуче-
ния от длины волны.
ЗЛ118А
Излучающие диоды арсспид-галлиевые эпитаксиальные в защит-
ной пластмассовой оболочке. Предназначены для работы в качестве
источников непрерывного или импульсного инфракрасного излучения
с длиной волны 0,93 мкм. Тип диода указывается на групповой
таре. Положительный вывод маркируется черной точкой
Масса диода не более 0,2 г.
673
Электрические н излучательные параметры
Полная мощность излучения при /пр — 50 мА, пе
менее.................................................2 мВт
Импульсная мощнос1ь излучения при /при 0,5 А и
температуре 298 К не менее............................10 мВт
Постоянное прямое напряжение при /пр = 50 мА, пе
более................................................. 1,7 В
Длина волны излучения в максимуме спектральной
характеристики........................................От 0,91
до 0,95 мкм
Время нарастания импульса излучения при 7пр „ = 50 мА,
ти 500 нс, не более................................... 100 нс
Время спада, нс более................................. 150 пс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток при температуре от 213
до 358 К.............................................50 мА
Импульсный прямой ток при длительности импульса
50 мкс и скважности не менее 20 при темпера-
туре 298 К.......................................... 0,5 А
Постоянное обратное напряжение при токе = 100 мкА
и температуре 298 К.. . ............. 1 В
Температура окружающей среды............................От 213
до 358 К
Зона возможных положений за
висимости мощности излучения
от температуры.
t>74
Дна! рам.ма направленное!и
чсн ия.
излу- Зависимость мощности излуче-
Зависимость мощности
излучения от длины
во-шы
ния oi юка
Зависимость импульсного прямого
тока oi скважности.
А
0,6
0,4
0,1
о
113 0
Зона возможных положений
зависимое! и импульсного
прямо! о тока от импуль-
сною прямого напряжения
675
ЗЛ119А, ЗЛ119Б
Излучающие диоды арсенид-галлиевые мезаэпитаксиальные в
мсталлостеклянном корпусе. Предназначены для работы в качестве
источников инфракрасного излучения с длиной волны 0,95 мкм.
Обозначение типа наносится на групповую тару.
Масса диода не более 0,3 г.
Электрические н излучательные параметры
Полная мощность излучения в угле 110° при 4р =
= 300 мА, не менее..................................40 мВт
Постоянное прямое напряжение при /пр = 300 мА, ие
более............................................... ЗВ
Длина волны излучения в максимуме спектральной
характеристики......................................От 0,93
до 0,96 мкм
Время нарастания импульса излучения, не более
ЗЛ119А.................................................. 1 -мкс
ЗД119Б............................................ 0,35 мкс
Время спада импульса излучения....................... 1,5 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток при температуре окружающей
среды:
от 213 до 308 К .................................. 300 мА
прн 358 К ........................................ 200 мА
Температура окружающей среды . . ............От 213
до 358 К
676
виси мости прямого тока от на-
пряжения.
Зона возможных положений за-
висимости прямого напряжения
от температуры.
Зона возможных положений за-
висимое! и мощности излучения
от тока.
Зона возможных положений за-
висимости мощности излучения
от температуры.
Зона возможных положений зави-
симости длины волны от темпе-
ра гурьк
Зависимость прямого тока ог
температуры.
677
Раздел четырнадцатый
СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ,
ЗНАКОВЫЕ ИНДИКАТОРЫ
2Л101А, 2Л101Б, КЛ101А, КЛ101Б, КЛ101В
Светоизлучающие дио-
ды карбидокрсмнисвыс жел-
того цвета свечения в ме-
таллическом корпусе. Пред-
назначены для визуальной
индикации, а также для
использования в ущропствах
автоматического регулирова-
ния. Тип диода указывается
на групповой таре.
Масса диода не бо-
лее 0,03 I.
Электрические и излучающие параметры
Яркость, пс менее:
при 298 К
2Л101А, КЛ101А ............................10 кд/м’
2Л101Б, КЛ101Б..................................15 кд/м2
КЛ101В . . . . ...............20 кд/м2
при 343 К
2Л101А КЛ101А, КЛ101Б...........................4 кд/м2
2Л101Б, КЛ101В..................................6 кд/м2
при 263 К
2Л101А КЛ101А...................................4 кд/м2
2Л101Б КЛ101Б...................................6 кд/м2
КН01В...........................................8 кд/м2
Постоянное прямое напряжение при максимальном
токе, не более:
при 298 и 343 К
2Л101А, 2Л101Б..................................... 5 В
КЛ101А КЛ101Б, К 101В.......................... 5,5 В
при 263 К
2Л101А. 2Л101Б, КЛ101А, КЛ101Б, КЛ101В . . 10 В
Цвет свечения.....................................Желтый
Предельные эксплуатационные чанные
Постоянный прямой ток при температуре от 263 до
343 К
2Л101А, КЛ101А..................................10 мА
2Л101Б, КЛ101Б.................................20 мА
КЛ101В.........................................40 мА
Температура окружающей среды........................От 263
до 343 К
678
Зона возможных положений зависимости
яркости от тока.
Зависимость яркости от
температуры.
Зона возможных положений зависи-
мости яркости от длины волны.
ЗЛ102А, ЗЛ102Б, ЗЛ102Г, АЛ102А, АЛ102Б, АЛ102Г
Светоизлучающие диоды фосфид-гатлиевые эшп аксиальные в
мсталлостеклянном корпусе красного цвета свечения Предназначены
для визуальной индикации.
Диоды маркируются цветными точками: АЛ102А — красной,
АЛ102Б —двумя красными, АЛ102Г —тремя красными, ЗЛ102А —
черной, ЗЛ102Б —двумя черными, ЗЛ1О2Г —тремя черными.
Масса диода нс более 0,25 г.
3 _____ Г5
679
Электрические и сисл оные параметры
Сила света пс менее:
АЛ102А при /пр = 5 мА и 298 К................40 мккд
ЗЛ1О2А при fnp — 5 мА
при 298 и 213 К............................40 мккд
при 343 К..................................25 мккд
АЛ102Б при /,1р = 20 мА и 298 К..............100 мккд
ЗЛ102Б при /,|р = 20 мА
при 298 и 213 К............................100 мккд
при 343 К..................................40 мккд
АЛ1О2Г при /,,р= 10 мА и 298 К............... 200 мккд
ЗЛ102Г при /пр= 10 мА:
при 298 и 213 К.............................. 200 мккд
при 343 К..................................100 мккд
Постоянное прямое напряжение, ЗЛ102А и АЛ102А при
4р=5 мА, ЗЛ1О2Б и АЛ102Б при /|р = 20 мА,
ЗЛ102Г и АЛ102Г при /11р = 10 мА, не более. ... 2,8 В
Цвет свечения....................................Красный
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток при температуре or 213 до
323 К
АЛ102А, АЛ102Г, ЗЛ102А, ЗЛ102Г..................10 мА
АЛ102Б, ЗЛ102Б....................................20 мА
Постоянный прямой ток при 1емпсратуре от 323
ДО 343 К............................................. 10 мА
Обратное напряжение постоянное или импульсное при
длительности импульса до 20 мкс и частоте до
1 кГц................................................. 2 В
Температура окружающей среды..........................Ог 213
до 343 К
Зона возможных положений зависи-
мости прямого тока ог напряжения.
680
Зависимость силы света от тока. Зависимость яркости ог
длины волны
Зона возможных положений зави-
симости силы света от темпера-
туры
Диаграмма направленное т.
2Л105А
Знаковый индикатор карбидокремниевый желто-оранжевого цвета
свечения в пластмассовом корпусе Предназначен для визуальной
индикации.
Индикатор имеет семь элементов, излучающих свез при подаче
прямого тока. Различные комбинации элементов, обеспечиваемые
внешней коммутацией, позволяют воспроизвести цифры от 0 до 9
Отрицательный вывод маркируется цветной точкой па торце цифро-
вою индикатора у общею вывода / Размер цифры 5 мм
Масса не более 0 8 г.
22 под рсд Н Н I орюпова
681
ncs
Отрицательный Вывод обозначается цветной
точкой на торце цифрового индикатора
у общего Вывода (№ 1).
I - кагод общий; 2 - анол С; 3 — анод D. 4 — анод Е. 5 - анод F 6 анол Л;
7 анод G. 8 — анод В
1 долина 14.1
Порядок подключения выводов знаковою ящика юра
для получения изображения цифры
Воспроизводимые цифры Выводы
0 2, 3. 4, 5, 6. 8
1 2, 8 или 4, 5
2 3, 4 6, 7, 8
3 2, 3, 6, 7, 8 или 3, 4. 5, 6. 7
4 2, 5. 7. 8 или 2, 4, 5, 7
5 2, 3, 5, 6, 7
6 2, 3, 4, 5, 6, 7 или 2, 3, 5, 6, 7, 8
7 2, 6, 8 или 3, 4, 5
8 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8
9 2. 3. 5 6. 7, 8 пли 2, 3 4 5. 6, 7
Э зектрнческие и снеговые парам дры
Яркость при I =10 мА через каждый элемент
ие менее.......................................... 15 кд/м^
Коэффициент изменения яркости, пс менее.
при 343 К......................................... 0,5
при 213 К........................................ 0,25
Постоянное прямое напряжение:
при 293 К..................................От 2,2 до 6 В
682
при 343 К
при 213 К
Цвет свечения
...............................От 1,8 до 6 В
....................................От2,2доЮВ
.................................От ЖСЛТО1 о
до оранже-
вого
Предельные эксплуатационные данные
Прямой ток через элемент при температуре корпуса от
213 до 358 К ......................................... 12 мА
Прямое напряжение, при котором отсутствует свечение
при температуре от 213 до 343 К........................ 1 В
Температура окружающей среды...........................От 213
до 343 К
Зона возможных положений за-
висимости прямого зока от на-
пряжения.
Зона возможных положений за-
висимости яркости от тока.
Z13 233 253 113 ZS3 313 333 353 К
Зона возможных положений за-
висимости яркости от темпера-
туры.
Зона возможных положений за-
висимости интенсивности излу-
чения oi длины волны.
22*
683
АЛ301А, АЛ301Б
Светоизлучающие диоды фосфид-галлиевыс эпитаксиальные бес-
корпусныс. Предназначены для использования в индикаторах, опто-
парах, гибридных микросхемах.
Диоды маркируются цветным кодом: АЛ301А одной красной
точкой, АЛ301Б двумя красными точками.
Масса диода не более 9 мг.
Электрические и световые параме ры
Яркость излучения, пс менее.
АЛ301А при /пр — 5 мА.................................25 мккд
АЛ301Б при 1ар= 10 мА............................100 мккд
Постоянное прямое напряжение дчя АЛ301А при /1р =
= 5 мА, АЛ301Б при /11р = 10 мА, не более ... 2,8 В
Цвет свечения........................................Красный
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до
343 К............................................... 11 мА
Температура окружающей среды........................От213
до 343 К
Зависимость мощности излуче-
ния от лдиды волны.
684
Зона возможных положений за-
висимости силы све!а от тем-
пера! уры.
Диаграмма направленное!и из-
лучения.
Зона возможных положений за-
Завмсимость яркое in от пока.
в не и мост и сипы света ог тем-
пературы
АЛ304А, АЛ304Б, АЛ304В, АЛ304Г
Знаковые индика юры арсенпд-фосфид-галлиевые эщпаксиально-
планарныс красного и icjchoto цвета свечения в плас массовом
корпусе Предназначены для отображения цифровой информации.
Hi днкатор имеет семь элементов и децимальную точку, излу-
чающие свет при подаче прямого тока. Различные комбинации
элементов, обеспечиваемые внешней коммутацией, позвочяют вос-
произвести цифры от 0 до 9 и децимальную точку.
Размер цифры 3 мм. Масса прибора не более 0,25 г.
685
Исполнение 2
Исполнение 1
остальное-см исполнение!
М30У,\Б,В)^
МЗ(М W
AJI304A АЛ304В. AJ1304B / -
анод £; 2 — анод D; 3, 8
ка । од общий; 4 — анод С; 5
анод Н,6 — анод В. 7 — анод А;
9— анод G; 10 анод 2.
АЛ304Г: 1 катод £ 2 - ка
юд D 3 8 анод общин; 4 —
катод С- 5- кшод II; 6 —
ка 1 од В 7 катод А 9 — ка-
тод G 10 — ка 1 од /’.
Этектрпческис и световые параметры
Яркость при токе через э icmciit 5 мА, не менее:
АЛ304А...............................................140 кд/м2
АЛ304Б ........................................... От 80
ло 320 кд/м"’
АЛ304В (при токе через элемент 10 мА) .... 60 кт/м2
АЛ304Г........................................... 350 кд/м2
Допустимое отклонение яркости........................... 60 %
Постоянное прямое напряжение, нс более
прн температуре 298 и 343 К чтя АЛ304А,
АЛ304Б . ................................ 2 В
при температуре 213 К для АЛ304А, АЛ304Б. . . 2,4 В
при температуре 298 и 343 К для АЛ 304В.
АЛ 304 Г........................................ ЗВ
при температуре 213 К для АЛ304В. АЛ304Г . . 3 6 В
Ц :т свечения
АЛ304А. АЛ304Б, АЛ304Г....................... Красный
АЛ304В..........................................Зеленый
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток через каждый элемен! при
температуре от 21.3 до 343 К. .....................11 мА
Посюяпный прямой ток через все элементы при тем
псратурс от 213 до 343 К............................88 мА
Мощность, рассеиваемая при 1емпсратурс от 213 до
343 К............................................ 264 mBi
Температура окружающей среды......................От 213
до 343 К
686
Зона возможных положений
Зона возможных потожепий
зависимости прямого тока
Зона возможных положений за-
висимости яркости от тока.
Зависимость яркости от тем-
пературы.
АЛ305А, АЛ305Б, АЛ305В, АЛ305Г, АЛ305Д, АЛ305Е,
АЛ305Ж, АЛ305И, АЛ305К, АЛ305Л
Знаковые индикаторы арсснид-фосфид-галлисвыс красного и зе-
леного цвета свечения в пластмассовом корпусе Предназначены
для визуальной индикации.
Индикатор имеет семь элементов и децимальную точку, из iy-
чаюшис свет при подаче прямого тока. Различные комбинации
элементов, обеспечиваемые внешней комму1ацней, позвотяюг вос-
произвести цифры от 0 до 9 и децимальную точку
Индикаторы маркируются цветным кодом, приведенным ниже.
Размер цифры 6,9 мм Масса прибора не более 1 5 г
687
АЛ305А-АЛ305Е / — катод А, 2 —катод F; 3 9, /4 - анод общий; 6 —
катод П, 7—катод Е; 8 — катод D, /0 —кагод <; // — катод G; 13 — ка-
тод й; АЛ305Ж —АЛ305Л: 1 — анол А; 2 — анод F; 3, 9. 14 катод общий;
б — анод //; 7 — анод Е; Л — анод D; 10 — анод С; 11 — анод G; 13 —
анод В
Маркировка приборов
Таблица 14.2
Тип прибора Цвет точки
</ »
АЛЗО5А Белый Белый
АЛ305Б »
АЛ305В Красный Красный
АЛ305Г » —
АЛ305Д Синий Синий
АЛ305Е » —
АЛ305Ж Черный Черный
АЛЗО5И »
АЛЗО5К » Белый
АЛ305 Ч — —
Электрические и свсювые параметры
Яркость при токе 20 мА, пс менее:
АЛ 305А, АЛЗО5Ж 350 кд/м=
АЛ305Б, АЛ305И................................ 200 кд/м=
АЛ305В, АЛ305Д, АЛ305К.......................120 кд/м=
АЛ305Г, АЛ305Е, А Л305Л.......................60 кд/м-’
Допустимое отклонение яркости:
АЛЗО5А, АЛЗО5В, АЛ305Ж.................................-60°'
688
АЛЗО5Б, АЛ305Г. АЛ305Е, АЛ305И, АЛЗО5К,
АЛ305Л...................................... ±60 %
АЛ305Д......................................-50%
Постоянное прямое напряжение при токе 20 мА, не
более:
АЛЗО5А АЛЗО5Б............................... 4 В
АЛЗО5В, АЛ305Г, АЛ305Д АЛ305Е, АЛЗО5Ж,
АЛ305И, АЛЗО5К, АЛ305Л...................... 6 В
Цвет свечения
АЛ305А, АЛ305Б, АЛ305В, АЛЗО5Г..................Красный
АЛ305Д, АЛЗО5Е..............................Зеленый
АЛЗО5Ж АЛ305И, АЛ305К, АЛ305Л...............Красный
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный ток через каждый элемент прн температуре
Зависимость яркости от темпсра-
Зона возможных положений
1,50
1,25
1,00
0,75
0,50
0,25
0 5 10 15 нА
зависимости прямого тока от
снмосгп яркости от тока.
туры.
Зона возможных положений
зависимое! и яркости от тока.
689
АЛ306А, АЛ306Б, АЛ306В, АЛ306Г, АЛ306Д, АЛ306Е,
АЛ306Ж, АЛ306И
Знаковые индикаторы арсспид-фосфид таллиевые (АЛ306А
АЛ306Б), арсенид-галлий-алюминисвые (АЛ306В —АЛ306Е) и фосфидо-
галлиевые (АЛ306Ж —АЛ306И), состоящие из дискретных элементов,
изготовленных по планарной технологии. Предназначены для ви-
зуальной индикации.
Индикаторы имеют 35 + 1 элементов, соединенных в матрицу
с перекрестной коммутацией, излучающих свет при подаче через
соответствующие элементы прямого тока. Различные комбинации
элементов, обеспечиваемые внешней коммутацией, позволяют вос-
произвести цифры от 0 до 9 и буквы А, Б Г, Е 3, Н, О,
П, Р, С, У, ч
Масса прибора не более 1,5 г.
Таблица 143
Маркировка приборов
Тип прибора Цвет точки Тип прибора Цвет точки
а 6 а б
АЛ 306А АЛ306Б АЛ306В А Л306 Г Белый » Черный » Беяый Черный АЛ306Д АЛ306Е АЛ306Ж АЛ306И Зеленый » Красный » Зеленый Красный
690
Таблица 14 4
Определение iioinpnociH
№ ВЫВОДОВ Ряд. колонка Цо лярность
1 Колонка 3 —
2 Ряд 1 +
3 Ряд 3 +
4 Рид 4 +
5 Колонка 2 —
6 Отсутствует
7 Колонка 1 —
8 Колонка 4 —
9 Ряд 7 +
10 Ряд 6 +
И Ряд 5 +
12 Ряд 2 +
13 Колонка 6 —
14 Колонка 5 —
Таблица 14.5
Определение пол ирное 1и
№ вывода Ряд. колонка 1 !опяриос
1 Колонка 3 +
2 Ряд 1 —
3 Ряд 3 —
4 Ряд 4 —
5 Колонка 2 +
6 Отсутствует
7 Колонка 1 +
8 Колонка 4 +
9 Рил 7 —
10 Ряд 6 —
11 Ряд 5 —
12 Ряд 2 —
13 Колонка 6 +
14 Колонка 5 +
Электрические и световые параметры
Постоянное прямое напряжение при токе 10 мА, нс
более:
AJ1306A АЛ306Б............................... 2 В
ЛЛ306В АЛ306Г, АЛ306Д, АЛЗО6Е, АЛ306Ж.
АП306И....................................... ЗВ
Яркость при юке 10 мА. не менее.
АЛ306А, АД306В 350 кд/м1
АЛ306Б. АЛ306Г................................200 кд/м=
АЛ306Д, АЛ306Ж................................120 кд/м2
АЛ306Е, АЛ306И.................................60 кд/м2
Допустимое отклонение яркости от среднего для данного
прибора значения:
АЛ306А, АЛ306В..................................... 60%
АЛ306Б, АЛ306Г, АЛ306Д, АЛ306Е, АЛ306И . . . ±60 °о
АЛ306Ж............................................ -50%
Цвет свечения:
АЛЗО6А, АЛ306Б АЛ306В АЛ306Г АЛ306Д,
АЛ306Е ..............Красный
АЛ306Ж, АЛ306И . ........................Зеленый
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный ток через каждый элемент при температуре
окружающей среды от 213 до 343 К...................... 11 мА
Импульсный прямой ток через элемент при температуре
окружающей среды от 213 до 343 К и скважности
пс менее 30 ......................................... 300 мА
691
Рассеиваемая прибором мощность при температуре от
213 до 343 К:
АЛЗО6А, АЛ306Б............................... 792 мВг
АЛ 306 В АЛ 306 Г, АЛ 306Д, АЛЗО6Е АЛ306Ж,
АЛ306И.......................................1188 мВт
Температура окружающей среды........................01213
до 343 К
Зависимость яркости от тем-
пературы.
Зона возможных положений
зависимости яркости о г юка.
Зона возможных положении
зависимости яркости от тока.
Зона возможных положений зави-
симости прямою тока от напря-
жения.
692
АЛ307А, АЛ307Б, АЛ307В, АЛ307Г
Светоизлучающие диоды арсснил-галлий-алюминисвыс в пласт-
массовом корпусе красного и зеленою цвета свечения. Предназначе-
ны для визуальной индикации
Диоды маркируются цветными точками’ АЛ307А - одной черной,
АЛЗО7Б — двумя черными, АЛЗО7В — одной черной, АЛ307Г — двумя
черными.
Масса лиода не более 0,25 г
1
Электрические и световые параметры
Сила света, не менее’
АЛ307А при 7„р = 10 мА............................0,15 мкд
АЛ307Б при 7пр 10 мА . .... 0,9 мкд
АЛ 307В при 1пр = 20 мА .......................0,4 мкд
АЛ307Г при /пр = 20 мА......................... 1,5 мкд
Постоянное прямое напряжение, не более’
АЛЗО7А АЛ307Б при Zllp = 10 мА................ 2,0 В
АЛ307В АЛ3071 при /пр = 20 мА............... 2,8 В
Цвет свечения:
АЛ307А, АЛЗО7Б......................................Красный
АЛЗО7В, АЛ307Г..................................Зеленый
Прете тытые эксплуатационные дат ные
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до
343 К:
АЛ307А. АЛ307Б.......................................20 мА
АЛ.307В АЛ307Г...................................22 мА
Обратное напряжение . ........................ 2 В
Температура окружающей среды..................... . От 213
до 343 К
693
30° Z0° 10° 0° 10° Z0° 30
Зона возможных положений за
висимосги силы света от тем-
пературы.
Диаграмма направленности из-
лучения.
Зависимость мощности излучения
ОТ л 1ИНЫ волны.
ЗавпеимоС1ь силы coeia oi тока.
АЛС311А
Сборка светоизлучающих арсенид-фосфид-галлиевых птанарно-
эпнгаксиальных диодных индикаторов с общим катодом в пласт-
массовом корпусе. Верхняя час1ь корпуса выполнена в виде линз,
распотоженных над кристаллами соответствующих индикаторов Каж-
дый кристалл представляет собой вось.миэ.чементный индикатор,
излучающий красный свез Предназначена для использования в
мультиплексном режиме работы в качестве табло, отображающем
цифровую информацию в радиоэлектронных устройствах, в част-
ности в электронных калькуляторах.
Масса прибора ие более 5 г
694
H3,t5t0,05 4*3,75-15
4 escs(-o,№)
I - разряд l, катод; 2 — сегмент £, анод; J — сегмент С, анол; 4 —
разряд 3, каюд; 5 — сегмент Н, анод; 6 — ccimcht D, анод; 7 — разряд 5,
катод; S ccimcht G, анод; 9 — разряд 4 каюд; /О - сегмент F. анод;
//-разряд 3. катод; /2 — сегмент В. анол, /3 — разряд 2, катод /-/ — сег-
мент А анод.
Эзектричсские и световые параметры
Количество разрядов................................. 5
Постоянное прямое напряжение при /пр = 4 мА, нс
более............................................... 2 В
Сила света разряда при среднем токе 0,8 мА через
каждый элемент и скважности 16, не менее .... 400 мккд
Длина волны максимума спектральной характеристики
излучения* ..............................От 650
до 660 нм
Отношение силы света наиболее яркого и наименее
яркого элементов в приборе, не более................ 2 5
Цвет свечения.......................................Красный
Предельные эксплуатационные данные
Импульсный ток через элемент (при длитель-
ности импульса I мс) при температуре:
695
от 263 до 308 К...................................... ПО мА
от 308 до 323 К............................./„Р и.чакс =И0-
— 3,67(7" 308), мА
Средний прямой ток через элемент при тем-
пературе:
от 263 до 308 К........................... . 5 мА
от 308 до 323 К ............................ /пр,ср.макс = 5 -
- 0,167(7"— 308), мА
Обратное напряжение любой формы на элемен-
те (пиковое значение) при температуре от
263 до 323 К.............................................. 5 В
Температура окружающей среды.....................От 263 до 323 К
ратуры висимост силы света от им
пульсного тока.
Зона возможных положений зави
CI1MOC1 и импульсно! о прямого тока
от напряжения.
Зависимость прямого напряже-
ния от температуры
696
АЛС313А-5
Знаковый индикатор планарно эпитаксиальный бескорпусиой ссми-
элемеитиый. Предназначен для отображения цифровой и буквенной
информации, в частности в электронных наручных часах
Масса индикатора не более 0,01 г.
Электрические и излучающие параметры
Сила света элемента при токе 5 мА не менее ... 50 мккд
Разброс силы света элементов, не более ...... 30%
Прямое напряжение на элементе при прямом токе
5 мА ие более...................................... 1,65 В
Типовое значение длины волны максимума спектра
излучения*............................................660 + 10 н.м
Цвет свечения........................................Красный
Предельные экенлуаг анионные данные
К
Импульсный прямой ток через элемент при
семи включенных элементах, — 100 Гц и
i температуре:
от 263 до 308 К........................ 20 мА
от 308 до 333 К........................20 - 0.2(Т - 308), мА
Средний прямой ток через элемент при семи
включенных элсмен1ах при температуре:
от 263 до 308 К........................ 5 мА
от 308 до 333 К....................... 5 -004(7- 308) мА
Обратное напряжение любой формы и перио-
дичности ................................ 5 В
697
Температура окружающей среды...................От 263 до 333 К
П р । м с ч а н и е. Си а света элемента определяется как усред-
ненная по всем элементам индикатора. Разброс силы света эле-
ментов определяется как отношение (в процен i ах) разности силы
света наиболее яркого элемента и силы CBeia наименее яркого
элемента ш дикатора к сумме этих значений.
Зона возможных положений зависи-
мости силы света от температуры.
Зависимость прямого тока от
напряжения.
Зависимость сизы света о г
тока.
ЗЛС314А, АЛС314А
Знаковый индикатор арсенид-фосфид-галлисвыи эпитаксиально-
планарный красного цвета свечения в пластмассовом корпусе Пред-
назначен для визуальной индикации
Индика ор имеет семь элементов и децимальную точку, излу-
чающие свет при подаче прямого тока. Различные комбинации
элементов, обеспечиваемые внешней коммутацией, позволяют вос-
произвести цифры от 0 до 9 и децимальную точку.
Размер цифры 2,5 мм. Масса прибора 0.25 г.
698
I — анол Г. 2 — анод D; 3, 8 — катод общий; 4 — анод С; 5 — анод Н;
б — аиод В\ 7 — анод А; 9 — анод G, 10 — анод F
Эзек рические и световые параметры
Яркость при /пр = 5 мА через элемент нс менее
350 кд/м2
Разброс яркости между отдельными элементами ин-
дикатора ........................................... + 50°^
Постоянное прямое напряжение на каждом элементе
прн / р = 5 мА...................................... 2 В
Длина в< ны максимума спектральной характеристики
излучения...........................................От 650
до 670 нм
Цвет свечения.........................................Кртспый
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение юбой формы и периодич-
ности .............................................. 5 В
Постоянный прямой ток через каждый элемент при
температуре окружающей среды:
от 213 до 308 К .................................. 8 мА
при 343 К......................................... 5 мА
Постоянный прямой ток через все элементы при тем-
пературе окружающей среды
от 213 до 308 К ..................................64 мА
699
при 343 К.....................................40 мА
Температура окружающей среды.........................От213
до 343 К
Зависимость яркости от тем-
пературы.
Зона возможных положений за-
висимости яркости от тока.
Зона возможных положений за-
висимости прямого тока от на-
пряжения
АЛС317А, АЛС317Б, АЛС317В, АЛС317Г
Полупроводниковые приборы, состоящие из пяти светоизлучаю-
щих диодов с общим катодом (АЛС317А. А С317Б) и общим
анодом (АЛС317В, АЛС317Г) в пласт массовом корпусе. Предназна-
чены для использования в световых шкалах.
Приборы АЛС317А выпускаются в красном корпусе, марки-
руются одной цветной точкой, АЛС317Б—в красном корпусе, мар-
кируются двумя цветными точками, АЛС317В—в зеленом корпусе
маркируются одной цветной точкой, АЛС317Г — в зеленом корпусе,
маркируются двумя цветными точками.
Масса прибора пе более 3 г.
,700
АЛС317А, АЛС317Б: / — анод Л; 2—анод В; 3 — анод С; 4 — анод D; i —
анод Е; 6 — Kai од общий; АЛС317В, АЛС317Г: / — катод И; 2 —каюд В,
3 — катод С, 4 - катод D; 5 - катод Е; 6 анод общин.
ЛЛС377(л,б;
ЛЛСЗТ7(в,г)
Электрические и световые характеристики
Сила света при /пр 10 мА, пс менее:
АЛС317А......................................... 150 мккд
АЛС317Б.................................... 350 мккд
АЛСЗ17В......................................80 мккд
АЛС317Г......................................160 мккд
Прямое напряжение при /11р = 10 мА не более:
АЛС317А, АЛС317Б ............................. 2 В
АЛСЗ 17В АЛС317Г.............................. ЗВ
Цвет свсчсння
АЛС317А, АЛС317Б...................................Красный
АЛС317В, АЛС317Г..............................Зеленый
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток через элемент при температуре
окружающей среды от 213 до 343 К..................... 12 мА
Температура окружающей среды..........................От 213
до 343 К
701
О I 4 6 8 мА 0,50 0,53 0,56 0,53 0,61 0,65 0,68мкм
Зависимость силы света
Зависимость мощности излучения от
от тока.
ДЛИНЫ волны.
-V Г1)293 II . I АЛС311
ААС317(В,Г)
< ААС317(А,Б)
Г"
5
ч
3
2
1
О
ИЗ 143 273 303 К
Зависимость силы света от
температуры.
Зона возможных положений зави-
симости прямою тока от напря-
жения.
АЛС318А, АЛС318Б, АЛС318В, АЛС318Г
Девятиразрядные цифровые индикаторы арсенид фосфид-гал-
лиевые планарные красного цвета свечения
Индикаторы состоят из девяти кристаллов, каждый из которых
содержит семь сегментов и точку Различные комбинации сегмен-
тов, обеспечиваемые внешней коммутацией, позволяют воспроизвести
цифры от 0 до 9.
Масса прибора не более 7,7 г
702
ЛЛС318Л АЛС318В / — катод разряда I 2 анол элементов С. 3 —катод
разряда 2 4 анод элементов Н 5 — катод разряда 3,6 — анод элементов Л;
7 - катод разряда 4; 8 - анод элементов Е, 9 инод разряда 5; 10 —
анод элемешов D; 11 — кагод разряда 6: 12 — анод Эшментов G; 13 —
катод разряда 7, 14 анол элементов В 15 — катод разряда 8. 16 — анод
элементов F; 17 - катод разряда 9,’ АЛС318Б, АЛС318Г. 1 катод разряда 1;
2 —анод элементов С разрядов 2-9; 3 - катод разряда 2; 4 - анод эле-
ментов С разряда 1, анод элементов Н разрядов 2 — 9, 5 - катод разряда 3;
б — анод элементов А разрядов 2 — 9; 7 — катод разряда 4, 8 — анод эле-
мснюв Е разрядов 2—9. анод элемента F разряда 1; 9 — катод разряда 5;
10 — анод элементов D разрядов 2-9; // — катод разряда 6, /2 - анол эле-
ментов G разрядов 2-9; /3 — катод разряда 7; 14 - анод элементов В
разрядов 2 — 9; анод элемента А разряда I; /5 — катод разряда 8. 16 —
анод элементов F разрядов 2—9, анод элемента G разряда 1; 17 — катод
разряда 9
Электрические и световые параметры
Сила света разряда при импульсном прямом токе через
каждый сегмент или точку 5 мА.................... 950 мккд
Постоянное прямое напряжение на сегменте или точке
при постоянном токе 5 мА, пс более............... 1.9 В
Обратный ток при 1/сОр = 3 В на каждом сегмснгс или
точке, не более ... . . . . 10 мкА
70S
Сопротивление сегмент — сегмент, разряд — разряд, не
менее................................................2 кОм
Цвет свечения.......................................... Красный
Преде ьные эксплуатационные данные
Импульсный ток через сегмент или точку прн
частоте следования импульсов 100 Гц при
любом количестве включенных сегментов и
темпера! уре'
от 248 до 308 К ..................... 40 мА
от 308 до 328 К......................40 - 1,2(Т- 308), мА
Средний прямой ток через сегмент или точку
при любом количестве включенных сегментов
при температуре:
от 248 до 308 К...................... 3 мА
от 308 до 328 К......................3 - 0,12(Т - 308), мА
Рассеиваемая на знаке мощность при включен-
ных семи сегментах и точке и температуре
от 248 до 308 К.......................... 45 мВт
от 308 до 328 К .....................45 - 1,8(Г- 308), мВт
Обратное напряжение любой формы и периодич-
ности ................................... 5 В
Температура окружающей среды.............От 248 до 328 К
Примечания 1. Сила света первого разряда приборов
АЛС318В, АЛС318Г нс менее 400 мккд.
2. Отношение силы света наиболее яркого разряда к силе света
наименее яркого разряда пс более 2.
Зона возможных положений зависи-
мости силы света от тежшературы.
Зона возможных положений
зависимости прямого напря-
жения от температуры.
АЛС321А, АЛС321Б
Знаковые индикаторы фосфил-галлиевые желто-зеленого цвета
свечения в пластмассовом корпусе. Предназначены для визуальной
индикации.
Индикатор имеет семь элементов и децимальную точку, излу-
чающие свет при подаче прямого тока Различные комбинации
704
элементов, обеспечиваемые внешней коммутацией, позволяют воспро-
извести цифры от О до 9 и децимальную точку У индикаторов
АЛС321А элементы имеют общий Kai од, у АЛС321Б — общий анод.
Размер цифры 7,5 мм. Масса прибора не более 2 г
АЛС321А: / —анод F; 2 — анод G; 4, /2 — катод общий, б — анод £; 7 —
анод D; в — анод С 9 — анод Н; /3 — анод В /4 —анод Л; АЛС321Б.
/ катод Л; 2—катод F 3 'j /4 — анод общин, 6 — катод Н 7 — катод £;
8 — катод D: 10 — катод С; II — катод G; 13 — катод В
Электрические и световые параметры
Сила света при постоянном прямом токе 20 мА
через элемент или точку, не менее:
для элемента................................... 0,12 мкд
для децимальной точки......................... 0,02 мкд
Отношение силы света любых двух элемснюв инди-
катора, нс более.................................... 3
Постоянное прямое напряжение па элементе или де-
цимальной точке при 1пр = 20 мА нс более . , . 3.6 В
Цвет свечения.....................................Желто зеленый
705
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение любой формы н пе-
риодичности при температуре окружающей
среды от 213 до 343 К.....................
Постоянный прямой ток через элемент при
температуре окружающей среды.
от 213 до 308 К ......................
от 308 до 343 К ......................
Рассеиваемая мощность при температуре
окружающей среды:
от 213 до 308 К ......................
5 В
25 мА
25 - 0,5(Г - 308), мА
720 мВт
от 308 до 343 К ................... 720 - 14,4{Г- 308), мВт
Температура окружающей среды .... От 213 до 343 К
Зависимость силы света от темпера-
туры.
Зона возможных положе-
ний зависимости прямою
тока от напряжения.
Зависимость силы света от длины Зона возможных положе-
волны ний зависимости си ты
ceeia от тока.
706
АЛС323А-5
Индика юр светодиодный планарно-эпитаксиальный бсскорпусной
знаковый. Предназначен для отображения цифровой и буквенной
информации, в частности, в электронных наручных часах.
Масса видика гора пс более 0 01 г.
1,08
-----*10,36
Электрические и световые параметры
Сила света элемента при токе 3 мА пс менее .... 50 мккд
Разброс силы света элементов, нс ботее............... 30
Прямое напряжение на элементе при прямом токе
3 мА не более........................................ 1,65 В
Типовое значение длины волны максимума спектра
излучения *..........................................660 ± 10 нм
Цвет свечения........................................Красный
Предельные экевлуа анионные данные
Импульсный прямой ток через элемент при
семи включенных элементах, /и — 100 Гц и
температуре:
от 263 до 308 К ..................................... 20 мА
от 308 до 333 К............................20 - 0,2(Т - 308), мА
707
Средний прямой гок через элемент при семи
включенных элементах и температуре:
о г 263 до 308 К................................ 4 мА
от 308 до 333 К......................... 4 - 0.04(7 - 308) мА
Обратное напряжение любой формы и пе-
риодичности ...................................... 5 В
Температура окружающей среды...................Ог 263 до 333 К
Примечания 1. Сила света элемента определяется как усред-
ненная по всем элементам индикатора.
2. Разброс силы света элементов определяется как отношение
(в процентах) разности силы света наиболее яркого элемента и
силы света наименее яркою элемента индикатора к сумме этих
значений.
Зона возможных положе-
ний зависимости силы
света от температуры.
Зависимость пря
мото тока от на-
пряжения.
Зависимость силы
света от тока.
АЛС324А, АЛС324Б
Знаковые индикаторы арсенид фосфид-таллиевые красною цвета
свечения в пластмассовом корпусе. Предназначены для визуальной
индикации.
Индикатор имеет семь элементов и децимальную точку из чу
чающие свет нри подаче прямого тока. Различные комбинации
элементов, обеспечиваемые внешней коммутацией, позволяют вос-
произвести цифры от 0 до 9 и децимальную точку. У индикато-
ров АЛС324А элементы имеют общий катод, у АЛС324Б — общий
анод.
Размер цифры 7,5 мм. Масса прибора не более 2 т.
708
АЛС321Л / — анод Л; 2 анод
7 — анод D, 8 — анол С; 9 анол
I — катод А ; 2 — катод F; 3, 9, 14
8 — катод D; 10 — катод
G; 4, /2 — катод общий; б анол Е;
Н; 13 — анод Н; 14 — анод А, АЛС321Б:
анод общий; б — катод Н. 7 — катод Е;
(' 11 — катод С; 13 — катод В
Электрические и световые параметры
Сила света при прямом токе. 20 мА через элемент,
не менее:
для этемента.....................................0.15 мкд
для децимальной точки............................0,05 мкд
Постоянное прямое напряжение па каждом элементе
ити децимальной точке при токе 20 мА пс
более................................................ 2,5 В
Отношение силы света любых двух элементов инди
кагора, нс более...................................... 3
Длина волны в максимуме спектральной характеристики
излучения*.............................................От 650
до 670 нм
Цвет свечения........................................Красный
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение любой формы и пе-
риодичности при температуре окружающей
среды от 213 до 343 К............................. 5 В
709
Постоянный прямой ток через элемент при
температуре окружающей среды.
от 213 до 308 К ....................
от 308 до 343 К ....................
Импульсный прямой чок при т„ < 10 мс и
Лф. ср мА
Рассеиваемая мощность при температуре
окружающей среды:
от 213 до 308 К . . ...
от 308 до 343 К ....................
Температура окружающей среды . . . .
25 мА
25 - 0.5(Г - 308), мА
300 мА
500 мВт
500 - 10(7 - 308). мВт
От 213 до 343 К
Зависимость силы свеча оз темпе-
ратуры.
Зочча возможных положе-
ний зависимое ч и ччрямочо
тока от напряжения
600 6Z0 640 660 680 700 720 пн
Зависимое чь силы света от длины
волны.
Зона возможных положе-
ний зависимости силы
света от тока
710
Раздел пятнадцап ый
ОПТОПАРЫ, ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ
ЗОДЮ1А, ЗОД101Б, ЗОДЮ1В, ЗОДЮ1Г, АОДЮ1А,
АОД101Б, АОДЮ1В, АОДЮ1Г, АОДЮ1Д
Оптопары, состоящие из излучающего диода па основе арсспнд-
галлий-алюминня и кремниевого фотодиода, в металлическом кор-
пусе. Предназначены для гальванической развязки электрических
цепей, между которыми осуществляется информационная связь.
Масса прибора нс более 1,1 г
Электрические параметры
Коэффициент передачи тока при /пр 10 мА не менее
АОДЮ1А, АОДЮ1Д, ЗОДЮ1А................ 1 %
АОДЮ1В ЗОДЮ1В............................. 1,2"о
АОДЮ1Б ЗОДЮ1Б, ЗОДЮ1Г................. 1.5°„
АОДЮ1Г.................................. 0,7 %
Входное напряжение при /[|р = 10 мА, нс более'
АОДЮ1А АОДЮ1Б, АОДЮ1В АОДЮН , ЗОДЮ1А,
ЗОДЮ1Б, ЗОДЮ1В, ЗОДЮ1Г................... 1.5 В
АОДЮ1Д................................... 1,8 В
Время нарастания и спада выходнот о импульса нрн
импульсе входного тока 20 мА, не более:
АОДЮ1А, ЗОДЮ1А............................ 100 нс
АОДЮ1Д.................................... 250 пс
АОДЮ1Б, АОДЮ1Г, ЗОДЮ1Б, ЗОДЮ1Г .... 500 нс
АОДЮ1В, ЗОДЮ1В............................ 1000 нс
Сопротивление гальванической развязки при напряжении
между входом и выходом 100 В, не менее.
АОДЮ1А, АОД101Б. АОДЮ1В, АОДЮ1Д, ЗОДЮ1 X
ЗОЮ1Б, ЗОДЮ1В, ЗОДЮ1Г........................10’ Ом
АОДЮ1Г...................................5 10’ Ом
Емкость между входом и выходом, нс бо тес .... 2 пФ
711
Постоянный обратный ток фотодиода при максималь-
ном обратном напряжении, не более
АОДЮ1А АОДЮ1В, ЗОДЮ1А ЗОДЮ1В,
ЗОДЮ1Г.................................. 2 мкА
АОДЮ1Б, ЗОДЮ1Б ..........................8 мкА
АОДЮ1Г..................................10 мкА
АОДЮ1Д.................................. 5 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение на фотодиоде при температуре
окружающей среды от 213 до 343 К:
АОДЮ1А АОДЮ1В. АОДЮП АОДЮ1Д,
ЗОДЮ1А, ЗОДЮ1В.................................. 15 В
АОДЮ1Б, ЗОДЮ1Б............................... 100 В
ЗОДЮ1Г.......................................... 40 В
Импульсное обратное напряжение на фотодиоде при
длительности импульса не более 100 нс и скважности
пс менее 2:
ЗОДЮ1А, ЗОДЮ1В 20 В
ЗОДЮ1Б. ... 120 В
ЗОДЮ1Г.......................................... 60 В
Постоянный или средний входной ток при температуре
окружающей среды от 213 до 343 К..................20 мА
Входной импульсный ток при температуре окружающей
среды от 213 до 343 К и длительности импульса
не более 100 мкс.................................100 мА
Напряжение между входом и выходом при температуре
окружающей среды от 213 до 343 К................ 100 В
Обратное входное напряжение ... . . . 3,5 В
Температура окружающей среды......................От 213
до 343 К
712
Зависимость выходного тока от
входного.
Зависимость коэффициента пе-
редачи тока от температуры.
Зона возможных положений за-
висимости выходного напря-
жения от тока нагрузки.
Зависимость времени нараста-
ния и времени спада от темпе-
ратуры.
ЗОТЮ2А, ЗОТЮ2Б, ЗОТ102В, ЗОТЮ2Г, ЗОТ102Д,
ЗОТ102Е, АОТЮ2А, АОТ102Б, АОТ102В, АОТ102Г,
АОТЮ2Д, AOT102E
Оптопары, состоящие из излучающего диола на основе арсенид-
галлий-алюминия и кремниевого однопереходного транзистора, в
металлическом корпусе Предназначены для использования в ап-
паратуре управления и устройствах автоматики для гальванической
развязки электрических цепей
Масса прибора не более 1,5 г.
23 под рсд. Н Н Горюнова 713
Электрические параме 1ры
Коэффициент передачи тока:
ЗОТЮ2А, АОТЮ2А..........................
ЗОТЮ2Б, АОТЮ2Б.......................
ЗОТЮ2В, АОТЮ2В.......................
ЗОТЮ2Г АОТЮ2Г........................
ЗОТЮ2Д АОТЮ2Д........................
ЗОТЮ2Е, АОТЮ2Е.......................
Изменение коэффициента передачи тока, не менее:
при /вх 15 мА.................... . . . .
ПРИ = 40 мА . . ... ....
Ток утечки эмштерного перехода при С’ыб? = 30 В,
не более................................
Остаточное напряжение нри /э — 50 мА, не
более................... ..............
От 0.5 до 0,55
Oi 0,54 до 0,6
От 0,59 до 0,66
От 0.64 до 0,71
От 0,7 до 0,78
От 0,77 до 0,85
1<)%
’’О %
1 мкА
4 В
Межбазовое со тротивленис.......................От 4 до 12 кОм
Ток выключения прн 6'б,б2 — 2® 13, не
менее............................................ 1 мА
Прямое напряжение на входе при токе 15 мА . . 2 В
Сопротивление изоляции между входом и выходом,
нс менее......................................... 10s Ом
Предельные эксплуатационные данные
Межбазовое напряжение при температуре от 228
до 328 К . ................... 30 В
Обратное напряжение между эмиттером и второй базой
при температуре о г 228 до 328 К....................... 30 В
Постоянный ток эмиттера в открытом состоянии прп
температуре от 228 до 308 К.............................50 мА
Амплитуда эмиттерного тока при максимальной дли-
тельности импульса 10 мкс и минимальной скважности
200, при температуре от 228 до 308 К.................... I А
Рассеиваемая мощность при температуре окружающей
среды от 228 до 308 К................................. 300 мВт
Входной ток при температуре от 228 до 308 К. . . . 40 мА
714
Амплитуда входного тока при длительности импульса
10 мкс и скважности 200 при температуре 01
228 .10 308 К ......................................150 мА
Напряжение между входом и выходом прп давлении
ог 2,7-10’ до 3 10^ „/М2 ............................ 500 В
Температура окружающей среды...........................От 228
до 343 К
Примечание Рассеиваемая мощное i ь при темпера гуре от
308 до 343 К определяется по форму ie
/’макс = „ (398 - Т),
К/
те R; — 3 мВт/ С.
Зона возможных положений
зависимости межбазового
сопротивления от напря-
жения.
Зона возможных положений зави-
симости коэффициента передачи то-
ка от температуры
Зона возможных положений
зависимости коэффициента
передачи тока от входного
Зона возможных положений зави-
симости прямого напряжения от
температуры.
тока
23
715
АОУЮЗА, АОУЮЗБ, АОУЮЗВ
Оптопары тиристорные, состоящие из излучающего диода на
основе арсенид галлий-алюминия и кремниевого тиристора, предназна-
чены для использования в качестве управляемого ключа в узлах
радиоэлектронной аппаратуры, в которых требуется гальваническая
развязка между выходной цепью и пенями управления.
Масса прибора не более 1,2 г.
Электрические параметры
Прямое напряжение выходной цепи, не менее:
АОУЮЗА........................................... 50 В
АОУЮЗБ, АОУЮЗВ . 200 В
Обратное напряжение выходной цепи, не менее.
АОУЮЗВ............................'............. 200 В
АОУЮЗА АОУЮЗБ..............................Пс нормируется
Номинальный входной ток включения нри прямом
напряжении на запертом тиристоре 10 В:
АОУЮЗА, АОУЮЗВ................................ 20 мА
АОУЮЗБ........................................ 50 мА
Ток выключения, не более.......................... 10 мА
Остаточное напряжение, не более.................... 2 В
Ток утечки в выходной цепи запертою тиристора,
не более........................................ 100 мкА
Время включения, не более......................... 15 мкс
Время выключения, не более....................... 100 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Входной ток при температуре от 213 до 343 К ... 55 мА
Входное напряжение при температуре от 213 до
343 К.............................................. 2 В
Ток помехи при температуре от 213 до 343 К . . . . 0,5 мА
Постоянный прямой ток в выходной цепи при тем-
пературе:
от 213 до 323 К .................................100 мА
при 343 К ....................................... 20 мА
Скорость изменения напряжения, прикладываемого к
выходной цени, не более.............................5 В/мкс
Температура окружающей среды.........................От 213
до 343 К
716
Л,х I - I i^-гэвк f ,Й03103
г I [ ЗЧ8К/ Изы/
}131 г '//
I /из к
л / /
у г—7 *
0,8 i,o iTz it6 1,в г,о в
Зона возможных положений за-
висимости входного тока от
входного напряжения.
Зона возможных положений за-
висимости напряжения в откры-
том состоянии от температуры.
Z13 233 Z53 Z73 Z93 313 333 К
Зона возможных положений за-
висимости тока удержания от
температуры.
Зона возможных положений за-
висимости времени включения
от входного тока.
Зона возможных положений за-
висимости отпирающего тока
управляющего электрода от
Зона возможных положений за-
висимости времени выключения
от выходного тока.
температуры.
717
АОД109А, АОД109Б, АОД109В, АОД109Г, АОД109Д,
АОД109Е, АОД109Ж, АОД109И
Многоканальные оптоэлектронные приборы, состоящие ib трех
отдельных оптопар, в металлокерамическом корпусе. Каждая оптопа-
ра образована излучающим диодом на основе арсен ид- галлий-
алюминия и кремниевым фотодиодом. Предназначены для исполь-
зования в радиоэлектрои юй аппаратуре управления и устройствах
автоматики для га. ьвапической развязки электрических цепей.
Масса прибора не более 0,49 г.
Электрические параметры
Коэффициент передачи тока при входном токе 10 мА,
^обр вых = 5 в не мспсс
АОД109А АОДЮ9В АОДЮ9Г, АОДЮ9Д, АОДЮ9Е,
АОД109Ж. АОДЮ9И .............................. 1,2 %
АОД109Б....................................... 1,0%
Входное напряжение при 7ВХ = 10 мА, не бо-
лее ............................................ 1,5 В
Обратный ток фотодиода при 7ВЧ = 0. 77^=35 В для
АОД109А, АОДЮ9В АОДЮ9Г, АОД109Д, АОДЮ9Е,
АОДЮ9Ж, АОДЮ9И и при 1/оСр = 8 В для АОДЮ9Б,
пс более........................................2 мкА
Количество каналов в оптопаре
АОДЮ9А, АОДЮ9Б................................... 3
АОД109В, АОД109Г АОДЮ9Д...................... 2
АОДЮ9Е, АОДЮ9Ж АОДЮ9И........................
Время нарастания и спада выходного импульса тока
при 7ВХ = 10 мА, 7/„бр.вых = Ю В, ие более:
АОДЮ9А АОДЮ9В, АОДЮ9Г, АОДЮ9Д АОДЮ9Е,
АОДЮ9Ж, АОДЮ9И............................... 1 мкс
АОДЮ9Б...........................................0,5 мкс
Сопротивление изоляции при напряжении 100 В между
входом и выходом, не менее.........................10° Ом
Емкость между входом и выходом каждой оптопары и
между оптопарами, не более......................... 2 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Обратное входное напряжение на излучателе .... 35В
Обратное напряжение на фотодиоде
АОД109А, АОДЮ9В, АОДЮ9Г, АОДЮ9Д, АОДЮ9Е,
АОДЮ9Ж, АОДЮ9И.............................. 40 В
АОДЮ9Б...................................... 10 В
Напряжение между входом и выходом................. 100 В
Входной ток........................................ 10 мА
Импульсный входной ток при ДЛИ1СЛЫ1ОС1И импульса
не более 100 мкс и скважности более 5...........100 мА
Температура окружающей среды....................От 213
до 343 К
1,0
Зависимость коэффициента 2,5
передачи юка от обратного
напряжения
1,0
1,5
Зависимость коэффициента
передачи тока от обратного на-
пряжения.
Зависимость коэффициен га
передачи тока от температуры.
718
719
Зависимость темпового тока
фотодиода от обратного на-
пряжения.
Зависимость максимально! о
импульсного входного тока от
длительности импульса.
ЗОТ1ЮА, ЗОТПОБ, ЗОТПОВ, ЗОТ110Г, АОТИОА,
АОТПОБ, АОТИОВ, АОТПОГ
Оптопары, состоящие из излучающего диода и составного фото-
транзистора, в металлическом корпусе. Предназначены для исполь-
зования в качестве переключателя в гальванически развязанных
электрических цепях радиоэлектронной аппаратуры.
Масса прибора не более 1,5 г.
Электрические параметры
Входное напряжение при входном токе 25 мЛ, нс
более............................................... 2 В
Ос а точное (выходное) напряжение при 7ВК = 25 мА для
АОТПОБ, АОТИОВ, ЗОТПОБ, ЗОТПОВ при выходном
токт /вых = 100 мА, для АОТИОА, АОТПОГ, ЗОТИОА,
ЗОТПОГ при выходном токе 7ВЫХ 200 мА, не
более .... .................. .... 15В
720
Ток утечки иа выходе при /вк = 0 и температуре 298 К
при напряжении коммутации: АОТПОГ, ЗОТПОГ 15 В
АОТИОА, АОТИОВ, ЗОТПОА, ЗОТПОВ, АОТПОБ,
ЗОТПОБ 50 В не более...............................100 мкА
Сопротивление изоляции при напряжении между входом
и выходом 100 В, не менее............................109 Ом
Примечание. Работоспособность приборов обеспечивается при
подключении резистора сопротивлением 0 1 — 1 МОм между выво
дами 3 и 5. Измерение параметров производится при сопро-
тивлении 1 МОм
Пре тельные эксплуатационные данные
Коммутируемое напряжение при температуре oi 213
до 343 К.
АОТИОА, АОТИОВ, ЗОТПОА, ЗОТПОВ................ 30 В
АОТПОБ, ЗОТПОБ.................................. 50 В
АОТПОГ, ЗОТПОГ.................................. 15 В
Напряжение между входом и выходом.................. 100 В
Входное обратное напряжение........................ 0,7 В
Входной постоянный ток при температуре окружающей
среды от 213 до 308 К...........................30 мА
Амплитуда входного тока при длительности импульса
не более 10 мкс и температуре окружающей среды
от 213 до 308 К.................................100 мА
Амплитуда выходного тока прн длительности импульса
не более 10 мс и температуре окружающей среды
от 213 до 343 К
АОТИОА, АОТПОГ, ЗОТПОА, ЗОТПОГ .... 200 мА
АОТПОБ АОТИОВ, ЗОТЦОБ, ЗОТПОВ...............100 мА
Выходной постоянный ток при температуре окружающей
среды от 213 до 308 К:
АОТИОА, АОТПОГ, ЗОТПОА, ЗОТПОГ.............. 200 мА
АОТПОБ АОТИОВ, ЗОТПОБ, ЗОТПОВ...............100 мА
Средняя рассеиваемая мощность при температуре окру-
жающей среды от 213 до 308 К.................... 360 мВт
Температура окружающей среды....................От 213
до 343 К
Примечания: 1. При температуре окружающей среды выше
308 К предельно допустимые электрические режимы эксплуатации
рассчитываются исходя из допустимой рассеиваемой мощности,
определяемой по формуле
Лр.макс = ^—(353 — 7), где 7?т=8,О мВт К-
Ay
2. Максимальный входной постоянный ток при температуре ок-
ружающей среды от 308 до 343 К снижается линейно с коэффи-
циентом 0 43 мА/К.
721
3. Допускается эксплуатация приборов АОТНОБ при напряжении
источника питания 48 В+ 10%
4. При изменении длительности импульса от 10-5 до 10-2 с
и температуры окружающей среды от 308 до 343 К
7ВЧ1, мА. определяется по формуле
^нх.и макс
,70 10-2
( -1g
з Л,
3 Г+45).
7
Зона возможных положений за-
висимости входного напряже-
ния от входного тока
Зона возможных положений за-
висимости тока утечки от тем
пера туры.
13 11 9
АОДН1А
Оптрон диодный с одним
арсспид-галтневым излучателем и
дв>мя кремниевыми фотоприемни-
ками. Изготовляется в металле
керамическом корпусе с оптическим
окном. Используется в качестве
датчика положения близких к
нему предметов, отражающих из
лучение диода. Применяются в
качестве датчика пульса в элект-
ронных пульс.метрах.
Масса прибора не более 0,5 г
722
Электрические параметры
Постоянное входное напряжение при /пр = 10 мА и Т —
298 К, не более..................................... 2 В
Приращение выходного тока (при приближении к опти-
ческому окну отражающей металлической поверхности),
не менее............................................ 1 мкА
Предельные эксп. уатационные данные
Постоянный или средний входной ток при температуре
от 283 до 333 К.....................................40 мА
Импульсный входной ток при длительности импульса
10 мкс и скважности не менее 20 .................... 100 мА
Обратное выходное напряжение любой формы и перио-
дичности ........................................... 6 В
Температура окружающей среды........................От 283 до
333 К
Зависимость входного на-
пряжения от входного тока.
Зависимость выходного тока от
обратного напряжения.
Зависимость обратного тока
фотодиода от обратно! о на-
пряжения.
723
ЗОД120А-1, АОД120А-1, АОД120Б-1
Оптопары диодные бескор-
пусные, сосюящис из излучаю-
щего диода из арсснид-галлий-
алюминия и кремниевого диод-
ного фотоприемника Предназ-
начены для гальванической
развязки элементов в составе
гибридных оптоэлектронных
микросхем
Масса прибора не бо-
лее 0.02 г
Электрические параметры
Коэффициент передачи тока при входном токе 10 мА
и обратном напряжении на фотодиоде 5 В, темпе-
ратуре окружающей среды 298 К, не менее:
ЗОД120А-1, АОД120А-1.......................... 1 %
АОД120Б-1....................................... 0,4%
ЗОД120А-1 при 358 К........................... 0,6%
ЗОД120А I при 213 К........................... 1 %
Входное напряжение при входном токе 10 мА, не более:
при 218 и 358 К . . ................... 1,7 В
при 213 К . .............. 1,9 В
Время нарастания и спада выходного импульса тока
при /вх 10 мА Utfp = 10 В и температуре 298 К,
нс более:
ЗОД120А-1 и АОД120А-1......................... 30 нс
АОД120Б-1...................................... 50 нс
Время задержки включения, не более
ЗОД120А-1 АОД120А-1..........................50 пс
АОД120Б-1...................................... 70 нс
Емкость между входом и выходом при температуре
окружающей среды от 213 до 358 К, не более ... 2 пФ
Постоянный обратный выходной ток при /вх = 0, 7/С1-,р =
= 8 В не более
ЗОД120А-1 АОД120А-1, АОД120Б-1 при 298 К . . . 2 мкА
ЗОД120А-1 при 358 К.............................20 мкА
ЗОД120А-1 при 213 К............................. 2 мкА
Сопротивление изоляции при напряжении между входом
и выходом 200 В и температуре 298 К, ие менее Ю10 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Входное обратное напряжение........................... 35В
Напряжение между входом и выходом ...... 200 В
Импульсное напряжение (длительностью менее 1 с при
скважности не менее 2) между входом и выходом 400 В
Обратное напряжение на выходе оптопары............... 10 В
Постоянный или средний входной ток при температуре-
от 213 до 343 К...................................20 мА
при 358 К.......................................... 4 мА
Импульсный входной ток при длительности импульса
100 мкс.................................................100 мА
Температура окружающей среды от 213 ло 358 К
Примечание В диапазоне температур от 343 ло 358 К
максимально допустимый входной ток, мА определяется по фор-
муле
^вх, макс
Зона возможных положений за-
висимости входного напряжения
от входного тока.
Зависимость коэффициента
передачи тока от температуры
Зависимость максимального
импульсного входного тока от
длительности импульса.
Зависимость выходного тока от
Зависимость времени нараста-
ния и спада от обратного
напряжения.
724
725
ЗОД201А-1, ЗОД201Б-1, ЗОД201В-1, ЗОД201Г-1,
ЗОД201Д-1, ЗОД201Е-1
On । опары, состоящие из арсения-галлий-алюмиписвого излучаю-
щею диода, кремниевого фотоприемника и иммерсионной среды
между ними, бескорнусные. Предназначены для применения в составе
гибридных микросхем.
Масса прибора не более 0,05 г.
Электрические параметры
Коэффициент передачи тока при входном
токе 5 мА’
ЗОД201А-1 и ЗОД201Г-1.................. От 0,6 до 1,3%
ЗОД201Б-1 и ЗОД201Д 1.................. От 0,9 до 2%
ЗОД201В-1 и ЗОД201Е-1.................. От 1,5 до 3,5%
Входное напряжение при входном токе 10 мА
при 298 К............................ От 1,1 до 1,5 В
при 343 К........................ От 1 0 до 1 5 В
при 213 К
ЗОД201А-1, ЗОД201Б-1, ЗОД201В-1 . . От 1,1 до 1,85 В
ЗОД201Г-1, ЗОД201Д 1, ЗОД201Е-1 От 1,1 до 1,65 В
Время нарастания и спада выходного импуль-
са тока при импульсе входного тока 25 м
и температуре 298 К. не более:
ЗОД201А , ЗОД201Б 1, ЗОД201В-1 100 пс
ЗОД201Г-1, ЗОД201Д-1, ЗОД201Е-1 800 нс
726
Сопротивление изоляции при напряжении
между входом и выходом 100 В и 298 К,
и температуре не менее...................... 1010 Ом
Емкость между входом и выходом, пс более 1,8 пФ
Постоянный обратный ток при t/o5p = 6 В
и температуре 298 К, не более ... 2 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Входное обратное напряжение........................ 3,5 В
Напряжение между входом и выходом.................. 100 В
Обратное напряжение на фотонриемнике................. 6 В
Входной ток......................................... 20 мА
Импульсный входной ток............................100 мА
Температура окружающей среды......................Ог 213 до
343 К
Зависимость времени нараста-
ния и спада от температуры.
Зона возможных
положений зависимос-
ти входного напряже-
ния от входного тока.
Зона возможных положений зависимости со-
противления нагрузки от температуры.
727
Зависимость коэффициента
передачи тока от обратного
напряжения.
Зависимость коэффициента
передачи тока от входного
тока.
К249КН1А, К249КН1Б, К249КН1В, К249КН1Г,
К249КН1Д, К249КН1Е
Полупроводниковые оптоэлектронные микросхемы, состоящие из
оптопар и управляемых ими транзисторных прерывателей, в метал-
лическом корпусе. Предназначены для использования в качестве
оптоэлектронных ключей, коммутирующих аналоговые электрические
сигналы прн необходимости гальванической изоляции между цепями
управления и аналогового сигнала.
Масса прибора не более 2,5 г.
728
Таблица 15.1
Тип прибора КОЛИЧСС1ВО оптопар Количество микросхем Действую- шмй ОЛК Выводы
Вход Выход
К249КН1А 4 2 I, II 8, 10; 7, 5;
12, 14 3, 1
К249КН1Б 2 1 I 8, 10 7, 5
К249КН1В 2 1 11 12, 14 3, 1
К249КН1Г 4 2 I, 11 8, 10; 7, 5;
12, 14 3, 1
К249КН1Д 2 1 I 8, 10 7, 5
К249КН1Е 2 1 11 12. 14 3, 1
Электрические параметры
Выходное остаточное напряжение при входном токе
20 мА, не более'
при 298 К....................................... 200 мкВ
при 343 К...................................... 350 мкВ
при 213 К
К249КН1А, К249КН1Б, К249КН1В................. 700 мкВ
К249КН1Г, К249КН1Д, К249КН1Е................. 750 мкВ
Время задержки включения, не более.................. 10 мкс
Время задержки выкчючсния, не более................. 10 мкс
Сопротивление изоляции при напряжении между входом
и выходом 100 В, не менее.........................109 Ом
Емкость между входом и выходом, не более............. 5 пФ
Входное напряжение при входном токе 20 мА нс более:
при 298 К...................................... 3,5 В
при 343 К
К249КН1А, К249КН1Б К249КН1В............... 3,5 В
К249КН1Г, К249КН1Д, К249КН1Е............... 3,6 В
при 213 К........................................ 4 В
Сопротивление выходное в открытом состоянии:
К249КН1А, К249КН1Б, К249КН1В при входном токе
20 мА и тоже коммутации 0,5 мА не более
при 298 К..................................... 200 Ом
при 343 К..................................... 300 Ом
при 213 К...................................... 400 Ом
К249КН1Г, К249КН1Д, К249КН1Е при входном токе
20 мА и токе коммутации 0 1 мА, пс более
при 298 К..................................... 200 Ом
прн 343 К..................................... 300 Ом
при 213 К..................................... 400 Ом
Ток утечки между эмиттерами при /м = 0, напряжении
коммутации 30 В, ие более
при 298 К
К249КН1А, К249КН1Б, К249КН1В.................. 50 нА
К249КН1Г, К249КН1Д, К249КН1Е..................100 нА
при 343- и 213 К............................... 200 нА
729
Предельные эксплуатационные . энные
Напряжение между входом и выходом при температуре
от 213 до 343 К.................................... 100 В
Коммутируемое напряжение............................ 30 В
Входное обратное напряжение...................... 3,5 В
Входной импульсный ток при ти С 100 мкс .... 100 мА
Коммутируемый ток при температуре 298 К . . . . 500 мкА
Входной ток при температуре от 213 до 308 К . . . . 30 мА
Температура окружающей среды.......................От 213 до
343 К
Примечание. В диапазоне температур от 308 до 343 К значение
/В1,м1И, мА, вычисляется по формуле
^вх, макс ~ 40 7 Т .
Зависимое 1ь напряжения п со-
противления в открытом состоя-
нии от входною тока.
Зависимость тока утечки между
эмиттерами от температуры
Зависимость времени включе-
ния и времени выключения от
температ уры.
730
Зона возможных положений за
вис им ос г и выходного сонро-
пшления в открытом состоянии
от входного гока
Зона возможных положений за-
висимости входного напряжения
от входного тока.
К249КП1, К249КП2
Ош оэ.лек тройные ключи, состоящие из излучающего диода на
основе арсенид-галлий-алюминия и кремниевого фототранзистора.
Предназначены для гальванической развязки узлов, между которыми
передаются сигналы управления.
Прибор К249КП1 состоит из двух транзисторных оптопар.
В приборе К249КП2 работоспособность второй оптопары не гаран-
тируется или она отсутствует.
У приборов К 4 КП первый вывод — вывод с ключом; у при-
боров К249КП2 первый вывод обозначается точкой, отсчет выводов
против часовой стрелки
Масса прибора не более 2 г
Электрические параметры
Коэффициент передачи тока при 1/ком = 10 В, /вх = 10 мА
/?, =1,2 кОм, пе менее............................ 0,5 °о
Темновой ток фотоприемника при t/K0M = 30 В, пс более 100 мкА
Напряжение насыщения фототранзистора при 1т = 10 мА
и токе коммутации 2 мА пе более................... 0 4В
Сопротивление изоляции при напряжении между входом
и вых< ом 100 В, пс менее.........................5 108 Ом
731
Время задержки включения:
при R — 100 Ом, UKOM = 10 В, /м — 10 мА, не более
при Л, = 1 кОм, / см = 2 мА, /вх = 10 мА, не более
Время задержки выключения не более:
при А„ = 100 Ом, UKOM = 10 В, 7ВХ = 10 мА . . .
при А ; 1000 Ом, /ком = 2 мА, I х = 10 мА . . .
4 мкс
8 мкс
4 мкс
25 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение между входом и выходом................. 100 В
Обратное напряжение на входе...................... 2,5 В
Коммутируемое напряжение на выходе................ 30 В
Постоянный коммутируемый ток па выходе............ 5 мА
Постоянный входной ток............................ 10 мА
Импульсный входной ток:
при длительности импульса нс более 10 мс, скважно-
сти 2......................................... 15 мА
при длительности импульса 0,1 мс, скважности 10 20 мА
Рассеиваемая транзистором мощность при температуре
от 228 до 328 К.................................20 мВт
Рассеиваемая мощность всем прибором при температуре
от 228 до 328 К...................................34 мВт
Температура окружающей среды......................От 228 до
328 К
0 40 80 кОм
Зона возможных положений
зависимости времени задержки
включения от сопротивления
база — эмиттер
Зона возможных положений за-
висимости коэффициента пе-
редачи тока от входного тока.
Зависимость коэффициента пе-
редачи тока от температуры.
Зона возможных положений за-
висимости входного тока от
входного напряжения.
Зона возможных положений за-
висимости коэффициента пере-
дачи тока от сопротивления
база — эмиттер.
249ЛП1А, 249ЛП1Б, 249ЛП1В
Оптоэлектронные коммутаторы логических сигналов, состоящие из
арсенид-галлиевого излучателя, кремниевого фотодиода и интеграль-
ного усилителя, обеспечивающего выходные уровни напряжения для
запуска ТТЛ микросхем.
Предназначены для пе-
редачи логических сиг-
налов между узлами при
необходимости обеспече-
ния между ними гальва-
нической развязки.
Масса прибора не
более 0,4 г.
733
Электрические параметры
Напряжение питания........................ 5 В + 10 %
Потребляемая мощность, не более .... 5 мВт
Входное напряжение при входном токе 10 мА
при 298 К.......................... От 1,1 до 1,5 В
при 343 К.......................... От 1,0 до 1,5 В
при 213 К.......................... От 1,1 до 1,9 В
Выходное напряжение лет ического нуля при
/вх = 10 мА и токе нагрузки (втекающем)
1,8 мА, не более.................... 0,3 В
Выходное напряжение логической единицы
при /вх = 1 мА и вытекающем токе в на-
грузку 0,12 мА, не более............ 2,3 В
Время задержки включения при входном
токе 10 мА, не более:
249ЛП1А
при 298 К............................ 500 нс
при 213 и 343 К...................... 900 нс
249ЛП1Б
при 298 К............................ 300 нс
при 213 и 343 К...................... 600 нс
249ЛП1В
при 298 К.................................. 1000 пс
при 213 К.................................. 1500 пс
при 343 К ................................. 1200 нс
Время задержки выключения при входном
токе 10 мА, нс более:
249ЛП1А
при 298 и 213 К........................ 900 нс
при 343 К............................. 500 нс
249ЛП1Б
при 298 и 213 К....................... 600 нс
при 343 К............................. 300 нс
249ЛП1В
при 298 К................. 1200 нс
при 213 К.......... .... 1300 нс
при 343 К................. 1000 нс
Сопротивление изоляции при напряжении
между входом и выходом 100 В не менее 109 Ом
Емкость между входом и выходом, пс более 2 пФ
Пре тельные эксплуатационные данные
Напряжение между входом и выходом.................. 100 В
Обратное входное напряжение........................ 3,5 В
Входной ток........................................ 20 мА
Входной импульсный ток при длительности импульса
10 мкс............................................100 мА
734
Минимальный входной ток при температуре окружающей
среды от 213 до 343 К.
249ЛП1А........................................ 5 мА
249ЛП1Б, 249ЛП1В............................... 8 мА
Выходной вытекающий ток.........................1,5 мА
Выходной втекающий ток............................1,8 мА
Температура окружающей среды.......................Ог 213 до
343 К
Зона возможных положений за-
висимости входного напряжения
от входного тока.
Зависимость времени задержки
включения ог входного тока.
Завпсимоыь времени задержки
выключения от входного тока.
Зависимость выходного напряжения от входного тока.
735
К262КП1А, К262КП1Б
Полупроводниковые оптоэлектронные микросхемы с диодной опто-
парой на входе и интегральным усилителем, обеспечивающим на
выходе уровни сигналов для запуска ТТЛ микросхем. Предназначены
для передачи логических сигналов прн необходимости обеспечения
между узлами гальванической развязки.
Масса прибора не более 2,5 г
Электрические параметры
Напряжение питания.................................5 В + 10 %
Время задержки включения и выключения прн входном
токе 10 мА и емкости нагрузки 40 пФ, пе более:
К262КП1А .............. 700 пс
К262КП1Б................................... 350 пс
Выходное напряжение логического пуля, пс более ... 0,3 В
Выходное напряжение логической единицы, не менее 2,3 В
Выходной ток логической единицы (вытекающий), нс
более............................. ................ 1 мА
Входное напряжение логической единицы..............От 0,8 до
1,7 В
Входной ток логической единицы, не более...........10 мА
Ток потребления, не более.......................... 5 мА
Сопротивление изоляции при напряжении между входом
п выходом 100 В, не менее........................10s Ом
Емкость между входом и выходом, пе более........... 5 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Выходной ток логического пуля (втекающий)..............10 мА
Скорость нарастания напряжения между входом и выходом 10 В/мкс
Время нарастания и спада входного импульса, не более 100 пс
Температура окружающей среды...........................От 228 до
328 К
Зона возможных положений зави-
симости выходного напряжения ло-
1ического пуля от температуры.
Зона возможных положений за-
висимости входного напряже-
ния от температуры.
Зона возможных положений за-
висимости выходного напряже-
ния логической единицы от
температуры.
Зависимость времени задержки
включения от напряжения ис-
точника питания.
нс
150
140
130
ПО
110
100
4,4 5,0 5,6 в
Зависимость времени задержки
выключения от напряжения ис-
точника питания.
737
295АГ1А, 295АГ1Б, 295АГ1В, 295АГ1Г, 295АГ1Д
Интегральные оптоэпекiронные микросхемы, содержащие тири-
сторную оптопару тиристор и однонереходны i транзистор, в метал-
лическом корпусе. Предназначены для использования в качестве
одновибраторов в схемах, в которых требуется iальваническая раз-
вязка цепи запуска от выходной цепи.
Масса прибора не более 2,5 г.
Электрические параметры
Напряжение источника питания.
295АГ1А.............................................. 12 В
295АГ1Б, 295АГ1В................................. 27 В
295АГ1Г, 295АГ1Д................................. 48 В
Напряжение включения при входном импульсном токе
50 мА (295АГ1А, 295АГ1Б), 100 мА (295АГ1В, 295АГ1Г)
и 200 мА (295АГ1Д), не более
при 298 К.......................................... 36 В
1ри 263 К....................................... 5,2 В
нри 343 К и выходном импульсном токе 50 мА 4,6 В
738
Ток утечки на выходе, не более
при 298 К........................................10 мкА
при 263 К........................................50 мкА
при 343 К........................................50 мкА
Ток включения, не более................................20 мА
Остаточное напряжение при выходном импульсном токе
50 мА (295АГ1 А, 295АГ1Б), 100 мА (295АГ1В 295АГ1 Г)
и 200 мА (295АГ1Д), не более....................... 2,5 В
Сопротивление изоляции между входом и выходом, пс
менее.................................................10s Ом
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение источника питания, не более:
295АГ1А........................................ 13.2 В
295АГ1Б 295АГ1В.................................29,7 В
295АГ1Г, 295АГ1Д................................52,8 В
Напряжение включения...............................5,25 В
На тряжение меж у входом п выходом................. 100 В
Выходной импульсный ток при ти < 2 мкс температуре
окружающей среды от 263 до 301 К
295АГ1А, 295АГ1Б.................................. 50 мА
295АГ1В, 295АГ1Г..................................100 мА
295АГ1Д........................................... 200 мА
Р ссеиваемая мощность при температуре 298 К . . . . 500 мВт
Скорость нарастания напряжения источника питания прп
температуре окружающеи среды от 263 до 343 К 50 В/мкс
Температура окружающей среды
........................О г 263 до
343 К
Зона возможных положений зави-
симости напряжения включения от
температуры.
138223 248 273 298 323 К
739
Зоны возможных положений за-
висимости входного тока от
температуры.
Зона возможных положений за-
висимости напряжения в откры-
том состоянии от температуры.
Зона возможных положений
зависимости тока утечки от
Зависимость рассеиваемой мощ-
ности от температуры
температуры.
АОТ122А, АОТ122Б, АОТ122В, АОТ122Г
Оптопары транзисторные, состоящие из кремниевого эпитак-
сиачьио-планарного транзисторного приемника и арсенидгаллиевого
мезаэпитаксиальпого инфракрасного диодного излучателя.
Предназначены для бесконтактной коммутации цепей постоян-
ного тока с гальванической развязкой между входом и выходом
Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится иа корпусе.
Масса оптопары не более 0,6 г.
740
W Мвыбодоб
Э. ick । ричсскнс парапет ры
Входное напряжение прн /пх = 5 мА:
Т 298 К............................................O r 1 до 1,6 В
Т = 353 К пс более.................................. 1.6 В
Т 213 К не ботее..................................... 1,8 В
741
Выходное остаточное напряжение при /в = 5 мА. /выл =
= 15 мА для АОТ122А. АОТ122В. АОТ122Г и /в.,х =
= 25 мА для АОТ122Б не более:
7 — 298 и 353 К............................... 1.5 В
Т= 213 К...................................... 1.9 В
Выходное осчаточнос напряжение при /вх = 1 мА, /вь|х =
= 1 мА для АОТ122А, 7ВЫХ = 3 мА для АОТ122В
АОТ122Г 7ВЫХ = 5 мА для АОТ122Б не более .... 1,5 В
Ток утечки на выходе при 7, х = О, Схом = 50 В Д1Я
ЛОГ122А. UKOV = 30 В для АОТ122Б. АОТ122В. UKOV =
= 15 В для АОТ122Г не более......................10 мкА
Сопротивление изоляции при t/I13 = 100 В пе менее . . . 10ч Ом
Время нарастания * при 7ВХ = 5 мА, Ян = 100 кОм
1/коч =10 В нс более............................ 6 мкс
Время спада* при /вх = 5 мА, = 100 кОм. Ском =
= 10 В не более.................................100 мкс
Примечание. Измерение параметров производится при внеш-
нем резисторе сопротивлением 1 МОм между выводами 10 и II.
Пред 1Ы1ые эксплуатационные данные
Коммутирующее напряжение при Я= 1 МОм между вы-
водами 10 и II:
АОТ122А........................................ 50 В
АОТ122Б, АОТ122В.............................. 30 В
АОТ122Г....................................... 15 В
Напряжение изоляции............................... 100 В
Входной юк . . . ........................... 15 мА
Импульсный входной ток при т„ < 10 мкс............85 мА
Выходной Импульсный ток при R — 1 МОм между вы-
водами 10 и II
АОТ122А, АОТ122В. АО 122Г..................... 15 iA
АОТ122Б.......................................25 мА
При изменении длительности импульса от 10“5 до 10 2 с
импульсный входной ток, мА, определяется по формуле
3 т„
742
Допускается изгиб выводов ла расстоянии 1 мм от корпуса,
пайка выводов на расстоянии не менее 2 мм от корпуса при
температуре не более 523 К в течение 3 с.
Допускается применение оптопар АОТ122А при напряжении
питания 48 В.
Допустимое значение С1атпческого потенциала 500 В.
Зависимость времени спада от
сопротивления база — эмиттер.
Зависимость выходного тока от
сопротивления база — эмиттер.
t s
АЛЬБЕРТ ВАЛЕНТИНОВИЧ БАЮКОВ
АЛЕКСАНДР БОРИСОВИЧ ГИТЦЕВИЧ
АНАТОЛИЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ ЗАЙЦЕВ
ВЯЧЕСЛАВ ВЛАДИМИРОВИЧ МОКРЯКОВ
ВЛАДИМИР МАТВЕЕВИЧ ПЕТУХОВ
АРКАДИЙ КВИНТИЛИАНОВИЧ ХРУЛЕВ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ:
Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы
Редакторы издательства Г Н Астафуров,
А. Н Гусяцкая
Технические редакторы Н. Н. Хотулева,
Г. Г Самсонова
Корректор Г. А. Полонская
ИБ № 2682
Сдано в набор 18.09.81 Подписано в печать 23.06 82. Т 05710 Формат
84 х 108*/32. Бумага типографская № 2. Гарнитура Таймс Печать
высокая. Усл печ л. 39 06 Усл кр.-отт 39,06. Уч -изд л 45,96
Тираж 125 000 экз. Заказ 93 Цена 2 р. 60 к
Эпсргоиздат, 113114, Москва, М-114, Шлюзовая наб., 10
Ордена Октябрьской Революции, ордена Трудового Красного Знамени
Ленинградское производственно-техническое объединение «Печатный
Двор» имени А. М. Горького Союзполнтрафпрома при Государствен-
ном комитете СССР по делам издательств, полиграфии и книжной
торговли. 197136, Ленинград, П-136, Чкаловский пр., 15.