СПРАВОЧНИК
ТРАНЗИСТОРЫ
И ИХ ЗАРУБЕЖНЫЕ
АНАЛОГИ
СПРАВОЧНИК
В. М. Петухов
ТРАНЗИСТОРЫ
И ИХ ЗАРУБЕЖНЫЕ
АНАЛОГИ
•
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
СРЕДНЕЙ И БОЛЬШОЙ МОЩНОСТИ
НИЗКОЧАСТОТНЫЕ
В ЧЕТЫРЕХ ТОМАХ
Том 2
Каталог
Издание второе, исправленное
ИЗДАТЕЛЬСКОЕ
ПРЕДПРИЯТИЕ
РадиоСофт
МОСКВА
2000
СОДЕРЖАНИЕ
Предисловие................................................ 8
ЧАСТЬ ПЕРВАЯ
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О БИПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
Раздел первый. Классификация биполярных и полевых
транзисторов
1.1.	Классификация и система обозначений................... 9
1.2.	Классификация транзисторов по функциональному назначению .	12
1.3.	Условные графические обозначения..................... 13
1.4.	Условные обозначения электрических параметров........ 14
1.5.	Основные стандарты на биполярные и полевые транзисторы ...	17
1.6.	Приборы для измерения параметров транзисторов. . .... 21
Раздел второй. Особенности использования транзисторов
в радиоэлектронной аппаратуре
ЧАСТЬ ВТОРАЯ
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ТРАНЗИСТОРОВ
Раздел третий. Транзисторы биполярные низкочастотные
Транзисторы п-р-п
П701, П701А, П701Б........................................ 35
П702, П702А............................................... В7
КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е............ 40
2Т504А, 2Т504Б, КТ504А, КТ504Б, КТ504В, 2Т504А-5, 2Т504Б-5 . . 41
2Т506А, 2Т506Б, 2Т506А-5, КТ506А, КТ5О6Б.................. 46
2Т704А, 2Т704Б, КТ704А, КТ704Б, КТ704В.................... 52
ГТ705А, ГТ7О5Б, ГТ705В, ГТ705Г, ГТ7О5Д.................... 56
КТ710А.................................................... 57
2Т713А..........'........................................  60
КТ715А.................................................... 62
2Т716А, 2Т716Б, 2Т716В, 2Т716А1, 2Т716Б1, 2Т716В1, КТ716А,
КТ716Б,	КТ716В, КТ716Г................................. 64
2Т718А, 2Т718Б............................................ 69
КТ719А.................................................... 71
КТ721А.................................................... 72
КТ723А.................................................... 73
3
КТ728А...................................................... 74
КТ801А. КТ801Б.............................................. 76
КТ802А...................................................... 78
2Т803А, КТ803А.............................................. 79
КТ805А, КТ805Б,	КТ805АМ, КТ805БМ,	КТ805ВМ ................. 82
КТ607А, КТ807Б,	КТ807АМ, КТ8О7БМ........................... 84
2Т808А, 2Т808А-2, КТ808А, КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ,
КТ808ГМ, КТ808АЗ, КТ808БЗ................................. 86
2Т809А, КТ809А.............................................. 89
2Т812А, 2Т812Б,	КТ812А, КТ812Б,	КТ812В..................... 91
КТ815А, КТ815Б,	КТ815В, КТ815Г............................. 94
КТ817А, КТ817Б,	КТ817В, КТ817Г,	КТ817Б2, КТ817Г2........... 97
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В, 2Т819А2, 2Т819Б2, 2Т819В2, КТ819А,
КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ,
КТ819ГМ, КТ819А1, КТ819Б1, КТ819В1, КТ819Г1..............100
КТ821А-1, КТ821Б-1, КТ821В-1............................... 106
КТ823А-1, КТ823Б-1, КТ823В-1............................... 108
2Т826А, 2Т826Б, 2Т826В, 2Т826А-5, КТ826А, КТ826Б, КТ826В .... 110
2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В, 2Т827А-5, КТ827А, КТ827Б, КТ827В ... 115
2Т828А, 2Т828Б, КТ828А, Ю828Б, КТ828В, КТ828Г.............. 120
КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г..............................125
2Т831А, 2Т831Б, 2Т831В, 2Т831Г, 2Т831В-1, 2Т831Г-1......... 127
2Т834А, 2Т834Б, 2Т834В, КТ834А, КТ834Б, КТ634В..............133
КТ838А, КТ838Б............................................. 137
2Т839А, КТ839А............................................. 140
КТ840А, КТ840Б, КТ840В..................................... 144
2Т841А, 2Т841Б, 2Т841В, 2Т841А1, 2Т341Б1, КТ841А, КТ841Б,
КТ841В, КТ841Г, КТ841Д, КТ841F........................... 147
2T844A, KT844A............................................. 153
2T845A, KT845A............................................. 157
KT846A, КТ846Б, KT84§B..................................... 160
2T847A, KT847A............................................. 163
2T848A, KT848A............................................. 167
KT850A, КТ850Б............................................  169
KT854A, КТ854Б............................................. 173
2T856A, 2Т856Б, 2T856B, 2Т856Г, KT856A, КТ856Б, KT856A1,
КТ856Б1.................................................. 176
KT857A..................................................... 181
KT858A..................................................... 184
KT859A..................................................... 187
2T861A, 2Т861Б, 2T861B..................................... 190
2T862A, 2Т862Б, 2T86B, 2Т862Г, КТ862Б, КТ862Б, КТ862Г....... 192
KT863A, КТ863Б, KT863B..................................... 200
KT864A..................................................... 202
2T866A, KT866A............................................. 205
2T867A, KT867A............................................. 208
KT868A, КТ868Б............................................. 211
4
КТ872А, КТ872В.................................................213
2Т874А, 2Т874Б, КТ874А, КТ874Б ............................... 216
2Т871А, 2Т875Б, 2Т875В, 2Т875Г ............................... 220
2Т878А, 2Т878Б, КТ878А, КТ878Б, КТ878В........................ 223
2Т879А, 2Т879Б, КТ879А, КТ879Б ............................... 227
2Т881А, 2Т881Б, 2Т881В, 2Т831Г, 2Т881А-5, 2Т881Б-5............ 231
2Т882А, 2Т882Б, 2Т882В........................................ 234
2Т884А, 2Т884Б................................................ 237
2Т885А, 2Т885Б'..............................................  241
2Т886А, КТ886А1, КТ886Б1...................................... 243
КТ890А, КТ890Б, КТ890В........................................ 246
2Т891А........................................................ 249
КТ892А, КТ892Б, КТ892В........................................ 2J2
КТ897А, КТ897Б................................................ 254
КТ898А, КТ898Б, КТ898А1, КТ898Б1.............................. 256
КТ899А........................................................ 257
КТ8101А, КТ8101Б.............................................. 259
КТ8105А.............................4......................... 261
КТ8107А, КТ81О7Б, КТ8107В, КТ81О7Г, КТ8107Д, КТ81О7Е,
КТ8107А2, КТ8107Б2, КТ8107В2, КТ8107Г2, КТ8107Д2,
КТ8107Е2................................................... 262
КТ8108А, КТ81О8Б,	КТ81О8В, КТ8108А1, КТ81О8Б1, КТ81О8В1. 266
КТ8109А...........................................•........... 268
КТ8110А, КТ8110Б,	КТ8110В ................ 270
КТ8112А....................................................... 272
КТ8114А, КТ8114Б.............................................. 274
КТ8116А, КТ8116Б,	КТ8116В................ 275
КТ8117А, КТ8117Б.............................................. 277
КТ8118А....................................................... 279
КТ8120А....................................................... 281
КТ8121А, КТ8121Б,	КТ8121А1, КТ8121Б1, КТ8121А2, КТ8121Б2. ... 283
КТ8123А....................................................... 285
КТ8124А....................................................... 287
КТ8125А, КТ8125Б,	КТ8125В ................ 290
КТ8126А....................................................... 292
КТ8127А, КТ8127Б,	КТ8127В, КТ8127А1, КТ8127Б1, КТ8127В1. 295
КТ8129А....................................................... 298
КТ8131А, КТ8131Б,	КТ8131В ................ 299
КТ8136А, КТ8136А1............................................. 300
КТ8137А................................... ................... 302
КТ8140А, КТ8140А1............................................. 304
КТ8143А, КТ8 (43Б, КТ8143В, КТ8143Г, КТ8143Д, КТ8143Е,
К18143Ж, КТ81433, КТ8143И, КТ8143К, КТ8143Л, КТ8143М,
КТ8143Н, КТ8143П, КТ8143Р, КТ8143С, КТ8143Т, КТ8143У,
КТ8143Ф.................................................... 306
КТ8144А, КТ8144Б...............................................308
КТ8145А, КТ8145Б.............................................. 309
5
КТ8146А, КТ8146Б........................................... 311
КТ8147А, КТ8147Б .......................................... 313
КТ8157А, КТ8157Б .......................................... 314
А678А, A678S, А678В, А678Г................................. 316
А684А...................................................... 318
А710А, А710Б............................................... 32Й
А740А, А740Б................................................322
А772.....................................................   324
Транзисторы р-п-р
П201Э, П201АЭ, П202Э, П203Э................................ 326
П210А, П210Ш............................................... 328
П213, П213А, П213Б, П214, П214А, П214Б, П214В, П214Г, П215. ... 330
П216, П216А, П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217, П217А, П217Б,
П217В, П217Г............................................ 334
П302, П303, П303А, П304, П306, ГГ306А...................... 337
П601И, П601АИ, П601БИ, П602И, П602АИ....................... 340
П6О5, П605А, П606, П606А................................... 343
П607, П6О7А, П608, П608А, П608Б, П609, П609А, П609Б .	347
КТ501А, КТ501Б, КТ501В, КТ501Г, КТ501Д, КТ501Е, КТ501Ж,
КТ501И, КТ501К, КТ501Л, КТ501М......................... .351
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е.....	353
2Т505А, 2Т505Б, 2Т505А-5, КТ505А, КТ505Б................... 355
2Т509А, 2Т509А-5 .	  360
ГТ701А..................................................   .363
1Т702А, 1Т702Б,	1Т702В......................................365
ГТ703А, ГТ703Б,	ГТ703В,	ГТ7ОЗГ,	ГТ703Д.................... .367
2Т708А, 2Т708Б,	2Т708В................................... .369
2Т709А, 2Т709Б,	2Т709В,	2Т709А2,	2Т709Б2, 2Т709В2 ....	373
КТ712А, КТ712Б...........................................   380
КТ72ОА....................................................  383
КТ722А...................................................   384
КТ724А..................................................... 386
1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В, ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ8О6Г, ГТ8О6Д 387
ГТ810А............................................. .. 389
1Т813А, 1Т813Б, 1Т813В............................. . 391
КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г ............................ 393
КТ816А, КТ816Б, КТ816В, КТ816Г, КТ816А2.....................396
2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, 2Т818А2, 2Т818Б2, 2Т818В2, КТ818А,
КТ818Б, КТ818В, КТ818Г, КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ,
КТ818ГМ, КТ818А1, КТ818Б1, КТ818В1, КТ818Г1..............400
КТ820А—1, КТ820Б-1, КТ820В-1............................... 409
КТ822А-1, КТ822Б-1, КТ822В-1............................... 410
2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2, 2Т825А-5,
КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е.................................. 412
2Т830А, 2Т830Б, 2Т830В, 2Т830Г, 2Т830В-1, 2Т830Г-1......... 419
КТ835А, КТ835Б........................................'.	. . . 424
6
2Т836А, 2Т836Б, 2Т836В, 2Т836А-5............................ 425
2Т837А, 2Т837Б, 2Т837В, 2Т837Г, 2Т837Д, 2Т837Е.............. 431
КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е, КТ837Ж,
КТ837И, КТ837К, КТ837Л, КТ837М, КТ837Н, КТ837П. КТ837Р,
КТ837С, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф........................... 435
2Т842А, 2Т842Б, 2Т842А1, 2Т842Б1, КТ842А, КТ842Б, КТ842В..... 437
КТ851А, КТ851Б, КТ851В.......................:.............. 443
КТ852А, КТ852Б, КТ852В, КТ852Г.............................. 447
КТ853А, КТ853Б, КТ853В, КТ853Г.............................. 451
КТ855А, КТ855Б, КТ855В...................................... 455
2Т860А, 2Т860Б, 2Т860В...................................... 460
КТ865А...................................................... 464
2Т876А, 2Т876Б, 2Т876В, 2Т876Г.............................. 466
2Т877А, 2Т877Б, 2Т877В...................................... 469
2Т880А, 2Т880Б, 2Т880В, 2Т880Г, 2Т880А-5, 2Т880Б-5.......... 472
2Т883А, 2Т883Б.............................................. 476
2Т887А, 2Т887Б.............................................. 479
2Т888А, 2Т888Б.......................;...................... 482
КТ896А, КТ896Б.......................*...................... 486
КТ8102А, КТ8102Б............................................ 487
КТ8104А..................................................... 488
КТ8106А, КТ8106Б............................................ 489
КТ8115А, КТ8115Б, КТ8115В..................................  491
КТ8130А, КТ813ОБ, КТ813ОВ................................... 493
Перечень зарубежных транзисторов, заменяемых отечественными . . 495
Указатель типов транзисторов................................ 525
Перечень типов транзисторов, вошедших в 1—4 тт. издания......527
ПРЕДИСЛОВИЕ
В справочнике приводятся электрические и эксплуатационные
характеристики и параметры биполярных транзисторов средней и
большой мощности, используемых в выходных каскадах усилите-
лей мощности, операционных, дифференциальных и импульсных
усилителях, генераторах кадровой и строчной разверток, низко-
вольтных и высоковольтных преобразователя и стабилизаторах
постоянного напряжения, электронных регуляторах напряжения,
переключающих устройствах, устройствах управления газоразряд-
ными панелями переменного тока, устройствах зажигания двигате-
лей внутреннего сгорания и др.
Настоящий справочник является второй книгой базового изда-
ния по транзисторам. В первую книгу включены сведения о тран-
зисторах биполярных и полевых малой мощности, в третью —
сведения о полевых и высокочастотных биполярных транзисторах
средней и большой мощности, в четвертую — сведения о сверхвы-
сокочастотных биполярных транзисторах средней и большой мощ-
ности.
Базовое издание по перечисленным группам приборов отлича-
ется от предшествующих справочников расширенной номенклату-
рой приборов и большей полнотой сведений о параметрах и их
зависимостях от режимов применения. В него включены как вновь
разработанные приборы, так и находящиеся в составе эксплуати-
руемой радиоэлектронной аппаратуры, но уже не рекомендован-
ные к применению в новых разработках.
Справочные сведения составлены на основе данных, зафикси-
рованных в государственных стандартах и технических условиях на
конкретные типы приборов. Сохранена форма представления дан-
ных в виде отдельных справочных листов на каждый тип прибора,
а также зарекомендовавшая себя положительно структура пред-
ставления данных, принятая в более ранних изданиях аналогичных
справочников: приведены краткие сведения о технологии, основ-
ном назначении, габаритных и присоединительных размерах, мар-
кировке, значениях параметров и их зависимостях от условий экс-
плуатации, режимах измерения, предельных эксплуатационных ре-
жимах и условиях работы приборов. В части «Общие сведения»
приводятся классификация приборов и система их условных обо-
значений. Для полноты сведений о приборах, помещенных в спра-
вочнике, дается перечень действующих стандартов. Для некоторых
типов транзисторов, сведения о которых публиковались в вышед-
ших ранее справочниках, с целью сокращения объема зависимости
параметров от электрических режимов не приводятся.
Справочник не заменяет технических условий, утвержденных в
установленном порядке, и не является юридическим документом
для предъявления рекламаций.
8
ЧАСТЬ ПЕРВАЯ
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О БИПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ
ТРАНЗИСТОРАХ
Раздел первый
Классификация биполярных и полевых
транзисторов
1.1. Классификация и система обозначений
Классификация транзисторов по их назначению, физиче-
ским свойствам, основным электрическим параметрам, кон-
структивно-технологическим признакам, роду исходного полу-
проводникового материала находит свое отражение в системе
условных обозначений их типов. В соответствии с появлением
новых классификационных групп транзисторов совершенству-
ется и система их условных обозначений.
Система обозначений современных типов транзисторов
установлена отраслевым стандартом ОСТ 11336.919—81 и ба-
зируется на ряде классификационных признаков. В основу
системы обозначений положен буквенно-цифровой код.
Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый
материал, на основе которого изготовлен транзистор. Для
обозначения исходного материала используются следующие
символы:
Г или 1 — для германия или его соединений;
К или 2 — для кремния или его соединений;
А или 3 — для соединений галлия (практически для арсе-
нида галлия, используемого для создания полевых транзисто-
ров);
И или 4 — для соединений индия (эти соединения для
производства транзисторов в качестве исходного материала
пока не применяются).
Второй элемент обозначения — буква, определяющая под-
класс (или группу) транзисторов. Для обозначения подклассов
используется одна из двух букв: Т — для биполярных и П —
для полевых транзисторов.
Третий элемент — цифра, определяющая основные функ-
циональные возможности транзистора (допустимое значение
9
рассеиваемой мощности и граничную либо максимальную ра-
бочую частоту).
Для обозначения наиболее характерных эксплуатационных
признаков транзисторов применяются следующие цифры.
Для транзисторов малой мощности (максимальная мощ-
ность, рассеиваемая транзистором, не более 0,3 Вт):
1	— с граничной частотой коэффициента передачи тока
или максимальной рабочей частотой (далее граничной часто-
той) не более 3 МГц;
2	— с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
3	— с граничной частотой более 30 МГц.
Для транзисторов средней мощности (максимальная мощ-
ность, рассеиваемая транзистором, более 0,3, но не более
1,5 Вт):
4	— с граничной частотой не более 3 МГц;
5	— с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
6	— с граничной частотой более 30 МГц.
Для транзисторов большей мощности (максимальная мощ-
ность, рассеиваемая транзистором, более 1,5 Вт):
7	— с граничной частотой не более 3 МГц;
8	— с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
9	— с граничной частотой более 30 МГц.
Четвертый элемент — число, обозначающее порядковый
номер разработки технологического типа транзисторов. Для
обозначения порядкового номера используют двузначные чис-
ла от 01 до 99. Если порядковый номер разработки превысит
число 99, то применяют трехзначные числа от 101 до 999.
Пятый элемент — буква, условно определяющая класси-
фикацию по параметрам транзисторов, изготовленных по еди-
ной технологии. В качестве классификационной литеры при-
меняют буквы русского алфавита (за исключением 3, О, Ч, Ы,
Ш, Щ, Ю, Ь, Ъ Э).
Стандарт предусматривает также введение в обозначение
ряда дополнительных знаков при необходимости отметить от-
дельные существенные конструктивно-технологические особен-
ности приборов.
В качестве дополнительных элементов обозначения ис-
пользуют следующие символы:
цифра от 1 до 9 — для обозначения модернизаций тран-
зисторов, приводящих к изменению его конструкции или элек-
трических параметров;
буква С — для обозначения наборов в общем корпусе
однотипных транзисторов (транзисторные сборки);
цифра, написанная через дефис,— для бескорпусных тран-
зисторов.
10
Эти цифры соответствуют следующим модификациям кон-
структивного исполнения:
1	— с гибкими выводами без кристаллодержатвля (под-
ложки);
2	— с гибкими выводами на кристаллодержателе (под-
ложке);
3	— с жесткими выводами без кристаллодержатвля (под-
ложки);
4	— с жесткими выводами на кристаллодержателе (под-
ложке);
5	— с контактными площадками без кристаллодержатвля
(подложки) и без выводов (кристалл);
6 — с контактными площадками на кристаллодержателе
(подложке), но без выводов (кристалл на подложке).
Таким образом, современная система обозначений позво-
ляет по наименованию типа получить значительный объем ин-
формации о свойствах транзистора.
Примеры обозначений некоторых транзисторов:
КТ604А — кремниевый биполярный, средней мощности,
высокочастотный, номер разработки 04, группа А;
2Т920А — кремниевый биполярный, большой мощности,
высокочастотный, номер разработки 20, группа А;
КТ937А—2 — кремниевый биполярный, большой мощно-
сти, высокочастотный, номер разработки 37, группа А, бес-
корпусный, с гибкими выводами на кристаллодержателе;
2ПС202А—2 — набор маломощных кремниевых полевых
транзисторов средне”, частоты, номер разработки 02, группа
А, бескорпусный, с гибкими выводами на кристаллодержа-
теле.
Для большинства транзисторов, включенных в настоящий
справочник, использована система обозначений согласно ра-
нее действовавшим ГОСТ 10862—64 и ГОСТ 10862—72, кото-
рая в своей основе не отличается от описанной. Однако у
биполярных транзисторов, разработанных до 1964 г. и выпус-
каемых до настоящего времени, условные обозначения типа
состоят из двух или трех элементов.
Первый элемент обозначения — буква П, характеризую-
щая класс биполярных транзисторов, или две буквы МП для
транзисторов в корпусе, герметизируемом способом холодной
сварки.
Второй элемент — одно-, двух- или трехзначное число,
которое определяет порядковый номер разработки и указыва-
ет на подкласс транзистора по роду исходного полупроводни-
кового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощ-
ности и граничной (или предельной) частоты:
11
от 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные
транзисторы;
от 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастот-
ные транзисторы;
от 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные
тоанзисторы;
от 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные
транзисторы;
от 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ
маломощные транзисторы;
от 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ
маломощные транзисторы;
от 601 до 699 — германиевые высокочастотные и СВЧ
мощные транзисторы;
от 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ
мощные транзисторы.
Третий элемент обозначения (у некоторых типов он может
отсутствовать) — буква, условно определяющая классифика-
цию по параметрам транзисторов, изготовленных по единой
технологии.
Примеры обозначения некоторых транзисторов:
П213А — германиевый мощный низкочастотный, номер
разработки 13, группа А;
П702А — кремниевый мощный высокочастотный, номер
разработки 02, группа А.
В справочник вошли также транзисторы, выпускаемые по
техническим условиям главного конструктора и не имеющие
обозначения ГОСТ, например, А630, А761А—5 и т. д.
1.2.	Классификация транзисторов
по функциональному назначению
В настоящем справочнике наряду с нашедшей отражение в
системе условных обозначений типов транзисторов классифи-
кацией приведена классификация биполярных транзисторов по
частоте: низкочастотные (frp < 30 МГц); высокочастотные
(30 МГц < frp < 300 МГц); сверхвысокочастотные (/гр > 300 МГц).
Биполярные транзисторы в соответствии с основными об-
ластями применения подразделяются на следующие группы:
усилительные (сверхчастотные, высоковольтные, высокочастот-
ные линейные); генераторные (высокочастотные, сверхвысо-
кочастотные, сверхвысокочастотные с согласующими цепями);
переключательные высоковольтные и импульсные высоковольт-
ные).
12
По своему основному назначению полевые транзисторы
делятся на усилительные, генераторные и переключательные
Каждая из перечисленных групп характеризуется специфи-
ческой системой параметров и справочных зависимостей, от-
ражающих особенности применения транзисторов в радио-
электронной аппаратуре. Информационный материал в спра-
вочнике расположен применительно к данной классификации
транзисторов.
1.3.	Условные графические обозначения
В технической документации и специальной литературе
следует применять условные графические обозначения полу-
проводниковых приборов в соответствии с ГОСТ 2.730—73.
Графические обозначения полупроводниковых приборов,
помещенных в данном справочнике, приведены в табл. 1.1.
Таблица 1.1
Условные графические обозначения транзисторов
Наименование
Транзистор типа р-п-р
Транзистор типа п-р-пс коллектором, электрически
соединенным с корпусом
Однопереходный транзистор с л- и р-базой
Полевой транзистор с затвором на основе р-п
перехода с каналом п- и р-типа
Полевой транзистор с изолированным затвором с
выводом от подложки обогащенного типа с
p-каналом и обедненного типа с л-каналом
Полевой транзистор с изолированным затвором
обогащенного типа с л-каналом и внутренним
соединением подложки и истока
Полевой транзистор с двумя изолированными
затворами обедненного типа с л-каналом и
внутренним соединением подложки и истока
Обозначение
13
1.4.	Условные обозначения
электрических параметров
£/кэ — постоянное напряжение коллектор—эмиттер
и^з о — постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при токе базы, равном нулю
Ц<э r — постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при заданном сопротивлении в цепи база—
эмиттер
Уюк — постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при короткозамкнутых выводах базы и эмит-
тера
и^з х — постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при заданном обратном напряжении база—
эмиттер
Ц<э, и — импульсное напряжение коллектор—эмиттер
». проб — пробивное напряжение коллектор—эмиттер при
токе базы, равном нулю
(Укэ Ri проб — пробивное напряжение коллектор—эмиттер при
заданном сопротивлении в цепи база—эмиттер
к, проб — пробивное напряжении коллектор—эмиттер при
короткозамкнутых выводах базы и эмиттера
Цо х, проб — пробивное напряжении коллектор—эмиттер при
заданном обратном напряжении база—эмиттер
Цо, макс — максимально допустимое постоянное напряже-
ние коллектор—эмиттер
Цо, и, макс — максимально допустимое импульсное напряже-
ние коллектор—эмиттер
U№ — постоянное напряжение коллектор—база
Ц<б, и — импульсное напряжение коллектор—база
Ц<б о, проб — пробивное напряжение коллектор—база
Ц<б, макс — максимально допустимое постоянное напряже-
ние коллектор—база
Ц<б, и, макс — максимально допустимое импульсное напряже-
ние коллектор—база
(/ЭБ о, проб — пробивное напряжение эмиттер—база
иэъ — постоянное напряжение эмиттер—база
Д4/бэ — падение напряжения на участке база—эмиттер
Цб, макс — максимально допустимое постоянное напряже-
ние эмиттер—база
(/си — напряжение сток—исток
£/зи — напряжение затвор—исток
£7ИП — напряжение исток—подложка
Уси макс — максимально допустимое напряжение сток—
исток
14
1/зи макс — максимально допустимое напряжение затвор—
исток
(7ЗС макс — максимально допустимое напряжение затвор—
сток
(7СП макс — максимально допустимое напряжение сток—
подложка
(/ип макс — максимально допустимое напряжение исток—
подложка
(7ЗП макс — максимально допустимое напряжение затвор—
подложка
4 —	постоянный ток коллектора
А —	постоянный ток эмиттера
4-	постоянный ток базы
4, и	импульсный ток коллектора
А, и —	импульсный ток эмиттера
4, и —	импульсный ток базы
k, НАС	постоянный ток коллектора в режиме насыще-
	ния
4, НАС	постоянный ток базы в режиме насыщения
/к макс — максимально допустимый постоянный ток кол-
лектора
/э макс — максимально допустимый постоянный ток эмит-
тера
/Б макс — максимально допустимый постоянный ток базы
/к и, макс — максимально допустимый импульсный ток кол-
лектора
4 и, макс — максимально допустимый импульсный ток эмит-
тера
4 нас, макс — максимально допустимый постоянный ток кол-
лектора в режиме насыщения
4 нас, макс — максимально допустимый постоянный ток базы
в режиме насыщения
4 макс — максимально допустимый постоянный ток стока
4 ост — остаточный ток стока
/3 (пр) макс — максимально допустимый прямой ток затвора
4 и, макс — максимально допустимый импульсный ток стока
Сг — емкость генератора
f— частота
/ГНАС — коэффициент насыщения
Лет и — коэффициент стоячей волны по напряжению
/ — длина выводов
Р — постоянная рассеиваемая мощность биполяр-
ного (полевого) транзистора
Рср — средняя рассеиваемая мощность биполярного
транзистора
15
Ри — импульсная рассеиваемая мощность биполяр-		
Рк	—	нота (полевого) транзистора постоянная рассеиваемая мощность коллектора
РК. СР	—	средняя рассеиваемая мощность коллектора
Р&Х.	—	входная мощность биполярного (полевого) тран-
Рвх (ПО)	—	зистора входная мощность в пике огибающей (средняя
РВЫХ (ПО)		мощность однотонового сигнала с амплитудой, равной амплитуде двухтонового сигнала в пике огибающей) выходная мощность в пике огибающей (сред-
РЭТР		няя мощность однотонового сигнала с амплиту- дой, равной амплитуде двухтонового сигнала в пике огибающей) мощность отраженной волны СВЧ сигнала
Л1АД	—	мощность падающей волны СВЧ сигнала
РМАКС	—	максимально допустимая постоянная рассеива-
Pfl, МАКС			емая мощность биполярного (полевого) тран- зистора максимально допустимая импульсная рассеива-
Рк, МАКС			емая мощность биполярного (полевого) тран- зистора максимально допустимая импульсная рассеива-
Рк, СР, МАКС	—	емая мощность коллектора максимально допустимая средняя рассеивае-
Q	—	мая мощность коллектора скважность
*к	—	сопротивление в цепи коллектор—источник пи-
Рвэ	—	тания сопротивление в цепи база—эмиттер
яБ	—	сопротивление в цепи база—источник питания
Ян	—	сопротивление нагрузки
Яг	—	выходное сопротивление генератора при изме-
Ят	—	рениях тепловое сопротивление
Яу (п-ю	—	тепловое сопротивление переход—корпус
Ят, И (П-К)	—	импульсное тепловое сопротивление переход—
Ят (П-С)	—	корпус тепловое сопротивление переход—среда
Л21Э	——	статический коэффициент передачи тока в ре-
^ИБ’ <$113	—	жимах малого и большого сигнала коэффициент отражения входной цепи в схе-
^125	—	мах ОБ и ОЭ соответственно коэффициент обратной передачи напряжения в
схеме ОБ
16
1^12б1 — модуль коэффициента обратной передачи на-
пряжения в схеме ОБ
— коэффициент прямой передачи напряжения в
схеме ОЭ
<S^2B — коэффициент отражения выходной цепи в схе-
ме ОБ
Т — температура окружающей среды
Гк — температура корпуса; для бескорпусных тран-
зисторов кристаллодержателя (подложки)
Тп — температура р-п перехода
Пк — коэффициент полезного действия коллектора
Т]с — коэффициент полезного действия стока
ф — фаза S-параметра
Ги — длительность импульса
f<t> — длительность фронта импульса.
Звездочкой в тексте отмечены параметры или их значения,
приведенные в справочных данных ТУ. При производстве по-
лупроводниковых приборов они могут не контролироваться.
Значения эксплуатационных данных, приведенных без ука-
зания температурного диапазона, справедливы во всем интер-
вале температур окружающей среды для данного типа тран-
зистора.
Значения электрических параметров, приведенные без спе-
циального указания температуры окружающей среды (темпе-
ратуры корпуса), справедливы для температуры +25 °C.
На графиках с изображением зоны возможных положений
зависимости параметров сплошной линией обозначена типо-
вая зависимость.
1.5.	Основные стандарты на.биполярные и полевые
транзисторы
ГОСТ 15133-77
ОСТ 11.336.919-81
ГОСТ 2.730-73
ГОСТ 18472-82
ГОСТ 20003-74
Приборы полупроводниковые. Термины и
определения
Приборы полупроводниковые. Система
условных обозначений
Обозначения условные графические в
схемах. Приборы полупроводниковые
Приборы полупроводниковые. Основные
размеры
Транзисторы биполярные. Термины, опре-
деления и буквенные обозначения пара-
метров
17
ГОСТ 19095—73 Транзисторы полевые. Термины, опреде-
ления и буквенные обозначения параме-
тров
ОСТ 11.336.907.0—79 Приборы полупроводниковые. Руковод-
ство по применению. Общие положения
ОСТ 11.336.907.8—81 Транзисторы биполярные. Руководство
по применению
ОСТ 11 336.935—82 Транзисторы полевые. Руководство по
применению
ОСТ 11 0272—86	Интегральные микросхемы, приборы по-
лупроводниковые бескорпусные. Руко-
водство по применению
ОСТ 11 073.062—76 Микросхемы интегральные и приборы по-
лупроводниковые. Требования и методы
защиты от статического электричества в
условиях производства и применения
ОСТ 11 073.073—82 Контроль неразрушающий. Методы кон-
троля температуры биполярных транзи-
сторов и интегральных микросхем
ОСТ 11 336.003—74 Приборы полупроводниковые. Методы от-
вода тепла
ОСТ 11 706.000—79 Радиаторы охлаждения полупроводнико-
вых приборов. Технические условия
Методы измерения параметров
биполярных транзисторов
ГОСТ 78604.0-83
ГОСТ 18604.1-80
ГОСТ 18604.2-80
ГОСТ 18604.3-80
ГОСТ 18604.4-74
ГОСТ 18604.5-74
Транзисторы биполярные. Общие требо-
вания при измерении электрических пара-
метров
Транзисторы биполярнь.е. Метод измере-
ния постоянной времени цепи обратной
связи на высокой частоте
Транзисторы биполярные. Метод измере-
ния статического коэффициента переда-
чи тока
Транзисторы биполярные. Метод измере-
ния емкостей коллекторного и эмиттер-
ного переходов
Транзисторы. Метод измерения обратно-
го тока коллектора
Транзисторы. Метод измерения обратно-
го тока коллектор—эмиттер
18
ГОСТ 18604.6—74
ГОСТ 18604.7-74
ГОСТ 18604.8-74
ГОСТ 18604.9-82
ГОСТ 18604.10-76
ГОСТ 18604.11-76
ГОСТ 18604.13-77
ГОСТ 18604.14-77
ГОСТ 18604.15-77
ГОСТ 18604.16-78
ГОСТ 18604.17-78
ГОСТ 18604.18-78
ГОСТ 18604.19-88
ГОСТ 18604.20-78
ГОСТ 18604.22-78
ГОСТ 18604.23-80
Транзисторы. Метод измерения обратно-
го тока эмиттера
Транзисторы. Метод измерения коэффи-
циента передачи тока
Транзисторы. Метод измерения выходной
проводимости
Транзисторы биполярные. Методы опре-
деления граничной и предельной частот
коэффициента передачи тока
Транзисторы биполярные. Метод измере-
ния входного сопротивления
Транзисторы биполярные. Метод измере-
ния коэффициента шума на высоких и
сверхвысоких частотах
Транзисторы биполярные СВЧ генератор-
ные. Метод измерения выходной мощно-
сти и определение коэффициента усиле-
ния по мощности и коэффициента полез-
ного действия коллектора
Транзисторы биполярные СВЧ генератор-
ные. Метод измерения модуля коэффи-
циента обратной передачи напряжения в
схеме с общей базой на высокой частоте
Транзисторы биполярные. Методы изме-
рения критического тока
Транзисторы биполярные. Метод измере-
ния коэффициента обратной связи по на-
пряжению в режиме малого сигнала
Транзисторы биполярные. Метод измере-
ния плавающего напряжения эмиттер—
база
Транзисторы биполярные. Методы изме-
рения статической крутизны прямой пе-
редачи
Транзисторы биполярные. Методы изме-
рения граничного напряжения
Транзисторы биполярные. Методы изме-
рения коэффициента шума на низкой ча-
стоте
Транзисторы биполярные. Методы изме-
рения напряжения насыщения коллек-
тор—эмиттер и база—эмиттер
Транзисторы биполярные. Метод измере-
ния коэффициентов комбинационных со-
ставляющих
19
ГОСТ 18604.24—81 Транзисторы биполярные высокочастот-
ные генераторные. Метод измерения вы-
ходной мощности и определение коэф-
фициента усиления по мощности и коэф-
, фициента полезного действия коллектора
ГОСТ 18604.26—85 Транзисторы биполярные. Методы изме-
рения временных параметров
ОСТ 11 336.909.3—79 Транзисторы биполярные мощные высо-
ковольтные. Методы измерения скорости
нарастания обратного напряжения
Методы измерения параметров
полевых транзисторов
ГОСТ 20398.0-83
ГОСТ 20398.1-74
ГОСТ 20398.2-74
ГОСТ 20398.3-74
ГОСТ 20398.4-74
ГОСТ 20398.5-74
ГОСТ 20398.6-74
ГОСТ 20398.7-74
ГОСТ 20398.8-74
ГОСТ 20398.9-80
ГОСТ 20398.10-80
ГОСТ 20398.11-80
Транзисторы полевые. Общие требования
при измерении электрических параметров
Транзисторы полевые. Метод измерения
модуля полной проводимости прямой пе-
редачи
Транзисторы полевые. Метод измерения
коэффициента шума
Транзисторы полевые. Метод измерения
крутизны характеристики
Транзисторы полевые. Метод измерения
активной составляющей выходной прово-
димости
Транзисторы полевые. Метод измерения
входной, проходной и выходной прово-
димости
Транзисторы полевые. Метод измерения
тока утечки затвора
Транзисторы полевые. Метод измерения
порогового напряжения и напряжения от-
сечки
Транзисторы полевые. Метод измерения
начального тока стока
Транзисторы полевые. Метод измерения
крутизны характеристики в импульсном
режиме
Транзисторы полевые. Метод измерения
тока стока в импульсном режиме
Транзисторы полевые. Метод измерения
ЭДС шума
20
ГОСТ 20398.12-80
ГОСТ 20398.13-80
ОСТ 11 336.916-80
Транзисторы полевые. Метод измерения
остаточного тока стока
Транзисторы полевые. Метод измерения
сопротивления сток—исток
Транзисторы полевые. Метод измерения
выходной мощности, определение коэф-
фициента усиления по мощности и коэф-
фициента полезного действия стока.
1.6.	Приборы для измерения параметров
транзисторов
Для измерения параметров транзисторов промышленность
выпускает ряд измерительных приборов. Наибольшее распро-
странение для измерения параметров мощных биполярных и
полевых транзисторов получили приборы, приведенные в
табл. 1.2.
Таблица 1.2
Приборы для изиерения параметров мощных транзисторов
Тип прибора	Измеряемый параметр	Предел измерения по шкале	Режим измерения	Габаритные размеры, мм (масса, кг)
Л2—13 (изме-	Лдэ	3...1000	</КБ = 1-20 В	630x360x340
ритвль стати-	3	0,1...30 А/В	(при измере-	(32 кг)
ческих пара-	Мо НАС	О,1...1О в	нии до 150 В), Выносной	
метров мощ-	Цп НАС	0,1-10 в	/к = Ю А,	пульт
ных транзи- сторов)	М<3 0 ГР 4б 0 Аб 0 4э R	2...150 В О,О1...1ОО мА 0,01...100 мА 0,01...300 мА	/Б = 1 А	180x200x210 (3 кг)
Л2—28 (изме-	Ск	0,3...1000 пФ	= 0,25...	485x215x365
ритель емко- сти р-п пере- ходов)	Сэ 0	0.3...1000 пФ 0,3...100 мкА	99,9 В, иэь = 0,25... 9,9 В, f= 10 МГц (при С 30 пФ)	(16 кг)
Л2—34 (изме-		0.3...30 пФ	f= 0,3 МГц	490x216x355
ритель емко- сти полевых транзисторов)	£*22И £*12И	0,3-30 пФ 0,03-30 пФ	(при 30 пФ) (16 кг) = 2-29 В, U3M= 1-29 В, ижг= 1-29 В, /с = 0,3...50 мА	
21
Продолжение табл. 1.2
Тип прибора	Измеряемый параметр	Предел измерения по шкале	Режим измерения	Габаритные размеры, мм (масса, кг)
Л 2—42 (изме-	/*213	5...500	= 2...50 В	490x256x355
ритель стати-	Ц<Э, НАС	0,1...10 В	(при измере-	(21 кг)
ческих пара-	^БЭ, НАС	0,1-10 В	нии до 100 В),	Пульт
метров мощ-	4б 0	0,001-30 мА	Це = 0,3—10 В,	122x131x200
ных транзи- сторов)	4б 0 4э 0	0,001...30 мА 0,001...30 мА	4 = 0,1-20 А, /Б = 0,03-5 А, /?БЭ = 0...1 кОм	(2 кг)
Л2—46 (изме-	^нч, имп	0.01...30 А/В	t/си = 1-200 В,	Блок измери-
ритель пара-	$чч, пост	0,01...30 А/В	= 0,3...30 В, тельный	
метров мощ-	4	0,3...200 мА	= 0,3-30 В, 480x490x255	
ных полевых транзисторов)	4, УГ Цзи отс ^ЗИ ПОР /?СИ отк /си	0,3 • ю-’2... IO’5 А 0.3...30 В 0,3...30 В 3...1000 Ом 0,1-30 А	/с « 200 мА	Блок режимов 360x490x175 Блок измери- тельный 300x230x205
Л2—57 (изме-		5...2000	Цэ = 3-299 В,	Блок измери-
ритель стати-	Ц<Э, НАС	0,05-10 В	ЦБ = 0,3...30 В, тельный	
ческих пара-	^БЭ НАС	0,05-10 В	4 и = 0,1...	488x475x175
метров мощ-	4б 0	Ю'8... 10-’ А	99,9 А,	(20 кг)
ных транзи-	4б 0	10-®—10-’ А	/ь. „ = 0,01...	Блок режимов
с то ров)	4э R	1О“а...1О"’ А	30 А	488x475x175 (30 кг) Блок генера- торов 488x475x175 (25 кг) Устройство подключения 488x475x94 (15 кг)
Л2—58 (изме-	Ц(Э 0 ГР	100-2000 В	и “ 500...	480x555x160
ритель пара- метров высо- ковольтных транзисторов)	/кВ С	10-’... 10-’ А	2000 В, 4 и - 0,03... 0,99 мА 4 и = 1—300 мА	(30 кг)
Методы измерения основных электрических параметров
транзисторов установлены государственными стандартами. Для
наблюдения вольт-амперных характеристик транзисторов ре-
комендуется использовать приборы, приведенные в табл. 1.3.
22
Таблица 1.3
Приборы для наблюдения вольт-амперных характеристик
транзисторов
Тип прибора	Режим по по- стоянному току	Режим ступенчатого сигнала	Г абаритные размеры, мм (масса, кг)
ПНХТ-1	U= 0...20 В (при /= 1...10 А) U= 0...200 В (при 1 А)	По току: 1...500 мкА/ступень, 1...200 мА/ступень (всего 17 фиксированных значений). По напряжению: 0,01...0,2 В/ступень (всего 5 фиксированных значений). Число ступеней 4—12	643x334x423 (40 кг)
Л2-56	U= 1...16 В	По току:	490x294x560
(ПНХТ-2)	(при /= 10 А) U= 0...80 В (при /= 0.4...2 А) U = 0...400 В (при /= 0,4.. 0,08 А) U= 0...2000 В (при 0,08 А)	50 нА/ступень, 20 мА/ступень (всего 21 фиксированное значение). По напряжению: 0,05...2 В/ступень (всего 6 фиксированных значений). Число ступеней 1 — 10	(40 кг)
Раздел второй
Особенности использования транзисторов
в радиоэлектронной аппаратуре
При разработке, изготовлении и эксплуатации полупровод-
никовых приборов следует принимать во внимание их специ-
фические особенности. Высокая надежность радиоэлектрон-
ной аппаратуры может быть обеспечена только при учете та-
ких факторов, как разброс параметров транзисторов, их тем-
пературная нестабильность и зависимость параметров от
режима работы, а также изменение параметров транзисторов
в процессе эксплуатации.
Транзисторы сохраняют свои параметры в установленных
пределах в условиях эксплуатации и хранения, характерных
для различных видов и классов аппаратуры. Условия эксплуа-
тации аппаратуры могут изменяться в широких пределах. Эти
условия характеризуются внешними механическими (вибраци-
23
онными, ударными, центробежными нагрузками) и климати-
ческими воздействиями (температурными, атмосферными и др.)
Общие требования справедливы для всех транзисторов,
предназначенных для использования в аппаратуре определен-
ного класса, содержатся в общих технических условиях. Нор-
мы на значения электрических параметров и специфические
требования, относящиеся к конкретному типу транзистора со-
держатся в частных технических условиях.
Под воздействием различных факторов окружающей сре-
ды некоторые параметры, характеристики и свойства транзи-
сторов могут изменяться.
Для герметичной защиты транзисторных структур от внеш-
них воздействий служат корпуса приборов. Конструктивное
оформление транзисторов рассчитано на их использование в
составе аппаратуры при любых допустимых условиях эксплуа-
тации. Необходимо помнить, что корпуса транзисторов в конеч-
ном счете имеют ограничение по герметичности. Поэтому при
использовании транзисторов в аппаратуре, предназначенной
для эксплуатации в условиях повышенной влажности, платы с
расположенными на них транзисторами рекомендуется покры-
вать лаком не менее, чем в три слоя. Рекомендуется применять
лаки УР 231 (ТУ 6-10-863-79) или ЭП-730 (ГОСТ 20824-75).
Все большее распространение получают так называемые
бескорпусные транзисторы, предназначенное для использова-
ния в микросхемах и микросборках. Кристаллы таких транзи-
сторов защищены специальным покрытием, но оно не дает
дополнительной защиты от воздействия окружающей среды.
Защита достигается общей герметизацией всей микросхемы.
Чтобы обеспечить долголетнюю и безотказную работу ра-
диоэлектронной аппаратуры, конструктор обязан не только
учесть характерные особенности транзисторов на этапе разра-
ботки аппаратуры, но и обеспечить соответствующие условия
ее эксплуатации и хранения.
Транзисторы — приборы универсального применения. Они
могут быть успешно использованы не только в классе устройств,
для которых они разработаны, но и во многих других устрой-
ствах. Однако набор параметров и характеристик, приводи-
мых в справочнике, соответствует основному назначению тран-
зистора. В справочнике приводятся значения параметров тран-
зисторов, гарантируемые ТУ для соответствующих оптималь-
ных или предельных режимов эксплуатации. Рабочий режим
транзистора в проектируемом устройстве часто отличается от
того режима, для которого приводятся параметры в ТУ.
Значения большинства параметров транзисторов зависят
от рабочего режима и температуры, причем с увеличением
24
температуры зависимость параметров от режима сказывается
более сильно. В справочнике приводятся, как правило, типо-
вые (усредненные) зависимости параметров транзисторов от
тока, напряжения, температуры, частоты и т. п. Эти зависимо-
сти должны использоваться при выборе типа транзистора и
ориентировочных расчетах, так как значения параметров тран-
зисторов одного типа не одинаковы, а лежат в некотором
интервале. Этот интервал ограничивается минимальным или
максимальным значением, указанным в справочнике. Некото-
рые параметры имеют двустороннее ограничение.
При конструировании устройств необходимо стремиться
обеспечить их работоспособность в возможно более широких
интервалах изменений важнейших параметров транзисторов.
Разброс параметров транзисторов и их изменение во времени
при конструировании могут быть учтены расчетными методами
или экспериментально — методом граничных испытаний.
На рис. 2.1 показаны выходные характеристики биполяр-
ного транзистора с указанием областей работы для схем с
общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
а)	б)
Рис. 2.1. Выходные характеристики биполярного транзистора и области
работы при включении по схеме ОБ (а) и по схеме ОЭ (6)
Выходные вольт-амперные характеристики полевых тран-
зисторов приведены на рис. 2.2. На семействе этих характери-
стик можно выделить три области: линейную (изменение тока
стока пропорционально изменению напряжения на стоке); об-
ласть насыщения (ток стока слабо зависит от напряжения на
стоке); область пробоя (ток стока резко возрастает при малых
изменениях напряжения на стоке).
25
Рис. 2.2. Выходные характеристики
полевого транзистора
Рис. 2.3. Проходные характеристики
полевого транзистора с управляю-
щим р-п переходом с каналами
п- и p-типов проводимости
На рис. 2.3 приведены проходные вольт-амперные харак-
теристики (зависимость тока стока от напряжения на затворе
при неизменном напряжении на стоке) полевых транзисторов
с управляющим р-п переходом с каналами п- и p-типов прово-
димости и условные графические обозначения этих транзисто-
ров. Проходные характеристики полевых транзисторов с управ-
ляющим р-п переходом хорошо аппроксимируются выраже-
нием
4 ~ 4, НАЧ (1 ^Зй/^ЗИ, OTc)''i
где /с НАЧ — начальный ток стока (ток стока при t/3M = 0);
С/зи отс — напряжение отсечки. Теоретическое значение показа-
теля степени л = 2, однако на практике п = 1,5...2,5.
Полевые транзисторы с управляющим р-п переходом ра-
г	ботают в режиме обеднения
Рис. 2.4. Проходные характеристи-
ки МДП-транзистора с каналами л-
и p-типов проводимости
канала носителями заряда (не-
зависимо от типа его проводи-
мости) при изменении напряже-
ния затвор—исток от нулевого
значения до напряжения отсеч-
ки тока стока.
На рис. 2.4 приведены про-
ходные вольт-амперные харак-
теристики МДП-транзисторов и
их условные графические обо-
значения. В отличие от транзи-
сторов с управляющим р-п пе-
реходом, у которых рабочая
26
область составляет от £/зи = 0 до напряжения запирания, МДП-
транзисторы сохраняют высокое входное сопротивление при
любых значениях напряжения на затворе, которое ограничено
напряжением пробоя изолятора затвора.
При необходимости применения транзисторов для выпол-
нения функций, отличающихся от основного назначения, вы-
вод о возможности их использования в этих режимах может
быть сделан после измерения параметров транзисторов в этих
режимах, проведения соответствующих испытаний и согласо-
вания их параметров в соответствии с ГОСТ 2.117—71.
В аппаратуре транзистор может быть использован в широ-
ком диапазоне напряжений и токов. Ограничением служат зна-
чения предельно допустимых режимов, превышение которых
в условиях эксплуатации не допускается независимо от дли-
тельности импульсов напряжения или тока. Поэтому при при-
менении транзисторов необходимо обеспечить их защиту от
мгновенных изменений токов и напряжений, возникающих при
переходных процессах (моменты включения, выключения, из-
менения режимов работы и т. п.), мгновенных изменениях пи-
тающих напряжений. Не допускается также работа транзисто-
ров в совмещенных предельных режимах (например, по напря-
жению и току).
Не рекомендуется эксплуатация транзисторов при рабочих
токах, соизмеримых с неуправляемыми обратными токами во
всем диапазоне температур.
Для транзисторов, предназначенных для работы на согла-
сованную нагрузку, при настройке аппаратуры необходимо
принимать меры, исключающие возможность работы транзи-
стора на рассогласованную нагрузку. Если полностью это ис-
ключить невозможно, то настройку следует осуществлять при
пониженном напряжении питания или пониженной мощности
возбуждения.
Режимы работы транзисторов должны контролироваться с
учетом возможных неблагоприятных сочетаний условий экс-
плуатации аппаратуры.
При измерениях необходимо принимать во внимание коле-
бания напряжений источников питания, значение и характер
нагрузки на выходе блока, колебания амплитуды и длитель-
ности выходных сигналов, уровня внешних воздействующих
факторов.
Для повышения надежности транзисторов при эксплуата-
ции следует выбирать рабочие режимы с коэффициентами
нагрузки по напряжению и мощности в диапазоне 0,7...0,8.
Однако следует учесть, что применение транзисторов при ма-
лых рабочих токах приводит к снижению устойчивости их
27
работы в диапазоне температур и нестабильности усиления во
времени. Использование более высокочастотных типов тран-
зисторов в низкочастотных цепях нежелательно, так как они
дороги, склонны к самовозбуждению и обладают меньшими
эксплуатационными запасами.
Для коэффициентов загрузки менее 0,5...0,6 надежность
работы транзистора практически не зависит от режима ра-
боты.
Для повышения надежности параллельно соединенных тран-
зисторов рекомендуется транзисторы располагать на общем
теплопроводе, в цепи эмиттеров и баз включать резисторы,
обеспечивать их работу при коэффициентах нагрузки по току
0,5...0,6.
Для повышения надежности последовательно соединен-
ных транзисторов рекомендуется цепи коллектор—эмиттер
шунтировать резисторами, сопротивление которых в 2...3 раза
меньше эквивалентного сопротивления закрытого транзисто-
ра, или стабилитроном, допускающим работу в ждущем режи-
ме, напряжение стабилизации которого не более 0,7...0,8 Цэо.
При применении мощных транзисторов необходимо обес-
печивать правильный тепловой режим работы, чтобы темпера-
тура корпуса транзистора была минимальной и не превышала
допустимой. Превышение предельной температуры может при-
вести к тепловому пробою р-п перехода. Тепловой пробой
возникает вследствие лавинообразного нарастания температу-
ры р-п перехода. Во избежании теплового пробоя необходимо
улучшать отвод теплоты от транзистора. Правильный выбор
теплового режима работы снижает интенсивность отказов тран-
зисторов, а также обеспечивает стабильность выходных1 пара-
метров аппаратуры. Обеспечение оптимального теплового ре-
жима работы транзисторов играет первостепенную роль при
создании надежной аппаратуры.
Для учета зависимости параметров от температуры в спра-
вочнике приводятся температурный диапазон применения тран-
зисторов, значения параметров и режимов при различных тем-
пературах и их температурные зависимости.
В качестве теплоотвода для мощных транзисторов могут
использоваться специально сконструированные радиаторы или
конструктивные элементы узлов и блоков. При этом должна
предусматриваться специальная обработка мест крепления тран-
зисторов.
Качественное соединение корпуса транзистора с теплоот-
водом достигается шлифовкой поверхности теплоотвода, смаз-
кой места соединения специальной мастикой или невысыхаю-
щим маслом.
28
Для улучшения теплового контакта рекомендуется смачи-
вать нижнее основание транзистора полиметилсилоксановой
жидкостью ПМС—100 ГОСТ 13032—77 или теплоотводящей
смазкой КПТ—8 ГОСТ 19783—74. Полезным оказывается ис-
пользование тонких прокладок из фольги мягких металлов.
Сверление больших отверстий в радиаторе для выводов тран-
зистора уменьшает эффективность отвода теплоты.
Площадь теплоотвода 3, см2, приближенно можно вычис-
лить по формуле
3= 1000/(Ят (П_С) 5т),
где /?т (П_С) — требуемое тепловое сопротивление переход—
окружающая среда, °С/мВт; 5Т — коэффициент теплопере-
дачи от теплоотвода в окружающую среду, равный 0,6...
1,5 мВт/см2’С.
Для повышения эффективности отвода теплоты за счет
излучения рекомендуется теплоотвод покрывать черной крас-
кой (зачернить).
Принудительный обдув теплоотвода, помещение его в про-
точную жидкость (вода, масло) значительно улучшает охлаж-
дение транзисторов и позволяет снимать с них большие мощ-
ности.
Крепление транзисторов к радиаторам должно обеспечить
их надежный тепловой контакт. Особое внимание следует уде-
лить надежному тепловому контакту при введении между кор-
пусом транзистора и радиатором изолирующих прокладок.
Для уменьшения общего теплового сопротивления лучше изо-
лировать радиатор от корпуса аппаратуры, чем транзистор от
радиатора.
При необходимости электрической изоляции корпуса (кол-
лектора) транзистора от шасси или теплоотвода между корпу-
сом и теплоотводом рекомендуется ставить прокладку из окси-
дированного алюминия или слюды. Суммарное тепловое со-
противление переход—теплоотвод увеличивается при этом на
0,5 °С/Вт на каждые 50 мкм толщины слюдяной прокладки
или на 0,25 °С/Вт на каждые 50 мкм толщины слоя оксидиро-
ванного алюминия.
При применении заливки плат компаундами следует учиты-
вать возможное ухудшение теплообмена между транзистора-
ми и окружающей средой. Для заливки плат следует исполь-
зовать компаунды, не оказывающие отрицательного химиче-
ского и механического влияния на транзисторы.
Особенностью применения мощных транзисторов является
работа этих приборов в режимах, близких к предельным по
температуре перехода. Для обеспечения надежной работы ап-
29
паратуры режимы использования мощных транзисторов долж-
ны выбираться таким образом, чтобы ток и напряжение не
выходили за пределы области максимальных режимов. На
рис. 2.5 приведен типичный вид области максимальных режи-
мов мощного биполярного транзистора.
Рис. 2.5. Область максимальных ре-
жимов мощного биполярного тран-
зистора
Рис. 2.6. Зависимость постоянной
рассеиваемой мощности коллекто-
ра от температуры
Сплошными линиями ограничена область статического ре-
жима работы транзистора, а штриховыми — импульсного.
Область максимального режимов ограничена;
максимально допустимым током коллектора (постоянным
и импульсным) — область /;
максимально допустимой мощностью рассеивания (посто-
янной и импульсной) — область И;
вторичным пробоем — область ///;
граничным напряжением вольт-амперной характеристики
при заданных условиях на входе — область IV;
максимально допустимым обратным напряжением коллек-
тор—эмиттер (постоянным и импульсным) — область V.
Область максимальных режимов в справочнике приводит-
ся, как правило, при температуре корпуса Гк„ при которой
обеспечивается максимальная мощность рассеивания. При уве-
личении температуры корпуса выше Тк, мощность рассеивания
определяется с помощью рис. 2.6, а при их отсутствии рассчи-
тывается по формуле
Сндкс = (Гп — Гк)//?т (П_К),
где Гп — температура перехода; Гк — температура корпуса
(например, T№f Та и т. д.); /?т (rwQ — тепловое сопротивление
переход—корпус.
30
При работе транзистора при температуре корпуса 7"К2 или
Гкз (см. рис. 2.5) область И перемещается, что соответствует
уменьшению мощности рассеивания, определенной графиче-
ским путем или рассчитанной по формуле.
При повышении температуры корпуса изменяется также
положение области V. Значение предельно допустимого об-
ратного напряжения коллектор—эмиттер (постоянного или им-
пульсного) при росте температуры уменьшается (рис. 2.7). Зга
зависимость снимается экспериментально.
Рис. 2.7. Области максимальных ре-
жимов при различных температурах
корпуса
Рис. 2.8. Зависимость теплового
сопротивления переход—корпус
от длительности импульса
При переходе от статического режима к импульсному и
при уменьшении длительности импульса границы области мак-
симальных режимов перемещаются в сторону больших значе-
ний тока и напряжения.
Максимально допустимая мощность рассеивания в импульс-
ном режиме связана с максимальной рассеиваемой мощностью
соотношением
в,. МАКС = (^МАКС (П-К))/*T, И (П-К)>
где /?т И(П_К) — импульсное тепловое сопротивление переход—
корпус, являющееся функцией длительности импульса и скваж-
ности (рис. 2.8).
Чем меньше длительность импульса и больше скважность,
тем больше импульсная мощность рассеивания, вызывающая
разогрев перехода до максимально допустимой температуры.
Области максимальных режимов //и ///при этом перемещают-
ся вправо — в область больших значений токов и напряжений.
Эти границы определяются экспериментально.
Тепловое сопротивление переход—корпус /?т (П-к)» *С/Вт,
31
зависит от конструкции транзистора и может быть определено
из области максимальных режимов. Например^ для режима
^кэ1> 4i (см- Рис- 2.5) тепловое сопротивление
^т(п-к) = (7"п — TK)/(U^ /К1).
Импульсное тепловое сопротивление переход—корпус свя-
зано с тепловым сопротивлением в статическом режиме соот-
ношением
Ъ. И (П—К) = (<4.Э1 4l/ ^КЭ, И 4, Hl) Rj (П—К)’
Все мощные биполярные транзисторы СВЧ диапазона пред-
назначены для работы в режимах с отсечкой коллекторного
тока. Допустимые электрические режимы на постоянном токе
(по напряжению и мощности рассеивания), как правило, суще-
ственно отличаются от динамических режимов работы. Приве-
денные в справочнике параметры мощных СВЧ транзисторов
позволяют пользоваться типовой эквивалентной схемой для
оценки их эксплуатационных характеристик. Эквивалентная
схема транзистора в активном режиме показана на рис. 2.9.
Рис. 2.9. Эквивалентная схема мощного
СВЧ транзистора в активном режиме
Параметры некоторых элементов, изображенных на схеме,
в справочных данных отсутствуют. Это значит, что эквивалент-
ная схема может быть соответствующим образом упрощена.
Например, если не приводится последовательное сопротивле-
ние коллектора, то это означает малое влияние этого парамет-
ра на типовые эксплуатационные характеристики и он может
быть исключен из схемы. Приводимое в справочнике значение
емкости коллекторного перехода СВЧ мощных транзисторов
32
включает в себя значения емкостей металлизированных пло-
щадок в структуре транзистора и емкостей корпуса. То же
относится и к понятию «емкость эмиттерного перехода».
Линейные усилительные свойства мощных высокочастот-
ных линейных транзисторов характеризуются параметрами,
методы измерения которых основываются на использовании
двухтонового сигнала, состоящего из двух гармонических сиг-
налов.
Нелинейные свойства транзисторов в этом случае оценива-
ются коэффициентом комбинационных составляющих треть-
его и пятого порядков, являющихся отношением наибольших
амплитуд соответствующих комбинационных составляющих
спектра выходного сигнала (рис. 2.10) к амплитуде основного
тона.
Рис. 2.10. Вид спектра частот выход-
ного сигнала при измерении коэффи-
циента комбинационных составляю-
щих методом двухтонового сигнала:
1 — основной тон, 2 — комбинационные
составляющие 3-го порядка; 3 — комби-
национные составляющие 5-го порядка
f, f, 2Ъ-Ь Jfr2f,
Между средней мощностью линейного двухтонового сиг-
нала и мощностью в пике огибающей существует соотношение
РВых = ^вых (по>/2. Это соотношение используется для расчета
КПД коллектора транзистора в режиме двухтонового сигнала.
В процессе монтажа транзисторов в устройство механи-
ческие и тепловые воздействия на них не должны превышать
значений, указанных в ТУ, так как это может привести к рас-
трескиванию изолятора и, следовательно, к нарушению герме-
тичности корпуса транзистора. При рихтовке, формовке и об-
резке участок вывода у корпуса транзистора должен быть
закреплен таким образом, чтобы в месте выхода вывода из
корпуса (изолятора) он не испытывал изгибающих или растя-
гивающих усилий. Оснастка для формовки выводов должна
быть заземлена. Расстояние от корпуса транзистора до начала
изгиба вывода при формовке должно быть не менее 2 мм,
если оно не оговорено в ТУ на конкретный тип транзистора.
При диаметре вывода не более 0,5 мм радиус его изгиба
Должен быть не менее 0,5 мм; при диаметре от 0,6 до 1 мм —
не менее 1 мм; при диаметре более 1 мм — не менее 1,5 мм.
2-835	33
При лужении, пайке и монтаже транзисторов следует при-
нимать меры, исключающие возможность их повреждения из-
за перегрева и механических усилии. При лужении и пайке
расстояние от корпуса (изолятора) до места лужения и пайки
должно быть не менее 3 мм, если в ТУ на конкретный тип
транзистора не указано иное.
Допускается пайка выводов без теплоотвода и групповым
методом, если температура припоя не превышает +260 ± 5 °C,
а время пайки не более 3 с, если в ТУ на конкретный тип
транзистора не указано иное.
Печатные платы очищают от флюсов жидкостями, не пор-
тящими покрытие, маркировку и материал корпуса транзисто-
ра (рекомендуется спиртобензиновая смесь).
В процессе монтажа, транспортировки, хранения ВЧ и СВЧ
биполярных транзисторов и полевых МДП-транзисторов необ-
ходимо обеспечивать защиту их от воздействия статического
электричества. Способы защиты приведены в ОСТ 11 аАО.336.
013-73.
К числу важнейших предупредительных мер относятся:
хорошее заземление оборудования и измерительных прибо-
ров; применение заземляющих браслетов (или колец) между
телом оператора и землей, антистатических халатов; исполь-
зование низковольтных электропаяльников с заземленным
жалом. При включении транзистора в электрическую цепь,
находящуюся под напряжением, коллекторный контакт дол-
жен подсоединяться последним и отсоединяться первым. С
целью предупреждения появления в процессе настройки цепи
мгновенного напряжения на коллекторе, превышающего мак-
симально допустимое значение, рекомендуется проводить ее
настройку при пониженней входной мощности, постепенно
достигая номинального значения.
Полевые МДП-транзисторы обычно хранят и транспорти-
руют при наличии замыкателей на их выводах. Замыкатели
удаляют непосредственно перед включением (монтажом) тран-
зистора в устройство. При пайке все выводы МДП-транзисто-
ра должны быть закорочены. При сохранении минимальных
значений тока затвора полевых МДП-транзисторов необходи-
мо применять меры, предохраняющие корпус от попадания
флюса и припоя. При выборе лаков или компаундов для за-
ливки плат с полевыми МДП-транзисторами необходимо учи-
тывать влияние этих материалов на ток утечки затвора тран-
зистора.
При применении полевых МДП-транзисторов в радиоэлек-
тронной аппаратуре необходимо принимать меры для их защи-
ты от электрических перегрузок.
34
ЧАСТЬ ВТОРАЯ
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ТРАНЗИСТОРОВ
Раздел третий
Транзисторы биполярные низкочастотные
Транзисторы п-р-п
П701, П701А, П701Б
Транзисторы кремниевые сплавно-диффузионные структу-
ры п-р-п усилительные низкочастотные. Предназначены для
применения в усилителях и генераторах радиоэлектронных
устройств. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жест-
кими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 12 г, с крепежным флан-
цем — не более 16 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
Л701,П701(А,Б)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при (/КБ = 10 В:
Т= +20 °C, /к = 0,5 А для П701Б.................. 30...100
Г = +20 °C:
/к = 0,5 А для П701...................... 10...40
2'
/к = 0,2 А для П701А.............. 15.„60
Т = +125 °C:
4 = 0,2 А для П701................ 10...90
4 = 0,2 А для П701А............. 15...120
Т = -55 °C, /к = 0,5 А для П701Б,
не менее............................. 15
Т = -60 °C:
/к = 0,5 А для П701, не менее..... 6
/к = 0,2 А для П701А, не менее.... 9
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при Ц& = 20 В, /к = 0,1 А,
f = 5 МГц, не менее..................... 2,5
Входное напряжение при U№ = 10 В,
/к = 0,5 А, не более.................... 4 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 0,5 А, 4 = 0,1 А, не более...... 7 В
Обратный ток коллектора при /?M = Ю0 Ом,
не более:
</КБ = 40 В для П701, П701Б.......... 100 мкА
U№ = 60 В для П701А.................. 100 мкА
Обратный ток коллектора при /?БЭ = 100 Ом,
не более:
Т= -60 и +25 °C,	= 50 В для П701,
П701А................................ 0,5 мА
Т= -55 и +20 °C,	Укэ = 50 В для	П701Б.. 0,5 мА
Т= +100 °C,	=	50 В для	П701Б...... 5	мА
Т= +125 °C:
= 35 В для	П701................ 3	мА
f/кэ = 50 В для	П701А............. 3	мА
Обратный ток эмиттера при U3b = 3 В,
не более................................. 3 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер1
при /?БЭ С 100 Ом:
Г= -60...+100 °C:
П701................................. 40	В
П701А............................. 60	В
Т= -55...+100 °C для П701Б........... 40	В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер1
при /к и С 0,5 A, Rb3 С 100 Ом,
Г= —60...+100 °C:
П701................................. ЗОВ
1 При Т> +100 -С напряжение снижается на 10% на каждые 10 "С.
36
П701А................................. 50 В
Постоянное напряжение коллектор—база1:
Т= -60...+100 °C:
П701 ............................. 40 В
П701А.............................. ЗОВ
Т= -55...+ 100 °C	для П701Б........... 40 В
Постоянное напряжение эмиттер—база:
Т=-60...+80 °C для П701, П701А........ 2 В
Т= -55...+80 °C для П701Б............. 2 В
Т= +80...+120 °C для П701, П701А...... 1,8 В
Т= +100 °C	для П701Б................. 1,8	В
Постоянный ток	коллектора............... 0,5	А
Импульсный ток	коллектора............... 1 А
Постоянный ток	эмиттера................. 0,7	А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
с теплоотводом* 2........................ 10 Вт
без теплоотвода3...................... 1 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус.... 10 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—среда..... 85 °С/Вт
Температура р-п перехода................. +150 °C
Температура окружающей среды:
П701, П701А........................... —60...+125	С
П701Б................................. -55...+100	°C
' При Т > +100 °C напряжение снижается на 10% на каждые 10 °C.
2 При Гк = +50...+130 °C рассеиваемая мощность коллектора рассчитывает-
ся по формуле
Ак макс = (150 — Гк)//?т Вт.
3 При Т= + 65...+120 °C рассеиваемая мощность коллектора рассчитывается
по формуле
Ак макс = (150 — Г)//?Т(П_С), Вт.
Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 5 мм
от корпуса. Температура пайки не более +280 °C, время пайки
вывода не более 3 с.
П702, П702А
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п
усилительные. Предназначены для применения в выходных
каскадах усилителей низкой частоты, переключающих устрой-
ствах, преобразователях и стабилизаторах постоянного напря-
жения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими
выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
37
Масса транзистора не более 24 г, с крепежным флан-
цем — не более 34 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
71702, П702А
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 1/КБ = 10 В, /к = 1,1 А,
не менее:
Т= +25 и +120 °C:
П702............................. 25
П702А............................ 10
Г= -60 °C:
П702............................. 10
П702А...........»................ 5
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при = 10 В, /к = 1 А,
f = 1 МГц, не менее.................... 4
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 1 А, /Б = 0,2 А, не более:
П702................................ 2,5 В
П702А............................... 4 В
Обратный ток коллектора при Т/КБ = 70 В,
не более:
Т= -60 'Си Тк = +25 °C:
П702............................... 5 мА
П702А............................ 2,5 мА
Гк = +120 °C:
П702............................... 10 мА
П702А............................ 5 мА
38
Обратный ток коллектор—эмиттер
при /?бэ =100 Ом, £4э = 70 В, не более:
Т= -60 °C и 7* = +25 ’С:
П702............................... 10 мА
П702А........................... 5 мА
Т= +120 ’С:
П702............................... 15 мА
П702А........................... 7,5 мА
Обратный ток эмиттера при U3b = 3 В,
не более:
Тк = +25 °C........................ 5 мА
Тк = +120 °C....................... 15 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
и коллектор—база1:
Тп < +120 °C........................ 60 В
Та = +150 °C........................ ЗОВ
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 3 В
Постоянный ток коллектора.............. 2 А
Постоянный ток базы.................... 0,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
с теплоотводом* 2:
Гк С +50 °C...................... 40 Вт
Гк =+120 °C...................... 12 Вт
без теплоотвода3:
Т +20 °C......................... 4 Вт
7-=+120 °C....................... 0,9 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 2,5 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—среда... 33 °С/Вт
Температура р-п перехода............... +150 °C
Температура окружающей среды........... —6О...7"к =
= +120 °C
линейно.
2	7"п = +50...+ 120 ’С рассеиваемая мощность коллектора рассчитывает-
ся по формуле
Ас. макс = (150 — ГК)//?Т(П-К), Вт.
3 При Т = +20...+ 120 ‘С рассеиваемая мощность коллектора рассчитывается
по формуле
Ас, МАКС = (15® ~ 7")/А (П-С|> ВТ-
39
КТ503А, КТ503Б, KT50ЗВ, КТ503Г, КТ503Д, KT503E
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п универсальные. Предназначены для применения в
усилителях низкой частоты, операционных и дифференциаль-
ных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Изготовитель — акционерное общество «Элекс», г. Але-
ксандров.
КТ503(А - Е)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при UY3 = 5 В, 4 = Ю мА:
КТ503А, КТ503В, КТ503Д, КТ503Е........ 40...120
КТ503Б, КТ503Г........................ 80...240
Граничная частота коэффициента передачи то-
ка в схеме с общим эмиттером при = 5 В,
4 = 3 мА, не менее....................... 5 МГц
Граничное напряжение при 4 = Ю мА,
4 30 мкс, Q> 100, не менее:
КТ503А,	КТ503Б...................... 25	В
КТ503В,	КТ503Г...................... 40	В
КТ503Д................................ 60	В
КТ503Е................................ 80	В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 10 мА, 4 = 1 мА, не более....... 0,6 В
типовое значение...................... 0,2* В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 10 мА, 4 ~ 1 мА, не более........ 1,2 В
типовое значение...................... 0,8* В
Обратный ток коллектора при 64в = ^4в, макс»
не более................................. 1 мкА
40
Емкость коллекторного перехода
при 6/КБ = 5 В, f = 465 кГц, не более.. 20 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ503А, КТ503Б......................... 40	В
КТ503В, КТ503Г...................... 60	В
КТ503Д.............................. 80	В
КТ503Е.............................. 100 В
Постоянное напряжение база—эмиттер..... 5	В
Постоянный ток коллектора.............. 0,15 А
Импульсный ток коллектора при t* С 10 мкс,
О> 100 ................................ 0,35 А
Постоянный ток базы.................... 0,1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Т - —40...+25 °C.............. 0,35 Вт
Температура р-п перехода................ +125	°C
Температура окружающей среды........... —40...+85 °C
Изгиб выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса
транзистора с радиусом закругления 1,5...2 мм; при этом дол-
жны приниматься меры, исключающие передачу усилий на
корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается.
Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 5 мм
от корпуса. При пайке жало паяльника должно быть заземле-
но. Разрешается производить пайку путем погружения выво-
дов не более чем на 3 с в расплавленный припой с температу-
рой не выше +250 °C.
2Т504А, 2Т504Б, КТ504А, КТ504Б, КТ504В,
2Т504А-5, 2Т504Б-5
Транзисторы кремниевые планарные структуры п-р-п пере-
ключательные. Предназначены для применения в высоковольт-
ных стабилизаторах напряжения и преобразователя, в устрой-
ствах управления газоразрядными панелями переменного тока.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вывода-
ми (2Т504А, 2Т504Б, КТ504А-КТ504В) и в виде кристаллов с
контактными площадками без кристаллодержателя и без вы-
водов, разделенные или неразделенные (на общей пластине).
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора в корпусе не более 2 г, кристалла не
более 0,002 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
41
2Т50ЦА.Б), КТ50ЦА-В)
2Ш(А-5, Б 5)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при Г/КБ = 5 В, /э = 0,5 А:
Г =+25 °C............................ 15.. 24*...100*
Т= +125 °C для 2Т504А, 2Т504Б,
2Т504А—5, 2Т504Б—5, не менее.......... 8
Т= -60 °C для 2Т504А, 2Т504Б,
2Т504А—5, 2Т504Б—5, не менее.......... 7
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при Г/КБ = 10 В, /э - 0,05 А... 20...56*...
82* МГц
42
Граничное напряжение1 при /э = 30 мА,
t = 300 мкс, 0= 100, ГНР = 1 мкс, не менее:
2Т504А, КТ504А, 2Т504А-5............. 250	В
2Т504Б, КТ504Б, 2Т504Б-5............. 150	В
КТ504В............................... 230	В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 0,5 А, /Б = 0,1 А................... 0,2*...0,35*...
1 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 0,5 А, /Б = 0,1 А................... 0,84*...0,92*.„
1,6 В
Время включения при /к = 0,5 А, /Б = 0,05 А... 0,043*...0,06*
...0,1 мкс
Время выключения при /к = 0,5 А, /Б = 0,05 А 0,49*...1,5*...
3,5 мкс
Время рассасывания при /к = 0,5А, /Б = 0,05А 0,4*...1,7*...
2,7 мкс
Обратный ток коллектора:
Г= —60...+25 С при £/кб = UKb Макс>
не более.................................. 100 мкА
Т= +125 °C:
2Т504А-5, 2Т504А при ЦБ = 250 В,
не более.............................. 1 мА
2Т504Б-5, 2Т504Б при (/КБ = 150 В,
не более.............................. 1 мА
Обратный ток эмиттера при УЭБ = 6 В.......... 0,002*... 11*...
100 мкА
Емкость коллекторного перехода
при £/кб = 10 В.............................. 14*...16*...
30 пФ
Емкость эмиттерного перехода при t/K6 = 0,5 В,
не более:
2Т504А, 2Т504Б, 2Т504А-5, 2Т504Б-5........ 300 пФ
КТ504А, КТ504Б, КТ504В.................... 800 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т504А, КТ504А, 2Т504А-5........... 400	В
2Т504Б, КТ504Б, 2Т504Б-5........... 250	В
КТ504В............................. 300	В
1 При включении напряжений, меньших С/кэо допускается время нараста-
ния напряжения не менее 0,2 мкс.
43
Постояннее напряжение коллектор—эмиттер:
при /?вэ = 100 Ом:
2Т504А, КТ504А, 2Т504А-5............ 350	В
2Т504Б, КТ504Б, 2Т504Б-5......... 200	В
КТ504В........................... 275	В
при /?БЭ = со;
2Т504А, КТ504А, 2Т504А-5............ 250	В
2Т504Б, КТ504Б, 2Т504Б-5......... 150	В
КТ504В........................... 230	В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 6 В
Постоянный ток коллектора............... 1 А
Импульсный ток коллектора при = 500 мкс,
0= 2................................... 2 А
Постоянный ток базы..................... 0,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора3 при Гк = —60...+25 °C:
с теплоотводом..........-............ 10 Вт
без теплоотвода:
2Т504А, 2Т504Б, КТ504А, КТ504Б,
КТ504В.............................. 1 Вт
2Т504А-5, 2Т504Б-5............... 25 мВт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Температура окружающей среды:
2Т504А, 2Т504Б, 2Т504А-5, 2Т504Б-5... -60... Гк =
= +125 °C
КТ504А, КТ504Б, КТ504В............... -60... Тк =
= +100 °C
1 При времени нарастания напряжения не менее 0,5 мкс.
2 Без превышения величины постоянной рассеиваемой мощности коллек-
тора.
3 При Гк = +25...+125 °C максимально допустимая постоянная рассеиваемая
мощность коллектора рассчитывается по формуле
Ас макс = (15° ~ 7к)/А(п-К|' Вт-
Расстояние от корпуса до начала изгиба и пайки выводов
не менее 3 мм.
Область максимальных режимов для КТ504В ограничива-
ется напряжением коллектор—эмиттер 230 В,
При монтаже транзисторов 2Т504А—5, 2Т504Б—5 в микро-
схему нагрев кристалла не должен превышать +420 °C.
Зависимости электрических параметров транзисторов
2Т504А—5, 2Т504Б—5, КТ504А-КТ504В аналогичны зависимо-
стям 2Т504А, 2Т504Б.
44
Зависимости тока базы
от напряжения база—
эмиттер
Зависимость статического
коэффициента передачи
тока от тока эмиттера
Зависимость напряжения на-
сыщения коллектор—эмит-
тер от тока коллектора
Зависимость напряжения
насыщения база—эмит-
тер от тока коллектора
Зависимость статического
коэффициента передачи
тока от температуры
Зависимости времени вклю-
чения, выключения, расса-
сывания от тока коллектора
Зависимости допустимого на-
пряжения коллектор—эмиттер
от сопротивления в цепи ба-
за—эмиттер
Зависимости допустимой
рассеиваемой мощности
коллектора от темпера-
туры корпуса
Области максимальных
режимов
2Т506А, 2Т506Б, 2Т506А-5, КТ506А, КТ506Б
Транзисторы кремниевые планарные структуры п-р-п пере-
ключательные. Предназначены для применения в переключаю-
щих устройствах, импульсных модуляторах, преобразовате-
лях, линейных стабилизаторах напряжения. Транзисторы
2Т506А, 2Т506Б, КТ506А, КТ506Б выпускаются в металличе-
ском корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими вывода-
ми. Тип прибора указывается на корпусе. Транзистор 2Т506А—
5 выпускается в виде неразделенных кристаллов с контактны-
ми площадками на пластине для гибридных интегральных ми-
кросхем. Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 2 г,
кристалла не более 0,0066 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
46
2Т50б(А. Б), КТ506(А, Б)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при £/КБ = 5 В, 4 = 0,3 А:
Г= +25 °C.............................. 30...80*..150*
Г= +125 °C для 2Т506А, 2Т506Б,
2Т506А—5, не менее..................... 30
Т= -60 °C для 2Т506А, 2Т506Б,
2Т506А—5, не менее..................... 10
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при и(Ъ = 10 В, /э = 0,03 А ... 10... 17*...
21* МГц
47
Граничное напряжение при /э = 30 мА,
не менее:
2Т506А, 2Т506А-5, КТ506А............... 400 В
2Т506Б, КТ506Б......................... 300 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 0,3 А, /Б = 0,03 А............... 0,15*...0,35*.„
0,6 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 0,3 А, /Б = 0,03 А............... 0,74*...0,75*...
1 В
Время включения при ию = 200 В, /к = 1 А,
/Б = 0,2 А................................ 0,08*...0,19*...
0,25 мкс
Время рассасывания при £/кэ = 200 В, /к = 1 А,
/Б = 0,2 А................................ 0,8*.„1,35*...
1,56* мкс
Время спада при UK3 = 200 В, /к = 1 А,
/Б = 0,2 А................................ 0,2*.„0,35*...
0,5 мкс
Обратный ток коллектора, не более:
Т= +25 С при £/кб = UKb макс*
2Т506А, 2Т506А-5, КТ506А.............. 1 мА
2Т506Б, КТ506Б..................... 0,2 мА
7* = +125 °C при £/кб = L/joo Гр для 2Т506А,.
2Т506А-5, 2Т506Б........’.............. 0,2 мА
Обратный ток эмиттера при Ux = 5 В,
не более.................................. 1 мА
Пробивное напряжение коллектор—база
при /КБ о = 1 мА, не менее:
2Т506А................................. 800 В
2Т506Б................................. 600 В
Емкость коллекторного перехода при UKb = 5 В 25*...30*„.
40 пФ
Емкость эмиттерного перехода при (/КБ = 1 В . 940*...980*...
1100 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т506А, 2Т506А-5, КТ506А............... 800 В
2Т506Б, КТ506Б......................... 600 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 10 Ом, dt//df = 1600 В/мкс:
2Т506А, 2Т506А-5, КТ506А............... 800 В
2Т506Б, КТ506Б......................... 600 В
48
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 10 Ом, dt//df= 1600 В/мкс,
= 50 мкс:
2Т506А, 2Т506А-5, КТ506А............. 800	В
2Т506Б, КТ506Б....................... 600	В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 5 В
Постоянный ток коллектора............... 2 А
Импульсный ток коллектора............... 5 А
Постоянный ток базы..................... 0,5 А
Импульсный ток базы..................... 1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1:
с теплоотводом:
Т= -60... Тк = +25 °C для 2Т506А,
2Т506Б, 2Т506А-5
и Т= -45... Тк = +25 °C для КТ506А,
КТ506Б* 2........................ 10 Вт
Гк = +100 °C для КТ506А, КТ506Б.. 4 Вт
Гк = +125 °C для 2Т506А, 2Т506Б,
2Т506А-5......................... 2 Вт
без теплоотвода:
Т= -60...+25 °C для 2Т506А, 2Т506Б,
2Т506А—5 и Т = —45...+25 °C для
КТ506А, КТ506Б2.................. 0,8 Вт
Т= +100 °C для КТ506А, КТ506Б.... 0,3 Вт
Гк = +125 °C для 2Т506А, 2Т506Б,
2Т506А-5......................... 0,18 Вт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Температура окружающей среды:
2Т506А, 2Т506Б, 2Т506А-5............. -60... Гк =
= +125 °C
КТ506А, КТ506Б....................... -45...ТК =
= +100 °C
' Значение максимально допустимой импульсной рассеиваемой мощности
коллектора определяется по формуле
Р* и макс ~ Рк макс/^> Вт,
где К — коэффициент, определяемый из графика.
2 При Гк > +25 °C (с теплоотводом и без теплоотвода) Рк МАКС снижается
линейно.
Зависимости электрических параметров транзистора
2Т506А—5 аналогичны зависимостям 2Т506А.
49
Зона возможных положе-
ний зависимости статиче-
ского коэффициента пере-
дачи тока от температуры
Зависимость статического
коэффициента передачи
тока от напряжения кол-
лектор—база
Зависимость статического
коэффициента передачи
тока от тока эмиттера
Зависимость напряжения на-
сыщения коллектор—эмит-
тер от тока коллектора
Зависимость напряжения
насыщения база—эмит-
тер от тока коллектора
50
Зависимости времени вклю-
чения, спада и рассасыва-
ния от тока коллектора
Зона возможных положений зави-
симости пробивного напряжения
коллектор—эмиттер от сопроти-
вления в цепи база—эмиттер
Зависимости допустимой рассеиваемой
мощности коллектора от температуры
корпуса
Области максимальных
режимов
Зависимости значения коэффициента для расчета допустимой
импульсной мощности коллектора от длительности импульса
51
2Т704А, 2Т704Б, КТ704А, КТ704Б, КТ704В
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п
импульсные. Предназначены для применения в импульсных
высоковольтных модуляторах. Выпускаются в металлокерами-
ческом корпусе с жесткими выводами и винтом. Тип прибора
указывается на корпусе. Вывод эмиттера маркируется точкой.
Масса транзистора не более 20 г.
Изготовитель — акционерное общество «Элиз», г. Фря-
зино.
2Т70Ш). КТ70ЦА-В)
12	22
Электрические параметры
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 2,5 А, /Б = 1,5 А, не более......... 5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 2,5 А, /Б = 1,5 А, не более......... 3 В
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ:
при С/КБ = 15 В, /к = 1 А:
7 = +25 °C:
2Т704А, 2Т704Б, КТ704А, КТ704Б . 10...100
КТ704В, не менее.................. 10
Т = -60 ’С для 2Т704А, 2Т704Б........ 6...10
при (/кэ = 10 В, 4 = 0,5 А, Т = +125 °C
для 2Т704А, 2Т704Б....................... 6...300
Модуль коэффициента передачи тока при
f= 1 МГц, С/КБ = 15 В, /к = 0,1 А, не менее. 3
Обратный ток коллектор—эмиттер
при = 10 Ом, не более:
Т = +25 °C:
= 1000 В для 2Т704А............... 5 мА
Цэ = 700 В для 2Т704Б, КТ704Б........ 5 мА
= 500 В для КТ704В................ 5 мА
52
Т= -60 и +125 “С:
(7КЭ = 700 В для 2Т704А............. 10 мА
(/кэ = 500 В для 2Т704Б.......... 10 мА
Обратный ток эмиттера при = 4 В,
не более............................... 100 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?бэ = 10 Ом или смещении (УБЭ = 1,5 В:
2Т704А, КТ704А......................... 500 В
2Т704Б1 при Г= -10... Гк = +80 °C... 400 В
КТ704Б, КТ704В...................... 400 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер* 2
при /?БЭ = 10 Ом или смещении (УБЭ = 1,5 В,
= 1...10 мс, 7Ф > 10 мкс, О> 50 или 1 мс,
> 10 мкс, О > 10:
Т= -40... Гк = +80 °C:
2Т704А.............................. 1000 В
2Т704Б........................... 700 В
Г = -60... Гк = +100 °C:
2Т704А........................... 700 В
2Т704Б........................... 500 В
Т= -45... Гк = +85 °C:
КТ704А.......................... 1000 В
КТ704Б........................... 700	В
КТ704В........................... 500	В
Постоянное напряжение база—эмиттер..... 4 В
Постоянный ток коллектора.............. 2,5 А
Импульсный ток коллектора при Ги = 10 мс,
2................................... 4 А
Постоянный ток базы.................... 2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора3:
Т= -60... Гк = +50 °C для 2Т704А, 2Т704Б. 15 Вт
'При Т< -10 °C и Гк > +80 °C для 2Т704Б (7КЭ МАКС = 350 В (для 2T704A
Чэ макс = 500 В во всем диапазоне температур).
2 При Т = —40...—60 °C и Гк = +80...+ 100 °C (7КЭ и МАКС снижается линейно
До 700 В для 2T704A и 500 В для 2Т704Б.
3 При Гк = +50...+100 °C для 2Т704А, 2Т7О4Б и Гк = +50...+85 °C для
КТ704А, КТ704Б, КТ704В рассеиваемая мощность коллектора определяется по
Формуле
^к, макс “ (	~	Вт,
ГД® — максимальная температура перехода; Гк — температуоа корпуса;
*т (п-к| — тепловое сопротивление переход—корпус, определяемое из области
максимальных режимов.
53
Т = -45... Тп = +50 °C для КТ704А,
КТ704Б, КТ704В....................... 15 Вт
Температура перехода..................... +125 °C
Температура окружающей среды:
2Т704А, 2Т704Б........................... -60... Тк	=
= +100 °C
КТ704А, КТ704Б, КТ704В................ -45... Тк	=
= +85 °C
При конструировании аппаратуры следует учитывать воз-
можность самовозбуждения транзистора за счет паразитных
связей.
Транзисторы крепят к панели гайками. Осевое усилие на
винт должно быть не более 120 кг. Пайка выводов допускает-
ся не ближе 2 мм от корпуса транзистора.
Зависимости тока базы
от напряжения база—
эмиттер
Зависимость тока эмит-
тера от напряжения ба-
за—эмиттер
Зависимость статического
коэффициента передачи
тока от тока коллектора
Зависимости напряжения насыще-
ния коллектор—эмиттер от отно-
шения тока коллектора к току базы
54
,nv
(к
100
ВО
60
60
20
О П 20 30 60 50 Ua g
Зона возможных положений
зависимости емкости коллек-
торного перехода от наряже-
ния коллектор—база
зависимости емкости эмиттер-
ного перехода напряжения
база—эмиттер
UКЗ В / U КЗ к
г
0.8
0.6
0.4
0.2
О
10' Ю2 10310* Rt3 .Ом
Зона возможных положений
зависимости статического
коэффициента передачи тока
от температуры
Зона возможных положений
зависимости допустимого на-
пряжения коллектор—эмиттер
от сопротивления база—эмиттер
о)	б)
Области максимальных режимов:
° — 2Т704А, КТ704А; б — 2Т7О4Б, КТ704Б; 7 — режим на постоянном токе;
И — импульсный режим при < 10 Ом или Ua = 1,5 В, = 1...10 мс,
О > 50, гф з 10 мкс или Ги < 1 мс, Q S 10, гш > 10 мкс
ГТ705А, ГТ705Б, ГТ705В, ГТ705Г, ГТ705Д
Транзисторы германиевые сплавные структуры п-р-п уси-
лительные. Предназначены для применения в усилителях мощ-
ности низкой частоты. Выпускаются в металлическом корпусе
со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Масса транзистора не более 15 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 1 В, /э = 0,05 А:
ГТ705А, ГТ705В.......................... 30...70
ГТ705Б, ГТ705Г......................... 50...100
ГТ705Д.................................. 90...250
Предельная частота коэффициента передачи
тока в схеме с общим эмиттером при 6/ю = 2 В,
4 = 0,5 А не менее.......................... 10 кГц
Линейность статического коэффициента пере-
дачи тока:
1 Л21з при 4 = 1,5 А
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 1,5 А, /6 = 0,1 А не более....... 1	В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 1,5 А, /6 = 0,1 А, не более...... 2	В
Обратный ток коллектора при U№ = 20 В
для ГТ705А, ГТ705Б, ГТ7О5Д и при £/К6 = 30 В
для ГТ705В, ГТ705Г, не более............ 0,5	мА
56
Обратный ток коллектор—эмиттер при
Rt3 = 50 Ом, (/кэ = 25 В для ГТ705А, ГТ705Б,
ГТ705Д и при С/кэ = 36 В для ГТ7О5В, ГТ705Г,
не более................................ 1,5	мА
Обратный ток эмиттера при £/БЭ = 10 В,
не более................................ 0,3	мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?ю = 50 Ом:
ГТ705А, ГТ705Б, ГТ705Д................. 20 В
ГТ705В, ГТ705Г......................... 30 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 50 Ом, 3 мс, Q > 10:
ГТ705А, ГТ705Б, ГТ705Д................. 25 В
ГТ705В, ГТ705Г......................... 35 В
Постоянный ток коллектора................. 3,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1:
с теплоотводом, Т = —40... Гк = +40 °C. 15 Вт
без теплоотвода, Т- —40...+35 °C....... 1,6 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус..... 3 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—среда...... 30 °С/Вт
Температура перехода...................... +85 °C
Температура окружающей среды.............. —40... Гк =
= +55 °C
1 При Гк > +50 ’С в транзисторах с теплоотводом
макс = (+85 — Гк)/3, Вт,
при Т > +35 °C без теплоотвода
Рк. макс =(+85- Г)/30, Вт.
Допускается подключение выводов не ближе 6 мм от кор-
пуса любым способом (пайкой, сваркой, погружением и т. п.)
при условии, что температура в любой точке корпуса не пре-
вышает предельно допустимой температуры окружающей
среды.
КТ710А
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры п-р-п
импульсный. Предназначен для применения в высоковольтных
стабилизаторах и импульсных устройствах. Корпус металли-
ческий со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
57
Масса транзистора не более 61г.
Изготовитель — акционерное общество «Элиз», г. Фря-
зино.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 1/кэ = 10 В, /к = 4 А, не менее:
Г =+25 °C........................... 3,5
Г=-60 и+100 °C...................... 1,5
Граничное напряжение при /к = 0,1 А,
L = 40 мГн, не менее.................... 1000 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 4 А, /Б = 3 А, не более........ 3,5 В
Время спада при £/кэ = 750 В, /к = 4,5 А,
/Б = 1,8 А, иъэ = 5 В, типовое значение. 8* мкс
Время рассасывания при С/кэ = 750 В,
/к = 4,5 А, /Б = 1,8 A, Ub3 = 5 В, типовое
значение................................ 30* мкс
Обратный ток коллектора, не более:
Т= +25 °C, UKS= 3000 В.............. 2 мА
Т= +100 °C, </КБ = 1000 В........... 3 мА
Т= -60 °C, С/КБ = 1000 В............ 2 мА
Обратный ток эмиттера при 6/БЭ = 5 В,
не более................................ 300* мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база’
при Гк = -40...+75 °C................ 3000	В
’ При Гк = +75...+100 °C и Гк = -40...-60 °C </кв.накс уменьшается линейно
Д° ^кэо гр-
58
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер1
при /?бэ = Ю Ом. <ф 4,8 мкс,
Тк = —40...+75 °C........................
Постоянное напряжение база—эмиттер
/ЭБ0 = 300 мА............................
Постоянный ток коллектора................
Импульсный ток коллектора при $ 10 мс,
5.......................................
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 2 при Гк = —60...+50 °C............
Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора при 7"к = +25 °C, Гп = +125 °C, С 10 мс,
02 5.....................................
Температура р-п перехода.................
Температура окружающей среды.............
3000 В
5 В
5 А
7,5 А
50 Вт
70 Вт
+125 °C
-6О...ТК =
= +100 °C
1 При Тк = +75... 10 "Си Гк = —40...—60 ’С и мдкс уменьшаются линейно
Д° ^кэ о. гр*
2 При Тк = +50...+100 "С Рк ндкс рассчитывается по формуле
макс = (^25 — 7"к)//?т (п-ю» Вт.
При конструировании аппаратуры следует учитывать воз-
можность самовозбуждения за счет паразитных связей.
Допустимое значение статического потенциала 2000 В.
Пайка выводов транзистора допускается не ближе 5 мм
от корпуса при температуре припоя +260 °C в течение не
более 3 с.
Зависимость максималь-
но допустимого постоян-
ного напряжения коллек-
тор—эмиттер от сопро-
тивления база—эмиттер
Выходные характери-
стики
Входные характери-
стики
59
Зависимости напряже-
ний насыщения коллек-
тор—эмиттер и база—
эмиттер от тока базы
Зависимость максималь-
но допустимого импульс-
ного напряжения коллек-
тор—эмиттер от длитель-
ности фронта
Зависимости статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
коллектора
Область максимальных режимов
2Т713А
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры п-р-п
импульсный. Предназначен для применения в высоковольтных
стабилизаторах и импульсных устройствах. Выпускается в ме-
таллическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными
изоляторами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Изготовитель — акционерное общество «Элиз», г. Фря-
зино.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при U№ = 10 В, 4 = 1,5 А:
Тк = +25 ’С.......................... 5...20
60
2Т713А
Т = +100 и —60 °C, не менее.......... 1,5
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 1/КБ = 10 В, /к = 1,5 А,
не менее................................ 1, 5 МГц
Граничное напряжение при /к = 100 мА,
L = 40 мГн, не менее.................... 900 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 1,5 А, /Б = 1,5 А, не более.... 1 В
Время рассасывания при 1/кэ = 750 В,
/к = 1,5 А, /Б = 0,7 А, не более........ 15 мкс
Обратный ток коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 10 Ом:
7"к = +25 °C при 1/кэк = 2500 В, не более.. 1 мА
Гк = +100 и -60 °C при UK3R = 1100 В,
не более............................. 1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер1
при /?БЭ = Ю Ом, Г® = 3 мкс,
dt/io/df = 0,53 В/мс, Гк = -40...+75 °C... 2500 В
Постоянное напряжение эмиттер—база....... 6 В
Постоянный ток коллектора................ 3	А
Постоянный ток базы...................... 3	А
' При Гк = -40...-60 ’Си Гк = +75...+100 ‘С максимально допустимое
напряжение коллектор—эмиттер t/K3R снижается линейно до 1100 В.
При уменьшении длительности фронта нарастания напряжения на коллек-
торе от 3 мкс до 0 максимально допустимое напряжение коллектор—эмиттер
Чэк.макс снижается линейно до 900 В.
61
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора2 при Гк = —60...+25 °C............... 50 Вт
Температура р-п перехода................... +150	°C
Температура окружающей среды............. —60...	Тк =
= +100 °C
2 При Тк > +25 ’С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
макс = (150 —	(п-к). Вт,
где /?т (п-К( = 2,5 ’С/Вт при (7КЗ = 50 В, /к = 1 А.
КТ715А
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры п-р-п
импульсный. Предназначен для применения в высоковольтных
импульсных устройствах. Корпус металлокерамический с жест-
кими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 80 г.
Изготовитель — акционерное общество «Элиз», г. Фря-
зино.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при Цэ = 10 В, /к = 0,2 А,
не менее:
Г =+25 °C........................ 15
Т=-60 и+100 °C.................... 8
Модуль коэффициента передачи тока
в схеме ОЭ при (/кэ = 10 В, /к = 0,2 А,
f- 1 МГц, не менее.................. 0,45
Граничное напряжение при /к = 0,2 А,
L= 100 мГн, не менее................. 500 В
62
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 0,2 А, /Б = 0,05 А, не более...... 3 В
Время спада при = 500 В, /к = 0,5 А,
/6 = 0,2 А, иэъ = 5 В...................... 1,3...4,8 мкс
Время рассасывания при (/кэ = 500 В,
/к = 0,5 А, 4 = 0,2 А, изъ = 5 В........... 19...27.5 мкс
Обратный ток коллектора, не более:
Т=+25 °C, (/КБ= 5000 В..................... 1 мА
Т= -60 и +100 °C, (/КБ = 1000 В........ 3 мА
Обратный ток эмиттера при (/ЭБ = 5 В,
не более................................... 10 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база1
при Гк = -40—+75 ’С..................... 5000 В
Постоянный ток коллектора................ 2	А
Импульсный ток коллектора при С 500 мкс,
Q >50.................................... 2	А
Постоянный ток базы...................... 2	А
Импульсный ток базы	при С 500 мкс, О> 50 2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора2 при Гк = +50 °C................... 75 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = +50 °C.................... 3000 Вт
Температура р-п перехода................ +125 °C
Температура окружающей среды............ —60... Тк =
= +100 °C
1 При Гк = +75...+100 °C и Тк~ —40...—60 ’С t/K6 мдкс снижается линейно до
1500 В.
2 При Гк = +50...+ 100 °C Рк ИАКС рассчитывается по формуле
стики
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока кол-
лектора
Зависимости напряже-
ний насыщения коллек-
тор—эмиттер и база—
эмиттер от тока базы
63
Зависимость времени
спада от тока коллек-
тора
Области максимальных
режимов
Зависимость импульсного теплового сопротивления
переход—корпус от длительности импульса
2Т716А, 2Т716Б, 2Т716В, 2Т716А1, 2Т716Б1, 2Т716В1,
КТ716А, КТ716Б, КТ716В, КТ716Г
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п
составные универсальные. Предназначены для применения в
усилительных и переключательных схемах. Транзисторы
2Т716А-2Т716В выпускаются в металлическом корпусе с жест-
кими выводами и стеклянными изоляторами. Транзисторы
2Т716А1—2Т716В1, КТ716А—КТ716Г выпускаются в пластмас-
совом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывает-
ся на корпусе.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20 г,
в пластмассовом корпусе не более 2,5 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
64
277161 A - В)
10.5	9.6
3.3
2Т716(А1-В1). КТ716(А-Г)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при (/КБ = 5 В, /э = 5 А, не менее:
2Т716А, 2Т716Б, 2Т716В, 2Т716Б1,
2Т716В1, КТ716А, КТ716Б, КТ716В,
КТ716Г................................ 750
2Т716А1............................... 500

65
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 5 В, /к = 0,5 А:
2Т716А, 2Т716Б, 2Т716В, КТ716А,
КТ716Б, КТ716В, КТ716Г................ 6 МГц
2Т716А1, 2Т716Б1, 2Т716В1........... 3 МГц
Граничное напряжение при /э = 100 мА,
не менее:
2Т716А, 2Т716А1,	КТ716А............. 80	В
2Т716Б, 2Т716Б1,	КТ716Б............ 60	В
2Т716В, 2Т716В1,	КТ716В............ 40	В
КТ716Г............................... 35	В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 5 А, /Б = 0,02 А, не более...... 2 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 5 А, /Б = 0,02 А, не более...... 3 В
Пробивное напряжение коллектор—база
ПРИ 4в о = 1 мА, не менее:
2Т716А, 2Т716А1,	КТ716А............ 100 В
2Т716Б, 2Т716Б1,	КТ716Б............ 80	В
2Т716В, 2Т716В1,	КТ716В............. 60	В
КТ716Г............................... 45	В
Пробивное напряжение база—эмиттер
при /ЭБ о = 5 мА, не менее............... 5 В
Время включения при 7/кэ = 20 В, /к = 5 А,
/Б = 0,02 А, не более................... 2 мкс
Время выключения при UY3 = 20 В, /к = 5 А,
/Б = 0,02 А, не более................... 7 мкс
Емкость коллекторного перехода
при (/КБ = 5 В, не более................ 150 пФ
Емкость эмиттерного перехода при 6/ЭБ = 0,5 В,
не более.................,.............. 350 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т716А, 2Т716А1, КТ716А.............. 100 В
2Т716Б, 2Т716Б1, КТ716Б............. 80 В
2Т716В, 2Т716В1, КТ716В............. 60 В
КТ716Г.............................. 45 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
= 1 кОм:
2Т716А, 2Т716А1, КТ716А......... 100 В
66
2Т716Б, 2Т716Б1, КТ716Б............ 80	В
2Т716В, 2Т716В1, КТ716В............ 60	В
КТ716Г............................. 45	В
R “ ©о*
63 2Т716А, 2Т716А1, КТ716А............ 80	В
2Т716Б, 2Т716Б1, КТ716Б............ 60	В
2Т716В, 2Т716В1, КТ716В............ 40	В
КТ716Г............................. 35	В
Постоянное напряжение база—эмиттер........ 5 В
Постоянный ток коллектора:
2Т716А, 2Т716Б, 2Т716В, 2Т716А1,
2Т716Б1, 2Т716В1....................... 10 А
КТ716А, КТ716Б, КТ716В, КТ716Г......... 8 А
Импульсный ток коллектора при Ги = 2 мс для
2Т716А, 2Т716Б, 2Т716В, 2Т716А1, 2Т716Б1,
2Т716В1 .................................. 20 А
Постоянный ток базы....................... 0,2 А
Импульсный ток базы при 7И = 2 мс для
2Т716А, 2Т716Б, 2Т716В, 2Т716А1, 2Т716Б1,
2Т716В1................................... 0,4 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Тк = —60...+25 °C:
с теплоотводом:
2Т716А, 2Т716Б, 2Т716В, 2Т716А1,
2Т716Б1, 2Т716В1...................... 30 Вт
КТ716А, КТ716Б, КТ716В, КТ716Г..... 60 Вт
без теплоотвода:
2Т716А, 2Т716Б, 2Т716В................ 2 Вт
2Т716А1, 2Т716Б1, 2Т716В1, КТ716А,
КТ716Б, КТ716В, КТ716Г............. 1 Вт
Температура р-п перехода.................. +150 °C
Температура окружающей среды:
2Т716А, 2Т716Б, 2Т716В................. -60... Гк =
= +125 °C
2Т716А1, 2Т716Б1, 2Т716В1.............. -60... Гк =
= +100 °C
' ^Ри 7”к>+25 “С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора снижается линейно на 0,24 Вт/*С с теплоотводом и на
16 мВт/°С для 2T716A—2Т716В, на 8 мВт/"С для 2Т716А1-2Т716В1 без
аналогичны зависимостям 2Т716А—2Т716В.
3*
67
Принципиальная схема транзистора
Зависимости времени включения,
выключения и спада от тока кол-
лектора
t.MKC
8
6
4
2
1	2 3 4 5 6 1К,А
Области безопасной работы
транзисторов
Зависимости коэффициента К
от длительности импульса
Зависимость статическо-
го коэффициента переда-
чи тока от тока эмиттера
Зависимости напряжений
насыщения коллектор-
эмиттер и база—эмиттер
от тока коллектора
68
Области безопасной
работы транзистора
Зависимость статическо-
го коэффициента переда-
чи тока от тока эмиттера
Зависимость напряжения
насыщения коллектор—
эмиттер от тока коллек-
тора
Зависимость напряжения
насыщения база—эмиттер
от тока коллектора
2Т718А, 2Т718Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п универсальные. Предназначены для применения во
вторичных источниках электропитания, усилителях постоянно-
го тока. Выпускаются в металло-керамическом корпусе с жест-
кими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 28 г.
Изготовитель — акционерное общество «Элиз», г. Фря-
зино.
69
2Т718(А,Б)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 4 В, /к = 2 А, не менее . 20
Граничное напряжение при 4 = 100 мА,
L = 40 мГн, не менее:
2Т718А................................. 400 В
2Т718Б............................. 300 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 5 А, 4 = 1 А, не более........ 1 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 5 А, /Б = 1 А, не более....... 1,7 В
Время включения при = 100 В, 4 - 5 А,
4 = 1 А, не более...................... 0,5 мкс
Время рассасывания при = 100 В, 4=5 А,
4 = 1 А, не более...................... 2,5 мкс
Время спада при (4э = Ю0 В, /к = 5 А, 4 = 1 А,
не более..........................-.... 0,4 мкс
Обратный ток коллектора при U№ = 14е, макс»
не более............................... 2 мА
Обратный ток эмиттера при УЭБ = 5 В,
не более............................... 20 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т718А................................. 400	В
" 2Т718Б.............................. 300	В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при Лщ =10 Ом:
2Т718А................................. 400	В
2Т718Б............................. 300	В
70
Постоянный ток	коллектора............... 10 А
Импульсный ток	коллектора............... 12 А
Постоянный ток	базы..................... 4 А
Импульсный ток	базы..................... 6 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Гк < +25 °C................... 200 Вт
Температура р-п перехода................ +200 °C
Температура окружающей среды............ —60...	Гк =
= +125 °C
’ При 7"к > +25 ’С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
^К.и*<с= (200 - rj/0,87, Вт.
Транзистор кремние-
вый эпитаксиально-пла-
нарный структуры п-р-п
усилительный. Предна-
значен для применения
в усилителях мощности
низкой частоты. Выпус-
кается в пластмассовом
корпусе с жесткими вы-
водами. Тип прибора
указывается на корпусе.
Масса транзистора
не более 1 г.
Изготовитель — ак-
ционерное общество
«Кремний», г. Брянск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при U№ = 2 В, = 0,15 А,
не менее............................. 20
Граничная частота коэффициента передачи
ТОка в схеме ОЭ при икъ = 5 В, 4 = 0,15 А,
не менее..........„.................... 3	МГц
71
Граничное напряжение при /э = 0,1 А,
не менее................................ 100	В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 0,5 А, /Б = 0,05 А, не более.... 0,6 В
Предельные эксплуатационный данные
Постоянное напряжение коллектор—база.... 120 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер . 100 В
Постоянное напряжение база—эмиттер...... 5 В
Постоянный ток коллектора............... 1,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Тк = —60...+25 °C.............. 10 Вт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Температура окружающей среды............ —60... Гк =
= +100 °C
Транзисторы являются комплементарными с транзистора-
ми КТ720А.
КТ721А
КТ721А
Транзистор кремниевый
эпитаксиально-планарный
структуры п-р-п усилитель-
ный. Предназначен для при-
менения в усилителях мощ-
ности низкой частоты и в
переключательных устрой-
ствах. Выпускается в пласт-
массовом корпусе с жест-
кими выводами. Тип прибо-
ра указывается на корпусе.
Масса транзистора не
более 1 г.
Изготовитель — акцио-
нерное общество «Крем-
ний», г. Брянск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при U№ = 2 В, = 1 А, не менее . 20
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при U№ = 5 В, 4 = 0,5 А,
не менее................................. 3	МГц
72
Граничное напряжение при 4 = 0,1 А,
не менее............................... 100 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттео
при 4 = 1 А, /Б = 0,1 А, не более...... 0,6 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база... 120 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер . 100 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 5 В
Постоянный ток коллектора.............. 1,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —60...+25 °C............. 25 Вт
Температура р-п перехода................ +150	°C
Температура окружающей среды.......... —60...	Тк =
= +100 °C
Транзисторы являются комплементарными с транзистора-
ми КТ722А.
КТ723А
Транзистор кремние-
вый эпитаксиально-пла-
нарный структуры п-р-п
усилительный. Предназна-
чен для применения в уси-
лителях мощности низкой
частоты и переключатель-
ных устройствах. Выпус-
кается в пластмассовом
корпусе с жесткими выво-
дами. Тип прибора указы-
вается на корпусе.
Масса транзистора не
более 2,5 г.
Изготовитель — акцио-
нерное общество «Крем-
ний», г. Брянск.
КТ723А
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при С/КБ = 5 В, /э = 5 А, не менее. 20
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при С/КБ = 10 В, 4 = 2 А,
Не менее............................. 3	МГц
73
Граничное напряжение при /э = 0,1 А,
не менее................................. 100	В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 5 А, 4 = 0,5 А, не более....... 2	В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база  120 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер . 100 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 5 В
Постоянный ток коллектора............... 10 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Тк = -60...+25 °C.............. 60 Вт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Температура окружающей среды ........... —60... Тк =
= +100 °C
Транзисторы являются комплементарными с транзистора-
ми КТ724А.
КТ728А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п усилительный. Предназначен для применения в уси-
лителях постоянного тока. Выпускается в металлическом кор-
пусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами. Тип
прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Изготовитель — завод «Искра», г. Ульяновск.
74
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ:
при UK3 = 5 В, /к = 4 А.............. 20...70
при	= 4 В, /к = 10 А, не менее.... 5
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 10 В, /к = 0,5 А,
не менее................................. 2,5 МГц
Граничное напряжение при /к = 0,2 А,
не менее................................. 60 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер,
не более:
при /к = 4 А, /Б = 0,8 А.............. 1,1 В
при /к = 10 А, 4 = 3,3 А.............. 3 В
Обратный ток коллектора при Т/КБ = 30 В,
не более................................. 0,7 мА
Обратный ток эмиттера при Ux = 7 В,
не более................................. 5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер . 60 В
Постоянное напряжение эмиттер—база....... 7 В
Постоянный и импульсный ток коллектора... 15 А
Постоянный и импульсный ток базы......... 7 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —60...+25 °C............... 115 Вт
Температура р-п перехода................. +200 °C
Температура окружающей среды............. —60...Тк =
= +125 °C
Пайка, лужение выводов допускается не ближе 5 мм от
корпуса при температуре припоя не выше +260 °C в течение не
более 3 с.
При включении транзистора в цепь, находящуюся под на-
пряжением, базовый вывод должен присоединяться первым и
отключаться последним.
75
Зависимость статического
коэффициента передачи
тока от тока коллектора
Зависимости напряжений насыще-
ния коллектор—эмиттер и база—
эмиттер от тока коллектора
Области максимальных
режимов
Зависимость максимально допу-
стимой постоянной рассеивае-
мой мощности коллектора от
температуры корпуса
KT801A, КТ801Б
Транзисторы кремниевые сплавно-диффузионные структу-
ры п-р-п переключательные. Предназначены для применения в
кадровой и строчной развертках, источниках вторичного элек-
тропитания. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гиб-
кими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 4 г.
Изготовитель — акционерное общество «Элекс», г. Але-
ксандров.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, /к = 1 А, не менее:
КТ801А............................... 13...50
76
КТ80КА. Б)
КТ801Б........................... 30...	150
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при С/КБ = 10 В, /к = 0,3 А,
не менее............................... 10	МГц
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 1 А, 4 = 0,2 А, не более....... 2	В
Обратный ток коллектор—эмиттер
при /?бэ ЮО Ом, не более:
Т= -40 °C, Тк = +25 °C:
= 80 В для	КТ801А............ 10	мА
= 60 В для	КТ801Б............ 10	мА
Т= +85 °C:
£/ю = 40 В для	КТ801А............ 20	мА
(4э = 30 В для	КТ801Б............ 20	мА
Обратный ток эмиттера при С/ЭБ = 2,5 В,
не более................................ 2	мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?бэ 100 Ом:
Гк = -40 °C, Гк = +55 °C:
КТ801А............................ 80 В
КТ801Б........................... 60 В
Тк = +85 °C:
КТ801А1........................... 40 В
КТ801Б........................... ЗОВ
Постоянное напряжение	эмиттер—база..... 2,5 В
Постоянный ток коллектора.............. 2 А
Постоянный ток базы.................... 0,4 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1:
Т= -40... Гк = +55 °C............... 5 Вт
л 1 При Гк = +55...4-85 ’С напряжение и рассеиваемая мощность снижаются
77
Гк = +85 'С......................... 2 Вт
Температура р-п перехода.................. +150	°C
Температура окружающей среды............ —60...	Тк =
= +85 °C
КТ802А
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры п-р-п
универсальный. Предназначен для применения в усилителях
постоянного тока, генераторах строчной развертки, усилите-
лях мощности, источниках вторичного электропитания. Выпус-
кается в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 22 г, с накладным фланцем —
не более 34 г.
Изготовитель — акционерное общество «Элиз», г. Фря-
зино.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при С/№ = 15 В, 4 = 2 А, не менее.. 15
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при £/КБ = 10 В, /к = 0,5 А,
не менее................................ 10	МГц
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 5 А, /Б = 0,5 А, не более........ 5	В
Обратный ток коллектора при С/КБ = 150 В,
не более:
Т= -60 °C и Тк = +25 °C............. 60	мА
Гк = +100’С........................ 200	мА
78
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база.... 150 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 3 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при 10 мкс, Q> 2........................ 130 В
Постоянный ток коллектора............... 5 А
Постоянный ток базы..................... 1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Гк +25 °C..................... 50 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус... 2,5 °С/Вт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Температура окружающей среды............ —25... Тк =
= +100 °C 1 * 3
1 При Гк > +25 ’С рассеиваемая мощность коллектора рассчитывается го
формуле
макс = (150 — Гк)//?т |п_К), Вт.
Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса
прибора. При пайке температура не должна превышать +100 °C.
Температура пайки не более +260 °C, время пайки не более
3 с.
2Т803А, КТ803А
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п
универсальные. Предназначены для применения в усилителях
постоянного тока, генераторах строчной развертки, источни-
ках вторичного электропитания. Выпускаются в металлосте-
клянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указыва-
ется на корпусе.
Масса транзистора не более 22 г, с накидным фланцем —
не более 34 г.
Изготовитель — акционерное общество «Элиз», г. Фря-
зино.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при UK3 = 10 В, /к = 5 А:
Тк = +25 °C:
2Т803А................................ 10...20*...50
КТ803А.................................10...70
Т= -60 °C для 2Т803А..................... 6...50
Модуль коэффициента передачи тока на ча-
йоте f = ю МГц при £/кэ = 10 В, /к = 0,5 А... 2...3*...4,5*
79
2Т803А. КТ803А
Отношение статического коэффициента пере-
дачи тока в схеме ОЭ, измеренного при
f/кэ = 10 В, 4 = 1 А, Тк = +125 °C, к измерен-
ному при Ьцз = 10 В, 4 = 5 А, Гк = +25 °C для
2Т803А, не более..........................
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 5 А, 4 = 1 А......................
Статическая крутизна прямой передачи в схе-
ме ОЭ при Ц^з = 10 В, 4 = 5 А, не менее...
Время включения при 4 = 0,5... 10 мкс,
14э = 40 В, 4 = 6 А.......................
Время спада при 4 = 0,5... 10 мкс, Ц& = 40 В,
4 = 6 А...................................
Время рассасывания при Кнас = 2, 4 = 1>5 А,
йн = 10 Ом, Ги = 10 мкс....................
Обратный ток коллектор—эмиттер
при йвэ = 100 Ом:
Тк = +25 °C, (4э = 70 В для 2Т803А,
КТ803А................................
Г= -60 °C, <4э = 70 В для 2Т803А,
не более..............................
Гк = +125 °C, (4э = 60 В для 2Т803А,
не более..............................
Обратный ток коллектора:
(4б= Ю В..................................
<4б = 60В.............................
3
0,5*... 1,75*...
2,5 В
2 А/В
0,1*...0,3* мкс
0,1*...0,3* мкс
0,6*...2,5* мкс
0,0025*..0,4*
...5 мА
5 мА
15 мА
О,1*...ЗО*..
300* мА
1,5*...1ОО*...
600* мА
80
Обратный ток эмиттера при (/ЭБ = 4 В:
2Т803А.................................. 0,01*...2*„.
20 мА
КТ803А............................... 0,01*...2*„.
50 мА
Емкость коллекторного перехода
пои UKb = 10 В, f= 0,3 МГц.............. 300* „400*...
500* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер'
при /?Бэ =100 Ом........................ 60 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 4 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер1
при иъэ = 2 В, Ги С 10 мкс, О > 2....... 80 В
Постоянный ток коллектора............... 10 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
Гк =5 +50 °C для 2Т803А, КТ803А1 2... 60 Вт
Гк = +100 °C для КТ803А.............. 30 Вт
Гк = +125 °C для 2Т803А.............. 15 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус... 1,66 °С/Вт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Температура окружающей среды:
2Т803А.................................. -6О...ГК =
= +125 °C
КТ803А............................... —4О...ГК =
= +100 °C
1 При Т„ = + 100...+150 *С напряжение снижается линейно на 10% на каж-
дые 10 ‘С. Температура перехода рассчитывается по формуле
гп = Гк + ^(П-к>рк-’с-
2 При Гк > +50 *С рассеиваемая мощность коллектора рассчитывается по
формуле
^к. м*кс = 60 — (Тк — 50)/Ят(П_К), Вт.
Пайка выводов транзисторов должна осуществляться при
температуре не свыше +275 °C в течение не более 3 с на
расстоянии не менее 6 мм (2Т803А) и 5 мм (КТ803А) от
корпуса транзистора.
Не рекомендуется работа транзисторов при рабочих то-
ках, соизмеримых с неуправляемыми обратными токами во
всем диапазоне температур.
Не допускается работа транзистора в инверсном режиме.
81
КТ805А, КТ805Б, КТ805АМ, КТ805БМ, КТ805ВМ
Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры п-р-п
переключательные. Предназначены для применения в выход-
ных каскадах строчной развертки, устройствах зажигания дви-
гателей внутреннего сгорания и других переключающих устрой-
КТ805(АМ, ВМ)
ствах. Выпускаются в металло-
стеклянном корпусе с жесткими
выводами (КТ805А, КТ805Б) и
пластмассовом корпусе с гиб-
кими выводами (КТ805АМ,
КТ805БМ, КТ805ВМ). Тип при-
бора указывается на корпусе.
Масса транзистора в метал-
лостеклянном корпусе не более
24 г, в пластмассовом — не бо-
лее 2,5 г.
Изготовитель — АООТ Во-
ронежский завод полупровод-
никовых приборов, г. Воронеж.
КТ805(А, Б)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 10 В, /к = 2 А:
Г =+25 °C...................... 15
Г=-60°С......................... 5
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте f= 10 МГц при = 10 В,
4 = 1 А, не менее................. 2
82
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер,
не более:
при /к = 5 А, /Б = 0,5 А для КТ805А,
КТ805АМ............................. 2,5 В
при 4 = 5 А, 4 = 0,5 А для КТ805Б,
КТ805БМ............................ 5 В
при /к = 2 А, 4 = 0,2 А для КТ805ВМ. 2,5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 5 А, /Б = 0,5 А, не более:
КТ805А, КТ805АМ..................... 1,5 В
КТ805Б, КТ805БМ, КТ805ВМ............ 5 В
Обратный (импульсный) ток коллектор—эмит-
тер при /?бэ =10 Ом, не более:
Гк = +25 ’С:
<4э и = 160 В для КТ805А, КТ805АМ... 60 мА
Цэ’н = 135 В для КТ805Б, КТ805БМ,
КТЙ05ВМ.......................... 70 мА
Г= +100 °C:
<4э и = 160 В для КТ805А, КТ805АМ... 60 мА
<4э и = 135 В для КТ805Б, КТ805БМ,
КТЙ05ВМ.......................... 70 мА
Обратный ток эмиттера при (4э = 5 В,
не более............................... 100 мА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер1
при 4 С 500 мкс, 4, > 15 мкс, 7?^ = 10 Ом,
Гп $ 100 °C:
КТ805А, КТ805АМ..................... 160 В
КТ805Б, КТ805БМ, КТ805ВМ к.......... 135 В
Постоянное напряжение эмиттер—база2.... 5	В
Постоянный ток коллектора.............. 5	А
Импульсный ток коллектора при 4 < 200 мс,
1,5.................................... 8	А
Постоянный ток базы.................... 2	А
Импульсный ток базы при 4 20 мс........ 2,5 А
Средняя рассеиваемая мощность коллектора3
при Гк « +50 °C........................ 30 Вт
Для КТ8О5А, КТ8О5АМ в схемах строчной развертки телевизоров допуска-
увеличение импульсного напряжения до 180 В при 7К 5 +70 ‘С и t* * < 15 мс.
повышении 7К свыше +70 "С напряжение снижается на 10% на каждые
В схемах строчной развертки телевизоров допускается импульсное напря-
*в до 8 В при Ти < 40 мс.
При 7К > +50 ”С рассеиваемая мощность рассчитывается пе формуле
макс = (150 - -7К)/ЯТ Вт.
83
Тепловое сопротивление переход—корпус  3,3 °С/Вт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Температура окружающей среды............• —60...+100 ’С
Пайка выводов транзисторов в металлостеклянном корпу-
се должна осуществляться на плоской части выводов при тем-
пературе не более +260 °C в течение не более 10 с.
Пайка выводов транзисторов в пластмассовом корпусе
должна осуществляться при температуре не более +250 °C в
течение не более 3 с на расстоянии не ближе 5 мм от корпуса.
Изгиб в плоскости выводов не допускается.
КТ807А, КТ807Б, КТ807АМ, КТ807БМ
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п
универсальные. Предназначены для применения в генераторах
кадровой и строчной разверток, усилителях низкой частоты,
источниках вторичного электропитания. Выпускаются в метал-
лопластмассовом (КТ807А, КТ807Б) и пластмассовом (КТ807АМ,
КТ807БМ) корпусах с
гибкими выводами. Тип
прибора указывается
на корпусе.
Масса транзисто-
ров КТ807А, КТ807Б не
более 2,5 г, КТ807АМ,
КТ807БМ — не более
1 г.
Изготовитель — ак-
ционерное общество
«Элиз», г. Фрязино.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при U№ = 5 В, /к = 0,5 А:
Т= +25 °C:
КТ807А, КТ807АМ....................... 15...45
КТ807Б, КТ807БМ.................. 30...100
Т = +85 °C:
КТ807А, КТ807АМ....................... 20...60
КТ807Б, КТ807БМ.................... 45... 150
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ, не менее................. 5 МГц
84
КТ807(АМ, БМ)
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 0,5 А, /6 = 0,1 А, не более.. 1 В
Обратный ток коллектор—эмиттер
при ию = 100 В, /?БЭ = Ю Ом, не более:
Г =+25 °C.......................... 5 мА
Г =+85 °C.......................... 15 мА
Обратный ток эмиттера при £/БЭ = 4 В,
не более.............................. 15 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 10 Ом или /Рбэ = 1 кОм и запираю-
щем напряжении эмиттер—база 0,5 В...... 100 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 4 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер . 120 В
Постоянный ток коллектора.............. 0,5 А
Импульсный ток коллектора при Ги =£ 1 мс,
О>2.................................... 1,5	А
Постоянный ток базы.................... 0,2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Т = —40...+70 °C............. 10 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 8 °С/Вт
Температура р-п перехода............... +150 °C
Температура окружающей среды........... —40...+85 °C
1 При Гк > +70 'С мощность коллектора рассчитывается по формуле
Рц. макс = (150 — T^/Rj р.п), Вт.
Расстояние от корпуса транзистора до начала изгиба и
85
пайки вывода не менее 5 мм. Радиус изгиба 1,5...2 мм. Пайка
выводов должна осуществляться при температуре не более
+250 °C в течение не более 3 с.
2Т808А, 2Т808А-2, КТ808А, КТ808АМ, КТ808БМ,
КТ808ВМ, КТ808ГМ, КТ808АЗ, КТ808БЗ
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п
переключательные. Предназначены для применения в пе-
реключающих устройствах, генераторах строчной развертки,
электронных регуляторах напряжения. Корпус транзисторов
2Т808А, КТ808А, КТ808АМ—КТ8О8ГМ металлический со сте-
клянными изоляторами и жесткими выводами. Транзистор
2Т808А—2 — бескорпусный на металлической молибденовой
подложке с защитным покрытием и гибкими выводами,
КТ808АЗ, КТ808БЗ — в пластмассовом корпусе с жесткими
выводами.
Масса транзисторов 2Т808А, КТ808А (без накидного флан-
ца) не более 22 г, КТ808АМ—КТ808ГМ — не более 20 г,
2Т808А—2 — не более 0,6 г, КТ808АЗ, КТ808БЗ — не более
2,5 г.
Изготовитель — завод «Искра», г. Ульяновск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ:
2Т808А, 2Т808А-2, КТ808А при /7КЭ = 3 В,
/к = 6 А:
Т=+25°С............................ 10...15*...50
86
2Т808А, КТ808А
КТ808(АМ-ГМ)
Т = +125 °C для 2Т8О8А и 7 = +100 °C
для КТ808А....................... 10...20*...150
Г=-60°С.......................... 6... 10*..50
КТ808АМ—КТ808ГМ, КТ808АЗ, КТ808БЗ
при (/кэ = 3 В, /к = 2 А............ 20...125
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте f= 3,5 МГц при ию = 10 В,
4 = 0,5 А, не менее.................... 2,4
Граничное напряжение при /к = 0,1 А,
£ = 25 мГн, не менее:
КТ808АМ, КТ808АЗ.................... 130 В
КТ808БМ, КТ808БЗ.................... 100 В
КТ808ВМ............................. 80 В
КТ808ГМ............................. 70 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
КТ808АМ-КТ808ГМ при 4 = 6 А, /Б = 0,6 А,
Не более............................... 1,5 В
87
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 6 А, 4 = 0,6 А................ 1*...1,4*...
2,5 В
Время рассасывания при = 15 В, 4 = 6 А,
не более.............................. 2 мкс
Обратный ток коллектор—эмиттер
при /Рю = 10 Ом, не более:
7 = +25 и -60 'С и = 200 В для
2Т808А, 2Т808А-2 и = 120 В для
КТ808А............................. 3 мА
7= +125 °C, Ц^ = 160 В для 2Т808А,
2Т808А-2........................... 20 мА
7=+100 °C Ц<э ~ 120 В для КТ808А... 50 мА
Обратный ток коллектора КТ808АМ—КТ808ГМ,
КТ808АЗ, КТ808БЗ при Цо = Цо я, ^с,
7 = +25 °C, не более.................. 2 мА
Обратный ток эмиттера при = 4 В,
не более.............................. 15 мА
Емкость коллекторного перехода
при иКБ = 10 В, f= 1 МГц, не более.... 500 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер’
при R63 = 10 Ом, 7П =£ 100 °C
2Т808А, 2Т808А-2, КТ808А........... 120 В
КТ808АМ, КТ808АЗ...................' 130 В
КТ808БМ, КТ808БЗ................... 100 В
КТ808ВМ............................ 80 В
КТ808ГМ............................ 70 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер’
при 4 =£ 500 мкс, 4, 30 мкс, = 2 В или
= 10 Ом, Q > 7, 7П < +100 °C:
2Т808А, 2Т808А-2, КТ808А, КТ808АМ.. 250 В
КТ808БМ............................ 160 В
КТ808ВМ............................ 135 В
КТ808ГМ............................ 80 В
Постоянное напряжение эмиттер—база:
2Т808А, 2Т808А-2, КТ808А........... 4 В
КТ808АМ—КТ808ГМ, КТ808АЗ,	КТ808БЗ.... 5 В
Постоянный ток коллектора............. 10 А
Импульсный ток коллектора............. 15 А
’ При /[1 = +100...150 °C постоянное и импульсное напряжение коллектор-'
эмиттер снижаются на 10% на каждые 10 ‘С. Температура перехода рассчитЫ'
вается по формуле
= Гп + (П-ю(^к + ^У< С-
88
Постоянный ток базы..................... 4 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —60...+50 °C:
с теплоотводом:
2Т808А, 2Т808А-2, КТ808А............ 50 Вт
КТ808АМ-КТ808ГМ, КТ808АЗ,
КТ808БЗ.......................... 70 Вт
без теплоотвода 2Т808А, КТ808А...... 5 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 2 °С/Вт
Температура р-п перехода............... +150 °C
Температура окружающей среды:
2Т808А, 2Т808А-2, КТ808АМ-КТ808ГМ ... -60... Тк =
= +125 °C
КТ808А, КТ808АЗ, КТ808БЗ............ -60... Гк =
= +100 °C
Механические усилия на выводы транзисторов не должны
превышать 19,62 Н в осевом и 3,43 Н в перпендикулярном
направлениях к оси вывода.
Пайка выводов допускается не ближе 6 мм от корпуса
транзистора (от места выхода вывода из компаунда), темпера-
тура пайки 2Т808А—2 не более +250 °C, 2Т808А, КТ808А,
КТ808АМ—КТ808ГМ не более +275 °C в течение не более 3 с.
Допустимое значение статического потенциала 2Т808А—2
составляет 300 В.
2Т809А, КТ809А
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п
переключательные. Предназначены для применения в пере-
ключающих и импульсных устройствах. Корпус металлический
со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Масса транзистора без накладного фланца не более 22 г.
Масса накидного фланца не более 12 г.
Изготовитель — акционерное общество «Элиз», г. Фря-
зино.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ:
при = 5 В, /к = 2 А:
7"=+25 °C................................... 15...50*...100
Т= +125 °C............................. 15...50*...130
Т=-60°С................................ 10...35*...100
Модуль коэффициента передачи тока
при 5 В, /к = 0,5 A, f= 3 МГц не менее . 1,7
89
2Т809А, КТ809А
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 2 А, 4 = 0,4 А.................... 0,22*...0,6*...
1,5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 2 А, 4 = 0,4 А.................... 1,03*. ..1,3*. ..
2,3 В
Время включения при 4 = 10 мкс, 4 = 2 А,
4 = 0,5 А................................. 0,2*„.0,25*...
0,3* мкс
Время спада при 4 = 10 мкс, 4 = 2 А,
4 = 0,5 А................................. 0,2*...0,25*...
0,3* мкс
Время рассасывания при 4 ~ 2 А, 4 = 0.5 А,
4 = Ю мкс................................. 0,5*...2*...
3* мкс
Обратный ток коллектор—эмиттер
при Л'бэ = 10 Ом, не более:
Г = +25 и -60 °C, 64э = 400 В......... 3 мА
Т= +125 °C, Укэ = 300 В............... 10 мА
Обратный ток эмиттера при (4э = 4 В,
не более.................................. 50 мА
Емкость коллекторного перехода
при U№ = 5 В.............................. 190*...220*...
270* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер1
при /?бэ = 10 Ом, Гп =£ 100 °C............ 400 В
’ При Тп = +100...+ 150 *С 1/кэ|( „ди- снижается линейно на 10% на каждые
10 ’С.
90
Постоянное напряжение база—эмиттер...... 4 В
Постоянный ток	коллектора............... 3 А
Импульсный ток коллектора при < 400 мкс,
□ > 10.................................. 5 А
Постоянный ток	базы..................... 1,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’ при Гк = —60...+50 °C............. 40 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус... 2,5 °С/Вт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Температура окружающей среды............ — 60... Тк =
+125 °C
1 При Т, > +50 °C Рг НАКС снижается в соответствии с формулой
К, МАКС = (	~	щ-К)> Вт,
где /?т (п-к, определяется из области максимальных режимов.
В импульсных устройствах допускаются перегрузки по мощ-
ности рассеивания до 300 Вт в момент переключения; при
этом длительность перегрузки должна быть не более 0,5 мкс,
частота перегрузки — не более 5 кГц, температура корпуса —
не более +90 °C.
В импульсных устройствах допускается < 8 В; при этом
должно быть /Б < 1 А, 2, f > 30 кГц.
Допускается использование транзистора при /к и < 7 А,
Q С 2. Мгновенная мощность при переключении не должна
превышать 100 Вт в течение не более 5 мкс и Q > 10.
Механические усилия на выводы транзисторов не должны
превышать 19,62 Н в осевом и 3,43 Н в перпендикулярном
направлениях к оси вывода.
Пайка выводов допускается не ближе 6 мм от корпуса
транзистора.
2Т812А, 2Т812Б, КТ812А, КТ812Б, КТ812В
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п
импульсные. Предназначены для применения в импульсных и
переключательных устройствах. Корпус металлический со сте-
клянными изоляторами и жесткими выводами.
Масса транзистора не более 20 г.
Изготовитель — акционерное общество «Элиз», г. Фря-
Зино.
91
2Т812(А, Б) КТ8Ш-В)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ:
Гк = +25 °C:
UK3 = 3 В, /к = 8 А для 2Т812А,
2Т812Б.................................. 5...15*...30*
UK3 = 2,5 В, 4 = 8 А для КТ812А,
КТ812Б, не менее........................ 4
<4э = 5 В, 4 = 5 А для КТ812В........... 10...80*...125*
Гк = +125 “С, 4/кэ = 3 В, 4 = 5 А для
2Т812А, 2Т812Б, не менее.................... 4
Гк = —60 °C, Уй = 3 В, /к = 8 А для
2Т812А, 2Т812Б, не менее.................... 3
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при f = 1 МГц, = 10 В,
4 = 0,2 А...............-....................... 3,5...6,5*...8,4*
Граничное напряжение при /к = 0,1 А,
4. нас = 300 мА, L = 40 мГн..................... 350...450*...
650* В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 8 А, /Б = 1,6 А......................... 1*...1,35*...
2,5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 8 А, /Б = 1,6 А......................... 1,8*...2,2*...
2,5 В
Время спада при <4э = 250 В, 64э = 4 В,
4 = 5 А, 4 = 2,5 А.............................. 0,22...0,6*...
1,3 мкс
92
Обратный ток коллектора, не более:
Т= +25 ’С, (/КБ = 700 В для 2Т812А,
КТ812А, 6/КБ = 500 В для 2Т812Б, КТ812Б,
4/кб = 300 В для КТ812В.............. 5 мА
типовое значение...................... 0,5* мА
Т= +125 ’С, 6/кэ = 400 В для 2Т812А,
6/КБ = 300 В для 2Т812Б............... 10 мА
Т= -60 'С,	= 500 В для 2Т812А,
4/кб = 400 В для 2Т812Б............... 10 мА
Обратный ток эмиттера не более:
U3b = 6 В для 2Т812А, 2Т812Б.......... 50 мА
типовое значение...................... 5* мА
U3b = 7 В для КТ812А, КТ812Б, КТ812В.... 150 мА
Емкость коллекторного перехода
при 6/КБ = 100 В......................... 70*...85*...
100* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер’
при Rb3 =10 Ом, 7И < 20 мкс, 2 3 мкс,
О> 3, Гк = -40...85 °C для 2Т812А, 2Т812Б
и 7И < 1 мс, О > 10 или 7И < 50 мкс, Q > 2 для
КТ812А, КТ812Б, КТ812В:
2Т812А, КТ812А............................ 700	В
2Т812Б, КТ812Б......................... 500	В
КТ812В...............................   300	В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер'
при /?БЭ = 10 Ом, Ги < 50 мкс, Гф > 0,3 мкс,
О> 2, Т= -40...+85 °C..................... 350	В
Постоянное напряжение база—эмиттер:
‘ 2Т812А, 2Т812Б......................... 6 В
КТ812А, КТ812Б, КТ812В................ 7 В
Постоянный ток коллектора:
2Т812А, 2Т812Б.......................... 10 А
КТ812А, КТ812Б, КТ812В................ 8 А
Импульсный ток коллектора:
2Т812А, 2Т812Б:
7И < 20 мкс, О> 10..................... 17	А
< 20 мкс, Q > 2.................. 12	А
1 При понижении температуры корпуса от —40 до —60 °C и при повышении
от +85 до +100 °C (/КЭ,И1МАКС линейно снижается до 500 В для 2Т812А и до
400 В для 2Т812Б; при повышении температуры корпуса от +100 до +125 °C
Чэ и макс линейно снижается до 400 В для 2T812A и до 300 В для 2Т812Б.
При ta ? 0,3 мкс и понижении температуры корпуса от —40 до —60 °C и при
ловышении температуры от +85 до +125 °C (/кэ и снижается до 300 В.
93
КТ812А, КТ812Б, КТ812В при =£ 1 мс,
Q > 10 или 4, < 50 мкс, Q > 2........ 12 А
Постоянный ток базы:
2Т812А, 2Т812Б....................... 4 А
КТ812А, КТ812Б, КТ812В............... 3 А
Импульсный ток базы:
2Т812А, 2Т812Б:
4, < 20 мкс, О > 10............... 7 А
4, < 20 мкс, Q > 2................ 5 А
КТ812А, КТ812Б, КТ812В при 4, < 1 мс,
Q > 10 или 4< < 50 мкс, Q > 2........ 4 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 2Т812А, 2Т812Б при Гк = -60...+50 °C
и КТ812А, КТ812Б, КТ812В при
Гк = -45...+50 °C........................ 50 Вт
Температура р-п перехода................. +150 °C
Температура окружающей среды:
2Т812А, 2Т812Б....................... -60...Гк =
= +125 °C
КТ812А, КТ812Б, КТ812В............... -45... Тк =
= +85 °C 1 * * * 5
1 При повышении температуры корпуса выше +50 ”С Рк снижается в
соответствии с формулой
макс = (^п — Гк)/?т (п-кр Вт.
Значение /?т определяется из области максимальных режимов.
При применении транзисторов в каскадах строчной раз-
вертки телевизоров допускается эксплуатация их с коэффици-
ентом загрузки, равным единице по UK и /к; при этом темпера-
тура корпуса не должна превышать +100 °C.
Минимальное расстояние места пайки выводов от корпуса
5 мм, температура пайки не выше +250 °C в течение 3 с.
Допустимое значение статического потенциала 2000 В.
КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г
Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные
структуры п-р-п усилительные. Предназначены для примене-
ния в усилителях низкой частоты, операционных и дифферен-
циальных усилителях, преобразователях, импульсных устрой-
ствах. Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
94
Масса транзистора не
более 1 г.
Изготовитель — акцио-
нерное общество «Крем-
ний», г. Брянск, завод «Ис-
кра», г. Ульяновск.
КТ815(А - Г)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при (/кэ = 2 В, /к = 0,15 А,
не менее:
Т= +25 °C:
КТ815А, КТ815Б,	КТ815В........ 40
КТ815Г............................ 30
Т= -40 °C:
КТ815А, КТ815Б,	КТ815В........ 30
КТ815Г............................ 20
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при £/кэ = 5 В, /э = 0,03 А,
не менее.....................•......... 3 МГц
Граничное напряжение при /э = 50 мА,
4 = 300 мкс, 100, не менее:
КТ815А................................... 25	В
КТ815Б................................ 40	В
КТ815В................................ 60	В
КТ815Г................................ 80	В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 0,5 А, /Б = 0,05 А, не более.. 0,6 В
типовое значение.................... 0,2* В
Напряжение насыщения база—эмиттер
ПРИ /к = 0,5 А, 4 = 0,05 А, не более... 1,2 В
95
Обратный ток коллектора при U№ = 40 В,
не более:
Гк = -40...+25 'С................... 50 мкА
Т=+100°С............................ 1000 мкА
Входное сопротивление в режиме малого си-
гнала при (/ю = 5 В, /к = 5 мА, f = 800 Гц,
не менее............................... 800 Ом
Емкость коллекторного перехода
при = 5 В, f = 465 кГц, не более....... 60 пФ
Емкость эмиттерного перехода при U3b = 0,5 В,
не более............................... 75 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
Л^э < 100 Ом:
КТ815А.............................. 40	В
КТ815Б.......................... 50	В
КТ815В.......................... 70	В
КТ815Г.......................... 100 В
Лбэ = °°:
КТ815А.............................. 25	В
КТ815Б.......................... 40	В
КТ815В.......................... 60	В
КТ815Г.......................... 80	В
Постоянное напряжение база—эмиттер.....»..	5 В
Постоянный ток	коллектора.............. 1,5 А
Импульсный ток коллектора при < 10 мс,
100................................. 3 А
Постоянный ток	базы.................... 0,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Т = —40...+25 ’С:
с теплоотводом...................... 10 Вт
без теплоотвода..................... 1 Вт
Температура р-п перехода............... +125 'С
Температура окружающей среды........... —40... Тк =
= +100 °C *
без теплоотвода.
Изгиб выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса
транзистора с радиусом закругления 1,5.„2 мм; при этом дол-
жны приниматься меры, исключающие возможность передачи
усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается.
Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 5 мМ
от корпуса путем погружения выводов не более чем на 2 с в
расплавленный припой с температурой не выше +250 °C.
96
Зависимость статическо-
го коэффициента переда-
чи тока от тока эмиттера
Зависимости напряжений
насыщения коллектор—
эмиттер и база—эмиттер
от тока коллектора
КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г, КТ817Б2, КТ817Г2
4
Транзисторы кремни-
евые эпитаксиально-пла-
нарные структуры п-р-п
усилительные. Предназна-
чены для применения в
усилителях низкой часто-
ты, операционных и диф-
ференциальных усилите-
лях, преобразователях и
импульсных устройствах.
Выпускаются в пластмас-
совом корпусе с жестки-
ми выводами. Тип прибо-
ра указывается на кор-
пусе.
Масса транзистора не
более 0,7 г.
Ш7(А-Г), КТ817СБ2. Г2)
Изготовители — акционерное общество «Кремний»,
г- Брянск, завод «Искра», г. Ульяновск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ, не менее:
КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г
при ию = 2 В, 4 = 1 А:
Г =+25 и+100 °C.............. 25
Г =—40 °C................. 15
+835
97
КТ817Б2, КТ817Г2 при = 5 В,
4 = 50 мА.......................... 100
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 10 В, 4 = 0,25 А,
не менее...........-......-............. 3 МГц
Граничное напряжение при 4 = 100 А,
Ти = 300 мкс, Q = 100, не менее:
КТ817А................................... 25	В
КТ817Б, КТ817Б2.....................	45 В
КТ817В................................ 60	В
КТ817Г...............................  80	В
КТ817Г2............................... 90	В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер:
КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г
при /к = 1 А, 4 = 0,1 А, не более... 0,6 В
типовое значение...................... 0,15*	В
КТ817Б2, КТ817Г2 при 4 = 1,5 А,
4 = 0,15 А, не более................. 0,12 В
Напряжете насыщения база—эмиттер:
КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г
при 4 = 1 А, 4 = 0,1 А, не более.... 1,5 В
КТ817Б2, КТ817Г2 при 4 = 1,5 А,
4 = 0,15 А, не более................. 1,5 В
Пробивное напряжение база—эмиттер
при 4в в = 1 мА, не менее................. 5 В
Обратный ток коллектора при (4б = ^4з ₽, идко
не более:
7= +25 и -40 ’С ..................... 100 мкА
Т =+100 °C.-......................... 3000 мкА
Емкость коллекторного перехода
при £/кь = 10 В, не более............... 60 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Ux = 0,5 В,
не более................................ 115 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
^бэ = °°:
КТ817А............................... 25	В
КТ817Б, КТ817Б2................... 45	В
КТ817В............................ 60	В
КТ817Г............................ 80	В
КТ817Г2........................... 90	В
/?БЭ = 1 кОм:
КТ817А............................... 40	В
КТ817Б, КТ817Б2................... 45	В
98
КТ817В............................ 60 В
КТ817Г, КТ817Г2................... 100 В
Постоянное напряжение база—эмиттер...... 5	В
Постоянный ток коллектора............... 3	А
Импульсный ток коллектора при t„ = 20 мс,
О = 100................................. 6	А
Постоянный ток базы..................... 1	А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Т* = —60...+25 °C:
с теплоотводом.......................... 25 Вт
без теплоотвода...................... 1 Вт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Температура окружающей среды............ —40... Гк =
= +100 °C
1 При Гк > +25 'С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора уменьшается линейно на 0,2 Вт/Х с теплоотводом и на
0,1 Вт/°С без теплоотвода.
Изгиб выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса
транзистора с радиусом закругления 1.5...2 мм, при этом дол-
жны приниматься меры, исключающие возможность передачи
усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается.
При монтаже транзистора на теплоотвод крутящий момент
при нажатии не должен превышать 70 Н • см.
Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 5 мм
от корпуса.
Зависимости напряжений
насыщения коллектор—
эмиттер и база—эмиттер
от тока коллектора
Области максимальных
режимов
4*
99
Входная характеристика
Зависимость статического
коэффициента передачи
тока от тока эмиттера
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В, 2Т819А2, 2Т819Б2, 2Т819В2,
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г,
КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ,
КТ819А1, КТ819Б1, КТ819В1, КТ819Г1
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные
структуры п-р-п переключательные. Предназначены для при-
менения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус
металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выво-
дами (2Т819А—2Т819В, КТ819АМ—КТ819ГМ) и пластмассо-
вый — с жесткими выводами (2Т819А2—2Т819В2, КТ819А-
КТ819Г, КТ819А1-КТ819Г1).
Масса транзистора не более 20 г для 2Т819А—2Т819В,
КТ819АМ-КТ819ГМ, не более
2,5 г для 2Т819А2- 2Т819В2,	КТ819(А1-Г1)
КТ819А-КТ819Г, не более 10 г
для КТ819А1-КТ819Г1.	-t—
100
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
2Т819(А-В), КТ819(АМ-ГМ)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при С/КБ = 5 В, 4 = 5 А не менее:
Гк = +25 °C и Т = Тк мдкс:
2Т819А-2Т819В, 2Т819А2-2Т819В2,
КТ819Б, КТ819БМ, КТ819Б1............ 20
КТ819А, КТ819В, КТ819АМ, КТ819ВМ,
КТ819А1, КТ819В1.................... 15
КТ819Г, КТ819ГМ, КТ819Г1............ 12
2Т819А-2Т819В, 2Т819А2-2Т819В2,
КТ819А, КТ819В, КТ819АМ, КТ819ВМ,
КТ819А1, КТ819В1.................... 10
КТ819Б, КТ819БМ, КТ819Б1............ 15
КТ819Г, КТ819ГМ, КТ819Г1............ 7
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при U№ = 5 В, 4 = 0,5 А.... 3...5*...12* МГц
Граничное напряжение при 4 = 0,1 мА,
<и 300 мкс, О > 100:
КТ819А, КТ819АМ, КТ819А1, не менее...... 25 В
КТ819Б, КТ819БМ, КТ819Б1, 2Т819В,
2Т819В2 ................................ 40...60*...80* В
КТ819В, КТ819ВМ, КТ819В1, 2Т819Б,
2Т819Б2 ............................. 60...80*...100*	В
КТ819Г, КТ819ГМ, КТ819Г1, 2Т819А,
2Т819А2................................. 80...100*...
110* В
Х>1
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер,
не более:
при /к = 5 А, 4 = 0,5 А:
2Т819А-2Т819В, 2Т819А2-2Т819В2.... 1 В
КТ819А-КТ819Г, КТ819АМ—КТ819ГМ . 2 В
КТ819А1—КТ819Г1................. 5 В
при 4 = 20 А, 4 = 4 А, 2Т819А-2Т819В,
2Т819А2-2Т819В2..................... 1*...2,2*...5* В
при 4 = 15 А, 4 = 3 А, КТ819А-КТ819Г,
КТ819АМ—КТ819ГМ..................... 4* В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 5 А, 4 = 0,5 А, не более:
2Т819А-2Т819В, 2Т819А2-2Т819В2...... 1,5 В
КТ819А-КТ819Г, КТ819АМ—КТ819ГМ...... 3 В
КТ819А1—КТ819Г1..................... 5 В
Пробивное напряжение коллектор—база
при Т = —60...+25 ‘С, 4 = 1 МА и при
Т - +125 ’С, 4 = 5 м А, на менее:
2Т819А, 2Т819А2...................... 100 В
2Т819Б, 2Т819Б2..................... 80 В
2Т819В, 2Т819В2..................... 60 В
Пробивное напряжение коллектор—эмиттер
при /?бэ 100 Ом, 4 ~ 1 мА, не менее:
2Т819А............................... 100 В
2Т819Б.............................. 80 В
2Т819В.............................. 60 В
Пробивное напряжение эмиттер—база
при /э = 5 мА, не менее................ 5 В
Обратный ток коллектора при 64б = ^кб макс
для КТ819А-КТ819Г, КТ819АМ-КТ819ГМ,
КТ819А1—КТ819Г1, не более:
Гк = -40...+25 °C................... 1 мА
Г =+100 °C.......................... 10 мА
Время выключения при 4 ~ 5 А, 4 = 0/5 А,
не более............................... 2,5* мкс
Емкость коллекторного перехода при UKb = 5 В 360*...600*...
1000* пФ
Емкость эмиттерного перехода при 64э = 0,5 В,
f= 1 МГц, не более..................... 2000* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т819А, 2Т819А2...................... 100 В
2Т819Б, 2Т819Б2..................... 80 В
2Т819В, 2Т819В2..................... 60 В
102
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?бэ 100 Ом, Т= 7'мии...+50 °C; +40 °C
для 2Т819А2-2Т819В2:
КТ819А, КТ819АМ, КТ819А1........... 40 В
КТ819Б, КТ819БМ, КТ819Б1........... 50 В
КТ819В, КТ819ВМ, КТ819В1........... 70 В
КТ819Г1............................ 90 В
2Т819А2, 2Т819А, КТ819Г, КТ819ГМ... 100 В
2Т819Б2, КТ819Б.................... 80 В
2Т819В2, 2Т819В.................... 60 В
Постоянное напряжение база—эмиттер..... 5 В
Постоянный ток коллектора:
КТ819А-КТ819Г...................... 10 А
2Т819А-2Т819В, 2Т819А2-2Т819В2,
КТ819АМ-КТ819ГМ, КТ819А1-КТ819Г1 ... 15 А
Импульсный ток коллектора при Ги < 10 мс,
Q> 100 и 2 для 2Т819А2-2Т819В2:
КТ819А-КТ819Г................?..... 15 А
2Т818А2-2Т819В2, 2Т819А-2Т819В,
КТ819АМ-КТ819ГМ, КТ819А1-КТ819Г1 ... 20 А
Постоянный ток базы.................... 3 А
Импульсный ток базы при 10 мс, 100 . 5. А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
 тора1 при Тк = Гимн +25 °C:
с теплоотводом:
2Т819А2-2Т819В2..................... 40 Вт
КТ819А-КТ819Г................... 60 Вт
2Т819А-2Т819В, КТ819АМ-КТ819ГМ,
КТ819А1—КТ819Г1................. 100 Вт
без теплоотвода:
2Т819А2-2Т819В2..................... 1 Вт
КТ819А-КТ819Г................... 1,5 Вт
КТ819АМ—КТ819ГМ, КТ819А1—КТ819Г1 2 Вт
2Т819А-2Т819В................... 3 Вт
1 При Гк > +25 'С для 2Т819А-2Т819В
АсМАКС = (^П. МАКС ~ 7^)/1,25, ВТ,
Для транзисторов с теплоотводом и
^к. макс = (7"n макс — П/41-6. Вт,
— без теплоотвода; для КТ819А—КТ819Г Рк мдкс уменьшается на 0,6 Вт/'С с
’'плоотводом и на 0,015 Вт/°С без теплоотвода, для KT819AM—КТ819ГМ на
Вт/°С с теплоотводом и на 0,02 Вт/'С без теплоотвода; для 2Т819А2—2Т819В2
Уменьшается линейно на 0,32 Вт/“С с теплоотводом и на 8 мВт/‘С без
Теплоотвода.
103
Температура р-п перехода:
2Т819А-2Т819В, 2Т819А2-2Т819В2,
КТ819А1—КТ819Г1...................... +150 'С
КТ819А-КТ819Г, КТ819АМ—КТ819ГМ.... +125 ’С
Температура окружающей среды:
2Т819А-2Т819В........................ -60... Тк =
= +125 ’С
2Т819А2-2Т819В2................... -6О...ГК =
= +100 °C
КТ819А-КТ819Г, КТ819АМ—КТ819ГМ,
КТ819А1—КТ819Г1.................. -4О...ТК	=
= +100 ’С
Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 5 мм
от корпуса. При пайке жало паяльника должно быть заземле-
но. Допускается пайка без теплоотвода и пайка групповым
методом. Температура припоя +260 °C, время пайки не более
3 с, время лужения выводов не более 2 с.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В.
При включении транзистора в цепь, находящуюся под на-
пряжением, базовый вывод должен присоединяться первым и
отключаться последним.
Транзисторы являются комплементарными с транзистора-
ми 2Т818А-2Т818В, 2Т818А2-2Т818В2, КТ818А-КТ818Г,
КТ818АМ-КТ818ГМ, КТ818А1-КТ818Г1.
4
1
0.8
06
0,4
0.2
0А 0.6 (Jsi.B
Зона возможных положений
зависимости статического ко-
эффициента передачи тока
от тока эмиттера
Входная характеристика
104
Зона возможных положений
зависимости статического ко-
эффициента передачи тока
от температуры корпуса
Зона возможных положений
зависимости напряжения на-
сыщения коллектор—эмиттер
от тока коллектора
Зона возможных положений зави-
симости напряжения насыщения
база—эмиттер от тока коллектора
Зависимости пробивного на-
пряжения коллектор—эмит-
тер от температуры
!к.А
20
8
№
6
4
2
0>Ю0
t,= Юнке
0.6
04
02
0.1
Т^15(Г С-
[яюяичкш
2Т819Б:
— 2Т8Ш]
2TS1982-.
2Т8М2-
о.ооп-
=]2Т81М2-
0006
/ 2 4 6 810 20 4060Uf3,В
Области максимальных
режимов
Зависимости коэффициента К
от длительности импульса
105
Зона возможных положений
зависимости максимально до*
пустимого напряжения коллек*
тор—эмиттер от сопротивле-
ния база—эмиттер
Зависимости максимально до-
пустимого напряжения коллек-
тор-эмиттер от температуры
корпуса
Выходные характеристики
Области максимальных
режимов
KT821A-1, КТ821Б-1, КТ821В-1
КТ82КА-1-В-1)
18	Я8
Транзисторы кремние-
вые мезаэпитаксиально-
планарные структуры п-р-п
усилительные. Предназна-
чены для применения в
•усилителях низкой часто-
ты, операционных и диф-
ференциальных усилите-
лях, преобразователях и
импульсных устройствах
герметизированной аппа-
ратуры. Оформление бес-
К»
корпусное с гибкими выводами и защитным покрытием. Каж-
дый транзистор упаковывается в индивидуальную тару.
Масса транзистора не более 0,02 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»
г. Брянск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при <4б = 2 В, не менее:
4 = 0,15 А:
КТ821А-1, КТ821Б-1............... 40
КТ821В-1......................... 30
4 = 0,5 А:
КТ821А-1......................... 35
КТ821Б-1......................... 25
КТ821В-1......................... 20
Отношение статических коэффициентов пере-
дачи тока в схеме ОЭ при большом (0,2 А)
и малом (0,001 А) значениях тока коллектора
при t/кэ = 2 В......................... 1...2...4
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при Ц& = 5 В, 4 - 0.03 А,
не менее............................... 3 МГц
Граничное напряжение при /к = 50 мА,
4 300 мкс, 100, не менее:
КТ821А-1............................ 40 В
КТ821Б-1............................ 60 В
КТ821В-1............................ 80 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 0,5 А, 4 = 0,05 А, не более... 0,18*...0,6 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 0,5 А, 4 = 0,05 А............. 0,8*... 1,2 В
Обратный ток коллектора при £4в = 40 В,
не более............................... 30 мкА
Выходное сопротивление в режиме малого
сигнала при <4э = 5 В, 4 = 5 мА, f = 800 Гц ... 160*...800* Ом
Емкость коллекторного перехода
при = 5 В, f= 465 кГц.................. 45*...50*...
65* пФ
Емкость эмиттерного перехода при U-& = 0,5 В,
465 кГц................................ 45*...5О*...
65* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
С 100 Ом:
КТ821А-1......................... 50 В
107
КТ821Б-1........................ 70 В
КТ821В-1........................ 100 В
^БЭ = °°:
КТ821А-1............................. 40	В
КТ821Б-1.......................... 60	В
КТ821В-1.......................... 80	В
Постоянное напряжение база—эмиттер..... 5 В
Постоянный ток коллектора.............. 0,5 А
Импульсный ток коллектора при Ги 10 мс,
О > 1*00............................... 1,5 А
Постоянный ток базы.................... 0,3 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора' при Т - —40...+25 °C............. 10 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 10 °С/Вт
Температура р-л перехода............... +125 °C
Температура окружающей среды........... —45...+85 °C
’ При Гк = +25...+85 *С Рк мдкс определяется по формуле
^макс= (125- Т)/10, Вт.
Пайка выводов допускается не ближе 3 мм от защитного
покрытия прибора.
КТ823А-1, КТ823Б—1, КТ823В-1
KJ823 (А-1-В-1)
Транзисторы кремниевые
мезаэпитаксиально-планар-
ные структуры п-р-п усили-
тельные. Предназначены для
применения в усилителях
низкой частоты, операцион-
ных и дифференциальных
усилителях, преобразовате-
лях и импульсных устрой-
ствах. Бескорпусные с гиб-
кими выводами и защитным
покрытием. Каждый транзи-
стор упаковывается в инди-
видуальную тару.
г.
общество <Кремний»,
Масса транзистора не более 0,03
Изготовитель — акционерное
г. Брянск.
108
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 2 В, /к = 1 А, не менее:
Тк = +25 и +85 °C....................... 25
Гк = —45 °C............................. 15
Отношение статических коэффициентов пере-
дачи тока в схеме ОЭ при большом (1 А)
и малом (0,001 А) значениях тока коллектора
при UK3 = 2 В.............................. 1,6*...2,5*...4
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при UK3 = 5 В, /э = 0,05 А,
не менее................................... 3 МГц
Граничное напряжение при /э = 100 мА,
300 мкс, О ? 100, не менее:
КТ823А-1................................ 45	В
КТ823Б-1 ............................... 60	В
КТ823В-1................................ 80	В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /и = 1 А, /Б = 0,1 А, не более......... 0,15*...0,2*...
0,6 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 1 А, /Б = 0,1 А................... 0,8*...0,9*...
1,5 В
Обратный ток коллектора, не более:
при Т = +25 °C, </КБ = 45 В.............. 50 мкА
при Т = +85 °C, ЦБ = 40 В............... 100 мкА
Входное сопротивление в режиме малого си-
гнала при £/кэ = 5 В, L = 30 мА, f- 800 Гц. 250*...500*...
1500* Ом
Емкость коллекторного перехода
при £/Кэ = 10 В, f= 1 МГц.................. 35*...6О*...
75* пФ
Емкость эмиттерного перехода при (/ЭБ = 0,5 В 80*...115*...
130 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
R& 1 кОм:
КТ823А-1............................. 45	В
КТ823Б-1............................ 60	В
КТ823В-1............................ 100 В
Ябэ = °°:
КТ823А-1............................. 45	В
КТ823Б-1............................ 60	В
КТ823В-1............................ 80	В
109
Постоянное напряжение	база—эмиттер...... 5	В
Постоянный ток	коллектора............... 2	А
Импульсный ток коллектора при 10 мс,
100.................................... 4	А
Постоянный ток	базы..................... 0,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’ в составе гибридной микросхемы
при Т= -40...+25 °C..................... 20 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус  5 °С/Вт
Температура р-п перехода................ +125 °C
Температура окружающей среды............ —45...+85 °C
’ При Гк = +25...+85 *С „дщ. рассчитывается формуле
Рк м*кс =(125- Г)/5, Вт.
Допускается 4.макс = 3 А при условии непревышения мощности.
2Т826А, 2Т826Б, 2Т826В, 2Т826А-5,
КТ826А, КТ826Б, КТ826В
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п
переключательные. Предназначены для применения в переклю-
чающих устройствах, в преобразователях постоянного напря-
жения, высоковольтных стабилизаторах. Транзисторы
2Т826А—2Т826В, КТ826А—КТ826В выпускаются в металличе-
ском корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими вывода-
ми. Тип прибора указывается на корпусе. Транзистор 2Т826А—5
выпускается в виде кристаллов неразделенных с контактными
площадками на пластине для гибридных интегральных микро-
схем. Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20 г,
кристалла не более 0,01 г.
Изготовитель — акционерное общество «Элиз», г. Фря-
зино.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 10 В, /к = 0,1 А:
Гк =+25 °C........................... 10... 120
т; = Гк. мдкс........................ 5...300
Гк = -60 °C.......................... 5... 120
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при £/ю = 15 В, /к = 0,1 А,
не менее................................. 6 МГц
110
2Т826(А-В), КТ826(А-В)
Граничное напряжение при /к = 0,1 А,
£ = 40 мГн, не менее:
2Т826А, 2Т826В, 2Т826А-5, КТ826А,
КТ826В............................... 500	В
2Т826Б, КТ826Б....................... 600	В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 0,5 А, 4 = 0,2 А, не более..... 2,5	В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 0,5 А, 4 = 0.2 А, не более....... 2	В
Время спада при £/кэ = 500 В, Ux = 5 В,
4 = 0,5 А, 4 = 0,2 А, не более:
2Т826А, 2Т826А-5, КТ826А............. 1,5	мкс
2Т826Б, КТ826Б....................... 0,7	мкс
111
Обратный ток коллектор—эмиттер
при /?ю = 10 Ом, не более:
Гк = +25 °C, //а = 700 В................... 2	мА
7"к = 7k мдко Мо = 300 В............... 5	мА
Т= -60 °C, Укэ = 500 В................. 4	мА
Обратный ток эмиттера при Ux = 5 В,
не более................................. 3 мА
Емкость коллекторного перехода
при U№ = 100 В, не более................. 25 пФ
типовое значение...................... 20* пФ
Емкость эмиттерного перехода при Ux = 5 В,
не более................................. 250 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер1
при /?бэ = 10 Ом, Гк = —60...+75 °C...... 700 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер1
при /^ = 10 Ом, 4, = 20 мс, Q = 50:
> 0,2 мкс (скорость нарастания фронта
не более 3,5 В/нс), Гк = —60...+75 °C. 700 В
tt, > 1,5 мкс (скорость нарастания фронта
не более 0,66 В/нс), Гк = +25 °C...... 1000 В
Постоянный и импульсный ток коллектора... 1 А
Постоянный и импульсный ток базы......... 0,75 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора* 2 при Гк = —60...+50 °C............ 15 Вт
Температура р-п перехода................. +150	°C
Температура окружающей среды:
2Т826А-2Т826В, 2Т826А-5............. -60...	Тк =
= +125 °C
КТ826А-КТ826В....................... -60...	Тк =
= +100 °C
' При Гк > +75 'С постоянное и импульсное напряжение коллектор—эмит-
тер снижаются линейно до 300 В.
2 При Тк > +50 "С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
^к.макс = 0-Ю ~ 7к)//?т (п-к)> Вт,
где = 7 ‘C/Вт при ию = 15 В, /к = 1 А.
Допустимое значение статического потенциала 2000 В.
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм
112
от основания корпуса при температуре не более +250 °C в
течение не более 3 с.
При конструировании аппаратуры следует учитывать воз-
можность самовозбуждения транзисторов за счет паразитных
связей.
Технология сборки транзисторов 2Т826А—5 в гибридные
схемы, применяемые детали и материалы должны обеспечить
значение теплового сопротивления при котором в процессе
работы температура р-п перехода не превышает +150 “С.
Разделение пластин на кристаллы производить по разде-
лительным дорожкам.
Транзистор паять к термокомпенсатору с использованием
золотой фольги при температуре +460 °C.
Соединение контактных площадок кристалла (эмиттера,
базы) с гибридной схемой производить ультразвуковой свар-
кой проволокой А 995Д—0,1 ТУ 48—21—574—77.
После монтажа кристалл покрыть компаундом марки ГК
ЫУ0.028.021.ТУ.
Время нахождения транзисторов в период и после извле-
чения из упаковки не более 2 сут.
Зависимости электрических параметров' 2Т826А—5 анало-
гичны зависимостям 2Т826А.
Зона возможных поло-
жений зависимости то-
ка коллектора от напря-
жения база—эмиттер
Зона возможных поло-
жений зависимости гра-
ничной частоты от тока
коллектора
Зона возможных поло-
жений зависимости ем-
кости эмиттерного пе-
рехода от напряжения
база—эмиттер
113
0,5 0,6 0.7 0.8 Ut3,B
Зона возможных поло-
жений зависимости ем-
кости коллекторного пе-
рехода от напряжения
коллектор—база
Зависимость максималь-
но допустимого посто-
янного напряжения кол-
лектор-эмиттер от со-
противления база—
эмиттер
Входные характери-
стики
!к.нА
О 2 I, 6 U'3.B
Выходные характери- Зона возможных поло- Зависимости напряже-
стики	жений зависимости ста- ния насыщения коллек-
тического коэффициен-	тор—эмиттер от тока
та передачи тока от то-	базы
ка коллектора
Зона возможных положений за-
висимости напряжения насыще-
ния коллектор—эмиттер от отно-
шения тока коллектора и базы
Зависимости импульсного теплово-
го сопротивления переход—корпус
от длительности импульса
114
Области максимальных режимов
Области максимальных
режимов
Области максимальных
режимов
2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В, 2Т827А-5,
КТ827А, КТ827Б, КТ827В
Транзисторы кремниевые эпитаксиальные мезапланарные
составные структуры п-р-п усилительные. Предназначены для
применения в усилителях низкой частоты, стабилизаторах тока
и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторите-
лях, переключающих устройствах, электронных системах управ-
ления защиты и автоматики. Транзисторы 2Т827А—2Т827В,
КТ827А—КТ827В выпускаются в металлическом корпусе со сте-
клянными изоляторами и жесткими выводами. Тип прибора
указывается на корпусе. Транзистор 2Т827А—5 выпускается в
виде кристаллов неразделенных с контактными площадками на
116
пластине для гибридных интегральных микросхем. Тип прибора
указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20 г,
кристалла не более 0,01 г.
Изготовитель — акционерное общество «Элиз», г. Фря-
зино.
2Т827(А-В). КТ821А-В)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ:
при = 3 В, = Ю А:
Т=+25’С......................... 750...6000*...
18000
116
Т = Гк макс, не менее.................. 750
Г = —60 °C, не менее................... 100
при UK3 = 3 В, /к = 20 А................... 100...700*...
3500*
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 3 В, /к = 10 А,
не менее....................................... 4 МГц
Граничное напряжение при /к = 100 мА:
2Т827А, 2Т827А-5, КТ827А................... 100...110*...
140* В
2Т827Б, КТ827Б............................. 80...90*...
100* В
2Т827В, КТ827В............................... 60...70*...80*	В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер:
4 = 10 А, /Б = 40 мА....................... 1*...1,45*...2	В
/к = 20 А, 4 = 200	мА..................... 1,8*...2,4*...3	В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 20 А, 4 = 200 мА....................... 2,6*...3*...4 В
Входное напряжение база—эмиттер
при 4 = 10 A, ию = 3 В......................... 1,6*...2*...2,8 В
Время включения при 4 = Ю А, 4 = 40 мА .... 0,3*...0,5*...
1 мкс
Время выключения при 4 = Ю А, 4 = 40 мА.. 3*...4*...6 мкс
Время рассасывания при 4 = Ю А, 4 = 40 мА 2*...3*...4,5 мкс
Обратный ток коллектор—эмиттер
при <4э = UK3 R, макс, /?вэ = 1 кОм, не более:
Т= +25 и -60 °C................................ 3 мА
Т — Гк мдкс................................ 5 мА
Обратный ток эмиттера при U3B = 5 В,
не более....................................... 2 мА
Емкость коллекторного перехода
при UKB = 10 В................................. 200*...260*...
400 яф
Емкость эмиттерного перехода при иэъ = 5 В . 160*... 180*...
350 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /4э = 1 кОм и постоянное напряжение кол-
лектор-база:
2Т827А, 2Т827А-5, КТ827А.............. 100 В
2Т827Б, КТ827Б........................ 80 В
2Т827В, КТ827В........................ 60 В
117
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при = 0,2 мкс:
2Т827А, 2Т827А-5,	КТ827А........ 100 В
2Т827Б, КТ827Б...................... 80 В
2Т827В, КТ827В...................... 60 В
Постоянное напряжение база—эмиттер...... 5 В
Постоянный ток коллектора............... 20 А
Импульсный ток коллектора............... 40 А
Постоянный ток базы..................... 0,5 А
Импульсный ток базы..................... 0,8 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Гк = —60...+25 °C............. 125 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус
при = 10 В, /к = 12,5 А................. 1,4 °С/Вт
Температура р-п перехода................ +200 °C
Температура окружающей среды:
2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В, 2Т826А-5....... -60...	Тк =
= +125 °C
КТ827А, КТ827Б, КТ827В.............. -60...	Тк =
= +100 °C
1 При Гк > +25 "С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
/Vm*kc= (200 -Гк)/1,4, Вт.
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм
от основания корпуса при температуре припоя не более +260 °C
в течение не более 3 с.
Допустимое значение статического потенциала 2000 В.
Технология монтажа транзистора 2Т827А—5 в гибридную
схему, применяемые детали и материалы должны обеспечить
значение теплового сопротивления собранного в гибридную
схему транзистора не более 1,4 °С/Вт.
Разделение пластин на кристаллы производить по разде-
лительным дорожкам.
Транзистор рекомендуется паять к термокомпенсатору с
использованием золотой фольги при температуре +460 °C.
Соединение контактных площадок кристалла (эмиттера,
базы) с гибридной схемой производить ультразвуковой свар-
кой проволокой А 995Д—04 ТУ 48—21—574—77. После монта-
жа кристалл покрыть компаундом марки ГК ЫУ0.028.021.ТУ.
Время нахождения транзисторов в период и после извле-
чения из упаковки не более 2 сут.
Зависимости электрических параметров 2Т827А—5 анало-
гичны зависимостям 2Т827А.
118
м
го-
10
6
4-
2T827(A-Bi
К7827(А-В)
2Т'--<2У С
7^2017 Д
218278. КТ827В
21 82 ТВ, КТ827Б
21827А, К1827А
Омытая
рехин
1
0.6
6.4
6.2
0,1 1 2 4 6810 20 40Ua.B
Области максимальных режимов
lit, А 0*1000. Одиночный итульс
27827В
1к,А 0>1000. Одиночныи_ит/ли
20
10
6
4
'20т
-58т
АбОжо
7к--ч25'С\
7я=ч200‘С
Iklilll

1
0.6
0.4
0.2
0,,1 2 4 6810 20 40иа.В
Области максимальных режимов
Зависимости импульсного теплового сопротивления
переход—корпус от длительности импульса
119
Входные характери-
стики
Выходные характери-
стики
Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициен-
та передачи тока от то-
ка коллектора
Зависимости напряже-
ния насыщения коллек-
тор-эмиттер и база-
эмиттер от тока коллек-
тора
Зона возможных поло-
жений зависимости мо-
дуля коэффициента пе-
редачи тока от тока
коллектора
Зона возможных поло-
жений зависимости по-
стоянного напряжения
коллектор—эмиттер от
сопротивления база-
эмиттер
2Т828А, 2Т828Б, KT828A, КТ828Б, КТ828В, КТ828Г
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п
импульсные. Предназначены для применения в источниках вто-
ричного электропитания, высоковольтных переключающих ус-
тройствах. Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими
выводами и стеклянными изоляторами. Тип прибора указыва-
ется на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Изготовитель — акционерное общество «Элиз», г. фрязи-
но, Московская область.
120
2Т828(А, Б) КТ828(А-Г)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, /к = 4,5 А, не менее. 2,25
типовое значение......................... 4*
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 20 В, /к = 0,1 А,
не менее................................. 4 МГц
типовое значение...................... 7* МГц
Граничное напряжение при 4 = 0,1 А,
L = 40 мГн, не менее:
2Т828А, КТ828А, КТ828В................ 700 В
2Т828Б, КТ828Б, КТ828Г................ 600 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 4,5 А, 4 = 2 А:
7К =+25 °C............................... 0,5...1...3 В
Т - —60 °C и Тк = 7^ МАКС, не более... 5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 4,5 А, 4 = 2 А................... 0,95...1...3 В
Время включения при £/Кэ = 500 В, 4 = 4,5 А,
4 = 1,8 А, не более...................... 0,55 мкс
типовое значение...................... 0,4* мкс
Время рассасывания при 64э = 500 В,
4 = 4,5 А, 4 = 1»8 А, не более........... 10 мкс
типовое значение...................... 5* мкс
Время спада при ию = 500 В, /к = 4,5 А,
4 = 1,8 А, не более...................... 1,2 мкс
типовое значение...................... 1* мкс
121
Обратный ток коллектора при U№ = ^кс,
не более.................................. 5 мА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 10 Ом, Ua = i/jo идкс не более. 5 мА
Обратный ток эмиттера при - 5 В,
не более.................................. 10 мА
типовое значение....................... 1* мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер* 1
при R^3 = 10 Ом:
Т= -60...+85 ’С:
2Т828А, КТ828А, КТ828В.............. 800	В
2Т828Б, КТ828Б, КТ828Г.............. 600	В
Т = +100 °C:
2Т828А, КТ828А, КТ828В............... 500	В
2Т828Б, КТ828Б, КТ828Г.............. 400	В
Импульсное напряжение коллектор—эмит-
тер при = 10 Ом, 4 = 40 мс, О = 10,
dt//d/ = 0,46 В/нс для 2Т828А, КТ828А,
КТ828В, dU/dt = 0,4 В/нс для 2Т828Б,
КТ828Б, КТ828Г при Т= -40...+85 °C
и 0,3 и 0,26 В/нс соответственно при
Т* ” ~60..« Гк МАКС'
2Т828А, КТ828А, КТ828В................. 1400	В
2Т828Б, КТ828Б, КТ828Г................. 1200	В
Постоянное напряжение база—эмиттер........ 5 В
Постоянный ток коллектора................. 5 А
Импульсный ток коллектора при = 10 мс,
0=2....................................... 7,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —60...+50 °C................ 50 Вт
Температура р-п перехода.................. +150 °C
Температура окружающей среды:
КТ828А, КТ828Б, КТ828В, КТ828Г......... -60... Тк =
= +100 °C
2Т828А, 2Т828Б......................... -60...	Тк =
= +125 °C
’ При Гх > 85 *С максимально допустимое постоянное напряжение коллек-
тор—эмиттер уменьшается линейно.
1 При Гх = —40...—60 °C и Гк = +85... максимально допустимое им-
пульсное напряжение коллектор—эмиттер снижается линейно до 1000 В для
2Т828А, КТ828А, КТ828В, до 800 В для 2Т828Б, КТ828Б, КТВ28Г.
122
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер при 7Ф >
0,3 мкс, 0=2, 4, = 40 мкс, dt//df = 2,3 В/нс для 2Т828А,
КТ828А, КТ828В и dt//df = 2 В/нс для 2Т828Б, КТ828Б, КТ828Г
снижается линейно до 700 В для 2Т828А, КТ828А, КТ828В и
до 600 В для 2Т828Б, КТ828Б, КТ828Г при Т = +85 °C. При
7"= +85... TJcmakc это напряжение снижается линейно до 500 В и
400 В соответственно (dt//d7 = 1,65 В/нс для 2Т828А, КТ828А,
КТ828В, и d(//dr = 1,33 В/нс для 2Т828Б, КТ828Б, КТ828Г).
Для улучшения теплового контакта рекомендуется смачи-
вать нижнее основание транзистора полиметилсилоксановой
жидкостью ИМС-100 ГОСТ 13032-77.
Зависимость максимально до-
пустимого постоянного напря-
жения коллектор—эмиттер от
сопротивления база—эмиттер
Зона возможных положений
зависимости статического ко-
эффициента передачи тока
от тока коллектора
Выходные характеристики
123

2Тд28(А.Б).КТ828(А,Б)
О 2 4 6 44
Зависимости напряже-
ния насыщения база—
эмиттер от отношения
тока коллектора и тока
базы
Зависимости напряже-
ния насыщения коллек-ш
тор—эмиттер от отно-
шения тока коллектора
и тока базы
Зона возможных поло-
жений зависимости ем-
кости коллекторного пе-
рехода от напряжения
колле ктор—база
Un В
Область максимальных режимов
Зависимость максимально допусти-
мой постоянной рассеиваемой мощ-
ности коллектора от температуры
корпуса	।
Зона возможных поло-
жений зависимости ем-
кости эмиттерного пе-
рехода от напряжения
база—эмиттер
Зона возможных поло-
жений зависимости вре-
мени рассасывания от
тока коллектора
Зона возможных поло-
жений зависимости вре-
мени спада от тока кол-
лектора
124
КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г
КТ829(А-Г)
Транзисторы крем-
ниевые мезапланарные
структуры п-р-п состав-
ные усилительные. Пред-
назначены для примене-
ния в усилителях низкой
частоты, переключаю-
щих устройствах. Корпус
пластмассовый с жестки-
ми выводами.
Масса транзистора
не более 2 г.
Изготовитель — ак-
ционерное общество
«Элиз», г. Фрязино.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 3 В, /к = 3 А, не менее:
Гк = +25...+85 °C................... 750
7^ =—40 °C.......................... 100
Модуль коэффициента передачи тока на высо-
кой частоте при Ую=3 В, /к = 3 A, f = 10 МГц,
не менее............................... 0,4
Граничное напряжение при /к = 100 мА,
не менее:
КТ829А.............................. 100 В
КТ829Б.............................. 80 В
КТ829В.............................. 60 В
КТ828Г.............................. 45 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 3,5 А, /Б = 14 мА, не более... 2 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 3,5 А, /Б = 14 мА, не более... 2,5 В
Обратный ток коллектор—эмиттер
при R = UK3 R> МАКС, /?БЭ « 1 кОм, не более:
Гк =+25 и —40 °C.................... 1,5 мА
Гк =+85 °C.......................... 3 мА
Обратный ток эмиттера при иъз = 5 В,
не более............................... 2 мА
Емкость коллекторного перехода
при £/КБ = (/КБ.МАКС, не более......... 120 пФ
125
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при Лю $ 1 кОм, постоянное напряжение кол-
лектор—база:
КТ829А.............................. 100 В
КТ829Б............................... 80 В
КТ829В............................... 60 В
КТ829Г............................... 45 В
Постоянное напряжение база—эмиттер...... 5 В
Постоянный ток коллектора............... 8 А
Импульсный ток коллектора при Ги $ 500 мкс,
10.................................... 12 А
Постоянный ток базы..................... 0,2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Гк = —40...+25 °C............. 60 Вт
Тепловое сопротивление, переход—корпус.. 2,08 °С/Вт
Температура р-п перехода................. +150	°C
Температура окружающей среды........... —40...	Гк =
= +85 °C
’ При Гк = +25...+85 ‘С Рк ид*,, рассчитывается по формуле
Я макс = (150 - Гк)/2,08, Вт.
Л, ЛЛЛ'. 1	fv *	*
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм
от корпуса, при этом температура корпуса не должна превы-
шать +85 °C.
Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициен-
та передачи тока от то-
ка коллектора
Зона возможных поло-
жений зависимости об-
ратного тока коллекто-
ра от температуры
Зона возможных поло-
жении зависимостей на-
пряжений насыщения
коллектор-эмиттер и
база—эмиттер от коэф-
фициента насыщения
126
КТ8ЖА-Г)
Электрическая схема тран-
зистора
Зависимости постоянного на-
пряжения коллектор—эмиттер
от сопротивления база—эмиттер
Области максимальных режимов
к
2Т831А, 2Т831Б, 2Т831В, 2Т831Г, 2Т831В-1, 2Т831Г-1
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные
структуры п-р-п усилительные. Предназначены для примене-
ния в усилителях мощности, преобразователях. Корпус
2Т831А—2Т831Г металлический со стеклянными изоляторами
и гибкими выводами; 2Т831В-1, 2Т831Г—1 — бескорпусные с
-защитным покрытием и гибкими выводами.
Масса транзисторов 2Т831А—2Т831Г не более 2 г, 2Т831В—1,
2Т831Г—1 — не более 0,03 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
127
2Т831(А-Г)
2Т83КВ-1, Г-1)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в
схеме ОЭ при U№ = 1 В, 4 = 1 А, (С/КБ = 2 В
для 2Т831В-1, 2Т831Г-1):
Т = +25 °C:
2Т831А, 2Т831Б, 2Т831В............... 25...42*...200*
2Т831Г............................... 2О*...23*...15О*
2Т831В-1, 2Т831Г-1 .................. 25...200
Т ~ Тк, МАКС*
2Т831А—2Т831В, не менее................. 25
2Т831Г, не менее..................... 20
2Т831В-1, 2Т831Г-1 .................. 25...220
128
T= -t>u А,:
2Т831А—2Т831В, на менее..............
2Т831Г, не менее..................
2Т831В—1, 2Т831Г-1 ...............
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при U№ = 5 В, 4 = 0,05 А:
2Т831А-2Т831Г........................
2Т831В-1, 2Т831Г-1...................
Граничное напряжение при /э = 0,1 А,
г < 300 мкс, О> 100, не менее:
2Т831А...............................
2Т831Б...............................
2Т831В, 2Т831В-1.....................
2Т831Г, 2Т831Г-1.....................
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
4 = 1 А, 4 = 0,1 А......................
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 1 А, /Б = 0,1 А................
Пробивное напряжение коллектор—база,
не менее:
. при Т - —60 и +25 °C, /к = 0,1 мА:
2Т831А..................................
2Т831Б............................
2Т831В, 2Т831В-1 .................
2Т831Г, 2Т831Г-1 .................
при Т = ГМАКС, 4 = 3 мА:
2Т831А...............................
2Т831Б............................
2Т831В, 2Т831В-1 .................
2Т831Г, 2Т831Г-1 .................
Пробивное напряжение эмиттер—база
при /э = 1 мА, не менее.................
Обратный ток коллектора при U№ = 80 В...
Обратный ток эмиттера при изъ = 5 В.....
Время включения при <УКЭ = 30 В, 4 = 1 А,
4 = 0,1 А...............................
Время выключения при = 30 В, 4 ~ 1 А,
4 = 0,1 А...............................
10
7
15...200
4...25*...
50* МГц
4...10*...
15* МГц
25 В
45 В
60 В
80 В
0,15*...0,37*...
0,6 В
0,8*...0,95*...
1,3 В
35 В
60 В
80 В
100 В
35 В
60 В
80 В
100 В
5 В
0,1*... 10*...
100* мкА
20...500...
1000 мкА
0,3*...0,5*...
0,8* мкс
1*...1,5*...
2* мкс
5-835
129
Время рассасывания при ию = 30 В, 4 = 1 А,
4 = 0,1 А, не более..................... 1 мкс
Емкость коллекторного перехода
при (/КБ = 5 В, f= 1 МГц................ 35*...41*...
150 пФ
Емкость эмиттерного перехода при U36 = 0,5 В,
f= 1 МГц................................ 60*...230*...
350 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т831А............................... 35 В
2Т831Б...„........................... 60 В
2Т831В, 2Т831В-1..................... 80 В
2Т831Г, 2Т831Г-1..................... 100 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?ьэ С 1 кОм:
2Т831А..............,................... ЗОВ
2Т831Б............................... 50 В
2Т831В, 2Т831В-1..................... 70 В
2Т831Г, 2Т831Г-1..................... 90 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 5 В
Постоянный ток коллектора............... 2 А
Импульсный ток коллектора............... 4 А
Постоянный ток базы..................... 1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —60...+25 'С:
с теплоотводом:
2Т831А-2Т831Г....................... 5 Вт
2Т831В-1, 2Т831Г-1', бесконечный
теплоотвод....................... 25 В
без теплоотвода...................... 1 Вт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Температура окружающей среды:
2Т831А-2Т831Г........................ -6О...ГК =
= +125 °C
2Т831В-1, 2Т831Г-1................... -6О...7; =
= +100 °C
1 При Гк = +25...+ 100 ’С Р^накс для 2Т831В-1, 2Т831Г-1 с теплоотводом
рассчитывается по формуле
Рк. макс = (Гп - Гк)/(5 + /?Т|п-К)), Вт.
Для 2Т831В-1, 2Т831Г-1 при длине выводов / > 5 мм 4, макс * Ю/1-
13С
Пайка выводов 2Т831А—2Т831Г допускается не ближе 3 мм
от корпуса. Температура пайки не более +260 °C в течение не
более 3 с.
Допустимая температура монтажа транзисторов 2Т831В—1,
2Т831П-1 в гибридных микросхемах не должна превышать
+230 °C в течение не более 10 с.
Допустимое значение статического потенциала 500 В.
Зона возможных положений
зависимости статического ко-
эффициента передачи тока
от температуры корпуса
Зона возможных положений
зависимости напряжения на-
сыщения коллектор—эмиттер
от тока коллектора
Зона возможных положений
зависимости напряжения на-
сыщения база—эмиттер от
тока коллектора
Зона возможных положений
зависимости пробивного на-
пряжения коллектор—эмиттер
_<т сопротивления база—эмит-
тер
5'
131
Р<мнсс>Вг
Зависимость максимально до-
пустимой постоянной рассеи-
ваемой мощности коллектора
от температуры корпуса
Зависимость максимально до-
пустимой постоянной рассеи-
ваемой мощности коллектора
от температуры
Области максимальных
режимов
Выходные характери-
стики
Входные характери-
стики
4 А
Зона возможных положений
зависимости статического ко-
эффициента передачи тока
от тока коллектора
Области максимальных
режимов
132
Зависимости коэффициента К
от длительности импульса
2Т834А, 2Т834Б, 2Т834В, КТ834А, КТ834Б, КТ834В
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п
составные усилительные. Предназначены для применения в
регуляторах тока и напряжения, в переключающих устрой-
ствах. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и
жесткими выводами.
Масса транзистора не более 22 г.
Изготовители — акционерное общество «Элиз», г. Фря-
зино, акционерное общество «Кремний», г. Брянск.
2Т834(А-В) . КТ834(А-В)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ:
при Ц<э = 5 В, 4 = 5 А:
Тк = +25 °C.................................... 150...500*...
3000*
= Гк. макс» не менее................... 150
133
7к — 7^ мин» не менее.................. 50
при «4э = 5 В, 4 = 10 А, Гк = +25 *С....... 60...250*...
1250*
Модуль коэффициента передачи тока на высо-
кой частоте при = 5 В, /к - 5 A, f = 1 МГц 4*...5*...7,8*
Граничное напряжение при /к = 0,1 А,
£ = 25 мГн:
2Т834А, КТ834А............................. 400...450*...
490* В
2Т834Б, КТ834Б............................. 350...375*...
440* В
2Т834В, КТ834В............................. 300...340* ..
375* В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
4 = 15 А, /Б = 1,5 А........................... 1,2*. ..1,5* „2 В
Время спада при = 250 В, = 5 В,
4 = Ю А, 4 = 1 А............................... 0,25*...0,6*...
1,2* мкс
Обратный ток коллектор—эмиттер
при Лю = 100 Ом:
7”к = +25 С, 44э р = С4э r, макс» не более. 3 мА
типовое значение........................... 0,2* мА
7”к = макс» ^4э r = Ц<э r, и, макс» не более... 3 мА
Гк = Гк, мин» Ц<э r = Мо к, и, макс» не более .... 3 мА
Обратный ток эмиттера при = 5 В,
не более......'................................ 50 мА
типовое значение........................... 25* мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер1
при /?бэ = 100 Ом, Гк = -40...+85 °C:
2Т834А, КТ834А............................ 500	В
2Т834Б, КТ834Б........................ 450	В
2Т834В, КТ834В........................ 400	В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при Лю = 100 Ом, 4, > 0,2 мкс:
2Т834А, КТ834А............................ 400	В
2Т834Б, КТ834Б........................ 350	В
2Т834В, КТ834В........................ 300	В
’ При Гк = -40...-60 ‘С и Гк = +85...+125 *С „„с снижаются линейно
до 400 В для 2Т834А, КТ834А; 350 В для 2Т834Б, КТЙ34Б; 300 В для 2Т834В,
КТ834В.
134
Постоянное напряжение база—эмиттер...... 8 В
Постоянный ток коллектора............... 15 А
Импульсный ток коллектора при С 0,5 мс,
Q ъ 100 ................................ 20 А
Постоянный ток базы..................... 3,5 А
Импульсный ток базы при Ги С 0,5 мс, О? 100. 7 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’ при Гк = Гц МИН-+25 °C............ 100 Вт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Температура окружающей среды:
2Т834А, 2Т834Б, 2Т834В............... -60... Гк =
= +125 °C
КТ834А, КТ834Б, КТ834В............... -40... Тк =
= +85 °C
’ При Гк > +25 °C
^.ИЛКС = (Г1 ~	(П-К)> ®т>
где ЯТ(П_К) определяется из области максимальных режимов.
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер практически
не зависит от сопротивления в цепи база—эмиттер (до 10 кОм).
Допустимое значение статического потенциала 2000 В.
Пайка выводов рекомендуется не ближе 5 мм от корпуса
паяльником с температурой не более +260 °C в течение не
более 10 с.
Входные характери- Выходные характери- Зависимости напряже-
стики	стики	4ия насыщения коллек-
тор—эмиттер от тока
коллектора
135
Облает максимальных режимов
Зона возможных положений
зависимости статического ко-
эффициента передачи тока
от тока коллектора
Зона возможных поло-
жений зависимости на-
пряжения насыщения
коллектор—эмиттер
от тока базы
Зависимости напряже-
ния насыщения база-
эмиттер от тока коллек-
тора
Зависимости статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тем-
пературы корпуса
136
Ukx v .В
tk.,HC
Зависимость времени
включения от тока
коллектора
tpw .MKC
		2783ЦА - BI КТ8ША - В!		
				
1,/ЫО				
				
	U^250B, 1^53			
о 2 i 6 In,A
Зависимость гранично-
го напряжения от тем-
пературы корпуса
Зависимость времени
рассасывания от тока
коллектора
Зона возможных поло-
жений зависимости вре-
мени спада от напряже-
ния коллектор—эмиттер
Зависимость времени
нарастания от тока
коллектора
Зона возможных поло-
жений зависимости ем-
кости коллекторного
перехода от напряже-
ния коллектор—база
КТ838А, КТ838Б
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п
импульсные. Предназначены для применения в каскадах го-
ризонтальной развертки телевизоров и видеоконтрольных
устройств. Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими
выводами и стеклянными-изоляторами. Тип прибора указыва-
ется на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при (/кэ = 5 В, не менее:
КТ838А при /к = 50 мА............. 6
КТ838Б при 4 = 30 мА.............. 6
137
KT838А
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 20 В, 4 = 0,3 А,
не менее................................. 3 МГц
Граничное напряжение при /к = 0,1 А,
L-= 40 мГн, не менее:
КТ838А............................... 700 В
КТ838Б............................... 650 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер,
не более:
Т = +25 °C при /к = 4,5 А, /Б = 2 А.. 5 В
Т= -45 и +100 °C при 4 = 4,5 А, 4 = 3 А. 5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 4,5 А, 4 = 2 А, не более......... 1,5 В
Постоянное напряжение эмиттер—база,
не менее:
/э = 0,01 А.......................... 5 В
4 = 0,1 А............................ 7 В
Время спада при £4э = 500 В, Ub3 = 5 В,
4 = 4,5 А, 4 = 1,8 А, не более........... 1,5 мкс
типовое значение..................... 0,7* мкс
Время рассасывания при 14э = 500 В,
UM = 5 В, 4 = 4,5 А, 4 = 1,8 А,
типовое значение......................... 10* мкс
Емкость коллекторного перехода
при £4б = 5 В, типовое значение.......... 170* пФ
Емкость эмиттерного перехода при (/ЭБ = 5 В,
типовое значение......................... 2200* пФ
138
Обратный ток коллектор—эмиттер, не более:
Гк = +25 'С при </кэ = 1500 В, Цэ = 0. 1 мА
Гк = -45 и +100 ’С при = 1100 В,
ию = 0................................ 1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ838А................................ 1500 В
КТ838Б................................ 1290 В
Постоянное и импульсное напряжение коллек-
тор-эмиттер при /?бэ = 10 Ом, = 20 мкс,
= 2 мкс, 0=4:
Гк = —45...+75 ’С..................... 1500 В
Гк = +100Х............................ 1100 В
Постоянный ток коллектора................ 5 А
Импульсный ток коллектора................ 7,5	А
Постоянный ток базы...................... 0,1	А
Импульсный ток базы...................... 3,5	А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —45...+25 °C............... 12,5 Вт
Температура р-п перехода ................ +115 °C
Температура окружающей среды............. —45... Тк =
= +100 °C
’ При Гк = +75...+1OO *С максимально допустимое постоянное и импульсное
напряжение коллектор—эмиттер снижается линейно.
Пайка выводов транзистора допускается не ближе 5 мм от
корпуса паяльником, нагретым до температуры +250 °C, в
течение не более 3 с.
Входные характери-
стики
Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от то-
ка коллектора
Зависимости напряже-
ний насыщения коллек-
тор—эмиттер и база-
эмиттер от тока базы
139
Uk3№.uAIk3Xh(Rsj= Юм)
Зависимость импульсного на-
пряжения коллектор—эмиттер
от сопротивления база—эмиттер
2Т839А, КТ839А
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п
импульсные. Предназначены для применения в высоковольт-
ных переключающих устройствах и источниках вторичного элек-
тропитания. Выпускаются в металлическом корпусе со стек-
лянными изоляторами и жесткими выводами. Тип прибора ука-
зывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Изготовитель — акционерное общество «Элиз», г. Фря-
зино.
140
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 10 В, /к = 4 А, не менее:
Гк = +25 °C........................... 5
типовое значение...................... 7*
Гк = -60 и +100 °C для 2Т839А......... 2
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 1/ю = 20 В, 4 = 0,3 А,
типовое значение......................... 5* МГц
Граничное напряжение при 4 = 0,1 А,
L = 40 мГн, не менее..................... 700 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер.
при 4 = 4 А, 4 = 2 А, не более........... 1,5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 4 А, 4 = 2 А, не более........... 1,5 В
Обратный ток коллектора, не более:
Г=+25’С, УКБ= 1500 В.................. 1 мА
Т= +100 ‘С, (/КБ = 1100 В для 2Т839А.. 3 мА
Т= -60 °C, УКБ = 1100 В для 2Т839А.... 1 мА
Обратный ток эмиттера при Ux = 5 В,
не более................................. 10 мА
Время спада при 1/ю - 500 В, иэъ = 5 В,
4 = 4,5 А, 4 = 1.8 А, не более........... 1,5* мкс
Время рассасывания при С4э = 300 В,
6U = 5 В, 4 = 4,5 А, 4 = 1,8 А, не более. 10* мкс
Емкость коллекторного перехода
при С4в = Ю В, типовое значение.......... 240* пФ
Емкость эмиттерного перехода при (4 = 5 6,
типовое значение......................... 4000* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
Тк = -40...+75 °C для 2Т839А............ 1500 В
Гк = -40...+60 ’С для КТ839А......... 1500 В
Гк = -40...-60 °C и +75...+100 °C
для2Т839А............................. 1Ю0В
Гк = -40...-45 ‘С для КТ839А.......... 1400 В
Гк = +60...+85 °C для КТ839А.......... 1250 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер1
при /4э = Ю Ом, = 3 мкс:
Гк = -40...+75 °C для 2Т839А.......... 1500 В
' Максимально допустимые постоянное и импульсное напряжение кол-
лектор-эмиттер в указанных интервалах температур снижаются линейно. При
Сф > 3 мкс максимально допустимое импульсное напряжение коллектор—эмит-
тер снижается линейно до 700 В.
141
Гк = —40...+60 ’С для КТ839А.......... 1500 В
Гк = -40...-60 °C и +75...+ 1OO °C
для 2Т839А............................. 1100В
Гк = -40...-45 °C для КТ839А.......... 1400 В
Гк = +60...+85 ‘С для КТ839А.......... 1250 В
Постоянное напряжение эмиттер—база....... 5 В
Постоянный и импульсный ток коллектора... 10 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Гк = —60...+25 °C.............. 50 Вт
Температура р-п перехода................. +125 ’С
Тепловое сопротивление переход—корпус
при = 5 В, 1ц = 10 А..................... 2 ’С/Вт
Температура окружающей среды:
2Т839А................................ -6О...ГК =
= +100 °C
КТ839А............................ —45... Гк =
= +85 °C
1 При Тк > +25 *С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
РКММ£=(125- Т^/2, Вт.
Пайка выводов транзистора допускается не ближе 5 мм от
корпуса паяльником с температурой не выше +260 °C в те-
чение не более 10 с. Зависимости параметров транзистора
КТ839А от режимов аналогичны зависимостям транзистора
2Т839А.
Входные характери*
стики
Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициен-
та передачи тока от то-
ка коллектора
Зависимости напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эмиттер от тока
коллектора
142
Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор-эмиттер от коэф-
фициента насыщения
Зависимость напряже-
ния насыщения база—
эмиттер от тока базы
Зона возможных поло-
жений зависимости мо-
дуля коэффициента пе-
редачи тока от тока
коллектора
Выходные характери-
стики
Зависимость максималь-
но допустимого постоян-
ного напряжения коллек-
тор—эмиттер от сопроти-
вления база—эмиттер
Зависимость емкости
коллекторного перехо-
да от напряжения кол-
лектор—база
Зависимость емкости эмиттерного
перехода от напряжения база—
эмиттер
143
КТ840А, КТ840Б, КТ840В
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п
переключательные. Предназначены для применения в пере-
ключающих и импульсных устройствах. Выпускаются в метал-
лическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоля-
торами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
144
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 2,5 В, 4 = 8 А:
КТ840А.................................... 10...60
КТ840Б, не менее....................... 10
КТ840В................................. 10... 100
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 10 В, = 0,2 А  8...12*...
15* МГц
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 2,5 А, /Б = 0,5 А, не более...... 0,6 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 2,5 А, 4 = 0/5 А, не более....... 1,5 В
Граничное напряжение при /к = 0,1 А,
не менее:
КТ840А................................. 400	В
КТ840Б................................. 350	В
КТ840В................................. 375	В
Время включения при UK3 = 200 В, /к = 2,5 А,
/Б = 0,5 А................................ 0,08*...0,1*...
0,2 мкс
Время спада при = 200 В, /к = 2,5 А,
4 = 0,5 А................................. 0,15*...0,3*...
0,6 мкс
Время рассасывания при = 200 В,
/к = 2,5 А, 4 = 0,5 А..................... 0,4*...0,8*...
3,5 мкс
Обратный ток коллектора при 6^ = 1/КБ МАКС:
Тк = +25 °C............................... 0,1*...0,5*...
3 мА
Гк = —45 °C............................ 0,5*...1,5*...
5 мА
7^ =+100 °C............................ 0,5*...1,5*...
5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ840А.................................... 900	В
КТ840Б................................. 750	В
КТ840В................................. 800	В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 100 Ом:
КТ840А.................................... 400	В
КТ840Б................................. 350	В
КТ84ОВ................................. 375	В
145
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер1
при = 1,5 В, 7И = 80 мкс, = 1 мкс, 0=2:
КТ840А при Тк = -20...+100 °C........ 900	В
КТ840Б при Тк = -20...+90 °C.......... 750	В
КТ840В при Тк = -20...+90 °C.......... 800	В
Постоянное напряжение эмиттер—база....... 5 В
Постоянный ток коллектора................ 6 А
Импульсный ток коллектора при 4, = 20 мкс,
0= 3...................................... 8 А
Постоянный ток базы...................... 2 А
Импульсный ток базы при t* = 20 мкс, 0=3.. ЗА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора2 при (/ю = 30 В, Тк = —45...+50 °C.. 60 Вт
Температура р-п перехода................. +150 °C
Температура окружающей среды............. —45... Гк =
= +100 °C 1 2
1 При Тк = —20...—45 "С максимально допустимое импульсное напряжение
коллектор—эмиттер снижается линейно до 750 В для КТ84ОА, до 600 В для
КТ840Б, до 650 В для КТ840В, при Гк = +90...+100 *С снижается линейно до
700 В для КТ840Б и до 750 В для KT840B.
2 При 7К > +50 “С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
Ar. макс = (150 — TK)/R, Вт,
где /?т (н-щ = 1,67 ’C/Вт при (/„ = 30 В, 4 = 2 А.
/ 2 J 4 Q
Области максимальных режимов Зависимость максимально допу-
стимого импульсного напряжения
от скважности
146
2Т841А, 2Т841Б, 2Т841В, 2Т841А1, 2Т841Б1,
КТ841А, КТ841Б, КТ841В, КТ841Г, КТ841Д, КТ841Е
Транзисторы кремниевые планарные структуры п-р-п пере-
ключательные. Предназначены для применения в переключаю-
щих устройствах, импульсных модуляторах, мощных преобра-
зователях, линейных стабилизаторах напряжения. Транзисто-
ры 2Т841А—2Т841В, КТ841А—КТ841Е выпускаются в металли-
ческом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами. Транзисторы 2Т841А1, 2Т841Б1 выпускаются в пласт-
массовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указы-
вается на корпусе.
Масса транзисторов в металлическом корпусе не более
20 г, в пластмассовом корпусе не более 2 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
2Т841(А-В). КТ84КА-Е)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 1/^ = 5 В:
Т= +25 °C:
2Т841А, 2Т841Б, КТ841А, КТ841Б,	-
КТ841В при /к = 5 А................ 12...20*...45*
2Т841А1, 2Т841Б1, 2Т841В
при 4 = 5 А, не менее.............. 10
КТ841Г при /к = 5 А, не менее...... 20
КТ841Д при 4 = 2 А, не менее....... 20
КТ841Е при 1ц = 5 А, не менее...... 10
147
2ТЫЦА1-Б1)
Т = —60 °C и Гмдкс, не менее:
2Т841А, 2Т841Б, 2Т841В, 2Т841А1,
2Т841Б1.............................. 6
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 10 В, = 0,2 А:
2Т841А, 2Т841Б, 2Т841В, 2Т841А1,
2Т841Б1, КТ841А, КТ841Б, КТ841В.......... 10...20*...
25* МГц
КТ841Г, КТ841Е, не менее................. 7 МГц
КТ841Д, не менее......................... 5 МГц
Граничное напряжение при 4 = А:
2Т841А, 2Т841А1, КТ841А, КТ841В............. 350...440*...
510* В
2Т841Б, 2Т841Б1, КТ841Б................ 250...370*...
450* В
КТ841Г, не менее......................... 150 В
2Т841В, КТ841Д, КТ841Е, не менее......... 400 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при = 5 А, /Б = 1 А:
2Т841А, 2Т841Б, 2Т841В, КТ841А, КТ841Б,
КТ841В, КТ841Е........................... 0,25*...0,6* ..
1,5 В
2Т841А1, 2Т841Б1, не более............... 1,5 В
КТ841Г, КТ841Д, не более................. 2,2 В
148
Напряжение насыщения база—эмиттер при
/к = 5 А, /Б = 1 А:
2Т841А, 2Т841Б, 2Т841В, КТ841А, КТ841Б,
КТ841В, КТ841Г, КТ841Д, КТ841Е........... 0,95* ..1,1*...
1,6 В
2Т841А1, 2Т841Б1, не более............ 1,8 В
Время включения при £/кэ = 200 В, /к = 5 А,
/6 = 1 А, не более....................... 0,3* мкс
типовое значение...................... 0,08* мкс
Время спада при ию = 200 В, /к = 5 А, /Б = 1 А. 0,06*...0,2*...
0,5 мкс
Время рассасывания при = 200 В, /к = 5 А,
4 = 1 А, не более........................ 1* мкс
типовое значение...................... 0,8* мкс
Обратный ток коллектора при £/КБ = МАКС,
не более:
Т= -60...+25 °C.......................... 3 мА
типовое значение...................... 0,04*	мА
Т = ГМАКС для 2Т841А, 2Т841Б, 2Т841В,
2Т841А1, 2Т841Б1...................... 5 мА
Обратный ток эмиттера при 6/ю = 5 В,
не более:
2Т841А, 2Т841Б, 2Т841В, КТ841А, КТ841Б,
КТ841В, КТ841Г, КТ841Д, КТ841Е........... 10 мА
2Т841А1, 2Т841Б1...................... 5 мА
Емкость коллекторного перехода
при U№ = 10 В............................ 185*...220*...
300 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Ux = 1 В . 3000*...3800*
...5000 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т841А, 2Т841А1,	КТ841А, КТ841В.......... 600	В
2Т841Б, 2Т841Б1,	КТ841Б............. 400	В
2Т841В, КТ841Е........................ 800	В
КТ841Г................................ 200	В
КТ841Д................................ 500	В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?бэ = 100 Ом:
2Т841А, 2Т841А1, КТ841А, КТ841В.......... 350 В
2Т841Б, 2Т841Б1, КТ841Б............... 250 В
КТ841Г................................ 150 В
2Т841В, КТ841Е, КТ841Д................ 400 В
149
Постоянное напряжение	эмиттер—база....... 5 В
Постоянный ток	коллектора............... 10 А
Импульсный ток коллектора при Ги = 10 мс,
0=2...................................... 15 А
Постоянный ток	базы..................... 2 А
Импульсный ток базы при Ги = 10 мс, 0= 2.... 4 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1:
с теплоотводом, Тк = +25 °C:
2Т841А, 2Т841Б, 2Т841В, КТ841А,
КТ841Б, КТ841В, КТ841Е............ 50 Вт
2Т841А1, 2Т841Б1.................. 30 Вт
КТ841Г, КТ841Д.................... 100 Вт
Гк = +100 °C для КТ841А, КТ841Б,
КТ841В, КТ841Е........................ 20 Вт
Тк = +125 °C для 2Т841А, 2Т841Б, 2Т841В 10 Вт
без теплоотвода, Т = +25 °C:
2Т841А, 2Т841Б, 2Т841В, КТ841А,
КТ841Б, КТ841В, КТ841Г, КТ841Д,
КТ841Е............................ 3 Вт
2Т841А1, 2Т841Б1.................. 1 Вт
Г=+100 °C для КТ841А, КТ841Б, КТ841В,
КТ841Г, КТ841Д, КТ841Е................ 1 Вт
Г= +125 °C для 2Т841А, 2Т841Б, 2Т841В. 0,5 Вт
Температура р-п перехода................. +150 °C
Температура окружающей среды:
2Т841А, 2Т841Б, 2Т841В................ -60...	Тк =
= +125 °C
2Т841А1, 2Т841Б1...................... -60...	Гк =
= +100 °C
КТ841А, КТ841Б, КТ841В, КТ841Г,
КТ841Д, КТ841Е........................ -45...	Тк =
= +100 °C
1 При Гк > 25 "С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора для 2Т841А1, 2Т841Б1 снижается линейно на 0,24 Вт/’С с
теплоотводом и на 8 мВт/‘С без теплоотвода, для 2Т841А, 2Т841Б, 2Т841В,
КТ841А, КТ841Б, КТ841В уменьшается линейно.
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм
от корпуса, температура припоя не более +260 °C, время
пайки не более 3 с.
Для транзисторов 2Т841А1, 2Т841Б1 при раздельной пай-
ке теплоотводящей поверхности и выводов транзистора пайку
150
осуществлять припоем с температурой не более +240 °C, об-
щее время пайки не более 8 с.
При монтаже и эксплуатации транзисторов должны быть
приняты меры, исключающие воздействие статического элек-
тричества выше 1 кВ. Транзисторы являются комплементар-
ными с транзисторами 2Т842А—2Т842В, 2Т842А1, 2Т842Б1,
КТ842А-КТ842Е.
Зависимости максимально допу-
стимой постоянной рассеиваемой
мощности коллектора от темпе-
ратуры корпуса
Зона возможных положений
зависимости статического ко-
эффициента передачи тока от
тока эмиттера
Зависимости напряжений на-
сыщения коллектор—эмиттер
и база—эмиттер от тока кол-
лектора
151
Зависимость гранично-
го напряжения от тем-
пературы корпуса
Зона возможных положений зависимо-
сти пробивного напряжения коллектор—
эмиттер от сопротивления база—эмиттер
Зависимость емкости
коллекторного перехо-
да от напряжения кол-
лектор—база
Зависимости времени
включения, выключе-
ния, спада и рассасы-
вания от тока коллек-
Зависимости времени
включения, выключе-
ния, слада и рассасы-
вания от температуры
Области максимальных режимов
152
Зависимость коэффициента К
от длительности импульса
2Т844А, КТ844А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п переключательные. Предназначены для применения
в переключающих и импульсных устройствах. Корпус металли-
ческий со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
153
Масса транзистора не более 20 г.
Изготовитель — акционерное общество «Элиз», г. фря-
зино.
2Т811а. КТ8Ш
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 3 В, 4 = 6 А:
Гк = +25 °C.......................... 10...50
Гк= макс............................... 8... 150
7” = 7-„ин............................. 5...70
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при = 10 В, 4 = 0,5 А,
f = 3 МГц, не менее...................... 2,4
типовое значение....................... 3
Граничное напряжение при 4 = А,
L = 40 мГн, не менез...................... 250 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 6 А, 4 = 0,6 А, не более.......... 2,5 В
типовое значение....................... 1,3 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 6 А, /Б = 0,6 А, не более......... 2,5 В
типовое значение....................... 1,3 В
Время рассасывания при £/кэ = 100 В, 4 = 6 А,
4 = 1,2 А, 14э = — 4 В, не более.......... 2 мкс
Время спада при = 100 В, 4 = 6 А,
4 = 1,2 А, 14э = “4 В, не более........... 0,3 мкс
типовое значение....................... 0,15 мкс
154
Время нарастания при (Укэ = 100 В, /к = 6 А,
/6 = 1,2 А, = —4 В, не более............ 0,3* мкс
типовое значение..................... 0,15* мкс
Обратный ток коллектор—эмиттер
при = 250 В, =10 Ом, не более:
Гк = +25 'С............................. 3 мА
типовое значение..................... 0,1 мА
Гк = Гк мдкс и Т- Гмин............... 10 мА
Обратный ток эмиттера при = 4 В,
не более................................ 20 мА
типовое значение..................... 1 мА
Емкость коллекторного перехода
при = 10 В, f= 1 МГц.................... 160*...210* ..
300* пф
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при иъэ = 2 В или /?вэ = 10 Ом.......... 250 В
Постоянное напряжение база—эмиттер...... 4 В
Постоянный ток	коллектора.............. 10 А
Импульсный ток	коллектора.............. 20 А
Постоянный ток	базы.................... 4 А
Импульсный ток	базы.................... 7 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’ с теплоотводом при Гк = Гмин...+50 “С... 50 Вт
Температура р~п перехода................ +175 °C
Температура окружающей среды:
2Т844А.................................. -60... 7; =
= +125 °C
КТ844А.................................. —45... 7^ =
= +100 °C
' При Тк > +50 "С МАКС вычисляется по формуле
^к. макс = (175 — Тк)/И, n_K), Вт,
где /?т	— определяется из области максимальных режимов.
Пайка выводов допускается .не ближе 5 мм от корпуса.
При пайке температура корпуса не должна превышать +125 °C.
При отсутствии контроля температуры корпуса пайка осуще-
ствляется паяльником с температурой +260 °C в течение не
более 3 с.
Допустимое значение статического потенциала 2000 В.
Зависимости электрических параметров КТ844А аналогич-
ны зависимостям 2Т844А.
155
Входные характери-
стики
Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициен-
та передачи тока от то-
ка коллектора
Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тем-
пературы корпуса
Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эмиттер от тока
базы
Зависимость пробивно-
го напряжения коллек-
тор—эмиттер от сопро-
тивления база—эмиттер
Зависимость емкости
коллекторного перехо-
да от напряжения кол-
лектор—база
Области максимальных
режимов
Зависимость времени
спада от тока коллек-
тора
Зависимость времени
рассасывания от тока
коллектора
156
2Т845А, КТ845А
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п
переключательные. Предназначены для применения в пере-
ключающих и импульсных устройствах. Выпускаются в метал-
лическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Изготовитель — акционерное общество «Элиз», г. Фря-
зино.
2Т845А. КТ845А
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при (/кэ = 5 В, /к = 2 А:
Тк = +25 °C.......................... 15...100
Гк = МАКС.............................. 8...150
Г= ?мин................................ 8...100
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при UK3 = 5 В, 4 = 0,5 А,
f- 3 МГц, не менее........................ 1,5*
типовое значение....................... 1,8*
Граничное напряжение при 4 = 0,1 А,
L = 40 мГн, не менее...................... 400 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 2 А, 4 = 0,4 А, не более.......... 1,5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 2 А, 4 = 0,4 А, не более.........-	1,8 В
157
Время включения при Ц, = 200 В, 4 = 2 А,
/Б = 0,4 А, = —4 В, не более.............. 0,35*	мкс
Время рассасывания при = 200 В, /к = 2 А,
/Б = 0,4 А, 1/бэ = —4 В, не более......... 4* мкс
типовое значение...................... 2,7* мкс
Время спада при = 200 В, /к = 2 А,
4 = 0,4 A, Ua = —4 В, не более............ 0,35 мкс
Обратный ток коллектор—эмиттер
при //о = 400 В, /?бэ = 10 Ом не более:
Гк = Гмия...+25 °C.................... 3 мА
ГК = Гц МАКС ......................... 10 мА
Обратный ток эмиттера при = 4 В,
не более.................................. 15 мА
Емкость коллекторного перехода
при U№ = 200 В, f = 1 МГц, не более....... 45 пф
типовое значение...................... 35 пФ
Емкость эмиттерного перехода при (4э = 4 В,
f= 1 МГц, не более........................ 2000 пф
типовое значение...................... 1700 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное и импульсное напряжение коллек-
тор—эмиттер1 при	= 10 Ом, Гк = +100 °C.. 400 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 4 В
Постоянный ток коллектора............... 5 А
Импульсный ток коллектора............... 7,5 А
Постоянный ток базы..................... 1,5 А
Импульсный ток базы,.................... 4 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 2 при Гк = 7’мин...+50 °C......... 40 Вт
Температура р-п перехода................ +175 °C
Температура окружающей среды:
2Т845А............................... -60.-7; =
= +125 °C
КТ845А............................... —45...ГК =
= +100 °C
1 При Тк > +100 "С Цсэ к. макс снижается линейно на 10% на каждые 10 *С.
2 При Тк > +50 °C нж рассчитывается по формуле
\ макс = (175 — 7K)//?T(n-K). Вт,
где /?Т(П_К| — определяется из области максимальных режимов.
158
При конструировании аппаратуры следует учитывать воз-
можность самовозбуждения транзисторов за счет паразитных
связей.
Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса
транзистора, при этом температура корпуса не должна превы-
шать +125 °C. При отсутствии контроля температуры корпуса
пайка осуществляется паяльником с температурой не более
+260 °C в течение времени не более 3 с.
Допустимое значение статического потенциала 2000 В.
Входные характери- Зона возможных поло- Зависимости налря-
стики	жений зависимости ста- жений насыщения
тического коэффициен-	коллектор—эмит-
та передачи тока от то- тер и база—змит-
ка коллектора	тер от тока базы
Зависимость емкости
коллекторного перехо-
да от напряжения кол-
лектор—база
Зависимость емкости
эмиттерного перехода
от напряжения база—
эмиттер
Зависимость модуля
коэффициента пере-
дачи тока от тока
коллектора
159
0,01'—1_LJJJ—L_JJ_U— -I JU
/	10	100 uK3.B
Области максимальных режимов
Зависимости импульсного тепло-
вого сопротивления переход—
корпус от длительности импульса
Зона возможных поло-
жений зависимости вре-
мени спада от тока кол-
лектора
Зона возможных поло-
жений зависимости вре-
мени рассасывания от
тока коллектора
Зона возможных поло-
жений зависимости вре-
мени включения от тока
коллектор*
КТ846А, КТ846Б, КТ846В
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п
импульсные. Предназначены для применения в блоках го-
ризонтальной развертки телевизоров и видеоконтрольных
устройств. Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими
выводами и стеклянными изоляторами. Тип прибора указыва-
ется на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Изготовитель — акционерное общество «Элиз», г. Фрязи-
но, Московская область.
160
ХТ&46(А-В)
Электрические параметры
Граничное напряжение при 4 = 0,1 А,
L = 40 мГн, не менее:
КТ846А, КТ846В......................... 700 В
КТ846Б................................. 600 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер,
не более:
КТ846А:
7= +25 ’С, /к = 4,5 А, 4 = 2 А...... ТВ
Т= -25 °C, 4 = 4,5 А, 4 = 3 А....... 2,5 В
7=+100’С,/к= 4,5 А, 4 = 3 А......... 1,5 В
КТ846Б, КТ846В при 7 = +25 *С,
4 = 4,5 А, 4 = 2 А................. 5 В
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 64э = 20 В, 4 ~ А..... 2...4*...7* МГц
Время спада при = 500 В, 4 = 4,5 А,
4 = 1,8 А, 64э ~ 5 В, не более............ 1 мкс
типовое значение....................... 0,7* мкс
Время рассасывания при 14э = 500 В,
4 = 4,5 А, 4 = 1»8 А, С4э = 5 В, не более. 12 мкс
типовое значение....................... 10* мкс
Обратный ток коллектор—эмиттер
при 64э = 1500 В, Лю = 10 Ом, не более:
7=+25 °C............................... 1 мА
7=-25 и+95 °C.......................... 2 мА’
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер1
при /4э = 10 Ом, 7К = —25...+Э5 °C:
КТ846А, КТ846В......................... 1500 В
1 При Гк = +95...+100 ’С максимально допустимое постоянное напряжение
коллектор—эмиттер снижается линейно до 1100 В.
141
6-834
КТ846Б................................ 1200 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер1
при /?бэ = 10 Ом, 7"к = —25...+Э5 'С,	= 2 мкс:
КТ846А, КТ846В........................ 1500 В
КТ846Б................................ 1200 В
Потенциал статического электричества..... 2000 В
Постоянный ток коллектора................ 5 А
Импульсный ток коллектора................ 7,5 А
Постоянный запирающий ток базы............ 0,1 А
Импульсный запирающий ток базы........... 3,5 А
Импульсный ток базы...................... 4 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —25...+Э5 °C............... 12,5 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора при = 64 мкс, Sp = 4,5 мкс,
Гк = —25...+Э5 °C:
S/кэ и =	150	В........................ 250 Вт
и =	200	В............................ 200 Вт
^о’и =	300	В........................ 150 Вт
иКэ и =	400	В........................ 120 Вт
ию и =	600	В........................ 70 Вт
Температура р-п перехода................. +115 °C
Температура окружающей среды............. —25... 7"к =
= +100 °C
’ При Гк = +95...+100 "С максимально допустимое импульсное напряжение
коллектор—эмиттер снижается линейно до 1100 В.
Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса при
температуре припоя не выше +250 °C в течение не более 3 с.
Зависимости напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эмиттер от тока
базы
Зависимость максималь-
но допустимого импульс-
ного напряжения коллек-
тор-эмиттер ст сопро-
тивления база—эмн гтер
С,.пФ
Зависимость емкости
коллекторного пере-
хода от напряжения
коллектор—база
162
Области максимальных режимов
Зависимости импульсного теплового сопротивления переход—корпус
от длительности импульса
2Т847А, КТ847А
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р~п
переключательные. Предназначены для применения в источни-
ках вторичного электропитания. Выпускаются в металлическом
корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Изготовители — акционерное общество «Элиз», г. Фрязи-
но, Московская область, акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
6*	163
2Т847А, КТ817А
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 3 В, /к = 15 А:
Г=+25 °C................................... 8...9,5*...25*
Т= 7"мин и +.100 °C, не менее........... 5
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при ию = 10 В, 4 = 1,5 А,
не менее................................... 15 МГц
типовое значение........................ 40* МГц
Граничное напряжение при /к = 0,1 А,
4, нас = 0,3 A, L = 25 мГн, не менее....... 350 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 15 А, 4 = 5 А..................... 0,2*...0,5*...
1,5 В
Время спада при ию = 200 В, /к = 15 А,
/Б = 3 А, йЭБ = 7,5 В, не более............ 1,5 мкс
Время рассасывания при ию = 200 В,
4 = 15 А, 4 = 3 A, = 7,5 В, не более....... 3 мкс
Обратный ток коллектора, не более:
Г = 7"мин.,.+25 °C при U№ = 650 В....... 5 мА
Т= +100 °C при икъ = 400 В.............. 5 мА
Обратный ток эмиттера при U3b = 8 В,
не более................................... 100 мА
Емкость коллекторного перехода
при U№ = 400 В, не более................... 200 пФ
типовое значение........................ 100* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер’
при /?ы = 10 Ом, Т= Гмин...+75 °C.... 650	В
’ При Гк > +75 "С постоянное напряжение снижается линейно до граничного
напряжения.
164
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер1
при Рвэ = Ю Ом, t* = 20 мс, (р = 1,5 мкс,
Гк = Гмнн...+75 °C...................... 650 В
Постоянное напряжение база—эмиттер...... 8 В
Постоянный ток коллектора............... 15 А
Импульсный ток коллектора при 7И = 2 мс. 25 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора2 при Гк = Гмин...+25 ’С............ 125 Вт
Температура р-п перехода................ +200 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус
при Z/кэ = 12,5 В, 4 = 10 А............. 1,4 'С/Вт
Температура окружающей среды:
2Т847А............................... -6О...ТК =
= +100 °C
КТ847А............................... —45...ГК =
= +100 °C * 2 3
’ При Гк > +75 ’С импульсное напряжение снижается линейно до гранично-
го напряжения.
2 При Гк > +25 ’С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
А.макс=(200 - Гк)/1,4, Вт.
Допустимое значение статического потенциала 2000 В.
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм от
корпуса при температуре припоя +260 °C в течение не более
3 с.
Зависимости электрических параметров 2Т847А аналогич-
ны зависимостям КТ847А.
Входные характери-
стики
Выходные характери-
стики
Зависимость модуля ко-
эффициента передачи
тока от тока коллектора
165
Зависимость статического
коэффициента передачи
тока от тока коллектора
Зависимость максимально допусти-
мого постоянного напряжения кол-
лектор—эмиттер от сопротивления
6аза~эмиттер
Области максимальных режимов
Зависимости времени рассасывания
и спада от тока коллектора
Зависимости импульс-
ного теплового сопро-
тивления переход-
корпус от длительно-
сти импульса
166
2Т848А, КТ848А
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п
усилительные. Предназначены для применения в электронных
схемах зажигания автомобильной радиоэлектронной аппара-
туры. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными
изоляторами и жесткими выводами. Тип прибора указывается
на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Изготовитель — акционерное общество «Элиз», г. Фря-
зино.
2ТМ8А. КТШ
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, /к = 15 А, не менее:
Г=+25...Гмакс........................... 20
?мин................................. Ю
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 10 В, 4 = 1,5 А,
не менее.................................... 3 МГц
Граничное напряжение при 4 = 5 А,
L = 1,5 мГн, не менее....................... 400 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер:
при 4 = Ю А, /Б = 0,15 А, не более:
Г =+25 °C............................ 2 В
Т = -40 °C........................... 4,5 В
при 4 = 7 А, /Б = 0,07 А, Г= +25 °C...... 1*...1,3*...1,5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4= 10 А, /Б = 0,15 А:
Г =+25 °C................................ 1,7*..1,95*..
2,7 В
Т= -40 °C................................ 1,5*...2,1*.„
3,5 В
167
Прямое напряжение диода при 4* = 10 А,
не более...............................2 В
Обратный ток коллектор—эмиттер
при - 400 В, /?ю = 1 кОм, не более:
2Т848А.............................. 0,25 мА
КТ848А.............................. 3 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер . 400 В
Постоянное напряжение база—эмиттер:
2Т848А............................... 7 В
КТ848А............................... 15 В
Постоянный ток коллектора............... 15 А
Постоянный ток базы..................... 4 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = Гиин...+100 °C............ 35 Вт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Температура окружающей среды:
2Т848А.................................. -6О...ГК =
= +125 °C
КТ848А............................... —45...ГК =
= +100 °C
Допустимое значение статического потенциала 2000 В.
Пайка выводов транзистора допускается не ближе 5 мм от
корпуса при температуре +260 °C в течение не более 3 с,
время лужения 2 с.
Зависимости электрических параметров 2Т848А аналогич-
ны зависимостям КТ848А.
Входные характери-
стики
Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициен-
та передачи тока от им-
пульсного тока коллек-
тора
Зависимости напряже-
ния насыщения коллек-
тор-эмиттер от импульс-
ного тока коллектора
168
Зона возможных положе-
ний зависимости времени
спада от тока коллектора
Зависимости импульсного тепло-
вого сопротивления переход—
корпус от длительности импульса
Области максимальных режимов
Электрическая схема соединения
электродов с выводами
КТ850А, КТ850Б
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п
усилительные. Предназначены для применения в усилителях
мощности, переключающих устройствах. Выпускаются в пласт-
массовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указы-
вается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Иаготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
189
КТ850(А.Б)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 1/ю = 10 В, /к = 0,5 А:
КТ850А.............................. 40...200
КТ850Б, не менее.................... 20
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при ию = 10 В, /к = 0,1 А,
не менее............................... 20 МГц
Граничное напряжение при 4 = 30 мА,
не менее:
КТ850А.............................. 200 В
КТ850Б.............................. 250 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 0,5 А, /Б = 0,1 А, не более... 1 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 0,5 А, /Б = 0,1 А, не более.... 1,6 В
Обратный ток коллектора при U№ = МАКС,
не более:
КТ850А.............................. 0,1 мА
КТ850Б.............................. 0,5 мА
Обратный ток эмиттера при U3b = 5 В,
не более:
КТ850А.............................. 0,1 мА
КТ850Б.............................. 0,5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ850А................................. 250 В
КТ850Б.............................. 300 В
170
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?бэ = 1 кОм, d(//df = 250 В/мкс:
КТ850А................................ 200 В
КТ850Б............................... 250 В
Постоянное напряжение база—эмиттер...... 5 В
Постоянный ток коллектора............... 2 А
Импульсный ток коллектора при /и = 2 мс,
0=2..................................... 3 А
Постоянный ток базы..................... 0,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —60...+25 °C.............. 25 Вт
Температура р-п перехода.................. +150	°C
Температура окружающей среды............ —60...	Гк =
= +100 °C
Допускается одноразовый изгиб выводов не ближе 2,5 мм
от корпуса транзистора под углом 90° радиусом закругления
не менее 0,8 мм.
Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса
транзистора при температуре +260 °C в течение не более 3 с.
Запрещается припайка основания транзистора к теплоотводу.
Зависимость максимально допустимой
постоянной рассеиваемой мощности
коллектора от температуры корпуса
Области максимальных режимов
Г71
Зона возможных положений зави-
симости статического коэффициен-
та передачи тока от температуры
Зависимости статического коэф-
фициента передачи тока от тока
коллектора
Зависимости времени включения,
выключения и рассасывания от то-
ка коллектора
Зависимость обратного тока кол-
лектора от температуры
Зона возможных положений зави-
симости напряжения насыщения
коллектор—эмиттер от тока кол-
лектора
Зона возможных положений зави-
симости напряжения насыщения
база—эмиттер от тока коллектора
172
КТ854А, КТ854Б
Транзисторы кремние-
вые эпитаксиально-пла-
нарные структуры п-р-п-
усилительные. Предназна-
чены для применения в
преобразователях, линей-
ных стабилизаторах. Кор-
пус пластмассовый с жест-
кими выводами.
Масса транзистора не
более 2,5 г.
Изготовитель — акцио-
нерное общество «Крем-
ний», г. Брянск.
КТ854(А, Б)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при £/КБ = 4 В, 4 = 2 А, не менее . 20
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при С/КБ = 10 В, /э = 0,5 А,
не менее................................... 10	МГц
Граничное напряжение при /э = 0,1 А,
L = 160 мГн, не менее:
КТ854А..............;.................... 350	В
КТ854Б................................. 200	В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 5 А, /Б = 1 А, не более.......... 2	В
Обратный ток коллектора при = С/КБ
не более................................. 3	мА
Обратный ток эмиттера при У63 = 5 В,
не более................................. 5	мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ854А................................. 600	В
КТ854Б.............................. 400	В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ С 10 Ом:
КТ854А.............................. 500 В
КТ854Б.............................. 300 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 5 В
173
Постоянный ток коллектора............... 10 А
Импульсный ток коллектора............... 15 А
Постоянный ток базы..................... 3 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —40...+25 °C.............. 60 Вт
Температура р-п перехода.................. +150	°C
Температура окружающей среды............ —40...	Гк =
= +100 °C
При монтаже допускается одноразовый изгиб выводов тран-
зистора не ближе 2,5 мм от корпуса под углом 90° с радиусом
закругления не менее 2,5 мм. При этом должны приниматься
меры, исключающие передачу усилий на корпус. Изгиб в плос-
кости выводов не допускается.
Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса
транзистора при температуре не более +260 °C в течение не
более 3 с. При пайке корпус паяльника должен быть заземлен.
Разрешается осуществлять пайку путем погружения выводов в
расплавленный припой с температурой не более +250 °C в
течение не более 5 с. Допускается пайка волной припоя с
температурой не более +240 °C.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В.
Зависимость максимально допусти-
мой постоянной рассеиваемой мощ-
ности коллектора от температуры
Зависимость статического коэффи- Области максимальных режимов
циента передачи тока от тока эмит-
тера
Н4
Зависимость статического коэф-
фициента передачи тока от на-
пряжения коллектор—база
Зависимость статического коэф-
фициента передачи тока от тем-
пературы
Зона возможных положений за-
висимости максимально допусти-
мого постоянного напряжения
коллектор—эмиттер от сопроти-
вления база—эмиттер
Зависимость напряжения насыще-
ния коллектор—эмиттер от тока
коллектора
Зависимость напряжения насы-
щения база—эмиттер от тока
коллектора
Зависимость напряжения насы-
щения база—эмиттер от тока
коллектора
173
Зависимость напряжения насыще-
ния коллектор—эмиттер от тока
коллектора
1ки,мкА
Зависимость обратного тока кол-
лектора от температуры
Зависимость обратного тока	Зависимость обратного тока
эмиттера от температуры	коллектора от температуры
2Т856А, 2Т856Б, 2Т856В, 2Т856Г,
КТ856А, КТ856Б, КТ856А1, КТ856Б1
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
гуры п-р-п переключательные. Предназначены для применения
в переключающих устройствах. Транзисторы 2Т856А, 2Т856Б,
2Т856В, КТ856А, КТ856Б выпускаются в металлическом корпу-
се с жесткими выводами и стеклянными изоляторами, 2Т856Г,
176
КТ856А1, КТ856Б1 — в
пластмассовом корпусе
с жесткими выводами, с
выводом коллектора,
изолированным от кор^
пуса. Тип прибора ука-
зывается на корпусе.
Масса транзистора в
металлическом корпусе
не более 16 г, в пласт-
массовом не более 10 г.
Изготовители — ак-
ционерное общество
«Кремний», г. Брянск,
завод «Искра», г. Улья-
новск.
2Т856Г, КТ856(А1.Б1)
2Т856(А-В). КТ856(А,Б)
Электрмческке параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, = 5 А:
Гк = +25 °C:
2Т856А, 2Т856Г....................... 10...30
2Т856Б, 2Т856В, КТ856А, КТ856Б,
КТ856А1, КТ856Б1.................. 10...60
Тк = +125 °C:
2Т856А, 2Т856Г........................ 5...30
2Т856Б, 2Т856В..................... 5...60
177
rK = -60 -С:
2Т856А, 2Т856Г........................ 5...60
2Т856Б, 2Т856В.................... 5...100
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 1 В, /к = 2 А,
не менее.................................. 10 МГц
типовое значение...................... 20* МГц
Граничное напряжение при /к = 0,1 А,
не менее:
2Т856А..................................... 450	В
2Т856Б, 2Т856В, 2Т856Г, КТ856А,
КТ856А1................................ 400	В
КТ856Б, КТ856Б1 ....................... 350	В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 5 А, 4 = 1 А...................... 0,2* ..0,4*...
1,5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 5 А, 4 = 1 А..................... 0,9*...0,95*...
2 В
Время включения при £/Кэ = 200 В, 4 = 5 А,
4 = 0,5 А................................. 0,08*...0,15*...
0,5 мкс
Время спада при 64э = 200 В, 4 = 5 А,
4 = 0,5 А, не более....................... 0,5 мкс
Время рассасывания (7Кэ = 200 В, 4 = 5 А,
4 = 0,5 А, не более....................... 2 мкс
Емкость коллекторного перехода
при 64б = 90 В, не более.................. 100 пФ
Обратный ток коллектора при (7Кб = 900 В,
не более.................................. 3 мА
Обратный ток эмиттера при £/Эб = 5 В,
не более.................................. 20 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база'
при Гк = -40...+75 °C:
2Т856А.........................-......... 1000 В
2Т856Б, КТ856А,	КТ856А1 ............... 800	В
2Т856В, КТ856Б,	КТ856Б1 ............... 600	В
2Т856Г................................. 900	В
’ При = —40...—60 'Си Гк = +75...+ 125 'С максимально допустимое
постоянное напряжение коллектор—база снижается линейно до 800 В для
2Т856А, 650 В для 2Т856Б, 500 В для 2Т856В, 700 В для 2Т856Г.
178
Постоянное и импульсное напряжение коллек-
тор-эмиттер' при /?БЭ = 10 Ом, > 1 мкс:
2Т856А............................... 950 В
КТ856А, КТ856А1...................... 800 В
2Т856Б..........................„....	750 В
КТ856Б, КТ856Б1 ..................... 600 В
2Т856В............................... 550 В
2Т856Г............................... 850 В
Постоянное напряжение база—эмиттер...... 5 В
Постоянный ток коллектора............... 10 А
Импульсный ток коллектора............... 12 А
Постоянный ток базы..................... 3 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора2 при и^з = 40 В:
Тк = +25 °C:
2Т856А, 2Т856Б, 2Т856В, 2Т856Г....... 75 Вт
КТ856А, КТ856Б, КТ856А1, КТ856Б1 .. 50 Вт
Тк = +125 ’С для 2Т856А, 2Т856Б, 2Т856В,
2Т856Г............................... 15 Вт
Температура р-п перехода................ +150 ‘С
Тепловое сопротивление переход—корпус... 1,67 °С/Вт
Температура окружающей среды:
2Т856А, 2Т856Б, 2Т856В, 2Т856Г....... -60... Тк =
= +125 °C
КТ856А, КТ856Б, КТ856А1, КТ856Б1..... -60... Тк =
= +100 °C
1 При ta < 1 мкс
Ц(Э К, И, МАКС = о гр-
2 При Гк = +25...+ 125 'С максимально допустимая постоянная рассеиваемая
мощность коллектора уменьшается линейно.
Входная характери-
стика
Выходные характери-
стики
Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от то-
ка коллектора
179
Зависимости напряжения насы-
щения коллектор—эмиттер и ба-
за—эмиттер от тока коллектора
Зависимость времени рассасыва-
ния от тока коллектора
Зависимость времени спада от на-
пряжения коллектор—эмиттер
Зависимость емкости коллектор-
ного перехода от напряжения
коллектор—база
f, в
Зависимость постоянного напря-
жения коллектор—эмиттер от со-
противления база—эмиттер
Зависимость электрической проч-
ности воздушных промежутков
между выводами базы и коллек-
тора
180
Зависимости максимально допусти-
мой импульсной рассеиваемой мощ-
ности коллектора от длительности
импульса
KT857A
Транзистор кремниевый
эпитаксиально-планарный
структуры п-р-п переключа-
тельный. Предназначен для
применения в усилителях и
переключающих устройст-
вах. Корпус пластмассовый
с жесткими выводами.
Масса транзистора не
более 3 г.
Изготовители — акцио-
нерное общество «Крем-
ний», г. Брянск, завод «Ис-
кра», г. Ульяновск.
КТ857А
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 1 В, /к = 3 А, не менее . 7,5
181
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при (/кэ = 10 В, /к = 0,5 А,
f= 3 МГц, не менее...................... 3,3
Граничное напряжение при /к = 0,1 А,
L = 25 мГн, не менее.................... 150 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 3 А, /Б = 0,4 А, не более...... 1 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 3 А, 4 = 0,4 А, не более........ 1,25 В
Время спада при = 50 В, /к = 5 А,
4 = 0,5 А, 44э = -5 В................... 0,1* ..0,3*...
1* мкс
Время рассасывания при = 50 В, /к = 5 А,
4 = 0,5 А, (4э =-5 В.................... 0,1*...1*...
2,5* мкс
Обратный ток коллектора при (/Кб = 250 В,
не более................................ 5 мД
Обратный ток эмиттера при = 6 В,
не более................................ 1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер* 1
при /?ю С 100 Ом, Гп = +Ю0 °C........... 250 В
Постоянное напряжение коллектор—база1
при Гп =+100 °C......................... 250 В
Постоянное напряжение база—эмиттер...... 6 В
Постоянный ток коллектора............... 7	А
Импульсный ток коллектора............... 10 А
Постоянный ток базы..................... 2	А
Импульсный ток базы..................... 3	А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора2 при Гп = —55...+25 °C............. 60 Вт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Температура окружающей среды............ —55...ГК =
= +100 °C
' При увеличении температуры перехода от +100 до +150 ”С напряжение
снижается линейно до 100 В.
1 При Гк > +25 "С Рк считается по формуле
Д.МАКС = 050 -	Вт,
где Rj (п—определяется из области максимальных режимов.
Минимальное расстояние от места пайки вывода до корпу-
са транзистора 5 мм. При пайке температура корпуса не долж-
на превышать +100 °C. При отсутствии контроля температуры
корпуса пайка производится паяльником, нагретым до темпе-
182
ратуры не более +280 °C в течение не более 2,5 с. Минималь-
ная температура пайки +235 ’С.
При монтаже транзистора должны быть приняты меры,
исключающие возникновение паразитной генерации.
Допустимое значение статического потенциала 2000 В.
Входные характера
стики
Зависимость обратного
тока коллектора от тем-
пературы корпуса
Зависимость напряжения
насыщения коллектор-
эмиттер от тока базы
Зависимость максимально допусти-
мого напряжения коллектор—эмит-
тер от сопротивления база—эмиттер
Зависимость напряжения насыщения
коллектор—эмиттер ст тока коллек-
тора
Зависимость модуля коэффициента
передачи тока от тока коллектора
Зависимости статического коэффи-
циента передачи тока от тока кол-
лектора
183
Зависимость емкости
коллекторного перехо-
да от "напряжения кол-
лектор—база
.тс
Зависимость времени
рассасывания бт тока
коллектора
t„ .тс
Область максимальных режимов
Зависимость времени
спада от тока коллек-
тора
КТ858А
КТ858А
Транзистор кремниевый
эпитаксиально-планарный
структуры п-р-п переключа-
тельный. Предназначен для
применения в переключаю-
щих устройствах. Корпус
пластмассовый с жесткими
выводами.
Масса транзистора не
более 3 г.
Изготовители — акцио-
нерное общество «Крем-
ний», г. Брянск, завод «Ис-
кра», г. Ульяновск.
184
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, 4 = 5 А, не менее . 10
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при = 10 В, 4 = 0,5 А,
f- 3 МГц, не менее...................... 3,3
Граничное напряжение при /^ = 0,1 А,
L = 25 мГн, не менее.................... 200 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 5 А, /Б = 0,8 А, не более..... 1 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 5 А, /Б = 0,8 А, не более....... 1,2 В
Время спада при UK3 = 50 В, 4 = 5 А,
4 = 0,5 A, Ub3 = -5 В................... 0,05*...0,3* ..
0,75* мкс
Время рассасывания при 64э = 50 В, 4 = 5 А,
4 = 0,5 А, £/и = -5 В................... 1*...1,2*...
2,5 мкс
Обратный ток коллектора при UK6 = 400 В,
не более................................ 1 мА
Обратный ток эмиттера при иъз = 6 В,
не более................................ 1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер1
при Rb3 < 10 Ом, Тп = +100 °C........... 400 В
Пробивное напряжение коллектор—база1
при Гп =+100 °C......................... 400 В
Постоянное напряжение база—эмиттер...... 6 В
Постоянный ток коллектора............... 7	А
Импульсный ток коллектора............... 10 А
Постоянный ток базы..................... 4	А
Импульсный ток базы..................... 4	А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 2 при Гп = —55...+25 °C........... 60 Вт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Температура окружающей среды............ — 55... Тк =
= +100 °C
1 При Гл = +100...+150 "С напряжение снижается линейно до 2W В.
2 При Тц > +25 °C Рк „дкс считается по формуле
макс = (150 — Гк)/Л, |П-ки Вт,
где /?т (П_К) определяется из области максимальных режимов.
$85
Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса, при
пайке температура корпуса не более +100 °C. При отсутствии
контроля температуры корпуса пайка производится паяльни-
ком с температурой не более +280 °C в течение не более
2,5 с. Допускается пайка волной припоя.
При монтаже транзистора должны быть приняты меры,
исключающие возникновение паразитной генерации.
Допустимое значение статического потенциала 2000 В.
Входные характеристики
Зависимость максимально допусти-
мого напряжения коллектор—эмит
тер от сопротивления база—эмиттер
Зависимости статиче-
ского коэффициента
передачи тока от то-
ка коллектора
Зависимость времени
рассасывания от тока
коллектора
Зависимость аоемени
спада от тока коллек-
тора
186
Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор-эмиттер от тока
базы
Зависимости напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эмиттер от тока
коллектора
Область максимальных режимов
Зависимость емкости
коллекторного перехо-
да от напряжения кол-
лектор—база
KT859A
Транзистор кремние-
вый мезапланарный струк-
туры п-р-п переключатель-
ный. Предназначен для
применения в переключа-
ющих устройствах. Корпус
пластмассовый с жесткими
выводами.
Масса транзистора не
более 3 г.
Изготовители — акцио-
нерное общество «Крем-
ний», г. Брянск, завод «Ис-
кра», г. Ульяновск.
КТ859А
187
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при (/^ = 10 В, /к = 1 А,
не менее............................... 10
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при = 10 В, 4 = 0,2 А,
f= 3 МГц, не менее.............’....... 3,3*
Граничное напряжение при /к = 0,1 А,
L = 25 мГн, не менее.................... 400 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 1 А, 4 = 0,2 А, не более....... 1,5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 1 А, 4 ~ 0,2 А, не более........ 1,4 В
Время включения при 14э = 250 В, 4 = 1 А,
4 = 0,2 А, 4, зап = 0,4 А, = —0,8 В, не более 0,5* мкс
типовое значение........................ 0,35* мкс
Время рассасывания при £7КЭ = 250 В, 4 = 1 А,
4 = 0,2 А, 4, зап = 0,4 А, €4з = “0,8 В. 1* ..2,5* ..
3,5* мкс
Время спада при = 250 В, 4 = 1 А,
4 = 0,2 А, 4.зап = 0,4 А, б4э = -0,8 В,
типовое значение........................ 0,35 мкс
Обратный ток коллектора при (4б = 800 В,
не более................................ 1 мА
Обратный ток эмиттера при = 10 В,
не более................................ 10 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер’
при /4э « 10 Ом, Тп = +100 °C........... 800 В
Пробивное напряжение коллектор—база’
при Гп = 100 °C......................... 800 В
Постоянное напряжение база—эмиттер...... 10 В
Постоянный ток коллектора.............. 3 А
Импульсный ток коллектора............... 4 А
Постоянный ток базы..................... 1 А
Импульсный ток базы..................... 1,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора* 2 при Гп = —55...+25 °C........... 40 Вт
’ При Тп = +100...+ 150 'С напряжение снижается линейно до 300 В.
2 При Гк > +50 ‘С считается по формуле
^К.МАКС = (’50 ~	(П-К)> ^т>
где <п-к> определяется из области максимальных режимов.
188
Температура р-п перехода................... +150	°C
Температура окружающей среды............. —55...	Гк =
= +100 ’С
Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса при
температуре корпуса не более +100 °C. При отсутствии кон-
троля температуры корпуса транзистора пайка производится
паяльником, нагретым до температуры не более +280 °C в
течение не более 2,5 с. Допускается пайка волной припоя.
Минимальная температура пайки +235 °C.
При монтаже транзистора должны быть приняты меры,
исключающие возникновение паразитной генерации.
Допустимое значение статического потенциала 2000 В.
Входные характери-
стики
Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эмиттер от тока
базы
Зависимости напряже-
ния насыщения коллек-
тор-эмиттер от тока
коллектора
Зависимость максимально допусти-
мого постоянного напряжения кол-
лектор—эмиттер от сопротивления
база—эмиттер
Зависимость модуля коэффициента
передачи тока от тока коллектора
189
Зависимость емкости
коллекторного перехо-
да от напряжения кол-
лектор-база
Зависимости статиче-
ского коэффициента
передачи тока от то-
ка коллектора
Зависимость времени
рассасывания от тока
коллектора
2Т861А, 2Т861Б, 2Т861В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п усилительные. Предназначены для применения в
усилителях мощности, преобразователях. Корпус металличе-
ский со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Масса транзистора не более 2 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при Цо = 2 В, 4 = 1 А:
Т = +25 *С:
2Т861А.......................... 40...160
190
2T861fA-B)
6.6	15.5
2Т861Б............................. 50...200
2T861B............................. 80...300
T= +125 °C:
2T861A............................. 40...200
2Т861Б............................. 50..J50
2T861B............................. 80...400
T = -60 °C:
2Т861А............................. 20...160
2Т861Б............................. 25...200
2Т861В............................. 40...300
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 15кэ = 5 В, /к = 0,05 А,
не менее.................................. 10 МГц
Граничное напряжение при /к = 100 мА,
не менее:
2Т861А................................. 80 В
2Т861Б................................. 60 В
2Т861В................................. ЗОВ
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 1 А, /Б = 0,2 А, не более........ 0,35 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 1 А, /Б = 0,2 А, не более......... 1,3 В
Обратный ток коллектора при С/КБ = С/КБ МАКС,
не более:
Т= +25 °C.............................. 0,1 мА
Т = +125 °C............................ 3 мА
Обратный ток эмиттера при Ux = 5 В,
не более.................................. 1 мА
Время включения при = 20 В, /к = 1 А,
4i = 4г = 0,1 А, не более................. 0,1* мкс
типовое значение....................... 0,025* мкс
191
Время выключения при = 20 В, 4 = 1 А,
/Б1 ~ !ъг = 0,1 А, не более............. 1* мкс
типовое значение..................... 0,2* мкс
Время спада при 6/ю = 20 В, 4 = 1 А,
~ !ъ1 = 0,1 А, не более................ 0,1* мкс
Емкость коллекторного перехода
при 6/кб = 5 В, не более................ 150* пФ
типовое значение..................... 70* пф
Емкость эмиттерного перехода при = 5 В,
не более................................ 1000* пФ
типовое значение..................... 600* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т861А............................... 90 В
2Т861Б............................... 70 В
2Т861В............................... 40 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при Лг^э < 100 Ом:
2Т861А.................................. 90 В
2Т861Б............................... 70 В
2Т861В............................... 40 В
Постоянное напряжение база—эмиттер...... 5 В
Постоянный ток коллектора................ 2	А
Импульсный ток коллектора................ 4	А
Постоянный ток базы..................... 1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —60...+25 *С:
с теплоотводом.......................... 10 Вт
без теплоотвода...................... 1 Вт
Температура р-п перехода................ +150 'С
Температура окружающей среды............ —60... Гк =
= +125 °C
Допустимое значение статического потенциала 1 кВ.
При эксплуатации транзистора необходимо принять меры,
исключающие появление паразитной генерации.
2Т862А, 2Т862Б, 2Т862В, 2Т862Г,
КТ862Б, КТ862В, КТ862Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п переключательные. Предназначены для применения
в схемах импульсных модуляторов, вторичных источниках элек-
192
тропитания, переключаю-
щих устройствах. Тран-
зисторы 2Т862Б-2Т862Г,
КТ862Б—КТ862Г выпуска-
ются в металлокерамиче-
ском корпусе с гибкими
полосковыми выводами,
транзистор 2Т862А — в
металлическом корпусе с
жесткими выводами и
стеклянными изолятора-
ми. Тип прибора указы-
вается на корпусе.
Масса транзистора в
металлокерамическом
корпусе не более 6 г, в
металлическом — не бо-
лее 20 г.
Изготовитель — за-
вод «Пульсар», г. Москва.
2Т862(Б-Г), КТ862(Б-Г)
2Т862А
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при С/кэ = 5 В:
Тк = +25 °C:
2Т862А, 2Т862Б при /к = 15 А.................. 10...100*
КТ862Б при /к = 8 А....................... 12...20*...100*
2Т862В, 2Т862Г, КТ862В, КТ862Г
при /к = 5 А.............................. 12...20*...50*
7-835
193
Т = +125 °C:
2Т862А, 2Т862Б при 4 = 15 А................ 8... 100*
КТ862Б при 4 = 8 А..................... 10... 100*
2Т862В, 2Т862Г, КТ862В, КТ862Г
при 4 = 5 А............................ 6...80*
Г= -60 °C:
2Т862А, 2Т862Б при 4=15 А.................. 5... 100*
КТ862Б при /к = 8 А.................... 6... 100*
2Т862В, 2Т862Г, КТ862В, КТ862Г
при /к = 5 А........................... 6...40*
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при Окэ = 5 В, /к = 0,5 А..... 20...25*...
30* МГц
Граничное напряжение при /к = 0,1 А:
КТ862Б, 2Т862А, 2Т862Б........................ 250...260*...
300* В
КТ862В, 2Т862В........................... 350...400*...
550* В
КТ862Г, 2Т862Г............................ 400...450* ..
600* В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер:
Т= +25 °C:
2Т862А, 2Т862Б, КТ862Б при 4= 15 А,
4 = 2 А................................ 1*...1,3*...2 В
2Т862В, 2Т862Г, КТ862В, КТ862Г
при 4 = 8 А, /Б = 2 А.................. 0,3*...0,5*...
1,5 В
Т = +125 °C, 4 = 8 А, 4 = 2 А для 2Т862В,
2Т862Г, не более.......................... 1 В
Т= -60 °C, 4 = 8 А, 4 = 2 А для 2Т862В,
2Т862Г, не более.......................... 2,2 В
Напряжение насыщения база—эмиттер:
2Т862А, 2Т862Б, КТ862Б при 4 = 15 А,
4 = 2 А....................................... 1,1*...1,3*...2 В
2Т862В, 2Т862Г, КТ862В, КТ862Г
при 4 = 8 А, 4 = 2 А...................... 0,9*...0,95*...
1,6 В
Время включения:
2Т862А, 2Т862Б, КТ862Б при = 100 В,
4 = 15 А, 4, = 2 А, 42 = 3 А.................. 0,2*...0,3*...
0,4* мкс
2Т862В, 2Т862Г, КТ862В, КТ862Г
при 64э = 200 В, 4 = 5 A, 4i = А,
42 = 1 А.................................. 0,2*...0,25*...
0,5* мкс
194
Время нарастания при = 200 В, /к = 5 А,
4, = 0,5 А, 42 = 1 А для КТ862В, КТ862Г,
2Т862В, 2Т862Г................................... 0,1*.„0,2*...
0,4* мкс
Время рассасывания:
2Т862А, 2Т862Б, КТ862Б при = 100 В,
/к = 15 А, /Б, = 2 А, /и = 3 А............... 0,2*...0,3*...
1* мкс
2Т862В, 2Т862Г, КТ862В, КТ862Г при
= 200 В, /к = 5 А, /6, = 0,5 А, /и = 1 А 0,4*... 1*...
2* мкс
Время спада:
2Т862А, 2Т862Б, КТ862Б при ию = 1Э0 В,
/к = 15 А, /Б1 = 2 А, /Б2 = 3 А......... 0,12*.„О,18*...
0,25* мкс
2Т862В, 2Т862Г, КТ862В, КТ862Г пои
= 200 В, /к = 5 А, /Б) = 0,5 А, /Б2 = 1 А 0,1*...0,25*„.
0,5* мкс
Емкость коллекторного перехода:
2Т862А, 2Т862Б, КТ862Б при (/КБ = 30 В... 175*...250*„.
300 пФ
2Т862В, 2Т862Г, КТ862В, КТ862Г
при 6^= 10 В............................ 150*...200*...
250 пФ
Емкость эмиттерного перехода при 1/ЗБ = 3 В. 3000*...4000*
...4700 пФ
Обратный ток коллектора, не более:
Т= +25 °C:
2Т862А, 2Т862Б, КТ862Б
при С/КБ ~ 300 В..................... 2,5 мА
2Т862В, 2Т862Г, КТ862В, КТ862Г
при U№ = 600 В....................... 3 мА
Т= +125 °C:
2Т862А, 2Т862Б, КТ862Б
при {/КБ = 300 В..................... 10 мА
2Т862В, 2Т862Г, КТ862В, КТ862Г
при U№ = 600 В....................... 5 мА
Т= -60 °C:
2Т862А, 2Т862Б, КТ862Б
при 6/КБ = 300 В..................... 5 мА
2Т862В, 2Т862Г, КТ862В, КТ862Г
при С/КБ = 600 В..................... 5 мА
Обратный ток эмиттера при Ux = 5 В:
2Т862А, 2Т862Б, КТ862Б.................. 0,1* ..5»...
25 мА
7'
195
2Т862В, 2Т862Г, КТ862В, КТ862Г........ 0,01*...5*...
10 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т862А, 2Т862Б,	КТ862Б.......... 450 В
2Т862В, 2Т862Г,	КТ862В, КТ862Г........ 600 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
2Т862А, 2Т862Б,	КТ862Б.......... 250 В
2Т862В, КТ862В........................ 350 В
2Т862Г, КТ862Г........................ 400 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер1
при С/ЭБ = —1,5 В, Ги = 20 мкс, (ф = 1 мкс,
0 = 10:
Гк = -40...+85 °C:
2Т862А, 2Т862Б, КТ862Б........... 450 В
2Т862В, 2Т862Г, КТ862В,	КТ862Г.... 600 В
Г=-60°С............................... 350 В
Г=+125°С.............................. 350 В
Постоянное напряжение эмиттер—база....... 5 В
Потенциал статического электричества..... 2000 В
Постоянный ток коллектора:
2Т862А, 2Т862Б, КТ862Б................ 15 А
2Т862В, 2Т862Г, КТ862В, КТ862Г........ 10 А
Импульсный ток коллектора:
2Т862А, 2Т862Б, КТ862Б................ 25 А
2Т862В, 2Т862Г, КТ862В, КТ862Г........ 15 А
Постоянный ток базы:
2Т862А, 2Т862Б, КТ862Б................. 4 А
2Т862В, 2Т862Г, КТ862В, КТ862Г........ 3 А
Импульсный ток базы:
2Т862А, 2Т862Б, КТ862Б................. 8 А
2Т862В, 2Т862Г, КТ862В, КТ862Г........ 5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора* 2:
Гк = -60...+25 °C для 2Т862А......... 70 Вт
Гк = -60...+25 °C для 2Т862Б, 2Т862В,
2Т862Г, КТ862Б, КТ862В, КТ862Г........ 50 Вт
Гк = +125 °C для 2Т862Б, 2Т862В, 2Т862Г,
КТ862Б, КТ862В, КТ862Г................ 10 Вт
’ Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор—эмиттер в
диапазоне температур —40...—60 'С и +85...+125 ”С уменьшается линейно.
2 Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора
в диапазоне температур +25...+125 *С уменьшается линейно.
196
Температура р-п перехода................ +150 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус... 2,5 °С/Вт
Температура окружающей среды............ —60... 7"к =
= +125 °C
Расстояние от корпуса до места лужения и пайки выводов
не менее 2 мм, температура пайки не выше +265 °C, время
пайки не более 8 с. Допустимое число перепаек — 3. Рассто-
яние от корпуса до начала изгиба вывода не менее 3 мм.
Выходные характеристики
Входные характеристики
Зависимости импульсного теплового сопротивления
от длительности импульса
197
ht.A
КТ862Г-----
I l ГН1 I in тип
s-°'l 2 4 6010 20 40 60100 rfffitolJitj

Области максимальных режимов
Выходные характери-
стики
Выходные характери-
стики
Входные характери-
стики
Зависимость статического коэффи-
циента передачи тока от тока кол-
лектора
Зависимость напряжения насыще-
ния коллектор—эмиттер от тока
коллектора
198
0\_________________	/7__________ II_______
350 400 450 500 UKX В W W* W* 10‘10s Ra Ом
Зависимости времени
включения, спада и рас-
сасывания от тока кол-
Зависимость длитель-
ности фронта от напря-
лектора
жения коллектор—эмит-
Завмсимость максималь-
но допустимого постоян-
ного напряжения коллек-
тер
тор—эмиттер от сопроти-
вления база—эмиттер
Области максимальных режимов
Области максимальных режимов
Зависимости импульсного те-
плового сопротивления пере-
ход—корпус от длительности
импульса. При Q < 100
*Т И(Л-К) х ^Т.И(П-К)0 +
+ (2,5 — /?т и(п-юо)/ Q С/Вт.
КТ863А, КТ863Б, КТ863В
КТ863(А-В)
Изготовитель —
г. Брянск.
Транзисторы кремние-
вые мезазпитаксиально-пла-
нарные структуры п-р-п уси-
лительные. Предназначены
для применения в преобра-
зователях напряжения, ис-
точниках вторичного элек-
тропитания, электронных
фотовспышках. Выпускаются
в пластмассовом корпусе с
жесткими выводами. Тип
прибора указывается на кор-
пусе.
Масса транзистора не
более 2,5 г.
общество «Кремний»,
акционерное
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при С/КБ = 2 В, 4 = 5 А, не менее:
КТ863А.............................. 100
КТ863Б, КТ863В....................... 70
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при С/КБ = 5 В, 4 = 0,5 А,
не менее................................ 4 МГц
типовое значение..................... 20* МГц
Граничное напряжение при /э = 30 мА,
не менее................................ 30 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 5 А, /Б = 0,5 А:
КТ863А, не более.................... 0,3 В
типовое значение..................... 0,25*	В
КТ863Б, КТ863В, не более............. 0,5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 5 А, /Б = 0,5 А, не более...... 1,2 В
типовое значение..................... 1* В
Обратный ток коллектора при 1/КБ = 30 В,
не более:
Т = -40...+25 °C..................... 1 мА
Т=+100°С............................. 3 мА
Обратный ток эмиттера при Ux = 5 В,
не более................................ 3 мА
200
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ863А, КТ863Б........................... ЗОВ
КТ863В............................... 160 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?бэ = Ю Ом......................... 30 В
Постоянное напряжение база—эмиттер...... 5 В
Постоянный ток	коллектора............... 10 А
Постоянный ток	базы.................. 3 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Тк = —40...+25 °C:
с теплоотводом.......................... 50 Вт
без теплоотвода...................... 1,5 Вт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Температура окружающей среды............ —40... Гк =
= +100 °C
’ При Тк = +25...+100 °C максимально допустимая постоянная рассеиваемая
мощность коллектора снижается линейно до 20 Вт с теплоотводом и до 0,6 Вт
без теплоотвода.
Допускается одноразовый изгиб выводов транзисторов не
ближе 2,5 мм от корпуса под углом 90° с радиусом закругле-
ния не менее 0,8 мм.
Пайка выводов рекомендуется не ближе 5 мм от корпуса
транзистора при температуре припоя +260 °C в течение не
более 5 с. Допускается пайка волной припоя при температуре
+235 °C. При пайке корпус паяльника должен быть заземлен.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В.
Входные характери- Выходные характери- Зона возможных поло-
стики	стики	жений зависимости ста-
тического коэффициен-
та передачи тока от то-
ка эмиттера
201
Зависимости напряжений насыще-
ния коллектор—эмиттер и база—
эмиттер от тока коллектора
Область максимальных режимов
КТ864А
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры п-р-п
импульсный. Предназначен для применения в источниках вто-
ричного электропитания, преобразователях, оконечных каска-
дах усилителей звуковой частоты, стабилизаторах напряже-
ния. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и
жесткими выводами. Тип прибора указан на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при U№ = 4 В, /э = 2 А:
Т=+25°С.............................. 40...200
Г=+125°С............................. 40...250
Т=-60°С............................... 15...200
202
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при t/K3 = 10 В, /к = 0,2 А,
не менее................................ 15 МГц
Граничное напряжение при /к = 0,05 А,
не менее................................ 160 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 6 А, 4 = 0,6 А, не более........ 2 В
типовое значение..................... 0,7* В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 6 А, /Б = 0,6 А, не более..... 2 В
типовое значение..................... 1* В
Обратный ток коллектора, при (/КБ = 200 В,
не более:
Г=+25 °C............................. 0,1 мА
7-=+125 °C........................... 1 мА
Обратный ток эмиттера при U3b = 6 В,
не более................................ 3 мА
Емкость коллекторного перехода
при U№ = 5 В, не более.................. 300* пФ
Емкость эмиттерного перехода при U&3 = 0,5 В,
не более................................ 2000* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база
при d(/K6/df = 200 В/мкс................ 200 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЗ < 10 Ом, dUK3/dt = 200 В/мкс... 200 В
Постоянное напряжение	эмиттер—база...... 6 В
Постоянный ток	коллектора............... 10 А
Импульсный ток коллектора при 2 мс,
Q>2..................................... 15 А
Постоянный ток	базы..................... 2 А
Импульсный ток базы при /и $ 1 мс, Q> 2. 4 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —60...+25 °C:
с теплоотводом'........................ 100 Вт
без теплоотвода* 2................... 1,5 Вт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Температура окружающей среды............ —60... Тк =
= +125 °C
’ При Тк = +25...+125 °C Рк щкс снижается линейно до 20 Вт.
2 При Гк = +25...+ 125 °C Рк h,kc снижается линейно до 0,3 Вт.
203
Пайка выводов транзистора допускается не ближе 5 мм от
корпуса транзистора при температуре припоя +270 °C в тече-
ние не более 3 с. Допускается не более трех перепаек выво-
дов транзистора.
Входные характеристики
Зона возможных положений зависи-
мости статического коэффициента
передачи тока от тока коллектора
Область максимальных режимов
Зависимость коэффициента /С
от длительности импульса
204
Выходные характеристики
Зависимости напряжений насыще-
ния коллектор—эмиттер и база—
эмиттер от тока коллектора
2Т866А, КТ866А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п переключательные. Предназначены для применения
в переключающих устройствах, источниках вторичного элек-
тропитания. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с
гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 7 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2Т866А, КТ866А
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 1/КБ = 10 В, 4 = Ю А:
Тк = +25 ’С............................. 15...30*...100*
205
Т = +125 °C, не менее................ 15
Т = —60 °C, не менее................. 8
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 5 В, /к = 0,2 А,
типовое значение........................ 25 МГц
Граничное напряжение при 4 = 0,2 А,
не менее................................ 100 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 10 А, /Б = 1 А, не менее....... 1,5 В
типовое значение..................... 1,2* В
Время включения при = 30 В, /к = 10 А,
4 = 1 А, не более....................... 50 нс
типовое значение..................... 40* нс
Время выключения при (7КЭ = 30 В, /к = 10 А,
/Б = 1 А, не более...................... 450 нс
типовое значение..................... 300* нс
Время спада при (/^ = 30 В, 4 = Ю А,
4 = 1 А, не более....................... 100 нс
типовое значение..................... 60* нс
Емкость коллекторного перехода
при UKb = 10 В, не более................ 400 пФ
типовое значение..................... 320* пФ
Обратный ток коллектора при 4/КБ = 100 В,
не более:
Гк = +25 и —60 °C.................... 25 мА
Гк =+125 °C...............-.......... 100 мА
Обратный ток эмиттера при 6/ЭБ = 4 В,
не более................................ 10 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база.... 200 В
Постоянное и импульсное напряжение коллек-
тор-эмиттер при иэБ = 1,5 В или /?ю= 10 Ом . 160 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 4 В
Потенциал статического электричества.... 1000 В
Постоянный и импульсный ток коллектора.. 20 А
Постоянный и импульсный ток базы........ 5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Тк = —60...+50 °C............. 30 Вт
Температура р-п перехода................ +200 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус... 5 °С/Вт
1 При 7^ >+50 ‘С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
Ркшкс = (200 - TJ/5, Вт.
206
Температура окружающей среды..............
-6О...ГК =
= +125 °C
Расстояние от корпуса до начала изгиба вывода не менее
3 мм, радиус изгиба не менее 1,5 мм. Транзисторы пригодны
для монтажа в аппаратуре паяльником. Расстояние от корпуса
до места лужения и пайки не менее 3 мм, температура пайки
не выше +265 °C, время пайки не более 3 с. Допускается
пайка выводов на расстоянии 1 мм от корпуса при температу-
ре +150 °C в течение не более 3 с. Допустимое число перепаек
выводов — 3. Разрешается при монтаже в микрополосковые
линии или подобные устройства откусывать полосковые выво-
ды на расстоянии не менее 1 мм от корпуса. При установке в
аппаратуру транзистор должен плотно прилегать к теплоотво-
ду. Шероховатость контактирующей поверхности теплоотвода
должна быть не более 1,6 мкм, отклонение от плоскостности
не более 0,01 мм. Для уменьшения контактного сопротивления
следует применять пасты, например, КПТ—8.
Выходные характери-
стики
Входная характери-
стика
Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от то-
ка коллектора
О i 8 12 16 4
Зависимости напряже-
ний насыщения коллек-
тор—эмиттер и база—
Зависимости времени
включения, выключения
и спада от тока коллек-
Зависимость граничной
частоты коэффициента
передачи тока от тока
эмиттер от тока коллек-	тора
коллектора
тора
207
Зависимость максимально допусти-
мого постоянного напряжения кол-
лектор—эмиттер от сопротивления
база—эмиттер
Зависимость коэффициента К
от длительности импульса
Области максимальных режимов
2Т867А, КТ867А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п переключательный. Предназначен для применения
в переключающих устройствах, во вторичных источниках элек-
тропитания. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с
жесткими выводами и стеклянными изоляторами. Тип прибора
указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Изготовитель — завод «Искра», г. Ульяновск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, /к = 20 А, не менее 10
208
27 867А, КТ867А
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при U¥3 = 10 В, /к = 0,5 А,
не менее............................... 25 МГц
Граничное напряжение при /к = 0,2 А,
L = 25 мГн, не менее................... 180 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 20 А, /Б = 4 А, не более...... 1,5 В
Время рассасывания при U¥3 = 100 В,
/к = 25 А, 4 = 5 А, не более........... 1,3 мкс
типовое значение.................... 0,6* мкс
Время спада при = 100 В, 4 = 25 А,
/Б = 5 А, не более..................... 0,4 мкс
типовое значение.................... 0,25* мкс
Емкость коллекторного перехода
при UKb = 10 В, не более............... 400 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Ux = 2 В,
не более............................... 4500 пФ
Обратный ток коллектора при С/КБ = 250 В,
не более............................... 3 мА
Обратный ток эмиттера при Ux = 7 В,
не более............................... 10 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 10 Ом или U3b = 1,5 В....... 200 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 10 Ом или иЗБ = 1,5 В, = 20 мкс,
О = 10,	= 1 мкс....................... 200 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 7 В
Постоянный ток коллектора.............. 25 А
Импульсный ток коллектора при = 20 мкс,
0= 10.................................. 40 А
209
Постоянный ток базы..................... 8 А
Импульсный ток базы при = 20 мкс, 0= 10 12 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Гк = —60...+25 °C............. 100 Вт
Температура р-п перехода................ +175 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус... 1,5 °С/Вт
Температура окружающей среды............ —60... Тк =
= +125 °C
1 При Гк>+25 °C максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
Р„ „акс = (175 - Гк)/1,5, Вт.
Пайка, лужение выводов транзистора допускается не бли-
же 5 мм от корпуса при температуре припоя не выше +260 °C
в течение не более 3 с.
Зависимости параметров КТ867А от электрических режи-
мов аналогичны зависимостям 2Т867А.
Выходные характери-
стики
Зависимость тока эмит-
тера от напряжения ба-
за—эмиттер
Входная характери-
стика
Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
коллектора
Зависимости напряже-
ний насыщения коллек-
тор—эмиттер и база-
эмиттер от тока коллек-
тора
Зависимости времени
включения, спада и рас-
сасывания от тока кол-
лектора
210
Зависимость граничной
частоты коэффициента
передачи тока от тока
коллектора
Зависимость максималь-
но допустимого постоян-
ного напряжения коллек-
тор-эмиттер от сопроти-
вления база—эмиттер
Зависимость емкости
коллекторного перехо-
да от напряжения кол-
лектор-база
Области максимальных режимов Зависимости импульсного теплово-
го сопротивления переход—корпус
от длительности импульса
КТ868А, КТ868Б
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п
универсальные. Предназначены для применения в усилитель-
ных и переключающих устройствах. Выпускаются в пластмас-
совом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывает-
ся на корпусе.
Масса транзистора не более 10 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при UY£ = 5 В, /э = 0,6 А:
КТ868А............................... 10...60*
211
КТ819(А1-Г1)
КТ868Б............................ 10...	100*
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при С/К6 = 10 В, /э = 0,1 А,
не менее............................... 8 МГц
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 3 А, /6 = 0,6 А, не более..... 1,5	В
Граничное напряжение при 4 = 0,1 А,
не менее:
КТ868А.............................. 400	В
КТ868Б.............................. 375	В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ868А............................... 900 В
КТ868Б.............................. 750 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
КТ868А.................................. 400	В
КТ868Б.............................. 375	В
Постоянное напряжение база—эмиттер......	5 В
Постоянный ток коллектора.............. 6 А
Импульсный ток коллектора.............. 8 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —45...+25 °C............. 70 Вт
Температура р-п перехода................. +150	’С
Температура окружающей среды........... —45...	Тк =
= +100 °C
212
КТ872А, КТ872В
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п
импульсные. Предназначены для применения в оконечных кас-
кадах строчной развертки телевизоров. Выпускаются в пласт-
массовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указы-
вается на корпусе.
Масса транзистора не более 10 г.
Изготовитель — акционерное общество «Элиз», г. Фрязи-
но, Московская область.
КТ872(А, В)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, /к = 30 мА для
КТ872В, не менее......................... 6
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 6/кэ = 5 В, /к = 0,2 А,
типовое значение.............................. 7* МГц
Граничное напряжение при /к = 0,1 А,
L = 40 мГн, не менее.......................... 700 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер,
не более:
КТ872А при /к = 4,5 А, /Б = 2 А............ 1 В
КТ872В при /к = 2,5 А, /Б = 1 А............ 1 В
Время спада при 7/кэ = 500 В, /к = 4,5 А,
/Б = 1,4 А, иъэ = —5 В, не более.............. 1 мкс
типовое значение........................... 0,7* мкс
Время рассасывания при 6/кэ = 500 В,
/к = 4,5 А, /Б = 1,4 A, t/ga = —5 В, не более. 7,5 мкс
типовое значение........................... 6,5* мкс
213
Обратный ток коллектор—эмиттер
при С/jo = t/кэ макс, Цэ = °> не более:
Гк =+25 °C.......................... 1 мА
Гк =-25 и+125 °C.................... 2 мА
Обратный ток эмиттера при Ув = 6 В,
не более............................... 10 мА
Ток вторичного пробоя при (4э = 120 В,
= 200 мкс, не менее..................... 11 А
Емкость коллекторного перехода
при (/КБ = 15 В, типовое значение...... 125* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер . 700 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при ОЭБ = 0:
КТ872А.............................. 1500	В
КТ872В.............................. 1200	В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 6 В
Потенциал статического электричества... 2000	В
Постоянный ток коллектора.............. 8 А
Импульсный ток коллектора.............. 15 А
Постоянный ток базы.................... 4 А
Импульсный ток базы.................... 6 А
Постоянный запирающий ток базы......... 100 мА
Импульсный запирающий ток базы......... 5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —25...+25 °C............. 100 Вт
Температура р-л перехода............... +150 °C
Температура окружающей среды........... — 25...7"к =
= +125 °C
Допускается одновременная формовка выводов транзи-
стора не ближе 5 мм от корпуса. Радиус изгиба не менее 1 мм.
Оснастка для формовки выводов должна иметь защитное за-
земление.
Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса при
температуре не выше +265 °C в течение не более 3 с. При
контроле температуры корпуса +125 °C пайка допускается при
температуре не выше +280 °C в течение не более 3 с. Время
лужения выводов 2 с. Допускается трехкратная перепайка вы-
водов.
При конструировании аппаратуры следует учитывать воз-
можность самовозбуждения транзисторов за счет паразитных
связей.
214
Входные характери-
стики
Зависимости напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эмиттер от тока
базы
Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тем-
пературы корпуса
Зависимость времени
спада от напряжения
коллектор—эмиттер
Зависимость времени
спада от тока коллек-
тора
Зависимость максималь-
но допустимого посто-
янного напряжения кол-
лектор— эмиттер от со-
противления база—эмит-
тер
Зависимость емкости
эмиттерного перехода
от напряжения эмит-
тер—база
Зависимость емкости
коллекторного перехо-
да от напряжения кол-
лектор—база
Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
коллектора
215
Зависимости импульсного теплового сопротивления
переход—корпус от длительности импульса
2Т874А, 2Т874Б, КТ874А, КТ874Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п переключательные. Предназначены для применения
в схемах источников вторичного электропитания, ключевых
схемах. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гиб-
кими полосковыми выводами. Тип прибора указывается на
корпусе.
Масса транзистора не более 7 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
216
2Т87ШМ КТ87Ш.Б)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ:
Гк = +25 °C:
2Т874А, КТ874А при	=
/к = 30 А, 4, = 100 мкс, О = 200...... 15...20*...50*
2Т874Б, КТ874Б при	= 5 В,
/к = 30 А, 4, = 100 мкс, О = 200...... 1О...15*...4О*
Тк = +125 °C:
2Т874А, КТ874А при (7КЭ = 5 В,
/к = 20 А, 4, = 100 мкс, О = 200...... 8...25*...60*
2Т874Б, КТ874Б при = 5 В,
/к = 20 А, 4, = 100 мкс, О = 200...... 5...20*...50*
Т= -60 “С:
2Т874А, КТ874А при (7КЭ = 5 В,
/к = 30 А, 4, = 100 мкс, О = 200...... 8...10*...40*
2Т874Б, КТ874Б при = 5 В,
/к = 30 А, 4, = 100 мкс, 0= 200....... 5...8*...30*
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при ию = 10 В, 4 = 0,2 А,
типовое значение.............................. 20* МГц
Граничное напряжение при /к = 0,1 А,
Z. = 25 мГн:
2Т874А, КТ874А............................ 100...110*...
115* В
2Т874Б, КТ874Б............................ 120...130*...
140* В
217
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 30 А, /Б = 5 А, Ъ = 100 мкс, О = 200,
не более................................... 1,2 В
типовое значение....................... 0,7* В
Напряжение насыщения база—эмиттер при
/к = 30 А, /Б = 5 А, Ги = 100 мкс, О = 200. 1,2*...1,3*...
1,5 В
Время включения при (Укэ = 30 В, /к = 30 А,
/Б = 5 А, типовое значение................. 0,6* мкс
Время нарастания при = 30 В, /к = 30 А,
/Б = 5 А, типовое значение................. 0,1* мкс
Время рассасывания при = 30 В, /к = 30 А,
/Б = 5 А................................... 0,3...0,4...
0,5 мкс
Время спада при ию = 30 В, /к = 30 А,
/Б = 5 А................................... 0,05*...0,15*..
0,2 мкс
Емкость коллекторного перехода
при 6/КБ = 100 В, типовое значение......... 200* пФ
Емкость эмиттерного перехода при ОЭБ = 5 В,
типовое значение........................... 3500* пФ
Обратный ток коллектора при (УКБ = 150 В,
не более:
Гк =+25 °C............................. 3 мА
Гк =+125 и-60 °C....................... 5 мА
Обратный ток эмиттера при иэь = 5 В,
не более................................... 10 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база....... 150 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при U3b = -1,5 В или /?БЭ = 10 Ом:
КТ874А................................. 100 В
КТ874Б................................. 120 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при иэъ = —1,5 В или Лбэ = 10 Ом, = 20 мкс,
О = 10, t® = 0,5 мкс....................... 150 В
Постоянное напряжение эмиттер—база......... 5 В
Импульсное напряжение эмиттер—база......... 7 В
Потенциал статического электричества....... 2000 В
Постоянный ток коллектора.................. 30 А
Импульсный ток коллектора при ?и = 20 мкс,
О= 10...................................... 50 А
Постоянный ток базы........................ 8 А
Импульсный ток базы при t* = 20 мкс, 0 = 10 15 А
218
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —60...+25 °C.............. 75 Вт
Температура р-п перехода................ +175 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус... 2 °С/Вт
Температура окружающей среды............ -60... 7"к =
= +125 °C
1 При Тк > 25 "С максимально допустимая постоянная
ность коллектора рассчитывается по формуле
Яки*кс=(175- Гк)/2, Вт.
рассеиваемая мощ-
Транзисторы пригодны для монтажа в аппаратуре паяльни-
ком. Расстояние от корпуса до места лужения и пайки выво-
дов не менее 2 мм, температура припоя не выше +265 °C,
время пайки не более 3 с. Допускается пайка выводов на
расстоянии менее 2 мм при температуре пайки не выше +150 °C.
Допустимое число перепаек — 3. Расстояние от корпуса до
начала изгиба вывода 3 мм.
Зависимость импульсного теплового сопротивления
от длительности импульса
219
Зависимость статического коэффи-
циента передачи тока от тока кол-
лектора
2Т875А, 2Т875Б, 2Т875В, 2Т875Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п переключательные. Предназначены для применения
в усилительных и переключающих устройствах. Выпускаются в
металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными
изоляторами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
2Т875(А-Г)
220
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 1/КБ = 5 В, /э = 5 А:
2Т875А, 2Т875Б, 2Т875В.................. 80...250
2Т875Г............................... 40...160
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 10 В, 4 = 0,5 А  20...120 МГц
Граничное напряжение при /к = 30 мА,
не менее:
2Т875А, 2Т875Б.......................... 60	В
2Т875В............................... 40	В
2Т875Г............................... 80	В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 5 А, /Б = 1 А, не более......... 0,5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 5 А, 4 = 1 А, не более......... 1,5 В
Время включения при ию = 30 В, /к = 5 А,
4 = 0,5 А, типовое значение............. 0,12* мкс
Время выключения при UK3 = 30 В, /к = 5 А,
4 = 0,5 А, типовое значение............. 0,4* мкс
Время спада при UK3 = 30 В, /к = 5 А,
4 = 0,5 А, типовое значение............. 0,05* мкс
Емкость коллекторного перехода
при 6/КБ = 10 В, типовое значение....... 910* пФ
Емкость эмиттерного перехода при (4э = 0,5 В,
типовое значение........................ 5500* пФ
Обратный ток коллектора при U№ = С/КБ, МАКС,
не более................................ 3 мА
Обратный ток эмиттера при Уьэ = 5 В,
не более................................ 10 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т875А, 2Т875Г.......................... 90	В
2Т875Б............................... 70	В
2Т875В............................... 50	В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
при /?БЭ = 100 Ом:
2Т875А, 2Т875Г.......................... 90	В
2Т875Б........................... 70	В
2Т875В........................... 50	В
при ЯБЭ = «>:
2Т875А, 2Т875Б...................... 60	В
2Т875В........................... 40	В
2Т875Г........................... 80	В
221
Постоянное напряжение эмиттер—база .... 5	В
Постоянный ток коллектора............... 10 А
Импульсный ток коллектора при = 10 мс... 15 А
Постоянный ток базы..................... 3 А
Импульсный ток базы при ?и = 10 мс...... 5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Гк = —60...+25 °C:
с теплоотводом....................... 50 Вт
без теплоотвода...................... 3 Вт
Температура р-п перехода................ +150'С
Температура окружающей среды............ —60... Гк =
= +125 °C
1 При Гк > +25 *С РК МАКС уменьшается линейно на 0,4 Вт/’С с теплоотводом
и на 20 мВт/'С без теплоотвода.
Области максимальных режимов
транзисторов
Зависимости статического коэффи-
циента передачи тока от тока эмит-
тера
Зависимости коэффициента /(
от длительности импульса
Зависимость напряжения насыще- Зависимость напряжения насыще-
ния коллектор—эмиттер от тока ния база—эмиттер от тока коллек-
коллектора	тора
2Т878А, 2Т878Б, КТ878А, КТ878Б, КТ878В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п переключательные. Предназначены для применения
в переключающих устройствах, импульснь1х модуляторах, в
источниках вторичного электропитания. Выпускаются в метал-
лическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоля-
торами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 17 г.
Изготовитель — акционерное общество «Элиз», г. Фря-
зино.
2Т878(А.Б). КТ878(А-В1
223
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, /к = 10 А:
Гк = +25 °C............................. 12...15* ..50
Гк = +125 и -60 °C...................... 5...50
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 10 В, /к = 1 А........ 10...22*...
33* МГц
Граничное напряжение при /к = 0,1 А,
£ = 40 мГн:
КТ878А, не менее........................ 450 В
2Т878А, КТ878Б.......................... 400...460*...
570* В
2Т878Б, КТ878В, не менее................ 300 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 15 А, 4 = 3 А...................... 0,35*...0,42*...
1,5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 15 А, /Б = 3 А..................... 1,05*...1,15*...
2 В
Остаточное напряжение коллектор—эмиттер
при /к = 15 А, /Б = 3 А, не более........... 30 В
Время включения при ию = 300 В, /к = 10 А,
4= 2 А...................................... 0,17*...0,23*...
0,4 мкс
Время рассасывания при ию = 300 В,
4= 10 А, 4= 2 А............................. 0,8*... 1,2*...
2,5 мкс
Время спада при ию = 300 В, /к = 10 А,
4 = 2 А..................................... 0,15*...0,2*...
0,5 мкс
Емкость коллекторного перехода
при U№ = 10 В............................... 215*...300*...
500 пФ
Емкость эмиттерного перехода при (/ЗБ = 2 В . 5000*...6200*
...10000 пФ
Обратный ток коллектора, не более:
при Гк = +25 °C:
КТ878А при (/КБ = 900 В.................. 3 мА
КТ878Б, 2Т878А при (/КБ = 800	В..... 3 мА
КТ878В, 2Т878Б при (/КБ = 600	В..... 3 мА
при Гк = +125 °C:
2Т878А при = 700 В....................... 10 мА
2Т878Б при (4b = 500 В............... 10 мА
224
при Т= —60 °C:
2Т878А при (/КБ = 700 В.............. 3	мА
2Т878Б при UKb = 500 В............ 3	мА
Обратный ток эмиттера при = 6 В,
не более............................... 40	мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер1
при /?бэ = 10 Ом:
КТ878А.................................. 900	В
2Т878А, КТ878Б....................... 800	В
2Т878Б, КТ878В....................... 600	В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при = 10 Ом, /ф ? 1,5 мкс
КТ878А.................................... 800	В
2Т878А, КТ878Б....................... 600	В
2Т878Б, КТ878В....................... 500	В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 6 В
Постоянный ток коллектора............... 25 А
Импульсный ток коллектора............... 30 А
Постоянный ток базы..................... 6 А
Импульсный ток базы..................... 7 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
с теплоотводом* 2 при Гк < +25 °C,
= 20 В............................... 100 Вт
без теплоотвода3 при Т $ +85 °C...... 2 Вт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Температура окружающей среды............ —60...	Тк =
= +125 °C
’ При изменении Т* = +75...+125 “Си Тк = —60...—20 “С <7КЭн.макс снижается
до 700 В для 2Т878А и до 500 В для 2Т878Б.
2 При Гк > +25 “С постоянная рассеиваемая мощность коллектора определя-
ется по формуле
н*кс =(150- Гк)/1,25, Вт.
’ При Тк = +85...+ 125 “С снижается линейно до 0,8 Вт.
225
8-835
Зависимость тока базы
от напряжения база—
змиттер
Зависимость тока эмит-
тера от напряжения ба-
за—эмиттер
Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от то-
ка коллектора
Зона возможных положений зависимости
напряжения насыщения коллектор—эмит-
тер от тока базы
Зависимости импульсного теплового сопротивления
переход—корпус от длительности импульса
22
Ада
h.A
Области безопасной работы транзи-
сторов
Зона возможных положений зависи-
мости статического коэффициента
передачи тока от тока коллектора
Области безопасной работы транзи-
сторов
2Т879А, 2Т879Б, КТ879А, КТ879Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п переключательные. Предназначены для применения
в мощных переключающих устройствах. Выпускаются в метал-
локерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора
указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 28 г.
Изготовитель — завод «Искра», г. Ульяновск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 4 В, /к ~ 20 А, не менее:
при Гк = +25 ’С:
2Т879А, КТ879А...................... 20
227
8'
2Т879(А,Б). КТ879(А,Б)
2Т879Б, КТ879Б.................... 15
при Гк =+125 °C...................... 10
при Т = —60 °C:
2Т879А, КТ879А.................... 10
2Т879Б, КТ879Б.................... 7
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 10 В, 4 = 1 А,
не менее.................................. 10	МГц
Граничное напряжение при 4 = 0,2 А,
L = 25 мГн, не менее:
2Т879А, КТ879А........................... 200	В
2Т879Б, КТ879Б....................... 150	В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 20 А, /Б = 2 А, не более:
2Т879А, КТ879А........................ 1,2 В
2Т879Б, КТ879Б....................... 2 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 20 А, 4 = 2 А, не более......... 1,8	В
Энергия вторичного пробоя при U3b = —2 В,
/?ю = 50 Ом, L = 10 мГн, не менее........ 100	мДж
Время включения при £4э = 100 В, 4 = 20 А,
4 = 2 А, не более....................... 0,35	мкс
Время рассасывания при U^= 100 В,
4 = 20 А, 4 = 2 А, не более.............. 1,2	мкс
Время спада при С4э = 100 В, 4 = 20 А,
4 = 2 А, не более....................... 0,25	мкс
Емкость коллекторного перехода
при 64в = 10 В, не более................. 800	пФ
228
Емкость эмиттерного перехода при U3b = 2 В,
не более.............................. 10000	пФ
Обратный ток коллектора при = 200 В,
не более:
Гк = +25 °C........................ 3	мА
Гк =+125 и-60'С................... 10	мА
Обратный ток эмиттера при Ux = 6 В,
не более.............................. 10	мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база... 200 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?ю = 10 Ом........................ 200 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер1
при /^ = 10 Ом, > 1 мкс................ 200 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 6 В
Постоянный ток коллектора................ 50	А
Импульсный ток коллектора................ 75	А
Постоянный ток базы...................... 20	А
Импульсный ток базы...................... 30	А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора2 при (/кэ = 20 В, Гк = +25 °C..... 250 Вт
Температура р-п перехода.................. +200	°C
Температура окружающей среды............ —60...	Гк =
= +125 °C
’ При ta < 1 мкс UK3 , ИМЛХС снижается линейно до 150 В при ta = 0,5 мкс.
2 При Гк > +25 °C постоянная рассеиваемая мощность коллектора определя-
ется по формуле
А. макс =(200 - Гк)/0,7, Вт.
Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор-эмиттер от тока
коллектора
Зависимость времени
спада от тока коллек-
тора
Зависимости статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
коллектора
229
Зависимости импульсного теплового сопротивления
переход—корпус от длительности импульса
230
2Т881А, 2Т881Б, 2Т881В, 2Т881Г,
2Т881А-5, 2Т881Б-5
Транзисторы кремниевые эпи-
таксиально-планарные структуры
п-р-п универсальные. Предназначе-
ны для применения в усилительных
и переключательных устройствах.
Транзисторы 2Т881А—2Т881Г вы-
пускаются в металлическом корпу-
се со стеклянными изоляторами и
гибкими выводами. Тип прибора
указывается на корпусе. Транзи-
сторы 2Т881А—5, 2Т881Б—5 выпус-
каются в виде кристаллов с кон-
тактными площадками без кристал-
лодержателя и без выводов для
гибридных интегральных микро-
схем. Тип прибора указывается в
этикетке.
Масса транзистора в металли-
ческом корпусе не более 2 г, кри-
сталла не более 0,01 г.
Изготовитель — акционерное
общество «Кремний», г. Брянск.
2Т88НА-Г)
2Т88ЦА-5, Б-5)
231
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при UYb = 1 В, /э = 1 А:
2Т881А, 2Т881Б, 2Т881В, 2Т881А-5,
2Т881Б-5................................ 80...250
2Т881Г............................... 40... 160
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при UK& = 5 В, 4 = 0,05 А  30...300 МГц
Граничное напряжение при /э = 0,03 А,
не менее:
2Т881А, 2Т881Б, 2Т881А-5, 2Т881Б-5... 60 В
2Т881В............................... 40 В
2Т881Г............................... 80 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 1 А, /Б = 0,2 А, не более...... 0,35 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 1 А, /Б = 0,2 А, не более....... 1,3 В
Время включения при t/K3 = 20 В, /к = 1 А,
/Б = 0,2 А, типовое значение............ 0,08* мкс
Время выключения при = 20 В, /к = 1 А,
/Б = 0,2 А, типовое значение............ 0,6* мкс
Время рассасывания при = 20 В, /к = 1 А,
/Б = 0,2 А, типовое значение............ 0,5* мкс
Емкость коллекторного перехода
при t/№ = 5 В, типовое.................. 200* пФ
Емкость эмиттерного перехода при иэъ = 4 В,
типовое значение........................ 900* пФ
Обратный ток коллектора при U№ = С/КБ МАКС,
не более................................ 0,2 мА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при (/о = мако ^бэ = Ч кОм, не более.... 0,5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т881А, 2Т881Г, 2Т881А-5............ 100 В
2Т881Б, 2Т881Б-5..................... 80 В
2Т881В............................... 50 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
при /?БЭ = 1 кОм:
2Т881А, 2Т881Г, 2Т881А-5.......... 100 В
2Т881Б, 2Т881Б-5.................. 80 В
2Т881В............................ 50 В
при /?ю =
2Т881А, 2Т881Б, 2Т881А-5, 2Т881Б-5 60 В
232
2Т881В............................ 40 В 
2Т881Г........................... 80 В
Постоянное напряжение база—эмиттер...... 4,5 В
Постоянный ток коллектора............... 2 А
Импульсный ток коллектора при = 10 мс... 4 А
Постоянный ток базы..................... 1 А
Импульсный ток базы при = 10 мс......... 1,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’ при Гк = —60...+25 °C:
с теплоотводом.......................... 5 Вт
без теплоотвода ..................... 0,8 Вт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Температура окружающей среды............ —60... Гк =
= +125 °C
1 При Гк = +25...+125 °C максимально допустимая постоянная рассеиваемая
мощность снижается линейно на 0,04 Вт/°С с теплоотводом и на 6,4 мВт/°С
без теплоотвода.
Зависимости электрических параметров 2Т881А—5, 2Т881Б—
5 аналогичны зависимостям 2Т881А, 2Т881Б.
Области безопасной работы тран-
зисторов
Зависимости статического коэффи-
циента передачи тока от тока эмит-
тера
233
Зависимости времени включения,
выключения и рассасывания от то-
ка коллектора
Зависимости коэффициента К
от длительности импульса
Зависимость напряжения насыщения Зависимость напряжения насыщения
коллектор—эмиттер от тока коллек- база—эмиттер от тока коллектора
тора
2Т882А, 2Т882Б, 2Т882В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п переключательные. Предназначены для применения
в усилителях и переключающих устройствах. Корпус пластмас-
совый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в
схеме ОЭ при = 5 В, 4 = 0,5 А, не менее:
Тк =+25	......................... 15
234
2Т882(А-В)
Гк = +100 °C..........................
Гк = -60 °C...........................
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 10 В, /к = 50 мА,
не менее.................................
Граничное напряжение при /к = 30 мА,
не менее:
2Т882А................................
2Т882Б.........................  «...
2Т882В................................
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 0,5 А, /Б = 0,1 А, не более......
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 0,5 А, /Б = 0,1 А, не более.....
Время включения при (4э = 50 В, 4 = 0,5 А,
/Б = 0,05 А, не более....................
типовое значение......................
Время выключения при £/кэ = 50 В, 4 = 0,5 А,
/Б = 0,05 А, не более....................
типовое значение......................
Время рассасывания при £4э = 50 В, 4 = 0,5 А,
4 = 0,05 А, не более...................—
типовое значение......................
Обратный ток коллектора, не более:
— +25 С и £4б = 64б, мдкс...............
~ +Ю0 С и £4б = (4эо, гр...........
Обратный ток эмиттера при У» = 6 В,
не более.................................
Емкость коллекторного перехода
при U№ = 5 В, не более...................
типовое значение......................
10
6
20 МГц
250г В
230 В
150 В
1 3
1,6 В
0,2* мкс
0,08* мкс
3,5* мкс
1,5* мкс
3* мкс
1,4* мкс
0,1 мА
0,5 мА
0,1 мА
50* пФ
35* пФ
235
Емкость эмиттерного перехода при Ux = 0,5 В,
не более..................................... 600	пФ
типовое значение.......................... 450	пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база
при dt/KB/df С 250 В/мкс:
2Т882А............................... 400	В
2Т882Б............................... 300	В
2Т882В............................... 250	В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?ю 100 Ом, dt/K3/drC 250 В/мкс:
2Т882А.................................. 350	В
2Т882Б............................... 275	В
2Т882В............................... 200	В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 6 В
Постоянный ток коллектора............... 1 А
Импульсный ток коллектора............... 2 А
Постоянный ток базы..................... 0,5	А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Тк = —60...+100 °C:
с теплоотводом1......................... 10 Вт
без теплоотвода1 2................... 1 Вт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Температура окружающей среды............ —60... Тк =
= +100 °C
1 При Гк = +25...+ 100 °C	макс снижается линейно на 0,08 Вт/°С.
2 При Гк = +25...+ 1OO "С снижается линейно на 8 мВт/°С.
1к .А
Области максимальных
режимов
236
Зависимости коэффициента К
от длительности импульса
Входные характери-
стики
Выходные характери-
стики
Зависимости напряже-
ний насыщения коллек-
тор—эмиттер и база—
эмиттер от тока коллек-
Зона возможных положений зави-
симости статического коэффициен-
та передачи тока от тока коллек-
тора
Зависимость максимально допусти-
мого постоянного напряжения кол-
лектор—эмиттер от сопротивления
база—змиттер
2Т884А, 2Т884Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п переключательные. Предназначены для применения
в усилителях и переключающих устройствах. Корпус пластмас-
совый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, 4 = 0,3 А, не менее:
Тк = +25 °C..................... 25
ТК = +100°С..................... 15
Тк = -вО °C..................... 6
237
2Т88ЦА,Ь)
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 10 В, 4 = 30 мА,
не менее................................ 10 МГц
Граничное напряжение при 4 - 30 мА,
не менее:
2Т884А.............................. 400 В
2Т884Б.............................. 300 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 0>3 А, 4 = 0,03 А, не более..... 0,8 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 0,3 А, 4 = 0,03 А, не более..... 1 В
Время включения при £4э = 200 В, 4 = Ч А,
4 = 0,02 А, не более.................... 3 мкс
типовое значение.................... 2* мкс
Время спада при 64э = 200 В, 4 = 1 А,
4 = 0,2 А, не более..................... 0,8 мкс
типовое значение.................... 0,6* мкс
Время рассасывания при £4э = 200 В, 4 = 1 А,
4 = 0,2 А, не более..................... 3 мкс
типовое значение.................... 2* мкс
Обратный ток коллектора, при U№ = 1/КБ МАКС,
не более:
Г = —60...+25 °C.................... 0,2 мА
Г=+100°С............................ 1 мА
Обратный ток эмиттера при Ux = 5 В,
не более................................ 1 мА
Емкость коллекторного перехода
при = 5 В, не более..................... 60 пФ
типовое значение.................... 35* пФ
238
Емкость эмиттерного перехода при £/э6 = 0,5 В,
не более.................................. 1500 пФ
типовое значение....................... 1200* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база
при dU^/dt 250 В/мкс:
2Т882А............................... 800 В
2Т882Б............................... 600 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ 100 Ом, d(/K3/df 250 В/мкс:
2Т882А............................... 800 В
2Т882Б............................... 600	В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 5	В
Постоянный ток коллектора............... 2	А
Импульсный ток коллектора............... 5	А
Постоянный ток базы..................... 1	А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’ при Гк = —60...+25 °C:
с теплоотводом.......................... 15 Вт
без теплоотвода...................... 1 Вт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Температура окружающей среды............ —60...Тк =
= +100 °C
’ При Гк = +25...+ 100 °C Рк. макс снижается линейно на 0,12 Вт/‘С с тепло-
отводом и на 8 мВт/°С без теплоотвода.
Допустимое значение статического потенциала 1 кВ.
Допускается обрезка выводов транзистора не ближе 5 мм
от корпуса и одноразовый изгиб выводов на угол не более 90°
от первоначального положения в плоскости, перпендикуляр-
ной основанию корпуса, и не ближе 5 мм от корпуса с радиу-
сом изгиба не менее 1,5 мм; при этом должны приниматься
меры, исключающие передачу усилия на корпус.
Расстояние от корпуса до места лужения и пайки не менее
5 мм. При одновременной пайке теплоотводящей поверхности
и выводов транзистора пайку осуществлять припоем с темпе-
ратурой не более +260 °C в течение не более 3 с. При раз-
дельной пайке теплоотводящей поверхности и выводов тран-
зистора пайку осуществлять припоем с температурой не более
+240 °C в течение не более 8 с; при этом обязательно приме-
нение теплоотвода.
239
0,2 0.4 0.6 0.8 (JS3 .В
Входные характери- Выходные характери- Зависимости налряже-
стики	стики	ний насыщения коллек-
тор—эмиттер и база—
эмиттер от тока коллек-
тора
икм.ушс/июи>ж(^ВО Ом)
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
10* 10'10* 10s Ru. Ом
Зависимость статического коэф-
фициента передачи тока от тока
эмиттера
Зависимость максимально допусти-
мого постоянного напряжения кол-
лектор—эмиттер от сопротивления
база—эмиттер
Области максимальных режимов
Зависимости коэффициента К
от длительности импульса
240
2Т885А, 2Т885Б
Транзисторы кремни-
евые эпитаксиально-пла-
нарные структуры п-р-п
переключательные. Пред-
назначены для примене-
ния в источниках вторич-
ного электропитания. Вы-
пускаются в металличе-
ском корпусе с жесткими
выводами и стеклянными
изоляторами. Тип прибо-
ра указывается на кор-
пусе.
Масса транзистора не
более 20 г.
Изготовитель — завод
«Пульсар», г. Москва.
21885(А. Б)
Электрические параметры -
Статический коэффициент передачи тока в
схеме ОЭ при = 5 В, 4 = 20 А, Ти = 100 мкс,
Q = 200, не менее:
Гк =+25 °C.............................. 12
Тк =+125 и-60 °C........................ 8
- Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при (/^ = 5 В, /к = 0,5 А... 15...20*...
25* МГц
Граничное напряжение при /к = 0,1 А,
L = 29 мГн:
2Т885А.................................. 400...450*...
500* В
2Т885Б.................................. 500...550*...
600* В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 30 А, 4 = 6 А, Ги = 100 мкс, О = 200. 1,2...2*...2,5* В
241
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 30 А, /Б = 6 А, Ги = 100 мкс, Q = 200,
не более................................ 3,5 В
Время включения при = 200 В, /к = 30 А,
/К//Б = 5............................... 0,1 *...0,15*...
0,5* мкс
Время рассасывания при = 200 В, /к = 30 А,
/Б1 = 6 А, 4г = 9 А, не более........... 2 мкс
Время спада при UV3 = 200 В, /к = 30 А,
/Б1 = 6 А, /Б2 = 9 А.................... 0,25*...0,35*...
0,5 мкс
Емкость коллекторного перехода
при U№ = 100 В.......................... 100*...150*...
200* пФ
Емкость эмиттерного перехода при (/ЭБ = 5 В. 3500*...3800*
...4500* пФ
Обратный ток коллектора при UKb = 500 В,
не более:
Гк = +25 ’С.......................... 1 мА
Гк =+125 и-60 °C..................... 2 мА
Обратный ток эмиттера при U3b = 5 В,
не более............................... 50 мА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное напряжение коллектор—база.... 800 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при (/ЭБ = “1,5 В или /?бэ = 10 Ом:
2Т885А................................. 400 В
2Т885Б............................... 500 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при (/ЭБ = —1,5 В или /?бэ = 10 Ом, Ги = 20 мкс,
0=2, 4, > 0,5 мкс....................... 800 В
Постоянное напряжение база—эмиттер...... 5 В
Постоянный ток коллектора.............. 40 А
Импульсный ток коллектора при 4 = 20 мкс,
0= 10................................... 60 А
Постоянный ток базы..................... 10 А
Импульсный ток базы	при	4 = 20 мкс, 0= 10 20 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора' при Гк = —60...+25 °C............. 150 Вт
1 При 7К > +25 "С постоянная рассеиваемая мощность коллектора определя-
ется по формуле
Я млкс= 050 “ ГЛ/0,84, Вт.
242
Температура р-п перехода................. +150	°C
Тепловое сопротивление переход—корпус... 0,84 °С/Вт
Температура окружающей среды........... —60...	Тк =
= +125 °C
2Т886А, КТ886А1, КТ886Б1
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п
переключательные. Предназначены для применения в генера-
торах строчной развертки, во вторичных источниках электро-
питания. Транзистор 2Т886А выпускается в металлическом
корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами,
КТ886А1, КТ886Б1 — в пластмассовом корпусе с жесткими
выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20 г,
в пластмассовом корпусе не более 6 г.
Изготовитель — ОКБ «ЭлП» ПО «Электронприбор»,
г. Фрязино, Московская область.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при (/^ = 5 В, /к = 4 А........ 6...12*...25*
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 25 В, /к = 2 А........ 10,5...12,6*...
15,6* МГц
243
КТ886(А1,Б1)
Граничное напряжение при /к = 0,1 А,
L = 40 мГн, не менее:
2Т886А, КТ886А1 ........................... 700 В
КТ886Б1 ................................... 500 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 4 А, 4 = 1 А:
Гк = +25 °C............................ 0,3* ..0,5*...1 В
7”к = Тк, МАКС*
2Т886А, не более.................... 2,5 В
КТ886А1, КТ886Б1, не более.......... 2 В
Гк = -50 °C для 2Т886А и Гк = -10 °C
для КТ886А1, КТ886Б1:
2Т886А, не более.................... 3,5 В
КТ886А1, КТ886Б1, не более.......... 3,5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 4 А, 4 = 1 А, не более............ 1,5 В
Время рассасывания при <4э = 500 В,
(4э = -5 В, /к = 4 А, 4, = 0,5 А, 42 = 1,8 А,
L = 1 мГн.................................. 1,7*...2,5*...
3,5* мкс
Время спада при (4э = 500 В, £4э ~ ~5 В,
4 = 4 А, 4, = 0,5 А, 42 = 1,8 A, L = 1 мГн. 0,12*...0,2*...
0,3 мкс
244
Емкость коллекторного перехода
при U№ = 10 В, не более................. 135 пФ
Емкость эмиттерного перехода при (/БЭ = 6 В,
не более................................ 7000 пФ
Обратный ток коллектора при U№ = 1000 В,
не более:
Гк = +25 °C:
2Т886А, КТ886А1...................... 0,1	мА
КТ886Б1........................... 0,5	мА
МАКС*
2Т886А, КТ886А1................... 0,5	мА
КТ886Б1........................... 1 мА
Гк = -50 °C для 2Т886А, 7*к = -10 °C
для КТ886А1, КТ886Б1:
2Т886А, КТ886А1...................... 0,5	мА
КТ886Б1........................... 1 мА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при = i/кэ, макс, не более.............. 0,5	мА
Обратный ток эмиттера при иъэ = 7 В,
не более................................ 10 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное и импульсное напряжение коллек-
тор-эмиттер при /?бэ = 10 Ом:
2Т886А, КТ886А11..................... 1400	В
КТ886Б1.............................. 1000	В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 7 В
Потенциал статического электричества.... 2000	В
Постоянный ток коллектора............... 10 А
Импульсный ток коллектора............... 15 А
Постоянный и импульсный ток базы........ 5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора* 2 при 7*к = —60...+25 °C:
2Т886А.................................. 175 Вт
КТ886А1, КТ886Б1..................... 75 Вт
Температура р-п перехода:
2Т886А.................................. +175	°C
КТ886А1, КТ886Б1..................... +150	°C
’ При Тг = —50...О ‘С для 2Т886А и 7*к = —10...0 'С для КТ886А1 максималь-
но допустимое напряжение коллектор—эмиттер снижается линейно до 1300 В.
2 При Гк > +25 °C максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
МАКС = (7"п — /к)/^Т(П-К)’ Вт'
245
Тепловое сопротивление переход—корпус:
2Т886А............................... 0,86 °С/Вт
КТ886А1, КТ886Б1..................... 1,67 °С/Вт
Температура окружающей среды:
2Т886А.................................. -60... Гк =
= +125 °C
КТ886А1, КТ886Б1..................... -60... Тк =
= +100 °C
Для улучшения теплоотвода на нижнее основание корпуса
необходимо наносить теплопроводящую пасту КТП—8 ГОСТ
19783.
Пайку выводов рекомендуется проводить На расстоянии не
менее 5 мм от корпуса при температуре не выше +265 °C в
течение не более 4 с.
Допускается одновременная формовка выводов на рассто-
янии не менее 5 мм от корпуса при радиусе изгиба не менее
1 мм.
КТ890А, КТ890Б, КТ890В
КТ8Ш-В)
Транзисторы крем-
ниевые мезапланарные
структуры п-р-п состав-
ные усилительные. Пред-
назначены для примене-
ния в схемах зажигания
автомобильных двига-
телей. Выпускаются в
пластмассовом корпусе
с жесткими выводами.
Тип прибора указывает-
ся на корпусе.
Масса транзистора не
более 10 г.
Изготовитель — ОКБ
«ЭлП» ПО «Электрон-
прибор», г. Фрязино,
Московская область.
246
Электрические параметры
Граничное напряжение при /к = 0,1 А,
/ = мГн-
КТ890А................................. 350...430*...
650* В
КТ890Б, КТ890В......................... 350...410*...
500* В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер,
не более:
Гк = +25 °C:
/к = 7 А, /Б = 70 мА................ 1,6	В
4 = 8 А, /Б = 100 мА............... 1,8	В
4 = 10 А, 4 = 150 мА............... 2 В
' Гк = +100 “С при 4 = 8 А, /Б = 100 мА. 2,4	В
Напряжение насыщения база—эмиттер,
не более:
4 = 8 А, 4 = 100 мА.................... 2,2 В
4= 10 А, 4 = 150 мА.................... 2,5 В
Прямое падение напряжения на диоде
при /ПР = 10 А, не более.................. 2,7 В
Обратный ток коллектор—эмиттер
при £4э = 350 В, /?БЭ = °°, не более:
Тк = +25 и -45 °C:
КТ890А.............................. 0,5 мА
КТ890Б, КТ890В..................... 0,25 мА
Гк = +100 °C:
КТ890А.............................. 2 мА
КТ890Б, КТ890В..................... 1 мА
Обратный ток эмиттера при (УБЭ = 5 В,
не более.................................. 50 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база...... 350 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер . 350 В
Постоянное напряжение эмиттер—база........ 5 В
Постоянный ток коллектора................. 20 А
Постоянный ток базы....................... 5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гп = +150 °C..................... 120 Вт
Энергия вторичного пробоя:
КТ890А, КТ890Б при 4 = 7,75 А,
L = 10 мГн, /^э = 00 .................. 300 мДж
КТ890В при 4 = 10 A, L = 10 мГн,
Яю = 100 Ом............................ 500 мДж
247
Зона возможных положений зависи-
мости статического коэффициента
передачи тока от тока коллектора
Зона возможных положений зависи-
мости статического коэффициента
передачи тока от тока коллектора
Зона возможных положений за-
висимости времени рассасывания
и времени спада от тока коллек-
тора
248
Зависимости импульсного теплового сопротивления
от длительности импульса
2T891A
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п переключательный. Предназначен для применения
в источниках вторичного электропитания. Выпускается в ме-
таллокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Тип
прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 12 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
21891А
249
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в
схеме ОЭ при ию = 4 В, /к = 5 А, 4, = 100 мкс,
О = 200:
Тк = +25 °C............................ 20...35*...50*
Гк =+125, не менее..................... 20
Т = —60 °C, не менее................... 8
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 5 В, 4 = 0,5 А....... 12*... 17*...
20* МГц
Граничное напряжение при 4 = 0,1 А,
L = 29 мГн................................. 250...280*...
310* В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 40 А, /Б'= 8 А, ?„ = 100 мкс, О = 200 . 0,45*...0,75*...
1,2 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 40 А, /Б = 8 А.................... 1,2*... 1,5*..2В
Время включения при 44э - 100 В, 4 = 40 А,
4/4 = 5.................................... 0,05*...0,15*...
0,3* мкс
Время рассасывания при = 100 В,
/к = 40 А, /Б1 = 4 А, /Б2 = 8 А............ 0,4*...0,6*...
1 мкс
Время спада при 44э = Ю0 В, 4 = 40 А,
4i = 4A, /Б2 = 8А.......................... 0,05*...0,12*...
0,2 мкс
Обратный ток коллектора при ОКБ = 250 В,
не более:
Тк = +25 °C............................ 2 мА
7;=+125 и-60 °C........................ 5 мА
Обратный ток эмиттера при ОБЭ = 7 В,
не более................................... 50 мА
Емкость коллекторного перехода
при (/КБ = 100 В........................... 300*...350*...
400 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Ub3 = 5 В . 5000*...5800*
...6500 пф
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное напряжение коллектор—база
при Ги = 20 мкс, 0= 2...................... 350 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при (/ю = —1,5 В или /?ю = 10 Ом........... 250 В
250
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при иБЭ = —1,5 В или /?БЭ = 10 Ом, С 20 мкс,
(ф = 0,5 мкс, 0=2.......................
Постоянное напряжение база—эмиттер......
Постоянный ток коллектора...............
Импульсный ток коллектора при Ги = 20 мкс,
0 = Ю...................................
Постоянный ток базы.....................
Импульсный ток базы при Ги = 20 мкс, 0 = 10
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Гк = —60...+25 °C.............
Температура р-п перехода................
Тепловое сопротивление переход—корпус...
Температура окружающей среды............
350 В
7 В
40 А
60 А
10 А
20 А
150 Вт
+150 °C
0,833 °С/Вт
-60,..7-к =
= +125 °C
’ При Гк > +25 °C постоянная рассеиваемая мощность коллект< >а опоеделя-
ется по формуле
^,иАкг= (150- Гк)/0,833, Вт.
Расстояние от корпуса до места лужения и пайки выводов
2 мм, температура припоя +235 °C, время пайки не более 3 с.
Области безопасной работы
транзистора
Зависимости импульсного теплового со-
противления переход—корпус от дли-
тельности импульса
251
Зависимости тока базы
от напряжения база—
эмиттер
Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от то-
ка коллектора
Зависимости напряже-
ний насыщения коллек-
тор-эмиттер и база-
эмиттер от тока кол-
лектора
КТ892А, КТ892Б, КТ892В
Транзисторы кремниевые планарные структуры п-р-п со-
ставные усилительные. Предназначены для применения в схе-
мах зажигания автомобилей, схемах управления двигателями.
Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами
и стеклянными изоляторами. Тип прибора указывается на кор-
пусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Изготовитель — завод «Искра», г. Ульяновск.
252
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 10 В, 4 = 5 А, не менее 300
Граничное напряжение при /к = 0,1 А,
не менее:
КТ892А.............................. 350 В
КТ892Б.............................. 400 В
КТ892В.............................. 300 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 8 А, /Б = 0,1 А, не более...... 1,8 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 8 А, !ъ = 0,1 А, не более..... 2,2 В
Энергия вторичного пробоя при (/БЭ = 0,
L = 6,8 мГн, /?бэ = 50 Ом, не менее.... 275 мДж
Обратный ток коллектора при Z/K6 = R МАКС,
не более............................... 3 мА
Обратный ток эмиттера при = 5 В,
не более............................... 20 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?вэ = 100 Ом:
КТ892А.............................. 350	В
КТ892Б.............................. 400	В
КТ892В.............................. 300	В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 5 В
Постоянный ток	коллектора.............. 15 А
Импульсный ток	коллектора.............. 30 А
Постоянный ток	базы.................... 1 А
Импульсный ток	базы.................... 5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —60...+25 °C............. 100 Вт
Температура р-п перехода............... 4-150	°C
Температура окружающей среды.......... —60...	Тк =
= +125 °C
Пайка, лужение выводов допускается не ближе 5 мм от
корпуса при температуре припоя не выше +260 °C в течение не
более 3 с.
При включении транзистора в цепь, находящуюся под на-
пряжением, базовый вывод должен присоединяться первым и
отключаться последним.
253
Зависимость статического коэффи-
циента передачи тока от тока кол-
лектора
Рк.Вт
100
Я
60
50
О 25 50 15 100 Тк.'С
Зависимость максимально допусти-
мой постоянной рассеиваемой мощ-
ности коллектора от температуры
корпуса
Области безопасной работы тран-
зистора
!,.А
Зависимости напряжений насыще-
ния коллектор—эмиттер и база—
эмиттер от тока коллектора
КТ897А, КТ897Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п составные. Предназначены для применения в выход-
ных каскадах электронного коммутатора в системах зажигания
автомобилей, вторичных источниках питания и других импульс-
ных схемах с индуктивной нагрузкой. Транзисторы выпускают-
ся в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянны-
ми изоляторами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
2М
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
КТ897(А,Б)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при U№ = 5 В, /э = 5 А, не менее . 400
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при Z/K3 = 10 В, /к = 0,5 А,
не менее............................... 10 МГц
Граничное напряжение при 4 = 0,1 А,
не менее:
КТ897А.............................. 350 В
КТ897Б.............................. 200 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер,
не более:
4 = 7 А, 4 = 0,07 А................. 1,6 В
/к=8 А, /Б = 0,1 А.................. 1,8 В
4 = 10 А, 4 = 0,25 А................ 1,8 В
Напряжение насыщения база—эмиттер,
не более:
4 = 8 А, 4 = 0,1 А.................. 2,2 В
4 = 10 А, 4 = 0,25 А................ 2,5 В
Обратный ток коллектор—эмиттер
при 64э = Чэ.мако не более............. 250 мкА
Обратный ток эмиттера при 64э = 5 В,
не более............................... 50 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ897А................................. 350 В
255
КТ897Б............................... 200 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при Лщ = 100 Ом:
КТ897А............................... 350	В
КТ897Б............................... 200	В
Постоянное напряжение	эмиттер—база...... 5 В
Постоянный ток коллектора............... 20 А
Постоянный ток базы..................... 5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’ при Тк = —60...+25 °C:
с теплоотводом.......................... 150 Вт
без теплоотвода...................... 3 Вт
Температура р-п перехода................ +175 ’С
Температура окружающей среды............ —60... Тк =
= +125 °C
’ При Тк = +25...+ 125 "С максимально допустимая постоянная рассеиваемая
мощность коллектора рассчитывается по формуле
МАКС = ( Тп — Гц)/Rj Вт,
где Ят(п-ю = 1 °С/Вт — с теплоотводом, 50 *С/Вт — без теплоотвода.
КТ898А, КТ898Б, КТ898А1, КТ898Б1
КТ898(А.Б)
Транзисторы крем-
ниевые мезапланарные
структуры п-р-п состав-
ные усилительные. Пред-
назначены для примене-
ния в усилителях мощ-
ности. Выпускаются в
пластмассовом корпусе
с жесткими выводами. У
транзисторов КТ898А1,
КТ898Б1 коллектор изо-
лирован от корпуса. Тип
прибора указывается на
корпусе.
Масса транзистора
не более 10 г.
Изготовитель — ак-
ционерное общество
«Кремний», г. Брянск.
256
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, /к = 5 А, не менее . 400
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 10 В, 4 = 0,5 А,
не менее................................ 10 МГц
Граничное напряжение при 4 = 0,1 А,
не менее:
КТ898А, КТ898А1...................... 350 В
КТ898Б, КТ898Б1...................... 200 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер,
не более:
4 = 7 А, /Б = 0,07 А................. 1,6 В
4 = 8 А, /Б = 0,1 А.................. 1,8 В
4 = 10 А, 4 = 0,25 А................. 1,8 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ898А, КТ898А1..................... 350 В
КТ898Б, КТ898Б1 ..................... 200 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при = 1 кОм:
КТ898А, КТ898А1...................... 350 В
КТ898Б, КТ898Б1 ..................... 200 В
Постоянное напряжение база—эмиттер...... 5 В
Постоянный ток коллектора............... 20 А
Импульсный ток коллектора............... 30 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Тк = —60...+ 125 °C:
КТ898А, КТ898Б....................... 125 Вт
КТ898А1, КТ898Б1..................... 60 Вт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Температура окружающей среды............ —60... Тк =
= +125 °C
КТ899А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п составной усилительный. Предназначен для приме-
нения в выходных каскадах автомобильных регуляторов на-
пряжения. Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими
выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Изготовитель — завод «Искра», г. Ульяновск.
257
9-835
КТ899А
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при U& = 5 В, 4 = 5 А........ 1000...20000*
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при U& = 5 В, 4 = 1 А,
не менее................................ 8 МГц
Граничное напряжение при 4 = 40 мА,
не менее................................ 150 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 5 А, 4 = 5 мА, не более......... 1,3 В
Обратный ток коллектор—эмиттер
при £4э = 160 В, Rb3 = 100 Ом, не более. 1,5 мА
Обратный ток эмиттера при Ux = 4 В,
не более................................ 5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при Явэ = 100 Ом........................ 160	В
Постоянное напряжение база—эмиттер..... 4 В
Постоянный ток	коллектора.............. 10 А
Импульсный ток	коллектора.............. 12 А
Постоянный ток	базы.................... 1 А
258
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —45...+25 °C............... 40 Вт
Температура р-п перехода................. +150 °C
Температура окружающей среды............. —45... Гк =
= +100 °C
Зависимость статического коэффи-
циента передачи тока от тока кол-
лектора
Зависимость напряжения насыще-
ния коллектор—эмиттер от тока
коллектора
Зависимость максимально допусти- Области максимальных режимов
мой постоянной рассеиваемой мощ-
ности коллектора от температуры
корпуса
КТ8101А, КТ8101Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п универсальные. Предназначены для применения в
оконечных каскадах усилителей звуковой частоты, стабилиза-
259
торах напряжения, преобразователях. Выпускаются в пласт-
массовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указы-
вается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
КТ810ЦА.Б)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при U№ = 10 В, /э = 2 А, не менее 20
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 10 В, /к = 0,2 А,
не менее............................... 10 МГц
Граничное напряжение при /к = 50 мА,
L= 160 мГн, не менее:
КТ8101А............................. 160 В
КТ8101Б............................. 120 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 6 А, 4 = 0,6 А, не более...... 2 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 6 А, /Б = 0,6 А, не более..... 2 В
Емкость коллекторного перехода
при £/кб = 5 В, не более............... 1000 пФ
Обратный ток коллектора при (/КБ = (/КБ МАКС,
не более............................... 1 мА
Обратный ток эмиттера при (/ЭБ = 6 В,
не более:.............................. 3 мА
260
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ8101А.............................. 200 В
КТ8101Б.............................. 160 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при Rf,3 = 100 Ом:
КТ8101А................................. 200	В
КТ8101Б................................ 160	В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 6 В
Постоянный ток коллектора............... 16 А
Импульсный ток коллектора............... 25 А
Постоянный ток базы..................... 2 А
Импульсный ток базы..................... 4 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —60...+25 °C.............. 150 Вт
Температура р-п перехода................. +150	°C
Температура окружающей среды........... —60...	Гк =
= +125 ‘С
КТ8105А
Транзистор кремниевый планарный структуры п-р-п со-
ставной усилительный. Предназначен для применения в усили-
телях мощности и переключающих устройствах. Выпускается в
металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными
изоляторами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
261
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, 4 = 5 А, не менее . 10000
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при (4э = 10 В, /к = 0,5 А,
не менее................................ 10 МГц
Граничное напряжение при 4 = 0,1 А,
не менее................................ 200 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 10 А, 4 = 20 мА, не более....... 2 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база.... 200 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?ю = 1 кОм......................... 200 В
Постоянное напряжение база—эмиттер...... 5 В
Постоянный ток коллектора............... 20 А
Импульсный ток коллектора............... 25 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —60...+125 °C............. 150 Вт
Температура р-п перехода................ +175 °C
Температура окружающей среды............ —60... Гк =
= +125 °C
КТ8107А, КТ8107Б, КТ8107В, КТ8107Г, КТ8107Д,
КТ8107Е, КТ8107А2, КТ8107Б2, КТ8107В2,
КТ8107Г2, КТ8107Д2, КТ8107Е2
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п
переключательные. Предназначены для применения в схемах
строчной развертки телевизионных приемников. Выпускаются
в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными
изоляторами КТ8107А2—КТ8107Е2 и в пластмассовом корпу-
се с жесткими выводами КТ8107А—КТ8107Е. Тип прибора ука-
зывается на корпусе.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20 г,
в пластмассовом корпусе не более 4 г.
Изготовители — завод «Искра», г. Ульяновск, акционер-
ное общество «Кремний», г. Брянск.
262
КТ8107(А-Е)
КТ8107(А2-Е2)
Электрические параметры
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при (4э = 5 В, 4 = 0,2 А,
f= 3 МГц, не менее....................... 2,3
Граничное напряжение при /к = 0,1 А,
не менее.................................. 700	В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер,
не более:
КТ81О7А, КТ8107А2, КТ81О7В, КТ8107В2
при /к = 4,5 А, /Б = 2 А.............. 1	В
КТ8107Б, КТ8107Б2, КТ8107Г, КТ8107Г2
при 4 = 4,5 А, /Б = 2 А............... 3	В
КТ8107Д, КТ8107Д2, КТ8107Е, КТ8107Е2
при 4 = 2,5 А, 4 = 1 А................ 1	В
Время рассасывания при икэ = 500 В,
4 = 4,5 А, 4 = 1»4 А, не более............ 3,5	мкс
Время спада при (4э ~ 500 В, 4 = 4,5 А,
4 = 1,4 А, не более....................... 0,5	мкс
Обратный ток коллектора при 64в = ^4б, макс»
не более................................. 2	мА
263
Обратный ток эмиттера при = 6 В,
не более:
КТ8107А, КТ8107Б, КТ8107Е, КТ8107А2,
КТ8107Б2, ИТ8107Е2................... 200 мА
КТ8107В, КТ8107Г, КТ8107Д, КТ8107В2,
КТ8107Г2, КТ8107Д2................... 10 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ8107А, КТ8107Б, КТ8107В, КТ8107Г,
КТ8107А2, КТ8107Б2, КТ8107В2, КТ8107Г2 1500 В
КТ8107Д, КТ8107Е, КТ8107Д2, КТ8107Е2.. 1200 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 6 В
Постоянный ток	коллектора............... 10 А
Импульсный ток	коллектора.............. 10 А
Постоянный ток	базы.................... 4 А
Импульсный ток	базы.................... 6 А
Импульсный запирающий ток базы.......... 5 А
Постоянный прямой ток диода для КТ8107А,
КТ8107Б, КТ8107А2, КТ8107Б2............. 8 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк х Гц нин...+25 °C........... 100 Вт
Температура окружающей среды:
в металлическом корпусе.............. — 60... 7^ =
= +125 °C
в пластмассовом корпусе.............. — 45... Гк =
= +100 °C
Пайка выводов транзистора допускается не ближе 5 мм от
корпуса при температуре припоя не выше +260 °C в течение не
более 3 с, время лужения не более 2 с. Допускается не более
трех перепаек выводов транзистора.
Для транзисторов в пластмассовом корпусе допускается
одноразовый изгиб выводов на угол не более 90° от первона-
чального положения в плоскости перпендикулярной основа-
нию корпуса, не ближе 5 мм от корпуса с радиусом изгиба не
менее 1,5 мм.
При включении транзистора в цепь, находящуюся под на-
пряжением, базовый вывод должен присоединяться первым и
отключаться последним.
264
Выходные характеристики
Зона возможных положений зависи-
мости статического коэффициента
передачи тока от тока коллектора
Зона возможных положений зависи-
мости напряжения насыщения кол-
лектор—эмиттер от тока коллектора
Зависимости времени рассасывания
и времени спада от тока коллектора
Зона возможных положений зависи- Области максимальных режимов
мости напряжения насыщения ба-
за—эмиттер от тока коллектора
265
КТ8108А, КТ8108Б, КТ8108В,
КТ8108А1, КТ8108Б1, КТ8108В1
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п
переключательные. Предназначены для применения в импульс-
ных источниках электропитания телевизоров. Транзисторы
КТ8108А—КТ8108В выпускается в металлическом корпусе с
жесткими выводами и стеклянными изоляторами, КТ8108А1-
КТ8108В1 в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип
прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20 г,
в пластмассовом — не более 3 г.-
Изготовитель — ОКБ «ЭлП» ПО «Электронприбор»,
г. Фрязино, Московская область.
КТ81081А-В)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ:
t/кэ = 5 В, 4 = 30 мА............... 6...20*...40*
= 5 В, 4 = 0,5 А:
КТ8108А, КТ8108А1.................. 10...50*
КТ8108Б, КТ8108Б1.................. 40...80*
КТ8108В, КТ8108В1.................. 10...50*
Граничная частота коэффициента передачи
гока в схеме ОЭ при	В, 1к = 0,6 А,
типовое значение.......................... 15* МГц
26b
KT81D8(A1-B1)
Граничное напряжение при 4 = 0,1 А,
L = 25 мГн:
КТ8108А, КТ8108А1, КТ8108Б, КТ8108Б1 . 500...650*...
750* В
КТ8108В, КТ8108В1, не менее............ 550 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 2,5 А, /Б = 0,5 А:
Гк =+25 °C............................. 0,15*..0,3*...
1 В
Гк = +125 и —25 °C, не более........... 2 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 2,5 А, /Б = 0,5 А................. 0,8*...0,9*...
1,5 В
Время рассасывания при = 250 В,
ию = -5 В, /к = 2,5 А, /Б1 = 0,5 А, /Б2 = 1 А,
типовое значение........................... 3* мкс
Время спада при 6/кэ = 250 В, Т/БЭ = —5 В,
/к = 2,5 А, /Б, = 0,5 А, /Б2 = 1 А......... 0,15*...0,16*...
0,3 мкс
Емкость коллекторного перехода
при Т/КБ = 15 В, не более.................. 75 пФ
Емкость эмиттерного перехода при U63 = 5 В,
не более................................... 1250 пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при 7/кэ = UK3t МАКС, не более:
7^ =+25 °C............................. 0,5 мА
7; =+125 и-25 °C....................... 1 мА
Обратный ток эмиттера при иъэ = 5 В,
не более................................... 1 мА
267
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
КТ8108А, КТ8108А1, КТ8108Б, КТ8108Б1 . 850 В
КТ8108В, КТ8108В1.................... 908 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 5 В
Постоянный ток	коллектора.............. 5	А
Импульсный ток	коллектора.............. 7	А
Постоянный ток	базы.................... 3	А
Импульсный ток	базы.................... 4	А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Тк = —25...+25 °C.............. 70 Вт
Температура р-п перехода................ +150 “С
Температура окружающей среды............ —25...ГК =
= +125 °C
КТ8109А
Транзистор кремниевый эпйтаксиально-планарный струк-
туры п-р-п составной усилительный. Предназначен для приме-
нения в системах зажигания автомобилей, схемах управления
двигателями, в регуляторах напряжения. Выпускается в пласт-
массовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указы-
вается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Изготовитель — завод «Искра», г. Ульяновск.
KT81G9A
26В
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, 4 = 2,5 А,
не менее................................ 180
Граничное напряжение при 4 = 0,1 А,
не менее............................... 350 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 2,5 А, /Б = 0,04 А, не более.... 2 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 2,5 А, 4 = 0,04 А, не более.... 2,5 В
Обратный ток коллектора при (/№ = 350 В,
не более............................... 3 мА
Обратный ток эмиттера при 5 В,
не более............................... 40 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база.... 350 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при = 10 Ом............................. 350 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 5 В.
Постоянный ток коллектора............... 5 А
Импульсный ток коллектора............... 10 А
Постоянный ток базы..................... 1,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —45...+25 °C.............. 40 Вт
Температура р-п перехода................ +150	°C
Температура окружающей среды.......... —45...	Гк =
= +100 °C
Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор'—эмиттер от тока
коллектора
Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от то-
ка коллектора
Зависимость напряже-
ния насыщения база—
эмиттер от тока кол-
лектора
269
Области максимальных режимов Зависимость максимально допусти-
мой постоянной рассеиваемой мощ-
ности коллектора от температуры
корпуса
КТ8110А, КТ8110Б, КТ8110В
Транзисторы кремниевые планарные структуры п-р-п пере-
ключательные. Предназначены для применения в линейных и
ключевых источниках электропитания, в усилителях постоян-
ного тока. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими
выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Изготовитель — завод «Искра», г. Ульяновск.
КТ8ША-В)
и
2Z0
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 14» = 5 В:
4 = 0.8 А:
КТ8110А.............................. 15...30*
КТ8110Б, КТ8110В, не менее........ 15
4 = 4 А для КТ8110А, не менее....... 10
/к = 10 мА для КТ8110А, не менее..... 8
Граничное напряжение при 4 = 5 мА,
L = 25 мГн, не менее:
КТ8110А, КТ8110Б..................... 400 В
КТ8110В.............................. 350 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 4 А, 4 = 0,8 А, не более........ 0,8 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 4 А, /Б - 0,8 А, не более....... 1,5 В
Время включения при Ц» = 200 В, 4 = 5 А,
4, = 1 А, 42 = —2 К, не более:
КТ8110А, КТ8110Б........................ 0,5 мкс
КТ8110В.............................. 0,7 мкс
Время рассасывания при = 200 В, 4 = 5 А,
4, = 1 А, 4г = ”2 А, не более........... 2,5 мкс
Время спада при 44э = 200 В, 4 = 5 А,
/Б1 = 1 А, 4г = —2 А, не более:
КТ8110А, КТ8110Б..................... 0,3 мкс
КТ8110В.............................. 0,7 мкс
Обратный ток коллектора, не более:
UKe = 500 В............................. 1 мА
U№ = 400 В........................... 0,1 мА
Обратный ток эмиттера при иэъ = 5 В,
не более................................ 0,1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база.... 500 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
/?БЭ = 10 Ом......................... 500 В
= оо.............................. 350 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 7 В
Постоянный ток	коллектора.............. 7 А
Импульсный ток	коллектора.............. 14 А
Постоянный ток	базы.................... 3 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —45...+25 °C.............. 60 Вт
Температура р-п перехода................ +175 °C
Температура окружающей среды............ -45... Гк =
- +100 °C
271
Зависимость статического коэффи-
циента передачи тока от тока кол-
лектора
Зависимость напряжения насыще-
ния коллектор—эмиттер от тока
коллектора
Зависимости времени включения
и времени слада от тока коллектора
КТ8112А
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры п-р-п
составной усилительный. Предназначен для применения в уси-
лителях мощности и переключающих устройствах. Выпускает-
ся в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибо-
ра указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремнии»,
г. Брянск.
272
- КТ8112А
2.8
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, /3 = 50 мА,
не менее................................. 300
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при Um = 10 В, 4 = 20 мА,
не менее................................ 20 МГц
Граничное напряжение при /э = 10 мА,
не менее................................ 400 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 50 мА, /Б=1 мА, не более........ 2 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база.... 400 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
/?БЭ = 1 кОм.............................. 400	В
/?бэ = оо.............................. 400	В
Постоянное напряжение база—эмиттер...... 5 В
Постоянный ток коллектора................. 0,5	А
Импульсный ток коллектора............... 1,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —45...+25 °C.............. 10 Вт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Температура окружающей среды............ —45... Тк =
= +100 'С
273
КТ8114А, КТ8114Б
Транзисторы кремниевые планарные структуры п-р-п пере-
ключательные. Предназначены для применения в схемах строч-
ной развертки и в источниках электропитания. Выпускаются в
пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора
указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 10 г.
Изготовитель — ОКБ «ЭлП» ПО «Электронприбор»,
г. Фрязино, Московская область.
КТт(А.Б)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при (4э = 5 В:
КТ8114А при/к = 0,7 А.............. 8...40*
КТ8114Б при 4 = 0,03 А, не менее.... 6
Граничное напряжение при 4 = 0>2 А,
L = 40 мГн, не менее................... 700 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер,
не более:
Тк = +25 °C при 4 = 4,5 А, /Б = 2 А. 1 В
Гк = +125 'С при 4 = 4,5 А, 4 = 3 А. 2,5 В
Тк = -45 °C при 4 = 4,5 А, 4 = 3 А.. 1,5 В
Время спада при 44э = 500 В, (4э = ~5 В,
4 = 3,5 А, 4, = 0,8 A, 42 = 1,8 A, L = 1 мГн,
не менее.............................. 0,5	мкс
274
Обратный ток коллектор—эмиттер
при Ц<э = макс» не более:
ТК = +25°С............................. 0,1 мА
Гк =+125 и-45 °C.................... 1 мА
Обратный ток эмиттера при 6/ю = 6 В,
не более............................... 1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при Явэ = 00........................... 700 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при U„ = 0:
КТ8114А............................... 1500	В
КТ8114Б............................... 1200	В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 6 В
Постоянный ток	коллектора.............. 8 А
Импульсным ток	коллектора.............. 15 А
Постоянный ток	базы.................... 4 А
Импульсный ток	базы................... 6 А
Постоянный запирающий ток базы......... 0,1 А
Импульсный запирающий ток базы......... 5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’ при Гк = —45...+25 °C............ 125 Вт
Температура р-п перехода............... +150 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 1 °С/Вт
Температура окружающей среды........... —45... Тк =
= +125 °C
' При Гк > +25 *С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
^КМАКС = (^1 — 7к)/^т (П-К)' Вт-
КТ8116А, КТ8116Б, КТ8116В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
тур^ п-р-п составные усилительные. Предназначены для при-
менения в усилителях постоянного тока, преобразователях на-
пряжения, ключевых схемах. Выпускаются в пластмассовом
корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на
корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Изготовитель — завод «Искра», г. Ульяновск.
275
КТ8116(А-В)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 3 В, /к = 0.5...3 А,
не менее............................... 1000
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 4 В, = 3 А,
не менее............................... 4 МГц
Граничное напряжение при /к = 0,1 А,
не менее:
КТ8116А............................ 100 В
КТ8116Б............................ 80 В
КТ8116В............................ 60 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 3 А, 4 = 12 мА, не более...... 2 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 3 А, 4 = 12 мА, не более...... 4 В
Обратный ток коллектора при 6/КБ = U№
не более............................... 0,2 мА
Обратный ток эмиттера при £4э = 5 В,
не более............................... 2 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ8116А........................... 100 В
КТ8116Б........................... 80 В
КТ8116В........................... 60 В
276
Постояннее напряжение коллектор—эмиттер:
КТ8116А............................. 100 В
КТ8116Б............................. 80 В
КТ8116В............................. 60 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 5 В
Постоянный ток коллектора.............. 8 А
Импульсный ток коллектора.............. 16 А
Постоянный ток базы.................... 0,12 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —45...+25 °C............. 65 Вт
Температура р-п перехода................ +150	’С
Температура окружающей среды ......... —45...	Тк =
= +100 °C
КТ8117А, КТ8117Б
Транзисторы кремниевые планарные структуры п-р-п пере-
ключательные. Предназначены для применения в схемах вто-
ричных источниках электропитания, усилителях постоянного
тока. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выво-
дами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 10 г.
Изготовитель — завод «Искра», г. Ульяновск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при Цо = 5 В, /к = 5 А, не менее . 10
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при Цо = 10 В, /к = 0,5 А,
не менее............................... 5 МГц
Граничное напряжение при /к = 10 А,
не менее............................... 400 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 5 А, /Б = 0,5 А, не более..... 1,5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 5 А, /Б = 0,5 А, не более...... 2 В
Время нарастания при Цо = 125 В, /к = 5 А,
/Б = 0,5 А, не более................... 0,3 мкс
Время рассасывания при Цо = 125 В, /к = 5 А,
4 = 0.5 А, не более.................... 1,7 мкс
277
КТ8117(А,Б)
Время спада при = 125 В, 4 = 5 А,
4 = 0,5 А, не более.................... 0,2 мкс
Обратный ток коллектор—эмиттер
при 64э = 400 В, не более.............. 1 мА
Обратный ток эмиттера при £/ю = 7 В,
не более............................... 1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ8117А............................. 700 В
КТ8117Б............................ 500 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = оо:
КТ8117А............................. 450 В
КТ8117Б............................ 400 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 8 В
Постоянный ток коллектора............... 10 А
Импульсный ток коллектора............... 20 А
Постоянный ток базы..................... 5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при 7"к = —45...+25 °C............. 100 Вт
Температура р-п перехода................ +150	°C
Температура окружающей среды............ — 45... =
= +100 °C
278
Зависимость максимально допусти-
мой постоянной рассеиваемой мощ-
ности коллектора от температуры
корпуса
Области максимальных режимов
КТ8118А
Транзистор крем-
ниевый мезапланарный
структуры п-р-п пере-
ключательный. Предна-
значен для применения
в высоковольтных пе-
реключательных схе-
мах, усилителях посто-
янного тока. Выпуска-
ется в пластмассовом
корпусе с жесткими вы-
водами. Тип прибора
указывается на кор-
пусе.
Масса транзистора
не более 2,5 г.
Изготовитель — за-
вод «Искра», г. Улья-
новск.
КТ8118А
2Т9
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, не менее:
4 = 0,3 А................................ 10
4 = 1,5 А........................... 8
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 10 В, 4 = 0,2 А,
не менее................................ 15 МГц
Граничное напряжение при 4 = 5 мА,
не менее................................ 800 В
Напряжение насыщения коллектор,—эмиттер
при 4 = 1,5 А, 4 = 0,3 А, не более...... 2 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 1,5 А, 4 = 0,3 А, не более...... 1,5 В
Время включения при 64э = 400 В, 4 = 2 А,
4) = 0,4 А, 1Ь2 = 0,8 А, не более....... 1 мкс
Время рассасывания при = 400 В, 4 - 2 А,
4, = 0,4 А, 4г ~ 0,8 А, не более........ 2,5 мкс
Время спада при 64э = 400 В, 4 = 2 А,
4i = 0,4 А, 4г = 0,8 А, не более........ 0,7 мкс
Обратный ток коллектора при ЦБ = 800 В,
не более................................ 10 мкА
Обратный ток эмиттера при С4э = 7 В,
не более................................ 1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?бэ = °°.......................... 800 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 7	В
Постоянный ток коллектора.............. 3	А
Импульсный ток коллектора.............. 10 А
Постоянный ток базы.................... 3	А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —45...+25 °C............. 50 Вт
Температура р-п перехода............... +150	°C
Температура окружающей среды......... —45...	Тк =
= +100 °C
280
Зависимость максимально допусти- Области максимальных режимов
мой постоянной рассеиваемой мощ-
ности коллектора от температуры
корпуса
КТ8120А
Транзистор кремни-
евый планарный струк-
туры п-р-п переключа-
тельный. Предназначен
для применения в пере-
ключательных схемах,
схемах вторичных источ-
никах электропитания,
схемах управления дви-
гателями. Выпускается в
пластмассовом корпусе
с жесткими выводами.
Тип прибора указывает-
ся на корпусе.
Масса транзистора
не более 2,5 г.
Изготовитель — за-
вод «Искра», г. Улья-
новск.
KT812QA
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при ию = 5 В, не менее:
/к = 1 мА.............................................................. 5
/к = 4 А.................................................................. 10
281
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 10 В, 4 = 0,8 А,
не менее................................ 20 МГц
Граничное напряжение при 4 = 0,2 А,
не менее................................ 450 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 4 А, 4 = 0,8 А, не более......... 1 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 4 А, /Б = 0,8 А, не более....... 1,5 В
Время включения при 64э = 125 В, 4 = 0,8 А,
4 = 0,4 А, не более..................... 0,5 мкс
Время рассасывания при = 125 В,
4 = 0,8 А, 4 = 0,4 А, не более.......... 2 мкс
Время спада при = 125 В, 4 ~ 0,8 А,
4 = 0,4 А, не более..................... 0,2 мкс
Обратный ток коллектора при £/КБ = 450 В,
не более................................ 0,1' мА
Обратный ток эмиттера при ию = 7 В,
не более................................ 0,1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при А’бэ = оо.......................... 450 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 7 В
Постоянный ток коллектора.............. 8 А
Импульсный ток коллектора.............. 16 А
Постоянный ток базы.................... 4 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —45...+25 °C............. 60 Вт
Температура р-п перехода................ +150	°C
Температура окружающей среды.......... —45...	7"к =
= +100 °C
Ада
Зависимость статического коэффи-
циента передачи тока от тока кол-
лектора
Зависимости напряжения насыще-
ния коллектор—эмиттер от тока
базы
282
Зависимости времени включения,
рассасывания и впада от тока
коллектора
Зависимости времени включения
и слада от напряжения коллек-
тор—эмиттер
Зависимость максимально допусти-
мой постоянной рассеиваемой мощ-
ности коллектора от температуры
корпуса
Области максимальных режимов
КТ8121А, КТ8121Б, КТ8121А1, КТ8121Б1,
КТ8121А2, КТ8121Б2
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п
переключательные. Предназначены для применения в схемах
строчной развертки телевизоров, в высоковольтных схемах
вторичных источниках электропитания. Транзисторы КТ8121А,
КТ8121Б, КТ8121А1, КТ8121Б1 выпускаются в пластмассовом
корпусе с жесткими выводами, у транзисторов КТ8121А1,
КТ8121Б1 коллектор изолирован от корпуса. Транзисторы
КТ8121А2, КТ8121Б2 выпускаются в металлическом корпусе с
283
жесткими выводами и стеклянными изоляторами. Тип прибора
указывается на корпусе.
Масса транзистора в пластмассовом корпусе не более 2,5 г,
в металлическом корпусе не более 20 г.
Изготовитель — завод «Искра», г. Ульяновск.
KT812UA.B), КТ8121(А1,Б1)
КТ812КА2.Б2)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при Цц = 5 В, 4 = 4 А, не менее . 2,5
284
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 5 В, /к = 0,2 А,
не менее............................... 7 МГц
Граничное напряжение при /к = 10 мА,
не менее............................... 700 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 4 А, 4 = 2 А, не более:
КТ8121А, КТ8121А1, КТ8121А2......... 1 В
КТ8121Б, КТ8121Б1, КТ8121Б2......... 3 В
Время рассасывания при 1/кэ = 500 В,
4 = 4,5 А, /Б = 1,4 А, типовое значение:
КТ8121А, КТ8121Б, КТ8121А1, КТ8121Б1 . 2* мкс
КТ8121А2, КТ8121Б2..................... 2,2* мкс
Время спада при = 500 В, 4 = 4,5 А,
4 = 1,4 А, типовое значение............ 0,3* мкс
Обратный ток коллектора при 64б = ^4б, макс»
не более............................... 2 мА
Обратный ток эмиттера при £4э = 6 В,
не более............................... 10 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база... 1500 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер . 700 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 6 В
Постоянный ток коллектора.............. 8 А
Импульсный ток коллектора.............. 10 А
Постоянный ток базы.................... 2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —45...+25 °C............. 100 Вт
Температура р-п перехода............... +150 °C
Температура окружающей среды........... —45... Гк =
= +100 °C
КТ8123А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п усилительный. Предназначен для применения в схе-
мах вертикальной развертки телевизионных приемников, уси-
лителях постоянного тока. Выпускается в пластмассовом кор-
пусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на кор-
пусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Изготовитель — завод «Искра», г. Ульяновск.
285
KT8123A
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 10 В, 4 = 0,4 А........ 40...200*
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 10 В, 4 = 0,4 А,
не менее................................ 4 МГц
Граничное напряжение при 4 = 50 мА,
не менее................................ 150 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 0,5 А, 4 = 0,05 А, не более..... 1 В
Обратный ток коллектора при = 150 В,
не более................................ 50 мкА
Обратный ток эмиттера при = 4 В,
не более................................ 50 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер . 150 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 5 В
Постоянный ток коллектора.............. 2 А
Импульсный ток коллектора.............. 3 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —45...+25 °C............. 25 Вт
Температура р-п перехода............... +150 °C
Температура окружающей среды........... — 45... Гк =
= +100 °C
286
Области максимальных режимов
Выходные характеристики
Зависимость максимально допусти-
мой постоянной рассеиваемой мощ-
ности коллектора от температуры
корпуса
КТ8124А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структу-
ры п-р-п переключательный. Предназначен для применения в
схемах горизонтальной развертки телевизионных приемников.
Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Изготовитель — завод «Искра», г. Ульяновск.
287
КТ8ША
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ, не менее:
при £7,0 = 5 В, 4 = 5 А.............. 15
при £4э = 1 В, 4 = 5 А............... W
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при £4э = 10 В, 4 = 0,5 А,
не менее................................. 10 МГц
Граничное напряжение при 4 = 0,1 А,
не менее................................. 200 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 5 А, 4 = 0,5 А, не более......... 1 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 0,5 А, /Б = 0,5 А, не более...... 1,2 В
Время спада при £4э = 40 В, 4 = 5 А,
4 = 0,5 А, не более:
£4э = 400 В, £4э = 0................. 5 мА
£4э = 250 В, £4э = 0................. 0,1 мА
Обратный ток эмиттера при {/и = 6 В,
не более................................. 1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база. 400 В
288
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
при /?бэ = °°........................ 200 В
при /?ю = 0........................... 400 В
Постоянное напряжение эмиттер—база....... 6 В
Постоянный ток коллектора................ 7 А
Импульсный ток коллектора................ 15 А
Постоянный ток базы...................... 4 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Тк = —45...+25 °C............... 60 Вт
Температура р-п перехода.................. +150	°C
Температура окружающей среды............ —45...	Гк =
= +100 °C
Зависимости статического коэффи-
циента передачи тока от тока кол-
лектора
Зависимости напряжений насыще-
ния коллектор—эмиттер и база—
эмиттер от тока коллектора
Зависимость максимально допусти-
мой постоянной рассеиваемой мощ-
ности коллектора от температуры
корпуса
Область максимальных режимов
10-835
289
КТ8125А, КТ8125Б, КТ8125В
Транзисторы крем-
ниевые эпитаксиально-
планарные структуры
п-р-п усилительные.
Предназначены для
применения в усилите-
лях постоянного тока,
преобразователях на-
пряжения, ключевых
схемах. Выпускаются в
пластмассовом корпу-
се с жесткими вывода-
ми. Тип прибора ука-
зывается на корпусе.
Масса транзистора
не более 2,5 г.
Изготовитель — за-
вод «Искра», г. Улья-
новск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 4 В:
4 = 0,3 А, не менее................... 30
4 = 3 А............................... 15...75*
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 10 В, 4 = 0,5 А,
не менее................................. 3 МГц
Граничное напряжение при 4 = 30 мА,
не менее:
КТ8125А............................... 100 В
КТ8125Б............................... 80 В
КТ8125В............................... 60 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 6 А, /Б = 0,6 А, не более........ 1,5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 6 А, /5 = 0,6 А, не более....... 2 В
Обратный ток коллектор—эмиттер
при £/ю = 64э МАКС, 64э = 0, не более.... 0,4 мА
Обратный ток эмиттера при (4э = 5 В,
не более................................. 1 мА
290
предельные эксплуатационные д иные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ8125А............................. 100 В
КТ8125Б.............................. 80 В
КТ8125В.............................. 60 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
КТ8125А............................. 100 В
КТ8125Б.............................. 80 В
КТ8125В.............................. 60 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 5 В
Постоянный ток коллектора............... 6 А
Импульсный ток коллектора............... 10 А
Постоянный ток базы..................... 2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —Д5...+25 °C..!........... 65 Вт
Температура р-п перехода................. +150	°C
Температура окружающей среды........... —45...	Тк =
= +100 ’С
При необходимости могут поставляться транзисторы струк-
туры р-п-р с параметрами КТ8125А—КТ8125В.
10’
Зависимость статического коэффи-
циента передачи тока от тока кол-
лектора
Зависимость напряжения насыще-
ния коллектор—эмиттер от тока
коллектора
291
Зависимости времени рассасывания
и спада от тока коллектора
Зависимости времени задержки
и нарастания от тока коллектора
Зависимость максимально допусти-
мой постоянной рассеиваемой мощ
ности коллектора от температуры
корпуса
Области максимальных режимов
КТ8126А
Транзистор кремниевый планарный структуры п-р-п пере-
ключательный. Предназначен для применения в переключа-
тельных схемах, схемах вторичных источниках электропитания,
схемах управления двигателями. Выпускается в пластмассовом
корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на
корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Изготовитель — завод «Искра», г. Ульяновск.
292
КТ8126А
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, не менее:
при /к = 2 А............................. 8...60*
при /к = 5 А.......................... 6...30*
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при - 10 В, /к = 0,5 А,
не менее................................. 4 МГц
Граничное напряжение при /к = 10 мА,
не менее................................. 400 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер,
не более:
при /к = 2 А, /Б = 0,4 А.............. 1 В
при /к = 5 А, /Б = 1 А................ 1,5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер,
не более:
при /к = 2 А, /Б = 0,4 А.............. 1,2 В
при /к = 5 А, 4 = 1 А................. 1,6 В
Время нарастания при = 125 В, /к = 5 А,
4 = 1 А, типовое значение................ 0,3* мкс
Время рассасывания при = 125 В, /к = 5 А,
/6 = 1 А, типовое значение............... 1,7* мкс
293
Время слада при = 125 В, 4 = 5 А,
4 = 1 А, типовое значение................ 0,2*	мкс
Обратный ток коллектор—эмиттер
при U№ = 400 В, £/ю = 1,5 В, не более... 1 мА
Обратный ток эмиттера при </и = 9 В,
не более................................ 1	мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база... 700 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при = °о............................... 400	В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 9 В
Постоянный ток коллектора.............. 8 А
Импульсный ток коллектора.............. 16 А
Постоянный ток базы.................... 4 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —45...+25 °C............. 80 Вт
Температура р-п перехода............... +150 °C
Температура окружающей среды........... —45... Гк =
= +100 °C
Зависимость статического коэффи-
циента передачи тока от тока кол-
лектора
Зависимость напряжения насыще-
ния коллектор—эмиттер от тока
коллектора
294
Зависимость максимально допусти-
мой постоянной рассеиваемой мощ-
ности коллектора от температуры
корпуса
КТ8127А, КТ8127Б, КТ8127В,
КТ8127А1, КТ8127Б1, КТ8127В1
Транзисторы кремние-
вые мезапланарные струк-
туры п-р-п переключа-
тельные. Предназначены
для применения в схемах
строчной развертки и в ис-
точниках электропитания.
Транзисторы КТ8127А—
КТ8127В выпускаются в
металлическом корпусе
с жесткими выводами и
стеклянными изоляторами,
КТ8127А1-КТ8127В1 - в
пластмассовом корпусе с
жесткими выводами. Тип
прибора указывается на
КТ8127(А1-В1)
корпусе.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20 г,
в пластмассовом — не более 10 г.
295
Изготовитель — ОКБ «ЭлП» ПО «Электронприбор»
г. Фрязино, Московская область
КТ8127(А-В)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 1/ю = 5 В:
/к = 0,5 А, не более.................. 35
4 = 0,03 А для КТ8127Б1, КТ8127В1,
не менее.............................. 6
Граничное напряжение при 4 = 0,1 А,
L = 40 мГн, не менее.................... 700	В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер,
не более:
Гк = +25 °C при /к = 4,5 А, /Б = 2 А:
КТ8127А, КТ8127А1.................. 1В
КТ8127Б, КТ8127Б1................. 5 В
КТ8127В, КТ8127В1................. 5 В
Гк = +100 °C при /к = 4,5 А, /Б = 3 А:
КТ8127А, КТ8127А1.................... 2,5	В
КТ8127Б, КТ8127Б1................. 5	В
КТ8127В, КТ8127В1................. 5	В
Тк = -45 'С при /к = 4,5 А, 4 = 3 А:
КТ8127А, КТ8127А1................. 1,5 В
КТ8127Б, КТ8127Б1................. 5	В
КТ8127В, КТ8127В1................. 5	В
296
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 4,5 А, /Б = 2 А, не более...... 1,5	В
Постоянное напряжение эмиттер—база,
не более:
при 4 = О, 4 = А..................... 5 В
при 4 = О, /э = 0,1 А................ 7 В
Время спада при (4э = 500 В, = —5 В,
4 = 4,5 А, /Б = 1,4 А, 4 = 40 мкс, не более .... 1 мкс
типовое значение......................... 0,7* мкс
Обратный ток коллектор—эмиттер
при икэ = С4э, макс» не более:
Тк = +25 и -45 °C:
КТ8127А, КТ8127В, КТ8127А1,
КТ8127В1......................... 0,9 мА
КТ8127Б, КТ8127Б1................ 0,6 мА
Гк = +100 'С:
КТ8127А, КТ8127В, КТ8127А1,
КТ8127В1......................... 2 мА
КТ8127Б, КТ8127Б1................ 1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при /?бэ = 100 Ом, 4 = 20 мкс, 4, = 2 мкс,
0= 4:
КТ8127А, КТ8127В, КТ8127А1, КТ8127В1 . 1500 В
КТ8127Б, КТ8127Б1................... 1200 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 5 В
Постоянный ток	коллектора.............. 5 А
Импульсный ток	коллектора.............. 7,5 А
Импульсный ток	базы.................... 4 А
Постоянный запирающий ток базы......... 0,1 А
Импульсный запирающий ток базы......... 3,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора' при Гк = —45...+32 °C............ 56 Вт °
Температура р-п перехода............... +115 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус
при UK3 = 15 В, 4 = 0,78 А.............. 1,6 °С/Вт
Температура окружающей среды.......... —45...	Тк -
= +100 °C
1 При Гк > +32 °C максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
Сс макс " (Тп — 7К)//?Т (П-К>> ®т'
297
КТ8129А
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры п-р-п
импульсный. Предназначен для применения в каскадах гори-
зонтальной развертки телевизоров и видеоконтрольных
устройств. Выпускается в металлическом корпусе с жесткими
выводами и стеклянными изоляторами. Тип прибора указыва-
ется на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
КТ8129А
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при Ц<э = 5 В, 4 = 4,5 А, не менее. 2,25
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при Ц& = 10 В, /к = 0,5 А,
не менее.............................. 4 МГц
Граничное напряжение при 4 = 0,1 А,
не менее.............................. 700 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при = 4,5 A, t = 2 А, не более........ 5 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база.. 1500 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при /?и = 10 Ом, = 20 мкс, = 2 мкс, 0 = 4 1500 В
2М
Постоянное напряжение база—эмиттер...... 5 В
Постоянный ток коллектора............... 5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —Д5...+25 °C.............. 60 Вт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Температура окружающей среды............ —45... Гк =
= +100 *С
КТ8131А, КТ8131Б, КТ8131В
Транзисторы крем-
ниевые эпитаксиально-
планарные структуры
п-р-п составные усили-
тельные. Предназначе-
ны для применения в
низкочастотных усили-
телях мощности и клю-
чевых схемах. Выпуска-
ются в пластмассовом
корпусе с жесткими вы-
водами. Тип прибора
указывается на корпусе.
Масса транзистора
не более 1 г.
Изготовитель — ак-
ционерное общество
«Кремний», г. Брянск.
КТ8131(А-В,
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при U№ = 3 В, 4 = 2 А....... 750...15000
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при УКБ = 10 В, 4 = 0,75 А,
не менее............................... 25 МГц
Граничное напряжение при /э = 0,1 А,
не менее:
КТ8131А............................. 40	В
КТ8131Б............................. 60	В
КТ8131В............................. 80	В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 2 А, 4 = 8 мА, не более....... 2 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 2 А, 4 = 8 мА, не более....... 4 В
299
Емкость коллекторного перехода
при UKb = 10 В, не более............... 100 пФ
Обратный ток коллектора при lf№ = U№ МАКС,
не более............................... 100 мкА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при	МАКС, = 1 кОм, не более.... 100 мкА
Обратный ток эмиттера при У6Э = 5 В,
не более............................... 2 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ8131А............................. 40 В
КТ8131Б............................. 60 В
КТ8131В............................. 80 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 1 кОм:
КТ8131А............................. 40 В
КТ8131Б............................. 60 В
КТ8131В............................. 80 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 5 В
Постоянный ток коллектора.............. 4 А
Импульсный ток коллектора.............. 8 А
Постоянный ток базы.................... 0,1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при 7К = —45...+25 °C:
с теплоотводом’........................ 20 Вт
без теплоотвода* 2.................. 1 Вт
Температура р-п перехода............... +150 °C
Температура окружающей среды........... — 45... Гк =
= +85 °C
мощность коллектора с теплоотводом снижается линейно на 0,16 Вт/°С.
2 При Гк > +25 ’С максимально допустимая постоянная рассеиваемая
мощность коллектора без теплоотвода снижается линейно на 8 мВт/°С.
Транзисторы являются комплементарными с транзистора-
ми КТ8130А—КТ8130В.
КТ8136А, КТ8136А1
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п
переключательные. Предназначены для применения во вторич-
ных источниках питания, переключающих устройствах. Тран-
300
зистор КТ8136А1 имеет демпферный диод между коллекто-
ром и эмиттером. Выпускаются пластмассовом корпусе с жест-
кими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Изготовитель — акционерное общество «Элиз», г. Фрязи-
но, Московская область.
КГ8ША.А 1)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при UK3 = 5 В, /к = 0,8 А... 10...50
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 4 А, 4 = 0,8 А, не более...... 1 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 - 4 А, /Б = 0,8 А, не более...... 1,4 В
Граничное напряжение при /к = 0,1 А,
£ = 40 мГн, не менее................... 400 В
Время спада при /к = 4 А, /Б = 0,8 А, не более 0,2 мкс
Прямое напряжение диода, не более...... 2 В
Прямой ток диода, не более............. 4 А
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база... 600 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 10 Ом....................... 600	В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 5 В
Постоянный ток коллектора............... 10	А
301
Импульсный ток коллектора................ 15 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —Д5...+25 °C............... 60 Вт
Температура р-п перехода................... +150	°C
Температура окружающей среды............. —45...	Тк =
= +85 °C
КТ8137А
КТ8137А
Транзистор кремние-
вый планарный структуры
п-р-п переключательный.
Предназначен для приме-
нения в схемах управления
электродвигателями, в пе-
реключательных схемах,
во вторичных источниках
электропитания ЭВМ. Вы-
пускается в пластмассовом
корпусе с жесткими выво-
дами. Тип прибора указы-
вается на корпусе.
Масса транзистора не
более 1 г.
Изготовитель — завод
«Искра», г. Ульяновск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при t/K3 = 2 В:
/к = 0,5 А............................. 8...40*
/к = 1 А............................... 5...25*
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при £/кэ = 10 В, /к = 0,1 А,
не менее.................................. 4 МГц
Граничное напряжение при /к = 10 мА,
не менее.................................. 400 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер,
не более:
при /к = 0,5 А, /Б = 0,1 А............. 0,5 В
при 4 = 1 А, 4 = 0,25 А................ 1 В
при 4 = 1,5 А, /Б = 0,5 А.............. 3 В
302
Напряжение насыщения база—эмиттер,
не более:
при /к = 0,5 А, 4 = 0J А................ 1 В
при /к = 1 А, 4 = 0,25 А....л........ 1,2 В
Время нарастания при <4э = 125 В, 4 = 1 А,
4 = 0,2 А, не более..................... 1 мкс
Время рассасывания при Укэ= 125 В, /к= 1 А,
4 = 0,2 А, не более..................... 4 мкс
Время спада при = 125 В, /к = 1 А,
4 = 0,2 А, не более..................... 0,7 мкс
Обратный ток коллектор—эмиттер
при £4э = 700 В, £4з = В не более....... 1 мА
Обратный ток эмиттера при £4э = 9 В,
не более................................ 1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
при /?БЭ = о»....................... 400 В
при £4э = 1»5 В...................... 700 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 9 В
Постоянный ток коллектора............... 1,5 А
Импульсный ток коллектора............... 3 А
Постоянный ток эмиттера................. 0,75 А
Импульсный ток эмиттера................. 4,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —45...+25 °C.............. 40 Вт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Температура окружающей среды............ —45... 7"к =
= +100 °C
Зависимости статического коэффи-
циента передачи тока от тока кол-
лектора
Зависимость напряжения насыще-
ния коллектор—эмиттер от тока
коллектора
303
Зависимость максимально допусти-
мой постоянной рассеиваемой мощ-
ности коллектора от температуры
корпуса
Области максимальных режимов
КТ8140А, КТ8140А1
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п переключательные. Предназначены для применения
в переключающих устройствах. Транзистор КТ8140А1 имеет
демпферный диод между коллектором и эмиттером. Выпуска-
ются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип
прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Изготовитель — акционерное общество «Элиз», г. Фрязи-
но, Московская область.
KT8U8A, KT8U0A1
304
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при С/ю = 5 В, /к = 5 А, не менее.. Ю
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 10 В, /к = 0,5 А,
не менее............................... 10 МГц
Граничное напряжение при /к = 0,1 А,
L = 25 мГн, не менее................... 200 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 5 А, /Б = 0,8 А, не более..... 1 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 5 А, 4 = 0,8 А, не более...... 1,2 В
Обратный ток коллектора при U№ = 400 В,
не более............................... 1 мА
Обратный ток эмиттера при £4э = 8 В,
не более............................... 1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база1
при Тп =+100 °C........................ 400 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер1
при /4Э = 10 Ом, Гп = +Ю0 'С........... 400 В
Постоянное напряжение база—эмиттер..... 6 В
Потенциал статического электричества... 2000 В
Постоянный ток	коллектора.............. 7 А
Импульсный ток	коллектора.............. 10 А
Постоянный ток	базы.................... 4 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Тк = —55...+25 °C............. 60 Вт
Температура р-п перехода............... +150 °C
Температура окружающей среды........... — 55... Тк =
= +100 °C
’ При Гп>+100 "С максимально допустимые постоянные напряжения сни-
жаются линейно до 200 В при Гп = +150 ’С.
Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса
транзистора, температура пайки не выше +260 °C, время пайки
не более 3 с. Допускается пайка волной припоя.
Должны быть приняты меры, исключающие возникновение
паразитной генерации.
305
КТ8143А, КТ8143Б, КТ8143В, КТ8143Г, КТ8143Д,
КТ8143Е, КТ8143Ж, КТ81433, КТ8143И, КТ8143К,
КТ8143Л, КТ8143М, КТ8143Н, КТ8143П, КТ8143Р,
КТ8143С, КТ8143Т, КТ8143У, КТ8143Ф
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п усилительные. Предназначены для применения в
переключательных схемах, во вторичных источниках электро-
питания. Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими
выводами и стеклянными изоляторами. Тип прибора указыва-
ется на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Изготовитель — завод «Искра», г. Ульяновск.
КТ8ИЗ(А-Ф)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при £/кэ = 2 В, /к = 20 А, не менее. 15
Граничное напряжение при /к = 0,1 А,
ДО
КТ8143А, КТ8143Д, КТ8143И, КТ8143С... 90 В
КТ8143Б, КТ8143Е, КТ8143К, КТ8143Т.... 120	В
КТ8143В, КТ8143Ж, КТ8143Л, КТ8143У... 180 В
КТ8143Г, КТ81433, КТ8143М, КТ8143Ф... 240 В
КТ8143Н............................... 100	В
КТ8143П............................... 150	В
КТ8143Р.............................. 200 В
306
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 10 А, /Б = 2 А, не более........ 0,8 В
Время включения при fK = 10 А, /Б = 2 А, ти-
повое значение........................... 0,3* мкс
Время рассасывания при /к = 10 А, 4 = 2 А,
типовое значение...............л......... 1,7* мкс
Время спада при /к = 10 А, 4 = 2 А, типовое
значение................................. 0,2* мкс
Обратный ток коллектора при U№ = £/КБ МАКС,
не более................................. 5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база
для КТ8143Г, КТ81433, КТ8143М, КТ8143Ф,
КТ8143Р................................. 400 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?ю =
КТ8143А, КТ8143Д, КТ8143И, КТ8143С... 90 В
КТ8143Б, КТ8143Е, КТ8143К, КТ8143Т.... 120	В
КТ8143В, КТ8143Ж, КТ8143Л, КТ8143У... 180	В
КТ8143Г, КТ81433, КТ8143М, КТ8143Ф... 240	В
КТ8143Н............................... 100	В
КТ8143П............................... 150	В
КТ8143Р.............................. 200	В
Постоянное напряжение база—эмиттер...... 6 В
Постоянный ток коллектора:
КТ8143А, КТ8143Б, КТ8143В, КТ8143Г... 25 А
КТ8143Д, КТ8143Е, КТ8143Ж, КТ81433... 32 А
КТ8143И, КТ8143К, КТ8143Л, КТ8143М... 40 А
КТ8143Н, КТ8143П, КТ8143Р............ 50 А
КТ8143С, КТ8143Т, КТ8143У, КТ8143Ф... 63 А
Импульсный ток коллектора:
КТ8143А, КТ8143Б, КТ8143В, КТ8143Г... 40 А
КТ8143Д, КТ8143Е, КТ8143Ж, КТ81433... 50 А
КТ8143И, КТ8143К, КТ8143Л, КТ8143М... 63 А
КТ8143Н, КТ8143П, КТ8143Р............ 125 А
КТ8143С, КТ8143Т, КТ8143У, КТ8143Ф... 150 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —60...+25 ’С.............. 175 Вт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Температура окружающей среды............ — 60... Тк =
= +100 °C
307
КТ8144А, КТ8144Б
Транзисторы кремниевые планарные структуры п-р-п пере-
ключательные. Предназначены для применения в переключаю-
щих устройствах, во вторичных источниках электропитания.
Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами
и стеклянными изоляторами. Тип прибора указывается на кор-
пусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Изготовитель — завод «Искра», г. Ульяновск.
КТ8144(А.Б)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при UK3 = 5 В, /к = 20 А, не менее. 4
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 10 В, /к = 1 А,
не менее................................ 5 МГц
Граничное напряжение при /к = 0,1 А,
не менее:
КТ8144А.............................. 450 В
КТ8144Б.............................. 400 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер:
при 4 = 16 А, /Б = 3,2 А, не более... 1,5 В
при /к = 20 А, /Б = 5 А, не более.... 5 В
Время включения при U& = 300 В, /к = 16 А,
4 = 3,2 А, не более..................... 1 мкс
типовое значение..................... 0,3* мкс
308
Время рассасывания при £/кэ = 300 В,
/к = 16 А, /6 = 3,2 А, не более.......... 2,5 мкс
типовое значение...................... 1,7* мкс
Время спада при = 300 В, /к = 16 А,
4 = 3,2 А, не более...................... 0,5 мкс
типовое значение...................... 0,2* мкс
Обратный ток коллектора при = (/КБ, мако
не более................................. 1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ8144А............................. 800 В
КТ8144Б.............................. 600 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = оо;
КТ8144А................................. 450 В
КТ8144Б.............................. 400 В
Постоянное напряжение база—эмиттер...... 8 В
Постоянный ток коллектора............... 25 А
Импульсный ток коллектора............... 40 А
Постоянный ток базы..................... 7 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —60...+25 °C.............. 175 Вт
Температура р-п перехода................. +200	°C
Температура окружающей среды............ — 60... Тк =
= +125 °C
КТ8145А, КТ8145Б
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п
переключательные. Предназначены для применения в пере-
ключающих устройствах, во вторичных источниках электропи-
тания. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Изготовитель — завод «Искра», г. Ульяновск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при С/ю = 1 В, /к = 5 А, не менее.. W
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 1/ю = 5 В, /к = 0,5 А,
не менее................................. 10	МГц
309
КШ5(А. Б)
Граничное напряжение при /к = 0,1 А,
не менее:
КТ8145А..............................  450	В
КТ8145Б............................... 400	В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер,
не более:
при /к = 5 А, 4 = 1 А................ 1 В
при /к = 15 А, /Б = 3 А  ............ 5 В
Время включения при = 300 В, 4 = 10 А,
4, = 4г = 2 А, типовое значение......... 0,3*	мкс
Время рассасывания при = 300 В, 4 = Ю А,
4i = 4г = 2 А, типовое значение......... 1,7*	мкс
Время спада при £4э = 300 В, 4 = Ю А,
4, = 4г = 2 А, не более.................. 0,2	мкс
Обратный ток коллектора при Т/КБ = £4б, макс,
не более................................ 5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ8145А................................. 700	В
КТ8145Б.............................. 500	В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
при = 10 Ом:
КТ8145А........................... 700	В
КТ8145Б........................... 500	В
при ЯБЭ = °°:
КТ8145А.............................. 450	В
КТ8145Б.........................   400	В
310
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 8 В
Постоянный ток коллектора............... 15 А
Импульсный ток коллектора............... 20 А
Постоянный ток базы..................... 5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Тк = —Д5...+25 °C.............. 100 Вт
Температура р-п перехода...............   +150	°C
Температура окружающей среды........... -45...	Тк =
= +100 °C
КТ8146А, КТ8146Б
Транзисторы кремниевые планарные структуры п-р-п пере-
ключательные. Предназначены для применения в переключа-
тельных схемах, во вторичных источниках электропитания.
Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами
и стеклянными изоляторами. Тип прибора указывается на кор-
пусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Изготовитель — завод «Искра», г. Ульяновск.
КТ8И6(А,Б)
зи
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, 4 = 15 А, не менее. 5
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 10 В, /к = 1 А,
не менее............................... 5 МГц
Граничное напряжение при /к = 0,1 А,
не менее:
КТ8146А............................ 450 В
КТ8146Б............................ 400 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер,
не более:
при 4 = 10 А, /Б = 2 А............. 1,5 В
при 4 = 15 А, 4 = 3 А.............. 5В
Время включения при = 300 В, 4 = Ю А,
4 = 2 А, типовое значение.............. 0,3* мкс
Время рассасывания при 14э = 500 В,
4 = 10 А, 4 = 2 А, типовое значение.....	1,7* мкс
Время спада при 14э = 300 В, 4 = Ю А,
4 = 2 А, не более...................... 0,2 мкс
Обратный ток коллектора при Ц& - UKb цд^,
не более............................... 1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ8146А............................ 800 В
КТ8146Б............................ 600 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?ю =
КТ8146А............................ 450 В
КТ8146Б............................ 400 В
Постоянное напряжение база—эмиттер..... 8 В
Постоянный ток коллектора.............. 15 А
Импульсный ток коллектора.............. 25 А
Постоянный ток базы.................... 5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —60...+25 °C............. 150 Вт
Температура р-п перехода................ +200	’С
Температура окружающей среды.......... —60...	Гк =
= +125 °C
312
КТ8147А, КТ8147Б
Транзисторы кремниевые планарные структуры п-р-п пере-
ключательные. Предназначены для применения в схемах вто-
ричных источников электропитания, усилителях постоянного
тока. Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выво-
дами и стеклянными изоляторами. Тип прибора указывается
на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Изготовитель — завод «Искра», г. Ульяновск.
К781471А, Б)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при ию = 1,5 В, /к = 8 А, не менее. 5
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при d/K3 = 10 В, 4 ~ 0,5 А,
не менее............................... 5 МГц
Граничное напряжение при /к = 0,1 А,
не менее:
КТ8147А............................. 450 В
КТ8147Б............................. 400 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 5 А, /Б = 1 А, не более........ 1 В
Время включения при = 300 В, 4 = 5 А,
/Б = 1 А, типовое значение............. 0,3* мкс
313
Время рассасывания при ию = 300 В, /к = 5 А,
4 - 1 А, типовое значение.................. 1,7*	мкс
Время спада при 64э = 300 В, 4 = 5 А, 4 = 1 А>
не более................................. 0,2	мкс
Обратный ток коллектора при U№ = МАКС,
не более...........................’...... 1	мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ8147А.............................. 700 В
КТ8147Б.............................. 500 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
при Лбэ = 10 Ом:
КТ8147А.......................... 700 В
КТ8147Б.......................... 500 В
ПРИ Лю = оо;
КТ8147А.......................... 450 В
КТ8147Б.......................... 400 В •
Постоянное напряжение база—эмиттер...... 8 В
Постоянный ток коллектора............... 10 А
Импульсный ток коллектора............... 20 А
Постоянный ток базы..................... 5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —60...+25 °C.............. 100 Вт
Температура р-п перехода................. +150	°C
Температура окружающей среды............ — 60... Тк =
= +125 °C
КТ8157А, КТ8157Б
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п
переключательные. Предназначены для применения в схемах
строчной развертки телевизоров. Выпускаются в металличе-
ском корпусе с жесткими выводами и стеклянными изолятора-
ми. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Изготовитель — завод «Искра», г. Ульяновск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при U& = 5 В, 4 = 1 А, не менее . 8
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 10 В, 4 = 0,1 А,
не менее................................ 5	МГц
314
КТ8157(А,Б)
27,2 Э
Граничное напряжение при 4 = 0,1 А,
не менее................................ 800	В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер,
при 4 = 8 А, /Б = 2 А, не более:
КТ8157А.............................. 1 В
КТ8157Б.............................. 3 В
Время включения при £4э = 500 В, 4 = 6 А,
4 = 1,4 А, типовое	значение............ 0,3*	мкс
Время рассасывания при 44э = 500 В, 4 = 6 А,
4 = 1,4 А, типовое значение.............. 2*	мкс
Время спада при С4э = 500 В, 4 = 6 А,
4 = 1,4 А, не более..................... 0,2	мкс
Обратный ток коллектора при = U№ МАКС,
не более................................ 3	мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база.... 1500 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер . 800 А
Постоянное напряжение база—эмиттер...... 7 В
Постоянный ток коллектора............... 10 А
Импульсный ток коллектора............... 15 А
Постоянный ток базы..................... 5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Тк = —45...+25 °C.............. 150 Вт
Температура р-п перехода................. +200	"С
Температура окружающей среды........... —60...	Тк =
= +125 °C
315
А678А, А678Б, А678В, А678Г
Транзисторы кремние-
А678(Б,В,Г)
вые эпитаксиально-пла-
нарные структуры п-р-п
переключательные. Пред-
назначены для примене-
ния в импульсных модуля-
торах, в схемах вторичных
источников электропита-
ния. Транзистор А678А
выпускается в металличе-
ском корпусе с жесткими
выводами и стеклянными
изоляторами, транзисторы
А678Б, А678В, А678Г в
металлокерамическом
корпусе с гибкими выво-
дами. Тип прибора указы-
вается на корпусе. Допус-
кается нанесение марки-
ровки на упаковочную тару, при этом маркировка на прибор не
наносится.
Масса транзистора А678А не более 20 г, А678Б, А678В,
А678Г не более 6 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
А678А
316
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В:
А678А при /к = 15 А..................... 10...100
А678Б при /к = 8 А................... 12... 100
А678В, А678Г при /к = 5 А............ 12...50
Граничное напряжение при /к = 0,1 А,
не менее:
А678А, А678Б......................... 250	В
А678В................................ 350	В
А678Г................................ 400	В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер,
не более:
А678А, А678Б при /к = 15 А, /Б ? 2 А. 2 В
А678В, А678Г при 4 = 8 А, 4 = 2 А.... 1,5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер,
не более*
А678А, А678Б при /к = 15 А, /Б = 2 А. 2 В
А678В, А678Г при 4 = 8 А, 4 = 2 А.... 1,6 В
Время спада, не более:
А678А, А678Б при 7/кэ = 100 В, 4 = 15 А,
4! = 2 А, 4г = 3 А................... 0,25 мкс
А678В, А678Г при = 200 В, 4 = 5 А,
4, = 0,5 А, 4г = 1 А................. 0,5 мкс
Обратный ток коллектора, не более:
А678А при С/КБ = 300 В............... 5 мА
А678Б при (4Б = 300 В................ 2,5 мА
А678В, А678Г при = 600 В............. 3 мА
Обратный ток эмиттера при Ux = 5 В,
не более:
А678А................................ 50 мА
А678Б................................ 25 мА
А678В, А678Г......................... 10 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
А678А, А678Б........................... 450	В
А678В, А678Г........................ 600	В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
А678А, А678Б........................... 250	В
А678В.............................   350	В
А678Г............................... 400	В
317
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер1
при Ux = —1,5 В, 7И = 20 мкс, = 1 мкс,
Q = 10, Гк = -40...+85 °C:
А678А, А678Б......................... 450 В
А678В, А678Г......................... 600 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 5 В
Потенциал статического электричества.... 2000 В
Постоянный ток коллектора:
А678А, А678Б......................... 15 А
А678В, А678Г...............1......... 10 А
Импульсный ток коллектора:
А678А................................ 30 А
А678Б................................ 25 А
А678В, А678Г......................... 15 А
Постоянный ток базы:
А678А, А678Б......................... 4 А
А678В, А678Г......................... ЗА
Импульсный ток базы:
А678А................................ 10 А
А678Б................................ 8 А
А678В, А678Г......................... 5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —60...+25 °C:
А678А —.............................. 70 Вт
А678Б, А678В, А678Г.................. 50 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус:
А678А.................................... 1,8 °С/Вт
А678Б, А678В, А678Г..................3 °С/Вт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Температура окружающей среды............ — 60... Тк	=
= +125 °C 1 2
1 При Гк = —60...—40 *С и Гк =+85...+ 125 °C Ц<э ь и. макс-макс снижают-
ся линейно до 350 В.
Расстояние места лужения и пайки выводов от корпуса для
А678А не менее 5 мм, для А678Б, А678В, А678Г не менее
2 мм, температура припоя +235 ± 5 °C, время пайки не более
8 с.
А684А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п переключательный. Предназначен для применения
в быстродействующих переключательных устройствах, источ-
318
никах вторичного электропитания. Выпускается в металлоке-
рамическом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указы-
вается на корпусе. Допускается нанесение маркировки на упа-
ковочную тару, при этом маркировка на транзистор не нано-
сится.
Масса транзистора не более 7 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Ш
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока1
в схеме ОЭ при (УКБ = 10 В, 4 = 10 А, не менее 25
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
цри 4 = 10 А, /Б = 1 А, не более...... 1,5 В
Время включения при ию = 30 В, 4 = Ю А,
/Б = 1 А, не более.................... 50 нс
Время выключения при 14э = 30 В, 4 = Ю А,
4i = 4г = 1 А, не более............... 500 нс
Время спада при (Укэ = 30 В, 4 = Ю А,
/Б1 = 4г = 1 А, не более.............. 100 нс
Обратный ток коллектора при U№ - 100 В,
не более.............................. 25 мА
Обратный ток эмиттера при иэъ = 4 В,
не более.............................. 10 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база.. 200 В
’ При Т = —60 'С Аг,-, = 12.
319
Постоянное и импульсное напряжение коллек-
тор-эмиттер при 7^= 10 Ом или U3b = 1,5 В. 160 В
Потенциал статического электричества..... 1000 В
Постоянный и импульсный ток коллектора... 20 А
Постоянный и импульсный ток базы......... 5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 Тк = -60...+50 °C.................. 30 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус.... 5 °С/Вт
Температура р-п перехода................. +200 °C
Температура окружающей среды............. —60... 7^ =
= +125 °C
' При Гк > +50 *С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
Рк макс =(200 - Гк)/5, Вт.
Рекомендуется для улучшения отвода тепла от корпуса
транзистора применять пасты КПТ—8 или мягкую прокладку из
сплава индий—олово с содержанием индия не менее 20%.
Минимальное расстояние места пайки выводов от корпуса
3 мм, температура пайки +265 ± 5 °C. Допускается пайка выво-
дов на расстоянии 1 мм от корпуса, при этом температура пайки
не должна превышать +150 °C. Время пайки не более 3 с.
А710А, А710Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п переключательные. Предназначены для применения
в источниках вторичного электропитания. Выпускаются в ме-
таллокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Тип
прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 7 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, 4 = 30 А, не менее:
А710А............................... 15
А710Б............................... 10
Граничное напряжение при /к = 0,1 А,
L = 25 мГн, не менее:
А710А................................ 100	В
А710Б...............................  120	В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 30 А, 4 = 5 А, не более........ 1,2	В
320
А710(А,Б)
Время рассасывания при ию = 30 В, /к = 30 А,
1Ы ~ 4г = 5 А, не более................ 0,5 мкс
Время слада при £/кэ = 30 В, /к = 30 А,
4t = 4г = 5 А, не более................ 0,2 мкс
Обратный ток коллектора при £/КБ = 150 В,
не более............................... 3 мА
Обратный ток эмиттера при иж = 5 В,
не более............................... 10 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база... 150 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при Ux = —1,5 В или /?БЭ = 10 Ом:
А710А............................... 100 В
А710Б............................... 120 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при УЭБ = —1,5 В, или А^э = 10 Ом, 7И = 20 мкс,
= 0,5 мкс, 0=10...................... 150 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 5 В
Импульсное напряжение эмиттер—база
при 7И = 20 мкс, Q= 10................ 7 В
11-835
>21
Потенциал статического электричества.... 2000 В
Постоянный ток коллектора............... 30 А
Импульсный ток коллектора при ?и = 20 мкс,
0= 10................................... 50 А
Постоянный ток базы..................... 8 А
Импульсный ток базы = 20 мкс,	Q = 10.... 15 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 Тк = -60...+25 ’С................. 75 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус... 2 °С/Вт
Температура р-п перехода................ +175 °C
Температура окружающей среды............ —60... Тк =
= +125 °C
' При 7К > +25 °C максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
^к,млкс = (175 ~ Т^/2, Вт.
Расстояние от корпуса до места лужения и пайки вывода
не менее 2 мм, температура припоя +260 ± 5 °C, время пайки
не более 3 с. Расстояние от корпуса до начала изгиба вывода
не менее 3 мм.
А740А, А740Б
А710(А,Б)
Транзисторы кремниевые
эпитаксиально-планарные
структуры п-р-п переключа-
тельные. Предназначены для
применения в схемах источ-
ников вторичного электропи-
тания и других переключаю-
щих схемах. Выпускается в
металлокерамическом корпу-
се с жесткими выводами и
стеклянными изоляторами.
Тип прибора указывается на
корпусе.
Масса транзистора не бо-
лее 20 г.
Изготовитель — завод
«Пульсар», г. Москва.
322
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при С/кэ = 5 В, /к = 20 А
(Ги = 100 мкс, 0 = 200), не менее..... 12
Граничное напряжение при 4 = 0,1 А,
L = 29 мГн, не менее:
А740А............................... 400 В
А740Б............................... 500 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 30 А, /Б = 6 А (7И = 100 мкс, Q = 200),
не более............................... 2,5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 30 А, 4 = 6 А (4 = 100 мкс, О = 200),
не более............................... 3,5 В
Время спада при С4э = 200 В, 4 = 30 А,
4i = 6 А, 4г = 9 А, не более........... 0,5 мкс
Обратный ток коллектора при (/КБ = 500 В,
не более............................... 1 мА
Обратный ток эмиттера при U3& = 5 В,
не более............................... 50 мА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное напряжение коллектор—база ...... 800 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 10 Ом или иэъ = —1,5 В, 4 = 20 мкс,
0=2, 4, = 0,5 мкс...................... 800 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при Яэ = 10 Ом или Ux = —1,5 В:
А740А............................... 400 В
А740Б............................... 500 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 5 В
Потенциал статического электричества... 2000 В
Постоянный ток коллектора.............. 40 А
Импульсный ток коллектора при 4 = 20 мкс,
0= 10.................................. 60 А
Постоянный ток базы.................... 10 А
Импульсный ток базы 4 = 20 мкс, 0 = 10. 20 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 Гк = -60...+25 °C................ 150 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 0,84 °С/Вт
1 При Гк > +25 °C максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
макс = (150 " W0.84, Вт.
11
323
Температура р-п перехода................. +150 °C
Температура окружающей среды............. —6О...ТК =
= +125 °C
Допустимое число перепаек транзистора при проведении
монтажных работ — 3. Расстояние от корпуса до места луже-
ния и пайки по длине вывода не менее 3 мм, температура
припоя +235 ± 5 °C, время пайки не более 8 с.
А772
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п переключательный. Предназначен для применения
в схемах источников вторичного электропитания. Выпускается
в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 12 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
А772
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 4 В, /к = 5 А, не менее:
Т= +25 и +125 °C.............. 20
Т=-60°С....................... 8
324
Граничное напряжение при /к = 0,1 А,
L = 29 мГн, не менее.................... 250 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 40 А, 4 “ 8 А (4 = 100 мкс, Q = 200),
не более................................ 1,2 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 40 А, /Б = 8 А (4 = 100 мкс, Q = 200),
не более................................. 2 В
Время включения при U& = 100 В, /к = 40 А,
/Б = 4 А, не более...................... 0,3 мкс
Время рассасывания при = 100 В,
/к = 40 A, 4i = 4, 4г = 8 А, не более... 1 мкс
Время спада при С/кэ = 100 В, /к = 40 А,
4, = 4 А, 4г = 8 А, не более............ 0,2 мкс
Обратный ток коллектора при С/КБ = 250 В,
не более:
Т= +25 °C........................... 2 мА
Т=+125 и-60 °C...................... 5 мА
Обратный ток эмиттера при С/Эб = 7 В,
не более................................ 50 мА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное напряжение коллектор—база
при 4 = 20 мкс, Q = 2................... 350 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 10 Ом или изъ = -1,5 В, 4 = 20 мкс,
Q = 2, 4, = 0,5 мкс..................... 350 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?g3 = 10 Ом или иэъ = —1,5 В....... 250 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 7 В
Потенциал статического	электричества.... 2000 В
Постоянный ток	коллектора............... 40	А
Импульсный ток коллектора при 4 = 20 мкс,
0 = 10.................................. 60	А
Постоянный ток	базы.................... 10	А
Импульсный ток	базы 4	= 20 мкс,	0=10... 20	А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’ Гк = —60...+25 °C................. 150 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус... 0,833 °С/Вт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Температура окружающей среды............ —60... Тк =
__________	= +125 °C
' При Гк > +25 °C максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле
^м*кс= (15° - Гк)/0.833, Вт.
Л,	*	Л» '	*	•
325
Минимальное расстояние от корпуса до места пайки по
длине вывода 2 мм, температура припоя +260 ± 5 °C, время
пайки не более 8 с.
Транзисторы р-п-р
П201Э, П201АЭ, П202Э, П203Э
Транзисторы германиевые сплавные структуры р-п-р уни-
версальные. Предназначены для применения в переключаю-
щих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой ча-
стоты, преобразователях постоянного напряжения. Выпуска-
ются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип
прибора указан на корпусе.
Масса транзистора не более 12 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
П2013, П201АЗ, П2023. П2033
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при (/кэ = 10 В, /к = 0,2 А,
не менее:
П201Э, П202Э............................ 20
П201АЭ............................... 40
326
Статическая крутизна прямой передачи тока
в схеме ОЭ при ию = 28 В для П203Э:
Г =+25 °C............................ 1,2...1,8 А/В
Г=-60°С.............................. 0,8... 1,4 А/В
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОБ при = 10 В, /к = 0,2 А,
не менее:
П201Э, П202Э......................... 100 кГц
П201АЭ, П203Э........................ 200 кГц
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 2 А, /Б = 0,3 А для П201АЭ, П202Э,
П203Э, не более......................... 2,5 В
Обратный ток коллектора, не более:
Т= +25 °C:
при (/КБ =	20	В	для П201Э, П201АЭ. 0,4 мА
при С/КБ =	30	В	мА для П202Э, П203Э . 0,4 мА
Т = +70 °C:
при С/КБ =	20	В	для П201Э, П201АЭ. 2 мА
при УКБ =	30	В	П2О2Э, П203Э...... 2 мА
Обратный ток эмиттера при 0эь = 10 В,
не более:
Г =+25 °C............................ 0,4 мА
Г =+70 °C............................ 2,5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 50 Ом:
20 °C:
П201Э, П201АЭ..................... 30	В
П202Э, П203Э...................... 50	В
Т= +50 °C:
П201Э, П201АЭ..................... 22	В
П202Э, П203Э...................... 30	В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при Рк < 10 Вт, Т < 50 °C:
П201Э, П201АЭ........................ 10 В
П202Э, П203Э......................... 15 В
Постоянное напряжение коллектор—база:
при Т $ +20 °C:
П201Э, П201АЭ..................... 45	В
П202Э, П203Э...................... 70	В
при Т $ +50 °C:
П201Э, П201АЭ........................ 30	В
П202Э, П203Э...................... 55	В
327
Постоянный ток коллектора:
П201Э, П201АЭ........................ 1,5 А
П202Э, П203Э.......................... 2 А
Импульсный ток коллектора:
П201АЭ................................. 2 А
П202Э, П203Э.......................... 2,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность:
с теплоотводом:
Гк < +20 °C....................... 10 Вт
Тк =+70 °C........................ 4,3 Вт
без теплоотвода при Т +25 °C.......... 1 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность
при 4 5 с, О > 3, Гк +70 °C.............. 10 Вт
Переключаемая мощность постоянного тока... 30 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус.... 3,5 °С/Вт
Температура р-п перехода................. +85 °C
Температура окружающей среды............ —60...	7"к =
= +70 °C
П210А, П210Ш
Транзисторы германиевые сплавные структуры р-п-р уни-
версальные. -Предназначены для применения в переключаю-
щих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой ча-
стоты, преобразователях постоянного напряжения. Выпуска-
ются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип
прибора указан на корпусе.
Масса транзистора не более 37 г с наконечниками выво-
дов и не более 48,5 г с крепежным фланцем.
Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Запорожье.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ:
при Цо = 2 В, 4 = 5 А для П210А,
не менее................................. 15
типовое значение.................... 19*
при Цо = 1 В, 4 = 7 А для П210Ш.......... 15...60
типовое значение.................... 23*
328
П210А, П210Ш
Статическая крутизна прямой передачи тока
в схеме ОЭ:
при (/кэ = 2 В, /к = 5 А для П210А,
не менее............................ 6,66 А/В
типовое	значение................ 9* А/В
при = 1 В, /к = 7 А для П210Ш,
не менее............................ 6,52 А/В
типовое	значение................ 10* А/В
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОБ при Г/КБ = 20 В, /э = 0,1 А,
не менее............................... 100 кГц
Граничное напряжение при /к и = 2,5 А,
не менее............................... 50 В
типовое значение.................... 70* В
Плавающее напряжение эмиттер—база
при С/КБ = 40 В, не более:
П210А............................... 1,5 В
П210Ш .............................. 0,15 В
Обратный ток коллектора, не более:
Т= +25 °C:
при С/КБ	= 45	В для	П210А......... 8 мА
при С/КБ	= 65	В для	П210Ш........ 8 мА
Т = +70 °C:
при 1/КБ	= 45	В для	П210А......... 50 мА
при УКБ	= 65	В для	П210Ш........ 12 мА
329
Обратный ток эмиттера П210Ш, не более:
при Ux = 1,5 В......................... 3 мА
при Ux = 35 В.......................... 10 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
при Ux >	1,5	В	для	П210А........... 65	В
при Ux >	0,5	В	для	П210Ш........... 64	В
Постоянное напряжение коллектор—база
П210А.................................. 65	В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 25	В
Постоянный ток коллектора в режиме насы-
щения П210А............................ 12 В
Импульсный ток коллектора в режиме насы-
щения при 15 мкс для П210Ш.............. 9 А
Постоянная рассеиваемая мощность:
7^+25 °C............................... 60 Вт
Тк =+70 °C.......................... 15 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 1 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—среда... 40 °С/Вт
Температура р-п перехода............... +85 °C
Температура окружающей среды........... —60... Тк =
= +70 °C
Расстояние от корпуса до начала изгиба вывода транзи-
стора должно быть не менее 20 мм.
Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 20 мм
от корпуса в течение не более 10 с. Температура жала паяль-
ника должна быть не более +260 °C.
П213, П213А, П213Б,
П214, П214А, П214Б, П214В, П214Г, П215
Транзисторы германиевые сплавные структуры р-п-р уни-
версальные. Предназначены для применения в переключаю-
щих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой ча-
стоты, преобразователях постоянного напряжения. Выпуска-
ются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип
прибора указан на корпусе.
Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не
более 4,5 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
330
П213, П213(А,Б), П2Н, П21Ш-Г), П215
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, /к = 0,2 А:
П213А, П214В, не менее................. 20
П213Б, не менее........................ 40
П214................................... 20...60
П214А.................................. 50...150
П214Б, П215............................ 20...150
П213 при UK3 = 5	В,	4 = 1 А.......... 20...50
Статическая крутизна прямой передачи тока
в схеме ОЭ при 64э = 28 В, /?н = 35 Ом,
f= 270 Гц для П214Г....................... 1.4...2,1 А/В
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОБ при Т/КБ = 10 В, /к = 100 мА,
не менее.................................. 150 кГц
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер,
не более:
при 4 = 3 А,	4	= 0,37	А	для	П213..... 0,5 В
при 4 = 3 А,	/Б	= 0,37	А	для	П214, П214А,
П214Б, П215............................ 0,9 В
при 4 = 2 А, 4 = 0,3 А для П213Б, П214В,
П214Г.................................. 2,5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 2,5 А, 4 = 0,37 А:
П213, не более......................... 0,75 В
П214, П214А, П215, не более............ 1,2 В
П214Б.................................. 0,6...0,9 В
Плавающее напряжение эмиттер—база
при Т = +70 °C, не более:
при 64б ~ 45 В для П213................ 0,3 В
331
при t/K6	= 45	В для	П213А,	П213Б....... 0,5 В
при Т/КБ	= 60	В для	П214, П214А, П214Б ... 0,3 В
при 6^= 60	В для	П214В,	П214Г....... 0,5 В
при £/кб	=£0	В для	П215............... 0,3 В
Обратный ток коллектора, не более:
Тк = +20 °C:
при U№ =	45	В	для	П213........... 0,15 мА
при £/кб =	45	В	для	П213А, П213Б .. 1 мА
при =	60	В	для	П214, П214А.. 0,3 мА
при U№ =	60	В	для	П214Б, П214В,
П214Г....................................... 1,5 мА
при U№ = 80 В для П215...................... 0,3 мА
Тк = +70 ”С:
при U№ =	45	В для	П213.......... 2 мА
при 6/КБ =	45	В для	П213А, П213Б .......	4,5 мА
при Т/КБ =	60	В для	П214, П214А.. 2,5 мА
при £/кб =	60	В для	П214Б........ 2 мА
при U№ =	60	В для	П214В, П214Г........	5 мА
при Ц<Б _	80	В для	П215......... 2,5 мА
Обратный ток коллектор—эмиттер при /Б = 0,
не более:
при ию =	30 В для П213........................ 20	мА
при 7/кэ =	45 В для П214,	П214А, П214Б... 30	мА
при 7/кэ =	55 В для П214В,	П214Г................ 30	мА
при =	80 В для П215........................ 30	мА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 50 Ом, не более:
при ию = 30 В для П213А, П213Б.................. 10 мА
при UK3 = 55 В для П214В, П214Г................. 10 мА
Обратный ток эмиттера, не более:
Т= +20 °C:
при иьэ = 15 В для П213, П214, П214А,
П214Б, П215.......................... 0,3 мА
при = 10 В для П213А, П213Б,
П214В, П214Г................................ 0,4 мА
Т= +70 °C:
при иьэ	=	15 В для	П213, П214Б..... 2 мА
при 74а	=	15 В для	П214, П214А, П215 2,5 мА
при иьэ	= 10 В для	П213А, П213Б............. 4,5 мА
при иьэ	= 10 В для	П214В, П214Г............. 5 мА
Продельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
пои /Б = 0:
П213............................................ ЗОВ
332
П214, П214Б.......................... 45 В
П215................................. 60 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?бэ С 50 Ом:
П213А, П213Б............................ 30	В
П213................................. 40	В
П214, П214А, П214Б, П214В,	П214Г..... 55	В
П215.......................-......... 70 В
Постоянное напряжение коллектор—база:
П213, П213А, П213Б................... 45 В
П214, П214А, П214Б, П214В, П214Г..... 60 В
П215................................. 80 В
Постоянный ток коллектора............... 5 А
Постоянный ток базы..................... 0,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность:
Гк < +45 °C:
П213А, П213Б, П214, П214А, П214В,
П214Г, П215......................... 10 Вт
П213, П214Б...................... 11,5 Вт
Гк = +70 °C:
П213А, П213Б, П214, П214А, П214В,
П214Г, П215......................... 3,75 Вт
П213, П214Б...................... 4,3 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус:
П213, П214Б............................. 3,5 °С/Вт
П213А, П213Б, П214, П214А, П214В,
П214Г, П215.......................... 4 °С/Вт
Температура р-п перехода................ +85 °C
Температура окружающей среды............ —60... Тк =
= +70 °C
При эксплуатации транзистор должен быть жестко закреп-
лен с помощью накидного фланца на металлическом шасси
или специальном теплоотводе со шлифованной поверхностью.
Диаметр отверстия в теплоотводе под выводы транзистора
должен быть не более 5 мм.
При необходимости электрической изоляции корпуса (кол-
лектора) транзистора от шасси или теплоотвода между корпу-
сом и теплоотводом рекомендуется ставить прокладку из слю-
ды. Суммарное тепловое сопротивление переход—теплоотвод
увеличивается при этом на 0,5 °С/Вт на каждые 50 мкм тол-
щины слюдяной прокладки.
Изгиб выводов при пайке допускается только на их плос-
кой части.
333
П216, П216А, П216Б, П216В, П216Г, П216Д,
П217, П217А, П217Б, П217В, П217Г
Транзисторы германиевые сплавные структуры р-п-р уни-
версальные. Предназначены для применения в переключаю-
щих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой ча-
стоты, преобразователях постоянного напряжения. Выпуска-
ются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип
прибора указан на корпусе.
Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не
более 4,5 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
П216. П216(А-Д), /72/7, П217(А-Г)
Электрические параметры
Коэффициент передачи тока в режиме малого
сигнала в схеме ОЭ:
при (4э =	5 В,	4 =	1	А	для	П216А..... 20...80
при Укэ =	3 В,	4 =	2	А	для	П216Б,
не менее.................................. 10
при 64э = 3 В, 4 = 2 А для П216В,
не менее.................................. 30
при 64э = 3 В, 4 = 2 А для П216Г,
не менее................................... 5
при /4з = 3	В,	4	=	2	А для	П216Д........ 15...30
при (4э = 5	В,	4	=	1	А для	П217А........ 20...60
при £4э = 5	В,	4	=	1	А для	П217Б,
не менее.................................. 20
при <4э = 3	В,	4	=	2	А для	П216Г........ 15...40
334
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ, не менее:
при ию = 0,75 В, 4 = 4 А для П216..... 18
при ию = 1 В, /к = 4 А для П217....... 15
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОБ при = 10 В, /к = 0,1 А,
не менее................................. 100 кГц
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер,
не более:
при /к = 4 А, /Б = 0,5 А для	П216,	П216А..	0,75	В
при /к = 4 А, /Б = 0,5 А для	П217,	ГТ217А,
П217Б, П217Г.......................... 1 В
при /к = 2 А, /Б = 0,3 А для П216Б, П216В,
П216Д, П217В.......................... 0,5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 3,5 А, /Б = 0,5 А:
П216, П217, не более.................. 1,5 В
П217Б................................. 0,6...0,9	В
П217Г, не более....................... 0,8 В
Плавающее напряжение эмиттер—база,
не более:
при ^КБ =	40 В для	П216, П216А....... 0,3	В
при </КБ =	35 В для	П216Б, П216В...... 0,5	В
при (/КБ =	50 В для	П216Г, П216Д...... 0,5	В
при (УКБ =	60 В для	П217, П217А, П217Б ... 0,3	В
при £/кб =	60 В для	П217В, П217Г...... 0,5	В
Обратный ток коллектора, не более:
Гк = +20 °C:
при £/кб	= 40	В для	П216, П216А... 0,5 мА
при (УКБ	= 35	В для	П216Б......... 1,5 мА
при	= 35	В для	П216В......... 2 мА
при </КБ	= 50	В для	П216Г......... 2,5 мА
при £/кб	= 50	В для	П216Д......... 2 мА
при (УКБ	= 60	В для	П217, П217А,
П217Б............................. 0,5 мА
при (/КБ = 60 В для П217В, П217Г.. 3 мА
Гк = +70 °C:
при иКБ	= 40	В для	П216, П216А... 4,5	мА
при (/КБ	= 35	В для	П216Б, П216В.. 7,5	мА
при	= 50	В для	П216Г, П216Д.. 7,5	мА
при (/КБ	= 60	В для	П217, П217А,
П217Б............................. 5 мА
при = 60 В для П217В, П217Г....... 7,5 мА
335
Обратный ток коллектор—эмиттер при 4 = О,
не более:
{/о = 30 В для П216, П216А........... 40 мА
U№ = 45 В для П217, П217А, П217Б..... 50 мА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при /Рва = 0, не более:
7/кэ = 35 В для	П216Б,	П216В......... 20	мА
Т/КБ = 50 В для	П216Г............... 50	мА
(/КБ = 50 В для	П216Д............... 20	мА
U№ = 60 В для	П217В,	П217Г......... 20	мА
Обратный ток эмиттера при Ua = 15 В,
не более:
Т= +20 °C:
П216, П216А, П217, П217А, П217Б... 0,4 мА
П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217В,
П217Г............................. 0,75 мА
Т= +70 °C:
П216, П216А, П217, П217А, П217Б... 4 мА
П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217В,
П217Г............................. 7 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база
и коллектор—эмиттер при = 0:
П216, П216А.......................... 40	В
П216Б, П216В......................... ЗОВ
П216Г, П216Д......................... 50	В
П217, П217А, П217Б, П217В, П217Г..... 60	В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /Б = 0:
П216, П216А.......................... ЗОВ
П217, П217А, П217Б................... 45 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 15 В
Постоянный ток коллектора............... 7,5 А
Постоянный ток базы..................... 0,75 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
Гк =5 +25 °C:
П216, П216А, П217, П217А, П217Б... 30 Вт
П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217В,
П217Г............................. 24 Вт
Гк = +70 °C:
П216, П216А, П217, П217А, П217Б... 7,5 Вт
П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217В,
П217Г............................. 6 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус:
П216, П216А, П217, П217А, П217Б...... 2 °С/Вт
П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217В,
П217Г................................. 2,5 °С/Вт
Температура р-п перехода................. +85 °C
Температура окружающей среды............. —60... Гк =
= +70 °C
При эксплуатации транзистор должен быть жестко закреп-
лен с помощью накидного фланца на металлическом шасси
или специальном теплоотводе со шлифованной поверхностью.
Диаметр отверстия в теплоотводе под выводы транзистора
должен быть не более 5 мм.
При необходимости электрической изоляции корпуса (кол-
лектора) транзистора от шасси или теплоотвода между корпу-
сом и теплоотводом рекомендуется ставить прокладку из окси-
дированного алюминия или слюды. Суммарное тепловое со-
противление переход—теплоотвод увеличивается при этом на
0,5 °С/Вт на каждые 50 мкм толщины слоя оксидированного
алюминия.
П302, ПЗОЗ, ПЗОЗА, П304, П306, П306А
Транзисторы германиевые сплавные структуры р-п-р уни-
версальные. Предназначены для применения в переключаю-
щих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой ча-
стоты, преобразователях постоянного напряжения. Выпуска-
ются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип
прибора указан на корпусе.
Масса транзистора не более 10 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при </КБ = 10 В:
Т= +25 °C:
/э = 120 мА:
П302, не менее..................... 10
ПЗОЗ, ПЗОЗА, не менее.............. 6
/э = 100 мА для П306.................. 7...25
/э = 60 мА для П304, не менее......... 5
<, = 50 мА для П306А.................. 5...35
3J7
П302, ПЗОЗ. ПЗОЗА, П304. П306. П306А
Т = —60 °C, не менее:
4 = 120 мА для П302............... 6
4 = 120 мА для ПЗОЗ, ПЗОЗА....... 3,5
4 = 100 мА для П306.............. 4
4 = 60 мА для П304............... 3
4 = 50 мА для П306А.............. 3,5
Предельная частота коэффициента передачи
тока при U№ = 20 В, не менее:
4 = 120 мА:
П302................................. 200 кГц
ПЗОЗ, ПЗОЗА...................... 100 кГц
П304............................. 50 кГц
4 = 100 мА для П306 и 4 = 50 мА
для П306А........................... 50 кГц
Сопротивление насыщения коллектор—эмит-
тер при /к = 150 мА, 4 = 50 мА для ПЗОЗ,
ПЗОЗА, не менее:
Г =+25 °C........................... 20 Ом
Т= -60 и +120 °C.................... 30 Ом
Входное напряжение, не более:
при t/K6 = 10 В, /к = 300 мА:
П302............................ 6 В
ПЗОЗ, П304 ...................... 10 В
ПЗОЗА............................ 4 В
при U№ = 15 В, 4 = 300 мА для П306   6 В
при £/КБ = 15 В, 4 = 200 мА для П306А  4 В
338
Обратный ток коллектора:
Т = +25 °C, (4g = 35 В для П302;
(УКБ = 60 В для ПЗОЗ, ПЗОЗА, П304, П306;
(4g = 80 В для П306А, не более........ 100 мкА
Т= +120 °C, (4g = 30 В для П302;
(4б = 50 В для ПЗОЗ, ПЗОЗА, П304, П306;
(4Б = 65 В для П306А, не более........ 1500 мкА
Обратный ток коллектор—эмиттер:
Т = +25 °C, /?бэ = 1 кОм, (4э = 40 В для
П302; Укэ = 70 В для ПЗОЗ, ПЗОЗА, П306;
(4э = 100 В для П304, П306А, не более.... 1 мА
Т = +120 °C, /?БЭ = 106 Ом, UK3 = 30 В для
П302; (4э = 50 В для ПЗОЗ, ПЗОЗА, П306;
(/кэ = 65 В для П304; (7КЭ = 60 В для
П306А, не более....................... 6 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?ga С 100 Ом и коллектор—база1:
Гп = -60...+20 °C:
П302................................. ЗОВ
ПЗОЗ, ПЗОЗА....................... 65 В
П304.............................. 50 В
Гп = +20...+100 °C:
П302................................. 35	В
ПЗОЗ, ПЗОЗА, П306 ................ 60	В
ПЗО4, П306А....................... 80	В
Гп = +150 ’С:
П302................................. 18	В
ПЗОЗ, ПЗОЗА....................... 40	В
П304.............................. 30	В
Гп = +25 °C:
П306................................. 60	В
П306А............................. 80	В
Тп = -60 °C:
П306................................. 50	В
П306А............................. 70	В
Постоянный ток коллектора:
П302, ПЗОЗ, ПЗОЗА, П304 ................... 0,5	А
П306, П306А............................ 0,4	А
Постоянный ток эмиттера П306, П306А....... 0,5	А
' При температуре перехода выше +100 °C 1/кэв и 1/КБ мдкс снижаются на
'/о на каждые 10 °C. Температура перехода определяется по формуле
4 = 4 + *т(П-К)^К’
339
Постоянный ток базы..................... 0,2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1:
с теплоотводом:
Тк = -60...+50 °C:
П302.............................. 7 Вт
ПЗОЗ, ПЗОЗА, П304, П306, П306А.. 10 Вт
Гк = +120 °C для П306, П306А..... 2 Вт
Тк = +120 °C для П302, ПЗОЗ, ПЗОЗА,
П304............................. 3 Вт
Тк = +90 °C для П306, П306А...... 3 Вт
без теплоотвода:
Т= -60...+50 °C.................. 1 Вт
Г=+120°С......................... 0,3 Вт
Тепловое сопротивление переход—окружаю-
щая среда............................... 100 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус...... 10 °С/Вт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Температура окружающей среды............ —60... Тк =
= +120 °C
’ При Гк > +50 ’С для транзисторов с теплоотводом
Ас. и*кс = (150 - Гк)/10, Вт;
при Гк > +20 *С для транзисторов без теплоотвода
Ас,макс= (150- Г)/100, Вт.
П601И, П601АИ, П601БИ, П602И, П602АИ
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные струк-
туры р-п-р универсальные. Предназначены для применения в
усилительных, импульсных и переключающих каскадах, вы-
ходных каскадах радиоэлектронных устройств. Выпускаются в
металлостеклянном корпусе с гибкими (вариант 1) и жесткими
(вариант 2) выводами. Тип прибора указан на корпусе.
Масса транзистора не более 12,5 г.
Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Рига.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при ию = 3 В, 4 = 0,5 А:
Т= +20 °C:
П601И, не менее........................ 20
П601АИ, П602И......................... 40...100
П601БИ, П602АИ........................ 80...200
340
П60ГИ, ШАИ, П601БИ, П602И, П402АИ
Вариант 1
Вариант 2
Т = +70 °C:
П601 И, П601БИ, П602АИ, не более... 250
П601АИ, П602И...................... 40...100
Тп = -80 °C:
П601И, не менее..................... 10
П601АИ, П601БИ, П602АИ, П602И,
не более........................... 0,5 значения
при Т = +20 °C
Модуль коэффициента передачи тока при
(7кб = 10 В, /э = 50 мА, f= 10 МГц, не менее:
П601И, П601АИ, П601БИ................... 2
П602И, П602АИ......................... 3
Граничное напряжение при /э = 0>3 А,
f = 1 кГц, 7И = 5 мкс, не менее:
П601И, П602АИ......................... 20 В
П801АИ, П601БИ, П602И................. 25 В
341
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 120 мА, /Б = 60 мА............ 2* В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 0,5 А, /Б = 0,25 А............ 1,5* В
Постоянная времени цепи обратной связи
при 1/КБ = 20 В, 4 = 50 мА, f = 5 МГц,
не более..........................	750 пс
Время нарастания при 4 = 0.5 А, не более:
/Б = 60 мА для П601И................ 0,4 мкс
/Б = 30 мА для П601АИ, П601БИ, П602И,
П602АИ.............................. 0,4 мкс
Время рассасывания при /к = 0,5 А, не более:
/Б = 60	мА для П601И................ 6	мкс
4 = 30	мА для П601АИ,	П602И........ 4	мкс
/Б = 30	мА для П601БИ,	П602АИ....... 5	мкс
Обратный ток коллектора, не более:
при Т = +20 ’С:
</Кб = Ю В:
П601И..................:......... 200 мкА
П601АИ, П602И................. 100 мкА
П601БИ, П602АИ................ 130 мкА
t/кв = 25 В:
П601И............................ 2 мА
П601АИ....................-... 1,5 мА
(/КБ = 30 В для П601АИ, П601БИ,
П602И............................ 1,5 мА
при Т = +70 ’С и (/КБ = 10 В для П601И,
П601АИ, П601БИ, П602И, П602АИ....... 6 мА
Обратный ток эмиттера при l/ra = 0,5 В. 1 мА
Емкость коллекторного перехода
при (/КБ = 20 В, f= 5 МГц, не более.... 170 пФ
Емкость эмиттерного перехода при (/ЭБ = 0,5 В,
f= 5 МГц............................... 2500* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ С 100 Ом:
П601АИ, П602АИ...................... 25 В
П601И, П601БИ, П602И................ 30 В
Напряжение коллектор—база:
П601АИ, П602АИ...................... 25 В
П601И, П601БИ, П602И................ ЗОВ
Напряжение эмиттер—база:
Г =+20’С........................... 0,7 В
7=+70'С............................. 0,5 В
342
Импульсный ток коллектора................ 1,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1:
без теплоотвода, Т = —60...+60 'С..... 0,5 Вт
с теплоотводом:
Тк = +25 °C....................... 3 Вт
Тк = +70 °C....................... 0,75 Вт
Температура р-п перехода................. +85 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус.... 15 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—среда..... 50 °С/Вт
Температура окружающей среды............. —60... Тк =
= +70 °C
’ При Гк > +60 °C для транзисторов без теплоотвода
Рк, МАКС =(85- Г)/50, Вт;
при Гк = +25 °C для транзисторов с теплоотводом
Рк макс = (85 - 7?)/15, Вт.
Л, МААС »	Л* *	'
П605, П605А, П606, П606А
Транзисторы германиевые структуры р-п-р универсальные.
Предназначены для применения в усилительных, генераторных
и импульсных каскадах низкой и высокой частоты (до 30 МГц).
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими (вари-
ант 1) и жесткими (вариант 2) выводами. Тип прибора указан
на корпусе.
Масса транзистора с жесткими выводами не более 11 г, с
гибкими выводами не более 12 г.
Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Ташкент.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при ? = 0.1... 10 кГц:
Т = +20 °C:
7/кэ = 3 В, /к = 0,5 А для П605, П606 .... 20...35*...60
UK3 = 3 В, /к = 0,5 А для П605А, П606А 50...75*...120
ию = 7 В, /к = 15 мА для П605, П605А,
П606, П606А.............................. 20...30*...50*
Т= -60 °C:
икэ = 3 В, /к = 0,5 А для П605, П606 .... 14...84
i/кэ = 3 В, /к = 0,5 А для П605А, П606А 25...168
Г =+70 °C.................................... 0,5... 1,5 зна-
чения при
Т= +20 °C
343
П605. П605А, П606, Л6МА
Вариант /
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при (/КБ = 10 В, 4 = 50 А,
f= 10 МГц для П606, П606А....................... 3...5.5*...7*
Граничное напряжение при 4 = 0.3 А,
4 = 5 мкс, f = 0,1...10 кГц:
П605, П605А................................... 35...45*...55*	В
П606, П606А................................... 20...30*...40*	В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер:
при 4 = 0,5 А, /Б =	60	мА	для	П605,	П606 0,4*...0,7*...2 В
при /к = 0,5 А, 4 =	30	мА	для	П605А,
П606А....................................... 0,4*...0,7* ..2 В
Напряжение насыщения база—эмиттер:
при 4 = 0,5 А, /Б = 60 мА для П605, П606 0,3*...0,5*...
1,2 В
при 4 = 0,5 А, /Б = 30 мА для П605А,
П606А....................................... 0,3*..0,5*...
1,2 В
344
Постоянная времени цепи обратной связи
при £к = 20 В, /э = 50 мА, f = 5 МГц....... 40*...80*...
500 пс
Время включения при	f = 1...10 кГц:
L/кэ = 20 В, /к = 0,5 мА, /Б = 60 мА
для П605, П606 ........................ 0,06*...0,1*...
0,3 мкс
(/кэ = 20 В, /к = 0,5 мА, 4 = 30 мА
для П605А, П606А, не более............. 0,35 мкс
Время рассасывания при f= 1...10 кГц:
£4э = 20 В, /к = 0,5 А, /Б = 60 мА для П605,
П606................................ 0,4*...1*...3	мкс
^кэ = 20 В, 4 = 0,5 мА, 4 = 30 мА
для П605А, П606А, не более............. 4 мкс
Обратный ток коллектора, не более:
при Т = +20 °C:
£/КБ = 45	В	для	П605, П605А......... 2 мА
U№ = 35	В	для	П606, П606А......... 2 мА
при Т= +70 °C:
(/КБ = 40	В	для	П605, П605А......... 8 мА
£4б = 30	В	для	П606, П606А......... 8 мА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при R& =100 Ом, не более:
£/ю = 40 В для П605, П605А............. 3 мА
(/кэ = 25 В для П606, П606А............ 3 мА
Обратный ток эмиттера, не более:
Т = +20 °C:
иэь = 1 В	для П605, П605А........... 1	мА
(/ЭБ = 0,5	В для П606, П606А........ 1	мА
Т = +70 °C:
U3f> = 1 В	для П605, П605А........... 2	мА
иэъ = 0,5	В для П606, П606А......... 2	мА
Емкость коллекторного перехода
при икъ = 20 В, f= 5 МГц................... 50*...70*...
130 пФ
Емкость эмиттерного перехода
при иэъ = 0,5 В, f= 5 МГц, не более........ 2000* пф
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
при R3& С 100 Ом, Г= -60...+20 °C:
П605, П605А............................. 40 В
П606, П606А......................... 20 В
345
при /?ЭБ 10 Ом, Т = +70 °C:
П605, П605А........................... 20 В
П606, П606А....................... 15 В
при заданном обратном напряжении’ эмит-
тер—база:
Т= -60...+20 °C:
П605, П605А....................... 45 В
П606, П606А................... 35 В
Т= +70 °C:
П605, П605А....................... 40 В
П606, П606А................... 30 В
Постоянное напряжение коллектор—база:
Т = -60...+20 °C:
П605, П605А........................... 45 В
П606, П606А....................... 35 В
Т= +70 °C:
П605, П605А........................... 40 В
П606, П606А....................... 30 В
Постоянное напряжение эмиттер—база:
П605, П605А........................... 1 В
П606, П606А.......................   0,5	В
Импульсный ток коллектора при 7И 10 мс,
О>2...................................... 1,5 А
Импульсный ток базы при 7И < 10 мс, 2.... 0,5 А
Средняя рассеиваемая мощность коллектора1:
без теплоотвода:
Т= -60...+20 °C...................... 0,5 Вт
Г =+70 °C......................... 0,3 Вт
с теплоотводом при /?т (П-к> ^15 °С/Вт:
7=-60...+20 °C....................... 3 Вт
Г=+70’С........................... 0,75 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус.... 15 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—среда
(без теплоотвода)........................ 35 °С/Вт
Температура р-п перехода................. +85 °C
Температура окружающей среды............. —60... Тк =
= +70 °C
' Рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом при Т = +25...+70 'С
и без теплоотвода при Т = +60...+70 °C рассчитывается по формуле
ср, макс = (85 — Т’)/(ЛГ(П_К) + Лг(к-с))> Вт.
При эксплуатации транзисторы должны крепиться с помо-
щью накидного фланца. Расстояние от корпуса транзистора
до места пайки вывода не менее 20 мм для варианта с гибкими
выводами и не менее 5 мм для варианта с жесткими выводами.
346
П607, П607А, П608, П608А, П608Б,
П609, П609А, П609Б
Транзисторы германиевые структуры р-п-р универсальные.
Предназначены для применения в усилительных, генераторных
и импульсных каскадах низкой и высокой частоты (до 100 МГц).
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выво-
дами. Тип прибора указан на корпусе.
Масса транзистора с жесткими выводами не более 12 г.
Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Рига.
П607. П607А. П608. П608(А,Б). П609, ТШ(А.Б)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 1/ю = 3 В, /к = 0,25 А,
Ги = 15 мкс, f= 0,1...10 кГц:
Г= +20 °C:
П607..................................... 20...53*...80
П607А................................. 60...139*...200
П608, П608Б, П609..................... 40...80*...120
П608А, П609А,	П609Б................ 80...154*...240
Т=-60°С................................... 0,4...2 зна-
чения при
Т = +20 °C
Т = +70 °C................................ 3 значения
при Т=+20 °C
347
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при С/КБ = 10 В, /э = 50 А,
f = 20 МГц:
П607, П607А................................. 3...6*...10*
П608, П608А,	П608Б..................... 4,5...8*...13*
П609, П699А,	П609Б....................... 6...11*...15*
Граничное напряжение при 13 = 0,1 А,
4 = 5 мкс, f= 1...10 кГц:
Т= -6G...+20 °C:
П607, П607А, П608, П608А, П609,
П609А................................... 25...35*...50* В
П608Б, П609Б............................ 40...50*...70* В
Т= +70 °C:
П607, П607А, П608, П608А, П609,
П609А, не менее......................... 20 В
П608Б, П609Б, не менее.................. 39 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер:
при /к = 0,2 А, /Б = 20 мА для П607......... 0,63*...0,94*...
2 В
при /к = 0,2 А, 4 = Ю мА для П607А,
П608, Пв086, П609........................... 0,63*...0,94*...
2 В
при /к = 0,2 А, /Б = 5 мА для П608А,
П609А, П609Б................................ 0,63*...0,94*...
2 В
Напряжение насыщения база—эмиттер:
при 4 = 0,2 А, /6 = 20 мА для П607.......... 0,36*...0,4*...
0,6 В
при /к = 0,2 А, /Б = 10 мА для П607А,
П608, П608Б, П609........................... 0,36*...0,4*...
0,6 В
при /к = 0,2 А, /Б = 5 мА:
П608А, П609А, П609Б..................... 0,36*...0,4*...
0,6 В
П607, П607А............................. 3...6*...10* В
П608, П608А,	П608Б................... 4,5...8*...13 В
П609, П609А,	П609Б................... 6...11*...15* В
Время рассасывания при f= 1...10 кГц:
4 = 0,2 А, /Б = 20 мА для П607.............. 0,6*... 1,1*...
3 мкс
4 = 0,2 А, 4 = К) мА для П607А, П608,
П608Б, П609................................. 0,6*... 1,1*...
3 мкс
4 = 0,2 А, 4 = 5 мА для П6О8А, П609А,
П699Б....._„................................ 0,6*...1,1*...
3 мкс
348
Обратный ток коллектора, не более:
при Т = +20 °C:
(/КБ = 30 В для П607, П607А, П668,
П608А, П609, П609А................. 300 мкА
1/КБ = 50 В для П608Б, П609Б....... 500 мкА
типовое значение................... 9* мкА
при Т = +70 °C:
(/КБ = 30 В для П607, П607А, П608,
П608А, П609, П609А................. 3000 мкА
(/кв = 50 В для П608Б, П609Б....... 5000 мкА
Обратный ток коллектор—эмиттер, не более:
при Т = +20 °C, /?БЭ = 100 Ом:
£/кэ = 25 В для П607, П607А, П608,
П608А, П609, П609А................. 500 мкА
(7КЭ = 40 В для П608Б, П609Б....... 500 мкА
типовое значение................... 12* мкА
при Т = +70 °C, /?БЭ = 10 Ом:
(7КЭ = 20 В для П607, П607А, П608,
П608А, П609, П609А................. 3000 мкА
(/кэ = 30 В для П608Б, П609Б....... 5000 мкА
Обратный ток эмиттера при (УЭБ = 1,5 В,
не более:
7=+20 °C.................................. 500 мкА
типовое значение....................... 2* мкА
Г =+70 °C.............................. 2000 мкА
Емкость коллекторного перехода
при (/КБ = 10 В, f= 5 МГц................. 16*...21*...
50 пФ
Емкость эмиттерного перехода при 1/ЭБ = 0,5 В,
f= 5 МГц, не более........................ 500* пФ
Крутизна передаточной характеристики
при (7КЭ = 5 В, /к = 0,05 мА, типовое значение 0,14 А/В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
при ЯБЭ = 100 Ом, Т= -60...+20 °C:
П607, П607А, П608, П608А, П609,
П609А.............................. 25 В
П608Б, П609Б....................... 40 В
при /?бэ = 10 Ом, Т = +70 °C:
П6О7, П607А, П608, П608А, П609,
П609А.............................. 20 В
П608Б, П609Б....................... 30 В
349
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 1,5 В
Постоянное напряжение коллектор—база:
П607, П607А, П608, П608А, П609, П609А. 30 В
П608Б, П609Б......................... 50 В
Постоянный ток коллектора................ 300	мА
Импульсный ток коллектора при 10 мс,
Q > 2 .................................. 600 мА
Импульсный ток базы при < 10 мс, Q > 2.... 150 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при < 20 В и Т= -60... Тк = +40 'С . 1,5 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус... 15 °С/Вт
Температура окружающей среды  .......... —60...+70 °C
1 При > 20 В и Тк> +40 *С рассеиваемая мощность коллектора должна
снижаться в соответствии с приведенными ниже зависимостями.
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 3 мм
от корпуса. Температура пайки не более +260 °C, время пайки
не более 10 с.
При включении транзисторов в цепь, находящуюся под
напряжением, коллекторный контакт должен присоединяться
последним и отключаться первым.
Не рекомендуется работа транзистора при рабочих токах,
соизмеримых с неуправляемыми токами во всем диапазоне
рабочих температур.
Входные характеристики
Зависимость напряжения коллек-
тор—эмиттер от сопротивления
база—эмиттер
Зависимость напряжения на-
сыщения коллектор—эмиттер
от импульсного тока коллек-
тора
Зависимости максимально допусти-
мой мощности рассеивания коллек-
тора от температуры
Зависимости максимально допусти-
мой мощности рассеивания коллек-
тора от температуры
КТ501А, КТ501Б, КТ501В, КТ501Г, КТ501Д, КТ501Е,
КТ501Ж, КТ501И, КТ501К, КТ501Л, КТ501М
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р усилительные. Предназначены для применения в
усилителях низкой частоты, операционных, дифференциаль-
ных и импульсных усилителях, преобразователях. Выпускают-
ся в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип
прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,6 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
351
КТ50КА-М)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ:
при = 1 В, /к = 30 мА:
КТ501А, КТ501Г, КТ501Ж, КТ501Л..... 20...60
КТ501Б, КТ501Д, КТ501И, КТ501М..... 40...120
КТ501В, КТ501Е, КТ501К.......... 80...240
при С/Кэ = 1 В, 4, и = 0,5 А, не менее. 6
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при ию = 5 В, /к = 10 мА,
не менее.................................. 5 МГц
Коэффициент шума при С/КБ = 3 В, /к = 0,2 мА,
/?г = 3 кОм, f- 1 кГц, не более........... 4 дБ
типовое значение....................... 2* дБ
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер,
не более:
при 4 = 0,3 А, /Б = 0,06 А............. 0,4 В
при 4.И = 0,5 А, 4 = 0,1 А............. 0,7 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 0,3 А, 4 = 0,06 А, не более...... 1,5 В
Обратный ток коллектор—эмиттер
при С4эк= ^кэк, макс, ^бэ = 10 кОм, не более ... 1 мкА
Обратный ток эмиттера при С4э ~ ^4э, макс,
не более.................................. 1 мкА
Емкость коллекторного перехода
при 6/КБ = 10 В, f= 500 кГц, не более..... 50 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Ua = 0,5 В,
f= 500 кГц, не более...................... 100* пФ
352
Предельные эксплуатационные данные
Постоянные напряжения коллектор—база
и коллектор—эмиттер при R& С 10 кОм,
Т= +25...+125 °C:
КТ501А, КТ501Б, КТ501В.................. 15	В
КТ501Г, КТ501Д, КТ501Е............... 30	В
КТ501Ж, КТ501И, КТ501К............... 45	В
КТ501Л, КТ501М....................... 60	В
Постоянное напряжение база—эмиттер:
при Т- -60...+125 °C для КТ501А,
КТ501Б, КТ501В, КТ501Г, КТ501Д, КТ501Е 10 В
при Г= +25...+125 °C для КТ501Ж,
КТ501И, КТ501К, КТ501Л, КТ501М ......... 20 В
Постоянный ток	коллектора............... 0,3 А
Импульсный ток	коллектора............... 0,5 А
Постоянный ток	базы..................... 0,1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Т = —60...+35 °C................ 0,35 Вт
Температура р-п перехода................. +150 °C
Температура окружающей среды............. —60...+ 125 °C
При включении транзистора в цепь, находящуюся под на-
пряжением, базовый контакт присоединяется первым и отклю-
чается последним.
Расстояние от места сгиба до корпуса транзистора не
менее 3 мм с радиусом закругления 1,5...2 мм. Пайка выводов
допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора.
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р универсальные. Предназначены для применения в
усилителях низкой частоты, операционных, дифференциаль-
ных и импульсных усилителях, преобразователях. Выпускают-
ся в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора
указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Изготовитель — акционерное общество «Элекс», г. Але-
ксандров.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при £/кэ = 5 В, /э = 10 мА:
КТ502А, КТ502В, КТ502Д, КТ502Е....... 40... 120
КТ502Б, КТ502Г...................... 80...240
12-835	353
КТ502(А-Е)
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 5 В, /э = 3 мА,
не менее................................. 5 МГц
Граничное напряжение при /э = 10 мА,
С 30 мкс, О 100, не менее:
КТ502А,	КТ502Б..-.................. 25	В
КТ502В,	КТ502Г..................... 40	В
КТ502Д............................... 60	В
КТ502Е............................... 80	В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 10 мА, 4 = 1 мА, не более...... 0,6 В
типовое значение...................   0,15*	В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 10 мА, /Б = 1 мА, не более..... 1,2 В
типовое значение..................... 0,8* В
Обратный ток коллектора при t/№ = Ua
не более................................ 1 мкА
Емкость коллекторного перехода
при У№=5 В, f= 465 кГц, не более........ 20 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ502А, КТ502Б......................... 40	В
КТ502В, КТ502Г...................... 60	В
КТ502Д.............................. 80	В
КТ502Е.............................. 90	В
Постоянное напряжение база—эмиттер..... 5 В
Постоянный ток коллектора............... 0,15	А
354
Импульсный ток коллектора при <й С 10 мс,
О» 100 ................................. 0,35 А
Постоянный ток базы..................... 0,1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора.................................... 0,35 Вт
Температура р-п перехода................ +125 °C
Температура окружающей среды............ —40...+85 °C
Изгиб выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса
транзистора с радиусом закругления 1,5...2 мм; при этом дол-
жны приниматься меры, исключающие передачу усилий на
корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается.
Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 5 мм
от корпуса. При пайке жало паяльника должно быть зазем-
лено.
2Т505А, 2Т505Б, 2Т505А-5, КТ505А, КТ505Б
Транзисторы кремниевые планарные структуры р-п-р пере-
ключательные. Предназначены для применения в источниках
вторичного электропитания и переключающих, устройствах.
Транзисторы 2Т505А, 2Т505Б, КТ505А, КТ505Б выпускаются в
металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибки-
ми выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Транзистор
2Т505А—5 выпускается в виде неразделенных кристаллов на
пластине с контактными площадками для гибридных интеграль-
ных микросхем. Тип прибора указывается на этикетке.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 2 г,
кристалла не более 0,003 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск. бГ kv	2Т505(А,Б). КТ505(А,Б) 7 05 -г—			• /Г J П	ъ * Г		-	—- - >	66	155
12'
355
2Т505А-5
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 6/КБ = 10 В, /э = 0,5 А:
Г =+25 °C............................. 25...120*...140*
Т= +125 °C для 2Т505А, 2Т505Б,
2Т505А—5, не менее..................... 18
Т= -60 °C для 2Т505А, 2Т505Б,
2Т505А-5, не менее..................... 15
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при С/КБ = 10 В, /э = 0,05 А ... 20...30*...
40* МГц
Граничное напряжение при 4 ~ Ю А,
4 = 300 мкс, О = 100, не менее:
2Т505А, 2Т505А-5, КТ505А............... 250 В
типовое значение....................... 270* В
2Т505Б, КТ505Б......................... 200 В
типовое значение....................... 230* В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 0,5 А, /Б = 0,1 А................ 0,15...0,7... 1,8 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 0,5 А, /Б = 0,1 А................ 1,35...1,6...
1,8 В
Пробивное напряжение коллектор—база
ПРИ 4б о = мА, не менее:
2Т505А................................. 300 В
типовое значение....................... 320* В
356
2Т505Б................................. 250 3
типовое значение....................... 280* В
Пробивное напряжение база—эмиттер
при 4бо ~ 0,5 мА, не менее................ 5 В
типовое значение....................... 6* В
Время включения при 'U^ = 40 В, /к = 0,2 А,
/Б = 0,02 А............................... 0,2*...0,25*...
0,3 мкс
Время выключения при = 40 В, /к = 0,2 А,
/Б = 0,02 А............................... 1,7*...2,7*...
3,5 мкс
Время рассасывания при = 40 В, /к = 0,2 А,
/Б = 0,02 А............................... 0,7*...1,6*...
2,6 мкс
Обратный ток коллектора, не более:
Т = +25 ’С:
2Т505А, 2Т505А-5, КТ505А
при UKb = 300 В.................... 100 мкА
2Т505Б, КТ505Б при U№ = 250 В...... 100 мкА
Т= +125 °C:
2Т505А, 2Т505А-5 при t/KB = 250 В .... 500 мкА
2Т505Б при С/КБ = 200 В............ 500 мкА
Обратный ток эмиттера при t/3B = 5 В,
не более.................................. 100 мкА
Емкость коллекторного перехода
при 6/кб = 5В............................. 27*...50*...
70 пФ
Емкость эмиттерного перехода
при иэъ = 0,5 В........................... 320*...420*...
500 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база1: •
2Т505А, 2Т505А-5, КТ505А............... 300 В
2Т505Б, КТ505Б......................... 250 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер1:
^бэ = ЮО Ом:
2Т505А, 2Т505А-5, КТ505А........... 300	В
2Т505Б, КТ505Б...................... 250	В
/?ЭБ = °°:
2Т505А, 2Т505А-5, КТ505А........... 250	В
2Т505Б, КТ505Б..................... 200	В
Постоянное напряжение эмиттер—база........ 5 В
Скорость нарастания обратного напряжения dt//df £ 250 В/мкс.
357
Постоянный ток	коллектора1.............. 1 А
Импульсный ток коллектора2 при = 2 мкс,
0=2....................................... 2А
Постоянный ток	базы..................... 0,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’при 7"к = —60...+25 °C:
с теплоотводом........................... 5 Вт
без теплоотвода....................... 1 Вт
Тепловое сопротивление	переход—среда..... 150 °С/Вт
Температура р-п перехода
2Т505А, 2Т505Б, 2Т505А-5................. +175	°C
КТ505А, КТ505Б........................ +150	°C
Температура окружающей среды
2Т505А, 2Т505Б, 2Т505А-5................. -60... Гк =
= +125 °C
КТ505А, КТ505Б........................ -6О...ГК =
= +100 °C
’ Без превышения значения постоянной рассеиваемой мощности коллек-
тора.
1 При Q > 2 ток рассчитывается по формуле
4. и, макс = 4. и, иаксФ
3 При Гк > +25 °C максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора снижается линейно до 2 Вт с теплоотводом и до 0,4 Вт без
теплоотвода.
Расстояние от корпуса транзистора до начала изгиба и
пайки выводов не менее 3 мм. Температура пайки не более
+260 °C, время пайки 3 с.
Зависимости тока ба-
зы от напряжения ба-
за—эмиттер
Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от то*а
эмиттера
Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эмиттер от тока
коллектора
353
Зависимость напряже-
ния насыщения база-
эмиттер от тока кол-
лектора
Зависимость времени
спада от напряжения
коллектор—эмиттер
Зависимость пробивно-
го напряжения коллек-
тор—эмиттер от сопро-
тивления в цепи база—
эмиттер
Зависимость допустимой рассеивае-
мой мощности коллектора от темпе-
ратуры
Зависимость допустимой рассеивае-
мой мощности коллектора от темпе-
ратуры корпуса
Области максимальных режимов
2Т509А, 2Т509А-5
Транзисторы кремниевые планарные структуры р-п-р уси-
лительные. Предназначены для применения в высоковольтных
стабилизаторах напряжения в качестве регулирующих элемен-
тов и в высоковольтных усилителях в микротоковых режимах.
Транзистор 2Т509А выпускается в металлическом корпусе со
стеклянными изоляторами и гибкими выводами. Тип прибора
указывается на корпусе. Транзистор 2Т509А—5 выпускается в
виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными
площадками для гибридных интегральных микросхем. Тип при-
бора указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 2 г,
кристалла не более 0,0007 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
2Т509А
360
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 6/КБ = 10 В, /э = 0,1 мА:
Т = +25 °C............................ 15...100*
Т = +85 °C, не менее.................. 15
Т = —60 °C, не менее.................. 10
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 6/КБ = 10 В, /э = 0,5 мА... 10 МГц
типовое значение..................... 15 МГц
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 100 мкА, /Б = 10 мкА........... 1 В
типовое значение...................... 0,55* В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 100 мкА, /Б = 10 мкА........... 1 В
типовое значение...................... 0,58* В
Пробивное напряжение коллектор—эмиттер
при /к = 100 мкА, /?БЭ = 10 кОм для 2Т509А,
не менее................................. 450 В
Постоянная времени цепи обратной свя-
зи на высокой частоте при 6/КБ = 10 В,
/э = 0,1 мА, f= 5 МГц для 2Т509А......... 8*...52*...
500 пс
Обратный ток коллектора при 6/КБ = 500 В,
Т = +25...+85 °C, не более............... 5 мкА
типовое значение...................... 0,4* мкА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при UK3 = 450 В, /?БЭ = 10 кОм, не более. 10 мкА
типовое значение...................... 0,45* мкА
Обратный ток эмиттера при 6/ЭБ = 5 В,
не более................................. 5 мкА
типовое значение...................... 0,3* мкА
Емкость коллекторного перехода
при 6/КБ = 100 В, не более............... 2,9* пФ
Емкость эмиттерного перехода
при изъ = 0,5 В, не более................ 25* пф
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база
при dU/dt = 150 В/мкс.................... 500 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 10 кОм, dU/dt- 150 В/мкс...... 450 В
Постоянное напряжение эмиттер—база....... 5 В
Постоянный ток коллектора при Рк РК1 МАКС .. 20 мА
361
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —60...+25 °C:
с теплоотводом (в условной микросхеме
для 2Т509А-5)1............................ 1 Вт
без теплоотвода (в условной микросхеме
для 2Т509А—5)1 2....................... 0,3 Вт
кристалла без теплоотвода3............. 25 мВт
Температура р-п перехода ................. +150 °C
Температура окружающей среды.............. —60...+85 °C
1 При Тг > +25 ’С Рк уменьшается линейно на 8 мВт/°С.
2 При Т > +25 "С МАКС уменьшается линейно на 3,3 мВт/°С.
3 При Т > +25 ’С Рцндкс уменьшается линейно на 0,2 мВт/’С.
Пайка выводов транзистора рекомендуется не ближе 3 мм.
Температура пайки не более +260 °C, время пайки не более
3 с.
Зависимости электрических параметров транзисторов
2Т509А—5 аналогичны зависимостям 2Т509А.
Зависимости тока базы от напряже-
ния база—эмиттер
Зависимости тока коллектора от на-
пряжения коллектор—эмиттер
Зависимости тока коллектора от на-
пряжения коллектор—эмиттер
Зависимости тока коллектора от на-
пряжения коллектор-—эмиттер
362
Ьнз
Зависимость статического коэффи-
циента передачи тока от тока эмит-
тера
Зависимость напряжения насыще-
ния коллектор—эмиттер от тока
коллектора
Зона возможных положе-
ний зависимости пробив-
ного напряжения коллек-
тор—эмиттер от сопроти-
вления база—эмиттер
Зависимость допустимой рассеивае-
мой мощности коллектора от темпе-
ратуры корпуса
Зависимость допустимой рассеивае-
мой мощности коллектора от темпе-
ратуры
ГТ701А
Транзистор германиевый сплавной структуры р-п-р уни-
версальный. Предназначен для применения в системах зажига-
ния двигателей внутреннего сгорания, а также в преобразова-
телях напряжения. Допускается применять в условиях импульс-
363
ных перегрузок по напряжению и мощности. Выпускается в
металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибки-
ми выводами. Тип прибора указан на корпусе.
Масса транзистора не более 25 г. Масса крепежного флан-
ца не более 7,5 г.
Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Ташкент.
ГТ701А
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 2 В, /к = 5 А, не менее . 10
типовое значение...................... 15*
Предельная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при С/КБ = 20 В, 4 = 0,1 А,
не менее................................ 50 кГц
Граничное напряжение при 4 = 2,5 А,
не менее:
Г =+25 °C............................ 100 В
Т = -55 и +70 °C..................... 90 В
Обратный ток коллектора при С4в = 60 В,
не более:
Т= +25 °C............................ 6 мА
Т= -55 и +70 °C...................... 30 мА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при Z/q = 100 В, С/БЭ = 1,5 В, не более. 50 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер . 55 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при С/ьэ = 0,5 В, = 1 мс, 0>Ю........... 100 В
364
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при Ub3 = 0,56 В, Ги = 0,3 мс, О > 10.. 140 В
Постоянное напряжение база—эмиттер..... 15 В
Постоянный ток коллектора.............. 12 А
Постоянный ток базы в режиме включения. 0,15 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
Г =+25 °C........................... 50 Вт
Тк = +55 °C......................... 25 Вт
Гк =+70 °C.......................... 8,3 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Ги = 1 мс, 10:
7=+25 °C.—.......................... 1200 Вт
Гк =+75 °C.......................... 700 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 1,2 °С/Вт
Температура р-п перехода............... +85 °C
Температура окружающей среды........... -50...+70 °C
1Т702А, 1Т702Б, 1Т702В
Транзисторы германиевые сплавные структуры р-п-р уни-
версальные низкочастотные мрщные. Предназначены для при-
менения в усилителях мощности низкой частоты, преобразова-
телях напряжения, импульсных устройствах. Выпускаются в
металлокерамическом корпусе с гибкими выводами. Тип при-
бора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 23 г.
Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Ташкент.
1Т702(А-В)
________________175_
4Z7
365
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при (7К6 = 1,5 В, /к = 30 А:
1Т702А, 1Т702Б...................... 15...100
1Т702В, не менее.................... 20
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при f = 10 кГц, (7К6 = 1,5 В,
/к = 4 А, не менее..................... 12
Граничное напряжение при /к = 2,5 А,
не менее:
Т= +25 °C:
1Т702А. 1Т702Б................... 60 В
1Т702В........................... 40 В
Тк = +70 °C:
1Т702А, 1Т702Б...................... 45	В
1Т702В........................... 30	В
Г = -60 °C:
1Т702А, 1Т702Б...................... 45	В
1Т702В........................... 35	В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 30 А, /Б = 3 А, не более:
1Т702А, 1Т702В...................... 0,6 В
1Т702Б.............................. 1,2 В
Обратный ток коллектора при £/КБ = 60 В,
не более:
Г =+25 °C........................... 12	мА
Тк = +70 °C......................... 30	мА
Г=-60°С............................. 10	мА
Обратный ток эмиттера при (/Бэ = 4 В,
не более................................ 2	мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при и^э = 3 В:
1Т7О2А, 1Т702Б...................... 60 В
1Т702В.............................. 40 В
Постоянное напряжение	коллектор—база.... 60 В
Постоянное напряжение	база—эмиттер...... 4 В
Постоянный ток коллектора............... 30 А
Постоянный ток базы..................... 5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
с теплоотводом:
7"к =+30 °C......................... 150 Вт
366
Гк = +50 °C..................... 80 Вт
Гк = +65 °C..................... 30 Вт
без теплоотвода, Т = +25 °C......... 5 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус.. 0,3 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—окружаю-
щая среда.............................. 10 °С/Вт
Температура р-п перехода............... +75 °C
Температура окружающей среды........... —60...7к =
= +70 °C
Не допускается отсоединение цепи базы транзистора пои
наличии напряжения между коллектором и эмиттером.
ГТ703А, ГТ703Б, ГТ703В, ГТ703Г, ГТ703Д
Транзисторы германиевые сплавные структуры р-п-р уси-
лительные. Предназначены для применения в усилителях мощ-
ности низкой частоты. Выпускаются в металлическом корпусе
со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Тип при-
бора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 15 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
ГТ705(А,Б,В,и)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 1 В, /э = 0,05 А:
Т= +25 °C:
ГТ703А, ГТ703В............................. 30...70
ГТ703Б, ГТ703Г......................... 50...100
ГТ703Д................................. 20...45
367
Т= +55 °C:
ГТ703А, ГТ703В....................... 30...100
ГТ703Б, ГТ703Г................... 50...150
ГТ703Д.............................. 20...70
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 2 В, /к = 0,5 А,
не менее................................... 10 кГц
Линейность статического коэффициента пере-
дачи тока
К = (Л21э при L = 0,05 А)/(ЛгЬ при 4 = 1,5 А). 0,6...1,5
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 3 А, /6 = 0,225 А, не более....... 0,6 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 3 А, 4 = 0,225 А, не более........ 1 В
Обратный ток коллектора при U№ = 20 В
для ГТ703А, ГТ703В и (/КБ = 30 В для ГТ703Б,
ГТ703Г, ГТ703Д, не более................... 0,5 мА
Обратный ток эмиттера при иа = 10 В........ 0,5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при 7^э = 50 Ом:
ГТ703А, ГТ703Б......................... 20 В
ГТ703В, ГТ703Г......................... 30 В
ГТ703Д................................. 40 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при 7^э = 50 Ом, 4 = 1 мс, Q > 10:
ГТ703А, ГТ703Б......................... 25	В
ГТ703В, ГТ703Г......................... 35	В
ГТ703Д................................. 50	В
Постоянный ток коллектора.................. 3,5	А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1:
с теплоотводом, Т = —40... Гк = +40 °C. 15 Вт
без теплоотвода, Т = —40...+35 °C...... 1,6 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус...... 3 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—среда....... 30 °C
Температура р-п перехода................... +85 °C
Температура окружающей среды............... —40... Тк =
= +55 °C
’ При 7К > +40 ’С для транзисторов с теплоотводом
^иакс = (85 - гк)/3. Вт;
для транзисторов без теплоотвода
млкс =(85- П/30, Вт.
368
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 6 мм
от корпуса любым способом (пайка, сварка, пайка погружени-
ем и т. п.) при условии, что температура в любой точке корпу-
са не превышает предельно допустимую температуру окружа-
ющей среды.
При включении транзисторов в электрическую цепь кол-
лекторный вывод должен присоединяться последним и отсо-
единяться первым.
Не рекомендуется эксплуатация транзисторов при рабочих
токах, соизмеримых с неуправляемыми обратными токами.
2Т708А, 2Т708Б, 2Т708В
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры р-п-р
составные переключательные. Предназначены для применения
в усилителях и переключающих устройствах. Выпускаются в
металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибки-
ми выводами. Тип прибора указан на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
2Т708(А-В)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при U№ = 5 В, /э = 2 А, не менее:
7 = +25 °C:
2Т708А............................ 500
2Т708Б, 2Т708В.................... 750
7 = -60 °C:
2Т708А..........................   150
2Т708Б, 2Т708В.................... 200
369
Т= +125 °C:
2Т708А.................................. 400
2Т708Б, 2Т708В......................... 600
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при (УКБ = 10 В, 4 = 5 А, не менее:
2Т708А........................................ 150*
типовое значение.......................... 400*
2Т708Б, 2Т708В............................ 250*
типовое значение.......................... 600*
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при UKb = 5 В, 4 = 0,1 А,
не менее...................................... 3* МГц
Граничное напряжение при 4 = 50 мА,
4 С 30 мкс, Q > 100:
2Т708А.................................... 80...90*...
100* В
2Т708Б.................................... 60...70*...80*	В
2Т708В.................................... 40...50*...60*	В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 2 А, 4 = 0,01 А....................... 1,1*...1,4*...2 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 2 А, 4 = 0,01 А....................... 1,7*...2*...2,5 В
Пробивное напряжение коллектор—эмиттер
при Ли С 1 кОм, 4э r = 1 мА:
2Т708А.................................... 100... 130*...
150* В
2Т708Б.................................... 80...88*...
100* В
2Т708В.................................... 60...72*...80* В
Пробивное напряжение коллектор—база:
при 4б о = 1 мА, Т = +25 °C:
2Т708А.................................... 100... 130*...
150* В
2Т708Б................................. 80...88*...
100* В
2Т708В................................. 60...75*...80* В
при 4б о = 1 мА, Т = —60 °C
и при 4бо = 5 мА, Г = +125 °C, не менее:
2Т708А............:................... 100 В
2Т708Б................................. 80 В
2Т708В................................. 60 В
Пробивное напряжение эмиттер—база
при	4бо = 5 мА............................... 5...6*...10*	В
Время включения при 4 = 2 А, 4 = 0,01 А,
4 =	25 мкс................................... 0,5*...0,8*...
1* мкс
370
Время выключения при /к = 2 А, 4 = 0,01 А,
4 = 25 мкс................................. 1,8*...2,3*...
4* мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер’
при /?БЭ < 1 кОм, Т = —60... Гк = +55 °C:
2Т708А.....................................	100 В
2Т708Б.................................. 80 В
2Т708В.................................. 60 В
Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т708А..................................... 100 В
2Т708Б.................................. 80 В
2Т708В.................................. 60 В
Постоянное напряжение эмиттер—база......... 5 В
Постоянный ток коллектора2................. 2,5 А
Импульсный ток коллектора при 4 < 2 мс,
О> 22 3................................... 5 А
Постоянный ток базы2....................... 0,1 А
Импульсный ток базы при 4 2 мс, О > 213.. 0,16 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
с теплоотводом, Т = —60... Гк = +25 °C4.... 5 Вт
без теплоотвода, Т = —60...+25 °C4...... 0,7 Вт
Температура р-п перехода................... +150 °C
Температура окружающей среды............... —60... Гк =
__________	= +125 °C
’ При Тк > +55 ’С напряжение снижается линейно.
2 Без превышения значения постоянной рассеиваемой мощности коллек-
тора.
’ При Q S 2 токи рассчитываются по формулам
4. и, макс = 4 макс® А;
4 и, макс “ 4, макс® А.
4 При Гк = +25... 125 *С при использовании транзистора с теплоотводом и
при Т = +25... 125 °C при использовании транзистора без теплоотвода рассеива-
емая мощность коллектора снижается линейно.
Расстояние от корпуса до начала изгиба вывода транзи-
стора не менее 3 мм.
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 3 мм от
корпуса. Температура пайки не более +260 °C, время пайки 3 с.
При включении питающих напряжений, а также при пере-
ходных процессах не допускается превышение области макси-
мальных режимов. При работе с пиковой мощностью при дли-
тельности, промежуточной для значений, приведенных на об-
ласти максимальных режимов, не рекомендуется превышать
371
границы области максимальных режимов для ближайшего боль-
шего значения длительности.
Зависимости тока базы от напряже-
ния база—эмиттер
Зависимости тока коллектора от на-
пряжения коллектор—эмиттер
Зависимости статического коэффи-
циента передачи тока от тока змит-
Зависимости статического коэффи-
циента передачи тока от напряже-
ния коллектор—база
Зависимости напряжений насыще-
ния коллектор—эмиттер и база—
эмиттер от тока коллектора
Зависимость допустимого постоян-
ного напряжения коллектор—эмит-
тер от сопротивления в цепи база-
эмиттер
372
Зависимости допустимого постоян-
ного напряжения коллектор-эмит-
тер от температуры корпуса
Зависимость допустимой рассеивае-
мой мощности коллектора от темпе-
ратуры
Зависимость допустимой рассеивае-
мой мощности коллектора от темпе-
ратуры корпуса
Области максимальных режимов
2Т709А, 2Т709Б, 2Т709В, 2Т709А2, 2Т709Б2, 2Т709В2
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры р-п-р
составные усилительные. Предназначены для применения в
усилителях и переключающих устройствах. Транзисторы
2Т709А—2Т709В выпускаются в металлическом корпусе со сте-
клянными изоляторами и жесткими выводами. Транзисторы
2Т709А2—2Т709В2 выпускаются в пластмассовом корпусе с
жесткими выводами.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 9 г,
в пластмассовом корпусе не более 2,5 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
373
27709?A-В)
23
2Т709(А2-В2)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ, не менее:
при £/КБ = 5 В, 4 = 5 А:
Т = +25 °C:
2Т709А, 2Т709А2.................. 500
2Т709Б, 2Т709В, 2Т709Б2,
2Т709В2......................... 750
Т= +125 °C:
2Т709А........................... 500
2Т709Б, 2Т709В.................. 750
Г= -60 °C:
2Т709А........................... 200
2Т709Б, 2Т709В.................. 300
374
при UK6 = 5 В, 4 = 10 А, Г= +25 °C:
2Т709А................................. 200
типовое значение...................... 500*
2Т709Б, 2Т709В........................ 300
типовое значение...................... 600*
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при U№ = 5 В, 4 = 0,5 А,
не менее..................................... 3* МГц
Граничное напряжение при /КБ0 = 0,1 А,
7И = 300 мкс, Q= 100:
2Т709А, 2Т709А2........................... 80...90*...
100* В
2Т709Б, 2Т709Б2........................... 60...70* ..80*	В
2Т709В, 2Т709В2 .......................... 40...50*...60*	В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 5 А, /Б = 0,02 А.................... 1,1*..1,4*..2 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 5 А, /Б = 0,02 А.................... 1,8*...2*...3 В
Пробивное напряжение коллектор—база:
Т = —60 и +25 °C при 4бо = 1 мА:
2Т709А, 2Т709А2 ....................... 100...120*...
150* В
2Т709Б, 2Т709Б2....................... 80...90*...
100* В
2Т709В, 2Т709В2........................ 60...70*...80*	В
Т = +125 °C при /КБ0 = 5 мА, не менее:
2Т709А............................... 100 В
2Т709Б................................ 80 В
2Т709В................................ 60 В
Пробивное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 1 кОм, /к = 1 мА:
2Т709А.................................... 100...120*...
150* В
2Т709Б.................................... 80...90*...
100* В
2Т709В.................................... 60...80*...90* В
Пробивное напряжение база—эмиттер
при 4б о = 5 мА, не менее.................... 5 В
Время включения при /к = 5 А, /Б = 0,02 А.... 0,8*... 1,4*...
2* мкс
Время выключения при /к = 5 А, 4 = 0,02 А ... 2*...3*„.
4,5* мкс
Емкость коллекторного перехода
при (/КБ = 5 В, не более:
2Т709А, 2Т709Б, 2Т7О9В.................... 230* пФ
375
типовое значение....................... 150* пФ
2Т709А2, 2Т709Б2, 2Т709В2.............. 250* пФ
Емкость эмиттерного перехода
при £/э6 = 0,5 В, не более:
2Т709А, 2Т709Б, 2Т709В.................... 460* пФ
типовое значение....................... 250* пФ
2Т709А2, 2Т709Б2, 2Т709В2.............. 1000* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т709А, 2Т709А2....................... 100 В
2Т709Б, 2Т709Б2....................... 80 В
2Т709В, 2Т709В2....................... 60 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер1
при /?БЭ = 1 кОм:
Т= -60...+55 °C:
2Т709А, 2Т709А2........................ 100	В
2Т709Б, 2Т709Б2....................   80	В
2Т709В, 2Т709В2...................... 60	В
7" = ^МАКС:
2Т709А.................................. 80	В
2Т709Б............................... 60	В
2Т709В............................... 50	В
2Т709А2.............................. 85	В
2Т709Б2.............................. 65	В
2Т709В2.............................. 55	В
/?ЭБ = оо, т= -60...+55 'С:
2Т709А, 2Т709А2.................... 80 В
2Т709Б, 2Т709Б2.................. 60 В
2Т709В, 2Т709В2.................... 40	В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 5 В
Постоянный ток коллектора............... 10 А
Импульсный ток коллектора1 2 при = 2 мс
для 2Т709А, 2Т709Б, 2Т709В, 7И = 5 мс
для 2Т709А2, 2Т709Б2, 2Т709В2, О= 2.... 20 А
Постоянный ток базы...................... 0,2	А
Импульсный ток базы при 7И = 2 мс
для 2Т709А, 2Т709Б, 2Т709В, 7И = 5 мс
для 2Т709А2, 2Т709Б2, 2Т709В2, 0= 2..... 0,3 А
1 В указанном интервале температур максимально допустимое постоянное
напряжение коллектор—эмиттер уменьшается линейно.
2 При Qi 2
4, и м*кс = 'к. makcQ А
376
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
с теплоотводом:
Гк = —60...+25 °C..................... 30 Вт
Гк = +125 'С для 2Т709А, 2Т709Б,
2Т709В............................. 6 Вт
Гк = +100 °C для 2Т709А2, 2Т709Б2,
2Т709В2............................ 12 Вт
без теплоотвода:
Тк = -60...+25 °C:
2Т709А, 2Т709Б, 2Т709В............. 2 Вт
2Т709А2, 2Т709Б2, 2Т709В2...... 1 Вт
Тк = +125 °C для 2Т709А, 2Т709Б,
2Т709В............................. 0,4 Вт
Тк = +100 °C для 2Т709А2, 2Т709Б2,
2Т709В2............................ 0,4 Вт
Температура р-п перехода.................. +150 °C
Температура окружающей среды:
2Т709А, 2Т709Б, 2Т709В................. -60... Тк	=
= +125 °C
2Т709А2, 2Т709Б2, 2Т709В2.............. -60... Тк	=
= +100 °C
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм
от корпуса.
Зависимости электрических параметров транзисторов
2Т709А2—2Т709В2 аналогичны зависимостям 2Т709А—2Т709В.
Зона возможных положений зави-
симости напряжения насыщения
коллектор—эмиттер от тока кол-
лектора
Uk3 m, В
Зона возможных положений зави-
симости напряжения насыщения
коллектор—эмиттер от тока кол-
лектора
377
Зона возможных положений зави-
симости напряжения насыщения
коллектор—эмиттер от тока кол-
лектора
Зона возможных положений зави-
симости напряжения насыщения
коллектор—эмиттер от тока кол
лектора
и&ик, В
Зона возможных положений зави-
симости напряжения насыщения
база—эмиттер от тока коллектора
Зона возможных положений зави-
симости напряжения насыщения
база—эмиттер от тока коллектора
-60-60-20 0 25 50 75 Тк,’[
Зависимости статического коэффи-
циента передачи тока от напряже-
ния коллектор—база
Зависимости статического коэф-
фициента передачи тока от тем-
пературы корпуса
378
Зависимость статического
коэффициента передачи
тока от тока эмиттера
Зависимости допустимой рассеивае-
мой мощности коллектора от темпе-
ратуры корпуса
Зависимости допустимого напряже-
ния коллектор—эмиттер от темпера-
туры корпуса
Области максимальных ре-
жимов
Зависимость допустимого напряже-
ния коллектор—эмиттер от сопро-
тивления в цепи база—эмиттер
379
КТ712А, КТ712Б
КТ712(А,Б)
Транзисторы кремние-
вые эпитаксиально-планар-
ные структуры р-п-р состав-
ные усилительные. Предна-
значены для применения в
источниках вторичного элек-
тропитания и стабилизаторах
напряжения. Корпус пласт-
массовый с жесткими выво-
дами. Тип прибора указыва-
ется на корпусе.
Масса транзистора не
более 2,5 г.
Изготовитель — акцио-
нерное общество «Крем-
ний», г. Брянск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при (/КБ - 5 В, 4 = 2 А:
Т = +25 °C:
КТ712А................................. 500... 1500...
10000
КТ712Б.............................. 400... 1500...
10000
Г= +100 °C:
КТ712А, не менее.................... 500
КТ712Б, не менее.................... 400
Т= -45 °C:
КТ712А, не менее.................... 100
КТ712Б, не менее.................... 100
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при £/КБ = 5 В, /э = 0,5 А,
не менее................................... 3 МГц
Граничное напряжение при /к = 0,05 А,
не менее:
КТ712А................................. 160 В
КТ712Б................................. 150 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 2 А, /Б = 0,01 А.................. 0,9* ..1,1*.-2 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 2 А, 4 = 0,01 А................... 0,8*...1,5*...3 В
380
Пробивное напряжение коллектор—база
при £4б = 1 МА, не менее:
КТ712А.................................. 200 В
КТ712Б............................... 160 В
Обратный ток эмиттера при (/БЭ = 5 В,
не более................................ 5 мА
типовое значение..................... 2* мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ712А............................... 200 В
КТ712Б............................... 160 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?бэ С 100 Ом:
КТ712А............................... 200 В
КТ712Б............................... 160 В
Постоянное напряжение база—эмиттер...... 5 В
Постоянный ток	коллектора.............. 10 А
Импульсный ток коллектора при Ги С 10 мс,
О>2..................................... 15А
Постоянный ток	базы.................... 0,1 А
Импульсный ток базы при С 10 мс, 2.... 0,2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Т - —45...+25 °C:
с теплоотводом'...................... 50 Вт
без теплоотвода* 2................... 1,5 Вт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Температура окружающей среды............ —45... Гк =
= +100 °C
’ При Гк = +25...+ 100 *С Яцндк,. уменьшается линейно до 20 Вт.
2 При Гк = +25...+ 100 ’С ^к. макс уменьшается линейно до 0,6 Вт.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В.
Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 5 мм
от корпуса при температуре припоя +265 °C в течение не
более 3 с. Допускается не более трех перепаек. Разрешается
осуществлять пайку путем погружения выводов в припой с
температурой +250 °C на время не более 5 с, допускается
пайка волной припоя при температуре +240 °C.
381
4
Входные характери-
стики
Выходные характери-
стики
Зависимость статического коэф-
фициента передачи тока от тока
эмиттера
Зависимость напряжения насыще-
ния коллектор—эмиттер от тока
базы
Зависимость пробивного напряже-
ния коллектор—эмиттер от сопро-
тивления база—-эмиттер
382
Области максимальных режи-
мов
Зависимость коэффициента К
от длительности импульса
КТ720А
Транзистор кремни-
евый эпитаксиально-пла-
нарный структуры р-п-р
усилительный. Предна-
значен для применения
в усилителях мощности
низкой частоты. Выпус-
кается в пластмассовом
корпусе с жесткими вы-
водами. Тип прибора
указывается на корпусе.
Масса транзистора
не более 1 г.
Изготовитель — ак-
ционерное общество
«Кремний», г. Брянск.
КТ720А
2.8
383
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при £/к6 = 2 В, 4 = 0,15 А,
не менее................................ 20
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при £/К6 = 5 В, /э = 0,15 А,
не менее................................ 3 МГц
Граничное напряжение при 4 = 0,1 А,
не менее................................ 100 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 5 А, /Б = 0,05 А, не более..... 0,6 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база... 120 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер . 100 В
Постоянное напряжение база—эмиттер..... 5 В
Постоянный ток коллектора.............. 1,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора Гк = —60...+25 °C................. 10 Вт
Температура р-п перехода................ +150	°C
Температура окружающей среды.......... —60...	Гк =
= +100 °C
Транзисторы являются комплементарными с транзистора-
ми КТ719А.
КТ722А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структу-
ры р-п-р универсальный. Предназначен для применения в уси-
лителях низкой частоты и переключающих устройствах. Выпус-
кается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип
прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при U№ = 2 В, 4 = 1 А, не менее . 20
384
КТ722А
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при Г/КБ = 5 В, /э = 0,5 А,
не менее............................... 3 МГц
Граничное напряжение при /э = 0,1 А,
не менее............................... 100 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 1 А, /Б = 0,1 А, не более..... 0,6 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база.... 120 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер . 100 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 5 В
Постоянный ток коллектора............... 1,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора Гк = -60...+25 °C.................. 25 Вт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Температура окружающей среды............ —60... Гк =
= +100 °C
Транзисторы являются комплементарными с транзистора-
ми КТ721А.
13-835
385
КТ724А
Транзистор кремниевый
эпитаксиально-планарный
структуры р-п-р универ-
сальный. Предназначен для
применения в усилителях
низкой частоты и переклю-
чательных устройствах. Вы-
пускается в пластмассовом
корпусе с жесткими выво-
дами. Тип прибора указы-
вается на корпусе.
Масса транзистора не
более 2,5 г.
Изготовитель — акцио-
нерное общество «Крем-
ний», г. Брянск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при £/КБ = 5 В, 4 = 5 А, не менее . 20
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при U№ - 10 В, 4 = 2 А,
не менее................................ 3 МГц
Граничное напряжение при 4 = 0,1 А,
не менее................................ 100 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 5 А, /Б = 0,5 А, не более....... 2 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база.... 120 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер . 100 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 5 В
Постоянный ток коллектора............... 10 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора Гк = —60...+25 °C.................. 60 Вт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Температура окружающей среды............ —60... Гк =
= +100 °C
Транзисторы являются комплементарными с транзистора-
ми КТ723А
386
1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В,
ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные струк-
туры р-п-р переключательные. Предназначены для примене-
ния в импульсных устройствах, преобразователях и стабилиза-
торах тока и напряжения. Корпус металлический со стеклян-
ными изоляторами и жесткими выводами.
Масса транзистора не более 28 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
1Т806(А-В). ГШб(А-Д)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ (на границе насыщения):
1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В:
при Т =	+25	°C,	/к =	10 А............ 10...100
при Т=	+70	°C,	/к =	5 А............ 10... 100
при Т=	-60	°C,	/к =	10 А........... 10...150
ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д:
при Т=	+25	°C,	/к =	10 А............ 10... 100
при Т=	+55	°C,	/к =	5 А............ 10...200
при Т=	-55	°C,	/к =	10 А........... 8... 100
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 5 В, /к = 1 А,
не менее...................................... 10 МГц
Граничное напряжение при 4 = 3 А,
< 50 мкс, f = 20...50 Гц, не менее:
1Т806А...................................... 40 В
13
1Т806Б............................... 65 В
1Т806В............................... 80 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер,
не более:
при /к = 20 А, 4 = 2 А для 1Т806А,
1Т806Б, 1Т806В........................ 0,6	В
при /к= 15 А, 4 = 2 А для ГТ806А,
ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д....... 0,6 В
Напряжение насыщения база—эмиттер,
не более:
при /к = 20 А, 4 = 2 А для 1Т806А,
1Т806Б, 1Т806В....................... 0,8 В
при /к = 15 А, 4 = 2 А для ГТ806А,
ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д....... 1 В
Время выключения при = 45 В, 4 = 5 А,
4 = 0,25 А, не более.................... 30 мкс
Обратный ток коллектор—эмиттер при
£4Э = 1 В, £4э = 75 В для 1Т806А,	= 100 В
для 1Т806Б, ^4э = 120 В для 1Т806В, не более:
Г=+25 и-60 °C........................ 12 мА
Г=+70 °C............................. 25 мА
Т = +25 С, 64э = ^кэ, макс Для ГТ806А,
ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д.......... 15 мА
Обратный ток эмиттера, не более:
при £4э = 2 В для 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В 5 мА
при £4э = 1,5 В для ГТ806А, ГТ806Б,
ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д............... 8 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при £4э = 1
1Т806А, ГТ806А....................... 75 В
1Т806Б, ГТ806Б....................... 100 В
1Т806В, ГТ806В....................... 120 В
ГТ806Г............................... 50 В
ГТ806Д............................... 140 В
Постоянное напряжение база—эмиттер:
1Т806А, 1Т806Б,	1Т806В... 2 В
ГТ806А, ГТ806Б,	ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д. 1,5 В
Постоянный ток коллектора в режиме насы-
щения:
1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В.............. 20 А
ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д. 15 А
Импульсный ток коллектора в режиме на-
сыщения при 2,	= 1000 мкс, - 1
для 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В.............. 25 А
388
Постоянный ток базы.......—...'.......... 3 А
Постоянно рассеиваемая мощность коллек-
тора1:
с теплоотводом, Гк С +25 °C........... 30 Вт
без теплоотвода, Т С +25 °C........... 2 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус.... 2 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—среда..... 30 °С/Вт
Температура р-п перехода................. +85 °C
Температура окружающей среды:
1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В................... -6О...ГК =
= +70 °C
ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д. -55... Тк =
= +55 °C
1 При Гк > +25 ’С для транзисторов с теплоотводом
А<. накс ~ (85 ~ Гк)/*т in-к? Вт!
при Т> +25 *С для транзисторов без теплоотвода
^к.макс = (85 ~ П/Ягр-с), Вт.
Не допускается отключение базы при наличии напряжения
между коллектором и эмиттером. Не рекомендуется работа
транзистора при рабочих токах, соизмеримых с неуправляе-
мыми токами во всем диапазоне температур.
Эксплуатация транзисторов в режимах за пределами обла-
стей максимальных режимов (в том числе с учетом процессов,
происходящих при включении и выключении) запрещается.
При работе в импульсном режиме при отсутствии открываю-
щего импульса транзистор должен быть закрыт положитель-
ным смещением базы 0,5 В 5 Уи 5 2 В.
Пайка выводов допускается не ближе б мм от корпуса
транзистора. При включении транзистора в электрическую цепь,
находящуюся под напряжением, коллекторный контакт дол-
жен присоединятся последним и отсоединятся первым.
ГТ810А
Транзистор германиевый диффузионно-сплавной структу-
ры р-п-р усилительный. Предназначен для применения в вы-
ходных каскадах строчной развертки телевизионных приемни-
ков. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и
жесткими выводами.
Масса транзистора не более 12 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
389
ГТ810А
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при ию = 10 В, /к = 5 А не менее 15
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при = 10 В, 4 = 1 А,
f = 5 МГц, не менее....................... 3
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 10 А, 4 = 1 А.................... 0,2* ..0,4*...
0,7 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 10 А, 4 = 1 А.................... 0,44*...0,5*...
0,8 В
Время рассасывания при = 30 В, /к = 5 А,
4 = 0,5 А, не более....................... 5 мкс
Обратный ток коллектора:
Т= +25	°C,	UKb	= 200	В............. 20	мА
Т= +55	°C,	U№	= 100	В............. 20	мА
Т= -55	°C,	£/кб	= 200	В............. 20	мА
Обратный ток эмиттера при (4э = 1>4 В..... 0,5*...4*...
15 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база1
при Т= -55...+30 ’С....................... 200 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер1
при <4э С 1,4 В, Гк = -55...+30 °C........ 200 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при (4э С 1,4 В, 4 С 20 мкс, Q > 3, Т = +25 °C 250 В
Постоянное напряжение эмиттер—база........ 1,4 В
1 При Т > +30 °C U№ ндкс и (/кэ ндкс определяются по формуле
(/= 200 - 4(Г — 30 °C), В.
390
Постоянный ток коллектора............... 10 А
Импульсный ток коллектора............... 10 А
Постоянный ток базы..................... 1,5 А
Импульсный ток базы при ?и 500 мкс, Q2 2 1,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1:
с теплоотводом, Гк = +27,5 'С........ 15 Вт
без теплоотвода...................... 0,75 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус... 2,5 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—среда.... 50 °С/Вт
Температура р-п перехода................ +65 °C
Температура окружающей среды............ —50... Тк -
= +55 °C
’ При ТК(Т) = +27,5 °C для транзисторов с теплоотводом
^к.макс = (®5 ~ Т^/2,5, Вт;
для транзисторов без теплоотвода
Р*. МАКС = (65- Т)/50, Вт.
1Т813А, 1Т813Б, 1Т813В
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные струк-
туры р-п-р переключательные. Предназначены для примене-
ния в переключающих устройствах. Корпус металлический со
стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Масса транзистора не более 28 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
1Т815(А-В)
12.2 1U
391
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ (на границе насыщения)
при /к = 20 А:
Г =+25 °C............................ 10...60
Т= +70 °C, /к = 10 А................. 10...60
Т =-60 °C............................ 10...120
Граничное напряжение при 4 = 3 А,
50 мкс, f= 20...50 Гц, не менее:
1Т813А............................... 60	В
1Т813Б............................... 75	В
1Т813В............................... 80	В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 30 А, /Б = 3 А, не более........ 0,8 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 30 А, 4 = 3 А, не более.......... 0,8 В
Время выключения при = 30 В, 4 = 30 А,
/Б = 5 А, не более:
1Т813А............................... Змкс
1Т813Б, 1Т813В....................... 5 мкс
Обратный ток коллектор—эмиттер
при <4э = 1 В, не более:
Т= +25 и -60 °C, <4э = 100 В для 1Т813А,
<4э = 125 В для 1Т813Б, <4э = 150 В
для 1Т813В.......,................... 16 мА
Г= +70 °C, (4э = 80 В для 1Т813А,
£4э = 100 В для 1Т813Б,	= 120 В
для 1Т813В........................... 25 мА
Обратный ток эмиттера при ию = 2 В,
не более................................. 40 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при = 1 В:
Т= -60...+30 °C:
1Т813А............................... 100	В
1Т813Б............................ 125	В
1Т813В............................ 150	В
Т= -60...+70 °C:
1Т813А............................ 80 В
1Т813Б............................ 100	В
1Т813В............................ 120	В
Постоянное напряжение база—эмиттер
при Т = —60...+85 °C................... 2 В
392
Импульсное напряжение база—эмиттер
при Т= -60...+85 °C:
4, 1 мс, Q > 2....................... 4 В
4, 5 мкс, Q > 3....................... 6 В
Постоянный ток коллектора
при Гк = —60...+85 °C.................... 30 А
Импульсный ток коллектора при 1 мс,
Q > 2, Гк = -60...+85 °C................. 40 А
Постоянный ток базы при Гк = —60...+85 °C... 5 А
Импульсный ток базы при 4, 1 мс, Q > 2,
Гк = -60...+85 °C........................ 10 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —60...+25 °C:
с теплоотводом........................... 50 Вт
без теплоотвода....................... 1,5 Вт
Температура р-п перехода................. +85 °C
Температура окружающей среды............. —60... Тк =
= +70 °C
Не допускается отключение базы при наличии напряжения
между коллектором и эмиттером. Запрещается использовать
транзистор в схемах, у которых цепь базы разомкнута по
постоянному току.
При </кэ > 20 В и /?БЭ > 5 Ом рекомендуется закрывать
транзистор положительным смещением 0,5 В 1/и < 2 В.
КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные
структуры р-п-р усилительные. Предназначены для применения
в усилителях низкой
частоты, операцион-	КТ8ЩА-Г}
ных и дифференци-
альных усилителях,
преобразователях, им-
пульсных устройствах.
Корпус пластмассовый
с жесткими выводами.
Масса транзистора
не более 1 г.
Изготовители — ак-
ционерное общество
«Кремний», г. Брянск,
завод «Искра», г. Уль-
яновск.
393
Электрические параметры
Статический кэффициент передачи тока в
схеме ОЭ при (/КБ = 2 В, /э = 0,15 А, не менее:
КТ814А, КТ814Б, КТ814В.............. 40
КТ712Г.............................. 30
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 6/КБ = 5 В, /э = 30 мА,
не менее............................... 3 МГц
Граничное напряжение при /э = 50 м А,
не менее:
КТ814А.............................. 25	В
КТ814Б.............................. 40	В
КТ814В.............................. 60	В
КТ814Г.............................. 80	В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 0,5 А, /Б = 0,05 А, не более.. 0,6 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 0,5 А, /Б = 0,05 А, не более.. 1,2 В
Обратный ток коллектора при Ц<в = 40 В,
не более:
Т = —40...+25 ’С.................... 50 мкА
Г=+100°С............................ 1 мА
Емкость коллекторного перехода
при Цщ = 5 В, f= 465 кГц, не более..... 60 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Ua = 0,5 В,
f= 465 кГц, не более................... 75 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
при /^э = о°:
КТ814А........................... 25	В
КТ814Б........................... 40	В
КТ814В........................... 60	В
КТ814Г........................... 80	В
при < 100 Ом:
КТ814А............................. 40	В
КТ814Б........................... 50	В
КТ814В........................... 70	В
КТ814Г........................... 100 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 5 В
Постоянный ток коллектора................ 1,5	А
Импульсный ток коллектора при tn 10 мс,
100................................ 3 А
Постоянный ток базы.................... 0,5 А
394
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’ при Т = —40...+25 °C:
с теплоотводом........................... 10 Вт
без теплоотвода....................... 1 Вт
Температура р-п перехода................. +125	°C
Температура окружающей среды............. — 40...	Т =
= +100 °C
' При Т - +25...+ 100 "С мдкс снижается линейно на 0,01 Вт/°С без
теплоотвода и на 0,1 Вт/°С с теплоотводом.
Изгиб выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса
транзистора с радиусом закругления 1,5...2 мм. При этом дол-
жны приниматься меры, исключающие возможность передачи
усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается.
Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 5 мм
от корпуса. При пайке жало паяльника должно быть зазем-
лено.
Зависимость постоянного напряже-
ния коллектор—эмиттер от сопро-
тивления база—змиттер
Зависимость напряжения насыще-
ния коллектор—эмиттер от тока
коллектора
Зависимость напряжения насыщения Зависимость статического коэффи-
база—эмиттер от тока коллектора циента передачи тока от температу-
ры корпуса
395
Зависимость обратного тока кол-
лектора от температуры
Область максимальных режимов
Зависимость статического коэффици-
ента передачи тока от тока эмиттера
КТ816А, КТ816Б, КТ816В, КТ816Г, КТ816А2
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные
структуры р-п-р усилительные. Предназначены для примене-
ния в усилителях низкой частоты, операционных и дифферен-
циальных усилителях, преобразователях и импульсных устрой-
ствах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Изготовители — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск, завод «Искра», г. Ульяновск.
396
КТ816(А-Г), КТ816А2
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 6/КБ = 2 В, 4 = 1 А, не менее:
Гк = +25 °C:
КТ816А, КТ816Б, КТ816В, КТ816Г... 25
КТ816А2.......................... 200
Гк = +100 °C для КТ816А, КТ816Б,
КТ816В, КТ816Г........................ 25
Гк = -40 “С для КТ816А, КТ816Б, КТ816В,
КТ816Г................................ 15
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при U№ = 10 В, 4 = 0,25 А,
не менее................................ 3 МГц
Граничное напряжение при 4 = 0J А,
не менее:
КТ816А, КТ816А2...................... 25	В
КТ816Б............................... 45	В
КТ816В............................... 60	В
КТ816Г............................... 80	В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 3 А, 4 = 0,3 А, не более........ 0,6 В
типовое значение..................... 0,33* В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 3 А, /Б = 0,3 А, не более....... 1,5 В
типовое значение..................... 0,92* В
Обратный ток коллектора, не более:
Т= +25 °C:
КТ816А, КТ816А2 при U№ = 25 В.... 0,1	мА
КТ816Б при U№ = 45 В............. 0,1	мА
КТ816В при U№ = 60 В............. 0,1	мА
КТ816Г при <4е = 80 В............ 0,1	мА
397
Т- +100 “С:
КТ816А при	U№ = 25 В............ 3	мА
КТ816Б при	(/КБ = 45 В........... 3	мА
КТ816В при	= 60 В........... 3	мА
КТ816Г при	(/КБ = 80 В........... 3	мА
Емкость коллекторного перехода
при U№ = 10 В, типовое значение......... 60* пФ
Емкость эмиттерного перехода при </ЭБ = 0,5 В,
типовое значение........................ 115* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
/?ю =
КТ816А, КТ816А2..................... 25	В
КТ816Б........................... 45	В
КТ816В........................... 60	В
КТ816Г........................... 80	В
/?БЭ = 1 кОм:
КТ816А, КТ816А2.................. 40 В
КТ818Б........................... 45 В
КТ816В........................... 60 В
КТ816Г........................... 100 В
Постоянное напряжение база—эмиттер...... 5 В
Постоянный ток коллектора............... 3 А
Импульсный ток коллектора при 4, = 20 мс,
Q = 100................................. 6 А
Постоянный ток базы..................... 1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Гк = —40...+25 °C:
с теплоотводом....................... 25 Вт
без теплоотвода...................... 1 Вт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Температура окружающей среды............ —40... Тк =
= +100 °C
' При Гк> +25 “С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора уменьшается линейно на 0,2 Вт/°С с теплоотводом.
Изгиб выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса
транзистора с радиусом закругления 1,5...2 мм. При этом дол-
жны быть приняты меры, исключающие возможность переда-
чи усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допуска-
ется.
398
При монтаже транзисторов на теплоотвод крутящий мо-
мент нажима не должен превышать 70 Н • см.
Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 5 мм
от корпуса. При пайке жало паяльника должно быть зазем-
лено.
Зависимость статического коэффици-
ента передачи тока от тока эмиттера
КТ816(А -Г)
' I ।
0а=2В13-1мА
-60-60-20 О 20 60 60 80 100 120 Т,{
Зависимость статического коэффици-
ента передачи тока от температуры
Зависимость напряжения насыще-
ния коллектор—эмиттер от тока
коллектора
Зависимость напряжения насыще-
ния база—эмиттер от тока коллек-
тора
399
Зависимость постоянного напряжения коллектор—эмиттер
от сопротивления база—эмиттер
Зависимость обратного тока
коллектора от температуры
2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, 2Т818А2, 2Т818Б2, 2Т818В2,
КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г,
КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ,
КТ818А1, КТ818Б1, КТ818В1, КТ818Г1
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные
структуры р-п-р переключательные. Предназначены для при-
менения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус
металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выво-
дами (2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ,
КТ818ГМ) и пластмассовый с жесткими выводами (2Т818А2,
2Т818Б2, 2Т818В2, КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г, КТ818А1,
КТ818Б1, КТ818В1, КТ818Г1).
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20 г,
в пластмассовом корпусе не более 2,5 г, в пластмассовом
корпусе (КТ818А1—КТ818Г1) не более 10 г.
Изготовители — акционерное общество «Кремний»,
I. Брянск, завод «Искра», г. Ульяновск.
400
2Т818(А-В), КТ818(AM-ГМ)
КТ818(А-Г). 2Т818(А2-В2)
КТ818(А 1-Г1)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при £/КБ = 5 В, 4 = 5 А, не менее:
7" = +25 °C и 7" = ГМАКС:
2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, 2Т818А2,
2Т818Б2, 2Т8-18В2.................. 20
КТ818А, КТ818В, КТ818АМ, КТ818ВМ,
КТ818А1, КТ818В1-.................. 15...275
КТ818Б, КТ&18БМ, КТ818Б1...........2O...275
КТ818Г, КТ818ГМ, КТ818П............ 12...275
2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, 2Т818А2,
2Т818Б2, 2Т818В2.................... 9
КТ818А, КТ818В, КТ818АМ, КТ818ВМ . 10
КТ818Б, КТ818БМ.................... 15
КТ818Г, КТ818ГМ.................... 7
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при <4б = 5 В, /к = 20 А для
2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В.................... 4*...7* ..15*
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при U^, = 5 В, 4 - 0,5 А.. 3*...4,5*...
7* МГц
Граничное напряжение при 4 = 0>1 А:
2Т818А, 2Т818А2, КТ818Г, КТ818ГМ,
КТ818Г1 .................................. 80...100*...
150* В
2Т818Б, 2Т818Б2, КТ818В, КТ818ВМ,
КТ818В1 ............................... 60...80*...
100* В
2Т818В, 2Т818В2, КТ818Б, КТ818БМ,
КТ818Б1................................ 40.„60*...80* В
КТ818А, КТ818АМ, КТ818А1, не менее..... 25 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер:
при /к = 5 А, /Б = 0,5 А, не более:
2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, 2Т818А2,
2Т818Б2, 2Т818В2...................... 1В
КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г,
КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ,
КТ818ГМ, КТ818А1, КТ818Б1,
КТ818В1, КТ818Г1................... 2 В
при /к = 20 А, /Б = 5 А:
2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В............. 0,7...1,5...4 В
2Т818А2, 2Т818Б2, 2Т818В2, не более 5 В
402
КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г,
КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ,
КТ818ГМ, КТ818А1, КТ818Б1,
КТ818В1, КТ818Г1..................... 0,7...1,5...5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер:
при /к = 5 А, /Б = 0,5 А, не более:
2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, 2Т818А2,
2Т818Б2, 2Т818В2......................... 1,5 В
КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г,
КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ,
КТ818ГМ, КТ818А1, КТ818Б1,
КТ818В1, КТ818Г1..................... 3 В
при /к= 20 А, 4 = 5 А для 2Т818А, 2Т818Б,
2Т818В, 2Т818А2, 2Т818Б2, 2Т818В2........ 1,6...2,3...5 В
Пробивное напряжение коллектор—эмиттер
при 4 = 1 мА, /?вэ < 100 Ом:
2Т818А, 2Т818А2.............................. 100...140*...
180* В
2Т818Б, 2Т818Б2 ........................ 80...105*...
120* В
2Т818В, 2Т818В2 ......................... 60...80*...
110* В
Пробивное напряжение коллектор—база:
при Т = —60...+25 *С, 4 = 1 мА:
2Т818А, 2Т818А2.......................... Ю0.„130*...
200* В
2Т818Б, 2Т818Б2 .................... 80...100*...
120* В
2Т818В, 2Т818В2...................... 60...80*...
100* В
при Т = 7"makc, 4 = 5 мА, не менее:
2Т818А, 2Т818А2....................... 100 В
2Т818Б, 2Т818Б2...................... 80 В
2Т818В, 2Т818В2...................... 60 В
Пробивное напряжение база—эмиттер
при /э = 5 мА............................... 5...8*...30* В
Обратный ток коллектора при (4б = 40 В для
КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г, КТ818АМ,
КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ, КТ818А1,
КТ818Б1, КТ818В1, КТ818Г1, не более:
Т = -40...+25 °C............................. 1 мА
Т= +100 °C............................... 10 мА
Время выключения при 44б = 5 В, 4 = 0,5 А,
не более.................................... 2,5* мкс
403
Емкость коллекторного перехода
при (4= 5 В, Г = 1 МГц..................... 400*	..600.
1000 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Ub3 = 0,5 В,
f= 1 МГц, не более........................ 2000*	пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т818А, 2Т818А2.............................. 100	В
2Т818Б, 2Т818Б2........................ 80	В
2Т818В, 2Т818В2........................ 60	В
КТ818А, КТ818А1........................ 40	В
КТ818Б, КТ818Б1 ....................... 50	В
КТ818В, КТ818В1........................ 70	В
КТ818Г, КТ818Г1 ....................... 90	В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ С 100 Ом:’
Т= -60...+80 °C для 2Т818А, 2Т818Б,
2Т818В и Т= -60...+40 °C для 2Т818А2,
2Т818Б2, 2Т818В2:
2Т818А, 2Т818А2.......................... 100	В
2Т818Б, 2Т818Б2.................... 80	В
2Т818В, 2Т818В2.................... 60	В
Т= -40...+25 °C:
КТ818А, КТ818АМ, КТ818А1............... 40	В
КТ818Б, КТ818БМ, КТ818Б1........... 50	В
КТ818В, КТ818ВМ, КТ818В1........... 70	В
КТ818Г, КТ818ГМ, КТ818Г1........... 90	В
Постоянное напряжение база—эмиттер....... 5 В
Постоянный ток коллектора:
КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г........ 10 А
2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, 2Т818А2,
2Т818Б2, 2Т818В2, КТ818АМ, КТ818БМ,
КТ818ВМ, КТ818ГМ, КТ818А1, КТ818Б1,
КТ818В1, КТ818Г1...................... 15 А
Импульсный ток коллектора при /*и С 10 мс,
Q > 100 (О ? 2 для 2Т818А2, 2Т818Б2,
2Т818В2):
КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г........... 15 А
2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, 2Т818А2,
2Т818Б2, 2Т818В2, КТ818АМ, КТ818БМ,
КТ818ВМ, КТ818ГМ, КТ818А1, КТ818Б1,
КТ818В1, КТ818Г1...................... 20 А
Постоянный ток базы...................... 3 А
404
Импульсный ток базы....................... 5	А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’ при Тк = Гмин...+25 С:
с теплоотводом:
2Т818А2, 2Т818Б2, 2Т818В2......... 40	Вт
КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г.... 60 Вт
2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, КТ818АМ,
КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ,
КТ818А1, КТ818Б1, КТ818В1, КТ818Г1 100 Вт
без теплоотвода:
2Т818А2, 2Т818 Б2, 2Т818 В2.......... 1 Вт
КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г.... 1,5 Вт
КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ,
КТ818ГМ........................... 2 Вт
2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В............ 3 Вт
Температура р-п перехода:
2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, 2Т818А2,
2Т818Б2, 2Т818В2, КТ818А1, КТ818Б1,
КТ818В1, КТ818Г1...................... +150 °C
КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г,
КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ .. +125 °C
Температура окружающей среды:
2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В................ -60... Гк =
= +125 °C
2Т818А2, 2Т818Б2, 2Т818В2............. -60... Тк =
= +100 °C
КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г,
КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ,
КТ818А1, КТ818Б1, КТ818В1, КТ818Г1.... -40...?;	=
= +100 °C
’ При повышении температуры окружающей среды (корпуса) свыше +25 "С
постоянная рассеиваемая мощность коллектора для 2T818A, 2Т818Б, 2Т818В
рассчитывается по формулам
Рк „дн,- = (150 — Гк)/1,25, Вт (с теплоотводом);
макс = (150 — П/41Д Вт (без теплоотвода);
для 2Т818А2, 2Т818Б2, 2Т818В2 уменьшается линейно на 0,32 Вт/°С с теплоот-
водом и 8 мВт/°С без теплоотвода; для КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г
уменьшается на 0,6 Вт/°С с теплоотводом и на 0,015 Вт/°С без теплоотвода;
для КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ уменьшается на 1 Вт/°С с тепло-
отводом и на 0,02 Вт/°С без теплоотвода.
При монтаже транзисторов 2Т818А2, 2Т818Б2, 2Т818В2,
КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г, КТ818А1, КТ818Б1, КТ818В1,
КТ818Г1 допускается одноразовый изгиб выводов не ближе
2,5 мм от корпуса под углом 90° с радиусом не менее 0,8 мм.
405
При этом должны приниматься меры, исключающие возмож-
ность передачи усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов
не допускается.
Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 5 мм
от корпуса. При пайке жало паяльника должно быть заземле-
но. Допускаются пайка без теплоотвода и групповой метод
пайки. Температура припоя +260 °C, время пайки не более 3 с,
время лужения выводов не более 2 с.
При включении транзистора в цепь, находящуюся под на-
пряжением, базовый вывод должен присоединяться первым и
отключаться последним.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В.
Транзисторы являются комплементарными с транзистора-
ми 2Т819А-2Т819В, 2Т819А2-2Т819В2, КТ819А-КТ819Г,
КТ819АМ-КТ819ГМ, КТ819А1-КТ819Г1.
Зона возможных положений зависимости статиче-
ского коэффициента передачи тока от тока эмит-
тера
406
hin
-60-20 0 20 Св 60 80 Тк.’С
Зона возможных положений за-
висимости статического коэффи-
циента передачи тока от темпе-
ратуры корпуса
Зона возможных положений зависи-
мости напряжения насыщения кол-
лектор—эмиттер от тока коллектора
Зависимость напряжения насыщения
база—змиттер от тока коллектора
Зона возможных положений зависи-
мости пробивного напряжения кол-
лектор—эмиттер от температуры
корпуса
Зона возможных положений заеиси- Зона возможных положений зависи-
мости пробивного напряжения кол- мости пробивного напряжения от
лектор—эмиттер от температуры	температуры корпуса
корпуса
407
Области максимальных режимов
4, А
Области максимальных режимов
!'.А
Области максимальных режимов
ио.в
Области максимальных режимов
Зависимости максимально
допустимого постоянного
напряжения коллектор-
эмиттер от температуры
корпуса
Зависимости коэффициента К
от длительности импульса
408
Зона возможных положений зависи-
мости пробивного напряжения кол-
лектор—эмиттер от сопротивления
база—эмиттер
КТ820А-1, КТ820Б-1, КТ820В-1
Транзисторы кремние-
вые мезаэпитаксиально-
КТ820(А-1-В-1)
планарные структуры р-п-р
усилительные. Предназна-
чены для применения в
усилителях низкой часто-
ты, операционных и диф-
ференциальных усилите-
лях, преобразователях и
импульсных устройствах
герметизированной аппа-
ратуры. Бескорпусные с
гибкими выводами и за-
щитным покрытием. Каж-
дый транзистор упаковывается в индивидуальную тару. Тип
прибора указывается на сопроводительной таре.
Масса транзистора не более 0,02 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при (/КБ = 2 В, /к - 150 м А,
не менее:
КТ820А-1, КТ820Б-1................ 40
КТ820В-1.......................... 30
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 5 В, /к = 0,03 А,
не менее............................... 3	МГц
Граничное напряжение при 4 = 50 мА,
300 мкс, Q> 100, не менее:
КТ820А-1........................... 40	В
КТ820Б-1........................... 60	В
КТ820В-1........................... 80	В
409
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 0,5 А, /Б = 0,05 А, не более.. 0,5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 0,5 А, /Б = 0,05 А, не более.. 1,2 В
Обратный ток коллектора при = 40 В,
не более............................... 30 мкА
Емкость коллекторного перехода
при икъ = 5 В, /= 465 кГц, не более.... 65 пФ
Емкость эмиттерного перехода при иы = 0,5 В,
f= 465 кГц, не более................... 65 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при Лю < 100 Ом:
КТ820А-1............................ 50 В
КТ820Б-1............................ 70 В
КТ820В-1............................ 100 В
Постоянное напряжение	база—эмиттер..... 5 В
Постоянный ток	коллектора.............. 0,5 А
Импульсный ток коллектора при /*и С 10 мс,
100................................ 1,5 А
Постоянный ток	базы.................... 0,3 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’ в составе гибридной микросхемы при
Т= -40...+25 °C........................ 10 Вт
Температура р-п перехода............... +125 °C
Температура окружающей среды........... —40...+85 °C
' При Т = +25...+85 ’С Рк мдкс в составе гибридной схемы определяется по
формуле
Рк. м*кс =(125- Т)/10, Вт.
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 3 мм
от защитного покрытия.
КТ822А-1, КТ822Б-1, КТ822В-1
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные
структуры р-п-р усилительные. Предназначены для применения
в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциаль-
ных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах
герметизированной аппаратуры. Бескорпусные с гибкими выво-
дами без кристаллодержатвля и защитным покрытием. Каждый
транзистор упаковывается в индивидуальную тару. Тип прибора
указывается на сопроводительной таре.
410
Масса транзистора не
более 0,03 г.
Изготовитель — акцио-
нерное общество «Крем-
ний», г. Брянск.
КТ822(А-1-В-1)
1.8	0.8
0O.OL
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при £/ю = 2 В, /к = 1 А:
Т = +25 °C, не менее.................
типовое значение.....................
Т = +85 °C, не менее.................
типовое значение.....................
Т - —40 °C, не менее.................
типовое значение.....................
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 6/КБ = 5 В, 4 ~ 0,05 А,
не менее................................
Линейность статического коэффициента пере-
дачи тока
= (Л21э при 4 ~ 0,001 A)/(^, при 4 = 1 А)..
Граничное напряжение при /э = 100 мА,
4 С 300 мкс, О> 100, не менее:
КТ822А-1.............................
КТ822Б-1.............................
КТ822В-1.............................
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 1 А, /Б = 0,1 А................
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 1 А, 4 = 0,1 А...................
Входное сопротивление в режиме малого сиг-
нала при £4э = 5 В, 4 = 30 мА, /= 0,8 кГц.
25
40*
25
41*
15
35*
3 МГц
1,5* ..2,75*...4*
45 В
60 В
80 В
0,1*...0,2*...
0,6 В
0,8*..0,9*...
1,5 В
0,15*...0,35*.„
1* кОм
411
Обратный ток коллектора при (/КБ = 40 В,
не более:
Г =+25 °C........................... 50 мкА
Г =+85 °C........................... 100 мкА
Емкость коллекторного перехода
при U№ = 5 В, f - 465 кГц.............. 80*...90*...
115 пФ
Емкость эмиттерного перехода при 6/БЭ = 0,5 В,
f= 465 кГц............................. 110*... 125*...
150 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
при Rb3 С 1 кОм:
КТ822А-1........................ 45 В
КТ822Б-1........................ 60 В
КТ822В-1........................ 100 В
при ЯБЭ = оо;
КТ822А-1........................ 45 В
КТ822Б-1........................ 60 В
КТ822В-1........................ 80 В
Постоянное напряжение база—эмиттер..... 5 В
Постоянный ток коллектора’............. 2 А
Импульсный ток коллектора при < 20 мс,
□ > 100................................ 4 А
Постоянный ток базы.................... 0,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора* 2 в составе гибридной микросхемы при
Т= -40...+25 °C........................ 20 Вт
Тепловое сопротивление переход—кристалл .. 5 °С/Вт
Температура р-п перехода............... +125 °C
Температура окружающей среды........... -40...+85' °C
' Допускается /к „д,,, = 3 А при условии непревышения мощности.
2 При Г> +25 ’С
/км*кс=(125- Т)/5, Вт.
2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2,
2Т825А-5, КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры р-п-р
усилительные. Предназначены для применения в усилителях и
переключающих устройствах. Транзисторы 2Т825А—2Т825В,
КТ825Г—КТ825Е выпускаются в металлическом корпусе со стек-
412
лянными изоляторами и жесткими выводами. Транзисторы
2Т825А2—2Т825В2 выпускаются в пластмассовом корпусе с
жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Транзистор 2Т825А—5 выпускается в виде кристаллов нераз-
деленных на пластине с контактными площадками для гибрид-
ных интегральных микросхем. Тип прибора указывается в эти-
кетке.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20 г,
в пластмассовом корпусе не боле’е 2,5 г, кристалла не более
0,025 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
2Т825(А-В), КТ825(Г-Е)
2Т825(А2-В2)
413
2Т825А5-5
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при U№ = 10 В, 4 = Ю А:
Гк = +25 *С:
2Т825А, 2Т825А2, 2Т825А-5 ............. 500... 18000
2Т825Б, 2Т825В, 2Т825Б2, 2Т825В2,
КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е............. 750... 18000
2Т825А, 2Т825А2, 2Т825А-5 ......... 400...25000
2Т825Б, 2Т825В, 2Т825Б2, 2Т825В2,
КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е............. 600...25000
Гк = -60 “С:
2Т825А, 2Т825А2, 2Т825А-5 ............. 100... 18000
2Т825Б, 2Т825В, 2Т825Б2, 2Т825В2... 150...18000
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 10 В, 4 = 20 А, не менее 100*
Коэффициент передачи тока в режиме малого
сигнала при U№ = 3 В, /э = 10 A, f = 5 кГц  430*...15000*
...60000*
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при U№ = 3 В, /э = 10 А,
не менее.................................. 4 МГц
Граничное напряжение при 4 = Ю0 мА,
не менеев
2Т825А, 2Т825А2, 2Т825А-5.............. 80 В
2Т825Б, 2Т825Б2........................ 60 В
2Т825В, 2Т825В2, КТ825Д................ 45 В
414
КТ825Г............................... 70 В
КТ825Е............................... 25 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер,
не более:
при /к = 10 А, /в = 40 А................. 2 В
при /к = 20 А, /в = 200 А............ 3* В
Напряжение насыщения база—эмиттер,
не более:
при /к = 10 А, /Б = 40 А................. 3 В
при /к = 20 А, /в = 200 А............ 4* В
Пробивное напряжение коллектор—эмиттер
при U36 = 1,5 В, не менее:
Тк = +25 'С, /к = 1 мА:
2Т825А, 2Т825А2, 2Т825А-5.......... 100 В
2Т825Б, 2Т825Б2.................. 80	В
2Т825В, 2Т825В2, КТ825Д.......... 60	В
КТ825Г........................... 90	В
КТ825Е........................... 30	В
Т = ГМАКС, /к = 5 мА (2 мА для 2Т825А2,
2Т825Б2, 2Т825В2, 2Т825А-5):
2Т825А, 2Т825А2, 2Т825А-5............ 80 В
2Т825Б, 2Т825Б2.................. 60 В
2Т825В, 2Т825В2.................. 50 В
Гк = -60 °C, /к = 5 мА:
2Т825А............................. 100 В
2Т825Б........................... 80 В
2Т825В........................... 60 В
Пробивное напряжение эмиттер—база
ПРИ 4б о = 2 мА, не менее............... 5 В
Время включения при /к = 10 А, /в = 40 мА .... 1 мкс
Время выключения при /к = 10 А, /в = 40 мА.. 4,5 мкс
типовое значение........................ 3* мкс
Емкость коллекторного перехода
при UKb = 10 В, не более................ 600 пФ
типовое	значение.................... 350* пФ
Емкость эмиттерного перехода при U36 = 0,5 В,
не более................................ 600 пФ
типовое	значение.................... 400* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 1 кОм или иэъ = 1,5 В,
Т= Гмин...+55 °C:
2Т825А, 2Т825А2, 2Т825А-5........................ 100 В
2Т825Б, 2Т825Б2.............................. 80 В
415
2Т825В, 2Т825В2,	КТ825Д............... 60	В
КТ825Г................................ 90	В
КТ825Е................................ 30	В
Постоянное напряжение	база—эмиттер....... 5	В
Постоянный ток коллектора:
2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, 2Т825А-5,
КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е................ 20 А
2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2............. 15 А
Импульсный ток коллектора:
2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, 2Т825А-5,
КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е................ 40 А
2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2............. 30 А
Постоянный ток базы...................... 0,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1:
с теплоотводом, при Т = Тмин...+25 °C:
2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, 2Т825А-5,
КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е............... 125 Вт
2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2......... 30 Вт
без теплоотвода, Т = +25 °C:
2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, 2Т825А-5,
КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е............ 3 Вт
2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2......... 1 Вт
кристалла без теплоотвода............. 40 Вт
Температура р-п перехода:
2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, 2Т825А-5....... +175	°C
2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2, КТ825Г,
КТ825Д, КТ825Е......................... +150	°C
Температура окружающей среды:
2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, 2Т825А-5..... -60...	Тк =
= +125 °C
2Т825А2, 2Т625Б2, 2Т825В2............ -60...	Тк =
= +100 °C
КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е............... -40...	Тк =
= +100 °C
' Для 2T825A2, 2Т825Б2, 2T825B2 при Гк = +25...+ 100 °C максимально
допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора снижается линейно
на 0,24 Вт/”С с теплоотводом и на 8 мВт/"С без теплоотвода.
Для транзисторов 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 допускает-
ся одноразовый изгиб выводов на угол не более 90° от перво-
начального положения в плоскости, перпендикулярной осно-
ванию корпуса, не ближе 5 мм от корпуса с радиусом изгиба
не менее 1,5 мм.
416
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5 гм
от корпуса при температуре припоя не более +260 °C в тече-
ние не более 3 с, время лужения выводов не более 2 с.
При включении транзистора в цепь, находящуюся под на-
пряжением, базовый вывод должен присоединяться первым и
отключаться последним.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В.
Зависимости электрических параметров транзисторов
2Т825А—5 аналогичны зависимостям 2Т825А.
Входные характери-
стики
Входные характери-
стики
Зависимости макси-
мально допустимого
постоянного напря-
жения коллектор—
эмиттер от темпера-
туры корпуса
Зависимости максимально допусти-
мой постоянной рассеиваемой мощ-
ности коллектора от температуры
корпуса
Зависимости пробивного напряже-
ния коллектор—эмиттер от сопро-
тивления база—эмиттер
14-835
44
Зависимости статического коэффи-
циента передачи тока от тока эмит-
тера
Зависимости статического коэффи-
циента передачи тока от тока эмит-
тера
Выходные характеристики
Зависимости напряжений насыще-
ния коллектор—эмиттер и база—
эмиттер от тока коллектора
4t8
2Т830А, 2Т830Б, 2Т830В, 2Т830Г
2Т830В-1, 2Т830Г-1
Транзисторы кремние-
вые мезаэпитаксиально-
планарные структуры р-п-р.
Предназначены для приме-
нения в усилителях мощно-
сти, источниках вторичного
электропитания, преобра-
зователях. Корпус 2Т830А,
2Т830Б, 2Т830В, 2Т83ОГ
металлический со стеклян-
ными изоляторами и гибки-
ми выводами, транзисторы
2Т830В-1, 2Т830Г-1 бес-
корпусные с защитным по-
крытием и гибкими выво-
дами.
Масса транзистора в
2Т830(В-1 Г-V
металлическом корпусе не
более 2 г, бескорпусно-
го — не более 0,03 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при £/КБ = 1 В, /э = 1 А:
Г =+25 °C:
2Т830А, 2Т830Б, 2Т830В..................... 25...30*...55*
2Т830Г................................. 20...23*...50*
2Т830В-1, 2Т830Г-1 .................... 25...200
14’
419
Т ~ МАКС"
2Т830А, 2Т830Б, 2Т830В, не	менее. 25
2Т830Г, не менее.................... 20
2Т830В-1, 2Т830Г-1 ................. 25...220
Т = -60 °C:
2Т830А, 2Т830Б, 2Т830В, не	менее. 20
2Т830Г, не менее.................... 18
2Т830В-1, 2Т830Г-1 ................. 15...200
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при (/КБ = 5 В, /э = 50 мА. 4...9*..15* МГц
Граничное напряжение при 4 = 0,1 А,
Ги С 300 мкс, 100, не менее:
2Т830А..................................... 25	В
2Т830Б................................. 45	В
2Т830В, 2Т830В-1....................... 60	В
2Т830Г, 2Т830Г-1....................... 80	В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 1 А, 4 = 0,1 А.................... 0,25* ..0,35*...
0,6 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 1 А, 4 = 0,1 А..................... 0,9*...0,92*...
1,3 В
Пробивное напряжение коллектор—база,
не менее:
при Т = —60...+25 °C, /КБ0 = 0,1 мА:
2Т830А................................. 35	В
2Т830Б.............................. 60	В
2Т830В,	2Т830В-1 .................. 80	В
2Т830Г,	2Т830Г-1 .................. 100 В
при Т= 4бо = 3 мА:
2Т830А.............................. 35 В
2Т830Б.............................. 60 В
2Т830В, 2Т830В-1 ................... 80 В
2Т830Г, 2Т830Г-1.................... 100 В
Пробивное напряжение база—эмиттер
при 4 = 1 мА, не менее...................... 5 В
Обратный ток коллектора при U№ = 80 В...... 0,1*...10*...
100 мкА
Обратный ток эмиттера при U36 = 5 В........ 20*...500*...
1000* мкА
Время включения при = 30 В, /к = 1 А,
4 = 0,1 А.................................. 0,3*...0,5*...
0,8 мкс
Время выключения при = 30 В, 4 = 1 А,
4 = 0,1 А.................................. 1*...1,5*...2 мкс
420
Время рассасывания при (/кэ = 30 В, /к = 1 А,
4 = 0,1 А, не более..................... 1 мкс
Емкость коллекторного перехода
при (/№ = 5 В, f = 1 МГц................ 63*...67*...
150 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Ux = 0,5 В,
f= 1 МГц................................ 88*...23О*...
350 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т830А.................................. 35	В
2Т830Б............................... 60	В
2Т830В, 2Т830В-1..................... 80	В
2Т830Г, 2Т830Г-1..................... 100 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при Лбэ < 1 кОм:
2Т830А.................................. 30 В
2Т830Б............................... 50 В
2Т830В, 2Т830В-1..................... 70 В
2Т830Г, 2Т830Г-1..................... 90 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 5 В
Постоянный ток коллектора............... 2 А
Импульсный ток коллектора............... 4 А
Постоянный ток базы..................... 1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при 7"к = —60...+25 °C:
с теплоотводом1:
2Т830А, 2Т830Б, 2Т830В, 2Т830Г.......... 5 Вт
2Т830В—1, 2Т830Г—1 (бесконечный
теплоотвод)....................... 25 Вт
без теплоотвода...................... 1 Вт
Температура р-п перехода......'......... +150 °C
Температура окружающей среды:
2Т830А, 2Т830Б, 2Т830В, 2Т830Г......... -60...	Тк =
= +125 °C
2Т830В-1, 2Т830Г-1.................. -60...	Тк =
= +100 °C
1 При Гк = +25...+ 100 ’С Р^мдкс для 2Т830В—1, 2Т830Г—1 с теплоотводом
рассчитывается по формуле
^к.м*кс = (Ti — Гк)/(5 + Вт.
Пайка выводов транзисторов 2Т830А, 2Т830Б, 2Т830В,
424
2Т830Г допускается не ближе 3 мм от корпуса, температура
пайки не более +260 °C в течение не более 3 с.
Допустимая температура монтажа транзисторов 2Т830В—1,
2Т830Г— 1 в гибридных микросхемах не должна превышать
+230 °C в течение не более 10 с.
Допустимое значение статического потенциала 500 В.
Для транзисторов 2Т830В—1, 2Т830Г—1 при длине вывода
/ > 5 мм 4, макс Ю//.
Выходные характеристики
Зона возможных положений зависи-
мости пробивного напряжения кол-
лектор—эмиттер от сопротивления
база—эмиттер
Области максимальных режимов
Зона возможных положений зависи-
мости напряжения насыщения кол-
лектор—эмиттер от тока коллектора
422
Зависимости коэффициента К
от длительности импульса
Зона возможных положений зависи-
мости статического коэффициента
передачи тока от тока эмиттера
Зависимость максимально допусти-
мой постоянной рассеиваемой мощ-
ности коллектора от температуры
корпуса
Без яемомйоЛи
423
Зона возможных положений зависи-
мости напряжения насыщения ба-
эмиттер от тока коллектора
Зависимость статического коэф-
фициента передачи тока от тем-
пературы корпуса
КТ835А, КТ8355
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные
структуры р-п-р усилительные. Предназначены для примене-
ния в усилителях, преобразователях и импульсных устрой-
ствах. Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ:
при (4а = 1 В, /к = 1 А для КТ835А,
не менее........................... 25
424
при i/K3 = 5 В, /к = 2 А для КТ835Б.. 10...100
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ, не менее............... 1 МГц
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер,
не более:
при /к = 1 А, /Б = 0,2 А для КТ835А.. 0,35 В
при /к = 3 А, /Б = 0,6 А для КТ835Б.. 2,5 В
Обратный ток коллектора при ЦБ = U№ МАКС:
КТ835А............................... 100	мкА
КТ835Б............................... 150	мкЛ
Емкость коллекторного перехода
при U№ = 30 В, не более................. 800	пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ835А.............................. 30	В
КТ835Б.............................. 45	В
Постоянное напряжение	коллектор—эмиттер . 30	В
Постоянное напряжение	база—эмиттер..... 4 В
Постоянный ток коллектора:
КТ835А.............................. 3 А
КТ835Б.............................. 7,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность
при Гк = -40...+25 °C.................. 25 Вт
Температура р-п перехода............... +125	°C
Температура окружающей среды........... —40... Тк	=
= +100 °C
2Т836А, 2Т8365, 2Т836В, 2Т836А-5
Транзисторы кремниевые планарные структуры р-п-р пере-
ключательные. Предназначены для применения в переключаю-
щих устройствах, усилителях мощности, источниках вторично-
го электропитания. Транзисторы 2Т836А—2Т836В выпускаются
в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гиб-
кими выводами. Транзистор 2Т836А—5 выпускается в виде
неразделенных кристаллов на пластине с контактными пло-
щадками для гибридных интегральных микросхем. Тип прибо-
ра указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 2 г,
кристалла не более 0,0058 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г- Брянск.
425
,2Т836(А-В)
00.51
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при U№ = 5 В, 4 = 2 А:
Г= +25 °C:
2Т836А, 2Т836А-5.................. 20...50*	„100*
2Т836Б, 2Т836В.................... 20...65*.„100*
Т = +125 °C, не менее................ 20
Т = —60 °C, не менее................. 10
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при U№ = 5 В, 4 = 50 мА,
не менее................................. 4...30*...
40* МГц
426
Граничное напряжение при /э = 0,1 А:
2Т836А, 2Т836А-5............................... 80... 100*...
125* В
2Т836Б..................................... 80...90*...
110* В
2Т836В..................................... 40...60*...80* В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 2 А:
2Т836А, 2Т836А-5 при /Б = 0,2 А............ О,25*...0,45*...
0,6 В
2Т836Б при 4 = 0,08 А...................... 0,25*...0,29*...
0,35 В
2Т836В при /Б = 0,2 А...................... 0,25*...0,3*...
0,45 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 2 А:
2Т836А, 2Т836А-5 при 4 = 0,2 А................. 0,95*... 1*...
1,3 В
2Т836Б при 4 = 0,08 А...................... 0,9*...1*...1,2 В
2Т836В при 4 = 0,2 А....................... 0,95*... 1*...
1,3 В
Время включения при (/кэ = 85 В, /к = 2 А,
4 = 0,08 А...........’......................... 0,25*...0,4*...
0,6 мкс
Время выключения при 6/кэ = 85 В, 4 = 2 А,
4 = 0,08 А..................................... 0.31*...0,9*...
1,6 мкс
Время спада при = 85 В, /к = 2 А,
4 = 0,08 А..................................... 0,1*...0,4*...
0,6 мкс
Время рассасывания при = 85 В, /к = 2 А,
4 = 0,08 А..................................... 0,2*...0,6*...
1 мкс
Обратный ток коллектора при U№ = (/КБ МАКС,
не более:
Г= -60...+25 °C............................ 0,1 мА
Т= +125 °C................................. 3 мА
Обратный ток эмиттера при (/ЭБ = 5 В,
не более....................................... 1 мА
Емкость коллекторного перехода
при (4Б = 5 В.................................. 340*...350*...
370 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Ux = 0,5 В 1560*...2200*
...2500 пФ
427
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т836А, 2Т836А-5......................... 90	В
2Т836Б................................ 85	В
2Т836В................................ 60	В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?бэ = 100 Ом:
2Т836А, 2Т836А-5..................... 90 В
2Т836Б............................... 85 В
2Т836В............................... 60 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 5 В
Постоянный ток коллектора................ 3	А
Импульсный ток коллектора при 4, = 10 мс,
0= 2..................................... 4	А
Постоянный ток базы..................... 1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —60...+25 °C:
с теплоотводом1......................... 5 Вт
без теплоотвода1 2................... 0,7 Вт
кристалла без теплоотвода3........... 25 мВт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Температура окружающей среды............ —60... Гк =
= +125 °C
1 При Гк > +25 ’С Рцмакс снижается на 0,04 Вт/"С.
2 При Г > +25 ’С Рк МАКС снижается на 5,5 мВт/"С.
3 При Г > +25 ”С „дк;. снижается на 0,2 мВт/°С.
Зависимости электрических параметров транзисторов
2Т836А—5 аналогичны зависимостям 2Т836А.
Выходные характери-
стики
Входные характери-	Зависимость максималь-
стики	но допустимой постоян-
ной рассеиваемой мощ-
ности коллектора от
температуры корпуса
428
Оял, t (ккл, [рас , мкс
2Т836(А-В)
4=24
О 20 45 60 UK3.B
Зона возможных по-
ложений зависимости
пробивного напряже-
ния коллектор—эмит-
-ер от сопротивления
база—эмиттер
Зависимости времени
включения от тока
коллектора
Зависимости времени
включения, выключе-
ния, и рассасывания
от напряжения кол-
лектор—эмиттер
Зависимости времени спада
от тока коллектора
Зависимости времени выключения
от напряжения коллектор-эмиттер
Зависимости напряжения насыщения
коллектор—эмиттер от тока коллек-
тора
Зависимости напряжения насыщения
база—эмиттер от тока коллектора
429
Зона возможных положений зави-
симостей напряжений насыщения
коллектор—эмиттер и база—эмит-
тер от температуры
Зона возможных положений зави-
симости статического коэффициен-
та передачи тока от температуры
корпуса
Области максимальных режимов
Зона возможных положений зависимости статического
коэффициента передачи тока от тока эмиттера
430
Зависимости времени рассасывания
от тока коллектора
Зависимость времени выключения
от тока коллектора
2Т837А, 2Т837Б, 2Т837В, 2Т837Г, 2Т837Д, 2T837E
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные
структуры р-п-р переключательные. Предназначены для при-
менения в- усилителях и переключающих устройствах. Корпус
пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.
431
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при Цо = 5 В, 4 = 2 А:
Т = +25 °C:
2Т837А, 2Т837Г........................... 15...35* ..120*
2Т837Б, 2Т837Д........................ 30...72*...150*
2Т837В, 2Т837Е........................ 40...93*...180*
Т= +125 °C, не менее:
2Т837А, 2Т837Г........................ 15
2Т837Б, 2Т837Д........................ 30
2Т837В, 2Т837Е........................ 40
Т = —60 °C, не менее:
2Т837А, 2Т837Г........................ 10
2Т837Б, 2Т837Д........................ 15
2Т837В, 2Т837Е........................ 25
Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при Ц& = 5 В, I* = 0,5 А,
f= 1 МГц...................................... 3...5*...17*
Граничное напряжение при 4 = 0,1 А,
не менее:
2Т837А, 2Т837Г............................ 55...69*...84*	В
2Т837Б, 2Т837Д............................ 45...55*...72*	В
2Т837В, 2Т837Е............................ 35...45*...65*	В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 3 А, 4 = 0,37 А....................... 0,2*...0,35*...
0,9 В ,
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 3 А, /Б = 0,37 А..................... 1*...1,05*...
1,5 В
Время включения при = 30 В, 4 = 1 А,
/Б = 0,1 А.......У............................ 0,22*...0,38*...
0,5* мкс
Время выключения при = 30 В, /к = 1 А,
4 = 0,1 А..................................... 0,32*. ..0,54*...
1* мкс
Время спада при (4э = 30 В, 4 = 1 А,
4 = 0,1 А..................................... 0,11*...0,15*...
0,3* мкс
Время рассасывания при £4э = 30 В, 4 = 1 А,
4 = 0,1 А..................................... 0,21*...0,49*...
1 мкс
Обратный ток коллектор—эмиттер
при 14э к = Цо к. макс» = 100 Ом, не более:
Т- -60...+25 °C........................... 5 мА
432
Г=+100°С............................. 15 мА
Обратный ток коллектора при = U№ МАКС,
не более:
Т= -60...+25 °C...................... 0,15 мА
Г=+100°С............................. 1,5 мА
Обратный ток эмиттера при Ub3 = Ub3 МАКС,
не более................................ 0,3 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т837А, 2Т837Г.......................... 80	В
2Т837Б, 2Т837Д....................... 60	В
2Т837В, 2Т837Е....................... 45	В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?бэ = 100 Ом:
2Т837А, 2Т837Г.......................... 70 В
2Т837Б, 2Т837Д....................... 55 В
2Т837В, 2Т837Е....................... 40 В
Постоянное напряжение база—эмиттер:
2Т837А, 2Т837Б, 2Т837В.............. 15 В
2Т837Г, 2Т837Д, 2Т837Е............... 5 В
Постоянный ток коллектора............... 8 А
Постоянный ток базы..................... 1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора' при Гк = —60...+25 °C:
с теплоотводом.......................... 30 Вт
без теплоотвода...................... 1 Вт
Тепловое сопротивление переход—среда.... 100 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус... 3,33 °С/Вт
Температура р-п перехода................ +125 °C
Температура окружающей среды............ —60... Гк =
= +100 °C
1 При Гк = +25...+100 °C	рассчитывается по формулам:
Рк „лк = (125 — Гк)/3,33, Вт (с теплоотводом);
А, макс ~ (125 — Г)/100, Вт (без теплоотвода).
Допускается одноразовый изгиб выводов транзисторов на
угол не более 90° на расстоянии не Менее 5 мм от корпуса с
радиусом изгиба не менее 1,5 мм.
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм
от корпуса при температуре не более +260 °C в течение не
более 3 с. Жало паяльника должно быть заземлено.
Допустимое значение статического потенциала 500 В.
433
Входные характери-
Ir.A
Выходные характери-
Выходные характери-
стики
стики
стики
Выходные характери-
стики
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от напряжения
коллектор—эмиттер
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока кол-
лектора
Зависимость максимально допусти-
мого постоянного напряжения кол-
лектор—эмиттер от сопротивления
база—эмиттер
Зона возможных положений зави-
симости напряжения насыщения
коллектор—эмиттер от тока кол-
лектора
434
h.A	It.A
Области максимальных режимов
Области максимальных режимов
КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е,
КТ837Ж, КТ837И, КТ837К, КТ837Л, КТ837М, КТ837Н,
КТ837П, КТ837Р, КТ837С, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные
структуры р-п-р переключательные. Предназначены для при-
менения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус
пластмассовый с жесткими выводами (габаритный чертеж см.
2Т837А-2Т837Е).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Изготовители — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж, завод «Искра», г. Ульяновск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, /к = 2 А:
КТ837А, КТ837Г, КТ837Ж, КТ837Л,
КТ837П, КТ837Т....................... 10...40
КТ837Б, КТ837Д, КТ837И, КТ837М,
КТ837Р, КТ837У........................ 20...80
КТ837В, КТ837Е, КТ837К, КТ837Н,
КТ837С, КТ837Ф........................ 50... 150
Граничная частота коэффициента передачи
тока при Цэ = 5 В, 4 = 0,5 А, не менее... 1 МГц
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер,
не более:
при 4 = 3 А, 4 = 0,37 А для КТ837А,
КТ837Б, КТ837В, КТ837Л, КТ837М, КТ837Н 2,5 В
435
при 4 = 3 А, /Б = 0,37 А для КТ837Г,
КТ837Д, КТ837Е, КТ837П, КТ837Р, КТ837С 0,9 В
при 4 = 2 А, /Б = 0,3 А для КТ837Ж,
КТ837И, КТ837К, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф 0,5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 2 А, 4 = 0,5 А, не более...... 1,5 В
Обратный ток коллектор—эмиттер
при t/кэк = ^кэи, макс, Т?БЭ = Ю0 Ом, не более.. 10 мА
Обратный ток коллектора при (/КБ = UKb МАКС,
не более............................... 0,15 мА
Обратный ток эмиттера при (4э = ^4э, макс,
не более............................... 0,3 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Л,
КТ837М, КТ837Н........................ 80 В
КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е, КТ837П,
КТ837Р, КТ837С........................ 60 В
КТ837Ж, КТ837И, КТ837К, КТ837Т,
КТ837У, КТ837Ф........................ 45 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
при /4э 50 Ом:
КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Л,
КТ837М, КТ837Н.................... 70 В
КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е, КТ837П,
КТ837Р, КТ837С.................... 55 В
КТ837Ж, КТ837И, КТ837К, КТ837Т,
КТ837У, КТ837Ф.................... 40 В
при /?бэ = «»:
КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Л,
КТ837М, КТ837Н.................... 60 В
КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е, КТ837П,
КТ837Р, КТ837С.................... 45 В
КТ837Ж, КТ837И, КТ837К, КТ837Т,
КТ837У, КТ837Ф.................... 30 В
Постоянное напряжение база—эмиттер:
КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Г, КТ837Д,
КТ837Е, КТ837Ж, КТ837И, КТ837К........ 15 В
КТ837Л, КТ837М, КТ837Н, КТ837П,
КТ837Р, КТ837С, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф 5 В
Постоянный ток коллектора................ 7,5 А
Постоянный ток базы...................... 1 А
436
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —60...+25 °C:
с теплоотводом'.......................... 30 Вт
без теплоотвода....................... 1 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус.... 3,33 °С/Вт
Температура р-п перехода................. +125 °C
Температура окружающей среды............. —60... Гк =
= +100 °C
' При 7К > +25 °C
Рк макс =(125- Гк)/3,33, Вт.
Допускается одноразовый изгиб выводов транзисторов на
угол не более 90° на расстоянии не менее 5 мм от корпуса с
радиусом изгиба не менее 1,5 мм.
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм
от корпуса при температуре не более +260 °C в течение не
более 3 с. Жало паяльника должно быть заземлено.
2Т842А, 2Т842Б, 2Т842А1, 2Т842Б1,
КТ842А, КТ842Б, КТ842В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р переключательные. Предназначены для примене-
ния в мощных преобразователях, линейных стабилизаторах
напряжения. Транзисторы 2Т842А, 2Т842Б, КТ842А—КТ842В
выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляг
торами и жесткими выводами. Транзистор 2Т842А1, 2Т842Б1
выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20 г,
в пластмассовом корпусе не более 2 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при UKb = 4 В, /э = 5 А, не менее:
Тк = +25 °C:
2Т842А, 2Т842Б, КТ842А, КТ842Б.... 15
2Т842А1, 2Т842Б1.................. 10
КТ842В............................ 20
= ^К. МАКС"
2Т842А, 2Т842Б..................... 15
2Т842А1, 2Т842Б1.................. 6
437
2Т8МА.Б). KT8W-B)
Гк = -60 °C:
2Т842А, 2Т842Б....................   10
2Т842А1, 2Т842Б1................. 6
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ, не менее:
при £/кб = 5 В, 4 = 1 А для 2Т842А,
2Т842Б, КТ842А, КТ842Б................ 20	МГц
при (/КБ = 10 В, 4 = 0,2 А для 2Т842А1,
2Т842Б1............................... 10	МГц
при £/№ = 5 В, 4 = 1 А для КТ842В.... 7 МГц
Граничное напряжение при 4 = 50 мА,
не менее:
2Т842А, 2Т842А1, КТ842А.............. 250	В
438
2Т842Б, 2Т842Б1, КТ842Б, КТ842В....... 150 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 5 А, /Б = 1 А, не более......... 1,8 В
типовое значение...................... 0,5* В
для КТ842В............................ 2,2 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 5 А, 4 = 1 А, не более.......... 1,8 В
типовое значение...................... 1,1* В
Время рассасывания при = 20 В, /к = 2 А,
4 = 0,5 А, типовое значение:
2Т842А, 2Т842Б, КТ842А, КТ842Б, КТ842В 0,8* мкс
2Т842А1, 2Т842Б1...................... 2,2* мкс
Время включения при (4э = 20 В, 4 = 2 А,
4 = 0,5 А, типовое значение:
2Т842А, 2Т842Б, КТ842А, КТ842Б, КТ842В 0,12* мкс
2Т842А1, 2Т842Б1......................... 0,1* мкс
Время спада при = 20 В, 4 = 2 А,
4 = 0,5 А, типовое значение:
2Т842А, 2Т842Б, КТ842А, КТ842Б, КТ842В 0,13* мкс
2Т842А1, 2Т842Б1......................... 0,3* мкс
Обратный ток коллектора при U№ = UK& ^с,
не более:
Т= -60...+25 ’С....................... 1	мА
Т = Тмдкс............................. 3	мА
Обратный ток эмиттера при U-^ = 5 В,
не более................................. 5	мА
Емкость коллекторного перехода
при U№ = 10 В, не более.................. 400 пФ
типовое	значение..................... 250* пФ
Емкость эмиттерного перехода при £/ЭБ = 0,5 В,
не более................................. 3500 пФ
типовое	значение..................... 2400* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база’:
2Т842А, 2Т842А1, КТ842А.................. 300 В
2Т842Б, 2Т842Б1, КТ842Б, КТ842В....... 200 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
при /?БЭ = 10 Ом для 2Т842А, 2Т842Б,
при /?БЭ = 100 Ом для 2Т842А1, 2Т842Б1,
при = 10 Ом для КТ842А, КТ842Б,
КТ842В:
2Т842А, 2Т842А1, КТ842А........... 300 В
’ Скорость нарастания dU/dt = 250 В/мкс.
2Т842Б, 2Т842Б1, КТ842Б, КТ842В... 200 В
при ЯБЭ = °°:
2Т842А, 2Т842А1, КТ842А........... 250 В
2Т842Б, 2Т842Б1, КТ842Б, КТ842В... 150 В
Постоянное напряжение эмиттер—база....... 5 В
Постоянный ток коллектора................ 5 А
Импульсный ток коллектора при Ги = 10 мс. 8 А
Постоянный ток базы...................... 1 А
Импульсный ток базы при /*и = 10 мс...... 2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора2:
с теплоотводом, Гк =	мин...+25 °C:
2Т842А, 2Т842Б, КТ842А, КТ842Б.... 50 Вт
2Т842А1, 2Т842Б1.................. 30 Вт
КТ842В............................ 100 Вт
без теплоотвода, Гк =	мин...+25 °C:
2Т842А, 2Т842Б, КТ842А, КТ842Б,
КТ842В............................ 3 Вт
2Т842А1, 2Т842Б1.................. 1 Вт
Температура р-п перехода:
2Т842А, 2Т842Б........................... +175 °C
2Т842А1, 2Т842Б1, КТ842А, КТ842Б,
КТ842В............................... +150 °C
Температура окружающей среды:
2Т842А, 2Т842Б........................... -60... Гк =
= +125 °C
2Т842А1, 2Т842Б1..................... -60... Гк =
= +100 °C
КТ842А, КТ842Б, КТ842В............... -45... Тк =
= +100 °C
2 При Гк > +25 °C максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора для 2Т842А, 2Т842Б снижается линейно на 0,33 Вт/*С с
теплоотводом и на 20 мВт/°С без теплоотвода, для 2Т842А1, 2Т842Б1 соответ-
ственно на 0,24 Вт/°С и на 8 мВт/°С, для КТ842А, КТ842Б снижается линейно
до 20 Вт с теплоотводом и до 1,2 Вт без теплоотвода при Гк = +100 °C, для
КТ842В до 40 Вт с теплоотводом и до 1,2 Вт без теплоотвода.
Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса
транзистора. Транзисторы являются комплементарными с тран-
зисторами 2Т841А, 2Т841Б, 2Т841А1, 2Т841Б1, КТ841А-
КТ841В.
Зависимости электрических параметров транзисторов
КТ842А, КТ842Б аналогичны зависимостям 2Т842А, 2Т842Б.
440
UKJ. яс. В
Выходные хаоактеристики
Зона возможных положений зави-
симости напряжения насыщения
коллектор—змиттер от тока базы
Зависимость напряжения насыще-
ния коллектор— миттер от тока
коллектора
Зависимость напряжения насыще-
ния база—змиттер от тока коллек-
тора
Зона возможных положений зави-
симости пробивного напряжения
коллектор—эмиттер от сопроти-
вления база—эмиттер
Зависимость емкости коллектор-
ного перехода от напряжения
коллектор—база
Области максимальных ре-
жимов
442
Зависимость коэффициента К от длительности импульса
Области максимальных режимов
КТ851А, КТ851Б, КТ851В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р переключательные. Предназначены для применения
в усилителях мощности и переключающих устройствах. Корпус
пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 10 В, = 0,5 А:
КТ851А........................................ 40...200
КТ851Б, КТ851В, не менее.................. 20
443
КТ85КА-В)
Граничное напряжение при /э = 30 мА,
Ги < 300 мкс, Q> 100, не менее:
КТ851А.............................. 200	В
КТ851Б.............................. 250	В
КТ851В.............................. 150	В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 0,5 А, /6 = 0,1 А, не более.. 1 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 0,5 А, /Б = 0,1 А, не более... 1,6 В
Обратный ток коллектора при UKS = UKS МАКС,
не более:
КТ851А............................. 100 мкА
КТ851Б, КТ851В..................... 500 мкА
Обратный ток эмиттера при = 5 В,
не более:
КТ851А............................. 100 мкА
КТ851Б, КТ851В..................... 500 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база
при (d£/K6/df)макс * 250 В/мкс:
КТ851А.............................. 250	В
КТ851Б.............................. 300	В
КТ851В.............................. 180	В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при Л*э 1 кОм- (d^/dOMAKc < 250 В/мкс:
КТ851А............................. 200 В
444
КТ851Б................................ 250	В
КТ851В................................ 150	В
Постоянное напряжение	база—эмиттер....... 5 В
Постоянный ток	коллектора................ 2 А
Импульсный ток коллектора при Г* < 2 мс,
2.................................. 3 А
Постоянный ток	базы...................... 0,5	А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора с теплоотводом при Т = —60...+25 °C. 25 Вт
Температура р-п перехода................. +150 °C
Температура окружающей среды............. —6О...ТК =
= +100 °C
Допускается одноразовый изгиб выводов транзисторов не
ближе 2,5 мм от корпуса под углом 90° с радиусом закругле-
ния не менее 0,8 мм. При этом должны приниматься меры,
исключающие передачу усилий на корпус. Изгиб выводов в
плоскости выводов не допускается.
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм
от корпуса при температуре не более +260 °C в течение не
более 3 с. Допускается пайка волной припоя при температуре
не более +240 °C.
Запрещается припайка основания транзисторов к теплоот-
воду.
Зависимость обратного тока кол-
лектора от температуры
Входные характеристики
445
-40-20 0 20 40 60 80 100 Т/ С
Зависимости статического коэффи-
циента передачи тока от тока кол-
лектора
Зона возможных положений зави-
симости статического коэффициен-
та передачи тока от температуры
Зона возможных положений зависимости напряжения
насыщения коллектор—эмиттер от тока коллектора
Зона возможных положений зависимости напряже-
ния насыщения база—эмиттер от тока коллектора
446
Зависимости времени включения, Зависимость максимально допусти-
выключения, и рассасывания от мой постоянной рассеиваемой мощ-
тока коллектора	ности коллектора от температуры
Области максимальных режимов
корпуса
КТ852А, КТ852Б, КТ852В, КТ852Г
Транзисторы кремниевые планарные структуры р-п-р пере-
ключательные. Предназначены для применения в усилителях и
переключающих устройствах. Корпус пластмассовый с жестки-
ми выводами.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при ию = 4 В, не менее:
4 = 2 А........................... 500
4= 1 А............................ Ю00
447
КТ852(А-Г)
Граничная частота коэффициента передачи
тока при U№ = 5 В, 4 = 0,5 А, не менее.. 7 МГц
Граничное напряжение при 4 = 0,03 А,
не менее:
КТ852А............................... 100 В
КТ852Б............................... 80 В
КТ852В............................... 60 В
КТ852Г............................... 45 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 2 А, /Б = 8 мА, не более........ 2,5 В
Время включения при = 30 В, 4 = 2 А,
4 = 8 мА, не более...................... 2,6 мкс
Время выключения при Uy3 = 30 В, 4 = 2 А,
4 = 8 мА, не более...................... 4,5 мкс
Обратный ток коллектора при 64б = ^4б, мако
не более................................ 1 мА
Обратный ток коллектор—эмиттер, не более:
при 64э	= 50	В для	КТ852А............ 2 мА
при С4э	= 40	В для	КТ852Б............ 2 мА
при 44э	= 30	В для	КТ852В............ 2 мА
Обратный ток эмиттера при 64э = 5 В,
не более................................ 2 мА
Емкость коллекторного перехода
при U№ = 5 В, f = Ю0 кГц, не более...... 28 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Ux= 1,5 В,
f= 100 кГц, не более.................... 63 пФ
448
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база,
коллектор—эмиттер при /?БЭ < 1 кОм:
КТ852А............................... 100 В
КТ852Б............................... 80 В
КТ852В............................... 60 В
КТ852Г............................... 45 В
Постоянное напряжение	эмиттер—база...... 5 В
Постоянный ток	коллектора............... 2 А
Импульсный ток коллектора при Ти < 10 мс,
Q> 100.................................. 4 А
Постоянный ток базы..................... 50 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —60...+25 'С:
без теплоотвода1........................ 2 Вт
с теплоотводом....................... 50 Вт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Температура окружающей среды............ — 60... Гк =
= +100 °C
1 При Гк > +25 "С Рк „дкс снижается линейно на 0,15 Вт/’С.
Допускается одноразовый изгиб выводов транзисторов не
ближе 2,5 мм от корпуса под углом 90° с радиусом закругле-
ния не менее 0,8 мм. При этом должны приниматься меры,
исключающие передачу усилий на корпус. Изгиб выводов в
плоскости выводов не допускается.
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм
от корпуса при температуре не более +260 °C в течение не
более 3 с. Допускается пайка волной припоя при температуре
не более +240 °C.
Запрещается припайка основания транзисторов к теплоот-
воду.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В.
Зависимости напряжения насыще-
ния коллектор—эмиттер от тока
коллектора
Зависимости напряжения насыще-
ния база—эмиттер от тока коллек-
тора
15-835
449
Зависимость максимально допустимой
постоянной рассеиваемой мощности
коллектора от температуры корпуса
Зависимости статического коэффи-
циента передачи тока от тока кол-
лектора
Зависимость статического коэффи-
циента передачи тока от напряже-
ния коллектор—база
Зависимость напряжения насыщения коллектор—змиттер
от температуры
450
UbJ, юс . В
				КТ.85<	?(А-Г]			
								
	4г--	2А						
		ЗмА						
								
								
-75 -50 -25	0	25	50	75 100 Т'С
Зависимости напряжения насыщения база—эмиттер
от температуры
Области максимальных режимов
КТ853А, КТ853Б, КТ853В, КТ853Г
Транзисторы кремниевые планарные структуры р-п-р пере-
ключательные. Предназначены для применения в усилителях и
переключающих устройствах. Корпус пластмассовый с жестки-
ми выводами.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при ию = 3 В, /к = 3 А, не менее . 750
451
15
КТ853(А-Г)
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при Ув = 5 ВД = 0,5 А,
не менее................................ 7 МГц
Граничное напряжение при 4 = 0,1 А,
не менее:
КТ853А............................... 100 В
КТ853Б............................... 80	В
КТ853В................................ 60	В
КТ853Г............................... 45	В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 3 А, 4 = 0,012 А, не более....... 2 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 3 А, 4 = 0,012 А, не более..... 2,5 В
Время включения при Uy3 = 30 В, /к = 3 А,
4 = 0,012 А, не более................... 0,78 мкс
Время выключения при = 30 В, /к = 3 А,
4 = 0,012 А, не более................... 5,8 мкс
Обратный ток коллектора при U№ = U№
не более................................ 200 мкА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при 6/ю = 50 В, не более................ 500 мкА
Обратный ток эмиттера при 1/ю = 5 В,
не более................................ 2 мА
Емкость коллекторного перехода
при ию = 5 В, f= 100 кГц, не более...... 120 пФ
Емкость эмиттерного перехода при 64э = 1»5 В,
f = 100 кГц, не более................... 860 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база,
коллектор—эмиттер, при /?БЭ С 1 Ом:
КТ853А.............................. 100 В
КТ853Б.............................. ЗОВ
КТ853В.............................. 60 В
КТ853Г.............................. 45 В
Постоянное напряжение база—эмиттер..... 5 В
Постоянный ток коллектора.............. 8 А
Импульсный ток коллектора при < 10 мс,
О? 100................................. 12 А
Постоянный ток базы.................... 200 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —60...+25 °C............. 60 Вт
Температура р-п перехода............... +150 °C
Температура окружающей среды........... — 60... Тк =
= +100 °C
Допускается одноразовый изгиб выводов транзисторов не
ближе 2,5 мм от корпуса под углом 90° с радиусом закругле-
ния не менее 0,8 мм. При этом должны приниматься меры,
исключающие передачу усилий на корпус. Изгиб выводов в
плоскости выводов не допускается.
Пайка выводов транзистора допускается не ближе 5 мм от
корпуса транзистора при температуре не более +260 °C в
течение не более 3 с. Допускается пайка выводов волной
припоя при температуре не более +240 °C.
Запрещается припайка основания транзистора к теплоот-
воду.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В.
Зависимости времени спада, расса-
сывания и включения от тока кол-
лектора
453
Зависимости статического коэффициента передачи
тока от тока коллектора
Зависимость максимально допусти-
мой постоянной рассеиваемой мощ-
ности коллектора от температуры
корпуса
Зависимости напряжения насыще-
ния база—эмиттер от тока коллек-
тора
Зависимости напряжения насыще- Зависимости напряжения насыще-
ния коллектор—эмиттер от тока ния база—эмиттер от тока базы
коллектора
454
Зависимости напряжения насыще-
ния коллектор—эмиттер от тока
базы
Зависимости напряжения насыщения
коллектор—эмиттер от температуры
-ьи-гз и /> зи /з iuui, с
Зависимости напряжения насыще-
ния база—эмиттер от температуры
КТ855А, КТ855Б, КТ855В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р усилительные. Предназначены для применения в
преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения. Кор-
пус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
455
КТ855(А-В)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 4 В, /к = 2 А, не менее:
КТ855А, КТ855Б....................... 20
КТ855В.............................. 15
Граничное напряжение при 4 = 0,05 А,
L - 160 мГн, не менее:
КТ855А :............................. 200 В
КТ855Б, КТ855В...................... 150 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 2 А, /Б = 0,4 А, не более..... 1 В
Обратный ток коллектора при 6/КБ = 6/КБ МАКС,
не более:
КТ855А, КТ855В...................... 1 мА
КТ855Б.............................. 0,1 мА
Обратный ток эмиттера при 6<5 = 5 В,
не более:
КТ855А, КТ855В...................... 5 мА
КТ855Б.............................. 0,1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база,
коллектор—эмиттер, при R& <10 Ом:
КТ855А............................... 200 В
КТ855Б, КТ855В....................... 150	В
Постоянное напряжение	база—эмиттер...... 5 В
Постоянный ток коллектора............... 5 А
45о
Постоянный ток базы...................... 1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —40...+25 °C:
с теплоотводом........................ 40 Вт
без теплоотвода....................... 1,2 Вт
Температура р-п перехода................. +150 °C
Температура окружающей среды............. -40... Тк =
= +100 °C
Допускается одноразовый изгиб выводов транзисторов не
ближе 2,5 мм от корпуса под углом 90° с радиусом закругле-
ния не менее 2,5 мм. При этом должны приниматься меры,
исключающие передачу усилий на корпус. Изгиб выводов в
плоскости выводов не допускается.
Пайка выводов транзистора допускается не ближе 5 мм от
корпуса транзистора при температуре не более +260 °C в
течение не более 5 с. Допускается пайка волной припоя при
температуре не более +240 °C.
Запрещается припайка основания транзистора к теплоот-
воду.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В.
h?e
Зависимости тока эмиттера от на-
пряжения база—эмиттер
-60 -20 0 20 60 60 т;с
Зона возможных положений зависи-
мости статического коэффициента
передачи тока от температуры
Зависимость максимально допусти-
мой постоянной рассеиваемой мощ-
ности коллектора от температуры
корпуса
457
fhii
l Гл Ш. Л Г. <!Л^Л Г^Л Г ! rij_l ~JJIMJ_L W> r.M MM
80
60
to
20
Зависимость максимально допусти-
мой постоянной рассеиваемой мощ-
ности коллектора от температуры
Зона возможных положений зависи-
мости статического коэффициента
передачи тока от тока эмиттера
Зона возможных положе-
ний зависимости статиче-
ского коэффициента пере-
дачи тока от напряжения
коллектор—база
Зона возможных поло-
жений зависимости на-
пряжения коллектор-
эмиттер от сопротивле-
ния база—эмиттер
Зона возможных положений зави-
симости напряжения насыщения
коллектор—эмиттер от тока кол-
лектора
Зона возможных положений зави-
симости напряжения насыщения
база—эмиттер от тока коллектора
458
Зона возможных положений зави-
симости обратного тока коллекто-
ра от температуры корпуса
1кв.мA
Зона возможных положе-
ний зависимости напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эмиттер от тока база
Зона возможных положе-
ний зависимости напря-
жения насыщения база—
эмиттер от тока база
Зона возможных положений зави-
симости обратного тока коллекто-
ра от температуры корпуса
2Т860А, 2Т860Б, 2Т860В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р усилительные. Предназначены для применения в
усилителях мощности, преобразователях. Корпус металличе-
ский со стеклянными изоляторами и гибкими выводами..
Масса транзистора не более 2 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
460
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 2 В, /к = 1 А:
Т= +25 °C:
КТ860А............................ 40... 160
КТ860Б............................ 50...200
КТ860В........................... 80...300
Т= +125 °C:
КТ860А........................... 40...200
КТ860Б............................ 50...250
КТ860В............................ 80...400
Г= -60 °C:
КТ860А............................... 20...160
КТ860Б.......*.................... 25...200
КТ860В............................ 40...300
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 5 В, 4 = 0,05 А,
не менее................................. 10 МГц
Граничное напряжение при = 100 мА,
не менее:
КТ860А................................ 80	В
КТ860Б................................ 60	В
КТ860В................................ 30	В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 1 А, 4 = 0,2 А, не более......... 0,35 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 1 А, 4 = 0,2 А, не более......... 1,3 В
Время включения при (4э = 20 В, 4 = 1 А,
4 = 0,1 А, не более...................... 0,1* мкс
типовое значение...................... 0,025* мк^.
Время выключения при (4э = 20 В, 4 ~ 1 А,
4 = 0,1 А, не более...................... 1* мкс
типовое значение...................... 0,2* мкс
Время спада при С4э = 20 В, 4 = 1 А,
4 = 0,1 А, не более...................... 0,1 мкс
Обратный ток коллектора при U№ = t4s, мако
не более:
Г =+25 °C............................. 0,1 мА
Т= +125 °C............................ 3 мА
Обратный ток эмиттера при (/ы = 5 В,
не более................................. 1 мА
Емкость коллекторного перехода
при U№ = 5 В, не более................... 150* пФ
типовое значение...................... 70* пФ
461
Емкость эмиттерного перехода при = 5 В,
не более.................................. 1000 пФ
типовое значение....................... 600 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ860А.............................. 90 В
КТ860Б............................... 70 В
КТ860В..............................;	40 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер '
при /?бэ < 100 Ом:
КТ860А.............................. 90 В
КТ860Б............................... 70 В
КТ860В............................... 40 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 5 В
Постоянный ток коллектора............... 2 А
Импульсный ток коллектора............... 4 А
Постоянный ток базы..................... 1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —60...+25 ‘С:
с теплоотводом.......................... 10 Вт
без теплоотвода...................... 1 Вт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Температура окружающей среды............ — 60... Тк =
= +125 °C
При эксплуатации транзисторов необходимо принять меры,
исключающие появление паразитной генерации.
Допустимое значение статического потенциала 1 кВ.
Зависимость максимально допусти- Зависимости коэффициента К
мой постоянной рассеиваемой мощ- от длительности импульса
ности коллектора от температуры
корпуса
462
Выходные характеристики
Зависимости статического коэффици-
ента передачи тока от тока эмиттера
Зависимости времени спада от то-
ка коллектора
Зависимости напряжений насыще-
ния коллектор—эмиттер и база—
эмиттер от тока коллектора
463
КТ865А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры р-п-р импульсный. Предназначен для применения в ис-
точниках вторичного электропитания, преобразователях, око-
нечных каскадах усилителей звуковой частоты, стабилизато-
рах напряжения. Корпус металлический со стеклянными изо-
ляторами и жесткими выводами. Тип прибора указывается на
корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»
г. Брянск.
КТ865А
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при U№ = 4 В, /э = 2 А:
Г =+25 °C............................. 40...200
Т=+125°С.............................. 40...250
Т=-60°С............................... 15...200
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при ию = 10 В, 4 = 0,2 А,
не менее................................. 15 МГц
типовое значение...................... 20* МГц
Граничное напряжение при 4 = 0,05 А,
не менее................................. 160 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 6 А, 4 = 0,6 А, не более......... 2 В
типовое значение...................... 0,7* В
464
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 6 А, /Б = 0,6 А, не более...... 2 В
типовое значение..................... 1* В
Обратный ток коллектора при ию = 200 В,
не более:
Г =+25 °C............................ 0,1 мА
Т= +125 °C........................... 1 мА
Обратный ток эмиттера при = 6 В,
не более................................ 3 мА
Емкость коллекторного перехода
при (/КБ = 5 В, не более................ 300* пФ
Емкость эмиттерного перехода при Ux = 0,5 В,
не более................................ 2000* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база
при dt/K5/df С 200 В/мкс............... 200 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ С 10 Ом, dUK3/dt С 200 В/мкс.. 200 В
Постоянное напряжение база—эмиттер..... 6 В
Постоянный ток	коллектора.............. 10 А
Импульсный ток коллектора при 1 мс>
Q22..................................... 15А
Постоянный ток	базы.................... 2 А
Импульсный ток базы при С 1 мс, О > 2.. 4 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —60...+25 °C:
с теплоотводом1..................... 100 Вт
без теплоотвода2.................... 1,5 Вт
Температура р-п перехода............... +150 °C
Температура окружающей среды........... —60... Гк =
= +125 °C
Г - Л	• Л, НАМ,	• -	-	г-»
При Гц = +25...+ 125 °C Рцндкс снижается линейно до 0,3 Вт.
Пайка выводов транзистора допускается не ближе 5 мм от
корпуса транзистора при температуре не более +270 °C в
течение не более 3 с, время лужения не более 2 с. Допускает-
ся не более двух перепаек выводов.
465
Входные характеристики
Зависимость статического коэффициен-
та Передачи тока от тока коллектора
Зависимости напряжений насыщения кол-
лектор—эмиттер и база—эмиттер от тока
коллектора
2Т876А, 2Т876Б, 2Т876В, 2Т876Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р переключательные. Предназначены для примене-
ния в усилительных и переключающих устройствах. Выпуска-
ются в металлическом корпусе с жесткими выводами и сте-
клянными изоляторами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при С/КБ = 5 В, 4 = 5 А:
2Т876А, 2Т876Б, 2Т876В....................... 80...250
2Т876Г....................................... 40...160
466
2Т876(А-Г)
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при ию = 10 В, 4 = 0,5 А. 20...120* МГц
Граничное напряжение при 4 = 30 мА,
не менее:
2Т876А, 2Т876Б........................ 60 В
2Т876В................................ 40 В
2Т876Г................................ 80 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при = 5 А, /Б = 1 А, не более............ 0,5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 5 А, 4 = 1 А, не более........... 1,5 В
Время включения при = 30 В, /к = 5 А,
4 = 0,5 А, не более...................... 0,25 мкс
типовое значение...................... 0,12* мкс
Время выключения при = 30 В, 4 = 5 А,
4 = 0,5 А, не более...................... 1 мкс
типовое значение...................... 0,4* мкс
Время спада при = 30 В, /к = 5 А,
4 = 0,5 А, не более...................... 0,2 мкс
типовое значение...................... 0,05* мкс
Емкость коллекторного перехода
при С4б = 10 В, типовое значение......... 910* пФ
Емкость эмиттерного перехода при U35 = 0,5 В,
типовое значение......................... 5500* пФ
Обратный ток коллектора при U№ = U№ МАКС,
не более................................. 3 мА
Обратный ток эмиттера при Ux = 5 В,
не более................................. 10 мА
467
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т876А, 2Т876Б........................... 90	В
2Т876В............................... 50	В
2Т876Г............................... 70	В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
при = 100 Ом:
2Т876А, 2Т876Б.......................... 90 В
2Т876В........................... 50 В
2Т876Г........................... 70 В
ПРИ /?БЭ = оо;
2Т876А, 2Т876Б................... 60 В
2Т876В........................... 40 В
2Т876Г........................... 80 В
Постоянное напряжение база—эмиттер...... 5 В
Постоянный ток коллектора............... 10 А
Импульсный ток коллектора при = 10 мс... 15 А
Постоянный ток базы..................... 3 А
Импульсный ток базы = 10 мс............. 5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Гк = —60...+25 °C:
с теплоотводом........................... 50 Вт
без теплоотвода...................... 3 Вт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Температура окружающей среды............ —60... Тк =
= +125 °C
Области максимальных режимов
Зависимость статического коэффи-
циента передачи тока от тока эмит-
тера
468
Зависимость напряжения насыще- Зависимость напряжения насыще-
ния коллектор—эмиттер от тока ния база—эмиттер от тока коллек-
коллектора	тора
2Т877А, 2Т877Б, 2Т877В
Транаисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р составные универсальные. Предназначены для при-
менения в усилительных и переключающих устройствах. Вы-
пускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и
стеклянными изоляторами. Тип прибора указывается на кор-
пусе.
Масса транзистора не более 20 г. -
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
2Т877(А-В)
469
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 6/КБ = 10 В, 4 = 10 А:
2Т877А................................... 750...10000
2Т877Б, 2Т877В........................ 2500...18000
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при Цэ = 5 В, /к = 3 А,
не менее................................. 100 МГц
Граничное напряжение при /к = 0,1 А,
I 1Л
Г|^ FtVI
2Т877А................................ 80 В
2Т877Б................................ 60 В
2Т877В................................ 40 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 10 А, 4 = 0,04 А, не более....... 2 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 10 А, 4 = 0,04 А, не более...... 3 В
Время включения при = 20 В, /к = 10 А,
4 = 0,04 А, типовое значение........-.... 0,22* мкс
Время выключения при 64э = 20 В, /к = 10 А,
4 = 0,04 А, типовое значение............. 0,75* мкс
Время спада при = 20 В, 4 = Ю А,
4 = 0,04 А, типовое значение............. 0,3* мкс
Емкость коллекторного перехода
при Ц® = 20 В, типовое значение.......... 830* пФ
Емкость эмиттерного перехода при Ux = 3 В,
типовое значение......................... 1300* пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при t/кэ = С4э, макс» = 1,5 В, не более.. 1 мА
Обратный ток эмиттера при Ux = 5 В,
не более................................. 5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т877А....................-......... 80 В
2Т877Б............................... 60 В
2Т877В....................... -..... 40 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
2Т877А ............................. 80 В
2Т877Б...............................- 60 В
2Т877В.......... -................... 40 В
Постоянное напряжение эмиттер—база......~ 5 В
Постоянный ток коллектора............... 20 А
Импульсный ток коллектора при 4 = 10 мс. 40 А
470
Постоянный ток базы...................... 1,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Гк = —60...+25 °C:
с теплоотводом........................ 50 Вт
без теплоотвода....................... 3 Вт
Температура р-п перехода................. +175	°C
Температура окружающей среды............. —60... Тк	=
= +125 °C
’ При Гк > +25 "С „дщ. снижается
и на 20 мВт/“С без теплоотвода.
линейно на 0,44 Вт/°С с теплоотводом
Зависимость напряжения насыще-
ния коллектор—эмиттер от тока
коллектора
Зависимость напряжения насыще-
ния база—эмиттер от тока коллек-
тора
Зависимость коэффициента К
от длительности импульса
Зависимости времени включения
и выключения от тока коллектора
471
Зависимости статического коэффи-
циента передачи тока от тока эмит-
тера
2Т880А, 2Т880Б, 2Т880В, 2Т880Г,
2Т880А-5, 2Т880Б-5
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р универсальные. Предназначены для применения
в усилителях и переключающих устройствах. Транзисторы
2Т880А—2Т880Г выпускаются в металлическом корпусе со сте-
клянными изоляторами и гибкими выводами. Тип прибора ука-
зывается на корпусе. Транзисторы 2Т880А—5, 2Т880Б—5 вы-
пускается в виде неразделенных кристаллов на пластине с
контактными площадками для гибридных интегральных микро-
схем. Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 2 г,
кристалла не более 0,01 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
2Т880(А-Г)
472
0.32
к
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при (/КБ = 1 В, 4 = 1 А:
2Т880А, 2Т880Б, 2Т880В, 2Т880А-5,
2Т880Б-5.............................
2Т880Г...............................
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 5 В, 4 = 0,05 А...
Граничное напряжение при 4 = 0,03 А,
не менее:
2Т880А, 2Т880Б, 2Т880А-5, 2Т880Б-5...
2Т880В ..............................
2Т880Г...............................
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 1 А, /Б = 0,2 А, не более......
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 1 А, /Б = 0,2 А, не более......
Время включения при = 20 В, /к = 1 А,
/Б = 0,2 А, типовое значение............
Время выключения при = 20 В, /к = 1 А,
/Б = 0,2 А, типовое значение............
Время рассасывания при = 20 В, /к = 1 А,
/Б = 0,2 А, типовое значение............
Емкость коллекторного перехода
при U№ = 5 В, типовое значение..........
Емкость эмиттерного перехода при Ux = 4 В,
типовое значение........................
80...250
40...160
30...300* МГц
60 В
40 В
80 В
0,35 В
1,3 В
0,08* мкс
0,6* мкс
0,5* мкс
200* пФ
900* пФ
473
Обратный ток коллектора при U№ = U№ МАКС,
не более................................ 0,2 мА
Обратный ток коллектор—эмиттер
при	идКС, /?ю = 1 кОм, не более. 0,5 мА
Обратный ток эмиттера при Ux = 4,5 В,
не более................................ 1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т880А, 2Т880Г, 2Т880А-5............ 100 В
2Т880Б, 2Т880Б-5.................... 80 В
2Т880В.............................. 50 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
при /?ы = 1 кОм:
2Т88ОА, 2Т880Г, 2Т880А-5............... 100 В
2Т88ОБ, 2Т880Б-5................. 80 В
2Т880В........................... 50 В
При /^э = оо;
2Т880А, 2Т880Б, 2Т880А-5, 2Т880Б-5 60 В
2Т880В........................... 40 В
2Т880Г........................... 80 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 4,5 В
Постоянный ток коллектора.............. 2 А
Импульсный ток коллектора при = 10 мс.. 4 А
Постоянный ток базы.................... 1 А
Импульсный ток базы = 10 мс............ 1,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’ при Тк = —60...+25 °C:
с теплоотводом......................... 5 Вт
без теплоотвода..................... 0,8 Вт
Температура р-п перехода............... +150 °C
Температура окружающей среды........... —60... Гк =
= +125 °C
мощность коллектора снижается линейно на 0,04 Вт/’С с теплоотводом м на
6,4 мВт/’С без теплоотвода.
474
Зависимость коэффициента К
от длительности импульса
Зависимости времени включения,
выключения, рассасывания от то-
ка коллектора
Зависимость напряжения насыще-
ния коллектор—эмиттер от тока
коллектора
Зависимость напряжения насыще-
ния база—эмиттер от тока коллек-
тора
Области максимальных режимов
Зависимость статического коэффи-
циента передачи тока от тока эмит-
тера
475
2Т883А, 2Т883Б
Транзисторы кремниевые планарные структуры р-п-р пере-
ключательные. Предназначены для применения в усилителях и
переключающих устройствах. Корпус пластмассовый с жестки-
ми выводами.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
2Т883(А. Б)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 10 В, /э = 0,5 А,
не менее:
Т = +25 °C.......................... 25
7’=+100°С........................... 18
Г =—60 °C........................... 10
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 6/КБ = 10 В, /э = 50 мА,
не менее............................... 20 МГц
Граничное напряжение при /к = 20 мА,
не менее:
2Т883А................................. 250 В
2Т883Б.............................. 200 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 0,5 А, 4 = 0,1 А, не более.... 1,8 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 0,5 А, 4 = 0,1 А, не более.... 1,8 В
Время включения при = 40 В, 4 = 0,2 А,
4 = 0,02 А, не более................... 0,4* мкс
типовое значение.................... 0,25* мкс
476
Время выключения при = 40 В, 4 = 0,2 А,
4 = 0,02 А, не более.................... 5,7* мкс
типовое значение..................... 3,3* мкс
Время рассасывания при ию = 40 В, /к = 0,2 А,
/Б = 0,02 А, не более................... 5,2* мкс
типовое значение..................... 2,8* мкс
Обратный ток коллектора, не более:
при Т= -60...+25 °C:
U№ = 300	В для	2Т883А........... 0,1	мА
(/КБ = 250	В для	2Т883Б.......... 0,1	мА
при Т= +100 °C:
6/КБ = 250	В для	2Т883А........... 0,5	мА
(УКБ = 200	В для	2Т883Б.......... 0,1	мА
Обратный ток эмиттера при Ub3 = 5 В,
не более................................ 0,1 мА
Емкость коллекторного перехода
при 64э = 5 В, не более................. 70 пФ
типовое значение..................... 45* пФ
Емкость эмиттерного перехода при Ua = 0,5 В,
не более................................ 650 пФ
типовое значение..................... 450* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база
при dU№/dt^ 250 В/мкс:
2Т883А.................................. 300 В
2Т883Б............................... 250 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ < 100 Ом, dU^/dt^ 250 В/мкс:
2Т883А.................................. 300	В
2Т883Б............................... 250	В
Постоянное напряжение база—эмиттер...... 5 В
Постоянный ток	коллектора.............. 1 А
Импульсный ток	коллектора.............. 2 А
Постоянный ток	базы.................... 0,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Гк = —60...+25 °C:
с теплоотводом.......................... 10 Вт
без теплоотвода...................... 1 Вт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Температура окружающей среды............ —60... Гк =
= +100 °C
1 При Тк = +25... 100 *С снижается линейно на 0,08 Вт/'С с теплоот-
водом и на 8 мВт/’С без теплоотвода.
477
Допускаются обрезка выводов транзисторов не ближе 6 мм
от корпуса и одноразовый изгиб выводов на угол не более 90°
от первоначального положения в плоскости, перпендикуляр-
ной основанию корпуса, и не ближе 5 мм от корпуса с радиу-
сом изгиба не менее 1,5 мм. При этом должны приниматься
меры, исключающие передачу усилия на корпус.
Расстояние от корпуса до места лужения и пайки не менее
5 мм. При одновременной пайке теплоотводящей поверхности
и выводов транзистора пайку осуществлять припоем с темпе-
ратурой не более +260 °C, время пайки не более 3 с; при
раздельной пайке теплоотводящей поверхности и выводов тран-
зистора пайку осуществлять припоем с температурой не более
+240 °C, общее время пайки не более 8 с. При этом необходи-
мо применение теплоотвода.
Входные характери-
стики
Выходные харак-
теристики
Зависимости напряже-
ний насыщения коллек-
тор—эмиттер и база—
эмиттер от тока коллек-
Зависимость статического коэффи- Зависимость максимально допусти-
циента передачи тока от тока эмит- мого постоянного напряжения Кол-
тера	лектор—эмиттер от сопротивления
база—эмиттер
478
Области максимальных режимов	Зависимости коэффициента
от длительности импульса
2Т887А, 2Т887Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р переключательные. Предназначены для примене-
ния в переключательных схемах, импульсных модуляторах,
стабилизаторах напряжения. Выпускаются в металлическом
корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
479
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при U№ = 9 В, 4 = 1 А........ 20...120
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 10 В, 4 = 0,5 А,
не менее................................ 15 МГц
Граничное напряжение при 4 = 100 мА,
L = 160 мГн, не менее:
2Т887А............................... 600 В
2Т887Б............................... 500 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 1 А, 4 = 0,4 А, не более........ 1,4 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 1 А, 4 = 0,4 А, не более........ 1,5 В
Время нарастания при 14э = 250 В, 4 = 1 А,
4 = 0,2 А, не более..................... 0,15 мкс
типовое значение..................... 0,12* мкс
Время рассасывания при 14э = 250 В, 4 = 1 А,
4 = 0,2 А, не более..................... 5 мкс
типовое значение..................... 3* мкс
Время спада при 64э = 250 В, 4 = 1 А,
4 = 0,2 А, не более..................... 0,5 мкс
типовое значение..................... 0,35* мкс
Емкость коллекторного перехода
при U№ = 10 В, не более......-.......... 400 пФ
типовое значение..................... 350* пФ
Обратный ток коллектора при Ц& - U№ ^с,
не более................................ 0,25 мА
Обратный ток эмиттера при Ux = 5 В,
не более................................ 1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т887А............................... 700 В
2Т887Б............................... 600 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
при /?бэ = 100 Ом:
2Т887А............................ 700 В
2Т887Б............................ 600 В
при /?ы = оо;
, 2Т887А........................... 600 В
2Т887Б............................ 500 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 5 В
Постоянный ток коллектора............... 2 А
Импульсный ток коллектора при 4 = 100 мкс,
Q = 100................................ 5 А
480
Постоянный ток базы...................... 1 А
Импульсный ток базы = 100 мкс, Q = 100 ... 2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Гк = —60...+25 °C:
с теплоотводом........................ 75 Вт
без теплоотвода....................... 3 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Тк = —60...+25 °C, = 100 мкс,
Q= 100 .................................. 750 Вт
Температура р-п перехода................. +150 °C
Температура окружающей среды............. —60... Тк =
= +125 °C
’ При Тк> +25 °C максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора Рк МАКС снижается линейно на 6 Вт/°С с теплоотводом и на
0,6 Вт/°С без теплоотвода.
Зона возможных положений зави-
симости времени рассасывания от
тока коллектора
Зона возможных положений зави-
симости времени нарастания от то-
ка коллектора
Области максимальных режимов
Зависимости коэффициента К
от длительности импульса
16-835
481
Зона возможных положений зави-
симости статического коэффициен-
та передачи тока от тока эмиттера
Зона возможных положений зави-
симости напряжения насыщения
коллектор—эмиттер от тока кол-
лектора
Зона возможных положений зави-
симости напряжения насыщения
база—эмиттер от тока коллектора
Зона возможных положений зави-
симости времени спада от тока
коллектора
2T888A, 2Т888Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р переключательные. Предназначены для примене-
ния в преобразователях, модуляторах, стабилизаторах напря-
жения вторичных источников электропитания. Выпускаются в
металлическом корпусе с гибкими выводами и стеклянными
изоляторами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
482
00.53
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при (/№ = 3 В, 4 = 30 мА..... 30... 120
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 10 В, /к = 30 мА
не менее................................ 15 МГц
Граничное напряжение при /к = 30 мА,
не менее:
2Т888А............................... 800 В
2Т888Б............................... 600 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 20 мА, /Б = 4 мА, не более...... 1 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 20 мА, 4 = 4 мА, не более...... 1,5 В
Время нарастания при = 250 В, /к = 40 мА,
4=8 мА, не более........................ 0,7 мкс
типовое значение..................... 0,35* мкс
Время рассасывания при = 250 В,
4 = 40 мА, 4 = 8 мА, не более........... 3 мкс
типовое значение..................... 1,3* мкс
Время спада при = 250 В, /к = 40 мА,
4 = 8 мА, не более...................... 0,5 мкс
Обратный ток коллектора при (/КБ = U№i МАКС,
не более................................ 10 мкА
Обратный ток эмиттера при иэъ = 7 В,
не более................................ 10 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т888А................................... 900	В
2Т888Б................................ 600	В
16'
483
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
при /?бэ = 1 кОм:
2Т888А........................... 900 В
2Т888Б............................ 600 В
при /?бэ = °°:
2Т888А........................... 800 В
2Т888Б............................ 600 В
Постоянное напряжение	база—эмиттер...... 7 В
Постоянный ток коллектора............... 0,1 А
Импульсный ток коллектора при = 100 мкс,
0= 100.................................. 0,2 А
Постоянный ток базы..................... 0,05 А
Импульсный ток базы Ги	= 100	мкс,	О= 100 ... 0,1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Гк = —60...+25 °C:
с теплоотводом.......................... 7 Вт
 без теплоотвода..................... 0,8 Вт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Температура окружающей среды............ —60... Тк =
= +125 °C
1 При Гк = +25...+125 ’С максимально допустимая постоянная рассеиваемая
мощность коллектора снижается линейно на 56,2 мВт/"С с теплоотводом и на
6,4 мВт/‘С без теплоотвода.
200\‘А
190
IOOmkc 1нкс
[Юнке

MIIIH
218886^
'Статический
режим
I I I I н
w=7r^Z5T==U
Зависимости коэффициента К
от длительности импульса
Л
10 10 50 100 да	500икз,В
Области максимальных режимов
484
Зона возможных положений зави-
симости статического коэффициен-
та передачи тока от тока эмиттера
Зона возможных положений зави-
симости напряжения насыщения
коллектор—эмиттер от тока кол-
лектора
Зона возможных положений зави-
симости напряжения насыщения
база—эмиттер от тока коллектора
Зона возможных положений зави-
симости времени включения от то-
ка коллектора
Зона возможных положений зави-
симости времени спада от тока
коллектора
Зона возможных положений зави-
симости времени рассасывания от
тока коллектора
485
КТ896А, КТ896Б
КТ896(А.Б)
Транзисторы крем-
ниевые эпитаксиально-
планарные структуры
р-п-р составные усили-
тельные. Предназначе-
ны для применения в
усилителях мощности.
Выпускаются в пласт-
массовом корпусе с
жесткими выводами. Тип
прибора указывается на
корпусе.
Масса транзистора
не более 10 г.
Изготовитель — ак-
ционерное общество
«Кремний», г. Брянск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при U№ = 10 В, /э = 5 А.... 750...18000*
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при С/КБ = 10 В, 4 = 0,5 А,
не менее.............................. 4 МГц
Граничное напряжение при /э = 0,1 А,
не менее:
КТ896А............................. 80 В
КТ896Б............................. 45 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 5 А, /Б = 20 мА, не более.... 2 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ896А............................. 90 В
КТ896Б.............................. 60 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
при /?БЭ = 1 кОм:
КТ896А............................ 90	В
КТ896Б............................ 60	В
при /?вэ = °°:
КТ896А............................ 80	В
КТ896Б.....................-.... 45 В
486
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 5 В
Постоянный ток коллектора.............. 20 А
Импульсный ток коллектора.............. 30 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —Д5...+25 °C............. 125 Вт
Температура р-п перехода............... +150 °C
Температура окружающей среды........... —45...ТК =
= +W0 °C
КТ8102А, КТ8102Б
Транзисторы кремние-
вые эпитаксиально-планар-
ные структуры р-п-р универ-
сальные. Предназначены
для применения в оконеч-
ных каскадах усилителей
звуковой частоты, стабили-
заторах напряжения, преоб-
разователях. Выпускаются в
пластмассовом корпусе с
жесткими выводами. Тип
прибора указывается в эти-
кетке.
Масса транзистора не
более 2,5 г.
Изготовитель — акцио-
нерное общество «Крем-
ний», г. Брянск.
КТ8102(А,Б)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 6/КБ = 10 В, /э = 2 А, не менее 20
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при £/кэ = 10 В, /к = 0,2 А,
не менее................................. 10	МГц
Граничное напряжение при /к = 50 мА,
L = 160 мГн, не менее:
КТ8102А................................. 160	В
КТ8102Б.............................. 120	В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 6 А, /Б = 0,6 мА, не более.... 2	В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 6 А, /Б = 0,6 мА, не более.... 2	В
487
Емкость коллекторного перехода
при = (/кб, НАКС, не более............. 1000 пФ
Обратный ток коллектора при U№ = UK6
не более............................... 1 мА
Обратный ток эмиттера при (^ = 6 В,
не более............................... 3 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ8102А.............................. 200 В
КТ8102Б............................. 160 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /^ = 100 Ом:
КТ8102А............................. 200	В
КТ8102Б............................. 160	В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 6 В
Постоянный ток	коллектора.............. 16 А
Импульсный ток	коллектора.............. 25 А
Постоянный ток	базы.................... 2 А
Импульсный ток	базы.................... 4 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —60...+25 °C............. 150 Вт
Температура р-п перехода................. +150	°C
Температура окружающей среды........... —60...	Тк =
= +125 °C
КТ8104А
Транзистор кремниевый планарный структуры р-п-р со-
ставной усилительный. Предназначен для применения в усили-
телях мощности и переключающих устройствах. Выпускается в
металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными
изоляторами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, 4 = 5 А, не менее . 10000
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при £/КБ = 10 В, 4 = 0,5 А,
не менее.............................. 10 МГц
Граничное напряжение при 4 = 0,1 А,
не менее.............................. 350 В
488
КТ81МА
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 10 А, /Б = 20 мА, не более..... 2	В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база.... 350 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = кОм.......................... 350 В
Постоянное напряжение база—эмиттер...... 5 В
Постоянный ток коллектора............... 20 А
Импульсный ток коллектора............... 25 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —60...+25 °C.............. 150 Вт
Температура р-п перехода................ +175 °C
Температура окружающей среды.......... -60...	Гк =
= +125 °C
КТ8106А, КТ8106Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р составные усилительные. Предназначены для приме-
нения в усилителях мощности и переключающих устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 10 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
489
КТ8106(А,Б)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при (/№ = 10 В, /э = 5 А, не менее 750... 18000
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при U№ = 20 В, /э = 0,5 А,
не менее............................... 4 МГц
Граничное напряжение при /э = 0,1 А,
не менее:
КТ8106А............................. 80 В
КТ8106Б............................. 45 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 5 А, /Б = 20 мА, не более..... 2 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ8106А............................. 90 В
КТ8106Б............................. 60 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
при /?бэ = 1 кОм:
КТ8106А.......................... 90	В
КТ8106Б.......................... 60	В
при /Рю = оо:
КТ8106А.......................... 80	В
КТ8106Б.......................... 45	В
Постоянное напряжение база—эмиттер..... 5	В
Постоянный ток коллектора.............. 20	А
490
Импульсный ток коллектора............... 30 А
Постоянная- рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —60...+25 °C.............. 125 Вт
Температура р-п перехода................ +150 °C
Температура окружающей среды............ — 60... Тк =
= +100 °C
КТ8115А, КТ8115Б, КТ8115В
Транзисторы кремни-
евые эпитаксиально-пла-
нарные структуры р-п-р
составные усилительные.
Предназначены для при-
менения в усилителях
постоянного тока, преоб-
разователях напряжения,
ключевых схемах. Выпус-
каются в пластмассовом
корпусе с жесткими вы-
водами. Тип прибора ука-
зывается на корпусе.
Масса транзистора не
более 2,5 г.
Изготовитель — за-
вод «Искра», г. Улья-
новск.
КТ81Ш-В)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при Ц& = 3 В, /к = 0.5...3 А,
не менее................................ 1000
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 4 В, /к = 3 А,
не менее......................„......... 4 МГц
Граничное напряжение при /к = 0,1 А,
не менее:
КТ8115А........................-....... 100	В
КТ8115Б.............................. 80	В
КТ8115В  .........................    60	В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 3 А, 4 = 0,012 А, не более....... 2	В
‘491
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 3 А, /Б = 0,012 мА, не более.... 4 В
Обратный ток коллектора при ЦБ = Ц6 МАКС,
не более................................. 0,2 мА
Обратный ток эмиттера при иэъ = 5 В,
не более................................. 2 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ8115А.............................. 100 В
КТ8115Б.............................. 80 В
КТ8115В.............................. 60 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
КТ8115А.............................. 100 В
КТ8115Б.............................. 80 В
КТ8115В.............................. 60 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 5 В
Постоянный ток коллектора............... 8 А
Импульсный ток коллектора............... 16 А
Постоянный ток базы..................... 0,12 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Тк = —45...+25 °C.............. 65 Вт
Температура р-п перехода................. +150	°C
Температура окружающей среды........... —45...	Гк =
= +100 °C
Зависимость статического коэффи-
циента передачи тока от тока кол-
лектора
Зависимости напряжений насыще-
ния коллектор—эмиттер и база—
эмиттер от тока коллектора
192
0/1——1—LL1—I—1_Lu—
/ i i 110 л w (jK3 g
Области максимальных режимов Зависимость максимально допусти-
мой постоянной рассеиваемой мощ-
ности коллектора от температуры
корпуса
КТ8130А, КТ8130Б, КТ8130В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р составные усилительные. Предназначены для приме-
нения в усилителях мощности и переключающих устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 1/КБ = 3 В:
4 = 0,5 А............................. 500...	15000*
4 = 2 А............................... 750...	15000*
4 = 4 А............................... 100...	15000*
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 6/КБ = 10 В, 4 = 0,5 А,
не менее................................... 25	МГц
Граничное напряжение при 4 = 0,1 А,
не менее:
КТ8130А............................. 40	В
КТ8130Б............................. 60	В
КТ8130В............................. 80	В
493
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер,
не более:
при 4 = 2 А, /Б = 8 мА.............. 2 В
при 4 = 4 А, 4 = 40 мА.............. 3 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ8130А.................................. 40	В
КТ8130Б............................... 60	В
КТ8130В............................... 80	В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?бэ = 1 кОм:
КТ8130А............................. 40 В
КТ8130Б............................. 60 В
КТ8130В............................. 80 В
Постоянное напряжение база—эмиттер..... 5 В
Постоянный ток коллектора.............. 4 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Гк = —45...+25 °C............. 20 Вт
Температура р-п перехода.................. +150	°C
Температура окружающей среды........... — 45... Гк =
= +100 °C
Транзисторы являются комплементарными с транзистора-
ми КТ8131А—КТ8131В.
494
ПЕРЕЧЕНЬ ЗАРУБЕЖНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ,
ЗАМЕНЯЕМЫХ ОТЕЧЕСТВЕННЫМИ
Тип оте- чественного транзистора	Тип зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
	Транзисторы низкочастотные Транзисторы п-р-п	
КТ503А	MPS6567	Central Semi, Motorola, Natl Semi, Semicon Tech, Semitronics, Solid Stine
КТ503Б	2N1594	Amer Micro SC, Crimson Semi, Elec Trans, Hi-Tron, SldStDvcs, Space Power
КТ503В	2N551	Advncd Semi, Amer Micro SC, Central Semi, Diode Trans, Elec Trans, Genrl Diode, Hi-Tron, Inti Device, New Jersey, Semi Inc, Semicoa, Semicon Tech, Semitronics, Sid St Dvcs, Sid St Indus, Solid Stine, Space Power, Swampscott
КТ503Г	ММ2483	Nth Amer Semi
	2SC853	Advncd Semi, Micro Elecs, Semi Inc, Solid Stine
КТ503Д	2N2198	Amer Micro SC, Central Semi, Crimson Semi, Diode Trans, Elec Trans, Hi-Tron, Space Power, Swampscott
КТ503Е	ZTX341	Plessey Semi
2Т504А,	2N5092	Advncd Semi, Crimson Semi, CSR Indus, Diode
КТ504А,		Trans, Genrl Diode, Gnrl Trans, Hi-Tron, Semelab,
2Т504А-5		Semicoa, Semicon Tech, Silicon Trans, Space Power
	40321S, 40321L	Semicon Tech
2Т504Б,	2SD158	Space Power
КТ504Б,		
2Т504Б- 5	2N6721	Space Power, Natl Semi
КТ504В	2SC1929	Panasonic, Matsushita
2Т506А,	STIP805.	Semicon Tech
2Т506А-5,	MSP75A	
КТ506А	STIP705, MSP65A	Semicon Tech
2Т506Б,	STIP605	Semicon Tech
КТ506Б		
2Т704А,	2SC937	Solid Stine
КТ704А		
495
Продолжение
Тип оте- чественного транзистора	Тип зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
2Т704Б, КТ704Б, КТ704В	TIPL770	Texs Inst Ltd
КТ710А	STI804	Semicon Tech
2Т713А	DTS708, DTS709	New Jersey, Semicon Tech
	TR708, TR709, SIT708, SIT709, SIT710	Semicon Tech
	SDT708, SDT709	PPC Product, Solitron
	SML708, SML709, SML710, SML712, SML714	Semelab
КТ715А	SML424, SML425	Semelab
2Т716А	2SD472H	Hitachi Ltd
2Т716А1	2SD1591	NEC Elecsinc
	SE9302	Advncd Semi, Central Semi, Gnrl Trans, Motorola, Natl Semi, Swampscott
КТ716А	BD267B	Nth Amer Semi, Philips Elec
	BDX53C	Semelab, SGS—Ates, Texs Inst Ltd
	TIP112	Advncd Semi, Central Semi, Digitron, GE Solid St, Gnrl Trans, Harris Semi, Inti Device, Iskra • Semic, Lucas Semi, Matsushita, Mospec Semi, Motorola, NAS Elekt, Nat) Semi, Panasonic, Philips Comp, Philips Dscr, President, Samsung, Semelab, Semi Inc, Semitronics, SGS—Ates, SGS—Thomson, Sid Micro, Solid Stine, Texas Instr, Texas Ltd
	TIP122	Advncd Semi, Central Semi, Cont’l Dev, Digitron, Diode Trans, GE Solid St, Gnrl Trans, Harris Semi, Inti Device, Iskra Semic, Lucas Semi, Matsushita, Mospec Semi, Motorola, Nas Elekt, Natl Semi, Panasonic, Philips Comp, Philips Dscr, President, RCA Corp/GE, Samsung, Semelab, Semi Inc, Semi Ltd, Semitronics, SGS—Ates, SGS—Thomson, SID Micro, Texas Instr, Texas Inst Ltd, Toshiba Amer
496
Продолжение
Тип оте- чественного транзистора	Тип зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
2Т716Б	SDN601	Silicon Tran
2Т716Б1	D44E3	GE Solid St, Motorola, New Jersey, Nth Amer Semi, Semicon Tech, Solid Stine
КТ716Б	BD267A	Nth Amer Semi, Philips Elec
	BDX53B	Central Semi, Digitron, GE Solid St, Motorola, Nth Amer Semi, Semelab, SGS—Ates, Texslnst Ltd
	TIP111	Advncd Semi, Central Semi, Digitron, GE Solid St, Gnrl Trans, Harris Semi, Inti Device, Iskra Semic, Lucas Semi, Matsushita, Mospec Semi, Motorola, NAS Elekt, Natl Semi, Panasonic, Philips Comp, Philips Dscr, President, Samsung, Semelab, Semi Inc, Semitronics, SGS—Ates, SGS—Thomson, Sid Micro, Solid Stine, Texas Instr, Texas Ltd
	TIP121	Advncd Semi, Central Semi, Cont’l Dev, Digitron, Diode Trans, GE Solid St, Gnrl Trans, Harris Semi, Inti Device, Iskra Semic, Lucas Semi, Matsushita, Mospec Semi, Motorola, Nas Elekt, Natl Semi, Panasonic, Philips Comp, Philips Dscr, President, RCA Согр/GE, Samsung, Semelab, Semi Inc, Semi Ltd, Semitronics, SGS—Ates, SGS—Thomson, SID Micro, Texas Instr, Texas Inst Ltd, Toshiba Amer
2Т716В	2SD523	Toshiba Corp
2Т716В1	BDT63F	Philips Elec
	2SD1827	Sanyo Elect
КТ716В	BD267	Nth Amer Semi, Philips Elec, Semelab
	TIP110	Advncd Semi, Central Semi, Digitron, GE Solid St, Gnrl Trans, Harris Semi, Inti Device, Iskra Semic, Lucas Semi, Matsushita, Mospec Semi, Motorola, NAS Elekt, Natl Semi, Panasonic, Philips Comp, Philips Dscr, President, Samsung, Semelab, Semi Inc, Semitronics, SGS—Ates, SGS—Thomson, Sid Micro, Solid Stine, Texas Instr, Texas Ltd
	TIP120	Advncd Semi, Central Semi, Cont’l Dev, Digitron, Diode Trans, GE Solid St, Gnrl Trans, Harris Semi, Inti Device, Iskra Semic, Lucas Semi, Matsushita, Mospec Semi, Motorola, Nas Elekt, Natl Semi, Panasonic, Philips Comp, Philips Dscr, President, RCA Corp/GE, Samsung, Semelab, Semi Inc, Semi Ltd, Semitronics, SGS—Ates, SGS—Thomson, SID Micro, Texas Instr, Texas Inst Ltd, Toshiba Amer
497
Продолжение
Тип оте- чественного транзистора	Тип зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
КТ716Г	BDW23	Central Semi, Semelab, SGS—Ates
2Т718А	MJ413	Crimson Semi, Motorola, Nth Amer Semi, Semicoa, Semicon Tech, SldStDvcs, Solid Stine
	2SC3277M	Sanyo Elect
	2SC2749M	NEC Elecs
	SDT14305	Solitron, PPC Product
2Т718Б	SML12303	Semelab
	SDT14304	Solitron, PPC Product
	BUX17B	GE Solid St, Nth Amer Semi
КТ719А	MJE722	Central Semi, Crimson Semi, Gnrl Trans, Motorola, Natl Semi, Nth Amer Semi
	2N1480	Advncd Semi, Amer Micro SC, API Electron, Central Semi, Crimson Semi, CSR Indus, Diode Trans, Elek Trans, Ferranti Ltd, GE Solid St, Genrl Diode, Gnrl Trans, Harris Semi, Hi-Tron, Industro Tm, Inti Device, Lucas Semi, NAS Elekt, New Eng Sc, New Jersey, PPC Product, Semelab, Semi Inc, Semicon Tech, Semitronics, Sensitron, Silicon Trans, SldStDvcs, SldStlndus, Solid Power, Solid Stine, Space Power, Swampscott, Syntar Ind, Transitron, UPI Semi
КТ721А	2SD238	Advncd Semi, Semi Inc, Space Power
КТ723А	SDT7744	Solitron
	TIP33C	Advncd Semi, Central Semi, Crimson Semi, Digitron, Matsushita, Mospec Semi, Motorola, NAS Elekt, Panasonic, Philips Comp, Philips Dscr, PPC Product, Semelab, Semitronics, SGS—Thomson, Texas Instr, Texs Inst Ltd
КТ728А	BDY55	Advncd Semi, Echanges, GE Solid St, Harris Semi, NAS Elekt, Semelab, Sid St Elect, Solitron, Space Power, Thom CSFCom
	2SD878	Indust Mexi, Toshiba Amer
	2N3055E	Advncd Semi, Inti Pw Semi, Semelab, Space Power
	BD130	Central Semi, Cont’l Dev, Crimson Semi, Inti Pwr Semi, Keltron Pwr, Lucas Semi, NAS Elekt, Semelab, SGS—Ates, Siemens Akt, Solitron, ThmsCSFEFC, Thoms CSF Comp
	KD3055	Tesla Elek
	BDY20	Advncd Semi, Cont’l Dev, Elcoma, Inti Pwr Semi, Lucas Semi, NAS Elekt, Philips Comp, Semelab, Solitron
	2N3055S	Solitron, Space Power
498
Продолжение
Тип оте- чественного транзистора	Тип зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
КТ801А	S2N4150	Solitron
КТ801Б	SML5507, SML5512	Semelab
КТ802А	TIP29C	Advncd Semi, Amperex Elec, Central Semi, Crimson Semi, Digitron, GE Solid St, Gnrl Trans, Inti Device, Matsushita, Motorola, Natl Semi, Nth Amer Semi, Philips Elec, President, Semelab, Semi Inc, SGS—Ates, SID Micro, Texas Instr, Texlnst Ltd, Toshiba Amer, UH Semi
2Т803А,	BDY17	Nth Amer Semi
КТ803А		-
КТ805А	2SC687	Solid Stine
КТ805АМ	BD955	Nth Amer Semi
КТ805БМ	СХ702А	Advncd Semi, Semi Inc
КТ807А,	2N1047	Amer Micro SC, Elec Trans, Elm State, Hi-Tron,
КТ807АМ		Silicon Trans, SidStDvcs, Solid Power, Space Power, Syntar Ind, UPI Semi
КТ807Б,	2N657	Advncd Semi, Amer Micro SC, Central Semi,
КТ807БМ		Cont’l Dev, Crimson Semi, Digitron, Elm State, Gnrl Diode, Gnrl Trans, Hi-Tron, Inti Device, Motorola, New Jersey, Nth Amer Semi, Raytheon Co, RFGain, Semi Inc, Semicoa, Semicon Tech, Semitronics, SGS-Ates, SidStDvcs, Std St Indus, Solid Stine, Solitron, Space Power, Swampscott, UP! Semi
КТ808АМ	2N5559	Advncd Semi, Crimson Semi, Diode Trans, Gnrl Trans, Inti Device, New England, RFGain, Semi Inc, Silicon Trans, SidStDvcs, Solitron, Space Power
КТ808АЗ,	BD245C	Nth Amer Semi, Semelab, Texs Inst Ltd
КТ808БЗ		
КТ808БМ	2SC407	Shindengen
	SML7734	Semelab
КТ808ВМ	2SD213	Solid Stine
	BDY19	Nth Amer Semi
КТ808ГМ	BDY18	Nth Amer Semi
2Т809А,	2SC2501	President
КТ809А		
2Т812А	BU106	Nth Amer Semi, Semelab
ЛГ812л	BUY79	Nth Amer Semi, Semelab, Solitron
2Т812Б	BU107	Semelab
499
Продолжение
Тип оте- чественного транзистора	Тип зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
КТ812Б	BUY77	Nth Amer Semi
КТ812В	BUX18	GE Solid St, Nth Amer Semi, Semelab, Sid Micro
КТ815А	MJE72O	Central Semi, Crimson Semi, Gnrl Trans, Motorola, Natl Semi, Nth Amer Semi, Solid Stine
КТ815Б	NB312K, NB312M	Natl Semi
КТ815В	NB313K, NB313M	Natl Semi
КТ815Г	BDC01D	Motorola
КТ817А	MJE31	Central Semi, Motorola
КТ817Б	BD175	Central Semi, Comset Semi, Motorola, Nth Amer Semi, Semelab, SGS—Ates
КТ817В	MJE31A	Motorola
КТ817Г	MJE31C	Motorola
КТ817Б2	2SD235G—Y	Indust Mexi
КТ817Г2	2SC567K	NEC Corp JA
	BD179-16	Motorola
2Т819А	BDW51C	Central Semi, Semelab, SGS—Ates
КТ819АМ	MJ2801	Crimson Semi, Nth Amer Semi, Semicoa
	40251	Advncd Semi, Central Semi, Crimson Semi, Diode Trans, GE Solid St, Gnrl Trans, Hybrid Semi, Inti Device, Nth Amer Semi, RF Gain, Semi Inc, SGS—Ates, SldStDvcs, Space Power, Swampscott
	BDX13	Inti Pwr Semi, Nth Amer Sami, Semelab
2Т819А2	BD743C	Nth Amer Semi, Semelab, Texs Inst Ltd
	BD911	Central Semi, Digitron, Nth Amer Semi, Semelab, SGS—Ates
КТ819А	2SC1354	Elec Trans
2Т819Б	BDW51B	Central Semi, Semelab, SGS—Ates, Solitron
2Т819Б2	BD743B	Nth Amer Semi, Semelab, Texs Inst Ltd
КТ819Б	BD501	Nth Amer Semi
КТ819БМ	2N6470	Central Semi, Crimson Semi, Diode Trans, GE Solid St, New England, Nth Amer Semi, PPC Product, RF Gain, Semi Inc, Semicoa, Silicon Trans, Space Power
2Т819В	BD130	Central Semi, Crimson Semi, Keltron Pwr, Semelab
	SDT9802	SldStDvcs, SPPC Product
500
Продолжение
Тип оте- чественного транзистора	Тип зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
2Т819В2	2N6487	Central Semi, Crimson Semi, Digitron, Diode Trans, GE Solid St, Gnrl Trans, Motorola, Natl Semi, Nth Amer Semi, RF Gain, Semelab, Semi Inc, SGS—Ates, Solid Stine, Space Power
КТ819В	2N6110	Advncd Semi, Bharat, Crimson Semi, Diode Trans, GE Solid St, Natl Semi, Semi Inc, Semi Ltd, Semitronics, Space Power, Swampscott, UPI Semi
КТ819ВМ	BDX60	Nth Amer Semi, SGS—Ates
КТ819Г	BDT95	Amperex Elec, Nth Amer Semi, Philips Elec
КТ819ГМ	2N3055/6	Semelab
	SDT9208	Nth Amer Semi, SldStDvcs
КТ819А1	2SD847-09	Collmer Fuji
КТ819Б1	TIP73	Semelab
КТ819В1	TIP3055	Advncd Semi, Amperex Elec, Digitron, Motorola, Nth Amer Semi, Philips Elec, President, Semelab, Semi Inc, SGS—Ates, Texas Instr, Texs Inst Ltd
КТ821А-1	2N2239	Amer Micro SC, Crimson Semi, Diode Trans, Hi-Tron, Hybrid Semi, New England, Semicoa, Semicon Tech, SldStDvcs, Space Power
КТ821Б-1	MPSU31	Motorola, Solid Stine
КТ821В-1	2N657S	Space Power
КТ823А-1	BD633	Micro Elecs, Natl Semi, Nth Amer Semi, Semelab, Semi Inc
КТ823Б-1	SDT4308	Crimson Semi, SldStDvcs
	SDT4302	Crimson Semi, SldStDvcs
КТ823В-1	BLX11	Nth Amer Semi, Solitron
2Т826А, 2Т826В, 2Т826А5, КТ826А, КТ826В	2SC1101	Solid Stine
2Т826Б, КТ826Б	STI701	Semicon Tech
2Т827А, КТ827А	2SD729H	Hitachi Ltd
2Т827А-5	2SD1672	NEC Elecsinc
	2SD1087	Toshiba Corp
2Т827Б, КТ827Б	MJ3521	Nth Amer Semi
501
Продолжение
Тип оте- чественного транзистора	Тип зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
2Т827В, КТ827В.	2N6Q57	Advncd Semi, Central Semi, Crimson Semi, Digitron, Diode Trans, Elm State, GE Solid St, Gnrl Trans, Inti Pwr Semi, Motorola, New England, New Jersey, Nth Amer Semi, RF Gain, Semelab, Semi Inc, SGS—Ates, Silicon Trans, Sid St Elect, Solid Stine, Space Power, Swampscott, UPb Semi
2Т828А, КТ827А, КТ827В	SDT18328	Solitron
2Т828Б, КТ827Б, КТ828Г	BU207	Comset Semi-, Cont’l Dev, Digitron, Inti Pwr Semi, Motorola, Nth Amer Semi, President, Semelab, Solid Stine, Solitron, Telefunken, Toshiba Corp
КТ829А	BD267B	Nth Amer Semi, Philips Elec
	TIP122	Advncd Semi, Amperex Elec, Central Semi, Digitron, Diode Trans, GE Solid St, Gnrl Trans, Inti Device, Matsushita, Motorola, Natl Semi, Nth Amer Semi, Philips Elec, President, Semelab-, Semi Inc, Semi Ltd, SGS—Ates, Sid Micro, Swampscott, Texas Instr, Texs Inst Ltd, Toshiba Amer
КТ829Б	BD267A	Nth Amer Semi, Philips Elec
	TIP121	Advncd Semi, Amperex Elec, Central Semi, Digitron, Diode Trans, GE Solid St, Gnrl Trans, Inti Device, Matsushita, Motorola, Natl Semi, Nth Amer Semi, Philips Elec, President, Semelab, Semi Inc, Semi Ltd, SGS—Ates, Sid Micro, Swampscott, Texas Instr, Texs Inst Ltd, Toshiba Amer
КТ829В	BD267	Nth Amer Semi, Philips Elec, Semelab
	TIP 120	Advncd Semi, Amperex Elec, Central Semi, Digitron, Diode Trans, GE Solid St, Gnrl Trans, Inti Device, Matsushita, Motorola, Natl Semi, Nth Amer Semi, Philips Elec, President, Semelab, Semi Inc, Semi Ltd, SGS—Ates, Sid Micro, Swampscott, Texas Instr, Texs Inst Ltd, Toshiba Amer
КТ829Г	BD695	Semelab
2Т831А	2N1072	Amer Micro SC, Hi-Tron, Semicon Tech, Space Power
2Т831Б	MJ2249	Crimson Semi, Nth Amer Semi, Silicon Tech
2Т831В, 2Т831В-1	2N5148	Advncd Semi, Amer Micro SC, Central Semi, Crimson Semi, Diode Trans, General Semi, Gnrl Trans, Hi-Tron, Inti Device, New England, Nth Amer Semi, PPC Product, RF Gain, Semelab, Semi Inc, Semicoa, Semicon Tech, Semitronics, Silicon Trans, Sid St Dvcs, Solitron, Space Power, Swampscott, UP! Semi
502
Продолжение
Тип оте- чественного транзистора	Тип зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
2Т831Г, 2Т831Г-1	BLX11	Nth Amer Semi, Solitron
2Т834А, КТ834А	SDM6000	Solitron
2Т834Б,	IR4039	Semicon Tech
КТ834Б	FT359	Fairchild SC, Semicon Tech
2Т834В,	IDI8002	Inti Device
КТ834В	GT8002	Gnrl Trans
КТ838А,	BU207A	Philips Comp, Advncd Semi
КТ838Б	2SD300	Space Power, Solid Stine
2Т839А,	BUT56A	AEG Corp, Iskra Semic, Motorola, Nth Amer
КТ839А		Semi, NAS Elekt, Space Power, Telefunken
КТ840А	2SD811	Toshiba Corp, Toshiba Amer
	BUS21B(A)	Advncd Semi, NAS Elekt, Philips Comp, Philips Dscr, Space Power
КТ840Б	BUX97	Central Semi, Diode Trans, GE Solid St, NAS Elekt, RCA Corp/GE, Semelab, SGS—Ates, SGS—Thomson, Space Power, Texs Inst Ltd
КТ840В	2N5805	APIE Electron, Crimson Semi, Diode Trans, EE Tech, Gnrl Trans, Hi-Tron, Jntl Rectfr, NAS Elekt, New Eng SC, PPC Product, RCA Corp/GE, RF Gain, Semelab, Semi Inc, Semicoa, Semicon Tech, Semitronics, Silicon Trans, Solid Power, Space Power, Swampscott, Transitron
2Т841А, 2Т841В, КТ841А, КТ841В	2SC2122	Indust Mexi
2Т841Б,	2SC1870	NEC Corp JA
КТ841Б	BDY99	Advncd Semi, NAS Elekt, Space Power
КТ841Г	SML7736	Semelab
	2SC409	Shindengen
КТ841Д,	2SC2356	Fujitsu Mier
КТ841Е	2SC2139	Indust Mexi
	BUX14	Advncd Semi, EE Tech, GE Solid St, Harris Semi, Inti Rectfr, Iskra Semic, NAS Elekt, Philips Comp, RCA Corp/GE, Seme'ab, SGS—Ates, SGS—Thomson, SldStElec, Solitron, Space Power, Thmsn CSFEFC, Thoms CSF Com
2Т841А1	BU109DP	Thmsn CSFEFC
2Т841Б1	RJH6674	GE Solid St
503
Продолжение
Тип оте- чественного транзистора	Тип зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
2Т844А, КТ844А	BD253A	Nth Amer Semi
2Т845А, КТ845А	2SD657	Indust Mexi
КТ846А,	2S818,	Toshiba Corp, Toshiba Amer
КТ846В	2S818A	
КТ846Б	ST 1804, ST1802	Advncd Semi, Semicon Tech
2Т847А, КТ847А	BUV48E	SGS—Thomson, Space Power, NAS Elekt
2Т848А,	2SD641	Toshiba Amer
КТ848А	SK3995	Thomson SK
КТ850А	2SD1017	NEC Corp JA
	D44T1	Semicon Tech, Loras Ltd, Harris Semi
	NSD36B	Natl Semi
	FT47	Advncd Semi, Fairchild SC, Natl Semi, Semicon Tech, Solid Stine, Space Power
КТ850Б	DR42R2/220	Semicon Tech
КТ854А	ЕТ403	Collmer Fuji
КТ854Б	RJH&674	GE Solid St
	IR517	Semicon Tech
2Т856А,	BUW36	Central Semi, Mullard, NAS Elekt, Semelab,
КТ856А		SGS—Ates, SGS—Thomson, SID Micro, Space Power, Thmsn CSFEFC
	BUX48A	Motorola, Nth Amer Semi, Philips Elec, SGS—Ates, Sid St Elect, Teltfunken, Texs Inst Ltd, Thmsn CSFEFC
2Т856Б,	2SC3215	Ongin Elec
КТ856Б	РТС485(А)	Power Tech
	BUX48	Digitron, Motorola, Nth Amer Semi, Philips Elec, Semelab, SGS—Ates, Teltfunken, Texs Inst Ltd, Thmsn CSFEFC
2Т856В, КТ856В	2SD1279	Toshiba Corp, Toshiba Amer
2Т856Г,	2SC3536	NEC Elecs, NEC Corp JA
КТ856Г	2SC3307	Toshiba Corp, Toshiba Amer
КТ857А	BU408	Digitron, Nth Amer Semi, President, Semelab, SGS~ Ates
КТ858А	BU104DP	Thmsn CSFEFC
504
Продолжение
Тип оте- чественного транзистора	Тип зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
КТ859А	2SC4426K	Sanyo Elekt
	2SD841	Toshiba Corp
2Т861А	ВСХ60	Advncd Semi, Micro Elecs, Nth Amer Semi, Semi Inc
2Т861Б	BSS15	Nth Amer Semi
2Т861В	ВС440-5	Semelab
2Т862А,	2SC1436,	Sanken Elec
2Т862Б, КТ862Б	2SC1786	
2Т862В, КТ862В	BUW24	Central Semi, Nth Amer Semi, Semelab, SGS—Ates
2Т862Г,	XGSR7540	Central Semi
КТ862Г	T10M40F3	Shindegen
КТ863А,	2N6669	Crimson Semi, Diode Trans, NAS Elekt, RCA
КТ863Б		Corp/GE, Semelab, Space Power
КТ863В	2SD745B	NEC Elecsinc
КТ864А	BUY20	Nth Amer Semi, Semelab
2Т866А,	1723-1610,	Powerex Inc, SidStDvcs, Space Power
КТ866А	1723-1605	
	BUW58	Advncd Semi, NAS Elekt, Semelab, Siemens Akt, Solitron, Space Power
	2N5539	Advncd Semi, Apl Electron, Crimson Semi, Diode Trans, Elm State, Gnrl Trans, New Eng SC, PPC Product, Semi Inc, Semicoa, Silicon Trans, Sid St Dvcs, Solitron, Space Power, SgD Gnr Semi, Swampscott, Transitron, TRW Optron
КТ867А	BUY21	Advncd Semi, NAS Elekt, Semelab, Space Power, Texas Instr, Texs Inst Ltd
	ECG327	Philips ECG
	NTE327	NTE Elecs
	TIP35D	Texas Instr, Mospec Semi, Advncd Semi
КТ868А	BU426A	Advncd Semi, AEG Corp, Motorola, NAS Elekt, Philips Comp, Philips Dscr, Samsung, Semelab, SGS—Ates, SGS—Thomson, Siemens Akt, Space Power, Telefunken, Texas Instr, Texs Inst Ltd
	2SD811	Toshiba Corp, Toshiba Amer
	BUT18F(A), BUT18(A)	Philips Comp, Philips Dscr
	2SD1518	Toshiba Corp
	BUY46	Advncd Semi, Iskra Semic, Mospec Semi, Motorola, NAS Elekt, Semeiab, SGS—Semi, SGS—Ates, SGS—Thomson, Space Power, Texs Inst Ltd, Thmsn CSFEFC
505
Продолжение
Тип оте- чественного транзистора	Тип зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
КТ868Б	BUX97	Central Semi, Diode Trans, GE Solid St, NAS Elekt, RCA Corp/GE, Semelab, SGS—Ates, SGS—Thomson, Space Power, Texs Inst Ltd
	BU426	Advncd Semi, AEG Corp, Digitron, Mospec Semi, Motorola, NAS Elekt, Philips Comp, Samsung, Semelab, SGS—Ates, SGS—Thomson, Siemens Akt, Space Power, Telefunken, Texas Instr, Texs Inst Ltd
	TIPL762A	Advncd Semi, Semicon Tech, Texas Instr, Texs Inst Ltd
КТ872А, КТ872В	NTE2300, NTE2318	NTE Elecs
	BU2508AF, BU25O8A, BU2508D, BU2508DF	Philips Comp
	ESG2300, ESG2318	PhHips ECG
	BU508DR	AEG Corp, Telefunken
	SK9476	Thomson SK
2Т874А, КТ874А	1582-1008, 1582-1010, 1582-1015	Pwr Techinc
	BUX69	Advncd Semi, Semelab
2Т874Б, КТ874Б	1582-1208, 1582-1210, 1582-1215	Pwr Techinc
2Т875А	2N5626	Advncd Semi, Amer Micro SC, Crimson Semi, Diode Trans, Gnrl Trans, Inti Device, New England, PPC Product, RF Gain, Semi Inc, Semicoa, Silicon Trans, Sid St Dvcs, Solitron, Space Power
2Т875Б	2N4130	Advncd Semi, Crimson Semi, Diode Trans, Elm State, Genrl Diode, Gnrl Trans, Hi-Tron, Inti Device, Motorola, New England, Nth Amer Semi, PPC Product, RF Gain, Semelab, Semi Inc, Silicon Tech, Sid St Dvcs, Sid St Indus, Solid Stine, Solitron, Space Power, Swampscott
2Т875В	BDW21	Central Semi, Nth Amer Semi, Semelab, SGS—Ates
2Т875Г	SDT85303	PPC Product, Solitron
	2SC1115	Sanken Elec, Solid Stine
506
Продолжение
Тип оте- чественного транзистора	Тип зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
КТ878А	BUX98	Advncd Semi, Motorola, NAS Elekt, Philips Comp, Philips Dscr, Semelab, SGS—Ates, SGS—Thomson, Sid St Elect, Space Power, Texs Inst Ltd, Thmsn CSFEFC, Thomson CMS, Unitrode
2Т878А, КТ878Б	2N6546	Advncd Semi, Central Semi, Condition, Crimson Semi, Digitron, Diode Trans, EE Tech, Elm State, GE Solid St, Gnrl Trans, Harris Semi, Indust Mexi, Inti Recftr, Inti Pwr Semi, Mospec Semi, Motorola, NAS Elekt, New Eng. SC, Qptec Tech, Panasonic, Power Tech, PPC Product, President, RF Gain, Semelab, Semicon Tech, SGS—Ates, SGS—Thomson, Silicon Tran, Sid St Elect, Solid Stine, Solitron, Space Power, Toshiba Corp, Toshiba Amer, TRW Optron, Unitrode
2Т878Б,	1843-3020	SldStDvcs, Space Power
КТ878В	2SC2220	Toshiba Corp, Toshiba Amer
2Т879А, КТ879А	SDT55407, SDT96404	PPC Product, Solitron
	РТ7511	Pwr Techinc
	SML96404, SML96304	Semelab
	2N6281	Advncd Semi, Apl Electron, Crimson Semi, Diode Trans, Gnrl Trans, Motorola, New Eng SC, PPC Product, Se^nelab, Semi Inc, Semicoa, Silicon Trans, Slot St Dvcs, Solitron, Solid Power, Space Power, Teledyn Comp
2Т881А, 2Т881А-5	SDT5504	SldStDvcs, Solitron
2Т881Б, 2Т881Б-5	2N5150	Advncd Semi, Amer Micro SC, Central Semi, Crimson Semi, Diode Trans, General Semi, Gnrl Trans, Hi-Tron, Inti Device, New England, Nth Amer Semi, PPC Product, RFGain, Semi Inc, Semicoa, Semicon Tech, Semitronics, Silicon Trans, Sid St Dvcs, Solitron, Space Power, Swampscott, UP! Semi
2Т881В	2N5321	Advncd Semi, Amer Micro SC, Central Semi, Crimson Semi, Diode Trans, General Semi, Gnrl Trans, Hi-Tron, Inti Device, New England, Nth Amer Semi, PPC Product, RFGain, Semi Inc, Semicoa, Semicon Tech, Semitronics, Silicon Trans, Sid St Dvcs, Solitron, Space Power, Swampscott, UPI Semi
2Т881Г	DTL3424	Diode Trans
507
Продолжение
Тип оте- чественного транзистора	Тип зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
2Т882А	2N6772	Crimson Semi, Fairchild SC, SE Solid St, Inti Rectfr, Ixys Corp, Motorola, Semelab, Semicon Tech, Siliconix, Space Power, Unitrode
2Т882Б	2SC1929	Elec Trans, Matsushita
2Т882В	2N6722	Crimson Semi, Natl Semi, Space Power
2Т884А	2SC3751	Sanyo Elect
	2SC4223M	Sanyo Elect
2Т884Б	TIP65	Semicon Tech
2Т885А	D62T4040, D60T4040	Powerex Inc
	2SD642	Toshiba Corp
2Т885Б	SDT5828, SDT5858	Sid St Dvcs
2Т886А	2S818, 2S818A	Toshiba Corp
	2SD900B	Hitachi Ltd
КТ886А1	MJH16212, MJF16212, MJW16212	Motorola
	SGSIF465(A), SGSF565(A), SGS465(A)	SGS—Thomson
КТ886Б1	SGS1F441(A)	SGS—Thomson
КТ890А, КТ890Б, КТ890В	MJ 10000, MJ 10004, BU9302P	NAS Elekt, Space Power, SGS—Thomson
	BU9212PF1	SGS—Thomson
2Т891А	2SA14033	Semicoa
КТ892А	TIP661	Advncd Semi, NAS Elekt, Semicon Tech, Texas Instr, Texs Inst Ltd
	D64VS4	Harris Semi
	BU930	Advncd Semi, NAS Elekt, Semelab, SGS—Ates, SGS—Thomson, Space Power
КТ892Б	2S1832	Sanken Elec
	FT5870	Fujitsu Mier
	BU931	Advncd Semi, Semelab, SGS—Thomson
	IR4040, (R6000, IR4041	Advncd Semi, Semicon Tech
508
Продолжение
Тип оте- чественного транзистора	Тип зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
КТ892В	TIP662	Advncd Semi, NAS Elekt, Semicon Tech, Texas Instr, Texs Inst Ltd
	TIP666	Advncd Semi, Semelab, Semicon Tech
КТ897А	TIP664	Nth Amer Semi, Semelab, Semicon Tech, Texas Instr, Texs Inst Ltd
КТ897Б	SK3858	Thomson SK
КТ898А	РТС10004, РТС10000	Power Tech
	MJ0004, BU9212PFL	SGS—Thomson
	BU9302P	NAS Elekt, Space Power, SGS—Thomson
КТ898Б	MJH11020	Digitron, Gnrl Trans, Motorola, President, Semicon Tech
	MJH6284	Motorola
КТ899А	2N6388	Advncd Semi, Crimson Semi, Digitron, Diode Trans, GE Solid St, Gnrl Trans, Harris Semi, Iskra Semic, Mospec Semi, Motorola, NAS Elekt, Semelab, Semi Inc, Space Power, SGS—Thomson
КТ8101А	RCA9166B	Harris Semi
КТ8101Б	NTE2305	NTE Elecs
	MJ4343	Semicon Tech, Mospec Semi, Motorola
КТ8105А	2SD1027	Aristo Crafft, Shindengen
	T15L20	Aristo Crafft, Shindengen
КТ8107А, КТ8107Б, КТ8107В, КТ8107Г	BU508A	Advncd Semi, AEG Corp, Korea Elecs, Mospec Semi, Motorola, NAS Elekt, Philips Comp, Philips Dscr, Sanyo Elect, Semelab, SGS—Ates, SGS—Thomson, SID Micro, Space Power, Telefunken
КТ8107А2, КТ8107Б2, КТ8107В2, КТ8107Г2	BU207A	Advncd Semi, Philips Comp
КТ8107Д, КТ8107Е	BU546	Nth Amer Semi, Telefunken
КТ8107Д2, КТ8107Е2	BUV56A	Nth Amer Semi, Thmsn CSFEF
КТ8108А, КТ8108Б	DT4306	Semicon Tech
КТ8108А1, КТ8108Б1	2SC3310	Toshiba Corp, Toshiba Amer
КТ8108В	BU5131A(A)	Philips Comp, Philips Dscr
509
Продолжение
Тип оте- чественного транзистора	зарубежного транзистора	Ф и рма-изготоаитель
КТ8108В1	2SC4518A, 2SC4518	Sanken Elec
	BU603	Philips Comp, Philips Dscr
	2SC4172M, 2SC3750M, 2SC3447M, 2SC3087L	Sanyo Elect
КТ8109А	TIP151	Advncd, Digitron, Mospec Semi, NAS Elekt, President, Semicon Tech, Semelab, Texas Instr, Texs Inst Ltd
КТ8110А, КТ81106	2SC4161, 2SC4161L, 2SC4106, 2SC4106L	Sanyo Elect
	2SC3039	Mospec Semi, Sanyo Elect
КТ8110В	SID6513	SID Micro
	BU109P	Advncd Semi, NAS Elekt, SGS—Thomson, Space Power, Thmsn CSFEF
КТ8112А	2SC4166	Rohm Co Ltd
КТ8114А	NTE2300, NNTE2318	NTE Elecs
	ESG2318, ESG2300	Philips ECG
	BU508DR	Telefunken, AEG Corp
КТ8114Б	BUV56A	Nth Amer Semi, Thmsn CSFEF
КТ8116А	TIP122	Advncd Semi, Central Semi, Cont’l Dev, Digitron, Diode Trans, Ferranti Ltd, GE Solid St, Gnrl Trans, Harris Semi, Inti Device, Iskra Semic, Lucas Semi, Matsushita, Mospec Semi, Motorola, NAS Elekt, Natl Semi, Panasonic, Philips Comp, Philips Dscr, President, RCA Corp/GE, Samsung, Semelab, Semi Inc, Semi Ltd, Semitronics, SGS—Ates, SGS—Thomson, SID Micro, Texas Instr, Texas Inst Ltd, Toshiba Amer
КТ8116Б	TIP121	Advncd Semi, Central Semi, Cont’l Dev, Digitron, Diode Trans, Ferranti Ltd, GE Solid St, Gnrl Trans, Harris Semi, Inti Device, Iskra Semic, Lucas Semi, Matsushita, Mospec Semi, Motorola, NAS Elekt, Natl Semi, Panasonic, Philips Comp, Philips Dscr, President, RCA Corp/GE, Samsung, Semelab, Semi Inc, Semi Ltd, Semitronics, SGS—Ates, SGS—Thomson, SID Micro, Texas Instr, Texas Inst Ltd, Toshiba Amer
510
Продолжение
Тип оте- чественного транзистора	Тип зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
КТ8116В	TIP120	Advncd Semi, Central Semi, Cont’l Dev, Digitron, Diode Trans, Ferranti Ltd, GE Solid St, Gnrl Trans, Harris Semi, Inti Device, Iskra Semic, Lucas Semi, Matsushita, Mospec Semi, Motorola, NAS Elekt, Natl Semi, Panasonic, Philips Comp, Philips Dscr, President, RCA Согр/GE, Samsung, Semelab, Semi Inc, Semi Ltd, Semitronics, SGS—Ates, SGS—Thomson, SID Micro, Texas Instr, Texas Inst Ltd, Toshiba Amer
КТ8117А	2SC3306	Mospec Semi, Toshiba Corp, Toshiba Amer
	2SC4058, T10W45FX	Shindengen
КТ8117Б	2SC3164, T10W40F3	Shindengen
КТ8118А	2SC3158, 2SC3536	NEC Elecs, NEC Corp JA
	2SC3847	Fujitsu Mier
	MJH16018	Semicon Tech, Motorola
	BUT56	AEG Corp, NAC Elect, Space Power, Telefunken
КТ8120А	TIP33C, •	Advncd Semi, Central Semi, Crimson Semi,
	TIP33B	Digitron, Matsushita, Mospec Semi, Motorola, NAS Elekt, Panasonic, Philips Comp, Philips Dscr, PPC Product, Semelab, Semitronics, SGS—Thomson, Texas Instr, Texs Inst Ltd
КТ8121А,	BU508AD	Motorola, SGS—Thomson
КТ8121А1	BU508	Advncd Semi, AEG Corp, Motorola, Nas Elekt, Philips Comp, Sanyo Elect, Semelab, SGS—Ates, SGS—Thomson, SID Micro, Space Power, Telefunken
	BU1008AF, BU1008ADF	Motorola
КТ8121А2	2SD792	Panasonic
КТ8123А	2SD401A	Digitron, Mospec Semi, NEC Elecs, NEC Corp JA, President, SID Micro
	KSD401	Samsung, Space Power, Solid Stine
	2SC2331	NEC Corp JA
	2SD386A	Sanyo Elect
КТ8124А	BU406	Advncd Semi, Central Semi, Comset Semi, Digitron, Iskra Semic, Mospec Semi, Motorola, Nas Elekt, Philips Dscr, President, Samsung, Sanyo Elect, Semelab, SGS—Ates, SGS—Thomson, Space Power, Texas Instr
511
Продолжение
Тип оте- чественного транзистора	Тип зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
	2SDD884	Panasonic
	BU408	Advncd Semi, Central Semi, Digitron, Mospec Semi, Nas Elekt, President, Samsung, Semelab, SGS—Ates, SGS—Thomson, Space Power
КТ8125А	TIP41C	Advncd Semi, Central Semi, Cont’l Dev, Digitron, Diode Trans, GE Solid St, Gnrl Trans, Harris Semi, Inti Device, Iskra Semic, Matsushita, Mospec Semi, Motorola, Nas Elekt, Natl Semi, Panasonic, Philips Comp, Philips Dscr, PPC Product, President, Samsung, Semelab, Semitronics, SGS-Ates, SGS—Thomson, SID Micro, Solid Stine, Swampscott, Texas Instr, Texas Inst Ltd, Texas Corp, Toshiba Amer
КТ8125Б	TIP41B	Advncd Semi, Central Semi, Cont’l Dev, Digitron, Diode Trans, GE Solid St, Gnrl Trans, Harris Semi, Inti Device, Iskra Semic, Matsushita, Mospec Semi, Motorola, Nas Elekt, Natl Semi, Panasonic, Philips Comp, Philips Dscr, PPC Product, President, Samsung, Semelab, Semitronics, SGS-Ates, SGS—Thomson, SID Micro, Solid Stine, Swampscott, Texas Instr, Texas Inst Ltd, Texas Corp, Toshiba Amer
КТ8125В	TIP41A	Advncd Semi, Central Semi, Cont’l Dev, Digitron, Diode Trans, GE Solid St, Gnrl Trans, Harris Semi, Inti Device, Iskra Semic, Matsushita, Mospec Semi, Motorola, Nas Elekt, Natl Semi, Panasonic, Philips Comp, Philips Dscr, PPC Product, President, Samsung, Semelab, Semitronics, SGS-Ates, SGS—Thomson, SID Micro, Solid Stine, Swampscott, Texas Instr, Texas Inst Ltd, Texas Corp, Toshiba Amer
КТ8126А	MJE13007	Advncd Semi, Central Semi, Digitron, GE Solid St, Gnrl Trans, Iskra Semic, Matsushita, Mospec Semi, Motorola, Philips Comp, Philips Dscr, President, Samsung, Semelab, Semicon Tech, SGS-Ates, SGS—Thomson, Space Power, Thmsn CSFEFC, Toshiba Amer
	BUT22B	Advncd Semi, Philips Comp, Philips Dscr, Space Power
	MJH16106, MJE16106	Motorola
	NTE2312	NTE Elecs
	ECG2312	Philips ECG
512
Продолжение
Тип оте- чественного транзистора	Тип зарубежного транзистора	Фиома-изготовитель
КТ8127А	SDT41301	PPC Product, Solitron
	SDT18330	Solitron
	2SD380	Matsushita, Solid Stine, Space Power
КТ8127А1	2SD1577F1	SGS—Thomson
	BU506	NAS Elekt, Philips Comp, Philips Dscr, Space Power
	BU706D	NAS Elekt, Philips Comp, Philips Dscr, Space Power
	2SC3447M, 2SC3750N, 2SC4172N, 2SC4222N, 2SC4600N	Sanyo Elect
КТ8129А	BU208	AEG Corp, Advncd Semi, Central Semi, Comset Semi, Cont’l Dev, Digitron, Diode Trans, Eurodia, Gnrl Trans, Indust Mexi, Inti Pwr Semi, Iskra Semic, Keltron Pwr, Mospec Semi, Motorola, Mullard, Nas Elekt, NEC Elecs, NEC Corp JA, Philips Comp, Philips Dscr, Philips Elec, President, Punjab Wire, RCA Corp/GE, RTC—Compete, Semelab, Semi Inc, Semi Ltd, SGS—Ates, SGS—Thomson, SID Micro, Siemens Akt, Solid Stine, Solitron, Space Power, Telefunken, Texas Instr, Texas Inst Ltd, Thmsn CSFEFC, Thoms CSF Com, Toshiba Corp, Toshiba Amer, Valvo Gmb H
	SDT18328	Solitron
КТ8131А	2N6037	Advncd Semi, Central Semi, Crimson Semi, Diode Trans, Gnrl Trans, Inti Device, Motorola, NAS Elekt, Natl Semi, Semelab, Semi Inc, SGS—Ates, SGS—Thomson, Space Power, Solid Stine, Swampscott
КТ8131Б	2N6038	Advncd Semi, Central Semi, Crimson Semi, Diode Trans, Gnrl Trans, Inti Device, Motorola, NAS Elekt, Natl Semi, Semelab, Semi Inc, SGS—Ates, SGS—Thomson, Space Power, Solid Stlnc, Swampscott
КТ8131В	2N6038	Advncd Semi, Central Semi, Crimson Semi, Diode Trans, Gnrl Trans, Inti Device, Motorola, NAS Elekt, Natl Semi, Semelab, Semi Inc, SGS—Ates, SGS-Thomson, Space Power, Solid Stlnc, Swampscott
КТ8136А	2SC3057	Fujitsu Mier
	ЕТ405	Collmer Fuji, Fujit Elec Ltd
	SGSF341(A)	SGS-Thomson
17-835
513
Продолжение
Тип оте- чественного транзистора	зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
КТ8137А	MJE13003	GnrlTrans, Matsushita, Motorola, HAS Elekt, Semelab, Semico» Tech, SGS—Ates, SGS—Thomson, Space Power
КТ8140А	BU406	Advncd Semi, Central Semi, Comset Semi, Digitron, Iskra Semic, Mospec Semi, Motorola, Nas Elekt, Philips Elser, President, Samsung, Sanyo Elect, Semelab, SGS—Ates, SGS—Thomson, Space Power, Texas Instr, Texs Inst Ltd, Thmsn CSFEFC
	2SD884	Panasonic
	BU408	Advncd Semi, Central Semi, Digitron, Mospec Semi, NAS Elekt, President, Samsung, Sanyo Elect, Semelab, SGS—Ates, SGS—Thomson, Space Power
КТ8143А	BUV39	Advncd Semi, SGS—Thomson
	2N5885, 2N5886	Advncd Semi, APLE Electron, Condition, Crimson Semi, CSR Indus, Diode Trans, Echanges, Elm State, Fairchild SC, GE Solid St, Gnrl Trans, Harris Semi, Hi-Tron, Inti Device, Inti Rectfr, Inti Pwr Semi, Mospec Semi, Motorola, NAS Elekt, New Eng SC, New Jersey, PPC Product, RFGain, Semelab, Semi Inc, Semicoa, Semitronics, SGS Semi, SGS—Ates, SGS—Thomson, Silicon Trans, Sid St Dvcs, Sid St Elecll, Solid Power, Solid Stine, Solitron, Space Power, SqD Gnrl Semi, Texas Instr, Texs Inst Ltd, Transitron, TRW Optron, UPI Semi
КТ8143Б	2SD914	Fujit Elec Ltd, Collmer Semi
	2SC1672	NEC Corp JA
КТ8143В	2N6687	Advncd Semi, Crimson Semi, Diode Trans, Ferranti Ltd, GE Solid St, Gnrl Trans, Harris Semi, NAS Elekt, New Eng SC, Power Tech, PPC Product, Semelab, Semicon Tech, Silicon Trans, Space Power
КТ8143Г ।	2N2822	Advncd Semi, Amer Micro SC, APLE Electron, Crimson Semi, Diode Trans, Hi-Tron, Inti Device, New Eng SC, PPC Product, Pwr Techinc, Semelab, Semi inc, Semitronics, Sensitron, Silicon Trans, Space Power, Sprgue Semi, SqD Gnrl Semi, Thmsn CSFEFC, ThomCSFCom, TRW Optron
КТ8143Д	1582-0815, 1582-0808	Pwr Techinc
	2SD113	Space Power, Solid Stine
514
Продолжение
Тип оте- чественного транзистора	Тип зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
	2N6327	Advncd Semi, APLE Electron, Condition, Crimson Semi, Diode Trans, Echanges, GE Solid St, Gnrl Trans, Harris Semi, Inti Device, Inti Pwr Semi, Motorola, NAS Elekt, New Eng SC, PPC Product, RFGain, Semelab, Silicon Trans, Sid St Dvcs, Solitron, Space Power, Texas Instr, Texs Inst Ltd, Transitron
КТ8143Е	1582—1215, 1582-1210, 1582-1208, 1561-1210, 1561-1215, 1561-1208, 1582-1015, 1582—1010, 1582-1008, 1561-1015, 1561-1010, 1561-1008	Powerex Inc
КТ8143Ж	SDT44313 SML44313 1582-1615, 1582-1610, 1582-1608, 1561-1615	Solitron, PPC Product Semelab Powerex Inc
КТ81433	1843-2210, 1843-2220 2SC435	Sid St Dvcs, Space Power Shindengen
КТ8143И	2N657D	Advncd Semi, APLE Electron, Crimson Semi, New Eng SC, Silicon Trans, Sid St Elecll, Space Power, TRW RF Dvc
КТ8143К	BDW32 2N6571	Sid St Elecll Advncd Semi, APLE Electron, Crimson Semi, New Eng SC, Silicon Trans, Sid St Elecll, Space Power, TRW RF Dvc
КТ8143Л	2N6033	Advncd Semi, APLE Electron, Central Semi, Crimson Semi, Diode Trans, GE Solid St, Gnrl Trans, Harris Semi, NAS Elekt, New Eng SC, Power Tech, PPC Product, RF Gain, Semelab, Semi Inc, Semicoa, Semicon Tech, Semitronics, SGS-Ates, SGS—Thomson, Silicon Trans, Sid St Dvcs, Sid Elecll, Space Power, SqD Gnrl Semi, Swampscott, Teledyn Comp, Thmsn CSFEFC, Thomsn CSF Com
515
17
Продолжение
Тип оте чествениого транзистора	Тип зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
КТ8143М	BUX21	Advncd Semi, ЕЕ Tech, GE Solid St, Harris Semi, Motorola, NAS Elekt, Semelab, SGS-Thomson, Sid St Etecll, Space Power, Thmsn CSFEFC, Thomsn CSF Com, Thoms CMS
КТ8143Н	2N5686	Advncd Semi, APLE Electron, Crimson Semi, Digitron, Diode Trans, Elm State, Fairchild SC, Gnrl Trans, Hi-Tron, Inti Rectfr, Mospec Semi, Motorola, NAS Elekt, New Eng SC, PPC Product, Presn Semi, RFGain, Semelab, Semi Inc, Semicoa, Semicon Tech, Semitronics, Silicon Trans, Sid St Dvcs, Sid St Elecll, Solitron, Space Power, SqD Gnrl Semi, Texas Instr, Texs Inst Ltd, Transitron
КТ8143П	2SC1442	Sanken Elec, Space Power
КТ8143Р	2SC1443 SDT96304	San ken Elec, Space Power Solitron, PPC Product
КТ8143С	2N5578	Advncd Semi, Crimson Semi, RCA Comp/GE, Sid St Dvcs, Space Power, Transitron
КТ8143Т	SDT96308	Solitron
КТ8143У	2SD372	NEC Elecs
КТ8143Ф	2SD373	NEC Elecs, Space Power
КТ8144А	MJ16014	Harris Semi, Motorola, Semicon Tech, Sid St Dvcs
КТ8144Б	SGSF-662, SGSF-663	SGS-Thomson
КТ8145А, КТ8146А	BUV48A	Advncd Semi, AEG Corp, Korea Elecs, Motorola, NAS Elekt, Philips Comp, Philips Dscr, Semelab, SGS Semi, SGS—Ates, SGS—Thonson, Space Power, Telefunken, Texs Inst Ltd, Thmsn CSFEFC
КТ8145Б,	2SC4434	Sanken Elec
КТ8146Б	. 2SC1140	Space Power
КТ8147А,	SGSF541	SGS-Thomson
КТ8147Б	2SC1469A	Aristo Craft, Shmdengen, Space Power
КТ8157А, КТ8157Б	РТС485(А), РТС484(А) BU113	Power Tech NAS Elekt, Semelab, Space Power Транзисторы p-n-p
КТ501А	2S3021	Nth Amer Semi, Semicon Tech
КТ501Б	2S3040	Semicon Tech
КТ501В	2S304	Genrl Diode, Hybrid Semi, Nth Amer Semi, Semicon Tech
516
Продолжение
Тин оте- чественного транзистора	Тип зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
КТ501Г	BCY17, BCY23	Hybrid Semi, Nth Amer Semi
КТ501Д	BCY18	Hybrid Semi, Nth Amer Semi
КТ501Е	2N329B	Advncd Semi, Amer Micro SC, Central Semi, Elm State, Hi-Tron, Inti Device, Nth Amer Semi, Raytheon Co, Semi Inc, Semicoa, Semicon Tech, Semitronics, Sid St Dvcs, Sid St Indus, Solid Stine, Space Power, Syntar Ind, Teledyn Crys, Torque Sys
КТ501Ж	2S322	Genrl Diode, Hybrid Semi, Semicon Tech
КТ501И	2N1257	Advncd Semi, Amer Micro SC, Central Semi, Elm State, Hi-Tron, Inti Device, Nth Amer Semi, Raytheon Co, Semi Inc, Semicoa, Semicon Tech, Semitronics, Sid St Dvcs, Sid St Indus, Solid Stine, Space Power, Syntar Ind, Teledyn Crys, Torque Sys
КТ501К	2SA539	Micro Elecs, Semi Inc
КТ501Л	2N1474A	Amer Micro SC, Elec Trans, Elm State, Hi-Tron, Inti Device, Semitronics, Sid St Indus, Space Power, Teledyn Crys, Torque Sys
КТ501М	BCY11 ВС461-4 2N1475	Nth Amer Semi Micro Elecs, Semelab Amer Micro SC, Elec Trans, Elm State, Hi-Tron, Inti Device, Semitronics, Sid St Indus, Space Power, Teledyn Crys, Torque Sys
КТ502А	MPS-A70	Rohm Co Ltd, Rohm Corp
КТ502Б	PN4248	Central Semi, Fairchild SC, Natl Semi, Solid Stine
КТ502В	BFR61	Nth Amer Semi
КТ502Г	2SA545	Advncd Semi, Elec Trans, Semi Inc, Solid Stine
КТ502Д	BFS91	Advncd Semi, Micro Elecs, Nth Amer Semi, Semi Inc
КТ502Е	BF397	Advncd Semi, Micro Elecs, Nth Amer Semi, Semi Inc
2Т505А, 2Т505А-5, КТ505А	2N5282	Crimson Semi, Genrl Diode, Gnrl Trans, Hi-Tron, Higt Volt, Inti Device, New England, RFGain, Semicon Tech, Silicon Tran, Sid St Dvcs, Space Power, Swampscott
2Т505Б,	BFT19A	GE Solid St, Nth Amer Semi
КТ5О5Б	BFT28C	GE Solid St, Nth Amer Semi
2Т509А, 2Т509А- 5	2N4931S	Space Power
517
Продолжение
Тип оте- чественного транзистора	Тил зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
2Т708А	2SB678	Toshiba Corp
2Т708Б	TIPK11S, TIPP116	Texs Inst Ltd
2Т708В	BS56T	Amperex Elec, Nth Amer Semi, Philips Elec
2Т709А	BGX86C	Central Semi, Nth Amer Semi, Semelab, SGS-Ates
2Т7О9А2	BDX34C	Bharat, Central Semi, Digitron, GE Solid St, Motorola, Natl Semi, Nth Amer Semi, Semelab, SGS—Semi, SGS-Ates, Sid Micro, Texslnst Ltd
2Т709Б	BGX86B	Central Semi, Nth Amer Semi, Semelab, SGS-Ates
2Т709Б2	BDX34B	Bharat, Central Semi, Digitron, GE Solid St, Motorola, Natl Semi, Nth Amer Semi, Semelab, SGS—Semi, SGS-Ates, Sid Micro, Texslnst Ltd
2Т709В	BGX86A	Central Semi, Nth Amer Semi, Semelab, SGS-Ates
2Т709В2	BDX34A	Bharat, Central Semi, Digitron, GE Solid St, Motorola, Natl Semi, Nth Amer Semi, Semelab, SGS—Semi, SGS-Ates, Sid Micro, Texslnst Ltd
КТ712А	MJH11019	Digitron, Gnrl Trans, Motorola, President, Semicon Tech
КТ712Б	MJH11017	Digitron, Gnrl Trans, Motorola, President, Semicon Tech
	BDT20	Nth Amer Semi, Space Power
КТ72О	MJE712	Advncd Semi, Central Semi, Crimson Semi, Gnrl Trans, Motorola, NAS Elekt, Natl Semi, Space Power
КТ722А	BD170	Central Semi, Comset Semi, Motorola
КТ724А	BDT96	NAS Elekt, Philips Comp, Philips Dscr
КТ814А	MJE710	Advncd Semi, Central Semi, Crimson Semi, Gnrl Trans, Motorola, Natl Semi, Nth Amer Semi, Semi Inc
КТ814Б	BD166	Central Semi, Motorola, Semelab
КТ814В	MJE711	Advncd Semi, Central Semi, Crimson Semi, Gnrl Trans, Motorola, Natl Semi, Nth Amer Semi, Semi Inc
КТ814Г	BD170	Central Semi, Comset Semi, Motorola
КТ816А2	BD362A	Motorola, Nth Amer Semi
КТ816Б	BD176	Central Semi, Comset Semi, Motorola, Nth Amer Semi, Semelab, SGS-Ates
КТ816В	MJE32A	Motorola
518
Продолжение
Тип оте- чественного транзистора	Тип зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
КТ816Г	MJE32E	Motorola
КТ818А1	ВО487	Siemens AM
КТ818Б1	MJE1290	Crimson Semi, Digitron, Motorola, NAS Elekt, Space Power
КТ818В1	BD908	Advncd Semi, Central Semi, Digitron, Mospec Semi, NAS Elekt, Semelab, SGS—Ates, SGS-Thomson, Space Power, Thms CSFEFC
КТ818Г1	SM2183	Semelab
2Т818А	BDW52C	Central Semi, Semelab, SGS—Ates
2Т818Б	BDW528	Central Semi, Semelab, SGS—Ates
2Т8188	BD.W52A	Central Semi, Semelab, SGS—Ates
2Т818А2	Т1Р74С	Texas Instr
	BD744C	Semelab, Texslnst Ltd
2Т81862	TIP74B	Texas Instr
	BD744B	Nth Amer Semi, Semelab, Texslnst Ltd
2Т818В2	BD744A	Nth Amer Semi, Semelab, Texslnst Ltd
КТ818А	TIP34	Advncd Semi, Amperex Elec, Digitron, Matsushita, Motorola, Nth Amer Semi, Philips Elec, Semelab, Semi Inc, Swampscott, Texas Instr, Texslnst Ltd
КТ818Б	BD500	GE Solid St, Nth Amer Semi, Semelab
КТ818В	RCA1C08	GE Solid St
КТ818Г	BD500B	GE Solid St, Nth Amer Semi
КТ818АМ	MJ2901	Crimson Semi, Nth Amer Semi, Semicoa, Solid Stlnc
КТ818БМ	2N6469	Central Semi, Crimson Semi, Diode Trans, GE Solid St, Nth Amer Semi, PPC Product, RFGain, Semelab, Semi Inc, Silicon Trans, Solitron, Space Power
КТ818ВМ	В0Х18	Central Semi, Semelab, SGS—Ates
КТ818ГМ	SM2183	Semelab
КТ820А-1	2SA565	Solid Stlnc
КТ820Б-1	TIP62A	Advncd Semi, Gnrl Trans, Motorola, Natl Semi, Semi Inc
КТ820В-1	TIP62C	Advncd Semi, Gnrl Trans, Motorola, Natl Semi, Semi Inc
КТ822А-1	ВО634	Advncd Semi, Micro Elecs, Natl Semi, Nth Amer Semi, Semelab, Semi Inc
519
Продолжение
Тип оте- чественного транзистора	Тип зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
КТ822Б-1	2N3206	Crimson Semi, Diode Trans, Elm State, New England, PPC Product, Semi Inc, Semicoa, Solid Stine, Space Power, Swampscott
КТ822В-1	2N3207	Crimson Semi, Diode Trans, Elm State, New England, PPC Product, Semi Inc, Semicoa, Solid Stine, Space Power, Swampscott
2Т825А	2N6287	Advncd Semi, Central Semi, Crimson Semi, Digitron, Diode Trans, Elm State, GE Solid St, Gnrl Trans, Inti Pwr Semi, Lambda Semi, Motorola, New England, Nth Amer Semi, RFGain, Semelab, Semi Inc, SGS—Ates, Silicon Trans, Sid* Elecll, Space Power, Swampscott, Teledyn Crys
2Т825Б, КТ825Г	2N6286	Advncd Semi, Central Semi, Crimson Semi, Digitron, Diode Trans, Elm State, GE Solid St, Gnrl Trans, Inti Pwr Semi, Lambda Semi, Motorola, New England, Nth Amer Semi, RFGain, Semelab, Semi Inc, SGS—Ates, Silicon Trans, Sid Elecll, Space Power, Swampscott, Teledyn Crys
2Т825В, КТ825Д	2N6285	Advncd Semi, Central Semi, Crimson Semi, Digitron, Diode Trans, Elm State, GE Solid St, Gnrl Trans, Inti Pwr Semi, Lambda Semi, Motorola, New England, Nth Amer Semi, RFGain, Semelab, Semi Inc, SGS—Ates, Silicon Trans, Sid Elecll, Space Power, Swampscott, Teledyn Crys
2Т825А2, 2Т825А- ’	BDW47	Motorola, Semelab
2Т825Б2	BDW46	Motorola, Semelab
2Т825В2	BDW45	Motorola, Semelab
2Т830А	2N3660	Amer Micro SC, Central Semi, Crimson Semi, Genrl Diode, Hi-Tron, New England, PPC Product, Semi Inc, Semitronics, Semicoa, Silicon Trans, Sid St Dvcs, Sid St Indus, Solitron, Space Power
_ 2Т830Б	2N1084	Amer Micro SC, Central Semi, Crimson Semi, Genrl Diode, Hi-Tron, New England, PPC Product, Semi Inc, Semitronics, Semicoa, Silicon Trans, Sid St Dvcs, Sid St Indus, Solitron, Space Power
2Т830В	2N2881	Amer Micro SC, Crimson Semi, Diode Trans, Hi-Tron, New England, Semicoa, Semicon Tech, Silicon Trans, Sid St Dvcs, Space Power, Syntar Ind, Torgue Sys
2Т830Г	SDT3554	PPC Product, Sid St Dvcs, Solitron
КТ835А	MJE370	Advncd Semi, Central Semi, Crimson Semi, Motorola, Natl Semi, Nth Amer Semi, Semelab, Semi Inc, Semicon Tech, SGS Semi, SSG—Ates, Solid Stine
520
Продолжение
Тип оте- чественного транзистора	Тип зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
2Т836А, 2Т836Б	2N3204	Amer Micro SC, Crimson Semi, Diode Trans, New England, PPC Product, Semi Inc, Semicoa, Sid St Dvcs, Solitron, Space Power, Swampscott, Torgue Sys
2Т836В	2N3203	Amer Micro SC, Crimson Semi, Diode Trans, New England, PPC Product, Semi Inc, Semicoa, Sid St Dvcs, Solitron, Space Power, Swampscott, Torgue Sys
2Т837А, 2Т837Г	BD244A	GE Solid St, Motorola, Natl Semi, Nth Amer Semi, Philips Elec, Semelab, SGS-Ates, Sid Micro, Solid Stine, Texslnst Ltd
2Т837Б, 2Т837Д	BD302	Central Semi, Nth Amer Semi, Semelab
2Т837В, 2Т837Е	BD544	Nth Amer Semi, Semelab, Texslnst Ltd
КТ837Б	MJF6107	Motorola
КТ837В, КТ837Н	2N6106	Advncd Semi, Bharat, Crimson Semi, Diode Trans, Elm State, GE Solid St, Natl Semi, Nth -Amer Semi, Semelab, Semi Inc, Semitronics, Space Power
КТ837Д,	RCA1C06	GE Solid St
КТ837Р	40876	Crimson Semi
КТ837Е, КТ837С	2N6108	Advncd Semi, Bharat, Crimson Semi, Diode Trans, GE Solid St, Natl Semi, Semelab, Semi Inc, Space Power, Swampscott
КТ837И, КТ837У	2N6132	Advncd Semi, Central Semi, Crimson Semi, Diode Trans, GE Solid St, Gnrl Trans, Inti Device, Motorola, Natl Semi, Nth Amer Semi, RF Gain, Semelab, Semitronics, Sid St Dvcs, Solid Stine, Space Power, Swampscott
КТ837К	2N6110	Advncd Semi, Bharat, Crimson Semi, Diode Trans, GE Solid St, Natl Semi, Semi Ltd, Semi Inc, Semitronics, Space Power, Swampscott, UP' Semi
КТ837М	MJF6107	Motorola
КТ837Ф	RCA1C11	GE Solid St
2Т842А, КТ842А	2SB506A	NEC Corp JA
2Т842Б, КТ842Б, КТ842В	2SB506A	NEC Corp JA
2Т842А1	2N5357	Crimson Semi, Diode Trans, Elm State, New England, Silicon Trans, Solid Stine, Space Power
521
Продолжение
Тип оте- чественного транзистора	зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
2Т842Б1	SM2177	Semelab
КТ851А	2SA958	Sanken EJec
КТ851Б	BUX66A	GE Solid St, Nth Amer Semi
	MJ3584	Nth Amer Semi
КТВ51В	2SB547A, 2 SB1096	NEC Corp JA, NEC Elecsinc
	2SB546A	Digitron, NEC Corp JA, NEC Elecsinc, President
КТ852А	2SB1286	Rohm Co Ltd
КТ852Б •	2SB75OA, 2SB937A	Matsushita
КТ852В	2SB937	Matsushita
КТ852Г	ВО876	Nth Amer Semi
КТ853А	BDX54C	Central Semi, Digitron, Motorola, Natl Semi, Semelab, SGS—Ates
	8D65O	Amperex Elec, Nth Amer Semi, Philips Elec, Semelab, Texslnst Ltd
КТ853Б	BD266A	Philips Elec, Nth Amer Semi
КТ853В	BD266	Nth Amer Semi, Philips Elec, Semelab
КТ853Г	BDX54	Central Semi, Motorola, Natl Semi, Semelab, SGS—Ates
КТ855А	TIP523	PPC Product, Semelab, Solitron
КТ855Б	BD540D	Nth Amer Semi
КТ855В	SML3329	Semelab
2Т86ОА	SOT69511	PPC Product
2Т860Б	BSS17	Nth Amer Semi, Semelab
	SDT69510	PPC Product, Solitron
2Т860В	ВС460-5	Semelab
КТ865А	2SA1073	Fujitsu Mier
	2SA1068	Sanken Elec
2Т876А	MJF2955	Motorola
	2N5625	Crimson Semi, Diode Trans, New England, PPC Product, Semi Inc, Semicoa, Silicon Tran, Solitron, Space Power
2Т876Б	RCA1C08	Advncd Semi, Harris Semi
	2N5621	Crimson Semi, Diode Trans, New England, PPC Product, Semelab, Semi Inc, Semicoa, Silicon Tran, Solitron, Space Power
2Т876В	SK3717, SK3718	Thomson SK
522
Продолжение
Тип оте- чественного транзистора	Тип зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
2Т876Г	MJF2955	Motorola
	2N5623	Crimson Semi, Diode Trans, New England, PPC Product, Semelab, Semi Inc, Semicoa, Silicon Tran, Solitron, Space Power
2Т877А	2N6286	Advncd Semi, Central Semi, Crimson Semi, Digitron, Diode Trans, Elm State, GE Solid St, Gnrl Trans, Inti Pwr Semi, Lambda Semi, Motorola, New England, Nth Amer Semi, RFGain, Semelab, Semi Inc, SGS—Ates, Silicon Tran, Sid Elecll, Space Power, Swampscott, Teledyn Crys
2Т877Б	2N6285	Advncd Semi, Central Semi, Crimson Semi, Digitron, Diode Trans, Elm State, GE Solid St, Gnrl Trans, Inti Pwr Semi, Lambda Semi, Motorola, New England, Nth Amer Semi, RFGain, Semelab, Semi Inc, SGS—Ates, Silicon Tran, Sid Elecll, Space Power, Swampscott, Teledyn Crys
2Т877В	PMD17K40	Central Semi
2Т880А,	92PU57	Natl Serai
2Т880А-5	2N673O	Crimson Semi, Natl Semi, Plessey Semi, Semitronics, Space Power
	NTE323	NTE Elecs
2Т880Б, 2Т880Б-5	2N5149	Advncd Semi, Amer Micro SC, Central Semi, Crimson Semi, Diode Trans, Elm State, Gnrl Tran, Hi-Tron, New Eng SC, Nth Amer Semi, PPC Product, RF Gam, Semi Inc, Semicoa, Semicon Tech, Silicon Tran, Sid St Dvcs, Solitron, Space Power, Swampscott, UPi Semi
2Т880В	2SB515D	Sanyo Elekt
2Т880Г	SDT69504	PPC Product, Solitron
2Т883А	STIP30	Semicon Tech
	2N5282	Crimson Semi, Genrl Diode, Gnrl Trans, Hi-Tron, Higt Volt, Inti Device, New England, RF Gain, Semicon Tech, Silicon Tran, Sid St Dvcs, Space Power, Swampscott
2Т883Б	BFT19A, BFT28C	GE Solid St, Nth Amer Semi
2Т887А,	2SA1QQ9A	NEC Elecsinc
2Т887Б	2SA1009AM	NEC Corp JA
2Т888А	STIP8006	Semicon Tech
2Т888Б	STIP6006	Semicon Tech
КТ896А	BDW84B	Nth Amer Semi, Setneiab, Texslnst Ltd
КТ896Б	BDW84A	Nth Amer Semi, Semelab, Texslnst Ltd
523
Продолжение
Тип оте- чественного транзистора	Тип зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
КТ8102А	МЛ 5027	Motorola, Semicon Tech, Sid St Dvcs
КТ8102Б	MJE4353	Mospec Semi, Motorola, Semicon Tech
КТ8104А	МЛ 1021	Digitron, Mospec Semi, Motorola, Semicon Tech, Sid St Dvcs, Space Power
КТ8106А	MJH6286	Digitron, Gnrl Trans, Motorola, President, Semicon Tech, Silicon Tran, Space Power
КТ8106Б	BDW84	Advncd Semi, NAS Elekt, Semelab, Space Power, Texs Inst Ltd
КТ8115А	TIP 137	Advncd Semi, Central Semi, Iskra Semic, Mospec Semi, Nas Elekt, Natl Semi, Philips Comp, Philips Dacr, Semelab, Semi Ltd, SGS-Ates, SGS—Thomson, SID Micro, Texas Instr, Tex Inst Ltd
	BD902	Iskra Semic, Motorola, Nas Elekt, Natl Semi, Semelab, Space Power, Texas Instr, Tex Inst Ltd
	SK3897	Thomson SK
КТ8115Б	TIP 136	Advncd Semi, Central Semi, Iskra Semic, Mospec Semi, Nas Elekt, Natl Semi, Philips Comp, Philips Dscr, Semelab, Semi Ltd, SGS-Ates, SGS—Thomson, SID Micro, Texas Instr, Tex Inst Ltd
	BD900, BD902, BD266A	Advncd Semi, Nas Elekt, Space Power
КТ8115В	TIP135	Advncd Semi, Central Semi, Iskra Semic, Mospec Semi, Nas Elekt, Natl Semi, Philips Comp, Philips Dscr, Semelab, Semi Ltd, SGS-Ates, SGS—Thomson, SID Micro, Texas Instr, Tex Inst Ltd
	BD898, 2SB939	Panasonic, Matsushita
КТ8130А	2N6034	Advncd Semi, Central Semi, Crimson Semi, Diode Trans, Elm State, Gnrl Trans, Inti Device, Motorola, Nas Elekt, Natl Semi, Semelab, Semi Inc, SGS-Ates, SGS—Thomson, Solid Stine, Space Power
КТ8130Б	2N6035	Advncd Semi, Central Semi, Crimson Semi, Diode Trans, Elm State, Gnrl Trans, Inti Device, Motorola, Nas Elekt, Natl Semi, Semelab, Semi Inc, SGS-Ates, SGS—Thomson, Solid Stine, Space Power
КТ8130В	2N6036	Advncd Semi, Central Semi, Crimson Semi, Diode- Trans, Elm State, Gnrl Trans, Inti Device, Motorola, Nas Elekt, Natl Semi, Semelab, Semi Inc, SGS-Ates, SGS—Thomson, Solid Stine, Space Power
524
УКАЗАТЕЛЬ ТИПОВ ТРАНЗИСТОРОВ
Тип прибора	Стр.	Тип прибора	Стр	Тип прибора	Стр.
1Т702(А—В)	365	2Т834(А—В)	133	А772	324
1Т806(А—В)	387	2Т836(А—В)	425	ГТ701А	363
1Т813(А—В)	391	2Т836А-5	425	ГТ703(А—Д)	367
2Т504(А, Б)	41	2Т837(А—Е)	431	ГТ705(А-Д)	56
2Т504(А—5, Б-5)	41	2Т839А	140	ГТ806(А—Д)	387
2Т505(А, Б)	355	2Т84ЦА-В)	147	ГТ810А	389
2Т505А-5	355	2Т841(А1, Б1)	147	КТ50ЦА-М)	351
2Т506(А, Б)	46	2Т842(А, Б)	437	КТ502(А- Е)	353
2Т506А- 5	46	2Т842(А1, Б1)	437	КТ503(А—Е)	40
2Т509А	360	2Т844А	153	КТ504(А-В)	41
2Т509А-5	360	2Т845А	157	КТ505(А, Б)	355
2Т704(А, Б)	52	2Т847А	163	КТ506(А, Б)	46
2Т7О8(А—В)	369	2Т848А	167	КТ704(А—В)	52
2Т709(А—В)	373	2Т856(А—Г)	176	КТ710А	57
2Т709(А2-В2)	373	2Т860(А—В)	460	КТ712(А, Б)	380
2Т713А	60	2Т861(А—В)	190	КТ715А	62
2Т716(А—В)	64	2Т862(А—Г)	192	КТ716(А—Г)	64
2Т716(А1—В1)	64	2Т866А	205	КТ719А	71
2Т718(А, Б)	69	2Т867А	208	КТ720А	383
2Т803А	79	2Т874(А, Б)	216	КТ721А	72
2Т808А	86	2Т875(А—Г)	220	КТ722А	384
2Т808А-2	86	2Т876(А—Г)	466	КТ723А	73
2Т809А	89	2Т877(А—В)	469	КТ724А	386
2Т812(А, Б)	91	2Т878(А, Б)	223	КТ728А	74
2Т818(А—В)	400	2Т879(А, Б)	227	КТ801(А, Б)	76
2Т818(А2-В2)	400	2Т880(А—5, Б-5)	472	КТ802А	78
2Т819(А-В)	100	2Т880(А—Г)	472	КТ803А	79
2Т819(А2—В2)	100	2Т881(А—5, Б-5)	231	КТ805(А, Б)	82
2Т825(А—В)	412	2Т88ЦА-Г)	231	КТ805(АМ—ВМ)	82
2Т825(А2—В2)	412	2Т882(А—В)	234	КТ807(А, Б)	84
2Т825А-5	412	2Т883(А, Б)	476	КТ807(АМ, БМ)	84
2Т826(А—В)	110	2Т884(А, Б)	237	КТ808(АЗ, БЗ)	86
2Т826А-5	110	2Т885(А, Б)	241	КТ808(АМ—ГМ)	86
2Т827(А—В)	115	2Т886А	243	КТ808А	86
2Т827А- 5	115	2Т887(А, Б)	479	КТ809А	89
2Т828(А, Б)	120	2Т891А	249	КТ810ЦА, Б)	259
2Т830(А—Г)	419	А678(А—Г)	316	КТ8102(А, Б)	487
2Т830(В—1, Г-1)	419	А684А	318	КТ8104А	488
2Т83ЦА-Г)	127	А710(А, Б)	320	КТ8105А	261
2Т831(В—1, Г-1)	127	А740(А, Б)	322	КТ8106(А, Б)	489
525
Окончание
Тип прибора	Стр.	Тип прибора	Стр.	Тип прибора	Стр.
КТ8107(А-Е)	262	КТ819(А1-Г1)	100	КТ890(А—В)	246
КТ8107(А2-Е2)	262	КТ819(АМ-ГМ)	100	КТ892(А—В)	252
КТ8108(А-В)	266	КТ820(А-1-В-1)	409	КТ896(А, Б)	486
КТ8108<А1-В1)	266	КТ82ЦА—1—В—1)	106	КТ897(А, Б)	254
КТ8109А	268	КТ822(А—1—В—1)	410	КТ898(А, Б)	256
КТ8110(А—В)	270	КТ823(А—1—В—1)	108	КТ898(А1,Б1)	256
КТ8112А	272	КТ825(Г—Е)	412	КТ899А	257
КТ8114(А, Б)	274	КТ826(А-В)	110	П201АЭ	326
КТ8115(А-В)	491	КТ827(А—В)	115	П201Э	326
КТ8116(А—В)	275	КТ828(А—Г)	120	П202Э	326
КТ8117 (А, Б)	277	КТ829(А-Г)	125	П203Э	326
КТ8118А	279	КТ834(А-В)	133	П210(А, Ш)	328
КТ812(А—В)	91	КТ835(А, Б)	424	П213	330
КТ8120А	281	КТ837(А—Ф)	435	П213(А, Б)	330
КТ8121(А, Б)	283	КТВ38(А, Б)	137	П214	330
КТ812ЦА1, Б1)	283	КТ839А	140	71214(А—Г)	330
КТ8121(А2, Б2)	283	КТ840(А—В)	144	П215	330
КТ8123А	285	КТ841(А—Е)	147	71216	334
КТ8124А	287	КТ842(А-В)	437	П216(А-Д)	334
КТ8125(А—В)	290	КТ844А	153	П217	334
КТ8126А	292	ХТ845А	157	71217(А—Г)	334
КТ8127(А-В)	295	КТ846(А-В)	160	П302	337
КТ8127(А1—В1)	295	КТ847А	163	71303	337
КТ8129А	298	КТ848А	167	ПЗОЗА	337
КТ8130(А—В)	493	КГ850(А, Б)	169	П304	337
КТ813ЦА—В)	299	КТВ51(А—В)	443	П306	337
КТ8136А	300	КТ852(А-Г)	447	П306А	337
КТ8136А1	300	КТ853(А—Г)	451	П601(АИ, БИ)	340
КТ8137А	302	КТ854(А, Б)	173	П601И	340
КТ814(А-Г)	393	КТ855(А—В)	455	П602АИ	340
КТ8140А	304	КТ856(А, Б)	176	П602И	340
КТ8140А1	304	КТВ56(А1, Б1)	176	71605	343
КТ8143(А-Ф)	306	КТ857А	181	П605А	343
КТ8144(А, Б)	308	КТВ58А	184	П606	343
КТ8145(А, Б)	309	КТ859А	187	П606А	343
КТ8146(А, Б)	311	КТ862(Б—Г)	192	П607	347
КТ8147(А, Б)	313	КТ863(А—В)	200	П607А	347
КТ815(А—Г)	94	КТ864А	202	П608	347
КТ8157(А,Б)	314	КТВ65А	464	П608(А, Б)	347
КТ816(А—Г)	396	КТ866А	205	П609	347
КТ816А2	396	КТ867А	208	П609(А, Б)	347
КТ817(А-Г)	97	КТ868(А, Б)	211	П701	35
КТ817(62, Г2)	97 	КТ872(А, В)	213	П701(А, Б)	35
КТ818(А-Г)	400 '	КТ874(А, Б)	216	П702	37
КТ818(А1—Г1)	400 	КТ878(А—В)	223	П7О2А	37
КТ818(АМ- ГМ)	400 !	КТ879(А, Б)	227		
КТ819(А-Г)	100 j	КТ886(А1, Б1)	243		
526
ПЕРЕЧЕНЬ
типов транзисторов, вошедших в 1—4 тт. издания
Тип прибора	Том	Тип прибора	Том
1НТ251	1	2Е70ЦА—Г)	3
1НТ251А	1	2Ж102(А, Б)	3
1НТ251А1	1	2П101(А—В)	1
1Т101	1	2П103(А—Д)	1
1Т101(А, Б)	1	2П103(АР—ДР)	1
1Т102	1	2П201(А—1—Д—1)	1
1Т102А	1	2П30ЦА-В)	1
1Т115(А—Г)	1	2П301(А1—В1)	1
1Т116(А—Г)	1	2П302(А—В)	1
1Т305(А—В)	1	2П303(А-Е, И)	1
1Т308(А—В)	1	2П304А	1
1Т311(А, Б, Г, Д, К, Л)	1	2П305(А—2—Г—2)	1
1Т3110А-2	1	2П305(А—Г)	1
1Т313(А—В)	1	2П306(А—В)	1
1Т320(А—В)	1	2П307(А, Б, Г)	1
1Т321(А-Е)	1	2П308(А—1—Д—1)	1
1Т329(А—В)	1	2П308(А9—Е9)	1
1Т330(А—Г)	1	2П310(А, Б)	1
1Т335(А— Д)	1	2П312(А, Б)	1
1Т341(А—В)	1	2П312(А—5, Б—5)	1
1Т362А	1	2П312(А—6, Б—6)	1
1Т374А-6	t	2П313(А—В)	1
1Т376А	f	2П322А	1
1Т386А	f	2ПЗЗЗ(А, Б)	1
1Т387(А—2, Б—2)	1	2П335(А—2, Б—2)	1
1Т403(А—И)	1	2П337(АР, БР)	1
1Т612А-4	4	2П338АР-1	1
1Т614А	4	2П341(А, Б)	1
1Т702(А—В)	2	2П347А-2	1
1Т806(А—В)	2	2П350(А, Б)	1
1Т813(А—В)	2	2П601(А, Б)	3
1Т901(А, Б)	3	2П601А9	3
1Т905А	3	2П609(А, Б)	3
1Т906А	3	2П609(А—5, Б—5)	3
1Т910АД	3	2П701(А, Б)	3
1ТМ115(А—Г)	1	2П702А	3
1ТМ305(А—В)	1	2П703(А, Б)	3
527
Продолжение
Тип прибора	Том	Тип прибора	Том
2П706(А—В)	3	2Т126(А—1-Г-1)	1
2П712(А—5—В—5)	3	2Т127(А—1—Г—1)	1
2П712(А—В)	3	2Т201(А—Д)	1
2П802А	3	2Т202(А—1—Д—1)	1
2П803(А, Б)	3	2Т203(А—Д)	1
2П815(А—Г)	3	2Т205(А—3, Б—3)	1
2П816(А—Г)	3	2Т208(А—М)	1
2П901(А, Б)	3	2Т211(А—1—В—1)	1
2П90ЦА—5, Б—5)	3	2Т214(А—1—Е—1)	1
2П902(А, Б)	3	2Т214(А9—Е9)	1
2П903(А—5—В—5)	3	2Т215(А-1-Е-1)	1
2П903(А—В)	3	2Т215(А9-Е9)	1
2П904(А, Б)	3	2Т301(Г—Ж)	1
2П905(А, Б)	3	2Т306(А—Г)	1
2П907(А, Б)	3	2Т307(А—1—Г—1)	1
2П908(А, Б)	3	2Т3101А-2	1
2П909(А—Г)	3	2Т3106А-2	1
2П911(А, Б)	3	2Т3108(А—В)	1
2П912(А, Б)	3	2Т3114(А—6—В—6)	1
2П913(А, Б)	3	2Т3115(А—2, Б—2)	1
2П914А	3	2Т3115А-6	1
2П918(А, Б)	3	2Т3117А	1
2П920(А, Б)	3	2Т312(А—В)	1
2П922(А, Б)	3	2Т3120А	1
2П922(А—5, Б—5)	3	2Т3121А-6	1
2Л923(А-Г)	3	2Т3123(А—2—В—2)	1
2Л926(А, Б)	3	2Т3124(А—2—В—2)	1
2П928(А, Б)	3	2Т3129(А9-Д9)	1
2П933(А, Б)	3	2Т313(А, Б)	1
2П938(А— Д)	3	2Т3130(А9—Е9)	1
2П941(А—Д)	3	2Т3132(А—2—Г—2)	1
2ЛС104(А—Е)	1	2Т3132А-5	1
2ПС202(А—2—Г—2)	1	2Т3141А-2	1
2ПС202(Д—1, Е-1)	1	2Т314А-2	1
2ПС316(А—1—Г—1)	1	2Т3152(А—Е)	1
2Т104(А—Г)	1	2Т316(А—Д)	1
2Т117(А—Г)	1	2Т3162А	1
2Т118(А— 1, Б-1)	1	2Т3162А-5	1
2Т118(А—В)	1	2Т316А-5	1
528
Продолжение
Тип прибора	Том	Тип прибора	Том
2Т317(А—1—В—1)	1	2Т391(А—2, Б—2)	1
2Т3175А	1	2Т392А-2	1
2Т318(А—1—Е—1)	1	2Т396А-2	1
2Т318В1-1	1	2Т397А-2	1
2Т321(А—Е)	1	2Т399А	1
2Т324(А—1—Е—1)	1	2Т504(А, Б)	2
2Т325(А—В)	1	2Т504(А-5, Б-5)	2
2Т326(А, Б)	1	2Т505(А, Б)	2
2ТЗЗЗ(А—3—Е—3)	1	2Т505А-5	2
2T333B1-3	1	2Т506(А, Б)	2
2Т336(А—Е)	1	2Т506А-5	2
2Т348(А-3-В-3)	1	2Т509А	2
2Т354(А—2, Б—2)	1	2Т509А-5	2
2Т355А	1	2Т602(А, Б)	3
2Т360(А—1—В—1)	1	2Т602(АМ, БМ)	3
2Т363(А, Б)	1	2Т603(А—Г, И)	3
2Т364(А—2—В—2)	1	2Т606А	4
2Т366(А—1—В—1)	1	2Т607А-4	4
2Т366Б1-1	1	2Т608(А, Б)	3
2Т368(А, Б)	1	2Т610(А, Б)	4
2Т368(А9, Б9)	1	2Т624А-2	4
2Т37О(А—1, Б—1)	1	2Т624АМ-2	4
2Т370(А9, Б9)	1	2Т625(А-2, Б—2)	3
2Т371А	1	2Т625АМ-2	3
2Т372(А—В)	1	2Т625БМ-2	3
2Т377(А—2—В—2)	1	2Т629А-2	3
2Т377(А1—2—В1—2)	1	2Т630(А, Б)	3
2Т378(А—2, Б—2)	1	2Т630А-5	3
2Т378(А1—2, Б1-2)	1	2Т632А	3
2Т378Б-2-1	1	2Т633А	4
2Т381(А—1—Д—1)	1	2Т634А-2	4
2Т382(А, Б)	1	2Т635А	3
2Т384А-2	1	2Т637А-2	4
2Т384АМ-2	1	2Т638А	3
2Т385А-2	1	2Т640А-2	4
2Т385АМ-2	1	2Т640А-5	4
2Т388А-2	1	2Т640А-6	4
2Т388АМ—2	1	2Т640А1-2	4
2Т389А-2	1	2Т642А-2	4
529
Продолжение
Тип прибора	Том	Тип прибора	Том
2Т642А-5	4	2Т818(А2—В 2)	2
2Т642А1-2	4	2Т819(А—В)	2
2Т642А1-5	4	2Т819(А2-В2)	2
2Т642Б1-2	4	2Т825(А—В)	2
2Т642В1-2	4	2Т825(А2—В2)	2
2Т642Г1-2	4	2Т825А-5	2
2Т643(А—2, Б—2)	4	2Т826(А—В)	2
2Т643А-5	4	2Т826А-5	2
2Т647А-2	4	2Т827(А—В)	2
2Т647А-5	4	2Т827А-5	2
2Т648А-2	4	2Т828(А, Б)	2
2Т648А-5	4	2Т830(А—Г)	2
2Т652А	3	2Т830(В— 1, Г-1>	2
2Т652А-2	3	2Т831(А—Г)	2
2Т653(А, Б)	3	2Т831(В— 1, Г-t}	2
2Т657(А—2—В—2)	4	2Т834(А—В)	2
2Т658(А—2—В—2)	4	2Т836(А—В)	2
2Т664(А9, Б9)	3	2Т836А-5	2
2Т665(А9, Б9)	3	2Т837(А—Е)	2
2Т671А-2	4	2Т839А	2
2Т682(А—2, Б—2)	4	2Т841(А—В)	2
2Т687АС-2	4	2Т841(А1, Б1)	2
2Т687БС-2	4	2Т842(А, Б)	2
2Т688(А—2, Б—2)	4	2Т842(А1, Б1)	2
2Т691А-2	4	2Т844А	2
2Т704(А, Б)	2	2Т845А	2
2Т708(А—В)	2	2Т847А	2
2Т709(А—В)	2	2Т848А	2
2Т709(А2—В2)	2	2Т856(А—Г)	2
2Т713А	2	2Т860(А—В)	2
2Т716(А—В)	2	2Т861(А—В)	2
2Т716(А1—В1)	2	2Т862(А—Г)	2
2Т718(А, Б)	2	2Т866А	2
2Т803А	2	2Т867А	2
2Т808А	2	2Т874(А, Б)	2
2Т808А-2	2	2Т875(А—Г)	2
2Т809А	2	2Т876(А—Г)	2
2Т812(А, Б)	2	2Т877(А—В)	2
2Т818(А—В)	2	2Т878(А, Б)	2
530
Продолжение
Тип прибора	Том	Тип прибора	Том
2Т879(А, Б)	2	2Т9127(А, Б)	4
2Т880(А—5, Б-5)	2	2Т9128АС	3
2Т880(А—Г)	2	2Т9129А	4
2Т881(А—5, Б-5)	2	2Т913(А—В)	4
2Т881(А—Г)	2	2Т9130А	3
2Т882(А—В)	2	2Т9131А	3
2Т883(А, Б)	2	2Т9132АС	4
2Т884(А, Б)	2	2Т9134(А, Б)	4
2Т885(А, Б)	2	2Т9135А-2	4
2Т886А	2	2Т9136АС	4
2Т887(А, Б)	2	2Т9137А	4
2Т891А	2	2Т9139(А—Г)	4
2Т903(А, Б)	3	2Т9140А	4
2Т904А	4	2Т914б(А—К)	4
2Т907А	4	2Т9147АС	4
2Т908А	3	2Т9149(А, Б)	4
2Т909(А, Б)	4	2Т914А	4
2Т9101АС	4	2Т9153(АС, БС)	4
2Т9102(А-2, Б—2)	4	2Т9155(А—В)	4
2Т9103(А—2, Б—2)	4	2Т9156(АС, БС)	4
2Т9104(А, Б)	4	2Т9158(А, Б)	4
2Т9105АС	4	2Т9159А	4
2Т9107А-2	4	2Т9159А-5	4
2Т9108А-2	4	2Т9161АС	4
2Т9109А	4	2Т9162(А-Г)	4
2Т911(А, Б)	4	2Т916А	4
2Т9110(А—2, Б—2)	4	2Т919(А—2—В-2)	4
2Т9111А	4	2Т919(А—В)	4
2Т9114(А, Б)	4	2Т920(А—В)	3
2Т9117(А—Г)	3	2Т921А	3
2Т9118(А—В)	4	2Т921А-4	3
2Т9119А-2	4	2Т922(А—В)	3
2Т912(А, Б)	3	2Т925(А—В)	4
2Т912(А—5, Б-5)	3	2Т926А	3
2Т9121(А—Г)	4	2Т928(А, Б)	3
2Т9122(А, Б)	4	2Т929А	3
2Т9124(А, Б)	4	2Т930(А, Б)	4
2Т9125АС	4	2Т931А	3
2Т9126А	3	2Т932(А, Б)	3
531
Продолжение
Тип прибора	Том	Тип прибора	Том
2Т933(А, Б)	3	2Т978(А, Б)	3
2Т934(А—В)	4	2Т979А	4
2Т935А	3	2Т980(А, Б)	3
2Т935А-5	3	2Т981А	3
2Т937(А—2, Б—2)	4	2Т982А-2	4
2Т937А-5	4	2Т982А-5	4
2Т938А-2	4	2Т984(А, Б)	4
2Т939А	4	2Т985АС	4
2Т941А	4	2Т986(А—Г)	4
2Т942(А, Б)	4	2Т988(А, Б)	4
2Т942(А—5, Б—5)	4	2Т989(А—Г)	• 4
2Т944А	3	2Т990А-2	4
2Т945(А—В)	3	2Т991АС	4
2Т945А-5	3	2Т993А	3
2Т946А	4	2Т994(А—2—В—2)	4
2Т947А	3	2Т995А-2	4
2Т948(А, Б)	4	2Т996(А—2—Г—2)	4
2Т950(А, Б)	3	2Т99б(А—5, Б—5)	4
2Т951(А—В)	3	2ТМ103(А—Д)	1
2Т955А	3	2ТМ104(А—Г)	1
2Т956А	3	2ТС303А-2	1
2Т957А	3	2ТС3103(А, Б)	1
2Т958А	3	2ТС3111(А—1—Д—1)	1
2Т960А	4	2ТС393(А—1, Б—1)	1
2Т962(А-В)	4	2ТС393(А9, Б9)	1
2Т963(А—2, Б—2)	4	2ТС398(А—1, Б—1)	1
2Т963А-5	4	2ТС398(А9, Б9)	1
2Т964А	3	2ТС613(А, Б)	4
2Т965А	3	2ТС622(А, Б)	4
2Т966А	3	2ТС843А	4
2Т967А	3	2ТС941А	4
2Т968А	3	ЗП320(А—2, Б—2)	1
2Т968А-5	3	ЗП321А-2	1
2Т970А	4	ЗП324(А—2, Б—2)	1
2Т971А	3	ЗП325А-2	1
2Т974(А—Г)	4	ЗП325А-5	1
2Т975( А, Б)	4	ЗП32б(А—2, Б—2)	1
2Т976А	4	ЗП326А-5	1
2Т977А	4	ЗП328А-2	1
532
Продолжение
Тип прибора	Том	Тип прибора	Том
ЗП328А-5	1	ЗП608Г-2	3
ЗПЗЗО(А—2—В—2)	1	ЗП608Д-5	3
ЗПЗЗОА-5	1	ЗП608Е-5	3
ЗП331А-2	1	ЗП910(А—2, Б—2)	3
ЗП331А-5	1	ЗП910(А—5, Б-5)	3
ЗП339А-2	1	ЗП915(А—2, Б—2)	3
ЗП339А-5	1	ЗП925(А—2—В—2)	3
ЗП343А-2	1	ЗП925А-5	3
ЗП343А-5	1	ЗП927(А—2—Д—2)	3
ЗП344А-2	1	ЗП929А-2	3
ЗП344А-5	1	ЗП930(А—2—В—2)	3
ЗП345(А—2, Б—2)	1	А597(А, Б)	3
ЗП345Б-5	1	А604(А—В)	3
ЗП351А-2	1	А622(А, Б)	4
ЗП351А-5	1	А625А-5	4
ЗП353А-5	1	А625А1-2	4
ЗП372А-2	1	А625Б1-2	4
ЗП376А-5	1	А625В1-2	4
ЗП384А-5	1	А625Г1-2	4
ЗП602(А—2—Д—2)	3	А630	4
ЗП602(Б—5, Д-5)	3	А633	4
ЗП6ОЗ(А—2, Б—2)	3	А634(А, Б)	3
ЗП6ОЗ(А—5, Б-5)	3	А639А	3
ЗП6ОЗА1—2	3	А641(А—В)	1
ЗП6ОЗБ1—2	3	А642(А, Б)	4
ЗП604(А—2—Г—2)	3	А645	4
ЗП604(А—5—Г—5)	3	А645А-5	4
ЗП604А1-2	3	А650(А—Г)	3
ЗП604Б1-2	3	А652(А—В)	4
ЗП604В1—2	3	А653А-5	4
ЗП604Г1—2	3	А654(А, Б)	3
ЗП605А-2	3	А657	4
ЗП605А-5	3	А661(А, Б)	3
ЗП60б(А—2—Г—2)	3	А662	4
ЗП606(Б—5, В-5)	3	А664А	4
ЗП607А-2	3	А667	4
ЗП608А-2	3	А675(А, Б)	3
ЗП608А-5	3	А678(А—Г)	2
ЗП608Б-2	3	А680(А—Д)	4
533
Продолжение
Тип прибора	Том	Тип прибора	Том
А682(А, Б)	4	А767(А—В)	4
А684А	2	А772	2
А68б(А—2, Б—2)	3	А791(А—В)	1
А686А1-2	3	А792	4
А686Б1-2	3	А793(А—В)	4
А691	4	А794(А—В)	4
А697(А, Б)	4	А795(А-Д)	3
А702(А—В)	3	А79б(А—Ж)	3
А704А	4	А797	4
А709(А, Б)	3	А802(А—Ж)	1
А710(А, Б)	2	А803А	3
А714	4	А808(А—Г)	3
А716(А, Б)	4	А815	1
А717(А, Б)	4	А818(А—Д)	1
А718(А—В)	4	А827(А, Б)	4
А719(А—Г)	3	А834А	4
А720(А—Г)	4	А837(А—В)	4
А722(А, Б)	4	А842(А, Б)	3
А723	3	А843(А—В)	3
А724(А—Г)	3	А848А	3
А725(А—Д)	3	А849(А, В, С, Д)	3
А726(А, Б)	3	АП320(А—2, Б-2)	1
А727(А, Б)	4	АП324(А—2—В—2)	1
А73ЦА-Г)	4	АП324Б-5	1
А736	3	АП325А-2	1
А739(А—2, Б-2)	4	АП32б(А—2, Б-2}	1
А740(А, Б)	2	АП328А-2	1
А743(А, Б)	4	АП330(А—2—В—2)	1
А745(А—5—В—5)	3	АП331А-2	1
А745(А—Г)	3	АП331А-5	1
А746(А, Б)	3	АП339А-2	1
А747	t	АП343А-2	1
А749	4	АП344А-2	1
А750	4	АП602(А—2—Д—2}	3
А751(А, Б)	4	АП603(А—2, Б-2)	3
А760(А, Б)	1	АП603(А—5, Б—5)	3
А761А-5	3	АП603А1-2	3
А762(А, Б)	3	АП603Б1-2	3
А764(А, Б)	4	АП604(А—2—Г—2)	3
534
Продолжение
Тип прибора	Том	Тип прибора	Том
АП604(А—5—Г—5)	3	ГТ403(А-И)	1
АП604А1-2	3	ГТ403Ю	1
АП604Б1-2	3	ГТ404(А-Г)	1
АП604В1—2	3	ГТ405(А—Г)	1
АП604Г1 —2	3	ГТ612А-4	4
АП605А-2	3	ГТ701А	2
АП606(А—2—В—2)	3	ГТ703(А-Д.	2
АП60б(А—5—В—5)	3	ГТ705(А-Д)	2
АП608А-2	3	ГТ80б(А—Д)	2
АП608А-5	3	ГТ810А	2
АП608Б-2	3	ГТ905(А, Б)	3
АП608Г-2	3	ГТ906А	3
АП608Д-5	3	ГТ906АМ	3
АП608Е-5	3	К1НТ251	1
АП967(А—2—Ж—2)	3	К1НТ661А	1
ГТ108(А-Г)	1	КП101(Г—Е)	1
ГТ109(А—И)	1	КПЮЗ(Е-М)	1
ГТ115(А-Д)	1	КП103(Е1— М1)	1
ГТ122(А—Г)	1	КПЮЗ(ЕР-МР)	1
ГТ124(А—Г)	1	КП103(ЕР1—МР1)	1
ГТ125(А-Л)	1	КП201(Е—1-Л-1)	1
ГТ305(А—В)	1	КП301(Б-Г)	1
ГТ308(А—В)	1	КП302(А-Г)	1
ГТ309(А-Е)	1	КП302(АМ—ГМ)	1
ГТЗЮ(А-Е)	1	КПЗОЗ(А-И)	1
ГТ311(Е—И)	1	КП304А	1
ГТ313(А—В)	1	КП305(Д—И)	1
ГТ320(А—В)	1	КПЗОб(А-В)	1
ГТ321(А—Е)	1	КП307(А, Б, Г, Е, Ж)	1
ГТ322(А—В)	1	КП308(А—1—Д—1)	1
ГТ328(А—В)	1	КП312(А, Б)	1
ГТ329(А—Г)	1	КП313(А—В)	1
ГТ330(Д, Ж, И)	1	КП314А	1
ГТ338(А—В)	1	КП322А	1
ГТ341(А—В)	1	КП323(А-2, Б—2)	1
ГТ34б(А—В)	1	КП327(А—Г)	1
ГТ362(А, Б)	1	КП329(А, Б)	1
ГТ376А	1	КП341(А, Б)	1
ГТ402(А—Г)	1	КП34б(А9—В9)	1
535
Продолжение
Тип прибора	Том	Тип прибора	Том
КП347А-2	1	КПС104(А—Е)	1
КП350(А—В)	1	КПС202(А—2—Г—2)	1
КП364(А—И)	1	КПС202(Д—1, Е—1)	1
КП6О1(А, Б)	3	КПС203(А-1—Г—1)	1
КП704(А, Б)	3	КПС315(А, Б)	1
КП705(А—В)	3	КПС316(Д-1-И-1)	1
КП707(А—В)	3	КТ104(А—Г)	1
КП707(А1—В1)	3	КТ117(А—Г)	1
КП709(А, Б)	3	КТ117(АМ—ГМ)	1
КП801(А—Г)	3	КТ118(А—В)	1
КП802(А, Б)	3	КТ120(А—1—В—1)	1
КП804А	3	КТ201(А—Д) -	1
КП805(А-В)	3	КТ201(АМ—ДМ)	1
КП809(А—Е)	3	КТ202(А—1—Д—1)	1
КП809(А1-Е1)	3	КТ203(А—В)	1
КП809Б1-5	3	КТ203(АМ—ВМ)	1
КП809Б2-5	3	КТ206(А, Б)	1
КП813(А, Б)	3	КТ207(А—В)	1
КП813(А1, Б1)	3	КТ208(А—М)	1
КП813А1-5	3	КТ209(А—М)	1
КП813Б1-5	3	КТ209Б1	1
КП901(А, Б)	3	КТ209В(1, 2)	1
КП902(А—В)	3	КТ214(А—1—Е—1)	1
КП903(А-В)	3	КТ215(А—1—Е—1)	1
КП904(А, Б)	3	КТ216(А—В)	1
КП905(А—В)	3	КТ218(А9—Е9)	1
КП907(А—В)	• 3	КТ301(Г-Ж)	1
КП908(А, Б)	3	КТ302А	1
КП921А	3	КТЗОб(А-Д)	1
КП922(А, Б)	3	КТЗОб(АМ-ДМ)	1
КП922(А1, Б1)	3	КТ307(А—1—Г—1)	1
КП923(А—Г)	3	КТ3101А-2	1
КП934(А, Б)	3	КТ3102(А—В, Д)	1
КП937А	3	КТ3102(АМ—ВМ, ДМ)	1
КП937А-5	3	КТ3102(Е—К)	1
КП938(А—Д)	3	КТ3102(ЕМ—КМ)	1
КП944(А, Б)	3	КТ3102Г	1
КП945(А, Б)	3	КТ3102ГМ	1
КП951(А—2—В—2)	3	КТ3104(А—Е)	1
536
Продолжение
Тип прибора	Том	Тип прибора	Том
КТ3106А—2	1	КТ317(А—1—В—1)	1
КТ3106А9	1	КТ3170А9	1
КТ3107(А—Л)	1	КТ3171А9	1
КТ3108(А—В)	1	КТ3172А9	1
КТ3109(А-В)	1	КТ3173А9	1
КТ3114(Б—6, В-б)	1	КТ3174АС-2	1
КТ3115(А—2, В-2-Д-2)	1	КТ3176А9	1
КТ3117(А, Б)	1	КТ3179А9	1
КТ3117А1	1	КТ318(А—Е)	к
КТ312(А—В)	1	КТ3180А9	1
КТ3120АМ	1	КТ321(А-Е)	1
КТ3121А—6	1	КТ324(А—1—Е—1)	1
КТ3122(А, Б)	1	КТ325(А—В)	1
КТ3123(А—2—В—2)	1	КТ325(АМ—ВМ)	1
КТ3123(АМ—ВМ)	1	КТ32б(А, Б)	1
КТ3126(А, Б)	1	КТ326(АМ, БМ)	1
и'Т3126А9	1	КТЗЗЗ(А-З-Е-З)	1
КТ3127А	1	КТЗЗб(А-Е)	1
КТ3128А	1	КТ337(А—В)	1
КТ3128А9	1	КТ339А	1
КТ3129(А9-Д9)	1	КТ339АМ	1
КТ313(А, Б)	1	КТ342(А—Г)	1
КТ313(А1-Г1)	1	КТ342(АМ-ВМ)	1
КТ3130(А9—Ж9)	1	КТ343(А—В)	1
КТ3132(А—2—Е—2)	1	КТ345(А—В)	1
КТ3142А	1	КТ347(А—В)	1
КТ314А-2	1	КТ348(А—В)	1
КТ315(А—И)	1	КТ349(А—В)	1
КТ3150Б-2	1	КТ350А	1
КТ3151(А9—Е9)	1	КТ351(А, Б)	1
КТ3153А9	1	КТ352(А, Б)	1
КТ3157А	1	КТ354(А—2, Б-2)	1
КТ315Р	1	КТ355А	1
КТ31б(А—Д)	1	КТ355АМ	1
КТ316(АМ— ДМ)	1	КТ358(А—В)	1
КТ3165А	1	КТ359(А—В)	1
КТ3166А	1	КТ360(А—1—В—1)	1
КТ3168А9	1	КТ361(А—Е)	1
КТ3169А9-1	1	КТ363(А, Б)	1
537
Продолжение
Тип прибора	Том	Тип прибора	Том
КТ363(АМ, БМ)	1	КТ505(А, Б)	2
КТ364(А—2—В—2)	1	КТ50б(А, Б)	2
КТЗбб(А-В)	1	КТ601А	3
КТ368(А, Б)	1	КТ601АМ	3
КТ368(А9, Б9)	1	КТ6О2(АМ, БМ)	3
КТ368(АМ, БМ)	1	КТбОЗ(А-Е)	3
КТ368А-5	1	КТ6О4(А, Б)	3
КТ369(А—1—Г—1)	1	КТ6О4(АМ, БМ)	3
КТЗбЭ(А-Г)	1	КТ605(А, Б)	3
КТ370(А—1, Б—1)	1	КТ6О5(АМ, БМ)	3
КТ370(А9, Б9)	1	КТбОб(А, Б)	4
КТ371А	1	КТ6О7(А—4, Б—4)	4
КТ371АМ	1	КТ608(А, Б)	3
КТ372(А—В)	1	КТ61О(А, Б)	4
КТ373(А—Г)	1	КТ611(А—Г)	3
КТ375(А, Б)	1	КТ611(АМ, БМ)	3
КТ379(А—Г)	1	КТ6127(А—К)	3
КТ380(А—В)	1	КТб1б(А, Б)	3
КТ381(Б—Е)	1	КТ617А	3
КТ382(А, Б)	1	КТ618А	3
КТ382(АМ, БМ)	1	КТ624А-2	4
КТ384А	1	КТ624АМ—2	4
КТ384АМ	1	КТ625А	3
КТ385А	1	КТ625АМ	3
КТ385АМ	1	КТб2б(А—Д)	3
КТ388Б-2	1	КТ629(А—2, Б-2)	3
КТ388БМ-2	1	КТ629БМ—2	3
КТ389А-2	1	КТбЗО(А-Е)	3
КТ391(А—2—В—2)	1	КТ632Б	3
КТ392А-2	1	КТ632Б1	3
КТ396А-2	1	КТбЗЗБ	4
КТ396А9	1	КТ634Б-2	4
КТ397А-2	1	КТ635Б	3
КТ399А	1	КТ637(А—2, Б-2)	4
КТ399АМ	1	КТ638А	3
КТ501(А—М)	2	КТбЗЭ(А-И)	3
КТ502(А—Е)	2	КТ639(А1, Б1, Г1, Д1)	3
КТбОЗ(А-Е)	2	КТ64О(А—2—В—2)	4
КТ504(А—В)	2	КТ642А-2	4
5 Зв
Продолжение
Тип прибора	Том	Тип прибора	Том
КТ642А-5	4	КТ722А	2
КТ643А-2	4	КТ723А	2
КТ644(А—Г)	3	КТ724А	2
КТ645(А, Б)	3	КТ728А	2
КТ64б(А, Б)	3	КТ801(А, Б)	2
КТ647А-2	4	КТ802А	2
КТ647А-5	4	КТ803А	2
КТ648А-2	4	КТ805(А, Б)	2
КТ648А-5	4	КТ805(АМ—ВМ)	2
КТ657(А—2—В—2)	4	КТ8О7(А, Б)	2
КТ657(А—5—В—5)	4	КТ807(АМ, БМ)	2
КТ659А	4	КТ808(АЗ, БЗ)	2
КТ660(А, Б)	3	КТ808(АМ—ГМ)	2
КТ661А	3	КТ808А	2
КТ662А	3	КТ809А	2
КТ664(А9, Б9)	3	КТ8101(А, Б)	2
КТ665(А9, Б9)	3	КТ8102(А, Б)	2
КТ666А9	3	КТ8104А	2
КТ667А9	3	КТ8105А	2
КТ668(А—В)	3	КТ8106(А, Б)	2
КТ680А	3	КТ8107(А—Е)	2
КТ681А	3	КТ8107(А2-Е2)	2
КТ682(А—2, Б-2)	4	КТ8108(А—В)	2
КТ682(А—5, Б—5)	4	КТ8108(А1—В1)	2
КТ683(А—Е)	3	КТ8109А	2
КТ684(А—В)	3	КТ8110(А—В)	2
КТ685(А- Ж)	3	КТ8112А	2
КТ68б(А—Ж)	3	КТ8114(А, Б)	2
КТ692А	3	КТ8115(А—В)	2
КТ695А	4	КТ8116(А—В)	2
КТ698(А—К)	3	КТ8117(А, Б)	2
КТ704(А—В)	2	КТ8118А	2
КТ710А	2	КТ812(А—В)	2
КТ712(А, Б)	2	КТ8120А	2
КТ715А	2	КТ812ЦА, Б)	2
КТ716(А—Г)	2	КТ8121(А1, Б1)	2
КТ719А	2	КТ8121(А2, Б2)	2
КТ720А	2	КТ8123А	2
КТ721А	2	КТ8124А	2
539
Поодолжение
Тип прибора	Том	Тип прибора	Том
КТ8125(А—В)	2	КТ834(А—В)	2
КТ8126А	2	КТ835(А, Б)	2
КТ8127(А—В)	2	КТ837(А—Ф)	2
КТ8127(А1-В1)	2	КТ838(А, Б)	2
КТ8129А	2	КТ839А	2
КТ8130(А—В)	2	КТ840(А—В)	2
КТ8131(А—В)	2	КТ841(А—Е)	2
КТ8136А	2	КТ842(А—В)	2
КТ8136А1	2	КТ844А	2
КТ8137А	2	КТ845А	2
КТ814(А-Г)	2	КТ846(А-В)	2
КТ8140А	2	КТ847А	2
КТ8140А1	2	КТ848А	2
КТ8143(А—Ф)	2	КТ850(А, Б)	2
КТ8144(А, Б)	2	КТ851(А-В)	2
КТ8145(А, Б)	2	КТ852(А—Г)	2
КТ814б(А, Б)	2	КТ853(А—Г)	2
КТ8147(А, Б)	2	КТ854(А, Б)	2
КТ815(А—Г)	2	КТ855(А—В)	2
КТ8157(А, Б)	2	КТ85б(А, Б)	2
КТ81б(А—Г)	2	КТ856(А1, Б1)	2
КТ816А2	2	КТ857А	2
КТ817(А—Г)	2	КТ858А	2
КТ817(Б2, Г2)	2	КТ859А	2
КТ818(А—Г)	2	КТ862(Б—Г)	2
КТ818(А1—Г1)	2	КТ863(А—В)	2
КТ818(АМ-ГМ)	2	КТ864А	2
КТ819(А—Г)	2	КТ865А	2
КТ819(А1—Г1)	2	КТ866А	2
КТ819(АМ-ГМ)	2	КТ867А	2
КТ820(А—1—В—1)	2	КТ868(А, Б)	2
КТ821(А—1—В—1)	2	КТ872(А, В)	2
КТ822(А—1—В—1)	2	КТ874(А, Б)	2
КТ823(А—1—В—1)	2	КТ878(А—В)	2
КТ825(Г-Е)	2	КТ879(А, Б)	2
КТ82б(А—В)	2	КТ886(А1, Б1)	2
КТ827(А-В)	2	КТ890(А—В)	2
КТ828(А—Г)	2	КТ892(А—В)	2
КТ829(А—Г)	2	КТ896(А, Б)	2
540
Продолжение
Тип прибора	Том	Тип прибора	Том
КТ897(А, Б)	2	КТ9174А	4
КТ898(А, Б)	2	КТ9176А	3
КТ898(А1, Б1)	2	КТ9177А	3
КТ899А	2	КТ918(А-2, Б-2)	4
КТ902АМ	3	КТ9180(А—Г)	3
КТ903А	3	КТ9181(А—Г)	3
КТ904(А, Б)	4	КТ9182А	4
КТ907(А, Б)	4	КТ919(А—Г)	4
КТ908(А, Б)	3	КТ920(А—Г)	3
КТ909(А—Г)	4	КТ921(А, Б)	3
КТ9101АС	4	КТ922(А-Д)	3
КТ9104(А, Б)	4	КТ925(А—Г)	4
КТ9105АС	4	КТ926(А, Б)	3
КТ911(А—Г)	4	КТ927(А—В)	3
КТ9115(А, Б)	3	КТ928(А—В)	3
КТ9116(А, Б)	4	КТ929А	3
КТ912(А, Б)	3	КТ930(А, Б)	4
КТ9120А	3	КТ931А	3
КТ913(А—В)	4	КТ932(А—В)	3
КТ9130А	3	КТ933(А, Б)	3
КТ9133А	3	КТ934(А—Д)	4
КТ9141А	4	КТ935А	3
КТ9141А1	'4	КТ936(А, Б)	3
КТ9142А	4	КТ937(А—2, Б-2)	4
КТ9143(А—В)	4	КТ938Б-2	4
КТ9144А-5	3	КТ939(А, Б)	4
КТ9144А9	3	КТ940(А—5—В—5)	3
КТ9145А-5	3	КТ940(А-В)	3
КТ9145А9	3	КТ942В	4
КТ914А	4	КТ943(А—Д)	3
КТ9150А	4	КТ944А	3
КТ9151А	3	КТ945Б	3
КТ9152А	4	КТ946А	4
КТ9155(А—В)	4	КТ947А	3
КТ9157А	3	КТ948(А, Б)	4
КТ916(А, Б)	4	КТ955А	3
КТ9160(А—В)	3	КТ956А	3
КТ9166А	3	КТ957А	3
КТ9173А	4	КТ958А	3
541
Окончание
Тип прибора	Том	Тип прибора	Том
КТ960А	4	КТС631(А—Г)	4
КТ961(А-Г)	3	П201АЭ	2
КТ962(А—В)	4	П201Э	2
КТ963(А—2, Б-2)	4	П202Э	2
КТ963А-5	4	П203Э	2
КТ965А	3	П210(А, Ш)	2
КТ966А	3	П213	2
КТ967А	3	П213(А, Б)	2
КТ969А	3	П214	2
КТ969А-5	3	П214(А—Г)	2
КТ970А	4	П215	2
КТ971А	3	П216	2
КТ972(А, Б)	3	П216(А-Д)	2
КТ973(А, Б)	3	П217	2
КТ976А	4	П217(А—Г)	2
КТ977А	4	П302	2
КТ980(А, Б)	3	ПЗОЗ	2
КТ981А	3	ПЗОЗА	2
КТ983(А—В)	4	П304	2
КТ984(А, Б)	4	П306	2
КТ985АС	4	П306А	2
КТ991АС	4	П601(АИ, БИ)	2
КТ996(А—2—В—2)	4	П601И	2
КТ996(А—5—В—5)	4	П602АИ	2
КТ997(А—В)	3	П602И	2
КТ999А	3	П605	2
КТСЗОЗА—2	1	П605А	2
КТС3103(А1, Б1)	1	П606	2
КТС3161АС	1	П606А	2
КТС393(А—1, Б—1)	1	П607	2
КТС393(А9, Б9)	1	П607А	2
КТС394(А—2, Б-2)	1	П608	2
КТС394А—1	1	П608(А, Б)	2
КТС395(А—1, В-1)	1	П609	2
КТС395(А—2—В—2)	1	П609(А, Б)	2
КТС398(А—1, Б—1)	1	41701	2
КТС398(А9, Б9)	1	<1701(А, Б)	2
КТС613(А—Г)	4	П702	2
КТС622(А, Б)	4	П702А	2
542
ББК 32.852.3
П53
Петухов В. М.
П53 Транзисторы и их зарубежные аналоги. Биполярные
транзисторы средней и большой мощности низкочастот-
ные. Справочник. В 4 т. Т. 2. Издание второе, исправлен-
ное.— М.: ИП РадиоСофт, 2000.— 544 с.: ил.
ISBN 5-93037-035-4
Во втором томе четырехтомного справочного издания приводят-
ся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводни-
ковых приборов — биполярных транзисторов средней и большой
мощности НЧ. Даются классификация и система обозначений, основ-
ные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкрет-
ных типов приборов приводятся сведения об основном назначении,
габаритных и присоединительных размерах, маркировке, предель-
ных эксплуатационных режимах и условиях работы. В приложении
даются зарубежные аналоги транзисторов, помещенных в справоч-
нике, и названия фирм-изготовителей, представлен перечень транзи-
сторов, вошедших в 1—4 тт. издания.
Для инженерно-технических работников, занимающихся разра-
боткой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры.
ББК 32.852.3
ISBN 5-93037-035-4
© В. М. Петухов, 2000
© Составление, оформление.
Издательское предприятие
РадиоСофт, 2000
ИЗДАТЕЛЬСТВО «РАДИОСОФТ»
Отдел реализации: тел./факс (095) 177-47-20
e-mail: radiosft@aha.ru
Адрес и телефон для заявок на книги
по почте наложенным платежом:
113054 Москва, а/я 35, «Пост-Пресс»
Тел./факс (095) 230-37-66
e-mail: postpres@dol.ru
ПЕТУХОВ
Владимир Матвеевич
ТРАНЗИСТОРЫ И ИХ ЗАРУБЕЖНЫЕ АНАЛОГИ
СПРАВОЧНИК
В четырех томах
Том 2
Ответственный за выпуск А. А. Халоян
Редактор М. Ю. Нефёдова
Сдано в набор 4.01.97. Подписано в печать 12.02.97.
Формат 84х1081/з2. Печать высокая. Бумага газетная.
Печ. л. 17,0. Тираж 5 000. Заказ 835
Издательское предприятие РадиоСофт
109125, Москва, ул. Саратовская, 6/2
Лицензия ЛР № 065866 от 30.04.98
Отпечатано с готовых диапозитивов
во Владимирской книжной типографии Госкомпечати России
600000, г. Владимир, Октябрьский пр., д. 7