СПРАВОЧНИК
В. М. Петухов
БИПОЛЯРНЫЕ
ТРАНЗИСТОРЫ
СРЕДНЕЙ И БОЛЬШОЙ
МОЩНОСТИ
СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ
И ИХ
ЗАРУБЕЖНЫЕ
АНАЛОГИ
Том 4
Каталожное издание
«КУбК-а»
Москва 1997
ББК 32.852.3
П53
Петухов В. М.
П53 Биполярные транзисторы средней и большой мощ-
ности сверхвысокочастотные и их зарубежные
аналоги. Справочник. Т.4 — М.: КУбК-а,1997.— 544с.: ил.
ISBN 5-85554-157-6
В четвертом томе четырехтомного справочного издания приводят-
ся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводни-
ковых приборов — биполярных транзисторов средней и большой
мощности СВЧ. Даются классификация и система обозначений, основ-
ные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкрет-
ных типов приборов приводятся сведения об основном назначении,
габаритных и присоединительных размерах, маркировке, предельных
эксплуатационных режимах и условиях работы. В приложении даются
зарубежные аналоги транзисторов, помещенных в справочник, и на-
звания фирм изготовителей, представлен перечень транзисторов, вхо-
дящих в 1-4 тома.
Для инженерно-технических работников, занимающихся разработ-
кой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры.
ББК 32.852.3
Ответственный за выпуск А. А. Халоян
Редактор М. Ю. Нефедова
Сдано в набор 16.03.97. Подписано в печать 13.05.97.
Формат 84 х 108 1/32. Бумага книжно-журнальная.
Гарнитура “Ариэль”. Печать высокая.
Печ. л. 17. Тираж 10 000 экз. Заказ 949
Издательская фирма "КУбК-а".
109125, Москва, 1-й Саратовский пр., д.7, кор.З
Лицензия № 063215 от 28 декабря 1993 года
Напечатано с готовых диапозитивов во Владимирской
книжной типографии Министерства печати и информации России
600000, г.Владимир, Октябрьский проспект, д.7
ISBN 5-85554-157-6
© Петухов В.М.,1997
© Издательская фирма “КУбК-а", 1997
СОДЕРЖАНИЕ
Предисловие.................................... 8
ЧАСТЬ ПЕРВАЯ
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
Раздел первый. Классификация биполярных транзисторов
1.1.	Классификация и система обозначений.................. 9
1.2.	Классификация транзисторов по функциональному
назначению.............................................. 11
1.3.	Условные графические	обозначения.................... 12
1.4.	Условные обозначения	электрических	параметров......	12
1.5.	Основные стандарты на биполярные транзисторы.......	16
1.6.	Приборы для измерения параметров транзисторов......	18
Раздел второй. Особенности использования
транзисторов в радиоэлектронной аппаратуре
ЧАСТЬ ВТОРАЯ
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ТРАНЗИСТОРОВ
Раздел третий. Транзисторы биполярные
сверхвысокочастотные
Транзисторы п-р-п
2Т606А, КТ606А, КТ606Б................................. 31
2Т6О7А-4, КТ607А-4, КТ607Б-4........................... 33
2Т610А, 2Т610Б, КТ610А, КТ610Б......................... 35
1Т612А-4, ГТ612А-4..................................... 37
1Т614А................................................. 39
2Т624А-2, 2Т624АМ-2, КТ624А-2, КТ624АМ-2............... 41
2Т633А, КТбЗЗБ......................................... 43
2Т634А-2, КТ634Б-2..................................... 46
2Т637А-2, КТ637А-2, КТ637Б-2........................... 48
2Т640А-2, 2Т640А1-2, 2Т640А-5, 2Т640А-6, КТ640А-2,
КТ640Б—2, КТ640В-2.................................. 51
2Т642А1-2, 2Т642Б1-2, 2Т642В1-2, 2Т642Г1—2............. 56
3
2Т642А-2, 2Т642А-5, 2Т642А1-5, КТ642А-2, КТ642А-5 ....	58
2Т643А-2, 2Т643Б-2, 2Т643А-5, КТ643А-2...................... 63
2Т647А-2, 2Т647А-5, КТ647А-2, КГ647А-5...................... 66
2Т648А-2, 2Т648А-5, КТ648А-2, КТ648А-5...................... 71
2Т657А-2, 2Т657Б-2, 2Т657В-2, КТ657А-2, КТ657Б-2,
КТ657В-2, КТ657А-5, КТ657Б-5, КТ657В-5................ 77
КТ659А...................................................... 82
2Т671А-2.................................................... 83
2Т682А-2, 2Т682Б-2, КТ682А-2, КТ682Б-2, КТ682А-5,
КТ682Б-5.............................................. 86
2Т688А-2, 2Т688Б-2.......................................... 91
КТ695А...................................................... 95
2Т904А, КТ904А, КТ904Б	.................................... 97
2Т907А, КТ907А, КТ907Б	................................... 100
2Т909А, 2Т909Б, КТ909А,	КТ909Б,	КТ909В,	КТ909Г. 103
2Т911А, 2Т911Б, КТ911А,	КТ911Б,	КТ911В,	КТ911Г. 108
2Т913А, 2Т913Б, 2Т913В,	КТ913А,	КТ913Б,	КТ913В. 111
2Т916А, КТ916А, КТ916Б	................................... 115
КТ918А-2, КТ918Б-2......................................... 117
2Т919А, 2Т919Б, 2Т919В, 2Т919А-2, 2Т919Б-2, 2Т919В-2,
КТ919А, КТ919Б, КТ919В, КТ919Г....................... 120
2Т925А, 2Т925Б, 2Т925В, КТ925А, КТ925Б, КТ925В, КТ925Г. . . 125
2Т930А, 2Т930Б, КТ930А, КТ930Б ............................ 130
2Т934А, 2Т934Б, 2Т934В, КТ934А, КТ934Б, КТ934В, КТ934Г,
КТ934Д.............................-................. 134
2Т937А-2, 2Т937Б-2, 2Т937А-5, КТ937А-2, КТ937Б-2........... 138
2Т938А-2, КТ938Б-2......................................... 143
2Т939А, КТ939А,	КТ939Б	................................... 147
2Т942А, 2Т942Б,	2Т942А-5,	2Т942Б-5, КТ942В................. 150
2Т946А, КТ946А............................................. 156
2Т948А, 2Т948Б,	КТ948А,	КТ948Б............................ 161
2Т960А, КТ960А............................................. 166
2Т962А, 2Т962Б,	2Т962В,	КТ962А, КТ962Б, КТ962В............ 170
2Т963А-2, 2Т963Б-2, 2Т963А-5, КТ963А-2, КТ963Б-2,
КТ963А-5............................................. 176
2Т970А, КТ970А............................................. 182
2Т975А, 2Т975Б............................................. 185
2Т976А, КТ976А............................................. 189
2Т977А, КТ977А............................................. 193
2Т979А..................................................... 195
2Т982А-2, 2Т982А-5......................................... 198
4
' КТ983А, КТ983Б, КТ983В...........................  ....	202
2Т984А, 2Т984Б, КТ984А, КТ984Б......................... 206
2Т985АС, КТ985АС....................................... 210
2Т986А, 2Т986Б, 2Т986В, 2Т986Г......................... 214
2Т988А, 2Т988Б......................................... 217
2Т989А, 2Т989Б, 2Т989В, 2Т989Г......................... 222
2Т990А-2............................................... 227
2Т991АС, КТ991АС....................................... 230
2Т994А-2, 2Т994Б-2, 2Т994В-2........................... 233
2Т995А-2............................................... 237
2Т996А-2, 2Т996Б-2, 2Т996В-2, 2Т996Г-2, 2Т996А-5,
2Т996Б-5, КТ996А-2, КТ996Б-2, КТ996В-2, КТ996А-5,
КТ996Б-5, КТ996В-5.................................. 240
2Т9101АС, КТ9101АС..................................... 246
2Т9102А-2, 2Т9102Б-2................................... 249
2Т9103А-2, 2Т9103Б-2................................... 253
2Т9104А, 2Т9104Б, КТ9104А, КТ9104Б..................... 256
2Т9105АС, Ш9105АС...................................... 259
2Т91О7А-2.............................................. 264
2Т9108А-2.............................................. 268
2Т9109А................................................ 271
2Т9110А-2, 2Т9110Б-2................................... 274
2Т9111А................................................ 278
2Т9114А, 2Т9114Б.....................................   282
КТ9116А, КТ9116Б....................................... 285
2Т9118А, 2Т9118Б, 2Т9118В.............................. 290
2Т9119А-2.............................................. 294
2Т9121А, 2Т9121Б, 2Т9121В, 2Т9121Г..................... 297
2Т9122А, 2Т9122Б....................................... 302
2Т9124А, 2Т9124Б....................................... 305
2Т9125АС............................................... 309
2Т9127А, 2Т9127Б....................................... 311
2Т9129А................................................ 315
2Т9132АС............................................... 317
2Т9134А, 2Т9134Б....................................... 319
2Т9135А—2.............................................. 323
2Т9136АС............................................... 325
2Т9137А................................................ 328
2Т9139А, 2Т9139Б, 2Т9139В, 2Т9139Г..................... 331
2Т9140А................................................ 338
КТ9141А, КТ9141А1...................................... 341
5
КТ9142А.............................................. 343
2Т9146А, 2Т9146Б, 2Т9146В, 2Т9146Г, 279146Д, 2Т9146Е, '
2Т9146Ж, 2Т9146И, 2Т9146К......................... 346
2Т9147АС............................................. 350
2Т9149А, 2Т9149Б..................................... 353
КТ9150А......................................-г...... 356
КТ9152А.............................................. 359
2Т9153АС, 2Т9153БС................................... 361
2Т9155А, 2Т9155Б, 2Т9155В, КТ9155А, КТ9155Б, КТ9155В .... 366
2Т9156АС, 2Т9156БС .................................. 370
2Т9158А, 2Т9158Б...................................   373
2Т9159А, 2Т9159А-5................................... 377
2Т9161АС............................................. 381
2Т9162А, 2Т9162Б, 2Т9162В, 2Т9162Г................... 383
КТ9173А.............................................. 388
КТ9174А.............................................  390
КТ9182А.............................................  391
А622А, А622Б......................................... 393
А625А1-2, А625Б1-2, А625В1-2, А625Г1-2............... 395
А625А-5.............................................. 398
А630................................................. 400
А633...............................................   402
А642А, А642Б......................................... 404
А645, А645А-5........................................ 407
А653А-5...........................•.................. 409
А657................................................. 412
А662................................................. 413
А664А................................................ 415
А667................................................. 417
А680А, А680Б, А680В, А68ОГ, А680Д.................... 419
А682А, А682Б......................................... 422
А691...............................................   424
А697А, А768Б......................................... 426
А704А................................................ 429
А714................................................  430
А716А, А716Б......................................... 432
А717А, А717Б......................................... 434
А718А, А718Б, А718В ................................. 436
А720А, А72ОБ, А72ОВ, А72ОГ........................... 438
А722А, А722Б......................................... 440
А731А, А731БК А731В, А731Г........................... 442
6
Д739А-2, А739Б-2........................................ 444
А743А, А743Б............................................ 446
Д749.................................................... 448
А750.................................................... 450
А751А, А751Б............................................ 452
А764А, А764Б............................................ 454
А767А, А767Б, А767В..................................... 456
А792.................................................... 459
А793А, А793Б, А793В..................................... 461
Д794А, А794Б, А794В..................................... 463
А797.................................................... 465
А827А, А827Б............................................ 467
А834А................................................... 469
А837А, А837Б, А837В..................................... 471
Транзисторы р-п-р
2Т658А-2, 2Т658Б—2, 2Т658В-2............................ 473
2Т691А-2................................................ 476
2Т914А, КТ914А.......................................... 478
2Т941А.................................................. 482
2Т974А, 2Т974Б, 2Т974В, 2Т974Г.......................... 484
КТ9143А. КТ9143Б, КТ9143В............................... 489
А652А, А652Б, А652В..................................... 490
Раздел четвертый. Сборки биполярных транзисторов
Сборки транзисторов п-р-п
2ТС613А, 2ТС613Б, КТС613А, КТС613Б, КТС613В, КТС613Г ... 493
КТС631А, КТС631Б, КТС631В, КТС631Г...................... 499
2ТС843А................................................. 502
Сборки транзисторов р-п-р
2ТС622А, 2ТС622Б, КТС622А, КТС622Б...................... 506
2Т687АС—2, 2Т687БС-2.................................... 511
А727А, А727Б..........................................   514
Сборки транзисторов р-п-р и п-р-п
2ТС941А................................................. 517
Перечень зарубежных транзисторов, заменяемых
отечественными....................................... 520
Указатель типов транзисторов............................ 536
Перечень типов транзисторов, вошедших в 1—4 тт. издания . .. 538
7
ПРЕДИСЛОВИЕ
В справочнике приводятся электрические и эксплуатацион-
ные характеристики и параметры сверхвысокочастотных бипо-
лярных транзисторов средней и большой мощности, использу-
емых в усилителях мощности, преобразователях, умножителях
частоты, модуляторах, генераторах и автогенераторах, пере-
ключающих устройствах.
Настоящий справочник является четвертой книгой базово-
го издания по транзисторам. В первую книгу включены сведе-
ния о биполярных и полевых транзисторах малой мощности,
во вторую — сведения о низкочастотных биполярных транзи-
сторах средней и большой мощности, в третью — сведения о
полевых и высокочастотных биполярных транзисторах сред-
ней и большой мощности.
Базовые издания по перечисленным группам приборов от-
личаются от предшествующих справочников расширенной но-
менклатурой приборов и большой полнотой сведений о пара-
метрах и их зависимостях от режимов применения. В него
включены как вновь разработанные приборы, так и находя-
щиеся в составе эксплуатируемой радиоэлектронной аппара-
туре, но уже не рекомендуемые к применению в новых разра-
ботках.
Справочные сведения составлены на основе данных, за-
фиксированных в государственных стандартах и технических
условиях на конкретные типы приборов. Сохранена форма
представления данных в виде отдельных справочных листов на
каждый тип прибора, а также зарекомендовавшая себя поло-
жительно структура представления данных, принятая в более
ранних изданиях аналогичных справочников: приведены крат-
кие сведения о технологии, основном назначении, габаритных
и присоединительных размерах, маркировке, значениях пара-
метров и их зависимостях от условий эксплуатации, режимах
измерения, предельных эксплуатационных режимах и услови-
ях работы приборов. В части «Общие сведения» приводится
классификация приборов и система их условных обозначений.
Для полноты сведений о приборах, помещенных в справочник,
дается перечень действующих стандартов. Для некоторых ти-
пов транзисторов, сведения о которых публиковались в вы-
шедших ранее справочниках, с целью сокращения объема за-
висимости параметров от электрических режимов не приво-
дятся.
Справочник не заменяет технических условий, утвержден-
ных в установленном порядке, и не является юридическим
документом для предъявления рекламаций.
8
ЧАСТЬ ПЕРВАЯ
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ
О БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
Раздел первый
Классификация биполярных транзисторов
1.1. Классификация и система обозначений
Классификация транзисторов по их назначению, физиче-
ским свойствам, основным электрическим параметрам, кон-
структивно-технологическим признакам, роду исходного полу-
проводникового материала находит свое отражение в системе
условных обозначений их типов. В соответствии с появлением
новых классификационных групп транзисторов совершенству-
ется и система их условных обозначений.
Система обозначений современных типов транзисторов
установлена отраслевым стандартом ОСТ 11 336.919—81 и ба-
зируется на ряде классификационных признаков. В основу
системы обозначений положен буквенно-цифровой код.
Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый
материал, на основе которого изготовлен транзистор. Для
обозначения исходного материала используются следующие
символы:
Г или 1 — для германия или его соединений;
К или 2 — для кремния или его соединений;
А или 3 — для соединений галлия (практически для арсе-
нида галлия, используемого для создания полевых транзисто-
ров);
И или 4 — для соединений индия (эти соединения для
производства транзисторов в качестве исходного материала
пока не применяются).
Второй элемент обозначения — буква, определяющая под-
класс (или группу) транзисторов. Для обозначения подклассов
используется одна из двух букв: Т — для биполярных и П —
для полевых транзисторов.
Третий элемент — цифра, определяющая основные функ-
циональные возможности транзистора (допустимое значение
9
рассеиваемой мощности и граничную либо максимальную ра-
бочую частоту).
Для обозначения наиболее характерных эксплуатационных
признаков транзисторов применяются следующие цифры.
Для транзисторов малой мощности (максимальная мощ-
ность, рассеиваемая транзистором, не более 0,3 Вт):
1	— с граничной частотой коэффициента передачи тока
или максимальной рабочей частотой (далее граничной часто-
той) не более 3 МГц;
2	— с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
3	— с граничной частотой более 30 МГц.
Для транзисторов средней мощности (максимальная мощ-
ность, рассеиваемая транзистором, более 0,3, но не более
1,5 Вт):
4	— с граничной частотой не более 3 МГц;
5	— с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
6	— с граничной частотой более 30 МГц.
Для транзисторов большой мощности (максимальная мощ-
ность, рассеиваемая транзистором, более 1,5 Вт):
7	— с граничной частотой не более 3 МГц;
8	— с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
9	— с граничной частотой более 30 МГц.
Четвертый элемент — число, обозначающее порядковый
номер разработки технологического типа транзисторов. Для
обозначения порядкового номера используют двухзначные
числа от 01 до 99. Если порядковый номер превысит число 99,
то применяют трехзначные числа от 101*до 999.
Пятый элемент — буква, условно определяющая класси-
фикацию по параметрам транзисторов, изготовленных но еди-
ной технологии. В качестве классификационной литеры при-
меняют буквы русского алфавита (за исключением 3, О, Ч, Ы,
Щ, Ю, Ь, Ъ, Э).
Стандарт предусматривает также введение в обозначение
ряда дополнительных знаков при необходимости отметить от-
дельные существенные конструктивно-технологические особен-
ности приборов.
В качестве дополнительных элементов обозначения ис-
пользуют следующие символы:
ци	фра от 1 до 9 — для обозначения модернизаций тран-
зистора, приводящих к изменению его конструкции или элек-
трических параметров;
бу	ква С — для обозначения наборов в общем корпусе
однотипных транзисторов (транзисторные сборки);
цифра, написанная через дефис,— для бескорпусных тран-
зисторов.
10
Эти цифры1 соответствуют следующим модификациям кон-
структивного исполнения:
1	— с гибкими выводами без кристаллодержателя (иод-
ложки);
2	— с гибкими выводами на кристаллодержателе (под-
ложке);
3	— с жесткими выводами без кристаллодержателе (под-
ложки);
4	— с жесткими выводами на кристаллодержателе (под-
ложке);
5	— с контактными площадками без кристаллодеря-агеля
(подложки) и без выводов (кристалл);
6 — с контактными площадками на кристаллодержателе
(подложке), но без выводов (кристалл на подложке).
Таким образом, современная система обозначений по: во
ляет по наименованию типа получить значительный объем ин
формации о свойствах транзистора.
Примеры обозначения некоторых транзисторов:
ГТ101А — германиевый биполярный маломощный низко-
частотный, номер разработки 1, группа А;
2Т399А — кремниевый биполярный маломощный СВЧ,
номер разработки 99, группа А;
2Т399А—2 — аналогичен транзистору 2Т399А, но в бес-
корпусном исполнении с гибкими выводами на кристаллодер
жателе.
Для большинства транзисторов, включенных в настоящий
справочник, использована система обозначений согласно ра-
нее действовавшим ГОСТ 10862—64 и ГОСТ 10862—72, кото-
рая в своей основе не отличается от описанной.
В справочник включены также транзисторы, выпускаемые
по техническим условиям главного конструктора и не имею-
щие обозначения ГОСТ, например, А622А, А714 (фирменные
обозначения).
1.2.	Классификация транзисторов
по функциональному назначению
В настоящем справочнике наряду с нашедшей отражение
в системе условных обозначений типов транзисторов класси-
фикацией приведена классификация биполярных транзисторов
по частоте: низкочастотные (/гр < 30 МГц), высокочастотные
(30 МГц 4Р < 300 МГц), сверхвысокочастотные (frP ? 300 МГц).
Биполярные и полевые транзисторы в соответствии с ос-
новными областями применения подразделяются на следую-
11
щие группы: усилительные, генераторные, переключательные
и импульсные. Каждая из перечисленных групп характеризует-
ся специфической системой параметров и справочных зависи-
мостей, отражающих особенности применения транзисторов в
радиоэлектронной аппаратуре.
Применительно к данной классификации транзисторов рас-
положен информационный материал в справочнике.
1.3.	Условные графические обозначения
В технической документации и специальной литературе
следует применять условные графические обозначения полу-
проводниковых приборов в соответствии с ГОСТ 2.730—73.
Графические обозначения полупроводниковых приборов,
помещенных в данном справочнике, приведены в табл. 1.1.
Таблица 1.1
Наименование
Транзистор типа р п-р
Транзистор типа п-р-п с коллектором, электрически
соединенным с корпусом
Обозначение
1.4.	Условные обозначения
электрических параметров
£/кэ — напряжение коллектор—эмиттер
£/кэо — постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при токе базы равном нулю
6/КЭР — постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при заданном сопротивлении в цепи база—
эмиттер
£/кэк—постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при короткозамкнутых выводах базы и эмит-
тера
£/кэх—постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при заданном обратном напряжении база—
эмиттер
12
С/кэ R и — импульсное напряжение коллектор—эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база—	
	эмиттер
М<э к, и	— импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при короткозамкнутых выводах базы и эмит-
тера
^4э X, И	импульсное напряжение коллектор—эмиттер при заданном обратном напряжении база— эмиттер
^4э 0, ПРОБ	пробивное напряжение коллектор—эмиттер при
	токе базы, равном нулю
М<Э R, ПРОБ	пробивное напряжение коллектор—эмиттер при
	заданном сопротивлении в цепи база—эмиттер
М(Э К, ПРОБ	пробивное напряжение коллектор—эмиттер при
	короткозамкнутых выводах базы и эмиттера
^4э X, ПРОБ	пробивное напряжение коллектор—эмиттер при
	заданном обратном напряжении база—эмит-
	тер
^4э, МАКС	максимально допустимое постоянное напряже-
	ние коллектор—эмиттер
^КЭ, И, МАКС	максимально допустимое импульсное напряже-
	ние коллектор—эмиттер
Ц<Б	постоянное напряжение коллектор—база
^КБ, И	импульсное напряжение коллектор—база
^4б 0, ПРОБ	пробивное напряжение коллектор—база
^4 Б, МАКС	максимально допустимое постоянное напряже-
	ние коллектор—база
М<Б, И, МАКС	максимально допустимое импульсное напряже-
	ние коллектор—база
Ц>Ь —	постоянное напряжение эмиттер—база
Д<4э ~	падение напряжения на участке база—эмиттер
<4б, макс	максимально допустимое постоянное напряже-
	ние эмиттер—база
4	постоянный ток коллектора
4 —	постоянный ток эмиттера
4 —	постоянный ток базы
4, и	импульсный ток коллектора
4, и —	импульсный ток эмиттера
4, и —	импульсный ток базы
4, НАС	постоянный ток коллектора в режиме насыще-
	ния
4, НАС	постоянный ток базы в режиме насыщения
4, МАКС	максимально допустимый постоянный ток кол-
	лектора
4, МАКС	максимально допустимый постоянный ток базы
13
/э макс максимально допустимый постоянный ток эмит-
тера
/к и, макс — максимально допустимый импульсный ток кол-
лектора
/э и, макс — максимально допустимый импульсный ток эмит-
тера
4. нас, макс — максимально допустимый постоянный ток кол-
лектора в режиме насыщения
4, нас, макс — максимально допустимый постоянный ток базы
в режиме насыщения
Сг — емкость генератора
f — частота
^нас — коэффициент насыщения
К„ и — коэффициент стоячей волны по напряжению
/ — длина выводов
Р — постоянная рассеиваемая мощность биполяр-
ного транзистора
Рср — средняя рассеиваемая мощность биполярного
транзистора
Ри — импульсная рассеиваемая мощность биполяр-
ного транзистора
Рк — постоянная рассеиваемая мощность коллектора
Рк ср — средняя рассеиваемая мощность коллектора
Рвх — входная мощность биполярного транзистора
РВХ(Л0) —входная мощность в пике огибающей (сред-
няя мощность однотонового сигнала с ампли-
тудой, равной амплитуде двухтонового сигна-
ла в пике огибающей)
Рвых (по) — выходная мощность в пике огибающей (сред-
няя мощность однотонового сигнала с ампли-
тудой, равной амплитуде двухтонового сигна-
ла в пике огибающей)
Ротр — мощность отраженной волны СВЧ сигнала
РПАд — мощность падающей волны СВЧ сигнала
РМАКС — максимально допустимая постоянная рассеи-
ваемая мощность биполярного транзистора
^и. макс —максимально допустимая импульсная рассеи-
ваемая мощность биполярного транзистора
Рк макс — максимально допустимая постоянная рассеи-
ваемая мощность коллектора
Рк. ср, макс — максимально допустимая средняя рассеивае-
мая мощность коллектора
Q — скважность
Рк — сопротивление в цепи коллектор—источник
литания
14
Rt3 — сопротивление в цепи база—эмиттер
/?Б — сопротивление в цепи база—источник питания
/?н — сопротивление нагрузки
Rf — выходное сопротивление генератора при из-
мерениях
/?т — тепловое сопротивление
/?Т(п-К) — тепловое сопротивление переход—корпус
/?т> и р-н) — импульсное тепловое сопротивление переход—
корпус
Ry (П-с) —тепловое сопротивление переход—среда
^213» Лиз — статический коэффициент передачи тока в ре-
жимах малого и большого сигнала
3„Б, $113 — коэффициент отражения входной цепи в схе-
мах ОБ и ОЭ соответственно
312Б — коэффициент обратной передачи напряжения
в схеме ОБ
|S126| — модуль коэффициента обратной передачи на-
пряжения в схеме ОБ
— коэффициент прямой передачи напряжения в
схеме ОЭ
Зг2Б — коэффициент отражения выходной цепи в схе-
ме ОБ
Т — температура окружающей среды
Гк — температура корпуса, для бескорпусных тран-
зисторов — кристаллодержателя (подложки)
Гп — температура р-п перехода
Т]к — коэффициент полезного действия коллектора
<р — фаза S-параметра
Ти — длительность импульса
— длительность фронта импульса.
Звездочкой в тексте отмечены параметры или их значения,
приведенные в справочных данных ТУ. При производстве по-
лупроводниковых приборов они могут не контролироваться.
Значения эксплуатационных данных, приведенные без ука-
зания температурного диапазона, справедливы во всем интер-
вале температур окружающей среды для данного типа тран-
зистора.
Значения электрических параметров, приведенные без спе-
циального указания температуры окружающей среды (темпе-
ратуры корпуса), справедливы для температуры +25 °C.
На графиках с изображением зоны возможных положений
зависимости параметров линией внутри зоны обозначена типо-
вая зависимость.
15
1.5. Основные стандарты на биполярные
транзисторы
ГОСТ 15133-77
ОСТ 11 336.919-81
ГОСТ 2.730-73
ГОСТ 18472-82
ГОСТ 20003-74
Приборы полупроводниковые. Термины и
определения.
Приборы полупроводниковые. Система
условных обозначений.
Обозначения условные графические в
схемах. Приборы полупроводниковые
Приборы полупроводниковые. Основные
размеры
Транзисторы биполярные. Термины, опре-
деления и буквенные обозначения пара-
метров
ОСТ 11 336.907.0—79 Приборы полупроводниковые. Руковод-
ство по применению. Общие положения
ОСТ 11 336.907.8—81 Транзисторы биполярные. Руководство
по применению
ОСТ 11 0272-86	Интегральные микросхемы, приборы по- лупроводниковые бескорпусные. Руко- водство по применению
ОСТ 11 073.062-76	Микросхемы интегральные и приборы по- лупроводниковые. Требования и методы защиты от статического электричества в условиях производства и применения
ОСТ 1 1 073.073-82	Контроль неразрушающий. Методы кон- троля температуры биполярных транзи- сторов и интегральных микросхем
ОСТ 11 336.003-74	Приборы полупроводниковые. Методы от- вода тепла
ОСТ 11 706.000-79	Радиаторы охлаждения полупроводнико- вых приборов. Технические условия
Методы измерения параметров
биполярных транзисторов
ГОСТ 18604.0-83	Транзисторы биполярные. Общие требо-
ГОСТ 18604.1-80	вания при измерении электрических пара- метров Транзисторы биполярные. Метод измере-
ГОСТ 18604.2-80	ния постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте Транзисторы биполярные. Метод измере-
	ния статического коэффициента переда- чи тока
16
ГОСТ 18604.3-80
ГОСТ 18604.4-74
ГОСТ 18604.5-74
ГОСТ 18604.6-74
ГОСТ 18604.7-74
ГОСТ 18604.8-74
ГОСТ 18604.9-82
ГОСТ 18604.10-76
ГОСТ 18604.11-76
ГОСТ 18604.13-77
ГОСТ 18604.14-77
ГОСТ 18604.15-77
ГОСТ 18604.16-78
ГОСТ 18604.17-78
ГОСТ 18604.18-78
ГОСТ 18604.19-78
ГОСТ 18604.20-78
Транзисторы биполярные. Метод измере-
ния. емкостей коллекторного и эмиттер-
ного переходов
Транзисторы. Методы измерения обрат-
ного тока коллектора
Транзисторы. Метод измерения обратно-
го тока коллектор—эмиттер 
Транзисторы. Метод измерения обратно-
го тока эмиттера
Транзисторы. Метод измерения коэффи-
циента передачи тока
Транзисторы. Метод измерения выходной
проводимости
Транзисторы биполярные. Методы опре-
деления граничной и предельной частот
коэффициента передачи тока
Транзисторы биполярные. Метод измере-
ния входного сопротивления
Транзисторы биполярные. Метод измере-
ния коэффициента шума на высоких и
сверхвысоких частотах
Транзисторы биполярные СВЧ генератор-
ные. Метод измерения выходной мощно-
сти и определение коэффициента усиле-
ния по мощности и коэффициента полез-
ного действия коллектора
Транзисторы биполярные СВЧ генератор-
ные. Метод измерения модуля коэффи-
циента обратной передачи напряжения в
схеме с общей базой на высокой частоте
Транзисторы биполярные СВЧ генератор-
ные. Методы измерения критического
тока
Транзисторы биполярные. Метод измере-
ния коэффициента обратной связи по на-
пряжению в режиме малого сигнала
Транзисторы биполярные. Метод измере-
ния плавающего напряжения эмиттер—
база
Транзисторы биполярные. Методы изме-
рения статической крутизны прямой пе-
редачи
Транзисторы биполярные. Методы изме-
рения граничного напряжения
Транзисторы биполярные. Методы изме-
17
ГОСТ 18604.22-78
ГОСТ 18604.23-80
рения коэффициента шума на низкой ча-
стоте
Транзисторы биполярные. Методы изме-
рения напряжения насыщения коллек-
тор-эмиттер и база—эмиттер
Транзисторы биполярные. Метод измере-
ния коэффициентов комбинационных со-
ставляющих
Транзисторы биполярные высокочастот-
ные генераторные. Метод измерения вы-
ходной мощности и определение коэф-
фициента усиления мощности и коэффи-
циента полезного действия коллектора
Транзисторы биполярные. Методы изме-
рения временных параметров
ОСТ 13 336.909.3—79 Транзисторы биполярные мощные высо-
ковольтные. Методы измерения скорости
нарастания обратного напряжения
ГОСТ 18604.24-81
ГОСТ 18604.26-85
1.6. Приборы для измерения параметров
транзисторов
Для измерения параметров транзисторов промышленность
выпускает ряд измерительных приборов. Наибольшее распро-
странение для измерения параметров маломощных биполяр-
ных и полевых транзисторов получили приборы, приведенные
в табл. 1.2.
Таблица 1.2
Приборы для измерения параметров мощных транзисторов
Тип прибора	Измеряемый параметр	Предел измерения по шкале	Режим измерения	Габаритные размеры, мм (масса, кг)
Л2—13 (изме- й,,э	3...1000	(/КБ = 1...20 В 630x360x340	
ритель стати- S	0,1...30 А/В	(при измере-	(32 кг)
ческих пара- ию НАС	0.1...10 в	нии до 150 В),	Выносной
МетрОВ МОЩ- (/БЭ1 нас	0.1...10 в	4 = 10 А,	пульт
ных транзи- б/кэ 0 ГР сторов)	/КБ о 4b 0 4э R	2...150 В 0.01...100 мА 0,01-100 мА 0,01-300 мА	4= 1 А	180x200x210 (3 кг)
18
Продолжение табл. 1.2
Тип прибора	Измеряемый параметр	Предел измерения по шкале	Режим измерения	Габаритные размеры, мм (масса, кг)
/12—28 (изме- ритель емко- сти р-п пере- ходов)	Ск Сэ 4в 0	0,3... 1000 пФ 0,3... 1000 пФ 0,3... 100 мкА	ик5 = 0,25... 99,9 В, Ux = 0,25... 9,9 В, f= 10 МГц (при 30 пФ)	495x215x365 (16 кг)
Л2-42 (изме- ритель стати- ческих пара- метров мощ- ных транзи- сторов)	4113 Ц<3. НАС ^БЭ, НАС 4б о 4s 0 4э 0	5...500 О,1...1О В О,1...1О В 0,001...30 мА 0,001...30 мА 0.001...30 мА	1/КБ = 2...50 В 490x256*355 (при измере- (21 кг) нии до 100 В), Пульт Ц6 = 0,3...10В, 122x131x200 4 = 0,1...20 А, (2 кг) /Б = 0,03...5 А, /?БЭ = 0... 1 кОм	
Л2—57 (изме- ритель стати- ческих пара- метров мощ- ных транзи- сторов)	^213 ^КЭ, НАС УБЭ. НАС 4в 0 4в 0 4э R	5...2000 0,05...10 В 0,05...10 В 10-’... 10-' А Ю-’.-.Ю'1 А 1О-'...1О-’ А	Ца = 3...299 В, Цб = 0Д..30 в, 4, И = 0,1... 99,9 А, 4, И = 0,01... 30 А	Блок измери- тельный 488x475x175 (20 кг) Блок режимов 488x475x175 (30 кг) Блок генера- торов 488x475x175 (25 кг) Устройство подключения 488x475x94 (15 кг)
Л2-58 (изме- ритель пара- метров высо- ковольтных транзисторов)	Мо 0, ГР 4б 0	100...2000 В ,10~5...10-’ А	Г4&. и — 500... 2000 В, 4. и - о,оз... 0,99 мА 4,и= 1...300 мА	480x555x160 (30 кг)
Методы измерения основных электрических параметров
транзисторов установлены государственными стандартами. Для
наблюдения вольт-амперных характеристик транзисторов ре-
комендуется использовать приборы, приведенные в табл. 1.3.
19
Таблица 1.3
Приборы для наблюдения вольт-амперных характеристик
транзисторов
Тип прибора	Режим по по- стоянному току	Режим ступенчатого сигнала	Габаритные размеры, мм (масса, кг)
ПНХТ-1	U= 0...20 В	По току:
	(при /= 1...10 А) U= 0...200 В (при 1 А)	1...500 мкА/ступень, 1...200 мА/ступень (всего 17 фиксированных значений). По напряжению: 0,01...0,2 В/ступень (всего 5 фиксированных значений). Число ступеней 4—12
Л2-56	U= 1...16 В	По току:
(ПИХТ—2)	(при 1- 10 А) U= 0...80 В (при /= 0,4...2 А) U= 0...400 В (при /= 0,4... 0,08 А) U= 0...2000 В (при 0,08 А)	50 нА/ступень, 20 мА/ступень (всего 21 фиксированное значение). По напряжению: 0,05...2 В/ступень (всего 6 фиксированных значений). Число ступеней 1—10
643*334x423
(40 кг)
490x294x560
(40 кг)
Раздел второй
Особенности использования транзисторов
в радиоэлектронной аппаратуре
При разработке, изготовлении и эксплуатации полупровод-
никовых приборов следует принимать во внимание их специфи-
ческие особенности. Высокая надежность радиоэлектронной
аппаратуры может быть обеспечена только при учете таких
факторов, как разброс параметров транзисторов, их темпера-
турная нестабильность и зависимость параметров от режима
работы, а также изменение параметров транзисторов в процес-
се эксплуатации.
Транзисторы сохраняют свои параметры в установленных
20
пределах в условиях эксплуатации и хранения, характерных
для различных видов и классов аппаратуры. Условия эксплуа-
тации аппаратуры могут изменяться в широких пределах. Эти
условия характеризуются внешними механическими (вибра-
ционными, ударными, центробежными нагрузками) и клима-
тическими воздействиями (температурными, атмосферными
и ДР-)-
Общие требования, справедливые для всех транзисторов,
предназначенных для использования в аппаратуре определен-
ного класса, содержатся в общих технических условиях. Нор-
мы на значения электрических параметров и специфические
требования, относящиеся к конкретному типу транзистора,
содержатся в частных технических условиях.
Под воздействием различных факторов окружающей сре-
ды некоторые параметры, характеристики и свойства транзи-
сторов могут изменяться. Для герметичной защиты транзи-
сторных структур от внешних воздействий служат корпуса при-
боров. Конструктивное оформление транзисторов рассчитано
на их использование в составе аппаратуры при любых допу-
стимых условиях эксплуатации. Необходимо помнить, что кор-
пуса транзисторов в конечном счете имеют ограничение по
герметичности. Поэтому при использовании транзисторов в
аппаратуре, предназначенной для эксплуатации в условиях по-
вышенной влажности, платы с расположенными на них тран-
зисторами рекомендуется покрывать лаком не менее чем в три
слоя. Рекомендуется применять лаки УР—231 (ТУ 6—10—863—
79) или ЭП-730 (ГОСТ 20824-75).
Все большее распространение получают так называемые
бескорпусные транзисторы, предназначенные для использова-
ния в микросхемах и микросборках. Кристаллы таких транзи-
сторов защищены специальным покрытием, но оно не дает
дополнительной защиты от воздействия окружающей среды.
Защита достигается общей герметизацией всей микросхемы.
Чтобы обеспечить долголетнюю и безотказную работу ра-
диоэлектронной аппаратуры, конструктор обязан не только
учесть характерные особенности транзисторов на этапе разра-
ботки аппаратуры, но и обеспечить соответствующие условия
ее эксплуатации и хранения.
Транзисторы — приборы универсального применения. Они
могут быть успешно использованы не только в классе устройств,
для которых они разработаны, но и во многих других устрой-
ствах. Однако набор параметров и характеристик, приводимых
в справочнике, соответствует основному назначению транзи-
стора. В справочнике приводятся значения параметров тран-
зисторов, гарантируемые ТУ для соответствующих оптималь-
21
иых или предельных режимов эксплуатации. Рабочий режим
транзистора в проектируемом устройстве часто отличается от-
того режима, для которого приводятся параметры в ТУ.
Значения большинства параметров транзисторов зависят
от рабочего режима и температуры, причем с увеличением
температуры зависимость параметров от режима сказывается
более сильно. В справочнике приводятся, как правило, типо-
вые (усредненные) зависимости параметров транзисторов от
тока, напряжения, температуры, частоты и т. п. Эти зависимо-
сти должны использоваться при выборе типа транзистора и
ориентировочных расчетах, так как значения параметров тран-
зисторов одного типа не одинаковы, а лежат в некотором
интервале. Этот интервал ограничивается минимальным или
максимальным значением, указанным в справочнике. Некото-
рые параметры имеют двустороннее ограничение.
При конструировании устройств необходимо стремиться
обеспечить их работоспособность в возможно более широких
интервалах изменений важнейших параметров транзисторов.
Разброс параметров транзисторов и их изменение во времени
при конструировании могут быть учтены расчетными методами
или экспериментально — методом граничных испытаний.
aj	6J
Рис. 2.1. Выходные характеристики биполярного транзистора и области
работы при включении по схеме ОБ (а) и по схеме ОЭ (б)
На рис. 2.1 показаны выходные характеристики биполяр-
ного транзистора с указанием областей работы для схем с
общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
При необходимости применения транзисторов для выпол-
22
нения функций, отличающихся от основного назначения, вы-
вод о возможности их использования в этих режимах может
быть сделан после измерения параметров транзисторов в этих
режимах, проведения соответствующих испытаний и согласо-
вания их параметров в соответствии с ГОСТ 2.117—71.
В аппаратуре транзистор может быть использован в широ-
ком диапазоне напряжений и токов. Ограничением служат зна-
чения предельно допустимых режимов, превышение которых
в условиях эксплуатации не допускается независимо от дли-
тельности импульсов напряжения или тока. Поэтому при при-
менении транзисторов необходимо обеспечить их защиту от
мгновенных изменений токов и напряжений, возникающих при
переходных процессах (моменты включения, выключения, из-
менения режимов работы и т. п.), мгновенных изменениях пи-
тающих напряжений. Не допускается также работа транзисто-
ров в совмещенных предельных режимах (например, по напря-
жению и току).
Не рекомендуется эксплуатация транзисторов при рабочих
токах, соизмеримых с неуправляемыми обратными токами во
всем диапазоне температур.
Для транзисторов, предназначенных для работы на согла-
сованную нагрузку, при настройке аппаратуры необходимо
принимать меры, исключающие возможность работы транзи-
стора на рассогласованную нагрузку. Если полностью это ис-
ключить невозможно, то настройку следует осуществлять при
пониженном напряжении питания или пониженной мощности
возбуждения.
Режимы работы транзисторов должны контролироваться с
учетом возможных неблагоприятных сочетаний условий экс-
плуатации аппаратуры.
При измерениях необходимо принимать во внимание коле-
бания напряжений источников питания, значение и характер
нагрузки на выходе блока, колебания амплитуды и длитель-
ности выходных сигналов, уровня внешних воздействующих
факторов.
Для повышения надежности транзисторов при эксплуата-
ции следует выбирать рабочие режимы с коэффициентами
нагрузки по напряжению и мощности в диапазоне 0,7...0,8.
Однако следует учесть, что применение транзисторов при ма-
лых рабочих токах приводит к снижению устойчивости их
работы в диапазоне температур и нестабильности усиления во
времени. Использование более высокочастотных типов тран-
зисторов в-низкочастотных цепях нежелательно, так как они
Дороги, склонны к самовозбуждению и обладают меньшими
эксплуатационными запасами.
23
Для коэффициентов загрузки менее 0,5...0,6 надежность
работы транзистора практически не, зависит от режима ра-
боты.
Для повышения надежности параллельно соединенных тран-
зисторов рекомендуется транзисторы располагать на общем
теплопроводе, в цепи эмиттеров и баз включать резисторы,
обеспечивать их работу при коэффициентах нагрузки по току
0,5...0,6.
Для повышения надежности последовательно соединен-
ных транзисторов рекомендуется цепи коллектор—эмиттер
шунтировать резисторами, сопротивление которых в 2...3 раза
меньше эквивалентного сопротивления закрытого транзисто-
ра, или стабилитроном, допускающим работу в ждущем режи-
ме, напряжение стабилизации которого не более 0,7.„О,8 (7КЭ0.
При применении мощных транзисторов необходимо обес-
печивать правильный тепловой режим работы, чтобы темпера-
тура корпуса транзистора была минимальной и не превышала
допустимой. Превышение предельной температуры может при-
вести к тепловому пробою р-п перехода. Тепловой пробой
возникает вследствие лавинообразного нарастания температу-
ры р-п перехода. Во избежании теплового пробоя необходимо
улучшать отвод теплоты от транзистора. Правильный выбор
теплового режима работы снижает интенсивность отказов тран-
зисторов, а также обеспечивает стабильность выходных пара-
метров аппаратуры. Обеспечение оптимального теплового ре-
жима работы транзисторов играет первостепенную роль при
создании надежной аппаратуры.
Для учета зависимости параметров от температуры в спра-
вочнике приводятся температурный диапазон применения тран-
зисторов, значения параметров и режимов при различных тем-
пературах и их температурные зависимости.
В качестве теплоотвода для мощных транзисторов могут
использоваться специально сконструированные радиаторы или
конструктивные элементы узлов и блоков. При этом должна
предусматриваться специальная обработка мест крепления тран-
зисторов.
Качественное соединение , корпуса транзистора с теплоот-
водом достигается шлифовкой поверхности теплоотвода, смаз-
кой места соединения специальной мастикой или невысыхаю-
щим маслом.
Для улучшения теплового контакта рекомендуется смачи-
вать нижнее основание транзистора полиметилсилоксановой
жидкостью ПМС—100 ГОСТ 13032—77 или теплоотводящей
смазкой КПТ—8 ГОСТ 19783—74. Полезным оказывается ис-
пользование тонких прокладок из фольги мягких металлов.
24
Сверление больших отверстий в радиаторе для выводов тран-
зистора уменьшает эффективность отвода теплоты.
Площадь теплоотвода S, см2, приближенно можно вычис-
лить по формуле
S= 1000/(/?T(n_C)ST),
где /?т (п-с) — требуемое тепловое сопротивление переход—
окружающая среда, °С/мВт; — коэффициент теплопере-
дачи от теплоотвода в окружающую среду, равный 0,6...
1,5 мВт/см2 °C.
Для повышения эффективности отвода теплоты за счет
излучения рекомендуется теплоотвод покрывать черной крас-
кой (зачернить).
Принудительный обдув теплоотвода, помещение его в про-
точную жидкость (вода, масло) значительно улучшает охлаж-
дение транзисторов и позволяет снимать с них большие мощ-
ности.
Крепление транзисторов к радиаторам должно обеспечить
их надежный тепловой контакт. Особое внимание следует уде-
лить надежному тепловому контакту при введении между кор-
пусом транзистора и радиатором изолирующих прокладок.
Для уменьшения общего теплового сопротивления лучше изо-
лировать радиатор от корпуса аппаратуры, чем транзистор от
радиатора.
При необходимости электрической изоляции корпуса (кол-
лектора) транзистора от шасси или теплоотвода между корпу-
сом и теплоотводом рекомендуется ставить прокладку из окси-
дированного алюминия или слюды. Суммарное тепловое со-
противление переход—теплоотвод увеличивается при этом на
0,5 °С/Вт на каждые 50 мкм толщины слюдяной прокладки
или на 0,25 °С/Вт на каждые 50 мкм толщины слоя оксидиро-
ванного алюминия.
При применении заливки плат компаундами следует учиты-
вать возможное ухудшение теплообмена между транзистора-
ми и окружающей средой. Для заливки плат следует исполь-
зовать компаунды, не оказывающие отрицательного химиче-
ского и механического влияния на транзисторы.
Особенностью применения мощных транзисторов является
работа этих приборов в режимах, близких к предельным по
температуре перехода. Для обеспечения надежной работы ап-
паратуры режимы использования мощных транзисторов долж-
ны выбираться таким образом, чтобы ток и напряжение не
выходили за пределы области максимальных режимов. На
рис. 2.2 приведен типичный вид области максимальных режи-
мов мощного биполярного транзистора.
25
Рис. 2.2. Область максимальных ре-
жимов мощного биполярного тран-
зистора
Рис. 2.3. Зависимость постоянной
рассеиваемой мощности коллекто-
ра от температуры
Сплошными линиями ограничена область статического ре-
жима работы транзистора, а штриховыми — импульсного.
Область максимального режимов ограничена;
максимально допустимым током коллектора (постоянным
и импульсным) — область /;
максимально допустимой мощностью рассеивания (посто-
янной и импульсной) — область И;
вторичным пробоем — область ///;
граничным напряжением вольт-амперной характеристики
при заданных условиях на входе — область IV;
максимально допустимым обратным напряжением коллек-
тор—эмиттер (постоянным и импульсным) — область V.
Область максимальных режимов в справочнике приводит-
ся, как правило, при температуре корпуса Тм, при которой
обеспечивается максимальная мощность рассеивания. При уве-
личении температуры корпуса выше ГК1 мощность рассеивания
определяется с помощью рис. 2.3, а при их отсутствии рассчи-
тывается по формуле
^МАКС = ( Гп ~ Гк)//?т (П_К),
где Тп — температура перехода; Гк — температура корпуса
(например, ГК2, 7^3 и т. д.); /?т <п-к> — тепловое сопротивление
переход—корпус.
При работе транзистора при температуре корпуса Тм или
(см. рис. 2.3) область И перемещается, что соответствует
уменьшению мощности рассеивания, определенной графиче-
ским путем или рассчитанной по формуле.
При повышении температуры корпуса изменяется также
26
положение области V. Значение предельно допустимого об-
ратного напряжения коллектор—эмиттер (постоянного или им-
пульсного) при росте температуры уменьшается (рис.2.4). Эта
зависимость снимается экспериментально.
Рис. 2.4. Области максимальных ре-
жимов при различных температурах
корпуса
Рис. 2.5. Зависимость теплового
сопротивления переход—корпус
от длительности импульса
При переходе от статического режима к импульсному и
при уменьшении длительности импульса границы области мак-
симальных режимов перемещаются в сторону больших значе-
ний тока и напряжения.
Максимально допустимая мощность рассеивания в импульс-
ном режиме связана с максимальной рассеиваемой мощностью
соотношением
Р*, МАКС = (^МАКС *Т (П-К))/ Pf, И (П-К),
где /?т, и(п-к) — импульсное тепловое сопротивление переход—
корпус, являющееся функцией длительности импульса и скваж-
ности (рис. 2.5).
Чем меньше длительность импульса и больше скважность,
тем больше импульсная мощность рассеивания, вызывающая
разогрев перехода до максимально допустимой температуры.
Области максимальных режимов И и /// при этом перемещают-
ся вправо — в область больших значений токов и напряжений.
Эти границы определяются экспериментально.
Тепловое сопротивление переход—корпус /?т (П_К), °С/Вт,
зависит от конструкции транзистора и может быть определено
из области максимальных режимов. Например, для режима
Мок (см. рис. 2.2) тепловое сопротивление
^Г(П-К) ~ (Л1 ~	/К1).
27
Импульсное тепловое сопротивление переход—корпус свя-
зано с тепловым сопротивлением в статическом режиме соот-
ношением
/?Т, И (П-К) = (М<Э1 4,/^кэ, и k, Hl)	(П—К)-
Все мощные биполярные транзисторы СВЧ диапазона пред-
назначены для работы в режимах с отсечкой коллекторного
тока. Допустимые электрические режимы на постоянном токе
(по напряжению и мощности рассеивания), как правило, суще-
ственно отличаются от динамических режимов работы. Приве-
денные в справочнике параметры мощных СВЧ транзисторов
позволяют пользоваться типовой эквивалентной схемой для
оценки их эксплуатационных характеристик. Эквивалентная
схема транзистора в активном режиме показана на рис. 2.6.
Рис. 2.6. Эквивалентная схема мощного
СВЧ транзистора в активном режиме
Параметры некоторых элементов, изображенных на схеме,
в справочных данных отсутствуют. Это значит, что эквивалент-
ная схема может быть соответствующим образом упрощена.
Например, если не приводится последовательное сопротивле-
ние коллектора, то это означает малое влияние этого парамет-
ра на типовые эксплуатационные характеристики и оно может
быть исключено из схемы. Приводимое в справочнике значе-
ние емкости коллекторного перехода СВЧ мощных транзисто-
ров включает в себя значения емкостей металлизированных
площадок в структуре транзистора и емкостей корпуса. То же
относится и к понятию «емкость эмиттерного перехода».
Линейные усилительные свойства мощных высокочастот-
ных линейных транзисторов характеризуются параметрами,
методы измерения которых основываются на использовании
28
двухтонового сигнала, состоящего из двух гармонических сиг-
налов.
Нелинейные свойства транзисторов в этом случае оценива-
ются коэффициентом комбинационных составляющих треть-
его и пятого порядков, являющихся отношением наибольших
амплитуд соответствующих комбинационных составляющих
спектра выходного сигнала (рис. 2.7) к амплитуде основного
тона.
Рис. 2,7. Вид спектра частот выход-
ного сигнала при измерении коэффи-
циента комбинационных составляю-
щих методом двухтонового сигнала:
1 — основной тон; 2 — комбинационные
составляющие 3-го порядка; 3 — комби-
национные составляющие 5-го порядка
J6-26 26-6 6 6 2fr 6 J6-26
Между средней мощностью линейного двухтонового сиг-
нала и мощностью в пике огибающей существует соотношение
Рвых = ^вых(по>/2. Это соотношение используется для расчета
КПД коллектора транзистора в режиме двухтонового сигнала.
В процессе монтажа транзисторов в устройство механи-
ческие и тепловые воздействия на них не должны превышать
значений, указанных в ТУ, так как это может привести к рас-
трескиванию изолятора и, следовательно, к нарушению герме-
тичности корпуса транзистора. При рихтовке, формовке и об-
резке участок вывода у корпуса транзистора должен быть
закреплен таким образом, чтобы в месте выхода вывода из
корпуса (изолятора) он не испытывал изгибающих или растя-
гивающих усилий. Оснастка для формовки выводов должна
быть заземлена. Расстояние от корпуса транзистора до начала
изгиба вывода при формовке должно быть не менее 2 мм,
если оно не оговорено в ТУ на конкретный тип транзистора.
При диаметре вывода не более 0,5 мм радиус его изгиба
должен быть не менее 0,5 мм; при диаметре от 0,6 до 1 мм —
не менее 1 мм; при диаметре более 1 мм — не менее 1,5 мм.
При лужении, пайке и монтаже транзисторов следует при-
нимать меры, исключающие возможность их повреждения из-
за перегрева и механических усилий. При лужении и пайке
29
расстояние от корпуса (изолятора) до места лужения и пайки
должно быть не менее 3 мм, если в ТУ на конкретный тип
транзистора не указано иное.
Допускается пайка выводов без теплоотвода и групповым
методом, если температура припоя не превышает 260 ± 5 °C, а
время пайки не более 3 с, если в ТУ на конкретный тип
транзистора не указано иное.
Печатные платы очищают от флюсов жидкостями, не пор-
тящими покрытие, маркировку и материал корпуса транзисто-
ра (рекомендуется спиртобензиновая смесь).
В процессе монтажа, транспортировки, хранения ВЧ и СВЧ
биполярных транзисторов необходимо обеспечивать защиту
их от воздействия статического электричества. Способы защи-
ты приведены в ОСТ 11 аАО.336. 013—73.
К числу важнейших предупредительных мер относятся:
хорошее заземление оборудования и измерительных прибо-
ров; применение заземляющих браслетов (или колец) между
телом оператора и землей, антистатических халатов; исполь-
зование низковольтных электропаяльников с заземленным
жалом. При включении транзистора в электрическую цепь,
находящуюся под напряжением, коллекторный контакт дол-
жен подсоединяться последним и отсоединяться первым. С
целью предупреждения появления в процессе настройки цепи
мгновенного напряжения на коллекторе, превышающего ма-
ксимально допустимое значение, рекомендуется проводить ее
настройку при пониженной входной мощности, постепенно
достигая номинального значения.
ЧАСТЬ ВТОРАЯ
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ТРАНЗИСТОРОВ
Раздел третий
Транзисторы биполярные сверхвысокочастотные
Транзисторы п-р-п
2Т606А, КТ606А, КТ606Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах
на частотах выше 100 МГц при напряжении питания 28 В. Вы-
пускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вывода-
ми и монтажным винтом. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 6 г.
Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Полтава.
2Т606А. КТ606(А,Б)
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте f= 400 МГц,
при (/кэ = 28 В, не менее:
2Т606А, КТ606А..................     0,8	Вт
КТ606Б.............................. 0,6	Вт
Коэффициент усиления по мощности на ча-
стоте f = 400 МГц, не менее........... 2,5
типовое значение.................... 3*
Коэффициент полезного действия коллектора
на частоте f= 400 МГц, не менее....... 35%
31
Модуль коэффициента передачи тока на ча-
стоте f = 100 МГц при = 10 В, /к = 100 А,
не менее:
2Т606А, КТ606А...................... 3,5
КТ606Б.............................. 3
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 200 мА, /Б = 40 мА, не более.. 1* В
Постоянная времени цепи обратной связи на
частоте f = 5 МГц при £/КБ = 10 В, /э = 30 мА,
не более:
2Т606А, КТ606А...................... 10 нс
КТ606Б.............................. 12 нс
Емкость коллекторного перехода
при икъ = 28 В, f= 5 МГц, не более..... 10 пФ
Емкость эмиттерного перехода при иэъ = 0,
f= 5 МГц, не более..................... 27 пФ
Критический ток коллектора на частоте
f= 100 МГц при £/кэ = 10 В, не менее... 100 мА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при = 65 В, /?ЭБ = 100 Ом, не более:
Т= +25 °C:
2Т606А........................... 1	мА
КТ606А, КТ606Б................... 1,5 мА
Т= +85 °C для КТ606А, КТ606Б........ 3	мА
Т= +125 °C для 2Т606А............... 2	мА
Обратный ток эмиттера при иэъ = 4 В,
не более:
2Т606А.............................. 0,1 мА
КТ606А, КТ606Б...................... 0,3 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?ЭБ < 100 Ом...................... 65 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при /?ЭБ < 100 Ом:
2Т606А.............................. 75 В
КТ606А, КТ606Б...................... 70 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 4 В
Постоянный ток коллектора.............. 0,4 А
Импульсный ток коллектора.............. 0,8 А
Постоянный ток базы.................... 0,1 А
Средняя рассеиваемая мощность1 в динамиче-
ском режиме при Гк +40 °C.............. 2,5 Вт
При Гк > +40 С
А, ср, макс =	- Гк)/44, Вт.
32
Тепловое сопротивле'ние переход—корпус.... 44 °С/Вт
Температура р-п перехода:
2Т606А................................... +150	°C
КТ606А, КТ606Б........................ +120	°C
Температура корпуса:
2Т606А................................... +125	°C
КТ606А, КТ606Б........................ +85 °C
Температура окружающей среды:
2Т606А................................... —6О...ГК =
= +125 °C
КТ606А, КТ606Б........................ -45... Гк =
= +85 °C
Чистота контактной поверхности теплоотводов должна быть
не менее 2,5. Неплоскостность контактной поверхности тепло-
отвода должна быть не более 0,03 мм.
Пайка выводов допускается не ближе 1 мм от корпуса
транзистора паяльником, нагретым до температуры не более
+250 °C в течение времени не более 3 с. Целесообразно
осуществлять теплоотвод между корпусом и местом пайки.
2Т607А-4, КТ607А-4, КТ607Б-4
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
генераторах и усилителях в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные с защитным покрытием. Тип прибора указыва-
ется в этикетке.
Масса транзистора не более 0,4 г.
Изготовитель — завод «Транзистор», г. Минск.
2Т607А-^, КТ607(АЛ,БА)
Электрические параметры
Выходная мощность (медианное значение) при
^кБ = 20 В, 4 = 110 мА, f= 1 ГГц, Рвх = 0,4 Вт
Для 2Т607А-4, КТ607А-4 Рвх = 0,5 Вт для
КТ607Б—4, не менее..................... 1	Вт
2-949	33
Коэффициент усиления пр мощности (медиан-
ное значение) при Т/КБ = 20 В, 4 = 1Ю мА,
f- 1 ГГц, не менее:
2Т607А-4, КТ607А-4 при Рвх = 0,4 Вт. 4 дБ
КТ607Б-4 при Рвх = 0,5 Вт........... 3 дБ
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра (медианное значение) при Т/КБ = 20 В,
4 = 110 мА, /= 1 ГГц, Рвх = 0,4 Вт для
2Т607А-4, КТ607А-4 И Рвх = 0,5 Вт для
КТ607Б—4, не менее..................... 45%
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при Цэ = Ю В, /к = 80 А,
/= 100 МГц, не менее................... 7...9*...15*
Постоянная времени цепи обратной связи на
высокой частоте при (/КБ = 10 В, /э = 30 мА,
f = 5 МГц:
2Т607А-4, КТ607А-4, не более........ 6*...10*...18 пс
КТ6О7Б—4, не более.................. 25 пс
Емкость коллекторного перехода
при U№ = 10 В, не более:
2Т607А-4, КТ607А-4..................... 4 пФ
КТ607Б-4............................ 4,5 пФ
Обратный ток коллектора 2Т607А—4,
КТ607А—4 при 4/|<бо = 40 В и КТ607Б—4
при 44б в = 30 В, не более:
Т= -60...+25 ’С..................... 1 мкА
Г=+125*С............................ ЗмкА
Обратный ток эмиттера при U3& 0 = 4 В,
не более:
Г= -60...+25 *С..................... 0,5 мкА
7’=+125°С........................... ЗмкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 10 Ом:
Г < +85 °C:
2Т607А-4, КТ607А-4.................. 35	В
КТ607Б-4......................... 30	В
Т= +125 °C для 2Т607А-4............. 25	В
Постоянное напряжение коллектор—база:
+85 °C:
2Т607А-4, КТ607А-4............... 40	В
КТ607Б-4......................... 30	В
Г= +125 °C для 2Т607А-4............. 30	В
34
Постоянное напряжение эмиттер—база:
7"^+85 °C............................... 4 В
Т= +1.25 °C для 2Т607А-4........„...	3 В
Постоянный ток коллектора:
+85 °C................................. 150 мА
Г = +125 °C для 2Т607А-4............ 125 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
Гк < +30 °C для 2Т607А-4, КТ607А-4,
КТ607Б-4................................ 1,5 Вт
Гк = +125 °C для 2Т607А-4........... 0,34 Вт
Гк = +85 °C для КТ6О7А-4, КТ607Б-4.. 0,89 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 73 °С/Вт
Температура р-п перехода............... +150 °C
Температура окружающей среды:
2Т607А-4................................ -6О...ГК =
= +125 °C
КТ607А-4, КТ607Б-4.................. -45... Тк =
= +85 °C
Крепление транзистора осуществляется приклеиванием или
пайкой. Максимально допустимая температура припоя не бо-
лее +260 °C. Время пайки не более 3 с. Нажимное усилие на
торце каждого вывода не должно превышать 400 г.
2Т610А, 2Т610Б, КТ610А, КТ610Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п усилительные. Предназначены для применения в
усилителях напряжения и мощности. Выпускаются в металло-
керамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами. Тип
прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,4 г.
Изготовитель — завод «Транзистор», г. Минск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при С/№ = 10 В, /э = 150 мА:
2T61QA.................................... 50...250
2Т610Б.................................... 20...250
КТ610А.................................... 50...300
КТ610Б.................................... 20...300
Неравномерность коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ в режиме малого сигнала
при (7КЭ = 10 в, 4 = 30...270 мА для 2Т610А,
КТ610А, не более............................. 2,3
2*
2Т610(А,Б). КТ610(А,Б)
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 7/кэ = 10 В, /к = 150 мА:
2Т610А, КТ610А, не	менее............ 1000	МГц
типовое значение..................... 1250	МГц
2Т610Б, КТ610Б, не	менее............ 700 МГц
типовое значение..................... 1100	МГц
Коэффициент усиления по мощности (медиан-
ное значение) при 7/кэ = 12,6 В, Рвых = 1 Вт,
f = 400 МГц для 2Т610Б, не менее......... 6,4 дБ
типовое значение..................... 8* дБ
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра (медианное значение) при 7/кэ = 12,6 В,
РВых = 1 Вт, f = 400 МГц для 2Т610Б, не менее 45%
Постоянная времени цепи обратной связи на
высокой частоте при Т/КБ = 10 В, /э = 30 мА,
f= 30 МГц:
2Т610А, не более..................... 35 пс
типовое значение............:........ 20* пс
2Т610Б, не более..................... 18	пс
типовое значение..................... 7,5* пс
КТ610А, не более..................... 55	пс
КТ610Б, не более..................... 22	пс
Емкость коллекторного перехода
при (УКБ = 10 В, не более................ 4,1 пФ
Емкость эмиттерного перехода при U3b = 0,
не более................................. 21 пФ
Граничное напряжение при /э = 30 мА,
не менее................................. 20 В
типовое значение..................... 24* В
36
Обратный ток коллектора при U№ 0 = 20 В,
не более:
2Т610А, 2Т610Б при Т= -60...+25 °C
и КТ610А, КТ610Б при Т= -45...+25 °C... 0,5 мА
2Т610А, 2Т610Б при Г= +125 °C
и КТ610А, КТ610Б при Т= +85 °C.......... 1,5 мА
Обратный ток эмиттера при U3Z 0 = 4 В,
не более:
2Т610А, 2Т610Б при Г= -60...+25 °C
и КТ610А, КТ610Б при Т= -45...+25 °C... 0,1 мА
2Т610А, 2Т610Б при Т= +125 °C
и КТ610А, КТ610Б при Т= +85 °C.......... 0,5 мА
Коэффициент шума при f= 2...200 МГц,
/к = 30 мА, /?БЭ = 75 Ом, типовое значение. 6* дБ
Индуктивность выводов (при использовании
двух выводов):
эмиттерного............................. 0,6 нГн
коллекторного........................... 2,38 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 100 Ом..................... 26 В
Постоянное напряжение коллектор—база.. 26 В
Постоянное напряжение эмиттер—база.... 4 В
Постоянный ток коллектора............. 0,3 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
при Гк = +50 °C............................ 1,5 Вт
при Гк = +85 °C......................... 1 Вт
Температура р-п перехода................... +150 °C
Температура окружающей среды:
2Т610А, 2Т610Б............................. -60...7^ =
= +125 °C
КТ610А, КТ610Б......................... —45...ГК =
= +85 °C
Изгиб выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса
транзистора с радиусом не менее 1,5 мм.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В.
Пайка выводов транзисторов допускается при температуре
не выше +150 °C.
1Т612А-4, ГТ612А-4
Транзисторы германиевые планарные структуры п-р-п ге-
нераторные. Предназначены для усиления и генерирования
37
сигналов сверхвысоких частот в схеме с общей базой. Бескор-
пусные на керамическом кристаллодержателе с металлизиро-
ванными контактами выступами и покрытым эмалью кристал-
лом. Выпускаются в индивидуальной таре-спутнике. Тип при-
бора указывается на таре.
Масса транзистора не более 0,2 г.
Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Нальчик.
Ш12АЛ ГТ612А-4
Электрические параметры
Выходная мощность в режиме автогенератора
при £/КБ = 8 В, /э = 90 мА, f = 2 ГГц:
1Т612А—4, не менее...................... 150 мВт
медианное значение, не менее......... 180 мВт
ГТ612А—4, не менее................... 200 мВт
Коэффициент усиления по мощности при
f= 1 ГГц, hK = 65% для 1Т612А-4, не менее . 3
Граничная частота при (/КБ = 5 В, /э = 50 мА,
не менее................................ 1,5 ГГц
Граничное напряжение при = 100 мА
для 1Т612А—4, не менее.................. 8 В
Постоянная времени-цепи обратной связи при
{/КБ = 3 В, /э = 80 мА, f = 30 МГц, не более .... 7 пс
Емкость коллекторного перехода
при £/КБ = 5 В, не более................ 3,5 пФ
Обратный ток коллектора при U№ = 12 В,
не более:
1Т612А-4:
Т = —60 и +25 °C................. 5 мкА
7"=+70 °C........................ 50 мкА
ГТ612А-4 при Г= +25 °C............... 10 мкА
Зв
Обратный ток эмиттера при Ux = 0,2 В,
не более:
1Т612А-4:
Г =-60 и+25 °C.................. 5 мкА
Г =+70 °C........................ 50	мкА
ГТ612А—4 при Т = +25 °C.............. 10	мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база... 12 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?ЭБ ЮО Ом для 1Т612А—4........... 8 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 0,2 В
Постоянный ток коллектора при Т = +25 °C
для ГТ612А-4........................... 120	А
Импульсный ток коллектора при Т = +25 °C,
4, 10 мкс, 100 для 1Т612А-4............ 200	мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
1Т612А-4:
Т= -60...+35 °C..................... 360	мВт
Г =+70 °C....................... 190	мВт
ГТ612А-4 при Т= +25 °C.............. 360	мВт
Рассеиваемая мощность коллектора в режи-
мах усиления мощности и автогенератора:
Т= +25 °C для ГТ612А-4.............. 570	мВт
Т = +35 °C для 1Т612А-4............. 570	мВт
7-=+70 °C........................... 225 мВт
Температура р-п перехода............... +100 °C
Температура окружающей среды:
1Т612А-4 .............................. —55...+70	°C
ГТ610А—4 ........................... -60...+70	°C
При эксплуатации транзистора 1Т612А—4 обязательно	при-
менение теплоотвода, обеспечивающего тепловое сопротивле-
ние переход—окружающая среда не более 138 °С/Вт.
1Т614А
Транзистор германиевый планарный структуры п-р-п гене-
раторный. Предназначен для генерирования СВЧ колебаний в
схеме с общей базой. Бескорпусный с защитным покрытием.
Тип прибора указывается на этикетке.
Масса транзистора не более 0,2 г.
39
Изготовитель — завод полупроводниковых приборов
г. Нальчик.
1T6UA
Электрические параметры
Выходная мощность в схеме ОБ
при Укъ = 9 В, f = 500 МГц, не менее..... 200 мВт
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при //КБ = 5 В, 4 = 50 мА..... 15...250
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при {/кэ = 5 В, /к = 50 мА,
f= 100 МГц, не менее..................... 10
Постоянная времени цепи обратной связи на
высокой частоте при ЦБ = 5 В, /э = 50 мА,
/= 30 МГц, не более...................... 15 пс
Обратный ток коллектора при {/КБ = 12 В,
не более................................. 10 мкА
Обратный ток эмиттера при Ux = 0,5 В,
не более................................. 5 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база..... 12 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?ЭБ = 0............................. 9 В
Постоянное напряжение эмиттер—база....... 0,5 В
Постоянный ток коллектора................ 200 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
при Т = —60...4-50 °C................. 400 мВт
при Т - 4-70 °C....................... 200 мВт
Температура окружающей среды............. —60...4-70 °C
При монтаже транзистора температура припоя должна быть
не выше 4-230 °C. Время пайки не должно превышать 3 с.
40
2Т624А-2, 2Т624АМ-2, КТ624А-2, КТ624АМ-2
Транзисторы кремние-
вые эпитаксиально-планар-
ные структуры п-р-п переклю-
чательные. Предназначены
для применения в импульсных
устройствах в герметизи-
рованной аппаратуре. Бес-
корпусные с защитным по-
крытием на керамическом
(2Т624А—2, КТ624А-2) и ме-
таллическом (2Т624АМ—2,
КТ624АМ—2) кристаллодер-
жателях с гибкими вывода-
ми. Тип прибора указывается
в этикетке.
Масса транзистора
2Т624А-2, КТ624А-2 не бо-
лее 0,015 г, 2Т624АМ-2,
КТ624АМ—2 не более 0,004 г.
2U2M-2 КТ62М-2
Изготовитель — завод «Транзистор», г. Минск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при ию = 0,5 В, /к = 300 мА... 30...180
типовое значение...................... 70*
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при (7КЭ = 5 В, /к = 100 мА,
f = 100 МГц................................ 4,5...9,7*...12*
Граничное напряжение при /э = 30 мА........ 12...22*...35* В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 1 А, /Б = 100 мА, 4, 30 мкс:
2Т624А-2, 2Т624АМ-2..................... 0,58*..0,62*...
0,87 В
КТ624А-2, КТ624АМ-2, не более........... 0,9 В
Напряжение насыщения эмиттер—база
при /к = 1 А, /Б = 100 мА, ?и 30 мкс....... 1,05*...1,2*...
1,7 В
Время рассасывания при /к = 1 А,
/Б = /Б2 = 100 мА:
2Т624А-2, 2Т624АМ-2..................... 6*...11*...15 нс
КТ624А-2, КТ624АМ-2, не более........... 18 нс
Емкость коллекторного перехода
при 6/КБ 0 = 5 В........................... 7*...7,2*...
15 пФ
Емкость эмиттерного перехода
при Г/ЭБ0 = 0,5 В.......................... 27*...30*...
50 пФ
Обратный ток коллектора при (/КБ0 - 30 В,
не более:
Т - -60...+25 °C........................ 100 мкА
Т = +125 °C 2Т624А-2, 2Т624АМ-2
и Т = +85 °C КТ624А-2, КТ624АМ-2........ 1 мА
Обратный ток коллектор—эмиттера
при (7КЭ = 30 В, /?ЭБ = 0, не более........ 200 мкА
Обратный ток эмиттера при Г/ЭБ0 = 30 В,
не более:
Т= -60...+25 °C......................... 100 мкА
Г= +125 °C 2Т624А-2, 2Т624АМ-2
и Т= +85 °C КТ624А-2, КТ624АМ-2......... 1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т624А-2, 2Т624АМ-2:
при Гк = -60...+ 100 °C............. ЗОВ
при 7к = +125 °C.................... 20 В
КТ624А-2, КТ624АМ-2
при Т= -50...+85 °C..................... ЗОВ
Постоянное напряжение эмиттер—база......... 4 В
Постоянный ток коллектора.................. 1 А
Импульсный ток коллектора при 4, $ 5 мкс,
10..................................... 1,3 А
4?
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
2Т624А-2, 2Т624АМ-2:
при Гк = —60...+85 °C............ 1 Вт
при Гк =+125 °C.................. 0,2 Вт
КТ624А-2, КТ624АМ-2:
при Гк = -60...+70 °C...........,	1 Вт
при Гк = +85 °C.................. 0,7 Вт
Тепловое сопротивление переход—подложка . 25 °С/Вт
Температура р-п перехода:
2Т624А-2, 2Т624АМ—2................. +135 °C
КТ624А-2, КТ624АМ-2................. +120 °C
Температура окружающей среды:
2Т624А—2, 2Т624АМ—2................. -6О...ГК	=
= +125 °C
КТ624А-2, КТ624АМ—2................. -50... Гк	=
= +85 °C
Монтаж транзисторов осуществляется в следующем поряд-
ке: место монтажа смачивается спиртоканифольным флюсом,
затем укладывается фольга припоя ПОС—61 толщиной 30 мкм,
размером 3*3 мм для 2Т624АМ—2, КТ624АМ—2 и 1,9*1,9 мм
для 2Т624А—2, КТ624А-2. Температура пайки +200 °C, время
пайки 10 с. В момент пайки транзистор притирается к месту
монтажа пинцетом. Усилие прикладывается к боковым поверх-
ностям кристаллодержателя.
2Т633А, КТ633Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п переключательные. Предназначены для применения
в высокочастотных и импульсных устройствах в схеме с общей
базой. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими
выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 3 г.
Изготовитель — завод «Транзистор», г. Минск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при (/К6 = 1 В, /э = 10 мА:
2Т633А........................................... 40...140
КТ633Б....................................... 20...160
при Г =-60 °C................................ 20...140
при 7-=+125	°C........................... 40...180
43.
2Т659A
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при /к = 100 мА, £/кэ = 10 В.. 500*...600*...
950 МГц
Граничное напряжение при /э = 10 мА,
не менее..................................... 15 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 100 мА, /6 = 10 мА:
2Т633А....................................... 0,15*...0,3*...
0,5 В
КТ633Б, не более......................... 0,6 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 100 мА, /Б = 10 мА.................. 0,79*...0,85*...
1,5 В
Время рассасывания при /к = 10 мА,
/Б = 10 мА:
2Т633А....................................... 3*...6*...13 нс
КТ633Б................................... 3*...6*...30 нс
Время выключения при (/ЭБ = 4,5 В, 4=10 мА,
4=3 мА:
2Т633А....................................... 8*...9*...12	нс
КТ633Б, типовое значение................. 9* нс
Время выключения при /к = 10 мА, 4, = 3 мА,
42 = 195 мА:
2Т633А....................................... 10*...13*...
18 нс
КТ633Б, типовое значение................. 13* нс
Постоянная времени цепи обратной связи на
высокой частоте при б/КБ = Ю 4 = 30 мА,
f= 100 МГц................................... 5*...10*...25 пс
Емкость коллекторного перехода
при 6/КБ0 = 10 В............................. 3*...3,3*...
4,5 пФ
44
Коэффициент шума при (/КБ = 5 В, /э = 5 мА,
t - 20 МГц для КТ633Б.................. 6* ед.
Обратный ток коллектора при (/КБ = 30 В,
не более:
Т= +25 °C:
2Т633А.............................. ЗмкА
КТ633Б........................... 10 мкА
Т - —60 °C для	2Т633А............... 1 мкА
Т = +125 °C для	2Т633А.............. 50 мкА
Обратный ток коллектор—эмиттера
при UK3 = 30 В, не более............... 3 мкА
Обратный ток эмиттера при U3b0 = 4,5 В,
не более:
2Т633А................................. ЗмкА
КТ633Б..............................10 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база.... 30 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 4,5	В
Постоянный ток коллектора............... 0,2	А
Импульсный ток коллектора при fM 10 мкс,
О> 50................................... 0,5	А
Постоянный ток базы..................... 0,12 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
с теплоотводом:
2Т633А при Гк = -60...+25 °C...... 1,2 Вт
КТ633Б при Гк = —45...+25 °C...... 1,2 Вт
2Т633А при Гк = +125 °C, КТ633Б
при Гк = +85 °C................... 0,24 Вт
без теплоотвода:
2Т633А при Т= -60...+25 °C........ 0,36 Вт
7"=+125 °C........................ 0,072 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора при 4,	10 мкс, О > 50;
2Т633А при Т = -60...+25 °C, КТ633Б
при Т = —45...+25 “С................. 0,72 Вт
2Т633А при Т= +125 °C, КТ633Б
при Г = +85 °C....................... 0,15 Вт
Тепловое сопротивление переход—окружаю--
Щая среда............................... 347 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус... 104 °С/Вт
Температура р-п перехода 2Т633А......... +150 °C
45
Температура окружающей среды:
2Т633А.................................... —60...+125 X
КТ633Б..........*..................... —45...+85 °C
Изгиб выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса
транзистора.
Пайка выводов рекомендуется не ближе 3 мм от корпуса
транзистора при температуре не выше +260 °C в течение вре-
мени не более 10 с.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В.
2Т634А-2, КТ634Б-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
генераторах и усилителях мощности в диапазоне частот 1...5 ГГц
в схеме с общей базой в герметизированной аппаратуре. Бес-
корпусные с защитным покрытием с гибкими выводами на
кристаллодержателе. Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,15 г.
Изготовитель — завод «Транзистор», г. Минск.
Электрические параметры
Выходная мощность (медианное значение)
при (4б = 20 В, 4 = 100 мА, Ръх = 250 мВт,
f= 5 ГГц, не менее..................... 450	мВт
46
Коэффициент усиления по мощности при
у = 20 В, 4 = 100 мА, Рвх = 250 мВт,
f= 5 ГГц................................. 1,4...2,2*...
3,4* дБ
Коэффициент полезного действия коллектора
при U№ = 20 В, /к = 100 мА, Рвх = 250 мВт,
f = 5 ГГц................................ 17,5...22,5*..
34*%
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 10 В, /к = 100 мА.. 1,5...2*...
2,4* ГГц
Постоянная времени цепи обратной связи на
высокой частоте при икъ = 10 В, /э = 30 мА,
/=100 МГц................................ 0,5*...1,5*...
3,5 пс
Емкость коллекторного перехода
при U№ = 15 В............................ 1,5*..1,9*...
3 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Ux = 0,
не более................................. 8 пФ
Межэлектродные емкости:
база—коллектор............................ 0,61*	пФ
база—эмиттер.......................... 0,44*	пФ
коллектор—эмиттер....................... 0,003* пФ
Обратный ток коллектора при С/КБ = 30 В,
не более:
 при Т = +25 °C...................... 1 мА
2Т634А-2 при Гк = +125 °C............. 5 мА
КТ634Б-2 при Гк = +85 °C.............. 10 мА
Обратный ток эмиттера при 6/ЭБ = 3 В:
Гк = +25 °C, не более..................... 0,2 мА
Гк = +85 °C для КТ634Б—2, не более.... 2 мА
Индуктивность выводов, типовое значение:
базового.................................. 0,11* нГн
эмиттерного........................... 0,3* нГн
коллекторного......................... 0,5* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т634А-2:
Гк > +25 °C....................... 50 В
Гк = -60 °C....................... 25 В
КТ634Б-2.............................. 30 В
Постоянное напряжение эмиттер—база....... 3 В
Постоянный ток коллектора................ 0,15 А
Импульсный ток коллектора при 10 мкс,
0>5и..................................... 0,25 А
Постоянный ток базы...................... 75 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при 6/КБ = 10 В:
2Т634А-2 при Гк = -60...+25 °C
и КТ634Б-2 при Гк = -45...+25 °C...... 1,2 Вт
2Т634А-2 при Гк = +125 °C и КТ634Б-2
при Гк = +85 °C....................... 0,65 Вт
Средняя рассеиваемая мощность коллектора
в динамическом режиме на частотах более
1 ГГц:
2Т634А-2 при 7к = -60...+25 °C
и КТ634Б-2 при Гк = -45...+25 °C...... 1,8 Вт
2Т634А-2 при Гк = +125 °C и КТ634Б-2
при Гк - +85 °C....................... 0,94 Вт
Тепловое сопротивление переход—теплоотвод 100 °С/Вт
Температура р-п перехода................. +150 °C
Температура окружающей среды:
2Т634А-2.............................. -60... Гк =
= +125 °C
КТ634Б-2.............................. —45...7"к =
= +85 °C
Пайка выводов и основания рекомендуется при температу-
ре +220 °C в течение времени не более 10 с.
Допустимое значение статического потенциала 200 В.
2Т637А-2, КТ637А—2, КТ637Б-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
генераторах и усилителях мощности в схеме с общей базой в
герметизированной аппаратуре. Бескорпусные с защитным
покрытием с гибкими выводами на кристаллодержателе. Тип
прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,15 г.
Изготовитель — завод «Транзистор», г. Минск.
Электрические параметры
Выходная мощность (медианное значение)
при (/КБ = 20 В, /к = 100 мА, /= 3 ГГц,
не менее:
2Т637А-2, КТ637А-2 при Рвх = 200 мВт.. 500 мВт
КТ637Б—2 при Рвх = 125 мВт........... 250	мВт
48
2Т637А-2, KT637(A-2,B-2J
Выходная мощность (минимальное значение)
при {/К5 = 20 В, /к = 100 мА, f= 3 ГГц:
2Т637А-2, КТ637А-2 при Рвх = 200 мВт.. 400 мВт
КТ637Б-2 при Рвх = 125 мВт................. 150 мВт
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 6/КБ = 5 В, /э = 50 мА......... 30*...140*
типовое значение........................... 90*
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при £/кэ = 10 В, /к = 100 мА:
2Т637А-2, КТ637А-2............................ 1,3...2,3*...
3,5* ГГц
КТ637Б-2................................... 0,8...2,3*...
3,5* ГГц
2Т637А-2, КТ637А-2 при £/кэ = 10 В,
/х = 200 мА, не менее...................... 0,95 ГГц
КТ637Б-2................................... 0,65 ГГц
Постоянная времени цепи обратной связи на
высокой частоте при 6/КБ = 10 В, /э = 30 мА,
f= 100 МГц:
2Т637А-2, КТ637А-2............................ О,7*...1*...3 пс
КТ637Б-2................................... 3*...8*...15 пс
Критический ток при UK3 = 10 В, f= 300 МГц . 200...450*...
600* мА
Емкость коллекторного перехода
при (/КБ = 15 В............................... 2,4*...2,7*...
4,5 пФ
49
Емкость эмиттерного перехода при Ux = 0. 10*... 12,5*...
17 пФ
Обратный ток коллектора при (/№ = 30 В,
не более:
2Т637А-2, КТ637А-2
при Т = —60...+25 °C................. 0,1 мА
2Т637А-2 при Т= +125 °C............. 1 мА
КТ637А-2 при Т = +100 °C............ 0,1 мА
КТ637Б-2............................ 2 мА
Обратный ток эмиттера при 6/ЭБ0 = 2,5 В. 0,2 мА
Межэлектродные емкости:
эмиттер—база......................... 0,44*	пФ
коллектор—база....................... 0,61*	пФ
коллектор—эмиттер.................... 0,01*	пФ
Индуктивность выводов, типовое значение:
эмиттерного............................. 0,3* нГн
базового............................. 0,112* нГн
коллекторного..................’..... 0,5* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база---- 30 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 2,5 В
Постоянный ток коллектора................ 200 мА
Импульсный ток коллектора при 1*и < 10 мкс,
Q > 50 ................................. 300 мА
Постоянный ток базы..................... 100 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при UK& = 10 В:
Тк = -60...+25 'С................... 1,5 Вт
Гк = +100 °C для КТ637А-2, КТ637Б-2 ... 0,6 Вт
Средняя рассеиваемая мощность коллектора
в динамическом режиме при 800 МГц:
Гк = -60...+25 °C................... 2 Вт
Гк = +100°С......................... 0,8 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность1
при 4, < 10 мкс, 50, Гк = —60...+25 °C.. 2,5 Вт
Тепловое сопротивление переход—теплоотвод 83,3 °С/Вт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Температура окружающей среды............ -60... Гк =
= +100 °C
’ При Т* = +25...+100 °C мощность снижается на 20 мВт/'С.
Монтаж транзистора осуществляется пайкой кристаллодер-
жателя к теплоотводу при температуре не выше +200 °C в
50
течение времени не более 3 с. Пайка выводов микропаяльни-
ком допускается не ближе 3 мм от керамического основания в
течение времени не более 3 с или не ближе 1 мм от керамиче-
ского основания при температуре не выше +200 °C в течение
времени не более 1 с.
Допустимое значение статического потенциала 200 В.
2Т640А—2, 2Т640А1-2, 2Т640А-5, 2Т640А-6,
КТ640А-2, КТ640Б-2, КТ640В-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
усилительных и генераторных устройствах в диапазоне частот
1...7.2 ГГц в схеме ОБ в составе гибридных интегральных
микросхем. Транзисторы 2Т640А—2, 2Т640А1—2, КТ640А—2—
КТ640В—2 бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими
выводами. На транзисторы наносится условная маркировка:
2Т640А—2 — черная точка, 2Т640А1—2 — черный знак «Т»,
КТ640А—2 — черная полоска, КТ640Б—2 — белая полоска,
КТ640В—2 — синяя полоска. Транзистор 2Т640А—5 выпускает-
ся в виде кристаллов с контактными площадками без кристал-
лодержателя и без выводов. Транзистор 2Т640А—6 выпускает-
ся в виде кристаллов с контактными площадками на кристалло-
держателе и без выводов, маркируется черной точкой. Тип
прибора указывается на этикетке.
Масса транзистора бескорпусного не более 0,2 г, кристал-
ла не более 0,0002 г, кристалла на кристаллодержателе не
более 0,008 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2Т6МА-2, 2Тбт-2. КТ6Ш-2 - В-2)
51
2Т640А-6
2Т640А-5
Электрические параметры
Выходная мощность (медианное значение)
на f= 7 ГГц, не менее:
(/КБ = 15 В, /э = 45 мА, Рвых = 25 мВт:
2Т640А-2, 2Т640А-5, 2Т640А-6,
КТ640А-2, КТ640Б-2.............. 100 мВт
КТ640В-2........................ 80 мВт
UKb = 10 В, /э = 40 мА, Рвых = 20 мВт
для 2Т640А1-2...................... 65 мВт
Оптимальный коэффициент усиления по мощ-
ности (медианное значение) на f= 7 ГГц при
(/КБ = 15 В, /э = 45 мА, Рвых = 100 мВт для
2Т640А-2, 2Т640А-5, 2Т640А-6, КТ640А-2,
КТ640Б-2................................. 6 дБ
Минимальный коэффициент шума 2Т640А—5,
2Т640А—6, КТ640А—2 при КУР = 8 дБ, типо-
вое значение:
f = 4 ГГц, (/КБ = 15 В, /э = 10 мА.... 5,5 дБ
Л = 6 ГГц, (/КБ = 10 В, /э = 15 мА.... 8 дБ
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при (/КБ = 5 В, /э = 5 мА, не менее . 15
52
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при (/кэ = 5 В, не менее:
2Т640А-5, 2Т640А-6, КТ640А-2:
при /э = 30 мА.................... 3 ГГц
при /э = 50 мА.................... 2,1 ГГц
КТ640Б-2, КТ640В-2:
при /э =	30	мА.................... 3,8 ГГц
при /э =	50	мА.................... 2,3 ГГц
типовое значение:
при /э =	30	мА.................... 5* ГГц
при /э =	50	мА.................... 4* ГГц
Постоянная времени цепи обратной связи на
высокой частоте при t/K6 = 15 В, /э = 30 мА,
f- 100 МГц, типовое значение:
2Т640А-5, 2Т640А-6, КТ640А-2......... 0,6* пс
КТ640Б-2, КТ640В-2................... 1* пс
Обратный ток коллектора при 6/КБ = ОКБ МАКС,
не более:
Г =+25 °C............................ 0,5 мА
Т= +125 °C для 2Т640А-2, 2Т640А1-2 ... 5 мА
Обратный ток эмиттера при иэь = 3 В,
не более:
Т= +25 °C............................ 0,1 мА
Т= +125 °C для 2Т640А-2, 2Т640А1-2 ... 5 мА
Критический ток при (УКБ = 5 В, типовое зна-
чение .................................. 50* мА
Модуль коэффициента обратной передачи на-
пряжения’ в схеме ОБ на высокой частоте при
ЦБ = 15 В, /э = 30 мА, f= 100 МГц, не более:
2Т640А-2, 2Т640А1-2, 2Т640А-5,
2Т640А-6, КТ640А-2................... 1,5 • 10'3
КТ640Б-2, КТ640В-2................... 3 • 10"3
Фаза коэффициента передачи* 2 при 6/КБ = 5 В,
Г = 1 ГГц, не более:
2Т640А-2, 2Т640А1-2, 2Т640А-5,
2Т640А—6, КТ640А-2 при /э = 30 мА.... 0,331 рад
’ Модуль коэффициента обратной передачи напряжения в схеме ОБ связан
с постоянной времени цепи обратной связи соотношением
ТК = |S126|/4nf,
где f— частота, на которой измеряют |312Б|.
2 Фаза коэффициента передачи тока связана с граничной частотой коэффи-
циента передачи тока соотношением
Ггр = Г/агд(/712Б),
где f — частота, на которой измеряют arg(ft1!6).
53
КТ640Б-2, КТ640В-2 при 4 = 30 мА..... 0,262 рад
2Т640А-2, 2Т640А1-2, 2Т640А-5,
2Т640А-6, КТ640А-2 при /э = 50 мА.... 0,471 рад
КТ640Б-2, КТ640В-2 при /э = 50 мА.... 0,436 рад
Сопротивление базы, типовое значение.... 4* Ом
Емкость коллекторного перехода
при (/КБ = 15 В, не более............... 1,3 пФ
типовое значение..................... 0,9* пФ
Емкость эмиттерного перехода при иэъ = 0,
не более................................ 3 пФ
типовое значение..................... 1,8* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т640А-2, 2Т640А1-2, КТ640А-2,
КТ640Б-2, КТ640В-2................... 25 В
2Т640А-5, 2Т640А-6................... 15 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 1 кОм 2Т640А-5, 2Т640А-6..... 15 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 3 В
Постоянный ток коллектора:
2Т640А-2, 2Т640А1-2, КТ640А-2,
КТ640Б-2, КТ640В-2................... 60 мА
2Т640А-5, 2Т640А-6................... 30 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1:
при Гк = +60 "С 2Т640А-2, КТ640А-2,
КТ640Б-2, КТ640В-2................... 600 мВт
при Гк = +70 ’С 2Т640А1-2............ 400 мВт
при Тк = +85 °C 2Т640А-5, 2Т640А-6... 50 мВт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Температура окружающей среды:
2Т640А—2, 2Т640А1-2, КТ640А-2,
КТ640Б-2, КТ640В-2 .................. -60...+125 °C
2Т640А-5, 2Т640А-6 .................. -60...+100 °C
1 При Т> +70 ’С, для 2Т640А1-2 и +60 °C для 2Т640А-2, КТ640А-2,
КТ64ОБ—2, КТ640В—2 максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
А,и«с = (150 — 7)/А|ь-с), Вт,
где /?т („-о = 150 *С/Вт для 2Т640А-2, КТ640А-2, КТ640Б-2, КТ640В-2 и
200 'C/Вт для 2Т640А1-2.
При Т > +85 °C максимально допустимая постоянная рас-
сеиваемая мощность коллектора для 2Т640А—5, 2Т640А-6
уменьшается линейно до 38 мВт при Т = +100 °C.
54
Пайка выводов транзисторов допускается при температуре
не выше +260 °C и не ближе 2 мм от корпуса. Допускается
райка выводов на расстоянии 0,5 мм от кристаллодержателя
при температуре +150 °C, время пайки не более 3 с.
Контактные площадки покрыты слоями никеля толщиной
3 мкм и золота 4...5 мкм.
Технология монтажа транзистора 2Т640А—5 в гибридную
схему, применяемые детали и материалы должны обеспечить
значение теплового сопротивления собранного в гибридную
схему транзистора не более 150 °С/Вт.
При монтаже транзисторов в составе гибридных схем не-
обходимо выполнять следующие условия:
монтаж транзисторов рекомендуется осуществлять с по-
мощью ультразвуковой пайки в инертной среде. Температура
пайки не более +450 °C. В качестве припоя должна применять-
ся золотая прокладка толщиной 0,02 мм. Поверхность, на
которую напаивается транзистор, должна быть золоченая, тол-
щина покрытия не менее 3 мкм;
присоединение выводов к контактным площадкам должно
производиться термокомпрессионной сваркой при температу-
ре +350 °C в течение не более 3 с. В качестве вывода должна
применяться алюминиевая проволока диаметром 0,026 мм мар-
ки А5Е. Соединение вывода с контактной площадкой должно
выдерживать разрывное усилие не менее 1,5 гс;
выводы после термокомпрессии не должны касаться струк-
туры и боковых ребер транзистора;
не допускается смещение термокомпрессионных точек,
приводящее к закорачиванию элементов структуры;
не допускается сильное натяжение и провисание выводов;
не допускается разрыв (пережатие) вывода в месте термо-
компрессионной сварки.
После извлечения транзисторов из герметичной упаковки
изготовителя до присоединения выводов к контактным пло-
щадкам транзисторы должны находиться в специальной каме-
ре с инертной средой в течение не более 10 сут.
В случае использования части транзисторов из общей упа-
ковки, неиспользованные транзисторы должны быть повторно
упакованы в герметичную тару. Требование на хранение в
специальной камере с инертной средой не более 10 сут рас-
пространяется на повторно упакованные транзисторы с мо-
мента вскрытия вторичной упаковки.
Допускается производить монтаж транзистора 2Т640А—6 в
гибридную схему при температуре пайки до +260 “С в течение
не более 5 с.
55
2Т642А1—2, 2Т642Б1—2, 2Т642В1-2, 2Т642Г1-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п усилительные. Предназначены для применения в
усилителях в составе гибридных интегральных микросхем.
Бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибки-
ми полосковыми выводами. На крышку держателя наносят
цветную точку: 2Т642А1—2 — бежевая, 2Т642Б1—2 — корич-
невая, 2Т642В1—2 — белая, 2Т642Г1—2 — голубая. Тип при-
бора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,2 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2Т6С2М-2-П-2)
Электрические параметры
Минимальный коэффициент шума, не более:
на f = 2,25 ГГц при 6/КБ = 7 В, /э = 20 мА:
2Т642А1-2....................... 4,5 дБ
2Т642Б1-2....................... 4,5 дБ
на f = 3,6 ГГц при £/кб = 7 В, /э = 5 мА:
2Т642В1-2.......................... 5 дБ
2Т642Г1-2....................... 5,5 дБ
Максимальный коэффициент усиления по
мощности на f= 2,25 ГГц при Т/КБ = 7 В,
4 = 20 мА, не менее:
2Т642А1-2............................. 9 дБ
2Т642Б1-2.......................... 8 дБ
56
Оптимальный коэффициент усиления по мощ-
ности на f= 3,6 ГГц при ОКБ = 7 В, /э = 5 мА,
не менее:
2Т642В1—2............................... 6 дБ
2Т642Г1-2........................... 5,5 дБ
Обратный ток коллектора при (/КБ = 15 В,
не более............................... 0,5 мА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при Цэ = 12 В, /?БЭ = 1 кОм, не более.. 0,5 мА
Обратный ток эмиттера при U3b = 2 В,
не более............................... 0,1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база... 15 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 1 кОм....................... 12 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 2 В
Постоянный ток коллектора.............. 40 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при 7"к = —60...+80 °C:
2Т642А1-2, 2Т642Б1-2................ 0,35 Вт
2Т642В1-2, 2Т642Г1-2................ 0,23 Вт
Температура р-п перехода............... +150 °C
Температура окружающей среды........... —60... Гк =
= +125 °C
’ При Гк > +80 °C максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
РК, МАКС = (150 — Гк)//?т (П-К), Вт.
Для 2Т642А1—2, 2Т642В1—2:
А (п-к? ~	200	C/Вт	при	(/«э р	и	(/КБ	10	В;
/?т|п-к> ~	300	°С/Вт	при	Укэя	и	УКБ >	10	В.
Для 2Т642Б1—2, 2Т642Г1—2:
Ру (п~к) ~	300	C/Вт	при	(/кэ р	и	(/КБ	10	В;
/?т(П-к) =	350	°С/Вт	при	С/кэ R	и	С/КБ >	10	В.
Допустимое значение статического потенциала 100 В.
Монтаж транзистора в гибридную схему проводить припай-
кой основания кристаллодержателя к нагретой теплоотводя-
Щей поверхности. Температура пайки не более +180 °C, время
пайки не более 3 мин. Рекомендуется перед пайкой проводить
облуживание при температуре +190 °C в течение не более
1 мин. Припой для обслуживания ПОС—61 ГОСТ 21930—76,
57
припой для пайки ПВИОС 25—25 ОСТ 11054.007—75. Флюс —
спиртоканифольный: 10—40% канифоли, 90—60% спирта.
Допускается производить приклеивание основания кристал-
лодержателя транзистора к теплоотводящей поверхности мон-
тажной платы теплопроводящим клеем УП—5—207М ТУ 6—05—
241—208—79. Перед нанесением клея кристаллодержатель тран-
зистора и монтажная плата должны быть прогреты при +60 °C
в течение 6 мин. Клей должен быть нанесен тонким равномер-
ным слоем, соединение склеиваемых поверхностей произво-
дить прижатием так, чтобы избыток клея равномерно высту-
пал из-под основания. Не допускается наличие щелей. После
приклеивания должна производиться подсушка при +120 °C в
течение 1 ч и при +150 °C в течение 2 ч.
Изгиб выводов допускается на расстоянии не ближе 1 мм
от кристаллодержателя с радиусом закругления не менее
0,5 мм. Допускается при монтаже транзистора в схему отре-
зать выводы на расстоянии не менее 1 мм от кристаллодержа-
теля. При этом усилие не должно передаваться на место пайки
вывода к кристаллодержателю. Минимальное расстояние ме-
ста пайки выводов от основания кристаллодержателя 2 мм.
Температура пайки не выше +260 °C, время пайки не более
3 с. Допускается пайка выводов на расстоянии 0,5 мм от
кристаллодержателя, при этом температура пайки не выше
+ 190 °C, время пайки не более 1 мин. Перед пайкой выводы
промывают спиртом, а затем смачивают флюсом. Состав флю-
са: 10—40% канифоли, 90-60% спирта, припой ПОС—61.
2Т642А-2, 2Т642А-5, 2Т642А1-5,
КТ642А—2, КТ642А-5
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
усилителях и генераторах в диапазоне частот 1...8,15 ГГц в
схеме с общей базой в составе гибридных микросхем, блоков
и аппаратуры, обеспечивающих герметизацию. Транзисторы
2Т642А—2, КТ640А—2 бескорпусные на кристаллодержателе с
гибкими выводами. Маркируются белой точкой. Транзисторы
2Т642А—5, 2Т642А1-5, КТ642А—5 выпускается в виде кри-
сталлов с контактными площадками без кристаллодержателя
и без выводов для гибридных интегральных микросхем. Тип
прибора указывается на этикетке.
Масса транзистора бескорпусного не более 0,2 г, кристал-
ла не более 0,0002 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
58
2Т6Ш-2, КТ642А-2
2Т642А-5, 2Т642А1-5, КТ642А-5
Электрические параметры
Выходная мощность (медианное значение)
на f- 8 ГГц при (/КБ = 12 В, /к = 45 мА,
Рвх = 40 мВт:
2Т642А—2, 2Т642А-5, КТ642А-2,
КТ642А-5............................ 100... 110*...
140* мВт
2Т642А1—5, не менее................. 70 мВт
59
Коэффициент усиления по мощности
на f= 8 ГГц при = 12 В, /к = 45 мА,
Рвх = 40 мВт............................. 3,5...4*...
5,4 дБ
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра на f= 8 ГГц при 6/КБ = 12 В, /к = 45 мА,
Рвх = 40 мВт для 2Т642А-2, 2Т642А-5,
КТ642А-2, КТ642А-5, не менее............. 18%
Фаза коэффициента передачи тока1 в схе-
ме ОБ на высокой частоте при 6/КБ = 5 В,
/к = 30 мА, f= 1 ГГц, не более........... 19°
Модуль коэффициента обратной передачи на-
пряжения в схеме ОБ на высокой частоте при
икъ = 5 В, 4 = 30 мА, f= 100 МГц для
2Т642А-2, 2Т642А-5, КТ642А-2, КТ642А-5,
не более................................. 1,8 • 10~3
Емкость коллекторного перехода
при t/KB = 15 В.......................... 0,9*...1*...
1,1 пФ
Емкость эмиттерного перехода при U3b = 0. 1,3*... 1,7*...
1,9 пФ
Обратный ток коллектора при'Е/кв = 20 В,
не более:
7 = +25 °C........................... 1 мА
7 = -60 °C для 2Т642А-2.............. 1 мА
7 = +125 °C для 2Т642А-2............. 5 мА
Обратный ток эмиттера при U3b = 2 В,
не более:
7 = +25 °C........................... 0,1 мА
7 = -60 °C для 2Т642А-2.............. 0,1 мА
Г = +125 °C для 2Т642А-2............. 5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база. 20 В
Постоянное напряжение эмиттер—база... 2 В
Постоянный ток коллектора............ 60 мА
1 Фаза коэффициента передачи тока связана с граничной частотой коэффи-
циента передачи тока соотношением
= </агд(Л,2Б).
где f — частота, на которой измеряют агд(Л,2Б).
60
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Тк = —60...+75 °C.............. 0,5 Вт
Средняя рассеиваемая мощность коллектора’
при 7"к = “60...+75 °C................... 0,5 Вт
Температура р-п перехода................... +150	°C
Температура окружающей среды............. -60...	Тк =
= +125 °C
’ При 7"к > +75 °C постоянная и средняя рассеиваемая мощность коллектора
рассчитываются по формуле
Рк,макс = (150 - Гк)/150, Вт.
Технология монтажа транзистора в гибридную схему, при-
меняемые детали и материалы должны обеспечить значение
теплового сопротивления собранного в гибридную схему тран-
зистора не более 150 °С/Вт.
При монтаже транзистора в составе гибридной схемы не-
обходимо выполнять следующие условия:
монтаж транзистора в составе гибридной схемы рекомен-
дуется осуществлять с помощью ультразвуковой пайки в инерт-
ной среде. Температура пайки не более +450 °C. В качестве
припоя должна применяться золотая прокладка толщиной
0,02 мм. Основание, на которое напаивается транзистор, долж-
но быть золоченое, толщина покрытия не менее 3 мкм;
присоединение выводов к контактным площадкам рекомен-
дуется проводить термокомпрессионной сваркой при темпера-
туре +350 °C в течение не более 3 с. В качестве вывода должна
применяться алюминиевая проволока диаметром 0,026 мм мар-
ки А5Е ЖКО.021.065 ТУ. Соединение вывода с контактной
площадкой должно выдерживать разрывное усилие не менее
1,5 гс;
выводы после присоединения не должны касаться планар-
ной структуры и боковых ребер транзистора;
не допускается смещение сварных точек, приводящее к
закорачиванию элементов структуры;
не допускается сильное натяжение и провисание выводов;
не допускается разрыв (пережатие) алюминиевой проволо-
ки в месте сварки.
После извлечения транзисторов из герметичной упаковки
изготовителя до присоединения выводов к контактным пло-
щадкам транзисторы должны находиться в специальной каме-
ре с инертной средой в течение не более 10 сут. В случае
использования части транзисторов из общей упаковки, неис-
пользованные транзисторы должны быть повторно упакованы
в герметичную тару. Требование на хранение в специальной
61
камере с инертной средой не более 10 сут распространяется
на повторно упакованные транзисторы с момента вскрытия
повторной упаковки.
Эквивалентная схема замещения транзисторов
КТ642А—2, КТ642А—5 в активном режиме:
Z.J = 0.5 нГн. t6 = 0,3 нГн, Z-, = 0,5 нГн, С, = 0,16 пФ, Сг = 0,28 пФ, С, = 2...5 пФ,
Сы = 0,12 пФ, Ск, = 0,12 пФ, Си = 0,5 пФ, гь - 3,5...5 Ом, гк = 1,5...2 Ом
Зависимость тока эмиттера от на-
пряжения эмиттер—база
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэф-
фициента полезного действия кол-
лектора от входной мощности
62
2Т643А-2, 2Т643Б-2, 2Т643А-5, КТ643А-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
схеме с общей базой в усилителях мощности и генераторах в
диапазоне частот 2...8 ГГц в составе гибридных интегральных
микросхем, микросборках, обеспечивающих герметизацию и
защиту транзисторов от воздействия влаги, соляного тумана,
плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного
давления. Транзисторы 2Т643А-2, 2Т643Б-2, КТ643А-2 —
бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибки-
ми выводами. Транзистор 2Т643А—5 выпускается в виде кри-
сталлов с контактными площадками без кристаллодержателя и
без выводов. Размер кристалла 0,4x0,4x0,06 мм. Транзисторы
маркируются условным кодом: 2Т643А—2 — одной зеленой
точкой, 2Т643Б—2 — одной желтой точкой, КТ643А—2 — дву-
мя зелеными точками. Тип прибора указывается на этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,2 г, кристал-
ла не более 0,0001 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2Т6Ш-2. Б-2) KT6UA-2
Электрические параметры
Выходная мощность на f= 7 ГГц при
Цб = 5 В, /к = 90 мА, Рвх = 200 мВт,
7к = +25 °C...........................
Модуль коэффициента обратной передачи на-
пряжения в схеме ОБ на высокой частоте при
<4б = 5 В, /к = 50 мА, f= 100 МГц.....
480...500*...
550* мВт
0,4 • 10“3*...
0,5 • 10"3*...
1,5-10-3
63
2ШЗА-5
Фаза коэффициента передачи тока в схе-
ме ОБ на высокой частоте при Ц,Б = 5 В,
f= 1 ГГц:
/к = 50 мА............................
/к = 130 мА.............................
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 1/кэ = 10 В, /к = 50 мА
для 2Т643Б—2:
Т= +25 °C........................
Т= +125 °C........................
Т= -60 °C............................
Обратный ток коллектора при ЦБ = 25 В:
Т= +25 °C...............................
Т= +125 °C, не более.................
Т = —60 °C, не более.................
9,5*...10,5*...
11,5°
13*...16*...25
50...95*...150*
1 >2Л21э мин---
2Л21Э макс
0>5Л21э мин---
0>7Л21Э макс
0,002*...0,1*...
1 мА
10 мА
1 мА
64
Обратный ток эмиттера при Ub3 = 3 В:
Г= +25 °C................................... 0,002*...0,02*
...0,1 мА
Т = +125 °C, не более.................... 10 мА
Т = —60 °C, не более..................... 0,1 мА
Емкость коллекторного перехода
при</к6=15В.................................. 1,2*..1,5*...
1,8 пФ
Емкость эмиттерного перехода при иъэ = 0,
не более..................................... 7 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база.... 25 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 3 В
Потенциал статического электричества.... 100	В
Постоянный ток коллектора............... 120	мА
Импульсный ток коллектора............... 120	мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —60...+50 °C.............. 1,1 Вт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус... 90 °С/Вт
Температура окружающей среды............ —60... Гк =
= +125 °C
’ При Гк > +50 “С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитываются по формуле
/’к. макс = (150 - Тк)/90, Вт.
Допускается использование транзисторов в диапазоне ча-
стот от 10 МГц до 2 ГГц в усилителях мощности и генераторах
при напряжении питания не более 10 В. При работе транзисто-
ра в усилителях мощности и генераторах на частотах 2...8 ГГц
постоянное напряжение питания на коллекторе транзистора
рекомендуется выбирать не более 15 В.
При монтаже транзистора в гибридной схеме рекоменду-
ется производить приклеивание кристаллодержатёля транзи-
стора к теплоотводящей поверхности монтажной платы тепло-
проводящим клеем УП—5—207М ТУ 6-05—241—208—79. Перед
нанесением клея кристаллодержатель транзистора и монтаж-
ная плата должны быть прогреты при +60 °C в течение 6 мин.
Клей должен быть нанесен тонким равномерным слоем. Со-
единение склеиваемых поверхностей производить прижатием
так, чтобы избыток клея равномерно выступал из-под основа-
ния. После приклеивания должна производиться подсушка при
+ 120 °C в течение 1 ч и при +150 °C в течение 2 ч. Разреша-
3-949	65
ется производить монтаж транзисторов в гибридной схеме
припайкой металлизированного основания к теплоотводящей
поверхности при температуре пайки не выше +180 °C, допус-
кается пайка при температуре не выше +200 °C в течение не
более 1 мин. Минимальное расстояние места пайки выводов от
кристаллодержателя 2 мм, температура пайки не выше +260 °C.
Допускается пайка на расстоянии 0,5 мм при температуре
+ 150 °C в течение не более 3 с. Перед пайкой выводы промы-
вают спиртом, а затем смачивают флюсом. Состав флюса: 10—
40% канифоли, 90—60% спирта.
Допускается не более трех раз изгиб выводов на расстоя-
нии не менее 1 мм от кристаллодержателя с радиусом закруг-
ления 1,5 мм. Разрешается откусывать выводы на расстоянии
не менее 1 мм от корпуса. .
Технология монтажа транзистора 2Т643А—5 в гибридной
схеме, применяемые детали и материалы должны обеспечить
значение теплового сопротивления собранного в гибридную
схему транзистора не выше 90 °С/Вт. Монтаж транзистора в
состав гибридной схеме рекомендуется осуществлять с по-
мощью ультразвуковой пайки в инертной среде. Температура
пайки +400...+450 °C. В качестве припоя должна применяться
золотая прокладка толщиной 0,02 мм.
Поверхность, на которую напаивается транзистор, должна
быть золоченая, толщина покрытия 3...4 мкм. Присоединение
выводов к контактным площадкам должно производиться тер-
мокомпрессионной сваркой при +300 ± 50 °C в течение 2...3 с.
В качестве выводов должна применяться алюминиевая прово-
лока АКО,9 ПМ—27 по ЯеО.021.139 ТУ. Соединение вывода с
контактной площадкой должно выдерживать разрывное уси-
лие не менее 1,5 гс. Выводы после термокомпрессии не долж-
ны касаться структуры и боковых ребер транзистора. Не до-
пускается смещение термокомпрессионных точек, приводящее
к закорачиванию элементов структуры. Не допускается силь-
ное натяжение и провисание выводов. Не допускается разрыв
(пережатие) выводов в местах термокомпрессионной сварки.
2Т647А-2, 2Т647А-5, КТ647А-2, КТ647А-5
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
генераторах й усилителях диапазона частот 1...10 ГГц в схеме
с общей базой при напряжении питания 15 В. Транзисторы
2Т647А-2, КТ647А—2 бескорпусные на кристаллодержателе с
гибкими выводами. На крышку транзистора наносится услов-
66
ная маркировка: 2Т647А—2 — две красные точки, КТ647А—2 —
одна красная точка. Транзисторы 2Т647А—5, КТ647А—5 вы-
пускаются в виде кристаллов с контактными площадками без
кристаллодержателя и без выводов для гибридных интеграль-
ных микросхем. Тип прибора указывается на этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,2 г, кристал-
ла не более 0,0002 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2Т6Ш-2, КТ6Ш-2
2Т6А7А-5, КТ647А -5
Электрические параметры
Выходная мощность на f- 10 ГГц при
= 15 В, /к = 60 мА, Рвх = 100 мВт.
170.. 200*...
240* мВт
3'
67
Коэффициент усиления по мощности на
f~ 10 ГГц при (/КБ = 15 В, /к = 60 мА,
Рвх = 100 мВт............................. 3...3.5*...
3,7* дБ
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра при f = 10 ГГц, (/КБ = 15 В, /к = 60 мА,
Рвх = 100 мВт............................. 22,..25*...26*%
Фаза коэффициента передачи тока в схе-
ме ОБ на высокой частоте при (/КБ = 5 В,
/х = 35 мА, f= 1 ГГц, не более............ 16°
Модуль коэффициента обратной передачи на-
пряжения в схеме ОБ на высокой частоте при
1/КБ = 5 В, /к = 35 мА, f = 100 МГц, не более .. 1,6 • 10-3
Емкость коллекторного перехода
при U№ = 15 В............................. 0,7*...0,85*...
1,5 пФ
Емкость эмиттерного перехода при 6/ЭБ = 0. 1,8*...2*...
2,5 пФ
Обратный ток коллектора при UKb = 18 В:
Г =+25 °C................................. 0,002*...0,05*
...1000 мкА
Т = +125 °C, не более................. 5 мА
Т = —60 °C, не более.................. 1 мА
Обратный ток эмиттера при (/ЭБ = 2 В,
не более:
Т= +25 и -60 °C....................... 0,2 мА
Г=+125°С.............................. 3 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база...... 18 В
Постоянное напряжение эмиттер—база........ 2 В
Потенциал статического электричества...... 100 В
Постоянный ток коллектора................. 90 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’ при Гк = —60...+80 °C............... 0,56 Вт
Средняя рассеиваемая мощность коллектора2
при 7"к = —60...+50 °C.................... 0,8 Вт
’ При Гк > +80 °C максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитываются по формуле
А. макс = (150 — Гк)/125, Вт.
г При Гк > +50 °C максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность
коллектора рассчитываются по формуле
А,ср,макс=(150- Гк)/125, Вт.
68
Температура р-п перехода................. +150	°C
Тепловое сопротивление переход—корпус... 125 °С/Вт
Температура окружающей среды............	—60... 7^ =
= +125 °C
При монтаже транзистора 2Т647А-2 в микросхему реко-
мендуется приклеивать основание кристаллодержателя к те-
плоотводящей поверхности монтажной платы теплопроводя-
щим клеем УП—5—207М по ТУ 6—05—241—208—79. Перед на-
несением клея кристаллодержатель и монтажная плата долж-
ны быть прогреты при +60 °C в течение 6 мин. Клей должен
быть нанесен тонким равномерным слоем, соединение поверх-
ностей производить так, чтобы избыток клея равномерно вы-
ступал из-под основания. После приклеивания должна произ-
водиться подсушка при +120 °C в течение 1 ч и при +150 °C в
течение 2 ч.
Разрешается производить монтаж транзисторов в микро-
схему припайкой металлизированного основания кристалло-
держателя к теплоотводящей поверхности при температуре пай-
ки не выше +180 °C. Изгиб выводов допускается не ближе 1 мм
от кристаллодержателя. Пайка выводов производится на рас-
стоянии 2 мм от кристаллодержателя при температуре +260 °C
в течение 3 с. Допускается пайка выводов на расстоянии 0,5 мм,
при этом температура пайки не более +150 °C в течение не
более 3 с. Допускается обрезать выводы на расстоянии не
менее 1 мм от кристаллодержателя. Допускается использо-
вание транзисторов в диапазоне частот 10 МГц...1 ГГц в усили-
телях и генераторах мощности при напряжении питания не
более 8 В.
Необходимо принимать меры по защите транзисторов от
статического электричества. Допустимое значение статическо-
го потенциала 100 В.
Технология монтажа транзистора 2Т647А—5 в гибридную
схему, применяемые детали и материалы должны обеспечить
значение теплового сопротивления переход—корпус, собран-
ного в гибридную схему транзистора не выше 125 °С/Вт.
При монтаже транзисторов в составе гибридной интеграль-
ной микросхемы необходимо выполнять следующие условия:
монтаж транзистора рекомендуется осуществлять с помо-
щью ультразвуковой пайки в инертной среде. Температура
пайки не более +450 °C. В качестве припоя должна применять-
ся золотая прокладка толщиной 0,02 мм. Поверхность, на
которую напаивается транзистор, должна быть золоченая, тол-
щина покрытия не менее 3...4 мкм;
присоединение выводов к контактным площадкам должно
69
производиться термокомпрессионной сваркой при температур
ре +360 °C в течение не более 3 с. В качестве вывода должна
применяться алюминиевая проволока АКО,9 ПМ—27 ЯеО.
021.139 ТУ. Соединение вывода с контактной площадкой дол-
жно выдерживать разрывное усилие не менее 1,5 гс;
выводы после термокомпрессии не должны касаться струк-
туры и боковых ребер транзистора;
не допускается смещение термокомпрессионных точек,
приводящее к закорачиванию элементов структуры;
не допускается сильное натяжение и провисание выводов;
не допускается разрыв (пережатие) вывода в месте термо-
компрессионной сварки.
После извлечения транзисторов из герметичной или влаго-
защитной упаковки изготовителя до присоединения выводов к
контактным площадкам транзисторы должны находиться в спе-
циальной камере с инертной средой в течение не более 10 сут.
В случае использования части транзисторов из общей упаков-
ки^ неиспользованные транзисторы должны быть повторно
упакованы в герметичную тару. Требование на хранение в
специальной камере с инертной средой не более 10 сут рас-
пространяется на повторно упакованные транзисторы с мо-
мента вскрытия вторичной упаковки.
Эквивалентная схема замещения транзисторов
КТ647А—2, КТ647А—5 в активном режиме:
L3 = 0,5 нГн, £Б = 0,3 нГн, = 0,5 нГн, С, = 0,2 пФ, С} = 0,3 пФ, Сэ = 2...5 пФ,
Скз = 0,1 пФ, Ск, = 0,12 пФ, С„ = 0,5 пФ, гБ = 2,8 Ом, г, = 0,8 Ом
70
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэффи-
циента полезного действия коллек-
тора от входной мощности
0	5	10	15	Uкб. В
Зависимость тока эмиттера от на-
пряжения эмиттер—база
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэффи-
циента полезного действия коллек-
тора от напряжения коллектор—
база
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэффи-
циента полезного действия коллек-
тора от тока коллектора
2Т648А-2, 2Т648А-5, KT648A-2, КТ648А-5
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
генераторах и усилителях в диапазоне частот 1...12 ГГц в
схеме с общей базой в составе гибридных интегральных ми-
кросхем. Транзисторы 2Т648А-2, КТ648А-2 бескорпусные на
кристаллодержателе с гибкими выводами. На крышку транзи-
стора наносится условная маркировка: 2Т648А-2 — две чер-
71
ные точки, КТ648А-2 — знак ««» черного цвета. Транзисторы
2Т648А—5, КТ648А—5 выпускаются в виде кристаллов с кон-
тактными площадками без кристаллодержателя и без выво-
дов. Тип прибора указывается на этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,2 г, кристал-
ла не более 0,0001 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2Т648А-2, КТ648А-2
2Т648А-5, КТ648А-5
0.43	0072
72
Электрические параметры
Выходная мощность на f- 12 ГГц при
(/КБ = 12 В, /к = 50 мА, Рвх = 25 мВт,
7К = +25 °C, не менее.................. 40 мВт
типовое значение.................... 50* мВт
Коэффициент усиления по мощности на
12 ГГц при U№ = 12 В, /к = 50 мА,
Рвх = 25 мВт, Гк = +25 °C, типовое значение.. 3* дБ
фаза коэффициента передачи тока1 в схе-
ме ОБ на высокой частоте при б/КБ = 5 В,
/к = 20 мА, f= 1 ГГц, не более......... 14°
Емкость коллекторного перехода
при t/KB = 40 В, не более.............. 1,5 пФ
Обратный ток коллектора при (/КБ = 18 В,
не более:
Т= +25 и -60 °C..................... 1 мА
Т= +125 °C.......................... 10 мА
Обратный ток эмиттера при (Уэь = 2 В,
не более:
7= +25 и -60 °C..................... 0,2 мА
Т= +125 °C.......................... 2 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база... 18 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 2 В
Потенциал статического электричества... 30 В
Постоянный ток коллектора.............. 60 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 2 при Гк = —60...+45 °C.......... 0,42 Вт
Средняя рассеиваемая мощность коллектора3
при Гк = -60...+45 °C.................. 0,6 Вт
Температура р-п перехода............... +150 °C
1 Фаза коэффициента передачи тока в схеме ОБ на высокой частоте связана
с граничной частотой коэффициента передачи тока соотношением
4р = ^/агд(Л12Б),
где f — частота, на которой измеряется агд(Л12Б).
2 При Т > +45 °C максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность
коллектора рассчитываются по формуле
Рк. ср, макс = (150 - Г,)/175, Вт.
3 При Т > +45 °C максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора устанавливается, равной 0,7PK срfMAKC для соответствующего
значения температуры.
73
Тепловое сопротивление переход—корпус  175 °С/Вт
Температура окружающей среды............ —6О...ТК =
= +125 °C
Допускается производить монтаж транзисторов 2Т648А—2,
КТ648А—2 в гибридной схеме припайкой металлизированного
основания кристаллодержателя к теплоотводящей поверхно-
сти при температуре не выше +180 °C или не выше +200 °C в
течение не более 1 мин.
Минимальное расстояние места пайки выводов от кристал-
лодержателя 1,5 мм. Температура пайки не выше +260 °C,
время пайки не более 3 с. Допускается пайка выводов не
ближе 0,5 мм от кристаллодержателя, при этом температура
пайки не должна превышать +150 °C.
Не рекомендуется использовать питающие напряжения
коллектор—база более 12 В.
Допускается использование транзистора на частотах ниже
1 ГГц при напряжении питания коллектора не более 8 В.
Технология сборки транзисторов 2Т648А—5, КТ648А—5 в
гибридную микросхему должна обеспечить значение теплово-
го сопротивления переход—корпус не более 175 °С/Вт.
Монтаж транзистора в составе гибридных микросхем ре-
комендуется осуществлять с помощью ультразвуковой пайки в
инертной среде. Температура пайки +400...+450 °C. В качест-
ве припоя должна применяться золотая прокладка толщиной
0,02 мм. Поверхность, на которую напаивается транзистор,
должна быть золоченая, толщина покрытия 3...4 мкм.
Присоединение выводов к контактным площадкам должно
производиться термокомпрессионной сваркой при температу-
ре не более +410 °C в течение не более 3 с. В качестве вывода
должна применяться алюминиевая проволока АК 0,9 ПМ диа-
метром 27 мкм ЯеО.021.139 ТУ. Соединение вывода с контакт-
ной площадкой должно выдерживать разрывное усилие не
менее 1 гс.
После извлечения транзисторов из упаковки изготовителя
до присоединения выводов к контактным площадкам транзи-
сторы должны находиться в специальной камере с инертной
средой не более 10 сут. В случае использования части тран-
зисторов из общей упаковки, неиспользованные транзисторы
должны быть повторно упакованы в герметичную тару. Требо-
вание на сохраняемость в течение 10 сут распространяется на
повторно упакованные транзисторы с момента вскрытия вто-
ричной упаковки.
Защитное покрытие транзистора — компаунд по ЭКМ ЫУО.
028.000 ТУ.
74
Эквивалентная схема замещения транзисторов
КТ648А—2, КТ648А—5 в активном режиме:
L3 а 0,5 нГн, = 0,3 нГн, Z.K = 0,5 нГн, С, = С2 - 0,3 пФ, С3 = 1 пФ,
Скэ = 0,1 пФ, СХ1 = 0,12 пФ, Ск2 = 0,3 пФ, гь = 5 Ом, = 2 Ом
Сз.пФ
argfhm),градус
		КТ648А-2 КТ648А-5	
			
			
	lt--20/iA (=1ГГц	КТ648А-2 К ШВА-5	
			
			
0.5	1	1.5 Ux.B
5 т 15 и*ь.В
Зависимость емкости эмиттерного
перехода от напряжения эмиттер-
база
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэффи-
циента полезного действия коллек-
тора от напряжения коллектор—
база
Зависимость аргумента коэффици-
ента передачи тока на высокой ча-
стоте от напряжения коллектор—
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэффи-
циента полезного действия коллек-
тора от тока коллектора
75
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэф-
фициента полезного действия кол-
лектора от входной мощности
Зависимость модуля коэффициен-
та обратной передачи напряжения
в схеме ОБ от напряжения коллек-
тор—база
Зависимость емкости коллекторно-
го перехода от напряжения коллек-
тор-база
Зависимость аргумента коэффици-
ента передачи тока на высокой ча-
стоте от тока коллектора
Зависимость модуля коэффициен-
та обратной передачи напряжения
в схеме ОБ от тока коллектора
76
2Т657А-2, 2Т657Б-2, 2Т657В-2,
КТ657А-2, КТ657Б-2, КТ657В-2,
КТ657А—5, КТ657Б-5, КТ657В-5
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
генераторах и усилителях в диапазоне частот до 2 ГГц в схеме
с общим эмиттером в составе гибридных интегральных микро-
схем, микросборок. Транзисторы 2Т657А-2—2Т657В—2,
КТ657А—2-КТ657В—2 бескорпусные на керамическом кри-
сталлодержателе с гибкими выводами. Транзисторы маркиру-
ются условным цветным кодом: 2Т657А—2 — красный знак,
2Т657Б—2 — красный знак и точка красного цвета, 2Т657В—2 —
красный знак и точка желтого цвета, КТ657А—2 — синий знак,
КТ657Б—2 — синий знак и красная точка, КТ657В—2 — синий
знак и желтая точка. Транзисторы КТ657А—5—КТ657В—5 вы-
пускаются в виде кристаллов с контактными площадками без
кристаллодержателя и без выводов. Тип прибора указывается в
этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,2 г, кристал-
ла не более 0,0002 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2Т657(А-2,Б-2,В-2), КТ657(А-2,Б-2,В-2)
Электрические параметры
Выходная мощность на f- 2 ГГц при
8*у, ₽ = 2 дБ, i/кв = 7 В, /э = 45 мА, Тк = +25 °C. 50... 120* мВт
77
КТ657(А-5,Б-5,В-5)
Коэффициент усиления по мощности
на f= 2 ГГц при </КБ = 7 В, /э = 45 мА........ 8...12*...
12,5* дБ
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при - 6 В, /э = 30 мА:
2Т657Б-2:
7 = +25 ‘С............................ 60... 150*...200
7=+125 °C............................. 150...205*...240
7=-60 °C.............................. 40...65*...130
2Т657В-2:
7=+25 °C.............................. 35...49*...70
7=+125 °C............................. 46...70*..90
7=-60 °C.............................. 22...44...60*
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 6/КБ = 5 В, /э = 30 мА.... 3...7.1*...
8,9* ГГц
Модуль коэффициента обратной передачи на-
пряжения на высокой частоте при (/КБ = 5 В,
/к = 30 мА, f= 100 МГц........................ 0,9 • 10~3*...
1 • ю-3*...
1,8- 101
Емкость коллекторного перехода
при U№ = 15 В................................. 0,9*...1*...
1,1 пФ
.78
Емкость эмиттерного перехода при иэь = 0  1,3*... 1,7*...
1,9 пФ .
Обратный ток коллектор—эмиттер
при ^кэ = 12 В, /?БЭ = 1 кОм, не более... 1 мА
Обратный ток эмиттера при U3b = 2 В,
не более................................. 0,1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?бэ = 1 кОм......................... 12 В
Постоянное напряжение эмиттер—база....... 2 В
Постоянный ток коллектора................ 60 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —60...+60 °C............... 0,375 Вт
Температура р-п перехода................. +135 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус.... 200 °С/Вт
Температура окружающей среды............. —60... Гк =
= +125 °C
' При Ги>+60 "С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
Рк.ммс = (135- 7J/20Q, Вт.
Допустимое значение статического потенциала 100 В.
Минимальное расстояние места пайки выводов от кристал-
лодержателя 2 мм. Температура пайки не выше +260 °C, вре-
мя пайки не более 3 с. Припой ПОС—61. Допускается пайка и
сварка выводов на расстоянии 0,5 мм от кристаллодержателя,
при этом температура кристаллодержателя не должна превы-
шать +150 °C. Перед пайкой выводы промывают спиртом, а
затем смачивают флюсом. Состав флюса; 10—40% канифоли,
90—60% спирта.
При монтаже транзистора в гибридную схему рекоменду-
ется приклеивать основание кристаллодержателя к теплоотво-
дящей поверхности монтажной платы теплопроводящим клеем
УП-5—207М ТУ 6-05—241-208—79. Перед нанесением клея
кристаллодержатель транзистора и монтажная плата должны
быть прогреты при +65 °C в течение 6 мин. Клей должен быть
нанесен тонким равномерным слоем, соединение склеиваемых
поверхностей производить прижатием так, чтобы избыток клея
равномерно выступал из-под основания. Не допускается нали-
чие щелей и свищей. После приклеивания должна произво-
диться подсушка при +125 °C в течение 1 ч и при +150 °C в
течение 2 ч.
79
Разрешается монтаж транзисторов в гибридную схему про-
изводить припайкой металлизированного основания кристал-
лодержателя к теплоотводящей поверхности при температуре
пайки не выше +180 °C.
Допускается при монтаже транзисторов в схему обрезать
выводы на расстоянии не менее 1 мм от кристаллодержателя.
При этом усилие не должно передаваться на место присоеди-
нения вывода к кристаллодержателю.
Технология сборки транзисторов КТ657А—5—КТ657В—5 в
гибридную схему, применяемые детали и материалы должны
обеспечить значение теплового сопротивления смонтирован-
ного в гибридную схему транзистора не выше +200 °С/Вт.
Монтаж транзистора должен осуществляться с помощью
ультразвуковой пайки в инертной среде, при +400...+450 °C. В
качестве припоя должна применяться золотая прокладка тол-
щиной 0,02 мм. Поверхность, на которую напаивается тран-
зистор, должна быть золоченая, толщина покрытия 3...4 мкм.
Присоединение выводов к контактным площадкам должно про-
изводиться термокомпрессионной сваркой при +340 ± 10 °C в
течение 2...3 с. В качестве выводов должна применяться алю-
миниевая проволока АК—0,9 ПМ—27 ЯеО.021.139 ТУ. Соеди-
нение вывода с контактной площадкой должно выдерживать
разрывное усилие не менее 1,5 гс. Выводы после присоедине-
ния не должны касаться структуры и боковых ребер транзи-
стора. Не допускается смещение термокомпрессионных точек,
приводящее к закорачиванию элементов структуры. Не допус-
кается сильное натяжение и провисание выводов. Не допуска-
ется разрыв, пережатие выводов в месте термокомпрессион-
ной сварки. После извлечения транзисторов из упаковки изго-
товителя до присоединения к контактным площадкам, тран-
зисторы должны находиться в специальной камере с инертной
средой не более 10 сут.
Зависимости коэффициентов уси-
ления и шума от тока эмиттера
80
Эквивалентная схема замещения транзисторов КТ657А—2—КТ657В—2,
КТ657А—5—КТ657В—5 в активном режиме:
Д6 = 0,5 нГн, L3 = 0,3 нГн, £к = 0,5 нГн, С, - 0,2 пФ, С2 - 0,2 пФ, Ск2 = 0,5 пФ,
СК1 = 0,12 пФ, С, = 1 пФ, С„ = 0,1 пФ, т6 = 3,5...5 Ом, гк = 1,5...2 Ом
Зависимость тока базы от напря-
жения база—эмиттер
Зависимость тока эмиттера от на-
пряжения база—эмиттер
О 2 С 6 8 10 икз,В
Выходные характеристики
Рвы. нВт
Зависимости выходной мощности
от входной мощности
81
КТ659А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п переключательный. Предназначен для применения
в высокоскоростных переключающих устройствах. Выпускает-
ся в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора не более 1,5 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в
схеме ОЭ при £/кэ = 1 В, /к = 300 мА, не менее 35
типовое значение...................... 125
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при £/кэ = 10 В, /к = 100 мА,
/= 100 МГц, не менее..................... 3
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер:
при /к = 1 А, /Б = 0,1 А, не более.... 0,9 В
типовое значение...................... 0,36* В
при /к = 0,1 А, /Б = 0,01 А, не более. 0,26 В
типовое значение...................... 0,11* В
Время включения при /к = 1 А, /Б = 0,1 А,
не более................................. 40 нс
типовое значение...................... 11* нс
Время выключения при /к = 1 А, /Б = 0,1 А,
не более................................. 80 нс
типовое значение...................... 60* нс
Емкость коллекторного перехода
при {/КБ = 10 В, не более................ 10 пФ
типовое значение...................... 6* пФ
82
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база.... 60 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер . 50 В
Постоянное напряжение база—эмиттер........ 6 В
Постоянный ток коллектора............... 1,2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —45...+25 °C.............. 1 Вт
Температура р-п перехода................ +180 °C
Тепловое сопротивление переход—среда.... 155 °С/Вт
Температура окружающей среды............ —45...+85 °C
1 При Т > +25 °C постоянная рассеиваемая мощность коллектора определя-
ется из выражения
*Vmakc=(180- П/155, Вт.
Зависимости тока базы
от напряжения база—
эмиттер
Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эмиттер от тока
коллектора
Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от то-
ка коллектора
2Т671А-2
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п генераторный. Предназначен для применения в уси-
лителях мощности и генераторах в диапазоне частот 2...8,5 ГГц
в схеме ОБ при напряжении питания 13 В в составе гибридных
микросхем. Бескорпусный на кристаллодержателе с гибкими
выводами. На корпус транзистора наносят условный знак —
букву «Т» черной краской. Тип прибора указывается в эти-
кетке.
83
Масса транзистора не более 0,115 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2Т671А-2
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте f= 8,5 ГГц
при Un = 12 В, /к = 120 мА, Рвх = 100 мВт. 300...350*...
400 мВт
Коэффициент усиления по мощности на ча-
стоте f= 8,5 ГГц при Un = 12 В, /к = 120 мА,
Рвх = 100 мВт............................. 4,8*...5,1*...
6* дБ
Коэффициент полезного действия частоте
на 8,5 ГГц при Un = 12 В, /к = 120 мА,
Рвх =-100 мВт, типовое значение........... 25*%
Фаза коэффициента передачи тока в схе-
ме ОБ на высокой частоте f~ 1 ГГц, при
(/КБ = 5 В, = 100 мА...................... 5,7*...5,8*...13°
Емкость коллекторного перехода
при (/КБ = 5 В, типовое значение.......... 1,45* пФ
Обратный ток коллектора при U№ = 15 В,
не более:
Т= +25 и -60 °C....................... 1 мА
Г=+125°С............;................. 5 мА
Обратный ток эмиттера при иэъ = 1,5 В,
не более:
Г=+25 и-60 °C......................... 0,4 мА
Г=+125“С.............................. 5 мА
84.
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания........... 13 В
Постоянное напряжение коллектор—база.... 15 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 1,5 В
Постоянный ток коллектора............... 0,15 А
Импульсный ток коллектора............... 0,15 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’ при Л/КБ = 8 В, Гк = —60...+63 °C. 0,9 Вт
Средняя рассеиваемая мощность коллектора в
динамическом режиме2 при Гк = —60...+50 °C. 1,3 Вт
Температура р-п перехода................ +190 °C
Тепловое сопротивление переход—кристалло-
держатель............................... 130 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—кристалло-
держатель в динамическом режиме......... 100 °С/Вт
Температура окружающей среды............ —6О...ТК =
= +125 °C
1	При 7К > +63 °C постоянная рассеиваемая мощность коллектора определя-
ется из выражения
А. макс = (190 - 7к)/130, Вт.
2	При 7К > +50 °C средняя рассеиваемая мощность коллектора определяет-
ся из выражения
А, о. макс = (190 - 7к)/100, Вт.
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэффи-
циента полезного действия коллек-
тора от входной мощности
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэффи-
циента полезного действия коллек-
тора от напряжения питания
85
2Т682А-2, 2Т682Б—2, КТ682А-2, КТ682Б-2,
КТ682А-5, КТ682Б-5
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п усилительные с нормированным коэффициентом
шума на частоте 3,6 ГГц. Предназначены для применения в
малошумящих усилителях с расширенным динамическим диа-
пазоном в составе гибридных интегральных микросхем, ми-
кросборок. Транзисторы 2Т682А—2, 2Т682Б—2, КТ682А—2,
КТ682Б—2 бескорпусные на металлокерамическом кристалло-
держателе с гибкими полосковыми выводами. Транзисторы
маркируются цветными точками: КТ682А—2 — одна зеленая,
КТ682Б—2 — две зеленые, 2Т682А—2 — знаком «V» синего
цвета у базового вывода, 2Т682Б—2 — знаком «V» черного
цвета у базового вывода. Транзисторы КТ682А-^5, КТ682Б—5
выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками
без кристаллодержателя и без выводов. Тип прибора указыва-
ется в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,13 г, кри-
сталла не более 0,002 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2Т682(А-2,Б-2). Ш821А-2.Б-2)
ев
КТ682(А-5,Б-5)
Электрические параметры
Минимальный коэффициент шума
на f= 3,6 ГГц при (/КБ = 7 В, /э = 20 мА. 3,2* ..3,3* ..
4 дБ
Оптимальный коэффициент усиления по мощ-
юсти на f = 3,6 ГГц при (/КБ = 7 В, /э = 20 мА 7...8,7*...
9,2* дБ
Коэффициент шума на f= 65 МГц при
<4, = 5 В, /э = 10 мА, R, = /?н = 50 Ом......... 1,3*...1,52*...
2*
Порог перегрузки при t/K6 = 6 В, /э = 30 мА,
типовое значение.................................. 55	мВт
87
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при (/КБ = 7 В, /э = 20 мА:
Т= +25 °C:
2Т682А-2, КТ682А-2, КТ682А-5 ....... 40...50* ..75*
2Т682Б-2, КТ682Б-2, КТ682Б-5........ 8О...1ОО*...12О*
Т= +125 °C:
2Т682А-2, КТ682А-2, КТ682А-5,
не менее........................... 40
2Т682Б-2, КТ682Б-2, КТ682Б-5,
не менее........................... 80
Т= -60 °C:
2Т682А-2, КТ682А-2, КТ682А-5,
не менее........................... 20
2Т682Б-2, КТ682Б-2, КТ682Б-5,
не менее........................... 40
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при (/КБ = 7 В, /э = 20 мА. 4,4*...4,7*...
5,7* ГГц
Емкость коллекторного перехода
при </КБ = Ю В............................. 0,7*...0,8*...
0,9* пФ
Емкость эмиттерного перехода при иэъ = 0... 4,3*...4,4*...
4,9* пФ
Обратный ток коллектора при (/КБ = 10 В,
не более:
Т= +25 и -60 °C........................ 1 мкА
Т= +125 °C............................. 20 мкА
Обратный ток эмиттера при С/БЭ = 1 В,
не более:
Т= +25 и -60 °C........................ 20 мкА
Г=+125°С............................... 200 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база....... 10 В
Постоянное напряжение эмиттер—база......... 1 В
Потенциал статического электричества....... 30 В
Постоянный ток коллектора.................. 50 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Гк = —60...+60 °C................ 330 мВт
1 При Гк > +60 °C максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитываются по формуле
Рк, макс = (150 — Гк)/250, Вт.
88
Температура р-п перехода................. +150	°C
Тепловое сопротивление переход—корпус... 250 °С/Вт
Температура окружающей среды........... —60...	Тк =
= +125 °C
Перед пайкой выводы промывают спиртом, а затем смачи-
вают активированным флюсом. Допускается пайка выводов на
расстоянии 1 мм от кристаллодержателя. Рекомендуется ис-
пользовать серебряно-индиевые припои. Температура пайки не
выше +260 °C, время пайки не более 3 с. Допускается пайка
выводов на расстоянии не менее 0,2 мм от кристаллодержателя
при температуре пайки не выше +160 °C, допускается однора-
зовый изгиб выводов на расстоянии 1 мм от кристаллодержа-
теля с радиусом закругления 0,5 мм. Допускается обрезка
выводов на расстоянии 1 мм от кристаллодержателя. Монтаж
транзистора в составе гибридной схемы производить припай-
кой металлизированного основания кристаллодержателя к те-
плоотводящей поверхности при температуре пайки не выше
+180 °C или приклеиванием основания кристаллодержателя
транзистора к теплоотводящей поверхности монтажной платы
клеем УП—5—207 М ТУ 6—05—241—208—79. Перед нанесением
клея кристаллодержатель транзистора и монтажная плата дол-
жны быть прогреты при +60 °C в течение 6 мин. После прикле-
ивания должна производиться подсушка при +120 °C в течение
1 ч и при +150 °C в течение 2 ч. Материал выводов — лента
ДПРНТ МО,6x0,1 по ГОСТ 2170.
Монтаж транзисторов КТ682А—5, КТ682Б—5 в составе ги-
бридной схемы рекомендуется осуществлять с помощью уль-
тразвуковой пайки в инертной среде при температуре +400...
+450 °C. В качестве припоя должна применяться золотая про-
кладка толщиной 0,02 мм. Основание, на которое напаивается
транзистор, должно быть золоченое, толщина покрытия 3...
4 мкм. Присоединение выводов к контактным площадкам ре-
комендуется производить термокомпрессионной сваркой при
+300 ± 50 °C в течение 2...3 с. В качестве вывода должна
применяться золотая проволока Зл 999,9—0,015. Соединение
вывода с контактной площадкой должно выдерживать разрыв-
ное усилие не менее 1 гс. Выводы после термокомпрессион-
ной сварки не должны касаться планарной структуры и боко-
вых ребер транзистора.
После извлечения транзисторов из упаковки изготовителя
До присоединения к контактным площадкам, транзисторы дол-
жны находиться в специальной камере с инертной средой не
более 10 сут.
89
Зависимости коэффициента шума и
коэффициента усиления от частоты
Зависимости коэффициента шума
от тока эмиттера
Зависимости коэффициента шума
от напряжения коллектор—база
Зависимости коэффициента усиления
от напряжения коллектор—база
Зависимости коэффициента усиле-
ния от тока эмиттера
Зависимости тока .базы от напря-
жения база—эмиттер
90
Зависимости тока эмиттера от на-
пряжения эмиттер—база
Зависимости коэффициентов уси-
ления и шума от частоты
Выходные характеристики
2Т688А-2, 2Т688Б-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
генераторах и усилителях в диапазоне частот 3...15 ГГц в
схеме с общей базой. Бескорпусные на кристаллодержателе с
гибкими выводами. Приборы маркируются цветными точками:
2Т688А-2 — черной, 2Т688Б—2 — красной. Тип прибора
Указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,1 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
91
2Т688(А-2,Б-2)
Электрические параметры
Выходная мощность при UKb = 7 В,
/к = 100 мА:
2Т688А—2 на f = 15 ГГц при Рвх = 25 мВт,
не менее............................ 40 мВт
типовое значение.................... 50* мВт
2Т688Б—2 на f= 12 ГГц при Рвх = 50 мВт,
не менее............................ 80 мВт
типовое значение.................... 100* мВт
Выходная мощность на f - 7 ГГц при
t/KB = 8 В, /к = 70 мА, Рвх = 25 мВт, типовое
значение............................... 250 мВт
Коэффициент усиления по мощности при
t/KB = 7 В, /к = 100 мА для 2Т688А—2 на
f= 15 ГГц, для 2Т688Б—2 на f= 12 ГГц,
не менее............................... 1,6
Коэффициент усиления на Г = 7 ГГц
при t/KB = 8 В, /к = 70 мА, типовое значение ... 10*
Фаза коэффициента передачи тока в схе-
ме ОБ на высокой частоте при £/КБ = 5 В,
/к = 50 мА, f= 1 ГГц:
2Т688А-2............................ 9°
2Т688Б-2............................ 10°
92
Емкость коллекторного перехода
при М<б = 8 В, типовое значение........ 1,1* пФ
Емкость эмиттерного перехода при (/ЭБ = О,
типовое значение....................... 2,4* пФ
Обратный ток коллектора при (/КБ = 16 В,
не более:
Т= +25 и -60 °C..................... 1 мА
7"=+125 °C.......................... 5 мА
Обратный ток эмиттера при (/ЭБ = 1 В,
не более:
Т = +25 и -60 °C.................... 0,5 мА
Г=+125 °C........................... 2 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база... 16 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 1 В
Постоянный ток коллектора.............. 100 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —60...+25 °C............. 0,75 Вт
Температура р-п перехода............... +175 °C
Тепловое сопротивление переход—кристалло-
держатель.............................. 200 °С/Вт
Температура окружающей среды........... —60... Гк =
= +125 °C
’ При Тк > +25 °C максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
А. макс = (175 - Гк)/200, Вт.
Допускается использование транзисторов на частотах ниже
3 ГГц при напряжении источника питания коллектор—база не
более 8 В.
При монтаже транзисторов в гибридную схему рекоменду-
ется производить приклеивание основания кристаллодержате-
ля транзисторов к теплоотводящей поверхности монтажной
платы теплоотводящим клеем УП—5—2О7М ТУ 6-05—241-208—
85- Перед нанесением клея кристаллодержатель транзистора
и монтажная плата должны быть прогреты при +60 °C в тече-
ние 6 мин. Клей должен быть нанесен тонким равномерным
слоем, соединение склеиваемых поверхностей производить
прижатием так, чтобы избыток клея равномерно выступал из-
под основания. Не допускается наличие щелей и свищей. По-
сле приклеивания производится подсушка при +120 °C в тече-
ние 1 ч и при +150 °C в течение 2 ч. Допускается производить
Монтаж транзисторов в гибридную схему припайкой основания
Кристаллодержателя к теплоотводящей плате при температуре
93
пайки не выше +180 °C. Допускается производить монтаж
транзисторов в гибридную схему припайкой при температуре
пайки не выше +200 °C в течение не более 3 мин.
Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 2 мм
от кристаллодержателя с радиусом закругления 0,5 мм.
Припайка выводов осуществляется методом сварки или
бесфлюсовой пайкой расщепленным электродом. Минималь-
ное расстояние места присоединения вывода от кристаллодер-
жателя 0,5 мм. Температура пайки не более +260 ’С, время
пайки не более 3 с. Допускается при монтаже транзисторов
обрезать выводы на расстоянии не менее 1 мм от кристалло-
держателя. При этом усилие не должно передаваться на место
приварки вывода к кристаллодержателю.
Эквивалентная схема замещения 2Т688А—2, 2Т688Б—2:
С, = 0,17 пФ, С2 = 0,2 пФ, = 0,1 нГи, = 0,35 нГн, L* = 0,18 нГн,
Сэ = 2,4 пФ, Ск, = 0,15 пФ при U№ = 5 В, Си = 0,6 пФ при </к6 = 5 В,
Сж = 0,08 пФ, /?в = 2,5 Ом, R* = 1,2 Ом, R3 - кГ/ql,
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэф-
фициента полезного действия от
входной мощности
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэф-
фициента полезного действия от
входной мощности
94
Зависимости выходной мощности, ко*
эффициента усиления и коэффициента
полезного действия от входной мощ-
ности
КТ695А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п генераторный. Предназначен для применения в ви-
деотехнике. Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими
выводами. Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,2 г.
Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элекс», г. Александров.
КТ695А
95
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при £/КБ = 10 В, /э = 1 мА:
Г =+25 °C......................... 50...220
Г=+100°С.......................... 50...400
Г =-60 °C.......................... 10...80
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при U№ = 10 В, /э = 1 мА,
не менее............................... 300 МГц
Граничное напряжение при /э = 10 мА,
не менее............................... 25 В
Емкость коллекторного перехода
при (/КБ = 10 В, не более.............. 1,5 пФ
Обратный ток коллектора при (/КБ = 30 В,
не более:
Т= +25 и -60 °C.................... 0,1 мкА
Г=+100°С........................... 10 мкА
Обратный ток эмиттера при иэъ = 4 В,
не более:
Т= +25 и -60 °C.................... 0,1 мкА
Г=+100°С........................... 10 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база... 30 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 10 кОм...................... 25 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 4 В
Постоянный ток коллектора.............. 30 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —60...+25 °C............. 0,45 Вт
Температура р-п перехода............... +150 °C
Тепловое сопротивление переход—среда... 255 °С/Вт
Температура окружающей среды........... —60...+100 “С
1 При Т > +25 “С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
А, МАКС = (150 - Г)/255, Вт.
Допустимое значение статического потенциала 500 В.
Транзисторы пригодны для юнтажа в аппаратуре методом
групповой пайки и паяльником. Расстояние от корпуса до места
лужения и пайки по длине вывода не менее 1 мм. Число допус-
тимых перепаек выводов транзисторов при проведении мон-
тажных операций — 2. При включении транзисторов в электри-
ческую цепь, находящуюся под напряжением, базовый вывод
необходимо присоединять первым и отключать последним.
96
2Т904А, КТ904А, КТ904Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
усилителях мощности, умножителях частоты и автогенерато-
рах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами и монтажным винтом. Тип прибора указывается на
корпусе.
Масса транзистора не более 6 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
2ТША, КТ90Ш.Б)
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте f- 400 МГц
при £/кэ = 28 В, не менее:
2Т904А, КТ904А........................... 3 Вт
КТ904Б................................ 2,5 Вт
Коэффициент усиления по мощности на ча-
стоте f- 400 МГц при £/кэ = 28 В, не менее:
2Т904А, КТ904А при Рвых = 3 Вт........ 2,5
КТ904Б при Рвых = 2,5 Вт.............. 2
Выходная мощность на частоте f- 100 МГц
при £/кэ = 28 В, Рвх = 1 Вт для 2Т904А, типо-
вое значение............................. 8* Вт
Коэффициент полезного действия коллектора
при (/кэ = 28 В:
на частоте /= 400 МГц, не менее.......... 30%
типовое значение...................... 40*%
на частоте f- 100 МГц, типовое значение. 73*%
4-949	97
Статический коэффициент передачи тока в
схеме ОЭ при = 5 В, 4 = 0,25 А, не менее 10*
типовое значение...................... 30*
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при = 28 В, 4 = 200 мА,
f= 100 МГц, не менее:
2Т904А, КТ904А........................ 3,5
КТ904Б................................. 3
Граничное напряжение при 4 = 0,2 А,
не менее.................................. 40* В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 0,25 А, /Б = 0,05 А, типовое значение 0,3* В
Напряжение насыщения база—эмиттер при
/к = 0,25 А, 4 = 0.05 А, типовое значение.. 0,9* В
Критический ток на частоте f= 100 МГц
при UK3 = 10 В, не менее:
2Т904А, КТ904А........................... 400 мА
КТ904Б................................. 300 мА
2Т904А, КТ904А,	типовое значение...... 800* мА
Постоянная времени цепи обратной связи на
высокой частоте при (/КБ = 10 В, /э = 30 мА,
/= 5 МГц, не менее:
2Т904А, КТ904А........................... 15 пс
КТ904Б................................. 20 пс ,
Емкость коллекторного перехода
при 6/КБ = 28 В, не более................. 12 пФ
Емкость эмиттерного перехода при U#, = 0,
не более.................................. 170 пФ
типовое значение....................... 130* пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при /?ЭБ = 100 Ом, не более:
Г= +25 °C:
£/кэ = 65 В для 2Т904А............... 1 мА
£/кэ = 60 В для КТ904А, КТ904Б..... 1,5 мА
Т= +85 °C, Z/K3 = 60 В для КТ904А,
КТ904Б................................. 4,5 мА
Г = +130 °C, икэ = 60 В для 2Т904А..... 2 мА
Обратный ток эмиттера при иэъ = 4 В,
не более:
Т= +25 °C:
2Т904А............................... 0,1	мА
КТ904А, КТ904Б..................... 0,3	мА
Т= +85 °C для КТ904А, КТ904Б........... 0,9	мА
Т= +130 °C для 2Т904А.................. 0,2	мА
98
Суммарная активная и пассивная емкость кол-
лектора при.Т/КБ = 28 В, типовое значение. 7,8* пФ
Емкость коллектор—эмиттер, типовое значе-
ние....................................... 0,5* пФ
Емкость эмиттерного перехода при U35 = 0,
типовое значение.......................... 130* пФ
Активная емкость коллектора при 6/КБ = 28 В,
типовое значение.......................... 2,6* пФ
Емкость выводов эмиттера и базы на корпус,
типовое значение.......................... 1,3* пФ
Емкость вывода коллектора на корпус, типо-
вое значение........................... 1,8* пФ
Индуктивность вывода внутренняя, типовое
значение.................................. 2,5* нГн
Индуктивность у конца вывода, типовое зна-
чение .................................... 4* нГн
Сопротивление эмиттера, типовое значение .... 0,1* Ом
Сопротивление базы, типовое значение...... 1* Ом
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при Rf,3 < 100 Ом:
2Т904А.................................. 65 В
КТ904А, КТ904Б......................... 60 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при f= 100 МГц:
2Т9О4А.................................... 75 В
КТ904А, КТ904Б......................... 70 В
Постоянное напряжение эмиттер—база........ 4 В
Постоянный ток коллектора................. 0,8 А
Импульсный ток коллектора................. 1,5 А
Постоянный ток базы....................... 0,2 А
Средняя рассеиваемая мощность’ в динамиче-
ском режиме при Гк < +40 °C:
2Т904А.................................... 7 Вт
КТ904А, КТ904Б..........,.............. 5 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус..... 16 °С/Вт
Температура р-п перехода:
2Т904А.................................. +150 °C
КТ9С4А, КТ904Б......................... +120 °C
' При Гк > +40 °C
А, СР, МАКС = ( 7ft ~ тк)/]6, Вт.
4'
99
Температура корпуса:
2Т904А.............................. +125 °C
КТ904А, КТ904Б....................... +85 °C
Температура окружающей среды:
2Т904А.................................. -6О...ГК =
= +125 °C
КТ904А, КТ904Б....................... -40... Тк =
= +85 °C
Усилие, перпендикулярное оси вывода, не должно превы-
шать 0,5 Н; запрещается изгиб и кручение выводов.
Пайка выводов транзистора допускается не ближе 1 мм от
корпуса в течение времени не более 3 с при температуре не
более +260 °C. Обязателен теплоотвод между корпусом и
местом пайки.
2Т907А, КТ907А, КТ907Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
усилителях мощности, умножителях частоты и автогенерато-
рах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами и монтажным винтом. Тип прибора указывается на
корпусе.
Масса транзистора не более 6 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
2Т907А, КТ907(А,Б)
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте f= 400 МГц
при 6/Кэ ~ 28 В:
2Т907А, КТ907А, не менее................ 8 Вт
типовое значение....................... 10* Вт
КТ907Б, не менее....................... 6 Вт
типовое значение....................... 8* Вт
Коэффициент усиления по мощности на ча-
стоте f = 400 МГц при Цэ = 28 В, не менее:
2Т907А, КТ907А.......................... 2
КТ907Б................................. 1,5
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра на частоте f= 400 МГц при 6/кэ = 28 В,
не менее.................................. 45%
типовое значение....................... 65*%
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при £/кэ = 5 В, /к = 0,4 А, не менее. 10*
типовое значение..................... 50*
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при £/кэ = 28 В, /к = 0,4 А,
f= 100 МГц, не менее:
2Т907А, КТ907А......................... 3,5
КТ907Б................................. 3
Граничное напряжение при /к = 0,2 А,
не менее.................................. 40*	В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 0,25 А, /Б = 0,05 А, типовое значение 0,35* В
Напряжение насыщения база—эмиттер при
/к = 0,25 А, 4 = 0,05 А, типовое значение. 0,9* В
Критический ток на частоте f= 100 МГц при
(7КЭ = 10 В:
2Т907А, КТ907А, не менее................ 1 А
типовое значение....................... 1,8* А
КТ907Б, не менее....................... 0,8 А
Постоянная времени цепи обратной связи на
высокой частоте при UKb = 10 В, /э = 30 мА,
f- 5 МГц, не более:
2Т907А, КТ907А............................. 15 пс
КТ907Б................................. 20 пс
Емкость коллекторного перехода
при (/КБ = 30 В, не более................. 20 пФ
Емкость эмиттерного перехода при 6/ЭБ = 0,
не более.......:.......................... 250 пФ
101
Обратный ток коллектор—эмиттер
при = 1Q0 Ом, не более:
Т= +25 °C:
Цо = 65 В для 2Т9О7А.............. 2 мА
Цо = 60 В для КТ907А, КТ907Б...... 3 мА
Т= +85 °C, Цо = 60 В для КТ907А,
КТ9О7Б................................ 6 мА
7"= +130 °C, икэ = 65 В для 2Т9О7А.... 4 мА
Обратный ток эмиттера при = 4 В,
не более:
Т= +25 °C:
2Т907А.............................. 0,25	мА
КТ907А, КТ907Б.................... 0,35	мА
Т= +85 °C для КТ907А, КТ9О7Б.......... 0,7 мА
Т= +130 °C для	2Т907А................. 0,25	мА
Активная емкость коллектора при Ц<Б = 30 В,
типовое значение......................... 3,5*	пФ
Суммарная активная и пассивная емкость кол-
лектора при UKb = 30 В, типовое значение. 10* пФ
Емкость коллектор—эмиттер, типовое значе-
ние...................................... 5* пФ
Емкость вывода коллектора на корпус, типо-
вое значение............................. 5* пФ
Емкость вывода базы на корпус, типовое зна-
чение .................................. 1,3* пФ
Сопротивление эмиттера, типовое значение .... 0,4* Ом
Сопротивление базы, типовое значение..... 1* Ом
Индуктивность вывода эмиттера внутренняя,
типовое значение......................... 0,8* нГн
Индуктивность выводов, типовое значение:
базы внутренняя....................... 2,5* нГн
базы у конца вывода................... 4* нГн
коллектора внутренняя................. 2,5* нГн
коллектора у конца вывода............. 4* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ < 100 Ом:
2Т907А................................... 65 В
КТ907А, КТ907Б........................ 60 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер:
2Т907А............................... 75 В
КТ907А, КТ907Б........................ 70 В
Постоянное напряжение	эмиттер—база....... 4 В
Постоянный ток коллектора.............1 А
102
Импульсный ток коллектора при 7И С 10 мкс,
О? 100.................................. 3 А
Постоянный ток базы..................... 0,4 А
Средняя рассеиваемая мощность1 в динамиче-
ском режиме при Тк С 25 °C:
2Т907А.................................. 16 Вт
КТ907А, КТ9О7Б....................... 13,5 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус... 7,5 °С/Вт
Температура р-п перехода:
2Т907А.................................. +150	°C
КТ907А, КТ907Б....................... +125	°C
Температура корпуса:
2Т907А.................................. +125	°C
КТ907А, КТ9О7Б....................... +85 °C
Температура окружающей среды:
2Т907А.................................. -60...Гк =
= +125 °C
КТ907А, КТ907Б....................... -4О...ТК =
= +85 °C
' При Г* > +25 ’С для 2Т907А
и*кс = (150 — Гк)/7,5, Вт;
для КТ907А, КТ907Б
Ако>.«кс = (125 - Гк)/7,5, Вт.
Пайка выводов транзистора допускается не ближе 1 мм от
корпуса в течение времени не более 3 с при температуре не
более +260 °C. Обязателен теплоотвод между корпусом и
местом пайки.
2Т9О9А, 2Т909Б,
КТ909А, КТ909Б, КТ909В, КТ909Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
усилителях мощности, умножителях частоты и автогенерато-
рах на частотах 100...500 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами и монтажным винтом. Тип прибора указывается на
корпусе.
Масса транзистора не более 4 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
103
299[)9{А,Б), КТ909(А-Г)
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте /= 500 МГц
при £/кэ = 28 В, Гк = +40 °C:
2Т909А, не менее....................... 17 Вт
типовое значение....................... 24* Вт
2Т909Б, не менее....................... 35 Вт
типовое значение....................... 42* Вт
КТ909А, не менее...................... 17 Вт
типовое значение....................... 20* Вт
КТ909Б, не менее....................... 35 Вт
типовое значение....................... 40* Вт
КТ909В, не менее....................... 12 Вт
типовое значение....................... 15* Вт
КТ909Г, не менее....................... 30 Вт
типовое значение....................... 35* Вт
Коэффициент усиления по мощности на ча-
стоте f= 500 МГц при UK3 = 28 В, не менее:
РВых = 17	Вт	для	2Т909А,	КТ909А........ 1,7
Рвых = 35	Вт	для	2Т909Б,	КТ909Б....... 1,75
Рвь|х = 12	Вт	для	КТ909В............... 1,2
Рвых = 30	Вт	для	КТ909Г............... 1,5
104
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра на частоте f- 500 МГц при (7КЭ = 28 В,
ук =5 +40 °C:
2Т909А, КТ9О9А, 2Т909Б, КТ909Б,
не менее.............................. 45%
типовое значение...................... 55*%
КТ909В, КТ9О9Г, не менее.............. 40%
типовое значение...................... 55*%
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при (7КЭ = 10 В, f- 100 МГц,
не менее:
/к = 1,5 А для 2Т909А, КТ909А, не менее . 3,5
типовое значение...................... 6,5*
/к = 3 А для 2Т909Б, КТ909Б, не менее. 5
типовое значение...................... 6,5*
/к = 1,5 А для КТ909В, не менее....... 3
/к = 3 А для КТ909Г, не менее......... 4,5
Граничное напряжение, не менее:
при /к = 0,1 А для	2Т909А........... 35 В
при /к = 0,2 А для	2Т909Б............. 35 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер,
типовое значение:
при /к = 0,5 А, /Б = 0,1 А для 2Т909А,
КТ909А, КТ909В........................ 0,18* В
при /к = 1 А, /Б = 0,2 А для 2Т909Б,
КТ909Б, КТ909Г........................ 0,18* В
Напряжение насыщения база—эмиттер, типо-
вое значение:
при /к = 0,5 А, /Б = 0,1 А для 2Т909А,
КТ909А, КТ909В........................ 0,85* В
при /к = 1 А, /Б = 0,2 А для 2Т909Б,
КТ909Б, КТ909Г........................ 0,85* В
Критический ток на частоте /= 100 МГц
при £/кэ = 10 В, не менее:
2Т909А, КТ909А......................... 3 А
2Т909Б, КТ909Б........................ 6 А
КТ909В................................ 2,5 А
КТ909Г................................ 5 А
типовое значение:
2Т909А, КТ909А.................... 4* А
2Т909Б, КТ909Б.................... 8* А
Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте при 6/КБ = 10 В, f = 5 МГц,
не более:
4 = 150 мА для 2Т909А, КТ909А......... 20 пс
105
/э =	300 мА для	2Т909Б,	КТ909Б....... 20 пс
/э =	150 мА для	КТ909В............... 30 пс
/э =	300 мА для	КТ909Г............... 30 пс
Емкость коллекторного перехода
при 6/КБ = 28 В, не более:
2Т909А, КТ909А....................... 30	пФ
2Т909Б, КТ909Б,	КТ909Г............... 60	пФ
КТ909В............................... 35	пФ
Емкость эмиттерного перехода при УЭБ = 0,
типовое значение:
2Т909А, КТ909А, КТ909В............... 250* пФ
2Т909Б, КТ909Б, КТ909Г............... 500* пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при £/кэ = 60 В, /?Э6 = 10 Ом, не более:
Т = +25 °C:
2Т909А............................... 25 мА
2Т909Б, КТ909А, КТ909В............ 30	мА
КТ909Б, КТ909Г.................... 60	мА
Т = +85 °C:
КТ909А, КТ909В....................... 30	мА
КТ909Б, КТ909Г.................... 60	мА
Т= +125 °C:
2Т909А............................... 50 мА
2Т909Б............................ 100 мА
Обратный ток эмиттера при иэБ = 3,5 В,
не более:
Т= +25 °C:
2Т909А............................... 4	мА
КТ909А,	КТ909В................... 6	мА
2Т909Б............................ 8	мА
КТ909Б,	КТ909Г................... 10 мА
Г= +85 °C:
КТ909А,	КТ909В................... 6	мА
КТ909Б,	КТ909Г................... 10 мА
Т= +125 °C:
2Т909А............................... 4	мА
2Т909Б............................ 8	мА
Сопротивление эмиттера, типовое значение:
2Т909А, КТ909А, КТ909В.................. 0,15* Ом
2Т909Б, КТ909Б, КТ909Г............... 0,1* Ом
Сопротивление базы, типовое значение:
2Т909А, КТ909А, КТ909В.................. 0,5* Ом
2Т909Б, КТ909Б, КТ909Г............... 0,25* Ом
Индуктивность вывода эмиттера внутренняя,
типовое значение......................... 0,45* нГн
106
Индуктивность вывода базы на расстоянии
3 мм от основания, типовое значение.......	2,5* нГн
Индуктивность вывода коллектора на рассто-
янии 3 мм от основания, типовое значение. 2* нГн
Активная емкость коллектора при (УКБ = 28 В,
типовое значение:
2Т909А, КТ909А, КТ909В................ 5* пФ
2Т909Б, КТ909Б, КТ909Г................ 9* пФ
Суммарная активная и пассивная емкость кол-
лектора при £/кь = 28 В, типовое значение:
2Т909А, КТ909А, КТ909В................ 15* пФ
2Т909Б, КТ909Б, КТ909Г................ 30* пФ
Емкость коллектор—эмиттер, типовое значе-
ние...................................... 1,7* пФ
Емкость база—эмиттер, типовое значение... 0,85* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер’
при /?вэ 10 Ом.......................... 60 Ом
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ 10 Ом.......................... 60 Ом
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 3,5 В
Постоянный ток коллектора:
2Т909А, КТ9О9А, КТ909В............... 2 А
2Т909Б, КТ909Б, КТ909Г............... 4 А
Импульсный ток коллектора при 20 мкс,
О £ 50:
2Т909А, КТ909А, КТ909В.................. 4 А
2Т909Б, КТ909Б, КТ909Г............... 8 А
Постоянный ток базы:
2Т909А, КТ909А, КТ909В............... 1 А
2Т909Б, КТ909Б, КТ909Г............... 2 А
Средняя рассеиваемая мощность2 в динамиче-
ском режиме при Гк 40 °C:
2Т909А, КТ909А,	КТ909В.......... 27 В
2Т909Б, КТ909Б,	КТ909Г.............. 54 В
Тепловое сопротивление переход—корпус:
2Т909А, КТ909А,	КТ909В.............. 5 °С/Вт
2Т909Б, КТ909Б,	КТ909Г.............. 2,5 °С/Вт
При Гк > +40 °C
РК, СР, НАНС “ ( Л, МАКС — ?*)//?, 1ГК-К). ®Т-
107
Температура р-п перехода:
2Т909А, 2Т909Б........................... +160 °C
КТ909А, КТ909Б,	КТ909В, КТ909Г....... +120 °C
Температура корпуса:
2Т909А, 2Т909Б........................... +125 °C
КТ909А, КТ909Б,	КТ909В, КТ909Г....... +85 °C
Температура окружающей среды:
2Т909А, 2Т909Б........................... -6О...ГК	=
= +125 °C
КТ909А, КТ909Б, КТ909В, КТ909Г........ -40... Гк =
= +85 °C
Пайка выводов транзистора допускается не ближе 3 мм от
корпуса в течение времени не более 10 с при температуре не
более +260 °C. Обязателен теплоотвод между корпусом и
местом пайки. Обрезание выводов допускается не ближе 5 мм
от корпуса.
2Т911А, 2Т911Б, КТ911А, КТ911Б, КТ911В, КТ911Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах
на частотах более 400 МГц при напряжении питания 28 В. Выпус-
каются в металлопластмассовом корпусе с полосковыми выво-
дами и монтажным винтом. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 6 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
2Т911(А,Б), КТ91ПА-Г)
108
Электрические параметры
Выходная мощность при £/кэ = 28 В,
Гк « +40 °C:
на частоте f= 1,8 ГГц, не менее:
КТ911А................................ 1 Вт
2Т911А, КТ911В..................... 0,8 Вт
на частоте f = 1 ГГц, не менее:
КТ911Б................................ 1 Вт
2Т911Б, КТ911Г..................... 0,8 Вт
Коэффициент усиления по мощности
при UK3 = 28 В, Гк =5 +40 °C, не менее:
на частоте f= 1,8 ГГц:
2Т911А, КТ911В при Рвых = 0,8 Вт... 2
КТ911А при Рвых = 1 Вт............. 2,5
на частоте f = 1 ГГц:
2Т911Б, КТ911Г при РВЬ|Х = 0,8 Вт.. 2
КТ911Б РВЬ|Х = 1 Вт................ 2,5
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра на частоте f - 1...1,8 ГГц при £/кэ = 28 В,
РВыХ = 0,8 Вт, не менее.................. 23%
типовое значение...................... 40*%
Статический коэффициент передачи тока в
схеме ОЭ при £/кэ = 5 В, /э = 200 мА, не менее ,15*
типовое значение...................... 40*
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при £/кэ = 10 В, /к = 100 мА,
f= 300 МГц, не менее:
2Т911А................................ 3,34
2Т911Б................................ 2,8
КТ911А, КТ911В....................... 2,5
КТ911Б, КТ911Г........................ 2
Критический ток на частоте f- 300 МГц
при UK3 = 10 В:
2Т911А, КТ911А, не	менее............. 170 мА
типовое значение...................... 220* мА
2Т911Б, КТ911Б, не	менее............. 150 мА
типовое значение...................... 220* мА
КТ911В, не менее...................... 160 мА
КТ911Г, не менее...................... 140 мА
Постоянная времени цепи обратной связи на
высокой частоте при (/КБ = 10 В, /э = 30 мА,
f- 5 МГц, не более:
2Т911А, 2Т911Б,	КТ911А, КТ911Б....... 25 пс
КТ911В................................ 50 пс
КТ911Г................................ 100 пс
109
Емкость коллекторного перехода на частоте
f- 5 МГц при 6/КБ = 28 В, не более...... 10 пФ
типовое значение..................... 4* пФ
Емкость эмиттерного перехода на частоте
f = 5 МГЦ при иэБ = 0, типовое значение. 18* пФ
Обратный ток коллектора при 6/КБ = 6/КБ МАКС,
не более:
Т= +25 °C:
2Т911А, 2Т911Б................... 3 мА
КТ911А, КТ911Б, КТ911В, КТ911Г... 5 мА
Т= +125 °C для 2Т911А, 2Т911Б........ 10 мА
7" =+85 °C для КТ911А, КТ911Б, КТ911В,
КТ911Г............................... 10 мА
Обратный ток эмиттера при 1/эь = 3 В,
не более:
2Т911А, 2Т911Б....................... 1 мА
КТ911А, КТ911Б, КТ911В, КТ911Г....... 2 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т911А, 2Т911Б, КТ911А, КТ911Б....... 55 В
КТ911В, КТ911Г....................... 40 В
Постоянное напряжение эмиттер—коллектор
при /?ЭБ 100 Ом:
2Т911А, 2Т911Б, КТ911А,	КТ911Б...... 40 В
КТ911В, КТ911Г....................... ЗОВ
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 3 В
Постоянный ток коллектора............... 400 мА
Средняя рассеиваемая мощность' в динамиче-
ском режиме:
при 7"к « +50 °C для 2Т911А, 2Т911Б.. 3 Вт
при Гк « +25 °C для КТ911А, КТ911Б,
КТ911В, КТ911Г....................... 3 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус... 33 °С/Вт
Температура р-п перехода:
2Т911А, 2Т911Б....................... +150 °C
КТ911А, КТ911Б,	КТ911В,	КТ911Г...... +120 °C
Температура корпуса:
2Т911А, 2Т911Б........................... +125 °C
КТ911А, КТ911Б,	КТ911В,	КТ911Г...... +85 °C
' При Гк > +50 °C для 2T911A, 2Т911Б и Гк > +25 °C для KT911A, КТ911Б
KT911B, КТ911Г
^К. CR.MAX - ( ^П, МАКС ~ 7"к)/33, Вт.
110
Температура окружающей среды:
2Т911А, 2Т911Б............................. -6О...ГК	=
= 4-125 °C
КТ911А, КТ911Б, КТ911В, КТ911Г......... -4О...ТК =
= 4-85 °C
При установке транзистора на теплоотвод запрещается
прикладывать скручивающие усилия к пластмассовой части
корпуса. Шероховатость контактной поверхности теплоотвода
должна быть не менее 2,5. Неплоскостность контактной по-
верхности теплоотвода должна быть не более 0,03 мм.
Пайка выводов транзистора допускается не ближе 2 мм от
корпуса по методике, не приводящей к нарушению конструк-
ции транзистора. Пайку проводить паяльником при температу-
ре не более 4-260 °C в течение не более 6 с. Необходимо
осуществлять теплоотвод между корпусом и местом пайки.
2Т913А, 2Т913Б, 2Т913В, КТ913А, КТ913Б, КТ913В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
усилителях мощности, умножителях частоты и автогенерато-
рах на частотах 200... 1000 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми
выводами и монтажным винтом. Тип прибора указывается на
корпусе.
Масса транзистора не более 1,6 г.
Изготовитель — завод «Транзистор», г. Минск.
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте f- 1 ГГц
при (/кэ = 28 В, не менее:
2Т913А, КТ913А........................... 3 Вт
2Т913Б, КТ913Б........................ 5 Вт
2Т913В, КТ913В........................ 10 Вт
Коэффициент усиления мощности на частоте
f= 1 ГГц при UK3 = 28 В:
РВЬ1Х = 3 Вт для 2Т913А, не	менее... 2,25
типовое значение...................... 2,5*
Рвых = 5 Вт для 2Т913Б, не	менее...... 2,25
типовое значение...................... 2,5*
Рвых = Ю Вт для 2Т913В, не менее...... 2,25
типовое значение...................... 2,5*
Рвых = 3 Вт для КТ913А, не	менее...... 2
111
2Т913 (A-В), КШ(А-В)

Рвых - 5 Вт КТ913Б, не менее.......... 2
Рвых = Ю Вт КТ913В, не менее.......... 2
Коэффициент полезного действия коллектора
на частоте f- 1 ГГц при (/кэ = 28 В, не менее:
Рвых = 3	Вт	для	2Т913А............... 40%
Рвых = 5	Вт	для	2Т913Б............... 40%
Рвых = 10 Вт для 2Т913В............... 50%
Рвых = 3	Вт	для	КТ913А............... 40%
Рвых = 5	Вт	для	КТ913Б............... 40%
РВых = 10 Вт для КТ913В............... 50%
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при £/кэ = 10 В, /к = 100 мА,
f- 100 МГц, не менее:
/к = 200 мА для 2Т913А, КТ913А........ 9
/к = 400 мА для 2Т913Б, КТ913Б, 2Т913В,
КТ913В................................ 9
Критический ток на частоте /= 100 МГц
при £/кэ = 10 В:
2Т913А, не менее...................... 0,4 А
типовое значение'..................... 0;6* А
2Т913Б, не менее...................... 0,8 А
типовое значение...................... 1,2* А
2Т913В, не менее...................... 1,6 А
типовое значение...................... 2* А
112
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 250 мА, /Б = 30 мА, типовое значение 0,28* В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 250 мА, /Б = 30 мА, типовое значение 1* В
Граничное напряжение коллектор—эмиттер,
типовое значение при /к = 75 мА для 2Т913А,
2Т913Б, 2Т913В, не менее................. 30 В
Постоянная времени цепи обратной связи на
высокой частоте при 6/кБ = 10 В, /Б = 50 мА,
f= 30 МГц, не более:
2Т913А, КТ913Б, КТ913В................ 15 пс
2Т913Б, 2Т913В........................ 12 пс
КТ913А................................ 18 пс
Активная емкость коллектора при (/КБ = 28 В,
2Т913В, КТ913В, типовое значение......... 1,1* Ом
Входное полное сопротивление в динами-
ческом режиме на частоте f= 1 ГГц при
Укэ = 28 В, типовое значение:
Рвых = 3 Вт для 2Т913А................ 3 4- /20* Ом
Рвых = 5 Вт для 2Т913Б................ 1,2 + /16* Ом
Рвых = 10 Вт для 2Т913В............... 1,2 +/14* Ом
Обратный ток коллектор—эмиттер
при UK-. = 55 В, РЭБ = 10 Ом, не более:
2Т913А................................ 10	мА
2Т913Б, 2Т913В........................ 20	мА
КТ913А................................ 25	мА
КТ913Б, КТ913В........................ 50	мА
Обратный ток эмиттера при 1/эъ = 3,5 В,
не более:
2Т913А, 2Т913Б, 2Т913В................ 1 мА
КТ913А, КТ913Б, КТ913В................ 1,5 мА
Индуктивность вывода базы на расстоянии
3 мм от корпуса, типовое значение:
2Т913А, КТ913А........................... 3* нГн
2Т913Б, 2Т913В, КТ913Б, КТ913В........ 2,5* нГн
Индуктивность вывода коллектора на рассто-
янии 3 мм от корпуса, типовое значение... 1,95* нГн
Индуктивность вывода эмиттера при заземле-
нии обоих выводов у основания, типовое зна-
чение:
2Т913А, КТ913А........................ 0,55* нГн
2Т913Б, 2Т913В, КТ913Б,	КТ913В........ 0,25* нГн
Емкость коллектор—эмиттер:
2Т913А, КТ913А, не	более............. 1,3 пФ
типовое значение...................... 0,7* пФ-
113
2Т913Б, КТ913Б, не	более............. 2,5 пФ
типовое значение..................... 1,5* пФ
2Т913В, КТ913В, не	более............. 2,7 пФ
типовое значение..................... 1,5* пФ
Емкость коллекторного перехода на частоте
/= 10 МГц при (/КБ = 28 В, не более:
2Т913А.................................. 6 пФ
2Т913Б............................... 10 пФ
2Т913В, КТ913Б....................... 12 пФ
КТ913А............................... 7 пФ
КТ913В............................... 14 пФ
Емкость эмиттерного перехода на частоте
7= 10 МГц при иэБ = 0, типовое значение:
2Т913А................................... 40* пФ
КТ913А............................... 50* пФ
2Т913Б, 2Т913В....................... 80* пФ
КТ913Б, КТ913В....................... 100* пФ
Суммарная активная и пассивная емкость кол-
лектора при £/кб = 28 В, типовое значение:
2Т913А, КТ913А........................... 4* пФ
2Т913Б, КТ913Б....................... 8* пФ
2Т913В, КТ913В....................... 8,2* пФ
Сопротивление эмиттера, типовое значение:
2Т913А, КТ913А.......................... 0,15* Ом
2Т913Б, КТ913Б....................... 0,1* Ом
2Т913В, КТ913В....................... 0,05* Ом
Сопротивление базы, типовое значение:
2Т913А, КТ913А.......................... 3* Ом
2Т913Б, КТ913Б....................... 1,5* Ом
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер'
при /?ЭБ 10 Ом........................... 55 В
Импульсное "напряжение коллектор—эмиттер
при /?ЭБ 10 Ом........................... 55 Ом
Постоянное напряжение эмиттер—база....... 3,5 В
Постоянный ток коллектора:
2Т913А, КТ913А...................... 0,5 А
2Т913Б, КТ913Б, 2Т913В, КТ913В....... 1А
Импульсный ток коллектора:
2Т913А, КТ913А......................... 1А
2Т913Б, КТ913Б, 2Т913В, КТ913В....... 2 А
’ В диапазоне температур Т = +25 °C... Гмин напряжение снижается линек
до 45 В.
114
Постоянный ток базы:
2Т913А, КТ913А........................... 0,25 А
2Т913Б, КТ913Б, 2Т913В, КТ913В........ 0,5 А
Средняя рассеиваемая мощность’ в динамиче-
ском режиме:
при Гк +55 °C для 2Т913А, КТ913А......... 4,7 Вт
при Гк +70 °C для 2Т913Б, КТ913Б...... 8 Вт
при Гк +25 °C для 2Т913В, КТ913В...... 12 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус:
2Т913А, КТ913А........................... 20 °С/Вт
2Т913Б, КТ913Б, 2Т913В, КТ913В........ 10 °С/Вт
Температура р-п перехода................. +150 °C
Температура корпуса:
2Т913А, 2Т913Б, 2Т913В................... +125 °C
КТ913А, КТ913Б, КТ913В................ +85 °C
Температура окружающей среды:
2Т913А, 2Т913Б, 2Т913В................... -60... Гк =
= +125 °C
КТ913А, КТ913Б, КТ913В................ -45... Тк =
= +85 °C
'При Гк > +55 Т для 2Т913А, КТ913А, Гк > +70 "С для 2Т913Б, КТ913Б и
7К >+25’С для 2Т913В, КТ913В
^к, ср, макс ~ (150 — 7к)//?т (п-к;> Вт.
Изгиб и обрезание проводов допускается не ближе 3 мм
от корпуса.
При соединении (пайке) выводов температура корпуса в
любой его точке не должна превышать +85 °C.
2Т916А, КТ916А, КТ916Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
усилителях мощности, умножителях частоты, автогенераторах
на частотах 0,2... 1 ГГц при напряжении питания 28 В. Выпуска-
ются в металлокерамическом корпусе с полосковыми вывода-
ми и монтажным винтом. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Изготовитель — завод «Транзистор», г. Минск.
Электрические параметры
Выходная мощность на f= 1 ГГц
при (7КЭ = 28 В, не менее:
2Т916А, КТ916А....................... 20	Вт
КТ916Б............................... 16	Вт
115
2Т916, КТ916А
Коэффициент усиления по мощности
на f- 1 ГГц при UK3 = 28 В:
2Т916А, КТ916А при = 20 Вт,
не менее............................. 2,25
типовое значение..................... 2,5*
КТ916Б при Рвых = 16	Вт, не менее..... 1,85
Коэффициент полезного действия коллектора
на f= 1 ГГц при UK3 = 28 В, не менее..... 45%
типовое значение...................... 55%
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 6/кэ = 5 В, /к = 0,25 А, типовое
значение................................. 35*
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при (/кэ = 10 В:
/к = 1,5 А:
2Т916А, КТ916А, не менее............. 1,1 ГГц
типовое значение.................. 1,4* ГГц
КТ916Б, не менее.................. 0,9 ГГц
/к = 2,6 А, не менее.................. 0,8 ГГц
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 0,25 А, /Б = 0,03 А, типовое значение 0,2* В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 0,25 А, /Б = 0,03 А, типовое значение 0,92* В
Критический ток на f= 100 МГц
при ию = 10 В, не менее.................. 2,6* А
типовое значение...................... 2,8* А
Постоянная времени цепи обратной связи на
высокой частоте при 6/КБ = 10 В, /э = 100 мА,
f = 30 МГц, не более..................... 10 пс
типовое значение...................... 4* пс
116
Емкость коллекторного перехода
при (7Кб = 30 В, не более............... 20 пФ
типовое значение..................... 14* пФ
Емкость эмиттерного перехода при иэБ = О,
типовое значение........................ 190* пФ
Полное выходное сопротивление на f= 1 ГГц
при UK3 = 28 В, РВЬ|Х = 20 Вт и 16 Вт, типовое
значение................................ 2,2 + /17*Ом
Полное сопротивление нагрузки на f= 1 ГГц
при UK3 = 28 В, Рвых = 20 Вт и 16 В, типовое
значение................................ 2 + /6* Ом
Обратный ток коллектор—эмиттер
при (/кэ = 55 В, /?БЭ = 10 Ом, не более:
2Т916А, КТ916А.......................... 25 мА
КТ916Б............................... 40 мА
Обратный ток эмиттера при (/ЭБ = 3,5 В,
не более................................ 4 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 10 Ом........................ 55 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер . 55 В
Постоянное напряжение	эмиттер—база...... 3,5 В
Постоянный ток коллектора............... 2	А
Импульсный ток коллектора при (и = 5 нс,
О= 10................................... 4	А
Постоянный ток базы..................... 1	А
Средняя рассеиваемая мощность коллектора1
в динамическом режиме при 7"к = —60...+25 °C 30 Вт
Температура р-п перехода................ +160 °C
Температура окружающей среды............ —60... Тк =
= +100 °C
' При 7К > +25 “С максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность
коллектора рассчитывается по формуле
Рк, ср, макс = (160 — Тк)/4,5, Вт.
КТ918А-2, КТ918Б-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
усилителях мощности, умножителях частоты и автогенерато-
рах на частотах 1...3 ГГц в схеме с общей базой при напряже-
нии питания 20 В в герметизированной аппаратуре. Выпуска-
117
ются в керамическом корпусе с частичной герметизацией и
ленточными выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,15 г.
Изготовитель — завод «Транзистор», г. Минск.
КТ918(А-2.Б-2)
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте f= 3 ГГц
при УКБ = 20 В, типовое значение:
Рвх = 125 мВт для КТ918А—2.......... 250 мВт
Рвх = 250 мВт ддля КТ918Б—2 ........ 500 мВт
Коэффициент усиления по мощности на ча-
стоте f- 3 ГГц при УКБ = 20 В, не менее:
Рвых = 0,25 Вт для КТ918А-2......... 2
Рвых = 0,5 Вт для КТ918Б-2.......... 2
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при £/кэ = 10 В, /к = 100 мА,
не менее:
КТ918А-2............................ 0,8 ГГц
КТ918Б-2............................ 1 ГГц
Постоянная времени цепи обратной связи на
высокой частоте при 6/КБ = 10 В, /э = 30 мА,
/= 100 МГц, не более:
КТ918А-2............................ 15 нс
КТ918Б-2............................ 4 нс
Емкость коллекторного перехода
при UKb = 15 В, f- 10 МГц, не более.... 4,2 пФ
Емкость эмиттерного перехода при {/БЭ = 0,
f- 10 МГц, не более.................... 15 пФ
118
Обратный ток коллектора при = 30 В,
не более............................... 2 мА
Обратный ток эмиттера при Ую = 2,5 В,
не более............................... 100 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное	напряжение	коллектор—база. 30 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 2,5 В
Постоянный	ток коллектора.............. 0,25 А
Средняя рассеиваемая мощность’ в динамиче-
ском режиме при Гк +25 °C.............. 2,5 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 50 °С/Вт
Температура р-п перехода............... +150 °C
Температура корпуса.................... +85 °C
Температура окружающей среды........... —45... Гк =
= +85 °C
1 При Г* > +25 "С
Рк,а>, ммк = {150 - Гк)/50, Вт.
Изгиб выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса
транзистора с радиусом закругления 1.5...2 мм. При изгибе
должна быть обеспечена неподвижность участка вывода меж-
ду местом изгиба и корпусом прибора.
Монтаж транзистора в микросхему осуществляется мето-
дом припайки корпуса транзистора к теплоотводящей поверх-
ности. Максимально допустимая температура припоя при мон-
таже приборов в микросхему не более +250 °C. Время пайки
не более 3 с. Теплоотвод, на который монтируется транзи-
стор, должен быть облужен оловом толщиной 10 мкм или
серебром толщиной 10 мкм. Основание корпуса перед пайкой
необходимо обезжиривать этиловым спиртом с помощью ват-
ного тампона. В качестве припоя можно использовать сплавы
с температурой плавления менее +150 °C, например индий —
серебро (3%) или индий—олово (48%). Припой прокатывает-
ся толщиной 0,05...0,07 мм и нарезается на прямоугольники
размером 2,6*4 мм, обезжиривается кипячением в четырех-
хлористом углероде. Место посадки транзистора на теплоот-
воде смачивается спиртовым раствором канифоли и на него
помещается приготовленный припой и транзистор. Примене-
ние других флюсов не допускается.
Пайка транзистора на теплоотвод осуществляется в печи с
инертной атмосферой при температуре не более +200 °C с
усилием прижима примерно 0,5 кг. Пайка выводов эмиттера и
коллектора осуществляется с помощью микропаяльника мощ-
119
ностью не более 15 Вт на расстоянии 3 мм от корпуса. Время
пайки 3 с. Допускается пайка выводов менее 3 мм от корпуса,
при этом температура корпуса не должна превышать +140 °C.
Допускается монтаж транзистора методом прижима к те-
плоотводящей поверхности. Прижимное усилие должно быть
до 2 кг. Шероховатость контактной поверхности теплоотвода
должна быть не хуже 10.
2Т919А, 2Т919Б, 2Т919В,
2Т919А-2, 2Т919Б-2, 2Т919В-2,
КТ919А, КТ919Б, КТ919В, КТ919Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах
в СВЧ диапазоне 0,7...2,4 ГГц в схеме с общей базой. Выпус-
каются: 2Т919А, 2Т919Б, 2Т919В, КТ919А, КТ919Б, КТ919В,
КТ919Г в металлокерамическом корпусе с полосковыми выво-
дами, транзисторы 2Т919А—2, 2Т919Б—2, 2Т919В—2 бескор-
пусные, с гибкими выводами на кристаллодержателе. Транзи-
сторы КТ919А, КТ919Б, КТ919В, КТ919Г имеют дополнитель-
ную пластмассовую оболочку. Условное обозначение транзи-
сторов: 2Т919А — буква «А» и зеленая точка, 2Т919Б — буква
«Б» и черная точка, 2Т919В — буква «В» и белая точка,
2Т919А—2 — черная точка, 2Т919Б—2 — красная точка,
2Т919В—2 — белая точка. Тип прибора указывается в этикетке.
Обозначение типа транзисторов КТ919А, КТ919Б, КТ919В,
КТ919Г приводится на верхней части корпуса.
Масса транзисторов: 2Т919А, 2Т919Б, 2Т919В не более
2 г, 2Т919А-2, 2Т919Б-2, 2Т919В-2 не более 1 г, КТ919А,
КТ919Б, КТ919В, КТ919Г не более 2,2 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Выходная мощность при Г/КБ = 28 В, f = 2 ГГц:
^вх ~ 1 Вт:
2Т919А, КТ919А, не менее............. 3,5* Вт
медианное значение................. 4,4	Вт
2Т919А—2, не менее................. 4,1	Вт
КТ919Г, не менее.................... 3*	Вт
медианное значение................. 3,5	Вт
Рвх = 0,5 Вт:
2Т919Б, 2Т919Б-2, КТ919Б, не менее. 1,6* Вт
медианное значение................... 2 Вт
120
2J919IA-B), КТ919(А-Г)
2Т919(А-2 - В-2)
Рвх = 0,2 Вт:
2Т919В, 2Т919В-2, КТ919В, не менее. 0,8* Вт
медианное значение................... 1 Вт
Коэффициент усиления по мощности
при f= 2 ГГц, ц > 30%:
2Т919А-2.................................... 4,1...4,3*
2Т919Б-2................................. 3,2...4,8*
2Т919В-2................................. 4...7,5*
121
Коэффициент полезного действия коллектора
(медианное значение) при £/КБ = 28 В, f= 2 ГГц:
^вх = 1 Вт:
2Т919А, КТ919А...................
2Т919А-2.........................
КТ919Г...........................
Рвх = 0,5 Вт для 2Т919Б, 2Т919Б-2,
КТ919Б..............................
Рвх = 0,2 Вт для 2Т919В, 2Т919В-2,
КТ919В..............................
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при </кэ = 10 В, Г = 300 МГц:
4 = 500 мА:
2Т919А..............................
2Т919А-2, КТ919А, КТ919Г, не менее
4 = 250 мА:
2Т919Б..............................
2Т919Б-2, КТ919Б, не менее.;.....
4 = 100 мА:
2Т919В..............................
2Т919В-2, КТ919В, не менее.......
Постоянная времени цепи обратной связи на
высокой частоте при UKb = 10 В, /э = 50 мА,
f= 30 МГц:
2Т919А..............................
2Т919Б..............................
2Т919А..............................
2Т919А-2, 2Т919Б-2, 2Т919В-2, КТ919А,
КТ919Б, КТ919В, КТ919Г, не более....
Обратный ток коллектора при £4б = 45 В,
не более:
Г= +25 °C:
2Т919А, 2Т919А-2, КТ919А, КТ919Г...
2Т919Б, 2Т919Б-2, КТ919Б.........
2Т919В, 2Т919В-2, КТ919В.........
Т= -60 °C:
2Т919А, 2Т919А-2, КТ919А, КТ919Г...
2Т919Б, 2Т919Б-2, КТ919Б.........
2Т919В, КТ919В.........;.........
2Т919В-2.........................
Т = +100 °C:
КТ919А, КТ919Г......................
33%
31%
30%
30%
25%
4,5...6,2*...7*
4,5
4,5...7,4*...7,8*
4,5
4,5...7,5*...8*
4 *
1,1*. ..1,25*..
2,2 пс
0,9*...1*...
2,2 пс
0,6*...0,8*...
2,2 пс
2,2 пс
10 мА
5 мА
2 мА
50 мА
25 мА
15 мА
10 мА
50 мА
122
КТ919Б............................. 25 мА
КТ919В............................. 15 мА
Г= +125 °C:
2Т919А................................ 50 мА
2Т919Б............................. 25 мА
2Т919В............................. 15 мА
2Т919А-2,	2Т919Б-2, 2Т919В-2....... 10 мА
Обратный ток эмиттера при иъэ = 3,5 В,
не более:
Т= +25 °C:
2Т919А, 2Т919А-2, КТ919А, КТ919Г,
2Т919Б............................. 2 мА
2Т919Б-2, КТ919Б,	2Т919В.......... 1 мА
2Т919В-2, КТ919В................... 0,5 мА
Т - -60 °C:
2Т919А, 2Т919А-2, КТ919А, КТ919Г... 2 мА
2Т919Б, 2Т919Б-2, КТ919Б........... 1 мА
2Т919В, 2Т919В-2, КТ919В........... 0,5 мА
Г= +100 °C:
КТ919А, КТ919Г........................ 20 мА
КТ919Б............................. 10 мА
КТ919В............................. 5 мА
Г= +125 °C:
2Т919А, 2Т919А-2...................... 20 мА
2Т919Б, 2Т919Б-2................... 10 мА
2Т919В, 2Т919В-2................... 5 мА
Критический ток при С/кэ = 10 В, f= 300 МГц:
2Т919А................................... 1,1...1,7*...
2,1* А
2Т919Б................................ 0,5...0,7*...
0,8* А
2Т919В................................ 0,22...0,3*...
0,4* А
2Т919А-2, КТ919А, не менее............ 1,1 А
2Т919Б-2, КТ919Б, не менее............ 0,5 А
2Т919В-2, КТ919В, не менее............ 0,22 А
КТ919Г, не менее...................... 1 А
Емкость коллекторного перехода
при иКБ = 28 В, не более:
2Т919А, 2Т919А-2,	КТ919А............. 10 пФ
2Т919Б, 2Т919Б-2,	КТ919Б............. 6,5 пФ
2Т919В, КТ919В........................ 5 пФ
2Т919В-2.............................. 4,5 пФ
КТ919Г................................ 12 пФ
723
Конструктивная емкость коллектор—корпус
2Т919А, 2Т919Б, 2Т919В, типовое значение.... 1,9* пФ
Конструктивная емкость эмиттер—корпус
2Т919А, 2Т919Б, 2Т919В, типовое значение.... 2,7* пФ
Емкость коллектор—кристаллодержатель
2Т919А-2, 2Т919Б-2, 2Т919В-2, типовое
значение................................. 1,9* пФ
Емкость эмиттер—кристаллодержатель
2Т919А-2, 2Т919Б-2, 2Т919В-2, типовое
значение................................. 2,7* пФ
Индуктивность эмиттера, типовое значение:
2Т919А, 2Т919Б, 2Т919В, 2Т919А-2,
КТ919А, КТ919Б,	КТ919В,	КТ919Г...... 0,7*	нГн
2Т919Б-2.............................. 0,9*	нГн
2Т919В-2.............................. 1,1 нГн
Индуктивность коллектора, типовое значение. 1,5*	нГн
Индуктивность базы, типовое значение:
2Т919А, 2Т919Б, 2Т919В, 2Т919А-2,
КТ919А, КТ919Б, КТ919В,	КТ919Г....... 0,14* нГн
2Т919Б-2.............................. 0,22* нГн
2Т919В-2.............................. 0,3 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база'
при Г=+25...+125 °C.................... 45 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 3,5 В
Постоянный ток коллектора:
2Т919А, 2Т919А-2, КТ919А, КТ919Г.... 0,7 А
2Т919Б, 2Т919Б-2, КТ919Б............ 0,35 А
2Т919В, 2Т919В-2, КТ919В............ 0,2 А
Импульсный ток коллектора при Z’n С 20 мкс,
О? 50:
2Т919А, 2Т919А-2, КТ919А, КТ919Г.... 1,5 А
2Т919Б, 2Т919Б-2, КТ919Б............ 0,7 А
2Т919В, 2Т919В-2, КТ919В............ 0,4 А
Постоянный ток базы:
2Т919А, 2Т919А-2, КТ919А, КТ919Г.... 0,2 А
2Т919Б, 2Т919Б-2, КТ919Б............ 0,1 А
2Т919В, 2Т919В-2, КТ919В............ 0,05 А
1 В диапазоне температур Г=+25...—60’С (/К6 МАКС снижается линейно до 40
124
Средняя рассеиваемая мощность коллектора1
в динамическом режиме при Т = —60...+25 °C:
2Т919А, 2Т919А-2, КТ919А, КТ919Г.......... 10 Вт
2Т919Б, 2Т919Б-2, КТ919Б.............. 5 Вт
2Т919В, 2Т919В-2, КТ919В.............. 3,25 Вт
Температура окружающей среды:
2Т919А, 2Т919Б, 2Т919В, 2Т919А-2,
2Т919Б-2, 2Т919В-2.................... -60...+125 °C
КТ919А, КТ919Б, КТ919В, КТ919Г........ -60...+100 °C
1 В диапазоне температур Т = +25...+125 °C мощность снижается линейно
по формуле
А. СР = А, СР, МАКС -(Гк- 25)//?,
(П-К)> Вт>
где А(п-ю = 12 °С/Втдля 2Т919А, 2Т919А-2, КТ919А, КТ919Г, A(n-K> = 25 °С/Вт
для 2Т919Б, 2Т919Б-2, КТ919Б, /?т (П_К) = 40 °С/Вт для 2Т919В, 2Т919В-2,
КТ919В.
Температура пайки +260 °C, расстояние от корпуса или
кристаллодержателя до места пайки не менее 3 мм, время
пайки не более 3 с. Допускается пайка выводов на расстоянии
менее 3 мм; при этом температура пайки не должна превышать
+150 °C, время пайки не более 3 с.
Разрешается применять транзисторы в статическом режи-
ме; при этом напряжение питания коллектора не должно пре-
вышать 7 В для 2Т919А, 2Т919Б, 2Т919А-2, 2Т919Б-2, КТ919А,
КТ919Б, КТ919Г и 9 В для 2Т919В, 2Т919В-2, КТ919В, а ток
коллектора не должен превышать 0,5 А для 2Т919А, 2Т919А—2,
КТ919А, КТ919Г; 0,25 А для 2Т919Б, 2Т919Б-2, КТ919Б; 0,15 А
для 2Т919В, 2Т919В-2, КТ919В.
2Т925А, 2Т925Б, 2Т925В,
КТ925А, КТ925Б, КТ925В, КТ925Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
усилителях мощности, умножителях частоты и автогенерато-
рах на частотах 200...400 МГц при напряжении питания 12,6 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми
выводами и монтажным винтом. Тип прибора указывается на
корпусе.
Масса транзистора не более 4,5 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
125
2Т925(А-В),КТ925(А-Г)
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте f= 320 МГц
при - 12,6 В, Гк = +65 °C:
2Т925А, КТ925А.......................... 2 Вт
КТ925Б............................... 5 Вт
2Т925Б............................... 7 Вт
КТ925Г................................. 15	Вт
2Т925В, КТ925В....................... 20 Вт
Коэффициент усиления по мощности на ча-
стоте f = 320 МГц:
Рвых = 2 Вт для 2Т925А, КТ925А, не менее 6,3
типовое значение...................... 7*
Рвых = 5 Вт для КТ925Б, не менее..... 5
Рвых = 7 Вт для 2Т925Б, не менее..... 4
типовое значение..................... 6*
Твых = 20 для 2Т925В, КТ925В, не менее .. 3
типовое значение........................ 3,2*
Рвых = 15 Вт для КТ925Г, не менее.... 2,5
Коэффициент полезного действия коллектора,
типовое значение:
2Т925А, 2Т925Б....................... 63*%
2Т925В.................................. 70*%
КТ925А, КТ925Б, КТ925В, КТ925Г,
не менее............................. 55%
126
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при Цэ = 5 В, /к = 200 мА:
2Т925А, КТ925А, не менее............... 8
типовое значение...................... 20*
2Т925Б, не менее...................... 10
типовое значение...................... 30*
2Т925В, КТ925В, не менее.............. 17
типовое значение...................... 80*
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при (7КЭ = 10 В, f = 100 МГц:
/к = 0,6 А для 2Т925А, не менее....... 6
типовое значение...................... 14*
/к = 0,8 А для 2Т925Б, не менее....... 6
типовое значение...................... 17*
/к = 1 А для 2Т925В, не менее......... 5
типовое значение...................... 10*
/к = 0,6 А для КТ925А, не менее....... 5
/к = 0,8 А для КТ925Б, не менее....... 5
4 = 1 А для 2Т925В, КТ925Г, не менее.. 4,5
Критический ток коллектора на частоте
f- 100 МГц при (7КЭ = 10 В, не менее:
2Т925А, КТ925А........................ 0,8 А
2Т925Б, КТ925Б........................ 1 А
2Т925В, КТ925В........................ 4,5 А
КТ925Г................................ 4 А
Постоянная времени цепи обратной связи на
высокой частоте при U№ = 10 В, f = 5 МГц:
/э = 30 мА для 2Т925А, КТ925А, не более 20 пс
типовое значение...................... 8* пс
4 = 30 мА для 2Т925Б, КТ925Б, не более. 35 пс
типовое значение...................... 22* пс
/э = 100 мА для 2Т925В, КТ925В, КТ925Г,
не более.............................. 40 пс
типовое значение...................... 15* пс
Емкость коллекторного перехода
при С/КБ = 12,6 В, f= 5 МГц:
2Т925А, КТ925А не более............... 15 пФ
типовое значение...................... 9,5* пФ
2Т925Б, КТ925Б, не более.............. 30 пФ
типовое значение...................... 16* пФ
2Т925В, КТ925В, КТ925Г, не более...... 60 пФ
типовое значение...................... 44* пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при Цэ = 36 В, /?ЭБ =100 Ом, не более:
Т= +25 °C:
2Т925А................................. 5 мА
127
КТ925А............................ 7 мА
2Т925Б............................ 10 мА
КТ925Б............................ 12 мА
2Т925В, КТ925В, КТ925Г............ 30 мА
Т= +85 °C:
КТ925А.............................. 14 мА
КТ925Б............................ 24 мА
КТ925В, КТ925Г.................... 60 мА
Т= +125 °C:
2Т925А.............................. 10 мА
2Т925Б............................ 20 мА
2Т925В............................ 60 мА
Обратный ток эмиттера, не более:
Т= +25 °C:
иэъ = 4 В:
2Т925А................................ 2	мА
КТ925А......................... 4	мА
иэъ = 4 В:
2Т925Б......................... 5	мА
КТ925Б......................... 8	мА
(/ЭБ = 3,5 В:
2Т925В............................ 5	мА
КТ925В, КТ925Г................. 10 мА
Т= +85 °C:
иэъ = 4 В для КТ925А................ 8 мА
иэъ = 4 В для КТ925Б.............. 16 мА
U3b = 3,5 В для КТ925В, КТ925Г.... 20 мА
Т= +125 °C:
иэъ = 4 В для 2Т925А................ 4 мА
Ux = 4 В для 2Т925Б............... 10 мА
иЭ6 = 3,5 В для 2Т925В............ 10 мА
Индуктивность выводов:
2Т925А, КТ925А:
эмиттерного......................... 1,2* нГн
коллекторного..................... 2,4* нГн
базового.......................... 2,6* нГн
2Т925Б, КТ925Б:
эмиттерного.........................1* нГн
коллекторного..................... 2,4* нГн
базового.......................... 2,4* нГн
2Т925В, КТ925В, КТ925Г:
эмиттерного......................... 1* нГн
коллекторного..................... 2,4* нГн
базового.......................... 2,4* нГн
128
Емкости выводов относительно корпуса:
эмиттер—корпус........................ 1,84*	пФ
коллектор—корпус................... 1,53*	пФ
база—корпус........................ 0,96*	пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
ПРИ /?эб Ю0 0м.......................... В
Постоянное напряжение коллектор—база.... 36 В
Постоянное напряжение эмиттер—база:
2Т925А, КТ925А,	2Т925Б, КТ925Б........ 4 В
2Т925В, КТ925В,	КТ925Г.............. 3,5 В
Постоянный ток коллектора:
2Т925А, КТ925А...................... 0,5 А
2Т925Б, КТ925Б....................... 1 А
2Т925В, КТ925В,	КТ925Г.............. 3,3 А
Импульсный ток коллектора при косинусои-
дальной форме импульса:
2Т925А, КТ925А............................ 1 А
2Т925Б, КТ925Б....................... 3 А
2Т925В, КТ925В,	КТ925Г.............. 8,5 А
Средняя рассеиваемая мощность' в динамиче-
ском режиме при Гк С +40 °C:
2Т925А, КТ925А.......................... 5,5 Вт
2Т925Б, КТ925Б....................... 11	Вт
2Т925В, КТ925В, КТ925Г............... 25	Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус:
2Т925А, КТ925А.......................... 20	’С/Вт
2Т925Б, КТ925Б....................... 10	°С/Вт
2Т925В, КТ925В, КТ925Г............... 4,4 °С/Вт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Температура корпуса:
2Т925А, 2Т925Б, 2Т925В.................. +125 °C
КТ925А, КТ925Б, КТ925В, КТ925Г....... +85 °C
Температура окружающей среды:
2Т925А, 2Т925Б, 2Т925В.................. -60... Гк =
= +125 °C
КТ925А, КТ925Б, КТ925В, КТ925Г....... -45... Гк =
= +85 °C
А, МАКС - (150	7"к)/А<П-К|»
5-949
129
2Т930А, 2Т930Б, КТ930А, КТ930Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
усилителях мощности, умножителях частоты и автогенерато-
рах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми
выводами. Внутри корпуса имеется согласующее L С-звено.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 7 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
2Т930(А,Б), К1930(А,Б)
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте f= 400 МГц
при (7КЭ = 28 В, 7"к = +40 °C, не менее:
2Т930А, КТ930А........................... 40	Вт
2Т930Б, КТ930Б........................ 75	Вт
Коэффициент усиления по мощности на ча-
стоте 1- 400 МГц, не менее:
Рвых ~ 40 Вт	для	2Т930А........... 6
Рвых = 75 Вт	для	2Т930Б.............. 4
Рвых = 40 Вт	для	КТ930А.............. 5
Рвых = 75 Вт	для	КТ930Б............. 3,5
130
Коэффициент полезного действия коллектора
на частоте f- 400 МГц:
Рвых = 40 Вт для 2Т930А, КТ930А,
не менее............................... 50%
типовое значение........................ 65*%
Рвых = 75 Вт для 2Т930Б, КТ930Б,
не менее............................... 50%
типовое значение....................... 58*%
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при U<3 = 5 В, /к = 0,5 А, типовое
значение:
2Т930А, КТ930А......................... 40*
2Т930Б, КТ930Б......................... 50*
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при £/кэ = 10 В, f= 300 МГц:
/к = 2,5 А для 2Т930А, КТ930А, не менее . 1,5
типовое значение....................... 3*
/к = 5 А для 2Т930Б, КТ930Б, не менее.. 2
типовое значение....................... 3,2*
Критический ток на частоте f= 300 МГц
при UK3 = 5 В, типовое значение:
2Т930А, КТ93ОА.......................... 8* А
2Т930Б, КТ930Б......................... 20* А
Постоянная времени цепи обратной связи на
высокой частоте при С/КБ = 10 В, /э = 0,5 А,
f= 5 МГц, типовое значение:
2Т930А, КТ930А............................ 8* пс
2Т930Б, КТ930Б......................... 11* пс
Емкость коллекторного перехода
при (/КБ = 28 В, f = 30 МГц:
2Т930А, КТ930А, не	более............. 80 пФ
типовое значение....................... 62* пФ
2Т930Б, КТ930Б., не	более............. 170 пФ
типовое значение....................... 130* пФ
Емкость эмиттерного перехода при U3b = 0,
f- 5 МГц, типовое значение:
2Т930А, КТ930А......................... 800* пФ
2Т930Б, КТ930Б......................... 2000* пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при UK3 = 50 В, РБЭ = 10 Ом, не более:
Т= +25 °C:
2Т93ОА, КТ930А..................... 20 мА
2Т930Б, КТ930Б..................... 100 мА
Т= +85 °C:
КТ930А................................ 40 мА
s*
КТ930Б............................. 200 мА
Г= +125 °C:
2Т930А................................. 50 мА
2Т930Б............................. 200 мА
Обратный ток эмиттера при С/ЭБ = 4 В,
не более:
Т = +25 °C:
2Т930А, КТ930А............................ 10 мА
2Т930Б, КТ930Б..................... 20 мА
Т= +85 “С:
КТ930А................................ 20	мА
КТ930Б................................ 40	мА
Т= +125 °C:
2Т930А.................................... 20	мА
2Т930Б................................ 40	мА
Индуктивность внутреннего ДС-звена, типовое
значение:
2Т930А, КТ930А............................ 0,44* нГн
2Т930Б, КТ930Б......................... 0,26* нГн
Емкость внутреннего £С-звена, типовое значе-
ние:
2Т930А, КТ930А............................ 450* пФ
2Т930Б, КТ930Б......................... 650* пФ
Индуктивность выводов, типовое значение:
2Т930А, КТ930А:
эмиттерного:
при I - 1 мм.............................. 0,35* нГн
при I = 3 мм.................... 0,54* нГн
коллекторного:
при I -	1 мм...................... 1,6*	нГн
при / =	3 мм.................... 2,08*	нГн
базового:
при / =	1 мм..................... 1,57*	нГн
при / =	3 мм.................... 2,05*	нГн
2Т930Б, КТ930Б:
эмиттерного:
при / = 1 мм................:...: 0,24* нГн
при / = 3 мм.................... 0,43* нГн
коллекторного:
при / =	1	мм..................... 1,6*	нГн
при / =	3	мм.................... 2,03*	нГн
базового:
при I =	1	мм.................... 1,43*	нГн
при / =	3	мм.................... 1,84*	нГн
132
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при ЯЭБ < ЮО Ом......................... 50 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 4 В
Постоянный ток коллектора:
2Т930А, КТ930А....................... 6 А
2Т930Б, КТ930Б....................... 10 А
Входная СВЧ мощность:
2Т930А, КТ930А.......................... 7 Вт
2Т930Б, КТ930Б....................... 18,5 Вт
Средняя рассеиваемая мощность1 в динамиче-
ском режиме при Гк +40 °C:
2Т930А, КТ930А.......................... 75 Вт
2Т930Б, КТ930Б....................... 120 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус:
2Т930А.................................. 1,6 °С/Вт
КТ930А............................... 1,8 °С/Вт
2Т930Б............................... 1 .°С/Вт
КТ930Б............................... 1,2 °С/Вт
Температура р-п перехода................ +160 °C
Температура корпуса:
2Т930А, 2Т930Б.......................... +125 °C
КТ930А, КТ930Б....................... +85 °C
Температура окружающей среды
2Т930А, 2Т930Б.......................... -6О...ТК =
= +125 °C
КТ930А, КТ930Б....................... -40... Тк =
= +85 °C
При 7, > +40 °C
РК. СР. МАКС ~ {160 — ГК)//?,(П_К„ Вт.
Шероховатость контактной поверхности теплоотвода дол-
жна быть не менее 1,6. Неплоскостность контактной поверхно-
сти теплоотвода должна быть не более 0,04 мм. Тепловое
сопротивление корпус—теплоотвод при нанесении теплопро-
водящей смазки типа КПТ—8 на поверхность теплоотвода тран-
зистора 0,3 °С/Вт.
Пайка выводов допускается не ближе 1 мм от корпуса по
методике, не приводящей к нарушению конструкции и герме-
тичности транзистора, при температуре не более +270 °C в
течение не более 3 с.
133
Электрическая схема транзисторов:
2Т930А: Ц, = 1,57 нГн, 4И = 0,44 нГн, 4Э = 0,35 иГи, 4К = 1,6 нГн, С = 450 пФ;
2Т93ОБ: 46, = 1,42 нГн, 4И = 0,26 нГн, 4Э = 0,24 нГц, 4, = 1,6 нГн, С = 650 пФ.
2Т934А, 2Т934Б, 2Т934В,
КТ934А, КТ934Б, КТ934В, КТ934Г, КТ934Д
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах
на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28 В. Выпус-
каются в металлокерамическом корпусе с полосковыми вывода-
ми и монтажным винтом. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 4,5 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте f = 400 МГц
при = 28 В, Гк +40 °C, не менее:
2Т934А, КТ934А.......................... 3 Вт
КТ934Г............................... 10	Вт
2Т934Б, КТ934Б....................... 12	Вт
КТ934Д............................... 20	Вт
2Т934В, КТ934В....................... 25	Вт
Коэффициент усиления по мощности на ча-
стоте f = 400 МГц:
РВых = 3 Вт для 2Т934А, КТ934А, не менее 6
типовое значение..................... 9*
РВЬ|Х = 12 Вт для 2Т934Б, КТ934Б,
не менее.............................. 4
типовое значение..................... 5,5*
134
2Т<ША-В), КТ9М(А-Д)
Рвых = 25 Вт для 2Т934В, КТ934В,
не менее................................. 3
типовое значение........................ 4*
^вых = Ю Вт для КТ934Г, не менее........ 3,3
Рвых = 20 Вт для КТ934Д, не менее....... 2,4
Коэффициент полезного действия коллектора
на частоте f= 400 МГц, не менее............ 50%
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, /к = 100 мА для
2Т934А, КТ934А, /к = 150 мА для 2Т934Б,
КТ934Б, /к = 250 мА для 2Т934В, КТ934В,
типовое значение........................... 50*
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер,
типовое значение:
при /к =	100	мА,	/Б =	20	мА для	2Т934А....	0,2* В
при /к =	150	мА,	/Б =	30	мА для	2Т934Б....	0,16* В
при /к =	250	мА,	/Б =	50	мА для	2Т934В....	0,12* В
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при (/кэ = 10 В, f= 100 МГц:
/к = 0,15 А для 2Т934А, КТ934А,
/к = 0,6 А для 2Т934Б, КТ934Б,
/к = 1,2 А для 2Т934В, КТ934В, не менее.. 5
типовое значение........................ 9*
/к = 0,6 А для 2Т934Г, /к = 1,2 А для
2Т934Д, не менее....................... 4,5
типовое значение........................ 8*
Критический ток на частоте f = 100 МГц
пРи UK3 = Ю В:
2Т934А, КТ934А, не менее................ 230 мА
типовое значение....................... 320*	мА
2Т934Б, КТ934Б, не менее................ 1 А
135
типовое значение..................... 1,5* А
2Т934В, КТ934В, не менее............. 2 А
типовое значение..................... 3,2* А
КТ934Г, не менее..................... 0,9 А
типовое значение..................... 1,4* А
КТ934Д, не менее..................... 1,8 А
типовое значение..................... 2,5* А
Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте при (7КБ = 20 В, f = 5 МГц:
/к = 0,1 А для 2Т934А, КТ934А,
/к = 0,15 А для 2Т934Б, КТ934Б,
/к = 0,2 А для 2Т934В, КТ934В, не более.. 20	пс
типовое значение..................... 5*	пс
/к = 0,15 А для 2Т934Г, /к = 0,2 А для
2Т934Д, не более..................... 25	пс
типовое значение..................... 5*	пс
Емкость коллекторного перехода
при £/кб = 28 В, f= 5 МГц, не более:
2Т934А, КТ934А........................... 9 пФ
2Т934Б, КТ934Б, КТ934Г............... 16 пФ
2Т934В, КТ934В, КТ934Д............... 32 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Ux = 0,
f= 5 МГц, не более:
2Т934А, КТ934А....................... 60 пФ
2Т934Б, КТ934Б, КТ934Г............... 160 пФ
2Т934В, КТ934В, КТ934Д............... 300 пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при (/кэ = 60 В, /?БЭ = 10 Ом, не более:
Т= +25 °C:
2Т934А............................... 5 мА
КТ934А............................ 7,5 мА
2Т934Б............................ 10	мА
КТ934Б, КТ934Г.................... 15	мА
2Т934В............................ 20	мА
КТ934В, КТ934Д.................... 30	мА
Т= +85 °C:
КТ934А............................... 15	мА
КТ934Б, КТ934Г.................... 30	мА
КТ934В, КТ934Д.................... 60	мА
Г = +125 °C:
2Т934А............................... 10	мА
2Т934Б............................ 30	мА
2Т934В............................ 40	мА
Обратный ток эмиттера при С/ЭБ = 0, не более:
Т = +25 °C:
2Т934А, 2Т934Б, 2Т934В............... 5 мА
136
КТ934А, КТ934Б, КТ934Г............ 7,5 мА
КТ934В, КТ934Д.................... 8 мА
Т- +85 °C:
КТ934А, КТ934Б, КТ934Г................ 7,5 мА
КТ934В, КТ934Д.................... 8 мА
Г = +125 °C для 2Т934А, 2Т934Б, 2Т934В 10 мА
Индуктивность выводов, типовое значение:
2Т934А, КТ934А:
эмиттерного........................... 1,3*	нГн
коллекторного..................... 2,5*	нГн
базового.......................... 3,1*	нГн
2Т934Б, КТ934Б, КТ934Г:
эмиттерного........................... 1,2* нГн
коллекторного..................... 2,5* нГн
базового.......................... 3,1* нГн
2Т934В, КТ934В, КТ934Д:
эмиттерного........................... 1* нГн
коллекторного..................... 2,5* нГн
базового.......................... 2,8* нГн
Межэлектродные емкости корпуса, типовое
значение:
эмиттер—корпус......................... 1,84*	пФ
коллектор—корпус..................... 1,53 пФ
база—корпус.......................... 0,96* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер1
при Рэ6 $ 10 Ом......................... 60 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 4 В
Постоянный ток коллектора:
2Т934А, КТ934А....................... 0,5 А
2Т934Б, КТ934Б, КТ934Г............... 1 А
2Т934В, КТ934В, КТ934Д............... 2 А
КСВН коллекторной цепи при Тк $ +40 °C:
Рвых = 3 Вт для 2Т934А, КТ934А........ 10
Рвых = 6 Вт для 2Т934Б, КТ934Б....... 10
Рвых = 12 Вт для 2Т934В, КТ934В...... 10
Средняя рассеиваемая мощность* 2 в динамиче-
ском режиме при Гк +25 °C:
2Т934А, КТ934А....................... 7,5 В
2Т934Б, КТ934Б,	КТ934Г.............. 15 В
2Т934В, КТ934В,	КТ934Д.............. ЗОВ
При тк - Гк мин UK3 R НАКС 50 В.
2 При 7к > +25 °C
Асрмакс = (160 — Тк)//?7|П-К). Вт.
Тепловое сопротивление переход—корпус:
2Т934А, КТ934А........................... 17,5 °С/Вт
2Т934Б, КТ934Б, КТ934Г............... 8,8 °С/Вт
2Т934В, КТ934В, КТ934Д............... 4,4 °С/Вт
Температура р-п перехода................. +160 °C
Температура корпуса:
2Т934А, 2Т934Б, 2Т934В................... +125 °C
КТ934А, КТ934Б, КТ934В, КТ934Г, КТ934Д +85 °C
Температура окружающей среды
2Т934А, 2Т934Б, 2Т934В................... -60... Тк =
= +125 °C
КТ934А, КТ934Б, КТ934В, КТ934Г, КТ934Д -40... Тк =
= +85 °C
Шероховатость контактной поверхности теплоотвода дол-
жна быть не менее 2,5. Неплоскостность контактной поверхно-
сти теплоотвода должна быть не более 0,04 мм. Для уменьше-
ния контактного сопротивления между корпусом и теплоотво-
дом следует применять теплоотводящие смазки.
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 3 мм
от корпуса по методике, не приводящей к нарушению кон-
струкции и герметичности транзистора, при температуре не
выше +270 °C.
Допускается пайка выводов не ближе 1 мм от корпуса по
методике, не приводящей к нарушению конструкции и герметич-
ности транзистора, припоем ПОС—61, ПОССуб 1—0,5 в течение
не более 3...4 с, при температуре не выше 220 °C с теплоотво-
дом между корпусом и местом пайки. Корпус прибора необхо-
димо защищать от попадания на него брызг флюса и припоя.
2Т937А-2, 2Т937Б-2, 2Т937А-5,
КТ937А-2, КТ937Б-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
усилителях и генераторах в диапазоне частот 0.9...5 ГГц в схеме
с общей базой в составе гибридных интегральных микросхем.
Транзисторы 2Т937А-2, 2Т937Б-2, КТ937А-2, КТ937Б-2 бес-
корпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами. На
транзисторы наносится условная маркировка: 2Т937А—2 — зе-
леная точка и буква «А», 2Т937Б—2 — белая точка и буква «Б»,
КТ937А-2 — две зеленые точки и буква «А», КТ937Б—2 — две
белые точки и буква «Б». Транзистор 2Т937А—5 выпускается в
виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодер-
жателя и без выводов. Тип прибора указывается в этикетке.
13В
Масса бескорпусного транзистора не более 2 г, кристалла
не более 0,0002 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
27937(А-2. Б-2). К79371А-2, 5-2)
2Т937А-5
Электрические параметры
Выходная мощность на f= 5 ГГц
пРи UKb = 21 В:
/к = 220 мА, Рвх = 1 Вт для 2Т937А—2,
2Т937А-5, КТ937А-2....................... ..
2,5* Вт
139
/к = 450 мА, Рвх = 2 Вт:
2Т927Б-2.............................. 3,6-4,2*...
4,7* Вт
КТ937Б—2, не менее................ 3,2 Вт
типовое значение.................. 3,8* Вт
Коэффициент усиления по мощности
на f= 5 ГГц при U№ = 21 В:
2Т937А-2, 2Т937А-5 при /к = 20Q мА,
Рвх = 1 Вт............................ 1,6-2*. ..2,5*
2Т937Б-2 при /к = 450 мА, Рвх = 2 Вт.. 1,8—2,1*—2,35*
Коэффициент полезного действия коллектора
на f~ 5 ГГц при t/KB = 21 В:
/к = 220 мА, Рвх = 1 Вт:
2Т937А-2, 2Т937А-5 ............... 35...43*...53*%
КТ937А—2, типовое значение........ 35*%
/к = 450 мА, Рвх = 2 Вт:
2Т937Б-2 ............................. 39...44*...49*%
КТ937Б—2, типовое значение........ 38*%
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при С/КБ = 5 В, типовое зна-
чение:
2Т937А-2, 2Т937А-5, КТ937А-2
при /э = 0,15 А....................... 6,5* ГГц
2Т937Б-2, КТ937Б-2 при /э = 0,3 А..... 6,5* ГГц
Фаза коэффициента передачи тока
при IZKB = 5 В, f - 1 ГГц, не более:
2Т937А-2, 2Т937А-5 при /э = 150 мА.... 17°
КТ937А-2 при /э = 150 мА.............. 16°
2Т937Б-2 при /э = 300 мА.............. 16°
КТ937Б-2 при /э = 300 мА.............. 17-
Постоянная времени цепи обратной связи на
высокой частоте при Т/КБ = 10 В, f= 100 МГц,
типовое значение:
• 2Т937А-2, КТ937А-2 при/э = 50 мА....... 0,78 пс
2Т937Б-2, КТ937Б-2 при /э = 80 мА..... 0,6 пс
Обратный ток коллектора при С/КБ = 25 В,
не более:
Г = +25 °C:
2Т937А-2, 2Т937А-5, КТ937А-2...... 2 мА
2Т937Б-2, КТ937Б-2................ 5 мА
Т= +125 °C:
2Т937А-2.............................. 20 мА
2Т937Б-2.......................... 30 мА
Обратный ток эмиттера при С/ЭБ = 2,5 В,
не более:
2Т937А-2, 2Т937А-5, КТ937А-2.......... 0,2 мА
140
2Т937Б-2, КТ937Б-2...................... 0,5 мА
Критический ток при £/КБ = 5 В, f= 1 ГГц:
2Т937А-2, 2Т937А-5, КТ937А-2,
КТ937Б-2 ............:..................... 200...400*...
550*
2Т937Б-2................................ 400...800*...
950* мА
Модуль коэффициента обратной передачи
напряжения в схеме ОБ при Г/КБ = 10 В,
f= 100 МГц, не более:
2Т937А-2, 2Т937А-5, КТ937А-2
при 4 = 50 мА........................... 2,1 • 10-3*
2Т937Б-2, КТ937Б-2 при /э = 80 мА....... 2 • 10"3*
Полное входное сопротивление на f= 4 ГГц
при UKb = 21 В, Рвх = 0,4 Вт, Рвых = 3,6 Вт,
типовое значение........................... 0,5 + у 15* Ом
Полное сопротивление нагрузки, типовое зна-
чение ..................................... 3 + j 1* Ом
Емкость коллекторного перехода.
при Г/КБ = 20 В:
2Т937А-2, 2Т937А-5, КТ937А-2............... 2,2*...3*...
5,5 пФ
2Т937Б-2, КТ937Б-2...................... 4,2*...4,5*...
7,5 пФ
Емкость эмиттерного перехода при U3b = 0:
2Т937А-2, 2Т937А-5, КТ937А-2............... 7,5*..8,5*...
25 пФ
2Т937Б-2, КТ937Б-2...................... 22,5*...27*...
50 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база....... 25 В
Постоянное напряжение эмиттер—база......... 2,5 В
Постоянный ток коллектора:
2Т937А-2, 2Т937А-5, КТ937А-2............... 250 мА
2Т937Б-2, КТ937Б-2...................... 450 мА
Средняя рассеиваемая мощность коллектора’
в динамическом режиме при Гк = +25 °C: ,
2Т937А-2, 2Т937А-5, КТ937А-2............... 3,6 Вт
2Т937Б-2, КТ937Б-2...................... 7,4 Вт
' При Тк > +25 “С максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность
коллектора рассчитывается по формуле
А,ср,макс = А,ср,макс (Г -+25 С) - (Гк — 25)/А(П_К), Вт,
где Я = 34,5 °С/Втдля 2Т937А-2, 2T937A-5, KT937A-2, Ащ-к^ 17 *С/Вт
Аля 2Т937Б-2, КТ937Б-2.
141
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’ при Гк = +80 °C:
2Т937А-2, 2Т937А-5, КТ937А-2
при (Ук6 = 6,5 В...................... 1,44 Вт
2Т937Б-2, КТ937Б-2 при t/K6 = 5 В..... 2,25 Вт
Температура р-п перехода.................. +150 °C
Температура окружающей среды:
2Т937А-2, 2Т937А-5, КТ937А-2............. -60... Гк =
= +125 “С
2Т937Б-2, КТ937Б-2.................... -6О...ГК	=
= +100 °C
’ При Тц > +80 °C максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
Рк. макс ~ Р*. макс (Т ~ +80 С) - (Гк - 80)//?т (п-кр Вт,
где Ам = <5 °С/Вт для 2Т937А-2, 2Т937А-5, КТ937А-2, А?т{п_к, = 22,2 сС/Вг
для 2Т937Б-2, КТ937Б-2.
Минимальное расстояние места пайки выводов транзисто-
ров от кристаллодержателя 3 мм, температура пайки не выше
+260 °C. Допускается пайка выводов на расстоянии 1 мм от
кристаллодержателя при этом температура пайки не должна
превышать +150 °C, время пайки не более 3 с.
Не рекомендуется применение транзисторов в динамиче-
ском режиме при напряжении питания выше 14 В для 2Т937А—2,
2Т937А-5, КТ937А-2 и 15 В для 2Т937Б-2, КТ937Б-2 в
диапазоне частот 0,9... 1,4 ГГц; 18 В для всех типов транзисто-
ров на частотах 1,4...2,5 ГГц; 21 В для всех типов транзисто-
ров на частотах свыше 2,5 ГГц.
Допускается использование транзисторов в статическом
режиме при UKb = 10 В, /э = 50 мА.
Технология монтажа транзисторов 2Т937А—5 в гибридную
схему, применяемые детали и материалы должны обеспечи-
вать значение теплового сопротивления переход—корпус со-
бранного в гибридную схему транзистора не более 34,5 °С/Вт.
При монтаже транзисторов в гибридную схему необходи-
мо выполнять следующие условия:
монтаж транзисторов должен осуществляться с помощью
ультразвуковой пайки в инертной среде. Температура пайки не
более +450 °C. В качестве припоя должна применяться золо-
тая прокладка толщиной 0,02 мм. Поверхность, на которую
напаивается транзистор, должно быть золоченая, толщина
покрытия не менее 3 мкм;
присоединение выводов к контактным площадкам должно
производиться термокомпрессионной сваркой при температуре
не более +350 °C в течение не более 3 с. В качестве выводов
142
должна применяться алюминиевая проволока диаметром
0,026 мм марки А5Е. Соединение вывода с контактной площад-
кой должно выдерживать разрывное усилие не менее 1,5 гс;
выводы после термокомпрессии не должны касаться струк-
туры и боковых ребер транзистора;
не допускается смещение термокомпрессионных точек,
приводящее к закорачиванию элементов структуры;
не допускается сильное натяжение и провисание выводов;
не допускается разрыв (пережатие) вывода в месте термо-
компрессии.
После извлечения транзисторов из герметичной или влаго-
защитной упаковки изготовителя до присоединения выводов к
контактным площадкам транзисторы должны находиться в спе-
циальной камере с инертной средой не более 10 сут. В случае
использования части транзисторов из общей упаковки, неис-
пользованные транзисторы должны быть повторно упакованы
в герметичную тару. Требование на хранение в специальной
камере с инертной средой не более 10 сут распространяется
на повторно упакованные транзисторы с момента вскрытия
вторичной упаковки.
2Т938А-2, КТ938Б-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
усилителях мощности, умножителях частоты и автогенерато-
рах на частотах до 5 ГГц в схеме с общей базой при напряже-
нии питания до 20 В в герметизированной аппаратуре. Выпус-
каются в металлокерамическом держателе с гибкими полоско-
выми выводами. Тип прибора указывается на этикетке.
Масса транзистора не более 0,15 г.
Изготовитель — завод «Транзистор», г. Минск.
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте f= 5 ГГц
при Г/КБ = 20 В, не менее................ 1 Вт
Коэффициент усиления по мощности на ча-
стоте f = 5 ГГц при £/кб = 20 В, РЁЫХ = 1 Вт,
не менее................................. 2
типовое значение...................... 3*
Коэффициент полезного действия коллек-
тора на частоте Г= 5 ГГц при Г/КБ = 20 В,
Рвых = 1 Вт, не менее.................... 26%
типовое значение...................... 33*%
|43
2Т938А-2, KT9388-2
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при Г/КБ = 3 В, /к = 0,15 А,
не менее................................. 2 ГГц
Критический ток на частоте Г= 300 МГц
при t/K6 = 3 В, не менее................. 0,18 А
типовое значение...................... 0,27*	А
Постоянная времени цепи обратной связи на
высокой частоте при Г/КБ = 10 В, /э = 50 мА,
f = 100 МГц, не более.................... 2 пс
типовое значение..................... 0,6* пс
Емкость коллекторного перехода
при U№ = 20 В, f = 10 МГц, не более...... 4 пФ
типовое значение..................... 2,6* пФ
Емкость эмиттерного перехода
при иЭБ = 2,5 В, f= 10 МГц, не более..... 12 пФ
типовое значение..................... 7,5* пФ
Обратный ток коллектора при t/K6 = 28 В,
не более:
Г =+25 °C................................ 1 мА
Т= +125 °C для 2Т938А-2.............. 10 мА
Обратный ток эмиттера при t/K6 = 2,5 В,
не более:
Т= +25 °C............................ 0,1 мА
Т= +125 °C для 2Т938А-2.............. 1 мА-
Сопротивление базы, типовое значение..... 1,5* Ом
Сопротивление коллектора, типовое значение 1* Ом
Сопротивление эмиттера, типовое значение .... 0,25* Ом
Индуктивность вывода базы внутренняя, типо-	
вое значение............................. 0,17* нГн
144
Индуктивность вывода эмиттера внутренняя,
типовое значение..........................	0,3* нГн
Индуктивность вывода коллектора внутренняя,
типовое значение.......................... 0,5* нГн
Емкость вывода эмиттера относительно базы,
типовое значение.......................... 0,35* пФ
Емкость вывода коллектора относительно
базы, типовое значение.................... 0,5* пФ
Активная емкость коллектора при UKb = 20,
типовое значение.......................... 0,3* пФ
Суммарная активная и пассивная емкость кол-
лектора при (/КБ = 20 В, типовое значение. 1,2* пФ
Емкость коллектор—эмиттер, типовое значе-
ние....................................... 0,5* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение	коллектор—база..... 28 В
Постоянное напряжение	эмиттер—база....... 2,5 В
Постоянный ток коллектора................. 0,18 А
Средняя рассеиваемая мощность’ в динамиче-
ском режиме при Гк $ +25 °C............... 2,5 Вт
Постоянная рассеиваемая мощность'
при U№ = 10 В, Гк $ +30 °C................ 1,5 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус..... 80 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус
в динамическом режиме..................... 50 °С/Вт
Температура р-п перехода.................. +150	°C
Температура корпуса:
2Т938А-2............................... +125	°C
КТ938Б-2............................... +100	°C
Температура окружающей среды:
2Т938А-2............................... -6О...ГК	=
= +125 °C
КТ938Б-2............................... -6О...ТК	=
= +100 °C
' При Гк > +25 °C
Рк макс = (150 —	(П-К), ^т-
Держатель транзистора припаивается к теплоотводу при
Тк $ +200 °C за время не более 3 с.
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 3 мм
от держателе при Т $ +150 °C; допускается, пайка выводов на
расстоянии 1 мм при условии жесткой фиксации основания
вывода относительно держателя.
145
Зависимость выходной мощности
от входной мощности
Зависимость выходной мощности
от напряжения коллектор—база
Зависимость граничной частоты
от тока коллектора
Зависимость критического тока
от напряжения коллектор—база
Зависимость постоянной времени
цепи обратной связи от тока эмит-
тера
Зависимость емкости коллекторно-
го перехода от напряжения кол-
лектор—база
146
2Т939А, КТ939А, КТ939Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п усилительные. Предназначены для применения в уси-
лителях класса А с повышенными требованиями к линейности.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полос-
ковыми выводами. Тип прибора указывается на этикетке.
Масса транзистора не более 2 г.
Изготовитель — завод «Транзистор», г. Минск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ:
при UK3 = 12 В, /к = 200 мА:
2Т939А, КТ939А.......................... 40...200
типовое значение..................... 113*
КТ939Б............................... 20...200
типовое значение...................... 113*
при UK3 = 5 В, /к = 50 мА для 2Т939А..... 35*...200*
Неравномерность коэффициента передачи
тока в режиме малого сигнала при UK3 = 12 В,
'к = 40...400 мА............................ 1,04*... 1,25*...
1,5
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ:
при UK3 = 12 В, /к = 200 мА:
2Т939А, КТ939А.......................... 2500...3060*...
3300* МГц
147
КТ939Б............................. 1500...2060*.
2300* МГц
при UK3 = 15 В, /к = 50 мА для 2Т939А,
КТ939А, не менее........................ 2000 МГц
Граничное напряжение при /э = 30 мА........ Ю...28*...34* В
Постоянная времени цепи обратной связи на,
высокой частоте при С/К6 = 10 В, /э = 50 мА,
f= 30 МГц:
2Т939А, КТ939А.......................... 4*...4,6*...9 пс
КТ939Б.................................. 4*...4,6*...10 пс
Емкость коллекторного перехода
при U№ = 12 В:
2Т939А, КТ939А.......................... 3,5*...3,9*...
5,5 пФ
КТ939Б.................................. 3,5*...3,9*...
6 пФ
Емкость эмиттерного перехода при	U3b = 0.. 15*...17,5*...
23 пФ
Обратный ток коллектора при t/K6 = 30 В,
не более:
Г =+25 °C.................................. 2 мА
7=+125 °C............................... 2,5 мА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при 6/ю = 30 В, не более................... 2 мА
Обратный ток эмиттера при U3b = 3,5 В,
не более:
7=-60...+25 °C............................. 1 мА
7=+125 °C............................... 5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
при 7» +25 °C........................... 30 В
при 7 = -60 °C.......................... 25 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 10 Ом:
при 7»+25 °C............................... ЗОВ
при 7= -60 °C........................... 25 В
Постоянное напряжение эмиттер—база......... 3,5 В
Постоянный ток коллектора............-..... 400 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
при	7К =	-60...+25 °C................. 4 Вт
при	7К =	+125 °C для 2Т939А .......... 0,8 Вт
при	7К =	+100 °C для КТ939А, КТ939Б... 1,6 Вт
Температура	р-п перехода................. +150 °C
148
Температура окружающей среды:
2Т939А.............................. -6О...ГК =
= +125 °C
КТ939А, КТ939Б..................... -60... Гк =
= +100 °C
Изгиб выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса
транзистора.
Разрешается обрезать выводы на расстоянии 3 мм от кор-
пуса. Оба эмиттерных вывода должны быть симметрично со-
единены в электрической схеме.
Пайка выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса
транзистора при условии, что температура корпуса в любой
точке не будет превышать +150 °C.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В.
Зависимость статического коэффи-
циента передачи тока от тока кол-
лектора
Зависимость граничной частоты
от тока коллектора
Зависимость емкости коллектор-
ного перехода от напряжения кол
лектор—база
Область максимальных режимов
149
2Т942А, 2Т942Б, 2Т942А-5, 2Т942Б-5, КТ942В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
усилителях мощности, умножителях частоты и автогенерато-
рах на частотах 0,7...2,4 ГГц в схеме с общей базой при
напряжении питания 28 В. Транзисторы 2Т942А, 2Т942Б,
КТ942В выпускаются в металлокерамическом корпусе с полос-
ковыми выводами. Группа прибора указывается на корпусе в
виде буквы: 2Т942А — А, 2Т942Б — Б, КТ942В — Ви крас-
ной точки. Транзисторы 2Т942А—5, 2Т942Б—5 выпускаются в
виде кристаллов с контактными площадками без кристалло-
держателя и без выводов для гибридных интегральных микро-
схем. Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлокерамическом корпусе не
более 2 г, кристалла не более 0,0005 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2Т942(А,Б), КТ942В
Электрические параметры
Выходная мощность на f= 2 ГГц
при 6/КБ = 28 В:
2Т942А, 2Т942А-5, КТ942В, не менее.... 8 Вт
типовое значение...................... 9* Вт
2Т942Б, 2Т942Б-5, не	менее........... 6 Вт
типовое значение...................... 7* Вт
Коэффициент усиления по мощности на
f= 2 ГГц при £/кб = 28 В, Рвых = 9 Вт для
2Т942А, 2Т942А-5, КТ942В, Рвых = 7 Вт
для 2Т942Б, 2Т942Б—5, не менее........... 2,5
150
2Т9А2(А-5,Б-5)
RD, 025-0,00?
Коэффициент полезного действия коллектора
на f= 2 ГГц при £/кб = 28 В, не менее:
2Т942А, 2Т942А-5, КТ942В при Рвх = 4 Вт 30%
2Т942Б, 2Т942Б-5 при Рвх = 3 Вт....... 25%
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при С/КБ = 10 В, /э = 1,2 А,
не менее................................. 1,95 ГГц
Критический ток на частоте f= 300 МГц
при U№ = 10 В:
2Т942А, 2Т942А—5,	не менее........... 1,6 А
типовое значение...................... 2,7* А
2Т942Б, 2Т942Б-5,	КТ942В,	не менее.. 1,5 А
типовое значение...................... 2,5* А
Постоянная времени цепи обратной связи на
высокой частоте при 6/КБ = 10 В, /э = 150 мА,
f= 30 МГц, не более:
2Т942А, 2Т942А-5......................... 2,2 пс
2Т942Б, 2Т942Б-5...................... 2,5 пс
КТ942В................................ 3 пс
Емкость коллекторного перехода
при 6/КБ = 28 В:
2Т942А, 2Т942Б, 2Т942А-5, 2Т942Б-5,
не более.............................. 20 пФ
типовое значение...................... 16,5* пФ
151
КТ942В, не более....................... 25 пФ
типовое значение....................... 16,5* пФ
Емкость эмиттерного перехода при С/ЭБ = О,
типовое значение........................... 110* пФ
Полное входное сопротивление при
£/КБ = 28 В, Рвх = 3 Вт для 2Т942А, 2Т942А-5,
типовое значение:
f- 1,5 ГГц............................. 0,7 + /7* Ом
f= 1,7 ГГц............................. 0,8 + >9* Ом
Полное сопротивление нагрузки при
U№ = 28 В, Рвх = 3 Вт для 2Т942А, 2Т942А-5,
типовое значение:
f- 1,5 ГГц............................. 3 — у 4* Ом
f= 1,7 ГГц............................. 2,5 - >6* Ом
Обратный ток коллектора при £/КБ = 45 В,
не более:
Г =+25 °C.................................. 20 мА
^макс............................... ЮО мА
Обратный ток эмиттера при U3b = 3,5 В,
не более:
Г =+25 °C.................................. 10 мА
Т ~ ГМАКС.............................. 50 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база':
при Гк = +25 °C..................... 45 В
при 7"к = Гк мин.................... 40 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 3,5 В
Постоянный ток коллектора.............. 1,5 А
Импульсный ток коллектора при Ги = 10 мкс,
О= 100................................. 3 А
Постоянный ток базы.................... 0,5 А
Средняя рассеиваемая мощность коллектора* 2
в динамическом режиме при Гк = +25 °C:
2Т942А, 2Т942А-5, КТ942В............... 25 Вт
2Т942Б, 2Т942Б-5.................... 22 Вт
' При Гк > +25 °C максимально допустимое постоянное напряжение коллек-
тор—база снижается линейно.
2 При Гк > +25 °C максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность
коллектора рассчитывается по формуле
А, ср, макс = (200 — 7к)/^?т (п-к)» Вт.
152
Тепловое сопротивление переход—корпус:
2Т942А, 2Т942А-5, КТ942В................ 7 °С/Вт
2Т942Б, 2Т942Б-5 .................... 8 °С/Вт
Температура р-п перехода................ +200 °C
Температура окружающей среды:
2Т942А, 2Т942Б, 2Т942А-5, 2Т942Б-5... -60... Гк =
= +125 °C
КТ942В............................... —45...ГК =
= +100 °C
Допускается работа транзистора в импульсных режимах
класса «А» при 7И = 10 мкс, и в непрерывных режимах при
i/кв = 7 в, Рк = 4,9 Вт (7к « +25 °C).
Пайка выводов транзисторов допускается на расстоянии не
менее 3 мм от корпуса при температуре +260 °C и 1 мм от
корпуса при температуре +125 °C и времени пайки не более 3 с.
Технология сборки транзисторов 2Т942А—5, 2Т942Б—5 в
гибридную схему, применяемые детали и материалы гибрид-
ной сборки должны обеспечить значение теплового сопротив-
ления переход—корпус транзистора не выше 7 °С/Вт для
2Т942А-5 и 8 °С/Вт для 2Т942Б-5.
При монтаже транзисторов в составе гибридной сборки
необходимо выполнять следующие условия:
монтаж транзисторов должен осуществляться с помощью
ультразвуковой пайки в инертной среде при температуре пай-
ки +400...+450 °C. В качестве припоя должна применяться
золотая прокладка толщиной 0,02 мм. Поверхность, на кото-
рую напаивается транзистор, должно быть золоченая, толщи-
на покрытия 3...4 мкм. Рекомендуется материал основания
окись бериллия ОБ—1 по ТУ 95—219—78;
присоединение выводов к контактным площадкам должно
производиться термокомпрессионной сваркой при температу-
ре не более +350 °C в течение 2...3 с. В качестве выводов
должна применяться алюминиевая проволока А5Е диаметром
0,026 мм по ЖКО. 021.065 ТУ. Соединение вывода с контакт-
ной площадкой должно выдерживать разрывное усилие не
менее 1 гс;
выводы после термокомпрессии не должны касаться струк-
туры и боковых ребер транзистора;
не допускается сильное натяжение и провисание выводов;
не допускается разрыв (пережатие) вывода в месте термо-
компрессионной сварки.
После извлечения транзисторов из упаковки предприятия-
153
изготовителя до присоединения выводов к контактным пло-
щадкам транзисторы должны находиться в специальной каме-
ре с инертной средой в течение не более 10 сут. В случае
использования части транзисторов из упаковки изготовителя,
неиспользованные транзисторы должны быть повторно упако-
ваны в герметичную тару. Требование на хранение в специаль-
ной камере с инертной средой не более 10 сут распространя-
ется на повторно упакованные транзисторы с момента вскры-
тия вторичной упаковки.
0 1 2 J 4 Р6„Вт
Зависимости выходной мощности
и коэффициента полезного дейст-
вия от входной мощности
Зависимости выходной мощности
и коэффициента полезного дейст-
вия от входной мощности
Зависимости выходной мощности
и коэффициента полезного дейст-
вия от частоты
Зависимости выходной мощности
от частоты
154
Тк.пс
Зависимости модуля коэффициен-
та передачи тока от тока эмиттера
Зависимости постоянной времени
цепи обратной связи от тока кол-
лектора
Зависимость емкости коллекторно-
го перехода от напряжения коллек-
тор—база
Зависимость емкости эмиттерного
перехода от напряжения эмиттер—
база
2T9i2(A.b). КТ942В
Эквивалентная схема замещения транзисторов
2Т942А, 2Т942Б, КТ942В в активном режиме
155
2Т946А, КТ946А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струц.
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
усилителях мощности, умножителях частоты и автогенерато-
рах на частотах 0,4...1,5 ГГц в схеме с общей базой при
напряжении питания 28 В. Выпускаются в металлокерамиче-
ском корпусе с полосковыми выводами. Тип прибора указыва-
ется на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте f= 1 ГГц
при £/кб = 28 В, не менее............... 27 Вт
типовое значение..................... 30* Вт
Коэффициент усиления по мощности на ча-
стоте f= 1 ГГц при UKb = 28 В, Рвых = 27 Вт,
не менее................................ 4
типовое значение..................... 7*
Коэффициент полезного действия коллек-
тора на частоте f= 1 ГГц при UKb = 28 В,
Рвых = 27 Вт, не менее.................. 50%
Модуль коэффициента передачи тока на
высокой частоте при UK3 = 10 В, /к = 4 А,
f= 300 МГц, не менее.................... 2,4
типовое значение..................... 3*
156
Критический ток на частоте f = 300 МГц
при и№ = 10 В, не менее................. 6 А
типовое значение...................... 8* А
Модуль коэффициента обратной передачи на-
пряжения на высокой частоте при (/КБ = 10 В,
/к = 0,1 A, f = 100 МГц, не менее....... 2 » 10~3
типовое значение..................... 4*10-3*
Емкость коллекторного перехода
при {/Кб = Ю В, Ю МГц, не более......... 50 пФ
Емкость эмиттерного перехода при U3b = 0,
f= 3 МГц, не более...................... 280 пФ
типовое значение..................... 260* пФ
Входное полное сопротивление на частоте
f= 1 ГГц при Рвых = 30 Вт, типовое значение . 0,45 + /3,5* Ом
Полное сопротивление нагрузки на частоте
f = 1 ГГц при Рвых = 30 Вт, типовое значение . 4,9 + /7,1* Ом
Обратный ток коллектора при t/KB = 50 В,
не более:
Г =+25 °C............................ 50 мА
Т= +125 °C........................... 100 мА
Обратный ток эмиттера при U3b = 3,5 В,
не более:
Т = +25 °C........................... 10 мА
Г= +125 °C........................... 100 мА
Индуктивность выводов внутренняя, типовое
значение:
эмиттерного.......................... 0,3* нГн
коллекторного........................ 0,35* нГн
базового............................. 0,06* нГн
Емкость эмиттер—корпус, типовое значение... 4,5* пФ
Емкость коллектор—корпус, типовое значе-
ние..................................... 4* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база’:
при Гк = +25 °C....................... 50 В
при 7"к = “60 °C.................... 45 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 3,5 В
Постоянный ток коллектора............... 2,5 А
Импульсный ток коллектора при 4, С 10 мкс, ’
О £ 20..................................	5 А
Постоянный ток базы..................... 1 А
' В диапазоне температур Т = +25...—60 'С напряжение Снижается линейно.
157
Средняя рассеиваемая мощность' в динамиче-
ском режиме при Гк +25 °C.............. 37,5 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 4 °С/Вт
Температура р-п перехода............... +175 °C
Температура корпуса:
2Т946А................................. +125 °C
КТ946А.............................. +85 °C
Температура окружающей среды:
2Т946А............................. -6О...ГК	=
= +125 °C
КТ946А.............................. —45...7‘к =
= +85 °C
' При 7; > +25 °C
РК СР МАКС = (175 — Тк)/4, Вт.
При работе в импульсном режиме при (и С 20 мкс, О ? 10
напряжение источника питания должно быть не более 40 В. В
статическом режиме при напряжении источника питания 28 В
ток коллектора не должен превышать 30 мА.
Под фланец корпуса рекомендуется помещать прокладку
из свинца или сплава индий—олово толщиной 50... 100 мкм.
Допускается обрезка и пайка выводов на расстоянии 1 мм
от корпуса транзистора при температуре не более +150 °C и
времени не более 3 с. Усилие при этом не должно передавать-
ся на корпус. Изгиб и пайка выводов допускаются не ближе
3 мм от корпуса при температуре не более +250 °C.
Зависимости выходной мощности
и коэффициента полезного дейст-
вия от входной мощности
Зависимости коэффициента уси-
ления и коэффициента полезно-
го действия от входной мощно-
сти
158
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэф-
фициента полезного действия от
частоты
Зависимости выходной импульсной
мощности от входной мощности
Зависимость выходной мощности
от входной мощности
Зависимость критического тока
от напряжения коллектор—база
Зависимости выходной мощности
и рассеиваемой мощности от фа-
зы коэффициента отражения на-
грузки
Зависимости выходной мощности
и рассеиваемой мощности от фа-
зы коэффициента отражения на-
грузки
159
Зависимость модуля ко-
эффициента обратной
связи по напряжению
от тока коллектора
Зависимость модуля ко-
эффициента обратной
связи по напряжению
от напряжения коллек-
тор—база
Зависимости граничной
частоты от тока кол-
лектора
Зависимость емкости
коллекторного перехо-
да от напряжения кол-
лектор-база
Зависимость емкости
эмиттерного перехода
от напряжения эмит-
тер—база
Зависимость допусти-
мой импульсной рассе-
иваемой мощности от
температуры
Эквивалентная схема замещения транзисторов,
2Т946А, КТ946А в активном режиме
160,
2Т948А, 2Т948Б, КТ948А, КТ948Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-Ъ генераторные. Предназначены для применения в
усилителях мощности, умножителях частоты и автогенерато-
рах на частотах 0,7...2,3 ГГц в схеме с общей базой. Выпуска-
ются в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2Т9Ь8(А.Б). KT9i8(A,B)
Электрические параметры
Выходная мощность при 6/КБ = 28 В, f= 2 ГГц:
Рвх < 6 Вт для 2Т948А, КТ948А................ 15... 19*...
24* Вт
медианное значение....................... 18 Вт
Рвх < 3 Вт для 2Т948Б, КТ948Б............ 8...11*...15* Вт
медианное значение....................... 9 Вт
Коэффициент полезного действия коллектора
при UKb - 28 В, f= 2 ГГц:
Рвх < 6 Вт для 2Т948А, КТ948А............ 30*...35...45*%
Рвх < 3 Вт для 2Т948Б, КТ948Б............ 30*...35...45*%
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при 6/КБ = 5 В, f = 300 МГц:
/э = 1,5 А для 2Т948А, КТ948А............ 6,5...10*...13*
/э = 0,8 А для 2Т948Б, КТ948Б............ 6,5...10*...13*
6-949	1€1
Обратный ток коллектора:
при (/КБ = 45 В, Т - +25 °C, не более:
2Т948А................................. 30 мА
КТ948А.............................. 35 мА
2Т948Б, КТ948Б...................... 15 мА
при 6/КБ = 40 В, Т - -60 °C, не более:
2Т948А, КТ948А......................... 150 мА
2Т948Б, КТ948Б...................... 75 мА
при (/КБ = 45 В, Т= ГМАКС, не более:
2Т948А, КТ948А......................... 150 мА
2Т948Б, КТ948Б...................... 75 мА
Обратный ток эмиттера при U3t> = 2 В,
не более:
Т= +25 °C:
2Т948А................................. 20 мА
КТ948А.............................. 35 мА
2Т948Б, КТ948Б...................... 10 мА	.
Т = -60 °C:
2Т948А, КТ948А......................... 20 мА
2Т948Б, КТ948Б...................... 10 мА
2Т948А, КТ948А...................... 100 мА
2Т948Б, КТ948Б...................... 50 мА
Критический ток при 6/КБ = 5 В, f= 300 МГц:
2Т948А, КТ948А....................... 2...3,5*...5,5*	А
2Т948Б, КТ948Б.......................... 1...1.5* ..2,7* А
Емкость коллекторного перехода при 6/КБ = 28 В:
2Т948А, КТ948А.......................... 20...22*...
30* пФ
2Т948Б, КТ948Б.......................... 11...13*...
17* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
при Г= +25...+ 125 °C................... 45 В
при Т= -60 °C........................... 40 В
Постоянное напряжение	эмиттер—база......... 2 В
Постоянный ток коллектора
2Т948А, КТ948А......................... 2,5 А
2Т948Б, КТ948Б.......................... 1,25 А
Импульсный ток коллектора при < 20 мкс,
10:
2Т948А, КТ948А........................... 5 А
2Т948Б,' КТ948Б......................... 2,5 А
162
Постоянный ток базы:
2Т948А, КТ948А.......................... 1 А
2Т948Б, КТ948Б....................... 0,5 А
Средняя рассеиваемая мощность коллектора’
в динамическом режиме при Гк = —60...+25 °C:
2Т948А, КТ948А.......................... 40 Вт
2Т948Б, КТ948Б....................... 20 Вт
Температура р-п перехода................ +200 °C
Температура окружающей среды:
2Т948А, 2Т948Б.......................... -6О...ГК =
= +125 °C
КТ948А, КТ948Б....................... -45... Гк =
= +100 °C
’ В диапазоне температур Т = +25...+125 “С мощность рассчитывается по
формуле
СР МАКС = СР МАКС Ик = +25 С) — (Гк — 25)//?т (П-К), Вт,
где для 2Т948А не более 4,5 °С/Вт, для 2Т948Б не более 9 °С/Вт.
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 3 мм
от корпуса в течение не более 3 с, температура пайки не
должна превышать +260 °C. Допускается пайка выводов на
расстоянии менее 3 мм, при этом температура пайки не долж-
на превышать +150 °C, время пайки не более 3 с.
Зависимости выходной мощности
и коэффициента полезного дей-
ствия от напряжения коллектор—
база
Зависимости выходной мощности
и коэффициента полезного дей-
ствия от входной мощности
6
163
Рвых, Вт
и
Цк, /о
100
30
60
40
20
Вт
Зависимости выходной мощности
и коэффициента полезного дей-
ствия от напряжения коллектор—
база
Зависимости выходной мощности
и коэффициента полезного дей-
ствия от входной мощности
Зависимости выходной мощности
и мощности потребления от рас-
стройки нагрузки
Зависимости выходной мощности
и мощности потребления от рас-
стройки нагрузки
Рвых. Вт
Рвых, Вт
25
20
15
10
5
25
20
15
10
5
14 18 22 26 ике, В
О 1 2 3 4 Рдх, Вт
Зависимости выходной мощности
от напряжения коллектор—база
в имг^ульсном режиме
Зависимости выходной мощности
от входной мощности в импульс-
ном режиме
164
Зависимость модуля коэффициен-
та передачи тока от тока эмиттера
Зависимости емкости коллекторно-
го перехода от напряжения коллек-
тор—база
Тк. ПС
6
5
4
3
2
для 2T9i8A СзгбпФ, №=0.3 Он
для '2Т948Б Сх=1.5п4>. №=0.6 Он
_____I___I____J____t ।_______I
0.6 0.8 1.6 1,2 2.0 !к, мА
0,8 1.0 1,2 7,4 1.6 f, ГГц
Зависимости постоянной времени
цепи обратной связи от тока кол-
лектора
Частотные зависимости выходной
мощности при работе в импульс-
ном режиме
Частотные зависимости выходной
мощности при работе в импульс-
ном режиме
Частотные зависимости коэффици-
ента усиления по мощности и ко-
эффициента полезного действия
в непрерывном режиме
165
Тепловая переходная характеристика.
При Q < 100 тепловые переходные
характеристики рассчитываются по
формуле
+ 14,5 - H^QWQ
2Т960А, КТ960А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
широкополосных усилителях мощности, умножителях частоты
и автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении
питания 12,6 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе
с полосковыми выводами. Внутри корпуса имеется согласую-
щее £С-звено. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 7 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте f= 400 МГц
при (7КЭ = 12 В, Тк +40 °C, не менее.. 40 Вт
Коэффициент усиления по мощности на ча-
стоте f- 400 МГц при Рвых = 40 Вт, не менее. 2,5
типовое значение................... 3,5*
166
2Т960А, КТ960А
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра на частоте f= 400 МГц при Рвых = 40 Вт,
не менее................................. 60%
типовое значение...................... 65*%
Модуль коэффициента передачи тока на
высокой частоте при 7/кэ = 10 В, /к = 3 А,
f = 300 МГц, не менее.................... 2
типовое значение...................... 4*
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 500 мА, /Б = 100 мА, типовое значение 0,08* В
Критический ток на частоте f= 300 МГц
при 14э = 10 В, не менее................. 15 А
типовое значение...................... 22* А
Постоянная времени цепи обратной связи на
высокой частоте при 6/КБ = 5 В, /э = 500 мА,
f- 5 МГц, типовое значение............... 12,5* пс
Емкость коллекторного перехода
при 6/КБ = 12 В, f= 30 МГц, не более..... 120 пФ
типовое значение...................... 82* пФ
Емкость эмиттерного перехода при Ux = 0,
f- 5 МГц, типовое значение............... 1200* пФ
167
Обратный ток коллектор—эмиттер
при £/кэ = 36 В, /?6Э = 10 Ом, не более:
Т= +24 °C	20 мА
Т= +125 °C для 2Т960А./....'.."......... 40 мА
Обратный ток эмиттера при Уэъ = 4 В,
не более:
Г =+25 °C.............................. 10 мА
Г = +125 °C для 2Т960А............... 20 мА
Индуктивность внутреннего /.С-звена, типовое
значение................................ 0,33* нГн
Емкость внутреннего £С-звена, типовое зна-
чение .................................. 610* пФ
Индуктивность выводов при I = 1 мм:
эмиттерного.............................. 0,38*	нГн
коллекторного........................ 1,6* нГн
базового............................. 0,49* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?ю $ 10 Ом......................... 36 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 4 В
Постоянный ток коллектора............... 7 А
Входная СВЧ мощность.................... 16 Вт
КСВН коллекторной цепи при Рвых 40 Вт,
Тк « +40 °C:
в течение 3 с........................ 10
в непрерывном режиме................. 3
Средняя рассеиваемая мощность1 в динамиче-
ском режиме при Тк $ +40 °C............. 70 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус... 1,75 °С/Вт
Температура р-п перехода................ +160 °C
Температура корпуса:
2Т960А.................................. +125 °C
КТ960А............................... +85 °C
Температура окружающей среды:
2Т960А.................................. -60... Тк =
= +125 °C
КТ960А............................... —40... Гк =
__________	= +85 °C
' При Гк > +40 °C
Асриакс = (160 - TJ/1.75, Вт.
Шероховатость контактной поверхности теплоотвода дол
жна быть не менее 2,5. Неплоскостность контактной поверхно
сти теплоотвода должна быть не более 0,04 мм.
168
Тепловое сопротивление корпус—теплоотвод при нанесе-
нии теплоотводящей смазки типа КПТ—8 на поверхность те-
плоотвода транзистора не более 0,3 °С/Вт.
Пайка выводов допускается не ближе 1 мм от корпуса по
методике, не приводящей к нарушению конструкции и герме-
тичности транзистора, при температуре не выше +270 “С в
течение не более 5 с.
Электрическая схема транзисторов
2Т960А, KT960A
Зависимости выходной мощности
и коэффициента полезного дей-
ствия от входной мощности
Зависимости выходной мощности
и коэффициента полезного дей-
ствия от входной мощности
Зависимости выходной мощности
и коэффициента полезного дей-
ствия от входной мощности
169
Зависимости выходной
мощности и коэффици-
ента полезного дейст-
вия от напряжения кол-
лектор—эмиттер
Зависимость модуля
коэффициента переда-
чи тока от тока коллек-
тора
Зависимость критиче-
ского тока от напряже-
ния коллектор—эмит-
тер
Зависимость постоян-
ной времени цели об-
ратной связи от тока
эмиттера
Зависимость емкости
коллекторного перехо-
да от напряжения кол-
лектор-база
Зависимость допусти-
мого постоянного тока
коллектора от напряже-
ния коллектор—эмиттер
2Т962А, 2Т962Б, 2Т962В, КТ962А, КТ962Б, КТ962В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
усилителях мощности, умножителях частоты и автогенерато-
рах на частотах 400... 1000 МГц в схеме с общей базой при
напряжении питания 28 В. Выпускаются в металлокерамиче-
ском корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.
Внутри корпуса имеется согласующее £С-звено. Тип прибора
указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 5 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
170
2Т962(А-В), КТ962(А-В)
9'60
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте f= 1000 МГц
при (/КБ = 28 В, Гк = +40 °C, не менее
2Т962А, КТ962А........................... 10	Вт
2Т962Б, КТ962Б........................ 20	Вт
2Т962В, КТ962В........................ 40	Вт
Коэффициент усиления по мощности на ча-
стоте f= 1000 МГц при U№ = 28 В:
Рвых = Ю Вт 2Т962А, КТ962А, не менее.... 4
типовое значение....................... 4,7*
Рвых = 20 Вт 2Т962Б, КТ962Б, не менее .... 3,5
типовое значение......................... 6*
Рвых = 40 Вт 2Т962В, КТ962В, не менее .... 3
типовое значение.........:............. 5,1*
Коэффициент полезного действия коллектора
на частоте f= 1000 МГц при U№ = 28 В:
Рвых ~ Ю Вт 2Т962А, КТ962А, не менее.... 36%
типовое значение...................... 43*%
Рвых = 20 Вт для 2Т962Б, КТ962Б
и Рвых = 40 Вт для 2Т962В, КТ962В,
не менее.............................. 40%
типовое значение...................... 50*%
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при (7КЭ = 10 В, f = 300 МГц:
/к = 1,5 А 2Т962А, КТ962А, не менее...... 2,5
типовое значение...................... 4,4*
171
/к = 1,8 А 2Т962Б, КТ962Б, не менее... 2,5
типовое значение...................... 3,8*
/к = 3 А 2Т962В, КТ962В, не	менее..... 2
типовое значение...................... 3,5*
Критический ток на частоте f- 300 МГц
при ию = 10 В:
2Т962А, КТ962А, не менее.............. 2,7 А
типовое значение...................... 3,7* А
2Т962Б, КТ962Б, не менее.............. 4,2 А
типовое значение...................... 5,7* А
-	2Т962В, КТ962В, не менее.............. 7,4 А
типовое значение...................... 9,9* А
Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте при U№ = 5 В, f = 5 МГц:
2Т962А, КТ962А, не более.................. 15 пс
типовое значение...................... 9,6* пс
2Т962Б, КТ962Б, не более.............. 14 пс
типовое значение...................... 7* пс
2Т962В, КТ962В, не более.............. 11 пс
типовое значение...................... 6,2* пс
Емкость коллекторного перехода
при U№ = 28 В, f - 30 МГц:
2Т962А, КТ962А, не более.................. 20 пФ
типовое значение...................... 12* пФ
2Т962Б, КТ962Б, не более.............. 35 пФ
типовое значение...................... 19* пФ
2Т962В, КТ962В, не более.............. 50 пФ
типовое значение...................... 33* пФ
Обратный ток коллектора при 6/КБ = 50 В,
не более:
7 = +25 °C:
2Т962А, КТ962А, 2Т962Б, КТ962Б..... 20 мА
2Т962В, КТ962В..................... 30 мА
Т= +125 °C:
2Т962А, 2Т962Б......................... 40 мА
2Т962В............................. 60 мА
Обратный ток эмиттера при U3b = 4 В,
Т - +25 °C, не более:
2Т962А, КТ962А, 2Т962Б, КТ962Б........ 5 мА
2Т962В, КТ962В........................ 10 мА
Индуктивность внутреннего £.С-звена, типовое
значение:
2Т962А, КТ962А........................ 0,78* нГн
2Т962Б, КТ962Б........................ 0,54* нГн
2Т962В, КТ962В........................ 0,26* нГн
172
Емкость внутреннего /.С-звена, типовое значе-
ние:
2Т962А, КТ962А............................ 50* пФ
2Т962Б, КТ962Б......................... 73* пФ
2Т962В, КТ962В......................... 128* пФ
Индуктивность эмиттерного вывода
при I = 1 мм, типовое значение:
2Т962А, КТ962А............................. 1,43* пФ
2Т962Б, КТ962Б......................... 1,24* пФ
2Т962В, КТ962В......................... 0,92* пФ
Индуктивность коллекторного вывода
при /= 1 мм, типовое значение............. 1,55* нГн
Индуктивность базового вывода при / = 1 мм,
типовое значение:
2Т962А, КТ962А............................ 0,23* нГн
2Т962Б, КТ962Б......................... 0,12* нГн
2Т962В, КТ962В......................... 0,06* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база.... 50 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 4 В
Постоянный ток коллектора:
2Т962А, КТ962А....................... 1,5 А
2Т962Б, КТ962Б....................... 2,5 А
2Т962В, КТ962В....................... 4 А
Входная ВЧ мощность:
2Т962А, КТ962А.......................... 2,5 Вт
2Т962Б, КТ962Б....................... 5,7 Вт
2Т962В, КТ962В....................... 13,3 Вт
КСВН коллекторной цепи в течение 1 с при
(/КБ < 24 В, Рвых С Ю Вт для 2Т962А, КТ962А;
Рвых = 16 Вт для 2Т962Б, КТ962Б, Рвых = 26 Вт
Для 2Т962В, КТ962В...................... 25
Средняя рассеиваемая мощность1 в динамиче-
ском режиме при Гк С +40 °C:
2Т962А, КТ962А.......................... 17	Вт
2Т962Б, КТ962Б....................... 27	Вт
2Т962В, КТ962В....................... 66	Вт
' При Гк > +40 ”С
А СР МАКС = (160 — Гк)/А 1П-П)1 Вт.
173
Тепловое сопротивление переход—корпус:
2Т962А, КТ962А........................... 7 °C/Вт
2Т962Б, КТ962Б................'....... 4,4 °С/Вт
2Т962В, КТ962В........................ 1,8 °С/Вт
Температура р-п перехода................. +160 °C
Температура корпуса:
2Т962А, 2Т962Б, 2Т962В................... +125 °C
КТ962А, КТ962Б, КТ962В................ +85 °C
Температура окружающей среды: 
2Т962А, 2Т962Б, 2Т962В................... -60... Тк =
= +125 °C
КТ962А, КТ962Б, КТ962В................ -40... Тк =
= +85 °C
Внутреннее согласующее £С-звено оптимизировано для
работы в диапазоне частот 600...1000 МГц.
Пайка выводов допускается не ближе 1 мм от корпуса по
методике, не приводящей к нарушению конструкции и герме-
тичности транзистора, при температуре не выше +260 °C с
теплоотводом между корпусом и местом пайки.
Чистота контактной поверхности теплоотвода должна быть
не менее 1,5, а ее неплоскостность не более 0,04 мм.
Зависимости выходной
мощности и коэффици-
ента полезного дейст-
вия от входной мощ-
ности
U 1.8 2.2 р^, Вт
Зависимости выходной
мощности и коэффици-
ента полезного дейст-
вия от входной мощ-
ности
Зависимости выходной
мощности и коэффици-
ента полезного дейст-
вия от входной мощ-
ности
174
Зависимости выходной
мощности и коэффици-
ента усиления от напря-
жения коллектор—база
Зависимости выходной
мощности и коэффици-
ента усиления от напря-
жения коллектор—база
Зависимости выходной
мощности и коэффици-
ента усиления от напря-
жения коллектор—база
10
8
6
4
2
400	608	800 f, ГГц
Зависимость коэффи-
циента усиления от ча-
стоты
Зависимость коэффи-
циента усиления от ча-
стоты
Зависимость коэффи-
циента усиления от ча-
стоты
Кцр
Зависимость модуля	Зависимость модуля	Зависимость модуля
коэффициента переда-	коэффициента переда-	коэффициента переда-
чи тока от тока коллек- чи тока от тока коллек- чи тока от тока коллек-
тора	тора	тора
175
Зависимости постоян-
ной времени цепи об-
ратной связи от тока
эмиттера
Зависимости емкости
коллекторного перехо-
да от напряжения кол-
лектор—база
Зависимости критиче-
ского тока от напряже-
ния коллектор—эмит-
тер
Зависимость допусти-
мого постоянного то-
ка коллектора от на-
пряжения коллектор—
эмиттер
Зависимость допусти-
мого постоянного то-
ка коллектора от на-
пряжения коллектор—
эмиттер
Зависимость допусти-
мого постоянного то-
ка коллектора от на-
пряжения коллектор-
эмиттер
2T963A-2, 2Т963Б-2, 2Т963А-5,
КТ963А-2, КТ963Б-2, КТ963А-5
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
генераторах и усилителях мощности в диапазоне частот 2... 10 ГГц
в схеме с общей базой в составе гибридных интегральных ми-
кросхем, микросборок. Транзисторы 2Т963А—2, 2Т963Б—2,
КТ963А—2, КТ963Б—2 бескорпусные на металлокерамическом
кристаллодержателе с гибкими выводами. Тип прибора указыва-
176
ется на кристаллодержателе. Транзисторы 2Т963А—5, КТ963А—5
выпускаются в виде кристалла с контактными площадками без
кристаллодержателя и без выводов. Тип прибора указывается в
этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 2 г, кристалла
не более 0,0001 г. Транзисторы не содержат внутренние цепи
согласования.
Изготовитель — завод «Пульсар», г.-Москва.
2Т961(А-2.Б-2). КТ9631А-2.Б-2)
17?
Электрические параметры
Выходная мощность на f= 10 ГГц:
2Т963А-2, 2Т963А-5, КТ963А-2,
КТ963А-5 при ЦБ = 15 В, /к = 170 мА,
Рвх = 0,45 Вт, Гк = +25 ’С................ 0,8...0,9*...
1,05* Вт
2Т963Б-2, КТ963Б-2 при U№ = 12 В,
/к = 150 мА, Рвх = 0,25 Вт, Гк = +25 °C,
не менее.............................. 0,5 Вт
Коэффициент усиления по мощности
на f= 10 ГГц:
2Т963А-2, 2Т963А-5, КТ963А-2,
КТ963А-5 при U№ = 15 В, /к = 170 мА,
Рвх = 0,45 Вт, Тк = +25 °C............ 3...3,4*..3,7* дБ
2Т963Б-2, КТ963Б-2 при (/КБ = 12 В,
/к = 150 мА, Рвх = 0,25 Вт, Гк = +25 °C,
не менее.............................. 3 дБ
Коэффициент полезного действия коллектора
на f= 10 ГГц:
2Т963А-2, 2Т963А-5, КТ963А-2,
КТ963А-5 при (/КБ = 15 В, /к = 170 мА,
Рвх = 0,45 Вт, Гк = +25 °C............ 36...38...42%
2Т963Б-2, КТ963Б-2 при Т/КБ = 12 В,
/к = 150 мА, Рвх = 0,25 Вт, Гк = +25 °C,
не менее.............................. 27,8%
Модуль коэффициента обратной передачи на-
пряжения в схеме ОБ на высокой частоте при
{/КБ = 5 В, /к = 100 мА, f = 100 МГц...... 0,6 • Ю’3*...
0,8 • 10'3*...
1 • 10“3
Фаза коэффициента передачи тока в схе-
ме ОБ на высокой частоте при U№ = 5 В,
/к = 100 мА, f= 1000 МГц.................. 5*...6*...11°
Емкость коллекторного перехода
при (/КБ = 5 В, типовое значение.......... 1,5* пФ
Емкость эмиттерного перехода при (/ЭБ = 0,
типовое значение.......................... 4,8* пФ
Обратный ток коллектора при (/КБ = 18 В,
не более:
Т= +25 и -60 °C....................... 1 мА
7=+125 °C............................. 10 мА
Обратный ток эмиттера при (/ЭБ = 1,5 В,
не более:
Т= +25 и -60 °C....................... 1 мА
Т= +125 °C............................ 10 мА
178
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база.... 18 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 1,5 В
Потенциал статического электричества.... 1000 В
Постоянный ток коллектора:
2Т963А-2, 2Т963А-5, КТ963А-2,
КТ963А-5............................. 210 мА
2Т963Б-2, КТ963Б-2................... 185 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Гк = —60...+25 °C............. 1,1 Вт
Средняя рассеиваемая мощность коллектора2
в динамическом режиме при Гк = —60...+25 °C:
2Т963А-2, 2Т963А-5, КТ963А-2,
КТ963А-5............................. 2,1 Вт
2Т963Б-2, КТ963Б-2................... 1,55 Вт
Температура р-п перехода................ +180 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус
в статическом режиме3:
2Т963А-2, 2Т963А-5, КТ963А-2,
КТ963А-5............................. 74 °С/Вт
2Т963Б-2, КТ963Б-2................... 100 °С/Вт
Температура окружающей среды............ —60... Тк =
____________ = +125 °C
1	При Гц >+25 °C максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
А. МАКС = (180 - Гк)/140, Вт.
2	При Гк > +25 °C максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность
коллектора в динамическом режиме рассчитывается по формуле
РК. СР, МАКС = (180 — ГК)/А(П-К)> Вт*
3	Режим считают статическим для КТ963А—2, КТ963А—5 при = 0,5 Вт,
для КТ963Б—2 при Рвы* = 0,2 Вт.
Материал выводов НП2—Т—0,1 по ГОСТ 2170.
Минимальное расстояние от кристаллодержателя до места
пайки 1 мм. Температура пайки не выше +260 °C, время пайки
не более 3 с. Припой ПОС—61. Допускается пайка выводов на
расстоянии 0,5 мм от кристаллодержателя при температуре пай-
ки не выше +150 °C. Перед пайкой выводы промывают спиртом,
а затем смачивают флюсом. Монтаж транзисторов в гибридную
схему осуществляют прижимом металлического основания кри-
сталлодержателя к теплоотводящей поверхности. Изгиб выво-
дов допускается на расстоянии не менее 2 мм от кристаллодер-
жателя с радиусом закругления 0,5 мм. Допускается обрезка
выводов на расстоянии 2 мм от кристаллодержателя.
При наладке и эксплуатации транзисторных схем следует
179
иметь ввиду, что даже кратковременное снижение выходной
мощности ниже 500 мВт для 2Т963А—2, 2Т963А—5, КТ963А—2,
КТ963А—5 и ниже 200 мВт для 2Т963Б—2 может привести к
выходу транзистора из строя, если рассеиваемая на транзи-
сторе мощность превышает МАКС, a t/KB > 8 В.
Монтаж транзисторов 2Т963А—5, КТ963А—5 в составе ги-
бридной схемы рекомендуется осуществлять с помощью уль-
тразвуковой пайки в инертной среде. Температура пайки +400...
+450 °C. В качестве припоя должна применяться золотая про-
кладка толщиной 0,02 мм. Поверхность, на которую напаива-
ется транзистор, должна быть золоченая, толщина золотого
покрытия 3...4 мкм. Присоединение выводов к контактным
площадкам должно производиться термокомпрессионной свар-
кой при температуре не выше +350 °C в течение 2...3 с. В
качестве вывода должна применяться алюминиевая проволока
диаметром 0,026 мм марки А 5 Е. Соединение вывода с кон-
тактной площадкой должно выдерживать разрывное усилие не
менее 1,5 гс. Выводы после термокомпрессионной сварки не
должны касаться структуры и боковых ребер транзистора. Не
допускается сильное натяжение и провисание выводов. Не
допускается разрыв, пережатие вывода в месте термокомпрес-
сионной сварки.
После извлечения транзисторов из упаковки изготовителя
до присоединения выводов к контактным площадкам транзи-
сторы должны находиться в специальной камере с инертной
средой не более 10 сут.
Эквивалентная схема замещения транзисторов 2T963A—2, 2Т963Б—2,
2T963A-5, KT963A-2, КТ963Б-2, КТ963А-5 в активном режиме:
L3 - 0,6 нГн, Z-5 = 0,24 нГн, Z.K = 0,4 нГн, С = 60 пФ, С, = С, = 0,4 пФ,
С3 = 4,4...11 пФ, Сю = 0,2 пФ, Ск, = 0,18 пФ, Ск2 = 0,55 пФ, Я = 4...5 Ом,
гъ = 2,5 Ом, гк = 0,5 Ом
180
Tlx, Кур ,Рдых.Вт
Зависимости коэффициента усиле-
ния, выходной мощности и коэф-
фициента полезного действия от
входной мощности
Зависимости коэффициента усиле-
ния, выходной мощности и коэф-
фициента полезного действия от
входной мощности
Зависимость модуля
коэффициента обрат-
ной передачи напряже-
ния от тока коллектора
Зависимость модуля
коэффициента обрат-
ной передачи напря-
жения от напряжения
коллектор—база
Зависимость фазы ко-
эффициента передачи
тока в схеме ОБ от то-
ка коллектора
Зависимость фазы ко-
эффициента передачи
тока в схеме с общей
базой от напряжения
коллектор—база
Зависимость емкости
эмиттерного перехода
от напряжения эмит-
тер—база
Зависимость емкости
коллекторного перехо-
да от напряжения кол-
лектор—база
181
2Т970А, КТ970А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
усилителях мощности, умножителях частоты и автогенерато-
рах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми
выводами. Внутри корпуса имеется двухзвенная £С-цепь. Тип
прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 9 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте f= 400 МГц
при Гк +40 °C, L/K3 = 28 В, не менее... 100 Вт
Коэффициент усиления по мощности на
частоте f = 400 МГц при Рвых = 100 Вт,
£/кз = 28 В, не менее.................. 4
типовое значение.................... 7*
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра на частоте f= 400 МГц при Рвых =100 Вт,
UK3 = 28 В, не менее................... 50%
типовое значение.................... 55*%
182
Модуль коэффициента передачи тока на
высокой частоте при 1/кэ = 10 В, /к = 5 А,
f - 300 МГц, не менее.................... 2
типовое значение...................... 4*
Критический ток коллектора на частоте
f= 300 МГц при 1/кэ = 10 В, не менее..... 16 А
типовое значение...................... 24* А
Постоянная времени цепи обратной связи на
высокой частоте при 6/кэ = 10 В, /к = 0,5 А,
f= 5 МГц, не более....................... 25 пс
типовое значение...................... 11* пс
Емкость коллекторного перехода
при 6/КБ = 28 В, f= 30 МГц, не более..... 180 пФ
типовое значение...................... 125* пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при 1/кэ = 50 В, /?ЭБ =10 Ом, не более:
Г =+25 °C................................ 100 мА
Г= +85 °C для КТ970А.................. 100 мА
Т= +125 °C для 2Т970А................. 200 мА
Обратный ток эмиттера при U3b = 4 В,
не более:
Г =+25 °C............................. 30 мА
Т= +85 °C для КТ970А.................. 30 мА
Т= +125 °C для 2Т970А................. 60 мА
Индуктивность 1-го внутреннего /.С-звена, ти-
повое значение........................... 0,39* нГн
Индуктивность 2-го внутреннего /.С-звена, ти-
повое значение........................... 0,2* нГн
Емкость 1-го внутреннего /.С-звена, типовое
значение................................. 310* пФ
Емкость 2-го внутреннего /.С-звена, типовое
значение................................. 620* пФ
Индуктивность эмиттерного вывода, типовое
значение................................. 0,2* нГн
Индуктивность коллекторного вывода, типо-
вое значение............................. 0,87* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?ЭБ С 10 Ом...................... 50 В
Постоянное напряжение эмиттер—база.... 4 В
Постоянный ток коллектора............. 13 А
Входная ВЧ мощность................... 25 Вт
183
КСВН коллекторной цепи при (УКБ С 24 В,
Гк С+50 °C,	400 МГц:
Рвых = 80 Вт (в течение 3 с) ........ 10
Рвых = 70 Вт (длительное время)...... 3
Средняя рассеиваемая мощность1 в динамиче-
ском режиме при Гк С +40 °C............. 170 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус... 0,7 °С/Вт
Температура р-п перехода................ +160 °C
Температура корпуса:
2Т970А.................................. +125 °C
КТ970А............................... +85 °C
Температура окружающей среды:
2Т970А.................................. -60... 7; =
= +125 °C
КТ970А............................... -40... Тк =
= +85 °C
1 При Гк > +40 °C
А МАКС = (160 - Гк)/0,7, Вт.
Изгиб выводов транзистора допускается не ближе 3 мм от
корпуса.
Пайка выводов транзистора допускается не ближе 1 мм от
корпуса при температуре не выше +260 °C в течение 4 с.
Электрическая схема транзисторов
Зависимости выходной мощности
и коэффициента полезного дей-
ствия от входной мощности
184
Зависимость коэффициента усиле-
ния от частоты
Зависимость модуля коэффициента
передачи тока от тока коллектора
Зависимость критиче-
ского тока от напряже-
ния коллектор—эмит-
тер
Зависимость емкости
коллекторного перехо-
да от напряжения кол-
лектор—база
Зависимость допусти-
мого постоянного тока
коллектора от напряже-
ния коллектор—эмиттер
2T975A, 2Т975Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
импульсном режиме в усилителях и генераторах в диапазоне
частот 1,4... 1,6 ГГц в схеме с общей базой. Выпускаются в
металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Тип
прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 6 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
185
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте
f- 1,4-..1,6 ГГц при 1*и С 10 мкс, 100:
</КБ = 45 В:
2Т975А при Рвх С 50 Вт............
2Т975Б при Рвх С 25 Вт............
£/кб = 35 В:
2Т975А при Рвх С 50 Вт, не менее..
2Т975Б при Рвх С 25 Вт, не менее..
Коэффициент усиления по мощности на ча-
стоте Г = 1,4... 1,6 ГГц при 7И С 10 мкс, О 100:
Укб = 45 В:
2Т975А при Рвх $ 50 Вт............
2Т975Б при Рвх С 25 Вт............
Укб = 35 В:
2Т975А при Рвх С 50 Вт, не менее..
2Т975Б при Рвх С 25 Вт, не менее..
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра на частоте f= 1,4... 1,6 ГГц при 7И С 10 мкс,
Q > 100:
200...220*...
240* Вт
100...130*...
140* Вт
120 Вт
60 Вт
6...7*...8,5* дБ
6,..7*...8,5* дБ
3,8 дБ
3,8 дБ
^КБ	= 45 В: 2Т975А при Рм 50 Вт		
	2Т975Б при Рвх С	25 Вт	
^КБ	= 35 В:	
	2Т975А при Рвх =	50 Вт, не менее	
	2Т975Б при Рвх =	25 Вт, не менее	
30...36*...38*%
35...36*...38*%
25%
30%
186
Обратный ток коллектора при £/К6 = 45 В,
не более:
7 = +25 °C:
2Т975А.............................. 50	мА
2Т975Б........................... 25	мА
Т = -60 и +125 °C:
2Т975А.............................. 75	мА
2Т975Б........................... 30	мА
Обратный ток эмиттера при иэь = 3 В,
не более:
Т = +25 °C:
2Т975А.............................. 50 мА
2Т975Б........................... 25 мА
7 = -60 и +125 °C:
2Т975А.............................. 100 мА
2Т975Б........................... 50 мА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при UK3 = 45 Ом, не более:
2Т975А................................. 40 мА
2Т975Б.............................. 20 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение	коллектор—база... 50 В
Постоянное напряжение	эмиттер—база..... 3 В
Постоянный ток коллектора’ при Ги 10 мкс,
100, 7К +85 °C:
2Т975А................................. 15 А
2Т975Б.............................. 7 А
Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора* 2 * * в динамическом режиме при < 10 мкс,
Q2 100, Тк < +85 °C:
2Т975А................................. 500 Вт
2Т975Б.............................. 200 Вт
' При повышении температуры свыше +85 °C ток рассчитывается по фор-
2Т975А: /КИМАКС = (180 - 7н)/6,4, А;
2Т975Б: /кимдкс = (180 - 7К)/13,6, А.
2 При повышении температуры корпуса свыше +85 °C и изменении длитель-
ности и скважности мощность рассчитывается по формуле
И МАКС ~ (180 — 7К)/ А и (П-К), Вт,
где	___ __
Аи(п-К) = 2,4/0+ 0,057(1 - 0,86/\O)W„_, °С/Вт, для 2T975A,
R, ит-к) - 2,4/0+0,114 (1 - 0,86/т/О)Ч, °С/Вт, для 2Т975Б.
Формулы справедливы для OS 100, tM € 10 мкс при РКИИАКС 700 Вт для 2Т975А,
и макс 5 350 Вт для 2Т975Б.
187
Минимальная рабочая частота............. 0,6 ГГц
Температура р-п перехода................ +180 °C
Температура окружающей среды............ —60... Тк =
= +125 °C
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 3 мм
от корпуса, время пайки не более 3 с, температура пайки не
выше +260 °C. Допускается пайка выводов на расстоянии 1 мм
от корпуса при температуре не выше +150 °C, время пайки не
более 3 с.
Зависимости выходной
мощности от входной
мощности
Зависимости выходной
мощности от входной
мощности
Зависимости коэффици-
ента усиления по мощ-
ности от напряжения
коллектор—база
Зависимости коэффици-
ента усиления по мощ-
ности от напряжения
коллектор—база
Зависимости коэффици-
ента полезного действия
коллектора от напряже-
ния коллектор—база
Зависимости коэффици-
ента полезного действия
коллектора от напряже-
ния коллектор—база
188
Зависимости коэффици-
ента полезного действия
коллектора от входной
мощности
Зависимости коэффици-
ента полезного действия
коллектора от входной
мощности
Зависимость емкости
коллекторного перехо-
да от напряжения кол-
лектор—база
250
200
150
100
50
2Т975А (Рю=50Вт1
2Т975Б{Ри--25Вт!
2Т975А (P„=50Bm)
t,= 10MKC
0=100 Ua=45B
М.5ГГц
-60-50 О 50 60
/,= Юнке
— 0=100 Ua=45B —
3	f=1,5/Ty
-60-50 0 50 60 J ‘[
Зависимости выходной
мощности от темпера-
туры
Зависимости коэффици-
ента усиления по мощ-
ности от температуры
Зависимости коэффици-
ента полезного действия
коллектора от темпера-
туры
Ршх.и-Вю

2Т976А, КТ976А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
Усилителях мощности, умножителях частоты и автогенерато-
рах на частотах до 1000 МГц в схемах с общей базой при
напряжении питания 28 В. Выпускаются в металлокерамиче-
ском корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.
Внутри корпуса имеется согласующее /.С-звено. Тип прибора
Указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 5 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
189
2Т976А, КТ976А
09.6
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте f= 1000 МГц
при Тк < +40 °C, 6/КБ = 28 В, не менее.. 60 Вт
Коэффициент усиления по мощности на
частоте f= 1000 МГц при Рвых = 60 Вт,
U№ = 28 В, не менее..................... 2
типовое значение.................... 2,4*
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра на частоте f= 1000 МГц при Рвых = 60 Вт,
U№ = 28 В, не менее..................... 45%
типовое значение..................... 55*%
Модуль коэффициента передачи тока на
высокой частоте при UK3 = 10 В, /к = 7 А,
f= 300 МГц, не менее.................... 2,5
типовое значение..................... 4*
Критический ток на частоте f= 300 МГц
при ию = 10 В, не менее................. 16 А
типовое значение..................... 25* А
Постоянная времени цепи обратной связи на
высокой частоте при 6/КБ = 10 В, /к = 1 А,
f= 5 МГц, не более...................... 25 пс
типовое значение..................... 10* пс
Емкость коллекторного перехода
при U№ = 28 В, f= 30 МГц, не более...... 70 пФ
типовое значение..................... 50* пФ
190
Входное полное сопротивление на частоте
f = 1000 МГц при Рвых = 50 Вт, типовое зна-
чение ................................. 6,9 + j 13* Ом
Полное сопротивление нагрузки на частоте
f= 1000 МГц при Рвых = 50 Вт, типовое зна-
чение ................................. 5 + j 10* Ом
Обратный ток коллектора при £/КБ = 50 В,
не более:
7=+25’С............................. 60 мА
7 = +85 °C для КТ976А............... 120 мА
7=+125 °C для 2Т976А................ 120 мА
Обратный ток эмиттера при £/эв = 4 В,
не более:
7=+25 °C............................ 20 мА
7= +85 °C для КТ976А................ 40 мА
7=+125 °C для 2Т976А................ 40 мА
Индуктивность внутреннего £С-звена, типовое
значение............................... 0,26* нГн
Емкость внутреннего /.С-звена, типовое зна-
чение ................................. 140* пФ
Индуктивность выводов при I = 1 мм, типовое
значение:
эмиттерного......................... 0,92*	нГн
коллекторного....................... 1,55*	нГн
базового............................ 0,06*	нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база... 50 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 4 В
Постоянный ток коллектора.............. 6 А
Входная ВЧ мощность.................... 30 Вт
КСВН коллекторной цепи при £/кв < 24 В,
7К = +50 °C, f = 1000 МГц, в течение 3 с:
Рзых 35 Вт.......................... 3
Рзых 30 Вт.......................... 5
Средняя рассеиваемая мощность' в динамиче-
ском режиме при 7К С +40 °C............ 75 Вт
Тепловое сопротивление	переход—корпус.. 1,7 °С/Вт
Температура р-п	перехода............... +160 °C
Температура корпуса:
2Т976А.............................. +125 °C
КТ976А.............................. +85 °C
' при т; > +40 °с
Якм*кс = (160- Гк)/1,6, Вт.
191
Температура окружающей среды:
2Т976А................................. -6О...ГК =
= +175 °C
КТ976А.............................. —40... Гк =
= +85 'С
Пайка выводов транзистора допускается не ближе 1 мм от
корпуса. Температура пайки не выше +270 °C в течение не
более 5 с.
2Т976А. КТ976А
Электрическая схема транзисторов
2Т976А, КТ976А
Зависимости выходной мощности
и коэффициента полезного дей-
ствия от входной мощности
Зависимости выходной
мощности и коэффици-
ента полезного дейст-
вия от входной мощно-
сти
Зависимость коэффи-
циента усиления от
частоты
Зависимость модуля
коэффициента переда-
чи тока от тока коллек-
тора
192
Зависимость критиче-
ского тока от напря-
жения коллектор-
эмиттер
Зависимость емкости
коллекторного перехо-
да от напряжения кол-
лектор-база
Зависимость допусти
мого постоянного то-
ка коллектора от на-
пряжения коллектор-
эмиттер
2Т977А, KT977A
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
автогенераторах диапазона частот 0,6...1,6 ГГц в схемах с
общим коллектором в импульсном режиме. Корпус металлоке-
рамический с гибкими выводами и монтажным винтом. Тип
прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2Т977А, КТ977А
7-949
Электрические параметры
Выходная мощность при (УКБ и = 40 В,
f = 1,5 ГГц, С 10 мкс, О? 100 .......... 50...70*...
80* Вт
Выходная мощность в облегченном режиме
при (УКБИ = 32 В, f= 1,5 ГГц, Си 10 мкс,
100, не менее........................... 35 Вт
Коэффициент полезного действия при
(/КБИ = 40 В, f= 1,5 ГГц, С 10 мкс, 100 . 20...25*...30*%
Коэффициент полезного действия в облег-
ченном режиме при (УКБИ = 32 В, f= 1,5 ГГц,
7И < 10 мкс, 100, не менее.............. 15%
Обратный ток коллектора, не более:
при Т = +25 °C, (/КБ = 50 В............. 25 мА
при Т= -60 и +125 °C, ОКБ = 50 В.... 50 мА
Обратный ток эмиттера при иэъ = 3 В,
не более:
Г =+25 °C............................... 30 мА
Т= -60 и +125 °C.................... 60 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база.... 50 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 3 В
Импульсный ток коллектора1 при 10 мкс,
Q > 100, Гк = -60...+85 °C.............. 8 А
Импульсная рассеиваемая мощность* 2 при
4, С 10 мкс, 100, Гк = -60...+85 °C..... 200 Вт
Минимальная рабочая частота............. 0,6 ГГц
Температура р-п перехода................ +175 °C
Температура окружающей среды............ —60... 7"к =
= +125 °C
' При Гк = +85...+125 °C /КИМАКС определяется по формуле
4имакс = (175 — 4<)/11,2, А.
2 При 7"к = —60...+85 'С и Ги 5 10 мкс, О > 100 Р» МАКС определяется по
формуле
Т2и, макс “ 90//?Т| и, Вт;
при Гк = +85...+125 °C и Ги S 10 мкс, О? 100
At макс = (175 — T^/Rf и, Вт,
где	_ _
Л?т, и = 48/ 0 + 0,139(1 - 0,86/а/О)а/ги, °С/Вт.
Формулы справедливы при At, макс 350 Вт.
194
Входная характери-
стика
Зависимости импульс-
ной выходной мощно-
сти и коэффициента
полезного действия от
импульсного напряже-
ния коллектор-база
Зависимости импульс-
ной выходной мощно-
сти и коэффициента
полезного действия от
частоты
Зависимость емкости
коллекторного перехо-
да от напряжения кол-
лектор—база
Зависимость коэффици-
ента полезного действия
от температуры корпуса
Зависимость выходной
мощности от темпера-
туры корпуса
2T979A
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структу-
ры п-р-п генераторный. Предназначен для применения в усили-
телях мощности, умножителях частоты и автогенераторах в
схеме с общей базой на частотах 0,7...1,4 ГГц при напряжении
питания 28 В в непрерывном режиме и 35...40 В в импульсном
режиме. Выпускается в металлокерамическом корпусе с полос-
ковыми выводами и монтажным винтом. Внутри корпуса имеют-
ся согласующие двухзвенные /.С-звенья на входе и выходе
транзистора. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 5 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
7’
195
2Т979А
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте f= 1,3 ГГц:
при t/KB = 28 В, не менее...................... 50 Вт
типовое значение............................... 60* Вт
при t/KB = 20 В, не менее ............................ 30 Вт
Коэффициент усиления по мощности на ча-
стоте f= 1,3 ГГц:
при Рвых = 50 Вт, (/КБ = 28 В, не менее...... 6 дБ
типовое значение............................... 7* дБ
при Рвых = 30 Вт, U№ = 20 В, не менее.......... 4
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра на частоте f= 1,3 ГГц при Рвых = 50 Вт,
t/KB = 28 В, не менее ............................. 45%
типовое значение............	52*%
Обратный ток коллектора при t/KB = 50 В,
не более:
Т= +25 °C...................................... 100 мА
Т= +125 °C .................................... 200 мА
Обратный ток эмиттера при U3b = 3,5 В,
не более...............	30 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
при Гк >+25 °C.......................  50	В
при Гк = —60 °C.................... 45 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 3,5 В
Постоянный ток коллектора................. 5	А
196
Импульсный ток коллектора при Ги 20 мкс,
10...................................... 10 А
Постоянный ток базы..................... 2 А
Средняя рассеиваемая мощность1 в динамиче-
ском режиме при при Гк < +25 °C......... 75 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус... 2 °С/Вт
Температура р-п перехода................ +175 °C
Температура корпуса..................... +125 °C
Температура окружающей среды............ —6О...ТК =
= +125 °C
При Гк * +25 °C
А ср макс = (175 — 7”к)/2, Вт.
Пайка выводов транзистора допускается на расстоянии
3 мм от корпуса при температуре не выше +260 °C и 1 мм при
температуре не выше +150 °C.
2Т979А
Эквивалентная схема замещения транзистора 2T979A
в активном режиме	—
Зависимость выходной мощности
от входной мощности
50 W 50Рвх.Вт
Зависимости коэффициента уси-
ления и коэффициента полезного
действия от входной мощности
197
Зависимость выходной мощности
от частоты
Зависимости коэффициента уси-
ления и коэффициента полезного
действия от частоты
Зависимость выходной
мощности от напряже-
ния коллектор—база
Зависимость импульс-
ной выходной мощно-
сти от входной мощ-
ности
Зависимость коэффици-
ента полезного действия
от выходной мощности
2T982A-2, 2Т982А-5
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
усилителях мощности, генераторах, умножителях в диапазоне
частот 3...7 ГГц в схеме с общей базой в составе гибридных
интегральных микросхем, микросборках, обеспечивающих гер-
метизацию и защиту транзисторов от воздействия влаги, соля-
ного тумана, плесневых грибков, инея, росы, агрессивных га-
зов и смесей. 2Т982А—2 бескорпусный в кристаллодержателе
с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
2Т982А—5 выпускается в виде кристаллов с контактными пло-
щадками без кристаллодержателя и без выводов. Размер кри-
сталла 0,4x0,4x0,06 мм. Тип прибора указывается в этикетке.
198
Масса транзистора не более 2 г, кристалла — не более
0,0001 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Выходная мощность на f= 7 ГГц
При икь = 17 В, /к = 430 мА, Рах = 2 Вт... 3,2...3,5*...
4* Вт
199
Коэффициент усиления по мощности
на f= 7 ГГц при £/кб = 17 В, /к = 430 мА,
Рвх = 2 Вт, типовое значение.............. 2,5*
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра на f= 7 ГГц при UKb = 17 В, /к = 430 мА,
Рвх = 2 Вт, типовое значение.............. 50*%
Фаза коэффициента передачи тока в схе-
ме ОБ на высокой частоте при t/KB = 5 В,
/к = 400 мА, Г = 1 ГГц, не более.......... 16°
Модуль коэффициента обратной передачи на-
пряжения в схеме ОБ на высокой частоте при
t/K6 = 5 В, /к = 430 мА, f= 100 МГц, не более 0,85
типовое значение.......................... 0,65*
Емкость коллекторного перехода
при UK5 = 15 В............................ 3,5*...4*...6 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Ub3 = 0,
типовое значение.......................... 15* пФ
Обратный ток коллектора при t/KB = 20 В,
не более.................................. 1 мА
Обратный ток эмиттера при (/БЭ = 1,5 В,
не более.................................. 0,2 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база...... 20 В
Постоянное напряжение эмиттер—база........ 1,5 В
Постоянный ток коллектора................. 600 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при 6/КБ = 8 В, Гк = —60...+25 °C... 4 Вт
Средняя рассеиваемая мощность коллектора2
в динамическом режиме при 7"к = —60...+25 °C 5,8 Вт
Температура р-п перехода.................. +200 'С
Температура окружающей среды.............. —60... Тк =
__________	= +125 °C
1	При Гк > +25 °C максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
А, МАКС = (200 - Гк)/44, Вт.
2	При Гк > +25 °C максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность
коллектора рассчитывается по формуле
Рк, ср, макс = (200 — Гк)/30, Вт.
Конструкция гибридной схемы и технология монтажа тран-
зистора в гибридную схему, применяемые детали и материалы
должны обеспечить значение теплового сопротивления собран-
ного в гибридную схему транзистора не выше 30 °С/Вт в
динамическом режиме.
200
Монтаж кристаллов в составе гибридной схемы рекоменду-
ется осуществлять с помощью ультразвуковой пайки в инерт-
ной среде. Температура пайки +400...+450 °C. В качестве при-
поя должна применяться золотая прокладка толщиной 0,02 мм.
Поверхность, на которую напаивается транзистор, должна быть
золоченая, толщина золотого покрытия 3...4 мкм.
Присоединение выводов к контактным площадкам должно
производиться термокомпрессионной сваркой при температу-
ре +300 ± 50 °C в течение 2...3 с. В качестве выводов должна
применяться алюминиевая проволока АКО.9 ПМ.37 ЯСО.021.139
ТУ. Соединение выводов с контактной площадкой должно
выдерживать разрывное усилие не менее 1,5 гс. Выводы после
термокомпрессии не должны касаться структуры и боковых
ребер транзистора. Не допускается смещение термокомпрес-
сионных точек, приводящее к закорачиванию элементов струк-
туры. Не допускается сильное натяжение и провисание выво-
дов. Не допускается пережатие вывода в местах термоком-
прессионной сварки.
После извлечения транзисторов из упаковки изготовителя
до присоединения выводов к контактным площадкам транзи-
сторы должны находиться в специальной камере с инертной
средой не более 10 сут.
Эквивалентная схема замещения транзистора в активном режиме:
С = 120 пФ, Скэ = 0,4 пФ, С, = С2 = 0,9 пФ, СК1 = 0,7 пФ, Са = 2,3 пФ,
С3 = 15 пФ при Us3 = 0, L3 = 0,25 нГн, L3 = 0,12 нГн, LK = 0,2 нГн,
7? = 2...2,5 Ом, гъ = 1 Ом, г3 = КТ/д!3, г* = 0,25 Ом при t/K6 = 10 В, / = 7 ГГц
201
'Пц.К^Р.РвЫХ.
°/
/О
100
75
50
25
0.5 1 1.5 Рвх.Вт
Зависимость тока эмит-
тера от напряжения ба-
за—эмиттер
Зависимость коэффици-
ента обратной передачи
напряжения от тока кол-
лектора
Зависимость фазы ко-
эффициента передачи
тока от тока коллек-
тора
Зависимости выходной
мощности и коэффици-
ентов полезного дейст-
вия и усиления от вход-
ной мощности
Зависимость емкости
эмиттерного перехода
от напряжения эмит-
тер—база
Зависимость емкости
коллекторного перехо-
да от напряжения кол-
лектор—база
КТ983А, КТ983Б, КТ983В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
линейных усилителях мощности на частотах 40...860 МГц при
напряжении питания 25 В. Выпускаются в металлокерамиче-
ском корпусе с гибкими полосковыми выводами. Тип прибора
указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 4,5 г.
Изготовитель — НИИЭТ, г. Воронеж.
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте Г = 860 МГц
при £/кэ = 25 В, Гк < +40 °C, не менее:
4 = 0,2 А для КТ983А................. 0,5	Вт
202
КТ983(А-В)
/к = 0,35 А для КТ983Б............... 1 Вт
/к = 0,8 А для КТ983В................ 3,5	Вт
Коэффициент усиления по мощности на ча-
стоте /= 860 МГц при £/кэ = 25 В, Гк +40 °C:
РВых = Вт для КТ983А, не менее........... 4
типовое значение..................... 8,2*
РВЬ|Х = 1 Вт для КТ983Б, не менее.... 3,6
типовое значение..................... 6*
РВых = 3,5 Вт для КТ983В, не менее... 3,2
типовое значение..................... 5,2*
Коэффициент интермодуляционных составля-
ющих 3-го порядка на частоте /= 860 МГц
(трехтоновый сигнал) при £/кэ = 25 В,
Гк < +40 °C, Рвых (по) = 0.5 Вт для КТ983А,
Рвых (по) ~ 1 Вт для КТ983Б, РВЬ|Х = 3,5 Вт для
КТ983В, не более........................ —60 дБ
Статический коэффициент передачи тока в
схеме ОЭ при 6/кэ = 5 В, /к - 0,5 А, не менее:
КТ983А............................... 20
КТ983Б, КТ983В....................... 10
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте f= 300 МГц при 6/кэ = 10 В,
не менее:
/к = 0,3	А	для	КТ983А................ 4
/к = 0,3	А	для	КТ983Б................ 3
/к = 0,6	А	для	КТ983В................ 2,5
Емкость коллекторного перехода на частоте
f= 30 МГц при £/КБ = 28 В, не более:
КТ983А............................... 8 пФ
203
КТ983Б.............................. 12 пФ
КТ983В.............................. 24 пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при 6/кэ = 40 В, /?ЭБ = 10 Ом, не более:
КТ983А:
Г =+25 °C........................... 5 мА
Т= +85 °C....................... 10 мА
КТ983Б:
Т= +25 °C........................... 8	мА
Т= +85 °C....................... 16	мА
КТ983В:
Т= +25 °C........................... 18	мА
Г=+85°С......................... 36	мА
Обратный ток эмиттера при 6/ЭБ = 4 В,
не более:
КТ983А:
Т = +25 °C.......................... 2 мА
Т= +85 °C....................... 4 мА
КТ983Б:
Г=+25 °C............................ 3	мА
Т= +85 °C....................... 6	мА
КТ983В:
Т= +25 °C........................... 5	мА
Т= +85 °C....................... 10 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания.......... 25 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 10 Ом....................... 40 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 4	В
Постоянный ток коллектора:
КТ983А............................. 0,5 А
КТ983Б.............................. 1	А
КТ983В.............................. 2	А
Средняя рассеиваемая мощность в динамиче-
ском режиме при Гк +40 °C:
КТ983А................................. 8,7 Вт
КТ983Б.............................. 13 Вт
КТ983В.............................. 22,5 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус:
КТ983А................................. 13,8 °С/Вт
КТ983Б.............................. 7,7 °С/Вт
КТ983В.............................. 5,3 °С/Вт
Температура р-п перехода............... +160 °C
Температура окружающей среды........... —40... Тк =
= +85 °C
204
Рвых.по. Bin
		КТ983А	
UK3--25B !к=0.2А h860W			
	1		
			
			
			
			
			
0,02 0.03	0.04	0,05 Рвх, Вт
Зависимость выходной мощности
от входной мощности
Зависимость коэффициента усиле-
ния от частоты
Зависимость выходной мощности
от входной мощности
Зависимость коэффициента усиле-
ния от частоты
Зависимость выходной мощности Зависимость коэффициента усиле-
от входной мощности	ния от частоты
205
Зависимости модуля коэффициен-
та передачи тока от частоты
Зависимости критического тока от
напряжения коллектор—эмиттер
Зависимости емкости
коллекторного перехо-
да от напряжения кол-
лектор—база
Зависимость допусти-
мого постоянного тока
коллектора от напряже-
ния коллектор—эмиттер
Зависимость допусти-
мого постоянного тока
коллектора от напряже-
ния коллектор—эмиттер
2T984A, 2Т984Б, KT984A, КТ984Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
импульсных усилителях мощности класса С в схеме с общей
базой в диапазоне частот 720...820 МГц при напряжении пита-
ния 50 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с
гибкими полосковыми выводами. Транзисторы содержат вну-
тренние согласующие £С-звенья. Тип прибора указывается на
корпусе.
Масса транзистора не более 7 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
206
2Т98ШМ КТ984(А,Б)
Электрические параметры
Импульсная выходная мощность
на f = 820 МГц при = 50 В, 7И = 10 мкс,
0= 100, не менее:
2Т984А, КТ984А........................
2Т984Б, КТ984Б........................
Коэффициент усиления по мощности
на f= 820 МГц при С/КБ = 50 В, 7И = 10 мкс,
0= 100:
2Т984А, КТ984А........................
2Т984Б, КТ984Б........................
Коэффициент полезного действия коллектора
на f = 820 МГц при С/КБ = 50 В, 7И = 10 мкс,
О= 100:
2Т984А, КТ984А.......................
2Т984Б, КТ984Б........................
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при U№ = 10 В, f= 300 МГц,
/э = 2,5 А для 2Т984А, КТ984А, /э = 5 А для
2Т984Б, КТ984Б...........................
Критический ток на f= 300 МГц
при U№ = 10 В:
2Т984А, КТ984А.......................
2Т984Б, КТ984Б........................
Постоянная времени цепи обратной связи на
высокой частоте при УКБ = 10 В, f= 5 МГц,
/э = 0,4 А для 2Т984А, КТ984А, /э = 0,6 А для
2Т984Б, КТ984Б:
2Т984А, КТ984А.......................
2Т984Б, КТ984Б.......................
75 Вт
250 Вт
5...5,9*. ..9
4...7*..10
35...50*...60*%
35...45*...55*%
2...3*...4*
5...6*...8* А
15...18*..22* А
2,5*...5*...2О пс
3* ..5*...20 пс
207
Емкость коллекторного перехода
при 6/КБ = 50 В:
2Т984А, КТ984А......................... 17*..18*..
35 пФ
2Т984Б, КТ984Б......................... 50*...55*...
80 пФ
Обратный ток коллектора при (/КБ = 65 В,
не более:
Г= +25 °C:
2Т984А, КТ984А.......................... 30	мА
2Т984Б, КТ984Б...................... 80	мА
Т = +125 °C:
2Т984А................................:	60 мА
2Т984Б............................. 160	мА
Обратный ток эмиттера при (/ЭБ = 4 В,
не более:
Т= +25 °C:
2Т984А, КТ984А.......................... 15	мА
2Т984Б, КТ984Б...................... 40	мА
Г= +125 °C:
2Т984А................................   30	мА
2Т984Б.............................. 80	мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания........... 50 В
Постоянное напряжение коллектор—база.... 65 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 4 В
Импульсный ток коллектора при = 10 мкс,
0= 100:
2Т984А, КТ984А....................... 7 А
2Т984Б, КТ984Б....................... 16 А
Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора при ?и = 10 мкс, О= 100:
2Т984А, КТ984А........................... 15 Вт
2Т984Б, КТ984Б....................... 62,5 Вт
Средняя рассеиваемая мощность коллектора
в импульсном режиме при = 10 мкс, 0= 100:
2Т984А, КТ984А....................... 1,4 Вт
2Т984Б, КТ984Б....................... 4,7 Вт
КСВН коллекторной цепи на f= 820 МГц при
Ги = 10 мкс, О = 100:
2Т984А, КТ984А при Рвых = 75 Вт.......... 10
2Т984Б, КТ984Б при Рвых = 250 Вт..... 3
208
Импульсное тепловое сопротивление пере-
ход-корпус при = 10 мкс, 0= 100:
2Т984А, КТ984А....................... 0,87 °С/Вт
2Т984Б, КТ984Б....................... 0,31 °С/Вт
Температура р-п перехода................ +160 °C
Температура окружающей среды:
2Т984А, 2Т984Б.......................... -6О...ГК =
= +125 °C
КТ984А, КТ984Б....................... -45...ГК =
= +85 °C
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 1 мм
от корпуса при температуре +270 °C в течение 5 с. Допускает-
ся напайка корпуса при температуре +150 °C в течение 5 с.
Электрическая схема транзисторов:
2Т984А: Ly = 0,5 нГн, L2 ~ 0,3 нГн, £3 = 0,5 нГн, = 0,15 нГн, С = 130 пФ
2Т984Б: L, = 0,2 нГн, L2 = 0,1 нГн, £3 = 0,5 нГн, Lt ~ 0,1 нГн, С = 250 пФ
Зависимости импульс-
ной выходной мощно-
сти от входной мощ-
ности
Зависимости импульс-
ной выходной мощно-
сти от входной мощ-
ности
Зависимость модуля
коэффициента пере-
дачи тока от тока
коллектора
209
Зависимость модуля
коэффициента переда-
чи тока от тока коллек-
тора
Зависимости критиче-
ского тока от напряже-
ния коллектор—эмиттер
Зависимости емкости
коллекторного перехо-
да от напряжения кол-
лектор—база
2Т985АС, КТ985АС
Сборки из двух кремниевых эпитаксиально-планарных
структуры п-р-п генераторных транзисторов. Предназначены
для применения в двухтактных широкополосных усилителях
мощности в диапазоне частот 220...400 МГц при напряжении
питания 28 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с
полосковыми выводами. Сборка содержит внутренние согла-
сующие £С-звенья для каждого транзистора. Тип сборки ука-
зывается на корпусе.
Масса сборки не более 10 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
Электрические параметры
Выходная мощность в двухтактной схеме
на частоте f= 400 МГц при 6/п = 28 В,
Рвх = 35,7 Вт, 7"к = +40 °C, не менее........ 125 Вт
Коэффициент усиления по мощности в двух-
тактной схеме на частоте f= 400 МГц при
Un = 28 В, РВЬ1Х = 125 Вт, Тк = +40 °C....... 3,5*...5,6*...7,4*
Коэффициент полезного действия в двух-
тактной схеме на частоте f= 400 МГц при
Un = 28 В, Рвых = 125 Вт, Тк = +40 °C........ 50...61*...
65,5*%
210
2 Т985А С, КТ985АС
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при (/кэ = 50 В, /к = 4 А,
f= 300 МГц........................................ 2,2...3,6*...6,4*
Критический ток при UK3 = 10 В, f= 300 МГц . 26*...37*...
45* А
Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте f= 5 МГц при (/КБ = 10 В,
/э = 0,5А................................... 10*...14*...
21* пс
Емкость коллекторного перехода
при U№ = 28 В............................... 160*...195*...
270 пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при UK3 = 50 В, /?БЭ = 10 Ом, не более...... 120 мА
Обратный ток эмиттера при С/ЭБ = 4 В,
не более...................................... 60	мА
КСВН коллекторной цепи при изменении фазы
коэффициента отражения нагрузки в пределах
0...3600 при Un = 24 В, f= 400 МГц, Гк = +40 °C
при кратковременной работе (3 с) и уровне
выходной мощности на согласованную нагруз-
ку не более 80 Вт, не более.......... 10*
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания........ 28 В
211
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 10 Ом........................ 50 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 4 В
Постоянный ток коллектора............... 17 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’ при Гк +40 °C..................... 105 Вт
Средняя рассеиваемая мощность коллектора
в динамическом режиме* 2 при Гк +40 °C.. 185 Вт
Температура р-п перехода................ +160 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус... 1,05 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус
в динамическом режиме................... 0,65 °С/Вт
Температура окружающей среды:
2Т985АС.................................. -6О...ТК =
= +125 °C
КТ985АС.............................. -6О...ТК =
= +85 °C
’ При Гк > +40 °C максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора определяется из выражения
А. макс = (160 — Тк)/1,05, Вт.
2 При Гк > +40 °C
РК, СР, МАКС ~ (160 — Гк)/0,65, Вт.
Электрическая схема транзистор-
ных сборок КТ985АС, 2Т985АС
Зависимости выгодной мощности
и коэффициента полезного дейст-
вия коллектора от входной мощ-
ности
Зависимости выходной мощности
и коэффициента полезного дейст-
вия коллектора от входной мощ-
ности
Зависимость емкости коллекторно-
го перехода от напряжения коллек-
тор-база
Зависимость допустимого постоян-
ного тока коллектора от напряже-
ния коллектор—эмиттер
эффициента полезного дачи тока от тока жения коллектор—
действия от частоты	коллектора	эмиттер
213
2Т986А, 2Т986Б, 2Т986В, 2Т986Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные с внутренними согласующими цепями
по входу и выходу. Предназначены для применения в генера-
торах и усилителях в схеме с общей базой в импульсном
режиме в диапазоне частот 1,4...1,6 ГГц для 2Т986А, 2Т986Б,
2Т986В, и в диапазоне 0,6...0,8 ГГц для 2Т986Г. Выпускаются
в металлокерамическом корпусе с ленточными выводами. Тип
прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 6 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2Т9д6(А-Г)
Электрические параметры
Выходная мощность при 1/КБ = 45 В,
Ги = 10 мкс, Q = 100:
2Т986А в А/ = 1,4...1,6 ГГц при
Рвх = 87,5 Вт, не менее..................... 350	Вт
типовое значение........................... 390*	Вт
2Т986Б в АГ = 1,4...1,6 ГГц при Рвх = 75 Вт,
не менее.............................. 300 Вт
типовое значение....................... 330* Вт
2Т986В в АГ = 1,4... 1,6 ГГц при Рвх = 70 Вт,
не менее.............................. 350 Вт
типовое значение....................... 390* Вт
2Т986Г в ДГ = 0,6...0,8 ГГц при Рвх = 70 Вт,
не менее.............................. 350 Вт
типовое значение....................... 390* Вт
214
Коэффициент усиления по мощности
при U№ = 45 В, ?и = 10 мкс, 0 = 100:
2Т986А в АГ = 1,4... 1,6 ГГц при
Р&х = 87,5 Вт, не менее................... 6 дБ
типовое значение....................... 6,5* дБ
2Т986Б в ДГ = 1,4...1,6 ГГц при Рвх = 75 Вт,
не менее............................... 6 дБ
типовое значение....................... 6,5* дБ
2Т986В в \f= 1,4...1,6 ГГц при Рвх = 70 Вт,
не менее............................... 7 дБ
типовое значение....................... 7,5* дБ
2Т986Г в \f= 0,6...0,8 ГГц при Рвк = 70 Вт,
не менее............................... 7 дБ
типовое значение....................... 7,5* дБ
Коэффициент полезного действия
при = 45 В, 4, = 10 мкс, Q = 100:
2Т986А в АГ = 1,4... 1,6 ГГц при
Рвх = 87,5 Вт, не менее................... 30%
типовое значение....................... 32*%
2Т986Б в bf = 1,4...1,6 ГГц при Рвх = 75 Вт,
не менее............................... 30%
типовое значение....................... 32*%
2Т986В в АГ = 1,4... 1,6 ГГц при Рвх = 70 Вт,
не менее............................... 35%
типовое значение....................... 37*%
2Т986Г в АГ = 0,6...0,8 ГГц при Рвх = 70 Вт,
не менее............................... 35%
типовое значение....................... 37*%
Обратный ток коллектора при U№ = 50 В,
не более:
2Т986А.................................... 60	мА
2Т986Б, 2Т986Г......................... 50	мА
2Т986В................................. 40	мА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при (/кэ = 45 В, не более:
Т = +25 °C............................. 60 мА
Г=+125 и-60 °C......................... 70 мА
Обратный ток эмиттера при U3B = 3 В,
не более:
2Т986А, 2Т986Г......................... 50	мА
2Т986Б, 2Т986В......................... 40	мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база...... 50	В
Постоянное напряжение эмиттер—база........ 3 В
215
Импульсный ток коллектора при /*и = 10 мкс,
Q = 100 ................................. 26 А
Импульсная рассеиваемая мощность
коллектора’ при 4, = 10 мкс, 0= 100,
Тк = -60...+85 °C........................ 910 Вт
Температура р-п перехода.................. +200	°C
Температура окружающей среды............ —60...	Гк =
= +125 °C
1 При Гк = —60...+85 °C, t* 10 мкс, О = 100
И, МАКС = 115//?т, И (П-К). Вт.
При Гк = +85...+ 125 °C, t„ = 10 мкс, О= 100
Ак, и, макс ~ (200 — Тк)//?т, и (п-к)> Вт,
где	_ _
А,и(п-к) = 1,65/0+ 0,045(1 - 0,86/л/О)л/Ги, °С/Вт, для 2T986A,
А.и(п-к) = 2,06/0+ 0,045 (1 - 0,86/\гО)\%, 'C/Вт, для 2Т986Б,
А.и(п-ю = 1,65/0+ 0,036(1 - 0,86/л/О)АГ, °С/Вт, для 2Т986В, 2Т986Г.
Формулы справедливы при Рк и, макс 1300 Вт.
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 3 мм
от корпуса при температуре не выше +260 °C в течение не
более 3 с. Допускается пайка выводов не ближе 2 мм от
корпуса; при этом температура не должна превышать +150 °C,
время пайки не более 3 с.
При монтаже транзисторов в микрополосковые линии раз-
решается откусывать выводы не ближе 3 мм. Допускается
пайка фланца корпуса транзистора к теплоотводу. Температу-
ра пайки не более +125 °C, скорость изменения температуры
корпуса при пайке фланца не более 1 °С/с.
Зависимости импульсной выходной
мощности от входной мощности
К^.дБ
8
7
6
5
50 60 70 80 Рвх. Вт
Зависимости коэффициента уси-
ления от входной мощности
216
Зависимости коэффициента усиле-
ния от входной мощности
Зависимости импульсной выходной
мощности от частоты
2Т986(А,Б)
Эквивалентная схема замещения транзисторов 2Т986А, 2Т986Б
в активном режиме:
С, = 1,5...2,5 пФ, С2 = 1,5...2,5 пФ, С, = 260 пФ, С, = 30 пФ, СК1 = 25 пФ,
Сю = 50 пФ, Сэ = 1000 пФ, Сиэ = 16 пФ, £, = 0,4 нГн, L3 = 0,05 нГн, £Б = 0,01 нГн,
£к = 0,3 нГн, L2 = 0,4 нГн, Дт = 0,01 Ом, т6 = 0,1 Ом, тк = 0,1 Ом
2Т988А, 2Т988Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
7УРь| п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
генераторах и усилителях в схеме с общей базой в непрерыв-
и импульсном режиме в полосе частот 0.7...1 ГГц для
2Т988А, 0,9... 1,4 ГГц для 2Т988Б при напряжении питания 28 В.
217
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми
выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 5 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2Т988(А,Е)
Электрические параметры
Выходная мощность при = 28 В,
Г =+25 °C:
2Т988А на f= 0,7; 0,85; 1 ГГц при
Кур = 6 дБ, не менее................ 15 Вт
типовое значение.................... 17* Вт
2Т988Б на f= 0,9; 1,15; 1,4 ГГц при
Ку р = 7,8 дБ, не менее............. 18 Вт
Коэффициент усиления по мощности
при U№ = 28 В, Г = +25 °C:
2Т988А на f= 0,7; 0,85; 1 ГГц при
Рвых = 15 Вт, не менее.............. 6* дБ
2Т988Б на f= 0,9; 1,15; 1,4 ГГц при
Рвых = 18 Вт не менее............... 7,8* дБ
Коэффициент полезного действия коллектора
при t/№ = 28 В, Т= +25 °C:
2Т988А на f= 0,7; 0,85; 1 ГГц при
Кур = 6 дБ, не менее................ 40%
типовое значение..................... 45*%
2Т988Б на f~ 0,9; 1,15; 1,4 ГГц при
Кур = 7,8 дБ, не менее................ 50%
218
Обратный ток коллектора при U*b = 50 В,
не более:
Т = +25 °C:
2Т988А............................... 50	мА
2Т988Б........................... 30	мА
Г = +125 и -60 °C:
2Т988А............................... 100 мА
2Т988Б........................... 60	мА
Обратный ток эмиттера при иэъ = 3,5 В,
Т = —60...+125 °C, не более:
2Т988А................................. 15 мА
2Т988Б.............................. 10 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база1
при Т= +25...+125 °C................... 50 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 3,5 В
Средний ток коллектора:
2Т988А............................. 2,5 А
2Т988Б.............................. 1,7 А
Импульсный ток коллектора для 2Т988Б:
при	1000 мкс, О> 10............ 2 А
при	500 мкс, <7 > 5............... 2 А
при 4 20 мкс,	О > 10.............. 3 А
Постоянный ток базы:
2Т988А............................... 1 А
2Т988Б.............................. 0,7 А
Средняя рассеиваемая мощность коллектора1 2
в динамическом режиме при 7"к = —60...+25 °C:
2Т988А.................................. 43 Вт
2Т988Б.............................. 33 Вт
1 При Гк от +25 °C до —60 °C максимально допустимое постоянное напряже-
ние коллектор—база снижается линейно до 45 В.
2 При > +25 °C максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность
коллектора рассчитывается по формуле
Рк, ср, накс ~ (175 — 7^)//?т (п-ки Вт.
При /и = 1000 мкс и О= 10 и Гн = 500 мкс и 0=5 допускается повышение
напряжения питания до 35 В, при Ги = 20 мкс и Q = 10 допускается повышение
напряжения питания до 40 В.
Максимально допустимая рассеиваемая мощность коллектора в радиоим-
пульсном режиме рассчитывается по формуле
РК, СР, НАКС “(175— Гк)/ А (П-К), Вт,
А (п-к) = А m-к)/О + А, и (п-к) (О — 1)/О, С/Вт,
где А и tn-K) — тепловое сопротивление переход—корпус для одиночного им-
пульса длительностью Ги и скважностью Q.
219
Температура р-п	перехода................ +175 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус:
2Т988А.................................. 3,5 °С/Вт
2Т988Б........... ................... 4,4 °С/Вт
Температура окружающей среды............ —60... Гк =
= +125 °C
Применение транзистора в статическом режиме, в том чи-
сле в режиме класса «А», не допускается.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В.
Расстояние от корпуса до начала изгиба вывода 3 мм.
Расстояние от корпуса до места пайки выводов 3 мм, темпера-
тура припоя не выше +270 °C. Время пайки 3 с. Допускается
пайка выводов на расстоянии 2 мм от корпуса, при этом
температура пайки не должна превышать +150 °C. Допускает-
ся сварка выводов на расстоянии не менее 1 мм от корпуса,
при этом температура корпуса не должна превышать +150 °C.
Допускается при монтаже транзистора в микрополосковые
линии или подобные устройства обрезать выводы на расстоя-
нии не менее 2 мм от корпуса. При этом усилие не должно
передаваться на место соединения вывода с корпусом.
Рекомендуется для улучшения отвода тепла от корпуса
транзистора применение мягкой прокладки из сплава индий—
олово с содержанием индия более 20%. При этом для обеспе-
чения лучшего качества теплового контакта рекомендуется под
края фланца, снаружи от винтов помещать прокладку из твер-
дого металла, например, из медной фольги. Ориентировочная
толщина твердой прокладки 20...30 мкм, мягкой — 20...30 мкм.
Во избежании растрескивания керамики не допускается
применение мягкой прокладки без использования жесткой про-
кладки.
Для повышения надежности транзистора в условиях экс-
плуатации рекомендуется применять запирающее смещение,
не превышающее 1 В.
220
Эквивалентная схема замещения транзистора 2Т988А:
L, = 0,7 нГн, L2 - 0,2 нГн, L, = 0,035 нГн, Lt = 0,35 нГн, £s = 1,7 нГн,
£6 = 1,5 нГн, Ц = 0,7 нГн, С, = 0,17 пФ, С2 = 0,0045 пФ, С, = 0,2 пФ,
С4 = 0,0045 пФ, С5 = 0,01 пФ, С„ = 0,2 пФ, С, = 0,0028 пФ, /?, = 0,2 Ом,
R2 = 0,026//э Ом, /?3 = 0,23 Ом, R, - 0,35 Ом, а = 1/(1 + Jf/2,5)
Эквивалентная схема замещения транзистора 2Т988Б:
L. = 0,7 нГн, L2 = 0,2 нГн, £3 = 0,22 нГн, Lt = 0,05 нГн, £s = 1,9 нГн,
£6 = 1,4 нГн, Lt = 0,7 нГн, С, = 2,8 пФ, С2 = 78 пФ, С3 = 3 пФ,
С4 = 130 пФ, Cs = 3 пФ, С6 = 7 пФ, С, = 150 пФ, С, = 2,8 пФ,
R3 - 0,3 Ом, R2 = 0,026//э Ом, R3 = 0,34 Ом, RA = 0,52 Ом
Зависимости импульсного теплово-
го сопротивления переход—корпус
от длительного импульса
Зависимости выходной мощности
от входной мощности
221
Зависимость выходной мощности
от частоты
Зависимости выходной мощности
от частоты
2Т989А, 2Т989Б, 2Т989В, 2Т989Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
генераторах и усилителях мощности, работающих в диапазоне
частот 2 ГГц при напряжении питания 28 В в схеме с общей
базой. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полос-
ковыми выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 5 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
222
Электрические параметры
Выходная мощность при 6/КБ = 28 В:
2Т989А на f=2 ГГц, Рвх = 11 Вт, не менее 35 Вт
типовое значение............................ 40* Вт
2Т989Б на f= 2 ГГц, Рвх = 6,5 Вт,
не менее................................ 26 Вт
типовое значение........................ 30* Вт
2Т989В на \f= 1.6...2 ГГц, Рвх = 2,4 Вт,
не менее................................ 12 Вт
типовое значение........................ 13* Вт
2Т989Г на М~ 1,3... 1,7 ГГц, Рвх = 5 Вт,
не менее................................ 25 Вт
Коэффициент усиления по мощности
при UKb = 28 В:
2Т989В на А/' = 1.6...2 ГГц, Рвх = 2,4 Вт,
не менее................................ 7 дБ
типовое значение........................ 7,3* дБ
2Т989Г на Af = 1,3...1,7 ГГц, Рвх = 5 Вт,
не менее................................ 7 дБ
Коэффициент полезного действия коллектора
при 6/КБ = 28 В:
2Т989А на f= 2 ГГц, Рвх = 11 Вт, не менее 32%
типовое значение.......................... 35*%
2Т989Б на f= 2 ГГц, Рвх = 6,5 Вт,
не менее................................ 30%
типовое значение....................... 33*%
2Т989В на Af = 1.6...2 ГГц, Рвх = 2,4 Вт,
не менее................................ 40%
типовое значение.......................... 42*%
2Т989Г на\f= 1,3...1,7 ГГц, Р^ = 5 Вт,
не менее................................ 45%
Обратный ток коллектора:
Т= +25 °C при UKb = 45 В:
2Т989А, 2Т989Б.......................... 5*...25*...
100 мА
2Т989В, не более.................... 30	мА
типовое значение.................... 6*	мА
2Т989Г, не более.................... 50	мА
Т= +125 °C при 6/КБ = 45 В:
2Т989А, 2Т989Б, не более................ 100 мА
2Т989В, не более.................... 30	мА
2Т989Г, не более.................... 50	мА
Т= -60 °C при UKb = 40 В:
2Т989А, 2Т989Б, не более................ 100 мА
223
2Т989В, не более................. 30 мА
2Т989Г, не более................. 50 мА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при UK3 = 30 В:
2Т989А, 2Т989Б, не более................. 120 мА
типовое значение..................... 22* мА
Обратный ток эмиттера при иэь = 2 В,
Т = —60...+125 °C, не более:
2Т989А, 2Т989Б, не более................. 40 мА
2Т989В, не более..................... 15 мА
2Т989Г, не более..................... 25 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база1... 45 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 2 В
Постоянный ток коллектора:
2Т989А................................ 5 А
2Т989Б............................... 4 А
2Т989В............................... 1,7 А
2Т989Г............................... 2,5 А
Импульсный ток коллектора при Ги С 50 мкс,
40:
2Т989А.................................. 7,5 А
2Т989Б............................... 5 А
Средняя рассеиваемая мощность коллектора
в динамическом режиме* 2:
при Гк = -60...+25 °C для 2Т989А, 2Т989Б 85 Вт
при Гк = —60...+60 °C:
2Т989В............................... 25 Вт
2Т989Г........................... 35 Вт
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора3 при Гк = —60...+ 115 °C, Un С 8 В:
2Т989А.................................. 40 Вт
2Т989Б............................... 30 Вт
’ При Гк от +15 до —60 ’С максимально допустимое постоянное напряжение
коллектор—база снижается линейно до 40 В.
2 При Гк от +25 до +125 °C для 2Т989А, 2Т989Б и от +60 до +125 °C для
2Т989В, 2Т989Г максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность
коллектора рассчитывается по формуле
Р< СР, МАКС ~ (Гп - Гк)/х?т (п-к), Вт.
При Гк от +25 до +125 °C максимально допустимая постоянная рассеиваемая
мощность коллектора рассчитывается по этой же формуле.
3 На частотах ниже 1,3 ГГц при Гк от —60 до +115 °C
Ас ср, макс ~ 40 Вт для 2T989A,
Ас ср, МАКС = 30 Вт для 2Т989Б.
224
2Т989В............................... 14 Вт
2Т989Г............................... 25 Вт
Температура р-п перехода:
2Т989А, 2Т989Б.......................... +195 °C
2Т989В, 2Т989Г....................... +185 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус:
2Т989А.................................. 2 °С/Вт
2Т989Б............................... 2,6 °С/Вт
2Т989В............................... 5 °С/Вт
2Т989Г............................... 3,9 °С/Вт
Температура окружающей	среды........... — 60... Гк =
= +125 °C
Не допускается эксплуатация транзисторов при напряже-
нии питания более 28 В в непрерывном режиме и более 30 В
в импульсном режиме.
Улучшение тепла от корпуса транзистора возможно при
применении мягкой прокладки из сплава индий—олово с со-
держанием индия более 20%. Для обеспечения теплового кон-
такта рекомендуется подкладывать под края фланца снаружи
от винтов прокладку из твердого металла, например, из мед-
ной фольги толщиной 15...20 мкм большей, чем толщина про-
кладки из сплава индий—олово. Рекомендуется толщина твер-
дой прокладки 50 мкм, мягкой 30 мкм. Применение твердой
прокладки рекомендуется во избежание растрескивания кера-
мики.
Транзисторы пригодны для монтажа в аппаратуре паяльни-
ком. Допустимое число перепаек выводов транзистора при
проведении монтажных операций три. Расстояние от корпуса
до начала изгиба не менее 3 мм. Расстояние от корпуса до
места лужения и пайки по длине вывода не менее 3 мм.
Температура припоя не выше +265 °C, время пайки не более
3 с. Допускается пайка выводов на расстоянии 1 мм от корпу-
са при температуре пайки не выше +180 °C, время пайки не
более 3 с. Допускается припайка основания корпуса транзи-
стора к радиатору. Температура пайки не более +160 °C,
скорость снижения температуры корпуса транзистора не бо-
лее 1 °C/с, время пайки не более 10 мин. Допускается сварка
выводов на расстоянии не менее 1 мм от корпуса, при этом
температура корпуса транзистора не должна превышать +150 °C
и должны быть приняты меры по исключению возможности
нарушения целостности конструкции. Допускается при монта-
же транзистора в микрополосковые линии или подобные
устройства обрезать выводы на расстоянии не менее 1,5 мм от
корпуса. При этом усилие не должно передаваться на место
соединения вывода с корпусом. Допускается обрезка фланца
без передачи механических усилий на керамику.
Эквивалентная схема замещения транзисторов 2Т989А—2Т989Г:
2Т989А, 2Т989Б: Ск = Скэ + СК1 + С„ - 83 пФ, С2 = 2,6 пФ, С, = 70 пФ,
С, = 300 пФ, С, = 2,6 пФ, 4, = 0,15 нГн, L, • 0,15 нГн, 45 = 0,1 нГн, 4, = 0,2 нГн,
L, = 0,3 нГн, 4М = 0,15 нГн, 4* = 0,03 нГн, Дт “ 0,08 Ом, гБ = 0,02 Ом, гк = 0,027 Ом;
2Т989В: Ск = Са + СК1 + Си = 17 пФ, С2 = С, « 2,6 пФ, С, = 24 пФ, С, = 150 пФ,
4, = 4„ = 0,15 нГн, 4, = 0,3 нГн, 4, = 0,26 нГн, 4, = 0,49 нГн, L, = 0,24 нГн,
4S = 0,1 нГн, Дг = 0,32 Ом, гъ = 0,08 Ом, гк = 0,1 Ом;
2Т989Г: Ск = Сю + СК1 + С„ = 34 пФ, С2 = 2,6 пФ, Ct = 82 пФ, С, = 150 пФ,
4, = 410 = 0,15 нГн, 43 = 0,3 нГн, 4S = 0,18 нГн, 4. = 0,43 нГн, L, “ 0,21 нГн,
46 » 0,05 нГн, Дг = 0,16 Ом, rs = 0,04 Ом, гк = 0,05 Ом.
Зона возможных положений зависи-
мостей выходной мощности и коэф-
фициента усиления от входной мощ-
ности
Зависимости выходной мощности
и коэффициента усиления от вход-
ной мощности
226
Зависимости выходной мощности Зависимости выходной мощности
от частоты	от частоты
2Т990А-2
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п генераторный. Предназначен для применения в ге-
нераторах и усилителях мощности в составе гибридных инте-
гральных микросхем. Бескорпусный на металлическом кри-
сталлодержателе с гибкими полосковыми выводами. Тип при-
бора указывается на крышке кристаллодержателя.
Масса транзистора не более 3,5 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2 Т990А-2
8
227
Электрические параметры
Выходная мощность на f= 2 ГГц при
6/КБ = 28 В, Рвх = 4 Вт, 7"к = +25 °C, не менее. 8 Вт
типовое значение...................... 9,2* Вт
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра на f= 2 ГГц при 0КБ = 28 В, Рвх = 4 Вт,
Гк = +25 °C, типовое значение............ 30%
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при = 10 В, 4 = А,
f= 300 МГц............................... 6,5...11,4*...12*
Критический ток при U№ = 10 В
на f= 300 МГц............................ 1,6*.„2,7*...
3,5* А
Постоянная времени цепи обратной связи на
высокой частоте при U№ = 10 В, /э = 150 мА,
f= 30 МГц................................ 1,3*.„1,32*...
2,5* пс
Емкость коллекторного перехода {/КБ = 28 В .. 15*... 16,3*...
22 пФ
Конструктивная емкость эмиттер—корпус, ти-
повое значение........................... 2,7* пФ
Конструктивная емкость коллектор—корпус,
типовое значение......................... 1,9* пФ
Обратный ток коллектора при (/КБ = 45 В,
не более:
Т= +25 и -60 °C....................... 20 мА
Т= +100 °C............................ 40 мА
Обратный ток эмиттера при иъз = 3,5 В,
не более:
Г=+25 и-60 °C......................... 10 мА
Г=+100°С.............................. 30 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база1.. 45 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 3,5 В
Потенциал статического электричества... 1000 В
Постоянный ток коллектора.............. 1,5 А
Импульсный ток коллектора при Ги = 20 мкс,
0=50................................... ЗА
’ При изменении температуры кристаллодержателя от +25 до —60 °C посто-
янное напряжение коллектор—база уменьшается линейно до 40 В.
228
Постоянная и средняя рассеиваемая мощ-
ность коллектора1 в динамическом режиме
при Гк = ~60...+25 °C................... 25 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус... 7 °С/Вт
Температура окружающей среды............ —60... Тк =
= +100 °C
1 При Гк > +25 °C максимально допустимая постоянная и средняя рассеива-
емая мощность коллектора рассчитывается по формуле
ст, макс = макс = 25 ~ (Гк - 25)/7, Вт.
Минимальное расстояние от кристаллодержателя до места
сварки вывода 1 мм. Сварка выводов транзистора с алюмини-
евыми площадками гибридной схемы должна производиться
ультразвуковой сваркой, время сварки 0,1...0,6 с, давление на
инструмент 150...600 г. Количество сварок в одной точке не
более одного раза.
При установке в аппаратуру транзистор должен прижи-
маться к теплоотводу. Неплоскостность контактирующей по-
верхности теплоотвода должна быть не более 0,02 мм. Для
уменьшения контактного сопротивления между корпусом и
теплоотводом рекомендуется применять смазки, например,
КПТ-8.
При эксплуатации транзисторов в усилительных схемах
следует учитывать возможность их самовозбуждения как вы-
сокочастотных элементов и принимать меры к его устранению.
Эквивалентная схема замещения транзистора 2Т99ОА—2
в активном режиме:
Z-Э = 0,8 нГн,	= 0,14 нГн, £к = 1,5 нГн, С, = 2,7 пФ, Сг = 2 пФ, Сю = 2,5 пФ,
С3 = 100 пФ, СК| = Са = 12,5 пФ, /?э = 0,1 Ом, г6 = 0,25 Ом, гк = 0,25 Ом
229
Зависимости выходной мощности
и коэффициента полезного дей-
ствия коллектора от частоты
k.A
Выходные характеристики
Зависимость выходной мощ-
ности от входной мощности
Зависимости выходной мощности
и коэффициента полезного дейст-
вия коллектора от входной мощ-
ности
2Т991АС, КТ991АС
Сборки из двух кремниевых эпитаксиально-планарных
структуры п-р-п генераторных транзисторов. Предназначены
для применения в двухтактных широкополосных усилителях
мощности в схеме с общей базой в полосе частот 350...700 МГц
при напряжении питания 28 В. Выпускаются в металлокерами-
ческом корпусе с полосковыми выводами. Тип сборки указы-
вается на корпусе.
Масса сборки не более 10 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
230
2Т991АС. КТ991АС
Электрические параметры
Выходная мощность в двухтактной схеме
на f~ 700 МГц при 1/КБ = 28 В, Рвх = 9,2 Вт,
Тк = +40 °C, не менее.....................
Коэффициент усиления по мощности на
f= 700 МГц при ЦБ = 28 В, Рвх = 9,2 Вт,
Гк = +40 °C...............................
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра в двухтактной схеме на f = 700 МГц при
ЦБ = 28 В, Рвх = 9,2 Вт, Гк = +40 °C......
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при </КБ = 10 В, /к = 3 А.
Критический ток при t/K3 = 10 В, f= 300 МГц .
Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте при (/КБ = 5 В, /э = 1 А,
f= 5 МГц..................................
Емкость коллекторного перехода
при U№ = 28 В.............................
Обратный ток коллектора при = 50 В,
не более..................................
55 Вт
6...8*...10*
5О...58*...65*%
540...660*...
750* МГц
7...8*...9* А
4,6*...6*...
6,8 пс
49*...53*...
75 пФ
50 мА
231
Обратный ток эмиттера при Уэь = 4 В,
не более................................. 20	мА
КСВН коллекторной цепи при изменении
фазы коэффициента отражения в пределах
от 0 до 360 при (/КБ = 28 В, на f = 500 МГц,
Гк = +50 °C при кратковременной работе (3 с)
и уровне выходной мощности на согласован-
ной нагрузке 45 Вт, не более............ 10
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания.......... 29 В
Постоянное напряжение коллектор—база... 50 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 4 В
Постоянный ток коллектора.............. 3,75 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = +40 °C................... 67,5 Вт
Температура р-п перехода............... +175 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 2 °С/Вт
Температура окружающей среды........... —60... Тк =
= +125 °C
1 При Гк > +40 °C максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
Рк, макс = (175 — 7к)/2, Вт.
Зависимости выходной мощности
и коэффициента полезного дейст-
вия коллектора от входной мощ-
ности
Зависимости выходной мощности
и коэффициента полезного дейст-
вия коллектора от входной мощ-
ности
232
2Т994А-2, 2Т994Б-2, 2Т994В-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
генераторах и усилителях мощности диапазона частот 1,4...
1,6 ГГц в импульсном режиме в схеме с общей базой при
напряжении питания 45 В. Транзистор содержит согласующие
цепи. Бескорпусные на металлическом кристаллодержателе с
полосковыми выводами. Тип прибора указывается на кристал-
лодержателе.
Масса транзистора не более 7 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2Т99Ш-2 - В-2)
Электрические параметры
Выходная мощность при (/КБ = 45 В,
f= 1,4...1,6 ГГц, С 10 мкс, 0= 100:
2Т994А-2 при Рвх = 125 Вт, не менее.. 500 Вт
типовое значение...................... 550*	Вт
2Т994Б—2 при Рвх = 100 Вт, не менее.. 400 Вт
типовое значение...................... 450*	Вт
2Т994В-2 при Рвх = 100 Вт, не менее.. 500 Вт
типовое значение...................... 550*	Вт
Коэффициент усиления по мощности при
t/KB = 45 В, АГ= 1,4...1,6 ГГц, t* С 10 мкс,
О= 100:
2Т994А-2 при Рвх = 125 Вт, не менее.. 6 дБ
типовое значение...................... 6,4*	дБ
2Т994Б-2 при Рвх = 100 Вт, не менее.. 6 дБ
типовое значение...................... 6,5*	дБ
233
2Т994В—2 при Рвх =100 Вт, не менее..... 7 дБ
типовое значение....................... 7,4* дБ
Коэффициент полезного действия коллектора
при </КБ = 45 В, Д/ = 1,4...1,6 ГГц, Ти 10 мкс,
0= 100: "
2Т994А—2 при Рвх = 125 Вт, не менее... 30%
типовое значение...................... 33*%
2Т994Б—2 при Рвх = 100 Вт, не менее .. 30%
типовое значение...................... 33*%
2Т994В—2 при Рвх = ЮО Вт, не менее.... 30%
типовое значение...................... 37*%
Емкость коллекторного перехода
при </КБ = 45 В, не более................ 120 пФ
Емкость эмиттерного перехода при </БЭ = 0,
не более................................. 1500 пФ
Обратный ток коллектора при </КБ = 50 В,
не более:
Г=+25 °C.............................. 60 мА
Г =-60 и+125 °C....................... 90 мА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при (/кэ = 45 В, не более:
Т= +25 °C:
2Т994А-2........................... 80 мА
2Т994Б-2........................... 60 мА
2Т994В-2........................... 90 мА
Г= -60 и +125 “С:
2Т994А-2........................... 110 мА
2Т994Б-2........................... 80 мА
2Т994В-2........................... 120 мА
Обратный ток эмиттера при </БЭ = 3 В,
не более:
Г=+25 °C.............................. 60 мА
Т= -60 и +125 °C...................... 90 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания............ 50 В
Постоянное напряжение коллектор—база..... 50 В
Постоянное напряжение эмиттер—база....... 3 В
Импульсный ток коллектора при Ти 10 мкс,
О= ЮО1:
2Т994А-2, 2Т994В-2.................... 39 А
2Т994Б-2.............................. 35 А
1 При Ги< 10 мкс и О > 100 максимально допустимый импульсный ток ком
лектора рассчитывается по формуле
4, и, макс = А, и, makc(QW/40,5, А.
234
Импульсная^ рассеиваемая мощность
коллектора при Ги < 10 мкс, О = 100,
Тк = -60...+85 X’:
7Т994А-2, 2Т994В-2...................
2Т994Б—2.............................
1290 Вт
1165 Вт
Минимальная рабочая частота2............ 0,6 ГГц
Температура р-п перехода................ +200 °C
Температура окружающей среды............ —60... Гк =
= +125 °C
’ При 7"к < +85 °C, < 10 мкс, О > 100 максимально допустимая импульсная
рассеиваемая мощность коллектора рассчитывается по формуле
А. И, МАКС ” 115//?т (П-К)» ВТ.
При 7К > +85 °C
Рк, и, макс ~ (200 — Гк)//?т (п-ю> Вт.
Формулы справедливы при Рк и МАКС = 1800 Вт для 2T994A—2, 2Т994В—2 и
1650 Вт для 2Т994Б-2.
1 На частоте f = 0,6 ГГц гарантируются значения параметров, приведенные в
разделе «Электрические параметры».
Разрешается откусывать полосковые выводы на расстоя-
нии 3 мм от корпуса, а также формовка выводов транзистора
при монтаже не ближе 1 мм от корпуса.
Пайка выводов транзистора рекомендуется не ближе 3 мм
от корпуса при температуре +260 °C в течение не более 3 с.
Допускается пайка выводов на расстоянии 2 мм от корпуса,
при этом температура не должна превышать +150 °C, время
пайки не более 3 с. Допускается пайка фланца корпуса тран-
зистора к теплоотводу, температура пайки не более +150 °C.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В.
Эквивалентная схема транзисторов 2T994A—2, 2Т994Б-2, 2T944B—2:
4, = 0,25 нГн, 4Э = 0,03 нГн, 4Б = 0,01 нГн, £к = 0,2 нГн, 42 = 0,2 мГн,
С, = 2,5...3,5 пФ, С2 = 2,5...3,5 пФ, С, = 300 пФ, С5 = 45 пФ, = 37 пФ,
С<2 = 75 пФ, Сэ = 1500 пФ, Скэ = 24 пФ, Дг = 0,01 Ом, гБ = 0,1 Ом, гк = 0,1 Ом
235
Зависимости выходной мощности
и коэффициента усиления от вход-
ной мощности
Зависимости коэффициента полез-
ного действия от входной мощно-
сти
Зависимости выходной мощности
и коэффициента усиления от вход-
ной мощности
Зависимости коэффициента полез-
ного действия от входной мощно-
сти
Зависимости выходной мощности
и коэффициента усиления от вход-
ной мощности
Зависимости коэффициента полез-
ного действия от входной мощно-
сти
236
Зависимости выходной мощности
от температуры корпуса
Зависимости выходной мощности
от температуры корпуса
Зависимости выходной мощности
от температуры корпуса
2Т995А-2
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п генераторный. Предназначен для применения в уси-
лителях и генераторах в диапазоне частот 2... 10 ГГц в схеме
ОБ при напряжении питания 14 В. Бескорпусный на металло-
керамическом кристаллодержателе с гибкими выводами. Тип
прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте f= 10 ГГц
при U„ = 13 В, /к = 0,5 А, Рвх = 1 Вт.... 1,5...1,85*...
2,2* Вт
237
Фаза коэффициент передачи тока на частоте
f= 1 ГГц при (/КБ = 3 В, /к = 0,3 А............ 8*...8,5*...13°
Обратный ток коллектора при (/КБ = 18 В:
Т= +25 и -60 °C............................ 0,003*...0,16*
...2 мА
Гк = +125 °C, не более..................... 5 мА
Обратный ток эмиттера при иэъ = 1,5 В:
Г= +25 и -60 °C............................ 0,065*...0,1*...
1 мА
Гк = +125 °C, не более..................... 5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания........... 14 В
Постоянное напряжение коллектор—база.... 18 В
Постоянное напряжение база—эмиттер...... 1,5 В
Постоянный ток коллектора............... 0,6 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’ при (/КБ = 7 В, Гк = —60...+40 °C. 3 Вт
1 При Гк > +40 *С постоянная рассеиваемая мощность коллектора определя-
ется из выражения
Ас макс = (190 - Гк)/50, Вт.
238
Средняя рассеиваемая мощность коллектора* 1
в динамическом режиме при Тк = —60...+25 °C 5,7 Вт
Температура р-п перехода............... +190 ’С
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 50 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус
в динамическом режиме.................. 29 °С/Вт
Температура окружающей среды........... —60... Тк =
= +125 °C
’ При Гк > +25 “С
Рк, ср, макс = (190 — 7J/29, Вт.
Расстояние места пайки выводов от кристаллодержателя
1 мм, температура пайки +260 °C, время пайки не более 3 с.
При пайке выводов на расстоянии 0,5 мм температура пайки
не должна превышать +150 °C.
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэффи-
циента полезного действия от вход-
ной мощности
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэффи-
циента полезного действия коллек-
тора от напряжения питания
239
Схема замещения транзистора 2Т995А—2 в активном режиме:
С = 180 пФ, Скэ = 0,6 пФ, С, = 0,82 пФ, С2 = 0,45 пФ, С3 = 0,8...1,05 пФ,
С„ = 0,55 пФ, СК1 = 0,54 пФ (УКБ = 10 В), С„ = 1,65 пФ	= 10 В),
Сэ = 13,2 пФ (1/6э = 0), в рабочем режиме 33 пФ, £э = 0,55 нГн, Lt = 0,13 нГн,
Z., = 0,25 нГн, £к = 0,45 нГн, R = 1...2 Ом, rs = 0,8 Ом, гк = 0,2 Ом
2Т996А-2, 2Т996Б-2, 2Т996В-2, 2Т996Г-2,
2Т996А-5, 2Т996Б-5,
КТ996А-2, КТ996Б-2, КТ996В-2,
КТ996А-5, КТ996Б-5, КТ996В-5
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п усилительные. Предназначены для применения в
усилителях класса «А» с повышенными требованиями к линей-
ности в составе гибридных интегральных микросхем. Бескор-
пусные на керамическом держателе с гибкими полосковыми
выводами. На крышку транзистора наносят условную маркиров-
ку: 2Т996А-2, КТ996А-2 - букву А, 2Т996Б-2, КТ996Б-2 -
букву Б, 2Т996В-2, КТ996В-2 — букву В, 2Т996Г-2 — букву Г.
Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора не
более 0,21 г.
Транзисторы 2Т996А-5, 2Т996Б-5, КТ996А-5, КТ996Б-5,
КТ996В—5 выпускаются в виде кристаллов с контактными пло-
щадками без кристаллодержателя и без выводов. Масса тран-
зистора не более 0,00017 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Выходная мощность на f = 650 МГц при
«о = 10 В, Рвх = 30 мВт, Гк = +25 °C,
не менее:
2Т996В-2............................. 115	мВт
240
2Т996(А-2,Б-2,В-2,Г-2), КТ996(А-2,Б-2.В-2)
2Т996(А-5.Б-5), КТ996(А-5.Б-5,В-5)
2Т996Г-2............................... 135 мВт
КТ996В-2, КТ996В-5..................... 110 мВт
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 6/кэ = 10 В, /к = 100 мА:
Г= +25 °C:
2Т996А-2, 2Т996А-5, КТ996А-2,
КТ996В-2, КТ996А-5, КТ996В-5 ...... 35...55*...100*
241
2Т996Б-2, 2Т996Б— 5, КТ996Б-2,
КТ996Б—5, не менее.................. 70
2Т996В—2, 2Т996Г—2, не менее........ 35
Т = +125 °C, не менее:
2Т996А—2, 2Т996В-2, 2Т996Г-2,
2Т996А-5, КТ996А-2, КТ996В-2,
КТ996А-5, КТ996В-5...................... 35
2Т996Б-2, 2Т996Б-5, КТ996Б-2,
КТ996Б-5............................ 70
Т = —60 °C, не менее................... 17
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 6/кэ = 10 В, /к = 100 мА:
2Т996А-2, 2Т996А-5, КТ996А-2,
КТ996В-2, КТ996А-5, КТ996В-5............... 4...4,8*...
5,5* ГГц
2Т996Б-2, 2Т996Б-5, КТ996Б-2,
КТ996Б-5............................... 4...5,5*...
6,2* ГГц
2Т996В-2, 2Т996Г-2, не менее........... 4 ГГц
Неравномерность коэффициента передачи то-
ка в режиме малого сигнала при 6/кэ = 7,5 В,
/к = 20...200 мА, не более................. 1,5
Граничное напряжение при 4 = 50 мА:
2Т996А-2, 2Т996А-5, КТ996А-2,
КТ996А-5 .................................. 20...28*...35* В
2Т996Б-2, 2Т996Б-5, КТ996Б-2,
КТ996Б-5............................... 16...22*...24* В
Коэффициент комбинационных составляющих
второго порядка на Л, = 28 МГц, f2 = 32 МГц
при f/кэ = 10 В, /к = 100 мА, /?н = 150 Ом. -45*...-50*...
-55* дБ
Коэффициент второй гармоники на = 30 МГц
при 6/кэ = 10 В, /к = 100 мА, /?н = 75 Ом,
Рвых = 3 мВт, типовое значение............. —60* дБ
Коэффициент третьей гармоники на
/, = 30 МГц при 6/кэ = 10 В, /к = 100 мА,
/?н = 75 Ом, РВЬ|Х = 3 мВт, типовое значение... —90* дБ
Емкость коллекторного перехода
при t/KB = 10 В............................ 1,6*...2*...
2,3 пФ
Емкость эмиттерного перехода при £/6Э = 0:
2Т996А-2, 2Т996А-5, КТ996А-2,
КТ996В-2, КТ996А-5, КТ996В-5............... 10*... 12*...
20 пФ ,
242
2Т996Б—2, 2Т996Б—5, КТ996Б-2,
КТ996Б-5............................. 6,5*...7,5*. ..
20* пФ
Обратный ток коллектора при = 20 В,
не более:
Г =+25 и—60 °C....................... 1 мА
7=+125 °C............................ 5 мА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при = 20 В, /?БЭ = 100 Ом, не более..... 5 мА
Обратный ток эмиттера при 6/ЭБ = 2,5 В,
не более................................ 0,5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база.... 20 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 100 Ом....................... 20 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 2,5 В
Постоянный ток коллектора............... 0,2	А
Импульсный ток коллектора при 4, С 1 мс,
0= 10................................... 0,3	А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’ при Гк = —60...+50 °C............. 2,5 Вт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус... 40 °С/Вт
Температура окружающей среды............ —60...	Тк =
= +125 °C
1 При Гк > +50 °C максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
А, макс = (150 - Гк)/40, Вт.
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 2 мм
от кристаллодержателя при температуре не выше +260 °C в
течение не более 3 с и не ближе 0,5 мм от кристаллодержате-
ля при температуре не выше +150 °C. Металлизированное
основание кристаллодержателя рекомендуется заземлять.
Допускается пайка металлизированного основания кристал-
лодержателя при температуре не более +180 °C.
Допускается обрезка выводов не ближе 1,5 мм от кристал-
лодержателя.
Технология монтажа транзисторов 2Т996А—5, 2Т996Б—5,
КТ996А—5, КТ996Б-5, КТ996В—5, в гибридную интегральную
схему, применяемые детали и материалы должны обеспечи-
вать значение теплового сопротивления переход—корпус со-
бранного в гибридную схему транзистора не более 40 °С/Вт.
243
При монтаже транзистора в составе гибридной схемы не-
обходимо выполнять следующие условия:
монтаж транзисторов должен осуществляться с помощью
ультразвуковой пайки в инертной среде, температура пайки не
выше +450 °C. В качестве припоя должна применяться золо-
тая прокладка толщиной 0,02 мм. Поверхность, на которую
напаивается транзистор, должна быть золоченая, толщина по-
крытия не менее 3 мкм;
присоединение выводов к контактным площадкам должно
производиться термокомпрессионной сваркой при температуре
не более +350 °C в течение не более 3 с. В качестве выводов
должна применяться алюминиевая проволока диаметром
0,026 мм марки А5Е. Соединение вывода с контактной площад-
кой должно выдерживать разрывное усилие не менее 1,5 гс;
выводы после термокомпрессии не должны касаться струк-
туры и боковых ребер транзистора;
не допускается смещение термокомпрессионных точек,
приводящее к закорачиванию элементов структуры;
не допускается сильное натяжение и провисание выводов;
не допускается разрыв (пережатие) вывода в местах тер-
мокомпрессионной сварки.
После извлечения транзисторов из герметичной или влаго-
защитной упаковки изготовителя до присоединения выводов к
контактным площадкам транзисторы должны находиться в спе-
циальной камере с инертной средой не более 10 сут. В случае
использования части транзисторов из общей упаковки, неис-
пользованные транзисторы должны быть повторно упакованы
в герметичную тару. Требование на хранение в специальной
камере с инертной средой не более' 10 сут распространяется
на повторно упакованные транзисторы с момента вскрытия
вторичной упаковки.
Зависимости статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
коллектора
Зависимости статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
коллектора
Зависимости граничной
частоты от тока коллек-
тора
244
/к-мА
Зависимость емкости
коллекторного перехо-
да от напряжения кол-
лектор-база
Зависимости емкости
эмиттерного перехода
от напряжения эмит-
тер—база
Область максимальных
режимов
Выходные характеристики
Выходные характеристики
Зависимость тока эмиттера от на-
пряжения эмиттер—база
Зависимость тока базы от напря-
жения эмиттер—база
245
Зависимость напряжения коллек-
тор—эмиттер от сопротивления
база—эмиттер
2Т9101АС, КТ9101АС
Сборки из двух кремниевых эпитаксиально-планарных
структуры п-р-п генераторных транзисторов. Предназначены
для применения в двухтактных широкополосных усилителях
мощности в диапазоне частот 350...700 МГц в схеме с общей
базой при напряжении питания 28 В. Выпускаются в металло-
керамическом корпусе с полосковыми выводами. Сборка со-
держит внутренние согласующие £С-звенья для каждого тран-
зистора. Тип сборки указывается на корпусе.
Масса сборки не более 7 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
Электрические параметры
Выходная мощность в двухтактной схеме
на частоте f= 700 МГц при £/К6 = 28 В,
Рвх = 28,5 Вт, Тк = +40 °C, не менее... 100 Вт
Коэффициент усиления по мощности в двух-
тактной схеме на частоте f= 700 МГц при
£/кб = 28 В, Рвх = 28,5 Вт, Тк = +40 °C,
не менее............................... 3,5
типовое значение.................... 8*
Коэффициент полезного действия коллектора
в двухтактной схеме на частоте f= 700 МГц
при f/KB = 28 В, Рвх = 28,5 Вт, Тк = +40 °C,
не менее............................... 50%
типовое значение.................... 53,8%
Модуль коэффициента передачи тока на
f= 100 МГц при (/кэ = 10 В, /к = 5 А, не менее.. 3,5
типовое значение....................... 6,5*
246
2T9W1AC, КТ9101АС
Критический ток коллектора сборки
на f= 300 МГц при = 10 В, не менее...... 12 А
типовое значение...................... 15*	А
Постоянная времени цепи обратной связи на
f = 5 МГц при 6/КБ = 5 В, /э = 0,5 А, не менее . 45 пс
типовое значение......................... 8,8* пс
Емкость коллекторного перехода сборки
при £/кб = 28 В, не более................ 150	пФ
типовое значение..................... 102*	пФ
Обратный ток коллектора сборки
при 6/КБ = 50 В, не более:
Г =+25 °C................................ 30 мА
Г=+125 °C для 2Т9101АС............... 60 мА
Обратный ток эмиттера сборки при U3b = 4 В,
не более:
Г =+25 °C............................ 80 мА
Г = +125 ’С для 2Т9101АС............. 160 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база... 50 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 4 В
Постоянный ток коллектора.................. 7,5	А
КСВН коллекторной цепи на f = 500 МГц
при раых = 60 Вт, (/КБ = 24 В, Гк = +50 °C. 10
247
Средняя рассеиваемая мощность коллектора’
в динамическом режиме при Гк +40 °C.... 130 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус
в динамическом режиме..........;....... 1,15 °С/Вт
Температура р-п перехода............... +190 °C
Температура окружающей среды:
2Т9101АС............................... -6О...ГК =
= +125 °C
КТ9101АС............................ —45... Гк =
= +85 °C
1	При Тк > +40 °C максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность
коллектора рассчитывается по формуле
Рк. ср, макс = (190 — Гк)/1,15, Вт.
Изгиб вывода допускается не ближе 3 мм от корпуса
сборки.
Пайка выводов допускается не ближе 1 мм от корпуса
сборки при температуре +270 °C в течение 4 с.
Допускается монтаж сборки методом пайки фланца к те-
плоотводу при обеспечении температуры корпуса не более
+150 °C в течение 2 мин.
Зависимость выходной мощности
от напряжения питания
Зависимости коэффициента усиле-
ния и коэффициента полезного
действия коллектора от частоты
248
Принципиальная электрическая схема транзисторной сборки КТ9101АС:
£, = Z.J = 0,6 нГн, Z.J = Z.4 = 0,28 нГн, £, = 4,5 нГн,
£,= £,= 1,25 нГн, С, = С2 = 230 пФ
2Т9102А-2, 2Т9102Б-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
автогенераторах, усилителях мощности, умножителях частоты
в диапазоне частот 0,7...2,4 ГГц в схеме с общей базой при
напряжении питания 28 В в составе гибридных интегральных
микросхем. Бескорпусные на металлокерамическом кристал-
лодержателе с гибкими полосковыми выводами. На кристал-
лодержатель наносится условная маркировка: 2Т9102А—2 —
буква А, 2Т9102Б—2 — буква Б. Тип прибора указывается в
этикетке.
Масса транзистора не более 2,3 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Выходная мощность на f= 2 ГГц
при 6/КБ = 28 В, Тк = +40 °C:
2Т9102А—2 при Рвх = 1 Вт, не менее... 3,5 Вт
типовое значение.»................... 4,4* Вт
2Т9102Б—2 при Рвх = 0,5 Вт, не менее. 1,6 Вт
типовое значение..................... 2* Вт
Коэффициент полезного действия коллектора
на f = 2 ГГц при 6/КБ = 28 В, Тк = +40 °C, ти-
повое значение:
2Т9102А-2 при Рвх = 1 Вт............. 33*%
2Т9102Б-2 при Рвх = 0,5 Вт........... 30*%
249
2T9W2(A-2. Б-2)
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при (/кэ = 10 В, f= 300 МГц:
2Т9102А—2 при /к = 0,5 А.................... 4,5...6,2*...7*
2Т9102Б-2 при /к = 0,25 А................... 4,5...7,4*...7,8*
Критический ток при £/кэ = 10 В, f= 300 МГц:
2Т9102А-2....................................... 1,1...1,7*...
2,1* А
2Т9102Б-2................................... 0,5...0,7*...
0,8* А
Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте при £/КБ = 10 В, /э = 50 А,
f= 30 МГц:
2Т9102А-2................................... 1,1*. ..1,25*...
2,2 пс
2Т9102Б-2................................... 0,9*...1*...
2,2 пс
Емкость коллекторного перехода
при 6/КБ = 28 В:
2Т9102А-2....................................... 7,5*...8*...
10 пФ
2Т9102Б-2................................... 5,2*...5,3*...
6,5 пФ
Емкость эмиттерного перехода при £/БЭ = 3,5 В,
типовое значение:
2Т9102А-2................................... 40* пФ
2Т91О2Б-2................................... 20* пФ
Обратный ток коллектора при 6/КБ = 45 В:
2Т9102А-2....................................... 0,001 *...0,2*...
10 мА
2Т9102Б-2................................... 0,001*...0,12*
...5 мА
250
Обратный ток эмиттера при = 3,5 В,
не более:
2Т9102А—2................................ 0,001*..
0,003*...2 мА
2Т9102Б—2............................. 0,001*...
0,002*... 1 мА
Конструктивная емкость эмиттер—корпус, ти-
повое значение........................... 2,7* пФ
Конструктивная емкость коллектор—корпус,
типовое значение......................... 1,5* пФ
Индуктивность эмиттера, типовое	значение. 0,7* нГн
Индуктивность базы, типовое значение..... 0,14* нГн
Индуктивность коллектора, типовое значение. 1,5* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база’
при Гк = -60...+25 °C..................... 45 В
Постоянное напряжение эмиттер—база....... 3,5 В
Потенциал статического электричества..... 1000 В
Постоянный ток коллектора:
2Т9102А-2............................ 0,7 А
2Т9102Б-2............................. 0,35 А
Импульсный ток коллектора при = 20 мкс,
0 = 50:
2Т9102А-2................................ 1,5	А
2Т9102Б-2........................... 0,7	А
Постоянный ток базы:
2Т9102А-2............................... 0,2	А
2Т9102Б-2............................. 0,1	А
Средняя рассеиваемая мощность коллектора2
в динамическом режиме при Гк = —60...+25 °C:
2Т9102А-2............................... 10 Вт
2Т9102Б-2............................. 5 Вт
Тепловое сопротивление переход—кристалло-
держатель:
2Т9102А-2................................ 12 °С/Вт
2Т9102Б-2............................. 25 °С/Вт
Температура окружающей среды............. —60... 7^ =
= +125 °C
’ При Гк > +25 °C максимально допустимое постоянное напряжение коллек-
база уменьшается линейно до 40 В при Гк = +125 °C.
2	При Гк > +25 °C максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность
'лектора рассчитывается по формуле
накс = Ас, о>, кмк( = +25 С) — (Г, — 25)//?, (п-кр Вт.
251
Разрешается применять транзисторы в статическом режи-
ме, при этом напряжение питания коллектора не должно пре-
вышать 7 В, а ток коллектора не должен превышать 0,5 А для
2Т9102А-2, 0,25 А для 2Т9102Б-2.
Расстояние от кристаллодержателя до начала изгиба вы-
вода не менее 3 мм. Разрешается откусывать полосковые
выводы на расстоянии не менее 1 мм от кристаллодержателя.
Неплоскостность контактирующей поверхности теплоотвода
должна быть не более 0,02 мм. Для уменьшения контактного
сопротивления между кристаллодержателем и теплоотводом
следует применять смазки, например, КПТ—8.
Минимальное расстояние места пайки выводов от кристал-
лодержателя 3 мм, температура пайки не выше +260 °C, время
пайки не более 3 с.
Допускается пайка на расстоянии 1 мм при температуре
пайки не выше +150 °C, время пайки не более 3 с.
Зависимости тока эмиттера от на-
пряжения база-узмиттер
Зависимости выходной мощности
от частоты
252
2Т9103А—2, 2Т9103Б-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
схеме с общей базой в усилителях, генераторах и умножите-
лях в диапазоне частот 0,9...5 ГГц. Бескорпусные с полосковы-
ми выводами на кристаллодержателе. Тип прибора указывает-
ся на крышке.
Масса транзистора не более 3 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2Т91031А-2, Б-2)
Электрические параметры
Выходная мощность (медианное значение)
при f = 5 ГГц, £/кб = 21 В, /к = 0,9 А, не менее:
Рвх = 3,5 Вт для 2Т9103А—2............... 7 Вт
Рвх = 5 Вт для 2Т9103Б-2................. 10 Вт
Выходная мощность 2Т9103А—2 при f= 5 ГГц,
(/ЧБ = 21 В, /к = 0,9 А...................... 6...7*...8,5* Вт
Коэффициент усиления по мощности
2Т9ЮЗА-2 при Рвх «5 3,5 Вт, f= 5 ГГц,
(УКБ = 21 В, /к = 0,9 А...................... 1,72*..2*...2,4*
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра 2Т9103А—2 при Рвх 3,5 Вт, f= 5 ГГц,
(7кб = 21 В, /к = 0,9 А...................... 28...37*...45*%
Обратный ток коллектора при Т/КБ = 25 В,
не более:
Т= +25 и -60 °C.......................... 7 мкА
Т = +125 °C.............................. 70 мкА
253
Обратный ток эмцттера при Ux = 2 В,
не бблее:	j ?
Т = 4-2$ и *-60 °C..................... 0,5 мкА
Г=+125°С...1..........................ЗмкА
Индуктивность выводов:
базового.................................. 0,04* нГн
коллекторного..........................	0,2* нГн
эмиттерного........................... 0,25* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база.... 25 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 2 В
Постоянный ток коллектора............... 1,1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора ................................... 3 Вт
Средняя рассеиваемая мощность коллектора
в динамическом режиме................... 16,4 Вт
Минимальная рабочая частота............. 0,9 ГГц
Напряжение питания в диапазоне частот:
0,9... 1,4 ГГц....................... 15 В
1,4...2,5 ГГц........................ 18 В
свыше 2,5 ГГц........................ 21 В
Тепловое сопротивление переход—корпус... 8,5 °С/Вт
Температура р-п перехода................ +165 °C
Температура кристаллодержателя.......... +125 °C
Температура окружающей среды............ —60... Тк	=
= +125 °C
Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 2 мм
от кристаллодержателя до места пайки при температуре не
выше +260 °C в течение не более 3 с.
Допускается пайка выводов не ближе 0,5 мм от кристалло-
держателя при температуре не выше +150 °C.
При монтаже транзисторов допускается обогревать выво-
ды не ближе 1 мм от кристаллодержателя.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В.
254
Зависимость коэффициента усиле-
ния по мощности от тока коллек-
тора
Зависимости выходной мощности
и коэффициента полезного дей-
ствия коллектора от тока коллек-
Зависимости выходной мощности Зависимость коэффициента усиле-
и коэффициента полезного дей- ния по мощности от напряжения
ствия от напряжения коллектор—	коллектор—база
Зависимости выходной
мощности и коэффици-
ента полезного действия
ОТ входной мощности
Зависимость коэффици-
ента усиления по мощ-
ности от входной мощ-
ности
Область максимальных
режимов
255
2Т9104А, 2Т9104Б, КТ9104А, КТ9104Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
широкополосных усилителях мощности в полосе частот 350...
700 МГц в схеме с общей базой при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими по-
лосковыми выводами. Транзисторы содержат внутреннее LC-
звено. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 10 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
2Т91(М(А.Б). КТ91О4(А,Б)
Электрические параметры
Выходная мощность на f= 700 МГц
при £/кб = 28 В, Гк = +40 °C, не менее:
2Т9104А, КТ9104А при Рвх = 0,625 Вт...... 5 Вт
2Т9104Б, КТ9104Б при Рй* = 2,8 Вт........ 20 Вт
Коэффициент усиления по мощности на
f = 700 МГц при (/КБ = 28 В, Гк = +40 °C:
2Т9104А, КТ9104А при РВЬ|Х = 5 Вт............ 8...12*...13*
2Т9104Б, КТ9104Б при Рвых = 20 Вт........ 7...9*...12*
256
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра на частоте f= 700 МГц при U№ = 28 В,
Гк = +40 °C:
2Т9104А, КТ9104А при Р^ = 5 Вт......... 40...46*...50*%
2Т9104Б, КТ9104Б при Р^ = 20 Вт........ 50...55*...60*%
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 10 В:
2Т9104А, КТ9104А при /к = 1 А.............. 600...960*...
1200* МГц
2Т9104Б, КТ9104Б при /к = 2 А.......... 600...750*...
1200* МГц
Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте при УКБ = 5 В, f = 5 МГц:
2Т9104А, КТ9104А при /э = 0,3 А........ 6*...1О*...2О пс
2Т9104Б, КТ9104Б при 4 = 0,6 А......... 5,2*...9*...20 пс
Емкость коллекторного перехода
при £/кб = 28 В:
2Т9104А, КТ9104А....................... 12*...13*...
20 пФ
2Т9104Б, КТ9104Б....................... 28*...ЗО*...
40 пФ
Обратный ток коллектора при £/КБ = 50 В,
не более:
Г= +25 °C:
2Т9104А, КТ9104А.................... 10	мА
2Т9104Б, КТ9104Б.................... 20	мА
Т= +125 °C:
2Т9104А, КТ9104А.................... 20	мА
2Т9104Б, КТ9104Б.................... 40	мА
Обратный ток эмиттера при (/КБ = 4 В,
не более:
Т= +25 °C:
2Т9104А, КТ9104А.................... 5	мА
2Т9104Б, КТ9104Б.................... 10	мА
Г= +125 °C:
2Т9104А, КТ9104А.................... 10	мА
2Т9104Б, КТ9104Б.................... 20	мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания ............. 29 В
Постоянное напряжение коллектор—база....... 50 В
Постоянное напряжение база—эмиттер......... 4 В
Постоянный ток коллектора:
2Т9104А, КТ9104А....................... 1,5 А
2Т9104Б, КТ9104Б....................... 5 А
9-949
КСВН коллекторной цепи на f- 500 МГц
при (/КБ = 24 В, Гк = +50 °C в течение 3 с:
2Т9104А, КТ9104А при РВЬ|Х = 4 Вт..... 5
2Т9104Б, КТ9104Б при Рвых = 20 Вт..... 5
Средняя рассеиваемая мощность
при Гк = +40 °C:
2Т9104А, КТ9104А......................... 10 Вт
2Т9104Б, КТ9104Б...................... 23 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус:
2Т9104А, КТ9104А......................... 8,2 °С/Вт
2Т91О4Б, КТ9104Б...................... 3,1 °С/Вт
Температура р-п перехода................. +175 °C
Температура окружающей среды:
2Т9104А, 2Т9104Б......................... -60... Тк =
= +125 °C
КТ9104А, КТ9104Б...................... -45... Тк =
= +05 °C
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 1 мм
от корпуса при температуре +265 °C в течение 4 с.
Допускается монтаж транзистора методом пайки фланца к
теплоотводу при обеспечении температуры корпуса не более
+150 °C в течение 2 мин.
Зависимости	выходной	Зависимости коэф-	Зависимости коэф-
мощности от	напряже-	фициента усиления	фициента усиления
ния питания	и коэффициента по- и коэффициента по-
лезного действия	левного действия
коллектора от на-	коллектора от ча-
стоты	стоты
258
Принципиальная электрическая схе-
ма транзистора 2Т9104А, КТ9104А:
L, = 2 ± 0,2 нГн, L2 = 1,4 ± 0,14 нГн,
L, = 1,5 ± 0,15 нГн, С, = 50 ± 5 пФ
Принципиальная электрическая схе-
ма транзистора 2Т9104Б, КТ9104Б:
£, = 1,7 ± 0,2 нГн, L2 = 0,65 ± 0,06 нГн,
/.з » 1,5 ± 0,15 нГн, С, = 125 ± 5 пФ
Зависимость модуля
коэффициента пере-
дачи тока от тока
коллектора
Зависимость модуля
коэффициента пере-
дачи тока от тока
коллектора
Зависимость постоян-
ной времени цепи об-
ратной связи от тока
эмиттера
Зависимость постоян-
ной времени цепи об-
ратной связи от тока
эмиттера
Зависимость емкости
коллекторного перехо-
да от напряжения кол-
лектор—база
Зависимость емкости
коллекторного перехо-
да от напряжения кол-
лектор—база
2Т9105АС, КТ9105АС
Сборки из двух кремниевых эпитаксиально-планарных
структуры п-р-п генераторных транзисторов. Предназначены
Для применения в двухтактных широкополосных усилителях
9*	259
мощности в диапазоне частот 100...500 МГц при напряжении
питания 28 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с
гибкими полосковыми выводами. Сборка содержит внутрен-
ние £С-звенья для каждого транзистора. Тип сборки указыва-
ется на корпусе.
Масса сборки не более 10 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
Электрические параметры
Выходная мощность в двухтактной схеме
на f = 500 МГц при UK3 = 28 В, Гк = +40 °C,
не менее................................ 100 Вт
Коэффициент усиления по мощности в двух-
тактной схеме на f= 500 МГц при £/кэ = 28 В,
Гк = +40 °C, не менее................... 3
типовое значение..................... 4,4*
Коэффициент полезного действия в двухтакт-
ной схеме на f= 500 МГц при ию = 28 В,
Гк = +40 °C, не менее................... 50%
типовое значение..................... 61*%
260
Статический коэффициент передачи тока в
схеме ОЭ при UK3 = 5 В, /к = 100 мА, не более 160
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при UK3 = 10 В, /к = 5 А,
не менее................................. 660 МГц
типовое значение...................... 1050*	МГц
Критический ток коллектора при £/КБ = 10 В,
f= 300 МГц, не менее..................... 16 А
типовое значение...................... 23* А
Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте при t/K5 = 5 В, /э = 0,5 А,
f= 5 МГц, не более....................... 12 пс
типовое значение...................... 4,8* пс
Емкость коллекторного перехода
при U№ = 28 В, не более.................. 240 пФ
типовое значение...................... 145* пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при £/кэ = 50 В, /?бэ = 10 Ом, не более:
Г =+25 °C................................ 120 мА
Т= +125 °C для 2Т9105АС............... 240 мА
Обратный ток эмиттера при изъ = 4 В,
не более:
Т = +25 °C............................... 60 мА
Т= +125 °C для 2Т9105АС............... 120 мА
Индуктивность внутреннего /.С-звена, типовое
значение................................. 0,47* нГн
Емкость внутреннего ДС-звена, типовое значе-
ние...................................... 440* нГн
Индуктивность выводов, типовое значение:
эмиттерного.............................. 0,17* нГн
коллекторного......................... 1* нГн
базового.............................. 0,5* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
пРи ЯБЭ = 10 Ом....................... 50 В
Постоянное напряжение эмиттер—база.... " В
Постоянный ток коллектора............. 16 А
КСВН коллекторной цепи на f= 500 МГц
пРи Рвых = 60 Вт, Тк = +50 °C......... 10
361
Средняя рассеиваемая мощность коллектора’
в динамическом режиме при Гк = +40 °C:
2Т9105АС.............................. 160 Вт
КТ9105АС............................ 133 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус
коллектора в динамическом режиме:
2Т9105АС.............................. 0,75 °С/Вт
КТ9105АС............................ 0,9 °С/Вт
Температура р-п перехода.............. +160 °C
Температура окружающей среды.......... —60... Тк =
= +125 °C
1 При Гк > +40 °C максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность
коллектора рассчитывается по формуле
А.о>. макс = (160 — 7"к)//?т (п-к), Вт.
Изгиб выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса
сборки.
Пайка выводов допускается не ближе 1 мм от корпуса
сборки при температуре +265 °C в течение 4 с.
Допускается монтаж сборки методом пайки фланца к те-
плоотводу при обеспечении температуры корпуса не более
+150 °C в течение 2 мин.
Принципиальная электрическая схема
транзисторов 2Т9105АС, КТ9105АС:
4в, » 0,47 нГн, » 0,5 нГн, ig » 1 нГн,
L3 = 0,17 нГн, С, » 440 пФ
262
Зависимости выходной мощности
от напряжения питания
Зависимости коэффициента усиле-
ния и коэффициента полезного
действия коллектора от частоты
Зависимости выходной
мощности и коэффи-
циента усиления от на-
пряжения коллектор—
эмиттер
Зависимости коэффи-
циента усиления и ко-
эффициента полезного
действия от выходной
мощности
Зависимости коэффи-
циента усиления и ко-
эффициента полезного
действия от выходной
мощности
Зависимости коэффи-
циента усиления и ко-
эффициента полезного
Действия от выходной
мощности
Зависимости коэффи-
циента усиления и ко-
эффициента полезного
действия от выходной
мощности
Зависимости коэффи-
циента усиления и ко-
эффициента полезного
действия от частоты
263
Зависимость модуля коэффициента
передачи тока от тока коллектора
Зависимость критического тока от
напряжения коллектор—эмиттер
Зависимость емкости коллекторно-
го перехода от напряжения коллек-
тор—база
Зависимость допустимого постоян-
ного тока коллектора от напряже-
ния коллектор—база
2Т9107А—2
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п генераторный. Предназначен для применения в уси-
лителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах в
диапазоне частот 0,4... 1,5 ГГц в схеме с общей базой в непре-.
рывном при напряжении питания 28 В и импульсном (длитель-
ность импульса не более 20 мкс, скважность не менее 20)
режимах при напряжении питания не более 40 В в составе
гибридных интегральных микросхем. Бескорпусный на метал-
локерамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми
выводами. На кристаллодержатель наносится условная марки-
ровка в виде буквы А. Тип прибора указывается в этикетке.
264
Масса транзистора не более 2,3 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2Т9Ю7А-2
Электрические параметры
Выходная мощность на f= 1 ГГц при
(/КБ = 28 В, Рвх = 6,5 Вт, Гк = +40 °C...... 27...30*...
40* Вт
Коэффициент усиления по мощности
на f= 1 ГГц при 1/КБ = 28 В, Рвх = 6,5 Вт,
Гк = 4-25 °C.............................. 4...7*...8*	дБ
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра на f- 1 ГГц при U№ = 28 В, Рвх = 6,5 Вт,
7; = 4-25 °C................................ 5О...55*..7О*%
Модуль коэффициента передачи тока на
высокой частоте при L/K6 = 10 В, /к = /к1’,
f= 300 МГц.................................. 2,4...3*...5*
Модуль коэффициента обратной передачи
напряжения в схеме с общей базой при
(4б = 10 В, 4 = 0,1 A, f= 100 МГц............ 2-	10-3*...
4- 10-3*...
10 • 10-3
’ /к, — ток коллектора, при котором модуль коэффициента передачи тока
Имеет максимальное значение.
265
Критический ток при UK& = 10 В, f= 300 МГц . 6...8*..,10* А
Емкость коллекторного перехода
при i/кБ = 10 В............................... 34*...38*...
50 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Ub3 = 0  260*...280*...
310 пФ
Обратный ток коллектора при = 50 В:
Г=+25°С........................................ 5*...1О*...5О мА
Т = +125 °C, не более..................... 100 мА
Т = —60 °C, не более...................... 50 мА
Обратный ток эмиттера при иъэ - 3,5 В:
Г=+25°С........................................ 0,05*...1*...
10 мА
Т = +125 °C, не более..................... 20 мА
Т = —60 °C, не более...................... 10 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база’... 50 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...».. 3,5 В
Потенциал статического электричества.... 1000 В
Постоянный ток коллектора............... 2,5 А
Импульсный ток коллектора при (и = 10 мкс,
0=20..................................... 5 А
Постоянный ток базы..................... 1 А
Средняя рассеиваемая мощность коллектора2
в динамическом режиме при Гк = —60...+25 °C 37,5 Вт
Температура р-п перехода................ +175 °C
Тепловое сопротивление переход—кристалло-
держатель............................... 4 °С/Вт
Температура окружающей среды............ —60... Гк =
= +125 °C
1	При понижении температуры кристаллодержателя от +25 до —60 °C макси-
мально допустимое постоянное напряжение коллектор—база снижается линей-
но до 45 В.
2	При повышении температуры кристаллодержателя от +25 до +125 °C
максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора в динами-
ческом режиме рассчитывается по формуле
Рк, ср, накс = (175 — Тк)/4, Вт.
Минимальное расстояние места пайки выводов от кристал-
лодержателя 3 мм, температура пайки не выше +260 °C, время
пайки не более 3 с. Допускается пайка выводов на расстоянии
1 мм, при этом температура пайки не должна превышать
+ 150 °C, время пайки не более 3 с.
266
Расстояние от кристаллодержателя до начала изгиба вы-
вода 3 мм. Допускается обрезать выводы на расстоянии не
менее 1 мм.
Эквивалентная схема замещения транзистора 2Т91О7А—2
в активном режиме:
Сю = 3,5 пФ, С3 = 280 пФ, С,  3,5 пФ, С2 = 4 пФ, Ск = 11 пФ, СК1 = 3,5 пФ,
£э = 0,3 нГн, Z.K = 0,35 нГн, Lt = 0,06 нГн, гк = 0,3 Ом, гв = 0,25 Ом, Дг = 0,08 Ом
Зависимости тока эмиттера
от напряжения база—эмит-
тер
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэффи-
циента полезного действия от вход-
ной мощности
267
Зависимости выходной мощности, Зависимости выходной мощности
коэффициента усиления и коэффи-	от входной мощности
циента полезного действия коллек-
тора от частоты
Зависимость выходной мощ-
ности от входной мощности
2Т9108А—2
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п генераторный. Предназначен для применения в схе-
мах автогенераторов в радиоимпульсном режиме с общим
коллектором при напряжении питания 40 В в диапазоне частот
0,6... 1,6 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем.
Бескорпусный на металлокерамическом кристаллодержателе
с гибкими полосковыми выводами. Тип прибора указывается
на кристаллодержателе.
Масса транзистора не более 10 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
268
Электрические параметры
Импульсная выходная мощность на
f= 1,5 МГц при Un = 40 В, = 10 мкс,
0= 100, Гк = +25 °C................................ 50...70*...
80* Вт
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра на f = 1,5 МГц при Un = 40 В, = 10 мкс,
Q = 100, Гк = +25 °C...................... 20...25*...30*%
Обратный ток коллектора при (/КБ = 50 В,
не более:
7"=+25 °C................................. 25 мА
Т= +100 и -60 °C...................... 37,5 мА
Обратный ток эмиттера при (/БЭ = 3,5 В:
Г=+25’С................................... 30 мА
Т= +100 и -60 °C...................... 45 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база..... 50 В
Постоянное напряжение эмиттер—база....... 3 В
Потенциал статического электричества..... 1000 В
Импульсный ток коллектора1 при = 10 мкс,
0 = 100, Гк = “60...+85 °C............... 8 А
1 При 7"к > +85 °C максимально допустимый импульсный ток коллектора
Рассчитывается по формуле
4, и, макс = (175 — Гк)/11,2, А.
269
Импульсная рассеиваемая мощность
коллектора1 при 4 = 10 мкс, Q = 100,
Тк = —60...+85 °C........................ 200 Вт
Температура р-п перехода................... +175	°C
Температура окружающей среды............. —60...	Гк =
= +100 °C
1 При Гк < +85 °C максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
Рк. и, макс “ 90//?т и (П-К), Вт,
при Гк > +85 °C
РК, И, МАКС = (175 ~ Гк)//?т, и (П-К)> Вт,
где	_
77т,и(п-к) = 4,8/0+0,139(1 -
При установке в аппаратуру фланец транзистора должен
плотно прилегать к теплоотводу. Усилие прижима не менее
3 кг. Разрешается при монтаже транзистора в микрополоско-
вые линии обрезать выводы на расстоянии не менее 1 мм от
кристаллодержателя. Минимально допустимое расстояние от
кристаллодержателя до места сварки вывода 1 мм. Сварка
выводов транзистора с алюминиевой площадкой гибридной
схемы должна производиться ультразвуковой сваркой. Число
сварок в одной точке не более одной.
Эквивалентная схема замещения транзистора 2Т9108А—2
в активном режиме:
Сэ = 400 пФ, Си = 4 пФ, Ск* = 6 пФ, = 22 пФ, С, = 3 пФ, С2 = 3 пФ,
= 1 нГн, L3 - 0,12 нГн, 4* « 0,13 нГн, 4^ = 1 нГн, тБ = 0,07 Ом, гк = 0,25 Ом
270
Зависимость выходной мощности Зависимости выходной мощности
от температуры корпуса	и коэффициента полезного дейст-
вия коллектора от частоты
2Т9109А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п генераторный. Предназначен для применения в им-
пульсных усилителях мощности в схеме с общей базой в поло-
се частот 720...820 МГц при напряжении питания 50 В. Выпус-
каются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковы-
ми выводами. Транзистор содержит внутреннее /.С-звено. Тип
прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 6 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
Электрические параметры
Импульсная выходная мощность на часто-
те f= 820 МГц при 7И = 10 мкс, 0 = 100,
(7Кб = 50 В, Рвх С 143 Вт, не менее..... 500 Вт
Коэффициент усиления по мощности при
^вых, и = 500 Вт, f = 820 МГц при 7И = Ю мкс,
О = 100, 1/КБ = 50 В, не менее.......... 3,5
типовое значение..................... 5*
Коэффициент полезного действия при
^вых, и = 500 Вт, f= 820 МГц при 7И = 10 мкс,
0= 100, 1/КБ = 50 В, не менее........... 35%
типовое значение..................... 41,6*%
271
2Т9109А
4
Модуль коэффициента передачи тока на
высокой частоте при (/кэ = 10 В, /к = 6 А,
f = 100 МГц, не менее....................... 3,6
типовое значение......................... 5,95*
Постоянная времен цепи обратной связи на
высокой частоте при <УКБ = 5 В, /э = 0,5 А,
f= 5 МГц, не более.......................... 10* пс
типовое значение......................... 3,5* пс
Критический ток на частоте f = 100 МГц
при UK3 = 10 В, не менее.................... 22 А
типовое значение......................... 38* А
Емкость коллекторного перехода на частоте
f = 30 МГц при (УКБ = 50 В, не более........ 140 пФ
типовое значение..............'.......... 100* пФ
Обратный ток коллектора при 6/КБ = 65 В,
не более:
Г= +25 °C................................... 60 мА
Г=+125°С................................. 120 мА
Обратный ток коллектор—эмиттер при
(7КБ = 50 В, /?ЭБ = 0, Г = +25 °C, не более. 100 мА
Обратный ток эмиттера при U3b = 4 В,
не более:
Г=+25 °C.................................... 20 мА
Г=+125°С................................. 40 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база... 65 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?ЭБ С 10 Ом.....................    50	В
272
Постоянное напряжение эмиттер—база....... 4 В
Импульсный ток коллектора при 7И С 10 мкс,
О> ЮО.................................... 29 А
Импульсная рассеиваемая мощность1 при
0= ЮО, ГС +25 °C:
7И = 10 мкс.............................. 1120 Вт
7И = 20 мкс........................... 540 Вт
Тепловое сопротивление:
(ц = 10 мкс.............................. 0,12 °С/Вт
7И = 20 мкс........................... 0,25 °С/Вт
Температура р-п перехода..............г..	+160 °C
Температура окружающей среды............. —6О...ГК =
= +125 °C
1 При Тк > +25 °C
РК И МАКС = (160 — 7к)/Аи(П-К)» Вт*
Изгиб выводов транзистора допускается не ближе 3 мм от
корпуса.
Пайка выводов транзистора допускается не ближе 1 мм от
корпуса при температуре +265 °C в течение 4 с.
Допускается монтаж транзистора методом пайки фланца к
теплоотводу при обеспечении температуры корпуса не более
+ 150 °C в течение 2 мин.
j 0.2 нГн 0,07 нГн	0,5 нГи /f
= = 520 пФ I
----------------«' 0,08 нГн
5
Электрическая схема транзистора 2Т91О9А
273
Рвых.и.Вл1 • 7]g,%
too
80
60
60
20
О
25 30 35 60 65(J№,B M 60 60 80 Тк,' С
Зависимость модуля
коэффициента пере-
дачи тока от тока
коллектора
Зависимость импульс-
ной выходной мощно-
сти от наНряжения кол-
лектор—база
Зависимости импульс-
ной выходной мощно-
сти и коэффициента
полезного действия от
температуры корпуса
Зависимость критиче-
ского тока от напря-
жения коллектор—
эмиттер
Зависимость емкости
коллекторного перехо-
да от напряжения кол-
лектор—база
Зависимость импульс-
ной рассеиваемой мощ-
ности коллектора от
температуры корпуса
2Т9110А—2, 2Т9110Б-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные с внутренними согласующими цепя-
ми. Предназначены для применения в усилителях и генерато-
рах в диапазоне частот 1,4—1,6 ГГц в импульсном режиме в
схеме с общей базой при напряжении питания не более 45 В в
составе гибридных интегральных микросхем. Бескорпусные на
металлокерамическом кристаллодержателе с гибкими полос-
ковыми выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 10 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
274
2Т9110(А-2.Б-2)
Электрические параметры
Выходная мощность на f- 1,4—1 >6 ГГц
при (и = 10 мкс, Q = 100, Гк = +25 °C:
(/^ = 45 В:
2Т911ОА-2, Рвх = 50 Вт...........
2Т9110Б-2, Рвх = 25 Вт...........
= 35 В:
2Т9110А—2, Рвх = 35 Вт, не менее.
2Т9110Б-2, Рвх = 17 Вт, не менее.
Коэффициент усиления по мощности на
f= 1,4...1,6 ГГц при (и = 10 мкс, О= 100,
Гк = +25 °C:
U№ = 45 В:
2Т9110А-2, Рвх = 50 Вт..............
2Т9110Б-2, Рвх = 25 Вт...........
(/кв = 35 В:
2Т9110А—2, Рвх = 35 Вт, не менее.
2Т9110Б—2, Рвх = 17 Вт, не менее.
Коэффициент полезного действия на
f= 1,4...1,6 ГГц при 4, = 10 мкс, О= 100,
Гк = +25 °C:
(/кв = 45 В:
2Т9110А-2, Рвх = 50 Вт..............
200...220*...
240* Вт
100...130*...
140* Вт
75 Вт
45 Вт
6...6,4*...7* дБ
6...6,6*...7* Вт
3,3 дБ
4 дБ
30—34*...38*%
275
2Т9110Б-2, Рвх = 25 Вт........... 35...36* ..38*%
(7кб = 35 В:
2Т9110А—2, Рвх = 35 Вт, не менее.... 25%
2Т9110Б-2, Рвх = 17 Вт, не менее. 30%
Обратный ток коллектора при (УКБ = 50 В,
не более:
Гк = +25 °C:
2Т9110А-2........................... 50	мА
2Т9110Б-2........................ 25	мА
Гк = +100 и -60 °C:
2Т9110А-2........................... 75	мА
2Т9110Б-2........................ 37,5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база... 50 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 3 В
Потенциал статического электричества... 1000 В
Импульсный ток коллектора1 при = 10 мкс,
О= 100, Гк = “60...+85 °C:
2Т9110А-2........................... 15 А
2Т9110Б-2........................... 7 А
Импульсная рассеиваемая мощность
коллектора2 при = 10 мкс, О= 100,
Гк = -60...+85 °C:
2Т9110А-2 ............................. 500 Вт
2Т9110Б-2........................... 200 Вт
Температура р-п перехода............... +180 °C
Минимальная рабочая частота............ 0,6 ГГц
Температура окружающей среды........... — 60... Гк =
= +100 °C
1	При Гк > +85 °C максимально допустимый импульсный ток коллектора
рассчитывается по формуле
4, и, макс = (180 - Гк)/6,4, А, для 2Т9110А-2,
/к, и, МАКС = (180 - Гк)/13,6, А, для 2Т9110Б-2.
2	При Гк > +85 °C максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
А, и, макс = (180 — Гк)/А, и щ-К|> Вт,
где	_
А.ищ-ю = 2,4/0+ 0,057 (1 - 0,86/70)7^7 для 2Т9110А-2,
А.ищ-к) = 4,8/0 + 0,114 (1 - 0,86/70)4t~ для 2Т9110Б-2.
Формулы справедливы при = 10 мкс, Q= 100, Рк и МАКС С
С 700 Вт для 2Т9110А-2, Рк,и,макс < 350 Вт для 2Т9110Б-2.
На частоте 0,6 ГГц гарантируются значения параметров, ука-
занных в разделе «электрические параметры».
При установке в аппаратуру фланец транзистора должен
276
плотно прилегать к теплоотводу. Чистота контактирующей по-
верхности теплоотвода должна быть не менее 6. Усилие при-
жима не менее 3 кг. Разрешается обрезать выводы на рассто-
янии не менее 1 мм от кристаллодержателя. Минимально до-
пустимое расстояние от кристаллодержателя до места сварки
выводов 1 мм. Сварка выводов транзистора с алюминиевыми
площадками гибридной схемы должна производиться ультра-
звуковой сваркой. Количество сварок в одной точке — не
более одного раза.
Эквивалентная схема замещения транзисторов 2Т9110А—2, 2Т9110Б—2
в активном режиме:
2T9110A—2: Z., = 0,4 нГн, L3 = 0,06 нГн, Z.B = 0,01 нГн, Z.K = 0,3 нГн, L2 = 0,4 нГн,
С, = 1,5...2,5 пФ, С2 = 1,5...2,5 пФ, С4 = 200 пФ, Cs = 400 пФ, Са = 19 пФ,
СК1 = 6 пФ, Сэ = 500 пФ, Сю = 7,5 пФ, г, = 0,03 Ом, г6 = 0,15 Ом, гк = 0,15 Ом;
2Т9110Б—2: Z., = 0,6 нГн, L3 - 0,12 нГн, Ц = 0,02 нГн, Z.K = 0,45 нГн, L2 = 0,6 нГн,
С, = С2 = 1,5...2,5 пФ, С, = 100 пФ, Cs = 200 пФ, Скг = 10 пФ, СК1 = 3 пФ,
С} - 250 пФ, Скэ = 40 пФ, г, = 0,06 Ом, гь = 0,3 Ом, гк = 0,3 Ом
Зависимости выходной мощности Зависимости выходной мощности
от напряжения питания	от напряжения питания
277
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэффи-
циента полезного действия коллек-
тора от температуры корпуса
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэффи-
циента полезного действия коллек-
тора от температуры корпуса
2T9111A
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п генераторный. Предназначен для применения в ли-
нейных широкополосных усилителях мощности на частотах
1.5...80 МГц при напряжении питания 50 В. Выпускается в
металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и
монтажным винтом. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 10 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте f = 80 МГц
при = 50 В, не менее...................... 150	Вт
Коэффициент усиления по мощности
при Рвых =150 Вт, 6/кэ = 50 В:
на частоте f= 80 МГц, не менее........ 10
типовое значение...................... 10,5*
на частоте f= 30 МГц, типовое значение... 30*
на частоте f= 1,5 МГц, типовое значение . 50*
при /вых (по) = 150 Вт, Цо = 50 В,
f- 80 МГц, не менее................... 10
типовое значение...................... 14*
Коэффициент полезного действия на частоте
f = 80 МГц, при Рвых(по) ~ 450 Вт, ию = 50 В,
не менее................................. 40%
278
2Т9111А
Коэффициент комбинационных составляющих
3-го и 5-го порядков при Рвых(по) = 150 Вт,
= 50 В:
на частоте f- 80 МГц, не менее......... —27 дБ
типовое значение...................... —30* дБ
на частоте f- 30 МГц, типовое значение... —31* дБ
на частоте f = 1,5 МГц, типовое значение . —31* дБ
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 10 В, /к = 5 А:
Т = +25 °C, не менее.................. 10
типовое значение...................... 20*
Т = +125 °C, не менее................. 10
типовое значение...................... 25*
Т = —60 °C, не менее.................. 5
типовое значение...................... 10*
Модуль коэффициента передачи тока на ча-
стоте f = 30 МГц при = 20 В, /к = 4 А,
не менее................................... 10
типовое значение...................... 14*
Емкость коллекторного перехода
при U№ = 50 В, f = 1 МГц не более......... 150 пФ
типовое значение...................... 115* пФ
Емкость эмиттерного перехода при = 0,
f- 0,3 МГц не более....................... 10000 пФ
типовое значение...................... 5000* пФ
279
Входное полное сопротивление при
Рвых (ПО) = 15° Вт, (7КЭ = 50 В, f = 80 МГц,
типовое значение......................... 0,63+/0,18* Ом
Обратный ток коллектор—эмиттер
при (7КЭ = 120 В, РБЗ = 10 Ом, не более:
Т = +25 °C, не более................. 100 мА
Т = +125 °C, не более................ 150 мА
Обратный ток эмиттера при (/ЗБ = 4 В,
Т - +25 °C, не более..................... 500	мА
Индуктивность выводов, типовое значение:
эмиттерного.......................... 1,6*	нГн
коллекторного........................ 3,7*	нГн
базового............................. 2,7*	нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при РЭБ С 10 Ом........................ 120 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 4 В
Постоянный ток коллектора.............. 10 А
Постоянный ток базы.................... 2 А
Степень рассогласования нагрузки
при РВых (по) = 75 Вт в течение 1 с.... 30 : 1
Средняя рассеиваемая мощность коллектора1
в динамическом режиме при Гк С +50 °C.. 200 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 0,75 °С/Вт
Температура р-п перехода............... +200 °C
Температура окружающей среды........... —60... Тк =
= +125 °C
' При Гк > +50 "С
А. СР, МАКС = (200 - Гк)/0,75, Вт.
Изгиб выводов транзистора допускается не ближе 3 мм от
корпуса.
При пайке выводов температура корпуса не должна превы-
шать + 125 °C. При отсутствии контроля температуры корпуса
пайка производится паяльником, нагретым до температуры
+260 °C, в течение не более 8 с не ближе 2 мм от корпуса.
280
Зависимости выходной
мощности от входной
мощности
Зависимости выходной
мощности от напряже-
ния коллектор—эмит-
тер
Зависимость коэффи-
циента усиления по
мощности от выход-
ной мощности
Зависимости коэффициента усиле-
ния от напряжения коллектор-
эмиттер
Зависимости коэффициента комби-
национной составляющей от выход-
ной мощности
Зависимости коэффициента комби-
национной составляющей от выход-
ной мощности
Зависимость модуля коэффициента
передачи тока от тока коллектора
281
Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от то-
ка коллектора
Зависимость емкости
коллекторного пере-
хода от напряжения
коллектор—база
Зависимость допусти-
мого постоянного то-
ка коллектора от на-
пряжения коллектор-
эмиттер
2T9114A, 2Т9114Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные с внутренними согласующими цепями
по входу и выходу. Предназначены для применения в схемах с
общей базой в усилителях и генераторах в импульсном режи-
ме в диапазоне частот 1,4...1,6 ГГц. Выпускаются в металлоке-
рамическом корпусе с полосковыми выводами. Тип прибора
указывается на крышке корпуса.
Масса транзистора не более 6 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2Т9Ш(А.Б)
21
262
Электрические параметры
Выходная мощность при £/КБ = 45 В,
f=. 1,5 ГГц, = 50 мкс, 0 = 10:
Рвх < 37,5 Вт для 2Т9114А ........... 150...170* ..
180* Вт
Рвх < 10 Вт для 2Т9114Б.............. 40...50*...
55* Вт
Коэффициент усиления по мощности при
i/KB = 45 В, f= 1,5 ГГц, = 50 мкс, О= 10,
рвх = 37,5 Вт для 2Т9114А, Рвх = 10 Вт для
2Т9114Б................................. 6...6,55*...
6,95* дБ
Коэффициент полезного действия коллектора
при £4б = 45 В, f = 1,5 ГГц, = 50 мкс, Q = 10,
Рвх = 37,5 Вт для 2Т9114А,	= 10 Вт для
2Т9114Б................................. 35...37,8...40*%
Обратный ток коллектора при U№ = 50 В,
не более:
Т= +25 'С:
2Т9114А........................... 30	мА
2Т9114Б........................... 8 мА
Г = +125 и -60 ’С:
2Т9114А.............................. 45	мА
2Т9114Б........................... 12	мА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при (/кэ = 45 В и Т= +25 °C, не более:
2Т9114А................................. 50 мА
2Т9114Б.............................. 13 мА
Обратный ток эмиттера при иэъ = 3 В,
не более:
Т= +25 °C:
2Т9114А........................... 60 мА
2Т9114Б.......:................... 15 мА
Г= +125 и -60 °C:
2Т9114А.............................. 90 мА
2Т9114Б........................... 22,5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база.... 50 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 3 В
Импульсный ток коллектора при ?и = 50 мкс,
0=10:
2Т9114А.............................. 13 А
2Т9114Б.............................. 3,25 А
283
Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора при 7И = 50 мкс, Q- 10:
2Т9114А................................. 325 Вт
2Т9114Б.............................. 82 Вт
Минимальная рабочая	частота............. 0,6 ГГц
Температура р-п перехода................ +195 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус:
2Т9114А........ ЯТ(п_К)	= 2/0+ 0,0272(1 - 0,86/VO)V^
2Т9114Б..... ЯТ(п_к)	= 8/О+ 0,1088 (1 - 0,86/VO)V^
Температура окружающей среды........... —60... Гк =
= +125 °C
Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 3 мм
от корпуса при температуре не выше +260 °C в течение не
более 3 с. Допускается пайка выводов на расстоянии 2 мм от
корпуса при температуре не выше +150 °C в течение не более
3 с.
Разрешается обрезать полосковые выводы не ближе 3 мм
от корпуса.
При работе транзистора в пакетно-импульсном режиме не
допускается превышение суммарной длительности импульсов
в пакете более 50 мкс. Скважность пакетов импульсов не
должна быть менее 10.
Транзистор должен работать на согласованную нагрузку.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В.
Зависимости выходной мощности
и коэффициента полезного дейст-
вия от входной мощности
Зависимость коэффициента усиле-
ния по мощности от входной мощ-
ности
284
6 7 8 9 рвх,Вт
Зависимости выходной
мощности и коэффи-
циента полезного дей-
ствия от входной мощ-
ности
Зависимость коэффици-
ента усиления по мощ-
ности от входной мощ-
ности
Зависимости выходной
мощности и коэффици-
ента полезного дейст-
вия коллектора от на-
пряжения питания
Зависимость коэффици-
ента усиления по мощ-
ности от напряжения .
питания
Зависимости выходной
мощности и коэффици-
ента полезного дейст-
вия коллектора от на-
пряжения питания
Зависимость коэффици-
ента усиления по мощ-
ности от напряжения
питания
КТ9116А, КТ9116Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
линейных усилителях мощности в схеме ОЭ в диапазоне ча-
стот 170...230 МГц при напряжении питания 28 В. Выпускаются
в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 9 г.
Изготовитель — НИИЭТ, г. Воронеж.
285
КТ9116(А,Б)
Электрические параметры
Выходная мощность в пике огибающей на ча-
стоте f= 225 МГц при Un = 28 В, Гк = +40 °C,
не менее:
КТ9116А при Рвх = 0,2 Вт, /к = 1,2 А. 5 Вт
КТ9116Б при Рвх = 1,5 Вт, /к = 2,6 А. 15 Вт
Коэффициент усиления по мощности на ча-
стоте f = 225 МГц при Un = 28 В, Гк = +40 °C,
не менее:
КТ9116А при РВЬ1Х = 5 Вт, /к = 1,2 А. 25
КТ9116Б при Рвых = 15 Вт, /к = 2,6 А. 10
Коэффициент комбинационных составляющих
третьего порядка на частоте f = 225 МГц при
Ц, = 28 В, Гк = +40 °C, не менее:
КТ9116А при Рвых = 5 Вт, 4 = 1,2 А... -58 дБ
КТ9116Б при Рвых = 15 Вт, 4 = 2,6 А.. -55 дБ
Статический коэффициент передачи тока в
схеме ОЭ при = 5 В, /к = 0,5 А, не менее . 20
286
Емкость коллекторного перехода
при U№ = 28 В, не более:
КТ9116А............................... 55 пФ
КТ9116Б............................ 155 пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при <4э = 55 ^бэ = 40 Ом, не более:
Г=+25°С:
КТ9116А......................... 30 мА
КТ9116Б......................... 100 мА
Т= +85 и—45 °C:
КТ9116А............................ 60 мА
КТ9116Б......................... 200 мА
Обратный ток эмиттера при иэъ = 4 В,
не более:
Г= +25 °C:
КТ9116А......................... 4 мА
КТ9116Б........................... 14	мА
Г= +85 и—45 °C:
КТ9116А............................ 8 мА
КТ9116Б......................... 28 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания.......... 28 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при Ra = 10 Ом......................... 55 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 4 В
Постоянный ток коллектора:
КТ9116А............................. 4 А
КТ9116Б............................. 10 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’ при Гк < +40 °C:
КТ9116А................................ 46 Вт
КТ9116Б............................. 76,7 Вт
Температура р-п перехода............... +200 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус:
КТ9116А................................ 2,5 °С/Вт
КТ9116Б............................. 1,5 °С/Вт
Температура окружающей среды........... —45... Гк =
= +85 °C
При Тк > +40 °C постоянная рассеиваемая мощность коллектора определя-
ИЗ выражения
Рк. макс = (200 — Гк)//?т (п-н), Вт.
287
Электрическая схема транзисторов: <Т9116А: Z.B, = 1,1 нГн, Z.B2 = 0,44 нГн, £Э1 = 0,25 нГн, Бзг = 0,2 нГн, Z.K = 0,9 нГн, С = 280 пФ; КТ9116Б: Z.B, = 0,9 нГн, Z.B2 = 0,24 нГн, Дэ| = 0,16 нГн, L32 = 0,2 нГн, Z.K = 0,9 нГн, С = 540 пФ РвыхтьВт 20	КТ9116А 	 »	X-	 10			 	(_	 U^28B 	 с	/	/,--/7/1 Ь225МГц	 —L_j—— 0	02	0.6	0.6	Рвх,Вт Зависимость выходной мощности от входной мощности Рвыхат.Вт 5д	КТ9116Б		 СО	-/	 30	Z		 	1- U^-28B	 / 1^.6А	 /U	f--225МГц 10^-		1		 0	2	6 Рвх.Вт Зависимость выходной мощности от входной мощности	Области безопасной работы тран- зисторов М,дЬ	 КТ9116А -58		 -62			 	 /	U&28B 	 „	/	!>=1.2А -66	/=225МГц 	1		1		 2	3	4	5 Рвых,Вт Зависимость коэффициента комби- национных составляющих третьего порядка от выходной мощности М,дБ	. 5д	КТ9116Б	 -53	— -57		 U&28B 	 ,,	У	/^2.6А / 	 Ь225МГц		 637 w 13	16 Pm.Вт Зависимость коэффициента комби- национных составляющих третьего порядка от выходной мощности
288
Зависимость тока коллектора от
напряжения коллектор-эмиттер
Зависимость тока коллектора от
напряжения коллектор—эмиттер
Зависимость выходной мощности
от напряжения коллектор—эмит-
тер
Зависимость максимально допусти-
мой постоянной рассеиваемой мощ-
ности коллектора от температуры
корпуса
Зависимость выходной мощности
от напряжения коллектор—эмит-
тер
Зависимость максимально допусти-
мой постоянной рассеиваемой мощ-
ности коллектора от температуры
корпуса
289
Ю-949
2Т9118А, 2Т9118Б, 2Т9118В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
схеме с общей базой в усилителях мощности, автогенераторах
и умножителях частоты в непрерывном и импульсном режиме
в диапазоне частот 0,9... 1,45 ГГц для 2Т9118А, 1,2... 1,45 ГГц
для 2Т9118Б, 0,96...1,22 ГГц для 2Т9118В. Выпускаются в ме-
таллокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Тип
прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2Т9118(А-В)
Электрические параметры
Выходная мощность при ОКБ = 28 В,
Ку р = 6 дБ, Гк = +25 °C не менее:
2Т9118А на f= 1,3 ГГц................а.... 75 Вт
2Т9118Б на f= 1,3 ГГц................... 75	Вт
2Т9118В:
на f = 1,22 ГГц..................... 75	Вт
на f= 0,96, 1,1, 1,22 ГГц........... 60	Вт
Импульсная выходная мощность на
f = 1,2; 1,3; 1,4 ГГц при U№ = 32 В,
Ку р = 6 дБ, /и = 300 мкс, 0=5,
Тк = +25 °C для 2Т9118Б, не менее.......... 75	Вт
290
Коэффициент усиления по мощности
при Ц<б = 28 В, Гк = +25 С:
2Т9118А на f= 1,3 ГГц, PWK = 75 Вт,
не менее............................. 6 дБ
типовое значение..................... 7* дБ
2Т9118Б на Г= 1,3 ГГц, РШх = 75 Вт,
не менее............................. 6 дБ
2Т9118В:
на f = 1,22 ГГц, Рвых = 75 Вт, не менее. 6 дБ
на f= 0,96; 1,1; 1,22 ГГц, Р^х = 60 Вт,
не менее.......................... 6 дБ
Коэффициент усиления по мощности
на f= 1,2, 1,3, 1,4 ГГц при = 32 В,
Рбах = 75 Вт, /п = 300 мкс, 0=5,
Гк = +25 °C для 2Т9118Б, не менее....... 6 дБ
Коэффициент полезного действия коллектора
при £/К6 = 28 В, Тк = +25 °C:
2Т9118А на f= 1,3 ГГц, Рвых = 75 Вт,
не менее............................. 40%
типовое значение..................... 45*%
2Т9118Б на f = 1,3 ГГц, Р^х = 75 Вт,
не менее............................. 45%
2Т9118В:
на f = 1,22 ГГц, РвыХ = 7 5 Вт, не менее 45 %
на f = 0,96; 1,1; 1,22 ГГц, Р^х = 60 Вт,
не менее.......................... 45%
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра на f = 1,2, 1,3, 1,4 ГГц при </КБ = 32 В,
Рвых = 75 Вт, 7И = 300 мкс, 0 = 5, Гк = +25 °C,
не менее................................ 45%
Обратный ток коллектора при U№ = 50 В,
не более:
Г =+25 °C............................ 150 мА
Т= +125 и -60 °C..................... 300 мА
Обратный ток эмиттера при Ux = 3,5 В,
7"= -60...+ 125 °C, не более............ 50 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания:
в непрерывном режиме................. 28 В
в импульсном режиме:
при - 1 мс, О = Ю или = 400 мкс,
0=5............................... 35 В
при Ги = 20 мкс, 0= 10............ 40 В
Ю*
291
Постоянное напряжение коллектор—база
при Гк = +25...+125 °C.................. 50 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 3,5 В
Потенциал статического электричества.... 1000 В
Постоянный ток коллектора:
7И = 20 мкс, 0 = 10.................. 15 А
7И = 1 мс, О = 10 или 7И = 400 мкс, 0=5.. 10 А
Постоянный ток базы..................... 3 А
Средняя рассеиваемая мощность коллектора
при Тк = —60...+25 °C................... 130 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус... 1,15 °С/Вт
Температура р-п перехода................ +175 °C
Температура окружающей среды............ —60... =
= +125 °C
' При понижении температуры корпуса от +25 ’С до —60 ’С максимально
допустимое постоянное напряжение коллектор—база снижается линейно до
45 В.
2 При Гк > +25 °C максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность
коллектора рассчитывается по формуле
А,ср,макс = (175- Гк)/1,15, Вт.
Применение транзисторов в статическом режиме, в том
числе в режиме класса «А» не допускается. Для повышения
надежности транзистора при эксплуатации в непрерывном ре-
жиме рекомендуется снижать напряжение и применять запира-
ющее смещение не более 1 В.
При установке в аппаратуру транзистор должен прижи-
маться к теплоотводу. Шероховатость контактирующей по-
верхности теплоотвода должна быть не более 1,6 мкм, откло-
нение от плоскостности не более 0,01 мм. Рекомендуется для
улучшения отвода тепла от корпуса транзистора применение
мягкой прокладки из сплава индий—олово с содержанием
индия более 20%. При этом, для обеспечения лучшего тепло-
вого контакта рекомендуется под края фланца, снаружи от
винтов, помещать прокладки из твердого металла, например,
из медной фольги. Ориентировочная толщина твердой про-
кладки 20...30 мкм, мягкой — 20...30 мкм. Во избежании
растрескивания керамики не допускается применение мягкой
прокладки без использования жесткой прокладки.
Транзисторы пригодны для монтажа в аппаратуре паяльни-
ком. Число перепаек транзисторов — 3.
Расстояние от корпуса до начала изгиба, до места луже-
292
ния и пайки по длине вывода не менее 3 мм. Температура
припоя не выше +260 °C. Допускается пайка (сварка) выводов
на расстоянии 1,5 мм от корпуса, при этом температура при-
поя не выше +150 °C. Время пайки не более 3 с.
Допускается обрезка и изгиб выводов на расстоянии 1,5 мм
от корпуса. Допускается уменьшение расстояния до 1 мм при
условии удаления клея с вывода.
Зависимость коэффици-
ента усиления по мощ-
ности от входной мощ-
ности
Зависимость коэффици-
ента полезного действия
коллектора от выходной
мощности
Зависимость выходной
мощности от напряже-
ния питания
Зависимость коэффи- Зависимость выходной Зависимость коэффи-
циента полезного дей-	мощности от входной	циента полезного дей-
ствия от напряжения	мощности в радиоим-	ствия коллектора от
питания	пульсном режиме выходной мощности
в радиоимпульсном
режиме
293
Зависимость выходной мощности
в радиоимпульсном режиме от на-
пряжения питания
Зависимость коэффициента полез-
ного действия коллектора в радио-
импульсном режиме от напряжения
питания
Зависимость выходной
мощности от частоты
Зависимость коэффици-
ента полезного действия
коллектора от частоты
Зависимость коэффици-
ента усиления по мощ-
ности от частоты
2Т9119А—2
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарной структу-
ры п-р-п генераторный. Предназначен для применения в схеме
с общей базой в усилителях и генераторах в диапазоне частот
3...7 ГГц. Бескорпусный с полосковыми выводами на керами-
ческом негерметизированном кристаллодержателе. Тип при-
бора указывается на крышке кристаллодержателя.
Масса транзистора не более 1 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
294
Электрические параметры
Выходная мощность при С/КБ = 15 В,
/к Ss 0,9 А, Рвх = 2,5 Вт, f= 7 ГГц......... 4,5...5*...
5,3* Вт
Коэффициент усиления по мощности при
U№ = 15 В, /к «S 0,9 А, Рвх = 2,5 Вт, f= 7 ГГц . 2.7...3*...
3,27* дБ
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра при U№ = 15 В, /к $ 0,9 А, Рвх = 2,5 Вт,
f= 7 ГГц.................................... 35...37...40%
Фаза коэффициента передачи тока в схе-
ме ОБ при £/кв = 2 В, /к «S 0,9 A, f= 1 ГГц. 0,18*...0,2*...
0,28 рад
Емкость коллекторного перехода
при (/КБ = 15 В, не более................... 7,5 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Ux = 0,
не более.................................... 40 пФ
Индуктивность выводов, типовое значение:
базового................................. 0,01*	нГн
эмиттерного.............................. 0,15*	нГн
коллекторного............................ 0,15*	нГн
Обратный ток коллектора при 6/КБ = 20 В,
не более:
Г= -60 и +25 °C.......................... 2 мА
Г=+125°С................................. 10 мА
Обратный ток эмиттера при Ux = 1,5 В,
не более:
Т= -60 и +25 °C......„................... 1 мА
Г=+125’С................................. 10 мА
295
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база... 20 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 1,5 В
Постоянный ток коллектора.............. 1 А
Импульсный ток коллектора.............. 1 А
Постоянная рассеиваемая мощность
при U№ < 8 В, Т= -60... Гк = +50 °C.... 3 Вт
Средняя рассеиваемая мощность коллектора
в динамическом режиме:
при Г =-60... Гк =+25 °C............ 11,5 Вт
при Гк = +125 °C.................... 5 Вт
Напряжение питания..................... 15 В
Минимальная рабочая частота............ 3 ГГц
Тепловое сопротивление переход—кристалло-
держатель.............................. 25 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—кристалло-
держатель в динамическом	режиме........ 15 °С/Вт
Температура р-п перехода............... +200 °C
Температура окружающей среды........... —60... Гк =
= +125 °C
Изгиб выводов допускается не ближе 2 мм от кристалло-
держателя с радиусом 0,5 мм. Допускается обрезать выводы
не ближе 1 мм от кристаллодержателя.
Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 1 мм
от кристаллодержателя при температуре не выше +260 °C с
течение не более 3 с. Допускается пайка выводов на расстоя-
нии 0,5 мм от кристаллодержателя при температуре не более
+150 °C. Допускается пайка фланца транзистора к металли-
ческому основанию при температуре не выше +150 °C в тече-
ние не более 10 с.
Допускается использование транзисторов на частоте ниже
3 ГГц при напряжении питания не более 8 В.
Допустимое значение статического потенциала 100 В.
296
Рвых. Вт
Зависимость выходной мощности
от входной мощности
Ку'Р.дБ
Зависимость коэффициента усиле-
ния по мощности от входной мощ-
ности
Зависимость коэффици-
ента полезного действия
коллектора от входной
мощности
Зависимость аргумента
коэффициента передачи
тока на высокой частоте
от тока коллектора
Зависимость емкости
коллекторного перехо-
да от напряжения кол-
лектор—база
2Т9121А, 2Т9121Б, 2Т9121В, 2Т9121Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
широкополосных импульсных усилителях и генераторах в диа-
пазоне частот 2,3...2,7 ГГц в схеме ОБ при напряжении 35 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми
выводами. Транзисторы содержат внутренние согласующие
Цепи. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 5 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
297
2T912UA-D
Электрические параметры
Импульсная выходная мощность при
= 100 мкс, Q= 10, Гк = +25 °C, не менее:
Un = 40 В, АГ = 2,3...2,7 ГГц:
2Т9121А при Рвх =	8,7 Вт.......... 35 Вт
2Т9121Б при Рвх =	4,4 Вт.......... 17,5 Вт
2Т9121В при Рвх =	1 Вт............ 4 Вт
2Т9121Г при Рвх =	12,5 Вт.......... 50 Вт
Un = 32 В, f = 2,7 ГГц:
2Т9121А при Рвх =	8,7 Вт.......... 25 Вт
2Т9121Б при Рвх =	4,4 Вт.......... 17,5 Вт
2Т9121В при Рвх =	1 Вт............ 4 Вт
2Т9121Г при Рвх =	12,5 Вт.......... 35 Вт
Коэффициент усиления по мощности
при Рвх = 8,7 Вт для 2Т9121А, Рвх = 4,4 Вт
для 2Т9121Б, Рвх = 1 Вт для 2Т9121В,
Рвх = 12,5 Вт для 2Т9121Г, Ги = 100 мкс,
Q= 10, Гк < +25 °C, не менее:
Un = 40 В, \f = 2,3...2,7 ГГц.......... 6 дБ
Un = 32 В, f = 2,7 ГГц................. 4,5 дБ
298
Коэффициент полезного действия коллектора
при Рвх = 8,7 Вт для 2Т9121А, Рвх = 4,4 Вт
для 2Т9121Б, Рвх = 1 Вт для 2Т9121В,
Рвх = 12,5 Вт для 2Т9121Г, Ги = 100 мкс,
Q= 10, Гк $ +25 °C, не менее:
Un = 40 В, \f= 2,3...2,7 ГГц......... 30%
Un = 32 В, f = 2,7 ГГц............... 25%
Обратный ток коллектора при Z/KB = 42 В,
не более:
Гк = +25 °C:
2Т9121А............................. 15 мА
2Т9121Б.......................... 7,5 мА
2Т9121В.......................... 2,5 мА
2Т9121Г.......................... 22,5 мА
Гк = +125 и -60 °C:
2Т9121А............................. 22	мА
2Т9121Б.......................... 11	мА
2Т9121В.......................... 3,7	мА
2Т9121Г.......................... 35	мА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при UK3 = 40 В, не более:
Гк = +25 °C:
2Т9121А............................. 30 мА
2Т9121Б............................ 15	мА
2Т9121В.......................... 5 мА
2Т9121Г.......................... 45 мА
Тк = +125 и -60 °C:
2Т9121А............................... 45	мА
2Т9121Б............................ 23	мА
2Т9121В.......................... 7,5 мА
2Т9121Г.......................... 70 мА
Обратный ток эмиттера при U3b = 3 В,
не более:
Гк = +25 °C:
2Т9121А............................... 20	мА
2Т9121Б............................ 10	мА
2Т9121В.......................... 3,5 мА
2Т9121Г............................ 30	мА
Гк = +125 и -60 °C:
2Т9121А............................. 30 мА
2Т9121Б............................ 15	мА
2Т9121В........................... 5,2 мА
2Т9121Г.......................... 45 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база.... 42 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 3 В
Импульсный ток коллектора при ?и = 100 мкс,
0= 10:
2Т9121А................................. 9,2 А
2Т9121Б.............................. 4,6 А
2Т9121В.............................. 1,15 А
2Т9121Г.............................. 13 А
Импульсная рассеиваемая мощность
при Ги = 100 мкс, 0= 10, Гк = —60 и +25 °C:
2Т9121А................................. 92 Вт
2Т9121Б.............................. 46 Вт
2Т9121В.............................. 11,5 Вт
2Т9121Г.............................. 130 Вт
Температура р-п	перехода................ +185 °C
Температура окружающей среды............ —60...7"к =
= +125 °C
1 При Гк С +25 °C импульсная рассеиваемая мощность определяется из
выражения
Рк, и, макс = 160/А, И (П-К). Вт,
при Тк > +25 “С
РК, И, МАКС = (185 Гк)/А, и(п-ю> Вт,
где
А, и m-ю = 3/0+0,19(1 - 0,86/70)7/“ Для 2Т9121А,
А. и m-к, = 6/0+ 0,38(1 - 0,86/70)7^ для 2Т9121Б,
А.и(п—к) = 24/0+ 1,52(1 - 0,86/70)7^ для 2Т9121В,
Аищ-К) = З/О + 0,128 (1 - 0,86/70)7^ для 2Т9121Г.
Формулы справедливы: при Рк ндщ; б 165 Вт для 2Т9121А; Рк МАКС б 80 Вт для
2Т9121Б; РК МАКС б 20 Вт Для 2Т9121В; Рк,макс < 220 Вт для 2Т9121Г.
Рвыхи, Вт
		2Т9121Б			
					
					
					
		2Т9121В			
					
2,3	2.С5 f ГГц
Зависимости импульсной выходной
мощности от частоты
Зависимости импульсной выходной
мощности от частоты
300
Зависимости импульсной выходной
мощности от входной мощности
Зависимости импульсной выходной
мощности, коэффициента усиления
и коэффициента полезного дейст-
вия коллектора от входной мощно-
сти
Эквивалентная схема замещения транзисторов 2Т9121А—2Т9121Г
в активном режиме:
2Т9121А: Дэ = 0,05 нГн, Lt = 0,02 нГн, Дк = 0,1 иГн, С4 = 40 пФ, С5 = 150 пФ,
С„ = 14 пФ, СК1 = 4 пФ, Сэ = 200 пФ, Скэ = 2 пФ, \г = 0,1 Ом, гБ = 0,25 Ом,
г, = 0,05 Ом, Д, = 0,25 нГн, С, = 3,5 пФ, L2 = 0,2 нГн, С2 = 4 пФ, L3 = 0,2 нГн;
2Т9121Б: Дэ = 0,1 нГн, ДБ = 0,05 нГн, Дк = 0,2 нГн, С4 = 20 пФ, С5 = 100 пФ,
СК2 = 7 пФ, Ск, = 2 пФ, Сэ =	100 пФ, Скэ =	1 пФ, Лг = 0,05 Ом, г6 = 0,5 Ом,
=	0,1 Ом, Д, = 0,5 нГн, С,	= 3,5 пФ, Д2 =	0,4 нГн,	С2 =	4 пФ, Д, = 0,4 нГн;
2Т9121В: Дэ = 0,3 нГн, ДБ =	0,15 нГн, Дк =	0,6 нГн,	С4 =	7 пФ, Cs = 50 пФ,
Сю = 2,5 пФ, Ск, = 0,7 пФ, Сэ	= 30 пФ, Сю =	0,3 пФ,	Дг =	0,15 Ом, гъ = 1,5 Ом,
=	0,3 Ом, Д, = 0,7 нГн, С, = 1 пФ, Д2 = 0,6 нГн, С2 = 1,5 пФ, Д3 = 1,2 нГн;
2Т9121Г: Дэ = 0,15 нГн, ДБ = 0,015 нГн, Дк = 0,07 нГн, С4 = 60 пФ, Cs = 200 пФ,
СК2 = 21 пФ, Ск, = 6 пФ, Сэ = 300 пФ, Скэ = 3 пФ, Дп = 0,017 Ом, гБ = 0,17 Ом,
\ = 0,03 Ом, Д, = 0,17 нГн, С, = 3,5 пФ, Д2 = 0,13 нГн, С2 = 4 пФ, Д1 = 0,13 нГн
301
Зависимости импульсной выходной
мощности от напряжения питания
Зависимости коэффициента уси-
ления и коэффициента полезного
действия коллектора от входной
мощности
2Т9122А, 2Т9122Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные с согласующими цепями. Предназна-
чены для применения в схеме с общей базой в усилителях и
генераторах в диапазоне частот 1,3...2 ГГц. Выпускаются в
металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Тип
прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 15 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Выходная мощность при U№ = 28 В, /= 2 ГГц,
не менее:
2Т9122А................................ 55	Вт
2Т9122Б............................. 45	Вт
Выходная мощность (медианное значение)
при </КБ = 28 В, f= 2 ГГц, не менее:
2Т9122А................................ 60	Вт
2Т9122Б............................. 50	Вт
Коэффициент усиления по мощности
при £/К6 = 28 В, f- 2 ГГц, не менее:
Рйх 21 Вт для 2Т9122А................... 4	дБ
Рвх С 19 Вт для 2Т9122Б.............. 4	дБ
302
2Т91221А.Б)
Коэффициент усиления по мощности (меди-
анное значение) при 6/КБ = 28 В, / = 2 ГГц,
не менее:
Рвх С 19 Вт для 2Т9122А............... 5 дБ
Рвх « 16 Вт для 2Т9122Б............... 5 дБ
Коэффициент полезного действия коллектора
при = 28 В, f = 2 ГГц, не менее.......... 30%
Коэффициент полезного действия коллек-
тора (медианное значение) при UKb = 28 В,
f = 2 ГГц, не менее...................... 35%
Обратный ток коллектора при (/КБ = 45 В,
не более:
Т= +25 "С................................. 150	мА
Т= -60 и +125 °C....................... 300	мА
Обратный ток эмиттера при = 2 В:
Г=+25’С.................................... 100	мА
Т= -60 и +125 °C....................... 300	мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т9122А............................ 40 В
2Т9122Б............................ 45 В
Постоянное напряжение эмиттер—база.... 2 В
303
Постоянный ток коллектора:
2Т9122А.................................. 6,5	А
2Т9122Б............................... 5,4	А
Импульсный ток коллектора:
2Т9122А.................................. 7,5	А
2Т9122Б............................... 6 А
Средняя рассеиваемая мощность коллектора
в динамическом режиме:
2Т9122А............................... 133 Вт
2Т9122Б............................... 110 Вт
Напряжение питания....................... 28 В
Тепловое сопротивление:
2Т9122А.................................. 1,2 °С/Вт
2Т9122Б............................... 1,45 °С/Вт
Температура р-п перехода................. +185 °C
Температура окружающей среды............. —6О...ГК =
= +125 °C
Изгиб вывода транзистора допускается не ближе 3 мм от
корпуса. Допускается обрезать выводы не ближе 1,5 мм от
корпуса транзистора.
Пайка выводов рекомендуется не ближе 3 мм от корпуса
транзистора при температуре не выше +260 °C в течение не
более 3 с. Допускается пайка выводов на расстоянии 1,5 мм
от корпуса транзистора при температуре не выше +150 °C в
течение не более 3 с.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В.
Зависимость выходной
мощности от входной
мощности
Зависимость выходной
мощности от входной
мощности
Зависимость выходной
мощности от напряже-
ния питания
304
Зависимость выходной
мощности от напряже-
ния питания
Зависимость коэффици-
ента усиления по мощ-
ности от напряжения
питания
Зависимость коэффици-
ента усиления по мощ-
ности от напряжения
питания
2Т9124А, 2Т9124Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
широкополосных усилителях и генераторах импульсного
(2Т9124А) и непрерывного (2Т9124Б) режимов работы в диа-
пазоне частот 3,1...3,5 ГГц в схеме ОБ при напряжении пита-
ния 24 В в импульсном режиме и 21 В в непрерывном. Выпус-
каются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выво-
дами. Транзисторы содержат внутренние согласующие цепи.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 5,5 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Импульсная выходная мощность при
Ги = 100 мкс, Q = 10, Тк = +25 °C,
Рвх = 3,3 Вт для 2Т9124А, не менее:
Un = 24 В, \f= 3,1...3,5 ГГц............ 10 Вт
Un = 20 В, f = 3,3 ГГц..................	8 Вт
Выходная мощность Рвх = 2,5 Вт, Гк = +25 °C
для 2Т9124Б, не менее:
Un = 21 В, \f= 3,1...3,5 ГГц............ 8 Вт
Un = 20 В, /= 3,3 ГГц................... 7 Вт
Коэффициент усиления по мощности
при Гк = +25 °C, не менее:
2Т9124А при Ги = 100 мкс, Q= 10,
Рвх = 3,3 Вт:
Un = 24 В, bf = 3,1...3,5 ГГц........... 3 дБ
Un = 20 В, f = 3,3 ГГц............... 2,4 дБ
305
2Т912Ь(А,Б)
2Т9124Б при Рвх = 2,5 Вт:
Un = 21 В, А/= 3,1...3,5 ГГц....... 3,2 дБ
Un = 20 В, Г= 3,3 ГГц.............. 2,8 дБ
Коэффициент полезного действия коллектора
при Тк = +25 °C, не менее:
2Т9124А при ?и = 100 мкс, О= 10,
Рвх = 3,3 Вт:
Un =	24	В,	\f = 3,1—3,5	ГГц......... 30%
Un =	20	В,	f= 3,3 ГГц............... 30%
2Т9124Б при Рвх = 2,5 Вт:
Un =	21	В,	Af = 3,1...3,5	ГГц....... 35%
U„ =	20	В,	f= 3,3 ГГц............... 35%
Обратный ток коллектора, не более:
Гк = +25 °C при £/кб = 30 В........... 20 мА
Гк = +125 °C при Г/КБ = 30 В.......... 40 мА
Гк = —60 °C при = 25 В................ 40 мА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при t/кэ = 24 В, Гк = +25 °C для 2Т9124А,
не более.................................. 30 мА
Обратный ток эмиттера при = 1,5 В,
не более:
Тк = +25 °C........................... 10 мА
Гк =+125 и-60 °C...................... 20 мА
306
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база'
при Гк = +25...+125 °C................. 30 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 1,5 В
Постоянный ток коллектора для 2Т9124Б.. 1,5 А
Импульсный ток коллектора при = 250 мкс,
0= 10 для 2Т9124А....................... 2 А
Импульсная рассеиваемая мощность
коллектора* 2 при fa - 100 мкс, Q = 10,
Гк = -60...+65 °C для 2Т9124А.......... 23,5 Вт
Средняя рассеиваемая мощность коллектора3
в динамическом режиме при Гк = —60...+25 °C
для 2Т9124Б............................ 21,5 Вт
Температура р-п перехода............... +200 “С
Температура р-п перехода в импульсном ре-
жиме................................... +175 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 8 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус
в импульсном режиме.................... 4,6 °С/Вт
Температура окружающей	среды.......... —60... Гк =
= +125 °C
' При изменении Тк от +25 °C до —60 °C U№ снижается линейно до 25 В.
2 При Тц - +65... 125 °C А, и, накс рассчитывается по формуле
А, И, НАКС = (175 - Гк)/А. и <п-кр Вт.
’ В диапазоне температур = +25... 125 °C А. ср, накс рассчитывается по
формуле
Рк, ср, накс = (200 — Тк)/Rj (п-к). Вт.
Зависимости импульсной выходной
мощности, коэффициента усиления
и коэффициента полезного действия
коллектора от входной мощности
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэффи-
циента полезного действия коллек-
тора от входной мощности
307
Рвых и. Вт
71'.%
Зависимости импульсной выходной
мощности и коэффициента полез-
ного действия коллектора от на-
пряжения питания
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэффи-
циента полезного действия коллек-
тора от напряжения питания
Зависимости импульсной выход-
ной мощности и коэффициента
полезного действия коллектора
от частоты
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэф-
фициента полезного действия кол-
лектора от частоты
308
2Т9125АС
Сборка из двух кремниевых эпитаксиально-планарных
структуры п-р-п генераторных транзисторов. Предназначена
для применения в двухтактных широкополосных усилителях
мощности и генераторах в диапазоне частот 100...500 МГц в
схеме ОЭ при напряжении питания 28 В. Выпускается в метал-
локерамическом корпусе с полосковыми выводами. Тип сбор-
ки указывается на корпусе.
Масса сборки не более 10 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
2Т9125АС
Электрические параметры
Выходная мощность в двухтактной схеме
на частоте f = 500 МГц при Un = 28 В,
Рвх = 12,5 Вт, Тк +40 °C, не менее.......... 50 Вт
Коэффициент усиления по мощности в двух-
тактной схеме на частоте f = 500 МГц при
Un = 28 В, Рвых = 50 Вт, Гк *= +40 °C....... 4...7,2*...9,8*
Коэффициент полезного действия в двух-
тактной схеме на частоте f= 500 МГц при
Un = 28 В, Рвых = 50 Вт, Тк +40 °C............ 5О...55,2*...
70*%
Статический коэффициент передачи тока в
схеме ОЭ при UK3 = 5 В, /к = 0, 5 А, не более.. 110
309
Модуль коэффициента передачи тока на	....
высокой частоте при UK3 = 5 В, /к = 3 А,
f= 300 МГц................................ 2,2...3*...4,9*
Граничное напряжение при /э = 50 мА,
не менее.................................. 30* В
Критический ток при Г/кэ = 10 В
на f= 300 МГц............................. 6*...9,6*...
13* А
Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте при ЦБ = 5.В, /э = 0,5 А,
f= 5 МГц.................................. 3*...4,9*...
20* пс
Емкость коллекторного перехода
при UK5 = 28 В............................ 40*...41,8*...
70 пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при t/кэ = 55 В, /?БЭ = 10 Ом, не более... 60 мА
Обратный ток эмиттера при иЭБ = 4 В,
не более.................................. 30 мА
Разность коллекторных токов в сборке на ча-
стоте f= 500 МГц при Un = 28 В, Рвых = 50 Вт,
Гк +40 °C, не более....................... 0,5 А
КСВН при всех фазах коэффициента отраже-
ния при Un = 28 В, Гк +50 °C при кратко-
временном рассогласовании (3 с) и уровне
выходной мощности на согласованной на-
грузке не более 30 и 45 Вт на частотах 100
и 400 МГц, не более....................... 10*
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания............. 28 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 10 Ом.......................... 55 В
Постоянное напряжение база—эмиттер........ 4 В
Постоянный ток коллектора................. 4 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Гк +40 °C....................... 60 Вт
Средняя рассеиваемая мощность коллектора
в динамическом режиме1 2 при Гк +80 °C.... 64 Вт
1 При Гк > +40 ‘С постоянная рассеиваемая мощность коллектора определя-
ется из выражения
А«.нахс “ (160 — 7У/2, Вт.
2 При Гц > +80 "С
= (160 - ТУ/1,25, Вт.
310
Температура р-п перехода............... +160 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 2 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус
в динамическом режиме.................. 1,25 °С/Вт
Температура окружающей среды........... — 60... Тк =
= +125 °C
Принципиальная электрическая схема
транзисторной сборки 2Т9125АС
2Т9127А, 2Т9127Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
импульсных усилителях мощности и генераторах в полосе ча-
стот 1,025...1,15 ГГц в схеме ОБ при напряжении питания 50 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми
выводами. Транзисторы содержат согласующие цепи по выхо-
ду и входу. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 5 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Импульсная выходная мощность
при = 10 мкс, О= 100, не менее:
в диапазоне частот \f= 1,025...1,15 ГГц
при Un = 50 В:
2Т9127А при Рвх =	150 Вт........... 550	Вт
2Т9127Б при Рвх =	60 Вт........... 250	Вт
на частоте /= 1,15 ГГц при Un = 40 В:
2Т9127А при Рвх =	150 Вт.......... 400	Вт
2Т9127Б при Рвх =	60 Вт........... 180	Вт
311
2Т9127(А,Б)
Коэффициент усиления по мощности
при = 10 мкс, Q= 100, не менее:
в диапазоне частот А/= 1,025...1,15 ГГц
при Un = 50 В:
2Т9127А при Рвых	=	550	Вт........ 5,64 дБ
2Т9127Б при РВЬ|Х	=	250	Вт........ 6,2 дБ
на частоте f= 1,15 ГГц при Un = 40 В:
2Т9127А при Рвых	=	400	Вт........ 4,2 дБ
2Т9127Б при Рвых	=	180	Вт........ 4,7 дБ
Коэффициент полезного действия коллектора
при = 10 мкс, 0= 100, не менее:
в диапазоне частот Af = 1,025...1,15 ГГц
при Un = 50 В:
2Т9127А при	Рвых =	550	Вт........ 35%
2Т9127Б при	Рвых =	250	Вт........ 35%
на частоте f= 1,15 ГГц при Un = 40 В:
2Т9127А при	Рвых =	400	Вт........ 30%
2Т9127Б при	Рвых =	180	Вт........ 30%
Обратный ток коллектора при L/KB = 65 В,
не более:
Гк = +25 °C:
2Т9127А.............................. 70 мА
2Т9127Б........................... 35 мА
Тк = +125 и -60 °C:
2Т9127А.............................. 105 мА
2Т9127Б........................... 52 мА
312
Обратный ток коллектор—эмиттер
при ию = 50 В, не более:
2Т9127А................................... 80 мА
2Т9127Б............................... 40 мА
Обратный ток эмиттера при Ux = 3,5 В,
не более:
Гк = +25 °C:
2Т9127А............................... 70 мА
2Т9127Б............................ 35 мА
Тк = +125 и -60 °C:
2Т9127А............................... 105 мА
2Т9127Б............................ 52 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база...... 65 В
Постоянное напряжение эмиттер—база........ 3,5 В
Импульсный ток коллектора’ при = 10 мкс,
0 = 100:
2Т9127А................................... 38 А
2Т9127Б............................... 19 А
Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора2 при = 10 мкс, 0= 100, Тк < +85 °C:
2Т9127А................................... 1151 Вт
2Т9127Б............................... 524 Вт
Температура р-п перехода.................. +200 °C
Температура окружающей среды.............. —60... Гк =
= +125 °C
’ Для 2T9127A
4, И, МАКС = ^К, И, макс(О, f„)/30,3, А,
для 2Т9127Б
4, И, МАКС = Р<, И, МАКс(Ф 4)/27,6, А.
2 При < +85 “С импульсная рассеиваемая мощность коллектора опреде-
ляется из выражения
Рк, и, макс ~ 115/ А, и (п-к)> Вт,
при Тк > +85 °C
Рк, и, макс ~ (200 — Гк)//?т и {П_К)| Вт,
где	_ _
А,и(п-ю = 1,2/0+0,03(1 - 0,86/VO)4, °С/Вт, для 2T9127A,
А,и<п-к) = 2,4/0+ 0,068 (1 - 0,86/Vo)V/~ °С/Вт, для 2Т9127Б.
Расстояние от корпуса до места лужения и пайки не менее
3 мм, температура припоя +260 °C, время пайки не более 3 с.
Расстояние от корпуса до начала изгиба вывода не менее
3 мм.
При монтаже транзисторов в широкополосные линии раз-
313
решается обрезать полосковые выводы на расстоянии не ме-
нее 2 мм от корпуса, а также формовать выводы на расстоя-
нии не менее 1 мм от корпуса. При этом усилие не должно
передаваться на место присоединения вывода с корпусом.
Присоединение выводов рекомендуется осуществлять мето-
дом сварки или пайки с применением мер по устранению
возможности возникновения механических напряжений между
выводом и корпусом транзистора. Температура корпуса тран-
зистора при этом не должна превышать +150 °C.
Эквивалентная схема замещения транзисторов 2Т9127А, 2Т9127Б
в активном режиме:
£вЭ = 0,7 нГн, = 0,3 нГн, £э = нГн, Lw = 0,7 нГн, G = С2 = 4 пФ,
С3 = 240 пФ, С4 - 75 пФ, Дг = 0,005 Ом, ДБ = 0,01 нГн;
2Т9127А: £к = 0,58 нГн, Сэ = 800 пФ, СК1 « 13 пФ, Cw = 46,8 пФ,
Go = 8,2 пФ, гБ » 0,1 Ом, гк = 0,13 Ом;
2Т9127Б:	= 0,3 нГн, Сэ = 1600 пФ, СК1 = 26 пФ,  93,6 пФ,
Go = 16,4 пФ, гБ = 0,05 Ом, = 0,065 Ом
Зависимости выходной мощности
и коэффициента усиления от вход-
ной мощности
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэффи-
циента полезного действия коллек-
тора от входной мощности
314
2Т9129А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п генераторный. Предназначен для применения в
широкополосных импульсных усилителях мощности в диапазо-
не частот 3,1...3,5 ГГц в схеме ОБ при напряжении питания
24 В. Транзистор содержит внутренние цепи согласования.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с гибкими выво-
дами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 5,5 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2Т9129А
Электрические параметры
Импульсная выходная мощность
при Рвх = 7 Вт, 4, = 100 мкс, О = 10,
Гк = +25 °C, не менее:
на частотах f- 3,1; 3,3; 3,5 ГГц
при Un = 24 В........................... 20	Вт
на частоте f = 3,3 ГГц при Un = 20 В... 16 Вт
Коэффициент усиления по мощности
при Рвх = 7 Вт, = 100 мкс, О = 10,
Гк = +25 °C, не менее:
на частотах f = 3,1; 3,3; 3,5 ГГц
при Un = 24 В.........................  4,5	дБ
на частоте /= 3,3 ГГц при Un = 20 В.... 3,3 дБ
315
Коэффициент полезного действия коллек-
тора при Рвх = 7 Вт, = 100 мкс, Q = 10,
Тк = +25 °C, не менее:
на частотах/ = 3,1; 3,3; 3,5 ГГц
приЦ1=.24В............................. 30%
на частоте f= 3,3 ГГц при Un = 20 В. 30%
Обратный ток коллектора при L/кб = 30 В,
не более:
Тк =+25 °C.......................... 30 мА
Тк = +125 и —60 °C.................. 60 мА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при (/кэ = 24 В, не более.............. 50 мА
Обратный ток эмиттера при изъ = 1,5 В,
не более:
7^ =+25 °C............................. 10 мА
Тк =+125 и-60 °C.................... 20 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база1
при Тк = +25...+125 °C................. 30 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 1,5 В
Импульсный ток коллектора при 7И = 100 мкс,
О= 10................................. 4 А
Импульсный ток базы при ?и = 100 мкс, Q = 10 0,35 А
Импульсная рассеиваемая мощность
коллектора2 при 7И = 100 мкс, Q= 10,
Тк = -60...+65 °C...................... 47 Вт
Температура р-п перехода............... +175 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 2,3 °С/Вт
Температура окружающей среды........... —60... Тк =
= +125 °C
' При изменении Гк от +25 °C до -60 °C t/K6 снижается линейно до 25 В.
2 При Гк > +65 °C импульсная рассеиваемая мощность коллектора опреде-
ляется из выражения
А и. макс =(175- Гк)/2,3, Вт.
Расстояние от корпуса до места лужения и пайки выводов
не менее 3 мм, температура пайки +260 °C, время пайки не
более 3 с. Допускается пайка выводов на расстоянии не менее
2 мм от корпуса при температуре не свыше +150 °C в течение
3 с.
316
Зависимости импульсной выходной
мощности, коэффициента усиления
и коэффициента полезного дейст-
вия коллектора от входной мощно-
сти
Зависимости импульсной выходной
мощности, коэффициента усиления
и коэффициента полезного дейст-
вия коллектора от напряжения пи-
тания
2Т9132АС
Сборка из двух кремниевых эпитаксиально-планарных
структуры п-р-п генераторных транзисторов. Предназначена
для применения в двухтактных широкополосных усилителях и
генераторах в полосе частот 350...700 МГц в схеме ОБ при
напряжении питания 30 В. Выпускается в металлокерамиче-
ском корпусе с полосковыми выводами. Сборка содержит вну-
тренние цепи согласования по входу. Тип прибора указывается
на корпусе.
Масса сборки не более 7 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
Электрические параметры
Выходная мощность в двухтактной схеме
на частоте f= 650 МГц при (/п = 30 В,
Гк < +60 °C, не менее................. 140	Вт
Коэффициент усиления по мощности в двух-
тактной схеме на частоте f = 650 МГц при
Un = 30 В, Тк < +60 °C, не менее..... 3,5
Коэффициент полезного действия в двух-
тактной схеме на частоте f = 650 МГц при
Un = 30 В, Тк < +60 °C, не менее..... 55%
Модуль коэффициента передачи тока на
высокой частоте при ию = 10 В, /к = 5 А,
/= 100 МГц, не менее................. 3,2
317
2Т9132АС
Критический ток для каждого транзистора
при = 10 В, на f= 100 МГц, не менее...... 13 А
Разность токов эмиттера в сборке, не более.. 1,5 А
Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте при U№ = 5 В, /э = 5 А,
f= 5 МГц, не более....................... 20 пс
Емкость коллекторного перехода
при t/кв = 30 В, не более................ 170 пФ
Обратный ток коллектора при (/КБ = 50 В,
не более................................. 150 мА
Обратный ток эмиттера при U3b = 4 В,
не более................................. 75 мА
Примечание: для /К6О, Льо приведены суммарные значения де
раллельно включенных транзисторов.
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания.......... 31 В
Постоянное напряжение коллектор—база... 50 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 4 В
Постоянный ток коллектора для двух транзи-
сторов ................................ 11,2	А
Импульсный ток коллектора для двух транзи-
сторов при 4, = 250 мкс, 0= 10..........  22	А
Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Ги = 250 мкс, О = 10, Гк 5 +105 *С... 220 Вт
318
Средняя рассеиваемая мощность коллектора1
в динамическом режиме при Тк = —60...+60 °C
Температура р-п перехода.................
Температура окружающей среды.............
163 Вт
+ 190 °C
-6О...ТК =
= +125 °C
’ При Тц > +60 °C средняя рассеиваемая мощность коллектора определяет-
ся из выражения
Р<.ср, илкс = (190 — 7у/0>8, Вт.
у 0.6 нГн 0.19 нГн
1.25 нГн	/(7
4,5 нГн
1.25 нГн к2
Принципиальная электрическая схема транзисторной сборки 2T9132AC
Зависимости выходной мощности
от напряжения питания
Зависимости коэффициента уси-
ления и коэффициента полезного
действия коллектора от частоты
2Т9134А, 2Т9134Б
Сборки из двух кремниевых эпитаксиально-планарных
структуры п-р-п генераторных транзисторов. Предназначены
Для применения в усилителях мощности и генераторах в схеме
ОБ в диапазоне частот 0,6... 1,5 ГГц при напряжении питания
45 В. Каждый транзистор содержит внутренние согласующие
Цепи. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полос-
ковыми выводами. Тип сборки указывается на корпусе.
31S
Масса сборки не более 25 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2Т915ЦА, Б)
и
Электрические параметры
Импульсная выходная мощность в двух-
тактной схеме на частоте f = 1,5 ГГц при
Un = 45 В, Ги = 10 мкс, О = 100, Гк « +25 °C,
не менее:
2TQ134A-
Рвх = 250 Вт............................. 1000	Вт
Рвх = 125 Вт.......................... 550	Вт
2Т9134Б:
Рвх = 200 Вт.............................. 800	Вт
Рвх = 100 Вт.......................... 440	Вт
Коэффициент усиления по мощности в двух-
тактной схеме на частоте f= 1,5 ГГц при
Un = 45 В, 4, = 10 мкс, Q = 100, Гк « +25 °C,
не менее:
2Т9134А:
Рвх = 250 Вт.......................... 6 дБ
Рвх = 125 Вт.......................... 6,4 дБ
320
2Т9134Б:
PBX = 200 Вт....................... 6 дБ
Рвх = 100 Вт.................... 6,4'дБ
Коэффициент полезного действия в двух-
тактной схеме на частоте f = 1,5 ГГц при
Un = 45 В, Ги = 10 мкс, Q = 100, Гк С +25 °C,
не менее.............................. 30%
Обратный ток коллектора при £/КБ = 50 В,
не более:
Гк = +25 °C........................ 120 мА
Гк =+125 и-60 °C................... 180 мА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при £/кэ = 45 В, не более:
Гк = +25 °C:
2Т9134А.............................. 160	мА
2Т9134Б........................... 120	мА
Гк = +125 и -60 °C:
2Т9134А.............................. 200	мА
2Т9134Б........................... 150	мА
Обратный ток эмиттера при иэъ = 3 В,
не более:
Гк =+25 °C......................... 120 мА
Гк = +125 и -60 °C................. 180 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база.. 50 В
Постоянное напряжение эмиттер—база.... 3 В
Импульсный ток коллектора при fH = 10 мкс,
0= 100:
2Т9134А............................... 78 А
2Т9134Б............................ 63 А
Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора' при fH = 10 мкс, Q= 100, Гк < +85 °C:
2Т9134А............................... 2600 Вт
2Т9134Б............................ 2100 Вт
' При < +85 °C импульсная рассеиваемая мощность коллектора опреде-
ляется из выражения
А, И, МАКС = 105/А |П_К|, Вт.
При Гк > +85 °C
А. И, МАКС = (190 — Гк)//?т |П-К). Вт>
где
/?Т(П-К) = 0,5/0 + 0,012 (1 - 0,86/VOH^-, °С/Вт, для 2Т9134А,
А(п-к> = 0,6/0+ 0,015 (1 - 0,86/VO)V^, °С/Вт, для 2Т9134Б.
11-949
321
Температура р-п перехода.................. +190	°C
Температура окружающей среды......
= +125 °C
31 К132 К2
Схема соединения электродов с выводами
2Т9134А, 2791Э4Б
Б
Эквивалентная схема замещения транзисторов 2Т9134А, 2Т9134Б
в активном режиме:
£, = L3 = 0,06 нГн, = 0,02 нГн, £к = 0,12 нГн, L3 = 0,18 нГн, С, = 8...9 пФ,
С2 = 200 пФ, С, = 400 пФ, С4 = 8...Э пФ, С3 = 1800 пФ, С„ = 47 пФ,
Си = 93 пФ, Сю = 20 пФ, Дг = 0,01 Ом, гъ = 0,1 Ом, гк = 0,1 Ом
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэффи-
циента полезного действия коллек-
тора от входной мощности
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэффи-
циента полезного действия коллек-
тора от напряжения питания
322
2Т9135А—2
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п генераторный. Предназначен для применения в уси-
лителях и генераторах в диапазоне частот 2... 10 ГГц в схеме
ОБ при напряжении питания 14 В в герметизированной аппара-
туре. Выпускается в металлокерамическом кристаллодержате-
ле. Тип прибора указывается на кристаллодержателе.
Масса транзистора не более 1 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2Т9135А-2
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте f= 10 ГГц
при Un = 12 В, /к = 0,85 А, Рвх = 1,5 Вт,
Тк = +25 °C, не менее.................... 2,6 Вт
медианное значение.................... 3 Вт
Коэффициент полезного действия в двухтакт-
ной схеме на частоте f = 10 ГГц при Un= 12 В,
4 = 0,85 А, Рвх = 1,5 Вт, Тк = +25 °C.... 26...29*...31*%
Фаза коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при U№ = 2 В, /к = 400 мА,
f= 1 ГГц, не более....................... 16 у гл град
Обратный ток коллектора при U№ = 15 В,
не более:
Гк = +25 и -60 °C..................... 2 мА
Гк = +125 °C.......................... 5 мА
1+
323
Обратный ток эмиттера при иэъ - 1,2 В,
не более:
Гк = +25 и -60 °C................... 1 мА
Тк =+125 °C......................... 3 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база.... 15 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 1,2 В
Постоянный и импульсный ток коллектора.. 0,95 А
Средняя рассеиваемая мощность коллектора1
в динамическом режиме при Тк = —60...+25 °C 8,7 Вт
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора2 при £/кб = 6 В, Гк = —60...+57 °C. 3,4 Вт
Температура р-п перехода................ +190 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус
в динамическом режиме................... 19 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус... 39 °С/Вт
Температура окружающей среды............ —60... Гк =
= +125 °C
' При Гк > +25 °C средняя рассеиваемая мощность коллектора определяет-
ся из выражения
А, СР, МАКС = (190 - Гк)/19, Вт.
2 При Гк > +57 °C постоянная рассеиваемая мощность коллектора определя-
ется из выражения
А, макс = (190 - 7"к)/39, Вт.
Эквивалентная схема замещения транзистора 2Т9135А—2
в активном режиме:
С = 240 пФ, Скэ = 0,8 пФ, С, = 0,84 пФ, С2 = 0,7 пФ, С3 = 1 пФ,
С4 = 0,6 пФ, СК1 = 0,72 пФ, Си = 2,2 пФ, Сэ = 17,6 пФ при Ua = 0,
Сэ = 40 пФ при ию = 1,2 В, L3 = 0,2 нГн, Lb = 0,1 нГн, Z., = 0,2 нГн,
= 0,15 нГн, R = 1...2 Ом, гъ = 0,5 Ом, гк = 0,2 Ом
24
0.35 0,45 0.550.650,75/Ki A
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэффи-
циента полезного действия коллек-
тора от тока коллектора
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэффи-
циента полезного действия коллек-
тора от входной мощности
Рвых.Вт Ку.р.пБ 77к,
6 7 8 9 10 11Un,B
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэффи-
циента полезного действия коллек-
тора от напряжения питания
Arg (h^J/ град
14
12
10
8
6
О 0.2 0.4 0.6 0.8 1 !К,А
Зависимость фазы коэффициента
передачи тока в схеме ОБ от тока
коллектора
2T9136AC
Сборка из двух кремниевых эпитаксиально-планарных
структуры п-р-п генераторных транзисторов. Предназначена
для применения в импульсных генераторах, усилителях мощ-
ности в диапазоне частот 200...500 МГц в схеме ОБ при напря-
жении питания 45 В. Выпускается в металлокерамическом кор-
пусе с полосковыми выводами. Тип прибора указывается на
корпусе.
Масса сборки не более 7 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
325
2Т9156АС
Электрические параметры
Импульсная выходная мощность в двух-
тактной схеме на частоте /= 500 МГц при
Un = 45 В, Як, = 71,4 Вт, = 250 мкс, Q = 10,
Гк € +40 °C, не менее.................... 500 Вт
Коэффициент усиления по мощности в двух-
тактной схеме на частоте f- 500 МГц при
Un = 45 В, Рвх = 71,4 Вт, Ги = 250 мкс, Q = 10,
Гк $ +40 °C, не менее.................... 7
Коэффициент полезного действия в двух-
тактной схеме на частоте f- 500 МГц при
Un - 45 В, Рвх = 71,4 Вт, |*и = 250 мкс,
Q= 10, Гк $ +40 °C, не менее.............. 45%
Модуль коэффициента передачи тока на
высокой частоте при UK3 = 10 В, /к = 5 А,
f= 100 МГц, не менее..................... 3
Критический ток для каждого транзистора
при t/K3 = 10 В, на f= 100 МГц, не менее. 18 А
Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте при 6/КБ = 5 В, /, = 0.5 А,
f= 5 МГц, не более....................... 20 пс
Емкость коллекторного перехода
при U№ = 45 В, не более.................. 260 пФ
Емкость эмиттерного перехода при 6^ = 0,
не более................................. 3100 пФ
326
Обратный ток коллектора при 1УКЪ = 60 В,
не более................................ 140	мА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при = 45 В, не более.................... 100	мА
Обратный ток эмиттера при U3b = 4 В,
не более................................ 100	мА
Примечание: для /«, ц, /кэ к, /ЭБ 0 приведены суммарные значения двух
параллельно включенных транзисторов.
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база... 60 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 4 В
Импульсный ток коллектора для двух транзи-
сторов при 4, = 250 мкс, Q - 10........ 30 А
Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора при = 250 мкс, О= 10, Гк = +60 °C. 250 Вт
Температура р-п перехода............... +200 °C
Температура окружающей среды........... —60...	=
= +125 ”С
Принципиальная электриче-
ская схема транзисторной
сборки 2T9136AC
Зависимости импульсной выходной
мощности и коэффициента усиле-
ния от напряжения питания
Зависимости импульсной выход-
ной мощности и коэффициента
полезного действия коллектора
от температуры корпуса
Зависимость максимально допу-
стимой импульсной рассеиваемой
мощности коллектора от темпе-
ратуры корпуса
2Т9137А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п усилительный. Предназначен для применения в ли-
нейных усилителях в схеме ОЭ на частотах до 2,3 ГГц. Выпус-
кается в металлокерамическом корпусе с полосковыми выво-
дами. Транзистор маркируется условным обозначением —
буквой «Р». Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 3 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2Т9137А
328
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте /= 2,3 ГГц
при (/КБ = 18 В, /к = 380 мА, не менее.. 2,1 Вт
медианное значение.................. 2,5 Вт
Коэффициент усиления по мощности на ча-
стоте f = 2,3 ГГц при £/кб = 18 В, /к = 380 мА.. 5,5...6,9*...
7,7* дБ
Коэффициент полезного действия коллек-
тора на частоте f= 2,3 ГГц при UKb = 18 В,
/к = 380 мА, не менее................... 30,7%
Граничная частота коэффициента передачи
Тока в схеме ОЭ при (/КБ = 10 В, /к = 300 мА.. 2,7...4,4*...
5* ГГц
Емкость коллекторного перехода
при (/КБ = 18 В......................... 4*...4,6*...
5,5 пФ
Емкость эмиттерного перехода при U3B = 0  20*...30*...
45 пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при £/кэ = 22 В, /?БЭ = 100 Ом, не более:
Гк =+25 и —60 °C.................... 10 мА
7; = +125 °C........................• 20 мА
Обратный ток эмиттера при иэъ = 3,5 В,
не более:
Гк =+25 и —60 °C.................... 2 мА
Гк =+125 °C......................... 4 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер1
при Rb3 = 100 Ом........................ 22 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 3,5 В
Постоянный ток коллектора............... 550 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора2 при 7"к = —60...+50 °C............ 9 Вт
Температура р-п перехода................ +160 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус... 12,2 °С/Вт
Температура окружающей среды............ —60... Гк =
= +125 °C
’ Цоя > 20 В допускается только при закрытом эмиттерном переходе.
2 При Тц > +50 °C постоянная рассеиваемая мощность коллектора определя-
ется из выражения
А, накс = (160 — 7У/12,2, Вт.
Расстояние от корпуса до места лужения и пайки не менее
1,5 мм, температура припоя +260 °C, время пайки не более
329
3 с. Расстояние от корпуса до начала изгиба вывода не менее
3 мм. При монтаже транзистора в микрополосковые линии «ли
подобные устройства разрешается обрезать полосковые выво-
ды’ на; расстоянии не менее 1,5 мм от корпуса, а также формо-
вать выводы на расстоянии не менее 1,5 мм от корпуса, а
также формовать выводы на расстоянии не менее 1 мм от
корпуса. При этом усилие не должно передаваться на место
соединения вывода с кристаллом.
Не рекомендуется работать при напряжение питания выше
16 В на частотах ниже 600 МГц.
Эквивалентная схема замещения транзистора 2Т9137А
в активном режиме:
г6 = 0,3.,.0,6 Ом, Яэ = 0,8 Ом, гк = 0,3 Ом, СК1 = 0,4 пФ при U№ = 18 В,
Си = 2,9 пФ при t/KE = 18 В, Сбм = 0,4 пФ, Lt = 0,4 нГн, L, - 0,07 нГн,
L, - 0,3 нГн, С, - 2 пФ, С2 = 1,6 пФ, С3 = 30 пФ при Ub3 = 0,	= 0,8 пФ
Зависимость тока базы
от напряжения база—
эмиттер
Ку.р.дБ
РВЫХ'РТ	Ку,Р,лБ
Зависимости коэффици-
ента усиления от выход-
ной мощности
Зависимости выходной
мощности я коэффици-
ента усиления от тока
коллектора
330
Зависимости граничной
частоты от тока коллек-
тора
Зависимости коэффици-
ента полезного дейст-
вия коллектора от тока
коллектора
Зависимость, емкости
коллекторного перехо-
да от напряжения кол-
лектор—база
Зависимость емкости эмиттерного Области безопасной работы тран-
перехода от напряжения база—	зистора
эмиттер
2Т9139А, 2Т9139Б, 2Т9139В, 2Т9139Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
широкополосных усилителях и генераторах импульсного
2Т9139А, 2Т9139В, 2Т9139Г и непрерывного 2Т9139Б режимов
работы в полосе частот 2,7...3,1 ГГц в схеме ОБ при напряже-
нии питания 24 В в импульсном режиме и 21 В в непрерывном,
а также в других широкополосных устройствах в полосе частот
2,6...3,2 ГГц. Выпускаются в металлокерамических корпусах с
полосковыми выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзисторов 2Т9139А, 2Т9139Б, 2Т9139В не более
5 г, 2Т9139Г не более 2 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
331
2Т9139(А,Б,В)
Электрические параметры
Импульсная выходная мощность на часто-
тах f= 2,7; 2,9; 3,1 ГГц при Un = 24 В,
= 100 мкс, О = 10, Гк = +25 °C, не менее:
2Т9139А при Рвх = 2,85 Вт............ 10 Вт
2Т9139В при Рвх= 6,1 Вт.............. 20 Вт
2Т9139Г при Рвх = 0,9 Вт............. 3 Вт
Выходная мощность на частотах f= 2,7;
2,9; 3,1 ГГц при Un = 21 В, Рвх = 2,5 Вт,
Гк = +25 °C для 2Т9139Б, не менее....... 9 Вт
Коэффициент усиления по мощности на ча-
стотах f= 2,7; 2,9; 3,1 ГГц при Гк = +25 °C,
не менее.
2Т9139А при Un = 24 В, ?и = 100 мкс,
О- Ю, Рвх = 2,85 Вт.................. 3,5
2Т9139В при Un = 24 В, ?и = 100 мкс,
0 = Ю, Рвх = 6,1 Вт................... 3,3
2Т9139Г при U? = 24 В, Ги = 100 мкс,
О = Ю, Рвх = 0,9 Вт................... 3,3
2Т9139Б при Un = 21 В, Рвх = 2,5 Вт... 3,6
332
2Т3139Г
Коэффициента полезного действия коллек-
тора на частотах f= 2,7; 2,9; 3,1 ГГц при
Гк = +25 °C, не менее:
2Т9139А при Un = 24 В, ?и = 100 мкс,
0 = Ю. РВх = 2,85 Вт................... 32%
2Т9139В при Un = 24 В, Ги = 100 мкс,
0 = Ю, Рвх = 6,1 Вт.................... 30%
2Т9139Г при Un = 24 В, Ги = 100 мкс,
О = Ю, Рвх = 0,9 Вт.................... 30%
2Т9139Б при U„ = 21 В, Рвх = 2,5 Вт.. 35%
Обратный ток коллектора, не более:
при Гк = +25 °C, (/КБ = 30 В:
2Т9139А, 2Т9139Б..................... 20 мА
2Т9139В.......................... 30 мА
2Т9139Г.......................... 5 мА
при Гк = +125 °C, УКБ = 30 В:
2Т9139А, 2Т9139Б..................... 40	мА
2Т9139В.......................... 60	мА
2Т9139Г.......................... 10	мА
при Т= -60 °C, б/КБ = 25 В:
2Т9139А, 2Т9139Б..................... 40	мА
2Т9139В.......................... 60	мА
2Т9139Г.......................... 10	мА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при = 24 В, не более:
2Т9139А................................. 30	мА
2Т9139В.............................. 60	мА
2Т9139Г.............................. 10	мА
Обратный ток эмиттера при С/ЭБ = 1,5 В,
не более:
Гк = +25 °C:
2Т9139А, 2Т9139Б.................... 10 мА
2Т9139В.......................... 20 мА
2Т9139Г.......................... 5 мА
Гк = +125 и -60 °C:
2Т9139А, 2Т9139Б.................... 20 мА
2Т9139В.......................... 40 мА
2Т9139Г.......................... 10 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база’... 30 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 1,5 В
Постоянный ток коллектора для 2Т9139Б... 1,5 А
Импульсный ток коллектора при = 250 мкс,
0 = 10:
2Т9139А................................ 2 А
2Т9139В.............................. 4 А
2Т9139Г.............................. 0,7 А
Максимально допустимый импульсный ток ба-
зы при Ги = 100 мкс, 0= 10:
2Т9139А............................. 0,25 А
2Т9139В.............................. 0,5 А
2Т9139Г.............................. 0,1 А
Максимально допустимый постоянный ток ба-
зы для 2Т9139Б.......................... 0,2 А
Импульсная рассеиваемая мощность
коллектора1 2 при = 100 мкс, 0= 10,
Гк = -60...+65 °C:
2Т9139А................................. 23,5 Вт
2Т9139В.............................. 52 Вт
2Т9139Г.............................. 7,8 Вт
1 При изменении Гк от +25 до —60 ’С максимально допустимое постоянное
напряжение коллектор—база снижается линейно до 25 В.
2 При Г, = +65...+ 125 °C максимально допустимая импульсная рассеиваемая
мощность коллектора рассчитывается по формуле
Аьжмакс = (175 — 7к)/7?т(п-ю> Вт.
334
Средняя рассеиваемая мощность коллектора1.
в динамовском режиме при Тк = —60...+25 °C
для 2Т9139Б ..._........................ 21,5 Вт
Температура р-п перехода:
2Т9139А, 2Т9139В, 2Т9139Г............... +175 °C
2Т9139Б.............................. +200 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус:
2Т9139А................................. 4,6 °С/Вт
2Т9139Б.............................. 8 °С/Вт
2Т9139В.............................. 2,3 °С/Вт
2Т9139Г.............................. 14 °С/Вт
Температура окружающей	среды........... —60... Тк =
= +125 °C
’ При Т, = +25...+125 'С максимально допустимая средняя рассеиваемая
мощность коллектора рассчитывается по формуле
А, ср, макс = (200 - Гк)/8, Вт.
Применение транзисторов в линейном режиме (режим клас-
са А), в том числе в статическом и видеоимпульсном режимах,
не допускается, за исключением режимов не превышающих по
напряжению режимов испытания применяемых при испытаниях
на долговечность (Гк = +25 °C при Ц<Б = 10,8 В, /к = 2 А,
Гк = +75 °C при (УКБ = 5 В, /к = 1,5 А).
Для повышения надежности транзистора в условиях экс-
плуатации рекомендуется снижать напряжение питания, не
ниже, чем до 16 В. В непрерывном режиме рекомендуется
применять сопротивление автоматического смещения 0,1...
0,2 Ом.
Транзисторы пригодны для монтажа в аппаратуре паяль-
ником.
Допустимое число перепаек выводов 3. Расстояние от кор-
пуса до начала изгиба выводов не менее 3 мм. При установке
в аппаратуру транзистор должен плотно прилегать к тепло-
отводу. Шероховатость контактирующей поверхности тепло-
отвода должна быть не менее 1,6, отклонение от плоскостно-
сти — не более 0,01 мм. Для уменьшения контактного сопро-
тивления следует применять смазки. Допускается пайка флан-
ца корпуса транзистора к теплоотводу. Температура пайки не
более +160 °C в течение не более 30 с.
Допускается обрезка фланца транзистора без передачи
Механических усилий на керамику с учетом сохранения усло-
вий теплоотвода.
335
Зависимости импульсной выходной мощ
ности, коэффициента усиления и коэф-
фициента полезного действия коллекто-
ра от частоты
/?--Л Он
0=2.3 нГн
Rex-15 Он
Lbx=1.6 нГн
R--12.5 Он
L=1,25hTh
0=2'А пФ
Rbux=9 Он
О вых-2,8 пФ
Эквивалентные схемы входной и выходной цепей
транзисторов 2Т9139(А—Г)
Зависимость тока базы
от напряжения база—
эмиттер
Зависимости импульс-
ной выходной мощно-
сти, коэффициента уси-
ления и коэффициен-
та полезного действия
коллектора от входной
мощности
Зависимости импульс-
ной выходной мощно-
сти, коэффициента уси-
ления и коэффициен-
та полезного действия
коллектора от напря-
жения питания
336
Зависимости выходной
мощности, коэффици-
ента усиления и коэф-
фициента полезного
действия коллектора
от входной мощности
Зависимости выходной
мощности, коэффици-
ента усиления и коэф-
фициента полезного
действия коллектора
от напряжения питания
Зависимости выходной
мощности, коэффици-
ента усиления и коэф-
фициента полезного
действия коллектора
от частоты
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэффи-
циента полезного действия коллек-
тора от частоты
Зависимости выходной мощности
и коэффициента полезного дейст-
вия коллектора от частоты
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэффи-
циента полезного действия коллек-
тора от входной мощности
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэффи-
циента полезного действия коллек-
тора от напряжения питания
337
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэффи-
циента полезного действия коллек-
тора от напряжения питания
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэффи-
циента яолезного действия коллек*
тора от входной мощности
2Т9140А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п генераторный. Предназначен для применения в
широкополосных усилителях мощности, генераторах и умно-
жителях в диапазоне частот 0,9... 1,45 ГГц в схеме ОБ при
напряжении питания 28 В. Выпускается в металлокерамиче-
ском корпусе с полосковыми выводами. Тип прибора указыва-
ется на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Импульсная выходная мощность на часто-
тах f= 1,2; 1,3; 1,4 ГГц при Un = 32 В,
?и = 300 мкс, Q= 5, /Су р = 6,5 дБ, т]к = 45%,
7"к = +25 'С, не менее................... 125	Вт
Выходная мощность на частоте f~ 1,3 ГГц
при Ц, = 28 В, *у, р = 6 дБ, т|к = 45%,
Тк = +25 °C, не менее.................... 110 Вт
338
2T9U0A
Коэффициент усиления по мощности,
не менее:
на частотах f = 1,2; 1,3; 1,4 ГГц
при Un = 32 В, = 300 мкс, 0=5,
РВых = 125 Вт, цк = 45%, Гк = +25 °C...
на частоте f = 1,3 ГГц при Un = 28 В,
Рвых = 110 Вт, т]к = 45%, Гк = +25 °C..
Коэффициент полезного действия коллектора,
не менее:
на частотах f = 1,2; 1,3; 1,4 ГГц
при Ц1 ~ 32 В, ?и - 300 мкс, 0=5,
Рвых = 125 Вт, Гк = +25 'С.............
на частоте f = 1,3 ГГц при Оп = 28 В,
Рвых = 125 Вт, Кур = 6 дБ, Гк = +25 °C.
Обратный ток коллектора, не более:
Гк = +25 °C при 6/КБ = 50 В............
Гк = +125 при 6/КБ = 50 В..............
Гк = —60 °C при икъ = 45 В.............
Обратный ток эмиттера при U3b = 3,5 В,
Гк = —60...+ 125 °C, не более.............
6,5 дБ
6 дБ
45%
45%
150 мА
300 мА
300 мА
50 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база1. 50 В
Постоянное напряжение эмиттер—база.... 3,5 В
’ При изменении Гк от +25 °C до —60 °C и№ цж снижается линейно до 45 В.
339
Средний ток коллектора................... 10 А
Импульсный ток коллектора:
при 7И = 20 мкс, 0= 10................ 15 А
при t* = 100 мкс, 0=10 или к = 400 мкс,
0=5.................................. 12 А
Средний ток базы......................... 4,5 А
Средняя рассеиваемая мощность коллектора1
в динамическом режиме при 7"к = -60...+25 °C 176 Вт
Температура р-п перехода................... +175	°C
Тепловое сопротивление переход—корпус.... 0,85 °С/Вт
Температура окружающей среды............. —60...	7^ =
= +125 °C 1 * 3
1 При 7К > +25 °C средняя рассеиваемая мощность коллектора определяет-
ся из выражения
А.ср.макс = (175 — Гк)/0,85, Вт,
А, ср = М14 + Рвх ~ Рвых> Вт.
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора:
при 7К $ +75 °C:
А, И, МАКС = 100/Рг, И |П-К)> Вт;
при Тк > +75 °C:
А, И, МАКС = (175 — Гк)//?т, И |П-К)> Вт,
где
А, И (П-К) = Рт(П-К)/О+ Рт',И(П-К)/О(О_ 1);
Рт, ищ-ю — определяется из графика.
Транзистор работает в непрерывном и радиоимпульсном
режимах: при напряжении питания 28 В — в непрерывном
режиме, при напряжении питания 32 В — в радиоимпульсном
режиме при 7И $ 1000 мкс, Q > 10 и (и 400 мкс, Q > 5, при
напряжении питания 35 В — радиоимпульсном режиме при
(и $ 20 мкс, Q > 10.
Применение транзистора в статическом режиме (в том чи-
сле в режиме класса А) не допускается.
Минимальное расстояние места пайки выводов от корпуса
3 мм, температура пайки +260 °C. Допускается пайка выводов
на расстоянии 1,5 мм от корпуса; при этом температура при-
поя не должна превышать +150 °C, время пайки не более 10 с.
При монтаже транзистора в микрополосковые линии до-
пускается обрезать и изгибать выводы на расстоянии не менее
1,5 мм от корпуса. При этом усилие не должно передаваться
на место соединения вывода с корпусом.
340
Эквивалентная схема замещения транзистора 2Т9140А
в активном режиме:
СК1 = 16,7 пФ, Си = 52 пФ, Сиэ = 16,7 пФ, Сэ = 1300 пФ, С, = 340 пФ, С2 = 5 пФ,
С3 = 660 пФ, С4 = 46 пФ, С5 = 5 пФ, 4Б = 0,012 нГн, 4, = 0,04 нГн, L2 = 0,025 нГн,
4, = 0,4 нГн, L, = 0,42 нГн, L5 = 0,27 нГн, Lt - 0,025 нГн, 4, = 0,4 нГн/мм,
Дг = 0,025 Ом, г6 = 0,04 Ом, /?к = 0,08 Ом
Зависимость импульсного теплово- Зависимости импульсной выходной
го сопротивления переход—корпус	мощности и коэффициента полезно-
от длительности импульса го действия коллектора от частоты
КТ9141А, КТ9141А1
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п усилительные. Предназначены для применения в вы-
ходных каскадах видеоусилителей многоцветных графических
дисплеев. Выпускаются в металлическом корпусе (КТ9141А) с
гибкими выводами и стеклянными изоляторами и в металлоке-
рамическом корпусе (КТ9141А1) с полосковыми выводами. Тип
прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 1,5 г,
в металлокерамическом не более 1,9 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
341
00.53
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, 4 = 50 мА:
Гк =+25 °C............................. 15...45
Тк = +85...-60 °C....................... 10...70
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при Цо = 10 В, 4 = 50 мА,
/= 300 МГц.................................. 3,4...4,5*...5*
Емкость коллекторного перехода
при Цо = Ю В, не более...................... 2,5 пФ
Емкость эмиттерного перехода при ЦБ = 0,
не более.................................... 25 пФ
342
Обратный ток коллектора при; t/№ = 120 В,
не более............................... 0,1 мА
Обратный ток, коллектор—эмиттер
при = 80 В, /?БЭ = 1 кОм, не более:
Гк =+25 и —60 °C.................... 1 мА
Гк = +85 °C......................... 2 мА
Обратный ток эмиттера при (/ж = 3 В,
не более:
7"к =+25*С.......................... 0,1 мА
Тк = +85...-60 °C................... 0,3 МА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база... 120 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?вэ = 1 кОм....................... 80 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 3 В
Постоянный ток коллектора:
КТ9141А............................. 300 мА
КТ9141А1............................ 400 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Гк < +50 °C:
КТ9141А............................. 3 Вт
КТ9141А1............................ 5 Вт
Температура р-п перехода............... +200 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус:
КТ9141А............................. 35 °С/Вт
КТ9141А1............................ 30 °С/Вт
Температура окружающей среды........... —60... Гк =
= +85 °C
1 При Гк > +50 °C постоянная рассеиваемая мощность коллектора определя-
ется из выражения
Рс макс ~ (200 — Гк)//?т(П-кр Вт-
КТ9142А
Сборка из двух кремниевых эпитаксиально-планарных
структуры п-р-п генераторных транзисторов. Предназначена
для применения в двухтактных широкополосных усилителях
мощности класса АВ в схеме с общим эмиттером в диапазоне
частот 470...860 МГц при напряжении питания 28 В. В цепях
эмиттеров включены балластные сопротивления. Выпускаются
в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип сборки указывается на корпусе.
343
Масса сборки не более 20 г.
Изготовитель — НИИЭТ, г. Воронеж.
KT9U2A
Электрические параметры
Выходная мощность в двухтактной схеме
на f= 860 МГц при £/п = 28 В, /к = 2х 150 мА,
компрессия 1 дБ, Гк = +60 °C, не менее.. 50 Вт
Коэффициент усиления по мощности в двух-
тактной схеме на f= 860 МГц при £/п = 28 В,
/к = 2*150 мА, компрессия 1 дБ, Гк = +60 °C,
не менее................................ 6 дБ
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра в двухтактной схеме на f= 860 МГц при
U„ = 28 В, /к = 2*150 мА, компрессия 1 дБ,
Гк = +60 °C, не менее.................... 40%
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при UK3 = 5 В, /к = 0,5 А, не менее. 10
Емкость коллекторного перехода
при £/кб = 28 В, не более............... 70 пФ
Обратный ток коллектора при £/КБ = 55 В,
не более................................ 100 мА
344
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания........... 28 В
Постоянное напряжение коллектор—база.... 55 В
Постоянное напряжение база—эмиттер...... 3 В
Постоянный ток коллектора............... 15 А
Средняя рассеиваемая мощность коллектора
в динамическом режиме при Гк = —60...+25 °C 72 Вт
Температура р-п перехода................ +200 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус... 1,2 °С/Вт
Температура окружающей среды............ —60... Гк =
= +125 °C
Зависимость коэффициента полез-
ного действия коллектора от вход-
ной мощности
Зависимость коэффициента усиле-
ния от напряжения коллектор—
эмиттер
Зависимость выходной мощности
от входной мощности
Зависимость коэффициента усиле-
ния от входной мощности
345
Зависимость тока коллектора от
напряжения коллектор—эмиттер
2Т9146А, 2Т9146Б, 2Т9146В, 2Т9146Г, 2Т9146Д,
2Т9146Е, 2Т9146Ж, 2Т9146И, 2Т9146К
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
импульсных широкополосных усилителях мощности и генера-
торах в полосе частот 1,45...1,55 ГГц в схеме с общей базой
при напряжении питания 45 В. Выпускаются в металлокерами-
ческом корпусе с полосковыми выводами. Транзисторы содер
жат согласующие цепи по выходу и входу. Тип прибора указы
вается на корпусе.
Масса транзистора не более 5 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Импульсная выходная мощность на f= 1,45;
1,5; 1,55 ГГц при £/КБ = 45 В, ?и 50 мкс,
Q = 10, Гк = +25 °C, не менее:
2Т9146А, 2Т9146Г при Рвх = 50 Вт........ 200 Вт
2Т9146Б, 2Т9146Д при Рвх = 25 Вт.... 100 Вт
2Т9146В, 2Т9146Е при Рвх = 8 Вт..... 40 Вт
2Т9146Ж при Рвх = 40 Вт............. 200 Вт
2Т9146И при Рвх = 20 Вт............. 100 Вт
2Т9146К при Р^х = 6,6 Вт............ 40 Вт
Коэффициент усиления по мощности
на f = 1,45; 1,5; 1,55 ГГц при £/кв = 45 В,
< 50 мкс, 0= 10, Гк = +25 °C, не менее:
2Т9146А, 2Т9146Г при Рвх = 50 Вт....... б дБ
2Т9146Б, 2Т9146Д при Рвх = 25 Вт.... 6 дБ
346
219МА.Г.Ж)
2Т9ив(Б.В,ГЛЕЛК)
2T9146B, 2T9146E при Рвх = 8 Вт..... 7	дБ
2Т9146Ж при Рвх = 40 Вт.............. 7	дБ
2Т9146И при Рк, = 20 Вт.............. 7	дБ
2Т9146К при Рвх = 6,6 Вт...........   7	дБ
347
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра на f= 1,45; 1,5; 1,55 ГГц при £/КБ = 45 В,
Ги < 50 мкс, Q - > 10, Гк = +25 °C, не менее.. 40%
Обратный ток коллектора при £/КБ = 50 В,
не более:
Гк = +25 °C:
2Т9146А, 2Т9146Г, 2Т9146Ж.......... 40	мА
2Т9146Б, 2Т9146Д, 2Т9146И.......... 20	мА
2Т9146В, 2Т9146Е, 2Т9146К.......... 10	мА
Гк = +125 и -60 °C:
2Т9146А, 2Т9146Г, 2Т9146Ж............. 60	мА
2Т9146Б, 2Т9146Д, 2Т9146И.......... 30	мА
2Т9146В, 2Т9146Е, 2Т9146К.......... 15	мА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при </кэ = 45 В, не более:
Гк = +25 °C:
2Т9146А, 2Т9146Г, 2Т9146Ж............. 40	мА
2Т9146Б, 2Т9146Д, 2Т9146И.......... 20	мА
2Т9146В, 2Т9146Е, 2Т9146К.......... 13	мА
Гк = +125 и -60 °C:
2Т9146А, 2Т9146Г, 2Т9146Ж........ 50 мА
2Т9146Б, 2Т9146Д, 2Т9146И........ 25 мА
2Т9146В, 2Т9146Е, 2Т9146К........ 15 мА
Обратный ток эмиттера при U3b = 3 В,
не более:
Гк = +25 °C:
2Т9146А, 2Т9146Г, 2Т9146Ж............. 40	мА
2Т9146Б, 2Т9146Д, 2Т9146И.......... 20	мА
2Т9146В, 2Т9146Е, 2Т9146К.......... 10	мА
Гк = +125 и -60 °C:
2Т9146А, 2Т9146Г, 2Т9146Ж............. 60	мА
2Т9146Б, 2Т9146Д, 2Т9146И.......... 30	мА
2Т9146В, 2Т9146Е, 2Т9146К.......... 15	мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания............. 45	В
Постоянное напряжение коллектор—база.... 50	В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер . 45	В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 3 В
Импульсный ток коллектора при ?и С 50 мкс,
0= 10:
2Т9146А, 2Т9146Г, 2Т9146Ж............ 20 мА
2Т9146Б, 2Т9146Д, 2Т9146И............ 10 мА
2Т9146В, 2Т9146Е, 2Т9146К............ 4 мА
348
Импульсная рассеиваемая мощность
коллектора1 при Ги $ 50 мкс, 0= 10,
Тк = -60...+85 °C:
2Т9146А, 2Т9146Г, 2Т9146Ж................ 350 Вт
2Т9146Б, 2Т9146Д, 2Т9146И............. 175 Вт
. 2Т9146В, 2Т9146Е, 2Т9146К.............. 70 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус
в импульсном режиме при 50 мкс, О = 10,
Тк = -60...+85 °C:
2Т9146А, 2Т9146Г, 2Т9146Ж................ 0,33 °С/Вт
2Т9146Б, 2Т9146Д, 2Т9146И............. 0,66 °С/Вт
2Т9146В, 2Т9146Е, 2Т9146К............. 1,32 °С/Вт
Температура р-п перехода................... +200	°C
Температура окружающей среды.............. -60...	Гк =
= +125 °C
' При Гк от —60 °C до +35 °C, 7И = 50 мкс, 0=10 максимально допустимая
импульсная рассеиваемая мощность коллектора рассчитывается по формуле
А, И, МАКС = 165//?т, И (П-К)> Вт.
При Гк от +35 °C до +100 °C
А, и, макс = (200 — Гк)/А, и (п-к)1 Вт,
где	__ _
А.жп-ю = 2/0+ 0,025(1 - 0,86/<0)<Т„ для 2Т9146А, 2Т9146Г, 2Т9146Ж,
А.и(л-к) = 4/О+ 0,05(1 - 0,86/>/£)^ для 2Т9146Б, 2Т9146Д, 2Т9146И,
А.ит-к) = 8/0+0,15(1 - 0,86/VO)V^ Для 2Т9146В, 2Т9146Е, 2Т9146К.
Б
Эквивалентная схема замещения транзисторов:
2Т9146А: Ск, = 36 пФ, Са = 100 пФ, Скэ = 10 пФ, С3 = 1000 пФ, С, = С2 = 4 пФ,
Са = С4 = 210 пФ, £э = 0,06 нГн, £к = 0,12 нГн, £вэ = 0,7 нГн, 7.вк = 0,7 нГн,
i, = 0,5 мГн, L2 = 0,4 нГн, £6 = 0,012 нГн, &R = 0,02 Ом, /?в = 0,06 Ом, /?к = 0,1 Ом;
2Т9146Б: Ск, = 18 пФ, Си = 50 пФ, Скэ = 5 пФ, Сэ = 500 пФ, С, = С3 = 4 пФ,
С, = 105 пФ, С, = 236 пФ, 4Э = 0,12 нГн, = 0,3 мГн, £вэ = £вк = L, = 0,7 нГн,
L2 = 0,8 нГн, £в = 0,03 нГн, &R = 0,1 Ом, /?6 = 0,12 Ом, RK = 0,2 Ом;
2Т9146В: Ск, = 4,5 пФ, Са = 12,5 пФ, Са = 1,25 пФ, С3 = 125 пФ, С, = С3 = 4 пФ,
С3 = 27 пФ, С, = 58 пФ, £э = 0,3 нГн, = 4ВК = 0,7 нГн, L, = 0,9 мГн, L2 = 1 мГн,
£в = 0,1 мГн, Д/? = 0,1 Ом, /?6 = 0,3 Ом, Д = 0,6 Ом
349
-80 -48 О СО 80 120 Т, °C
Зависимости коэффициента усиле-
ния и коэффициента полезного дей-
ствия коллектора от частоты
Зависимости импульсной выходной
мощности, коэффициента усиления
и коэффициента полезного дейст-
вия коллектора от температуры
окружающей среды
2Т9147АС
Сборка из двух кремниевых эпитаксиально-планарных
структуры п-р-п генераторных транзисторов. Предназначена
для применения в широкополосных усилителях мощности в
режиме класса С в схеме с общим эмиттером в диапазоне
частот 200...400 МГц при напряжении питания 28 В. В цепях
эмиттеров включены балластные сопротивления. Выпускается
в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип сборки указывается на корпусе.
Масса сборки не более 20 г.
Изготовитель — НИИЭТ, г. Воронеж.
Электрические параметры
Выходная мощность на f= 400 МГц
при Un = 28 В, Тк = +70 °C, не менее.. 160 Вт
Коэффициент усиления по мощности на
f= 400 МГц при Un = 28 В, = 160 Вт,
Тк = +70 °C, не менее................. 6 дБ
Коэффициент полезного действия на
f = 400 МГц при Un = 28 В, Р^ = 160 Вт,
Тк = +70 °C, не менее.................. 50%
350
2T9U7AC
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, /к = 0,5 А, не менее. 10
Емкость коллекторного перехода
при t/кв = 28 В, не более.............. 340 пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при 6/ю = 50 В, /?БЭ = 10 Ом, не более. 120 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания.......... 28 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 10 Ом....................... 50 В
Постоянное напряжение база—эмиттер..... 4 В
Постоянный ток коллектора.............. 29 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при = —60...+25 °C................ 233 Вт
Температура р-п перехода............... +200 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 0,6 °С/Вт
Температура окружающей среды........... —60... Гк =
= +125 'С
351
Зависимость выходной мощности
от входной мощности
Зависимость коэффициента усиле-
ния от частоты
Зависимость коэффициента полез- Зависимость коэффициента по-
ного действия коллектора от вход- леэного действия коллектора от
д ной мощности	частоты
Зависимость тока колле1 -
тора от напряжения кол-
лектор—эмиттер
352
2Т9149А, 2Т9149Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п усилительные. Предназначены для применения в
импульсных усилителях мощности в диапазоне частот 2...2,3 ГГц
в схеме ОБ при напряжении питания 28 В. Выпускаются в
металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Тип
прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 5,5 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2Т9М9(А,Б)
Электрические параметры
Импульсная выходная мощность на частотах
f- 2; 2,15; 2,3 ГГц при (/п = 28 В, = 300 мкс,
0=5, Тк = +25 °C, не менее:
2Т9149А при Рвх = 7,5 Вт................ 30 Вт
2Т9149Б при Рвх = 3 Вт............... 12 Вт
Коэффициент полезного действия коллектора
на частотах f= 2; 2,15; 2,3 ГГц при (/п = 28 В,
'и = 300 мкс, 0=5, Тк = +25 ’С, не менее:
2Т9149А при Рвх = 7,5 Вт................. 30%
2Т9149Б при Рвх = 3 Вт............... 35%
12-949	353
Обратной ток коллектора при 44б = 45 В,
не более:
при Гк = +25 *С:
2Т9149А............................. 100	мА
2Т9149Б.......................... 50 мА
при Тк = +125 и -60 ’С’:
2Т9149А............................. 150	мА
2Т9149Б.......................... 100	мА
Обратный ток эмиттера при (/ЭБ = 2 В,
не более:
при Гк = +25 °C:
2Т9149А............................. 50 мА
2Т9149Б.......................... 20 мА
при Гк = +125 и —60 °C:
2Т9149А............................. 100 мА
2Т9149Б.......................... 40	мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение	питания........... 28	В
Постоянное напряжение	коллектор—база* 2. 45	В
Постоянное напряжение	эмиттер—база...... 2 В
Импульсный ток коллектора при ?и = 300 мкс,
Q= 5:
2Т9149А................................. 4,5 А
2Т9149Б.............................. 2,1 А
Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора3 при = 300 мкс, 0=5, Гк = +60 °C:
2Т9149А.............................. 100 Вт
2Т9149Б.............................. 56 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус4
в импульсном режиме:
2Т9149А.............................. 1,25 °С/Вт
2Т9149Б.............................. 2,22 °С/Вт
Температура р-п перехода................ +185 °C
Температура окружающей среды............ —60... Гк =
= +125 °C
’ При Тк = -60 °C t/K6 = 40 В.
2 При изменении Гк от +25 °C до -60 °C U№ снижается линейно до 40 В.
3 При 7К > +60 °C импульсная рассеиваемая мощность коллектора опреде-
ляется из выражения
Ас и, макс = (165 — Тк)/^, и (П-К)> Вт.
* При Гк > +60 °C R, и|гьи| возрастает линейно до 1,4 °С/Вт для 2Т9149А и
до 2,5 °С/Вт для 2Т9149Б при Гк = +125 'С.
Расстояние от корпуса до начала изгиба вывода не менее
354
3 мм. При монтаже транзисторов в микрополосковые линии
разрешается обрезать полосковые выводы на расстоянии не
менее 3 мм от корпуса, а также формовать выводы транзисто-
ра на расстоянии не менее 1 мм от корпуса. При этом усилие
не должно передаваться на место соединения вывода с корпу-
сом. Температура корпуса транзистора при пайке не должна
превышать +150 °C; при этом допускается пайка на расстоя-
нии 1 мм от корпуса, время пайки не более 3 с.
Расстояние от корпуса до места лужения и пайки не менее
3 мм, температура припоя +260 °C, время пайки не более 3 с.
Допускается пайка фланца корпуса транзистора к теплоот-
воду при температуре пайки +150 °C, время пайки 1 мин.
Допускается использовать транзистор в режиме с до
500 мкс и Q = 5, при этом значение и МАКС не должно
превышать 65 Вт для 2Т9149А и 25 Вт для 2Т9149Б при
Гк = +60 °C.
Допускается использовать транзистор в непрерывном ре-
жиме: при этом значение Рк МАКС не должно превышать 35 Вт
для2Т9149А и 20 Вт для 2Т9149Б при Тк = +60 °C.
При Гк = +60...+ 125 °C средняя рассеиваемая мощность
коллектора определяется из выражения
Рк. СР, МАКС = (150 ~~ ТК)//?Г<П-К). Вт.
/?Т(П-Ю увеличивается линейно от 2,6 °С/Вт при Гк = +60 °C
до 3,12 °С/Вт при Гк = +125 ’С для 2Т9149А и соответственно
от 4,5 °С/Вт до 5,4 °С/Вт для 2Т9149Б.
Эквивалентная схема замещения транзисторов в активном режиме:
2Т9149А: L, = Ls = 0,35 нГн при 1=2 мм, L2 = 0,06 нГн, L, = 0,08 нГн, = 0,4 нГи,
Ц - 0,19 нГн — резонанс выходного контура при U№ = 28 В на частоте f= 2 ГГц,
L, = 0,018 нГн, С, = 19 пФ, С2 = 3,7 пФ, С, = 364 пФ, С5 = С, = 3,1 пФ, С6 = 65 пФ,
ск = С2 + С, + С, = 42 пФ при £/к6 = 28 8, г, = 0,12 Ом, г2 = 0,015 Ом, г, = 0,05 Ом;.
2Т9149Б: 4, = 4S = 0,35 нГн при 1=2 мм, L2 = 0,3 нГн, L3 = 0,2 нГн, Lt = 1,5 нГн,
- 0,55 нГн — резонанс выходного контура при (/К5 = 28 В на частоте /= 1,85 ГГц,
= 0,036 нГн, С, = 4,2 пФ, С2 = 2,1 пФ, С, = 23 пФ, С5 = С, = 3,1 пФ, С6 = 130 пФ,
Q =	+ С5 + С, = 15 пФ при Ц» = 28 В, г, = 0,35 Ом, г2 = 0,042 Ом, г3 = 0,12 Ом
12*	355
Psuxx, Вт
Зависимости импульсной выходной
мощности or частоты
Рвыу.и, Вт
Зависимости импульсной выходной
мощности от частоты
КТ9150А
Сборка из двух кремниевых эпитаксиально-планарных
структуры п-р-п генераторных транзисторов. Предназначена
для применения в линейных усилителях мощности в режиме
класса А в схеме с общим эмиттером в диапазоне частот
470...860 МГц при напряжении питания 25 В. В цепях эмитте-
ров включены балластные сопротивления. Выпускается в ме-
таллокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Тип
сборки указывается на корпусе.
Масса сборки не более 7 г.
Изготовитель — НИИЭТ, г. Воронеж.
Электрические параметры
Выходная мощность в двухтактной схеме
в пике огибающей на f= 860 МГц при
= 25 В, /к = 2x900 мА, Тк = +40 °C,
не менее............................... 8	Вт
Коэффициент усиления по мощности
в двухтактной схеме в пике огибающей
на f = 860 МГц при Un = 25 В, /к = 2x900 мА,
Гк = +40 °C, не менее.................. 8,5	дБ
356
КТ9150А
Коэффициент комбинационных составляю-
щих третьего порядка на / = 860 МГц при
Un = 25 В, /к = 2x900 мА, Гк = +40 °C,
не более.................................. —58	дБ
Статический коэффициент передачи тока в
схеме ОЭ при ию = 5 В, /к = 0,5 А, не менее . 10
Емкость коллекторного перехода
при t/KB = 25 В, не более.................. 42	пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при t/кэ = 40 В, /?БЭ =10 Ом, не более... 25 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания........... 25 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер . 40 В
Постоянное напряжение база—эмиттер...... 4 В
Постоянный ток коллектора............... 5 А
Средняя рассеиваемая мощность коллектора
в динамическом режиме при Гк = -60...+25 °C 50 Вт
Температура р-п перехода................ +200 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус  2,5 °С/Вт
Температура окружающей среды............ —60... Гк =
= +125 °C
357
РВЫХ, ПО, В т
М}.дБ
К(9150А
-58
7.8
7.6
U&25B
0=2x900 мА _
(1=860 МГц
(2=864.4 МГц
(3=866.5 МГц
-62
-66
—KJ9150A
' 40 50 60 70 Тк.’С
-70.
1*0=25 8
'!,=2х90(5мА
Т'=*70ГС 2
(1=860 МГц
(2=864.4 МГц
(3=866.5 МГц
2	4 6	8 Рвых(по). Вт
Зависимость выходной мощности
от температуры корпуса
Зависимость коэффициента комби-
национных составляющих третьего
порядка от выходной мощности
Зависимость выходной мощности Зависимость средняя рассеиваемой
от напряжения коллектор—эмит-	мощности коллектора от темпера-
тер	туры корпуса
Зависимость тока коллектора от
напряжения коллектор—эмиттер
358
КТ9152А
Сборка из двух кремниевых эпитаксиально-планарных
структуры, п-р-п генераторных транзисторов. Предназначена
для применения в широкополосных двухтактных усилителях
мощности в режиме класса АВ в схеме с общим эмиттером в
диапазоне частот 470...860 МГц при напряжении питания 28 В.
В цепях эмиттеров включены балластные сопротивления. Вы-
пускается в металлокерамическом корпусе с полосковыми вы-
водами. Тип сборки указывается на корпусе.
Масса сборки не более 20 г.
Изготовитель — НИИЭТ, г. Воронеж.
КТ9152А
Электрические параметры
Выходная мощность в двухтактной схеме
на 7= 860 МГц при U„ = 28 В, 4 = 2*100 мА,
компрессия 1 дБ, не менее............. 100	Вт
359
Коэффициент усиления по мощности на
/= 860 МГц при Un = 28 В, /к = 2х>100 мА,
Рвых = 400 Вт, не менее................ 6 дБ
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра в двухтактной схеме на /= 860 МГц при
Un - 28 В, /к! = 2x100 мА, не менее..... 45%
Статический коэффициент передачи тока в
схеме ОЭ при = 5 В, /к = 0,5 А, не менее . 10
Емкость коллекторного перехода
при UKb = 28 В, не более................ 100 пФ
Обратный ток коллектора при 6/КБ = 55 В,
не более................................ 200 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания........... 28 В
Постоянное напряжение коллектор—база.... 55 В
Постоянное напряжение база—эмиттер...... 3 В
Постоянный ток коллектора............... 24 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —60...+25 °C.............. 246 Вт
Температура р-п перехода................ +200 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус... 0,65 °С/Вт
Температура окружающей среды........... —60...	Гк =
= +125 °C
Зависимость выходной мощности
от входной мощности
Зависимость коэффициента усиле
ния от частоты
360
Зависимость коэффициента по-
лезного действия коллектора от
частоты
Зависимость коэффициента по-
лезного действия коллектора от
входной мощности
Зависимость тока коллектора
от напряжения коллектор—
эмиттер
2Т9153АС, 2Т9153БС
Транзисторные сборки из двух кремниевых эпитаксиально-
планарных структуры п-р-п генераторных транзисторов. Пред-
назначены для применения в широкополосных усилителях мощ-
ности в режиме класса АВ в двухтактной схеме с общей базой
в диапазоне частот 390...840 МГц при напряжении питания
28 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полос-
ковыми выводами. В цепях эмиттеров включены балластные
сопротивления. Тип сборки указывается на корпусе.
Масса сборки не более 10 г.
Изготовитель — НИИЭТ, г. Воронеж.
361
2Т9153(АС. БС)
Электрические параметры
Выходная мощность в двухтактной схеме
на f= 390...650 МГц, f= 615...840 МГц,
при U„ = 28 В, компрессия 1 дБ, не менее:
27 9153АС при /к = 2*50 мА.......... 15 Вт
2Т9153БС при /к = 2x100 мА.......... 50 Вт
Коэффициент усиления по мощности
в двухтактной схеме на f- 390...650 МГц,
f= 615...840 МГц, при t/n = 28 В, компрес-
сия 1 дБ, не менее:
2Т9153АС при /к = 2x50 мА........... 8 дБ
2Т9153БС при /к = 2x100 мА.......... 7 дБ
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра в двухтактной схеме на f= 390...650 МГц,
f= 615...840 МГц, при Un - 28 В, компрес-
сия 1 дБ, не менее:
2Т9153АС при /к = 2x50 мА, Рвых = 15 Вт... 40%
2Т9153БС при /к = 2x100 мА, Рвых = 50 Вт . 50%
Коэффициент стоячей волны напряжения
при f= 840 МГц, Un = 24 В, Рвых = 10 Вт
для 2Т9153АС и 40 Вт для 2Т9153БС...... 5 : 1
Статический коэффициент передачи тока в
схеме ОЭ при UK3 = 5 В, /к = 0,5 А, не менее . 10
362
Емкость коллекторного перехода
при 6/КБ = 28 В, не более:
2Т9153АС................................ 37 пФ
2Т9153БС............................ 66 пФ
Обратный ток коллектора при 6/кэ = 50 В,
/?ю =10 Ом, не более:
2Т9153АС................................ 20	мА
2Т9153БС............................ 60	мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания.......... 28	В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 10 Ом....................... 50 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 4 В
Постоянный ток коллектора:
2Т9153АС............................ 4 А
2Т9153БС............................ 10 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Тк = —60...+25 °C:
2Т9153АС................................ 50 Вт
2Т9153БС............................ 94 Вт
Температура р-п перехода............... +200 °C -
Тепловое сопротивление переход—корпус:
2Т9153АС............................ 3,2 °С/Вт
2Т9153БС............................ 1,7 °С/Вт
Температура окружающей среды .......... —60...7^ =
= +125 °C
Зависимость коэффициента по-
лезного действия коллектора от
частоты
Зависимость коэффициента по-
лезного действия коллектора от
частоты
363
К^р. дБ
				2Т9153БС	
					
					
Ua=28B					
I,^xW0mA					
Рви^50Вт					
					
S600 650 т 750 800 /~МГц
7?г, %
			2Т9153БС	
				
				
	ВВ			
1'=2х100мА				
Рпа=50Вт				
				
650 700 750 f, МГи
Зависимость коэффициента усиле-
ния от частоты
Зависимость коэффициента по-
лезного действия коллектора от
частоты
Зависимость коэффициента усиле-
ния от частоты
Зависимость коэффициента по-
лезного действия коллектора от
частоты
U*3.B
Зависимость тока коллектора от
напряжения коллектор -эмиттер
364
Зависимость тока коллектора от
напряжения коллектор—эмиттер
Зависимость выходной мощности
от напряжения коллектор—база
Зависимость коэффициента полез-
ного действия коллектора от вы-
ходной мощности
Зависимость выходной мощности
от напряжения коллектор—база
Зависимость коэффициента полез-
ного действия коллектора от вы-
ходной мощности
Зависимость коэффициента усиле- Зависимость коэффициента усиле-
ния от частоты	ния от частоты
365
2Т9155А, 2Т9155Б, 2Т9155В,
КТ9155А, КТ9155Б, KT91SSB
Сборки из двух кремниевых эпитаксиально-лланарных
структуры п-р-п генераторных линейных транзисторов. Пред-
назначены для применения в двухтактных широкополосных
усилителях мощности класса АВ в схеме с общей базой в
диапазоне частот 150...860 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми
выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора 2Т9155А, 2Т9155Б, КТ9155А, КТ9155Б
не более 10 г., 2Т9155В, КТ9155В — не более 20 г.
Изготовитель — НИИЭТ, г. Воронеж.
2Т9155(А,Б), КТ9155(А,Б)
Электрические параметры
Выходная мощность в двухтактной схеме
на f- 860 МГц при Un = 28 В, /к = 2* 100 мА,
компрессия 1 дБ, не ,'.енее:
2Т9155А, КТ9155А......................... 15 Вт
2Т9155Б, КТ9155Б...................... 50 Вт
2Т9155В, КТ9155В...................... 100 Вт
Коэффициент усиления по мощности в двух-
тактной схеме на f= 860 МГц при Un = 28 В,
/к = 2*100 мА, компрессия 1 дБ, не менее:
2Т9155А, КТ9155А...................... 6,5 дБ
2Т9155Б, КТ9155Б...................... 6 дБ
2Т9155В, КТ9155В...................... 5 дБ
366
2Т9155В, KT 9155В
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра в двухтактной схеме на f- 860 МГц при
Un - 28 В, 4 ~ 2*100 мА, компрессия 1 дБ,
не менее:
2Т9155А, КТ9155А......................... 35%
2Т9155Б, КТ9155Б......................... 40%
2Т9155В, КТ9155В......................... 45%
Статический коэффициент передачи тока в
схеме ОЭ при 1/кэ = 5 В, /к = 0,5 А, не менее . 10
Емкость коллекторного перехода
при i/K6 = 28 В, не более................. 35 пФ
Обратный ток коллектора при Цэ = 50 В,
/?БЭ = 10 Ом, не более.................... 25 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания........... 28	В
Постоянное напряжение коллектор—база... 50 В
367
Постоянное напряжение эмиттер—база....... 3 В
Постоянный ток коллектора:
2Т9155А, КТ9155А....................... 4 А
2Т9155Б, КТ9155Б...................... 15 А
2Т9155В, КТ9155В......................-24 А
Средняя рассеиваемая мощность коллектора
при Гк = -60...+25 °C:
2Т9155А, КТ9155А.......................... 43 Вт
2Т9155Б, КТ9155Б...................... 100 Вт
2Т9155В, КТ9155В...................... 181 Вт
Температура р-п перехода................. +200 °C
Температура окружающей среды............. —60... Гк =
= +125 °C
Зависимость выходной мощности
от входной мощности
Зависимость коэффициента усиле-
ния от частоты
Зависимость выходной мощности
от входной мощности
Зависимость коэффициента усиле-
ния от частоты
368
Зависимость выходной мощности
от входной мощности
Зависимость коэффициента усиле-
ния от частоты
Зависимость коэффициента полез-
ного действия от входной мощно-
сти
Зависимость коэффициента полез-
ного действия коллектора от вход-
ной мощности
ч*. %
				
2091555''*''				
2 09155				
				
2091558^			Ua-288	
			Ь2*100нА'	
				
/да /да 500 а МГц
Зависимости коэффициента по-
лезного действия коллектора от
частоты
Зависимость коэффициента по-
лезного действия коллектора от
входной мощности
369
Зависимости тока коллектора
от напряжения коллектор—
эмиттер
2T9156AC, 2Т9156БС
Сборки из двух кремниевых эпитаксиально-планарных
структуры п-р-п генераторных транзисторов. Предназначены
для применения в двухтактных широкополосных усилителях
мощности в режиме класса АВ в схеме с общей базой в
диапазоне частот 650... 1000 МГц при напряжении питания 28 В.
В цепях эмиттеров включены балластные сопротивления. Вы-
пускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми
выводами. Тип сборки указывается на корпусе.
Масса сборки не более 10 г.
Изготовитель — НИИЭТ, г. Воронеж.
Электрические параметры
Выходная мощность в двухтактной схеме на
f= 650; 800; 1000 МГц при Un = 28 В, ком-
прессия 1 дБ, Гк = +40 °C, не менее:
2Т9156АС при /к = 2*50 мА............. 15	Вт
2Т9156БС при /к = 2*100 мА......... 50	Вт
Коэффициент усиления по мощности в двух-
тактной схеме на f = 650; 800; 1000 МГц при
Un = 28 В, компрессия 1 дБ, Гк = +40 °C,
не менее:
2Т9156АС при /к = 2*50 мА.......... 7	дБ
2Т9156БС при /к = 2*100 мА..... 6 дБ
370
2Т915в(АС, БС)
Коэффициент полезного действия коллектора
в двухтактной схеме на f= 650 МГц, 800 МГц,
1000 МГц при Un = 28 В, компрессия 1 дБ,
Гк = +40 °C, не менее:
2Т9156АС при /к = 2x50 мА.............. 40%
2Т9156БС при 4 = 2x100 мА........... 55%
Статический коэффициент передачи тока в
схеме ОЭ при (/ю = 5 В, /к = 0,5 А, не менее . 10
Емкость коллекторного перехода
при U№ = 28 В, не более:
2Т9156АС............................... 37 пФ
2Т9156БС............................ 66 пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при UK3 = 50 В, /?6Э = 10 Ом, не более:
2Т9156АС............................... 20 мА
2Т9156БС............................ 60 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания........... 28	В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 10 Ом........................ 50	В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 3 В
371
Постоянный ток коллектора:
2Т9156АС................................. 4 А
2Т9156БС.............................. 10 А
Средняя рассеиваемая мощность коллектора
при Гк = —60...+25 °C:
2Т9156АС................................. 50 Вт
2Т9156БС.............................. 94 Вт
Температура р-п перехода................. +200 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус:
2Т9156АС................................. 3,2 °С/Вт
2Т9156БС.............................. 1,7 °С/Вт
Температура окружающей среды............. — 60... Тк =
= +125 °C
Зависимость выходной мощности
от напряжения коллектор—база
Зависимость коэффициента усиле-
ния от частоты
Зависимость выходной мощности
от напряжения коллектор—база
Зависимость коэффициента усиле-
ния от частоты
372
Зависимость коэффициента полез- Зависимость коэффициента полез-
ного действия от выходной мощно- ного действия от выходной мощно-
Зависимости коэффициента по-
лезного действия коллектора от
частоты
Зависимости тока коллекто-
ра от напряжения коллек-
тор—эмиттер
2T9158A, 2Т9158Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
импульсных усилителях мощности и генераторах в полосе ча-
стот 2,3...2,7 ГГц в схеме с общей базой при напряжении
питания 28 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с
полосковыми выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 16 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
373
2Т9158(А.Б)
Электрические параметры
Импульсная выходная мощность на f = 2,3;
2,5; 2,7 ГГц при Un = 28 В, t№ < 300 мкс,
0 5, Гк = +25 °C, не менее:
2Т9158А при Рвх = 9,5 Вт............... 30 Вт
2Т9158Б при Рвх = 3,5 Вт............ 12 Вт
Коэффициент усиления по мощности на
f = 2,3; 2,5; 2,7 ГГц при Un = 28 В, 300 мкс,
0 5, Гк = +25 °C, не менее:
2Т9158А при Рцх = 9,5 Вт............ 5 дБ
2Т9158Б при Рвх = 3,5 Вт............ 5 дБ
Коэффициент полезного действия коллектора
на частотах f= 2; 2,15; 2,7 ГГц при Un = 28 В,
4, 300 мкс, 0 5, Гк = +25 °C, не менее:
2Т9158А при Рвх = 9,5 Вт............ 30%
2Т9158Б при Рвх = 3,5 Вт............ 30%
Обратный ток коллектора при (УКБ = 40 В,
не более:
Гк = +25 °C:
2Т9158А............................. 100	мА
2Т9158Б.......................... 50 мА
Тк = +125 и -60 °C1:
2Т9158А.............................. 200	мА
2Т9158Б.......................... 100	мА
’ При т- -60 °C УКБ = 37 В.
374
Обратный ток эмиттера при £/эв = 3 В,
не более:
Гк = +25 'С:
2Т9158А.............................. 50 мА
2Т9158Б........................... 20 мА
Гк = +125 и -60 °C:
2Т9158А.............................. 100 мА
2Т9158Б........................... 40 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания1........... 28 В
Постоянное напряжение коллектор—база* 2.. 40 В
Постоянное напряжение эмиттер—база....... 3 В
Импульсный ток коллектора при 7И 300 мкс,
0 5:
2Т9158А............................... 4,5 А
2Т9158Б............................... 2,1 А
Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора3 при 7И 300 мкс, OS5, Т= —60...+60 °C:
2Т9158А............................... 98 Вт
2Т9158Б............................... 45 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус
в импульсном режиме 7И < 300 мкс, Q > 5:
2Т9158А............................... 1,35 °С/Вт
2Т9158Б............................... 2,5 °С/Вт
Температура р-п перехода:
2Т9158А.................................. +185 °C
2Т9158Б............................... +175 °C
Температура окружающей среды............. —60... Тк	=
= +125 °C
' При t„ = 100 мкс, О = 10 Un = 30 В.
2 При Тот +25 до —60 °C максимально допустимое постоянное напряжение
коллектор—база снижается линейно до 37 В.
3 При Тк от +60 до +125 °C /?т и in-ю возрастает по линейному закону для
2Т9158А до 1,7 °С/Вт, для 2Т9158Б до 3 °С/Вт:
РК, И, МАКС ~ ( Тп, МАКС ~ 7"к)/Ру, И (П-К)* Вт.
Транзисторы пригодны для монтажа в аппаратуре паяльни-
ком. Допустимое число перепаек выводов транзисторов при
проведении монтажных операций — 3. Расстояние от корпуса
До начала изгиба вывода не менее 3 мм.
Разрешается при монтаже транзисторов в микрополоско-
вые линии или подобные устройства откусывать полосковые
выводы на расстоянии не менее 3 мм от корпуса, а также
Формовать выводы транзистора при монтаже на расстоянии
375
не менее 1 мм от корпуса. При этом усилие не должно переда-
ваться на место соединения вывода с корпусом. Расстояние от
корпуса до места лужения и пайки не менее 3 мм, температура
припоя не более +265 °C, время пайки не более 3 с.
При установке в аппаратуру транзистор должен плотно
прилегать к теплоотводу. Шероховатость контактирующей по-
верхности теплоотвода, должна быть не более 1,6 мкм, откло-
нение от плоскостности не более 0,02 мм.
Допускается пайка фланца корпуса транзистора к теплоот-
воду. Температура пайки не более +150 °C, время пайки 1 мин.
Допускается обрезка фланца транзистора без передачи
механических усилий на керамические элементы корпуса с
учетом сохранения условий теплоотвода.
Допускается использовать транзистор в режиме с =
= 500 мкс, Q = 5, при этом /5к, и,-мдкс не должна превышать
98 Вт для 2Т9158А и 45 Вт для 2Т9158Б и Тк не должна
превышать +60 °C. Допускается использовать транзистор в
непрерывном режиме, при этом Рк ср МАКС не должна превы-
шать 75 Вт для 2Т9158А и 35 Вт для 2Т9158Б при Тк = +25 °C.
При увеличении Тк от +25 до,+60 °C
РК; СР, МАКС = (175 - ГК)//?Т(П_К), Вт,
где /?Т<П_К) увеличивается по линейному закону с 2,2 °С/Вт при
7'к = +25 °C до 2,5 °С/Вт при Гк = +60 °C для 2Т9158А и с 4
до 5 °С/Вт для 2Т9158Б.
Зависимости импульс-
ной рассеиваемой мощ-
ности коллектора от
температуры корпуса
Зависимости импульс-
ной выходной мощно-
сти от напряжения пи-
тания
Зависимости импульс-
ной выходной мощно-
сти от напряжения пи-
тания
376
Зависимости коэффи-
циента усиления от на-
пряжения питания
Зависимости коэффи-
циента усиления от на-
пряжения питания
Зависимости выходной
мощности от частоты
Эквивалентная схема замещения транзисторов 2Т9158А, 2Т9158Б:
2Т9158А: Д, = L, = 0,35 нГн при / = 2 мм, Д2 = 0,08 нГн, Д3 = 0,07 нГи, Д, = 0,07 иГи,
Д5 = 0,1 нГи, Д( = 0,03 нГн, С, = С, = 2,5 пФ, С7 = 70 пФ, С3 т С, + Cs = 44 пФ при
U„ = 28 В, С6 = 360 пФ, /?, = 0,12 Ом, R3 = 0,15 Ом, R, = 0,05 Ом,
2ЮЛН = 11 Ом при / = 6 мм;
2Т9158Б: Д, = Д, = 0,35 иГи при 1 = 2 мм, Д2 = 0,13 нГн, Д3 = 0,14 иГи, L, = 0,06 иГи,
Д5 = 0,22 нГи, Д6 = 0,05 нГи, С, = С, = 2,5 пФ, С2 = 35 пФ, С3 + С, + С, = 22 пФ при
U„ = 28 В, С6 = 180 пФ, /?, = 0,24 Ом, /?2 = 0,03 Ом, 2ВОЛН = 20 Ом при / = 6 мм
2Т9159А, 2Т9159А—5
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п универсальные. Предназначены для применения в
выходных каскадах видеоустройств. Выпускаются в металло-
керамическом корпусе с полосковыми выводами (2Т9159А) и
в виде кристаллов с контактными площадками без кристалло-
держателя и без выводов (2Т9159А—5). Тип прибора указыва-
ется на корпусе и в этикетке.
Масса транзистора в корпусе не более 2 г, кристалла не
более 0,0005 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
377
2Т9159A
Электрические параметры
07.2
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, /э = 50 мА:
Т= +25 °C..............................
Т= +125 °C..........................
Т= -60 °C............................
2О...35*..6О
20...90
10...60
378
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при U№ = 10 В, 4 = 50 мА.... 1,02... 1,2*...
1,5* ГГц
Емкость коллектор—база при (/КБ = 10 В. 1,7*...2*...
2,5 пФ
Обратный ток коллектора при (/КБ = 120 В,
не более:
Г=+25°С............................. 0,1 мА
Г= +125 и -60 °C.................... 0,3 мА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при Ца = 80 В, /?бэ = 1 кОм, не более:
Г=+25 °C............................... 1 мА
Т = +125 и -60 °C................... ЗмА
Обратный ток эмиттера при Ux = 3 В,
не более:
Т= +25 °C........................... 0,1 мА
Т= +125 и -60 °C.................... 0,3 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база... 120 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при Лю = 1 кОм......................... 80 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 3 В
Постоянный и импульсный ток коллектора. 0,4 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Гк = —60...+25 °C............ 5 Вт
Температура р-п перехода ."............ +200 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 30 °С/Вт
Температура окружающей среды...........—60... Гк =
= +125 °C
’ При Тк > +25 °C максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
Асмлкс = (200 - Гк)/30, Вт.
Технология монтажа транзистора 2Т9159А—5 в гибридную
интегральную микросхему, применяемые детали и материалы
должны обеспечить значение теплового сопротивления пере-
ход—корпус собранного в гибридную схему транзистора не
выше 30 °С/Вт.
При монтаже транзисторов в составе гибридной схемы
необходимо выполнять следующие условия:
монтаж транзисторов должен осуществляться с помощью
ультразвуковой пайки в инертной среде. Температура пайки
379
-*-400...+450 °C. В качестве припоя должна применяться золо-
тая прокладка толщиной 0,01 мм. Поверхность, на которую
напаивается транзистор, должна быть золоченая, толщина по-
крытия 3...4 мкм;
присоединение выводов к контактным площадкам должно
производиться термокомпрессионной сваркой при температуре
не более +350 °C в течение 2...3 с. В качестве выводов должна
применяться золотая проволока Зл999,9 МО,03 ТУ 48—1—353—
87. Соединение вывода с контактной площадкой должно вы-
держивать разрывное усилие не менее 0,4 гс;
выводы после термокомпрессии не должны касаться струк-
туры и боковых ребер транзистора;
не допускается смещение термокомпрессионных точек,
приводящее к закорачиванию элементов структуры;
не допускается сильное натяжение и провисание выводов;
не допускается разрыв (пережатие) вывода в месте термо-
компрессии.
После извлечения транзисторов из герметичной или влаго-
защитной упаковки изготовителя до присоединения выводов к
контактным площадкам транзисторы должны находиться в спе-
циальной камере с инертной средой не более 10 сут. В случае
использования части транзисторов из общей упаковки, неис-
пользованные транзисторы должны быть повторно упакованы
в герметичную тару. Требование на хранение в специальной
камере с инертной средой не более 10 сут распространяется
на повторно упакованные транзисторы с момента вскрытия
вторичной упаковки.
Область безопасной работы
380
Зависимость граничной частоты
от тока коллектора
Зависимость статического коэффи-
циента передачи тока от тока кол-
лектора
2T9161AC
Сборка из двух кремниевых эпитаксиально-планарных
структуры п-р-п генераторных транзисторов. Предназначена
для применения в двухтактных импульсных усилителях мощ-
ности и генераторах в схеме с общей базой в диапазоне
частот 200.„500 МГц при напряжении питания 45 В. Выпуска-
ется в металлокерамическом корпусе с полосковыми вывода-
ми. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса сборки не более 7 г.
Изготовитель — НИИЭТ, г. Воронеж.
Электрические параметры
Импульсная выходная мощность на /= 400;
450; 500 МГц при Un - 50 В, = 250 мкс,
0= 10, 7"к = +40 °C, не менее........... 500	Вт
Коэффициент усиления по мощности
на f= 400; 450; 500 МГц при Un = 50 В,
Ги = 250 мкс, Q = 10, Тк = +40 °C, не менее ... 7 дБ
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра на /= 400; 450; 500 МГц при Un = 50 В,
= 250 мкс, О = 10, 7"к = +40 °C, не менее ... 45%
Статический коэффициент передачи тока в
схеме ОЭ при (7КЭ = 5 В, /к = 0,5 А, не менее . 20
Пробивное напряжение коллектор—база
при /э = 0, не менее.................... 60	В
Пробивное напряжение эмиттер—база
при /к = 0, не менее.................... 4	В
Обратный ток коллектора при (/КБ = 60 В,
не более..............................   280	мА
381
2Т9161АС
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания.......... 45 В
Постоянное напряжение коллектор—база... 60 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 4 В
Постоянный ток коллектора.............. 25 А
Средняя рассеиваемая мощность коллектора
в динамическом режиме при 7"к = —60...+25 °C 700 Вт
Температура р-п перехода............... +200 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 0,2 °С/Вт
Температура окружающей среды........... —60... Тк =
= +125 °C
Зависимость выходной мощности
от входной мощности
Зависимость коэффициента уси-
Зависимосгь выходной мощности
от температуры корпуса
ления от частоты
Зависимость коэффициента полез- Зависимость коэффициента по-
ного действия от входной мощно- лезного действия коллектора от
сти	частоты
2Т9162А, 2Т9162Б, 2Т9162В, 2Т9162Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
усилительных и генераторных устройствах импульсного режима
работы в схеме с общей базой в диапазоне частот 1,4... 1,6 ГГц
при напряжении питания 45 В. Транзисторы содержат внутрен-
ние согласующие цепи по входу и выходу, транзисторы 2Т9162А,
2Т9162Б, 2Т9162Г имеют внутренний дроссель в цепи эмит-
тер—база. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с по-
лосковыми выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 9 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
383
2Т 9162(А - Г)
Электрические параметры
Выходная импульсная мощность в диапазо-
не частот f =	ГГц при Un = 45 В,
= 10 мкс, О = 100:
2Т9162А Рад = 125 Вт, не менее......... 500	Вт
типовое значение...................... 550*	Вт
2Т9162Б Рвх = 100 Вт, не менее......... 400	Вт
типовой значение...................... 450*	Вт
2Т9162В Рвх =125 Вт, не менее.......... 500	Вт
типовое значение...................... 550*	Вт
2Т9162Г Рвх = 100 Вт, не менее......... 500	Вт
типовое значение....................   550*	Вт
Коэффициент усиления по мощности в диапа-
зоне частот f= 1,4... 1,6 ГГц при Un = 45 В,
= 10 мкс, О = 100:
2Т9162А Рвх = 125 Вт, не менее....... 6 дБ
типовое значение...................... 6,4*	дБ
2Т9162Б Рвх = 100 Вт, не менее....... 6 дБ
типовое значение...................... 6,5*	дБ
2Т9162В Рвх = 125 Вт, не менее....... 6 дБ
типовое значение...........'......... 6,4*	дБ
2Т9162Г Рвх = 100 Вт, не менее....... 7 дБ
типовое значение....................   7,4*	дБ
384
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра в диапазоне частот f= 1,4...1,6 ГГц при
Un = 45 В, 4, = 10 мкс, 0 = 100:
2Т9162А Рвх = 125 Вт, не менее............ 30%
типовое значение...............  «а.	34*%
2Т9162Б Рвх = 100 Вт, не менее......... 30%
типовое значение...................... 35*%
2Т9162В Рвх = 125 Вт, не менее......... 30%
типовое значение...................... 34*%
2Т9162Г Рвх = 100 Вт, не менее...... 30%
типовое значение...................... 34*%
Обратный ток коллектора при (/КБ = 50 В,
не более:
Гк =+25 °C........................... 60	мА
Гк =+125 и-60 °C..................... 90	мА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при £/кэ = 45 В, РБЭ = 0, не более:
Гк = +25 °C:
2Т9162А, 2Т9162В,	2Т9162Г......... 60	мА
2Т9162Б.......................... 45	мА
Гк = +125 и -60 °C:
2Т9162А, 2Т9162В,	2Т9162Г......... 90	мА
2Т9162Б.......................... 70	мА
Обратный ток эмиттера при (УБЭ = 3 В,
не более:
Гк = +25 °C.......................... 60	мА
Гк =+125 и-60 °C..................... 90	мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания.......... 45 В
Постоянное напряжение коллектор—база... 50 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 3 В
Импульсный ток коллектора при = 10 мкс,
0= 100:
2Т9162А, 2Т9162В, 2Т9162Г........... 39 А
2Т9162Б............................. 35 А
13-949
Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при 4, = 10 мкс, 0= 100:
2Т9162А, 2Т9162В........................ 1290 Вт
2Т9162Б............................. 1165 Вт
2Т9162Г.........;................... 1265 Вт
Минимальная рабочая частота............. 0,6 ГГц
Температура окружающей среды............ —60... Тк =
= +125 °C
1 При Гк от —60 до +85 °C,	= 10 мкс, Q = 100 максимально допустимая
импульсная рассеиваемая мощность коллектора рассчитывается по формуле
И, МАКС = 1 15/Л?т, и (Л-К)' ^т-
При Гк от +85 до +125 °C, Ти= 10 мкс, О = 100 максимально допустимая им-
пульсная рассеиваемая мощность коллектора рассчитывается по формуле
А, и, макс = (200 - Тк)//^,И|П-к), Вт,
где для 2Т9162А, 2Т9162В, 2Т9162Г
/?т,и(п-к) = 1,24/0+0,027 (1 - 0,86/70)4, °С/Вт,
для 2Т9162Б
/?т,и(п-ю = 1,38/0+ 0,03 (1 - 0,86/VQ)V^, °С/Вт.
Формулы справедливы при А, и. макс < 1800 Вт для 2Т9162А, 2Т9162В, 2Т9162Г,
А, и, макс < 1660 Вт для 2Т9162Б, Ти = 400 мкс.
Транзисторы пригодны для монтажа в аппаратуре пайкой.
Допустимое число перепаек транзисторов при проведении мон-
тажных операций — 3. Минимальное расстояние места пайки
выводов от корпуса 3 мм, температура пайки не выше +265 °C,
время пайки не более 3 с. Допускается пайка выводов на
расстоянии 1,5 мм от корпуса, при этом температура припоя
не более +150 °C, время пайки не более 10 с. Допускается
сварка выводов на расстоянии не менее 1,5 мм от корпуса,
при этом температура корпуса транзистора не должна превы-
шать +150 °C. Допускается при монтаже транзисторов в ми-
крополосковые линии обрезать и изгибать выводы на рассто-
янии не менее 1,5 мм. Допускается присоединение проволоч-
ных проводников диаметром не более 100 мкм, либо плющен-
ии, толщиной не более 50 мкм ультразвуковой сваркой по
ширине вывода на минимальном расстоянии от корпуса 0,5 мм.
Допускается пайка фланца корпуса транзистора к теплоотво-
ду. Температура пайки не выше +180 °C. Скорость изменения
температуры корпуса при пайке фланца не более 1 °С/с, вре-
мя пайки не более 4 мин.
386
Эквивалентная схема замещения транзисторов
2Т9162А, 2Т9162Б, 2Т9162Г в активном режиме:
С, = С2 = 1,5...2,5 пФ, С, = 260 пФ, С, = 30 пФ, С3 = 1800 пФ, Сю = 49 пФ,
СК1 = 18 пФ,	= 63 пФ, 4, = 0,4 нГн, 4Э = 0,05 нГн, L3 = 0,1 нГн, LB - 0,01 нГн,
L, = 0,3 нГн, L2 = 0,4 нГн, Дт = 0,01 Ом, гъ = 0,1 Ом, гл = 0,1 Ом
Эквивалентная схема замещения транзистора 2Т9162В
в активном режиме:
С, = С2 = 1,5...2,5 пФ, С, = 260 пФ, С4 = 30 пФ, С3 = 1800 пФ, Скэ = 19 пФ,
Сц, = 18 пФ, С*2 = 63 пФ, 4, = 0,4 нГн, 4Э = 0,' 5 нГн, 46 = 0,01 нГн, 4К = 0,3 нГн,
L2 = 0,4 нГн, Дп = 0,01 Ом, гв = 0,1 Ом, гк = 0,1 Ом
Зависимости выходной мощности
от температуры корпуса
13'
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэффи-
циента полезного действия коллек-
тора от напряжения питания
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэффи-
циента полезного действия коллек-
тора от напряжения питания
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэффи-
циента полезного действия коллек-
тора от входной мощности
Зависимости выходной мощно-
сти, коэффициента усиления и
коэффициента полезного дей-
ствия коллектора от входной
мощности
КТ9173А
Сборка из двух кремниевых эпитаксиально-планарных
структуры п-р-п генераторных линейных транзисторов. Пред-
назначена для применения в линейных усилителях мощности в
режиме класса «А» в схеме с общим эмиттером в диапазоне
частот 170...230 МГц при напряжении питания 28 В. Выпускает-
ся в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса сборки не более 9 г.
Изготовитель — НИИЭТ, г. Воронеж.
388
КТ9173А
Электрические параметры
Выходная мощность в балансной схеме на
f= 230 МГц при Un = 28 В, /к = 2x2,3 А,
компрессия 1 дБ, не менее............... 50 Вт
Коэффициент усиления по мощности в ба-
лансной схеме на f= 230 МГц при Un = 28 В,
/к = 2x2,3 А, компрессия 1 дБ, не менее. 10
Коэффициент комбинационных составляю-
щих третьего порядка на f = 230 МГц при
Щ = 28 В, /к = 2x2,3 А, компрессия 1 дБ,
не более................................ —45 дБ
Обратный ток коллектора при 6/КБ = 55 В,
не более................................ 200 мА
Обратный ток эмиттера при (/БЭ = 4 В,
не более................................ 50 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания........... 28 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 10 Ом........................ 55 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 4 В
Постоянный ток коллектора............... 15 А
389
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —45...+25 °C................ 100 Вт
Температура окружающей среды............. —45...	Тк =
= +85 °C
КТ9174А
Сборка из двух кремниевых эпитаксиально-планарных
структуры п-р-п генераторных линейных транзисторов. Пред-
назначена для применения в линейных усилителях мощности в
режиме класса «АВ» в схеме с общим эмиттером в диапазоне
частот 48...230 МГц при напряжении питания 28 В. В цепях
эмиттеров включены балластные сопротивления. Выпускается
в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса сборки не более 20 г.
Изготовитель — НИИЭТ, г. Воронеж.
КТ9174А
Электрические параметры
Выходная мощность в балансной схеме на
f= 230 МГц при Un = 28 В, /к = 2*0,15 А,
компрессия 1 дБ, не менее.............. 300	Вт
3S0
Коэффициент усиления по мощности в ба-
лансной схеме на f = 230 МГц при Un = 28 В,
/к = 2*0,15 А, компрессия 1 дБ, не менее. 4
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра в балансной схеме на f= 230 МГц при
Un - 28 В, /к = 2*0,15 А, компрессия 1 дБ,
не менее................................ 55%
Обратный ток коллектор—эмиттер
при t/o = 55 В, /?БЭ = 10 Ом, не более... 150 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания.......... 28 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 10 Ом....................... 55 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 3 В
Постоянный ток коллектора.............. 30 А
Средняя рассеиваемая мощность коллектора
при Гк = -60...+25 °C.................. 400 Вт
Температура р-п перехода............... +200 °C
Температура окружающей среды.......... -60...	Тк =
= +85 °C
КТ9182А
Сборка из двух кремниевых эпитаксиально-планарных
структуры п-р-п генераторных линейных транзисторов. Пред-
назначена для применения в широкополосных двухтактных
усилителях мощности в режиме класса «АВ» в схеме с общим
эмиттером в диапазоне частот 470...860 МГц при напряжении
питания 28 В. В цепях эмиттеров включены балластные сопро-
тивления. Выпускается в металлокерамическом корпусе с по-
лосковыми выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса сборки не более 20 г.
Изготовитель — НИИЭТ, г. Воронеж.
Электрические параметры
Выходная мощность в двухтактной схеме на
f- 860 МГц при Un = 28 В, /к = 2*0,15 А, ком-
прессия 1 дБ, не менее.................. 150 Вт
Коэффициент усиления по мощности в двух-
тактной схеме на f= 860 МГц при Un = 28 В,
4 = 2*0,15 А, компрессия 1 дБ, не менее. 3
КТ9182А
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра в двухтактной схеме на f- 860 МГц при
Un = 28 В, /к = 2*0,15 А, компрессия 1 дБ,
не менее................................ 45%
Обратный ток коллектора при (/КБ = 55 В,
не более................................ 200 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания........... 28 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 10 Ом........................ 55 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 3 В
Постоянный ток коллектора............... 24 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Тк = —60...+25 °C.............. 300 Вт
Температура р-п перехода................ +200 °C
Температура окружающей среды............ —60... Тк =
= +85 °C
392
А622А, А622Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
усилителях мощности и генераторах в схеме с общей базой в
диапазоне частот 0,9...5 ГГц в составе гибридных интегральных
микросхем. Бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими
выводами. Транзисторы маркируются точками: А622А — зеле-
ной, А622Б — белой. Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 2 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
А622(А,Е)
Электрические параметры
Выходная мощность (медианное значение)
на f= 5 ГГц при 6/КБ = 21 В, не менее:
А622А при /к = 220 мА, Рвх = 1 Вт.. 2 Вт
А622Б при /к = 450 мА, Рвх = 2 Вт.. 4 Вт
Коэффициент усиления по мощности (меди-
анное значение) на f= 5 ГГц при (/к6 = 21 В,
не менее:
А622А при /к = 220 мА, Рвх = 1 Вт.. 2
А622Б при /к = 450 мА, Рвх = 2 Вт.. 2
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра (медианное значение) на f= 5 ГГц при
UKb = 21 В, не менее:
А622А при /к = 220 мА, Рвх = 1 Вт.. 35%
А622Б при /к = 450 мА, Рвх = 2 Вт.. 38%
393
Фаза коэффициента передачи тока в схе-
ме ОБ на высокой частоте при 6/КБ = 5 В,
на f= 1 ГГц, не более:
А622А при /э = 150 мА............... 17’
А622Б при /э = 300 мА............... 16°
Модуль коэффициента обратной передачи на-
пряжения в схеме ОБ на высокой частоте при
6/КБ = 10 В, f= 100 МГц, не более:
А622А при /к = 50 мА................ 2,1 • 10'1
А622Б при /к = 80 мА................ 2  10~3
Критический ток при 6/КБ = 5 В, f= 1 ГГц,
не менее:
А622А............................... 200 мА
А622Б............................... 400 мА
Емкость коллекторного перехода
при UKb = 20 В, не более:
А622А............................... 5,5 пФ
А622Б............................... 7,5 пФ
Емкость эмиттерного перехода при иЗБ = 0,
не более:
А622А............................... 25 пФ
А622Б............................... 50 пФ
Обратный ток коллектора при (УКБ = 25 В,
не более:
А622А............................... 2 мА
А622Б............................... 5 мА
Обратный ток эмиттера при U3b = 2,5 В,
не более:
А622А............................... 0,2 мА
А622Б............................... 0,5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база... 25 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 2,5 В
Потенциал статического электричества... 1000 В
Постоянный ток коллектора:
А622А............................... 250 мА
А622Б................,.............. 450 мА
Средняя рассеиваемая мощность коллектора1
в динамическом режиме при Гк = —60...+25 °C:
А622А............................... 3,6 Вт
А622Б............................... 7,4 Вт
При Гк > +25 °C максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность
коллектора рассчитываются по формуле
А. с₽ _ Ак СР| МАКС - (Гк- 25)//?т (П-Кр Вт.
394
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Гк = —60...+80 °C:
А622А при £/кэ = 6,5 В................. 1,44 Вт
А622Б при	{/кэ	=	5	В................ 2,25 Вт
Температура р-п	перехода............... +150 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус:
А622А.................................. 45 °С/Вт
А622Б............................... 22,2 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус
в динамическом режиме:
А622А............................... 34,5 °С/Вт
А622Б............................... 17 °С/Вт
Температура окружающей среды........... —60... Гк =
= +125 °C
’ При Гк > +80 ‘С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
Рк = Рк, макс ~ (Тк ~ 80)/Т?т (п-ю> Вт.
Минимальная рабочая частота 0,9 ГГц.
Минимальное расстояние места пайки выводов от кристал-
лодержателя 3 мм, температура пайки не выше +260 °C. До-
пускается пайка выводов на расстоянии 1...3 мм при темпера-
туре не выше +150 °C, время пайки не более 3 с. Допускается
использование транзисторов в статическом режиме при напря-
жении коллектора 10 В, токе коллектора 50 мА.
А625А1-2, А625Б1—2, А625В1-2, А625Г1-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п усилительные. Предназначены для применения в
усилителях в составе гибридных интегральных микросхем.
Бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибки-
ми выводами. На крышку держателя наносят цветную точку:
А625А1—2 — зеленая, А625Б1-2 — красная, А625В1—2 —
черная, А625Г1—2 — синяя. Тип прибора указывается в эти-
кетке.
Масса транзистора не более 0,2 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Минимальный коэффициент шума, не более:
на f= 2,25 ГГц при £/КБ = 7 В, /э = 20 мА
для А625А1-2, А625Б1-2................. 4,5	дБ
395
А625(А1-2—И-2)
02.15
на f= 3,6 ГГц при 6/КБ = 7 В, /э = 5 мА:
А625В1-2........................... 5 дБ
А625Г1-2.......................... 5,5 дБ
Максимальный коэффициент усиления по
мощности на f= 2,25 ГГц при (УКБ = 7 В,
/э = 20 мА, не менее:
А625А1-2............................... 9 дБ
А625Б1-2............................. 8 дБ
Оптимальный коэффициент усиления по мощ-
ности на f = 3,6 ГГц при U№ = 7 В, /э = 5 мА,
не менее:
А625В1-2............................. 6 дБ
А625Г1-2............................. 5,5 дБ
Обратный ток коллектора при UKb = 15 В,
не более................................ 0,5 мА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при t/K3 = 12 В, /?БЭ = 1 кОм, не более. 0,5 мА
Обратный ток эмиттера при 1/эъ = 2 В,
не более................................ 0,1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база... 15 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 1 кОм....................... 12	В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 2 В
396
Потенциал статического электричества..... 100 В
Постоянный ток коллектора................ 40 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора' при Гк = —60...+80 °C:
А625А1-2, А625Б1-2.................... 0,35 Вт
А625В1-2, А625Г1-2.................... 0,23 Вт
Температура р-п перехода................. +150 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус:
А625А1-2, А625В1-2:
при U№,	« 10 В................ 200 °С/Вт
при U<b, Z7K3 R > 10 В............ 300 °С/Вт
А625Б1-2, А625Г1-2:
при UKb, UK3K «S 10 В...........;.	300 °С/Вт
при UKb, (7КЭР > 10 В............. 350 °С/Вт
Температура окружающей среды............. —60... Тк =
= +125 °C
1 При Гк >+80 вС максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
?<, МАКС “ (150 ~ rK)//?T(n-Kp Вт.
Монтаж транзисторов в гибридную схему следует прово-
дить припайкой основания кристаллодержателя к нагретой теп-
лоотводящей поверхности. Температура пайки не более +180 °C,
время пайки не более 3 мин. Рекомендуется перед пайкой про-
водить облуживание при температуре +190 °C в течение 1 мин.
Припой для облуживания ПОС—61 ГОСТ 21930—76, припой для
пайки ПВИ ОС25—25 ОСТ 11054.007—75. Флюс — спиртокани-
фольный: 10—40% канифоли, 90—60% спирта.
Допускается производить приклеивание основания кристал-
лодержателя транзистора к теплоотводящей поверхности мон-
тажной платы теплопроводящим клеем УП—5—207М ТУ 6—05—
241—208—79. Перед нанесением клея кристаллодержатель тран-
зистора и монтажная плата должны быть прогреты при +60 °C
в течение 6 мин. Клей должен быть нанесен тонким равномер-
ным слоем, соединение склеиваемых поверхностей произво-
дить прижатием так, чтобы избыток клея равномерно высту-
пал из-под основания. Не допускается наличие щелей. После
приклеивания должна производиться подсушка при +120 °C в
течение 1 ч и при +150 °C в течение 2 ч.
Изгиб выводов допускается на расстоянии не ближе 1 мм
от кристаллодержателя с радиусом закругления не менее
0.5 мм. Допускается при монтаже транзистора в схему отре-
зать выводы на расстоянии не менее 1 мм от кристаллодержа-
теля. При этом усилие не должно передаваться на место пайки
вывода к кристаллодержателю. Минимальное расстояние ме-
397
ста пайки выводов от основания кристаллодержателя 2 мм.
Температура пайки не выше +260 °C, время пайки не более
3 с. Допускается пайка выводов на расстоянии 0,5 мм от
кристаллодержателя, при этом температура пайки не выше
+ 190 °C, время лайки не более 1 мин. Перед пайкой выводы
промывают спиртом, а затем смачивают флюсом. Состав флю-
са: 10—40% канифоли, 90—60% спирта, припой ПОС—61.
А625А-5
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структу-
ры п-р-п генераторный. Предназначен для применения в гене-
раторах и усилителях мощности в диапазоне частот 1...8,15 ГГц
в схеме с общей базой в составе гибридных интегральных
микросхем. Выпускается в виде кристаллов с контактными пло-
щадками без кристаллодержателя и без выводов. Тип прибора
указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,0002 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
А625А-5
Электрические параметры
Выходная мощность (медианное значение)
на f~ 8 ГГц при Ць = 12 В, /к = 45 мА,
Рвх = 40 мВт, не менее................. 100	мВт
398
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра на f= 8 ГГц при 1/КБ = 12 В, /к = 45 мА,
Рвх = 40 мВт, не менее................. 18%
фаза коэффициента передачи тока в схе-
ме ОБ на высокой частоте при (/КБ = 5 В,
/э = 30 мА, на f = 100 МГц, не более... 19°
Модуль коэффициента обратной передачи на-
пряжения в схеме ОБ на высокой частоте при
(/КБ = 5 В, /э = 30 мА, f= 100 МГц, не более .. 1,8 • 10-3
Обратный ток коллектора при (/КБ = 20 В,
не более............................... 1 мА
Обратный ток эмиттера при 1/эь = 2 В,
не более............................... 0,1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение	коллектор—база... 20 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 2 В
Потенциал статического электричества... 100 В
Постоянный ток коллектора.............. 60 мА
Постоянная и средняя рассеиваемая мощность
коллектора1 при Гк = —60...+75 °C...... 0,5 Вт
Температура р-п перехода............... +150 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 150 °C/Вт
Температура окружающей среды........... —60... Тк =
= +125 °C * 1 2
’ При Гк > +75 ’С максимально допустимые рассеиваемые мощности кол-
лектора рассчитываются по формуле
А, МАКС ~ А, СР, МАКС ~ (150 — Гк)/150, Вт.
Технология монтажа транзистора в гибридную схему, при-
меняемые детали и материалы должны обеспечить значение
теплового сопротивления собранного в гибридную схему тран-
зистора не более 150 °С/Вт.
При монтаже транзисторов в состав гибридной схемы не-
обходимо выполнять следующие условия:
1. Монтаж транзисторов в состав гибридной схемы реко-
мендуется осуществлять с помощью ультразвуковой пайки в
инертной среде. Температура пайки не более +450 °C. В ка-
честве припоя должна применяться золотая прокладка толщи-
ной 0,02 мм. Основание, на которое напаивается транзистор,
Должно быть золоченое, толщина покрытия не менее 3 мкм.
2. Присоединение выводов к контактным площадкам долж-
но производиться термокомпрессионной сваркой при темпера-
туре +350 °C в течение не более 3 с. В качестве вывода должна
399
применяться алюминиевая проволока диаметром 0,026 мм мар-
ки А5Е ЖКО.021.065 ТУ. Соединение вывода с контактной
площадкой должно выдерживать разрывное усилие не менее
1,5 гс.
3.	Выводы после присоединения не должны касаться пла-
нарной структуры и боковых ребер транзисторов.
4.	Не допускается смещение сварных точек, приводящее к
закорачиванию элементов структуры.
5.	Не допускается сильное натяжение и провисание выво-
дов.
6.	Не допускается разрыв (пережатие) алюминиевой про-
волоки в месте сварки.
После извлечения транзисторов из герметичной или влаго-
защитной упаковки изготовителя до присоединения выводов к
контактным площадкам транзисторы должны находиться в спе-
циальной камере с инертной средой не более 10 сут.
В случае использования части транзисторов из общей упа-
ковки, неиспользованные транзисторы должны быть повторно
упакованы в герметичную тару. Требование на хранение в
специальной камере с инертной средой не более 10 сут рас-
пространяется на повторно упакованные транзисторы с мо-
мента вскрытия вторичной упаковки.
А630
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п генераторный. Предназначен для применения в уси-
лителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах в
непрерывном и импульсном режимах в диапазоне частот 0,4...
1,5 ГГц в схеме с общей базой при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми
выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Допускается
наносить условную маркировочную точку красного цвета, тог-
да тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 2 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Выходная мощность на f= 1 ГГц при
£/кб = 28 В, Рвх = 6,5 Вт, медианное значение,
не менее................................ 30 Вт
Коэффициент полезного действия коллектора
на (= 1 ГГц при (УКБ = 28 В, Рвх = 6,5 Вт, ме-
дианное значение, не менее.............. 55%
400
A 6 30
Модуль коэффициента обратной передачи на-
пряжения в схеме ОБ на высокой частоте при
(/КБ = 10 В, /к = 0,1 A, f= 100 МГц, не более.. 10’ 10~3
Модуль коэффициента передачи тока на
высокой частоте при ЦБ = 10 В, /к = /К1',
f= 300 МГц, не менее.................... 2,4
Критический ток при = 10 В, f= 300 МГц,
не менее................................ 6 А
Емкость коллекторного перехода
при UKb = 10 В, не более.................. 50	пФ
Обратный ток коллектора при = 50 В,
не более.................................. 50	мА
Обратный ток эмиттера при иэь = 3,5 В,
не более.................................. 10	мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база* 2
при Гк =+25...-Н25 °C.................. 50 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 3,5 В
Потенциал статического электричества... 1000 В
Постоянный ток коллектора.............. 2,5 А
Импульсный ток коллектора при = 10 мкс,
0= 20................................. 5 А
Постоянный ток базы.................... 1 А
' /к, — ток коллектора, при котором |Л21Э| имеет максимальное значение.
2 При понижении температуры корпуса от +25 до —60 °C С/кь мдкс снижается
линейно до 45 В.
401
Средняя рассеиваемая мощность коллектора1
в динамическом режиме при 7"к = —60...+25 °C 37,5 Вт
Температура р-п перехода................ +175 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус.... 4 °С/Вт
Температура окружающей среды............ —60... Тк =
= +125 °C
’ При Гк > +25 "С максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность
коллектора в динамическом режиме рассчитывается по формуле
Р<, ср, макс = (175 — Гк)/4, Вт.
При работе транзистора в импульсном режиме напряжение
питания коллектора не должно превышать 40 В, 7И = 20 мкс,
0= 10, в непрерывном режиме — 28 В. При этом параметры
транзистора на частотах выше 1 ГГц не нормируются. В стати-
ческом режиме допускается ток эмиттера до 30 мА при напря-
жении источника питания до 28 В во всем диапазоне темпера-
тур. Применение транзистора в других статических режимах, в
том числе в режиме класса «А», не допускается.
Минимальное расстояние места пайки выводов от корпуса
3 мм. Температура пайки +250 ± 10 °C. Допускается пайка
выводов на расстоянии 1 мм, при этом температура пайки не
должна превышать +150 °C. Время пайки не более 3 с. Рассто-
яние от корпуса до начала изгиба вывода 3 мм. Допускается
обрезка выводов на расстоянии 1 мм от корпуса.
А633
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п генераторный. Предназначен для применения в ге-
нераторах и усилителях в диапазоне частот 1...10 ГГц в схеме
с общей базой при напряжении питания 15 В. Бескорпусный
на кристаллодержателе с гибкими выводами. На крышку тран-
зистора наносится полоска зеленого цвета. Тип прибора ука-
зывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,2 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Выходная мощность на f= 10 ГГц при
£/кб = 15 В, /к = 60 мА, Рвх = 100 мВт
(медианное значение), не менее........... 200	мВт
4Q2
A 633
Коэффициент усиления по мощности на
f= 10 ГГц при = 15 В, 4 = 60 мА,
Рм - 100 мВт (медианное значение), не менее 3 дБ
Фаза коэффициента передачи тока в схе-
ме ОБ на высокой частоте при t/K6 = 5 В,
4 = 35 мА, на f- 1 ГГц, не более....... 16°
Модуль коэффициента обратной передачи на-
пряжения в схеме ОБ на высокой частоте при
U№ = 7 В, /к = 35 мА, f = 100 МГц, не более .. 1,6 • 10~3
Емкость коллекторного перехода
при ЦБ = 15 В, не более................ 1,5 пФ
Обратный ток коллектора при (/КБ = 18 В,
не более............................... 1 мА
Обратный ток эмиттера при (/ЭБ = 2 В,
не более............................... 0,2 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база... 18 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 2 В
Потенциал статического электричества... 100 В
Постоянный ток коллектора.............. 90 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора' при 7"к = —60...+80 °C........... 0,56 Вт
При Г* > +80 °C максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
-°к,м*кс = (150- rj/125, Вт.
403
Средняя рассеиваемая мощность коллектора1
при 7К = —60...+50 °C................... 0,8 Вт
Температура р-п перехода.................. +150	°C
Тепловое сопротивление переход—корпус... 125 °С/Вт
Температура окружающей среды............ — 6О...7"к =
= +125 °C
’ При Гк > +50 °C максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность
коллектора в динамическом режиме рассчитывается по формуле
ср, макс = (150 — Гк)/125, Вт.
Режим считается статическим при Рвх = 100 мВт.
При монтаже транзисторов в гибридной схеме рекоменду-
ется производить приклеивание основания кристаллодержате-
ля транзисторов к теплоотводящей поверхности монтажной
платы теплопроводящим клеем УП—5—2О7М ТУ 6-05—241-
208—79. Перед нанесением клея кристаллодержатель транзи-
стора и монтажная плата должны быть прогреты при +60 °C в
течение 6 мин. Клей должен быть нанесен тонким равномер-
ным слоем, соединение склеиваемых поверхностей произво-
дить прижатием так, чтобы избыток клея равномерно высту-
пал из-под основания. Не допускается наличие щелей и сви-
щей. После приклеивания производится подсушка при +120 °C
в течение 1 ч и при +150 °C в течение 2 ч. Разрешается про-
изводить монтаж транзистора припайкой металлизированного
основания кристаллодержателя к теплоотводящей поверхно-
сти при температуре пайки не выше +180 °C.
Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 1 мм
от кристаллодержателя с радиусом закругления 0,5 мм. Пайка
выводов производится на расстоянии 2 мм от кристаллодер-
жателя, температура пайки не выше +260 °C, время пайки не
более 3 с. Допускается пайка выводов на расстояние 0,5 мм.
при температуре пайки не выше +150 °C, время пайки не
более 3 с. Допускается обрезка выводов на расстоянии не
менее 1 мм от кристаллодержателя.
Допускается использование транзисторов в диапазоне ча-
стот от 10 МГц до 1 ГГц в усилителях и генераторах мощности
при напряжении питания не более 8 В.
Защитное покрытие транзистора — лак КО—08 по ГОСТ
15081.
А642А, А642Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
404
генераторах и усилителях мощности в диапазоне частот 0,7...,
2,3 ГГц в схеме с общей базой в непрерывном режиме при
напряжении питания 28 В и в импульсном режиме при напря-
жении питания 35 В (4, = 20 мкс, Q = 10). Выпускаются в
металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. До-
пускается нанесение маркировки в виде точки: А642А — зеле-
ной, А642Б — черной, а также на упаковочную тару, при этом
на транзистор маркировка не наносится.
Масса транзистора не более 2 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
А642(А,Б)
Электрические параметры
Выходная мощность на f= 2 ГГц
при Un = 28 В, не менее:
А642А при Рвх = 6 Вт.................... 15 Вт
медианное значение................... 18 Вт
А642Б при Рвх = 3 Вт................. 8 Вт
медианное значение................... 9 Вт
Коэффициент полезного действия коллектора
Не f= 2 МГц при £/п = 28 В (медианное значе-
ние), не менее:
А642А при Рвх = 6 Вт..................... 35%
А642Б при Рвх = 3 Вт.................. 35%
405
Модуль коэффициента передачи тока в схе-
ме ОЭ при f/K6 = 5 В, /э = 1,5 А для А642А
и 0,8 для А642Б, f= 300 МГц, не менее.. 6,5
Критический ток при £/КБ = 5 В, Г= 300 МГц,
не менее:
А642А............................... 2 А
А642Б............................... 1 А
Емкость коллекторного перехода
при £/кб = 28 В, не более:
А642А............................... 30 пФ
А642Б............................... 17 пФ
Обратный ток коллектора при £/КБ = 45 В,
не более:
А642А............................... 35 мА
А642Б............................... 15 мА
Обратный ток эмиттера при U3f> = 2 В, 
не более:
А642А............................... 25 А
А642Б............................... 10 А
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база1.. 45 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 2 В
Постоянный ток коллектора:
А642А............................... 2,5 А
А642Б............................... 1,25 А
Средняя рассеиваемая мощность коллектора1 2
в динамическом режиме при Гк = —60...+25 °C:
А642А............................... 40 Вт
А642Б............................... 20 Вт
Температура р-п перехода............... +200 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус:
А642А............................... 4,9 °С/Вт
А642Б............................... 9 °С/Вт
Температура окружающей среды........... —60... Тк	=
= +125 °C
1 Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор—база сни-
жается линейно до 40 В при снижении температуры от +25 до -60 °C.
2 При Гк > +25 ‘С максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность
коллектора в динамическом режиме рассчитывается по формуле
А, СР ~ Р*, СР, МАКС = ( 7"к — 25)//?т (П-К)» Вт.
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 3 мм
от корпуса при температуре пайки не выше +260 °C в течение
406
не более 3 с. Допускается пайка выводов на расстоянии менее
3 мм при температуре пайки не выше +150 °C в течение не
более 3 с.
А645, А645А-5
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
усилителях и генераторах в диапазоне частот 1...12 ГГц в
схеме с общей базой в составе гибридных интегральных ми-
кросхем, блоков и аппаратуры, обеспечивающих герметиза-
цию и защиту транзисторов от воздействия влаги, соляного
тумана, плесневых грибов, инея и росы. Транзистор А645
бескорпусный на кристаллодержателе с гибкими выводами.
Транзистор маркируется знаком «V» черного цвета на крышке
кристаллодержателя. Транзистор А645А—5 выпускается в виде
кристаллов с контактными площадками без кристаллодержа-
теля и без выводов. Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора А645 не более 0,2 г, кристалла не
более 0,0001 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
выходная мощность на f- 12 ГГц при
Чб = 12 В, /к = 50 мА, Рвх = 25 мВт (медиан-
н°е значение), не менее................. 50	мВт
407
А645А-5
0.43	0072
Коэффициент усиления по мощности на
/= 12 ГГц при U№ = 12 В, /к = 50 мА,
Рвх = 25 мВт (медианное значение), не менее. 3 дБ
Фаза коэффициента передачи тока в схе-
ме ОБ на высокой частоте при Г/КБ = 5 В,
/к = 20 мА, на f= 1 ГГц, не более........ 14°
Емкость коллекторного перехода
при UKb = 18 В, не более................. 1,5 пФ
Обратный ток коллектора при U№ = 18 В,
не более................................. 1 мА
Обратный ток эмиттера при Г/ЭБ = 2 В,
не более................................. 0,2 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база..... 18 В
Постоянное напряжение эмиттер—база....... 2 В
Потенциал статического электричества..... 30 В
Постоянный ток коллектора................ 60 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Рвых 15 мВт..................... 420 мВт
Средняя рассеиваемая мощность коллектора
при Рвых 15 мВт.......................... 600 мВт
Температура р-п перехода................. +150 °C
Температура окружающей среды............. — 60...7"к =
= +125 °C
408
Защитное покрытие транзистора — ЭКМЫУ0.028.000ТУ.
При монтаже транзисторов в гибридной схеме рекрменду-
ется производить приклеивание основания кристаллодержате-
ля транзисторов к теплоотводящей поверхности монтажной
платы теплопроводящим клеем УП—5—207М по ТУ 6—05—241—
208. Перед нанесением клея кристаллодержатель транзистора
и монтажная плата должны быть прогреты при +60 °C в тече-
ние 6 мин, клей должен быть нанесен тонким равномерным
слоем, соединение склеиваемых поверхностей производить
прижатием так, чтобы избыток клея равномерно выступал из-
под основания. Не допускается наличие щелей и свищей. По-
сле приклеивания производится подсушка при +120 °C в тече-
ние 1 ч и при +150 °C в течение 2 ч. Разрешается производить
монтаж припайкой металлизированного основания кристалло-
держателя к теплоотводящей поверхности. Температура пайки
не выше +200 °C, время пайки не более 1 мин. Припой ПОС—61
по ГОСТ 21930.
Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 1 мм
от кристаллодержателя с радиусом закругления 0,5 мм. Мини-
мальное расстояние места пайки выводов от кристаллодержа-
теля 1,5 мм. температура пайки не выше +260 °C, время пайки
не более 3 с. Допускается пайка выводов на расстоянии не
менее 0,5 мм от кристаллодержателя, при этом температура
пайки не должна превышать +150 °C.
Допускается обрезать выводы на расстоянии не менее 1 мм
от кристаллодержателя.
Не рекомендуется использовать питающее напряжение кол-
лектор—база более 12 В. В технически обоснованных случаях
допускается использование транзистора на частотах ниже 1 ГГц
при напряжении коллектора не более 8 В.
А653А-5
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п генераторный. Предназначен для применения в ге-
нераторах и усилителях мощности в схеме с общей базой в
Диапазоне частот 2... 10 ГГц в составе гибридных интегральных
микросхем. Выпускается в виде кристаллов с контактными
площадками.без кристаллодержателя и без выводов. Тип при-
бора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,0001 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
409
Электрические параметры
Выходная мощность на f= 10 ГГц при
U№ = 15 В, /к = 170 мА, Рвх = 0,45 Вт,
не менее.............................. 0,8 Вт
Фаза коэффициента передачи тока в схе-
ме ОБ на высокой частоте при f= 1 ГГц,
UK6 = 5 В, /э = 100 мА, не более...... 1Г
Обратный ток коллектора при UKb = 18 В,
не более.............................. 1 мА
Обратный ток эмиттера при U3b = 1,5 В,
не более.............................. 0,4 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база.... 18 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 1,5 В
Постоянный ток коллектора................ 210	мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’ при U№ = 8 В, Гк = —60...+25 °C... 1,1 Вт
При Гк > +25 °C максимально допустимая постоянная рассеиваемая моЦ’
ность коллектора рассчитывается по формуле
Ркмакс = (180 - Гк)/140, Вт.
410
Средняя рассеиваемая мощность коллектора’
при Гк = —60...+25 °C................... 2,1 Вт
Температура р-п перехода................ +180 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус... 140 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус
в динамическом режиме................... 74 °С/Вт
Температура окружающей среды............ —60... Гк =
= +125 °C
1 При Гк > +25 °C максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность
коллектора рассчитывается по формуле
А. СР, МАКС = (180 - Тк)/74, Вт.
Допускается использование транзисторов в диапазоне ча-
стот 10 МГц...2 ГГц в усилителях и генераторах при напряже-
нии питания не более 8 В.
Технология монтажа транзистора в гибридную схему, при-
меняемые детали и материалы должны обеспечивать значение
теплового сопротивления переход—корпус собранного в ги-
бридную схему транзистора не выше 74 °С/Вт в динамиче-
ском режиме.
При монтаже транзисторов в гибридную схему необходи-
мо выполнять следующие условия:
1.	Монтаж транзисторов должен осуществляться с помощью
ультразвуковой пайки в инертной среде. Температура пайки не
более +450 °C. В качестве припоя должна применяться золо-
тая прокладка толщиной 0,02 мм. Поверхность, на которую
напаивается транзистор, должно быть золоченая, толщина
покрытия не менее 3 мкм,
2.	Присоединение выводов к контактным площадкам дол-
жно производиться термокомпрессионной сваркой при темпе-
ратуре не более +350 °C в течение не более 3 с. В качестве
выводов должна применяться алюминиевая проволока диамет-
ром 0,026 мм марки А5Е. Соединение вывода с контактной
площадкой должно выдерживать разрывное усилие не менее
1,5 гс.
3.	Выводы после термокомпрессии не должны касаться
структуры и боковых ребер транзистора.
4.	Не допускается смещение термокомпрессионных точек,
приводящее к закорачиванию элементов структуры.
5.	Не допускается сильное натяжение и провисание выво-
дов.
6.	Не допускается разрыв (пережатие) вывода в месте
термокомпрессионной сварки.
411
После извлечения транзисторов из герметичной или влаго-
защитной упаковки изготовителя до присоединения выводов к
контактным площадкам транзисторы должны находиться в спе-
циальной камере с инертной средой не более 10 сут. В случае
использования части транзисторов из общей упаковки, неис-
пользованные транзисторы должны быть повторно упакованы
в герметичную тару. Требование на хранение в специальной
камере с инертной средой не более 10 сут распространяется
на повторно упакованные транзисторы с момента вскрытия
вторичной упаковки.
А657
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п генераторный. Предназначен для применения в ав-
тогенераторах в диапазоне частот 0,6... 1,6 ГГц в схеме с об-
щим коллектором в импульсном режиме при напряжении пита-
ния 40 В. Выпускается в металлокерамическом корпусе с по-
лосковыми выводами. Допускается нанесение на корпус
маркировки в виде черной точки или на упаковочной таре, при
этом маркировка на транзистор не наносится.
Масса транзистора не более 2 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Импульсная выходная мощность на f= 1,5 ГГц
при Un = 40 В, Ги = 10 мкс, 0= 100, не менее 50 Вт
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра на /= 1,5 ГГц при £/п = 40 В, Ги = 10 мкс,
0= 100, не менее........................ 20%
Обратный ток коллектора при (/КБ = 50 В,
не более................................ 25 мА
Обратный ток эмиттера при иэь = 3 В,
не более................................ 30 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база.... 50 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 3 В
Потенциал статического электричества.... 1000 В
412
A 657
Импульсный ток коллектора1 при = 10 мкс,
0= 100, 7К = -60...+85 °C................. 8 А
Импульсная рассеиваемая мощность
коллектора* 2 при = 10 мкс, Q = 100,
Гк = -60...+85 °C......................... 200 Вт
Температура р-п перехода.................. +175 °C
Температура окружающей среды.............. —60... 7"к =
= +125 °C
’ При Гк = +85...+ 125 °C 4, и, макс определяется по формуле
4, и, макс = (175 — Гк)/11,2, А.
2 При Гк = —60...+85 °C и /и < Ю мкс, О S 100, РИ1 мдкс определяется по
формуле
Рл, макс = 90//?т и, Вт;
при Гк = +85...+ 125 °C и Ги С 10 мкс, О> 100
Рл, макс = (175 — 7"к)//?т, и> Вт,
где
/?т,и = 48/0+0,139 (1 - 0,86//О)77~, °С/Вт.
Формулы справедливы при At, макс * 350 Вт.	'
А662
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п генераторный. Предназначен для применения в
Широкополосных усилителях мощности, умножителях частоты
и автогенераторах в схеме с общей базой в диапазоне частот
0>7...1,4 ГГц при напряжении питания 28 В в непрерывном
413
режиме и 35...40 В в импульсном режиме. Выпускается в ме-
таллокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Внутри
корпуса имеются двухзвенные £С-звенья на входе и выходе
транзистора. Тип прибора указывается на корпусе. Допускает-
ся нанесение маркировки в этикетке, а также на упаковочной
таре, при этом маркировка на транзистор не наносится.
Масса транзистора не более 5 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
А 62 2
Электрические параметры
Выходная мощность на f= 1,3 ГГц
при УКБ = 28 В, Ку р = 6 дБ, не менее... 50 Вт
типовое значение..................... 55 Вт
Выходная мощность на f = 1,3 ГГц
при 0/КБ = 20 В, Ку р = 4 дБ, не менее.. 30 Вт
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра на f= 1,3 ГГц при 6/КБ = 28 В, Кур = 6 дБ,
не менее................................ 45%
типовое значение..................... 50%
Обратный ток коллектора при 0/КБ = 50 В,
не более................................ 100 мА
Обратный ток эмиттера при Ux = 3,5 В,
не более................................ 30 мА
414
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база’
при Тк = -60...+25 °C................... 50 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 3,5 В
Потенциал статического электричества.... 1000 В
Постоянный ток коллектора............... 5 А
Импульсный ток коллектора:
при = 20 мкс, Q- 10.................. 10 А
при 7И = 1000 мкс, 0=10 или 7И = 500 мкс,
Q= 5................................. 7 А
Постоянный ток базы..................... 2 А
Средняя рассеиваемая мощность коллектора* 2
в динамическом режиме при Гк = +25 °C... 75 Вт
Температура р-п перехода................ +175 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус... 2 °С/Вт
Температура окружающей среды............ —60... Гк =
= +125 °C
' При понижении температуры корпуса от +25 до —60 °C U№: МАКС снижается
линейно до 45 В.
2 При Гк > +25 °C максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность
коллектора рассчитывается по формуле
A(,ci>,h*kc = (175 — Гк)/2, Вт.
При работе транзистора в импульсном режиме при =
= 1000 мкс, 0= 10 или 7И = 500 мкс, 0= 5 напряжение питания
должно быть не более 35 В, при 7И = 20 мкс, О = 10 не более
40 В.
Применение транзистора в статическом режиме, в том чи-
сле в режиме класса «А» не допускается.
Транзисторы пригодны для монтажа в аппаратуре паяльни-
ком. Расстояние от корпуса до места лужения и пайки не
менее 3 мм, температура припоя +260 ± 10 °C, время пайки не
более 3 с. Допускается пайка выводов на расстоянии 1 мм от
корпуса, при этом температура пайки не должна превышать
+150 °C. Допускается сварка выводов на расстоянии не менее
0,5 мм от корпуса, при этом температура корпуса не должна
превышать +150 °C.
А664А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п генераторный. Предназначен для применения в уси-
415
лителях мощности, генераторах и умножителях частоты в дИа
пазоне частот 3...7 ГГц в схеме с общей базой в состав<
гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих защит,
транзистора от воздействия влаги, соляного тумана, плесне
вых грибовгинея, росы, агрессивных газов и смесей. Бескор
пусный в кристаллодержателе с полосковыми выводами. Тиг
прибора указывается на кристаллодержателе.
Масса транзистора не более 2 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
А 66^ А
Электрические параметры
Выходная мощность на f = 7 ГГц при
Un = 17 В, /к = 430 мА, Рвх - 2 Вт,
Гк = +25 °C, не менее.................... 3,2 Вт
среднее значение...................... 3,5 Вт
Фаза коэффициента передачи тока в схе-
ме ОБ на высокой частоте при 6/КБ = 5 В,
/к = 400 мА, f= 1 ГГц, не более.......... 16°
Емкость коллекторного перехода
при UKb = 15 В, не более................. 6 пФ
Обратный ток коллектора при 6/КБ = 20 В,
не более................................. 1 мА
Обратный ток эмиттера при U3b = 1,5 В,
не более................................. 0,2 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база. 20 В
416
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 1,5 В
Потенциал статического электричества.... 1000 В
Постоянный ток коллектора............... 0,6 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’ при 6/КБ = 8 В, Гк = —60...+25 °C. 4 Вт
Средняя рассеиваемая мощность коллектора1
в динамическом режиме при Гк = —60...+25 °C 5,8 Вт
Температура р-п перехода................ +200 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус... 44 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус
в динамическом режиме................... 30 °С/Вт
Температура окружающей среды............ —60... Гк =
= +125 °C
1 При Гк > +25 °C максимально допустимые рассеиваемые мощности кол-
лектора рассчитываются по формулам:
/’к. м*кс = (200 - Гк)/44, Вт;
А, ср, макс — (200 — Гк)/30, Вт.
Допускается обрезать выводы не ближе 1 мм от кристал-
лодержателя. Пайка выводов допускается не ближе 2 мм от
кристаллодержателя при температуре не выше +260 °C в тече-
ние не более 3 с. Допускается пайка и сварка выводов на
расстоянии 0,5 мм при температуре не выше +150 °C.
Допускается использование транзистора в диапазоне ча-
стот 10 МГц...З ГГц в усилителях, генераторах, умножителях
при питании не более 10 В.
А667
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п генераторный. Предназначен для применения в ге-
нераторах и усилителях мощности в схеме с общей базой в
Диапазоне частот 1...7,2 ГГц в составе гибридных интеграль-
ных микросхем, обеспечивающих защиту транзистора от воз-
действия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инёя, росы.
Бескорпусный в кристаллодержателе с контактными площад-
ками без выводов. Транзистор маркируется зеленой точкой.
Тип прибора указывается' в этикетке.
Масса транзистора не более 0,008 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
14-949	417
A 667
Электрические параметры
Выходная мощность (медианное значение)
на f= 7 ГГц при 6/КБ = 15 В, = 45 мА,
Рвх = 25 мВт, не менее................... 100	мВт
Статический коэффициент передачи тока в
схеме ОЭ при (/КБ = 5 В, /э = 5 мА, не менее.. 15
Обратный ток коллектора при UKb = 25 В,
не более................................. 0,5	мА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при (/кэ = 25 В, не более................ 0,5	мА
Обратный ток эмиттера при иэъ = 3 В,
не более................................. 0,1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база.... 25 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?бэ = 1 кОм........................ 25 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 3 В
Потенциал статического электричества.... 100 В
Постоянный ток коллектора............... 60 мА
418
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора':
при Тк = —60...+85 °C.................. 50 мВт
при Тк = +100 °C....................... 38 мВт
Температура р-п перехода..................  +150	°C
Температура окружающей ср^ды............. —60...	Тк =
= +100 °C
1 При Гк > +85 °C максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора снижается линейно.
Допускается производить монтаж транзистора в гибрид-
ную схему при температуре пайки +260 °C в течение не более
5 с. Контактные площадки покрыты слоями никеля толщиной
3 мкм и золота 3...4 мкм.
А680А, А680Б, А680В, А680Г, А680Д
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
усилителях мощности, работающих в диапазоне частот 1,3...
2,2 ГГц для А680А, А680Б, 1.6...2 ГГц для А680В, 1,3... 1,7 ГГц
для А680Г, А680Д в схеме с общей базой при напряжении
питания 28 В. Внутри корпуса имеются согласующие двухзвен-
ные £С-звенья на входе и выходе транзистора. Выпускаются в
металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Тип
прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 5 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Выходная мощность при U№ = 28 В,
Тк = +25 °C:
А680А на f~ 2 ГГц,	Рвх	=	11	Вт,	не	менее	35	Вт
типовое значение........................ 40	Вт
А680Б на f= 2 ГГц,	Рвх	=	6,5	Вт,	не	менее	26	Вт
типовое значение........................ 30	Вт
А680В в А/— 1,6...2 ГГц, = 2,4 Вт,
не менее................................ 12	Вт
типовое значение........................... 13	Вт
А680Г в А/- 1,3... 1,7 ГГц, Рвх = 5 Вт,
не менее.................................... 25	Вт
А680Д в А/= 1,3...1,7 ГГц, Рвх = 5 Вт,
не менее.................................... 25	Вт
Ч
'19
А680(А-Д)
Коэффициент полезного действия коллектора
при 6/КБ = 28 В, Гк = +25 °C:
А680А на f = 2 ГГц, Рвх = 11 Вт, не менее. 32%
А680Б на f = 2 ГГц, Рвх = 6,5 Вт, не менее 30%
А680В в А/ = 1,6...2 ГГц, Рвх = 2,4 Вт,
не менее............................... 40%
А680Г, А680Д в А/ = 1,3...1,7 ГГц,
Рвх = 5 Вт, не менее.................... 45%
Обратный ток коллектора, не более:
А680А, А680Б при ЦБ = 45 В................. 100 мА
А680В при (/КБ = 45 В................... 30 мА
А680Г при Г/КБ = 45 В................... 50 мА
А680Д-при t/K6 = 35 В................... 3 мА
Обратный ток эмиттера при U3b = 2 В,
не более:
А680А, А680Б............................ 40	мА
А680В................................... 15	мА
А680Г, А680Д............................ 25	мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база1
при Гк = +15...+ 125 °C:
А680А, А680Б, А680В, А680Г............... 45	В
А680Д................................. 35	В
1 При Гк от +15 до —60 °C (7кб мдкс снижается линейно до 40 В.
420
Постоянное напряжение эмиттер-база...... 2 В
Постоянный ток коллектора:
А680А................................ 5 А
А680Б................................ 4 А
А680В................................ 1,7 А
А680Г, А680Д......................... 2,5 А
Импульсный ток коллектора при Ги = 50 мкс,
0= 40:
А680А................................ 7,5 А
А680Б  .............................. 5 А
Средняя рассеиваемая мощность коллектора1
в динамическом режиме:
при Гк = —60...+25 °C:
А680А, А680Б..................... 85 Вт
А680Г, А680Д..................... 35 Вт
при Гк = -60...+60 °C для А680В ..... 25 Вт
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора* 2 при Гк = —60...+ 115 °C, U„ С 8 В:
А680А................................ 40 Вт
А680Б................................ 30 Вт
А680В................................ 14 Вт
А680Г, А680Д......................... 25 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус:
А680А................................... 2 °С/Вт
А680Б................................ 2,6 °С/Вт
А680В................................ 5 °С/Вт
А680Г, А680Д......................... 3,9 °С/Вт
Температура р-п перехода:
А680А, А680Б............................ +195 °C
А680В, А680Г, А680Д.................. +185 °C
Температура окружающей среды............ —60... Тк	=
= +125 °C
' При Гк = +25...+125 °C для А680А, А680Б и Тк = +60..+ 125 °C для А680В,
А68ОГ, А680Д максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность кол-
лектора рассчитывается по формуле
РК, СР, МАКС = (Тп- Тк)//?т (П-К)> Вт.
На частотах ниже 1,3 ГГц при Тк - —60...+ 115 °C А ср, накс = 40 Вт для А680А,
Рк,ср. макс = 30 Вт для А680Б.
2 При Гк > +115 °C максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
РК, МАКС ~ (ТП	Л<)//?|-(П-К)» Вт.
Транзисторы пригодны для монтажа в аппаратуре паяльни-
ком. Допустимое число перепаек выводов транзистора — 3.
421
Расстояние от корпуса до места изгиба, лужения и пайки
вывода не менее 3 с. Допускается пайка выводов на расстоя-
нии 1 мм от корпуса при температуре пайки не выше +180 °C,
время пайки не более 3.
Улучшение отвода тепла от корпуса транзистора возмож-
но при применении мягкой прокладки из сплава индий—олово
с содержанием индия более 20%. Для обеспечения теплового
контакта рекомендуется подкладывать под края фланца сна-
ружи от винтов прокладку из твердого металла, например, из
медной фольги, толщиной на 15...20 мкм больше, чем толщи-
на прокладки из сплава индий—олово. Рекомендуется толщи-
на твердой прокладки 50 мкм. Применение твердой прокладки
рекомендуется во избежании растрескивания керамики.
Допускается припайка основания корпуса транзистора к
радиатору. Скорость нарастания температуры не более 1 °C/с,
время пайки не более 10 мин. Допускается сварка выводов на
расстоянии не менее 1 мм от корпуса, при этом температура
корпуса транзистора не должна превышать +150 °C. Допуска-
ется обрезать выводы на расстоянии не менее 1,5 мм от
корпуса. Допускается обрезка фланца транзистора.
А682А, А682Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
усилителях мощности в диапазоне частот для А880А 0,7... 1 ГГц
и для А680Б 0,9... 1,4 ГГц в схеме с общей базой в импульсном
и непрерывном режимах при напряжении питания 28 В. Тран-
зисторы содержат внутренние согласующие цепи. Выпускают-
ся в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе. Допускается нанесение
маркировки на упаковочную тару, при этом маркировка на
транзистор не наносится.
Масса транзистора не более 5 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Выходная мощность при 6/КБ = 28 В:
А680А на /= 0,7; 0,85; 1 ГГц, КУ Р = 6 дБ,
Пк = 40%, не менее................. 15	Вт
среднее значение................... 17	Вт
А680Б на f = 0,9; 1,15; 1,4 ГГц,
Р = 7', 8 дБ,	= 50%, не менее... 18 Вт
422
А682(А,5)
Коэффициент усиления по мощности на
f= 0,9; 1,15; 1,4 ГГц при ЦБ = 28 В,
Рвых = 18 Вт, т]к = 50%, не менее..... 7,8	дБ
Коэффициент полезного действия коллектора
при = 28 В:
А680А на f= 0,7; 0,85; 1 ГГц, КУР = 6 дБ,
Рвых = 15 Вт, не менее............ 40%
А680Б на f= 0,9; 1,15; 1,4 ГГц,
^у.р = 7,8 дБ, Двух = 18 Вт, не менее. 50%
Обратный ток коллектора при Z/№ = 50 В,
не более............................... 50	мА
Обратный ток эмиттера при = 3,5 В,
не более............................... 15	мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база'
при 7"к = +25...+125 ‘С.................. 50 В
Постоянное напряжение эмиттер—база....... 3,5 В
Потенциал статического электричества..... 1000 В
Постоянный ток коллектора:
А680А.................................. 2,5 А
А680Б................................. 1,7 А
' При Тк от +25 до —60 °C максимально допустимое постоянное напряжение
коллектор—база снижается линейно до 45 В.
423
Импульсный ток коллектора для А680Б:
при = 1000 мкс, Q = 10 или = 500 мкс,
0= 5................................ 2 А
при Ги = 20 мкс, 0= 10.............. ЗА
Постоянный ток базы;
А680А............................... 1 А
А680Б............................... 0,7 А
Средняя рассеиваемая мощность коллектора’
при Гк = —60...+25 °C:
А680А............................... 43 Вт
А680Б............................... 33 Вт
Температура р-п перехода............... +175 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус
в динамическом режиме:
А680А............................... 3,5 °С/Вт
А680Б............................... 4,5 °С/Вт
Температура окружающей	среды.......... —60... Тк =
= +125 °C
’ При Гк > +25 °C максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность
коллектора рассчитывается по формуле
А, ср, макс = (17 5 ~ Т’к)/ /?т (п-кр Вт-
При работе транзистора в импульсном и непрерывном ре-
жимах в полосе частот 0,7... 1 ГГц напряжение питания не
более 28 В, при = 500 мкс, 0=10 допускается повышение
напряжение питания до 35 В, при = 10 мкс, 0= 10 допуска-
ется повышение напряжения питания до 40 В.
Пайка выводов транзистора допускается на расстоянии
3 мм от корпуса при температуре +260 °C в течение не более
3 с. Допускается пайка выводов на расстоянии 2 мм от корпу-
са при температуре корпуса не выше +150 °C. Допускается
обрезка выводов на расстоянии не ближе 2 мм от корпуса.
А691
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п генераторный. Предназначен для применения в уси-
лителях мощности, генераторах в диапазоне частот 2... 10 ГГц
в схеме с общей базой при напряжении питания 14 В в составе
гибридных интегральных микросхем. Бескорпусный на кри-
сталлодержателе с гибкими выводами. Тип прибора указыва-
ется на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
424
А691
Электрические параметры
Выходная мощность на f= 10 ГГц при
Un = 13 В, /к = 0,5 А, Рвх = 1 Вт, не менее. 1,5 Вт
среднее значение......................... 1,8 Вт
Фаза коэффициента передачи тока в схе-
ме ОБ на высокой частоте при УКБ = 2 В,
/к = 300 мА, f= 1 ГГц, не более............. 13°
Обратный ток коллектора при UK5 = 18 В,
не более.................................... 2 мА
Обратный ток эмиттера при иэъ = 1,5 В,
не более.................................... 1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания............... 14 В
Постоянное напряжение коллектор—база........ 18 В
Постоянное напряжение эмиттер—база.......... 1,5 В
Потенциал статического электричества........ 100 В
Постоянный ток коллектора................... 0,6 А
425
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора' при U№ = 7 В, Гк = —60...+40 °C... 3 Вт
Средняя рассеиваемая мощность коллектора* 2
в динамическом режиме при Гк = —60...+25 °C 5,7 Вт
Температура р-п перехода................ +190 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус... 50 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус
в динамическом режиме................... 29 °С/Вт
Температура окружающей среды............ —60... Тк =
= +125 °C
' При Гк > +40 °C максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
Рк. макс = (190 - Гк)/50, Вт.
2 При Гк > +25 “С максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность
коллектора рассчитывается по формуле
Як,ср.макс = (190- Гк)/29, Вт.
Расстояние места пайки выводов от кристаллодержателя
1 мм, температура пайки +260 °C, время пайки не более 3 с.
При пайки выводов на расстоянии 0,5 мм температура пайки
не должна превышать +150 °C. Допускается изгиб выводов на
расстоянии 2 мм от кристаллодержателя, обрезка выводов на
расстоянии 1,5 мм.
А697А, А768Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п усилительные. Предназначены для применения в
линейных широкополосных усилителях в схемах передатчиков
КВ и УКВ на частотах 1,5...80 МГц для А697А и 1,5...100 МГц
для А768Б при напряжении питания 50 В. Выпускаются в
металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и мон-
тажным винтом. Тип прибора указывается на корпусе. Допус-
кается нанесение маркировки в этикетке, а также на упаковоч-
ную тару, при этом маркировка на транзистор не наносится.
Масса транзистора не более 10 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Выходная мощность при 6/КБ = 50 В, не менее:
А697А на f = 80 МГц................. 150 Вт
А768Б на 100 МГц.................... 150 Вт
426
A 697А А768Б
0177
Выходная мощность в пике огибающей
при Un = 50 В, не менее:
А697А на f= 80 МГц................. 150	Вт
А768Б на f= 100 МГц................ 150	Вт
Коэффициент усиления по мощности в пике
огибающей при Un - 50 В:
А697А на f= 80 МГц.................. 10	дБ
А768Б на/= 100 МГц.................. 10	дБ
Коэффициент комбинационных составляю-
щих третьего и пятого порядка при Un - 50 В,
Рвых = 150 Вт на f~ 80 МГц для А697А и на
f= 100 МГц для А768Б, не более........ —27	дБ
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра при U„ = 50 В, Рвых = 150 Вт на f= 80 МГц
для А697А и на f= 100 МГц для А768Б,
не менее............................. 40%
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 6/кэ = 10 В, /к = 5 А, не менее 10
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 6/кэ = 20 В, /к = 4 А,
не менее:
А697А.............................. 300	МГц
А768Б.............................. 420	МГц
Емкость коллекторного перехода
при ЦБ = 50 В, не	более............... 150	пФ
427
Емкость эмиттерного перехода при иэъ = О,
не более................................ 10000 пФ
Обратный ток коллектора при С/КБ = 120 В,
не более................................ 100 мА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при икэ = 120 В, /?БЭ = 10 Ом, не более. 100 мА
Обратный ток эмиттера при Ub3 = 4 В,
не более................................ 500 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания........... 50 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 10 Ом........................ 120 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 4 В
Потенциал статического электричества.... 1000	В
Постоянный ток коллектора............... 10 А
Постоянный ток базы..................... 2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
А697А при Гк = -60...+50 °C.......... 200 Вт
А768Б при Тк = -60...+25 °C.......... 175 Вт
Температура р-п	перехода................ +200 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус:
А697А................................ 0,75 °С/Вт
А768Б................................ 1 °С/Вт
КСВН коллекторной цепи при времени рас-
согласования не более 1 с, РВЫХ(П0) = 75 Вт,
U„ = 50 В, f= 80 МГц для А697А,
на 100 МГц для А768Б.................... 30
Температура окружающей среды............ —60... Тк =
= +125 °C
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора
рассчитывается по формуле
РК, МАКС = (200 — ?к)/^Т (П-К)» Вт.
Расстояние от корпуса до начала изгиба вывода^не менее
3 мм. Расстояние от корпуса до места лужения и пайки по
длине вывода не менее 2 мм, температура припоя не выше
+260 °C, время пайки не более 8 с.
Максимально допустимая средняя ВЧ мощность, падаю-
щая на вход транзистсра А697А 20 Вт.
428
А704А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структу-
ры п-р-п генераторный. Предназначен для применения в и уси-
лителях мощности и генераторах в диапазоне частот 2...8,5 ГГц
в схеме с общей базой в составе гибридных интегральных ми-
кросхем, обеспечивающих защиту транзистора от воздействия
влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея, росы, агрес-
сивных газов и смесей. Бескорпусный на кристаллодержателе с
гибкими выводами. На корпус транзистора наносят букву «Т» и
точку черного цвета. Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,115 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
А7О4А
Электрические параметры
Выходная мощность на f= 8,5 ГГц при
Un = 12 В, /к = 120 мА, Рвх = 100 мВт,
не менее................................ 300 мВт
среднее значение..................... 350 мВт
Фаза коэффициента передачи тока в схе-
ме ОБ на высокой частоте при f= 1 ГГц,
= 5 В, /к = 100 мА, не более............ 13°
Обратный ток коллектора при 6/КБ = 15 В,
не более................................ 1 мА
Обратный ток эмиттера при иэъ = 1,5 В,
не более................................ 0,4 мА
429
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания............ 13 В
Постоянное напряжение коллектор—база..... 15 В
Постоянное напряжение эмиттер—база....... 1,5 В
Постоянный ток коллектора................ 0,15	А
Импульсный ток коллектора................ 0,15	А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при {/КБ = 8 В, 7"к = —60...+63 °C. 0,9 Вт
Средняя рассеиваемая мощность коллектора* 2
в динамическом режиме при Гк = —60...+50 °C 1,3 Вт
Температура р-п перехода................. +180	°C
Тепловое сопротивление переход—корпус.... 130 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус
в динамическом режиме.................... 100 °С/Вт
Температура окружающей среды........... —60...	Гк =
= +125 °C
При 7, > +63 °C максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора определяется из выражения
Рк. МАКС = (190 - Гк)/130, Вт.
2 При Гк > +50 °C максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность
коллектора определяется из выражения
А,ер. макс = (190 — Тк)/100, Вт.
А714
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п генераторный. Предназначен для применения в уси-
лителях мощности и генераторах в диапазоне частот 3...7 ГГц
в схеме с общей базой при напряжении питания 15 В в составе
гибридных интегральных микросхем. Бескорпусный на кера-
мическом кристаллодержателе с полосковыми выводами. Тип
прибора указывается на крышке кристаллодержателе.
Масса транзистора не более 1 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Выходная мощность на f = 7 ГГц при
U№ = 15 В, /к = 0,9 А, Рм = 2,5 Вт,
Тк = +25 °C, не менее................... 4,5	Вт
среднее значение..................... 5 Вт
Фаза коэффициента передачи тока в схе-
ме ОБ на высокой частоте при UKb = 2 В,
/к = 0,9 A, f= 1 ГГц, не более......... 16°
430
A7U
Обратный ток коллектора при </КБ = 20 В,
не более................................ 2 мА
Обратный ток эмиттера при U3b = 1,5 В,
не более................................ 1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания........... 15 В
Постоянное напряжение коллектор—база.... 20 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... Т,5 В
Потенциал статического электричества.... 100 В
Постоянный ток коллектора............... 1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при 4/кб = 8 В, Гк = —60...+50 °C.. 6 Вт
Средняя рассеиваемая мощность коллектора
при Тк = -60...+25 °C................... 11,5 Вт
Минимальная рабочая частота............. 3 ГГц
Температура р-п перехода................ +200 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус... 25 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус
в динамическом режиме................... 15 °С/Вт
Температура окружающей среды........... —60...	Гк =
= +125 °C
Изгиб выводов допускается не ближе 2 мм от кристалло-
431
держателя с радиусом закругления 0,5 мм. Допускается обре-
зать выводы не ближе 1 мм от кристаллодержателя.
Пайка выводов транзистора рекомендуется не ближе 1 мм
от кристаллодержателя при температуре пайки не выше +260 °C
в течение не более 3 с. Допускается пайка выводов на рассто-
янии 0,5 мм при температуре не более +150 °C. Допускается
пайка фланца транзистора к металлическому основанию при
температуре не выше +150 °C в течение не более 10 с.
Допускается использование транзистора на частоте ниже
3 ГГц при напряжении питания не более 8 В.
А716А, А716Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
усилителях мощности и генераторах в диапазоне частот 1,3...
2 ГГц в схеме с общей базой при напряжении питания 28 В.
Транзисторы содержат внутренние согласующие цепи. Выпус-
каются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выво-
дами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 15 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
А 716(А,Б)
432
Электрические параметры
Выходная мощность на f= 2 ГГц
при 6/№ = 28 В, ^y р = 4 дБ:
А716А, не менее......................... 55	Вт
среднее значение.................... 60	Вт
А716Б, не менее..................... 45	Вт
среднее значение.................... 50	Вт
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра на f= 2 ГГц, при 6/КБ = 28 В, КУР = 4 дБ,
не менее............................... 30%
среднее значение.................... 35%
Обратный ток коллектора при 6/КБ = 45 В,
не более............................... 150 мА
Обратный ток эмиттера при = 2 В,
не более............................... 100 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания.......... 28 В
Постоянное напряжение коллектор—база... 45 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 2 В
Потенциал статического электричества... 1000 В
Постоянный ток коллектора:
А716А............................... 6,5 А
А716Б............................... 5,4 А
Импульсный ток коллектора при t* = 100 мкс,
Q = 10:
А716А............................... 7,5 А
А716Б............................... 6 А
Средняя рассеиваемая мощность коллектора
в динамическом режиме:
А716А............................... 133 Вт
А716Б............................... 110 Вт
Температура р-п перехода............... +185 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус:
А716А................................... 1,2 °С/Вт
А716Б............................... 1,45 °С/Вт
Температура окружающей среды........... —60... Тк =
= +125 °C
Изгиб выводов транзистора допускается не ближе 3 мм от
корпуса. Допускается обрезать выводы не ближе 1,5 мм от
корпуса.
Пайка выводов рекомендуется не ближе 3 мм от корпуса
при температуре не выше +260 °C в течение не более 3 с.
433
Допускается пайка выводов на расстоянии не менее 1,5 мм от
корпуса при температуре не выше + 150 *С в течение не более
3 с.
А717А, А717Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п усилительные с нормированным коэффициентом
шума на частоте 3,6 ГГц. Предназначены для применения во
входных и последующих каскадах усилителей сверхвысоких
частот с расширенным динамическим диапазоном в составе
гибридных интегральных микросхем, микросборках, обеспечи-
вающих герметизацию и защиту транзисторов от воздействия
влаги, соляного тумана, плесневых грибов, пониженного и
повышенного давления и солнечной радиации. Бескорпусные
на кристаллодержателе с гибкими выводами. Транзисторы
маркируются условным обозначением, знаком «V» у базового
вывода: А717А — синего цвета, А717Б — черного цвета. Тил
прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
434
Электрические, параметры
Минимальный коэффициент шума на
f~ 3,6 ГГц при (/КБ = 7 В, /э = 20 мА,
не более............................... 4 дБ
Оптимальный коэффициент усиления по мощ-
ности на Г= 3,6 ГГц при (/КБ = 7 В, /э = 20 мА,
не менее............................... 7 дБ
Статический коэффициент передачи тока в
схеме ОЭ при (/КБ = 7 В, /э = 20 мА, не менее:
А717А............................... 40
А717Б............................... 80
Обратный ток коллектора при (/КБ = 10 В,
не более............................... 1 мкА
Обратный ток эмиттера при (/БЭ = 1 В,
не более............................... 20=мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база... 10	В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 1 В
Потенциал статического электричества... 30	В
Постоянный ток коллектора.............. 50	мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при 7"к = —60...+60 °C........... 350 мВт
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 250 °С/Вт
Температура окружающей среды........... —60... 7"к =
= +125 °C
1 При Гк > +60 °C максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
Рцилкс = (175 - Гк)/250, Вт.
Допускается пайка выводов на расстоянии 1 мм от кри-
сталлодержателя серебряно-индиевыми припоями и другими,
не приводящими к возникновению интерметаллических соеди-
нений при температуре пайки не выше +260 °C в течение не
более 3 с. Допускается пайка на расстоянии не менее 0,2 мм
от кристаллодержателя при температуре пайки не выше +160 °C
в течение не более 3 с. Допускается использование только
бескислотного флюса.
Допускается однократный изгиб выводов с радиусом за-
кругления 1,5 мм на расстоянии 1 мм от кристаллодержателя.
Допускается обрезать выводы на расстоянии не менее 1 мм от
кристаллодержателя.
Разрешается проводить монтаж транзисторов в гибридной
схеме припайкой металлизированного основания кристалло-
держателя к теплоотводящей поверхности при температуре
пайки не выше +180 °C.
435
А718А, А718Б, А718В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
широкополосных усилителях мощности, автогенераторах и
умножителях частоты в схеме с общей базой в непрерывном и
импульсном режиме в диапазоне частот 0,9... 1,45 ГГц. Выпус-
каются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выво-
дами. Тип прибора указывается на корпусе. Допускается нане-
сение маркировки на этикетке или на упаковочной таре, при
этом маркировка на транзистор не наносится.
Масса транзистора не более 20 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
А718(А-В)
Электрические параметры
Выходная мощность при 6/КБ = 28 В,
К, Р = 6 дБ, не менее:
А718А на f= 1,3 ГГц, т|к = 40% ..... 75	Вт
А718Б на f= 1,3 ГГц, т]к = 45%...... 75	Вт
А718В на / = 0,96; 1,1; 1,22 ГГц, т]к = 45% 60 Вт
Импульсная выходная мощность на /= 1,2;
1,3; 1,4 ГГц при </КБ = 32 В, Kvp = 6 дБ,
Пк = 45%,	= 300 мкс, Q= 5 для А718Б... 75	Вт
Коэффициент усиления по мощности
при UK5 = 28 В в непрерывном режиме
и 6/КБ = 32 В в импульсном режиме, не менее:
А718А на /= 1,3 ГГц, т|к = 40% ...... 6	дБ
436
А718Б на f= 1,3 ГГц, nK = 45%....... 6 дБ
А718В на f= 0,96; 1,1; 1,22 ГГц, Пк = 45% 6 дБ
А718Б на f= 1,2; 1,3; 1,4 ГГц, т]к = 45%,
= 300 мкс, Q = 5................... 6 дБ
Обратный ток коллектора при 6/КБ = 50 В,
не более............................... 150 мА
Обратный ток эмиттера при 6/ЭБ = 3,5 В,
не более............................... 50 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания:
в непрерывном режиме................. 28 В
в радиоимпульсном режиме при 7И = 1 мс,
0=10 или 4, = 400 мкс, 0=5........... 32 В
в радиоимпульсном режиме
при 7И = 20 мкс, 0= Ю................ 35 В
Постоянное напряжение коллектор—база1
при 7; =+25...+125 °C................... 50 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 3,5 В
Потенциал статического электричества.... 1000 В
Постоянная составляющая коллекторного
тока в динамическом режиме.............. 7,5 А
Импульсный ток коллектора:
при 4, = 20 мкс, 0= 10............... 15 А
при 4, = 1 мс, 0= 10 или = 400 мкс,
0=5.................................. 10 А
Постоянная составляющая тока базы в дина-
мическом режиме.......................... 3 А
Средняя рассеиваемая мощность коллектора
в динамическом режиме при Тк = —60...+25 °C 130 Вт
Температура окружающей среды........... —60...	7^ =
= +125 °C
1 При Гк от +25 до —60 °C Ц<б, макс снижается линейно до 45 В.
Применение транзисторов в статическом режиме, в том
числе в режиме класса «А» не допускается.
При установке в аппаратуру транзистор должен прижи-
маться к теплоотводу. Шероховатость контактирующей по-
верхности теплоотвода должна быть не более 1,6 мкм, не-
плоскостность не более 0,01 мм. Рекомендуется для улучше-
ния отвода тепла от корпуса транзистора применение мягкой
прокладки из сплава индий—олово с содержанием индия 20%.
При этом для обеспечения лучшего теплового контакта реко-
мендуется под края фланца, снаружи от винтов, помещать
437
прокладку из твердого металла, например, из медной фольги.
Ориентировочная толщина твердой прокладки 20...30 мкм,
мягкой 20...30 мкм. Во избежание растрескивания керамики
не допускается применение мягкой прокладки без использова-
ния твердой прокладки.
Расстояние от корпуса до начала изгиба, лужения и пайки
не менее 3 мм, температура припоя +260 ± 5 °C. Допускается
пайка выводов на расстоянии 1,5 мм от корпуса, при этом
температура припоя не должна превышать +150 °C. Время
пайки не более 3 с. Допускается сварка выводов. Допускается
обрезать и изгибать выводы на расстоянии 1,5 мм от корпуса.
Допустимое число перепаек транзистора — 3.
А720А, А720Б, А720В, А720Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
широкополосных импульсных усилителях и генераторах в по-
лосе частот 2,3...2,7 ГГц в схеме с общей базой при напряже-
нии питания 40 В. Выпускаются в металлокерамических корпу-
сах с полосковыми выводами. Транзисторы содержат внутрен-
ние согласующие цепи. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора А 720А, А720Б, А720Г не более 5 г,
А72ОВ не более 2 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Импульсная выходная мощность на
Д/ = 2,3...2,7 ГГц при U„ = 40 В, 7И = 100 мкс,
Q = 10, Т'к = +25 °C, не менее:
А72ОА при	Рвх =	8,7 Вт............ 35 Вт
А720Б при	Рвх =	4,4 Вт............ 17,5 Вт
А72ОВ при	Рвх =	1 Вт............. 4 Вт
А72ОГ при	Рвх =	12,5 Вт........... 50 Вт
Коэффициент усиления по мощности в
А/ = 2,3...2,7 ГГц при Un = 40 В, 7И = 100 мкс,
О= 10, Гк = +25 °C, Рвх = 8,7 Вт для А720А,
Рвх = 4,4 Вт для А720Б, Рвх = 1 Вт для А720В,
Рвх = 12,5 Вт для А72ОГ, не менее...... 6 дБ
Коэффициент полезного действия коллектора
в А/ = 2,3...2,7 ГГц при Un = 40 В, /и = 100 мкс,
Q= 10, Тк = +25 °C, Рвх = 8,7 Вт для А720А,
РЪх= 4,4 Вт для А720Б, Рвх = 1 Вт для А720В,
Рвх = 12,5 Вт для А720Г, не менее...... 30%
438
Обратный ток коллектора при Т/КБ = 42 В,
не более:
А720А............................... 15 мА
А720Б............................... 7,5 мА
А72ОВ............................... 2,5 мА
А720Г............................... 22,5 мА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при ию = 40 В, не более:
А72ОА.................................. 30	мА
А720Б................................. 15	мА
А720В............................... 5	мА
А720Г............................... 45	мА
Обратный ток эмиттера при иэБ = 3 В,
не более:
А720А............................... 20 мА
А720Б............................... 10 мА
А720В............................... 3,5 мА
А72ОГ............................... 30 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение	коллектор—база....... 42 В
Постоянное напряжение	эмиттер—база..... 3 В
Импульсный ток коллектора при = 100 мкс,
0= 10:
А720А............................... 9,2 А
4М
А72ОБ............................... 4,6 A
A72OB............................... 1,15 A
А720Г............................... 13 A
Импульсная рассеиваемая мощность
коллектора’ при = 100 мкс, Q- 10,
Гк = -60...+25 °C:
А720А.................................. 92 Вт
А72ОБ............................... 46 Вт
А720В............................... 11,5 Вт
А720Г............................... 130 Вт
Температура р-п	перехода............... +185 °C
Температура окружающей среды........... —60... 7"к =
= +125 °C
’ При Гк > +25 "С максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
А, И, МАКС ~ 160//?т и (п-кн
при Гк > +25 °C
Р<, и, макс ~ (185	Гк)/А,и(п-к). От,
где	_ _
А,и(п-к) = 3/0+0,19(1— 0,86/7О)7ти, "C/Вт, для А720А,
А,и(п-к> = 6/О+ 0,38 (1 - 0,86/70/4, "C/Вт, для А720Б,
А.и(п-к) = 24/0+ 1,52 (1 - 0,86/70)4, “C/Вт, для А72ОВ,
А.ил-ю = 3/О+ 0,128 (1 - 0,86/70)4, °С/Вт, для А720Г.
Формулы справедливы при А. и. макс 165 Вт для А720А; при А, и, макс 60 Вт
для А720Б; при А, и. макс 20 Вт для А72ОВ; при А, и, макс 5 220 Вт для А72ОГ
А722А, А722Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
широкополосных усилителях и генераторах в полосе частот
3,1...3,5 ГГц в схеме с общей базой, транзистор А722А в
импульсном режиме, А722Б в непрерывном режиме. Выпуска-
ются в металлокерамических корпусах с полосковыми вывода-
ми. Транзисторы содержат внутренние согласующие цепи по
входу и выходу. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 5,5 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Импульсная выходная мощность на /= 3,1;
3,3; 3,5 ГГц при </КБ = 24 В, Рвх = 3,3 Вт,
7И = 100 мкс, Q= 10, для А722А, не менее. 10 Вт
440
А722(А,Б)
Выходная мощность на f= 3,1; 3,3; 3,5 ГГц
при UKb = 21 В, Рвх = 2,5 Вт для А722Б,
не менее.............................. 8 Вт
Коэффициент усиления по мощности
на f= 3,1; 3,3; 3,5 ГГц, не менее:
А722А при UKb = 24 В, Рвх = 3,3 Вт,
4, = 100 мкс, 0= 10................ 3
А722Б при UKb = 21 В, Рвх = 2,5 Вт. 3,2
Коэффициент полезного действия коллектора
на Г= 3,1; 3,3; 3,5 ГГц, не менее:
А722А при UKb = 24 В, Рвх = 3,3 Вт,
4, = 100 мкс, 0= 10................ 30%
А722Б при UKb = 21 В, Рвх = 2,5 Вт. 35%
Обратный ток коллектора при 1/КБ = 30 В,
не более.............................. 20 мА
Обратный ток эмиттера при U3b = 1,5 В,
не более.............................. 10 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база.. 25 В
Постоянное напряжение эмиттер—база.... 1,5 В
Потенциал статического электричества.. 1000 В
Постоянный ток коллектора............. 1,2 А
441
Средняя рассеиваемая мощность коллектора1
в динамическом режиме при Гк = —60...+25 °C 18,5 Вт
Температура р-п перехода................ +175 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус... 8 °С/Вт
Температура окружающей среды............ —60...	Гк =
= +100 °C
' При Гц >+25 *С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
Рк.иакс = (175 - Гк)/8, Вт.
Расстояние от корпуса до места лужения и пайки по длине
вывода не менее 3 мм, температура пайки не более +260 °C,
время пайки не более 3 с. Допускается пайка выводов на
расстоянии 2 мм от корпуса, температура пайки не более
+150 °C, время пайки не более 3 с. Допускается обрезка
выводов на расстоянии не менее 3 мм от корпуса й формовка
выводов на расстоянии не менее 1 мм.
А731А, А731Б, А731В, А731Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
широкополосных усилителях мощности и генераторах в полосе
частот 1,025... 1,15 ГГц в схеме ОБ при напряжении питания 50 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми
выводами. Транзисторы содержат внутренние согласующие цепи
по входу и выходу. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 5 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Импульсная выходная мощность в
Af= 1,025...1,15 ГГц при Un = 50 В,
= 10 мкс, О = 100, не менее:
А731А, А731Б при Рвх = 130 Вт............ 500 Вт
А731В, А731Г при = 60 Вт................. 250 Вт
Коэффициент усиления по мощности
в Af= 1,025...1,15 ГГц при Un = 50 В,
= 10 мкс, □= 100, не менее:
А731А, А731Б при Рвых = 500 Вт........... 5,64 дБ
А731В, А731Г при = 250 Вт................ 6,2 дБ
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра в Af= 1,025...1,15 ГГц при (7П = 50 В,
= 10 мкс, Q- 100, не менее:
А731А, А731Б при = 500 Вт................ 30%
А731В, А731Г при Р8ЫХ = 250 Вт........... 35%
442
А73НА-П
Обратный ток коллектор—эмиттер
при С/Кэ = 45 В, не более:
А731А, А731Г.........................   40	мА
А731Б............................... 80	мА
А731В............................... 20	мА
Обратный ток коллектора при Т/КБ = 65 В,
не более:
А731Б............................... 70	мА
А731Г............................... 35	мА
Обратный ток эмиттера при U3b = 3,5 В,
не более:
А731Б............................... 80	мА
А731Г............................... 40	мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база.... 65 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 3,5 В
Потенциал статического электричества.... 1000 В
Импульсный ток коллектора при 7И = 10 мкс,
0= 100:
А731А, А731Б......................... 38 А
А731В, А731Г......................... 19 А
443
Импульсная рассеиваемая мощность
коллектора’ при = 10 мкс, 0= 100,
Гк = -60...+85 °C:
А731А, А731Б.............................. 1050 Вт
А731В, А731Г.......................... 524 Вт
Температура р-п перехода................. +200 °C
Температура окружающей среды............. —60... Гк =
= +125 °C
1 При Гк < +85 °C импульсная рассеиваемая мощность коллектора опреде-
ляется из выражения
Л(, И, МАКС = 115//?т (п-к)» Вт.
При Гк > +85 °C
А. и, макс = (200 — 7"к)//?т (П_К), Вт,
где	_
А<п-к> = 1-2/0 + 0,03 (1 - 0,86/<O)V^, °С/Вт, для А731А, А731Б,
/?т(п-к> = 2,4/0 + 0,068 (1 - 0,86/VOM;, °С/Вт, для А731В, А731Г.
Расстояние от корпуса до места лужения и пайки не менее
3 мм, температура припоя +260 °C, время пайки не более 3 с.
Расстояние от корпуса до начала изгиба вывода не менее
3 мм. При монтаже транзистора в широкополосные линии
разрешается обрезать полосковые выводы на расстоянии не
менее 2 мм от корпуса, а также формовать выводы на рассто-
янии не менее 1 мм от корпуса. При этом усилие не должно
передаваться на место присоединения вывода с корпусом.
Присоединение выводов рекомендуется осуществлять мето-
дом сварки или пайки с применением мер по устранению
возможности возникновения механических напряжений между
выводом и корпусом транзистора. Температура корпуса тран-
зистора при этом не должна превышать +150 °C.
А739А-2, А739Б-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
усилителях мощности и генераторах в схеме ОБ при напряже-
нии питания 45 В в составе гибридных интегральных микро-
схем. Бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с
гибкими выводами. Транзистор содержит внутренние согласу-
ющие. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
444
А739(А-2, Б-2)
Электрические параметры
Импульсная выходная мощность на 1,5 ГГц
при Un = 45 В, = 10 мкс, 0= 100, не менее:
А739А—2 при Рвх = 125 Вт............ 550	Вт
А739Б—2 при Рвх = 100 Вт........... 440	Вт
Коэффициент усиления по мощности
на f= 1,5 ГГц при Un = 45 В, Ги = 10 мкс,
0= 100, Рвх = 125 Вт для А739А—2,
Рвх = 100 Вт для А739Б—2, не менее.... 6,4 дБ
Коэффициент полезного действия коллектор
ра на f= 1,5 ГГц при Un = 45 В, = 10 мкс,
0 = 100, Рвх = 125 Вт для А739А-2,
Рвх = 100 Вт для А 7 39 Б—2, не менее. 30%
Обратный ток коллектора при UKb = 50 В,
не более............................... 60	мА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при £/кэ = 45 В, не более.............. 60	мА
Обратный ток эмиттера при 1/эь = 3 В,
не более............................... 80	мА
445
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база.. 50 В
Постоянное напряжение эмиттер—база.... 3 В
Импульсный ток коллектора при = 10 мкс,
0= 100:
А739А-2............................ 78 А
А739Б-2............................ 63 А
Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Ги = 10 мкс, Q= 100, Гк = +85 °C:
А739А-2............................ 1300 Вт
А739Б-2............................ 1000 Вт
Температура р-п перехода.............. +190 °C
Температура окружающей среды.......... —60... Гк =
= +125 ’С
А743А, А743Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п усилительные. Предназначены для применения в
широкополосных импульсных усилителях мощности в полосе
частот 3,1...3,5 ГГц в схеме с общей базой при напряжении
питания 24 В. Транзисторы содержат внутренние согласующие
цепи по входу и выходу. Выпускаются в металлокерамическом
корпусе с полосковыми выводами. Тип прибора указывается
на корпусе.
Масса транзистора не более 5,5 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Импульсная выходная мощность в
АЛ= 3,1...3,5 ГГц при Un = 24 В, Ти = 100 мкс,
Q = 10, 7"к = +25 °C, не менее:
А743А при Рвх = 7 Вт................... 20 Вт
А743В при Рвх = 15 Вт.................. 40 Вт
Коэффициент усиления по мощности в
АЛ= 3,1...3,5 ГГц при Un = 24 В, ?и = 100 мкс,
О = 10, Гк = +25 °C, не менее:
А743А при Рвх = 7 Вт................... 4,5 дБ
А743В при Рвх = 15 Вт.................. 4,3 дБ
Коэффициент полезного действия коллектора
в Af= 3,1...3,5 ГГц при Un - 24 В, Ги - 100 мкс,
Q = 10, Гк = +25 °C, Рвх = 7 Вт для А743А,
Рвх = 15 Вт для А743Б, не менее........... 30%
446
А7Ш.Б)
Обратный ток коллектора при С/КБ = 30 В,
не более:
А743А.............................. 30 мА
А743В.............................. 60 мА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при (4з = 24 В, не более:
А743А.............................. 50 мА
А743В.............................. 60 мА
Обратный ток эмиттера при = 1,5 В,
не более:
А743А.............................. 10 мА
А743В.............................. 40 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база*
при Гк = +25...+125 °C................ 30 В
Постоянное напряжение эмиттер—база.... 1,5 В
Потенциал статического электричества.. 1000 В
Импульсный ток коллектора при = 100 мкс,
0= 10................................. 4 А
Импульсный ток базы при 1*и = 100 мкс, 0= 10 0,35 А
При Гк от +25 до —60 'С макс снижается линейно до 25 В.
447
Импульсная рассеиваемая мощность
коллектора1 при = 100 мкс, Q= 10,
Тк = —60...+65 °C....................... 47 Вт
Температура р-п перехода................ +175 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус
в импульсном режиме..................... 2,3 °С/Вт
Температура окружающей среды............ —60... Гк =
= +125 °C
’ При Гк > +65 ”С максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
А. и. макс = (175 - Гк)/2,3, Вт.
Расстояние от корпуса до места изгиба, лужения и пайки
не менее 3 мм. Температура пайки +260 ± 5 °C, время пайки
не более 3 с. Допускается пайка выводов на расстоянии не
менее 2 мм от корпуса при температуре не выше +150 °C в
течение не более 3 с. Допускается пайка фланца корпуса
транзистора к теплоотводу при температуре пайки не выше
+ 160 °C в течение не более 30 мин.
А749
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п генераторный. Предназначен для применения в уси-
лителях и генераторах в диапазоне частот 2... 10 ГГц в схеме
ОБ в составе гибридных интегральных микросхем. Бескорпус-
ный на металлокерамическом кристаллодержателе. Тип при-
бора указывается на кристаллодержателе.
Масса транзистора не более 1 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Выходная мощность на f- 10 ГГц
при £/кб = 12 В, /к = 0,85 А, Рвх = 1,5 Вт,
Гк = +25 °C, не менее.................. 2,6	Вт
среднее значение.................... 3 Вт
Фаза коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при 6/КБ = 2 В, /к = 400 мА,
f= 1 ГГц, не более.................... 16°
Обратный ток коллектора при (/КБ = 15 В,
не более............................... 2 мА
Обратный ток эмиттера при U3b = 1,2 В,
не более............................... 1 мА
448
A7W
7,5
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания........... 14 В
Постоянное напряжение коллектор—база.... 15 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 1,2 В
Потенциал статического электричества.... 100 В
Постоянный и импульсный ток коллектора.. Т,95 А
Средняя рассеиваемая мощность коллектора’
в динамическом режиме при Гк = —60...+25 °C 8,7 Вт
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора* 2 при Гк = —60...+57 °C, U№ = 6 В. 3,4 Вт
Температура р-п перехода................ +190 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус... 39 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус
в динамическом режиме................... 19 °С/Вт
Температура окружающей среды............ —60... Гк =
= +125 °C
’ При Гк > +25 °C максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность
коллектора рассчитывается по формуле
Рк ср.макс = (190 - Гк)/19, Вт.
2 При Тц > +57 °C максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
А. макс = (190 — 7"к)/39, Вт.
15-949
449
При эксплуатации транзистор должен плотно прилегать к
теплоотводу, шероховатость поверхности теплоотвода должна
быть не более 1,6 мкм, неплоскостность не более 0,02 мм.
Минимальное расстояние от кристаллодержателя до места
пайки вывода 1 мм, температура пайки не выше +260 °C,
время пайки не более 3 с. Припой ПОС—61. Допускается пай-
ка, сварка выводов на расстоянии не менее 0,5 мм от кристал-
лодержателя, температура пайки не выше +150 °C. Изгиб вы-
водов допускается на расстоянии не менее 2 мм от кристалло-
держателя с радиусом закругления 0,5 мм. Допускается об-
резка выводов на расстоянии не менее 1,5 мм.
А750
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п генераторный. Предназначен для применения в
широкополосных усилителях мощности, генераторах и умно-
жителях частоты в диапазоне частот 0,9... 1,45 ГГц в схеме с
общей базой в непрерывном и импульсном режимах, в том
числе в широкополосных устройствах, полосы которых лежат
в диапазоне частот 1,2... 1,45 ГГц. Выпускаются в металлокера-
мическом корпусе с полосковыми выводами. Тип прибора ука-
зывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
А 750
450
Электрические параметры
Импульсная выходная мощность на f- 1,2;
1,3; 1,4 ГГц при = 32 В, tfyp = 6,5 дБ,
Пк = 45%,	= 300 мкс, Q = 5, не менее.. 125 Вт
Коэффициент усиления по мощности
на f= 1,2; 1,3; 1,4 ГГц при Ц, = 32 В,
Рвых. ~ 125 Вт, Ку р = 6,5 дБ, Т)к = 45%,
4, = 300 мкс, Q = 5, не менее.......... 6,5 дБ
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра на f= 1,2; 1,3; 1,4 ГГц при Ц, = 32 В,
^вых ~ 125 Вт, Ку р = 6,5 дБ, % = 45%,
4, = 300 мкс, О = 5, не менее.......... 45%
Выходная мощность на f- 1,3 ГГц при
Un “ 28 В, КуР = 6 дБ, % = 45%, не менее .... 110 Вт
Коэффициент усиления по мощности на
f= 1,3 ГГц при OJi = 28 В, Рвых = 110 Вт,
Пк = 45%, не менее..................... 6 дБ
Коэффициент полезного действия коллектора
на f= 1,3 ГГц при Up = 28 В, Кур = 6,5 дБ,
Рвых = 1Ю Вт, не менее................. 45%
Обратный ток коллектора при 4/К6 = 50 В,
не более............................... 150 мА
Обратный ток эмиттера при Ux = 3,5 В,
не более............................... 50 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база  50 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 3,5 В
Средний ток коллектора................. 10 А
Импульсный ток коллектора:
при 4, = 20 мкс, 0 = 10............. 15 А
при-4, = 100 мкс, О= 10 или 4, = 400 мкс,
0=5................................. 12 А
Постоянный ток базы.................... 4,5 А
Средняя рассеиваемая мощность коллектора
в динамическом режиме.................. 176 Вт
Температура р-п перехода............... +175 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 0,85 °C/Вт
Температура окружающей среды........... —60... 7“к =
= +125 °C
' При Т, С +75 °C
А ср. накс = 100/0,85, Вт.
При Г* > +75 °C
Рк. ср. накс ~ (175 — 7^)/0,85, Вт.
16'
451
Применение транзистора в статическом режиме, в том чи-
сле в режиме класса «А», не допускается.
Шероховатость контактирующей поверхности теплоотвода
должна быть не более 1,6 мкм, неплоскостность не более
0,01 мм. Минимальное расстояние места пайки выводов от
корпуса 3 мм, температура пайки не выше +265 °C. Допускает-
ся пайка выводов на расстоянии 1,5 мм, температура пайки не
выше +150 °C, время пайки не более 8 с. Допускается сварка
выводов на расстоянии 1,5 мм при температуре не более
+ 150 °C. Допускается обрезать и изгибать выводы на рассто-
янии 1,5 мм от корпуса.
А751А, А751Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
широкополосных усилителях мощности и генераторах импульс-
ного (А751А) и непрерывного (А751Б) режимов работы в по-
лосё частот 2,7...3,1 ГГц, а также в других широкополосных
устройствах в диапазоне частот 2,6...3,2 ГГц в схеме с общей
базой. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полос-
ковыми выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 10 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Импульсная выходная мощность на f= 2,7;
2,9; 3,1 ГГц при Un = 24 В, Рвх = 2,85 Вт,
= 100 мкс, Q- 10, не менее................ 10 Вт
Коэффициент усиления по мощности
на f= 2,7; 2,9; 3,1 ГГц при U„ = 24 В,
Рвх = 2,85 Вт, Ги = 100 мкс, О = 10, не менее . 3,5
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра на f = 2,7...2,9...3,1 ГГц при t/n = 24 В,
Рвх = 2,85 Вт, 7И = 100 мкс, 0= 10, не менее . 32%
Обратный ток коллектора, не более:
Тк = +25 °C при £/кб = 30 В........... 20 мА
7"к = +125 °C при £/кб = 30 В......... 40 мА
7"к = —60 °C при UKb = 25 В........... 40 мА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при (7КЭ = 24 В, не более................. 30 мА
Обратный ток эмиттера при U3b - 1,5 В,
не более:
Тк = +25 °C..........................Л	10 мА
7; =+125 и-60 °C...................... 20 мА
452
А751(А,Б)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база’... 30 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 1,5 В
Потенциал статического электричества.... 1000 В
Импульсный ток коллектора Ги = 250 мкс,
0=10 для А751А.......................... 2 А
Постоянный ток коллектора для А751Б..... 1,5 А
Импульсная рассеиваемая мощность
коллектора* 2 при = 100 мкс, 0= 10,
Тк = -60...+65 °C....................... 23,5 Вт
Средняя рассеиваемая мощность коллектора3
в динамическом режиме при Тк = —60...+25 °C
дляА751Б................................ 21,5 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус... 8 °С/Вт
' При изменении Гк от +25 до —60 °C максимально допустимое постоянное
напряжение коллектор—база снижается линейно до 25 В.
2 При Гк * +65 °C максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
А, и. макс = (175 ~ Гк)/4,6, Вт.
3 При Гк > +25 °C максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность
коллектора рассчитывается по формуле
А, ср, макс = (200 — Гк)/8, Вт.
453
Тепловое сопротивление переход—корпус
в динамическом режиме................... 4,6 °С/Вт
Температура окружающей среды............ -60... Тк =
= +125 °C
Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 3 мм
от корпуса. Разрешается откусывать полосковые выводы на
расстоянии не менее 3 мм от корпуса, а также формовать
выводы на расстоянии не менее 1 мм от корпуса. Расстояние
от корпуса до места лужения и пайки по длине вывода не
менее 3 мм, температура припоя не более +265 °C, время
пайки не более 3 с. Допускается пайка на расстоянии не менее
2 мм от корпуса при температуре пайки не более +150 °C в
течение 3 с.
При монтаже в аппаратуре транзисторы должны плотно
прилегать к теплоотводу, шероховатость контактной поверх-
ности теплоотвода должна быть не более 1,6 мкм, неплоскост-
ность не более 0,01 мм.
Допускается пайка фланца корпуса к теплоотводу при тем-
пературе пайки +160 °C в течение не более 30 мин. Допуска-
ется обрезка фланца транзистора.
А764А, А764Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п усилительные. Предназначены для применения в
выходных каскадах видеоусилителей многоцветных графиче-
ских дисплеев для САПР БИС. Выпускаются в металлокерами-
ческом А764А и в металлическом корпусе с гибкими выводами
и стеклянными изоляторами А764Б. Тип прибора указывается
на корпусе.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 1,5 г,
в металлокерамическом — не более 1,9 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, /к = 50 мА,
Г= +25 °C ..................................... 15...25*...45
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при ию = 10 В, 4 = 50 мА,
f= 300 МГц..................................... 3,4...4,5*...5*
Емкость коллекторного перехода
при = 10 В, не более........................... 2,5 пФ
типовое значение.......................... 2 пФ
454
А764А
5.9
А776Б
Емкость эмиттерного перехода при (Jx = 0..... 17*...22*...
25* пФ
Обратный ток коллектора при L/K6 = 120 В,
не более................................... 0,1 мА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при = 80 В, /?6Э = 1 кОм, не более........ 1 мА
Обратный ток эмиттера при 1/ж = 3 В,
не более.................................. 0,1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база.. 120 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /^ = 1 кОм......................... 80	В
Постоянное напряжение база—эмиттер.... 3 В
455
Постоянный и импульсный ток коллектора:
А764А.................................... 300 мА
А764Б................................ 400 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Гк = —60...+50 °C:
А764А.................................... 3 Вт
А764Б...........i.................... 5 Вт
Температура р-п перехода................. +200 °C
Температура окружающей среды............. —60... Гк	=
= +85 °C 1 * 3
1 При Гк > +50 °C максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
Р*. МАКС = (200 - Гк)//?т (П-К), Вт,
где /?т m-к) = 35 °С/Вт для А764А, /?т<п-к) = 30 °С/Вт для А764Б.
Транзисторы пригодны для монтажа в аппаратуре методом
групповой пайки или паяльником. Расстояние от корпуса (изо-
лятора) до места лужения и пайки по длине вывода не менее
3 мм для А764А и не менее 6 мм для А764Б, температура
припоя не выше +265 °C, время пайки не более 4 с. Допускается
трехкратная перепайка выводов. Расстояние от корпуса до мес-
та изгиба вывода не менее 3 мм. Разрешается обрезать выводы
у транзистора А476Б на расстоянии не менее 5 мм от корпуса.
А767А, А767Б, А767В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
импульсных широкополосных усилителях мощности и генера-
торах в полосе частот 1,45... 1,55 ГГц в схеме с общей базой
при напряжении питания 45 В. Выпускаются в металлокерами-
ческом корпусе с полосковыми выводами. Тип прибора указы-
вается на корпусе.
Масса транзистора не более 9 г для А767А, не более 5 г
для А767Б, А767В.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Импульсная выходная мощность на f= 1,45;
1,5; 1,55 ГГц при U„ = 45 В, 7И = 50 мкс,
0 = 10, Тк = +25 °C, не менее:
А767А при Рвх =	50 Вт............ 200 Вт
А767Б при Рвх =	32,5 Вт.......... 130 Вт
А767В при Рвх =	7 Вт............. 35 Вт
456
А767(Б,В)
Коэффициент усиления по мощности
на / = 1,45; 1,5; 1,55 ГГц при U„ = 45 В,
= 50 мкс, О = 10, Гк = +25 °C, не менее:
А767А при Рвх = 50 Вт............. 5	дБ
А767Б при Рвх = 32,5 Вт............ 6	дБ
А767В при Рвх = 7 Вт............... 7	дБ
457
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра на f= 1,45; 1,5; 1,55 ГГц при U„ = 45 В,
7И = 50 мкс, О = 10, Гк = +25 ’С, не менее. 38%
Обратный ток коллектора при = 50 В,
не более:
А767А................................... 50 мА
А767Б................................... 33 мА
А767В.........................-......... 8 мА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при £/ю = 45 В, не более:
А767А................................ 70	мА
А767Б................................ 46	мА
А767В................................ 12	мА
Обратный ток эмиттера при Ux = 3 В,
не более:
А767А................................... 60	мА
А767Б................................... 40	мА
А767В................................... 10	мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания.............. 45	В
Постоянное напряжение коллектор—база_______ 50	В
Постоянное напряжение эмиттер—база......... 3 В
Потенциал статического электричества....... 1000 В
Импульсный ток коллектора Ц, = 50 мкс,
0= 10:
А767А................................ 19	А
А767Б................................ 13	А
А767В............................... 3,3	А
Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора’ при 7И = 50 мкс, Q = 10:
А767А................................... 380 Вт
' При Гк от —60 до +85 °C,	= 50 мкс, О = 10 максимально допустимая
импульсная рассеиваемая мощность коллектора рассчитывается по формуле
А, И, МАКС = (Гп — 7”к)/А, И ВТ,
где Гк = +85 °C. При Гк от +85 до +125 °C
РК, И, МАКС ~ ( Гп — Гк)/А, И (П-Кр Вт,
где	_ _
А.жп-ю = 1,1/0 + 0,036(1 - О.Бб/т/О)^, °С/Вт, для А7Б7А,
А.ищ-ю = 1,65/ 0 + 0,054(1 - 0,86/VOb%, °С/Вт, для А767Б,
А, И (П-Ю = 6,5/0 + 0,216 (1 - 0,86/<Q)V7“, *С/Вт, для А767В.
Формулы справедливы при А, и, макс 520 Вт для А767А, А,и.м*хс 4 390 Вт для
А767Б, А € 100 Вт для А767В.
458
А767Б.............................. 260 Вт
А767В..............................65 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус
при = 50 мкс, 0=10:
А767А.............................. 0,3 °С/Вт
А767Б.............................. 0,45 °С/Вт
А767В.............................. 1,8 °С/Вт
Температура р-п	перехода.............. +200 °C
Температура окружающей среды.......... —60...7"K =
= +125 °C
Минимальное расстояние от корпуса до места изгиба, пай-
ки вывода 3 мм. Температура припоя +260 ± 5 °C, время пайки
не более 3 с.
При установке в аппаратуру транзистор должен плотно
прилегать к теплоотводу, шероховатость контактирующей по-
верхности теплоотвода должна быть не более 1,6 мкм, не-
плоскостность не более 0,02 мм. Для уменьшения контактного
сопротивления между корпусом и теплоотводом следует при-
менять смазки, например, КПТ—8 по ТУ 1177—66^
А792
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п усилительный линейный. Предназначен для приме-
нения в линейных усилителях мощности в схеме с общим
эмиттером на частотах до 2,3 ГГц. Выпускаются в металлоке-
рамическом корпусе с полосковыми выводами. Транзистор
маркируется буквой «Г» и точкой красного цвета. Тип прибора
указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 3 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Выходная мощность на f= 2,3 ГГц
при УКБ = 18 В, /к = 380 мА, не менее... 2,1 Вт
среднее значение..................... 2,5 Вт
Коэффициент усиления по мощности на
f= 2,3 ГГц при £/кб = 18 В, /к = 380 мА,
не менее................................ 5,5 дБ
Коэффициент полезного действия коллекто-
ра на f= 2,3 ГГц при 6/КБ = 18 В, /к = 380 мА,
не менее............................. 30,7%
459
№92
Обратный ток коллектор—эмиттер
при £/кэ = 22 В, /?БЭ = 100 Ом, не более. 10 мА
Обратный ток эмиттера при изъ = 3,5 В,
не более............................... 2	мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер1
при /4э = ЮО Ом.......................... 22 В
Постоянное напряжение эмиттер—база....... 3,5 В
Потенциал статического электричества..... 1000 В
Постоянный ток коллектора................ 550 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора* 2 при Гк = —60...+50 °C............ 9 Вт
Температура р-п перехода................. +160 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус  12,2 °С/Вт
Температура окружающей среды............. —60... Гк =
= +125 °C
' Цо ₽	20 В допускается только при закрытом эмиттерном переходе.
2 При Тц > +50 °C максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
А. макс = (160 - Гк)/12,2, Вт.
Транзистор допускает применение статического режима и
усиления в классе «А». Не рекомендуется работать при напря-
жении питания выше 16 В на рабочих частотах ниже 600 МГц-
460
Расстояние от корпуса до места лужения и пайки не менее
1,5 мм, температура припоя +260 °C, время пайки не более
3 с. Расстояние от корпуса до начала изгиба вывода не менее
3 мм. Разрешается обрезать полосковые выводы на расстоя-
нии не менее 1,5 мм от корпуса, а также формовать выводы на
расстоянии не менее 1 мм от корпуса.
А793А, А793Б, А793В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п усилительные. Предназначены для применения в
аппаратуре многоканальной кабельной связи с повышенными
требованиями к линейности усиления в полосе рабочих частот
4...60 МГц, обеспечивающих защиту транзисторов от воздей-
ствия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея, росы,
агрессивных газов и смесей. Бескорпусные на металлокерами-
ческом кристаллодержателе с гибкими выводами. На транзи-
стор наносят условную маркировку в виде точки: А793А —
красной, А793Б — зеленой, А793В — черной. Тип прибора
указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,21 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
461
Электрические параметры
Выходная мощность на f= 650 МГц
при = 10 В, Рвх = 30 мВт, для А793В,
не менее................................. 110 мВт
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при UK3 = 10 В, /э = 100 мА,
не менее:
А793А, А793В.......................... 35
А793Б................................. 70
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при (Укэ = 10 В, /к = 100 мА,
не менее................................. 4 ГГц
Граничное напряжение при /к = 50 мА,
не менее:
А793А................................. 18 В
А793Б................................. 16 В
Обратный ток коллектор—эмиттер
при £/кэ = 20 В, /?БЭ = 100 Ом, не более. 5 мА
Обратный ток коллектора при UKb = 20 В,
не более................................. 1 мА
Обратный ток эмиттера при U3b = 2,5 В,
не более................................. 0,5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база..... 20 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 100 Ом........................ 20 В
Постоянное напряжение эмиттер—база....... 2,5 В
Потенциал статического электричества..... 100 В
Постоянный ток коллектора................ 0,2 А
Импульсный ток коллектора 7И = 1 мс, Q- 10 0,3 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Гк = —60...+50 °C.............. 2,5 Вт
Температура р-п перехода................. +150 *С
Тепловое сопротивление переход—корпус.... 40 °С/Вт
Температура окружающей среды............. —60... Гк =
= +125 °C
’ При Гк > +50 °C максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
А. накс = (150 - TJ/40, Вт.
462
Защитный компаунд по ЭКМ.НУ0.028.000 ТУ (основа —
смола эпоксидная ЭД—20 по ГОСТ 10587—76).
Монтаж транзистора в гибридной схеме производят при-
пайкой металлизированного основания кристаллодержателя к
теплоотводу при температуре пайки не выше +180 °C в течение
не более 1 мин. Минимальное расстояние места пайки выводов
от кристаллодержателя 2 мм, температура пайки не выше
+260 °C, время пайки не более 3 с. Припой ПОС—61. Допуска-
ется пайка выводов на расстоянии не менее 1 мм от кристалло-
держателя при температуре пайки не выше +150 °C. Допуска-
ется обрезать выводы на расстоянии не менее 1,5 мм от
кристаллодержателя.
А794А, А794Б, А794В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
усилительных и генераторных устройствах импульсного режи-
ма работы с общей базой в полосе частот 1,4... 1,6 ГГц при
напряжении питания 45 В. Транзисторы содержат внутренние
согласующие цепи по входу и выходу. Транзисторы А794А,
А794Б имеют внутренний дроссель в цепи эмиттер—база.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми
выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 9 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Импульсная выходная мощность
в А/ = 1,4...1,6 ГГц при Un = 45 В,
= 10 мкс, Q= 100, не менее:
А794А при Рвх = 125	Вт................. 500	Вт
А794Б при Рвх = 100	Вт................. 400	Вт
А794В при Рвх = 100	Вт................. 500	Вт
Коэффициент усиления по мощности
в А/ = 1,4...1,6 ГГц при Un = 45 В, /и = 10 мкс,
0= 100, не менее:
А794А, А794Б................................. 6	дБ
А794В..................................   7	дБ
463
А79Ш - В)
Коэффициент полезного действия коллектора
в ДГ = 1,4...1,6 ГГц при Un = 45 В, = 10 мкс,
Q = 100, не менее:
А794А при Рвх = 125 Вт.................	30%
А794Б при Рвх = 100 Вт.............. 30%
А794В при Рвх = 100 Вт.............. 30%
Обратный ток коллектор—эмиттер
при UK3 = 45 В, РБЭ = 0, не более:
7= +25 °C:
А794А, А794В......................... 60	мА
А794Б............................. 45	мА
Т= -60 и +125 °C:
А794А, А794В......................... 90	мА
А794Б............................. 70	мА
Обратный ток эмиттера при U3b = 3 В,
не более................................. 60	мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания........... 45	В
Постоянное напряжение коллектор—база.... 50 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 3 В
Импульсный ток коллектора при Ги = 10 мкс,
О= 100:
А794А, А794В......................... 39	А
А794Б................................ 35	А
464
Импульсная рассеиваемая мощность кол-
лектора1 в радиоимпульсное режиме при
/и = 10 мкс, 0= 100:
А794А, А794В........................... 1290 Вт
А794Б............................... 1165 Вт
Минимальная рабочей частота............ 0,6 ГГц
Температура окружающей среды........... —60... Гк =
= +125 °C
’ При Гк от -60 до +85 °C Ги = 10 мкс, О = 100 максимально допустимая
импульсная рассеиваемая мощность коллектора рассчитывается по формуле
Рк, и, МАКС “ 115/А, и (п-к)> Вт-
При 7"к от +85 до +125 "С, Ги= 10 мкс, О = 100 максимально допустимая им-
пульсная рассеиваемая мощность коллектора рассчитывается по формуле
Рк, и. макс = (200 — ЛЭ//?т. „ (п-к)» Вт,
где	_ _
/?Г.И(п-К> = 1,24/0+ 0,027 (1 - 0,86/VO)<f„, °С/Вт, для А794А, А794В,
А,И(П-К> = 1,38/0+ 0,03 (1 - 0,86/VO)V^, °С/Вт, для А794Б.
Формулы справедливы при Рк и, макс 1800 Вт для А794А, А794В,
8с и,макс I860 Вт для А794Б, Ти = 400 мкс.
Транзисторы пригодны для монтажа в аппаратуре паяльни-
ком. Число перепаек транзисторов — 3. Минимальное рассто-
яние места пайки выводов от корпуса 3 мм, температура пайки
не выше +265 °C, время пайки не более 3 с. Допускается
пайка выводов на расстоянии 1,5 мм при температуре припоя
не выше +150 °C, время пайки не более 10 с. Допускается
сварка выводов на расстоянии 1,5 мм, при этом температура
корпуса не должна превышать +150 °C. Допускается пайка
фланца корпуса транзистора к теплоотводу при температуре
пайки +180 °C, скорость изменения температуры корпуса не
более 1 °С/с, время пайки не более 4 мин.
Допускается обрезать и изгибать выводы на расстоянии не
менее 1,5 мм.
А797
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п генераторный. Предназначен для применения в уси-
лителях мощности и генераторах в диапазоне частот до 2 ГГц
в схеме с общим эмиттером в составе гибридных интеграль-
ных микросхем, блоков, обеспечивающих герметизацию и за-
щиту транзисторов от воздействия влаги, соляного тумана,
плесневых грибков, инея, росы, агрессивных газов и смесей.
Бескорпусный на кристаллодержателе с гибкими выводами.
465
Тип прибора указывается в этикетке. На транзистор наносит
красная точка.
Масса транзистора не более 0,2 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
М97
Электрические параметры
Выходная мощность на f = 2 ГГц при	= 7 В,
4 = 45 мА, р = 2 дБ, Гк = +25 °C,
не менее.....’......................... 50 мВт
Коэффициент усиления по мощности
на Г = 2 ГГц при £/Кб = 7 В, /к = 45 мА,
Гк = +25 °C, не менее.................. 8 дБ
Статический коэффициент передачи тока в
схеме ОЭ при = 6 В, /к = 30 мА, не менее 20
Обратный ток коллектор—эмиттер
при = 12 В, = 1 кОм, не более.......... 1 мА
Обратный ток эмиттера при = 2 В,
не более............................... 0,1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при Лбэ = 1 кОм........................ 12 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 2 В
Потенциал статического электричества... 100 В
Постоянный ток коллектора.............. 60 А
466
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’ при Тк = —60...+60 °C................. 375 мВт
Тепловое сопротивление переход—корпус....... 200 °С/Вт
Температура р-п перехода.................... +135 °C
Температура окружающей	среды............ —60... 7"к =
___________	= +125 °C
1 При 7"к > +60 °C максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
Рк.иакс = <135 - Гк)/200, Вт.
Минимальное расстояние места пайки выводов от кристал-
лодержателя 2 мм, температура пайки не выше +260 °C, время
пайки не более 3 с. Припой ПОС—61. Допускается пайка (свар-
ка) выводов на расстоянии не менее 0,5 мм от кристаллодер-
жателя, при этом температура кристаллодержателя не должна
превышать +150 °C. Перед пайкой выводы промывают спир-
том, а затем смачивают флюсом. Состав флюса: 10...40%
канифоли, 90...60% спирта.
При монтаже транзисторов в гибридной схеме рекоменду-
ется приклеивать основание кристаллодержателя к теплоотво-
дящей поверхности монтажной платы теплопроводящим клеем
УП-5-207 М ТУ 6-05—241-208-79. Перед нанесением клея
кристаллодержатель транзистора и монтажная плата должны
быть прогреты при +60 ± 5 °C в течение 6 ± 1 мин. Не допус-
кается наличие щелей и свищей. После приклеивания произво-
дится подсушка при +120 ± 5 °C в течение 1 ч и при +150 °C
в течение 2 ч. Разрешается монтаж транзисторов в гибридной
схеме производить припайкой металлизированного основания
кристаллодержателя к теплоотводящей поверхности при тем-
пературе пайки не выше +180 °C.
Допускается обрезать выводы на расстоянии не менее 1 мм
от кристаллодержателя.
При установке в гибридную схему транзистор должен плот-
но прилегать к теплоотводу. Шероховатость контактной по-
верхности теплоотвода должна быть не более 1,6 мкм, не-
плоскостность не более 0,02 мм.
Допускается применение транзистора на частотах более
2 ГГц, при этом нормы на электрические параметры не гаран-
тируются.
А827А, А827Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в
промежуточных каскадах усилителей мощности станций спут-
467
никовой связи в полосе частот 1,63... 1,67 ГГц в схеме с общей
базой при напряжении питания--24 В, обеспечивающих герме-
тизацию и защиту транзисторов от воздействия влаги, соляно-
го тумана, плесневых грибков, инея, росы, агрессивных газов
и смесей. Бескорпусный на металлокерамическом кристалло-
держателе с полосковыми выводами. Тип прибора указывает-
ся на кристаллодержателе.
Масса транзистора не более 2 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
А827(А,Б)
Электрические параметры
Выходная мощность на f= 1,65 ГГц
при £/кб = 24 В, Гк = +25 °C, не менее:
А827А при Рвх = 1,2 Вт.............. 7,5	Вт
А827Б при Рвх = 0,12 Вт............. 1,2	Вт
Коэффициент полезного действия коллектора
на f= 1,65 ГГц при икъ = 24 В, Гк = +25 °C,
Рвх = 1,2 Вт для А827А, Рвх = 0,12 Вт для
А827Б, не менее....................... 40%
Обратный ток коллектора При 6/КБ = 40 В,
не более:
А827А...................  :.......... 10	мА
468
А827Б............................... 5 мА
Обратный ток эмиттера при иэъ = 2 В,
не более:
А827А............................... 10 мА
А827Б............................... 5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания.......... 24 В
Постоянное напряжение коллектор—база1.. 45 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 2 В
Потенциал статического электричества... 1000 В
Постоянный ток коллектора:
А827А............................... 500 мА
А827Б............................... 250 мА
Средняя рассеиваемая мощность коллектора* 2
в динамическом режиме при Гк = —60...+25 °C:
А827А............................... 9 Вт
А827Б............................... 4,5 Вт
Температура р-п перехода............... +175 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус
в динамическом режиме:
А827А............................... 13 °С/Вт
А827Б............................... 20 °С/Вт
Температура окружающей среды........... —60... Гк =
= +125 °C
' При 7"к от +15 до —60 °C Ук6 мдкс снижается линейно до 40 В.
2 При Гк > +25 °C максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность
коллектора рассчитывается по формуле
РК, СР, МАКС = ( 7п — 7”к)/А (П-К|, Вт.
Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 2 мм
от кристаллодержателя. Пайка выводов допускается на рас-
стоянии не менее 1 мм от кристаллодержателя, температура
пайки не выше +265 °C, время пайки не более 3 с. Припой
ПОС—61. Допускается пайка выводов на расстоянии не менее
0,5 мм, температура пайки не выше +150 °C Время пайки не
более 3 с. Допускается обрезка выводов на расстоянии не
менее 2 мм от кристаллодержателя.
А834А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п генераторный. Предназначен для применения в уси-
лителях и генераторах в схеме с общей базой при напряжении
469
питания 15 В в диапазоне частот 1...7.2 ГГц в составе гибрид-
ных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию
и защиту транзисторов от воздействия влаги, соляного тумана,
плесневых грибков, инея, росы, агрессивных газов и смесей.
Бескорпусный на кристаллодержателе с контактными площад-
ками без выводов. На кристаллодержатель наносится белая
точка. Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,008 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Выходная мощность на /= 7 ГГц при
1/КБ = 15 В, /к = 45 мА, Рвх = 25 мВт, не менее .. 80 мВт
Модуль коэффициента обратной передачи
напряжения в схеме ОБ на высокой частоте
при 4/№ = 15 В, /к = 30 мА, f= 0,1 ГГц,
не более.............................   1,5	• 10-3
Обратный ток коллектора при £/КБ = 25 В,
не более...............................   1	мА
Обратный ток эмиттера при = 3 В,
не более.............................   0,1	мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база.... 15 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 3 В
Потенциал статического электричества.... 100 В
Постоянный ток коллектора............... 60 мА
470
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’:
яри Гк = —60...+85 ’С.................... 100 мВт
при Гк = +100 ’С...................... 50 мВт
Температура р-п перехода................. +150 *С
Температура окружающей среды............. —60... Тк =
= +100 X
1 При Гк от +85 до +100 °C максимально допустимая постоянная рассеива-
емая мощность коллектора снижается линейно.
Защитное покрытие транзистора — компаунд по ЭКМ. Кон-
тактные площадки покрыты слоями никеля толщиной 3 мкм и
золота 4,5 мкм.
А837А, А837Б, А837В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п усилительные. Предназначены для применения в
усилителях класса «А» с повышенными требованиями к линей-
ности в составе гибридных интегральных микросхем. Бескор-
пусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими по-
лосковыми выводами. Тип прибора указывается на этикетке.
Масса транзистора не более 0,2 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
А837(А-В)
471
Электрические параметры
Выходная мощность на f= 650 МГц при
С/кэ = 10 В, Рвх = 30 мВт для А837В, не менее. 110 мВт
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при (7КЭ = 10 В, /э =-100 мА,
не менее:
А837А, А837В.......................... 35
А837Б................................. 70
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при (7КЭ = 10 В, /к = 100 мА,
не менее................................. 4 ГГц
Граничное напряжение при /к = 50 мА,
не менее:
А837А................................. 18 В
А837Б................................. 16 В
Обратный ток коллектор—эмиттер
при (7КЭ = 20 В, /?БЭ = 100 Ом, не более. 5 мА
Обратный ток коллектора при (УКБ = 20 В,
не более................................. 1 мА
Обратный ток эмиттера при (/ЭБ = 2,5 В,
не более................................. 0,5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база..... 20 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 1 кОм......................... 20 В
Постоянное напряжение эмиттер—база....... 2,5 В
Потенциал статического электричества..... 100 В
Постоянный ток коллектора................ 200 мА
Импульсный ток коллектора 7И = 1 мс, 0= 10 300 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —60...+25 °C............... 2,5 Вт
Температура р-п перехода................. +150 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус.... 40 °С/Вт
Температура окружающей среды............. —6О...7"к =
= +125 °C
При монтаже транзисторов в гибридную схему рекоменду-
ется приклеивать основание кристаллодержателя к теплоотво-
ду теплопроводящим клеем УП—5—2О7М. Перед нанесением
клея кристаллодержатель транзистора и монтажная плата дол-
жны быть прогреты при +60 °C в течение 6 мин. После прикле-
ивания они должны пройти сушку при +120 °C в течение 1 ч и
472
при +150 °C в течение 2 ч. Разрешается пайка металлизиро-
ванного основания кристаллодержателя, при температуре не
более +180 °C.
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 2 мм
от кристаллодержателя, температура пайки не выше +260 °C,
время пайки не более 3 с. Допускается пайка на расстоянии не
менее 0,5 мм, температура пайки не более +150 °C, время
пайки не более 3 с.
Транзисторы р-п-р
2Т658А-2, 2Т658Б-2, 2Т658В-2
Транзисторы кремниевые планарные структуры р-п-р усили-
тельные. Предназначены для применения в широкополосных
линейных и импульсных усилителях и преобразователях. Бес-
корпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами. Тип
прибора указывается в этикетке. На крышке транзистора нано-
сится условная маркировка в виде цветной точки: 2Т658А—2 —
красная, 2Т658Б—2 — белая, 2Т658В—2 — черная.
Масса транзистора не более 0,2 г.
Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Планета», г. Новгород.
2Т6581А-2, Б-2, В-2)
473
Электрические параметры
Коэффициент шума при УКБ = 5 В, /э = 60 мА,
f= 1 ГГц............................... 3,8*..7,8* дБ
Коэффициент усиления по мощности
при U№ = 5 В, /э = 60 мА, f= 1 ГГц..... 6*...10,5* дБ
Статический коэффициент передачи тока в
схеме ОЭ при U№ = 5 В, /э = 50 мА, не менее:
Т= +25 'С:
2Т658А-2, 2Т658В-2.................. 20
2Т658Б-2......................... 30
Т= +125 °C:
2Т658А-2, 2Т658В-2 ............ 20...400
2Т658Б-2 ...................... 30...450
Т = -60 X:
2Т658А-2, 2Т658В-2, не менее..... 10
2Т658Б—2, не менее............... 15
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при УКБ = 5 В, 4 = 50 мА,
im
MU 4*11,1II» V»
2Т658А-2, 2Т658Б-2.................. 4 ГГц
2Т653В-2............................ 2 ГГц
Емкость коллекторного перехода
при Ц® = 10 В, не более................ 2 пФ
Емкость эмиттерного перехода
при U№ = 0,5 В, не более:
2Т658А-2, 2Т658Б-2.................. 3 пФ
2Т658В-2............................ 4 пФ
Обратный ток коллектора при £/КБ = 4/КБ МАКС,
не более:
Г =+25 °C........................... 0,5 м,
Г=+125°С............................ 3 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при Лю = 1 кОм:
2Т658А-2............................. 12	В
2Т658Б-2............................ 8 В
2Т658В-2............................. 15	В
Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т658А-2................................ 15	В
2Т658Б-2............................. 10	В
2Т658В-2............................ 20 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 3 В
Постоянный ток коллектора.............. 75 мА
474
Импульсный ток коллектора при 4,	100 мкс,
О Z 2..................................... 150 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1:
при 7"к = —60...+6Q °C................... 600 мВт
при Гк = +125 °C....................... 150 мВт
Температура р-п перехода.................. +150 °C
Температура окружающей среды.............. —6О...ТК =
= +125 °C
При = +60...+ 125 °C Рцшкс уменьшается линейно.
Входные характери-
стики
Выходные характери-
стики
Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от то-
ка эмиттера
hn/hm(50MA)
Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от на-
Г'.;'кения коллектор—
база
Зависимость граничной
частоты коэффициента
передачи тока от напря-
жения коллектор—база
Зависимость граничной
частоты коэффициента
передачи тока от тока
эмиттера
475
Зависимость емкости коллекторно-
го перехода от напряжения коллек-
тор—база
Зависимость емкости эмиттерного
перехода от напряжения эмиттер-
база
2Т691А-2
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры р-п-р усилительный с нормированным коэффициентом
шума на частоте 1 ГГц. Предназначен для применения в СВЧ
усилителях. Бескорпусный, в керамическом кристаллодержа-
теле с полосковыми выводами. На транзистор наносят черной
краской условный знак «+». Тип прибора указывается в эти-
кетке.
Масса транзистора не более 0,2 г.
Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элекс», г. Александров.
Электрические параметры
Коэффициент шума на частоте /= 1 ГГц
при (/КБ = 10 В, 4 = 5 мА, не более..... 4*	дБ
Коэффициент усиления по мощности на ча-
стоте f= 1 ГГц при (/КБ = 10 В, /к = 50 мА,
не менее............................... 6,6* дБ
Граничная мощность на частоте f- 1 ГГц
при (/КБ = 10 В, /к = 50 мА, не менее.. 23 мВт
Статический коэффициент передачи тока в
схеме ОЭ при С/КБ = 10 В, /э = 50 мА, не менее:
Гк =+25 и+125 °C.................... 20
Гк = -60°С.......................... 10
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при С/КБ = 10 В, /э = 50 мА,
не менее................................. 3	ГГц
Емкость коллекторного перехода
при (/КБ = 10 В, не более.............. 3,5	пФ
476
Обратный ток коллектора при (/КБ = 40 В,
не более:
Гк = +25 и -60 °C.................. 1 мА
Тк = +45 °C........................ 3 мА
Гк =+125 °C........................ 10 мА
Обратный ток эмиттера при (/ЭБ = 3 В,
не более............................... 1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база... 40 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 100 Ом...................... 25 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 3 В
Постоянный ток коллектора.............. 0,2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1:
Гк = -60...+25 °C.................. 1,2 Вт
Гк =+125 °C........................ 0,25 Вт
Температура р-п перехода............... +150 °C
Температура окружающей среды........... —60... Тк =
= +125 °C
’ При Гк > +25 °C РКг мдкс уменьшается линейно.
477
0,28 пФ	О.О^пФ
Эквивалентная схема замеще-
ния транзистора 2Т691А—2 в
активном режиме
hm /hin 50мА
Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от то-
ка эмиттера
Зависимость гранич-
ной частоты от тока
эмиттера
Зависимость коэф-
фициента шума от
частоты
2Т914А, КТ914А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п~р генераторные. Предназначены для применения в
усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах
на частотах до 400 МГц при напряжении питания 28 В. Выпус-
каются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами
и монтажным винтом. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 6 г.
Изготовитель — акционерное общество «Элекс», г. Але-
ксандров.
Электрические параметры
Выходная мощность при UK3 = 28 В, не менее:
на частоте f= 100 МГц..................... 7,2	Вт
на частоте f= 400 МГц..................... 2,5	Вт
476
2T9UA, КТ914А
Коэффициент усиления по мощности
при С/кэ = 28 В, не менее:
на частоте f= 100 МГц, Рвых = 7,2 Вт.. 7,2
на частоте f- 400 МГц, Рвых = 2,5 Вт.. 2,5
Коэффициент полезного действия коллектора
при = 28 В, Рвых = 3, не менее:
2Т914А:
на частоте f= 400 МГц.............. 40%
на частоте /= 100 МГц............. 65%
КТ914А на частоте f = 400 МГц
при Рвых = 2,5 Вт..................... 30%
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при ию = 5 В, 4 = 250 мА........ 10...60
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при = 28 В, 4 = 200 мА,
f= 100 МГц, не менее..................... 3
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 - 250 мА, /Б = 50 мА, не более..... 0,6 В
Напряжение насыщения эмиттер—база
при /к = 250 мА, 4 - 50 мА, не более..... 0,95 В
типовое значение...................... 0,9*
Критический ток на частоте f = 100 МГц
ПРИ <4э = Ю В, не менее:
2Т914А................................ 400 мА
КТ914А................................ 250 мА
Постоянная времени цепи обратной связи на
высокой частоте при £/КБ = 10 В, 4 = 30 мА,
f- 5 МГц, не более:
2Т914А................................. 15 нс
КТ914А................................ 20 нс
479
Емкость коллекторного перехода
при UKS = 28 В, f = 5 МГц, не более.... 12 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Ux = О,
не более............................... 170* пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при = 65 В, /?Э5 = 100 Ом, не более:
Г =+25 °C.......................... 2 мА
Г=+125°С........................... 5 мА
Обратный ток эмиттера при С/ЭБ = 4 В,
не более:
Т= +25 °C.......................... 0,1 мА
Г=+125°С........................... 0,2 мА
Индуктивность коллекторного, эмиттерного
и базового выводов, типовое значение... 4* нГн
Емкость эмиттер—корпус, база—корпус, ти-
повое значение......................... 1,3* пФ
Емкость коллектор—корпус, типовое значение 1,8* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при Rfa < 100 Ом........................ 65 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер . 75 В
Постоянное напряжение	эмиттер—база..... 4 В
Постоянный ток	коллектора.............. 0,8 А
Импульсный ток коллектора при С 100 мкс,
10................................. 1,5	А
Постоянный ток	базы.................... 0,2 А
Средняя рассеиваемая мощность1 в динамиче-
ском режиме при Гк С +40 °C............ 7 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 16 °С/Вт
Температура р-п перехода............... +150 °C
Температура корпуса.................... +125 °C
Температура окружающей среды........... —60... Гк	=
= +125 °C
' При Тк > +40 °C
А.СР.МАКС = (150 — TJ/16, Вт.
Изгиб и кручение выводов запрещается. Усилие, перпенди-
кулярное оси вывода, не более 0,5 Н.
Пайка выводов транзистора допускается не ближе 1 мм от
корпуса в течение не более 3 с при температуре не более
+260 °C. Обязателен теплоотвод между корпусом и местом
пайки.
480
Зависимость выходной
мощности от входной
мощности
Зависимость выходной
мощности от напряже-
ния коллектор—эмиттер
Зависимость коэффи-
циента полезного дей-
ствия от входной мощ-
ности
Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от то-
ка эмиттера
Зависимость критиче-
ского тока от напряже-
ния коллектор—эмиттер
Зависимость граничной
частоты от тока коллек-
тора
\hM,3\(T^25°C)
1.4
1.2
1.0
0.8
-60-JO О JO 60 Тх/С
О 50 100 150 200 !3'МА
Зависимость модуля коэффициен-
та передачи тока от температуры
корпуса
Зависимость постоянной времени
цепи обратной связи от тока эмит-
тера
16-
949
481
2Т941А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры р-п-р генераторный. Предназначен для применения в
импульсных и линейных усилителях мощности. Корпус метал-
лический со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Тип прибора указан на корпусе.
Масса транзистора не более 1,5 г.
Изготовитель — акционерное общество «Элекс», г. Але-
ксандров.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, 4 = 100 мА,
не менее:
Т= +25...+125 °C...................... 20
Т=-60°С............................... 15
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при = 10 В, f= 300 МГц,
не менее:
4 = 100 мА............................ 5
4 = 300 мА............................ 3,5
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 100 мА, 4 = 10 мА, не более..... 0,6 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 100 мА, 4 = 10 мА............... 0,75*...0,9*...
1,3 В
Постоянная времени цепи обратной связи на
высокой частоте при = 10 В, 4 = 30 мА,
f= 100 МГц............................... 6*...8* ..15 пс
482
Емкость коллекторного перехода
при - 20 В...............................
Емкость эмиттерного перехода при У6Э = 0,5 В
Обратный ток коллектора при £/КБ = 30 В,
не более:
Т= —60...+25 °C.......................
Г= +125 °C............................
2,5*...4* ..5 пФ
8*..12*... 14 пФ
0,3 мА
0,6 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база.... 30 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /^ = 10 Ом.......................... 30 В
Постоянное напряжение база—эмиттер...... 3 В
Постоянный ток коллектора1:
Т= -60...+70 °C...................... 0,5 мА
7"=+125°С............................ 0,3 мА
Импульсный ток коллектора при t* 10 мкс,
О> 10................................... 1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора* 2:
при Гк = —60...+25 °C................ 4 Вт
при Гк = +125 °C..................... 0,8 Вт
Температура р-п перехода................ +180 °C
Температура окружающей среды............ —60... Тк =
= +125 °C
’ При Гк = +7O...+ 125 °C /к кдкс изменяется линейно.
2 При Гк = +25...+ 125 °C Р, Мдкс изменяется линейно.
Выходные характери-
стики
Выходные характери-
стики
Входные характери-
стики
16
483
Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от то-
ка коллектора
Зависимость максималь-
но допустимого постоян-
ного напряжения коллек-
тор—эмиттер от сопроти-
вления база—эмиттер
Зависимость емкости
коллекторного перехо-
да от напряжения кол-
лектор—база
Зависимость граничной
частоты коэффициента
передачи тока от тока
эмиттера
Зависимость постоян-
ной времени цепи об-
ратной связи от тока
эмиттера
Области максимальных
режимов
2Т974А, 2Т974Б, 2Т974В, 2Т974Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р универсальные. Предназначены для применения в
импульсных и линейных устройствах и преобразователях. Вы-
пускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более . 1,5 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
484
2Т97ЦА-Г)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при ЦБ = 5 В, = 30 мкс:
/э = 1 А.................................... 10...40*...120*
/э =	5	А для	2Т974А.............. 5...30*..50*
/э =	7	А для	2Т974Б.............. 5...30*...50*
/э =	5	А для	2Т974В.............. 5...30*...50*
/э =	7	А для	2Т974Г, не менее.............. 10
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 6/кэ = 10 В, /к = 1 А....... 450...900*...
1350* МГц
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 1 А, /Б = 0,2 А:
2Т974А, 2Т974В.............................. 0,3*...0,5*...1 В
2Т974Б, 2Т974Г.............................. 0,25*...0,3*...
0,6 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 1 А, /Б = 0,2 А:
2Т974А, 2Т974В.............................. 0,9*...1,2*...
1,5 В
2Т974Б, 2Т974Г.............................. 0,9*...1*...1,2 В
Время включения при /к = 1 А, /Б = 0,2 А........ 0,012*...0,015*
...0,05 мкс
Время рассасывания при /к = 1 А, /Б = 0,2 А... 0,04*...0,08*...
0,2 мкс
Емкость коллекторного перехода
при U№ = 30 В................................... 20*..50*...
80 пФ
Емкость эмиттерного перехода при б/ЭБ = 0,5 В 85*...130*...
160 пФ
485
Обратный ток коллектора при 6*Б = Um ИАКС,
не более:
Т= +25 и -60 °C...................... 5i	мА
Т= +125 °C........................... 50	мА
Обратный ток коллектор—эмиттер при
Цо = 70 В для 2Т974А,	= 50 В для
2Т974Б, 2Т974Г,	= 40 В для 2Т974В,
/?бэ = 100 Ом, не более.................. 5	мА
Обратный ток эмиттера при U36 = 3 В,
не более................................. 5	мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т974А.................................. 80	В
2Т974Б, 2Т974Г...................... 60	В
2Т974В.............................. 50	В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?бэ = 100 Ом:
2Т974А.............................. 70 В
2Т974Б, 2Т974Г...................... 60 В
2Т974В.............................. 50 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 3 В
Постоянный ток коллектора.............. 2 А
Импульсный ток коллектора при /и < 10 мкс,
0^100.................................. 10 А
Постоянный ток базы.................... 0,5 А
Импульсный ток базы при 7И < 10 мкс,
05» 100................................. 2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Гк = —60...+50	’С............ 5 Вт
Температура р-п перехода............... +150 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 20 °С/Вт
Температура окружающей среды........... —60... Тк =
= +125 °C
’ При Гк > +50 °C максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
Як, МАКС = (150 - Гк)/20, Вт.
Пайка выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса
транзистора, время пайки не более 3 с, температура пайки не
выше +260 °C. Допускается минимальное расстояние от кор-
пуса до места пайки 1 мм при Тк < +150 °C.
486
Выходные характеристики
Зависимости напряжения насыще-
ния коллектор—эмиттер от тока
коллектора
bin
			2Тт(А-8)		
			U&53		
			ЫООМГи		
					
					
					
О 2 4 6 3 /к, А
Зависимость статического коэффи-
циента передачи тока от тока кол-
лектора
Зависимость модуля коэффициента
передачи тока на высокой частоте
от тока коллектора
Зависимости времени включения
от тока коллектора
Зависимости времени рассасыва-
ния от тока коллектора
487
Зависимость емкости коллекторно-
го перехода от напряжения коллек-
тор—база
Зависимость емкости эмиттерного
перехода от напряжения эмиттер—
база
Зависимость обратного тока эмиттера
от температуры
1/					Юнке 1ППм*г			Ъ50’С 0> 100
V.MUT								
								
								
‘к.нлк								1нс | |
								
								Z / У I4D "
Постоянный '							5	2J9UB
								2Т974А -
								
—	От HK=iOi От як-SOt				7- 3- 1~			От юк=50В Отииг=60В От/шг=ЮВ
4
10
7
0.1
1	10	100 Uk3,B
Зависимости обратного тока кол-
лектора от температуры
Области максимальных режимов
488
КТ9143А, КТ9143Б, КТ9143В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р усилительные. Предназначены для применения во
входных каскадах усилителей мощности. Выпускаются в ме-
таллическом корпусе с гибкими выводами и стеклянными изо-
ляторами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Изготовитель — АООТ «Планета», г. Новгород.
KT9U3(A-B)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 6/КБ = 5 В, /э = 50 мА:
Тк = +25 и +85 °C:
КТ9143А, КТ9143В,	не	менее....... 20
КТ9143Б.......................... 20...60
Гк = -60 °C:
КТ9143А, КТ9143В,	не	менее....... 10
КТ9143Б.......................... 10...60
Граничная частота при 6/КБ = 10 В, /э = 50 мА,
не менее:
КТ9143А, КТ9143Б..................... 1,5 ГГц
КТ9143В.............................. 1 ГГц
Емкость коллекторного перехода
при U№ = 10 В, не более:
КТ9143А, КТ9143Б..................... 3 пФ
КТ9143В.............................. 4 пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при f/K3 = 50 В, /?бэ = 1 кОм, не более:
Тк = +25 °C............................. 1 мА
7"к =+85 °C.......................... 2 мА
489
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база.... 75 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 1 кОм........................ 65 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 3 В
Постоянный ток коллектора............... 100 мА
Импульсный ток коллектора = 500 мс,
0= 100.................................. 300 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’:
Гк = -60...+25 °C.................... 3 Вт
Гк = +85 °C.......................... 1,5 Вт
Температура р-п перехода................ 4-150 °C
Температура окружающей среды............ —60... Гк =
= 4-85 ’С
При изменении Гк от +25 до +85 °C Рк НАХС уменьшается линейно.
Зависимость статического коэф-
фициента передачи тока от тока
эмиттера
А652А, А652Б, А652В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р универсальные. Предназначены для применения в
импульсных и линейных устройствах и преобразователях. Вы-
пускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами. Тип
прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,2 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
490
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в
схеме ОЭ при //КБ = 5 В, 4 = 30 мкс, не менее:
4 = 1 А.............................. 10
4 = 5 А для А652А, А652В............. 5
4 = 7 А для А652Б.................... 5
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 1 А, /Б = 0,2 А, не более:
А652А, А652В........................... 1 В
А652Б................................ 0,6 В
Емкость коллекторного перехода
при С4б = 30 В, не более................ 80 пФ
Обратный ток коллектора при 6/КБ = 6/КБ мдкс,
не более................................ 5 мА
Обратный ток эмиттера при U3b = 3 В,
не более................................ 5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
А652А.................................... 80	В
А652Б.............................. 60	В
А652В.............................. 50	В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?вэ = 100 Ом:
А652А................................. 70	В
А652Б.............................. 60	В
А652В............................. 50	В
491
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 3 В
Постоянный ток коллектора............... 2 А
Импульсный ток коллектора при = 10 мкс,
0=100................................... 10 А
Постоянный ток базы..................... 0,5 А
Импульсный ток базы при = 10 мкс, О = 100 2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора' при Гк = —60...+50 °C............. 5 Вт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус... 20 °С/Вт
Температура окружающей среды............ —60... Гк =
= +125 °C
При Гк > +50 °C максимально допустимая постоянная
ность коллектора рассчитывается по формуле
А. макс = (150 - Гк)/20, Вт.
рассеиваемая мощ-
Минимальное расстояние места изгиба вывода от корпуса
3 мм, радиус изгиба не менее 1,5 мм. Пайка выводов допуска-
ется на расстоянии не менее 3 мм от корпуса транзистора
паяльником мощностью не более 60 Вт с напряжением 6...12 В.
Температура пайки не должна превышать +260 °C, время пай-
ки не более 3 с. При пайке жало паяльника должно быть
заземлено. Разрешается производить пайку путем погружения
выводов не более, чем на 3 с в расплавленный припой с
температурой не более +260 °C. Перед погружением в припой
выводы промывают этиловым спиртом, а затем смачивают
флюсом. Состав флюса: канифоль 10...40%, этиловый спирт
90...60%. Припой ПОС—61. Допускается пайка выводов на
расстоянии 1 мм от корпуса, при этом температура корпуса не
должна превышать +150 °C.
При включении транзистора в электрическую цепь, нахо-
дящуюся под напряжением, базовый вывод необходимо при-
соединить первым и отключать последним. Работа в режиме
«оборванная база» категорически запрещается.
При работе транзистора необходимо принимать меры, ис-
ключающие возникновение паразитной генерации.
492
Раздел четвертый
Сборки биполярных транзисторов
Сборки транзисторов п-р-п
2ТС613А, 2ТС613Б,
КТС613А, КТС613Б, КТС613В, КТС613Г
Транзисторные матрицы, состоящие из четырех электри-
чески изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных
структуры п-р-п переключающих высокочастотных транзисто-
ров. Предназначены для применения в быстродействующих
импульсных и переключающих устройствах, различных каска-
дах вычислительных машин и другой радиоэлектронной аппа-
ратуры. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими
выводами. Тип прибора указан на корпусе.
Масса матрицы не более 4 г.
Изготовитель — завод «Транзистор», г. Минск.
2ТС6Ш.Б). КТС6Ш-Г)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 6/КБ = 5 В, /э = 0,2 А:
Т= +25 ’С:
2ТС613А, КТС613А.................. 25...45*..100
2ТС613Б, КТС613|5.................. 40...85*...200
493
КТС613В............................... 20... 120
КТС613Г  ............................. 50...300
7= -60 °C:
2TC613A.................................. 12... 100
2ТС613Б............................... 20...200
7 = +85 °C:
KTC613A.................................. 20...200
КТС613Б............................... 30...300
KTC613B............................... 15...250
КТС613Г............................... 40...450
7 = +125 °C:
2TC613A.................................. 20...200
2ТС613Б............................... 30...300
Модуль коэффициента передачи
при Ц^ъ = 10 В, /э = 30 мА, f= 100 МГц....... 2...2,9*...5,8*
Граничное напряжение при /э = 0,05 А
для 2ТС613А, 2ТС613Б, не менее............... 40 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 0,4 А, /6 = 0,08 А:
2ТС613А, 2ТС613Б........................... 0,3*...0,5*...1	В
КТС613А, КТС613Б, КТС613В, КТС613Г,
не более................................. 1,2 В
типовое значение......................... 0,5* В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 0,4 А, /6 = 0,08 А.................. 0,9*...1,1*...2 В
Время рассасывания при /к = 0,15 А,
/Б = 0,015 А................................. 12*...45*...
100 нс
Емкость коллекторного перехода
при U№ = 10 МГц.............................. 1О*...ЗО*...
50 пФ
Обратный ток коллектора, не более:
7 = +25 °C:
2ТС613А, 2ТС613Б при £/КБ = 60 В............. 5 мкА
КТС613А, КТС613Б при 6/КБ = 60 В...... 10 мкА
КТС613В, КТС613Г при UKb = 40 В....... 10 мкА
7 = -60 °C для 2ТС613А, 2ТС613Б
при 6/КБ = 60 В.......................... 5 мкА
7= +85 °C:
КТС613А, КТС613Б при 6/КБ = 50 В...... 100 мкА
КТС613В, КТС613Г при U№ = 34 В........ 100 мкА
7 = +125 °C для 2ТС613А, 2ТС613Б
при (/КБ = 45 В.......................... 50 мкА
Обратный ток эмиттера при 6/ЭБ = 4 В,
не более..................................... 10 мкА
494
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер’
при /?бэ = 0:
2ТС613А, 2ТС613Б:
Гп = -60...+ 100 °C.............. 60 В
Гп = +125 °C..................... 45 В
Гп =+150 °C...................... ЗОВ
КТС613А, КТС613Б:
Т„ = -45...+70 °C................ 60 В
Гп = +120 °C..................... ЗОВ
КТС613В, КТС613Г:
Тп - -45...+70 °C................ 40 В
Гп = +120 °C..................... 20 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер’
при Лю < 1 кОм:
2ТС6ТЗА, 2ТС613Б:
Тп = -60...+ 100 °C.............. 50 В
Т„ = +125 °C..................... 37 В
rn =+150 °C...................... 25 В
КТС613А, КТС613Б:
ТП = -45...+70 °C................ 50 В
Тп = +120 °C..................... 25 В
КТС613В, КТС613Г:
Тп = -45...+70 °C................ 30 В
Тп = +120 °C..................... 15 В
Постоянное напряжение коллектор—база’:
2ТС613А, 2ТС613Б:
Тп = -60...+100 °C ...•.......... 60 В
Тп = +125 °C..................... 45 В
Тп = +150 °C..................... 30 В
КТС613А, КТС613Б:
Тп = -45...+70 °C................ 60 В
Тп = +120 °C..................... ЗОВ
КГС613В, КТС613Г:
Т„ = -45...+70 °C................ 40 В
Тп = +120 °C..................... 20 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 1 кОм, Ю мкс, 0^2:
2ТС613А, 2ТС613Б, КТС613А, КТС613Б .... 70 В
КТС613В, КТС613Г..................... 50 В
’ При Т„ > +100 "С для 2ТС613А, 2ТС613Б и Т„ > +70 °C для КТС613А,
КТС613В, КТС614В, КТС613Г напряжение снижается линейно. Значение Тп рас-
считывается по формуле
7"n = Т + Р{/?! (П-<)» С.
495
Импульсное напряжение коллектор—база
при Ги $ 10 мкс, 0 2:
2ТС613А, 2ТС613Б:
Гп =-60...+ 100 °C................ 80	В
Гп = +120 °C...................... 65	В
Гп = +150°С....................... 40	В
КТС613А, КТС613Б:
Гп = -45...+70 °C................. 80	В
Гп = +120 °C...................... 40	В
КТС613В, КТС613Г:
Гп = -45...+70 °C................. 60	В
Гп = +120 °C...................... 30	В
Постоянное напряжение эмиттер—база1..... 4 В
Постоянный ток коллектора при
Т= -60...+ 125 °C для 2ТС613А, 2ТС613Б
и Т= -45...+85 °C для КТС613А, КТС613Б,
КТС613В, КТС613Г........................ 400	мА
Импульсный ток коллектора при Ги 10 мкс,
О 2 и Т= -60...+125 °C для 2ТС613А,
2ТС613Б; Т= -45...+85 °C для КТС613А,
КТС613Б, КТС613В, КТС613Г............... 800	мА
Постоянная рассеиваемая мощность всех
структур матрицы2:
2ТС613А, 2ТС613Б:
Г= -60...+5®	°C................. 0,8	Вт
Г=+125°С......................... 0,2	Вт
КТС613А, КТС613Б, КТС613В, КТС613Г:
Т=- -45...+50	°C................. 0,8	Вт
Г =+85 °C........................ 0,2	Вт
Импульсная рассеиваемая мощность всех
структур матрицы3 при С 10 мкс, О 2:
2ТС613А, 2ТС613Б:
Г =-60...+50 °C.................. 3,2	Вт
Т= +125 °C....................... 0,8	Вт
КТС613А, КТС613Б, КТС613В, КТС613Г:
Т= -45...+50 °C.................. 3,2	Вт
Г =+85 °C........................ 0,8	Вт
Допускается импульсное превышение напряжения при условии С 10 мкс,
О ? 2, /э и «= 20 мА.
‘ При Т > +50 °C постоянная рассеиваемая мощность рассчитывается по
формуле
РНАКС = 0,2 - (125 - rj/Am-cp Вт, для 2ТС613А, 2ТС613Б;
РМАКС = 0,2 - (85 - T)/RU„.C), Вт, для КТС613А-КТС613Г.
: При Т > +50 °C рассеиваемая мощность снижается линейно
496
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора одной структуры матрицы1:
при Т= —60...+50 °C для 2ТС613А,
2ТС613Б и Т= -45...+50 °C для КТС613А,
КТС613Б, КТС613В, КТС613Г.............. 0,5 Вт
при Т= +125 °C для 2ТС613А, 2ТС613Б... 0,125 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора одной структуры матрицы1:
при fa $ 10 мкс, 2, Т - —60...+50 °C
для 2ТС613А, 2ТС613Б и Г= -45...+50 °C
для КТС613А, КТС613Б, КТС613В,
КТС613Г................................ 2 Вт
при Т= +125 °C для 2ТС613А, 2ТС613Б... 0,5 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус..... 60 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—среда...... 125 °С/Вт
Температура р-п перехода:
2ТС613А, 2ТС613Б....................... +150 °C
КТС613А, КТС613Б,	КТС613В, КТС613Г....	+120 °C
Температура окружающей среды:
2ТС613А, 2ТС613Б.......................... -60...+125	°C
КТС613А, КТС613Б,	КТС613В, КТС613Г....	-45...+85	°C
1 При Т > +50 °C рассеиваемая мощность снижается линейно.
Изгиб выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса
матрицы с радиусом закругления не менее 1,5 мм.
Пайка выводов рекомендуется не ближе 3 мм от корпуса
матрицы. Температура пайки не более +250 °C, время пайки
не более 5 с.
Зависимости тока базы
от напряжения база—
эмиттер
Зависимости напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эмиттер от тока
коллектора
Зависимости напряже-
ния насыщения база—
эмиттер от тока кол-
лектора
49/
Зависимости статиче-
ского коэффициента
передачи тока от на-
пряжения коллектор—
база
Зависимости статиче-
ского коэффициента
передачи тока от то-
ка эмиттера
Зона возможных поло-
жений зависимости мо-
дуля коэффициента пе-
редачи тока от напря-
жения коллектор—база
Зона возможных положений зави-
симости модуля коэффициента пе-
редачи тока от тока эмиттера
Зависимость емкости эмиттерного
перехода от напряжения эмиттер—
база
Зависимость емкости
коллекторного перехо-
да от напряжения кол-
лектор—база
Зависимости допусти-
мой рассеиваемой мощ-
ности от температуры
Зависимости допусти-
мой импульсной рассе-
иваемой мощности от
температуры
498
КТС631А, КТС631Б, КТС631В, КТС631Г
Транзисторное сборки, состоящие из четырех электриче-
ски изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных струк-
туры п-р-п универсальных сверхвысокочастотных транзисторов
для применения в дифференциальных усилителях, быстродей-
ствующих импульсных устройствах, различных каскадах вычи-
слительных машин и другой радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выво-
дами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса сборки не более 4 г.
Изготовитель — завод «Транзистор», г. Минск.
КТС631(А-Г)
19.5
2.5x6=15
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при UK3 = 1 В:
/к = 300 мА для КТС631А, КТС631Г...... 20...115*
/к = 150 мА для КТС631Б, КТС631В...... 20...125*
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при UK3 = 10 В, /э = 50 мА,
не менее:
КТС641А, КТС631Б....................... 350	МГц
КТС631В, КТС631Г....................... 200	МГц
499
Постоянная времени цепи обратной связи при
£/кэ = 10 В, /э = 30 мА, f= 5 МГц, не более .... 40 нс
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер:
при /к = 450 мА, /Б = 45 мА для КТС631А,
КТС631Г................................. 0,3*...1,2 В
при /к = 100 мА, /Б = 10 мА для КТС631Б,
КТС631В.............................. 0,21*...1,2 В
Напряжение насыщения база эмиттер:
при /к = 450 мА, /Б = 45 мА для КТС631А,
КТС631Г................................. 0,9*...2 В
при /к = 100 мА, /Б = 10 мА для КТС631Б,
КТС631В.............................. 0.8...2 В
Время рассасывания при /к = 150 мА,
/Б = 15 мА:
КТС631А, КТС631Б..................... 7,5*...30 нс
КТС631В, КТС631Г..................... 20*...60 нс
Емкость коллекторного перехода
при 6/КБ = 10 В, f= 10 МГц, не более.... 15 пФ
Емкость эмиттерного перехода
при иэБ ? 0,5 В, f= 10 МГц, не более.... 100 пФ
Обратный ток коллектора не более:
Т= -45 и +25 °C:
КТС631А при £/кб =	30	В........... 0,2 мА
КТС631Б при ЦБ =	30	В........... 0,05 мА
КТС631В при U№ =	60	В........... 0,05 мА
КТС631Г при £/кб =	60	В........... 0,2 мА
Г= +85 °C:
КТС631А при 6/КБ =	20	В........... 1 мА
КТС631Б при (/КБ =	20	В........... 0,5 мА
КТС631В при 6/КБ =	10	В........... 0,5 мА
КТС631Г при UKb =	10	В........... 1 мА
Обратный ток эмиттера при 6/ЭБ = 4 В,
не более:
Т= -45 и +25 °C...................... 0,1 мА
Г =+85 °C............................ 0,5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 0:
Г= -45...+70 °C:
КТС631А, КТС631Б.................. ЗОВ
КТС631В, КТС631Г.................. 60 В
Т = +85 °C:
КТС631А, КТС631Б.................. 24 В
КТС631В, КТС631Г.................. 50 В
500
Постоянное напряжение коллектор—база:
при Т = —45...+70 °C:
КТС631А, КТС631Б..................... ЗОВ
КТС631В, КТС631Г.................. 60	В
при Т = +85 °C:
КТС631А, КТС631Б..................... 24	В
КТС631В, КТС631Г.................. 50	В
Постоянное напряжение эмиттер—база....... 4 В
Постоянный ток коллектора:
КТС631А, КТС631Г...................... 1 А
КТС631Б, КТС631В...................... 0,3 А
Импульсный ток коллектора при t* 10 мкс,
50:
КТС631А, КТС631Г...................... 1,3 А
КТС631Б, КТС631В...................... 0,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность' транзи-
сторной матрицы:
при Т = —45...+55 °C.................. 4 Вт
при Т = +85 °C........................ 0,5 Вт
Постоянная рассеиваемая мощность коллекто-
ра одной транзисторной структуры:
при Т = —45...+55 °C:
КТС631А, КТС631Г.................. 0,7	Вт
КТС631Б, КТС631В.................. 0,3	Вт
при Т = +85 °C:
КТС631А, КТС641Г..................... 0,2	Вт
КТС631Б, КТС631В.................. 0,15 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность1 транзи-
сторной матрицы при Ги 10 мкс, О? 50:
Т= —45...+55 °C....................... 4 Вт
Т= +85 °C:
КТС631А, КТС631Г.................. 1,5 Вт
КТС631Б, КТС631В.................. 0,9 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность коллек
тора одной транзисторной структуры:
при Т = —45...+55 °C:
КТС631А, КТС631Г.................. 2,1	Вт
КТС631Б, КТС631В.................. 0,9	Вт
при Т = +85 °C:
КТС631А, КТС631Г..................... 0,6	Вт
КТС631Б, КТС631В.................. 0,45 Вт
Температура р-п перехода................. +120 °C
Температура окружающей среды............. —45...+85 °C
При Т = +55...85 °C мощность снижается линейно.
501
Зависимости тока базы
от напряжения эмит-
тер—база
Зависимости статиче-
ского коэффициента
передачи тока от то-
ка коллектора
О 87 9.2 0.3 ЙЧ 4,а
Зависимости напряже-
ния насыщения коллек-
тор-эмиттер от тока
коллектора
Зависимости напряжения насьнце- Зависимости времени рассасыва-
ния база—эмиттер от тока коллек-	ния от тока коллектора
тора
2ТС843А
Транзисторная сборка, состоящая из четырех переключа-
ющих кремниевых мезапланарных структур п-р-п транзисто-
ров. Предназначена для применения в источниках вторичного
электропитания в системах автоматического управления. Кор-
пус металлический с жесткими выводами.
Масса сборки не более 13 г.
Изготовитель — акционерное общество «Плутон», г. Мос-
ква.
502
2ТСМЗА
42
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 6/КБ = 0, 4 = 12 А, для 1-го
и 2-го транзисторов, /к = 3 А для 3-го и 4-го
транзисторов:
Г =+25 °C.............................. 10...50
Г=+125 °C............................... 10...150
Г=-60°С................................ 6...50*
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер,
не более:
1-го транзистора при	/к =	12 А, /Б = 2,4 А.	0,6	В
2-го транзистора при	/к =	12 А, /Б = 2,4 А.	0,6	В
3-го транзистора при	/к =	3 А, /Б = 0,6 А ..	0,6	В
4-го транзистора при	/к =	3 А, /Б = 0,6 А ..	0,6	В
Напряжение насыщения база—эмиттер,
не более:
1-го транзистора при	/к =	12 А, /Б = 2,4 А.	1,5	В
2-го транзистора при	/к =	12 А, /Б = 2,4 А.	1,5	В
3-го транзистора при	/к =	3 А, /Б = 0,6 А ..	1,5	В
4-го транзистора при	/к =	3 А, /Б = 0,6 А ..	1,5	В
Время включения, не более................. 1 мкс
Время спада, не более..................... 0,7* мкс
503
Время рассасывания, не более............. 2 мкс
Обратный ток коллектор—эмиттер, не более:
при Гк = —60...+25 °C:
1-го и 2-го транзисторов
при UK3 = 120 В, /?БЭ = 2,5 Ом.... 12 мА
3-го и 4-го транзисторов
при UK3 = 120 В, /?БЭ = 10 Ом..... 3 мА
при Гк = +125 °C:
1-го и 2-го транзисторов
при UK3 = 120 В, /?БЭ = 2,5 Ом.... 80 мА
3-го и 4-го транзисторов
при UK3 = 120 В, /?БЭ = 10 Ом..... 20 мА
Обратный ток эмиттер при 1/ъэ = 4 В:
1-го и 2-го транзисторов.............. 0,2 мА
3-го и 4-го транзисторов.............. 0,05 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное и импульсное напряжение кол-
лектор—эмиттер' при /?БЭ = 2,5 Ом для 1-го
и 2-го транзисторов; /?БЭ = 10 Ом для 3-го
и 4-го транзисторов, Гк = —60...+ 100 °C. Т20 В
Постоянное напряжение база—эмиттер....... 4 В
Постоянный ток коллектора:
1-го и 2-го транзисторов.............. 12 А
3-го и 4-го транзисторов.............. 3 А
Сумма постоянных токов коллекторов транзи-
сторов при их одновременном включении.... 30 А
Импульсный ток коллектора при 7И = 10 мкс,
G»> 5:
1-го и 2-го транзисторов.............. 25 А
3-го и 4-го транзисторов.............. 6 А
Сумма импульсных токов коллекторов транзи-
сторов при их одновременном включении.... 62 А
Постоянный ток базы:
1-го и 2-го транзисторов.............. 8 А
3-го и 4-го транзисторов.............. 2 А
Сумма постоянных токов баз транзисторов
при их одновременном включении........... 20 А
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Тк = —60...+100 °C:
1-го и 2-го транзисторов............. 10 Вт
3-го и 4-го транзисторов.......... 2,5 Вт
' При = +100.125 С (/кэ Rj макс» Цэ н, и, макс снижаются на 10% на
каждые 10 °C.
504
сумма постоянных рассеиваемых мощ-
ностей транзисторов при их одновре-
менном включении................... 25 Вт
при Гк = +100...+125 °C;
1-го и 2-го транзисторов.......... 8 Вт
3-го и 4-го транзисторов.......... 2 Вт
сумма постоянных рассеиваемых мощ-
ностей транзисторов при их одновре-
менном включении.................. 20 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность
при 4, = 10 мкс:
1-го и 2-го транзисторов.............. 1600 Вт
3-го и 4-го транзисторов.............. 400 Вт
Сумма импульсных рассеиваемых мощностей
транзисторов при их одновременном включе-
нии...................................... 4000 Вт
Температура окружающей среды............. —60... Гк =
= +125 °C
Пайка транзисторов допускается при температуре +250 °C
в течение не более 5 с. Не допускается обрезка, формовка и
изгиб выводов.
Зоны возможных положений зави-
симостей статического коэффици-
ента передачи тока и напряжения
насыщения коллектор—эмиттер от
тока коллектора
Зоны возможных положений зави-
симостей статического коэффици-
ента передачи тока и напряжения
насыщения коллектор—эмиттер от
тока коллектора
505
2ТС843А
Электрическая схема сборки и схема соединения электродов
с наружными выводами
Сборки транзисторов р-п-р
2ТС622А, 2ТС622Б, КТС622А, КТС622Б
Транзисторные матрицы, состоящие из четырех электри-
чески изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных
структуры р-п-р переключающих сверхвысокочастотных тран-
зисторов. Предназначены для применения в быстродействую-
щих импульсных и переключающих устройствах. Выпускаются
в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами. Тип мат-
рицы указывается на корпусе.
Масса матрицы не более 0,4 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при UKb = 5 В, /э = 0,2 А:
Т= +20 °C:
2ТС622А, 2ТС622Б, КТС622А........... 25...70*...150
КТС622Б, не менее................... 10
Г= -60 °C для 2ТС622А, 2ТС622Б.......... 10...150
Г= +120 °C для 2ТС622А, 2ТС622Б......... 25...250
Модуль коэффициента передачи тока
при С/Кэ = 10 В, 4 = 30 мА, /= 100 МГц:
2ТС622А, 2ТС622Б, КТС622А............... 2...4,5*...5,8*
КТС622Б, не менее....................... 1,5
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 0,4 А, /Б = 0,08 А:
2ТС622А, 2ТС622Б, КТС622А, не более .... 1,3 В
типовое значение........................ 0,7*	В
КТС622Б, не более....................... 2 В
506
КТ93МА Б)'
Н U V 11 D 11
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 0.4 А, 4 = 0,08 А:
2ТС622А, 2ТС622Б, КТС622А, не более .... 2,2 В
типовое значение........................ 1,1* В
КТС622Б, не более....................... 2,5 В
Постоянная времени цепи обратной связи на
высокой частоте при = 10 В, 4 = 30 мА
для 2ТС622А, 2ТС622Б ...л.................. 8*...22*...6О	нс
Время включения при /к = 0,2 А, /6 = 0,02 А
для 2ТС622А, 2ТС622Б........................ 18*...26*...
35 нс
Время рассасывания при 4 = 0,2 А, 4 = 0,02 А:
2ТС622А, КТС622А............................ 12*...65*...
120 нс
2ТС622Б, КТС622Б........................ 65*...14О*...
200 нс
Емкость коллекторного перехода
при UK6 = 10 В, /= 2 МГц.................... 6*...9*...15 пФ
Емкость эмиттерного перехода при = 0,
/ = 2 МГц................................... 20*...27*...
60 пФ
Обратный ток коллектора:
при Т= -60...+25 °C:
2ТС622А, 2ТС6222Б при £/КБ = 45 В,
не более............................. 10 мкА
типовое значение..................... 0,1* мкА
507
при Г= —45...Ч-25 °C:
КТС622А при С/КБ =	45 В,	не более. 10 мкА
типовое значение.................. 0,01* мкА
КТС622Б при t/K6 =	35 В,	не более. 20 мкА
типовое значение.................. 0,01* мкА
при Т = +85 °C:
КТС622А при (/КБ =	30 В,	не более. 100 мкА
КТС622Б при U№ =	20 В,	не более. 200 мкА
при Т= +125 °C, Z/KB = 30 В для 2ТС622А,
2ТС622Б, не более..................... 100 мкА
Обратный ток эмиттера при U3b = 4 В,
не более................................. 20 мкА
типовое значение...................... 0,1* мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер1
при /?ЭБ С 1 кОм:
Тп С +70 °C:
КТС622А.............................. 45	В
КТС622Б........................... 35	В
Гп С+100 °C	для	2ТС622А,	2ТС622Б.... 45	В
Тп = +120 °C:
КТС622А.............................. 30	В
КТС622Б........................... 20	В
Гп = +150 °C	для	2ТС622А,	2ТС622Б.... 22	В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ С 1 кОм, Ги 10 мкс, О? 10:
2ТС622А, 2ТС622Б, КТС622А............... 60	В
КТС622Б.............................. 50	В
Постоянное напряжение коллектор—база1:
при Гп < +70 °C:
КТС622А.............................. 45	В
КТС622Б.........................   35	В
при Гп < +100 °C для 2ТС622А, 2ТС622Б.. 45 В
при 7"п = +120 °C:
КТС622А........................... 30	В
КТС622Б........................... 20	В
при Гп = +150 °C для 2ТС622А, 2ТС622Б.. 22 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при С 10 мкс, Q 10:
2ТС622А, 2ТС622Б, КТС622................ 60	В
' При Тп > +70 "С для KTC622A, КТС622Б и Т„ > +100 “С для 2TC622A,
2ТС622Б напряжение снижается линейно. Значение Гп рассчитывается по фор-
муле
тп= т+ РК/?Т|П-С), °C.
508
КТС622Б.............................. 50 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 4 В
Импульсное напряжение эмиттер—база
при С 10 мкс, О > 10.................... 6 В
Постоянный ток коллектора1............... 0,4	А
Импульсный ток коллектора1 при С 10 мкс,
О? 10.................................... 0,6	А
Постоянная рассеиваемая суммарная мощность
коллектора рабочих элементов матрицы2:
при +25 °C для КТС622А, КТС622Б .... 0,4 Вт
при ГС +60 °C для 2ТС622А, 2ТС622Б  0,4 Вт
Импульсная рассеиваемая суммарная мощ-
ность рабочих элементов матрицы при
Ги < 10 мкс, 10, Г= +25 ± 10 °C........... 10 Вт
Тепловое сопротивление переход—среда...... 218 °С/Вт
Температура р-п перехода:
КТС622А, КТС622Б.......................... +120 °C
2ТС622А, 2ТС622Б....................... +150 °C
Температура окружающей среды:
КТС622А, КТС622Б.......................... -45...+85	°C
2ТС622А, 2ТС622Б....................... -60...+125	°C
’ Значение тока для одного транзистора матрицы при условии непревыше-
ния мощности, рассеиваемой матрицей.
г При Т > +25 °C для КТС622А, КТС622Б и Г > +60 °C для 2ТС622А,
2ТС622Б постоянная рассеиваемая суммарная мощность рассчитывается по
формулам:
Ас, макс = 0-24 + (85 - Г)//?т(п-с>. Вт, для КТС622А, КТС622Б;
А, макс = 0,1 + (125 - T}/R-, (п-с), Вт, для 2ТС622А, 2ТС622Б.
Пайка выводов рекомендуется не ближе 1 мм от корпуса
матрицы. Температура пайки не более +265 °C, время пайки
не более 3 с.
Зависимости тока базы
от напряжения база—
эмиттер
Зависимости тока эмит-
тера от напряжения ба-
за—эмиттер
Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от то-
ка коллектора
509
Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от то-
ка коллектора
Зависимости напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эмиттер от тока
коллектора
Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эмиттер от тока
базы
Зависимости напряже-
ния насыщения база-
эмиттер от тока кол-
лектора
Зависимость емкости
коллекторного перехо-
да от напряжения кол-
лектор—база
Зависимость емкости
эмиттерного перехода
от напряжения база—
эмиттер
Зависимость допустимого напря-
жения коллектор—эмиттер от со-
противления в цепи.база—эмиттер
Зависимости допустимого напря-
жения коллектор—эмиттер, кол-
лектор—база от температуры пе-
рехода
510
2Т687АС-2, 2Т687БС—2
Сборки из двух кремниевых эпитаксиально-планарных
структуры р-п-р переключательных транзисторов. Предназна-
чены для применения в импульсных линейных усилителях и
преобразователях. Бескорпусные, в керамическом кристалло-
держателе, с защитным покрытием с гибкими выводами. Сборки
маркируются цветными точками: 2Т687АС—2 — черной,
2Т687БС—2 — белой. Тип сборки указывается в этикетке.
Масса сборки не более 3 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в
схеме ОЭ при 6/КБ = 5 В, 4, = 30 мкс, 0 = 100:
/э = 0,3 А.................................. 20...60*...90*
/э = 3,5 А, не менее........................ 10
Модуль коэффициента передачи тока на
высокой частоте при (^ = 5 В, /3 = 1 А,
f= 300 МГц...................................... 1,5*...2*...5,5*
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 300 мА, /Б = 60 мА:
7"к = +25 °C:
2Т687АС-2................................... 0,2*...0,4*...1 В
511
2Т687БС-2.......................... 0,2*...0,3* ..
0,8 В
Гк = +125 и —60 °C, не более:
2Т687АС-2............................. 2 В
2Т687БС-2.......................... 1,6 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 300 мА, /Б = 60 мА............... 0,95*...1,1*...
1,2* В
Время включения при /к = 1 А, /К//Б = 5, типо-
вое значение.............................. 8* нс
Время рассасывания при /к = 1 А, /К//Б = 5,
типовое значение.......................... 70* нс
Время спада при /к = 1 А, /К//Б = 5, типовое
значение.................................. 6* нс
Обратный ток коллектора при (УКБ = 50 В:
• Гк =+25 °C.............................. 0,001*...0,5*...
2 мА
Гк = +125 и —60 °C, не более........... 5 мА
Обратный ток эмиттера при U3B = 3 В:
7^ =+25 °C............................. 0,001*...0,5*...
5 мА
Гк = +125 и —60 °C, не более........... 10 мА
Емкость коллекторного перехода
при UK5 = 10 В............................ 20*...25*...
40* пФ
Емкость эмиттерного перехода при U3b = 0,5 В 40*...60*...
80* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т687АС-2.............................. 70 В
2Т687БС-2.............................. 60 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 100 Ом:
2Т687АС-2................................. 60 В
2Т687БС-2.............................. 50 В
Постоянное напряжение	база—эмиттер........ 3 В
Постоянный ток коллектора................. 1,5 А
Импульсный ток коллектора при 7И = 10 мкс,
О= 100:
2Т687АС-2................................. 3,5	А
2Т687БС-2.............................. 4,5	А
Постоянный ток базы....................... 0,3	А
512
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора' лри 7Jc = —60...+50 °C............. 1,5 Вт
Температура р-п перехода................... +150	°C
Температура окружающей среды............. —60...	Тк =
= +125 °C
1 При Тк > +50 °C постоянная рассеиваемая мощность коллектора определя-
ется из выражения
вс. макс = (150 - Гк)/67, Вт.
При монтаже сборки в гибридную схему рекомендуется
приклеивать основание кристаллодержателя к теплоотводя-
щей поверхности монтажной платы теплопроводящим клеем
УП—5—207М ТУ 6—05—241—208—79. Перед нанесением клея
кристаллодержатель сборки и монтажная плата должны быть
прогреты при +60 °C в течение 6 мин. Клей должен быть
нанесен тонким равномерным слоем, соединение склеиваемых
поверхностей производить прижатием так, чтобы избыток клея
равномерно выступал из-под основания. После приклеивания
производится подсушка при +120 °C в течение 1 ч и при
+150 °C в течение 2 ч.
Разрешается производить монтаж сборки в гибридную схе-
му припайкой металлизированного основания кристаллодер-
жателя к теплоотводящей поверхности при температуре пайки
не выше +180 °C или при +200 °C в течение не более 3 мин.
Изгиб выводов допускается на расстоянии не ближе 2 мм
от кристаллодержателя с радиусом закругления 1.5...2 мм.
Присоединение выводов в аппаратуре осуществляется ме-
тодом сварки или бесфлюсовой пайки. Минимальное расстоя-
ние места присоединения вывода от кристаллодержателя
0,5 мм. Пайка производится при температуре +180 °C в тече-
ние не более 3 с.
Зависимости статического коэф-
фициента передачи тока от тока
эмиттера
17-949
Зависимости времени включения,
рассасывания и спада от тока кол-
лектора
Зависимости напряжений насыще-
ния коллектор—эмиттер и база—
эмиттер от тока коллектора
Зависимости тока базы от напря-
жения база—эмиттер
Области безопасной работы тран-
зисторов
А727А, А727Б
Сборки из двух кремниевых эпитаксиально-планарных
структуры р-п-р переключательных транзисторов. Предназна-
чены для применения в импульсных линейных усилителях и
преобразователях в составе гибридных интегральных микро-
схем, микросборках, обеспечивающих защиту сборок от воз-
действия влаги, соляного тумана, плесневых грибков, инея,
росы, повышенного и пониженного давления и солнечной ра-
диации. Бескорпусные на керамическом кристаллодержателе
с гибкими выводами. Сборки маркируются цветными точками:
514
Kill К — черной, А727Б — белой. Тип прибора указывается в
этикетке.
Масса транзистора не более 3 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в
схеме ОЭ при = 5 В, 4, = 30 мкс, Q = 100,
llrt ttni тп>
<ТС» IHvtTwv»
4 = 0,3 А.............................. 20
4 = 3,5 А.............................. 10
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 5 В, = 1 А,
не менее................................   450	МГц
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 300 мА, 4 = 60 мА, не более:
А727А.................................. 1В
А727Б.................................. 0,8	В
Обратный ток коллектора при U№ = 50 В,
не более.....;.............................. 2	мА
Обратный ток эмиттера при Уэь = 3 В,
не более.................................... 5	мА
515
17>
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
А727А.............................. 70 В
А727Б.............................. 60 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при Ra = 100 Ом:
А727А.............................. 60 В
А727Б.............................. 50 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 3 В
Потенциал статического электричества... 100 В
Постоянный ток коллектора.............. 1,5 А
Импульсный ток коллектора при = 10 мкс,
0 = 100:
А727А.................................. 3,5	А
А727Б.............................. 4,5	А
Постоянный ток	базы.................... 0,3	А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Гк =	—60...+50 °C............ 1,5	Вт
Температура р-п перехода.................. +150	°C
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 67 °С/Вт
Температура окружающей среды............ —60...	Тк =
= +125 °C
1 При Тк > +50 °C постоянная рассеиваемая мощность коллектора определя-
ется из выражения
А,иакс = (150- 7J/67, Вт.
При монтаже сборки в гибридную схему рекомендуется
приклеивать основание кристаллодержателя к теплоотводя-
щей поверхности монтажной платы теплопроцодящим клеем
УП—5—207М ТУ 6—05—241—208—79. Перед нанесением клея
кристаллодержатель сборки и монтажная плата должны быть
прогреты при +60 °C в течение 6 мин. Клей должен быть
нанесен тонким равномерным слоем. Соединение склеивае-
мых поверхностей производить прижатием так, чтобы избыток
клея равномерно выступал из-под основания. После приклеи-
вания производится подсушка при +120 °C в течение 1 ч и при
+150 °C в течение 2 ч.
Разрешается производить монтаж сборки в гибридную схе-
му припайкой металлизированного основания кристаллодер-
жателя к теплоотводящей поверхности при температуре пайки
не выше +180 °C или при +200 °C в течение не более 3 мин.
Изгиб выводов допускается на расстоянии не ближе 2 мм
от кристаллодержателя с радиусом закругления 1.5...2 мм.
Присоединение выводов в аппаратуре осуществляется ме-
516
тодом сварки или бесфлюсовой пайки. Минимальное расстоя-
ние места присоединения вывода от кристаллодержателя
0,5 мм. Пайка производится при температуре +180 °C в тече-
ние не более 3 с.
Сборки транзисторов р-п-р и п-р-п
2ТС941А
Транзисторная сборка, состоящая из двух кремниевых эпи-
таксиально-планарных структур р-п-р и п-р-п усилительных
высокочастотных мощных транзисторов с раздельными выво-
дами. Предназначен для применения в быстродействующих
импульсных устройствах, преобразователях, усилителях мощ-
ности, генераторах электрических колебаний герметизирован-
ной аппаратуры. Бескорпусная с гибкими выводами и защит-
ным покрытием на кристаллодержателе. Тип сборки указыва-
ется на крышке сопроводительной тары.
Масса сборки не более 0,1 г.
Изготовитель — акционерное общество «Элекс», г. Але-
ксандров.
2TCWA
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, /к = 100 мА:
Г =+25 °C............................. 40... 150
Т= +125 °C....................... 40...350
Т=-60°С............................ 18... 150
517
Модуль коэффициента передачи тока
при Цэ = 28 В, 4 = 100 мА, f = 100 МГц. Граничное напряжение при 4 = 5 мА			3 50„70*... 100* В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер при 4 - 300 мА, 4 - 60 мА, не более	 Напряжение насыщения база—эмиттер при 4 = 300 мА, /Б = 60 мА			1 В 0,72*... 1*... 1,5 В
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	_				30*...50*... 90 нс
Время включения при 4 = 30 мА, 4 = 3 мА: транзистор р-п-р				—				.		50*...60*... 70 нс
транзистор л-р-л	  ....	...	35*...55*... 90 нс
Время рассасывания яри 4 = 30 мА, 4 = 3 мА: транзистор р-п-р ..		.	....			....	50*..^60*... 500 нс
транзистор п-р-п..........................................	30*..255*... 500 нс
Сопротивление изоляции транзисторов от нижней поверхности кристаллодержателя, не менее	„	„	..........			 Емкость коллекторного перехода при = 28 В, f= 10 МГц, не более...	..... Обратный ток коллектора при Ц® = 60 В, не более:	10» Ом 12 пФ
Т= +25 и -60 ’С 				 Т= +125 “С					 Обратный ток коллектора при 6/и = 4 В,	5 мА 50 мА
не более	  _....		1 мА
Параметры сдвоенных транзисторов
Отношение статических коэффициентов пе-
редачи тока при 6/кэ = 5 В, 4 = 100 мА,
не менее:
Г=+25’С.................... 0,7
7=+125 °C................. 0,3
7=-60 °C.................. 0,4
518
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение коллектор—база любой формы
и периодичности.......................... €0 В
Напряжение коллектор—эмиттер любой фор-
мы и периодичности при /?ю = 1 кОм....... 50 В
Напряжение база—эмиттер любой формы
и периодичности........................... 4 В
Постоянный ток коллектора.................. 0,8	А
Импульсный ток коллектора при < 10 мкс,
Q> 10....................................   1,5	А
Постоянный ток базы...................... 0,2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1:
двумя транзисторами:
при +70 °C........................... 5 Вт
при Гк = +125 °C.................. 1,25 Вт
одним транзистором:
при Гк € +70 *С.......,........... 2,5 Вт
при Гк = +125 °C.................. 0,625 Вт
Температура р-п перехода................. +150 °C
Температура окружающей среды ............ —60... Тк =
= +Т25 °C
' Постоянная рассеиваемая мощность коллектора каждого транзистора при
Тк = +7O...+125 *С рассчитывается по формуле
Рк. мхе = < 150 - rj/{38 + Вт,
где — тепловое сопротивление керамическая подложка—корпус микро-
схемы.
Закрепление приборов в микросхему производится пайкой
основания держателя припоем ПСрОС—3—58; при этом допус-
тимо воздействие на прибор температуры не более +240 °C в
течение не более 1 мин. Минимальное расстояние от места
пайки (сварки) выводов до поверхности прибора должно быть
3 мм.
Изгиб выводов допускается не ближе 0,5 мм от места
выхода вывода из защитного покрытия.
5 <9
ПЕРЕЧЕНЬ ЗАРУБЕЖНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ,
ЗАМЕНЯЕМЫХ ОТЕЧЕСТВЕННЫМИ
Фирма-изготовитель
Тип оте-
чественного
транзистора
Тип
зарубежного
транзистора
Транзисторы п-р-п
2Т606А, КТ606А КТ606Б	MRF515 MRF627	Motorola, RF Gain Motorola, RF Gain
2Т607А-4,	PEE1000U	Amperex Elec
КТ6О7А-4,	РЕЕ1001Т,	Philips Elec
КТ607Б- 4	PDE1001	
2Т610А,	2SC651	Hybrid Semi
КТ610А	2SC136E	NEC Corp JA
2Т610Б, КТ610Б	2SC3569C	Sanyo Elec
2Т624А-2,	23С731	Elec Trans, RF Gain, Solid Stine
2Т624АМ-2,	BSX12	Nth Amer Semi
КТ624А- 2, КТ624АМ—2	- 2SC1169	Toshiba Corp
	2SC1965	Mitsubi Elec, RF Gain
2Т633А,	MPS3866,	Motorola
КТ633Б	BF371	
	40220	Nth Amer Semi, Semicon Tech
2Т634А-2, КТ634Б-2	NE56387	NEC/CAL Eastern Labs
2Т637А-2, КТ637А-2	MSC85853	Microwave Semiconductor
2Т640А-2,	NE24318	NEC/CAL Eastern Labs
2Т640А1—2,	HXTR4105	Hewlett Pkd
КТ640А-2, КТ640Б-2,	2N6679	Hewlett Pkd, Hi-Tron, Space Power
А834А,		
А667		
2Т642А-2,	NE56787,	NEC/CAL Eastern Labs
КТ642А-2	NE243188, NE243287, NE243288	
2Т642А1—2,	DC5445	Marconi Elec
2Т642Б1-2,	FJ201E	Fujitsu Ltd
А625А1-2, А625Б1-2	2N6602	Hi-Tron, Spa<_e Power
	BFQ66	Philips Comp, Philips Dscr
2Т642В1—2,	2SC1269	NEC Corp JA
А625В1-2 2Т642Г1—2, А625Г1-2 ,	2SC1270	NEC Corp JA
520
Продолжение
Тип оте- чественного транзистора	Тип зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
2Т643А-2,	NE243499,	NEC/CAL Eastern Labs
КТ643А-2	NE243188, NE243287, NE243288	
2Т647А-2,	NE56755	NEC Corp JA
КТ647А-2, А633	2N67O1	Space Power
2Т648А-2,	NE56755	NEC Corp JA
КТ648А-2, А645	АТ1257О-5	Avantek Inc
2Т657А-2,	АТ00510,	Avantek Inc
2Т657Б-2,	АТ00535,	
2Т657В-2,	АТ00570,	
КТ657А-2, КТ657Б-2, КТ657В-2	АТ60535	
КТ659А	MPS3725	Crimson Semi, Semicon Tech
	2N3737	Advncd Semi, Gnrl Diode, Gnrl Trans, Motorola, Nth Amer Semi, Raytheon Co, Sid St Dvcs, Solid Stine, Space Power, Swampscott, TIC Semi, Torgue Sys
	BSW27, BSW28	Nth Amer Semi
2Т671А- 2,	NE56854	NEC Corp JA
А704А		
2Т682А-2,	NE57835	NEC Corp JA
2Т682Б-2, КТ682А-2, КТ682Б-2,	2SC1551, 2SC1552	Toshiba Amer
А717А, А717Б		
2Т688А-2, 2Т688Б-2	HXTR4101	Hewlett Pkd
КТ695А	BF595	Advncd Semi, Micro Elecs, NAS Elect, Semelab, Semi Inc, Space Power, Texas Instr, Texas Instr Ltd
2Т904А,	2N5635	Crimson Semi, Hi-Tron, Nth Amer Semi, RF Gain,
КТ904А	2SC2391, 2SC2104	Space Power, TIC Semi Toshiba Corp
	2SC1765	RF Gain, Toshiba Corp
КТ904Б	MRF5174	Motorola, RF Gain
521
Продолжение
Тип оте- чественного транзистора	Тип зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
2Т907А, КТ907А	2N5636 2SC1040	Crimson Semi, Hi-Tron, Nth Amer Semi, RF Gain, Space Power, TIC Semi NEC Corp JA, RF Gain
КТ9О7Б	2SC2105, 2SC2379	Toshiba Corp
2Т909А, КТ909А	2SC2033	RF Gain
2Т909Б, КТ909Б,	2SC2173, 2SC2643	Toshiba Corp
КТ909Г	2SC2381 MRF641	RF Gain, Toshiba Corp Motorola
КТ909В	2SC2106 2SC2642 2SC2380	Toshiba Corp RF Gain, Toshiba Corp RF Gain
2Т911А,	HXTR—4103	Hewlett Pkd
КТ911А, К T911В	MSC8547O, MSC85920	Microwave Semi
2Т9116, КТ911Б,	РЕЕ 1001Т, PDE1001T	Philips Elec
КТ911Г	2SC3607	Toshiba Corp
2Т913А,	2SC1425	NEC Corp JA, RF Gaip
КТ913А	MRFW02MA, MRF1002MB	Motorola, RF Gain
2Т913Б,	NE1005E	NEC Corp JA
КТ913Б	MRF1004MC, MRF1004MA, MRF1004MB 2SC1334	Motorola, RF Gain NEC Corp JA, RF Gain
2Т913В,	D10P	Acrian Inc
КТ9138	MRF1008MC, MRF1008MA, MRFTO08MB	Motorola, RF Gain
2Т916А. КТ956А	MRF1015MA, MRF1015M8	Motorola, RF Gain
КТ916Б	MRF1015MC	Motorola
КТ918А-2	LKE320010C	Philips Elec
КТ918Б-2	MSC85853, MSC85855	Microwave Semi
2Т919А, КТ919А	NEM200394	NEC Corp JA
522
Продолжение
Тип оте- чественного транзистора	Тип зарубемжосо транзистора	Фирм*-нзгогоежтеж>
2Т9Т9А-2	PXB2t004U	Philips Etec
2Т919Б, 2Т919Б-2, КТ919Б	LKE21015T	Philips Elec
2Т919В, 2Т919В-2, КТ919В.	MRF2001M	Motorola, RF Gain
КТ919Г	MRF20O3M	Motorola, RF Gain
2Т925А, КТ925А	2SC1G01	Hybrid Semi, RF Gain, ToeMba Corp
КТ925Б	ТН550	Thmsn CSFEFC
2Т925Б	2N5915	Crimson Semi, RF Gain, Space Power
КТ925Г, 2Т925В, К925В	ТН553	Thmsn CSFEFC
2Т930А, КТ930А	CD6105	Acrian tec, RF Gain
2Т930Б, КТ930Б	UMIL70	Acrian Inc
2Т934А, КТ934А	А5916	Acrian foe, RF Gain
КТ934Г	А5918	Acrian tee, RF Gain
2Т934Б, КТ934Б	2SC2642	RF Gain, Toshiba Corp
2Т934В, КТ934В, КТ934Д	2SC2033	RF Gain
2Т937А- 2,	2L08	Acrian Inc
КТ937А-2,	MA42tftt-5W	M/A Comm Semi
А622А	LUE20095, LEE1010T	Philips Elec
2Т937Б-2,	2L15A,	Acrian Inc
КТ937Б-2,	2L15B,	
А622Б	2L15C	
	LTE42008R, PJC4003T	Philips Elec
	SD1848	Thnisn CSFEFC
	2SC2093, NE33353B, NE33387, NE33354, NE33353E, NE56963	NEC Corp J A
523
Продолжение
Тип оте- ' явственного транзистора	Тип Зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
2Т938А-2,	LKE2002T,	Philips Elec
КТ938Б-2	LBE2003S, LCE2003S, LUE2003S, LBE2005Q, LCE2005Q	
2Т939А,	2N4934	Advncd Semi, Crimson Semi, Micro Elecs, Semi
КТ939А		Inc, Semicoa, Space Power, Swampscott
	BFR37	Diode Trans, Nth Amer Semi
	SE5035	Central Semi
	2SC1324	Mitsubi Elec
	LHFW16A	Amperex Elec
	BFQ17P	Siemens Akt
КТ939Б	BF^37	Diode Trans, Nth Amer Semi
	SE5035	Central Semi
	MPSH33	Motorola
	S679T	Telefunken
	BFN16	Semelab
	BFN17,	Nth Amer Semi
	BSY58	
2Т942А, 2Т924А-5, КТ942В	TCC1821-G	SGS—Thomson
2Т942Б,	2005(A),	RF Gain
2Т942Б-5	MRF2005M	
	NE2005	NEC Corp JA
	MRF2005	Motorola
2Т946А,	SD1412	Space Power, Thmsn CSFEFC
КТ946А,	MRF843,	Motorola
А63О	MRF843F,	
	MRF873	
	D20-28	Acrian Inc, RF Gain
	MRF840	Motorola, Nth Amer Semi, RF Gain
	D12-28G	Acrian Inc
	0510-10, 46110	Acrian Inc, RF Gain
2Т948А,	MRF2016M	Motorola, RF Gain
КТ948А,	NEM2O15	NEC Corp J A
А642А	MRF2010, MRF2010B,	Motorola, RF Gain
	MRF2010M		’	 —'
524
Продолжение
Тип оте- чественного транзистбра	Тип зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
	NEM1712B20,	NEC Corp J А
	NEM1020, NEM2010,	
	NE2010	
	2010, 051(7—10	Acrian Inc, RF Gain
2Т948Б,	PWB2010U,	Philips Elec
КТ948Б,	PKB20010U	
А642Б	MRF2005, MRF2005B, MRF841, MRF2005M	Motorola, RF Gain
	NE1010E, NEM1706B20, NE2005, NE021020-28	NEC Corp JA
	SD1526, SD1526-1, SD1526-8	Thmsn CSFEFC
	PDE1010U, LEE0030X(A)	Amperex Elec, Philips Elec
	MRF1015MC, MRF1015MA, MRF1015MB	Motorola, RF Gain
2Т960А,	CD6105A,	Acrian Inc, RF Gain
КТ960А	А5919 MRF323	Motorola, Nth Amer Semi, RF Gain
2Т962А,	NE1010E	NEC Corp JA
КТ962А	MRF1008MC, MRF1008MA, MRF1008MB	Motorola, RF Gain
	2SC1334	NEC Corp JA, RF Gain
2Т962Б,	46120	Acrian Inc, RF Gain
КТ962Б	MRF840	Motorola, Nth Amer Semi, RF Gain
2Т962В,	MRF1035MC,	Motorola, RF Gain
КТ962В	MRF1035MA, MRF1035MB	
2Т963А-2,	NE243287,	NEC Corp JA
2Т963Б-2,	NE56854,	
2Т963А-5,	NE56855,	
КТ963А-2,	NE243187	
КТ963Б-2,	LJE42002T	Philips Elec
КТ963А- 5, А653А-5	DC5651, DC5631	Marconi Elec
525
Продолжение
Тип оте- чественного транзистора	Тил зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
2Т970А,	MRF327	Motorola, RF Gain
КТ970А	BAL0004—100	Acrian Inc, RF Gain
	CM80-28R, СМ0104, DMIL100A, UMIL-100	Acrian Inc
	С2М100-28А	Acrian Inc, RF Gain
	SD1470, SD1462, SD9130	Thmsn CSFEFC
	ТРМ4100	TRW RF Dvc
2Т975А	АМ1416-200	Microwave Semi
2Т975Б	АМ1416-100	Microwave Semi
2Т976А, КТ976А	R2B12050Y, МКВ 12040WD, PZB27020U	Philips Elec
	SD1530—1, SD1520-8	Thmsn CSFEFC
	0510-25, BAL0710—50	Acrian Inc
2Т977А,	LKE21004R	Philips Elec
КТ977А, А657	. MRF905	Motorola, RF Gain
2Т979А,	РН1214- 60	M/A—Comm
А662	9BSE35, 0510-25	Acrian Inc, RF Gain
	DBL60-12	Acrian Inc
	RZB12O50Y, MR1011B40W, MKB12040WD	Philips Elec
	FJ0850—28	Fujitsu Ltd
	SD1530-1, SD1530-8, SD1401	Thmsn CSFEFC
2Т982А-2, 2Т982А-5, А664А	ML500 NE243499	Tl NEC Corp JA
КТ983А	С1/2-12	Acrian Inc
	BLX96	Valvo
526
Продолжение
Тил оте- чественног транзистор	Т п зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
КТ983Б	PDE1001T D1-28 D1-12E, D1-12B, D1-7E BLX98	Philips Elec Acrian Inc Acrian Inc, RF Gain Valvo
КТ983В	9BSE2, CD5916, CD3872, А5916, D2-12B, D2-12E MRF890 TPV595A UTV005 2SC3103, 2SC3379 2SC3006 MRF870 CD2O87	Acrian Inc, RF Gain Motorola, RF Gain TRWRF Dvc Acrian Inc Mitsubi Elec, RF Gain RF Gain, Toshiba Corp RF Gain Acrian Inc, Bharat, RF Gain
2Т984А,	BFX55	Nth Amer Semi
КЭМА	2SC1604 SD1080—7 2N834A	Mitsubi Elec RF Gain, Space Power, Thmsn CSFEFC Amer Micro SC, Central Semi, Fairchild SC, Gnrl Trans, Hi-Tron, Semicoa, Semitronics, Solid Stine, Space Power
2Т984Б, КТ984Б	D1-7E, D1-12E, D1-12B MRF5174	Acrian inc, RF Gain Motorola, RF Gain
КТ985АС	РНОЮ4125	Macom PHI
2Т986А, 2Т986Б, 2Т986В, 2Т986Г	АМ1416-200	ACR, MSC
2Т988А,	MRF892	Acrian Inc, RF Gain
А682А	MRF843, MRF843F, MRF873 MRF840	Motorola Amer Semi, Motorola, RF Gain
527
Продолжение
Тип оте- чественного транзистора	Тип зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
	D12-28G, 0510-10	Acrian Inc, RF Gain
	46110	Acrian Inc
ДТ9.88Б,	NE11508112	NEC Corp JA
А682Б		
2Т989В,	MRF2016N	Motorola, RF Gain
А680В	NEM20108—20	NEC Corp JA
2Т989Г,	АМ151735	Microwave Semi Corp
А680Г	NEM2015B—20	NEC Corp J A
2Т989А,	PZ1418B30U,	Philips Elec
А680А	PZ1721B25U, PZ2024B20U	
2Т989Б,	NEM2015,	NEC Corp JA'
А680Б	NEM201594, NEM2020	
	TRW2020F, MRF2010, MRF2010B,	Acrian Inc, RF Gain
	MRF2011	
2Т990А-2	TCC2003S, ТСС1821-6	SGS—Thomson
	MRF2005	Motorola, NEC Corp JA, RF Gain
	PKB23005U	Philips Comp
	LV1721E5OR	Philips Dscr
	2005(A)	RF Gain
2Т991АС,	NEM085081B—12	NEC Corp JA
КТ991АС		
2Т994А-2,	AM 1416200	ACR, Microwave Semi Corp
2Т994Б-2, 2Т994В-2		
2Т995А,	ML500	T1
А691	NE56953E, NE56963E, NE243496, NE243287, NE56854, NE56855	NEC Corp JA
	HXTR4103	Hewlett Pkd
	РРС5001Т	Philips Elec
	2L08	Acrian Inc
	МА42181—510	M/A—Comm Semi
528
Продолжение
Тип оте- чественного транзистора	Тип зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
2Т996А- 2, 2Т996А-5, КТ996А-2, КТ996А-5, А793А	2N5715	Crimson Semi, Elm State, Space Powe,
2Т996Б-2, 2Т996Б-5, КТ996Б- 2, КТ996Б-5, А793Б	MRF587(A)	Motorola, RF Gain
КТ996В- 2,	NE59560,	NEC Corp JA
КТ996В-5, А793В	NE59509	
2Т996В-2, 2Т996Г-2	BFG34	Philips Elec
2Т9101АС,	FJ0880-28	Fujitsu Ltd
КТ9101АС	J02058	TRW RF Dvc
2Т9102А—2	MRF2003B, MRF2003	Motorola, RF Gain
2Т9102Б-2	MSC80197, MSC80187	Microwave Semi
	MRF2001, MRF2001B, MRF2001M	Motorola, RF Gain
2Т9103А-2	РТВ32005Х,	Philips Elec
2Т9103Б-2	PV3742B4X	
	NE4203, NE420353, NEM4205	NEC Corp JA
2Т9104А, КТ9104А	NE080481E—12	NEC Corp JA
2Т9104Б, КТ9104Б	NEM082081B—12	NEC Corp JA
2Т91О5АС, КТ91О5АС	NEM050029-28	NEC Corp JA
2Т9107А-2	0510-10	Acrian Inc, RF Gain
	NE1010E	NEC Corp JA
	MRF1035MA, MRF1035MB	Motorola, RF Gain
2191О8А-2	АМ0912-50, АМ51214—60	Microwave Semi Corp
	JTDA50	Acrian Inc
529
Продолжение
Тип оте- чественного транзистора	Тип зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
2Т9109А	АМО6О8-450	Microwave Semi Corp
	CDR400	Acrian Inc
2Т9110А-2	АМ1416-200	Microwave Semi Corp
2Т9110Б-2	АМ1416-100	Microwave Semi Corp
2Т9111А	ТН415	Thomson CSFEFC
2Т9114А	АМ1416200	Microwave Semi Corp
	1416200	Acrian Inc
КТ9116А	TRV-394, TRV-375	TRW RF Dvc
	SD1015	RF Gain, Thmsn CSFEFC
	2N4128	Advncd Semi, Crimson Semi, Digitrpn, Diode Trans, Elm State, Hi-Tron, New Jersey, Nth Amer Semi, RF Gain,. Semitronics, Space Power, TIC Semi
2Т9118А,	CDRO75	Optek Tech, RF Gain
2Т9118Б, 2Т9118В,	MKB12100WS	^Philips Elec
А718А, А718Б, А718В		
2Т9149А-2,	NE243499,	NEC Corp jA
А714	NE243496, NE56963E	
	2L08, 2L15A, 2L15B, 2L15C	Acrian Inc
	PRC5001T	Philips Elec
2Т9121А, 2Т9121Г, А72ОА. А720Г	АМ82325—40	Microwave Semi Corp
2Т9121Б,	PZ2327B15U	Philips Elec
А720Б	ТСС232715	Thomson CSFEFC
2Т9121В,	27АМ05	Acrian Inc
А720В		
2Т9122А,	PZB27020U	Philips Elec
А716А	PH 1214-60	M/A—Comm
	NEM1725B2O,	NEC Corp JA
	NEM2020	
530
Продолжение
Тип оте- чественного транзистора	Тип зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
2Т9124А, А722А	АМ83135—10	Microwave Semi Corp
2Т9124Б, А722Б	NEM3508B—20	NEC/CAL Eastern Labs
2Т9125АС	NEM054029—12	NEC/CAL Eastern Labs
	С2М50-28	Acrian Inc, RF Gain
2Т9127А,	MSC81550M,	Microwave Semi Corp
А731А,	MSC1400M	
А731Б	DME500	Acrian Inc
2Т9127Б,	MSC81250M,	Microwave Semi Corp
А731Г	MSC31175M, MSC81150, MSC1150MP,	
	MSC1090M, MSC1075M	
	DME250	Acrian Inc
	MRF1250M	Motorola
2Т9129А,	АМ83135—15,	Microwave Semi Corp
А743Б	АМ83135-10,	
	АМ83135—30	
2Т9132АС	NEM060C69—28, NEM050029—28	NEC/CAL Eastern Labs
	FJ0880-28	Fujitsu
	MRF309, MRF646	Motorola, RF Gain
	СМ60-12А, UM0B55,	Acrian Inc, RF Gain
	СМ45-12А	
2Т9134А,	SD1543	Thomson CSFEFC
А739А-2	0912Р600	Acrian Inc
2Т9135А-2,	ML500	Texas Instr
А749	РРС5001Т, PQC5001T	Philips Elec
	NE243496	NEC Corp JA
2Т9136АС	IIDR500, UDR450	Acrian Inc
	SD1564, SD1565	Thomson CSFEFC
	АМ0405-100	Microwave Semi Corp
2Т9137А,	SD1842	Thomson CSFEFC
А792	2301, 2023-1,5, 2023-1,5Т	Acrian Inc
531
Продолжение
Тип оте- чественного транзистора	Тип зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
	MSC82308 2SC1039	Microwave Semi Corp NEC Corp JA
2Т9139А	АМ82731—6	Microwave Semi Corp
2Т9139Б	NEM3008B20	NEC Corp JA
2Т9139В	АМ82731-12	Microwave Semi Corp
2Т9139Г	АМ82731-3	Microwave Semi Corp
2Т9140А,	LDR125MC	Acrian Inc
А75О	АМ1214-100 SD1502, SD1504	Microwave Semi Corp iMostek Corp, Thomson Componets
КТ9141А,	LT1739	TRW RF Dvc
А764Б	2SC3596F, 2SC3596E, 2SC3596D, 2SC3596C, 2SC3951, 2SC3599F, 2SC3599E, 2SC3599D, 2SC3599C, 2SC3954	Sanyo Elec
КТ9141А1,	MRF544	Motorola
А764А	BLX91A ММ8009, ST8002 2SC555 2SC845, 2SC3781, 2SC4473F, 2SC4473E, 2SC4473D, 2SC4473C	Philips Elec Nth Amer Semi, Semicot) Tech Solid Stine Sanyo Elec
КТ9142А	MRF846 9BSE55 2SC3218	Motorola, RF Gain Acrian Inc, RF Gain WEC Corp JA
2Т9146А,	АМ1416-200	Microwave Semi Corp
2Т9146Г, 2Т9146Ж, А767А	1416200	Acrian Inc
2Т9146Б, 2Т9146Д, 2Т9146И, А767Б	АМ1416-100	Microwave Semi Corp
532
Продолжение
Тип оте- чественного транзистора	Тип зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
2Т9147АС	NEM050029—28	Microwave Semi Corp
	0204-125	Acrian Inc, RF Gain
2Т9149А	222430	Acrian Inc
	2023-6, 2023-12, 2023-16, 2223-9	Acrian Inc
2Т9149Б	TCC2023-6L	Thomson CSFEFC
	2023-1,5, 2023- 1,5Т, 2023-3, 2023-3T	Acrian Inc
КТ9150А	MRF840	Motorola, Nth Amer Semi, RF Gain
	TPY595A	Valvo
КТ9152А	MRF1090MB, MRF1090MA	Motorola, RF Gain
	SD1560	Thmsn CSFEFC
	2SC3660	NEC Corp JA
2Т9158А	PZB27020U, PZ2327B15U	Philips Elec
	ТСС232715	Thmsn CSFEFC
2Т9159А,	2N5108	Digitron, Diode Trans, Motorola, Nth Amer
2Т9159А-5		Semi, Semicoa, Semitronics, Space Power, TIC Semi
	BLX91A	Philips Elec
	2N5947	Crimson Semi, Elm State, Motorola, Nth Amer Semi, RF Gain, Space Power, TIC Semi
	ММ8009, ST8002	Nth Amer Semi, Semicon Tech
2Т9153АС	MRF892	Motorola, RF Gain
	MRA0510—50Н	CTC
2Т9153БС	FJ0850-28	Fujitsu Ltd
	DBL45-12	Acrian Inc
	MRA0510—50Н	CTC
2Т9155А, КТ9155А	MRF892	Motorola, RF Gain
2Т9155Б,	J0850-28	Fujitsu Ltd
КТ9155Б	DBL45-12	Acrian Inc
2Т9155В, КТ9155В	J02058	TRW RF Dvc
533
Продолжение
Тип оте- чественного транзистора	Тип зар^ежного транзистора	
2Т9156БС	RZB1205QY	Philips Elec
	BAL05K7	Acrian Inc
2Т9161АС	AMD405—400	Microwave Serai Corp
	SD1565	Thomson CSFEFC
	UDR45O	Acrian Inc
2Т9162А, 2Т9162Б, 2Т9162В, 2Т9162Г, А794А, А794Б, А794В	AM 1416-200	Microwave Semi Corp
КТ9173А	BLW96	Philips Elec
КТ9174А	BLU38	Philips Elec
КТ9182А	SD1492	Thomson, CSFEFC
А797	DC5021, DC5022	Marconi Elec
А827А	PKB21004U	Philips Elec
А827Б	MRF2001M	Motorola, RF Gain
А697Б	ТРМ4130	TRW RF Dvc
Транзисторы р-н-р
2T658A-2,	MPS536	Motorola
2Т658Б-2	BFO32C. PFQ32	Philips Etec
	NE88912, NE889Q2, NE88935	NEC Corp JA
	NE88941	NEC Etecsinc
	MRF534	Motorola, RF Gain
	MM4049	Motorola, Nth Amer Semi
2T658B-2	BFG-32, BFG-51	Philips Elec
	2N4257	Central Semi, Crimson Semi, кй-Tron, Semicon Tech, Solid Stine, Space Power
	2SA.1005, NE59312, NE59335	NEC Corp JA
	BF579R, BF569R, BF569	Telefunken
	SD1375	Space Power, Thmsn CSFEFC
534
Окончание
Тип оте- чественного транзистора	Тип зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
2Т691А- 2 2Т914А, КТ914А 2Т941А 2Т974А, 2Т974Б, 2Т974Г, А652А, А652Б 2Т974В, А652В КТ9143А, КТ9143Б КТ9143В	2N5829 BF979S BFG54(A), BFQ54T, BFG32 2N1141A 2SA1224 BF479 ВС287 IMBT3905 ВС321В 2NL4957 MMBR4957 BF967 MPS6535M 0404-1, 0404 RSA1182 2N5456 MRF547, MRF549, MRF543 ВС313А ВС361 2SA571 2N5041 IMBT3905 2SA523A SF220 SOR2906(A) FMMT3905 РН2907 BFQ54, BFQS4T, BFQ54(A) 2N1141A 2N1141A BFG32	Gnrl Trans, Hi-Tron Siemens Akt Philips Elec Amer Micro SC, Hi-Tron, Space Power NEC Corp JA Comset Semi Advncd Semi, Central Semi, Micro Elecs, Nth Amer Semi, Semi Inc, SGS—Ates ITT Semilntr Comset Semi, Micro Elecs, Motorola, Nth Amer Semi Amperex Elec Motorola Amperex Elec, Philips Elec Semicon Tech Advcd Semi, Semi inc Samsung Solid Stine, Space Power, Swampscott Motorola Advncd Semi, Micro Elecs, Mistral SpA, Nth Amer Semi, Semi Inc Advncd Semi, Micro Elecs, Nth Amer Semi, Semi Inc Hybrid Semi, RF Gain Amer Micro SC, Central Semi, Crimson Semi, Digitron, Genrl Diode, Inti Device, Space Power ITT Semilntr Elec Trans Semi Ltd Thmsn CSFEFC Plessey Semi Philips Elec Philips Elec Amer Micro SC, Hi-Tron, Space Power Amer Micro SC, Hi-Tron, Space Power Philips Elec
535
УКАЗАТЕЛЬ ТИПОВ ТРАНЗИСТОРОВ
Тип прибора	Стр.	Тип прибора	Стр.	Тип прибора	Стр.
1Т612А-4	37	2Т909(А, Б)	103	2Т9159А	377
1Т614А	39	2Т9101АС	246	2Т9159А-5	377
2Т606А	31	2Т9102(А-2, Б-2)	249	2Т9161АС	381
2Т607А-4	33	2Т9103(А-2, Б-2)	253	2Т9162(А—Г)	383
2Т610(А, Б)	35	2Т9104(А, Б)	256	2Т916А	115
2Т624А-2	41	2Т9105АС	259	2Т919(А—2—В—2)	120
2Т624АМ—2	41	2Т9107А-2	264	2Т919(А—В)	120
2Т633А	43	2Т9108А-2	268	2Т925(А—В)	125
2Т634А-2	46	2Т9109А	271	2Т930(А, Б)	130
2Т637А-2	48	2Т911(А, Б)	108	2Т934(А—В)	134
2Т640А-2	51	2Т9110(А—2, Б-2)	274	2Т937(А-2, Б-2)	138
2Т640А-5	51	2Т9111А	278	2Т937А-5	138
2Т640А-6	51	2Т9114(А, Б)	282	2Т938А-2	143
2Т640А1—2	51	2Т9118(А—В)	290	2Т939А	147
2Т642А-2	58	2Т9119А-2	294	2Т941А	482
2Т642А-5	58	2Т912ЦА-Г)	297	2Т942(А, Б)	150
2Т642А1-2	56	2Т9122(А, Б)	302	2Т942(А—5, Б—5)	150
2Т642А1-5	58	2Т9124(А, Б)	305	'2Т946А	156
2Т642Б1-2	56	2Т9125АС	309	2Т948(А, Б)	161
2Т642В1—2	56	2Т9127(А, Б)	311	2Т960А	166
2Т642Г1-2	56	2Т9129А	315	2Т962(А—В)	170
2Т643(А—2, Б-2)	63	2Т913(А-В)	111	2Т963(А—2, Б-2)	176
2Т643А-5	63	2Т9132АС	317	2Т963А-5	176
ЗТ647А-2	66	2Т9134(А, Б)	319	2Т970А	182
2Т647А-5	66	2Т9135А-2	323	2Т974(А-Г)	484
2Т648А-2	71	2Т9136АС	325	2Т975(А, Б)	.185
2Т648А-5	71	2Т9137А	328	2Т976А	189
2Т657(А—2—В—2)	77	2Т9139(А-Г)	331	2Т977А	193
2Т658(А—2—В—2)	473	2Т9140А	338	2Т979А	195
2Т671А-2	83	2Т914€(А-К)	346	2Т982А-2	198
2Т682(А—2, Б-2)	86	2Т9147АС	350	2Т982А-5	198
2Т687АС-2	511	2Т9149(А, Б)	353	2Т984(А, Б)	206
2Т687БС-2	511	2Т914А	478	2Т985АС	210
2Т688(А-2, Б-2)	91	2Т9153(АС, БС)	361	2Т986(А—Г)	214
2Т691А-2	476	2Т9155(А-В)	366	2Т988(А, Б)	217
2Т904А	97	2Т9156(АС, БС)	-376	2Т989(А—Г)	222
2Т907А	100	2Т9158(А, Б)	373	2Т990А-2	227
536
Окончание
Тип прибора	Стр.	Тип прибора	Стр.	Тип прибора	Стр.
2Т991АС	230	А749	448	КТ91ЦА-Г)	.108
2Т994(А—2—В—2)	233	А750	450	КТ9116(А, Б)	285
2Т995А-2	237	А751(А, Б)	452	КТ913(А—В)	111
2Т996(А—2—Г—2)	240	А764(А, Б)	454	КТ9141А	341
2Т996(А—5, Б—5)	240	А767(А—В)	456	КТ9141А1	341
2ТС613(А, Б)	493	А792	459	КТ9142А	343
2ТС622(А, Б)	506	А793(А—В)	461	КТ9143(А—В)	489
2ТС843А	502	А794(А—В)	463	КТ914А	478
2ТС941А	517	А797	465	КТ9150А	356
А622(А, Б)	393	А827(А, Б)	467	КТ9152А	359
А625А-5	398	А834А	469	КТ9155(А—В)	366
А625А1-2	395	А837(А—В)	471	К1916(А, Б)	115
А625Б1-2	395	ГТ612А-4	37	КТ9173А	388
А625В1-2	395	КТ606(А, Б)	31	КТ9174А	390
А625Г1-2	395	КТ607(А-4, Б-4)	33	КТ918(А—2, Б-2)	117
А630	400	КТ610(А, Б)	35	КТ9182А	391
Д633	402	КТ624А-2	41	КТ919(А-Г)	120
А642(А, Б)	404	КТ624АМ-2	41	КТ925(А—Г)	125
А645	407	КТ633Б	43	КТ930(А, Б)	130
А645А-5	407	КТ634Б-2	46	КТ934(А—Д)	134
А652(А—В)	490	КТ637(А-2, Б-2)	48	КТ937(А-2, Б-2) КТ938Б—2	138 143
А653А-5 А657	409 412	КТ640(А-2-В-2) КТ642А-2	51 58	КТ939(А, Б) КТ942В	147 150
А662	413	КТ642А-5	58	КТ946А	156
А664А	415	КТ643А-2	63	КТ948(А, Б)	161
Д667	417	КТ647А-2	66	КТ960А	166
А680(А—Д)	419	КТ647А-5	66	КТ962(А—В)	170
А682(А, Б)	422	КТ648А-2	71	КТ963(А—2, Б-2)	176
А691	424	КТ648А-5	71	КТ963А-5	176
А697(А, Б)	426	КТ657(А-2-В-2)	77	КТ970А	182
А704А	429	КТ657(А—5—В—5)	77	КТ976А	189
А714	430	КТ659А	82	КТ977А	193
А716(А, Б)	432	КТ682(А-2, Б-2)	86	КТ983(А—В)	202
А717(А, Б)	434	КТ682(А-5, Б—5)	86	КТ984(А, Б)	206
А718(А—В)	436	КТ695А	95	КТ985АС	210
А720(А—Г)	438	КТ904(А, Б)	97	КТ991АС	230
А722(А, Б)	440	КТ907(А, Б)	100	КТ996(А—2—В—2)	240
А727(А, Б)	514	КТ909(А—Г)	103	КТ996(А—5—В—5)	240
А731(А-Г)	442	КТ9101АС	246	КТС613(А—Г)	493
А739(А—2, Б-2)	444	КТ9104(А, Б)	256	КТС622(А, Б)	506
А743(А, Б)	446	КТ9105АС	259	КТС63ЦА-Г)	499
537
ПЕРЕЧЕНЬ
типов транзисторов, вошедших в 1—4 тт. издания
Тиа прибора	Том	Тип прибора	Том	Тил прибора	Том
4НТ254	1	2Л313(А—В)	1	2Т2О2(А-4-Д-4)	1
4НТ254А	1	2П322А	1	2Т203(А-Д)	1
4ЦТ251А4		2ПЗЗЗ(А, Б)	1	2Т205(А-3, Б—3)	1
1Т101	1	2П335(А—2, Б-2)	1	2Т208(А—М)	1
1Т10ЦА, Б)	1	2П337(АР, БР)	1	2Т211(А—1—В—1)	1
4Т4О2	1	2П338АР-1	1	2Т214(А—1—Е—1) .	1
1Т102А	1	2П341(А, Б)	1	2Т214(А9—Е9)	1
4Т4 45(А-Г)	1	2Л347А-2	1	2Т215(А-1-Е—1)	1
1Т116(А-Г)	1	2П350(А, Б)	1	2Т215(А9-Е9)	1
4ТЗО5(А—В)	1	2П601(А, Б)	3	2Т304(Г-Ж)	1
4ТЗО8(А—В)	1	2Л401А9	3	2Т306(А-Г)	1
1Т314(А, Б, Г, ДК, Л) 1		2П409(А, Б)	3	2Т307(А-4-Г-1)	t
4Т34 4ОА— 2	1	2П609(А—5, Б-5)	3	2Т34О4А-2	1
1Т313(А-В)	1	2Л7В1(А, Б)	3	2Т3106А-2	1
4Т320(А—В)	4	1 2П7О2А	3	2Т34О8(А-В)	1
1Т321(А-Е)	1	2П703(А, Б)	3	2Т3114(А—6—В—6)	1
4Т329(А—В)	1	 2Л706(А—В)	3	2Т3115(А—2, Б-2)	1
1Т330(А-П	1	2П712(А—5—В—5) ’ 2П712(А-В)	3	2Т3445А-6	1
1Т335(А— Д)	1		3	2Т3447А	1
4Т344(А—8}	1	: 2J1802A	3	2Т312(А—В)	1
1Т362А	1	' 2П803(А, Б)	3	2Т3420А	1
4Т374А-6	1	2П815(А—Г)	3	2Т3424А-6	1
4Т376А	1	2П816(А—Г)	3	2Т3123(А—2—В—2)	1
4Т386А	1	! 2П90ЦА, Б)	3	2Т3124(А—2—В-2)	1
1Т387(А—2, Б-2)	1	; 2П90ЦА-5, Б-5)	3	2Т3429(А9-Д»)	1
4Т403(А—И)	1	' 2П902(А, Б)	3	2Т313(А, Б)	1
TTS42A-4	4	2П903(А—5—В—5)	3	2ТЗ 4 30(А9—Е9)	1
1Т644А	4	2П903(А—В)	3	2ТЗ 4 32(А-2—Г—2)	4
4Т7О2(А—В)	2	2П904(А, Б)	3	2Т3432А—5	1
4ТВО6(А-В)	2	. 2П905(А, Б)	3	2Т3141А-2	1
1Тв<3(А—В)	г	; 2П907(А, Б)	3	2Т314А-2	4
1Т901(А, Б)	3	: 2П908(А, Б)	3	2Т3152(А-Е)	4
П905А	3	2П909(А—Г)	3	2Т316(А—Д)	1
1Т906А	3	2П911(А, Б)	3	2Т3162А	1
4Т94ОАД	3	2П912(А, Б)	3	2Т3162А-5	4
4ТМ4 45(А-Г)	1	2П943(А, Б)	3	2Т316А-5	1
4Т*43О5(А-В)	1	2Л944А	3	2Т317(А—1-В-4)	4
2Е7О4(А-Г)	3	. 2П918(А, Б)	3	2Т3175А	4
2Ж102(А, Б}	3	2П920(А, Б)	3	2Т348(А-4-Е-1)	1
2П4О4(А—В)	1	2П922(А, Б)	3	2Т318В1-1	4
2П1ОЗ(А—Д)	1	2П922(А—5, Б-5)	3	2Т32ЦА—Е)	4
2Л4ОЗ(АР—ДР)	1	2П923(А—Г)	3	2Т324(А—4—Е—4)	1
2П201(А—1—Д—1)	1	2П926(А, Б)	3	2Т325(А—В)	1
2П301(А—В)	1	2П928(А, Б)	3	2Т326(А, Б)	4
2ЛЗО1(А4-В4)	1	2П933(А, Б)	3	2ТЗЗЗ(А—3—£—3)	1
2ЛЗО2(А—В)	1	2П938(А—Д)	3	2ТЗЗЗВ1—3	1
2П303(А»Е, И)	1	2П941(А-Д)	3	2Т336(А—Е)	1
2П304А	1	2ПС104{А-£)	1	2Т348(А—3—В—3)	4
2Л305(А—2—Г—2)	1	2ПС202(А—2—Г—2)	1	2Т354(А—2, Б-2)	1
2П305(А—Г)	1	2ПС202(Д— 1, Е— 1)	1	2Т355А	1
2ПЗО6(А—В)	1	2ПС316(А—1—Г—1)	1	2Т360(А—4—В—4)	4
2П307(А, Б, Г)	1	2Т404(А—Г)	1	2Т363(А, Б)	4
2П308(А—1—Д—4)	1	2Т117(А—Г)	1	2Т364(А—2—В—2)	4
2П308(А9—Е9)	1	2Т118(А-1, Б—1)	1	2Т366(А—1—В—1)	1
2П310(А, Б)	1	2Т118(А—В)	1	2Т366Б1-1	4
2П342(А, Б)	1	2Т126(А— 1- Г-1)	1	2Т368(А, Б)	4
2Л342(А— 5, Б-5)	1	2Т127(А—1—Г—1)	1	2Т368(А9, Б9)	4
2П342(А—6, Б—6)	1	2Т20ЦА—Д)	1	2Т370(А— 1, Б—1)	1
538
Продолжение
Тип прибора	Том	Тил прибора	Том	Тип прибора	Том
2Т370(А9, Б9)	1	2Т642В1—2	4	2Т845А	2
2Т371А	1	2Т642Г1—2	4	2Т847А	2
2Т372(А-В)	1	2Т643(А—2, Б-2)	4	2Т848А	2
2Т377(А-2-В—2>	1	2Т643А-5	4	2Т856(А—Г)	2
2Т377(А1—2—ВЛ—2)	1	2Т647А-2	4	2Т860(А—В)	2
2Т378<А—2, Б-2)	1	2Т647А-5	4	2Т86ЦА-В)	2
2Т378(А1—2, Б1—2)	1	2Т648А-2	4	2Т862(А—Г)	2
2Т378Б-2-1	1	2Т648А-5	4	2Т866А	2
2Т381(А—1—Д—1)	1	2Т652А	3	2Т867А	2
2Т382(А. Б)	1	2Т652А-2	3	2Т874(А, Б)	2
2Т384А-2	1	2Т653(А, Б)	3	2Т875(А—Г)	2
2Т 384АИ-2	1	2Т657(А—2—0—2)	4	2Т876(А—Г)	2
2Т385А-2	1	2Т658(А-2—В-2)	4	2Т877(А—В)	2
2Т385АМ-2	1	2Т664(А9, Б9)	3	2Т878(А, Б)	2
2Т388А-2	1	2Т665(А9, Б9)	3	2Т879(А, Б)	2
2Т388АМ-2	1	2Т671А-2	4	2Т880(А—5, Б-5)	2
2Т389А-2	1	2Т682(А—2, Б-2)	4	2Т880(А-Г)	2
2Т39ЦА-2, Б-2)	1	2Т687АС-2	4	21881( А-5, Б-5)	Ч
2Т392А-2	1	2Т687БС—2	4	2Т881(А—Г)	2
2Т396А-2	1	2Т688(А-2, Б—2)	4	2Т882(А—В)	2
2Т397А-2	1	2Т691А-2	4	2Т883(А, Б)	2
2Т399А	1	2Т7О4(А, Б)	2	2Т884(А, Б)	2
2Т584(А, Б)	2	2Т70в(А-В)	2	‘ 2Т885(А, Б)	2
2Т504(А-9. Б—5)	2	2Т7О9(А- В)	2	2Т886А	2
2Т5051А. Б)	2	2Т709(А2—В2)	2	2Т887(А, Б)	2
2Т5О5А-5	2	2Т713А	2	2Т891А	2
2Т506(А, Б)	2	2Т716(А—В)	2	2Т9ОЗ<А, Б)	Э
2T506A-S	2	2Т716(А1-В1)	2	2Т9О4А	4
2Т5О9А	2	2Т718(А, Б)	2	2Т907А	4
2Т509А-5	2	2Т803А	2	2Т908А	3
2Т602(А, Б)	3	2Т808А	2	2Т909(А, Б)	4
2Т602(АМ, БМ)	3	2Т808А-2	2	2Т9101АС	4
2Т6ОЗ{А—Гк И)	3	2Т809А	2	2Т91О2(А-2, Б-2)	4
2Т606А	4	2Т812(А, Б)	2	2Т91ОЗ(А—2, Б-2)	4
2Т607А-4	4	2Т818(А—В)	2	2Т9104(А, Б)	4
2Т608(А. Б)	3	2Т818(А2—В2)	2	2Т9105АС	4
2Т61О(А, Б)	4	2Т819(А—В)	2	2Т9107А—2	4
2Т624А-2	4	2Т819(А2—В2)	2	2Т9108А-2	4
2Т624АМ—2	4	2Т825(А—В)	2	2Т9109А	4
2Т625(А— 2. Б-2)	3	2Т825(А2—В2)	2	2Т911(А, Б)	4
2Т625АМ-2	3	2Т825А-5	2	2Т9110(А—2, Б-2)	4
2Т625БМ—2	3	2Т826(А—В)	2	2Т9111А	4
2Т629А-2	3	2Т826А-5	2	2Т9114<А, Б)	4
2Т630(А, Б)	3	2Т827(А—В)	2	2Т9117(А—Г)	3
2Т63ОА-5	3	2Т827А-5	2	2Т9118(А— В)	4
2Т632А	3	2Т828(А, Б)	2	2Т9119А-2	4
2Т633А	4	2Т830(А-Г)	2	2Т912(А, Б)	3
2Т634А-2	4	2Т830(В—1, Г-1)	2	2Т912(А— 5, Б-5)	3
2Т635А	3	2Т831(А-Г)	2	2Т9121(А—Г)	4
2Т637А-2	4	2Т83ЦВ-1, Г-t)	2	2Т9122(А, Б)	4
2Т638А	3	2Т834(А-В)	2	2Т9124(А, Б)	4
2Т640А-2	4	2Т836(А—В)	2	2Т9125АС	4
2Т640А-5	4	2Т836А-5	2	2Т9126А	3
2Т64ОА-6	4	2Т837(А—Е)	2	2Т9127(А, Б)	4
2Т64ОА1—2	4	2Т839А	2	2Т9128АС	3
2Т642А-2	4	2Т84ЦА- В)	2	2Т9129А	4
2Т642А-5	4	2Т84ЦА1, Б1)	2	2Т913(А-В)	4
2Т642А1-2	4	2Т842(А, Б)	2	2Т9130А	3
2Т642А1-5	4	2Т842(А1, Б1)	2	2Т9131А	3
2Т642Б1-2	4	2Т844А	2	2Т9132АС	4
539
Продолжение
Тип прибора	Том	Тип прибора	Том	Тил прибора	Том
2Т9134(А, Б)	4	2Т965А	3	ЗП344А-5	1
2Т9135А-2	4	2Т966А	3	ЗП345(А—2, Б-2)	1
2Т9136АС	4	2Т967А	3	ЗП345Б-5	1
2Т9137А	4	2Т968А	3	ЗП351А-2	1
2Т9139(А—Г)	4	2Т968А-5	3	ЗП351А-5	1
2Т9140А	4	2Т970А	4	ЗП353А-5	1
2Т9146(А—К)	4	2Т971А	3	ЗП372А-2	1
2Т9147АС	4	2Т974(А—Г)	4	ЗП376А-5	1
2Т9149(А, Б)	4	2Т975(А, Б)	4	ЗП384А-5	1
2Т914А	4	2Т976А	4	ЗП602(А—2—Д—2)	3
2Т9153(АС, БС)	4	2Т977А	4	ЗП602(Б—5, Д-5)	3
2Т9155(А—В)	4	2Т978(А, Б)	3	ЗП6ОЗ(А—2, Б-2)	3
2Т9156(АС, БС)	4	2Т979А	4	ЗП6ОЗ(А—5, Б-5)	3
2Т9158(А, Б)	4	2Т980(А, Б)	3	ЗП6ОЗА1-2	3
2Т9159А	4	2Т981А	3	ЗП6ОЗБ1—2	3
2Т9159А-5	4	2Т982А-2	4	ЗП604(А—2-Г-2)	3
2Т9161АС	4	2Т982А-5	4	ЗП604(А—5—Г—5)	3
2Т9162(А—Г)	4	2Т984(А, Б)	4	ЗП604А1-2	3
2Т916А	4	2Т985АС	4	ЗП604Б1-2	3
2Т919(А—2—В—2)	4	2Т986(А—Г)	4	ЗП604В1-2	3
2Т919(А—В)	4	2Т988(А, Б)	4	ЗП604Г1-2	3
2Т920(А—В)	3	2Т989(А—Г)	4	ЗП605А-2	3
2Т921А	3	2Т990А-2	4	ЗП605А-5	3
2Т921А-4	3	2Т991АС	4	ЗП606(А—2—Г—2)	3
2Т922(А—В)	3	2Т993А	3	ЗП606(Б—5, В-5)	3
2Т925(А-В)	4	2Т994(А—2—В—2)	4	ЗП607А-2	3
2Т926А	3	2Т995А-2	4	ЗП608А-2	3
2Т928(А, Б)	3	2Т996(А—2—Г—2)	4	ЗП608А-5	3
2Т929А	3	2Т996(А—5, Б-5)	4	ЗП608Б-2	3
2Т930(А, Б)	4	2ТМ103(А—Д)	1	ЗП608Г-2	3
2Т931А	3	2ТМ104(А—Г)	1	ЗП608Д-5	3
2Т932(А, Б)	3	2ТС303А-2	1	ЗП608Е-5	3
2Т933(А, Б)	3	2ТС3103(А, Б)	1	ЗП910(А—2, Б-2)	3
2Т934(А—В)	4	2ТС3111(А—1—Д—1)	1	ЗП910(А—5, Б-5)	3
2Т935А	3	2ТС393(А—1, Б—1)	1	ЗП915(А—2, Б-2)	3
2Т935А-5	3	2ТС393(А9, Б9)	1	ЗП925(А—2—В—2)	3
2Т937(А—2, Б-2)	4	2ТС398(А—1, Б—1)	1	ЗП925А-5	3
2Т937А-5	4	2ТС398(А9, Б9)	1	ЗП927(А-2-Д-2)	3
2Т938А-2	4	2ТС613(А, Б)	4	ЗП929А-2	3
2Т939А	4	2ТС622(А, Б)	4	ЗП930(А—2—В—2)	3
2Т941А	4	2ТС843А	4	А597(А, Б)	3
2Т942(А, Б)	4	2ТС941А	4	А604(А- В)	3
2Т942(А—5, Б-5)	4	ЗП320(А—2, Б-2)	1	А622(А, Б)	4
2Т944А	3	ЗП321А-2	1	А625А-5	4
2Т945(А—В)	3	ЗП324(А—2, Б-2)	1	А625А1-2	4
2Т945А-5	3	ЗП325А-2	1	А625Б1-2	4
2Т946А	4	ЗП325А-5	1	А625В1-2	4
2Т947А	3	ЗП326(А—2, Б-2)	1	А625Г1-2	4
2Т948(А, Б)	4	ЗП326А-5	1	А630	4
2Т950(А, Б)	3	ЗП328А-2	1	А633	4
2Т95ЦА-В)	3	ЗП328А-5	1	А634(А, Б)	3
2Т955А	3	ЗПЗЗО(А-2—В-2)	1	А639А	3
2Т956А	3	ЗПЗЗОА—5	1	А64ЦА-В)	1
2Т957А	3	ЗП331А-2	1	А642(А, Б)	4
2Т958А	3	ЗП331А-5	1	А645	4
2Т960А	4	ЗП339А-2	1	А645А-5	4
2Т962(А—В)	4	ЗП339А-5	1	А650(А—Г)	3
2Т963(А—2, Б-2)	4	ЗП343А-2	1	А652(А—В)	4
2Т963А-5	4	ЗП343А-5	1	А653А-5	4
2Т964А	3	ЗП344А-2	1	А654(А, Б)	3
540
Продолжение
Тип прибора	Том	Тип прибора	Том	Тип прибора	Том
А657	4	А818(А-Д)	1	ГТ34ЦА-В)	1
А661(А, Б)	3	А827(А, Б)	4	ГТ346(А—В)	1
А662	4	А834А	4	ГТ362(А, Б)	1
А664А	4	А837(А—В)	4	ГТ376А	1
А667	4	А842(А, Б)	3	ГТ402(А—Г)	1
А675(А, Б)	3	А843(А—В)	3	ГТ403(А—И)	1
А678(А-Г)	2	А848А	3	ГТ403Ю	1
А680(А—Д)	4	А849(А, В, С, Д)	3	ГТ404(А—Г)	1
А682(А, Б)	4	АП320(А-2, Б-2)	1	ГТ405(А—Г)	1
А684А	2	АП324(А—2-В-2)	1	ГТ612А-4	4
А686(А—2, Б-2)	3	АП324Б-5	1	ГТ701А	2
А686А1-2	3	АП325А-2	1	ГТ703(А-Д)	2
А686Б1-2	3	АП326(А—2, Б-2)	1	ГТ7О5(А—Д)	2
А691	4	АП328А-2	1	ГТ806(А-Д)	2
А697(А, Б)	4	АПЗЗО(А-2-В-2)	1	ГТ810А	2
А7О2(А-В)	3	АП331А-2	1	ГТ905(А, Б)	3
А704А	4	АП331А-5	1	ГТ906А	3
А709(А, Б)	3	АП339А-2	1	ГТ906АМ	3
А710(А, Б)	2	АП343А-2	1	К1НТ251	1
А714	4	АП344А-2	1	К1НТ661А	1
А716(А, Б)	4	АП602(А-2—Д—2)	3	КП101(Г—Е)	1
А717(А, Б)	4	АП603(А-2, Б-2)	3	КПЮЗ(Е-М)	1
А718(А—В)	4	АП603(А-5, Б-5)	3	КП103(Е1-М1)	1
А719(А—Г)	3	АП603А1-2	3	КПЮЗ(ЕР-МР)	1
А720(А—Г)	4	АП603Б1-2	3	КП 103(ЕР1—МР1)	1
А722(А, Б)	4	АП604(А—2—Г—2)	3	КП201(Е—1—Л—1)	1
А723	3	АП604(А—5—Г—5)	3	КП301(Б—Г)	1
А724(А-Г)	3	АП604А1-2	3	КП302(А—Г)	1
А725(А—Д)	3	АП604Б1-2	3	КП302(АМ—ГМ)	1
А726(А, Б)	3	АП604В1-2	3	КПЗОЗ(А-И)	1
А727(А, Б)	4	АП604Г1-2	3	КП304А	1
А731(А-Г)	4	АП605А-2	3	КП305(Д— И)	1
А736	3	АП606(А—2—В—2)	3	КПЗОб(А-В)	1
А739(А-2, Б-2)	4	АП606(А—5—В—5)	3	КП307(А, Б, Г, Е, Ж)	1
А740(А, Б)	2	АП608А-2	3	КП308(А-1-Д-1)	1
А743(А, Б)	4	АП608А-5	3	КП312(А, Б)	1
А745(А—5—В—5)	3	АП608Б-2	3	КП313(А-В)	1
А745(А—Г)	3	АП608Г-2	3	КП314А	1
А746(А, Б)	3	АП608Д- 5	3	КП322А	1
А747	1	АП608Е-5	3	КП323(А—2, Б-2)	1
А749	4	АП967(А—2—Ж—2)	3	КП327(А-Г)	1
А750	4	ГТ108(А-Г)	1	КП329(А, Б)	1
А751(А, Б)	4	ГТ 109(А—И)	1	КП341(А, Б)	1
А760(А, Б)	1	ГТ115(А-Д)	1	КП346(А9-В9)	1
А761А-5	3	ГТ122(А—Г)	1	КП347А-2	1
А762(А, Б)	3	ГТ124(А—Г)	1	КП350(А—В)	1
А764(А, Б)	4	ГТ125(А—Л)	1	КП364(А—И)	1
А767(А—В)	4	ГТ305(А—В)	1	КЛ60ЦА, Б)	3
А772	2	ГТ308(А-В)	1	КП704(А, Б)	3
А791(А—В)	1	ГТ309(А-Е)	1	КП705(А-В)	3
А792	4	ГТЗЮ(А-Е)	1	КП707(А—В)	3
А793(А—В)	4	ГТ311(Е—И)	1	КП707(А1-В1)	3
А794(А-В)	4	ГТЗ 13(А—В)	1	КП709(А, Б)	3
А795(А—Д)	3	ГТ320(А—В)	1	КП80ЦА—Г)	3
А796(А-Ж)	3	ГТ321(А—Е)	1	КП802(А, Б)	3
А797	4	ГТ322(А—В)	1	КП804А	3
А802(А-Ж)	1	ГТ328(А— В)	1	КП805(А-В)	3
А803А	3	ГТ329(А—Г)	1	КП809(А-Е)	3
А808(А—Г)	3	ГТ330(Д, Ж, И)	1	КП809(А1-Е1)	3
А815	1	ГТ338(А-В)	1	КП809Б1-5	3
541
Продолжение
Тип прибора	Том	Тип прибора	Том	Тип прибора	Том
КП809Б2—5	3	КТ3102Г	1	КТЗЗб(А-Е)	1
КП813(А, Б)	3	КТ3102ГМ	1	КТ337(А-В)	1
КП813(А1, Б1)	3	КТ3104(А-Е)	1	КТ339А	1
КП813А1-5	3	КТ3106А-2	1	КТ339АМ	1
КП813Б1—5	3	КТ3106А9	1	КТ342(А~Т)	1
КП90ЦА, Б)	3	КТ3107(А-Л)	1	КТ342(АМ—ВМ)	1
КП902(А-В)	3	КТ3108(А-В)	1	КТ343(А—В)	1
КПЭОЗ(А-В)	3	КТ3109(А- В)	1	КТ345(А—В)	1
КП904(А, Б)	3	КТ3114(Б-6, В-6)	1	КТ347(А—В)	1
КП905(А—В)	3	КТ3115(А—2, В-2-Д-	2)1	КТ348(А—В)	1
КП907(А—В)	3	КТ3117(А, Б)	1	КТ349(А—В)	1
КП908(А, Б)	3	КТ3117А1	1	КТ350А	1
КП921А	3	КТ312(А—В)	1	КТ35ЦА, Б)	1
КП922(А, Б)	3	КТ3120АМ	1	КТ352(А, Б)	1
КП922(А1, Б1)	3	КТ3121А-6	1	КТ354(А-2, Б-2)	1
КП923(А—Г)	3	КТ3122(А, Б)	1	КТ355А	1
КП934(А, Б)	3	КТ3123(А—2—В—2)	1	КТ355АМ	1
КП937А	3	КТ3123(АМ—ВМ)	1	КТ358(А-В)	1
КП937А-5	3	КТ3126(А, Б)	1	КТ359(А-В)	1
КП938(А—Д)	3	КТ3126А9	1	КТ360(А-1-В-1)	1
КП944(А, Б)	3	КТ3127А	1	КТ36ЦА-Е)	1
КП945(А, Б)	3	КТ3128А	1	КТ363(А, Б)	1
КП951(А—2—В—2)	3	КТ3128А9	1	КТ363(АМ, БМ)	1
,КПС104{А- Е)	1	КТ3129(А9-Д9)	1	КТ364(А—2—В—2)	1
КПС202(А~2— Г-2)	1	КТ313(А, Б)	1	КТЗбб(А-В)	1
КПС202(Д-1, Е—1)	1	КТ313(А1— И)	1	КТ368(А, Б)	1
КПС203(А—1тГ—1)	1	КТ3130(А9-Ж9)	1	КТ368(А9, Б9)	1
КПС315(А, Б)	1	КТ3132(А—2—Е—2)	1	КТ368(АМ, БМ)	1
КПС316(Д-1-Иг1)	1	КТ3142А	1	КТ368А-6	1
КТ104(А—Г)	1	КТ314А-2	1	КТ369(А—1—Г—1)	1
КТ117(А—Г)	1 •	КТ315(А—И)	1	КТ369(А—Г)	1
КТ 117( AM-ГМ)	1	КТ3150Б-2	1	КТ37О(А— 1, Б-1)	1
КТ118(А—В)	1	КТ315ЦА9—Е9)	1	КТ370(А9, Б9)	1
КТ120(А—1—В—1)	1	КТ3153А9	1	КТ371А	i
КТ201(А—Д)	1	КТ3157А	1	КТ371АМ	1
КТ201(АМ—ДМ)	1	КТ315Р	1	КТ372(А—В)	1
КТ202(А—1—Д—1)	1	КТ316(А—Д)	1	КТ373(А—Г)	1
КТ203(А—В)	1	КТ316(АМ-ДМ)	1	КТ375(А, Б)	1
КТ203(АМ-8М)	1	КТ3165А	1	КТ379(А—Г)	1
КТ206(А, Б)	1	КТ3166А	1	КТ380(А-В)	1
КТ207(А—В)	1	КТ3168А9	1	КТ381(Б—Е)	1
КТ208(А—М)	1	КТ3169А9—1	1	КТ382(А, Б)	1
КТ209(А—М)	1	КТ317(А—1—В—1)	1	КТ382(АМ, БМ)	1
КТ209Б1	1	КТ3170А9	1	КТ384А	1
КТ209В(1, 2)	1	КТ3171А9	1	КТ384АМ	1
КТ214(А—1-Е— 1)	1	КТ3172А9	1	КТ385А	1
КТ215(А—1—Е—1)	1	КТ3173А9	1	КТ385АМ	1
КТ216(А—В)	1	КТ3174АС-2	1	КТ388Б-2	1
КТ218(А9-Е9)	1	КТ3176А9	1	КТ388БМ-2	1
КТ301(Г-Ж)	1	КТ3179А9	1	КТ389А-2	1
КТ302А	1	КТ318(А—Е)	1	КТ39ЦА-2-В-2)	1
КТЗОб(А-Д)	1	КТ3180А9	1	КТ392А-2	1
КТЗОб(АМ-ДМ)	1	КТ321(А—Е)	1	КТ396А-2	1
КТЗО7(А—1-Г—1)	1	КТ324(А—1—Е—1)	1	КТ396А9	1
КТ31О1А-2	1	КТ325(А—В)	1	КТ397А-2	1
КТ3102(А-В, Д)	1	КТ325(АМ—ВМ)	1	КТ399А	1
КТ3102(АМ-ВМ, ДМ)	1	КТ326(А, Б)	1	КТ399АМ	1
КТ3102(Е—К)	1	КТ326(АМ, БМ)	1	КТ50ЦА-М)	2
КТ3102(ЕМ—КМ)	1	КТЗЗЗ(А-З-Е-З)	1	КТ502(А—Е)	2
542
Продолжение
Тил прибора	Том	Тип приборе	Том	Тип прибор»	•Том
КТ5ОЗ(А-Е)	2	КТ667А9	3	КТ8124А	2
КТ504(А-В)	2	КТ668(А-В)	3	КТ8125(А-В)	2
КТ505(А, Б)	2	КТ680А	3	КТ8126А	2
КТ5О6(А, Б)	2	КТ681А	3	КТ8127(А—В)	2
КТ601А	3	КТ682(А—2, Б-2)	4	КТ8127(А7—В1)	2
КТ601АМ	3	КТ682(А—5, Б-5)	4	КТ8129А	2
КТ602(АМ, БМ)	3	КТ683(А-Е)	3	КТ8130(А—В)	2
КТбОЗ(А-Е)	3	КТ684(А-В)	3	КТ813ЦА-В)	2
КТ604(А, Б)	3	КТ685(А—Ж)	3	КТ8136А	2
КТ604(АМ, БМ)	3	КТ686(А—Ж)	3	КТ8136А1	2
КТ6О5(А, Б)	3	КТ692А	3	КТ8137А	2
КТ605(АМ, БМ)	3	КТ695А	4	КТ814(А-Г)	2
КТ606(А, Б)	4	КТ698(А—К)	3	КТ8140А	2
КТ6О7(А— 4, Б—4)	4	КТ704(А-В)	2	КТ814ОА1	2
КТ6О8(А, Б)	3	КТ710А	2	КТ8143(А—Ф)	2
КТ610(А, Б)	4	КТ712(А, Б)	2	КТ8144(А, Б)	2
КТбИ(А-Г)	3	КТ715А	2	КТ8145(А, Б)	2
КТ611(АМ, БМ)	3	КТ716(А—Г)	2	КТ8146(А, Б)	2
КТ6127(А—К)	3	КТ719А	2	КТ8147(А, Б)	2
КТ616{А, Б)	3	КТ720А	2	КТ815(А-Г)	2
КТ617А	3	КТ721А	2	КТ8157(А, Б)	2
КТ6МА	3	КТ722А	2	КТ876(А-Г)	2
КТ624А—2	4	КТ723А	2	КТ816А2	2
КТ624АМ-2	4	КТ724А	2	KT81?tA-Г)	2
КТ625А	3	КТ728А	2	КТ817(Б2, Г2)	2
КТ625АМ	3	КТ801(А. Б)	2	КТ818(А—Г)	2
КТ626(А- Д)	3	КТ802А	2	КТ818(А1-Г 7)	2
КТ629<А-2, Б-2)	3	КТ803А	2	КТ818(АМ— ГМ)	2
КТ629БМ—2	3	КТ8О5(А, Б)	2	КТ819(А— Г)	2
КТбЗО(А-Е)	3	КТ805(АМ—ВМ)	2	КТ819(А1-Г1)	2
КТ632Б	3	КТ807(А, Б)	2	КТ8ГЯАМ-ГМ)	2
КТ632Б1	3	КТ807)АМ, БМ)	2	КТ820)А—1—В—t)	2
КТ633Б	4	КТ8О8(АЗ, БЗ)	2	КТ82ЦА-1-В-4)	2
КТ634Б-2	4	КТ8О8(АМ—ГМ)	2	КТ822(А—1—В—1)	2
КТ635Б	3	КТ808А	2	КТ823(А— 1- В-1)	2
КТ637(А-2, Б-2)	4	КТ809А	2	КТ825(Г— Е)	2
КТ638А	3	КТ8101(А, Б)	2	КТ826(А-В)	2
КТ639(А-И)	3	КТ8102(А, Б)	2	КТ827(А—В)	2
КТ639(А1, Б1, ft, Д1|	3	КТ8104А	2	КТ828(А—Г)	2
КТ640(А-2-В-2)	4	КТ81О5А	2	КТ829(А-Г)	2
КТ642А-2	4	КТ8106(А, Б)	2	КТ834(А-В)	2
КТ642А-5	4	КТ8107(А-Е)	2	КТ835(А, Б)	2
КТ643А-2	4	КТ81О7(А2-Е2)	2	КТ837(А-Ф)	2
КТ644(А—Г)	3	КТ8108(А— В)	2	КТ838(А, Б)	2
КТ645(А, Б)	3	КТ8108(А1 — В1)	2	КТ839А	2
КТ646(А, Б)	3	КТ8109А	2	КТ840(А—В)	2
КТ647А-2	4	КТ8110(А-В)	2	КТ841(А-Е)	2
КТ647А-5	4	КТ8112А	2	КТ842(А-В)	2
КТ648А-2	4	КТ8114(А, Б)	2	КТ844А	2
КТ648А-5	4	КТ8115(А-В)	2	КТ845А	2
КТ657(А—2—В—2)	4	КТ8116(А—В)	2	КТ846(А—В)	2
КТ657(А—5—В—5)	4	КТ8117(А, Б)	2	КТ847А	2
КТ659А	4	КТ8118А	2	КТ848А	2
КТ66О(А, Б)	3	КТ812(А—В)	2	КТ85О(А, Б)	2
КТ661А	3	КТ8120А	2	КТ85ЦА-В)	2
КТ662А	3	КТ812ЦА, Б)	2	КТ852(А—Г)	2
КТ664(А9, Б9)	3	КТ8121(А1, Б1)	2	КТ853(А-Г)	2
КТ665(А9, Б9)	3	КТ812ЦА2, Б2)	2	КТ854(А, Б)	2
КТ666А9	3	КТ8123А	2	КТ855(А- В)	2
543
Окончание
Тил прибора	Том	Тип прибора	Том	Тип прибора	Том
КТ856(А, Б)	2	КТ9174А	4	КТ985АС	4
КТ856(А1, Б1)	2	КТ9176А	3	КТ991АС	4
КТ857А	2	КТ9177А	3	КТ996(А—2—В—2)	4
КТ858А	2	КТ918(А—2, Б-2)	4	КТ996(А—5—В—5)	4
КТ859А	2	КТ9180(А—Г)	3	КТ997(А-В)	3
КТ862(Б—Г)	2	КТ9181(А—Г)	3	КТ999А	3
КТ863(А—В)	2	КТ9182А	4	КТСЗОЗА—2	1
КТ864А	2	КТ919(А—Г)	4	КТС3103(А1, Б1)	1
КТ865А	2	КТ920(А—Г)	3	КТС3161АС	1
КТ866А	2	КТ921(А, Б)	3	КТС393(А— 1, Б—1)	1
КТ867А	2	КТ922(А-Д)	3	КТС393(А9, Б9)	1
КТ868(А, Б)	2	КТ925(А-Г)	4	КТС394(А-2, Б-2)	1
КТ872(А, В)	2	КТ926(А, Б)	3	КТС394А-1	1
КТ874(А, Б)	2	КТ927(А—В)	3	КТС395(А—1, В-1)	1
КТ878(А—В)	2	КТ928(А—В)	3	КТС395(А—2—В—2)	1
КТ879(А, Б)	2	КТ929А	3	КТС398(А-1, Б—1)	1
КТ886(А1, Б1)	2	КТ930(А, Б)	4	КТС398(А9, Б9)	1
КТ890(А—В)	2	КТ931А	3	КТС613(А—Г)	4
КТ892(А—В)	2	КТ932(А—В)	3	КТС622(А, Б)	4
КТ896(А, Б)	2	КТ933(А, Б)	3	КТС63ЦА-Г)	4
КТ897(А, Б)	2	КТ934(А—Д)	4	П201АЭ	2
КТ898(А, Б)	2	КТ935А	3	П201Э	2
КТ898(А1, Б1)	2	КТ936(А, Б)	3	П202Э	2
КТ899А	2	КТ937(А—2, Б-2)	4	П203Э	2
КТ902АМ	3	КТ938Б-2	4	П210(А, Ш)	2
КТ903А	3	КТ939(А, Б)	4	П213	2
КТ904(А, Б)	4	КТ940(А—5—В—5)	3	П213(А, Б)	2
КТ907(А, Б)	4	КТ940(А—В)	3	П214	2
КТ908(А, Б)	3	КТ942В	4	П214(А-Г)	2
КТ909(А—Г)	4	КТ943(А—Д)	3	П215	2
КТ9101АС	4	КТ944А	3	П216	2
КТ9104(А, Б)	4	КТ945Б	3	П216(А-Д) П217	2
КТ9105АС	4	КТ946А	4		2
КТ911(А—Г) КТ9115(А, Б)	4 3	КТ947А КТ948(А, Б)	3 4	П217(А—Г) ПЗО?	2 2
КТ9116(А, Б)	4	КТ955А	3	ПЗОЗ	2
КТ912(А, Б)	3	КТ956А	3	ПЗОЗА	2
КТ9120А	3	КТ957А	3	П304 П306 П306А П601(АИ, БИ) П601И П602АИ П602И П605	
КТ913(А—В)	4	КТ958А	3		2
КТ9130А	3	КТ960А	4		
КТ9133А КТ9141А	3 4	КТ961(А—Г) КТ962(А—В)	3 4		2
КТ9141А1	4	КТ963(А—2, Б-2)	4		
КТ9142А	4	КТ963А-5	4		
КТ9143(А—В)	4	КТ965А	3		
КТ9144А-5	3	КТ966А	3		
КТ9144А9	3	КТ967А	3	П605А	2
КТ9145А—5	3	КТ969А	3	П606	2
КТ9145А9	3	КТ969А-5	3	П606А	2
КТ914А	4	КТ970А	4	П607	2
КТ9150А	4	КТ971А	3	П607А	2
КТ9151А	3	КТ972(А, Б)	3	П608	2
КТ9152А	4	КТ973(А, Б)	3	П6ОВ(А, Б)	2
КТ9155(А—В)	4	КТ976А	4	П609	2
КТ9157А	3	КТ977А	4	П609(А, б)	2
КТ916(А, Б)	4	КТ980(А, Б)	3	П701	2
КТ9160(А—В>	3	КТ981А	3	П701(А, Б)	2
КТ9166А	3	КТ983(А—В)	4	П702	2
КТ9173А	4	КТ984{А, Б)	4	П702А	2
544