/
Автор: Петухов В.М.
Теги: полупроводниковые устройства электроника радиотехника электротехника транзисторы каталог теория транзисторов
ISBN: 5-93037-034-6
Год: 2000
Похожие
Текст
СПРАВОЧНИК
ТРАНЗИСТОРЫ
И ИХ ЗАРУБЕЖНЫЕ
АНАЛОГИ
СПРАВОЧНИК
В. М. Петухов
ТРАНЗИСТОРЫ
И ИХ ЗАРУБЕЖНЫЕ
АНАЛОГИ
•
ПОЛЕВЫЕ И ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
СРЕДНЕЙ И БОЛЬШОЙ МОЩНОСТИ
В ЧЕТЫРЕХ ТОМАХ
Том 3
Каталог
Издание второе, исправленное
ББК 32.852.3
П53
ИЗДАТЕЛЬСТВО «РАДИОСОФТ»
Отдел реализации тел/факс (095) 177-47-20, е-та|| гаФо5Й@аЬа ш
Адрес и телефон для заявок на книги по почте наложенгым платежом.
113054 Москва, а/я 35, «Пост-Пресс», телефакс (095) 230-37-66
е-таП роз1ргез@<1о1 ги
Петухов В. М.
П53 Транзисторы и их зарубежные аналоги. Полевые и высокочастот-
ные биполярные транзисторы средней и большом мощности. Справоч-
ник. В 4 г. Т. 3. Издание второе, исправленное.— М.: ИП РадиоСофт,
2000.— 672 с.: ил.
15ВЛ 5-93037-034-6
Во третьем томе четырехъ омного справочного издания приводятся элбариче-
ские и эксплуатационные характеристики полупроводниковых приборов — полевые
и высокочастотные биполярные транзисторы средней и большой мощности. Даются
классификация и система обозначений, основные стандарты для ояксашкых в спра-
вочнике приборов Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основ-
ном назначении» габаритиькт и присоединительны* размерах, маркировке, предель-
ных эксплуатационных режимах и условиях работы. & приложении даются зарубеж-
ные аналоги транзисгороа^. яомещрнмьгх в елравечниюе, и названия фирм-изготови-
телей, представлен перечень транзисторов, асн/едших в Т—4 тт издания.
Для инженерно-технических работников, занимающихся разработкой, эксплуа-
тацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры.
ББК 32.852.3
Ответственный за выпуск А А-Халоян
Редактор М КХ Нефёдова
Сдано в набор 16 02 97 Подписано в печать 3 04 97
Формат 84*1081/з2. Печать высокая Бумага газетная
Печ л 21,0 Тираж 5 000 Заказ852
Издательское предприятие РадиоСофт
109125, Москва, ул. Саратовская, 6/2
Лицензия ЛР 065866 от 30 04 98
Отпеч»тана с готовых диакюэитмоь
во Владимирской книжной типографии Госкомпечати России
600000, г. Владимир, Октябрьский пр, д. 7
18 ВИ 5-93037-034-6
© В. М. Петухов, 2000
© Составление, оформление.
Издательское предприятие
РадиоСофт, 2000
СОДЕРЖАНИЕ
ЧАСТЬ ПЕРВАЯ
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О БИПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
Раздел первый. Классификация биполярных и полевых транзисторов
1 1 Классификация и система обозначений................................ 9
1 2 Классификация транзисторов по функциональному назначению.......... 12
13 Условные графические обозначения................................... 13
1 4 Условные обозначения электрических параметров..................... 14
15 Основные стандарты на биполярные и полевые транзисторы............. 17
1 б" Приборы для измерения параметров транзисторов.................... 21
Раздел второй. Особенности использования транзисторов
в радиоэлектронной аппаратуре
ЧАСТЬ ВТОРАЯ
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ТРАНЗИСТОРОВ
Раздел третий. Транзисторы полевые кремниевые
2П601А, 2П601Б, КП601А, КП601Б, 2П601А9............................... 35
2П609А, 2П609Б, 2П609А-5, 2П609Б-5.................................... 39
2П701А, 2П701Б....................................................... 42
2П702А................................................................ 46
2П703А, 2П703Б........................................................ 49
КП704А, КП704Б........................................................ 52
КП705А, КП705Б, КП7О5В................................................ 53
2П706А, 2П706Б, 2П706В................................................ 56
КП7О7А, КП707Б, КП7О7В, КП707А1, КП7О7Б1, КП7О7В1..................... 58
КП709А, КП709Б........................................................ 61
2П712А, 2П712Б, 2П712В, 2П712А-5, 2П712Б-5, 2П712В-5.................. 62
КП801А, КП801Б, КП801В, КП801Г........................................ 67
2П802А, КП802А, КП802Б ............................................... 70
2П803А, 2П803Б........................................................ 74
КП804А................................................................ 78
КП805А, КП805Б, КП805В..........................................
КП809А, КП809Б, КП809В, КП809Г, КП809Д, КП809Е, КП809А1, КП809Б1,
КП809В1, КП809Г1, КП809Д1, КП809Е1, КП809Б1-5, КП809Б2-5.....
КП813А, КП813Б, КП813А1, КП813Б1, КП813А1-5, КП813Б1-5..........
2П815А, 2П815Б, 2П815В, 2П815Г..................................
2П816А, 2П816Б, 2П816В, 2П816Г..................................
А702А, А702Б, А702В.............................................
А724А, А724Б, А724В, А724Г......................................
А842А, А842Б....................................................
А843А, А843Б, А843В.............................................
2П901А, 2П901Б, 2П901А-5, 2П901Б-5, КП901А, КП901Б..............
2П902А, 2П902Б, КП902А, КП902Б, КП902В..........................
2П903А, 2П903Б, 2П903В, 2П903А-5, 2П903Б-5, 2П903В-5, КП903А,
КП903Б, КП903В...............................................
2П904А, 2П904Б, КП904А, КП904Б..................................
2П905А, 2П905Б, КП905А, КП905Б, КП905В..........................
2П907А, 2П907Б, КП907А, КП907Б, КП907В..........................
2П908А, 2П908Б, КП908А, КП908Б..................................
2П909А, 2П909Б, 2П909В, 2П909Г..................................
2П911А, 2П911Б..................
2П912А, 2П912Б.....
2П913А, 2П913Б....
2П914А.............;;;;;;..;;;;; ”;;;..........; ;...;
2П918А, 2П918Б.......... ... . .................................
2П920А, 2П920Б.
КП921А ............;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;
80
83
87
91
94
97
99
101
103
105
110
114
119
123
126
130
134
138
141
145
149
152
156
160
2П922А, 2П922Б, 2П922А-5, 2П922Б-5, КП922А, КП922Б, КП922А1, КП922Б1 . 162
2П923А, 2П923Б. 2П923В, 2П923Г, КП923А, КП923Б, КП923В, КП923Г.... 166
2П926А, 2П926Б........................................................ 172
2П928А, 2П928Б........................................................ 174
2П933А, 2П933Б........................................................ 177
КП934А, КП934Б........................................................ 180
КП937А, КП937А-5...................................................... 183
2П938А, 2П938Б, 2П938В, 2П938Г, 2П938Д, КП938А, КП938Б, КП938В,
КП938Г, КП938Д.................................................. 184
2П941А, 2П941Б, 2Л941В, 2П941Г, 2П941Д................................ 186
КП944А, КП944Б........................................................ 191
КП945А, КП945Б........................................................ 195
КП951А-2, КП951Б-2, КП951В-2.......................................... 198
А650А, А650Б, А650В, А650Г ........................................... 200
А654А, А654Б.......................................................... 202
А675А, А675Б.......................................................... 203
А709А, А709Б.......................................................... 205
А719А, А719Б, А719В, А719Г........................................... 207
А746А, А746Б.......................................................... 209
А762А, А762Б.......................................................... 211
А808А, А808Б, А808В, А808Г........................................... 213
Раздел четвертый. Кремниевые комбинированные транзисторы
2Е701А, 2Е701Б, 2Е701В, 2Е701Г........................................ 217
Раздел пятый. Арсенидогаялиевые половые транзисторы
ЗП602А-2, ЗП602Б-2, ЗП602В-2, ЗП602Г-2, ЗП602Д-2, ЗП602Б-5,
ЗП602Д-5, АП602А-2, АП602Б-2, АП602В-2, АП602Г-2, АП602Д-2 . . 221
ЗП6ОЗА-2, ЗП6ОЗБ-2, ЗП6ОЗА1-2, ЗП6ОЗБ1-2, ЗП6ОЗА-5, ЗП6ОЗБ-5,
АП603А-2, АП603Б-2, АП6ОЗА1-2, АП6ОЗБ1-2, АП603А-5, АП603Б-5 . . 229
ЗП604А-2, ЗП604Б-2, ЗП604В-2, ЗП604Г-2, ЗП604А1-2, ЗП604Б1-2,
ЗП604В1—2, ЗП604Г1-2, ЗП604А-5, ЗП604Б-5, ЗП604В-5, ЗП604Г-5,
АП604А-2, АП604Б-2, АП604В-2, АП604Г-2, АП604А1-2, АП604Б1-2,
АП604В1-2, АП604Г1-2, АП604А-5, АП604Б-5, АП604В-5, АП604Г-5. 236
ЗП605А-2, ЗП605А-5, АП605А-2...................................... 242
ЗП606А-2, ЗП606Б-2, ЗП606В-2, ЗП606Г-2........'................... 244
ЗП606Б-5, ЗП606В-5................................................ 248
АП606А-2, АП606Б-2, АП606В-2, АП606А-5, АП606Б-5, АП606В-5.... 251
ЗП607А-2...................................................... 257
ЗП608А-2, ЗП608Б-2, ЗП608Г-2..................................... 259
ЗП608А-5, ЗП608Д-5, ЗП608Е-5..................................... 262
АП608А-2, АП608Б-2, АП608Г-2, АП608А-5, АП608Д-5, АП608Е-5....... 265
ЗП910А-2, ЗП910Б-2, ЗП910А-5, ЗП510Б-5........................... 270
ЗЛ915А-2, ЗП915Б-2 .............................................. 274
ЗП925А-2, ЗП925Б-2, ЗП925В-2, ЗП925А-5........................... 277
ЗП927А-2, ЗП927Б-2, ЗП927В-2, ЗП927Г-2, ЗП927Д-2................. 281
ЗП929А-2......................................................... 285
ЗП930А-2, ЗП930Б-2, ЗП930В-2.................................... 288
АП967А-2, АП967Б-2, АП967В-2, АП967Г-2, АП967Д-2, АП967Е-2,
АП967Ж-2..................................................... 290
А634А, А634Б.................................................... 294
А686А-2, А686Б-2, А686А1-2 А686Б1-2............................. 296
А725А, А725Б, А725В, А725Г, А725Д............................... 298
А726А, А726Б.................................................... 300
А736 ........................................................... 302
А745А, А745Б, А745В, А745Г...................................... 304
А745А-5, А745Б-5, А745В-5....................................... 307
А761А-5......................................................... 309
А795А, А795Б, А795В, А795Г, А795Д............................... 312
А796А, А796Б, А796В, А796Г, А796Д, А796Е, А796Ж................. 314
А803А........................................................... 316
А848А........................................................... 318
А849А, А849В, А849С, А849Д...................................... 320
Раздел шестой. Транзисторы биполярные высокочастотные
Транзисторы п-р-п
КТ601А, КТ601АМ....................................................
ЗТАП2А 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ, КТ602АМ, КТ602БМ..................
2Т603А^ 2Т603Б, 2Т603В, 2Т6ОЗГ, 2Т603И, КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г,
КТ603Д, КТ603Е.................................................
КТ604А КТ604Б, КТ604АМ, КТ604БМ ...................................
КТ605А' КТ605Б, КТ605АМ, КТ605БМ...................................
2Т608А 2Т608Б, КТ608А, КТ608Б......................................
КТ611А, КТ611Б, КТ611В, КТ611Г, КТ611АМ, КТ611БМ...................
КТ616А, КТ616Б.....................................................
322
324
КТ617А ............................................................
КТ618А ............................................................
2Т625А-2 2Т625Б-2, 2Т625АМ-2, 2Т625БМ-2, КТ625А, КТ625АМ...........
2Т630А, 2Т630Б, 2Т630А-5, КТ630А, КТ630Б, КТ630В, КТ630Г, КТ630Д,
КТ630Е.........................................................
2Т635А, КТ635Б ....................................................
2Т638А, КТ638А.....................................................
КТ645А, КТ645Б.....................................................
КТ646А, КТ646Б.....................................................
2Т652А, 2Т652А-2...................................................
2Т653А, 2Т653Б ....................................................
КТ660А, КТ660Б.....................................................
2Т665А9, 2Т665Б9, КТ665А9, КТ665Б9.................................
КТ666А9............................................................
327
330
332
335
338
340
342
344
345
КТ680А .............................................................
КТ683А, КТ683Б, КТ683В, КТ683Г, КТ683Д, КТ683Е......................
КТ684А, КТ684Б, КТ684В..............................................
КТ698А, КТ698Б, КТ698В, КТ698Г, КТ698Д, КТ698Е, КТ698Ж, КТ698И,
КТ698К .............................................................
348
351
354
357
358
360
363
366
369
371
373
375
378
379
КТ902АМ...................................................... 381
2Т903А, 2Т903Б, КТ903А............................................... 383
2Т908А, КТ908А, КТ908Б............................................... 386
2Т912А, 2Т912Б, 2Т912А-5, 2Т912Б-5, КТ912А, КТ912Б................. 389
2Т920А, 2Т920Б, 2Т920В, КТ920А, КТ920Б, КТ920В, КТ920Г............... 393
2Т921А, КТ921А, КТ921Б............................................... 397
2Т921А-4............................................................. 400
2Т922А, 2Т922Б, 2Т922В, КТ922А, КТ922Б, КТ922В, КТ922Г, КТ922Д.......
2Т926А, КТ926А, КТ926Б...............................................
КТ927А, КТ927Б, КТ927В ..............................................
2Т928А, 2Т928Б, КТ928А, КТ928Б, КТ928В...............................
2Т929А, КТ929А.......................................................
2Т931А, КТ931А.......................................................
2Т935А, 2Т935А-5, КТ935А.............................................
КТ936А, КТ936Б.......................................................
КТ940А, КТ940Б, КТ940В, КТ940А-5, КТ940Б-5, КТ940В-5.................
КТ943А, КТ943Б, КТ943В, КТ943Г, КТ943Д...............................
2Т944А, КТ944А ......................................................
2Т945А, 2Т945Б, 2Т945В, 2Т945А-5, КТ945Б.............................
2Т947А, КТ947А...........
2Т950А, 2Т950Б ..........
2Т951А, 2Т951Б, 2Т951В . / /.......... . ’ . ’ ’ ". ’ ' ' ......
2Т955А, КТ955А........
2Т956А, КТ956А. . .
2Т957А, КТ957А.......................................................
2Т958А, КТ958А.................................................... .
КТ961А, КТ961Б, КТ961В, КТ961Г......'............................ .
2Т964А .......
2Т965А, КТ965А. . .
2Т966А, КТ966А. . . ............................................
2Т967А, КТ967А. . . . .........................................
2Т968А, 2Т968А-5 ... ................................................
КТ969А, КТ969А-5 ............................................
402
407
409
411
414
417
421
424
426
428
432
434
440
443
447
453
456
460
463
467
470
473
477
482
485
2Т971А, КТ971Л...................................................... 493
КТ972А, КТ972Б...................................................... 496
2Т978А, 2Т978Б...................................................... 499
21980А, 2Т980Б, КТ980А, КТ9805 ..................................... 502
2Т981А, КТ981А...................................................... 507
2Т993А.............................................................. 510
КТ 997А, КТ997Б, КТ997В............................................. 512
КТ999А ............................................................. 514
2Т9117А, 2Т9117Б, 2Т9117В, 2Т9117Г.................................. 517
2Т9126А............................................................. 520
2Т9128АС............................................................ 523
2Т9130А, КТ9130А.................................................... 526
2Т9131А............................................................. 528
КТ9133А............................................................. 531
КТ9145А9, КТ9145А-5................................................. 534
КТ9151А............................................................. 538
КТ9157А............................................................. 540
КТ9160А, КТ9160Б, КТ9160В........................................... 541
КТ9166А............................................................. 545
КТ9177А............................................................. 546
КТ9181А, КТ9181Б, КТ9181В, КТ9181Г.................................. 548
2Ж102А, 2Ж102Б...................................................... 550
А597А, А597Б........................................................ 552
А604А, А604Б, А604В................................................. 554
А639А............................................................... 557
А661А, А661Б........................................................ 559
А723 ............................................................... 561
Транзисторы р-п-р
КТ626А, КТ626Б, КТ626В, КТ626Г, КТ626Д.............................. 563
2Т629А-2, КТ629А-2, КТ629Б-2, КТ629БМ-2............................. 565
2Т632А, КТ632Б, КТ632Б1............................................. 567
КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639И,
КТ639А1, КТ639Б1, КТ639Г1, КТ639Д1 ............................. 570
КТ644А, КТ644Б, КТ644В, КТ644Г...................................... 574
КТ661А ............................................................. 576
КТ662А ............................................................. 578
2Т664А9, 2Т664Б9, КТ664А9, КТ664Б9.................................. 580
КТ667А9............................................................. 583
КТ668А, КТ668Б, КТ668В.............................................. 585
КТ681А ............................................................. 587
КТ685А, КТ685Б, КТ685В, КТ685Г, КГ685Д, КТ685Е, КТ685Ж.............. 589
КТ686А, КТ686Б, КТ686В, КТ686Г, КТ686Д, КТ686Е, КТ686Ж.............. 591
КТ692А ............................................................. 593
КТ6127А, КТ6127Б, КТ6127В, КТ6127Г, КТ6127Д, КТ6127Е, КТ6127Ж,
КТ6127И, КТ6127К................................................ 595
1Т901А, 1Т901Б...................................................... 597
1Т905А, ГТ905А, ГТ905Б.............................................. 599
1Т906А, ГТ906А, ГТ906АМ............................................. 603
1Т910АД............................................................. 606
2Т932А, 2Т932Б, КТ932А, КТ932Б, КТ932В...................... 608
2Т933А, 2Т933Б, КТ933А, КТ933Б...................................... 610
КТ973А, КТ973Б...................................................... 613
КТ9115А, КТ9115Б.................................................... 614
КТ9120А............................................................. 618
КТ9144А9, КТ9144А-5................................................. 619
КТ9176А............................................................. 621
КТ9180А, КТ9180Б, КТ9180В, КТ9180Г.................................. 623
Перечень зарубежных транзисторов, заменяемых отечественными......... 626
Указатель типов транзисторов........................................ 654
Перечень типов транзисторов, вошедших в 1—4 тт. издания............. 657
ЧАСТЬ ПЕРВАЯ
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О БИПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ
ТРАНЗИСТОРАХ
Раздел первый
Классификация биполярных и полевых
транзисторов
1.1. Классификация и система обозначений
Классификация транзисторов по их назначению, физиче-
ским свойствам, основным электрическим параметрам, кон-
структивно-технологическим признакам, роду исходного полу-
проводникового материала находит свое отражение в системе
условных обозначений их типов. В соответствии с появлением
новых классификационных групп транзисторов совершенству-
ется и система их условных обозначений.
Система обозначений современных типов транзисторов
установлена отраслевым стандартом ОСТ 11336.919-81 и ба-
зируется на ряде классификационных признаков. В основу
системы обозначений положен буквенно-цифровой код.
Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый
материал, на основе которого изготовлен транзистор. Для
обозначения исходного материала используются следующие
символы:
Г или 1 — для германия или его соединений;
К или 2 — для кремния или его соединений;
А или 3 — для соединений галлия (практически для арсе-
нида галлия, используемого для создания полевых транзисто-
ров);
И или 4 — для соединений индия (эти соединения для
производства транзисторов в качестве исходного материала
пока не применяются).
Второй элемент обозначения — буква, определяющая под-
класс (или группу) транзисторов. Для обозначения подклассов
используется одна из двух букв: Т — для биполярных и П —
для полевых транзисторов.
Третий элемент — цифра, определяющая основные функ-
циональные возможности транзистора (допустимое значение
рассеиваемой мощности и граничную либо максимальную ра-
бочую частоту).
Для обозначения наиболее характерных эксплуатационных
признаков транзисторов применяются следующие цифры.
Для транзисторов малой мощности (максимальная мощ-
ность, рассеиваемая транзистором, не более 0,3 Вт):
1 — с граничной частотой коэффициента передачи тока
или максимальной рабочей частотой (далее граничной часто-
той) не более 3 МГц;
2 — с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
3 — с граничной частотой более 30 МГц.
Для транзисторов средней мощности (максимальная мощ-
ность, рассеиваемая транзистором, более 0,3, но не более
1,5 Вт):
4 — с граничной частотой не более 3 МГц;
5 — с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
6 — с граничной частотой более 30 МГц.
Для транзисторов большей мощности (максимальная мощ-
ность, рассеиваемая транзистором, более 1,5 Вт):
7 — с граничной частотой не более 3 МГц;
8 — с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
9 — с граничной частотой более 30 МГц.
Четвертый элемент — число, обозначающее порядковый
номер разработки технологического типа транзисторов. Для
обозначения порядкового номера используют двузначные чис-
ла от 01 до 99. Если порядковый номер разработки превысит
число 99, то применяют трехзначные числа от 101 до 999.
Пятый элемент — буква, условно определяющая класси-
фикацию по параметрам транзисторов, изготовленных по еди-
ной технологии. В качестве классификационной литеры при-
меняют буквы русского алфавита (за исключением 3, О, Ч, Ы,
Ш, Щ, Ю, Ь, Ъ Э).
Стандарт предусматривает также введение в обозначение
ряда дополнительных знаков при необходимости отметить от-
дельные существенные конструктивно-технологические особен-
ности приборов.
В качестве дополнительных элементов обозначения ис-
пользуют следующие символы:
цифра от 1 до 9 — для обозначения модернизаций тран-
зисторов, приводящих к изменению его конструкции или элек-
трических параметров;
буква С — для обозначения наборов в общем корпусе
однотипных транзисторов (транзисторные сборки);
цифра, написанная через дефис,— для бескорпусных тран-
зисторов.
Эти цифры соответствуют следующим модификациям кон-
структивного исполнения:
1 — с гибкими выводами без кристаллодержателя (под-
ложки);
2 — с гибкими выводами на кристаллодержателе (под-
ложке);
3 — с жесткими выводами без кристаллодержателя (под-
ложки);
4 — с жесткими выводами на кристаллодержателе (под-
ложке);
5 — с контактными площадками без кристаллодержателя
(подложки) и без выводов (кристалл);
6 — с контактными площадками на кристаллодержателе
(подложке), но без выводов (кристалл на подложке).
Таким образом, современная система обозначений позво-
ляет по наименованию типа получить значительный объем ин-
формации о свойствах транзистора.
Примеры обозначений некоторых транзисторов:
КТ604А — кремниевый биполярный, средней мощности,
высокочастотный, номер разработки 04, группа А;
2Т920А — кремниевый биполярный, большой мощности,
высокочастотный, номер разработки 20, группа А;
КТ937А—2 — кремниевый биполярный, большой мощно-
сти, высокочастотный, номер разработки 37, группа А, бес-
корпусный, с гибкими выводами на кристаллодержателе;
2ПС2О2А—2 — набор маломощных кремниевых полевых
транзисторов средней частоты, номер разработки 02, группа
А, бескорпусный, с гибкими выводами на кристаллодержа-
теле.
Для большинства транзисторов, включенных в настоящий
справочник, использована система обозначений согласно ра-
нее действовавшим ГОСТ 10862—64 и ГОСТ 10862—72, кото-
рая в своей основе не отличается от описанной. Однако у
биполярных транзисторов, разработанных до 1964 г. и выпус-
каемых до настоящего времени, условные обозначения типа
состоят из двух или трех элементов.
Первый элемент обозначения — буква П, характеризую-
щая класс биполярных транзисторов, или две буквы МП для
транзисторов в корпусе, герметизируемом способом холодной
сварки.
Второй элемент — одно-, двух- или трехзначное число,
которое определяет порядковый номер разработки и указыва-
ет на подкласс транзистора по роду исходного полупроводни-
кового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощ-
ности и граничной (или предельной) частоты:
от 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные
транзисторы;
от 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастот-
ные транзисторы;
от 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные
транзисторы;
от 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные
транзисторы;
от 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ
маломощные транзисторы;
от 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ
маломощные транзисторы;
от 601 до 699 — германиевые высокочастотные и СВЧ
мощные транзисторы;
от 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ
мощные транзисторы.
Третий элемент обозначения (у некоторых типов он может
отсутствовать) — буква, условно определяющая классифика-
цию по параметрам транзисторов, изготовленных по единой
технологии.
Примеры обозначения некоторых транзисторов:
П213А — германиевый мощный низкочастотный, номер
разработки 13, группа А;
П702А — кремниевый мощный высокочастотный, номер
разработки 02, группа А.
В справочник вошли также транзисторы, выпускаемые по
техническим условиям главного конструктора и не имеющие
обозначения ГОСТ, например, А630, А761А—5 и т. д.
1.2. Классификация транзисторов
по функциональному назначению
В настоящем справочнике наряду с нашедшей отражение в
системе условных обозначений типов транзисторов классифи-
кацией приведена классификация биполярных транзисторов по
частоте: низкочастотные < 30 МГц); высокочастотные
(30 МГц < /гр < 300 МГц); сверхвысокочастотные (^р ? 300 МГц).
Биполярные транзисторы в соответствии с основными об-
ластями применения подразделяются на следующие группы:
усилительные (сверхчастотные, высоковольтные, высокочастот-
ные линейные); генераторные (высокочастотные, сверхвысо-
кочастотные, сверхвысокочастотные с согласующими цепями);
переключательные высоковольтные и импульсные высоковольт-
ные).
По своему основному назначению полевые транзисторы
делятся на усилительные, генераторные и переключательные.
Каждая из перечисленных групп характеризуется специфи-
ческой системой параметров и справочных зависимостей, от-
ражающих особенности применения транзисторов в радио-
электронной аппаратуре. Информационный материал в спра-
вочнике расположен применительно к данной классификации
транзисторов.
1.3. Условные графические обозначения
В технической документации и специальной литературе
следует применять условные графические обозначения полу-
проводниковых приборов в соответствии с ГОСТ 2.730—73.
Графические обозначения полупроводниковых приборов,
помещенных в данном справочнике, приведены в табл. 1.1.
Таблица 1.1
Условные графические обозначения транзисторов
Наименование
Транзистор типа р-п-р
Транзистор типа п-р-п с коллектором, электрически
соединенным с корпусом
Однопереходный транзистор с л- и р-базой
Полевой транзистор с затвором на основе р-п
перехода с каналом п- и р-типа
Полевой транзистор с изолированным затвором с
выводом от подложки обогащенного типа с
р-каналом и обедненного типа с л-каналом
Полевой транзистор с изолированным затвором
обогащенного типа с л-каналом и внутренним
соединением подложки и истока
Полевой транзистор с двумя изолированными
затворами обедненного типа с л-каналом и
внутренним соединением подложки и истока
Обозначение
1.4. Условные обозначения
электрических параметров
На — постоянное напряжение коллектор—эмиттер
^кэв — постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при токе базы, равном нулю
М<э к — постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при заданном сопротивлении в цепи база—
эмиттер
^кэк — постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при короткозамкнутых выводах базы и эмит-
тера
(/кэх — постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при заданном обратном напряжении база—
эмитт.ер
и — импульсное напряжение коллектор—эмиттер
^кэ о, проб — пробивное напряжение коллектор—эмиттер при
токе базы, равном нулю
^кэ р, проб — пробивное напряжение коллектор—эмиттер при
заданном сопротивлении в цепи база—эмиттер
^кэ к, проб — пробивное напряжении коллектор—эмиттер при
короткозамкнутых выводах базы и эмиттера
Цэ х, проб — пробивное напряжении коллектор—эмиттер при
заданном обратном напряжении база—эмиттер
1/кэ макс — максимально допустимое постоянное напряже-
ние коллектор—эмиттер
^кэ, и, макс — максимально допустимое импульсное напряже-
ние коллектор—эмиттер
//КБ — постоянное напряжение коллектор—база
ЦБ и — импульсное напряжение коллектор—база
^кб о, проб — пробивное напряжение коллектор—база
С/КБ макс — максимально допустимое постоянное напряже-
ние коллектор—база
и, макс — максимально допустимое импульсное напряже-
ние коллектор—база
^эб о, проб — пробивное напряжение эмиттер—база
6/ЭБ — постоянное напряжение эмиттер—база
ДС/БЭ — падение напряжения на участке база—эмиттер
(/ЭБ макс — максимально допустимое постоянное напряже-
ние эмиттер—база
1/си — напряжение сток—исток
— напряжение затвор—исток
(/ип — напряжение исток—подложка
б'си, макс — максимально допустимое напряжение сток-
исток
1/зи макс — максимально допустимое напряжение затвор—
исток
б'зс макс — максимально допустимое напряжение затвор—
сток
Усп макс — максимально допустимое напряжение сток—
подложка
М«п макс — максимально допустимое напряжение исток—
подложка
(7ЗП макс — максимально допустимое напряжение затвор—
подложка
4 — постоянный ток коллектора
4 — постоянный ток эмиттера
4 — постоянный ток базы
4, и — импульсный ток коллектора
4, и — импульсный ток эмиттера
4, и — импульсный ток базы
4, нас — постоянный ток коллектора в режиме насыще-
ния
4, нас — постоянный ток базы в режиме насыщения
4, макс — максимально допустимый постоянный ток кол-
лектора
4, макс — максимально допустимый постоянный ток эмит-
тера
4, макс — максимально допустимый постоянный ток базы
4, и, макс — максимально допустимый импульсный ток кол-
лектора
4, и, макс — максимально допустимый импульсный ток эмит-
тера
4, нас, макс — максимально допустимый постоянный ток кол-
лектора в режиме насыщения
4 нас, макс — максимально допустимый постоянный ток базы
в режиме насыщения
4, макс — максимально допустимый постоянный ток стока
4, ост — остаточный ток стока *
4 (пр), макс — максимально допустимый прямой ток затвора
4, и, макс — максимально допустимый импульсный ток стока
Сг — емкость генератора
/— частота
/СНАС — коэффициент насыщения
Ка ц — коэффициент стоячей волны по напряжению
/ — длина выводов
Р — постоянная рассеиваемая мощность биполяр-
• ного (полевого) транзистора
Рср — средняя рассеиваемая мощность биполярного
транзистора
Рн — импульсная рассеиваемая мощность биполяр-
ного (полевого) транзистора
Рк — постоянная рассеиваемая мощность коллектора
Рк. ср — средняя рассеиваемая мощность коллектора
Рвх — входная мощность биполярного (полевого) тран-
зистора
Рвх (по) ~ входная мощность в пике огибающей (средняя
мощность однотонового сигнала с амплитудой,
равной амплитуде двухтонового сигнала в пике
огибающей)
Рвых (по) — выходная мощность в пике огибающей (сред-
няя мощность однотонового сигнала с амплиту-
дой, равной амплитуде двухтонового сигнала в
пике огибающей)
Ротр — мощность отраженной волны СВЧ сигнала
РПад — мощность падающей волны СВЧ сигнала
РМАКС — максимально допустимая постоянная рассеива-
емая мощность биполярного (полевого) тран-
зистора
Ри, макс — максимально допустимая импульсная рассеива-
емая мощность биполярного (полевого) тран-
зистора
Рк, макс — максимально допустимая импульсная рассеива--
емая мощность коллектора
Рк, ср, макс — максимально допустимая средняя рассеивае-
мая мощность коллектора
О — скважность
/?к — сопротивление в цепи коллектор—источник пи-
тания
/Рбэ — сопротивление^ цепи база—эмиттер
/?Б — сопротивление в цепи база—источник питания
/?н — сопротивление нагрузки
/?г — выходное сопротивление генератора при изме-
* рениях
/?т — тепловое сопротивление
/?т(п-ю — тепловое сопротивление переход—корпус
Рт, и (п-ю — импульсное тепловое сопротивление переход-
корпус
/?т (п-с) — тепловое сопротивление переход—среда
Л2Ь, Лго — статический коэффициент передачи тока в ре-
жимах малого и большого сигнала
31)Б, ^11э — коэффициент отражения входной цепи в схе-
мах ОБ и ОЭ соответственно
$12Б — коэффициент обратной передачи напряжения в
схеме ОБ
|$)2Б| — модуль коэффициента обратной передачи на-
пряжения в схеме ОБ
— коэффициент прямой передачи напряжения в
схеме ОЭ
— коэффициент отражения выходной цепи в схе-
ме ОБ
Т — температура окружающей среды
Гк — температура корпуса; для бескорпусных тран-
зисторов кристаллодержателя (подложки)
Гп — температура р-п перехода
т|к — коэффициент полезного действия коллектора
1]с — коэффициент полезного действия стока
ф — фаза 3-параметра
7И — длительность импульса
— длительность фронта импульса.
Звездочкой в тексте отмечены параметры или их значения,
приведенные в справочных данных ТУ. При производстве по-
лупроводниковых приборов они могут не контролироваться.
Значения эксплуатационных данных, приведенных без ука-
зания температурного диапазона, справедливы во всем интер-
вале температур окружающей среды для данного типа тран-
зистора.
Значения электрических параметров, приведенные без спе-
циального указания температуры окружающей среды (темпе-
ратуры корпуса), справедливы для температуры +25 °С.
На графиках с изображением зоны возможных положений
зависимости параметров сплошной линией обозначена типо-
вая зависимость.
1.5. Основные стандарты на биполярные и полевые
транзисторы
ГОСТ 15133-77 Приборы полупроводниковые. Термины и
ОСТ 11.336.919-81 определения Приборы полупроводниковые. Система
ГОСТ 2.730-73 условных обозначений Обозначения условные графические в
ГОСТ 18472-82 схемах. Приборы полупроводниковые Приборы полупроводниковые. Основные
ГОСТ 20003-74 размеры Транзисторы биполярные. Термины, опре- деления и буквенные обозначения пара- метров
ГОСТ 19095-73
Транзисторы полевые. Термины, опреде-
ления и буквенные обозначения параме-
тров
ОСТ 11.336.907.0—79 Приборы полупроводниковые. Руковод-
ство по применению. Общие положения
ОСТ 11.336.907.8—81 Транзисторы биполярные. Руководство
по применению
ОСТ 11 336.935-82 Транзисторы полевые. Руководство по применению
ОСТ 11 0272-86 Интегральные микросхемы, приборы по- лупроводниковые бескорпусные. Руко- водство по применению
ОСТ 11 073.062-76 Микросхемы интегральные и приборы по- лупроводниковые. Требования и методы защиты от статического электричества в условиях производства и применения
ОСТ 11 073.073—82 Контроль неразрушающнй. Методы кон- троля температуры биполярных транзи- сторов и интегральных микросхем
ОСТ 11 336.003-74 Приборы полупроводниковые. Методы от- вода тепла
ОСТ 11 706.000-79 Радиаторы охлаждения полупроводнико- вых приборов. Технические условия
Методы измерения параметров
биполярных транзисторов
ГОСТ 78604.0-83
ГОСТ 18604.1-80
ГОСТ 18604.2-80
ГОСТ 18604.3-80
ГОСТ 18604.4-74
ГОСТ 18604.5—74
Транзисторы биполярные. Общие требо-
вания при измерении электрических пара-
метров
Транзисторы биполярные. Метод измере-
ния постоянной времени цепи обратной
связи на высокой частоте
Транзисторы биполярные. Метод измере-
ния статического коэффициента переда-
чи тока
Транзисторы биполярные. Метод измере-
ния емкостей коллекторного и эмиттер-
ного переходов
Транзисторы. Метод измерения обратно-
го тока коллектора
Транзисторы. Метод измерения обратно-
го тока коллектор—эмиттер
ГОСТ 18604.6-74 Транзисторы. Метод измерения обратно- го тока эмиттера
ГОСТ 18604.7-74 Транзисторы. Метод измерения коэффи- циента передачи тока
ГОСТ 18604.8—74 Транзисторы. Метод измерения выходной проводимости
ГОСТ 18604.9—82 Транзисторы биполярные. Методы опре- деления граничной и предельной частот коэффициента передачи тока
ГОСТ 18604.10-76 Транзисторы биполярные. Метод измере- ния входного сопротивления
ГОСТ 18604.11-76 Транзисторы биполярные. Метод измере- ния коэффициента шума на высоких и сверхвысоких частотах
ГОСТ 18604.13-77 Транзисторы биполярные СВЧ генератор- ные. Метод измерения выходной мощно- сти и определение коэффициента усиле- ния по мощности и коэффициента полез- ного действия коллектора
ГОСТ 18604.14-77 Транзисторы биполярные СВЧ генератор- ные. Метод измерения модуля коэффи- циента обратной передачи напряжения в схеме с общей базой на высокой частоте
ГОСТ 18604.15-77 Транзисторы биполярные. Методы изме- рения критического тока
ГОСТ 18604.16—78 Транзисторы биполярные. Метод измере- ния коэффициента обратной связи по на- пряжению в режиме малого сигнала
ГОСТ 18604.17—78 Транзисторы биполярные. Метод измере- ния плавающего напряжения эмиттер- база
ГОСТ 18604.18-78 Транзисторы биполярные. Методы изме- рения статической крутизны прямой пе-
ГОСТ 18604.19-88 редачи Транзисторы биполярные. Методы изме-
ГОСТ 18604.20-78 рения граничного напряжения Транзисторы биполярные. Методы изме- рения коэффициента шума на низкой ча- стоте
ГОСТ 18604.22-78 Транзисторы биполярные. Методы изме- рения напряжения насыщения коллек-
ГОСТ 18604.23-80 тор—эмиттер и база—эмиттер Транзисторы биполярные. Метод измере- ния коэффициентов комбинационных со- ставляющих
ГОСТ 18604.24—81 Транзисторы биполярные высокочастот-
ные генераторные. Метод измерения вы-
ходной мощности и определение коэф-
фициента усиления по мощности и коэф-
фициента полезного действия коллектора
ГОСТ 18604.26—85 Транзисторы биполярные. Методы изме-
рения временных параметров
ОСТ 11 336.909.3—79 Транзисторы биполярные мощные высо-
ковольтные. Методы измерения скорости
нарастания обратного напряжения
Методы измерения параметров
полевых транзисторов
ГОСТ 20398.0-83
ГОСТ 20398.1-74
ГОСТ 20398.2-74
ГОСТ 20398.3-74
ГОСТ 20398.4-74
ГОСТ 20398.5-74
ГОСТ 20398.6-74
ГОСТ 20398.7-74
ГОСТ 20398.8-74
ГОСТ 20398.9-80
ГОСТ 20398.10-80
ГОСТ 20398.11-80
Транзисторы полевые. Общие требования
при измерении электрических параметров
Транзисторы полевые. Метод измерения
модуля полной проводимости прямой пе-
редачи
Транзисторы полевые. Метод измерения
коэффициента шума
Транзисторы полевые. Метод измерения
крутизны характеристики
Транзисторы полевые. Метод измерения
активной составляющей выходной прово-
димости
Транзисторы полевые. Метод измерения
входной, проходной и выходной прово-
димости
Транзисторы полевые. Метод измерения
тока утечки затвора
Транзисторы полевые. Метод измерения
порогового напряжения и напряжения от-
сечки
Транзисторы полевые. Метод измерения
начального тока стока
Транзисторы полевые. Метод измерения
крутизны характеристики в импульсном
режиме
Транзисторы полевые. Метод измерения
тока стока в импульсном режиме
Транзисторы полевые. Метод измерения
ЭДС шума
ГОСТ 20398.12-80
ГОСТ 20398.13-80
ОСТ 11 336.916-80
Транзисторы полевые. Метод измерения
остаточного тока стока
Транзисторы полевые. Метод измерения
сопротивления сток—исток
Транзисторы полевые. Метод измерения
выходной мощности, определение коэф-
фициента усиления по мощности и коэф-
фициента полезного действия стока.
1.6. Приборы для измерения параметров
транзисторов
Для измерения параметров транзисторов промышленность
выпускает ряд измерительных приборов. Наибольшее распро-
странение для измерения параметров мощных биполярных и
полевых транзисторов получили приборы, приведенные в
табл. 1.2.
Таблица 1.2
Приборы для измерения параметров мощных транзисторов
Тип прибора Измеряемый параметр Предел измерения по шкале Режим измерения Габаритные размеры, мм (масса, кг)
Л2—13 (изме- ^213 3...1000 <4б = 1...20 В 630x360*340
ритель стати- 5 0.1...30 А/В (при измере- (32 кг)
ческих пара- Мо, НАС 0,1...10 В нии до 150 В), Выносной
метров мощ- ^БЭ, НАС 0,1...10 В 4 = 10 А, пульт
ных транзи- сторов) Мо 0, ГР 4б 0 4бо 4э я 2... 150 В 0,01...100 мА 0,01—100 мА 0,01...300 мА 4= 1 А 180x200x210 (3 кг)
Л2—28 (изме- Си 0,3...1000 пФ ЦБ = 0,25... 495x215x365
ритель емко- сти р-п пере- ходов) Сэ 4б 0 0,3... 1000 пФ 0,3... 100 мкА 99,9 В, 6/ЭБ = 0,25... 9,9 В, Г= 10 МГц (при 30 пФ) (16 кг)
Л2-34 (изме- с '-пи 0,3—30 пФ Г= 0,3 МГц 490x216x355
ритель емко- сти полевых транзисторов) С22И ^|2И 0.3...30 пФ 0.03...30 пФ (при С^ЗОпФ) (16 кг) исц = 2...29 В, 4/зи, = 1-29 В, Циг=1-29 В, /с = 0,3...50 мА
Продолжение табл. 1.2
Тип прибора Измеряемый параметр Предел измерения по шкале Режим измерения Габаритные размеры, мм (масса, кг)
Л2—42 (изме- 61ГЭ- 5...500 и№ = 2...50 в 490x256x355
ритель стати- (4э, нас 0,1-10 В (при измере- (21 кг)
ческих пара- ^БЭ. НАС 0,1... 10 В ним до 100 В), Пульт
метров мощ- 4б 0 0,001...30 мА (4 = 0,3... 10 В, 122x131x200
ных транзи- 4 0 0,001...30 мА /к = 0,1...20 А, (2 кг)
сторов) 4э 0 0,001...30 мА 4 = 0,03...5 А, 4з = 0—1 кОм
Л2~46 (изме- V имп 0,01...30 А/В (/си = 1...200 В, Блок измери-
ритель пара- 'Я<ч, пост 0,01-30 А/В (4т= 0,3—30 В, тельный
метров мощ- /с 0,3...200 мА (4, = 0.3...30 В, 480x490x255
ных полевых транзисторов) А, УГ (4н, отс (/зи, ПОР ^СИ. ОТК 4. и 0,3 • 10-’2... 10~5 А 0.3...Э0 В О,З...ЗО В 3...1000 Ом 0,1-30 А 4 « 200 мА Блок режимов 360x490x175 Блок измери- тельный 300x230x205
Л2—57 (изме- Й21Э 5...2000 (4 = 3...299 В, Блок измери-
ритель стати- ^КЭ. НАС 0,05-10 В (4 =0,3—30 В, тельный
ческих лара- <4э, НАС 0,05— 10 В 4. и =0Л- 488x475x175
метров мощ- 4б 0 10-’...1(Г' А 99,9 А, (20 кг)
ных транзи- 4» 10”’...10~’ А 4.и = 0>01- Блок режимов
сторов) Ю’-Ю'* А 30 А 488x475x175 (30 кг) Блок генера- торов 488x475x175 (25 кг) Устройство подключения 488x475x94 (15 кг)
Л2—58 (изме- ^4э 0, ГР 100...2000 В ^кб, и ~ 500..* 480x555x160
ритель пара- метров высо- ковольтных транзисторов) 4б е 10-5—10“' А 2000 В, 4 и = 0,03... 0,99 мА 4,и = 1...300 мА (30 кг)
Методы измерения основных электрических параметров
транзисторов установлены государственными стандартами. Для
наблюдения вольт-амлерных характеристик транзисторов ре-
комендуется использовать приборы, приведенные в табл. 1.3.
Таблица 1.3
Приборы для наблюдения вольт-амперных характеристик
транзисторов
Тил прибора Режим по по- стоянному току Режим ступенчатого сигнала Габаритные размеры, мм (масса, кг)
ПНХТ-1 6/= 0...20 В (при 7= 1...10 А) и = 0...200 В (при /5 1 А) По току: 1„.500 мкА/ступень, 1...200 мА/ступень (всего 17 фиксированных значений). По напряжению: 0,01 ...0,2 В/ступень (всего 5 фиксированных значений). Число ступеней 4—12 643x334*423 (40 кг)
Л2-56 и= 1...16 В По току: 490x294*560
(ПНХТ-2) (при /= 10 А) У = 0...80 В (при /= 0.4...2 А) •С/ = 0...400В (при /=0,4... 0,08 А) У=0...2000В (при /5 0,08 А) 50 нА/ступень, 20 мА/ступень (всего 21 фиксированное значение). По напряжению: 0,05...2 В/ступень (всего 6 фиксированных значений). Число ступеней 1—10 (40 кг)
Раздел второй
Особенности использования транзисторов
в радиоэлектронной аппаратуре
При разработке, изготовлении и эксплуатации полупровод-
никовых приборов следует принимать во внимание их специ-
фические особенности. Высокая надежность радиоэлектрон-
ной аппаратуры может быть обеспечена только при учете та-
ких факторов, как разброс параметров транзисторов, их тем-
пературная нестабильность и зависимость параметров от
режима работы, а также изменение параметров транзисторов
в процессе эксплуатации.
Транзисторы сохраняют свои параметры в установленных
пределах в условиях эксплуатации и хранения, характерных
для различных видов и классов аппаратуры. Условия эксплуа-
тации аппаратуры могут изменяться в широких пределах. Эти
условия характеризуются внешними механическими (вибраци-
онными, ударными, центробежными нагрузками) и климати-
ческими воздействиями (температурными, атмосферными и др.)
Общие требования справедливы для всех транзисторов,
предназначенных для использования в аппаратуре определен-
ного класса, содержатся в общих технических условиях. Нор-
мы на значения электрических параметров и специфические
требования, относящиеся к конкретному типу транзистора со-
держатся в частных технических условиях.
Под воздействием различных факторов окружающей сре-
ды некоторые параметры, характеристики и свойства транзи-
сторов могут изменяться.
Для герметичной защиты транзисторных структур от внеш-
них воздействий служат корпуса приборов. Конструктивное
оформление транзисторов рассчитано на их использование в
составе аппаратуры при любых допустимых условиях эксплуа-
тации. Необходимо помнить, что корпуса транзисторов в конеч-
ном счете имеют ограничение по герметичности. Поэтому при
использовании транзисторов в аппаратуре, предназначенной
для эксплуатации в условиях повышенной влажности, платы с
расположенными на них транзисторами рекомендуется покры-
вать лаком не менее, чем в три слоя. Рекомендуется применять
лаки УР 231 (ТУ 6-10-863-79) или ЭП-730 (ГОСТ 20824-75).
Все большее распространение получают так называемые
бескорпусные транзисторы, предназначенные для использова-
ния в микросхемах и микросборках. Кристаллы таких транзи-
сторов защищены специальным покрытием, но оно не дает
дополнительной защиты от воздействия окружающей среды.
Защита достигается общей герметизацией всей микросхемы.
Чтобы обеспечить долголетнюю и безотказную работу ра-
диоэлектронной аппаратуры, конструктор обязан не только
учесть характерные особенности транзисторов на этапе разра-
ботки аппаратуры, но и обеспечить соответствующие условия
ее эксплуатации и хранения.
Транзисторы — приборы универсального применения. Они
могут быть успешно использованы не только в классе устройств,
для которых они разработаны, но и во многих других устрой-
ствах. Однако набор параметров и характеристик, приводи-
мых в справочнике, соответствует основному назначению тран-
зистора. В справочнике приводятся значения параметров тран-
зисторов, гарантируемые ТУ для соответствующих оптималь-
ных или предельных режимов эксплуатации. Рабочий режим
транзистора в проектируемом устройстве часто отличается от
того режима, для которого приводятся параметры в ТУ.
Значения большинства параметров транзисторов зависят
от рабочего режима и температуры, причем с увеличением
24
температуры зависимость параметров от режима сказывается
более сильно. В справочнике приводятся, как правило, типо-
вые (усредненные) зависимости параметров транзисторов от
тока, напряжения, температуры, частоты и т. п. Эти зависимо-
сти должны использоваться при выборе типа транзистора и
ориентировочных расчетах, так как значения параметров тран-
зисторов одного типа не одинаковы, а лежат в некотором
интервале. Этот интервал ограничивается минимальным или
максимальным значением, указанным в справочнике. Некото-
рые параметры имеют двустороннее ограничение.
При конструировании устройств необходимо стремиться
обеспечить их работоспособность в возможно более широких
интервалах изменений важнейших параметров транзисторов.
Разброс параметров транзисторов и их изменение во времени
при конструировании могут быть учтены расчетными методами
или экспериментально — методом граничных испытаний.
На рис. 2.1 показаны выходные характеристики биполяр-
ного транзистора с указанием областей работы для схем с
общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Рис. 2.1. Выходные характеристики биполярного транзистора и области
работы при включении по схеме ОБ (о) и по схеме ОЭ (б)
Выходные вольт-амперные характеристики полевых тран-
зисторов приведены на рис. 2.2. На семействе этих характери-
стик можно выделить три области: линейную (изменение тока
стока пропорционально изменению напряжения на стоке); об-
ласть насыщения (ток стока слабо зависит от напряжения на
стоке); область пробоя (ток стока резко возрастает при малых
изменениях напряжения на стоке).
Рис. 2.3. Проходные характеристики
полевого транзистора с управляю-
щим р-п переходом с каналами
л- и р-типов проводимости
Рис. 2.2. Выходные характеристики
полевого транзистора
На рис. 2.3 приведены проходные вольт-амперные харак-
теристики (зависимость тока стока от напряжения на затворе
при неизменном напряжении на стоке) полевых транзисторов
с управляющим р-п переходом с каналами л- и р-типов прово-
димости и условные графические обозначения этих транзисто-
ров. Проходные характеристики полевых транзисторов с управ-
ляющим р-л переходом хорошо аппроксимируются выраже-
нием
4 = 4, нач И “ ^зи/^Аи. отс)’>
гДе 4, нач — начальный ток стока (ток стока при = 0);
^зи.отс — напряжение отсечки. Теоретическое значение показа-
теля степени л = 2, однако на практике л = 1,5...2,5.
Полевые транзисторы с управляющим р-л переходом ра-
Рис. 2.4. Проходные характеристи-
ки МДП-транзистора с каналами я-
и р-типов проводимости
ботают в режиме обеднения
канала носителями заряда (не-
зависимо от типа его проводи-
мости) при изменении напряже-
ния затвор—исток от нулевого
значения до напряжения отсеч-
ки тока стока.
На рис. 2.4 приведены про-
ходные вольт-амперные харак-
теристики МДП-транзисторов и
их условные графические обо-
значения. В отличие от транзи-
сторов с управляющим р-л пе-
реходом у которых рабочая
область составляет от ^/зи = 0 до напряжения запирания, МДП-
транзисторы сохраняют высокое входное сопротивление при
любых значениях напряжения на затворе, которое ограничено
напряжением пробоя изолятора затвора.
При необходимости применения транзисторов для выпол-
нения функций, отличающихся от основного назначения, вы-
вод о возможности их использования в этих режимах может
быть сделан после измерения параметров транзисторов в этих
режимах, проведения соответствующих испытаний и согласо-
вания их параметров в соответствии с ГОСТ 2.117—71.
В аппаратуре транзистор может быть использован в широ-
ком диапазоне напряжений и токов. Ограничением служат зна-
чения предельно допустимых режимов, превышение которых
в условиях эксплуатации не допускается независимо от дли-
тельности импульсов напряжения или тока. Поэтому при при-
менении транзисторов необходимо обеспечить их защиту от
мгновенных изменений токов и напряжений, возникающих при
переходных процессах (моменты включения, выключения, из-
менения режимов работы и т. п.), мгновенных изменениях пи-
тающих напряжений. Не допускается также работа транзисто-
ров в совмещенных предельных режимах (например, по напря-
жению и току).
Не рекомендуется эксплуатация транзисторов при рабочих
токах, соизмеримых с неуправляемыми обратными токами во
всем диапазоне температур.
Для транзисторов, предназначенных для работы на согла-
сованную нагрузку, при настройке аппаратуры необходимо
принимать меры, исключающие возможность работы транзи-
стора на рассогласованную нагрузку. Если полностью это ис-
ключить невозможно, то настройку следует осуществлять при
пониженном напряжении питания или пониженной мощности
возбуждения.
Режимы работы транзисторов должны контролироваться с
учетом возможных неблагоприятных сочетаний условий экс-
плуатации аппаратуры.
При измерениях необходимо принимать во внимание коле-
бания напряжений источников питания, значение и характер
нагрузки на выходе блока, колебания амплитуды и длитель-
ности выходных сигналов, уровня внешних воздействующих
факторов.
Для повышения надежности транзисторов при эксплуата-
ции следует выбирать рабочие режимы с коэффициентами
нагрузки по напряжению и мощности в диапазоне 0,7...0,8.
Однако следует учесть, что применение транзисторов при ма-
лых рабочих токах приводит к снижению устойчивости их
работы в диапазоне температур и нестабильности усиления во
времени. Использование более высокочастотных типов тран-
зисторов в низкочастотных цепях нежелательно, так как они
дороги, склонны к самовозбуждению и обладают меньшими
эксплуатационными запасами.
Для коэффициентов загрузки менее 0,5...0,6 надежность
работы транзистора практически не зависит от режима ра-
боты.
Для повышения надежности параллельно соединенных тран-
зисторов рекомендуется транзисторы располагать на общем
теплопроводе, в цепи эмиттеров и баз включать резисторы,
обеспечивать их работу при коэффициентах нагрузки по току
0,5...0,6.
Для повышения надежности последовательно соединен-
ных транзисторов рекомендуется цепи коллектор—эмиттер
шунтировать резисторами, сопротивление которых в 2...3 раза
меньше эквивалентного сопротивления закрытого транзисто-
ра, или стабилитроном, допускающим работу в ждущем режи-
ме, напряжение стабилизации которого не более 0,7...0,8 1/кэ0.
При применении мощных транзисторов необходимо обес-
печивать правильный тепловой режим работы, чтобы темпера-
тура корпуса транзистора была минимальной и не превышала
допустимой. Превышение предельной температуры может при-
вести к тепловому пробою р-п перехода. Тепловой пробой
возникает вследствие лавинообразного нарастания температу-
ры р-п перехода. Во избежании теплового пробоя необходимо
улучшать отвод теплоты от транзистора. Правильный выбор
теплового режима работы снижает интенсивность отказов тран-
зисторов, а также обеспечивает стабильность выходных пара-
метров аппаратуры. Обеспечение оптимального теплового ре-
жима работы транзисторов играет первостепенную роль при
создании надежной аппаратуры.
Для учета зависимости параметров от температуры в спра-
вочнике приводятся температурный диапазон применения тран-
зисторов, значения параметров и режимов при различных тем-
пературах и их температурные зависимости.
В качестве теплоотвода для мощных транзисторов могут
использоваться специально сконструированные радиаторы или
конструктивные элементы узлов и блоков. При этом должна
предусматриваться специальная обработка мест крепления тран-
зисторов.
Качественное соединение корпуса транзистора с теплоот-
водом достигается шлифовкой поверхности теплоотвода, смаз-
кой места соединения специальной мастикой или невысыхаю-
щим маслом.
Для улучшения теплового контакта рекомендуется смачи-
вать нижнее основание транзистора полиметилсилоксановой
жидкостью ПМС—100 ГОСТ 13032—77 или теплоотводящей
смазкой КПТ—8 ГОСТ 19783—74. Полезным оказывается ис-
пользование тонких прокладок из фольги мягких металлов.
Сверление больших отверстий в радиаторе для выводов тран-
зистора уменьшает эффективность отвода теплоты.
Площадь теплоотвода 5, см2, приближенно можно вычис-
лить по формуле
5= 1ООО/(7?Т(П_С,6Т),
где /?т (п-с) — требуемое тепловое сопротивление переход—
окружающая среда, ’С/мВт; — коэффициент теплопере-
дачи от теплоотвода в окружающую среду, равный 0,6...
1,5 мВт/см2°С.
Для повышения эффективности отвода теплоты за счет
излучения рекомендуется теплоотвод покрывать черной крас-
кой (зачернить).
Принудительный обдув теплоотвода, помещение его в про-
точную жидкость (вода, масло) значительно улучшает охлаж-
дение транзисторов и позволяет снимать с них большие мощ-
ности.
Крепление транзисторов к радиаторам должно обеспечить
их надежный тепловой контакт. Особое внимание следует уде-
лить надежному тепловому контакту при введении между кор-
пусом транзистора и радиатором изолирующих прокладок.
Для уменьшения общего теплового сопротивления лучше изо-
лировать радиатор от корпуса аппаратуры, чем транзистор от
радиатора.
При необходимости электрической изоляции корпуса (кол-
лектора) транзистора от шасси или теплоотвода между корпу-
сом и теплоотводом рекомендуется ставить прокладку из окси-
дированного алюминия или слюды. Суммарное тепловое со-
противление переход—теплоотвод увеличивается при этом на
0,5 °С/Вт на каждые 50 мкм толщины слюдяной прокладки
или на 0,25 "С/Вт на каждые 50 мкм толщины слоя оксидиро-
ванного алюминия.
При применении заливки плат компаундами следует учиты-
вать возможное ухудшение теплообмена между транзистора-
ми и окружающей средой. Для заливки плат следует исполь-
зовать компаунды, не оказывающие отрицательного химиче-
ского и механического влияния на транзисторы.
Особенностью применения мощных транзисторов является
работа этих приборов в режимах, близких к предельным по
температуре перехода. Для обеспечения надежной работы ап-
паратуры режимы использования мощных транзисторов долж-
ны выбираться таким образом, чтобы ток и напряжение не
выходили за пределы области максимальных режимов. На
рис. 2.5 приведен типичный вид области максимальных режи-
мов мощного биполярного транзистора.
Рис. 2.5. Область максимальных ре-
жимов мощного биполярного тран-
зистора
Рис. 2.6. Зависимость постоянной
рассеиваемой мощности коллекто-
ра от температуры
Сплошными линиями ограничена область статического ре-
жима работы транзистора, а штриховыми — импульсного.
Область максимального режимов ограничена:
максимально допустимым током коллектора (постоянным
и импульсным) — область 1;
максимально допустимой мощностью рассеивания (посто-
янной и импульсной) — область И;
вторичным пробоем — область Ш;
граничным напряжением вольт-амперной характеристики
при заданных условиях на входе — область IV;
максимально допустимым обратным напряжением коллек-
тор—эмиттер (постоянным и импульсным) — область V.
Область максимальных режимов в справочнике приводит-
ся, как правило, при температуре корпуса ГК1, при которой
обеспечивается максимальная мощность рассеивания. При уве-
личении температуры корпуса выше Гк, мощность рассеивания
определяется с помощью рис. 2.6, а при их отсутствии рассчи-
тывается по формуле
Р*дкс = (7л — 7к)/ Яу (п-к»,
где Гп — температура перехода; Тк — температура корпуса
(например, ГК2, Гкз и т. д.); /?т ,п_К) — тепловое сопротивление
переход—корпус.
При работе транзистора при температуре корпуса ТК2 или
Т (см. рис. 2.5} область // перемещается, что соответствует
Уменьшению мощности рассеивания, определенной графиче-
ским путем или рассчитанной по формуле.
При повышении температуры корпуса изменяется также
положение области И. Значение предельно допустимого об-
ратного напряжения коллектор—эмиттер (Постоянного или им-
пульсного) при росте температуры уменьшается (рис. 2.7). Эта
зависимость снимается экспериментально.
Рис. 2.7. Области максимальных ре-
жимов при различных температурах
корпуса
Рис. 2.8. Зависимость теплового
сопротивления переход—корпус
от длительности импульса
При переходе от статического режима к импульсному и
при уменьшении длительности импульса границы области мак-
симальных режимов перемещаются в сторону больших значе-
ний тока и напряжения.
Максимально допустимая мощность рассеивания в импульс-
ном режиме связана с максимальной рассеиваемой мощностью
соотношением
^И, МАКС = (РМАКС Р? (П-К))/^Т, И (П-К)>
где /?т и (П_К) — импульсное тепловое сопротивление переход—
корпус, являющееся функцией длительности импульса и скваж-
ности (рис. 2.8).
Чем меньше длительность импульса и больше скважность,
тем больше импульсная мощность рассеивания, вызывающая
разогрев перехода до максимально допустимой температуры.
Области максимальных режимов // и /// при этом перемещают-
ся вправо — в область больших значений токов и напряжений.
Эти границы определяются экспериментально.
Тепловое сопротивление переход—корпус /?Т(П-ю» °С/Вт,
зависит от конструкции транзистора и может быть определено
из области максимальных режимов. Например, для режима
^кэ» 4, (см. рис. 2.5) тепловое сопротивление
^Т(П-К) = (Гп " ^/((/кэ, 4,)-
Импульсное тепловое сопротивление переход—корпус свя-
зано с тепловым сопротивлением в статическом режиме соот-
ношением
/?Т, И (П-К) = (^КЭ1 41/*4э, И 4, ш) *Т (П—К)-
Все мощные биполярные транзисторы СВЧ диапазона пред-
назначены для работы в режимах с отсечкой коллекторного
тока. Допустимые электрические режимы на постоянном токе
(по напряжению и мощности рассеивания), как правило, суще-
ственно отличаются от динамических режимов работы. Приве-
денные в справочнике параметры мощных СВЧ транзисторов
позволяют пользоваться типовой эквивалентной схемой для
оценки их эксплуатационных характеристик. Эквивалентная
схема транзистора в активном режиме показана на рис. 2.9.
Рис. 2.9. Эквивалентная схема мощного
СВЧ транзистора в активном режиме
Параметры некоторых элементов, изображенных на схеме,
в справочных данных отсутствуют. Это значит, что эквивалент-
ная схема может быть соответствующим образом упрощена.
Например, если не приводится последовательное сопротивле-
ние коллектора, то это означает малое влияние этого парамет-
ра на типовые эксплуатационные характеристики и он может
быть исключен из схемы. Приводимое в справочнике значение
емкости коллекторного перехода СВЧ мощных транзисторов
32
включает в себя значения емкостей металлизированных пло-
щадок в структуре транзистора и емкостей корпуса. То же
относится и к понятию «емкость эмиттерного перехода».
Линейные усилительные свойства мощных высокочастот-
ных линейных транзисторов характеризуются параметрами,
методы измерения которых основываются на использовании
двухтонового сигнала, состоящего из двух гармонических сиг-
налов.
Нелинейные свойства транзисторов в этом случае оценива-
ются коэффициентом комбинационных составляющих треть-
его и пятого порядков, являющихся отношением наибольших
амплитуд соответствующих комбинационных составляющих
спектра выходного сигнала (рис. 2.10) к амплитуде основного
тона.
Рис. 2.10. Вид спектра частот выход-
ного сигнала при измерении коэффи-
циента комбинационных составляю-
щих методом двухтонового сигнала:
1 — основной тон; 2 — комбинационные
составляющие 3-го порядка; 3 — комби-
национные составляющие 5-го порядка
56-26 26-6 6 6 26-6 56-26
Между средней мощностью линейного двухтонового сиг-
нала и мощностью в пике огибающей существует соотношение
РВыХ = Рвых (по>/2- Это соотношение используется для расчета
КПД коллектора транзистора в режиме двухтонового сигнала.
В процессе монтажа транзисторов в устройство механи-
ческие и тепловые воздействия на них не должны превышать
значений, указанных в ТУ, так как это может привести к рас-
трескиванию изолятора и, следовательно, к нарушению герме-
тичности корпуса транзистора. При рихтовке, формовке и об-
резке участок вывода у корпуса транзистора должен быть
закреплен таким образом, чтобы в месте выхода вывода из
корпуса (изолятора) он не испытывал изгибающих или растя-
гивающих усилий. Оснастка для формовки выводов должна
быть заземлена. Расстояние от корпуса транзистора до начала
изгиба вывода при формовке должно быть не менее 2 мм,
если оно не оговорено в ТУ на конкретный тип транзистора.
При диаметре вывода не более 0,5 мм радиус его изгиба
Должен быть не менее 0,5 мм; при диаметре от 0,6 до 1 мм —
не менее 1 мм; при диаметре более 1 мм — не менее 1.5 мм.
2-852 33
При лужении, пайке и монтаже транзисторов следует при-
нимать меры, исключающие возможность их повреждения из-
за перегрева и механических усилий. При лужении и пайке
расстояние от корпуса (изолятора) до места лужения и пайки
должно быть не менее 3 мм, если в ТУ на конкретный тип
транзистора не указано иное.
Допускается пайка выводов без теплоотвода и групповым
методом, если температура припоя не превышает +260 ± 5 *С,
а время пайки не более 3 с, если в ТУ на конкретный тип
транзистора не указано иное.
Печатные платы очищают от флюсов жидкостями, не пор-
тящими покрытие, маркировку и материал корпуса транзисто-
ра (рекомендуется спиртобензиновая смесь).
В процессе монтажа, транспортировки, хранения ВЧ и СВЧ
биполярных транзисторов и полевых МДП-транзисторов необ-
ходимо обеспечивать защиту их от воздействия статического
электричества. Способы защиты приведены в ОСТ 11 аАО.336.
013-73.
К числу важнейших предупредительных мер относятся:
хорошее заземление оборудования и измерительных прибо-
ров; применение заземляющих браслетов (или колец) между
телом оператора и землей, антистатических халатов; исполь-
зование низковольтных электропаяльников с заземленным
жалом. При включении транзистора в электрическую цепь,
находящуюся под напряжением, коллекторный контакт дол-
жен подсоединяться последним и отсоединяться первым. С
целью предупреждения появления в процессе настройки цепи
мгновенного напряжения на коллекторе, превышающего мак-
симально допустимое значение, рекомендуется проводить ее
настройку при пониженной входной мощности, постепенно
достигая номинального значения.
Полевые МДП-транзисторы обычно хранят и транспорти-
руют при наличии замыкателей на их выводах. Замыкатели
удаляют непосредственно перед включением (монтажом) тран-
зистора в устройство. При пайке все выводы МДП-транзисто-
ра должны быть закорочены. При сохранении минимальных
значений тока затвора полевых МДП-транзисторов необходи-
мо применять меры, предохраняющие корпус от попадания
флюса и припоя. При выборе лаков или компаундов для за-
ливки плат с полевыми МДП-транзисторами необходимо учи-
тывать влияние этих материалов на ток утечки затвора тран-
зистора.
При применении полевых МДП-транзисторов в радиоэлек-
тронной аппаратуре необходимо принимать меры для их защи-
ты от электрических перегрузок.
ЧАСТЬ ВТОРАЯ
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ТРАНЗИСТОРОВ
Раздел третий
Транзисторы полевые кремниевые
2П601А, 2П601Б, КП601А, КП601Б, 2П601А9
Транзисторы кремниевые планарные полевые с затвором
на основе р-п перехода и каналом л-типа универсальные. Пред-
назначены для применения во входных и выходных каскадах
усилителей, в генераторах и преобразователях высокой часто-
ты. Транзисторы 2П601А, 2П601Б, КП601А, КП601Б выпуска-
ются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и
гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Тран-
зистор 2П601А9 выпускается в пластмассовом корпусе с жест-
кими выводами и предназначен для применения в герметизи-
рованной аппаратуре. Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 1,5 г,
в пластмассовом корпусе не более 0,1 г.
Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Ташкент.
Электрические параметры
Коэффициент шума на 400 МГц
при 4/си = 10 В, 4 = 20 мА 2,6*...3*...6 дБ
Электродвижущая сила шума на /= 100 кГц
при 1/си = 10 В, 4 = 20 мА 0,8*... 1*...
2 нВ/л/Гц
Крутизна характеристики при 14и = Ю В» ^зи = 0: Г =+25 ’С:
2П601А, 2П601Б, 2П601А9 50...76*...
87* мА/В
КП601А, КП601Б 40...76*...87*
мА/В
Т= -60 ’С для 2П601А, 2П601Б, 2П601А9,
не менее 50 мА/В
Г= -40 ’С для КП601А, КП601Б, не менее 50 мА/В
Т= +125 ’С для 2П601А, 2П601Б,
2П601А9, не менее 35 мА/В
Т= +70 ’С для КП601А, КП601Б, не менее 35 мА/В
Начальный ток стока при </си = 10 В, </эи = 0:
2П601А, 2П601А9, КП601А 169...200*...
2П601Б, КП601Б 400* мА 160...260*...
400* мА
Напряжение отсечки при иы = 10 В, 4 = Ю мкА:
2П601А, КП601А 4...5,8*...9 В
2П601Б, КП601Б 6...8,1*...12 В
2П601А9 4*... 12 В
Проходная емкость при </си = 10 В,
Ци = -Ю В 4,3*...4,6*...
6 пФ
Ток утечки затвора при 6/си = 0, = -15 В,
не более:
Г=+25°С.............................
Т= +125 °С для 2П601А, 2П601Б,
2П601А9 ............................
Т= +70 °С для КП601А, КП601Б........
Коэффициент отражения входной цепи в схе-
03 при 6/си ™ 15 В, 4: ” 15 мА:
/ = 250 МГц:
модуль.................................
фаза.............................
/ = 400 МГц:
модуль.............................
фаза.............................
Г = 600 МГц:
модуль.............................
фаза.............................
Коэффициент обратной передачи напряжения
в схеме ОЗ при 6/си = 15 В, /с = 15 мА:
Г= 250 МГц:
модуль.............................
фаза.............................
/= 400 МГц:
модуль.............................
фаза.............................
Г= 600 МГц:
модуль.............................
фаза.............................
Коэффициент прямой передачи напряжения
в схеме ОЗ при Уы = 15 В, /с = 15 мА:
250 МГц:
модуль.................................
фаза.............................
Г = 400 МГц:
модуль.............................
фаза.............................
Г= 600 МГц:
модуль.............................
фаза.............................
Коэффициент отражения выходной цепи
в схеме ОЗ при </си = 15 В, /с = 15 мА:
/= 250 МГц:
модуль ............................
фаза.............................
10 нА
1 мкА
1 мкА
0,28*
-169°*
0,39*
-189°*
0,455*
-220°*
0,022*
—70°*
0,17*
-108°*
0,34*
94°*
0,95*
—60°*
0,92*
-105°*
0,53*
-159°*
\95*
—40°*
Г= 400 МГц:
модуль.............................
фаза............................
/ = 600 МГц:
модуль.............................
фаза............................
0,97*
—80**
0,83*
-135°*
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток—исток.................... 20 В
Напряжение затвор—сток................... 20 В
Напряжение затвор—исток.................. 15 В
Прямой ток затвора....................... 5 мА
Постоянная рассеиваемая мощность:
2П601А, 2П601Б, КП601А, КП601Б:
с теплоотводом при Гк < +25 °С’...... 2 Вт
без теплоотвода при Т < +25 °С* 2. 0,5 Вт
2П601А9 при Гк = -60 +25 °С3.......... 1 Вт
Тепловое сопротивление переход—среда
для 2П601А9.............................. 125 °С/Вт
Температура окружающей среды:
2П601А, 2П601Б, 2П601А9.................. -6О...+125 °С
КП601А, КП601Б........................ -40...+70 °С
’ В диапазоне температур Гк = +25...+125 ’С для 2П601А, 2П601Б и
Гц = +25...+70 ’С для КП601А, КП601Б максимально допустимая постоянная
рассеиваемая мощность рассчитывается по формуле
рилкс = (150 - 74/62,5 + /?т, Вт.
2 В диапазоне температур Ту = +25...+125 ’С для 2П601А, 2П601Б и
Гк = +25...+70 ’С для КП601А, КП601Б максимально допустимая постоянная
рассеиваемая мощность рассчитывается по формуле
Айке = 0,5 - 0,04 (Г - 25), Вт.
3 При Г> +25 ’С для 2П601А9 максимально допустимая постоянная рассеи-
ваемая мощность рассчитывается по формуле
Амкс = (150 - Г)/125, Вт.
Зависимости коэффициентов усиле-
ния по мощности и шума от частоты
2П609А, 2П609Б, 2П609А-5, 2П609Б-5
Транзисторы полевые кремниевые эпитаксиально-планар-
ные с затвором в виде обратно смещенного р-п перехода с
каналом л-типа усилительные. Предназначены для применения
в усилителях высокой частоты, в смесителях. Транзисторы
2П609А, 2П609Б выпускаются в металлическом корпусе с гиб-
кими выводами и стеклянными изоляторами. Тип прибора ука-
зывается на корпусе. Транзисторы 2П609А—5, 2П609Б—5 вы-
пускается в виде кристаллов с контактными площадками без
кристаллодержателя и без выводов, применяются в гибридных
интегральных микросхемах. Размер кристалла 0,7x0,6x0,2 мм.
Масса транзистора в корпусе не более 1 г, кристалла не
более 0,0003 г. Тип транзистора указывается в этикетке.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Минимальный коэффициент шума
при </си = 10 В-, /с = 20 мА:
Г= 200 МГц.................................. 2,5*...2,8*...
3 дБ
Г = 400 МГц................................. 4,5* ..4,8*...
5 дБ
Оптимальный коэффициент усиления по
мощности на / = 200 МГц при иы = 10 В,
/с = 20 мА:
2П609А, 2П609А-5............................ 8...9*...9,5* дБ
2П609Б, 2П609Б-5............................ 1О...1О,5*...
11,7* дБ
Крутизна характеристики при = 10 В,
</зи = 0:
2П609А, 2П609А-5............................ 30...38*...
42* мА/В
2П609Б, 2П609Б-5 ........................... 25...35*...
37* мА/В
Напряжение отсечки при 1/си = 10 В,
/с = 100 мкА:
2П609А, 2П609А-5............................ 6...7,5*...8* В
2П609Б, 2П609Б-5 ....:...................... З...4,5*...б* В
Начальный ток стока при </си = 10 В, 6/зи = 0:
2П609А, .2П609А-5.............................. 100...140*...
190* мА
2П609Б, 2П609Б-5 ........................... 60...75*...
110* мА
Ток утечки затвора при 6/зи = —10 В, 1/си = 0:
Т= +25 °С....................................... 0,01*...0,1*...
1 нА
Т = +125 °С, не более....................... 10 нА
Т = —60 °С, не более........................ 1 нА
Входная емкость при </си = 10 В, /с = 30 мА... 7,2*...8,6*...
10 пФ
Проходная емкость при </си = 10 В, /с = 30 мА.. 2,4*...2,б*...
3,2 пФ
Выходная емкость при </си = 10 В, /с = 30 мА. 2,4*...2,5*...
3,2 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток:
2П609А, 2П609А-5................. 25 В
2П609Б, 2П609Б-5................. 20 В
Постоянное напряжение затвор—исток:
2П609А, 2П609А-5....................... 25 В
2П609Б, 2П609Б-5.................... 20 В
Постоянное напряжение затвор—сток:
2П609А, 2П609А-5....................... 25 В
2П609Б, 2П609Б-5.................... 20 В
Потенциал статического электричества... 100 В
Прямой ток затвора..................... 10 мА
Постоянная рассеиваемая мощность1:
Г= -60...+40 ’С........................ 1,2 Вт
Тк =+125’С.......................... 0,12 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 80 ’С/Вт
Температура окружающей среды........... —60... Гк =
= +125 ’С
1 При Гк = +40... 125 ’С максимально допустимая постоянная рассеиваемая
мощность коллектора уменьшается линейно.
Транзисторы 2П609А, 2П609Б пригодны для монтажа в
аппаратуре паяльником. Допустимое число перепаек выводов —
3. Расстояние от корпуса до начала изгиба и места пайки и
лужения вывода не менее 2 мм. Температура припоя +260 ’С,
время пайки не более 3 с.
Технология сборки транзисторов 2П609А—5, 2П609Б—5 в
гибридную схему, применяемые детали и материалы должны
обеспечивать значение теплового сопротивления собранного в
гибридную схему транзистора не выше 100 ’С/Вт. Монтаж
транзисторов в гибридную схему необходимо выполнять с
помощью пайки в инертной среде, температура пайки +400...
+420 ’С. Основание, на которое напаивается транзистор, дол-
жно быть золоченое, толщина покрытия 3...4 мкм. Рекоменду-
емый материал основания окись бериллия СБ—2 по ТУ 95.219.
Присоединение выводов к контактным площадкам должно про-
изводиться ультразвуковой сваркой. В качестве выводов дол-
жна применяться проволока АК 0,9 ПМ-27. Выводы после
сварки не должны касаться структуры и боковых ребер тран-
зистора. Не допускается смещение сварных точек, приводя-
щее к закорачиванию элементов структуры. Не допускается
сильное натяжение и провисание выводов. Не допускается
Разрыв, пережатие выводов в месте сварки.
Зависимости крутизны характери-
стики от тока стока
Зависимость минимального коэф-
фициента шума от частоты
Выходные характеристики
Выходные характеристики
2П701А, 2П701Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные с изо-
лированным затвором и каналом л-типа. Предназначены для
применения в источниках вторичного электропитания, переклю-
чающих и импульсных устройствах, стабилизаторах и преобра-
зователях напряжения. Выпускаются в металлокерамическом
корпусе с полосковыми выводами. Тип прибора указывается на
корпусе.
Масса транзистора не более 6 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии при иж = 20 В, /с = 0,5 А:
2П701А................................. 1*...1,9*..
3,5 Ом
2П70КА.Б)
2П701Б.................................... 0,8*...1,7*...
2,8 Ом
Крутизна характеристики при 6/си = 30 В,
/с = 2,5 А................................... 800... 1700*...
2100* мА/В
Ток стока при 6/си = 30 В, 6/зи = 25 В....... 5...9*...17* А
Остаточный ток стока при из* = —10 В:
2П7О1А:
6/си = 500 В.............................. 3*...17*...35 мА
6/си = 350 В, типовое значение........ 8* мА
2П701Б:
(/си = 400 В.............................. 3*...17*...35 мА
6/си = 350 В, типовое значение........ 8* мА
Начальный ток стока при </си = 30 В, Ци = 0,
не более:
Т = +25 °С................................... 30 мА
Т=-60°С.................................... 30 мА
7’=+125°С................................. 60 мА
Емкость выходная при </си = 30 В, Узи = —10 В,
'= Ю МГц....................................... 110*...120*...
140* пФ
Емкость проходная при 6/си = 30 В,
^зи = -10 В, /= 10 МГц......................... 17*...22*...
30* пФ
Емкость затвор—исток при разомкнутом вы-
воде стока и 6/зи = —5 В, 1 МГц............ 1000*...1100*
...1200 пФ
Время включения при Уси = 400 В, 6^ = 20 В,
/?н = 50 Ом, /?г = 15 Ом, типовое значение. 30* нс
Время выключения при 1/си = 400 В, = 20 В,
/?н = 50 Ом, /?г = 15 Ом, типовое значение. 40* нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток:
2П701А............................... 500 В
2П701Б.................................. 400 В
Постоянное напряжение затвор—исток......... 25 В
Постоянное напряжение затвор—сток:
2П7О1А.................................. 510 В
2П701Б.................................. 410 В
Постоянная рассеиваемая мощность’:
Т= -60... Тк = +35 “С................... 40 Вт
Тк =+125 °С............................. 17,5 Вт
Температура окружающей среды............... —60...+125 °С
' В диапазоне температур Гк = +35...+125 ’С мощность снижается линейно.
Минимальное расстояние от корпуса до начала изгиба вы-
вода, а также до места пайки 3 мм. Температура пайки +250 °С,
время пайки не более 3 с.
Для уменьшения контактного сопротивления между корпу-
сом и теплоотводом следует применять теплопроводящие смаз-
ки, например КПТ—8.
Зависимости тока стока от напря-
жения сток—исток
Зависимости тока стока от напря-
жения затвор—исток
З.А/В
Зависимость крутизны характери-
стики от напряжения затвор—ис-
ток
Зависимость крутизны характери-
стики от тока стока
Рек мы ,0м
5.5
5
2.5
2
1.5
КП70ПА.Б)
и*2ов [татическ режим '
Импульсный режим 1к=100мкс. 0=200
О / 2 7 4 5 !с .А
Зависимости сопротивления сток—
исток в открытом состоянии от то-
ка стока
Зависимость сопротивления сток—
исток в открытом состоянии от на-
пряжения затвор—исток
Зависимость выходной емкости
°т напряжения сток—исток
Зависимость проходной емкости
от напряжения сток—исток
Зависимость емкости за-
твор-исток от напряже-
ния затвор—исток
Мт/ о*к (Тк)
1^(25° С)
Зависимость сопротивления сток-
исток в открытом состоянии от тем-
пературы корпуса
Области максимальных режимов
2П702А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный с изоли-
рованным затвором и каналом л-типа. Предназначен для приме-
нения в источниках вторичного электропитания, переключающих
и импульсных устройствах, стабилизаторах и преобразователях
напряжения. Выпускается в металлокерамическом корпусе с
полосковыми выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 5 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии при Ци = 20 В:
4 = 1 А................................ 0,52*...0,7*...
1 Ом
2П702А
/с = 2,5 А, типовое значение............ 0,71* Ом
Крутизна характеристики при 1/си = 20 В,
/С = 2,5А................................. 800... 1850*...
2100* мА/В
Ток стока при </си = 20 В, </зи = 20 В..... 8...14*...16* А
Остаточный ток стока при </си = 300 В,
4/зи = -Ю В................................ 0,7*. ..4,5*...
10 мА
Начальный ток стока при Узи = 0:
Г= +25 °С:
4/си = 20 В............................ 0,1*...0,5*...
10 мА
УСи = 200 В, типовое значение....... 2* мА
Уси = 300 В, типовое значение....... 7* мА
Т = -60 °С, не более.................... 1 мА
Т= +125 °С, не более.................... 35 мА
Емкость выходная при </си = 50 В, = —10 В,
>'= 10 МГц, типовое значение................ 150* пФ
Емкость проходная при С/си = 50 В,
Ци = —Ю В, /= 10 МГц, типовое значение..... 7* пФ
Емкость затвор—исток при разомкнутом вы-
воде стока и С/зи = -10 В, /= 1 МГц, типовое
значение.................................. 950* пФ
Время включения при Уси = 300 В, = 20 В,
= 50 Ом, /?г = 50 Ом, типовое значение... 60* нс
Время выключения при С/си = 300 В, Увх = 20 В,
*н = 50 Ом, /?г = 50 Ом, типовое значение.. 80* нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток...... 300 В
Постоянное напряжение затвор—исток.... 30 В
Постоянное напряжение затвор—сток..... 310 В
Постоянная рассеиваемая мощность’:
Т = -60... Гк = +35 °С............. 50 Вт
Гк =+125 °С........................ 17,5 Вт
Температура окружающей среды.......... —60...Гк =
= +125 °С
1 В диапазоне температур Гк = +35 ..+125 "С мощность снижается линейн.
Минимальное расстояние от корпуса до начала изгиба вь
вода, а также до места пайки 3 мм. Температура пайки +260 °С
время пайки не более 3 с.
Зависимости тока стока от напря-
Зависимости тока стока от напря-
жения сток—исток
жения затвор—исток
•Зависимость крутизны
характеристики отна-
пряжения затвор—ис-
ток
Зависимость крутиз-
ны характеристики
от тока стока
Зависимости сопро-
тивления сток—исток
в открытом состоя-
нии от тока стока
Зависимость проходной
емкости от напряжения
сток—исток
Зависимость выходной
емкости от напряжения
сток—Исток
Зависимость сопротив-
ления сток—исток в от-
крытом состоянии от
напряжения затвор-
исток
Зависимость емкости затвор—исток
от напряжения затвор—исток
Области максимальных режимов
2П703А, 2П703Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые
с изолированным затвором и каналом р-типа переключатель-
ные. Предназначены для применения во вторичных источниках
электропитания, переключающих и импульсных устройствах,
ключевых стабилизаторах и преобразователях напряжения,
усилителях и генераторах. Выпускаются в металлокерамиче-
ском корпусе с полосковыми выводами. Тип прибора указыва-
ется на корпусе.
Масса транзистора не более 6 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2П7Ш.Б)
Электрические параметры
Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии при = ~30 В, 4 ~ 1 А:
2П703А, не более............-.......«... 1,1 Ом
типовое значение........................ 0,8* Ом
2П703Б, не более........................ 0,9 Ом
типовое значение........................ 0,7* Ом
Крутизна характеристики при (7СИ = —30 В,
/с = 1 А, не менее .....—.................. 800 мА/В
Пороговое напряжение при </си = —10 В,
/с = 1 мА.................................. 4*...7*...9 В
Ток стока при 6/си = —30 В, 6/зи = —30 В... 12...20*...25* А
Начальный ток стока при Уси = —30 В, 6/зи = 0,
не более:
Т = +25 и -60 °С........................ 5 мА
Т= +125 °С.............................. 10 мА
Остаточный ток стока при Уси = 6/си МАКС,
6/зи = 10 В, не более...................... 10 мА
Емкость затвор—исток при разомкнутом вы-
воде стока при 6/зи = —30 В, типовое значение 1500* пФ
Проходная емкость при С/си = —30 В,
= -10 В.................................... 17*...22*...
30* пФ
Выходная емкость при = —30 В, Ци = 0,
типовое значение........................... 240* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток:
2П703А.................................. -150 В
2П703Б............................... -100 В
Постоянное напряжение затвор—сток:
2П703А.................................. -150 В
2П703Б............................... -110 В
Постоянное напряжение затвор—исток...... —30 В
Постоянная рассеиваемая мощность
при Т= -60...+50 ’С..................... 60 Вт
Температура структуры................... +150 ’С
Тепловое сопротивление структура—корпус ... 1,7 °С/Вт
Температура окружающей среды............ —60... Гк =
= +125 ’С
’ При Гк > +50 ’С
Слакс = <1М - Гк)/1,7, Вт.
Транзисторы пригодны для монтажа в аппаратуре паяльни-
ком. Допустимое число перепаек транзисторов — 3.
Расстояние от корпуса (изолятора) до места лужения и
пайки по длине вывода не менее 3 мм, температура припоя
+265 °С, время пайки не более 8 с. Расстояние от корпуса до
начала изгиба вывода не менее 3 мм.
При креплении транзистора к панели необходимо, чтобы
корпус транзистора плотно прилегал к теплоотводу. Шерохо-
ватость контактирующей поверхности теплоотвода должна быть
не более 1,6 мкм, отклонение от плоскостности не более
0,02 мм. Для уменьшения контактного сопротивления следует
применять смазки, например, КПТ—8 по ГОСТ 19783.
Крепление транзисто-
ров к теплоотводу следует
осуществлять с помощью
стальной гайки и шайбы с
никелевым покрытием.
Области максимальных режимов
КП704А, КП704Б
Транзисторы крем-
ниевые эпитаксиально-
планарные полевые с
изолированным затво-
ром с каналом л-типа.
Предназначены для при-
менения в быстродей-
ствующих импульсных
устройствах, во входных
каскадах многоцветных
графических дисплеев,
в источниках вторично-
го электропитания. Вы-
пускаются в пластмассо-
вом корпусе с жесткими
выводами. Тип прибора
указывается на корпусе.
Масса транзистора
не более 2,5 г.
Изготовитель — за-
вод «Пульсар», г. Мос-
ква.
Электрические параметры
Крутизна характеристики при /с = 1 А.......... 1000...
2500 мА/В
Пороговое напряжение при /с = 10 мА........... 1,5*...2*...4 В
Начальный ток стока при 6/зи = 0, не более:
Т= +25 и —45 ’С:
КП704А при = 200 В........................ 0,8 мА
КП704Б при Цз, = 200 В................ 1 мА
Т = +85 ’С при С/си = 180 В............... 1,5 мА
Ток утечки затвора при 6/зи = 30 В, не более.. 1 мкА
Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии при €/зи = 15 В, /с = 0,5 А:
КП704А.................................... 0,2*...0,25*...
0,35 Ом
КП704Б.................................... 0,2*. ..0,25*...
0,5 Ом
Время включения при /?г = 75 Ом, /?н = 2 Ом.. 60*...80*...
100* нс
Время выключения при /?г = 75 Ом, /?н = 2 Ом 60*...80*...
100* нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток:
Гк =+25 и —45 °С.................... 200 В
Гк =+85 °С.......................... 180 В
Постоянное напряжение'затвор—исток..... 20 В
Постоянный ток стока................... 10 А
Постоянная рассеиваемая мощность1
при Гк = —45...+25 °С.................. 75 Вт
Температура кристалла.................. 150 °С
Тепловое сопротивление кристалл—корпус 8,3 °С/Вт
Температура окружающей среды........... —45... Гк =
= +85 °С
При Гк > +25 ’С Рк МАКГ снижается линейно до 8 Вт при Тк = +85 ’С.
Зависимости сопротивления сток—исток
в открытом состоянии от тока стока
КП705А, КП705Б, КП705В
Транзисторы кремниевые полевые с изолированным затво-
ром с вертикальной структурой и каналом л-типа. Транзисто-
ры КП705А, КП705Б предназначены для применения в пере-
ключающих и импульсных устройствах, КП705В в переключа-
ющих и импульсных источниках вторичного электропитания
многоцветных графических дисплеев САПР БИС. Выпускаются
в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными
изоляторами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 15 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии при 1!^ = 20 В, /с = 0,5 А:
КП705А................................. 3,8*...4,1*...
4,3 Ом
КП705(А-В)
КП705Б, КП705В........................ 2,7* ..3,1*...
3,3 Ом
Крутизна характеристики при {/си = 30 В,
/с = 2 А, Ги < 600 мкс, О > 200.......... КЮ0...1150*
1300* мА/В
Ток стока при = 30 В, {/зи = 25 В,
Ь < 600 мкс, О > 200..................... 5,4 А
Начальный ток стока при {/си = 30 В, {/зи = 0,
не более:
Г = +25 и -60 °С:
КП705А, КП705Б....................... 7 мА
КП705В............................ 5 мА
Т = +85 “С............................ 15 мА
Остаточный ток стока, не более:
КП705А при {/си = 1000 В, {/зи = -ЮВ.. 10 мА
КП705Б при {/си = 800 В, «и = -10 В. 10 мА
КП705В при {/о, = 800 В, {/зи = 0..... 5 мА
Время включения при {/си = 500 В, {/вх = 20 В,
/?г = 50 Ом, /?н = 100 Ом, типовое значение.... 60* нс
Время выключения при {/си = 500 В,
{/вх = 20 В, /?г = 50 Ом, /?н = 100 Ом,
типовое значение......................... 80* нс
Емкость затвор—исток при {/зи = 10 В, типо-
вое значение............................. 1700* пФ
Входная емкость при {/си = 50 В, {/зи = 0, ти-
повое значение........................... 1500* пФ
Проходная емкость при {/си = 50 В, = 0,
типовое значение......................... 20* пФ
Выходная емкость при 6/си = 50 В, 6/зи = 0, ти-
повое значение........................... 140* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток:
КП705А................................. 1000 В
КП705Б, КП705В...................... 800 В
Постоянное напряжение затвор—исток
при /?зи = МОм:
КП705А............................... 1010 В
КП7О5Б.............................. 810 В
КП 705В............................. 800 В
Постоянное напряжение затвор—исток..... 30 В
Постоянная рассеиваемая мощность1
при Тк = -60...+25 °С.................. 125 Вт
Температура окружающей среды.......... —60... Гк =
= +85 °С
1 При Гк = +25...+85 ‘С максимально допустимая постоянная рассеиваемая
мощность снижается линейно до 40 Вт.
Расстояние от корпуса до места лужения и пайки выводов
не менее 3 мм, температура припоя не более +240 °С, время
пайки не более 2,5 с. Допустимое число перепаек выводов
транзисторов при проведении монтажных операций — не бо-
лее 3.
Зависимости сопротив-
ления сток—исток в от-
крытом состоянии от на-
пряжения затвор—исток
Зависимость сопротив-
ления сток—исток в от-
крытом состоянии от
температуры корпуса
Зависимость коэффи-
циента К от длитель-
ности импульса
Выходные характе- Зависимость тока стока
ристики от напряжения затвор-
исток
Области максимальных
режимов
2П706А, 2П706Б, 2П706В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые
с изолированным затвором с каналом л-типа переключатель-
ные. Предназначены для применения в источниках вторичного
электропитания переключающих и импульсных устройствах,
ключевых стабилизаторах и преобразователях напряжения,
усилителях и генераторах. Выпускаются в металлокерамиче-
ском корпусе с полосковыми выводами. Тип прибора указыва-
ется на корпусе.
Масса транзистора не более 10 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Крутизна характеристики при С/си = 30 В,
/с = 2 А, не менее.................... 1,5 А/В
Ток стока при {/си = 30 В, С/зи = 25 В,
не менее.............................. 15 А
Начальный ток стока при С/си = 30 В, С/зи = 0,
не более:
7=+25 и-60 “С...................... 10 мА
7=+125 "С.......................... 30 мА
Остаточный ток стока при 6/си = 6/си мдкс,
= —10 В, не более..................... 10 мА
Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии при 6/зи = 20 В, /с = 1 А, не более:
2П706А............................. 0,8 Ом
2П706Б............................. 0,5 Ом
2П706В............................. 0,65 Ом
2П706 (А-В)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток:
2П706А................................. 500 В
2П706Б, 2П706В...................... 400 В
Постоянное напряжение затвор—сток:
2П706А................................. 510 В
2П706Б, 2П706В...................... 410 В
Постоянное положительное и отрицательное
напряжение затвор—исток................. 30 В
Постоянная рассеиваемая мощность1
при Гк = -60...+35 ’С.................. 100 Вт
Тепловое сопротивление структура—корпус ... 1 °С/Вт
Температура окружающей среды........... —60... Гк =
= +125 ’С
’ При Гк > +35 ’С Рндкс снижается линейно до 21 Вт при = +125 "С.
Расстояние от корпуса до начала изгиба вывода не менее
3 мм. Расстояние от корпуса до места лужения и пайки выво-
дов не менее 3 мм, температура припоя не выше +265 ’С,
время пайки не более 3 с.
Зависимость тока стока от напря-
жения затвор—исток
Зависимость импульсного теплового
сопротивления структура—корпус от
длительности импульса:
*т И (П-К) №) = 0 “ и (П-Ю )/О + /?т, И (П-К)
Области максимальных режимов
транзисторов
5, Л /В
Зависимость крутизны характери-
стики от тока стока
КП707А, КП707Б, КП707В,
КП707А1, КП707Б1, КП707В1
Транзисторы кремниевые полевые эпитаксиально-планар-
ные с изолированным затвором с каналом л-типа переключа-
тельные. Предназначены для применения в источниках вторич-
ного электропитания с бестрансформаторным входом, регуля-
торах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным
импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управ-
ления электродвигателями. Транзисторы КП7О7А—КП7О7В,
выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и
стеклянными изоляторами, КП7О7А1—КП7О7В1 — в пластмас-
58
совом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывает-
ся на корпусе.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20 г,
в пластмассовом — не более 2,5 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
КП707(А-В)
26
КП707(А1-В1)
Электрические параметры
Крутизна характеристики при </си = 20 А,
'с = 3 А,ги = 60 мкс, О = 200, не менее. 1,6 А/В
Пороговое напряжение при 6/зи = 6/си,
/с = 10 мА, не более.................... 5 В
Ток стока при 6/си = 30 В, {/зи = 10 В,
не менее:
КП7О7А, КП7О7А1...................... 25 А
КП7О7Б, КП7О7Б1...................... 16,5 А
КП707В, КП7О7В1...................... 12,5 А
Остаточный ток стока при С/си = 6/си МАКС,
6/зи = 0, не более...................... 1 мА
Начальный ток стока при 6/си = 20 В, 6/зи = 0,
не более................................ 25 мА
Ток утечки затвора при 4/си = 0, Уэс = 20 В,
не более................................ 100 мкА
Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии при 6/си = 20 В, /с = 2 А, не более:
КП7О7А, КП7О7А1......................... 10м
КП7О7Б, КП7О7Б1...................... 2,5 0м
КП7О7В, КП7О7В1...................... ЗОм
Время задержки 6/вх = 20 В, /?г = 100 Ом,
/?н = 50 Ом, не более:
КП7О7А, КП7О7А1 при ^си = 200 В......... 25 нс
КП7О7Б, КП7О7Б1 при </си = 300 В..... 25 нс
КП7О7В, КП7О7В1 при 7/си = 500 В..... 25 нс
Время нарастания 6/вх = 20 В, /?г = 100 Ом,
/?н = 50 Ом, не более:
КП7О7А, КП7О7А1 при ^си = 200 В......... 55 нс
КП7О7Б, КП7О7Б1 при 6/си = 300 В..... 55 нс
КП707В, КП7О7В1 при 6/си = 500 В..... 55 нс
Время выключения Уы = 20 В, /?г = 100 Ом,
/?н = 50 Ом, не более:
КП7О7А, КП7О7А1 при 6/си = 200 В........ 80 нс
КП707Б, КП7О7Б1 при Ус„ = 300 В...... 80 нс
КП7О7В, КП7О7В1 при Ус„ = 500 В...... 80 нс
Входная емкость при 6/си = 25 В, Ум = 0,
не более................................. 1600 пФ
Проходная емкость при С/си = 25 В, 6/зи = 0,
не более................................ 45 пФ
Выходная емкость при 6/си = 25 В, 6/зи = 0,
не более................................ 600 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток:
КП7О7А, КП7О7А1 ..................../.. 400 В
КП707Б, КП7О7Б1...................... 600 В
КП707В, КП7О7В1...................... 750 В
Постоянное напряжение затвор—исток
Постоянная рассеиваемая мощность
при Гк = -60...+25 -С..............
Температура р-п перехода...........
Температура окружающей среды.......
20 В
100 Вт
+150 ’С
—60... 7К =
= +100 ’С
КП709А, КП709Б
Транзисторы кремние-
вые полевые с изолиро-
ванным затвором с кана-
лом л-типа переключатель-
ные. Предназначены для
применения в импульсных
источниках электропита-
ния, переключательных и
импульсных устройствах, в
схемах управлением элек-
тродвигателями. Выпуска-
ются в пластмассовом кор-
пусе с жесткими вывода-
ми. Тип прибора указыва-
ется на корпусе.
Масса транзистора не
более 2,5 г.
Изготовитель — ОКБ
«ЭлП» ПО «Электропри-
бор», г. Фрязино, Москов-
ская область.
КП709(А.Б)
Электрические параметры
Крутизна характеристики при Уси = 25 А,
4 = 2 А, не менее....................... 2 А/В
Пороговое напряжение при Узи =
4 = 1 мА................................ 2...4 В
Начальный ток стока при = 600 В, Узи = 0,
не более................................ 0,5 мА
Ток утечки затвора при Уси = 0, 1кг = 20 В,
не более................................ 0,1 мкА
Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии при С4и = Ю В, 4 = 2 А, не более:
КП709А............................... 2Ом
КП709Б............................... 2,5 0м
Время включения при Уси = 300 В, 6/^ = 10 В,
/с = 2 А, /?н = 50 Ом, не более........ 50 нс
Время спада при 1/си = 300 В, 1/вх = 10 В,
/с = 2 А, Ян = 50 Ом, не более......... 100 нс
Входная емкость при Уси = 25 В, {/зи = 0,
не более............................... 650 пФ
Проходная емкость при Уси = 25 В, Узи = 0,
не более............................... 70 пФ
Выходная емкость при = 25 В, С/зи - 0,
не более............................... 140 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток....... 600 В
Постоянное напряжение затвор—исток..... ±20 В
Постоянный ток стока................... 4 А
Постоянная рассеиваемая мощность1
при Тк = —45...+25 ’С.................. 75 Вт
Температура перехода................... +150 ’С
Температура окружающей среды........... —45... Тк =
= +100 ’С
’ При Гк > +25 ’С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность снижается линейно до 35 Вт при Гк = +100 ’С.
2П712А, 2П712Б, 2П712В,
2П712А-5, 2П712Б-5, 2П712В-5
Транзисторы полевые кремниевые эпитаксиально-планар-
ные с изолированным затвором с каналом р-типа переключа-
тельные. Предназначены для применения в переключающих и
импульсных устройствах. Транзисторы 2П712А—2П712В вы-
пускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми вы-
водами. Тип прибора указывается на корпусе. Транзисторы
2П712А—5—2П712В—5 выпускаются в виде кристаллов с кон-
тактными площадками без кристаллодержателя и без выво-
дов. Размер кристалла 4,1x3,4*0,34 мм.
Масса транзистора в корпусе не более 6 г, кристалла не
более 0,0105 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Крутизна характеристики при 1/си = —4 В,
/с = 2 А, Ги = 600 мкс, О = 200:
2П712А, 2П712Б, 2П712А-5, 2П712Б-5 ... 2...2,5*...
3* А/В
2П7121А-В)
2П712В, 2П712В-5.................................. 1,8...2,3*...
2,4* А/В
Начальный ток стока при = 0, не более:
Т= +25 и -60 ’С:
2П712А, 2П712А—5 при Уси = —80 В... 1 мА
2П712Б, 2П712В, 2П712Б-5,
2П712В-5 при 6^ = -100 В............. 1 мА
Т= +125 ’С:
2П712А, 2П712А-5 при Ц* =-80 В... 3 мА
2П712Б, 2П712В, 2П712Б-5,
2П712В—5 при Уси = —100 В............ 3 мА
Ток стока при УСи = “8 В, Ц& = -12 В,
<и = 600 мкс, О = 200:
2П712А, 2П712Б, 2П712А-5, 2П712Б-5 ... 18...25*„.27* А
2П712В, 2П712В-5.........'.............. 15...20*...22* А
Ток утечки затвора при С/си = 0, = 20 В,
не более................................... 0,1 мкА
Пороговое напряжение при УСи = ~4 В,
4 = 10 мА.................................. —5...—2,7...
-2 В
Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии при Уси = -12 В, /с = 1 А:
2П712А, 2П712А-5........................ 0,19*...0,23*...
0,25 Ом
2П712Б, 2П712Б-5.......................... 0,25*...0,28*...
0,3 Ом
2П712В, 2П712В-5...................... 0,3*...0,35*...
0,4 Ом
Входная емкость при Уси = —25 В, Узи = 0,
не более................................. 1800 пФ
типовое значение...................... 1500* пФ
Выходная емкость при Уси = —25 В, Узи = 0,
типовое значение......................... 380* пФ
Проходная емкость при Уси = —25 В, 1/м = 0,
типовое значение......................... 100* пФ
Время включения при Уси = —80 В,
Узи = -12 В, /?н = 8 Ом, /?г = 25 Ом,
типовое значение......................... 130* нс
Время выключения при У^ = —80 В,
Узи = —12 В, /?н = 8 Ом, /?г = 25 Ом,
типовое значение......................... 350* нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток:
2П712А, 2П712А-5...................... -80 В
2П712Б, 2П712В, 2П712Б-5, 2П712В-5.... -100 В
Постоянное напряжение затвор—сток:
2П712А, 2П712А-5....................... 80 В
2П712Б, 2П712В, 2П712Б-5, 2П712В-5.... 100 В
Потенциал статического электричества..... 200 В
Постоянный ток стока:
2П712А, 2П712Б, 2П712А-5, 2П712Б-5 ... 10 А
2П712В, 2П712В-5...................... 8 А
Импульсный ток стока..................... 30 А
Постоянная рассеиваемая мощность’
при Гк = —60...+35 ’С.................... 50 Вт
Температура перехода..................... +150 ’С
Тепловое сопротивление переход—корпус.... 2,3 °С/Вт
Температура окружающей среды............. —60... Гк =
= +125 ’С
' При Гк > +35 ’С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность рассчитывается по формуле
/’накс = (150 - Гк)/2,3, Вт.
Транзисторы 2П712А—2П712В пригодны для монтажа в
аппаратуре паяльником. Допустимое число перепаек — 3. Рас-
стояние от корпуса до начала изгиба вывода не менее 3 мм.
Разрешается обрезать выводы на расстоянии не менее 1 мм от
корпуса. Минимальное расстояние места пайки выводов от
корпуса 3 мм, температура припоя не выше +265 ’С, время
64
айки не более 3 с. Допускается пайка выводов на расстоянии
менее 1 мм от корпуса, при этом температура пайки не
выше +150 °С, время пайки не более 3 с. Допускается сварка
выводов на расстоянии не менее 3 мм от корпуса.
Шероховатость контактирующей поверхности теплоотвода
должна быть не более 1,6 мкм, отклонение от плоскостности
не более 0,02 мм. Для уменьшения контактного сопротивления
следует применять пасты, например, КПТ—8.
0 -5 -10 -15 -20 1/„ В
Выходные характеристики
Зависимости тока стока от напря-
жения затвор—исток
5, А/В 5.А/В
Зависимости крутизны характери- Зависимости крутизны характери-
стики от тока стока стики от тока стока
к.А
О -/ -4 -6 -8 иж,В
Зависимости тока стока от напря-
жения затвор—исток
Зависимость порогового напряже-
ния от температуры корпуса
^.„(7^25’0
Зависимость сопротивления стог
исток от температуры корпус’
Зависимости сопротивления сток-
исток от тока стока
Зависимости сопротивления сток—
исток от напряжения затвор—истока
Зависимости импульсного теплово-
го сопротивления от длительности
импульса
Области
максимальных режимов
КП801А, КП801 Б, КП801В, КП801Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые
с затвором на основе р-п перехода и вертикальным каналом
л-типа. Предназначены для применения во входных каскадах
усилителей звуковоспроизводящей аппаратуры. Выпускаются в
металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными
изоляторами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Изготовитель — НРП «Октава», г. Новосибирск.
КП80КА-Г)
Электрические параметры
Сопротивление сток—исток в открытом со-
^оянии при {/зи = 0, не более:
КП801А, КП801В, КП801Г при 4 = 0,4 А... 2,2 Ом
КП801Б при /с = 0,2 А.............. 4,4 Ом
Крутизна характеристики, не менее:
КП801А при Уси = 15 В, 4 = 4 А..... 600 мА/В
КП801Б при Ц* = 15 В, 4 = 3 А..... 450 мА/В
КП801В при Уси = 20 В, 4 = 4 А..... 800 мА/В
КП801Г при Уси = 20 В, 4 = 4 А..... 600 мА/В
Напряжение отсечки при Уси = 70 В для
КП801А, КП801Б, Уси = 75 В для КП801В,
КП801Г, 4 = Ю мА, не более............. —30 В
Начальный ток стока, не менее:
при Уси = 10 В, Узи = 0,6 В......... 4,5 А
при Уси = 5 В, Узи = 0,6 В:
КП801В........................... 3,5 А
КП801Г........................... 3 А
Ток утечки затвора при Уси = Узи = “30 В для
КП801А, КП801В, КП801Г, 25 В для КП801Б,
не более............................... 0,3 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток:
КП801А, КП801Б....................... 75 В
КП801В.............................. 110 В
КП801Г.............................. 140 В
Постоянное напряжение затвор—сток:
КП801А.............................. 110 В
КП801Б.............................. 90 В
КП801В.............................. 150 В
КП801Г.............................. 180 В
Постоянное напряжение затвор—исток:
КП801А, КП801Б......................... -35 В
КП801В, КП801Г...................... -40 В
Постоянный ток стока:
КП801А, КП801Б........................ 5 А
КП801В, КП801Г...................... 8 А
Постоянная рассеиваемая мощность стока1
при Гк = —40...+25 ’С:
КП801А, КП801Б......................... 60 Вт
КП801В, КП801Г...................... 100 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность стока
при Гк = —40...+25 ’С, = Ю0 мс:
КП801А, КП801Б......................... 200 Вт
КП801В, КП801Г...................... 300 Вт
’ При Гк > +25 ’С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность стока рассчитывается по формуле
А:, макс = 60 [1 - (Гк - 25)/125], Вт, для КП801А, КП801Б;
^с'макс = 100 [I - (Гк - 25)/125], Вт, для КП801В, КП801Г.
Зависимости тока стока от напря-
жения сток—исток
Зависимости
жения
тока стока от напря-
затвор—-исток
Зона возможных поло-
жений зависимости кру-
тизны характеристики
от тока стока
Зона возможных поло-
жений зависимости кру-
тизны характеристики
от напряжения затвор—
исток
Зависимости тока стока
от напряжения сток—
исток
Зависимость тока сто-
ка от напряжения за-
твор—исток
Зона возможных поло-
жений зависимости кру-
тизны характеристики
от тока стока
Зона возможных поло-
жений зависимости кру-
тизны характеристики
от напряжения затвор—
исток
2П802А, КП802А, КП802Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые
с затвором на основе р-п перехода и вертикальным каналов
л-типа переключательные. Предназначены для применения в
преобразователях постоянного напряжения, быстродействую.
щих переключающих устройствах. Выпускаются в металличе-
ском корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выво-
дами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Изготовитель — НРП «Октава», г. Новосибирск.
2П802А, КП802(А,Б)
Электрические параметры
Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии при /с = 1 А, /3 = 10 мА, не менее. 3 Ом
типовое значение........................ 1,5* Ом
Крутизна характеристики при (/си = 20 В,
/с = 3,5 А, не менее....................... 0,8 А/В
типовое значение........................ 2* А/В
Напряжение отсечки при Уси = 500 В,
/с = 3 мА:
2П802А, КП802А, не менее................ —25 В
типовое значение........................ —18* В
КП802Б, не менее........................ —28 В
Время включения при {/си = 300 В, /с = 2 А,
не более................................... 80 нс
типовое значение........................ 40* нс
Время выключения при С/си = 300 В, /с = 2 А,
не более.......................... ...... 30 нс
типовое значение....................... 15* нс
(ок утечки затвора при 47зи — макс-
7= +25 ’С:
2П802А, КП802А, не более............. 0,3 мА
типовое значение.................... 0,01* мА
КП802Б, не более.................... 0,7 мА
Т= -60 и +125 ’С для 2П802А ........... 10 мА
Остаточный ток стока при б/си = 400 В,
узи = —25 В, не более..................... 0,5 мА
Ток обратно смещенного р-п перехода
сток—затвор при С/х = ^зс, МАКС, не более. 1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток:
2П802А, КП802А....................... 500 В
КП802Б............................... 450 В
Постоянное напряжение затвор—сток:
2П802А, КП802А ......................... 535 В
КП802Б............................... 480 В
Постоянное напряжение затвор—исток:
2П802А, КП802А....................... -35 В
КП802Б............................... -30 В
Ток стока............................... 2,5 А
Прямой ток затвора...................... 1 А
Постоянная рассеиваемая мощность1
при Гк = -60...+25 ’С................... 40 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус... 3,1 ’С/Вт
Температура окружающей среды:
2П802А ................................ -6О...ГК =
= +125 ’С
КП802А, КП802Б....................... -45...ГК =
= +85 ’С
1 При Гк>+25 °С максимально допустимая постоянная рассеиваемая м«ц-
н»сть рассчитывается по формуле
Рс.макс = 40 [1 -(Гк- 251/125], Вт.
Пайка выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса
тРанзистора.
Зависимости тока стока от на-
пряжения сток—исток (началь-
ный участок по напряжению)
Зависимости тока стока от напря-
жения сток—исток (начальный уча-
сток по току)
-7 -2.5 -2 -1.5 -1 -0.5 О 1/Я1В
Зависимость крутизны характери-
стики от тока стока
Зависимость крутизны характери-
стики от напряжения затвор—исток
Области максимальных режимов
Зависимости тока стока от на-
пряжения сток—исток (началь-
ный участок по напряжению)
Зависимости тока стока от напря-
жения сток—исток (начальный уча-
сток по току)
Зависимость крутизны характери-
стики от тока стока
Зависимость крутизны характери-
стики от напряжения затвор—исток
2П803А, 2П803Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные с изо-
лированным затвором и каналом л-типа. Предназначены для
применения в источниках вторичного электропитания, стаби-
лизаторах и преобразователях напряжения, переключающих,
импульсных и усилительных устройствах. Выпускаются в ме-
таллокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Тип
прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 6 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2ПША.Б)
Электрические параметры
Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии при 77эи = 20 В, /с = 0,5 А:
2П803А...............................
2П803Б...............................
Крутизна характеристики при 6/си = 30 В,
/с= 1 А.................................
Ток стока яри им = 30 В, 77зи = 25 В:
2П803А...............................
2П803Б...............................
4*...4,5*...5 Ом
3,5*...4*...
4,5 Ом
750...800*...
1200* мА/В
2.6...3*...
3,5* А
3...3,5*...4* А
Начальный ток стока при 6/си = 30 В, 47зи = 0:
Т=+25°С.................................... 2*...6*...7 мА
Т = —60 °С, не более.................... 7 мА
Т= +125 ’С, не более.................... 25 мА
Остаточный ток стока при 6/зи = —10 В:
6/си = 1000 В для 2П803А................... 3,5* „7*...10 мА
6/си = 800 В для 2П803Б................. 3,5*...7*...1О мА
Выходная емкость при Л= 1 МГц, 0^ = 100 В,
(Аи = 0.................................... 60*...80*...
85* пФ
Проходная емкость при Л= 10 МГц, С/щ = 30 В,
(?зи = -10 В............................... 10*...14*...
20* пФ
Емкость затвор—исток при разомкнутом вы-
воде стока, /' = 1 МГц, = -10 В............ 2800*...3000*
...3100* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток1,1
при р = 460 мм рт. ст. и Г = —60...+100 ’С:
2П803А..................................... 1000 В
2П803Б.................................. 800 В
Постоянное напряжение затвор—сток1 2
Т= -60...+100 ’С:
2П803А................................... 1010 В
2П803Б.................................. 810 В
Постоянное напряжение затвор—исток......... 30 В
Постоянная рассеиваемая мощность3:
Г= -60... 7;= +35 ’С....................... 60 Вт
Тк = +125 ’С............................ 17,5 Вт
Температура окружающей среды............... —60... Гк =
= +125 ’С
1 В диапазоне давлений р = 460...5 мм рт. ст. напряжение снижается линей-
но до 300 В для 2П803А и 2П803Б.
2 В диапазоне температур Г = +100...+ 125 ’С напряжение снижается линей-
но до 800 В для 2П803А и 650 В для 2П803Б.
3 В диапазоне температур Гк = +35...+125 ’С мощность снижается линейно.
Минимальное расстояние от места пайки выводов до кор-
пуса транзистора 3 мм. Температура пайки +260 ’С, время
пайки не более 3 с.
Допускается параллельное включение транзисторов без
выравнивающих элементов при 1/^ < 15 В,
Зависимости тока стока от на-
пряжения сток—исток
Зависимости тока стока от на-
пряжения затвор—исток
о 2 4 6 8 !(,А
Зависимость крутизны характери-
стики от напряжения затвор—ис-
ток
Зависимость крутизны характери-
стики от тока стока
Зависимости остаточного тока сто-
ка от напряжения сток—исток
Зависимости сопротивления сток-
исток в открытом состоянии от на-
пряжения затвор—исток
Зависимости сопротивления сток—
исток в открытом состоянии от то-
ка стока
Зависимость сопротивления сток—
исток в открытом* состоянии от тем-
пературы корпуса
Зависимость проходной емкости
от напряжения сток—исток
Зависимость выходной емкости
от напряжения сток—исток
КП804А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой
с изолированным затвором и каналом л-типа. Предназначен
для применения в переключательных устройствах и в быстро-
действующих импульсных схемах. Выпускается в металлосте-
клянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывает-
ся на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
ша
Электрические параметры
Крутизна характеристики при 1/Си ~ Ю В,
/с = 0,8 А.................................... 0,8...1*...
1,3* А/В
Пороговое напряжение при 6/си = 10 В,
4 = 300 мкА................................... 1,3*...2,3*...4 В
Начальный ток стока при = 0:
Т« +25 ’С при = 60 В...................... 20*...70*...
250 мкА
Т = +85 ’С при Цд, = 50 В, не более....... 1 мА
Т = —60 ’С при = 50 В, не более........... 1 мА
Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии при = 10 В, /с = 0,8 А................ 0,35*...0,45*...
0,6 Ом
Время включения при им = 30 В, 6/вх = 10 В,
/4 = 50 Ом, Я» = 36 Ом........................ 20*...25*...
54* нс
Время выключения при 47си = 30 В, 47вх = 10 В,
р = 50 Ом, /?н = 36 Ом........................... 20*...25*...
г 45* нс
Входная емкость при 6/си = 25 В, 6/зи = 0 ....... 135*... 150*...
200* пФ
Проходная емкость при 47си = 25 В, 6/зи = 0.... 15*...20*...
25* пФ
Выходная емкость при 6/си = 25 В, 6/зи = 0....... 70*...80*...
100* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток:
Т=+25°С............................ 60 В
Т= +85 и -60 °С..................... 50 В
Постоянное напряжение затвор—исток..... 20 В
Постоянный ток стока.................... 1 А
Импульсный ток стока................... 4 А
Постоянная рассеиваемая мощность стока
при Гк = —60...+25 °С.................. 2 Вт
Температура окружающей среды.......... —60... Тк =
= +85 °С
1 При Гк = +25...+85 ’С максимально допустимая постоянная рассеиваемая
мощность стока снижается линейно на 16,6 мВт/’С.
Транзисторы пригодны для монтажа в аппаратуре методом
групповой пайки или паяльником. Температура припоя не выше
+265 °С, время пайки не более 2 с. Минимально допустимое
расстояние места пайки вывода от корпуса 2 мм. Допустимое
число перепаек выводов транзисторов при проведении мон-
тажных операций не более трех. Расстояние от корпуса до
места изгиба выводов не менее 2 мм.
Зависимость импульсного тока сто-
ка от напряжения затвор—исток
Зависимость крутизны характери-
стики от импульсного тока стока
КП805А, КП805Б, КП805В
КТ805(А-В)
Транзисторы кремни-
евые полевые эпитакси-
ально-планарные с изоли-
рованным затвором и ка-
налом л-типа переключа-
тельные. Предназначены
для применения во вто-
ричных источниках элек-
тропитания, переключаю-
щих и импульсных устрой-
ствах. Выпускаются в
пластмассовом корпусе с
жесткими выводами. Тип
прибора указывается на
корпусе.
Масса транзистора не
более 2,5 г.
Изготовитель — за-
вод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Крутизна характеристики при = 20 В,
/с = 2 А, ?и = 600 мкс, О = 200.............. 2,5...3,5*...
4,5 А/В
Начальный ток стока при 1/си = 20 В, С/зи = 0:
Т=+25’С.................................. 0,001*...0,01*
...1 мА
Т = +85 °С, не более.................... 1 мА
Т = —60 ’С, не более.................... 1 мА
Остаточный ток стока при 47си = 6/си МАКС,
(7^ = 0............................’......... 0,02...0,5...3 мА
Ток стока при (7СИ = 20 В, (7^ - 10 В........ 4...7,5*...9* А
Пороговое напряжение при 47си = 20 В,
/с = 10 мА................................... 1,5*...3*...4 В
Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии при {/рн = 1 В, Ци = 10 В:
КП805А, КП805В........................... 1,4*... 1,7*...
2 Ом
КП805Б................................... 1,6*...2,1*...
2,5 Ом
Время включения при 6/си = 100 В, = 20 В,
7?н = 20 Ом, /?г = 25 Ом, типовое значение... 180* нс
Время выключения при 1/си = 100 В, 6/^ = 20 В,
/?н = 20 Ом, /^ = 25 Ом, типовое значение.... 220* нс
Входная емкость при С/си = 20 В, им = 0, ти-
повое значение............................ 1300* пФ
Проходная емкость при С/си = 20 В, Ц* = 0,
типовое значение.......................... 40* пФ
Выходная емкость при 6/си = 20 В, С/зи = 0, ти-
повое значение............................ 130* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток:
КП805А, КП805Б............................ 600 В
КП805В................................. 500 В
Постоянное напряжение затвор—исток...... ±20 В
Потенциал статического электричества.... 200 В
Постоянное напряжение затвор—сток:
КП805А, КП805Б............................ 600 В
КП805В...........................л... 500 В
Постоянная рассеиваемая мощность1
при = —60...+25 "С..................... 60 Вт
Температура окружающей среды............ —60... Гк =
= +85 'С
1 При Гк > +25 *С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность снижается линейно до 31 Вт при Тк = +85 *С.
Транзисторы пригодны для монтажа в аппаратуре методом
групповой пайки или паяльником. Расстояние от корпуса до
места лужения и пайки не менее 3 мм, температура припоя не
выше +240 ’С, время пайки не более 3 с. Допустимое число
перепаек выводов транзисторов при проведении монтажных
операций — не более 3.
Зависимости сопротивления сток—
исток от напряжения затвор—исток
Зависимости тока стока от напря-
жения затвор—исток
5.А/В
Зависимости крутизны кар^
теристикм от тока стока
Рс^/Рс^ (Т^25'С)
Зависимость сопротивления сток—
исток от температуры корпуса
Зависимость импульсного теплово-
го сопротивления от длительности
импульса
1с.А
Области максимальных режимов
КП8О9А, КГ1809Б, КП809В, КП809Г, КП809Д, КП809Е,
КЛ809А1, КП809Б1, КП809В1, КП809Г1, КП809Д1,
КП809Е1, КП809Б1-5, КП809Б2-5
Транзисторы кремние-
вые полевые эпитаксиаль-
н0-планарные с изолиро-
ванным затвором и кана-
лом ,?-типа переключатель-
ные. Предназначены для
применения в импульсных
источниках вторичного
электропитания с бес-
трансформаторным вхо-
дом, в регуляторах, стаби-
лизаторах и преобразова-
телях с непрерывным им-
пульсным управлением,
блоках питания ЭВМ, схе-
мах управления электро-
двигателями. Транзисторы
КП809А—КП809Е выпус-
КТ809(А1-Е1)
С.6
каются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стек-
лянными изоляторами. Транзисторы КП809А1—КП809Е1 — в
пластмассовом корпусе с жесткими выводами, транзисторы
КП809Б1—5, КП809Б2—5 — в виде кристаллов или на пластине
с контактными площадками без кристаллодержателя и без вы-
водов.
Масса транзисторов в металлическом корпусе не более
16,1 г, в пластмассовом корпусе не более 5 г, кристалла
КП809Б1-5 не более 0,00545 г, КП809Б2-5 не более 0,0035 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
Электрические параметры
Крутизна характеристики при 1/си = 20 В,
4 = 3 А, ги = 60 мкс, О = 200, не менее. 1,5 А/В
Ток стока при С/си = 30 В, 1/зи = 10 В,
= 60 мкс, О = 200, не менее:
КП809А, КП809А1....................... 25 А
КП809Б, КП809Б1 ..................... 20 А
КП809В, КП809В1...................... 15 А
КП809Г, КП809Г1 ..................... 15 А
КП809Д, КП809Д1.......;.............. 10 А
КТ809(А-Е)
КП809Е, КП809Е1..................... 8 А
КП809Б1—5, КП809Б2—5................ 35 А
Начальный ток стока при </си = 20 В, = 0,
не более:
Г=+25 и —10’С....................... 0,25 мА
Г= +125 ’С для КП809А, КП809Б,
КП809В, КП809Г, КП809Д, КП809Е...... 1 мА
Г= +70 ’С для КП809А1, КП809Б1,
КП809В1, КП809Г1, КП809Д1, КП809Е1 .... 1 мА
Остаточный ток стока при С/си = МАКС,
С/зи = 0, не более..................... 1 мА
Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии, не более:
КП809А, КП809А1 при </зи = 20 В, /с = 2 А 0,3 Ом
КП809Б, КП809Б1 при </зи = 20 В, /с = 2 А. 0,6 Ом
КП809В, КП809В1 при = 20 В, /с = 2 А. 1,2 Ом
КП809Г, КП809Г1 при им = 20 В, /с = 2 А . 1,5 Ом
КП809Д, КП809Д1 при </зи = 20 В, /с = 2 А 1,8 Ом
КП809Е, КП809Е1 пи 6^ = 20 В, /с = 2 А... 2,5 Ом
КП809Б1-5 при </зи = 10 В, /с = 5 А. 0,6 Ом
КП809Б2-5 при </зи = 10 В, /с = 5 А. 1 Ом
Входная емкость при 6/си = 25 В, С/Зи = 0,
не более............................... 3000 пФ
Выходная емкость при 1/си = 25 В, С/зи = 0,
не более............................... 405 пФ
Проходная емкость при = 25 В, С/зи = О,
не более............................... 220 пФ
вреМя задержки при </си = 200 В, </вх = 20 В,
«/= 5 Ом, /?н = ЮО Ом, не более.......... 75 нс
Время нарастания при (/си = 200 В, = 20 В,
р - 5 Ом, /?н = 100 Ом, не более......... 50 нс
□ремя задержки выключения при </си = 200 В,
у = 20 В, /?г = 5 Ом, /?н = 100 Ом, не более 220 нс
Время спада при = 200 В, (7ВХ = 20 В,
/$. = 5 Ом, /?н = 100 Ом, не более...... 100 нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток:
Тк = -10...+100 ’С:
КП809А.............................. 400 В
КП809Б........................... 500 В
КП809В........................... 600 В
КП809Г........................... 700 В
КП809Д........................... 800 В
КП809Е........................... 750 В
Гк = —10...+70 ’С:
КП809А1......................... 400 В
КП809Б1, КП809Б1-5, КП809Б2-5 ... 500 В
КП809В1 ......................... 600 В
КП809Г1.......................... 700 В
КП809Д1.......................... 800 В
КП809Е1.......................... 750 В
Постоянное напряжение затвор—исток..... ±20 В
Постоянный ток стока КП809Б, КП809Б1,
КП809Б1-5, КП809Б2-5.................. 9,6 А
Импульсный ток стока КП809Б1—5,
КП809Б2-5 при (7СИ = 30 В, </зи = 10 В,
= 60 мкс, О = 200................... 35 А
Постоянная рассеиваемая мощность стока
пРи Гк = -10...+25 ’С:
КП809А, КП809Б, КП809В, КП809Г,
КП809Д, КП809Е...................... 100 Вт
КП809А1, КП809Б1, КП809В1, КП809Г1,
КП809Д1, КП809Е1, КП809Б1-5,
КП809Б2-5........................... 50 Вт
Температура перехода................... +150 ’С
Температура окружающей среды:
КП809А, КП809Б, КП309В, КП809Г,
КП809Д, КП809Е...................... -60-. Тк =
= +125 °С
КП809А1, КП809Б1, КП809В1, КП809Г1,
КП809Д1, КП809Е1, КП809Б1-5,
КП809Б2-5........................... -6О...ГК =
= +100 °С
Допускается работа транзисторов на частотах до 3 МГц ц
выше.
Транзисторы пригодны для монтажа в аппаратуре методом
групповой пайки или паяльником. Температура припоя не выше
+265 °С, время пайки не более 10 с. При пайке жало паяльни-
ка должно быть заземлено. Разрешается производить пайку
путем погружения выводов не более чем на 3 с в расплавлен-
ный припой с температурой не выше +265 °С. Допускается
производить пайку выводов волной припоя. Запрещается при-
пайка основания транзисторов к теплоотводу. Допускается
одноразовый изгиб выводов на угол не более 90° от первона-
чального положения в плоскости, перпендикулярной плоско-
сти основания корпуса и на расстоянии не менее 5 мм от
корпуса с радиусом изгиба не менее 1,5 мм. Изгиб в плоско-
сти выводов не допускается.
Выходные характеристики
Зависимость тока стока от напря-
жения затвор—исток
Зависимость сопротивления сток—
Зависимость крутизны характери-
стики от тока стока
исток от температуры корпуса
Зависимость порогового напряже-
Зависимость сопротивления
ния от температуры корпуса
сток—исток от тока стока
КП813А, КП813Б, КП813А1, КП813Б1,
КП813А1—5, КП813Б1—5
Транзисторы кремниевые полевые эпитаксиально-планар-
ные с изолированным затвором и каналом л-типа переключа-
тельные. Предназначены для применения в импульсных источ-
никах вторичного электропитания, частотно-регулируемых ис-
точниках электропитания, индукционных печах. Транзисторы
КП813А, КП813Б выпускаются в металлическом корпусе с
жесткими выводами и стеклянными изоляторами, КП813А1,
КП813Б1 — в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе. Транзисторы КП813А1—5,
КП813Б1—5 выпускаются в виде кристаллов или неразделен-
ные на пластине с контактными площадками без кристалло-
Держателя и без выводов.
Масса транзисторов в металлическом корпусе не более
Ф г, в пластмассовом — не более 5 г, кристалла — не более
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводнц.
ковых приборов, г. Воронеж.
КШ(А,Б)
КП815(А1,Б1)
Электрические параметры
Крутизна характеристики при 1/си = 20 В,
/с = 10 А, 7И = 80 мкс, О = 200, не менее. 9 А/В
Начальный ток стока при С/си = 200 В, С/зи = 0:
7"=+25 и —10’С......................... 0,25 мА
Т= +125 °С для КП813А, КП813Б.......... 1 мА
Т= +70 °С для КП813А1, КП813Б1......... 1 мА
Сопротивление СТОК—-ИСТОК в открытом со-
стоянии при С/зи = 10 В, /с = 10 А, не более:
КП813А, КП813А1, КП813А1-5...........
КП813Б, КП813Б1, КП813Б1-5...........
Время включения при С/си = 200 В, = 20 В,
о = 5 Ом, Иц = 100 Ом, не более.........
Время нарастания при Уси = 200 В, = 20 В,
д, = 5 Ом, Яц = 100 Ом, не более........
Время задержки выключения при 1/си = 200 В,
= 20 В, /?г = 5 Ом, /?н = 100 Ом, не более
Время спада при Уси = 200 В, Ц,х = 20 В,
/$. = 5 Ом, /?н = 100 Ом, не более......
Входная емкость при 4/си = 25 В, С/зи = 0,
не более................................
Выходная емкость при Уси = 25 В, С/зи = 0,
не более................................
Проходная емкость при 1/си = 25 В, 1/зи ~ 0>
не более................................
0,12 Ом
0,18 Ом
50 нс
120 нс
420 нс
40 нс
2700 пФ
540 пФ
240 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток1:
КП813А, КП813Б при Гк = -10...+100 ’С .. 200 В
КП813А1, КП813Б1, КП813А1-5,
КП813Б1—5 при Гк = -10...+70 ’С..... 200 В
Постоянное напряжение затвор—исток..... ±20 В
Постоянный ток стока................... 22 А
Импульсный ток стока Ги = 80 мкс, О = 200 .... 88 А
Постоянная рассеиваемая мощность стока
при Тк = -10...+25 ’С.................. 125 Вт
Температура перехода.................. +150 'С
Температура окружающей среды:
КП813А, КП813Б................... -60... Гк =
= +125 ’С
КП813А1, КП813Б1, КП813А1-5,
КП813Б1-5.......................... -60... 7; =
= +70 ’С
1 При Гк = +100...+ 125 °С максимально допустимое постоянное напряжение
сток—исток снижается линейно до 100 В.
Допускается работа транзисторов на частотах до 3 МГц и
выше.
Транзисторы пригодны для монтажа в аппаратуре методом
нрупповой пайки или паяльником. Температура пайки не выше
+265 ’С, время пайки не более 10 с. Пайка выводов произво-
дится.на расстоянии не менее 5 мм от корпуса. При пайке жэд0
паяльника должно быть заземлено. Разрешается производить
пайку путем погружения выводов не более чем на 3 с в расплав-
ленный припой с температурой не выше +265 ‘С. Допускается
производить пайку выводов волной припоя. Допускается одно-
разовый изгиб выводов на угол не более 90° от первоначально-
го положения в плоскости, перпендикулярной плоскости осно-
вания корпуса и на расстоянии не менее 5 мм от корпуса с
оадиусом изгиба не менее 1,5 мм при этом должны принимать-
ся меры, исключающие передачу усилия на корпус.
Зависимость крутизны харак-
Выходные характеристики
теристики от тока стока
-4/7 -20 0 20 40 Тц.'С
Зависимость порогового напряже-
ния от температуры корпуса
Зависимость тока стока от напря-
жения затвор—исток
Зависимость сопротивления сток—
исток от температуры корпуса
Зависимость сопротивления сток
исток от тока стока
2П815А, 2П815Б, 2П815В, 2П815Г
Транзисторы кремниевые полевые эпитаксиально-планар-
ные с изолированным затвором и каналом л-типа. Предназна-
чены для применения во вторичных источниках питания с бес-
трансформаторным входом, в ключевых стабилизаторах и пре-
образователях напряжения, в импульсных устройствах, в схе-
мах электропривода, управления и коммутации бортовой
аппаратуры. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с
полосковыми выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 9 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Крутизна характеристики при 4/си = 25 В,
/с = 2 А, не менее...................... 4,5* А/В
Начальный ток стока при 4/си = 25 В, (/зи = О,
не более:
Т = +25 и -60 °С..................... 2 мА
Т=+125'С............................. 10 мА
Остаточный ток стока при 4/си = (/си мдкс,
= о, не более........................... 5 мА
Ток стока (Ги = 600 мкс, О = 200), не менее:
2П815А при 4/си = Ю В, (/зи = 15 В...... 20 А
2П815Б, 2П815В при </си = 15 В, (/зи = 15 В 16 А
2П815Г при 4/си = 15 В, (/зи = 15 В.. 12 А
Ток утечки затвора при 4/зи = 20 В, не более.. 2,5 • 10-7 А
Пороговое напряжение при 1/зи = 10 В,
4 = Ю мА................................ 2...7 В
2П815 (А-Г)
Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии при Ци = 20 В, /с = 1 А, не более:
2П815А..............................
2П815Б..............................
2П815В..............................
2П815Г..............................
Входная емкость при 4/си = 20 В, (/зи = 0,
не более...............................
Проходная емкость при 4/сн = 20 В, 1!^ = 0,
не более...............................
Выходная емкость при 1/си = 20 В, им = 0,
не более...............................
Время включения при (/спит = 150 В,
Ян = 4 Ом, Я}- = 2 Ом, 4/вх = 10 В, типовое
значение...............................
Время выключения при 4/спит ~ 150 В,
/?н = 4 Ом, /?г = 2 Ом, 4/вх = 10 В, типовое
значение...............................
0,3 Ом
0,8 Ом
0,5 Ом
1 Ом
5600* пФ
130* пФ
440* пФ
40* нс
160* нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток:
2П815А, 2П815В........................ 400 В
2П815Б, 2П815Г........................ 500 В
Постоянное напряжение затвор—сток:
2П815А, 2П815В.......................... 400 В
2П815Б, 2П815Г....................... 500 В
Постоянное напряжение затвор—исток...... 20 В
Потенциал статического электричества.... 200 В
Постоянный ток стока:
2П815А, 2П815Б.......................... 20 А
2П815В, 2П815Г....................... 15 А
Импульсный ток стока.................... 37 А
Постоянная рассеиваемая мощность1:
Тк = -60...+35 ’С....................... 125 Вт
Гк =+125’С........................... 40 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус... 0,92 °С/Вт
Температура перехода.................... +150 ’С
Температура окружающей среды............ —60... Гк =
= +125 ’С
' При Тк > +35 *С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность снижается линейно.
Транзисторы пригодны для монтажа в аппаратуре пайкой
паяльником. Допустимое число перепаек выводов — 3. Рас-
стояние от корпуса до начала изгиба вывода не менее 3 мм.
Расстояние от корпуса до места лужения и пайки по длине
вывода не менее 3 мм, температура припоя 260 ± 5 ’С, время
пайки не более 3 с.
При установке в аппаратуре транзистор должен плотно
прилегать к теплоотводу. Шероховатость контактирующей по-
верхности теплоот-
вода должна быть
не более 1,6 мкм,
неплоскостность не
более 0,02 мм.
Для уменьшения
контактного сопро-
тивления следует
применять смазки.
Допускается па-
раллельное вклю-
чение транзисторов
без выравниваю-
щих элементов при
= 15 В.
Ми 8) = 1 — [1 — ми 0)1 (1 - 8)
Зависимость коэффициента К от длительности
импульса
Зависимость крутизны харак-
теристики от тома стока
2П816А, 2П816Б, 2П816В, 2П816Г
Транзисторы кремниевые полевые эпитаксиально-планар-
ные с изолированным затвором и каналом л-типа. Предназна-
чены для применения во вторичных источниках питания с бес-
трансформаторным входом, в ключевых стабилизаторах и пре-
образователях напряжения, в импульсных устройствах, в схе-
мах электропривода. Выпускаются в металлокерамическом
94
корпусе с полосковыми выводами. Тип прибора указывается
на корпусе.
Масса транзистора не более 9 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Габаритный чертеж см. 2П815А-2П815Г.
Электрические параметры
Крутизна характеристики при €/си = 25 В,
/с = 10 А, не менее..................... 10* А/В
Начальный ток стока при 4/си = 25 В, 1!^ = 0,
не более:
Т= +25 и -60 °С:
2П816А, 2П816Б.................... 2 мА
2П816В, 2П816Г.................... 1 мА
Т=+125°С............................. 10 мА
Остаточный ток стока при 4/си = 4/си МАКС,
(/зи = 0, не более...................... 5 мА
Ток стока при иы = 20 В, = 20 В,
не менее:
2П816А, 2П816Б....................... 20 А
2П816В, 2П816Г....................... 18 А
Ток утечки затвора при Чж = 25 В, 4/си = 0,
не более................................ 2,5 • 10-7 А
Пороговое напряжение при 6/^ = 10 В,
/с = 10 мА.............................. 5 В
Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии при = 20 В, /с = 1 А, не более:
2П816А, 2П816Б....................... 1 Ом
2П816В, 2П816Г....................... 1,2 Ом
Входная емкость при С/си = 20 В, - 0,
не более................................ 2600 пФ
Проходная емкость при 4/си = 20 В, Чж = 0,
не более................................ 150 пФ
Выходная емкость при (/си = 20 В, 6/зи = 0,
не более................................ 400 пФ
Время включения при 4/спит = Ю0 В,
/?н = 8 Ом, /?г = 1 Ом, 4/вх = 10 В, не более .... 90* нс
Время выключения при 4/спит = Ю0 В,
#н = 8 Ом, /?г = 1 Ом, Чвк = 10 В, не более .... 110* нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток:
2П816А, 2П816Б.......................... 800 В
2П816В, 2П816Г....................... 1000 В
Постоянное напряжение затвор—сток:
2П816А, 2П816Б....................... 800 В
2П816В, 2П816Г....................... 1000 В
Постоянное напряжение затвор—исток...... 25 В
Потенциал статического электричества.... 200 В
Постоянный ток стока.................... 25 А
Импульсный ток стока.................... 37 А
Постоянная рассеиваемая мощность1:
Тк = -60...+35 ’С....................... 125 Вт
Гк =+125’С........................... 40 Вт
Температура кристалла................... +150 ’С
Температура окружающей среды............ —60... Гк =
= +125 ’С
' При Гк > +35 *С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность снижается линейно.
Транзисторы пригодны для монтажа в аппаратуре пайкой
паяльником. Допустимое число перепаек выводов — 3. Рас-
стояние от корпуса до начала изгиба вывода не менее 3 мм.
Расстояние от корпуса до места лужения и пайки по длине
вывода не менее 3 мм, температура припоя 260 ± 5 ’С, время
пайки не более 3 с.
При установке в аппаратуре транзистор должен плотно
прилегать к теплоотводу. Шероховатость контактирующей по-
верхности теплоотвода должна быть не более 1,6 мкм, не-
ллоскостность не более 0,02 мм. Для уменьшения контактного
сопротивления следует применять пасты.
Допускается параллельное включение транзисторов без
выравнивающих элементов при - 15 В.
Выходные характеристики
Область максимальных режимов
• ЛКи.8)» 1 -[1 -ЛКи, 0)](1 -8)
Зависимость коэффициента К от длительности импульса
А702А, А702Б, А702В
Транзисторы кремниевые полевые эпитаксиально-планар-
ные с изолированным затвором и индуцированным каналом
о-типа. Предназначены для применения в переключающих и
импульсных устройствах, в ключевых стабилизаторах и преоб-
разователях напряжения, усилителях и генераторах. Выпуска-
ется в металлокерамическом корпусе с полосковыми вывода-
ми. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 6 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
А7021А-В)
Электрические параметры
Крутизна характеристики при 1/& = 30 В,
4 = 2,5 А = 600 мкс, 0 = 200), не менее.... 800 мА/В
Начальный ток стока при (7СИ = 30 В, = 0,
не более............................... 30 мА
Остаточный ток стока при МАКС,
4/зи = —10 В, не более................. 35 мА
Ток стока при С/си = 30 В, С/зи = 25 В
= 600 мкс, О= 200), Не менее........ 5 А
Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии при С/зи = 20 В, /с = 0,5 А, не более:
А702А............................... 3,5 Ом
А702Б............................... 2,8 Ом
А702В............................... 2,3 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток:
А702А................................. 500 В
А702Б............................... 400 В
А702В.............................. 300 В
Постоянное напряжение затвор—исток...... 25 В
Постоянное напряжение затвор—сток:
А702А.............................. 510 В
А702Б............................... 410 В
А702В.............................. 310 В
еНциал статического электричества.......
постоянная рассеиваемая мощность1
7" = —60...+35 С.......................
при ' к
Температура окружающей среды...............
200 В
40 Вт
-6О...ГК =
= +125 °С
। При Т^+35 максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
нОсть снижается линейно до 17,5 Вт при Тк = +125 ‘С.
Минимальное расстояние от корпуса до начала изгиба выво-
дов 3 мм. Минимальное расстояние от места пайки по длине
вывода 3 мм, температура припоя +260 ± 5 °С, время пайки 3 с.
При установке в аппаратуре транзистор должен плотно
прилегать к теплоотводу, шероховатость контактной поверх-
ности теплоотвода должна быть не более 1,6 мкм, неплоскост-
ность не более 0,02 мм. Для уменьшения контактного сопро-
тивления между корпусом и теплоотводом следует применять
смазки, например, КПТ-8.
А724А, А724Б, А724В, А724Г
Транзисторы кремниевые полевые эпитаксиально-планар-
ные с изолированным затвором и индуцированным каналом
л-типа. Предназначены для применения в переключательных и
импульсных устройствах. Выпускаются в металлокерамическом
корпусе с полосковыми выводами. Тип прибора указывается
на корпусе.
Масса транзистора не более 6 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Крутизна характеристики при С/си = 30 В,
4 = 1 А (4, = 600 мкс, О = 200), не менее. 750 мА/В
Начальный ток стока при 4/си = 30 В, 7/зи = 0,
не более.................................. 7 мА
Остаточный ток стока при 4/си = 4/си МАКС,
^зи = -10 В, не более..................... 10 мА
Ток стока при С/си = 30 В, 4/зи = 25 В
«и = 600 мкс, О = 200), не менее:
А724А.................................. 2,6 А
А724Б, А724В........................... 3 А
А724Г.................................. 3,5 А
Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии при 4/зи = 20 В, /с = 0,5 А, не более:
А724А.................................. 5 Ом
А724Б, А724В, А724Г.................... 4,5 Ом
А724(А-Г)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток’
при Тк = —60...+100 °С:
А724А............................... 1000 "
А724Б............................... 800 В
А724В............................... 700 В
А724Г............................... 600 В
Постоянное напряжение затвор—исток..... 30 В
Постоянное напряжение затвор—сток
при Тк = —60...+100 °С:
А724А............................... 1010 В
А724Б............................... 810 В
А724В............................... 710 В
А724Г............................... 610 В
Потенциал статического электричества... 200 В
Постоянная рассеиваемая мощность* 2:
Тк = -60...+35 °С................... 60 Вт
Гк =+125 °С......................... 17,5 Вт
Температура окружающей среды........... —60... Тк =
= +125 °С
’ При Гк = +100...+ 125 ’С напряжение снижается линейно до 800 В Д/,я
А724А и до 650 В для А724Б.
2 При Гк > +35 ’С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мой
ность снижается линейно.
Минимальное расстояние от корпуса до начала изгиба вы-
водов 3 мм. Минимальное расстояние от места пайки по длине
вывода 3 мм, температура припоя +260 ± 5 "С, время пайки не
более 3 с.
При установке в аппаратуре транзистор должен плотно
прилегать к теплоотводу, шероховатость контактной поверх-
ности теплоотвода должна быть не более 1,6 мкм, неплоскост-
ность не более 0,02 мм.
Допускается параллельное включение транзисторов без
выравнивающих элементов при 1/зи = 15 В.
А842А, А842Б
Транзисторы кремниевые полевые эпитаксиально-планар-
ные с изолированным затвором и индуцированным каналом
л-типа переключательные. Предназначены для применения во
вторичных источниках электропитания, переключающих и им-
пульсных устройствах, в ключевых стабилизаторах и преобра-
зователях напряжения, в усилителях, генераторах и другой
аппаратуре. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с
полосковыми выводами. На корпус наносится условная марки-
ровка: А842А — одна белая точка, А842Б — две белые точки.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 6 г.
Изготовитель — научно-производственная фирма «Оме-
га», г. Москва.
Электрические параметры
Крутизна характеристики при 1/си = 30 В,
/с = 2,5 А, ?и = 600 мкс, О = 200, не менее. 2 А/В
Начальный ток стока при С/си = 30 В, С/зи = 0,
не более.................................... 5 мА
Ток стока при С/си = 30 В, С/Зи = 25 В,
<и = 600 мкс, О = 200, не менее:
А842А................................... 7 А
А842Б.................................... 8 А
Остаточный ток стока при Узи = —10 В,
не более:
А842А при С/си = 500 В................... 10 мА
А842Б при С/си = 400 В................... 10 мА
Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии при Узи = 20 В, /с = 0,5 А, не более:
А842А................................... 2 Ом
А842Б.................................... 1,5Ом
А-Ы2(А Б)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—истое
А842А............................... 500 8
А842Б_______________________..____„.. 400 В
Постоянное напряжение затвор—сток:
А842А............................... 510 В
А842Б.......... -.................. 410 В
Постоянное напряжение затвор—исток..... 25 В
Потенциал статического электричества--- 200 В
Постоянная рассеиваемая мощность1;
Тк = -60...+35 ’С...................... 40 Вт
Тк =+125’С........................... 17,5 Вт
Температура окружающей среды .......... —60... Тк =
= +125 ’С
' При Гк = +35...+125 "С максимально допустимая постоянная рассеиваемая
мощность снижается линейно.
2 Допускается параллельное включение транзисторов без выравнивающих
элементов при 1/м = 15 В.
Допускается изгиб выводов на расстоянии от корпуса не
менее 3 мм.
Транзисторы пригодны для монтажа в аппаратуре пайкой
паяльником. Допустимое число перепаек выводов — 3. Рас-
42
стояние от корпуса до места лужения и пайки по длине вывода
не менее 3 мм, температура припоя +265 °С, время пайки не
более 3 с.
Шероховатость контактирующей поверхности теплоотвода
должна быть не более 1,6 мкм, неплоскостность не более
0,02 мм. Для уменьшения контактного сопротивления между
корпусом и теплоотводом следует применять смазки, напри-
мер, КПТ—8. Допускается оайка фланца корпуса транзистора
к теплоотводу, температура пайки не более +160 ’С.
А843А, А843Б, А843В
Транзисторы кремниевые полевые эпитаксиально-планар-
ные с изолированным затвором и индуцированным каналом
л-типа. Предназначены для применения во вторичных источни-
ках питания, переключающих и импульсных устройствах, клю-
чевых стабилизаторах и преобразователях напряжения, усили-
телях, генераторах. Выпускаются в металлокерамическом кор-
пусе с полосковыми выводами. На транзистор допускается
наносить условную маркировку: А843А — одна черная точка,
А843Б — две черные точки, А843В — три черные точки. Тип
прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 6 г.
Изготовитель- — завод «Пульсар», г. Москва.
АвМА-В)
Электрические параметры
Крутизна характеристики при (/си = 30 В,
/с = 1 А, не менее..................... 1 А/В
Начальный ток стока при Уси = 30 В, - 0,
не более............................... 6 мА
Остаточный ток стока при Уси = Уси, мдкс,
Узи = —10 В, не более.................. 6 мА
Ток стока при Уси = 30 В, Узи = 25 В,
не менее:
А843А............................... 3 А
А843Б............................... 3,5 А
А843В............................... 4 А
Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии при Узи = 20 В, /с = 0,5 А, не более:
А843А............................... 4,5 Ом
А843Б............................... 4,2 Ом
А843В............................... 4Ом
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток1
при Гк = —60...+ 100 °С:
А843А............................... 1000 В
А843Б............................... 900 В
А843В............................... 800 В
Постоянное напряжение затвор—исток
при Гк = -60...+ 125 °С................ 30 В
Постоянное напряжение затвор—сток:
А843А............................... 1010 В
А843Б..................;............ 910 В
А843В............................... 810 В
Постоянная рассеиваемая мощность* 2
при Гк = —60...+35 °С.................. 60 Вт
Температура окружающей среды.......... —60... Гк =
= +125 ’С
’ При Гк = +100...+ 125 ’С напряжение линейно снижается до 800 В для
А843А, до 750 В для А843Б, до 650 В для А843В.
2 При Тк = +35...+125 ’С максимально допустимая постоянная рассеиваемая
мощность снижается линейно до 17,5 Вт.
Минимальное расстояние от корпуса до начала изгиба вы-
водов 3 мм. Транзисторы пригодны для монтажа в аппаратуре
пайкой паяльником. Минимальное расстояние от корпуса до
места лужения и пайки 3 мм, температура припоя +260 ± 5 “С,
время пайки не более 3 с. Допустимое число перепаек — 3.
При установке в аппаратуру транзистор должен плотно
104
прилегать к теплоотводу. Шероховатость контактной поверх-
ности теплоотвода должна быть не более 1,6 мкм, неплоскост-
ность не более 0,02 мм. Для уменьшения контактного сопро-
тивления следует применять смазки.
Допускается параллельное включение транзисторов без
выоавнивающих элементов при 1/зи = 15 В.
2П901А, 2П901Б, 2П901А-5, 2П901Б-5,
КП901А, КП901Б
Транзисторы кремниевые планарные полевые с изолиро-
ванным затвором и индуцированным каналом л-типа генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях и гене-
раторах в диапазоне коротких и ультракоротких длин волн.
Транзисторы 2П901А, 2П901Б, КП901А, КП901Б выпускаются
в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип
прибора указывается на корпусе. Транзисторы 2П901А-5,
2П901Б—5 выпускаются в виде кристаллов с контактными пло-
щадками без кристаллодержателя и без выводов для исполь-
зования в гибридных интегральных микросхемах. Тип прибора
указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлокерамическом корпусе не
более 6 г, кристалла не более 0,00012 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2П90КА.Б), ШОКА,Б)
Электрические параметры
Выходная мощность на /= 100 МГц,
= 50 В, </эи = 0:
2П901А, 2П901А-5, КП901А, не менее..... 10 Вт
2П901Б, 2П901Б-5, КП901Б............... 6,7...8,9*...
9,9* Вт
2П90КА-5.Б-5)
Коэффициент усиления по мощности
при Уси = 50 В, 6/зи = 0:
/ = 100 МГц:
2П90ТА, 2П901А-5, КП901А
при Рвых = 10 Вт......................
2П90ТБ, 2П901Б-5, КП901Б
при РВЬ1Х = 6,7 Вт.................
Г= 60 МГц:
2П901А, 2П901А-5, КП901А
при РВых = 10 Вт...................
2П901Б, 2П901Б-5, КП901Б
при РВых = 6,7 Вт..................
Коэффициент полезного действия
на Г = 60 МГц при 6/си = 50 В, {/зи = 0:
2П901А, 2П901А-5, КП901А
при РВых ~ Ю Вт........................
2П901Б, 2П9О1Б-5, КП901Б
при РВых = 6,7 Вт......................
7...10*...
12,5* дБ
7...10*...
12,5* дБ
10...13*...16* дБ
10...13*..16* дБ
35...40*..44*%
35...40*...44*%
/ = 500 мА:
с Т=~60’С:
2П901А, 2П901А-5, КП9 1А, не менее 30 мА/В
2П901Б, 2П901Б-5, КП901Б, не менее 40 мА/В
Т= +25 ’С.
2П901А, 2П901А—5, КП901А.......... 50...110*...
160* мА/В
2П901Б, 2П901Б-5, КП901Б.......... 60... 130* ..
170* мА/В
Т= +125 ’С;
2П901А, 2П901А-5, КП901А, не менее 20 мА/В
2П901Б, 2Л901Б-5, КП901Б, не менее 30 мА/В
Ток стока при Уси = 20 В, иж = 20 В:
2П901А, 2П901А-5, КЛ901А__________________ 1.6...2.3*...
3,7* А
2П901Б, 2Л901Б-5, КЯ901Б.............1,2... 1,4*...
1,8* А
Начальный ток стока при - 20 В, - О:
Г = —в0 ’С, не более -.................... 500 мА
Т= +25 °С_____________________________ 15*_.5О*...
200 мА
Г = +125 X, не более.................... 400 мА
Остаточный ток стока «ри - 85 8,
= -15 В________________...________________ 3* „7* „50 мА
Емкость затвор—исток 11-& = —30 В________ 15*...50*...
100 пФ
Проходная емкость при Ц* = 25 В,
</зи = —15 В............................. 1,5*...4*...Ю пФ
Предельные экспауатацноииые данные
Напряжение сток—исток.................... 70 В
Импульсное напряжение сток—исток
при = 1 мс............................... 85 В
Напряжение затвор—сток................... 85 В
Импульсное напряжение затвор—сток
при = 1 мс............................... 100 В
Напряжение затвор—исток.................. 30 В
Постоянный ток стока..................... 4 А
Постоянная рассеиваемая мощность1
при Тк С +25 ’С.......................... 20 Вт
' При Тк > +25 "С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мош-
:ть рассчитывается по формуле
Т’идкс = » П - (Тк - 25)/1251, Вт.
Температура р-п перехода.................. +155 ’С
Температура окружающей среды............ —60... Тк =
= +125 ’С
Минимальное расстояние места пайки выводов от корпуса
транзистора 1 мм, температура пайки не выше +260 ’С, время
пайки не более 3 с.
Зависимости электрических параметров от напряжения и
температуры для 2П901А—5, 2П901Б—5 аналогичны зависимо-
стям 2П901А, 2П901Б.
Технология сборки транзисторов 2П901А—5, 2П901Б—5 в
гибридные схемы, применяемые детали и материалы гибрид-
ных схем, должны обеспечить такое значение теплового со-
противления канал—теплоотвод, при котором температура
кристалла должна быть не более +150 ’С.
При монтаже транзисторов в составе гибридных схем не-
обходимо выполнять следующие условия:
монтаж транзисторов в составе гибридных схем должен
осуществляться с помощью ультразвуковой пайки в инертной
среде. Температура пайки +400...+450 'С. В качестве припоя
должна применяться золотая прокладка толщиной 0,02 мм.
Основание, на которое напаивается транзистор, должно быть
золоченое, толщиной покрытия 3...4 мкм. Рекомендуемый ма-
териал основания окись бериллия СБ—1 ТУ 957219—78;
присоединение выводов к контактным площадкам должно
производиться ультразвуковой сваркой. В качестве выводов
должна применяться алюминиевая плющенка А995Д 0,25...
0,03 мм ЖК 070217255 ТУ. Соединение выводов с контактной
площадкой должно выдерживать разрывное усилие не менее
2 гс;
после ультразвуковой сварки выводов они не должны ка-
саться структуры и боковых ребер транзистора;
не допускается смещение сварных точек, приводящее к
закорачиванию элементов транзистора;
не допускается сильное натяжение и провисание выводов;
не допускается разрыв (пережатие) алюминиевой проволо-
ки в месте сварки.
После извлечения транзисторов из упаковки изготовителя
до присоединения выводов к контактным площадкам транзи-
сторы должны находиться в специальной камере с инертной
средой не более 10 сут. В случае использования части тран-
зисторов из общей упаковки, неиспользованные транзисторы
должны быть повторно упакованы в герметичную тару. Требо-
вание на хранение в специальной камере с инертной средой не
более 10 сут распространяется на повторно упакованные тран-
зисторы с момента вскрытия вторичной упаковки.
Зона возможных поло-
жений зависимости кру-
тизны характеристики
от напряжения затвор-
исток
Зона возможных поло-
жений зависимости кру-
тизны характеристики
от тока стока
Зона возможных поло-
жений зависимости кру-
тизны характеристики
от напряжения сток—
исток
Зона возможных поло-
жений зависимости про-
ходной емкости от на-
пояжения сток—исток
Зона возможных поло-
жений зависимости то-
ка стока от напряже-
ния затвор—исток
Зона возможных поло-
жений зависимости
проходной емкости от
напряжения затвор—
исток
Зона возможных поло-
жений зависимости ем-
кости затвор—исток от
напряжения затвор-
исток
Зона возможных поло-
жений зависимости кру-
тизны характеристики
от температуры
Зона возможных поло*
жений зависимости от-
носительного измене-
ния пробивного напря-
жения сток—исток от
температуры
2П902А, 2П902Б, КП902А, КП902Б, КП902В
Транзисторы кремниевые планарные полевые с изолиро-
ванным затвором и каналом л-типа. Предназначены для при-
менения в приемопередающих устройствах в диапазоне частот
до 400 МГц. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с
жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 6 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2П9021А.Б). КП9021А-В)
Электрические параметры
Коэффициент шума при 6/си = 50 В,
/с = 50 мА:
/= 250 МГц:
2П902А, КП902А............................. 3,4*...5*...6 дБ
КП 902В, не более...................... 8 дБ
/= 100 МГц для 2П902А...................... 4,3*...4,6*...
4,9 дБ
Коэффициент усиления по мощности
при = 50 В:
4 = 50 мА, /= 250 МГц:
2П902А, 2П902Б............................. 6.6...13*...
15,4* дБ
КП902А, КП902Б, КП902В................. 9... 12*... 14* дБ
Узи = 0, Рвх = 0,3 Вт, Г= 400 МГц.......... 1,7...2,9*...
4* дБ
Максимальная отдаваемая мощность
при Уси = 50 В, = 0:
/=60 МГц, Рт = 0,3 Вт для 2П902А,
2П902Б..................................... 0,8...1,2*...
1,8* Вт
/= 50 МГц, Рвх = 0,5 Вт для КП902А,
КП902Б, КП902В........................
Крутизна характеристики при /с = 50 мА,
Т = -60 ’С для 2П902А, 2П902Б и
Т= -45 ’С для КП902А, КП902Б, КП902В
Т = +85 ’С для КП902А, КП902Б, КП902В
Т= +125 ’С для 2П902А, 2П9О2Б........
Начальный ток стока при Уси = 50 В, = 0,
не более:
Т = +25 ’С:
2П902А, 2П902Б.......................
КП902А, КП902Б, КП902В............
Г= -60 ’С для 2П902А, 2П902Б и
Г= -45 ’С для КП902А, КП902Б, КП902В
Г= +125 ’С для 2П902А, 2П902Б и
Г= +85 ’С для КП902А, КП902Б, КП902В
Ток утечки затвора при (/си = 0, 6/зи = —30 В..
Остаточный ток стока при 6/си = 60 В,
Ци = -Ю В...............................
Активная составляющая выходной проводи-
мости при (/си = 50 В, /с = 50 мА.......
Входная емкость при (/си = 25 В, 6/^ = 0,
10 МГц..................................
Выходная емкость при 6/си = 25 В, 6/зи = 0,
Г = 10 МГц..............................
Проходная емкость при 6/си = 25 В, /= 10 МГц,
^зи = 0:
2П902А, 2П902Б, КП902А, КП902Б.......
КП902В, не более.....................
0,8...1,2*...
1,8* Вт
10...19*...
26* мА/В
10...25*...
30* мА/В
8...14*...
22* мА/В
8...17*...
22* мА/В
10 мА
10 мА
10 мА
15 мА
0,02*..0,05*..
3 нА
0,001*...0,03*
...0,5 мА
12*...30*...
190* мкСм
4*...6,5*...
11 пФ
3,9*...5,5*...
11 пФ
0,31*...0,5*...
0,6 пФ
0,8 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток
для 2П902А, 2П902Б..................... 50 В
Постоянное напряжение сток—исток
при 6/зи = 0........................... 60 В
Пиковое напряжение сток—исток
при 7И 1 мс, 100....................... 70 В
Напряжение затвор—исток................ ЗОВ
Постоянный ток стока’:
при Гк $ +25 ’С........................ 200 мА
при Гк = +85 ’С для КП902А, КП902Б,
КП902В и Гк = +125 ’С для 2П902А,
2П902Б.............................. 130 мА
Постоянная рассеиваемая мощность’:
при Гк $ +25 'С........................ 3,5 Вт
при Гк = +85 ’С для КП902А, КП902Б,
КП902В.............................. 2,5 Вт
при Гк = +125 ’С для 2П902А, 2П902Б. 1 Вт
Температура окружающей среды:
2П902А, 2П902Б......................... -6О...ГК =
= +125 ’С
КП902А, КП902Б, КП902В.............. -45... Гк =
= +85 ’С
’ При Гк > +25 *С постоянный ток стока и постоянная рассеиваемая мощ-
ность снижаются линейно.
Пайка выводов допускается не ближе 1,5 мм от корпуса
транзистора, время пайки не более 3 с, температура пайки не
должна превышать +260 ’С.
Зависимость крутизны
характеристики от тем-
пературы
Зависимость тока сто-
ка от напряжения за-
твор—исток
Зависимость крутизны
характеристики от тока
стока
Зависимость крутизны
характеристики от на-
пряжения сток—исток
Зависимость крутизны
характеристики от на-
пряжения затвор—ис-
ток
Зависимость коэффи-
циента усиления по
мощности от частоты
Зависимость выходной
емкости от напряжения
сток—исток
Зависимость коэффи-
циента шума от напря-
жения сток—исток
Зависимость коэффи-
циента усиления по
мощности от напря-
жения сток—исток
14% яМ
Зависимость коэффи-
циента усиления по
мощности от напря-
жения сток—исток
Зависимость относи-
тельного пробивного
напряжения сток—ис-
ток от температуры
Зависимость входной
емкости от напряже-
ния сток—исток
2П903А, 2П903Б, 2П903В, 2П903А-5, 2П903Б-5,
2П903В-5, КП903А, КП903Б, КП903В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые
с каналом л-тича и затвором в виде обратно смещенного р-п
перехода высокочастотные универсальные. Предназначены для
применения в приемопередающих и переключающих устрой-
ствах. Транзисторы 2П903А—2П903В, КП903А-КП903В выпус-
каются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе. Транзисторы 2П903А—5-
2П903В—5 выпускаются в виде кристаллов с контактными пло-
щадками без кристаллодержателя и без выводов для примене-
ния в гибридных интегральных микросхемах. Тип прибора ука-
зывается в этикетке.
Масса транзистора в металлокерамическом корпусе не
более 6 г, кристалла не более 0,0002 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2П903(А-В), КГШ(А-В)
Электрические параметры
Спектральная плотность ЭДС шума
на /= 100 кГц при = 10 В, /с = 10 мА:
КП903А, КП903Б, КП903В....................... 0,5*...1*...
5 нВ/ЧГц
2П903А, 2П903А-5 .;....................... 0,5*...0,7*...
1 нВ/а/Гц
2П903Б, 2П903Б-5.......................... 0,52*...0,7*...
2,5 нВ/>/Гц
2П903В, 2П903В-5.......................... 0,54*...0,7*...
4,6 нВ/а/Гц
Выходная мощность в схеме резонансного
усилителя в режиме класса А на 1- 30 МГц
при УСи = Ю В, 6/зи = 0 ...................... 90...450*...
600* мВт
Коэффициент усиления по мощности в схеме
резонансного усилителя в режиме класса А
на 1= 30 МГц при Уси = 10 В, Узи = 0....... 7,6...11*...
16* дБ
Крутизна характеристики при 67си = 8 В,
^зи = О'-
Т= -60...+25 °С:
2П903А, 2П903А-5, КП903А................ 85...125*...
140* мА/В
2П903Б, 2П903Б-5, КП903Б............. 50...115*...
130* мА/В
2П903В, 2П903В-5, КП903В............. 60...115*...
140* мА/В
Т= +100 "С:
КП903А................................... 50 мА/В
КП903Б................................ 30 мА/В
КП903В................................ 40 мА/В
Т= +125 “С:
2П903А.................................. 50 мА/В
2П903Б................................ 30 мА/В
2П903В................................ 40 мА/В
Напряжение отсечки при 6/си = 5 В,
/с = 0,01 мА:
2П903А, 2П903А-5, КП903А................ 5*.„6*...12 В
2П903Б, 2П903Б-5, КП903Б................ 1...2*...6,5 В
2П903В, КП903В........................... 1*...3*...1О* В
2П903В—5, не более...................... 4 В
Начальный ток стока при Уси = 10 В, Узи = 0,
не более*
2П903А, 2П903А-5, КП903А................ 700 мА
2П903Б..................................
480 мА
2П903В.................................. 600 мА
Ток утечки затвора при 6/си = 0, 6/зи = —15 В,
не более.................................... 0,1 мкА
Обратный ток перехода затвор—сток
при 1/х = —20 В, не более................... 1 мкА
Остаточный ток стока при 6/си = 5 В,
6/зи = —15 В, не более...................... 50 нА
Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии при УСи = 0,2 В, */зи = 0:
Т= -60...+25 ’С для 2П903В.................. 2*...5*...1О Ом
Т = —60...+100 'С для КП903В, не более.. 10 Ом
Т = +125 ’С для 2П903В, не более........ 18 Ом
Т = +25 ’С:
2П903А................................... 3*...5*...9,8 Ом
2П903Б............................... 2*...5*...21 Ом
2П903В—5, не более................ 50 Ом
Емкость затвор—исток при 6/зи = —15 В....... 14*...15*...
18 пФ
Емкость затвор—сток при 6/зи = -20 В........ 12*...13*...
15 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение затвор—исток................ 15 В
Напряжение затвор—сток................. 20 В
Напряжение сток—исток1................. 20 В
Постоянный ток стока.................. 0,7 А
Прямой ток затвора..................... 15 мА
1 При увеличении напряжения на затворе свыше 10 В максимально допусти-
мое напряжение сток—исток определяется по формуле
постоянная рассеиваемая мощность1
при Гк = —60...+25 ’С ...............
температура окружающей среды:
2П903А, 2П903Б, 2П903В, 2П903А-5,
2П903Б-5, 2П903В-5................
КП903А, КП903Б, КП903В............
’ При Гк > +25 *С максимально допустимая постоянная
ность рассчитывается по формуле
Анлкс ~ ~ ^к)/^т(п-к>' Вт,
где А (п-к) = 25 С/Вт.
6 Вт
—60...+125 ’С
-60...+100 ’С
рассеиваемая мощ-
Зависимости электрических параметров от тока, напряже-
ния, температуры и частоты для 2П903А—5—2П903В—5 анало-
гичны зависимостям 2П903А—2П903В.
Пайка выводов допускается не ближе 1 мм от корпуса
транзистора, время пайки не более 3 с, температура пайки не
выше +260 ’С.
Технология сборки транзистора в гибридную схему, при-
меняемые детали и материалы гибридных схем, должны обес-
печить значений теплового сопротивления переход—корпус
собранного в гибридную схему транзистора не выше 25 °С/Вт.
При монтаже транзисторов в составе гибридных схем не-
обходимо выполнять следующие условия:
монтаж транзисторов должен осуществляться с помощью
ультразвуковой пайки в инертной среде. Температура пайки
+400...+450 ’С. В качестве припоя должна применяться золо-
тая прокладка толщиной 0,02 мм. Основание, на которое напа-
ивается транзистор, должно быть золоченое, толщиной по-
крытия 3...4 мкм. Рекомендуемый материал основания окись
бериллия СБ-1 ТУ 95—7219—78;
присоединение выводов к контактным площадкам должно
производиться ультразвуковой сваркой в течение 2...3 с. В
качестве выводов должна применяться проволока марки
АК—0,9 ПМ—40 Яе 0.021.139 ТУ. Сварное соединение вывода
с контактной площадкой должно выдерживать разрывное уси-
лие не менее 3 гс;
выводы после сварки не должны касаться структуры и
боковых ребер транзистора;
не допускается смещение сварных точек, приводящее к
закорачиванию элементов транзистора;
не допускается сильное натяжение и провисание выводов;
не допускается разрыв (пережатие) алюминиевой проволо- -
ни в месте сварки.
После извлечения транзисторов из герметичной или влаге,
защитной упаковки изготовителя до присоединения выводов к
контактным площадкам транзисторы должны находиться в спе-
циальной камере с инертной средой в течение не более 10 сут.
В случае использования части транзисторов из общей упаков-
ки, неиспользованные транзисторы должны быть повторно
упакованы в герметичную тару. Требование на хранение в
специальной камере с инертной средой не более 10 сут рас-
пространяется на повторно упакованные транзисторы с мо-
мента вскрытия вторичной упаковки.
Зависимость крутизны
характеристики от тока
стока
Зависимость тока стока
от напряжения затвор—
исток
Зависимость крутизны
характеристики от на-
пряжения затвор—ис-
ток
Зависимость крутизны
характеристики от тем-
пературь'
Зависимость тока сто-
ка от температуры
Зависимость ЭДС шум»
от частоты
Зависимость емкости
затвор—сток от на-
пряжения на затворе
Зависимость емкости
затвор—исток от на-
пряжения на затворе
и*(т)
Зависимость относи-
тельного изменения
пробивного напряже-
ния затвор—исток от
температуры
Зависимость относи-
тельного изменения
пробивного напряже-
ния сток—исток от
Зависимость допусти-
мой рассеиваемой мощ-
ности от температуры
Зависимость допусти-
мого тока стока от тем-
пературы
температуры
2П904А, 2П904Б, КП904А, КП904Б
Транзисторы кремниевые планарные полевые с изолиро-
ванным затвором и индуцированным каналом л-типа. Предна-
значены для применения в усилителях, преобразователях и
генераторах в диапазоне частот до 400 МГц. Выпускаются в
металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип при-
бора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 35 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2П90ЦА.Б). КП90ЦА.Б)
0196
Электрические параметры
Выходная мощность при Уси = 55 В, Узи = О,
^=60 МГц:
2П904А, КП904А........................ 5О...75 Вт
2П904Б, КП904Б........................ 30...40 Вт
Коэффициент усиления по мощности
при 6/си = 55 В, Рейх > 50 Вт, ^=60 МГц
(в режиме класса В)...................... 13... 18,5*...
25* дБ
Коэффициент полезного действия
при Уси = 55 В, 6/зи = 0, Г= 60 МГц...... 49...51*...53%
Крутизна характеристики при Уси = 20 В,
/с = 1 А:
Т = —60 °С, не менее.................. 150 мА/В
’ Г= +25 °С.............................. 250...440*...
520* мА/В
Т = +125 °С, не менее................. 100 мА/В
Начальный ток стока при 6/си = 20 В, Узи = 0,
не более:
Г=-60"С............................... 500 мА
Г =+25 °С............................. 350 мА
Т=+125°С.............................. 500 мА
Остаточный ток стока при 1/си = 100 В,
Узи = —20 В, не более.................... 200 мА
Ток стока при Уси = 20 В, Узи = 20 В:
2П904А..................................... 5...6,5*...Ю А
КП904А, не менее..................... 5 А
2П904Б................................ 3...4,2*...5* А
КП904Б, не менее..................... 3 А
СиКОСТЬ затвор—исток при разомкнутом вы-
стока при Г= 1 МГц, 4/зи = -30 В.......
160*..200*..
300 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток—исток................... 70 В
Импульсное напряжение сток—исток
при Ги < 1 мс, О > 2.................... 100 В
Напряжение затвор—сток.................. 90 В
Импульсное напряжение затвор—сток
при /и мс, О* 2......................... 120 В
Напряжение затвор—исток................. 30 В
Постоянная рассеиваемая мощность1
при Т= -60... Гк = +25 ’С............... 75 Вт
Температура окружающей среды............ -60... Гк =
= +125 ’С
1 В диапазоне температур Гк = +25...+125 ’С мощность рассчитывается по
формуле
Т’илкс = 75 [1 - (Гк - 25)/125], Вт.
Минимальное расстояние места пайки выводов транзисто-
ров от корпуса 1,5 мм, температура пайки не выше +260 ’С,
время пайки не более 3 с.
Зона возможных положений пере-
ходной характеристики
Зависимость крутизны характери-
стики от напряжения сток—исток
5, нА/В
5. мА/В
Зона возможных положений зави-
симости крутизны характеристики
от напряжения на затворе
Эона, возможных положении зави-
симости крутизны характеристики
от тока стока
5, мА/В
Зависимость крутизны характери-
стики от температуры
Зона возможных положений зави-
симости сопротивления сток—ис-
ток в открытом состоянии от на-
пряжения на затворе
Зависимость начального тока
ет«жа от температуры
Зависимости коэффициента усиле-
ния по мощности и выходной мощ-
ности от напряжения сток—исток
2Н905А, 2ПеО5Б, КП905А, КПМ5&, КП905В
Транзисторы кремниевые планарные полевые с изолиро-
ванным затвором и каналом л-типа. Предназначены для усиле-
ния и генерирования сигналов в диапазоне частот до 1500 МГц.
упускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми
выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 3 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2П905 (А.Ь). КЛ9К/А-В)
Электрические параметры
Выходная мощность при Г= 1000 МГц,
1/си = 50 В, = 0 для 2Л905А, КП905А.... 1... 1,4* Вт
Коэффициент усиления по мощности
при /= 1000 МГц, = 50 В, /с = 30 мА:
2П905А, КП905А....................... 8... 15* дБ
2П905Б, КП905Б...................... 6... 10* дБ
КП905В.............................. 4...8* дБ
Коэффициент шума при Г= 1000 МГц,
Цзи = 50 В, 4 = 30 мА, не более:
2П905А.................................. 6* дБ
2П905Б, КП905Б...................... 6,5 дБ
Крутизна характеристики при 4/си = 20 В,
4 = 50 мА:
Т= +25 “С для 2П905А, 2П905Б, КП905А,
КП905Б, КП905В...................... 18...29*...
39* мА/В
Г = —40 “С для КП905А, КП905Б, КП905В,
не менее............................ 18 мА/В
Т= — 60 °С для 2П905А, 2П905Б, не менее 18 мА/В
Г =+85 ’С для КП905А, КП905Б, КП905В,
не менее................................. 12 мА/В
Т= +125 ’С для 2П905А, 2П905Б,
не менее................................. 12 мА/В
Ток стока при 4/Си = 20 В, = 20 В:
2П905А, КП905А............................ 225...350* МД
2П905Б, КП905Б............................ 150...350* МД
КП905В................................... 120...350* мД
Остаточный ток стока при иСц = 60 В,
Ци = ~ Ю В, не более......................... 1 мА
Начальный ток стока при 4/си = 20 В, 6ДИ = 0,
не более:
Т= +25 ’С для 2П905А, 2П905Б, КП905А,
КП905Б, КП905В........................... 20 мА
Т= -40 и 85 ’С для КП905А, КП905Б,
КП905В................................... 20 мА
Т= -60 ’С для 2П905А, 2П905Б............. 20 мА
Т= +125 ’С для 2П905А, 2П905Б............ 30 мА
Емкость входная при /= 10 МГц, С/си = 25 В,
Ь'зи = 0:
2П905А, КП905А........................... 3* ..5* ..7 пФ
2П905Б, КП905Б........................... 7*.. 11 пФ
КП905В................................... 11*..13 пФ
Емкость выходная при Л= 10 МГц, 4/си = 25 В,
6/зи = -5 В:
2П905А, 2П905Б, КП905А, КП905Б........... 1,4*...2*...4 пФ
КП905В................................... 3,4*...4*...6 пФ
Емкость проходная при Л= 10 МГц, 6/си = 25 В,
Ь'зи = 0:
2П905А, 2П905Б, КП905А, КП905Б........... 0,14*...0,25*...
0,6 пФ
КП905В................................... 0,16*...0,28*...
0,8 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток........ 60 В
Постоянное напряжение затвор—сток....... 70 В
Напряжение затвор—исток.................. ±30 В
Постоянная рассеиваемая мощность1
при +25 ’С............................... 4 Вт
1 При Тк > +25 ‘С постоянная рассеиваемая мощность рассчитывается по
формулам
Рнакс = 4 [1,05 - (Гк - 25)/125], Вт, для 2П905А, 2П905Б;
вике = 4 [0.95 - (- 25)/85], Вт, для КП905А, КП905Б, КП905В.
Тепловое сопротивление кристалл—меряус 10...15 ’С/Вт
Температура окружающей среды:
2П905А, 2П905Б.................... -6О...ГК =
= +125 ’С
КП905А, КП905Б, КП905В............. -40... Гк =
= +85 ’С
формовка выводов и вращение их вокруг оси запрещают-
ся. При установке транзисторов на теплоотвод чистота кон-
тактной поверхности теплоотвода должна быть не менее 2,5;
неплоскостность контактной поверхности не более 0,03 мм.
Минимальное расстояние места пайки выводов от корпуса
3 мм. Температура пайки не выше +250 ± 10 ’С в течение
времени не более 3 с. При пайке необходимо обеспечивать
отвод теплоты от места пайки и защиту корпуса транзистора
от попадания флюса и припоя. В момент пайки все выводы
должны быть закорочены. Жало паяльника заземляется обя-
зательно.
При работе с транзистором необходимо принимать меры
защиты от воздействия статического электричества и учиты-
вать возможность их самовозбуждения как высокочастотных
элементов.
Зависимости тока сто-
ка от напряжения за-
твор—исток
Зависимости крутизны
характеристики от на-
пряжения затвор—ис-
ток
Зависимости крутизны
характеристики от тока
стока
Зависимость сопротив-
ления сток—исток в от-
крытом состоянии от
тока стока
Зависимости коэффи-
циентов шума и усиле-
ния по мощности от на-
пряжения сток—исток
Зависимости коэффи-
циентов шума и усиле-
ния по мощности от ча-
стоты
'О 10 20 50 40 (]№ в
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощ-
ности и полезного действия от на-
пряжения сток—исток
Рейх,Вт.
2/1905А. КП905А
Режин 8^508. Рк=0.6 измерения Ряж / -1ГГ.. _1
1 - II1
измерения к
иа=2ов.
и»=2ов
1,4
1.2
1.0
0.8
0.6
150200 250300 /г, мА
Зависимость выходной мощности
от тока стока
2П907А, 2П907Б, КП907А, КП907Б, КП907В
Транзисторы кремниевые планарные полевые с изолиро-
ванным затвором и каналом л-типа. Предназначены для усиле-
ния и генерирования сигналов на частотах до 1500 МГц, а
также для применения в быстродействующих переключающих
устройствах наносекундного диапазона. Выпускаются в метал-
локерамическом корпусе с полосковыми выводами. Тип при-
бора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 3 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2П907 (А.Б), КП907(А-В)
Электрические параметры
Выходная мощность при 6/си = 40 В, 1/^ - 0:
Г= 1000 МГц, Рвх = 2 Вт:
2П907А, КП907А........................... 4...5*...6* Вт
2П907Б, КП907Б........................ 3...3,5*...4* Вт
/= 400 МГц, Рвх = 3 Вт:
2П907А, КП907А, типовое значение .... 10* Вт
2П907Б, КП907Б, не менее................. 7 Вт
КП907В, не менее...................... 5 Вт
Крутизна характеристики при 6/си = 20 В,
/с = 500 мА:
Т= +25 "С:
2П907А, 2П907Б, КП9О7А................... 110...185*...
200* мА/В
КП907Б.............................. 100...135*...
200* мА/В
КП907В................................ 80...85*...
110 мА/В
Г= +125 °С для 2П907А, 2П907Б,
не менее.................................. 80 мА/В
Т= +85 °С:
КП907А, не менее................... 80 мА/В
КП907Б, не менее................... 70 мА/В
КП9О7В, не менее................... 50 мА/В
7 = -45 ’С:
КП907А, не менее................. 110 мА/В
КП9О7Б, не менее.................. 100 мА/В
КП907В, не менее.................. 80 мА/В
Т = —60 ’С для 2П907А, 2П907Б, не менее 110 мА/В
Ток стока при = 20 В, Ци = 20 В:
2П907А, КП907А, не менее.............. 1700...2200*...
2700* мА
2П907Б, КП907Б, не менее.............. 1300...1550*...
1700* мА
КП907В, не менее...................... 1000... 1150*...
1300* мА
Остаточный ток стока при = 50 В,
4/зн = —10 В, не более................... 10 мА
Начальный ток стока при Цм = 20 В, = 0,
не более:
7 = +25 ’С для 2П907А, 2П907Б, КП907А,
КП9О7Б, КП907В........................ 100 мА
7= +125 ’С для 2П907А, 2П907Б........ 150 мА
7= +85 ’С для КП907А, КП907Б, КП9О7В 150 мА
7= -45 ’С для КП9О7А, КП9О7Б, КП907В 100 мА
7=-60 ’С для 2П907А, 2П907Б........'.. 100 мА
Емкость проходная при 4/си = 25 В,
4/зи = —10 В, Г = 10 МГц................. 0,8*... 1,5*...
3 пФ
Время включения и выключения
при С/си = 30 В, = 10 Ом, не более....... 2* нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение ток—исток.......... 60 В
Постоянное напряжение затвор—сток........ 70 В
Напряжение затвор—исток.................. ±30 В
Постоянная рассеиваемая мощность1
при 7= -60... 7К = +25 ’С для 2П907А, 2П907Б
и 7 = -45... 7К = +25 ’С для КП907А, КП907Б,
КП907В................................... 11,5 Вт
Температура окружающей среды:
2П907А, 2П907Б........................ -6О...7к =
= +125 ’С
КП907А, КП907Б, КП907В................ -45... 7К =
= +85 ’С
' В диапазоне температур Гк = +25...+125 ’С мощность рассчитывается по
формуле
= Ю [11-5 - (Гк - 25)/125], Вт.
формовка выводов и вращение их вокруг оси запрещают-
При установке транзистора на теплоотвод чистота контакт-
Сой поверхности теплоотвода должна быть не менее 2,5; не-
плоскосткость контактной поверхности не более 0,03 мм.
Минимальное расстояние места пайки выводов от корпуса
транзистора 3 мм. Температура пайки не выше +250 °С в
течение времени не более 3 с. При пайке необходимо обеспе-
чивать отвод теплоты от места пайки и защиту корпуса тран-
зистора от попадания флюса и припоя. В момент пайки все
выводы должны быть закорочены. Жало паяльника заземля-
ется обязательно.
При работе с транзисторами необходимо принимать меры
защиты от воздействия статического электричества и учиты-
вать возможность их самовозбуждения как высокочастотных
элементов.
Зависимость тока сто*
ка от напряжения за-
твор-исток
Зависимость крутизны
характеристики от на-
пряжения сток—исток
Зависимость крутизны
характеристики от тока
стока
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 /С,А 0.5 1.0 1.5 2.0 2,5 1С,А
Зависимость выходной мощности
от тока стока
Зависимости выходной мощности
и коэффициента полезного дей-
ствия от тока стока
Выходные характеристики
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощ-
ности и полезного действия от на-
пряжения сток—исток
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощ-
ности и полезного действия от на-
пряжения сток—исток
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощ-
ности и полезного действия от
входной мощности
2П908А, 2П908Б, КП908А, КП908Б
Транзисторы кремниевые планарные полевые с изолиро-
ванным затвором и индуцированным каналом л-типа генера-
торные. Предназначены для усиления и генерирования сигна-
лов на частотах до 2,25 ГГц, а также для применения в быс-
тродействующих переключающих устройствах наносекундного
диапазона. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с
полосковыми выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 3 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2П908 (Л.Ь). КП908(А.Б)
Электрические параметры
Выходная мощность при /= 1,76 ГГц,
иы = 35 В, Ци = 0, Рвх = 0,6 Вт для 2П908А,
КП908А, не менее........................ 1 Вт
Сопротивление сток—исток в открытом
состоянии при Уси = 0,1 В, = 20 В
для 2П908Б, КП908Б....................... 14*...18*..
25 Ом
Крутизна характеристики при = 20 В,
/с = 80 мА:
Т = +25 "С............................ 24...32*...
40* мА/В
Т = —60 “С для 2П908А, 2П9О6Б, не менее 24 мА /В
Т= +125 ’С для 2П908А, 2П908Б,
не менее.............................. 15 мА/В
Ток стока при 1!^ = 20 В, = 10 В:
2П908А, КП908А............................. 280...310* ..
350* мА
2П908Б, КП908Б......................... 200...230*..
280* мА
Начальный ток стока при = 20 В, = 0,
не более:
7"= +25 'С 25 мА
Т= -60 ’С для 2П908А, 2П9бвБ’™""”"’" 25 мА
Т= +125 ’С для 2П908А, 2П908Б......... 35 мА
Остаточный ток стока при = 40 В,
Ци = —10 В, не более:
2П9О8А, КП9О8А........................... 0,5 мА
2П908Б, КП908Б......................... 0,2 мА
Входная емкость при Уси = 25 В, Узи = —6 В:
2П908А, КП908А............................ 3*...3,8*...
4,5 пФ
2П908Б, КП908Б......................... 3,5*...5*...
6,5 пФ
Проходная емкость при {/си = 25 В, Узи = -6 В 0,2*...0,3*„
0,6 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток.......... 40 В
Импульсное напряжение сток—исток.......... 55 В
Постоянное напряжение затвор—сток......... 50 В
Импульсное напряжение затвор—сток......... 60 В
Постоянное напряжение затвор—исток........ 20 В
Постоянная рассеиваемая мощность
Т= -60...+35 "С........................... 3,5 Вт
Тепловое сопротивление кристалл—корпус 15 ’С/Вт
Температура окружающей среды:
2П908А, 2П908Б............................ -60... Тк =
= +125
КП908А, КП908Б......................... -40... Т* =
= +85 °С
’ При Гк > +35 ’С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ
ность рассчитывается по формуле
^макс = 3,7 [0,98 - (Гк - 25)/125], Вт.
Формовка выводов и вращение вокруг оси запрещается.
При установке транзистора на теплоотвод чистота контактной
поверхности теплоотвода должна быть не менее 2,5, неплос-
костность контактной поверхности не более 0,03 мм.
Минимальное расстояние места пайки выводов от корпуса
транзистора 3 мм. Температура пайки не выше +260 °С в
течение не более 3 с. При пайке необходимо обеспечивать
отвод тепла от места пайки и защиту корпуса транзистора от
попадания флюса и припоя. В момент пайки все выводы долж-
ны быть закорочены. Жало паяльника заземляется обязатель-
но. При работе с транзисторами необходимо принимать меры
защиты от воздействия статического электричества и учиты-
вать возможность их самовозбуждения как высокочастотных
элементов.
Зависимости электрических параметров от тока, напряже-
ния, частоты, входной мощности для КП908А, КП908Б анало-
гичны зависимостям 2П908А, 2П908Б.
Зависимости тока стока от напря-
жения затвор*—исток
Зависимость сопротивления сток—
исток в открытом состоянии от на-
пряжения затвор—исток
5 мА/8 8.нА/В______________р*‘ Вт
2П908/А.Б)
Ва--20В
Режин 2П908А
измерения 1.
и^ов^ Режин из- нерения Р^ иа=кв Ри=0,68т М 8 ГГи
Зависимость крутизны
характеристики от на-
пряжения затвор—не-
зависимости крутизны
характеристики от тока
стока
Зависимость выходной
мощности от тока стока
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощ-
ности и полезного действия от ча-
стоты
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощ-
ности и полезного действия от
входной мощности
2П909А, 2П909Б, 2П909В, 2П909Г
•
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарюяе полевые
с изолированным затвором и индуцированным каналом л-типа.
Предназначены для применения в усилителях и генераторах с
рабочей частотой до 400 МГц, а также в переключающих
устройствах (транзисторы 2П909В, 2П909Г предназначены для
работы в составе гибридных микросхем и используются без
фланца).
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полоско-
выми выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 6 г.
Изготовитель — завод <Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Выходная мощность в режиме класса В
при (/си = 40 В, / = 400 МГц:
Рвх = 25 Вт для 2П909А......................... 50...56*...
60* Вт
Рвх = 15 Вт для 2П909Б........................ 30...38*...
46* Вт
Рвх = 10 Вт для 2П909В......................... 30...33*...
41* Вт
Выходная мощность в импульсном режиме
при Рвх = 25 Вт, 6/си = 40 В, /= 400 МГц,
/и = 10 мкс, О = 100, класс В для 2П909А........... 56...60*...
66* Вт
|/лэ<±>фициент усиления по мощности
при Уси = 40 В, / = 400 МГц:
н Р = 25 Вт для 2П909А................. ’...4*...5* дБ
рвх = 15 Вт для 2П909Б................. 3...4*...5* дБ
рвх = 10 Вт для 2П909В................. '...5,2*...6,2 дБ
Коэффициент усиления по мощности в им-
пульсном режиме Рвх = 25 Вт, 4/си = 40 В,
400 МГц, /и = 10 мкс, 0= 100, класс В
для 2П909А.................................. 3.4...4*...
4,5* дБ
Коэффициент усиления по мощности
при М:и = 40 В, /= 400 МГц, класс В, типовое
значение:
Рвх = 1 Вт для 2П909А, 2П909Б, 2П90ЯВ.. 12,5* дБ
Рвх = 3 Вт для 2П909А, 2П909Б, 2П909В .. 11* дБ
Коэффициент полезного действия
при = 40 В, Г= 400 МГц:
Рвх = 25 Вт для 2П909А................. 40...53*...55*%
Рвх = 15 Вт для 2П909Б................. 4О...48*...52*%
Рвх = 10 Вт для 2П909В................. 4О...43*...5О*%
Время включения и выключения при
6/си = 40 В, 6/зи = 20 В, /?н = 50 Ом, типовое
значение.................................... 4* нс
Крутизна характеристики при ^/си = 20 В,
/с = 900 мА................................. 350...650*...
1000* мА/В
Начальный ток стока при 6/зи = 0, не более:
Т = +25 "С:
= 20 В для 2П909А, 2П909Б,
2П909В............................... 200 мА
6/си = 45 В для 2П909Г............... 30 мА
Т= -60 °С:
6/си = 20 В для 2Л909А, 2П909Б,
2П909В................................. 200 мА
</си = 45 В для 2П909Г............... 30 мА
Т= +125 ’С:
= 20 В для 2П909А, 2П909Б,
2П909В...........-................... 800 мА
Ц* = 45 В для 2П909Г................. 50 мА
Остаточный ток стока при 6/си = 50 В,
= —10 В, не более:
2П9О9А, 2П909Б, 2П909В................ 100 мА
2Л909Г................................... 30 мА
Ток стока при Уа = 20 В, = 20 В:
2П909А................................... 6,5...7,5*.,.
10* А
2П909Б....................................... 4...6*...6,5* д
2П909В, 2П909Г............................... 5...6,5*...8* д
Сопротивление сток—исток открытого тран-
зистора при Уси = 0,1 В, Узи = 10 В.............. 1*...1,3*...
1,6 Ом
Емкость затвор—исток при разомкнутом вы-
воде стока и 14 = 5 В............................ 160*...190*..
225 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение затвор—исток................. 25 В
Напряжение сток—исток................... 50 В
Напряжение затвор—сток.................. 60 В
Напряжение сток—исток в динамическом ре-
жиме...................;............... 65 В
Напряжение затвор—сток в динамическом ре-
жиме.................................. 75 В
Постоянная рассеиваемая мощность’:
Т = -6О...ТК = +40 ’С:
2П909А, 2П909Б....................... 60 Вт
2П909В............................ 40 Вт
= +125 ’С:
2П909А, 2П909Б..................... 14 Вт
2П909В............................ 10 Вт
Температура окружающей среды........... —60... Гк =
= +125 ’С
' В диапазоне температур Гк = +40...+125 "С мощность снижается линейно.
Минимальное расстояние от корпуса транзистора до места
пайки вывода 1 мм.
Зависимости выходной мощности
и коэффициента полезного дейст-
вия от мощности на входе
Зависимости выходной мощности
от мощности на входе
Зависимости выходной мощности
от напряжения сток—исток
Зависимости выходной мощности
и коэффициента полезного деист*
вия от напряжения сток-исток
Зависимость выходной мощности
от тока стока
Зависимости выходной мощности
от мощности на входе в непре-
рывном и импульсном режимах
Зависимости коэффи-
циента усиления по
мощности от входной
мощности
Зависимость коэффи-
циента полезного дей-
ствия от мощности на
входе
Зависимость выходной
мощности от напряже-
ния затвор—исток
Зависимости выходной
мощности от мощности
на входе
Зависимость сопротив-
ления сток—исток от
напряжения затвор—
исток
Зависимость проходной
емкости от напряжения
сток—исток
2П911А, 2П911Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые
с изолированным затвором и индуцированным вертикальным
каналом л-типа. Предназначены для применения в усилителях
и генераторах на рабочей частоте до 1 ГГц, а также в быстро-
действующих переключающих устройствах. Выпускаются в
металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Тип
прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 6 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2П91КА.Б)
Электрические параметры
Выходная мощность при (7СИ = 40 В, ^=1 ГГц,
р = 5 Вт для 2П911А....................... 10...11*...
вх 12* Вт
Коэффициент усиления по мощности при
= 40 В, /= 1 ГГц, Рвх = 5 Вт для 2П911А . 3...3,5*...4* дБ
Коэффициент полезного действия при
= 40 В, /= 1 ГГц, Рвх = 5 Вт для 2П911А . 25...30*.„33*%
Время включения и выключения при
= 45 В, /?г = 50 Ом, Рн = 10 Ом, С/вх = 15 В
для 2П911Б, типовое значение:
^вкл....................................... нс
^выкл................................... 5* нс
Крутизна характеристики при ^/си = 20 В,
/с = 500 мА................................. 200...400*...
600* мА/В
Начальный ток стока при 1/си = 20 В, (/зи = 0:
Т= +25 °С:
2П911А.................................. 1„.20*.„150 мА
2П911Б............................ 1*...10*...70 мА
Т= -60 СС:
2П911А, не более.................. 150 мА
2П911Б, не более................... 70 мА
Т= +125 °С:
2П911А, не более.................. 400 мА
2П911Б, не более..............„...... 170 мА
Остаточный ток стока при Уси = 50 В,
(7зи = -10 В:
2П911А...................................... 0,5*.„25*...
50 мА
2П911Б.................................. 0,5*.„10*...
30 мА
Ток стока при = 20 В, С/Зи = 20 В:
2П911А..................................... 3„.3,8*.„5* А
2П911Б.................................. 2,5.„3,3*„.
4* А
Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии при = 20 В для 2П911Б............... 1,8*.„2,5*„.
3,5 Ом
Емкость затвор—исток при разомкнутом вы-
воде стока и 6/зи = —5 В.................... 60*...70*...
80* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение затвор—исток..................... 25 В
Напряжение сток—исток.................. 50 В
Напряжение затвор—сток................. 60 В
Напряжение сток—исток в динамическом ре-
жиме................................... 60 В
Напряжение затвор—сток в динамическом ре-
жиме................................... 70 В
Постоянная рассеиваемая мощность1:
Г= -60... Гк = +40 °С................ 30 Вт
Гк =+125 °С........................ 7 Вт
Температура окружающей среды........... —60... Гк =
= +125 °С
1 В диапазоне температур Гк = +40...+125 ’С мощность снижается линейно.
Минимальное расстояние от корпуса транзистора до места
пайки 3 мм. Допускается пайка выводов на расстоянии не
менее 1 мм от корпуса; при этом температура пайки не должна
превышать +150 °С.
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления по мощ-
ности и коэффициента полезного
действия от входной мощности
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления по мощно-
сти и коэффициента полезного дей-
ствия от напряжения сток—исток
0 0,5 I 1.5 2 Р>„Вт
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления по мощ-
ности и коэффициента полезного
действия от входной мощности
не
Зависимость выходной
мощности от тока стока
Зависимость сопротив-
ления сток—-исток от
напряжения затвор-
исток
Зависимость крутизны
характеристики от тока
стока
2П912А, 2П912Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые
с изолированным затвором и вертикальным каналом л-типа.
Предназначены для применения в ключевых стабилизаторах и
преобразователях напряжения, импульсных устройствах, уси-
лителях и генераторах. Выпускаются в металлическом корпусе
со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Тил при-
бора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 18 г.
Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Черновцы.
Электрические параметры
Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии при 6/си = 0,15 В, = 15 В:
2П912А................................. 0,12*..0,4*...
0,8 Ом
2П912Б................................. 0,1*...0,3*...
0,4 Ом
Крутизна характеристики при 1/си = 20 В,
/с = 0,9 А................................. 0,8...1,5*...
2,2* А/В
Начальный ток стока при 1!^ = 20 В, 6/зи = 0:
Г= +25 и -60 ’С........................ 0,1*...2*...20 мА
Т = +125 ’С, не более.................. 300 мА
Ток стока при 6СИ = 20 В, 6/зи = 20 В:
2П912А..................................... 8...15*...20* А
2П912Б................................. 12...18*...25* А
Остаточный ток стока при иж = —10 В:
Ц* = 100 В для 2П912А................. 2*...10*...30 мА
Уси = 60 В для 2П912Б, не более........ 20 мА
Время включения, выключения при 1/си = 50 В,
(/вх = 20 В, = 50 Ом, Рэ = 10 Ом, типовое
значение................................... 30* нс
Емкость выходная при /= 1 МГц, 6/си = 20 В,
типовое значение........................... 250 пФ
Емкость проходная при Г = 1 МГц, = 20 В,
им = —5 В, типовое значение................ 16* пФ
Емкость затвор—исток при разомкнутом вы-
воде стока, Г= 1 МГц, {/зи = 5 В........... 450*...480*...
500 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток—исток:
2П912А.................................. 100 В
2П912Б................................. 60 В
Напряжение затвор—сток:
2П912А.................................. 110 В
2П912Б................................. 70 В
Напряжение затвор—исток.................... 20 В
Постоянная рассеиваемая мощность1:
Т= -60... Гк = +40 ’С.................. 40 Вт
Тк = +125 ’С........................... 15 Вт
1 В диапазоне температур Гк = +40...+ 125 *С постоянная рассеиваемая мощ-
ность снижается линейно.
Импульсная рассеиваемая мощность'
при Ги = °>5 мс- 0 100:
И Т= -6О...ТК = +40 ’С.................... 300 Вт
Гк = +125 ’С......................... 60 Вт
Температура окружающей среды............ —60... Гк =
= +125 ’С
1 В диапазоне температур 7К = +25...+125 °С импульсная рассеиваемая мощ-
ность снижается линейно.
Выходные характеристики Зависимость тока стока от напря-
жения затвор—исток
Зависимость крутизны характери-
стики от напряжения затвор—ис-
ток
Зависимости сопротивления сток —
исток в открытом состоянии от на-
пряжения затвор—исток
См, пФ
См,пФ
Зависимость емкости затвор—исток
от напряжения затвор—исток
Зависимость емкости сток—исток
от напряжения сток—исток
Зависимость проходной емкости
от напряжена сток—исток
Зависимости допустимой импульс-
ной рассеиваемой мощности от
длительности импульса
Области максимальных режимов
2П913А, 2П913Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые
с изолированным затвором и каналом л-типа. Предназначены
для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до
400 МГц в непрерывном и импульсном режимах при напряже-
нии питания не более 45 В, а также в переключающих устрой-
ствах. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полос-
ковыми выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 12 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Выходная мощность при = 400 МГц, (/си = 45 В:
Рвх = 50 Вт для 2П913А....................... 100... 105*...
120* Вт
Рвх = 35 Вт для 2П913Б.................... 70...80*...
90* Вт
Коэффициент усиления по мощности
при 400 МГц, 4/си = 45 В:
Рвых = 100 Вт для 2П913А..................... 4...4,5*...5* дБ
РВЬ1Х = 70 Вт для 2П913Б.................. 4...4,7*...
5,4* дБ
Коэффициент полезного действия
при 400 МГц, 4/си = 45 В:
Рвых = 100 Вт для 2П913А..................... 46...48*...50*%
Рвых = 70 Вт для 2П913Б................... 40...45*...49*%
Крутизна характеристики при 6/си = 20 В,
/с = 3 А______________................... 1...1,6*.„
2,5* А/В
Ток стока при = 20 В, Ци = 20 В:
2П913А.................................. 14..16*...19* А
2П913Б................. ........... 10...12*...14* А
Остаточный ток стока при 4/си = 50 В,
6АИ = -10 В.............................. 20*...100*...
200 мА
Ток утечки затвора при = —25 В, не более 1* мкА
Начальный ток стока при С/си = 20 В, С/зи = 0,
не более:
Г =+25’С............................. 300 мА
Т=-60°С.............................. 300 мА
Т= +125 ’С........................... 1000 мА
Емкость затвор—исток при разомкнутом вы-
воде стока и /= 1 МГц, 4/зи = 25 В....... 300*...350*...
390* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток......... 50 В
Напряжение сток—исток в динамическом ре-
жиме..................................... 65 В
Постоянное напряжение затвор—сток...... 60 В
Напряжение затвор—сток в динамическом ре-
жиме..................................... 75 В
Постоянное напряжение затвор—исток...... 20 В
Постоянная рассеиваемая мощность1:
Т = -60... Тк = +40 ’С.................. 100 Вт
Гк =+125’С........................... 20 Вт
Температура окружающей среды............. —60... Тк =
= +125 ’С
1 В диапазоне температур 7К = +40...+125 *С мощность снижается линейно.
Минимальное расстояние места пайки выводов от корпуса
транзистора 3 мм. Температура пайки не более +260 ’С, время
пайки не более 3 с. Допускается сварка выводов не ближе
0,5 мм от корпуса. При этом температура корпуса транзистора
не должна превышать +150 ’С.
Работа на согласованную нагрузку допускается при ис-
пользовании транзисторов в усилителях мощности с напряже-
нием питания не более 30 В.
Выходные характеристики
Зависимость крутизны характери-
стики от тока стока
Зависимости тока стока от напря-
жения затвор—исток
5.А/В
Зависимость крутизны характери-
стики от напряжения затвор—ис-
ток
Зависимость сопротивления сток—
исток в открытом состоянии от на-
пряжения затвор—исток
Зависимость проходной емкости
от напряжения сток—исток
Зависимость выходной емкости
от напряжения сток—исток
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощ-
ности и полезного действия от на-
пряжения сток—исток
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощ-
ности и полезного действия от на-
пряжения сток—исток
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощ-
ности и полезного действия от
входной мощности
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощ-
ности и полезного действия от
входной мощности
2П914А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой
с затвором на основе р-п перехода и каналом л-типа. Предна-
значен для применения в усилителях, преобразователях и ге-
нераторах высокой частоты без ограничения нижнего частот-
ного предела, а также в переключающих устройствах. Выпус-
каются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами
и гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1,3 г.
Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Ташкент.
2ЛШ
Электрические параметры
Коэффициент шума при 6/си = 40 В, 6/ип = 0, /с = 20 мА:
Г= 200 МГц.....................:................. 3,4*...3,7*...
6 дБ
Г= 250 МГц................................... 4*...4,5*...7* дБ
Коэффициент усиления по мощности
при 4/си = 40 В, 6/пи = 0, /с = 20 мА:
Г= 200 МГц....................................... З...6,7*...
10,2* дБ
Г = 250 МГц.................................. 2,4...4,3*...
8,1* дБ
Крутизна характеристики при 6/си = 10 В,
^зи = ^зп =
7" =+25 °С....................................... 10...18*...
30* мА/В
Т - —60 °С, не менее....................... 10 мА/В
Т = +125 °С, не менее...................... 6,5 мА/В
Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии при 6/си = 0,1 В, 6/зи = (/зп = 0 ..... 23*...25,8*...
50 Ом
Начальный ток стока* при 64и = 50 В,
6/зи = ^зп = 0...-..................... 100*... 190*..
250 мА
Ток утечки затвора:
при (/эи = </зп = ~8 В, С/си = 0, не более:
Г=+25’С..„.................................. 100 нА
7 = +125 ’С............................... 10 мкА
при С/зи = —30 В, Уж = 0, 6/си = 0
для Т= 25 'С................................ 0,0004*...0,004*
...1 мкА
Остаточный ток стока при 6/си = 50 В,
(/зи = -30 В, </зп = 0.......................... 9 • 10-4*. .
1,5- 10-4*...
10-2 мА
Напряжение отсечки при С/си = 10 В, 6/пи = 0,
/с = 10 мкА...................................... 8*...15*...30 В
Емкость входная при 4/си = 20 В, С/пи = 0,
/с = 20 мА .................................... 5,9*...7,5*...
10 пФ
Емкость проходная при Ц* = 20 В, 6/пи = 0,
4 = 20 мА............................................. 1,0*...1,9*...
2,5 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток’........ 50 В
Напряжение затвор—сток* 2:
Т= +25...+125 ’С...„............... - 80 В
Т = -60 ’С............................ 70 В
Напряжение затвор—исток ................ -ЗОВ
Прямой ток затвора....................... 5 мА
Постоянный ток стока...............-...... 100 мА
Постоянная рассеиваемая мощность:
с теплоотводом3, Гк = +25 ± 10 ’С..... 2,5 Вт
без теплоотвода4, Т = +25 ± 10 ’С..... 0,5 Вт
’ Допускается увеличение напряжения сток—исток закоытого транзистора
до 70 В.
2 В диапазоне температур Гк = —60...+25 °С напряжение снижается линейно.
3 В интервале температур 7"к = +25...+125 °С мощность рассчитывается по
формуле
Аыкс = (150 — Гк)/(50 + /?т ц_т[пл|), Вт,
где /?т (К-7ЕПЛ) — тепловое сопротивление корпус—теплоотвод.
4 В интервале температур Гк = +25...+125 °С мощность рассчитывается по
формуле
Айк = М - 0,04 (Г - 25), Вт.
Температура окружающей среды............ -60... Гк =
= +125 ’С
Минимальное расстояние места пайки выводов от корпуса
транзистора 3 мм. Температура пайки +250...+280 ’С.
С целью увеличения крутизны характеристики и уменьше-
ния напряжения отсечки по затвору допускается устанавливать
режим по постоянному току подачей запирающего напряже-
ния не более 30 В между подложкой и истоком. При выборе
режима в этом случае необходимо принимать меры по ограни-
чению тока подложки до 5 мА (например, включением ограни-
чительного резистора в цепь подложки).
При монтаже транзистора на теплоотвод должно быть обес-
печено тепловое сопротивление корпус—теплоотвод не более
10 ’С/Вт. Температура теплоотвода при эксплуатации не дол-
жна превышать +125 ’С.
Выходные характери-
стики
Зависимости тока стока
от напряжения затвор—
исток
Зависимости крутизны
характеристики от на-
пряжения сток—исток
Зависимости крутиз-
ны характеристики
от напряжения за-
твор—исток
Зависимости крутиз-
ны характеристики
от тока стока
Зависимость сопротивления
сток—исток а открытом со-
стоянии от напряжения за-
твор—исток
2П918А, 2П918Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые
с изолированным затвором и каналом л-типа. Предназначены
для усиления и генерирования сигналов на частотах до 1 ГГц,
а также для применения в быстродействующих переключаю-
щих устройствах. Выпускаются в металлокерамическом корпу-
се с полосковыми выводами. Тип прибора указывается, на
корпусе.
Масса транзистора не более 8 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2П918 (А,Б)
Электрические параметры
Выходная мощность при /= 1 ГГц, С/си = 45 В:
Рвх = 10 Вт, рб А для 2П918А...................... 25...27*...
30* Вт
Рвх = 7 Вт, /с » 4 А для 2П918Б............... 17...19*...
22* Вт
Коэффициент усиления по мощности
при ? = 1 ГГц, 4/си = 45 В:
Рвх = 10 Вт для 2П918А........................ 4...4,3*...5* дБ
Рвх = 7 Вт для 2П918Б......................... 4...4,3*...5* дБ
Коэффициент полезного действия
при /= 1 ГГц, 4/си = 45 В:
Рвх = 10 Вт для 2П918А.................... 33*...36*.„40%
Ры = 7 Вт для 2П918Б................... 32*...35*...38%
Крутизна характеристики при 4/си = 20 В,
/с = 2 А:
2П918А.................................... 0,55.„0,6*...
0,7* А/В
2П918Б................................. 0,35...0,5*...
0,6* А/В
Ток стока при - 20 В, 4/зи = 20 В:
2П918А.................................... 6...7*...8* А
2П918Б.........-....................... 4...5*...6,5* А
Сопротивление сток—исток в открытом
состоянии при 4/си = 0,1 В, 4/зи = 20 В
для2П918Б................................. 1,5*...2*...3 Ом
Остаточный ток стока при 4/си = 45 В,
(/зи = -10 В.............................. 0,01*...1*...
50 мА
Ток утечки затвора при Уы = 0, С/зи = 20,
не более.................................. 0,1 мкА
Начальный ток стока при У^ = 20 В, 4/зи = 0,
не более:
7"=+25’С.................................. 60 мА
Г=-60’С................................ 60 мА
Г=+125°С............................... 250 мА
Емкость затвор—исток при разомкнутом вы-
воде стока и /= 1 МГц, 6/зи = -5 В........ 100*... 120*...
130 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток.......... 45 В
Напряжение сток—исток в динамическом ре-
жиме...................................... 65 В
Постоянное напряжение затвор—сток......... 55 В
Постоянное напряжение затвор—исток........ 20 В
Постоянная рассеиваемая мощность1:
Г= -60... Гк = +35 °С..................... 45 Вт
7’К = +125°С........................... 10 Вт
Температура окружающей среды.............. —60... Гк =
= +125 °С
' В диапазоне температур Гк = +35...+ 125 ’С мощность рассчитывается по
формуле
вьи(с = 45 - 0,39 (Гк - 35), Вт.
Минимальное расстояние от места пайки выводов до кор-
пуса транзистора 3 мм. Температура пайки +260 °С, время
пайки не более 3 с.
При установке транзистора на теплоотвод для уменьшения
контактного сопротивления между корпусом и теплоотводом
следует применять смазки (например, КПТ—8). Допускается
пайка фланца корпуса транзистора к теплоотводу. Температу-
ра пайки не более +125 °С, скорость изменения температуры
корпуса при этом не более 1 °С/с.
Зависимость тока стока от напря-
жения затвор—исток
Зависимости крутизны характери-
стики от тока стока
Зависимости крутизны характери-
стики от напряжения затвор—ис-
ток
Зависимость выходной мощности
от тока стока
Зависимость сопротивления сток—
исток в открытом состоянии от не-
зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощ-
ности и полезного действия от' на-
пряжения сток—исток
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощ-
ности и полезного действия от на-
пряжения сток—исток
Рвих, Вт, Кц я, дБ
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощ-
ности и полезного действия от на-
пряжения сток—исток
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощ-
ности и полезного действия от
входной мощности
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощ-
ности и полезного действия от
входной мощности
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощ-
ности и полезного действия от
входной мощности
2П920А, 2П920Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые
с изолированным затвором и каналом л-типа. Предназначены
для усиления и генерирования сигналов на частотах до 400 МГц,
а также для применения в быстродействующих переключающих
устройствах. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с
полосковыми выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 8 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Выходная мощность при 4/си = 50 В:
/= 400 МГц, Рвх = 30 Вт:
2П920А...................................... 150...156*...
165* Вт
2П920Б.................................. 120...130*...
140* Вт
200 МГц, Рвх = 7 Вт для 2П920А, типо-
вое значение............................... 152* Вт
Коэффициент усиления по мощности
при 4/си = 50 В:
/= 400 МГц, Рвх = 30 Вт:
2П920А...................................... 7...7,15*...
7,4* дБ
2П920Б.................................. 6...6,4*...
6,7* дБ
/ = 200 МГц, Р& = 7 Вт для 2П920А, типо-
вое значение............................... 13 дБ
2П920 (А.Б)
Коэффициент полезного действия
при 6/си = 50 В:
/= 400 МГц, Рвх = 30 Вт:
2П920А ..........................
2П920Б...........................
/= 200 МГц, Рвх = 7 Вт для 2П920А, типо-
вое значение.........................
Крутизна характеристики при 4/си = 20 В,
/с = 3 А:
2П920А...............................
2П920Б...............................
Ток стока при 4/си = 20 В, 4/зи = 20 В:
2П920А...............................
2П920Б...............................
Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии при 6/си = 20 В, /с = 1 А:
2П920А...............................
2П920Б..............................
52...55*...58*%
5О...53*...56*%
57%
1...2*...
2,3* А/В
1...1.6*...
2* А/В
15...19*...22* А
12...15*..16* А
0,35*...0,5*...
0,6* Ом
0,7*...0,8*...
1* Ом
Остаточный ток стока при = 50 В,
им = -10 В................................ 0,5*... 10*...
100 мА
Начальный ток стока при 4/си = 20 В, 4/зи = 0,
не более:
7"=+25’С.................................. 100 мА
Т =-60 ’С............................. 100 мА
Т=+125’С.............................. 200 мА
Выходная емкость при /= 1 МГц, 4/си = 20 В,
им = 0.................................... 140*... 150*...
160* пФ
Проходная емкость при 10 МГц, 6/с+1 = 20 В,
б'зи = 0.................................. 4*...6*...7* пФ
Емкость затвор—исток при разомкнутом вы-
воде стока и /= 1 МГц, = 10 В:
2П92ОА.................................... 380*...390*...
400* пФ
2П920Б................................ 340*...355*...
360* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток...... 50 В
Напряжение сток—исток в динамическом ре-
жиме.................................... 70 В
Постоянное напряжение затвор—сток..... 60 В
Напряжение затвор—сток в динамическом ре-
жиме.................................... 80 В
Постоянное напряжение затвор—исток.... 25 В
Постоянная рассеиваемая мощность1:
Т= -60... Тк = +40 ’С................. 130 Вт
Гк =+125’С......................... 30 Вт
Температура окружающей среды.......... —60... Гк =
= +125 ’С
В диапазоне температур Тк = +40._+125 ’С мощность снижается линейно.
Минимальное расстояние от места пайки выводов до кор-
пуса транзистора 2 мм. Температура пайки +260 ’С, время
пайки не более 3 с.
Выходные характери-
стики
Выходные характери-
стики
Зависимость тока стока
от напряжения затвор-
исток
Зависимости крутизны
характеристики от то-
ка стока
Зависимости крутизны
характеристики от на-
пряжения затвор—ис-
ток
Зависимости сопротив-
ления сток—исток в от-
крытом состоянии от
напряжения затвор—
исток
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощ-
ности и полезного действия от на-
пряжения сток—исток
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощ-
ности и полезного действия от на-
пряжения сток—исток
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощ-
ности и полезного действия от на-
пряжения сток—исток
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощ-
ности и полезного действия от
входной мощности
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощ-
ности и полезного действия от
входной мощности
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощ-
ности и полезного действия от
входной мощности
КП921А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой
с изолированным затвором и вертикальным индуцированным
каналом л-типа. Предназначен для применения в быстродей-
ствующих переключающих устройствах. Выпускается в пласт-
массовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указыва-
ется на корпусе.
Масса транзистора не более 10 г.
Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Черновцы.
КП921А
Электрические параметры
Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии при /с = 0,5 А, 4/зи = 15 В........ 0,08*...0,1*...
0,13 Ом
Крутизна характеристики при 4/^ = 25 В,
/с = 1 А................................... 0.8...1*...
1,5* А/В
Начальный ток стока при 4/си = 40 В, им = 0,
7 = —45...+85 °С........................... 0,02*...0,1*...
2,5 мА
Ток утечки затвора при Ци = 15 В........... 0,01*...0,05*...
10 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток........... 45 В
Импульсное напряжение сток—исток
при 4И = 2 мкс, О = 1000................... 60 В
Импульсное напряжение затвор—исток
при 4И = 2 мкс, О = 1000................... 40 В
Ток стока.................................. 10 А
Постоянная рассеиваемая мощность1:
7 = —45...+25 °С....................... 15 Вт
7= +85 "С.............................. 8 Вт
Температура окружающей среды............... —45...+85 °С
' В диапазоне температур Г = +25...+85 °С мощность снижается линейно на
117 мВт на 1 °С.
Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса
транзистора при температуре +235 ‘С в течение времени не
более 5 с.
Зона возможных положений зави-
симости тока стока от напряжения
затвор—исток
Зона возможных положений зави-
симости сопротивления сток—ис-
ток в открытом состоянии от тем-
пературы
2П922А, 2П922Б, 2П922А-5, 2П922Б-5,
КП922А, КП922Б, КП922А1, КП922Б1
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые
с изолированным затвором и вертикальным индуцированным
каналом л-типа переключательные. Предназначены для приме-
нения в источниках вторичных электропитания, быстродей-
ствующих переключающих и импульсных устройствах, а также
стабилизаторах и преобразователях напряжения. Транзисторы
2П922А, 2П922Б, КП922А, КП922Б выпускаются в металличе-
ском корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выво-
дами. Транзисторы КП922А1, КП922Б1 выпускаются в пласт-
массовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указы-
вается на корпусе. Транзисторы 2П922А—5, 2П922Б—5 выпус-
каются в виде кристаллов с контактными площадками на
пластине неразделенные. Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20 г,
в пластмассовом корпусе не более 2,5 г, кристалла не более
0Д2 г.
Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Черновцы.
КП922(А 1.Б1)
КП922(А.Б)
Электрические параметры
Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии при Уси = 15 В, 4 = 0,5 А:
2П922А, 2П922А-5, КП922А, КП922А1 0,13*...0,17*...
0,2 Ом
2П922Б, 2П922Б-5, КП922Б, КП922Б1......... 0,2* ..0,3*...
0,4 Ом
Крутизна характеристики при /с = 1 А.......... 1...1.4*...
2,1* А/В
Пороговое напряжение при /с = 30 мА........... 2*...5*...8 В
Время включения при С/си = 70 В, /?г = 75 Ом,
/?н = 2 Ом.................................... 40*...60*...
100 нс
Время выключения при С/си = 70 В, /?г = 75 Ом,
/?н = 2 Ом:
2П922А, 2П922А-5, КП922А, КП922А1 50*...70*...
100 нс
2П922Б, 2П922Б-5, КП922Б, КП922Б1......... 40*...70*„.
100 нс
Емкость сток—исток при {/си = 20 В:
2П922А, 2П922Б, КП922А, КП922Б,
КП922А1, КП922Б1 .......................-.. 300*...380*...
600 пФ
2П922А—5, 2П922Б-5...................... 220*...245*...
280 пФ
Емкость затвор—исток при С/си = 20 В:
2П922А, 2П922Б, КП922А; КП922Б,
КП922А1, КП922Б1 .......................... 15ОО*...17ОО*
...2000 пФ
2П922А—5, 2П922Б-5 .................... 1350*... 1700*
...2000 пФ
Емкость затвор—сток при {/си = 20 В:
2П922А, 2П922Б, КП922А, КП922Б,
КП922А1, КП922Б1 ......................... 350*...600*...
1200 пФ
2П922А-5, 2П922Б-5........................ 200*...280*...
350 пФ
Начальный ток стока при С/си = 100 В, С/зи = 0:
Т — +25 °С ................................ 2 мА
Т= -60 °С для 2П922А, 2П922Б,
2П922А-5, 2П922Б-5...................... 2 мА
Т= +125 ’С для 2П922А, 2П922Б,
2П922А-5, 2П922Б-5.................... 4 мА
Ток стока при 6/си =_.1ОО В, {/зи = 15 В............. Ю...11*...13* А
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток1.......... 100 В
Постоянное напряжение затвор—исток......... ±30 В
Постоянный ток стока при Рс = Рс МАКС...... 10 А
Импульсный ток стока при Ги = 1 мкс, О = 80,
Рс = Рс, макс..........—.................... 20 А
Постоянная рассеиваемая мощность* 2:
Тк < +35 ’С:
2П922А, 2П922Б, 2П922А-5,
2П922Б-5............................... 75 Вт
КП922А, КП922Б, КП922А1, КП922Б1. 60 Вт
Гк « +85 ’С для КП922А, КП922Б,
КП922А1, КП922Б1 ....................... 45 Вт
’ При подаче отрицательного напряжения затвор—исток напряжение сток—
исток определяется по формуле
М:и. макс ~ 1®® ~ Уи? В-
2 При Гк > +35 °С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность уменьшается линейно.
Гк й +125 °С для 2П922А, 2П922Б,
2П922А—5, 2П922Б—5.................. 15 Вт
Температура кристалла.................. +150 °С
Температура окружающей среды:
2П922А, 2П922Б, 2П922А-5, 2П922Б-5 ... -60... Тк =
= +125 °С
КП922А, КП922Б, КП922А1, КП922Б1.... -45... Тк =
= +85 °С
Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса
транзистора при температуре не более +260 °С в течение не
более 5 с.
Зависимости электрических параметров от напряжения,
тока, температуры для 2П922А—5, 2П922Б—5, КП922А, КП922Б,
КП922А1, КП922Б1 аналогичны зависимостям 2П922А, 2П922Б.
Выходные характеристики
Зависимость тока стока от напря-
жения затвор—исток
Зависимость сопротивления сток—
исток в открытом состоянии от на-
пряжения затвор—исток
Зависимость крутизны характери-
стики от напряжения затвор—ис- •
ток
Зависимость крутизны характери-
стики от тока стока
Зависимость допустимой рас-
сеиваемой мощности от тем-
пературы
Зависимость сопротивления сток-
исток в открытом состоянии от тем-
пературы
2П923А, 2П923Б, 2П923В, 2П923Г,
КП923А, КП923Б, КП923В, КП923Г
Транзисторы полевые кремниевые эпитаксиально-планар-
ные с изолированным затвором и каналом л-типа генератор-
ные. Предназначены для применения в генераторах и усили-
тельных устройствах на частотах до 1 ГГц, а также в быстро-
действующих переключающих устройствах. Выпускаются в
металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Тип
прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 8 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Выходная мощность на /= 1 ГГц
при Тк = +25 °С:
2П923А, КП923А, Уси = 50 В, Рвх = 20 Вт. 50...52*...
5в* Вт
2П923 (А-П. КП923 (А-Г)
2П923В, КП923В, Уси = 45 В, Рвх = 10 Вт . 25...27*...
30* Вт
2П923Г, КП923Г, УСи = 45 В, Рвх = 7 Вт .... 17...19*...
22* Вт
Коэффициент усиления по мощности
на 1 ГГц при Тк = +25 °С:
2П923А, КП923А, Уси = 50 В, Рвх = 20 Вт. 4...4,2*...
4,4* ДБ
2П923В, КП923В, УСи = 45 В, Рах = 10 Вт . 4...4,3*...5* дБ
2П923Г, КП923Г, (/си = 45 В, = 7 Вт .... 4...4,3*...5* дБ
Коэффициент полезного действия стока
на 1 ГГц при Гк = +25 °С:
2П923А, КП923А, Уси = 50 В, РЕХ = 20 Вт. 32...34*...36*%
2П923В, КП923В, = 45 В, Р^ = 10 Вт . 32...35*...39*%
2П923Г, КП923Г, (/си = 45 В, Рвх = 7 Вт .... 32...35*...38*%
Крутизна характеристики при 6/си = 20 В,
Ги = 600 мкс, О = 200:
2П923А, КП923А, /с = ЗА....................... 1...1,3*...
1,5* А/В
2П923Б, КП923Б, /с = 3 А...................... 0,7...0,9*...
1* А/В
2П923В, КП923В, /с = 2 А...................... 0,55...0,6*...
0,7* А/В
2П923Г, КП923Г, /с = 2 А...................... 0,35...0,5*...
0,6* А/В
Ток стока при С/си = 20 В, Узи = 20 В,
Ги = 600 мкс, О = 200:
2П923А, КП923А................................ 12...13*...14* А
2Л923Б, КП923Б...........................&.„9*...1О* А
2П923В, КП923В...........................6...7*...8* А
2Л923Г, КП923Г........................... 4...5*...6,5* А
Начальный ток стока при Уси = 10 В, Уэи - 0:
Т= +25...-60 ’С:
КП923А, КП923Б, 2П923А, 2П923Б........ 1*...1О*...5О мА
КП923В, КП923Г, 2П923В, 2П923Г........ 1*...5*...25 мА
7 = +125 ’С:
КП923А, КП923Б, 2П923А, 2П923Б,
не более.............................. 250 мА
КП923В, КП923Г, 2П923В, 2П923Г,
не более.............................. 125 мА
Остаточный ток стока при = 50 В,
Узи = -10 В:
КП923А, КП923Б, 2П923А, 2П923Б........... 5*...Ю*...5О мА
КП923В, КП923Г, 2П923В, 2П923Г........... 2*...5*...25 мА
Ток утечки затвора при Уд, = 0, Узи = —20 В,
не более..................................... 0,1 мкА
Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии при Узи = 20 В, /с = 1 А:
КП923Б, 2П923Б........................... 0,6*...0,8*...
1 Ом
КП923Г, 2П923Г........................... 1,5*...2*...3 Ом
Емкость затвор—исток при разомкнутом вы-
воде стока при Узи = Ю В:
КП923А, КП923Б, 2П923А, 2П923Б.......... 300*...370*...
400 пФ
КП923В, КП923Г, 2П923В, 2П923Г........... 15О*...19О*...
220 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток............. 50 В
Постоянное напряжение затвор—исток........... 20 В
Постоянное напряжение затвор—сток............ 60 В
Напряжение сток—исток в динамическом ре-
жиме......................................... 70 В
Потенциал статического электричества........ 200 В
Постоянная рассеиваемая мощность1:
7К = -60...+35 ’С:
КП923А, КП923Б, 2П923А, 2П923Б........ 100 Вт
КП923В, КП923Г, 2П923В, 2П923Г........ 50 Вт
’ При Гк от +35 °С до +125 'С максимально допустимая постоянная рассеи-
ваемая мощность снижается линейно.
гк = +125 ’С:
КП923А, КП923Б, 2П923А, 2П923Б.... 20 Вт
КП923В, КП923Г, 2П923В, 2П923Г.... 10 Вт
Температура окружающей среды........... —60... Гк =
= +125 ’С
Транзисторы пригодны для монтажа в аппаратуре паяльни-
ком. Расстояние от корпуса до места лужения и пайки выво-
дов не менее 2 мм, температура пайки не выше +265 ’С, время
пайки не более 3 с. Допускается пайка выводов на расстоянии
не менее 1 мм от корпуса при температуре пайки не выше
+ 150 ’С. Допустимое число перепаек выводов транзистора
при проведении монтажных операций — 3. Допускается свар-
ка выводов на расстоянии не менее 1 мм от корпуса, при этом
температура корпуса не должна превышать +150 ’С. Расстоя-
ние от корпуса до начала изгиба вывода не менее 3 мм.
Необходимо учитывать возможность самовозбуждения
транзисторов как высокочастотных элементов.
Зависимости сопротивления сток—
исток в открытом состоянии от не-
Зависимость сопротивления сток—
исток в открытом состоянии от то-
ка стока
зависимость выходной мощности
от тока стока
Зависимость выходной мощности
от тока стока
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощ-
ности и полезного действия от
входной мощности
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощ-
ности и полезного действия от
входной мощности
Зависимость выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощ-
ности и полезного действия от
входной мощности
Зависимость выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощ-
ности и полезного действия от
входной мощности
Зависимость выходной мощности, коэф-
фициентов усиления по мощности и по-
лезного действия от входной мощности
Выходные характери-
стики
Зависимость тока стока
от напряжения затвор—
исток
Выходные характери-
стики
Выходные характеристики
Р»ии ,Ку,р.дБ Т[с
Вт
50
40
50
20
10
50
40
50
20
10
50 55 40
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэф-
фициента полезного действия от
напряжения питания стока
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэф-
фициента полезного действия от
напряжения питания стока
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэф-
фициента полезного действия от
напряжения питания стока
Рвых-Вт Ку,р ,дБ,71с,%
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэф-
фициента полезного действия от
напряжения питания стока
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэф-
фициента полезного действия от
напряжения питания стока
Зависимости крутизны характери-
стики от напряжения затвор—ис-
ток
2П926А, 2П926Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые
с затвором на основе р-п перехода и вертикальным каналом
л-типа. Предназначены для применения в переключающих
устройствах. Выпускаются в металлическом корпусе с жестки-
ми выводами и стеклянными изоляторами. Тип прибора указы-
вается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Изготовитель — НРП «Октава», г. Новосибирск.
2П926(А.Б)
21.2
Электрические параметры
Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии при /с = 10 А, 4 ~ 1 А, не более. 0,1 Ом
Крутизна характеристики при С/си = 20 В,
/с = 4 А, не менее....................... 2 А/В
Напряжение отсечки при {/си = 6/си МАКС,
/с = 3 мА, не более...................... —15 В
Ток утечки затвора при {/зи = —15 В,
Узе = “15 В, не более:
Т = +25 °С............................. 1 мА
7"=+125 и—60 °С....................... 2 мА
Время включения при Уси = 300 В, 4 = 2 А,
не более................................. 100 нс
Время выключения при Уси = 300 В, /с = 2 А,
не более................................. 100 нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток:
2П926А.............................. 450 В
2П926Б................................ 400 В
Постоянное напряжение затвор—сток:
2П926А.............................. 475 В
2П926Б................................ 420 В
Постоянное напряжение затвор—исток:
2П926А................................. -25 В
2П926Б................................ -20 В
Постоянный ток стока.................. 16,5 А
Импульсный ток стока при Ц = 10 мкс...... 30 А
Постоянный ток затвора................... 2 А
Импульсный ток затвора при I* = мкс...... 4 А
Постоянная рассеиваемая мощность1
при Гк = —60...+25 °С................... 50 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность
при 4, = 100 мс......................... 250 Вт
Температура р-п перехода................ +150 'С
Тепловое сопротивление переход—корпус... 2,5 °С/Вт
Температура окружающей среды............ — 60... Гк =
= +125 ’С
' При Гк > +25 'С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность рассчитывается по формуле
/’с,иакс=50 [1 - (Тк - 25)/125], Вт.
Зависимости сопротивления сток-
исток в открытом состоянии от то-
ка затвора
Зависимость тока затвора
от напряжения затвор—
исток
Выходные характеристики
Выходные характеристики
2П928А, 2П928Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые
с изолированным затвором и каналом л-типа генераторные.
174
Предназначены для применения усилителях мощности и гене-
раторах. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с по-
лосковыми выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 17 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2П928 (А.Б)
Электрические параметры
Выходная мощность в двухтактной схеме
на частоте /= 400 МГц при 4/си = 50 В,
Тк = +25 ’С:
2П928А при Рвх = 60 Вт.......................... 250...265*...
280* Вт
2П928Б при Рвх = 50 Вт...................... 200...220*...
240* Вт
Коэффициент усиления по мощности в двух-
тактной схеме на частоте /= 400 МГц при
Оси = 50 В, Тк = +25 ’С:
2П928А при Рвых = 250 Вт............................ 6,2*...6,4*...
6,7* дБ
2П928Б при Рвых = 200 Вт........................ 6*...6,4*...
6,8* дБ
Коэффициент полезного действия в двух-
тактной схеме на частоте /= 400 МГц при
= 50 В, Тк = +25 °С:
2П928А при Рвых = 250 Вт................... 50*...53*.„
55*%
2П928Б при Рвых = 200 Вт .............. 45* ..50*...
53*%
Крутизна характеристики при 7/си = 20 В,
/с = 3 А................................... 1...1.8* ..
2,3* А/В
Ток стока при С/си = 20 В, 7/зи = 20 В:
2П928А.................................... 16...21*...24* А
2П928Б.. ............................. 13...16*...18* А
Начальный ток стока при 7/си = 20 В, С/зи = 0,
не более:
Т= +25 и -60 °С........................ 150 мА
Т=+125°С............................... 400 мА
Остаточный ток стока при С/си = 50 В,
С/зи = —10 В, не более..................... 150 мА
Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии при С/зи = 20 В, /с = 1 А, типовое зна-
чение ..................................... 0,4* Ом
Емкость затвор—исток при разомкнутом вы-
воде стока при С/зи = 10 В................. 470*...530*...
570* пФ
Выходная емкость при С/си = 20 В, ^/зи = 0. 150*... 160*...
180* пФ
Проходная емкость при С/си = 20 В, им = 0.... 33*...50*...
60* пФ
Примечание: электрические параметры (кроме Рвых» Ку, р и Г)с) ука-
заны для каждой половины транзистора.
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток:
2П928А.................................... 50 В
2П928Б................................. 55 В
Постоянное напряжение затвор—исток......... 25 В
Постоянное напряжение затвор—сток:
2П928А................................. 60 В
2П928Б................................. 65 В
Постоянная рассеиваемая мощность1
при Гк = +25...—60 'С ..................... 250 Вт
Температура окружающей среды............... —60... Тк =
___________ = +125 °С
1 При > +25 °С Рцдкс снижается линейно до 50 Вт при Гк = +125 °С.
176
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэф-
фициента полезного действия сто-
ка от входной мощности
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэф-
фициента полезного действия сто-
ка от входной мощности
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэф-
фициента полезного действия сто-
ка от напряжения сток—исток
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэф-
фициента полезного действия сто-
ка от напряжения сток—исток
2П933А, 2П933Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые
с изолированным затвором и каналом л-типа генераторные.
Предназначены для применения в линейных и широкополос-
ных усилителях мощности и генераторах с высокой стабиль-
ностью частоты на частотах до 1 ГГц. Выпускаются в металло-
177
керамическом корпусе с полосковыми выводами. Тип прибора
указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 9 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2П933 (А.Б)
Электрические параметры
Выходная мощность в двухтактной схеме на
частоте /= 1 ГГц при (7СИ = 45 В, Рвх = 30 Вт,
Тк = +25 °С:
2П933А................................. 70...75*..78*
2П933Б................................. 60...64*...69*
Коэффициент полезного действия в двухтакт-
ной схеме на частоте ? = 1 ГГц при С/си = 45 В,
Рвх = 30 Вт, Тк = +25 °С, не менее:
2П933А................................. 30%
2П933Б................................. 28%
Крутизна характеристики при 7/си = 20 В,
/с = 2 А, Ти = 60 мкс, О = 200, не менее:
при Т= +25...-60 "С:
2П933А............................. 650 мА/В
З’З’
2П933Б............................ 550 мА/В
при Т= +125 X:
2П933А............................... 500 мА/В
2П933Б............................ 450 мА/В
Ток стока при С/си = 20 В, С/зи = 20 В,
Ги = 60 мкс, О = 200:
при Т = +25 °С:
2П933А............................... 9...12*...15* А
2П933Б............................ 7,5...8*...9* А
при Т = —60 °С, не менее:
2П933А............................ 9 А
2П933Б............................ 7,5 А
при Т = +125 “С, не менее:
2П933А............................... 6,5 А
2П933Б............................ 5,5 А
Начальный ток стока при (/си = 20 В,
(/зи = 0, не более:
Тк =+25 и —60 °С...................... 75 мА
Тк =+125 °С........................... 200 мА
Остаточный ток стока при С/си = 45 В,
С/зи = —10 В, не более................... 75 мА
Ток утечки затвора при 6/зи = —20 В, С/си = 0,
не более................................. 2,5 • 10-7 А
Емкость затвор—исток при (/зи = 10 В, типо-
вое значение............................. 210* пФ
Примечание: электрические параметры (кроме Рвых и Г|) указаны
для одного транзистора.
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток.......... 45 В
Постоянное напряжение затвор—исток....... 20 В
Постоянное напряжение затвор—сток........ 55 В
Постоянная рассеиваемая мощность* 1
при Гк = —60...+35 °С.................... 160 Вт
Температура окружающей среды............. —60... Гк =
= +125 °С
' При Гк > +35 °С Рцдкс снижается линейно до 30 Вт при Гк = +125 °С.
Расстояние от места пайки выводов до корпуса не менее
2 мм, температура припоя не выше +260 °С, время пайки не
более 3 с. Допускается пайка выводов на расстоянии не менее
1 мм от корпуса; при этом температура пайки не должна
превышать +150 °С, время пайки не более 3 с.
Схема соединения электродов с выводами
2П933А, 2П933Б
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэф-
фициента полезного действия сто-
ка от напряжения сток—исток
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэф-
фициента полезного действия сто-
ка от входной мощности
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэф-
фициента полезного действия сто-
ка от входной мощности
Зависимость сопротивления сток—
исток в открытом состоянии от на-
пряжения затвор—исток
КП934А, КП934Б
Транзисторы кремниевые планарные полевые со статиче-
ской индукцией и каналом л-типа. Предназначены для приме-
нения в источниках вторичных электропитания, в высоковольт-
ных ключевых устройствах. Выпускаются в металлическом кор-
180
пусе с жесткими выводами и стеклянными. Тип прибора указы-
вается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Изготовитель — НРП «Октава», г. Новосибирск.
КП9М(А,Б)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
при 6/си = 5 В, /с=5 А........................ 1О...2О*...8О*
Ток утечки сток—исток при /?зи - 300 Ом,
не более:
Т = +25 ’С.................................... 3 мА
Т= +85 ’С................................. 5 мА
Ток утечки затвора при 6/зи = —5 В, не более:
Г =+25’С...................................... 3 мА
Г=+85°С................................... 5 мА
Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии при /с = 5 А, /3 = 1 А ............... 0,03*...0,04*...
0,1 Ом
Время включения при 6/си = 200 В, /с = 5 А,
4 = 1 А....................................... 0,06*...0,07*...
0,1 мкс
Время выключения при 6/си = 200 В, /с = 5 А,
/3 = 1 А...................................... 0,5*...1,4*...
2,5 мкс
Время спада при С/си = 200 В, /с = 5 А,
4 = 1 А....................................... 0,02*...0,06*...
0,1 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток:
КП934А............................... 450 В
КП934Б............................ 300 В
Постоянное напряжение затвор—исток...... 5 В
Постоянный ток стока.................... 10 А
Импульсный ток стока при 4, = 10 мкс, 0=2. 15 А
Постоянный ток затвора.................. 2 А
Импульсный ток затвора при 4, = 10 мкс,
0=2..................................... ЗА
Постоянная рассеиваемая мощность
при Гк = +25 ’С:
с теплоотводом.......................... 40 Вт
без теплоотвода...................... 2 Вт
Температура окружающей среды............ —45... Гк =
= +85 ’С
Зависимость максимально допусти-
мой рассеиваемой мощности от
температуры корпуса
Зависимость сопротивления ‘сток-
исток в открытом состоянии от то-
ка стокв
Зависимость статического коэф-
фициента передачи тока от тока
стока
Зависимости времени включения,
рассасывания и спада от тока
стока
КП937А, КП937А-5
Транзисторы кремниевые полевые планарные с затвором
на основе р-п перехода и вертикальным каналом л-типа пере-
ключательные. Предназначены для применения в источниках
вторичного электропитания, преобразователях напряжения, си-
стемах электропривода, импульсных генераторах электроис-
кровых обрабатывающих комплексах. Транзистор КП937А—5
предназначен для применения в гибридных интегральных ми-
кросхемах. Конструктивно транзистор КП937А—5 выполнен
в виде кристалла размером 6*6x0,4 мм на общей пластине
диаметром 76 мм с контактными площадками. Транзистор
КП937А выпускается в металлическом корпусе с жесткими вы-
водами и стеклянными изоляторами. Тип прибора указывается
на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Изготовитель — НРП «Октава», г. Новосибирск.
Электрические параметры
Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии при /с = 10 А, 4 = 1 А, не более... 0,07 Ом
Статический коэффициент передачи тока
при С/си = 5 В, /с = 5 А, типовое значение. 20
Напряжение отсечки при 4/си = 450 В,
/с = 2 мА, не менее........................ —15 В
Ток утечки затвора при С/зи = —15 В,
С/зс = —15 В, не более..................... 0,3 мА
Ток затвор—сток обратносмещённого пере-
хода при С/зс = 475 В, не более............ 1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток..—.... 450 В
Постоянное напряжение затвор—сток....— 475 В
Постоянное напряжение затвор—исток..... 20 В
Постоянный ток стока................... 17,5 А
Импульсный ток стока................... 30 А
Постоянный прямой ток затвора.......... 2 А
Импульсный прямой ток затвора.......... 4 А
Постоянная рассеиваемая мощность....... 50 Вт
Температура окружающей среды........... —60... Гк =
= +125 °С
2П938А, 2П938Б, 2П938В, 2П938Г, 2П938Д,
КП938А, КП938Б, КП938В, КП938Г, КП938Д
Транзисторы кремниевые полевые эпитаксиально-планар-
ные с затвором на основе р-п перехода и вертикальным кана-
лом л-типа переключательные. Предназначены для примене-
ния в импульсных источниках вторичного электропитания, для
питания двигателей постоянного и переменного тока, в мощ-
ных коммутаторах, усилителях низкой частоты. Выпускаются в
металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными
изоляторами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Изготовитель — НРП «Октава», г. Новосибирск.
2П93&А-Ш. КП9381А-П)
Электрические параметры
Сопротивление канала в открытом состоянии
при /с = 10 А, 4 = 2 А, не более:
при Г= +25 ’С:
КП938А, КП938Б.................... 0,07 Ом
КП938В, КП938Г, КП938Д............ 0,1 Ом
при Т = —60 и +125 °С:
КП938А, КП938Б.................... 0,1 Ом
КП938В, КП938Г, КП938Д............ 0,11 Ом
Статический коэффициент передачи тока
при С/си = 5 В, /с = 5 А, не менее:
при Г =+25’С........................... 20
при Г =-60 и+125’С................... 10
Напряжение насыщения сток—исток
при /с = 10 А, /3 = 2 А для 2П938А, 2П938Б,
2П938В, 2П938Г, 2П938Д не белее:
при Г =+25’С............................ 0,7 В
при Т= -60 и +125 ’С ............... 1 В
Ток утечки затвора при С/зи = — 5 В, не более:
при Т = +25 ’С........................ 3 мА
при Т = —60 и +125 ’С ............... 10 мА
Остаточный ток стока при 6/си = 6/си МАКС для
2П938А при 6/зи = 0 для 2П938Б, 2П938В,
2П938Г, 2П938Д при С/зи = —3 В, не более:
при Т = +25 ’С.......................... 3 мА
при Т = —60 и +125 ’С.............. 10 мА
Время включения при С/си = 150 В, /с = 10 А,
/3 = 2 А, не более...................... 0,2 мкс
Время спада при 6/си = 150 В, /с = 10 А,
4 = 2 А, не более..................... 0,15 мкс
Время рассасывания при С/си = 150 В,
/с = 10 А, 4 = 2 А, не более............ 1,5 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток:
2П938А, 2П938Б, КП938А, КП938Б......... 500 В
2П938В, КП938В....................... 450 В
2П938Г, КП938Г....................... 400 В
2П938Д, КП938Д....................... $00 В
Постоянное напряжение затвор—сток:
2П938А, 2П938Б......................... 505 В
2П938В............................... 455 В
2П938Г............................... 405 В
2П938Д............................... 305 В
КП938А, КП938Б.............. 500 В
КП938В.............................. 450 В
КП938Г.............................. 400 В
КП938Д.............................. 300 В
Постоянное напряжение затвор—исток..... —5 В
Постоянный ток стока:
2П938А, 2П938Б, 2П938В, 2П938Г,
2П938Д.............................. 15 А
КП938А, КП938Б, КП938В, КП938Г,
КП938Д.............................. 12 А
Импульсный ток стока:
2П938А, 2П938Б, 2П938В, 2П938Г,
2П938Д.............................. 20 А
КП938А, КП938Б, КП938В, КП938Г,
КП938Д.............................. 18 А
Постоянный прямой ток затвора:
2П938А, 2П938Б, 2П938В, 2П938Г,
2П938Д............................... 4 А
КП938А, КП938Б, КП938В, КП938Г,
КП938Д.............................. ЗА
Импульсный прямой ток затвора:
2П938А, 2П938Б, 2П938В, 2П938Г,
2П938Д.............................. 10 А
КП938А, КП938Б, КП938В, КП938Г,
КП938Д.............................. 5 А
Постоянная рассеиваемая мощность1
при Гк = —60...+25 °С.................. 50 Вт
Температура р-п перехода............... +150 °С
Температура окружающей среды........... —60... Гк =
= +125 ’С
1 При Гк > +25 ’С
/’м*кс=50[1-(Тк- 25)/125], Вт.
2П941А, 2П941Б, 2П941В, 2П941Г, 2П941Д
Транзисторы кремниевые полевые эпитаксиально-планар-
ные с изолированным затвором и каналом л-типа генератор-
ные. Предназначены для применения в генераторах и усилите-
лях СВЧ диапазона при напряжении питания 12 В. Выпускают-
ся в металлокерамических корпусах с полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора 2П941А не более 2 г, 2П941Б — не
более 5 г, 2П941В, 2П941Г, 2П941Д — не более Ю г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2П9М А
2П9Ь1 Б
ш
2П9М (В.Г.Д)
д>д>д>д>д>
Электрические параметры
Выходная мощность на /- 400 МГц
при (/си = 12 В, 7К = +25 °С:
2П941А при Рвх = 0,4 Вт................. 3...3,3*...3,7*
2П941Б при Рвх = 3,5 Вт.............. 15...17*...19*
2П941В при Рвх = 9,5 Вт................. 30...33*...36*
2П941Г при Рвх = 9 Вт.................... 25..28*..32*
2П941Д при Рвх = 9,5 Вт................. 30.. 33*...36*
Коэффициент полезного действия
на Г= 400 МГц при 6/си = 12 В, Гк = +25 °С.... 50...55*...63*%
Крутизна характеристики при (Уси = 10 В,
?и = 600 мкс, О = 200:
Т- +25 °С:
2П941А при /с = 0,5 А..................... 200...375*...
400* мА/В
2П941Б, 2П941Д при /с = 2 А............ 600...1700*...
1800* мА/В
2П941В при /с = 4 А.................... 1200...3200*...
3600* мА/В
2П941Г при /с = 4 А.................... 1000...3200*...
3600* мА/В
Т = —60 °С, не менее:
2П941А при /с = 0,5 А..................... 200 мА/В
2П941Б, 2П941Д при /с = 2 А............ 600 мА/В
2П941В при /с = 4 А.................... 1200 мА/В
2П941Г при /с = 4 А.................... 1000 мА/В
Т= +125 °С, не менее:
2П941А при /с = 0,5 А..................... 160 мА/В
2П941Б, 2П941Д при /с = 2 А............ 480 мА/В
2П941В при /с = 4 А ................... 960 мА/В
2П941Г при /с = 4 А.................... 800 мА/В
Начальный ток стока при (Уси = 10 В, (/зи = 0:
Т= +25 ’С:
2П941А.................................... 0,05*...1*...
10 мА
2П941Б, 2П941Д......................... 0,05*...2*...
20 мА
2П941В, 2П941Г......................... 0,5*...2*...
30 мА
Г = —60 ’С, не более:
2П941А.................................... 10 мА
2П941Б, 2П941Д......................... 20 мА
2П941В, 2П941Г......................... 30 мА
Т= +125 ’С, не более:
2П941А.................................... 20 мА
2П941Б, 2П941Д......................... 40 мА
2П941В, 2П941Г......................... 60 мА
Ток стока при Оси = 2 В, (/зи = 20 В,
= 600 мкс, О = 200:
Т= +25 ’С:
2П941А.................................... 0,6...0,75*„.
0,92* А
2П941Б, 2П941Д......................... 3...4*...5,5* А
2П941В................................. 6...8*...10* А
2П941Г................................. 5...6*...7* А
Г = —60 ’С, не более:
2П941А.................................. 0,6 А
2П941Б, 2П941Д......................... 3 А
2П941В....„............................ 6 А
2П941Г................................. 5 А
Т = +125 ’С, не менее:
2П941А.................................. 0,2 А
2П941Б, 2П941Д......................... 2 А
2П941В................................. 4 А
2П941Г................................. 3,4 А
Остаточный ток стока при (/си = 36 В,
= -5 В:
2П941А........................................ 0,5*...1*..2 мА
2П941Б, 2П941Д............................ 0,5*...2*...8 мА
2П941В, 2П941Г............................ 1*...5*...16 мА
Входная емкость при С/си = 12 В, = 0:
2П941А........................................ 14*...20 пФ
2П941Б.................................... 75*...100 пФ
2П941В, 2П941Г......................
2П941Д..............................
150*...200 пФ
80*...200 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток........ 36 В
Постоянное напряжение затвор—исток...... 20 В
Постоянное напряжение затвор—сток....... 41 В
Постоянная рассеиваемая мощность1
при Гк = -60...+100 °С:
2П941А.................................. 3 Вт
2П941Б............................... 15 Вт
2П941В, 2П941Г, 2П941Д............... 30 Вт
Потенциал статического электричества:
2П941А.................................. 100 В
2П941Б, 2П941В, 2П941Г, 2П941Д...... 200 В
Температура окружающей среды........... —60... Гк =
= +125 ’С
1 При Гк = +100...+ 125 “С максимально допустимая постоянная рассеивае-
мая мощность снижается линейно до 0,5
Транзисторы пригодны для монтажа в аппаратуре паяльни-
ком. Допустимое число перепаек транзисторов при проведе-
нии монтажных операций — 3. Расстояние от корпуса до
начала изгиба выводов не менее 3 мм. Разрешается обрезать
выводы на расстоянии не менее 1 мм от корпуса. Минималь-
ное расстояние места пайки выводов от корпуса 2 мм, темпе-
ратура припоя не выше +265 °С, время пайки не более 3 с.
Допускается пайка выводов на расстоянии не менее 1 мм от
корпуса, при этом температура пайки не должна превышать
+ 150 °С, время пайки не более 3 с.
Допускается сварка выводов на расстоянии не менее 1 мм
от корпуса, при этом температура корпуса не должна превы-
шать + 150 °С.
Шероховатость контактирующей поверхности теплоотвода
должна быть не более 1,6 мкм, отклонение от плоскостности
не более 0,02 мм. Для уменьшения контактного сопротивления
следует применять пасты, например, КПТ—8 по ГОСТ 19783.
При использовании транзисторов необходимо учитывать
возможность их самовозбуждения как высокочастотных эле-
ментов и принимать меры к его устранению.
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэф-
фициента полезного действия от
входной мощности
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэф-
фициента полезного действия от
входной мощности
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэф-
фициента полезного действия от
входной мощности
Зависимости выходной мощности,
коэффициенте усиления и коэф-
фициента полезного действия от
входной мощности
КП944А, КП944Б
Транзисторы полевые кремниевые эпитаксиально-планар-
ные с изолированным затвором и каналом р-типа переключа-
тельные. Предназначены для применения в схемах управления
накопителей ЭВМ на гибких и жестких магнитных дисках, во
вторичных источниках электропитания, в импульсных и пере-
ключающих устройствах. Выпускаются в пластмассовом кор-
пусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на кор-
пусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
КП9Ш(А.Б)
Электрические параметры
Ток стока при (/си = —8 В, (/зи - —10 В:
КП944А..................................... 15*...20*...25 А
КП944Б................................. 1О*...15*...2О А
Начальный ток стока при (/си = —10 В, (/зи = 0,
не более:
Т= +25 и -45 °С........................ 0,5 мА
Т= +85 °С.............................. 3 мА
Остаточный ток стока при (/си = (/си МАКС,
(/зи = 0, не более........................ 1 мА
Ток утечки затвора при (/зи = —20 В, не более 10 нА
типовое значение........................... 0,1* нА
Пороговое напряжение при (/си = —10 В,
/с = 1 мА................................. —1,5...—2,8*...
-4,5 В
Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии (/зи = -12 В, /с = 2 А, не более:
КП944А..................................... 0,3 Ом
КП944Б................................. 0,4 Ом
Время включения при (/си = —25 В, /?г = 50 Ом,
Р = 50 Ом, (/вх = -Ю В, типовое значение .... 90* нс
Время выключения при (/си = —25 В,
= 50 Ом, /?н = 50 Ом, (/Вх = ~ Ю В,
типовое значение........................ 120* нс
Входная емкость при (/си = —20 В, 1/^ = 0,
типовое значение........................ 700* пФ
Проходная емкость при (/си = —20 В, (/зи = 0,
типовое значение........................ 80* пФ
Выходная емкость при (/си = —20 В, (/зи = 0,
типовое значение........................ 360* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток:
КП944А.................................. 50 В
КП944Б............................... 60 В
Постоянное напряжение затвор—исток...... 20 В
Постоянное напряжение затвор—сток:
КП944А ................................. 50 В
КП944Б............................... 60 В
Потенциал статического электричества.... 200 В
Постоянная рассеиваемая мощность1
при Гк = -45...+25 "С................... 30 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус... 4 °С/Вт
Температура перехода.................... +150 °С
Температура окружающей среды............ —45... Тк =
= +85 °С 1 * * ч
1 При Гк > +25 °С максимально допустимая рассеиваемая мощность рассчи-
тывается по формуле
Рмлкс = (150 - Гк)/4, Вт.
Транзисторы пригодны для монтажа в аппаратуре паяльни-
ком. Разгибание и подгибание выводов не допускается. Пайку
выводов рекомендуется проводить одноразовым погружением
ч припой (волну припоя) при температуре не выше +265 °С в
течение не более 2 с. Припой ПОС—61 по ГОСТ 21931, флюс
состоит из 25% по массе из канифоли по ГОСТ 19113 и 75%
по массе из пропилового по ГОСТ 9805 или этилового по ГОСТ
18300 спирта или сплавлением паяльной (лудящей) пасты Пл112
АУК0.029.009 ТУ при температуре не выше +190 °С в течение
не более 30 с с последующим нагревом при температуре не
выше +230 °С в течение не более 15 с.
^(Цаш
Зависимость сопротивления сток-
Выходные характеристики
исток от температуры
Зависимости входной, проходной
и выходной емкости от напряже-
ния сток—исток
Зависимости сопротивления сток—
исток от тока стока
Зависимости крутизны характери-
стики от тока стока
Зависимость порогового напряже-
ния от температуры
КП945А, КП945Б
Транзисторы полевые кремниевые эпитаксиально-планар-
ные с изолированным затвором и каналом л-типа переключа-
тельные. Предназначены для применения в схемах управления
накопителей ЭВМ на гибких и жестких магнитных дисках, во
вторичных источниках электропитания, в импульсных и пере-
ключающих устройствах. Выпускаются в пластмассовом корпу-
се с жесткими выводами. Тип прибора указывается на этикетке.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
кпмш)
Электрические параметры
Крутизна характеристики при 1/си = 3 В,
/с = 2 А, не менее.......................
типовое значение......................
Пороговое напряжение при (/си = 10 В,
/с = 1 мА................................
Начальный ток стока при 1/си = 10 В, Ци = 0:
Т= +25 °С ................................
2,3 А/В
3,8* А/В
1,5...2,25*...
4,5 В
0,1*.„О,2*...
0,5 мА
Т - +85 ’С, не более................... 3 мА
Т = —45 ’С, не более...................0,5 мА
Остаточный ток стока при = 0, не более:
КП945А при (/си = 50 В................. 1 мА
КП945Б при (/си = 70 В.................. 1 мА
Ток стока при (Уси = 3 В, (Узи = 12 В, не менее:
КП945А................................. 15 А
КП9455................................. 10 А
Ток утечки затвора при (Узи = —20 В, не более 10 нА
Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии (/зи = 12 В, /с = 5 А, не более:
КП945А................................. 0,1 Ом
КП945Б................................. 0,15 Ом
Входная емкость при (/* = 25 В, = 0,
типовое значение.......................... 600* пФ
Выходная емкость при (Уси = 25 В, (Узи = 0,
типовое значение.......................... 300* пФ
Проходная емкость при (Уси = 25 В, (/зи = 0,
типовое значение................. ... 150* пФ
Время включения при (.'^ = 25 В, /?г = 50 Ом,
Ян = 50 Ом, (Увх = 10 В, типовое значение. 60* нс
Время выключения при (/си = 25 В, /?г = 50 Ом,
Ян = 50 Ом, (/вх = 10 В, типовое значение. 180* нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток:
КП945А................................. 50 В
КП945Б ............................... 70 В
Постоянное напряжение затвор—исток ....... 20 В
Постоянное напряжение затвор—сток:
КП945А................................. 50 В
КП945Б................................. 70 В
Потенциал статического электричества______ 200 В
Постоянная рассеиваемая мощность1
при Гк = —45...+25 ’С . ........... 30 Вт
Температура окружающей среды ............ — 45... Гк =
= +85 ’С
1 При Гк > +25 °С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность снижается линейно до 16,25 Вт при Гк = +85 °С.
Транзисторы пригодны для монтажа в аппаратуре методом
групповой пайки и паяльником. Изгиб выводов не допускается.
Пайку выводов рекомендуется проводить в следующих режи-
мах: одноразовым погружением в припой (волну припоя) при
196
температуре не выше +265 °С в течение не более 2 с. Нагрев
вывода в месте пайки не выше +190 ’С в течение не более
30 с, последующий нагрев вывода в месте пайки до температу-
ры не выше +230 ’С в течение не более 15 с.
Выходные характеристики
Зависимости тока стока от напря-
женил затвор—исток
Зависимости сопротивления сток—
исток от тока стока
Зависимость сопротивления сток—
исток от температуры
Зависимость крутизны характери-
стики от напряжения затвор—ис-
ток
Зависимость крутизны характери-
стики от тока стока
КП951А-2, КП951Б-2, КП951В-2
Транзисторы кремниевые полевые эпитаксиально-планарные
с изолированным затвором и каналом л-тила генераторные.
Предназначены для применения в генераторах и усилителях.
Бескорпусные на металлокерамическом кристаллодержателе с
гибкими выводами. Тип прибора указывается на этикетке.
Масса транзистора не более 1 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
КП951 (А-2.Б-2.В-2)
Электрические параметры
Выходная мощность на 400 МГц
при (/сипит = 12 В, не менее:
КП951А-2 при Рвх = 1 Вт.......... 3 Вт
КП951Б—2 при Рвх = 0,4 Вт........ 6 Вт
КП951В-2 при Рвх = 5 Вт.......... 15 Вт
Коэффициент полезного действия
на 7= 400 МГц при (/сипит = 12 В, не менее.... 50%
Крутизна характеристики при (/си = 10 В,
<й = 600 мкс, О = 200, не менее:
КП951А-2 при /с = 0,5 А............ 200 мА/В
КП951Б-2 при /с = 1,5 А........... 500 мА/В
КП951В-2 при /с = 2 А............. 1000 мА/В
Начальный ток стока при (/си = 10 В, (7ЗИ = 0,
не более:
7= +25 и -60 ’С:
КП951А-2.......................... 1 мА
КП951Б-2, КП951В-2............. 2 мА
Т= +85 "С:
КП951А-2.......................... 2 мА
КП951Б—2, КП951В—2............. 4 мА
Остаточный ток стока при С/си = 36 В,
1/зи = —5 В, не более:
КП951А-2.......................... 2 мА
КП951Б—2.......................... 4 мА
КП951В-2.......................... 8 мА
Ток стока при (/си = 2 В, = 20 В,
Ги = 600 мкс, О = 200, не менее:
КП951А-2.......................... 0,6 А
КП951Б-2.......................... 1,5 А
КП951В-2.......................... ЗА
Пороговое напряжение при 1/си = 10 В,
/с = 20 мА, не более................. 6 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток....... 36 В
Постоянное напряжение затвор—исток..... 20 В
Постоянное напряжение затвор—сток...... 41 В
Потенциал статического электричества:
КП951А-2, КП951Б-2.................. 100 В
КП951В-2............................ 200 В
Постоянная рассеиваемая мощность
при 7"к = —60...+85 °С:
КП951А-2................................ 3 Вт
КП951Б-2............................ 6 Вт
КП951В-2............................ 15 Вт
Температура окружающей среды .......... —60... Гк =
= +85 °С
Транзисторы пригодны для монтажа в аппаратуре паяльни-
ком.
Расстояние от кристаллодержателя до начала изгиба вы-
водов не менее 3 мм. Разрешается при монтаже транзисторов
образать выводы на расстоянии не менее 1 мм от кристалло-
держателя. Минимальное расстояние места пайки выводов от
кристаллодержателя 2 мм, температура припоя +265 °С, время
пайки не более 3 с. Допускается пайка выводов на расстоянии
не менее 1 мм от кристаллодержателя, при этом температура
пайки не должна превышать +150 °С, время пайки не более
3 с. Допускается сварка выводов на расстоянии не менее 1 мм
от кристалл ©держателя, при этом температура кристаллодер-
жателя не должна превышать +150 °С. Напайка кристаллодер-
жателя на теплоотвод при температуре не выше +240 °С.
При использовании транзисторов необходимо учитывать
возможность их самовозбуждения как высокочастотных эле-
ментов.
А650А, А650Б, А650В, А650Г
Транзисторы кремниевые полевые эпитаксиально-планар-
ные с изолированным затвором и индуцированным каналом
л-типа генераторные. Предназначены для применения в усили-
телях мощности и генераторах с рабочей частотой до 400 МГц
в непрерывном и импульсном режимах при напряжении пита-
ния 40 В, а также в переключающих устройствах. Выпускаются
в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 6 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
А650(А-Г)
Электрические параметры
Выходная мощность в режиме класса В
при = 40 В, на /= 400 МГц, не менее:
А650А, /с = 6,5 А......................._. 50 Вт
А650Б, /с = 4 А ......................... 30 В
А650В, /с = 5 А........................... 30 В
Крутизна характеристики при 1/^ = 20 В,
/с = 0,9 А, не менее....................... 330 мА/В
Начальный ток стока при С/си = 20 В, Ц& = 0,
не более:
А650А, А650Б, А650В................. 200 мА
А650Г............................... 30 мА
Остаточный ток стока при С/си = 50 В,
узи = —10 В, не более:
А650А, А650Б, А650В................. 100 мА
А650Г................................ 30 мА
Ток стока при С/си = 20 В, = 20 В, не менее:
А650А............................... 6,5 А
А650Б............................... 4 А
А650В, А650Г........................ 5 А
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток........ 50 В
Напряжение сток—исток в динамическом ре-
жиме.................................... 75 В
Постоянное напряжение затвор—исток...... 25 В
Постоянное напряжение затвор—сток....... 60 В
Потенциал статического электричества.... 50 В
Постоянная рассеиваемая мощность':
при Гк = —60...+40 ’С:
А650А, А650Б......................... 60 Вт
А650В, А650Г..................... 40 Вт
при Гк = +125 ’С:
А650А, А650Б......................... 14 Вт
А650В, А650Г..................... 10 Вт
Температура окружающей среды............ —60... Гк =
= +125 ’С
1 При 7К > +40 °С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность снижается линейно.
Крепление транзистора к панели следует осуществлять при
помощи гайки, при этом корпус транзистора должен плотно
прилегать к теплоотводу с шероховатостью поверхности не
более 0,8 мкм и неплоскостностью не более 0,02 мм. Крутя-
щий момент на монтажный винт при креплении 0,18 кгс • м.
В условиях морского и тропического климата транзисторы
необходимо использовать в составе герметизированной аппа-
ратуры или при местной защите транзистора от воздействия
окружающей среды с целью сохранения /зут на уровне 10~7 А.
Конструкция транзистора А650В обеспечивает отпайку
фланца от корпуса и не менее, чем трехкратную перепайку
транзистора на монтажную поверхность гибридных схем. Тем-
201
пература пайки не выше +200 °С, время пайки не более 8 с.
Для отпайки фланца от корпуса проводят локальный подогрев
винта фланца.
Допускается обрезать полосковые выводы на расстоянии
4 мм от корпуса с сохранением среза на стоковом выводе.
А654А, А654Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые
с изолированным затвором и индуцированным каналом л-типа.
Предназначены для применения в усилителях и генераторах на
частотах до 1 ГГц, а также в быстродействующих переключа-
ющих устройствах. Выпускаются в металлокерамическом кор-
пусе с полосковыми выводами. Тип прибора указывается на
корпусе. Допускается условная маркировка: А654А — одна
зеленая точка, А654Б — две зеленые точки.
Масса транзистора не более 6 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Крутизна характеристики при 6/си = 20 В,
/с = 0,5 А, не менее.................... 200 мА/В
Начальный ток стока при 6/си = 20 В, 6/зи = 0,
не более:
А&54А.................................... 50 мА
А6&4Б................................ 30 мА
Остаточный ток стока при 1/си = 50 В,
/Ли = -10 В, не более:
А654А.................................... 50 мА
А654Б................................. 30 мА
Ток стока при 1/си = 20 В, 1/зи = 20 В, не более:
А654А.................................... ЗА
А654Б................................. 2,5 А
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток......... 50 В
Постоянное напряжение затвор—исток....... 25 В
Постоянное напряжение затвор—сток........ 60 В
Потенциал статического электричества..... 200 В
Постоянная рассеиваемая мощность’:
Гк = -60...+40 ’С..................... 30 Вт
Гк = +125 ’С.......................... 7 Вт
Температура окружающей среды............. —60... Гк =
= +125 ’С
1 При 7К = +40...+125 *С максимально допустимая постоянная рассеиваемая
мощность уменьшается линейно.
Крепление транзистора к панели следует осуществлять при
помощи гайки, при этом необходимо, чтобы корпус транзисто-
ра плотно прилегал к теплоотводу.
При эксплуатации транзистора необходимо учитывать воз-
можность его самовозбуждения как высокочастотного эле-
мента и принимать меры к его устранению.
Допускается обрезать полосковые выводы на расстоянии
не менее 4 мм от корпуса, с сохранением среза на стоковом
выводе. Допускается пайка выводов на расстоянии не менее
1 мм от корпуса, температура пайки не должна превышать
+150 ’С.
А675А, А675Б
Транзисторы кремниевые полевые эпитаксиально-планар-
ные с изолированным затвором и индуцированным каналом
л-типа генераторные. Предназначены для применения в усили-
телях мощности и генераторах с рабочей частотой до 400 МГц
в непрерывном и импульсном режимах при напряжении пита-
ния 45 В, а также в переключающих схемах. Выпускаются в
металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Тип
прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 12 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
А675 (А,Б)
Электрические параметры
Выходная мощность на /= 400 МГц
при (7СИ = 45 В, не менее:
А675А, Рвх = 50 Вт...................... 100 Вт
А675Б, Рвх = 35 Вт................... 70 Вт
Крутизна характеристики при </Си = 20 В,
/с = 3 А, не менее...................... 1 А/В
Начальный ток стока при С/си = 20 В, 4/зи = 0,
не более................................ 300 мА
Остаточный ток стока при С/си = 50 В,
С/зи = —10 В, не более.................. 200 мА
Ток стока при С/си = 20 В, 6/зи = 20 В, не менее:
А675А............................... 14 А
А675Б................................ 10 А
Предельные эксплуатационные данные
Прстоянное напряжение сток—исток....... 50 В
Напряжение сток—исток в динамическом ре-
жиме..................................... 65 В
Постоянное напряжение затвор—исток..... 20 В
Постоянное напряжение затвор—сток...... 60 В
Напряжение затвор—сток в динамическом
режиме................................... 75 В
Потенциал статического электричества... 200 В
Постоянная рассеиваемая мощность’:
Г = —60...+25 ’С........................ 100 Вт
Гк = +125 ’С......................... 20 Вт
Температура окружающей среды............ —60... Гк =
= +125 ’С
' При Гк = +25...+125 *С максимально допустимая постоянная рассеиваемая
мощность снижается линейно.
Крепление транзистора к панели следует осуществлять при
помощи гайки, при этом корпус транзистора должен плотно
прилегать к теплоотводу с шероховатостью поверхности не
более 0,8 мкм и неплоскостностью не более 0,02 мм. Крутя-
щий момент на монтажный винт при креплении 0,25 кгс * м.
Допускается обрезка полосковых выводов на расстоянии
4 мм от корпуса с сохранением среза на стоковом выводе.
Минимальное расстояние места пайки выводов от корпуса 3 мм,
температура пайки не выше +260 ’С, время пайки не более
3 с. Допускается сварка выводов на расстоянии не менее
0,5 мм от корпуса, при этом температура корпуса не должна
превышать +150 ’С.
При использовании транзисторов в усилителях мощности с
напряжением питания не более 30 В допускается работа на
рассогласованную нагрузку при сохранении значения напря-
жения и рассеиваемой мощности в пределах максимально до-
пустимых.
А709А, А709Б
Транзисторы кремниевые полевые эпитаксиально-планар-
ные с изолированным затвором и каналом л-типа. Предназна-
чены для применения в усилителях и генераторах на частоте
до 400 МГц, а также в быстродействующих переключающих
устройствах. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с
полосковыми выводами. Тип прибора указывается на корпусе
Масса транзистора не более 8 г.
Изготовитель. — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Выходная мощность на /'= 400 МГц
при (7СИ = 50 В, Рвх = 30 Вт, не менее:
А709А.................................. 150 В
А709Б............................... 120 В
Крутизна характеристики при С/си = 20 В,
4 = 3 А, не менее...................... 1 А/В
А709 (А.Б)
Начальный ток стока при 6/си = 20 В, (/зи = 0,
не более............................... 100 мА
Остаточный ток стока при С/си = 50 В,
{/зи = —10 В, не более................. 100 мА
Ток стока при 6/си = 20 В, 6/зи = 20 В, не менее:
А709А............................... 15 А
А709Б............................... 12 А
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток........ 50 В
Напряжение сток—исток в динамическом ре-
жиме.................................... 70 В
Постоянное напряжение затвор—исток...... 25 В
Постоянное напряжение затвор—сток....... 60 В
Напряжение затвор—сток в динамическом
режиме.................................. 80 В
Потенциал статического электричества.... 200 В
Постоянная рассеиваемая мощность':
Гк = -60...+40 ’С....................... 130 Вт
ГК=+125’С............................ 30 Вт
Температура окружающей среды............ —60... Тк =
__________ = +125 ’С
’ При Гк > +40 °С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ
ность уменьшается линейно.
Расстояние от корпуса до начала изгиба вывода 3 мм.
Разрешается обрезать выводы на расстоянии не менее 2 мм от
корпуса.
Расстояние от корпуса до места пайки вывода 2 мм, темпе-
ратура припоя +260 ± 5 ’С, время пайки не более 3 с.
При установке в аппаратуру транзистор должен плотно
прилегать к теплоотводу. Шероховатость контактирующей по-
верхности теплоотвода должна быть не более 1,6 мкм, не-
плоскостность не более 0,02 мм. Для уменьшения контактного
сопротивления между корпусом и теплоотводом следует при-
менять смазки, например, КПТ—8.
При использовании транзисторов необходимо учитывать
возможность их самовозбуждения и принимать меры к его
устранению.
А719А, А719Б, А719В, А719Г
Транзисторы кремниевые полевые эпитаксиально-планарные
с изолированным затвором и каналом л-типа. Предназначены
для применения в усилителях мощности и генераторах на часто-
тах до 1 ГГц, а также в быстродействующих переключающих
устройствах. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с
полосковыми выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 8 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
А719 (А-Г)
Электрические параметры
Выходная мощность на /= 1 ГТц, не менее:
А719А при (/спит = 50 В, = 20 Вт. 50 Вт
А719Б при (/СПИт = 45 В, Рвх = 10 Вт. 25 Вт
А719В при (/спит = 45 В, = 7 Вт.. 17 Вт
Крутизна характеристики при (/си = 20 В,
не менее:
А719А, /С = ЗА............................... 1 А/В
А719Б, /с = 3 А.............................. 0,7 А/В
А719В,/С = 2А................................ 0,55 А/В
А719Г, /с = 2 А.............................. 0,35 А/В
Начальный ток стока при (4и = 20 В, (/^ = 0,
не более:
А719А, А719Б................................. 50 мА
А719В, А719Г................................. 25 мА
Остаточный ток стока при (/си = 50 В,
(/зи = —10 В, не более:
А719А, А719Б............................. 50 мА
А719В, А719Г................................. 25 мА
Ток стока при (4и = 20 В, (/зи = 20 В, не менее:
А719А................................ 12 А
А719Б........................................ 8 А
А719В........................................ 6 А
А719Г........................................ 4 А
Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии при (/зи = 20 В, /с 1 А, не более:
А719Б........................................ 1Ом
А719Г........................................ ЗОм
Ток утечки затвора при (/зи = -20 В, не более 1 • 10-7 А
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток................ 50 В
Постоянное напряжение сток—исток в дина-
мическом режиме................................. 70 В
Постоянное напряжение затвор—исток.............. 20 В
Постоянное напряжение затвор—сток............... 60 В
Постоянная рассеиваемая мощность1
при Тк = —60...+35 °С:
А719А, А719Б............................. 100 Вт
А719В, А719Г................................. 50 Вт
Температура окружающей среды.................... —6О...ГК =
= +125 “С
1 При Гк = +35...+ 125 ”С максимально допустимая постоянная рассеиваемая
мощность снижается линейно до 20 Вт для А719А, А719Б и до 10 Вт для
А719В, А719Г.
Транзисторы пригодны для монтажа в аппаратуре паяльни-
ком. Допустимое число перепаек 3. Расстояние от корпуса до
начала изгиба вывода не менее 3 мм. Разрешается обрезать
выводы на расстоянии не менее 1 мм от корпуса. Минималь-
ное место пайки выводов от корпуса 2 мм, температура при-
поя +260 ± 5 ’С, время пайки не более 3 с. Допускается пайка
выводов на расстоянии не менее 1 мм от корпуса, температура
пайки не выше +150 ’С, время пайки не более 3 с. Допускает-
ся сварка выводов на расстоянии не менее 1 мм от корпуса,
при этом температура корпуса не должна превышать +150 ’С.
Рекомендуется для улучшения отвода тепла от корпуса
транзистора применение мягкой прокладки из сплава индий—
олово с содержанием индия не менее 20% и жестких металли-
ческих прокладок (например, из медной фольги), расположен-
ных под краями фланца с наружной стороны от крепежных
винтов. Ориентировочная толщина мягких прокладок 60...
100 мкм, жесткой на 5... 10 мкм больше. Не допускается при-
менение мягкой прокладки без использования жесткой про-
кладки.
А746А, А746Б
Транзисторы кремниевые полевые эпитаксиально-планар-
ные с изолированным затвором и каналом л-типа генератор-
ные. Предназначены для применения в усилителях мощности и
генераторах на частотах до 400 МГц. Выпускаются в металло-
керамическом корпусе с полосковыми выводами. Тип прибора
указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 17 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Выходная мощность на /= 400 МГц
при С/си = 50 В, не менее:
А746А, Рвх = 60 Вт.................... 250 Вт
А746Б, Рвх = 50 Вт.................... 200 Вт
Крутизна характеристики’ при С/си = 20 В,
/с = 3 А, не менее....................... 1 А/В
Начальный ток стока1 при С/си = 20 В, 6/зи = 0,
не более................................ 150 мА
Остаточный ток стока1 при 6/си = 6/си МАКС,
6/зи = —10 В, не более................... 150 мА
' Крутизна характеристики, начальный ток стока, остаточный ток стока
указаны для каждой половины транзистора.
АШ (А,Б)
Ток стока1 при 6/си = 20 В, ^/зи = 20 В, не менее:
А746А............................... 16 А
А746Б............................... 13 А
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток:
А746А................................... 50 В
А746Б................................ 55 В
Постоянное напряжение затвор—исток..... 25 В
Постоянное напряжение затвор—сток:
А746А................................... 60 В
А746Б................................ 65 В
Потенциал статического электричества... 200 В
Постоянная рассеиваемая мощность1 2:
Гк = -60...+25 "С...................... 250 Вт
7^ = +125'С......................... 50 Вт
Температура окружающей среды........... —60... Тк =
= +125 “С
1 Ток стока указан для каждой половины транзистора.
2 При Тк > +25 "С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ
носгь снижается линейно.
При подготовке транзистора к монтажу не допускается
попадание спирто-бензиновых смесей на клеевой шов транзи-
стора.
Расстояние от корпуса до начала изгиба вывода не менее
3 мм. Разрешается обрезать полосковые выводы на расстоя-
нии не менее 2 мм от корпуса. Расстояние от корпуса до места
пайки по длине вывода 2 мм, температура припоя +260 ± 5 °С,
время пайки не более 3 с.
Для уменьшения контактного сопротивления между кор-
пусом и теплоотводом следует применять пасты, например,
КПТ-8 по ГОСТ 19783-74.
А762А, А762Б
Транзисторы кремниевые полевые эпитаксиально-планар-
ные с изолированным затвором и каналом л-типа генератор-
ные. Предназначены для применения в усилителях мощности,
автогенераторах, преобразователях частоты, работающих на
частотах до 1 ГГц в герметизированной аппаратуре. Выпуска-
ются в металлокерамическом корпусе с полосковыми вывода-
ми. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 9 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Выходная мощность на Г = 1 ГГц
при йс пит = 45 В, Рвх = 30 Вт, Тк = +25 °С,
не менее:
А762А............................. 70 Вт
А762Б ........................... 60 Вт
Коэффициент полезного действия стока
на / = 1 ГГц при ис пит = 45 В, Рвх = 30 Вт,
Тк = +25 °С, не менее:
А762А............................. 30%
А762Б............................. 28%
Крутизна характеристики’ при {/си = 20 В,
/с - 2 А (Ги = 600 мкс, О = 200), не менее:
Т= +25 и -60 °С:
А762А.......................... 650 мА/В
А762Б......................... 550 мА/В
Т= +125 °С:
А762А........................... 560 мА/В
А762Б .......................... 450 мА/В
1 Крутизна характеристики указана для каждой половины транзистора.
А762(А,Б)
Начальный ток стока1 при 1/си = 20 В, {/зи = 0,
не более:
Т = +25 и —60 °С...................... 75 мА
Т=+125°С........................... 200 мА
Остаточный ток стока’ при С/си = 45 В,
1/зи = —10 В, не более................. 75 мА
Ток стока1 при 4/си = 20 В, = 20 В
(4, = 600 мкс, О = 200), не менее:
Т= +25 и -60 °С:
А762А............................ 9 А
А762Б............................ 7,5 А
Т= +125 "С:
А762А.......................... 6,5 А
А762Б............................ 5,5 А
Ток утечки затвора при (/си = 0, (/эи = —20 В,
не более............................... 2,5 • 10-7 А
’ Начальный ток стока, остаточный ток стока, ток стока указаны для каждой
половины транзистора.
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток....... 45 В
Постоянное напряжение затвор—исток..... 20 В
Постоянное напряжение затвор—сток...... 55 В
Потенциал статического электричества... 200 В
Постоянная рассеиваемая мощность1:
Гк = —60...+35 °С................... 160 Вт
Гк = +125 °С........................ 30 Вт
Температура окружающей среды........... —60... Тк =
= +125 °С 1 * 3
1 При Гк > +35 °С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность снижается линейно.
Расстояние от корпуса до начала изгиба вывода не менее
3 мм. Разрешается обрезать выводы на расстоянии не менее
1,5 мм от корпуса.
Минимальное расстояние до места пайки вывода от корпу-
са 2 мм, температура припоя +260 ± 5 °С, время пайки не
более 3 с. Допускается пайка на расстоянии не менее 1 мм от
корпуса, температура пайки не выше +150 °С, время пайки не
более 3 с. Допускается сварка выводов на расстоянии не
менее Т мм от корпуса, при этом температура корпуса не
должна превышать +150 °С.
Рекомендуется для улучшения отвода тепла от корпуса
транзистора применение мягкой прокладки из сплава индий—
олово с содержанием индия не менее 20% и жестких металли-
ческих прокладок (например, из медной фольги), расположен-
ных под краями фланца с наружной стороны от крепежных
винтов. Ориентировочная толщина мягких прокладок 60...
100 мкм, жесткой на 5... 10 мкм больше. Не допускается при-
менение мягкой прокладки без использования жесткой про-
кладки.
При использовании транзисторов необходимо учитывать
возможность их самовозбуждения как высокочастотных эле-
ментов и принимать меры к его устранению.
А808А, А808Б, А808В, А808Г
Транзисторы кремниевые полевые эпитаксиально-планар-
ные с изолированным затвором и каналом л-типа генератор-
ные. Предназначены для применения в усилителях мощности
при напряжении питания 12 В. Выпускаются в металлокерами-
ческом корпусе с полосковыми выводами. Тип прибора указы-
вается на корпусе.
Масса транзистора А808А не более 2 г, А808Б не более
5 г, А808В, А808Г не более 10 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
А808А
А 808 Б
А808 (ВЛ
Электрические параметры
Выходная мощность на /= 400 МГц
при {/Си = 12 В, Гк = +25 °С, не менее:
А808А при Рвх = 0,4 Вт.............. 3 Вт
А808Б при Рвх = 3,5 Вт.............. 15 Вт
А808В при Рвх = 9,5 Вт.............. 30 Вт
А808Г при Рвх = 9 Вт................ 25 Вт
Коэффициент полезного действия стока
на /= 400 МГц при {/си = 12 В, Гк = +25 °С,
не менее................................ 50%
Крутизна характеристики при {/си = 10 В,
= 600 мкс, О = 200, не менее:
А808А, /с = 0,5 А..................... 200 мА/В
А808Б, /С = 2А....................... 600 мА/В
А808В, /с = 4 А...................... 1200 мА/В
А808Г, /С = 4А....................... 1000 мА/В
Начальный ток стока при 1!^ = 10 В, {/зи = 0,
не более:
А808А................................... 10 мА
А808Б................................ 20 мА
А808В, А808Г......................... 30 мА
Ток стока при (/си = 2 В, ^/зи = 20 В,
1И = 600 мкс, О = 200, не менее:
А808А............................... 0,6 А
А808Б............................... 3 А
А808В.............................. 6 А
А808Г.............................. 5 А
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток....... 36 В
Постоянное напряжение затвор—исток....... 20 В
Постоянное напряжение затвор—сток........ 41 В
Потенциал статического электричества:
А808А................................. 100 В
А808Б, А808В, А808Г.................. 200 В
Постоянная рассеиваемая мощность1
при Тк = —60...+100 °С:
А808А.................................... 3 Вт
А808Б................................. 15 Вт
А808В, А808Г.......................... 30 Вт
Температура кристалла.................... +150 °С
Температура окружающей среды............. —60... Тк =
= +125 °С
1 При Гк = +100...+ 125 'С максимально допустимая постоянная рассеивае-
мая мощность снижается линейно до 0,5
Транзисторы пригодны для монтажа в аппаратуре паяльни-
ком. Допустимое число перепаек — 3. Расстояние от корпуса
до начала изгиба вывода не менее 3 мм. Разрешается обре-
зать выводы на расстоянии не менее 1 мм от корпуса. Мини-
мальное расстояние места пайки выводов от корпуса 2 мм,
температура припоя +265 °С, время пайки не более 3 с. Допус-
кается пайка на расстоянии не менее 1 мм от корпуса, темпе-
ратура пайки не выше +150 °С, время пайки не более 3 с.
Допускается сварка выводов на расстоянии не менее 1 мм от
корпуса, при этом температура корпуса не должна превышать
+150 “С.
Шероховатость контактирующей поверхности должна быть
не более 1,6 мкм, неплоскостность не более 0,02 мм. Для
уменьшения контактного сопротивления следует применять
пасты, например, КПТ—8 по ГОСТ 19783.
Раздел четвертый
Кремниевые комбинированные транзисторы
2Е701А, 2Е701Б, 2Е701В, 2Е701Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные, состо-
ящие из биполярного структуры п-р-п и полевого с изолиро-
ванным затвором и каналом л-типа переключательные. Пред-
назначены для применения во вторичных источниках питания,
переключающих и импульсных устройствах, в ключевых стаби-
лизаторах и преобразователях напряжения, в усилителях, ге-
нераторах. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с
полосковыми выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 4,7 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2Е70КА-Г)
Электрические параметры
Крутизна характеристики при {/кэ = 5 В,
4 = 10 А, не менее.............................. 12* А/В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
"Ри изэ = 15 В, /к = 10 А, = 500 мкс, О = 100:
Т = +25 °С:
2Е701А, 2Е7О1Б........................ 2*...2,2*...2,5 В
2Е701В, 2Е701Г........................ 2,6*...3*...3,5 В
Т= +125 и -60 ’С:
2Е7О1А, 2Е701Б, не более............... ЗВ
2Е701В, 2Е7О1Г, не более............ 4 В
Пороговое напряжение при {/кэ = 10 В,
/к = 0,01 А................................ 2*...2,«*...4 В
Время включения при 11^ = 250 В, (/зэ = 10 В,
4 = 10 А................................... 150*...200*...
250* нс
Время выключения при Ц& = 250 В, (/зэ = 10 В,
4 = Ю А:
2Е701А, 2Е701В......................... 360*...500*...
700* нс
2Е701Б, 2Е701Г......................... 400*..,700* ..
1000* нс
Обратный ток коллектор—эмиттер
при (/ю = С4э( МАКС, иээ = 0, не более..... 1 мА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при {/кэ = 30 В, Узэ = 0, Т= -60...+125 ’С,
не более................................... 0,05 мА
Ток утечки затвора при {/зэ = 20 В......... 10"”*... 10-9*
...10~7* А
Входная емкость при 1/^ = 30 В, Узэ = 0 ... 1500*...1650*
...1700* пФ
Выходная емкость при С/кэ = 30 В, (/зэ = 0. 50*...70*...
90* пФ
Проходная емкость при (/кз = 30 В, С1ЗЭ = 0 .... 15*... 18*...
22* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
2Е701А, 2Е701В......................... 500 В
2Е701Б, 2Е701Г......................... 700 В
Постоянное напряжение затвор—эмиттер....... 20 В
Потенциал статического электричества....... 200 В
Постоянный ток коллектора.................. 25 А
Импульсный ток коллектора.................. 35 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’ при = 50 В, Тк = —60...+35 ’С........ 75 Вт
1 При Тк> +35 °С и 50 В максимально допустимая постоянная рассеи-
ваемая мощность коллектора рассчитывается по формуле:
6с макс х к*'кт Вт>
где /Си = 50/(4, /Ст = (150 - Гк)/1,53.
Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при 7И = 1 мкс, О - 100:
2Е701А, 2Е701В........................... 17,5 кВт
2Е701Б, 2Е701Г....................... 24,5 кВт
Температура р-п перехода................. +150 ’С
Тепловое сопротивление переход—корпус... 1,53 °С/Вт
Температура окружающей среды............ —60... Гк =
= +125 ’С
’ При Гк > +35 "С максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле:
рк.и,МАкс = (150 - Гк)/Л, И(ПЧ(,, Вт.
Транзисторы пригодны для монтажа в аппаратуре паяльни-
ком. Допустимое число перепаек транзисторов при проведе-
нии монтажных операций — 3. Расстояние от корпуса до
начала изгиба выводов не менее 3 мм. Разрешается откусы-
вать полосковые выводы на расстоянии не менее 3 мм от
корпуса, а также формовка выводов транзисторов на рассто-
янии не менее 1 мм от корпуса. Минимальное расстояние
места пайки выводов от корпуса 2 мм, температура припоя не
выше +265 ’С, время пайки не более 3 с. Допускается пайка
выводов на расстоянии не менее 1 мм от корпуса.
Расстояние от корпуса до места лужения и пайки по длине
вывода не менее 3 мм, температура припоя +260 ± 5 ’С, время
пайки не более 3 с.
При установке в аппаратуру транзистор должен плотно
прилегать к теплоотводу. Шероховатость контактирующей по-
верхности теплоотвода должна быть не более 1,6 мкм, не-
плоскостность не более 0,02 мм. Для уменьшения контактного
сопротивления следует применять смазки, например, КПТ—8
по ГОСТ 19783. Допускается пайка фланца корпуса транзисто-
ра к теплоотводу, температура пайки не выше +160 ’С, время
пайки не более 3 с.
Схема соединения электродов
с выводами 2Е7О1А—2Е701Г
Зависимости теплового сопротив-
ления от длительности импульса
5.А/В
Зависимость крутизны характеристи-
ки от напряжения затвор—эмиттер
Зависимости напряжения
насыщения коллектор—
эмиттер от напряжения
затвор—эмиттер
5,А/В
о 2 4 6 8 1к,А
Зависимость крутизны характери-
стики от тока коллектора
Раздел пятый
Арсенидогаллиевые полевые транзисторы
ЗП602А-2, ЗП602Б-2, ЗП602В-2, ЗП602Г-2,
ЗП602Д-2, ЗП6О2Б-5, ЗП602Д-5, АП602А-2,
АП602Б-2, АП602В-2, АП602Г-2, АП602Д-2
Транзисторы полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-
планарные с барьером Шотки и каналом л-типа сверхвысоко-
частотные генераторные. Предназначены для применения в
усилителях мощности, преобразователях частоты на частотах
3...12 ГГц в герметизированной аппаратуре. Транзисторы
ЗП602А-2-ЗП602Д-2, АП602А-2-АП602Д-2 бескорпусные
с гибкими выводами на металлокерамическом кристаллодер-
жателе. Тип прибора указывается на крышке кристаллодержа-
теля. Транзисторы ЗП602Б—5, ЗП602Д— 5 выпускаются в виде
кристаллов с контактными площадками без кристаллодержа-
теля и без выводов для применения в гибридных интегральных
микросхемах. Тип прибора указывается в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 1,5 г, кристал-
ла не более 0,0006 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
ЗП602 (А-2-Д-2), АП602 (А-2-Д-2)
Электрические параметры
Выходная мощность:
ЗП602А-2, АП602А-2 на /= 12 ГГц
при /7СИ = 7 В, Рвх = 100 мВт............ 180...210*...
230* мВт
ЗП602Б—2, АП602Б-2 на Г= 12 ГГц
при иси = 7 В, Рвх = 50 мВт.............. 100... 110*...
140* мВт
ЗП602В-2, АП602В-2 на / = 8 ГГц
при 6'си = 7 В, Рвх = 100 мВт............ 200...240*...
320* мВт
ЗП602Г-2, АП602Г-2 на /= 10 ГГц
при = 7,5 В, Рвх = 250 мВт............... 450...500*...
550* мВт
ЗП602Д-2, АП602Д-2 на Г= 8 ГГц
при = 7,5 В, Рвх = 250 мВт............... 500...540*...
600* мВт
ЗП6О2Б-5 на Г = 12 ГГц при 7/си = 7 В,
Рцх = 50 мВт, не менее .................. 100 мВт
ЗП602Д-5 на /= 12 ГГц при Уси = 7 В,
Рвх = 250 мВт, не менее.................. 500 мВт
Коэффициент усиления по мощности:
ЗП602А-2, АП602А-2 на Г = 12 ГГц
при (/си = 7 В, Рвх = 100 мВт............... 2,6...3,2*...
3,6* дБ
ЗП602Б-2, АП602Б-2 на Г= 12 ГГц
при (/си = 7 В, Рвх = 50 мВт.............. 3...3.4*...
4,5* дБ
ЗП602В-2, АП602В-2 на Г = 8 ГГц
при (/си = 7 В, Рвх = 100 мВт............. 3...3.8*...
5,1* дБ
ЗП602Г-2, АП602Г-2 на 10 ГГц
при 1/си = 7,5 В, Рвх = 250 мВт........... 2,6...3*...
3,5* дБ
ЗП602Д-2, АП602Д-2 на (= 8 ГГц
при (/си = 7,5 В, Рвх = 250 мВт........... 3...3,4*...
3,8* дБ
ЗП602Б-5, ЗП602Д-5 на Г = 12 ГГц
при 1/си = 7 В, не менее.................... 3 дБ
Крутизна характеристики при (/си = 3 В,
С/зи = —2 В:
Т = +25 ’С:
ЗП602А-2, АП602А-2........................ 20...60*...
100* мА/В
ЗП602Б-2, АП602Б-2 ................... 20...50*...
80* мА/В
ЗП602В-2, АП602В-2 ................... 20...45*...
70* мА/В
ЗП602Г-2, АП602Г-2 ..................... 40... 120*...
200* мА/В
ЗП602Д-2, АП602Д-2................... 40...100*...
160* мА/В
ЗП602Б—5, не менее...................... 20 мА/В
ЗП602Д—5, не менее...................... 40 мА/В
Т= +85 ’С:
ЗП602А-2, АП602А-2........................ 15...35*...
50* мА/В
ЗП602Б-2, АП602Б-2.................... 15...30*...
50* мА/В
ЗП602В-2, АП602В-2.................... 15...20*...
30* мА/В
ЗП602Г-2, АП602Г-2 ................... 30...70*...
120* мА/В
ЗП602Д-2, АП602Д-2.................... 30...60*...
100* мА/В
Т= -60 °С:
ЗП602А-2, АП602А-2........................ 25...70*...
110* мА/В
ЗП602Б-2, АП602Б-2 ................... 25...60*...
90* мА/В
ЗП602В—2, АП602В-2 ................... 25...50*...
80* мА/В
ЗП602Г-2, АП602Г-2..................... 50„.140*...
180* мА/В
ЗП602Д-2, АП602Д-2..................... 50... 120*...
160* мА/В
Начальный ток стока при 6/си = 3 В, Ци = 0:
Т = +25 “С:
ЗП602А-2, АП602А-2......................... 220...270*...
320* мА
ЗП602Б—2, ЗП602Б-5, АП602Б-2........... 180...220*...
280* мА
ЗП602В—2, АП602В-2..................... 110...160*...
200* мА
ЗП602Г-2, АП602Г-2 .................... 440...540*...
640* мА
ЗП602Д-2, ЗП602Д-5, АП602Д-2 .......... 360...440*...
560* мА
Т = +85 °С:
ЗП602А-2, АП602А-2......................... 160... 180*...
260* мА
ЗП602Б-2, АП602Б-2 ............’....... 120... 150*...
220* мА
ЗП602В-2, АП602В-2 .................... 80... 130*...
180* мА
ЗП602Г-2, АП602Г-2 .................... 320...360*...
520* мА
ЗП602Д-2, АП602Д-2..................... 240...300*...
440* мА
Т = -60 °С:
ЗП602А-2, АП602А-2......................... 240...300*...
340* мА
ЗП602Б-2, АП602Б-2 .................... 200...240*...
300* мА
ЗП602В-2, АП602В-2 .................... 130...180*...
230* мА
ЗП602Г-2, АП602Г-2 .................... 480...600*...
680* мА
ЗП602Д-2, АП602Д-2..................... 400...480*...
800* мА
Ток утечки затвора при Ци = —3,5 В, не более:
Т= +25 ’С:
ЗП602А-2, АП602А-2, ЗП602Б-2,
АП602Б-2, ЗП602В—2, АП602В-2..... 0,3 мА
ЗП602Г-2, АП602Г-2, ЗП602Д-2,
АП602Д-2......................... 0,6 мА
ЗП602Б-5......................... 0,1 мА
ЗП602Д-5......................... 0,2 мА
Т= -60 ’С:
ЗП602А-2, АП602А-2, ЗП602Б-2,
АП602Б-2, ЗП602В-2, АП602В-2..... 0,3 мА
ЗП602Г-2, АП602Г-2, ЗП602Д-2,
АП602Д-2......................... 0,6 мА
Т = +85 'С:
ЗП602А-2, АП602А-2, ЗП602Б-2,
АП602Б-2, ЗП602В-2, АП602В-2..... 1 мА
ЗП602Г-2, АП602Г-2, ЗП602Д-2,
АП602Д-2......................... 2 мА
Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии при €/си = 1 В, 6/зи = 0, типовое зна-
чение:
ЗП602А-2, ЗП602Б-2, ЗП602Б-5........ 7,5* Ом
ЗП602Г-2, ЗП602Д-2, ЗП602Д-5........ 6* Ом
Время задержки включения при 1!^ = 6 В,
6/зи = “6 В, €/вх = 4 В, Иц = 100 Ом для
ЗП602А-2, ЗП602Б-2, ЗП602Г-2, ЗП602Д-2,
ЗП602Б—5, ЗП602Д—5, типовое значение... 240* пс
Время нарастания при 6/си = 6 В, 6/^ = —6 В,
Увх = 4 В, /?< = 50 Ом, типовое значение:
ЗП602А-2, ЗП602Б-2, ЗП602Б-5........ 100* пс
ЗП602Г-2, ЗП602Д-2, ЗП602Д-5........ 130* пс
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания на стоке1:
Т= -60...+40 'С:
ЗП602А-2, АП602А-2, ЗП602Б-2,
АП602Б-2, ЗП602В-2, АП602В-2,
ЗП602Б-5......................... 7 В
ЗП602Г-2, ЗП602Д-2, ЗП602Д-5,
АП602Г-2, АП602Д-2............... 7,5 В
Т= +40...+70 ’С..................... 6 В
Т = +70...+85 ’С.................... 5 В
1 Максимально допустимое напряжение питания на стоке в диапазоне темпе-
ратур Гц = +4О...+7О "Си Гк = +70...+85 "С уменьшается линейно.
8-852 225
Постоянное напряжение затвор—исток...... 3,5 В
Потенциал статического электричества.... 30 В
Постоянная рассеиваемая мощность1:
Гк = -60...+40 ’С:
ЗП602А-2, АП602А-2, ЗП602Б-2,
АП602Б-2, ЗП602В-2, АП602В-2,
ЗП602Б-5......................... 900 мВт
ЗП602Г-2, ЗП602Д-2, ЗП602Д-5,
АП602Г-2, АП602Д-2............... 1800 мВт
Гк = +85 ’С:
ЗП602А-2, АП602А-2, ЗП602Б-2,
АП602Б-2, ЗП602В-2, АП602В-2,
ЗП602Б-5......................... 450 мВт
ЗП602Г-2, ЗП602Д-2, ЗП602Д-5,
АП602г—2, АП602Д-2............... 900 мВт
Средняя рассеиваемая мощность в динамиче-
ском режиме1 2 3:
Тк = -60...+40 ’С:
ЗП602А-2, АЛ602А-2, ЗП602Б-2,
АП602Б-2, ЗП602В-2, АП602В-2,
ЗП602Б-5......................... 900 мВт
ЗП602Г—2, ЗП602Д-2, ЗП602Д-5,
АП602Г-2, АП602Д-2............... 1800 мВт
Гк = +85 ’С:
ЗП602А-2, АП602А-2, ЗП602Б-2,
АП602Б-2, ЗП602В-2, АП602В-2,
ЗП602Б-5......................... 450 мВт
ЗП602Г-2, ЗП602Д-2, ЗП602Д-5,
АП602Г-2, АП602Д-2 .............. 900 мВт
Минимальная рабочая частота............. 3 ГГц
Температура структуры................... +130 ’С
Температура окружающей среды............ — 60... Тк =
= +85 ’С
1 Максимально допустимые постоянная и средняя рассеиваемые мощности в
диапазоне температур Гк = +4О...+85 ”С уменьшаются линейно.
2 Максимально допустимое значение средней рассеиваемой мощности в
динамическом режиме определяется как
Р<з>,макс = Ц:' 4 — ^вых + ®т-
Допускается эксплуатация транзисторов на частотах ниже
3 ГГц до 100 МГц при напряжении питания на стоке не более
5 В.
Расстояние от кристаллодержателя до места пайки выво-
дов не менее 2 мм. Температура припоя не выше +265 ’С,
226
время пайки не более 3 с. Допускается пайка выводов на
расстоянии не менее 1 мм от кристаллодержателя, при этом
температура пайки не должна превышать +150 ’С, время пай-
ки не более 4 с. Допускается пайка выводов на расстоянии
1 мм от кристаллодержателя, при этом температура пайки не
выше +150 °С, время пайки не более 3 с.
Допускается однократный изгиб выводов с радиусом за-
кругления 1,5 мм на расстоянии 2 мм от кристаллодержателя.
Допускается при монтаже транзисторов обрезать выводы
на расстоянии не менее 2 мм от кристаллодержателя, при
этом усилие не должно передаваться на место приварки выво-
да к кристаллодержателю.
Технология сборки транзисторов ЗП602Б—5, ЗП602Д—5 в
составе гибридных схем, применяемые детали и материалы
должны обеспечивать значение сопротивления структура—кор-
пус, собранного в гибридную схему транзистора, при котором
температура структуры не выше +130 ’С.
При монтаже транзисторов в состава гибридных схем не-
обходимо выполнять следующие условия:
монтаж рекомендуется осуществлять с помощью клея
ЭЧЭ-С ТУ ЫУО. 0287052. Температура сушки +120 ± 10 ’С,
время сушки 1,5 ч. Допускается пайка эвтектическими припоя-
ми СеАи при температуре +380 ± 10 ’С, время пайки 5 с.
После посадки транзистора в гибридную схему необходимо
удалить посторонние частицы с рабочей поверхности методом
обдува ее очищенным нейтральным газом и проверить внеш-
ний вид;
присоединение выводов к контактным площадкам реко-
мендуется производить термокомлрессионной сваркой при тем-
пературе +310 ± 20 ’С. Суммарное время нагрева транзистора
при этой температуре не более 1,5 мин. В целях исключения
возможности более длительного воздействия температуры на-
грева, при групповой сборке необходимо применение локаль-
ного подогрева участков платы гибридной схемы под каждый
транзистор. В качестве вывода должна применяться золотая
проволока Зл999,9 диаметром от 0,015 до 0,025 мм. Соедине-
ние вывода с контактной площадкой должно выдерживать
разрывное усилие не менее 0,3 г;
выводы после приварки не должны касаться планарной
структуры транзистора и боковых ребер кристалла;
не допускается смещение сварных точек, приводящих к
закорачиванию элементов структуры;
не допускается сильное натяжение и провисание выводов;
не допускается разрыв (пережатие) золотой проволоки в
месте сварки.
После извлечения транзисторов из герметичной или влаго-
защитной упаковки изготовителя до присоединения выводов к
контактным площадкам транзисторы должны находиться в спе-
циальной камере с инертной средой не более 10 сут. В случае
использования части транзисторов из общей упаковки, неис-
пользованные транзисторы должны быть повторно упакованы
в герметичную тару. Требование на хранение в специальной
камере с инертной средой не более 10 сут распространяется
на повторно упакованные транзисторы с момента вскрытия
вторичной упаковки.
Зависимости электрических параметров ЗП602В-5, ЗП602Д—5
аналогичны зависимостям ЗП602Б—2, ЗП602Д—2.
Зависимости выходной мощности
от входной мощности
Зависимость выходной мощности
от входной мощности
Зависимости крутизны
характеристики от то-
ка стока
Зависимости выходной
мощности от входной
мощности
Зависимости выходной
мощности от входной
мощности
Зависимость выходной мощности
от входной мощности
Зависимости выходной мощности
от входной мощности
ЗП6ОЗА-2, ЗП6ОЗБ—2, ЗП6ОЗА1-2, ЗП6ОЗБ1-2,
ЗП6ОЗА-5, ЗП6ОЗБ-5, АП603А-2, АП603Б-2,
АП603А1-2, АП603Б1-2, АП603А-5, АП603Б-5
Транзисторы полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-
планарные с барьером Шотки и каналом л-типа сверхвысоко-
частотные генераторные. Предназначены для применения в
усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях ча-
стоты на частотах до 12 ГГц в герметизированной аппаратуре.
Транзисторы ЗП6ОЗА-2, ЗП6ОЗБ-2, ЗП6ОЗА1-2, ЗП6ОЗБ1-2,
АП603А-2, АП603Б-2, АП603А1-2, АП603Б1-2 бескорпус-
ные с гибкими выводами на металлокерамическом кристалло-
Держателе. Тип прибора обозначается маркировочной точкой
на крышке кристаллодержателя: красной для ЗП6ОЗА—2, бе-
лой для ЗП6ОЗБ—2, или на выводе истока: красной для
ЗП6ОЗА1—2, белой для ЗП6ОЗБ1—2. Транзисторы ЗП6ОЗА—5,
ЗЛ6ОЗБ— 5, АП603А—5, АП603Б—5 выпускаются в виде кри-
сталлов с контактными площадками без кристаллодержателя
и без выводов для гибридных интегральных микросхем. Тип
прибора указывается в этикетке.
Масса транзисторов ЗП6ОЗА—2, ЗП6ОЗБ—2, АП603А—2,
АП603Б-2 не более 0,2 г, ЗП6ОЗА1-2, ЗП6ОЗБ1-2, АП603А1-2,
АП603Б1-2 не более 0,15 г, ЗП6ОЗА-5, ЗП6ОЗБ-5, АП603А-5,
АП603Б—5 не более 0,0006 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
АП603 А1-2, АП603 Б1-2
ЗП6ОЗА1-2. ЗП6ОЗБ1-2
АП603 А-2, АП603 Б-2
ЗП6ОЗ А-2, ЗП6ОЗ Б-2
АЛШ (А-5. Б-5)
ЗП6ОЗ (А-5. Б-5)
Электрические параметры
Выходная мощность при = 8 В,
7К = +25 °С:
^=12 ГГц, Рвх = 0,25 Вт для ЗП6ОЗА-2,
ЗП6ОЗА1-2, ЗП6ОЗА-5, АП603А-2,
АП603А1-2, АП603А-5....................... 0,5...0,57*..
0,7* Вт
/= 12 ГГц, Рвх = 0,5 Вт для ЗП6ОЗБ-2,
ЗП6ОЗБ1-2, ЗП6ОЗБ-5, АП603Б-2,
АП603Б1-2, АП603Б-5....................... 1...1.05*..
1,25* Вт
Г = 10 ГГц, Рвх = 0,4 Вт для ЗП6ОЗА-2,
ЗП6ОЗА1—2, не менее..................... 0,8 Вт
Коэффициент усиления по мощности
на Л= 12 ГГц при (/си = 8 В, 7К = +25 °С:
Рвх = 0,25 Вт для ЗП6ОЗА-2, ЗП6ОЗА1-2,
ЗП6ОЗА-5, АП603А-2, АП603А1-2,
АП603А-5............................ 3...3.6*...
4,5* дБ
Рвх = 0,5 Вт для ЗП6ОЗБ-2, ЗП6ОЗБ1-2,
ЗП6ОЗБ-5, АП603Б-2, АП603Б1-2,
АП603Б-5................................ 3...3.2* ..4* дБ
Коэффициент усиления по мощности в линей-
ной области амплитудной характеристики на
7 = 12 ГГц при Рвх = 20 мВт, 7К = +25 °С:
ЗПбОЗА—2, ЗП6ОЗА1-2, ЗП6ОЗА-5,
АП603А-2, АП603А1-2, АП603А-5.................. 3...4*...5* дБ
ЗП6ОЗБ-2, ЗП6ОЗБ1-2, ЗП6ОЗБ-5,
АП603Б-2, АП603Б1-2, АП603Б-5.............. 4...5*...6* дБ
Коэффициент полезного действия стока
на 7= 12 ГГц при (/си = 8 В, 7К = +25 ’С:
Рвх = 0,25 Вт для ЗПбОЗА—2, ЗП6ОЗА1-2,
ЗПбОЗА—5, АП603А-2, АП603А1-2,
АП603А-5...................................... 15...20*...25*%
Рвх = 0,5 Вт для ЗП6ОЗБ-2, ЗП6ОЗБ1-2,
ЗП6ОЗБ-5, АП603Б-2, АП603Б1-2,
АП603Б-5 ................................. 30...40*...50*%
Крутизна характеристики при = 3 В,
4 = 0,4 А:
7 = +25 ’С:
ЗП6ОЗА-2, ЗПбОЗА 1-2, ЗП603А-5,
. АП603А-2, АП603А1-2, АП603А-5... 50...140*...
180* мА/В
ЗП6ОЗБ-2, ЗП6ОЗБ1—2, ЗП6ОЗБ-5,
АП603Б-2, АП603Б1-2, АП603Б-5.... 80...140*...
180* мА/В
7 = -60 ’С:
ЗП6ОЗА-2, ЗПбОЗА 1-2, ЗП6ОЗА-5,
АП603А-2, АП603А1-2, АП603А-5... 60... 150*...
200* мА/В
ЗП6ОЗБ-2, ЗП6ОЗБ1-2, ЗП6ОЗБ-5,
АП603Б-2, АП603Б1-2, АП603Б-5.... 90...170*...
200* мА/В
7= +125 ’С:
ЗП6ОЗА-2, ЗП6ОЗА1-2, ЗП6ОЗА-5,
АП603А-2, АП603А1-2, АП603А-5... 35...65*...
110* мА/В
ЗП6ОЗБ-2, ЗП6ОЗБ1-2, ЗП6ОЗБ-5,
АП603Б-2, АП603Б1-2, АП603Б-5.... 60...75*...
110* мА/В
Начальный ток стока при (/си = 3 В:
7= +25 ’С:
ЗП6ОЗА-2, ЗПбОЗА 1-2, ЗП6ОЗА-5,
АП603А-2, АП603А1-2, АП603А-5... 400...500*...
600* мА
ЗП6ОЗБ-2, ЗП6ОЗБ1-2, ЗП6ОЗБ-5,
АП603Б-2, АП603Б1-2, АП603Б-5.... 450...550*...
600* мА
7= -60 "С:
ЗП6ОЗА-2, ЗП6ОЗА1-2, ЗП6ОЗА-5,
АП603А-2, АП603А1-2, АП603А-5... 450...600*...
700* мА
ЗП6ОЗБ-2, ЗП6ОЗБ1-2, ЗП6ОЗБ-5,
АП603Б-2, АП603Б1-2, АП603Б-5.... 500...650*...
700* мА
7 = +125 "С:
ЗП6ОЗА—2, ЗП6ОЗА1-2, ЗП6ОЗА-5,
АП603А-2, АП603А1-2, АП603А-5 ... 320...400*...
450* мА
ЗП6ОЗБ-2, ЗП6ОЗБ1-2, ЗП6ОЗБ-5,
АП603Б-2, АП603Б1-2, АП603Б-5.... 350...450*...
480* мА
Остаточный ток стока при исм = 3 В,
(7ЗИ = —5 В, 7 = +25 ‘С, не более.......... 5 мА
Ток утечки затвора при (/зи = —3,5 В, не более:
7=+25 и-60’С............................ 0,1 мА
7=+125’С................................ 0,25 мА
Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии при Уси = 1 В, (/зи = 0, типовое зна-
чение .........1........................... 4,7* Ом
Время задержки включения при (/Си = 7,5 В,
(/зи = 4 В, Увх = 4 В, /?н = 100 Ом, типовое
значение................................... 240* пс
Время нарастания при (/си = 7,5 В, 1/зи = 4 В,
(/вх = 4 В, /?н = 50 Ом, типовое значение.. 110* пс
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания на стоке:
7=-60...+70 ’С..................... 8 В
7=+70...+125 ’С.................... 6 В
Постоянное напряжение затвор—исток.... 3,5 В
Потенциал статического электричества.. 30 В
Постоянная рассеиваемая мощность1:
7К = -60...+25 ’С..................... 2,5 Вт
7К = +125’С........................ 0,5 Вт
’ При Гк = +25...+125 °С максимально допустимая постоянная и средняя
рассеиваемые мощности снижаются линейно.
Средняя рассеиваемая мощность1 в динамиче-
ском режиме:
Тк = —60...+25 ’С.................... 2,5 Вт
7К = +125 ’С......................... 0,5 Вт
Температура окружающей среды............. —60... Тк =
= +125 ’С
' Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом
режиме определяется как
^ср, МАКС = Ц: ’ 4 - ^вых ^вх> ^т-
Максимально допустимое расстояние от кристаллодержа-
теля до места пайки выводов 2 мм при температуре пайки не
выше +260 ’С. Допускается пайка выводов на расстоянии 1 мм
от кристаллодержателя при длительности пайки не более 3 с и
температуре не выше +150 °С. Для транзисторов ЗП6ОЗА1—2,
ЗП6ОЗБ1—2, АП603А1—2, АП603Б1—2 разрешается произво-
дить присоединение золотой проволоки непосредственно к
контактной площадке затвора на керамическом изоляторе кри-
сталлодержателя при температуре +260 ’С.
Технология сборки транзисторов ЗП6ОЗА—5, ЗП602Б—5,
АП603А—5, АП602Б—5 в гибридные схемы, применяемые де-
тали и материалы гибридных схем должны обеспечивать зна-
чение общего теплового сопротивления собранного в гибрид-
ную схему транзистора не выше 200 ’С/Вт.
Монтаж транзисторов в гибридные схемы должен прово-
диться в следующей последовательности:
термокомпрессионное присоединение к контактным пло-
щадкам истока, стока и затвора транзистора должен произво-
диться с помощью прокладок из золотой фольги. Размеры
прокладок: 0,6x0,9x0,01 мм для присоединения к контактным
площадкам истока;
припайка прокладок, соединенных с истоком транзистора,
к элементам гибридной схемы;
термокомпрессионное присоединение прокладок, соеди-
ненных со стоком и затвором транзистора, к элементам гиб-
ридной схемы.
Термокомпрессионное присоединение прокладок рекомен-
дуется производить при температуре +360 ± 10 ’С и давлении
60 ± 10 г в течение 1,5 с Материал прокладок для истока —
золотая фольга Зл999,9—0,06, а для стока и затвора — золо-
тая фольга Зл999,9—0,01.
Монтаж транзистора с напаянными прокладками в гибрид-
ную схему производится припайкой припоем золото—олово
истоковой площадки к элементам гибридной схемы при темпе-
ратуре +350 ± 10 ’С и давлении 60 ± 10 г.
ЗМ
Присоединение кристалла к контактной площадке должно
выдерживать критическую величину сдвига кристалла не ме-
нее 44 гс.
После извлечения транзисторов из упаковки изготовителя
до присоединения выводов к контактным площадкам транзи-
сторы должны находиться в специальной камере с инертной
средой не более 10 сут. В случае использования части тран-
зисторов из общей упаковки, неиспользованные транзисторы
должны быть повторно упакованы в герметичную тару. Требо-
вание на хранение в специальной камере с инертной средой не
более 10 сут распространяется на повторно упакованные тран-
зисторы с момента вскрытия вторичной упаковки.
Зависимости электрических параметров от напряжения и
входной мощности для ЗПбОЗА—5, ЗП6ОЗБ—5, АП603А—5,
АП603Б-5, ЗП6ОЗА1—2, ЗП6ОЗБ1-2, АП603А-2, АП603Б-2,
АП603А1—2, АП603Б1—2, аналогичны зависимостям ЗПбОЗА—2,
ЗП6ОЗБ-2.
Выходные характеристики
Зависимость тока стока от напря-
Зависимость выходной мощности
от входной мощности
жения затвор—исток
Зависимости коэффициента усиле-
ния и коэффициента полезного
действия от выходной мощности
ЗП604А-2, ЗП604Б-2, ЗП604В-2, ЗП604Г-2,
ЗП604А1-2, ЗП604Б1—2, ЗП604В1-2, ЗП604Г1-2,
ЗП604А-5, ЗП604Б-5, ЗП604В-5, ЗП604Г-5,
АП604А-2, АП604Б-2, АП604В-2, АП604Г-2,
АП604А1-2, АП604Б1-2, АП604В1-2, АП604Г1-2,
АП604А-5, АП604Б-5, АП604В-5, АП604Г-5
Транзисторы полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-
планарные с затвором в виде барьера Шотки и каналом л-типа
генераторные. Предназначены для применения в усилителях
мощности, автогенераторах, преобразователях частоты на ча-
стотах до 18 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем,
микросборках. Транзисторы ЗП604А—2-ЗП604Г—2, ЗП604А1—2—
ЗП604Г1-2, АП604А-2-АП604Г-2, АП604А1-2-АП604Г1-2
бескорпусные на металлокерамическом кристаллодержателе с
гибкими выводами.
На транзисторы ЗП604А1-2-ЗП604Г1-2, АП604А1-2-
АП604Г1—2 дополнительно устанавливается керамический кол-
пачок, закрывающий кристалл. Транзисторы ЗП604А—5—
ЗП604Г—5, АП604А—5—АП604Г—5 выпускаются в виде кри-
сталлов с контактными площадками без кристаллодержателя и
без выводов. Транзисторы маркируются цветными точками:
ЗП604А—2, ЗП604А1—2 — одной красной, ЗП604Б—2,
ЗП604Б1—2 — одной синей, ЗП604В—2, ЗП604В1—2 — одной
черной, ЗП604Г—2, ЗП604Г1—2 — одной белой, АП604А—2,
АП604А1—2 — двумя красными, АП604Б—2, АП604Б1—2 —
двумя синими, АП604В—2, АП604В1—2 — двумя черными,
АП604Г—2, АП604Г1—2 — двумя белыми. Тип прибора указыва-
ется в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,3 г, кристал-
ла не более 0,004 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Выходная мощность на /= 17,4 ГГц
при Уси = 7 В, Тк = +25 ’С:
ЗП604А-2, ЗП604А1-2, ЗП604А-5,
АП604А-2, АП604А1-2, АП604А-5
при Рвх = 100 мВт................... 200...205*...
240* мВт
ЗП604Б-2, ЗП604Б1-2, ЗП604Б-5,
АП604Б-2, АП604Б1-2, АП604Б-5
при Рвх = 65 мВт.................... 125...140*...
190* мВт
ЗП6Ш (А-2-Г-2), АП6О4 (А-2-Г-2)
ЗП604 (А1-2-Г1-2). АП6О4 (А1-2-Г1-2)
ЗП604В-2, ЗП604В1-2, ЗП604В-5,
АП604В-2, АП604В1-2, АП604В-5
при Рвх = 40 мВт.......................... 75...90*...
110* мВт
ЗП604Г-2, ЗП604Г1-2, ЗП604Г-5,
АП604Г—2, АП604Г1-2, АП604Г-5
при Рви ~ 25 мВт.......................... 50...60*...
70* мВт
Коэффициент усиления по мощности
на /= 17,4 ГГц при Уси = 7 В, 7К = +25 °С:
ЗП604А-2, АП604А-2 при Рвх = 100 мВт. 3...3,1*...
3,8* дБ
ЗМ0Ь(А-5~Г-5), АП604(А-5~Г-5)
ЗП604А1—2, ЗП604А-5, АП604А1-2,
АП604А-5 при = 100 мВт........................ 2.6...3*...
3,3* ДБ
ЗП604Б-2, АП604Б-2 при Рвх = 65 мВт ... 3...3,1*...4,8* дБ
ЗП604Б1-2, АП604Б-5, АП604Б1-2,
АП604Б—5 при Рвх = 65 мВт..................... 2.6...3*...
4,3* дБ
ЗП604В-2, АП604В-2 при Рвх = 40 мВт ... 3...3.5*...
5,5* дБ
ЗП604В1-2, ЗП604В-5, АП604В1-2,
АП604В—5 при Рвх = 40 мВт..................... 3...3,1*...5* дБ
ЗП604Г-2, АП604Г-2 при Рвх = 25 мВт .... 3...3.5*...
5,5* дБ
ЗП604Г1-2, ЗП604Г-5, АП604Г1-2,
АП604Г-5 при Рвх = 25 мВт..................... 3...3,1*...5* дБ
Коэффициент усиления по мощности в ли-
нейной области амплитудной характеристики
на /= 17,4 ГГц при (/Си = 4 В, Рвх = 5 мВт,
7К =+25 °С........................................ 3,5...4,5*...
9* дБ
Коэффициент полезного действия стока
на /= 17,4 ГГц при Ц.и = 7 В, 7К = +25 °С:
ЗП604А-2, ЗП604А1-2, ЗП604А-5,
АП604А-2, АП604А1-2, АП604А-5
при Рвх = 100 мВт............................. 30...32*...35*%
ЗП604Б-2, ЗП604Б1-2, ЗП604Б-5,
АП664Б-2, АП604Б1—2, АП604Б-5
при Рвх = 65 мВт.............................. 20...22*...25*%
2М
ЗП604В-2, ЗП604В1-2, ЗП604В-5,
АП604В-2, АП604В1-2, АП604В-5
при Рвх = 40 мВт.......................... 25...27*...30*%
ЗП604Г-2, ЗП604Г1-2, ЗП604Г-5,
АП604Г-2, АП604Г1-2, АП604Г-5
при Рвх = 25 мВт.......................... 20...22*...25*%
Крутизна характеристики при 1/си = 3 В:
ЗП604А—2, ЗП604А1-2, ЗП604А-5,
АП604А-2, АП604А1-2, АП604А-5
при /с = 100 мА........................... 20...35*...
40* мА/В
ЗП604Б-2, ЗП604Б1-2, ЗП604Б-5,
АП604Б-2, АП604Б1-2, АП604Б-5
при 4 = 100 мА........................... 15...35*...
40* мА/В
ЗП604В-2, ЗП604В1-2, ЗП604В-5,
АП604В-2, АП604В1-2, АП604В-5
при/с = 50 мА............................. 10...15*...
20* мА/В
ЗП604Г-2, ЗП604Г1-2, ЗП604Г-5,
АП604Г-2, АП604Г1-2, АП604Г-5
при 4 = 50 мА............................. 10...15*...
20* мА/В
Ток утечки затвора при = —2,5 В:
7=+25 “С.................................. 0,001*...0,05*
...20 мкА
7 = +100 °С, не более...................... 300 мкА
7 = —60 ’С, не более........................ 20 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания на сток............. 8 В
Постоянное напряжение затвор—исток..... —3 В
Потенциал статического электричества... 30 В
Постоянная и средняя рассеиваемая мощ-
ность1:
7К = -60...+40 ’С:
ЗП604А-2, ЗП604А1-2, ЗП604А-5,
ЗП604Б-2, ЗП604Б1-2, ЗП604Б-5,
АП604А-2, АП604А1-2, АП604А-5,
АП604Б-2, АП604Б1-2, АП604Б-5.... 0,9 Вт
’ При изменении температуры кристаллодержателя от +40 до +100’С мак-
симально допустимые рассеиваемые мощности уменьшаются линейно.
ЗП604В-2, ЗП604В1-2, АП604В-2.
АП604В1-2, ЗП604Г-2, ЗП604Г1-2,
ЗП604Г-5, АП604Г-2, АП604Г1-2,
АП604Г-5......................... 0,5 Вт
Тк = +100 "С:
ЗП604А-2, ЗП604А1-2, ЗП604А-5,
ЗП604Б-2, ЗП604Б1-2, ЗП604Б-5,
АП604А-2, АП604А1-2, АП604А-5,
АП604Б-2, АП604Б1-2, АП604Б-5.... 0,5 Вт
ЗП604В-2, ЗП604В1-2, АП604В-2,
АП604В1-2, ЗП604Г-2, ЗП604Г1-2,
ЗП604Г-5, АП604Г-2, АП604Г1-2,
АП604Г-5......................... 0,25 Вт
(емпература окружающей среды........... —60... Гк =
= +100 °С
При работе с транзисторами обязательно применение мер
по защите их от статического электричества.
Минимальное расстояние места пайки выводов от кристал-
лодержателя 2 мм, температура пайки не выше +260 °С, время
пайки не более 3 с. Допускается пайка выводов на расстоянии
1 мм от кристаллодержателя, при этом температура пайки не
выше +150 ’С, время пайки не более 3 с. Допускается обрезка
выводов на расстоянии 0,5 мм от кристаллодержателя.
При эксплуатации транзисторов в усилительных схемах
следует учитывать возможность их самовозбуждения, как вы-
сокочастотных элементов.
Материал выводов — лента ДПРНТ0.1 НП2 ГОСТ 2170.
Технология сборки транзисторов ЗП604А—5—ЗП604Г—5,
АП604А-5-АП604Г—5 в гибридные схемы, применяемые дета-
ли и материалы гибридных схем должны обеспечивать значе-
ние теплового сопротивления смонтированного в гибридную
схему транзистора не выше 200 ’С/Вт для ЗП604В—5, ЗП604Г—5,
АП604В-5, АП604Г-5 и не выше 110 ’С/Вт для ЗП604А-5,
ЗП604Б-5, АП604А-5, АП604Б-5.
Монтаж транзисторов рекомендуется осуществлять при-
клейкой с помощью клея ЭЧЭ—С ЫУО.028.052 ТУ. Температу-
ра сушки +120 ’С, время сушки 1,5 ч. Присоединение выводов
к контактным площадкам рекомендуется производить ультра-
звуковой микросваркой при температуре +340 ± 10 ’С и дав-
лении 80 ± 20 г в течение 3 с. При этом контактную площадку
истока рекомендуется присоединять через золотую фольгу
толщиной 5 мкм. В качестве вывода должна применяться зо-
лотая проволока Зл999,9—0,015, ТУ 48—1—155—84. Соедине-
ния вывода с контактной площадкой должно выдерживать
240
разрывное усилие не менее 1,5 гс. Выводы после присоедине-
ния не должны касаться структуры кристалла и боковых ребер
транзистора, не допускается взаимное касание выводов друг с
другом. Не допускается смещение сварных точек, приводящее
к закорачиванию элементов структуры, не допускается силь-
ное натяжение и провисание выводов, не допускается разрыв,
пережатие золотой проволоки в месте сварки. При приклеива-
нии транзисторов не допускается затекание клея на активную
поверхность транзистора.
Срок сохраняемости транзисторов в упаковке изготовите-
ля 18 мес, срок сохраняемости после их изъятия из упаковки
изготовителя в пределах срока сохраняемости — 8 мес в
условиях производства, аттестованного специальной комис-
сией на полное соответствие ОСТ 1114.3302. Срок сохраняе-
мости транзисторов после их изъятия из упаковки изготовите-
ля в пределах срока сохраняемости — 2 мес в условиях,
соответствующих требованиям, предъявляемым к производ-
ству гибридных схем.
5,мА/В
Зависимости крутизны характери-
стики от напряжения затвор—ис-
ток
Зависимости выходной мощности
от входной мощности
ЗП605А-2, ЗП605А—5, АП605А-2
Транзисторы полевые арсенидогаллиевые планарные с ка-
налом л-типа и барьером Шотки сверхвысокочастотные усили-
тельные с нормированным коэффициентом шума на частоте
8 ГГц. Предназначены для применения в малошумящих усили-
телях и усилителях с расширенным динамическим диапазоном
герметизированной радиоприемной аппаратуры. Транзисторы
ЗП605А—2, АП605А—2 бескорпусные на керамическом кри-
сталлодержателе с гибкими полосковыми выводами и метал-
лической крышкой. На ножке наносится условная маркировка
в виде знака «Т». Транзистор ЗП605А—5 выпускается в виде
кристаллов с контактными площадками без кристаллодержа-
теля и без выводов для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается
Масса бескорпусно-
го транзистора не более
0,15 г, кристалла не бо-
лее 0,0006 г.
Изготовитель — ак-
ционерное общество от-
крытого типа «Планета»,
г. Новгород.
в этикетке.
ЗП605А-2. АП605А-2
Электрические параметры
Минимальный коэффициент шума на / = 8 ГГц
при 1/си = 4 В, 4 = 30 мА, не более... 3,5 дБ
типовое значение................... 1,75* дБ
Оптимальный коэффициент шума на /= 8 ГГц
при 1/си = 4 В, 4 = 30 мА, типовое значение... 2* дБ
Оптимальный коэффициент усиления по мощ-
ности на Г = 8 ГГц при //о, = 4 В, 4 = 30 мА,
не менее........«..................... 5 дБ
Максимальный коэффициент усиления
по мощности на 1- 8 ГГц при 14и = 4 В,
4 = 30 мА, типовое значение........... 8* дБ
Порог перегрузки транзистора на /= 8 ГГц:
6/си = 4 В, /с = 30 мА, не менее... 15 мВт
типовое значение................... 25* мВт
1/си = 5 В, 4 = 80 мА, не менее.... 35 мВт
типовое значение„.................. 80* мВт
Выходная мощность на /= 8 ГГц при = 5 В,
Рм = 20 мВт, не менее................. 100 мВт
Крутизна характеристики при <4и = 4 В,
4 = 30 мА, не менее................«... 30 мА/В
Напряжение отсечки при <4И = 3 В, 4 = Ю мА,
не более.............................. 5,5 В
Начальный ток стока при 14и = 3 В, не менее.. 150 мА
Ток утечки затвора 1/зи = 2,5 В, ие более:
Т=+25и-60 °С....................... 10 мкА
Т= +85 "С.......................... 100 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток—исток.................... 6 В
Напряжение затвор—исток.................. 4 В
Напряжение затвор—сток................... 8 В
Потенциал статического электричества..... 30 В
Постоянная рассеиваемая мощность1:
Т= -60...+40 ’С....................... 450 мВт
Т= +85 ’С............................. 240 мВт
Непрерывная СВЧ мощность, падающая
на вход транзистора (4и = 5 В, 4 = 80 мА. 1,4 Вт
Температура окружающей среды............. —60...+85 ’С
' В интервале температур +40...+85 *С максимально допустимая постоянная
рассеиваемая мощность уменьшается линейно.
ЗП606А-2, ЗП606Б-2, ЗП606В-2, ЗП606Г-2
Транзисторы арсенидогаллиевые полевые планарные с за-
твором в виде барьера Шотки и каналом л-типа генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, автоге-
нераторах, преобразователях частоты на частотах до 12 ГГц в
составе гибридных интегральных микросхем, микросборках.
Транзистор ЗП606Г—2 предназначен для СВЧ устройств с низ-
ким уровнем относительной спектральной плотности флюктуа-
ций амплитуды на частотах до 13,6 ГГц. Бескорпусные на метал-
локерамическом кристаллодержателе с гибкими выводами. Мар-
кируются точками: ЗП606А—2 — одной черной, ЗП606Б—2 —
двумя черными, ЗП606В—2 — тремя черными, ЗП606Г—2 —
точки отсутствуют.
Масса транзистора не более 0,2 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
ЗП606(А-2—Г-2)
Электрические параметры
Выходная мощность на /= 12 ГГц
при /7СИ = 8 В, Гк = +25 °С:
ЗП606А-2 при РВх = 0,16 Вт................... 0,4...0,42* ..
0,48* Вт
ЗП606Б-2, ЗП606Г-2 при Рвх = 0,1 Вт.......... 0,4...0,43*...
0,5* Вт
ЗП606В-2 при Рвх = 0,24 Вт................... 0,75...0,8* ..
0,85* Вт
Коэффициент усиления по мощности
на ,= 12 ГГц:
при “ 8 В:
ЗП606А-2 при Рвх = 0,16 Вт................. 4...4,3*...5* дБ
ЗП606Б-2, ЗП606Г-2 при Рвх = 0,1 Вт 6...6,2*...7* дБ
ЗП606В-2 при Рвх = 0,24 Вт.............. 5...5,5*...6* дБ
при 6/си = 5 В, Рвх = 20 мВт:
ЗП606А-2.................................. 4...4,5*...5* дБ
ЗП606Б-2, ЗП606Г-2...................... 6...6,5*...7* дБ
ЗП606В-2............................... 6...6,5*...7* дБ
Коэффициент полезного действия
на /= 12 ГГц при /7СИ = 8 В, Гк = +25 ’С:
ЗП606А-2 при Рвх = 0,16 Вт.................... 20...27*...30*%
ЗП606Б-2, ЗП606Г-2 при Рвх = 0,1 Вт........ 20...27*...30*%
ЗП606В-2 при Р^ = 0,24 Вт................ 35...37.5*...
40*%
Спектральная плотность мощности амплитуд-
ного модуляционного шума при отстройке от
несущей на 100 кГц на / = 13,3 ГГц при
€/си = 4 В, Рвх = 0,05 Вт...................... -170*...
—163*...
-155*дБ/ТГц
Крутизна характеристики при /Уси = 3 В,
/с = 0,25 А:
Т= +25 ’С:
ЗП606А-2................................ 70...100*...
150* мА/В
ЗП606Б-2, ЗП606Г-2 ..................... 90... 120*...
150* мА/В
ЗП606В—2................................ 100...120*...
160* мА/В
Т= +125 ’С:
ЗП606А-2................................ 55...70*...
100* мА/В
ЗП606Б-2, ЗП606Г-2 ..................... 70...80*...
100* мА/В
ЗП606В-2................................ 80...90*...
100* мА/В
Т = -60 ’С:
ЗЛ606А-2................................ 100...120*...
170* мА/В
ЗЛ606Б-2, ЗП6О6Г-2 ..................... 120... 140*...
170* мА/В
ЗЛ606В-2................................ 130... 140*...
175* мА/В
Начальный ток стока при 1/см - 3 В, = 0:
ЗП606А-2, ЗП606Б-2, ЗП606В-2.............. 250* „350* ..
• 500 мА
ЗП606Г-2............................. 170*.„350*„.
500 мА
Остаточный ток стока при 6/си = 3 В,
7/зи = -5 В................................ 0,01*...0,5*...
5 мА
Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии при 6/си = 1 В, 6/зи = 4 В, /с = 200 мА 3*„.5*...6 Ом
Время нарастания при 6/си = 7,5 В, С/зи = 4 В,
С/вх = 4 В, /?н = 50 Ом, типовое значение.. 110* пс
Время задержки при 6/си = 7,5 В, (Ум = 4 В,
7/вх = 4 В, /?н = 100 Ом, типовое значение__ 200* пс
Ток утечки затвора при 6/зи = —3,5 В:
Т= +25 и -60 ’С:
ЗП606А-2, ЗП606Б-2, ЗП606В-2 ......... 0,005* „0,01*
.„0,05 мА
ЗП606Г-2............................ 0,001*.„0,002*
...0,01 мА
Т= +125 ’С:
ЗЛ606А-2, ЗП606Б-2, ЗП606В-2........ 0,05*.„0,1*„.
О 125 мА
ЗП606Г-2............................ 0’01*.„0,02*.„
0,025 мА
Индуктивность истока....................... 0,03*„.0,04*„.
0,05 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания стока:
при Тк = —6О.„+85 ’С_______________________ 8 В
при Тк = +85...+125 ’С.................. 6 В
Постоянное напряжение затвор—исток......... — 3,5 В
Потенциал статического электричества_______30 В
Постоянная рассеиваемая мощность':
7* = -60...+40 ’С....................... 2 Вт
ГК=+125°С.............................. 0,5 Вт
Средняя рассеиваемая мощность1 в динамиче-
ском режиме:
Тк = -60...+40 ’С....................... 2 Вт
7’К=+125’С.............................. 0,5 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус...... 60 ’С/Вт
Температура окружающей среды............... -60... Гк =
= +125 ’С
’ При Гк от +40 до +125 'С максимально допустимые постоянная и средняя
рассеиваемые мощности снижаются линейно.
При монтаже транзисторов в гибридную схему рекоменду-
ется производить приклеивание основания кристаллодержате-
ля транзисторов к теплоотводящей поверхности монтажной
платы теплопроводящим клеем УП—5—207М ТУ 6—05—241—
208—85. Перед нанесением клея кристаллодержатель транзи-
стора и монтажная плата должны быть прогреты при темпе-
ратуре +60 “С в течение 6 мин. Клей должен быть нанесен
тонким равномерным слоем, соединение склеиваемых поверх-
ностей производить прижатием так, чтобы избыток клея рав-
номерно выступал из-под основания. После приклеивания дол-
жна производиться подсушка при +125 *С в течение 1 ч и при
+150 °С в течение 2 ч. Допускается производить монтаж тран-
зисторов припайкой основания кристаллодержателя к тепло-
отводящей поверхности платы при температуре пайки не выше
+180 ’С или при температуре пайки не выше +200 ’С в течение
не более 3 мин.
Изгиб выводов допускается с радиусом закругления не
менее 0,5 мм на расстоянии не менее 1 мм от кристаллодер-
жателя.
Монтаж транзисторов в гибридную схему осуществляется
методом сварки выводов или бесфлюсовой пайкой расщеп-
ленным электродом. Минимальное расстояние места присо-
единения вывода от кристаллодержателя 2 мм, температура
пайки не выше +260 ’С. Допускается пайка или сварка выво-
дов на расстоянии 0,5 мм от кристаллодержателя при темпе-
ратуре пайки не выше +150 ’С, время пайки не более 3 с.
Допускается обрезка выводов транзистора на расстоянии
не менее 1 мм от кристаллодержателя.
При эксплуатации транзисторов в усилительных схемах сле-
дует учитывать возможность их самовозбуждения, как высоко-
частотных элементов, и принимать меры к его устранению.
Зависимость крутизны характеристи-
ки от напряжения затвор—исток
0 12 5 иж,В
Зависимость входной емкости
от напряжения затвор—исток
Зависимости выходной мощности
от входной
Зависимости коэффициента усиления
и коэффициента полезного действия
стока от выходной мощности
ЗП606Б-5, ЗП606В-5
Транзисторы полевые арсенидогаллиевые планарные с за-
твором в виде барьера Шотки и каналом л-типа генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, авто-
генераторах, преобразователях частоты до 12 ГГц в составе
гибридных интегральных микросхем. Выпускаются в виде кри-
сталлов с контактными площадками без кристаллодержателя
и без выводов. Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,0006 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
ЗП606 (Б-5, В-5). АП606 (А-5. В-5. В-5)
Электрические параметры
Выходная мощность, не менее:
ЗП606Б- 5:
1 = 12 ГГц, (/си = 8 В, Рвх = 0,1 Вт. 0,4 Вт
/= 10,7; 11,2; 11; 7 ГГц, (7СИ = 7,5 В,
Рвх = 0,125 Вт........................ 0,25 Вт
ЗП606В-5:
Г= 12 ГГц, (/си = 8 В, Рвх = 0,24 Вт. 0,75 Вт
Г= 12 ГГц, (7Си = 8 В, Рвх = 1,5 Вт.. 3 Вт
Коэффициент усиления по мощности,
не менее:
ЗП606Б-5:
Г= 12 ГГц, (/си = 8 В, Рвх = 0,1 Вт ....... 6 дБ
/ = 10,7; 11,2; 11; 7 ГГц, (/си = 7,5 В,
Рвх = 0,125 Вт....................... 3 дБ
ЗП606В-5:
/= 12 ГГц, (/си = 8 В, Рвх = 0,24 Вт. 5 дБ
Г= 12 ГГц, (/си = 8 В, Рвх = 1,5 Вт.. 3 дБ
Коэффициент усиления по мощности в линей-
ной области амплитудной характеристики на
1 = 12 ГГц, (/си = 8 В, Рвх = 0,02 Вт, не менее. 6 дБ
Коэффициент полезного действия стока,
не менее:
ЗП606Б-5:
/= 12 ГГц, = 8 В, Рвх = 0,1 Вт... 20%
/= 10,7; 11,2; 11; 7 ГГц, (/си = 7,5 В,
Рвх = 0,125 Вт................... 10%
ЗП606В-5:
/= 12 ГГц, = 8 В, Рвх = 0,24 Вт 35%
/= 12 ГГц, = 8 В, Ры = 1,5 Вт 25%
Время нарастания при 6/си = 7,5 В, 6/зи = —3,5 В,
Ян = 50 Ом, = 3,5 В, типовое значение... 100* пс
Время задержки включения при = 7,5 В,
6/зи = —3,5 В, Ян ~ 50 Ом, иы = 3,5 В, типовое
значение................................ 200* пс
Крутизна характеристики при = 3 В,
4 = 0,25 А, не менее:
ЗП606Б-5............................. 90 мА/В
ЗП606В-5 ............................ 100 мА/В
Остаточный ток стока при 1/си = 3 В,
Узн = -5 В.............................. 0,01*...0,5* ..
5* мА
Ток утечки затвора при /7ЗИ = —3,5 В, не более:
Т= +25 и -60 "С.......................... 0,05 мА
Т=+125°С............................. 0,125 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение1 питания стока
при Гк = —60...+85 X.................... 8 В
Постоянное напряжение затвор—исток...... —3,5 В
Постоянная рассеиваемая мощность1 2
при Гк = —60...+40 °С................... 2 Вт
Средняя рассеиваемая мощность2 в динамиче-
ском режиме при Гк = —60...+40 °С....... 2 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус... 60 *С/Вт
Температура окружающей среды............ —60... Гк =
= +125 °С
1 При Гк от +15 до +125 "С максимально допустимое постоянное напряже-
ние питания стока снижается линейно до 6 В.
2 При Гк > +40 °С максимально допустимые значения постоянной и средней
рассеиваемых мощностей снижаются линейно до 0,5 Вт.
Технология сборки в гибридные сборки, применяемые де-
тали и материалы должны обеспечивать значение общего теп-
лового сопротивления, собранного в гибридную сборку тран-
зистора, не выше 57 °С/Вт.
Монтаж транзисторов в гибридные сборки рекомендуется
проводить в следующей последовательности:
термокомпрессионное присоединение к контактным пло-
щадкам истока, стока и затвора транзистора прокладок
из золотой фольги (размеры прокладок: 0,6x0,9x0,01 для
присоединения к контактным площадкам стока и затвора,
0,24x1,2x0,06 мм для присоединения к контактным площад-
кам истока);
припайка прокладки, соединенной с истоком транзистора,
к элементам гибридной схемы;
термокомпрессионное присоединение прокладок, соеди-
ненных со стоком и затвором транзистора, к элементам гиб-
ридной схемы;
Термокомлрессионное присоединение прокладок к контакт-
ным площадкам транзистора рекомендуется производить при
температуре +350 ’С и давлении 60 г в течение 1,5 с.
Материал прокладок для истока — золотая фольга Зл999,9—
0,06, для стока и затвора — золотая фольга Зл999,9—0,01.
Монтаж транзистора с напаянными прокладками в состав
гибридной схемы производится пайкой припоем золото—оло-
во истоковой площадки с элементами гибридной схемы при
температуре +350 *С и давлении 60 г.
После извлечения транзисторов из упаковки изготовителя
до присоединения выводов к контактным площадкам транзи-
сторы должны находиться в специальной камере с инертной
средой не более 10 сут.
АП606А-2, АП606Б-2, АП606В-2,
АП606А-5, АП606Б-5, АП6О6В-5
Транзисторы полевые арсенидогаллиевые планарные с за-
твором в виде барьера Шотки и каналом л-типа генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, авто-
генераторах, преобразователях частоты, работающих в диапа-
зоне до 12 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем,
микросборок. Транзисторы АП606А—2, АП606Б—2, АП606В—2
бескорпусные на металлокерамическом кристаллодержателе с
гибкими выводами. На крышку наносятся маркировочные цвет-
ные точки: АП606А—2 — черная и белая, АП606Б—2 — две
черные и белая, АП 606 В—2 — три черные и белая. Транзисто-
ры АП606А—5, АП606Б—5, АП606В—5 выпускаются в виде
кристаллов с контактными площадками без кристаллодержа-
теля и без выводов. Тип прибора указывается в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,2 г, кристал-
ла не более 0,0006 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
АП606 (А-2, Б-2, В-2)
Электрические параметры
Выходная мощность на 1- 12 ГГц
при 4/си = 7 В, Гк = +25 °С:
АП606А-2, АП606А-5, = 0,16 Вт...... 0,4...0,42*...
0,48* Вт
АП606Б-2, АП606Б-5, Рвх = 0,1 Вт............. 0,4...0,43*..
0,5* Вт
АП606В-2, АП606В-5, Р^ = 0,24 Вт............. 0,75...0,8* ..
0,85* Вт
Коэффициент усиления по мощности
на Г = 12 ГГц при 4/си = 7 В, Гк = +25 °С:
АП606А-2, АП606А-5, Р^ = 0,16 Вт................. 4...4.3*...5* дБ
АП606Б-2, АП606Б-5, Рвх = 0,1 Вт............. 6...6,2*...7* дБ
АП606В-2, АП606В-5, Р^ = 0,24 Вт............. 5...5,2*...
5,5* дБ
Коэффициент усиления по мощности в линей-
ной области амплитудной характеристики на
/= 12 ГГц при 1/си = 5 В, = 20 мВт,
Гк = +25 °С:
АП606А-2, АП606А-5................................... 4...4,5*...7* дБ
АП606Б-2, АП606Б-5............................... 6...6,5*.„7* дБ
АП606В-2, АП606В-5............................... 6...6,6*...7* дБ
Коэффициент полезного действия стока
на 1- 12 ГГц при Уси = 7 В, Гк = +25 ’С:
АП606А-2, АП606А-5, Рт = 0,16 Вт............ 20...27*...30*%
АП606Б-2, АП606Б-5, Рт = 0,1 Вт............. 2О...27*...ЗО*%
АП606В-2, АП606В-5, Рт = 0,24 Вт............ 35...37.5*...
40*%
Крутизна характеристики при = 3 В,
/с = 0,25 А:
Г= +25 ’С:
АП606А-2, АП606А-5....................... 70...100*...
150* мА/В
АП606Б-2, АП606Б-5 ..................... 90...120*...
150* мА/В
АП606В-2, АП606В-5 ..................... 100...120*...
160* мА/В
Г= +125 ’С:
АП606А-2, АП606А-5.......................... 55...70*...
100* мА/В
АП606Б-2, АП606Б-5 ..................... 70...80*...
100* мА/В
АП606В-2, АП606В-5 ..................... 80...90*...
100* мА/В
Т= -60 ’С:
АП606А-2, АП606А-5...................... 100...120*...
170* мА/В
АП606Б-2, АП606Б-5 ..................... 120...140*...
170* мА/В
АП606В-2, АП606В-5 ..................... 130...140*...
175* мА/В
Начальный ток стока при 4/си = 3 В, 6/зи = 0:
Г=+25’С.......................................... 160*...350*...
500 мА
Г=+125’С................................... 200*...280*...
400 мА
Г=-60’С.................................... 300*...340*...
600 мА
Остаточный ток стока при 4/си = 3 В,
^зи =-5 В....................................... 0,005*..0,01*
...0,05* мА
Ток утечки затвора при Узи = —3,5 В:
Г =+25’С................................... 0,005*...0,01*
...0,05 мА
Т=+125’С.................................. 0,05*...0,1*...
0,125 мА
Г=-60°С................................. 0,005*..0,0Г*
...0,05 мА
Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии при 4/си = 1 В, = 0, /с = 0,2 А..... 3...5...6 Ом
Время нарастания при 4/Си = 7»5 В, 6/вх = 4 В,
/?н = 50 Ом, {/зи = 4 В, типовое значение... 100* пс
Время задержки включения при 4/си = 7,5 В,
1/вх = 4 В, /?н = 50 Ом, 4/зи = 4 В, типовое зна-
чение ...................................... 200* пс
Индуктивность истока........................ 0,03*...0,04*...
0,05* нГн
Тепловое сопротивление кристалл—кристал-
лодержатель............................... 35*...45*...
60* "С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания стока* 1
при Тк = —60...+85 'С.................... 8 В
Постоянное напряжение затвор—исток....... —3,5 В
Потенциал статического электричества..... 30 В
Постоянная рассеиваемая мощность2:
Тк = -60...+40 °С....................... 2 Вт
Тк = +125 "С......................... 0,5 Вт
Температура окружающей среды............. —60... Тк =
= +125 "С
' В диапазоне температур от +85 до +125 ’С 1/с пит = 6 В.
1 В диапазоне температур от +40 до +125 ’С максимально допустимая
постоянная рассеиваемая мощность уменьшается линейно.
Допускается производить монтаж транзистора в гибрид-
ные схемы припайкой основания кристаллодержателя к тепло-
отводящей поверхности платы при температуре пайки не выше
+180 °С в течение не более 3 с. Изгиб выводов допускается с
радиусом закругления не менее 0,5 мм. Монтаж транзисторов
в гибридные схемы осуществляется методом сварки выводов
или бесфлюсовой пайкой расщепленным электродом. Мини-
мальное расстояние места присоединения вывода от кристал-
лодержателя 2 мм. Температура пайки не выше +260 *С, при-
пой ПОС—61 по ГОСТ 21930. Допускается пайка или сварка
выводов на расстоянии 0,5 мм от кристаллодержателя при
температуре пайки не выше +150 °С в течение не более 3 с.
Допускается при монтаже транзистора в гибридную схему об-
254
резать выводы на расстоянии не менее 1 мм от кристаллодер-
жателя. При эксплуатации транзисторов в усилительных схе-
мах существует возможность их самовозбуждения как высо-
кокачественных элементов.
Технология сборки транзисторов АП606А—5—АП606В—5 в
гибридные схемы, применяемые детали и материалы должны
обеспечивать значение теплового сопротивления собранного в
гибридную схему транзистора не более 57 ’С/Вт. При монта-
же транзисторов в составе гибридных схем необходимо вы-
полнение следующих условий:
монтаж транзисторов в гибридные схемы должен прово-
диться в следующей последовательности;
термокомпрессионное присрединение к контактным пло-
щадкам истока, стока и затвора транзистора должен произво-
диться с помощью прокладок из золотой фольги размером:
0,6x0,9x0,01 мм для присоединения к контактным площадкам
стока и затвора, 0,24x1,2x0,06 мм для присоединения к кон-
тактным площадкам истока;
припайка прокладок, соединенных с истоком транзистора,
к элементам гибридной схемы;
термокомпрессионное присоединение прокладок, соеди-
ненных со стоком и затвором транзистора, к элементам гиб-
ридной схемы. Термокомпрессионное присоединение прокла-
док к контактным площадкам транзистора рекомендуется про-
изводить при температуре +350 ’С и давлении 60 г в течение
1,5 с. Материал прокладок для истока — золотая фольга
Зл999,9—0,06, а для стока и затвора — золотая фольга
Зл999,9—0,01. Монтаж транзистора с напаянными прокладка-
ми в составе гибридной схемы производится припайкой припо-
ем золото—олово истоковой площадки к элементам гибрид-
ной схемы при температуре +350 ’С, давлении 60 г. Соедине-
ние кристалла к контактной площадке должно выдерживать
критическую величину сдвига кристалла не менее 30 гс;
не допускается смещение сварных точек, приводящее к
закорачиванию элементов структуры;
выводы после термокомпрессионной сварки не должны
касаться планарной структуры транзистора и боковых ребер
кристалла;
не допускается сильное натяжение и провисание выводов;
не допускается разрыв, пережатие проволоки в месте тер-
мокомпрессионной сварки.
После извлечения транзисторов из упаковки изготовителя
До присоединения выводов к контактным площадкам транзи-
сторы должны находиться в специальной камере с инертной
средой не более 10 сут.
О 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 Р^.Вт
Зависимости коэффициента усиле
ния и коэффициента полезного
действия от выходной мощности
Зависимость крутизны характери-
стики от напряжения затвор—ис-
ток
Зависимость входной емкости
от напряжения затвор—исток
Выходные характеристики
Рюх. мВт
Зависимости выходной мощности
от входной мощности
ЗП607А-2
Транзистор полевой арсенидогаллиевый планарный с барье-
ром Шотки и каналом л-типа генераторный. Предназначен для
применения в усилителях мощности и генераторах на частотах
до 10 ГГц в герметизированной аппаратуре. Бескорпусный с
гибкими выводами на керамическом кристаллодержателе. Тип
прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,12 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Выходная мощность на Г= 10 ГГц при
(/си = 8 В, Рвх = 380 мВт, Тк = +25 °С....... 1...1.1*..
1,2* Вт
Коэффициент усиления по мощности на
7 = 10 ГГц при 4/си = 8 В, Рвх = 380 мВт,
Тк =+25 °С................................... 4,5...4,9*...
6* дБ
Коэффициент усиления по мощности в линей-
ной области амплитудной характеристики на
частоте 7 = 10 ГГц при 4/си = 5 В, Рвх = 100 мВт,
Т’к = +25ОС.................................. 4...5*...7* дБ
Коэффициент полезного действия стока
на Г = Ю ГГц при 4/си = 8 В, Рвх = 380 мВт,
гк = +25 °С............................. 2О...26*...45*%
Крутизна характеристики при = 3 В,
^зи = -2 В................................... 80...300*...
400* мА/В
9-852 257
Начальный ток стока при </си = 3 В, </зи = 0.... 0,8*...1,1*...
1,6х А
Остаточный ток стока при 4/си = 3 В,
4/зи = -5 В....................................... 0,01...0,5...5 мА
Ток утечки затзора при Ци = —5 В:
Т= +25 и -60 “С.............................. 0,01*...0,5*...
400* мкА
Т= +125 ’С................................... 0,1*...5*...
800* мкА
Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии при (/си = 1 В, /с = 500 мА............... 3*...5*...6* Ом
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания стока.......... 8 В
Постоянное напряжение затвор—исток........... —5 В
Постоянная рассеиваемая мощность1
при Тк = —60...+25 ’С........................ 3,5 Вт
Средняя рассеиваемая мощность в динамиче-
ском режиме1 2 * * * 6 при Гк = —60...+25 ’С. 3,5 Вт
Температура структуры........................ +165 ’С
Тепловое сопротивление переход—корпус........ 37 ’С/Вт
Температура окружающей среды................. —60... Тк =
= +125 ’С
1 При Тц > 25 *С постоянная рассеиваемая мощность определяется из
выражения
Аикс = <165 - Гк)/37, Вт.
2 Средняя рассеиваемая мощность может быть определена из выражения
РСР, МАКС ~ ЦзЛ _ С^ВЫХ ~ ^вх)> Вт.
При монтаже транзисторов в гибридную схему рекоменду-
ется производить приклеивание основания кристаллодержателя
к теплоотводящей поверхности монтажной платы теплопрово-
дящим клеем УП—5—207М ТУ 6—05—241—208—79. Перед нане-
сением клея кристаллодержатель транзистора и монтажная пла-
та должны быть прогреты при температуре +60 ’С в течение
6 мин. Клей должен быть нанесен тонким равномерным слоем,
соединение склеиваемых поверхностей производить прижатием
так, чтобы избыток клея равномерно выступал из-под основа-
ния. После приклеивания должна производиться подсушка при
+120 ’С в течение 1 ч и при +150 ’С в течение 2 ч.
Допускается осуществлять монтаж транзисторов в микро-
схему припайкой основания кристаллодержателя к теплоотво-
дящей поверхности платы при температуре пайки не выше
+180 °С или при +200 ’С в течение не более 3 мин.
Изгиб выводов допускается не ближе 1 мм от кристалло-
держателя с радиусом закругления 0,5 мм. Минимальное рас-
стояние места присоединения вывода от кристаллодержателя
2 мм, температура пайки не более +260 ’С, время пайки не
более 3 с. Допускается пайка или сварка на расстоянии 0,5 мм
от кристаллодержателя при температуре +150 ’С в течение не
более 3 с.
Зависимости коэффициента усиле-
ния и коэффициента полезного дей-
ствия стока от выходной мощности
Зависимость выходной мощности
от входной мощности
Зависимости крутизны характери-
стики и тока стока от напряжения
сток—исток
ЗП608А-2, ЗЛ608Б-2, ЗП608Г-2
Транзисторы арсенидогаллиевые планарные полевые с
барьером Шотки и каналом л-типа генераторные. Предназна-
чены для применения в усилителях мощности и генераторах в
герметизированной аппаратуре. Бескорпусные с гибкими вы-
водами на керамическом кристаллодержателе. Маркируются
Цветными точками: ЗП608А—2 — одной черной, ЗП608Б—2 —
Двумя желтыми, ЗП608Г—2 — одной зеленой. Тип прибора
Указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,09 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
9’
299
ЗП608(А-2,В-2,Г-2)
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте 26 ГГц
при {/си = 7 В, Гк = +25 °С:
ЗП608А—2 при Рвх = 44,5 мВт........
ЗП608Б—2 при Рвх = 66,5 мВт........
ЗП608Г—2 при Рвх = 60 мВт..........
Коэффициент усиления по мощности на ча-
стоте Г = 26 ГГц при 4/си = 7 В, 7"к = +25 °С:
ЗП608А—2 при Рвх = 44,5 мВт.........
ЗП608Б—2 при Рвх = 66,5 мВт........
ЗП608Г—2 при Рвх = 60 мВт..........
Коэффициент усиления по мощности в линей-
ной области амплитудной характеристики при
{/си = 4 В, Рвх = 5 мВт, Гк = +25 °С:
ЗП608А-2, ЗП608Б-2:
на частоте /= 26 ГГц............
на частоте ^=18 ГГц.............
ЗП608Г—2 на частоте Г= 26 ГГц......
0,1...0,11*„.
0,12* Вт
0,15...0,16*...
0,17* Вт
0,15...0,16*...
0,2* Вт
3,5...3,7*...
4* дБ
3,5...3,7*...
4* дБ
4...4,2*...
5,2* дБ
3,5...4*...5* дБ
4...5*...6* дБ
5...6*...7* дБ
Коэффициент полезного действия на частоте
/= 26 ГГц при и^ = 7 В, Гк = +25 °С:
ЗП608А-2 при Рвх = 44,5 мВт............ 15... 17*...20*%
ЗП608Б-2 при Рвх = 66,5 мВт............ 1О...12*...15*%
ЗП608Г-2 при Рвх = 60 мВт.............. 15...16*...17*%
Крутизна характеристики при 6/си = 3 В:
ЗП608А—2 при /с = 50 мА................... 15...20*...
30* мА/В
ЗП608Б-2 при /с = 100 мА............... 20...40*...
60* мА/В
ЗП608Г-2 при /с = 100 мА............... 20...40*...
95* мА/В
Ток утечки затвора при 6/зи = —3 В:
Т= +25 и -60 "С........................ 0,005*...0,01*
...0,2* мА
Т=+125°С............................... 0,05*...0,1*...
1* мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания стока1
при Тк = -60...+70 °С..................... 7 В
Постоянное напряжение затвор—исток........ —3 В
Постоянная рассеиваемая мощность1 2
при Гк = —60...+40 °С:
ЗП608А-2................................... 0,6 Вт
ЗП6О8Б- 2.............................. 1,1 Вт
ЗП6О8Г- 2.............................. 1 Вт
Средняя рассеиваемая мощность в динамиче- .
ском режиме при Гк = —60...+40 °С:
ЗП608А-2............................... 0,6 Вт
ЗП608Б-2............................... 1,1 Вт
ЗП608Г-2............................... 1 Вт
Температура структуры..................... +150 “С
Тепловое сопротивление структура—кристал-
лодержатель:
ЗП608А-2............................... 200 °С/Вт
ЗП608Б-2, ЗП608Г-2..................... 100 °С/Вт
Температура окружающей среды.............. -60... Тк =
= +125 °С
1 В диапазоне 7К = +70...+125 ’С 7/си С 6 В.
2 При Гц > 40 ’С постоянная рассеиваемая мощность определяется из выра-
жения
^м*кс = (150 — ГК)//?Т(П_К1, Вт.
При монтаже транзисторов в гибридную микросхему реко-
мендуется приклеивать основание кристаллодержателя к теп-
лоотводящей поверхности монтажной платы теплопроводящим
клеем УП—5—207М ТУ 6—05—241—208—85. Перед нанесением
клея кристаллодержатель транзистора и монтажная плата дол-
жны быть прогреты при температуре +60 °С в течение 6 мин.
Клей должен быть нанесен тонким равномерным слоем, со-
единение склеиваемых поверхностей производить прижатием
так, чтобы избыток клея равномерно выступал из-под основа-
ния. После приклеивания должна производиться подсушка при
+120 ’С в течение 1 ч и при +150 ’С в течение 2 ч.
Допускается осуществлять монтаж транзисторов в микро-
схему припайкой основания кристаллодержателя транзистора
к теплоотводу.
Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 2 мм
от кристаллодержателя с радиусом закругления не более
0,5 мм. Минимальное расстояние места присоединения вывода
от кристаллодержателя 0,5 мм. Допускается пайки выводов
при температуре не более +260 ’С в течение не более 3 с.
Зависимости выходной мощности
от входной
Зависимости тока стока и крутиз-
ны характеристики от напряжения
затвор—исток
ЗП608А-5, ЗП608Д-5, ЗП6О8Е-5
Транзисторы арсенидогаллиевые планарные полевые с
барьером Шотки и каналом л-типа генераторные. Предназна-
чены для применения в усилителях и генераторах в герметизи-
рованной аппаратуре. Бескорпусные на пластине неразделен-
ные. Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,0006 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
ЗП608(А-5,Д-5,Е-5)
Электрические параметры
Выходная мощность при 1/п = 7 В, не менее:
ЗП608А—5 на частоте /= 26 ГГц
при Рвх = 44,5 мВт................ 100 мВт
ЗП608Д—5 на частоте /= 37 ГГц
при = 12 мВт....................... 30 мВт
ЗП608Е—5 на частоте /= 45,5 ГГц
при Рвх = 4 мВт...................... 10 мВт
Коэффициент усиления по мощности
при ип = 7 В, не менее:
ЗП608А—5 на частоте Л= 26 ГГц
при Рвх = 44,5 мВт.................. 3,5 дБ
ЗП608Д—5 на частоте /= 37 ГГц
при Рвх = 12 мВт...................... 4 дБ
ЗП608Е—5 на частоте /= 45,5 ГГц
при Рвх = 4 мВт....................... 4 дБ
Коэффициент усиления по мощности в линей-
ной области амплитудной характеристики при
Чи = 4 В, Рвх = 5 мВт, /= 26 ГГц для
ЗП608А—5, не менее..................... 3,5 дБ
Коэффициент полезного действия стока
при (/си = 7 В, не менее:
ЗП608А—5 на частоте /= 26 ГГц
при Рвх = 44,5 мВт.................. 15%
ЗП608Д—5 на частоте /= 37 ГГц
при Рвх = 12 мВт.................... 5%
ЗП608Е—5 на частоте /= 45,5 ГГц
при Рвх = 4 мВт..................... 2%
Крутизна характеристики при 6/си = 3 В,
/с = 50 мА, не менее................... 15 мА/В
Ток утечки затвора при 6^ = —3 В, не более:
Г =+25 и —60’С.......................... 0,2 мА
Т= +125 ’С.......................... 1 мА
Предельные >ксплуатаци»иные данные
Постоянное напряжение питания стока1
при Тк = -60...+70 ’С.................. 7 В
Постоянное напряжение затвор—исток..... —3 В
Постоянная рассеиваемая мощность2
при Тк = —60...+40 ’С.................. 0,6 Вт
Средняя рассеиваемая мощность в динамиче-
ском режиме2 при Тк = —60...+40 ‘С..... 0,6 Вт
Температура структуры.................. +150 ’С
Тепловое сопротивление структура—кристал-
лодержатель............................ 200 ’С/Вт
Температура окружающей среды........... —60... Тк =
= +125 ’С
2 При 7"к > +40 °С постоянная и средняя рассеиваемые мощности определя-
ются из выражения
РМАКС = ^СР, МАКС = (150 — Т)/200, Вт.
Монтаж транзистора в гибридную микросхему рекоменду-
ется осуществлять с помощью клея ЭЧЭ—С ТУ ЫУО.028.052.
Температура "сушки +120 ’С, время сушки 1,5 ч.
Термокомпрессионное присоединение к контактным пло-
щадкам истока транзистора рекомендуется осуществлять пе-
ремычкой из золотой фольги размером 0,7...0,4 мм. Присо-
единение выводов к контактным площадкам рекомендуется
производить термокомпрессионной сваркой при температуре
+330 ’С в течение не более 3 с. В качестве вывода должна
применяться золотая проволока.
Зависимости выходной мощности
и коэффициента усиления от вход-
ной мощности
Зависимости выходной мощности
и коэффициента усиления от вход-
ной мощности
АП608А-2, АП608Б-2, АП608Г-2,
АП608А—5, АП608Д-5, АП608Е-5
Транзисторы полевые арсенидогаллиевые планарные с за-
твором в виде барьера Шотки и каналом л-типа генераторные.
Предназначены для применения в выходных каскадах усилите-
лей и генераторах в гибридных интегральных микросхем. Тран-
зисторы АП608А—2, АП608Б—2, АП608Г—2 бескорпусные на
металлокерамическом кристаллодержателе с гибкими полоско-
выми выводами. Транзисторы маркируются цветными точками
на керамической крышке: АП608А—2 — красная, АП608Б—2 —
синяя, АП608Г—2 — белая. Транзисторы АП608А—5, АП608Д—5,
АП608Е—5 выпускаются в виде кристаллов с контактными пло-
щадками без кристаллодержателя и без выводов. Тип прибора
указывается в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,09 г, кри-
сталла не более 0,0006 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Выходная мощность при 6/си = 7 В,
Тк = +25 °С:
АП608А-2, АП608А-5 на /= 26 ГГц,
Рвх = 44,5 мВт................................. 0,1...0,11*...
0,12* Вт
АП608Б-2 на Г = 26 ГГц, Рвх = 66,5 мВт... 0,15...0,16*...
0,17* Вт
АП608Г-2 на Г = 26 ГГц, Рвх = 60 мВт........... 0,15...0,16*...
0,2* Вт
АП608Д-5 на Г = 37 ГГц, Рвх = 12 мВт........... 30...35*...
40* мВт
АЛ6О&А-2.Б-2.Г-2)
АП608(А-5.Д-5.Е-5)
АП608Е-5 на Г= 45,5 ГГц, = 4 мВт............... 10...11*...
12* мВт
Коэффициент усиления по мощности
при = 1 В, 7"к = +25 °С:
АП608А-2, АП608А-5 на Г = 26 ГГц,
Рвх = 44,5 мВт..................................... 3,5...3,7*...
4* дБ
АП608Б-2 на Г = 26 ГГц, Рвх = 66,5 мВт... 3,5...3,7*...
4* дБ
АП608Г-2 на Г = 26 ГГц, Рвх = 60 мВт........... 4...4,2*...
5,2* дБ
АП608Д-5 на Г = 37 ГГц, Рвх = 12 мВт........... 4...4,6*...
5,2* дБ
АП608Е—5 на /= 45,5 ГГц, Рвх = 4 мВт 4...4,4*...
4,8* дБ
Коэффициент усиления по мощности в линей-
ной области амплитудной характеристики при
1/си = 4 В, Рвх = 5 мВт, Гк = +25 °С:
АП608А-2, АП608Б-2, АП608А-5
на А= 26 ГГц............................ 3,5...4*...5* дБ
АП608А-2, АП608Б-2, АП608А-5
на Л= 18 ГГц.............................. 4...5*...6* дБ
АЛ608Г-2 на Г = 26 ГГц.................... 5...6*...7* дБ
2в<
Коэффициент полезного действия стока
при ^си = 7 В, 7"к = +25 С:
АП608А—2, АП608А-5 на 26 ГГц,
Рвх = 44,5 мВт........................................ 15...17*...20*%
АП608Б-2 на 1= 26 ГГц, = 66,5 мВт... 1О...12*...15*%
АП608Г-2 на Г = 26 ГГц, = 60 мВт. 15...16*...17*%
АП608Д-5 на Г = 37 ГГц, Рвх = 12 мВт.................. 5...6,5*...7*%
АП608Е-5 на /'= 45,5 ГГц, Рвх = 4 мВт. 2...3*...3,5*%
Крутизна характеристики при ^ = 36:
АП608А-2, АП608А-5 при /с = 50 мА..................... 15...20*...
30* мА/В
АП608Б-2 при /с = 100 мА.................. 20...40*...
60* мА/В
АП608Г-2 при /с = 100 мА.................. 20...40*...
95* мА/В
АП608Д—5, АП608Е—5 при = 50 мА,
не менее.............................................. 15 мА/В
Ток утечки затвора при 6/зи = —3 В:
7"=+25 °С............................................. 0,005*...0,01*
...0,2 мА
Т= -60 'С для АП608А-2, АП608Б-2,
АП608Г-2.............................................. 0,005*...0,01*
...0 2* мА
Т= +125 “С АП608А-2, АП608Б-2,
АП608Г-2.............................................. 0,05*...0,1*...
1* мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания стока1:
Тк = -60...+70 °С.................. 7 В
ГК = +125°С........................ 6 В
Постоянное напряжение затвор—исток.... 3 В
Потенциал статического электричества.. 30 В
Постоянная и средняя рассеиваемая мощность1 2
в динамическом режиме при Гк = -60...+40 °С:
АП608А-2, АП608А-5, АП608Д-5,
АП608Е-5........................... 0,6 Вт
АП608Б-2........................... 1,1 Вт
АП608Г-2........................... 1 Вт
1 При изменении температуры от +70 до +125 °С максимально допустимое
постоянное напряжение питания стока снижается линейно.
2 При Гк > +40 °С максимально допустимая постоянная и средняя рассеива-
емые мощности определяются из выражения
/’макс = (150 - Гк)//?т („.к,, Вт.
Температура р-п перехода............... +150 °С
Тепловое сопротивление переход—корпус:
АП608А—2, АП608А-5, АП608Д-5,
АП608Е-5............................ 200 °С/Вт
АП608Б-2, АП608Г-2.................. 100 °С/Вт
Температура окружающей среды........... -60... Тк =
= +125 °С
Монтаж транзисторов АП608А—2, АП608Б—2, АП608Г—2 в
гибридную схему осуществляется методом сварки выводов
или бесфлюсовой пайкой. Минимальное расстояние места пай-
ки от кристаллодержателя 0,5 мм, температура пайки не выше
+260 °С, время пайки не более 3 с. При монтаже транзисторов
в гибридную схему обязательна пайка основания кристалло-
держателя к теплоотводящей плате или приклейка к теплоот-
водящей плате теплопроводящим клеем. Приклеивание осно-
вания кристаллодержателя производится клеем УП—5—207М
ТУ 6-05—241—208—85. Перед нанесением клея кристаллодер-
жатель транзистора и монтажная плата должны быть прогреты
при температуре +60 °С в течение 6 мин. После приклеивания
должна производиться подсушка при +120 “С в течение 1 ч и
при +150 °С в течение 2 ч. Припайка основания кристаллодер-
жателя к теплоотводящей поверхности платы при температуре
пайки не выше +180 или +200 °С в течение не более 3 мин.
Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 2 мм от
кристаллодержателя с радиусом закругления не менее 0,5 мм.
Допускается обрезка выводов транзистора на расстоянии не
менее 1 мм от кристаллодержателя. Материал выводов лента
ДПРНТ0.1 НП2 по ГОСТ 2170.
При эксплуатации транзисторов в усилительных схемах
следует учитывать возможность их самовозбуждения как вы-
сокочастотных элементов и принимать меры к его устранению.
Технология сборки АП608А—5, АП608Д—2, АП608Е—2 в
гибридную схему, применяемые детали и материалы должны
обеспечивать значение общего теплового сопротивления, со-
бранного в гибридную схему транзистора, не выше 200 °С/Вт.
Монтаж транзисторов в гибридную схему рекомендуется осу-
ществлять с помощью клея типа ЭЧЭ—С ЫУО.028.052 ТУ. Тем-
пература сушки +120 °С время сушки 90 мин. Термокомпресси-
онное присоединение к контактным площадкам транзистора
должно производиться с помощью перемычки из золотой фоль-
ги Зл 999,9-0,005, размером 0,7...0,4 мм. Присоединение вы-
водов к контактным площадкам рекомендуется производить
термокомпрессионной сваркой при +330 °С в течение 2...3 с. В
качестве вывода должна применяться золотая проволока
268
Зл999,9—0,015. Соединение вывода с контактной площадкой
должно выдерживать разрывное усилие не менее 0,6 гс. Выво-
ды после термокомпрессионной сварки не должны касаться
планарной структуры и боковых ребер транзистора. Не допус-
кается смещение сварных точек, приводящее к закорачиванию
элементов структуры. Не допускается сильное натяжение и
провисание выводов. Не допускается разрыв, пережатие про-
волоки в месте термокомпрессионной сварки.
После извлечения транзисторов из упаковки изготовителя
до присоединения выводов к контактным площадкам транзи-
сторы должны находиться в специальной камере с инертной
средой не более 10 сут.
Выходные характеристики
40
20
З.мА/В
АП608Б-2.АП608Г-2
АП608А-2АП608А-5.
'---Г=^АП608Д-5.
ОорЗВ
АП60Х-5
0 12 3 иж.в
Зависимости крутизны характери-
стики от напряжения затвор—ис-
ток
Зависимость тока стока
от напряжения затвор—
исток
Зависимости выходной мощности
и коэффициента усиления от вход-
ной мощности
Зависимости выходной мощности
от входной мощности
Зависимости выходной мощности
и коэффициента усиления от вход-
ной мощности
ЗП910А—2, ЗП910Б-2, ЗП910А-5, ЗП910Б-5
Транзисторы полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-
планарные с барьером Шотки и каналом л-типа сверхвысокоча-
стотные генераторные. Предназначены для применения в усили-
телях мощности и автогенераторах на частотах до 8 ГГц в герме-
тизированной аппаратуре. Транзисторы ЗП910А—2, ЗП910Б—2
бескорпусные с гибкими выводами на металлокерамическом
кристаллодержателе. Тип прибора указывается на крышке кри-
сталлодержателя. Транзисторы ЗП910А—5, ЗП910Б—5 выпуска-
ются в виде кристаллов с контактными площадками без кристал-
лодержателя и без выводов для гибридных интегральных ми-
кросхем. Тип прибора указывается в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 1,5 г, кристал-
ла не более 0,0003 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Выходная мощность на Л= 8 ГГц
при (/си = 7 В, Тк = +25 °С:
ЗП910А-2, ЗП910А-5, Рвх = 0,25 Вт............ 0,5...0,55*...
0,6* Вт
ЗП910Б-2, ЗП910Б-5, Рвх = 0,5 Вт............. 1...1.05*...
1,15* Вт
Коэффициент усиления по мощности
на Л = 8 ГГц при (/си = 7 В, Тк = +25 °С:
ЗП910А-2, ЗП910А-5, Рвх = 0,25 Вт................ 3...3,5*...4* дБ
ЗП910Б-2, ЗП910Б-5, Рвх = 0,5 Вт............. 3...3.3*...
3,8* дБ
Коэффициент полезного действия на Л = 8 ГГц
при (/си = 7 В, Тк = +25 °С...................... 10...25*...30*%
ЗП910 (А-2, Б-2)
0.127 Ш
Крутизна характеристики при С/си = 3 В,
ЗП910А—2, не менее................ 50 мА/В
ЗП910А—2, не менее .............. 300 мА/В
ЗП910А—5, ЗП910Б—5, не менее...... 100 мА/В
типовое значение.................. 200* мА/В
7=-60’С ЗП910А-2, не менее........... 100 мА/В
7 = +85 ’С ЗП910Б—2, не менее........ 80 мА/В
Начальный ток стока при С/си = 3 В....... 0,8... 1,2*...2* А
Ток утечки затвора при С/Зи = —3,5 В:
7=+25’С.............................. 10-4*...10~3*...
1 мА
7 = —60 ’С, не более................. 1 мА
7 = +85 ’С, не более................. 2 мА
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания на стоке............. 7 В
Постоянное напряжение затвор—исток...... 3,5 В
Потенциал статического электричества.... 100 В
Постоянная рассеиваемая мощность4:
7К = -60...+40 ’С................... 3 Вт
7К = +85 ’С......................... 1,5 Вт
Средняя рассеиваемая мощность* 2 в динамиче-
ском режиме:
7К = -60...+40 “С................... 3 Вт
7К =+85’С........................... 1,5 Вт
Температура окружающей среды............ —60... 7К =
= +85 ’С
' В диапазоне температур кристаллодержателя +40 до +85 *С максимально
допустимые значения рассеиваемой мощности снижаются линейно.
2 Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом
режиме определяется по формуле
Ат млкг = А4 _ Аых + Ах. Вт.
Сг МАКС С С ВО1А ВА’
При работе на частотах ниже 3 ГГц необходимо снижать
напряжение питания до 5 В и применять меры по предотвра-
щению возможности паразитного возбуждения.
Допускается одноразовый изгиб и обрезка выводов тран-
зистора не ближе 2 мм от кристаллодержателя.
Минимальное расстояние от места пайки выводов до кри-
сталлодержателя 2 мм при температуре пайки не выше +260 ’С.
Допускается пайка выводов на расстоянии 0,5 мм от кристалло-
держателя при температуре пайки не выше +150 ’С при дли-
272
тмьности пайки не более 3 с и обеспечения отвода теплоты от
вывода между местом пайки и кристаллодержателем.
Технология монтажа транзисторов ЗП910А—5, ЗП910Б—5 в
гибридные сборки, применяемые детали и материалы гибрид-
ных схем должны обеспечивать значение теплового сопротив-
ления структура—корпус транзистора не выше 30 ’С/Вт. При
монтаже транзисторов в составе гибридных схем необходимо
выполнение следующих условий:
При монтаже транзисторов в гибридную схему необходи-
мо выполнять следующие условия:
монтаж рекомендуется осуществлять с помощью клея
ЭЧЭ—С ТУ ЫУО.028.052. Температура сушки +120 ± 10 ’С,
время сушки 1,5 ч;
присоединение выводов к контактным площадкам должно
производиться при температуре +350 ’С и давлении 60 г в
течение 1,5 с. Материал прокладок для истока — золотая
фольга Зл99 9,9—0,06, а для стока и затвора — золотая фоль-
га Зл999,9—0,01. Монтаж транзистора с напаянными проклад-
ками в составе гибридной схемы производится припайкой при-
поем золото—олово истоковой площадки к элементам ги-
бридной схемы должно производиться термокомпрессионной
сваркой при температуре +330 ± 25 ’С и давлении с усилием
100 ± 10 г в течение 2...3 с. В качестве выводов должна
применяться золотая проволока Зл999,9 диаметром 0,025 мм.
Соединение вывода должно выдерживать разрушающее уси-
лие не менее 1 гс;
выводы после термокомпрессии не должны касаться пла-
нарной структуры транзистора и боковых ребер кристалла;
не допускается смещение сварных точек, приводящее к
закорачиванию элементов структуры;
не допускается сильное натяжение и провисание выводов;
не допускается разрыв (пережатие) золотой проволоки в
месте термокомпрессионной сварки.
После извлечения транзисторов из упаковки изготовителя
до присоединения выводов к контактным площадкам транзи-
сторы должны находиться в специальной камере с инертной
средой не более 10 сут. В случае использования части тран-
зисторов из общей упаковки, неиспользованные транзисторы
должны быть повторно упакованы в герметичную тару. Требо-
вание на хранение в специальной камере с инертной средой не
более 10 сут распространяется на повторно упакованные тран-
зисторы с момента вскрытия вторичной упаковки.
Зависимости электрических параметров от напряжения и
входной мощности для ЗП910А—5, ЗП910Б—5 аналогичны за-
висимостям ЗП910А—2, ЗП910Б—2.
Выходные характеристики
Выходные характеристики
Зависимости выходной мощности
от входной мощности
Зависимости коэффициента усиле-
ния от входной мощности
ЗП915А-2, ЗП915Б-2
Транзисторы полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-
планарные с барьером Шотки и каналом л-типа сверхвысоко-
частотные генераторные. Предназначены для применения в
усилителях мощности и автогенераторах на частотах до 8 ГГц
в герметизированной аппаратуре. Бескорпусные с гибкими
выводами на металлокерамическом кристаллодержателе. Тип
прибора указывается на крышке кристаллодержателя.
Масса транзистора не более 5 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Выходная мощность при С/си = 7 В, / = 8 ГГц,
Тк = +25 °С:
Рвх = 2,5 Вт для ЗП915А-2............................. 5...5,8*...7* Вт
Рвх = 1,5 Вт для ЗП915Б-2......................... 3...3.5*...
4,2* Вт .
5Л915 (А-2, Б-2)
Коэффициент усиления по мощности
при = 7 В, Г = 8 ГГц, Гк = +25 °С:
Рвх = 2,5 Вт для ЗП915А-2................. 3...3,в5*...
4,45* дБ
Рвх = 1,5 Вт для ЗП915Б-2................. 3...3,65*...
4,45* дБ
Коэффициент усиления по мощности в линей-
ной области амплитудной характеристики при
6/си = 4 В, Г = 8 ГГц, Р^ = 0,3 Вт, Гк = +25 °С,
не менее...................................... 3 дБ
Коэффициент полезного действия
при Усй = 7 В, /=8 ГГц, Гк = +25 °С:
Рвх = 2,5 Вт для ЗП915А-2................. 25...35*...40*%
Рвх = 1,5 Вт для ЗП915Б-2 ................ 15...22*...30*%
Крутизна характеристики при С/си = 1,5 В,
/с = 0,5 А:
ЗП915А-2.................................. 350...800*...
1200* мА/В
ЗП915Б-2 ................................. 300...700*...
1000* мА/В
Ток утечки затвора при С/зи = —5 В, не более:
7"=+25 °С.................................... 1 мА
Т = - 60 °С............................... 1 мА
Т= +85 °С................................. 5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания на стоке............. 7 В
Постоянное напряжение затвор—исток..... 5 В
Потенциал статического электричества..... 30 В
Постоянная рассеиваемая мощность1:
Гк = -60... Гк = +40 ’С............... 12 Вт
Тк = +85 ’С........................... 8 Вт
Температура структуры.................... +170 ’С
Температура окружающей среды............. —60... Тк =
= +85 ’С
' Максимально допустимое значение средней рассеиваемой мощности в
динамическом режиме определяется по формуле:
^о>,м*кс ~ Ц: 4 — ^вых *" ^вх> ®т-
В диапазоне температур кристаллодержателя +40...+85 ’С
допустимые значения рассеиваемой мощности снижаются ли-
нейно.
Допускается однократный изгиб выводов не ближе 2 мм от
кристаллодержателя и обрезка выводов не ближе 1 мм от
кристаллодержателя. Растягивающая выводы сила не должна
превышать 25 Н.
Минимальное расстояние от места пайки выводов до кри-
сталлодержателя 2 мм при температуре пайки не выше +260 ’С.
Допускается пайка (сварка) выводов на расстоянии 0,5 мм от
кристаллодержателя при длительности не более 3 с, темпера-
туре не выше +150 ’С и обеспечении отвода теплоты от выво-
да между местом пайки и кристаллодержателя.
Выходные характеристики
Зависимость крутизны характери-
стики от напряжения затвор—ис-
ток
ЗП925А-2, ЗП925Б-2, ЗП925В-2, ЗП925А-5
Транзисторы полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-
планарные с барьером Шотки и каналом л-типа усилительные.
Предназначены для применения в широкополосных усилите-
лях мощности в диапазоне частот 3,4...4,2 ГГц для ЗП925А-2,
ЗП925В—2, 4,3...4,8 ГГц для ЗП925Б—2 в тракте с волновым
сопротивлением 50 Ом в герметизированной аппаратуре. Бес-
корпусные в металлокерамическом кристаллодержателе с гиб-
кими выводами. Тип прибора указывается на кристаллодержа-
теле.
Масса транзистора не более 5 г.
Транзистор ЗП925А—5 выпускается в виде кристаллов с
контактными площадками без кристаллодержателя и без вы-
водов. Предназначен для применения в гибридных интеграль-
ных микросхемах. Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,0006 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2П925 (А-2-В-2)
Электрические параметры
Выходная мощность при 2^ = 2^х = 50 Ом,
Гк = +25 °С:
ЗП925А—5 на /= 4,2 ГГц при 6/си = 7 В,
Рвх = 0,6 Вт, не менее......................... 3 Вт
ЗП925А-2 на ЛГ= 3.7...4.2 ГГц
при 6/си = 7 В, Рвх = 0,7 Вт................... 2...2,8*...3* Вт
ЗП925Б-2 на Л/= 4,3...4,8 ГГц
при 6/си = 7 В, Рвх = 0,7 Вт................... 2...2,8*...
3,5* Вт
ЗП925А-5
1.88
ЗП925В-2 на Д/ = 3,7.-4,2 ГГц
при (/си = 9 В, Рвх = 1 Вт.................
Коэффициент усиления по мощности
при 2вХ = Тцых = 50 Ом, Гк = +25 °С:
ЗП925А-5 на /= 4,2 ГГц при (/си = 7 В,
Рвх = 0,6 Вт, не менее.........................
ЗП925А-2 на Д/ = 3,7...4,2 ГГц
при (/си = 7 В, Рвх = 0,7 Вт...............
ЗП925Б-2 на Д/ = 4,3...4,8 ГГц
при (/си = 7 В, Рвх = 0,7 Вт...............
ЗП925В-2 на Д/= 3,7...4,2 ГГц
при (/си = 9 В, Рвх = 1 Вт.................
Коэффициент полезного действия
при 2вХ = 2ВЫХ = 50 Ом, Тк = +25 °С:
ЗП925А—5 на /= 4,2 ГГц при (/си = 7 В,
Рм = 0.6 Вт, не менее..........................
ЗП925А-2 на Д/ = 3,7...4,2 ГГц
при (/си = 7 В, Рвх = 0,7 Вт...............
ЗП925Б-2 на Д/= 4,3...4,8 ГГц
при (/си = 7 В, Рвх = 0,7 Вт...............
ЗП925В-2 на Д/= 3,7...4,2 ГГц
при (/си = 9 В, Рвх = 1 Вт.................
5...6.3*...8* Вт
7 дБ
4,5...6* ..
6,5* дБ
4,5...5,5*...
6* дБ
7...8*...9* дБ
25%
25...35*...40*%
25...35*...40*%
30...33*...35*%
Коэффициент стоячей волны напряжения при
/7си = 7 В, Дх = 2^ых = 50 Ом, Р^ = 0,7 Вт,
Тк = +25 ’С в ДГ = 3,7...4,2 ГГц для ЗП925А-2,
4,3...4,8 ГГц для ЗП925Б-2,
д^ = 3,7...4,2 ГГц для ЗП925В—2 при ^/си = 9 В,
Ях = 1 Вт, не более.......................... 3
Крутизна характеристики при 6/си = 3 В,
/с = 1,8 А................................... 300...500*...
700* мА/В
Начальный ток стока при (/си = 3 В, С/Зи = 0:
ЗП925А-2, ЗП925Б-2, ЗП925А-5................. 1,8*...2,4*...
3* А
ЗП925В-2................................. 3,6*...4,3*...
6* А
Ток утечки затвора при С/зи = —5 В, не более:
Т= +25 и -60 "С.............................. 0,1 мА
Т=+125°С................................. 0,25 мА
Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии при С/си = 1 В, С/зи = 0............. 0,75*...1*...
1,5* Ом
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания стока'
при Т = —60...+85 °С:
ЗП925А-2, ЗП925Б-2, ЗП925А-5........ 8 В
ЗП925В-2............................ 9 В
Постоянное напряжение затвор—исток..... 5 В
Постоянная рассеиваемая мощность2
при Тк = -60...+25 ’С:
ЗП925А-2, ЗП925Б-2, ЗП925А-5........ 7 В
ЗП925В-2............................ 16 В
Средняя рассеиваемая мощность в динамиче-
ском режиме2 при Тк = —60...+25 ’С:
ЗП925А-2, ЗП925Б-2, ЗП925А-5........ 7 В
ЗП925В-2............................ 16 В
___ г . - к.И г-, г, ,
ЗП925Б-2 и до 8 В для ЗП925В-2.
2 При Гк > +25 °С постоянная и средняя рассеиваемые мощности рассчиты-
ваются по формуле
Р«кс = Ар макс ~ ~ (п-кг ^т-
Температура кристалла:
ЗП925А-2, ЗП9255-2, ЗП925А-5........ +150 ’С
ЗП925В-2............................. +170 "С
Тепловое сопротивление кристалл—корпус:
ЗП925А-2, ЗП925Б-2, ЗП925А-5........ 18 °С/Вт
ЗП925В-2............................. 9 ’С/Вт
Температура окружающей среды........... —60... Тк =
= +125 ’С
Расстояние при пайке выводов от кристаллодержателя не
менее 2 мм, температура пайки +260 ‘С время пайки не более
3 с. Допускается пайка и сварка выводов на расстоянии не
менее 0,5 мм от кристаллодержателя при температуре +150 ’С
в течение не более 3 с.
Технология сборки транзисторов ЗП925А—5 в гибридную
схему, применяемые детали и материалы должны обеспечи-
вать значение теплового сопротивления собранного в гибрид-
ную схему транзистора не более 16 ’С/Вт.
При монтаже транзисторов в составе гибридных схем не-
обходимо выполнять следующие условия:
монтаж транзисторов в гибридную схему рекомендуется
осуществлять с помощью клея ЭЧЭ—С ТУ ЫУО.028.052. Тем-
пература сушки +120 ± 10 ’С, время сушки 1,5 ч. При прикле-
ивании транзистора не допускается затекание клея на актив-
ную поверхность транзистора;
присоединение выводов к контактным площадкам реко-
мендуется производить термокомпрессионной сваркой при тем-
пературе +340 ± 10 ’С в течение 2 с. В качестве вывода долж-
на применяться золотая проволока Зл999,9 диаметром 0,03 мм
по ТУ 48—1—353—82, соединение вывода с контактной пло-
щадкой должно выдерживать разрывное усилие не меньше
1,5 гс;
выводы после присоединения не должны касаться структу-
ры кристалла и боковых ребер транзистора;
не допускается взаимное касание выводов друг с другом;
не допускается смещение сварных точек, приводящее к
закорачиванию элементов структуры;
не допускается разрыв (пережатие) золотой проволоки в
местах сварки;
не допускается сильное натяжение и провисание выводов.
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэф-
фициента полезного действия
стока от входной мощности
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления ихкоэф-
фициента полезного действия
стока от входной мощности
Зависимости тока стока и крутизны
характеристики от напряжения за-
твор—исток
ЗП927А-2, ЗП927Б-2, ЗП927В-2,
ЗП927Г-2, ЗП927Д-2
Транзисторы арсенидогаллиевые полевые планарные с
барьером Шотки и каналом л-типа генераторные. Предназна-
чены для применения в усилителях мощности, автогенерато-
рах, преобразователях частоты в диапазоне частот 1...8 ГГц.
Бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами.
Маркируются цветными точками: ЗП927А—2 — красной,
ЗП927Б—2 — белой, ЗП927В—2 — черной, ЗП927Г—2 — крас-
ной и белой, ЗП927Д—2 — красной и черной. Тип прибора
Указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,085 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
ЗП927(А-2-Д-2)
И
! Маркировочная
|ч точка
77
Электрические параметры
Выходная мощность при 1/си = 7 В,
Тк = +25 °С:
ЗП927А—2 на частоте /= 17,4 ГГц,
Рвх = 0,25 Вт.........................
ЗП927Б—2 на частоте Г= 17,4 ГГц,
Рвх = 0,17 Вт......................
ЗП927В—2 на частоте /= 17,4 ГГц,
Рвх = 0,195 Вт.....................
ЗП927Г—2 на частоте /= 17,4 ГГц,
Рвх = 0,35 Вт......................
ЗП927Д-1-2 на частоте 21 ГГц,
Рвх = 0.25 Вт......................
Коэффициент усиления по мощности
при Ущ = 7 В, Гк = +25 “С:
ЗП927А—2 на частоте /= 17,4 ГГц,
Рвк = 0,25 Вт.........................
0,5...0,6*...
0,7* Вт
0,5...0,55*...
0,6* Вт
0,6...0,65*...
0,7* Вт
0,7...0,75*...
0,8* Вт
0,5...0,55*...
0,6* Вт
3...3.5*.
4,9* дБ
ЗП927Б—2 на частоте <= 17,4 ГГц,
Рвх = 0,17 Вт.........................
ЗП927В—2 на частоте А = 17,4 ГГц,
Рвх = 0,195 Вт........................
ЗП927Г—2 на частоте А = 17,4 ГГц,
Рвх = 0,35 Вт.........................
ЗП927Д—2 на частоте ^=21 ГГц,
Рвх = 0,25 Вт.........................
Коэффициент усиления по мощности в линей-
ной области амплитудной характеристики при
7/си = 5 В, Гк = +25 "С:
ЗП927А—2 на частоте /= 17,4 ГГц,
Рвх = 50 мВт..........................
ЗП927Б—2 на частоте /= 17,4 ГГц,
Рвх = 20 мВт..........................
ЗП927В—2 на частоте / = 17,4 ГГц,
Рвх = 20 мВт.........................
ЗП927Г—2 на частоте А = 17,4 ГГц,
Рвх = 20 мВт..........................
ЗП927Д—2 на частоте /= 21 ГГц,
Рвх = 20 мВт..........................
Коэффициент полезного действия стока
при 7/си = 7 В, Гк = +25 ’С:
ЗП927А-2 на частоте ( = 17,4 ГГц,
Рвх = 0,25 Вт.........................
ЗП927Б-2 на частоте 17,4 ГГц,
Рвх = 0,17 Вт.........................
ЗП927В—2 на частоте ( = 17,4 ГГц,
Рвх = 0,195 Вт........................
ЗП927Г—2 на частоте ^= 17,4 ГГц,
РЙХ = 0,35 Вт.........................
ЗП927Д—2 на частоте ^=21 ГГц,
Рвх - 0,25 Вт........................
крутизна характеристики при 1/си = 3 В,
4 = 0,4 А:
ЗП927А-2..............................
5...5,5* ..
5,8* дБ
5...5,3*...
5,6* дБ
3...3.3*...
3,6* дБ
3...3,5*...4* дБ
3,5...4,5*...
5* дБ
5,5...6*...
6,5* дБ
5,5...6*...
6,5* дБ
3,5...4,5*...
5* дБ
3,5...4,5*...
5* дБ
2О...22*...25*%
20...22*...25*%
2О...22*...25*%
20...22*...25*%
2О...22*...25*%
50...140*...
150* мА/В
ЗП927Б-2, ЗЛ92ТВ—2, ЗП927Г-2,
ЗП927Д-2..................................... 50...150*...
200* мА/В
Ток утечки затвора при С/зи = —3 В:
Г= +25 и -60 ’С................................. 0,005*...0,01*
...0,1 мА
Г=+125’С..................................... 0,05*...0,1*...
1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания стока..... 7 В
Постоянное напряжение затвор—исток...... 3 В
Постоянная рассеиваемая мощность1
при Гк = —60...+40 ’С................... 2,5 Вт
Температура окружающей среды............ —60... Гк =
= +125 ’С
’ При Гк > +40 ’С Рцшс и Ру, идкс снижаются линейно до 0,5 Вт при
Тк = +125 ’С.
Присоединение выводов в аппаратуре осуществляется свар-
кой. Минимальное расстояние места сварки до кристаллодер-
жателя 0,2 мм.
При монтаже транзистора в аппаратуре обязательна при-
пайка основания к теплоотводящей плате или приклейка теп-
лопроводящим клеем. Пайка кислотными флюсами не допус-
кается. Температура пайки не выше +150 ’С.
В рабочем режиме ток в цепи затвора не должен превы-
шать 5 мА.
1с.мА хГП—\о 500 ЗП9271А-2—О-2) 7,00 300 -Г- — — — 200 Г 100 иК:-4В о ] 2 з и„,в Выходные характеристики 284 1±.мА ЗП9271А-2-Д-2)/ — Г—]—ГГ~ 500 ВачЗВ ( -V у — то — 300 200 — -у Ю0 В*.В -3-2-1 о Зависимость тока стока от напря- жения затвор—исток
ЗП929А-2
Транзистор полевой арсенидогаллиевый планарный с за-
твором в виде барьера Шотки и каналом л-типа усилительный
с внутренними цепями согласования. Предназначен для приме-
нения в широкополосных усилителях мощности в полосе ча-
стот 7,9—8,4 ГГц в СВЧ тракте с волновым сопротивлением
50 Ом в составе гибридных интегральных микросхем. Бескор-
пусный на металлокерамическом крисгаллодержателе с гибки-
ми полосковыми выводами. Тип прибора указывается на кри-
сталлодержателе.
Масса транзистора не более 2,6 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
ЗП929А-2
Электрические параметры
Выходная мощность на /= 7,9; 8,15; 8,4 ГГц
при (/си = 8 В, Рвх = 1,4 Вт, /?н = /?г = 50 Ом,
Тк = +25 ’С, не менее................... 4 Вт
Коэффициент усиления по мощности на
'=7,9; 8,15; 8,4 ГГц при Ц* = 8 В, Рт = 1,4 Вт,
Ян = /?г = 50 Ом, Гк = +25 ’С, не менее. 4,5 дБ
Коэффициент полезного действия стока на
/ = 7,9; 8,15; 8,4 ГГц при = 8 В, Рвх = 1,4 Вт,
/?н = Я = 50 Ом, 7К = +25 ’С................ 25...30* ..46*%
Крутизна характеристики при 6/^ = 3 В,
/с = 4 А, не менее.......................... 1 А/В
типовое значение........................ 1,3* А/В
Начальный ток стока при Ц* = 3 В, 1}^ = 0,
не менее.................................... 3,5 А
типовое значение........................ 4* А
Остаточный ток стока при С/си = 3 В,
им = —5 В, не более......................... 15 мА
Ток утечки затвора при 1/си = = 0, = — 5 В:
7=+25’С................................. 0,001*...0,01*
...0,5 мА
7= +125 ’С, не более.................... 1 мА
7 = —60 ’С, не более.................... 0,5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток:
7К = -60...+85 ’С................... 8 В
7К =+85...+ 125 ’С................... 7 В
Постоянное напряжение затвор—исток...... —5 В
Значение статического потенциала........ 30 В
Постоянная рассеиваемая мощность1
при Тк = —60...+35 ’С................... 14 Вт
Средняя рассеиваемая мощность1-* 2 в динами-
ческом режиме при Тк = —60...+35 ’С..... 14 Вт
Температура перехода.................... +170 ’С
Тепловое сопротивление переход—кристалло-
держатель............................... 9,5 ’С/Вт
Температура окружающей среды............ —60... Тк =
= +125 ’С
’ При Гк > +35 °С максимально допустимые рассеиваемые мощности рассчи-
тываются по формуле
Т’макс = ^ср макс ~ 070 — Гк)/9,5, Вт.
2 Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом
режиме оценивается по формуле
Т’ср.макс ~ Ци 4 — (^вых ~ Т’вк)' Вт.
При применении транзисторов исключить возможность ка-
сания вывода затвора незаземленным инструментом.
Допускается пайка выводов на расстоянии 1 мм от кри-
сталлодержателя при условии надежного отвода тепла от вы-
2М
вода между местом пайки и кристаллодержателем. При этом
следует пользоваться серебряно-индиевыми припоями и дру-
гими, не приводящими к возникновению интерметаллических
соединений. Время пайки не более 10 с, температура пайки не
выше +150 ’С. Допускается сварка выводов на расстоянии не
менее 0,5 мм от кристаллодержателя, при этом температура
кристаллодержателя не должна превышать +150 ’С.
Допускается однократный изгиб выводов на расстоянии
2 мм от кристаллодержателя. Допускается обрезка выводов
на расстоянии не менее 1 мм от кристаллодержателя.
5.А/В
1 А --Г
0 1 2 3 4 О*.В
Зависимость крутизны характери-
стики от напряжения затвор—ис-
ток
ЗП930А-2, ЗП930Б-2, ЗП930В-2
Транзисторы арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные
полевые с барьером Шотки и каналом л-типа генераторные.
Предназначены для применения в широкополосных усилите-
лях мощности в диапазоне частот 5,7...6,3 ГГц в герметизиро-
ванной аппаратуре. Бескорпусные на металлическом кристал-
лодержателе с гибкими выводами. Тип прибора указывается в
этикетке.
Масса транзистора не более 10 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
ЗП930(А-2-В-2)
Электрические параметры
Выходная мощность в диапазоне частот
5,7...6,3 ГГц, (Уси = 8 В, = = 50 Ом,
Гк = +25 “С:
ЗП930А-2 при Рвх = 1,4 Вт...................... 5...5,5*...7* Вт
ЗП930Б-2 при Рвх = 2,4 Вт.................. 7,5...8*...
9,5* Вт
ЗП930В—2 при Рвх = 3,6 Вт, не менее........ 10 Вт
типовое значение........................... 10,5* Вт
Коэффициент усиления по мощности в диа-
пазоне частот 5,7...6,3 ГГц при = 8 В,
Дх = ^вых = 50 Ом, Гк = +25 ’С:
ЗП930А-2 при Рю = 1,4 Вт............
ЗП930Б—2 при Рвх = 2,4 Вт, не менее.
ЗП930В-2 при Рвх = 3,6 Вт...........
Коэффициент полезного действия в диапазо-
не частот 5,7...6,3 ГГц, (7СИ = 8 В, 2^ = 2^ых =
= 50 Ом, Гк = +25 ’С:
ЗП930А-2 при Рвх = 1,4 Вт...........
ЗП930Б-2 при Рвх = 2,4 Вт...........
ЗП930В—2 при Рвх = 3,6 Вт, не менее.
типовое значение....................
Крутизна характеристики при 1/си = 3 В,
/с = 4 А, не менее.....................
типовое значение....................
Начальный ток стока при = 3 В, = 0,
не менее...............................
типовое значение....................
Остаточный ток стока при иы = 3 В,
Цзи = —5 В, не более...................
Ток утечки затвора при 1/зи = —5 В, не более:
7=+25 и -60 ’С.....................
5,5...6,5*...7* дБ
5 дБ
4,5...5*...
5,5* дБ
25...30*...40*%
30...35*...45*%
40%
45*%
1 А/В
1,3* А/В
4 А
4,5* А
15 мА
0,001*..0,01*
...0,5 мА
1 мА
Т= +125 ’С, не более.................
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток........ 8 В
Постоянное напряжение затвор—исток...... —5 В
Постоянная рассеиваемая мощность1
при Гк = -60...+35 ’С................... 21 Вт
Средняя рассеиваемая мощность в динамиче-
ском режиме1 2 при Тк = —60...+35 ’С.... 21 Вт
Температура кристалла................... +150 ’С
Тепловое сопротивление кристалл—кристал-
лодержатель............................. 6 ’С/Вт
Температура окружающей среды............ —60...7к =
= +125 ’С
1 При Гк > +35 ’С постоянная и средняя рассеиваемые мощности определя-
ются из выражения
Аакс = Ар, макс = (150 — 7к)/6, Вт.
2 Средняя рассеиваемая мощность может быть определена из выражения
Ар, макс ~ Аи 4 ~ (Аых ~ Ах)> В1-
Ю-852
289
Минимальное расстояние места лайки выводов от кристал-
лодержателя 1 мм, температура пайки не выше 4-260 *С. До-
пускается пайка (сварка) выводов на расстоянии не менее
0,5 мм от кристаллодержателя, температура пайки не выше
+150 ’С, время лайки не более 3 с.
Зависимости выходной мощности
от входной
Зависимости выходной мощности
от напряжения сток—исток
Зависимость крутизны характери-
стики от напряжения затвор—ис-
ток
Зависимость тока стока от напря-
жения затвор—исток
АПМ7А-2, АП967Б-2, АЛ967В-2, АП967Г-2,
АП967Д-2, АП967Е-2, АП967Ж-2
Транзисторы арсенидогаллиевые полевые планарные с за-
твором в виде барьера Шотки с каналом л-типа генераторные.
Предназначены для применения в широкополосных усилите-
лях мощности в полосе частот 5,9...6,4 ГГц для АП967А-2,
3,7...4,2 ГГц для АП967Б-2, АП967В-2, 4,3...4,8 ГГц для
290
ДП967Г-2, 3,4...3,9 ГГц для АП967Д-2, АП967Ж-2, 5,6...
$'2 ГГц для АП967Е~2 в СВЧ тракте с волновым сопротивле-
нием 50 Ом в составе гибридных интегральных микросхем,
микросборок. Транзисторы содержат внутренние согласую-
щие цепи. Бескорпусные на металлокерамическом кристалло-
держателе с гибкими ленточными выводами. Тип прибора ука-
зывается на кристаллодержателе.
Масса транзистора не более 5 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Выходная мощность при (7С яиг = 8 В, 2^ =
= 2ВЬ1Х = 50 Ом, Тк = +25 “С:
АП967А-2 ДГ = 5,9...6,4 ГГц, Рвх = 0,8 Вт
АП967Б-2 Д/ = 3,7...4,2 ГГц, Рвх = 1 Вт....
АП967В-2 Д/ = 3,7...4,2 ГГц, Рвх = 0,5 Вт.
АП967Г-2 А/= 4,3...4,8 ГГц, Рвх = 0,5 Вт .
АП967Д-2 М= 3,4...3,9 ГГц, Рвх = 0,5 Вт
АП967Е-2 Д/= 5,6...6,2 ГГц, Рм = 0,8 Вт.
АП967Ж-2 ДГ= 3,4...3,9 ГГц, Рвх = 1 Вт ..
10*
4...5*...7* Вт
5...6,3*...8* Вт
2...2,5*...3* Вт
2...2,5*...3* Вт
2..2,5*...3* Вт
4...5*...7* Вт
5...6,3*...7* Вт
Коэффициент полезного действия при
пит = 8 В, 2вх = = 50 Ом, Гк ж +25 С:
АП967А-2 Д/ = 5,9—6,4 ГГц, Р&* = 0,8 Вт 25...30*...40*%
АП967Б-2 ДГ = 3,7...4,2 ГГц, РйХ = 1 Вт.... 25...30*...40*%
АП967В-2 ДГ= 3,7...4,2 ГГц, Р& = 0,5 Вт. 25...30*...40*%
АП967Г-2 ДГ= 4,3...4,8 ГГц, Рм = 0,5 Вт. 25...30*...40*%
АП967Д-2 Д/= 3,4...3,9 ГГц, Р^ = 0,5 Вт 25...30*...40*%
АП967Е-2 ДГ= 5,6—6,2 ГГц, Р^ = 0,8 Вт. 25...30*...40*%
АП967Ж-2 ДГ= 3,4...3,9 ГГц, Р^ = 1 Вт .. 25...30*...40*%
Коэффициент усиления по мощности при
пит = 8 В, Дх = 2^ых ~ 50 Ом, Гк = +25 С:
АП967А-2 ДГ= 5,9...6,4 ГГц, Р^ = 0,8 Вт 7...8*...9* дБ
АП967Б-2 Д/= 3,7...4,2 ГГц, Рвх = 1 Вт.... 7...8*...9* дБ
АП967В-2 ДГ= 3,7-4,2 ГГц, Рм = 0,5 Вт. 6...6,5*...
7,5* дБ
АП967Г-2 ДГ= 4,3...4,8 ГГц, Р^ = 0,5 Вт . 6...6,5*...
7,5* дБ
АП967Д-2 ДГ= 3,4-3,9 ГГц, Р^ = 0,5 Вт 6...6,5*...
7,5* дБ
АП967Е-2 Д/= 5,6-6,2 ГГц, Рвх = 0,8 Вт. 7...8*...9* дБ
АП967Ж-2 ДГ= 3,4—3,9 ГГц, Рвх = 1 Вт .. 7...8*...9* дБ
Ток утечки затвора при 6/зи = —5 В:
Т= +25 °С:
АП967А-2, АП967Б-2, АП967Е-2,
АП967Ж-2.............................. 0,01*...0,08*...
0,2 мА
АП967В-2, АП967Г-2, АП967Д-2.......... 0,01*...0,05*...
0,1 мА
Т= +125 °С:
АП967А-2, АП967Б-2, АП967Е-2,
АП967Ж—2, не более.................... 0,5 мА
АП967В-2, АП967Г-2, АП967Д-2,
не более.............................. 0,25 мА
Т = -60 ’С:
АП967А-2, АП967Б-2, АП967Е-2,
АП967Ж—2, не более.................... 0,2 мА
АП967В-2, АП967Г-2, АП967Д-2,
не более.............................. 6,1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания стока
при Гк = —60...+80 °С................. 8 В
Постоянное напряжение затвор—исток.... —5 В
Потенциал статического электричества... 30 В
Постоянная рассеиваемая мощность
при Гк = —60...+25 ’С:
АП967А-2, АП967Б-2, АП967Е-2,
АП967Ж-2............................ 14 Вт
АП967В-2, АП967Г-2, АП967Д-2....... 7 Вт
Средняя рассеиваемая мощность в динамиче-
ском режиме при Гк = —60...+25 ’С:
АП967А-2, АП967Б-2, АП967Е-2,
АП967Ж-2............................... 14 Вт
АП967В-2, АП967Г-2, АП967Д-2........ 7 Вт
Тепловое сопротивление переход—кристалло-
держатель:
АП967А—2, АП967Б-2, АП967Е-2,
АП967Ж-2............................ 8 ’С/Вт
АП967В-2, АП967Г-2, АП967Д-2........ 16 ’С/Вт
Температура р-п перехода............... +170 ’С
Температура окружающей среды........... —60... Гк =
= +125 ’С
’ При Гк = +85... 125 ‘С максимально допустимое напряжение питания стока
должно быть не более 7 В.
2 При Г, > +25 *С максимально допустимые рассеиваемые мощности рассчи-
тываются по формуле
Лике = Лт>, макс = (^п ~ ^к)/Л (п-т)> Вт-
3 Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность рассчитывается
по формуле
Лр. макс = Ц: пит 4 — (Лых ~ Лх)> Вт,
где испт — напряжение питания стока; /с — постоянная составляющая тока
стока.
Минимальное расстояние места пайки выводов от кристал-
лодержателя 2 мм, температура пайки не выше +260 ’С, время
пайки не более 3 с. Допускается пайка (сварка) выводов на
расстоянии 0,5 мм от кристаллодержателя при температуре не
выше +150 ’С в течение не более 3 с. Допускается использо-
вание только бескислотного флюса. Допускается обрезка вы-
водов транзистора на расстоянии 1 мм от кристаллодержате-
ля. При эксплуатации транзисторов в усилительных схемах
следует учитывать возможность их самовозбуждения как вы-
сокочастотных элементов.
Материал выводов лента НП2-Т—Н—0,1 по ГОСТ 2170.
м
Зависимости тока стока от
напряжения затвор—исток
А634А, А634Б
Транзисторы арсенидогаллиевые планарные полевые с за-
твором в виде барьером Шотки и каналом л-типа генератор-
ные. Предназначены для применения в усилителях мощности,
генераторах, работающих в диапазоне частот до 8 ГГц в со-
ставе гибридных интегральных микросхем. Бескорпусные на
кристаллодержателе с гибкими выводами. Тип прибора указы-
вается на кристаллодержателе.
Масса транзистора не более 1,5 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Выходная мощность на / = 8 ГГц
при 6/си = 7 В, Тк = +25 °С, не менее:
А634А, Рвх = 0,25 Вт.................. 0,5 Вт
А634Б, Рвх = 0,5 Вт................. 1 Вт
А 634 (А. Б)
Коэффициент усиления по мощности на
/ = 8 ГГц при беи = 7 В, Тк = +25 °С, не менее:
А634А, Рвх = 0,25 Вт..................... 3 дБ
А634Б, Рад ~ 0,5 Вт................... 3 дБ
Крутизна характеристики при <7СИ = 3 В,
(/зи = —2 В, не менее..................... 100 мА/В
Ток утечки затвора при (/зи = — 3,5 В, не более 1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания стока...... 7 В
Постоянное напряжение затвор—исток....... 3,5 В
Потенциал статического электричества..... 100 В
Постоянная рассеиваемая мощность и сред-
няя рассеиваемая мощность1 в динамическом
режиме:
Гк = -60...+40 ’С..................... 3 Вт
Гк =+85 °С............................ 1,5 Вт
Температура окружающей среды............. —60... Тк =
= +85 °С
1 При Гк > +40 X максимально допустимые рассеиваемые мощности снижа-
ются линейно.
При работе на частотах ниже 3 ГГц необходимо снижать
Напряжение питания до 5 В и принимать меры к устранению
возможного паразитного возбуждения.
При измерении и испытании транзисторов необходимо ис-
ключить возможность касания вывода затвора незаземленным
инструментом.
Минимальное расстояние от кристаллодержателя до места
пайки вывода 2 мм. Перед пайкой выводы промывают спир-
том, а затем смачивают флюсом: 1О...4О% канифоли и 90...60%
спирта. Припой ПИН—48 ОСТ 11054.007—75. Температура пай-
ки не выше +260 ’С, время пайки не более 3 с. Допускается
пайка выводов на расстоянии 0,5 мм от кристаллодержателя
при температуре не выше +150 ’С в течение не более 3 с. При
этом следует пользоваться серебряно-индиевыми припоями и
другими, не приводящими к возникновению интерметалличе-
ских соединений. Допускается обрезать выводы на расстоянии
не менее 2 мм от кристаллодержателя.
А686А-2, А686Б-2, А886А1-2, А686Б1-2
А686 (А1-2, Ы-2)
Транзисторы арсени-
догаллиевые планарные
полевые с затвором в
виде барьера Шотки и
каналом л-типа генера-
торные. Предназначены
для применения в усили-
телях мощности, автоге-
нераторах, преобразова-
телях частоты в диапазо-
не частот до 12 ГГц в со-
ставе гибридных схем.
Бескорпусные на кри-
сталлодержателе с по-
лосковыми выводами. У
транзисторов А686А1—2,
А686Б1—2 отсутствует
крышка. На транзистор
наносится условная маркировка: А686А—2, А686А1—2 — две
точки красного цвета, А686Б—2, А686Б1—2 — две точки белого
цвета. Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора с крышкой не более 0,2 г, без крышки
не более 0,15 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
А686 (А-2. Б-2)
Электрические параметры
Выходная мощность на /= 12 ГГц
при 6/си = 8 В, не менее:
А686А-2, А686А1-2, Рвх = 0,25 Вт.... 0,5 Вт
А686Б-2, А686Б1-2, Рвх = 0,5 Вт..... 1 Вт
Коэффициент усиления по мощности
на /= 12 ГГц при 6/си = 8 В, не менее:
А686А-2, А686А1-2, Рвх = 0,25 Вт.... 3 дБ
А686Б-2, А686Б1-2, Рвх = 0,5 Вт..... 3 дБ
Коэффициент усиления по мощности в линей-
ной области амплитудной характеристики на
/= 12 ГГц при 6/си = 8 В, Рвх = 20 мВт, не ме-
Нвб*
А686А-2, А686А1-2................... 3 дБ
А686Б-2, А686Б1-2................... 4 дБ
Крутизна характеристики при 6/си = 3 В,
/с = 0,4 А, не менее:
А686А-2, А686А1-2................... 50 мА/В
А686Б-2, А686Б1-2................... 80 мА/В
Ток утечки затвора при ^/зи = —3,5 В, не более:
Т = +25 и -60 °С....................... 0,1 мА
7"=+125 °С.......................... 0,25 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания стока1
при Тк = -60...+70 °С................ 8 В
' При Гк от +70 до 125 ’С Успит макс* ® В-
Постоянное напряжение затвора............ 3,5 В
Потенциал статического электричества..... 30 В
Постоянная рассеиваемая мощность1
при Тк = -60...+25 °С.................... 2,5 Вт
Средняя рассеиваемая мощность в динамиче-
ском режиме1 при Тк = —60...+25 °С....... 2,5 Вт
Температура окружающей среды.............. —60... Тк =
= +125 °С
’ При Гк от +25 до +125 "С максимально допустимые рассеиваемые мощ-
ности снижаются линейно до 0,5 Вт
При применении и испытании транзисторов необходимо
исключить возможность касания вывода затвора незаземлен-
ным инструментом.
Минимальное расстояние от кристаллодержателя до места
пайки вывода 2 мм. Температура пайки не выше +260 °С в
течение не более 3 с. Допускается пайка выводов на расстоя-
нии 1 мм от кристаллодержателя при температуре пайки не
выше +150 °С, время пайки не более 3 с. Допускается одно-
кратный изгиб выводов.
При эксплуатации транзисторов в усилительных схемах
следует учитывать возможность их самовозбуждения, как вы-
сокочастотных элементов, и принимать меры к их устранению.
А725А, А725Б, А725В, А725Г, А725Д
Транзисторы арсенидогаллиевые планарные полевые с за-
твором в виде барьера Шотки и каналом л-типа генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, авто-
генераторах, преобразователях частоты, работающих в диапа-
зоне частот от 7 до 21 ГГц в составе гибридных интегральных
микросхем. Бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими
выводами. Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,085 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Выходная мощность при 6/си = 7 В,
Тк = +25 °С, не менее:
Г = 17,4 ГГц:
А725А, Рвх = 0,25 Вт............. 0,5 Вт
А725Б, Рвх = 0,17 Вт............. 0,5 Вт
А725В, Рвх = 0,195 Вт............. 0,6 Вт
А725Г, Рвх = 0,35 Вт.............. 0,7 Вт
/= 21 ГГц для А725Д, Рвх = 0,25 Вт... 0,5 Вт
Коэффициент усиления по мощности
при {/си = 7 В, Гк = +25 *С, не менее:
/=17,4 ГГц:
А725А, Рвх = 0,25 Вт................ 3 дБ
А725Б, Рвх = 0,17 Вт................ 5 дБ
А725В, Р^ = 0,195 Вт................ 5 дБ
А725Г, Рвх = 0,35 Вт................ 3 дБ
/= 21 ГГц для А725Д, Рвх = 0,25 Вт... 3 дБ
Коэффициент полезного действия стока при
С/си = 7 В, Гк = +25 °С на /= 17,4 ГГц для
А725А, А725Б, А725В, А725Г и на /= 21 ГГц
для А725Д, не менее........................ 20%
Коэффициент усиления по мощности в линей-
ной области амплитудной характеристики при
С/си = 5 В, не менее:
/=17,4 ГГц:
А725А, Рвх = 50 мВт...'.............. 3,5 дБ
А725Б, Рвх = 20 мВт.................. 5,5 дБ
А725В, Рвх = 20 мВт.................. 5,5 дБ
А725Г, Рвх = 20 мВт................... 3,5 дБ
/= 21 ГГц для А725Д, Рвх = 20 Вт..... 3,5 дБ
Крутизна характеристики при (/си = 3 В,
4 = 0,4 А, не менее.......................... 50 мА/В
Ток утечки затвора при 6/зи = —3 В, не более:
Т- +25 и -60 °С..................... 0,1 мА
Т=+125*С......................... 1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания стока...... 7 В
Постоянное напряжение затвор—исток....... 3 В
Постоянная рассеиваемая мощность
при 7"к = —60...+40 °С................... 2,5 Вт
Средняя рассеиваемая мощность в динамиче-
ском режиме при Тк = —60...+40 °С........ 2,5 Вт
Температура окружающей среды............. —6О...ТК =
= +125 °С
’ При Гк от +40 до +125 *С максимально допустимые рассеиваемые мощно-
сти снижаются линейно до 0,5 Вт.
Аэ,макс = ^си 4 — (^вых — Вт<
где 1/^ — напряжение питания стока; /с — постоянный ток стока.
Присоединение выводов в аппаратуре осуществляется ме-
тодом сварки. Минимальное расстояние места сварки от кри-
сталлодержателя 0,2 мм.
При монтаже транзисторов в аппаратуре обязательна при-
пайка основания кристаллодержателя к теплоотводящей плате
или приклейка теплопроводящим клеем. Пайка кислотными
флюсами не допускается. Температура пайки не выше +150 °С.
При эксплуатации транзисторов в усилительных схемах сле-
дует учитывать возможность их самовозбуждения, как высоко-
частотных элементов, и принимать меры к его устранению.
Рекомендуется при настройке и регулировке гибридных
схем подавать пониженное напряжение стока 4/спит 4,5 В с
последующим переходом к номинальному значению.
А726А, А726Б
Транзисторы арсенидогаллиевые полевые эпитаксиально-
планарные с затвором в виде барьера Шотки с каналом л-типа
генераторные. Предназначены для применения в широкопо-
лосных усилителях мощности в диапазоне частот 3,7...4,2 ГГц
для А726А, 4,3...4,8ГГц для А726Б в-тракте с волновым со-
противлением 50 Ом в герметизированной аппаратуре. Бес-
корпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами. Тип
прибора указывается на кристаллодержателе.
Масса транзистора не более 5 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
А726 (А.Б)
Электрические параметры
Выходная мощность при С/си = 7 В, 2ВХ =
= 2ВЫХ = 50 Ом, Рвх = 0,7 Вт, Гк = +25 °С,
не менее:
А726А, М= 3,7...4,2 ГГц.................... 2 Вт
А726Б, Д/ = 4,3...4,8 ГГц.................. 2 Вт
Коэффициент усиления по мощности при
М:и = 7 В, 2вХ = 2ВЫХ = 50 Ом, Рвх = 0>7 Вт,
Тк = +25 °С, не менее:
А726А, Д/ = 3,7...4,2 ГГц................... 4,5 дБ
А726Б, Д/ = 4,3...4,8 ГГц................... 4,5 дБ
Коэффициент полезного действия при
^си ~ 7 В, 2ВХ ~ 2ВЫХ = 50 Ом, Рвх = 0>7 Вт,
Т’к = +25 °С, не менее:
А726А, Д/ = 3,7...4,2 ГГц.................. 25%
А726Б, Д/= 4,3...4,8 ГГц................... 25%
Крутизна характеристики при С/си = 3 В,
4 = 1,8 А, не менее............................. 300 мА/В
Ток утечки затвора при С/зи = —5 В, не более. 0,1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток—исток1
при Тк = —60...+85 ’С................... 8 В
Постоянное напряжение затвор—исток...... 5 В
Постоянная рассеиваемая мощность и сред-
няя рассеиваемая мощность в динамическом
режиме* 2 * * * * при 7К = —60...+25 ’С. 7 Вт
Температура кристалла................... +150 °С
Тепловое сопротивление кристалл—корпус 18 ’С/Вт
Температура окружающей среды............ —60... Тк =
= +125 ’С
’ При Гк > +85 ’С иа1,МДкс= 7 В.
2 При Гк > +25 "С максимально допустимые рассеиваемые мощности рассчи-
тываются по формуле
^млкс = ^ср,м*кс= (150 ~ Тк)/7®» Вт;
РСР МАКС = Уси 7с - (раых “ Рвх). Вт.
Расстояние места пайки выводов до кристаллодержателя
не менее 2 мм, температура пайки не выше +260 °С в течение
не более 3 с. Допускается пайка или сварка выводов на рас-
стоянии не менее 0,5 мм от кристаллодержателя при темпера-
туре пайки не выше +150 ’С в течение не более 3 с.
А736
Транзистор арсенидогаллиевый планарный полевой с за-
твором в виде барьера Шотки и каналом л-типа генераторный.
Предназначен для применения в усилителях мощности, гене-
раторах, работающих на частотах до 10 ГГц в составе гибрид-
ных интегральных микросхем. Бескорпусный на кристаллодер-
жателе с гибкими выводами. На транзистор наносится точка.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,12 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Выходная мощность на Г = 10 ГГц при
ис пит = 8 В, Рвх = 380 мВт, Тк = +25 ’С,
не менее............................. 1 Вт
Коэффициент усиления по мощности на
/= 10 ГГц при С/спит = 8 В, Рвх = 380 мВт,
Тк = +25 ’С, не менее................ 4,5 дБ
А 736
Коэффициент полезного действия стека на
/= 10 ГГц при = 8 В, = 330 мВт,
= +25 “С, не менее_____________________20%
Коэффициент усиления ло мощности в линей-
ной области амплитудной характеристики на
/= 10 ГГц при Цсгж = 5 В, РКц= 100 мВт,
Тк = +25 °С, не менее —...____________— 4 дБ
Крутизна характеристики при = 3 В,
= — 2 В, не менее.__________________ 30 мА/В
Ток утечки затвора при 0^ = —5 В, не более. 0,4 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания стока.... 8 В
Постоянное напряжение затвор—исток..... —5 В
Потенциал статического электричества... 30 В
Постоянная рассеиваемая мощность и сред-
няя рассеиваемая мощность в динамическом
режиме1:
Тк = -60...+35 °С................... 3,5 Вт
Гк =+125’С.......................... 1,08 Вт
Температура канала..................... +165 °С
Тепловое сопротивление переход—корпус 37 °С/Вт
Температура окружающей среды........... —60... Гк =
= +125 °С
1 При Гк * +35 ’С максимально допустимые рассеиваемые мощности снижа-
*°Тся линейно.
При применении и испытании транзисторов необходимо
исключить возможность касания вывода затвора незаземлен-
ным инструментом.
При монтаже транзисторов в гибридную микросхему реко-
мендуется приклеивать основание кристаллодержателя к теп-
лоотводящей поверхности монтажной платы теплопроводящим
клеем УП—5—207М ТУ 6—05—241—208—85. Перед нанесением
клея кристаллодержатель транзистора и монтажная плата дол-
жны быть прогреты при температуре +60 ± 5 ’С в течение
6 мин. Клей должен быть нанесен тонким равномерным слоем,
соединение склеиваемых поверхностей производить прижати-
ем так, чтобы избыток клея равномерно выступал из-под осно-
вания. Не допускается наличие щелей и свищей. После при-
клеивания должна производиться подсушка при +120 ± 5 ’С в
течение 1 ч и при +150 ± 5 ’С в течение 2 ч. Допускается
осуществлять монтаж транзисторов в гибридную схему при-
пайкой основания кристаллодержателя транзистора к теплоот-
водящей поверхности при температуре не более +180 ‘С, до-
пускается припайка при температуре не более +200 ’С в тече-
ние не более 3 мин.
Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 1 мм
от кристаллодержателя с радиусом закругления не более
0,5 мм. Монтаж транзисторов в гибридной схеме осуществля-
ется методом сварки выводов или бесфлюсовой пайкой рас-
щепленным электродом. Минимальное расстояние места при-
соединения вывода от кристаллодержателя 2 мм, температура
пайки не выше +260 ’С, припой ПОС—61 по ГОСТ 21931—76.
Допускается пайка или сварка выводов на расстоянии 0,5 мм
от кристаллодержателя при температуре не более +150 ’С в
течение не более 3 с с обязательной защитой от попадания
припоя и флюса внутрь кристаллодержателя.
А745А, А745Б, А745В, А745Г
Транзисторы полевые арсенидогаллиевые планарные с за-
твором в виде барьера Шотки и каналом л-типа генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, авто-
генераторах, преобразователях частоты на частотах до 12 ГГц
для А745А, А745Б, А745В и до 14 ГГц для А745Г в составе
гибридных интегральных микросхем. Бескорпусные с гибкими
выводами на кристаллодержателе. На транзистор наносится
условная маркировка: А745А — одна черная точка, А745Б —
две черные точки, А745В — три черные точки, А745Г —
черная полоска. Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,2 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
А745/А-Г)
Электрические параметры
Выходная мощность на /= 12 ГГц
при йс пит = 8 В, не менее:
А745А, = 0,16 Вт................. 0,4 Вт
А745Б, Рвх = 0,1 Вт................. 0,4 Вт
А745В, Рвх = 0,24 Вт................ 0,75 Вт
А745Г, Рвх = 0,24 Вт................. 0,6 Вт
Коэффициент усиления по мощности
на /= 12 ГГц при (/спит = 8 В, не менее:
А745А, Рвх = 0,16 Вт.................... 4 дБ
А745Б, Рвх = 0,1 Вт.................. 6 дБ
А745В, Рвх = 0,24 Вт................. 5 дБ
А745Г, Рвх = 0,24 Вт................. 4 дБ
Коэффициент усиления по мощности в линей-
ной области амплитудной характеристики на
/ = 12 ГГц при 4/спит = 5 В, Рвх = 20 мВт, не
менее:
А745А................................ 4 дБ
А745Б, А745В, А745Г.................. 6 дБ
Коэффициент полезного действия стока
на 12 ГГц при (/спит = 8 В, не менее:
А745А, Рвх = 0,16 Вт................. 20%
А745Б, Рвх = 0,1 Вт................... 20%
А745В, Рвх = 0,24 Вт.................. 35%
А745Г, Рвх = 0,24 Вт.................. 35%
Крутизна характеристики при (/си = 3 В,
/с = 0,25 А, не менее:
А745А.................................... 70 мА/В
А745Б................................. 90 мА/В
А745В, А745Г........................... 100 мА/В
Ток утечки затвора при = —3,5 В, не более 0,05 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания стока’
при Тк = —60...+85 °С.................... 8 В
Постоянное напряжение затвор—исток_______ —3,5 В
Потенциал статическрго электричества_____ 30 В
Постоянная рассеиваемая мощность2
при Тк = —60...+40 X..................... 2 Вт
Средняя рассеиваемая мощность а динамиче-
ском режиме? при Тк = — 60...+4О °С------ 2 Вт
Температура окружающей среды............. —60... Тк =
= +125 °С
' При Гк = +85...+ 125 ’С Усвнт нмк= 6 В.
3 При Гк > +40 ’С максимально допустимые рассеиваемые мощности снижа-
ются линейно до 0,5 Вт при Гк = +125 °С.
Допускается производить монтаж транзисторов а гибрид-
ной схеме припайкой основания кристаллодержателя транзи-
стора к теплоотводящей поверхности платы при температуре
пайки не выше +180 °С в течение не более 3 с. Изгиб выводов
допускается с радиусом закругления не более 0,5 мм. При
изгибе необходимо обеспечить неподвижность участка вывода
не менее 1 мм между местом изгиба и кристаллодержателем.
Монтаж транзисторов в гибридной схеме осуществляется ме-
тодом сварки выводов или бесфлюсоаои лайкой расщеплен-
ным электродом. Минимальное расстояние места присоедине-
ния вывода от кристаллодержателя 2 мм, температура пайки
не более +260 °С, припой ПОС—61 по ГОСТ 21930—76. Допус-
кается пайка или сварка выводов на расстоянии 0,5 мм от
кристаллодержателя, температура пайки не более +150 °С в
течение не более 3 с. Допускается обрезать выводы на рас-
стоянии не менее 1 мм от кристаллодержателя.
При эксплуатации транзисторов в усилительных схемах сле-
дует учитывать возможность их самовозбуждения, как высоко-
частотных элементов, и принимать меры к его устранению.
306
А745А-5, А745Б-5, А745В-5
Транзисторы полевые арсенидогаллиевые планарные с за-
твором в виде барьера Шотки и каналом л-типа генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, авто-
генераторах, преобразователях частоты на частотах до 12 ГГц
в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках,
обеспечивающих герметизацию и защиту транзисторов от воз-
действия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и
росы, агрессивных газов и смесей. Выпускаются а виде кри-
сталлов с контактными площадками без кристаллодермтателя
и без выводов. Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,0006 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Л745 (А-5. Б-5. В-5)
Электрические параметры
Выходная мощность на Г= 12 ГГц
пРи пит = 8 В, Гк = +25 °С, не менее:
А745А-5, Рвх = 0,16 Вт____________.. 0,4 Вт
А745Б-5, Я», =0,1 Вт™............. 0,4 Вт
А745В-5, Я», = 0,24 Вт......... 0,75 Вт
Коэффициент усиления по мощности на
/= 12 ГГц при Ц-пит = 8 В, Гк = +25 ’С,
не менее:
А745А-5, Рвх = 0,16 Вт.............. 4 дБ
А745Б-5, = 0,1 Вт............... 6 дБ
А745В-5, Р^ = 0,24 Вт............... 5 дБ
Коэффициент полезного действия стока
на /= 12 ГГц при М:Пит = 8 В, Гк = +25 ’С,
не менее:
А745А-5, Рвх = 0,16 Вт.............. 20%
А745Б-5, Рвх = 0,1 Вт............... 20%
А745В-5, Рвх = 0,24 Вт.............. 35%
Коэффициент усиления по мощности в линей-
ной области амплитудной характеристики на
/= 12 ГГц при С/спит ~ 5 В, Рвх = 20 мВт, не
менее:
А745А-5............................. 4 дБ
А745Б-5, А745В-5.................... 6 дБ
Крутизна характеристики1 при 1/си = 3 В,
/с = 0,25 А, не менее:
А745А-5................................ 70 мА/В
А745Б-5............................. 90 мА/В
А745В-5............................. 100 мА/В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания стока* 2
при Гк = —60...+85 ’С.................. 8 В
Постоянное напряжение затвор—исток..... —3,5 В
Потенциал статического электричества... 30 В
Постоянная рассеиваемая мощность и сред-
няя рассеиваемая мощность в динамическом
режиме3:
Тк = -60...+40 ’С................... 2 Вт
Гк =+125’С.......................... 0,5 Вт
Температура окружающей среды........... —60... Тк =
= +125 ’С
' В случае невозможности установления /с = 250 мА измерение крутизны
характеристики производится при 6/си = 3 В, Узи = 0.
2 При Гк = +85...+ 125 *С пит. макс = ® В-
3 При Гк от +40 до +125 °С максимально допустимые рассеиваемые мощ-
ности снижаются линейно.
Монтаж транзисторов в гибридные сборки рекомендуется
проводить в следующей последовательности:
термокомпрессионное присоединение к контактным пло-
щадкам истока, стока и затвора прокладками из золотой фоль-
ги. Размеры прокладок: 0,6x0,9x0,01 для присоединения к
контактным площадкам стока и затвора, 0,24x1,2x0,06 мм
для присоединения к контактным площадкам истока;
припайка прокладки, соединенной с истоком транзистора,
к элементам гибридной схемы;
термокомпрессионное присоединение прокладок, соеди-
ненных со стоком и затвором транзистора, к элементам гиб-
ридной схемы.
Термокомпрессионное присоединение прокладок к контакт-
ным площадкам транзистора рекомендуется производить при
температуре +350 ± 10 °С и давлении 60 ± 10 г в течение 1,5 с.
Материал прокладок для истока — золотая фольга Зл999,9—
0,06, для стока и затвора — золотая фольга Зл999,9-0,01.
Монтаж транзистора с напаянными прокладками в состав
гибридной схемы производится пайкой припоем золото—оло-
во истоковой площадки с элементами гибридной схемы при
температуре +350 ± 10 “С, давлении 60 ± 10 г. Соединения с
контактными площадками должно выдерживать критическую
величину сдвига кристалла не менее 30 гс.
Не допускается смещение сварных точек, приводящее к
закорачиванию элементов структуры. Выводы после термоком-
прессионной сварки не должны касаться планарной структур
транзистора и боковых ребер кристалла. Не допускается силь-
ное натяжение и провисание выводов. Не допускается разрыв,
пережатие проволоки в месте термокомпрессионной сварки.
После извлечения транзисторов из упаковки изготовителя
до присоединения выводов к контактным площадкам транзи-
сторы должны находиться в специальной камере с инертной
средой не более 10 сут.
В случае использования части транзисторов из общей упа-
ковки, неиспользованные транзисторы должны быть повторно
упакованы в герметичную тару. Требование на хранение в
специальной камере с инертной средой не более 10 сут рас-
пространяется на повторно упакованные транзисторы с мо-
мента вскрытия вторичной упаковки.
А761А-5
Транзистор полевой арсенидогаллиевый планарный с за-
твором в виде барьера Шотки и каналом л-типа генераторный.
Предназначен для применения в,выходных каскадах усилите-
лей мощности и генераторов в составе гибридных интеграль-
ных микросхем. Выпускается в виде кристаллов без кристал-
лодержателя и без выводов. Тил прибора указывается в эти-
кетке.
Масса транзистора не более 0,0006 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
А761А-5
Электрические параметры
Выходная мощность на / = 26 ГГц
при пцу = 7 В, Рвх = 44,5 мВт, не менее........ 0,1 Вт
Коэффициент усиления по мощности на
Г = 26 ГГц при С/спит = 7 В, Рвх = 44,5 мВт,
не менее.................................. 3,5 дБ
Коэффициент полезного действия стока на
Г = 26 ГГц при С/спит ~ 7 В, Рвх = 44,5 мВт,
не менее.................................. 10%
Коэффициент усиления по мощности в линей-
ной области амплитудной характеристики на
Г= 26 ГГц при С/спит = 4 В, Рвх = 5 мВт, не
менее..................................... 5 дБ
Крутизна характеристики при 6/Си = 3 В,
/с = 50 мА, не менее...................... 20 мА/В
Ток утечки затвора при Узи = —3,5 В, не более 0,2 мА
310 .
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания стока’
при Гк = —60...+40 °С.................... 8 В
Постоянная рассеиваемая и средняя рассеива-
емая мощность в динамическом режиме1 2:
Гк = -60...+40 "С.................... 0,6 Вт
Тк = +125 °С......................... 0,4 Вт
Температура окружающей среды............. —60... Тк =
= +125 °С
1 При Гк = +40...+ 125 ’С 1/спит МАКС = ® В-
2 При Гк от +40 до +125 °С максимально допустимые рассеиваемые мощ-
ности снижаются линейно.
Технология сборки транзисторов в гибридной схеме, при-
меняемые детали и материалы должны обеспечивать значение
теплового сопротивления собранного в гибридную схему тран-
зистора не более +200 °С/Вт.
При монтаже транзисторов в составе гибридных схем не-
обходимо выполнять следующие условия:
монтаж рекомендуется осуществлять с помощью клея
ЭЧЭ-С ТУ ЫУО.028.052. Температура сушки +120 ± 10 °С,
время сушки 90 ± 15 мин;
термокомпрессионное присоединение к контактным пло-
щадкам истока транзистора рекомендуется осуществлять пе-
ремычкой из золотой фольги Зл999,9 размером 0,7x0,4 мм;
присоединение выводов к контактным площадкам реко-
мендуется производить термокомпрессионной сваркой при тем-
пературе +310 ± 20 °С. В качестве вывода должна применять-
ся золотая проволока Зл999,9Т;
соединение вывода с контактной площадкой должно вы-
держивать разрывное усилие не менее 0,6 гс;
выводы после термокомпрессионной сварки не должны
касаться планарной структуры транзистора и боковых ребер
кристалла. Не допускается смещение термокомпрессионных
точек, приводящее к закорачиванию элементов структуры. Не
допускается сильное натяжение и провисание выводов. Не
допускается разрыв, пережатие в месте термокомпрессионной
сварки. Не допускается затекание клея по периметру кри-
сталла.
После извлечения транзисторов из герметичной или влаго-
защитной упаковки изготовителя до присоединения выводов к
контактным площадкам транзисторы должны находиться в спе-
циальной камере с инертной средой не более 10 сут.
При эксплуатации транзисторов в усилительных схемах
следует учитывать возможность их самовозбуждения, как вы-
сокочастотных элементов, и принимать меры к его устране-
нию.
А795А, А795Б, А795В, А795Г, А795Д
Транзисторы арсенидогаллиевые полевые планарные с за-
твором в виде барьера Шотки с каналом л-типа генераторные.
Предназначены для применения в широкополосных усилите-
лях мощности в герметизированной аппаратуре. Бескорпусные
на кристаллодержателе с гибкими выводами. Тип прибора ука-
зывается на кристаллодержателе.
Масса транзистора не более 10 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
А785(А.Д)
Электрические параметры
Выходная мощность при С/с пит = 8 В, 2ВХ =
= 2ВЫХ = 50 Ом, Тк = +25 °С, не менее:
А795А, ДГ = 5,7...6,3 ГГц, Рвх = 1,4 Вт.... 5 Вт
А795Б, Д/ = 5,7...6,3 ГГц, Рвх = 2,4 Вт. 7,5 Вт
А795В, ДГ = 5,7...6,3 ГГц, Рвх = 3,6 Вт........ 10 Вт
А795Г, ДГ = 4,8...5,2 ГГц, Рм = 1,1 Вт......... 5 Вт
А795Д, ДГ = 4,8...5,2 ГГц, Ры = 1,9 Вт......... 7,5 Вт
Коэффициент усиления по мощности при
1)^ = 8 В, Дх = Дых = 50 Ом, Гк = +25 *С,
не менее:
А795А, ДГ = р 7...6,3 ГГц, Рш = 1,4 Вт..... 5,5 дБ
А795Б, Д' = 5.7...6.3 ГГц, Рт = 2,4 Вт..... 5 дБ
А795Р ДГ= 5,7...6,3 ГГц, Рш = 3,6 Вт..... 4,5 дБ
А795Г, ДГ = 4,8...5,2 ГГц, Рш = 1,1 Вт..... 6,5 дБ
А795Д, ДГ= 4,8...5,2 ГГц, Рв* = 1,9 Вт......... 6 дБ
Коэффициент полезного действия при
(/си = 8 В, Дх = Дых = 50 Ом, Д = +25 ’С,
не менее:
А795А, Д/ = 5,7...6,3 ГГц, Рт = 1,4 Вт......... 25%
А795Б, ДГ= 5,7...6,3 ГГц, Рв* = 2,4 Вт......... 30%
А795В, ДГ = 5,7...6,3 ГГц, = 3,6 Вт............ 40%
А795Г, ДГ= 4,8...5,2 ГГц, Ры = 1,1 Вт.......... 25%
А795Д, ДГ= 4,8...5,2 ГГц, Р^ = 1,9 Вт.......... 30%
Ток утечки затвора при (/зи = —5 В, не более. 0,5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания стока.... 8 В
Постоянное напряжение затвор—исток..... -5 В
Потенциал статического электричества... 100 В
Постоянная рассеиваемая мощность*
при Тк = -60...+35 “С.................. 21 Вт
Средняя рассеиваемая мощность в динамиче-
ском режиме1 при Гк = —60...+35 ’С..... 21 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 6 ’С/Вт
Температура перехода................... +150 ’С
Температура окружающей среды........... —60... Тк =
= +125 ’С 1 * 3
1 При Гк > +35 ‘С максимально допустимые рассеиваемые мощности рассчи-
тываются по формуле
Лике = Лр, макс = (150 — Л)/6| Вт.
Минимальное расстояние пайки выводов от кристаллодер-
жателя 1 мм, температура пайки не выше -+260 ’С, припой
ПОС—61 по ГОСТ 21931—76. Допускается пайка, сварка выво-
дов на расстоянии не менее 0,1 мм от кристаллодержателя
при температуре пайки не выше +150 ’С в течение не более
3 с. Допускается обрезать выводы на расстоянии не менее
1 мм от кристаллодержателя.
Рекомендуется для оптимизации параметров Р^, Ку Р, Лс
подсогласование транзистора по входу и выходу внешними
согласующими целями.
При установке в аппаратуру транзистор должен плотно
прилегать к теплоотводу. Шероховатость контактирующей по-
верхности теплоотвода должна быть не более 1,6 мкм, не-
плоскостность не более 0,02 мм.
Разрешается использование транзисторов А795А, А795Б,
А795В в диапазоне частот до 5,35 ГГц.
При эксплуатации транзисторов в усилительных схемах
следует учитывать возможность их самовозбуждения, как вы-
сокочастотных элементов, и принимать меры к его устране-
нию.
А796А, А796Б, А796В, А796Г, А796Д, А796Е, А796Ж
Транзисторы полевые арсенидогаллиевые планарные с за-
твором в виде барьера Шотки и каналом л-типа генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, гене-
раторах. Бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими вы-
водами. Тип прибора указывается на кристаллодержателе.
Масса транзистора не более 5 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
А796 (А -Ж)
Электрические параметры
Выходная мощность при 2ВХ = 2^ = 50 Ом,
Тк = +25 °С, не менее:
А796А, <= 7,9; 8,15; 8,4 ГГц, Ц.пит = 8 В,
Рвх = 1,4 Вт.......................... 4 Вт
А796Б, Г= 5,9; 6,15; 6,4 ГГц, Ц;ПИТ = 8 В,
Рвх = 1 Вт.......................... 4 Вт
А796В, Л= 3,7; 3,95; 4,2 ГГц, (/спит = 8 В,
Рвх - 1 Вт.......................... 5 Вт
А796Г, Г= 3,7; 3,95; 4,2 ГГц, (/спит = 8 В,
Рвх = 1,6 Вт........................ 5 Вт
А796Д, Г= 3,7; 3,95; 4,2 ГГц, (/спит = 7 В,
Рвх = 0,6 Вт........................ 2 Вт
А796Е, Г = 4,3; 4,55; 4,8 ГГц, (/спит = 7 В,
Рвх = 0,6 Вт........................ 2 Вт
А796Ж, /= 8 ГГц, «/спит = 8 В, Рвх = 2 Вт. 5 Вт
Коэффициент усиления по мощности,
не менее:
А796А, А796Ж........................ 4 дБ
А796Б............................... 6 дБ
А796В.......................„....... 7 дБ
А796Г, А796Д, А796Е................. 5 дБ
Коэффициент полезного действия стока,
не менее............................... 30%
Ток утечки затвора при = —5 В, не более:
А796А, А796Б, А796В, А796Г, А796Ж.. 0,5 мА
А796Д, А796Е....................... 0,25 мА
’ Для А796Б гарантируются установленные значения электрических пара-
метров в диапазоне частот 5,7...6,3 ГГц при подстройке внешними согласующи-
ми цепями при КСВ < 2.
2 При измерении /вых, Кур, Лс транзисторов А796Ж 70х и /вых не нормиру-
ются.
3 Режимы измерения К, р, лс такие же, как и режимы измерения Ршк-
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания стока...... 8 В
Постоянное напряжение затвор—исток....... —5 В
Потенциал статического электричества.... 30 В
Постоянная рассеиваемая мощность и сред-
няя рассеиваемая мощность в динамическом
режиме1 при Тк = —60...+35 °С:
А796А, А796Б, А796В, А796Г, А796Ж.... 14 Вт
А796Д, А796Е.......................... 7 Вт
Температура канала....................... +170 °С
1 При Гх > +35 °С максимально допустимые рассеиваемые мощности рассчи-
тываются по формуле
РЧАКС = ^СР МАКС = (770 ~ (П-К), Вт-
Тепловое сопротивление переход—корпус:
А796А, А796Б, А796В, А796Г, А796Ж.... 9,5 ’С/Вт
А796Д, А796Е......................... 18 ’С/Вт
Температура окружающей среды............ —60... Тк =
= +85 ’С
Не допускается касание вывода затвора незаземленным
инструментом.
Минимально допустимое расстояние от кристаллодержате-
ля до места пайки вывода 2 мм, температура пайки не выше
+260 ’С, время пайки не более 3 с. Допускается пайка выво-
дов на расстоянии не менее 0,5 мм от кристаллодержателя
при температуре пайки не выше +150 ’С в течение не более
3 с. При этом следует пользоваться серебряно-индиевыми при-
поями и другими, не приводящими к возникновению интерме-
таллических соединений. Допускается приварка к выводам на
расстоянии не менее 0,5 мм от кристаллодержателя. Допуска-
ется обрезать выводы на расстоянии не менее 1 мм от кри-
сталлодержателя.
При эксплуатации транзисторов следует принимать меры
по устранению возможности самовозбуждения транзисторов.
Для А796А, А796В, А796Г, А796Д, А796Е допускается
эксплуатация вне номинальной полосы рабочих частот (в пре-
делах 20%) с дополнительным согласованием транзисторов с
источником входного сигнала и нагрузки, при этом параметры
не гарантируются.
А803А
Транзистор арсенидогаллиевый полевой планарный с за-
твором в виде барьера Шотки и каналом л-типа усилительный.
Предназначен для применения в приемных устройствах в со-
ставе гибридных интегральных микросхем. Бескорпусный на
кристаллодержателе с гибкими выводами. На кристаллодер-
жатель наносят желтую точку. Тип прибора указывается в
этикетке.
Масса транзистора не более 0,09 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Минимальный коэффициент шума на
/= 12 ГГц при 1/си = 3 В, /с = 10 мА, не более .. 5 дБ
Оптимальный коэффициент усиления по мощ-
ности на Г = 12 ГГц при 6/си = 3 В, /с = 10 мА,
не менее............................... 5 дБ
А 80.ЗА
Напряжение отсечки при 1^ = 3 3, /с = 10 мкА,
не более............................... 3 В
Начальный ток стока при (7СИ = 3 В, 6/зи = 0,
не менее............................... 25 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания стока1... 7 В
Постоянное напряжение затвор—исток..... —3 В
Потенциал статического электричества... 30 В
Постоянная рассеиваемая мощность и сред-
няя рассеиваемая мощность в динамическом
режиме1 2 при Тк = —60...+40 °С........ 0,6 Вт
Температура канала..................... +150 °С
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 200 °С/Вт
Температура окружающей среды........... —60... 7"к =
= +125 “С
1 В диапазоне температур от +70 до +125 “С 4/спнт. МАКС= 6 В.
2 При Гк > +40 *С максимально допустимые рассеиваемые мощности рассчи-
тываются по формуле
Аадкс ~ Аср, макс = (150 — Тк)/200, Вт.
При монтаже транзисторов в составе гибридных схем не-
обходимо производить приклеивание основания кристаллодер-
жателя транзистора к теплоотводящей поверхности клеем, на-
пример, УП—5—207М ТУ 6—05—241—208—85. Перед нанесени-
ем клея кристаллодержатель и монтажная плата должны быть
прогреты при температуре +60 ± 5 ’С в течение 6 мин. Клей
должен быть нанесен тонким равномерным слоем, соединение
склеиваемых поверхностей производить так, чтобы избыток
клея равномерно выступал из-под основания. Не допускается
наличие щелей и свищей. После приклеивания должна про-
изводиться подсушка при +125 ± 5 ’С I течение 1 ч и при
+150 ± 5 ’С в течение 2 ч. Допускается производить монтаж
транзисторов припайкой основания кристаллодержателя к теп-
лоотводящей поверхности платы при температуре пайки не
выше +180 "С, допускается припайка при температуре пайки
не выше +200 ’С в течение не более 3 мин.
Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 2 мм
от кристаллодержателя с радиусом закругления не менее
0,5 мм. Монтаж транзисторов в гибридную схему осуществля-
ется методом сварки выводов или бесфлюсовой пайкой. Ми-
нимальное расстояние места присоединения вывода от кри-
сталлодержателя 0,5 мм, температура пайки не выше +260 ’С.
Допускается при монтаже транзисторов обрезать выводы на
расстоянии не менее 1 мм от кристаллодержателя.
При эксплуатации транзисторов в усилительных схемах
следует учитывать возможность их самовозбуждения, как вы-
сокочастотных элементов, и принимать меры к его устране-
нию.
А848А
Транзистор арсенидогаллиевый полевой планарный с за-
твором в виде барьера Шотки с каналом л-типа генераторный.
Предназначен для применения в усилителях мощности, автоге-
нераторах, преобразователях частоты в составе гибридных
интегральных микросхем. Бескорпусный на кристаллодержа-
теле с гибкими выводами. На транзистор наносят желтую точ-
ку. Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Выходная мощность на 12 ГГц при
(/си = 7 В, Рвх = 50 мВт, Гк = +25 ’С, не менее.. 100 мВт
Коэффициент усиления по мощности на
/= 12 ГГц при = 1 В, Рвх = 50 мВт,
Тк = +25 ’С, не менее.................. 3 дБ
Крутизна характеристики при = 3 В,
/с « 100 мА, не менее..—............... 20 мА/В
Ток утечки затвора при = —3,5 В, не более 0,3 мА
АША
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания стока1.... 7 В
Постоянное напряжение затвор—исток...... —3,5 В
Потенциал статического электричества.... 30 В
Постоянная рассеиваемая мощность1 2:
Тк = -60...+40 ’С.................... 900 мВт
Тк = +85 ’С.................-........ 450 мВт
Средняя рассеиваемая мощность в динамиче-
ском режиме2:
Гк = -60...+40 ’С.................... 900 мВт
7К = +85 ’С.......................... 450 мВт
Температура канала...................... +130 ’С
Температура окружающей среды............ —60... Тк =
= +85 ‘С
1 При Гк от +60 до +70 “С Ц; пит, макс снижается до 6 В, от +70 до +85 °С
до 5 В.
2 При Гк от +40 до +85 'С максимально допустимые рассеиваемые мощно-
сти снижаются линейно.
При применении и испытаниях транзисторов необходимо
исключить возможность касания вывода затвора незаземлен-
ным инструментом. Минимальное расстояние места пайки вы-
водов от кристаллодержателя 2 мм, температура пайки не
выше +260 ’С, время пайки не более 3 с. Допускается пайка
на расстоянии 0,5 мм от кристаллодержателя при температуре
пайки не выше +150 ’С в течение не более 3 с. Допускается
сварка расщепленным электродом при защите от подачи на
выводы разных потенциалов. Допускается обрезка выводов на
расстоянии 0,5 мм от кристаллодержателя.
При эксплуатации транзисторов в усилительных схемах
следует учитывать возможность их самовозбуждения, как вы-
сокочастотных элементов, и принимать меры к их устранению.
А849А, А849В, А849С, А849Д
Транзисторы арсенидогаллиевые полевые планарные с за-
твором в виде барьера Шотки и каналом л-типа генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, автоге-
нераторах, преобразователях частоты в составе гибридных ми-
кросхем. Бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими вы-
водами. Транзисторы маркируются точками: А849А — голубой,
А849В — двумя голубыми, А849С — тремя голубыми, А849Д —
четырьмя голубыми. Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,16 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
А849(А.В.С.Ш
Электрические параметры
Выходная мощность на Г = 2,4 ГГц
при 6/си = 6 В, Тк = +25 ’С, не менее:
А849А, /с = 100 ± 30 мА.............. 0,2 Вт
А849В, /с = 200 ± 50 мА.............. 0,4 Вт
А849С, /с = 350 ± 50 мА.............. 1 Вт
А849Д, /с = 700 ± 100 мА............. 2 Вт
Коэффициент усиления по мощности на 1 дБ
компрессии на /= 2,4 ГГц при 1/си = 6 В,
Гк = +25 ’С, не менее:
А849А, /с = 100 ± 30 мА.............. 16 дБ
А849В, /с = 200 ± 50 мА............. 14 дБ
А849С, /с = 350 ± 50 мА............. 12 дБ
А849Д, 4 = 700 ± 100 мА............. 9 дБ
Крутизна характеристики при 1/си = 3 В,
= 0, не менее:
А849А............................... 50 мА/В
А849В............................... 70 мА/В
А849С............................... 200 мА/В
А849Д............................... 400 мА/В
Ток утечки затвора при {/зи = —3 В, {/си = 0,
не более:
А849А, А849В........................ 10 мкА
А849С................................ 100 мкА
А849Д............................... 200 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания стока..... 7 В
Постоянное напряжение затвор—исток...... 6 В
Потенциал статического электричества.... 30 В
Средняя рассеиваемая мощность в динамиче-
ском режиме:
А849А................................ 0,9 Вт
А849В................................ 1,8 Вт
А849С................................ 3 Вт
А849Д................................ 6 Вт
Температура канала...................... +150 “С
Температура окружающей среды............ —6О...ГК =
= +85 ’С
При применении и испытаниях транзисторов необходимо
исключить возможность касания вывода затвора незаземлен-
ным инструментом. Минимальное расстояние места пайки вы-
водов от кристаллодержателя 2 мм, температура пайки не
выше +260 ‘С, время пайки не более 3 с. Допускается пайка
выводов на расстоянии 0,5 мм от кристаллодержателя, темпе-
ратура пайки не выше +150 ’С, время пайки не более 3 с.
При эксплуатации транзисторов в усилительных схемах
следует учитывать возможность их самовозбуждения, как вы-
сокочастотных элементов, и принимать меры к его устране-
нию.
Допускается сварка расщепленным электродом при защи-
те от подачи на выводы разных потенциалов. Допускается
обрезка выводов на расстоянии 0,5 мм от кристаллодержа-
11^352
Раздел шестой
Транзисторы биполярные высокочастотные
Транзисторы п-р-п
КТ601А, КТ601АМ
Транзисторы кремниевые диффузионные структуры п-р-п
усилительные. Предназначены для применения в радиовеща-
тельных и телевизионных приемниках. Выпускаются в- метал-
лостеклянном (КТ601А) и в пластмассовом (КТ601АМ) корпу-
сах с жесткими выводами. Тип прибора указывается на кор-
яусе.
Масса КТ601А не более 2 г, КТ601АМ — не более 0,7 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
Электрические параметры
Коэффициент передачи тока в режиме малого
сигнала при Ц& = 20 В, 4 = 20 мА, не менее:
7=+25...+85 ’С........-............. 16
7 = —40’С..........-................10
Граничная частота при Ц& = 20 В, 4 = Ю м^>
не менее...__.......................... 40 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи
Укъ = 50 В, 4 = 6 мА, /= 2 МГц, не более. 15 пс
Емкость коллекторного перехода
при (, = 20 В, не более................ 15 пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при Укэ = 100 В, Аи = 10 кОм, не более300 мкА
322
КТМ1АМ
/7,4
16.4
Обратный ток эмиттера при Т/ЗБ0 = 2 В,
не более.........................
100 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база.... 100 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 10 кОм....................... 100 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 2 В
Постоянный ток коллектора............... 30 мА
Постоянный ток базы..................... 30 мА
Постоянная рассеиваемая мощность:
без теплоотвода, Т = +55 ’С
и Гк = +75 "С........................ 250 мВт
с теплоотводом, 7К = +55 °С.......... 500 мВт
Температура р-п перехода................ +150 °С
Температура окружающей среды............ —10...+85 ’С
Изгиб выводов транзисторов КТ601А допускается не бли-
же 5 мм от корпуса с радиусом изгиба не менее 3 мм. При
этом необходимо обеспечить неподвижность вывода между
местом изгиба и стеклянным изолятором.
Изгиб выводов транзисторов КТ601АМ допускается под
углом не более 90° в плоскости, перпендикулярной плоскости
основания корпуса, и не ближе 3 мм от корпуса с радиусом
изгиба не менее 1,5 мм.
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм
от корпуса в течение не более 5 с. Температура пайки не
должна превышать +260 ’С. При этом необходимо обеспечить
надежный теплоотвод между корпусом транзистора и местом
пайки.
11* ИЗ
2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ,
КТ602АМ, КТ602БМ
Транзисторы кремниевые планарные структуры п-р-п. Пред-
назначены для генерирования и усиления сигналов. Транзи-
сторы 2Т602А, 2Т602Б выпускаются в металлостеклянном кор-
пусе с гибкими выводами, 2Т602АМ, 2Т602БМ, КТ602АМ,
КТ602БМ — в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзисторов 2Т602А, 2Т602Б, не более 5 г,
2Т602АМ, 2Т602БМ, КТ602АМ, КТ602БМ - не более 1 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
2Т602(А.Б)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при (4Б = 10 В, 4 = Ю мА:
2Т602А, 2Т602АМ, КТ602АМ.................. 20...80
2Т602Б, 2Т602БМ........................ 50...200
КТ602БМ, не менее...................... 50
2Т602А, 2Т602АМ при Т= -60 ’С,
КТ602АМ при 7 = -45 ’С................. 5...80
2Т602Б, 2Т602БМ при 7 = -60 ’С........ 12...200
2Т602А, 2Т602АМ при 7= +125 ’С,
КТ602АМ при 7= +85 ’С.................. 50...500
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при (4э = 10 В, 4 = 25 мА,
не менее.................................. 150 МГц
Граничное напряжение при 4 = 50 мА,
не менее............................-..... 70 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 50 мА, 4 = 5 мА, не более......... 3 В
2Т602(АМ,БМ)
КТ602(АМ,БМ)
Напряжение насыщения база—эмиттер-
при 4 = 50 мА, /Б = 5 мА, не более...... 3 В
Постоянная времени цепи обратной связи на
высокой частоте при = 10 В, /к = 10 мА,
/= 2 МГц, не более...................... 300 пс
Емкость коллекторного перехода (/«5 0 = 50 В,
не более................................ 4 пФ
Емкость эмиттерного перехода (УКБ 0 = 0,
не более................................ 25 пФ
Обратный ток коллектора при (/КБ0 = 120 В,
не более:
2Т602А, 2Т602АМ, 2Т602Б, 2Т602БМ..... 10 мкА
КТ602АМ, КТ602БМ..................... 70 мкА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при (/кэ = 100 В, /?бэ = 10 Ом, не более:
2Т602А, 2Т602АМ, 2Т602Б, 2Т602БМ..... 10 мкА
КТ602АМ, КТ602БМ..................... 100 мкА
Обратный ток эмиттера при (/ЭБ 0 = 5 В,
не более................................ 50 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т602А, 2Т602АМ, 2Т602Б, 2Т602БМ:
Г„ = +100 ’С.................. 120 В
7П = +150 ’С................... 60 В
КТ602АМ, КТ602БМ:
Т„ $ +70 ’С...................... 120 В
7П =+120’С..................... 60 В
Импульсное напряжение коллектор—база:
2Т602А, 2Т602АМ, 2Т602Б, 2Т602БМ:
7П =+100’С...................... 160 В
7П = +150 "С.................... 80 В
КТ602АМ, КТ602БМ при 7П = +70 ’С.... 160 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 1 кОм:
2Т602А, 2Т602АМ, 2Т602Б, 2Т602БМ:
7П = +100 ’С.................... 100 В
7П = +150 “С.................... 50 В
КТ602АМ, КТ602БМ:
7П « +70 ’С..................... 100 В
7П = +120 ’С.................... 50 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 5 В
Постоянный ток коллектора.............. 75 мА
Импульсный ток коллектора при 7И 1 мкс. 500 мА
Постоянный ток эмиттера................ 80 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
без теплоотвода:
74+25 "С............................ 0,85 Вт
Т= +125 "С для 2Т602А, 2Т602АМ,
2Т602Б, 2Т602БМ................. 0,16 Вт
7 = +85 °С для КТ602АМ, КТ602БМ.... 0,2 Вт
с теплоотводом:
7<+25’С............................. 2,8 Вт
7= +125 ’С для 2Т602А, 2Т602АМ,
2Т602Б, 2Т602БМ................... 0,56 Вт
7= +85 ’С КТ602АМ, КТ602БМ...... 0,65 Вт
Тепловое сопротивление:
переход—корпус.......................... 45 ’С/Вт
переход—окружающая среда............ 150 ’С/Вт
Температура р-п перехода:
2Т602А, 2Т602АМ, 2Т602Б, 2Т602БМ.... +150 ’С
КТ602АМ, КТ602БМ.................... +120 ’С
Температура окружающей среды........... —60...+125 ’С
Изгиб выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм
от корпуса с радиусом изгиба не менее 1,5 мм для 2Т602А,
2Т602Б. Для 2Т602АМ, 2Т602БМ, КТ602АМ, КТ602БМ допус-
кается одноразовый изгиб при тех же условиях.
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм
от корпуса при температуре не выше +260 ’С в течение не
более 10 с для 2Т602А, 2Т602Б, не более 3 с для 2Т602АМ,
/Г602БМ, КТ602АМ, КТ602БМ.
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, 2Т603И,
КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ60ЭГ, КТ603Д, КТ603Е
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п. Предназначены для применения в импульсных и
переключающих высокочастотных устройствах. Выпускаются в
металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тил прибора
указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1,75 г.
Изготовитель — завод «Транзистор», г. Минск.
2Т603СА-И), КТ603СА-Е)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ:
при Цб = 2 В, /э = 150 мА:
2ТБ03А, 2Т603В, КТ603Д................ 2О...8О
КТ603А, КТ603В..................... Ю...80
2Т603Б, 2Т603Г..................... 60... 180
КТ603Б, КТ603Г, не менее........... 60
КТ603Е............................. 60...200
при 4 = 350 мА для 2Т603И, не менее.... 20
типовое значение....................... 50*
при Т = —60 °С, 4 = 150 мА:
2Т603А, 2Т603В..................... 8...80
2Т603Б, 2Т603Г..................... 20... 180
2Т603И, не менее................... 8
при Т= +125 "С, /э = 150 мА:
2Т603А, 2Т603В................... 20... 180
2Т603Б, 2Т603Г.................... 60...400
2Т603И, не менее................... 20
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при Цэ = ^0 В, 4 = 30 мА,
не менее.................................. 200 МГц
типовое значение....................... 370* МГц
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер:
при 4 = 150 мА, 4 = 15 мА:
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г,
не более........................... 0,8 В
типовое значение................... 0,2* В
КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г,
КТ603Д, КТ603Е, не более........... 1 В
при /к = 350 мА, 4 = 50 мА для 2Т603И,
не менее............................... 1,2 В
Напряжение насыщения база—эмиттер:
при 4 = 150 мА, 4 = 15 мА:
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г,
КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г,
КТ603Д, КТ603Е, не более........... 1,5 В
типовое значение................... 0,9* В
при 4 = 350 мА, 4 = 50 мА для 2Т603И,
не более............................... 1,3 В
типовое значение................... 1* В
Время рассасывания при 4 = 150 мА,
4 = 15 мА:
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, 2Т603И,
не более............................... 70 нс
типовое значение....................... 40* нс
КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г,
КТ603Д, КТ603Е, не более............... 100 нс
Постоянная времени цепи обратной связи на
высокой частоте при = 10 В, 4 ~ 30 мА,
/ = 5 МГц, не более....................... 400 пс
типовое значение....................... 25* пс
Емкость коллекторного перехода
при 4/^б = 10 В, /= 5 МГц, не более....... 15 пФ
типовое значение....................... 3* пФ
Емкость эмиттерного перехода при = 0,
/ = 5 МГц, не более....................... 40 пФ
типовое значение....................... 35* пФ
Обратный ток коллектора, не более:
при Т = +25 ’С и Цб о = 30 В:
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603И.................... 3 мкА
КТ603А, КТ603Б.................... 10 мкА
при С4бо = 15 В:
2Т603В, 2Т603Г..................... 3 мкА
КТ603В, КТ603Г..................... 5 мкА
при <4бо = 10 В для КТ603Д, КТ603Е..... 1 мкА
при Т = +125 ’С и </КБ0 = 24 В для
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603И................. 60 мкА
при <?кбо = 12 В для 2Т603В, 2Т603Г.. 60 мкА
Обратный ток эмиттера, не более:
при </КБ0 = 3 В для 2Т603А, 2Т603Б,
2Т603В, 2Т603Г, КТ603А, КТ603Б, КТ603В,
КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е............... 3 мкА
при С/эе 0 = 4 В для 2Т603И.......... 3 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база
и коллектор—эмиттер при /?вэ = 1 кОм:
7П = +70 ’С:
КТ603А, КТ603Б........................... ЗОВ
КТ603В, КТ603Г................... 15 В
КТ603Д, КТ603Е................... 10 В
7П = +100 ’С:
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603И............... 30 В
2Т603В, 2Т603Г................... 15 В
Гп = +120 ’С:
КТ603А, КТ603Б................... 15 В
КТ603В, КТ603Г................... 7,5 В
КТ603Д, КТ603Е................... 10 В
Гп = +125 ‘С:
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603И............... 24 В
2Т603В, 2Т603Г................... 12 В
Гп = +150 ’С:
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603И............... 18 В
2Т603В, 2Т603Г................... 9 В
Напряжение эмиттер—база:
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г......... ЗВ
2Т603И при 7П = +70 ’С............... 4 В
2Т603И при 7П = +125 ’С.............. 3 В
Постоянный ток коллектора............... 300 мА
Импульсный ток коллектора при 10 мкс,
0= 10................................... 600 мА
Постоянная рассеиваемая мощность:
при 7 = +50 ’С........................... 0,5 Вт
при 7= +85 ’С для КТ603А, КТ603Б,
КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е и
7= +125 ’С для 2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В,
2Т603Г, 2Т603И....................... 0,12 Вт
Тепловое сопротивление переход—среда.... 200 ’С/Вт
Температура р-п перехода:
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, 2Т603И. +150 ’С
КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г,
КТ603Д, КТ603Е....................... +120 ’С
Температура окружающей среды:
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т6ОЗГ, 2Т6ОЗИ. -60...+125 "С
КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г,
КТ603Д, КТ603Е......................... —40...+85 ‘С
Расстояние от корпуса до начала изгиба вывода транзи-
стора 3 мм.
Не допускается пайка выводов ближе 5 нм от корпуса.
Пайку выводов допускается производить не более 10 с при
температуре не более +270 °С с теплоотводом между корпу-
сом и местом пайки.
Запрещается кручение выводов вокруг оси.
КТ604А, КТ604Б, КТ604АМ, КТ604БМ
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п.
Предназначены для применения в операционных усилителях,
видеоусилителях и генераторах разверток. Транзисторы
КТ604А, КТ604Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с
гибкими выводами, КТ604АМ, КТ604БМ — в пластмассовом
корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на
корпусе.
Масса транзисторов в металлостеклянном корпусе не бо-
лее 5 г, в пластмассовом — не более 1 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 40 В, 4 = 20 мА:
КТ604А, КТ604АМ...................... 10_.40
КТ604Б, КТ604БМ...................... 30„.120
КТ60ЦАМ.БМ)
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 40 В, /э = 20 мА,
не менее................................ 40 Мгц
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 20 мА, /Б = 2 мА, не более...... 8 В
Емкость коллекторного перехода
при = 40 В, /,= 2 Мгц, не более.......... 7 пФ
Емкость эмиттерного перехода при их - 0,
^=2 Мгц, не более....................... 50 пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при = 250 В, не более................... 20 мкА
Обратный ток эмиттера при их = 5 В,
не более................................ 50 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
при 7« +100 *С................... 300 В
при 7= +150 “С...-................ 150 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?бэ = 1 кОм:
при 7<+100’С..................... 250 В
при 7=+150’С...................... 125 В
Постоянное напряжение эмиттер—база:
при 7< +100 ’С................... 5 В
при 7 = +150 ”С................... 2,5 В
Постоянный ток коллектора............ 200 мА
Постоянная рассеиваемая мощность:
без теплоотвода:
+25’С............................... 0,8 Вт
Т=+100’С......................... 0,33 Вт
с теплоотводом:
7К < +25 ’С......................... 3 Вт
Тк = +100°С...................... 1,25 Вт
Тепловое сопротивление:
переход—корпус.......................... 40 ’С/Вт
переход—окружающая среда............. 150 ’С/Вт
Температура р-п перехода................ +150 ’С
Температура окружающей среды и корпуса.... —60...+100 ’С
Изгиб выводов транзисторов в металлостеклянном корпу-
се допускается не ближе 5 мм от корпуса с радиусом закруг-
ления не менее 3 мм. При этом должны быть приняты меры
предосторожности, обеспечивающие неподвижность вывода
между местом изгиба и стеклянным изолятором.
Изгиб выводов транзисторов в пластмассовом корпусе
допускается под углом не более 90’ в плоскости, перпендику-
лярной плоскости основания корпуса транзистора, и не ближе
3 мм от корпуса транзистора с радиусом изгиба не менее
1,5 мм.
При монтаже допускается пайка выводов не ближе 5 мм от
корпуса. Пайку следует производить в течение не более 10 с,
температура паяльника не должна превышать +260 ’С. Необ-
ходимо осуществлять теплоотвод между корпусом и местом
пайки.
КТ605А, КТ605Б, КТ605АМ, КТ605БМ
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п.
Предназначены для применения в усилителях, импульсных и
переключающих высокочастотных устройствах. Выпускаются в
металлостеклянном (КТ605А, КТ605Б) с гибкими выводами и
пластмассовом (КТ605АМ, КТ605БМ) корпусах с жесткими
выводами. Тил прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более
2 г, в пластмассовом — не более 1 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, I. Воронеж.
КТ605(А.Б)
КГ605(АМ,БМ)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при /э = 20 мА, 6^ = 40 В:
КТ605А, КТ605АМ...................... 10...40
КТ605Б, КТ605БМ...................... 30... 120
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 1!^ = 40 В, /э = 20 мА,
не менее................................ 40 Мгц
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 20 мА, /6 = 2 мА, не более..... 8 В
Емкость коллекторного перехода
при и№ = 40 В, /= 2 МГц, не более....... 7 пФ
Емкость эмиттерного перехода при иж = 0,
2 МГц, не более......................... 50 пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при 1/кэ = 250 В, не более............. 20 мкА
Обратный ток эмиттера при 1/эь 0 = 5 В,
не более............................... 50 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
при 7=+100 “С....................... 300 В
при 7=+150 “С....................... 150 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?вэ = 1 кОм:
при 7= +100 ’С...................... 250 В
при 7=+150’С........................ 125 В
Постоянное напряжение эмиттер—база:
при 7= +100 ’С...................... 5 В
при 7= +150 ’С...................... 2,5 В
Постоянный ток коллектора.............. 100 мА
Импульсный ток коллектора.............. 200 мА
Постоянная рассеиваемая мощность:
7 =+25’С................................ 0,4 Вт
7=+100‘С............................ 0,17 Вт
Тепловое сопротивление переход—среда... 300 ’С/Вт
Температура р-п перехода............... +150 ’С
Температура окружающей среды и корпуса.... —40...+ 150 ’С
Изгиб выводов допускается под углом не более 90° в
плоскости, перпендикулярной плоскости основания корпуса, и
не ближе 3 мм рт корпуса транзистора с радиусом изгиба не
менее 1,5 мм.
При установке транзистора на печатную плату с шагом
координатной сетки 2,5 мм допускается одноразовая формов-
ка выводов с их разводкой для совмещения с монтажными
отверстиями (контактами).
При изгибе и формовке выводов необходимо применять
специальные шаблоны, а также обеспечивать неподвижность
выводов между местом изгиба и корпусом транзистора. Кру-
чение выводов вокруг оси не допускается.
Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса
транзистора в течение не более 5 с. Температура паяльника не
должна превышать +260 ’С. При пайке должен быть обеспе-
чен надежный теплоотвод между местом пайки и корпусом
транзистора.
2Т608А, 2Т608Б, КТ608А, КТ608Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п переключательные. Предназначены для применения
в быстродействующих импульсных и высокочастотных устрой-
ствах. выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими
выводами. Тип прибора указывается на боковой поверхности
корпуса.
Масса транзистора не более 2 г.
Изготовитель — завод «Транзистор», г. Минск.
2Т608(А,Б) КТ608(А,Б)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, 4 = 200 мА:
2Т608А:
при Т= +25 ’С........................ 25...80
типовое значение..................... 45*
7=-60’С.............................. 10...80
7=+125’С............................. 25...200
2Т608Б:
при Т= +25 "С............................ 50...160
типовое значение..................... 85*
7=-60’С.............................. 20...160
7 = +125 °С.......................... 50...300
КТ608А:
при 7 = +25 ’С..................... 20...80
Г = —45’С............................ 7...80
7=+85’С............................. 20...200
КТ608Б:
при 7=+25’С.............................. 40...160
7= —45’С............................ 15...160
7=+85’С.............................. 40...350
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при и№ = 10 В, 4 = 30 мА,
/ = 100 Мгц, не менее................... 2
типовое значение..................... 4,5*
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 - 400 мА, 4 = 80 мА, не более..... 1 В
типовое значение..................... 0,4* В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 400 мА, /Б = 80 мА, не более... 2 В
типовое значение..................... 1* В
Время рассасывания при 4 = 150 мА,
41 ~ 4г ~ 18 мА:
2Т608А, 2Т608Б, не более............. 100 нс
типовое значение..................... 45* нс
КТ608А, КТ608Б, не более............. 120 нс
Емкость коллекторного перехода
при = 10 В, не более.................... 15 пФ
типовое значение..................... 8* пФ
Емкость эмиттерного перехода при 1/ЭБ0 = 0,
не более................................ 50 пФ
Обратный ток коллектора не более:
при Т = +25 °С, 6/Кбо = 60 В............. 10 мкА
при 7= +125 °С, Укво = 45 В для 2Т608А,
2Т608Б............................... 80 мкА
Обратный ток эмиттера при (/ЭБ 0 = 4 В,
не более................................ 10 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /Уэб = 1 кОм:
2Т608А, 2Т608Б:
Гп = -60...+ 100 "С.............. 60 В
Гп = +125 °С..................... 45 В
Гп = +150 °С..................... 30 В
КТ608А, КТ608Б:
Гп = -45...+70 'С................ 60 В
Гп =+120 °С...................... ЗОВ
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при /Уэб = 1 кОм, 4 10 мкс, О > 2:
2Т608А, 2Т608Б:
Гп = —60...+ 100 °С.............. 80 В
Гп = +125 °С.................. 65 В
Гп = +150 ”С................ .... 40 В
КТ608А, КТ608Б:
Гп =-45...+70 °С................. 80 В
Тп = +120 ’С..................... ДОВ
Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т608А, 2Т608Б:
7П = —60...+ 100 ’С.................... 60 В
7П = +125 ’С..................... 45 В
Т„ = +150 ’С..................... ЗОВ
• КТ608А, КТ608Б:
7П = -45...+70 ’С................ 60 В
Т„ = +120 ’С..................... 30 В
Импульсное напряжение коллектор—база
при Ги < 10 мс, О> 2:
2Т608А, 2Т608Б:
7П = -60...+100 ’С..................... 80 В
Гп = +125 'С..................... 65 В
Гп = +150 ’С..................... 40 В
КТ608А, КТ608Б:
Тп = -45...+70 ’С................ 80 В
Гп = +120 ’С..................... 40 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 4 В
Импульсное напряжение эмиттер—база
при Г* < 10 мс, 2....................... 8 В
Постоянный ток коллектора.............. 400 мА
Импульсный ток коллектора при ?и < 10 мкс,
О > 2.................................. 800 мА
Импульсный обратный ток эмиттера
при Ги < 10 мкс, О> 2.................. 2 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
2Т608А, 2Т608Б:
Т= -60...+50 ’С..................... 0,5 Вт
7=+125°С......................... 0,12 Вт
КТ608А, КТ608Б:
7 = —45...+25 ’С.................... 0,5 Вт
7=+85'С.......................... 0,12 Вт
Тепловое сопротивление переход—окружаю-
щая среда.............................. 200 ’С/Вт
Температура р-п перехода:
2Т608А, 2Т608Б......................... +150 ’С
КТ608А, КТ608Б...................... +120’С
Температура окружающей среды:
2Т608А, 2Т608Б......................... -60...+ 125 ’С
КТ608А, КТ608Б...................... -45...+85 ’С
Изгиб выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса
транзистора с радиусом изгиба 1,5...2 мм.
Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса
транзистора при температуре не более 4*260 ’С в течение 10 с.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В.
КТ611А, КТ611Б, КТ611В, КТ611Г,
КТ611АМ, КТ611БМ
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п
усилительные. Предназначены для применения в усилителях и
генераторах. Корпус КТ611А, КТ611Б, КТ611В, КТ611Г метал-
лический со стеклянным изолятором и гибкими выводами,
КТ611АМ, КТ611БМ — пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 5 г,
в пластмассовом — не более 1 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
КТ61ЦА-Г)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 6/кэ = 40 В, 4 = 20 мА:
Т= 425 ’С:
КТ611А, КТ611В, КТ611АМ.................. 10...40
КТ611Б, КТ611Г, КТ611БМ.............. 30...120
Т= 4100 ’С:
КТ611А, КТ611В, КТ611АМ.................. 10...80
КТ611Б, КТ611Г, КТ611БМ.............. 30...240
Т= -40 ’С:
КТ611А, КТ611В, КТ611АМ.................. 5...40
КТ611Б, КТ611Г, КТ611БМ.............. 15...12О
КТ61ЦАМ.БМ)
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при 6/^ = 40 В, /э = 20 мА,
? = 20 МГц, не менее.................... 3
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 20 мА, /6 = 2 мА, не более...... 0,8 В
Постоянная времени цепи обратной связи на
высокой частоте при (УКБ = 20 В, 4 = 20 мА,
Г= 2 МГц, не более...................... 200 пс
Емкость коллекторного перехода
при 1/^, - 40 В, не более............... 5 пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при Укэ = М<э, мако Я» = 0, не более.... 100 мкА
Обратный ток эмиттера при (УБЭ = 3 В,
не более................................ 100 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база1:
Тп = -40...+100 “С:
КТ611А, КТ611Б, КТ611АМ, КТ611БМ. 200 В
КТ611В, КТ611Г................... 180 В
Гп = +150 “С:
КТ611А, КТ611Б, КТ611АМ, КТ611БМ. 100 В
КТ611В, КТ611Г................... 90 В
1 При повышении температуры от Гп = +100 ’С до Т„ = +150 ’С напряжение
Уменьшается линейно.
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер1
при = 1 кОм:
Тп = -40...+100 ’С:
КТ611А, КТ611Б, КТ611АМ, КТ611БМ. 180 В
КТ611В, КТ611Г................... 150 В
Тп = +150’С:
КТ611А, КТ611Б, КТ611АМ, КТ611БМ. 90 В
КТ611В, КТ611Г.................... 75 В
Постоянное напряжение база—эмиттер1:
Тп =-40...+100 ’С................... 4 В
Тп = +150 ’С........................ 1,5 В
Постоянный ток коллектора.............. 100 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
без теплоотвода* 2:
7=+25’С............................. 0,8 Вт
Т=+100’С......................... 0,33 Вт
с теплоотводом3:
Тк = +25 ’С......................... 3 Вт
Тк = +100 ’С..................... 1,25 Вт
Тепловое сопротивление переход—окружаю-
щая среда.............................. 150 ’С/Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 40 ’С/Вт
Температура р-п перехода............... +150 ’С
Температура окружающей среды........... —40...+100 ’С
' При повышении температуры от Гп = +100 *С до Тп = +150 *С напряжение
уменьшается линейно.
2 При Г = +25...+ 100 *С
МАКС = (15° ~ П/^Т(Л-С)» Вт.
2 При Гк = +25...+100 ’С
^к.макс = (150 — Гк)//?т (п—к>» Вт-
КТ616А, КТ616Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п переключательные. Предназначены для применения
в переключающих устройствах. Корпус металлостеклянный с
гибкими выводами. Тип прибора указывается на боковой по-
верхности корпуса.
Масса транзистора не более 0,6 г.
Изготовитель — завод «Транзистор», г. Минск.
КТ616(А,Е)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в
схеме ОЭ при = 1 В, /э = 0,5 А, не менее:
КТ616А.............................. 40
КТ616Б.............................. 25
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 0,5 А, 4 = 0,05 А, не более..... 0,6 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 0,5 А, 4 ~ 0,05 А, не более.... 2 В
Время рассасывания при /к = 0,15 А,
4 = 0,015 А, не более:
КТ616А.............................. 50 нс
КТ616Б............................... 15 нс
Емкость коллекторного перехода
при 14бо = Ю В, не более................ 15 пФ
Емкость эмиттерного перехода при 6/Эбо = 0»
не более................................ 50 пФ
Обратный ток коллектора при 14бо = Ю В,
не более................................ 15 мкА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при (4э = 20 В, /?вэ = 10 кОм, не более. 15 мкА
Обратный ток эмиттера при 14э = 4 В,
не более................................ 15 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база... 20 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?ы = Ю кОм......................... 20 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 4 В
Постоянный ток коллектора.............. 400 мА
Импульсный ток коллектора при 4, = 80 нс,
О Ъ 10 ................................. 600 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
при Г= —40...+25 “С...................... 0,3 Вт
при Т= +85 “С..................-..... 0,25 Вт
Тепловое сопротивление переход—окружаю-
щая среда............................... 280 *С/Вт
Температура р-я перехода................ +150 °С
Температура окружающей среды......- —60...+85 ’С
Изгиб выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса
транзистора с радиусом закругления 1.5...3 мм. Запрещается
кручение вывода вокруг оси.
Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса
транзистора паяльником, нагретым до +260 ’С в течение не
более 10 с.
КТ617А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п переключательный. Предназначен для применения
в переключающих устройствах. Корпус металлостеклянный с
гибкими выводами. Тип прибора указывается на боковой по-
верхности корпуса.
Масса транзистора не более 0,84 г.
Изготовитель — завод «Транзистор», г. Минск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в
схеме ОЭ при УКБ = 2 В, /э = 0,4 А, не менее . 30
342
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при 6/КБ = 10 В, /э = 30 мА,
Г= 100 МГц, не менее................... 1,5
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 150 мА, 4 = 15 мА, не более.... 0,7 В
Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте при 6/КБ = 5 В, /к = 5 мА,
/= 5 МГц, не более..................... 120 нс
Емкость коллекторного перехода при и№ =10,
не более............................... 15 пФ
Емкость эмиттерного перехода при 1УХ = 0,
не более............................... 50 пФ
Обратный ток коллектора при 6/КБ о = 30 В,
не более............................... 15 мкА
Обратный ток эмиттера при 1/Х(1 = 4 В,
не более............................... 15 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база-.. 30 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 10 кОм...................... 20 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 4 В
Постоянный ток коллектора.............. 400 мА
Импульсный ток коллектора при 4 = 80 нс,
О Ъ 10................................. 600 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
при Г= -40...+25 °С.................... 0,5 Вт
при Т = +85 °С...................... 0,3 Вт
Тепловое сопротивление переход—окружаю-
щая среда..................-........... 215 °С/Вт
Температура р-п перехода............... +150 °С
Температура окружающей среды...-....... —40...+85 °С
Изгиб выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса
транзистора с радиусом закругления 1.5...3 мм. Запрещается
кручение вывода вокруг оси.
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм
от корпуса транзистора паяльником, нагретым до +260 "С, в
течение не более 10 с.
КТ618А
Транзистор кремниевый планарный структуры п-р-п пере-
ключательный. Предназначен для применения в переключаю-
щих устройствах. Выпускается в металлостеклянном корпусе с
гибкими выводами. Тип прибора указывается на боковой по-
верхности корпуса.
Масса транзистора не более 2 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в
схеме ОЭ при 6/КБ = 40 В, 4 = 1 мА, не менее .. 30
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при = 40 В, = 20 мА,
Л= 20 МГц, не менее.................... 2
Емкость коллекторного перехода
при 6/цбо = 40, не более................ 7 пФ
Емкость эмиттерного перехода при 6/эб о ~ 0>
не более............................... 50 пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при (4э = 250 В, /?эб = 1 кОм, не более. 50 мкА
Обратный ток эмиттера при 6/ЭБ0 = 5 В,
не более.............................. 100 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?бэ = 10 кОм....................... 250 В
Постоянное напряжение коллектор—база.... 300 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 5 В
Постоянный ток коллектора............... 0,1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
при 7 = —40...+25 ’С................ 0,5 Вт
при 7=+85’С......................... 0,325 Вт
Тепловое сопротивление переход—окружаю-
щая среда.............................. 200 ’С/Вт
Температура р-п перехода............... +150 ’С
Температура окружающей среды........... —40...+85 ’С
Изгиб выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса
транзистора с радиусом закругления 1,5...3 мм. Запрещается
кручение вывода вокруг оси.
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм
от корпуса транзистора паяльником, нагретым до +260 ’С, в
течение не более 10 с.
2Т625А-2, 2Т625Б-2, 2Т625АМ-2, 2Т625БМ-2,
КТ625А, КТ625АМ
Транзисторы кремни-
евые эпитаксиально-пла-
2Т625(А-2,Б-2), КТ625А
парные структуры п-р-п
переключательные. Пред-
назначены для примене-
ния в импульсных устрой-
ствах герметизированной
аппаратуры. Бескорпус-
ные с защитным покры-
тием и гибкими вывода-
ми. Тип прибора указыва-
ется в этикетке.
Масса транзисторов
2Т625А-2, 2Т625Б-2,
КТ625А не более 0,015 г,
2Т625АМ-2, 2Т625БМ-2,
КТ625АМ не более 0,04 г.
Изготовитель — завод «Транзистор», г. Минск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 6/кэ = 1 В, /к = 500 мА:
2Т625А-2, 2Т625АМ-2 .............................. 30...48*...120
2Т625Б-2, 2Т625БМ-2........................... 20...48*...120
КТ625А, КТ625АМ............................... 20...200
2Т625(АМ-2,БМ-2). КТ625АМ
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при 4/кэ = 10 В, /к = 50 мА,
Г= 100 МГц..................................... 2...3,5*...5,5*
Граничное напряжение при /к = 10 мА, 4 = 0,
< 30 мкс, О > 50:
2Т625А-2, 2Т625АМ—2 ....................... 40...48*...60* В
2Т625Б-2, 2Т625БМ-2 ....................... 30...37*...54* В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 500 мА, 4 = 50 мА:
2Т625А—2, 2Т625АМ—2........................ 0,35*...0,99*...
1,2 В
КТ625А, КТ625АМ, не более.................. 1,2 В
2Т625Б-2, 2Т625БМ—2......................... О,2*...О,37*...
0,7 В
Напряжение насьицения база—эмиттер
при /к = 500 мА, 4 = 50 мА:
2Т625А—2, 2Т625АМ-2........................... 0,3*...0,95*...
1,2 В
2Т625Б-2, 2Т625БМ-2, КТ625А, КТ625АМ 0,3*...0,95*...
1,5 В
Время рассасывания при /к = 500 мА,
4 = 50 мА...................................... 15*...ЗО* ..
60 нс
Емкость коллекторного перехода
при икъ = Ю В.................................. 5*...7*...9 пФ
Емкость эмиттерного перехода при = О,
ие более.............................. 90 пФ
Обратный ток коллектора при У№0 = 60 В,
не более:
7 = -60...+25 ’С................... 30 мкА
7=+125°С..........„................ 100 мкА
Обратный ток эмиттера при = 5 В,
не более:
7=-60...+25 ’С..................... 100 мкА
7=+125’С........................... 200 мкА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при 44э = 60 В, /?эб = 0, не более.... 60 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при 7?эб = 5 кОм...................... 40 В
Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т625А-2, 2Т625АМ—2, 2Т625Б-2,
2Т625БМ—2:
при 7К = +100 ’С................ 60 В
при Тк = +125 ’С................ 45 В
при 7К = +85 ’С для КТ625А, КТ625АМ .... 60 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 5 В
Постоянный ток коллектора............. 1 А
Импульсный ток коллектора при ?и < 5 мкс,
О 3= 10............................... 1,3 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
2Т625А-2, 2Т625АМ—2, 2Т625Б-2,
2Т625БМ—2 при 7К = +85 ’С и КТ625А,
КТ625АМ при 7К = +70 ’С............ 1 Вт
2Т625А-2, 2Т625АМ—2, 2Т625Б-2,
2Т625БМ—2 при 7К = +125 ’С и КТ625А,
КТ625АМ при 7К = +85 ‘С............ 0,7 Вт
Температура р-п перехода:
2Т625А-2, 2Т625АМ— 2, 2Т625Б-2,
2Т625БМ—2.......................... +135’С
КТ625А, КТ625АМ.................... +120’С
Температура окружающей среды:
2Т625А-2, 2Т625АМ—2, 2Т625Б-2,
2Т625БМ—2.......................... —60... 7К =
= +125 ’С
КТ625А, КТ625АМ.................... -50... 7К =
= +85 ’С
Монтаж транзисторов в микросхемы осуществляется в сле-
дующем порядке: место монтажа в микросхеме смачивается
флюсом ФКСп, затем укладывается фольга припоя ПОС—61
толщиной 30 мкм, размером 1,9* 1,9. Допускается нагрев ми-
кросхемы до температуры не выше +200 °С в течение не более
10 с. В момент пайки транзистор прижимается к месту монта-
жа пинцетом. Усилие прилагается к боковым поверхностям
кристаллодержателя.
2Т630А, 2Т630Б, 2Т630А-5,
КТ630А, КТ630Б, КТ630В, КТ630Г, КТ630Д, КТ630Е
Транзисторы кремниевые планарные структуры п-р-п уни-
версальные. Предназначены для применения в усилителях и
импульсных устройствах, в схемах управления газоразрядной
панелью переменного тока, силовых каскадах ключевых ста-
билизаторов и преобразователей. Транзисторы 2Т630А, 2Т630Б,
КТ630А—КТ63ОЕ выпускаются в металлостеклянном корпусе с
гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Тран-
зистор 2Т63ОА—5 выпускается в виде неразделенных кристал-
лов на пластине с контактными площадками для гибридных
интегральных микросхем. Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более
2 г, кристалла не более 0,005 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
2Т630А-5
2Т630(А,Б), КТбЗО(А-Е)
0053
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при Цо = 10 В, /к = 150 мА:
7 = +25 ’С:
2Т630А, 2Т630А-5, КТ630А, КТ630В,
КТ630Г.................................. 40...120
2Т630Б, КТ630Б, КТ630Д............... 80...240
КТ630Е............................... 160...480
7 = +125 ’С:
2Т630А, 2Т630А-5........................ 30... 150
2Т630Б............................... 70...300
КТ630А, КТ630В, КТ630Г............... 40...240
КТ630Б, КТ630Д....................... 80...480
КТ630Е............................... 120...1000
7= -60 ’С:
2Т630А, 2Т630А-5, КТ630А, КТ630В,
КТ630Г.................................. 15... 120
2Т630Б, КТ630Б, КТ630Д.............. 30...240
КТ630Е............................... 40...480
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 10 В, I* = 60 мА,
не менее.................................... 50 МГц
Граничное напряжение:
при 4 = Ю0 мА, = 300 мкс, О = 200,
не менее:
2Т630А, 2Т630А-5..................... 90 В
2Т630Б......................_........ 80 В
при 4 = 30 мА, <и = 100 мкс, О = 200,
не менее:
КТ63ОА............................. 90 В
КТ6306, КТ630В..................... 80 В
КТ630Д, КТ630Е..................... 40 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 150 мА, /Б = 15 мА, не более..... 0,3 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 150 мА, 4 = 15 мА, не более....... 1,1 В
Время включения при 4 = 200 мА, 4 = 40 мА. 0,04...0,1...
0,25 мкс
Время выключения при 4 = 200 мА, 4 = 40 мА. 0,06...0,2...
0,5 мкс
Емкость коллекторного перехода
при 14б = Ю В, не более................... 15 пФ
Емкость эмиттерного перехода
при 14б ~ 0,5 В, не более................. 65 пФ
Входное сопротивление в режиме малого
сигнала на низкой частоте в схеме ОЭ при
О, = 16 В, 4 = 5 мА....................... 200...500...
1200 Ом
Входное сопротивление в режиме малого
сигнала на низкой частоте в схеме ОБ при
(4Э = 10 В, 4 = 5 мА...................... 5...6...8 Ом
Обратный ток коллектора при 14б - $0 В
(Ц<Б = 40 В для КТ630Г, КТ630Д, КТ63ОЕ),
не более:
2Т630А, 2Т630Б, КТ630А-КТ630Е......... 1 мкА
2Т630А-5.............................. 100 мкА
Обратный ток эмиттера, не более:
при Т/ЭБ = 5 В:
2Т630А, 2Т630Б........................ 0,1 мкА
КТ630Г, КТ630Д, КТ630Е............. 100 мкА
при иэъ = 7 В для 2Т630А, 2Т630Б,
2Т630А-5, КТ630Б, КТ630В.............. 100 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
/?бэ = 3 кОм:
2Т630А, 2Т630Б, 2Т630А-5, КТ630А,
КТ630Б................................ 120 В
КТ630В............................. 150 В
КТ630Г............................. 100 В
КТ6Э0Д, КТ630Е..................... 60 В
Л^э = °°'
2Т630А, 2Т630А-5, КТ630А, КТ630Б .. 90 В
2Т630Б, КТ630В.................... 80 В
КТ630Г.......................„.... 60 В
КТ630Д, КТ630Е.................... 40 В
Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т630А, 2Т630Б, 2Т630А-5, КТ630А,
КТ630Б............................... 120 В
КТ630В............................... 150 В
КТ630Г............................... 100 В
КТ630Д, КТ630Е....................... 60 В
Постоянное напряжение эмиттер—база:
2Т630А, 2Т630Б, 2Т630А-5, КТ630А,
КТ630Б, КТ630В....................... 7 В
КТ630Г, КТ630Д, КТ630Е............... 5 В
Постоянный ток коллектора............... 1 А
Импульсный ток коллектора при Ги = 100 мкс. 2 А
Постоянный ток базы..................... 0,2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’:
при Г= -60...+25 ’С..................... 0,8 Вт
приГ=+125’С.......................... 0,15’С
Температура р-п перехода................ +150 ’С
Температура окружающей среды............ —60...+125 ’С
1 При Т > +25 ’С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора уменьшается линейно.
Изгиб выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса
транзистора с радиусом закругления 1,5...2 мм.
Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса
транзистора при температуре не выше +260 ’С в течение не
более 3 с.
2Т635А, КТ635Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п переключательные. Предназначены для применения
в импульсных и высокочастотных устройствах. Выпускаются в
металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора
Указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 3 г.
Изготовитель — завод «Транзистор», г. Минск.
2Т635А, КТ635Б
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при Ц& = 1 В, 4 = 500 мА:
2Т635А.................................. 25... 150
типовое значение........................ 40*
КТ635Б.................................. 20... 150
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при Ц» = 10 В, /к = 50 мА:
2Т635А.............. -.................. 250...460*...
700* МГц
КТ635Б, не менее........................ 200 МГц
типовое значение........................ 460* МГц
Граничное напряжение при 4 = Ю мА.......... 45...52*...70
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 500 мА, 4 = 50 мА:
2Т635А.................................. 0,26*...0,4*.
0,5 В
КТ635Б, не более........................ 0,9 В
Напряжение насыщения эмиттер—база
при 4 = 500 мА, /Б = 50 мА, не более....... 1,2 В
Время рассасывания при 4 = 500 мА,
4, = 4г = 50 мА, КТ635Б, не более.......... 50 нс
Время выключения при 4 = 500 мА,
41 = 4г = 50 мА:
2Т635А............................... 35*...45*...
60 нс
КТ635Б, не более........................ 60 нс
Постоянная времени цепи обратной связи на
высокой частоте при = 10 В, 4 = 30 мА,
Г= 5 МГц................................... 7*...25* ..
58* пс
Емкость коллекторного перехода
при Укбо = Ю В, не более............... 10 пФ
типовое значение.................... 7,4* пФ
Емкость эмиттерного перехода при С/ЭБ0 = 0,
не более............................... 90 пФ
типовое значение.................... 70* пФ
Обратный ток коллектора при и№6 = 60 В,
не более:
2Т635А:
Т= -60...+25 °С........................ 10 мкА
Г=+125°С........................ 500 мкА
КТ635Б.............................. 30 мкА
Обратный ток эмиттера при (/ЗБ0 = 5 В,
не более:
2Т635А:
Т= -60...+25 ”С........................ 10 мкА
Г=+125°С........................ 100 мкА
КТ635Б.............................. 30 мкА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при (/кэ = 60 В, = 0, не более:
2Т635А................................. 10 мкА
КТ635Б.............................. 30 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база... 60 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
для КТ635Б при /?эв = 0................ 60 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 5 В
Постоянный ток коллектора.............. 1 А
Импульсный ток коллектора для КТ635Б... 1,2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
при Т = —60...+25 "С для 2Т635А и
при Т= —45...+25 "С для КТ635Б...... 0,5 Вт
при Т = +125 °С для 2Т635А и
при Т= +85 °С для КТ635Б............ 0,1 Вт
при Гк = —60...+25 °С для 2Т635А.... 1,5 Вт
при Гк = +125 "С для 2Т635А......... 0,3 Вт
Тепловое сопротивление переход—окружаю-
щая среда для 2Т635А................... 250 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус
Для 2Т635А............................. 83,3 °С/Вт
Температура р-п перехода:
2Т635А................................. +150 "С
КТ635А.............................. +120 °С
Температура окружающей среды:
7Т635А................................... -6О...ГК =
= +125 ’С
КТ635А............................... -45... Гк =
= +85 ’С
Изгиб выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса
транзистора.
Пайка выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса
транзистора при температуре не выше +260 ’С в течение не
более 10 с.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В.
2Т638А, КТ638А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п универсальные. Предназначены для применения в
усилителях и генераторах высокой частоты. Транзистор 2Т638А
выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими вывода-
ми, КТ638А — в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более
1,5 г, в пластмассовом не более 0,3 г.
Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элеке», г. Александров, Владимирская область.
2Т638А
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 1 В, /к = 10 мА....... 50...350
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при (4э = 20 В, 4 = 20 мА,
не менее............................... 200 МГц
Граничное напряжение при /к = 10 мА,
не менее:
КТ638А.............................. 80 В
2Т638А.............................. 120 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 20 мА, /Б = 2 мА, не более.... 0,5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 20 мА, 4 = 2 мА, не более..... 1 В
Постоянная времени цепи обратной связи на
высокой частоте при С4э = 20 В, 4 = 20 мА,
Г = 30 МГц, не более................... 25 пс
Время рассасывания при 4 = 20 мА,
4| = 4г = 2 мА, типовое значение....... 1 мкс
Емкость коллекторного перехода
при 64б = 20 В, не более............... 8 пФ
Емкость эмиттерного перехода при 1/эъ = 0,
не более............................... 30 пФ
Обратный ток коллектора при С4б = ^4б, мако
не более............................... 0,1 мА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при С4э ~ 60 В, /?БЭ = 1 кОм, не более. 5 мкА
Обратный ток эмиттера при 64э = 5 В,
не более............................... 10 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ638А................................. ИОВ
2Т638А.............................. 120 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 1 кОм:
КТ638А.............................. 110 В
2Т638А........... .................. 120 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 5 В
Постоянный ток коллектора............... 0,1 А
Импульсный ток коллектора при = 10 мкс,
0 = 10.................................. 0,35 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
при Гк =+25 °С.......................... 0,5 Вт
при Гк = +125 °С для 2Т638А.......... 0,1 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность коллекто-
ра при = 10 мкс, О = 10, Гк = —60...+25 °С
для 2Т638А.............................. 1 Вт
Температура р-п перехода................ +150 °С
Температура окружающей среды:
КТ638А.................................. -60... Гк =
= +100 °С
2Т638А............................... -6О...ГК =
= +125 °С
КТ645А, КТ645Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п универсальные. Предназначены для применения в
высокочастотных генераторах и усилителях, в быстродейству-
ющих импульсных устройствах. Выпускаются в пластмассовом
корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается в эти-
кетке.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Изготовитель — завод «Транзистор», г. Минск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ:
КТ645А при = 2 В, /э = 150 мА............ 20...200
КТ645Б при б/,» = 10 В, 4 = 2 мА,
не менее................................. 80
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при и№ = 10 В, 4 = 50 мА,
не менее................................. 200 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте при 6/КБ = 5 В, 4 = 5 мА,
5 МГц, не более.......................... 120 пс
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер,
не более:
КТ645А при к = 150 мА, 4 = 15 мА...... 0,5 В
КТ645Б при 4 = 10 мА, /Б = 1 мА....... 0,05 В
Время рассасывания при = 150 мА,
4=15 мА, не более........................ 50 нс
Емкость коллекторного перехода
при 6/КБ = Ю В, не более................. 5 пФ
Емкость эмиттерного перехода при С/ЭБ.= 0.
не более................................ 50 пФ
Обра ный ток коллектора при 4/КБ = С/КБ МАМО
не более:
Т= —45...+25 °С...................... 10 мкА
Т= +85 °С............................ 100 мкА
Обратный ток эмиттера при 6/ЭБ = 4 В,
н® более................................ 10 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ645А............................... 60 В
КТ645Б............................... 40 *В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при Лю = 1 кОм:
КТ645А............................... 50 В
КТ645Б............................... 40 В
Постоянное напряжение эмиттер—база______ 4 В
Постоянный ток коллектора............... 300 мА
Импульсный ток коллектора при = 10 мкс,
0= 5.................................... 600 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
при Т= —45...+25 °С.................. 0,5 Вт
при Т= +85 ’С........................ 0,25 Вг
Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора при = 10 мкс, 0=5, Т = —45 ..+55 °С 1 Вт
Температура р-п перехода................ +150 'С
Температура окружающей среды............ —45...+85 °С
1 При Г от +25 до +85 ’С максимально допустимая постоянная рассеивае-
мая мощность коллектора уменьшается линейно.
Изгиб выводов транзистора не бдиже 5 мм от корпуса с
радиусом закругления 1,5 мм. Пайка выводов транзистора
допускается не ближе 3 мм от корпуса при температуре не
выше +270 °С в течение не более 10 с.
КТ646А, КТ646Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п усилительные. Предназначены для применения в
усилителях высокой частоты, импульсных и переключающих
устройствах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жестки
ми выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
35в
Масса транзистора не более 1 г.
Изготовитель — завод «Транзистор», г. Минск.
КТ646(А,Б)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при С/КБ = 5 В, = 0,2 А:
КТ646А............................. 40...200
КТ646Б............................... 150
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 6/КБ = 10 В, /э = 30 мА,
не менее................................ 250 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте при 6/КБ = 5 В, 4 = 50 мА,
/'=5 МГц, не более...................... 120 пс
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер,
не более:
КТ646А при /к = 0,5 А, /Б = 50 мА.... 0,85 В
КТ646Б при /к = 0,2 А, /Б = 20 мА.... 0,25 В
Напряжение насыщения база—эмиттер,
не более:
КТ646А при /к = 0,5 А, /Б = 50 мА.... 1,2 В
КТ646Б при = 0,2 А, /Б = 20 мА....... 1,2 В
Емкость коллекторного перехода
при С/КБ = 10 В, не более............... 10 пФ
Емкость эмиттерного перехода при С/ЭБ = 0,
не более................................ 80 пФ
Обратный ток коллектора при УКБ = С/КБ МАКС,
не более................................ 10 мкА
Обратный ток эмиттера при 6^Б = 4 В,
не более............................... 10 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ646А.............................. 60 В
КТ646Б.............................. 40 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 1 кОм:
КТ646А.............................. 50 В
КТ646Б.............................. 40 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 4 В
Импульсное напряжение эмиттер—база..... 5 В
Постоянный ток коллектора.............. 0,5 А
Импульсный ток коллектора.............. 0,7 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора................................... 1 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора................................... 1,2 Вт
Температура р-п перехода.......'....... +150 °С
Температура окружающей среды........... —45...+85 °С
2Т652А, 2Т652А-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п переключательные. Предназначены для применения
в импульсных и переключающих устройствах. Транзистор
2Т652А выпускается в металлокерамическом корпусе с гибки-
ми выводами, 2Т652А—2 — бескорпусный на керамическом
держателе с защитным покрытием и гибкими выводами, ис-
пользуется в герметизированной аппаратуре. Тип 2Т652А ука-
зывается на корпусе, 2Т652А—2 — на таре.
Масса транзистора 2Т652А не более 0,6 г, 2Т652А—2 — не
более 0,015 г.
Изготовитель — завод «Транзистор», г. Минск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока при
С/кэ = 3 В, /к = 500 мА, Ги < 30 мкс, О 50 25...100
типовое значение.................................. 47*
Граничная частота коэффициента передачи
тока при С/кэ = 10 В, = 50 мА..................... 200...900*...
1000* МГц
Граничное напряжение при /к = 10 мА............... 36*...50*...58*
2 Тб 25А
2Т625А-2
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 500 мА, /Б = 50 мА, 4 30 мкс,
О > 50......................................... 0,16*...0,28*...
0,65 В
Напряжение насыщения база—эмиттер при
4 = 500 мА, 4 = 50 мА, 30 мкс, О = 50 ... 0,86*...0,89*...
1,2 В
Время рассасывания при /к = 500 мА,
4, = 4г = 50 мА, 4 30 мкс, О > 50 ............. 35*...45*...
100 нс
Емкость коллекторного перехода
пРи<4бо=1ОВ.................................... 6*...7,2*...
12 пФ
Емкость эмиттерного перехода при = 0 ... 65*...77*...
110 пФ
Обратный ток коллектора при ЦБ0 = 50 В,
не более:
Т=+125’С............................ 300 мкА
Т= -60 и +25 ’С..................... 30 мкА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при 4/кэ = 50 В, /?ЭБ = 500 Ом......... 300* мкА
Обратный ток эмиттера при Цб0 = 4 В,
не более:
Т= +125 ’С.......................... 300 мкА
Т = —60 и +25 ’С.................... 100 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база... 50 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?ЭБ = 500 Ом...................... 45 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 4 В
Постоянный ток коллектора.............. 1 А
Импульсный ток коллектора при = 5 мкс,
а > 30................................. 2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
при Тк = —60...+50 ’С............... 1 Вт
при Тк = +125 ’С.................... 0,25 Вт
при Т = —60...+50 ’С для 2Т652А..... 0,5 Вт
при 7=+125’С........................ 0,2 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
при 7К = —60...+50 ’С............... 1,5 Вт
при Гк =+125’С...................... 0,675 Вт
Температура р-п перехода............... +150 ’С
Температура окружающей среды:
2Т652А.............................. —60...+ 125 ’С
2Т652А-2............................ -6О...ТК =
= +125 ’С
Соединение выводов транзисторов 2Т652А с монтажными
проводниками осуществляется импульсной дуговой сваркой в
защитной среде при длительности сварочного импульса 0,01 с
и энергии импульса 100...200 Дж.
Допускается двукратный изгиб выводов транзисторов не
ближе 2 мм и однократный изгиб не ближе 1 мм от корпуса
транзистора с радиусом изгиба 1 мм.
Приварка выводов транзистора 2Т652А—2 к контактным
площадкам схемы осуществляется ультразвуковой сваркой или
362
сваркой расщепленным электродом не ближе 2 мм от места
выхода вывода из защитного покрытия.
Допустимое значение статического потенциала 100 В.
Область максимальных режимов
2Т653А, 2Т653Б
Транзисторы кремниевые планарные структуры п-р-п пере-
ключательные. Предназначены для применения в переключаю-
щих устройствах и преобразователях. Выпускаются в метал-
лостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора ука-
зывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
2Т653(А,Е)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
при 6/КБ = 10 В, 4 = 150 мА:
2Т653А................................ 40... 150
типовое значение...................... 100*
при Тк = +125 °С...................... 40...300
2Т653Б................................ 80...250
типовое значение...................... 150*
при Тк = +125 °С...................... 80...500
Граничная частота коэффициента передачи
тока при = 10 В, 4 = 25 мА................ 50... 120*...
180* МГц
Граничное напряжение при 4 = 30 мА,
4 300 мкс, не менее:
2Т653А.................................... 120 В
2Т653Б................................ 100 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 150 мА, 4 = 15 мА................ 0,3*...0,35*...
0,5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 150 мА, 4 = 15 мА................. 0,8*...0,85*„.
1,1 В
Время включения при 4 = 200 мА,
4, = 42 = 40 мА........................... 0,018*...0,03*
...0,1 мкс
Время выключения при 4 = 200 мА,
4, = 42 = 40 мА........................... 0,4*...0,58*...
1 мкс
Пробивное напряжение коллектор—эмиттер
при 4 = 0,1 мА, /?ЭБ = 3 кОм.............. 130... 160*...
200* В
Емкость коллекторного перехода
при 6^0= 10 В............................. 6,5*... 10*...
20 пФ
Емкость эмиттерного перехода
при 6/ЭБ 0 = 0,5 В........................ 40* пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при /?эб = 3 кОм, не более:
(4э = 120 В для 2Т653А................ 10 мкА
(4э = 100 В для 2Т653Б................ 10 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база
при (<1(//с1?)макс = 1600 В/мкс........... 130 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при (<Ш/сИ)МАКС = 1600 В/мкс, /?ЭБ = 3 кОм ... 130 В
Постоянное напряжение эмиттер—база....... 7 В
Постоянный ток коллектора................ 1 А
Импульсный ток коллектора при Ги 10 мс... 2 А
Постоянный ток базы...................... 0,2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
при Гк = —60...+40 °С................. 5 Вт
при Гк = +85 °С....................... 3 Вт
при Гк = +125 °С...................... 1 Вт
при Т = —60...+25 °С, без теплоотвода. 0,8 Вт
при Т = +125 °С, без теплоотвода...... 0,16 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус.... 25 °С/Вт
Температура р-п перехода................. +150 °С
Температура окружающей среды............. —60... Гк =
= +125 °С
Изгиб выводов транзистора допускается не ближе 3 мм от
корпуса.
Пайка выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса
транзистора при температуре не выше +260 °С в течение не
более 3 с.
КТ660А, КТ660Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п переключательные. Предназначены для применения
в переключающих и импульсных устройствах, в цепях вычисли-
тельных машин, в генераторах электрических колебаний. Кор-
пус пластмассовой с гибкими выводами. Тип прибора указыва-
ется в этикетке. На транзистор наносится условная цветная
маркировка: КТ660А — одна синяя полоса, КТ660Б — две
синие полосы.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Изготовитель — завод «Транзистор», г. Минск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 10 ВД = 2 мА:
7= 25 °С:
КТ660А................................. 110...220
КТ660Б.............................. 200...450
Т= +85 °С
КТ660А.................................. 90...264
КТ660Б............................. 160...540
Т = -45 °С:
КТ660А.................................. 30...220
КТ660Б.............................. 60...450
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 500 мА, 4 = 50 мА, не более....... 0,5 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 10 мА, 4 = 1 мА, не более:
КТ660А................................. 0,05 В
КТ660Б................................. 0,035 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 500 мА, 4 = 50 мА, не более.... 1,2 В
Емкость коллекторного перехода
при 6/КБ = 10 В, не более.............. 10 пФ
Обратный ток коллектора при 6/КБ = 6/КБ МАКС,
не более:
Т= —45...+2Б °С..................... 1 мкА
Т=+85 °С............................ 10 мкА
Обратный ток эмиттера при 6/БЭ = 4 В,
не более............................... 0,5 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ660А.............................. 50 В
КТ660Б.............................. ЗОВ
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при 1 кОм:
КТ660А.............................. 45 В
КТ660Б.............................. 30 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /э = 10 мА, /?БЭ =
КТ660А.............................. 30 В
КТ660Б.............................. 25 В
Постоянное напряжение база—эмиттер..... 5 В
Постоянный ток коллектора.............. 800 мА
Импульсный ток коллектора при 10 мкс,
О> 5................................... 1000 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’:
при Т= —45...+25 °С................. 0,5 Вт
при Г =+85 "С....................... 0,25 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора при 4 10 мкс, О > 5, Т = —45...+55 °С 1 Вт
Температура р-п перехода............... +150 °С
Температура окружающей среды........... —45...+85 °С
1 При Т = Ч-25...85 "С Рк ид,,- уменьшается линейно.
Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 2 мм
от корпуса при температуре припоя +260 °С в течение не
более 10 с, время лужения 2 с. Допускается только одна
перепайка выводов.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В.
Входные характери-
стики
Зависимости тока эмит-
тера от напряжения ба-
за—эмиттер
Выходные характери-
стики
Зависимости статического коэффи-
циента передачи тока от тока кол-
лектора
Зависимость емкости коллекторно-
го перехода от напряжения коллек-
тор—база
Зависимость емкости
эмиттерного перехода
от напряжения база—
эмиттер
Зона возможных поло-
жений зависимости на-
пряжения насыщения
коллектор—эмиттер от
тока коллектора
Зависимости постоян-
ного напряжения кол-
лектор-эмиттер от со-
противления база—
эмиттер
2Т665А9, 2Т665Б9, КТ665А9, КТ665Б9
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п универсальные. Предназначены для применения в
усилителях и переключающих устройствах. Выпускаются в пласт-
массовом корпусе с жесткими выводами. Маркируются услов-
ными знаками: 2Т665А9 — 2А, 2Т665Б9 — 2Б, КТ665А9 — КА,
КТ665Б9 — КБ. Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,1 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
2Г6651А9Б9), КТ6651А9.Б9)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 6/КБ = 2 В, = 0,15 А.... 40...250
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 5 В, /э = 50 мА,
типовое значение....................... 200* МГц
Граничное напряжение при /э = 30 мА,
не менее:
2Т665А9, КТ665А9.................... 80 В
2Т665Б9, КТ665Б9.................... 60 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 0,15 А, /Б = 15 мА, не более... 0,3 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 0,15 А, 4 = 15 мА, не более.... 1,1 В
Время включения при 1/^ = 20 В, 4 = 0,2 А,
4 = 40 мА, не более..................... 0,1 мкс
Время выключения при = 20 В, 4 = 0,2 А,
4 = 40 мА, не более..................... 0,5 мкс
Время спада при 64э = 20 В, 4 = 0,2 А,
4 = 40 мА, не более..................... 0,2 мкс
Емкость коллекторного перехода
при (4б = 5 В, не более................. 25 пФ
Емкость эмиттерного перехода
при 6^5 = 0,5 В, не более............... 150 пФ
Обратный ток коллектора при 64б = 100 В,
не более................................ 10 мкА
Обратный ток эмиттера при = 5 В,
не более................................ 10 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т665А9, КТ665А9..................... 120 В
2Т665Б9, КТ665Б9..................... 100 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
при /?бэ = 1 кОм:
2Т665А9, КТ665А9........................ 100 В
2Т665Б9, КТ665Б9................. 80 В
при
2Т665А9, КТ665А9.................... 80 В
2Т665Б9, КТ665Б9................. 60 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 5 В
Постоянный ток коллектора............... 1 А
Импульсный ток коллектора при = 10 мс 1,5 А
Постоянный ток базы...............—..... 0,3 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —60...+25 ’С:
с теплоотводом.......................... 1 Вт
без теплоотвода...................... 0,3 Вт
Температура р-п перехода................ +150 *С
Температура окружающей среды............ —60... Тк =
= +100 “С
Транзисторы являются комплементарными с транзистора-
ми 2Т664А9, 2Т664Б9, КТ664А9, КТ664Б9.
Зависимости напряжений насыще-
ния коллектор—эмиттер и база—
эмиттер от тока коллектора
Зависимость статического коэффи-
циента передачи тока от тока эмит-
тера
КТ666А9
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п универсальный. Предназначен для применения в
генераторах отклонения передающих телевизионных камер
высокой четкости на трубках с дефлекторной системой откло-
нения. Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,1 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
КТ666А 9
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в
схеме ОЭ при 6/КБ = 10 В, /э = 5 мА, не менее 50
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 64э = 10 В, /к = 1,5 мА,
не менее................................... 60 МГц
Граничное напряжение при 4 = 30 мА,
не менее................................... 250 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4=10 мА, 4 = 2 мА, не более............ 0,8 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 ~ Ю мА, 4 = 2 мА, не более........... 1,2 В
Обратный ток коллектора при 64б = 300 В,
не более................................... 0,1 мкА
Обратный ток эмиттера при 6/ЭБ = 5 В,
не более................................... 1 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база....... 300 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при Яьэ = 1 кОм............................ 300 В
Постоянное напряжение база—эмиттер......... 5 В
Постоянный ток коллектора.................. 20 мА
Импульсный ток коллектора при /и = 500 мкс. 50 мА
Постоянный ток базы........................ 5 мА
Импульсный ток базы при ?и = 500 мкс....... 10 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
с теплоотводом при Гк = —60...+25 °С1... 1 Вт
без теплоотвода при Т = —60...+25 °С1 2. 0,3 Вт
Температура р-п перехода................... +150 °С
Температура окружающей среды............... —60...+100 °С
1 При Гк > +25 ”С
^.иакс=(150- Гк)/125,'Вт.
2 При Т> +25 "С
Р<, макс =(150- Г)/416, Вт.
Пайку выводов рекомендуется проводить с применением
лудящих паст и припоев на расстоянии не менее 0,15 мм от
корпуса транзистора, время пайки не более 4 с, температура
пайки не более +265 °С.
Зависимость напряжения на-
сыщения коллектор—эмиттер
от тока коллектора
Зависимость статического коэффи-
циента передачи тока от тока эмит-
тера
КТ680А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п усилительный. Предназначен для применения в уси-
лителях низкой частоты. Выпускается в пластмассовом корпу-
се с гибкими выводами. На корпус наносится условная марки-
ровка — уголок черного цвета и буква «А». Тип прибора
указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элеке», г. Александров.
КТ680А
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ:
при 6/кэ = 1 В, /к = 500 мА:
Г =+25 °С........................... 85...180*...300
Т=+85’С............................ 85-600
Т = -45 ’С......................... 40...300
при 6/кэ = 1 В, = 1 А.................. 60*...150*
при б'кэ = 10 В, 4 = 5 мА.............. 50*...200*
при 64э = 5 В, /к = 50 мА, не менее.... 80
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при Цэ = 5 В, 4 = 50 мА,
/= 100 МГц, не менее....................... 1,2
типовое значение...............<....... 2,5*
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер:
при 4 = 1 А, 4 = 0,1 А.................... 0,27*...0,4*...
0,5 В
при 4 = 0,1 А, 4 = 0,01 А.............. 0,03*...0,05*.
0,2 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 1 А, 4 = 0,1 А..................... 0,9*...0,95*...
1,2 В
Обратный ток коллектора при 64б = 25 В,
не более:
Г =+25 и —45’С......................... 10 мкА
Т= +85 ’С.............................. 500 мкА
Обратный ток эмиттера при 6/ЭБ = 5 В,
не более................................... 10 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база... 30 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер . 25 В
Постоянное напряжение база—эмиттер..... 5 В
Постоянный ток коллектора.............. 0,6 А
Импульсный ток коллектора при 4 = 20 мс,
0= 100................................. 2 А
Постоянный ток базы..................... 100 мА
Импульсный ток базы при Ги = 20 мс, О = 100 . 200 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Т = +25 ’С................... 0,35 Вт
Температура р-п перехода............... +125 ’С
Тепловое сопротивление переход—среда... 286 ’С/Вт
Температура окружающей среды........... —45...+85 ’С
’ При Т > +25 "С Рк МАКС снижается линейно на 3,5 мВт/°С.
374
Зависимость статического коэффи-
циента передачи тока от тока кол-
лектора
Зависимость напряжения насыще-
ния коллектор—эмиттер от тока
коллектора
КТ683А, КТ683Б, КТ683В, КТ683Г, КТ683Д, КТ683Е
Транзисторы кремниевые планарные структуры п-р-п уни-
версальные. Предназначены для применения в усилителях и
переключающих устройствах. Выпускаются в пластмассовом
корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на
корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
КТ683(А-Е)
Электрические параметры'
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 6/кэ = 10 В, /к = 0,15 А:
КТ683А, КТ683В, КТ683Г................. 40...120
КТ683Б, КТ683Д....................... 80...240
КТ683Е........................-...... 160...480
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 6/№ = 10 В, 4 = 50 мА,
не менее................................ 50 МГц
Граничное напряжение при /э = 30 мА,
не менее:
КТ683А............................... 90 В
КТ683Б, КТ683В....................... 80 В
КТ683Г............................... 60 В
КТ683Д, КТ683Е....................... 40 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 0,15 А, /Б = 15 мА, не более... 0,45 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 0,15 А, /Б = 15 мА, не более.. 1 В
Пробивное напряжение коллектор—эмиттер
при /к = 0,1 мА, /?бэ = 3 кОм, не менее:
КТ683А............................... 150 В
КТ683Б, КТ683В....................... 120 В
КТ683Г............................... 100 В
КТ683Д, КТ683Е....................... 60 В
Пробивное напряжение база—эмиттер
при 4 = 0,1 мА, не менее:
КТ683А, КТ683Б, КТ683В................. 7 В
КТ683Г, КТ683Д, КТ683Е .............. 5 В
Время включения при 14э = 40 В, 4 = 0,2 А,
4 = 40 мА, типовое значение............. 0,1* мкс
Время выключения при 6/Кэ - 40 В, 4 = 0,2 А,
4 = 40 мА, типовое значение............. 0,2* мкс
Емкость коллекторного перехода
при 64Б = 10 В, не более................ 15* пФ
Емкость эмиттерного перехода
при 64б = 0,5 В, не более............... 65* пФ
Обратный ток коллектора при 6/КБ = 90 В для
КТ683А, КТ683Б, КТ683В и 40 В для КТ683Г,
КТ683Д, КТ683Е, не более................ 1 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ683А................................ 150 В
КТ683Б, КТ683В....................... 120 В
КТ683Г............................... 100 В
КТ683Д, КТ683Е....................... 60 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
при /^ = 3 кОм:
КТ683А.............................. 150 В
КТ683Б, КТ683В................... 120 В
КТ683Г........................... 100 В
КТ683Д, КТ683Е................... 60 В
при /?бэ = <*>:
КТ683А.............................. 90 В
КТ683Б, КТ683В................... 80 В
КТ683Г........................... 60 В
КТ683Д, КТ683Е................... 40 В
Постоянное напряжение база—эмиттер:
КТ683А, КТ683Б, КТ683В............... 7 В
КТ683Г, КТ683Д, КТ683Е............... 5 В
Постоянный ток коллектора............... 1 А
Импульсный ток коллектора при Аи = 1 мс. 2 А
Постоянный ток базы..................... 0,2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Гк = —60...+25 °С:
с теплоотводом.......................... 8 Вт
без теплоотвода...................... 1,2 Вт
Температура р-п перехода................ +150 °С
Температура окружающей среды............ — 60... Гк =
= +125 °С
’ При Гк > 25 ‘С НАКС снижается линейно на 0,064 Вт/°С с теплоотводом
и на 0,0096 Вт/°С без теплоотвода.
Области безопасной работы тран-
зисторов
Зависимости статического коэффи-
циента передачи тока от тока эмит-
тера
Зависимость напряжения насыще-
ния коллектор—эмиттер от тока
коллектора
Умт.В
Зависимость напряжения насыще-
ния база—эмиттер от тока коллек-
тора
КТ684А, КТ684Б, КТ684В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п усилительные. Предназначены для применения в
усилителях, генераторах переключающих и импульсных устрой-
ствах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выво-
дами. Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элеке», г. Александров.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 2 В, 4 = 150 мА:
КТ648А.................................... 40...250
КТ148Б, КТ648В............................ 40... 160
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 1УКЬ = 10 В, 4 = 50 мА,
не менее............................... 40 МГц
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 0,5 А, 4 = 0,05 А, не более.... 0,5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 0,5 А, 4 = 0,05 А, не более... 1,2 В
Емкость коллекторного перехода
при 64б = 10 В, не более............... 50 пФ
Обратный ток коллектора при УКБ = МАКС,
не более............................... 100 нА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ648А.............................. 45 В
КТ648Б.............................. 60 В
КТ648В.............................. 100 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
КТ648А.............................. 45 В
КТ648Б.............................. 60 В
КТ648В.............................. 100 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 5 В
Постоянный ток коллектора.............. 1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора .................................. 0,8 Вт
Температура р-п перехода............... +150 °С
Температура окружающей среды........... —45...+125 ’С
КТ698А, КТ698Б, КТ698В, КТ698Г, КТ698Д,
КТ698Е, КТ698Ж, КТ698И, КТ698К
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные бипо-
лярные со статической индукцией структуры п-р-п переключа-
тельные. Предназначены для применения в схемах переключа-
теля в бесконтактных коммутирующих устройствах, в схемах
управления электродвигателями, в быстродействующих ключе-
вых схемах с низким напряжением насыщения, в тахометрах
для автомобилей, реле поворотов, блоков питания. Выпускают-
ся в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. На корпус
наносится условная маркировка в виде буквы П и буквы соот-
ветствующей группы: КТ698А — ПА, КТ698Б — ПБ, КТ698В —
ПВ, КТ698Г - ПГ, КТ698Д - ПД, КТ698Е - ПЕ, КТ698Ж -
ПЖ, КТ698И - ПИ, КТ698К - ПК.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элеке», г. Александров, Владимирская область.
КТ698М-Ю.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при Ц& = 5 В, = 1 А, не менее:
КТ698А, КТ698Б......................... 20
КТ698В, КТ698Г, КТ698Д, КТ698Е......... 50
КТ698Ж, КТ698И, КТ698К................. 30
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 10 В, 4 = 0,2 А,
не менее.................................. 150 МГц
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 2 А, 4 = 0,1 А, не более:
КТ698А, КТ698Б, КТ698В................. 0,25 В
КТ698Г, КТ698Д......................... 0,2 В
КТ698Ж................................. 0,25 В
КТ698И................................. 0,3 В
КТ698К................................. 0,35 В
Время включения при 4 = ^>5 А,
4, = 42 = 22 мА, 4 = 1 мкс................ 70*...112*...
130* нс
Время рассасывания при 4 = 0,5 А,
4, = 4г = 25 мА, ?и=1 мкс................. 125*... 185*...
245* нс
Время спада при 4 = 0,5 А, 4, = 1Ь2 = 25 мА,
4 = 1 мкс................................. 40* ..73*...
85* нс
Емкость коллекторного перехода
при ^КБ - 5 В............................ 31*..40*...
74 пФ
Емкость эмиттерного перехода при 1/ьэ = 0,5 В 132*...25О*...
300 пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при Цо = Цо, макс, Яга = 1 кОм, не более. 20 мкА
Обратный ток база—эмиттер при 1/и = 4 В,
не более................................. 100 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?бэ = 1 кОм:
КТ698А................................ 90 В
КТ698Б................................ 70 В
КТ698В................................ 50 В
КТ698Г................................ 30 В
КТ698Д, КТ698Е........................ 12 В
КТ698Ж................................ 120 В
КТ698И................................ 160 В
КТ698К............................... 200 В
Постоянное напряжение база—эмиттер....... 4 В
Постоянный ток коллектора................ 2 А
Импульсный ток коллектора при 4, = 10 мкс,
0=20................................... 8 А
Постоянный ток базы...................... 0,4 А
Импульсный ток базы при I* = 10 мкс, 0= 20 1 А
Постоянная рассеиваемая мощность
при Гк = +25 °С.......................... 0,6 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность
при Гк = +25 °С.......................... 6 Вт
Температура р-п перехода................. +150 °С
Температура окружающей среды............. —55...+125 'С
КТ902АМ
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры п-р-п
генераторный. Предназначен для применения в усилителях
мощности КВ диапазона при напряжении питания 28 В. Выпус-
кается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип
прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
КТ902АМ
т~т
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте /= 10 МГц
при 0^ = 28 В, не менее................ 20 Вт
Коэффициент усиления по мощности на ча-
стоте /= 10 МГц при Рвых = 10 Вт, = 28 В,
не менее............................... 7
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 1/^ = 10 В, /к = 2 А, не менее 15
Модуль коэффициента передачи тока на ча-
стоте /= 10 МГц при = 10 В, /э = 1 А,
не менее.............................. 3,5
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /кэ = 2,5 А, /Б = 0,4 А, не более. 2 В
Прямое напряжение база—эмиттер
при 1/кэ = 10 В, 4 = 2 А, не более.... 2 В
Обратный ток коллектора при {/КБ = 70 В,
не более................................ 10 мА
Обратный импульсный ток коллектор—эмит-
тер при 1/кэ = 110 В, /?БЭ = 50 Ом, не более.... 60 мА
Обратный ток эмиттера при 1/ЭБ = 5 В,
не более............................... 100 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база1
при Тп С +125 °С..................... 65 В
1 Пр* гп > +125 °С напряжение снижается линейно до 0,5 от УКБ
Г„ = 150 "С/Вт.
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер1
при /?ЭБ 50 Ом, Ги 15 мкс, Гп +125 °С... 110 В
Постоянное напряжение эмиттер—база1
при Гп +125 ’С.......................... 5 В
Импульсное синусоидальное напряжение
эмиттер—база при ?и 40 мкс.............. 8 В
Постоянный ток коллектора............... 5 А
Постоянный ток базы..................... 2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора* 2 при Гк +50 °С................... 30 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус... 3,3 ’С/Вт
Температура р-п перехода................ +150 ’С
Температура корпуса..................... +125 °С
Температура окружающей среды............ —60... Тк =
= +125 ’С
’ При Гп > +125 ’С напряжение снижается линейно до 0,5 от при
Гп = 150 ’С/Вт.
2 При Гк > +50 ’С
^к.ммс=(150- Гк)/3,3, Вт.
Изгибы и боковые натяжения выводов не допускаются.
Запрещается кручение выводов вокруг оси.
Пайка выводов допускается на плоской части выводов тран-
зисторов в течение времени не более 10 с. Температура при-
поя не должна превышать +125 ’С. Между корпусом транзи-
стора и местом пайки необходимо осуществлять теплоотвод.
2Т903А, 2Т903Б, КТ903А
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п
генераторные. Предназначены для применения в усилителях
мощности и автогенераторах. Выпускаются в металлостеклян-
ном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается
на корпусе.
Масса транзистора не более 24 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
Электрические параметры
Входная мощность на частоте / = 50 МГц
при 4/кэ = 30 В, Тк +50 ’С, не менее.... 10 Вт
Коэффициент усиления по мощности на ча-
стоте /= 50 МГц при Рвых = 10 Вт, не менее... 3
2Т903(А.Б). КТ90ЗА
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 10 В, /к = 2 А:
2Т903А, КТ903А....................... 15...70
2Т903Б............................... 40... 180
Модуль коэффициента передачи тока на ча-
стоте 7 = 30 МГц при {/к6 = 10 В, 4 = 0,5 А,
не менее................................ 4
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 2 А, 4 = 0.4 А, не более:
2Т903А, 2Т903Б.......................... 2 В
КТ903А............................... 2,5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 2 А, 4 = 0,4 А, не более....... 2 В
Прямое напряжение база—эмиттер
при Ццэ- 10 В, /к = 2 А, не более:
2Т903А, 2Т903Б....................... 2,5 В
КТ903А............................... 3 В
Постоянная времени цепи обратной связи на
частоте 7=2 МГц при С4э = 30 В, /к = 100 мА,
не более................................ 500 пс
Емкость коллекторного перехода
при 1/кб = 30 В, 7= 2 МГц, не более..... 180 пФ
Индуктивность эмиттерного вывода, не более 10* нГн
Обратный ток коллектор—эмиттер
при 1/кэ = 70 В, не более:
Г = +25 °С, /?БЭ = 0:
2Т903А, 2Т903Б....................... 2 мА
КТ903А............................ 10 мА
7 = +85 °С, /?БЭ = 0 для КТ903А... 30 мА
7 = +125 °С, /?БЭ = 0 для 2Т903А,
2Т903Б............................ 10 мА
Обратный ток эмиттера при 1/ЭБ = 4 В,
не более:
2Т903А, 2Т903Б......................... 30 мА
КТ903А.............................. 50 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмит-
тер1, * 2 при Лэб 100 Ом................ 60 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер1
при < 100 Ом, Ги С 1 мкс, 02 100....... 80 В
Постоянное напряжение база—эмиттер..... 4 В
Постоянный ток коллектора.............. 3 А
Импульсный ток коллектора:
при Ги 1 мкс, 100....................... 10 А
при 7И < 10 мкс, 02 10.............. 5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при Гк < +50 ’С для 2Т903А, 2Т903Б3.. 30 Вт
при Гк = +25 "С для КТ903А4......... 30 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора при 4 10 мкс, О > 10, 4/кэ $ 30 В:
при Гк < +50 °С для 2Т903А, 2Т903Б...... 60 Вт
при Гк = +25 ’С для КТ903А 2........ 60 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 3,33 ’С/Вт
Температура р-п перехода:
2Т903А, 2Т903Б.......................... +150 ’С
КТ903А.............................. +115’С
Температура корпуса:
2Т903А, 2Т903Б.......................... +125 ’С
КТ903А.............................. +85 ’С
Температура окружающей среды:
2Т903А, 2Т903Б.......................... -6О...ГК =
= +125 ’С
КТ903А.............................. -40... Гк =
= +85 ’С
’ При Гп > +70 °С для КТ903А и Гп > +100 “С для 2Т903А, 2Т903Б напряже-
ние снижается на 10% на каждые 10 °С.
2 При работе в ВЧ генераторах и усилителях с амплитудной модуляцией
допускается мгновенное значение напряжения звуковой частоты до 70 В.
3 При Т* > +50 °С
Асиме = (150 - П/3,33, Вт.
4 При Гк > +25 ”С
Ас ммс = (15® — Гк)/3,33, Вт.
Пайка выводов транзисторов допускается только к плос-
13-852 385
ким частям выводов паяльником 50...60 Вт в течение 10 с при
наличии теплоотвода между корпусом и местом пайки.
2Т908А, КТ908А, КТ908Б
Транзисторы кремниевые меэапланарные структуры п-р-п
переключательные. Предназначены для применения в стабили-
заторах и преобразователях напряжения, импульсных модуля-
торах. Корпус металлический сЬ стеклянными изоляторами и
жесткими выводами.
Масса транзистора без накидного фланца не более 22 г.
Масса накидного фланца не более 12 г.
Изготовитель — акционерное общество «Элиз», г. Фря-
зино.
2Т908А, КТ908(А,Б)
11 12,5
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ:
при Тк = +25 °С:
икэ = 2 В, 4 = 10 А для 2Т908А,
КТ908А.......................... 8...60
^кэ = 4 В, 4 = 4 А для КТ908Б,
не менее......................... 20
при Тк = —60 °С:
Укэ = 2 В, /к = 10 А для 2Т908А,
КТ908А.......................... 6...60
6/кэ = 4 В, /к = 4 А для КТ908Б,
не менее......................... 10
Отношение статического коэффициента пере-
дачи тока при Гк = +125 °С к статическому
коэффициенту передачи тока при Гк = +25 °С,
1/кэ = 2 В, 4 = 5 А, не более:
2Т908А................................ 3
КТ908А................................ 5
КТ908Б................................ 5
Модуль коэффициента передачи тока на
высокой частоте при = 10 В, /э = 1 А,
/= 10 Мгц, не менее:
2Т908А................................ 5
КТ908А, КТ908Б..........;............. 3
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер,
не более:
при 4 = Ю А, /Б = 2 А для 2Т908А,
КТ908А................................ 1,5 В
при 4 = 5 А, 4 = 1 А для 2Т908А....... 0,8 о
при 4 = 4 А, /Б = 0,4 А для КТ908Б.... 1 В
Напряжение насыщения база—эмиттер,
не более:
при 4 = Ю А, 4 = 2 А для 2Т908А,
КТ908А, КТ908Б........................ 2,3 В
при 4 = 5 А, 4 = 1 А для 2Т908А....... 1,6 В
Время включения при 4 = 5 А, 4 = 1 А...... 0,1*...0,3* мкс
типовое значение...................... 0,2* мкс
Время спада при 4 = 5 А, 4 = 1 А.......... 0,1*...0,3* мкс
типовое значение...................... 0,2* мкс
Время рассасывания при 4 = 5 А, 4 = 1 А... 0,6*...2,6* мкс
типовое значение...................... 2* мкс
Емкость коллекторного перехода
при 14б = Ю В, 0,3 МГц, не более.......... 700 пФ
типовое значение...................... 500* пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер, не более:
при Гк = —60...+25 СС:
(4Э = 100 В, /?БЭ = 10 Ом для 2Т908А,
КТ908А............................. 25 мА
14э = 60 В, /4э = 250 Ом для КТ908Б,
не менее........................... 50 мА
при 7К = +125 °С:
(/кэ = 80 В, /?БЭ = 10 Ом для 2Т908А.... 50 мА
Укэ = 80 В, /4э = 10 Ом для КТ908А ... 75 мА
14э = 80 В, = 250 Ом для КТ908Б. 150 мА
Обратный ток эмиттера при = 5 В,
не более.................................. 300 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер1
при Гп = —60...+ 100 ’С:
= 10 Ом для 2Т908А, КТ908А........ 100 В
Як, = 250 Ом для КТ908Б.............. 60 В
Постоянное напряжение коллектор—база1
при Тп = -60...+100 °С.................. 140 В
Постоянное напряжение база—эмиттер...... 5 В
Постоянный ток коллектора............... 10 А
Постоянный ток базы..................... 5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Гк = —60...+50 ’С............. 50 Вт
Температура р-п перехода................ +150 ’С
Температура корпуса..................... +125 ’С
Температура окружающей среды............ —60... Тк =
= +125 ’С
' При Гк > +50 "С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора определгется по формуле
Рц, макс “ (Гп ~ 4<)/^т (П-ю> ®т>
где Ятт-ю находится в области максимальных режимов (например, при Цо = 10 В
и 4 = 5 А Я,^= 2 Х/Вт).
Механические усилия на выводы транзистора не должны
превышать 19,62 Н в осевом и 3,43 Н в перпендикулярном
направлениях к оси вывода.
Пайка выводов допускается не ближе 6 мм от корпуса
транзистора.
Не рекомендуется работа транзистора при рабочих токах,
соизмеримых с неуправляемыми обратными токами во всем
диапазоне температур. При конструировании аппаратуры сле-
дует учитывать возможность самовозбуждения транзистора за
счет паразитных связей.
В импульсных устройствах допускаюгся перегрузки по мощ-
ности рассеивания до 400 Вт в момент переключений. При этом
длительность перегрузки должна быть не более 0,5 мкс (по
уровню 0,5), частота перегрузок не более 5 кГц, Гк < +90 ’С.
При запертом транзисторе в импульсных устройствах допуска-
ется напряжение источника питания 100 В (напряжение на
транзисторе 100 ± 3 В, длительность импульса 4, 3 мкс,
скважность О > 25). При пусковых переходных процессах до-
пускается /к и 30 А (/Б и 10 А), 4, 5 мкс.
2Т912А, 2Т912Б, 2Т912А-5, 2Т912Б-5,
КТ912А, КТ912Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
линейных усилителях мощности на частотах 1.5...30 МГц при
напряжении питания 27 В. Транзисторы 2Т912А,
2Т912Б, КТ912А, КТ912Б выпускаются в метал- ,
локерамическом корпусе с жесткими выводами и ~
монтажным винтом. Внутри корпуса имеется по-
лупроводниковый диод—датчик температуры.
Тип прибора указываются на корпусе. Транзис- ----------
торы 2Т912А—5, 2Т912Б—5 выпускаются в виде
кристаллов с контактными площадками без крис-
таллодержателя и без выводов для гибридных ]______
интегральных микросхем. Тип прибора указыва- Л
ется в этикетке.
Масса транзистора в металлокерамическом
корпусе не более 45 г, кристалла не более 0,01 г. ,,
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва. К Б д
9'610
Электрические параметры
Выходная мощность в режиме двухтонового
сигнала в пике огибающей на /= 30 МГц при
Ц<э = 27 В, Тк = +50 °С, не менее....... 70 Вт
Коэффициент усиления по мощности на
?= 30 МГц при Рвых(по) = 70 Вт, Тк = +50 °С,
не менее................................ 10 дБ
типовое значение..................... 13* дБ
2Т912(А-5.Б-5)
Коэффициент полезного действия коллектора
на / = 30 МГц при Рвых (П0) = 70 Вт, Гк = +50 °С,
не менее............................... 50%
типовое значение.................... 80*%
Коэффициент комбинационных составляющих
третьего порядка (двухтоновый сигнал) на
/- 30 МГц при Рвых(по) = 50 Вт, Гк = +50 °С,
не более............................... —30 дБ
типовое значение.................... —28* дБ
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 10 В:
Т +50 ’С при /к = 5 А:
2Т912А, 2Т912А-5, КТ912А............ 10...50
2Т912Б, 2Т912Б-5, КТ912Б........ 20...100
Т= +125 ’С при /к = 1,5 А, не менее:
2Т912А, 2Т912А-5................ 10
2Т912Б, 2Т912Б-5................ 20
Т = —60 ’С при 4 = 5 А, не менее:
2Т912А, 2Т912А-5................. 6
2Т912Б, 2Т912Б-5................ 10
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 10 В, 4 = 3 А,
не менее............................... 90 МГц
типовое значение.................... 165* МГц
Емкость коллекторного перехода
при 4/ке = 27 В, не более................. 200 пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при 4/кэ = 70 В, /Ри = 10 Ом, не более:
Т = +25 ’С............................. 50 мА
Т~ ГМАКС............................... 75 мА
Обратный ток эмиттера при 4/эе = 5 В,
не более.................................. 250 мА
Постоянное напряжение диода при /ПР = 20 мА 0,3... 1 В
Постоянный обратный ток диода
при 4/оы> = 5 В, не более................. 1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?бэ = 10 Ом:
2Т912А, 2Т912Б, 2Т912А-5, 2Т912Б-5:
при Тп = +125 ’С................... 70 В
при Г„ = +150 ’С................... 35 В
КТ912А, КТ912Б:
при Гк = +75 ’С.................... 80 В
при Гк = +85 ’С.................... 56 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при 4/эе = —1,5 В:
2Т912А, 2Т912Б, 2Т912А-5, 2Т912Б-5:
при Гп = +125 ’С................... 80 В
при Гп = +150 ’С................... 60 В
КТ912А, КТ912Б:
при Гк = +75 ’С..................... 80 В
при Гк = +85 ’С.................... 60 В
Постоянное напряжение эмиттер—база........ 5 В
Постоянный ток коллектора................. 20 А
Постоянный ток базы....................... 10 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = -60...+ 100 ’С, Укэ = 2Г. В. 30 Вт
Средняя рассеиваемая мощность коллектора
при = 28 В:
Гк = -60...+100 ’С................. 35 Вт
ГК = +125’С........................ 17,5 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус..... 1,42 °С/Вт
Температура окружающей среды:
2Т912А, 2Т912Б, 2Т912А-5, 2Т912Б-5..... -60... Гк =
= +125 ’С
КТ912А, КТ912Б......................... -45,..ТК =
= +85 ’С
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 2 мм
от корпуса паяльником, нагретым до температуры +250 °С, в
течение не более 10 с. Допускается пайка выводов ближе 2 мм
от корпуса транзистора в том случае, если обеспечен отвод
теплоты от корпуса, при котором температура корпуса не пре-
вышает +125 °С.
Диод включается в прямом направлении и служит датчи-
ком температуры корпуса.
Технология сборки транзисторов 2Т912А—5, 2Т912Б—5 в
гибридную сборку, применяемые детали и материалы должны
обеспечить значение теплового сопротивления переход—кор-
пус, при котором в процессе работы температура перехода не
превышает +150 °С.
При монтаже транзисторов в гибридную схему необходи-
мо выполнять следующие условия:
монтаж транзисторов должен осуществляться с помощью
ультразвуковой паики в инертной среде. Температура пайки
+400...+450 °С. В качестве припоя должна применяться золо-
тая прокладка толщиной 0,02 мм. Основание, на которое на-
паивается транзистор, должно быть золоченое, толщина по-
крытия 3...4 мкм. Рекомендуемый материал основания окись
бериллия СБ—1 по ТУ 95 219—78;
присоединение выводов к контактным площадкам должно
производиться ультразвуковой сваркой. В качестве выводов
должна применяться алюминиевая плющенка А9У5Д 0,25 0,03
по ЖКО.021.255. Соединение вывода с контактной площадкой
должно выдерживать разрывное усилие не менее 2 гс;
выводы после сварки не должны касаться структуры и
боковых ребер транзистора;
не допускается смещение сварных точек, приводящее к
закорачиванию элементов транзистора;
не допускается сильное натяжение и провисание выводов;
не допускается разрыв (пережатие) алюминиевой проволо-
ки в месте сварки.
После извлечения транзисторов из герметичной или влаго-
защитной упаковки изготовителя до присоединения выводов к
контактным площадкам транзисторы должны находиться в спе-
циальной камере с инертной средой не более 10 сут. В случае
использования части транзисторов из общей упаковки, неис-
пользованные транзисторы должны быть повторно упакованы
в герметичную тару. Требование на хранение в специальной
камере с инертной средой не более 10 сут распространяется
на повторно упакованные транзисторы с момента вскрытия
вторичной упаковки.
2Т920А, 2Т920Б, 2Т920В,
КТ920А, КТ920Б, КТ920В, КТ920Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
усилителях мощности, умножителях частоты и автогенерато-
рах на частотах 50...200 МГц при напряжении питания 12,6 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с плоскими вы-
водами и монтажным винтом. Тип прибора указывается на
корпусе.
Масса транзистора не более 4,5 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
2Т920(А-В), КТ920(А-Г)
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте Г= 175 МГц
при {/кэ = 12,6 В, 7"к < +40 °С:
2Т920А, КТ920А........................... 2 Вт
2Т920Б................................ 7 Вт
КТ920Б................................ 5 Вт
2Т920В, КТ920В........................ 20 Вт
КТ920Г................................ 15 Вт
Коэффициент усиления по мощности на ча-
стоте Г= 175 МГц при 4/кэ = 12,6 В:
^вых = 2 В 2Т920А, КТ920А, не менее...... 7
типовое значение...................... 12*
Рвых = 5 В 2Т920Б, КТ920Б, не менее... 4,5
типовое значение...................... 9*
^вых = 20 В 2Т920В, КТ920В, не менее.. 3
типовое значение...................... 4*
Р^м = 15 В КТ920Г, не менее....;....... 3
Коэффициент полезного действия коллектора
на частоте /= 175 МГц при = 12,6 В:
2Т920А, 2Т920Б, 2Т920В, не менее....... 60%
типовое значение....................... 70*%
КТ920А, КТ920Б, КТ920В, КТ920Г,
не менее............................... 55%
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при Укэ = 5 В:
/к = 50 мА 2Т920А, типовое значение... 30*
/к = 100 мА 2Т920Б, типовое значение 40*
/к = 250 мА 2Т920В, типовое значение 25*
Модуль коэффициента передачи тока на ча-
стоте / = 100 МГц при 6/кэ = 10 В:
4 = 0,2 А 2Т920А, КТ920А, не менее..... 4
типовое значение....................... 7,5*
4 = 0,4 А 2Т920Б, КТ920Б, не менее..... 4
типовое значение....................... 7*
4 = 1 А 2Т920В, КТ920В, не менее....... 4
типовое значение........................ 4,5*
/к = 1 А КТ920Г, не менее.............. 3,5
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер:
при /к = 50 мА, /Б = 10 мА для 2Т920А,
типовое значение.......................... 0,3* В
при /к = 100 мА, /Б = 20 мА для 2Т920Б,
типовое значение....................... 6,4* В
при /к = 250 мА, /Б = 50 мА для 2Т920В,
типовое значение....................... 0,45* В
Критический ток коллектора при 4/кэ = 10 В,
/=100 МГц:
2Т920А, КТ920А, не менее............. 0,8 А
типовое значение....................... 1* А
2Т920Б, КТ920Б, не менее............. 1,5 А
типовое значение....................... 2* А
2Т920В, КТ920В, не менее............. 4,5 А
типовое значение....................... 7* А
КТ920Г, не менее....................... 4 А
Постоянная времени цепи обратной связи
на частоте /= 5 МГц при С/Кэ = 10 В:
4 = 30 мА для 2Т920А, 2Т920Б, КТ920А,
КТ920Б, не более....................... 26 пс
типовое значение....................... 7* пс
/э = 150 мА для 2Т920В, КТ920В, КТ920Г,
не более............................... 20 вс
типовое значение....................... 9* пс
Емкость коллекторного перехода
при 6/кэ = 10 В, /= 5 МГц:
2Т920А, не более......................... 15 пФ
типовое значение...................... 10* пФ
2Т920Б, не более...................... 25 пФ
типовое значение...................... 16* пФ
2Т920В, не более...................... 75 пФ
типовое значение...................... 50* пФ
Емкость эмиттерного перехода при (4э = 0,
5 МГц, не более:
2Т920А................................... 55 пФ
2Т920Б................................ 100 пФ
2Т920В................................ 410 пФ
Индуктивность выводов при / = 1 мм:
2Т920А, КТ920А:
эмиттерного.......................... 1,7* нГн
коллекторного..................... 2,4* нГн
базового.......................... 2,9* нГн
2Т920Б, КТ920Б:
эмиттерного.......................... 1,2* нГн
коллекторного..................... 2,4* нГн
базового.......................... 2,6* нГн
2Т920В, КТ920В, КТ920Г:
эмиттерного.......................... 1 нГн
коллекторного..................... 2,4 нГн
базового.......................... 2,4* нГн
Обратный ток коллектор—эмиттер
при 4/кэ = 36 В, /?ЭБ = 100 Ом, не более:
Г= +25 °С:
2Т920А.............................. 1 мА
2Т920Б, КТ920А.................... 2 мА
2Т920В............................ 5 мА
КТ920Б............................ 4 мА
КТ920В, КТ920Г.................... 7,5 мА
Т= +125 °С:
2Т920А.............................. 2 мА
2Т920Б............................ 4 мА
2Т920В............................ 10 мА
Обратный ток эмиттера при их 0 = 4 В:
2Т920А, 2Т920Б........................... 0,25 мА
2Т920В................................ 2 мА
Емкость электродов относительно корпуса:
эмиттер—корпус........................... 1,84* пФ
коллектор—корпус...................... 1,53* пФ
база—корпус........................... 0,96* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?ЭБ < 100 Ом........................ 36 В
Постоянное напряжение эмиттер—база....... 4 В
Постоянный ток коллектора:
2Т920А, КТ920А........................ 0,25 А
2Т920Б, КТ920Б........................ 1 А
2Т920В, КТ920В, КТ920Г............... 3 А
Импульсный ток коллектора при /и С 20 мкс,
50:
2Т920А, КТ920А........................... 1 А
2Т920Б, КТ920Б........................ 2 А
2Т920В, КТ920В, КТ920Г............... 7 А
Постоянный ток базы:
2Т920А, КТ920А......................... 0,5 А
2Т920Б, КТ920Б........................ 1 А
2Т920В, КТ920В, КТ920Г............... 1,5 А
Импульсный ток базы при /и С 10 мкс,
100:
2Т920А, КТ920А........................ 0,5 А
2Т920Б, КТ920Б........................ 1 А
2Т920В, КТ920В, КТ920Г............... 3,5 А
Средняя рассеиваемая мощность1 в динамиче-
ском режиме при Гк С +50 ’С:
2Т920А, КТ920А........................... 5 Вт
2Т920Б, КТ920Б........................ 10 Вт
2Т920В, КТ920В, КТ920Г................ 25 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус:
2Т920А, КТ920А............................ 20 ’С/Вт
2Т920Б, КТ920Б........................ 10 ’С/Вт
2Т920В, КТ920В, КТ920Г................ 4 ’С/Вт
Температура р-п перехода................. +150 ’С
Температура корпуса:
2Т920А, 2Т920Б, 2Т920В.................... +125 ’С
КТ920А, КТ920Б, КТ920В, КТ920Г........ +85 ’С
Температура окружающей среды:
2Т920А, 2Т920Б, 2Т920В.................... -60... Тк =
= +125 ’С
КТ920А, КТ920Б, КТ920В, КТ920Г........ -45... Тк =
__________ = +85 ’С
’ При Гк > +50 ”С
^к. сг.макс = О'*® — ГК)//?Т(П_К). Вт.
Расстояние от корпуса транзистора до начала изгиба и
пайки вывода не более 3 мм.
396
Пайка выводов должна осуществляться при температуре
не более +250 °С в течение не более 5 с.
2Т921А, КТ921А, КТ921Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п усилительные линейные. Предназначены для при-
менения в широкополосных усилителях мощности, стабилиза-
торах и преобразователях напряжения. Выпускаются в метал-
локерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора
указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 6,5 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Входная мощность при Чп = 27 В, ( = 60 МГц,
не менее................................. 12,5 Вт
Входная мощность в пике огибающей
при ип = 27 В, /= 30 МГц, не менее....... 12,5 Вт
Коэффициент усиления по мощности
при Р^х = 12,5 Вт, Г = 60 МГц:
2Т921А, КТ921А, не менее.............. 8
КТ921Б................................ 5...10*...17*
Коэффициент комбинационных составляющих
третьего порядка при Рвых(по) = 12,5 Вт,
Г= 30 МГц................................ -39*...-32*...
-30 дБ
Статический коэффициент передачи тока
при = 10 В, 4 = 1 А, не менее........... 10
типовое значение...................... 45*
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при Цо = 10 В, 4 = 0,5 А,
Г= 30 МГц................................ 3...7,5*... 10,5*
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 1 А, 4 = 0,2 А, не менее......... 1,8 В
Граничное напряжение при 4 = 100 МА,
не менее................................. 32 В
Время включения при Цо = 33 В, 4 = 1 А,
4 = 0,2 А............„................... 20...26...28* нс
Время рассасывания при Цо = 33 В, 4 = 1 А,
4, = 42 = 0,2 А.......................... 60*...120*...
300* нс
Время спада при = 33 В, 4 = 1 А,
4, = 42 = 0,2 А.......................... 24*...25*...
30* нс
Емкость коллекторного перехода
при Ц(Б о = 20 В......................... 50 пФ
Емкость эмиттерного перехода при 4/эео = 3 В 210* пФ
Индуктивность выводов:
эмиттерного.............................. 3,5* нГн
базового.............................. 3,5* нГн
коллекторного......................... 3* нГн
Обратный ток коллектор—эмиттер
при /?ЭБ = 10 Ом, не более;
Гк = +25 ’С, 64э = 70 В............... 10 мА
Гк = +125 ’С, 64э = 65 В.............. 50 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмит-
тер при Рж < 10 Ом:
2Т921А:
при Гп =-60...+ 125 ’С............ 65 В
Тп = +155 ’С...................... 32 В
КТ921А. КТ921Б:
при Т’п =-45...+125 ’С............ 65 В
7; = +150 ’С...................... 32 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при Ц,Б = —1,5 В в схеме высокочастотного
усилителя в диапазоне частот 1,5...60 МГц:
2Т921А:
То = -60...+ 125 ’С............... 80 В
Т„ = +155 ’С...................... 60 В
КТ921А, КТ921Б:
Тп = —45...+125 ’С............... 80 В
Гп = +150 ’С..................... 60 В
Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т921А:
Тп = -60...+ 125 'С.............. 65 В
Г, = +155 ’С..................... 32 В
КТ921А, КТ921Б:
Тп =-45...+ 125 ’С............... 65 В
Гп = +150 ’С..................... 32 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 4 В
Постоянный ток коллектора .............. 3,5 А
Постоянный ток базы..................... 1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
2Т921А:
Гп =-60...+75 ’С................. 12,5 Вт
Гп = +125 ’С..................... 4,2 Вт
КТ921А, КТ921Б:
Гп = —45...+75 ’С................ 12,5 Вт
Гп = +125 ’С..................... 4,2 Вт
Средняя рассеиваемая мощность коллектора
в динамическом режиме при С/п = 28 В:
2Т921А:
Гк = -60...+100 ’С............... 12,5 Вт
7"к =+125’С...................... 4,2 Вт
КТ921А, КТ921Б:
Гк = —45...+75 ’С................ 12,5 Вт
7’К=+125’С....................... 4,2 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус... 6 ’С/Вт
Температура'р-л перехода................ +150 ’С
Температура окружающей среды:
2Т921А............................... -6О...ТК =
= +125 ’С
КТ921А, КТ921Б....................... -45... Тк =
= +125 ’С
Осевое усилие на винт не должно быть более 250 Н, на
выводы транзистора — 5 Н, изгибающее усилие не более 1 Н.
Пайка выводов допускается не ближе 2 мм от корпуса
транзистора паяльником, нагретым до +260 ’С, в течение не
более 3 с, а также ближе 2 мм от корпуса при условии
Тк = +100 ’С.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В.
Области максимальных режимов
2Т921А-4
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п усилительный линейный. Предназначен для приме-
нения в широкополосных усилителях мощности в герметизи-
рованной аппаратуре. Бескорпусный с жесткими выводами.
Выпускается на кристаллодержателе. Тип прибора указывает-
ся в этикетке.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте / = 60 МГц,
не менее................................ 12,5* Вт
Коэффициент усиления по мощности
при ип = 27 В, /= 60 МГц................ 8*
Коэффициент полезного действия коллектора
при Щ = 27 В, Рвых = 12,5 Вт, Г= 60 МГц. 55*...65*...
76*%
Коэффициент комбинационных состав-
ляющих третьего порядка при (/п = 27 В,
Рвых(ПО) = 12,5 Вт, /= 30 МГц........... -39*...-32*...
-30* дБ
Статический коэффициент передачи тока
при 1/^ = 5 В, 4 = 1 А, не менее........ 10
типовое значение..................... 45*
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при = 10 В, /к = 0,4 А,
Г= 30 МГц............................... 3...7,5*...10,5*
Обратный ток коллектор—эмиттер
при 1/кэ = 70 В, Рэв = 10 Ом, не более.. 1 мА
Обратный ток эмиттера при 6/ЭБ 0 = 4 В,
не более................................ 20 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при Рэв = 10 Ом:
Гп =-60...+ 125 ’С................... 65 В
Гп = +155 ’С......................... 32 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при 1/эъ = —1,5 В в схеме высокочастотного
усилителя в диапазоне 1,5...60 МГц:
Т= -60...+125 ’С..................... 80 В
Г=+155’С............................. 60 В
Постоянное напряжение коллектор—база:
Гп =-60...+ 125 ’С...................... 65 В
Гп = +155 ’С......................... 32 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 4 В
Постоянный ток коллектора............... 3,5 А
Постоянный ток базы..................... 1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при (/КБ = 32 В:
Гк =-60...+75 ’С..................... 12,5 Вт
Гк =+125’С........................... 4,2 Вт
Средняя рассеиваемая мощность коллектора
в динамическом режиме при (/п = 28 В:
Гк = -60...+75 °С.................... 12,5 Вт
Тк =+125 °С.......................... 4,2 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус... 6 °С/Вт
Температура р-п перехода................ +150 °С
Температура окружающей среды............ —60... Тк =
= +125 °С
Монтаж транзистора осуществляется припайкой металли-
зированного основания кристаллодержателя к теплоотводя-
щей поверхности припоем ПОС—61 при температуре не выше
+240 °С в течение не более 15 с.
Пайка выводов рекомендуется не ближе 2 мм от кристал-
лодержателя при температуре не выше +240 °С.
2Т922А, 2Т922Б, 2Т922В,
КТ922А, КТ922Б, КТ922В, КТ922Г, КТ922Д
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
усилителях мощности, умножителях частоты и автогенерато-
рах на частотах выше 50 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми
выводами и монтажным винтом. Тип прибора указывается на
корпусе.
Масса транзистора не более 4,5 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
2Т922(А-В), КТ922(А-Д)
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте / = 175 МГц
при С4э = 28 В, Гк = +40 °С:
2Т922А, КТ922А......................... 5 Вт
2Т922Б, КТ922Б......................... 20 Вт
КТ922Г................................. 17 Вт
КТ922Д................................. 35 Вт
2Т922В, КТ922В......................... 40 Вт
Коэффициент усиления по мощности на ча-
стоте /= 175 "С МГц при 6/кэ = 28 В:
РВЫх = 5 Вт 2Т922А, КТ922А, не менее... 10
типовое значение....................... 20*
РВЫх = 20 Вт 2Т922Б, КТ922Б, не менее .... 5,5
типовое значение......................... 10*
Рвых = 17 Вт КТ922Г, не менее......... 5
РВЫх = 40 Вт 2Т922В, КТ922В, не менее .... 4
типовое значение.._................... 6*
Рвых = 35 Вт КТ922Д, не менее.......... 3,5
Коэффициент полезного действия коллектора,
не менее:
2Т922А, 2Т922Б, 2Т922В................. 55%
типовое значение........................ 65*%
КТ922А, КТ922Б, КТ922В, КТ922Г,
КТ922Д, не менее....................... 50%
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 6/кэ = 5 В, 4 = 0,1 А для
2Т922А, /к = 0,25 А для 2Т922Б, /к = 0,5 А
для 2Т922В, не менее...................... 10*
типовое значение....................... 50*
Модуль коэффициента передачи тока на ча-
стоте /= 100 МГц, икэ = 10 В:
при /к = 0,4 А для 2Т922А, КТ922А,
не менее............................... 3
типовое значение 7*
при /к = 1,5 А для 2Т922Б, КТ922Б,
КТЭ22Г, не менее....................... 3
типовое значение....................... 6,5*
при /к = 3 А для 2Т922В, КТ922В,
не менее............................... 3
типовое значение....................... 4,5*
при /к = 3 А для КТ922Д, не менее...... 2,5
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер,
типовое «лечение:
яри 4 = ЮС мА, /6 = 20 мА для 2Т922А.... 0,3* В
при 4 250 мА, /Е = 50 мА для 2Т922Б.... 0,35* В
при /к = 500 мА, 4 = 100 мА для 2Т922В.. 0,4* В
Критический ток коллектора на частоте
(= 100 МГц при = 10 В:
2Т922А, КТ922А, не менее.............. 0,6 А
типовое значение....................... 1,2* А
КТ922Г, не менее....................... 1,8 А
2Т922Б, КТ922Б, не менее............... 2 А
типовое значение....................... 3* А
КТ922Д, не менее....................... 4,5 А
2Т922В, КТ922В, не менее............... 5 А
типовое значение....................... 6,5* А
Постоянная времени цепи обратной связи
на частоте /= 5 МГц, 6/Кэ = Ю В:
при /э = 40 мА для 2Т922А, КТ922А,
не более.................................. 20 пс
.типовое значение...................... 7,5* пс
при 4 = 150 мА для 2Т922Б, КТ922Б,
КТ922Г, не более....................... 20 пс
типовое значение....................... 8* пс
при 4 = 300 мА для 2Т922В, КТ922В,
КТ922Д, не более....................... 25 пс
типовое значение....................... 20* пс
Емкость коллекторного перехода
при и№ = 28 В, = 5 МГц:
2Т922А, КТ922А, не более.................. 15 пФ
типовое значение....................... 8* пФ
2Т922Б, КТ922Б, КТ922Г, не более...... 35 пФ
типовое значение....................... 20* пФ
2Т922В, КТ922В, КТ922Д, не более...... 65 пФ
типовое значение....................... 50* пФ
Емкость эмиттерного перехода при 1/х = 0,
/ = 5 МГц, типовое значение:
2Т922А, КТ922А............................ 75* пФ
2Т922Б, КТ922Б, КТ922Г................. 200* пФ
2Т922В, КТ922В, КТ922Д................. 500* пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при 74э = 65 В, /?эб = 100 Ом, не более:
Т = +25 °С:
2Т922А.................................... 2 мА
КТ922А............................. 5 мА
2Т922Б............................. 10 мА
2Т922В, КТ922Б, КТ922Г............. 20 мА
КТ922В, КТ922Д..................... 40 мА
Т = +85 °С:
КТ922А................................ Ю мА
КТ922Б, КТ922Г.................... 20 мА
КТ922В, КТ922Д...................... 40 мА
Т = +125 °С:
2Т922А............................... 4 мА
2Т922Б............................. 20 мА
2Т922В............................ 40 мА
Обратный ток эмиттера при 1/Э6 = 4 В,
не более:
7= +25 °С:
2Т922А............................ 0,25 мА
КТ922А............................ 0,5 мА
2Т922Б............................ 1 мА
2Т922В............................ 2,5 мА
КТ922Б............................ 3 мА
КТ922Г............................ 4 мА
КТ922В, КТ922Д.................... 6 мА
Г= +85 °С:
КТ922А............................... 1 мА
КТ922Б............................ 6 мА
КТ922В, КТ922Д.................... 12 мА
КТ922Г............................ 8 мА
Г= +125 °С:
2Т922А............................... 0,5 мА
2Т922Б............................ 2 мА
2Т922В............................ 5 мА
Индуктивность выводов при 1=1 мм, типовое
значение:
2Т922А, КТ922А:
эмиттерного.......................... 1,7* нГн
коллекторного..................... 2,4* нГн
базового.......................... 2,9* нГн
2Т922Б, КТ922Б, КТ922Г:
эмиттерного.......................... 1,1* нГн
коллекторного..................... 2,4* нГн
базового.......................... 2,5* нГн
2Т922В, КТ922В, КТ922Д:
эмиттерного.......................... 0,9* нГн
коллекторного..................... 2,4* нГн
базового.......................... 2,4* нГн
Емкость электродов относительно корпуса,
типовое значение:
эмиттер—корпус....................... 1,84* пФ
коллектор—корпус..................... 1,53* пФ
база—корпус.......................... 0,96 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер’
при /?БЭ = 100 Ом....................... 65 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 4 В
Постоянный ток коллектора:
2Т922А, КТ922А....................... 0,8 А
2Т922Б, КТ922Б, КТ922Г.............. 1,5 А
2Т922В, КТ922В, КТ922Д.............. З А
Импульсный ток коллектора при ?и $ 20 мкс,
О> 50:
2Т922А, КТ922А.......................... 1,5 А
2Т922Б, КТ922Б, КТ922Г............... 4,5 А
2Т922В, КТ922В, КТ922Д............... 9 А
КСВН (коэффициент стоячей волны по напря-
жению) коллекторной цепи* 2.............. 2
Средняя рассеиваемая мощность3 в динамиче-
ском режиме при Тк +40 °С:
2Т922А, КТ922А........................... 8 Вт
2Т922Б, КТ922Б, КТ922Г............... 20 Вт
2Т922В, КТ922В, КТ922Д............... 40 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус:
2Т922А, КТ922А........................... 15 °С/Вт
2Т922Б, КТ922Б, КТ922Г............... 6 °С/Вт
2Т922В, КТ922В, КТ922Д............... 3 °С/Вт
Температура р-п перехода................ +160 °С
Температура корпуса:
2Т922А, 2Т922Б, 2Т922В................... +125 °С
КТ922А, КТ922Б, КТ922В, КТ922Г, КТ922Д +85 °С
Температура окружающей среды:
2Т922А, 2Т922Б, 2Т922В................... -60... Тк =
= +125 °С
КТ922А, КТ922Б, КТ922В, КТ922Г, КТ922Д -45... Тк =
= +85 "С
' При Г = Цп , млкс 55 В.
2 Допускается работа при любых значениях КСВН (по модулю и фазе) при
напряжении питания не более 28 В + 10% и условии непревышения предельных
эксплуатационных значений /к 4/кэ 1/ж (постоянные со-
ставляющие).
3 При Гк > +40 ’С
^К, СР МАКС = (160 ~ ГК)//?Т(П-К), Ву-
Пайка выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса по
методике, не приводящей к нарушению конструкции и герме-
тичности транзисторов, при температуре не выше +270 °С в
течение не более 5 с.
2Т926А, КТ926А, КТ926Б
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п
импульсные. Предназначены для применения' в импульсных
модуляторах. Корпус металлокерамический с жесткими выво-
дами.
Масса транзистора не более 20 г.
Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элиз», г. Фрязино.
2Т926А, КТ926(А,Б)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ:
при Тк = +25 °С:
<4э = 7 В, 4 = 15 А для 2Т926А.... 12...60
Укэ = 7 В, /к = 15 А для КТ926А.... 10...60
(7Кэ = 5 В, /к = 5 А для КТ926Б..... 10...60
при /.г ” Тк мдхс» <4э “ 5 В, 4 “ 5 А
для КТ926А, КТ926Б, не более............ 200
при Тк = мин.
= 7 В, 4 = 15 А для 2Т926А..... 5...60
(4Э = 7 В, 4 = 15 А для КТ926А..... 8...60
(4Э = 5 В, 4 = 7 А для КТ926Б...... 8...60
Отношение статического коэффициента пере-
дачи тока в схеме ОЭ при Гк = +125 °С к ста-
тическому коэффициенту передачи тока при
Гк = +25 °С, <4Э = 7 В, 4 = 15 А для 2Т926А,
не более................................... 3
Модуль коэффициента передачи тока на
высокой частоте при (/кэ = 10 В, 4 = 1 А,
Г- 30 МГц, не менее........................ 1,7
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер:
при /к= 15 А, 4 = 3 А для 2Т926А,
КТ926А, не более......................... 2,5 В
при 4 = 15 А, /Б = 2 А для 2Т926А...... 0,4*...0,6*...1 В
при 4 = 10 А, 4 = 1,5 А для КТ926Б..... 0,5*.„2,5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер,
не более:
при /к = 15 А, 4 = 1,5 А для 2Т926А,
КТ926А................................. 2,5 В
при 4 = Ю А, 4 = 1>5 А для КТ926Б...... 2,5 В
Обратный ток коллектор—эмиттер
при /?бэ = 10 Ом:
при Гк = 7’1СМИН...+25 ’С, 64э = 150 В. 0,1*.„25 мА
при Тк = 7^, макс» ^кэ ~ 120 В......... 0,2*.„80 мА
Обратный ток эмиттера при иа = 5 В,
не более................................... 300 мА '
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер’
при Тп $ 100 °С, /?бэ = 10 Ом........... 150 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при 4 $ 0,5 мс, 50, /4э = Ю Ом............ 200 В .
Постоянное напряжение база—эмиттер......... 5 В
Постоянный ток коллектора.................. 15 А
Импульсный ток коллектора при 4 $ 0,5 мс,
О > 50..................................... 25 А
Постоянный ток базы........................ 7 А
Импульсный ток базы при 4 0,5 мс, 50. 12 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора* 2 при Гк = Гк> мин...+50 ’С.......... 50 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность кол-
лектора 2Т926А при 4 0,5 мс, О> 50,
Тк = +25...+80 ’С.......................... 450 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус
при Укэ $ 10 В, 4 $ 5 А.................... 2 ’С/Вт
Температура р-п перехода................... +150 °С
Температура корпуса........................ +125 ’С
’ При Гп = +100...150 °С 4/кэ МАКС уменьшается линейно на 10% на каждые
10 °С.
2 При Тк > +50 "С
^к. макс = (Т1 — 7"к)/^г (п-к)>
где Л, определяется из области максимальных режимов 'например, при
Укэ= 10 в, 4=5А/?Т(П.К)х2’С/Вт).
Температура окружающей среды:
2Т926А................................. -6О...ТК =
= +125 °С
КТ926А, КТ926Б..................... -45...ТК =
= +100 °С
При конструировании аппаратуры следует учитывать воз-
можность самовозбуждения транзисторов за счет паразитных
связей. Крепление транзисторов к панели необходимо осу-
ществлять с помощью гайки. Осевое усилие на винт должно
быть не более 120 кг. Допускается распайка транзисторов
паяльником с температурой +275 “С в течение 3 с не ближе
2 мм от корпуса.
КТ927А, КТ927Б, КТ927В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
линейных усилителях мощности на частотах 1,5...30 МГц при
напряжении питания 28 В. Выпускаются в пластмассовом кор-
пусе с жесткими выводами. Внутри корпуса имеется полупро-
водниковый диод — датчик температуры кристалла. Тип при-
бора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 10 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте /= 20 МГц
при 0^ = 28 В, не менее.............. 75 Вт
Коэффициент усиления по мощности на
частоте /= 30 МГц при Рвых(по) = 75 Вт,
У/Кэ = 28 В, не менее .................... 13,4
типовое значение...................... 14,5*
Коэффициент полезного действия на частоте
/= 30 МГц при РВых(по) = 75 Вт, Цо = 28 В,
не менее.................................. 40%
типовое значение...................... 50*%
Коэффициент комбинационных составляющих
3-го и 5-го порядков на частоте /= 30 МГц
(двухтоновый сигнал) при РВых(по) = 75 Вт,
Цо = 28 В, не более....................... —30 дБ
типовое значение...................... —32* дБ
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при Ую= 6 В, /к = 5 А:
КТ927А, не менее.......................... 15
типовое значение...................... 30*
КТ927Б, не менее...................... 25
типовое значение...................... 30*
КТ927В, не менее...................... 40
типовое значение...................... 60*
Модуль коэффициента передачи тока на ча-
стоте /= 30 МГц при Ц<э = 28 В, /к = 1 А,
не менее................................. 3,5
типовое значение...................... 5*
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 10 А, /Б = 2 А, не более......... 0,7 В
типовое значение...................... 0,5* В
Емкость коллекторного перехода на частоте
/= 10 МГц при С/КБ = 28 В, не более....... 190 пФ
типовое значение...................... 150* пФ
Емкость эмиттерного перехода на частоте
/ = 10 МГц при У/КБ = 0, не более......... 2850 пФ
типовое значение...................... 2300* пФ
Активная составляющая полного входного
сопротивления на частоте /= 30 МГц при
ЯВЫх = 75 Вт, Цо = 28 В, типовое значение. 2,65* Ом
Обратный ток коллектор—эмиттер
при РтБ = 0, не более:
Т= +25 °С, Ц<э = 70 В.................... 40 мА
Т= +125 ’С, Цо = 65 В................. 120 мА
Обратный ток эмиттера при Ц,Б = 3,5 В,
не более.................................. 40 мА
Прямое напряжение диода при /ПР = 10 мА,
не более.................................. 0,8 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
при /?эб = 0........................ 70 В
при /?ЭБ = оо........................ 35 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 3,5 В
Постоянный ток коллектора............... 10 А
Импульсный ток коллектора............... 30 А
Прямой ток диода........................ 100 мА
Средняя рассеиваемая мощность1 в динамиче-
ском режиме:
при Гк < +75 °С......................... 83,3 Вт
при Гк = +150 ’С..................... 33,3 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус... 1,5 ’С/Вт
Температура р-п перехода................ +200 °С
Температура корпуса..................... +150 °С
Температура окружающей среды............ —60... Гк =
= +150 ’С
1 При +75 ’С < 7К < +150 ”С
Ас, ср илкс = (200 - Гк)/1,5, Вт.
Чистота контактной поверхности теплоотвода должна быть
не менее 1,6. Неплоскостность контактной поверхности тепло-
отвода должна не более 0,04 мм.
Пайка выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса по
методике, не приводящей к нарушению конструкции и герме-
тичности транзистора при температуре не выше +270 "С в
течение не более 5 с.
2Т928А, 2Т928Б, КТ928А, КТ928Б, КТ928В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п импульсные. Предназначены для применения в им-
пульсных и переключающих устройствах. Выпускаются в ме-
таллическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими
выводами.
Масса транзистора не более 3 г.
Изготовитель — завод «Транзистор», г. Минск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при (/КБ = 3 В, 4 = 150 мА:
Г =+25 ’С:
2Т928А.......................... ЗО...65*...1ОО
2Т928(А,Б), КТ928(А-В)
2Т921Б, КТ928Б....................... 50...110*...200
КТ928А............................... 20...100
КТ928В............................... 100...300
Т= +125 °С:
2Т928А.................................. ЗО...11О*...2ОО
2Т928Б............................. 50...170*...400
Г= -60 °С:
2Т928А.................................. 14...40*...100
2Т928Б............................... 25...65*...200
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 1/№ = 10 В, /э = 50 мА,
не менее:
2Т928А, 2Т928Б........................... 300 МГц
КТ928А, КТ928Б, КТ928В .................. 250 МГц
Граничное напряжение при /э = 20 мА,
не менее.................................... 40 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 300 мА, /6 = 30 мА:
2Т928А, 2Т928Б, не более................. 0,6 В
типовое значение......................... 0,17* В
КТ928А, КТ928Б, КТ928В, не более......... 1 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 300 мА, 4 = 30 мА, не более......... 1,5 В
типовое значение......................... 0,9* В
Время рассасывания при 4 = 300 мА,
4 = 30 мА:
2Т928А, 2Т928Б, не более................. 225 нс
типовое значение......................... 140* нс
КТ928А, КТ928Б, КТ928В, не более......... 250 нс
Емкость коллекторного перехода
при ОКБ = 10 В, не более................ 10 пФ
типовое значение..................... 6,9* пФ
Емкость эмиттерного перехода при 1/^ = 0:
2Т928А, 2Т928Б, не более................ 90 пФ
типовое значение..................... 60* пФ
КТ928А, КТ928Б, КТ928В, не более..... 100 пФ
Обратный ток коллектора при ОКБ = 60 В,
не более:
Т= +25 ’С:
2Т928А, 2Т928Б, КТ928В.............. 1 мкА
КТ928А, КТ928Б................... 5 мкА
7=+125’С для 2Т928А, 2Т928Б......... 50 мкА
7 = +85 ’С для КТ928А, КТ928Б, КТ928В. 60 мкА
7=-60’С для 2Т928А, 2Т928Б........... 1 мкА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при Окэ = 60 В, /?бэ = 100 Ом, не более. 10 мкА
типовое значение..................... 0,01* мкА
Обратный ток эмиттера при = 5 В:
7= +25 ’С:
2Т928А, 2Т928Б, не более................ 1 мкА
КТ928А, КТ928Б, КТ928В, не более .... 5 мкА
7= +125 ’С для 2Т928А, 2Т928Б,
не более............................. 50 мкА
типовое значение................. 0,01* мкА
7 = —60 ’С для 2Т928А, 2Т928Б, не более 1 мкА
типовое значение.................... 0,05* мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т928А, 2Т928Б, КТ928А, КТ928Б....... 60 В
КТ928В............................... 75 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?вэ = 0:
2Т928А, 2Т928Б, КТ928А, КТ928Б....... 60 В
КТ928В............................... 75 В
Постоянное напряжение база—эмиттер...... 5 В
Постоянный ток коллектора............... 0,8 А
Импульсный ток коллектора при = 10 мкс,
0=50................................... 1,2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
с теплоотводом:
Т. = 7мин...+25 ’С............... 2 Вт
МАКС*
2Т928А, 2Т928Б.................. 0,4 Вт
КТ928А, КТ928Б, КТ928В.......... 0,96 Вт
без теплоотвода:
Т= Гмин...+25 ’С................... 0,5 Вт
2Т928А, 2Т928Б.................. 0,1 Вт
КТ928А, КТ928Б, КТ928В.......... 0,24 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора при /*и = 10 мкс, 0= 50 для 2Т928А,
2Т928Б:
Гк = -60...+25 "С...................... 3,6 Вт
ТК = +125°С............................ 3,2 Вт
Температура р-п перехода.................. +150 °С
Температура окружающей среды:
2Т928А, 2Т928Б............................ -60...+125 “С
КТ928А, КТ928Б, КТ928В................. -45...+85 °С
' При Гк = +25 *С... Гк_ мдкС мдкс линейно снижается на 16 мВт/°С.
2 При Т = +25 "С.-Гщщ; Рк чдкс линейно снижается на 4 мВт/°С.
2Т929А, КТ929А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
усилителях мощности, умножителях частоты и автогенерато-
рах на частотах более 50 МГц при напряжении питания 8 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми
выводами и монтажным винтом. Тип прибора указывается на
корпусе.
Масса транзистора не более 4,5 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте Л= 175 МГц
при Ч(Э - 8 В, Тк = +40 °С, не менее.... 2 Вт
Коэффициент усиления по мощности на ча-
стоте /= 175 МГц при Укэ = 8 В, Явых = 2 Вт,
не мвиес
2Т929А............................... 10
тмноеоа значение.................... 11,5
КТ929А............................... 8
2Т929А, КТ929А
6.8
09.6
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра на частоте /= 175 МГц при Р^х = 2 Вт,
= 8 В:
2Т929А.................................. 60%
типовое значение...................... 72*%
КТ929А............................... 55%
Статический коэффициент передачи тока в
схеме ОЭ при 6^ = 5 В, = 0,7 А, не менее . 25
типовое значение........................ 40*
Критический ток коллектора на частоте
/= 100 МГц при 1/кэ = 8 В, типовое значение.. 2,5* А
Постоянная времени цепи обратной связи на
частоте /= 5 МГц при Ую = 8 В, /к= 50 мА,
не более................................ 25 пс
типовое значение..................... 9* пс
Емкость коллекторного перехода
при = 8 В, /= 5 МГц, не более........... 20 пФ
типовое значение..................... 15* пФ
Обратный ток коллектора при 1/кв = 30 В,
типовое значение........................ 0,5 мА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при (/кэ = 30 В, Лю = 100 Ом, не более:
7=+25’С................................. 5 мА
7 = +85 ’С для КТ929А................ 10 мА
7= +125 ’С для 2Т929А................ 10 мА
Обратный ток эмиттера при 1/ж = 3 В,
не более:
7=+25’С................................. 5 мА
Т= +125 ’С для 2Т929А и 7= +85 "С
для КТ929А.......................... 10 мА
Индуктивность выводов при I = 1 мм:
эмиттерного............................ 1,2* нГн
коллекторного....................... 2,4* нГн
базового............................ 2,6* нГн
Емкости выводов относительно корпуса:
эмиттер—корпус......................... 1,84* пФ
коллектор—корпус.................... 1,53* пФ
база—корпус......................... 0,96* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база... 30 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?э5 < 100 Ом...................... 30 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 3 В
Постоянный ток коллектора.............. 0,8 А
Импульсный ток коллектора.............. 1,5 А
КСВН коллекторной цепи................. 10
Средняя рассеиваемая мощность' в динамиче-
ском режиме при Гк < +40 ’С............ 6 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 20 °С/Вт
Температура р-п перехода............... +160 °С
Температура корпуса:
2Т929А................................- +125 ’С
КТ929А.............................. +85 ’С
Температура окружающей среды:
2Т929А.................................. -6О...ГК =
= +125 ’С
КТ929А.............................. —4О...ГК =
= +85 ’С
’ При Г, * +40 ”С
Рк ср илкс =(160- Гк)/20, Вт.
Шероховатость контактной поверхности теплоотвода дол-
жна не более 1,6. Неплоскостность контактной поверхности
теплоотвода должна быть не более 0,04 мм. Для уменьшения
контактного теплового сопротивления между корпусом и теп-
лоотводом следует применять теплопроводящие смазки.
Пайка выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса по
методике, не приводящей к нарушению конструкции и герме-
тичности транзистора, при температуре не выше +270 ’С в
течение не более 5 с.
2Т931А, КТ931А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
широкополосных усилителях мощности, умножителях частоты
и автогенераторах на частотах 50...200 МГц при напряжении
питания 28 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с
полосковыми выводами. Внутри корпуса имеется согласующее
1С-звено. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 7 г.
Изготовитель — АСЮТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
2Т931А, КТ931А
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте Л= 175 МГц
при = 28 В, Гк < +40 "С................ 80 Вт
Коэффициент усиления по мощности на ча-
стоте Л= 175 МГц при Рвых = 80 Вт, не менее:
2Т931А............................. 4
КТ931А............................. 3,5
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра на частоте 175 МГц при Рмк = 80 Вт,
не менее................................ 50%
типовое значение..................... 60*%
Статический коэффициент передачи тока в
схеме ОЭ при С/ю = 5 В, /к = 0,5 А, типовое
значение.................................. 25*
Модуль коэффициента передачи тока на ча-
стоте 100 МГц при (/кэ = 10 В, 4 = 5 А,
не менее................................ 2,5
типовое значение..................... 4*
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 0,5 А, /Б = 0,1 А, типовое значение.... 0,09* В
Критический ток коллектора на частоте
Т = 100 МГц при (/кэ = 10 В, типовое значение 22* А
Постоянная времени цепи обратной связи на
частоте /= 5 МГц при и№ = 10 В, /э = 0,5 А,
типовое значение........................ 18* пс
Емкость коллекторного перехода на частоте
Л= 30 МГц, при ^К6 = 28 В, не более..... 240 пФ
типовое значение..................... 190* пФ
Емкость эмиттерного перехода на частоте
? = 5 МГц при ^ЭБ = 0, не более......... 3800* пФ
типовое значение..................... 3200* пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при (/кэ = 60 В, /?бэ = Ю Ом, не более:
Т = +25 *С:
2Т931А............................... 20 мА
КТ931А............................ 30 мА
7 = +85 "С для КТ931А................ 60 мА
7=+125 “С для 2Т931А................. 40 мА
Обратный ток эмиттера при их = 4 В,
не более:
7=+25 °С............................. 10 мА
Т= +85 °С для КТ929А................. 20 мА
Т= +125 °С для 2Т931А................ 20 мА
Индуктивность внутреннего 1С-звена, типовое
значение................................ 0,43* нГн
Емкость внутреннего 1С-звена, типовое зна-
чение .................................. 1600* пФ
Индуктивность выводов, типовое значение:
эмиттерного:
при / = 1 мм...................... 0,29* нГн
при / = 3 мм...................... 0,47* нГн
коллекторного:
при I = 1 мм............................... 1,6* нГн
при / = 3 мм.......................... 9,03* нГн
базового:
при 1= 1 мм............................... 1,47* нГн
при I = 3 мм.......................... 1,92* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?ЭБ 10 Ом......................... 80 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 4 В
Постоянный ток коллектора.............. 15 А
Входная высокочастотная мощность....... 20 Вт
Средняя рассеиваемая мощность1 в динамиче-
ском режиме при Гк < +40 °С............ 150 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 0,8 °С/Вт
Температура р-п перехода............... +160 °С
Температура корпуса:
2Т931А................................. +125 ’С
КТ931А.............................. +85 ’С
Температура окружающей среды:
2Т931А................................ -6О...ГК =
= +125 ’С
КТ931А.............................. —40... 7^ =
= +85 ’С
1 При Гк > +40 "С
Рк СР макс = (160 - Гк)/0,8, Вт.
Шероховатость контактной поверхности теплоотвода дол-
жна не более 2,5. Неплоскостность контактной поверхности
теплоотвода должна быть не более 0,04 мм.
Тепловое сопротивление корпус—теплоотвод при нанесе-
нии теплоотводящей пасты типа КПТ—8 на поверхность тепло-
отвода транзистора не более 0,3 °С/Вт.
Пайка выводов допускается не ближе 1 мм от корпуса по
методике, не приводящей к нарушению конструкции и герме-
тичности транзистора, при температуре не выше +270 ’С в
течение не более 3 с.
Электрическая схема транзисторов
Зависимости выходной мощности
и коэффициента полезного дей-
ствия от входной мощности
Зависимости выходной мощности
и коэффициента полезного дей-
ствия от входной мощности
Зависимости выходной мощности
и коэффициента полезного дей-
ствия от входной мощности
Зависимости выходной
мощности и коэффици-
ента полезного дейст-
вия от напряжения кол-
лектор—эмиттер
Зависимость критиче-
ского тока от напряже-
ния коллектор—эмит-
тер
Зависимость модуля
статического коэффи-
циента передачи тока
от тока коллектора
Зависимость емкости коллекторно-
го перехода от напряжения коллек-
тор—база
Зависимость постоянной времени
цепи обратной связи от тока кол-
лектора
Зависимость емкости эмиттерного
перехода от напряжения база—
эмиттер
Зависимость допустимого постоян-
ного тока коллектора от напряже-
ния коллектор—эмиттер
2Т935А, 2Т935А-5, КТ935А
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные
структуры п-р-п переключательные. Предназначены для при-
менения в переключающих и импульсных устройствах. Тран-
зисторы 2Т935А, КТ935А выпускаются в металлокерамиче-
ском корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается
на корпусе. Транзистор 2Т935А—5 выпускаются в виде нераз-
деленных кристаллов на пластине с контактными площадками
для гибридных интегральных микросхем. Тип прибора указы-
вается в этикетке.
Масса транзистора в металлокерамическом корпусе не
более 20 г, кристалла не более 0,01 г.
Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элиз», г. Фрязине.
2Т935А, КТ935А
0Н.6
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ:
при Гк = +25 “С, икз = 4 В, /к = 15 А.. 20...30*...100
при Гк = +125 °С, Цо = 5 В, 4 = 3 А
для 2Т935А, 2Т935А—5, не более........ 150
при Т = -60 °С, Ц<э = 4 В, 4 = 15 А
для 2Т935А, 2Т935А—5, не более........ 10...100
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 10 В, 4 = 1 А,
не менее................................. 51 МГц
Граничное напряжение при 4 = 1 А, не менее 70 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 15 А, 4 = 3 А, не более.......... 1 В
типовое значение...................... 0,75* В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 - 15 А, /Б = 3 А, не более......... 1,7 В
типовое значение...................... 1,3* В
Время включения при /к = 10 А, /Б = 2 А,
не более......................... ..... 0,25* мкс
Время выключения при 4 = 10 А, /Б = 2 А,
не более................................ 0,7* мкс
Емкость коллекторного перехода
при и№ = 10 В, не более .—.............. 800 пФ
Емкость эмиттерного перехода при = 4 В,
не более................................ 3500 пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при /?бэ = 10 Ом, не более:
Тк = 4. мин-+25 ’С. = 80 В......... 30 мА
Гк= Тк. X. ^ю = 60 В................. 60 мА
Обратный ток эмиттера при Ух = 4 В,
не более................................ 300 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при = 10 Ом, Тп = +100 ’С.............. 80 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при Лю = 10 Ом, 7И = 50 мкс, (ф = 15 мкс,
0=20................................... 100 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 5 В
Импульсное напояжение эмиттер—база
при = 50 мкс, О = 20.................. 6 В
Постоянный ток коллектора.............. 20 А
Импульсный ток коллектора при Ти = 1 мс,
0=2.................................... 30 А
Постоянный ток базы................... 10 А
Импульсный ток базы при 7И = 1 мс, 0= 2...... 15 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Тк = Гк мин...+50 ’С.......... 60 Вт
Температура р-п перехода............... +150 ’С
Температура окружающей среды:
2Т935А, 2Т935А-5.................... -60... Тк =
= +125 ’С
КТ935А.............................. —45... Тк =
= +100 ’С
1 При Тп = +100...+ 150 ”С Укэв мдкс снижается линейно до 40 В.
2 При включении аппаратуры допускается выброс тока коллектора до 50 А в
течение 1 мс, далее ток коллектора спадает до 20 А в течение 2 мс.
3 При Тк > +50 “С максимально допустимая постоянная рассеиваемая
мощность коллектора рассчитывается по формуле
\ макс ” 1 Тп ~ Гк)//?т (п-х), Вт,
где Я, |П_К. определяется из области максимальных режимов (например, при
1/кэ = 6 В, 4 = 10 А, /?т 1,6 ’С/Вт.
Технология монтажа транзистора 2Т935А—5 в гибридную
схему, применяемые детали и материалы должны обеспечить
значение теплового сопротивления переход—корпус, собран-
ного в гибридную схему транзистора не более 1,6 °С/Вт.
Разделение пластин на кристаллы, а также соединение
выводов с контактными площадками и защита кристалла в
гибридной схеме должно производиться в соответствии с ти-
повым технологическим процессом, согласованным в установ-
ленном порядке.
Время нахождения транзисторов в период и после извле-
чения из упаковки изготовителя не более 2 сут. Соединение
контактных площадок кристалла (эмиттер, база) со схемой
производить ультразвуковой сваркой проволокой А995Д—0,1
по ТУ 48—21—574—77. После монтажа кристалл покрыть ком-
паундом марки ТК ЫУО. 028.021 ТУ.
КТ936А, КТ936Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
широкополосных линейных усилителях мощности в герметизи-
рованной аппаратуре. Выпускаются в двух конструктивных ис-
полнениях с жесткими выводами: КТ936А — на круглом кри-
сталлодержателе, КТ936Б — на прямоугольном кристалло-
держателе с диодом — датчиком температуры. Тип прибора
указывается на сопроводительной таре.
Масса КТ936А не более 0,2 г, КТ936Б не более 0,6 г,
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в
схеме ОЭ при Т/о = 3 В, /к = 100 мА, не менее 6
Обратный ток коллектор—эмиттер
при 6/кэ = 60 В, 7?^ = 0, не более:
КТ936А................................ 10 мА
КТ936Б................................ 30 мА
Обратный ток эмиттера при С/эъ = 0, не более:
КТ936А................................ 15 мА
КТ936Б................................ 40 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 0........................... 60 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /Б = 0............................. 35 В
КТ936(А,Б)
Постоянное напряжение коллектор—база.... 60 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 3,5 В
Прямой ток диода........................ 0,1 А
Постоянный ток коллектора:
КТ936А............................... 3,3 А
КТ936Б............................... 10 А
Средняя рассеиваемая мощность1 в динамиче-
ском режиме при Тк +75 °С:
КТ936А............................... 28 Вт
КТ936Б............................... 83,3 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус:
КТ936А............................... 4,5 °С/Вт
КТ936Б............................... 1,5 °С/Вт
Температура р-п перехода................ +200 °С
Температура кристаллодержателя.......... +100 °С
Температура окружающей среды............ —60... Тк =
= +100 °С
1 При Тк > +75 ’С
СР МАКС = (200 ~ (П-КР ВТ-
Области максимальных режимов
КТ940А, КТ940Б, КТ940В,
КТ940А-5, КТ940Б-5, КТ940В-5
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п
усилительные. Предназначены для применения в выходных кас-
кадах видеоусилителей телевизионных приемников цветного и
черно-белого изображения. Транзисторы КТ940А-КТ940В вы-
пускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип
прибора указывается на корпусе. Транзисторы КТ940А—5-
КТ940В—5 выпускаются в виде неразделенных кристаллов на
пластине с контактными площадками для гибридных интеграль-
ных микросхем. Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в пластмассовом корпусе не более 0,7 г,
кристалла не более 0,01 г.
Изготовители — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск, завод «Искра», г. Ульяновск.
КТМО(А-В)
КТША-5-В-5)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при Ц^э = 10 В, 4 = 30’ мА,
не менее................................ 25
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при Укэ = 10 В, /к = 15 мА,
не менее................................. 90 МГц
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 30 мА, /Б = 6 А, не более........ 1 В
Емкость коллекторного перехода
при Ць = 30 В, не более ................ 5,5 пФ
Обратный ток коллектора при 6/КБ = 250 В
для КТ940А, КТ940А-5, Укь = 200 В для
КТ940Б, КТ940Б-5, У№ = 100 В для КТ940В,
КТ940В—5, не более....................... 50 нА
Обратный ток эмиттера при Ух = 3 В,
не более................................. 50 нА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ940А, КТ940А-5...................... 300 В
КТ940Б, КТ940Б-5................... 250 В
КТ940В, КТ940В-5................... 160 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
КТ940А, КТ940А-5................... 300 В
КТ940Б, КТ940Б-5................... 250 В
КТ940В, КТ940В-5................... 160 В
Постоянное напряжение база—эмиттер.... 5 В
Постоянный ток коллектора............... 100 мА
Импульсный ток коллектора при = 30 мкс,
0= 10.................................... 300 мА
Постоянный ток базы..................... 50 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
без теплоотвода, Т = —45...+25 °С’....... 1,2 Вт
с теплоотводом:
Гк = —Д5...+45 ’С, 6^ = 100 В1 2.. 10 Вт
Гк = +85 ’С....................... 6 Вт
Тепловое сопротивление переход—среда..... 104 ’С/Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус.... 10 ’С/Вт
Температура р-п перехода................. +150 ’С
Температура окружающей среды............. —45...+85 ’С
1 При Т > +25 ’С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
Рк макс = (150 - Г)/104, Вт.
2 При Гк > +45 ‘С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность уменьшается линейно.
Зависимости максимально допустимой
постоянной рассеиваемой мощности
коллектора от температуры корпуса
КТ943А, КТ943Б, КТ943В, КТ943Г, КТ943Д
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п
усилительные. Предназначены для применения в усилителях и
импульсных устройствах. Корпус пластмассовый с жесткими
выводами.
Масса транзистора не более 0,8 г.
Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элиз», г. Фрязино.
КТМЗ(А-Д)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при Цо = 2 В, /к = 0,15 А:
Т= +25 ’С:
КТ943А.............................. 40...200
КТ943Б.............................. 40...160
КТ943В.............................. 40...120
КТ943Г.............................. 20...60
КТ943Д.............................. 30... 100
Т = +85 ’С:
КТ943А............................. 40...400
КТ943Б.............................. 40...320
КТ943В.............................. 40...250
КТ943Г.............................. 20...200
КТ943Д.............................. 30...300
Т = —45 ’С, не менее:
КТ943А, КТ943Б, КТ943В............... 15
КТ943Г, КТ943Д...................... 5
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при Цо = 10 В, /к = 0,25 А,
/= 10 МГц, не менее......................... 3
Граничное напряжение при = 0,1 А,
не менее:
КТ943А................................. 45 В
КТ943Б, КТ943Д......................... 60 В
КТ943В, КТ943Г......................... 80 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 1 А, /Б = 0,1 А, не более:
КТ943А, КТ943Б, КТ943В................. 0,6 В
КТ943Г, КТ943Д......................... 1,2 В
Обратный ток коллектора при Ц® = (7^ МАКС,
не более:
Т= —45...+25 ’С:
КТ943А, КТ943Б, КТ943В.............. 0,1 мА
КТ943Г, КТ943Д................... 1 мА
Г =+85 ’С:
КТ943А, КТ943Б, КТ943В.............. 0,3 мА
КТ943Г, КТ943Д................... 3 мА
Обратный ток эмиттера при = 5 В,
не более:
КТ943А, КТ943Б, КТ94ЭВ............... 1 мА
КТ943Г, КТ943Д....................... 5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ943А............................... 45 В
КТ943Б............................... 60 В
КТ943В, КТ943Г, КТ943Д............... 100 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?Бэ = 10 Ом или /4э = 1 кОм:
КТ943А.................................. 45 В
КТ943Б, КТ943Д....................... 60 В
КТ943В, КТ943Г....................... 80 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при /Убэ = 10 Ом:
КТ943А.................................. 50 В
КТ943Б............................... 75 В
КТ943Д............................... 80 В
КТ943В, КТ943Г......................... 100 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 5 В
Постоянный ток коллектора............... 2 А
Импульсный ток коллектора при 4 < 1 мс,
О ? 50................................... 6 А
Постоянный ток базы..................... 0,3 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’ при Гк = —45...+25 ’С............. 25 Вт
Температура р-п перехода ............... +150 ’С
Температура окружающей среды........... —45... Тк =
= +85.’С
’ При Тк > +25 ‘С
Р* макс = 0.2 (150 - Гк), Вт
Разрешается использование транзисторов в блоках кадро-
вой развертки телевизоров при Ги = 10 мс, й?2, 4. макс 3 А.
430
Входные характеристики
Зависимость статического коэффи-
циента передачи тока от тока кол-
лектора
Зависимости статиче-
ского коэффициента
передачи тока от то-
ка коллектор
Зависимости напряже-
ния насыщения коллек-
тор-эмиттер от отно-
шения токов коллекто-
ра и базы
Зависимость допусти-
мого постоянного на-
пряжения коллектор-
эмиттер от сопротивле-
ния базы—эмиттер
Зависимость емкости
эмиттерного перехода
от напряжения база—
эмиттер
Зависимость емкости
коллекторного перехо-
да от напряжения кол-
лектор—база
Зависимость обратного
тока коллектора от тем
пературы
2Т944А, КТ944А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
широкополосных усилителях мощности на частотах 1.5...30 МГц
при напряжении питания 28 В. Выпускаются в металлокерами-
ческом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 40 г.
Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элиз», г. Фрязино.
2ТША, КТ944А
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте 7= 30 МГц
при = 28 В, Тк < +45 ’С, не менее....... 100 Вт
Коэффициент усиления по мощности на ча-
стоте /= 30 МГц при С/кэ = 28 В, Рвых = 70 Вт,
не менее................................ 10
типовое значение..................... 13*
Коэффициент полезного действия коллек-
тора на частоте Т- 30 МГц, 4^ = 28 В,
^вых = Ю0 Вт, не менее.................. 60%
Коэффициент комбинационных составляющих
3-го и 5-го порядка на частоте 7= 30 МГц при
и^з - 28 В, Рвых(по) = 70 Вт, не более.. —30 дБ
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 6/кэ = 5 В, )[< = 10 А:
Г =+25’С........................... 10...80
7= -60 ’С для 2Т944А................. 8...80
Т - +125 ’С для 2Т944А, не4олее...... 250
Модуль коэффициента передачи тока на ча-
стоте Л= 30 МГц при Цо = 10 В, /к = 2 А,
не менее............................... 3,5
типовое значение..................... 4,5*
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 10 А, 4 = 2 А, не более......... 2,5 В
типовое значение..................... 1,5* В
Емкость коллекторного перехода
при С/КБ = 28 В, не более............... 350 пФ
Емкость эмиттерного перехода при ЦЭБ = 0,
не более................................ 1500* пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при Цо = 100 В, /?бэ = 10 Ом, не более.. 80 мА
Обратный ток эмиттера при ЦБ = 5 В,
не более................................ 150 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер1
при А’эб < 10 Ом:
Гп < +100 °С......................... 100 В
Гп = +175 ‘С......................... 50 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при #ЭБ < 100 Ом........................ 100 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 5 В
Постоянный ток коллектора............... 12,5 А
Импульсный ток коллектора при Ги < 1 мс,
О>2,5................................... 20 А
Постоянный ток базы..................... 5 А
Импульсный ток базы при 7И < 1 мс, О 2,5... 10 А
Степень рассогласования нагрузки
при Рвых(по) = 70 Вт в течение 1 с...... 30: 1
Средняя рассеиваемая мощность1 2 в динамиче-
ском режиме при Гк < +109 °С............ 70 Вт
Постоянная рассеиваемая мощность
при Цо < 25 В, Тк < +90 °С.............. 55 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус... 1,67 °С/Вт
Температура р-п перехода................ +175 °С
Температура корпуса:
2Т944А............................... +125 °С
КТ944А............................... +100 °С
1 При Гп = +100...175 ’С напряжение снижается линейно.
2 При Тп < +100 'С
Як.иахс= (”5- Гк)/1,67, Вт.
Зависимость выходной
мощности от входной
мощности
Зависимость коэффи-
циента комбинацион-
ных составляющих от
выходной мощности
Зависимость выходной
мощности от напряже-
ния коллектор—эмит-
тер
Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
коллектора
Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эмиттер от тока
коллектора
Зависимость емкости
коллекторного перехо-
да от напряжения кол-
лектор-база
2Т945А, 2Т945Б, 2Т945В, 2Т945А-5, КТ945Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п переключательные. Предназначены для применения
в переключающих и импульсных устройствах. Транзисторы
2Т945А—2Т945В, КТ945Б выпускаются в металлическом кор-
пусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Тип
прибора указывается на корпусе. Транзистор 2Т945А—5 вы-
пускаются в виде неразделенных кристаллов на пластине с
434
контактными площадками для гибридных интегральных микро-
схем. Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20 г,
кристалла не более 0,01 г.
Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Эяиз», г. Фрязино.
2Т945(А-В), КТ945Б
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 4/кэ = 7 В:
Тк = +25 °С:
2Т946А, 2Т945Б, 2Т945А-5, КТ945Б
при/к = 15 А................................ 10...60
2Т945В при = 10 А........................... 10...60
ГК = МАКС*
2Т945А, 2Т945Б, 2Т945А-5, КТ945Б
при /к = 15 А........................ 5...180
2Т945В при /к = 10 А.............. 5...180
Гк = ^к, мин*’
2Т945А, 2Т945Б, 2Т945А-5
при 4 = 15 А...................... 5...80
КТ945Б при 4 = 15 А, не менее..... 8
2Т945В при 4 = 10 А............... 5...80
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 1/ю = 10 В, /к = 1 А,
не менее................................. 51 МГц
Граничное напряжение при 4 = 0,1 А,
4, нас = 0,3 А, Д = 40 мГн, не менее:
2Т945А, 2Т945А-5...................... 200 В
2Т945Б, 2Т945В........................ 150 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 15 А, 4 = 3 А для 2Т945А, 2Т945Б,
2Т945А-5, КТ945Б, 4=10 А, 4 = 2 А для
2Т945В, не более......................... 2,5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер при
/к = 15 А, 4 = 3 А для 2Т945А, 2Т945Б,
2Т945А-5, КТ945Б, 4 = 10 А, 4 = 2 А для
2Т945В, не более......................... 3 В
Время нарастания при Укэ = 100 В, 4 ~ Ю А,
С/ЭБ = “4 В, 4 = 2 А, не более........... 0,08 мкс
типовое значение...................... 0,052* мкс
Время рассасывания при 6/кэ = 100 В,
4 = 10 А, С/ЭБ = —4 В, 4 = 2 А, не более. 1,1 мкс
типовое значение...................... 0,75* мкс
Время спада при 6/кэ = 100 В, 4 ~ Ю А,
(Уэъ = — 4 В, 4 = 2 А, не более.......... 0,24 мкс
типовое значение...................... 0,14* мкс
Емкость коллекторного перехода
при64Б = 30В............................. 120*..150*...
200 пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при С4Э = {/кэй.мако Ябэ = Ю Ом, не более:
Гк= ГК.МИН...+25°С.................... 25 мА
Т. = Тк МАКС для 2Т945А, 2Т945Б, 2Т945В,
2Т945А-5.............................. 50 мА
КТ945Б................................ 80 мА
Обратный ток эмиттера при 6/ЭБ = 3 В,
не более................................. 300 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное и импульсное напряжение кол-
лектор-эмиттер при /?БЭ = Ю Ом:
2Т945А, 2Т945А-5...................... 200 В
2Т945Б, 2Т945В, КТ945Б................ 150 В
Постоянное напряжение база—эмиттер..... 5 В
Постоянный ток коллектора:
2Т945А, 2Т945Б, 2Т945А-5, КТ945Б... 15 А
2Т945В.............................. 10 А
Импульсный ток коллектора:
2Т945А, 2Т945Б, 2Т945А-5, КТ945Б... 25 А
2Т945В.............................. 20 А
Постоянный ток базы.................... 7 А
Импульсный ток базы.................... 12 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —60...+50 ’С............. 50 Вт
Температура р-п перехода:
2Т945А, 2Т945Б, 2Т945В, 2Т945А-5..... +175 ’С
КТ945Б............................... +150 ’С
Температура окружающей среды:
2Т945А, 2Т945Б, 2Т945В, 2Т945А-5...... -60... Гк =
= +125 ’С
КТ945Б.............................. —45... Тк =
= +100 ’С
1 При Гк > 50 'С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
Я, МАКС = ( ~ Я |П-К|" ®т>
где Ят-ю = 2,5 ’С/Вт при Укэ = 5 В, /к = 10 А для 2Т945А-2Т945В, 2Т945А-5,
Я (П-К) = 2 ’С/Вт для КТ945Б.
При конструировании аппаратуры следует учитывать воз-
можность самовозбуждения транзистора за счет паразитных
связей.
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм
от корпуса паяльником, нагретым до температуры +250 ’С, в
течение не более 3 с.
Технология монтажа транзистора 2Т945А—5 в гибридную
схему, применяемые детали и материалы должны обеспечить
значение теплового сопротивления переход—корпус собран-
ного в гибридную схему транзистора не более 2,5 ’С/Вт.
Допустимое значение статического потенциала 2000 В.
Разделение пластин на кристаллы производить по разде-
лительным дорожкам. Транзистор паять к термокомпенсатору
с использованием золотой фольги при температуре +460 ’С.
Соединение контактных площадок кристалла (эмиттера, базы)
с гибридной схемой производить ультразвуковой сваркой про-
волокой А995Д по ТУ 48—21—574—77. После монтажа кри-
сталл покрыть компаундом марки ГК ЫУО. 028.021 ТУ.
Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициен-
та передачи тока от то-
ка коллектора
Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор-эмиттер от коэф-
фициента насыщения
Зависимости допусти-
мого постоянного на-
пряжения коллектор-
эмиттер от сопротивле-
ния база—эмиттер
Зависимость емкости
коллекторного перехо-
да от напряжения кол-
лектор—база
Зависимость времени
нарастания от тока
коллектора
Зависимость времени
рассасывания от тока
коллектора
Iсп.мк с
И--5 и„^оов Ц&-4В 2Т945(А-В) КТ945Б
Зависимость времени спада
от тока коллектора
Зависимость импульсного теплово-
го сопротивления переход—корпус
от длительности импульса
Зона возможных положений зависи-
мости статического коэффициента
передачи тока от тока коллектора
Области максимальных режимов
Области максимальных режимов
Области максимальных режимов
Области максимальных
режимов
2Т947А, КТ947А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах
на частотах 0,1...1,5 МГц при напряжении питания 27 В. Выпус-
каются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами
и монтажным винтом. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 35 г.
Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элиз», г. Фрязино.
ЛЯ47А КТ947А
02.6
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте / = 1,5 МГц
при 4/кэ = 27 В, не менее................ 250 Вт
Коэффициент усиления по мощности на часто-
те /= 1,5 МГц при 44э = 27 В, Рвы* = 250 Вт,
не менее................................. 10
типовое значение...................... 70*
Коэффициент полезного действия коллек-
тора на частоте Л= 1,5 МГц, 4/кэ = 27 В,
^вых = 250 Вт, не менее.................. 55%
типовое значение...................... 60%
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 1/^ = 5 В, /к = 20 А:
Гк =+25 °С............................... 10...80
Гк =+125 °С для 2Т947А............... 5...160
Гк = -60 °С для 2Т947А............... 5...80
Модуль коэффициента передачи тока на ча-
стоте / = 30 МГц при икэ = 10 В, /к = 4 А,
не менее................................. 2,5
типовое значение..................... 3,3*
Емкость коллекторного перехода
при 6/КБ = 27 В, не более................ 850* пФ
типовое значение..................... 680* пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при Цо = 100 В, = 10 Ом, не более:
Г=+25°С................................ 100 мА
7= +125 ’С для 2Т947А............... 160 мА
Обратный ток эмиттера при = 5 В,
не более............................... 150 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер*
при < 10 Ом:
Гп С+100’С......................... 100 В
Тп = +200 ’С........................ 70 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 5 В
Постоянный ток коллектора.............. 20 А
Импульсный ток коллектора:
при / = 100 кГц, О 2................ 50 А
при 4, С 300 мкс, О > 6............. 40 А
Постоянная рассеиваемая мощность2
при Гк С 50 ’С........................ 200 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 0,75 °С/Вт
Температура р-п перехода............... +200 ’С
Температура корпуса:
2Т947А................................. +125 'С
КТ947А.............................. +100 СС
Температура окружающей среды:
2Т947А................................. -60...Гк =
= +125 ’С
КТ945А.............................. -60... Гк =
= +100 ’С
1 В диапазоне температур Тп =+100...+200 “С напряжение снижается ли-
нейно.
2 При Гк > +50 °С
макс = (200 — Тк)/0,75, Вт.
Допускается осевое усилие на винт не более 1200 Н.
Пайка выводов допускается не ближе 2 мм от корпуса
транзистора.
При пайке выводов температура корпуса не должна превы-
шать + 125 ’С. При отсутствии контроля температуры корпуса
пайка производится паяльником, нагретым до +250 ’С в тече-
ние не более 2...3 с.
Зависимость статине*
ского коэффициента
передачи тока от тем*
пературы корпуса
Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
коллектора
Зависимости напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эмиттер от тока
коллектора
Зависимость модуля
коэффициента пере-
дачи тока от тока кол-
лектора
Зависимость емкости
коллекторного перехо-
да от напряжения кол-
лектор—база
Зависимость максималь-
но допустимого посто-
янного тока коллекто-
ра от напряжения кол-
лектор—эмиттер
2Т950А, 2Т950Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п усилительные линейные. Транзистор 2Т950А пред-
назначен для применения в широкополосных усилителях мощ-
ности в диапазоне частот 30...80 МГц при напряжении питания
28 В, 2Т950Б — в диапазоне частот 1,5...30 МГц при напряже-
нии питания 28 В в герметизированной аппаратуре. Транзи-
стор 2Т950А выпускается в металлокерамическом корпусе с
гибкими полосковыми выводами и монтажным винтом, 2Т950Б
используется без фланца корпуса. Тип прибора указывается
на корпусе.
Масса транзистора 2Т950А не более 6 г, 2Т950Б без флан-
ца не более 2 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2Т950(А,Б)
Электрические параметры
Выходная мощность при Ц, = 28 В, не менее:
2Т950А на частоте / = 80 МГц............... 70 Вт
2Т950Б на частоте /= 30 МГц............. 50 Вт
Коэффициент усиления по мощности
при ип = 28 В:
2Т950А при Рвых = 70 Вт, /= 80 МГц...... 7...8,5*...11
2Т950Б при = 50 Вт, /= 30 МГц..... 10...17*...25*
Коэффициент полезного действия коллектора
при = 28 В:
2Т950А при Рвых = 70 Вт, Г= 80 МГц...... 65...77*...80%*
2Т950Б при Рвых (по) = 50 Вт, ^=30 МГц,
не менее................................ 40%
Коэффициент комбинационных составляю-
щих 3-го и 5-го порядков при С/п = 28 В,
Рзых (по) = 50 Вт:
2Т950А на частоте ^=80 МГц.............. —27 дБ
типовое значение........................ —30 дБ
2Т950Б на частоте ^=30 МГц, не более ... —30 дБ
Статический коэффициент передачи тока:
при С/КБ = 10 В, /к = 5 А:
2Т950А............................... 15...50*...100*
2Т950Б............................... 10...40*...100*
при С/КБ = 10 В, 4 = 3 А, Гк = —60 °С,
не менее................................ 7
Модуль коэффициента передачи тока на
высокой частоте при = 10 В, /к = 2 А,
Г= 30 МГц:
2Т950А................................. 5...7,5*...12*
2Т950Б................................. 3...7,5*...12*
Емкость коллекторного перехода
при 6/КБ о = 28 В:
2Т950А................................. 130*...150*...
165 пФ
2Т950Б................................. 130*...150*...
220 пФ
Емкость эмиттерного перехода при С/ЭБ0 = 0,
не более.................................. 1100* пФ
Сопротивление насыщения коллектор—эмит-
тер при /к = 10 А, /Б = 2 А............... 0,15 Ом
Входное полное сопротивление на большом
сигнале:
2Т950А при = 70 Вт, Г= 80 МГц......... 0,6 + /* Ом
2Т950Б при Рвых(по) = 50 Вт, /= 30 МГц.... 2,4 + /1,3* Ом
Последовательное активное сопротивление
эмиттера.................................. 0,15* Ом
Обратный ток коллектор—эмиттер:
при икэ = 60 В, РЭБ =10 Ом, не более... 30 мА
при Т = —60 и +125 °С, не более........ 50 мА
Обратный ток эмиттера при = 4 В,
не более.................................. 100 мА
Индуктивность эмиттера:
при 1=2 мм........................... 1,6* нГн
при 1=5 мм........................... 2,1* нГн
Индуктивность базы:
при / = 2 мм........................... 1,3* нГн
при 1=5- мм............................ 2,3* нГн
Индуктивность коллектора:
при / = 2 мм.............................. 3,2* нГн
при / = 5 мм........................... 4* нГн
Конструктивная емкость коллектор—корпус... 2,2* пФ
Конструктивная емкость база—корпус........ 1,15* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при запирающем напряжении 6/ЭБ = —1,5 В в
схеме высокочастотного усилителя:
2Т950А в диапазоне частот 30...80 МГц.. 60 В
2Т950Б в диапазоне частот 1,5...30 МГц.... 65 В
Постоянное напряжение эмиттер—база........ 4 В
Постоянный ток коллектора:
2Т95ОА................................... 10 А
2Т950Б................................ 7 А
Высокочастотная мощность, падающая
на вход:
2Т950А................................ 10 Вт
2Т950Б................................ 5 Вт
КСВН коллекторной цепи при любой фазе
коэффициента отражения в течение не бо-
лее 1 а
2Т950А при Риых = 70 в диапазоне ча-
стот 30...80 МГц...................... 30
2Т950Б при Рэдх = 50 в диапазоне ча-
стот 1.5...30 МГц..................... 30
Средняя рассеиваемая мощность коллектора
в динамическом режиме при = 28 В:
Гк = +30 °С:
2Т950А............................... 84 Вт
2Т950Б ....„...................... 60 Вт
7; = +125 °С:
2Т950А............................... 36 Вт
2Т950Б............................ 25 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус:
2Т950А................................ 1,25 °С/Вт
2Т950Б................................ 1,75 "С/Вт
Температура р-п перехода................. +200 °С
Температура окружающей среды............. —60... Тк =
= +125 °С
Допускается работа транзистора 2Т950А на частотах выше
80 МГц и в диапазоне частот 1.5...38 МГц. При этом параметры
РВых, /Су, Р, г]к, М3 и М, не регламентируются. При работе на
частотах ниже 30 МГц значения и Рк, ср, макс снижаются
на 40%.
Допускается работа транзистора 2Т950Б на частотах выше
30 МГц. При этом параметры Рвых, Ху, Р, т|к, М, и М5 не регла-
ментируются.
При креплении транзистора 2Т950А крутящий момент на
монтажный винт не должен превышать 1,8 Н м.
Пайка транзисторов допускается не ближе 1 мм от корпу-
са паяльником с температурой не выше +260 °С в течение
времени не более 8 с.
Конструкция корпуса транзистора 2Т950Б обеспечивает
отпайку фланца от корпуса и не менее чем трехкратную пере-
пайку транзистора на монтажную поверхность гибридной ми-
446
кросхемы при температуре не более +200 °С в течение не
более 8 с. Для отпайки фланца от корпуса необходимо про-
вести локальный подогрев винта фланца.
Зависимости выходной
мощности от входной
мощности
Зависимости выходной
мощности от входной
мощности
Зависимости коэффи-
циента комбинацион-
ной составляющей 3-го
порядка от выходной
мощности
Зависимость коэффи-
циента усиления по
мощности от частоты
Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
коллектора
Зависимость модуля
коэффициента переда-
чи тока на высокой ча-
стоте от тока коллек-
тора
2Т951А, 2Т951Б, 2Т951В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п усилительные линейные. Транзистор 2Т951 А, 2Т951В
предназначен для применения в широкополосных усилителях
мощности в диапазоне частот 30...80 МГц при напряжении пита-
ния 28 В, транзистор 2Т951Б — в диапазоне частот 1,5...30 МГц
при напряжении питания 28 В в герметизированной аппаратуре.
Транзисторы 2Т951А и 2Т951В выпускается в металлоке-
рамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами и мон-
тажным винтом. Транзистор 2Т951Б используется без фланца
корпуса. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзисторов 2Т951А и 2Т95ТВ не более 3,5 г,
2Т951Б без фланца не более 2 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Выходная мощность при = 28 В, не менее:
2Т951А на частоте /= 80 МГц.......... 25 Вт
2Т951Б на частоте /= 30 МГц......... 20 Вт
2Т951В на частоте /= 80 МГц......... 3 Вт
Коэффициент усиления по мощности
при С/п = 28 В:
2Т951А при = 25 Вт, /= 80 МГц.............. 8,3...20*...25*
2Т951Б при РВЫХ(по) = 20 Вт, Г= 30 МГц.... 10...20*...25*
2Т951В при Рвых = 3 Вт, /= 80 МГц...... 15...30*...40*
Коэффициент полезного действия коллектора
при ип = 28 В:
2Т951А при Рвых = 25 Вт, Г= 80 МГц..... 6О...7О*...8О%*
2Т951Б при Рвых (по» = 20 Вт, Г= 30 МГц,
не менее............................... 40%
2Т951В при Р^ = 3 Вт, Г = 80 МГц....... 50...58*...60%*
Коэффициент комбинационных составляющих
3-го и 5-го порядков при 4/п = 28 В, не более:
2Т951А при Рвых (по) = 15 Вт, Г = 80 МГц ... —30 дБ
типовое значение........................... —35* дБ
2Т951Б при РВЫх (по» = 20 Вт, Г = 30 МГц,
не менее............................... —30 дБ
типовое значение......................... —33* дБ
2Т951В при Рвых (по) = 2 Вт, ^=80 МГц.... —21 дБ
типовое значение......................... —33* дБ
Статический коэффициент передачи тока
при ^кб ~ Ю В;
7К = +25 и +125 °С:
2Т951А при 4 = 2 А................. 15...50* ..100*
2Т951Б при 4 = 2 А................. 1О...4О*...1ОО*
2Т951В при 4 = 0,4 А............... 30...100*...200*
7К = —60 °С, 4 = 0,2 А, не менее........ 6
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при С4э ~ Ю В, /= 30 МГц:
2Т951А при 4 = 1 А.................... 5...10*...14*
2Т951Б при 4 = 1 А.................... 3...10*...14*
2Т951В при 4 = 0,2 А.................. 5...14*...18*
Емкость коллекторного перехода
при Чб о = 28 В:
2Т951А, 2Т951Б........................... 60*...68*...
70 пФ
2Т951В................................... 9*...9,5*...
12 пФ
Емкость эмиттерного перехода при 6/ЭБ 0 = 0,
типовое значение:
2Т951А, 2Т951Б........................... 600* пФ
2Т951В................................... 80* пФ
Входное полное сопротивление на большом
сигнале:
2Т951А при Рвых = 70 Вт, 7= 80 МГц....... 0,8 + /2,2* Ом
2Т951Б при Рвых(по) = 20 Вт, Г= 30 МГц.... 3,5 + /5* Ом
2Т951В при Р^ = 3 Вт, /= 80 МГц.......... 2 - ;2* Ом
Последовательное активное сопротивление
эмиттера для 2Т951А, 2Т951Б, типовое зна-
чение ...................................... 0,2* Ом
Обратный ток коллектор—эмиттер
при Окэ = 60 В, РЭБ = 10 Ом, не более:
2Т951А, 2Т951Б:
7= +25 °С............................... 20 мА
7 = -60 и +125 ’С................... 48 мА
2Т951В:
7= +25 °С............................... 5 мА
7=-60 и+125 °С...................... 10 мА
Обратный ток эмиттера при (/ЭБ 0 = 4 В,
не более:
2Т951А, 2Т951Б........................... 40 мА
2Т951В................................... 18 мА
Индуктивность эмиттера:
2Т951А, 2Т951Б:
при / = 2 мм......................... 2,8* нГн
при / = 5 мм.......................... 3,8* нГн
2Т951В:
при / = 2 мм......................... 4,2* нГн
при / = 5 мм.......................... 5,2* нГн
Индуктивность базы:
2Т951А, 2Т951Б:
при / = 2 мм......................... 2,1* нГн
при / = 5 мм.......................... 3,2* нГн
2Т951В:
при / = 2 мм......................... 3,5* нГн
при / = 5 мм.......................... 4,5* нГн
Индуктивность коллектора 2Т951А, 2Т951Б,
2Т951В:
при I = 2 мм............................ 1,3* нГн
при / = 5 мм............................ 3,2* нГн
Конструктивная емкость коллектор—корпус... 1* пФ
Конструктивная емкость база—корпус......... 0,8* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при запирающем напряжении = —1,5 В в
схеме высокочастотного усилителя:
2Т951А, 2Т951В в диапазоне ча-
стот 30...80 МГц..................... 60 В
2Т951Б в диапазоне частот 1,5...30 МГц.... 65 В
Постоянное напряжение эмиттер.—база..... 4 В
Постоянный ток коллектора:
2Т951А............................... 5 А
2Т951Б............................... ЗА
2Т951В............................... 0,5 А
Высокочастотная мощность, падающая
на вход:
2Т951А............................... 3 Вт
2Т951Б............................... 2 Вт
2Т951В............................... 0,2 Вт
КСВН коллекторной цепи при любой фазе
коэффициента отражения в течение не бо-
лее 1 с:
2Т951А при = 25 Вт в диапазоне ча-
стот 30...80 МГц..................... 30
2Т951Б при = 20 Вт в диапазоне ча-
стот 1.5...30 МГц..................... 30
2Т951В при Рвых = 3 Вт в диапазоне ча-
стот 30...80 МГц...................... 30
Средняя рассеиваемая мощность коллектора
в динамическом режиме при Ц, = 28 В:
Гк +30 °С:
2Т951А............................... 45 Вт
2Т951Б............................ 30 Вт
2Т951В............................ 6,3 Вт
Гк = +125 °С:
2Т951А............................... 8 Вт
2Т951Б............................ 12 Вт
2Т951В............................ 2,8 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус:
2Т951А................................... 2,83 °С/Вт
2Т951Б................................ 4,25 °С/Вт
2Т951В................................ 12,1 °С/Вт
Температура р-п перехода................. +200 °С
Температура окружающей среды............. —60... Тк =
= +125 ’С
Допускается работа транзистора 2Г951А и 2Т951В на ча-
стотах выше 80 МГц и в диапазоне частот 1,5...30 МГц. При
этом параметры Рвых, Ху, р, Пк> М3 и Л/5 не регламентируются.
При работе на частотах ниже 30 МГц значения Рвых и Рк, ср, макс
снижаются на 40%.
Допускается работа транзистора 2Т951Б на частотах выше
30 МГц. При этом параметры Рвых, Ху, Р, пк, М3 и М3 не регла-
ментируются.
Крутящий момент на монтажный винт при креплении тран-
зисторов 2Т951А, 2Т951В 1,2 Н • м.
Пайка транзисторов допускается не ближе 1 мм от корпу-
са паяльником с температурой не выше +260 “С в течение не
более 8 с.
Конструкция корпуса транзистора 2Т951Б обеспечивает
отпайку фланца от корпуса и не менее чем трехкратную пере-
пайку транзистора на монтажную поверхность гибридной ин-
тегральной микросхемы при температуре не более +200 °С в
течение не более 8 с. Для отпайки фланца от корпуса необхо-
димо провести локальный подогрев винта фланца.
15* «К
Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от то-
ка эмиттера
Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от то-
ка эмиттера
Зависимость коэффи-
циента комбинацион-
ной составляющей 3-го
порядка от выходной
мощности
Зависимость коэффи-
циента комбинацион-
ной составляющей 3-го
порядка от выходной
мощности
Зависимость коэффи-
циента комбинацион-
ной составляющей 3-го
порядка от выходной
мощности
Зависимость выходной
мощности от входной
мощности
Зависимость выходной мощности
от входной мощности
Зависимость выходной мощности
от входной мощности
Зависимость модуля коэффициента
передачи тока на высокой частоте
от тока коллектора
|Л»1
Зависимость модуля коэффициента
передачи тока на высокой частоте
от тока коллектора
2Т955А, КТ955А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
линейных широкополосных усилителях мощности на частотах
1,5...30 МГц при напряжении питания 28 В. Выпускаются в
металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Тип
прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 35 г.
Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элиз», г. Фрязино.
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте 30 МГц
при С/кэ = 28 В, не менее................ 20 Вт
Коэффициент усиления по мощности на ча-
стоте (= 30 МГц при РВых (по, = Ю Вт (двух-
тоновый сигнал), = 28 В, С/ЭБ = 0,66 В,
не менее................................. 20
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра на частоте ^-30 МГц, при РВЫХ(П0) = Ю Вт
(двухтоновый сигнал), Цэ = 28 В, иэъ = 0,66 В,
не менее................................. 25%
Коэффициент комбинационных составляющих
3-го и 5-го порядков на частоте /= 30 МГц
при Рвых (П0) = 10 Вт (двухтоновый сигнал),
6/кэ = 28 В, изь = 0,66 В, не более...... —33 дБ
типовое значение...................... —38* дБ
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В; /к = 1 А:
Гк =+25 °С...............г................ 10...80
2Т955А, КТ955А
типовое значение...................... 35*
Гк = +125 °С для 2Т955А............... 10...250
Гк = -60 'С для 2Т955А................ 5...80
Модуль коэффициента передачи тока на ча-
стоте / = 30 МГц при <4э = 5 В, 4 = 1 А,
не менее................................. 3,3
типовое значение...................... 10*
Емкость коллекторного перехода
при С/КБ = 28 В, Л= 1 МГц, не более...... 75* пФ
типовое значение...................... 60* пФ
Емкость эмиттерного перехода при иэь = 4 В,
/ = 1 МГц, не более...................... 320* пФ
типовое значение...................... 200* пФ
Входное полное сопротивление на частоте
/= 30 МГц при (по) = Ю Вт, ^кэ = 28 В,
типовое значение......................... 0,75 + /1,2* Ом
Обратный ток коллектор—эмиттер
при С/Кэ = 60 В, /?ЭБ = 10 Ом, не более:
Т = +25 °С............................ 10 мА
Г=+125°С.............................. 20 мА
Обратный ток эмиттера при С/ЭБ = 4 В,
не более................................. 10 мА
Индуктивность выводов, типовое значение:
эмиттерного.............................. 2* нГн
коллекторного....................... 2,6* нГи
базового............................ 2,4* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при < 10 Ом............................ 70 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 4 В
Постоянный ток коллектора.............. 6 А
Постоянный ток базы.................... 2 А
Степень рассогласования нагрузки
при Рвых (по, = 20 Вт в течение 1 с ... 30: 1
Средняя рассеиваемая мощность1 в динамиче-
ском режиме при 7"к +100 °С............ 20 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 6,07 °С/Вт
Температура р-л перехода............... +200 °С
Температура корпуса:
2Т955А.............................. +125 °С
КТ955Б.............................. +85 °С
Температура окружающей среды:
2Т955А................................. -60...Тк =
= +125 “С
КТ955А............................. —45...ТК =
= +85 “С
’ При Гк > +100 "С
ср м*кс = (200 - Гк)/6,07, Вт.
При пайке выводов температура корпуса не должна превы-
шать + 125 °С. При отсутствии контроля температуры корпуса
пайка производится паяльником, нагретым до +250 °С, в тече-
ние не более 8 с.
Зависимость коэффи-
циента усиления от вы-
ходной мощности
Зависимость коэффи-
циента полезного дей-
ствия от выходной
Мощности
Зависимость коэффи-
циента комбинацион-
ных составляющих от
выходной мощности
Зависимость модуля
коэффициента переда-
чи тока от тока коллек-
тора
Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
коллектора
Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тем-
пературы корпуса
Зависимость емкости коллекторно-
го перехода от напряжения коллек-
тор—база
Зависимость допустимого постоян-
ного тока коллектора от напряже-
ния коллектор—эмиттер
2Т956А, КТ956А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
линейных широкополосных усилителях мощности на частотах
1,5...30 МГц при напряжении питания 28 В. Выпускаются в
металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и мон-
тажным винтом. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 15 г.
Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элиз», г. Фрязино.
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте / = 30 МГц
при йуа = 28 В, не менее................ 100 Вт
2Т956А. КТ956А
Коэффициент усиления по мощности на ча-
стоте / = 30 МГц при Рвых (по) ~ 80 Вт (двух-
тоновый сигнал), 0^ = 28 В, их - 0,5 В,
не менее.................................. 20
типовое значение....................... 30*
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра на частоте /= 30 МГц при Р^х (П0) = 80 Вт
(двухтоновый сигнал), = 28 В, {/ЭБ = 0,5 В,
не менее.................................. 45%
Коэффициент комбинационных составляющих
3-го и 5-го порядков на частоте Г = 30 МГц
при Р^ т0) = 80 Вт (двухтоновый сигнал),
йкэ = 28 В, = 0,5 В, не более............. —33 дБ
типовое значение....................... -36* дБ
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при //кэ = 5 В, /к = 1 А:
Гк = +25 °С............................... 10...80
Гк = +125 °С для 2Т956А................ 10...250
Гк = -60 °С для 2Т956А................. 5...80
Модуль коэффициента передачи тока на ча-
стоте ? = 30 МГц при икэ = 5 В, /к = 1 А,
не менее.................................. 3,3
типовое значение....................... 5,2*
Емкость коллекторного перехода
при С/КБ = 28 В, /= 1 МГц, не более....... 400* пФ
типовое значение....................... 380* пФ
Емкость эмиттерного перехода при иэь = 4 В,
/= 1 МГц, не более........................ 1600* пФ
типовое значение....................... 1200* пФ
Входное полное сопротивление на частоте
/= 30 МГц при Рвых (П0) = 80 Вт, = 28 В,
типовое значение....................... 1,4 +/2,4* Ом
Обратный ток коллектор—эмиттер
при </кэ = 100 В, /?ЭБ =10 Ом, не более:
Т= +25 °С............................... 80 мА
Т=+125’С для 2Т956А................. 100 мА
Обратный ток эмиттера при 1/х = 4 В,
не более............................... 30 мА
Индуктивность выводов, типовое значение:
эмиттерного............................. 2,8* нГн
коллекторного....................... 2,6* нГн
базового............................ 2,8* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ 10 Ом......................... 100 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 4 В
Постоянный ток коллектора.............. 15 А
Постоянный ток базы.................... 5 А
Степень рассогласования нагрузки
при Рвых = 70 Вт в течение 1 с......... 30: 1
Средняя рассеиваемая мощность1 в динамиче-
ском режиме при Гк < +100 °С........... 70 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 1,68 °С/Вт
Температура р-п перехода............... +200 °С
Температура корпуса:
2Т956А.................................. +125 "С
КТ956А.............................. +85 °С
Температура окружающей среды:
2Т956А.................................. -6О...ТК =
= +125 °С
КТ956А.............................. -45... Тк =
= +85 вС
' При > +100 “С
Рг ср макс = (200 ~ ТУ/1,68, Вт.
Иэгиб выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса.
При пайке выводов температура корпуса не должна превы-
шать + 125 °С. При отсутствии контроля температуры корпуса
пайка производится паяльником, нагретым до +250 °С, в тече-
ние не более 8 с не ближе 1 мм от корпуса.
Кц/
Зависимость коэффи-
циента усиления от вы-
ходной мощности
Зависимость коэффи-
циента полезного дей-
ствия от выходной мощ-
ности
Зависимость коэффи-
циента комбинацион-
ных составляющих от
выходной мощности
Зависимость модуля
коэффициента пере-
дачи тока от тока кол-
лектора
Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от то-
ка коллектора
Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тем-
пературы корпуса
Зависимость емкости коллекторно-
го перехода от напряжения коллек-
тор—база
Зависимость допустимого постоян-
ного тока коллектора от напряже-
ние коллектор—эмиттер
2Т957А, КТ957А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
линейных широкополосных усилителях мощности на частотах
1,5...30 МГц при напряжении питания 28 В. Выпускаются в
металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и
монтажным винтом. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 15 г.
Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элиз», г. Фрязино.
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте ? = 30 МГц
при йю = 28 В, не менее................ 125 Вт
Коэффициент усиления по мощности на ча-
стоте /= 30 МГц при РВых (по) = 150 Вт (двух-
тоновый сигнал), {/кэ = 28 В, С/ЭБ = 0,45 В,
не менее............................... 17
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра на частоте / = 30 МГц при Рвь,х (П0) = 150 Вт
(двухтоновый сигнал), 4/кэ = 28 В, йэъ = 0,45 В,
не менее............................... 50%
Коэффициент комбинационных составляющих
3-го и 5-го порядков на частоте 30 МГц
при РВых (по) = 150 Вт (двухтоновый сигнал),
= 28 В, иэъ = 0,45 В, не более....... —33 дБ
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, /к = 5 А........... 10...80
типовое значение...................... 50*
Модуль коэффициента передачи тока на ча-
стоте / = 30 МГц при = 5 В, 4 = 5 А,
не менее................................. 3,3
Емкость коллекторного перехода
при ОКБ = 28 В, не более................. 600 пФ
типовое значение..................... 500* пФ
Емкость эмиттерного перехода при (/ЭБ = 4 В,
не более................................. 2250* пФ
типовое значение..................... 1900* пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при = 60 В, РЭБ = 10 Ом, не более........ 100 мА
Обратный ток эмиттера при (/ЭБ = 4 В,
не более................................. 30 мА
Полное входное сопротивление на частоте
= 30 МГц при Рвых(по) = 425 Вт, типовое
значение................................. 0,6 + /0,5* Ом
Индуктивность выводов, типовое значение:
эмиттерного............................... 1,4* нГн
коллекторного......................... 2* нГн
базового.............................. 2,2* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при Рю < 10 Ом......................... 60 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 4 В
Постоянный ток коллектора.............. 20 А
Постоянный ток базы.................... 7 А
Степень рассогласования нагрузки
при Рвых = 70 Вт в течение 1 с......... 30 : 1
Средняя рассеиваемая мощность1 в динамиче-
ском режиме при Гк < +100 ’С........... 100 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 1,42 ’С/Вт
Температура р-п перехода........;...... +200 ’С
Температура корпуса:
2Т957А................................. +125 ’С
КТ957А.............................. +85 ’С
’ При Гк > +100 ’С
ср. и*кс =(200 - Гк)/1,42, Вт.
Температура окружающей среды:
2Т957А................................. -6О...ГК =
= +125 °С
КТ957А.............................. —45...7"к =
= +85 °С
Изгиб выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса.
При пайке выводов температура корпуса не должна превы-
шать +125 "С. При отсутствии контроля температуры корпуса
пайка производится паяльником, нагретым до +250 °С, в тече-
ние не более 8 с не ближе 1 мм от корпуса.
Зависимость коэффи-
циента усиления от вы-
ходной мощности
Зависимость коэффи-
циента полезного дей-
ствия от выходной мощ-
ности
Зависимость коэффи-
циента комбинацион-
ных составляющих от
выходной мощности
Зависимость модуля
коеффициента переда-
чи тока от тока коллек-
тора
Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от то-
ка коллектора
Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тем-
пературы корпуса
Си,пФ
Зависимость емкости коллекторно-
го перехода от напряжения коллек-
тор—база
1ц1<вЯ'А
Зависимость допустимого постоян-
ного тока коллектора от напряже-
ние коллектор—эмиттер
2Т958А, КТ958А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
широкополосных усилителях мощности, умножителях частоты
и автогенераторах на частотах 50...200 МГц при напряжении
питания 12,6 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе
с полосковыми выводами. Внутри корпуса имеется согласую-
щее /.С-звено. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 7 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни
ковых приборов, г. Воронеж.
2Т958А, КТ958А
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте (= 175 МГц
при йкз = 12,6 В, Гк = +40 “С, не менее. 40 Вт
Коэффициент усиления по мощности на
частоте Г = 175 МГц при = 40 Вт,
(/кэ = 12,6 В, не менее................. 4
типовое значение..................... 6*
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра на частоте Г= 175 МГц при Рвых = 40 Вт,
(/кэ = 12,6 В, не менее................. 50%
типовое значение..................... 75*%
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 8 В, 4 = 500 мА,
не менее............................... 10*
типовое значение..................... 55*
Модуль коэффициента передачи тока на ча-
стоте Г= 100 МГц при 1/кэ = 10 В, /к = 3,5 А:
2Т958А, не менее........................ 4
типовое значение..................... 7*
К1958А, це менее..................... 3
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 500 мА, /Б = 190 мА, типовое значе-
ние..................................... 0,08* В
Критический ток коллектора на частоте
Г= 100 МГц при 14э = 10 В, типовое зна-
чение .................................. 20* А
Постоянная времени цепи обратной связи на
частоте Г= 5 МГц при ЦБ = 5 В, /э = 50 мА,
типовое значение........................ 12* пс
Емкость коллекторного перехода на частоте
Г= 30 МГц, при С4б = 28 В, не более..... 180 пФ
типовое значение..................... 130* пФ
Емкость эмиттерного перехода на частоте
/= 5 МГц при йэь = 0, не более.......... 2100 пФ
типовое значение..................... 1920* пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при 64э = 36 В, /?вэ = 10 Ом, не белее:
Т= +25 °С:
2Т958А.................................. 15 мА
КТ958А............................ 25 мА
Т= +125 °С для 2Т958А............... 30 мА
Обратный ток эмиттера при Чх ~ 4 В,
не более:
Т= +25 °С............................ 10 мА
Т= +125 ’С для 2Т958А................ 20 мА
Индуктивность внутреннего /.С-звена, типовое
значение................................ 0,52* нГн
Емкость внутреннего 1С-звена, типовое зна-
чение .................................. 1400* пФ
Индуктивность выводов при I = 1 мм:
эмиттерного.......................... 0,49* нГн
коллекторного........................ 1,6* нГн
базового............................. 0,6* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?ЭБ < 10 Ом........................ 36 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 4 В
Постоянный ток коллектора............... 10 А
Входная высокочастотная мощность........ 10 Вт
КСВН коллекторной цепи при Рвых < 30 Вт,
Тк « +40 °С............................. 5
Средняя рассеиваемая мощность' в динамиче-
ском режиме при Гк < +40 °С............. 85 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус... 1,4 °С/Вт
Температура р-п перехода................ +160 °С
Температура корпуса:
2Т958А.................................. +125 °С
КТ958А............................... +85 °С
Температура окружающей среды:
2Т958А.................................. -6О...ГК =
= +125 °С
КТ958А............................... —40... 7"к =
= +85 °С
' При Гк > +40 °С
Рк СР, макс = (160 - Гк)/1,4, Вт.
Шероховатость контактной поверхности теплоотводов дол-
жна не более 2,5. Неплоскостность контактной поверхности
теплоотводов должна быть не более 0,04 мм.
Тепловое сопротивление корпус—теплоотвод при нанесе-
нии теплоотводящей смазки типа КПТ—8 на поверхность те-
плоотвода транзистора не более 0,3 °С/Вт.
Пайка выводов допускается не ближе 1 мм от корпуса по
методике, не приводящей к нарушению конструкции и герме-
тичности транзистора, при температуре не выше +270 °С в
течение не более 5 с.
Электрическая схема транзистора
Зависимости выходной мощности
и коэффициента полезного дей-
ствия от входной мощности
Зависимости выходной мощности
и коэффициента полезного дей-
ствия от входной мощности
Зависимости выходной мощности
и коэффициента полезного дей-
ствия от напряжения коллектор—
эмиттер
Зависимости выходной
мощности и коэффици-
ента полезного дейст-
вия от входной мощно-
сти
Зависимость модуля
коэффициента пере-
дачи тока от тока кол-
лектора
Зависимость критиче-
ского тока от тока
коллектора
Тк.ПС
Ск.пФ_
Зависимость емкости коллекторно-
го перехода от напряжения коллек-
тор—база
Зависимость постоянной времени
цепи обратной связи от тока змит-
Зависимость емкости эмиттерного
перехода от напряжения база-
эмиттер
Зависимость допустимого постоян-
ного тока коллектора от напряже-
ния коллектор—эмиттер
КТ961А, КТ9616, КТ961В, КТ961Г
Транзисторы кремниевые планарные структуры п-р-п уси-
лительные. Предназначены для применения в усилителях и
импульсных устройствах. Корпус пластмассовый с жесткими
выводами.
Масса транзистора не более 0,8 г.
Изготовитель — завод «Искра», г. Ульяновск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
при 6/кэ = 10 В, 4 = 150 мА:
КТ961А.................................... 40...100
КТ961Б.................................... 63...160
КТ9618.................................... 100...250
КТ961Г.................................... 20...500
КТ96КА-В)
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 1/КБ = 10 В, /э = 30 мА,
не менее.............................. 50 МГц
Граничное напряжение при 4 = 20 мА,
не менее:
КТ961А............................. 80 В
КТ961Б............................. 60 В
КТ961В............................. 45 В
КТ961Г............................. 35 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 500 мА, /Б = 50 мА, не более.. 0,5 В
Обратный ток коллектора при = 60 В,
не более.............................. 10 мкА
Обратный ток эмиттера при (/ЭБ = 5 В,
не более.............................. 100 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ961А............................. 100 В
КТ961Б............................. 80 В
КТ961В............................. 60 В
КТ961Г............................. ДОВ
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
при /?БЭ 1 кОм, /к 1 мА:
КТ961А.......................... 100 В
КТ961Б.......................... 80 В
КТ961В.......................... 60 В
КТ961Г.......................... ДОВ
при /?БЭ = оо;
КТ961А.............................. 80 В
КТ961Б........................... 60 В
КТ961В........................... 45 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 5 В
Постоянный ток коллектора:
КТ961А, КТ961Б, КТ961В............... 1,5 А
КТ961Г............................... 2 А
Импульсный ток коллектора при ?и 30 мкс,
10:
КТ961А, КТ961Б, КТ961В............... 2 А
КТ961Г............................... ЗА
Постоянный ток базы..................... 0,3 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при 8 В < {/де < 12,5 В:
с теплоотводом1, Гк = —45...+40 ’С... 12,5 Вт
без теплоотвода2, Т = -45...+40 °С... 1 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус... 10 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—окружаю-
щая среда............................... 110 ’С/Вт
Температура р-п перехода................ +150 °С
Температура окружающей среды............ —45... Тк =
= +85 ’С
1 При Тк > +40 “С
2 При Т > +40 ’С
/’к.ся макс =(150- Гк)/10, Вт.
ся. макс =(150- Тк)/110, Вт.
Зависимость статического коэффи- Зависимости напряжения коллек-
циента передачи тока от тока кол- тор—эмиттер от сопротивления
лектора база—эмиттер
2Т964А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п усилительный линейный. Предназначен для приме-
нения в широкополосных усилителях мощности в диапазоне
30...80 МГц при напряжении питания 40 В. Выпускается в
металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и
монтажным винтом. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 10 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте / = 80 МГц
при йп = 40 В, не менее................... 150 Вт
Коэффициент усиления по мощности при
Рвых (ПО) = 150 Вт, ип = 40 В, <= 80 МГц.. 5...6*...8*
Коэффициент полезного действия коллектора
при Рвых (по) = 150 Вт, = 40 В, Г= 80 МГц... 40...50*...60*%
Коэффициент комбинационных составляющих
3-го и 5-го порядков при РВЫх<по) =150 Вт,
Щ = 40 В, Г = 80 МГц...................... -33*. -30*...
-27 дБ
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при С/КБ = 10 В, /к = 5 А...... 10... 15*...50*
Модуль коэффициента передачи тока на
высокой частоте при С/кэ = 20 В, /к = 2 А,
1= 30 МГц................................. 5...7*...10*
Емкость коллекторного перехода
при о = 40 В.............................. 220*...240*...
290 пФ
Емкость эмиттерного перехода при = 4 В,
не более.................................. 4000* пФ
Индуктивность выводов:
коллекторного............................. 1,6* нГи
базового............................... 1,9* нГн
змиттерного............................ 2,8* нГн
Входное полное сопротивление
при Рвыхио) = 150 Вт, / = 80 МГц.......... 0,78 +
+ /0,62* Ом
Последовательное активное сопротивление
эмиттера.................................. 0,15 Ом
Обратный ток коллектора при С/КБ 0 = 80 В,
не более:
7" =+25 °С................................ 100 мА
Т= -60 и +125 °С ...................... 150 мА
Обратный ток эмиттера при 1УЭЪ 0 = 4 В,
не более.................................. 500 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при Рэв = 10 Ом...................... 80 В
Постоянное напряжение эмиттер—база... 4 В
Постоянный ток коллектора .—......... 10 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
Гк +50 ’С............................ 200 Вт
Гк = +125 ’С......................... 100 Вт
Средняя рассеиваемая мощность в динамиче-
ском режиме:
Гк +50’С............................. 200 Вт
Гк = +125 ’С......................... 100 Вт
Входная мощность........................ 40 Вт
КСВН коллекторной цепи при Р^х = 100 Вт,
любой фазе рассогласования в течение 1 с.... 30
Тепловое сопротивление переход—корпус... 0,75 ’С/Вт
Температура р-п перехода................ +200 ’С
Температура окружающей среды............ —60... Гк =
= +125 ’С
Допускается работа транзистора в диапазоне частот 1...
30 МГц и свыше 80 МГц. При этом параметры Рвых, ^у|р, Г)к, М3
и М5 не регламентируются.
Пайка выводов допускается не ближе 2 мм при температу-
ре не выше +260 ’С в течение не более 8 с и ближе 2 мм при
температуре не выше +150 ’С.
Зависимости выходной
мощности от входной
мощности
Зависимость коэффици-
ента усиления по мощ-
ности от входной мощ-
ности
Зависимости коэффи-
циента комбинацион-
ной составляющей 3-го
и 5-го порядков от
входной мощности
Зависимость граничной частоты
от тока коллектора
Зависимость статического коэффи-
циента передачи тока от тока кол-
лектора
Область максимальных режимов
2Т965А, КТ965А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
линейных широкополосных усилителях мощности диапазона
частот 1,5.„30 МГц при напряжении питания 12,6 В. Корпус
металлокерамический с полосковыми выводами. Тип прибора
указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 6 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
Электрические параметры
Выходная мощность при 0^ = 12,6 В,
Т= 30 МГц, не менее......................... 20 Вт
Выходная мощность в пике огибающей вы-
ходного сигнала при С/кэ = 12,6 В, /, = 30 МГц,
/2 = + А/, А^ = 1...5 кГц, не менее......... 10 Вт
Коэффициент усиления по мощности
при Рвых(по) = 20 Вт, {/кэ = 12,6 В, /= 30 МГц. 13...30*...100*
Коэффициент усиления по мощности в режи-
ме двухтонового сигнала при РВых(по) = Ю Вт,
{/кэ = 12,6 В, = 30 МГц, /2 = + д/;
А/= 1...5 кГц............................... 30...150...450
Коэффициент полезного действия коллектора
при Рвых = 20 Вт, {/кэ = 12,6 В, Г = 30 МГц. 65...75*...90*%
Коэффициент полезного действия коллек-
тора в режиме двухтонового сигнала при
Рвых (по) = 1° Вт, ^кэ = 12,6 В, = 30 МГц,
<2 = + А4 А^= 1...5 кГц..................... 35...50*...70*%
Коэффициент комбинационных составляющих
3-го и 5-го порядков при Рвых (П0) = 10 Вт,
ию = 12,6 В, = 30 МГц, Г2 = /, + Д4
А/= 1...5 кГц............................... —45*...—34*...
-32 дБ
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 1/ю = 5 В, 4 = 1 А:
ТК = +25°С................................. 10...30*...60*
Т = Гмакс. не менее.................... Ю
Модуль коэффициента передачи тока на
высокой частоте при 1)^ = 5 В, /к = 1 А,
/ = 30 МГц................................. 3,3...4,2*...10*
Граничное напряжение при 4 = 0,05 А........ 18...5О*...8О* В
Емкость коллекторного перехода
при *4б = 12,6 В........................... 50*...70*...
100 пФ
Емкость эмиттерного перехода при = 4 В,
не более................................... 100*...200*...
350 пФ
Входное полное сопротивление на большом
сигнале при = 10 Вт, типовое значение 0,75 + /1,2* Ом
Обратный ток коллектор—эмиттер
при 44э = 36 В, /^э = 10 Ом, не более:
Т= +25 'С.............................. 10 мА
Г = Т’мдкс............................. 20 мА
Т ~ 7"мин................-............. 10 мА
Обратный ток эмиттера при 14, = 4 В,
не более................................... 10 мА
Индуктивность выводов, типовое значение:
эмиттерного................................ 2* нГн
базового............................... 2,4* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания......................... 12,6 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 10 Ом........................... 36 В
Постоянное напряжение база—эмиттер......... 4 В
Постоянный ток коллектора.................. 4 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Т’к = ГКкИН...+30 °С............. 32 Вт
Рассеиваемая мощность в режиме усиления
высокочастотного сигнала при С4э = 12,6 В.... 30 Вт
Входная мощность1 2 при /=30 МГц........... 2 Вт
Входная мощность2 в режиме двухтоно-
вого сигнала при = 30 МГц, /2 = + Л/,
Д/= 1...5 кГц.............................. 0,5 Вт
1 При Гк = +30 *С... Гк мощность снижается линейно до 13 Вт.
2 Допускается превышение мощности в 3 раза на время не более 50 мс.
Время рассогласования нагрузки
при КСВН 30 : 1:
Рвых = 20 Вт, ип = 12,6 В, Гк +80 ’С..... 1 с
Яых (по, = Ю Вт, ип = 12,6 В, Гк +80 °С. 5 с
Минимальная рабочая частота.............. 1,5 МГц
Температура р-п перехода................. +200 °С
Температура окружающей среды:
2Т965А................................... -6О...ГК =
= +125 °С
КТ965А................................ —45...ГК =
= +100 °С
Входные характери-
стики
Зависимости тока эмит-
тера от напряжения ба-
за—эмиттер
Выходные характери-
стики
Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от то-
ка коллектора
Зависимости напряже-
ний насыщения коллек-
тор—эмиттер и база—
эмиттер от тока базы
Зависимость модуля
коэффициента переда-
чи тока от тока коллек-
тора
Зависимости выходной
мощности, коэффици-
ента усиления и коэф-
фициента полезного
действия от напряже-
ния питания
Зависимости коэффи-
циента усиления и ко-
эффициентов комбина-
ционных составляющих
от выходной мощности
Сз.пФ
400
500
200
100
/ > и63.в
2Т965А.КТ965А
ы'мГц
Зависимость емкости эмиттерного
перехода от напряжения база—
эмиттер
Зависимость емкости
коллекторного перехо-
да от напряжения кол-
лектор—база
2Т966А, КТ966А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
линейных широкополосных усилителях мощности диапазона
частот 1,5...30 МГц при напряжении питания 12,6 В. Корпус
металлокерамический с полосковыми выводами. Тип прибора
указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 6 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
Электрические параметры
Выходная мощность при 1/кэ = 12,6 В,
/= 30 МГц, не менее....,................... 40 Вт
Выходная мощность в пике огибающей вы-
ходного сигнала при С/кэ = 12,6 В, Л, = 30 МГц,
Л2 = + АЛ, АЛ = 1...5 кГц, не менее........ 30 Вт
Коэффициент усиления по мощности
при РВых(по) = 40 Вт, 4/кэ = 12,6 В, /= 30 МГц. 16...30*...60*
Коэффициент усиления по мощности в режи-
ме двухтонового сигнала при Рвых (П0) = 30 Вт,
^кэ = 12,6 В, Л, = 30 МГц, Л2 = Л, +
АЛ= 1...5 кГц.............................. 20...45*...100*
Коэффициент полезного действия коллектора
при Рвых = 40 Вт, {/кэ = 12,6 В, /= 30 МГц. 55...65*...70*%
Коэффициент полезного действия коллек-
тора в режиме двухтонового сигнала при
Рвых (по) = 30 Вт, = 12,6 В, Л = 30 МГц,
Г2 = Л + АЛ, АЛ= 1...5 кГц................. 35...40*...50*%
Коэффициент комбинационных составляющих
3-го и 5-го порядквв при Рвых (П0) = 30 Вт,
Цо = 12,6 В, Л, = 30 МГц, Л2 = Л, + АЛ,
АЛ = 1...5 мГц............................. —45*...—34*...
-32 дБ
Модуль коэффициента передачи тока на
высокой частоте при = 5 В, /к = 1 А,
<=30 МГц.................................. 3,3...5,2*...1О*
Емкость коллекторного перехода
при ^КБ = 12,6 В............................ 150*...220*...
250 пФ
Емкость эмиттерного перехода при = 4 В . 800*... 1300*...
2000 пФ
Входное полное сопротивление транзистора
на большом сигнале при Рвых (П0) = 30, типо-
вое значение................................ 1,2+/0,7* Ом
Обратный >ок коллектор—эмиттер
при = 36 В, /?ы = 10 Ом, не более:
7" =+25 °С.................................. 23 мА
Т = 7"макс.............................. 15 мА
Т" = Тмин............................... 15 МА
Обратный ток эмиттера при иъз = 4 В,
не более.................................... 150 мА
Индуктивность выводов, типовое значение:
эмиттерного................................. 1,25* нГн
базового................................ 2* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания..................... 12,6 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?бэ = Ю Ом........................ 36 В
Постоянное напряжение база—эмиттер..... 4 В
Постоянный ток коллектора.............. 8 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’ при Гк +30 °С.................... 64 Вт
Рассеиваемая мощность в режиме усиления
высокочастотного сигнала* 2 при 6/ю = 12,6 В,
Гк = +30 °С............................ 70 Вт
Входная мощность в режиме двухтоно-
вого сигнала при /= 30 МГц, =
А/ = 1...5 кГц......................... 2,5 Вт
’ При Т* = +ЗО...+125 °С Рк НАКС определяется по формуле
Т’к нмс = (20° ~ Г,)/Я, „_К), Вт,
где Ят |П_К) определяется из области максимальных значений.
2 При Гк = +8О...+ 125 ’С Рг д,, „ди,- определяется по формуле
Тк дин макс ~ (200 — 7к)/2,26, Вт.
Входная мощность при /=30 МГц............ 3,5 Вт
Температура р-п перехода................. 200 ’С
Время рассогласования нагрузки
при КСВН 30: 1:
Рвых = 40 Вт, Щ = 12,6 В, Гк = +80 ’С. 1 с
Рвых (по» = 30 Вт, ип = 12,6 В, Тк = +80 ’С . 5 с
Минимальная рабочая частота.............. 1,5 МГц
Температура окружающей среды:
2Т966А................................ -6О...ГК =
= +125 ’С
КТ966А................................ —45...ГК =
= +100 ’С
При конструировании аппаратуры следует учитывать воз-
можность самовозбуждения транзистора за счет паразитных
связей.
Распайка выводов осуществляется при температуре не выше
+260 ’С в течение времени не более 8 с.
Допускается работа транзисторов на рассогласованную
нагрузку при любом значении коэффициента стоячей волны
напряжения (по модулю и фазе) и условии непревышения
предельных режимов эксплуатации.
Входные характери- Зависимости тока эмит- Выходные характери-
стики тера от напряжения ба- стики
за—эмиттер
Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициен-
та передачи тока от то-
ка коллектора
Зависимости напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эмиттер и база-
эмиттер от тока базы
Зависимость модуля
коэффициента пере-
дачи тока от тока
коллектора
Зависимости выходной
мощности, коэффици-
ента усиления и коэф-
фициента полезного
действия от напряже-
ния питания
Зависимость коэффи-
циентов комбинацион-
ных составляющих от
выходной мощности
Зависимость емкости
коллекторного перехо-
да от напряжения кол-
лектор—база
Зависимость емкости эмиттерного Область максимальных режимов
перехода от напряжения база—
эмиттер
2Т967А, КТ967А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
линейных широкополосных усилителях мощности диапазона
частот 1,5...3О МГц при напряжении питания 12,6 В. Выпуска-
ются металлокерамический корпусе с полосковыми выводами
и монтажным винтом. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 16 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте /= 30 МГц,
при' Укэ = 12,6 В, не менее............... 90 Вт
Выходная мощность на частоте ? = 30 МГц
(двухтоновый сигнал), при Цо = 12,6 В,
не менее.................................. 70 Вт
Коэффициент усиления по мощности на ча-
стоте Г - 30 МГц при Цо ~ 12,6 В, Рвых = 90 Вт,
не менее................................. 18
типовое значение....................... 30*
Коэффициент усиления по мощности на ча-
стоте / = 30 МГц (двухтоновый сигнал) при
Рвых ₽к>) - 90 Вт, 44э = 12,6 В, не менее. 20
типовое значение....................... 35*
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра на частоте = 30 МГц при Рвых = 40 Вт,
не менее.................................. 60%
типовое значение........................ 70*%
Коэффициент комбинационных составляющих
3-го и 5-го порядков на частоте /= 30 МГц
при Рвых (по» = 70 Вт (двухтоновый сигнал),
не более................................. —32 дБ
типовое значение...................... —36* дБ
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, 4 = 5 А.—.......... 10...100
типовое значение...................... 30*
Модуль коэффициента передачи тока на
высокой частоте (= 30 МГц при = 5 В,
4 = 1 А, не менее....................... 6
типовое значение...................... 8*
Емкость коллекторного перехода
при С/кб = 12,6 В, /' = 1 МГц, не более.. 500 пФ
типовое значение...................... 350* пФ
Емкость эмиттерного перехода при (/ЭБ = 4 В,
/= 1 МГц, не более.................... — 2500* пФ
типовое значение..............—....... 1500* пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при {/о - 36 В, /?эб = 10 Ом, не более.-. 20 мА
Обратный ток эмиттера при = 4 В,
не более................................. 150 мА
Входное полное сопротивление на частоте
/- 30 МГц при = 70 Вт, типовое зна-
чение ............................. — 0,9 + у 1,1* Ом
Индуктивность выводов, типовое значение:
эмиттерного............................. 2* нГн
базового.............................. 2,2* нГи
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при Ри < 10 Ом........................... 36 В
Постоянное напряжение эмиттер—база....... 4 В
Постоянный ток коллектора................ 15 А
Входная ВЧ мощность...................... 8 Вт
Степень рассогласования нагрузки в течение
1 с на частоте 7= 30 МГц, Рвых < 90 Вт. 30: 1
Средняя рассеиваемая мощность1 в динамиче-
ском режиме при Гк < +35 °С.............. 100 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус.... 1,7 “С/Вт
Температура р-п перехода................. +200 °С
’ При 7К > +35 ’С
/»к ср макс = (200 “ ^>/1,7, Вт.
Температура корпуса:
2Т967А................................. +125 ’С
КТ967А.............................. +100 ‘С
Температура окружающей среды:
2Т967А................................. -60.-7; =
= +125 “С
КТ967А.............................. —45—Тк =
= +100 ’С
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 2 мм
от корпуса при температуре не выше +260 ’С в течение не
более 8 с.
Зависимость выходной
мощности от напряже-
ния коллектор—эмит-
тер
Зависимость коэффи-
циента усиления от вы-
ходной мощности
Зависимость коэффи-
циента усиления от на-
пряжения коллектор-
эмиттер
Зависимость коэффи-
циента комбинацион-
ных составляющих от
выходной мощности
Зависимость коэффи-
циента полезного дей-
ствия от напряжения
кол лектор—эм иттер
Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от то-
ка коллектора
Зависимость модуля
коэффициента пере-
дачи тока от тока кол-
лектора
Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эмиттер от тока
базы
Зависимость напряже-
ния насыщения база—
эмиттер от тока базы
Зависимость емкости
коллекторного перехо-
да от напряжения кол-
лектор—база
Зависимость емкости
эмиттерного перехода
от напряжения база-
эмиттер
Зависимость допусти-
мого постоянного то-
ка коллектора от на-
пряжения коллектор-
эмиттер
2Т968А, 2Т968А-5
Транзисторы кремниевые планарные структуры п-р-п уси-
лительные. Предназначены для применения в широкополос-
ных линейных усилителях. Транзистор 2Т968А выпускается в
металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибки-
ми выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Транзи-
стор 2Т968А—5 выпускается в виде неразделенных кристаллов
на пластине с контактными площадками для гибридных инте-
гральных микросхем. Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 1,5 г,
кристалла не более 0,01 г.
Изготовитель — завод «Искра», г. Ульяновск.
2Т968А
6.6
15.5
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при Цо = 10 В:
Т= -60...+25 "С, /к = 30 мА.............. 35...75*...320*
Г= +25 *С, 4 = 1 мА...................... 25...40*...150*
Т- +125 °С, 4 = 30 мА, не менее.......... 20
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 64э = 10 В, 4 = 15 мА.... 90...129*...
180* МГц
Граничное напряжение при 4 = Ю мА,
не менее..................................... 250 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 30 мА, /Б = 6 мА................ 0,12*„0,22*...
1 В
Время включения при = 50 В, /к = 30 мА,
/Б = 6 мА, не более...................... 0,2* мкс
Время выключения при (/Кэ = 50 В, /к = 30 мА,
4 = 6 мА, (4ЫКЛ = ГРАС + ?сп), не более. 1,5* + 0,5* мкс
Емкость коллекторного перехода
при (/КБ = 30 В......................... 2*...2,2*...
2,8 пФ
Емкость эмиттерного перехода при (^Б = 3 В,
не более................................ 30 пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при Цо = 250 В, Рьэ = 1 кОм, не более:
Т= —60...+25 ’С...................... 0,5 мкА
Гк =+125’С........................... 1 мкА
Обратный ток коллектора:
при 64в - 250 В, не более............ 0,5 мкА
типовое значение..................... 0,05* мкА
при 6/^ = 300 В, не более............ 100 мкА
Обратный ток эмиттера:
при 6/эв = 3 В, не более................ 0,5 мкА
типовое значение..................... 0,04* мкА
при их = 5 В, не более............... 100 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база.... 300 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при Яю = 1 кОм.......................... 250 В
Постоянное напряжение база—эмиттер...... 5 В
Постоянный ток коллектора.....-......... 100 мА
Импульсный ток коллектора............... 200 мА
Постоянный ток базы..................... 50 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
с теплоотводом, Гк = —60...+40 ’С* .. 4 Вт
без теплоотвода, Т — —60...+25 ’С2... 0,8 Вт
1 При 7К > +40 ’С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
Як. макс = (150 - Гк)/27,5, Вт.
2 При 7^ >+25 ’С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
Як. м*кс =(150 - 7)/156, Вт.
Тепловое сопротивление переход—корпус... 27,5 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—среда.... 156 ’С/Вт
Температура р-п перехода ............... +150 ’С
Температура окружающей среды............ —60... Тк =
= +125 ’С
Технология монтажа транзистора 2Т968А-5 в гибридную
схему, применяемые детали и материалы должны обеспечить
значение теплового сопротивления переход—корпус собран-
ного в гибридную схему транзистора не более 27,5 ’С/Вт.
Разделение пластин на кристаллы производить по разде-
лительным дорожкам, чтобы линия реза была ровной, без
сколов и трещин и была по середине между двумя рядами
структур. Посадку кристалла на подложку осуществлять эвтек-
тической пайкой. Температура пайки +385 ± 15 ’С.
Соединение контактных площадок кристалла (эмиттера,
базы) с гибридной схемой производить ультразвуковой свар-
кой проволокой А995Д по ТУ 48—21—574—77 толщиной 40 мкм.
После монтажа кристалл покрыть компаундом марки ГК ЫУО.
028.021 ТУ.
Зависимости электрических параметров 2Т968А—5 анало-
гичны зависимостям 2Т968А.
Входные характери-
стики
Зона возможных поло-
жений зависимости на-
пряжения насыщения
коллектор—эмиттер от
тока коллектора
Зависимость тока кол-
лектора от напряжения
база—эмиттер
Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициен-
та передачи тока от то-
ка коллектора
Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициен-
та передачи тока от тем-
пературы перехода
Зона возможных поло-
жений зависимости мо-
дуля коэффициента пе-
редачи тока от тока
коллектора
Зависимость допустимого постоян-
ного напряжения коллектор—эмит-
тер от сопротивления база—змиттер
Зависимость емкости коллекторно-
го перехода от напряжения коллек-
тор-база
Область максимальных режимов
Зависимость допустимой импульс-
ной рассеиваемой мощности кол-
лектора от длительности импульса
КТ969А, КТ969А-5
Транзисторы кремниевые планарные структуры п-р-п уси-
лительные. Предназначены для применения в выходных каска-
дах видеоусилителей телевизионных приемников. Транзистор
КТ969А выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими
выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Транзистор
КТ969А—5 выпускается в виде неразделенных кристаллов на
пластине с контактными площадками для гибридных интеграль-
ных микросхем. Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в пластмассовом корпусе не более 0,8 г,
кристалла не более 0,01 г.
Изготовители — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск, завод «Искра», г. Ульяновск.
КТ969А
КТ969А-5
4М
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 6/ю = 10 В, /к = 15 мА:
Т= +25...+85 ’С....................... 50...100*..250*
Т = -45 ’С, не менее.................. 25
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при (/ю = 10 В, /к = 15 мА,
не менее................................. 60 МГц
типовое значение...................... 100* МГц
Граничное напряжение при 4 = Ю мА>
не менее................................. 250 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 15 мА, 4 = 3 мА.................. 0,2*...0,25*...
1 В
Емкость коллекторного перехода
при (/кв = 30 В.......................... 1,4* ..1,5* ..
1,8 пФ
Обратный ток коллектора при (/кв = 200 В,
не более................................. 50 нА
Обратный ток эмиттера при </ЭБ = 3 В,
не более................................. 50 нА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база..... 300 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при Яю = 00.............................. 250 В
Постоянное напряжение база—эмиттер....... 5 В
Постоянный ток коллектора................ 100 мА
Импульсный ток коллектора при Ги = 100 мс,
0= 100................................... 200 мА
Постоянный ток базы...................... 50 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1:
с теплоотводом, Гк = —45...+25 ’С..... 6 Вт
без теплоотвода, Т = —45...+25 ’С..... 1 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус.... 21 ’С/Вт
Тепловое сопротивление переход—среда..... 125 ’С/Вт
Температура р-п перехода................. +150 ’С
Температура окружающей среды............. —45...+85 ’С
1 При > +25 ’С максимально допустимая постоянная рассеиваемая
мощность коллектора рассчитывается по формуле
^,м*кс= <150 - ГЧ(Г))//?Т, Вт.
Изгиб выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса
транзистора только в направлении, перпендикулярном плоско-
сти выводов. Радиус изгиба не менее 1,5 мм.
Пайка выводов рекомендуется при температуре +250 ’С в
течение времени не более 3 с не ближе 6 мм от корпуса
транзистора.
При эксплуатации транзисторов следует учитывать воз-
можность их самовозбуждения.
Зависимости электрических параметров КТ969А—5 анало-
гичны зависимостям КТ969А.
Входные характеристики
Зависимость напряжения насыще-
ния коллектор—эмиттер от тока
Зависимость емкости коллекторно-
го перехода от напряжения коллек-
тор—база
Зависимость модуля коэффициента
передачи тока от тока коллектора
Область максимальных режимов
Зона возможных положений зависи-
мости статического коэффициента
передачи тока от тока коллектора
2Т971А, КТ971А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
усилителях мощности, умножителях частоты и автогенерато-
рах на частотах 50...200 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми
выводами. Внутри корпуса имеется согласующее ДС-звено.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 9 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте /= 175 МГц
при Тк +40 °С, Ц& = 28 В, не менее...... 150 Вт
Коэффициент усиления по мощности на часто-
те /= 175 МГц при 6/кэ = 28 В, = 150 Вт,
не менее................................ 3
типовое значение..................... 5*
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра на частоте /= 175 МГц при 1!^ = 28 В,
Рвых = 150 Вт, не менее................. 55%
типовое значение..................... 75*%
Модуль коэффициента передачи тока на ча-
стоте /= 100 МГц при Ццэ = 10 В, 4 = 8 А,
не менее................................ 2,2
типовое значение..................... 4*
2Т971А КТ971А
Критический ток коллектора на частоте
/= 100 МГц при Цо = 10 В, не менее....... 30 А
типовое значение...................... 40* А
Постоянная времени цепи обратной связи на
частоте / = 5 МГц при Ц<в = 10 В, 4 ~ 0,5 А,
не более............ 40 пс
типовое значение...................... 20* пс
Емкость коллекторного перехода
при Цф = 28 В, /= 30 МГц, не более....... 330 пФ
типовое значение...................... 240* пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при Цо = 50 В, /?кэ = 10 Ом, не более:
Т= +25 ’С................................ 60 мА
Т= +85 ’С для КТ971А.................. 120 мА
Т= +125 ’С для 2Т971А................. 120 мА
Обратный ток эмиттера при <4 = 4 В,
не более:
Г =+25’С................................. 30 мА
Т= +85 ’С для КТ971А.................. 60 мА
7 = +125 ’С для 2Т971А................ 60 мА
Индуктивность внутреннего ДС-звена, типовое
значение................................. 0,36* нГн
Емкость внутреннего ДС-звена, типовое зна-
чение ................................... 2000* пФ
Индуктивность выводов, типовое значение:
эмиттерного.............................. 0,18* нГн
коллекторного......................... 0,1* нГн
базового.............................. 0,56* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?эе 10 Ом.......................... 50 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 4 В
Постоянный ток коллектора............... 17 А
Входная высокочастотная мощность........ 50 Вт
КСВН коллекторной цепи при < 24 В,
+50 "С, /=175 МГц:
Рвых 85 Вт (в течение 3 с).......... 10
Рвых 00 Вт (длительное время)........ 3
Средняя рассеиваемая мощность1 в динамиче-
ском режиме при Гк < +40 ’С............. 200 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус... 0,6 ’С/Вт
Температура р-п перехода................ +160 ’С
Температура корпуса:
2Т971А.................................. +125'С
КТ971А............................... +85 ’С
Температура окружающей среды:
2Т971А................................... -60...Тк =
= +125 ’С
КТ971А............................... —4О...ТК =
__________ = +85 ’С
1 При Гк > +40 ’С
РК. СТ. МАКС = (160 - Вт-
Изгиб выводов транзистора допускается не ближе 3 мм от
корпуса.
Пайка выводов допускается не ближе 1 мм от корпуса
транзистора при температуре +260 ’С в течение 4 с.
Электрическая схема транзистора
Зависимости выходной мощности
и коэффициента полезного дей-
ствия от входной мощности
Зависимость коэффициента усиле-
Зависимость модуля коэффициента
ния от частоты
передачи тока от тока коллектора
Зависимость критиче-
ского тока от напряже-
ния коллектор—эмит-
тер
Зависимость емкости
коллекторного перехо-
да от напряжения кол-
лектор—база
Зависимость допусти-
мого постоянного то-
ка коллектора от на-
пряжения коллектор-
эмиттер
КТ972А, КТ972Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п усилительные. Предназначены для применения в
выходных каскадах систем автоматики. Корпус пластмассовый
с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Изготовитель — завод «Транзистор», г. Минск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в
схеме ОЭ при 6/КБ = 10 В, /э = 1 мА, не менее:
Г=+25 °С......................... 750
Г =+85 °С.......................... 900
Т= -45 °С.......................... 600
КТ972(А,Б)
Модуль коэффициента передачи тока на
высокой частоте при С4э = 10 В, 4 = 1 А,
/= 100 МГц, не менее................... 2
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 500 мА, 4 = 50 мА, не более.... 1,5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 500 мА, 4 = 50 мА, не более.... 2,5 В
Время рассасывания при 4 ~ 500 мА,
4 = 50 мА, не более.................... 200 нс
Обратный ток коллектор—эмиттер при
^4э я = ^кэ я, макс, ^бэ = кОм, не более:
Т= —45...+25 ’С..................... 1 мА
Г=+85°С............................. 10 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ972А............................. 60 В
КТ972Б............................. 45 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?бэ С 1 кОм:
КТ972А.............•............... 60 В
КТ972Б............................. 45 В
Постоянное напряжение база—эмиттер.... 5 В
Постоянный ток коллектора............. 4 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Гк = —45...+25 °С........... 8 Вт
’ При Гк = +25...4-85 *С рассчитывается по формуле
як.макс= (150 “ Гк)/15,6, Вт.
Талловое сопротивление переход—корпус 15,6 ’С/Вт
Температура р-п перехода................ +150 ’С
Температура окружающей среды............ —45... Тк =
= +85 ’С
Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 5 мм
от корпуса при температуре припоя +260 ’С в течение не
более 4 с, время лужения выводов не более 2 с. Допускается
только одна перепайка. Шероховатость контактной поверхности
теплоотвода 0,016.
При монтаже транзистора на теплоотвод крутящий момент
при прижиме должен быть не более 80 Н * см (8 кг * см).
Допустимое значение статического потенциала 1000 В.
Зона возможных положений зави-
симости статического коэффициен-
та передачи тока от тока эмиттера
Зона возможных положений зави-
симости напряжения насыщения
коллектор—эмиттер от тока кол-
лектора
Электрическая схема транзисторов
КТ972А, КТ97Ж
2Т978А, 2Т978Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п переключательные. Предназначены для применения
в переключающих устройствах. Корпус металлический со сте-
клянными изоляторами и жесткими выводами.
Масса транзистора не более 20 г.
Изготовитель — завод «Искра», г. Ульяновск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при Ц, = 5В, 4 = 5 А, не менее:
7 =+25’С........................... 16
7К =+125 и-60’С.................... 8
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = Ю В, 4 = 2 А.... 75 МГц
Граничное напряжение при 4 = 0,1 А,
не менее
7 = -60...+25 ’С:
2Т978А.......................... 120 В
2Т978Б.......................... 160 В
7 = +126 ’С:
2Т978А.......................... 100 В
2Т978Б.......................... 130 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 5 А, 4 = 0,5 А, не более..... 1 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 5 А, 4 = 0,5 А, не более......... 2 В
Время включения при = 50 В, 4 = 5 А,
4 = 0,5 А, не более...................... 0,2 мкс
Время рассасывания при = 50 В, 4 = 5 А,
4 = 0,5 А, не более...................... 1,2 мкс
Время спада при = 50 В, 4 = 5 А,
4 = 0,5 А, не более...................... 0,3 мкс
Емкость коллекторного перехода
при С4в ~ 50 В, не более................. 120 пФ
Емкость эмиттерного перехода при С4э = 0,
не более................................. 4500 пФ
Обратный ток коллектора, не более:
при Т= +25 "С, Це = 300 В............. 2 мА
при Гк = —60 и +125 ’С, 14б ~ 250 В... 5 мА
Обратный ток эмиттера при С4э = 5 В...... 20 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база’
при Тк = -40...+75 ’С.................. 300 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер’
при /?ю = 10 Ом, Тк = -40...+75 'С..... 300 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при = 10 Ом, 4> > 0,2 мкс.............. 150 В
Постоянное напряжение база—эмиттер..... 5 В
Постоянный ток коллектора.............. 10 А
Импульсный ток коллектора.............. 15 А
Постоянный ток базы.................... 2 А
Импульсный ток базы.................... 5 А
Постоянная рассеиваемая2 мощность
при Тк = -60...+25 ’С.................. 40 Вт.
Температура р-п перехода............... +150 ’С
Температура корпуса.................... +125 ’С
Температура окружающей среды........... —60... Тк =
= +125 ’С
’ При Т = —40...—60 "С и Т = +75...+ 125 *С цу, и Ц<эв мдкс снижается
линейно до 250 В.
2 При Гк = +25...+ 125 ’С Рк.нлкс снижается линейно до 8 Вт при Цэ < 20 В,
а при 6/кэ > 20 В — а соответствии с областью безопасной работы.
Допустимое значение статического потенциала 2 кВ.
Выходные характери-
стики
Входные характери-
стики
Зависимость тока эмит-
тера от напряжения ба-
за—эмиттер
Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициен-
та передачи тока кол-
лектора
Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор—змиттер от тока
базы
Зависимость напряже-
ния насыщения база—
эмиттер от тока кол-
лектора
Зависимость модуля
коэффициента переда-
чи тока от тока -кол-
лектора
Зависимость допусти-
мого постоянного на-
пряжения коллектор—
эмиттер от сопротивле-
ния база—эмиттер
Зависимости времени
включения и выключе-
ния от тока коллектора
Ск.пФ
Зависимость емкости коллекторно-
го перехода от напряжения коллек-
тор—база
Сз.пФ
Зависимость емкости эмиттерного
перехода от напряжения база—
эмиттер
Области максимальных режимов
2Т980А, 2Т980Б, КТ980А, КТ980Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п усилительные линейные. Предназначены для при-
менения в широкополосных усилителях мощности: 2Т980А,
КТ980А в диапазоне частот 1,5...30 МГц, 2Т98ОБ, КТ980Б в
диапазоне частот 30...80 МГц при напряжении питания 50 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми
выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 15 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
' Электрические параметры
Выходная мощность при 4/п = 50 В для
2Т980А, КТ980А при Г= 30 МГц, для 2Т980Б,
КТ980Б при Т= 80 МГц, не менее........... 250 Вт
2Т98МА.Б). КТ980(А.Б)
Выходная мощность в пике огибающей при
М, = 50 В для 2Т980А, КТ980А при Г= 30 МГц,
для 2Т980Б, КТ980Б при / = 80 МГц, не менее 250 Вт
Коэффициент усиления по мощности 2Т980А
при ип = 50 В, = 250 Вт, Г= 30 МГц........... 16...25*...30*
Коэффициент усиления по мощности в пике
огибающей при Рвых <по) = 250 Вт, 4/п = 50 В:
2Т980А, КТ980А, Г= 30 МГц................ 25...30*...35*
2Т980Б, КТ980Б, Г= 80 МГц................ 5...7*...10*
Коэффициент полезного действия коллек-
тора 2Т980А при Рвых = 250 Вт, 4/п = 50 В,
Г = 30 МГц, типовое значение................. 60*%
Коэффициент полезного действия в пике оги-
бающей при Рвых (по) = 250 Вт, ип = 50 В:
2Т980А, КТ980А, /= 30 МГц................ 35...40*...60*%
2Т980Б, КТ980Б, Г= 80 МГц................ 30...55*...60*%
Коэффициент комбинационных составляющих
3-го и 5-го порядков при Рвых (по) = 250 Вт,
(7П = 50 В:
2Т980А, КТ980А, 30 МГц, не более..... —30 дБ
2Т980Б, КТ980Б, Г= 80 МГц................ -30*...-28*...
"27 дБ
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 4/кэ = 20 В, 4 = 9 А..... 150...210*...
270* МГц
Граничное напряжение при 4 ~ 200 мА.......... 50...65*...80 В
Входное полное сопротивление на большом
сигнале при (П0) = 250 Вт, 4/п = 50 В:
2Т980А, КТ980А, Г= 30 МГц................ 0,62 +
+ /0,37* Ом
2Т980Б, КТ980Б, Г= 80 МГц............. 0,2 + /0,3* Ом
Емкость коллекторного перехода
при 4/кбо = 50 В......................... 300* ..350*...
450 пФ
Емкость эмиттерного перехода при 4/ЭБ0 = 0... 13000*...14000*
...15000 пФ
Индуктивность выводов, типовое значение:
эмиттерного.............................. 1,6* нГн
базового.............................. 1,9* нГн
Конструктивные емкости:
эмиттер—корпус........................... 3,7* пФ
коллектор—корпус...................... 3,7* пФ
база—корпус........................... 1,1* пФ
Сопротивление изоляции между любыми вы-
водами и корпусом, типовое значение...... 1 МОм
Обратный ток коллектора при Ц& = 100 В,
/?эв = 10 Ом, не более................... 100 мА
Гк = +125 ’С.......................... 200 мА
Г=-60’С............................... 200 мА
Обратный ток эмиттера при = 4 В,
не более................................. 500 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания............ 50 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?эв =10 Ом.......................... 100 В
Постоянное напряжение эмиттер—база....... 4 В
Постоянный ток коллектора................ 15 А
Постоянный ток базы...................... 5 А
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Т = —60... Гк = +30 ’С............... 300 Вт
при Гк = +125 ’С...................... 135 Вт
Входная мощность:
2Т980А, КТ980А........................... 16 Вт
2Т980Б, КТ980Б........................ 60 Вт
Входная мощность в пике огибающей:
2Т980А, КТ980А........................... 16 Вт
2Т980Б, КТ980Б........................ 50 Вт
КСВН коллекторной цепи при РВых(по) = 100 Вт,
времени рассогласования, равном 1 с, и любой
фазе коэффициента отражения.............. 30
Тепловое сопротивление переход—корпус... 0,57 ’С/Вт
Температура р-п перехода............... +200 ’С
Температура окружающей среды........... —60... Гк =
= +125 ’С
Допускается работа транзистора 2Т980Б в диапазоне ча-
стот 5...30 МГц: при этом рассеиваемая мощность транзистора
не должна превышать 0,8 номинальной мощности.
Изгиб выводов транзисторов допускается не ближе 3 мм
от корпуса. Крутящий момент на монтажном винте должен
быть не более 0,25 кг/см.
Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 2 мм
от корпуса при температуре не выше +260 ’С в течение време-
ни не более 8 с.
Допустимый статический потенциал 1000 В.
Выходные характеристики
Зависимости коэффициента усиле-
ния по мощности от напряжения
питания
Зависимости коэффициента усиле-
ния по мощности от напряжения
питания
Зависимости коэффи-
циента усиления по
мощности от выход-
ной мощности
Зависимости коэффи-
циента усиления по
мощности от выход-
ной мощности
Зависимости коэффи-
циента комбинацион-
ной составляющей 3-го
порядка от выходной
мощности
Зависимости коэффи-
циента комбинацион-
ной составляющей 3-го
порядка от выходной
мощности
Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от то-
ка коллектора
Зависимость модуля
коэффициента переда-
чи тока на высокой ча-
стоте от тока коллек-
тора
Область максимальных режимов
2Т981А, КТ981А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
линейных широкополосных усилителях мощности диапазона
частот 30...80 МГц при напряжении питания 12,6 В. Корпус
металлокерамический с полосковыми выводами. Тип прибо а
указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 15 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2Т981А, КТ981А
Электрические параметры
Выходная мощность при = 12,6 В,
Г= 80 МГц, не менее.......................... 50 Вт
Выходная мощность в пике огибающей
при б'кэ = 12,6 В, = 80 МГц, = Г, + М,
1...10 кГц, не менее.................... 50 Вт
Коэффициент усиления по мощности
при РВых = 50 Вт, й'кэ = 12,6 В, Г = 80 МГц.. 5...6*...7,5*
Коэффициент усиления по мощности в режи-
ме двухтонового сигнала при (П0) = 50 Вт,
4/кэ = 12,6 В, Г, = 80 МГц, Г2 = Г, + АГ,
ДГ = 1...10 кГц.............................. 6...6,5*...8*
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра при Рвых = 50 Вт, Рвх = 10 Вт, Цэ = 12,6 В,
Г= 80 МГц.................................... 60...65*...70*%
Коэффициент полезного действия коллек-
тора 4 режиме двухтонового сигнала при
Рвых (ПО) = 50 Вт, 4/кэ = 12,6 В, Г, = 80 МГц,
Г2 = Г, + АГ, АГ = 1...10 кГц.............. 40...45*...50*%
Коэффициент комбинационных составляющих
3-го и 5-го порядков при РвыХ (по) = 50 Вт,
(/кэ = 12,6 В, Г, = 80 МГц, Г2 = Г, + АГ,
АГ= 1...10 кГц............................. —33*...—29*...
-27 дБ
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 4^ = 5 В, 4 = 5 А, не менее:
Г=+25°С................................ 1О...35*...9О*
7= Гмдкс, не менее..................... 10
Т - Гмин, не менее..................... 5
Граничное напряжение при 4 = 0,05 А,
1 = 25 мГн, не менее....................... 18 В
Емкость коллекторного перехода
при и№ = 12,6 В............................ 250*...320*...
400 пФ
Емкость эмиттерного перехода при иъз = 4 В . 400*...800*...
1200 пФ
Обратный ток коллектора—эмиттер
при = 36 В, /4э = 40 Ом» не более:
Т = +25 ’С, не более................... 50 мА
типовое значение....................... 10* мА
Г = Гмдкс, не боЛее.................... 100 мА
Т = Т’нин, не более................... 50 мА
Обратный ток эмиттера при = 4 В,
не более................................... 150 мА
типовое значение....................... 20* мА
Индуктивность эмиттера, не более........... 2* нГн
Индуктивность базы, не более............... 2,2* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания......................... 12,6 В
Постоянное напряжение коллектор-^эмиттер
при < 10 Ом................................ 36 В
Постоянное напряжение база—эмиттер......... 4 В
Постоянный ток коллектора.................. 10 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при 7К = Гк...+30 ’С................. 70 Вт
1 При Гк = +30 ‘С... макс ^к. м*кс определяется по формуле
^к. макс = (200 — 7"к)//?т (п-щ, Вт,
где А(п-к| — тепловое сопротивление переход—корпус из области максималь-
ных режимов.
Средняя рассеиваемая мощность коллектора
при Гк “ Тк мин...+85 ’С, Ц& = 12,6 В.... 60 Вт
Входная мощность при С/кэ = 12,6 В,
Г= 80 МГц................................ 14 Вт
Входная мощность в режиме двухтоново-
го сигнала при Г, = 80 МГц, Тг = Г, + АГ,
АГ = 1...10 кГц.......................... 12 Вт
Время рассогласования нагрузки
при КСВН 30:1, Тк = +85 ’С:
Рвых = 50 Вт, 4/кэ = 12,6 В.............. 1 с
^вых(по) = 50 Вт, Мо = 12,6 В........ 5 с
Температура р-п перехода................. +200 ’С
Температура окружающей среды:
2Т981А................................... -6О...ТК =
= +125 ’С
КТ981А............................... —45...ГК =
= +100 ’С
Входные характери- Зависимости тока эмит- Выходные характери-
стики тера от напряжения 6а- стики
за—эмиттер
Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от то-
ка коллектора
Зависимость модуля
коэффициента переда-
чи тока от тока коллек-
тора
Зависимость коэффи-
циента усиления по
мощности от выход-
ной мощности
Зависимость коэффи- Зависимость емкости Зависимость емкости
циеитов комбинацией- коллекторного перехо- эмиттерного перехода
иых составляющих от да от напряжения кол- от напряжения база—
выходной мощности лектор—база эмиттер
Область максимальных режимов
Зависимости допустимой постоян-
ной и средней рассеиваемой мощ-
ности коллектора от температуры
корпуса
2Т991А
Транзистор кремниевый планарный структуры п-р-п пере-
ключательный. Предназначен для применения в переключа-
тельных и усилительных устройствах. Выпускается в металло-
керамическом корпусе с ленточными выводами. Тип прибора
указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 4 г.
Изготовитель — акционерное обществе открытого типа
«Элиз», г. Фрязино.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, /к = 5 А:
ГК = +25’С..................................... 1С...Э5...70
4 = +125 "С, не менее...................... 19
Тк - —68 ’С, не менее...................... 5
2Т993А
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при Цо = 10 В, = 1 А......... 189...195...
210 МГц
Граничное напряжение при 4 = 0,05 А,
Д = 25 мГн................................... 70...90...115 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 5 А, 4 = 0,5 А....................... 0.4...0.7...2 В
Емкость коллекторного перехода
при и№ = 5 В................................. 220...300...
375 пФ
Емкость эмиттерного перехода при = 4 В . 1800...2500...
3000 пФ
Обратный ток коллектора, не более:
Гк = +25 "С при ЦБ = 150 В...............;.... 30 мА
Гк = +125 и -60 ’С при 6/КБ = 120 В...... 50 мА
Обратный ток эмиттера при УЭБ = 4 В,
не более..................................... 175 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база’
Гк = -60...+100 ’С....................... 150 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер1 2
при /?6Э = 10 Ом, Гк = -60...+100 ’С..... 120 В
1 При Гк> +100 ’С максимально допустимое постоянное напряжение кол-
лектор—база уменьшается линейно до 120 В при Гк = +125 ’С.
2 При Гк> +100 ’С максимально допустимое постоянное напряжение кол-
лектор-эмиттер уменьшается линейно до 100 В при Тк = +125 ’С.
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 10 Ом, Ги = 5 мкс............ 70 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 4 В
Постоянный ток коллектора............... 5 А
Импульсный ток коллектора при Ти < 5 мс,
О > 1000, (4, = 35 В или (и < 10 мкс, О > 1000,
(/кэ = 70 В.............................. Ю А
Постоянный ток базы..................... 7,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Гк = —60...+25 ’С............. 50 Вт
Температура р-п перехода................ +175 ’С
Температура окружающей среды............ —60... Тк =
= +125 ’С
1 При Гк > +25 'С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
макс = (175 — Вт,
где /?т (л-*, = 3 "С/Вт при = 20 В, 4 = 2,5 А.
КТ997А, КТ997Б, КТ997В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п переключательные. Предназначены для применения
в переключательных схемах при работе на индуктивную на-
грузку для управления сверхбольшими интегральными схема-
ми запоминающих устройств цилиндрических магнитных доме-
нов. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выво-
дами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 3 г.
Изготовитель — ОКБ «ЭлП» ПО «Электронприбор», г. Фря-
зино, Московская область.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при (/ю = 1 В, = 4 А, не менее:
Т= +25 ’С:
КТ997А............................. 40
КТ997Б, КТ997В................... 20
Тк = +85 и -45 ’С:
КТ997А............................. 20
КТ997Б, КТ997В................... 10
Граничное напряжение при /к = 0,1 А,
Д = 25 мГн, не менее:
КТ997А, КТ997Б...................... 45 В
КТ997В............................... 60 В
КП997(А,Б)
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер,
не более:
КТ997А при 4 = 8 А, 4 = 0,4 А....... 1 В
КТ997Б, КТ997В при 4 = 8 А, 4 = 0,8 А... 1 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 8 А, 4 = 0,8 А, не более....... 1,5 В
Обратный ток коллектора при 6^ = МАКС,
не более:
Гк = +25 °С......................... 10 мА
Гк =+85 и-45 "С..................... 20 мА
Обратный ток эмиттера при (4э = 5 В,
не более............................... 100 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ997А, КТ997Б...................... 45 В
КТ997В.............................. 60 В
Постоянное и импульсное напряжение коллек-
тор—эмиттер:
КТ997А, КТ997Б...................... 45 В
КТ997В.............................. 60 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 5 В
Постоянный ток коллектора.............. 10 А
Импульсный ток коллектора.............. 20 А
Постоянный ток базы.................... 4 А
Импульсный ток базы.................... 8 А
17-Н52 43
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Гк = —45...+25 ’С............. 50 Зт
Температура р-п перехода.................. +150 ’С
Тепловое сопротивление переход—корпус... 2,5 ’С/Вт
Температура окружающей среды............ —45... Тк =
= +85 ’С
1 При Гк > +25 *С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
/’к.макс = («О - Тк)/2,5, Вт.
Области безопасной работы
транзисторов
Зависимости импульсного теплово-
го сопротивления переход—корпус
от длительности импульса
КТ999А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п усилительный. Предназначен для применения в блоке
цветности цветного телевизора. Выпускается в пластмассовом
корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на
корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элиз», г. Фрязино.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в
схеме ОЭ при = 10 В, /к = 25 мА, не менее:
Тк = +25 ’С.................... 50
Гк = +100’С.................... 30
7" = —45’С..................... 20
КТ999А
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при (4э = 10 В, /к = 10 мА,
не менее................................ 60 МГц
Граничное напряжение при 4 = 10 мА,
не менее................................ 250 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 15 мА, 4 = 3 мА, не более:
Гк =+25’С............................ 1В
Гк = +100 и -45 ’С................... 2 В
Емкость коллекторного перехода
при (/кб = 30 В, не более............... 2 пФ
Емкость эмиттерного перехода при 6/ЭБ = 3 В,
не более................................ 30 пФ
Обратный ток коллектора при 6/КБ = 250 В,
не более:
Тк = +25 и 45 ’С..................... 0,1 мкА
Гк = +100 ’С......................... 20 мкА
Обратный ток эмиттера при 6/ЭБ = 5 В,
не более................................ 10 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база... 250 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 10 Ом....................... 250 В
17’
515
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 5 В
Постоянный ток коллектора............... 50 мА
Импульсный ток коллектора............... 100 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Гк = +25 ’С:
с теплоотводом.......................... 5 Вт
без теплоотвода...................... 1,6 Вт
Температура р-п перехода................ +150 ‘С
Тепловое сопротивление переход—корпус... 25 ’С/Вт
Тепловое сопротивление переход—среда.... 78 ’С/Вт
Температура окружающей среды.............. —45... Гк =
= +100 ’С
1 При Т* > +25 ’С постоянная рассеиваемая мощность коллектора определя-
ется из выражения
рч макс = (150 - ГцЗ/Яр Вт.
Зависимость тока базы от напряже-
ния база—эмиттер
Зависимость напряжения насыще-
ния коллектор—эмиттер от тока
коллектора
Зависимость статического коэф-
фициента передачи тока от тока
коллектора
2Т9117А, 2Т9117Б, 2Т9117В, 2Т9117Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р'П переключательные. Предназначены для применения
в усилителях и переключающих устройствах. Выпускается в
металлическом корпусе гибкими выводами и стеклянными изо-
ляторами.
Масса транзистора не более 2 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 6/КБ = 10 В, 4 = 0,15 А:
2Т9117А, 2Т9117Б, 2Т9117В............. 80...250*
2Т9117Г............................... 40...160*
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при (4э = 5 В, 4 = 0,01 А 50...300* МГц
Граничное напряжение при 4 = 0,03 А,
не менее:
2Т9117А, 2Т9117Б...................... 60 В
2Т9117В............................... 40 В
2Т9117Г............................... 80 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 0,15 А, /Б = 0,015 А, не более.. 0,3 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 0,15 А, /Б = 0,015 А, не более.. 1,1 В
Время включения при Ц& = 20 В, 4 = 0,15 А,
4 = 0,015 А, типовое значение............ 0,2* мкс
Время выключения при 4/кэ = 20 В, /к = 0,15 А,
4 = 0,015 А, типовое значение........... 0,9* мкс
Емкость коллекторного перехода
при = 5 В, типовое значение............. 40* пФ
Емкость эмиттерного перехода при = 1 В,
типовое значение........................ 250* пФ
Обратный ток коллектора при = (/КБ нако
не более................................ 0,1 мА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при 6/ю = МАКС, /?БЭ = 1 кОм, не более.. 0,2 мА
Обратный ток эмиттера при = 4,5 В,
не более................................ 1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т9117А, 2Т9117Г..................... 100 В
2Т9117Б................................ 80 В
2Т9117В................................ 50 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
при /?бэ = 1 кОм:
2Т9117А, 2Т9117Г.......................... 100 В
2Т9117Б............................ 80 В
2Т9117В............................ 50 В
при /?бэ = <*>:
2Т9117А, 2Т9117Б.................. 60 В
2Т9117В............................ 40 В
2Т9117Г.......................... 80 В
Постоянное напряжение база—эмиттер........ 4,5 В
Постоянный ток коллектора................. 1 А
Импульсный ток коллектора при 4 = 10 мс. 2 А
Постоянный ток базы....................... 0,2 А
Импульсный ток базы при 4 = 10 мс........ 0,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Гк = —60...+25 °С:
с теплоотводом............................ 6 Вт
без теплоотвода........................ 0,8 Вт
Температура р-п перехода.................. +150 ’С
Температура окружающей среды.............. —60... Тк =
= +125 ’С
’ При Гк от +25 “С до +125 ’С снижается линейно на 0,04 Вт/’С с
теплоотводом и на 6,4 мВт/*С без теплоотвода.
Области максимальных режимов
Зависимости коэффициента К
от длительности импульса
Зависимости статического коэффи-
циента передачи тока от тока эмит-
Зависимость напряжения насыще-
ния коллектор—эмиттер от тока
коллектора
Зависимость напряжения насыще-
ния база—эмиттер от тока коллек-
тора
2Т9126А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п генераторный. Предназначен для применения в уси-
лителях мощности и генераторах метрового и дециметрового
диапазонов длин волн. Выпускается в металлокерамическом
корпусе с винтом и с полосковыми выводами.
Масса транзистора не более 30 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте /= 1,5 МГц
при йп - 50 В, не менее...............
Коэффициент усиления по мощности на ча-
стоте /= 1,5 МГц при ип = 50 В, Рвых = 500 Вт
Коэффициент полезного действия на частоте
/= 1,5 МГц при (7П = 50 В, Р^х = 500 Вт.
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 10 В, 4 = 5 А:
Т= +25 ’С...........................
Т= +125 ’С..........................
Т= -60 ’С...........................
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 50 В, /к = 8 А....
500 Вт
13*...16*...
18* дБ
60...70*...75%
10...40*...100*
10...50*...120*
5...20*...50*
100... 140*...
160* МГц
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 10 А, 4 = 1 А.................... 0,3* ..0,4*...
0,5* В
Емкость коллекторного перехода
при = 50 В................................ 400*...450*...
500 пФ
Емкость эмиттерного перехода при (/ЭБ = 0. 0,02*...0,035*
...0,1 мкФ
Конструктивная емкость эмиттер—корпус,
не более.................................. 7,5* пФ
Конструктивная емкость коллектор—корпус,
не более.................................. 5,7* пФ
Конструктивная емкость база—корпус,
не более.................................. 1,6* пФ
Полное входное сопротивление на боль-
шом сигнале при = 500 Вт, (/п = 50 В,
не более:
/'=1,5 МГц............................ (0,4 —/1,6)* Ом
/'= 100 кГц........................... (0,58-Д2рОм
Обратный ток коллектор—эмиттер
при С/ю = 100 В, Яга = 10 Ом:
7 =+25’С.............................. 1*...20*...
200 мА
7=+125’С.............................. 2*...30*...
300 мА
7=—60*С............................... 2*...ЗО*..
300 мА
Обратный ток эмиттера при (/ЭБ = 4 В..... 1*...1ОО*...
500 мА
Индуктивность эмиттера, не более.......... 1,5* нГн
Индуктивность коллектора, не более........ 0,9* нГн
Индуктивность базы, не более.............. 2,5* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания............. 50 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при Яю = 10 Ом............................ 100 В
Постоянное напряжение база—эмиттер........ 4 В
Постоянный ток коллектора................. 30 А
Постоянный ток базы....................... 4 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при 7К = —60...+50 ’С................ 330 Вт
Средняя рассеиваемая мощность коллектора
в динамическом режиме при 7К = —60...+50 ’С 330 Вт
Постоянная высокочастотная мощность, па-
дающая на вход транзистора.............. 25 Вт
Температура р-п перехода................ +200 °С
Тепловое сопротивление переход—корпус... 0,45 °С/Вт
Минимальная рабочая частота............. 0,1 МГц
Коэффициент стоячей волны по напряже-
нию, коллекторной цепи при Р^х = 250 Вт,
ип = 30 В, и кратковременном рассогласо-
вании (1 с)............................. 30
Температура окружающей среды............ —60... Тк =
= +126 °С
Зависимости тока базы от напря-
жения база—эмиттер
Зависимость тока эмиттера от на-
пряжения база—эмиттер
Зависимости выходной мощности
и коэффициента усиления от на-
пряжения питания
Зависимость выходной мощности
от входной мощности
Ку,Р.дБ
Бр.МГц
Зависимость граничной частоты
Зависимость коэффициента усиле-
ния от частоты
Зависимость выходной мощности
от температуры корпуса
от тока коллектора
2Т9128АС
Сборка из двух кремниевых эпитаксиально-планарных
структуры п-р-п генераторных транзисторов. Предназначена
для применения в двухтактных усилителях мощности в диапа-
зоне частот 100...200 МГц в схеме ОЭ при напряжении питания
28 В. Выпускается в металлокерамическом корпусе с полоско-
выми выводами. Сборка содержит внутренние цепи согласова-
ния по входу. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса сборки не более 10 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
Электрические параметры
Выходная мощность в двухтактной схеме
на частоте Г = 175 МГц при ип = 28 В,
Тк = +40 “С, не менее.................. 200 Вт
2Т9128АС
Коэффициент усиления по мощности в двух-
тактной схеме на частоте Г = 175 МГц при
(/п = 28 В, Рвых = 200 Вт, Гк = +40 ’С, не менее 5,5
Коэффициент полезного действия в двух-
тактной схеме на частоте Л= 175 МГц при
ип = 28 В, Рвых = 200 Вт, Гк = +40 ’С, не менее 60%
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, /к = 500 мА,
не более.....................,.......... 100
Модуль коэффициента передачи тока на
высокой частоте при (4э = 10 В, /к = 5 А,
Г= 100 МГц, не менее..................... 2
Критический ток при = 10 В, Г= 100 МГц,
не менее................................. 12 А
Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте при УКБ = 5 В, /э = 0,5 А,
Г= 5 МГц, не более....................... 30 пс
Емкость коллекторного перехода
при УКБ = 28 В, не более................. 430 пФ
Емкость эмиттерного перехода при (/ЭБ = 0,
не более.................................. 4300 пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при {/кэ = 50 В, РБЭ = 10 Ом, не более... 100 мА
Обратный ток эмиттера при их = 4 В,
не более................................ 80 мА
Разность коллекторных токов в сборке
при ип = 28 В, = 200 Вт, Л = 175 МГц,
не более................................. 1 А
КСВН при изменении фазы коэффициента,
отражения нагрузки в пределах 0...360° при
ип = 24 В, Тк = +50 ’С при кратковременном
рассогласовании (3 с) и уровне выходной
мощности на согласованной нагрузке не бо-
лее 110 Вт на частоте Г= 200 МГц и не более
100 Вт на частоте Л= 100 МГц, не более.. 5*
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания.......... 28 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?ю = 10 Ом........................ 50 В
Постоянное напряжение база—эмиттер..... 4 В
Постоянный ток коллектора.............. 18 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Гк = +50 ‘С.................. 115 Вт
Средняя рассеиваемая мощность коллектора
в динамическом режиме2 при 7К = +50 ’С. 180 Вт
Температура р-п перехода............... +160 ’С
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 0,96 ’С/Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус
в динамическом режиме.................. 0,61 ’С/Вт
Температура окружающей среды........... —60... Тк =
= +125 ’С
1 При Гк > +50 ‘С постоянная рассеиваемая мощность коллектора определя-
ется из выражения
макс = (160 " 7к)/0,96, Вт.
1 При Гк > +50 'С средняя рассеиваемая мощность коллектора определяет-
ся из выражения
ср.илкс = (ЮО — Гк)/0,61, Вт.
Принципиальная электрическая схе-
ма транзисторной сборки 2Т9128АС
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэф-
фициента полезного действия кол-
лектора от напряжения питания
2Т9130А, КТ9130А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п усилительные. Предназначены для применения в
широкополосных видеоусилителях мониторов. Выпускаются в
металлическом корпусе с гибкими выводами и стеклянными
изоляторами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Изготовитель — акционерное общество <Кремний»,
г. Брянск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при (УКБ = 9 В, /э = 20 мА:
2Т9130А:
Тк = +25 °С.......................... 60...80*...250
ТК = +125°С.......................... 70...400
Г=-60°С.............................. 13...25О
Тк = +25 °С для КТ9130А.................. 10...45
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при (/кэ = 10 В, /к = 20 мА,
не менее..................................... 200 МГц
2Т9130А
00.55
Граничное напряжение при /к = 10 мА........ 250...280*...
350* В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 20 мА, 4 = 2 мА................... 0,1*...0,2*...1 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 20 мА, 4 = 2 мА................... 0,8*...0,9*„.
1,1 В
Емкость коллекторного перехода
при = 10 В................................. 4,2*...5*...
6* пФ
Емкость эмиттерного перехода при иж = 1 В . 80*...90*...
100* нФ
Обратный ток коллектора при и№ = 250 В,
не более:
Гк = +25 ’С............................ 1 мкА
Т- .................................... 10 мкА
Обратный ток эмиттера при иэъ = 6 В,
не более................................... 5 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база... 250 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?ю = 1 кОм........................ 250 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 6 В
Постоянный ток коллектора............... 150 мА
Импульсный ток коллектора при Ги = 500 мкс,
0= 2................................... 300 мА
Постоянный ток базы..................... 100 мА
Импульсный ток базы при 4 = 500 мкс, 0 = 2 200 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
с теплоотводом’, Тк = —60...+45 ’С.... 10 Вт
без теплоотвода1 2, Т = —60...+25 ’С.. 1 Вт
Температура р-п перехода................. +150 °С
Тепловое сопротивление переход—корпус.... 10,5 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—среда..... 125 ’С/Вт
Температура окружающей среды:
2Т9130А............................... -60...7к =
* +125 °С
КТ9130А............................... -60...7к =
= +100 ’С
1 При Гк > +45 ’С постоянная рассеиваемая мощность коллектора определя-
ется из выражения
Р*. н*кс = (150 - Гк)/10,5, Вт.
2 При Гк > +25 °С постоянная рассеиваемая мощность коллектора определя-
ется из выражения
А МАКС = (150 - Г)/125, Вт.
2Т9131А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п генераторный. Предназначен для применения в ли-
нейных широкополосных усилителях мощности, генераторах в
диапазоне частот 1,5...30 МГц при напряжении питания 50 В.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с винтом с по-
лосковыми выводами. Тип прибора указывается на корпусе
Масса прибора не более 30 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте /= 30 МГц
при = 50 В, не менее........................ 400 Вт
Коэффициент усиления по мощности на ча-
стоте /= 30 МГц при ип = 50 В, Рвых = 400 Вт 10*...13*...16*
Коэффициент полезного действия коллек-
тора на частоте /= 30 МГц при 1/п = 50 В,
Рвых = 400 Вт............................... 60*...65*...
70*%
Коэффициент комбинационных составляю-
щих третьего и пятого порядков на частоте
Г= 30 МГц, при Щ = 50 В, Рвых = 400 Вт...... —35*...—32*...
-30* дБ
2Т9131А
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 10 В, 4 = Ю А:
Гк =+25’С................................. 10...40*...100*
Гк = +125 ’С.............................. 10...50*...200*
Г=-60’С..............................„.... 5... 12*..70*
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при Цсэ = 30 В, 4 = 8 А....... 100...130*...
180* МГц
Граничное напряжение при 4 = 200 мА........... 55*...60*...
65* В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 25 А, /Б= 5 А......................... 1,2*..1,8*...
2,5* В
Емкость коллекторного перехода
при 44б = 50 В................................ 500*...600*...
800 пФ
Емкость эмиттерного перехода при (/ЭБ = 1 В . 0,009*...0,09*
...0,1 мкФ
Входное сопротивление на большом сигнале
при ип = 50 В, Рвых = 400 Вт, ^=30 МГц, ти-
повое значение................................ (0,3 + /2)* Ом
Обратный ток коллектор—эмиттер
при С4э = 100 В, РБЭ = 10 Ом:
Гк =+25’С................................. 1*...5О*...
200 мА
7К=+125°С.................................... 3*...80*„.
300 мА
Т=-60’С...................................... 10*. .100*...
300 мА
Обратный ток эмиттера при (/ЭБ = 4 В........ 1*...15О*...
600 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания.......... 50 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?ю = 10 Ом........................ 100 В
Постоянное напряжение база—эмиттер..... 4 В
Постоянный ток коллектора.............. 25 А
Импульсный ток коллектора.............. 40 А
Постоянный ток базы.................... 7 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора': ,
Тк =+125’С......................... 175 Вт
7К = -60...+50 ’С.................. 350 Вт
Средняя рассеиваемая мощность коллектора
в динамическом режиме:
7^ =+125’С............................. 175 Вт
7К = -60...+50 ’С.................. 350 Вт
Непрерывная высокочастотная мощность, па-
дающая на вход транзистора............. 40 Вт
Температура р-п перехода................. +200 ’С
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 0,425 ’С/Вт
Коэффициент стоячей волны по напряжению
коллекторной цепи2..................... 30: 1
Температура окружающей среды........... —60... Тк =
= +125 ’С
1 При Тк > +50 "С постоянная рассеиваемая мощность коллектора определя-
ется из выражения
/’к. иакс = (200 - Гк)/0,425, Вт.
1 При Рвых = 150 Вт.
Зависимости тока базы
от напряжения база—
эмиттер
Зависимость тока эмит-
тера от напряжения ба-
за—эмиттер
Зависимость выходной
мощности от входной
Зависимость граничной
частоты от тока эмит-
тера
Зависимость коэффици-
ента нелинейных иска-
жений 3-го и 5-го по-
рядков от выходной
мощности
Зависимость коэффици-
ента нелинейных иска-
жений 3-го и 5-го по-
рядков от напряжения
питания
КТ9133А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п генераторный. Предназначен для применения в ли-
нейных усилителях мощности в схеме ОЭ в диапазоне частот
170...230 МГц при напряжении питания 28 В. Выпускается в
металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Тил
прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 9 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
Электрические параметры
Выходная мощность в пике огибающей на ча-
стоте Л= 225 МГц при 6/п = 28 В, 4 = 3,5 А,
Рвх = 5,35 Вт, Гк «5 +40 ’С, не менее.. 30 Вт
Коэффициент усиления по мощности на ча-
стоте Г= 225 МГц при ип = 28 В, 4 = 3,5 А,
Рвых = 30 Вт, Гк «5 +40 ’С, не менее... 7,5 дБ
Коэффициент комбинационных составляю-
щих третьего порядка на частоте Г= 225 МГц,
при ип - 28 В, 4 = 3,5 А, Рвых = 30 Вт,
Гк «5 +40 ’С, не более................. —53 дБ
Модуль коэффициента передачи тока на
высокой частоте при 44э = 10 В, 4 = 5 А,
1= 100 МГц, не менее................... 2,4
Критический ток при 44э = Ю В, /= 100 МГц,
не менее............................... 7 А
Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте при 64в = 5 В, /э = 0,8 А,
/= 5 МГц, не более..................... 30 пс
Емкость коллекторного перехода
при ^кб = 28 В, не более................. 160 пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при ~ 55 В, /?ю = 10 Ом, не более........ 200 мА
Обратный ток эмиттера при 1УЖ = 4 В,
не более................................. 20 мА
Индуктивность коллектора, типовое значение. 0,9* нГн
Индуктивность эмиттера, типовое значение. 0,46* нГн
Индуктивность базы, типовое значение..... 1,26* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания.......... 28 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?вэ = 10 Ом....................... 55 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 4 В
Постоянный ток коллектора.............. 16 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк «5 +70 ’С.................. 130 Вт
Температура р-п перехода............... +200 ’С
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 1 ’С/Вт
Температура окружающей среды........... —45... Тк =
= +85 ’С
1 При Гк > +70 ‘С постоянная рассеиваемая мощность коллектора определя-
ется из выражения
Рк.млкс = (200 - Гк)/1, Вт.
Зависимость тока коллектора от
напряжения коллектор—база
Зависимость выходной мощности
от входной
Зависимость коэффициента комби-
национных составляющих третьего
порядка от выходной мощности
Зависимость выходной мощности
от напряжения коллектор—эммт-
тер
Зависимость максимально допусти-
мой постоянной рассеиваемой мощ-
ности коллектора от температуры
корпуса
Рвыя/по), Вт
Область максимальных режимов
КТ9145А9, КТ9145А-5
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п универсальные. Предназначены для применения в
ключевых схемах, импульсных модуляторах, преобразовате-
лях, линейных стабилизаторах напряжения. Транзистор
534
КТ9145А9 выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими
выводами. Транзистор КТ9145А—5 выпускается в виде нераз-
деленных кристаллов на пластине с контактными площадками
для гибридных интегральных микросхем. Тип прибора указы-
вается в этикетке.
Масса транзистора в пластмассовом корпусе не более
0,07 г, кристалла не более 0,003 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
КТ9Н5А9
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 6/КБ = 10 В, /э = 10 мА..... 20...40*...150*
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 10 В, /к = 10 мА.... 50...65*...
70* МГц
Граничное напряжение при /к = 30 мА........ 300 В
типовое значение........................ 380* В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 10 мА, 4 = 1 мА.................... 0,3*...0,5*„.1 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 10 мА, 4 = 1 мА.................... 0,7*...0,8*...
1,2 В
Обратный ток коллектора при = 500 В,
не более................................... 1 мкА
Обратный ток эмиттера при С/ЭБ = 5 В,
не более................................... 1 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база. 500 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 1 кОм, <№/<!( = 250 В/мкс. 500 В
КТ9М5А-5
0.52
Постоянное напряжение база—эмиттер........ 5 В
Постоянный ток коллектора................. 50 мА
Импульсный ток коллектора при 4 = 500 мкс,
0=2....................................... 100 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Тк = —60...+25 °С:
с теплоотводом1:
КТ9145А9............................... 1 Вт
КТ9145А-5.......................... 5 Вт
без теплоотвода, КТ9145А92............ 0,3 Вт
Температура р-п перехода.................. +150 °С
Тепловое сопротивление переход—корпус:
КТ9145А9.............................. 125 ’С/Вт
КТ9145А-5............................. 25’С/Вт
Тепловое сопротивление переход—среда
КТ9145А9.................................. 416’С/Вт
Температура окружающей среды:
КТ9145А9.............................. -6О...ТК =
= +100 ’С
КТ9145А-5.............................. -6О...ТК =
= +125 ’С
1 При > +25 ’С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность рассчитывается по формуле
А, макс = (150 ~ ^к)/А(п-ю> Вт-
2 При Т > +25 ’С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность рассчитывается по формуле
А, макс = (150 — Г)/А(п-о' ®т-
536
Зависимости статического коэффициента
передачи тока от тока коллектора
Зависимости тока базы от напря-
жения база—эмиттер
Зависимости тока базы от напря-
жения база—эмиттер
к
4
100
80
60
4/7
20
10 100 №>ию.В
,МА
Области безопасной работы
транзистора
Зависимости коэффициента К
от длительности импульса
КТ9151А
Сборка из двух кремниевых эпитаксиально-планарных
структуры п-р-п генераторных линейных транзисторов. Пред-
назначена для применения в линейных усилителях мощности
класса АВ в схеме с общим эмиттером в диапазоне частот
48...230 МГц при напряжении питания 28 В. В цепях эмиттеров
включены балластные сопротивления. Выпускаются в металло-
керамическом корпусе с полосковыми выводами. Тип прибора
указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Изготовитель — НИИЭТ, г. Воронеж.
КТ9151А
Электрические параметры
Выходная мощность в балансной схеме на
/= 230 МГц при Ц, = 28 В, 4 = 2*150 мА,
компрессия 1 дБ, не менее.............. 200 Вт
Коэффициент усиления по мощности в ба-
лансной схеме на / = 230 МГц при 1!п = 28 В,
/к = 2*150 мА, компрессия 1 дБ, не менее. 7 дБ
типовое значение...................... 10* дБ
Коэффициент полезного действия в баланс-
ной схеме на / = 230 МГц при 4/п = 28 В,
4 = 2*150 мА, компрессия 1 дБ, не менее.. 55%
Коэффициент комбинационных составляю-
щих третьего порядка на / = 230 МГц при
ип = 28 В, 4 = 2*150 мА, не более........ —58 дБ
Статический коэффициент передачи тока в
схеме ОЭ при Ц& = 5 В, 4 = 0,5 А, не менее . 10
Емкость коллекторного перехода
при 4/кб = 28 В, не более ............... 350 пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при 4/кэ = 55 В, /?бэ = 10 Ом, не более.. 150 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания........... 28 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер . 55 В
Постоянное напряжение база—эмиттер...... 3 В *
Постоянный ток коллектора............... 33 А
Средняя рассеиваемая мощность в динамиче-
ском режиме при Гк = —60...+25 ’С....... 280 Вт
Температура р-п перехода................ +200 ’С
Тепловое сопротивление переход—корпус... 0,5 ’С/Вт
Температура окружающей среды.......... —60... Гк =
= +85 ’С
Зависимость коэффициента усиле-
ния от частоты
Зависимость коэффициента усиле-
ния от входной мощности
Рь«.Вт
Зависимость коэффициента полез-
ного действия от входной мощно-
сти
Зависимость выходной мощности
от входной мощности
Области максимальных режимов
КТ9157А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п усилительный. Предназначен для применения в уси-
лителях мощности высокой частоты. Выпускается в пластмас-
совом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывает-
ся на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 1 В, 4 = 1 А........... 140...450
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 5 В, 4 = 0»5 А,
не менее................................. 100 МГц
КТ9157А
Граничное напряжение при /э = 0,1 А,
не менее............................... 20 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 4 А, 4 = 0»1 МА, не более....... 1 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база.... 30 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
/?вэ = 1 кОм........................ 30 В
/?вэ = оо............................ 20 В
Постоянное напряжение база—эмиттер...... 5 В
Постоянный ток коллектора............... 5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —Д5...+25 °С.............. 10 Вт
Температура р-п перехода................ +150 °С
Температура окружающей среды............ —45... Гк =
= +100 'С
КТ9160А, КТ9160Б, КТ9160В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
линейных широкополосных передатчиках в диапазоне частот
0,1...1,6 МГц при напряжении питания не более 60 В. Выпуска-
ются в металлокерамическом корпусе с ленточными вывода-
ми. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса прибора не более 35 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
КТ916О(А-В)
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте / = 1,5 МГц
при % = 60 В, не менее.................
Коэффициент усиления по мощности на ча-
стоте / = 1,5 МГц при ип = 60 В, Р0ЫХ = 700 Вт
Коэффициент полезного действия коллек-
тора на частоте /= 1,5 МГц при Ц, = 60 В,
^вых = 700 Вт..........................
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при {/кэ = 10 В, 4 = 30 А,
4 = 100 мкс, О- 1600:
КТ9160А.............................
КТ9160Б.............................
КТ9160В.............................
700 Вт
15...20*...
25* дБ
60...63*...67*%
10...30
20...5О
40...90
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 50 В, I* = 8 А,
Г = 10 мкс, О = 100........................... 60...115*...
150* МГц
Емкость коллекторного перехода
при (/КБ = 60 В............................... 500*...600*„.
700 пФ
Емкость эмиттерного перехода при (/ЭБ = 0..... 0,02*...0,035*
...0,15 мкФ
Полное входное сопротивление на большом
сигнале на /= 1,5 МГц при С/п = 60 В,
Рвых = 700 Вт................................. 0,36 - /1,43 Ом
Обратный ток коллектор—эмиттер
при Ц& = 140 В, Ры = 10 Ом:
Гк =+25 °С................................ 1*...2О*...
200 мА
Гк = +125 и —60 'С, не более.............. 300 мА
Обратный ток эмиттера при 6/ЭБ = 4 В.......... 1*...100*„.
500 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания.......... 60 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер1
при /?БЭ = 10 Ом....................... 140 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 4 В
Постоянный ток коллектора.............. 30 А
Постоянный ток базы.................... 6 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора Гк = —60...+50 °С................. 467 Вт
Средняя ВЧ мощность, падающая на вход
транзистора............................ 30 Вт
Температура р-л перехода............... +200 "С
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 0,32 °С/Вт
Коэффициент стоячей волны напряжения
на /= 1,5 МГц при 7/п = 45 В, Раыу = 350 Вт,
Г= 1 с................................. 3
Температура окружающей среды........... —60... Гк =
= +125 °С
1 Допускается пиковое напряжение коллектор—эмиттер 150 В при /?БЭ = 10 Ом
в схеме ВЧ усилителя.
Транзисторы пригодны для монтажа в аппаратуре паяльни-
ком. Расстояние от корпуса до места пайки по длине вывода
не менее 6 мм, температура припоя не выше +265 ‘С, время
пайки не более 8 с. Допускается трехкратная перепайка выво-
дов при проведении монтажных операций.
При креплении транзистора к панели необходимо, чтобы
корпус транзистора плотно прилегал к теплоотводу. Для обес-
печения теплового сопротивления корпус—радиатор 0,2 ’С/Вт
шероховатость контактирующей поверхности теплоотвода дол-
жна быть не более 1,6 мкм, отклонение от плоскостности не
более 0,02 мм. Крепление транзистора к теплоотводу следует
осуществлять с помощью 4-х стальных винтов и шайб с нике-
левым покрытием.
Зависимость выходной мощности
от температуры корпуса
Зависимость максимально допусти-
мой постоянной рассеиваемой мощ-
ности коллектора от температуры
корпуса
Зависимость степне-
ского коэффициента
передачи тока от то-
ка коллектора
Входные характери-
стики
Зависимости тока эмит-
тера от напряжения ба-
за—эмиттер
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэф-
фициента полезного действия от
напряжения питания
КТ9166А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п переключательный. Предназначен для применения
в переключательных устройствах, усилителях высокой часто-
ты. Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими вывода-
ми. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 1 В, /э = 4 А, не менее . 50
Граничите напряжение при /э = 0,1 А,
не менее................................. 45 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 8 А, /Б = 0,4 мА, не более..... 0,5 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база... 45 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
ЯБЭ = 106 Ом............................ 45 В
Постоянное напряжение база—эмиттер..... 5 В
КТ9166А
Постоянный ток коллектора................
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —45...+25 ’С...............
Температура р-п перехода.................
Температура окружающей среды.............
15 А
60 Вт
+150 ’С
-45...7-к =
= +10® ’С
КТ9177А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п усилительный. Предназначен для применения в уси-
лителях постоянного тока, преобразователях напряжения. Вы-
пускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип
прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Изготовитель — завод «Искра», г. Ульяновск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ:
при 6/кэ = 2 В, /к = 20 мА, не менее ... 30
при Цэ = 2 В, 4 = 1 А ................. 60...400
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 1/^ = 5 В, 4 = 0.1 А,
не менее................................ 90 МГц
Граничное напряжение при /к = 0,1 А,
не менее................................ 30 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 2 А, 4 = 0,2 А, не более....... 0,5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 2 А, 4 = 0>2 А, не более......... 2 В
Обратный ток коллектора при 6/Кб = 30 В,
не более................................. 1 мкА
Обратный ток эмиттера при 1/^ = 3 В,
не более............................... 1 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база... 40 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = оо.......................... 30 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 5 В
Постоянный ток коллектора.............. 3 А
Импульсный ток коллектора.............. 7 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора яри Гк = —45...+2Б ’С............. 10 Вт
Температура р-п перехода............... +150 ’С
Температура окружающей среды.............
—45...ГК =
= +100 °С
Зависимости статического коэффициента передачи тока от
тока коллектора, напряжений насыщения коллектор—эмиттер
и база—эмиттер от тока коллектора, максимально допустимой
постоянной рассеиваемой мощности коллектора от температу-
ры корпуса и области безопасной работы аналогичны зависи-
мостям для КТ9176А.
КТ9181А, КТ9181Б, КТ9181В, КТ9181Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п универсальные. Предназначены для применения в
усилительных и переключательных схемах. Выпускаются в пласт-
массовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указыва-
ется на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
КТ918КА Г)
18
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ*
КТ9181А при {/КБ = 2 В, /э = 1 А...... 60...400*
КТ9181Б, КТ9181В, КТ9181Г при
Окб = 1 В, 4 = 0,15 А, не менее..... 50
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 6/^ = 5 В, /э = 0,1 А,
не менее............................... 100 МГц
Граничное напряжение при 4 = 30 мА,
не менее:
КТ9181А............................. 30 В
КТ9181Б............................. 40 В
КТ9181В............................. 60 В
КТ9181Г............................. 80 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер,
не более:
КТ9181А при 4 = 2 А, 4 = 0,2 А...... 0,5 В
КТ9181Б, КТ9181В, КТ9181Г при
4= 1,5 А, /Б = 0,15 А............... 0,6 В
Напряжение насыщения база—эмиттер:
КТ9181А при 4 = 2 А, 4 = 0,2 А...... 2 В
КТ9181Б, КТ9181В, КТ9181Г при
4= 1,5 А, 4 = 0,15 А................ 1,5 В
Обратный ток коллектора при = 6/КБ МАКС,
не более............................... 1 мкА
Обратный ток эмиттера при С4э = ^4э, макс»
не более............................... 1 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ9181А................................ 40 В
КТ9181Б............................. 60 В
КТ9181В............................. 80 В
КТ9181Г............................. 100 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
КТ9181А............................ 30 В
КТ9181Б............................. 40 В
КТ9181В............................. 60 В
КТ9181Г............................. 80 В
Постоянное напряжение эмиттер—база:
КТ9181А............................. 5 В
КТ9181Б, КТ9181В, КТ9181Г........... 7 В
Постоянный ток коллектора.............. 3 А
Постоянный ток базы.................... I А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Тк = —45...+25 °С:
с теплоотводом......................... 12,5 Вт
без теплоотвода..................... 1,5 Вт
Температура р-п перехода ................. + 150 ’С
Температура окружающей среды.............. — 45... Гк =
= +85 ’С
Транзисторы являются комплементарными с транзистора-
ми КТ9180А-КТ9180Г.
2Ж102А, 2Ж102Б
Баисторы кремниевые эпитаксиально-планарные. Предна-
значены для термостабилизации по постоянному току и темпе-
ратуре мощных линейных транзисторных ВЧ усилителей. Вы-
пускаются в металлокерамическом корпусе с винтом и полос-
ковыми выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса прибора не более 2 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2Ж102(А,Б)
Электрические параметры
Напряжение между общим и питающим элек-
тродами при 1> = 0,7 А, /8 = 0 ................ 0,76...0,83*...
0,9 В
Снижение напряжения между общим и питаю-
щим электродами /8 = 0,05...0,5 А, /[ = 0,7 А.. 22...30*...36%
Снижение напряжения между общим и питаю-
щим электродами при Тк = +25...+100 ’С,
4 = 0,5 А, 6 = 0,7 А........................... 32...40...48%
Ток инжектора, не более........................ 1,2 А
типовое значение........................... 0,7 А
Сопротивление терморезистора при 113 = 0,5 А:
7"=+25’С............................................ 0,26*...0,32*...
0,41* Ом
Г=+Ю0°С........................................ 0,34*...0,54*...
0,67* Ом
/]5 — ток, протекающий через терморезистор и питающий
электрод при отключенном общем электроде,
(7зр0 — напряжение между общим и питающим электрода-
ми — напряжение на входящем в состав баистора диоде при
заданной величине тока, протекающего через диод и нулевом
токе резистора,
Аб/дщ!) — снижение напряжение между общим и питающим
электродами — относительное изменение (в %) напряжения
для заданной величины тока инжектора, при изменении тока
питающего электрода от одного фиксированного значения до
другого,
А(/ЗР(Т) — снижение напряжение между общим и питающим
электродами — относительное изменение (в %) напряжения
для заданных величин токов инжектора и питающего электро-
да, при изменении температуры корпуса от одной фиксирован-
ной температуры до другой,
1} — ток инжектора, протекающий через вывод инжектора,
/8 — ток питающего электрода, протекающий через вывод
питающего электрода.
Предельные эксплуатационные данные
Ток инжектора......................... 1,2 А
Ток питающего электрода............... 0,7 А
Температура окружающей среды.......... —60... Гк =
= +125 "С
Расстояние от основания корпуса до начала изгиба выво-
дов не менее 3 мм. Расстояние от основания корпуса до места
лужения и пайки выводов не менее 1 мм. Температура припоя
+260 ’С, время пайки не более 8 с.
Конструкция баистора обеспечивает отпайку фланца от
основания корпуса и не менее, чем трехкратную напайку и
отпайку баистора к монтажной поверхности. При отпайке флан-
ца и монтажа в схему время нагрева при температуре не выше
+200 ’С не более 8 с на каждую пайку. Крепление баистора к
основанию корпуса следует осуществлять при помощи гайки,
при этом необходимо, чтобы основание корпуса баистора плот-
но прилегало к теплоотводу. Крутящий момент на фланец при
креплении 0,18 кгс’м.
Электрическая схема баисторов
2Ж102А, 2Ж102Б.
1 — вывод инжектора; 2 — общий электрод; /?к —
кремниевый резистор; 5 — питающий электрод
А597А, А597Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п усилительные линейные. Предназначены для при-
менения в широкополосных усилителях мощности в диапазоне
частот 30...80 МГц для А597А, 1,5...30 МГц для А597Б при
напряжении питания 28 В в герметизированной аппаратуре.
Транзистор А 597 А выпускается в металлокерамическом кор-
пусе с полосковыми выводами и монтажным винтом, А597Б
используется без фланца корпуса. Тип прибора указывается
на корпусе.
Масса транзистора А597А не более 6 г, А597Б без фланца
не более 2 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
А59КА.Б)
Электрические параметры
Коэффициент усиления по мощности
при ип = 28 В, = 0,6 В, не менее:
А597А на Г = 80 МГц, = 70 Вт........... 7
А597Б на Г = 30 МГц, РВЬ|Х = 50 Вт...
Коэффициент полезного действия коллектора
при (/п = 28 В, (/ЭБ = 0,6 В, не менее:
А597А на /= 80 МГц, Р^х = 70 Вт....... 65%
А597Б на Г= 30 МГц, Рвь,х = 50 Вт..... 40%
Коэффициент комбинационных составляю-
щих 3-го и 5-го порядка при (7П = 28 В,
Рвых (по) = 50 Вт, не более:
А597А на Г= 80 МГц.................... -27 дБ
А597Б на /= 30 МГц.................... —30 дБ
Статический коэффициент передачи тока в
схеме ОЭ при (/КБ = 10 В, /к = 5 А, не менее:
А597А................................. 15
А597Б................................. 10
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 10 В, /к = 2 А,
не менее:
А597А................................. 150 МГц
А597Б................................. 90 МГц
Обратный ток коллектор—эмиттер
при (/кэ = 60 В, /?БЭ =10 Ом, не более... 30 А
Обратный ток эмиттера при (/ЭБ = 4 В,
не более................................. 100 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания............. 27 ± 3 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при (/ЭБ = 1,5 В:
А597А................................. 60 В
А597Б....'................... 65 В
Постоянное напряжение эмиттер—база....... 4 В
Постоянный ток коллектора:
А597А................................. 10 А
А597Б................................. 7 А
Средняя рассеиваемая мощность коллектора
при ип = 27 ± 3 В:
Тк = -60...+30 °С:
А597А............................. 84 Вт
А597Б.............................. 60 Вт
Тк = +125 °С:
А597А............................. 36 Вт
А597Б.............................. 25 Вт
Средняя ВЧ мощность, падающая на вход
транзистора:
А597А................................. 10 Вт
А597Б................................. 5 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус
при (/кэ = 14 В:
А597А.................................. 1,25 ’С/Вт
А597Б.............................. 1,75 ’С/Вт
Температура окружающей среды.......... —60... Тк =
= +125 ’С
1 При Гк > +30 °С максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность
коллектора снижается линейно.
Шероховатость контактирующей поверхности теплоотвода
не более 0,8 мкм, неплоскостность не более 0,02 мм. Крепле-
ние транзистора к плате следует осуществлять при помощи
гайки. Крутящий момент на винт при креплении 0,48 кгм. Мини-
мальное расстояние места пайки вывода от корпуса 1 мм,
температура пайки не более +260 ’С, время пайки не более 8 с.
Конструкция транзистора А597Б обеспечивает отпайку
фланца от корпуса и не менее, чем трехкратную перепайку
транзистора на монтажную поверхность гибридной схемы при
температуре не выше +200 ’С, время пайки не более 8 с.
А604А, А604Б, А604В
Транзисторы кремниевые'эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п усилительные линейные. Транзисторы А604А, А604В
предназначены для применения в широкополосных усилителях
мощности в диапазоне частот 30...80 МГц, транзистор А604Б в
диапазоне частот 1,5...30 МГц в схеме с общим эмиттером при
напряжении питания 28 В в герметизированной аппаратуре.
Транзистор А604А, А604В выпускается в металлокерамиче-
ском корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом,
А604Б используется без фланца корпуса. Тип прибора указы-
вается на корпусе.
Масса А604А, А604В не более 3,5 г, А604Б не более 2 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Выходная мощность при (/п = 28 В, не менее:
А604А на /= 80 МГц................ 25 Вт
А604Б на/= 30 МГц................. 20 Вт
А604В на Г = 80 МГц................ 3 Вт
Коэффициент усиления по мощности
при ип - 28 В, не менее:
А604А на /= 80 МГц, Р^х = 25 Вт. 8,3
А804Б на Г = 30 МГц, Рвых = 20 Вт. 10
А604В на /= 80 МГц, РвыХ = 3 Вт. 1Б
А604(А~В)
960
Коэффициент полезного действия коллектора
при (/п = 28 В, не менее:
А604А на Г= 80 МГц, Рвых = 25 Вт.... 60%
А604Б на Г = 30 МГц, Рвых = 20 Вт... 40%
А604В на Г = 80 МГц, Р^ = 3 Вт...... 50%
Коэффициент комбинационных составляющих
3-го и 5-го порядка при 1/„ = 28 В, не более:
А604А на Г = 80 МГц, = 25 Вт........ -27 дБ
А604Б на 1 = 30 МГц, РВЬ|Х = 20 Вт.. -30 дБ
А604В на Г = 80 МГц, Рвых = 3 Вт.... -27 дБ
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при и№ = 10 В, не менее:
А604А при /к = 2 А.................. 15
А604Б при 4 = - А................... 10
А604В при /к = 0,4 А................ 30
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме 1)Э при (4э = 10 В,, не менее:
А604А при/к = 1 А................... 150 МГц
А604Б при 4 = 1 А................... 90 МГц
А604В при 4 = 0,2 А................. 150 МГц
Обратный ток коллектор—эмиттер
при (4э = 60 В, /?бэ = 10 Ом, не более:
А604А, А604Б........................ 20 мА
А604В............................... 5 мА
Обратный ток эмиттера при (/ЭБ = 4 В,
не более:
А604А, А604Б........................ 40 мА
А604В............................... 10 мА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
пои (/ЭБ = —1,5 В:
А604А, А604В....................... 60 В
А604Б.............................. 65 В
Постоянное напряжение эмиттер—база.... 4 В
Постоянное напряжение питания.......... 27 ± 3 В
Постоянный ток коллектора:
А604А.............................. 5 А
А604Б.............................. 3 А
А604В.............................. 0,5 А
Средняя рассеиваемая мощность в динамиче-
ском режиме при 1^ = 27 ± 3 В:
Тк = -60...+30 ’С:
А604А............................. 45 Вт
А604Б.......................... 30 Вт
А604В........................... 6,3 Вт
Гк = +125 ’С:
А604А............................. 18 Вт
А604Б.......................... 12 Вт
А604В.......................... 2,8 Вт
Средняя ВЧ мощность, падающая на вход
транзистора:
А604А.............................. 3 Вт
А604Б.............................. 2 Вт
А604В.............................. 0,2 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус
при Цо = 14 В:
А604А.............................. 2,83 ’С/Вт
А604Б.............................. 4,25 ’С/Вт
А604В.............................. 12,1 ’С/Вт
Температура окружающей среды.......... —60... Тк =
= +125 ’С
1 При Гк > +30 °С максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность
коллектора снижается линейно.
Транзисторы пригодны для монтажа в аппаратуре паяльни-
ком. Допустимое число перепаек выводов — 3. Расстояние от
корпуса до начала изгиба не менее 3 мм. Расстояние от кор-
пуса до места лужения и пайки не менее 1 мм, температура
припоя не выше +265 ’С, время пайки не более 3 с.
Транзисторы должны плотно прилегать к теплоотводу.
Шероховатость контактирующей поверхности теплоотвода дол-
жна быть не более 0,8 мкм, неплоскостность не более 0,02 мм.
556
Крутящий момент на монтажный винт при креплении транзи-
сторов 0,12 кгс • м.
Конструкция корпуса А 604 Б обеспечивает отпайку флан-
ца от корпуса и не менее, чем трехкратную перепайку транзи-
стора на монтажную поверхность гибридной схемы при темпе-
ратуре не выше +200 °С, время пайки не более 8 с.
При эксплуатации в условиях воздействия инея должна
быть обеспечена защита транзистора от непосредственного
воздействия влаги путем применения общей герметизации бло-
ков и узлов аппаратуры, покрытием транзистора, смонтиро-
ванного на плате, влагозащитным лаком.
А639А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п усилительный линейный. Предназначен для приме-
нения в широкополосных усилителях мощности в диапазоне
частот 30...80 МГц при напряжении питания 40 В. Выпускается
в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и
монтажным винтом. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 11 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Коэффициент усиления по мощности на ча-
стоте /'= 80 МГц при ип = 40 В, Рвых = 150 Вт,
не менее........................... 5
Коэффициент полезного действия коллек-
тора на частоте /“=80 МГц при = 40 В,
Рвых = 150 Вт, не менее................ 40%
Коэффициент комбинационных составляющих
3-го и 5-го порядков на частоте /= 80 МГц
при 1/п = 40 В, Рвых =150 Вт, не более. —27 дБ
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при и№ = 10 В, 4 = 5 А, не менее 10
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при С/Кэ = 20 В, /к = 2 А,
не менее............................... 150 МГц
Обратный ток коллектора при (/КБ = 80 В,
не более............................... 100 мА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при = 80 В, Рю = 10 Ом, не более....... 100 мА
Обратный ток эмиттера при (/ЭБ = 4 В,
не более............................... 500 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания.......... 40 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер . 80 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 4 В
Постоянный ток коллектора.............. 10 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
Тк = —60...+50 °С..........,........ 200 Вт
ГК = +125°С......................... 100 Вт
Средняя рассеиваемая мощность коллектора
в динамическом режиме:
Гк = —60...+50 ’С................... 200 Вт
ГК=+125°С........................... 100 Вт
Входная высокочастотная мощность, падаю-
щая на вход транзистора................ 40 Вт
КСВН коллекторной цепи при Раык =100 Вт,
любой фазе рассогласования в течение 1 с .... 30
Температура р-п перехода............... +208 ’С
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 0,75 “’С/Вт
Температура окружающей среды........... —60... Тк =
= +125 °С
Допускается работа транзистора в диапазоне частот 1...
30 МГц и свыше 80 МГц, при этом параметры не регламентиру-
ются.
Пайка выводов допускается не ближе 2 мм от корпуса при
температуре не выше +260 ’С в течение не более 8 с и ближе
2 мм при температуре не выше +150 "С.
51В
А661А, А661Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п усилительные линейные. Предназначены для при-
менения в широкополосных усилителях мощности в диапазоне
частот 1,5...30 МГц для А661А и 30...80 МГц для А661Б в
схеме с общим эмиттером при напряжении питания 50 В. Вы-
пускается в металлокерамическом корпусе с полосковыми вы-
водами и винтом. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 11г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
А66КА.Б)
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте /'= 30 МГц
для А661А и на /= 80 МГц для А661Б при
= 50 В, не менее................... 250 Вт
Коэффициент усиления по мощности в пике
огибающей при Рвых = 250 Вт, (/п = 50 В,
не менее:
А661А на Г= 30 МГц................. 25
А661Б на <= 80 МГц................ 5
Коэффициент полезного действия коллек-
тора в пике огибающей при Рвых = 250 Вт,
Ц1 = 50 В, не менее:
А661А на/= 30 МГц................. 35%
А661Б на Г= 80 МГц................ 30%
Коэффициент комбинационных составляю-
щих 3-го и 5-го порядков при Рвых = 250 Вт,
ип = 50 В, не более:
А661А на /= 30 МГц................... —30 дБ
А661Б на Г= 80 МГц................... -27 дБ
Статический коэффициент передачи тока в
схеме ОЭ при (/КБ = 10 В, /к = 5 А, не менее:
А661А................................... 15
А661Б................................ 10
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при С/Кэ = 20 В, /к = 9 А,
не менее................................ 150 МГц
Емкость коллекторного перехода
при (/КБ = 50 В, не более............... 450 пФ
Емкость эмиттерного перехода при = 0,
не более................................ 15000 пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при = 90 В, /Рез =10 Ом, не более....... 100 мА
Обратный ток эмиттера при (/ЭБ = 4 В,
не более................................ 500 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания........... 50 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер . 90 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 4 В
Потенциал статического электричества.... 1000 В
Постоянный ток коллектора............... 15 А
Постоянный ток базы..................... 5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
при Гк = —60...+30 °С................... 300 Вт
при 7"к =+125 °С..................... 135 Вт
Средняя рассеиваемая мощность коллектора
в динамическом режиме:
при Тк = -60...+30 °С................ 300 Вт
при Тк =+125 °С...................... 135 Вт
Входная высокочастотная мощность, падаю-
щая на вхвд транзистора................. 16 Вт
КСВН коллекторной цепи при Рвых = 100 Вт,
времени рассогласования 1 с и любой фазе
коэффициента отражения.................. 30
Температура р-п перехода................ +200 еС
Тепловое сопротивление переход—корпус... 0,57 °С/Вт
Температура окружающей среды............ —60... Тк =
= +125 С
Изгиб выводов транзисторов допускается не ближе 3 мм
от корпуса. Крутящий момент на монтажном винте должен
быть не более 0,25 кг • м. Пайка выводов транзисторов реко-
мендуется не ближе 2 мм от корпуса при температуре не выше
+260 °С в течение не более 8 с.
А723
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п генераторный. Предназначен для применения в уси-
лителях мощности и генераторах метрового и дециметрового
диапазонов длин волн. Выпускается в металлокерамическом
корпусе с полосковыми выводами и винтом. Тип прибора ука-
зывается на корпусе.
Масса транзистора не более 30 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
А123
Электрические параметры
Выходная мощность на /= 1,5 МГц
при йп = 50 В, не менее................ 500 Вт
Коэффициент усиления по мощности на
/= 1,5 МГц при Уп = 50 В, Раых = 500 Вт,
не менее................................ 13 дБ
Коэффициент полезного действия коллектора
на /= 1,5 МГц при Уп = 50 В, Рвых = 500 Вт,
не менее.............................. 60%
Статический коэффициент передачи тока в
схеме ОЭ при С/КБ = 10 В, 4 = 5 А, не менее:
Г =+25 и+125 “С........................ 10
Т=-60’С....................-....... 5
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при Укэ = 50 В, /к = 8 А,
не менее............................... 100 МГц
Емкость коллекторного перехода
при С/КБ = 50 В, не более.............. 500 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Уж = 0,
не более.........'..................... 0,1 мкФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при Цо = 100 В, /?БЭ =10 Ом, не более:
Г=+25°С................................ 200 мА
Г=+125и— 60 °С...................„.. 300 мА
Обратный ток эмиттера при = 4 В,
не более............................... 500 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания.......... 50 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?5э = 10 Ом....................... 100 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 4 В
Потенциал статического электричества... 1000 В
Постоянный ток коллектора.............. 30 А
Постоянный ток базы.................... 4 А
Постоянная и средняя рассеиваемая мощно-
сти коллектора1 при Гк = —60...+50 °С.. 330 Вт
Постоянная высокочастотная мощность, пада-
ющая на вход транзистора............... 25 Вт
Нижняя рабочая частота................. 0,1 МГц
Температура р-п перехода............... +200 °С
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 0,45 °С/Вт
Коэффициент стоячей волны по напряжению
коллекторной цепи при Рвых = 250 Вт,
ип = 30 В и кратковременном рассогласова-
нии (1 с).............................. 30
Температура окружающей среды........... —60... Гк =
= +125 °С
1 При Гк > +50 °С рассеиваемые мощности коллектора рассчитываются по
формуле
Рк макс = рк. СР макс = (2°° - Рк)/0,45, Вт.
Расстояние от корпуса до начала изгиба вывода не менее
5 мм. Расстояние до места лужения и пайки не менее 2 мм,
температура пайки не более +265 ‘С, время пайки не более
8 с. Крутящий момент на монтажный винт при креплении не
более 0,25 кгм. Шероховатость контактной поверхности те-
плоотвода не более 1,6 мкм, неплоскостность не более 0,02 мм.
Допускается пиковое напряжение коллектор—эмиттер 120 В
при /?БЭ = 10 Ом в схеме ВЧ усилителя.
Транзисторы р-п-р
КТ626А, КТ626Б, КТ626В, КТ626Г, КТ626Д
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р. Предназначены для применения в усилителях и
генераторах коротковолнового диапазона и переключающих
устройствах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жестки-
ми выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Изготовитель — завод при НИИПП, г. Томск.
КТ626(А-Д)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 4/кэ = 2 В, /к = 0,15 А:
Т= +25 °С:
КТ626А, КТ626Д............................... 40...250
КТ626Б................................... 30...100
КТ626В................................... 15...45
КТ626Г................................... 15...60
/ = +85 °С*
КТ626А, КТ626Д.............................. 40...500
КТ626Б................................... ЗО...2О0
КТ626В................................... 15...90
КТ626Г................................... 15... 120
Т= -40 *С:
КТ626А, КТ626Д.................... 20...250
КТ626Б........................... 15... 100
КТ626В........................... 8...45
КТ626Г........................... 8...60
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при икэ = 10 В, /э = 30 мА,
ЫА 1ДАЫАА*
КТ626А, КТ626Б...................... 75 МГц
КТ626В, КТ626Г, КТ626Д.............. 45 МГц
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
КТ626А, КТ626Б при 4 = 0,5 А, /Б = 0,05 А
и КТ626В, КТ626Г, КТ626Д при 4 = 0,5 А,
4 = 0,1 А, не более..................... 1 В
Постоянная времени цепи обратной связи на
высокой частоте при С4б = 10 В, 4 = 30 мА,
А= 5 МГц, не более...................... 500 пс
Емкость коллекторного перехода
при ^4ео = Ю В, не более................ 150* пФ
Обратный ток коллектора, не более:
КТ626А:
при ^4б о = 30 В.................... 10 мкА
при 64бо = 45 В.................. 1 мА
КТ626Б, КТ626В при Цщо = 30 В, КТ626Г,
КТ626Д при С4бо = 20 В.............. 150 мкА
КТ626Б при (4Б0 = 60 В и КТ626В
при С4б о = «О В.................... 1 мА
Обратный ток эмиттера при 6/ЭБ0 ~ 4 В,
не более:
КТ626А.............................. 10 мкА
КТ626Б, КТ626В, КТ626Г, КТ626Д...... 300 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ626А.................................. 45 В
КТ626Б.............................. 60 В
КТ626В.............................. 80 В
КТ626Г, КТ626Д...................... 20 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?ЭБ = 100 Ом:
КТ626А.............................. 45 В
КТ626Б.............................. 60 В
КТ626В.............................. 80 В
КТ626Г, КТ626Д...................... 20 В
Постоянный ток коллектора............... 0,5 А
Импульсный ток коллектора............... 1,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
при Гк < +60 "С...................... 6,5 Вт
при 7К = +85 °С...................... 4 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус... 10 °С/Вт
Температура р-п перехода.................. +125 ’С
Температура окружающей среды............ —40... Тк =
= +85 ’С
Изгиб выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса
транзистора с радиусом закругления 1.5...2 мм.
Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса
транзистора при температуре не выше +260 °С в течение не
более 3 с.
2Т629А-2, КТ629А-2, КТ629Б-2, КТ629БМ-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р переключательные. Предназначены для применения
в быстродействующих импульсных устройствах в составе ги-
бридных интегральных микросхем. Бескорпусные, на керами-
ческом кристаллодержателе 2Т629А—2, КТ629А—2, КТ629Б—2
и металлическом кристаллодержателе КТ629БМ—2 с защитным
покрытием с гибкими выводами.
Масса транзистора не более 0,02 г.
Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элеке», г. Александров.
27629 А-2,К7629(А-2,Б-2),К7629БМ-2
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ»
2Т629А-2 при 6/КБ = 1,2 В, 4 = 500 мА:
Г= +25 "С...........................
Т= +125 ’С......................
Г= -60 ’С.......................
КТ629А-2 при (/КБ = 5 В, /э = 500 мА,
Т= +25 ’С...........................
КТ629Б-2, КТ629БМ—2 при </КБ = 5 В,
4 = 200 мА..........................
Модуль коэффициента передачи тока на
высокой частоте при Ц& = 5 В, /к = 50 мА,
А= 100 МГц, не менее...................
Граничное напряжение при /э = 10 мА,
не менее:
2Т629А-2............................
КТ629А-2, КТ629Б—2, КТ629БМ-2.......
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 500 мА, 4 ~ 50 мА, не более:
2Т629А-2............................
КТ629А-2, КТ629Б-2, КТ629БМ-2.......
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 500 мА, 4 = 50 мА, не более:
2Т629А-2...............................
КТ629А-2, КТ629Б-2, КТ629БМ-2.......
Время рассасывания 2Т629А—2
при 4 = 500 мА, 4 = 50 мА, не более....
Время выключения при 4 = 500 мА, 4 = 50 мА
Время включения 4 = 500 мА, 4 = 50 мА..
Постоянная времени цепи обратной связи на
высокой частоте 2Т629А—2 при С4б = Ю В,
4 - 50 мА, ^=30 МГц, не более..........
Емкость коллекторного перехода
при С4бо = 10 В, не более:
2Т629А-2............................
КТ629А-2, КТ629Б-2, КТ629БМ-2.......
Емкость эмиттерного перехода
при изъ 0 = 0,5 В, не более:
2Т629А-2............................
КТ629А-2, КТ629Б-2, КТ629БМ-2.......
Обратный ток коллектора при икъ 0 = 50 В:
Т = —60...+25 ’С, не более.............
Т= +125 ’С..........................
Обратный ток коллектор—эмиттер
при 6/кэ = 50 В, /?ЭБ = 1 кОм, не более. 5 мкА
Обратный ток эмиттера при 6/ЭБ0 = 4,5 В,
не более................................ 5 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?ЭБ = 1 кОм......................... 50 В
Постоянное напряжение коллектор—база.... 50 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 4,5 В
Постоянный ток коллектора............... 1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1:
при Т = +80 °С.......................... 1 Вт
при Т= +125 °С....................... 0,18 Вт
Тепловое сопротивление переход—теплоотвод 55 °С/Вт
Температура р-п перехода................ +135 °С
Температура окружающей среды............ —60...+ 125 °С
1 При Т > +80 °С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора уменьшается линейно.
Изгиб вывода допускается не ближе 0,5 мм от места выхо-
да вывода из защитного покрытия. Запрещается соприкосно-
вение вывода и кристалла и перегиб выводов на ребрах метал-
лической подложки и на инструменте с острыми краями.
При монтаже транзистора допускается пайка выводов не
ближе 2 мм до места выхода вывода из защитного покрытия
при температуре не выше +200 °С в течение не более 10 с.
2Т632А, КТ632Б, КТ632Б1
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р усилительные. Предназначены для применения в
линейных широкополосных усилителях. Транзистор 2Т632А,
КТ632Б выпускаются в металлическом корпусе с гибкими вы-
водами и стеклянными изоляторами. Тип прибора указывается
на корпусе. Транзистор КТ632Б1 выпускается в пластмассовом
корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на
корпусе.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 1,5 г,
в пластмассовом — не более 0,3 г.
Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элеке», г. Александров, Владимирская область.
КТ632Ы
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 6/КБ = 10 В, /э = 1 мА:
Гк =+25’С.............................. 50...450*
Т = ГМАКС, не менее.................... 50
Г= 7"мин> не менее..................... 15
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 6/КБ = 20 В, /э = 20 мА,
не менее.................................. 200 МГц
Граничное напряжение при /э = 10 мА,
не менее.................................. 120 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 20 мА, /Б = 2 мА, не более:
КТ632Б, КТ632Б1........................ 0,8 В
2Т632А................................. 0,5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 20 мА, /Б = 2 мА, не более........ 1 В
Время рассасывания при /к = 20 мА,
4, = /и = 2 мА............................ 0,75*...1,5*...
2 мкс
Постоянная времени цепи обратной связи на
высокой частоте при 4/КБ = 20 В, 4 = 20 мА,
/= 30 МГц................................. 20*...50*...
100 пс
Емкость коллекторного перехода
при С/ХБ = 20 В, не более................. 8 пФ
Емкость эмиттерного перехода при иьэ = 0,
не более.................................. 50 пФ
Обратный ток коллектора при С/ХБ = 120 В,
не более:
Т = +25 ’С и Гмин..................... 1 мкА
Т- ГМАКС.............................. 10 мкА
Обратный ток эмиттера при 6/БЭ = 5 В,
не более.................................. 100 мкА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при ию = 120 В, Ям = 1 кОм................ 10 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база...... 120 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 1 кОм.......................... 120 В
Постоянное напряжение эмиттер—база........ 5 В
Постоянный ток коллектора................. 0,1 А
Импульсный ток коллектора при = 10 мкс,
0= 10..................................... 0,35 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
Г= Гмин...+40 ’С:
2Т632А, КТ632Б........................ 0,5 Вт
КТ632Б1............................ 0,35 Вт
Т = Гмакс для 2Т632А, КТ632Б.......... 0,1 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора при 4, = 20 мкс, 0=10 для 2Т632А,
КТ632Б:
Г- Тмин...+40 ’С...................... 1 Вт
Т- ГМАКС.............................. 0.2 Вт
Температура р-п перехода.................. +150 ’С
Температура окружающей среды:
КТ632Б, КТ632Б1 ...................... -45...+85 ’С
2Т632А................................ -60...+ 125 ’С
Изгиб выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса
транзистора с радиусом изгиба не менее 1,5 мм. Пайка выво-
дов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора при
температуре пайки не более +280 ’С в течение не более 3 с.
Облает максимальных режимов
КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г,
КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639И,
КТ639А1, КТ639Б1, КТ639Г1, КТ639Д1
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р усилительные. Предназначены для применения в
усилителях низкой частоты, усилителях мощности, видеоусили-
телях, автомобильных электронных устройствах, импульсных и
переключающих устройствах, в оконечных устройствах ЭВМ.
Транзисторы КТ639А—КТ639И выпускаются в пластмассовом
корпусе с жесткими выводами, транзисторы КТ639(А1, Б1, Г1,
Д1) выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
КТ639(А1,Б1,Г1.Д1)
Тип прибора КТ639А—
КТ639И указывается на
корпусе. Тип прибора
КТ639(А1, Ы, Г1, Дока-
зывается на этикетке, а
также на корпусе в виде
буквы соответствующего
типономинала.
Масса транзисторов
КТ639А-КТ639И не бо-
лее 0,7 г, транзисторов
КТ639А1-КТ639Д1 не бо-
лее 0,2 г.
Изготовитель — за-
вод полупроводниковых
приборов, г. Рига.
КТ639(А-И)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при (/кэ = 2 В, 1К = 150 мА:
Т = +25 °С:
КТ639А, КТ639Г, КТ639Е, КТ639А1,
КТ639Г1.............................. 40...100
КТ639Б, КТ639Д, КТ639Ж, КТ639Б1,
КТ639Д1 ............................. 63... 160
КТ639В............................... 100...250
КТ639И............................... 180...400
Г = +125 С.............................. 0,8А;,1Э мин...
макс
Т = —60 °С, не менее.................... 0,ЗЛ21Э мин
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при С/КБ = 5 В, /к = 30 мА.. 80...200*...
240 МГц
Граничное напряжение при /к = 50 мА,
не менее:
КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639А1,
КТ639Б1................................. 45 В
КТ639Г, КТ639Д, КТ639Г1, КТ639Д1........ 60 В
КТ639Е, КТ639Ж.......................... 80 В
КТ639И.................................. 30 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 500 мА, 4 = 50 мА.............. 0,15*...0,35*..
0,5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 500 мА, /6 = 50 мА............. 0,92* ..0,96*..
1,25 В
Время рассасывания при 4 = 500 мА,
4 = 50 мА, типовое значение............. 200* нс
Емкость коллекторного перехода
при = 10 В.............................. 15*...20*„.
50 пФ
Емкость эмиттерного перехода при С4э = 0,5 В 90*... 120*...
200 пФ
Обратный ток коллектора при = 30 В,
не более:
Г =+25’С................................ 100 нА
Г=+125’С............................. 100 мкА
Обратный ток эмиттера при С4э = 5 В,
не более................................ 100 нА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639А1,
КТ639Б1.............................. 45 В
КТ639Г, КТ639Д, КТ639Г1, КТ639Д1..... 60 В
КТ639Е, КТ639Ж....................... 100 В
КТ639И............................... ЗОВ
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 1 кОм:
КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639А1,
КТ639Б1............................. 45 В
КТ639Г, КТ639Д, КТ639Г1, КТ639Д1..... 60 В
КТ639Е, КТ639Ж....................... 100 В
КТ639И............................... 30 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 5 В
Постоянный ток коллектора............... 1,5 А
Импульсный ток коллектора при 4 = 10 мкс,
0=2..................................... 2 А
Постоянный ток базы..................... 0,2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Т = —60...+35 ’С:
КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г,
КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639И....... 1 Вт
’ При Т > +35 ”С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность рассчитывается по формуле
МАКС = (150 ~ 4)//?, (П-С)>
КТ639А1, КТ639Б1, КТ639Г1, КТ639Д1 .. 0,5 Вт
Температура р-п перехода................ +150 ’С
Тепловое сопротивление переход—среда:
КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г,
КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639И....... 115 ’С/Вт
КТ639А1, КТ639Б1, КТ639Г1, КТ639Д1 .. 230 ’С/Вт
Температура окружающей среды............ —60...+125 ’С
Минимальное расстояние от корпуса до места изгиба вы-
вода 5 мм при радиусе изгиба не менее 1,5 мм. Минимальное
расстояние места пайки выводов от корпуса при температуре
пайки не выше +250 ’С в течение не более 10 с.
Зависимости тока базы от напря-
жения база—эмиттер
Зависимость статического коэффи-
циента передачи тока от тока кол-
лектора
Зависимость граничной частоты
от тока коллектора
Зависимость напряжения насыще-
ния коллектор—эмиттер от тока
коллектора
КТ644А, КГ644Б, КТ644В, КТ644Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р универсальные. Предназначены для применения в
усилителях низкой частоты, усилителях мощности, видеоуси-
лителях различного назначения, импульсных и переключаю-
щих устройствах, в оконечных устройствах ЭВМ. Выпускаются
в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора
указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Рига.
КГ644(А-Г)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ:
при 4/кб = Ю В, 4 = 150 мА:
КТ644А, КТ644В...................... 40... 120
КТ644Б, КТ644Г...................... 100...300
при и№ = 10 В, КТ644А, КТ644В, не менее:
4 = 0,1 и 500 мА.................... 20*
4= 1 мА.................-........... 25*
10 мА ...м..^......................35*
Модуль коэффициента передачи тока на
высокой частоте при УКБ = 5 В, /к = 30 мА,
у = 100 МГц................................ 2...2,0*...4,2*
Граничное напряжение при /к = 10 мА,
не менее:
КТ644А, КТ644Б......................... 60 В
КТ644В, КТ644Г......................... 40 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер:
при 4 = 150 мА, 4 = 15 мА................ 0,14*...0,18*...
0,4 В
при 4 = 500 мА, 4 = 50 мА............. 0,45*...0,55*...
1,6 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 150 мА, 4 = 15 мА, не более..... 1,3 В
Время рассасывания при 4 = 150 мА,
4 =15 мА................................. 80*...110*...
100 нс
Емкость эмиттерного перехода при = 0,
Г= 5...10 МГц............................ 50 пФ
Обратный ток коллектора при = 50 В,
не более................................. 100 нА
Обратный ток эмиттера при 64ь = 5 В,
не более......................—.......... 100 нА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база..... 60 В
Постоянное напряжение эмиттер—база....... 5 В
Постоянный ток коллектора................ 0,6 А
Импульсный ток коллектора1 при 4 10 мкс,
О > 2.................................... 1 А
Постоянный ток базы...................... 0,2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора2 при Т - —60...+35 °С............... 1 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность1’3 кол-
лектора при 4 $ 10 мкс, 0^2, Гк < +25 °С ... 20 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус.... 10 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—среда..... 115 °С/Вт
Температура р-п перехода................. +150 °С
Температура окружающей среды............. —60...+125 °С
' При условии непревышения Р*
2 При использовании транзистора без теплоотвода и Т> +35 *С постоянная
рассеиваемая мощность рассчитывается по формуле
Р*. макс = (1$0 ~ г)/>гг(п-с). Вт-
5 При использовании транзистора с теплоотводом и Гк > +25 "С постоянная
рассеиваемая мощность рассчитывается по формуле
Р(. МАКС = О'*® ~ ^к)/^Т(Л-К)> ®т-
Минимальное расстояние от корпуса транзистора до места
изгиба вывода 5 мм, радиус изгиба 1.5...2 мм. При изгибе
необходимо принимать меры, исключающие передачу усилий
на пластмассу. Кручение выводов запрещается.
Минимальное расстояние места пайки выводов от корпуса
5 мм. Температура пайки не более +250 °С, время пайки не
более 10 с.
КТ661А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры р-п-р импульсный. Предназначен для применения в бы-
стродействующих ключевых устройствах электронных автома-
тических телефонных станций. Выпускается в металлическом
корпусе с гибкими выводами и стеклянными изоляторами. Тип
прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элеке», г. Александров, Владимирская область.
КТ661А
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при Укэ = 10 В, /к = 150 мА:
Т= +85 °С...........................
Т= -45 °С...........................
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при С/кэ = 20 В, /к = 50 мА,
А= 100 МГц, не менее...................
типовое значение....................
Граничное напряжение при /э = 10 мА,
не менее...............................
100...175*...300
100...600
40...300
2
3*
60 в
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер,
не более:
при 4 = 150 мА, /Б = 15 мА.............. 0,4 В
при 4 = 500 мА, /Б = 50 мА........... 1,6 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 150 мА, 4 = 15 мА, не более..... 1,3 В
Время выключения при 4= 150 мА, 7Б= 15 мА. 100*... 129*...
150* нс
Время включения при 4 = 150 мА, 4= 15 мА .. 15...30...45 нс
Емкость коллекторного перехода
при <4б = 10 В.......................... 4*...6*...8* пФ
Обратный ток коллектора при 6/КБ = 50 В,
не более:
7=+25 и—45 °С........................... 0,01 мкА
7=+85 °С............................. 1 мкА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при С4э = 30 В, С/ЭБ = 0,5 В, не более.. 50 нА
Обратный ток эмиттера при = 5 В,
не более................................ 10 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база.... 60 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер . 60 В
Постоянное напряжение база—эмиттер...... 5 В
Постоянном ток коллектора:
с теплоотводом.......................... 660 мА
без теплоотвода...................... 300 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при 7 = —45...+25 °С:
с теплоотводом1......................... 1,8 Вт
без теплоотвода1 2................... 0,4 Вт
Температура р-п перехода................ +200 °С
Тепловое сопротивление переход—среда.... 440 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус... 97 °С/Вт
Температура окружающей среды............ — 45... 7К =
= +85 °С
1 При Гк > +25 ’С постоянная рассеиваемая мощность коллектора определя-
ется из выражения
^м*кс = (200 - 7к)/97, Вт.
2 При Т> +25 *С постоянная рассеиваемая мощность коллектора определя-
ется из выражения
макс = (200 - Г )/440, Вт.
19-851
5ТТ
КТ662А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры р-п-р импульсный. Предназначен для применения в бы-
стродействующих ключевых устройствах электронных автома-
тических телефонных станций. Выпускается в металлостеклян-
ном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на
корпусе.
Масса транзистора не более 1,5 г.
Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элеке», г. Александров, Владимирская область.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ:
при 6/кэ = 10 В, /к = 150 мА:
7" =+25 °С............................ 100...300
Т= +85 °С.......................... 100...600
Г = —45 “С.......................... 40...300
при Цэ - 10 В, /к = 500 мА, не менее... 50
при С/кэ = 10 В, /к = 0,1 мА, не менее... 75
КТ662А
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при = 20 В, /к = 50 мА,
Л= 100 МГц, не менее....................... 2
Граничное напряжение при /э = 10 мА........ 60...75*...95* В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер,
не белее:
при 4 = 150 мА, /Б = 15 мА.............. 0,15*...0,3*...
0,4 В
при /к = 500 мА, /Б = 50 мА, не более... 1,6 В
Напряжение насыщения база—эмиттер:
при /к = 150 мА, /Б = 15 мА............. 0,8*...1*...1,3 В
при /к = 500 мА, /Б = 50 мА, не более... 2,6 В
Время выключения при /к = 150 мА,
/Б = 15 мА,- не более...................... 200 нс
Емкость коллекторного перехода
при {/КБ = 10 В, не более.................. 8 пФ
Обратный ток коллектора при С/КБ = 50 В,
не более:
Т= +25 и -45 °С......................... 0,01 мкА
Г=+85 °С................................ 1 мкА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при С/кз = 30 В, иэъ = 0,5 В, не более..... 50 нА
Обратный тек база—эмиттер при 1!эъ = 5 В,
не более................................... 10 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база.. 60 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер . 60 В
Постоянное напряжение база—эмиттер.... 5 В
Постоянный ток коллектора............. 400 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Т - —Д5...+25 °С............... 0,6 Вт
Температура р-п перехода................. +200 °С
Тепловое сопротивление переход—среда..... 290 °С/Вт
Температура окружающей среды............. —Д5...+85 "С
' При Т > +25 ‘С постоянная рассеиваемая мощность коллектора определя-
ется из выражения
^иакс=(200 - Г)/290, Вт.
2Т664А9, 2Т664Б9, КТ664А9, КТ664Б9
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р универсальные. Предназначены для применения в
усилителях и переключающих устройствах. Выпускаются в пласт-
массовом корпусе с жесткими выводами. На корпусах транзи-
сторов наносят условные знаки: 2Т664А9 — 2А, 2Т664Б9 — 2Б,
КТ664А9 — КА, КТ664Б9 — КБ. Тип прибора указывается на
этикетке.
Масса транзистора не более 0,1 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
2ТМА9.Б9), КТ66Ш9.Б9)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 2 В, /э = 0,15 А....... 40...230
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при УКБ = 5 В, 4 = 50 А,
типовое значение........................ 140* МГц
Граничное напряжение при 1Э = 30 мА,
не менее:
2Т664А9, КТ664А9..................... 80 В
2Т664Б9, КТ664Б9..................... 60 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при = 0,15 А, /Б = 15 мА, не более...... 0,3 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 0,15 А, 4 = 15 мА, не более.... 1,1 В
Время включения при С/Кэ = 20 В, 4 = 0,2 А,
4 - 40 мА, не более..................... 0,1 мкс
Время выключения при = 20 В, 4 = 0,2 А,
4 = 40 мА, не более..................... 0,7 мкс
Время спада при 6/кэ = 20 В, 4 = 0,2 А,
4 = 40 мА, не более..................... 0,3 мкс
Емкость коллекторного перехода
при С4б = 5 В, не более................. 25 пФ
Емкость эмиттерного перехода
при С4э = 0,5 В, не более............... 150 пФ
Обратный ток коллектора при (/КБ = 100 В,
не более................................ 10 мкА
Обратный ток эмиттера при 4/ЭБ = 5 В,
не более................................ 10 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т664А9, КТ664А9...................... 120 В
2Т664Б9, КТ664Б9..................... 100 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
при /?БЭ = 1 кОм:
2Т664А9, КТ664А9.................. 100 В
2Т664Б9, КТ664Б9................. 80 В
при /?БЭ = °°:
2Т664А9, КТ664А9.................... 80 В
2Т664Б9, КТ664Б9................. 60 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 5 В
Постоянный ток коллектора............... 1 А
Импульсный ток коллектора при = 10 мс... 1,5 А
Постоянный ток базы..................... 0,3 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при 7= —60...+25 °С:
с теплоотводом....................... 1 Вт
без теплоотвода...................... 0,3 Вт
Температура р-п перехода................ +150 °С
Температура окружающей среды............ —60... Тк =
= +100 "С
Транзисторы являются комплементарными с транзистора-
ми 2Т665А9, 2Т665Б9, КТ665А9, КТ665Б9.
Зависимость статического коэффи-
циента передачи тока от тока эмит-
тера
Зависимости напряжения насыще-
ния коллектор—эмиттер и база—
эмиттёр от тока коллектора
КТ667А9
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры р-п-р универсальный. Предназначен для применения в
генераторах отклонения передающих телевизионных камер
высокой четкости на трубках с дефлектной системой отклоне-
ния. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выво-
дами. Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,1 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»;
г. Брянск.
КТ667А9
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в
схеме ОЭ при С/КБ = 10 В, /э = 5 мА, не менее 50
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при С/кэ = 10 В, 4 = 1.5 мА,
не менее................................ 40 МГц
Граничное напряжение при /к = 30 мА,
не менее................................ 250 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 10 мА, 4 = 2 мА, не более....... 0,8 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 10 А, 4 = 2 мА, не более........ 1,2 В
Обратный ток коллектора при <4е = 300 В,
не более..-............................. 0,1 мкА
Обратный ток эмиттера при = 5 В,
не более................................ 1 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база..... 300 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при = 1 кОм.............................. 300 В
Постоянное напряжение база—эмиттер....... 5 В
Постоянный ток коллектора................ 20 мА
Импульсный ток коллектора при /и = 500 мкс. 50 мА
Постоянный ток базы...................... 5 мА
Импульсный ток базы при Ги = 500 мкс..... 10 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
с теплоотводом1 при Гк = —60...+25 ‘С. 1 Вт
без теплоотвода2 при Г = —60...+25 °С. 0,3 Вт
Температура р-п перехода................. +150 °С
Тепловое сопротивление переход—корпус.... 125 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—среда..... 416 °С/Вт
Температура окружающей среды............. —60...+100 *С
1 При 7^ > +25 'С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
Р*. макс =(150- 7у/125, Вт.
2 При Т > +25 'С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
Р*. макс =(150- П/416, Вт.
Пайку выводов рекомендуется проводить с применением
лудящих паст и припоев на расстоянии не менее 0,15 мм от
корпуса транзистора, время пайки не более 4 с, температура
пайки не более +265 "С.
я
Зависимость напряжения насыще-
ния коллектор—эмиттер от тока
коллектора
Зависимость статического коэффи-
циента передачи тока от тока эмит-
тера
КТ568А, КТ568Б, КТ668В
Транзисторы кремние-
вые эпитаксиально-планар-
ные структуры р-п-р усили-
тельные. Предназначены для
применения в усилителях, ге-
нераторах и переключающих
устройствах. Выпускаются в
пластмассовом корпусе с
гибкими выводами. Тип при-
бора указывается на кор-
пусе.
Масса транзистора не
более 0,3 г.
Изготовитель — акцио-
нерное общество открытого
типа «Элеке», г. Александ-
ров, Владимирская область.
КТббЗ(А-В)
05.г
Электрические параметры
Коэффициент шума на /= 1 кГц при
</кэ = 5 В, /к = 0,2 мА, Яг = 2 кОм................ 1,4*...2,7*...
Ю дБ
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при УКБ = 5 В, /э = 2 мА:
Т = +25 °С:
КТ668А......................................... 75...140
КТ668Б..................................... 125...250
КТ688В..................................... 220...475
7=+125 X...................................... 0,8Л21ЭМИН...
2,5Л21Э макс
Т = —60 °С, не менее........................... 0,ЗЛ21Э мин
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при ^/КБ = 5 В, /э = 10 мА,
Г= 100 МГц........................................ 2...2,7*...3*
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер:
при /к = ТО мА, /Б = 0,5 мА.............. 0,08*...0,17*...
0,3 В
при /к = 190 мА, /Б = 5 мА............ 0,15*...0,25*...
0,65* В
Емкость коллекторного перехода
при Уке = 10 В........................... 1*...4,5*...7 пФ
Обратный ток коллектора при (/КБ = 30 В,
не более:
7" =+25 °С............................ 15 нА
Г=+125°С.............................. 4000 нА
Обратный ток эмиттера при изъ = 5 В,
не более................................. 100 нА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база... 50 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ - «>, /к = 2 мА............... 45 В
Постоянное напряжение база—эмиттер..... 5 В
Постоянный ток коллектора.............. 100 мА
Импульсный ток коллектора............... 200 мА
Постоянный ток базы...................... 50 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Т = —60...+25 "С.............. 500 мВт
Температура р-п перехода............... +150 °С
Тепловое сопротивление переход—среда... 9,25 °С/мВт
Температура окружающей среды........... —60...+125 °С
’ При Т > +25 °С постоянная рассеиваемая мощность коллектора определя-
ется из выражения
макс = (150 - 7)/0,25, мВт.
Зависимости тока базы Зависимость статического коэфсри-
от напряжения база— циента передачи тока от тока кол-
эмиттер лектора
Зависимость коэффициента шума
от тока коллектора
Зависимость напряжения на-
сыщения коллектор—эмиттер
от тока коллектора
КТ681А
Транзистор кремниевый эпи-
таксиально-планарный структу-
ры р-п-р усилительный. Предна-
значены для применения в уси-
лителях низкой частоты. Выпус-
кается в пластмассовом корпусе
с гибкими выводами. На корпус
наносится условная маркиров-
ка — черный квадрат и буква
«А». Тип прибора указывается в
этикетке.
Масса транзистора не более
0,3 г.
Изготовитель — акционер-
ное общество открытого типа
«Элеке», г. Александров, Влади-
мирская область.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ:
при Цо = 1 В, /к = 500 мА:
Т = +25 ’С........................ 85...100* ..300
7=+85 "С.......................... 85...600
7 = —45 °С......................... 40.„300
при 0^ = 1 В, 4 = 1 А.................. 60л.80
при С/кэ = 1 В, 4 = 5 мА, не менее..... 50
типовое значение....................... 130*
при (4э = 5 В, 4 = 50 мА, не менее..... 80
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при 74э = 5 В, 4 = 50 мА,
/= 100 МГц, не менее...................... 1,2
типовое значение....................... 1,5*
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер:
при 4 = 1 А, /Б = 0,1 А................ 0,27*..0,4*...
0,5 В
при 4 = 0,1 А, /Б = 0,01 А............. 0,03*..0,05*..
0,2 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 1 А, 4 = 0,1 А.................... 0,9*...0,95*...
1,2 В
Обратный ток коллектора при С4б = 25 В,
не более:
7=+25 и-45 "С.......................... 10 мкА
7=+85 °С............................... 500 мкА
Обратный ток эмиттера при иЭБ = 5 В,
не более.................................. 10 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база... 30 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер . 25 В
Постоянное напряжение база—эмиттер..... 5 В
Постоянный ток коллектора.............. 0,6 А
Импульсный ток коллектора при 4 = 20 мс,
О= 100................................. 2 А
Постоянный ток базы.................... 0,1 А
Импульсный ток базы при 4 = 20 мс, 0= 100 0,2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’ при 7 +25 °С..................... 0,35 Вт
Температура р-п перехода............... +125 °С
Тепловое сопротивление переход—среда... 286 °С/Вт
Температура окружающей среды........... —45...+85 °С
1 При Т > +25 °С Рк мдкг снижается линейно на 3,5 мВт/°С.
Зависимость статического коэффи-
циента передачи тока от тока кол-
лектора
Зависимость напряжения насыще-
ния коллектор—эмиттер от тока
коллектора
КТ685А, КТ585Б, КТ685В, КТ685Г,
КТ685Д, КТ585Е, КТ585Ж
Транзисторы кремниевые эпи-
таксиально-планарные структуры
р-п-р универсальные. Предназначе-
ны для применения в усилителях и
переключающих устройствах. Вы-
пускаются в пластмассовом корпу-
се с гибкими выводами. Тип прибо-
ра указывается на этикетке.
Масса транзистора не более
0,3 г.
Изготовитель — акционерное
общество открытого типа «Элеке»,
г. Александров, Владимирская об-
ласть.
КТ685(А-Ж)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 10 В, /э = 150 мА для
КТ685А, КТ685Б, КТ685В, КТ685Г, (/КБ = 1 В,
/э = 150 мА для КТ685Д, УКБ = 1 В,
/э = 300 мА для КТ685Е, КТ685Ж:
Т = +25 ’С:
КТ685А, КТ685Б, КТ685Е............... 40... 120
КТ685В, КТ685Г, КТ685Ж............ 108...380
КТ685Д............................ 70...208
Т= +125 ’С............................ 32...300
Т = —60 ’С, не менее.................. 12
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при = 20 В, /э = 30 мА,
/= 100 МГц, не менее:
КТ885А, КТ685Б, КТ885В, КТ685Г...... 2
КТ685Д................................ 3,5
КТ685Е, КТ685Ж........................ 2,5
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 150 мА, 4 = 15 мА, не более:
КТ885А, КТ685Б, КТ685В, КТ685Г........ 0,4 В
КТ685Д, КТ685Е, КТ885Ж................ 0,3 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 150 мА, /Б = 15 мА, не более:
КТ685А, КТ685Б, КТ685В, КТ685Г........ 1,3 В
КТ685Д, КТ685Е, КТ685Ж................ 1,1 В
Время рассасывания при /к = 150 мА,
/Б = 15 мА, не более..................... 80 нс
Емкость коллекторного перехода
при ЦБ = 10 В, не более:
КТ685А, КТ685Б, КТ685В, КТ685Г........ 8 пФ
КТ685Д, КТ685Е, КТ685Ж ............... 12 пФ
Емкость эмиттерного перехода при С/ЭБ = 2 В,
не более................................. 30 пФ
Обратный ток коллектора при УКБ = 50 В для
КТ685А, КТ685Б, КТ685В, КТ685Г, (/КБ = 25 В
для КТ685Д, КТ685Е, КТ685Ж, не более:
Т= +25 ’С:
КТ685А, КТ685В, КТ685Д, КТ685Е,
КТ685Ж........................... 0,02 мкА
КТ685Б, КТ685Г................... 0,01 мкА
7 = +125 ’С:
КТ685А, КТввбв...................... 20 мкА
КТ685Б, КТ885Г, КТ685Д, КТ685Е,
КТ685Ж........................... 10 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ685А, КТ685Б, КТ685В, КТ685Г...... 60 В
КТ685Д, КТ685Е, КТ685Ж.............. 30 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при 4 = Ю «А, /?БЭ = о»;
КТ685А, КТ685В........................... 40 В
КТ685Б, КТ685Г........................ 60 В
КТ685Д, КТ685Е, КТ685Ж................ 25 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 5 В
Постоянный ток коллектора.............. 600 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Т = —60...+25 °С............. 600 мВт
Температура р-п перехода............... +150 ’С
Тепловое сопротивление переход—среда... 0,208 ’С/мВт
Температура окружающей среды........... —60...+125 ’С
1 При Т> +25 °С А.иакс снижается линейно на 4,8 мВт/"С.
КТ686А, КТ686Б, КТ686В, КТ686Г,
КТ686Д, КТ686Е, КТ686Ж
Транзисторы кремниевые эпи-
таксиально-планарные структуры
р-п-р универсальные. Предназначе-
ны для применения в усилителях
мощности. Выпускаются в пласт-
массовом корпусе с гибкими выво-
дами. На корпус транзистора нано-
сится только обозначение типоно-
минала без индекса «КТ»: 686А,
686Б, 686В, 686Г, 686Д, 686Е,
686Ж. Тип прибора указывается на
этикетке.
Масса транзистора не более
0,3 г.
Изготовитель — акционерное
общество открытого типа «Элеке»,
г. Александров, Владимирская об-
ласть.
КТ686(А-Ж]
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ:
при = 1 В, /э = 100 мА:
Т= +25 ’С:
КТ686А, КТ686Г, КТ686Ж.......... 100... 170*...250
КТ686Б, КТ686Д............... 160...240*...400
КТ686В, КТ686Е.................. 250...400*...630
+125 С.......................... 0,8Л21Э мнн—
2,5/^э
МАКС
Т = —60 °С, не менее............... 0,ЗЛ21Э мин
при ЦБ = 1 В, /э = 300 мА, 7= +25 ’С,
не менее:
КТ686А, КТ686Г, КТ686Ж............ 60
КТ686Б, КТ686Д..................... 100
КТ686В, КТ686Е..................... 170
при (/КБ = 1 В, /э = 500 мА, Т = +25 ’С,
не менее:
КТ686А, КТ686Б, КТ686В, КТ686Г,
КТ686Е............................. 20
КТ686Ж............................. 40
Граничная частета коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при Т/КБ = 5 В, 4 = Ю мА,
не менее.................................. 100 МГц
типовое значение....................... 150* МГц
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 590 мА, /6 = 50 мА............... 0,2*...0,3*...
0,7 В
Емкость коллекторного перехода
при и№ = 10 В:
КТ686А, КТ686Б, КТ686В, КТ686Г,
КТ686Д, КТ686Е......................... 6*...8*...12 пФ
КТ686Ж................................. 30*...40*...
50 пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при ию = и^3 МАКС, не более;
Г =+25’С............................... 0,1 мкА
7=+125’С............................... 10 мкА
Обратный ток эмиттера при 1/х = 5 В,
не более.................................. 0,1 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
КТ686А, КТ686Б, КТ686В.................... 45 В
КТ686Г, КТ686Д, КТ686Е, КТ686Ж......... 25 В
Постоянное напряжение база—эмиттер...... 5 В
Постоянный ток коллектора
при Г= -60...+25 ’С..................... 800 мА
Импульсный ток коллектора при - 10 мс... 1,5 А
Постоянный ток базы..................... 100 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —60...+25 ’С:
с теплоотводом1.......................... 1,4 Вт
без теплоотвода2..................... 0,625 Вт
Температура р-п перехода................ +150 ’С
Тепловое сопротивление переход—среда.... 0,2 °С/мВт
Тепловое сопротивление переход—корпус... 0,09 ’С/мВт
Температура окружающей среды............ —60... Тк =
= +125 ’С
' При Гк > +25 'С постоянная рассеиваемая мощность коллектора определя-
ется из выражения
Я макс = (160 “ Гк)/0,09, мВт.
Л, ЯАЛ*- * Л* » г '
2 При Г > +25 ’С постоянная рассеиваемая мощность коллектора определя-
ется из выражения
Р*. МАКС = (160— Г)/0,2, мВт.
Зависимость напряжения насыще-
ния коллектор—эмиттер от тока
коллектора
Зависимости тока коллектора
от напряжения база—эмиттер
КТ692А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры р-п-р универсальный. Предназначен для применения в
системах внутрисхемного контроля печатных плат. Выпускает-
ся в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип
прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элеке», г. Александров, Владимирская область.
КТ692А
6.6 13.6
00.53
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при //кэ = 1 В, / = 500 мА:
Т = +25 °С, не менее................ 20
Г=+125°С........................... 20...150
Т = -45 ’С.......................... 10...80
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при (/КБ = 10 В, /э = 50 мА,
1- 100 МГц, не менее................... 1,9
Граничное напряжение при /к = 10 мА,
не менее................................ 30 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 500 мА, /Б =.50 мА, не более.. 0,5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 500 мА, /Б = 50 мА, не более.. 1,2 В
Обратный ток коллектора при 6/КБ = 30 В,
не более:
Т = +25 и -45 ’С.................... 0,1 мкА
Т= +125 ’С.......................... 1 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база 40 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 5 В
Постоянный ток коллектора.............. 1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Г = -45...+25 ’С............. 1 Вт
Температура р-п перехода............... +150 ’С
Тепловое сопротивление переход—среда... 125 ’С/Вт
Температура окружающей среды........... —45...+125 ’С
’ При Т > +25 ’С
/’к.иакс* 2 (150- Г)/125, Вт.
Допустимое значение статического потенциала 500 В.
Транзистеры пригодны для монтажа в аппаратуре методом
групповой пайки и паяльником. Расстояние от корпуса до ме-
ста лужения и пайки яо длине вывода не менее 3 мм. Число
допустимых перепаек при проведении монтажных операций —
2. Расстояние места изгиба вывода от корпуса не менее 3 мм.
Радиус изгиба не менее 1,5 мм.
При включении транзистора в электрическую цель, нахо-
дящуюся под напряжением, базовый вывод необходимо при-
соединять первым и отключать последним.
КТ6127А, КТ6127Б, КТ6127В, КТ6127Г, КТ6127Д,
КТ6127Е, КТ6127Ж, КТ6127И, КТ6127К
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные бипо-
лярные со статической индукцией (БСИТ) структуры р-п-р пе-
реключательные. Предназначены для применения в переклю-
чателях в бесконтактных коммутирующих устройствах, в схе-
мах управления электродвигателями, в быстродействующих
ключевых схемах с низким напряжением насыщения, в тахо-
метрах для автомобилей, в реле поворотов, в блоках питания.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
На корпус наносится условная маркировка в виде знака и
буквы соответствующей группы: КТ6127А — А, КТ6127Б — Б,
КТ6127В - В, КТ6127Г — Г, КТ6127Д - Д, КТ6127Е - Е,
КТ6127Ж - Ж, КТ6127И - И, КТ6127К - К.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элеке», г. Александров, Владимирская область.
КТ6127(А-К)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в
схеме ОЭ при (4э = 5 В, 4 = 0,5 А, не менее:
КТ6127А, КТ6127Б, КТ6127Ж, КТ6127И,
КТ6127К................................. 30
КТ6127В, КТ6127Г, КТ6127Д, КТ6127Е...... 50
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при (/КБ = 10 В, /э = 0,2 А,
не менее................................... 150 МГц
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер,
не более:
при /к = 1 А, 4 = 0,1 А:
КТ6127А, КТ6127Б.................... 0,15 В
КТ6127Ж, КТ6127И.................... 0,2 В
КТ6127К............................. 0,25 В
при /к = 2 А, 4 = 0,2 А для КТ6127В,
КТ6127Г, КТ6127Д, КТ6127Е............... 0,3 В
Время включения при /к = 0,5 А,
4» = 4г = 25 мА, 4 = 1 мкс, не более....... 200 нс
Время рассасывания при 4 - 0,5 А,
4, = 4г = 25 мА, 4 = 1 мкс, не более....... 250 нс
Время спада при 4 = 0,5 А, 4, = 4? = 25 мА,
4=1 мкс, не более.......................... 250 нс
Емкость коллекторного перехода
при С4б = 5 В, не более.................... 74 пФ
Емкость эмиттерного перехода
при (4э = 0,5 В, не более.................. 300 пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при С4э = ию> МАКС, /?бэ = 1 кОм, не более. 20 мкА
Обратный ток эмиттера при С4э = 4 В,
не более................................... 100 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 1 кОм:
КТ6127А................................ 90 В
КТ6127Б............................. 70 В
КТ6127В............................. 50 В
КТ6127Г............................. 30 В
КТ6127Д............................. 20 В
КТ6127Е............................. 10 В
КТ6127Ж............................. 120 В
КТ6127И............................. 160 В
КТ6127К............................. 200 В
Постоянное напряжение база—эмиттер..... 4 В
Постоянный ток коллектора.............. 2 А
Импульсный ток коллектора при - 10 мкс,
О = 20................................. 8 А
Постоянный ток базы.................... 0,4 А
Импульсный ток базы при (ц = 10 мкс, О = 20 1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Т = +25 °С.................... 0,6 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность
при /и = 10 мкс, О = 20................ 6 Вт
Температура р-п перехода............... +150 ’С
Температура окружающей среды........... —55...+125 ’С
1Т901А, 1Т901Б
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные струк-
туры р-п-р переключательные. Предназначены для примене-
ния в переключающих и импульсных усилительных каскадах
радиоэлектронных устройств. Выпускаются в металлическом
корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 25 г. Масса крепежного флан-
ца не более 10 г.
Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Ташкент.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ:
при = 10 В, /э = 0,1 А, Т= +25 ’С
для 1Т901А......................... 10...19*...25*
1Т901 (А.Б)
при (/КБ = 10 В, 4 = 5 А:
Т= +25 °С:
1Т901А................................ 20...33*...50
1Т901Б............................ 40...72*... 100
Т = -60 СС:
1Т901А................................ 20...60
1Т901Б............................ 40... 120
Т = +70 °С:
1Т901А................................ 14...60
1Т901Б............................ 28...120
Граничная частота коэффициента передачи
тока при О'кэ = 10 В, 4 = 0,5 А, не менее..... 30* МГц
Граничное напряжение при 1Э = 5 А:
Т= +25 °С:
1Т901А.................................... 45...51*...53* В
1Т901Б................................ 30...47*...51* В
Т= -60 и +70 °С для 1Т901А, 1Т901Б,
не менее.................................. 30 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 5 А, /Б = 1 А
Г=+25 °С...................................... 0,3*...0,4*...
0,6 В
Т = —60 °С, не более...................... 0,7 В
Т = +70 °С, не более...................... 1,8 В
Время нарастания при Укэ = 10 В, (/БЭ = 0,5 В,
/к = 5 А...................................... 0,5*...0,7 мкс
Время спада при У^ = 10 В, У^ = 0,5 В,
/к = 5 А...................................... 0,2*...0,7 мкс
Обратный ток коллектора при 6/КБ = 40 В,
не более:
Г=+25 °С...................................... 8 мА
7=-60 “С............................ 8 мА
7=+70 °С............................ 60 мА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при 4/кэ = 50 В, иьэ = 0,5 В, не более. 15 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при 6С = 0,5 В:
1Т901А.............................. 50 В
1Т901Б.............................. 40 В
Постоянное напряжение коллектор—база1:
1Т901А.............................. 50 В
1Т901Б............................. ДОВ
Постоянный ток коллектора............... 10 А
Постоянный ток базы .................... 2 А
Постоянная или средняя (за период 1 мс)
рассеиваемая мощность транзистора* 2 при
7 = -60... Гк = +37,5 ’С................ 15 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус... 2,5 °С/Вт
Температура р~п перехода ............... +75 °С
Температура окружающей среды............ —60... 7К =
= +70 “С
’ Допускается выброс напряжения длительностью до 10 мкс для 1Т901А до
50 В, для 1Т901Б до 40 В.
2 Пои Гк > +37,5 °С постоянная или средняя рассеиваемая мощность транзи-
стора рассчитывается по фермуле
Лике = (75 - Гк)/2,5, Вт.
Пайка выводов транзистора должна осуществляться па-
яльником мощностью не более 60 Вт в течение не более 10 с
на расстоянии не менее 20 нм от корпуса. Расстояние от
начала гибкой части составного вывода до начала изгиба вы-
вода не менее 5 мм.
Запрещается использование транзисторов без теплоотво-
да. Чистота обработки поверхности теплоотвода в месте уста-
новки транзистора не хуже 1,6.
1Т905А, ГТ905А, ГТ9О5Б
Транзисторы германиезые диффузионно-сплавные струк-
туры р-п-р универсальные. Предназначены для применения в
переключающих и импульсных усилительных устройствах, в
выходных каскадах усилителей мощности низкой частоты.
Выа-ускаются в металлическом со стеклянными изоляторами
(1Т905А) и металлопластмассовом (ГТ905А, ГТ905Б) корпусах
с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзисторов 1Т905А не более 4,5 г (с крепежным
фланцем не более 6 г), ГТ905А, ГТ905Б не более 7 г.
Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Ташкент.
ГТ905(А,Б)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при //КБ = 10 В, /э = 3 А:
Т= +25 ’С для 1Т905А, ГТ905А, ГТ905Б.. 35...64,4*...100
Т = -60 ’С для 1Т905А................... 35... 100
Т= +70 ’С для 1Т905А.................... 20... 100
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при С/КБ = 10 В, 4 = 0.5 А
для 1Т905А, не менее......................... 30* МГц
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при (/КБ = 10 В, 4 = 0,5 А,
/= 20 МГц, для ГТ905Б, не менее.............. 3,5
Граничное напряжение при 1Э и = 3 А,
= 60 мкс, О ? 8000 или 4 = 30 мкс,
□ > 4000 для 1Т905А, ГТ905А, ГТ905Б.......... 65...74*...78 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 3 А, 4 = 0,5 А:
Т= +25 ’С 1Т905А, ГТ905А, ГТ905Б......... 0,14*...0,24*...
0,5 В
Г= -60 ’С 1Т905А, не более............... 0,5 В
Т = +70 ’С 1Т905А, не более.............. 0,8 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 3 А, 4 = 0,5 А для 1Т905А, ГТ905А,
ГТ905Б....................................... 0,46*...0,54*...
0,7 В
Постоянная времени цепи обратной связи при
6/КБ = 30 В, 4 = 0,03 А, 10 МГц, не более:
1Т905А................................... 500 пс
ГТ905Б................................... 300 пс
Время включения при (/КБ = 30 В, /э и = 0,5 А,
4 = 20 мкс, /= 50 Гц для 1Т905А...'.......... 0,012*...0,018*
...0,2 мкс
Время нарастания при С/КБ = 30 В, 4, и = 0,5 А,
4 = 20 мкс, /= 50 Гц для ГТ905А, не более ... 0,15 мкс
Время спада при = 30 В, 4 и = 0,5 А,
4 = 20 мкс, 50 Гц для 1Т905А, ГТ905А......... 0,012*...0,053*
...0,3 мкс
Время рассасывания при С/КБ = 30 В,
4 и = 0,5 А, 4 = 20 мкс, = 50 Гц
для 1Т905А, ГТ905А........................... 1,5*...2,4*...
4 мкс
Емкость коллекторного перехода
при ЦБ = 30 В, /= Ю МГц, не более:
1Т905А................................... 250 пФ
ГТ905А, ГТ905Б........................... 200 пФ
Емкость эмиттерного перехода при
С4б = 0,4 В, 1- 10 МГц для 1Т905А, не более 8000 пФ
Обратный ток коллектора, не более:
Г= +25 ’С:
(/КБ = 75 В для 1Т905А................... 0,09*...0,35*...
2 мА
(УКБ = 75 В для ГТ905А............ 2 мА
(7ка = 60 В для ГТ905Б............ 2 мА
Т= -60 °С:
= 75 В для 1Т905А, ГТ905А.... 2 мА
4/кб = 60 В для ГТ905Б............ 2 мА
Т= +70 °С:
(УК5 = 75 В для 1Т905А............ 8 мА
(УКБ = 75 В для ГТ905А ......... 16 мА
(УКБ = 60 В для ГТ905Б............ 16 мА
Обратный ток эмиттера при (УЭБ = 0,4 В,
не более................................. 0,91*...0,18*...
5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
при 1 Ом.............................. 60 В
при = ОН В:
1Т905А, ГТ905А................... 75 В
ГТ905Б........................... 60 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер:
при 10 мкс............................ 60 В
запертого транзистора при Ги 20 мкс,
О > 3 для ГТ905А, ГТ905Б............. 130 В
Постоянное напряжение коллектор—база:
1Т905А, ГТ905А........................ 75 В
ГТ905Б............................... 60 В
Постоянный, импульсный (в режиме переклю-
чения) ток коллектора.................. 3 А
Импульсный ток коллектора в режиме пере-
ключения при /и < 20 мкс для 1Т905А и при
Ги < 20 мкс, 0 3 для ГТ905А, ГТ905Б.... 7 А
Постоянный (прямой или обратный) ток базы. 0,6 А
Импульсный (прямой или обратный) ток базы. 1 А
Постоянная средняя (за период не более
2 мс, I* С 10"’ с) рассеиваемая мощность
коллектора:
с теялоотведем’, при 7"к = —60...+30 'С .... 6 Вт
без теялеатвода1 2, при Т = —60...+25 °С .... 1,2 Вт
1 При Гк > +30 °С значение постоянной (средней) рассеиваемой мощности
транзистора рассчитывается по формуле
Лике = (85 - Гк)/9, Вт.
2 Яри Г > +30 ’С значение постоянной (средней) рассеиваемой мощности
транзистора рассчитывается по формуле
= (85 - Г)/50, Вт.
Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора3 при Ги < 10"3 с, «ь 32 В, 5 Гц, за-
пирающем токе /Б? 0,1 А и Тк = —60...+30 "С 60 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус... 9 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—окружаю-
щая среда............................... 50 °С/Вт
Температура р-п перехода................ +85 °С
Температура окружающей среды............ —60... 7"к =
= +70 °С
3 При Укэ > 32 В, 7К > +30 °С и при /6 > 0,1 А, Ти < 10"’ с, 1< 5 Гц импульсная
рассеиваемая мощность снижается линейно, а при 5 Гц < Ю’Гц дополни-
тельно снижается в соответствии с формулой
Рк и.млксК) = Рк.и.м*кс^< 5 Гц) (1 - е - 7/10), Вт,
где 7— период, мс.
1Т906А, ГТ906А, ГТ906АМ
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные структу-
ры р-п-р переключательные. Предназначены для применения в
преобразователях напряжения, переключающих и импульсных
усилительных каскадах радиоэлектронных устройств. Выпуска-
ются в металлическом со стеклянными изоляторами (1Т906А,
ГТ906А) и металлопластмассовом (ГТ906АМ) корпусах с жест-
кими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзисторов 1Т906А, ГТ906А не более 4,5 г (с
крепежным фланцем не более 6 г), ГТ906АМ не более 7 г.
Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Ташкент.
1Т906А. ГТ906А
ГТ906АМ
16
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при {/ю = 10 В, /э = 5 А:
Г= +25 ’С для 1Т906А, ГТ906А, ГТ906АМ 30... 150
Т= -60 ’С для 1Т906А............... 30... 170
Т= +70 ’С для 1Т906А............... 20... 150
Граничное напряжение при /э и = 5 А,
не менее:
1Т906А при Ги С 50 мкс, О> 2000 ...... 65 В
ГТ906А, ГТ906АМ при 250 мкс,
Г = 1...2 МГц......................... 75 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к и = 5 А, /Б и = 0,5 А, не более:
Т= +25 ’С для 1Т906А, ГТ906А, ГТ906АМ 0,5 В
7-=-60’С для 1Т906А.................. 0,5 В
Т= +70 ’С для 1Т906А................. 1В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 и = 5 А, /Б и = 0,5 А, не более:
1Т906А........:......................... 0,6 В
ГТ906А, ГТ906АМ...................... 0,7 В
Время нарастания при 4/кэ = 30 В, С/ЭБ = 0,5 В,
4, и = 0,5 В, /‘и = 20 мкс, /= 50 МГц, /?н = 6 Ом
для 1Т906А, не более...................... 1 мкс
Время включения при 1/^ - 30 В, = 0,5 В,
/Б и = 0,5 В, 4, = 20 мкс, Л= 50 МГц, /?н = 6 Ом
для ГТ9О6А, ГТ906АМ, не более............. 1 мкс
Время рассасывания при 1/кэ = 30 В,
/Б и = 0,5 В, Гц = 20 мкс, Т- 50 МГц,
= 6 Ом, не более........................ 5 мкс
Обратный ток коллектор—эмиттер
при икъ = 75 В, {/ЭБ = 0,5 В, не более:
Т= +25 и -60 °С для 1Т906А, ГТ906А,
ГТ906АМ.................................. 8 мА
Т= +70 ’С:
1Т906А.............................. 15 мА
ГТ906А, ГТ906АМ.................. 30 мА
Обратный ток эмиттера при 4/ЭБ = 1,4 В,
не более:
1Т906А.................................. 8 мА
ГТ906А, ГТ906АМ...................... 15 мА
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение коллектор—эмиттер:
1Т906А при (4э = 0,5...1,4 В........... 75 В
ГТ906А, ГТ906АМ'при 4/БЭ = 0,4...1,4 В. 75 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
запертого транзистора при 4/БЭ = 0,4... 1,4 В,
Ги С 20 мкс, 0 3 для ГТ906А, ГТ906АМ...... 130 В
Напряжение коллектор—база................. 75 В
Напряжение база—эмиттер................... 1,4 В
Постоянный или импульсный ток коллектора
в режиме насыщения1....................... 10 А
Постоянный ток коллектора в режиме пере-
ключения:
1Т906А................................. 5 А
ГТ906А, ГТ906АМ........................ 6 А
Ток коллектора в режиме переключения:
1Т906А (при 4/кэ = 36 В и выбросах напря-
жения до 45 В длительностью до 10 мкс). 7 А
ГТ906А, ГТ906АМ (при напряжении
на коллекторе закрытого транзистора
, не более 25 В)........................ 7 А
Постоянный или средний ток базы:
1Т906А (за период не более 2 мс)....... 1,5 А
ГТ906А, ГТ906АМ при I* С 2 мс, (О 3.... 1,5 А
1 Отключение транзистора осуществлять при токе коллектора не более 5 А
для 1Т906А и 6 А для ГТ906А, ГТ906АМ.
Постоянная или средняя рассеиваемая мощ-
ность коллектора1 при 7"к < +37,5 °С..... 15 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность транзи-
стора:
при 4 С 10 мкс....................... 375 Вт
при 4, С 200 мкс, (7КЭ 60 В, /= 5 Гц. 300 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус 2,5 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—среда 50 °С/Вт
Температура р-п перехода................. +75 "С
Температура окружающей среды............. —60... Тк =
= +70 °С 1 * * 4
1 При Гк>+37,5 ’С постоянная или средняя рассеиваемая мощность кол-
лектора рассчитывается по формулам
Р*.м*кс = (75 - Гк)/25, Вт,
при использовании транзистора с теплоотводом;
Рк. макс = (75 - Т)/В0, Вт,
при использовании транзистора без теплоотвода.
1Т910АД
Транзистор германиевый диффузионно-сплавной структу-
ры р-п-р переключательный. Предназначен для применения в
мостовых преобразователях напряжения и других переключа-
ющих каскадах радиоэлектронных устройств. Выпускается в
металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип при-
бора указывается на корпусе. Вывод эмиттера отмечен синей
точкой на корпусе.
Масса транзистора не более 5 г.
Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Ташкент.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при (7КЭ = 10 В:
Т= +25 °С:
4 и = 20 А................................ 50...223*...320*
/эи=10А................................ 50...167*...320
4 и = 0,1 А............................ 30...70*...104*
Т= —60 °С, /э>и = 10 А..................... 35...320
Т = +70 °С, 4, и = А, не менее............. 35
Граничная частота коэффициента передачи
тока, не менее................................. 30 МГц
Граничное напряжение при 4,и = 5 А............. 25...28*...31 В
1Т910АД
01
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер:
при Т = +25 ’С, /к, и = Ю А, /Б и = 1 А... 0,15*...0,19*...
0,6 В
при Т= +25 ’С, /к и = 20 А, /Б и = 2 А.... 0,22*...0,25*...
0,8 В
при Т--60 ’С, 4,и = 10 А, 4,и = 1 А,
не более.................................. 0,6 В
при Т = +70 'С, 4. и = 10 А, 4 и = 1 А,
не менее.................................. 1 В
Время нарастания при = 10 В, = 5 А... 0,6*... 1,0*...
1,5 мкс
Время спада при = 10 В, /К| и = 5 А........... 0,5*...0,8*...
1 мкс
Обратный ток коллектора при 6/№ = 40 В:
7" =+25’С................................. 0,42*...1,2*...
6 мА
Т = —60 ’С, не более...................... 6 мА
Т = +70 ’С, не более...................... 20 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер1
при С/БЭ = 0,4 В..................... 32 В
Постоянное напряжение коллектор—база. 33 В
Допускается выброс напряжения до 37 В длительностью не более 10 мкс.
Постоянный ток коллектора............... 10 А
Импульсный ток коллектора............... 29 А
Постоянный ток базы..................... 3 А
Импульсный ток базы..................... 6 А
Средняя (за период не более 1 мс) рассеивае-
мая мощность коллектора при Т С +20 °С:
с теплоотводом1.......................... 35 Вт
без теплоотвода2..................... 0,9 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус... 1,85 °С/Вт
Температура р-п перехода................ +85 °С
Температура окружающей среды............ —60...+70 °С
’ При Гк > +20 'С средняя рассеиваемая мощность коллектора рассчитыва-
ется по формуле
^к, ср, макс = (85 ~ ТУ/1,85, Вт.
2 При Г> +20 ’С средняя рассеиваемая мощность коллектора рассчитывает-
ся по формуле
Рк макс = (85 - Гк)/70, Вт.
2Т932А, 2Т932Б, КТ932А, КТ932Б, КТ932В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р усилительные. Предназначены для применения в
широкополосных усилителях мощности и автогенераторах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выво-
дами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Изготовитель — завод при НИИПП, г. Томск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при (7КЭ = 3 В, /к = 1,5 А: Т= +25 °С:
2Т932А, КТ932А ... 15...30*...80*
2Т932Б, КТ932Б ... 30...45*...120*
КТ932В, не менее ... 40
Т= -69 ’С:
2Т932А, не менее ... Ю
2Т932Б, не менее ... 20
2Т932(А,Б). КТ932(А-В)
Т= +125 °С:
2Т932А, не менее..................... 15
2Т932Б, не Менее.................. 30
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 6/ю = 3 В, 4 = 1 А:
2Т932А................................... 30...45*...
80* МГц
2Т932Б................................ 50...70*...
100* МГц
КТ932А, не менее..................... 40 МГц
КТ932Б, не менее..................... 60 МГц
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к,и = 1,5 А, 4 = 0.25 А............. 0,2*...0,4*...
1,5 В
Обратный ток коллектор—эмиттер
при = Ю0 Ом, не более:
Т = +25 ’С:
6/кэ = 80 В для 2Т932А, КТ932А..... 1,5 мА
(4э = 60 В для 2Т932Б, КТ932Б.... 1,5 мА
6/кэ = 40 В для КТ932В............ 1,5 мА
Т = -60 “С:
= 80 В для 2Т932А............. 1,5 мА
1}кэ = 60 В для 2Т932Б............ 1,5 мА
Т = +125 "С:
ию = 80 В для 2Т932А.............. 20 мА
= 60 В для 2Т932Б.............. 20 мА
Емкость коллекторного перехода
при (/КБ = 20 В, Г = 5 МГц...............110*... 160* ..
300 пФ
2О-в52 609
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер’
и коллектор—база:
2Т932А, КТ932А...................... 80 В
2Т932Б, КТ932Б...................... 60 В
КТ932В...................-.......... 40 8
Постоянное напряжение эмиттер—база----- 4,5 В
Постоянный ток коллектора.............~ 2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’:
при Т < +50 *С для 2Т932А, 2Т932Б,
КТ932А, КТ932Б, КТ932В.............. 20 Вт
при Гк = +125 ’С для 2Т932А, 2Т932Б. 5 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус 5 ’С/Вт
Тепловое сопротивление переход—среда... 42 ’С/Вт
Температура р-п перехода............... +150 ’С
Температура окружающей среды:
2Т932А, 2Т932Б...................... -6О...ГК =
= +125 ’С
КТ932А, КТ932Б, КТ932В.............. -60... Тк =
= +100 ’С
1 При Гк > +50 *С постоянная рассеиваемая мощность коллектора рассчиты-
вается по формулам
/’к.нлхс = (150 - Вт,
при использовании транзистора с теплоотводом;
Ацшкс = (150 - Вт,
при использовании транзистора без теплоотвода.
2Т933А, 2Т933Б, КТ933А, КТ933Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р усилительные. Предназначены для применения в
широкополосных усилителях мощности и автогенераторах.
Выпускаются в металлостеклянных корпусах с гибкими (2Т933А,
2Т933Б) и жесткими (КТ933А, КТ933Б) выводами. Тип прибора
указывается на корпусе.
Масса транзисторов 2Т933А, 2Т933Б не более 1,5 г, КТ933А,
КТ933Б не более 24 г без накидного фланца (масса накидного
фланца не более 12 г).
Изготовитель — завод при НИИПП, г. Томск.
21933(А Б)
КТ933(А Б)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 3 В, 4, и = 0>4 А:
Т= +25 ’С:
2Т933А, КТ933А.....................
2Т933Б, КТ933Б.....................
Г =-60 ’С:
2Т933А, не менее......................
2Т933Б, не менее...................
Г =+125 ’С:
2Т933А, не менее......................
2Т933Б, не менее ....г.............
15...30*. ..80*
ЗО...48*...12О*
10
20
15
30
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 1/^ = 3 В, = 0,4 А... 75...100*...
120* МГц
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к и = 0,4 А, /Б - 0,05 А............ 0,2*...0,4*...
1,5 В
Обратный ток коллектор—эмиттер
при /?бэ = 100 Ом, не более:
Т= +25 и -60 ’С:
• = 80 В для 2Т933А, КТ933А.... 0,5 мА
Ца = 60 В для 2Т933Б, КТ933Б.... 0 5 мА
Т= +125 ’С:
(4э = 80 В для 2Т933А............ 5 мА
(/кэ = 60 В для 2Т933Б............ 5 мА
Емкость коллекторного перехода
при - 20 В, / = 5 МГц:
2Т933А, 2Т933Б..................... 50*...60*...
100 пФ
КТ933А, КТ933Б, не более............. 70 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
и коллектор—база:
2Т933А, КТ933А....................... 80 В
2Т933Б, КТ933Б....................... 60 В
Постоянное напряжение эмиттер—база....... 4,5 В
Постоянный ток коллектора................ 0,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1:
при Гк $ +50 ’С для 2Т933А, 2Т933Б,
КТ933А, КТ933Б....................... 5 Вт
при Гк = +125 ’С для 2Т933А, 2Т933Б.. 0,2 Вт'
Тепловое сопротивление переход—корпус.... 20 ’С/Вт
Тепловое сопротивление переход—среда
2Т933А, 2Т933Б........................... 125’С/Вт
Температура р-п перехода................. +150 ’С
1 При Гк > +50 ’С постоянная рассеиваемая мощность коллектора рассчиты-
вается по формулам
МАКС = (15® ~ ^к)/^Г (П-КИ ®т'
при использовании транзистора с теплоотводом;
/’к макс = (15® — П/«г (П-си ®т>
при использовании транзистора без теплоотвода.
Температура окружающей среды:
2Т933А, 2Т933Б...................... -60... Гк =
= +125 ’С
КТ933А, КТ933Б..................... -6О...ГК =
= +100 °С
КТ973А, КТ973Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р усилительные. Предназначены для применения в
выходных каскадах систем автоматики. Корпус пластмассовый
с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Изготовитель — завод «Транзистор», г, Минск.
КТ973(А,Б)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 1/кь = 3 В, 4 = 1 А, не менее:
7=+25°С........................... 750
Т=+85 °С.......................... 900
Т= —45 “С......................... 600
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при Ц& = 10 В, 4 = 1 А,
(= 100 МГц, не менее................ 2
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 500 мА, 4 = 50 мАт.......... 1,5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 500 мА, 4 = 50 мА, не более.... 2,5 В
Время рассасывания при 4 = 500 мА,
4 = 50 мА, не более..................... 200 нс
Обратный ток коллектор—эмиттер
при /?БЭ =100 Ом, не более:
Г= —45...+25 ’С......................... 1 мА
7"=+85’С............................. 10 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ973А.............................. 60 В
КТ973Б.............................. 45 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при 7?цэ 1 кОм:
КТ973А.................................. 60 В
КТ973Б.............................. 45 В
Постоянное напряжение база—эмиттер..... 5 В
Постоянный ток коллектора.............. 4 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’ при Гк = —45...+25 ’С............ 8 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 15,6 ’С/Вт
Температура р-п перехода................. +150 ’С
Температура окружающей среды........... —45... Гк =
= +85 ’С
1 При Тк = +25...+Я5 ”С Рк.мяк: рассчитывается по формуле
^к.н«с = О50 ~ Т^/15,6, Вт.
Шероховатость контактной поверхности теплоотвода дол-
жна быть не. хуже 1,6. Допуск плоскостности контактной по-
верхности теплоотвода 0,016 мм. При монтаже транзистора на
теплоотвод крутящий момент при прижиме должен быть не
более 80 Н • см (8 кг • см).
Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 5 мм
от корпуса при температуре припоя +260 ’С в течение не
более 4 с, время лужения выводов не более 2 с. Допускается
не более одной перепайки.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В.
КТ9115А, КТ9115Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р усилительные. Предназначены для применения в
усилителях мощности высокой частоты. Выпускаются в пласт-
614
массовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указы-
вается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
КТ9115А
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в
схеме ОЭ при 1/кэ = 10 В, 4 = 30 мА, не менее 25
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 10 В, 4 = 30 мА,
не менее................................. 90 МГц
Граничное напряжение при /к = 10 мА,
не менее:
КТ9115А.............................. 300 В
КТ9115Б.............................. 150 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 30 мА, /Б = 6 мА, не более..... 1 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 30 А, /Б = 6 мА, не более....... 1,1 В
Емкость коллекторного перехода
при (/КБ = 30 В, не более............... 5,5 пФ
типовое значение.................... 2,5* пФ
Емкость эмиттерного перехода
при 44э = 0,5 В, не более................ 50 пФ
типовое значение....~................ 35* пФ
Обратный ток коллектора при 1/№ - 250 В,
не более:
Г =+25’С......................... 0,05 мкА
Г=+100’С......................... 2 мкА
Обратный ток эмиттера при 4/6Э = 3 В,
не более.............'.............. 0,05 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ9115А............................. 300 В
КТ9115Б............................. 150 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при Лвэ Ю кОм:
КТ9115А............................. 300 В
КТ9115Б............................. 150 В
Постоянное напряжение база—эмиттер..... 5 В
Постоянный ток коллектора.............. 0,1 А
Импульсный ток коллектора1 при 4^2 мс,
02 3,3................................. 0,3 А
Постоянный ток базы.................... 0,05 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Тк = —Д5...+25 ’С:
с теплоотводом2........................ 10 Вт
без теплоотвода3.................... 1,2 Вт
Температура р-п перехода............... +150 ’С
Температура окружающей среды........... -45... Тк =
= +100 ’С
1 При О < 3,3 И| идхс рассчитывается по формуле
4. и, макс ~ 4. макс^ Д-
1 При Гк = +25...+100 ‘С Рцмакс снижается до 4 Вт.
’ При Т = +25...+100 *С Рк снижается до 0,48 Вт.
Пайка выводов рекомендуется не ближе 5 мм от корпуса
транзистора при температуре припоя +265 °С в течение време-
ни не более 3 с. Допускается пайка велной при температуре не
более +235 ’С.
Допустимое значение статического потенциала 500 В.
Входные характери-
стики
1к
50
4/7
30
20
10
О
Выходные характери-
стики
Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициен-
та передачи тока от то-
ка коллектора
Зависимости напряжений насыще-
ния коллектор—эмиттер и база—
эмиттер от тока коллектора
Зависимость емкости коллекторно-
го перехода от напряжения коллек-
тор-база
1к.мА
Области максимальных режимов
Зависимость пробивного напряже-
ния коллектор—эмиттер от сопро-
тивления база—эмиттер
КТ9120А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры р-п-р усилительный. Предназначен для применения в уси-
лителях мощности высокой частоты. Выпускается в пластмас-
совом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывает-
ся на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 1 В, 4 = 4 А, не менее.. 40
Граничное напряжение при /э = 0,1 А,
не менее................................. 45 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 8 А, /Б = 0,4 А, не более....... 0,6 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база... 45 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 10 Ом........................ 45 В
Постоянное напряжение база—эмиттер..... 5 В
Постоянный ток коллектора................ 4 2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Т = —45...+2Б ’С................ 60 Вт
Температура р-п перехода................. +150 ’С
Температура окружающей среды............. —45... Тк =
= +100 ’С
КТ9144А9, КТ9144А-5
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р универсальные. Предназначены для применения в
ключевых схемах, импульсных модуляторах, преобразователях,
линейных стабилизаторах напряжения. Транзистор КТ9144А9
выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Транзистор КТ9144А—5 выпускается в виде неразделенных кри-
сталлов на пластине с контактными площадками для гибридных
интегральных микросхем. Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в пластмассовом корпусе не более
0,07 г, кристалла 0,003 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при </К6 = 10 В, 4 = 10 мА.... 20.;.40*...150*
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 10 В, 4 = 10 мА.... 30...35...40 МГц
Граничное напряжение при 4 = 30 мА,
не менее................................... 300 В
типовое значение....................... 380* В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 10 мА, 4 = 2 мА:
КТ9144А9, не более......................... 0,6 В
КТ9144А-5.............................. 0,3*...0,5* „1 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 10 А, 4 = 2 мА..................... 0,7*...0,8*.„
1,2 В
Обратный ток коллектора при ОКБ = 500 В,
не более................................... 1 мкА
Обратный ток эмиттера при ОЭБ = 5 В,
не более................................... 1 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база... 500 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 1 кОм, &и/Ы= 250 В/мкс...... 500 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 5 В
Постоянный ток коллектора.............. 50 мА
Импульсный ток коллектора при 4 = 500 мкс,
0=2.................................... 100 мА
Постоянный ток базы.................... 5 мА
Импульсный ток базы при 4 = 500 мкс, 0=2 10 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —60...+25 ’С:
с теплоотводом1:
КТ9144А9......................... 1 Вт
КТ9144А-5........................ 5 Вт
без теплоотвода, КТ9144А91 2........ 0,3 Вт
Температура р-п перехода............... +150 ’С
Тепловое сопротивление переход—корпус:
КТ9144А9................................ 125 ’С/Вт
КТ9144А-5........................... 25 ’С/Вт
Тепловое сопротивление переход—среда
КТ9144А9............................... 416’С/Вт
Температура окружающей среды:
КТ9144А9................................ -6О...ТК =
= +100 ’С
КТ9144А-5........................... -6О...ТК =
= +125 'С
1 При Гк > +25 *С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектооа рассчитывается по формуле
илкс = (1-*0 — Гк)/Я-(п-к» Вт.
2 При Т > +25 “С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
^к. макс = (150 — Г)//?-(п-к)> Вт.
Транзисторы являются комплементарными с транзистора-
ми КТ914БА9, КТ9145А-5.
КТ9176А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры р-п-р усилительный. Предназначен для применения в схе-
мах усилителей постоянного тока, преобразователей напряже-
ния. Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выво-
дами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Изготовитель — завод «Искра», г. Ульяновск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ:
при (/кэ = 2 В, 4 = 20 мА, не менее....... 30
при (4э = 2 В, /к = 1 А.................. 60...400*
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 5 В, 4 = 0,1 А,
не менее.......*....................... 90 МГц
Граничное напряжение при 4 = 0,1 А,
не менее............................... 30 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 2 А, 4 = 0,2 А, не более....... 0,5 В
Напряжение -насыщения база—эмиттер
при 4 = 2 А, 4 = 0,2 А, не более...~... 2 В
Емкость коллекторного перехода
при 1/№ = 10 В, типовое значение....... 45* пФ
Обратный ток коллектора при 1/№ = 30 В,
не более............................... 1 мкА
Обратный ток эмиттера при = 3 В,
не болеем.............................. 1 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база... 40 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при = оо ............................. 30 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 5 В
Постоянный ток коллектора.............. 3 А
Импульсный ток коллектора.............. 7 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —45...+25 °С................ 10 Вт
Температура р-п перехода................... +150 ’С
Температура окружающей среды............. —45... Тк =
= +100 ’С
Зависимость статического коэффи-
циента передачи тока от тока кол-
лектора
Зависимости напряжений насыще-
ния коллектор—эмиттер и база-
эмиттер от тока коллектора
Зависимость максимально допусти- Области максимальных режимов
мой постоянной рассеиваемой мощ-
ности коллектора от температуры
корпуса
КТ9180А, КТ9180Б, КТ9180В, КТ9180Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р универсальные. Предназначены для применения в
усилительных и переключательных схемах. Выпускаются в пласт-
массовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указыва-
ется на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
КТ9180(А-Г)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ:
КТ9180А при = 2 В, /, = 1 А.......... 60...400
КТ918ОБ, КТ9180В, КТ9180Г при 1^= 1 В,
/а = 0,15 А, не менее................ 50
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при {/КБ - 5 В, /э = 0,1 А,
не менее................................ 100 МГц
Граничное напряжение при 1Э = 30 мА,
не менее:
КТ9180А............................... ЗОВ
КТ9180Б.’............................ 40 В
КТ9180В.............................. 60 В
КТ9180Г.............................. 80 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер,
не более:
КТ9180А при 4 = 2 А, 4 = 0,2 А....... 0,5 В
КТ9180Б, КТ9180В, КТ9180Г при 4= 1,5 А,
4 = 0,15 А........................... 0,6 В
Напряжение насыщения база—эмиттер:
КТ9180А при 4 = 2 А, 4 = 0,2 А....... 2 В
КТ9180Б, КТ9180В, КТ9180Г при 4= 1,5 А,
4 = 0,15 А........................... 1,5 В
Обратный ток коллектора при <4б = М®, макс,
не более................................ 1 мкА
Обратный ток эмиттера при = (4э, макс,
не более................................ 1 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ9180А............................. 40 В
КТ9180Б............................. 60 В
КТ9180В............................. 80 В
КТ9180Г............................. 100 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
КТ9180А............................. 30 В
КТ9180Б............................. ДОВ
КТ9180В............................. 60 В
КТ9180Г............................. 80 В
Постоянное напряжение эмиттер—база:
КТ9180А..........'................... 5 В
КТ9180Б, КТ9180В, КТ9180Г........... 7 В
Постоянный ток коллектора.............. 3 А
Постоянный ток базы.................... 1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = — 45...+25 ’С:
с теплоотводом......................... 12,5 Вт
без теплоотвода..................... 1,5 Вт
Температура р-п перехода............... +150 ’С
Температура окружающей среды........... —45... Гк =
= +85 ’С
Транзисторы являются комплементарными с транзистора-
ми КТ9181А-КТ9181Г.
ПЕРЕЧЕНЬ ЗАРУБЕЖНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ,
ЗАМЕНЯЕМЫХ ОТЕЧЕСТВЕННЫМИ
Тил оте- чественного транзистора Тил зарубежного транзистора Фирма-изготовитель
Кремниевые полевые транзисторы
2П601А, 2Ы4447, Сг1пиоп Зет), Екп 8Ше, 8елп (пс, 8о61гоп,
2П601Б, 2Ы4448 8расе Рошег, Те1ес1уп Сгуз, Тогдие 8уз
2П601А9, СМ860 Те1едуп Сгуз
КП601А, КП601Б 2Ы6550 Сптзоп 8ет1, О|оде Тгапз, 8егт 1пс, 8расе Рожег, Те1едуп Сгуз
2П609А, ВЕ246В Адупсс! 8ет!, 1п<ег<е1, Мкго Е1есз, Мо!ого1а,
2П609Б, ЫаМ 8ет!, Ы1Ъ Атег 8ещ|, РЪЖрз Е1ес, Зегти 1пс,
2П609А-5, 8ргдие Е1ес
2П609Б—5 ВЕ247А, Ас1упсд 8ет1, Атрегех Е1ес, Мкго Е1есз,
ВЕ247В Мо(ого1а, Ыа11 8ет1, Атег 8егти, РЬ)1!рз Е1ес, 8ет! 1пс
6Г246А Адупсд 8епм, 1п<ег^еС М<сго Е1есз, МоТого1а, Ыа<1 8е(П1, ЬШ1 Атег 8епй, РЬЖрз Е1ес, 8оИд 8Т1пс, Зргдие Е1ес
2П701А, 28К766 Рапазопгс
А702А КРРЗЫ50 ОЕ 8о1к1 81
В132 7 4 Атрегех Е1ес, РЫНрз Е1ес, ЗетеквЬ, 8»етепз Ак1, 8Л1СОП1Х, 11п11годе
1КЕ822 СМдйгол, ГайсЫИ 8С, 6Е 8оШ 81,1пИ ЯесКг, Мо!ого1а, 8Пк:оп1Х, 11п!1годе
8ЕЫ422 8оП1гоп
6РЫ822 1)п|1го<1е
ТТЕ822 ТозЫЬа Атег
1РЕ342О 1гй1 НесТГг
2П701Б, 28К762 Рапазопк
А702Б 8ТМ231 8елмсоп Теск
28К310 НгТаск! СТд, Кпйгоде
1РЕ3322 1п11 ЯесТТг
В13276А Атрегех Вес, РЫНрз Вес, 868—А1ез, 8!етепз Ак1,1)т1годе
ОЕМ722 КтЧгоде
2П702А 28К293 ЫЕС Согр 1А
2П703А КЕР5Р15 ОЕ 8оПс1 81
2 №850 1п11 ЯесТТг
1КЕ9621 1п11 КесИг, 8Жсоп1Х
2П703Б 1НР9110 1п11 КесНг
283134 №С Веса. ЫЕС Согр ЗА
25 Л 35 ЫЕС Е1есз, ЫЕС Согр ЗА
Тил оте- чественного транзистора Тип зарубежного транзистора Фирме-мхпжжюель
КП704А КП704Б КЛ7О5А КП7О5Б, КП705В 2П706А 2Я706Б 2П706В КПТ07А КП707А1 КП707Б КП707Б1 КП7О7В 1ХТК10Н20(А) 28К757 ЮТ630СЕ вигзг авизо итгбзо 1КЕ630 28К459 1КЕ620СР ТХ124 АРТ1004Я2АН ВУ253А В11283, В11283А МТН7Ы50 В11К637—400А(А) ВС1К657—400А(А) 23К349 В1Ж637-4ООВ(А) 28К312 28К349 28К298 28К278 КЕМ7М40 ЯГР7Ы40 ВС1К455—400В(А) В11К655—400В(А) МТМЗИ60 ВОК455-600В(А), ВОК655-600В(А) 1ХТМ4К60А, 1ХТР4И60А, 1ХТМ4И60, 1ХТР4Н60 АРТ752Я8АИ 1ХУ5 Согр Рапазогмс ЕаксЬМ 8С Атрегех Вес, РЫПрз Вес, Зете1аЬ, 8|етеп$ АМ, 8Нкотх, ЦгМгоде Цвйгойе ТоэЫЬа Агаег 019ЙГОП, РаксШ 8С, 6Е 8оГк1 81, 1вН РесНг, Йо4ога1а, Ркеавеу Зеаи, ЗШсогих, ипНгос1е ЫЕС Согр ад ЕайсЫк! 8С Техс( Согр А«1 Роугег ТесЬ Атрегех Вес, РЬЙ1р$ Вес, Зютепз Ак1 Атрегех Е1ес, РЬМра Е1ес, Згётепа Ак1 Мо»ого1а, Еа|'гсНМ 8С, ЦпИгоде РЫЙра Е1ес РМбр$ Е1ес ННасЫ ЬИ РВйрх Вес ННасМ Ш, ЦаНгоде №<ась< ННасЫ 1Лд, ЦпНгоде НЕС Согр ЗА ОЕ 8оНб 81 БЕ ЗоМ 8< РЫПре ЕДес РЫПр$ Е1ес Мо»ого(а РЫПр$ Е1ес ЖУЗСоф М Рожег ТесЬ
Тип оте- чественного транзистора Тип зарубежного транзистора Фирма-изготовитель
КП7О7В1 АРТ752Я8СЫ, АРТ752К8С^ Ад Ро«ег ТесЬ
КП709А В11X90 М«1ого1а, РЫНрз Е(ос, 8)етепз Ак1
1РРВС30 |п»| РосНг
В11К445—600А(А) РЫПрз Е1ес
КП709Б В11Х90А РЬ|||рз Е1ес, $1етеП5 АМ
МТРЗМО Мв1ого1а
2П712А, КРР12Р08 ОЕ ЗоПд 81
2П712А-5 МТМ12Р08 Мо1ого1а
2П712Б, МНТЮРЮ(А) Мо(ого1а
2П712Б-5 2М089 8ШСОП1Х
Р39130 Я8 Стр1а
1РР9130 1М1 КесНг, 8П|СоП1х
1РРР9130 |п(| РесНг, 8И|Сотх
2П712В, ЯРМ8Р10 ОЕ 8о||д 8»
2П712В-5 МТР8Р10 Мо<ого1а
РРР8Р10 ОЕ ЗоНд 81
1КР9132 НесНг, $11|соп'|х
2П803А, В11Х53А .Атрвгех Е1ес, РЬ|||р< Е1ес
А724А ВОХ50А Атрегех Е1ес, РЪЖрс Е1ес, 81етепв АМ
2П803Б, 28К415 ННасЫ Ид
А724Б 25К513 НйасЫ Ид
1ХТРЗМ0А(А), 1ХТМЗМ0А(А) 1ХУЗ Согр
КП804А 1РРО111 1л11 РесИг, Мо1огэ1а
КП805А 1РТР4И60А, 1ХТМ4И60А ЧХХ8 Согр
В 1)290 Мо1ого1а, РЫПра ЕМс, Згетепз Ак1
1КРАС30, 1РРВС30 1п11 КесНг
В1Ж445-600А(А) РЫНрз Е4ес
КП805Б к 1ХТР4М60, 1ХТМ4И60 1ХУ8 Согр
В11290А Мо(ого1а, РЬ|Прз Е1ес, 8)етвП5 АМ
МТРЗЫ60, МТМЗЫ60 Мо1ого1а
ВЦК445-600В(А) -РНШрз Е1ес
Тип оте- чественного транзистора Тип зарубежного транзистора Фирма-изготовитель
КЛ805В В172216 3|етеп5 АМ
В11246 Атрегех Е1ес, РЫКрз Е1ес, 8ете1аЬ, КпИгоде
УТЕ832 ТокЫЬа Атег
УМ50020 8Й1СОП1Х, С1п|1гос1е
11ГМ832 ОпНгоде
5ЕМ432 8о1Нгоп
МТР4М50, МТМ4М50 Мо1ого1а, ЕаисЫМ 8С
МТМ4М50 Мо1ого1а, 11п|1годе
1ХТМ4М50, 1ХТР4М5О(А) 1ХУ8 Согр
В11242 Атрегех Е1ес, РЫНрз Е1ес, 8ете1аЬ, 11пИгсх1е
1НГ832 01дНгоп, Ра1гсЫ1д 8С, СЕ ЗоПд 51, 1п<1 КесНг, Мо1ого1а, ЗШсогнх, ЦпИгойе
КП809А 8ЕМ350А 5оП(гоп
11РМ350 1)п|1г<х1е
КП809А1 РСН2ОМ40 ОЕ 8оПд 51
2М7077 8Шсоп1Х
СНМ11Т- М155(А) СеМгоп
КП809Б 5ЕЫ440 5о1Игоп
2М6914 8ет'|соп ТесЬ, 8<етепз Ак1, Згетепз Ор<о, Зрасе Рожег
КП809Б1, 1КЕ840 Мо1ого1а, ЕаисЫИ 8С, 8|НсоП1х, СпИгоде
КП809Б1-5 750250А1(А) Рожегех 1пс
750150А1(А) Рожегех 1пс
28К876 ЫЕС Е1есзтс, МЕС Согр
28К683 НИасЫ |_<д
28К828 МЕС Е1еск1пс
РЕН1(^50 СЕ ЗоПд 81
В112384 РЫПрз Е1ес, 8|етепз Ак<
КП809В АРТ601РЗАМ Ад Рожег ТесЬ
КП809В1 УМ5О13А 5Л1СОП1Х
1ХТ1_6М60(А) 1ХУ5 Согр
АРТ601К36М Ад Родаег ТесЬ
КП809Г1 1ХТМ6^0(А) 1ХУ8 Согр
УМТО08А 5|Г|сотх
Тип оте- чественного транзистора Тип зарубежного транзистора Фирма- изготовитель
КП809Д 5ТМ3600 8егп|соп ТесЬ
2Ы6913 Зепйсоп ТесЬ, З'ютепа АМ, Зрасе Рожег
В112220 31етепв АМ
КП809Д1 АРТ802КВЫ Ад Рожег ТесЬ
В112376 31етеп5 АМ
КП809Е АРТ752К4АЫ Ад Рожег ТесЬ
КП809Е1 АРТ752К4ВИ Ад Рожег ТесЬ
КП813А, УТЕ252 ТоаЫЬа Атег
КП813А1—5 5ЕЫ252 ЗоМгоп
1КЕ252 ЕаисЬИд ЗС, ОЕ ЗоЙд 31, 1п11 РесКг, 1ХУ8 Согр, Мо1ого1а, 5йк:оп|х, КпИгоде
11ЕЫ252 1)пИгоде
КП813А1 ГГЕР252 1М1 КесНг, 1ХУ5 Согр
КЕК25Ы20 ОЕ 8о)>д 51
802350 РЬ'|Пр5 Е1ес, 3|етеп5 АМ
2Ы6960 З'|етеп5 АМ
В11236 Атрегех Е)ес, РЫПрз Е(ес, 8ете1аЬ, 3(етеп5 АМ, ЗШсотх, ЦпНгоде
КП813Б РЕМ12Ы20 1)п|1годе, ОЕ ЗоМ 31
11ЕМ240 ЦпНгоде
КП813Б1 1КЕР240 Ы1 КесИг
ЦН9640 ЦпНгоде
ОМ60ЮЗА Отгйге)
СНМ05Т- М155(А) Оеп1ог
2Ы7072 ЗШсотх
КП813Б1-5 СНМ05Т- М157(А) Сеп1ог
2П815А СНМ11Т—М155(А), СНМ11С- М155(А) Оеп1ог
2П815Б 25К876 ЫЕС Е1ес51пс, ЫЕС Согр 1А
2П815В В112202, 81)2383 3)етеп5 АМ
2П815Г 23К644 Тоа1мЬа Атег
2П816А, 2П816Б 1КЕАЕ50 1п11 РесМг
2П816В, 2П816Г АРТ1001 КАИ Ад Рожег ТесЬ
Тип оте- чественного транзистора Тил зарубежного транзистора Фирма-изготовитель
А842А 868Р369 868—А1ез
28К767 Рапазопк
В02216 81етепз Ак1
28К1244, 28К1245 8Ып4епдеп
А842Б 8ЕИ320 8о1йгоп
28К763 Рапавопй:
28К530 ТоэЬ>Ьа Атег
1КЕ7332 1п<1 КесНг
А843А МТРЗШ00 Мв1ого1а
ВП2309 8|етеп5 Ак1
В11253А РЬЛрз Е1ес, Атрегех Е1ес
В11К426—1000А(А) Ркй«р5 Е1ес
А843Б 7846(А) Рол'егех 1пс
28К791 ТозЫЬа Атег
А843В В1Ж426—800В(А) РЫНрз Е1ес
2П901А, 2П901Б, 2П901А- 5, 2П901Б— 5, КП901 А, КП901Б ВЕ1.522 РЫйрз Сотр, РЫПрз Озсг
2П903А, 2П903Б, 2П903В, 2П903А-5, 2П903Б- 5, 2П903В-5, КП903А, КП903Б, КП903В СР664, СР665, СР666 ТеИйуп Согр
2П904А; 2П904Б, КП904А, КП904Б ВЕН 75 РЬЛрз Е1ес
2П905А, 2П905Б, КП905А, КП905Б, КП905В 25К583 80211 8апуо Е1ес Са1од1с
Тип оте- чественного транзистора Тип зарубежного транзистора Фирма-изготовитель
2П907А, 2П907Б, КП907А, КП907Б, КП907В 2П908А, 2П908Б, КП908А, КП908Б 2П909А, 2П909Б, 2П909В, 2П909Г, А650А, А650Б, А650В, А650Г 2П911А, 2П911Б, А654А, А654Б 2П912А 2П912Б 2П913А, 2П913Б, А675А, А675Б 2П914А УМ5000ТЫЕ 2УН2106Вв 8ЕИЕО61А, 8ЕМЕО61С УЫ67А0 80211 314169 ЗИ 170, ЗЫ171 МТР5Н50 КЕР4М05, НЕР4М061 0У12Ю2 УЫ0104М4, УИ40А0(А) УМ6АЕ, УН46АО(А), УМ0104М5 5ЕЫ105С МТР4М10 2Ы7014 УЫ1206М5 5РЫ123 ОЕМ523 1КЕ523, 1КР123 МТР7Ы05 МТА7ИО5 8РИ065В, 8ЕЫ065О 28К113 2Ы4857А 8оН1гоп Р1ез5еу Зет! 8о1Нгоп 8И1СОП1Х, КпИгоде Са1од>с Мо1ого1а, Атег Зегги, 8«1Нгоп ОЕ/1п1ег5)1, Мо(ого1а, Атег Зет), 8о1Нгоп, Зрасе Рои/ег Мо1ого1а, 808—А1ев, КпНгоде ОЕ 8о1'|д 81 ЗШсоп'|х ЗиреПех, (ЗпИгоде 3|Псогих, (ЗпИгоде ЗоНиоп Еа'|ГсЫ1д ЗС, Мо1ого1а ЗН1СОП1Х ЗиреПех, ОпЛгоде Зо1Игоп Кпйгоде 0|<р1гоп, ЕаисЫ14 ЗС, ОЕ 8оНс1 81, 1п1| НесНг, МоЮго1а, Р1еа$еу Зет), 808—А1ез, 3|Гкх>п1х, ЗиреПех, 11т1гос1е 11т'1го<1е, Мо1ого1а Мо(ого1а ЗоПиоп ТозЫЬа Согр Адупсс! Зет), Сеп1га1 Зет), Е1т 81а1е, 0Е/1п1егзИ, НьТгоп, 1п1еНе1, Мо1ого1а, Иа11 Зет), Зет! 1пс, ЗШсотх, 8М 311гк1из, ЗоК1гоп, Зрасе Рожег, 1)т1ех
Тип оте- чественного транзистора Тип зарубежного транзистора Фирма-изготовитель
2П918А, УЫ0204М5 8иреПех, (ЗпИгоде
2П918Б КЕР4Ы05, КРР4И051 Е2013Н ‘ ОЕ 8оПд 8< Ро1у
2П920А, МТР14Ы05А Мо1ого!а
2П920Б, А709А, А7О9Б В11К452—50В(А), В1Ж462-50В М8С0204100 РЫНрв Е1ес М8С
КП921А УМ040Ю УМ1204Ы5 8И|соп1Х, 11пНгоде ЗиреПех, 1)п1(гос1е
2П922А, 2П922А-5, КП922А УШОООО, УМ1001А 8И|согпх, (_1пНгоде
КП922А1 ВиК463-100В(А), В1Ж453- 100В(А) УТР532 УЫ100Ю РЫПрз Е1ес ТозНЬа Атег 8|Псоп1х, 11п(1годе
2П922Б, 2П922Б-5, КП922Б 8РЫ122 8оП(гоп
КП922Б1 УМ1210Ы5 ЗиреПех, 1)пйго«1е
2П923А, УРЛ204М1 ЗиреПех, 11т1годе
2П923Б, КП923А, Е1053 Ро1у
КЛ923Б, А709А, А709Б 8Т1053 8ЕМ
2П923В, Е2013Н Ро1у
КЛ923В ЫТР7МО5 МТР5Ы05 Мо1ого1а, ОпНгоде Мо1ого1а
2П923Г, КП923Г МТР5Ы05 Мо1ого1а
2П928А, Е1О27 Ро1у
2П928Б, А746А, А746Б М8С0204100 М8С
2П933А, 2П933Б, Е1053, Р2013Н Ро1у
А762А, 8Т1053 8ЕМ
А762Б МР175 МАТ8
Тия оте- чественного транзистора Тип зарубежного транзистора Фирма-изготоеитель
2П941В, 2П941Г, 2П941Д 8Т1016 8ЕМ
КП944А 1КР9222 1п(1 НвсНг
КП944Б 25 Л 26 ТоаЫЬа Атег
2И6848 1п11 КесНг
КП945А МТР1505Е Мо1ого1а
Л025(А) Роууегех 1пс
1КРК0230 1пТ1 Нес11г
КП945Б УН0601А Зйгсомх, ОпНгоде
КП951А УЫ0300М 8)1к:оп1х
КП951Б МРЕ930 Мо(ого1а
КП951В 2Ы6656 Сптзоп Зелм, 8Шсоп|х, 8о6(гоп, Зрасе Рочтег, ТЬтзСЗЕЕРС
Арсенидогаллиевые полевые транзисторы
ЗП602А—2, МОР 1802 МИвиЫ Е1ес
АП602А-2 Е5Х52У/Е, Е8Х52Х РщНви
0X1-3501, ОХЦ3501А—Р70 ОоиИ/Мюголауе Ргодис) 0|у
НМР-0620, НМР-0621, НМР-0624, НМР-0301, НМР-0302 Нагла Мкгомгауе 8епи
ЗЛ802Б—2, ТС9502 ТКотвоп-СЗР
ЗЛ602Б- 5, АП602Б-2 МА4Р005-500 М/А—Сот 1пс
НМР-0624, НМР-0621, НМР-0620 Наггм Икгожауе 8епи
Р8Х51Х Рир1$и
ЗП602В-2, Р8Х51УУР Ри]|»зи
АП602В-2 0X1.-3503, 0X1—3503А—Р70 6оик1/Мкгоууауе Ргодис! 01у
ЗЛ602Г- 2, АТ8101 Ауал1ек 1пс
АП6О2Г- 2 НМР-0620, НМР-0621, НМР-0624, НМР-1200 Нагла Мкгоууауе 8ет1
МА4Р003—500, МАЕ003—297 М/А—Сот 1яс
Тип оте- чественного транзистора Тип зарубежного транзистора Фирма-изготовитель
ЗП602Д- 2, ЗП602Д- 5, АП602Д- 2 ЗП6ОЗА-2, ЗПбОЗА 1-2, ЗП6ОЗА-5, АП603А- 2, АП603А1—2, АП603А-5, А686А-2, А686А1-2 М5С88001, М8С1824, М8С1827 МА4Р004—918, МА4Р004—297 НМР1202, НМР0602, НМР0302 0X13615, 0X13615А-Р100Р, 0X13504 Р1С053У7О, Р8Х52УУР АТ-8101, АТ-8160, АТ-8151, АТ-8150 АТ-8101, АТ-8151 РЗХ52У7Р, Р8Х51Х, Р8Х52Х 0X1.-3501, 0X1-3504, 0X1-3603, 0X1.-3610 НМР-8300, НМР-8310, НМР-8311, НМР-8314, НМР-0620, НМР-2400, НМР-0301 С2421Н-1300 МА4Р006—500 М8С88001, М8С1824, М8С1827 МОР—1801—01, МОР-1802, МОР-2116, МОР-2117 Мгсгожауе 8еп>1 М/А—Сот 1пс Нагт’|5 М'югоу/ауе 8ет'| ОоиИ/М|Сго»ауе Ргодис! 0<у Рщйзи М'|сгое!ес1гоп1сз 1пс Ауал1ек 1пс Ауап1ек 1пс РщНси М|сгое1ес1гоп1с5 1пс ОоиИ/Мкгожауе РгоОис! О'гу Нагла Мйспжауе 8ет! Нид без А!гсгаН М/А—Сот 1пс М!сгошауе 8еггй МИзиЫзМ Е1ес1пя»с Атепса 1пс
Тип оте- чественного транзистора Тип зарубежного транзистора Фирма-изготовитель
ЗП6ОЗБ-2, ЗП6ОЗБ1-2, ЫЕ9002006-14, №9002006 №С/СА!_ ЕазГегп 1_аЬз 1пс
ЗП6ОЗБ-5, АП603Б- 2, АП603Б1-2, АП603Б- 5, А686Б-2, МОР-21246, М6Р-2121, М6Р-2117, М6Р-2116 МНеиЫзЫ Е1ес1гопк Атегюа 1пс
А686Б1-2 М8С88004 МА4Р101-500 НМР-2402, НМР-1202, НМР-2400, НМР-1200 ПХ202МН-12 М1сго«ауе Зет! М/А—Сот 1пс Нагле М!сго«ауе Зет! Рщ!($и М!сгое!ес1гоп!сз 1пс
ЗП604А-2, ЗП604А1-2, Р1К0121УР, Р1К012ХР Еир1зи М!сгое1ес1гоп!сз 1пс
ЗП604А-5, АП604А-2, АП604А1-2, 0X1-3605, 0X1.-3610 6ои1<3/М!сго*ауе Ргодис! 0!у
АП604А-5 НМР-8310 МА4Р005-500 Натз М!сго»ауе Зет! М/А—Сот 1пс
ЗП604Б-2, ЗП604Б1-2, Р1К012УУР, Е1К022ХР/ХУ РщИзи М!сгое1ес1гоп!се 1пс
ЗП604Б-5, АП604Б- 2, ОХ1.3605А—Р100Е Оои1<1/М!сго1науе Ргодис! 0!у
АП604Б1- 2, АП604Б-5 МА4Р005-500 М/А—Сот 1пс
ЗП604В-2, ЗП604В1—2, ЗП604В-5, АП604В-2, АП604В1-2, АП604В- 5 ОХЬ-3504А- Р70, 0X1-3605 6оиИ/М!сго»ауе Ргодис! О'гу
ЗП604Г-2, ЗП604Г1-2, ЗП604Г-5, АП604Г-2, АП604Г1- 2, АП604Г-5 0X1-3503А- Р70, 0X1-3504 6ои1<1/М!сго»ауе Ргодис1 0!у
ЗП605А-2, НМР0301(А) Нагпз Мюг
АП605А-2, ЗП605А-5 ОХ13501А—Р100Р, 0X12501А-Р70 СЕУ12 0X1.2502А—Р70 38819 ОоиИ 1ппс 5!етепз Ак1, Мегому Зет! ОоиМ !ппс ТозЬ!Ьа Согр
Тип оте- чественного транзистора Тип зарубежного транзистора Фирма-изготовитель
ЗП606А-2, М6Р1802 М'|15оЬ| Е1ес
ЗП606Б-2, АТ-8101, Ауап1ек тс
ЗП606Г-2, АТ-8151
ЗП606Б-5, АП606А-2, АП606Б-2, Р8Х52У/Р, Р8Х51Х, Р8Х52Х Рир1еи М|сгое1ес1гоп1С5 1пс
АП605А-5, 0X1-3501, 6ои1<3 тс
АП605Б-5, 0X1-3608,
А745А, 0X1-3610,
А745Б, 0X1-3630 .
А745Г, НМР8300, Нате Мкгоу/ауе 8еггн
А745А-5, НМР8310,
А745Б-5 НМР8314, НМР8320, НМР8321, НМР8324
ЗП606В-2, АТ-8151 Ауагйек 1пс
ЗП606В-5, Р8Х52Х рщИеи Мкг 1пс
АП606В-2, АП606В-5, А745В-2, НМР-1200, НМР-1202 Нагие М1сгоууауе 8епн
А745В-5 С2421Н-1300 Нид Нее АисгаК
МА4Р006—500 М/А—Сот 1пс
М8С88002, М|сго»ауе 8ет<
М8С1827
ЗП607А-2, АТ8161, АТ8151 Ауагйек 1пс
А736 НМР-1200, НМР-2400, НМР-1202, НМР-2402 Нагие М|сго*ауе Зет»
МА4Р100-500, МА4Р101—500 М/А—Сот 1пс
ЯРХ4331 Яау1Неоп Со
ЗП608А-2, ЗП608Б-2, ЗП608Г-2, ЗП608А-5, ЗП608Д- 5, ЗП608Е-5, АП608А-2, АП608Б-2, АП608А- 5, АП608Д-5, АП608Е-5, А761А-5, 388864—А8 ТозЫЬа Атег
А803А
Тип оте- чественного транзистора Тип зарубежного транзистора Фирма-нзготоаитель
ЗП910А-2, СРХ32 Атрегех Е1ес Согр
ЗП910А- 5, А634А АТ8101, АТ8160, АТ8150, АТ8151, АТ11571 Ауаа1ек 1пс
0X1—3501 Оои1д/М(сгоууауе Ргодис! Огу
НМР0300, нмпэов. Нагла М1сгв*вуе 8епм
НМР0301, НМР0302, НМР0602, НМР1202
С2421Н—0900 Ни^Ьез А|гсга(1
МА4Р004—500, МА4Р004—297, МА4Р004-918 М/А—Сот к»с
М8С88002, М5С1827 Мксгожаус 5епй
ЗП910Б-2, АТ-8140 АуапГек 1ас
ЗП910Б-5, А634Б НМР-1200, НМР-2400, НМР-1202. НМР-2402 Нагпз Мюгошауе 8елй
РЬСЮЗ^С, Р1С081ХР, Р1С151ХР РиИзи М|сг1 1пс
МА4Р100—500, МА4Р100—918 М/А—Сот 1пс
М5С88004, М5С0830 МГсго^ауе $ет!
ТС5501 ТЬтзСЗРЕРС
ЗП915А-2, 1М7984- 6 Ауап1ек 1пс
А796А Р1М7177-4С, Р1М7177-8С, Р1М7785—4С РиНзи М|сг1 1пс
МА4Р300-500 М/А—Сот 1пс
НЕ800898/6—4, 5Н, 6, 7, 7Н, 8 ИЕС/САк Еаз(ет 1_аЬз 1пс
Тип оте- чественного транзистора зарубежного транзистора фириачижтоаитель
ЗП915Б- 2, А796Б ЗП925А-2, А726А ЗП925Б-2, А726Б ЗП925В-2 ЗП927А-2, ЗП927Б—2, ЗП927В-2, ЗП927Г-2, ЗП927Д-2, А725А, А725Б, А725В, А725Г, А725Д ЗП929А-2 ЗП930А-2, А795А ЗП930Б-2. ЗП930В—2, А795А, А795Б АП967А-2 АП967Б-2 АП967Г- 2 АП967Е-2 АТ8141, (М—7178—3, 1М-7984-3 Р1С053У/О, РкСЮЗУУО, Р1С253МН—8, Н.С151ХР БХ1-3850 НМР-2400 С2422Н-0900 МА4Р100—500, МА4Р100-918, МА4Р200-500 М5С88004, 0830, 0833, 0835 МОР-2172 1М3742-3 1ММ4450-3 М5М344210 РкК056ХУ, РкК012У7Р, 0227/0, 0527/0, РЕК022ХР/ХУ, РкК052ХУ С242Н-1500 МА4Р006-500 М8С1827 ЯРК9027, КРК9025, ЯРК9023, НРК9028 РкС253МН8 РкМ5964—4С, ГОМ5964—8С М8М5964—2, М8М5964- 5 МОРС41У5964 М8М5964-10 1М5964- 3 1М3742-3 1М4450-3 1М5964- 3 Ауатйек 1пс РщИзи М|сгое1ес1г 1пс Оои1д/М|сго»ауе Ргодис! (Згу Наглз Мгсгожауе Зетг НидЬез АксгаН М/А—Сот 1пс М'гсгожауе 8ет1 МНзиЫзЫ Е1ес1гопк: Атепса 1пс Ауап1ек 1пс Ауап^ек 1пс М5С РирОи Мкгое1еси 1пс Нидкез АггсгаН М/А—Сот 1пс Мгсгоугауе 5егт Рау1кеоп Со РирГзи ЕМ, рщНза Мег РчНэи кЫ Мктомтуе Бет г мгге Мктсямпге Бетг Ауап1ек 1ас Ауап1ек 1пс АуапМк (ас АуапСек (пс
Тип оте- чественного транзистора Тип зарубежного транзистора Фирма-изготовитель
Транзисторы биполярные высокочастотные Транзисторы п-р-п
КТ601А 2И755 Атег МкгоЗС, Соп1’1 Оеу, Е1ес Тгапв, НьТгоп, 1п<1 Оеуке, Зеткоа, 8к 31 Оусз, Зрасе Рошег
2Т602А, 2Т602АМ, ВР899, ВР411 ЖЬ Атег Зет!
КТ602АМ
2Т602Б В5У79 Адупсд Зет!, Мкго Е1есз, ЖЬ Атег Зет!, РЫПрз Е1ес, 8ете!аЬ, Зет, 1пе
2Т602БМ, 280668 НкасЫ 1-<с1
КТ602БМ
2Т603А, Н8Е144 НуЬпд Зет!
2Т603И, КТ603А
2Т603Б, 28С594 Е1ес Тгапз
КТ603Б РЕТ8006 8ет!соп ТесЬ
2Т603В 2№19 Адупсб Зет!, Атег Мкго 8С, Сеп1га1 Зет!, Сптзоп Зет!, О!д!<гоп, Е1ес Тгапз, 0епг1 0!од, НнТгоп, ЖЬ Атег Зет!, КР Оат, 8ете1аЬ, ЗетНгопкз, 81д 81 Зуз1, Зрасе Рожег
2Т603Г, В8У62А НуЬпд Зет!
КТ603Г
КТ603В 2Ы851 Атег Мкго 8С, Сптзоп Зет!, Н!-Тгоп, Зразе Роууег
КТ603Д МР85134 Мо1ого1а
КТ603Е 2Ы2719 Сеп1га1 Зет!, НуЬгк Зет!, Зрасе Рожег, Зи/атрзсои
КТ604А ТН8225 Н!дИ УоН, НуЬгк Зет!, Зеткоп ТесЬ, 8к 81 Оусз
КТ604Б 5Т420 ММ420 Зеткоп ТесЬ Мо1ого1а, Зеткоп ТесЬ
КТ604АМ ВР298 Адупсс! Зеин, Мкго Е1есз, М!з(га1 ЗрА, ЖЬ Атег Зет!, Зет! 1пс
КТ604БМ 28С1573 Ма1зизЬ!1а
КТ605А 2И4927 0!оде Тгапз, Оепг! 0!оде, Мкго Е1есз, Мо1ого1а, Ыен Епд1апй, ЖЬ Атег Зет!, Зет! 1пс, Зеткоа, Зеткоп ТесЬ, Зрасе Рои/ег, Зргдие Е1ес, ЗжатрзсоП
КТ605Б 8Т420 Зеткоп ТесЬ
КТ605БМ 25С1573 МаНизЬйа, Е1ес Тгапз
2Т608А, 28С456 Е1ес Тгапз, 8оПд ЗИпс
КТ608А
Тип оте- чественного транзжтЪра Тип зарубежного транзистора Фирма-изготовитель
2Т608Б 80107 Зет! На
КТ608Б 2Ы2096А НуЬпд Зет!, Зрасе Рожег
КТ611А, КТ611АМ ВР297 Арупсй Зет!, М!сго Е1ес, М!з1га1 ЗрА, №Ь Атег Зет!, Зет! 1пс
КТ611Б, КТ611БМ ТР8180 Н!дЬ Уо11, НуЬпд Зет!, 8ет!соп ТесЬ, 8«1 81 Оусз
КТ616А Т1484 Зетгсоп ТесЬ
КТ616Б 2М4874 Зеткоа, Зет'юоп ТесЬ, Зрасе Рожет
КТ617А ВРУ15 №Ь Атег Зет!
КТ618А 5Т420 Зеткоп ТесЬ
2Т625А- 2, 2Т625АМ—2 В5840 №Ь Атег Зет!
2Т625Б—2, 2Т625БМ—2, КТ625А, КТ625АМ-2 ВЗУ/26 №Ь Атег Зет!
2Т630А, КТ630А ВСУ/50 Зет! 1пс
2Т630Б, КТ630Б 28С817 Зет! 1пс
КТ630В ММВТ5550 Мо1ого1а, Затзипд, Зргцие Е1ес
КТ630Г 2141717 Арупа! Зет!, Атег М)сго ЗС, СеШга! Зет), Сптзоп Зегт, О)дйгоп, 0юде Тгапз, Е1ес Тгапз, Оепега! Зет!, Оепг! 0|оде, Опг1 Тгапв, НьТгоп, 1пИ Оеугсе, Нет, Епд1ап<1,1Ч1Ь Атег Зет!, РРС Ргодис!, РЕ Оат. Зет! 1пс, Зетгсоа, Зепйсоп ТесЬ, Зетйготсз, ЗЖсоп Тгапз, ЗИ 81 Оусв, ЗоГк! ЗИпс, Зрасе Рожег, ЗжатрзсоН
КТ630Д ВСУ/91В М|сго Е1есз, М'|з1га1 ЗрА
КТ630Е ВС211А10 М|з1га1 ЗрА
2Т635А 28С502 ЗоМ ЗИпс
КТ635Б ВЗУ/28 №Ь Атег Зет!
2Т638А 28С507 Айупсс! Зет!, М!сго Е1ес$, Зет! 1пс, ТозЫЬа Согр
КТ638А 80251 Зет! 1л<1
КТ645А 23С478 2М4494 МР86565М, МР86565К Е!ес Тгапз, Зо!И 3(1пс Зрасе Рожег, РоЬт Со На Сптзоп Зет!
Тип оте- чественного транзистора Тип зарубежного транзистора 1 ~ Фирма-изготоаитеяь
КТ645Б НЗЕ401 НуЬпд Зет!
28С714 Зрасе Рожет, Зобе! 8Нпс
28С944 Зрасе Рожет, Зобд ЗИпс, Мкто Е1есз
КТ646А ' 6101 Зрасе Рожет, Зеин 1пс, Адупсд Зегт
280602А Рапааотс, Ма^аиаКНа
КТ646Б УТ82222А ТозЫЬа Атег
28С1007 МЕС Согр ЗА
ММ8Т3904 РоЬт Со ЕМ
2Т652А В8У728 Атег 8ет!
2Т653А В8У767 М1Н Атег Зет!, РЫПрз Е1ес, 808—А1ез
28С484 8оПд 8Нпс
2Т653Б ВСХ22 СепТга! Зет!
ВРУ57 Адупсд Зет!, М!сго Е1есз, №6 Атег Зет!, Зепн 1пс
КТ660А ВС337Р Р1е5зеу Зет!
ВС337-10 Сот$е1 Зет!, Мкто Е1еса, ЫаИ Зет!
КТ660Б 28С21200 !пди51 Мех!
2Т665А9, КТ665А9 РМ2243 М!сго Е1есз
2Т665Б9, КТ665Б9 28С708 Зобе! 8Мпс
КТ666А9 ВР4208 №1 Атег 8ет!, Те!е1ипкеп
ВР8208 Те!е1ипкеп
ТМРТА42 Зргдае Е1ес
КТбвОА МР82923 Сеп1та! 8ет<, Сптзоп Зет!, Ра!гсЬ!1<1 ЗС, 1п11 Ое»гсе, КЗЕ Мкто, М!сго Е1есз, Мо1ого!а, №11 Зет!, Зепн 1пс, Зеткоп ТесЬ, ЗетНгопкз, ЗоНд ЗИпс, Зргцие Е1ес
6Е53414 Нагпз Зет!
КТ683А 2ТХ655М1, 2ТХ655, ХТХ654, РТХ6558М, РТХ655 7е1ех
2М6720 Сптзоп Зет!, Ма11 Зет!, Зрасе Рожег
Т1Р29Е Мо1ого!а, Тех5 1пз1 Нд
КТ683Б 28С16240, 28С16250 1пди51 Мех!
28С1624 ТозЫЬа Согр, ТозЫЬа Атег, 1пдиз1 Мех!
Тип оте- чественного транзистора Тип зарубежного транзистора Фирма-изготовитель
КТ683В -2Ы5682 А4упс4 Зеин, Сптзоп 8елн, Оюде Тгапз, Екп 8ТаГе, РаксЫМ 8С, ОдпН Тгапз, НиТгоп, 1пИ Оеуке, Мо1ого1а» Не* ЕпдЬпд, Не* 1егзеу, И1Ь Атег Зет!, РРС РгойисГ, № Оат, 8ете!аЬ, Зет! 1пс, Зеткоа, Зеткоп ТесЬ, Зеткгопкз, 803—А1ез, ЗПкоп Тгапз, 814 81 Оусз, Зо1!4 511пс, 8о1Игоп, Зрасе Ро*ег, 3*атрзсоН, йР1 Зет!
ММ5682НХУ, ММ5682НХ Мо№го1а
КТ683Г 2Н4001 А4упс4 Зепй, Сптзоп Зет!, Оюде Тгапз, Е1т 3(а1е, РаксШ 8С, Одпг! Тгапз, НиТгоп, 1п11 Оеуке, Мо1ого!а, Не* Епд1ап4, Ие* Зегзеу, Н1Ь Атег Зет!, РРС РгойисГ, КР Оат, ЗетекгЬ, Зет! 1пс, Зеткоа, Зепмсоп ТесЬ, Зеткготсз, 808—А1ез, ЗЦкоп Тгапз, ЗИ 81 Оусз, 8о1к1 8Ипс, ЗоМгоп, Зрасе Ро*ег, 8*атрзсо11, 0Р1 Зет!
2Н5681 Адупсд Зет!, Сптзоп Зет!, Огоде Тгапз, Е1т 81а(е, Ра1гсЫИ ЗС, 6дпг1 Тгапз, НЬТгоп, 1п11 0еу!се, МсЛогЫа, Не* Епд>ап<1, Не* 1егзеу, И№ Атег 8ет1, РРС РгойисГ, ВР Оат, 8ете1аЬ, 8ет! 1пс, Зепйсоа, Зеткоп ТесЬ, ЗетИготсз, 808—Агез, ЗИкоп Тгапз, 514 31 Оусз, ЗоШ ЗИпс, Зо1Нгоп, Зрасе Ро*ег, 8*атрзсоК, 1/Р1 Зет!
МЮ243-1 Мо1ого1а
КТ683Д 2Н6551 А4упс4 8ет'|, Сптзоп Зет!, Оюде Тгапз, Е1т 31а1е, Мо1ого!а, Иа11 Зет!, №Ь Атег Зет!, Зет! 1пс, Зрасе Ро*ег, ЗжатрзсоП
КТ683Е 2801615А, 280809(1)1 НЕС Е1есз, НЕС Согр 1А
КТ684А ВС4851. Зрасе Ро*ег, На11 Зет!, Мо1ого1а
КС635 Тез!а Е1ек
28С2086 М'ИзиЫ Е1ес
КТ6846 Т1486, ММ2193А Зеткоп ТесЬ
ВСХ54-6 8!етепз Ак(, РЫПрз Озсг
КТ684В 0РТ115 1)п!1го4е
2Н30361 Зрасе Ро*ег, ЗетеЬЬ
КТ698А 8ОТ4309, 8ОТ4303 Сптзоп Зеин
ВР399 НАЗ Е!ек1, Зрасе Ро*ег
28С1889 Запкеп Е)ес
21
М3
Тип оте мест венного транзистора Тип зарубежного трамзистооа Фирма-ивгетевитель
КТ696Б 2Ы3037 Сптзоп 8ет<, Зрасе Рожег
В8Х23 ЫА8 Е1ек1
КТ698В В1М, СИ 100, СМОО СопГ! Оеу
2Ы5662 Сптзоп Зепп, Оюде Тгапз, Оепега< Зепп, 1п11 Оеуке, №ж Епд1апд, РРС Рговис!, Зет! 1пс, Зепйсоа, Зегтсоп ТесЬ, ЗШсоп Тгапз, 8И 31 Оусз, Зо1Игоп, Зрасе Рожег, 1)пНгоде
КТ698Г В8Х96 НуЬгИ Зепп', Ы1Ь Атег Зепи, РЫПрз Е1ес, 8ете1аЬ
0150, СИ 50 Соп<’1 Оеу
КТ698Д, РМ5128 Сеп1га1 8ет|, РаксЫИ ЗС, №11 Зет)
КТ698Е 28С3279 ТозЫЬа Согр
К8С5019 Затзипд
КТ698Ж ВРР86 Ы1Ь Атег Зет!
В8У767 Ы1Ь Атег Зет!, РЬЖрз Е1ес, 808—А1ез
28С3647Т Запуо Е1ес1
КТ698И А5Т5551 Зетасоп ТесЬ
‘ МЦ5051, 8М1.5054 8ете1аЬ
КТ698К 2802031 (А) Н|1асЬ| 1л<1
РМВТА43 Атрегех Е1ес, РЫНрз Е1ес
8МЬ5053, 8М1-5056 8ете1аЬ
28С3649 Запуо Е1ес<
КТ902АМ ВО123 8ете1аЬ, 81д 81 Оусз
8М1.3402 8ете1аЬ
2Т901А, 2Т903Б, В1.У68 М1Ь Атег Зегт
КТ903А
2Т908А, 2Ы1900 Атег Мкго ЗС, Сптзоп Зет!, Оюде Тгапз, Е1т
КТ908А 8<а1е, НнТгоп 8етИгоп1бв, 81д 81 Оусз, Зрасе Рожег
КТ908Б 8ОТ7А08 РРС Ргодис1, ЗИ 31 Оусз, ЗоПГгоп
1716-0602, 1716-0605 ЗИ 81 Оусз
2Т912А, 2М5535, Сптзоп 8ет1, СЭР 1пдиз, Оюде Тгапз, Нопгоп,
2Т912Б, 2М5536 1п11 Оеу|се, №ж Епд1агИ, РРС Ргодис1, Зеткоп
2Т912А-5, 8|||соп Тгап, ЗИ 81 Оусз, 8оН1гоп, Зрасе
2Т912Б-5, Рожег, ЗдО Опг1 Зет!
КТ912А
Тип оте- чественного транзистора Тил зарубежного транзистора Фирма-изготовитель
2Т920А, КТ920А 28С1603 _МН$иЫ Е1с
2Т920Б 2М5915 Сптзоп Зет,, Нг-Тгоп, Ме» ^гзеу, РР Оат, Зрасе Ро*ег
28С3006 ТозЫЬа Согр, РР Оа'ш
КТ920Б 28С2066 МЕС Согр ЗА
2Т920В, 28С2642 ЯР Оа1п, ТозЫЬа Согр
КТ920В
КТ920Г МРР660 Мо1ого1а, РР Оат
2Т921А, 28С1678 РР Оат, 8оП6 ЗИпс, ТозЫЬа Согр
2Т921А-4, КТ921А, КТ921Б МО31678 Мо1ого1а
2Т922А, КТ922А МКР5174 Мо(ого1а, РР Оат
2Т922Б, СО5918 Аспап 1пс, РР Оат
КТ922Б ТН552 ТЬтзл С8РЕРС
2Т922В, СО5919А, Аспап 1пс, РР Оат
КТ922В С02089
ЗОЗО2О ТКУУ РР Оге
2Т926А 28С1440 Запкеп Е1ес
КТ926А, КТ926Б В11У72 кНЬ Атег ЗегЫ, 8ете1аЬ, 8о1Игоп
КТ927А 2М5304 Сптзоп ЗегЫ, 0>дйгоп, Оюде Тгалз, НнТгоп, МоГого1а, РРС РгодисГ, ЗегЫсоа, Зрасе Рожег
ВО111А Атег Зегт, 808—А<ез
2Т928А 2М5582 Сптзоп ЗегЫ, Оепг! О1ос1е, Мо{ого1а, Зет! 1пс, Зеткоа, 816 81 Оусз, Зрасе Рожег, ЗшатрзсоИ, Тогдие Зуз
2Т928Б, КТ928Б ТМ2218А Ма11 ЗегЫ
КТ928А 2М5581 Сптзоп 8ет'|, Оепг! 0|о6е, Мо1ого1а, Зет! 1пс, Зеткоа, 816 8( Оусз, Зрасе Рожег, ЗжатрзсоП, Тогдие Зуз
КТ928В ТЫ2219 Мкго Е1есз, Ма<1 Зет!
2Т929А, 28С1165 НуЬпб 8ет'|, 8оН6 ЗИпс, Зрасе Рожег, ТозЫЬа
КТ929А Согр
2Т931А, СМ45-12А, Аспап 1пс, РР Оат
КТ931А СО6Ю5
2Т935А, 2Т935А- 5 8ОТ44333 РРС РгобисГ, ЗоКГгоп
। Ът оте- чественного транзистора Тил зарубежного транзистора Фирма-изготовитель
КТ935А 1748-1820, 1748-1620 Зрасе Рожет
КТ940А, КТ940А-5 ВР259 Адупсд Зет), Сеп1га1 Зегт, Мкго Е1есз, М)з1га1 8рА, Мо1ого1а, Ы1Ь Атег 8ет'|, 8ете1аЬ, Зет, 1пс, 868—А1ез, ЗжатрзсоН, ТЬтзп С8РЕРС
28С2611 ННасЫ Ид
КТ940Б, КТ940Б-5 ВР258 Адупсд 8егт, Сеп1га1 8епн, Мкго Е1есз, М1з1га1 8рА, Мо1ого1а, КНЬ Атег 8еть 8ете1аЬ, Зеин 1пс, 868—А1ез, ЗжатрзсоН, ТЬтзп С8РЕЕС
КТ940В, КТ940В-5 ВРТ47 Адупсд Зет), Мкго Е1есз, И1Ь Атег Зет!, 8ете1аЬ, Зет) 1пс
КТ943А ВО233 Сотзе1 Зет'|, Сптзоп Зет!, Мо(ого1а, Ыа(1 Зепн, РЫНрз Е1ес, 8ете1аЬ, 868—А1ез, ТозЬЕЬа Согр
КТ943Б ВО377-6 Над Зет!
КТ943В, КТ943Д 2Ы6178 Сптзоп 8ет!, 0<дкгоп, Ооде Тгапз, 6пг1 Тгапз, РЕ бат, Зрасе Рожег, ЗжатрзсоН
КТ943Г ОТ13408 О!оде Тгапз
2Т944А, КТ944А 2М6480 Сптзоп Зет!, Сгоде Тгапз, 6Е ЗоНд 81, 8ет! 1пс, Зеткоп, Зрасе Рожег
2Т945А, 2Т945А-5 В11У73 ЫА8 Е1ек1, 8ете1аЬ, 8!етепзАк1, 8о1Нгоп, Зрасе Рожег
8К9446 ТЬотзоп 8К
2Т945Б, КТ945Б 28С1440 Запкеп Е1ес
2Т945В 8ОТ7206 РРС РгодисГ, 31д 81 Оусз
2Т947А, КТ947А 2Ы2816 Атег Мкго 8С, Сптзоп Зегт, 0>о<1е Тгапз, Е1ес Тгапз, бепега) 8ет>, 6пг1 Тгап, НЬТгоп, 1п11 Оеуке, Меж Епд1апд, Ржг ТесЬ 1пс, Зет) 1пс, ЗПкоп Тгап, 8И 81 Оусз, ЗоНд Рожег, ТЬтзп С8ЕЕРС
2Т950А, А597А ТРУ375 Ор1ек ТесЬ
2Т950Б, А597Б ВРЗО-12 Аспап 1пс, НР бат
2Т951А, А604А 2М5025 Атег Мкго 5С, Сптзоп Зет», Оюде Тгапз, Е1т 81а1е, Ы1Ь Атег Зет!, КР бат, Зрасе Рожег, Т1С Зет), 11Р1 Зет!
2Т951Б, А604Б 2801505 РоЬт Со 1_1д, РоЬт Согр
2Т951В, А604В ВС301 868—А1ез
Тип оте- чественного транзистора Тип зарубежного транзистора Фирма-изготовитель
2Т955А, КТ955А 28С2394 1пбиз1 Мех'|
2Т956А, КТ956А В1У75/12 РЬШрз Е1ес
2Т957А,- КТ957А 2И5535 Сптзоп 8ет'|, О'юбе Тгапз, Меж Епд1апд, РРС Ргоаис<, 8И 81 Оусз, ЗоЫгоп, Зрасе Рожег
2Т958А, КТ958А СМ30-12А Аспап 1пс, КР бат
КТ961А БОСОЮ Мо1ого1а
КТ961Б ВО371СЮ М|5(га1 8рА
КТ961В ВО371В16 М)з<га1 8рА
КТ961Г В0109 Атег 8епй
2Т964А, А639А 801499—1, ТН415 ТЬтзп С8РЕРС
2Т965А, КТ965А ВШ20/12 РЫПрз Е1ес
2Т966А, КТ966А 801275-1- ТЬтзп С8РЕРС
2Т967А, КТ967А В1_У75(А) РЫПрз Е1ес
2Т968А, 28С3270М КоЬт Со Ид
2Т968А-5 ВРТ48 Адупсд Зет), Мшго Е>есз, №Ь Атег 8етп, 8ете1аЬ, 8ет( 1пс
КТ969А, КТ969А—5 ' ВР419 И1Ь Атег 8ет1, РЫПрз Е1ес
2Т971А, КТ971А НЕМ0214068—28 ИЕС/САЬ Еаз1егп 1_аЬз
КТ972А ВО263 Сеп1га1 Зет!, Сптзоп 8ет1, МЬ Атег Зет), РЫПрз Е1ес
КТ972Б ВОУ/53 8ете1аЬ, Техз 1пз{ Ид
2Т978А, 2Т978Б 2Н6262 Адупсд 8ет1, Сеп1га1 Зеггн, Сптзоп 8ет'|, О'юде Тгапз, ОЕ 8о1й 81, 6пг1 Тгапз, НьТгоп, 1пТ1 0еу<се, 1п(1 Рууг 8ет!, Меж Епд1апд, Атег 8ет1, Ор1ек ТесЬ, КР бат, ЗетеЬЬ, 8ет! 1пс, Зет'юоа, 8!Г|соп Тгап, 81д 81 Оусз, 81д 81 Е1ес11, 8оЬд Рожег, 8о1Нгоп, Зрасе Рожег, ЗжатрзсоН
2Т980А, КТ980А, А661А ТН430 МРР448 8250—50 ТЬотзоп С8Р Мо1ого1а Аспап
Тип оте- чественного транзистора Тип зарубежного транзистора Фирма-изготовитель
2Т980Б, КТ980Б, А661Б ТН430 Ткотзоп С8Р
2Т981А, КТ981А 2М6093 Сптзоп 8ет‘|, РР Оат, 8расе Рожег
2Т993А В25-28 Зрасе Рожег, РР Оат
ЗМ185509 8ете1аЬ
ВРТ34 Зрасе Ро*ег, МАЗ Е1ек1
КТ997А 28С4237 Запкеп Е1ес
28С2394 1пдиз1 Мех>
28С3748О Запуо Е1ек1
КТ999А ВР8698 Атег Зегт, Те1еТипкеп
ВР8838 Те1е(ипкеп
2Т9117А 2Ы6553 Адупсд 8ет1, Сптзоп Зет!, Мо1ого1а, Ма11 Зет,, Зегт 1пс, Зрасе Рожег, ЗшатрзсоН
2Т9117Б 2М6552 Адупсд Зегт, Сптзоп Зет), Мо1ого1а, №Н Зегт, Зет! 1пс, Зрасе Рожег, ЗжатрзсоН
2Т9117В ММ2193А Зептсоп Теск
2Т9117Г МЮ243 Мо1ого1а
2Т9126А, А723 МРР430 Мо1ого1а
2Т9128АС В1_УУ96 Рк|||рз
МЕМ 0214068-28 МЕС/СА1 Еаз1егп |_аЬз
ВА1.0102-150 СТС
2Т9130А 2М6464 Сптзоп Зет!, О1ос1е Тгапз, 8ете1аЬ, Зеткоа, Зеткоп Теск, ЗИ 81 Оусз, Зрасе Рожег
КТ9130А 28С2258 Рапазопк, Ма1зизк|1а
2Т9131А ТН20, ТН430 Ткотзоп С8Р
КТЛЗЗА МРР644 Мо1ого1а, И1к Атег Зегт, РР Оат
ТРУ376 ТРУ/
КТ9145А9 ВР720 РкЖрз Е1ес
8Е7057 ЗигатрзсоИ
КТ9151А ТРУ376 Рккагдзоп
ТР383 Мо1ого1а, Рккагдзоп
ТР9386 Мо1ого1а
28С3812 МЕС
КТ9157А 28О1685Р, 28О1685Е, 2801685 Запуо Е1ес1
Тип оте- чественного транзистора Тип зарубежного транзистора Фирма-изготовитель
КТ9160А, КТ9160Б, КТ9160В МРР430 Мо1ого1а
КТ9166А О44УН4 ОЕ ЗоГк! 81, Нагпз Зегт, 1зкга Зетгс, Мо(ого1а, ИАЗ Е1ек<, 8етгсоп ТесЬ, Зрасе Рожег
ВО743 Адупсб Зет'г, МАЗ Е1ек(, 8ете1аЬ, Зрасе Рожег, Техаз 1пз1г, Теха 1пз1 ЬМ
ВО905 Адупсд Зегт, СепСга! Зет,', Огдкгоп, Мозрес Зегт, ИАЗ Е1ек1, 8ете1аЬ, 868—А1ез, 868—ТЬотзоп, Зрасе Рожег, ТЬтзп С8РЕРС
КТ9177А Б43С2, 6Е 8о1к1 81, Нагпз Зет'г, ИаИ Зегт, Меж Зегзеу,
О43СЗ Зегтсоп ТесЬ, ЗоГк! ЗИпс, Зрасе Рожег
28А1658 Когеа Е1есз
КТ9181А О42С2И Нагпз Зет!
О42С2, 6Е ЗоПИ 81, Нагг'кз Зет,, ИаН Зегт, Меж Зегзеу,
О42С1 Зегтсоп ТесЬ, ЗоНИ ЗИпс, Зрасе Рожег
М8100 Зрасе Рожег, Зет! 1пс, АИупсИ Зет!
МН8100 Мгсго Е1есз
КТ9181Б МЗЕ180 АИупсИ Зегт, Сеп<га1 Зегт, Мо1ого1а, ИАЗ Е1ек<, ИаН Зет), Затзипд, Зете1аЬ, Зегтсоп ТесЬ, 868 Зет1, 868—АГез, 868—ТЬотзоп, ЗоНс! ЗИпс, Зрасе Рожег
КТ9181В И8Е181 ИаИ Зет!
МЗЕ181 Адупсд Зегт, СепГга! Зет!, Мо1ого1а, ИАЗ Е1ек1, Иа<1 Зет1, Затзипд, 8ете1аЬ, Зегтсоп ТесЬ, 868 Зегт, 868—А1ез, 863—ТЬотзоп, ЗоКИ ЗИпс, Зрасе Рожег
ВБ133 Адупсд Зет), 8ете1аЬ, 868—ТЬотзоп
О42С8, АИупсд 8егт, 6Е ЗоНс! 8», Нагпз Зет!, 1зкга
О42С9 Зегтс, Ьогаз 1пд, М1сго Е1есз, Мозрес Зет!, Мо1ого1а, МАЗ Е1ек1, ИаИ-Зегт, Меж 7егзеу, 8ете1аЬ, Зет! 1пс, Зегтсоп ТесЬ, 868 Зет!, 868—А(ез, 868—ТЬотзоп, ЗоНб ЗИпс, Зрасе Рожег, ЗжатрзсоН
КТ9181Г МЗЕ182 АдупсИ Зегт, Сеп1га1 Зет!, Мо(ого1а, ИАЗ Е1ек1, ИаМ Зегт, Затзипд, 8ете1аЬ, Зегтсоп ТесЬ, 868 Зегт, 868—А1ез, 868—ТЬотзоп, 8оНИ ЗИпс, Зрасе Рожег
О42С11, 6Е 8о||с1 81, Нагпз Зет), Иа|| Зет!, Иеж ]егзеу,
О42С12 Зегтсоп ТесЬ, ЗоПд ЗИпс, Зрасе Рожег Транзисторы р-п-р
КТ626А ВОВ02А Мо1ого1а
Тип оте- чественного транзистора зарубежного транзистора Фирма-изготовитель
КТ626Б КТ626В КТ626Г 2Т629А-2, КТ629А-2, КТ629Б-2, КТ629БМ—2 2Т632А, КТ632Б КТ632В1 КТ639А1 КТ639Б1 КТ639Г1 ОТ1.3502, ОТС3510 ВОВ02В Т1Р62В 2№583 2М3245, 2М3671 2М3494 ММ4009, ММ4010 28А1433Е(А) КС636 ВС636 2Ы1132В ВС327-10 ВС727 НМ5815 КС638 ВС638 О!оде Т гапз Мо1ого1а Адупсд Зет,, бпг! Тгапз, Мо1ого1а, МаГ1 Зегт, Зегт 1пс О'годе Тгапз, Е1т 8(а<е, Мо1ого1а, Зрасе Рожег Адупсд Зегт, Атег Мкго 8С, Сеп1га1 Зегт, Сптзоп Зет!, СЭР 1пдиз, Оепг! 0|оде, Спг1 Тгапз, НеПоз 8ет1, НьТгоп, Ноггоп, 1п<1 Оеу|се, МоТого1а, МАЗ Е1ек(, Ма11 Зегт, Над Тгапз, РРС РгодисГ, РауГЬеоп 8С, РЕ бат, 8ете1аЬ, Зет! Оеуке, 8ет| 1пс, Зеткоа, Зеткоп ТесЬ, ЗетНгопкз, Зрасе Рожег, Те1едуп Сотр, Техаз 1пз1г, Тгапзйгоп Адупсд Зепп, Атег Мкго 8С, Сеп<га1 Зет!, Сптзоп Зет), 01оде Тгапз, Е1ес Тгапз, ЕаксЫ1д 8С, бепд 01оде, 6пг1 Тгапз, НнТгоп, НуЬпд Зегт, 1п<1 Оеуке, Мо<ого1а, МАЗ Е1ек<, Меж Зегзеу, Ы1Ь Атег 8ет'|, РауГЬеоп Со, РЕ бат, Зет! 1пс, Зеткоп ТесЬ, ЗИ 81 Оусз, 81д 81 1пдиз, ЗоЬд ЗЛпс, Зрасе Рожег Адупсд Зегги, Зеткоп ТесЬ Запуо Е1ес1 Тез1а Е1ек АЕ6 Согр, Сотзе1 Зет!, Сптзоп Зет), Екота, Мкго Е1есз, М'1з1га1 ЗрА, Мо1ого1а, МЕС Согр ЗА, РЫПрз Сотр, Затзипд, Зктепз Ак(, Зрасе Рожег, Те1е1ипкеп, ТЬотзоп С8ЕЕЕС Адупсд Зет!, Атег Мкго 8С, Сптзоп Зет!, СМоде Тгапз, Екота, ЕаксЬПд 8С, НнТгоп, Мкго Е1есз, МоГого1а, МиРагд Ид, КауГЬеоп 8С, РЕ бат, 8ете1аЬ, Зктепз АкГ, Техаз 1пзН, 2еГех Сотзе! Зегт, Соп1’1 Оеу, Мкго Е1есз, Ма<1 Зегт, РЫИрз Сотр, Зрасе Рожег Адупсд Зет!, СаПег Тгап, Мкго Е|есз, Зет] 1пс, Зрасе Рожег ЯоЬт Со Ь1д Тез1а Е1ек АЕ6 Согр, Сотзе! Зет!, Сптзоп Зет!, Екота, М1з1га1 ЗрА, Мо1ого1а, МАЗ Е1ек1, МаЛ Зет!, МЕС Е1есз, РЫПрз Сотр, Затзипд, 8’|етепз Ак1, Зрасе Рожег, Те1е1ипкеп, Уа1уо бтЬН
Тип оте- чественного транзистора Тип зарубежного транзистора Фирма-изготовитель
КТ639Д1 2Ы5821 Ас1упсс1 Зет!, Сеп1га| Зеин, Сптзоп Зегт, Е1т 8(а(е, Оепг! [Ход, Сепг! Е1ес/СЕ, Н!-Тгоп, Мюго Е1есз, МАЗ Е1ек1, Ма11 Тгапз, Зени 1пс, Зепнсоп ТесЬ, 8етНгоп!сз
С855 Зрасе Роу/ег, Зет! 1пс
КТ644А, КТ644В ТР2904А Зргдие Е1ес
КТ644Б, КТ644Г М8Р2907А Р1еззеу Зет!
КТ661А ТР2905А Зргдие Е1ес
КТ662А ВСУУ97К Аскпсд Зет!, М'юго Е1есз, Зет! 1пс
2Т664А9, КТ664А9 2ТХ553М1 2е1ех
2Т664Б9, КТ664Б9 ВСХ53-6 РЫ1<р5 Озсг, 3!етепз АкГ
КТ667А9 ВР8218 Те!е(ипкеп, АЕО Согр
КТ668А ВС307У1 Адупсд Зет!, СепГга! Зет!, СотзеГ Зет!, 1п(1 Оеу!се, Мюго Е1есз, М!з1га1 ЗрА, Мо<ого1а, №<1 Зет!, Зет! 1пс, ЗоГиЗ ЗИпс, Зргдие Е1ес
КТ668Б ВСХ79-7 Мо1ого1а
ВС560А СотзеГ Зет!, ПТ ЗетЛпГг, М!з<га| ЗрА, №<1 Зет!, М1Ь Атег Зет!, РЫЬрз Е1ес, 8!етеп$ Ак<
КТ668В ВС560В Сотзе! Зет!, ГТТ ЗетПпГг, М!з<га1 ЗрА, №<1 Зет!, Атег Зет!, РЫПрз Е1ес, 8!етепз Ак<
КТ681А МР8О55 Сптзоп Зет!, КЗЬ М!сго, М!сго Е1есз, Мо1ого1а, Зет! 1пс, Зеписоп ТесЬ, Зргдие Е1ес
КТ685А ТР2904 Зргдие Е1ес
КТ685Б ТР2904А Зргдие Е1ес
КТ685В ТР2905 Зргдие Е1ес
КТ685Г М8Р2907А Р!еззеу Зет!
ТР2905А Зргдие Е1ес
КТ685Д МР83702 Сеп<га1 Зет!, Сптзоп Зет!, Еа!гсЫ1д ЗС, 1пГ1 Оеу!се, КЗЬ М!сго, М!сго Е1есз, Мо1ого1а, Ыа11 Зет!, Ы<Ь Атег Зет!, РЫ1!рз Е1ес, КоЬт Со ЬМ, КоЬт Согр, Затзипд, Зет! 1пс, Зеписоп ТесЬ, ЗетИготсз 8о1!б 8<1пс, Зргдие Е1ес
КТ685Е РЫ3638 СепГга! Зет!, Сптзоп Зет!, О!д!1гоп, Еа!гсЬ!кГ ЗС, М!сго Е1есз, №Н Зет!, 8оНд ЗЯпс
Тип оте- чественного транзистора Тип зарубежного транзистора Фирма-изготовитель
КТ685Ж РМ3638А Сеп1га1 8еш'|, Сптзоп 8ет'|, 0>дНгоп, ЕаксЫк! 8С, Мкго Е1есз, МаМ Зепп, 8о1!<1 ЗИпс
КТ686А ВС327Р Р|еззеу Зет!
ВСХ76 Абулей 8ет1, Мкго Е1есз, Зет! 1пс, 8|етепз АК<
КТ686Б ВС327АР Р|еззеу Зет!
ВСХ76-25 Зктепз АМ
КТ686В ВС327ВР Р1еззеу Зелл
ВС327-16 СотзеГ Зегт, ПТ ЗетПпМ, Мкго Е1ес5, М|з<га1 8рА, Мо1ого1а, №11 Зегт, ММ Атег Зеий, РЬП'|рз Е1ес, 8ете1аЬ, Зктепз АМ
ВСХ76-40 Зктепз АМ
КТ686Г А5Т3638А Зеткоп ТесЬ
МР83638АК Сптзоп 8епй
РМ3638А Сеп1га1 Зепи, Сптзоп Зет!, 01дИгоп, Еа'1гсЬ|1й ЗС, К8Ь М|сго, Мкго Е1есз, ИаН Зегт, Зепп 1пс, 8оПй 8<1пс
КТ686Д ВС328АР Р1еззеу 8ет>
КТ686Е ВС328ВР Р1еззеу 8ет1
КТ686Ж 2Ы3638А Айупсй 8ет), Атег Мкго 8С, Сеп(га1 8ет'|, Соп(’1 Оеу, Сптзоп 8епи, О!д|(гоп, О'юйе Тгапз, Е1ес Тгапз, Е1т 8<а<е, НнТгоп, 1п<1 Оеуке, Ма<1 8епм, Ые* 7егзеу, ММ Атег 8епй, 8ет1 1пс, Зеткоп ТесЬ, 814 8< Зуз1, 8И 81 1пс1из, Зрасе Роууег, ЗжатрзсоН, 13Р1 Зет!
КТ692А 2Ы2904 Айупсй Зет!, АНедго Мкго, Атег М‘|сго ЗС, Сеп1га1 Зепп, СопГ1 Оеу, Сптзоп 8егт, Оойе Тгапз, Екота, Е1ес Тгапз, ЕаксЫк! ЗС, 6епг1 О'юс1, Сепг! Тгапз, Н-Тгоп, Мо1ого1а, РЫНрз Озсг, РЕ бат, 8ете1аЬ, Зеткоа, 868—ТЬотзоп, Зрасе Рожег, Техаз 1пз1г, 2е1ех
2Т932А, КТ932А 8М13511, 8М13515 8ете1аЬ
2Т932Б, КТ932Б 80Т3510 РРС РгойисС 81с1 81 Оусз, ЗоПМоп
КТ932В ВС460-4, ВС460-6 8ете1аЬ
2Т933А, КТ933А ОТ13502 01ойе Тгапз
Тип оте- чественного транзистора Тип зарубежного транзистора Фирма-изготовитель
2Т933Б, КТ933Б ОИ3502 □|оде Тгапз
КТ973А 23В986К Запуо Е1ес1
КТ9<15/> 81298 ТозЫЬа Атег, ТозЫЬа Согр
28А1352 Запуо Е1вс1
ВР847 81етепз Ак1
КТ9115Б 2М4929 АИупсЬ Зегт, Атег М1сго 8С, Сптзоп 8ет’|, СЗР 1пдиз, 0|О<1е Тгапз, Е1т 81а1е, Сепг! ОюИе, Опг| Тгапз, НкТгоп, 1п1 Оеу|се, Мо1ого1а, МАЗ Е1ек1, РРС Ргодис1, КР Оат, 8ете1аЬ, 8ет'| 1пс, ЗепЫсоа, Зеткоп ТесЬ, 8ет!1гоЫсз, 81д 81 Бусз, 81И 81 1пдиз, 8о1|И ЗИпс, Зрасе Ро’лег, ЗшатрзсоИ, ТгапзНгоп
КТ9120 ВО706 Сеп1га1 Зет!, МАЗ Е1ек1, 8ете1аЬ, 508—А1ез, 868—ТЬотзоп, Зрасе Ро»ег
КТ9144А9, ТМРТА92 Зргдие Е1ес
КТ9144А-5 ВР721 РЫНрз Е1ес
КТ9176А О42С2М Нагпз Зепп
О42С2 6Е ЗоГк! 81, Нагпз ЗегЫ, Ма11 Зет!, Меж 1егзеу,
О42С1 Зеткоп ТесЬ, ЗоПд ЗИпс, Зрасе Рошег
М8100 АсЬ/псИ ЗегЫ, Зет! 1пс, Зрасе Рожег
МН8100 М'гсго Е1есз
КТ9180А О43С2, 6Е ЗоНЬ 81, Нагпз Зет), МаН Зегт, Меж 1егзеу,
□43СЗ ЗегЫсоп ТесЬ, 8о1Й ЗИпс, Зрасе Ро«ег
28А1658 Когеа Е1есз
28В772, 25В772К МЕС Е1есз, МЕС Согр М, Затзипд
УКАЗАТЕЛЬ ТИПОВ ТРАНЗИСТОРОВ
Тип прибора .Стр. Тип прибора Стр. Тил прибора Стр.
1Т90ЦА, Б) 597 2П913(А, Б) 145 2Т9117(А—Г) 517
1Т905А 599 2П914А 149 2Т912(А, Б) 389
1Т906А 603 2П918(А, Б) 152 2Т912(А—5, Б-5) 389
1Т910АД 606 2П920(А, Б) 156 2Т9126А 520
2Е70ЦА-Г) 217 2П922(А, Б) 162 2Т9128АС 523
2Ж102(А, Б) 550 2П922(А—5, Б-5) 162 2Т9130А 526
2П601(А, Б) 35 2П923(А-Г) 166 2Т9131А 528
2П601А9 35 2П926(А, Б) 172 2Т920(А—В) 393
2П609(А, Б) 39 2П928(А, Б) 174 2Т921А 397
2П609(А—5, Б—5) 39 2П933(А, Б) 177 2Т921А-4 400
2П70ЦА, Б) 42 2П938(А—Д) 184 2Т922(А—В) 402
2П702А 46 2П941(А—Д) 186 2Т926А 407
2П703(А, Б) 49 2Т602(А, Б) 324 2Т928(А, Б) 411
2П706(А—В) 56 2Т602(АМ, БМ) 324 2Т929А 414
2П712(А—5—В—5) 62 2Т603(А—Г, И) 327 2Т931А 417
2П712(А—В) 62 2Т608(А, Б) 335 2Т932(А, Б) 608
2П802А 70 2Т625(А-2, Б-2) 345 2Т933(А, Б) 610
2П803(А, Б) 74 2Т625АМ—2 345 2Т935А 421
2П815(А—Г) 91 2Т625БМ-2 345 2Т935А- 5 421
2П816(А—Г) 94 2Т629А- 2 565 2Т944А 432
2П901(А, Б) 105 2Т630(А, Б) 348 2Т945(А-В) 434
2Л901(А—5, Б-5) 105 2Т630А-5 348 2Т945А-5 434
2П902(А, Б) 110 2Т632А 567 2Т947А 440
2П903(А—5—В—5) 114 2Т635А 351 2Т950(А, Б) 443
2П903(А—В) 114 2Т638А 354 2Т951(А—В) 447
2П904{А, Б) 119 2Т652А 360 2Т955А 453
2П905(А, Б) 123 2Т652А-2 360 2Т956А 456
2П9О7(А, Б) 126 2Т653(А, Б) 363 2Т957А 460
2П908(А, Б) 130 2Т664(А9, Б9) 580 2Т958А 463
2П909(А—Г) 134 2Т665(А9, Б9) 369 2Т964А 470
2П91ЦА, Б) 138 2Т9ОЗ(А, Б) 383 2Т965А 473
2П912(А, Б) 141 2Т908А 386 2Т966А 477
654
Тип прибора Стр. Тип прибора Стр. Тип прибора Стр.
2Т967А 482 А597(А, Б) 552 АП604А1—2 236
2Т968А 485 А604(А—В) 554 АП604Б1-2 236
2Т968А-5 485 А634(А, Б) 294 АП604В1-2 236
2Т971А 493 А639А 557 АП604Г1—2 236
2Т978(А, Б) 499 А65О(А—Г) 200 АП605А-2 24’
2Т980(А, Б) 502 А654(А, Б) 202 АП606(А—2—В—2) 251
21981А 507 А661(А, Б) 559 АП6О6(А—5—В—5) 251
2Т993А 510 А675(А, Б) 203 АП608А-2 265
ЗП602(А—2—Д—2) 221 А686(А—2, Б—2) 296 АП608А-5 265
ЗП602(Б—5, Д-5) 221 А686А1-2 296 АП608Б—2 265
ЗП6ОЗ(А—2, Б—2) 229 А686Б1-2 296 АП608Г-2 265
ЗП6ОЗ(А-5, Б-5) 229 А702(А—В) 97 АП608Д-5 265
ЗП6ОЗА1-2 229 А709(А, Б) 205 АП608Е-5 265
ЗЛ6ОЗБ1—2 229 А719(А—Г) 207 АП967(А—2—Ж—2) 290
ЗП604(А—2—Г—2) 236 А723 561 П905(А, Б) 599
ЗП604(А—5—Г—5) 236 А724(А—Г) 99 ГГ906А 603
ЗП604А1—2 236 А725(А—Д) 298 ГТ906АМ 603
ЗЛ604Б1-2 236 А726(А, Б) 300 КЛ6О1(А, Б) 35
ЗП604В1—2 236 А? 36 302 КП704(А, Б) 52
ЗП604Г1—2 236 А745(А—5—В—5) 307 КЛ705(А—В) 53
ЗП605А-2 242 А745(А—Г) 304 КП7О7(А—В) 58
ЗП605А-5 242 А746(А, Б) 209 КП707(А1-В1) 58
ЗП606(А—2—Г—2) 244 А761А-5 309 КЛ709(А, Б) 61
ЗП606(Б—5, В-5) 248 А762(А, Б) 211 КП80ЦА- Г) 67
ЗП607А-2 257 А795(А—Д) 312 КП802(А, Б) 70
ЗП608А—2 259 А796(А—Ж) 314 КП804А 78
ЗП608А-5 262 А8ОЗА 316 КП805(А—В) 80
ЗП608Б-2 259 А808(А—Г) 213 КП809(А—Е) 83
ЗП608Г-2 259 А842(А, Б) 101 КП809(А1-Е1) 83
ЗП608Д-5 262 А843(А—В) ЮЗ КП809Б1—5 83
ЗП608Е- 5 262 А848А 318 КП809Б2—5 83
ЗП910(А—2, Б—2) 270 А849(А, В, С, Д) 320 КП813(А, Б) 87
ЗП910(А—5, Б-5) 270 АП602(А—2—Д—2) 221 КП813(А1, Б1) 87
ЗП915(А—2, Б—2) 274 АП603(А—2, Б—2) 229 КП813А1—5 87
ЗП925(А—2—В—2) 277 АП603(А—5, Б-5) 229 КП813Б1—5 87
ЗЛ925А-5 277 АП603А1-2 229 КП90ЦА, Б) 105
ЗП927(А—2—Д—2) 281 АП603Б1—2 229 КП902(А—В) 110
ЗП929А-2 285 АП604(А-2-Г-2) 236 КП9ОЗ(А-В) 114
ЗП930(А—2—В—2) 288 АП604(А-5-Г-5) 236 КП904(А, Б) 119
Тип прибора Стр. Тип прибора Стр. Тип прибора Стр.
КП905(А- В) 123 КТ639(А-И) 570 КТ9177А 546
КП907(А—В) 126 КТ639(А1, Б1, П, КТ9180(А—Г) 623
КП908(А, Б) 130 Д1) 570 КТ918ЦА—Г) 548
КП921А 160 КТ644(А—Г) 574 КТ920(А—Г) 393
КП922(А, Б) 162 КТ645(А, Б) 357 КТ921(А, Б) 397
КП922(А1, Б1) 162 КТ646(А, Б) 358 КТ922(А—Д) 402
КП923(А- Г) 166 КТ660(А, Б) 366 КТ926(А, Б) 407
КП934(А, Б) 180 КТ661А 576 КТ927(А—В) 409
КП937А 183 КТ662А 578 КТ928(А—В) 411
КП937А- 5 183 КТ664(А9, Б9) 580 КТ929А 414
КП938(А—Д) 184 КТ665(А9, Б9) 369 КТ931А 417
КП944(А, Б) 191 КТ666А9 371 КТ932(А-В) 608
КП945(А, Б) 195 КТ667А9 583 КТ933(А, Б) 610
КП951(А—2—В—2) 198 КТ668(А—В) 585 КТ935А 421
КТ601А 322 КТ680А 373 КТ936(А, Б) 424
КТ601АМ 322 КТ681А 587 КТ940(А—5—В—5) 426
КТ602(АМ, БМ) 324 КТ683(А—Е) 375 КТ940(А- В) 426
КТбОЗ(А-Е) 327 КТ684(А—В) 378 КТ943(А-Д) 428
КТ604(А, Б) 330 КТ685(А—Ж) 589 КТ944А 432
КТ604(АМ, БМ) 330 КТ686(А—Ж) 591 КТ945Б 434
КТ6О5(А, Б) 332 КТ692А 593 КТ947А 440
КТ605(АМ, БМ) 332 КТ698(А—К) 379 КТ955А 453
КТ608(А, Б) 335 КТ902АМ 381 КТ956А 456
КТ611(А—Г) 338 КТ903А 383 КТ957А 460
КТ611(АМ, БМ) 338 КТ908(А, Б) 386 КТ958А 463
КТ6127(А—К) 595 КТ9115(А, Б) 614 КТ96ЦА—Г) 467
КТ616(А, Б) 340 КТ912(А, Б) 389 КТ965А 473
КТ617А 342 КТ9120А 618 КТ966А 477
КТ618А 344 КТ9130А 526 КТ967А 482
КТ625А 345 КТ9133А 531 КТ969А 490
КТ625АМ 345 КТ9144А-5 619 КТ969А-5 490
КТ626(А-Д) 563 КТ9144А9 ' 619 КТ971А 493
КТ629(А—2, Б-2) 565 КТ9145А—5 534 КТ972(А, Б) 496
КТ629БМ-2 565 КТ9145А9 534 КТ973(А, Б) 613
КТбЗО(А-Е) 348 КТ9151А 538 КТ980(А, Б) 502
КТ632Б 567 КТ9157А 540 КТ981А 507
КТ632Б1 567 КТ9160(А-В) 541 КТ997(А—В) 512
КТ635Б 351 КТ9166А 545 КТ999А 514
КТ638А 354 КТ9176А 621
ПЕРЕЧЕНЬ
типов транзисторов, вошедших в 1—4 тт. издания
Тип прибора Том Тип прибора Том
1НТ251 1 2Е701(А-Г) 3
1НТ251А 1 2Ж102(А, Б) 3
1НТ251А1 1 2П10ЦА—В) 1
1Т101 1 2П103(А—Д) 1
1Т101(А, Б) 1 2П103(АР—ДР) 1
1Т102 1 2П201(А-1-Д-1) 1
1Т102А 1 2П30ЦА—В) 1
1Т115(А—Г) 1 2П301(А1—В1) 1
1Т116(А—Г) 1 2П302(А—В) 1
1Т305(А-В) 1 2П303(А—Е, И) 1
1Т308(А—В) 1 2П304А 1
1Т31ЦА, Б, Г, Д, К, Л) 1 2П305(А—2—Г—2) 1
1Т3110А-2 1 2П305(А—Г) 1
1Т313(А—В) 1 2П306(А—В) 1
1Т320(А—В) 1 2П307(А, Б, Г) 1
1Т32ЦА-Е) 1 2П308(А—1—Д—1) 1
1Т329(А—В) 1 2П308(А9-Е9) 1
1Т330(А—Г) 1 2П310(А, Б) 1
1Т335(А-Д) 1 2П312(А, Б) 1
1Т34ЦА—В) 1 2П312(А—5, Б-5) 1
1Т362А 1 2П312(А—6, Б—6) 1
1Т374А-6 1 2П313(А—В) 1
1Т376А 1 2П322А 1
1Т386А 1 2ПЗЗЗ(А, Б) 1
1Т387(А-2, Б-2) 1 2П335(А—2, Б-2) 1
1Т403(А—И) 1 2П337(АР, БР) 1
1Т612А-4 4 2П338АР-1 1
1Т614А 4 2П34ЦА, Б) 1
1Т702(А—В) 2 2П347А-2 1
1Т806(А—В) 2 2П350(А, Б) 1
1Т813(А—В) 2 2П601(А, Б) 3
1Т901(А, Б) 3 2П601А9 3
1Т905А 3 2П609(А, Б) 3
1Т906А 3 2П609(А—5, Б-5) 3
1Т910АД 3 2П701(А, Б) 3
1ТМ115(А—Г) 1 2П702А 3
1ТМ305(А—В) 1 2П703(А, Б) 3
Тип прибора Том Тип прибора Том
2П706(А—В) 3 2Т126(А—1—Г—1) 1
2П712(А—5-В-5) 3 2Т127(А—1-Г-1) 1
2П712(А—В) 3 2Т201(А—Д) 1
2П802А 3 2Т202(А—1—Д—1) 1
2П803(А, Б) 3 2Т203(А—Д) 1
2П815(А—Г) 3 2Т205(А—3, Б—3) 1
2П816(А—Г) 3 2Т208(А—М) 1
2П901(А, Б) 3 2Т211(А—1—В—1) 1
2П901(А-5, Б-5) 3 2Т214(А—1—Е—1) 1
2П902(А, Б) 3 2Т214(А9—Е9) 1
2П903(А—5—В—5) 3 2Т215(А—1—Е—1) 1
2П903(А—В) 3 2Т215(А9—Е9) 1
2П904(А, Б) 3 2Т301(Г—Ж) 1
2П905(А, Б) 3 2Т306(А—Г) 1
2П907(А, Б) 3 2Т307(А—1—Г—1) 1
2П908(А, Б) 3 2Т3101А-2 1
2П909(А—Г) 3 2Т3106А-2 1
2П911(А, Б) 3 2Т3108(А—В) 1
2П912(А, Б) 3 2Т3114(А—6—В—6) 1
2П913(А, Б) 3 2Т3115(А—2, Б-2) 1
2П914А 3 2Т3115А-6 1
2П918(А, Б) 3 2Т3117А 1
2П920(А, Б) 3 2Т312(А—В) 1
2П922(А, Б) 3 2Т3120А 1
2П922(А—5, Б-5) 3 2Т3121А-6 1
2П923(А—Г) 3 2Т3123(А—2—В—2) 1
2П926(А, Б) 3 2Т3124(А—2—В—2) 1
2П928(А, Б) 3 2Т3129(А9—Д9) 1
2П933(А, Б) 3 2Т313(А, Б) 1
2П938(А—Д) 3 2Т3130(А9—Е9) 1
2П941(А— Д) 3 2Т3132(А—2—Г—2) 1
2ПС104(А-Е) 1 2Т3132А-5 1
2ПС202(А—2—Г—2) 1 2Т3141А-2 1
2ПС202(Д—1, Е—1) 1 2Т314А-2 1
2ПС316(А—1—Г—1) 1 2Т3152(А—Е) 1
2Т104(А—Г) 1 2Т316(А—Д) 1
2Т117(А—Г) 1 2Т3162А 1
2Т118(А—1, Б—1) 1 2Т3162А—5 1
2Т118(А—В) 1 2Т316А-5 1
Тип прибора Том Тип прибора Том
2Т317(А—1—В—1) 1 2Т391(А—2, Б—2) 1
2Т3175А 1 2Т392А-2 1
2Т318(А— 1-Е-1) 1 2Т396А-2 1
2Т318В1—1 1 2Т397А-2 1
2Т321(А—Е) 1 2Т399А 1
2Т324(А—1—Е—1) 1 2Т504(А, Б) 2
2Т325(А—В) 1 2Т504(А—5, Б-5) 2
2Т326(А, Б) 1 2Т505(А, Б) 2
2ТЗЗЗ(А—3-Е-3) 1 2Т505А-5 9
2ТЗЗЗВ1-3 1 2Т506(А, Б) 2
2Т336(А—Е) 1 2Т506А-5 2
2Т348(А—3—В—3) 1 2Т509А 2
2Т354(А—2, Б—2) 1 2Т509А-5 2
2Т355А 1 2Т602(А, Б) 3
2Т360(А—1—В—1) 1 2Т602(АМ, БМ) 3
2Т363(А, Б) 1 2Т603(А—Г, И) 3
2Т364(А—2—В—2) 1 2Т606А 4
2Т366(А—1—В—1) 1 2Т607А-4 4
2Т366Б1-1 1 2Т608(А, Б) 3
2Т368(А, Б) 1 2Т610(А, Б) 4
2Т368(А9, Б9) 1 2Т624А-2 4
2Т370(А—1, Б—1) 1 2Т624АМ-2 4
2Т370(А9, Б9) 1 2Т625(А—2, Б—2) 3
2Т371А 1 2Т625АМ-2 3
2Т372(А—В) 1 2Т625БМ-2 3
2Т377(А—2—В—2) 1 2Т629А-2 3
2Т377(А1—2—В1—2) 1 2Т630(А, Б) 3
2Т378(А—2, Б—2) 1 2Т630А-5 3
2Т378(А1—2, Б1-2) 1 2Т632А 3
2Т378Б-2-1 1 2Т633А 4
2Т381(А—1—Д—1) 1 2Т634А-2 4
2Т382(А, Б) 1 2Т635А 3
2Т384А-2 1 2Т637А-2 4
2Т384АМ-2 1 2Т638А 3
2Т385А-2 1 2Т640А-2 4
2Т385АМ-2 1 2Т640А-5 4
2Т388А-2 1 2Т640А-6 4
2Т388АМ—2 1 2Т640А1-2 4
2Т389А-2 1 2Т642А-2 4
Тип прибора Том тип прибора Том
2Т642А-5 4 2Т818(А2—В2) 2
2Т642А1-2 . 4 2Т819(А—В) 2
2Т642А1-5 4 2Т819(А2-В2) 2
2Т642Б1-2 4 2Т825(А—В) 2
2Т642В1-2 4 2Т825(А2-В2) 2
2Т642Г1-2 4 2Т825А-5 2
2Т643(А—2, Б-2) 4 2Т826(А—В) 2
2Т643А-5 4 2Т826А-5 2
2Т647А-2 4 2Т827(А—В) 2
2Т647А-5 4 2Т827А-5 2
2Т648А-2 4 2Т828(А, Б) 2
2Т648А-5 4 2Т830(А—Г) 2
2Т652А 3 2Т830(В—1, Г-1) 2
2Т652А-2 3 2Т831(А—Г) 2
2Т653(А, Б) 3 2Т831(В—1, Г-1) 2
2Т657(А—2—В—2) 4 2Т834(А—В) 2
2Т658(А—2—В—2) 4 2Т836(А—В) 2
2Т664(А9, Б9) 3 2Т836А-5 2
2Т665(А9, Б9) з 2Т837(А—Е) 2
2Т671А-2 4 2Т839А 2
2Т682(А—2, Б-2) 4 2Т84ЦА-В) 2
2Т687АС-2 4 2Т841(А1, Б1) 2
2Т687БС-2 4 2Т842(А, Б) 2
2Т688(А—2, Б-2) 4 2Т842(А1, Б1) 2
2Т691А-2 4 2Т844А 2
2Т704(А, Б) 2 2Т845А 2
2Т708(А—В) 2 2Т847А 2
2Т709(А—В) 2 2Т848А 2
2Т709(А2—В2) 2 2Т856(А—Г) 2
2Т713А 2 2Т860(А—В) 2
2Т716(А—В) 2 2Т861(А—В) 2
2Т716(А1—В1) 2 2Т862(А—Г) 2
2Т718(А, Б) 2 2Т866А 2
2Т803А 2 2Т867А 2
2Т8О8А 2 2Т874(А, Б) 2
2Т8МА-2 2 2Т875(А—Г) 2
2Т809А 2 2Т876(А—Г) 2
2Т812(А Б' 2 2Т877(А—В) 2
2Т818(А—В) 2 2Т878(А, Б) 2
Тип прибора Том Тип прибора Том
2Т879(А, Б) 2 2Т9127(А, Б) 4
2Т880(А—5, Б-5) 2 2Т9128АС 3
2Т880(А—Г) 2 2Т9129А 4
2Т881(А—5, Б-5) 2 2Т913(А—В) 4
2Т881(А—Г) 2 2Т9130А 3
2Т882(А—В) 2 2Т9131А 3
2Т883(А, Б) 2 2Т9132АС 4
2Т884(А, Б) 2 2Т9134(А, Б) 4
2Т885(А, Б) 2 2Т9135А-2 4
2Т886А 2 2Т9136АС 4
2Т887(А, Б) 2 2Т9137А 4
2Т891А 2 2Т9139(А—Г) 4
2Т903(А, Б) 3 2Т9140А 4
2Т904А 4 2Т9146(А—К) 4
2Т907А 4 2Т9147АС 4
2Т908А 3 2Т9149(А, Б) 4
2Т909(А, Б) 4 2Т914А 4
2Т9101АС 4 2Т9153(АС, БС) 4
2Т9102(А—2, Б-2) 4 2Т9155(А—В) 4
2Т9103(А—2, Б-2) 4 2Т9156(АС, БС) 4
2Т9104(А, Б) 4 2Т9158(А, Б) 4
2Т9105АС 4 2Т9159А 4
2Т9107А-2 4 2Т9159А-5 4
2Т9108А-2 4 2Т9161АС 4
2Т9109А 4 2Т9162(А—Г) 4
2Т911(А, Б) 4 2Т916А 4
2Т9110(А—2, Б-2) 4 2Т919(А—2—В—2) 4
2Т9111А 4 2Т919(А—В) 4
2Т9114(А, Б) 4 2Т920(А—В) 3
2Т9117(А—Г) 3 2Т921А 3
2Т9118(А—В) 4 2Т921А-4 3
2Т9119А-2 4 2Т922(А—В) 3
2Т912(А, Б) 3 2Т925(А—В) 4
2Т912(А—5, Б-5) 3 2Т926А 3
2Т9121(А—Г) 4 2Т928(А, Б) 3
2Т9122(А, Б) 4 2Т929А 3
2Т9124(А, Б) 4 2Т930(А, Б) 4
2Т9125АС 4 2Т931А 3
2Т9126А 3 2Т932(А, Б) 1 3
Тип прибора Том Тип прибора Том
2Т933(А, Б) 3 2Т978(А, Б) 3
2Т934(А—В) 4 2Т979А 4
2Т935А 3 2Т980(А, Б) 3
2Т935А-5 3 2Т981А 3
2Т937(А—2, Б-2) 4 2Т982А-2 4
2Т937А-5 4 2Т982А-5 4
2Т938А-2 4 2Т984(А, Б) 4
2Т939А 4 2Т985АС 4
2Т941А 4 2Т986(А—Г) 4
2Т942(А, Б) 4 2Т988(А, Б) 4
2Т942(А—5, Б-5) 4 2Т989(А—Г) 4
2Т944А 3 2Т990А-2 4
2Т945(А—В) 3 2Т991АС 4
2Т945А-5 3 2Т993А 3
2Т946А 4 2Т994(А—2—В—2) 4
2Т947А 3 2Т995А-2 4
2Т948(А, Б) 4 2Т996(А—2—Г—2) 4
2Т950(А, Б) 3 2Т996(А—5, Б-5) 4
2Т951(А—В) 3 2ТМ103(А—Д) 1
2Т955А 3 2ТМ104(А—Г) 1
2Т956А 3 2ТС303А-2 1
2Т957А 3 2ТС3103(А, Б) 1
2Т958А 3 2ТС3111(А—1—Д—1) 1
2Т960А 4 2ТС393(А—1, Б—1) 1
2Т962(А—В) 4 2ТС393(А9, Б9) 1
2Т963(А—2, Б-2) 4 2ТС398(А—1, Б—1) 1
2Т963А-5 4 2ТС398(А9, Б9) 1
2Т964А 3 2ТС613(А, Б) 4
2Т965А 3 2ТС622(А, Б) 4
2Т966А 3 2ТС843А 4
2Т967А 3 2ТС941А 4
2Т968А 3 ЗП320(А—2, Б-2) 1
2Т968А-5 3 ЗП321А-2 1
2Т970А 4 ЗП324(А—2, Б-2) 1
2Т971А 3 ЗП325А-2 1
2Т974(А—Г) 4 ЗП325А-5 1
2Т975(А, Б) 4 ЗП326(А—2, Б-2) 1
2Т976А 4 ЗП326А-5 1
2Т977А 4 ЗП328А-2 1
Тип прибора Том Тип прибора Том
ЗП328А-5 1 ЗП608Г-2 3
ЗПЗЗО(А—2-В-2) 1 ЗП608Д-5 3
ЗПЗЗОА—5 1 ЗП608Е-5 3
ЗП331А-2 1 ЗП910(А—2, Б-2) 3
ЗП331А-5 1 ЗП910(А—5, Б—5) 3
ЗП339А-2 1 ЗП915(А—2, Б-2) 3
ЗП339А-5 1 ЗП925(А—2—В—2) 3
ЗП343А-2 1 ЗП925А-5 3
ЗП343А-5 1 ЗП927(А—2—Д—2) 3
ЗП344А-2 1 ЗП929А-2 3
ЗП344А-5 1 ЗП930(А—2—В—2) 3
ЗП345(А—2, Б-2) 1 А597(А, Б) • 3
ЗП345Б-5 1 А604(А—В) 3
ЗП351А-2 1 А622(А, Б) 4
ЗП351А-5 1 А625А-5 4
ЗП353А-5 1 А625А1-2 4
ЗП372А-2 1 А625Б1-2 4
ЗП376А-5 1 А625В1-2 4
ЗП384А-5 1 А625Г1-2 4
ЗП602(А—2—Д—2) 3 А630 4
ЗП602(Б—5, Д-5) 3 А633 4
ЗП6ОЗ(А—2, Б-2) 3 А634(А, Б) 3
ЗП6ОЗ(А—5, Б—5) 3 А639А 3
ЗП6ОЗА1-2 3 А641(А—В) 1
ЗП6ОЗБ1-2 3 А642(А, Б) 4
ЗП604(А—2—Г—2) 3 А645 4
ЗП604(А—5—Г—5) 3 А645А-5 4
ЗП604А1-2 3 А650(А—Г) 3
ЗП604Б1-2 3 А652(А—В) 4
ЗП604В1-2 3 А653А-5 4
ЗП604Г1-2 3 А654(А, Б) 3
ЗП605А-2 3 А657 4
ЗП605А-5 3 А661(А, Б) 3
ЗП606(А—2—Г—2) 3 А662 4
ЗП606(Б—5, В-5) 3 А664А 4
ЗП607А-2 3 А667 4
ЗП608А-2 3 А675(А, Б) 3
ЗП608А-5 3 А678(А—Г) 2
ЗП608Б-2 3 А680(А—Д) 4
Тип прибора Том Тип прибора Том
А682(А, Б) 4 А767(А—В) 4
А684А 2 А772 2
А686(А—2, Б-2) 3 А791(А—В) 1
А686А1-2 3 А792 4
А686Б1-2 3 А793(А—В) 4
А691 4 А794(А—В) 4
А697(А, Б) 4 А795(А—Д) 3
А702(А~В) 3 А796(А—Ж) 3
А704А 4 А797 4
А709(А, Б) 3 А802(А—Ж) 1
А710(А, Б) 2 А803А 3
А714 4 А808(А—Г) 3
А716(А, Б) 4 А815 1
А717(А, Б) 4 А818(А—Д) 1
А718(А—В) 4 А827(А, Б) 4
А719(А—Г) 3 А834А 4
А720(А—Г) 4 А837(А—В) 4
А722(А, Б) 4 А842(А, Б) 3
А723 3 А843(А—В) 3
А724(А—Г) 3 А848А 3
А725(А-Д) 3 А849(А, В, С, Д) 3
А726(А, Б) 3 АП320(А—2, Б-2) 1
А727(А, Б) 4 АП324(А—2—В—2) 1
А731(А—Г) 4 АП324Б-5 1
А736 3 АП325А-2 1
А739(А—2, Б-2) 4 АП326(А—2, Б-2) 1
А740(А, Б) 2 АП328А-2 1
А743(А, Б) 4 АП330(А—2—В—2) 1
А745(А—5—В—5) 3 АП331А-2 1
А745(А—Г) 3 АП331А-5 1
А746(А, Б) 3 АП339А-2 1
А747 1 АП343А-2 1
А749 4 АП344А-2 1
А750 4 АП602(А—2—Д—2) 3
А751(А, Б) 4 АП603(А—2, Б-2) 3
А760(А, Б) 1 АП603(А—5, Б-5) 3
А761А-5 3 АП603А1-2 3
А762(А, Б) 3 АП603Б1-2 3
А764(А, Б) 4 АП604(А—2—Г—2) 3
Тип прибора Том Тип прибора Том
АП604(А—5—Г—5) 3 ГТ403(А—И) 1
АП604А1-2 3 ГТ403Ю 1
АП604Б1-2 3 ГТ404(А—Г) 1
АП604В1-2 3 ГТ405(А-Г) 1
АП604Г1-2 3 ГТ612А-4 4
АП605А-2 3 ГТ701А 2
АП606(А—2—В—2) 3 ГТ703(А—Д) 2
АП606(А—5—В—5) 3 ГТ705(А—Д) 2
АП608А-2 3 ГТ806(А—Д) 2
АП608А-5 3 ГТ810А 2
АП608Б-2 3 ГТ905(А, Б) 3
АП608Г-2 3 ГТ906А 3
АП608Д-5 3 ГТ906АМ 3
АП608Е-5 3 К1НТ251 , 1
АП967(А—2—Ж—2) 3 К1НТ661А 1
ГТ108(А—Г) 1 КП101(Г—Е) 1
ГТ109(А—И) 1 КПЮЗ(Е-М) 1
ГТ115(А-Д) 1 КП103(Е1-М1) 1
ГТ122(А—Г) 1 КПЮЗ(ЕР-МР) 1
ГТ124(А—Г) 1 КП103(ЕР1— МР1) 1
ГТ125(А—Л) 1 КП201(Е—1—Л—1) 1
ГТЗОБ(А-В) 1 КП301(Б—Г) 1
ГТ308(А—В) 1 КП302(А—Г) 1
ГТЗОЭ(А-Е) 1 КП302(АМ—ГМ) 1
ГТЗЮ(А-Е) 1 КПЗОЗ(А-И) 1
ГТЗИ(Е-И) 1 КП304А 1
ГТ313(А—В) 1 КПЗОБ(Д-И) 1
ГТ320(А—В) 1 КПЗОб(А-В) 1
ГТ321(А—Е) 1 КП307(А, Б, Г, Е, Ж) 1
ГТ322(А—В) 1 КП308(А—1—Д—1) 1
ГТ328(А—В) 1 КП312(А, Б) 1
ГТ329(А—Г) 1 КП313(А—В) 1
ГТ330(Д, Ж, И) 1 КП314А 1
ГТ338(А—В) 1 КП322А 1
ГТ341(А-В) 1 КП323(А—2, Б-2) 1
ГТ346(А—В) 1 КП327(А—Г) 1
ГТ362(А, Б} 1 КП329(А, Б) 1
ГТ376А 1 КП341(А, Б) 1
ГТ402(А—Г) 1 КЛ346(А9-В9) 1
Тип прибора Том Тип прибора Том
КП347А-2 1 КПС104(А-Е) 1
КПЗБО(А-В) 1 КПС202(А—2—Г—2) 1
КП364(А—И) 1 КПС202(Д—1, Е-1) 1
КП601(А, Б) 3 КПС203(А—1—Г—1) 1
КП704(А, Б) 3 КПС315(А, Б) 1
КП705(А—В) 3 КПС316(Д—1—И—1) 1
КП707(А—В) 3 КТ104(А—Г) 1
КП707(А1—В1) 3 КТ117(А—Г) 1
КП709(А, Б) 3 КТ117(АМ—ГМ) 1
КП801(А—Г) 3 КТ118(А—В) 1
КП802(А, Б) 3 КТ120(А—1—В—1) 1
КП804А 3 КТ201(А—Д) 1
КП805(А—В) 3 КТ201(АМ—ДМ) 1
КП809(А—Е) 3 КТ202(А— 1-Д—1) 1
КП809(А1— Е1) 3 КТ203(А—В) 1
КП809Б1-5 3 КТ203(АМ—ВМ) 1
КП809Б2—5 3 КТ206(А, Б) 1
КП813(А, Б) 3 КТ207(А—В) 1
КП813(А1, Б1) 3 КТ2О8(А—М) 1
КП813А1-5 3 КТ209(А-М) 1
КП813Б1-5 3 КТ209Б1 1
КП901(А, Б) 3 КТ20ВВ(1, 2) 1
КП902(А—В) 3 КТ214(А—1—Е—1) 1
КП903(А-В) 3 КТ215(А— 1-Е-1) 1
КП904(А, Б) 3 КТ216(А—В) 1
КП905(А—В) 3 КТ218(А9—Е9) 1
КП907(А—В) 3 КТ301(Г—Ж) 1
КП908(А, Б) 3 КТ302А 1
КП921А 3 КТЗОб(А-Д) 1
КП922(А, Б) 3 КТЗОб(АМ-ДМ) 1
КП922(А1, Б1) 3 КТ307(А—1—Г—1) 1
КП923(А—Г) 3 КТ3101А—2 1
КП934(А, Б) 3 КТ3102(А—В, Д) 1
КП937А 3 КТ3102(АМ—ВМ, ДМ) 1
КП937А-5 3 КТ3102(Е—К) 1
КП938(А—Д) 3 КТ3102(ЕМ—КМ) 1
КП944(А, Б) 3 КТ3102Г 1
КПВ45(А, Б) 3 КТ3102ГМ 1
КП951(А—2—В—2) 3 КТ3104(А—Е) 1
Тип прибора Том Тип прибора Том
КТ3106А—2 1 КТ317(А—1—В—1) 1
КТ3106А9 1 КТ3170А9 1
КТ3107(А-Л) 1 КТ3171А9 1
КТ3108(А—В) 1 КТ3172А9 1
КТЗЮЭ(А-В) 1 КТ3173А9 1
КТ3114(Б—6, В-6) 1 КТ3174АС—2 1
КТ3115(А—2, В-2-Д-2) 1 КТ3176А9 1
КТ3117(А, Б) 1 КТ3179А9 1
КТ3117А1 1 КТ318(А—Е) 1
КТ312(А-В) 1 КТ3180А9 1
КТ3120АМ 1 КТ321(А—Е) 1
КТ3121А—6 1 КТ324(А—1—Е—1) 1
КТ3122(А, Б) 1 КТ325(А—В) 1
КТ3123(А—2—В—2) 1 КТ325(АМ—ВМ) 1
КТ3123(АМ—ВМ) 1 КТ326(А, Б) 1
КТ3126(А, Б) 1 КТ326(АМ, БМ) 1
КТ3126А9 1 КТЗЗЗ(А-З-Е-З) 1
КТ3127А 1 КТЗЗб(А-Е) 1
КТ3128А 1 КТ337(А—В) 1
КТ3128А9 1 КТ339А 1
КТ3129(А9—Д9) 1 КТ339АМ 1
КТ313(А, Б) 1 КТ342(А—Г) 1
КТ313(А1—Г1) 1 КТ342(АМ—ВМ) 1
КТ3130(А9—Ж9) 1 КТ343(А-В) 1
КТ3132(А—2—Е—2) 1 КТ345(А—В) 1
КТ3142А 1 КТ347(А-В) 1
КТ314А-2 1 КТ348(А—В) 1
КТ315(А—И) 1 КТ349(А-В) 1
КТ3150Б—2 1 КТ350А 1
КТ3151(А9—Е9) 1 КТ351(А, Б) 1
КТ3153А9 1 КТ352(А, Б) 1
КТ3157А 1 КТ354(А—2, Б-2) 1
КТ315Р 1 КТ355А 1
КТ316(А-Д) 1 КТ355АМ 1
КТ316(АМ—ДМ) 1 КТ358(А—В) 1
КТ3165А 1 КТ359(А—В) 1
КТ3166А 1 КТ360(А—1—В—1) 1
КТ3168А9 1 КТ361(А-Е) 1
КТ3169А9-1 1 КТ363(А, Б) 1
Тип прибора Том Тип прибора Том
КТ363(АМ, БМ) 1 КТ505(А, Б) 2
КТ364(А—2—В—2) 1 КТ506(А, Б) 2
КТ366(А—В) 1 КТ601А 3
КТ368(А, Б) 1 КТ601АМ 3
КТ368(А9, Б9) 1 КТ602(АМ, БМ) 3
КТ368(АМ, БМ) 1 КТбОЗ(А-Е) 3
КТ368А-5 1 КТ604(А, Б) 3
КТ369(А—1—Г—1) 1 КТ604(АМ, БМ) 3
КТ369(А-Г) 1 КТ6О5(А, Б) 3
КТ370(А—1, Б—1) 1 КТ605(АМ, БМ) 3
КТ370(А9, Б9) 1 КТ606(А, Б) 4
КТ371А 1 КТ607(А—4, Б—4) 4
КТ371АМ 1 КТ6О8(А, Б) 3
КТ372(А—В) 1 КТ610(А, Б) 4
КТ373(А—Г) 1 КТ611(А—Г) 3
КТ375(А, Б) 1 КТ611(АМ, БМ) 3
КТ379(А—Г) 1 КТ6127(А—К) 3
КТ380(А-В) 1 КТ616(А, Б) 3
КТ381(Б—Е) 1 КТ617А 3
КТ382(А, Б) 1 КТ618А 3
КТ382(АМ, БМ) 1 КТ624А-2 4
КТ384А 1 КТ624АМ-2 4
КТ384АМ 1 КТ625А 3
КТ385А 1 КТ625АМ 3
КТ385АМ 1 КТ62б(А—Д) 3
КТ388Б-2 1 КТ629(А—2, Б-2) 3
КТ388БМ—2 1 КТ629БМ—2 3
КТ389А-2 1 КТбЗО(А-Е) 3
КТ391(А—2—В—2) 1 КТ632Б 3
КТ392А-2 1 КТ632Б1 3
КТ396А-2 1 КТ633Б 4
КТ396А9 1 КТ634Б-2 4
КТ397А-2 1 КТ635Б 3
КТ399А 1 КТ637(А—2, Б-2) 4
КТ399АМ 1 КТ638А 3
КТ501(А-М) 2 КТ639(А—И) 3
КТ502(А—Е) 2 КТ639(А1, Б1, Г1, Д1) 3
КТ503(А—Е) 2 КТ64О(А—2—В—2) 4
КТ504(А—В) 2 КТ642А-2 4
тип прибора Том Тип прибора ^ОМ I
КТ642А-5 4 КТ722А 2
КТ643А-2 4 КТ723А 2
КТ644(А—Г) 3 КТ724А 2
КТ645(А, Б) 3 КТ728А 2
КТ646(А, Б) 3 КТ801(А, Б) 2
КТ647А-2 4 КТ802А 2
КТ647А-5 4 КТ803А 2
КТ648А-2 4 КТ805(А, Б) 2
КТ648А-5 4 КТ805(АМ—ВМ) 2
КТ657(А—2—В—2) 4 КТ807(А, Б) 2
КТ657(А—5—В—5) 4 КТ807(АМ, БМ) 2
КТ659А 4 КТ808(АЗ, БЗ) 2
КТ660(А, Б) 3 КТ808(АМ—ГМ) 2
КТ661А 3 КТ808А 2
КТ662А 3 КТ809А 2
КТ664(А9, Б9) 3 КТ8101(А, Б) 2
КТ665(А9, Б9) 3 КТ8102(А, Б) 2
КТ666А9 3 КТ8104А 2
КТ667А9 3 КТ8105А 2
КТ668(А—В) 3 КТ8106(А, Б) 2
КТ680А 3 КТ8107(А—Е) 2
КТ681А 3 КТ8107(А2-Е2) 2
КТ682(А—2, Б-2) 4 КТ8108(А—В) 2
КТ682(А—5, Б—5) 4 КТ8108(А1— В1) 2
КТ683(А—Е) 3 КТ8109А 2
КТ684(А—В) 3 КТ8119(А—В) 2
КТ685(А—Ж) 3 КТ8112А 2
КТ686(А—Ж) 3 КТ8114(А, Б) 2
КТ692А 3 КТ8115(А—В) 2
КТ695А 4 КТ8116(А—В) 2
КТ698(А—К) 3 КТ8117(А, Б) 2
КТ704(А—В) 2 КТ8118А 2
КТ710А 2 КТ812(А—В) 2
КТ712{А, Б) 2 КТ8120А 2
КТ715А 2 КТ8121(А, Б) 2
КТ716(А—П 2 КТ8121(А1, Б1) 2
КТ719А 2 КТ8121(А2, Б2) 2
КТ720А 2 КТ8123А 2
КТ721А 2 КТ8124А 2
Тип прибора Том Тип прибора Том
КТ8125(А—В) 2 КТ834(А—В) 2
КТ8126А 2 КТ835(А, Б) 2
КТ8127(А—В) 2 КТ837(А—Ф) 2
КТ8127(А1-В1) 2 КТ838(А, Б) 2
КТ8129А 2 КТ839А 2
КТ8130(А-В) 2 КТ840(А—В) 2
КТ8131(А—В) 2 КТ841(А—Е) 2
КТ8136А 2 КТ842(А-В) 2
КТ8136А1 2 КТ844А 2
КТ8137А 2 КТ845А 2
КТ814(А—Г) 2 КТ846(А- В) 2
КТ8140А 2 КТ847А 2
КТ8140А1 2 КТ848А 2
КТ8143(А—Ф) 2 КТ850(А, Б) 2
КТ8144(А, Б) 2 КТ85ЦА-В) 2
КТ8145(А, Б) 2 КТ852(А—Г) 2
КТ8146(А, Б) 2 КТ853(А—Г) 2
КТ8147(А, Б) 2 КТ854(А, Б) 2
КТ815(А—Г) 2 КТ855(А—В) 2
КТ8157(А, Б) 2 КТ856(А, Б) 2
КТ81б(А—Г) 2 КТ856(А1, Б1) 2
КТ816А2 2 КТ857А 2
КТ817(А—Г) 2 КТ858А 2
КТ817(Б2, Г2) 2 КТ859А 2
КТ818(А—Г) 2 КТ862(Б—Г) 2
КТ818(А1—Г1) 2 КТ863(А—В) 2
КТ818(АМ—ГМ) 2 КТ864А 2
КТ819(А—Г) 2 КТ865А 2
КТ819(А1-Г1) 2 КТ866А 2
КТ819(АМ-ГМ) 2 КТ867А 2
КТ820(А—1—В—1) 2 КТ868(А, Б) 2
КТ82ЦА-1—В—1) 2 КТ872(А, В) 2
КТ822(А—1—В—1) 2 КТ874(А, Б) 2
КТ823(А—1—В—1) 2 КТ878(А—В) 2
КТ825(Г—Е) 2 КТ879(А, Б) 2
КТ826(А—В) 2 КТ886(А1, Б1) 2
КТ827(А—В) 2 КТ890(А—В) 2
КТ828(А—Г) 2 КТ892(А—В) 2
КТ829(А—Г) 2 КТ896(А, Б) 2
Тип прибора Том Тип прибора Том
КТ897(А, Б) 2 КТ9174А 4
КТ898(А, Б) 2 КТ9176А 3
КТ898(А1, Б1) 2 КТ9177А 3
КТ899А , 2 КТ918(А—2, Б-2) 4
КТ902АМ 3 КТ9180(А—Г) 3
КТ903А 3 КТ9181(А—Г) 3
КТ904(А, Б) 4 КТ9182А 4
КТ907(А, Б) 4 КТ919(А—Г) 4
КТ908(А, Б) 3 КТ920(А—Г) 3
КТ909(А—Г) 4 КТ921(А, Б) 3
КТ9101АС 4 КТ922(А-Д) 3
КТ9104(А, Б) 4 КТ925(А—Г) 4
КТ9105АС 4 КТ926(А, Б) 3
КТ911(А—Г) 4 КТ927(А—В) 3
КТ9115(А, Б) 3 КТ928(А—В) 3
КТ9116(А, Б) 4 КТ929А 3
КТ912(А, Б) 3 КТ930(А, Б) 4
КТ9120А 3 КТ931А 3
КТ913(А—В) 4 КТ932(А—В) 3
КТ9130А 3 КТ933(А, Б) 3
КТ9133А 3 К-Т934(А-Д) 4
КТ9141А 4 КТ935А 3
КТ9141А1 4 КТ936(А, Б) 3
КТ9142А 4 КТ937(А—2, Б-2) 4
КТ9143(А—В) 4 КТ938Б-2 4
КТ9144А-5 3 КТ939(А, Б) 4
КТ9144А9 3 КТ940(А—5—В—5) 3
КТ9145А-5 3 КТ940(А—В) 3
КТ9145А9 3 КТ942В 4
КТ914А 4 КТ943(А—Д) 3
КТ9150А 4 КТ944А 3
КТ9151А 3 КТ945Б 3
КТ9152А 4 КТ946А 4
КТ9155(А—В) 4 КТ947А 3
КТ9157А 3 КТ948(А, Б) 4
КТ916(А, Б) 4 КТ955А 3
КТ9160(А—В) 3 КТ956А 3
КТ9166А 3 КТ957А 3
КТ9173А 4 КТ958А 3
Тип прибора Том Тип прибора Том
КТ960А 4 КТС631(А—Г) 4
КТ961(А-Г) 3 П201АЭ 2
КТ962(А—В) 4 П201Э 2
КТ963(А-2, Б-2) 4 П202Э 2
КТ963А-5 4 П203Э 2
КТ965А 3 П210(А, Ш) 2
КТ966А 3 П213 2
КТ967А 3 П213(А, Б) 2
КТ969А 3 П214 2
КТ969А-5 3 П214(А—Г) 2
КТ970А 4 П215 2
КТ971А 3 П216 2
КТ972(А, Б) 3 П216(А—Д) 2
КТ973(А, Б) 3 П217 2
КТ976А 4 П217(А—Г) 2
КТ977А 4 П302 2
КТ980(А, Б) 3 ПЗОЗ 2
КТ981А 3 ПЗОЗА 2
КТ983(А—В) 4 П304 2
КТ984(А, Б) 4 П306 2
КТ985АС 4 П306А 2
КТ991АС 4 П601(АИ, БИ) 2
КТ996(А—2—В—2) 4 П601И 2
КТ996(А—5—В—5) 4 П602АИ 2
КТ997(А—В) 3 П602И 2
КТ999А 3 П605 2
КТСЗОЗА-2 1, П605А 2
КТС3103(А1, Б1) 1 П606 2
КТС3161АС 1 П606А 2
КТС393(А— 1, Б—1) 1 П607 2
КТС393(А9, Б9) 1 П607А 2
КТС394(А-2, Б-2) 1 П608 2
КТС394А-1 1 П608(А, Б) 2
КТС395(А—1, В-1) 1 П609 2
КТС395(А—2—В—2) 1 П609(А, Б) 2
КТС398(А—1, Б—1) 1 П701 2
КТС398(А9, Б9) 1 П701(А, Б) 2
КТС613(А—Г) 4 П702 2
КТС622(А, Б) 4 П702А 2