Автор: Аронов В.А.   Баюкав А.В.   Зай­цев А.А.  

Теги: общее машиностроение   технология машиностроения   полупроводниковые устройства   электроника   транзисторы   справочник   полупроводники  

Год: 1982

Похожие

Полупроводниковые приборы

Справочник. Полупроводниковые приборы. Транзисторы малой мощности

Мощные полупроводниковые приборы. Транзисторы. Справочник

Взаимозаменяемые транзисторы. Справочник

Текст 
                    ПОЛУ­
ПРОВОДНИКОВЫЕ
ПРИБОРЫ:
транзисторы
Справочник
Под общей рс;:щкцисй Н. Н. ГОРIОНОВА
МОСКВА ЭНЕРГОИЗДАТ !9R2


ББК 32.852
п53
УДК. 621.282 J (035)
Реuензенты: Е. И. Кры.1ов, В. В. Пав.1ов
А вторы: В. Л. Аронов, Л. В. Баюков. А. А. Зайцев,
Ю. А. Камснецкий, А. И. Миркин, В. В. Мокряков, В. М. Петухов,
А. К. Хрулев. А. П. Шибанов
Полупроводниковые приборы: Транзисторы.
П53 Справочник/В. А. Аронов, А. В. Баюкав, А. А. Зай­
цев и др. Под общ. ред. Н. Н. Горюнова.­
М.: Энергоиздат, 1982. -
904 с" ил.
Впер.:3р. 30к.
Приведены э.1ектрические пара,1етры, габаритные размеры. пре11е.1ъ­
ные эксп.1уат:нtнонные данные и другие х~1рактсристнки отечественных
серийно выпускне"1ЫХ транзисторов широкого 11римсиения.
Для широко~ о кругн спсниалистов по электронике. автоматике,
радиотехнике, измерительной технике, занимающихся разработкой,
эксп.оуатацией и ре,10Н1 о'1 радиО)Jlсктронной аппаратуры.
п 2403000000-468 202-82
051(01)-82
ББК 32.852
бФО.32
':[ Энергоиздат. !982


СОДЕРЖАНИЕ
Предис.1овие . . .
·
.
.
·
.
.
.
.
.
.
ЧАСТЬ ПЕРВЛЯ
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О БИПОЛЯРНЫХ
И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
р а 3 д с л пер в ы й. К.1ассифшшuпя бипо.1ярных и полевых
11
транзисторов .
·
.
·
·
·
·
·
.
.
.
.
.
.
.
.
•
12
1.1. Классифика1шя и снстсма обозначений
.
12
1. 2 . Класснфнкацня транзисторов по функционапьному
на1начению...........
1.3. Условные графическнс обmщ1чения
1.4. Условные обозначения
ъ1сктрп'!еских
парамет-
16
16
ров.......
.
.
.
.
.
.
.
.
.
17
1.5. Основные стандарты на биполярные и полевые
тра1п11сторы . . .
·
.
.
.
.
.
.
.
.
.
23
р а 3 дел вт о р о iJ. Особеииос111 испо."Iьзоваиия транзисторов
в ра;:щоэ.'!ектрониоii аппаратуре . . . .
ЧАСТЬ ВТОРАЯ
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ БИПОЛЯРНЫХ
ТРАНЗИСТОРОВ
Разд е .1 трет 11 й. Траюисторы ~Ы.l(Ншщные 1шзкочастот-
иые .
п-р-п
26
36
ТМЗ(А,В.Г,Д).М3(А.В.Г.ДJ.
36
МП9А, МПIО, МПIО (А, Б). МПI 1, MПIJA
39
TMIO(А.Б.В,Ж)..........
.
42
МП!О!. МП!О! (А. Б), :vП11О.:. мп;оз. МП101А, MПlll.
MПlll (А. Б), МПJ12. l\111113. МШ13Л
44
2ТМ103 (А. Б. В. Г. Д)
48
ГТ122 IA. Б. В, Гi
.
.
.
.
.
.
.
.
49
КТ127 iA-l. Б-l. Б-1. Г-!)
.
.
50
2Т201(А.Б.В.Г.Д),КТ201(Л.Б.В,Г.дi
51
2Т205...........
54
КТ206 (А. r;)
.
.
.
.
.
.
.
.
56
КТ215 (А-1. Б-1. В-1. Г-1. Д-1. l::-l).
57
КТЗО2А.......
·
.
.
.
60
3


4
П307, П307В, ШО8. П309
ГТ404(А,Б,В.П...
КТ503 (А, Б, В, Г. Д. Е).
р-п-р
60
63
65
TI(А.Б).Т2(А.Б,В.К).Т3(А.Б)
67
ТМ2(А.Б,В.Г,Д),М2(А.Б.В.Г,Д)
70
ТМ4(А,Б.В.Г.Д,Е).М4(Л.Б.В.Г.Д.Е)
73
ТМ5(А,Б,В,Т,Д),М5(А.Б.В.Г.Д)
76
TMl!,ТМ!1(А,Б)......
79
МП!З, МП!ЗБ. МП14. :\Ш14 (А. Б. И). \Ш15. J\.!П!S
(А.И)......
82
МП!б, МП16 (А. Б)
.
.
.
.
86
МП16Яl,МП!6ЯП......
88
1\11120, МП2!, мn21 (А. Б1.
.
.
90
МП25. МП25 (А, Б), МП26. МП26 (А. Б)
93
П27.П27(А,Б).П28..
96
П29.П29А,ПЗО..........
98
МП35, МПЗбА, МП37. МПЛ (А. БJ.
МПЗS.
МП38А.............
100
МП39. МП39Б, МП40. МП40.\. J\-11141. МП41Л
102
МП42,МП42(А.Б)........
105
ПIOI, !ПО! (А. БJ. 1Т!О2. 1Т102Л . . .
!06
МП104, МП105. МП106.
Г-ЛП114.
1\·1П115.
МП116.....
109
2ТМ!О4 (А, Б. В. Г)
112
КТ104(А.Б,В,Г)....
114
ГТ108(А,Б.В.Г)....
115
ГТ109(А,Б.В,Г,Е.Ж,Иi
117
ГТ115(А,Б,В,Г,Д)...
118
!ТМ!15 (А, Б, В, Г)
119
IТI16(А.Б.В.Г)....
121
2Т117(А,Б.В.П.КТ117(А.Б.В.П
123
2ТI18 (А, Б, В). КТ!1~ (А. Б. В)
125
2Т118 (А-1, Б-1) .
128
КТ!19(А,Б)..........
129
КТ120(А,Б.В).........
131
ГТ124(А.Б.В.Г)........
!32
ГТ125(А,Б,В,Г,д.Е.Ж.И.К.Л)
133
2Т202 (А, Б. В, П. КТ202 (А, Б, В. Г)
135
2Т203 (А, Б. В, Г, Д), КТ20З (А. Б, В)
137
КТ207(А,Б,BJ.........
139
2Т208(А.Б.В.Г.Д.Е.Ж.И.К.Л,М).
КТ208(А.Б,В,Г.Д,Е.Ж.И.К,Л,'l'l.t
141
l<Т209(А,Б,В,Г.Д,Е.Ж,И,К.JI.М)
143
КТ210{А.Б.В}........
146
КТ211 (А-1, Б-1. В-1) . .
•
.
.
.
147
КТ214 (А-1, Б-1. В-1. Г-1. Д-1, E-l) .
149
ГТ402(А,Б,В,П...
151
IТ403 (А, Б. В, Г. Д. Е. )К, И\. ГТ403 (А. Б,


В,Г,Д.Е.Ж.И,Ю)....
ГТ405 (А, Б, В, Г)
П406,П407.......
КТ501(А,Б,В,Г,Д,Е.Ж.И,К.Л.М)
КТ502(А,Б,В,Г.Д,Е).....
р а 3 дел ч е т в е r ты ii. Транзисторы ~ш:1шющные высокочас-
154
157
160
161
163
тотные...
·
.
·
·
.
·
·
·
.
.
.
.
.
.
.
.
.
166
11-р-11
2Т301 (Г. Д. Е. Ж). КТЗОl (Г. д. Е. Ж)
166
2Т312 (Л. Б. В). КТ312 (А. Б. В)
168
КТ314А-2....····....
172
КТЗJS(А,Б.В.Г.Д.Е,Ж.И)....
175
2Т317 (А-1. Б-1. В-1). КТ317 (А-1. Б-1. В-1). . . . . . 178
2Т333 IЛ-3. fJ-3 . В-3. Bl-3 . Г-3. Д-3. Е-3). КТЗЗЗ (А-3.
Б-3,В-3,Г-3.Д-3.Е-.1)..........
ISI
2Т336(А.Б.В.Г.д.Е).КТ.Вб(А.fi.В,Г.Д.EJ.
184
КТ339А.....··..
186
КТЗ40(А.Б.В.Г.д1...
188
КТ342(А.Б.В). . . .
·
.
.
189
2Т348 (Л-3. Б-3. В-3 ). К П48 ("\. Б В)
.
193
КТ358(А,Б.В). . . .
·
.
.
196
КТ359(А,Б.В)......
19R
КТЗ69 (А. А-1. Б. Б-1. В. В-!. Г. Г-1).
199
КТЗ73(А,Б,В.Г). . . · . . .
200
КТ375(А,Б)....··...
204
КТ379(А.Б,В,Г). . · · . . .
207
2Т385 (А-2, АМ-2). КТ385 (А. АМ1.
210
КТЗ102(А,Б.В.Г.Д.Е). .
215
КТ3117А .
·
·
·
·
·
·
217
П504, П504А, П505, П505А .
218
КТ601(А,АМ)....· .
220
2Т602 (А, Б), КТ602 (Л. Б) . .
222
2Т603(А.Ь,В.Г.И).КТ603(А.Б.В.Г.Д.Е).
226
КТ605(А,ЛМ,Б.БМ)..
230
2Т608 (А, Б). КТ608 (А. F\).
233
КТбlб(А.Б). . . .
236
КТ617А.....
238
КТ618А.....
239
КТбЗО(А.Б,В,Г.Е).
240
р-11-р
IТМ305 (А, Б. В), !Т305 (А, Б. В). ГТ305 (А. Б. В).
243
IТ308 (А, Б, В). ГТ308 (А, Б. R).
.
247
ГГЗО9(А,Б,В.Г,Д.Е)........ ..
250
ГГЗIО(А,Б,В.Г.Д.Е). .........
252
IТ320(А,Б,В),ГТ320(А.Б,В). . . . . . .
254
IT321(А,Б,В,Г.Д.Е\,ГТ321(А.Б,В,Г,Д.Е).
258
ГГЗ22(А,Б,В).............
262
5


ГТЗЗS (Л, Б. В)
КТ343 (А. Б, В) .
КТ345 (А. Б. В).
КТ350А ...
КТ351 (А. Б) ..
КТ352 (А. Б). .
КТ357 (А, Б. В. Г).
КТ361 (А. Б. В. Г. д. Е).
2Т364 (А-2, Б-2. В-2). КТ364 (А-2, Б-2. В-21.
КТЗ80(Л.Б.В). . . .
2Т38М-2.КТ388Б-2........
2Т389Л-2.КТ389Б-2........
КТ3!04(А.Б,В.Г.Д,Е). . . . . . .
КТ3107(А,Б.В.Г.Д.Е,ЖИ.К.Л).
КТ3108(А,Б.В).......
П401. П402. П403, П403А . . . .
П4!4, Г/414 (А. Б). П415, П415 (А, Ь).
П416. П416 (А. Б)
П417,П417А.
11422. П423
.
.
КТ620 (А. БJ. .
Разд е :1 п я ·1 ы й. Транзисп,ры маломощные сверхвысоко-
6
частотные
1!-р-12
2Т306(А.Б,В,ГJ.КТЗОб(А.Б.В.Г.Д)....
2Т307 (А-1. Б-1. В-1. Г-1 ). КТ307 (А-1, Б-1. В-1. Г-1).
!ТЗl1(А.Б.Г.Д,К.ЛJ,ГТЗJ1(Е,Ж,И)...
2ТЗ16(А.Б.В,Г,Д),КТЗlб(А,Б.В.Г.ДJ..•
2Т318 (А-1. Б-1. В-1. Bl-1 , Г-1. Д-1. Е-1 ), КТ318 (А-1,
Б-J, B-J , Г-1. Д-1. Е-1}
.........
.
2Т324 (А-1. Б-1. В-1. Г-1. Д-1, Е-1), КТ324 (А-1, Б-1,
В-1, Г-1, Д-1. Е-1) ....... .
2Т325(А.Б.В),КТ325(А.Б,В).......
1Т329(А,Б.В),ГТ329(А,Б.В.Г). . . . . ...
!ТЗЗО(А.Б.В.Г},ГТ330(Д,Ж,И).......
2Т331 (А-1. Б-1, В-1, Г-1), КТ331 (А-1, Б-1. В-1, Г-1) ..
2Т332 (А-1. Б-1, В-1. Г-1. Д-1). КТ332 (А-1, Б-1. В-1.
Г-1. Д-1) ........ .
!Т341 (А, Б. В}, ГТ341 (А. Б. В) .
2Т354(А-2,Б-2),КТ354(А,Б)......
2Т355Л,КТ355А...........
IТ362А,ГТЗЫ(А.Б)..........
2Т366 (А-1, Б-1, Бl-1. В-1), КТ366 (А. Б, В).
2ТЗ68 (А. Б), КТ368 (А, БJ .
2Т371А,КТ371А.....
2Т372(А,Б,В),КТ372\А,Б,В).....
1Т374А-6..............
2Т382(А,Б),КТ382(А,Б).....
•
.
IТ383 (А-2, Б-2, В-2), ГТ383 (А-2, Б-2, В-2) .
264
265
267
268
269
271
272
274
277
279
283
286
289
290
293
295
297
299
302
304
306
307
307
310
313
318
32!
325
327
330
333
336
338
341
344
347
348
350
354
357
360
363
365
~
368


г 2Т384(А-2,АМ-2). КТ384(А, АМ) .
1Т387 (А-2, Б-2). . .
КТ391 (А-2. Б-2, В-2)
2ТЗ96А-2, КТЗ96А-2 .
2Т397А-2. КТ397А-2 .
КТ399А .
КТЗ!ОIА-2 ....
КТ3!06А-2 . . . .
!ТЗ!!ОА-2 . . . .
.
.•
2Т3115 (А-2. Б-2), КТЗ 115 (А-2, Б-2, В-2, Г-2)
2Т3120А, КТЗ120А .
!Т612А-4, ГТ6!2А-4
!Т6!4А
КТ633Б
КТ640 (А-2, Б-2, В-2)
р-1!-р
370
375
379
383
386
388
391
394
397
399
402
405
407
409
412
JT313 (А. Б, В), ГТЗ!З (А, Б, В) .
416
2Т326 (А. Б), КТ326 (А, Б) .
420
ГТЗ28 (А, Б. В) .
•
423
1Т335(А.Б,В.Г.Д).
425
ГТ337 (А. Б, В) .
429
ГТ346(А,Б.В). .
430
КТ347 (А. Б. В). .
432
КТ349 (Л. Б. В). .
.
433
2Т360 (А-1, Б-1. В-1). КТ360 (А-1, Б-1, В-1).
435
2Т363 (А, Б). КТ363 (А. АМ. Б, БМ:) .
437
2Т370 (А-1. Б-1). КТ370 (А-1, Б-1)
440
!Т376А, ГГ376А
442
1Т386А......
445
2Т392А-2, КТЗ92А-2 . .
447
КТ3109 (А. Б, В). . .
449
П41~(Г.Д.Е,Ж,И,К,Л.l\11)
451
Раздел шестой. Тра1п11с ;uры мощные юпкочастотные .
453
11-p-n
ШОI. П701 (А, БJ
П702, П702А.
2Т704 (А, Б). KT7V4 (А. Б,
КТ80! (А, Б)
КТ802А
2Т803А, КТ803А
КТ805 (А. Б, АМ, БМ, ВМ\
КТ807 (А. Б)
2Т808А, KTSOSA
2Т809А. КТ809А
КТ812 (Л, fJ, В)
КТ815 (А, Б, В, П.
КТ8!7 (А. Б, В, П.
КТ8!9 (А, Б В, Г, АМ, БМ,
BI
ВМ, ГМ)
453
457
459
463
465
466
468
471
473
476
480
482
485
487
7


8
КТ821 (А-1, Б-1. В-1) ..
КТ823 (А-1, Б-1, В-1) ..
2Т824 (А, АМ. Б, БМ)
КТ826 (А, Б, В) .
КТ827 (А, Б, В) .
КТ828 (А, Б) .
КТ829 (А, Б. В, Г)
р-п-р
490
492
493
495
499
503
507
П4(АЭ,БЭ,ВЭ,ГЭ,ДЭ).........
509
П201Э, П201АЭ, П202Э, 1!203Э . . . . . . .
512
П2IО(А,Ш)...........
•
.
.
515
П213, П213 (А, Б). П214, П2!4 (А, Б. В, Г). П215.
517
П216, П216 (А. Б, В. Г. Д), П217. П217 (А. Б, В, Г).
521
ШО2, ПЗОЗ, ПЗОЗА, П304. П'О4А. ШО6, 11306А .
525
П601И. 11601 (АИ. БИ). Пб02 (И, ЛИ)
529
ГТ70JА......
532
1Т702(А,Б.В\...
534
ГТ703(Л,Б,В,Г.Д).
537
П705(А,Б,В,Г,Д)..
539
IT806 (А, Б, В). ГТS06 (А. Б. В. Г. Д)
541
ГТ810А.....
546
IТ813(А,Б,В)...
547
КТ814(А,Б.В,Г)..
552
КТ816(А,Б,В.Г)..
554
КТ818(А,Б,В,Г,ЛМ,БМ,ВМ.ГМ).
556
КТ820 (А-1, Б-1, В-1) .
561
КТ822 (А-1, Б-1, В-1) •
563
2ЛШ (А, Б, В), КТ825 (Г, Д, F.)
.
•
565
Р а з д е .1 с е д ь м о й. Траюисторы мощиы.2 высокочастотные
569
п-р-11
КТ604(А,Б,АМ,БМ).......
КТ611(А,Б,В,Г.АМ.БМ).....
2Т625 (А-2, Б-2. АМ-2, БМ-2), КТ625 (Л. АМ)
2Тб29А-2. КТ629А
КТ902А ....... .
2Т903 (А, Б). КТ903 (А. Б)
2Т908Л. КТ908 (А, Б) . . .
2Т912 (Л, Б), КТ912 (А, Б)
2Л117А........
2Т920 (А, Б, В). КТ920 (А, Б, В, r) .
2Т921А. КТ921 (А, Б) . . .
2Т922 (А, Б, В), КТ922 (;\, Б, В, Г. Д)
2Т926А, КТ926 (А. Б)
КТ927(А,Б,В)...
2Т928 (А, Б), КТ928 (А. I.i) •
КТ929А . .
КТ935А
КТ940(А,Б.В)...
569
573
575
578
581
584
587
591
594
596
602
605
612
616
618
620
624
627


КТ943 (А, Б. В. Г, Д)
КТ945А
КТ947А
КТ957А
КТ958А
р-п-р
62
633
637
639
643
П605, П605А, Пб06, П606А
.
.
.
647
П607, П607А. П608. П60~ (А, Б). П609. П609 (А, Б) .
651
КТ626 (А, Б, В. Г. Д)
655
IТ901 (А. Б). . .
657
IT905A, ГТ905 (А. Б} .
658
IТ906А, ГТ906 (А, АМ)
662
IТ910А
665
КТ932(А,Б)..
668
КТ933(А,Б)..
669
раздел в о с ь мой. ТранJИсторы мощные сверхвысш;:о"
частот11ые
11-р-п
2Т606А, КТ606 (Л. Б)
2Тб07 А-4, КТ607 (А-4, Б-4) .
2Тб10 (А, Б), КТ610 (А, Б) .
КТ624 (А, АМ) .
КТ634А-2. . . .
КТ635Б....
2Т904А, КТ904 (А, Б)
2Т907 А, КТ907 (А, Б)
2Т909 (А, Б), КТ909 (А. Б, В, Г) .
2Т911 (А, Б), КТ911 (А, Б, В, Г)
2Т913 (А, Б, В), КТ913 (А, Б, В) .
КТ916А .....
·
.. ..
КТ918 (А, Б) .
•
.
.
.
.
•
2Т919 (А. Б, В), КТ919 (А, Б. В. Г)
2Т925 (А, Б, В), КТ925 (А. Б. В. Г) .
КТ930(А,Б)....
КТ931А......
КТ934 (А, Б, В, Г. Д)
КТ937 (А-2, Б-2)
КТ938А-2.
КТ939А
КТ942В
КТ960А
р-п-р
2Т914А, КТ914А
Раздел девя·1 ы й. Транз11сторные сборки
11-р-11
IHT251, 1НТ251А. КiНТ251
.
2Т381 (А-1, Б-1, В-1, Г-1, Д-1)
671
671
675
678
682
684
687
689
694
698
703
707
713
717
718
726
731
736
740
748
754
757
759
763
767
770
770
773
9


КТС395(А,Б)...
КТС398 (А-1, Б-1) ...
2ТС613 (А, Б). КТС613
КТС631(А.Б,В,Г). .
КIНТ661А
(А,Б,В,Г)
11-р-п и р-11-р
КТСЗОЗА-2
р-п-р
2ТС393 (А-1. Б-1). КТС393 (А, Б)
КТС394(А,Б).......
КТСЗIОЗ (А, Б) ..... .
ITC609 (А, Б, В). ГТС609 (А, Б, В)
2ТС622 (А, Б), КТС622 (А, Б) .
ЧАСТЬ ТРFТЬЯ
Справочные данные нолевых транзисторов
775
779
782
786
789
790
793
798
801
804
808
раздел десятый. Транзисторы маломощные .
812
2П101(А,Б,В),KПIOI(Г,Д,Е)••••
812
2П103 (А, Б, В, Г, Д, АР, БР, ВР. ГР, ДР), КП103
(Е,Ж,И,К.Л,М,ЕР,ЖР,ИР,КР,ЛР,МР).
814
2П201 (А-1, Б-1, В-1, Г-1, Д-1), КП201 (Е, Ж, И, К, Л). . . 821
2ПЗ01(А,Б),КПЗОI(Б,В,Г)....
•
.
.
•
825
2П302 (А, Б, В), КП302 (А, Б, В, Г, АМ, БМ, ВМ, ГМ). .
•
828
2П303(А,Б,В,Г,Д,Е,И),КШОЗ(А.Б,В,Г,Д,Е,Ж,И) 833
2П304А,КП304А......
838
2ПЗО5(А,Б,В,Г),КПЗО5(Д,Е,Ж,И).
•
•
841
2П305(А-2,Б-2.В-2.Г-2)..........
844
2П306(А,Б.В),КП306(А,Б,В).....
•
846
2П307(А,Б,В.Г,Д),КПЗО7(А,Б,В,Г,Д,Е,Ж).
849
КП308(А,Б,В,Г,Д).
854
КПЗIО (А, Б) .
856
КП312(А,Б)........
859
2ПЗ13 (А, Б, В), КПЗIЗ (А, Б, В)
863
КП314А..........
865
2П350 (А, Б). КП350 (А. Б, В)
866
Раздел один над на ты й. Тра11з11сторы мощные .
870
КП901(А,Б).......
•
870
2П902 (А, Б), КП902 (А, Б, В) .
873
2П903 (А. Б, В), КП903 (А, Б, В)
878
КП904 (А, Б)
882
КП905 (А, Б) .
884
КП907 (А, БJ. .
888
р а 3 дел две над u ат ы й. Транзнс1оры сдвоешtые
891
КПС104(А,Б,В,Г,Д,Е).
•
.
.
•
.
.
•
891
2ПС202 (А-2, Б-2, В-2, Г-2, 2П202 (Д-1, Е-1). КПС202 (А-2,
Б-2,В-2,Г-2),КП202(Д-1,Е-1).........
894
КПС315(А,Б)•••
.
.
.
.
•
.
.
.
.
.
.
.
.
898
Алфавиrно-цифровой указате.<ь транзисторов, помещенных в
справочнике.............
•
•
.
.
901
10


г
ПРЕДИСЛОВИЕ
Настоящий справочник представ:1яст собой наиболее полное изда­
ние, содержащее сведения о широкой номенк,1атуре отечественных
биполярных и по;1евых транзисторов.
В нем приводятся электрические и эксплуатационные характе­
ристики и пара:1-1етры 1 ранзисторов. классификация и система обозна­
чений, классификация транзисторов по функциональному назначению,
условные графические обозначения и условные обозначения электри­
ческих параметров, особенности использования транзисторов в радио­
электронной аппаратуре.
изданий пол­
от режимов
Настоящий справочник отличается от предыдущих
нотой справочных пара,,.1етров и их зависи:vюстей
эксплуатации.
Справочные сведения о полупроводниковых приборах составлены
на основе данных, зафиксированных в го су ;щрственных стандартах
и технических ус.1овиях на от,1ельные типы приборов. Справочник
содержит сведения об основном назначении, габаритных и присоеди­
нительных размерах. маркировке, важнейших параметрах, режимах
измерения, пре,r1ельных эксп;1уатационных режимах транзисторов, а
также зависимости параметров от режимов и эксплуатационных
факторов.
Он предназначен для спепиалистов, занимаюшихся разработкой,
ремонтом и эксплуатапией радиоэлек1ронной аппаратуры, студентов
и аспирантов радиотехнических факультетов вузов и широкого круга
радиолюбителей.
Отзывы и замечания о справочнике авторы просят направлять в
адрес издателLства: 113114, Москва, М-114, Шлюзовая наб., 10,
Энергоиздат.
Авторы


Часть первая
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О БИПОЛЯРНЫХ
И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
Ра:и)е.1 перRый
КЛАССИФИl(АЦИЯ БИПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ
ТРАНЗИСТОРОВ
1.1. К1АССИФИКАЦИЯ И СИСТЕМА ОБОЗНАЧЕНИЙ
Классификация транзисторов ~ю их нг.значению, физическим свой­
сгвuм, осповным электрическим П'1рамстра!'.1, кош:труктивно-техно­
логнч~сю;м признакам, роду исходного по.1упроводникового материала
находят свое отражение в системе ус.1овных обозначений их типов.
В соответствии с во~ниюювением новых классификационных групп
транзисторов совершенствуется и система нх ус:ювных обозначений,
которая на протяжении последних 15 лет трижды претерпевала
изменения.
Система обозначений современных типов транзисторов установле­
на отраслевым стандарто~1 ОСТ 11 336.IOR - 77 п базируется на рял:е
к,·н1ссификационных признаков.
В основу систел1ы обозначений положен семизначный буквенно­
цифровой код, первый элемент которо1 о (буква для транзисторов
широкого применения или цифра для приборов, используемых н
устройствах общей теJ-.нш.:и) обозначает исходный полупроводниковый
материал. на основе которого изготовлен транзистор.
Второй э:1сме1п обозначения - буква, определяющая подкласс
транзистора, третий - цифра, определяющая его основные фу11кцио-
11алы1ые возможности (допустимое значение рассеиваемой мощности
и граничную либо максимальную рабочую частоту).
Четвертый - шестой эле:v~енты
-
трехзначное число, обозначаю­
щее порядковый но"1ер разработки технологического типа тран­
зисторов (каждый технологический тип может включать в себя
один или несколько типов, различающихся по своим параметрам).
Седьмой э,1емент - буква, условно определяющая классификацию
по параметрам транзистоrоЕ, изготовлеаных по единой технологии.
Стандарт предусматрипает также введение в обозначение ряда
дополнительных знаков, отм-~чающпх отдельные существенные кон­
сгруктшшо-техно;ю1 нческис особенности нриuоров.
Для обозначения исходного материала исполh3уютt.я следующие
сиУiволы (первый элс:v~е1п обозначс:ния):
Г или 1 - для германия или е1·0 соецинеш1й;
К или 2 - для кремния или его соединений;
А или 3 - для соединений га.1лия (практически для арсенида
галлия, используемого для создания полевых транзисторов);
12


г1
И и:1 и 4 - для соединений индия (пи соединения д:1я про­
изводства транзисторов пока в ка чес 1ве исходного ма териu:ш не
используются).
Д.1я обозначения подклассов транзисторов иснользуется одна
из двух букв (второй э.1смент обозначения):
Т - для бипо.1ярных транзисторов;
П - для пш1евых ·1ранзисторов.
Д.1я обозначения наиболее х;~рuктерных эксплуа~ащюпных при­
знаков транзисторов (их функциональных во%юж1-юстей) использу­
ются применительно к двум их подклuсса:v~ с.1сдующие си~л.юлы
(третий эле мен 1 обоз ни чепия ). приведенные ниже.
Д.1.'l бипо.1.чрных транзисторов:
l - для транзисторов с рассенвасr,юй мощнос·rыо не бо.1ее 1 Вт
и граничной чsстотой коэффиrшента передачи тока (далее - 1 ранич­
ной чuсrотой) не более 30 МГ1с
2 - для транзисторов с рассснаас~"1ой i\iощнсстью r1c бе~-rсе Вт
11 грuничной чuс го той бо.1ее 30, 1ю не более 300 М Гп:
4 - для транзисторов с рассенвuсмой мощнос~ью не более Вт
и грuничпой частотой более 300 М Гп;
7 - для трuпзисторов с рассеиваемой мощностью более l Вт и
граничной часто 1ой не Go:iee 30 М Гп;
8 - для тран·тсторов с рuссеиваемой мощностью более
Bi
и граничной частотой более 30 МГц, но пе более 300 МГц;
9 - для транзисторов с рассенвае:v1ой :vющнС'lстью более l В1 и
граничноii частотой более 300 МГц.
Д.1.ч по.1еных тра11зисторов:
\ - для транзисторов с рассеиваемой vющностью не более Вт
и максимальной рабочей часто·~ ой не бо.1ее 30 МГц;
2 _ д.~я транзисторов с рассеиваемой ~ющнос ~ью не более В 1·
и максима.1ьной рабочей частотой бо.1ее 30 МГц, но не более
300 МГц:
4 _ для транзисторов с рассеиваемой мощнос1ью не более 1 Вг
и максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
7 - для транзисторов с рассеиваемой ~ющностью более l Вт и
максимальной рабочей часто1ой не более 30 МГц;
8 - для транзис·~оров с рассеиваемой мощнос1 ью более
Вт
и максимальной рабочей частотой более 30 МГп, но не более
300 МГц;
9 _ для транзис1 о ров с рассеиваемой мощное 1ъю бо.1ее 1 Вт и
максимальной рабочей частотой более 300 МГц.
Для обозначения порядково1 о номера разработки используются
трехзначные чис.1а от 101 до 999, в качестве классификационной
литеры испо.-rьзуются буквы русского алфавита от А до Я, за
исключением сходных по начертанию с цифрами букв 3, О. Ч.
В качестве дополнительных элеменгов обозначения используются
следующие символы:
буква С после второго э.1емента обозначения для наборов в
общем корпусе однотипных транзисторов (транзисторные сборки),
не соединенных, как правило, элекгрическп;
цифра, написанная через дефис, после седь:v~ого элемента обозна-
13


чения для бескорпусных транзисторов; значение этой цифры соот­
ветствует следующим мо;:щфикавиям конструктивного исполнения:
1 - с гибкими выводасv~и без кристаллодержателя (подложки);
2 - с гибкими выво;щми на криста.1лодержате.1е (подложке);
3 - с жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки);
4 - с жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке);
5 - с контактными площадками без кристаллодержателя (под-
ложки) и без выводов (кристалл);
6 - с контактными площадкасv~и на кристаллодержателе (под­
ложке), но бе·3 выводов (кристалл на подложке).
Таким образом, современная система обозначений позволяет
по наименованию типа получить значите.1ьный объем информации
о свойствах транзистор<~.
Примеры обоз11аче11и.ч некоторых тра11зисторов:
КТ2115А-2 - д;1я устройств широкого применения кремниевый
биполярный маломощный (Рмакс .;;; 1 Вт) высокочастотный (30 МГц <
<J;p.;;; 300 МГц), номер разработки 115, группа А, бескорпусный
с гибкими выводами на кристаллодержателе.
2П7235Г - для устройств общетехнического назначения кремние­
вый полевой в корпусе мощный (Р макс > 1 Вт) низкочастотный
((макс .;;; 30 МГц), номер разработки 235, группа Г.
ГТ4102Е - для устройств широкого применения германиевый
биполярный в корпусе маломощный (Рмакс .;;; 1 Вт), СВЧ (j~P ;;.
;;:. 300 МГц), номер разработки 102, группа Е.
Поскольку ОСТ 11 336.038-77 введен в действие в 1978 г"
для большинства транзисторов, вк,1юченных в настоящий справочник,
использованы иные системы обозначений.
У биполярных транзисторов, разработанных до 1964 г. и вы­
пускаемых до настоящего времени, условные обозначения типа со­
стоят из двух или трех элементов.
Первый элемент обозначения - буква П, характеризующая класс
биполярных транзисторов, или две буквы МП для транзисторов
в корпусе, герметизируемом способом холодной сварки.
Второй элемент обозначения - одно-, двух- и трехзначное число,
которое определяет порядковый номер разработки и указывает на
подкласс транзистора по роду исходного полупроводникового ма­
териала, значениям донустнмой рассеива~мой мощности и гранич­
ной (или предельной) частоты:
от J до 99 - германиевые ма.1омощные низкочастотные тран­
зисторы;
от 101 до 199 - кремниевые маломощные низкочастотные тран-
зисторы;
от 201 до 299 - 1ерманиевые мощные низкочастотные транзисторы;
от 301 до 399 - кремниевые мощные низкочастотные тран:шсторы;
от 401 до 499 -- гср:-шниевые высокочастотные и СВЧ маломощ-
ные транзисторы;
от 501 да 599 - кремниевые высокочастотные и СВЧ мало­
мощные транзисторы;
от 601 до 699 - гср~~аниевые высокочастотные и СВЧ мощные
транзисторы;
14
l!


г от 701 до 799 - кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные
транзисторы.
Третий элемент обозначения (у некоторых типов он может
отсутствовать) - буква. условно определяющая классификацию по
параметрам транзисторов, изготовленных по единой технологии.
При.иеры оооз11аче11U.'I 11екоторых тра11зисторов:
П29А - герсv~аниевый маломощный низкочастотный транзистор,
номер разработки 29, группа А.
МП 102 - кремниевый ма:юмощный низкочастотный транзистор в
холодносварно!'.1 корпусе, номер разработки 02.
Начиная с 1964 г. была введена новая система обозначений
типов транзисторов (ГОСТ 10862-64, ГОСТ 10862-72), действовавшая
до 1978 г. Эта систеча близка к системе обозначений, установлен­
ной ОСТ 11 336.038-77 и описанной ранее. Обозначения типов
тран1исторов согласно ГОСТ 10862- 72 . присвоенные подавляющему
большинству типов транзисторов, вошедших в настоящий справоч­
ник, отличаются от современной системы обозначений следующими
признакасv~и.
В качестве тре rьего эле~лента обозначения (первые два элемента
с 1964 г. сохраняются без изменений) используются девять цифр,
характеризуюших подк:1ассы бипо.1ярных и полевых транзисторов по
значениям рассеиваемой мощности и граничной (для полевых тран­
зисторов - максима.rьной рабочей) частоты:
1 - транзисторы маломощные (Рмакс
. ;; ; 0,3 Вт) низкочастотные
(/.;;; 3 МГц);
2 _ транзисторы маломощные средней частоты (3 < .f.:;; 30 МГц);
З - транзисторы маломощные высокочастотные и СВЧ
(/> 30 МГц);
4 - транзисторы средней мощности (0,3 Вт< Р,..акс.;;; 1,5 Вт)
низкочастотные;
5 - транзисторы средней мощности средней частоты;
6 - транзисторы средней мощности высокочастотные и СВЧ;
7 - транзисторы большой мощности (Рмакс > 1,5 Вт) низкочас-
тотные;
8 - транзисторы большой мощности средней частоты;
9 - транзисторы большой мощности высокочастотные и СВЧ.
Четвертый и пятый элементы обозначения (двузначное число
от 01 до 99) определяют порядковый номер разработки (позднее
пришлось вводить и трехзначные номера, т. е. добав.'1ять еще один
элемент обозначения).
Остальные ·тементы (классификационная буква, буква С для
транзисторных сборок и цифры для бескорпусных транзисторов) также
с 1964 г. изменениям не подвергались.
Прu.неры обоз11аче11ий:
ГTIOIA - для устройств широкого применения германиевый би­
полярный маломощный низкочастотный в корпусе, номер разработки
1, группа А.
2Т399А - для устройств общетехнического назначения кремниевый
биполярный малосv~ощный СВЧ в корпусе, номер разработки 99,
группа А.
IS


2Т3106А-2 - аналогичен транзистору типа 2Т399А, но в бескор­
пусном испо:шении с гнбкими вывода~1и на криста.1.1одержате:1е,
номер рюработки 106, группа А.
1.2. КЛАССИФИКАЦИЯ ТРАНЗИСТОРОВ ПО
ФУНКЦИОНАЛЬНОМУ НАЗНАЧЕНИЮ
В настоящем справочнике, наряду с нашедшей отражение в сн­
стеме ус.ювных обозначений типов транзисторов классификацией по
роду исхо;щого полупроводникового материа.1а, рассеиваемой мощ­
ности, граничной частоте, конструктивному исполнению, отображена
также классификания по основному функщюна.1ьному назначению.
Биполярные транзисторы в соответствии с основными об.1астями
применения подразделяются на 13 групп:
усилительные низкочастотные (f;p < 30 МГп) с нормированным
коэффи11иен1ом шума:
усилитс.1ьные низкочасто гные с ненормированны.ч ко1ффшшснтом
шума;
усилн 1ельньrе высокочастотные (\О МГц< fip <;; 300 МГц) с нор­
мированныVI коэффипиентом шума:
усилите.'Iьные высокочастотные с ненормированным коэффициен­
том шума;
СВЧ усилительные (f,P > 300 МГц) с нормированны~1 коэффици-
ентом шума;
СВЧ усилительные с ненормированным коэффш1иентом шума;
усилительные мощные высоковольтные;
высокочастотные генераторные;
СВЧ генераторные;
переключательные ма:ю:vющные:
переключательные мощные высоковольтные;
импульсные мощные высоковольтные;
универсальные.
По своему основному назначению полевые транзисторы делятся
на три группы: усилительные, генера.торные, переключательные.
По виду затвора и способу управления проводимостью канала
полевые транзисторы делятся на четыре группы:
с затвором на основе р-п перехода;
с и·юлированным затвором (МДП ·транзисторы), рабо гающие в
режиме обеднения;
с изолированным затвором, работающие в режиме обогащения.
Каждая из перечисленных выше групп характеризуется спе­
цифической системой параметров и справочных зависи:\1остей. от­
ражающих особенности применения транзисторов в радиоэлектронной
аппаратуре. Применительно к данной классификации транзисторов
и расположен информационный материал в справочнике.
1.3. УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ
В технической документации и специальной литературе следует
применять условные графические обозначения полупроводниковых
приборов в соответствии с ГОСТ 2. 730-73.
16


"
!
Графические обозначения полупрово;rниковых приборов, помещен­
ных в дапно"1 справочнике, приведены в таб~1. 1.1 .
та б _1 и 11 а 1.1 . Графические обозначения rю.1упровод11н~.овых приборов
Напченоuанпс
Одноперехо;rный транзнстор с 11- и р-базой
Транзистор типа р-п-р
Тринзнстор пша •1-р-11 с кп.:~.1ектоrо"v1 -~-1ек гри­
чески сос;rинсННЫ\1 с кор11усо\1
Лашrнный транзис гор п111а 11-р-11
Полевой тран1истор с кана.-ю\1 n- п р-тиnа
Полевой 1ранзистор с изо~1нрованны'v1 затво­
ром с выводо"vl от подложки обо~ ащенного
типа с р-кана.1ом и обедненного типа с
п-каналом
Полевой транзистор с изо~1ированны~1 затво­
ром обогаrпенного типа с 11-канало~1 и с вну1-
ренним соединением 1rод:южкн и истока
По.1евой транзистор с лву\1Я 1110.rтированпыми
затворами обедненного типа с 11-каналом н с
внутренним сое;цшснием псс,\.южки и истока
Обозначение
1.4 . УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ 'ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ
ПАРАМЕТРОВ
Ик-э - напряжение ко.1.1ектор-эми1 гер.
Икэо.гr - граничное напряжение биполярного транзистора;
Икэо - постоянное напряжение кол~1ек IОJ1-Э\1И 1тер при токе
ба3ЬI, равном нулю;
Uк'ЭR - постоянное нанряжение ко.1лектор-э\1иттер при за­
данном сопротивлении н цепи база-эмиттер;
17


18
Икэк - постоянное напряжение ко.1.1ектор-эмиттер при ко­
роткозамкнутых выводах базы и эмиттера;
Uкэх - постоянное напряжение кол.1ектор-·~миттер при за­
данном обратном напряжении база-эмиттер;
UкэR" - пт-.шу.1ьсное напряжение ко.1.1ектор-эмиттер при за­
данном сопротив.тении в це11и база-эмит гер;
Uкэк 11 - и~шу;1ьс11ое напряжение К'?.1лсктор-э~111ттер при ко­
роткозамкнутых выводах базы и Э!'v!Иттера:
Икэх и - импульсное напряжение коллектор-эмиттер при задан­
ном обратном напряжении база-эмиттер;
Икэопроб - пробивное напряжение кол.тектор-эмиттер при токе
базы, равном нулю:
UкэR1tроб - пробивное напряжение ко.1лектор-эмиттер при за­
ланном сопротивлении в цепи база-эмиттер:
Икэк проо - пробивное напряжение кол.тектор-эмиттер при ко­
роткоза:\1кнутых выводах базы и эмиттера;
Икэх пrоо - 11робив11ое напряжение ко:пектор-эмиттер при
заданно!'v! обратном напряжении база-эмиттер;
Икэ"акс - максима:1ьно допустимое постоянное напряжение
ко.1.1ектор-змиттер;
И кэи. чакс - макси~1ально допустимое ИМП)'JIЬсное напряжение
ко.1:1сктор-·Jмиттер;
И 1-:э. нас - напряжение насыщения коллектор-эмиттер;
И КБ - постоянное напряжение коллектор-база;
И1-:Б 11 - импульсное напряжение ко.'шектор-база;
ИкБо. вроб - пробивное напряжение кол.1ектор-база;
ИкБ. "акс - макси!\.1ально допустимое постоянное напряжение
коллектор-база;
Ию; и '1акс - макси'.1ально допустимое импульсное напряжение
кол.1ектор-база;
ИэБо. проб - пробивное напряжение эмиттер-база:
UэБ - постоянное напряжение эмиттер-база:
ЛИБэ - падение напряжения на участке база-эмиттер;
UэБ. чакс - максимально допустимое постоянное напряжение
эмиттер-база;
ИэБс '"'"с - максима.тьно допустимое обратное напряжение эмит­
тер-база 2 однопереходноrо транзистора;
ИБэ. нас - напряжение насыщения база-эмиттер;
UэБ. ю - п:1авающее напряжение эмиттер-база;
ИБI 62 - межбазовое напряжение одно переходного транзис­
тора;
ИБI Б2 . "акс - максимально допустимое межбазовое напряжение
однопереходноrо транзистора;
Иээ - наr~ряжение между 'JМИттерами двухэми 1 терного тран­
зистора;
Иувр - напряжение управления двухэмиттерного транзис­
тора;
Ив проб - напряжение вторичного пробоя;
Ив. проб и - импульсное напряжение вторичного пробоя;
Иси - напряжение сток-исток;


Изи - напряжение затвор-исток;
Ииn,~ - напряжение исток-полложка;
Иси макс - максимально допустимое напряжение сток-исток;
Изи \1акс - максимально допустимое напряжение затвор-исток;
Изе \1акс - максимально допусти!'.юе напряжение затвор-сток;
Исп;:~. макс - V1аксима:1ьно допустимое напряжение сток-подложка;
Ии пд. чакс - максимально допустимое напряжение исток-под­
ложка:
Из п;:~ чакс - макспма,1ьно допусти!'.!ое напряжение затвор-под­
ложка:
И~з~ з 2 )чакс - максимально допустимое напряжение !'.!ежду затво­
рами;
Изи oic - напряжение отсечки полевого транзистора;
Изи. поr - пороговое напряжени_е полевого транзистора;
1Изи~_ Изю 1 -
разность напряжении затвор-исток сдвоенного по-
левого тран:зистора:
Л J Изи~ - Изи 2 1 - температурный уход разности напряжений затвор-
ЛТ
исток сдвоенного полевого транзистора;
Иш - шумовое напряжение по.1евого транзистора;
Еш - электродвижушая сила шума полевого транзистора;
Епит - напряжение источника питания;
Ек - напряжение источника питания цепи коллектора;
ЕБ - напряжение источника питания пепи базы;
/к - постоянный ток ко.1лектора;
Iэ - постоянный ток эмиттера:
/ 6 - постоянный ток базы:
/к 11
-
импульсный ток коллектора:
fэ. и - Иi\Шу.1ьсный ток эмиттера;
/Б. и - импульсный ТОК базы:
/кБо - обратный ток коллектора;
/эБо - обратный ток эмиттера;
fкэо - обратный ток ко.1лектор-э:-..шпер при разомкнугом
выводе базы;
lкэR _ обратный ток ко.1лектор-эмиттер при заданном со­
противлении в непи база-эмиттер;
fкэк - обратный ток ко.1лектор-эсv~11ттер при коротко1амкну­
тых выводах ба1ы и эсv~ит1еnа:
fкэх - обратный ток ко.1лектор-эмiптер при заданном об­
ра1ном напряжении база-э\шттер;
fк шс - постоянный_ ток кол.1ектора в режи0\1е насышения;
/Б.нас - посгоянны~ ток базы в режиме насыщения:
fкр - крптическии ток би~олярного транзистора:
/в пrоб -- ток втоrичного проооя:
18
'
6
-
и,шульсный ток вторичного пробоя:
. про
н
·
~
.....
~
fк. ""кс - максима.1ьно допустпчыи 11ос1 оянныи ток кол.1ек-
тора;
fэ. """" -
максима~1ыю допустимый постоянный ток 1миттера;
/ 6 "акс - максим;;льно допустимый постоянный ток базы:
fк и "акс - максима.1ьно донуС1имый им11ульсный ток кол,1ек­
тора:
19


20
lэ. "· "акс
-
:v~аксима.-1ьно допусп1-,1ый исv~пульсный ток 1м~птера:
lкнас""" -
\1аксималhНО допустимый постоянный ток коллекто­
ра в режиме насыщения;
/Б. нас. '"IКС - ">1аКСИМ<l.1ЬНО допус 1имый IIОСТОЯННЫЙ ток базы в
режиме насыщения:
fc. чакс
-
макси\1ально ;:юпустимый постоянный ток стока:
/БI i; 2 - :v1ежбазовый 1ок одно переходного транзистора;
/8 к_~ - ток включения одно11ерсходнш о транзистора;
/вык_1 - ток вы к.1ючения олнопереходного тран·знс·1 ора:
fчuз - ток мо;1у.1я1ш11 одно переходного транзистора;
fc""" -
начальный ток стока;
{с;.-""-'11__ - отношение нача.1ы1ых токов стока с,:щоеш101 о по-
f С. нач2
лево;-о транзистора;
fc. ост
--
остаточный гок стока:
/3_ут
-
ток утечки за <вора;
lзсо - обратный ток затвор-сток при ра-юмкнугом выводе
истока:
fзио - обратный ток затвор-исток при разомкнутом выводе
стока;
fш - шумовой ток полево1 о 1ранзисгора;
I-1 пр чакс - макс~с\!ально допустимый прямой ток ·ш·1вора;
fc. и макс
·-
максил,1алыю допустимый импульсный ток стою~;
Сэ - емкость эмиттерного перехода;
Ск - емкость коллекторного перехода;
С11 и - входная емкость полевого транзистора;
С22 и - выходная емкость полевого транзистора;
С 12 и - проходная емкость полевого транзистора;
Сзсо - емкость затвор-сток при отсоединенном выводе ис­
тока;
С3 иu - еыкос~;ь затвор-исток при отсоединенном выводе
стока;
Сг - е:v~кость генератора;
(-частота:
ip - граничная <~астота коэффициента передачи тока в
схеме с общим эмиттером;
f ;Р - зп;~чение f~p в заданном режиме;
Ji, 21 - предельная частота ко'Jффициента передачи тока би­
нолярного транзис·юра;
J"акс - л,1аксима.1ьная частота генерапии биполярного тран­
зистора;
g 11 и - активная составляющая входной проводимости по­
;rевого транзистора в схеме с общим истоком;
g22" -
активная составляющая выходной проводимости по­
левого транзистора в схеме с общи:\! истоком;
/1 11 , - входное сопротив.1епие бнполярноrо транзистора в
режиме ма.1ого сигнала в схеме с общим эмит­
тером:
/z 11 э - входное сопрстивлеппе б(шолярного транзистора в
режиме большого сигнала в схеме с общим эмит­
тером;
-\\"'


/1116 - входное сопротивление биполярного транзистора в
режиме чалого сигна.1а в схеме с общей базой:
/112 , - к оэффициент
обратной связи по напряжению би­
полярного транзистора в режиме малого сигнала в
схеме с общим эмиттером:
/1116 - ко·эффициент обра·шой связи по напряжению бипо­
лярного транзистора в режиме малого с111на_1а в
cxe\Je с общей базой:
/121, -
коэффициент передачи тока биполярного тран1исто­
ра в режиме ;,1алого сигнала в схече с общи~1 эмит­
тером:
!/
11 ,, ! - ;,ю;Jvль коJффиниен 1а вередачи ~·ока бипо~1ярно1 о
гра~зпстора в схс:\1е с общим эмиттером на высокой
частоте:
J11 ;э - ст~1 г11ческ11й коэффшщент передачи тою~ биполярно­
го трапзвстора IJ cxe\Je с общ11:v1 э:vшттсром:
aгg(f12 :ii} - фаза коJффицаента передачи тока в сх!:'ме с LJuщeй
6Jзой:
;
122
,-
вы>J).J\iаЯ 1ю_-шая провод11\1ость биполярного тран­
з11стора в рсж11\-1е \Jалого сигна.1а при хо_1осто'1
хо,1е в cxc:vJC с обшим э:vш1·1ером:
/1" 0
-
ВЫХОДI!i\Я llO_lHaЯ ПрОВОД!IМОСТЬ б11по:1ярНОГО T\lall-
---
зистора в режиме малого сигнала при холосТО\J
хо,;е в схеме с общей ба 1ой:
к_, Р _ коэффшщ;:нт уси.1ення по мощнщ:1 и 61:110_1ярноrо
(110.1е1юго) тра11з11стора:
Ks Ptiюl - коэффипнент уси_1ения по \Ющности в режи:че _•щух­
тоноIJоrо сигна_1а (о 1ношение выхо,1ноi1 мошнос 1н
в пике огибающей ко вхолной мош11осл1 в пнке
01 116аюшей):
к11 , - коэффю1иент шума биполярного (nо.1ево1 о) трап­
зистора:
К и; - -шачение Кш в .зада1шо\1 режи-..1е:
К, - коэффициент линейности;
Кнас - коэфф1щ11ент насыщения:
Kcr 1
--
коэффицвснт стоячей волны 1ю напряже11ню:
1 - ;1:111на ВЫ130_'10В:
м" А/, - коэффиниенты комбинационных состав_1яющих со­
отве·1 ственно третьего и пятого порндка [отношею1с
наибольшей амплитуды напряжения комб1шащнннюii
составляюшсй тре гьего (пятого) порядка спектра
IJЫХодного сигнала к амплитуде основ1ю1 о тона
при 1юдаче на вход транзистора дву)\ тоновm о сиг­
нала равных амв-1111уд):
11 - число приборов в выборке:
N - число приборов в партии:
р - постоянная рассеиваемая :vющнос 1ъ биполярнш о (по­
.1евого) гранзистора:
Pcr - средняя рассеиваемая "1Ощность биполярного (полево­
го) транзистора;
21


22
Р" - импу.1ьсная рассеиваемая :vюшпосп. б1111олярного
(полевого) транзистора;
Рк - постоянная рассеиваемая мошность ко.1.1ектора;
Рк ер - средняя рассеиваемая мощность ко.1лектора;
Р6, - ю.о;:щая мошность бипо.1ярного (по.1евого) тран­
зистора;
Рвь" - выходная "юшность бипо.1ярного (по.1евого) тран­
]l!сrора:
Рв,~по~ - входная мощность в пике огпбаюшей (средняя
\ЮШНОСТЬ 0.]!ЮТОНОВОГО С!1! на:~а с амплитудой, рав­
ной амплитуде двухтонового сигнала в пике оги­
бающей);
Рвых~поl - выходная мощнос1ъ в пике огибаюшей (средняя
мошность однотоновоrо с11гна.1а с а\1плитудой, рав­
ной амплитуде двухтоново1 о с;rгю1т1 в пике оги­
бающей):
Ротр - мощность отраженной во.1ны СВЧ сиrнала;
P 11•:i - мощное rь 1шдающей во.1ны СВЧ сш на;1а:
Р"аке - \,1аКСИ\,1ально допустимая пос1оянн<1я рассеиваемая
'.-ющность бипо.1ярноrо (1юс1евого) транзистора;
Р" \!акс - макси:1-1ально до11ус 1и мая импу.1ьсн<~я рассеиваемая
мошность бипо.1ярного ( по,1евого) транзис·юра:
Рк щкс - :1-1акс11\1а.1ьно допустимая пос .-оянн <~я рассеиваемая
мощность колс1ек1ора:
Рк_ ер \ldKC - 'vlаксимально допустl!\,·1ая средняя рассеивае:1-1ая мощ­
ность коллектора;
р - атмосферное давление:
Q - скважность;
Rк - сопротивление в непи коллектор-источник питания;
RБэ - сопротив.1ение в цепи база-эмиттер:
R 616 ~ - чсжбазовое сопропш.1енис однопереходного тран­
зистора;
R 6 - сопротивление в цепи база-источник питания;
Rси.оrк - сопротивление сток-исток в открытом сосгоянии
полевого транзистора;
Rвх - входное со противление;
Rвых - выходное со противление;
Rш - шумовое сопротив.1ение по;1евого тр<~н·шстора;
R11 - сопротив.оение нагрузки:
R, - выходное сопротивление генератора при измерениях;
Rт - теп.1овое сопротивление;
Rт_ п-к - те11.ювое. сопротивление переход-корпус;
Rт и. п-к - импу.1ьсное тепловое сопротивление переход-корпус;
Rт rт-с - теп.1овое сопротивление переход-среда:
S116 , S11
, - коэффициент
отражения входной цепи соответст­
венно в схеме с общей базой и с обшим эмит­
тером;
S 126 - коэффициент обратной передачи напряжения в схеме
с общей базой;


,
j s126 j - модуль коэффициен:_а обратной передачи напряже­
ния в cxc:vre с общси базой;
s21 , - коэффнцпент врямой передачи напряжения в схеме
с обши-.,1 э:vrиттером;
S226 - коэффи11иепт отражения выходной цепи в схеме с
общей базой;
S - крути1J~а характеристики 1юлевого транзистора;
Sп 1 - крутизна характеристики по подложке;
lвк.1 - время включения биполярного (полевого) тран­
зистора:
1." •.
1
-
вре-.,1я выключения биполярного (полевого) тран­
зистора;
lн - время задержки для
1 11 Р - время нарастания
транзистора;
биполярного транзистора;
д.1я биполярного (по.1евого)
lpoc - время рассасывания ;:~дя биполярного транзистора;
rc 11
-
время спада для 15ипо.1ярного (полевого) тран­
зистора:
f3
.J . вк.1 - вре'.!Я задержки включения полевого транзистора;
1,,
1
. nLi к.1 - время задержкн выключения полевого транзистора;
Т- температура окружающей среды;
Т, - температура корпуса; для бескорпусных транзисто­
ров - криста.1.1одержателя (подложки);
Т11 - температура р-11 перехода:
'lк - коэффициент полезного дейс гвня ко.1лектора;
' 1 - коэффициент передачи однопсрсходного транзистора;
о:рн - фаза коэффициента отражения от нагрузки;
о:р - фаза S-пара'l-!етра;
тк - постоянная вре:vrени непи обратной свяяr на высо­
кой частоте биполярного транзистора;
т11 - длите.1ыюсть и~1пульса;
'Ф - ;щите.1ьность фронта.*
1.5. ОСНОВНЫЕ СТАНДАРТЫ НА БИПОЛЯРНЫЕ
И ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
гост 15133-77
ост 11 336.038 -7i
гост 2.730 -73
гост 18472-78
Приборы по:тупроводниковые. Термины и
опреде.1ения.
Приборы полупроIJодниковые. Систе'>1а 060-
·~начений.
ЕСКД. Обозначения условные графические
IJ схемах. Приборы полупроводннко!'ые.
Приборы полуттрово 11никовые. Корпус<1. Га­
баритные и пр11соеднните.1ы1ые размеры.
* Знаком* 11a~tee в тексте отмечены паrаметры илн их значения. пр[1-
веденные в справоt1ны.х данных ТУ. Прн 1~рс1п20.,J,с1не по.'1уnроводниковых
приборов они могут не контролпроваты·я. Значения экt:плун1а1щонных дан­
ных, приведс-нныс без ука1ания 1еJ1...1пеrа-гурного ,1иаnязона. справе-"1_1ивъ1 во
всем ннгерва.~с темпера тур окружающеи среды для дашю1 о тиnа грашистора.
23


гост 20003-74
гост 19095-73
гост 18604.0- 74
гост 18604.1-80
гост ! 8604.2-80
гост 1i\604 3-80
гост 18604.4-74
гост 18604.5-74
гост ! 8604.6 -74
гост 18604.7-74
гост 18604.8-74
гост li\604.9-75
гост 18604.10-76
гост 18604.11 -76
гост 18604.12 - 78
гост 18604.13- 76
гост 18604.14- 76
гост 18604.15 -76
гост 18604.16-78
24
Транзисторы бино.тярные. :Электрические па­
раметрьr. Тер'vlины. опреде.1сния и буквенные
обозначения.
Транзисторы полевые. Элек rрические ш1ра­
метры. Термины, овре~еления и буквенные
обоз на 'Iения.
Транзисторы. Методы измерения J.1ектриче­
скнх rшраметров. Обшие 110.~ожения.
Транзисторы бипо.1ярные. Метод измерения
постоянной времени цепи обратной связи
на высокой частоте.
Транзисторы Gr11rо;1ярные. Мегсц ~пмерения
статического коэффшшента передачи тока.
Транзисторы бипо.1ярные. Метод измерения
ем.кос reli ко.1~1екторно1 о 11 J:", HI 1 1·ерног о Ее­
рсхолов.
Транзисторы. Меrоды из:v~ерешrя обратного
тока коллектора.
Тр;шзисторы. l\1етод из\1срсния нача.1hноr о
тока ко. iлектора.
Транзисторы. Метод rпмерения обратного
тока эмиттера.
Тран·шсторы. Метод а3~1срснпя ко·э<jнjнщиен­
та передачи тока.
Транзисторы. Мегод измерения выхщщой
проводимости.
Тран·щсторы биполярные. Методы определе­
ния граю1•шой и предельной частот коэф­
фшщента передачи тока.
Транзисторы биполярные. Метод измерения
вхо,с\ного сопротив.тения.
Транзисторы бипо.1ярные. Метод из\.iерения
к0Jфф11циенл1 шуми.
Транзисторы биполярные СВЧ генер•нор­
ные. Методы определения граю1<1ной час­
тоты коэффициента нередачи тока.
Траюисторы биполярные СВЧ генер<пор­
ные. Метод измерения выходной мощности
и о 11ределе11ия коJффициента усиления по
\1ощности и коэффициенл1 нолезного дей­
ствия.
Транзисторы биполярные СВЧ 1енера·1с1рные.
Ме 1 од из~fерения моду ля коэффшtиента об­
ратной r;ере;:~.ачи.
Транзисторы би110.1ярные СВЧ генератор­
ные. Методы измерения критического тока.
Транзисторы бипо.1ярные. Метод изчерения
ко,ффициента обратной связи по напряже-
1шю в режиме маJю1·0 сш 11a;ia.
•·


'
·::~
-~1~
.-
18604.17- 78
гост
гост 18604.18- 78
гост 18604.19- 78
гост 18604.20- 78
гост 18604.21- 7R
гост 18604.22- 78
гост 18604.23 -8()
гост 18604.24-8 i
гост 18604.25 -81
ГОСТ 20398 .О- 74
гост 20398.1-74
гост 20398.2 -74
гост 20398.3-74
гост 20398.4 -74
гост 20398.5-74
гост 20398.6 -74
гост 20398.7-74
гост 20398.8 -74
гост 20398.9-80
гост 20398.10-80
Транзисторы биполярные. Метод измерения
п.1авающего напряжения эмиттер-база.
Транзисторы биполярные. Методы измере­
ния статической крутизны прямой передачи.
Транзисторы биполярные. Методы измере­
ния r раничного напряжения.
Транзисторы биполярные. Методы измерення
коэффициента шума на низкой частоте.
Транзисторы биполярные. Методы из:\.1ере­
ния времени рассасывания.
Транзисторы бипо.1ярныс. Метоцы измере­
ния напряжения наеышения ко.1:rектор­
эмнт гер и база-Jмиттер.
Транзисторы биполярные. Метод из:vtерення
коэффиrщентов ко~1бина пионных состав­
.~яющих.
Транзис·rоры бн1юлярные высокочастотные
1е11ераторные. Метод измерения выходной
:vюшностп и определения коэффиш1ен·1 а уе11-
.1сния по мошноеп1 и коэффюшента !IО­
лезного действия.
Транзисторы бипо.1ярные высокоч<1с·1 о mые
1енераторныс. Метод опреде.1е1шя грани•шой
•iac1 оты коэффициента перед<1 чи тока.
Транзисторы полевые. Методы измерения
'J.1ектр11чееких параметров. Обшие поло­
жения.
Транзисторы полевые. Метод пзмерсния мо­
ду.1я по.1ной 11роводимости врямой передачи.
Транзисторы по,1евые. Метод измерения
коэффициента шума.
Транзисторы полевые. М е rод измерения
крутизны характеристики.
Транзисторы по;<евые. Метод измерения ак­
тивной состав.1яющей выходной проводи­
:vюс rи.
Транзисторы нолевые. Метоц измерения
входной, проходной и выходной емкостей.
Тр<1н:шсторы полевые. Метод измерения тока
утечки 3атвора.
Транзисторы полевые. Метод измерения по­
рогового напряжения и напряжения отсечки.
Тран,щс1·оры полевые. Метод измерения на­
чального ток<1 стока.
Транзисторы по,1евые. Метод измерения
крутизны характерист11 ю1 в импульсном
режиме.
Транзисторы полевые. Метод измерения н<1-
чального тока стока в импульсном режиме.
25


гост 20398.11-80
Транзисторы полевые. Метод измерения
спектра.тьной п:ютности щумового напря­
жения.
гост 20398.12 -80
Транзисторы по.1евые. Метод измерения ос­
таточного тока стока.
гост 20398.13 -80
Транзисторы нолевые. Метод измерения
сопротивления сток-исток.
ГОСТ 2.117- 71
ЕСКД. Сог.тасованпе применения r:окупных
изделий.
ОСТ 11 аАО.336.013-73 Приборы но.1уnроводниковые. Методы за­
щиты от статического электричества.
ОСТ 11 336.907 .О- 79
Приборы полупроводниковые. Руководство
по применению. Общие по.-rожения.
ОСТ 11 336.907 .8 -81
Транзисторы биполярные. Руководство по
применению.
ОСТ 11 336.935-82
Транзисторы по.1евые. Руководство по при­
менению.
ОСТ 11 ПО.336.001-71 Приборы полунроводннковые бескорпусные.
Руководство по примененню.
Разде.z второй
ОСОБЕННОСТИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ
ТРАНЗИСТОРОВ
В РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЕ
Все преимущества полупровод11иковых приборов, позволяющие
создавать чрезвычайно экономичную, малогабаритную и надежную
аппаратуру, могут быть сведены к мини:v~уму, если при разработке,
изготовлении и эксплуатации ее не будут приняты во внимание
их спеuифические особенности.
Высокая надежность радиоэлектронной аппаратуры может быть
обеспечена только при учете таких факторов, как разброс параметров
транзисторов, температурная нестабильность и зависичость их пара­
метров от режима работы, а также изменение пара-.1стров транзи­
сторов в проr1ессе эксплуаташш радиоэлектронной аппаратуры.
Транзисторы, приведенные в справочнике, являются транзисто­
рами общего приУ!енения. Они сохраняют свои пара).1етры в уста­
новленных пределах в условиях эксплуатации и хранения, характер­
ных для различных впдов и классов аппаратуры.
Эти условия характеризуются внешними механическими воздейст­
виями (вибрационными, ударными, центробежными нагру Jками) 11
климатическими воздействиями (температурными, а1 мосферными и др.).
Усювия эксплуатации аппаратуры -.югут изменяться в щироких
преде.тах.
В зависи\.1ости от эксп.1уатацио11ных требований, прелъявлясмых
к транзисторам, промышленноссrью nыпускаются транзис1оры широ­
кого применения для промыш.1енной и общетехничсской аппаратуры.
Общие требования, справедливые д.1я всех транзисторов, пред-
26
l
!


r-
·.:~, назначенных д.,я испо.1ьзования в аппаратуре определенного класса,
·.:?: содержа1ся в обших технических условиях.
Нормы на значения электрических параметров и специфические
требования. относящиеся к конкретному типу транзистора, содер­
жатся в частных технических условиях.
Под воцействием различных факторов окружающей среды (тем­
пературы, в.1аги. хиу~ических. механических и других воздействий)
некоторые параvtетры. характеристики и свойства транзисторов могут
изменяться.
Целям герметичной защиты транзисторных структур от внешних
воздействий с.Jужа 1 корпуса приборов.
Конструктивное оформление транзисторов рассчитано на их ис­
полиование в составе аппаратуры при :тюбых допустимых усло­
виях эксп.1 уатации. Рассеиваемая мощность, а также возможность
работы на сверхвысоких частотах определяются коне rрукцией тран­
зисторов.
Необходимо помнить, что корпуса транзисторов в конечноу~
счете и~1еют ограничение по герметичности. Поэтому при испо.1ьзо­
вании транзистоrюв в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации
в ус.1овиях повышенной в.1ажности, платы с расположенными на них
транзисторами рекомендуется покрывать .1ако~1 не менее трех слоев.
Для защиты п.1а1 с транзисторами от в.1аги рекомендуется при­
менять лаки УР-231 (ТУ 6-10 -863-79) или ЭП-730 (ГОСТ 20824-75).
Корпусными транзисторами не исчерпывается все· многообразие
выпускаемых типов тр<шзисторов. Бес большее распространеimе
получают так называемые бескорпусные транзисторы, предназначен­
ные для испо.1ьзования в микросхемах и микросборках. Ес.1и кри­
ста.1лы таких транзисторов и защишены спеuиалы1ы~1 покрытием,
то оно не обеспечивает дополнительной защиты о г воздействия окру­
жающей с:реды. Защита достигается общей герметизацией всей микро­
схемы.
Эксп.1уатация транзисторов должна осуществляться в соответ­
ствии с требованиями ТУ и стандартами-руководствами по приме­
нению полупроводниковых приборов (общие положения) и руковод­
ством для конкретного класса приборов.
Чтобы обеспечить долн1летнюю и безотказную работу радио­
электронной аппаратуры, конструктор обязан не только учесть ха­
рактерные особенностн транзисторов на этапе разработки аппаратуры,
но и обеспечить соответствующие ус.ювия ее эксп.1уатации и хра­
нения.
Транзисторы - приборы универсального применения. Они могут
быть успешно использованы не только в классе схем, для которых
они разработаны, но и во многих других схемах. Однако набор
параметров и характеристик, приводимых в справочнике, соответ­
ствует в первую очередь назначению транзистора.
В справочнике приводятся значения пара:v~етров транзисторов,
гарантируемые ТУ для соответствующих оптимальных или предельных
режимов эксп.1уатации.
Рабочий режим транзистора в проектируемой схеме часто отли­
чается от того режима, для которо!·о приводятся параметры в ТУ.
27


Значение бо.1ьщинства пара!>.!етров транзисторов зависит от рабо­
чего режима и температуры, причем с увеличением температуры
зависимость параметров от режима сказывается более сильно. В спра­
вочнике, как правило, приводятся типовые (усредненные) зависимости
параметров транзисторов от тока, напряжения, температуры, частоты
и т. д. Эти зависимости должны использоваться при выборе типа
транзистора и ориентировочных расчетах схем, так как значения па­
раметров транзисторов одного типа не одинаковы, а .1ежат в неко­
тором интервале. Этот интервал ограничивается мию1мальным или
максимальным значением, указанным в справочнике. Некоторые па­
рамет;:~ы имеют двустороннее ограничение. В ряде случаев в справоч­
нике приводятся также и типовые (усредненные) значения пара­
метров.
При конструировании схем необходимо стремиться обеспечи1 ь
их работоспособность в возможно более щироких интервалах изУ~е­
НС:НИli важнейших параметров транзисторов.
Рюброс параметров транзисторов и их изменение во времени при
конструировании схем могут быть учтены расчетными ~1етодами или
экспериментально - методом граничных испытаний.
В справочнике, как прави.10, не приводятся выходные характери­
стики биполярных транзисторов ввиду их однотипности и возмож­
ности построения по приводимыУ! данным.
На рис. 2.1 показаны выходные характеристики биполярного
транзистора с указанием областей работы для схем с общей ба­
зой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Характерные особенности об.1астей, показанных на рис. 2.2 при­
'V!еюлельно к токам и напряжениям для р-11-р транзис·1ора. привелены
в табл. 2.1.
Таблиц а 2.1. Характерные особенносп1 обдастей работы при вкmо­
•1ении транзисторов тина р-п-р по схеме с ОБ и с ОЭ
Схе-
Напря-
Рабо<;ая ма Нш1ряжение жение на
Ток
Ток ба1ы
об.1асть BKJ!IO- на эмпттере коллек-
кол.1ектора
чения
торе
~ОБ Uэi;>O ИкБ<О lк=l1 21 r:,lэ
/Б=/к(\ +h21Б)/
//121Б > 0
оэ
ИБэ<О Икэ<О lк=h21э/Б
/Б=lк/h21э>О
ОБ 1 ИэБ> ИкБ ИкБ>О lк <l121Бlэ /Б > fк(l + h11Б)//1211;
щснис 1 оэ 1UБэl>1 Икэ! Uкэ <0 lк <h21э/Б
IБ>lк/h21э
Отсеч- ОБ
ИэБ,;;;0 ИкБ<О IкБк;;;. lк ~ lкБо 1
lr,<0
ка
оэ
UБЭ;;.О Икэ<О lкэо ;;>lк > lкБо
/Б <0
У~шо- 1 ОБ ИэБ>О Ик5<0 Iк ;;> /121Б/э /Б < fк( 1 +h21Б)/h21Б
жение
1 оэ ИБэ<О Икэ<О lк ;;>h21эIБ
/Б <lк/h21э
28
...,


Iк
If
Iк
13Б
11::
lf
"'-
lf
:::!
:::!
:х:
:х:
с:,
11.J
11.J
::]'
1;> Область
1\
::1' Б-:У-.
Область
:;;
11сuленш1 If :;;
~ усuлениfl lJ ~
<.>
<?.,,
<.>
'5'._,,
t:!
"&:
t:!
оу
:х:
"'о
:х:
-s -<?__,, .
.о
~
.о
Е:
<?-?
1]
Е:
'h
15 =О
'-'
<.>
~
t:!
--»~
}~
t:!
-;>~
~
<?__,,.
~
lкБО '<. _,.
lз=О а
l5=lкso
а
+Uкs о
А Ек -UкБ о Uкэ.нас
АЕ -Uкз
Область
Область к
отсечки
а)
отсечки
б)
Рис. 2.1 . Быхо..:щые характеристики 611по.1яр11ого транзистора 11 об-
ласти работы при вк.'Iючении по схеме с ОБ (а) 11 по схеме с оэ (6).
Для п-р-п транзисторов знаки неравенства в столбцах табл. 2.1
«Напряжение на ко.1лектореJ> и «Напряжение на эмиттере» должны
быть за"1енены на обратные.
При необходимости применения транзисторов для выполнения
функций, отличающихся <YL их основного назначения, вывод о воз-
"
"
"
"
"
"
:i;
"::.
"
~.;
"
~
:i;
""'
""
""
......
......
Рис. 2.2 . Реальные выходные характеристики мощного германиевого
транзистора и облас·1 и максимальных реЖИ"-'ЮВ (заштрихованы).
29


1
,\1ожности их испо.1ьзования в этих режимах может быть сделан
после всестороннего обследования параметр~в транзисторов в этих
режимах, проведения соответствующих испытаний и сог.1асова11ия
их применения в соответствии с ГОСТ 2.117-71.
В аппаратуре транзистор -ложет быть испо.1ьзован в широком
диапазоне напряжений и токов. Ограничением служат значения пре­
де.1ыю допустимых реЖИУЮВ, превышение которых в условиях эк­
сплуа гации не допускается независимо о г ;t.1итсльности импульсов
напряжения и.1и тока. Даже кратковременное превышение предельно
допустимых реЖН'<ЮВ 3'Южет привести к пробою р-п перехода, сгора­
нию внутренних вывопов и выходу прибора из строя. Поэтому
при применении транзисторов необходимо обеспечивать их защиту
от ."1гновенных изменений токов и напряжений, возникающих при
перехолных процессах (моменты включения. вык.1ючения, изменения
режимов работы и т. д.). _?>лгновенных изменениях питающих напря­
жений. Не допускается также работа транзисторов в совмещенных
предельных режи!\1аХ (напри~1ер, по напряжению и току).
Режимы работы транзисторов должны контролирова1 ья с учетом
возможных неблагоприятных сочетаний условий эксплуатации аппа­
ратуры. При измерениях необходимо принимать во внимание ко.1е­
бания напряжений источников питания, значение и характер нагрузки
на выходе блока, а3'1плитуды. длительности выходных сигналов,
уровни внещних воздействующих факторов.
Для повышения надежности транзисторов в эксплуатации следует
выбирать рабочие режимы с коэффициентами нагрузки по напряжению
и мощности в диапазоне О, 7 -0 ,8 . Однако следует учесть то, что
применение транзисторов при ма.1ых рабочих токах приводит к сни­
жению устойчивости их работы в диапазоне температур, нестабиль­
ности усиления во времени. Испо.1ьзова11ие боле~ высокочастотных
типов транзисторов в низкочастотных схемах нежелательно, так как
они дороги, ск.юнны к самовозбуждению и обладают меньшими
эксп.1уатационными запасами.
При применении мощных транзисторов необходимо обеспечивать
прави.1ы1ый теп.1овой режим работы, чтобы температура корпуса
транзисторов бы.1а минимальной и не превыша.1а допустимую.
Превышение предельной температуры может привесги к теп.1овому
пробою р-п перехода. Тепловой пробой возникает вс.1сдствие .1ав11но­
образноrо нарастания температуры р-11 перехода. Во избежание теп­
лового пробоя необходимо у:1учшать отвод теп.1а от транзистора.
Прави.1ьный выбор ·rен;ювого режима работы снижает интенсив­
ность отказов транзисторов, а также обеспечивает стабильность вы­
ходных нараметров аппаратуры.
Обеспечение оппrчш:ьного теп.ювого рсжича работы транзисто­
ров играет первостепенную роль при создашш надежной аппаритуры.
Д.'IЯ учета зависичости пар;~3'1етров от темнературы в справоч­
нике приводятся температурный диапазон исполыовання транзисторов,
значения пара~rетров и режнмов при различных температурах и их
температурные :>.<1виснмостr1.
В качестве те·плоотвода д:1я мощных транзисторов могут исrюль­
зоваться специально сконстр)'11рованные радиаторы или конструктив-
30
r
1


ные э;1ементы узлов и блоков. При этом должна предусматриваться
специальная обработка мест крепления транзисторов.
Коеп,1ение транзисторов к радиаторам должно обеспечивать их
надеж~ый теп:ювой контакт. Особое внимание следует уделить обеспе­
чению надежного теплового контакта при введении между корпусом
транзистора и радиатором изолирующих прок;1адок. Для уменьшения
обшсго теплового сопротивления .'Iучше изолировать радиатор от
корпуса аппаратуры, чем транзистор от радиатора.
При применении заливки плат компаундами следует учитывать
возможное ухудшение теплообмена между транзисторами и окружаю­
щей средой.
Заливку п.1ат допускается производить компаундами, не оказы­
вающими отрицательного химического и механического влияния на
транзисторы.
Особенностью при">!енения :vющных биполярных транзисторов
является работа этих приборов в режимах. близких к предельным
по те'\-Шературе перехода. Для обеснечения надежной работы аппара­
туры режимы испо.'Iьзования мощных транзисторов должны выби­
раться таки!><! образом, чтобы ток и напряжение не выходили за
пределы об.'Iасти максима.1ьных режимов. На рис. 2.3 приведен
типичный вид области максимальных режимов !><Ющного биполярного
транзистора. Сплошными линиями огра~шчена об.'Iасть статического
режима работы транзистора, а пунктирными - импульсного. Область
максимальных режимов 01·раничена следующими факторами:
максимально допустимым током коллектора (постоянным и им-
пульсным) - область !;
максимально допустимой :>.1ощностью рассеивания (постоянной
и импульсной) - об.1асть II;
вторичным пробоем - область III;
граничным напряжением вольт-амперной характеристики при за­
данных условиях на входе - область IV;
максимально допустимым обратным напряжением ко;:шектор­
эмиттер (постоянным и импульсным) - область V.
Iк ,А
lки.макс
lКиt
I К. макс 1-i-,..1--l--t<tl':fJ:~ '+ '< - -'- -1 - ---!
Iк1 ~11-1---1---6!
~
Рк_макс
i\
1i'
11
111\
111
111\
111
UКЗ1 Uкзоп Uкз.U::!с
Uкзк. макс
Рис. 2.3. Область максимальных
режимов мощиого биполярного
транзистора.
Рис. 2.4 . Зависимость постоян­
ной рассеиваемой мощности от
температуры корпуса.
31


Рис. 2.5. Областп макс11мальпых
режимов при различных темпе­
ратурах корпуса.
т,,} с
Рис. 2.6. Зшшсимосrь теплового
сопротивления от лл11 гелыюсти
}ti'vJll)'JJЬC~I
Область максима.1ьных режимов в справочнике приьо;цпся, как
прави;ю, при температуре корпуса ТкJ· при которой обеспечивается
максимальная мощность рассеивания. При увеличении температуры
корпуса выше Ткr мощность рассеивания опреде.1яется с по,.ющью
графиков (рпс. 2.4), а при их отсутствии рассчитывается по форму'1с
Рчакс = (Tn - Тк)/Rтп-1<•
где Тп -·температура перехода: I'i, -
те~1пература корпуса (например,
Т"2' Т,3 и т. п.); Rт. n-к - тепловое сопротив:тение переход-корпус.
При работе транзистора при температуре корпуса Тк2 или Т,з
область !1 (см. рис. 2.3) перемещается, что соогветствует у:..1еньшенню
мощности рассеивания, опреде.1енной графическим_ путем и.1и рассчи­
танной по форму.1е (рис. 2.5).
При повышении температуры корпуса происходит изменение по­
.1ожения и области V. Значение предельно допустимого обратного
напряжения коллектор-эмиттер (постоянного или импу;1ьсного) при
росте температуры уменьшается (рис. 2.5). Эта зависи1\t0сть снимается
экспериментально.
При переходе от статического режима к импульсно:..1у и при
уменьшении д.11не.1ьности импульса границы области максимальных
режи"1оВ перемещаются в сторону больших значений тока и на­
пряжения.
Макси:vшльно допустимая мощность рассеиванпя в импульсно\!
режн~·1е связана с максимальной рассеиваемой мощностью соопю­
шением
rде Rт.и.n-•
-
импульсное теIL1овое сопротивление переход-корпус,
являющееся функцией д.1ительности импульса и скважнос1·и (рис. 2.6).
Чем :v1еньше длительность импу.1ьса и бо.1ьше скважность, теч
больше импу.<ьсная мощность рассеивания, вызывающая разогрев
перехода до максима.1ьно допустимой температуры. Области макси­
ма.<ьных режимов !1 и I!I при лом перемешаются вправо, в об.1:ас гь
32


больших значений токов и напряжений. Эти границы опреде:11яются
экспериментально.
Тепловое сопротивление переход-корпус зависит от конструкцин
транзистора и можег быть определено из об.1асти максимальных ре­
жимов. Например, д.1я режима Икэ1. lк1 (см. рис. 2.3) теп.1овое
сопротив.1ение, К1Вт,
Rтн = (Тп - Т.1)/Ик11Iк1·
Иv.пу.1ьсное тепловое сопротив.с~ение переход-корпус связано с
тепловым сопротивлением н статическом режиме соотношением
Rт.и.11-к = (Икэ1Iк1.'Икэ1lк 111)Rтп-к·
Все мощные биполярнLiе транзисторы СВЧ цианазона пред­
назю1чены для работы в режи:v1ах с отсеч'кой ко.1лекторного тока.
Допуспrмыt:: э.1ектр11чсские режп~1ы на постоянном токе (по напря­
жению и мощности рассеивания), как прави:ю, существенно от;ш­
чаются от дию1,шчсских режи»юв раG01ы.
В дипамич~сrшх режи-.~ах среднее напряжение эмиттер-база до.1ж1ю
быть запирающим.
П ривеленные в справочнике парu \лстры \101UНЫХ СВЧ транзис­
торов позволяют rю.1r,:;оват1,ся 11шовоii эквивалентной схемой для
опенки их' эксп.<уатацнонных характерис:rик.
Эквнва:1ентная cxe:vta транзистора в актнвно\t режиме пока3ана
на рис. 2.7. Б ряде с,1у"шев 11араметры некоторых элементов,
изображенных на схе~1е. в спr:шочных нанных отсутс гвуют. Это
значит, ч го эквнва:тснпшя схема дол;кна бы 1 ~. соответствующи\1
образом упрощена. Напри'.Лер, есш не приводится экв1шалептное
Скз
г
Корпус
Рис. 2.7. 'Эквивалентная схема мощного СВЧ тран:шстора в активном
режиме.
Ск 1 - <tкп1вн;~я с~1,;:ссrь ко1.1ск 1ора. Ск2
-
пасс~шн<.t.~1 ем!>асть 11:0_1лек1орi:1; Ск-э - емкость
коллектор-Jмиттер; Сэ - емкос1ь лшrтсrа; t 1, С2• ( 1 - е\ш·ости сыно.1ов 011-юс111с.1ъно коr­
пуса; Lэ, LБ, Lк - ш1,~укп1В1iости 71 hШодоп 1мнттсра, базы. коллектора соответственно;
rБ - сопротивгтение базы; R') - пос_;:едов<Iтелы;ое сопроти~1.'lсние R 1iem1 эмпттера; rк -
эквивалентное сопrотивлснис коллек юра: 'Э - сопроп1вJ1ение 1мнттерного перехода.
2 Полупроводниковые приборы
33


последовательное сопротивление ко.•лектора, то это означает ма.1ое
влияние этого параметра на типовые эксплуатационные характе­
ристики. и он может быть исключен из схе'v1Ы.
Приводимое D справочнике значение емкости ко.1лскторного
перехода СВЧ ~ющных транзисторов включает в себя значения ем­
костей \1сталлизированных площадок в структуре транзистора и
емкостей корпуса. То же относится и к поня гию «йшость эмит­
терного переходю>.
Уси;штельные свойства мощных высокочастотных линейных
транзисторов характеризуются пара:vtетрами. методы IВ\лерения ко­
торых основываются на использовани11 л.вухтонового сигнала, со­
с гоящего нз двух гар~юнических сигналов.
Нелинейные свойства транзисторов в этом с.1учас онениваются
коэффициентом комбинаuионных состав.'Iяющих ·1 ретьего и 11ятого
порядков, являющимся отношениеVI наибо.'l&ших а~ш.-штуд соответ­
ствующих комбишщионных состав.1яющих спектра выхо;1ного сиrна.'Jа
(рис. 2.8) к а\1ПЛиту!1е основного тона.
z
J
1
~
z
J
Рис. 1.8. Вид спектра частот
выходпого сигнала при измере­
нии коэффициен 1·а комбинаци­
онных составляющих .че10,.::0\1
;1вух 1онового сигна.1а.
1 - ос1ю1шой rон.
'} - ~.:омбнниш1"mныс
состаn.1яюш~~с третьего nоря.J.ка: 3 - коч­
бинашюнныс состпн_1яюшне fJятor-o по-
rя.::~ка.
Между средней мощностью линейного двух 1оно1юго снгна.1а
и мощностью в пике огибающей существует соотношение
рвых = Рвых(по)/2.
Это соотношение используется для рас•rета КПД кол.'Jек 1ора
транзистора в режиме двухгонового сигнала.
В процессе мон гажа транзисторов в схемы механические и
тепловые DОздействия на нпх не до:1жны превышать значений,
указанных в ТУ, так как это може·1 привести к растрескпванню
изолятора и, с.•едовательно, к нарушению герметичности корпуса
транзистора.
При рихтовке, формовке и обрезке участок вывода у корпуса
транзистора должен быть закреплен таким образом. ч го бы в :.-1есте
выхода вывода из корпуса (изолятора) он не испытывал изгибаю­
щих или растягивающих усилий. Оснастка для формовки выводов
должна быть заземлена.
Расстояние от корпуса гранзистора до начала изгиба вь~вода
при формовке должно быть не менее 2 м:-1, если в ТУ Шi кон­
кретный тип транзистора не указано иное. При диаметре вывода
34
1[i


не более 0,5 VIM радиус его изгиба должен быть не
при диаметре от 0,6 до 1,0 мм - не менее 1 мм;
более 1,0 мVI - не менее 1,5 мм.
менее 0,5 мм;
при диаметре
При лужении, пайке и монтаже транзисторов следует принимать
меры, исключающие возможность их повреждения из-за перегрева
и механических усилнй. В пропессе выполнения операций лужения
и пайки расстояние от корпуса (изолятора) до места лужения и
пайки должно быть не менее 3 У!М, сели в ТУ на конкретный тип
транзистора не указано иное.
Допускается пайка без
ес;ш rе~шература припоя не
неболее3с,есливТУ
теплоотвода и групповым методом,
превышает (533 ± 5)К, а время пайки
на конкретный тип тран1истора не
указано иное.
Очистку печатных плат от флюсов допускается производить жид­
костями, не портящИ!\1И покрытие, маркировку и материал корпуса
транзистора (рекомендуется спиртобензиновая CVIecь).
В процессе VIОнтажа, транспортировки, хранения ВЧ и СВЧ би­
полярных транзисторов и МДП полевых транзисторов необходимо
обеспечивать защиту их от воздействия статического электричества.
Способы защиты изложены в ОСТ 11 аАО.336.013-73.
К числу важнейших предупредительных мер относятся:
хорошее заземление оборудования и измерительных приборов;
применение заземляющих браслетов (и;ш колец) между телом
оператора и зем.1ей, антистатических халатов;
использование низковолr.тных электропаяльников с заземленным
жалом.
Транзисторы МДП полевые (кроме мощных) хранят и транспор­
тируют при наличии замыкате:1сй на их выводах. Замыкатели уда­
ляют rолько перед моментом включения (~юнлtжа) транзистора
в схему. В чомент пайки все выводы МДП транзистора до.•жны
быть закорочсны.
Для сохранения минимальных значений тока затвора МДП по­
левых транзисторов необходимо применять меры, предохраняющие
корпус от попадания флюса и припоя.
При выборе лаков нли компаундов для заливки плат с МДП
полевыми транзисторами необходимо учитывать влияние этих мате­
риалов на ток утечки затвора транзистора.
При применении МДП полевых транзисторов во uходных кас­
кадах радиоэлектронной аппаратуры необходимо принимать меры их
защиты от электрических перегрузок.
Для измерения параметров транзисторов нромы111.1енностью вы­
пускается ряд измерительных приборов.
Наибольшее распространение для шмерения параметrюв мало­
мощных биполярных транзисторов получил прибор Л2-22, мощных -
Л2-42. Для измерения параметров полевых транзисторов могут быть
использованы приборы типов Л2-32, Л3-38, Л2-46 и Л2-48.
Методы измерения основных электрических параметров транзис­
торов установлены государственными стандартами.
Для наблюдения вольг-амперных характеристик транзисторов
рекомендуется использовать прибор Л2-56 (ПНХТ-2).
2'"
35


Часть втора.ч
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЪIЕ БИПОЛЯРНЫХ
ТРАНЗИСТОРОВ
Разде,1 третий
ТРАНЗИСТОРЫ МАЛОМОЩНЫЕ
НИЗКОЧАСТОТНЫЕ
11-р-11
ТМЗА, ТМЗВ, ТМЗГ, ТМЗД, МЗА, МЗВ, МЗГ,
мзд
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные 11-р-11 универ-
са:1ьные низкочастотные маломощные.
Предназначены для применения в усилительных, импульсных
и перек.1ючающих схемах в составе гибридных интегральных микро­
схем зали-той и капсу.1ированной конструкций.
Выпускаются в металлостекляпном коrнrусе на керамической
плате (ТМЗА, ТМЗВ, ТМЗГ, ТМЗД) и с гибкими выводами (МЗА,
МЗВ, МЗГ, МЗД):
Обозначение типа транзистора приводится на его корпусе.
Масса транзистора на керамической плате не более 0.8 г, с п1б­
кими вьшода:-.111 нс более 0,5 г.
36
Ма.рхи.рс6ачна.я точка.
11
ба.за.
/
/ fГr''il
/.
J.,;-
l


ЭлектрИЧС(:КИе параметры
Предельная частота коэффициента передачи тока при
ИкБ=5В./э=1"1Анеменее:
ТМ3А, М3А .
ТМ3В. ТМ3Г. мзв. мзг .
тмзд. мзд .
Постоянная вrемени uепи обратной связи при ИкБ =
= 5В,/э=1мА.f=5МГцнеболее:
ТМЗА, М3А .
тмзв. ТМ3Г, ТМ3Д. мзв. мзг. М3Д
.
Статический коэффиниент передачи тока n схеме с общи~~
эмrптсро"1 при ИкБ = 1 В. 1-э = 1О мА:
11ри Т=293 К:
ТМ3А МЗА.
ТМ3В, МЗВ.
ТМ3Г. МЗГ.
ТМЗД. МЗД.
при Т= 2!3 К:
ТМЗА, МЗА.
ТМЗВ. l'Л3!3 .
ТМЗГ, мзr.
тмзд. мзд.
прн Т= 346 К·
ТМЗЛ. U!ЗА
п.лв. мзn .
ТМ3Г, МЗГ.
тмзд. М3Д.
Граничное напряжение при lэ = 5 мА не У~енее
Напряжение насыщения ко,"I.'IСКтор-эмнттер при /к= lO "1А.
Ir,=1мАнеболее.
Напряжение насыщения база-э:v~иттср при /к= lO "1А,
/Б=1мАнеболее.
Время рассасывания при /к= 10 мА, f = 1,5 кГц нс
более.
Обратный ток ко.1лектор-1м1птер г.ри Икэ = 15 В, И6 э =
= -0,5 В не более:
при Т=293 К .
при Т=346К .
Обратный ток э:-.шт1сра при U5э = l 5 В не 60." Icc .
Емкость ко.1лск горного перехода нри UкБ = 5 В,/= 5 l'ЛГц
не более.
ЕмкоС'1 ь эм11ттерного перехода при ИБэ = О, 5 В, f = 5 МГп
не бо.1ее .
Пределы1ые эш:ш~уатацио:шые даиыые
Постоянно::: шшряжt:1ше кол;1ектор-э"1и1 1·ер .
Постоянное напряжение коллек'Iор-6аза
Постоянное напряжение эмиттер-база .
l,O МГц
5,0 МГц
10,0 МГц
3,0 нс
3,5 нс
18-55
20-60
40-120
40-160
7.2 -55
8,0-60
16-120
16-160
18-110
20-120
40-240
40-320
15в
0,5 !З
1.0 !3
2.5 ~!КС
20 чкА
150 '-'1КА
20 :-,,1кА
35 пФ
70 пФ
15в
15в
10в
37


Постоянный ток коллектора (эмиттера) при Т = 213-;-
308к..
5~~Al
Импульсный ток коллектора (эмиттера) при 'и= 10 мкс
и средней рассеиваемой мощности. не превышающей
постоянную предс.1ьную рассеиваемую мощность .
100 'v!A
75 мВт
0,8 К/мВт
От 213 до
346 к
Постоянная рассеиваемая мощность при Т= 213 7 298К
Тепловое сопротив;1е11ис переход-среда
Температура окружающей среды .
Пр им е чан и я: 1. При Т > 308 К ток кол.1ектор.а (эмиттера).
мА, рассчитывается по формуле
Iк(/3)- 7V358- Т.
2. При Т > 298 К максимально лопустн=vrая постоянная рас­
сеиваемая мощность, '11ВТ. рассчитывается по формуле
Рщ~кс = (358 - Т)/ Rт. п-с·
о 0,1 0,2 0,3 0,Lf 0,5 UБЗ, В
Входные характеристики.
1/1-
~'
~. 1,2
.:ь, 1 о ~+-++-J'l---'--+++t-'t-+++I
~)
-<='6:о 0, 81---V++++--t--t-++t-+-++-Н
--;;;-
.Jo 0,б
D, '1- ~+-++++--+-+++t-+-+++1
Зависимость
относительного
статического коэффициента пе­
редачи тока от тока эмиттера.
38
16 ,мА
5f--+- -l- - -4-+-+ -- -lf-----i
3 >----+---<'-+-~
2 >---+-_,_-Н,___,__
О 0,2 0,Lf 0,б 0,8 1,0 U53 ,B
Входные характеристики.
1,б
~ 1,'/.
11
- .. s. . 1 , 2 1----т--\---1;';,Е.-+-,.L-'---1
"'
1::1
. ._, < :i.. 1 о l;:::;;;;ф~l'f""=-t\
" ;:;-- }
z.. о, 8 '"""""'-+---~-,____._ _,
.. ..
О,б
о,Lf.__~_ _,_ _
_.__J....___j_
_J
О
2 3 1/- 5Iк/Iв
Зависимость относительного
времени рассасывания от lк/IБ.


......_
1,1/-
:.:::
" ':>
~ 1,2
11
~1,0
-€__о, 81---+~-"'F=--+.-;--t-:;-;;-J----j
., .,
..r:::.';;,. о, б 1----1 - -+ -
01/-L.._L---,!,..--~-::-.':--=-=7=-=~
)213233 253 273293313т,к
Зависимость
относительного
статического коэффициента пе­
редачи тока от температуры.
~
~ 1,1
11 1о'-----t--+--l-=--F==----+--+---1
-!:::: 1 1
'-'
"
:, 0,9 t--;~4-+--+---1~-+--I
~---.:; о, 8 1---+ - --+- - --1-
"
::; о, 7 t--Г---+-+-+--1----+---1
::;}
~б-~__.__....._ _.i _- - 1_ .....1 - _.J - _ _J
213 233 253 273 293 313 3337, к
Зависимость относительного на­
пряжения насыщения коллектор­
эмиттер от температуры.
МП9А, МП10, МПlОА, МПlОБ, МП11, МП11А
Транзисторы германиевые сплавные п-р-п усилительные низко­
частотные с ненормированным (МП 1О, МП 1ОА, МП !ОБ, МП 11,
МПI !А) и нормированным (МП9А) коэффициентами шума на час­
тоте 1 кГц.
Предназначены д.1я усиления сиrна:юв низкой частоты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа принодится на боковой поверхиости корпуса.
Масса транзистора не более .2 г.
ф1t,2
Электрические параметры
Преде.1ьная частота коэффициента передачи тока при
ИкБ=5В,/3=1мАнеменее:
МП9А, МПIО, МПIОА, МПIОБ .
MПll, MПllA
Коэффициент шума при ИкБ = 1,5 В, / 3 = 0,5 мА,
f=1кГцМП9Анеболее.
1 Мгц
2 Мгц
10 дБ
39


Коэффициент передачи тока в реж11~1с малого сигна.1а
приИк5=5В./э=1мА.f=1кГп:
прп Т= 293 К:
МП9А
МШО, МПlОА
МПlОБ
МП!! ...
MПllA ..
при Т= 213 К:
МП9А
МПIО, МП!ОА
МПIОБ
MПll ...
MПllA ..
прп Т= 343 К:
МП9А
МПIО, МПIОА
МПIОБ
MПll ..
MПllA .
Обратный ток коллектора прн Т = 343 К не 60.1ес:
МП9А, МП!О, МПI 1, МПI !А при Ик5 =!О В ...
МПIОА, МПIОБ при Ик6 = 20 R .
.
Обратный ток коллектор-эмиттер при Т = 293 К не
более:
МП9А, МП!О. МПI 1, МПI lA при Икэ = 15 В.
МП!ОАприИк6=30В..
.
.
.
.
МПIОБприИкБ=30R. . . .
•
.
.
.
Обратный ток эмиттера при Т ~с 29 3 К не более:
МП9А, l\·ШIO, МПI 1, МПJ lA при U,6 = 15 В.
МШОА, МПlОБ при UэБ = 30 В .....
Сопротнвлепие базы при Ик 6 = 5 В, I"J = 1 мА./= 500 кГп
неболее..................
Выходная полная проводимос1ь в режнме малого сигна­
ла при холосrом ходе в схе~1е с общей бюой при
ИкБ=5В,l"J =1мА,/=1кГrrнсболее. .
Емкость ко"1лсrпорноrо перехода при UкБ = 5 В нс
более................
Предслы1ые эксп!Iуатацитшые даю1ыс
Постоянное напряжение ~;оллектор-базJ.:
приТ=213+323К:
40
МП9А, МПIО, МПI J, МП! lA
МПIОА,МПIОБ......
щ:~и 7=323 -:-343 К:
МП9А, МПIО, МПI 1, МПI 1А
МП!ОА,МПIОБ......
15-45
15-30
25-50
25-55
45-100
6-45
6-30
9-50
9-55
18- 100
15-90
15-60
25-100
25-110
45-165
350 мкА
400 чкА
30 мкА
30мкА
50 ;о.,1кА
30 мкА
30 мкА
60 пФ
15D
:юв
10в
20в


11остоянное напряжение кол,1екгор-эми пер:
при Т= 213 -с- 323 К:
МП9А, МПIО, MПll. MПllA
МПIОА, МПIОБ .
при Т= 323-с-343 К:
МП9А, МПIО, МП11, MПllA.
МПIОА, МП!ОБ .
Постоянное напряжение эмиттер-база:
при Т= 213 -с- 323 К:
МП9Л. МПIО. МП!l, MПllA
МПIОА, МПIОБ .
при Т= 323 -с- 343 К:
МП9А. МПIО, MПll, МПllЛ.
МПIОА, МПIОБ .
Постоянный ток ко.1.1ектора .
15R
30в
10в
20в
15в
30в
Постоянный ток кол.1ектора в режи:\1е насыщения .
Постоянная рассеивае:vшя ,ющнос r ь:
10в
20в
20 мл
150 ,,д
прир'?6666 Па:
при Т=213-с-328 К
!!рИТ=343 К ·
прир<6666Па.
при Т=213-с-328 К
при Т=343 К .
Общее 1 епловое сопроти :з.1ен11е:
прир'?6666Па.
прир<6666Па.
Температура перехода
Температура окружающей срслы .
1,5
1/1-
" 1,3
~~12
---
'
"
-t:~ 1,1
1,0
0,90
5 10 15 20 25Uк5,В
Зависи:-.юс гь 01 носительного ко­
эффициента передачи тока в ре­
жиме ма.1ого с11гна.1а от напря-
жения кол.1ектор-база.
1,6
175
1/1-
"'
-._[.1J
.........
)
"
- <: ";;;; 1,2
1,1
1,00 2 ,5
150 "'Вт
75 мВт
100 мВт
50 мВ1
200 К/Вт
300 К/Вт
358 к
От 213
ДО343К
Uк5= 58
/
1
МП9А,
МП10,МП10А,
МП10Б,МП11,
МП11А
5 7,5 10 12,5Iз ,мА
Зависимость о 1носи гелыюго ко-
1ффициента передачи тока в ре­
жиме малого сигнала от 1 ока
эмиттера.
41


"
1,6
1,Ч-
1,2
МП9А,МП10,
МП10А,МП105,
МП11,МП11А_ _,,__----<
!
"' . . :~ 1, о 1---1----+--+--,К---+-~
- ---
;:, о, 8 1---1----+--=+--+---+-~
. .i::
о, 6 ь-.е:::_1-----+--+
313 т,к
Зависнмость относrпс.'Тьного ко­
эффиниента передачи ·1 ока в ре­
жиме ма.1оrо сиrюс·ш от теvше-
ратуры.
МП9А, МП10, МП10А,
МПtОБ, МПf1,МП11А
о, 51----+-- --+-1---1
0,4-' - - -- - -L -- -J..--__.J
0,1
10 R35,Ом
Завпсн:~.юс 1ъ опюс1псльноrо на­
пряжения кол.1ектор-·;"'1иттер от
сонро rив:тения в пепи база-
эмиттер.
TMlOA, ТМIОБ, TMlOB, ТМlОЖ
ТJ"!нэисторы кремниевые планарные п-р-п универсальные низко­
частотные ма.1омощные.
ПреI11наз11ачены .:~ля применения в уси:1ительиых, И!МnуЛ!Ьс:ных и
пера.mо'!lа:ющих схемах в состане микромодулей за:ипой и кап­
сулировашной конструкций.
Выпускаются в ме галлостеклянно:\41 ко·рп;усе на керамичсrкой
пшпе. Обозначение типа IJриводится на п.1ате.
Масса трuнзистора нс более 0.8 1.


Граничная частота ко~фф1щиента !'lepe,!1\:1\'llИ тсжаl в схеме
с общи\,! э\lиттеро,1 при UкБ = 10 В, /э = З мА
не vieнcc .
К оJффициен г передачи тока в режиме малого сигнала
11риИкБ=1ОВ,/э=3мА:
при Т= 293 К:
TMIOA
ТМ!ОБ
ТМ!ОВ
ТМ 1ОЖ не менее
при Т= 213 К:
ТМlОЛ
ТМIОБ
TMIOB
ТМ 1ОЖ не менее
Статический коэфф1шиснт r1ерещ1ч11 тока IJ схеме с об-
щич э·wп1е.ром нри С'кБ = l(i) В, /э = 10 мА:
TMHJA
ТМIОБ
TMIOB
ТМ 1ОЖ не '1енее
Граю1'1НDе напряжение при I, и = 25 мА не менее:
3<0 МГц
40-12'0
10-32
20-60
8Q
20-120
8-32
10-60
40
28-120
7-32
14-60
55
TMIOA. ТМIОЖ
20В
ТМIОБ. TMIOB .
3<О В
НО! 11 ряжение насыщения ко.1.1еКТ'(')f>-эмигтер rrpи lк =
= J() мА не 6олее:
при /Б = 1 мА TMlOA, TMIOB. ТМIОЖ.
и.р111 /Б=2 мА ТМЮБ.
Нал,ряжение насыщения ба1а-·}миттер при Iк = 1О
не бо~~ее:
при /Б = 1 мА TMIOA. ТМ!ОВ, ТМIОЖ
при/Б=2мАТМ1ОБ.
Обратный ток коллектора не более:
прн Т= 293 К:
при ИкБ=20 В TMIOA, TMIUЖ
11ри ИкБ = 30 В ТМIОБ, Tl\1108
приТ=293К,ИкБ=10В.
Обратный ток '}Миттера при UэБ ' 3 В не более
Выходная 11олная про волн мое 1ь в режиме ма::юго
11а,1а при корт ком ·3амыкании при Ию;= 10
/э=З мА./=50-с-1000 Гн нс бодее .
мА
сиг-
В.
Емкость ко.1лекторного перехода при ИкБ = 1О В, f =
=2МГцнеболее.
Емкость эмиттерного перехода при UэБ = 3 В, / = 2 МГц
нс более
2.5 в
2,5 в
2в
2в
5 мкА
5 мкА
30 мкА
50 мкА
3 мкСм
10 пФ
50 пФ
43


Преде.~ьные JКсплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база. ко.1лектор-эмит­
тер:
ТМIОЛ, ТМIОЖ .
ТМ!ОБ, TMIOB .
Постuя~шое ш1пряже1шс -,~пптср-база .
Постояшrый ·1 ок ко:1лектора .
Посто>1нный ток ба'JЬI .
Постоянная рассеиваемая мощность·
нриТ<-:333К.
при Т=393 К .
Температура 11ерехода
Тепловое сопротивленне .
Те:vшература окружающей среды
20в
30в
3в
10 мА
10 мА
150 мВт
50 мВ1
423 к
600 К/Вт
От 213
до393к
МП101, МП101А, МП101Б, МП102, МП103,
МПiОЗА, MПlll, MПlllA, МП111Б, МП112,
МПНЗ, МП113А
Транзисторы кремниевые сплавные п-р-11 усилите,1ьные низко­
частотные с ненормированным (MПIOI, МПIОIБ, МПJО2. МП103.
МП!ОЗА. MПlll, МПl!IБ, МПl12, МПllЗ, МП113А) и нормирован­
ным (MПlOIA, MПlllA) коэффициентами шума на частоте 1 кГц.
Предназначены для уси.1сния и пср~к:1ю'1епия сигналов ни·1кпй
частоты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с 1 нбкимн выводами
Обозначение типа 11риводится на боковой поверхности корпуса.
Масса траюистора не более 2 r для типов MПIOl, МПIОIЛ.
МПIОJЬ, МП102, МПIОЗ, МПIОЗА н не бо.1ее 2,5 1 для типов
MП!ll, MПlllA, МПl!lБ. МП112. МП113, МПJIЗА
44
б ILЗ!L
ТТit­
l[:Jмиттер40
--э-о-------
Ф4,Z


r1
Электрические параметры
Предельная частота К(нффнциента пере;щчи тока при
ИкБ=5В,/3=1\1Ане\1енес:
MПIOI, MПIOIA, MПIOI Б, МП102. МПI 11. МП 11 IA.
МПllБ, МП1!2 .
МПIОЗ, МП103А, МПllЗ ..
МП113А. . .
.
·
·
.
Ко1ффицисн1 шрш при ИКF; = 1 В. 1-1 = 0.2 \1А. Г =
=1кГц:
МП IОЗА не бо.1ее.
типовое значение .
МП 113А не бо:1ее
Коэффициент передачи тока в режн \Ie щ~.1ого с11п~ах1
приUкь= 5 В, I,= 5\'!А,/=JкГн
при Т= 298 К:
MПIOI, МПl 11. .
MПIOIA, МПl 1JA
МПIОIБ, МПl02. МПIОЗ. MПllJБ. МП!12.
МП113
мшозл
МПI JЗА
при Т= 213 К:
MПIOI
MПJOIA
МП!ОIБ, МП102. МПIОЗ.
МПIОЗА ..
при Т= 398 К:
MПIOI
MПIOIA
МПIОIБ, МПl02, МПIОЗ .
МПIОЗА ....
Обратный гок коллектора нс бо.1сс:
при Т= 298 К:
MПIOIA при ИкБ= 10 В .
MПlll. MПlllБ при L1к 5 = 10 В
МП11IAприUю;=5В. .
МПI12. МП113, МП11."\Л при СКI; = 5 В
при Т= 398 К:
MПIOI, МПIОIБ пра Ик~;=IО В.
МП!ОIА. МП102. МПl03, МПl03А 11ри
= 5в.........
Обратный ток ко.1лектор-эм1птер при Т = 298
более:
MПIOI. МПlОIБ при Uкэ = 20 В .
МП101А. МП102, МПIОЗ. МП103А при
=10в....
Кне
Uк, =
0,5 МГ11
1 МГц
1.2 МГн
15 JБ
5* :J.Б
18 дБ
10-25
10-30
15-45
30- 75
35-105
5-25
5-30
8-45
10- 75
10-75
10-100
15-120
30- 225
\!КА
\ чкА
\!КА
3 \!КА
50 v1кА
50 мкА
мкА
Обра 1ный ток Э\ШТТера при Т = 298 К не бо·1сс:
MПIOI, МПIОIБ при Uэr; = 20 В .
3 r.1кА
45


MПlOIA, МПl02. МПIОЗ, МПIОЗА 'lри L'эБ =
=10В.
3 мкА
MПlll, MПlllA. MПlllБ, МП112, МПllЗ. МПllЗА
приU)Б=5В.
3 мкА
Выходная по.1ная проводимость в режиме \,Jа_1ого сигна­
ла при хо.1остом ходе при Ик~;=5 В. 13=1 мА.
f'= l кГа не бо.1ее .
2 "'шСм
ти11овое значение MПIOI, MПIOlA, МПlО!Б. МПl02,
MПlU3. МП103А .
1.2* мкСм
Коэффипиент обратной связи но напряжению в реЖИ'-'IС
"'1а.1ого снгна.1а в схе:-.1е с общей базой 11ри L'кi; =
=5В,13=5мА,.f=1кГцнсболее..
3.10-3
тиновое значение MПlOI, MПlOIA, МПIОlБ, МП102.
МПIОЗ, МП103А .
10- 3
*
Емкос1ъ ко.ыекторного перехода при Ик 6 = 5 В:
MПlOl, MПlOl.A, МПlОlБ, МП102. МПIОЗ, МПlОЗА
не более .
типовое значение .
MПlll. MПlllA. MПlllБ. MПll2, МПllЗ, МП!lЗА
не бо.1ес .
Пре;1ельные эксп.1уатацнонные данные
Постоянное напряжение кол.1ектор-база:
150 пФ
JJO* пФ
170 пФ
MПlOI, МПIОIБ, MПlll, MПlllБ.
20В
MПlUlA, МП102. МПIОЗ, МПJОЗЛ, МПl l lA, МПJ 12,
МП113,МП1l3А.
IOB
Постоянное напряжение ко.1:1ектор-э~1ип ер при R')Б ,,;;;
.;;; 2 кОм:
МП1Оl, МПlОlБ, МП111, МП1llБ .
20В
MПIOIA, МПl02, МП 103, МПlОЗА, МПI 1 lA, МПl 12,
МПllЗ,МПIJЗА.
IOB
Постоянrюе напряжение эмиттер-база:
MПIOl. МПIОlБ.
MПIOlA. МПl02. МПIОЗ. МПIОЗА
MПlll. MПlJIA, MПlllБ, МП112.
МП113А.
Постоянный ток кол.1ектора .
Постоянный ток эмиттера .
МПllЗ,
Постоянный ток коллектора в режиме насыщения 11ри
переключении и среднем значении тока эмиттера за
1 с не более 20 мА МП111. МПIllA, МПIl1Б,
МПJ 12, МПI 13, МПI !ЗА •.....
Импульсный ток кол.1ектора при 1:11 ~ 10 мс, Q;,, 10
Импу.1ьсный ток Э\.!Иттера при 1:11 ~ 10 мс, Q;,, 10
Постоянная рассеиваемая мощность:
46
при Т= 213 _, _ 348 К, р;,, 6650 Па МП101, MПIOIA,
МП101Б, МП102, МПIОЗ, МПIОЗА.
20в
10в
5в
20 мА
20 мА
100 мА
100 мА
100 мА
150 мВт
l


при Т=213-;-.
348 К, р = 665 Па МП!ОI, МП!ОIА,
МПIО!Б_ МП102. МП103, МП!О3А . . . . . . . 100 мВт
прн Т=218-;-343 К MП!ll, MПlllA, MПillБ,
МП112, МП113, МПllЗА . . .
.
...
150 мВт
нрн Т=373 К MПlll, MПlllA, МП!llБ. МП112.
МП113,МП113А ...
·
·
.........
60 мВт
при Т= 398 К MПIOI, MПIOIA, МПIОIБ, МП102,
МПIОЗ, МП103А. . .
.
.
.
.
60 мВт
Общее тепловое сопротивление:
МП!ОI, МП!ОIА, МП!ОIБ,
МП103А. . . .
·
·
·
·
·
MП!ll, MПlllA, МП!llБ,
МПllЗА ....
·
·
·
·
·
Те\шература перехола:
MПIOI. MПIOIA. МП!ОIБ.
МП!О3А .....
MПlll. MПlllA. MПlllБ,
МПllЗА .....
Температура окружающей сре,;ы:
MПIOI, МПIОIЛ. МПIОIБ,
МП!ОЗА .....
·
·
..
MПlll, MПlllA. MПlllБ,
МПI 13А ...
·
·
МП102, МП103,
МП!\2, МПllЗ,
..
МП102, МПIОЗ,
МП112, МП113
МП102. МПIОЗ,
МП112, 1\Ш\13,
'10
5
1, о l--'-+-+- -+- -+- -t-- -+-+- --4 - -+- --J
556 К/Вт
333 * К/Вт
423 к
393 к
01 213
до398к
01 218 ДО
373 к
О' gOL---,2L--4-f:---б::';--8;';--1::';:0,---1:-':2,--1,.i.4-_1.,.i.б-1...J,8-I-3-1,мА
Зависимость относнтелыюrо ко1ффиц11ента передачи тока в режиме
малого си1 пала от тока эмиттера нри различных напряжениях
ко,1~1сктор-6аза.
47


2ТМ103А, 2ТМ103Б, 2ТМ103В,
2ТМ103Г, 2ТМ103Д
крс~1нневые
сплавные 11-р-11 \1а.1омо1нные.
Прелн:лначе11ы д.1я работы в
усилительных и и:чпульсных н11к­
ромодулях этажерочной конструк­
uии. Выпускаются в метал.1остск­
лянном корнусе на ксрuм11ческой
плате. Обо·значение типа пр11вод11r-
ся на корпусе.
·
Масса траt1-зистора не бо.1се
0.8 r.
Э.1ектричес1,не параметры
Гра1111чная '~астота коэффициента передачи токи в cxo·ie
с общим эмиттероы при Ию:;=5 В, /'J =1 мЛ нс
'v!енее.
30 МГп
Статический коэфф1щиент передачи тоl\а в схе:-,1е с
общю1 эмиттером при Икr; = 20 В, /'J = :ю мЛ:
при Т= 293 К:
ПМIОЗА, 2ТМIОЗГ .
2ТМIОЗБ, 2ТМ103Д.
2ТМIОЗВ ...
при Т= 398 К:
2ТМ103А. ПМIОЗГ.
2ТМ!ОЗБ, 2ТМ102Д.
2ТМIОЗВ.
при Т= 213 К:
2ТМIОЗА, 2ТМ103Г.
2ТМIО3Б, 2ТМ103Д .
2ТМ103В ..
Обратный ток кол.1ектора не более:
2ТМIОЗА, 2ТМ103Б прt.1 UкБ = 120 В
2TMI03B, 2ТМ103Г, 2ТМ103Д при Ию;= 80 В.
06ра тпый i ок эмю тер а не более:
2ТМIОЗА, 2ТМ103Б. 2ТМJОЗВ при C)h =
=1,5в.
2ТМJОЗГ, 2ТМJОЗД при Иэ~; = 3 В
Напряжение насыщения ко;шсктор-)Мi!Ттср при /к = 1О мА.
!:;=2мАнеболее:
прп Т= 293 К:
2ТМ!ОЗА. 2ТiЧIUЗБ, 2ТМ!О3В, 2ТМJ03Г.
2ТМ103Д
ври Т= 398 К:
2ТМJОЗА, ПМJОЗБ. 2ТМ103В. 2ТМ103Г,
2ТМ103Д.
48
10- 50
18-90
30-150
J0-125
1~-225
30-375
8-50
12-90
18- ]50
7.5 мкА
7.5 мкА
5 мкА
5 ~;кА
3.~ в
5.5 в


г Предельные эксплуатационные данные
Постоянное на11ряЖе1шс кол.1сктор-база ·
2Тl\1103А. 2ТМ103Б.
2ТМIОЗВ, 2ТМ103Г. 2ТМ103Д .
Постоярное напряжение эмнтте;~-Gаза:
2ТМi03А, 2ТМ IОЗБ. 2ТМ103В .
2ТМ103Г, 2ТМ103Д.
Постояr,,:ое напря>кеш1~ ко.т1ек rор-э:vшп ер 11ри U6.3
=
=0,5ВиRr;э~1кО:v1:
2ТМ103А, 2ТМi03Б.
2ТМ103В, 2ТМ103Г. 2Тl\1103Д
Постоянный ток ко.1:1ск 1 ора:
при T=21J-c -333 К.
пр11Т=39SК.
Импу:1ьс11ый ток коллектора 11ри 1 11 <;; 10 :v1кс, Q ?- 10 .
Постоянная рассеиваемая мо1цность ко.1лек 1ора:
прп Т=213-с-348 К
нриТ=398К.
Температура перехода
Температура окружа1оrней сре_11ы
120 в
80в
1,5 в
3в
120 в
80в
15 :v1A
2.7 мА
60 мА
75 мВ1
30 мВт
428 к
От 213 до
398 к
ГТ122А, ГТ122Б, ГТ122В, ГТ122Г
Транз!!СТоры гер:-ланиевь1с сп.1авныс 11-р-11 низкочастотн~:1е уси.111-
тельные мало:vющные.
Предназ11аче11ы д.1я рабо·1 ы в ш1зко<1ас101 ных уситпе•1ьных
уС"1 ро йствах.
Вьтпускаются в :vre rаллос rек.1шшом корпусе с гнбки:-..111 вывода\.Ш
Обозначе11ис rипа пр11вод11тся на корпусе.
Масс:1 транз11стора не более 2 1.
Jми.ттер
~1
$'
5,5
r-~
-~ ··г-,r·
1
~1$'
49


Э.1ектрические параметры
Преде.1ьная частота ко·1ффивиента передачи 1ока при
Uкi;=5В,fэ=1мАне\lенее:
ГП22А. ГП22Б .
МГв
ГП22В. ГТ122Г .
2 МГн
Статический коэффиаиен1 передачи тока в схеме с общим
эмиттеро\1 11ри Скэ = 5 В, fэ = 1 \1А:
ГТ122А, ГТ122Б
ГП22В. ГТ122Г .
Сопротив.1ение базы не бо.1ее
Обратный ток ко.1.1ектора при UкБ = 5 В не бо­
лее.
Обратный ток э:-.шттсра при U·эь = 5 В не 60.1ее .
Предельные эксп.1уа:rациоииые даииые
Постояrшое напряжение ко:1:1ектор-база при те-.,.шературе
Т=2137313К:
ГП22А .
ГП22Б, ГТ122В. ГП22Г
Постоянное напряжение ко:1:1ек rор-э~шттер при Т = 213 7
313 к:
ГТ122А
ГП22Б. ГТl22В, ГП22Г
Постоянный ток ко.1.1ектора .
Импульсный ток ко.1лек гора .
Постоянная рассе11вае\1ая мощность ко.1.1сктора:
при Т=2137328 К
при Т=3287343 К
Теп:ювоссо11ро1ив.1е11ие.
Те:v~пература окружающей среды
15-45
30-60
200 О:-.1
20 мкА
15 мкА
35в
20в
35в
20в
20 мА
150 мА
150 ~1Вт
75 мВ1
0.2 К/мВт
От 213
до343к
Пр и меч ан и е. Мини\1а.1ьное расстояние от корпуса до :'>.1еста
изгиба выводов 3 :- .1\ 1. Миrш\1а.1ыюе рцсстоя1ше до \lеста пайки
5 мы. Пайку производить при Т,;; 558 К в течение вре:-.1ени не
бо.1ее 5 с.
50
КТ127А-1, КТ127Б-l, КТ127В-1, КТ127Г-1
1,2
0,б
Транзисторы кремниевые
п:1анар11ые п-р-п ма:юмощные.
Предназначены дJ1я работы
в усилите.1ях и стабшнпаторах
постоянного тока в rерметнзи­
рованиой аппаратуре.
Бескорпусные. без крисI а.1-
.1одержа теля, с защитным по-


•.·:~".'
крытием лаком. с гибкими выводами. Обозначение типа приводит­
ся на сопроводительной таре.
Масса транзисгора не бо.1ее 0,006 г.
Э.1ектрнческне параметры
Граничная частота коэффициента пеrедачи тока в схеме
с общим эмиттеро:v~ при UкБ = 3 В. Iэ = 1 мА, rn-
повое значение .
.
.
Статический коэффициент 11ередачи тока в схеме с общи;-.,1
эмиттеромпри Uкэ= 5В. lэ= 1мА·
КТ127А-1, КТ127В-1 .
КТ127Б-1, КТ127Г-1 .
Напряжение насыщения ко.1лектор-эмиттер при Iк = 3 мА
не более .
.
.
.
Обратный ток коллектора при UкБ = 25 В, Т = 213-;-
358Кнеболее..
.
.
Обратныйток эмиттера при UэБ=3 В, Т=213 -;- 35R К
100 кГц
15-60
40-200
0,5 в
1 мкА
неболее. . . .
·
1,5 мкА
. Емкость
кол.1екторного перехода при UкБ = 5 В не
бо.1ее .
Преде.1ьные эксплуатацно1шые данные
Постоянное шшrяжение коллектор-Э\1иттеr:
КТ127А-1. КТ127Б-1 .
КТ127В-1, КТ127Г-1 .
Пос гоянное напряжение коллсктор-ба1а:
КТ127А-1. КТ127Б-1 .
КТ127В-1. КТ127Г-1 .
Постоянный ток ко.1.1ектора
Постоянная рассеиваемая мощность ко.1лектоrа:
П\JИТ=2137343К.
приТ=358 К .
Полное тепловое сопро1 ивление
Темnеrатура 11ерсхода .
Температуrа окrужающей сре,1ы
5пФ
25в
45в
25в
45в
50 мА
15 мВт
5 "'1ВТ
3 К/мВт
398 к
От 213
до358к
2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д,
КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д
Транзистоrы кремниевые эпитаксиа:rьно-планарные п-р-11 усили­
тельные ни·зкочастотньrе с ненормированным (2Т201 А, КТ20 lA, 2Т201 Б,
КТ201Б, 2Т201В, КТ201В, 2Т201Г, КТ201Г) и нормироваиНЫ'-'1
(2Т201Д, КТ201Д) коэффициентами шума на частоте 1 кГц.
Предназначены для усиления сигналов низкой частоты.
Выпускаются в мета.1лостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 0,6 г.
51


З'О
S,3
О,7
ФZ,5
Электричес1~ие параметры
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
с общим эмиттером при UкБ=5 В, /3=10 мА не
менее.........
.
.
.
.
.
.
.
10 МГп
типовое 1начение 2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г,
2Т20\Д...
40*МГц
Коэффициент шума ври ИкБ=1 В, Iэ=0,2 мА. /=
= 1кГц:
2Т201 Д не бо.1ее
типовое значение .
КТ201Д не более
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общн:.1
эмиттеромпри UкБ= 1В, Iк=5мА:
при Т= 298 К:
2Т201А,КТ20JА.....
2Т201Б, КТ201Б, 2Т201В, КТ201В. 2Т2UIД.
КТ20\Д
2Т201Г, КТ201Г
нри Т= 213 К:
2Т201А
2Т201 Б, 2Т201 В. 2Т201 Д
2Т201Г
при Т= 398 К:
2Т201А
2Т201 Б, 2Т201 В, 2Т201Д
2Т201Г
Обратный ток коллектора не более:
при ИкБ=20 В:
при Т= 298 К2Т201А, КТ201А. 2Т201Б. КТ201Б.
при Т= 398 К 2Т201А. 2Т201Б ..... .
приИкБ= 10 В:
при Т= 298 К 2Т201В, КТ201В, 2Т201Г. КТ20!Г,
2Т20\Д,КТ201Д..........
при Т = 398 К 2Т201В. 2Т201Г, 2Т201Д . . .
Обратный ток эмиттера при Т = 298 К не более:
при Uэr; = 20 В 2Т201А, КТ201А, 2Т201Б. КТ201Б.
52
15 дБ
n* i\Б
15 .JБ
20-60
30-90
70-210
10-60
!5-90
~5-2!()
20-- 120
30-180
70-400
0.5 чкА
10 чкА
0,5 :-.лкА
10 ~.1кА


при ИэБ = 10 В 2Т201В. КТ201В, 2Т201Г, КТ201Г,
2Т201Д, КТ201Д .
_1 мкА
Выходная полная проводимость в режиме ма.1ого сиг­
наш1 при хо.1ост0\1 хо.1е г:ри Икг, = 5 В, / 3 = 1 мА
f=1кГuнебо.1ее.
.
.
.
.
.
2 мкСм
·
типовое значение 2Т201 А. 2Т201 Б. 2Т201 В. 2Т20 \ Г,
2Т201Д
0,5 • '\1кС\1
Коэффициен1 обра1ной связи по напряжению в режиче
:-.~алого сип~а~1а в схеме с общей базой при И КБ = 5 В.
/э=1мА./=1кГн нс более .
.
.
.
.
.
з-10- 1
rиrювос значение 2Т201А. 2Т201Б. 2Т201В, 2Т201Г,
2Т201Д
4 10-
4
*
Емкость ко.1лекгорно1 о перехода при Икr, = 5 В не
60:1ее .
20 пФ
типовое ·шачение л.1я 2Т201 А. 2Т201 Б. 2Т201 В.
2Т201Г, 2Т201Д .
9* пФ
Индуктивносгь выводов ·эм1птсра 11 базы прн / = 3 М'\1 6* пГн
Пре,~сльные з~-:сп.1уатащюнные данные
Постоянное тшряжение кол.1ектор-база.
2Т201А, КТ201А, 2Т201Б, КТ201Б .
2Т201Н. K12Ult!, 2Т201Г. КТ20iГ,
КТ201Д
2Т20!Д.
Постоянное напряжение кол.1ектор-эмиттер прн R-35 ~
,;;; 2 кО:-.1:
2Т201А,
2Т20!В,
КТ201Д
КТ201А. 2Т201Б, КТ201Б .
КТ201В. 2Т201Г. КТ201Г.
Постояшюс напряжение эмнттер-ба·Jа:
2Т201П.
2Т201А. КТ201А. 2Т201Б. КТ201Б
.. ..
2Т201В. KТ2UIB. 2Т201 Г. КТ201 Г, 2Т201Д, КТ201Д.
Постоянный ток коллекто;1а:
2Т201А. 2Т201Б. 2Т201В. 2Т201Г. 2Т201Д .
КТ201А, КТ201Б, КТ20iВ. КТ201Г. КТ201Д
И мпу.1ьсный ток коллектора при Q ~ 1О:
при r"-:;; 10 \.!С 2Т201А. 2Т201Б. 2Т201В. 2Т201Г.
2Т201Д
прп т,, ,;;; 100 :v1кс КТ201 А. KT20l Б. КТ201 В. КТ201 Г,
КТ201Д .
Постоянная рассеиваемая мощность:
2Т201 Л. 2Т201 Б, 2Т201 В, 2Т201 Г, 2Т201Д ·
при Т=213+348 К. р~6650 Па
вриТ=213+348К.р=665Па.
приТ=398К.
КТ201 А, КТ201 Б, КТ201 В. КТ201 Г. КТ201Д
прп Т=213+363 К
приТ=398К.
20в
10 13
20в
10в
20в
10в
20 мА
30 мл
100 :v1A
100 '\1Л
150 ч!31
100 мВт
60 чВ1
150 мВт
60 мВт
53


Общее тепловое сопротив.""!енне 2Т201А. 2Т201Б. 2Т201В.
2Т201Г. 2Т201Д .
556 К/В1
Температура перехода КТ201А. КТ201Б. КТ201В, КТ201Г,
КТ201Д.
423 к
От 213
до398к
Те'\шература окружающеi'r среды .
1,50
1,25
1,00
!
"'
2Т201А f 2Т201Д
-} 0,75
КТ201А -кт201д
---
"'
~0,50
-t:
Икэ=1в
0,25
о ч8121620Iк,мА
Зависимое i ь относ1пе.1ьногn
статического коэффициента
редачи тока в схеме с общи\1
эмиттером от тою1 ко.1лектора.
3,0
2,5
о,51----i'--_.--4---+--+----j
оL---L--L-.l..---1.--'--
21J 24'3 27.J JOJ J.J3 363 Т,К
12
10
8
""
-:.::~ б
---
""
-;::; ч
-t:
2
о
Iк ~+-А-+----1
!2т20111-2т201д
,кт20111-кт201д ,
ч в 12 16 20Uк5,,в
Зависимость относительного
слпического коэффициента пе­
редачи тока в схеме с общи1\1
эми1тером o·r навряжеиия ко:1-
_1ектор-база.
Зависичость относитс.1ьноrо
сга r ическоrо ко-эффrщиснта пc­
pe;Ы'III тока в схеме с общим
э:vшттером ог температуры.
2Т205
Траrписторы кремниевые эпитаксиа.1ьно-п.~анариые п-р-п ма:ю-
мощные.
Предназначены дс1я работы в уси:ш rе.""lьных и И'\1пу.1ьсных
микромодулях и б.1оках г~р'1ети·щрованной аппаратуры.
Бескорпусные, без кристаллодсржате.1я, с конта!(mыми п.<юща,_1,­
кам!1 ;lJIЯ монтажа в аппаратуру. Обозначение типа приводится
на групповой таре.
Масса транзистора не более 0,003 г.
54


r1
0,3 О,05
4-контакта
фО,18
Электрические параметры
-ко1111ектор
-:титтер
-!fаза
-кq1111е11rпор
Граничная частотu коэффициента передачи тока в схеме
с общим эмиттероч при ИкБ = 10 В. fэ = 2,5 мА
не менее .
.
20 МГн
Статический коэффШiиент пере.'~ачи тока в схеме с общим
эмиттером при ИкБ= 10 В. lэ=2.5 мА:
при Т= 298 К.
при Т= 398 К.
при Т=213 К
Напряжение насыщения ко:1:1ектор-эмиттер при Iк = 5 мА.
/Б=2:-,1А не более .
Напряжение насыщения база-Jмиттер при lк = 5 ~1А.
/Б=2мАнеболее.
Емкост~:, коллекторного перехода при ИкБ = 10 В, / =
=10МГuнеболее.
Емкость эмиттерного перехода при i· -:>G = 2 В,/= 10 МГц
нс бо.1ее .
Время рассасывания 11ри /к = 5 мА. /Б = 2 мА не
60;1ее.
Обратный ток эмиттера при Иэr; = 3 В не более .
Предельные эксплу.атацно~шые данные
Постоянное напряжение коллектор-база .
Постоянное напряжение ко.1лектор-эмиттер при RБэ ,;;;
,;;; 3 к°'1 .
Постоянное напряжение эмиттер-база .
ПостоЯ"ННЫЙ ток кол.1ектора .
Импу.1ьсный ток коллектора при '",,;: 10 мс. Q ~ 10 .
Постоянная рассеиваемая :-.ющность коллектора:
приТ=213-о-363К.
при Т=398 К .
Импульсная рассеи1щемая мощность коллектора при
Ти,;;;J0МС,Q;;>10 .
10-40
10-100
5-40
2в
в
10 пФ
25 пФ
1 '>1КС
3 мкА
250 в
250 в
зв
20 мА
45 мА
40 мВт
31,8 МВт
160 '>!ВТ
55


Температура перехода .
Теvшература окружающей среды
10 l'-----.-----1";;,------j
5f--~--t~~--+~--~
о
5
10 I3,мА
12
8
\
о
408 к
От 21~
ДО398К
2Т205А 1
f =ЮМГи,1
........ .._
i
ч.о
80 UкБ ,В
1<~висимость стати'!еского коэф­
фициеrпа передачи тока в схеме
с общим эмиттером от ·~ока
15..- _ ,,.......,,.....,,_ - +- --+ -- -+- ·- - -- <
эмиттера.
--
Зависимость емкости коллек­
торпоrо перехода от напряже­
ния ко.1лектор-база.
101--+----+---'1"='-1~'-~_..ь.---1
f =10 МГц
Зона возможных положений за­
висимости емкости эмиттерного
перехода от напряжения Э'>ШТ-
5 t--+ --+ --- -+ ----t -
1
()
тер-база.
0,7
0,8
КТ206А, КТ206Б
Тр<1~1зисторы кре:-.1ниевые Jпит.~к­
ешL1ьно-планарные 11-р-11 маломощные
универсалы1ые.
JЦ~т~
Ко1111ектор
Предназначены :t.IЯ rаботы IJ уси­
.1ительных и импульсных -v111кро:-.юду­
.1ях и б.1оках в гермет:пированной
аппаратуре.
Бескорпусные, без крнст11-1лодер­
ж:.пе.1я. с зашитньrм 1юкрытием, с
гибкнми IJЫIJOдav1и. Обозначение типа
приводится на групповой наре.
Масса 1 ранзистора нс более 0.002 г.
56


Э.r1ектричесю1е параметры
Граничная частота коэффициенга передачи тою1 в СХС\!С
с общим эмипером при ИкБ= 2 В, Iк= 5 '>IA нс
менее.
Статический коэффнниент персд'lЧИ 1ока в схе\1е с
общим эмиттером при UкБ = 1 В, lк = 5 мА:
КТ206А .
КТ206Б .
Обратный ток ко;1лектора нс более:
КТ206А при Икr;=20 В .
КТ206Б при UкБ=12 В .
Обратный ток эмнттера пе более:
КТ206АприU,г,= 20 В .
КТ206Б 11ри Иэ~; = 12 В .
Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 5 В, .f =
=1ОМГ11неболее.
Предельные эксп.1уатац1юиные даииые
Постоянное нанряжение кол.1ектор-база:
КТ206А
КТ206Б
Постоянное напряжение 1<0~1;1ек1ор-эмипер при RБ":>.;;
.;; 3 кОм:
КТ206А
КТ206Б
Постоянное напряжение э:vшттер-базэ:
КТ206А
КТ206Б .
Постоянный ток коллектора
Постоянная рассеиваемая мощность ~~оллектора:
пр.и Т= 213-:- 328 К
приТ=35~К
.
10 МГц
30~ 90
70-210
~1кА
мкА
мкА
'VIKA
20 пФ
20в
12в
20в
12в
20в
12в
20 мА
15 мВт
5 мВт
373 к
От 213
Температура перехода
Температура окружающей среды
!\О 358 К
КТ215А-1, КТ215Б-1, КТ215В-1, КТ215Г-1,
КТ215Д-1, КТ215Е-1
Транзисторы У.ре.vtниевые эпитаксиально-планарные 11-р-11 универ-
сальные маломощные.
Предпа·ншчсны для использоваrшя в К.>ючевых н линейных
гибридных схемах, микро:ч:о;1улях. уз.1ах н блоках раμ_иоэлектрон­
ной герметизированной а1шаратуры.
57


1,0
Бескорпусные, без криста.1-
.1одержателя, с гнбки2\1и вывода­
ми, с защитным покрытием.
Обозначение типа приводится на
возвратной таре.
Масса транзистора без упа­
ковочной тары не более 0,01 г.
1
j --~
0,04 :
--г-
Э.1ектр11ческие параметры
Коэффиuнент передачи тока в режи'\1С малого сигна.~а:
приUКБ=5В,/.э=10 :v1A:
КТ215А-1 не менее .
КТ215Б-1
КТ215В-1. КТ215Г-1.
приСкБ= 1В, Iэ=40 :v1КАне менее:
КТ215Д-1
КТ215Е-1
Напряжение насыщения кол.1ектор-эчиттер нри fк = 1О :v!A.
20
30-90
40-120
80
40
/Б = 1 мА КТ215Д-1, КТ215Е-1 не бо.'Iее .
0,6 В
Напряжение насыщения база-э'\ШТТер при Iк = 10 мА,
/Б = 1 '\1А КТ215Д-1, КТ215Е-1 не более .
1,2 В
Напряжение насыщения кол.1ектор-эмиттер при I Б = 1 мА,
Iэ =О КТ215Д-1. КТ215Е-1 .
0,3-2,5 В
Входное сопротивление в схеме с общим эмиттером
в режиме малого сигнала при Икэ = 5 В, Iк = 2 :vlA.
f=800Гц.
.1,2-10 кОм
типовое значение.
1,5* кО:-1
Емкость ·1:\11птерного перехода при Иэt; = 0,5 В, f =
= 500кГu.
.9.6-100 пФ
типовое значение
Емкость коллекторного перехода rrpи ИкБ = 10 В, f =
= 500кГц.
типовое значение ,
Обратный ток коллектор-эмиттер при RБэ = 1О кОм,
Ию=30 В, Т=358 К не более .
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение ко.1J1ектор-эмиттер при Т = 233 "'-
58
358 К:
КТ215А-1, КТ215Б-1
КТ215В-1
КТ215Г-1
КТ215Д-1
КТ215Е-1
40* пФ
9,5-50 пФ
12* пФ
100 мА
80в
60в
40в
30в
20в


r
.
.
Постоянное напряжение эмиттер-база при Т = 233 -;-
35R К.
.
.
.
·
Постоянный ток ко.1:1ектора при Т = 233 -7 - 358 К .
Импу:rьсный ток кол.1ектора при tи ,;;; 10 мс, Q;:;, 100,
т=233 -7-358к.
Постоянный ток базы при Т=233 -7- 358 К .
Постоянная рассеивас!"v1ая мощность ко.~.-1ектора:
приТ=308К.
при Т=358 К.
Те~шература персхо;1а
5в
50 мА
100 мА
20 мА
50 мВт
20 :viBт
398 к
Теп.1овое сопротив:1ение персхол-крис ra.1 .1
Температура окружающей среды . .
0.1 К/мВт
От 233
до358к
Допусти:\Iая температура пайки транзисторов в гибрид­
ные схемы не до.1жна превыщать 432 К в течение
30 с.
hг1э
2801---1----if--'~f---"'.---1
о,1
Зависв~юсть ·статического ко-,ф­
фиrшента передачн тока от 1ока
эыиттсра.
Кш,АБ кт21sд-1
20
15
10
5
10-2 70-1 10° I8 ,мА
Зависимость коэффюшен га щу­
ма от тока эмиттера.
h21э
200!----1 -- --! ---+--1
150
100
501--~-l­
a.__~----1..~~..l_~--1._J
228 273 318 т,к
За впснмость с 1а тнчсского ко эф­
фициента передачи тока от 1ем­
пературы.
Кш,дБ
КТ215Д-1
10t-----+----+--~
10 1 Rг,кDм
Зависимость коэффиrщента щу­
ма от выходного сопротивления
генератора.
59


КТ302А
Транзисторы кремнневые планарные п-р-11 низкочастотные уси:m­
тельные маломощные с ноr,нrрованным коэффициен1о:v1 шума на
частоте 1 кГu.
Выпускаются в мета.1.·юстек;1янном 1<0рпусе с гибкими выводаrvш.
Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не бо.1ее 0,5 г.
Jми-ттер
Х а/1.Л81<mор
'Эле1прнчсскис параметры
Коэффициент шуча при Икэ=1 В, 13 = 0.1 мА, f=
=1кГuнсбопее
Коэффициент передачи тока в режиме ма.1ого спгпа;щ
приИкэ=1В,/3=О,11мА.
Обра гный ток ко:1лектора при Ик 5 = 15 В не 60:1ее .
Обратный ток эмиттера при Иэь = 4 В не бо.1сс .
Прел:е;:ьныс :жсплуапщионные данные
Постоянное напряжение коллектор-база. 1:ри Т = 308 К .
Постоянное юшряжение коллсктор-эчнттср при R-:>G =
= О,1кО''•Т=308К.
Постоянное напряжение :эмиттер-база при Т = 308 К .
Постоянный ток коллектора при Т = 308 К .
Постоянная рассеивае.мая мощность коллектора при Т =
= 308к.
ПЗО7, П307В~ П308, П309
'
::rБ
110-250
1 мкА
1 мкА
15в
15в
4в
10 мА
100 \1Вт
Транзисторы кремниевые планарные 11-р-11 переключательные
низкочастотные \,!аломошны:с.
Предназначены д:rя при~ленен!lя в С:>е:vшх нереключения и 11реоб­
разовате.1ей пос rояш:ого напряжения.
Пыпускаются в металлостекляшю'.1 <:орпусе с гибки'.111 пыводамн.
Обозначение типа прv.в,,ли 1ся на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
60


База
\
Коллектор
Jмиттвр
Элсктричес1ще параметры
Граничная частота коэффициента пере;:\а'ш тока в схе:-.1е с
общим Э\шттсро\1 прн ИкБ = 20 В, 1, = 4 мА не
менее.
Входное сопротивление. при ИкБ = 20 В, /э = 10 мА не
более.
Коэффициент псреда'!И тока в режиме малого сигнала
при/э= 10 мА, Ик5= 20 В:
П307. ПЗ09
П307В.
П308 .
Сопротивление насышевия ко;1.·1ск·1 ор-э'vшттер при /к =
15 мА. /5 =3 мА не бо:тее:
при Т= 298 К.
ПЗ07
П307В, П308. П309
11р11т=398к.
Обратный ток ко.1лектора при UкБ = Uкr;"nкc
более.
нс
Обратный ток коллектор-эмиттер при Uк·, = Иксэ,ншс·
RэБ = 1О кОм не более:
првТ=298К.
приТ=393 К .
Обратный го:\ э:1-шттера 11ри Uсэ;; = 3 В не 60.1се:
прчТ=198К.
щшТ=393К.
П:!едельные J1,сп.1уr~тащюнные ;:\а11пые
Постоянное напряжение ко:1.1ектор-ба·ы 11 кол,1ектор­
эми пер при RэБ < 1О кОм:
ПЗО7, П307В .
ПЗО8, П309.
Постоянный ток кол.1ектора
Импу.1ьс11ый ток 1сол.1ектора при т11 ,;;
мкс.Q:;. 1О.
Постоянная рnс(.;еивае~шя чощностh ·
при Т<293 К
при Т=373 К
при Т=393К
20 МГц
70 0'v1
20-60
50-150
30-90
100 Ом
130 Оч
240 О'Л
3 \!КА
20 'v!KA
200 мкА
5 мкА
15 мкА
soв
120 в
30 мА
120 :-.лА
250 ыВт
150 мВт
100 'v1B1


Течпсrатура перехода .
Общее теп.1овое сопротив:тение:
приТ,_;;373К.
11ри Т:;, 373 К .
ТС\шература окружающей среды.
423 к
0.8 К/мВт
0,4 К/мВт
От 213
ДО393К
П р и м е ч а ни е. Пайка выводов допускается на расстоянии не
менее 5 Ч\Л от корпуса транзистора. Пайку производить пая.Тh­
пиком при Т , _; ; 533 К в течение не бо.'Тее 10 с. Необходи:1с10
осуществ;тять теп.1оотвод между корпусом и :1с1естом пайки. Изгиб
выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса,
при этом должны быть приняты меры предосторожности, обеспе­
чивающие неподвижность вывода между изгибом и стеклянным
изо.1ятором, чтобы не произошло нарушения спая выводов со
стек.1янныч изоляторо:1с1, ведущего к потере гер'.-1етичности транзи­
стора.
15,мА
П307-ПJО9
1, о 1----~1---+--+---+---+--------t
о, 8 1-----41----+~-+-+--+---+-------t
Икэ=58
D,B
0,'f1-----4---+-t-·-tl--t---+--I
0,2
Входные хцрактеристики.
h21з
100
8 о 1--+~+----
во
ЧOl-~...,__1--+-__.j1----+--
П307, П309
2 о h~.:;.;;;,;,~r:='"'!==::::i
о.__~-~-~_....-~~
273 293 313 333 353 373 т,к
Зависимость коэффициента пе­
редачи тока от температуры.
62
h21з
100
80
во
ЧО
20
о
20
чо во Iк,мА
Зависимость коэффициента пе­
редачи тока от тока коллектора.
Jh21э!
П307-П309
1ч- t----<f-----+ - --+ -
- t-- --+ --1
12 t--t ---t ---t--t-:: = -o!----i
10
8 t---+- -F-+
В t----t --+ ---+ --+ ---1-
2ЧВ
Зависимость модуля коэффи­
циента передачи тока от тока
эмиттера.


1
Ск,пФ
ПJО7-П309 · l
11/-
f =5МГц
1
12
1---:-~1
.
.
10
_,_
1
1
8
--+---t---
1
1
б
lf
о
lf
12 Uк5,В
Зависи'VЮС 1ъ е~1кости коллектор­
ного верехо;_щ от напряжения
ко.1.'Jектор-база.
""'
1,2
1
l,, 1,1
..,
~
\;1,о
: ПJО7 -ПJОЭ
"
~ 0,9
"'
~
с-0,8
"'
~о,7
<>:
';;об
:::::>
)10102
Зависи:.юстъ относительного
макси"1а.1ъно ;юпустимого на­
пряжения кол:1ектор-зм1птеr от
сопротивления база-змиттер.
ГТ404А, ГТ404Б, ГТ404В, ГТ404Г
Транзисторы германневые сп.1авные 11-р-11 усилительные низко­
частотные ма.1омощ11ыс.
Прсдна·3начены ,ця применения в выходных каскадах усилитс:1ей
низкой часто1ы.
Вынускаются в мста:1.юстеклянно:-.1 корпусе с гибки~rи выводами
в двух варнангах. Обозначение типа 11риводится на корпусе.
Масса тrанзистоrа: варнан 1 l - нс 60;1ее 5 г. вариант 2 -
не 60:1ее 2 г.
Вариант 1
77, о
Эмиттер
10
ф4,5
Колпектор
°' -J
<о~
$
/База
"G ..
~
о::;-
-е-
L;-2
18,. f
ф4,5
8
ф
63


Электрические параметры
Стати<rеский коэффициен-1 передачи тока в схеме с
общим э:читтеро:-,,r при UкБ = 1 В, lэ = 3 мА:
ГТ404А, ГТ404В .
ГТ404Б, ГТ404Г .
Коэффициент с1инеiiностн К;= (/1~ 1 э при Iэ = 3 мА)'(/1с 1 э
30-80
60-150
при /3 = 300 'v!A).
0,6-1.5
Граничная час IОта коэффициента передачи тока в схсчс
собщи\1эми1repo:v1 при UкБ=1 В, 11=3 мА не
менее .
1 мг[[
Прямое падение напrяжения на J:\!:Иттер1Ю).1 переходе
при отк.1юченно:v1 коллекторе, fэ = 2 мА не более .
0,3 3
Обратный ток кол.-1ектора при UкБ = 10 В. обратный ток
7\шттера при UБэ = 10 В не бо.1ее
25 >vrкA
Преде.1ьные эксп~1уатацнонные данные
Постояшюс напряжение кол.1ектор-эмиттер при RБэ ~
= 200 Ом. Т= 233-'- 328 К:
ГТ404А, ГТ404Б .
ГТ404В, ГТ404Г .
Постоя11ный ток ко,-~ле:-поr::~ прп Т = 233 - ' - 328 К .
Постоянная рзссеивасмая ~ю1шюс гь коллектора при Т =
= 298К:
вариант
вариант 2
Темпера тура перехода
Теп,1овос сопро'1 ивление переход-срс;щ.
25в
40в
0,5 А
0,6 Вт
0,3 Вт
358 к
вариант 1
вар1шнт 2
Тсчпсратура окружающей среды
0,1 К/мВт
.
0,15 К/мВт
От 233 до
328 к
Пр и ~I е '!ан и я: 1. Макси~:а.-~ьно допус1 и мая постоянная рас­
ссиваеV1<~я :,шщность ко.1.1е1;тора, ~1n1, при Т= 298 ~ 328 К опреде­
ляется по фор:v~уле
Рк.чакс = (358 - Т)/Rтн-с.
2. Допускаетсп произв:J;1и·1 ь соединення ныRодов транзисторов
с эле~1снтамп схе~1ы иа расстоянии не менее 5 мм от корпуса
1ранз:1стора тобы'.1 снособом (пзйка, сварка и т. 11.) при услоюш
соб.-~ю:1ени~1 следующих требованиi!: за все время соединения те:-,,~пс­
ратура в г..обой то<rкс корпуса тр,шзистора нс должна преr:;ы­
щuть ма1<СИ'.Iа.1ьно ,.(опустимую температуру окружающей среды.
Темнера rypa пайкн не должна прсвыщать 558 К.
Изп;б выводов должен пронзволиться на расстоянии нс менее
3 мм от корпуса транзистора. При включении транзпстора IJ
эж~ктричсс:;ую цепr. вывод ко.-~лектора до.1жен присоединяться пос.1ед­
ни~1 11 ОТl(ЛЮЧаться первым.
64


во
60
?цо
""'
20
°'
~10
""
8
~6
~ц
""
~2
'-i 1
1
1
,__ГТЦОЦА-
1-----гтцоцг
1
г
v
1
/
/'
v
273 293 31J JJ3 353 т,к
Зависи:v~ость относительного об­
ратного тка кол.1ектора от
температуры.
Зависимость относ·ителыюго
статического козффициента пе­
редачи 1·ока от те:-..шературы.
Зависи:v~ость сiатичсского коэф­
фициента передачи rока от тока
JМ!ПТСра.
1,ц
~1,2
""'
О)
~
"'
~~Bt----,~~1--~1--~1--~
~
~ ~Бг-~t--~1--~1--~1----1
-с::
~ц~~=--~"--~"--~"---'
213 253 293 333 373 т,к
110
ГТ11011Б,
1---+-+-гт 11011г
20t----t~-+~-+-~+---t
о
КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, }(Т503Д,
КТ503Е
Транзис·rоры кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п универ­
сальные низкочастотные ма.1омощные.
Предназначены для работы в уси.1ителях НЧ, операционных
и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных
схемах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Обозначение ти11а приводится на этикетке.
Масса гранзистора пе более 0,3 г.
14
5.2
0,4 .8
'
·- 20°
~
-
-
'У.Коллентор
со
~
ба.за.
С::,'
Jмu,,mmep
4,2
3 По.чароnо..J.никовыс приборы
65


Электрические параметры
Граничное напряжение прн /э = 10 мА, !и ,;;; 30 мкс,
скважности > 100 не менее:
КТ503А, КТ503Б .
25В
КТ503В, КТ503Г .
40В
КТ503Д .
60В
КТ503Е .
80В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при lк = 10 мА,
JБ=]мАнеболее,
типовое значение .
Напряжение насыщения база-эмютер при lк = 10 мА,
/Б=1мАнеболее.
типовое значение .
Статический коэффициент передачи тока в схеме с
общим эмиттером при Икэ = 5 В, 13 = 1О мА:
КТ503А, КТ503В, КТ503Д, КТ503Е .
КТ503Б, КТ503Г .
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
с общим эмиттером при Икэ=5 В, 13= 3 мА,
0,6 в
0,2*в
1,2 в
0,8* в
40-120
80-240
не менее.
5 МГц
Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 5 В, f =
=465кГцнеболее.
20 11Ф
Обратный ток коллектора при ИкБ = ИкБ.макс не бо-
лее.
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база при Т = 233 -:-
358 К:
КТ503А, КТ503Б .
КТ503В, КТ503Г .
КТ503Д
КТ503Е
Постоянное напряжение база-эмиттер при Т = 233-:-
358 к.
Постоянный ток коллектора при Т = 233 -:- 358 К .
Импульсный ток ко~1лектора при '<и ,,;; 10 мкс, Q ;;, 100,
т=233+358к.
Постоянный ток базы при Т = 233 + 358 К .
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т =
= 233+298к.
Температура перехода .
Температура окружающей среды
1 мкА
40в
60в
80в
100 в
5в
0,15 А
0,35 А
0,1 А
0,35 Вт
398 к
От 233
ДО358К
Пр и меч ан и е. Пайку выводов разрещается производить на
расстоянии не менее 5 мм от корпуса. При пайке жало паяльника
должно быть заземлено. Разрещается производить пайку путем
погружения выводов не более чем на 3 с в расплавленный при­
пой с температурой не выще 523 К.
66


Изгиб выводов допускается производить на расстоянии не менее
5 мм от корпуса транзистора с радиусом закругления 1,5-2 мм,
при этом должны приниматься меры, исключающие передачу усилий
на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается.
0,5
,_
~ 0,3
~
~ 0,2
Q.."'
o,t 1---~1----+-·--'1---+----1
DL----''----'-_,__,_-'--~
233 273 313 353 393 Т,1<
Зависимосп, максимально до­
пустимой постоянной мощности
рассеивания коллектора от тем-
0,85
0,8
~0,75
"
"
~ 0,7
:::о"'
0,65
0,6
пературы.
KT503A-
l----+ ---+ -> '!+t-K Т5О3Е
12
Зависимосп, напряжения насы­
щения база-эмиттер от тока кол­
лектора.
h21з
120
0,25
0,2
~ 0,151--+---f-J.-1-1--1--4-~Ц
"
"
~ 0,1t----t---f--+++__..,,l'-----+-~Ц
~
~051--+=;..1-'<:J-++-+--+-+~
0....__.___,__...Ll_J__....l.___L__LU
1 2 ц 6810 20 .liOiк,мA
ЗаВИСИ:\10СТЬ напряжения насы­
щения коллектор-эмиттер от
тока коллектора.
,,,"
I r ...,[\.
kТ503Б, КТ503~
!l
IY
Uкз=58
7
1\
,1
['\ :'\
1),1
v
~
'~"'
"' -- kT503A,kT5038,
-
100
80
60
цо
20
о
L-----
КТ503Д, КТ50Л
1lli 1 111
0,01 0,ОЦ 0,10,20,ЦО,6"1 2 ц 610 20 WБ0100200WO
р-п-р
13 ,мА
Зависимость статического коэф­
фициента переда'!И тока от тока
эмиттера.-
TlA, ТlБ, Т2А, Т2Б, Т2В, Т2К, ТЗА, ТЗБ
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р универсаль­
ные низкочастотные маломощные.
Предназначены для применения в уси~1ительных, импульсных
и переклю'1а~ощих каскадах низкой частоты в составе гибридных
интегральных микросхем залитой конструкции.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вывода­
ми. Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не бо~'Iее 0,25 r.
3*
67


Электрическ11е парамеrры
Предельная частота коэффициен га передачи тока при
Икв=5В,Iк=1мАнеменее:
TIA, Т2А
ТIБ,Т2Б.
Т2В
Т2К
ТЗА, ТЗБ
Пос1оянная времени цепи обрагной связи при Икв =
=5В,/3=1мА,f=465кГциеболее
Статический коэффициент передачи тока в схеме с об­
щи!'.1 э~лнттсро~л при UкБ ~ 1 В, Iк = J О мА:
при Т= 298 К:
TIA, Т2А.
ТlБ, Т2Б.
Т2В.
ТЗА.
ТЗБ.
3,0 МГц
2,0 МГн
7.0 МГц
4,0 МГц
1,0 МГц
3000 ПС
20-50
40-150
20-150
10-40
30-150
приТ=213 К
. От 1;100,5
значения при
Т=298К
приТ=343Кнеболее..
Напряжение насыщения кол:1сктор-э~шттср при
= 20 мА не бо.1ее:
·
2 значения
приТ=298К
lк=
при /Б = 2 :\,IA:
TIA, ТJБ, Т2А. Т2Б, Т2В
ТЗБ.
при/6=4мАТЗА.
Напряжение насыщения ба·ш-эми 1 тер при lк = 20 :viA не
более:
приlr;=2мА:
Т 1А, Т1 Б, Т2А, Т2Б, Т2В
ТЗБ ..
при/6=4мАТЗА.
Плавающее напряжение эмиттер-база при ИкБ = 10 В
TIA, ТIБ; при Икв = 20 В Т2А, Т2Б. Т2В. Т2К; при
ИкБ=30 В ТЗА, ТЗБ пе более .
68
0,2 в
0,4 в
0,2 в
0,5 в
0,8 в
0,5 в
0,3 в


Остато<11rое напряжение при прямом смещении кол­
лекторного перехода при /Б = 7,5 мА Т2К не бо-
лее...
•
.
.
Сопротивление насыщения открытого транзистора при
Iк=6 мА, /Б=7.5 :viA Т2К не более .
Время рассасывания при ИкБ = 10 В, /Б = 0,5 мА, fк =
=10мАнеболее.
Обратный ток кол.1ектора не более:
при Т= 298 К:
приИкБ=10 ВTIA,ТIБ
приИкБ=20В:
Т2А, Т2Б, Т2В
Т2К
при ИкБ= 30 В ТЗА, ТЗБ
при Т= 343 К:
при ИкБ= 10 В ТlА, ТIБ
приИкБ=20В:
Т2А, Т2Б. Т2В . .
Т2К
при ИкБ=30 В ТЗА, ТЗБ
Обратный ток эми1 гера не бо.1ее:
при Т= 298 К:
при Иэ~;=5 В TIA, ТIБ
приUЭБ=1~R:
Т2А, Т2Б, Т2В .
Т2К.
ТЗА, ТЗБ ..
при Т= 343 К:
при ИэБ=5 В TiA, ТIБ
приUЭБ=15 В:
Т2А, Т2Б, Т2В .
Т2К.- .
ТЗА, ТЗБ. .
Емкость кол:1екторного перехода при UкБ = 5 В, f =
= 465 кГц не более
Емкость эмиттерного перехода при ИэБ = 5 В, / =
=465кГцнеболее.
Преде:1ьные эксплуатационные дшшые
Импульсное напряжение коллектор-эмиттер:
TIA. ТIБ
1)А. Т2Б, Т2В .
ТЗА, ТЗБ ..
Постоянное напряжение коллектор-ба'Jа:
TIA, ТIБ
.
Т2А, Т2Б, Т2В, Т2К, ТЗА, ТЗБ . .
Импульсное напряжение ко:~лекгор-база:
TIA, ТIБ
Т2А, Т2Б, Т2В, Т2К
ТЗА, ТЗБ.
5,0 мВ
4,0 Ом
1,0 мкс
6,0 мкА
7,0 мкА
5,0 мкА
8,0 мкА
50 мкА
55 мкА
40 мкА
60 мкА
6,0 мкА
7,0 мкА
5,0 мкА
8,0 мкА
50 мкА
55 мкА
40 мкА
60 мкА
18 пФ
18 пФ
7,0 в
15в
20в
7,0 в
14в
10в
20в
30в
69


Постоянное и импульсное напряжение эмиттер-база:
TlA, ТlБ
.
Т2А, Т2Б, Т2В, Т2К, ТЗА, ТЗБ
Постоянный ток коллектора· .
Импульсный ток коллектора .
Постоянная рассеиваемая мощность при Т <;; 298 К .
Тепловое сопротивление переход-среда
Температура р-п перехода .
Температура окружающей среды .
5;0 в
15в
50 мА
150 мА
100 мВт
0,8 К/мВт
373 к
От 213
ДО343К
П р и меч а 11 и я: 1. При 298 К максимально допустимая рас­
сеиваемая мощность, мВт, рассчитывается по формуле
Рмакс = (373 - 1)/Rт 11 -с·
2. Изгиб выводов должен производиться на расстоянии не
менее 2 мм от стеклоизолятора радиусом не менее 0,5 мм.
Число перегибов должно быть не более двух. Пайка выводов тран­
зисторов должна производиться на расстоянии не менее 3 мм от
стеклоизоляторов припоем с температурой плавления (523 ± 10) К.
Ск,пФ
25
20
15
10
\
'
Т1~ -ТlБ 11
f=lfб!iкГц
"- ..
r----
о2цб810Uк5,8
Зависимость емкости коллек­
торного перехода от напряже­
ния коллектор-база.
Зависимость емкости эмиттер­
ного перехо.1щ от напряжения
эмиттер-база.
Зависимость постоянной време­
ни цепи обратной связи от
напряжения коллектор-база.
с3 ,пФ
25
20
15
10
о
't'к,пс
6000
Ц500
3000
1500
о
Т1А -ТJБ
2'f
\ Т1А1
-TJ5
1
~
Iз=,tмА
"......
f =Цб5кГц
~ r----
2'fб810Uк5,В
ТМ2А, ТМ2Б, ТМ2В, ТМ2Г, ТМ2Д, М2А,
М2Б, М2В, М2Г, М2Д
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р универсаль­
ные низкочастотные маломощные.
Предназначены для 11рименения в усилительных, импульсных
и переключающих каскадах низкой частоты в составе гибридных
интегральных микросхем залитой и капсулированной конструкций.
70


Выпускаются в металлостеклянном корпусе на керамической
плате (ТМ2А, ТМ2Б, ТМ2В, ТМ2Г, ТМ2Д) и с гибкими выводами
(М2А, М2Б, М2В, М2Г, М2Д).
Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора на керамической плате не более 0,8 г,
с гибкими выводами не более 0,5 г.
9,6
Ко1111ектор
Элеюрические параметры
Предельная частота коэффициента передачи тока при
ИкБ=5В,Iэ=1мАнсменее:
ТМ2А, ТМ2Б, М2А, М2Б
ТМ2В, ТМ2Г, М2В, М2Г . .
ТМ2Д, М2Д ...... .
Постоянная времени цепи обратной связи при ИкБ =
= 5В./э=1мА,/=5МГцпеболее:
ТМ2А, ТМ2Б, ТМ2В, М2А, М2Б, М2В
ТМ2Г,ТМ2Д,М2Г,М2Д.....
Статический коэффициент передачи тока в схеме с
общим эмиттером при ИкБ = 1 В, IЭ = 10 мА:
приТ=293К:
ТМ2А, М2А.
ТМ2Б, М2Б.
ТМ2В, М2В.
ТМ2Г, М2Г.
ТМ2Д, М2Д.
при Т= 213 К:
ТМ2А, М2А.
ТМ2Б, М2Б.
ТМ2В, М2В.
ТМ2Г, М2Г.
ТМ2Д, М2Д.
3,0 МГц
9,0 МГц
15,0 МГц
3000 пс
4000 пс
20-60
50-150
30-90
70-210
80-250
12-60
30-150
15-90
25-210
40-250
71


при Т= 346 К:
ТМ2А, М2А.
ТМ2Б, М2Б.
ТМ2В, М2В.
ТМ2Г, М2Г.
ТМ2Д,М2Д.
Граничное напряжение при lэи = 3.5 мА не менее:
ТМ2А, ТМ2Б, М2А, М2Б . .
ТМ2В, ТМ2Г, ТМ2Д, М2В, М2Г, М2Д . .
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк =
=10мА,/6=1мАнеболее.
Напряжение насыщения база-эмиттер при /к= 10 мА,
IБ=1мАнеболее..
.
.
.
.
.
.
Время рассасывания при fк = 1О мА, Q = 50 .;. 1ООО
ТМ2А, М2А при ИкБ=15 В, /Б= 1 мА; ТМ2Б.
М2Б при ИкБ=15 В, IБ=0,5 мА; ТМ2В, М2В при
Ик6 = 10 В, /6 = 0,5 мА; ТМ2Г, ТМ2Д, М2Г. М2Д
приИк6~1ОВ,/Б=0,25мАнеболее. .
Обратный ток коллеrаор-эмиттер при ИэБ = 0.5 В не
более:
при ИкБ = i 5 В ТМ2А, ТМ2Б, М2А, М2Б:
при Т=293 К и Т=213 К
при Т=346 К ..
при Ик 6 = 10 В ТМ2В, ТМ2Г, ТМ2Д, М2В, М2Г,
М2Д:
приТ=293КиТ=213К.
при Т=346 К ..... .
Обратный ток эмиттера при Иэ~; = 10
приТ=293КиТ=213К.
при Т= 346 К.
в не более:
Емкость коллекторного перехода при Икв = 5 В, / =
= 5МГuнеболее.
Емкость эмиттерного перехода ИэБ = 0,5 В, /= 10 МГц
не более.
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при напря·
жении база-эмиттер 0,5 В:
ТМ2А, ТМ2Б, М2А, М2Б . .
ТМ2В, ТМ2Г, ТМ2Д, М2В, М2Г, М2Д
Постоянное напряжение ко.1лектор-база:
ТМ2А, ТМ2Б, М2А, М2Б . . .
ТМ2В, ТМ2Г, ТМ2Д, М2В, М2Г, М2Д
Постоянное напряжение эмиттер-ба.за . . .
Постоянный ток коллектора при Т= 213.; . 308 К
Импульсный ток коллектора при ти = 1О мкс и средней
рассеиваемой :.~ощности, не превышающей предель·
20-120
50-250
30-200
70-400
80-450
15в
10в
0,15 в
0,5 в
2,0 мкс
20 мкА
70 мкА
15 мкА
70 мкА
20 мкА
50 мкА
25 пФ
40 пФ
15в
10в
15в
10в
10в
50 мА
ную
100 мА
72


Постоянная рассеиваемая мощносгь при
298 к.
Тепловое сопротивление переход-среда
Температура окружающей среды .
Т= 213-:-
75 мВт
0,8 К/мВт
От 213
ДО346К
Примеqания: 1. При Т> 308 К ток коллектора, мА, рас­
сqитывается по формуле
I к м.кс = 7 vзss=-т.
2. При Т > 298 К максима.1ьно допустимая постоянная рас­
сеиваемая мощность кол.1ектора, мВт, рассqитывается по форму.1е
Rк '1акс = (358 - Т)/Rт 1н·
16 ,мА
0,5
О/+
I ТМ2А-
. тм 2Д-+---+-+--i
!
о,J1----1---+--t-t+-+---l
о, 2 1--+-+--Н'-t---t---i
o,1L---+-+ -1 -'-t -
о О,1 0,2 0,30/1 0,5U36,В
Входная характеристика.
hz13
1
ТМ2А-ТМ2Д
70 l----+--+---1---1-__.oi<'-~
БOг--~----t-:;;-"'f---t---:"""''---t
50
'+01-""'-+·-+---1---1---+---4
301----+-~_,..,..:=:...+---+--+--<
20 --иКБ =18' ,Iэ=10мА
293 303 313 J23 333 JЦ.3 т,к
Зона возмо11шых положений 1а­
висимости статпqеского коэффи­
циента передаqи тока от тем-
нературы.
ТМ4А, ТМ4Б, ТМ4В, ТМ4Г, ТМ4Д, ТМ4Е,
М4А, М4Б, М4В, М4Г, М4Д, М4Е
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р универ­
сальные низкоqастотные маломощные.
Предназнаqены д.<я применения в усилительных, импульсных
и переклюqающих схемах низкой qастоты в составе гибридных
интегральных 'vшкросхем ·залитой и капсулированной конструкций.
Вьшускаются в металлостеклянном корпусе на керамиqеской
плате (ТМ4А. ТМ4Б, ТМ4В, ТМ4Г. ТМ4Д, ТМ4Е) и с гибкими
выводами (М4А, М4Б, М4В, М4Г, М4Д, М4Е).
Обоз на qение типа приводится i'ta корпусе. Вывод эмиттера на
корпусе транзисторов М4А, М4Б, М4В, М4Г, М4Д, М4Е марки­
руется красной тоqкой.
Масса транзистора на керамиqеской плате не более 0,8 г,
с гибкими выводами 0,5 г.
73


9,Б'
Ко1111ектор
3
9, 85'
Змиттер
i--~~~-'--~~~--;~
О,97
J,S
Электрические параметры
Граничное напряжение при Uкr; = 12 В. / 3 = 10 мА,
ти=100мксиQ>1Онеменее......
Сrатический коэффициен~r нереда'lи гока в схеме с
общим эмиттером при ИкБ = 1 В, /э = 10 мА:
при Т= 298 К:
ТМ4А. ТМ4Г, М4А, М4Г
ТМ4Б, ТМ4Д, М4Б, М4Д
ТМ4В, ТМ4Е, М4В. М4Е .
при Т= 346 К:
ТМ4А. ТМ4Г. М4А. М4Г
ТМ4Б, ТМ4Д, М4Б, М4Д
ТМ4В, ТМ4Е. М4В, М4Е
при Т= 213 К:
ТМ4А, ТМ4Г, М4А. М4Г
ТМ4Б, ТМ4Д, М4Б, М4Д
ТМ4В, ТМ4Е, М4В, М4Е
Постоянная времени цепи обратной связи при Икь =
= 5В,Iк=5мА,/=5МГцнеболее:
ТМ4А, ТМ4Б, ТМ4В, М4А, М4Б, М4В .
ТМ4Г, ТМ4Д, ТМ4Е, М4Г, М4Д, М4Е .
Модуль коэффициента переда'lи тока при ИкБ = 5 В,
13=5А,/=20МГцнеменее:
ТМ4А, ТМ4Б, ТМ4В, М4А, М4Б, М4В . . . .
ТМ4Г, ТМ4Д, ТМ4Е, М4Г, М4Д, М4Е . . . .
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 1О мА,
/Б=1мАнеболее....
-
.
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 10 мА,
/Б=1мАнеболее...........
Время рассасывания при /к= 10 мА, Икэ = 25 В, /Б =
= 1,0 мА ТМ4А, ТМ4Г, М4А, М4Г; при /Б =
74
12в
20-75
50-120
90-200
10-330
35-660
50-850
10-100
20-160
40-240
1500 пс
500 пс
2,5
4,0
0,5 в
0,7 в


г
1
= 0,4 мА ТМ4Б, ТМ4Д, М4Б, М4Д; при /Б =
= О 22 мА ТМ4В, ТМ4Е, М4В, М4Е не более
Обра;ный ток коллектор-эмиттер при Икэ = 15 В, ИБэ =
= О5Внеболее:
приТ=298КиТ=213К.
приТ= 346К.
Обратный 1 ок коллектора при ИкБ = 15 В не более .
Обратный ток эмиттера при ИэБ = 1,5 В не более .
Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 5 В, f =
=5МГцнеболее.
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер прн напря­
жении база-эмиттер 0,5 В .
Постоянное напряжение коллектор-база в схеме с общей
базой .
Постоянное напряжение эмиттер-база
Постоянный ток коллек·rора при Т= 213-;- 308 К
Импульсный ток коллектора при ~:и,,;; 10 мкс и средней
рассеиваемой мощности, не превышающей постоянную
· преде.'Iьную
рассеиваемую мощность
Постоянная рассеиваемая мощность при Т = 213 -;-
-;- 298 к.
Тепловое сопротивление переход-сре!\а
Температура окружающей среды .
3,0 мкс
6,0 мкА
80 мкА
6,0 мкА
30 мкА
8,5 пФ
15в
15в
1,5 в
40 мА
100 мА
75 мВт
0,8 К/мВт
От 213
до346к
Пр им е чан и я: 1. При Т > 308 К максимально допустимый
ток коллектора, мА, рассчитывается по формуле
Iк.мш= 6i/35S - т.
2. При Т > 298 К максимально допустимая постоянная рас­
сеиваемая мощность коллектора, мВт, рассчитывается по формуле
Рк....,акс = (358 - 7)/ Rт.n-c·
J6 ,l·AA
1, 1 L---1---1-~-+--.f--l----1
Икэ=2,5В
1,оl--1----l-+-t--ft
о,81--1----1-+-t-t-+--t---I
~81----+--+~-+---+--t---Г---j
О,Чl----+---Ч--+t~~-=:--:-::::1
о, 2 1----\.-- -1+-+ -
о
Входные характеристики.
hz1з
2 чо '---'- - -'-
2001--+--+.,,C.-+--+---:!oJ-~
1во1----+ - -4- -+ -
1201--~~
вo1--.+-__J...~=::~..L_J
чо 1----' -- -J
о 15 30 Ч5 ВО 75Iз,мА
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тока
эмиттера.
75


hz1э
250
2DD 1---+--
150 J-., . --=-+ -:+,
1DD ....,.:.~-i"'------t--:-
5D ~;.;.;.,.;.~.,-""'f--+--+----1
D ...___.__~~-.........-~~
293 303 313 323 333 .Jl/3 т,к
Зависимое rь статического коJф­
фиuиен га передачи тока от тем­
пературы.
'
ТМIJА-ТМЧЕ
МЧА-МЧЕ
16 t+--+ -- -+--+- -+--+- _ __,
1214--+---+----+--+--+----<
81--"-<+ --+ --+ ---+ - -+ -_ __,
о
Зависимость е:11кости кол.1ек­
торного перехода от напряже­
ния кол.1ектор-база.
1,2
~с::. 1,D
с::......
11 08
.. .,
'
L<J
-,.. .
"""
ТМ'l-А-ТМЦ.Е "'1\.
~06 ~ ~~мц.А -МЦ.Е
Q:,
.. .,
\
1\
~DЧ
'";;;-- '
"
~0,2
J.D
510-г 510-1 510 0 s10 1R.
"
63111.LIM
Зависи:11ость отпосительно1 о
пробивного напряжения коллек­
тор-э:11иттер от сопротивления
С3,п'Р
21/
база-Jмипер.
201---'...+-1---+--+---+-----1
161-----+~-+--1----+--~-+----1
121----+--+-"''+-;::-f--+--~
81---+---+---./......----1---l-.--J
Зависимость емкости эмиттер­
ного 11ерехода от напряжения
эм11ттер-база.
TMSA, ТМ5Б, TMSB, ТМ5Г, ТМSД, MSA,
М5Б, MSB, М5Г, МSД
Транзис1 оры германиевые сплавные р-п-р универсальные низко-
частотные маломощные.
Предназначены д.<Я применения в усилительных. и:1111ульсных
и переклю•1ающих схемах низкой частоты в составе гибридных
интегральных микросхем залитой и капсулированной конструкций.
Выпускаются в металлостекля1111ом кopIIyce на кера:-.н1ческой
плате (ТМ5А, ТМSБ, TMSB, ТМ5Г, ТМ5Д) и с гибкими вы­
водами (М5А, М5Б, MSB, М5Г, М5Д).
Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора на керамической пла1е не более 0,8 г,
с гиfiкими выводами не бо;1ее 0,5 г.
76


r1
9,Б
Электрические параметры
Предельная qастота коэффициента передаqи тока при
Ию;=5В,/э=1.'.1Анеменее:
ТМ5А, ТМ5Б, ТМ5Д, М5А. М5Б, М5Д
ТМ5В, М5В ........ .
ТМ5Г, М5Г ........ .
Постоянная времени цепи обратной связи при ИкБ =
= 5В,/э=1мА,{=5МГцнеболее:
ТМ5А, ТМ5Д, М5А. М5Д .
ТМ5Б. ТМ5В, М5Б, М5В ~
ТМ5Г, М5Г ...... .
Статич~ский коэффициен г передачи тока в схеме с
щпм э:\1иттером при ИкБ = 1 В, Iз = 10 мА:
при Т= 293 К:
ТМ5А, М5А.
ТМ5Б, М5Б.
ТМ5В, М5В.
ТМ5Г. М5Г
ТМ5Д, М5Д
П(Чi Т= 213 К:
ТМ5А, М5А.
ТМ5Б. М5Б.
ТМ5В, М5В.
ТМ5Г, М5Г.
ТМ5Д. М5Д
при Т= 346 К:
ТМ5А. М5А
ТМ5Б. М5Б.
ТМ5В. М5В.
ТМ5Г, М5Г.
ТМ5Д, М5Д.
об-
1,0 МГц
2.0 МГц
3,0 МГu
2500 ПС
3000 пс
3500 пс
20-50
35-80
60-130
110-250
20-60
12-- 50
20-80
30-130
60-250
12-60
20-100
35-120
60-250
110-320
20-60
77


Граниqное напряжение при lэи = 5 мА, ИкБ = 15 В,
Q>10неменее.
Напряжение насыщения коллек 1ар-эмиттер при lк = 1О мА,
Ir;=1мАпеболее.
Напряжение насыщения база-эмиттер при /к= 10 мА,
Ir;=1мАнебо.<ее.
Время рассасывания при Икэ = 15 В, Iк = 10 мА
ТМ5А, ТМ5Д, М5А. М5Д ври Ir; = 1,0 мА; ТМ5Б,
ТМ5В, М5Б, М5В при Ir; = 0,5 мА; ТМ5Г, М5Г
при/6=0,25мАнеболее.
Обратный ток кол.1ек1ор-эмиттер при Иr;э = 0,5 В нс
более:
при Т=293 К и Т=213 К:
при Икэ = 15 В ТМ5А, ТМ5Б, ТМ5В, ТМ5Г,
М5А, М5Б, М5В, М5Г .
приИкэ=25 ВТМ5Д, М5Д .
при Т= 346 К:
при Икэ = 15 В ТМ5А. ТМ5Б, ТМ5В, ТМ5Г,
М5А, М5Б, М5В, М5Г .
приИкэ=25 ВТМ5Д, М5Д .
Обратный ток эмиттера при Иэr; = 10 В не более
Емкость коллекторного перехода при Икr; = 5 В, f =
=5МГцнеболее
Емкость эмиттерного перехода при Иэr; = 0,5 В не
более.
Предельные эксплуатационные дан11ые
Постоянное напряжение кол;1ектор-эмиттер при напря­
жении база-эмиттер 0.5 В .
Постоянное напряжение коллектор-база:
ТМ5А, ТМ5Б, ТМ5В, ТМ5Г, М5А, М5Б, М5В,
М5Г
ТМ5Д, М5Д .
Постоянное напряжение эмиттер-база .
Постоянный ток коллектора при Т = 2 i 3 -:- 308 К
Импульсный ток ко.1лектора при т11 = 10 мкс и средней
рассеиваемой мощности, не превыщающей постоян­
ную предельную рассеиваемую мощность .
Постоянная рассеиваемая мощность кол:1ектора при
Т=213-:-298К.
Тепловое сопротивление перехоJ1-Среда
Температура окружающей среды .
15в
0,15 в
0,5 в
2,0 мкс
20 мкА
25 мкА
70 мкА
110 мкА
20 мкА
30 пФ
45 пФ
15в
15в
25в
10в
70 мА
150 мА
75 мВт
0,8 К/мВт
От 213
ДО346К
Примеqания: 1. При Т>308 К ток коллектора, мА, рас­
сqитывается по формуле
~кмакс= 10VЗ58 - т.
78


! 2. При Т = 298 -о- 346 К максимально допустимая постоянная
рассеиваемая мощность коллектора, мВт, рассчитывается по фор­
муле
Ркмакс = (358 - 7)/Rт.n-c-
J6,мА
0,5
0/1
0,3
0,2
0,1
1
ТМ5Д
-М5Д
1
1
Uкэ= О
1
1
/
j
1-;
О 0,1 0,2 0,3 0/1 О,5Uз5,В
Входная характеристика.
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тем­
пературы.
hz1э
50
'10
30
20
10
1
1
1
t--- ~ТМ5А, ТМ5Д ,_~
М5А,М5Д
/t--. .. ..
1 ---~
Uк5==18
О 20 '10 бО 80 100!3,мА
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тока
эмиттера.
1,2
1,0
""- 0,8
~Об
-. .;;_ )
"'
~О,'1
0,2
о
'
'
.1
1111 1 11
ТМ5А-ТМ5Д
'М5А-М5Д
'"
~
...........
'
0,1 2 i/б81 2 i/68102 i/б 1002R53,кОм
Зависимость относительного на­
пряжения коллектор-эмиттер от
сопротивления база-эмиттер.
TMll, TMllA, TMllБ
Транзисторы кремниевые диффузионные р-п-р универсальные
низкочастотные маломощные.
Предназначены для применения в усилительных, импульсных
и переключающих схемах низкой частоты в составе гибридных
интегральных микросхем залитой и капсу.'IироRанной конструкций.
Выпуск:~ются в метал.1остеклянном корпусе на керамической
плате. Обозначение типа приводится на керамической плате.
Масса транзистора не более 0,8 г.
71)


9,6
D,7
-! --
J,Z5
Электрнческне параметры
Предельвuя частота коэффициента передачи· тока при
ИкБ=5В,13=JмАнеменее:
TMll.
TMllA, TMllБ .
Граничное юшряжение не менее:
Т!'.1]]при13" = 5"~А..
TMllA, TMIlБ при 13" = 10 мА
Коэффициент передачи тока в режпме :\о!алш о
нала при ИкБ=5 В, Iэ=1 мА,/=50-с-1000
при Т= 293 К:
TMll .
TMllЛ
TMllБ
при Т= 213 К:
TMll .
TMllЛ
TMllБ
при Т= 3')3 К:
TМ:ll .
TMllA
TMJIБ
Статический 1~0С1ффициент пере,;:\ачи тока в схс'\1е с
щим эмиттером rJpи Ик6 = 1 В, /э = 10 :viA:
TMll .
TMllЛ
TMllБ
сиг-
Гц:
об-
Входное сопротив.тение в схеме с общим Э:\о!ИТтеро~i
11ри/3=1мА,UкБ=30ВТМ11иUкБ=15В
О,1 МГн
0,5 МГц
30 I!
15в
9-36
15-60
ЗU-160
7-36
10-60
25-160
9- IOS
15- 180
30-З~U
7-40
10-60
19--160
TMllA, TMllБ не бо:1ес.
300 Ом
Напряжение ПJ.сыщепия коллектор-эмнттер при Iк = 1О мА,
16=2мАTMllи/Б=lмАTMllAнеболее.
0,5 В
80


' Напряжение насыщения база-эмиттер при fк = 10 мА,
/Б=2 мА TMll и /Б= 1 мА TMllA не более.
1,0 В
Время рассасывания при ИкБ = 15 В, lк = 10 мА,
/Б= 1,0мА,f=400ГцTMI1.TMIIAнс более .
5,0 мкс
Обратный ток коллектора не более:
приТ=293К:
TMI1при ИкБ=30 В; TMIIA,TMIIБ при ИкБ=
=15В.·
20 "1КА
11ри Т= 213 К:
TMI1приИкБ=40В.TMIIA.TMIIБ при ИкБ=
=20В.
200 мкА
при Т= 393 К:
TMI1при ИкБ=20 В; TMIIA. TMIlБ при ИкБ=
=10В.
250 мкА
Обратный ток ко:шектор-·Jмиттер при со про гив.<снии
вцепибазы1к0"1TMI1ври ИкБ=40ВиTMIIA
ТМ1IБприИкБ=20 В нс более .
'
200 мкА
Обратный ток э:v~иттера при ИэБ = 5 В, при Т =
=393Кнеболее..
150 мкА
Емкость кол:1екторного перехода при ИкБ = 5 В, f =
= 3МГц TMl1, TMIIAне более .
Емкость эмиттерного 11ерехода при ИэБ = 0,5 В, f =
= 10 МГц TMI1, TMI1А не более .
Пре,1ельные эксплуатациош1ые даННЬiе
Постоянное нанряжсние коллектор-эмиттер при ИБэ =
=
0,5 В:
TMll:
при Т=213+348 К
приТ=393К.
TMI IA, TMI IБ:
при Т=213+348 К
приТ=393К..
Постоянное напряжение коллектор-база:
TMll:
при Т=213+348 К
приТ=393К.
TMI IA, TMI IБ:
приТ=213+348К
приТ=393К.
Напряжение база-эмиттер:
приТ=213+348К.
при Т=393 К .
П остоянпый ток ко.<лектора:
при Т=213+348 К .
при Т=393 К.
Постоянная (средняя) рассеиваемая мощность:
приТ=213+333К.
при Т=393 К .
110 пФ
50 пФ
30в
20в
15в
10в
30в
20в
15в
10в
10в
5в
50 мА
30 мА
150 мВт
50 мВт
81


Температура окружающей среды . . .
От 213
до393к
Примечания: 1. При Т=3487393 К напряжение кол­
лектор-эмиттер, коллектор-база, база-эмиттер, а также IOK коллек­
тора уменьшается по .1инейному закону.
2. При Т = 333 7 393 К максимально допустимая постоянная
рассеиваемая мощность коллеhтора, мВт, рассчитывается по формуле
Рк макс = (423 - Т)/0,6.
·15,мА
Входная характеристика.
0,5 ТМ11, ТМ11А,
ТМ11Б
0,~f----t--+--+---+-+-1
O,J1----+- -+ --+- --+-+- -I
Uкз1=0
о, 21----+- -+ --+ ---l ' -- -- i
о,11----+--+---+ --l --+---I
о 0,1 0,2 0,3 U53,B
TMff, ТМ!1А, TMffб
~
..-
......
~-
-
UкБ = 158;
Isf1мA-
1
1
.......
-
-
Зависимость относительного
входного сопротивления в схеме
с общим эмиттером от темпе-
ра туры.
Зависимоtть относительного ко­
эффициента передачи тока в· ре­
жиме ма.1ого сигнала от темпе-
ратуры.
?;~в
~ 16 ТМ11,
11)
- t:; 1р t--+----+-t--+---+-~o<+---t---1
~1,2t--+--+-+--t---t-,,L,+--t-.,_/,.---I
i?, 1,0 1---+--+-+- --- --+ -
- <:: 0,81---+-:*"Ч--
213 253 293 333
О,6.__,___.___..___,__.~....__,___.__,
J73Т,К 213
293 JJJ 373Т,К
МП13, МПIЗБ, МП14, МП14А, МП14Б,
МП14И, МП15, МП15А, МП15И
Транзисторы гер'.~аниевые сплавные р-п-р универсальные низко­
частотные маломощные.
Предназначены д.1я усиления малых сигналов низкой частоты
(МПl ЗБ), усиления, переключения, формирования импульсов (МП 14И),
применения в ферриттранзисторных ячейках (МП 15И).
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гиб!(ими выводами.
Обозначение типа 11риводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 2 г.
82


4-0
8
- s,s
"'
--~
-
"'
~~
'<>
-
--
."
""',....
-
-
-
-э. -э.
1
Электрические параметры
Преде"1ьная частота коэффициента передачи тока при
Ик6=5В,/3=1мАнеменее:
МП13 ......... .
МП13Б, МП14. МПl4А, МП14Б, МПl4И
МПl5,МП15А.......
Коэффивиент шума при ИкБ = 1,5 В, lэ = 0,5 мА,
f=1кГцМП13Б не более...
Время рассасывания при Ек = 20 В, ИБэ.и = 4 В, Rк =
= 510 Ом, R6 = 100 Ом МП14И не менее •...
Амплитуда выходного импульса при Ек = 15 В, И6э.и =
= 15В,Rк=100Ом,RБ=1кОмМП15Инеменее:
приТ=293К..............
приТ=213иТ=343К..........
Коэффициент передачи тока в режи:v~е малого сигнала
приИк6=5В,lэ=1мА,f=1кГц:
при Т= 293 К:
МП13 не менее.
МП13Б
МПl4, МП14А.
МП14Б, МПl5
МПl4И
МП15А
при Т= 213 К:
МП13 не менее
МП13Б
МПl4, МП14А.
МП14Б, МП15.
МП14И
МП15А
при Т= 343 К:
МП 13 нс менее
МПJЗБ, МП14И
МП14, МП14А.
МШ4Б, МПl5.
МП15А
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер не более:
МП14Иприlк=10мА,/Б=1мА. . .
0,5 МГц
1 МГц
2 МГц
12 дБ
1,4 мкс
5,5 в
4в
12
20-60
20-40
30-60
20-80
50-100
7
7-60
7-40
12-60
7-80
20-100
12
20-150
20-100
30-150
50-200
0,2 в
83


МП15И нриЕк=15 В, Е6=15 В, Rк=100 Ом,
RБ=600Ом·.........
О бра тпый ток ко:шектора при Т = 343 К не более:
МП13. МП13Б, МПl4, МП15, МП15А пrи Ик 6 =
= 10 в ............ .
МП14А, МП14Б, МПl4И при ИкБ = 20 В.
Обратный ток коллектор-эми·1тер при RэБ =О не более:
при Т= 293 К:
МП13, МП13Б, МП14, МПl5, МПl5А при Икэ =
= 15 в ........ .
МП14АприUкэ=30В....
МП14Б, МП14И при UКБ = 30 В
приТ=343К,Uкэ=10ВМП15И:
90~,~транзисторов.......
100~~транзисторов. . . . . . .
Имнульсиый обратный 1ок 1ю.1лектор-эмитгср МП15И
вриТ=293 К, Икэ.и=30 В, RэБ=О. <и=10мкс,
f=10кГцнеболее........
Обратный ток эмиттера при Т = 293 К не более:
МПl3, МПIЗБ, МПl4, МП15, МП15А при U~ 6 =
= 15 в ........... .
МП14А, МП14Б, МП14И при ИэБ = 30 В .
Сопротивление базы при Ик6=5 В. lэ= l мА, f=
= 500 кГц МП13, МПlЗБ, МП14. МП14А. МПl4Б,
МП14И, МП15, МП15А не более ...... .
Выходная по.'!ная проводимость в режиме малого сиг­
нала при холостом ходе в схеме с общей базой
приUкБ=5В,I3= lмА,f=1кГцМПJЗ,МП13Б,
МП14, M!Il4A, МП14Б. МПJ4И, МП15, МП15А нс
более............
Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 5 В МП 13,
МПlЗБ, МПl4, МПl4А. МП14Б, МП14И, МП15,
1в
200 мкА
200 мкА
30 мкА
30 мкА
50 мкА
650 мкА
. 700 мкА
lмА
30 мкА
30 мкА
150 Ом
2,5 мкСм
МПl5Aнеболее...........
50 11Ф
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение ко.<лекгор-база:
при Т= 213 -с- 323 К:
МПIЗ, МПJЗБ, МП14. МП15. МПl5А,
МПJ5И....
15В
МП14А, МПl4Б, МПl4И. . . . . .
30В
при Т=323-7- 343 К:
МПlЗ,МПl3Б,МПl4,МП15.МПl5А.МП15И.
10В
МП14А,МП14Б,МП14И. . . . . . . .
20В
Импульсное напряжение коллектор-база МП ! 3, МП l ЗБ,
МП14, МП15, МП15А, МП15И:
приТ=213-с-323К.
ЗОВ
приТ=323-с-343К. . . .
20В
84


Постоянное напряжение коллек гор-эмиттер при RэБ .;;
.;; 2 кОм:
при Т= 213 -7-323 К:
МПl3, МПlЗБ, МПl4, МП15, МП15А, МП15И.
15В
МПl4А,МПl4Б,МПl4И.. ... .. ..
30В
при Т= 323 -7- 343 К:
МП13, МПlЗБ, МПl4, МПl5, Mlll5A, МП15И.
10В
МП14А,МП14Б,МП14И........
20В
Импульсное нанряжение ко.<лектор-эмит1ер д.ля МП15И
при'и.;;3мкс,Q~4,Rк~75Ом:
приТ=213-7-32ЗК.....
ЗОВ
приТ=323-7-343К.·...
20В
Постоянное напряжение эмиттер-база:
при Т= 213 -7- 323 К:
МПlЗ, МПIЗБ, МП14, МП15, МП15А, МПl5И.
МП14А,МП14Б.мn14И.. . ... .. .
при Т= 323 -о-343 К:
МПl3, МПl3Б, МП14, МП15, МП15А. МП15И.
МП14А, МП14Б, МП14И.
Постоянный 1 ок коллектора .
Импульсный ток кол.1ектора .
Среднее зв:;~чсш:е тока э~шттера
Постоянная рассеиваемая мощность:
приТ=213-о-323К,р~6666Па.
при Т=213-7-323 К.р=665 Па.
r1риТ=343К...
·
·
15в
30в
10в
20в
20 мА
150 мА
30 i\1/\
150 мВт
100 мВт
75 мВт
Температура окружающей среды . .
От 213
ДО343К
2,0
1,8
;>. 1,б
-"'
~ 11/
"')
,__
МП 13, МП13 Б,-+----1-->'1
МП14-,МП1ЧА,
МП 1ЧБ, МП 1ЧИ,_-+--.~
МП15, МП15А,
М П 15 И-+----+--+-t------1
~1,21---1---+--17""'--+--+-----1
1,0 ~-~c___+-
0,BL---1..--'--~~:---::--::~
О510152025Uк5,В
Зависимость относительного ко­
эффицп~нта передачи тока в ре­
жиме малого сигна.'Iа от напря-
жения коллектор-база.
1,5
1,Ч
1,0
~9~--=~--=--L~-'-~L--.....J
О510152025I3,мА
З;~висимость относительного ко­
эффициента передачи тока в ре­
жнчс малого сигнала 01 тока
эмиттера.
85


1,8
1,б
1)ч
МП1J,МП13Б,
МП1Ч, МП1ЧА-,____, ,_ __.
МП1ЧБ, МП1ЧИ,
МП15,МП15А-,__. _
_..
~ ~ 1 2 ,__--+-м_п_1_sи--+--+--___..,_-----<
-t: )
'-.
;:у_ 1, о
- t:""
о, 8 1-----+ --1 -_ ..: .+ ---+ ----1 ---1
о б ....:;;....1 .- - - -1._
_,____, __. 1... -. .. .J
) 213 233 253 273 293 J1J т,к
Зависимость относительного ко­
эффициента передачи тока в ре­
жиме малого сигнала от тем-
пера туры.
МП16, МП16А, МП16Б
Транзисторы германиевые сплавные р-п-р перек">ючательные
низкочастотные маломощные.
Предназначены для применения в схемах переключения и фор-
~
-
-
-
,___ ._ _
~
""'
""'~ -э.
-э.
4.f)
-
1
...._____ -
t, .,
t:-.,
.. .:-
..,~ ....
-э. 'G.
1
1,0
s,s
8
Кошrектор мировання импульсов.
Выпускаются в
мсталлостеклянном
корпусе с гибкими вы­
водами. Обозначение
++...,=э:>k-+-+-+ типа приводится на бо-
база
Вмцттер
ковой
поверхности
корпуса.
Масса транзисто­
ранеболее2г.
Электрические параметры
Предельная частота коэффициента переда•ш тока при
ИкБ=5В,lэ=1мАнеменее:
МПlб, МПlбА ..
МП!бБ .
Время переключения при Икэ = 15 В, Rк = 1,5 кОм
не более:
МПlб.
МПlбА
МПlбБ
Статический коэффициент передачи тока в схеме с
общим эмиттером при Икэ = 1 В, lк = 10 мА:
86
при Т= 293 К:
МП16.
МПlбА
МПlбБ
при Т= 213 К:
МП!б.
1 МГц
2 МГц
2 мкс
1,5 мкс
1 мкс
20-35
30-50
45-100
10-35


МП16А
МП16Б
при Т= 343 К:
МП16.
МП16А
МП16Б
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = 10 мА,
/Б=1мАнеболее.
Напряжение пасышения база-эмиттер при /к= 10 мА,
/Б=1мАнеболее.
Обратный ток коллектор-эмиттер при Икэ = 15 В, ИБэ =
= 0,5 В не более:
приТ= 293К.
при Т=343 К
.
Импульсный обратный ток кол.1ектор-эмиттер при 293 К,
Икэ=12 В, Rк=1,5 кОм пе более .
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база .
Постоянное напряжение кол"-~ектор-эмиттер при RэБ .;;
.;; 2 кОм
Импульсный ток коллектора .
Импульсный ток эмиттера .
Среднее значение тока эмиттера
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Т= 213-: - 318 К, р;;, 6666 Па
при Т=213-:-318 К, р=665 Па
при Т=343 К .
Общее тепловое сопротивление* .
Температура перехода .
Температура окружающей среды
1,2
1,1
~ 1,0 f-1---1-~--+--+--+---I
-"'
~""'0,9~___.j--1----1"--+--+---I
....
"'
- <:: 0,8
1,5
1,ц.
15-50
23-100
20-80
30-100
45-200
0,15 в
0,35 в
25 мкА
200 мкА
400 мкА
15в
15в
300 мА
300 мА
50 мА
200 мВт
100 мВт
75 мВт
200 К/Вт
358 к
От 213
до343к
0;71-____jl----1---1---+---!----J
0;6L---1.~....L~.L---'-~~,.-,,-'
О ц.О 80 120 160 200Iк,мА
~Of-""--+~+---+~-+-~J---1
~9~~~:---::1-:=--1~~~
о 2,5 5 7 ,5 1D 12,SUкэ,В
Зависимое~ ь
относительного
статического коэффициента пе­
редачи тока в схеме с общим
эмиттером от тока коллектора.
Зависимость относительного
статического коэффициента пе­
редачи тока в схеме с общим
эмиттером от напряжения кол-
лектор-эмиттер.
87


1,3
1,2 М П 1В, М П 16А,-+-----<'--#-----<
МП1ВБ
(1') 1) 1>-----<f----+- - - -+- - - -t- -+-1- - -<
,__
-"'
~1D
""' ,
f 0,9 1-----i--+--f -- -t- ---i- -I
~вь.-+---7"1----1--+-+-__,
07..,;_-'-~'---'-~'---'---'
1
213 233 253 273 293 313 т,к
Зависимость
относите.<ьного
статического коэффициента пе­
редачи тока в схеме с общим
эмиттером or температуры.
Зависимость
относительного
времени рассасывания от темпе­
ратуры.
Зависимость относительного на­
пряжен_ия насыщения база-эмит­
тер от температуры.
<.>
<:!
_.,_
..,.,
'- ..
~ ~01----<--+--+---.IL--'---J
....,
233 253 273 293 313 т,к
1,8 r---т-~-~-----
1 МП16,МП1ВА,
1' 6 1----+-__,~мп 1в Б
~ 1, L,l 1---""'1~-+--+--.._--<--J
">
-'<:>
~1)21---+--+----+
;:;
:, 1)о1---+--1---+--"'1...---+----1
""
::::. о в 1---+--+---1----4---Р~
)
06
i
)213233253273293 313т,к
МП16ЯI, МП16ЯП
Транзисторы германиевые сплавные р-11-р перек.1юча гельные
низкочастотные ма;юмощные.
Предназначены ;ця примснею1я в ферриттранзисторных ячей-
ках.
Выпускаются в :v1стал.1остеклянном корпусе с гибки:v~и выво­
дами. Обозначение типа приводится па боковой поверхности кор­
пуса.
Масса транзистора не более 2 г.
88


Время включения
= 1,8В:
Электрические параметры
приЕк=10В,Rк=100Ом, ИБэя=
МП16ЯI.
МП16Яll
.0,2- 0,45мкс
.0,3-0,65 мкс
С гатическш1 коэффициент передачи тока в схеме с
общимэмиттером при Ек= 10 В, Икэ= 1 В, Iк=
= 100мА,Rк=90Ом,t"= 10мкс:
при Т= 293 К:
МПlбЯI .
МПlбЯII.
при Т= 213 К:
МПlбЯI .
МПlбЯII.
при Т= 343 К:
МПlбЯI .
МПlбЯII.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к =
=150мА,/6=25мАнеболее.
Обратный ток коллектор-эмиттер при Икэ = 15 В не
более:
приТ=293 К .
при Т=343 К .
Импульсный uGратный ток ко.1лектор-эмиттср при Т =
= 293К,Uкзи=30Внеболее
Входное сопротивление в схеме с общим эмиттером
в режиме малого сигнала при Ек = 1О В. Rк =
= 100Ом,U63и=40В,RБ=1,8кОм:
20-70
10-70
18-75
10-75
18-80
9-80
IB
50 мкА
1,2 мА
1мА
МП16Я1 .
МП16ЯII
. 30-100 Ом
. 30-200 Ом
Пределы1ые эксп.1уатационные данные
Постоянное напряжен!{е кол.<сктор-эмиттер при R 36 ,;;;
,;;; 100 Ом
15В
Импульсное напряжение ко.1J1ектор-эмиттер при RэБ ,;;;
,;;; 100 Ом, 'tи ,;;; 5 мкс .
Импульсное напряжение эмиттер-база ври tи ,;;; 5 мкс:
приТ=213 -;-323К.
приТ=323 -;-343К.
Импульсный ток коллектора
Импульсный ток ,пшттера .
Постояшшя рассеиваемая мощность:
при Т= 213-;- 328 К, р;;, 6666 11а
при Т=213-:- 328 К. р= 665 Па
при Т=343 К .
Общее тсп:ювое сопротивление .
Температура перехода .
Температура окружающей срелы .
30в
15в
10в
300 мА
300 мА
150 мВт
100 мВт
75 мВт
200 К/Вт
358 к
От 213
ДО343К
89


100
1
1
1
1
МП16ЯI,
1,20
1,15
МП16ЯI,
-
~МП16ЯП
"v
v
v
/v
v
01
v
~ 1,10
-""
~"'> 1,05
..r : :.i::, 100
)
0,95
0,9
МП16ЯП
~
_v
) 273 283 293 303 313 323 т,к
213 233 253 273 293 313Т,К
Зависимость опюсительного об­
ратного тока коллектор-эмиттер
от те"1Пера туры.
Зависимость
относительного
статического коэффициента пе­
редачи тока в схеме с общим
эмиттером от темпера,;rуры.
МП20, МП21, МП21А, МП21Б
Транзисторы германиевые сплавные р-п-р переключательные низко­
частотные маломощные.
Предназначены для применения в схемах перек.1ючения.
Выпускаются в мета;тлостеклянном корпусе с гибкими выво­
дами. Обозначение типа приводится на боковой поверхнос1 и кор­
пуса.
Масса транзистора не бо,-тее 2 т.
Ко/1/lектор
aJa /
--
'
-
-
'
!, -,
~
-
--
.,.,;- ,_
-s.
'S.
-гтi~ -
'
Эмиттер
•-".
4-0
8
Электрические параметры
Предельная частота коэффициента передачи тока при
ИкБ=5В.fэ=5мАнеменее:
МП20, МП21, МП21А
МП21Б
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала
приИкБ=5В,/3=25мА,f=50-;-1000Гц:
90
при Т= 293 К:
МП20, МП21А.
МП21 .
МП21Б
1 МГц
465 кГц
50-150
20-60
20-80


nри Т= 213 К:
МП20, МП21А.
МП21.
МП21Б
при Т= 343 К:
МП20.
МП21 .
МП21А
МП21Б
Плавающее напряжение эмиттер-база не бо.1ее:
при Т= 293 К:
МП20приИк6=50В.
МП21, МП21А, МП21Б nри ИкБ = 70 В
при Т= 343 К:
МП20 при ИкБ=50 В
МП21. МП21А, МП21Б при Ик6 = 70 В
Граничное напряжение при lэ = 100 мА не менее:
МП20 ..
МП21, МП21А .
МП21Б
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер nри fк =
= 300мАнеболее.
Обратный ток коллектора не боо1ее:
приТ=293К:
МП20приИк6=50В..
МП21, МП21А, МП21Б при ИкБ = 70 В
при Т= 343 К:
МП20 при ИкБ=50 В
МП21. МП21А, МП21Б при ИкБ = 70 В
..
Обратный ток эмиттера при Т = 293 К, Иэ6 = 50 В не
более. . .
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база:
МП20.
МП21, МП21А, МП21Б .
Постоянное напряжение ко;шектор-эмиттер при RэБ,,,;;
<5кОм:
МП20.
МП21, МП21А
МП21Б .
Постоянное напряжение эмиттер-база
Импульсный ток коллектора при •и< 10 мкс, Q ;;, 2.
Постоянная рассеивае-'1ая мощность:
приТ=213-о-298К.
при Т=343 К .
Общее теп.1овое _сопрт ивленис
Температура перехода .
Температура окружающей среды.
25-150
15-60
15-80
20-200
20-75
50-200
20-110
0,3 в
0,3 в
0,5 в
0,5 в
30в
35в
40в
0,3 в
50 мкА
50 мкА
250 2\-!КА
250 мкА
50 мкА
50в
70в
30в
35в
40в
50в
300 мА
150 мВт
45 мВт
330 К/Вт
358 к
От 213
ДО343К
91


O,JO
0,251---+- -+
~ О,201------+-->..1---+--J------+----1
'-'
~ 0,15 ~-+-+_:i-:::::::i:=~=j
"'
::::, 010
'
О 2,5 5 7,5 10 12,5Кнас
Зависимость напряжения насы­
щения коллектор-эмиттер от ко­
эффициен ra насыщения.
5,0
4,5
<..:>
ч,о
""::.
;:; 3,5
"
.....""' з,о
2,5
2,0
1 1,5 2 2,5 J J,5Кнас
Зависимость времени рассасы­
вания от коэффициента насы­
щения.
1
о.___.__ _.__..____._
_. _ -=-'
50 100 150 200 250 300 Iк, мА
Зависимость времени включения
от тока коллектора.
92
2,0
1,8
мп20,мп21,
МП21А, МП21Б
Q:) 1,6 t--+--+--+---f--+-~
~
'-'
~ 1//.
~::::, 1,21----+--+~"'+---+----l---I
<..:>
"'~
1, о 1----+~"-+--+----+----1---1
~В~-+--'-_..____._ _.. __ _ ,
О 2,5 5 7,5 10 12,5Кнас
Зависимость напряжения насы­
щения база-эми1 гер от коэффи­
циента насыщения.
J,0
2,5
2,0
"'
1,5
~ 1,0
....,
0,5 Iк=JOOмА
о
23lf567Кнас
Зависимость времени включения
от коэффициента насыщения.
hz1э
100 г--'<-+--+---+--.+---1-----1
80--
МП2~ - ~---t.
мп201
60 f--' -- '- -- 4>--fv! П 21А~
Ч-0 ---+---"..__~~-!--1---'
20~1-+---""k---+-"""-..d~-=t---J
о 50 100 150 200 250 13,мА
Зависимость коэффициента пе­
редачи тока в режиме малого
сигна,1а в схеме с общим эмит-
тером от тока эмиттера.


МП25, МП25А, МП25Б, МП26, МП26А,
МП26Б
Транзисторы германиевые сплавные р-11-р универсальные низко-
частотные ма.1омощные.
Предназначены для усиления и перек.1ючсния сигналов низкой
'ШСТОТЫ.
Выпускаются в металлостекляrшом корпусе с гибки:vrи выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 2 г.
Ко11лектор
"""
~
~~-
-
-
t-. _
~Ба.чп
....,
,...:-
-
-
.... ..__ _ -
"°'
.. ....
"0
' €).
-
-
1 0,8
:Jмиттер_
-,....
ltO
8
э.1е1.:трические параметры
Преде:ты1ая частота ко·;ффициснта передачи тока нс
менее:
МП25, МП25А нри Икr, = 20 В, fэ = 2.5 :vrA
МП25БприИкБ=20В.fэ=2,5!v!A . .
МП26. МП26А при f./кБ = 35 В, I, = 1.5 \1А
МП26БвриИкБ=35В.fэ=l.5мЛ.
Коэффициент передач!! тока в режпме ма:того ею нала
приf=1кГц:
приТ=293К,ИкБ=20В.f·э=2.5мА:
МП25 .
МП25А
МП25Б
г;риТ=293К.Uк6=35В.lэ=1,5мА:
ГvШ26 .
МП26Л
МП26Б
при Т=213 К, Ик 6 =20 В, /э=2.5 мЛ:
r·Лfi25 .
МП25А
t<ЛП25Б
250 кГц
500 кГц
250 кГц
500 кГц
10-25
20-50
30-80
10-25
20-50
30-80
6-25
10-50
15-80
93


при Т= 213 К.
МП26.
МП26А
МП26Б
при Т= 343 К,
МП25.
МП25А
МП25Б
при Т= 343 К.
МП26.
МП26А
МП26Б
ИкБ=35В,lэ=1,5мА:
Ик6=20В,lэ=2,5мА:
ИкБ=35В,fэ=1,5мА:
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при f = 50 Гц
не менее:
МП25, МП25А, МП25Б . . .
МП26, МП26А, МП26Б . . .
Обратный ток коллектора не более:
при Т=293 К, Ик6=40 в
МП25Б
при Т=293 К, ИКБ=70 в
МП26Б
при Т=343 К, Ик6=40 в
МП25Б
при Т=343 К, ИкБ=70 в
МП26Б
МП25,
МП26,
МП25,
МП26,
Обратный· ток эмиттера при Т = 293 К не
при Иэ 6 = 40 В МП25, МП25А, МП25Б
при ИэБ = 70 В МП26, МП26А, МП26Б
Сопро1 ивление базы при f = 500 кГц не бо:тее:
при Ик6=20 В, fэ=2,5 мА МП25,
МП25Б...
.
...
при ИкБ=35 В,
МП26Б ...
lэ = 1,5 мА МП26,
МП25А,
МП26А,
МП25А,
МП26А,
более:
МП25А,
МП26А,
Выходная полная проводимость в режиме малого сиг-
нала при холостом ходе при f = 1 кГц не более:
при ИкБ=20 В, lэ=2,5 мА МП25, МП25А,
МП25Б...
.
.
.
.
.
...
при ИкБ=35 В, lэ=1,5 мА МП26, МП26А,
МП26Б .
•
.
.
.
.
...
Емкость коллекторного перехода при f = 465 кГц не
более:
при ИкБ = 20 В МП25, МП25А, МП25Б .
прн Ик 6 = 35 В МП26, МП26А, МП26Б
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база:
МП25, МП25А, МП25Б
МП26,МП26А,МП26Б.....
94
6-25
10-50
15-80
10-50
20-100
30-142
10-50
20-100
30-142
60в
100 в
75 мкА
75 мкА
600 мкА
600 мкА
75 мкА
75 мкА
150 Ом
150 Ом
3.5 мкСм
3,5 мкСм
70 пФ
50 пФ
40в
70в


Постщшное напряжение коллектор-база при
Рмакс,,,;; 100 мВт:
Т,,;; 323 К,
МП25, МП25А, МП25Б . .
МП26, МП26А, МП26Б . .
60в
100 в
Л остоянное напряжение коллектор-эмиттер
,,;; 500 Ом:
при RэБ,,;;
МП25 МП25А, МП25Б . . .
МП26: МП26А, МП26Б . .
•/
40в
70в
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
,,;; 323 К, Рмакс < 100 мВт, RэБ < 500 Ом:
при Т,,;;
60в
100 в
МП25, МП25А, МП25Б . .
МП26 МП26А, МП26Б . .
Лостоянн~е напряжение эмиттер-база:
МП25, МП25А, МП25Б
МЛ26, МП26А, МП26Б
Импульсный ток коллектора
Импульсный ток эмиттера
Среднее значение тока эмиттера
Постоянная рассеиваемая мощность:
40в
70в
400 мА
400 мА
80 мА
приТ=213 ..;-308К.
при Т= 343 К, Р;;, 6666 Па
при Т=343К,р<665 Па
Общее тепловое сопротивление:
прир;;,6666Па.
прир=665 ..;-6666Па. .
Температура перехода .
Температура окружающей среды .
.(:.'
1, 20 МП26,МП26А,МП26Б,
1,15 МП25, МП25А,МП25Б
~ 1,10
Е 1,051---++-- -t --
J-----L
~OOl-----A-.~i---+---11-----=t---i
0,95
D,90L....-L~.l------'~....J,-~~,.......
О2'1681013,мА
Зависимость относительного ко­
эффициента передачи тока в ре­
жиме малого сигнала от тока
эмиттера.
200 мВт
25 мВт
16,7 мВт
200 К/Вт
300 К/Вт
348 к
От 213
ДО343К
Z,O МП26,МП26А,МП26Б,
1,8 МП25,МП25А,МП25Б
- i i; 1,61---+ --+- -> -- --+- . -+- -+--<
~.(:.' 1 ,'11----+--+--l-~~---lt--~
"'
- <::
t21--....:+--+-~~-l,,.L---!--j
~Of----~""--!:7'"1---1----+------.j
D,Bi...:::::. .i __ . L__ .. L_J__L. .. ._ J
102030'1050
Зависимость относительного кu­
эффициента передачи тока в
режиме малого сигнала от на-
пряжения коллектор-база.
95


1,2
"' 1,0
g_
МП25,МП25А,МП25Б,
МП26,МП26А,МП2ББ
1
1
1
1
1
1
-- r--
1
:
::: 0,8
~
~ ~бt---t--"'l<;:---+--+---!--1
"'g._ о ч1----1---'---'---l--+--j
"'
J
С')
:S- 0,2
.;>.
1,8
1,Б МП2Б,МП2бА,МП26Б,_
МП25,МП25А,МП25Б
~Ч1---+-~-~<----+---+-----1
~ 1,21--1- --t--+ -+-4 -<!:_+
"'
} 1,0 t----1 ---1-- -+ -- ,.4- --i --+-
о
0,бL..:---:-1----,!=--=-=1-~.f.._-.L.--1
10-1
10 102 103 1ОЧRз5,Ом 213 233 253 273 293 313Т,К
Зависимость
относительного
пробивного напряжения коллек­
тор-эмиттер от сопротивления
Зависимость относительного ко­
эффициента передачи тока в ре­
жиме малого сигнала от тем-
в цепи эмиттер-база.
пературы.
П27, П27А, П27Б, П28
Транзисторы германиевые сплавные р-п-р ус или гельные низко­
частотные с нормированным коэффипиентом шума на частоте l кГц.
Предназначены для усиления сигналов низкой частоты.
Выпускаются в мстал.1остеклянном корпусе с гиб1шми выво­
дами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности кор­
пуса.
Масса 1 ранзистора не более 2 г.
'r(J
8
\
Коллектор
Электрические параметры
Предельная частота коэффициента передачи тока при
ИкБ=5В,Iэ=0,5 мАне менее:
П27, П27А
П27Б .
П28
Коэффициент шума при ИкБ = 5 В, fэ = 0,5 мА, .f =
= l кГц не более:
П27
П27А, П27Б, П28.
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала
приИк6=5В,Iэ=0,5мА,.f=1кГц:
96
l МГц
3 МГц
5 МГц
10 дБ
5дБ


прн Т= 293 К:
П27.
П27А
П27Б
П28.
rrpи Т= 213 К:
пп.
П27А
П27Б
П28 ..
11ри Т= 343 К:
П27.
П27А
П27Б
П28.
Обратный ток ко.1лектора при ИкБ = 5 В не более:
приТ=293К.
приТ=343К.
Выходная полная 11рово1111мость в режиме малого сиг­
нала нри холостом холе при UкБ = 5 В. 11 = 0,5 мА,
/=1кГцнсбо~1се:
П27
П27А,П27Б, П28.
Емкость ко.1лекторного перехода при Ик 6 = 5 В не
более .
Предельные эксш1)•атацнонные данные
Л ocr оя1шое напряжение коллектор-база .
Постоянное наr1ряжение кол~1сктор-·;м11ттер при R-,Б ,;;;
20-9()
20-6()
42-126
33-100
7-90
7-60
14-126
11-100
20-200
20-150
40-280
30-220
З мкА
140 мкА
2 мкСм
1 мкСм
5в
,;;;500ОмдляТ-;,303К.
5В
Постоянный ток коллектора .
Постоянная рассеиваемая !vющность
ТеУ1псра1 ура окружаю шей срс.'!ы
1,10
6мА
30 мВт
От 213
ДО343К
1,8 -п2i;i27А,•727Б, П28
1,6
1
. (:!. 1 ,4- Uк Б = 5 В-+,,.,,,_с+---1----1
. (:!.
1,05
1,0Ql----1---1---·--i--~l---1
-"'
1
~озr::
-----
)J
"'
;;. D,901---1-------1...,,L-~-+--+---+--~
D,851----""---+----l---+~+--­
D,80 L--'-~L--L~L--'-___J
О
2 J 4- 5Uк5,В
ЗависиУ1ос1ъ относитеJiьного ко­
эффициен1 а переда '!И тока в ре­
жиме ма;юго сигнала от напря-
жения коллск гор-база.
4 По1.упроводниковыс приборы
z 1,2 t----j,~.L+---1----1---1-----1
;>.
"'
- !::'
234513,мА
Завиl:имость опюентельного ко­
эффициента передачи тока в ре­
жиме малого сигнала от тока
эм~птера.
97


1,б-т 11 1-,
П27,П27А,{127Б, П28
1/f
1
!
1
1
~ 1,21---f. -+1-1' -- + ---f- -- -I
--J ?1
Uк5 =5В
' ; _; 1,0 Iз=О,5мА
""
-.<::: 0,8
0,Б
{!Lf.
~1.)
!----+--+---т-1
1 l_J
233 253 273 293 J!3 т,к
Зависи:\rос1ь отнuс1п,_:_!ьl!оrо ко­
эффицнснтн псrе,Lачн то;,:а в pc-
:.i\II:\1C :-.1а_1ого CHI r1а_1й ОТ TC\.fiie-
p~lТ) ры.
Завис11:.11.Jсть относц t (. '_ 1i:-)uu: о ко-
1ффиниен1·а ury:\1a от на1iр:~:.;:с­
ння кп ~-;tск rop-Gli3:!.
Зависн:\1сс 1ь о П-iоснтс. r1..:1н1ro ~...:о­
·Jфф1~цн~н та а1умu о 1 ток:.t J:- .1111-
1'· ~-•.:••
0,58
~з 095
'")
'3
' >:: 0,9 ч. >-------+--
(10 ';j
•
1
1
0.90L_J _ ~i__i -~--
,
/]123
о, 51----~:---+----!-1.-.-+- - - - -<
ii1
J_
0,____ ,_
-;; --- J
L/- 5.l
3 _мА
П29, П29А, ПЗО
Il!1'JK0 1 ШC 1 ОПIЫе \1;..t_1Ui\·10ПIHЫC.
Прсдн'-~1н~11-!еН1J! д.1я прпченсния u сле~:а-....;, пере1с1t()Чепия.
Rы11усr~а101ся н ~,1с п.1.1_1остс1:лянпоl\1 1'orr1ycc с 1 нб~~Н\,:11 вывоп::1ми.
Обозвач~11н{:- ти~1а прнводнrся Hd боковой rrовсрх:--1ост1! когrrуса.
I\1!aCC~1 тра~{-:Н1СТОjХ1 НС fо.г1ес 2 l .
.,.,
с:;
-э. Ко1111ектор
Электрические параметры
Предельная частота коэффициента передачи тока ври
ИкБ=бВ,/э=1мАнеменее:
98
~
1
j1
1
i


·
П29, П29А .
пзо
Постоинпая времени цепи обратной связи при ИкБ =
= 6В.I,= 1мА.f=5МГцнебо.1ее.
С1 ап1'1еt:кий коэффиниент 11ередачи тока в ехе:\-!е с
общим >Уiиттероч при UкБ = 0.5 В, /.CJ = 20 мЛ:
11рнТ=293К:
П29 ..
П29А .
пзо.
при Т= 213 К:
П29.
П29А .
пзо.
прн Т= 343 К:
П29.
П29А
пзо.
Напряжение насыщения кол.1ектор-·;\-11птср при Iк =
= 20 \!А не более:
П29при/6=2чА
П29Лприlr;=1мА
ПЗОпри!6=0,5мА
Напряжение насыщения база-'Jчиттер при /к= 20 мА не
более:
П29при/6=2\1А
П29Априfь=1мА
ПЗОпри/r;=0.5мА
Обратный гок кос1:1ектора при Uкь = 12 В нс бо.1ее:
приТ=293К.
прнТ=343К.
Обратный тоr: э:v~rптера при Т = 293 К. U1 r; = 12 В
пе бо.~сс .
Емкосгь ко.111ектор11оrо нерехода при Uк 6 = 6 В не
более.
Пр~,зе.1ьныс эксп.~уатацщщные данные
Постоянное нзпрЯ>hСI-111е кол_·1t:r.:тор-")\.НП rer при /L =О:
при T=2l3c--293 К.
приТ= 343 К.
Им11у.1ьс1юс нанряжение ко:1:1сктор-6аза .
Импульсное напrяжснне кол.·1ектор-,ми i !ер
Импульсное 1rапrяжсние J\,Нtттер-6'-пи
Импульсный 1ок ко.1.1ек 1ор<> .
Импульсный ток ·ншт1сра .
Постоянная рассеивае;\нtя мошпость
Температура окружаюшей сремы .
4*
5 МГц
10 МГц
6нс
20-50
40-100
80-180
7-50
13-100
26-180
20-100
40-200
80-360
0,2 в
0,2 в
0,2 в
0,5 в
0,4 в
0,35 в
4 :-.1кЛ
120 мкА
4 мкА
20 вФ
10в
6в
12в
12в
12в
100 мА
100 мА
30 'V!Вт
От 213
до343к
99


-ro 1
~
-~-
П29,П29А,П30
1
1
1
t±CI
0,б
0,5
О 20 ЧО 60 80 100I3,мА
Зависиv.ость
u 1 носительного
слпическо1·0 ко::>ффнциснта пе­
редачи тока в схсче с сGнrнм
эмиттером от тока э:-.шттера.
0,б
0,SL----'-----"----=-
0,1
1
10R36 ,кОм
Занv.симость
относптельного
постоянного напряжения ко.1-
лектор-эмиттер о 1 сопропшлс-
иия в цепи эмиттер-базн.
Зависимость
относ11тс_1ьного
сгатического ко1ффиш1сн т пе­
рс2'1чн 1oi:a в схе\.1е t.: oG!llH\I
>мнттером от темnер•П''РЫ.
О,61------+----"'--­
О,5 ~----'----·"'----'
1
10
100 Rзr.,к!Jм
Зависимость
относн1е.1ыю1 о
пост•:т-tного I::апрЯiо\еI1ия ко.1-
_тектор-Jмиттер от сопротнв:1е­
ния н непи 'Jмчттер-база.
МПЗ5, МПJ6А, МПЗ7, ~.1ПЗ7А, МПЗ7Б, МПЗ8,
МП38А j,:
!
Транзисторы 1·ермаиневые сплавные .;:ъд-р уси.1ительвые низко­
частотные с ненормированным (МП35, МП37, МП37А, МП37Б,
МП38, МП38А) и нормированным Hd частоте 1 кГц (МП}6Д)
коэффициента'-'! шума.
Предназначены для усиления сигналов низкой частоты.
Выпускаются в !v!еiаллостеклянном корпусе с гибкими выво­
дами. Обозначение типа приводится на боковой 11оверх11осл1 кор­
пуса.
Масса транзистора не более 2 г,
100


r
Э.1ектрпческие параметры
Предельная часто·~ а коэффициента передачи тока 11р11
Ию;=5В,1,= 1"1Анеменее:
МП35.
МП36А, МП37, МП37А, МП37Б:
МП38. МП38А .
Коэффициент шума при Ию; = 1.5 В, /.э = 0,5 мА,
/= 1 кГц для МП36А не более .
Коэффиниент передачи тока в реж11~1е малого сипш;ш
приИкь=5В.1,= 1мА./=1к/'ц:
!!рИ т= 293 К:
МП35 .
мпзьл
МП37, МПЗ7Л.
МП37Б
МП38 .
МП38Л
при Т= 211\ К:
МП35 .
МП36А
МП37. МП37А .
М/1376
мпзs .
МП38А
при Т= 333 К.
МП35.
МП36А
МП37. МПГА.
МП37Б
МП38 .
МП38А
Обратный ток ко.1,1ектора ври Ию; = 5 В нс более:
приТ~·2\13К.
при Т= 333 К.
Обратный ток э~нп тер:~ при 2\13 К, U16 = 5 В не
более.
Сопротивление бюы 11рн Uкь= 5 В, f·-; = 1 мА, / =
= 500 кГ11 не бо.~ее .
0,5 МГ11
1 МГн
2 МГi1
12 дБ
13-125
15-45
15-30
25-50
25-55
45-100
5-125
6-45 ·
6- 30
R-50
8- 55
17-100
10-200
15-90
15-60
25-100
25-110
45- IRO
30 мкл
250 мкА
15 ~.шА
220 Ом
101


Выходная 110.~11ая прово.:r11мостh в режиме ма~1ого сиг­
нала пр11 хо.1осто~1 хо.1е при Uкь = 5 В. 13 = 1 мА.
f'-c 1 кГн не бо.~се .
3.3 мкС:v~
Емкое 1ь ко:1.1ек 1орного 11ерехода при llк 6 = 5 В не
бо.~сс .
6() пФ
Пос 1оя11нос на11ряженпс ко:1:1ек тор-база:
rrp11 Т~ 213 -с- JIЗ К:
МП35. М1136Л. МП37. МП38. МП38Л.
МП37Л. МП37Б .
прн Т= 313 -о- 343 К:
МГВ5. :\1П16Л. М!137. МП\8. МП3t\Л
i\IП37Л. МПJ/Б .
Постоянное наг.rJя_..;~сннс ::o.;-1~-1C!~T(;p~J;-..111тrer r!ри RэБ ~
<;; 200 0'>1:
11рн Т= 213-~313 К:
МП35. МГ!J6Л. МП~7. МПЖ МПЗi\А.
МП37А. МГ/375 .
при Т= 3i3..; . 34_1 К:
МПЗ5, МПЗбЛ. МП37. МШ3. :\1П3М
МfЛ7А. МП37Б .
!Jостоянный ток ко:1.rег:гора:
в pcЖHi\te усиления .
в режи~:с насыщення н:1н в импу~1ь-Сl-Е~:>.1 рсжпr-ле
По(.;rоянt!ЫЙ 1ок ·~м1п1срt--t в р~ж11:v1~ 1t(i(:ЫЩ~Н•iИ
Постоян1--::йя рас~t:инае~1ая :\Jоrп.нос i ь:
при т~- 213..; .
."\28 к .
при Т=343 К .
OGulCC rсп т1овое сопротнв~1енне
Тс:\.1 гrера {ура псреход:.t .
Тсмп:р3туrн: окружающ~й среды .
15в
30в
!ОВ
20в
15в
30в
]()в
20в
20 мА
150 мА
150 V!Л
15() мВт
75 мВт
200 К/В1
ЗS'i К
От 213
;ю343К
МПЗ9, l\11П39Б, МП40, МП40А, МП41, МП41А
Транзисторы германиевые сплавные р-11-р усr;.1ительные низко­
частотные с ненормированным (МП39. МП40. МП40А. МП41,
МП41А) и нормированным (МП39Б) ко::>ффициеитом шума на часто­
те 1 кГц.
Предназначены для усиления сигналов низкой час1 оты.
Выпускаются в мстал.1остеклян11ом корпусе с гибкими выво­
дами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности кор­
пуса.
Масса транзистора не более 2 г.
102


Коллектор
''
__L ~~
a:Ja
·~·-
~
.~~ ...
--
"'
t,
-
ое;-
"'
"
-
-
-
"$.
'$.
\~Jмummep S,5
40
8
'1,1с1причсские nарамстры
Прсле_1ь11ая часто1а ко·3фqнщнен1а nере;:rачи тока nри
Uк6=5Н.lэ=1мАне:v1енсе:
М!139. МП39Б
МП40. МП40Л. МП41. МП41Л
Коэффнниснт шума при Uю; = 1.5 В. /.3 = 0.5 мА,
/=1кГнМП39Бпебоже.
Коэффи11ие11т верс,~ачи тока в режиме малого сиг­
на,1априUкБ=5В.1,= 1:v1A./=1кГц:
нри Т=293 К:
МП39 не \1свес
Ml13'- lb
МП40. МП40А.
MI!41 .
МП41Л
нриТ=2~3К:
!\.'! П 39 не чснее
МП39Б
МП40. МП40А.
МП41 .
МП41А
nрн Т~ 333 К:
MII39 не :vieнce
МП39Б
МП40, МП40А.
МП41 .
МП41Л
Обра 1НЬ!Й гок ко.1.1ск 1·ора 11ри UкБ ~ 5 В не 60"1ее:
nри Т=293 К ..
при Т~333 К .
Обратнмй нж эмиттера прн Т = 293 К. U36 = 5 В 11с
более.
Сонронш.1ение ба·1ы пр11 L'кr; = 5 В. lэ = 1 мА, /=
0.5 МГц
1 МГ11
12 дБ
12
::ю 60
20-40
30-60
50-100
5
10-60
10-40
15-60
25- !00
12
20-80
20-120
30-180
50- ~00
15 мкА
250 мкА
30 мкА
= 500 кГн не бо;1ее .
220 Оч
Выходная 1rолная проводи:У1ость в рсж11мс \!алого сиг-
нала nрн хо,1осro:v1 хоас 11рн UкБ = 5 В, lэ = 1 мЛ.
I=1кГцнеболее.
3,3 мкСм
103


Емкость ко.1лекторноrо перехода rrpи СкБ -= 5 В. f --=
=1МГцне60.1сс.
Пос 1 ояшюе r-щпряжеш:е кол_1сктор-ба·ы:
при Т= 213-:- 313 К:
МП39. МП39Б. МП40. МП4i. Mll4JA
МП40А
приТ=313~343К:
МГ/39. МП39Б. МПШ MJ!41. МП41А
МП40А
Постоянное напряжение KO.I .1CK rор-э~н1rтср при п')Ь :::.;:_
.; !О кОм:
при Т= 213-' - 313 К:
МП39. МП39Б. МП40. MП-tl. МП41А
МП40А
при т~- 313-'- 343 К·
МП39. МП39Б. МП40. МП41. М1141А
МП40А
Постоянное Еапряже11ие э;v;1п1cp-fia·E1 . .
Иl\шульсное н~тряженис кол.:1ектор-ба:ш.
при Т= 213-' - 313 К:
МП39, М1139Б. l\1П40. МП41. М1141А
МП40А
при Т= .113-'- 343 К:
МПЗ9, МП39Б. МП40. МП41, МП41 А
МП40А
Импу.~ьсное н2пряженис кo_1_ry~к!,>p-J:v111rrcp при R 35 ~
.; 10 кОм:
ври Т= 213-' - 313 К:
60 JJФ
15 13
3\1 в
10в
20в
15в
30в
10в
20в
10в
20в
30в
1." в
20в
МП39, МП39Б, МП40, МП41. МП41Л
20В
МЛ40А
30В
при Т= 313-'- 343 К:
МП39. МП39Б, МП40. МГ141. МП41А
МП40Л ..... .
Постоянный ток кьллектора .
Импульсный ток коллектора
Постоянная рассеиваемая V!ощнос 1ъ:
приТ=213 -'- 328К.
приТ=343К..
Общее тепловое сопротивление
Температура перехода .
Температура окружающей среды
104
15в
20в
30 мА
150 мА
150 мВт
75 мВт
200 K/Bt
35R К
От 213
до343к


г МП42, I\1П42А, МП42Б
Тра•;1ис1оры rсрчdниены.е cn.:iaвн1.J:e р-п-р 11~рс:кл1оttате_1ьн1,1с
низкочастотные 7'tiа.1омощныс.
Пре;:щ<вначены д.1я нри~1енения в cxe\JdX псрск.1 ючсния.
Выпускаю·1ся г, мста.·1.•осгек.1янно\1 корпусе с rиб;;и:УJi1 выво·
да\нi. Ono»IE!'leшrc 11ша !!рr1во.11пся на боковой 11онсrхности кор·
пуса.
f\.1acca тра11знстора 11е 60_·1ее 2 1.
+о
_а
·:1.1е1,тр11чесr;11е rшраметры
Предельная чг,сrога коэффиннснта nсрс.Jачн тока при
ИкБ=5В.1.,= 1мЛнеменее
Время nерск'1ючения 11р11 [;к·J = 15 В. 11 = 1() \IA не
бо.'lее:
Mfl42.
МП42А
МП42Б
Статиче1:кий ко1ффнц11ент псr~ш1чн ~ока n схеме с
общим 1:.шпером при liк> = 1 В. lк = JU мА:
11ри Т= 293 К:
МП42 .
МП42А
МП42Б
ври Т= 233 К:
МП42 .
МП42А
МП42Б
11ри Т=333 К:
МП42 .
МП42А
МП42Б
Напряжение насыщения
=10мА,/6=1мАне
Напряжение насыщения
/Б=1мАнеболее.
ко.1:1ектор-·}митгер нри lк =
более .
база-эмиттер при 13 = 10 мА,
1 МГн
:2•.'i мкс
1,5 мкс
l.(J \1КС
:ю- 35
30··· 50
4)- !00
10-35
15-50
25- !00
20-105
30-J50
45-300
0,2 в
0,4 в
105


То1( ко.1ле;:тора закрытого rранзистора при Ик 1 =
15В.U)r;=1Внсбо.1ее:
Пр!! Т= 293 к
прн Т=333 К
Пре.1елы1ые экс11.ч·:нащюнные /1,анные
25 мкА
250 мкА
Постоянное напряжение ко.1лектор-база .
15В
Постоянное на11ря;кеннс ко:1С1ек 1ор-Jм1п1ер при R 1 r, ,с;_
,с;_ 3 кО\1.
Им11у:1ьс11ый 1ок к<>.·1.1ек !Ора .
П()(:тоянная рассеиваемая мощное 1ь:
при Т=213_,_318 К.
Пр!!Т=343/(.
Общее i еп:1овое сопротив.1е11 ие
Температура ~:ерехо;щ .
Температура окружающей средL!
15в
200 мА
200 чВт
75 мВ1
200 К/Вт
358 к
от 213
ДО343К
1Т101, ITIOIA, ITIOIБ, 1Т102, 1Т102А
Транзисторы 1ермапиевые сп.1~.вные 1н1-р усн:1111 е;~ьные швкой
частоп,1 с rrс-!юрчи;ч1наюrы>vr (ITIOI. ITln!A. ITIO!f;) и ноrмиро­
ван11ым (IT102. 1Tl02A) коэффициентом шума на частоте 1 кГц.
Предназначены д.1я уси.1ения си1 на.1ов низкой частоты.
Выпускаются в мета~1лостск.1янноv1 кор11усt: с 1ибкими вы1ю­
пами. Обозначение тишl пршюдится на боковоИ поверхноон кор­
пуса.
Масса трэ11·шс 1ора н~ бо:тсс 2 r.
Э:н.>о. трr1чсошс параметры
Прс.JсЛЫI~~я чпс 1о1 а к0Jфф1,tr:лсн 1·а вередач11 1ока нrн
ИкБ=5В,13=1е1лАпе:1-1снсс:
lTlOl, IЛOlA.
106
2 МГц
т


!ПОIБ
lТ102. lTl02A
Коэффиписнт шума при Uю;=5 В. lэ=0,5 мА, /=
=1кГц:
1Tl02 нс более
типовое значение .
l Тl 02А нс 60:1сс
типовое зю1 чснис
Коэффн1щсн1 псредачн тока в режЕме ~лалого снпшла
приL'кi;=5В./'1 =- 1чА./'=lкГп:
при Т= 293 К:
lТlOI .
lТlOIA
IПОIБ
1т10: не \1СНСС.
типовое Jнае..1сние
l Т 102А нс ~1епсс
5 МГц
МГц
7дБ
4* дБ
12 дБ
5* дБ
. \0-60
20-40
60- 120
20
60*
20
70*
111nовое 1н:tченне
при т~?13 к .
.01[ДОl/3
,111я ! О I) 1рннзистороn .
Обратный тJ~ котн:к1орu не 60.1сс:
11риТ=293К:
lTl01. 1Тi01А. IТ101Б !iрн Uю; = 15 В
ITJU2. IT102A при Uкr; = 5 В
при Т= 343 К:
IT101. !ТIOI.-\, !ТIО!Б при С;:,; 10 R
J Т]()2, JТ]02 П[Jil ['КБ=~5 !3 .
Обра1ный ток ·;:-,,1ю гсра 11ри Г = 29.\ i( пс 60:1ее:
!ТlOl. lТ10iЛ. 1Т10iБ при С-н; = 15 1З .
1Тl02. IТ102Л при Uэь = 5 В .
Сопротивление б;лы !ij'JИ UкБ = 5 !3. 1 -' 1 = 1 мА.
= 0,5 МГп !ПОI, lТIOlA. IТIOIБ нс более
типовое ·н~аченис .
!=
при
Т= 2'JR К
г;;п
Т=с298 К
~ значен~1я
11pir
1== 293 к
!5 ~ял
10 мкл
300 r-1кА
30И ~1i<A
15 /.{КА
10 мкА
250 Ом
80*Ом
Выходная полная про нодимос-1 ь в режиме ма.1оrо сиг­
нала нри холостом ходе при Uкr; = 5 В, lз = l мА,
/=l кГц не более .
2 мкСм
типовое -щачение .
l,5 * мкСм
Емкость ко.1лекторного перехода при Ик~; = 5 В ITJOl,
IТIOIA. !ТlОIБ не более
50 пФ
типовое значение ·
30*пФ
107


Постопннос напрлжсние ко~1.1..::пор-база:
IТlOI, IТIOJЛ, IТICliБ:
пrвт=2!3-:-32[\к.
пр:1Т=.ПR -7-343К.
IТ102. iТ102А щт Т= 213 ~ 343 К
ПocTO}!!Ji-I~ie папряжс1~1!е ко.1.1с:.:1ор-1~нrт1сr :!рн R)G <
~2кОм:
IТIOI. iТIOIA. IТ101Б:
15в
lо !3
5в
приl=213--;-32~К
.
15В
нриТ=328~-343К.
1ОВ
ITIQ2, 1Тi02А при Т ~' 213 ' 343 К
5В
Постоянное Шl!!ряже1-шс э•,1111 1ep-6aJa _
IТIИ1. IТIOIA, JТlOIБ:
приТ=213-7-328 К .
15В
11ри Т= 328 --;- 3_43 К .
1ОВ
IТ102, !Т102А при Т= 213 ~ 343 К
5В
Постоянный то•~ коллектора:
ITIOI. JТIOIA, IТIOIБ
ITI02, IT102A.
Постоян:ньн{ 10(< эr.литтеfJ<:l:
1Тl01, lТ!ОlЛ, IТ!ОIБ
lТ 102, 1Т1 02А .
П остоян11ая р:1ссспнае~вя мошность:
ITIO!, 1ТlOIA. JТJOIБ
1Т 102, lТ 102,\
Те:-.шератуi)а перехода .
Te:vt11eraтypa скружGюшеli ср~.г:,ы
-т--:-~--г --1
1Т1ОУ1, 1Т1015) __/
1)3
1Т10'/ •т1ri;;' 1
'
i
;_·• 1,2
'_: _;l;ff1/-
v~п 1
-'
1
~
1
)
1
';;, 1,1
1
1
-~--:
f'1оr~
1
i_L_I
'
-j- ! /13=1мА! j
0,9 --
-1 1- -+--г­
o,вLl_ l__J 1 1 J
О 2,5 5 7,5 10 12,5 Uк5,В
Занис~1:,1ос 1ь vтноситс...1ьно1 о ко­
:эффиuиент;:~ uсрсдачи 1ока n рс­
жи~е мaJI()_ro снпrZtлп от н~~пр~-
жения ко.'Iлеr;тор-база.
108
10 мА
f> мА
1() мА
6мл
50 мВт
30 мВт
358 к
01 11"1
:10 :143 к
Заввси~юсть опюситслыюго ко­
эффщиснта псрелачн тока в re-
ЖH.\IJe :\1ало10 си1 на.'Jа от тока
эмиттера_


Завш..:иr.лос1 ь о п~оси 1е.1ьно1 о ко­
эффиниента rrс:ре,·щчи тш;а n ре­
жиме ма.1ого сгrгна_1а о 1 Т~\1пс-
ра 1уры.
З:Jнtн.:и\.1осrь о-,носн1е.1ь:101 о ко­
)ффи11иент:t 111ума от 1t:чnера-
1уры.
l\1П104, l\!1Пl05, МП106, МП114 9 МПН5,
l\1П116
Транз;{сrоры кре\1ниеsые сн~1шзпо1с р-п-р усиJ1и I~~:ыrые н113ко­
частотные с ненормироn~~нныч кт~эфф~нrрснто~r u;уча.
п p~.'t[f<J.3lia чены ;i.-f}l усИЛС"i1 :J~~ L!IГ на.1оn !iH Н(<)Й Ч(!С ГОlЪ!.
BЬIП)LiнlHJf1...'>-: iJ \:\C:a_,i~~CC:ICI\.I~J;i:J:--1 r~op~i;=·~-.: ~ 1 ~i..Ji-..1\"1iJ ;;;1-1rD~)-
дами. Обсвначенr~е ГН:1~1 !!pИБO.li!-rr,~я H~l fioкoпc1i~ П:..)l.1ерлнос:·i1 кор-
пуса.
Масса 1r~1н·шстора н~ бо."ее :! с
Колнектор
- - r:::::::;J
баsа -Е:З-
:Э.1с"тр11чесю1е параметры
Предельная частота ко1ффнциснта передачи тока при
Ик6=5В,fэ=!мАнеменее:
МПJ04, МП!U5. МП114. МП115 .
U.I МГц
МП!Об, МПl\6 .
0.5 МГн
Коэффициент по;:рсдачи тока n режиме :-.1алоr о он·на:та
приИкБ=5В,lэ=lмА:
при Т= 293 К:
МПJ04, МП!14 не менее
9
109


М1!105.МП115.
МП106. МП116
нри Т = 213 К не 'v!енее:
МП104. М11105 .
МП106
при Т=393 К не менее:
МП 104. МП105
МП106
Пробивное на11ряжение ко.1~1екторно1 о 11ерехода на nуль-
сирующс\1 напряжении при f= 50 Г11 нс менее:
МП114
МП115
МП116
Обратный то1-: ко.1лек·1ора не бо~•ее:
при Т= 293 К:
МП114приUкБ=30 В
МП115приИкБ= 15 В
МПI16приИкБ=10В
при Т=373 К:
МП114приИкБ=30 В
МПI15 при Ию;=15 В
-МПI16 при Ик6= 10 В
при Т= 393 К:
МП!О4 при L'кБ = 30 В
МП105 при ИкБ= 15 В
МП106 11ри ИкБ = 10 В
Обратный ток коллектор-эмиттер при Т = 293 К, Rэr; =
= 50 Ом не более:
МП104 при Икэ=70 В
МП105 при Uк·э = 40 В
МП106 при Uкэ=20 В
Обратный ток эм~п 1ера не более:
при Т= 293 К:
МП114. МП1!5 при Иэ6 = 10 В
МПI16 11ри UэБ=5 В .
при Т= 373 К:
МПI14. МП115 при UэБ=1О В
МПI16приU36=5В.
при Т= 393 К:
МП104, МП105 нри Uэь = 10 В
МП106приU36=5В.
Входное сопротаn:~енце в режиме малого сигнала в
схеме с оfiщей базой при /э = 1 мА. /= кГц
не более:
МП104, МПI14приUкБ= 50 В .
МГ!105,МПI15приUкБ=3()В.
МПIОб, МП116 при Uкi;= 15 В
Сопротивление наt:ыщения KOЛJ!CI< ~ор-эмиттер 11ри Uкэ =
= 20В,Ii;=4мАМП105,МП115неболее.
llO
9-45
15-100
7
10
9
15
70в
40в
20в
10 Mf:A
10 мкА
10 мкА
400 мкА
400 мкА
400 мкА
400 мкА
400 мкА
400 мкА
мА
мА
мА
10 мкА
10 мкА
200 мкА
200 мкА
200 мкА
200 'v!KA
300 Ом
300 Ом
300 Ом
50 Ом
l


Предельные эксп.1уапщионные данные
Постоянное щшряжение коллектор-база:
приТ=218+343К:
МП114
МП115
МП116
приТ=213+348 К:
МП!О4
МП105
МП 106
приТ=З73К:
МП114
МП115
МП116
при Т= 393 К:
МП104
МП!О5
МП106
Постоянное н:ir:pя;;~Ct-H1t· 1-:0.--;л,__;ктор-э\rиттсr г;ри Я·;ь ~=
.:; 2 кОм:
приТ·~218+343 К:
МП114
МП115
M!lll6
приТ=213+34S К:
MIII04
МПIО'
МП1•'6
при Т~ 373 К:
MI!!14
МГ1!15
МП!16
прп Т= 393 К:
MIIl04
МГ1105
МП!О6
Постоянное напряжение эм11лер-ба1а:
МГ! 104
МП105 ..... .
МП106, МГ1114. МП1!5, МГ1116
Постоянный ток коллектора .
Импульсный ток коллек 1ора .
Среднее значение тока эмиттера в импульсном режиме
МП104, МП105, МП106 ..
Постоянная рассеиваемая мощное 1ъ:
при Т.; 343 К МП114, МП115, МП116
·при Т,,;, 348 К МП104, МП105, МП106
при Т=373 К МП114, МГ1115, МПl\6
при Т=393 К МП104, МП\05, МП\06
60в
30в
15в
60в
30в
15в
30в
15в
10R
30в
15в
108
60в
30в
;r
Б
,_,
60 1З
30в
15в
30в
15в
10в
30в
15в
10в
30в
15в
10в
10 мА
50 мА
10 мА
150 мВт
150 мВт
60 мВт
60 мВт
111


Тсмпсратуrа окружающей среды:
МГ/!04. МП105, МП!06
МП! 14. МП115. МП 116
2,0
1,8
МП10Ч,МП1051 МП106,
МП11Ч, МП115, М П116
1
!
Uк-== 608
ь1
~'-+~,,._Jo1_ _, _ _
_, __ __,
1,0 ___,,,,_+---1--+--+"--k--~--I
~8'----'--1..--'---'----.J--'
О
8 10 I3,мА
От 213 :щ
393 к
От 218
до373к
Зависи\10сть опюсите_1t..ного ко­
эффиrшента персд"чи тока в ре­
жичс ча_1ого сигна"•а о 1 1ока
. J,1111 1ера.
2ТМ104А, 2ТМ104Б, 2ТМ104В, 2ТМ104Г
Транзисторы кремниевые
Энuттер
сплавные р-11-р маломощные.
Предназначены для работы
в усилительных и импульсных
микромоду"1ях этажерочной кон­
струкции.
Выпускаются в металлостек­
лянном кор11усе на керамической
п.1атс. Обозначение 1·ипа при­
водится на корпусе транзистора.
Колле.'!mор
Масса транзистора нс более
0,R 1.
Элек 1·р1-Lчес»ие пара"1етры
Грапич1:<1я часто·~ а 1шэффищ1ен 1а перещ1 чи тока в схе\1е
ссбщиl\1J\ШТ1еромпrиUю;=5В, /3=1мА
нс мене~.
Стати'кский коэффиниен 1 передачи тока в схеме с
общ11\1 Э\ППтером при 11к 6 = i В. 11= 10 мА:
2ТМ104А
2ТМ104Б
2ТМJО4В
2ТМ!О4Г
На11rяже11ие насыщения ко;~лектор-эмиттср при lк =
= 10 мА пе более:
при16=2мА2ТМ104А..
при ! 6 = 1 мА 2ТМ104Б, 2ТМ104В. 2ТМ104Г.
Напряжение i>асыщения эми1 ~ер-база при fк = 10 мА
не бо~,е~:
нри!6=2мА2ТМ104А..
при ! 6 = 1 мА 2ТМ!О4Б, 2ТМJО4В, 2ТМJО4Г
112
5 МГц
7-40
15-80
!9-160
10-60
0.5 в
0,5 в
в
в


Емкость коллекторного псрехоца 11ри UкБ = 5 В, / =
=3МГцнеболее
50 пФ
Емrшс1 ь 1!\шттерного неrехода при Uэь = 0 .5 В. / =
=10МГпнеболее.
10 пФ
Обrа пrый ток колс1ектора пrи Т = 213 -с- 298 К не
более:
при Uкi; = 30 В 2ТМ 104А, 2ТМ 104Г
мкА
при L'кБ = 15 В 2ТМIО4Б. 2ТМ104В
мкА
Обратный ток эмиттера при UэБ = 10 В. Т= 213 +
-с-298Кнеболее .
мкА
Преде.1ы1ые эксплуатационные данные
Постоянное напряжение кол~1ектор-база:
2ТМJО4Б, 2ТМ!О4В.
15в
2ТМ104А. 2ТМ104Г:
при Т=213+333 К
приТ=398К.
30в
20в
Постоянное напряжение эмиттер-база:
при Т=213-с-333 К
10в
5в
при Т=398 К .
Постоянная рассеиваемая :vющность ко.'1;1ектора:
нриТ=213-с-333К.
150 мВт
41.б мВт
423 к
От 213
!Ю398К
приТ=398К.
Тб!Пература перехода .
Температура окружающей среды
hz13
---r
100 1-----+ UКБ= SВ_____ ,
801-----1- --- -f --- -- -j
601----~~~----1----i
чо~~~~"
20~--="'1~........~~
о
hг1з
30
2ТМ101/-А
10
-:;:_,
.. -'
UкБ =58
Iк=1мА
10L.--~L-~~~~..........J
293
333
373 т,к
3ависи!\юсть коэффициента пе­
редачи тока в режиме малого
сиг11а.1а о г r ока эмиттера.
Зона воз\1ожных 11оложений за­
виси'vюсп1 коэффициента пере­
дачи тока в режиме \1алого
сигнала о г те:v~псратуры.
Зона во1можных наложений за­
виси>vюсти коэффициента псрс­
ла чи тою1 я режи\1е малого сиr-
на.•а от темпера туры.
hz13 2ТМ101/-Б, 2ТМ101/-Г
80
_
.. ..
.. .... -
601------с7""'~------+------<
l/01--,r-----1f--=-~----i
20f-'0--~-+='=----1-----4
10
--uк5 =5В,Iк=1мА
213
273
J3З т,к
113


hг1э
140 f-------t 2ТМ 104 81-------t
120
100
РО/
БО
40
-----
20
1
-1
213
т,к
26
24
2ТМ 101/А -
~ 16f-i+;-J---j-
'
""
} 121
8
о
Зон.1 н~; 1;\iо·-t"вых 11 .... 10:-1:~ен11Н 3а­
внс~1 \ iLJC ПI KO!ффiHI!ICI-i1 ~\ nere-
Zlc.i ч11 1 ока н рех~нчс \1~~1oro
(:J;1на·1.1 01 те~... Е1~.ра1)ры.
Зон ...\ ВlУ~\1ожних пn_10)J\CH11ii за­
ВИСН\IС1СТ1I ВХОlНОГ о COlipnтив­
.lCIИOl с 1 ток:.~ 1'-1и 1 r·~r~1.
КТ104А, КТ104Б, КТ] 04В, КТНМГ
--г .... ,\IIl ;•r· Гi,Y'i1-.T
.L j •••••~---
•
-
t"--
уни-
uсрса~'1ЬНЫС Н1Г~КОЧ~iС готные , '\i:1 '}{) ~"!OIЦHL!·.--.
Вынускаrотся u ~н;· t ~l.1лост~rслю-1но:--л корr;~,сс с гнбкн\н1 выво­
д,1,rи. Обо·зна[1снне rин...t r~рпвопнтся на Kf:т•~i)Ce.
!\1нсса трд1;1:-tетор.. 1 нс более 5 r.
-т
3Nиmmap
Ба.за,
1
ф 2,6
"Элек·1рические параметры
Граничная час1ота коэффициен1а передачи тока в схе­
ме с общим -;~.ш1тером при Икэ=5В, Iэ=1мА
не менее.
Постоянная времени цепи обратной связи при ИкБ =
=5В,Iэ=1мА,(=3МГцнеболее.
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала
приИкБ=SВ,Iэ=1мА:
КТ104А .
114
5 МГц
3нс
9-36


КТIО4Б
КТ104В
КТ104Г
Граничное напряжение не менее:
при lэ = 5 мА КТ104А. КТ104Г
при lэ = 10 мА КТ104Б, КТ104В
Напряжение насышсния коллектор-Jмиттср при /к =
= 10 мА нс fio.1ee:
при!5=2мАКТ104А.
при / 5 = 1 ~1А КТ104Б, КТ104В. КТIО4Г
Напряжение насышення база-эмиттер при fк = 10 мА не
бoJtee:
при/Б=2мАКТ104А .
при 16 = 1 мА КТ104Б, КТ104В, КТ104Г
Обратный ток кол.:~сктора нс более:
11ри Ию;=30 В КТ104А, КТJО4Г.
при Ик5 = 15 В КТ104Б, КТ104В .
Обратный ток J~шттера при -ИэБ = 1О В не более
Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схе­
ме собшнм эмиттером при UкБ= 5 В, /э= 1 мА,
/=1кГц .
Емкость коллекторного перехо,'\а при ИкБ = 5 В не
более.
Емкость Jмиттерного 11ерехода при ИэБ = 0 ,5 В не
более .
Предельные ·эксплуатациош1ыс данные
Постоянное напряже1I!iе ко.1.1ектор-база:
КТ104А, КТ104Г.
КТ104Б. КТ104Н.
Постоянное напряжение колJ1ек 1ор--J\Шттер при Rэг, о;;
,,_;; 10 кОм:
KTI04A. КТ104Г.
КТ104Б, КТ104В .
Пос1 оя1шое напряжение эмиттер-база .
Посп1ян11ый ток кол.1ек r ора .
Постоянная рассеивае\1ая мощностh
Общее гспловое coilpo пш.1сние
Температура перехо,1а .
ТемпераI)ра окружшощей среды
20-80
40-160
15-60
30в
15в
0,5 в
0,5 в
в
в
мкА
мкА
мкА
120•Ом
50 пФ
10 пФ
30в
15в
30в
15в
10в
50 мА
150 мВт
400 К/В1
393 к
От 213
ДО373К
ГТ108А, ГТ108Б, ГТ108В, ГТ108Г
Тран,н1с 1оры rерманr:свые сн:1~.шные р-п-р мдломоrнные.
Предназначены ;~.1я работы в усилате:rьных н имнульсных схе-.1ах.
Выпуск<~ются в металлос;екштном 1;орпусе с гибки\111 выво-
дами. Обозначение тина привалится на кopIIyce.
Масса транзистора не бо~1ес 0,5 г.
115


16' 2,'t
Электри•1еские ш1раме1ры
Грани':rНая час1ога коэффициентu вер~дачн тока 11 сх~:\ле
с общей базой при Uкr; = 5 В. /.3 = 1 :viA пе '.1енее:
ГТ108А .
ГТJО8Б, ГТJО88, ГТ108Г
КозффицРен r передач!! тока в режиме малого снгна,в
приUкБ=5В,I,= 1мА:
при Т= 293 К:
ГТ108А
ГТ108Б
ГTIORB
ГТ!ОSГ
11ри Т= 328 К:
ГТ108Л
ГТ108J>
ГТJО8В
ГТ108Г
при Т= 243 К.
ГГ108Л
ГТIОSБ
ПIOSB
ГГ108Г
Обr;атный ток ко.·1лектuра ври Ию;= 5 В нс бо.'rсс:
llpИ Т=293 К .
приТ=328К.
Обратный ток эмигтсрн 11р11 U-,г, ~ 5 В не бо.1с:с
Емкость коллек·1орпого перехода при С'кг, = 5 В, _f =
=1МГцне60.1ее.
Постоянная врсменн пепв 06ра1ной связи при Икь =
= 5В./3=1мА,/=465кГJJнсбо.1сс.
Преде.1ьные эксп.1уатационш.!<> даЕные
0.5 МГц
1.0 МГ11
20-50
35- )\()
60- IJO
1J0-25()
20-1()()
35-160
60 260
1 !О- 500
15-50
20-80
40 -130
70 - 25()
10 мкл
250 мкА
15 мкА
50 пФ
5ЕС
Пос~ оян11ое напряжение кол.:~ектор-база .
5В
Импульсное напряжение ко,1лсктор-база при ти ~
~5мкс.
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при Т=293 К
приТ=328К.
116
18в
75 мВг
33,2 мВ1


По.1нос тешювос сонропшление .
Пос1оя11ный 1ок кол:1ектора .
Темпера 1-ура нерехо;tа .
Тем11ература окружающt:й срс-.::~.ы
0,8 К/мВ1
50 мА
353 к
От 228
ДО328К
ГТ109А, ГТ109Б, ГТ109В, ГТ109Г, ГТ109Е,
ГТ109Ж, ГТ109И
Тран1исторы гер:v1а1шевые сп.1ав11ые 1н1-р \1а:ю\1ощныс.
Пре11наз11ачены п.1я paGo 1ы tю входных каскадах уси.11пелей
низкой часто 1ы.
Выпускаю1ся в \Лета.'1лостск.1янно\1 корпусе с 1 11Еiки\ш вывола\Ш.
О601наче:ше типа прИВОi!И 1ся на кор11усс.
Масса 1 ранзис1 ора не 60:1ее 0.1 r.
г
~6
1-змиттер с:,,-
2-км11ектор
J-оаза
21
't-
"::>
о-.,'
(S)
2,5
Красная
точка
4
Э.1е~-.:трические параметры
Гранн,шая 'I<tстп га ко·Jффицнента переда'1и тока в схе, 1 с
с обшнм Jмит-1ером 11рн Uкr.= 5 В. /.) = 1 ,,1А. :ie
менее:
ГТIОУА. ГТ109Б, ГТ109В. ГТ109Г. fТ109Ж.
ГТ109И
ГТ109Д
ГГIОС!F
КоJффнпнснт 11ерсдачи тока в режи\!С :vra.·ю1 о c11r11a:ia
приU;.,:ь=5В,Iз=1чЛ:
при Т= 2У8 К:
ГТ109А, ГТJ09Ж
ГТ109Б
ГТ109В
ГГ109Г
ГТ109Д
ГТ109Е
ГТl()<)И
прч Г= 328 К не ченее:
ГТ109А. ГТ109Д. ГТ109Ж, ГТIО9И
ГТ109Б
ГТ109В
ГТ109Г
ГТ109F
МГ//
3 МГп
5 МГн
20-50
35- 80
60-130
110-250
20- 70
50-100
20-RO
20
35
60
110
50
117


при Т= 228 К:
ГТ109А. ГТ109Ж
ГТ109Б
ГТ109В
ГТ109Г
ГТ109Д
ГТ109Е
ГТ109И
Обра гный 1ок кол.1ек 1ора нс бо.1ес:
прн L'п = 5 В ГТ109А. ГТJОСJБ,
ГТ109И .
при Ию;= !,5 В:
ГТ109Д
ГТ109Е, ГТ109Ж
Обрu 1ный ток ·1vill l"Tept1 нс {)с_,1ес:
при UэБ -' 5 В ГТ!09А, ГТ!09Б.
ГTllJ'>Ж, ГТНNИ .
при U·15 = 1.5 В ГТ109Д
rtpи ['Эh = 1,2 В ГТ109Е
ГТ109В ГТJ fNГ.
ГTllJYB. П !09Г,
[·."rкость ко"1"1екторн01 о псрсхо;щ 11р11 j ~~ -165 кГц нс
нр;r Uкr; = 5 В ГТ109А, ГТ!Оl!Б. ГТ109Н, ГТ109Г.
ГТ109Ж. ГТIО"И.
rч·,;r L'кь -- 1 .2 R ГТ!О'!Д, ГТ1(1 ОЕ
Ко;r)1фш1Е>:!t: шу~1а прн L'кг, = 1,5 В. f э = 0.5 :v1A,
/._, ! hГц неGo.1ee .
Пре.J~:1ь1н~1е 3f.\~п"1уата11иониые .1анпые
15-50
20-80
40-130
70-250
10-60
30-100
15-RO
5 мкл
2 :\!КА
мкА
5 .\1КА
з ~~пи\
'
\11\А
·'
10 нФ
jl) гтсi)
12 ::\Б
rr OCI O}{liIHY? напгяжсп;I{' K01~1('7\T(}p-6,j'):J •
iов
И\нrу_:Iсснос нгпрхжение кол~1е:('1ор-ба1а при ти ~
~ J0 .\.J:{C •
]8В
Постоянное н11:1ряжечис ко~1.11ек1vр-1"'.1и1 1ер при R3 r;; ~~
<:~ 200 кОм .
6В
Постоянный , ок 1<0.:лек t .Jpa .
П остоянпая рассеиnас~1ая \Ющность кол:1ек ropa:
приТ=248-;-293К
приТ=328К.
Температура перехола
Те.\11;ература окружающей среды
20 мА
30 мВт
13.8 мВт
353 к
От 22R
ДО328К
ГТ115А, ГТ115Б, ГТ115В, ГТ115Г, ГТ115Д
Тран:шсторы германиевые сплавные р-п-р маломощные.
Прелназначены для работы в качестве усилительного элемента
в радиолюбите:1ьских конструкциях.
Выпускаются в мета,1лостекллнном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 0,6 r.
118
-


76
2,55
база -.t=:~ac=i­
K01111ектор -r:::-::;.- E E J B
Jмиттер
')лектричесыие параметры
Граничная час 10 га козффициента передачи тока в схе:..1е
собщейбазойприИкБ=5В,Iэ=5:viAнеболее.
1 МГц
Козффиниент передачн тока в режиме ма.1ого сигнала
приUкБ=JВ.!3=25мА./=270Гц:
ГТI 15Л. ГТI 15Б
ГТ1158, ГТ115Г .
ГТI 15Д .
Обра rный 1ок ко.1лектора не Go:1ee:
пр11 Uкь~20 В ГТ115А, ГТ115В, ГТ115Д
!!рИ Икr;=ЗU В ГТ115Б, ГТ115Г
Обратный ток Э\\ИТТСра ври и,Б = 20 в не более
Преде.~ьиые J1,сп.1уатациоииые данные
Постоянное 11апряжеш1е ко.1лектор-баз<~:
ГТ115А. ГТ115В. П115Д .
ГТI 15Б. ГТI 15Г .
Постоянное напряжение змиттер-база .
Постоянню1 рассеиваемая мощ1юсть ко.,1:1ектора .
Постоянный 1ок коллектор<~
Темпера гура перехо.1<1 .
Температура окружающей среды
20-80
60-150
!25-250
40 мкА
40 мкА
40 мкА
20в
30в
20в
50 мВr
30 мА
343 к
От 253
ДО318К
1ТМ115А. 1ТМ115Б, 1ТМ115В, 1ТМ115Г
Транзисторы германиевые
маломощные сплавные р-п-р.
Предназнас1ены 1ЦЯ рабо1ы
в усилительных 11 И\111).1Lсных
микромолу.1ях этажерочной кон­
струкцин.
Выпускаю·~ ся в ме·1 а.1.1остек­
лянном корнусе на керамической
плате. Обозначение типа при­
водится на корнусе транзистора.
Масса транзистора не бол(:е
0,8 Г.
Ба.за
Хо,иехтср
i-~·
'
'3,1
- =-l
~---
119


Злектрическ11е 11арамет!}ы
Граничная частота ко:хl>Фннненru псре,r~ачи ин~:.-t в схе:о.ле
с общей [):вой при СкБ = 5 В, J.1
--
5 мА нс r,1сн2е .
К()эффиписнт пере11~1чн гака в режиУ)е малого сигнала
нrнИю;=1В,J." = 25чА:
ITMI 15А. пм:11sв.
ITMI 15Б. ITMI 15Г.
Нunряжснне НilСЫщення кол.1ек 1ор-J~111ттср прн 1,,
= 100мА,/5~20чАнебо.1се:
IT!\fll5A, ITM115B.
IТJIЛI 15Б, IТMI 15Г.
Напряжение насытеrrия эмиттер-база при fк = 100 мА.
/Б=20"1Апеболее.
Е~1косrь ко.1л,~~;торного 11ерехода при Ик 6 ~ 5 В, / =
= 465 кГп в~ 60,-1ес
Е1,шостh Jмнттерного перехода прп U- 3 h = 5 В, ( -
= 465 1,Г11 не более
Постояна:!я !Jремени н~шr обратной связи при l-i.;s =
20-fiO
50-150
200 "1В
ISU мВ
1.5 в
50 11Ф
:'О пФ
= 5В,!3=1мА,/=465кГцнебо,1ее
6.5 нс
Обр~тный ток коJiлектора :'е более:
при И1-.·r,=50 В, Т=213+2УЗ К IТМ115А.
ITMI 15Б
51) :v1кЛ
пра Uкь''70 В. Т=213-с-29.1 К ITMll5!3.
ITMI 151
()6ратный ток ?t\-1\П 1 1~р:1 при (J.Jь = 50 В нс бо.::ее .
Постоянное 11апряжеР"е кол:rсктор-база:
ITMl l5A, ITMl J 5Б.
1ТМ11 SR, 1ТМ ! 15Г .
Посто>шпое изпрю:<СН'!С ко.1лекгор-эмиттср 11рн R;Б <
::;; 500 OJ\J:
ITJ\1115.д., 1Ti\1l 15Б.
1ТМ 115В, 1П.1 ! 15Г .
ИI'-шульсное напряжение коллек 1ор-эI'-шттеr:
ITMI ISЛ, ITMI !5Б.
!ТМI !5В, JТMI I 5Г.
Посгояннос н:сшряжсние эмиттер-база
Постоянный ток кол~1сктора .
Постоянный ток базы .
Постоянная рассеиваемая мощнос1ь коллектора:
при Т=213-;-328 К
прн Т=346 К .
Температура перехода
Темттература окружающей среды
120
50 \jJ.; .\
5() ~1КА
50в
70в
40в
55в
50в
70в
50в
!00 мА
:ю мА
50 мВт
20 мВт
358 к
От 213
до346к


hz;э 1
200 ,----+--
hz·1з 1ТМ115В, 1Т115Г
1
1601----+ -
Uк5=1В, Iэ= 25 мА
213 253 29J 333 т,к
Зона во·1мсжных. по,1оже11 ий за­
виси\-1остн ко·нjнjнннн:птu пере­
щ1ч11 тока н рсжн~1е ча.·юго
Зона возможных положений ·ш­
ннси\1ости .К(лффиниснта 11ере­
да ч11 тока в режиме ча,1ого
сигнала от тсмнературы.
си гнала от те;-.шера туры.
1Т116А, 1Т116Б, 1Т116В, 1Т116Г
Транзисторы rер,ншиевыс планарные р-п-р 11ереключающне ма­
ломощпыс.
Пре.::~:;нвначены д.1я работы в форчироватс.1ях и усн.11пс.1ях
и:.шупьсов. мультивибра горах и дру1 их псрск:почающих схемах.
Выпускаются в ~.1с·iа.1.1остек,"1нноч корпусе с rнfiкнм11 выво­
да\,НJ. ОGоJНdч~нис 1ин •.; i;ри~одн п:q H"t кор!t) ...:е.
1Y°1aL:ca тр(1нзистора нс ()o~ree 2 1.
40
8
~-~---
__,
5,5
·3_,1е1.: гричес1.:ие параме-. ры
Статический ко1ффнние11т передачи тока в схеме с общим
Jмиттсром при Икэ = JU В. /к= !00 мА, '" = lO мкс,
Q ;?о 50:
при Т= 293 К:
lТl 16А, lТl 16Б, lТ1 lбГ .
lTl16B
приТ=213КиТ=343К:
lTl lбА, !Тl 16Б, lТ116Г .
lТJ 168
Время нарастания при ИкБ = 12,6 В, ИБэ = 0,3 В,
Ти= 1,5-;-4 мкс,f= 30 кГu:
15-65
20-65
12-80
16-80
121


при R5э = 51 0"1 1Т11бА, 1Т116Б
0,28 - 0.63 мкс
при Rьэ =О. 10. 27 Ом 1Т116В, 1ТJ16Г 0.28-0,63 мкс
Время спада 1Ip11 Uкь = 12.6 В, Uьэ = 0.3 В. 'и =
= 1,5-; - 4 мкс./= 30 кГц:
при Rи=51 0~1 !Тl!бА. IТ116Б .
при Rьэ =О. 10, 27 Ом 1Т11 бВ, 1Т 116Г
Гран11чная частота коэффициента передачи тока в схеме
собшейбазойприL'кБ=5В,/к=1мАне-.,1снсе.
Напряжение насыщения ко.1.1ектор-·1'Vlиттер при /к =
= 150 мА. Iг,=30 "1А не бо.1ее
Обрат11ыii ток ко.1лектор-'Jмиттер при
l!5·э = 0.5 В не более:
при Т=293 К
при Т=343 К.
Uкэ=15 В,
.
Предельные эксплуатац1101111ые да1111ые
Постоянное напряжение кол.1ектор-эм11т 1ер при RБэ ~
0.6- 2 мкс
0.6-2 мкс
1 МГп
0.25 в
30 мкА
200 мкА
~550Ом
15В
Импульсное на11ряжсние кол.1сктор-1миттср при RБэ ~
~5500"1, 1:и~5МКС •
Им11ульсное напряжение э-.,пптер-база при т" ~ 5 мкс.
Импу.1ьс11ый ток ко.1лектора при 1:и ~ 5 ~1кс, Q ?о б:
приТ=213+293К.
приТ=333К.
при Т=343 К .
Пос1оя11ныii ток коллектора при Т = 293 К
Постоянная рассепвасмая мошность коллектора:
приТ=213 -;-308К.
при Т=343 К.
Тем11ература персхо~а .
Темпера 1ура окружающей среды
1
-
30в
18в
300 мА
250 мА
150 мА
50 мА
150 мВт
75 мВт
358 к
От 213 до
343 к
110
100
1Т11БА - JТ116 Г
Зова воз-.,1ожных положений за­
в11самос1и напряжения шкыщ;:-­
иия коJJлектор-эми 1тер от тс'л-
псра 1уры.
122
90 -....... ~
- -----
-
------- ------
60
50
213
273
333Т,К
Зона вотv:ожпых 110.1ожсний
зависимости входного со11ро­
тив.1ения от темнера гуры.


2Т117А, 2Т117Б, 2Т117В, 2Т117Г, КТ117А,
КТ117Б, КТ117В, КТ117Г
Транзисторы кре:v1нпсвые эпитаксиа:1ьно-лла11арные однонереход­
ные с 11-базоii.
Предназначены для работы в rvнL"Iомощных генераторах.
8ынус~;шоп:я в мета.1лостсклянном корпусе с гибкн:'v!и выво­
дами. Обо·значенпе гнпа приводится на корпусе.
Maccl\ тrа1пнстоrа нс бо.~ее О.~7 Г.
1J,5
1-этtттер
2-t5аза 1
J-t5aзa 2
Коэффшн~~н 1 пep<:,JJ1 •ш
при Т=2Чк h:
2Тii7;\, ;::Тi!7В.
2li17Б. 2Тi17Г
КТ! l 7Б. КТ! 17Г
при Т= 343 К:
2Т117А, 2Тll7B,
2Т117Б
2Т\ !7Г
КТ117Б. КТl\7Г
при Т= 213 К:
2ТI 17А. 2Тl l7B.
2Тll7Б. 2ТI!7Г
KTl l 7Б. КТ! 17Г
I.tar!_()5I)KC!IИЧ прп
КТ\ 17А. КТ\ 178
KT\i7A. KTii7J3
КТ\i7А. КТ!l78
Ток включении э·ми·1тера при Uь1ы = 10 8 не бо-
"
0.5 ·-0. 7
0.65 -0}\5
0.65 --0,90
0,45 -0, 7
U,6 -0 ,85
0,6 --0 ,8
0,6 -0 ,9
0.5 -0 ,8
0.65-0.9
0,65 -0 .95
лее....
.
.
.
.
20 мкА
Ток выключения эмиттера при Иыи = 20 8 не ме-
нее.......
·
·
.
.
.
.
1 "1А
Остаточное напряжение эмиттер-база не более:
приТ=2l3-:-298К. ·.......
58
при Т=343 К, /э= 10 мА 2Тl17А. 2Т\l7Б, 2Тl178,
2Тll7Г....
.
.
.
.
48
при Т=343 К, lэ=50 мА КТ\17А, КТ!17Б,
КТJ17B, КТ117Г .
.
.
.
.
.
.
.
.
4В
123


Межбазовое сопротивление:
при Т=298 К:
2Т1l7А, 2ТlI7Б
2Т1178. 2ТlI7Г
КТ117А, КТ117Б
КТlI78, КТll7Г
при Т= 343 К:
2TI 178, 2Т! 17Г
KTl 178. KTl 17Г
при Т= 213 К:
2Тl178, 2Т1l7Г
КТ! 178. KTJ 17Г
.
4-7.5 кОм
6-9 кОм
4-9 кОм
8 -12 КО\1
fi-15 кОм
6- IR кО~z
3-8.5 кОм
4- 12 кОм
Температурный коэффициент межбазового со про 1 ивле-
ния
.0.1-0,9"ofK
Наибольшая частота генерации .
200 кГц
Обратный ток эмит1ера при Иыы = 30 8 не бо.тее:
приТ=291\К.
IJpИ Т=398 к .
Ток модулянии не менее
Пр!.'делъные эксплуатащюниые данные
Постоянное межбазовое напряжение .
Г!осгояннос напряже:ше база 2-эмиттер
Посто~:нный ток змигтера .
Импуо1ьсный ток эмиттера при 1:11 ,,;; lO мю.:, Q ? 200 .
Постоянная рассеиваемая мощность эмиттера:
прнТ=2137308К.
приТ=398К.
Температура перехода .
Температура окружаюшей среды
1 мкА
10 мкА
10 мА
30в
308
50 :viЛ
1д
JOO мВт
15 мВ1
403 к
От 213
;:i,o 398 К
б
2Т117А - 2T117Гdl
30
2T'ii7A-2Т11JГ, 1
1
5 КТ117А -КТ117Г.
1
~ КТ117А -
1
1
-1--'
4
~1- -
(Q
;:;
3
,;
1
"'
...- ;
1
~2
--г
-~Б1Бг=ЮВ,__ j
1l
1
..
13 =50мА .т
1
11
213 253 293 JJJ J7J 413 т,к.
Зона возможных положений за­
висимости напряжения насыще­
ния база-эмиттер от темпера-
туры.
124
"С
:;;
""
~.......
', kТ11~ ц
20
1
,1
1
1
1
10
....
1
1'-..
1
.....
1
UБ1Б2=1ОВ,
Iз=50 мА
213 253 293 333 374 413 т,к
Зона возможных положений 1<1-
вrrс11мости тока :чоду,1я~tии or
темлературьr.


12 2Т117А-2Т117Г,
1О!----l---1--+-·КТ117А-
·,, КТ117Г
/
1
'<: 8!----l-l----+---+---'~,--t---1
~/
'
2
213 253 293 333 373 413 т,к
Зона возможнь•х полоА'ений з:1-
вис11...,"1ос ги i ока в1:~1юченпя о 1
т<>~шературы.
15
U5152=10 В,
'
·~ 10
Iз=50мА
~~~--..L--!----1----1
'-l 2T117A-2Ttf7Г 1
•
',
1 КТIПА-КГf17Г 1
~:
~
"'
' -..
5 ' +---~,---1._:_,-..+---+-~
213 253 293 333 373 413 т,к
Зона возчожных псложений 3а­
висн~1.,iостн 1ока вы;слю•1с11ия от
температуры.
2Т118А, 2Т118Б, 2Т118В, КТ118А. КТ118Б.
КТ118В
.
,
Транзисторы крсчнllевыс эпитнкс1~ально-п.'1аi1ilрныс ..J,нухJ:Ч!iттер­
ныс р-п-р переклLочо.·1с:1ьные ~н1ло:-.1ощные.
Пре,r1назначены :tля рабо rы n схе:\1ах l\.'11),l)'lЯторов.
Выпускu1отся в м~ 1 a~1.';oi..:т\,;'к_rr}~HE~-1 i\1 коl)11: се i.:: i иGкн.rv[Н в1-~1во-
дами. Обо1начСl-!Нt ти!1<.:~ приnот;.Ется на Goi;o1_~oii 1rоиерхностн
корпуса.
I\1 асса 1т•а н-н!СТ ора нс u~1лс,.=: (). 5 I
~J S,J
~ь
С:::1
с::?
Электрические пара~1етры
Падение напряжения 11а открыто:.~ к~1юче:
при /Б = 0.5 мА нс более:
при Т= 298 К:
2Т118А, 2Т1!8Б. КТ!18А, KTl!SБ
2Т! 18В, КТ!! 8В
при Т= 213 К:
2ТI 18А, 2Т! 18Б. КТ! lSA. КТ!! 8Б.
2Т! !8В, КТ!! 8В
ври Т=398 К .
0,2 мВ
О.!5 мВ
0,4 мВ
0,3 мВ
U,б мВ
125


прв /5 = 1.5 '1А не бо.1се
при Т=298 К:
2ТI lSA. 2ТI 186. КТ! 18А. КТ! 186
2Т118В. КТ118В
при Т~398К .
при Т=213 К .
Со!!ро1 ив.1снне о 1крытого к.1юча не бoJice:
ври /э=2 мА. /5 =2 мА:
при Т=298 К:
2Т118д. 2Тl1Sh. КТ118А. КТ1186
2Т! l SB, КТ! 18В
при Т= 398 К:
2Т! !8А, 2ТI 186. КТ! 18А, КТ! 186
2Т1!8В. КТ11 SB
при/3=20"1А./5=40мА:
ври Т= 298 К:
2Тl18А. 2Т1186, KTll8A, КТ!186
2Tl 18В, КТ!! 8В
при Т= 398 К:
2Тl 18А, 2ТI 186. КТ! ISA. КТ! 186
2Т! l8B, КТ! 18В
при Т=213 К:
2Т118А,2Т1186. КТ118А, КТ!!86.
2Т1!8В. KTllSB.
Ток закрытого к.1юча при Иээ = 30 В 2Т 118А, КТ J l 8A
и при u3.3
= 15 В 2Tl186, 2Т1!8В, КТ1!8Б, КТ118В
не более:
приТ=298К
приТ=398К
при Т=213 К
Наг:ряженнс на унравляющих переходах при Т = 298 К
нfь=20мАнебо.1ее.
Асимметр11я сопротивления открытого к.1ю··1а при Г =
= 298К,/5=40мА./3=20мАнеболее.
Обра гный ток кол.1ектор-база i, кот:ек 1ор-б:ва 2 11ри
Т=29SКиИк=15Вне60,1сс.
Время выключения тран·шс rорной структуры при R 11 =
'" lкОм,li;=20мА.Е"1111=5Внеболее.
Предельные J1>сплуатационщ.1е данные
Напряжение у11равления межлу кш1.:ектором и ба:юй
граюис.-орно1i с 1руК1ури при RкБ ,;;; 1О кОм и Т =
0,2 мВ
o.1s ~1в
1,2 мВ
0,18 мВ
100 Ом
120 Ом
60 Ом
70 Ом
20 Ом
40 Ом
40 Ом
80 Ом
50 Ом
RO Ом
0.1 мкА
5 мкА
0,1 мкА
1В'
20 ио
0,1 мкА
500 !!С
=213~-398к...
]sв
Постоякное напр:rJ!о:сннс 11и ч1кры 1ом к.1юче С\fежду эмит-
терами при U)liP~o н 1' =213-:-3 ')8 К:
2ТI i8A, KTl ISA.
30В
2Тl18Б, 2Т118В, КТ118Б, KTl!8B
15В
Постоянное напряжение эмиттер-база транзисторной
структуры при Т -- 21 3 -;- 398 К:
2ТI lSA, КТ! 18А.
31В
126


2Тl18Б. 2Тl18В. КТ\!SБ. KTllSB.
Постоянный ток ко.1.пектора при Т = 213 -с- 398 К .
Постоянный ·1 ок каждоr о эмиттера при Г = 213 -с­
-:- 398 к.
Постоянный ток каждой базы при Т = 213 -с- 398 К
Постоянна~ рассеиваемая :vющнос 1ь:
приТ=2~3·' 383К.
приТ=.'\98К.
Тен.ювое сопро 11Ш!iение 11ереход-окружающая среда
Тем11ература окружсн,о•~:ей среды .
16в
50 мА
25 мА
25 мА
100 :v1Вт
62,5 мВт
0,4 К/мВт
От 213
ДО39~К
Пр и :v1 е чан ие. П<iй>:а ВЫБС,:\с111 ,~опускается на р~.сс 1ояннп
не ченее 3 \,1М от корпуса транзпстора при темпср<нурс пайки
нс бо.'1ее 523 К в тсчен1<е вре:v~ени не более 9 с. Пайка прою­
воднтся 11ая.1ьш:ко:-1 :-ющностью пе бо.1ес 60 Вт и на11ряже11ие~1
6-12 В. И·н 116 выводов ;.;оr1ус~ается на расстоянии не :v1енее
5 м:v1 от когпуса транзистора. }"\опускается о "\Норазовый и·11 иб
вывс,,щ нu расс1 оян1!И 3 мм с радиусоr,_,r и·~гиfiа не менее U,5 м~"1.
-т,~гru
1
-1 !lj
1000""4-+---+-t-11~=-мrtt'~-
!11-
1
1001--1+--i- -+ --;,--r-
i
10000
1
Зависимос1ь со11р:JТИВЛ\:НИ>1 от-
200
крытого к;пича от тока бал,1.
Зависимость сопропш.1ения от­
крыто~·о к:ноча от тока базы.
Зависимость падения напряже­
ния на открытом ключе от
тока базы.
150
50
о
2Т118А-2Т118В
\
./
/
\.
"-
..--
--
0,5
127


2Т118А-1, 2Т] i8Б-1
Трюлис горы кре-.1ниевые
эпитаксиально-п,1анарные двух­
эмиттерные р-11-р перек,1юча­
те.<ьные ма.<омощные.
Пре.:шазначены для рабо гы
н качестве модуляторов в гер­
'.1етизированной
апnара туре.
Бескорпусные с гпбкисvrи выrю­
дами.
Зми.ттер 1
Бгиа 1
Но1111ектор
Вы11ускаются в со11роводи­
тельной таре. Обозш1чение типа
приводится на этикетке.
Масса транзистора пе бо.<ее
0,03 1.
Э.1ектрические параметры
Падение напряжения на открытом ключе при 16 =
= 0,5мА,!6=1,5мАнеболее:
приТ=298К
приТ=358К
при Т=213 К
Сопротивление открытого к.1юча не бо.с~ее:
при16=30мА,lэ=15мА:
при Т=298 К
приТ=358К.
приТ=213К.
при/Б=2мА,/з=2мА:
приТ=298 К
при Т=358 К .
ври T=2l3 К .
при/Б=40мА,fэ=20мА
Ток закрытого ключа при Иээ = 30 В 2Т118А- 1 и
при И" 3 = 15 В 2Tll8Б-l не более:
приТ=298КиТ=213К.
приТ=358К.
Напряжение на управляющих перехо;щх при / 6 = 20 мА
не более
Асимме 1рия сопротвв.<ения огкрытого ключа при / 6 =
=30мА,fэ=15мАнеболее.
Обратный ток коллектор-база при Икr:;о = 15 В нс
более.
Время выключения при Rн = 250 Ом, Иэ = 20 мА. Епит =
=5Внеболее.
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение управления между коллектором и базой
транзисторной структуры при RкБ = 10 кО:\-1 и Т =
0.3 мВ
1мВ
0,6 мВ
30 Ом
60 Ом
70 Ом
100 Ом
35 Ом
25 Ом
20 Оч
0.1 мкА
5 -.1кА
1в
2() uо
0,1 мкл
500 нс
=213..; -358 К.
l5B
128


Постоянное напряжение на
эмиттерами при Иупр =О и
2Т118А-1
2Тl l~Б-1.
закрытом ключе
Т=213+358К:
между
Постоянное напряжение эмипер-база тра11зис юрной
структуры при Т= 213 .;- 358 К:
2Т118А-1
2Тll8Б-1
Постоянный ток каждого -эмиттера при Т = 213 +
+358к.
Постоянный ток каждой базы при Т = 213 + 35R К .
Постояннь:й ток кол.1ектора при Т = 213 + 358 К .
Постоянная рассеиваемая :vющ1юсть коллектора при Т =
= 213+358 к
Импульсная рассеиваемая мощное 1 ь ко;~лектора при
Ти.,,;;;500 мкс, Q~2И Т=298 К
Температура окружающей среды .
30в
15в
31в
16в
25 мА
25 мА
50 мА
30 :-.181
50 мВт
От 213
до35RК
11 р им е чан ие. Монтаж 1 ранзисторов осущес1 вляется приклей­
кой к тсп.1оотводящей поверхности. Допускается пайка или сварка
выводов на расстоянии не менее 2 мм от транзистора. Те-.те­
ратура припоя не должна превыщать 533 К. Допускается пайка
выводов на расстоянии 0,5 "1М от транзистора при темпсра1уре
припоя не более 423 К. Время ш1й1:11 не Gолее 2 с. Нс до­
пускается прикладыва1ь к выводам вращающих усилий. Допускает­
ся изгиб выводов на расстоянии не менее 2 мм от транзи­
стора с радиусом закру1 .1ения 1,5 - 2 мм. При из1 ибе необходи:v.о
обеспечить неподвижность участка вывода меж,tу местом изгиба и
тры1зис1ором. При монтаже допускается обрезать выволы на рас­
стоянии не менее 2 мм от транзистора. При обрезке усилие
не должно передава1ьея на место нриварки выво.С\а к кристаллу.
КТ119А, КТ119Б
Транзисторы кремниевые
одноперехолные с базой 11-тила
переключательные.
Предназначены для работы
в составе гибрилных пленочных
микросхем, модулей, узлов и
блоков радиоэлектронной rер:-.1е­
тизированной штаратуры.
Бескор11усные с гибкими вы­
водами.
Масса транзистора не более
0,01 г.
5 Полупроводниковые приборы
'":.тm~>-1--Т ~~О,б
<:> _t_
1
!
~1
Jt\l 1·"
База 1 ба.за Z Jмиттер
129


Т•)К н;\--нсчt:-1:J1>~ 11p1i, r _·I,::h! = 10 В
~,1~ж~-,~i3ry~,:l' (l1;J('\C1iJ;в.н:н11c !ipli lr,:ь, -- =- i :..1:\
\'1:.i -. : _\1\i:J.\<J.H;15 --! ч,~l'Гt"lf(l :t::tc-p~tllr!lf Е'..:' \1Cr:I~('
l-!;J!1fi,~,J\:('!;c11..:H,J1_·rl[j[('~i-!51 !J!° ' llj ( j,= ],'
--
Ji; Н. /) :::: JiJ \,;\ ...
t--\::.. _· , ;ф1] ;·; ;~;1 ;.· !J1
!:Cp'.:.1_~': 1 f.
f< ( ;['),·'\
К1i1'Ч:
:·\\1'
.
;t, 1:
!i
[' ,; f•.;:; 1 \fl·
~··; ь fk'
11.) \;; .:
i! )"~ ';,~1.1:'';
f:C1:IН .
1...>:1i~~1 1 f~\_н_' н·... ~··1_1;1,;·, ,~;-~: ·\~1l 1 :,'j ~j.\'),1
[{ 1,1.. _
10Я:JH:ih p~~C'i."~'1 ~~.: 1 \f;l1~ \ll':!,
:1p1I т· . = .: ~~!)~..; }<
rip!i
т"
i --6 '>!КА
-+ 1: кО\1
21J(J кГlr
-,_, н
1'
''·
: (1{1~
~\1. IJ·:~
l•. •'' '
"
·\
:'\ \1\
\f) \ 1..}~
.-'ij в
~ив
~; \IB1
\!!) 1
i,,/,1B:
Bt·U:З'-../.'i~).J. --~onyc1\at: 1 с;1 сr._1с1 н 1.;1:;,1 ), ta: t) tj,t
!:'''.:(_ · L \" !ii 1J.1 i-н:: :"i"111;1,. '
м:-.1
cJT >.р~1>1 1~1с~11:пю«' ,;;":р:.rл·я •1р1\ 1,'\:r,er·:1 JУГ'~ 1;•,\ Сч_,_,,.,"1 _,,
_,
К.
: г-к~~~А
1
, К;1~~Б t~
.....
"
~ 2f--"""t.>""""::+-~-i'=---i'----i
""
:::,
о1020JO
Зона возможных положений за­
висимости напряжения насыще­
ния от макс.и:v~альноrо тока
эмиттера.
130
318 т,к
Зона воз:\!ожных положений за­
висимости предельной частоты
генерации от темнературы.


КТ119А,КТ119Б
"'!:
~ 6~~...:....,,--+-'--~+--~~
"'
"'~ 1/ 1- .. D. --- .: :i>--. c-= -" 'f- .co:---1
..._,
21----1---~-+--~-+----'-=-J
DL-L-~-'-~-~--'-~~
228 273 S18 Т,К
"'!:
"'~
;;
"'
"'
..._,
5
КТ119А,
--
1/
.....
КТ119Б
....
3
....,
2
U51,б2 = fOB
..... __
о
228 273 318 т,к
Зона воз~южных положений :ш­
висИ'l-ЮС 1и тока выключения от
те;..,шера гуры.
Зона во·1можных положений за-
висим ости тока включения от
тем пера туры.
КТ120А, КТ120Б, КТ120В
Транзисторы кремниевые ·1питаксиа:1ьно-пла1Iарные р-п-р мало­
мощные низкочастотные.
Предназначены для работы в усилительных и импульсных мик­
ромодулях и блоках 1ер>,1етизироваI1ной анпаратуры.
Бескорпусные. без криста.1-
лодержа 1еля. с ·1ащитным по­
крьпием лаком. с 1ибкими вы­
водами. Транзистор КТl 20Б
предна·тачен д.1я диодного
включения. поэто"1)' допускается
выпуск без 1миттерного вывода.
Обозначение гипа приводится на
сопроводите.1ьной таре.
Масса 1·ранзнс 1ора не более
зми.ттер
0,02 r.
Электрпческие параметры
Граничная часто 1а ко·;ффициен 1а передачи тока в схеме
собщейбазой при UкБ=5 В. lэ=1 мА КТ120А.
КТ120В не менее .
Коэффициент передачн тока в режиме ма.1оrо сигнала
приИк6=5В,lэ=1мА:
при Т = 298 К КТ120А, КТ120В .
при Т= 338 К КТ120А, КТ120В
при Т= 263 К КТ120А, КТ120В
Напряжение насыщения коллектор-э"1иттср при / 6 =
=0,6 мА I!e более:
нри Iк = 10 мА КТ120А
при /к= 17 мА KTI20B .
5*
1 МГц
20-200
20-480
10-200
0,5 в
2в
131


Емкость колдекторноrо перехода при Икь = 5 В, / =
= 3 МГц КТ\20А, КТ\20В не более
Обратный ток коллектора не более:
5пФ
при ИкБ=60 В КТ\20Л .
0.5 мкА
при ИкБ=30 В КТ\20Б .
0.5 мкА
Обрашый rок эмиттера пrн UБ') = 10 В КТ120Л.
КТ!20В .
1 мкА
Пре;1.ельные эксnлуа 1ационные ,:~а:1ные
Постоянное т~пряже1ше коллек гор-база:
KTIJOA, КТ\20В .
КТ120Б
Постоянное напряжение коJ1лектор-·эм и 1тер
, ;:; 10 кОм КТ120А КТ\20В
Постоянный гок ко.1.1ектора
Импульсный !ОК котгектора при Т11 ,, :; 40
?:: 9
пр11
J',,IJ ,· L ,
Постоянная рассеиваемая мощность ко.1.1ек гора .
Импу:1ьсная мощностr, ко.1лекгора при i:" ~ 40
Q ;:>- 9:
КТ120А КТJ20Б.
КТ120В
Тем пера тура переход<:
Теj,шература окружаюшей среды
Rи.;;
Q ;:>-
мкс.
60в
30в
10в
10 мА
20 мА
10 с-лВг
15 чВт
35 мВт
35R К
От 263
до328к
ГТ124А, ГТ124Б, ГТ124В, ГТ124Г
Транзис1оры германиевые р-11-р 1шзко,1асто1ныс усили 1с:J1ьные
маломощные.
Предназначены для работы в низко часто 1 пых ~ си.1итс.1ьных
устройствах.
Выпускаются в метал.1остсклянном корпусе с гибкими выво­
дами. Обозначение типа приводится на корпусе.
132
Масса транзистора не более 0,5 г.
база
Ко1111ектор
Эм11ттер
+
""~'(Э.I
-
+'
~
'&
-
-
-
'
16'
t-.,_
~~~
"&
-
""'
-
"'
-~
"$
•
2,4
~
т


Электрw1еские параметры
ко·эффиниента пеrе;щ чи тока
чА пе \!е11ее
при
Прс.1е,1ьш1я '1acro 1,1
Uп=5В./-э=!
Стап!'iескнй ко]фф1;:01е1п передачи тока в cxe:v1e с общи\1
·э.читтсрс:v~ прн С;.;)= 0.5 В. fэ = 100 мА:
ГТ124А
ГТ124Б
гт 12.4!3
ГТ!24Г
Напрh.жснне I-4~1!.,..J-,[1-l!t:l~И>! K\_)Л~[CI(TOp-ci~.~I!: : ev нrи lr:..
-: ::;
= ](JO мл. !~ -~ l() '.IЛ НС бо.1ее .
Обр:1тиый rок kО:Jтоо:тоrш при Икь = 15 В нс бо.1ее:
ЩНI Т=2% к
при т-~J18 к .
Обра 111ый 1сж J:.ш1 ,~ра rrpи 1..: ,G = 5 В нс: Go.1ee
Пос ~оя.нное на riГЯ~l·ceHi::' ко:1.1екто~-G:хи1
Постоянное H~lПp>I:-.:-~c 11:е э~iи 1тер-база .
Импульсный ток колJ1ектоrа
Пос гоянн<:~я расс.:иr.аС:\Iая !\10IIl.:!oc:1 ь ко.1.r;.:1'·то~•а:
прн Т=-308 К .
Пр!!]=333К
Темпера 1ура ш:руr.«tЮЩСЙ сrеды
1 МГц
28-56
45-90
71-162
120-200
0.5 в
15 \11-.А
~{0 мк;\
!5 мкА
25в
10в
100 мА
75 ~.~R!·
25 :.1Вт
01 24~
до 3.13 к
Пр и ~r е 'i d :iI и с. Пprr 11нйке выводов ;~("_·1ж~н ()1~1 rъ осущсстнле11
надежныi1 1cir.'1 0t) гnо,-~ между ~1сстом паiiки и корпусом транзи­
стора. те\шераrура п:~йки нс :ю.1жна превы:.иать 555 К в 1·ечение
5С.
При вк.1ю•1сшш
ный выrю;J. должен
первым.
- i ранзистора в '1лс:(трнчсс~) io
llрИСО<.~;J.:НllЯТЬСЯ ЛОСЛСДНi~!\f,
11епь коллектор­
а отсоединяться
ГТ125А, ГТ125Б, ГТ125В, ГТ125Г, ГТ125Д,
ГТ125Е. :ГТ!25Ж, ГТ125И, ГТ125К, ГТ125Л
Тр::шзнсторы rер~.шни~вые сплалные р-п-р юп1ш•1асто п1ые уснли­
тельные м:~ломощныс.
Предназш: чены для pafio 1ъ1 в низкочастотных уситп ельных
устройствах.
Выпускаю ~-ся 13 мет ал.юстс;<лян ном корпусе с гибкими выво­
дами. Обозначснпе пшu прнводится на корпусе.
Масса тран·шстора •1е более 2 r.
133


'3ле1;: 1рв<;еrю1е nара~,1стры
Предельная частота КОJll;фнцпен 1.J. перс_1Jчн тока nри
Uк5=SВ.J.J=5мЛнсчснсс
Ко·1ффi1ци~нт 1к·ре,'t~~ч~1 i ока в рсжи\tс ма~1оr о сигнала
прнUкё!=5В./.)=25мА:
ГТl25А
ГТ! 25Б
ГТ125I3
ГТJ25Г
(."'та тическнй ко ;ффиансн r !1cpc/ta !f!f r ока в с.\.С\1е с 0G-
щ11~.1 Jмиттсро~1 11ри l'к·1 = 0,5 В, 11~ = 1()() ~1А.
ГТ125Д. ГЛ25И .
ГТ125Е. ГТ125К .
ГТ125Ж. ГТ125Л
Нащ1яжение насыщеншt кол.1ектор-Э'-llП тер при fк =
= 300мА,lr;=30мАнеболее
Обратный ток кол,1ектора не более:
при L'кr; =0 35 В:
ГТ125А, ГТ125Б. ГТ125В, ГТ125Г, ГП25Д, ГТJ25Е,
ГТ125Ж .
приИк6=70 В:
ГТ125И, ГТ!25К, ГТ125Л
Обратный ток эмиттера при Иэ = 20 В нс бо.1сс
Преде;1ьные э1;сплуатацнонные данные
Постоя~-:ное напряжение ко.1лек·1ор-баз·а:
ГТ125А, ГТ125Б, ГТ125В, ГТ125Г, ГТ125Д, ГП25Е,
ГТ!25Ж .
ГТ125И, ГТ125К, ГТ125Л .
Постоянное напряжение эмиттер-база .
Импульсный ток коллектора при f = 50 Гц, Q = 2,
'tи = 10 МКС.
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при Т=2137308 К
приТ=3087343К
Температура окружающей среды
134
1 МГц
28- 56
45-90
71-140
120--200
::~~ -·- 56
45-90
7!-140
0.3 в
50 ~1кА
50 мкА
50 мкА
35в
70в
20в
300 мА
150 мВт
45 мВт
От 213
ДО343К


Пр им е чан и е. Минимальное расстояние от корпуса до места
изгиба выводов 3 мм. Минимальное расстояние от корпуса до
места пайки выводов 5 мм. Пайку прои·1водить при температуре
не более 558 К в течение времени ие более 5 с.
2Т202А, 2Т202Б, 2Т202В, 2Т202Г, КТ202А
КТ202Б, КТ202В, КТ202Г
'
Тrанзисторы кремниевые
эпитаксиа.,1ьно-планарные р-11-р
маломощные.
Предназначены для работы
в уси.1ите.1ьных и импульсных
микромоду.1ях в 1 ерметизиро­
ванной аппаrатуре. Бескорпус­
ные, без крисгаллодержателя,
с защитным покрытием, с гиб­
кими выводами. Обозначение
типа приводится на сопроводи­
тельной таре.
Масса транзистора не более
0,01 г.
'Электрические параметры
Граничная частота коэффициента передачи 110 току
всхемесобщейбазойприИкБ=5В,lэ=1мА
не менее .
·
·
·
·
.
·
.
Коэффиниент передачи тока в режиме малого сиг­
налаприИкБ=5В,13=1мА:
при Т= 298 К:
2Т202А. 2Т202В, КТ202А, КТ202В
2Т202Б, 2Т202Г, КТ202Б, КТ202Г
при Т= 358 К:
2Т202А, 2Т202В, КТ202 А, КТ202В
2Т202Б, 2Т202Г, КТ202Б, КТ202Г
ври Т= 213 К:
2Т202А, 2Т202В, КТ202А, КТ202В
2Т202Б, 2Т202Г, КТ202Б, КТ202Г .
Напряжение насыщения коллекгоr-эмиттер при fк =
=10мА,IБ=1мАнеболее.
Напряжение насыщения база-эмиттер при lк = 10 мА,
/Б=1мАнеболее.
Емкость коллекторного перехода при И = 3 В, f =
=3МГцнеболее.
5 МГц
15-70
40-160
15-140
40-320
10-70
25- 160
0,5 в
IB
25 пФ
135


Емкость эмиттер1юго перехода при ИэБ = 0.5 В .
.f=
=10МГцнеболее.............
Время рассасывшшя при
более.....
·
.
.
Zк=5 мА, /Б=1 мЛ не
Преде.~ы1ые экс1~луа1·ац1ю1шые данные
Пос~ ояшюс нанряженнс ко:1лектор-база ·
при Т= 213-;- 358 К:
2Т202А, 2Т202Б .
2Т202В, 2Т202Г .
нрн Т=213 -;- 32/; К:
КТ202А, КТ202Б
КТ202В, КТ202Г
при Т= 358 К:
КТ202А, КТ202Б
кт202в, кт202г
Постоянное напряжение коллектор-Jмиттер:
при Т=213-7- 358 К:
2Т202А, 2Т202Б .
2Т202В, 2Т202Г .
при Т=213-7-328 К:
КТ202А, КТ202Б
КТ202В, КТ202Г
при Т= 358 К:
КТ202А, КТ202Б
КТ202В, КТ202Г
Постоянное напряжение эмиттер-база:
при Т = 213 -' - 35 8 К 2Т202А, 2Т202Б, 2Т202В,
2Т202Г..........
....
при Т = 213 -7 - 328 К КТ202А, КТ202Б. КТ202В,
КТ202Г
.......
.
при Т = 358 К КТ202А, КТ202Б, КТ202В,
КТ202Г . .
.
......
.
Постоянный ток кол.>ектора . . . . . . .
Постоянная р;:сссиваемая мощность кол.1ектора:
при Т=213 -о- 308 К:
2Т202А, 2Т202Б, 2Т202В, 2Т202Г .
КТ202А, КТ202Б, КТ202В. КТ202Г
при Т= 358 К ....... .
Импульсная рассеивщ~мая мощность коллектора при
't11 ,,;;; 10 мкс, Q 9' 10:
2Т202А, 2Т202Б, 2Т202В, 2Т202Г . .
КТ202А, КТ202Б, КТ202В, КТ202Г
Температура перехода . . . .
Температура окружающей среды . . .
136
10 пФ
1 мкс
15в
30в
15в
30в
10.5 в
26.? в
15в
зuв
15в
30в
10.5 в
26.5 в
10в
10в
5.5 в
20 мА
25 мВт
15 мВг
10 мВт
50 "1Вт
25 мВт
398 к
От 213
ДО358К


hz1э КТ202А, КТ202В
601----~~+-~~+-~----i
Uк5= 28
..... --t----
--- .... ,
чо 1-----+-
---1-------1
о
1./- Iз,мА
Зона во·:1:-.1ожных 110~1оя.;:сний -iа­
висимости коэффнщ1снп1 пере­
дачи тока в peжII.\IC ма.юго сиr-
на;rа от 1ока Э\Hll тер а.
Зона воз\южных 110.1ожений за­
висимосп1 ко·1фф11цисн га пере­
дачи тока в режи\fе малого
сигна."Iа о г тока змпттера.
Зона во·~мо,кных 110.·южений 1а­
висимосп1 ко·нj1фициен га пере­
дачи тока rз режи-.1е - . .1a.1oro
сигнала о г тока 1мнттера.
hг1э
11./-0
120
100
80
60
1./-0
а
h21з
125
100
75
50
25
о
кт202Б,кт2q2г
.,,--,
....,,
Uк5 128
.... _
l----
"
---
/
---- - ---
2
1
1
2Т202А - 2Т202Г
/--
!-----
---
L--- ......
...... -
---
<---
... _
/
....,
[ик5=12в
0,5 1,0
2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, 2Т203Г, 2Т203д~
КТ203А, КТ203Б, КТ203В
Тран1исторы кремниеные Jпитаксиально-планарныс р-п-р :-шло­
мощные.
Предна·1ш;чепы для работы в усилите;1ьных и и\fпу.1ьсных
схемах.
ВыпускаютсУ. EJ метал.1остеклянно\f корпусе с r ибкнми вьшо­
дами. Обозначение пша нриводится на корпусе.
Масса транзистора Iie Gолее 0.5 1.
137


'Электричссю1е параметры
Гrаничная частота КО)ффициента передачи тока в схеме
собщейбазойприUкь=5В.Г)=1мАнеменее:
2Т203А. 2Т20ЗБ. 2Т20ЗВ. КТ203А, КТ203Б,
КТ203В....
.
.
.
......
.
2Т203Г, 2Т203Д .
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
Коэффициент 11ередач11 тока в режиме мало1 о сигнала
приИкБ=5В,lэ=1мА:
при Т=298 К:
2Т203А. КТ203А не менее
2Т203Б
2Т203В
2Т203Г нс менее
2Т203Д
КТ203Б
КТ203В
при Т= 398 К:
2Т203А, КТ203А не менее
2Т203Б
2Т203В
2Т203Г не менее
2Т20ЗД
КТ203Б
КТ203В
приТ=213К:
2Т203А, КТ203А не менее
2Т203Б
2Т203В, КТ203Б
2Т203Г пе менее
2Т203Д
КТ203В
Входное сопротиЕление в схеме с общей базой в ре-
жиме малого сигнала при /э = 1 мА не более:
при ИкБ = 50 В 2Т203А, КТ203А
при Ик 6 = 30 В 2Т203Б, КТ203Б
при ИкБ = 15 В 2Т203В, КТ203В
при Ик6 = 5 В 2Т203Г, 2Т203Д .
Емкость коллекторного перехода пrи ИкБ = 5 В, / =
= 10МГцнеболее..........
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база:
138
при Т=2137348 К:
2Т203А, 2Т203Г, КТ203А .
2Т203Б, КТ203Б . . . .
2Т203В, 2Т203Д, КТ203В
при Т= 398 К:
2Т203А, 2Т203Г, КТ203А
2Т203Б, КТ203Б . . .
2Т203В, 2Т203Д, КТ203В .
5 МГц
10 МГц
9
30-90
15-100
40
60-200
30-150
30-200
9
30-180
15-200
40
60-400
30-230
30-400
7
15-90
10-100
20
30-200
15-200
300 Ом
300 Ом
300 Ом
300 Ом
10 пФ
60в
30в
15в
30в
15в
10в
1
!


Постоянное напряжение ко.1.1екгор-эмю-1ер при RБэ.:;
.:: 2 кОм:
нри Т= 213 -с- 348 К:
2Т203А. 2Т203Г, КТ203А
60В
2Т20ЗБ, КТ203Б
30В
2Т203В, 1Т203Д. КТ203В
15В
при Т= 398 К:
2Т203А, 2Т203Г, КТ203А
30В
2Т203Б. КТ203Б
15В
2Т203В. 2Т203Д. КТ203В
10В
По(; r ояшюс Нсl11rяж~н 11с 'J'ш г 1ер-ба->а, 2Т203А, 2т21вг.
КТ203А
30В
2Т203Б. КТ20ЗБ .
15В
2Т203В. 2Т2ПЦ. КТ203В
10В
I1остс•ЯПН!>IЙ 1ок ко,1лек t оrк1
И~Ш].lЬCllL!ii ТОК l<Oo1,1CKTOpi! При Tri,,:; 10 МКС, Q ~
,?10.
Постоянньrй ток э:.!и i 1~ra .
Гlосrоянн.з.я р:,tсссI1вас~1ая чо11._1,J1осrь ко,1_г!екторt~_:
пра Т=2!3-7- 348 К
прнТ=398К.
Тс·,шс-ратура псрсхощ1
Те\шература окружаюUJ~Й среды .
КТ207 А, КТ207Б, KT2U7B
10 мА
50 мА
10 мА
150 мВт
60 мВт
423 к
От 213
до398к
Тран·3}1-.;1 оры кремн~Jеuые JП11тикс11й..г1ьно-п_'Iанарныс р-11-р маJ10-
мощ11ыс.
Прс;Jлазна~rсны д,1я pu.fiorы в качссгDс :~си_;итс_:1ьЕого элс­
мен ra м1шро:vюду.1сй и б.1оков
в гермстнзиро1шнной аппарату­
ре. Бескорп;1сные, без крнста,'J­
ло;J.ержате~1я. с защитным по-Эмит­
крытием и контактными п:10- тер
щадками д.1я прнсое;~инення в
электрическую схему. Обозначе­
ние типа приво,1ится на груп-
~
Нолле,,.,_н~--1-' /;,,.i<'<I-- -' -+-l -+ -
по вои таре,
тор
Масса тринзистора не более
0,001 l,
/iлюч
Э.тектрические параметры
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
собщим эмиттером при ИкБ=5 В, lэ=1 мА не
менее.
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала
приИкБ=5В,13=1мА,!=1кГц:
КТ207 А не менее
КТ207Б
КТ207В
5 МГц
9
30-150
30-200
139


На11ря;кс;н11~ насыщения ко.'1,1ектор-J'>ШТ гер прп /к =
= 1О r,!A. fь~1VIA не 60.·1се·
КТ207 А. КТ207Ь .
КТ207В
Емкость коллек горного 11ере:,ода при Uкh = 5 В. / =
=
1О кГц не 60:1ес .
Вхо.1чое сонrо гив.1с1-1не u cxc!\,rc 1..: oбrцcii fia·н)if н рс-
1ки:-1е мг.лоr-о с-и1на.т1 прн [ 'кь = 5 В. !~) = 1 ·v1A не
бо:;с·~ .
ОGратны:·, ·(о:-: r~о:1.1(_·ктора н~ 60.1ес ·
прп U:.·~ = 6() J3 КТ207,\
о:г11 И~-;;; = 30 В КТ207Ь .
1Jрн Up; = 15 IJ КТ207В .
Oбp'1..Tli_L1i"i I·~K :?-.:~нтсра нr~ G;:->~1C~:
п;:т //·я; ~- 30 G КТ207 А
llfEI 1>3 !; ~- : ) Б KT2li7Б
нги:_~7;= 1ОSКТ207В .
1.::,; 207А
к ·i-~07!>
КТ207П
Постоянt1сс
КТ207А
КТ207Б
КТ207В
Постоянное напрял;ение J:.[;~ттер-база:
КТ207А
КТ207Б
КТ207J3
Постояпныii тсiс f\.JJI.1eктopa
ИмпуJ:ьсz:ы1i 10;; t:o.'Jлerпopa при '",,; 100 .\1кс. Q?
~5
Посто!Тннан расссивае~1ая чоншость коллсr: 1ора .
И 'v1Пу.1LС~'!Я рассеиваема» мощ1юсть ко.1.1ек 1ора
Ти,,:; !00 МКС, Q?5 .
Темr;сра гура перехс:1а .
Темпсрзтурn оr,ружающсН сг1еды
при
1в
0.5 в
10 нФ
0,05 чкЛ
0,05 мкА
0,05 м1:А
мкА
мкл
мкА
60в
30в
15в
60в
30в
15в
3() в
15в
J() Б
10 v.A
50 мА
15 мВт
50 мВт
373 к
01 228
доЗ5RК
П р а ч с ч ан и с. Прп зксплуа rацпи тран·тс 1оров ;:;.о:rжен Gьп ь
обеспсчеа 1Ещсжн 1,rii тсп.:юотвод от крнста;~:1а нс хуже. чеУ! тепло­
отвод в снободно~л воздухе. При монтаже и ·жсплуатации гран­
·зис·1 о ров необхо;нr:vю принима гь меры ·1<> щиты от стати<rссс~;ого
электричества.
~.1он1аж кр1:сrаллов н микросхемах до:1жсн осуL:J,еств;1яться в
условиях микроклимата или r;онщщионировапных 11о:v·1ещс1шях с
относительной Е\ш1жност;,ю не более 65 ~-~ и температурой (298 ±
±10)К.
140


1 кsо,А КТ207А'
/
10_ч t--K_T_2_0_7~Б-c+----t-r---1
10-б ~_,.,""-+----+-----t
Uкs=30 В
10-7
. __ _.1. .-- --- ,:' =-~
213
27.)
333 Т,1<
Зона 1ЮJl\ЮЖНЫ' 11()jюжений ·ш­
виси:vюсти о бра 1~юго тока кол­
лектор;t 01 темпсра1уры.
hг1э r
1
КТ207Б
/Г- -
.. ..
80
/
........
.........
'tO
// -1-1---
--
/
Икз=5В
1
о123't5Iз;мА
Зона возможных по,·южений за­
висимости коэффиuиента пере­
дачи тока в режи:v~е малого
сигнала от тока ·з:-,шттера.
КТ207А
1
80/--
-
--
о
2345I3,мА
Зона 1ю1можных 11о:юже11ий за­
виси\юс пr коэфф:шиента пере­
;щ чи тока в режиме ма.101 о
сигнала о 1 rока эмнт 1·ера.
hz1э
КТ2078
200 ,/
/
160
120
80
'tO
Икэ=sв
,..
-
/
--
/
о
2345Iз;мА
Зона возчожных -ноложений за­
висимосп1 коэффициента пере­
дачи 1 ока в режиме малого
сигнала от тока эмитгера.
2Т208А, 2Т208Б, 2Т208В, 2Т208Г, 2Т208Д,
2Т208Е, 2Т208Ж, 2Т208И, 2Т208К, 2Т208Л,
2Т208М, КТ208А, КТ208Б, КТ208В, КТ208.Г,
КТ208Д, КТ208Е, КТ208Ж, КТ208И, КТ208К,
КТ208Л, КТ208М
Транзисторы кремниевые планарно-эпитаксиальные р-п-р мало-
мощные.
Предназначены для работы в усилите,-~ьных и генераторных
схемах.
141


Выпускаются в мета.1лостекля111юм корпусе с гибкими выво­
дами. Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 0.6 г.
16'
Электрические параметры
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
с общим эмиттером при Ию; = 5 В не менее:
при /э = 5 мА 2Т208А, 2Т208Б, 2Т208В, 2Т208Г,
2Т208Д, 2Т208Е. 2Т208Ж, 2Т208И, 2Т208К, 2Т208Л,
!/;2,5'
2Т208М.................5МГц
при /э = 10 мА КТ208А, КТ208Б, КТ208В, КТ208Г,
КТ208Д, КТ208Е, КТ208Ж, КТ208И, КТ208К, КТ208Л,
КТ208М................
5 МГц
Статический коэффициент передачи тока в схеме с
общим ·~миттером при ИкБ = 1 В, lэ = 30 мА:
2Т208А, 2Т208Г, 2Т208Ж, 2Т208Л, КТ208А, КТ208Г,
КТ208Ж,КТ208Л.............20-60
2Т208Б, 2Т208Д, 2Т208И, 2Т208М, КТ208Б, КТ208Д.
КТ208И,КТ208М......
•
.
.
.
.
.
.
40- 120
Напряжение насыщения коллектор-Jмиттер при /к =
=300мА,/6=60мАнеболее:
2Т208А. 2Т208Б, 2Т208В, 2Т208Г, 2Т208Д, 2Т208Е,
2Т208Ж, 2Т208И, 2Т208К, 2Т208Л, 2Т208М . . . . 0,3 В
КТ208А, КТ208Б, КТ208В, КТ208Г, 2Т208Д, КТ208Е,
КТ208Ж, КТ208И, КТ208К, КТ208Л, КТ208М .
0,4 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 300 мА.
/Б=60мАнеболее...•
.
.
.
.
.
.
.
.
1.5 В
Емкость коллекторного перехода не более:
при ИкБ = 20 В 2Т208А, 2Т208Б, 2Т208В, 2Т208Г,
2Т208Д, 2Т208Е, 2Т208Ж, 2Т208И, 2Т208К, 2Т208Л,
2Т208М.................35пФ
при ИкБ = 10 В КТ208А, КТ208Б, КТ208В, КТ208Г,
КТ208Д, КТ208Е, К:Г208Ж, КТ208И, КТ208К, КТ208Л,
КТ208М.................50пФ
Емкость эмиттерного 11ерехода не более:
142
при U36 = 20 В 2Т208А. 2Т208Б, 2Т208В. 2Т208Г,
2Т208Д, 2Т208Е, 2Т208Ж, 2Т208И, 2Т208К, 2Т208Л,
2Т208М.................20пФ


•
при ИзБ = 0,5 В КТ208А, КТ208Б. КТ208В. КТ208Г.
КТ208Д, КТ208Е, КТ208Ж. КТ208И. КТ208К. КТ208Л.
КТ208М.....
·
·
·
·
.
.
.
.
.
.
.
.
100 пФ
Пре;щ.1ьные экс11.1}атац11шшыс данные
Постояннnе напряжен не ко.1;1ектор-база:
2Т208А. 2Т208Б, 2Т208В. КТ2U8А.
КТ208В
2Т208Г.
КТ208Е
2Т208Д. 2Т208Е, КТ208Г.
КТ208Б.
КТ208Д,
2Т208Ж. 2Т208И. 2Т208К, КТ208Ж, КТ208И.
20в
30в
КТ208К
45В
2Т208Л, 2ТЮ8М, КТ208Л. КТ208М . .
60В
Постоянное напряжение .ко.1:1екгор--эмиттер при R 63 . ,, ;:;
. , ,;:; 10 кО\1:
2Т208А. 2Т208Б, 2Т208В. КТ208А. КТ208Б.
КТ208В
2Т208Г, 2Т208Д. 2Т208Е, КТ208Г, КТ208Д,
КТ208Е
2Т208Ж. 2Т208И. 2Т208К. КТ208Ж. КТ208И,
КТ208К
2Т20~.ГТ. 2Т208М. КТ208Л, КТ2nsм
Постоянное напряженпе эмиттер-база . .
Постоянный ток коллектора . . .
20в
30в
45в
60R
20в
150 мА
Импу"1ьс11ый ток коллектора при т11 . , , ; :; 0,5 мс,
Постояв пая рассепвас\,tая мощность ко;1лектора:
Q?2 300мА
при Т=213-'- 333 К
приТ=398К..
Температура 11ерехо,1а .
Те'>шература окружающей среды
200 мВт
5 мВт
423 к
От 213
ДО398К
КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Г, КТ209Д,
КТ209Е, КТ209Ж, КТ209И, КТ209К, КТ209Л,
КТ209М
Транзисторы кре!l-!Ниевые эпитаксиа;1ьно-п.1анарные р-п-р мало­
мощные.
Предназначены для работы в уси"•1пельных и импульсных
микромодулях и блоках герметизированной аппаратуры.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами
в двух вариантах.
Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 0,3 г.
143


Зпиттr:р
Баи.
НоллектDр
Вариант 2
5,3 та,х
-----4
~Щ!!}
!14
--!
'Электричесю1е параметры
Граничная частота коэффициента передачи тока н схе­
"1е с общи"1 эмигтером при UкБ= 5 В, lк=10 мА
неменее. . . .
•
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
Статичсск;;й ко')ффициент передачи тока в схе:,1е с
общим :щиттером при Икэ = 1 В, lк = 30 мА:
при Т= 298 К:
КТ209А. КТ209Г. КТ209Ж, КТ209Л
КТ209Б. КТ209Д, КТ209И, КТ209М
КТ20':1В, КТ209Е
КТ209К .......... .
нри Т=373 К:
КТ209А, КТ209Г, КТ209Ж, КТ209Л
КТ209Б, КТ209Д, КТ209И. КТ209М
КТ209В, КТ209Е
КТ209К ......... .
при Т= 228 К:
КТ209А, КТ209Г. КТ209Ж, КТ209Л
КТ209Б, КТ209Д, КТ209И, КТ209М
КТ209В,КТ209Е........
КТ209К .......... .
Напряжение насыщен11я колпектор-эмштср при fк =
=300мА,/Б=30мАнсболее.....
Напряжение юнъ1щсш1я база-эм~п тер при fк = 300 с-.1А,
/Б=30мАнебо.•сс..........
144
5 МГц
20-60
40-120
80-240
80-160
20- 120
40-240
80-480
80-320
10-60
20-120
40-240
40-160
0,4 в
1,5 в


Емкость коллекторного перехода при Ию;= 1О В. /=
= 50()кГцнеGолее....
.
.
.
.
Емкое~ ь Jмиттерного Перехода нри
= 1 МГц не 60.1ее ....
Uэi;=0.5 В./=
Предс.1ьные эксплуатац11онные данные
Пос1оянное напряжение ко"1лектор-база:
приТ=298 ·373 К:
КТ209А. КТ209Б. КТ209В
КТ209Г. КТ209Д. КТ209Е
КТ209Ж. КТ209И. КТ209К
КТ209Л. КТ209М .
пр11 Т= 228 К:
КТ209А. КТ209Б. КТ209В
КТ209Г. КТ209Д. КТ209Е
КТ209Ж. КТ209И. КТ209К
КТ209Л. КТ209М
Постоянное шшряжевие ко;1лектор-·iми1 тер 11ри Rr;э <
< 10 кО~1:
приТ=298с·373К:
50 пФ
100 пФ
15в
30в
45в
60в
10в
25в
40в
55в
КТ209А. КТ209Б, КТ209В
15В
КТ209Г. КТ209Д. КТ209Е
30В
КТ209Ж. КТ209И. КТ209К
45В
КТ209Л, КТ209М .
60В
приТ=228К:
КТ209А. КТ209Б. КТ209В
10В
КТ209Г. КТ209Д. КТ209Е
25В
КТ209Ж, КТ209И, КТ209К
40В
КТ209Л. КТ209М .
55В
Постоянное напряжение эми 1гер-база:
при Т= 298 -'- 373 К:
КТ209А, КТ209Б. КТ209В. КТ209Г, КТ209Д.
КТ209Е
.
·
.
·
·
.
.
.
.
.
10В
КТ209Ж, КТ209И. КТ209К. КТ209Л. КТ209М . . . 20 В
при Т= 228 К:
КТ209Л. КТ209Б. КТ209В. КТ209Г. КТ209Д.
КТ209Е....
·
·
·
·
·
·
.
.
10В
КТ209Ж. КТ209И. КТ209К. КТ209Л, КТ209М.
15В
Постоянный 1 ок кол;1ектора
Импульсный ток кол.1сктора .
Постоянный ток базы . . .
.
Постоянная рассеив8еv1ая мощность кол.-~ектора .
300 мА
500 мА
100 мА
200 мВт
·Температура персход:1 . . . .
398 к
Температура окружающей среды . . .
От 228
до373к
145


КТ210А, КТ210Б, КТ2108
Тра11 :11сторы крсчн11евыс эшпаксш1.1ыю-п.1анар11ы,с р-11-р низко­
частогныс усн.1иге.1ьныс \.нt.1омощные.
БескорП)СВые с ·1 вср.Jым11 выuо.:rа~ш. Обозначеное гипа при­
J>.l'r,1НТ<.:Я на таре.
Масса транзисп1ра не бо.1се 0.005 г.
Грnвичпuя часrота КО]ффцuне1па пере.,~щt1а тока в схе­
м~ с обшн:-1 J:vштгеро~1 при UкБ= 5 В, Iз = 1 \.IЛ
нс менее.
10 МГц
Стати'Jескнii коJфrjнщиен r передачи тока в cxe:-. ,ic с
обшю-1 Jм1птероч при Икr;= 5 В. 13 = 1 мА:
КТ210А, КТ210Б .
КТ2lОВ
Напряжеш~с насыщения ко.-~лектор-·1:vшттср при lк =
= 10мА./6=1мАнеболее.
Напряжение насыщения ба Ш-J:-..нп тер прн lк = 1О мА.
Ir,=lмА11ебо.-~се.
Обрагный ток ко.ыектор-эмитгер при Икэ = Ик")_,шкс·
RэБ = 10 кО\,1 нс более .
Обратный ток ·змнттера при ИэБ = 10 В не более .
Емкосгь кол.-~екторного перехода при Скь = 5 В. I =
=3МГцнеболее
Емкость эмиттерного перехода при Иэь = 0,5 В. / =
=5МГцнеболее
Предельные эксплуатацио11ные данные
Постоянное напряжение коллектор-база при Т = 308 К:
R0-240
40-120
0,5 в
1в
10 мкА
5 мкА
25 пФ
!О пФ
КТ210А
15В
КТ210Б
30В
КТ210В
60В
146


Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RэБ =
=!О кОм, Т= 308 К:
КТ210А
КТ21ОБ
КТ210В
Постоянное напряжение э"'1иттер-база при Т = 308 К .
Постоя1111ый ток кол.1ектора при Т = 308 К .
И"'1пу:1ьсный ток коллектора при Т = 308 К .
Постоянная рассеиваемая мощность кол.1ектора при т =
=308к.
Импульсная рассеивае:v~ая мощность ко-·шек гора при
т=308к
Те:-.111ера1 ура перехода .
КТ211А-1, КТ211Б-1, КТ211В-1
Транзисторы кремниевые
эпитаксиально-планарные р-п-р
с нормированньш коэффициен­
том щума.
Предназначены для приме­
нения во входных каскадах, ма­
лошумящих усилителях, в герме­
тизированной аппаратуре.
Бескорпусные, без кристал-
лодержателя, с защитным по- :J
крьпием лаком, с гибкими вы- <f!
водами. Обозначение типа при­
водится на возвратной таре.
Масса транзистора не более
0,01 Г.
Электрические параметры
Граничная часто1а коэффициента перелачи тока в схеме
собщимэмиттеромприИкБ=5В, lк=1мА не
менее.
Статический коэффиuие11т передачи тока в схеме с
общим :щиттером при ИкБ = 1 В, lз = 40 мА:
при Т= 298 К:
КТ211А-1
КТ21 !Б-l.
КТ21 !В-1 .
при Т= 398 К:
КТ211А-l
КТ211Б-1.
КТ2! IB-1.
при Т= 213 К:
KТ2l lA-l
15в
30в
60в
10в
20 мА
40 мА
25 мВт
40 мВт
398 к
0.5
10 МГц
40- !20
80-240
160-480
40-200
80-400
160-800
20-120
147


КТ211Б-1.
КТ21 !В-1.
Коэффициент шу:v1а 11р11 Икь = 5 В. Iэ 0= 40 мА. /'=
= 1кГu.Rr=10кО~1нсбо.1ее.
Обратный ·r ок ко:иектора при Uкь = 15 В нс Gi1cree .
Еvrкость ко:!:1екторного нерехода при Ик 6 = 5 В. I =
= 10 МГц 11е бо,1ес
Е":;;ос1ь Jмит1·ерного псрсхоJ.а при ИэБ = 0,5 В. f'=
!О МГц не болС'е
Прсдг:1ьныс JКСШI}атащюш1ые данные
Пос1 оя1тое 1шпряже11ае кол:1ектор-Gаза
Постоянное напряжсане ЭVIИ пер-ба·ш .
Постоянный ток коллекторt! .
Импульсный ток коллектора ври 1: 11 . ,; ; 1О !1-Е<с, Q :;,
:;, 10
.
Постоянная рассеиваемая мощность ко.т1сктора:
при Т= 213 ..,_ 308 К
при Т=398 К .
И'\1ну.1ьсная рассеиваемая мощность ко.!.:сктора прн
40-240
80-480
3дБ
10 чкА
::Ю 11Ф
15 пФ
15в
5в
20 .~1л
50 мА
25 мВт
5 чВ1
111G;:10мкс,Q?10.
)1J ~lbT
Темпера гура нерехода .
423 К
Темпера~ ура окружающей срслы
От 213
до398к
Пр им сч ан и е. При монтаже тран·нrс горов в микросхему
должны бьп ь приняты меры. 1кключающие нагрев кристал:~а
более 423 К. Прп мою аж~ тра~писторов не J.опускасп:я изгиб
выводов на расстояшrи "1епее 0.5 м:-.1 от :чсt.:та IJLixo;:i:a 1п защитного
покрытия.
Пайка и сварка выводов допускается на рассто1JН!Ш более
1 м:v1 от мес 1 а выхода вывода из защи1 ~юго покрытия.
1
КТ211А -1 , КТ211Б-1,
кт211в-1
1
1
4
Uк5=3В,
3 hc---'lr---i 1э = 40 мА
21---+'"'-:--t-==-r""'-91-'-'--t--:~
213 243 273 303 333 363Т,К
Зона возможных положений за­
висимости коэффиuиента шума
от температуры.
148
кт211в-1
hz1з
5001----+-~l---+---il---+-.,......../
300f---+----l~""""--,--t_.,"i-----4
200f-7""-Ьо-~1"---+---.,1---+----1
213 24-3 273 303 333 363Т,К
Зона возможных положений за­
висимости статического коэффи­
uиента передач11 тока от темпе-
раrуры.


hг1з КТ211Б-1
250
2001--~~~~=--+-~~~
1501--.L._,,,,,._=--J.~+--+--~
100t.-.<'--~J.-----l---~+-~-----1
Uк·s=1B,
50 '-----" -J
3 =ЧО мА-
1
L___~_Lj_~
213
273
333 т,к
Зо:ш но ;;-,10'!;,.t:~Jrx 1к•ложt'нвй 1а­
внси~\1us: LИ r1атиче\.:кого коэффн­
цнс111а г;с~сд~1чн 101\а от 1ем-
псра·1уры.
hг1з
150
120
90
60
30
1
КТ211А -1
/
/
~"'
_
...
----- ---
_/
--- - ----
-
---
Uк 6 = 1 1B,lз=tDмA
213
273
333
т,к
Зона возможных по.1ожеш1й за­
виснмосп1 статического коэффи­
цне111 а переда чн ·1 ока 01 тс~1-
пера турь1.
КТ214А-1, КТ214Б-1, КТ214В-1, КТ214Г-1,
КТ214Д-1, КТ214Е-1
Трав·шсторы
ЭПllT3KCHf1.. lf-,f.- 1 0-п.r1aнspны 1? р-п-р
маломоuн1ыс у111шер.са.1ьны~.
Предназна'1сны д-lЯ испо:1ь­
зования в ключевых и тшейных
гибридных схемах, "1икромоду­
лях. у ~-·rax в 6_1оках рэ.диоэ"11ек i -
ронной герме гнчной :шпdр<1-
турь1.
Бескорпусные, без криста;1-
лодсржате.1н, с гибкн~ш выво­
дами, с З<1щнп1ы:ч покрытием.
Обозначение тнш1 приво ..·~ится
на возвр:л ной таре.
Maccli транзистора не 60.1сс
0,0! г.
Зле•~ 1ричесю1с параметры
КоJффпuиснт 11срr-дачi! тока в режЕ:~.ле ~1ало1 о сигнала:
приИэ:;~с5В./3~10мАнеменее:
КТ2l4А-1
КТ21'1Б-!
КТ214В-! .
КТ2l4Г-!.
при Ию; = 1 В. J., ~с 40 i\I•;A нс ~,1енее:
КТ214Д-l
КТ2!4Е-1.
20
30-90
40-120
40-120
80
40
149


Напряжение насыщения ~;о.1.1ектор-н11rгтер при /к=
= 10 чА. Ir, = 1 мА КТ214Д-1. КТ214Е-1 нс бо.1ее.
Напряжение насыщепия 6аза-эчи1 rep прн Iк = !О мА,
IБ = 1 :viA КТ214Д-1. КТ214Е-1 не бо.1сс .
Напряжен пс насышеш1я э~шл ер-ко:1.1ек 1ор при /Б = 1 ~1А.
13 =О КТ214Д-J. КТ214Е-1 .
В\.0:1.1юс ссч1рогив.1~нriе в режиме ~!а.101 о стна.rа нр11
Lж=5В./з=2~JA,j=800Гн
j и1I.:.,·!Зос ·~начснш.: .
С,г,=0.5 В. /=
0.6 в
1,2 в
От 0.7
,-10 2.5 мВ
От 1.2
.10 10 кОм
~-5 •!: КО\1
f: 'va:o::: 1Ь -~\Hf 1 терНОi О ncrcxoдa При
= 50() KllI .
1 нновое значение .
. 9.6··- iOO пФ
9,8 '' пФ
[с.~кс)СТJ, K·'J.1.·1er;тr'p11oro ш:рс'.ода при l. КБ = 1О В. / '=
= 500 ~-:Гц
9.5
-
50 пФ
ТИГ.ОНСС '3Il'1 ЧeillIC .
()t)ратный rок
Uкэ=30 В.
Kl>.1.1cпop-J~111r 1ср при Rьэ = 10 кО\!.
Г=358Кнебlые<".
J1остоявнос напряжение ко.-t_·1еr..:тс;р-э:-.1н i 1ер при Т
= 2337358к:
12*пФ
1 :-.IК.Л
КТ214<\-1. КТ2l4Б-1
80В
КТ2!4В-!
60В
КТ214Г-!
40В
КТ214Д-!
30В
КТ2!4Е-1
20В
Пос rотшос напряж·еш1с ·J\111ттер-ба:Ju пр11 Т = 233 -о-
-о- 358 К:
KT2l4A-l
30В
КТ214Б-!, KT2l4B-1, КТ214Г-l, КТ214Д-1
7В
КТ2!4Е-1
20В
Постоянный ток кол.1сктора при Т = 233 -о- 358 К
Импульсный ток кол;н:ктора при '" <;: 10 мс, Q;;,,
;;,,100,приТ=233-о-358К.
Постоянная рассеивuемuя мощное-~ ь коллектора:
при Т= 298 К.
приТ=358К.
Температура перехода не более
Тепловое сопротивление персход-кристал;1
Температура окружающей среды .
50 мА
100 :\.!А
50 мВт
20 мВт
398 к
0,1 К/мВт
От 233
до358к
П р и меч ан и е. Допустимая температура монтажа транзисторов
в гибридные схемы не должна превышать 433 К в течение 30 с.
150
r


КТ2МД-1
Кш,дБ
20~~-1-~~т----~-t--i
15
10
5L-~__j_~~'*-~~+--1
OL-':::::;.---L~~_._,,....-~....__.
10·- 2
10- 1 10а 13,МА
Зависимость коэффициента шу­
ма от тока ·эмиттера.
hz13
100
во
Uк6 =58
ЦО~-'--+-I а= 1ОмА
20L--~~__I.-~-'-'
228 273 318 т,к
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тем­
пературы.
кт21цд-1
Кш,дБ
7,51--~~1--~~1--~-.J~
Uкs= 58
5 1----+ -I3 =цо мкА
Rг= 10к0м
Зависимость козффициента шу­
ма от частоты.
hг1э
160
во
'10
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тока
:эмиттера.
ГТ402А, ГТ402Б, ГТ402В, ГТ402Г
Транзисторы германиевые сплавные р-11-р усилительные низко­
частотные маломощные.
Предназначены д.1я применения в выходных каскадах усили-
телей низкой частоты.
Выпускаются в металлостеклянпом корпусе с гибкими выво­
дами в двух вариантах. Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора: вариант 1 - не более 5 r, вариант 2 -
не более 2 r.
151


Вариант2
1"База 1/ 2
Э.1~ктр11чес~>:ис ш1ра,1·етры
Статический ко1ффициент передачи тока в схе:,1с с
общисv1 эмиттером ври Икь = 1 В. /э = 3 \1А:
ГТ402А, ГТ402В .
30- 80
ГТ402Б, ГТ402Г .
60- 150
Коэффициент .'Iинейности К, = (11213 при /э = 3 \!А) '(112 1э
при/3=300мЛ).
0.7 -1,4
Граничная частота коэффнuисн ra перс,1ачп тока в схеме
собщимэмиттеромнриUкь=1 В, /э=3 мА не
менее .
l МГн
Прямое падение напряжения на эчиттерrrом переходе
при отк.1ючснном коллекторе при /э = 2 мА не
более.
0,3 В
Обратный ток ко.1лектора при Ию;= 10 В нс fioлee .
20 мкА
Предельные эксn.1Jуатациоинме данные
Постоянное ншrряженне кол.1ектор-·Jмнттер при Rьэ =
= 200Ом,Т=328К:
ГТ402А, ГГ402Б .
ГТ402В, ГТ402Г .
Постоянный ток коллектора нри Т = 233 - ' - 328 К .
Постоянная рассеиваем:~я ~ющностъ коллектора пr>и Т =
=233-'-298К:
вар11ант 1 •
вариант 2 .
Температура перехо;щ
Тепловое сопротивление переход-среда
25в
40в
0.5 А
0,6 Вт
0,3 Вт
358 к
вариант 1
вариант 2
Темпсрагура окружающей среды
0,1 К/мВг
. 0,15 К/мВт
Or 233
до328к
152
r1


Пр им сч ан и я: 1. Максимально допустимая ностоянная рас­
сеиваемая мощность ко.1.1ектора, мВт. при Т = 298 -;- 32S К оаре;.(е­
ляется но формуле
2. Допускается 11роизводить соединения выво;.~ов тршписторов
с элементами схемы на расстояпни нс ~1енсе 5 мм от корпуса
.<юбым способом (пайкой. сваркой и т. н.) при ус.1онии соб.1 10-
дения с.1едующих rребований: ·ш время соединения тсчпература
в :нобой то•rке корпуса транзистора не до.1ж1щ нрсвышать !\IаК­
си.\1а,1ьно допусти:v1ую те!\111ературу окружающеii сре;1ь1. Темпера·~ ура
пайки не ло:1жна превышать 558 К.
Нс реко!\-1снлуе·1ся работа транзисторов при рабочих токах.
сопз:v1еричых с нсуправ.'1яемы!\Ш обра1 ны\111 гоками во все:-.1 ;та­
пазоне 1е-.щератур.
При включении транзисторов в э.1еК1рическую uепь ко.1лсктор­
ный контакт должен присоединяться пос.'Iедни!\1 и отсоединяться
первым.
15 ,мА
81----1---+.#--++---+----1
о
Вхо;.(ные характерисгики.
1
1
1
1
ГТL/02А-ГТL/О2~
'
1
1
1
\ Iк =L/ООмА
0,8
.. .... ...
0,2
о 25 50. 75 10015,мА
Зависимость сопротивления на­
сыщения от тока базы.
h21э
80
L/O
о 100 200 JOO L/00 I3,мА
Зависи:vюс1 ь статичсскоr о коэф­
фиuиента пере;щчи тока от тока
э:vшттера.
60
L/O
~20
~10
~6
.......
lf
2
1
С-
'
'-ГТ/f02А -
-ГТL/02Г
/
'1'
1
/,
/
/
/
7
273 293 313 J33 353 т,к
Зависимосгь обратного тока
коллектора от lе:-.~пературы.
]53


1Т403А, 1Т403Б, 1Т403В, 1Т403Г, 1Т403Д,
1Т403Е, 1Т403Ж, 1Т403И, ГТ403А, ГТ403Б,
ГТ403В, ГТ403Г, ГТ403Д, ГТ403Е, ГТ403Ж,
ГТ403И, ГТ403Ю
Трапзисrоры германиевые Сn.'Jавные р-п-р уси.1ите:1ьные низко-
частотные мало:vющные.
П рс;щазна <1ен ы д.1я раб о r ы в cxe:vrax перек.1юче11ия. выходных
каскадах усилите.1сй низкой ч<~стоты, прсобразовате.rях и с габили­
заторах посгоянного гока.
Выпускаются в :v1стал.1ос·1еклянном корпусе с гибкими вывод<~ми.
Обозначение типа 11риводится на корпусе.
Macc<i транзистора не более 4 г.
Jмиттер
Коллектор
ба,за,
Ч,9
3
Э:1ектрические параметры
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при lк =
=0.5А,/6=0,05Анебо.<ее..
.
.
.
.
.
Напряжение насыщения бюа-эмиттер при lк = 0,5 А,
/Б=0,05 А не более
.
•
.
_
.
.
.
.
.
.
.
.
Коэффициент персТ(ачи тока в режиме малого сигнала
приИк6=5В,fэ=О,!А,f=50-:-300Гн:
!Т403А, 1Т403В, 1Т40ЗЖ, ГТ403А, ГТ403В,
ГТ403Ж
.......•....
!Т403Б, !Т403Г, !Т403Д, ГТ403Б, ГТ403Г,
ГТ403Д
...........
.
ГТ403Ю
.......•....
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим
эмиттером при Ик6 = 1 В, /э = 0,45 А !Т403Е,
ГТ403Е, 1Т403И, ГТ403И не менее .
•
•
.
.
.
.
Изменение коэффициента передачи тока в режиме ма­
лого сипшла !Т403А, !Т403Б, IT403B, !Т403Г, !Т403Д,
IТ403ЖприИк6=5В, /э=0,1 А,f=50-:-300 Гц
не более:
154
нриТ=343К
при Т=213 К
0,5 в
0,8 в
20-60
50-150
30-60
30
±30%
-50/~
11


г
Изменение статического ко·нрфш~иента передачи rока
в схеме с общим эмиттером 1Т403Е. 1Т403И при
ИкБ=1В.I,=0,45Анебо"1ее:
приТ=343К......
при T=2l3 К ....
Граничнах частота КО)ффицпент:.~ пcpC'дat[II тока в схс;.. 1е
с общиv1 Jчиттсром прп L·КБ =5 В. !-) =0.l А не
ченее......
·
·
·
·
·
·
.
.
.
.
.
.
П.1авающес напряжение ·J~1нгтер-база при Ию;= 45 в
1Т403А. 1Т403Б; при Uкь = 60 В 1Т4СIЗВ. !Т403Г.
lТ40.Щ. IТ403Е; врп Uкь = 80 В 1Т403Ж IТ403И
при Т=343 К нс Go.:1ce •
О6рап1ый ток ко.1.1сктора нри UкБ = Uкг,.\lакс нс бо;;ее:
ll[Hf Т=298К:
1Т403А. 1Т403Б. IТ403В. 1Т403Г. 1Т40ЗД. l Т403Е.
ГТ403А. ГТ403Б. ГТ40ЗВ. П403Г. ГТ403Д, ГТ403Е,
ГТ403Ю ....
·
·
·
...
1Т403Ж. !Т403И. ГТ4UJЖ. ГТ40ЗИ . . . . . ..
приТ=343К...............
Обратный 1ок э~шт1сра прп UБэ = 20 В !Т40ЗА. lТ403Б.
1Т403В, JТ403Г. !Т403Е. ГТ403А. ГТ403Б. ГТ40ЗВ.
ГТ403Г. ГТ403Е. ГТ40Зf0. Иг,, = 30 В 1Т40ЗД. ГТ403Д
не более:
ври Т=2У8 К:
!Т403Л. !Т403Б. !Т403В. IТ403Г. 1Т403Д. !Т-;,:JЕ,
П40ЗА. ГТ403Б. ГТ403В. ГТ403Г. ГТ403Д. ГТ403I::.
ГТ403Ю.......
.
1Т403Ж. !Т403И. 1Т403Ж. ГТ403И ..... .
прнТ=343К..............
Обратный ток кол.1сктор-Jмиттер при Ик::J = Икэ ""кс:
1Т403А. !Т403Б, !Т403В. 1Т403Г, !Т403Д, IТ403Е.
ГТ403А. ГТ403Б. ГТ403В. ГТ403Г. ГТ403Д, ГТ403Е,
ГТ403Ю ...... .
1Т403Ж, IТ403И. ГТ403Ж. ГТ403И . .
Предспы1ые экс1иуата11ишшыс данные
Постоянное напряжение ко~~лектор-эмигтер при Т = 213 .; -
.;-343 К(при Т=218 К ГТ403):
!Т403А, !Т403Б. ГТ403А, ГТ403Б, ГТ403Ю . . . .
1Т403В, !Т403Е, ГТ403В, ГТ403Е, 1Т403Г, 1Т403Д,
ГТ403Г,ГТ403Д........
.
.
.
.
IТ403Ж, !Т403И, ГТ403Ж, ГТ403И.
.
.
.
.
Постоянное напряжение коллектор-база при Т = 213 .; -
.;-343 К (при Т= 218 К ГТ403):
1Т403А, !Т403Б, ГТ403А, ГТ403Б, ГТ403Ю ....
1Т403В, !Т403Е, !Т403Г, IТ403Д, ГТ403В, ГТ403Е,
ГТ403Г, ГТ403Д . . . .
.
.
.
1Т403Ж, !Т403И, ГТ403Ж. ГТ403И . . . . . . .
±30~~
+ 50 о.о;
-40(\,
8 кГц
0.3 в
Sl) ~viкA
70 мкл
~0() \!КА
5() v1к,\
/()мкА
80() :v1кА
5 'vtA
бмА
30в
45в
60в
45в
60в
80в
155


Посrояннос напряжение 'J!'v!иттер-база при Т = 213 -с-
-с-343К(приТ=218КГТ403) .
20В
1Т403Д, ГТ403Д
30В
Постоянный ток коллектора при Т = 213 -с- 343 К (при
ос 218 К ГТ403) .
Пос1оянный ток ба·щ при Т=213-с-343 К (нри Т=
= 218 ГТ403\ .
Постоянная рассеиваемая х1ощносп, ко;1лектора:
1,25 А
0.4 А
с теолоотво;:юм .
без теп.1оотвода .
Тепловое сопро·111в,1епнс нерсход-корпус .
(358 - T1J/Rт ""' Br
\3511 - Т\: Rт п-с· Пт
l 5 К/13т
!Т403В, !Т403Е. ГТ403В. ГТ403Е .
Теп.товое сопропшление 11ерсхо;1-среда
Ге-..шсра 1ура перехода .
Те\шература окружаюшсй средь~:
!Т403 .
ГТ403.
12 К/Вт
100 K/Br
358 к
От 2!3
до343к
От 21S
до343к
Пр и ч сч ан и е. Р;нрешается про1пво;:нпь 1п1 иб и пай1\у выво.~ов
11а расстоянии не менее 3 ~;м ог корнуса транзистора с тс.'Аnе­
ратурuй жа:rа паяльника нс более 533 К в течсн11е 3 с и груп­
повым н.1и мехэннзированны~1 спосоiiом пр1 те~шературе припоя
не бо.rсе 533 К в те•1ение 5 с.
hг1э
ЦОt--~~~>----.~---.~-<
201---='-~~~~-+~~
1ТЦОJЕ, 1ТIЮ3И,
10
1
ГТЦО3Е,ГТЦО3И
.____.
. __I.. . _ _!!..___.____.
о 0,2 о)ц 0)6 0,8 Iк,А
Зона возможных по.сюженнй за­
вис11мости СТil'Пf'!есксч о :кос)ф­
фиuнепта ~ока 01 тока кол.'Iек-
тора.
156
hгп
1ТЦО3Б,
280
1Т403Г,
1Т!f03Д,
2ЦО
ГТLfОJБ,
ГТL/03Г,
о


~.
15,мА
uк3 =58
цо
30
1Тlf03A,
1ТЦО38, j
го
1Тlf03Ж,
ГТLfOJA,
10
ГТLf03В;
ГТ!./03Ж
о 0,2 O,if o,s 0,8 U63 ,8
Вхолные характеристики.
l
Iэ,А
Uк5=О
о,в
0,6
1Тlf03A,
1TlfOJB,
O,Lf
1Tl./D3Ж,
ГТ!./03А,
0,2
ГТ!./038,
ГТ403Ж
1
о 0,2 О/+ 0,6 D,8U63,B
Завпси:vюс 1ь тока J:-.шттера ст
напряжения база-э\.111'1 1ср.
15,мА
цо
30
20
10
о 0,2 0 ,4 0,6 O,BUsэ,B
Входные характеристнкн.
13,А
0,8 Г----i--++--+-+-+---1
1Т!./03Б,
0,4 1----+-f--hf -- 1Т цо 3Г,
171./ОJД,
t---A--F - -t -- ГТ 1./03Б,
ГТ!./ОJГ,ГТ1.103Д
1
1
1
_J
0,2 0,1./ 0,6 0,8 U6 э,В
Заш1С11\юсть 1 ока э:vнптсра от
напряжсн1~я база-Э'v1иттср.
ГТ405А, ГТ405Б, ГТ4058, ГТ 405Г
Травзпсторы rср:v1аш1сс:ы~
cru1ai;ныe р-п-р уснлн 1е.1ы1ыс
низко часто п1ые мапо!vющн ые.
Предназначены :1сrя рабо·1 ы
в схемах выходных каскадов
усилителей ни-зкой часто·~ ы.
Выпускаются в п.1астмассо­
вом корпусе с гибкими выво­
дами. Обозначение типа приво­
дится на корпусе.
Масса транзистора не_ бо­
лее1r.
7,5
4,S
0,7 ~
1,fi
157


Электр11чес1ше параметры
Статпчсский коэффиuиенг передачи тока в схеме с
оi)щи:1,1 ·Jмиттеро~1 при И ICJ = 1 В, /.э = 3 мА:
при Т= 298 К:
ГТ405А, ГТ405В
ГТ405Б, ГТ405Г
при Т=328 К:
ГТ405А. ГТ405В
ГТ405Б, ГТ405Г
при Т= 233 К:
ГТ405А. ГТ405В
ГТ405Б, ГТ405Г
Преде.1ьная частота коэффициента передачи тока при
Икэ=1В. /э=3мА не менее
Прямое падение напряжения эмиттер-база при / 6 =
= 2 мА и отклю<rенном коллекторе не более .
Обратный ток коллектора при ИкБ = 1О В не более.
Преде.1ьные Jксп.~уатацнонные данные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при R6э ,;:;;
,;:;; 200 Ом, Т= 233 7 328 К:
ГТ405А. ГТ405Б
ГТ405В, ГТ405Г .
}.О-80
60-150
30-160
60- 300
15-80
30-150
1 МГн
0,35 в
25 мкА
25в
40в
Постоянный ток коллектора при Т = 233 7 328 К
0,5 А
Постоянная рассеиваемая '>!ощность коллектора при Т =
=2337298К.
0,6 Вт
Температура перехо/\а .
358 К
Тепловое сопротивление переход-срс,1а
О, 1 К/мВт
Температура окружающей среды .
От 233
до328к
П р нм е чан и я: 1. Максимально допустимая постоянная рас­
сеиваемая мощность ко.1лектора, мВт, при Т = 298 7 328 К опре­
деляется по формуле
Rкмакс = (358 - 1)/0, 1.
2. Допускается пайка выводов на расстоянии не менее 10 мм
и изгиб выводов на расстоянии не менее 3 мм от корпуса
транзистора с радиусом закругления не менее 1,5 мм. Обрезка
выводов запрещается.
158


ГТЦОSА-
ГТ цо5 r, ~--+---1
2 о 1---1 -- - - -+'~-+----т-t-----1
5
D 0,1 D,2 0,3
I5 ,мА
1,0t---1-----1~-+~-+-~
D
3dни~н \toc гь тока ·э:\1пттера от
IIZiilpяжeHIIЯ fia·з;i-J:\1iIT1Cp.
Вхо"щ ые :-;i.!рактсристнки.
-,
2
о D,1 0,2
Вхо)щые харак 1еристнк11.
~...,
""
~'i 0,8
"
; 0,6
"'
::}
~ о,ц
"'tl
:i:
~ 0,2
"'
~о
.........
rтJosAl 1
"\
гтчоsг->----
\.
\
'
293 313 333 353 373 т,к
Зависимость
относительного
максимально допустимого на­
пряжения коллектор-эмиттер от
температуры.
hz1з 1
160
12 о f--t'"""l-~~""--1
80
о 100 200 JDO JfOOiк,мA
Завпси:v1ости ста1 нческого ко1ф­
фицпен1i.l нерсдачи тока от тока
ко.-1л~ктора.
10
8
Г!Jf05А­
ГТЦО5Г
~ 6 t------it-----+-1- - - -+-- - -+- - - -I
~
~ ц 1-----!t---++- -+ -- -+- -- -I
......
""
21-----1+--+- -+- - -+- - --I
о..,..--'~-'---'---'---'
253 273 293 313 333 т,к
Зависи:-.1ость обратного тока
коллектора от температуры.
IS9


г-........... ! 1 1 111 1
'
ГТ405А- ГТ'IОSГ
т=1Jiв
1
k
l'-r- --...
.........
t'-..
.... ! '-
.........
~
46
21./6
2 1./6
2
102
703
10"
Заrшснмость относительного .\1акспл·I!.1льно лонус1 имого напряжения
кол,1ектор-эмиттер 0·1 сопротив.1ен11я база-э!>.шттер.
П406, П407
Транзисторы 1ермаrшевые сплавные р-11-р уннвсрса;~ьные ма,10-
мощные.
Предназначены для прнме1оения в усн.1иге;1ьных н генераторных
каскадах высокой час1оты, а также в триггерных, к,1ючевых и дру­
гих импульсных каскалах радиоэ.1сктронных устройств.
Выпускаюп:я в металлос 1ек.1янно"1 корпусе с гибкими вывалами.
Обозначение типа приводrпся на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 2 1.
4-0
8
0,8
ф4,2
Эмиттер
~
Кшиектор
t-...
""
.,,,~
база
'&
Э.1ектрические параметры
Предс.1ышя час гота коэффициен 1а передачи тока
приUкь=6В,/э=1мАкеменее:
П406
П407
Коэффицнент переда '!И тока в рсжи:v1е малого сиr нала
при Ию;=б В. fэ=l мА,/=1 кГц:
приТ=293Кнеменее.
вриТ=343К
От 20 до не более 2 значений
приТ=293К
при Т=213 К
От 10 до не более 1/; зпачений
приТ=293К
160
10 МГц
20 МГц
20


Сопротивление базы при UкБ = б В, lэ = 1 ':>.!А,/= 1 МГц
нс более .
Выходная по.тная проводпхюстп в режи~1с ча.того
спгна!rа прп хо.1осточ ходе при Икг, = б В, 'э = 1 мА,
f= 1 кГ11 не более:
при Т=293 К
приТ=213К.
Обратный ток коллектора при UкБ = б В
не бо.1сс:
при Т=293 К
пrи Т=343 К
Обратный ток '1х1иттеrа прп l/.эь = 6 В нс бо­
_1ее .
Е:wкость ко.1.1екторного перехода при Uкr; = б В,
J= 1 МГп не более
Предельные эксnлуатацион11ые данные
Напряжение коллектор-эмиттер, кол.-1ектоr-база
Обратное на.нряжсние эм1п ~·ер-база
Ток ко.1лсктора .
Ток '"ш' 1сра .
Постоянная rасссиваемая мощность при
т=213-0-343к
150 Ом
2 чкСм
5 мкСм
6 мкА
50 мкА
10 мкА
20 пФ
бв
бв
5мА
5мА
30 мВт
Температура окружающей среды .
.
От213до343К
КТ501А, КТ501Б, KTSDHJ,
КТ501Е, KTSOOK, КТ5З1И,
КТ501М
КТ501Г, КТ501Д,
КТ501К, КТ501Л,
Транзисторы кремв11свыс ·тил1кснально-пла11арные р-11-р усили-
те:1ьныс нJп::~уr:н.: готньrе :-..1а.10:\1оi11ныс.
Прсдп~1::~~:;1 i~:l-IЫ д~~я прн:"/iсrrсния в усн~~н 1е~·rях низкой trастоты
с нор,лиро~аЕНЫ)Л коэФ·=Jч!!IИен ro:\1 u1ума, 011ерuнионн1r.1х и дифферен­
циальных усн.-ште!!ЯХ, прсо3}~а-~шы 1eJ1~x. ~"шульсных схемах.
Выпускаю 1 ся в х1ета.1.1остскля~;>101ч корпус~ с гибкими выво­
дами. Обозначение пша прrшоднтся rш кор11усе.
Масса транзистора пе 60.1се 0,6 r.
1J, 5'
5',J
6 По.1упрово,:шнковые приборы
161


Э.1ек1рические параме1·ры
Коэффrщисн r шума 11ри UKF. = 3 В.
= З кОм, .f=1кГцнебо.1ее.
типовое значение .
Напряже1111е насыщения ко.т1ектор-·J:vшттер не 60:1ее:
прнlк=0.3 А. Ir;=0,06 А .
прпfк"=0.5 А, lr;=0.1 А .
Напршкснне насыщения б:~за-т\шттер пр!! /к = 0.3 А.
fь=0,06 А не бо:J,ее .
Статr~ческиii коJффициент передачи i ока в схе.1е с общи:-.1
эмиттером:
приUкэ=1В,lк=30:-лА:
4дБ
2* дБ
0.4 в
0.7 в
l.5 в
КТ501 А. КТ50!Г, КТSО!Ж, КТ501Л
КТ501Б, КТ501Д. КТ501И, КТ501М .
КТ501В, КТ501Е, КТ501К .
приИк3=1В.Iк"=0,5Анеменее.
.20
-
60
40-120
80-240
6
Граничная часто·~ а коэффиниента нереда чи тока в схеме
с общи:v1 эмиттером при Uк,=5 В. fк=!О мА нс
менее .
ЕсУiкость коллекторного перехода при
f=500 кГа не более .
Емкость эми~терного перехода при U 5 э = 0.5
нс бо:~ее .
Ик5=10 В,
В,.f=500кГн
Обратный ток ко;щектора при ИкэR = Uк>R "акс· R 5э = 10 кОм
5 МГц
50 11Ф
100 пФ
не более
'\1кА
Обра rный ток эмиттера 11ри L'Бэ = U5э ""'с не
бо-
лее .
мкА
Предельные эксплуатаuионные дан11ые
Постоянн"1е напряжения кол:~ектора -база и ко.1лектор-
э:о.111ттср прн R5э ~ 1О кОм, Т = 298 -о- 398 К:
КТ501А, КТ501Б, КТ501В .
15В
КТ501Г, КТ50iД, КТ50!Е.
30В
КТ501Ж, КТ501И. КТ501К
45В
КТ50!Л, КТ501М . .
60В
Постоянное напрr.жсние база-эмнттер прн Т = 213 -о- 398 К
(при Т = 298 ~ 398 К КТ501Ж. КТ50iИ, КТ50\К. КТ501Л,
КТ501М):
КТ501А, КТ501Б, KTSO!B. КТ50!Г.
KT50iE .
КТ50!Д.
КТ501Ж, КТ501И, КТ501К, КТ501Л, KTSOIM
Постоянный ток коJJлектора при Т = 213 -о- 398 К
Импульсный ток кол:1е1(тоμа при Т = 213 -о- 398 К .
Постоянный ток базы 11рн Т = 213 -о- 398 К .
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
т=2137308к......
при
10в
20в
0.3 А
U.5 А
O.J А
0,35 Вт
423 к
Температура перехода .
Температура окружающей среды
.От 213 до
398 к
162


1
Пр им е чан и е. При вк.-1ючении тр;шзнстора в це11ь, вахо­
дящуюся под напряжением, базовый конн1кт присоединяется первым
и отклr.:Jчается 11оследНИ;"1Л.
Расстояние 0·1 -.1еста изгиба до корпуса транзистора не менее
3 м:-.1 с ра;1иусо:-1 ·н1кругления l ,5- 2 мм. Пайка выnо;юв допус­
кается 11а расстоян11и не менее 5 мм от кор11уса транзистора.
0,6
0,5
0/1
D,1
1
КТ501
'\.
'\
''\
\,.
"'
о
2·73 253 293 333 373Т,К
Завн.:.:;т~v,~ОСТL :\t(.H\Cii~·taЛЫ-fO до­
пустп~юй 11остоян11ой рассеивае­
мой мошносп1 кол~rектора от
темпера туры.
Зависимости :-~акснча.1ыrо до­
пустимых напряженнй коллек­
тор-эмиттер и кол;iектор-Gаза
от те~;пера·rуры.
22,5
--i,
1
2Dr---+ -- -+ ---J -- -,j....--i
15
12,5
КТ501Ж,
КТ501И, КТ501К, ---
КТ501Л, KT501iv1
-
--+
1
1о L---L_
_j ___ _l_
_L___J
.Зависимость максимально до­
пустимо: о напряжения база­
эм\птер от температуры.
213 233 253 273 293 т,к
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д,
КТ502Е
Транзисторы крс~11шевые эпита[(сиа.-~ыю-планарные 1н1-р уr<ивср­
сальные низкочас1отнгjrе мало~1ur_цные.
Предназ1шчены для работы в ус11лите~1ях низкой частоты, опера­
ционных и диффсренцнальных уси.11пелях, 11реобразова1слях, импульс-
ных схемах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкимп вьню;щми.
Обозна<rепие типа приводится на этикетке.
Масса транзистора не более 0,3 г.
6*
163


Граничное напряжение пrи /э = 10 мА, '" <;; 30 :ч;;с, Q > IUO
нс менее:
КТ502А, КТ502Б
КТ502В, КТ502Г
КТ502Д
КТ502Е
Напряжение насыщения ко.-rлсктор-эмпттер при Iк = 1О мА,
lь=1мАнебо.-rсс.
типовое значение .
Нанряженис насыщения
/6=1мАнеболее.
типовое 1наченне .
база-эми1 1ер при Iк = 10 мА.
Статический коэффиниепт псре1щ'IИ тока в схеме с
эмиперо:-1 !!ри Икэ = 5 В, 11 = 10 мА:
общпм
25в
40в
60в
80в
0,6 в
0.15* в
1.2 в
0,8* в
КТ502А, КТ502В, КТ502Д. КТ502Е .
КТ502Б. КТ502Г .
.
40- 120
.
80-240
Граничная частота к0Jффшшен1·а передачи тока в схе:.1е
собщимэмиттеромIJPHИк,=5В.Iэ=3мА,f= 1f-ЛГц
не менее .
5 МГп
Емкость коллектоrного перехода при ИкБ = 5 В. / = 465 кГц
пе более .
20 пФ
Обратный ток кш1.1сктора при ИКБ = UКБ.макс нс бо-
лее .
1 мкА
Предельные эксп.1уата1111онные данные
Постоянное напряжение кол.оек 1·ор-6аза пр11 Т =
= 2337358к:
КТ502А, КТ502Б
40В
КТ502В, КТ502Г
60В
КТ502Д
80В
КТ502Е
90В
Постоянное напряжепне база-·Jмнттер при Т =
=233-7-358к.
Постоянный ток коллектора при Т = 233 -с- 358 В
Импульсный ток ко.1лектора при т" ,;;, 10 мс.
Q;;.100,т=233735~к.
Постоянны!'~ ток базн при Т = 233 7 35~ В
Постоянная rассеивасмая мощность ко.оле1:тора при
т=233-7-298к
164
5в
0,15 А
0,35 л
0,1 А
0,35 Вт


г;
Температура
398 к
Температура
перехода .
окружающей среды
•От233до358К
0,5
о,ц
....
~O,J
<.>
"'
~ 0,2
CJ...>C
0,1
о
l11
КТ502А-КТ502Е
\
1\
\
r\
233 273 313 353 393Т,К
ЗависиУ!ость максима.-rьно до­
пустимой настоянной рассеивае­
мой мощности ко.-rлектора от
0,5
О/+
температуры.
~11---:Ь"""i=-t++-t~-t-IН
0
1
L ---'-2-11.L.-6L-JB,...1-=-o-=2-:::-o-11~0;-;1;-к,-мA
Зависимость напряжения насы­
щения коллектор-эмиттер от
тока ко.-rлектора.
Примечание.Пайкувы­
водов разрешается производить
на расстоянии не менее 5 мм
от корпуса. При пайке жало
паяльника должно быть зазем-
лено.
Изгиб выводов допускается
на расстоянии не менее 5 мм
от корпуса транзистора с ра­
диусом закругления 1,5-2 мм,
при этом должны приниматься
меры, исключающие передачу
усилий на корпус. Изгиб в плос­
кости выводов не допускается.
1,1
~ 0,91----+-- -1- -<-+,.---+-->- -· ,_, .... .
<.>
~
~ О,81---+~1--1--+-1--+--1--1-Н
~
0,71---+-l--l--+-l--+--l--Н-
0,6.__.__.__......_..___._--''--.......
1 2 ц 6810 20 LJOiк,мA
Зависимость напряжения насы­
щения база-э:1-1иттер от тока кол­
лектора.
hz1з
120
11
КТ502Б,
КТ502~~
)-
-
111 1
КТ502А-
100
во
60
1./ -0
20
о
Uкз=5В
/
//
-
l/
v
v
v
r\
КТ502Е- ·-
1
11
1\
l/
~ r-.
r'\
!'...
Н'!'
1'\ ~ Г\..
1
..,...
КТ502А,КТ502В,
1"'-'
~
rr502Д ,КТ502Е
11
0,01 0,01./ - 0 ,1 0,20,1./-0,б1 2 1./- б 10 20 1./-0БО100 200 600
I3 ,мА
Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмит­
тера.
165


Разд е .1 четвертый
ТРАНЗИСТОРЫ МАЛОМОЩНЫЕ
ВЫСОКОЧАСТОТНЬIЕ
п-р-п
2Т301Г, 2Т301Д, 2Т301Е, 2Т301Ж,
КТ301Г, КТ301Д, КТ301Е, КТ301Ж
Транзисторы кремниевые планарные 11-р-п универса.1ьныс вы­
сокочастотные ма:1омощные.
Предназначены для при!\:lенения в уси.11пе.1ьных и генераторных
схемах радиоэлектронной ап11аратуры.
Выпускаются в мегаллостеклянном корпусе с гибкими выво­
дами. Обо1начсние типа приво,1и-~ся на корнусе.
Масса транзис1ора не бо~-rее 0,5 г.
25
J
Кошrектор
....,
"
~
""~
'$.
-э.
Электрические параметры
Максималывя частота 1 енеранrш при Ик 6 = 1О В, 13 = 3 "1А
неменее...........
.
. 60МГц
Модуль коэффициента передачи тока при Ик·J = 10 В.
Iэ=3мА,/=20МГ11неменее..
.
.
.
.
.
1,5
Постоянная временп цепи о бра гной связи при UкБ = 1О В,
Iэ = 2 мА._/= 2 МГц не более:
2Т301Г, 2Т301Д, КТЗОlГ, КТЗОIД
2Т301i2, 2Т301Ж, КТЗОIЕ, КТ301Ж.
Время рассасывания при Iк = 10 мА, / 6 = l
'-IA
более:
2ТЗО!Г, 2Т301Д, КТ301 Г, КТЗОlД
2Т301Е, 2ТЗО!Ж. КТЗО!Е, КТ301Ж . .
[[е
4.5 нс
2.0 НС
5 мкс
8 'ЛКС
Коэффициент nерслачи тока в схо1~ с общнм э\1и-~ тероч
приИкБ=1ОВ,/э=3мА:
166
2ТЗО!Г. КТ301Г
2Т301Д, КТ301Д .
2ТЗОIЕ, КТ301Е .
2Т301Ж, КТЗО!Ж.
!О- 32
.
20- 60
.
40- 120
.
80-300


Граничное напряжение при lэ = 10 мА, ти = 5 мкс
менее:
2Т301 Г, 2Т30 IД .
2Т301Е, ПЗОIЖ .
не
30в
20в
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 10 мА,
/Б=1 мА не более
.
3В
Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 1О
мА,
/Б=1мАнеболее.
.
2,5 В
Емкость ко.1лекторного перехода при ИкБ = 1О В, I = 2 МГц
не более .
10 пФ
Емкость эмиттерного перехода при ИэБ = 0.5 В, f = 2 МГп
не более .
80 пФ
Обратный ток коллектора:
при Т= 298 К, UкБ = ИкБ\1акс пе более:
2Т301Г. 2Т301Д, 2ТЗОIЕ, 2Т301Ж .
КТ301 Г, КТ3901Д, КТЗОI Е, КТЗОIЖ.
приТ=398К,ИкБ=10 В небо.<ее:
2ТЗОIГ. 2Т301д, 2Т301Е, 2Т301Ж
Обратный ток эмиттера при ИэБ = 3 В нс
лее:
2Т301 Г. 2Т30 IД. 2ТЗО 1Е, 2Т30 IЖ .
КТЗОI Г. КТ301Д, КТЗОI Е, КТЗОIЖ .
.
.
5 мкА
10 мкА
.
50 мкА
бо-
Выходная проводимость нри ИкБ = 1О В, Iэ = 3 мА, f = 1
не более .
.
.
50 мкА
.
.
10 мкА
кГц
.
.3 .0 мкСм
Предельные эксп.1уатациониые данные
Постоянное напряжение коллелор-база и коллек-
тор-эмиттер:
2Т301Г, 2Т301Д. КТЗОIГ, КТ301Д, КТЗОIЕ,
КТ301Ж .
2Т301Е, 2Т301Ж ..
Напряжение эУ1иттер-ба1а
Постоянный ток кол.,ектора
Импульсный ·1 ок кшrлектора при ти ,,,;;
мкс.
Q~2.
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Т,,,;; 333 К .
при Т= 398 К 2ТЗОIГ. 2Т301Д, 2Т301Е,
2ТЗОIЖ ..
при Т= 358 К КТЗОIГ. КТЗОIД, КТ30!Е.
КТЗОIЖ ..
Температура перехода:
2ТЗОIГ, 2Т301Д, 2Т301Е, 2ТЗОIЖ.
КТЗОIГ, КТЗОIД, КТ30!Е, КТЗО!Ж
Общее тепловое сопротивление .
30в
20в
3в
10 мА
20 мА
150 мВт
42 мВт
58 мВт
423 к
393 к
0,6 К/мВт
Температура окружающей среды:
2Т301Г, 2ТЗОIД, 2Т301Е, 2Т301Ж
КТ301Г, КТЗОIД, КТ301Е, КТ301Ж.
.
От213до398К
.
От233до358К
Пр им е чан и е. При монтаже допускается пайка выводов на
расстоянии нс менее 5 мм от корпуса. Пайку следует производить
167


паяльником за время более 1О с. Температура пайкн не должна
превышать 533 К. Необходимо осушсств.:~ять теп~1оотво.·1 между
корпусом и местом пайки.
Изгиб выводов допускае гся на р::сстоянш1 не \Iенее 5 мм от
корпуса транзистора, при этом должны быть приняты ~н:ры предо­
сторожности, обеспечивающие не1юдвижность выводов мсж;1у \1естом
из1·иба и стеклянным изолятором, чтобы не произошло нарушения
спая вывала со стеклянным изолятором, ведущего к потере герме­
тичности транзистора.
I5,мА
0,б
0,5
O,' .f.
0,3
О,2
0,1
о
2TJ01,
KTJ01
o,,:r 0,5 0,7 0,9 U351 B
Входные характерис1 нки.
hzu
180
UюF10f
2Т301Ж, КТ301Ж
1чо1---+-__.~=----+---1~~---1
100
60
201--c -+c:=-+..--+- -..<="'--i -- -i
о2ч
Зависимость статического ко·;ф­
фициснта передачи тока от то!Са
эмиттера.
13,мА
12
10
8
б
ч
2
о
0,3 0,5 0,7
Зависимость тока JС11иттера от
напряжения J;-.шттер-база.
h2JЭ
18 о !----+-=~.,.._+= ~-1----1
11/0f----J .c=...-! " '=:...+- --" f-- -+--- -1
100
60
20 k;:~~~~~Z::::j
О-__.,-~-~~-_._~
2510152025Uк31В
3~ШИСН.\10СТЬ СТап1чеСКОГО Коэф­
фициента передачи тока от
напряжения коллектор-э1>.нrттер.
2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В,
КТ312А, КТ312Б, КТ312В
Транзисторы кремниевые эпитаксиалыю-планарные 11-р-11 универ­
сальные высокочастотные ма;юмощные.
168


Предназначены для применения в переключательных. усилите,-rь­
ных и генераторных схемах радиоэJ1ектронной аппаратуры.
Выпускаются в мета.,-~лостсклянном корпусе с гибкиУ1н выводами.
Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Коллектор Эмиттер
JO
ц
Электрические параметры
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
с общим эмиттером при Икэ = 10 В, Iэ = 5 мА не менее:
2Т312А, КТ312А . .
80 МГц
.120 МГц
В,
2Т312Б, 2Т312В. КТ312Б, KT3l2B .
Моду.-rь коэффициента передачи тока при Uкэ = l О
Iэ = 5 мА,/= 20 МГц нс менее:
2Т312А, КТ312А ..
2Т312Б, 2Т312В, КТ312Б, KT3L2B .
Постоянная вrемени цепи обратной связи при Икэ = 10 В,
Iэ=5мА,f=2МГцнеболее.
Время рассасывания при lк = 10 мА, /Б = 2 мА не более:
2Т312А, КТЗL2А .
2ТЗ l 2Б, 2ТЗ 12В, КТЗ 12Б, КТЗ l 2В.
схеме с общим эмиттером
4
6
500 пс
100 НС
130 НС
Коэффициент передачи тока в
п~=2 В, lэ=20 мА:
2Т312А......
КТ312А
.
12- 100
.10- 100


Напряжение насышення база-эмиттер 11ри /к = 20 мА,
16=2мЛнеболее..
1,1 В
Емкость ко,шекторного перехода при ИкБ = 10 В, I = 2 МГц
не более .
5пФ
Емкость э:чи 1терно1 о перехода при UэБ = 1 В, f = 2 МГц
не бОJ1ее .
20 пФ
Обратны(r ток код~1ек ropa не более:
при Т= 298 К:
2Т312А, 2ТЗ12Б, 2Т312В 11ри Ию;= 30 В
1 мкА
КТ312А. КТ312В при ИкБ = 20 В и КТ312Б при
ИкБ~35В
.
.
.
.
10 мкА
при Т= 398 К 2ТЗ 12А, 2Т312Б, 2Т312В при Uк5 =
= 30В.
10 мкА
Обратный ток эмиттера при Иэ5 = 4 В не
бо-
лес..
Предельные эксплу:п:щ1ю11ные ланные
Постояв ное напряжсн11е коллектор-ба·за:
2Т312А, 2Т3!2Б, 2Т312В
КТ312А, КТ312В ..
КТ312Б .
Постоянное напряжение коллектор-·1м1птер прн
RэБ,;:; 100 Ov1:
2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В
КТ312А, КТ312В ..
КТ312Б .....
Постоянное напряжение эмиттер-база .
Постоянный ток коллектора .
Импульсный ток кол.1ектора при т11 ~ 1 мкс,
Q~10
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Т ~ 298 К КТ312А, КТ312Б. КТ312В;
Т = 333 К 2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В ..
11ри Т= 358 К КТ312Л, КТ312Б, КТ312В.
при Т= 398 К 2Т312А, 2Т312Б. 2Т312В ..
И мпу~1ьсная рассеиваеv1ая vюшность при т" ~ 1
Q~1О. Т~333К
Температура перехода:
КТ312А, КТ312Б, КТ312В
2Т312А, 2ТЗJ2Б. 2Т312В
Обшее тенловое сопроrивление
Тем11ература окружающей среды:
при
мкс~
10 мкА
30в
20в
35в
30в
20в
35в
4в
30 мА
60 мА
225 мВт
75 мВт
60 мВт
450 мВт
388 к
423 к
0,4 К/v1Вт
КТ312А, КТ312Б. КТ312В .
2Т312Л, 2Т312Б, 2Т312В ..
.
Or233до358К
.
От213до398К
Пр им е чан и с. Изгиб выводов разрешае rся на расстоянии не
менее 3 мм от корнуса транзистора с радиусом закругления
1,5-2 мм.
Разрешается производить пайку выводов на расстоянии не менее
5 мм от корпуса путем погружения нс более чем па 5 с в
расплавленный припой с темпера1)'рой не более 523 К.
170


16 ,мА
1,0
•
о,в
О,б
о,ч-
0,2
2Т312, KTJ12
1
Uк=О- l Uк=SB
.1
/
"/~/
О 0,2 О,Ч- О,б 0,8 1,0 UзБ, В
Вхо;:щые характеристики.
100~--1---+­
во
601---+-" -
Ч-O L--....L---1~_!_-1----=-1-::--::~
293313 333353373 393т,к
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от
гемпературы.
Jl---1-------1~~...d~-+----i
2
в 12 1б 20UкБ,В
Зависимость емкости коллек­
торного перехода от шшряже­
.
ния коллектор-база.
hш 2Т312В, KTJ12B
100t---t -'r-t- -' -t:=-.....-+ - ....... .
80г--У~-+---!--+--+--i
60~--i--+~~l==::t::=~~
ч-o~+.,..,,~=t::::!:::j~
20t-<~--+--,__--'~----1----I
о
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от то­
ка кол:тсктор<:!.
'·"г1эl 2TJ12, KTJ·f2
9t------l--+-__e_---1---1--!
в Г-----t--+---+---+-_,...__-1
71---+--1--l----+--.!---l-I.--!
б!-'----+---f = 2ОМГи,____,____.____.
5г----+---+----+--.!---I--!
ц. ,___,__
_,__;_
_L__J...__..!
О3б91215Iэ,мА
·Зависимость модуля коэффи­
циента передзчи тока от тока
·)1\Нrттерн.
- ;::::- ...
1,Ч­
с::;:,
'!,., 1,2
"'
~
' ;:! 1,0
"'~
~о,в
::}
~0,б
"'о
: о,ч-
r--
Jо2}1;
1
2Т312
r- ..
' i'\.
'......._ ._ _ _
,
2
.~
10 10i'
Зависимое·! ь относи гельного
максима.'IЫЮ допустимого на­
пряжения ко.'Jлектор-эмиттер от
сопротивления база-эмиттер.
171


КТ314А-2
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный 11-р-11 универ­
сальный высокочастотный маломощный.
Преднюначен д.1я работы
в усилительных и персклю'~аю­
щих схемах герметизированной
аппаратуры.
Бескорпусный, с гибкими
выводами и защитным покры­
тие:\!, на кристаллодержателе.
Транзистор помещается в тару­
спутник. Обозначение типа при­
водится на основании тары­
спутника. У базового вывода
ставится точка.
Масса транзистора нс бо­
лее 0,1 г.
Электрические параметры
Граничное напряжение при I': "J = 5 мА не менее
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при fк =
= 30мА,/Б=6мАпеболее.
Статический коэффициент нередачи тока в схеме с
общим эмиттером при Икэ = 5 В, Iэ = 0,25 мА:
приТ=298К
приТ=398К .
при Т=213К .
45в
0,3 в
30- 120
30- 300
15-120
Модуль коэффициента передачи тока при Икэ = 10 В,
Iк=10мА,f=100МГпнеменее.
3
Постоянная времени цепи обратной связи ври ИкБ = 5 В,
Iк=10 мА,f=30МГц не более .
80 нс
Емкость эмиттерного перехода при Иьэ = О В, f =
=10МГц.
типовое значение .
Емкость коллекторного перехода при Икь = 5 В, f =
= 1О МГц не более
Времявключенияприlк= 1ОмА, Ir;= 1мА .
типовое значение .
Время рассасывания при lк = 30 мА, fь = 3 мА не
более
8*-20*пФ
15* пФ
10 пФ
35* -45* нс
40* IIC
300 нс
Время выклю<rения при Iк = 1О мА, Iь = 1 мА .
типовое значение .
.
80* - 120* нс
100* нс
Обратный ток коллектора при
лес:
172
приТ=298КиТ=213К
приТ=398К
Икь=55Внебо-
0,075 мкА
1,5 мкА
т


Предельные эксrшуатациониые данные
Постоянное напряжение ко:тлектор-э'\1иттср при
R63=1ОкОм,Т=2137398К.
50в
Постоянное напряжение коллектор-база при т =
=2137398к.
55в
Постоянное напряжение база-Jм~нтср при Т = 213 7
39~к.
Импульсные напряжения кос1J1ектор-база и коллектор­
эмиттер при R6э = 1 кОм, 1:11 ,,; 100 мкс, Q ;;, 2,
Т= 213 7398 К.
Постоянный ток коллектора при Т = 213 7 398 К .
Импульсный ток ко.1Jiектора при 1:11
,,; 100 мкс,
.
Q>2, 7'=2137 .398 к
Постоянная рассеиваемая мощное~ ь коллектора:
при 7'=2137298 К
приТ=398К.
Температура перехода
4в
65в
60 мА
70 мА
0,5 Вт
0,1 Вт
423 к
Температура окружаюЩсй среды.
Тепловое сонротнвлепие переход-корпус
. От213до398К
0,25 К/мВт
Пр и '\1 е чан и я: 1. Максима,-rыю допустимая постоянная рас­
сеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т = 298 + 398 К определя­
ется по формуле
Рк.чакс = (423 - Т)/0,25.
2. Минимальное расстояние от места пайки выводов до по­
верхности транзистора 3 ~1М. Изгиб выводов допускае1ся на рас­
стоянии не менее 0,5 мм от места выхода вывода из защитного
покрытия.
KT31l.iA-2
Is,MA KT31LJA -2
\
в
1
'\
r-....
гг---~г-----;-~-~~-1-----J
o..._-"""--::::.J....~..J_~'---'
106 10 7 Rr,э,Ом
0,5
Зависимость относительного
максимально допустимого ш~­
пряжепия кол:1ектор-э:\!иттер от
сопро1 нвления база-Jмнттер.
Входные характеристиrш.
173


' <\:
>::
::<
10
КТ314А-2
~1(]1~~!--~t--~t----+1----i
~
w-гl--~~-~~A--+-----1
10-
3
--=--1--о'-=--,-'--'
213 253 293 J33 373Т,К
Зависимость обратного тока
ко;шектора o·r температуры.
801-1--+--+---+--f-----j
601-'---+--+--~~-f-----j
цо.__~-~-~~"'--::-~
О 20 40 60 80Iк,мА
Зависи"\юсть статического коэф­
фициента передачи ·1 ока от тока
коллекюра.
Jhг1э/ КТ314А-2
5~~+-~t--~t--~1----1
~51-~+-~+-~1-"....-t---I
3~~~~~~~~~-
213 253 293 333 373 т,к
Зависимость модуля коэффи­
циента передачи тока от темпе­
ра туры.
174
CQ
80
70
60
50
о
кf314А-2 ~/
UкзL5в /
/
v--
/
23
Зависимость с1атическоr о коэф­
фипнента передачи тока от тока
ко:шектора.
~1
KTj14AL2 I/
/
v Iк/I5=10
~ 0,9
<::!
"'
~ о,вI/
0,7
0,6
О 20 40 60 80Iк,мА
Зависимость напряжения насы­
щения база-эмиттер от тока
ко.шектора.
500 г--.-~-~---.-~
КТ314А -2
4001---+--+-~+----1~~
~ 300
-i->'i200.-~t----,Y'-~1--1-__,
100 t---t- -+ --t ---!- --1
о"=--:-'=--'"'~~,.......·'---
213 253 29J 333 37JТ,К
Зависимость времени рассасыва­
ния от 1емпературы.
т
·•


Зависимос1ь времени рассасыва­
ния от тока колл~ктора.
225
200
<.> 175
""~
~ 150
Q.
~
125
100
10 20 30 цо 50Iк,мА
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г,
КТ315Д, КТ315Е, КТ315К, КТ315И
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарны~
тельные высокочастотные маломощные.
п-р-п усили-
Предназначены для работы
в схемах усилителей высокой,
промежуточной и низкой час­
тоты.
Выпускаются в пластмассо­
вом корпусе с гибкими выво­
дами. Обозначение типа при­
водится на этикетке.
Масса транзистора не более
0,18 г.
Э."Iектрические параметры
Граничное напряжение при /э = 5
КТ315А, КТЗ15Б, КТЗ15Ж
КТЗ15В, КТ315Д. КТ315И .
КТ315Г. КТ315Е .
мА нс менее:
Напряжение насыщения кол;1ектор-э"1игтер при Iк = 20 мА,
!Б=2 мА не более:
15в
30в
25в
КТ315А, КТЗ15Б, КТ315В, КТЗ15Г
0,4 В
КТ315д, КТ315Е . .
1В
КТЗ15Ж....·
0,5 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при lк = 20 >.1А.
!Б=2мАнеболее:
KTЗISA, КТЗ15Б, КТ315В, КТЗ15Г
КТ315д, КТ315Е .
.
....
.
КТЗISЖ ...... · ... .
Статический коэффициент передачи 1ока в схеме с общим
эмиттеромприИкэ=10В,lк=1мА:
IJВ
1,5 в
0,9 в
КТЗ\5А,КТЗ15В,КТ315Д. . . . . . . . ...20 - 90
175


КТ315Б, КТ315Г, КТ315Е
КТ315Ж.......
КТ315И не менее . . .
.
50- 350
.30 -250
30
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой •~астоте
при ИкБ =!ОБ, Iэ = 5 мА не более:
КТ315А.......
КТ315Б, КТ315В, КТ315Г
КТ3!5д, КТ315Е, КТ315Ж
300 нс
500 нс
1000 нс
Моду:1ь коэффициента передачи тока при Икэ = 1О В,
Iк=1мА.f=100МГцнеменее:
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е,
КТ315И..................2,5
1,5
КТ315Ж ................. .
Емкость коллекторного перехода при Ик 6 = 1О В, f = 1О МГц
не более:
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е,
КТ315И ... .
КТ315Ж ... .
7пФ
10 пФ
Входное сопротивление при Икэ= 10 В, Iк = 1 мА не
менее......
.
.
.
.
Выходная проводимость при Икэ = 10 В, Iк = 1 :чА
Обратный ток коллектора при ИкБ = 10 В не
лее ............... .
.. 40Ом
. .0,3 мкСм
бо-
1 мкА
Обратный ток коллектор-эмиттер при RБэ = 10 кОм, Икэ =
= Икэ.макс не более:
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТЗ15Е.
1 С\ША
10 мкА
.100 мкА
КТ315Ж ... .
КТ315И ............. .
Обратный ток эмиттера при ИБэ = 5 В:
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е,
КТ315Ж
.
30 мкА
КТ315И..................50мкА
Пре:"lедъные :жсплуагационные данные
Постоянное напряжение ко:Ллектор-эмиттср при
RБэ= 10кОм, Т=213-о-373К:
КТ315А ....
КТ315Б....
КТ315В, КТ315Д.
КТ315Г, КТ315Е .
КТЗ15Ж ... .
КТ315И ... .
Постоянное напряжение
=2137373к....
база-эмиттер при Т=
Постоянный ток коллектора при Т = 213 -о- 373 К:
176
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д,
КТ3!5Е....
КТ315Ж,КТ315И...........
25в
20в
40в
35в
15в
60в
6в
100 мА
50 мА
:-0:
.....


Постоянная рассеивае~1ая мощность коллектора при
Т=213-:-298 К:
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д,
КТЗ15Е .
КТ315Ж, КТЗ15И
Температура перехода
Температура окружающей среды
.
От
150 мВт
100 мВт
393 к
213до373к
Пр и м е чан и я: 1. Постоянная рассеиваемая мощность коллекто­
ра, мВт. при Т = 298 -:- 373 К определяется по формуле
Рк.макс = (393 - 7)/0,67.
Допускается эксплуатаrщя транзисторов в режиме Рк = 250 мВт
приИкБ=12,5В,lк=20чА.
2. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 2 мм
от корпуса транзистора.
При включении транзистора в схему, находящуюся под напря­
жением, базовый вывод должен подсоединяться первым и отсоеди­
ияться последним.
Не рекомендуется работа транзисторов при рабочих токах,
соизмеримых с неуправляемыми обратны~ш токами во всем интер­
вале темпер:нур.
hг1з
120
100
80
60
цо
о20'1060
0,05 L--.!..-- -1----1---+ ----i
о
Завнсимость статического коэф­
фиц>rеrпа перс;~:ачи тока от тока
эыиттсра.
Зависимость напрттх~епия насы­
щения коллсктор-эмпттср от то­
ка коллек1ора.
Запп:сп:.лость напря)!~епия нг.сы­
щ~ния бюа-эмнттср от тока
базы.
0,9
CQ
;.:; 0,8
tl
:.:
<..; 07
~)
0,6
0,5
о
1
KTJ15
1
v
lк== 10I5 /
/
1
./
2
6


2Т317А-1, 2Т317Б-1, 2Т317В-1, КТ317А-1,
КТ317Б-1, КТ317В-1
Транзисторы кремниевые эпитаксиа-<ьно-планарные п-р-п универ­
сальные высокочастотные маломощные.
Предназначены для работы в схемах усилителей высокой и
низкой частоты, в переключающих
и импульсных схемах герметизиро­
ванной аппаратуры.
Бескорпусные, с гибкими вы­
водами, с защитным покрытием.
Транзисторы помещаются в воз­
вратную тару, позволяющую без
извлечения из нее транзисторов
производить измерение электри­
ческих параметров. Обозначение
типа и маркировочная точка кол­
лектора приводятся на крышке
возвратной тары.
Масса транзистора не бо­
лее 0,01 г.
Электричесю1е параметры
Напряжение насыщения кол.<ектор-эмиттер при /к = 1О мА,
lь= 1,7 мА 2Т317А-1, КТ317А-1; при lь= 1 мА 2Т317Б-1,
КТ317Б-l; при lь=r0,7 мА 2Т317В-1, KT3l7B-l не бо-
лее .
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
0,3 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при lк = 10 мА,
lь = l мА 2Т317А-1, КТ317А-1; при lь = 0,6 мА 2Т317Б-1,
КТ317Б-1; при /ь=О,4 мА 2T317B-l , KT317B -l не бо-
лее .
.
...
Статическ11й коэффиr1иент передачи в
теромприИкэ=1В,lэ=1мА:
при Т= 298 К:
2Т317А-1, KT3l7A-1
2Т317Б-l, КТ317Б-1
2Т317В-1, KT317B-l
при Т= 358 К:
2Т317А-1, KT317A-l
2Т3! 7Б-1, КТ317Б-1
2ТЗ17В-1, КТ317В-1
при Т= 213 К:
2Т317А-1, КТ317А-1
2Т317Б-1, КТ317Б-\
2Т317В-1, КТ317В-1
178
0,85 в
схеме с общим эмит-
.
25- 75
.
35-120
.
80-250
.
25-225
.
35-360
.
80- 750
.
9- 75
.
15- 120
.25
-
250


Модуль коэффициента передачи тока при Икэ = 1 В, Iк =
=3мА,f=20МГцнеменее.
.
Времярассасывания при Икэ= 3 В, lк= 3 мА, /6= 1 мА
ие более .
Емкость кол.'!екторноrо перехода при ИкБ = 1 В, f = 1О МГц
не более .
Емкость э:\!иттерноr·о перехода при ИБэ = 1 В, f = 10 МГц
не более
Обратный ток коллектора при ИкБ = 5 В не
ба-
лее:
при Т=298 К и Т=213 К
приТ=358 К.
Обратный ток колдектор-эмиттер при Икэ = 5 В, RБэ = 3 кОм
ие более
Обратный ток эмиттера при ИБэ = 3,5 В
не бо-
лее .
.
.
5
130 нс
11 пФ
22 пФ
1 мкА
10 мкА
3 мкА
10 мкА
Постоянное напряжение эмиттер-база при Икэ = 2,5 В,
Iэ=0,05мАнеменее.
0,5 в
Постоянный ток базы при ИБЭ = 0,8 В, RБэ =
= 600Ом.
Предельные эксплуатационные цапиые
Постоянные напряжения коллектор-база, коллектор-эмит­
тер при RБэ= 3 кОм, Т= 213-:- 358 К.
Постоянное напряжение эмиттер-база при Т =
= 213-:- 358 к.
Постоянный ток коллектора при Т = 213 -:- 358 К .
Импульсный ток коллектора при 'и ,,; 1О мкс, Q ;;,, 1о.
'Ф,,;100пс.
Постоянная рассеиваема:~ '\ющпость КО.'!Лектора при
Т= 213-:- 313 К .
Импульсиая рассеиваемая мощно~ть коллектора
~:и,,; 10 мкс, Q;;,, 10, 'Ф,,; 100 пс
Температура перехода .
Температура окружающей среды.
при
От 130 до
460 мкА
5в
3,5 в
15 мА
45 мА
15 мВт
100 мВт
373 к
От 213 до
358 к
Пр им е чан и ::; : 1. Макснмалыю допустимая постоянная рас­
сеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т = 313 -:- 358 К определя­
ется по формуле
Рк. макс = (373 - 7)/4.
2. Нс рекомендуется работа транзистора при рабочих токах,
соизмеримых с неуправляемыми токами во всем диапазоне температур
окружающей с;:~сды.
При пайке выводов должны быть приняты меры, исключающие
возможность нагрева кристалла и смолы до температуры более 373 К.
179


10
8
"'<
6
"'~
Т=346К
1
Uк =0
2ТЗХ
КТJП
._,.:о ц t------+--11---н--rT = 213 К
r-t--+---'--I2981К
2
о 0,2 0,4 0,6 0,8 1U5з,В
Входные характеристпки.
/hг1эl
в 1---+--т---+--
о 20 40 60 ВОf,МГц
Зависимость модуля ко·;ффици­
ента передачи тока от частоты.
Q:J
~
~ 0,8 >-------
>:
n;
~ о, 71---t--~--+---t----1
0,61---1----+---+-"<---+--~
o,s.__---"..___.... _
_.__
_..__~
213 253 293 333 373 т,к
Зависимость напряжения насы­
щения база-·;мrнтер от темпе­
ратуры.
180
hг1з Uкэ=18
200t---+----+----~-
2T317B-U<~317B-f
150 U~==t:=:J:::::::::J-_J
100
50 ~--:6---Ф=:l=::::j::::::::::j
о
Зависимость статического коэф­
финиента пере;н1чи тока от тока
эмиттера.
0,10
0,081-+--t-----::~=-+----Jf----1
~ 0,0 61-----IЬ,....=t--+--+--1
:.:
n;
~ о,оцг-~--+---+----+-~
0,02
Iк f 1Ом,А
2Т317, КТ317
о....__~-----'--~-~
213 253 293 333 373 Т,1<
Заоиепмость напряжения насьr­
щсния коллектор-эми гтер от
тем11ературы.
hг1э
160
2Т317В-1
КТ317 В-1--А<~-+-~
12 о t------+-----7 "9- ----
801---,."--+--+.~--l---+----J
ц о 1-7"'Ч--,....."1--
0 ~~-~--'---'--~
213 253 293 333 373 т,к
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тем­
пературы.


2Т333А-3, 2Т333Б-3, 2Т333В-3, 2T333Bl-3,
2Т333Г-3, 2Т333Д-3, 2Т333Е-3, КТ333А-3,
КТ333Б-3, КТ333В-3, КТ333Г-3, КТ333Д-3,
КТ333Е-3
Транзисторы кремниевые планарные п-р-п переключательные вы­
сокочастотные маломощные.
Предназначены д;1я применения в импульсных и переключа­
тельных схе:'У!ах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные, с твердыми выводами, с защитным покрытием.
Обозначение типа приводится на этикетке групповой тары.
Масса транзистора не более 0,01 г.
Комектор
4-контакта
фО, 18
К0tтектор
0,0 'f
Электрические параметры
0,3
Напряжение отпирания при lэ = 0,05 ;'v!A не менее:
2Т333А-3, 2Т333Б-3, 2Т333В-3. 2Т333В1-3, КТ333А-3,
КТ333Б-3.КТ333В-3............0,57В
27333Г-3,. 2Т333Д-3, 2Т333Е-3, КТ333Г-3, КТ333Д-3,
КТ333Е-3.....····
0.55 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при !к =
= 10мА,16=1мАнеболее:
2ТЗ33А-3, 2Т333Б-3, 2Т333В-3, 2Т333Вl-3, КТ333А-3,
КТЗЗЗБ-3,КТ333В-3............ 0,27В
2Т333Г-3, 2Т333Д-3, 2Т333Е-3, КТ333Г-3, КТ333Д-Е,
КТ333Е-3......·..
0,33 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 10 мА,
/Б=1мАнеболее:
2ТЗ33А-3, 2Т333Б-3, 2Т333В-3, 2Т333Вl-3, КТ333А-3,
КТ333Б-3,КТ333В-3.........
0,9 В
181


2ТЗ33Г-3, 2Т333Д-3. 2Т333Е-3. КТЗЗЗГ-3, КТ333Д-3.
КТ333Е-3........
Время рассасывания при Iк= lО мА, IБ = 1 мА не
более:
2Т333А-3, 2Т333Б-3, 2Т333В-3, КТ333А-3, КТ333Б-3.
КТЗЗЗВ-3 . . .
•
.
.
.
.
.
.
.
.
.
•
•
.
2ТЗЗЗГ-3. 2Т333Д-3, 2Т333Е-3, КТ333Г-3. КТ333Д-3,
КТЗЗЗЕ-3.......
•
.
.
•
.
.
.
.
.
2Т333Вl-3................
Статический коэфф1шиент перелачи тока в схеме с общн"1
эмиттеромприИкэ= J В.13= 10мА:
2ТЗЗ3А-3, 2Т333Г-3. КТ333А-3, КТ333Г-3 . . .
2ТЗЗЗБ-3, 2Т333Д-3, КТ333Б-3. КТ333Д-3 . . . .
2ТЗ33В-3, 2Т333В1-3, 2ТЗЗЗВl-3, КТЗ33В-3.
КТ333Е-3...............
Граничная часгота ко1ффициента передачи тока в схеме
с общим эмиrтером при Икэ=2 В, !'Э=5 мА не
менее:
2Т333А-3, 2Т333Б-3, 2ТЗ33В-3, 2Т333В1-3, КТ333А-3,
1.0 В
]5 нс
25 нс
JO нс
30-90
50-150
70-280
КТ333Б-3,КТЗЗЗВ-3............450МГц
2ТЗ33Г-З. 2Т333Д-3, 2Т333Е-3, КТ333Г-3, КТ333Д-3,
КТЗЗЗЕ-3........
350 МГц
Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 5 В,
f= 5 МГц не более:
2ТЗЗ3А-3, 2ТЗЗЗБ-3, 2Т333В-3. 2T333Bl-3 . КТ33ЗА-3,
КТЗ33Б-3,КТ3ЗЗВ-3............3,5пФ
2Т333Г-3, 2ТЗЗ3Д-Е. 2ТЗЗЗЕ-3, КТЗЗЗГ-3, КТ33ЗД-3,
КТЗ33Е-3 •
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
4,5 пФ
Емкость эмиттерного перехода при ИэБ = О, f = 5 МГц
не более:
2ТЗ33А-3, 2Т333Б-3, 2Т333В-3, 2Т3ЗЗВ1-3. КТ3ЗЗА-3,
КТ333Б-3, КТ333В-3 . . . . .
•
.
.
.
.
.
.
4пФ
2ТЗ33Г-3. 2Т333Д-3, 2Т333Е-3, КТЗ33Г-3, ЗТ333Д-3,
КТЗЗЗЕ-3.........
•
.
.
.
5пФ
Обратный ток коллектора при ИкБ = 1О В не более:
приТ=298К..........
•
0,4 мкА
приТ=358К...........
5 мкА
Обратный ток эмппера при ИэБ = 4 В не более:
при Т=298 К
мкА
приТ=358К...........
5 мкА
Предельные эксплуатационные да1111ые
Постоянное напряжение кол.<ектор-база . .
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБэ ,;;;
<3кО"1..........
Постоянное напряжение эмиттер-база .
Постоянный ток ко.1лектора . .
Импульсный ток коллектора при ти <;;; !О
:v1кс.
Q;;; 10 ........ .
182
10в
10в
3,5 в
20 мА
45 мА


Постоянная рассеиваемая мощность:
приТ<:,328К.
приТ=358К.
Температура перехода .
Общее тепловое сопротивление
Температура окружающей среды
15 мВт
5 мВт
373 к
3 К/мВт
От 213 до
358 к
Пр им е ч а 11 и е. В процессе монтажа допускается нагрев тран­
зистора до температуры не более 573 К в течение 30 мин, не
более 423 К в течение 1,5 ч.
2T333,KTJ33
Входные характеристики.
2Т333,КТ333
7,31-----1---.J.--J-+-t---I
1
2Т333,КТ333
Uкэ=1В
/Т=358К
1
1
/29ЗК
.......
1
~ 0,6
~
-,,
1,v
/213К-
~ 0,2
N
- !:::
/
D2ЧВ810I3,мА
Зависимость относительного
статического· коэффициента пе­
редачи тока от тока эмиттера.
t,о1----+-~2=т=33=з~,~2~т=33~-1-~
1
1
~ D,91---....:.i.-....j___Jк=1DмA
~
I6=1мА
"'
~ ~Bt---J~-t-~~,_....+----11--~
213 2ЧJ 273 303 333 383 т,к
213 21./-3 273 303 333 JВ3Т,К
Зависимость относительного на­
пряжения насыщения коллектор­
эмиттер от температуры.
Зависимость напряжения насы­
щения база-эмиттер от темпе­
ратуры.
183


2Т336А, 2Т336Б, 2Т336В, 2Т336Г, 2Т336Д,
2Т336Е, КТ336А, КТ336Б, КТ336В, КТ336Г,
КТ336Д, КТ336Е
Транзисторы кремниевые эпитаксиа.lьно-п.танарные 11-р-п перек.тю­
чательные высокочастотные маломощные.
Предназначены д.lЯ работы в перек.тючательных и импульсных
схемах герметизированной аппара­
туры.
511,311,
Бескорпусные. с твердыми вы­
водами. без кристшшодержателя.
Обозначение типа приво,~ится на
групповой таре. Транзисторы по­
мещаются в спеuиа.lыrую герме­
тичную тару, в которую помеща­
ется влагопоглотитель, обеспечи­
вающий относите.тьную влажность
внутри тары не более 65 ° "' а затем
укладываются в групповую тару.
Коллектор
Эмиттер
Масса транзистора не более
0.0005 г.
Электрические параметры
Напряжение насыщения коллсктор-J:v~иттер при Iк =
= 10мА./Б=1:-.-1Анеболее. .
Напряжение насыщения база-эмиттер нри Iк = 10 мА,
Ir;=1мАнсболее..............
Сгатнческнй коэффициент JJередачи тока в схеме с общим
эмиттеро:-..1 при Икэ = 1 В, lк = 10 мА:
при Т= 298 К:
2Т336А. 2Т336Г. КТ336А, КТ336Г
2Т336Б, 2Т336Д, КТ336Б. КТ336Д
2Т336В, 2Т336Е. КТ336В, КТЗЗбЕ не менее .
при Т=358 К:
2ТЗ36А. 2ТЗ36Г, КТЗЗбЛ. КТ336Г . . . .
2Т336Б, 2Т336Д, КТ336Б, КТЗЗбД . . .
2ТЗ36В, 2ТЗJ6Е, КТЗJ6В. КТ336Е не менее .
при Т= 213 К (при Т= 218 К КТ336А. КТ336Б.
КТ336В, КТЗЗбГ. КТ336Д. КТЗЗбЕ):
2Т336А, 2ТЗ36Г, КТ336А, КТ336Г . . .
2Т336Б, 2Т336Д, КТ336Б, КТ336Д . . .
2Т336В, 2Т336Е. КТ336В. КТ336Е нс менее.
Mo;ry_lь ко·1ффнцненга 11ерс;rачн тока при Икэ = 2 В.
[") = 5 :-.-1А. /= 100 МГц не :vieнce:
2Т336А. 2Т336Б, 2Т336В, КТ336А, КТ336Б,
КТJЗбВ................
2Т336Г. 2Т336Д. 2Т336Е. КТ336Г. КТЗЗбд,
КТЗ36Е
.
.
.
.
.
.
.
.
.
...
184
о.з в
0,9 в
20-60
40- 120
80
20- 120
40-240
80
8-60
16-120
32
2.5
4,5


Время рассасывания при lк = 10 мА, /Б = 1 мА не
более:
2Т336А, 2Т336Б, 2Т336А, КТ336Б ,
2Т336В, КТ336В .
2Т336Г, 2Т336Д, 2ТЗЗ6Е, КТ333Г, КТЗЗбД,
КТ336Е · .
Емкость коллектора при ИкБ = 5 В, f= 10 МГц не
более .
Ем1юсть эмиттера при ИБэ =О В, f = 10 МГц не
более....·
Напряжение отпирания при Икэ = 1 В, / 3 = 0,05 мА
не более. . .
.
.
Обратный ток коллектора при ИкБ = 10 В не более:
при Т=29~ К и Т=213 К (при Т=218 К
КТ336)
при Т=358 К .
Обратный ток эмиттера при ИБэ = 4 В не более .
Предельные эксплуатащюнные данные
Постоянные напряжения коллектор-эмиттер при
RБэ .;; 3 кОм и коллектор-база при Т =
= 213+358К(приТ=218ККТЗ36).
Постоянное напряжение база-эмиттер при Т =
= 213+358К(приТ=218ККТ336).
30 нс
50 нс
15 нс
5пФ
4пФ
0,55 в
0,5 мкА
10 мкА
1 мкА
10в
4в
Постоянньiй ток коллектора при Т= 213-; .-
358 К
(при Т= 218 К КТ336) .
20 мА
Импульсный ток коллектора при ти.;; 10 мс,
Q;;. 10, 'Ф;;. 10 мкс, при Т= 213 + 358 К (при
Т= 218 К КТ336) .
Постоянная рассеrшасмая мощно.сть:
приТ=213+328К(приТ=218ККТЗЗб).
приТ=358К•
Температура перехода .
Тепловое сопротив.-~ение переход-среда
Температура окружающей среды •
50 мА
50 мВт
20 мВт
378 к
1 К/мВт
От 213 (21'8 К
КТ336) до 358 К
П р и м е ч ан и я: 1. Максимально допустимая постоянная рас­
сеиваемая мощность, мВт, трэ.нзистора при Т = 328 + 358 К опреде­
ляется по форму.-~е Рмакс = 37S - Т.
2. Для устранения влняния статического электрич~ства на тран­
зистор рекомендуется работать только с заземленным монтажным,
измерительным, испытательным оборудованием и приспосо6;1ениями,
а также при:vrенять только антистатическую одежду для операторов.
Не рекомендуется эксплуатация транзисторов при рабочих токах,
соизмеримых с обратными неуправляемыми токами во всем диапазоне
температур.
Монтаж транзисторов следует производить в инертной среде в
течение не более 1 с при давлении на транзистор не более
50 г, при этом температура кристалла не должна превышать 523 К.
185


1,1
-- ....
1 1,05
""
......
11
"'
~ 095
"')
"'"
"'
~ 0,9
<'>
} 0,85
о
111
2Т336, КТ336
v
/
v Uкэj 78
J
/812
Зависимость
относительного
статического коэффипиента пе­
редачи тока от тока коллектора.
Q:) ~11--~1---+--+--+-~
.:;
~ 1,051----14 ---l'-- ->"!i- --, ___- -I
<..;
~
u
<:!
~0,951--~'1--+-->,г+---+--~
~ ~9.___.____.~.........= -- '- - -'
213 253
Зависи:v~ости напряжений насы­
, щения коллектор-эмиттер и ба­
за-э~шттер от температуры.
Зависимость относительного на­
пряжения коллектор-эмиттер от
сопротивления база-эмиттер.
Зависи:v~ость относительного от­
пирающего напряжения база­
эмнттер от темнературы.
Зависимость
относительного
статического коэффициента пе­
редачи тока от температуры.
1
2Т336,КТ336
1,1
\
\
'::; 0,9
~~ 0,8
::5"
0,7
0,6
0,1
1
\
\
-.. .
1,2
:::.::
~ ~11----'lor----!i--'--l------11----1
""11
t:. 1,0 l---+---''l.,---+---1---~
"1-
~ 0,9f--+--+---'..i.---+--~
~...... __
~ 0,81----+- --+- --+--" -+- --I
"
о:.;
~ ~7,___...__ _, _ _
_._ _
_,_ _
_.
213 253 293 33J 37:П,К
КТ339А
Транзисторы кремниевые эпитаксиа.1ьно-п;1анарные п-р-п усили­
тельные высокочастотные маломощные.
Предназначены для работы в схемах уси:тения высокой частоты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 0,4 г.
186


13,S
s,з
Змu.ттер
"" _'L 11 J... ----' -_ _,_
~~
"<;:;
Электрические параметры
Нолле11тор
Выбад
Коэффициент усиления по мощнрсти при Икэ = 1,6 В,
fк=7,2мА,f=35МГцнеменее.
24 дБ
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим
эмиттеромприИкБ=10 В,fэ=7мА не менее.
25
Модуль коэффициента передачи тока на f = 100 МГц при
ИкБ=1ОВ,Iэ=5мАнеменее.
.
.
3
Постоянная времени цепи обратной связи на f = 5 МГц
приИкБ=1ОВ,Iэ=7мАнебОJ1ее.
25 нс
Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 5 В, f = 1О МГ11
не бо,-rее .
2пФ
Предельные эксплуатащюниые дан11ые
Постоянное напряжение коллектор-база при Т =
=213-о-433 к.
408
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Т =
=213-о-43ЗК.
25В
Постоянное напряжение эмиттер-база
433 к
при Т= 213 -о-
Постоянный ток кол,-rектора при Т = 213 -о- 433 К .
Постоянная рассеиваемая мощность ко.'lлектора
т=213-о-323к.
при
4в
25 мА
260 мВт
448 к
От 213 до
433 к
Темпера·rура перехода .
Температура окружающей среды
300
1
1
-
.....
KTJ39A
\
Примсчание. При вклю-
250
чении транзистора в цепь, на­
ходящуюся под напряжением,
базовый контакт должен при­
соединяться первым и отсоеди­
няться последним.
Расстояние от места изгиба
до корпуса транзистора не менее
3 мм, радиус закругления не :vie-
нee 1,5-2 мм.
Пайка выводов допускается
на расстоянии не менее 5 мм от
корпуса транзистора.
f...
\
\
\
~ 200
~
~ 150
~
""
Q; 100
50
273 313 353 393 IJ33Т,K
Зависимость максимально до­
пусти:v~ой мощности рассеива­
ния коллектора от температуры.
187


КТ340А, КТ340Б, КТ340В, КТ340Г, КТ340Д
Транзисторы кремниевые планарные п-р-п универсальные высоко-
частотные маломощные.
Предназначены для применения в перек;1ючательных, импу;1ьсных
и усилительных высокочастотных схемах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не бо;1ее 0,5 г .
.JO
.f..3"
Jмиттер
-
-
'
1
-
-
-
' <">
ct
<::::,~
-s.
!,-)
'$.
...--
-
--
-
-
..,
о,
~~
"Э'
V>2,J
База
Электрические параметры
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
с общим эмиттером при Икэ=5 В, Iэ= 10 мА,
f= 100 МГц не менее .
Время рассасывания при Iк = 5 мА не более:
КТ340А
КТ340Б, КТ340В, КТ340Г . .
КТ340Д
Статический коэффициент передачи тока в схеме с
общим эмиттером:
приИкэ=1В,Iк=10мА:
КТ340А
КТ340Б не менее .
КТЗ40Д не менее .
приИкэ=2В,Iк=200мАКТ340Внеменее
приUкэ=2В,Iк=500мАКТ340Гнсменее
Напряжение насыщения коплектор-эмиттср не более:
приIк=10мА,IБ=JмА:
КТ340А
КТ340Б
КТЗ40Д
при Iки=200 мА, IБ=20 мА КТ340В
при lк.и=500 мА, /Б=50 мА КТ340Г
Постоянная Бремени цепи обратной связи на высокой
час готе пе более:
188
КТ340А
КТ340Б
КТ340В, КТЗ40Г
КТ340Д
300 МГц
10 ПС
15 пс·
75 пс
100-150
100
40
35
16
0,2 в
0,25 в
0,3 в
0,4 в
0,6 в
45 пс
40 ПС
85 пс
150 пс


Емкость коллекторного перехода
= 10 МГц не более:
при UкБ=5В,!=
КТ340А
КТ340Б, КТ340В, КТ340Г
КТ340Д
Емкость эJ\шттерного перехода прп UэБ = 5 в нс
более
Обратный ТОК ко,-rлектора при UкБ = UкБ. макс не
бо.'!ее.
Преде.тьные эксплуатационные да.нные
Постоянное напряжение коллектор-база и ко,1.i:Iектор­
эмиттер:
КТ340А, КТ340В. КТ340Г, КТ340Д
КТ340Б
Постоянное напряжение эмиттер-база .
Постоянный ток коллектора:.
КТ340А, КТ340Б, КТ3~0В, КТ340Д
КТ340Г
Импульсный ток кол.-rектора:
КТЗ40В
КТЗ40Г
Постоянная рассеиваемая мощность
Температура окружающей среды .
КТ342А, КТ342Б, КТ342В
3пФ
3,7 пФ
6пФ
7пФ
1 мкА
15в
20в
5в
50 мА
75 мА
200 мА
500 мА
150 мВт
От 263 до
358 к
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-н.:~анарпые 11-р-11 типа.
Предназпа<1сны для усиления и генерирования сш·налов в широком
диапазоне частот.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
73, 5
S,3
ф2,S Коллектор
~
r=+==!-i·f--
--- -
<!--
'&
Э.тектрическне параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме с
общимэмиттеромприUк=5В, lэ=1мА:
при Т= 213 К:
КТЗ42А .
25-250
189


КТЗ42Б .
КТЗ42В .
при Т= 298 К:
КТ342А
КТ342Б .
КТ342В .
при Т= 398 К:
КТ 342А не менее
КТ342Б не менее
КТ342В не менее
Модуль коэффициента передачи тока при Uк = 10 В,
Iэ = 5 мА,/= 100 МГц не менее:
КТ342А .....
КТ342Б. КТ342В
Обратный ток коллектора не .более:
при Т= 213 К:
приUкБ=25ВКТ342А.
при Ик6 = 20 В КТ342Б
приUкБ=10вКТ342В.
Пр!! т=298 К:
при Ик6 = 25 В КТЗ42А
при Uкь = 20 В КТ342Б
I1ри Ик6 = 10 В КТЗ42В
при Т= 398 К:
при Икь = 25 В КТЗ42А
при Икь = 20 В КТ342Б
при ИК!;= 10 В КТ342В
Обратный ток эмиттера при ИБэ = 5 В не более .
Обратный ток коллектор-эмиттер при RБэ = !О кОм
нс более:
при Икэ = 30 В КТ342А
при Икэ = 25 В КТЗ42Б
при Икэ = 10 В КТЗ42В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер прп lк =
=10мА,/6=1мАпеболее.
Напряжение насыщенпя би.за-э:vшттер нри Iк = 10 мА,
Zr,=1мАнеболее
Граничное напряжение прп /э = 5 мЛ не менее:
КТ342А
КТ342Б ..
КТ342В ..
Емкость колпекторного перехода при Ик 6 = 5 В,
f= 10 МГц не более
Предельные эксплуатационные даш1ые
Постоянное напряжt:нне коллектор-эмиттер при
R6э= 10 кОм, lкэ= 30 мкА:
при Т=2137373 К:
50-500
!00-1000
100-250
200-500
От 400-1000
100
200
400
2,5
3
мкА
мкА
мкА
0,05 мкА
0,05 мкА.
0,05 мкА
10 мкА
10 мкА
10 мкА
30 мкА
30 мкА
30 мкА
30 мкА
0.1 В
0,9 в
25в
20в
10в
8пФ
КТ342А .
30В
190


КТ342Б .
КТ342В .
nри Т= 398 К:
КТ342А
КТ342Б .
КТ342В .
nрп Т = 373 -с- 398 К: КТ342Л, КТ342Б
Граничное напряжение при lэ = 5 мА:
при Т= 213 -с- 373 К:
КТ342А
КТЗ42Б .
КТ342В .
при Т= 398 К:
КТ342А
КТ342Б .
КТ342В .
при Т = 373 -с- 398 К КТ342А, КТ342Б .
Постоянный ток коллектора .
Импульсный ток коллектора при 1:11 '( 40 мкс,
Q> 500
Постоянная рассеиваемая мощносгь коллектора:
приТ=213-с-298К
11ри Т=398 К .
приТ=298-с-398К
Температура перехода
Температура окружающей среды
100i-:----J---i--t-----t---i
A=coпst
hг1эГ
КП/f2Б
25в
JOВ
25в
20в
10в
Снижается
линейно
25в
20в
JOВ
20в
15в
10в
Снижается
линейно
50 мА
300 мА
250 мВт
50 мВт
Снижается
линейно
423 к
От 213 до
398 к
1
/
/
200'----''------'----'----'---'
о
ц
8
Зона возможных положений за­
висимости статического коэффи­
_циента передачи тока от напря-
жения коллектор-база.
оцв
Зона возможных положений за­
висимости статического коэффи­
циента передачи тока от напря-
жения ко.-шектор-база.
191


hг1э
1000 L---+ ---1---!- -,,---,\.L- -I
/
600 i....-::---1--__,_.."f'---+---+=~
ЦООl--=-'-'~+--+---+-----1
200L---+ ---1 ---!----lf-----i
13 =соп.>t
о2
Зона возможных положений за­
висимости статического коэффи­
циента 11ередачи тока от на11ря-
жения ко.тшсктор-база.
hz13
6001---+-,,,.-,~::=.=:.;==--1--=~
1
UкБ =58
2001L--+-~--l--f--_,
100L---+---'---'--'---'
о 10 20 30 цоI3,мА
hг1э
300 f-----1- -.L-+ ---+- -+- ---1
1
10о1----1---4----+---+---'
50.___.____._~-~-~
о102030
Зона возможных положений за­
висимости статического коэффи­
циента передачи тока от тока
hг1э
1000
800
600
цоо
200
а
эмиттера.
_,,.,
-
,..._ ......
/
r-. ,
,
/
1
/
i.. -
--
/
/
..... -----
--
,__ __
--
КТ31+28
1
1
1
1
Uкs=581
10 20 .JO lfOI8,мA
Зоны возможных положений зависимости статического коэффициента
передачи тока от тока эмиттера.
hг13
500
цоо
1о о L...~-~:::__-'----1'--_,
о .....
213 253 293 333 373 Т,К
hг1з KT3lf2Б
/
/
Uк-= 58
о1
100 >-----+- - -+!
3= 1мА
О'--~--'---'---'---'
213 253 293 33J 373 т,к
Зоны возможных положений зависимости статического коэффициента
передачи тока от температуры.
192


hz13
КТ31./2В
10001-----1--+--+--+-7-t---i
800
2001--1--i--1--+----1~--i
OL--L-.L-. -J..__. -:"::=-::';:;-:::: -::
213 253 293 333 373 1./"13 т,к
Зона возможных положений за­
висимости стап1ческого коэф­
фициента 11ередачи тока от тем-
600
500
300
200
о
пературы.
--
---- ---
---
--
/
~
КТ3/f2А,
КТ342Б,
КТ31./2В
1
----
-
,,,.
---
1
r
31 sмA
1./
8
Зона возможных положений за­
висймоспr граничной частоты
от напряжения ко.rыектор-ба:за.
КТ31./2А,
1Ог-----r---пч---f-КТJ1./2Б,
КТ31./2В
Зона возможных положений за­
внсимостн граничной частоты
от тока эмиттера.
Ск,пФ
10 >---+ -KTJl./2A,
о
КТ31./2Б,
t-\-' .--t--K Т31./ 28___, _
_,
ц
8 12 16 Uкs,B'
Зона Е:отvюжпых положений за­
в11спмости с:.~коспr кол;1ектор­
но1 о перехода о г напряжения
коллектор-база.
2Т348А-3, .2Т348Б-3, 2Т348В-3, КТ343А,
КТ348Б, КТ348В
Транзис1·оры кремниевые эпитаксп~ьно-планарные п-р-п универ­
сальные высокочастоп1ыс ма.;юмощные.
7 Полупро1юдн11козые приборы
193


l(оллехтор
о,з5
Предназначены для при­
менения в импульсных, пере­
ключательных и усилительных
высокочастотных схемах гер­
метизированной аппаратуры.
Бескорпусные, с твердыми
выводами, с защитным по­
крьпием.
Обозначение типа приво­
дится на этикетке групповой
тары.
Зми.mmер
l(оллвктор
Масса транзистора не бо­
лее 0,01 г.
Электрические параметры
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
с общим эмиттером при Икэ=]В, Iк=3 мА не
менее.
Время рассасывания при Икэ = 3 В, Iк = 3 мА не
более.
Коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером
приИкэ=1В,Iк=1мА:
2ТЗ48А-3, КТ348А
2ТЗ48Б-3, КТ348Б •
2Т348В-3, КТЗ48В .
Напряжение эмиттер-база при Икэ = 2,5 В, / 3 = 0,05 мА
не более .
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 10 мА
и/Б= 1,7 мА 2Т348А-3;/Б=0,6мА
2Т348Б-3; /Б = 0,7 мА 2Т348В-3 не более .
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 10 мА
и /Б= 1 мА 2ТЗ48А-3; !Б= 0,6 мА 2ТЗ48Б-3; /Б=
= 0,4 мА 2ТЗ48В-З нс более .
Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 1 В,
f=5МГцнеболее
Емкость эмиттерного перехода при ИэБ = 1 В,
f=5МГц не более
Обратный ток коллектора при ИкБ = 5 В не более:
при Т=298 К .
при Т=358 К .
Обратный ток коллектор-эмиттер при Икэ = 5 В не
более.
Обратный ток эмиттера при ИэБ = 3,5 В не более .
Предельные эксплуатациоипые дапиые
100 МГц
130 НС
25-' 15
35-120
80-250
0,5 в
0,3 в
0,85 в
11 пФ
22 пФ
1,0 мкА
10 мкА
3 мкА
10 мкА
Постоянное напряжение коллектор-база .
5В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБэ '(
<3кОм.
5В
194


. '}\'•
Постоянное наnряжение эмиттер-база . ·•
3,5 в
15 мА
Постоянный ток коллектора .
Импульсный ток коллектора nри <и.:;; 10 мкс,
Q> 10
45 мА
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Т<313 К .
15 мВт
3,75 мВт
100 мВт
373 к
nри Т=358 К .
Импульсная рассеиваемая мощность при Т .:;; 298 К .
Температура перехода .
Общее теnловое сопротивление .
Темnература окружающей среды
4 К/1'1Вт
От 213 до
358 к
Пр им е чан и е. Снособ крепления транзистора в аппаратуре
должен обесnечивать фиксацию положения кристалла и выводов. При
монтаже должны быть приняты меры, исключающие возможность
нагрева кристалла и смолы до температуры более 373 К.
15 ,мА
0,012
2Т3Ч8, КТ34-8
о, 01 l--+---1--1~*--1->;---i
Uкз=~В
1
~008'---l-~..+--4-,f+--t---1
о, 006 l--+-- -i- --++--+-!- -t-- -1
о, 004- 1---1--1--1!......i.J~+---+---I
h21З
Uкз=1В
24-0t---t--+---+--+---+----1
1
200 2Т3ЧВВ-3,КТ3ЧВВ
150~-+--+-----+--+--===+~
120
80 ~~Ь:~!::=~
0,002
'+О 1--1 --+- -+-' -- +-- -+-- -1
OO,L2-D,.L3...L..0.:!/+-· -0::-,'::5--::О~,6::-;0;-;,7;-U;-;-з-'Б ,В
0 51015202513,мА
ВходнL~С характеристики.
Зависимость статического козф­
фиЦиснта пср~да'Ш гока от тока
эмиттер<~.
Зависимость обрагного гока
коллектора от ·1емпературы.
7*
1
2Т3Ч8,
~
КТЗ48
~о, о5 i---+- -! -1-+ -
1
-+-----+----1
~
U1; 6 =58
"'
'-1
1
о, о25 Г--+--+-~-1--+----J
o'-:- _, __,_ __;_ _1 ---1 -_J
213 24-J 273 303 333 353 т,к
195


КТ358А, КТ358Б, КТ358В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п усили­
тельные высокочастотные маломощные.
Предназначены для применения в усилительных и генераторных
схемах радиоэлектронной аппа,ратуры.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 0,2 г.
Место IJnя маркиро8ки
\
0,3
~
-
ч.,
-
.. ;j.
-
--
~~
-
72,7 4,4
2,S
Электрпческпе параметры
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
собщим эмиттером при ИкБ= 10 В, /3=5 мА нс
менее;
КТ358А .
КТ358Б, КТ358В
Постоянная времени непи обратной связи на высокой
частоте не бо;1ее .
Коэффициент передачи тока в схеме с общи~ эмитте-
ромприИк3=5,5В,13=20мА;
КТЗ58А
КТ358Б
КТ358В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при fк =
= 20мА,JБ=2мАнсболее.
Напряжение насыщения база-эмил ер 11ри lк = 20 мА,
!Б=2мАнеболее.
Обратный ток ко;1лсктора при ИкБ = 15 В КТ358А,
КТЗ58В; при ИкБ = 30 В КТ358Б не более .
Обратный ток э~иттера при U3Б = 4 В не более .
Предельные эксплуатацнопные даш1ые
Постоянное напряжение коллектор-база:
КТЗ58А, КТЗ58В .
КТ358Б .
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБ 3 ,;;;;
,;;;; 100 Ом:
80 МГц
120 МГц
500 ПС
!0-100
25-100
50-280
0,3 в
l,J в
10 мкА
10 мкА
15в
30в
КТЗ58А, КТ358В.
15В
КТЗ58Б .
30В
196


Постоянное напряжение эмиттер-база .
Постоянный ток кол;1ектора .
Импульсный ток кол.>ектора .
Постоянная рщ;сеиnаемая мощность
4в
30 мА
60 мА
100 мВт
200 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при ти .;; 1 мкс .
Температура перехода .
393 к
0,7 К/Вт
От 233 до
358 к
Общее тепловое сопротивление .
Температура окружаюшей среды
Пр и л~ с ч а и и е. Разрешается трех1,ратный изгиб выводов на
расстояшш не менее 3 мм от корпуса с радиусом закругления
не менее 1 мм. При изгиGе nыводов должна быть обеспечена не­
подвижность вь1водоD на участке от корпуса до места изгиба и
исключена возмо;хность псрс.~ачи усилия на место присоединения
вывода к корпусу, наруше"1-1я конструкции и гер:о.1етич!iости тран­
зистора.
Пайка 'выаодов допускается на расстоянии не менее 5 мм от
пластмассового корпуса транзистора. Пайку произ~од;п:, в п:чение
не бо.>ее JО с (температура пайки пе должна прспыш:пь 523 К),
приняв меры, исключающие возможность перегрева транзисторов.
16 ,мА
10
8
в
lf
2
о
о,в D,7 0,8
hг1э u
1
,
3 = 5,fiB
200
-г.~=н
160 l---+ --.,.1----r--
J({J58ii
120
1 1-1·-
во IКТ358А) t\T35fJS·I
1
'--j-...L~
ЧО~..::+-~1---t-~1~-т-~
о
Входные- характеристики.
Зависимость статичссr-:01·0 коэф­
фпциента псре.',\а'щ то"а от тока
э;,;нттсра.
Заапсимость максимально до­
пустимого напряжешш коллек­
тор-эмиттер от сопрот11вле1;ия
база-::>миттср.
100 Rsз,кОм
i97


КТ359А, КТ359Б, КТ359В
Транзисторы кремниевые пл:анарные п-р-11 высокочастотные уси­
лительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 20 МГц.
Бескорпусные с твердыми выводами. Обозначение типа нриводит­
ся на этикетке.
Масса транзистора нс более 0,005 г.
4быв.
ФО,18
Коллекгпор
б12 за,
о,7
Электрические параметры
0,25 О,04
Граничная частота при Икэ = 2 В, /3 = 5 мА не
м~=.
.
Постоянная времени цепи обратной связи при Икь = 2 В,
Iэ=2мА,/=5+30МГцнеболее.
КоэффициентшумаприИкэ= 2В,fэ= 1мА,f=20МГц
не более.
Статический коэффициент передачи тока в схеУ.е с общим
эмиттером при ИкБ= 1В, /э= 10 мА:
КТ359А
КТЗ59Б
КТ359В
Напряжение насыщения колл:ектор-эмиттер при fк =
= 10мА,lь=1мАнеболее.
Обратный ток кол:1ектора пр11 Икь = 15 В не более .
Обратный ток эмиттера при ИэБ = 3,5 В нс более
Емкость коллекторного перехода при Икь = 5 В нс
более.
Емкость эмиттерного перехода прн Изь = О, l В не
более.
Прсде.-~ьuые эксn.1уапщно:шые дап11ые
300 МГц
100 ПС
бдБ
30-90
50-150
70-280
0,7 в
0.5 мкА
l :\1КА
5пФ
Постоянное напряжение коллектор-база .
15В
Постоянное fiапряжение коллектор-эмиттер при Rэь =
=3кОм
Постоянное напряжение эмиттер-база .
Постоянный ток коллектора .
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора .
Температура перехода .
J5в
3.5 в
20 мА
15 мБт
373 к
Температура окружающей среды
.
0т223ДО358К
198


КТ369А, КТ369А-1, КТ369Б, КТ369Б-1,
КТ369В, КТ369В-1, КТ369Г, КТ369Г-1
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-плапарные п-р-п переклю­
чательные высокочастотные ма:1омощныс.
Бескорпусные. с гибкими выводами. с защитным покрытием.
Обозначение пша приводится па этикетке.
Масса транзистора пе более 0,02 r.
z
Б CLЗCL
8 а,риСLнт 1
Нол.лснтор
-Jr·щттер
8арц,а,нт Z
3
Ноллентор
Jмu,mmcp
Электричесюrе параметры
Граннчная частота при ИкБ = 10 В, lэ = 30 ·мА не
менее....
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
Статическнй коJффициент передачи тока в схеме с общим
эмиттером:
приИкэ=2В,lэ=150мА:
КТ369А, КТ369А-1 . . .
КТ369Б, КТ369Б-1 . . .
приИкэ=3В,lэ=1ОмА:
КТ369В, КТ369В-1
КТ369Г, КТЗ69Г-1 . . .
200 МГц
20-100
40-200
20- IUO
40-200
199


Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при lк =
= 200мА,/Б=10мАнеболее:
КТЗ69А, КТЗ69А-1, КТ369Б, КТ369Б-1 .
КТ369В, КТЗ69В-1, КТ369Г, КТ369Г-1 .
Напряжение насыщения база-эмиттер при lк = 250 мА.
JБ=50мАнеболее...
Обратный ток коллектора не бо;тее:
при ИкБ = 45 В КТ369А, КТ369А-1, КТ369Б,
КТЗ69Б-1
при ИкБ = 65 В КТЗ69В, КТ369В-1, КТЗ69Г.
КТ369Г-1
Обратный ток эмиттера при ИэБ = 4 В не бо;1се
Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 10 В не
более:
КТЗ69А, КТ369А-1, КТ369Б, КТ369Б-1 . . .
К.:ГЗ69В, КТЗ69В-1, КТ369Г, КТЗ69Г-1 . . .
Емкость эмиттерного перехода при UэБ =О нс более;
КТ369А, КТ369А-1, КТ369Б, КТ369Б-1 .
КТ369В, КТЗ69В-1, КТ369Г, КТЗ69Г-1 ..
Предельные эксnлуатацнонuые данные
Постоянное напряжение ко;шектор-база:
КТ369А, КТ369А-1, КТ369Б, КТ369Б-1
КТ369В, КТЗ69В-1, КТ369Г, КТ369Г-1
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер 11ри RэБ =
= 1кОм:
КТ369А, КТ369А-1, КТ369Б, КТ369Б-1
КТЗ69В, КТЗ69В-1, КТ369Г, КТ369Г-1
Постоянное напряжение эмиттер-база . .
Постоянный ток коллектора . .
Импульсный ток коллектора при ти '( ] О :икс,
Q>5.
.
...
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора .
Импульсная рассеиваемая мощность кол;:~ектора при
Ти'([0МКС,Q>5,
Температура перехода . . .
Температура окружающей среды
0,8 в
0,5 в
1,6 в
7 мкА
10 мкА
10 :икА
15 пФ
10 пФ
50 пФ
40 пФ
45в
65в
45в
65в
4в
250 мА
400 ~1А
50 мВт
1,6 Вт
423 к
01 213 ДО
358 к
КТ373А, КТ373Б, КТ373В, КТ373Г
Транзисторы кре:v~нисвые эпитаксиа.1ьно-планарные п-р-п универ­
сальные высокочастотные мало:иощные.
Предназначены для работы в с.](ема:х переключения и усиления
высокой частоты.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 0,2 г.
200


О,5
R0,5
-1-
~~
кмпек-
тор
4-,5
Электрические параметры
Граничное напряжение при /э = 5 мА не менее:
КТ373А, КТ373Г
КТ373Б....
КТЗ73В ....
1
Напряжение насыщения колс1сктор-эмиттер при fк =
=10мА,/6=1мАнеболее.
Напряжение насыщения база-эмиттер при lк = 10 мА,
lь=1мАнеболее........
Статический коэффициент передачи тока в схеме с
общим эмиттером при Ию;= 5 В, /э = 1 мА:
при Т= 298 К:
КТ37ЗА
КТЗ73Б
КТ373В
КТ373Г
при Т= 358 К:
КТ37ЗА
КТ373Б
КТ373В
КТ373Г
при Т= 233 К:
КТ373А
КТ373Б
КТ373В
КТЗ73Г
Модуль коэффициента· передачи тока при ./= 100 МГц,
ИкБ=5В.Iэ= 1мА не менее ........ .
Постоянная времени цепи обратной связи при I = 5 МГц,
·Икь=5В.lк=1мАвеболее:
КТ373А КТ373Г
КТ373Б
КТ373В....
Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 5
I= 10 МГц нс более
Обратный ток кол.1ектора ври Икь = Икэ. "акс:
при Т= 298 К.
приТ=358К.
В,
(,.,
25в
20в
10в
0,1 в
0,9 в
100-250
200-600
500-1000
50-125
100-750
200-1800
500-3000
50-375
25-250
50-600
125-1000
12-125
3
200 пс
300 пс
700 пс
8пФ
0,05 мкА
10 мкА
201


Обратный ток коллектор-эмиттер при Икэ = Икэ.макс
не более:
КТ373А, КТ373Б, КТ373В .
КТ373Г
Обратный ток эмиттера при ИБэ =r 5 В не более
Предельные эксп:1уатацнонные данные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБэ =
=10 кОм, Т=233-;-358 К:
30 мкА
100 мкА
30 мкА
КТЗ73А
30В
КТ373Б
25В
КТ373В
10В
КТ373Г
60В
Постоянное напряжение база-эмиттер при Т = 233 -;-
358 к.
5в
Постоянный ток коллектора при Т = 233 -;- 358 К .
Импульсный ток ко.'Iлектора при tи ,;;;; 50 мкс, Q ;;;, 500,
т= 233-;-358 к .
Постоянный ток коллектора в режиме насыщения .
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при
т=233 -;-328к.
Температура перехода .
Температура окруж<~ющей среды
50 мА
200 мА
100 мА
150 :viBт
423 к
От 223 до
358 к
Пр им е чан и я: 1. Максиммьно до11ус п1:.~ая 1юстоянная рассеи­
ваемая мощность коллектора, мВт, при Т = 328 -; - 358 К опреде­
ляется по формуле
Рк макс= (423 - Т)/0,61.
2. Пайка выводов доnускае·1ся на расстоянии не менее 5 мм от
корпуоа транзистора.
Не рекомендуется работа транзисторов при рабочих ток<~х, соиз­
меримых с неуправ.1яемыми обратными токами.
Изгиб выводов допускается на расстояшш не менее 3 мм m,
корпуса транзистора, радиус изгиба не менее 2 :.1м.
в
6
ц
~г
~ 7[j5
в
~6
~ц
г
1а6
LктJ73А 1
КТ373Г
С7
/
v
./
/
'
/
ик5 == 1sв-
213 253 293 33.3' 373 Тп,К
Зависимость обратного тока
коллектора от температуры пе­
рехода.
202
о 10 го 30 l/Оiк,мА
Зависимость статического коэф­
фициента передачи ток<~ о• 101ш
коллектора.
г


h21э
10001---+--+-+--t-~
оц.8
Зависимость статического коэф­
фициента nередачи тока от
наnряжения коллектор-база.
hz1з
800
КТ373В
600
2001---4=---ь=-f"'=--J---J
OL--'-~--'-~_.__---::'::'::-~
213 253 293 333 373 т,к
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тем­
nературы.
0,9
~ 0,8~"-l=::--t---t---r-~
"d
"'~ 0,7
::::.
0,61---1-----1--+---t---j
o,5.__L-__.:-=--:;'::-:;--:;';;~:-7.
213 253 293 333 J73T,K
Зависимость наnряжения насы­
щения база-эмиттер от тсмнера­
туры.
hz1з
500 t--t - -+-+
' IOD
30Dг---r--i719+---t--+-+++-+--+-1-t-1
2DO~t----+-t-++---+-+-+I:~~
100 t=t~;i;+H-=t=::m
о ~:!:-~~--'':--..L..!....U.---':___._ .... .. .. . .
2 ц68
10
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тока
коллектора.
КТ373А -КТ373Г
~91---1----1--+---+---I
~ о,в i---t --:o:;;l-=t--+--i
"d
"'
..; 0,7 ~-1-----1--+--+---1
~
<tJ
O,Бt---t----f--+--+--1
0,5~~'----'~--L~......L.~-'
О 10 20 30 ЦОIк,МА
Зависимость наnряжения насы­
щения база-эмиттер от тока
коллектора.
0,25
0,2
КТ373А -KT37J[
~ 0,15 I JIБ J10--+ ---+-- --t
с.;
=:} 0,1t---it--+=--"""f~-+-~
о 10 20 30 l/Оiк,мА
З::шисимос 1ъ напряжения насы­
щенш1 коллектор-эмиттер от
тока коллектора.
203


q:i
О,125
0,1
~ О,075
:о:
~ 0,05
0,025
о
iт37J1-кт}73Г
1
Iк/I6 = 10
---
--
.. .-
/
/
~ 1,05
"
~~
~~ О,95
~.,,~
~ 0,9
-.....
<J
~ О,85
~
n)ов
1
1
1
КТ373А-КТJ73Г
\
\
\
213 253 293 333 3737,К .....~
,1023
'-'
10 704 105 106 R53,Ом
Зависимость напряжения насы­
щения коллектор-эмиттер от
температуры.
Зависимость относительного
максимально допустимого на­
пряжения коллектор-эмиттер от
сопротивления база-эмиттер.
КТ375А, КТ375Б
Транзпсторы кремниевые эпитаксиально-нтшарные п-р-11 универ­
сальные высокочастотные маломощные.
Предназначены д.'!я работы в переключательных и уси.штель­
ных схемах высокой частоты.
Выпускаются в пластмассовом корнусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится в этикетке.
Масса транзистора не более 0,25 г.
13,5
5,2
Коn11ектор
база ~=::::::::=!-
Электрические пара,V1етры
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк =
=10мА,/Б=1мАнебо.•ее.
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 10 мЛ,
/Б=1мАнеболее.
Статический коэффициент 11ередачи 1 ока в схеме с об­
щим эмиттером при Икэ = 2 В, /э = 20 :.1А:
204
при Т= 298 К:
КТ375А
КТ375Б
0,4 в
Jв
10-100
50-280


'"·
при Т= 358 К:
КТ375А
КТ375Б
при Т= 228 К:
КТ375А
КТ375Б
Модуль коэффициента передачи тока при f = 100 МГц,
Икэ=10В,/к=5 :viAнеменее.
.
.
Постоянная времени цепи обратной связи при f= 2 МГц,
ИКБ=10В,lэ=5мАнеболее
Емкость коллекторного перехода при Ик 6 = 10 В,
f=2МГцнеболее.
Емкость эмиттерного нерехода при ИБэ = 1 В . .f = 2 MГLI
не более.
Обратный ток коллектора при ИкБ = ИкБ. "акс не более:
при Т=298 К .
приТ=358 К .
Обратный ток эмиттера ври ИБэ = 5 В не бо:1ее
Постоянные
эмиттер при
КТ375А
КТ375Б
Предельные эксплуатацно1111ыс данные
напряжения коллектор-база, коллектор­
R6э<100Ом, Т=228-с-358К:
Постояннь~й ток ко:шектора при Т = 228 -; - 358 К .
Импу.1ьс11ый ток кол.<ектора при <и < 1 мкс и условии,
что средняя мощность за 11ер11од н~ превышает по­
стоянную рассеиваемую мощность ко.<лектора, Т =
= 2287358к
Постоянная рассеиваемая мощность кол;1ек1ора при
10-200
50-560
8-100
25-280
2,5
300 пс
5пФ
20 пФ
1 мкА
10 мкА
1 "1кА
60в
30в
100 мА
200 :viA
Т=228-с-298К.
200 :viBт
Импульсная рассеиваемая -..ющность коллектора при
Ти <;; 1 мкс. и условии. что ср~Д!!ЯЯ МОll{НОСТЬ за
перио;_t пе превышает постоянную рассеиваемую мощ­
ность коллектора .
Темнература перехода .
Температура окружающей среды
400 мВт
398 к
От 228 до
358 к
Пр им е чан и я: 1. Максимально допустимая ностоянная рuс­
сеиваемая мощность коллектора. мВт. при Т = 298 -;- 358 К опре­
деляется по формуле
Рк макс = (398 - 7)/0,5.
2. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от
корпуса транз11стора.
Допускается тр<:'хкратный изгиб выводов на расстоянии не менее
3 мм от корпуса с радиусом закругления не "'епее J мм.
Следует учитывать возможность самовозбуждения транзисторов,
как высокочастотных элементов с большим коэффиниснтом усиления.
205


100
во
~ 601----1----1---J------<-I-----<
~
._.
~ цо1---+---+-----+<>----+-1-----<
20+-------< - -- -4 --1 -+ --+ - -+- - -1
0L--.....J...-::::t:::..-'1.~_j___J
0,7 0,8 0,9 1,0 1,1U53,8
Входные характеристики.
0,95
0,9
1
КТ375А, КТ375Б
q:i
;; 0,851-----1---1----1----f--,.~
<:1
"'
~ a,в 1---+---J ----, ," """ 1r-----<-----<
0,751---"'+---l - - -r - - -- -<- - -- -<
О/ '---' ---'- ---'' -----' ---'
Зависимость статичес1юrо коэф­
фициента 11ередачи тока от тока
эмиттера.
О,95
КТ375А, КТ375Б
~751---t---t--~t------<r-----<
~7'---'---'--__J'----'~--'
а 10 20 30 цоIк,мА
213 253 293 333 373Т,К
Зависимость напряжения насы­
щения база-эмиттер от тока
кол,-~ектора.
5
11 '--~'--'--'- , --~--+--+--1
<Х)
~ 31---+ ---+ ---+ ---+<r-----<
<:1
"'
~ 21----1- -- -1- -- -+F---+- -- -!
о 10 20 30 1/Оiк,мА
Зависимость напряжения насы­
шения коллектор-эмиттер от
тока ко;IЛектора.
206
q:i
Зависимость напряжения насы­
щения база-эмиттер от те:-..111е­
ратуры.
а,35
0,3
~ ~251---1---1--.,..q1------<!-----1
~
~ о,21--~1---+---1---1------<
0,151-----+- -+- - -+- - -+- -
о,1'---'----'---'---'---J
213 253 293 333 37JТ,К
Зависимость на11ряжсния насы­
щения коллектор-эмиттер от
тс:-..шературы.


КТ379А, КТ379Б, КТ379В, КТ379Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п универ­
сальные высоко'lастотные маломощные.
Предназна'!ены для работы в схемах усиления высокой '!астоты и
переклюqения гер:v~етизировапной аппаратуры.
Бескорпусные с твердыми выводами. Транзисторы помещаются в
гермети'lную заводскую упаковку. Обознаqение типа приводится в
паспорте.
Масса транзистора не более 0,0 l г.
Электрические параметры
Грани'!ное напряжение при /э = 5 мА не менее;
КТ379А, КТ379Г.
КТ379Б
КТ379В ...
Напряжение насыщения ко;шектор-эмиттер при fк =
= 10мА,/6=1мАнеболее:
КТ379А, КТ379Б, КТ379В . .
КТ379Г
Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 10 мА,
/6=1мАнеболее:
КТ379А, КТ379Б, КТ379В . .
КТ379Г .
Стати'!еский коэффициент переда'IИ тока в схеме с общим
эмиттеромприИкБ=5В,lк= 1мА:
при Т= 298 К:
КТ379А
КТ379Б
КТ379В
КТ379Г
при Т= 358 К:
КТ379А
КТ379Б
КТ379В
КТ379Г
при Т= 228 К:
КТ379А
25в
20в
10в
0,1 В
0,2 в
0,9 в
1,1 в
100-250
200-500
400-1000
50-125
100-750
200-1500
400-3000
50-375
25-250
207


КТ379Б
КТ379В
КТ379Г
Модуль коэффициента передачи тока при .f = 100 МГц,
Ик6=2В,/э=5мАнеменее:
КТ379А, КТ379Г .
КТ379Б, КТ379В .
Ьмкuоъ коллекторного перехода при ИкБ = 5 В,
f=10 МГц нс более
Обратный ток коллектора при Ию; = Икэ макс не более:
приТ=228КиТ=298К.
при Т=358 К .
Обратный ток коллсктор-:1мнлер при R 6 э = 10 кОм,
Икэ = Икэ."акс не более:
КТ379А. КТ379Б, КТ379В .
КТ379Г
Обратный ·1ок Jмиттера при U 63 = 5 В не Gолее .
Предельные эксплуапщишшые данные
Постоянное ни11ряжен11е коллектор-э:.~иттср при Rьэ =
= 10 кОи, Т=228-;-- 358 К:
50-500
100-1000
12-125
2.5
3
8пФ
0,05 мкА
1 мкА
30 :.~кА
100 "'кА
30 мкА
КТ379Л
30В
КТ379Б
25В
КТ379В
10В
КТ379Г
60В
Постоянное напряжение база-эм1л 1ер 11ри Т = 228 -;-
358к. .~.
Постоянный ток коллектора при Т = 228 -;- 358 К .
И:v~пу:1ьсный ток коллектора при ти ,;;;; 100 мкс, Q ~ 5,
т=2287358к.
Постоянная рассеивас..,~ая мощносгь коллектора:
при Т= 298 К.
прн Т=358 К .
Импульсная рассеиваемая мощность кол~-~ектора
Ти,;;;;IGOМКС,Q::>5,Т=2287358К
Тсмпср:~тура 11срехода .
при
5в
30 мл
100 :-.1А
25 мВт
10 мВт
75 мI3т
373 к
Тепловое сопротивлен11е переход-среда
Температура окружаюшей среды .
3 К/мВт
От 228 до
358 к
Пр и :vr е чан и я: 1. !vfat-:c11:vraльнo допустимая 11остояшн1я р:~с­
сеиваемая мощность коллектора, мВг, при Т= 298-;-- 358 К опреде­
ляется по формуле
Ркчакс = (373 - Т)/J.
2. При пайке выводе о допускается 11агрев 1 ранзис ropa ;щ тем­
пера туры 573 К в течение 1 :-.шн, до гсм11сrмтуры 423 К в тече­
ние 1,5 ч.
При включеюш транзн_стора ·н цепь, находящуюся по:1 1шпряже-
11исм, базовый контакт нсоGходи:-.ю нрисоединять 11ервым и от­
соединять последпи:v~. Не рекомсн,1уется эксп.-~уатащ1я транзисторов
203


с отключенной базой no 11остоянно:-,,1у току. Необходимо nршшмать
меры защиты от статического заряда.
Не рекомендуется работа nри токах, сонз~1еримых с неуправ­
ляемымп обратпы:v~и тока!>ш во всем диапазоне температур.
I5,мА КТ:J79А-КТ379Г
0,02 ~_J--+--t--г+--
0,015
58
~01"-----'-~+---1+-+--t----J
0,005
о
Входные характерисп1к11.
hz13
Uк6=5В
hz13
800
500
650
J./.00
500
300
350
200
200
100
50
О
О
8 12 16Iк1мА
~ 21-------l-- . L--l-- -i- --I
\ 10-3
~ 8 f==:E=;;;t:=:f==E=~
h..J' ° '
Б
11
2 f--,'-~-l--·-1---1----<
10-4
213 253 293 333 373Т,К
Зависимость обратного тока
кол.1ек·1 ор:1 от те~тературы.
1
2
J./. r;[] 2
11 8 2 !.f.Iк,мА
70
100
Зависимость статического козс;'.фнцнента пеrе,..\ачн тока ог тока
ко:1лсктора.
~
с:5
1,2
~ 1,1
11
"'
С>:.'О
'-..:..
Заnиснмссть
макси).-:Еlл~но .г~~.н::устн: .::ого пn­
пряженпя: 1~0.:"{~r.-:i~тor:-YMti Iтср от
coпpo'rI!B_'1i...'a~!Я ;J~за-:-;:-.лrтт .... р.
,_
С!:]
~50
'-'
>:
tj
tfO
:.;
о..."
Заnпс.1·_!.J-:::ть l\::_·_~·.::и;.1~~J;:l-:10 "---:о­
пустны:.:~i; а~-iиу.:1:.,,с1~ой мо:цно­
с п1 от 1:::1.-т~те"1Lност11 пr.1пульса.
209


2Т385А-2, 2Т385АМ-2, КТ385А, КТ385АМ
Транзисторы кремниевые эпитаксиа.1ьно-п:1анарные 11-р-11 пере-
ключательные :v1аломощные.
Предназначены для применения в гер:vrетизированпой аппаратуре
в импульсных, переключающих схе..,1ах наносекундного диапазона.
Бескорпусные, с гибки:-111 выво,~ами, защитным покрытием на
кера:v1ическо:v1 (2Т385А-2, КТ385А - вариант 1) и метал.1ическо:v1
(2Т385АМ-2. КТ385АМ - вариант 2) криста.ыодержателях.
Поставляются в сопроводите.<ьной таре, позволяющей без извле­
чения из нее транзисторов проводить измерения их электрических
параметров.
Обозначение типа приводится на сопроводите:1ыюй таре.
Масса транзистора на керамическом кристал.юдержателе не
более 0,015 г, на металлическом не более 0,004 г.
Кш111ектор
.J
Кошrехтор
210
Вариант 1
О,б7
Эмиттер
Вариант 2
' Эмиттер
-~-
1


Электрические параметры
Граю1<шое напряжение при lк = 10 мА, 'tи ,,;;; 30 мкс
и Q ;;: 50 2Т385А-2, 2Т385АМ-2 . . .
ти11овое зна<1ение .
Напряжение насыщен11я ко.-~лектор-эмиттер при /к=
= 150мА,/6=15мА,ти,,;;;30мксиQ;;:50:
2Т385А-2. 2Т385АМ-2 .
типовое значение . . . .
КТ385А. КТ385АМ не более
Напряжение насыщения база-э.читтер при fк = 150 мА,
/Б = 15 -"!А, ти,,;;; 30 мкс И Q ;о,, 50 2Т385А-2,
2Т385АМ-2
типовое значение .
Время рассасывания 11ри /к = 150 мА, / 6 = 15 мА,
'tи ,,;;; 30 .'\,IKC. Q?: 50:
2Т385А-2. 2Т385АМ-2 .
типовое значение .
КТ385А, КТ385АМ не более
Статический к0Jффи11иен·1 передачи тока в схеме с
общим эмиттером при Икэ = 1 В, fк = 150 мА:
2Т385А-2, 2Т385АМ-2 .
типовое значение* .
КТ385А. Kl.385AM
.
Моду.-~ь коэффициента передачи тока при Икэ = 10 В,
fк= 50 .'\,IA, .f= 100 МГн .
ти1ю1юе значение*
Обратный ток кол.1ектора нс более:
2Т385А-2. 2Т385АМ-2:
при Uк 6 =60 В и Т=213-о-298 К
приИк6=55ВиТ=398К.
КТ385А, КТ385АМ при ИкБ = 60
= 298к.
Обратный ток эмиттера не более:
2Т385А-2, 2Т385М-2 при Ик 6 = 5 В:
при Т= 213- '.-
298 К
приТ=398 К.
КТ385А. КТ385АМ 11ри Ик 6 .= 4
=298к
Обра·1ный ток коллектор-эмнттер при
более:
2Т385А-2, 2Т385АМ-2:
при Ик 6 =60 В и Т=213-о-298 К
приИкБ=55ВиТ=398К.
Емкость коллекторного перехода при
Г = 1О МГп 2Т385А-2, 2Т385АМ-2 .
типовое значение
виТ=
виТ=
RБэ=0 нс
ИкБ= 10 В,
Емкость эмиттерного перехода при U-, i; = О В, / =
= 10 МГп 2Т385А-2, 2Т385АМ-2
типовое значение .
40-60* в
48* в
0,32* -0,65 в
0,39* в
0.8 в
1,О*-1,2 В
1,1* в
15*-60 нс
30* НС
60 ПС
30-150
60
20-200
2.0-5,6*
3,5
10 чкА
50 ;,,1кА
10 мкА
10 мкА
50 мкА
10 мкА
10 мкА
100 мкА
2.5* -4 пФ
3,3* пФ
13*-25 пФ
15* пФ
211


Предельные эксп.1уатацнонныс данные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБ::i =
= 5,0 кОм КТЗ85А, КТ385АМ при Тк = 228 с-
358 к.
Постоянное напряжение ко.1лектор-база:
2Т385А-2, 2Т385АМ-2
при т.=213-;-373 К .
прит.=398К.
КТ385А, КТЗ85АМ nри т. = 228 -;- 358 К
Постоянное напряжение эмиттер-база:
2Т385А-2, 2Т385АМ-2 при Т, = 213 + 398 К
КТ385А, КТ385АМ при Тк = 228 -;- 358 К
Пос[ оянный ток кол;1ектора при Рк .;; Рк ""кс:
2Т385А-2. 2Т385АМ-2 при т. = 213 с- 398 К
КТ385А. КТ385 при т. = 228 с- 358 К .
Импульсный ток коллектора при 'и .;; 5 :-.-1кс. Q;;,, JO
и Ркср.;; Р:
2Т385А-2, 2Р385АМ-2 при Тк = 213 с- 398 К .
КТ385А. КТ385АМ нри т. = 228 + 358 К .
Постоянная рассеиваемая :-.-ющность ко.•лектора:
2Т385А-2, 2Т385АМ-2:
при Тк=2l3с-373 К
прит.=398К
КТ385А, КТ385АМ:
при Тк=228 -;-343 К
при т.""'358 К .
Тепловое сопротивление переход-подложка .
Температура р-п перехола:
2Т385А-2. 2ТЗ85АМ-2 .
КТ385А. КТЗ85АМ .
Температура окружающей среды:
2Т385А-2, 2ТЗ85АМ-2
КТ385А. КТ385ЛМ .
40в
60в
55в
60в
5,0 в
4,0 в
0,3 А
0,3 А
0.5 А
0,5 А
0,3 Вт
0,06 Вт
0.3 Вт
0.2 Вт
110 К/Вт
408 к
393 к
От 213 до
398 к
От 228 до
358 к
Примечания: 1. Для 2Т385А-2, 2Т385АМ-2 при Т= 373 с-
398 К максимально допустимая посгоянная рассеиваемая мощность
коллектора, Вт, рассчитывается по формуле
408- т•.
2. Монтаж транзисторов в микросхемы осуществляется сле­
дуюшим образом. Место монтажа в микросхеме смачивается спирто­
канифольным флюсо:-.-1 ( 10-30 ~; канифоли, 90- 70 °0 сnирта). Затем
ук.1адывается фольга припоя ПОС-61 (ГОСТ 21931-76) толщиной
30 мкм, размером 1,9 х 1,9 мкм. Микросхема нагревается до темпе­
ратуры (373 ± 5) К в течение 10 с. В момент лайки транзистор
прижимается к месту монтажа пинuето'-'!. Усилие прилагается к
боковы-"' поверхностям криста.;1лодержателя.
212
rl


Допускаются другие методы монтажа транзисторов в микро­
схемы, обеспеqивающие надежный тепловой контакт под;южки тран­
зистора с корпусо!V! микросхе!V!ы и целостность конструкции траи­
зистора.
При монтаже транзисторов в микросхемы до:1жны быть приняты
меры, исклю'!ающие перегиб и соприкосновение выводов и кристал­
ла транзистора с острыми краями элементов микросхемы. Рекомен­
дуется выводы транзисторов и место термокомпрессии или пайки
покрывать лака:-,ш. При это:-,1 не допускается использо11ание ма­
териа:юв, вступающих в химическое и Э,"Jектрохимическое взаимодей­
ствие с защитным покрытием и другими )Лемента:.~и конструюши
транзистора.
hz1э 2TJB5A-2 ,2TJB5AM-2 ,
100
во
60
'+О
20
О
КТ3В5А,КТ385АМ- -
1
Uкэ=1В
/~
"""
-
-
100 200 300 '-100 500 Iк,мА
Зависимость стати'Iеского коэф­
фициента псрсда'!и тока от тока
кол.1ектора.
0,8 2Т3В5А-2,2Т3В5АМ-2,
О7
КТЗ85А,1----+- - .1"---1
'
KTJB5AM
ll:i D,B
:;
~~51---1--+~-У--t-~г--~
а;
~ О'+ l---J-~.E--1-;---1--::-t---1
)
~Jl----Y---1---t---t~-i----;
D,ZO 100 200 ЗОО 1/-00 5СDiк,мА
Зависимость напряжения наtы­
щения ко~"Iлсктор-J~-шттер от
тока ко,;лсктора.
hz1э
100
2Т385А-2,2ТJВ5Ам-'-г,
~кт3В5А, KTJB5AM ' --
во
60
4-0
20
О
,
1
J".-
-
Iк =150мА
2Lf6В10Uкз,В
Зависи"1ость статического коэф­
фшщента пср~дачн тока от
напряжения кол-'ектор-змпттер.
1,5 2TJB5A-2,2TJB5AM -21
1,4- КТ385А, '
1
КТ385АМ
~ 1,J l----l--+--+--..д::.--1----1
,,
<!
:, 1)2t----! --+- -,"'+--+- - -L--1
"'
:::, 11 --J--."--+---1--.c__.._::.__,___,J
)
1,0 r---+--+--+---1--+--;
0,9____
---~
О 1СО 200 300 '-100 500Iк,мА
Зависимость напряжеиия насы­
щения база-зын гтер от тока
ко~•лектора.
213


/h21э 1 2TJ85A-2, 2TJ85AM -2,
5,0 KTJ85A ,KTJ85AM
~01------+--+--+-----+--+----;
J,O hl"--+ -+ --+ --- -t ..:: ---+ --- -i
2,0
1,0 t----+--+--+----+--+----<
о 50 100 150 200 250Iк,мА
Зависимость :-,юдуля коэффющ­
ента 11ередачи тока от тока
кол.1ектора.
IJO
35
....-
25
"
"'-
.,..,
20
15
10
1
2TJ85A-2 ,2T385AM -2
>--КТ385А, КТ385АМ f---
1
-
..............
r--. ....
Iк/16 =10
~
lh21al 2TJ85A-2 ,2T385AM-2 ,
5,0 KTJ85A ,KTJ85AM
~Of---t----lf---+:~i--9===!
J,O t----j,.e-+ -t - -t -+- -- -1
2,0 1----+- -+
1,0 t----+- -+--+ ----+ --+ ----1
о'1В121620Uкз,В
Зависи:v~ость модуля коэффици­
ента nередачи тока от наnря­
жения коллектор-эмиттер.
><:
1,2
1,1
1,0
::::.~ 0,9
~~ о,в
::::.
0,7
2Т385А-2}2тза5АМ1-Z
- KTJ B5 A,KTJ85AM-
-
--,
"'" ""'- ...
-
О 50 100 150 200 250Iк,мА
Зависимость времени рассасы­
вания 0·1 тока ко.1лектора.
Ск,пФ
2тJв5Аl2,
10r--+ · --t -
2TJ85AM-2
в1---+--+--+--+--+----1
б
11 1---+-~-.с--т-----т---r-
2 t-----+- -
о
Зависимость емкости коллек­
торного nерехода от наnряже-
1шя коллектор-база.
214
Зависимость относительного на­
пряжения коллектор-э:v~иттер от
соnротивления база-эмиттер.
с3 ,пФ
201-----+- -+
16~--+·~-t--+---+--+----l
f =10МГи,
о
Зависимость емкости эмиттер­
ного перехода от напряжения
эмиттер-база.
l


КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Г,
КТ3102Д, КТ3102Е
Транзисторы кремниевые Jпитаксиально-планарные п-р-п усили­
тельные высокочастотные маломощные с нормированным коэффи­
циентом шума на частоте 1 кГ11.
Предназначены для применения в уси.-~ительных и генераторных
схемах высокой частоты. яв.'Jяются комплементарными транзисто­
рами КТ3107А - КТ3107Л.
Выпускаются в мега.'1.-rостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозна'Iение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса тран-шстора не бо.-~ее 0,5 г.
13,5
5,3
Электрические параметры
Постоянная времени цепн обратной связи при Икэ =
= 5В./э=10мА,/=30МГпнеболее
Моду.1ь коэффиниента передачи тока при Ик 6 = 5 В,
/3 = 10 мА,/= lOO МГп не менее:
КТ3102Л. КТ3102Б, KT3l02B, КТ3102Д
КТ3102Г. КТ3102Е
Статический коэффн11иент передачи тока в схеме с
общим э!v!иттером при ИкБ = 5 В, /э = 2 мА:
при Т= 298 К:
KT3l02A .
КТ3l02Б. КТ3102В. КТ3102Д.
КТ3l02Г, KT3l02E
при Т= 233 К:
КТ3l02Л .
КТ3102Б, КТЗ102В, КТ3102Д
KT3lU2Г, КТЗl02Е
при Т=358 К:
КТ3102А не :.~енее
КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Д нс менее
КТ3102Г, KT3l02E []е менее
100 нс
1,5
3,0
100-250
200-500
400- 1000
25-250
50-500
lOO- 1000
lOO
200
400
215


Ко-эффициент шума при Икэ = 5 В. ·/к = 0,2 мА, .f =
= 1кГц,Rг=2кОмнеболее:
КТЗ102А, КТ3102Б. КТ3102В. КТ3l02Г .
КТ3102Д. КТ3102Е .
Граничное напряжение при /э = lO мЛ не !\1енсс:
КТ3102А, КТ3l02Б
KT3l02B, КТ3l02Д .
КТ3102Г, КТ3102Е .
Обратный ток ко;1лектор-эмиттер не более:
КТ3102А, КТЗl02Б при Uкэ = 50 В .
KT3l02B, КТ3102Д при Икэ = 30 В и КТ3102Г,
КТ3102Е при Ик-э=20 В . .
Обратный ток кол,1ектора не более:
КТ3l02А. КТ3102Б при ИК!;= 50 В:
приТ=298К..
приТ=358 К .
КТ3102В, КТ3102Д при Uкэ = 30 В и КТ3l02Г,
КТ3102Е при Икэ = 20 В:
приТ=298К.
11риТ=358К.
Обратный ток эмиттера при Иьэ = 5 В не более .
Емкость коллекторноr о перехода при UкБ = 5 В.
f=lOМГ11неболее.
Предельные эксплуатационные данные
На11ряжение кол:1ектор--эмиттер, ко.1лектор-база (любой
формы и периодичности):
10 дБ
4дБ
30в
20в
15в
0,l :v1KA
0,05 !\!КА
0.05 мкА
5.0 мкА
0,015 мкА
5,0 "1кА
10.О :...~кА
6,0 пФ
КТ3102А, КТЗJ02Б, КТ3!02Е
50В
КТ3102В, КТЗ lОЩ .
30В
КТЗ102Г.
20В
Напряжение ·J:...~иттер-база (.1юбой формы и периодич­
ности)
Постоянный ток коллектора .
Импульсный ток кол,1ектора при '" ,;;; 40 мкс и
Q;;,, 500 .
Постоянная рассеиваемая мощность при
298 к.
Тепловое сопротюыение переход-среда
Температура р-п перехода . . .
Температура окружающей среды .
т= 233-;.
5,0 в
100 мА
200 мА
250 мВт
0,4 К/мВт
398 к
01 233 ДО
358 к
Пр им е чан и е. При Т > 298 К максимально допустимая постоян~
ная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, рассчитывается по
формуле
Рк. макс= (398 - Т)/ Rт п-с·
216


г1,2~ 0,б
0,5
<:tJ 0,4-
KTJ~o2)-
1L·
1, о ~--J----+-f+---ilt---1--1
KTJ102A-
0,8 KTJ102E -1-+ --l -+ ----+ ----1
"§
~ 0, б 1------1----+--++-Н--+-------1
~о'Ц-l----1--l--l--+-l-+--l-----I
о' 2 !----+ -+- -+-+F--+---t- ----1
~
~ 0,J
"'
~ 0,2
о,1
1
KT3f02EI
1
1
: Iк =10мА
\1
\
i
--
-
о 0,2 0,4- 0,б 0,8 1,0 UБЗ ,В
о
2 34- 5Кна.с
Входные характеристики.
hг1з
1()00
в о о 1~...p-.....1:::--1;--r
600 f----+-----+-+-~d-t---t
4-00l---~::=t=~,,__~:---t="---1
200
о 10 20 30 lf.O I3,мА
Зависимость ста тичсского ко-эф­
финиента передачи тока от тока
-эмиттера.
Зависимость напряжения насы­
щения ко.1лектор-эмит гер от
коэффициента насыщения.
hz1з
Uк6 =58
1о00 г-+-+++tt----1--+-+-++-+-+-++1
800
500
lf.001----1-+~~-++ц--+-+++1
2001-7'1'::....++-Нr+-+-с~~-:Ы-Н
о ~Цff::t1JILUШ
г 1/68
102 Iэ ,мкА
Зависимость статического ко-эф­
финиента передачи тока от тока
эмнпера.
КТ3117А
Транзисторы крс'\-1ниевыс -эшпаксиалыю-н;шнарные 11-р-11 пере­
ключателы~ые высокочас 1·от11ые маломощные.
Выпускаются в мета.1:10стекля11ноы корпусе с гибкими выво­
дами. Обозначение тина приводи 1·ся на корпусе.
Масса транзистора не более 0.5 г.
4
"<>
с,.,~
~~
"&
--
- <{:
г
'&
Jм
73,5
5,З
~~ Ф2,5
.,
шптер
Ко1111ектор
База
217


Электрические параметры
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
с общим эмиттером при Икэ=10 В; lк=30 мА
не менее .
Статический коэффипиент передачи тока в схеме с
общимэмиттеромприИкэ=5В, lэ=200мА.
Нанряжение насыщения кол.1ектор-эмиттер при lк =
= 500мА,/Б=50мАнебо;1ее•
Напряжение насыщения эмиттер-база при !к = 500 мА,
IБ=50 мА не более .
Обратный ток коллектора при ИкБ = 60 В не более .
Емкость коллекторного 11ерехода при Ик 6 = J О В, f =
=10МГцнеболее.
Емкость эмиттерного перехода при ИэБ =О,/= 10 МГп
не более .
Предельные эксп.1уатацноииые данные
Постоянное напряжение
=308к
коллектор-база при Т =
Постоянное
= 1кОм,
Постоянное
=308к
напряжение коллектор-эмиттер при RэБ =
Т=308 К.
напряжение
эмиттер-база при Т=
Постоянный ток коллектора при Т = 308 К .
Импульсный ток кол;1е1пора при Ти ,,;;; l мкс, Q ?> 10,
т=308к
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при
200 МГц
40-200
0,6 в
l,2 в
10 мкА
l5 пФ
lOO пФ
60в
50в
4в
400 мА
800 мА
·
Т=308К
300 мВт
Имнульсная рассеиваемая мощность коллектора
'tи<;;lМКС,Q?>10,Т=308К
Температура перехода .
Температура окружаюшей среды
при
П504, П504А, П505, П505А
800 мВт
423 к
От 228 до
358 к
Транзисторы кремниевые сплавно-диффузионные п-р-п универсаль­
ные маломощные.
Предназначены для применения в уси.1ите:1ьных и генераторных
схемах высокой частоты, а также в переключающих схемах радио­
электронных устройств.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Вывод эмиттера на буртике корпуса маркируется цветной точкой.
Масса транзистора /Ie более 2 г.
218


r32
8
Точка эмиттера
'Электрические параметры
Пос 1·оянная времени цепи обратной связи при ИкБ =
= 10В.lэ=5мА,/=5МГцП505,П505Анебо-
лее..
.
.
.
.
.
...
КоJффициент нереда'!и тока в режиме малого сигна-
лаприИКБ=lOВ,lэ=5мА,f=50+1500Гц:
при Т= 298 К:
П504
П504А
П505
П505А
при Т= 393 К:
П504. П505А .
1500 пс
10- 35
25- 80
40-150
20- 60
От0,8ДО2
значений при
Т=298К
П504А. П505 .
.От0,8до2,5
значения при
т=298к
Моду.1ь коэффициента передачи тока при ИкБ = 10 В,
lэ = 5 мА,/= 20 МГц не менее:
П504, П504А.
·
·
·
·
·
2,5
П505, П505А .
.
·
·
·
.
4.7
Выходная полная проводимость в режиме малого сигна-
ла при холостом ходе при ИкБ= 10 В, /э=5 мА,
f= 50-;- 1500 Гц не более ...
Обратный ток коллектора не более:
П504, П504А при ИКБ = 30 В:
приТ=298КиТ=213К
приТ=393К.
П505, П505А при ИкБ = 20 В:
приТ=298КиТ=2l3К
приТ=393К...
Обратный ток эмиттера при ИэБ = 2 В не более .
Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 10 В,
f = 5 МГц не более ........ .
2 мкСм
2 мкА
120 мкА
2 мкА
120 мкА
20 мкА
7пФ
219


Предельные э1•сп.1уатацноп11ыс данные
Напряжение кол,-rектор-эмиттер при RБэ ;:;; lO кОм:
П504, П504А .
ТТ505, П505А .
Напряжение кол.-rектор-база
П504, П504А .
П505, П505А .
Постоянное напряжение эмиттер-база .
Импульсное напряжение эмиттер-база
Ти;:;;20МКС•
Ток кол.-rсктора в режиме усп.-rения .
Ток кол.-rектора в режиме перек.1юче11ия
Постоянная рассеивае:чая мощное гь
=213-: -333 к.
Температура р-п перехода
Температура окружающей среды .
при
11ри Т=
.От
30в
20в
30в
20в
2в
4в
10 мА
20 ~1А
l50 :чВт
423 к
2l3до393к
Пр и :ч е чан и е. При Т = 333 -:- 393 К максима.·1ьно цопустн'v!ая
постоянная рассеивас:-,~ая '\1ошность ко.rцектора, мВт. рассчитывается
по форму;1е
При 11авленни
на30':0•
Рк.макс = (423 - 7) ! 0,6.
5330 Па рассеиваемая :v~ощность снижается
КТ601А, КТ601АМ
Транзииоры кремнпевые д11ффузионныс 11-р-11 усилительные вы­
соко'!астотны::: м:iломощпьr:о.
Предназначены для пр~lмененпя в схемах радиовенщтельных
и телевизионных прие:-,шнков.
Выпускаю~ся в металлостсклянно:-,1 (КТбО!А) н в пласт!l-1ассовом
(КТбО!АМ) корпусах с гибкп:-,ш вывода:1111.
Обозш~ч;;т;~ типа нриводится на корпусе.
Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 2 г,
в пластмассовом не более 0,7 г.
220
8а.рц,а.нт 1
8
Хо.ллехтор


z, 54
~--r--
Ва,ри.ант Z
З,8
----1----j
Jмu.mmep 1
!1а.ллектор\\ \ 1 ф 3,05
---т
,,.,1-~=-=--1
1
::+- c:=J-~....,__ _
_J
\
~1
"'~ c:::~_-_-1..:t-- 5ащ
1
1
'--~~-'-~~_J__
2'~ - ------:оЕЕ---1_1_с,_1__~,~А1
'Э.1ектр11ческие пара:wетры
Коэффициент передачи тока в режиме малого сш-
нала 11ри Uк,=20 В. 1,= 10 мА нс
ме-
нее
Гранич11ая частога коэффициента 11ерсдачи тка в
схеме с общим эмиттером 11ри Ик 3 = 20 В.
/3=1мАнеменее.
Емкость кол.·1екторного перехода при ИкБ = 20 В.
/=2 МГц не более .
Постоянная времени цепи обратной СВЯ'Н! при
Ик,=50 В. /3=6 мА./=2 МГu не
бо-
лее
Обратный ток ко,1лектор-эмиттер при Ик, = 100 В.
R5·э = 1О кОм не бо.1ес
Обратный ток э'1иrтера при с"Б = 2 не более
Предельные эксп.1уатаuнuнные данные
Постоянное напряжение кол.1ектор-база .
Постоянное 11апряже11ис ко.1.1ектор-эмиттер
R63 ,;; 10 кО:v1 .
Постоянное нuпряжсние Jмиттср-база
Постоянный ток коллек·1 ора .
Постоянный ток базы .
при
Z,8
н
16
40 МГц
15 пФ
600 пс
500 мкА
100 :'v1KA
100 в
100 в
2в
30 :'v1A
30 мА
Постоянная рассеиваемая мощное: ь:
без теплоотвода 11ри т,;; 328 К п
с теплоотводом при Т, ,;; 328 К
Температура перехода .
Т, ,;; 348 \(
250 :'v18T
500 :v1Вт
423 к
Температура 01,ружающей среды.
.
От233до358К
Пр им е чан и е. Для транзисторов в мета-1~1ос1 склянно:v1 корпусе
изгиб выводов допускается на расстоянии не ~1енее 5 мм от корпуса
транзистора с радиусом изгиба не менее 3 м:v1. при этом должны
быть приняты меры предосторожносп1, обеспечивающие ненодвиж­
ность вывода :'v!ежду местом изгиба и стеклянным изолятором.
221


Для транзисr оров в пластмассовом корпусе изгиб выводов до­
пускается под уr.1ом не более 90 · в плоскости, перпендикулярной
плоскости основания корпуса, и на расстоянии не менее 3 мм
от корпуса с радиусом изгиба не менее 1,5 м.
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от
корнуса транзистора. Пайку следует проrrзводить в те•rение не бо­
_'!ее 5 с. Температура пайки нс должна вревышать 533 К, при этом
необходимо обеспечить надежный тсплоотвол между кор11усом тран­
зистора и местом пайки.
~ 1,21-----1-- --. , , f<' -- ---I
~[~1,01-----'-----+------1
~
. ;!!.
""
~ ~81--_,_--+----1---~
...
.....
""
~ 06' О.._____. _ _ _~--~
10
20 I3,мА
Зависимость относите.1ь.ного ко­
эффициента передачи тока от
тока эмиттера.
100
"':(
"'
НТбОtА, КТ601АМ
10l----i'---+- - -+- -- - - -1
:::;;
11---1--------lf---~
.,;
..,
""
....... о,11------1- - -+- - - -+- -- - -1
0,01~~~~--'~~~~_,
25J 27J 293 313 т,к
Зависимость обратнш·о тока
коллектор-эмиттер от темпера­
туры.
с;- 1,1
11
КТ601А,
IБ,мА
КТ601А,
~ 1,0
~
~ 0,91----1 -".--+ ---t- -----J
d
::;;
~ 0,8!----1----'Ч<---t------J
~;:; 0,7
~ «бl----+---+---Г---~
""
КТ601АМ
О,61--~-~----1--+-1--,-~
~ 0,5'-----'-::---,-,,.,,---:-,,-,::~
::::>
10 102 103 104 RБ3,Ом
О 0,2 О,'+ 0,6 0,8 1,0U35,B
Зависимость максима.1ьно до­
пустимого напряжения коллек­
тор-эмиттер от сопротивления
база-эмиттер.
Входные характеристики.
2Т602А, 2Т602Б, КТ602А, КТ602Б
Транзисторы кремниевые планарные п-р-п универсальные мало­
мощные.
Предназначены для применения в схемах генерирования 11 уси­
ления сигналов радиотехнических устройств.
222


г Выпушюоо•о "'''°'""'"'"'ом "''Р"У",
О6оз11ачение типа приводится на корпусе.
гибкими выводами.
Масса транзистора не более 5 г.
4а
1
JZ
д
ф1Z
1
!--)~·
~
...
...
$
$1
-
--
"'
i
,,;-
z,4
$•
"'
Электрические параметры
Змиттвр
Ф&
Граничное напряжение при /э = 50 мА. <и = 5 мкс, f = 2 кГц
не менее .
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 50 мА,
/6=5мАнеболее.
Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 50 мА,
/Б=5мАнеболее.
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим
70в
3в
3в
эмиттером при UкБ = 1О В. Iэ = 1О мА:
2Тб02А, КТ602А .
2Т602Б.
КТ602Б не менее
.
20- 80
.
50-200
50
Постоянная времени цепи обратной связи при UкБ = 10 В.
/к=10мА,f=2МГцнебо.1ее.
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с
300 пс
общи:-.1 эмиттером при Uкэ = 10 В, lк = 25 мА нс менее. .150 МГц
Емкость коллекторного перехода при UкБ = 50 В, f = 2 МГц
не более .
4пФ
Емкость эмиттерного перехода при UэБ = О, f = 2 МГц не
более .
25 пФ
Обратный ток коллектора:
приТ=298К,UКБ= 120Внсболее:
2Т602А, 2Тб02Б.
КТ602А, КТ602Б
при Т= 398 К, UкБ = 100 В 2Тб02А, 2Т602Б
более
Обратный ток ко.1лсктор-J:vнптер:
приТ=298 К. Икэ=100 В, RЭБ=10 Ом
.1ее:
.
10 мкА
.
70 мкА
не
.
50 мкА
не ба-
2Тб02А, 2Тб02Б
КТ602А, КТ602Б
при Т=398 К. Uкэ=80 В,
2Тб02Б не более
l.G мкА
.1 00 мкА
RэБ = 10 Ом 2Тб02А,
.
50 мкА
223


Предельные эксплуаташюнные данные
Постоянное напряжение коллектор-база:
2Тб02А, 2Т602Б:
при Т.;;373 К .
при Т= 423 К.
КТ602А. КТ602Б:
при Т<343 К .
при Т=393 К .
Импу.1ьсное напряже1ше ко.1лек юр-база:
2Т602А. 2Т602Б:
прпТ.;;373К. .
при Т=423 К .
КТ602А, КТ602Б при Т.;; 343 К
Пос гоянное напряже~ше ко.1лектор-эмнттер
RБэ.;; 1 кОм:
2Т602А, 2Тб02Б:
при Т.;;373 К .
при Т=423 К .
КТ602А, КТ602Б:
при Т<343 К .
при Т=343 К .
Постоянное напряжение эмиттер-база .
Постоянный ток коллектора
Импу.1ьсный ток
Q>7..
коJlлектора при Ти .;; 1
Постоянный ток эмиттера .
Постоянная рассеuваемая мощность:
б~з теплоотвода:
при Т.;; 293 К
при Т = 398 К 2Т602А, 2Т602Б
при Т = 358 К КТ602А, КТ602Б
с теплоотводом:
т.;;т•.;;293к..
при т. = 398 К 2Т602А, 2Т602Б
при т. = 358 К ЕТ602А, КТ602Б
Те-,,тера тура перехода:
2Т602А, 2Т602Б .
КТ602А. КТ602Б .
Общее тепловое сопротивление:
переход-корпус
переход-01Сружающая среда .
Температура окружающей среды:
2Т602А, 2Т602Б .
КТ602А. КТ602Б .
при
мкс,
.От
.От
120 в
60в
120 в
60в
160 в
80в
160 в
100 в
50в
100 в
50в
5в
75 :1,1А
500 мА
80 мА
0,85 Вт
0,16 Вт
0,2 Вт
2,8 Вт
0,55 Вт
0,65 Вт
423 к
393 к
45 К/Вт
150 К/Вт
213до398к
233ДО358К
Пр им е чан и е. При постоя1шс_й рассеиваемой мощности более
0,85 Вт транзистор необходимо крепить за корпус к теплоотводя­
щей rrансли.
Пайка и изгиб подводящих проводов при монтаже допускается
на расстоянии не менее 5 мм от корпуса. Радиус закругления при '
224


•i"'
~-
i
1
1
1
изгибе 1,5 - 2 мм. Пайку следует производить в течение нс более
10 с (температура пайки не должна превышать 533 К).
При пайке необходимо осуществлять теплоотвод между корпусом
транзистора и местом пайки.
1601.-L_L_:.__-+--"-<-11---+--i
12 о L-..k::::t::::::i:.,._J--:~--1
80
Ч-0. _LJ_-1.--_..!.-+=""f--1
о10
50Iк/.tA
Записимость статического коэф­
фициента передачи тока от тока
коллектора.
hz13
200
1501--..c....-..!.---+--+--+---i
120 1--. -1- -__ ., ,, .+
80'-- _L:.:.L.---1- - -1- --,,P"J
Ч-0
о
273
2Т602А, КТ602.~
293 31JJ33 т,к
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тем­
пературы.
2Тб02,КТбт
fOLL_L--'-~г
f=2МГц
о
Зависимость емкости коллек­
торного перехода от напряже­
ния коллектор-база.
8 П олупроводннковые приборы
hг1з I к= 10мА
2001--~--'-~-1--~_;_---1
160
801----+~~-1--=--~-+---1
Ч-0
О 10 20 30 Ч-0 50Uкз,В
Завиеимость статического коэф­
фициента передачи тока от
напряжения коллектор-эмиттер.
3
2
1
о
2Т602} t-
...........
КТ602 /
~
Uкз= 108
J
f == 100МГц
5 10 15 20 2513,МА
Заnисимо:::ть модуля коэффи­
циента передачи тока от тока
эмиттера.
С;з,пФ
25
20
15
10
5
о
1
2Т602, КТ602
1"
1
f=2МГц
...........
r-- ..
1
Зависимость емкости эмиттер­
ного перехода от напряжения
эмиттер-баз а.
225


2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, 2Т603И,
КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д,
КТ603Е
Транзисторы кремниевые эпитаксиалыю-планарные п-р-п уни­
версальные высокочастотные ма.1омощные.
Пре,:~:назначены для применения в импульсных, переключатель­
ных и усилительных высокочастотных схемах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
42
в
~
Эмиттер 2..-
<:::.~
'&.
"
-
--
!:'-..
"
.. .:
-
-
""
'-
--
-
-s. 'а
/
/
1
1<01111ектор База
Э.'lектр1tческне пара:wетры
Напряжение насыщения коллектор-Jмиттер:
приIк=150мА,lr;=15мА:
2Т603А, 2Т603Б, 2Т60ЗВ, 2Т603Г не бо.-~ее
типовоезначение.......
.
.
.
.
КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ60ЗД, КТбОЗЕ
неболее...............
при/к=350мА,/Б=50мА2Т603Инсболее.
Напряжение насыщения база-эмиттер:
приlк=150мА,/Б=15мА:
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, КТ60ЗА. КТ603Б,
КТбОЗВ, КТбОЗГ, КТ603д, КТбОЗЕ нс более . .
типовоезначение...........
при !к= 350 мА, /Б = 50 мА 2Т603И не более
TИПiJB 1JC значение .
.
.
.
.
Статнчсо:r:ий коэффициент передачи тока
эмrптс;ром:
в схеме с общим
226
приUкэ=2В.fэ=150~1А:
2Тб03А. 2Т603В, КТ603Д
КТ603А, КТ603В . . . .
2Т603Б, 2Т603Г . . . .
КТ603Б, КТ603Г нс :1-1енее
КТ603Е.
.
...
0,8 в
0,2* в
1.0 в
1.2 в
1.5 в
0.9* в
1.3 в
1.0* в
20- 80
10- 80
60 -- 180
60
60-200


приИкэ=2В,lэ=350мА2Т603Инеменее.
типовоезначение...........
Время рассасывания при Iк = 150 мА, /Б = 15 мА:
2Тб03А, 2Тб03Б, 2Т603В, 2Т603Г, 2Т603И не
лее
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.. ..
бо-
20
50*
70 нс
типовоезначение.······....
40* нс
КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е
неболее....······
.
.
.
.
.
100 нс
Постоянная времени цепи обратной связи при Икэ = 10 В,
/э=30мА.f=5МГцнеболее.........400пс
типовоезначение..···.........25*пс
Граничная частота передачи тока в схеме с общим эмит-
теромприИкэ=1ОВ,lэ=30мА,неменее••
.
.
200 МГц
типовоезначение..·····........370*МГц
Емкость коллекторного перехода при Икэ = 10 В,/= 5 МГц
небо.1ее.....···
.
.
•
.
.
.
.
.
15 пФ
типовое значение . . . .
•
.
.
.
.
.
.
.
3* пФ
Емкость эмиттерного перехода при ИэБ = О, f = 5 МГц
неболее....
40 пФ
35* пФ
типовое значение .
Обратный ток коллектора:
приИкБ=30В:
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603И не более
КТбОЗА, КТбОЗБ не более
приИкБ=15В:
2Тб03В, 2Т603Г не более .
КТ603В. КТ603Г не более
при ИкБ = 10 В КТ603Д, КТ603Е не более
Обратный ток эмиттера:
3 мкА
10 мкА
3 мкА
5 мкА
1 мкА
при ИэБ = 3 В 2Тб03А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Тб03Г,
КТбОЗА, КТбОЗБ, КТ603В, КТ603Г, КТбОЗД, КТ603Е
небо.1ее..........
3 мкА
3 мкА
приИэБ=4В2Т603Инеболее.......
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база и коллектор­
эмиттер при RБэ ,,;;; 1 кОм:
при Т,,;;; 343 К:
КТ603А, КТ603Б
КТбОЗВ, КТ603Г
КТ603Д, КТ603Е
при Т,,;;; 373 К:
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603И
2Т603В, 2Т603Г
при Т= 393 К:
8*
КТ603А, КТ603Б
КТ603В, КТбОЗГ
30в
15в
10в
30в
15в
15в
7,5 в
227


КТбОЗД, КТбОЗЕ .
2Тб03В, 2Т603Г
при Т= 423 К:
2Т603А, 2Т60ЗБ, 2Т60ЗИ
2Т603В, 2Тб03Г
Напряжение эмиттер-база . .
Постоянный ток ко:1лектора .
Импульсный ток кол.1ектора при <и,;; !О мкс,
Q> 10 ..... .
Постоянная рассеиваемая мощнос1ъ:
при Т,,;;: 323 К: .
при Т=358 К ..
Температура перехода:
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, 2Т603И .
КТ603А, КТбОЗБ, КТ603В, КТ603Г, КТбОЗД,
КТ603Е .
Общее теплово~ сопротивление .
Температура окру;;сающсй среды:
2Т60ЗА, 2Т60:0Б. 2ТбОЗВ, 2Т603Г, 2Т603И .
.
От
КТбОЗА, КТбОЗБ, КТбОЗВ, КТбОЗГ, КТ603Д,
КТ603Е
.
От
10в
=-1 в
12в
18в
9в
3в
300 мА
600 мА
0,5 Вт
0.12 Вт
423 к
393 к
200 К/Вт
213 ДО 398
233 до 358
к
к
Пр им е чан и с. Расстояние от корпуса до начала изгиба вы­
вода 3 м·:.1.
Не допускается пайка выводов на расстошrии мепее 5 м~1 о 1·
корпуса. Пайку выво).(ОВ следует пронзводить нс бо,1се 10 с при
температуре не более 543 К с теплоотво;:~;ом между корпусо:-.1 и местом
пайки.
Запрещается кручение выводов вокруг оси.
J3,мА 2 Тб03А-2Т80JГ,
250 2Т60JИ,
KTбDJA-
200 KTбDJE
150
100
50
D
D,3 0,6 0,9 U3518
Зависимость тока эмиттера от
напряжения эмиттер-база.
228
I5,мА
10
g
6
4-
2
о
0,3
Входные характеристию~.


-
r hz1з
/Jка=28
fOO L----L-..1-----1-~-,----I-~
вог--t~~
60~~-1---1----'~-+---f
lfO f--Ь...,.-=;1::-ТV'W:.t-i
Зона возможных положений за­
висимости статического коэффи­
циента передачи тока от тока
~<.>
"'>:
коллектора.
~:::::, о,ч 1-_J_J_- -1--4 ---- -t --t ---I
о20
Зависимость напряжения насы­
щения коллектор-эмиттер от
тока базы.
Ск,п'Р
5
ч
3
2
'
2Т60JА-2Тб03Г, 2Тб03И,
'-- КТбОJА -КТ603Е
~
\
11
~ f=5МГц
.........
t--.
~
h21э
18 ·150тА
fDD
BIJ
2Т6035, 2 T603r
О/}
КТб03Б, КТ603Г
2Тб03А,2Тб03В
20
КТбОJА КТб03В КТбfJ.
о24(Jв!ОUю,В
Зона возможных положений за­
висимости статического коэффи­
циента передачи тока от напря-
жения коллектор-эмиттер.
1,05
2Тб03И
~ 0,9 5 f-_,,'---+--"'-~1-----+---I
""
~
Зависимость напряжения насы­
щения база-Эмиттер от тока
базы.
С3,п'Р 2Т603А-2Т603Г, 2Т60JИ,
КТбОJА - КТВО3Е
о 5 10 1:J 20 25Uк518
Зависимость емкости коллек­
торного перехода от напряже­
ния коллектор-база.
Зависимость емкости эмиттер­
ного перехода от напряжения
эмиттер-база.
229


lh21э 1 2 Т603А-2Т603Г, 2 Т603И,
КТ603А - КТ603Е
О 20 ЧО 60 ВО 10Df,MГ11,
Зависимость модуля коэффи­
циента передачи тока от часто­
ты.
~1,2
'J,, 1,1
<о
2 Т60JА-2Т603Г, 2Т603 И,
КТВ03А - KT60J Е
~<.>
1 lo--+--+ --+ ----+--J. . -. -- J
"'d
~ 0,9 t----f'...--+--+----'---1-~
""
~ 08t--+ ---' lr---+ -___ ,f---+- --I
"
)
"'
"'~ ~7t--t--+--+""...,+--+---<
<>:
":Q о 6 .___ _._. ... __.. ___. ._
_._--J
:::::, } 1
Зависимость максимального до­
пустимого напряжения коллек­
тор-эмиттер от
сопротивле-
ния база-эмиттер.
КТ605А, КТ605Б, КТ605АМ, КТ605БМ
Транзисторы кремниевые меза-планарные п-р-п универсальные
высокочастотные маломощные.
Предназначены для применения в импульсных, переключательных
и усилительных высокочастотных схемах.
Ва,риднт 1
ЧО
8
Место ма,рк1Lро81<1J,
s,s
Коллектор Эм1Lmmep
В rzp1La,нm Z
3,8
:~:~:-$ r
«:>
N'
?l
""
"'
1~ 16, 1/
зrl..: 11, 1
,/
1,Z
0,5
230


г Выпускаютсявметаллостеклянном(КТ605А, КТ605Б - вариант 1)
и пластмассовом корпусах с гибкими выводами (КТ605АМ,
КТ605БМ - вариант 2). Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 2 r,
в пластмассовом не более 1 г.
Электрические параметры
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при
Iк=20 мА, /Б=2 мА не более .
Статический коэффициент передачи тока в схеме с
общим эмиттером при Iэ = 20 мА, ИкБ = 40 В:
КТ605А .
КТ605Б .
Граничная частота коэффициента передачи тока при
Икэ=40 В, Iэ=20 мА не менее
Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 40 В,
f=2МГцнеболее
Емкость эмиттерного перехода при ИэБ = О В,
f=2МГцнеболее.
Обратный ток коллектор-эмиттер при Икэ = 250 В
не более
Обратный ток эмиттера при ИэБ = 5 В не бо-
лее
Предельные эксплуатационные даННЪiе
Постоянное напряжение коллектор-база:
приТ.;,373К .
приТ=423К.
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
RБЭ,;;; 1 кОм:
при Т.;,373 К .
при Г= 423 К.
Постоянное напряжение эмиттер-база:
приТ.;,373К .
при Т=423 К .
Постоянный ток коллектора
Импульсный ток коллектора
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Т,;;; 298 К .
приТ=373 К .
Температура перехода
при
Общее тепловое сопротивление (переход-окружаю­
щая среда) .
8в
10- 40
30-120
40 МГц
7пФ
50 пФ
20 мкА
50 мкА
300 в
150 в
250 в
125 в
5в
2,5 в
100 мА
200 мА
0,4 Вт
0,17 Вт
423 к
300 К/Вт
Температура окружающей среды .
. От233ДО423К
Пр им е чан и е. Пайку выводов допускается производить на рас­
стоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора ие более 5 с.
Температура пайки не должна превышать 533 К
При пайке должен бьrгь обеспечен надежный теплоотвод между
местом пайки и корпусом транзистора.
231


Для транзисторов в пластмассовом корпусе изгиб выводов до­
пускается под углом не бо;;ее 90° в плосв:осп1, перпендш.:улярной
плоскости оснозшшя корпуса, и на расстоянии не менее 3 мм от
корпуса с радпусом изгиба не менее 1,5 мм.
При установке транзистора на ПС'iатную плату с ШС!гом коордп­
иатной сетки 2,5 мм допускается одноразовая фор~ювка выводов
с их разподкой для совмещения с монтажными отверстиями (кон­
тактами).
При изгибе и формовке выводов ш::обходиr,ю применять спе­
циальные шаблоны, а также обеспечивать непоцвижность выводов
:между местом изгиба и корпусом транзистора. Кручение выводов
вокруг оси не допускается.
hz13
КТ605А )<.'! 6 05 5 ,
100 КТ605АМ. Uкэ= 'IOB
ВО КТБО5Ыf..---
60/
/
',
ЧОI--~+-~+-~"""",...-~
201---t:==- :=t-- -i-- -- -1
о
чо 8Q 120l3/.1A
Зона возм{)жных положений за­
висимости статического 1соэффи­
циента передачи тока от т01са
1
lh21э
10
8
6
ч
г
о
эмиттера.
1
1
1
1
КТВО5А, КТВО5Б,
..__
КТ605АМ,
""-
~..... КТб05БМ
,
~
~
-
--
"
~
-
_
Uкз=2DВ
f=2DМГц
11
10 20 30 ЧО 50!3,мА
Зона возможных положений за­
висимости модуля коэффициен­
та передачи тока от тока эмит-
тера.
232
hz13
100
80
601--+--l---~--l~-!---I
ЧО1---:-----::;~:+---1--+---1
201--+--l---+---1~=1-...--i
~~-~,------=]_-_-_,,___,
О lf.O 80 120 160 200Uкэ,8
Зона возможпых положений за­
висимости статического коэффи­
циента передачи тока от на-
пряжения коллектор-эмиттер.
lh21э/
10 l--т-'---'~-'--
81---<-> -- -+- -1 ---+- ---+-- --- -I
б~---+-+­
Ч~---т__.,..+--+----\'--+----i
о 20 lf.O ВО 80 100f,МГц
Зависимость модуля коэффи­
циента передачи тока от часто­
ты.


•1.
1
1
1
КТ605А 1 КТ605Б
~ ХТ605дМ,i<Т605БМ ~
\ f=2МГи,
-......... ,__
5
2,5
о 20 f./.O 60 80 100Uкs,B
Зависимость ем1сости коллс1стор­
ноrо перехода от напряжения
коллектор-база.
1
1
11
20
КТ605А 1 КТ605Б
ХТ605АМ, НТВО5БМ
~ f=2МГц
..........
'-r-__
30
--
10
о123f./.5u36,B
Зависимость емкости эмиттер­
ного перехода от напряжения
эмиттер-база.
2Т608А, 2Т608Б, КТ608А, КТ608Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-nланарные п-р-п переклю­
чательные.
Предназначены для быстродействующих импульсных и высоко-
частотных схем.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора пе более 2 r.
Коштектор
Электрические параметры
Статический коJффициент передачи тока в схеме с общим
эмиттером при ИкБ = 5 В, lэ = 2~0 мА:
2Т608А:
при Т=298 К
при Т=213 К
приГ=398К
.25-80
.10- 80
.25
-
120
233


2Т608Б:
при Т=298 К
при Т=213 К
при Т=398 К
КТ608А:
при Т=298 К
при Т=228 К
приТ=358К
КТ608Б:
при Т=298 К
при Т=228 К
при Т=358 К
.50 - 160
.20 - 160
.50 - 300
.20-80
•7-80
.20 - 200
.40 - !60
.15
-
160
.40 - 350
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
/Б=80мАнеболее....
приlк=400мА,
1в
типовое значение .
0,4* в
Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 400 мА, /Б =
=80мАнеболее.
2В
типовое значение .
1*В
Время рассасывания при /к = 150 мА, /Б = 15 мА:
2Т608А, 2Т608Б не более .
100 нс
типовое значение .
КТ608А, КТ608Б не более
45* нс
120 НС
Модуль коэффициента передачи тока при Икэ = 10 В, lк =
= 30мА,f=100МГцнеменее
2
4,5*
типовое значение . .
Емкость коллекторного перехода при Ик 6о = 10 В не бо-
лее
типовое значение . .
Емкость эмиттерного перехода
Обраrnый ток коллектора при
Обратный ток эмиттера при
при ИэБО = О не более
ИкБо=60 В не более
ИэБО=4 В не более
Предельные эксrтуатацио1~иые даииые
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
Rэ6 .;; 1 кОм:
2Т608А, 2Т608Б:
при Тп=2137373 К
приТп=398К.
приТп=423К.
КТ608А, КТ608Б:
при Тп=228 -;-343 К
приТп=393 К .
Импульсное напряжение коллектор-эмиттер
RэБ~1кОм,<и~10мкс,Q;,,2;
при Тп=2137373 К
при Тп=398 К
приТп=423К.
234
при
при
15 пФ
.
8* пФ
.
50 пФ
.10 мкА
.10 мкА
60в
45в
30в
60в
30в
80в
65в
30в


~
1
КТ608А, КТ608Б:
приТп=228+343К.....
приТп=393К.......
Постоянное напряжение ко.'Iлектор-база:
2Т608А, 2Т608Б:
при Тп=213+373 К
приТп=398К.
приТп=423К.
КТ608А, КТ608Б:
приТп=228+343К
приТп=393К.
.
Импульсное напряжение коллектор-база при 'и .;; 10 мкс,
Q:;. 2:
2Т608А, 2Тб08Б:
при Тп=213-;-373 К
при Тп=398 К
приTII=423К.
КТ608А, КТ608Б:
приТп=393К.
приТ=228+393К.
Импульсное напряжение эмиттер-база при 'и .;; 10 мкс,
Q;.2 2Т608А, 2Т608Б при Т=213+423 К; КТ608А,
КТ608БприТ=228-'-393К.........
Постоянный ток коллектора 2Т608А, 2Т608Б при Т =
= 213 -'- 398 К; КТ608А, КТ608Б при Т= 228 +393 К
Импульсный ток коллектора при <и .;; 10 мкс, Q:;. 2
2Т608А, 2Тб08Б прп Т = 213 -' - 3 98 К; КТ608А, КТ608Б
приТ=228+393К............
Импульсный обратный ток эмиттера при ти.;; 10 мкс,
Q~2 2Т608А, 2Тб08Б при Т= 233 -'- 423 К; КТ608А,
КТ608БприТ=233+393К..........
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 2Тб08А,
2Тб08Б:
при Т=213-;-323 К
при Т=398 К .
КТ608А, КТ608Б:
приТ=228 -'- 298 К
приТ=358К..
Тепловое сопротивление переход-окружающая среда
80в
40в
60в
45в
30в
60в
30в
80в
65в
40в
40в
80в
8в
400 мА
800 мА
2мА
0,5 Вт
0,12 Вт
0.5 Вт
0,12 Вт
200 К/Вт
Температура окружающей среды:
2Т608А, 2Тб08Б . . .
КТ608А, КТ608Б . . .
.
213-398к
.
228-358к
П р им е ч а 11 и е. Пайка выводов допускается на расстоянии не
менее 5 мм от корпуса транзисторов при температуре пайки не
более 533 К в течение 1О с. Допускается изп16 выводов на рас­
стоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора с радиусом изгиба
1,5- 2 мм. Значение допустимого электростатического потенциала
не более 1000 В.
235


1,2
~
;;; 1 1---+-+--7'"'--t-~"-----+--t---i
"
"'
~
о,вf---,.j<'"-'<if-:---1-:-----4--+--t--+---i
о, 6 ' ---' ---' --' ,-:,-' --' :-:--" --,,--' --J
100 200 300 1к ,мА
Зависимость напряжения насы­
щения база-эмиттер от тока кол­
.лектора.
Зависимость напряжения насы­
щения коллектор-эмиттер от то­
ка коллектора.
Зависимость емкости коллектор­
ного перехода от напряжения
коллектор-база.
0,8
2Т608А,
КТ608А, 2Т608Б
М608Б
0,6
./
,/
)./
v v lк/15= 5-10
",,.,..
о
100 200 300 lк, мА
2Т608А, 2Т608Б,
~~
КТБОВА, КТ608Б- -
16
1\
'\.
'\
12
...
'
......
-
в
Jf
2
6
10
1Jf Uк50,В
КТ616А, КТ616Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n пере­
ключательные.
Предназначены для работы в переJ(J]ючающих схемах.
Выпусr<аются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 0,6 г.
30
J.J
Ко1111ектор
.9миттер
236


rr1
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общю1
эмиттером при Икэ = 1 В, lэ = 0,5 А не менее:
КТбlбА.
КТ616Б.
40
25
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при fк = 0,5 А,
/5=0,05 Ане более
0,6 в
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 0,5 А,
!5=0,05Анеболее.
2в
Dремя расс;:~сывания при Iк = 0,15 А, /5 = 0,015 А не более:
КТбlбА.
I(ТбlбБ .
50 нс
15 нс
Емкость коллекторного перехода при ИкБо = 10 В не бо-
лее
Емкость Jмпт-:-ерноrо перехода при ИэБо = О не более .
Обратный ток ~юллектора при ИкБо = 10 В не более .
Обратный ток коллектор-эм1птер при Икэ = 20 В,
= 10кОмнеболее.
Обратный ток эмиттера ири Иэт;о = 4 В не более .
ПредеJ1ы1ые эксплуатационные дшшые
Постоянное юшряжение коллектор-эмиттер при
Т=233-о-353К,Rэт;=10кОм.
Посто:шпое напряжение коллектор-база прн Т =
= 233--'- 358 к .
Постоянное напряжение эмиттер-база при Т =
= 233--'- 358 к .
Постоfiнный ток коллектора при Т = 233 -- ' - 358 К
Импульсный ток коллектора при Т = 233 - ' - 3 5S К,
"tи=80НС,Q;,10 .
Постоянная рассеивае~1ая мошпость коллектора:
прпТ=233+298К.
при Т=353 К .
Тепловое сопротивление персход-о:<рух<ающая ср:;­
да.
15 пФ
50 пФ
15 мкА
15 мкА
15 мкА
20в
20в
4в
400 мА
бОG мА
0,3 Вт
0,25 JJт
260 К/Г:.r
423 к
Темпераrура перехода .
Темп-~ратура окружающей среды .
. Or233до358К
П р !I и с ч а н и е. Пайка вы;зо,1.1.оа допускается на расстояшш не
менее 5 мм от корпуса трзлзистсрп паяльпиком, нагретым до
температуры не более 533 К, в теч~нне не более 10 с. Изгиб
выводов допускается на расстояrши ве менее 5 мм от корпуса
транзи::тора с радиуст.1 закругления 1, 5- 3 мм. Запрещается кру­
чение выnода вокруг оси.
237


КТ617А
Транзистор кремниевьп1 эпитаксиально-планарный 11-р-11 переключа­
те.1ьный.
Предназначен для работы в переключающих схемах.
Выпускается в метал.1остек;1янном корпусе с гибки:-.ш выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не бо.1ее 0,84 r.
20
4,7
Ко11!1ектор
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим
эмиттеро:>.! при ИкБ = 2 В, /з = 0,4 А не менее .
30
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при lк = 150 мА.
/Б=15 мА не.более .
О.7 В
Модуль коэффициента передачи тока при ИкБ = 10 В.
/з=30 мА,f=100 МГц не менее
1,5
Постоянная времени цепи обратной связи при I = 5 МГц,
ИкБ=5В,lк=;;5мАнебо.1ее.
.120пс
Е'V!кость коллекторного перехода при ИкБо = 10 В не бо-
.rre e
Емкость эмиттерного перехода при ИзБо = О не более
Обратный ток коллектора при ИкБо = 30 В не более .
Обратный ток эмиттера при ИзБо = 4 В нс более .
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при
15 пФ
50 пФ
15 мкА
15 мкА
Т=233-i-358К,RзБ=10кОм.
20В
Постоянное напряжение ко.1лектор-база при Т =
=233-7-358к.
30в
Постоянное напряжение
= 233-7-358к
эмиттер-база при Т=
Постоянный ток кол:тектора при Т = 233 .; - 358 К
Импульсный ток кол,1ектора при Т = 233 .;- 358 К,
"Си=80 НС. Q:;> 10 .
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
приГ=233.;-298 К
при Т=358 К .
Тепловое сопротивление переход-окружающая сре­
да.
4в
400 'V!A
600 мА
0,5 Вт
0,3 Вт
215 К/Вт
423 к
Температура перехода .
Температура окружающей среды
.
От233до358К
238


П р и м е ч а н и е. Пайка 11ыводов допускается на расстоянии не
менее 5 мм от корпуса транзистора паяльником, нагретым до
температуры 533 К, в течение не более 10 с. Изгиб выводов
допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзис­
тора с радиусом закруr лени я 1,5 - 3 мм. Запрещается кручение
вывода вокруг оси.
КТ618А
Транзистор кремниевый планарный п-р-п переключательный вы­
соковольтный.
Предназначен для работы в переключающих схемах.
Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 2 r.
20
4-,7
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи ·тока в схеме с общим
эмиттеромприИкБ=40В,lэ=1мАнеменее.
Модуль коэффициента передачи тока при ИкБ = 40 В,
lэ=20мА,f=20МГцнеменее.
30
2
Емкость коллекторного перехода при ИкБо = 40 В не бо­
лее .
Емкость эмиттерноlо перехода при ИэБо =О не более .
Обратный ток коллектор-эмиттер при Икэ = 250 В, RэБ =
=1кОмнеболее
7пФ
50 пФ
Обратный ток эмиттера при ИэБо = 5 В не более .
Пределы1ые эксп.'lуатационные даm1ые
Постоянное напряжение кол.1ектор-эУ1итер при
Т=233+358К,RэБ=1кОм
Постоянное напряжение коллектор-база при Т =
= 233-;-358 к .
Постоянное напряжение Jмиттер-база при Т =
=233-7-358к.
Постоянный гок коллектора Т = 233 + 358 К .
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
приТ=323-7-298К.
при Т=358 К .
Тепловое сопротивление переход-окружающая сре­
да.
50 мкА
100 мкА
250 в
300 в
5в
0,1 А
0,5 Вт
0,325 Вт
200 К/Вт
239


423 к
Температура перехода .
Температура окружающей среды
. От233до358К
Пр им е чан и е. Пайка выводов допускается на расстоянии не
..,1снее 5 мм от корпуса транзистора паяльником, нагретым до
те"'1пературы 533 К, в течение пе более 10 с. Изгиб выводов допуска­
ется на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора с ра­
диусом закруг.1ения 1.5 - 3 М"'1. Запрещается кручение вывода вокруг
оси.
КТ630А, КТ630Б, КТ630В, КТ630Г, КТ630Е
Транзисторы кремниевые планарные п-р-п уси:нпельныс высоко­
частотные.
Предназначены д.1я усилительных и импульсных схем.
Выпускаются в мета-1лостеклянном корпусе с 1 ибкимн выводами.
Обозначение типа приводится ·на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 2 г.
~-
Электр11ческие пара:нетры
Статический козффrщиент передачи тока
:эмиттером при Икэ = 1О В, Iк = 150 мА·
в схеме с общим
при Т= 298 К.
КТ630А
КТб30Б.
КТ630В. КТб30Г
КТ630Д
КТ630Е.
при Т= 398 К:
КТ630А
КТ630Б.
при Т= 213 К:
КТ630А
КТ630Б.
Граничное напряжение при /э = 100 мА, 1 11 ~ 300 мкс,
Q ;;, 200 не менее:
КТ630А
КТ630Б
КТ6303
КТ630Г
КТ630Д, КТ630Е
Напряжение насыщения ко-1J1ектор-змиттер при fк =
150мА,lь=15мАнеболее.
240
. 40-120
.
80- 240
.
40- 120
.
80-240
.1 6 0-480
. 40 -240
. 80 -480
.
15- 120
.
30-240
90в
80в
100 в
60в
50в
0,3 в


Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 150 мА,
/Б=15мАнеболее.
1,1 В
Граничная частота коэффициента передачи тока в
схеме с общим эмиттером при Ик = 1О В,
Iк=60мАнеменее.
50 МГц
Емкость коллекторного перехода при ИкБо = 10 В
не более .
15 пФ
Емкость эмиттерного перехода при U350 = 0,5 В
пе более .
65 пФ
Входное сопротивление в схеме с общей базой в
режиме малого сигнала* при ИкБ = 10 В,
/3=5мА,f=270Гц·
5-8Ом
Входное сопротивление в схеме с общим эмит­
тером в режиме малого сигнала при Икэ = 1О В,
Iк=5мА,f=270Гц
200-1200 Ом
типовое значение
500* Ом
Время включения* при /к = 200 мА, / 6 = 40 мА,
1:11=10м;;с.
0,04-0,25 мкс
ти:поnпе :~наl!снпе
0,1 * мкс
Время rыключетш * Гiри lк = 200 мА, /6 = 40 мА,
Ти=10МКС•
ти1ювое значение .
0,08-0,5 мкс
0,25* мкс
Постоянное напряжение 1шллектор-эмиттер при
Iк=100мка,RэБ=3кОмнеменее:
КТ6ЗОА, КТ630Ь
КТ630В .
КТ630Г .
КТС'IД, КТ630Е
Постоянное напряжение база-эмиттер при /з = 100 мкА
не менее:
КТ630А, КТ630Б, КТ630В .
КТбЗОГ. КТ630Д, КТ630Е .
Обрап:ый ток коллектор-змиттер при RэБ = 3 кОм
КТ630А, КТ630В прп Икэ = 80 В; КТ630Г,
КТ630Д, КТ630Е прн Икэ = 40 В не более .
Обратный ток эмиттера при Иэr:;о = 5 В не более .
Предельные э;;:сплуата1щшшые данные
Постоянное Еапряжение коллектор-эмиттер прп R:JБ =
=3 кОм, 1=233+398 К:
KT63DA, КТ630Б
КТ6ЗОВ
КТ630Г
КТ630Г, I~ТбЗОЕ
Постоянное напряжение ко;шек гор-база пrи Т = 233 -; -
398 К:
КТ630А. КТ630Б .
КТ630В .
КТ630Г .
КТ630Д, КТ630Е .
120 в
150 в
100 в
60в
7в
5в
1 мкА
0,1 мкА
120 в
150 в
100 в
60в
120 в
150 в
100 в
60в
241


Постоянное напряжение эмиттер-база при Т = 233 7
398 К КТ630А, КТ630Б, КТ630В. КТбЗОГ. КТбЗОД. .
Постоянный ток коллектора при Т = 233 7 398 К КТбЗОА,
КТ630Б, КТ630В, КТ630Г, КТбЗОД, КТбЗОЕ .
Импульсный ток коллектора при Т = 233 7 398 К КТбЗОА,
КТбЗОБ, КТбЗОВ, КТ630Г, КТбЗОД, КТбЗОЕ
Постоянный ток базы при Т = 233 7 39~ К КТбЗОА,
КТбЗОБ, КТбЗОВ. КТ630Г, КТ630Д, КТбЗОЕ . . . .
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при Т = 233 -;- 298 К КТ630А, КТбЗОБ, КТбЗОВ,
КТбЗОГ, КТбЗОД, КТбЗОЕ .
при Т = 358 К КТ630А, КТ630Б, КТбЗОВ, КТ630Г,
КТбЗОД, КТ630Е .
Температура перехода .
Температура окружающей среды
7в
!А
2л
0,2А
0,8 81
0.2 Вт
39~ к
От 233 до
358 к
Пр им е чан и е. Пайка выводов допускается на расстоянии не
:v1енее 5 мм от корпуса транзистора при температуре нс бо~1ее
533 К в течение не более 3 с. Изгиб выводов допускается на
расстоянии f[e менее 5 мм от корпуса транзистора с радиусом
изгиба 1,5- 2 мм.
h21э
1'10
120
100
80
60
'10
20
f
1
KT6JOA
-........,....
... .... ... ~
.....
1"-...
Uкэ=108
... ...
г---....
О 100 200 JOO '100 500 600 Iк,мА
Зависимость статического ко-эф­
фициента передачи тока от тока
ко.1лектора.
Зависимость напряжения насы­
щения коллектор-эмиттер от то­
ка коллектора.
Зав11симость на11рю"ен11я насы­
щения база-эмиттер от тока кол­
лектора.
242
0,8
о,7
0,6
~ 0,5
~ О,'1
'!J.о3
~)
0,2
о, 1 .......
KT6JOA,
КТ6JОБ
1
Iк/15 =5
./v
/
v
v ......
О 100 200 300 '100 500 600 lк, мА
""
1,3
1,2
1,1
::J 0,9
"
~о,в
:::,
0,7
0,6
KT6JOA, КТ6JОБ
1
:
1
~
v
_.,,/
v ....
Iк/IБ =5
О,5
0 100 200 JOO '100 500 600 1к, мА


р-п-р
1ТМ305А, 1ТМ305Б, 1ТМ305В, 1Т305А,
1Т305Б, 1Т305В, ГТ305А, ГТ305Б, ГТ305В
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р усилитель­
ные высокочастотные маломощные.
Предназначены для работы в схемах усиления высокой частоты.
Транзисторы 1ТМ305А, 1ТМ305Б, 1ТМЗО5В выпускаются в ме­
таллостеклянном корпусе на керамической плате (вариант !), масса
транзистора не более 0,8 г; транзисторы IT305A, IТЗО5Б, IT305B,
ГТЗО5А, ГТ305Б, ГТ305В - в металлостеклянном корпусе с гибкими
выводами (вариант 2). Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
"'1
"'
~ .,;-
""
.,_
о
Е
-"'
...
<;
с;.-
с:5
>с:
Вариант 1
9,6
tTf1J05A, 1Тt1305б, fTJ058
Вариант 2
Точка. зми.тmерц,
•::
Ба.за. Зми.ттер
16
fTJ05A, fTJ05б, 1TJ05B, ГТJО5А, ГТ405б, ГТJО~В
. :t-
,, _~
-в.
243


Эле1>тричсскис параметры
Грапнчное н:шряженпс прп /э = 1О 'VIA
•
•
Напряжение насыщенип r;о-~лс;.:тор-л"нrттер при fк =
=!О
мА. fг, = 1 мА IТМ305Л. IТМ305Б. IТ305:\.
IТ305Б, ГТ305А, ПЗОSБ. . . .
.
.
.
.
.
.
.
Напряжение насыщения база-з:v1111 гер при lк = l О мА,
/ 6 = 1 мА 1ТМЗ05А. IТ!\-ВОSБ. IТ305А. IТЗ05Б.
ГТ305А, ГТ305Б . . . .
Статис<еский ко-эффициент передачи тока в cxc:-. 'iC с
общим эмиттеро'л при Uк 5 = 1 В. 1-э = 1О мА:
при Т= 298 К:
IТМ305А, IТ305А, ГТ305А .
IТМ305Б. IТ305Б, ГТ305Б .
при Т = 346 К (Т = 333 К ГТ305А. ГТ305Б):
1ТМ305А. 1Т305А, ГТЗО5А
1ТМ305Б, 1Т305Б, ГТ305Б
при Т= 213 К:
IТМ305А, IТ305А, ГТ305А
1ТМ305Б. 1Т305Б, ГТ305Б
Коэффиниент передачи тока в режиме ма,1ого спгна.1а
приИкБ=5В,13=5мА:
при Т = 298 К IТМ305В, IТ305В, 1!305В . . . .
при Т=346 К, 13=1 'VIA (Т=333 К ГТ305В)
IТМ305В, ITM305B, 1Т305В, ГТЗО5В .
.
.
.
.
.
при Т = 213 К l ТМ305В, IТЗО5В, 113058
Модуль коэффициента передачи тока при / = 10 МГ~:,
ИкБ=5В,/3=10мАне'V!енее:
IТМ305А,IТ305А,ГТ305А.........
IТМ305Б, 1Т305Б, ГТ305Б. 1ТЗО5В, ГТ305В,
ГТМ305В................
Постояшrая времени цепи обратной связи при/= 5 МГц,
приИкБ=5В,1-э=5мА:
JТМ305А, 1ТМЗО5Б, 1Т305А, IТ305Б. ГТ305А.
ГТ305Б.........
1ТМ305В. 1Т305В, ГТ305В .
Емкость ко,1лекторпоrо перехода при Ик 5 = 5 В.
/= 5 МГц:
1ТМ305А, IТМ305Б. IТЗ05А, пзоя:;. ГТ305А.
ГТЗО5Б .
ITM305B.....
1ТЗО5В. ГТЗ05В
Обратный ток ко.'!лектор-эмиттер при L'кэ = 15 В.
И5э = 0,5 В не более:
приТ=213КиТ=298К
приТ=346К...
Обратный ток эмиттера при ИБэ = 1,5 В (при
12в
0.5 в
0.7 в
25-80
60-1~0
20-270
40- 550
15-80
30-180
40-120
30-400
20-120
7
500 l!C
300 пс
7пФ
6пФ
5,5 пQ)
() \IKA
80 мкА
ИБэ = 0,5 В ITM305B, IТ305В, ГТЗО5В) не более.
:'·О чкА
244


у~
1:
1
t
'
Предельные эксплуатационные дшшые
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при
UБэ=0,5 В, Т=213-:-346 К (при Т=333 К
ГТ305А,ГТ305Б,ГТ305В)........
Постоянное напряжение коллектор-база (в схеме
с общей базой) при Т = 213 -:- 346 К (при
Т = 333К ГТ305А, ГТ305Б, ГТ305В)
.
.
.
.
Постоянное напряжение · эмиттер-база при Т =
= 213 -:- 346 К (при Т = 333 К ГТ305А- ГТ305В)
Постояннь\Й ток коллектора:
15в
15в
1,5 в
приТ=213 -:-308К
·
.
·
.
.
.
.
.
40 мА
при Т= 308 -:- 346 К (при Т= 333 К ГТ305А,
ГТ305Б,ГТ305В)...........5,2V358-тмА
Импульсный ток коллектора при 'tи <;; 10 мкс,
Рк.ср<;; Рк.макс• Т=213 -:- 346 К (при Т= 333 К
ГТ305А,ГТ305Б,ГТ305В)........
100 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при Т=213-:-298 К.........
75мВт
при Т= 298 -:- 346 К (при Т= 333 К ГТ305А,
ГТ305Б,ГТ305В)...........(358-7)/0,8мВт
Пр им е чан и е. Постоянное напряжение эмиттер-база транзисто-
ров 1ТМ305В, 1Т305В, ГТ305В равно 0,5 В.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В.
50
l/O ·1ТМ305, 1Т305,
ГТ305
~ 301-----1--+--+--+-т-1
>::
::.:
~го1----1----+--+--f----i
~
......
10 1-----\--\----o~-+---J
Зависимость обратного тока
коллектор-эмиттер от темпера­
туры.
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тем­
пературы.
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тока
эмиттера.
50f---+- -===t=:===+==--+-- -1
o.___--'-~-'-~..L___J~~
г93 303 313 323 333Т,К
hг1з
г5о
200t--+---17"+--+---*-+-,~
150 h"1- -::l;;;oo--t..-- +- --;
10017"!--::;j::~~\j---j
50
о го l/O 60 80!3,мА
245


1
-
r-+ -L 29~К
n-1 --..
1т~iо~~ '
' '1<
Т::::13ц6
1
К к:~
~
,_1Т305, ГТ305
""'........_
......
'
~
...........
--
ц6822 ц68 2 ц68 2 ЦR53,Ом
10
103
10~
Зависимость относительного пробивного напряжения коллектор-эмит­
тер от сопротивления база-эмиттер.
С9,пФ
го
111
\ 1TM:J05, 1Т305,
\ ГТ305
15
10
5
о
'-.......
r---. .
~
0,5 1 1,5 2 U35,8
Зависимость емкости эмиттер­
ного перехода от напряжения
эмиттер-база.
Jhz1эl Uк5 =5BJ f= 20МГц
n1---+---т<F==r""=""--1---;
10\--,.....+--+--+---i-~
8~-1--
61----..:--1---+--+--~
ц.____._ __с__ _._~_._,,.........,
2ц681019,мА
Зависимость модуля коэффици­
ента передачи тока от тока
эмиттера.
246
Ск,пФ
16
1ТМ305, 1Т305,
ГТ305
12 Н----t---+--+---i--;
8 !--+ -t-- -+ --+ --- -+ ---1
о
5 10 15 20Uкs,B
Зависимость емкости коллек­
торного перехода от напряже­
ния коллектор-база.
8
ц
Uкs=SB
I3 =5мд
о
10 15 20 25 30f,МГц
Зависимость модуля коэффиuи­
ента передачи тока от частоты.


r
11
'
1
1
1
1Т308А, 1Т308Б, 1Т308В, ГТ308А, ГТ308Б,
ГТ308В
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р универ­
сальные высокочастотные маломощные.
Предназначены для работы в автогенераторах, усилителях мощ­
ности, импульсных схемах.
Выпускаются в мета:1лостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 2,2 r.
з,z
~
...,
-=
~~1~
е. .....
'G-
е.
ба,за.
Электрические параметры
Граничное напряжение при /э = 1О мА, f = 50 Гц,
Q=1О7100неменее..........
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк =
= 50мА,/Б=3мАнеболее:
1Т308А,ГТ308А......
IТ308Б, IT308B, ГТ308Б, ГТ308В
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 50 мА,
/Б=1мАнеболее......
Статический коэффиниент передачи тока в схеме с общим
эмиттеромприИкБ= 1В, Iэ= 10 мА:
·
при Т= 298 К:
1Т308А, ГТ308А
1Т308Б, ГТ308Б
1Т308В, ГТ308В
при Т= 343 К:
1Т308А, ГТ308А,
IТ308Б, ГТ308Б
1Т308В, ГГ308Б
при Т=213 К не менее:
1Т308А, ГТ308А
1Т308Б, ГТ308Б
1Т308В, ГТ308В . . .
Модуль коэффициента передачи тока при f = 20 МГц,
ИкБ=5В,Iэ=5мАнеменее:
IТ308А, ГТ308А
IТ308Б, !Т308В, ГТ308Б, ГТ308В
15в
1,5 в
1,2 в
0,45 в
25-75
50-120
80- 150
25-225
50-360
80-450
15
30
45
4,5
6
247


Постоянная времени цепи обратной связи при f = 5 МГн,
ИкБ=5В,lэ=5мА
1Т308А, 1Т308Б, ГТ308Л, ГТ308Б .
1Т308В, ГТЗО8В . .
Ко-эффициент передачи тока в режиме малого сигнала
приИкБ=5В,Iэ=1мА,f=50-с-1000Гцнемепее:
1Т308Б, ГТЗО8Б
1Т308В. ГТ308В .
Ко·~ффициент щума при ИкБ=5 В, lэ=5 мА,f=
= 1.6 МГц !Т308В, ГТЗО8В нс более
Bpe'Vlя рассасывания при Ек = 10 В. lк = 50 мА не
60,1ее:
IТ308А. ГТ308А при /г; = 4 'VIA
.
IТЗОSБ, ГТ308Б при Ir; = 2 мА .
1Т308В. ГТ308В при / 6 = 1.25 мА
Емкость коллекторного перехода нри ИкБ = 5 В,
f=5МГцнебо.1ее.
Емкость эмиттерного перехода при U3r; = 1 В,/= 5 МГц
не более .
Обра гный ток кол.тектора не более:
приТ=298КиТ=213К:
при Ик6=15 В
приИкБ=5В.
приТ=343 К, ИкБ=10 В
Обратный ток эмиттера не более:
приU36=2В
приИэБ=3В"'
.
Предельные эксnлуат:щишшые данные
Постоянное напряжение коллекiор-база при Т = 21 З -с-
400 пс
500 пс
15
25
8дБ
8пФ
21 пФ
5 мкА
2 мкА
90 !vlKA
50 мкА
1000 мкА
318 к.
20в
И:v~пулы.:ное напряжение коллектор-база при т11 .;; 1 мкс,
UэБ=3В,Т=213-с-318К.
30В
Постоянное напряжение коллектор-эмилер при RБэ .;;
. ; ; 1 кОм, Т=213-с-318 К.
12В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при ИэБ =
= 3 В. Т=213-с-318 К
20В
Постоянное r:апряжение э'V!иттер-база при Т = 213 -с-
318к.
3в
Постоянный ток коллектора при Т = 213 -с- 343 К .
50 мА
Импульсный ток коллектора нри т11 .;; 5 мкс, Т = 213 -с-
318 К.
J20мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при
Т= 213 -с- 318 К.
150 мВт
Импульсная рассеиваемая мошность коллектора
т".;;5мкс, Т=213-с-318 К.
Температура перехода . .
Температура окружающей среды
248
при
360 мВт
358 к
От 213 до
343 к


r- Лрим"ани " 1. Лри Т ~ 318 7 343 К прощол•но шплу•<а­
щюнные данные уменьшаются через каждые 5 К: постоянное и
импульсное напряжения коллектор-база на 1 В, постощшое на­
пряжение коллектор-Jмиттер на 0,4 В, постоянное напряжение эмит­
тер-база на 0,2 В, импульсный ток , коллектора на 4 мА, им­
пульсная рассеиваемая мощность на 10 мВт. Постоянная рассеивае­
мая мощность коллектора, мВт, при Т = 318 7 343 В рассчиты­
вается по формуле
Рк. макс = (358 - Т)/0,25.
При эксплуатации транзистора следует учитывать возможность
его самовозбуждения.
2. Разрешается производить пайку выводов на расстоянии не менее
5 мм от корпуса путем погружения в расплавленный припой с
температурой 533 К на 10 с.
Изгиб выводов разрешается на расстоянии не менее 3 мм от
корпуса с радиусом изгиба не менее 1,5 мм.
-rl(,пc
500
о2ц6
'rи,ПС
500
огц6
Зона возможных г.оложений За-
2ЦОг--.--.---г--~--,
висимости постоянной времени
цепи обратной связи от напря­
жения коллектор-база.
Зона возможных положений за­
висимости постоянной времени
цепи обратной связи от тока
эмиттера.
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока и коэф­
фициента передачи тока в ре­
жиме малого сигнала от тока
эмиттера.
~
..r:::."'
120
1
о 30 60 90 12013,мА
249


"'";_ 0,6 t---+--+-++t---+~+-t-f"~d--'"*Ж+--+-H+I
~
- ;-, o,111----!--+--+++---+-+-~l--7"q....::::~~4-=::i::=1~:tl
~
0,2
o.___._-':---':-'-'--"---'-~..,...__.__~...u..-.J._.J.._~.u
2 ц68 2ц68 21168 2цR63,к0х
0,01
0,1
7
70
Зависимость относительного напряжения коллектор--эмиттер от сопро­
тивления база-эми пер.
'q:
1 Г----4--+.,,&--
"'::.:
.? , о, 1 Г---сl,_--+-
"'
"'
.......
~011'--1------!---+---+--j
~007~_.____.._ __ . _ _
_.__~
213 253 293 333 373 т,к
Зависимость обратного тока
кол.1ектора от температуры .
ГТ309А, ГТ309Б, ГТ309В, ГТ309Г, ГТ309Д,
ГТ309Е
Транзисторы германиевые диффузиошrо-сплавные р-п-р усилитель­
ные высокочастотные мало:v~ощные.
Предназначены для применения в схемах усиления высоко­
частотных сигналов.
Выпускаются в -.1еталлостеклянно:v~ корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа проводится на корпусе.
250
Масса транзистора не более 0.5 г.
18
Каллентор
бlLЗIL
Jми.ттвр
Z,4
=т-1
1


Электрические параметры
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
собщимэмиттеромпри Икэ=5 В, Iэ=5 мА не
менее:
ГТ309А, ГТ309Б
ГТ309В, ГТ309Г
ГТ309Д, ГТ309Е
Модуль коэффициента передачи тока при Икэ = 5 В,
Iэ=5мА,f=20МГцнеменее:
ГТ309А, ГТ309Б
ГТ309В, ГТ309Г . .
ГТ309Д, ГТ309Е . .
.
.
Постоянная времени цепи обратной связи при Икэ = 5 В,
lэ= 5мА,I=5МГцнеболее:
ГТ309А, ГТ309Б . .
ГТ309В, ГТ309Г, ГТ309Д, ГТ309Е .
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим
эмиттеромпри Икэ= 5В, /э=5 мА:
при Т= 293 К:
ГТ309А, ГТ309В, ГТ309Д .
ГТ309Б, ГТ309Г, ГТJО9Е .
при Т= 328 К:
ГТ309А, ГТ309В, ГТ309Д .
ГТ309Б, ГТ309Г, ГТ309Е .
при Т= 253 К:
ГТ309А, ГТ309В, ГТ309Д
ГТ309Б, ГТ309Г, ГТ309Е
Входное сопротивление в схеме с общей базой при
ИкБ=5В,/э=1мАнеболее.
Выходная проводимость в схеме с общей базой при
ИкБ=5В,/э=5мАнеболее.
Коэффипиент шума при Икэ=5 В, /э=1 мА, f=
= 1,6 МГц ГТ309Б, ГТ309Г не более .
Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 5 В,/= 5 МГц
не более.
Обратный ток коллектора при ИкБ = 5 В не более:
при Т=293 К
при Т=328 К ..
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБэ .;;
.;;10кОм.
Постоянный ток коллектора . . .
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Т=293 К .
при Т=328 К .
Температура перехода
120 МГц
80 МГц
40 МГц
6
4
2
500 пс
1000 пс
20-70
60-180
20-140
60-380
16-70
30-180
38 Ом
5 мкСм
6дБ
10 пФ
5 мкА
120 мкА
10в
10 мА
50 мВт
15 мВт
343 к
251


Общее тепловое сопротивление .
Температура окружающей среды в пределах
1 К/мВт
От 233 до
328 к
ГТ309
I6,мА
1,0l---+---l--t--f-----11-t-----I
~8Г----lг-----+--Т-+--t--~
~61---1---1--1---lf----{-j--------j
!
]hг1з
10
8
Б
2
о
о О, 1 0,2 0,3 О,'+ U86,B
Вхолные характеристики.
гтJоg
~
--
"
v<"
/ Uкз=58
f=20Mfi.
2
Зависимость модуля коэффющ­
ента передачи тока от тока
э:-,шттера.
hг1э
70
60
50
1+0
30
20
о
ГТJ~9
/
Uкз=5В~ /"
/
/
/
v
2
6
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тока
эмиттера.
С/()пФ
12
10
8
6
'+
2
1
\
'
"
1
о2
rт3о9
f=5МГц-,____
" ...............
6 8Uк5,8
Зависимость емкости коллек­
торного перехода от напряже­
ния коллектор-база.
П310А, ГТ310Б, ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д,
ГТ31ОЕ
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р усилитель­
ные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные ма­
ломощные.
Предназначены для работы в усилителях высокой частоты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на этикетке.
Масса транзистора не более О, 1 г.
2°52


20
Эмиттер 1""'-=---'---~
'--~-~
~'
тор
r;50,7
Электрические nарам:етры
lf;l,5
Коэффициент шума при .f = 1,6 МГц, ИкБ = 5 В,
13=1мАнеболее:
ГТЗlОА, ГТ310Б . .
3дБ
ГТ310В, ГТ310Г, ГТЗlОД, ГТ310Е .
4дБ
Коэффициент передачи тока в реЖИiV!е малого сигнала
приИкБ=5В,fэ=1мА,.f=50+!ОООГц:
ГТЗ 1ОА, ГТЗ 1ОВ, ГТЗ 1ОД .
ГТЗ!ОБ, ГТЗlОГ, ГТ310Е .
Модуль коэффициента передачи тока при ИкБ = 5 В,
Iэ=5мА,.f=20МГцнеменее:
ГТЗ!ОА, ГТЗlОБ
ГТ310В, ГТЗlОГ . .
ГТЗ!ОД, ГТ310Е . .
Постояннг.я времени цеrш обратной связи при Икь =
= 5В,Iэ=5мА,.f=5МГцнеболее:
ГТЗ10А, ГТ310Б, ГТ310В, ГТЗlОГ .
ГТ310д, ГТЗlОЕ . .
Входное сопротивленщ: в схеме с общей базой при
ИкБ=5В,Iэ=1мАнеболее....
Выходная проводимость в схеме с общей базой при
Икв=5В,Iэ=1мА,.f=50+1000Гцнебс~1ес.
Пределы1ые эксплуатацишшые дшшые
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Т = 233 +
328 К:
приRг,э=10кОм:.
при RБэ = 200 кОм
Постоянное напряжение коллектор-база при Т = 233 +
328к......
Постоянный ток коллектора при Т = 233 + 328 К .
Посто~:ш;ая рассеиr:аеfлая мощность
т=233-;.308к.
Тепловое сопроти:~ш:ние переход-среда
Температура перехода .
кол.:Jектора при
20-70
60-180
8
6
5
300 пс
500 пс
38 Ом
3 мкСм
10в
6в
12в
10 мА
20 мВт
2 К/мВт
348 к
Температура окружающей среды .
Or 233 до
328 к
Пр н меч ан и е. Максимально допустпмая постоянная рассеивае­
мая мощность коллектора, мВт, при Т = 308 + 328 К определяется
по формуле
Рк.макс = (348 - 7)/2.
253


1ТЗ20А, 1ТЗ20Б, 1ТЗ20В, ГГЗ20А, ГТЗ20Б,
ПЗ20В
Транзисторы германиевые диффузиошю-сплавные р-п-р перек.1юча­
те,1ьные высокочастотные ма:юмощные.
П редназна чсны для применения в схс..,,шх переключения и уси-
ления сигналов высокой частоты.
Выпускаются в метал.1остеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа пр11вод1пся на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 2.2 г.
КоJJлектар
Электрические параметры
Граничная частота при Uкз = 5 В, lэ = 10 мА
не менее:
ГТ320А ..
ГТ320Б ..
1Т320А, 1Т320Б, ГТ320А
1Т320В .
Постоянная времени цепи обратной связи при
ИкБ=5В,lэ=5мА,/=5МГцнеболее:
1Т320А. ГТ320А, 1Т320Б,
ГТ320Б,
1Т320В . .
ГТ320В ..
Время рассасывания при lк нас = 1О мА, ТБ.нис =
= 1мАнеболее:
1ТЗ20А. 1Т320Б, 1Т320В
ГТ320А .
ГТ320Б .
ГТ320В .
типовое значение 1Т320А,
1Т320В .
1Т320Б,
Статический коэффициент передачи тока в схеме
собщимэмиттеромприИкБ=1В,lэ=1ОмА:
254
при Т=293 К:
ГТ320А
ГТ320Б
ГТЗ20В
80 МГц
120 МГц
160 МГц
200 МГц
500 пс
600 пс
200 НС
400 нс
500 НС
600 нс
150* НС
20-80
50-120
80-250


при Т= 298 К:
1Т320А
1Т320Б ..
IT320B ..
при Т = 213 К !Т320А, 1Т320Б, IТ320В
40-100
70-160
100-250
От 0,6 до 1,2
значения при
Т=298К
при Т= 343 К не менее:
1Т320А
. 4 0-1,75 значения
приТ=298К
1Т320Б
IT320B
.
70-1,75 значения
приТ=298К
100-2 значения
приТ=298К
Граничное напряжение при
1ТЗ20А
lэ=10 мА не более:
!Т320Б....
1Т320В....
типовое значение *:
!Т320А
!Т320Б....
!Т320В....
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
lк=200мА,!5=20мАнеболее:
при
1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В . .
ГТ320А, ГТ320Б, П320В . .
типовое значение 1Т320А,
IT320B.........
1Т320Б,
Напряжение насыщения база-эмиттер
= 10мА,/Б=1мАнеболее:
1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В . . . . .
ГТ320А, ГТ320Б, ПЗ20В . . . .
при Iк=
типовое значение для 1Т320А, IТ320Б,
IT320B ...... .
Обратный ток коллектора не более:
!Т320А, IТ320Б, !Т320В при Т = 298 К,
ИкБ=20В...
·
·
·
ГТ320А, ГТ320Б, ГТ320В при Т = 293 К,
ИкБ=20 В...... .
ГТ320А, ГТ320Б, ГТ320В при Т = 293 К,
ИкБ=5 В ...... .
!Т320Л, !Т320Б, 1Т320В при Т = 343 К,
ИкБ=15В .
.
.
.. ..
Обратный ток эмиттера ИэБ = 2 В не более:
!Т320А, !Т320Б, !Т320В при Т = 298 К .
ГТ320А, ГТ320Б, ГТ320В при Т = 293 К .
Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 5 В
неболее....····
·
·
·
.
Емкость эмиттерного
нсболее....
перехода при ИэБ = 1 В
14в
12в
10в
15,5 в
13,5 в
11в
IB
2в
0,43* в
0,45 в
0,5 в
0,3* в
5 мкА
10 мкА
2 мкА
150 мкА
50 мкА
50 мкА
8пФ
25 пФ
255


Пределы1ые эксплуатационные даиные
Постоянное напряжение кол.>ектор-база:
приТ.;_31R К.
при Т=343 К .
Постоянное напряжение кол.1ектор-эмиттер
том эмиттере:
при Т.,;; 31R К .
при Т=343 К .
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
=О 1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В:
приТ=213..;.318К..
при Т=343 К .
Постоянное напряжение ко.1.1ектор-эмиттер
= 1кОм:
при Т.,;; 318 К:
1Т320А
ГТ320А, 1Т320Б
ГТ320Б
1Т320В
ГТ320В
при Т= 343 К:
1Т320А
1Т320Б
1Т320В
Постоянное напряжение Jмиттер-база:
при Т.,;;318 К .. .
приТ=343К...
при запер-
при R'ЭБ =
при RэБ =
Импульсное напрюкение коллектор-,1миттер при RэБ = О,
Ти.;_1мкс,Q:;,,10:
при Т.,;; 318 К .
при Т=343 К .
Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при занертом
эмиттере, ти.,;; 1 мкс, Q:;,, 10 1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В:
приТ=213 ..;.318К. .
приТ=343К.
Постоянный ток I<оллектора:
при Т.,;; 318 К:
1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В
ГТ320А, ГТ320Б, ГТ320В
при Т = 343 К 1ТЗ20А, 1Т320Б, 1Т320В
Импульсный ток коллектора при ти.,;; 5 мкс, Q:;,, 10:
приТ<;.318К.
при Т=343 К .
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Т = 218 ..; . 318 К для ГТ320А, П320Б,
ГТ320В ..
при Т = 213 ..; . 323 К для 1Т320А, 1Т320Б,
1Т320В
при Т=343 К .
256
20в
15в
20в
15в
15в
10в
14в
12в
11в
10в
9в
12в
10в
8в
3в
2,5 в
25в
20в
25в
20в
200 мА
150 мА
100 мА
300 мА
250 мА
200 мВт
200 мВт
100 мВт


lf!
i.
Импульсная рассеиваемая мошность (мгновенное значе­
ние) при •и<;;; 5 мкс, Q:;. 10:
1Вт
0,7 Вт
приТ<;;;318К......
при Т= 343 К .....
Общее тепловое сопротивление лля 1Т320А, 1Т320Б,
IТ320В ....
·
·
·
·
Температура перехода . . . .
Температура окружаюшей среды
!Т320А. !Т320Б. !Т320В
ГТ32СА. ГТ320Б, ГТ320В .
0)5
0,45
~ 0,4
~ о 351--..-i~-+---I----'--+--
<>) )
>с
:::, 0)3 1----+- -t-
o,25L---1----1--+----+--+------1
0,2 L--L-..i,.-_i=-~=-=7=-=:::-:',
213 233 253 273 293 313 т,к
Зависимое 1 ь напряжения насы­
щения кол,•сктор-эмиттер от
температуры.
1,2
1,0
1Т320А -1Т3208
ГТ320А -ГТ3208
~о, 8 k=+-+- --f--+-t ---- -j
~ О,61-----+--тl к= 200 мА -
~
l5 =20мА
:::, 0,41'~4::==!===!:=1=-l
I к = 10 мА,__--1---+----1
I5=1мА
0,2
OL-._l--:-:!L...--:-:':-=-:!:::-:-:~~
213 233 253 273 293 313 т,к
Зависимость напряжения насы­
щения база-эмиттер от темпе­
ратуры.
9 Полупроводниковые приборы
1,2
1,0
200 К/Вт
363 к
От 213 до
343 к
От 218 до
343 к
1Т320А-1Т3208
ГТ320А - ГТ320В
1
Q:) 0)8 r---t---t--+---+1 ---1-~
..,
,I5 =0,1Iк
g о 6 i-------t-- -+ --+- --i- .4 - -
c..; )
>с
:::, 0,4t--+--+--+-A--+--
0,21----t--+ --i---J- --.J -- ---I
О 50 100 150 200 250Iк,мА
Зависимость напряжения насы­
щения коллектор-эмиттер от то­
ка коллектора.
1,2
1,0
Qc:) 0,8
~ 0,бг---+-~~~--!---1-------1
с>)
~ 0,4
О 50 100 150 200 250Iк,мА
Зависимость напряжения насы­
щения база-эмиттер от тока
коллектора.
257


300
250
Ик5=1ОВ
Iк.нас = ЮмА
'150
'100
Ик 5 =20В
200 I 61 = 2 мА+---+--+------<
350
I к. нас= 200 мА---+----1
!51=4-ОмА f
~--+----!
(.)
"'
l52=1мА
152 =20мА
~ 1501----r--f----+-~,e:._-+----i
"
"-
.._, 1001---+--+--+---+---+---t
1Т32ОА- 1Т320В
50 П3ZОА-ГТ320В
О~~-~-~~-~~
213 233253273293313т,к
Зависимость времени рассасыва­
ння от те:-.шературы.
200
1Т320А-1Т320В
ГТ320А-ГТЗ208
150~-'-~'----'---'~--'----'
213 233 253 27J 293 316 т)к
Зависимость времени рассасыва­
ния от температуры.
1Т321А, 1Т321Б, 1Т321В, 1Т321Г, 1Т321Д,
1Т321Е, ГТ321А, ГТ321Б, ГТ321В, ГТ321Г,
ГТ321Д, ГТ321Е
Транзисторы германиевые конверсионные р-п-р переключатель-
ные высокочастотные мало:-.ющные.
Предназначены для применения в схемах переключения.
Выпускаются в металлос гек~•янном корпусе с r ибки'V!и выво­
дами. Обозначение ~пта приводится на боковой поверхности кор­
пуса.
Масса транзистора не более 2,2 г.
32
8
tr
"'
......
""
......
.. ; - с:::::::::1
в. е- c::::J
ба.за,
Электрические параметры
Г рапичпая частота при ИкБ = 1О В, /э = 15 мА
неменее...............
Постоянная времени цепи обратной связи при
ИкБ=10В,/э=15мА,I=5МГцнеболее:
!Т321 А, IТ321 Б, !Т321В, IТ321 Г, 1Т321 Д,
!Т321Е........
.
.
.
.
ГТ321А, ГТЗ21Б, ГТ321В, ГТ321Г, ГТ321Д,
ГТ321Е........
.
·
·
·
258
Jми,т:пер
К аллен тор
60 МГц
400 пс
600 пс


г::'"'"'""'"' "Р"lк."~~700млноfioл~,
·
1Т321А, ГТ321А, П321Г, ГТ321Г при
/Бнас=70 мА •
.
•
.
•
•
•
•
•
•
П321Б, ГТ321Б, П321Д, ГТ321Д при
/Б.нас=35мА...........
1Т321В, ГТ321В, П321Е, ГТ321Е при
/Б.нас = 17,5 мА ..... · .....
С1атический коэффициент передачи тока в схеме
с общим эмиттером при Икэ = 3 В, /к = 500 мА:
приТ=293К:
ГТ321А, ГТ321Г.
ГТ321Б, ГТ321Д.
ГТ321В. ГТ321Е .
при Т= 29R К:
П321А, П321Г •
1Т321Б, П321Д .
П32lВ, 1Т32IЕ .
при Т = 213 К П321А, П321 Б, 1Т321В,
1Т321Г, П321Д, 1Т321Е .
при Т= 343 К 1T32lА,
1Т321Г. П321Д, 1Т321Е .
1Т321 Б, 1Т321В,
Граничное напряжение при
/э = 700 мА не менее:
Т= 298-; - 343
П32 l А, 1Т321 Б, 1Т321В
IТ321Г, 1Т321Д. IТ321Е
Напряжение насыщения кол~•ектор-эмиттер
/к = 700 мА не более:
1Т321Л, ГТ321А, 1Т321Г, ГТ321Г
/6=140мА
IТ321Б, ГТ321Б, 1Т321Д, ГТ321Д
/Б=70 мА
IТ321В, ГТ321В, 1ТЗ21Е, ГТ321Е
/Б=35 мА
Напряжение насыщения база-эмиттер при
= 700 мА не более:
1Т321А, ГТ321Л, IТ321Г, ГТ321Г
/6=140мА....···.·...
IТ321Б, ГТ321Б, 1Т321Д, ГТ321Д
/6=70мА....·.···...
IТ321В, ГТ321В, 1Т321Е, ГТ321Е
/6=35мА...·····
Обратный ток коллектора не более:
К,
при
при
при
при
Iк=
при
при
при
при Т= 293 К:
ГТ321А, ГТ321Б, ГТ321В при ИкБ =
= 60 в .......... .
9*
мкс
мкс
мкс
20-60
40-120
80-200
20-60
40-120
80-200
От0,5до2
значений при
Т=298К
От0,4до2
значений при
Т=298К
45в
35в
2,5 в
2,5 в
2,5 в
1,3 в
1,3 в
1,3 в
500 мкА
259


ГТ321Г, ГТ321Д, ГТ321Е при Ик 6 =
=45в.
500 мкА
при Т= 298 К:
1Т321А, 1Т321Б, 1Т321В при ИКБ =
=
60в
500 мкА
1Т321Г, 1Т321Д, 1Т321Е при Ик 6 =
=45в
500 мкА
1Т321А, 1Т321Б, 1Т321В, 1Т321Г, 1Т321Д,
1Т321Е при ИкБ=30 В .
.
.
.
.
100 мкА
при Т=343 К, Ик6=30 В 1Т321А,
1Т321Б, 1Т321В, 1Т321Г.
1Т321Д,
1Т321Е.........
.
.
.
.
Обратный ток коллектор-эмиттер при RБэ = 100 Ом
не более:
1Т321А, ГТ321А, 1Т321Б. ГТ321Б. 1Т321В,
ГТ321В,приИкэ=50В.......
1Т321Г, ГТ321Г, 1Т321Д, ГТ321Д, 1Т321Е,
ГТ321Епри·Икэ=40В......
Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 1О В
неболее........
.
.
.
.
Емкость эмиттерного нерехода при ИэБ = 0,5 в
нс более:
1Т321А, 1Т321Б. 1Т321В, 1Т321Г, 1Т321Д.
1Т321Е
ГТ321А, ГТ321Б, ГТ321В, ГТ321Г, ГТ321Д,
ГТ321Е .
Постоянное
318 К:
Предельные эксплуата111юиные данные
напряжение коллектор-база: при Т= 213 ~-
1Т321А. 1Т321Б, 1Т321В .
1Т321Г, 1Т321Д, 1Т321Е
при Т= 343 k для 1Т321А,
1Т321Д, 1Т321Е .....
1Т321Б, IT321B, 1Т321Г.
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Т = 213 -: -
293К,R5э<100Ом:
IТ321А, 1Т321Б, 1Т321В . . ....
1Т321Г, 1Т321Д, 1Т321Е • ... ..
Постоянное напряжение коллеКJоор-эмиттер при о гклю­
ченной ба:Jе:
1.2 мА
0.8 мА
0,8 мА
80 пФ
550
600
пФ
пФ
60в
45в
30в
50в
40в
ГТ321А, ГТ321Б, ГТ321В . . .
40В
ГТ321Г, ГТ321Д, ГТ321Е . . .
30В
Постоянное напряжение э!'v!иттер-база:
1Т321А. 1Т321 Б, 1Т321В . . . .
4В
IТ321Г, 1Т321Д, IТ321Е . . .
2.5 В
Импульсное напряжение коллектор-база при 1и < 30 мкс:
1Т321А, IТ321Б, 1Т321В . . . . .
60В
1Т321Г, 1Т321Д, 1Т321Е . . . . .
45В
Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при R 6 э <
<100Ом,1и<30мкс:
260


r1
1Т321А, IТ321Б, IТ321В .
1Т321Г, !Т321Д, IТ321Е
Постоянный ток коллектора .
Постоянный ток базы . . .
Импульсный ток коллектора при т11 .;;; 30 мкс:
приТ,;;;318К.....
приТ=333К.....
при Т= 343 К IT321A, !Т321Б, IТ321В, IТ321Г,
!Т32!Д. !Т321Е . . . .
•
.
.
Импульсный ток базы при т" .;;; 30 мкс
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Т,;;; 318 К ....
приТ=333К....
при Т= 343 К !Т321А, IТ321Б,
!Т321Д,IТ321Е.......
!Т321В, !Т321Г,
Импульсная рассеиваемая мощность при t 11 ,;;; 30 мкс:
приТ.;;;318К....
приТ=333К....
при Т= 343 К !Т321А, !Т321Б, !Т32!В, 1Т321Г,
!Т32!Д,IТ321Е.....
Общее те11.1овое сопро1ивление* IT321A, IТ321Б,
!Т321В. !Т321Г, !Т32lД, IТ321Е . . . .....
Температура перехода:
ГТ321А. ГТ321Б. ГТ321В,
ГТ321Е
!Т321А, 1Т321Б. !Т321В,
!Т321Е
Температура окружающей среды:
!Т321А, 1Т321Б, IТ32!В,
IТ321Е
ГТ321А, ГТ321Б, ГТ321В,
ГТ321Е
ГТ321Г.
IТ321Г.
!Т321Г,
ГТ321Г,
1,1+
1,3
ГТ32!Д,
IТ32!Д,
!Т321Д,
ГТ321Д,
50в
40в
200 мА
30 мА
2А
1,64 А
1.4 А
0,5 А
160 мВт
100 мВт
60 мВт
20 Вг
15,2 Вт
12 Вт
250 К/Вт
353 к
358* к
От 213 до
343 к
Or 218 ло
333 к
1б о l-lh7%-'h'?~
120h.ЧА4'н
~ 1,2 t---+-~-+----i---1----1
80 /;:"
1+0
О О,25 0,5 0,75
Зона возможных положений за­
висимости статического коэффи­
циента передачи тока от тока
коллектора.
-""
~ 11t---+--+---"..._-+--1---1
.,., }
k 10}
~9t---+--+--+---+-->l.,...----I
~в....,_,,,...,,..__ =-'o-~"---l.~-L___),I
213 233 253 273 293 313 т,к
Зависимость относительного
статического коэффициента пе­
редачи тока в схеме с общим
эмиттером 01· температуры.
261


1,0
0,9
1Т321А -1Т321Е,
ГТ321А - Г,Т321Е
'
~ 0,7~;:1~;:j~~~;:t~;:j__~
"°
~ о, б w,....Aм--д<hww;..~;ч:;+------1
0,5 I к=О,7А
3,5
3,0
1Т321А -1Т321Е,
Г:Т321А - ГТ321Е
~ 2,5 t--i--t-----:~~~771c----I
g2,0F9 ', ,,, ., 1 7'7 '7 '7!77 ",.: ,f;'7"7"7/7 '77 '7+----I
"°
:::}
1,517'7W'4 '7WrnWm"h'A- - - - -I
1,0 ~~::::::+:-:--+-___j--+--J
оч.___._~....___.~_._~..___.
' 293303313 323 333 31./-3!,К
о,5'---+-- -' -- -' --' -- --'- --'
293 303 313 32 3 333 34-3 Т,К
Зона возможных по.1ожсний за­
висимосп1 на11ряжения насыще­
ния база-эмиттер от 1е:v111ера-
турьr.
~ 4-0 Г-l""'"r~F====l:::j--1
~ 3 о ~---..с---т--:
::;;
"""" 2о1----'1--+--+- -+ -- - -t -- -1
$
Зона воз:vюжных положений за­
в11симос rи напряжения насы­
щения кош1ек 1ор-з:'11 и·1 гер от
те:v~пературы.
60
1Т321Г-1Т321Е
501---+ --t --+ - --+ --t ---- --'
С1:) 4-0 1---+-~
"
"'
~30
""
:Е 20/--"oct'::=.'1--=f~~::;:::j---j
10 >----+~.+-
о 20 4-0 60 ВО 100Rз5,Ом О 20 4-0 60 ВО 100Rз5,Ом
Зависи:v~ость максимально до­
нустимого llОСТОЯННОГО напря­
жения ко;шектор-зм11ттер от
сонро гивления в цепи ба·Jа-
змиттср.
Зависичость макси:v1ально до­
нустимого пос 1оянного напря­
жения ко.1.1ектор-1м1птср 0·1
сопро 111влсю1я в цени 6аза-
з:1111ттер.
ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В
Тран3исторы 1ер:11аниевые диффузионно-сплавные р-11-р усили­
тельные с нормированны~1 козффиuиен 1ом шума высокочасто гные
маломощные.
Предназначены для работы в усилнте.1ях промежу rочно~1 и вы­
сокой частот.
Выпускаются в металлос геклянно:v1 корпусе с гибкими выво­
дами. Корпус транзистора электрически соединен с дополнитель­
ны:v~ (четвер1ъ1м) выводом и :v~ожет быть ис1юс~ь·юван в качестве
1крана. Выводы 1миттера, базы и ко:1J;е1поrа '"'ектрнчсски изо.1и­
рованы от корпуса транзистора.
Масса транзистора не более 0,6 г.
262


JO
Облужена na!J nail1<.g
6,8
_ ___, _"'
~-
Электрические параметры
Коэффициент шума при f = 1,6 МГц, ИкБ = 5
=1мАнеболее......
В, fэ=
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим
эмиттеромприИкэ= 5В, fк=1мА:
ГТ322А
ГТЗ22Б .
ГТ322В .
Модуль коэффициента передачи тока при f = 20 МГц,
Икь=5В,fэ=1мАнсменее:
ГТ322А, ГТ322Б . .
ГТЗ22В . .
Постоянная времени цепи обратной связи при f = 5 МГц,
ИкБ=5В,fэ=1мАнеболее:
ГТЗ22А
ГТ322Б .
ГТ322В .
Емкость коллекторного перехода при Ик6 = 5 В, f =
= 10 МГц не более:
гт322А, гтз22,,., .
ГТ322В .
Входное сопротивление
Икэ=5В,13=1
в схеме с общей базой при
мА,f=50-о-1000 Гц не бо-
4дБ
30- 100
50-120
20-120
4
2,5
50 пс
100 пс
200 ПС
1,8 пФ
2,5 пФ
лее
34 Ом
Выходная проводимое~ ь в схеме с общей базой при
Икэ=5В,/э= 1мЛ,f=50-о-1ОООГцнеболее. .
1 мкСм
Обра гный ток коллектора при ИкБ = 1О В не бо-
лее:
приТ=293К
приТ=328К
4 мкА
100 мкА
Предельные эксп:1уатационные данные
Постоянное на11ряжение коллектор-Jмиттер:
при Т=233 и 328 К, RБэ <;; 10 кОм:
ГТ322А, ГТЗ22В .
10В
ГТ322Б .
6В
приТ=293К,RБэ=10кОм..
15В
Постоянное напряжение коллектор-база при Т =
=233-0-328к.
.
.
.
.
25в
263


Постоянный ток кол;~ектора при Т = 233 -с- 328 К
Постоянная рассеиваемая мощность ко:шектора:
при Т=233-с-298 К .
10 мА
50 мВт
10 мВ1
0.7 К/:-.1Вт
при Т=328 К .
Тепловое сопротивление переход-среда
Температура перехода:
ГТ322А, ГТ322В . . . .
ГТ322Б
Температура окружающей среды
801----1'-+- --+ --+- --l- -i
70L---'----'---'----'--'
О2ц68Iк,мА
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тока
коллектора.
R 7021----+-Г_Т+J.2_2-+--+-------1
""
t\:J
11
......
'-
"'
.. .,
~~10- 1 1------.<f----+-~--+--+
""
......
10-2 <-----'- -' -- -' -- -'-- - --'
248 268 298 318 338 т,к
Зависимость относительного об­
ратного тока коллектора от
температуры.
335 к
332 к
01233до328к
h21э
501----+-~---'---l-----J
30
20н---+--+--+--+---------1
10. ____, _ _
_,_ _
_.__ __, _
_,
о2
6
Зависимость статического коэф­
финиевта передачи тока от тока
ко.1лектора.
10
.........
ГТ322
~8
~<о
,_~
6
11
.:t. ц
3
~2
:з
""'
Зависимость о гносительного ко­
эффициеrпа шума от часто 1ъ1.
ГТ338А, ГТ338Б, ГТ338В
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-11-р лавинные
маломощные.
Предназначены для применения в быстродейс1вующих импуль-
сных схемах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не более l ,2 г.
264


r 78 5 Корпус
Коf///ектор
Электрические нараметры
Напряжение лавинного пробоя ври Rн = 75 Ом, Сн =
= 40-: - 60 пФ./= 15 кГп нс менее:
ГТ338А
8В
ГТ338Б
13В
ГТ338В
5В
Время нарастания импульса при Rн = 75 Ом. Икэ = 20 В,
/=15 кГп не более .
.
.
Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 5 В./= 10 МГц
не более .
Обратный ток кол.1ектора при ИкБ = 20 В не бш1ее
Обратный ток коллек гор-эми1 тер при Ик 1 = 20 В, R63
=
=200Омнеболее•,•
1нс
2пФ
30 мкА
1мА
Предельнь1е эксплуатационные данные
Напряжение ко,ыектор-Jмиттер при R63 ,;:;; 200 Ом
Ток коллектора в лавинном режиме
20в
IA
Постоянная рассеиваемая мощность
Те:11пература перехода .
Тепловое сопротивление .
Температура окружающей среды
100 мВт
358 к
0,6 К/мВт
01 233ДО328К
КТ343А, КТ343Б, КТ343В
Транзисторы кремниевые 1питаксиально-п.1анарные р-п-р универ­
сальные высокочастотные маломощные.
Предназначены для работы в переключающих, импульсных и
усилительных схемах высокой и низкой частот. генераторах низкой
и высокой частот.
Вьшускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
"'
~
111~45° Jмu,mmep
""-
s.
s.
~
Ба.за.
---
---
;;- i
'L)J---Jг-11,1Z
~13,5 ~ ФZ,5 Колле1<.тор
265


э.~ектрическ~tе параметры
Напряже11ие насыщения коллектор-Э">!Иттср при /к = 1О ~1А.
lь= 1 мА не бо.1ее
0,3 В
Стати'fеский коJффиниент пере~Lа'IИ 1ока в cxe'>fe с общи\1
эмиттером 11ри l/ю; = 0.3 В. /') = 10 \1А нс менее:
КТ343А. КТ343В .
30
КТ343Б
50
Мо;1у:1ь коэффипиента псре;щч11 тока 11р11 /= 100 МГц,
Uк6=5 В. /3=10 мА нс \!Снес
3
Время рассасывания при /к = 1О \IA. Ir; = 1 мА не 60-
_1ее:
КТ343А. КТ343В .
КТ343Б
Емrшсть коллскторнш о 11ерехода прн UкБ = 5 В./= 1О МГ11
не бо:1ее .
Е\1кость ·Jми11ерного перехода при UБ'"J =О В. f = 10 МГ!!
нс бо,1сс .
10 IIC
20 нс
6пФ
8пФ
Обратный ток кол.1сктора нри Скь = 10 В КТЧЗА. КТ343Б
и при Uк6=7 В КТ343В нс 60.1се .
1 мкА
Обратный ток ко:шектор-Jмитгер при Rr;-, = 10 кО:-л. L'кэ =
Ик'"J.макс не более .
100 мкА
ПредеJJыtые Jксn.1уат:щ1юнные .с1анные
Пос 1оянвое напряжен не коллсктор-э,1иттср при
RБэ<;; 10 кОм. Т~233 -7- 358 К:
КТ343А. КТ343&.
17В
КТ343В
9В
Постоянное 11апряжснве э~1и1 ~ер-база IIpI! /.эr,о =
= 100м1'А. Т·~233-7-358К.
Постоянньпi ТО!( ко.1.1е1'тора 11рв Т = 233 -7 - 358 К
Импу.1ьс11ый ток кол.1ек1ора при '",,;.; 10 мкс.
Q?500.т=233-7-358к.
Постоя1111ая рассеиваемая мощвосп, ко.1.1сктора при
т=233-7-348к.
Температура нерехода .
Темпера тура окружсtющей среды
4в
50 мА
150 \!А
150 ~1Вт
423 к
От233до358К
Пр им е чан и я: 1. Максима.1ьно допустимая постоянная рассеи­
ваемая мощность ко.1лек IOpa. мВт. при Т = 348 -7- 358 К рассчи 1ы­
вается 1ю формуле
Рк. макс = (423 - Т) '0,5.
2. Допускается производ111ь пайку на расстоянии не менее
5 мм от кор11уса транзистора. Разрешае гся производи 1ь 11айку
путем погружения выводов не 60.1ее чем на 3 с в расплавленный
припой с температурой 533 К.
Минимальное расстояние
транзистора не менее 3 мм,
266
места изгиба вывода от
радиус изгиба нс менее
корнуса
1,5 ММ.


г Пr" "'"ю'"'"" ''"'""""'" " '""Р"'"°~ую """· ""'°'""''ю"
1
под 11апряжением. коллекторный вывод до"1жен присоединяться по-
следНИNI и отсоединяться 11epBЫNI. Не рекомендуется зкс11луатация
транзис юров с отк,1юченной qo постоянному току базой. Не реко­
мендуется Jксп.1уата1шя транзис горов при рабочих токах, соизмери­
мых с неуправ.1яемы\1И обратными токами во всем диапазоне
1е\1ператур.
КТ345А, КТ345Б, КТ345В
4,Z
Транзис1оры кремниевые
эпи 1акс1ЕL1ьно-11ланарные р-п-р
Z,5
ую1верса.1ы1ыс высокочастотные
ма.1омощные.
Предназначены для приме-
нения н перск.1ю<1ательных. им-
пу"1ьсных 11 уси.1ите"1ьных вы-
сокочастотных схемах_
Вьшускаю·1ся в ПJiастмаесо-
::1
1ибкими
о
вом корпусе с
вы во-
.,,
Обоз на чсние
"'-. .
дами.
типа при-
"'
<:
води гся на корпусе.
а._
"'
"'
"'
Масса тран·шстора не бо-
Е
<;;
<;;
Е
"'
лее 0.5 г.
::!
""
>::
""'
'Электрические параметры
Гра11ичная частота коэффициента пер ела чи тока в схеме
собщимэмиттером при Ик1=5 В. /э=10 мА нс
менее. .
Вре~1я рассасывания при /к = 100 мА, /Б = 1О мА не
более.
Статический ко·~ффициент переда'IИ тока в схеме с об-
щим эмигтером при Uк1 = 1 В. /э = 100 мА:
КТ345А
КТ345Б
КТ345В
Напряжение насыщения кол.1ектор-зми г 1ер при /к =
=100 мА, /6 =10 мА.
Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 100 мА,
/Б=10мА.
Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 5 В, f =
= 10 МГц не более
Емкость эмиттерно1 о перехода 11ри UэБ = О В, f =
= 10 МГц не более
Обратный ток коллектора при UкБ = 20 В не бо:rее
Обра r11ый ток эмиттера при ИэБ = 4 В не бо:~ее
::t--
,,._
1
1
1
, .__
1
1
~j11
1
1
1
11
11
о,;,
350 МГц
70 нс
20-60
50- 85
70-105
0,14- 0,3в
0,92-1,1в
15 пФ
30 пФ
1 мкА
1 мкА
267


. Преде.1ьные
эксплуатащюнные данные
Постоянное напряжение ко.1лсктор-ба3а и ко.1лек-
тор-Jмиттер
Постоянное напряжение змигтер-база . •
Постоянный ток коллектора .
Импульсный ток кол,1ектора .
Постоянная рассеиваемая мощность:
приТ<;;313К.
приТ=358К.
Импульсная рассеиваемая мощность
Температура перехода .
Тенловое сопротивление нереход - окружающая сре­
ла.
20в
4в
200 мА
300 \1А
100 мВ1
59 мВт
300 мВт
423 к
1,1 К/мВт
Температура окружающей среды .
От233до358К
оо
оо
t1
/
1
lh~
"'--
"'{';
! ('j
"'
"
<;
<;
"'
""
~
Е
Е
:;
~
1
~
"""
"'
:;:.-
КТ350А
Транзистор кремниевый эпи­
таксиально-планарный р-11-р уни­
верса.1ы1ый высокочш:тотный ма­
ломощный.
Предна'Значен для нереключс­
ния и уси.1ения сигналов высокой
частоты.
Выпускается в п.1астмассовом
корнусе с гибкими вывола:vш.
На корпусе наносится условная
маркировка двумя точкамн серого
и розового цвета.
Масса транзистора не более
0,3 Г.
Э.1ектричес1.:ие параметры
Граничная частота ври Ик 6 = 5 В, 13 = 1О мА:
не менее .
100 МГц
280* МГц
пшовое значение .
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим
268
эмиттером при Ик6 = 1 В, 13 = 500 мА:
при Т=298 К .
типовое значение
при Т=233 К не менее
приТ=358К.
20- 200
70*
0.5 значе­
ния при
Т=298К
От 0,9 до
2 значений
ври Т=
=298к


1.
На11ряжение насыщения коллектор-эм1птер
=500:wА./6=50мАнебо.1ее.
п1 по вое зна ченис .
при
Напряжение насыщения база-эм11ттер 11ри fк = 500 мА.
/Б=50мАнсболее.
·1 иповое зна'1ение .
Обратный ток коллектора при ИкБ = 10 В не бо:~ее:
при Т=298 К .
приТ=355К.
Обрат11ый ток 1'1111 тера 11ри ИэБ = 4 В нс бо.1ее
Емкость коллекторного перехода при Uкli = 5 В нс бо-
лес
типовое з11ачение .
Емкость ЭМИ1 терно1 о перехода при и)Б =
лее
типовое значение .
Внебо-
Предельные эксnлуатацио1111ы~ данные
Постоянное на11ряжение кол:rектор-база .
Постоянное напряжение коллектор-:>ми 1 1ер при
RэБ,;:; 10 кОм
Постоянвое на11ряжение эми пер-база .
Импульсный ток коллектора при i:" ,;:;
мс.
Q;;, 10
ко.1.1ск1ора:
1в
0.19* в
1,25 в
0.92* в
1 ~1кА
15 мкА
10 1\IKA
70 пФ
12* 11Ф
100 пФ
68* пФ
20в
15в
sв
Постоянная рассеиваемая мощность
при Т=233-7-303 К
приТ=358К.
Общее тепловое сопро1 ивлсние
Температура перехода .
Температура окружающей среды
ЗCIJ мВ1
162.5 мВт
400 К/Вт
КТ351А, КТ351Б
Тr;.шзисторы кремниевые ·mи 1ак­
сиально-11ланарные р-11-р универсаль­
ные высоко,~астотные маломощные.
Предназначены д.1я 11ерск.1ючения
и усиления сигна.1ов вь!Сокой частоты.
Выпускаются в пластмассовом кор­
пусе с гибкими выводами.
На корпусе :\ается условная мар­
кировка двумя 1шстным11 ~·очками: на
КТ351А - желтой и ро·ювой. на
КТ351 Б - :1вумя желтьши.
Масса транзис гора не более 0.3 г.
42.\ к
Ог 233 JIO .158 К
i-
€ ..,
::.
. ;t-
~
--
G,5
-t
а,45
269


Электрические параметры
Граничная частота ври Uю; = 5 В, /J = 10 мА не ме­
нее
типовое зна'1ение .
Статический коэ1jнjшциент передачи тока в схеме с об­
щим эмиттером при UкБ = 1 В, 11 = 300 мА:
прн Т= 298 К:
КТ351А
типовое значение
КТ351Б
типовое эна'rенис
при Т=233 К ве менее
приТ=358К.
Напряжение насыщения ко~1лсктор-эмиттер прн /к =
= 400 мА:
КТ351А при /6 = 50 мА не бщее
типовое значение .
КТ351Б при /6 = 1О мА нс более
типовое з11<1'1ение.
Напряжение насыщения база-·~ми11ер при /к = 400 мА:
КТ351А при lr;.. = 5 0 мА нс более
типовое значение.
КТ351Б при /6 = 10 мА не бо.1ее .
типовое значение .
Обратный ток коллектора при ИкБ = 1О В не более:
вриТ=298К.
приТ=358К.
Обратный ток эми пера при UэБ = 4 В не более
Емкость кш1,1екторного перехода при ИкБ = 5 В ве
более.
типовое значение .
Емкость эмиттерного перехода при СJБ = 1 В нс бо­
лее
типовое значение .
Предельные эксплуатационные да1шые
Постоянное напряжение коллек юр-база .
Постоянное напряжение коллектор-эми пер
Rэr;,;:;; 10 кОм: .
Постоянное напряжение эми1 тер-база .
Импульсный 1ок ко~1лсктора при ти <
при
МС,
200 МГ11
430* МГц
20- 80
52*
50-200
70*
0,4 значе-
ния прп
т=298к
От 0,9 до
2 значеннй
при Т=
= 298к
0,6 в
0,35* в
0.9 в
0,46* в
1,2 в
0,9* в
1,1 в
0.89* в
1 мкА
15 мкА
10 мкА
20 нФ
9* пФ
30 пФ
20* пФ
20в
15в
5в
Q>10
400 мА
270


r Постоянная рассеиваемая \ющность ко,1.1екгора:
приТ=233 -;-303К.
приТ=358К.
Общее теп.1овое со11ротивление
Те:vrпература 11ерехола .
300 мВт
162,5 :vrBт
400 К/Вт
423 к
Те,,,111ера 1ура окр) жающей сред':"
От233до358К
КТ352А, КТ352Б
Тран·тсторы кре:vrние~61е этпак­
. сиально-п,1анарные
р-п-р /уннверса,1ь­
нь~е. ВЫСОКОЧаС-IОТНЫе \1<1.10'-'ЮШНЫе .
.hрещ1азначены
,:цЯ 11ереключения
11 )Т11.1ения ·сигна.19.в ·высокой частоты.
Выпускаются в п.1асплассовом
корпусе с гибки:-.111 выводами.
На корпусе дается ус.1овная мар­
кировка ,_1ву\1Я цве шыми ·1 очками: на
КТ352А - 1еле110Н
11
розовой, на
КТ352Б - зеленой и же.поii.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Э,1ек·1 рические параме 1·ры
Граничная частота 11ри Uкь = 5 В, /э = 10 мА· не
ме11ее
н111овое значение
Статическнй коэффиннент
е общим ·1:vrиттсром при
11ри Т=298 К:
КТ352А .
типовое значение.
КТ352Б .
1иповос ·3начение
передачи тока в схеме
ИкБ= 1 В, lэ=200 мА:
при Т= 233 К не менее
при Т=358 К
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к =
= 200 мА КТ352А при /Б = 20 мА, КТ352Б при
/Б=3мАнсболее.
типовое зна '1ение .
Напряжение насыщения база-эмиттер при lк = 200 :vrA
КТ352Апри/6=20мА,КТ352Бпрн/6=3мАне
более
типовое ·шачение .
4-,2
., .,
~
..,.
'
,_
~t::I
"'""
§
J;
0,4-S
200 МГц
450* МГц
25-120
65*
70-300
115*
0,3 значения
нриТ=298К
От0,9до2
значений при
Т=298К
0,6 в
0,37* в
1,1 в
0,81*в
271
'1


Обратный ток коллектора при Ик 6 = 1U В не бо­
лее:
приТ=298К.
приТ=358К.
Обратный ток эмит 1ера при Иэ6 = 4 В нс более .
Емкость кол"1екторно1·0 перехода при Ик 6 = 5 В не
более
типовое значение .
Емкость "JМИттерноrо перехода прп ИэБ = 1 В не
более
типовое значение .
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное юшряжение ко.1лектор-база .
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при
R'ЭБ .;; IU кОм .
Постоянное напряжение эмиттер-база .
Им11ульсный ·1 ок коллектора при т11 .;;
мс,
Q:;,. 10
коллектора:
1 мкА
IU мкЛ
10 мкА
15 пФ
9,5* пФ
30 нФ
20* пФ
20в
15в
5в
200 мА
Постоянная рассеиваемая мощность
при Т=233-о-303 К
приТ=358К.
Общее тепловое со11ротивлен11е
Температура перехода .
Температура окружающей среды
300 мВт
162,5 мВт
400 К/В г
423 к
От233до358К
КТ357А, ~КТ357Б, КТ357В, КТ357Г
Транзисторы кремниевые эш11аксиалыю-п.1:шарные р-п-р унивср-
сальные высокочастотные маломощные.
Предна·1на<1ены д.1я работы в схемах псреключення и усиления
высокой частоты.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с 1 ибкими выводамц.
Обозначение типа ·приводится на этикетке.
Масса транзистора не более 0,2 r.
Эниттер
База
<,,
....
с::>.<::> 1__~1_2~·~7~--i--*~·-*~
Ко1111ехтор
s
Электрические параметры
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = l О мА,
/Б=lмАнеболее.
Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 1О мА,
!Б=1мАнеболее.
272
0,3 в
!В


Статический коэффиниент 11ередачи тока в cxe'V!e с общим
эмиттером при ИкБ = 0,5 В, /к= 10 мА:
при Т= 298 К:
КТ357 А, КТ357В
КТ357Б, КТ357Г
приТ=358К:
КТ357 А, КТ357В
КТ357Б, КТ357Г
при Т= 233 К:
КТ357 А, КТ357В
КТ357Б, КТ357Г
Моду,1ь коэфф1111иента 11ередачи тока в схеме с общим
эмиттером при /= 100 МГц, Икэ = 5 В, /к= 10 мА
не менее,
Время рассасывания 11ри lк = 10 мА, lь = 1 мА не бо­
лее
Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 5 В, .f = 5 МГц
не более,
Емкое 1ь эмиттерного 11ерехода при ИБ-э = О В не бо­
лее
Обратный ток кол;1ектора при ИкБ = Икь '1акс не бо-
лее:
приТ=298КиТ=233К,
приТ=358К,
Обратный ток эми1 тера 11ри L'БЭ = 3,5 В не бо­
лее
Предельные эксплуатациоlшые данные
Пос 1оян11ые на11ряжения коллек гор-база, 'коллектор-Jмн 1-
терприТ=233+358К:
КТ357 А, КТ357Б ,
КТ357В, КТ357Г ,
Постоянное на11ряжение ба1а-эмит1ер при Т = 233 7
358 к.
Постоянный ток КОJ1лектора при Т = 233 + 358 К .
Им11ульсный ток ко:шектора при т11 <;; 1 мкс, Рк,ср.;;
<;;Рк,макс•Т=233+358К.
Постоянная рассеиваемая мощность ко,1лектора 11ри
т=233+323к.
Им11у.1ьс11ая рассеиваемая мощ1юсти ,КоJ1~1ектора при
20- 100
60- 300
20-250
60-750
8- 100
20- 300
3
150 llC
7пФ
10 11Ф
5 мкА
40 мкА
5 мкА
6в
20в
3,5 в
40 мА
80 мА
100 мВт
Т11~1.мкс, Ркер <;; Рк.'1акс• Т= 233 -7- 35'8 К .
200 мВт
-..:.) ?
П р им е чан и я: l. Максимально д~Нустимая 11остоянная рас-
сеиваемая мощность ко.1лектора, мВт, пр'и. Т = 323 -;- 358 К рас­
счн гьшается по формуле
Рк.мнкс=50+(358- 7)/О,7.
2. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм
от корпуса тран·шстора. Пайка 11роизводится при температуре
533 К в тсчеш~s: 10 с. Категорически запрещается кручение вы-
273


во,1ов вокруг осн. Не рекомен;1уется эксп.1уатаrшя тран·шсторов при
р<1бочих токах. со11зх1ср11х1ых с нсуправ.1яемыми обратными токими.
До11ускается трехкратный изгнб выводов ни рисстоянии не ме­
нее 3 мм от корН}С<l с ра.:111усох1 ·закруг.1ения не менее 1 мм.
hг1з
701---''---"-~--+~-'1<-~-+-----4
60
50
·~ 1)
11
"'
LQ
~u ~91---+---l--~1.-----11----J
~
КТ357В,
~ о 8 кт 357 [.-+--~->1----1
о:} )
1
"
цо l-L-t --t --""""H -t- ---1
~ 0,7 к Т357А,--+--+----!
~
КТ357Б
30 '---'----'-~-~-~
~ о, 6 ""'-=---'-:--~--,,--~-=--__._,~_,
О 10 20 30 ЦОIк,мА "" 102 703 10'+ 105 106R53,Dм
Зависнмос1 ь стат11ческо1 о коэф­
ф111111ен r а 11ередачи rока от тока
ко.1.1ек1 ора.
Зависихюсть максих~а.1ыю ,10-
пусти мо1 о шшряжения кол.1ек­
тор-эх11птер от сопротивления
база-э:vtнттер.
КТ361А, КТ361Б, КТ361В, КТ361Г, КТ361Д,
КТ361Е
а,в
/Змиттер бСLза
Колшктор
з
Тран·щсторы кремниевые
эrr итаксиально-планарпые р-п-р
усилительные высокочш:тотные.
Предна:значены д.1я работы
в ус11.1ите.1ях высокой частоты.
Выпускаются в плас 1массовом
корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится в
э гикетке.
Масса транзис1 ора не бо­
лее 0,3 г.
Электрические 11араметры
Стати•rеский ко:Jфф111111еш 11ередичи тока в схеме с общим
эмиггеромприИк6= 10В, /э= 1мА:
при Т= 29~ К:
КТЗбlА, КТЗбlД.
КТЗб 1Б, КТЗб 1Г. КТЗб 1Е
КТ361В .
лри Т= 373 К:
KTЗGIA, КТ361Д.
КТ361 Б. КТЗб 1Г, КТЗб 1Е
КТЗб!В .
при Т= 213 К:
КТ361А, КТ361Д.
274
20- 90
50- 350
40- 160
20-250
50- 500
20-300
10- 90


r
КТ361Б, КТ361Г, КТ361Е .
КТ361В .
15-350
10- 160
Моду.1ь ко·jффшшента передачи гока при f = 100 МГц,
Икэ=10В,IЭ=5мАнеменее.
Постоянная времени цепи обра гной связи при f = 5 МГц,
2,5
Ик6=10В,lэ=5мАнеболее:
КТ361А, КТ361Б. КТ361Г
KT36JB, КТ361Е ..
КТ361Д ..
Емкость коллекторного 11ерехода
= 10 МГц не более:
приИкБ=10В,(=
500 пс
1000 пс
250 пс
КТ361А, КТ361Б.
9пФ
КТЗ61В, КТ361Г, КТ361Д. КТ361Е
7пФ
Обратный ток коллектора при ИкБ = 10 в не бо-
.1ее:
приТ=298КиТ=213К
приТ=373К..
1 мкА
25 мкА
RБэ = 10 кОм,
Обратный ток кшшектор-эмиттер при
Uкэ = Икэ.макс не более .
.
.
.
1 мкА
Предельные э"сплуатационные данные
Постоянные напряжения коллектор-база, коллектор­
эмиттер при ,R6, = 1О кОм:
11ри Т= 213-о-308 К:
КТЗбlА
25В
КТ361Б
20В
КТЗбlВ, КТ361Д
40В
КТ361Г, КТ361Е
35В
при Т=373 К:
КТ361 А
20В
КТ361Б
15В
КТ361В, КТ361Д
35В
КТЗбlГ, КТ361Е
30В
Постоянное на11ряжсние база-'Jмиттер прн Т =
=213-о-373К..
4В
Постоянный 1ок KOJIЛCI<Topa при Т= 213 -о- 373 К
Постоянная рассеиваемая мощное~ ь ко.1лсктора:
приТ=213-о-308К
при Т=373 К .
50 мА
150 мВт
30 мВт
393 к
Температура 11ерехода
Температура окружающей срелы
От213до373К
Пр им е чан и е. Максимально допустимая по<;тоянная рассеи­
ваемая мощность коллектора, мВт. при Т = 308 +- 373 К опреде­
ляется по формуле
Рк.v~акс = (393 - Т) / 0,67.
Допускается производить пайку на расстоя11ии ве менее 2 мм
от корпуса транзистора. Допускается трехкратн~,tй изгиб выводов на
275


расстоянии не менее 2 мм от корпуса при радиусе и"Jгиба
1,5- 2 мм. Категорически ·щ11рещается кручение выводов вокруг оси.
Т=373К
Входные характеристики.
0,6
0,51-----+-~'---"-c-=--+------t
Cl:J
~ 0/11"'-----+--
с:!
"'
С') о 3t---l- - -- -+ --t- -- -:;t----j
:!{- ;
о, г f-----!-::7"'9-
~1.______i._
__.__
_._ _.. ____ ,
213 253 293 333 373Т,К
Зависимое 1ь напряжения IIасы­
щения коллектор-эмиттер от
температуры.
1000 г--т--г:::""'"'=r::-1
8001----+--+-t--+---+-~
. :: 6о о ,____,,~_,
~
~4001---+Ч--+---+---f-~·~
о
5 10 15 2013,мА
Зависимость граничной частоты
от тока эми пера.
276
КТ361Б, КТ361Г,
КТ361 Е t---+ ---4
20 '10 60 8013,мА
Зависимость статического коэф­
фипиента передачи токц от тока
э:vшттера.
'tн,ПС
180 КТ3618 _КТ361А,
КТ3Б1Е, КТ361 Б,
160
КТ361 Г;
КТ361Д
1/J о l""'ict-~C:::t:::::::f--4
120 f---+-'+"'---+- -+ -=1
Uк 5 =10В
100 ~~-~-~-....____,
оц812
Зависимость постоянной вре­
мени 11е11и о бра гной связи от
токц Jмиттера.
6ог--т--.---.----,.---,
50 КТ361В,
~ КТ3б1Д
~ '1 о t---+- - -i-"='';t--;- - - -j
:;
~30
:::,
Заnисимость ~1акс11-.,1а,1ыю до-
11устимого напряжсю1я коллек­
тор-эми~ гер от температуры.


2Т364А-2, 2Т364Б-2, 2Т364В-2,
КТ364А-2, КТ364Б-2, КТ364В-2
Транзисторы кре:v~ниевые эпитаксиально-планарные р-п-р переклю­
чательные высокочастотные маломощные.
Предназначены для примене-
ния в схемах переключения.
Бескорпусные, на кристалло­
держа геле, с гибкими выводами
и защитным покрьпие:v~. Выпус­
каются в индивидуальной сопро­
водительной таре. Обозначение
приводится на сопроволн гелыюй
таре.
~1~~
'IJJ~ ~~
Масса транзистора пе более
0,006 г.
Баз12 Коллектор 'Jмummt:p
Электрические параметры
Граничная часто га при ИкБ = 2 В, lз = 1О :viA нс ме-
нее .
.
·
типовое значение 2Т364А-2. 2Т364Б-2, 2ТЗ64В-2.
Постоянная времени цепи обратной связи при ИкБ = 2 В,
/3=5мА,/=5МГцнеболее.
типовое значение 2Т364А-2, 2Т364Б-2. 2ТЗ64В-2 .
Время рассасывания 11ри Iк.н•с = 100 мА, / 6 = 1О :viA не
бо.1ее:
2Т364А-2
2Т364Б-2.
КТ364А-2
2Т364В-2.
КТ364Б-2
КТ364В-2
Статический коэффицнен 1· пере,1а чи тока IJ схеме с об­
щим э:v~и1 тером 11ри Ию; = 1 В, /э = 100 мА:
при Т= 298 К:
2Т364А-2, КТ364А-2 .
2Т364Б-2, КТЗ64Б-2 .
2Т364В-2, КТЗМIЗ-2 .
Т = 213 К 2Т364А-2, 2Т364Б-2, 2Т364В-2 не
250 МГн
350* МГ11
500 пс
120* пс
100 нс
130 НС
150 IIC
160 нс
180 нс
230 нс
20- 70
40-120
80-240
при
более.
.От1до0,7
при
значения при Т = 298 К
Т= 233 К КТ364А-2, КТ364Б-2, КТ364В-2 ... Ог 1 до 0,7
приТ=358Кнеболее.
значения при Т = 298 К
.
. 2,5 значения
приТ=298К
fк=
Напряжение насыщения коллектор-·1миiтер при
=100мА,/6=10мАнеболее.
типовое значение 2Т364А-2, 2Т364Б-2, 2Т364В-2 .
Напряжение насыщения база-эмиттер при fк = 100
/Б=10мАнеболее.
мА,
0,3 в
0,15* в
1,1 в
277


Гl!Повое значение 2Т364Л-2. 2Т364Б-2. 2Т364В-2 .
0.9* В
Обратный ток ко.1.1ек1ора при Ик 6 = 25 В не 60-
.1ее:
приТ=298К.
приТ=358К.
О бра тныii ток эмнттерu 11р11 Uэ 6 = 5 В не бо:~ее:
приТ=29~К
.
.
11рнТ=358К..
1 мкА
10 мкА
1 мкА
10 мкА
Емкость ко.1.1екторного перехода при Ик 6 = 5 В не бо­
лее
15 пФ
7* пФ
тн по вое значение .
Емкос1ь ).\HIJ Iepнoro перехода при и,Б =о пе бо­
лее
30 пФ
14* пФ
типовое зна чсние .
Преде.1ьные эксп.1уатационные данные
Постоянное нu11ряже11ие коллектор-база . . .
Постоянное напряжение кош1е1< гор-эми·1 ·1ер при
25в
R%.;; 10 кОм
Пос гоянное напряжение эмиттер-база .
Постоянный ток ко:1;1ек1ора
20в
5в
200 мА
Импульсный ток коллекторu при т11 <;: 10 мкс.
Q:.; , 10
400 мА
Постояннuя рuссеивае\1uя ~ющность
при Т=298 К .
ко.1.1екторu:
30 мВт
12 мВт
3300 К/Вт
398 к
приТ=35~К
.
Общее теп.1овое сои.ротивлсние
Темперuтурu перехода . . .
Тсмперuтура окружuющей среды:
2Т364А-2. 2ТЗ64Б-2. 2Т364В-2
КТ364А-2. КТ364Б-2. КТ364В-2
От213до358К
От233до358К
Температурu окружающей среды при транспорти­
ровке в заводской упаковке КТ364А-2, КТ364Б-2,
КТ364В-2
От223до358К
hz1з
90f---+-~+-~-+--+---+
801---т-~----+--Г--t----i
70
60
501---
Зависимос1ъ сгатического коэф­
фициента передачи тока от тока
эмиттера.
278
80t---+--- -i>---+>oL-+- -+--- --J
701----+ --+ .< '- -l-4---l-- --J
BOt---+>"--f- --+ -- --- -1 - -+ - -- -- -1
50
40~-'-~-'---'~-'-~"---'
213 238 263 288 J13 338 т,к
Зависимое~ ь стuтнческого коэф­
фициента передuчи тока от тем­
пературы.


150
125
~ 100
~
'-'
g75
Q
:::, 50
25
2ТJбЧ-А1-2-
1
~2ТJбЧ.В-2,+-
v
КТJбЧ-А-2-
КТJВЧ.В-2
/
v J6 =10мА
v
/
--
180 2ТJбЦА-2-2ТJбЧ-В-2,
170 КТJбЧ-А-2-КТJбЧ-В-2
""'
1бо t-+ -1 ---J- -J,.c_+ -J
::!'
~150t----+--+-~L-_j___.l---J
:i:
~ 11/-0_t----+-'7'~­
:::,
12 o':-::-~::--::-'=-~,-.J-__J,__J
о 20 ч.о 60 80 100Iк,мА
213 238 263 288 J1J J38 т"к
Завнсимость напряження насы­
щения кол.1ектор-J:vнптеr ог то­
ка ко_1лектора.
1,00
О,95
Зависимость нанряжения насы­
щения коло1сктор-·1миттер от
~емпсратуры.
~10 2ТJ6Ч-А -2-2ТJб.Ч-В-2,
7,о 5 КТJВЧ-А-2-КТJбЧ-В-2
~ О,90'---+ -- -1- ---t--+ --=.t --- -i ""' 1,00 l---d -+- -+--+- -1- -1
'-'
<::!
"'
~
~
~ 0,95 t---t--+~d---1---+--J
о-;
:::, О,80 ,__ --+ --+--
~ 0,90t---+--+--t-----+'~+-----J
0/51----+ --+- -
О,85
0,70i__i__L--L-::'',,-:-:':--:::~ 0,80~~::--:-'---.......J...-J___J___J
О 20 Ч-0 ВО 80 100Iк,мА 21J 2J8 26J 288 J13 JJ8 Т,К
Зависимость напряжения ннсы­
щення Gа·ш-Jмнттср от тока
кол_1ектора.
Зависимость напряжения насы­
щения база-·1миттер 01 1емпера-
1уры.
КТ380А, КТ380Б, КТ380В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р уни­
версальные высокочасто1 ные маломощные.
Предназначены для работы в переключающих схемах, в схемах
усилителей высокой частоты 1·ерметизированной аппаратуры.
Бескорпусные, с гибкими выводами, с защитным покрытием.
Транзисторы помещаются в герметичную заводскую упаковку. Обозна­
чение гина и цоколевка приводятся в паспорте.
Масса транзистора не более 0,01 г.
279


1
Э.1ектрические 11араметры
Напряжение нась~щения коллектор-эмиттер при /к =
=1ОмА,/6=1мАнеболее.
Статический коэффициент передачи тока в схеме с
общим эмиттером при Икэ = 0,3 В, lэ = 1О мА:
при Т= 298 К:
КТ380А, КТ380В
КТ380Б
приТ=358К:
КТ380А, КТЗ80В
КТ380Б
при Т= 228 К:~
КТ380А. КТ380В
КТ380Б
Модуль коэффициента перелачи гока при /= 100 МГц,
Икъ=2В.13=5мАнеменее:..
Время рассасывания при Iк = 1О мА, / 6 = 1 мА не более:
КТЗ80А. КТ380В .
КТ380Б .
Емкость коллекторного перехода при Ик 6 = 5 В, /=
= 10 МГц нс более ....
Емкость эмиттерного перехода при Икэ =О В, /=
=1ОМГцнебо.1ее.
Обратный ток коллектора КТЗ80А, КТ380Б при UКБ =
= 10В;КТ380В11ри ИкБ=7Внсболее:
приТ=228КиТ=298К
при Т= 358 К ....
Обратный ток кол.1ектор-эмиттер при R 63 = 10 кОм
КТ380А, КТ380Б при Ию = 17 В· КТ380В при
Икэ=9Внеболее.
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при
RБЭ=10кОм,Т=228+358К:
КТ380А, КТ380Б .
280
0,3 в
30- 90
50- 150
30- 180
50- 300
15-90
25-150
3
10 НС
20 НС
6пФ
8пФ
1 мкА
10 мкА
100 мкА
17в


r1.
КТ380В .
Постоянное напряжение
= 228-;-358 к .
база-эмиттер
Постоянный ток коллектора:
при Т= 298 К.
приТ=358К.
при Т=
Им11ульсный ток ко.1лек 1ора 11ри 1: 11 ,;,; 100 мкс.
Q:;.5, т=228-;-358 к
Постоянная рассеиваемая мощное'! ь коллектора:
приТ=228 -;-298К.
приТ=358К.·
Импульсная рассеиваемая мощrюсть ко~1лектора прн
'",;,; 100 мкс, Q:;. 5, т = 228-;- 358 к
Температура перехода .
Тепловое сопротивлеш1с переход-среда
Температура окружающей среды .
9в
4в
10 мА
5мА
25 мА
15 мВт
5 мВт
50 мВт
373 к
3 К/мВт
От228до358К
Пр им е чан и я: 1. Максимально допустимая постоянная рас­
сеиваемая мощность кол.1ектора, мВт, при Т = 298 -;- 358 К 011реде­
.1яется по формуле
Ркмакс=(373- Т)/3.
Постоянный ток ко.1.1ектора при Т = 298 -;- 398 К изменяется
линейно от 1О до 5 мА.
2. МиН1!!V1альное расс1ояние от !Vtecтa пайки (сварки) до 1ащ111ного
накрытия ·1 ранзистора должно быть не менее 2,5 мм, при этом
нагрев криста;~.ш и защитного 11окрь11ня .·юпускае1ся ;ю температуры
не бо.1ее 373 К.
Допускается и·згиб выводов на расстоянии не менее 0,3 мм
от места выхода вывода из ·защнтного покрытия.
При вк.1ючении транзистора в uепь, нахо;1ящуюся ''°-" напря­
жением, базовый кон·1акт необходимо присоединять первым и
отсоединя·1 ь последним. Не рекомендуется эксш1уатация транзис·1оров
с отключенной базой по пос1оя111ю!V1у току.
Не рекомендуется работа 11ри 1оках, соизмеримых с неуправ­
ляемыми обратными токами во всем диапазоне гемператур.
Необхолимо принимать мер!..1 по защи 1·е транзис1оров от ста­
тического электричества.
KT38DA,KT3808
I5,мА
O,Ц!--~1--~!--,--+.--~j----j
0,31--~J--~t--j"--f--~j----j
Uкз=1,58
0,21----1~-+-+--f-t'~-+~~
o,11--~1--~1-1---1-1--~t----1
о L-_.l.-~.__...___..____,
0,2 о,ц 0,6 О,8 1U59,B
Входные характеристики.
0,15
0,1
О,05
о
КТ3801Б
1
т1
Uкз=О [uк9 =1,5В
1
)/
0,2 0,1/ 0,6 0,8 1U59,B
Входные характеристики.
281


КТJВОА-
0)8 КТ3808_....___,__,____,
~ 0,61-----!----!--l---1---1-----J
=>.
~ ~Цl-----~--!--+-l--~~----1
"'
.......
Зав11с11\10сть обратного тока
ко.1.1ектора от те\1пературы.
hг1з !3 =10мА
12 о 1----+--+--+----jГ---,i
100 l---+. --- J .-...,A=--+ --1
601---+-+..:--!=--+-~
ЦО'----'---'---'-----'--~
О 0,2 о,ц ~О,6 0,8 Uкз,В
Зависи\10Сть статнческого ко·эф­
фнпиента пере,1а чи 1ока от на­
пряжения коллек 1ор-эмиттер.
1
1
1
КТ 38ОА- КТ3808
-....._
1'
'\
hг1э
60
50
цо
30
20
оц81216I3,мА
Зависимость ст а 1ическо1 о коэф­
фиuиснта передачи тока 01 гока
эмиттера.
~<>
t:I
"'
<.;
~ ~151---~1----1-----+1----+---+
КТ380А -КТ3808
1
~1.___.___.__.___.__~
213 253 293 333 373Т,К
Завис11\1ость напряжения насы­
щения коллектор-эми пер от
темпера туры.
КТ38ОА- КТ3808
60
501-----+- -+- --+- --+- __ __ ,
ci; цоf-4.-.J--\----\,.J.-\--!-
=>.
~ 301---\-+--.\--~-'f"'+---l----I
t:I
::.
"' го 1----l.-'>.-+-"---""д---1----
о..."'
101----J --+-·-+---+ --
o.___... ____... _ ___, __,_ __.
10 2 10J 10'1 105 R53,Ом
10-5 10-4 10-J 10-г 10- 1 'l:и,с
Зависимость
относительного
максима.~hНО допустимого на­
пряже1шя коллектор-эмиттер от
сопротивления база-эмиттер.
282
Зависимость максимально до­
пустимой импульсной мощности
рассеивания коллектора от дли-
тельности импульса.


2Т388А-2, КТ388Б-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р универ­
са~1ьные высокочастотные маломощные. Предназначены для при­
менения в импульсных, переключающих и усилительных высоко­
частотных схемах герметизированной аппаратуры.
Бескор11усные, на кристаллодержателе, с гибкими вывалами, с
защитным покрытием. Транзисторы поставляются в со11роводите.1ь­
ной таре с во'Jможностью измерения их параметров без извлече­
ния из тары. Обозначение типа приводится на корпусе сопрово­
лительной тары. Масса транзистора не более 0.02 г.
1,9J
1, !f
<j>O 04-
!~иттер
~l<onneкmop
Электрические параметры
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
с общи"1 эмипером при Икэ=5 В, Iк=30 мА не
ме11ее
250 МГц
Пос гоянная времени
Икэ=10В,/3=30
чение. . .
непи обратной связи при
В, f = 30 МГп, типовое зна-
Время рассасывания при lк = ! 20 мА, /Б = 12 \'!А не
более
Время выключения при /к= 120 мА, /Б = 12 мА, ти-
повое значение
Время включения при /к = 120 мА, /Б = 12 мА, ти­
повое значение .
Статический коэффю1иент передачи тока в схеме с
общим эмиттером при Икэ = 1 В, lэ = 120 мА:
при Т=298 К
Пpll Т= 398 к
при Т= 213 К.
Граничное напряжение при /э = 10 мА
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер ври /к =
= 120мА,/6=12мАнеболее.
Напряжение насыщения база-эмиттер при lк = 120 мА,
16=12мАнеболее.
Емкость коллекторного перехода при Икь = 10 В,
f= 10 МГц не более.
60* нс
60 НС
75* нс
30* нс
25-100
25-200
10-100
50в
0,6 в
1,2 в
7пФ
283


Емкость эvшттерно1 о перехода при UэБ = 0,5 8,
!=10МГцнсболее.
Обратный ~ок ко.1.1ектора 11ри UкБ = 50 В не бо.-1ее:
при Т=298 К:
2Т388А-2 .
КТ388Б-2.
ври Т=398 К
Обратный ток коллектор-эмиттер 11р11 Uкэ = 50 В,
RБэ=1кОмнебо.1ее .
Обратный ток эмиттера 11ри Иэ 6 = 4,5 ве бо.1ее .
Предельные л..:силуатацнонныс даи11ые
Постоянное напряжение ко.1лектор-ба·1а .
Постоянное напряжен не ко.1лектор-э~1иттер
RБэ,;.; 1 кОм
Постоянное напряжение эми1 тер-база .
Пос1оянный ток коллектора
при
Постоянная рассеиваемая мощность при Rт_ 11 .к =
при Т,;_;353 К .
183 К;Вт:
приТ=398К.
Температура перехода
Темпера 1ура окружающей среды .
25 11Ф
2 мкА
1 мкА
10 мкА
2 мкА
2 ~1кА
50в
50в
4,5 в
250 мА
0,3 Br
0,055 Вт
408 к
От 213 до
398 к
Пр им е чан и е. Минимальное расстояние
ки) вывода до поверхности транзистора 2 мм.
от места пайки (свар-
При монтаже должны быть 11риня 1ы меры, исключающие изгиб
выводов на расстОl!нии менее 0,5 мм от места выхода вывода из
защитного покрытия, а также касание выводов и криста.1ла ~ран­
зистора. При монтаже не допускается воздействие температуры
более 473 К в течение 1О с.
·
В качестве покры1 ия ~ранзисторов применяется лак ПАИ·-!.
При мои 1аже не допускается ис110.1ьзование ма·1ериа.1ов, вступаю­
щих в химическое и электрохимическое в:шимолействие с ·защнтным
покрытием и э.1ементами конструкнии транзистора.
hg1э
60
50
Ч-0
JO
20
10
,
\\
'
2Т388А-2
КТ388Б-2 -
1
1
Uкз=1В
......
r-- ... ..
""'
О 50 100 150 200 25013,мА
Зависимость статического коэф­
фициента переда'rи тока от тока
эмиттера.
284
h 21Э
120
100
80
60
Ч-0
20
/
1
2TJ88A-2
КТ38ВБ-~
I3= 120мА/ /
v
/
О510152025Uк3,В
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от
напряжения коллектор-эмиттер.


1,2
1,0
ct:J о,в
~ О,б
:Е 04J
0,2
о
-.
1 ---, ---
2Т JВВА2,КТ388Б-2
/
~/
v v !..к=10 -
-
IIБ11
50 100 150 200 Iк,мА
Зависимость напряжения насы­
щения коллектор-эмиттер от
тока коллектора.
600
500
1/-00
~ 300
~
~200
.. ..~
100
;'"
11
2Т38ВА-2
КТ~ВВБ-2
Uкз =58
.... .......
.............
.........._
1,1
2Т388А2, КТ388Б-2
ct:J
~ 0,9 t---+ ---6 ,L --l --- -- -l. --- L-1
"'
,.,
~..,,
о,81--#-1----'
0,7 ::--=-::---:'-:-J.---'-....1....___J
О 50 100 150 200 2501;.:,мА
Зависимость напряжения насы­
щения ба·за-э:\1иттер от тока
коллектора.
600
500
Ч.00
~
1
1
1
2Т38ВА-2
КТ3885-2
1
~ 300
~
/
vn
1
"1к.=30мА
.,_r;:-200
100
о 50 100 150 200 250 Iк,111А о 10 20 30 Ч0 50 U.'<З,В
Зависимость граничной часто гы
от ·1ока кол_1ектора.
7
"
\
\ ....
'
г-г:-1
2Т388А-2, -
1
КТJВВБ-2
1
f =,юмгц
r-- .. ..
...._
r-.
Зав11-::и,1ос1 ь 1ранпчной частоты
от напряжения ко'1лектор-э:-1ит­
тер.
1чг-----"4<------+--~
12r----r--~i=-----1
2
101-----+ ----' -------l
1
в ~---'------'------'
О1020304050Uк5,В О
2 U35,В
Зависи\.!ость емкости коллек 1ор­
ного перехода от напряжения
коллектор-база.
Зависимость е;1,1кости эмиттер­
ного 11ерехода от напряжения
база-эvшттер.
285


2Т389А-2, КТ389Б-2
Транзисторы кремниевые эпнтаксиально-планарные р-п-р уни­
версальные высокочастотные маломощные. Предназначены для при­
менения в импу~1ьсных. переключательных и усилительных высоко­
частотных схемах герметизированной аппаратуры.
Бескор11усные, на кристаллодержателе. с гибкими выводами,
с защитным покрытием. Транзисторы поставляются в сопроводи­
те.1ьной таре с возможностью измерения их параметров без извле­
чения из тары. Обозначение типа приводится на корпусе тары­
спутника. Масса транзистора нс более 0,02 г.
1, 95
~
\эмиттер
Коппектор
База
Электри'lеск11е параметры
Граничное напряжение при /э = 1О мА не менее
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к =
=200мА,/6=20мАнеболее.
Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 200 мА,
/Б=20мАнеболее.
Статический коэффициент передачи тока в схеме с
общим эл1итт~ром при Ик 6 = 1 В, /э = 200 мА:
при Т=298 К
при Т= 398 К 2Т389А-2 .
при Т=213 К 2Т389А-2 ,
Модуль коэффициента переда'lи тока при Икэ = 5 В,
Iк=30мА,f=100МГцнсменее.
Время рассасывания при /к = 200 мА, 16 = 20 мА не
более
Время включения* при /к = 200 мА, / 6 = 20 мА
типовое значение
Время выключения* при Iк = 200 мА, 16 = 20 мА
типовое значение .
Постоянная времени цепи обратной связи при ИкБ = !О В,
/э=30мА,f=30МГц
типовое значение .
286
25в
0,6 в
1,2 в
25-100
25-200
10-100
4,5
25 нс
15-35 нс
25 IIC
10-60 нс
40 нс
60-180 нс
90 нс


E\1KOCTh
!=10
Е'lкость
!= 10
кол.1екторноr о
МГ11 не бо.1ее
перехода
эмиттерного 11ерехода
МГп не бо.1ее .
при Uкь=10 В,
при
В,
Обра1 ный ток коллектора при UкБ = 25 В не более:
11р11 т= 298 к
приТ=398 К.
приТ=213К.
Обра1ный ток ко.с1ектор-э\НПтер при Uкз = 25 В,
Rьэ= 1кО\1 не бо:1ее .
ОбрGтный ток 1:»1111 н:р<t 11р11 UзБ = 4,5 В не более .
Преде.1ьные э~.:еп.1уатацнон11ые ;1.аиные
Постоянное напряжеrше ко.1.1ектор-база .
Постоянное 1:1апряже11ис ко.1.1ектор-эмиттер
при
RБэ<1кОм.
Поl:тояннос на11ряжение эмиттер-база .
Постоянный ток ко.1.1ектора .
183 К/Вт:
10 11Ф
25 пФ
1 мкА
10 мкА
1 мкА
мкА
мкА
25в
25в
4.5 в
300 мА
Постоянная расссив<1е\1<1я мощность при Rг. 11 _к =
11риТ=353К.
приТ=39~К
.
Температура перехода
Температура окружающей среды
0,3 Вт
0,055 Вт
4011 к
От213до398К
Пр им е чан и е. Минимальное расстояние от места па1lки (свар­
ки) пыво.·:rа до rюверхности транзистора 2 мм. При монтаже
до.1жны быть приня 1ы :1.1еры. иск;1ючающне нз1 иб выво..(оВ на рас­
с1 оянии :1.1енее 0.5 :1.1\1 от места выхода вывода и"J защитного
покрытия. а также касание выводов и крис п1.1.1одержате.1я. Не до­
пускается при :vюн 1аже во3,1ейств11е температуры бо.1ее 4 73 К в
течение 10 с.
В качестве защитного покрытия транзисторов применяется лак
ПАИ-1. При :1.юн гаже не допускается ис1ныьзоnа11ие материалов,
встушtющнх n хп,шческое и э.1ек rрохнмическое в·шимодействия с
защитны:v1 1юкрыпtе\1 и э.1С\1ен1 а\ш коы:тру[([нш транзис [()ра.
hz1з
100
80
60
40
20
о
,
~
1
2TJ89A-2
1
1
Икз=18
~~
.........
' "r-.
~
..
Зависи:~..1ос гь CTЭTIIЧCCKOI о коэф­
фшше11т:.1 передачи тока от то­
ка эмиттера.
hz1з
12С
100
80
60
Ч-0
20
о
1
2TJ89A-2
1
1
1
Iз=200мА ./
~
/'
/
/
/
5 10 15 20 25Икэ,В
Зависимость статического коэф­
фнциенпt передачи тока от
напряжения кол.1ектор-эмиттер.
287


СХ)
1,2
7,0
0,8
~ 0,6
"
:, 0,4
::::, ""-
0,2
о
2 тза:~А-l
-
Iк
/
~
--=10
I5
v
/
v"'v
,,,.. . ..
Зависимость напряжения насы­
щения коллектор-эмиттер от то­
ка коллектора.
~
~ 500 f----+~~--+-+--+·-----4
Q,_
<+-~ Ч.00 '-'' -<- - --'
300
200.___J.._--l.--1---l..~.L-~
2Т38.9Б-2
СХ)
~ о' 9 1---+-А----1-----"'-­
п-;
:::::, "'
0,81 ----+--+ ---+ --f---+---I
Зависимость напряжения насы­
щения база-эмиттер от тока
коллектора.
700
600
500
2Т389А-2 1
ig Ч.00
<+-~ 300 1
1
- fl-
/
lк ~JОмА
200
100
1
о 50 100 150 200250lк,мА
О510152025Икз,В
Зависимость граничной частоты
от тока коллектора.
Ск,п'Р
12
10
в
6
ч
2
\
\
l
1
2TJ89A-2
"
f =10МГц
'1'....
~r--
О510152025Ик5,В
Зависимость емкости коллектор­
ного перехода от напряжения
коллектор-база.
288
Зависимость граничной частоты
от напряжения коллектор-эмит­
тер.
2Т389А-2
С3 ,п'Р
181--~-+----+-----1
161----'-<--~----J-----I
11/.t----i~,-----i---I
12 t---+--~=-----1
10 1----+- - --+ -- - --1
8 ~----.J'-----'----L
о
2 U35,В
Зависимость емкости эмиттер­
ного перехода от напряжения
эмиттер-база.


1
1
КТ3104А, КТ3104Б, КТ3104В, КТ3104Г,
КТ3104Д, КТ3104Е
Транзисторы кремниевые планарные р-п-р высокочастотные уси­
лительные маломощные с нормированным коэффициентом шума
на частоте 60 МГп.
Бескорпусные, с гибкими выводами, с защитным 11окрытие.м.
Обозначение типа приводится на таре.
Масса транзистора не более 0,005 1.
0,7
Jtшmmep
Ко1111ектор
08
Электрические параметры
Граничная частота при Икэ = 2 В, /э = 5 мА не
менее .
200 МГц
Статический коэффициент передачи тока в схеме с
общим эмиттером при Икэ = 1 В. /э = 2 мА:
КТ3!04А, КТЗ!04Г
КТ3104Б, КТ3!04Д
КТ3104В, КТ3104Е
15-90
50- 150
70-280
Постоянная времени цепи обратной связи при
Икэ=2В,/к=2мА,f=60МГцнеболее.
800 пс
Коэффициент шума при Икэ = 2 В, lэ = 1 мА,
f=60МГцнеболее.
8дБ
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к =
= 1ОмА,/Б=1мАнсболее.
1В
Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 5 В не
более.
25 пФ
Емкость эмиттерного перехода при ИэБ = 2 В не
более.
25 пФ
1О Полупроводниковые приборы
289


Обратный ток кол.1ектора при ИкБ = ИкБ. макс не
более.
мкА
Обратный ток
эмиттера
при
ИэБ=3.5 в не
бо.1ее.
мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение ко.1лектор-база и кол.1ектор­
эмиттер при Т = 308 К:
КТ3104А, КТ3104Б, КТ3104В .
КТ3104Г. КТ3104Д. КТ3104Е .
Постоянное напряжение эмиггер-база 11ри Т = 308 К.
Постоянный ток коллектора при Т = 308 К .
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 11ри
30в
15в
3,5 в
10 мА
Т=308К
15 мВт
373 к
От 213 до
373 к
Температура перехода . .
Температура окружающей среды
КТ.3107А, КТ3107Б, КТ3107В, КТ3107Г,
КТ3107Д, КТ3107Е, КТ3107Ж, КТ3107И,
КТ3107К, КТЗl 07Л
Транзисторы кремниевые зю•таксиально-планарные р-11-р высоко­
частотные усилите.1ьные с нормированным коэффипнентом шума
на частоте 1 кГц. ~.
Предназначены д.1я усиления. генерирования и переключения
сигналов низкой и высокой
4,Z
-
N
. ,.;-
1
Q..
"Е
"'-
Е
"'
::!
Е
:s::
>::
">
i
1
"'
::i'"
.. ...
"'<:;
t:I
<:;
,.,
о
t:I
i
"'
""
•~
--U2
часто г, являются комплсментарны"1и
транзисторами КТ3102А-3.
Выпускаются в пластмассовом
корпусе с гибкими выводами.
На корпусе наносится условная
маркировка двумя цветными точка­
ми: КТ3107А - голубая и розовая;
КТ3107Б - голубая
и
же,пая;
КТ3107В-голубая и синяя; КТ3107Г­
голубая и бежевая; КТЗ 107 Д - го­
.1убая и оранжевая; КТЗ 107Е - голубая
и цвета электрик; КТЗ 107Ж - голубая
и салатовая; КТЗ 107И
голубая
и зеленая; КТЗ 107К
голубая и
красная; КТ3107 Л - го.1убая и серая.
Масса транзистора не более 0.3 г.
Электрические параметры
Граничная частота при Ик6 = 5 В, /э = 10 мА не
менее.
200 МГц
290
l


гКо>IФ"""'"' шум• """ U" ~ 5 В, fк~ 0,2 мл.
1
1
( = 1кГн.Rг=2кОмнеболее:
КТ3107А, КТ3107Б, КТ3107В, КТ3107Г, КТ3107Д,
1
КТ3107И. КТ3107К ....
КТ3107Е. КТ3107Ж, КТ3107Л
Статический коэффиниент передачи
общим эм1итсром при ИкБ = 5:
тока в схеме с
! при /э=2 мА:
КТ3107А, КТ3107В ....
КТ3107Б. КТ3107Г, КТ3107Е.
КТЗ107д. КТ3107Ж, КТ3107И
КТ3107К. КТ3107Л ...
при /э=О,01 мА нс менее:
КТ3107А, КТЗ107В .
КТ3107Б. КТ3107Г, КТ3107Е
КТ3107Д, КТ3107Ж, КТ3107И
КТ3107К, КТ3107Л ..
при /э.= 100 мА не менее:
КТ3107А, КТ3107В . .
.
...
КТ3107Б. КТ3107Г. КТЗ107Д. КТ3107Е. КТ3107Ж,
КТ3107И...............
КТ3107К. КТ3107Л .......... .
Напряжение насыщения ко-ллектор-эмиттср нс более:
при/к=100мА./Б=5мА.....
при/к=10мА,/Б=0,5 мА •
.
.
.
.
Напряжение насыщения база-эмиттер не более:
при/к=100мА,lь=5мА......
при/к=10мА,/Б=0,5мА......
Обратный ток ко.1.1ектора при ИкБ = 10 В не
более........··.......
Обратный ток э-.,111ттсра при ИэБ = 5 В нс более .
Емкость ко.1лекторного 11срсхода при Ик 6 = 1О В не
·более.......········...
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база:
КТ3107А. КТЗ107Б. КТЗ107И ...
КТ3107В. КТ3107Г. КТ3107Д, КТ3107К
КТ3107Е. КТ3107Ж. КТЗ 107Л . . .
Постоянное напряжение коллск гор-эмиттер:
КТ3107А. КТЗ107Б. КТ3107И ....
КТ3107В, КТ3107Г, КТ3107Д. КТ3107К
КТ3107Е. КТЗ107Ж, КТ3107Л ..
Постоянное напряжение эмиттер-база . . .
Постоянный ток кол.1ектора . . .
Постоянный гок базы:
КТ3107А. КТЗ107Б. КТ3107В. КТ3107Г, КТ3107Д,
КТ3107Е, КТЗ107Ж, КТЗ107И
КТ3107К, КТ3107Л ............ .
10*
10 дБ
4дБ
. 70-140
120-220
180-460
380-800
20
30
40
100
30
50
90
0,5 в
0,2 в
IB
O,R В
0,1 мкА
0,1 мкА
7пФ
50в
30в
25в
45в
25в
20в
5в
100 ~1А
50 мА
5мА
291


Импульсный ток ко.1~1ектора пр11 т11 ,;; 1О мкс.
Q):~. .
200 ш\
Постоянная рассеиваемая '\Ющность ко:1.1ек1ор<1:
приТ=213-:-298К
300 :v1B1
60 мБ1
420 К/Вт
423 к
От 213 до
398 к
приТ=398К..
Общее тепловое сопротивление
Температура перехода . . .
Температура окружающей среды .
hg1э
150
125
100 1----+ -+ --- -+ ---1 --- --1
75 >----+~--
50 ~"'4---+----~-----<--1
25... __. __. ___. __. . __ ._ __.
213 24-3 273 303 333 363 т,к
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тем­
пернуры.
hz1з КТ3107Д,
500 КТ3107Ж,
Ч-00 КТ3107И
300
200
1001---+--+---r-+--:---1
o.__~-...J.--'--..,,..._--"c:=-'.
213 24-3 273 303 333 363Т,К
Зависимость статического коэф­
фициента пере;щчи тока от тем­
пернуры.
Зависимость коэффициента шу­
ма от тока коллектор<~.
Зависимость коэффициента шу­
ма от тока ко~1лсктора.
292
hz13
200
1751---+-+----+-+-+--+----1
15оl---+-f-7''-1---1--+---1
1251----+ --.+-1- -
10 0 !--.'Ч-·---1--+----+---1
75.__-'-----'-~--l.-..L___J
213 24-3 273 303 333 363 т,к
Зависимое гь статического коэф­
фициента передачи тока 0·1 тем­
пературы.
Кш,АБ
10
81------+ --l - --+ --- --I
61---·-...,_--;.-+----1--1
lfl-----'\d--t--~l'---+-+----1
21----С:>/Е=::~ +----1
0.___ --=.___ _. J .___
___ _,
0,01
0,1
Iк,мА
Кш,д.Б КТ3107А-КТ3107Д,
20 КТ3107И, КТ3107К-+--1
16
121-----f--,o''---,,L-+--~---I
8 l----F-!--> ""--- .of.-- --- --1
чl---2...Q=~
Uк5=5В
o.____..____
.J.___
___ _,
О,01
0,1
1 Iк,мА


г-
КТ3108А, КТ3108Б, КТ3108В
1
Транзисторы кремниевые эпитаксналъно-планарные р-п-р высо­
кочастотные с нормированным коэффиuиентом шума на частоте
100 МГu.
ПредназН<1'1ены для применения в логарифмических видеоуси-
лителях и линейных усилителях высокой частоты.
Выпускаются в мста;rлостсклянном корпусе с 1ибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора нс более 0.5 г.
Элек·rрическ~:е параметры
Граничная час·1ота в схеме с обш11м эмиттером
приИкъ=20В,fк=10мАпеменее:
КТ3108А, КТ3108Б
КТ3108В
· типовое
значение:
КТЗ 108А, КТ3108Б .
КТ3108В
Постоянная
Икъ= 10
более
времени uепи обратной
В, fк=10 мА. /=30
типовое значение .
связи прн
МГu нс
Коэффиuиент шума 11ри Икэ = 5 В, fк = 1 мА,
f=100МГu,Rг=50Омнсболее
типовое значение .
·Время рассасывания при /к= 10 мА, /Б = 1 мА,
КТЗ 108А, КТ3108Б нс бо.1ес
типовое значение .
Время задержки* при fк = 10 мА,
U36=0,5 В. Rк=275 Ом
КТ3108Б . . .
Время нарастания* при /к = 1О мА,
Иэъ= 0,5 В, Rк=275 0:-.л
КТ3108Б .
/6=1мА,
КТ3108А,
/Б=1мА,
КТ3108Л.
Время спада* при fк = 10 мА, Iъ =
КТЗ 108А, КТЗ 108Б
мА,
f(оллентор
250 МГн
300 МГн
400* МГц
450* МГн
250 пс
50* пс
6дБ
3,3* лБ
175 llC
70* нс
18 .:._ 35 нс
18-40 нс
25-50 нс
293


Статический коэффиuнент передачи тока в схеме
с общим эмиттеро:v~ при Li кь = 1 В:
при Т= 298 К:
приlэ=0.1мА.
при/3=10мА:
КТЗ108А. КТ3108Б
КТ3108В.
при/.3=50мА:
КТ3108А. КТ3108Б
КТ3108В.
40-100*
50- 150
100-300
15- 70*
20- 70*
приТ=213К. /3= 10:1.1А
приТ=398К./3=10мА
От 0.3 до 1.2
значения при Т = 298 К
От 0.7 до 2.5
значения при Т = 298 К
Напряжение насыщения ко.1.1ектор-э:v~иттер при
lк=10:viA.lt;=1мАнебо.1ее.
типовое значение .
На11рижение насыщения 6<11<1-э:-.шттер * при
/к=10мА./6=1мА.
Обратный ток кол.1ектора не бо.1сс:
при Т= 298 К:
КТ3108А при Uк 6 =60 В.
КТ3108Б. КТ3108В при Uкь = 45 В
при Т=398 К. L'кБ=45 В .
Обрзшы11 ток Э'vtилера при С36 = 5 В не 60.1ее:
приТ=298К.
при Т=398 К~·
Емкость ко.:~.>екторного перехода при Uк 6 = 1О В
не 60;1ее .
тнповое зн<~чение .
Емкость эмиттернш о перехода прв СэБ = В
не более .
типовое значепие .
Преде.'1hныс эксп.1уатацион11ые данные
Постоя1111ое напряжение ко.1лектор-база:
КТ3108А.
КТ3108Б, КТ3108В .
0.25 в
0.15* в
0.8-1 в
0.2 чкА
0.2 чкА
10 \!КА
0.1 мкА
10 мкА
5пФ
1.8* пФ
6пФ
2,ё* пФ
60в
45в
Постоянное напряжение ко.1лектор-эмиттер
при
RэБ.;; 10 кОм:
КТ3108А
КТЗ 108Б, КТ3108В
Постоянное напряжение эмиттер-база
Постоянный ток коллектора .
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
приТ=213 -;-298К.
при Т=398 К .
Импульсная рассеиваемая мощность ври <и .;; 1О мкс,
Q:;, 2
294
60в
45в
5в
200 \1А
300 мВт
100 мВт
360 мВт


гОбще< """°'о' соорошмон"'
Температура окружающей среды
Кш ,дБ КТ3108А-КТ3108В
5,5
5,0
4, 5 ~--+----+---f7L--f-------1f--I
ч,о l--__,,,,.=""f--
3,5
~OL--L~....L__.1~~~-!:-=_J
О
23Ч5I3,мА
500 К/Вт
От 233 до
358 к
Зависи~юсть коэффициента щу­
ма от тока эмиттера.
Зависимость коэффипиента шу­
ма от напряжения коллектор­
база.
Зависимость коэффициента шу­
ма от частоты.
Кш,дБ
5,5 КТ3108А-КТ3108В
5,0t----+--1---1----1----+-----I
ч,5 ........ _. ._ _
ч,о
3,5
3,5 t---11 .-- --t-- --1 ----1 -' -l-- ---I
~OL--.1..-__.1~...1---':---':-~
О24б810Uк5,В
П401, П402, П403, П403А
Транзисторы 1ерманиевыс диффузнонно-сплавные р-п-р усилитель­
ные высокочастотные ~1~ыо:v~ощныс.
Предназначены д;1я при:v~енення в )Силительных и 1 енераторных
каскадах коротких 11 ультракоротких нолн. а также н импу;1ьсных
схемах радио '"1ектро11ных устроiiств.
Выпускаю1ся в :v~ета"1лостеклянном корпусе с гибки'У!и вывода­
ми. Обозначение типа приводится на боковой поверхнос ги корпуса.
Вывод эм111 гера на бур гике корпуса маркируется цветной меткой.
Масса транзис;тора нс бо.1ее 2,2 г.
8
Jми..ттер
f(оллектор
295


Э.тектрические пара~1етры
Макси:vшльная частота генер<~~нш при L'кь = 5 В,
13=5мАнеменее:
П401
П402 .
П403. П403А
Постоянная времеш1 цепи обратной связи
ИкБ=5В./э=5\1Л./=5МГпнсболее:
П401
П402
П403, П403А
при
Коэффюшснт передачи тока в режиме малого сигнала
приИкБ=5В,fэ=5мА./=50-~1000Гц:
при Т= 293 К:
П401, П402, П403А не менее
П403
при Т= 213 К не менее:
П401
П403
Выходная проводимое гь в режиме ма.>ого сипшла при
коротком замыканни при Uкь = 5 В. /.:J = 5 мА.
/=50-о-1000Г11нсболее.
Обратный ток коллектора при UкБ = 5 В нс более:
приТ=293КиТ=213К:
П401
П402, П403.~П403А
при Т = 343 .К П401. П402, Г1403. П403А
Емкость ко.1лекторно1 о пере.хода при Uк 5 = 5
/= 5 МГц не более:
П401
П402, П403, П403А
Предельные экс11.1уа·1 ащюнные данные
В.
Напряжение коллектор-эмиттер при R 6 ') <; 1 1;0\1. прн от-
ключенной базе и Т = 213 -с- 313 К
Обратное напряжение эмиттер-база .
Ток коллектора 11ри Р <; 100 мВ 1 .
Рассеиваемая мощность !]рн Т = 213 ~ 293 К
Температура р-11 перехода .
Температура окружающей среды .
Примечания: 1. ilpи Т> 313 К напряжеш1е
шается· на 1 В через каждые 1О
30 МГн
60 МГн
120 МГц
3500 пс
1000 пс
500 пс
0,94
0.97 -0 ,99
0,925
0.95
10 мкА
5 мкА
120 мкА
15 пФ
10 11Ф
10в
10в
1в
20 мА
JIIO мВт
35(~ к
От 213 JЮ
343 к
2. При Т = 293 ~ 343К максима.>ыю дсшуст11мая
мощность рассчитывается. !VIB1, 1ю формуле
рассеивае:\Iая
Рк макс= 100 - 1,5 (Т - 293).
296


г 1,2
о
ПЧ-01,П Ч-02, ПЧ-3_,_ __. _
__,
1,1
ПЧ-ОJА
Зависи:-юсть относительного· ~>о­
эффипиента нередачи тока в
режиме малого сигнала от тока.
эмиттера.
Зависимость
опюсите~1ьного
пробивного на11ряжения коллек­
тор-эмиттер от со про 1 ивления
база-эмиттер.
Зависимость емкости коллек­
торного перехода от напряже­
ния ко;шектор-б<~ш.
б
5
ч-
3
2
о
1
г
1
1
П Ч-01, ПЧ-02,ПЧ-ОJ,
ПЧ-ОJА- -
..........
~
'\,
\ ['....
\11
1
1
П401,П402,П40J,
\ П40JА
'\.
"-" ..... ~
.______
f=5МГц
1
1
4
П414, П414А, П414Б, П415, П415А, П415Б
Транзисторы германиевые сплавные р-11-р универсальные ма-
ломощные.
Предназначены для применения в усилительных и генераторных
каскадах в диапазоне от длпнных до коротких и у~1ьтракоротких
волн, а также в импульсных каскадах радиоэлектронных устройств.
Выпускаются н метал;юс 1 еклянном кор11усе с гибкими выводами.
Обозначение IИПа приводится на боковой поверхности корпуса.
Вывод эмиттера на буртике корпуса маркируется цветной точкой.
Масса 1 ранзис1 ора не более 2,5 г.
40
бела~ точка.
Зм1.Lmmep
Ба.за
297


Электрические параметры
Максимальная частота генерации при ИкБ = 5 В.
13=5мАнеменее:
П414, П414А, П415Б
П415, П415А, П415Б
Постоянная времени цепи обратной связи при
Ик6=5В,lэ=5мА,f=5МГцнеболее:
П414, П414А, П414Б •
П415. П415А, П415Б .
Коэффшtиент передачи тока в режиме :v~алого сиг­
нала в схеме с общим эмиттером при
Ик6 =5 В, !3 =5 мА./=1 кГц:
приТ=293К:
П414, П415.
П414А, П415А
П414Б, П415Б
при Т= 343 К не более
приТ=213К
значения
Выходная полная проводимость в режиме малого
сигнала при холостом ходе при Uкr; = 5 В.
/э=5мА,f=1кГцнеболее.
Обратный ток коллектора не бо.1ее:
при ИкБ=15 В
приИкБ=108_:
при Т=293 К .
прн Т=343 К .
Емкость коллекторного 11ерехода при ИкБ = 5 В,
f=5МГцнеболее.
60 МГц
120 МГц
1000 пс
500 пс
25- 100
60-120
100-200
2, 5 значения
приТ=293К
От1до0,5
приТ=2~3К
5 мкСм
5 мкА
4 мкА
90 мкА
10 пФ
Предельные эксплуатаuпопные данные
Постоянное на11ряжение коллектор-эмиттер при
Постоянное напряжение коллектор-база .
Постоянное напряжение эмиттер-база при
< 100 мкА.
Постоянный ток коллектора .
Импульсный ток коллектора
Постоянная рассеиваемая мощность при
293 к.
Температура р-п перехода .
Температура окружающей среды
RБэ= 1кОм10 В
10в
Т=213+
IB
10 мА
30 мА
100 мВт
348 к
От 213 до
343 к
Примечание. Допускается увеличение R63 до 2 кОм без
уменьшения Икэ при условии включения в цепь базы (последо­
вательно) источника запирающего напряжения. При повышении
температуры значение рассеиваемой мощности уменьшается на 15 мВт
через каждые 10 °. При р = 665 Па значение рассеиваемой мощности
уменьшается на 30 %.
298


г П416, П416А, П416Б
1
Транзис IОры германиевые д11ффу1ионно-сп.1авные р-п-р универ­
сальные vш.1омощ11ые.
Предназначены ;:~_1я применения в усилительных и генераторных
каскадах высокой ч<~стоты, а также в импульсных каскадах радио­
электронных устройств.
Выпускаю 1ся в мста.1,·юстеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозн<~чение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Выво.~ >'Уll!ТТера на буртике корпуса маркируется пвепюй меткой.
Масса гра11111стора не более 2,2 г.
JZ
1
=
=
=
8
Электрические параметры
Пос1оян11ая
UКБ=5
бо.1ее
вре,1ен11 11сп11 обра 1ной
В, 1-э=5 ~1А, j=5
СВЯЗ!I
МГ11
при
не
КоJффшшент 11ере;:~ач11
сигш1,1<1 при С'кБ = 5
1000 Го:
гока в режи'v!е 'vla.101 о
В. /э=5 мА./=50-;-
при Т= 298 К:
П416 .
П416А
П416Б
нри Т= 343 К:
П416 .
П416А
П416Б
приТ=213К.
Модуль коэффициента передачи го ка при
ИкБ=5 В, !-:;=5 мА,/=20 МГн не менее:
Jми.ттер
Хмлентар
500 ПС
25-80
60- 125
90-200
От25до2,5
значения при
Т=298К
От50ло2,5
значения при
Т=298К
От90до2,5
значения при
Т=298К
От 0,4 до 1,6
значения при
Т=298К
П416.
2
299


114/бА .
П4!6Б
Выхо;\ная по:1ная 11рово,11rмость в режи\1е малого
сигнала прн холостом ходе прн UкБ = 5 В.
/3 = 5 мА,/= 50-;- 1000 Гн не более
Обратный ток кол,,сктора не бо.1ее:
пr11Uк5=15В.
при Ию;= 10 В:
·прпТ=298КнТ=213К
приТ=343К.
Обратный ток ·пшттера пр11 [ '·:;ьо = 2 В нс
более
Напряжение насыщения ко.1.'!е1пор-J:-.11птер пр11
/к=50мА,lr;=3мА.
П416.
П416А, П416Б .
Напряжение насыщения ба1а-Jмиттер 11р11 lк -
= 10мА,/6=lмАнеболее.
Граничное напряжение при / 3 = l О мА не менее
приТ=298К
при Т= 343 К:
П416 .
П4!6А, П416Б
Емкость ко:шекторного нерехода при Uкr; = 5 В,
f=5МГцнебо;1ее
Емкость эмиттерного перехола при И::>Б = l В,
f=5МГннеболее.
Бремя рассасывания при Ек = 10 В, fк = 50 мА.
rи=5мкси.f=1-;-lОкГ11неболее.
3
4
5 чкСм
5 мкА
3 мкА
90 мкА
100 мкА
2в
1.7 в
0.5 в
14в
13в
10в
8пФ
40 пФ
1 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер:
приR63=О
15В
11риRr;э<3В .
20В
приRr;3<1кОм
12В
Постоянное напряжение эмил ер-база при / 350 <
.;;2мА.
3В
Постоянный ток коллектора при Р < 100 мВт .
Импульсный ток коллектора и ток в режиме
чения 11ри •и<5 мкА, /кер<25 мА
<100мВт.
переклю­
и Р.;;
Импульсная рассеивае'v!ая мощность нри т11 .:; 5 мкА н
Рср = 100 мВт
Постоянная рассеиваемая мощносгь
Температура р-п перехода
Температура ркружающей среды .
300
25 мА
120 мА
360 мВ~
100 мВт
358 к
От 213 до
343 к


П р и м е чан и я: 1. Значения параметров привед~ны л.1я
Т= 213-' - 318 К.
При Т = 318 -' - 343 К значения параметроn уменьшаются через
каждые 5 ·.. :
Икэк на 1 В, Икэх на 1 В, ИкэR на 0,4 В, U:->Б."акс на
0,2 В, lк.и."акс на 4 мА, Ри.макс на 1О мВт.
2. При Т= 318-' - 343 К м<1ксимально допустимая посJUянная
рассеиваемая мощность коллектора, мВт, рассчитыв<tется 110 формуле
Рк. '1акс = (358 - 7)/0,4 ,
а при р = 665 Па она уменьш<1ется H<t 30 ~-~.
Зависи:v~ость 0·1 носи тельного ко­
эффициент<! передачи ток<t в ре­
жиме малого сигнал<t от тока
1,0
о,в
0,5
JМИТтер<t.
\ hч1вJ
ПЧ16А~
\ ПЧ16Б
\
\
\
'r-
о,ч
"
5
100 101 102 103 10..,. 10 R
53 ,Ом
Зависи:v~ость относи1 е:1ыюго
пробивного н<1пряжения коллек­
тор-Jм1нтер от сопрот11в.·1снш1
база-эмиттер.
П'l-16,Пl/-1ВА,ПЧ16Б
2 ~--~-~---'-~~
О'+ В121620Iз,мА
Зависимость ~юду.1я 1юэффици­
снта передачи гака от тока
эмиттера.
Ск, п<Р
П41В,
7
б
5
'+
3
2
о'+8121620Uк5,В
Заnиси:иссть ~~1кости ко.1лек-
1орноrо перехода от н:шряже­
ння ко.1;те•пuр-ба1а.
301


h21Э Uк6=58,13
=SмА,
2'1-0
f =5D-1000Гц
200
160
ПЧ.165
120
П'+16А
во
ПЧ.16
1
1
1
П'l-16, ПЧ.1ВА,
...........
ПЦ.165
........
... ,
"'""
Iк=10мА
........
"
-
15 т1мАI
~
0,5
0,3
213 233 253 273 293 313 333 т,к
Зависимость коэффициента пе­
редачи тока в режиме малого
сигнала от температуры.
Зависимость напряжения насы­
щения эмиттер-база от темпе­
ратуры.
П417, П417А
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р усилитель­
ные высокочастотные.
Предназначены для применения в усилительных и генераторных
каскадах высокой частоты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Вы­
вод эмиттера на бок~овой поверхности корпуса маркируется цветной
меткой.
Масса транзистора не более 2 r.
Эниттер-=
Коплектор ~ с=:~=:э­
База
42
8
Электрические параметры
Максимальная частота генерации при ИкБ = 5 В,
lэ=5мАнеменее..
Постоянная времени цепи обратной связи при
ИкБ=5В,lэ=5мА,f=5МГцнеболее.
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала
приИк6=5В,Iэ=5мА,/=50-о-1000Гц:
302
при Т= 293 К:
П417 .
П417А ..
200 МГц
400 пс
24-100
65-200


г приТ= 343 К:
П417 .
П417А
От24до
3 значений
при Т=293 К
От65до
нри Т=213 К.
3 значений
при Т=293 К
.1
-0 ,4 значения
при Т=293 К
Входное сопротив.1ение в режиме малого сигна ~а при
ИкБ=5В,!3=5мА,/=50-с-1000Гннебо.1ее
Выходная полная проводимость в режиме малого
с11rна:ш при холостом ходе при Ик 6 = 5 В,
/э=5 'vlA,/=50-с-1000Гцнеболее .
Обратный ток ко.ыектора при ИкБ = 10 В не более:
11ри Т= 293 К.
приТ=343К.
Обратный ток J:v11птсра при L'эь = 0 .5 В не более
Граничное напряжение при ИкБ = ~ В, 13 = 5 YIA
не менее .
Емкость ко.1.<екторгю1 о перехода при L ·КБ = 5 В,
/= 5 МГн не более
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное шшряженис ко:1:1ектоr-эмнттер:
нrи отсоединенной базе при Т = 213 -с- 303 К
при короткозамкнутых выводах эмнттера и базы
при Т=213-с--343 К.
Постоянное напряжение э~нптер-6,ва.
Постоянный ток ко:1лектора .
Постоянная расссивае:vrая ~ющность
Температура окружающей среды .
10 Ом
10 мкСм
3 YIKA
70 мкА
30 мкА
8в
5пФ
8в
10в
0,7 в
10 \'!А
50 мВт
От 213
до343к
Примечания: l. При Т=303-с--343 К напряжение Икэо
уменьшается на 0.5 В <1ерез каждые 5
2. При Т= 213 -с- 343 К ~~аксима.1ьно допустимая постоянная
рассеивае~1ая мощность ко.1.1ек­
тора, мВ r. рассчитывается по
формре Рк "акс = (358 - Т);О.5.
Зависимость относительного ко­
эффициента пере,1ачи тока в ре­
жиме малого сигнала от напря-
жения коллектор-база.
о
13 =5мА
f =1000 Гц
2 -'!- 8 8Uк5,В
303


1,2
ПЧ-17,
------._
ПЧ.17А
"' <:
--..._
ПЧ17,
;:;; 1,2 ...__, _ _ _ _,_П Ч17А -+ --+- ---1'---1
~
О>
O'<j
11
11
~ 1,0
'--
.. ....
"-- 1, о 1---+- -+ --+ - -,..j«----! - -+ --I
~
- . r::;"'
--- -
- J; ;:;i-.
0,8
"'
....
1---1-~-1----+-->----1 - ., ,, "'
-- --
..,
- < ::;'[:::, о, 8 1-----1-- --+
о2ч6813,мА
Зависимость относительного ко­
эффициента передачи тока в ре­
жиме ма;юго сигнала от тока
213 233 253 273 293 313 333 т,к
Зависимость относительного ко­
эффиrшснта передачи тока в ре­
жиме малого сигнала от тем-
JМитгера.
11ера туры.
П422, П423
Транзисторы германиевые диффузионно-с11.1авные р-11-р усилитель­
ные с нормированным коэффиниенто~1 шума на частоте J ,б МГп
маломощные.
Предназначены для применения в усилительных и генератор­
ных каскадах высокой частоты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Вы­
вод эми'гтера на буртике корпуса маркируется цветной точкой.
Масса транзистl\ра не более 2,2 г.
Эмиттер
~1~1~ш-з~r .- =-+ =- .. -
fia;Ja
Коллектор
Электрические параметры
Макспмальная частота генерации при
1,= 5мАнеменее:
П422 .
П423 .
ИкБ=5 В,
Постоянная времени цепи обратной связи при Икь = 5 В,
/э=5мА.I=5МГцпеболее:
П422 .
П423 .
Коэффнциzнr шумн ври Ик6 = 5 В, /3 = 5 мА,/= 1.6 МГп
60 МГц
120 МГн
1000 IIC
500 пс
не более.
10 дБ
Коэфф11цнснт передачи тока в режиме малого сигнала
Ик6=5 В, Iз=1мА,f=50.с-1000Гн:
при Т=293 К .
24-100
304


нриТ=328 К пс боже ·
250
пр11 Т=248 К не менее .
15
Модуль полной проводнмосп1 прямой передачи при
Ик6= 5В, /э=5-.,1А,/=20 МГ11 нс \1енее:
П422
2,5
П423
5
Выходная полная проводимость в режи\1е малого сиг-
нала при коротком зачыкани11 при Uк 6 = 5 В.
/э=5мА,f=507 1000Гннеболее.
5 мкСм
Входное сопротивление при ИкБ = 5 В. 1, = 5 мА
не бо"1се
38 Ом
Обратный ток коллек1ора при ИкБ = 5 В не более.
при Т=293 К .
5 мкА
приТ=328К.
70 мкА
ЕмкоС1Ь ·коллекторного 11ерехо.1а при Икь = 5 В,
/=1,675МГпнеболее.
10 пФ
Предельные экс1шуатащюиныс данные
Напряжение коллектор-Jмиттер при RБэ.;: 1 кОм.
10В
Ток коллектора .
20 мА
Постоянная рассеиваемая мощность при Т = 248 7 293 К 100 мВ1
Температура р-11 перехода .
343 К
Температура окружающей среды .
От248до328К
Пр им е чан и е. При Т = 293 7 328 К максимально допустимое
значение рассеиваемой мощности уменьшается па 15 мВт через
каждые 10".
hг1э пч.22,пч.2J
B0~--1---+_.:__.f-----f--+---J
70L-_J_,;!__l----1-----'1~-+-----1
'1-0
JDL--L--1~_._~--:"::-=-'
оЧ.8121620Iз,мА
Ск,пФ
8
7
6
5
ц.
J
о
Зависимость коэффициента пе- 1, 2
редачи тока в режиме малого са 1 1 О
сигнала от тока эмrптера. ~ 'g_ '
"'' ~ 0,8
Зависимое~ ь емкости коллек- ~ i ">
торног.о перехода от напряже-:::; 1::5' 0,6
1шя коллектор-база.
о,ч
0,2
о
1
1
1
ПЧ22,П'l-2J
1\
"~
"
!'....
f ~SМГц,
f'- --
2ч.в810Uк5,В
ПЧ.22\ ПЧ.23
~
'
!'-.
""'
1
-
Зависимость
относителыюго
пробивного напряжения кол­
лектор-эмиттер от сопротив.•е-
ния база-эмиттер.
10 2 10-1 100 101 R63 ,кОм
305


КТ620А, КТ620Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р переклю­
чательные.
Предназначены для работы в импульсных cxe).iaX.
Вьшускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора КТ620А не бо:1ее 1 г, КТ620Б не более 2 г.
Ба:за
Ко!/!/ектор
Эмиттер
'-
-
'
'
-
t~""'"S.
""'~"S. 't -0
,
.,., t'-.
--
...."<:)'
,.._
"
-s. "а
8-
6'
~
Э.1ектрические параметры
Статический коэффи11иент пере;:щчи тока в схеме с общим
эмиттером:
КТ620А при UКБ=10 В, lк=10 мА не менее
КТ62ОБ при ИкБ=5В, fк=200 мА .
Напряжение насыщения ко:1с1ектор-эмиттер 11ри lк =
= 400мА, /Б=3tJ мА КТ620Б не более .
Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 400 мА,
/Б=80мАКТ620Бнеболее.
Моду.1ь коэффициента передачи тока нри ИкБ = 10 В,
/э=30мА,f=100МГцнеменее.
Время рассасывания при lк = 200 мА, /Б = 20 мА
КТ620Б не бо:1ее •
Обратный ток кол.1ектора при Ик 6о = 50 В не более
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение ко.1лектор-эмиттер при Rэ 6 =
100
30-100
1в
1,8 в
2
100 нс
5 мкА
=100ОмИТп=398К.
20В
Импульсное напряжение коллектор-эмиттер:
при Тп = 228..;. 343 К:
КТ620А
50В
КТ620Б
40В
приТп=358К:
КТ620А
КТ620Б
приТп=398К:
КТ620А
КТ620Б
Постоянное напряжение коллектор-база:
приТп=228 ..;.343К•
306
40в
30в
25в
20в
50в
......


f41
приТп=358К..
приТп=393К..
Постоянное
343 К:
КТ620А
КТ620Б
напряжен не э\шттер-ба1а при
Постоянная рассеивае:v~ая мощность ко.1:1ектора:
приТ,=298К:
КТ620А .
КТ620Б
приТ,=358 К:
КТ620А .
КТ620Б
Тепловое сопротивление перехо,'!-окружающая среда:
КТ620А....
КТ620Б........
Температура перехода . . . .
Темпера 1ура окружающей среды
Ра1де.1 п.чтый
40в
25в
3в
4в
225 мВт
500 мВт
75 мВт
100 мВт
0,4 К;мВт
.
0,15 К/мВт
393 к
От 228
ДО343К
ТРАНЗИСТОРЫ МАЛОМОЩНЫЕ
СВЕРХВЫСО:КОЧАСТОТНЫЕ
11-р-11
2Т306А, 2Т306Б, 2Т306В, 2Т306Г, КТ306А,
КТ306Б, КТ306В, КТ306Г, КТ306Д
Транзисторы кремниевые ·титаксиа:тьно-планарные 11-р-п переклю­
чательные маломощные и СВЧ усилите.1ьные с ненормированным
коэффициентом шума.
Предназначены д.1я переключения (2Т306А. 2Т306Б. КТЗОбА,
КТЗОбБ) и усиления сш налов высокой частоты (2Т306В, 2Т306Г,
КТ306В, КТ306Г, КТ306Д).
Выпускаются в ме·1 аллостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа 11риводится на крышке корпуса.
Масса транз11стора не бо,1ее 0,65 г.
JO
1-
~--+---~
Колпектор
1,8
307


Э.1ектр11чесю1с параметры
Граничная частота при ИкБ = 5 В, /э = 10 мА:
2Т306А, КТЗОбА, 2Т306В. TI006D не менее
типовое значение .
300 МГа
500* МГн
500 МГв
2Т306Б. КТЗОбБ, 2Т306Г. КТ306Г не менее
типовое зна чепие .
КТ306Д не менее .
.650* МГн
:юо МГп
Пос 1 оянная времени цепи о бра гной связи при ИкБ =• 5 В,
13=5мА,f=10МГн:
2Т306В, КТЗОбВ, 2Т306Г. КТ306Г не более
типовое значение . .
КТ306Д не более .
Коэффициент шума* при Ию;= 5 В:
при/э=0,5мА,f=1кГцнеболее
типовое значение .
при /э=1 мА,/=90 МГц не бо:1ее
типовое значение .
Время рассасывания при /к. нас = 1О мА, / 6 . нас = 1 мА,
Rк = 75 Ом 2Т306А, 2ТЗ06Б, КТ306А, КТ306Б не более
типовое значение .
Статический коэффициент передачи тока в схеме с 9бщим
эмиттером при Ек = О, 13 = 1О мА:
при Т= 298 К:
2Т306А, КТ306А
2Т306Б, КТ306Б
2Т306В, КТ306В
2Т306Г, КТJОбГ
КТ306Д
приТ=213К
2Т306А
2Т306Б
2ТЗО6В
2Т306Г
приТ=398К
2ТЗО6А
2Т306Б
2Т306В
2ТЗО6Г
Граничное напряжение при /э = 1 мА не менее:
2ТЗО6А, КТ306А, 2Т306В, КТЗО6В . .
2Т306Б, КТ306Б, 2Т306Г, КТ306Г .
Напряжение насыщения коллектор-Jмиттср пр11
lк=1ОмА,/6=1мАнеболее.
типовое значение .
Напряжение насыщеюrя база-Jми11ер при lк = 10 мА,
16=1мАнеболее..
500 пс
60* пс
300 пс
30 дБ
12 дБ
8 ;:~Б
5дБ
30 нс
15. нс
20- 60
40- 120
20-100
40-200
30- 150
8-60
16-120
8-100
16-200
20-120
40-240
20-:200
40-400
10в
7В
0,3 в
0.2*в
1в
типовое значение .
0,9*В
Обратный ток коллектора при Ик 6 = 15 В не более:
пр11Т=298К.
0.5 мкА
308


11ри Т = 398 К 2Т306А, 2Т306Б. 2Т306В, 2Т306Г 10 мкА
Обратный ток Jмиттера при Т = 298 К, Из6 = 4 В
не более
.
1 мкА
Входное сонротивле1ше в схеме с общей базой в ре­
жиме мало~о сигнала при Ик~;= 5 В. lз~5 мА.
(= 1 кГц 2Т306В, КТ306В, 2Т306Г, КТЗОбГ. КТЗОбД
не бо.1ее .
30 О\1
типовое ·шаченне
8* О\1
Емкость ко.1.1ектор11ого перехола при Ик 6 = 5 В не
более.
пФ
типовое значение .
Емкость эмиттерного верехода нри Uэ 6 = О не бо.1ее
типовое значение .
Емкость конструктивная между выво;:щми ко.1лекторu
и эмипера
Индуктивность выводов ·Jмиттера и базы* при / = 1О мм
Предельные эксплуатац1tонные данные
Постоянное напряжение коллектор-ба"Jа .
Постоянное пап ряжение ко.1.11ек 1ор-эми1 тер при R,r; ,;;
.,,;; 3 кОм
Постоянное напряжение эмиттер-база .
Постоянный ток коллектора .
Постоянный ток коллектора в режиме насыщения .
Постоянная рассеиваемая мощность:
2Т306А. 2Т306Б. 2Т306В. 2Т306Г:
при Т=213-;- 363 К, р:;> 6650 Па
при Т=213.;-363 К. р=665 Па
приТ=398К.
3* пФ
4,5 пФ
3* пФ
0,55 11Ф
11 нГн
15в
10в
4в
30 мА
50 мА
150 мВ1
100 мВт
75 мВт
КТ306А. КТ306Б, КТ306В. КТ306Г. КТ306Д.
приТ=213 -;-363К.
приТ=398К.
Общее тепловое сопротивление
Температура перехода .
Температура окружающей среды
150 мВт
60 мВт
467 К/81
423 к
От213до398К
1,1
1,1
tJ=v
Uк~ =58
1,0
1,0
-
1 ............
/
--
r-..
_Е о,в
~~ 0,8
"'
- <:: 0,7
i'-...
/[ 2TjOBA -2тзовг,
~КТJО6А-КТ306Д
1
~
0,9
-~
~08
"-
)
Ч-.'-
/
~2f306A - 2Т306Г,
КТ306А-КТ306Д 1--
0,6
0,5
О 10 20 30 40 5013,мА
0,7
0,6
0,5
.
О510152025!3,мА
Зависимость
относительного
статического коэффипиента пе­
редачи тока от тока эмиттера.
Зависнмость о гносительной rр<1-
1ш<1ной частоты от тока эм1п­
тера.
309


2/+
2,0
1/+
1,3
2ТJОб,А-2ТJ0бГ,
КТ306А- КТ306Д
"
1
~~б
~ 1,21---+ - --+- -+- -+ -- -l-,,C---J
<':)
~~
" :: ::," " 1 2 l----+-~--+---7-+---т-·--t--t -.:::::.
1,1t---+- --+- -- -+ --- -- -+ --t
")
"
~ов
~1,0 t---+---+-----"+---+----+--t
<":i )
""
о::,""
Iк=1DмА
о::, 0,4
0,9
J 5 =1мА-
о510
Завнсичосгь относ1пе.1ьноrо на­
пряжения насыщения ко.1лек 1ор­
э:vшттер от тока ко.1_1ектора.
1/1-
1,3
"' 1,2
о1
"
<>-;
"::::,"' 1,1
"~ 1,0
>:
<>-;
о::,"' 0,9
'-->
о1
"
<>-;
-"'
о::,
" "о1
"
<":i
~
0,8
о510152025Iк,мА
Зависимость относительного на­
пряжения насыщения база-эмит­
тер от тока ко-1лектора.
О,8 .____.__
_.__ _
_,__....____. _
_J
213 243 273 JOJ 333 363 Т,К
Зав11С11\1ос rь относите.1ьноrо на­
пряжения насыщения кол.1ектор­
·1:vшттер ог ге:vrпературы.
1,4
1,3
2Т30БА- 2Т 306Г.
КТ30БА-КТ306Д
1,1 t----+ -- -t- --+ --+- ---i--t
1,0t----+---+-~---+---+--t
0,9
48~~---+--~-~~--t
213 243 273 303 3 3 3 363Т,i<
Зависп:-.юсть относитс:тьноrо на­
пряжения насыщения база-J\1Ит­
гер от температуры.
2Т307А-1, 2Т307Б-1, 2Т307В-1, 2Т307Г-1,
КТ307А-1, КТ307Б-1, КТ307В-1, КТ307Г-1
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-11 универ­
са_1ьные высокочастотные и СВЧ \1аломощные.
Предназначены д;1я переключения и уси.1ения сигналов высокой
частоты.
Бескорпусные, без криста.:1.1одержатео1я, с гибкими выводами
и защитным покрытием на основе эпоксидной смолы. Выпускаются
в сопроводите-1ьной таре. Обозначение типа приводится на ли­
кетке.
Масса транзистора не более 0,002 r.
310


0,7
0,8
О,04-
1БаJа Эмиттер
Коллектор
Электрические параметры
Граничная частота при ИкБ = 2 В, /э = 5 мА не
менее:
2Т307А-1, 2Т307Б-1. 2Т307В-1, 2Т307Г-1 ' ....
КТ307А-1. КТ307Б-1, КТ307В-1, КТ307Г-1. . .
Время рассасывания при /к нас = 1О мА, /Б нас = 1 мА.
Rк=75 Ом нс более:
2Т307А-1, 2Т307Б-1. КТ307А-1, КТ307Б-1, КТ307В-1.
КТ307Г-1................
2Т307В-1...............
Статический коJффициент перс,1ачи тока в схеме с общим
эмиттеро:-..1 при Ек = О" lк = 1О мА не менее:
при Т= :'98 К:
2Т307А-1. КТ307А-1 . . . . . ...
2Т307Б-1. 2ТЗ07В-1. КТ307Б-1, КТ307В-1
2Т307Г-1. КТ307Г-1
при Т= 213 К:
2Т307А-1 . . ..
2Т307Б-1, 2Т307В-1
2Т307Г-1 ..
при Т=358 К:
2Т307А-1 ..
2Т307Б-1. 2Т307В-1
2Т307Г-1....
Граничное напряжение при /э = 1 мА не менее:
2Т307А-1. 2Т307Б-1, 2Т307В-1, 2Т307Г-1 ..
КТ307А-1, КТ307Б-1, КТ307В-1, КТ307Г-1 ..
Напряжение
насьнце~1я
кол;1ектор-эмиттер
lк=20мА,/Б=2мАне60;1ее.....
при
300 МГц
250 МГц
30 нс
50 нс
20
40
80
10
20
40
20
40
80
10в
5в
0,4 в
311


Напряжение насыщения база-эмиттер при fк = 20 \1А.
/3=2мАнеболее.
Обратный ток коллектора при ИкБ = 10 В не бо.1ее:
при Т= 298 К.
при Т= 358 К 2Т307А-1. 2Т307Б-1, 2Т307В-1,
2Т307Г-1 .
Обратl!ЫЙ ток эмиттера пр11 Т = 298 К. u,Б = 4 В нс
более.
Емкость ко.1лекторного перехода при ИкБ = l В нс бо.1ее:
2Т307А-1, 2Т307Б-1. 2Т307В-1, 2Т307Г-1 .
КТ307А-1. КТ307Б-1, КТ307В-l, КТ307Г-1
Емкое гь 1миттерного перехода при U36 = 1 В не бо.1ее
Преде.r1ьиые эксп.r1уатациоиные данные
Постоянное напряжение коллектор-база .
Постоянное
напряжение
коллектор-эмиттер при
RэБ,;;; 3 кОм .
Постоянное напряжение 1миттер-база .
Постоянный ток коллектора
Импульсный ток коллектора llpи т11 .;;; 10 мкс. Q:;;. 10
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Т=213-ё-328 К.
приТ=358К.
Общее тепловое сопротивление
Температура окруЖающей среды
1,1 в
0,5 \1КА
10 :v1кА
1 мкл
5 11Ф
6пФ
3пФ
10в
10в
4в
20 мА
50 мА
15 мВт
5 мВт
3 К/мВт
От 213
ДО358К
Пр им е чан и с. При эксплуата~щи транзисторов в составе микро­
схем _тюлжсн быть обеспечен теплоотвол от крис1алла с Rт,;;; 3 К/мВт.
1,10
1,05
t. 1,00
~~О,95
- t::
0,90
О,85
1,2
1,1
1,0
-е­
~09
"'- }
'+-L 08
)
1
J
,____ >--Uк= 28
1
1
...
1
1
...........
-f.2тзо7А-1-2тзо7Г-1-
КТ307А-1- КТ307Г-1
0,80
оч.8121620Iк,мА
0,7
0,6
оЧ-8121620!3,мА
Зависимость относительного
статического коэффициента пс­
редичи тока в схеме с общим
ЭlVШттсром от тока коллектора.
312
Зависимость относительной гра­
ничной частоты от тока эмит­
тера.
r


2/f
г,о
2Т307А-1-2Т307Г-1
КТ307А-1- КТ307Г-1 ' - '
~
1,20
1,15
"16
:; 1,10f--".1----1----1----+---+------I
§!)
-
'-О
-:Е-1,2L-----i.---1--__.,,,,_'>---+--+------I ~ 1,05t--+-"'i--+---+---+---i
' -..,.
~
~ 0,8
<>i 1,DDt--+ --+ --- -". .. _ --+ - --+ - -- ---1
о;
~
-lf о,ц
0,95
0,90'=-=-~~'-:o-...................i..,....:~:-=-'
о 10 20 30 ЧО 5Diк,мА 213 243 273 303 333 363Т,К
Зависи:-,.~ость относительного на­
пряжения насыщения ко.1лектор­
эмиттер от тока ко.1лсктора.
Зависимость относите.1ьного на­
пряжения насыщения база-1мит­
тер от температуры.
1Т311А, 1Т311Б, 1Т311Г, 1Т311Д, 1Т311К,
1Т311Л, ГТ311Е, ГТ311Ж, ГТ311И
Транзисторы 1 ерманиевые п.1анарные п-р-п. Предназначены для
усиления сигна.1ов.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора не бо;1ее 2 r.
78
.
5
2
-
KO!l 11ектор
'Электрические параметры
Статический ко·э<j1ф1щиснт 11ередачи тока в схеме с об­
щим эмиттером при Uк = 3 В. 1-, = 15 :-.rA:
при Т= 298 К:
IТЗllA
IТЗl IБ
ITЗllГ
ITЗl IД, ITЗl IK
ITЗllЛ
'
15-180
30- 180
30-80
60-180
150-300
313


при Т= З4З К не более:
IТЗllA. IТЗllБ. ITЗllД. ITЗllK .....От З значений
при Т=298 К
ДО 300
ITЗlIЛ...............ОтЗзначений
при Т=298 К
,10 500
приТ=213К.Uк=3В./3=15мА
IТЗllA...
.
0,65 значения
11ри Т= 298 К.
но не менее 1О
Т=298К:
ГТЗl IЕ
ГТЗ!lЖ
ГТЗ! !И
Т= З28 К:
15-80
50-200
100-300
ГТ311Е
ГТЗ!lЖ
ГТЗllИ
15-150
50-З50
100-500
Т= 233 К:
ГТЗ! !Е
ГТ311Ж.
ГТЗllИ .
Обратный ток коллектора не более:
при Ик= 12 В, Т=213+298 К !ТЗl!А, IТЗ!!Б.
IТЗl!Г. IТЗl!Д, IТЗllK, IТЗ!!Л ...... .
при Ик=7 В, Тiiё'34З К IТЗ!!А, IТЗ!lБ. IТЗllГ.
IТ31 !Д. !TЗl lK, lТ311Л
.
.
.
.
.....
.
приИк=12 В, Т=23З+298 КГТЗ!lE, ГТ31IЖ
при Ик =!О В, Т= 23З + 298 К ГТ311И .....
при Ик=7 В, Т=З28 К ГТ311Е. ГТЗllЖ.
ГТЗ! lИ .....
·
.
·
...
Обратный ток эмиттера не более:
приИэ6=2В:
1Т31!А, IТЗ!lБ. !ТЗllГ. !ТЗ!lд.
ГТЗ! lE, ГТЗ! !Ж
.
.
.
.
приU36=1,5ВГТЗ!lИ.
Модуль коэффициента передачи тока
lэ=5мА.f=100МГц:
ITЗl lA. IТЗl lБ
.
IТЗl!Г. !ТЗllК.
!ТЗ! !Д. !ТЗ! !Л .
ГТЗ 1! Е не менее
ГТЗ! !Ж не менее
ГТЗ 11 И не менее
IТЗl lK. !ТЗ! !Л
приUк=5В.
Постоянная времени цени обратной связи при
Ик=5В,/3=5мА,/=5МГцнеболее:
314
!ТЗ!lА ............ .
IТЗllБ. ГТЗllЖ, ПЗllИ . . . . . .
lTЗl lГ, lТЗl IД, !ТЗ! !К, !ТЗ! lЛ, ГТЗ! !Е.
10-80
25-200
50-300
5 мкА
30 мкА
!О мкА
10 мкА
60 мкА
!О мкА
15 мкА
15 мкА
3-10
4.5-15
6-15
2.5
3
4,5
50 ПС
100 пс
75 пс
1


Емкость ко.1лекторного перехода при Ик = 5 В не
более.............
Напряжение насыщения база-эми1 тер при /к= 15 мА.
16=1.5мАне60,1ее.......
Напряжение насышения ко.1лектор-эмиттер при
Iк=15мА,/6=1.5неболее......
Коэффш1иент шума при Ик = 5 В. /э = ·5 мА.
Rг=75Ом.f=60МГц IТ31IAнебо.1ее..
Емкость ·эмиттерного перехода при И3 = 0.25 В
IТЗllA. IТЗllБ. 1Т311Г. IТЗ!IД. ITЗllК. 1Т311Л
неболее................
Время рассасывания при fк = 20 мВ 1ТЗ!! А, 1ТЗ! ! Б,
!Т3!1Г, IТ311Д, IТ311К, !Т311Л не более ....
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение ко.1лек юр-база:
при Т=213+318 К IТЗllA, IТЗ!!Б, IТЗ!е!Г,
IТ311Д. IТЗl IK. IТЗl IЛ.
2,5 пФ
0,6 в
0,3 в
8дБ
5пФ
50 НС
12в
при Т=318+343 К ....
.Снижение на 1 В
приТ=233+318К:
ГТЗl IЕ. ГТЗl IЖ.
ГТ311И ...
при Т=318+328 К
через каждые
5к
12в
10В
.Снижение на 1 В
через .каждые
5к
Импульсное напряжение ко.1.1сктор-база при 1 11
<;; 1 мкс
и Q:;:. 10:
при Т= 293 К:
!Т311А. !ТЗllБ, ITЗllГ. IТЗl!Д. IТЗ!!К.
1Т311Л ....
ГТ31 !Е. ГТЗl IЖ. ГТЗl IИ
приТ=318+328К
Граничное напряжение прн /э = 10 мА:
при Т= 298 К:
ITЗllA
.. ...
IТЗ!!Б, IТЗ!IГ. IТЗ!!Д, ITЗllK, IТЗ!!Л
при Т= 343 К !Т311А, IТЗl!Б, IТЗ!!Г. IТЗ!!Д,
!ТЗ!!К,ITЗlIЛ............
Постоянное напряжен не ко.1лектор-эмиттер при
RБэ/RБ < 10:
при Т= 213 + З18 К 1Т311А, IТЗl!Б, IТЗllГ,
IТЗ! IД, 1Т31 !К, IТ31 IЛ.
25в
20в
.Снижение на 1 В
'Iерез
каждые
5к
10в
8в
5в
12в
приТ=318+З43К. .
·
·
.
·
.
.
.
.
.Снижение на 1 В
через каждые
5к
315


при Т= 233 -с- 318 К:
ГТЗl IЕ, ГТ311Ж.
ГТ311И ...
приТ=318-с-328К
12в
10в
.Снижение ш1 1 В
через каждые 5 К
Постоянное напряжение эмиттер-база:
при Т= 213 + 318 К IТЗlIA, IТЗlIБ. IТЗl!Г,
IТЗl IД. IТЗl IК. ITЗl IЛ
2В
приТ=318-с-343К..........Сннжен11ена0,2В
через каж.тые 5 К
приТ=233+318 К:
ГТЗl IЕ, ГТЗl l:Ж.
ГТ311И ...
приТ=318+328К
2в
Постоянный ток коллектора .
Постоянная рассеиваечая мощность:
1,5 в
.Снижснl!е на 0.2 13
через каждые 5 К
50 мл
при Т=293 •К IТЗllA, !ТЗllБ.
!Т31 IД, IТЗl IK. IТ311Л
.
нри Т=343 К 1Т311А. IТЗl!Б,
IТЗl IД, IТЗJ lK, ITЗl IЛ
прнТ=298+343К...
1Т311Г.
!Т31 IГ.
при Т= 233 +.293 К ГТЗl IЕ, ГТ311Ж, ГТ311И
нри Т= 328 К ГТЗlIЕ, ГТЗlIЖ, ГТЗlIИ
приТ=298-~328К.....
~
150 :-.1Вт
50 мВг
Снижается
линейно
150 мВ1
85, 7 мВ1
Снижается
линейно
Тем11ература перехода:
IТЗl IA, 1Т311Б, IТ311Г, IT31 IД,
ITЗJ 1Л ....
IТЗl IK.
358 к
343 к
ГТ31 IЕ, ГТЗl IЖ, ГТЗl IИ .
Темпера гура окружающей среды:
IТ311А, IТ311Б, 1Т311Г. IТЗIIД, ITЗl IK,
"<:
"'::<
.:;
1.о
"'
._,
1Т311Л ...... .
ГТ31 IЕ, ГТ311Ж, ГТ31 IИ .
100
50
10
5
1Т311А, 1Т311Б) 1Т311Г)
1Т311Д, 1Т311К, 1Т311Л
Зона возможных положений за­
висимости обратного тока кол­
лектора от температуры.
316.
...От 213 до 343 К
.
.
.От233до328К
hz1э
200г--t-~t---ь.-=.-,г---t---i
115 1Т311 Г
(Г311А '1Т3 ,
ЧО
Uк=38
Iэ=15мА, f = 50Ги,
о,___.._~'---'-~'---'----"
213 233 253 273 293 313 т,к
Зависимость статического коэф­
фипиента передачи тока от тем­
пературы.


ihz1э!
9
8 Li-J..L::i=:::i::::~=-'-1--1
7μ_~~-J--+----t~--t---1
в 1--L......4----'---'==--+--~-"t-=-i
Uк =58
5
f 1100IM Гц f---+ -----1
jhг1эj ---
-
7 / -1ТЗ11Б,
Bt-+'-t-:1~TJ9t~fГ~,~1rТJ~1~1!<.~+--1
5t-Ч'--1--+~+---1-~+---~
ЧГЧ'--\---1--,-,---~~~+-...::..:::~
J
ЧL--l..-~--'--'--"'='-_,
О51015202513,мА
2~~~'---1-~J...___J___J
О510152025I3,мА
Зона возможных положений за­
висимости модуля коэффю~и­
ента передачи тока от тока
эмиттера.
Кш',дБ
8
71---f..lг+---1f-t--t-1Тf---t--1
61--_j.....-+т---+-1--i11f-+~+-i
5L--P..!---~-l-.;.<--11'-+~+-i
ч 1----+- -+ --+- -t -;'--
J L-_.J...-..J....:.:==-'---:!~:-=-:~
0,1 0,5 1 5 10 50100f,МГц
Зона возможных положений за­
висимости коэффициента шума
от частоты.
27
26
1TJ11A,
~ 25 1Т311Б,
'<>
"
1ТJ11Г,
"'-
~ 2Ч 1ТJ11Д,
О')
~ 23 1ТЗ11К,
1ТJ11Л
22
T=21JK
Зона возможных попожений за­
. висимости
модуля- коэффициен­
га передачи тока от тока эмит­
тера.
Кш,дБ
9
а:)
.;;
"<>._
"'
"'
О')
"'
::::,
8
71---+''<-l-''--+-<~~-l.--J~~
в~-t-1-.;..---1--1--,'-.jjL,J:.--1-1
51---t-='~.:±.=J;...!--)!-Jf--+-I
1
ч .'--:-"='-"-=-=-""'-'/'--.!.-!...-~
0,1 0,51 5 10 50100f,МГц
Зона возможных положений за­
висимости коэффиц11ента шума
от частоты.
32
Т= 29ЗК
JO
1
28 1ТЗ11А,
1Т311Б,
26 1ТЗ11Г;
1ТJ11Д,
2Ч 1Т311К,
22 1ТJ11Л
20
21
0,1
10 1ООR63,к0м 0,1
Зависимость пробивного напря­
жения коллектор-эм111 тер от
сопротивления база-эмиттер.
Зависимость пробивного напря­
жения коллектор-эмиттер от
сопротивления база-эмиттер.
317


32
301---..........~ -- т- ~- -- г- -j
281----+---'~-t-'~---t-------j
1Т311А,__,..____-+----1
1Т311Б,
1Т311Г,--+Нг---+-''г-----1
1Т311Д,
1Т311 к~,--t-'1.---..г-t-~
1Т311Л
201------+-----t---"d-~----\i
18L----'-- --L -- --'- --"""""
о,1
Зависимость 11роб11вного напря­
жения кол;1ектор-эvшттер от
со11рот11вления база-эvшттер.
1,9
1,7 ГТ311-Е, ГТ311Ж,
ГТJ11И
? 15t----t---t---+---t--+-----t
"")
~ 1Jt----t--t---+---+_,,-+-----t
11)
~""' 1,1t----t---t----t-;>7'1.-...-+-----t
......
"'
~ ~91-::=-=t-.::;;;/!""--+---t--+--I
р
~ о,7........."-+---+--+---+---+------1
05
'23 '- 3-25" '"3 --=-2 '- 7J~29......3-3-1"'"3-3~3._,3,....т,~к
Зона возможных положений за­
висимости относительного ста­
тического коэффиннента пере-
дачи тока от температуры.
2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д,
КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д
Транзисторы кремнИевые эпитакснально-планарные п-р-п переклю­
чательные маломощные и СВЧ усилительные с ненормированным
коэффициентом шума.
Предназначеньi' для переключения (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В,
КТ316А, КТЗ 16Б, КТЗ 16В) и усиления сигналов высокой частоты
(2Т316Г, 2Т316Д, КТ316Г, КТ316Д).
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа 11риводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 0,6 г.
за
5,З
/iоллемтор
-а
"'
.,,..
--"'
- ое,
"'"-
....-
s.
'Э
")
<::)
1 0,7
~1 1"'
Jми..ттер
Электрические параметры
Граничная частота при ИкБ = 5 В. /э = 10 мА:
2Т316А, КТ3!6А, 2Т316Г, КТ316Г не менее
типовоезначение............
318
600 МГц
!ООО* МГц


2Т316Б. КТ316Б. 2Т316В. КТ316В. 2Т316Д
КТ З 16Д не менее
типовое значение
Постоянная времени пспи обратной связи при
ИкБ=5В./3=10мА./=10МГц
2Т316Г. КТ316Г. 2Т316Д. КТ316Д нс бо.1ее .
типовое значение .
Время рассасывания при /к. нас = 1О :vrA, /Б нас = 1 :v1A,
Rк=750м:
2Т316А. КТ316А. 2Т316Б. КТ316Б не более
типовое значение
2Л16В. КТЗ16В нс бо.1ее .
типовое значение .
Статический коэффициент передачи тока в схеме
с общи:v1 эм11ттером при Ек = О. Iэ = 1О мА:
при Т= 298 К:
2ТЗ16А. КТ316А.
2ТЗ16Б. КТ316Б, 2Т316В, КТ316В
2Т3!6Г, КТЗlб.Г .
2Т316Д. КТЗlбД.
при Т= 213 К:
2Т316А
2Т316Б. 2ТЗ16В
2Т316Г
2Т316Д
при т~ 398 К:
2Т316А
2Т316Б, 2Т316В
2Т316Г
2Т316Д
Граничное нанряжсние при /э =
типовое значение .
:vrA не менее
Напряжение насыщения ко.1.1ектор-эмиттер нри
Iк=10мА,/6=1мАнебо.1ее.
типовое значение .
Напряжение насыщения база-1ми1тер при /к= 10 мА,
/Б=1мА не бо.'Iее .
тиновое значение .
Обратный ток ко-1лектора при СкБ = 1О В не более:
приТ=298К.
при Т= 398 К 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2ТЗ16Г,
2Т316Д .
Обратный ток эмиттера при Т = 298 К, U36 = 4 В
неболее..
Емкость коллекторного перехода ври ИкБ = 5 В не
более
типовое значение .
Емкость эмиттерного перехода при ИэБ = О не более
типовое значение .
800 МГн
1000"' МГц
150 пс
50* ПС
10 НС
4*нс
15 нс
5* НС
20-60
40-120
20-100
60-300
10-60
20-120
10-100
30-300
20-120
40-240
20-200
60-600
5в
10* в
0,4 в
0.18*в
1,1 в
0,8*в
0,5 :V1КА
5 мкА
мкА
3пФ
2* пФ
2,5 пФ
1,2*пФ
319


Емкость конструктивная между выводами коллектора
и эмиттера* .
Индуктивность выводов эмиттера и базы* при
1= Змм.
Предельные экспдуатациониые данные
Постоянное напряжение коллектор-база .
Постоянное напряжение коллек1ор-эмиттер 11р11
RэБ,;;:; 3 кОм .
Постоянное напряжение эм11ттер-база . .
Постоянный ток коллектора 2Т316А, 2Т316Б. 2Т316В,
2Т316Г, 2Т316Д.
Постоянный ток коллектора КТ316А, КТ316Б, КТ316В,
КТ316Г, КТ316Д ..
Посто'янный ток 1миттера 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В,
2Т316Г, 2Т316Д.
.
...
Постоянный ток эмиттера КТ316А, КТ316Б, КТ316В,
КТ316Г, КТЗ16Д .
Постоянный ток кол.1ектора в режиме насыщения
Постоянный ток эмиттера в режиме насыщен_ия
Постоянная рассеиваемая мощность:
2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д:
приТ=213с-348К,р;;:.6650Па.
11риТ=213с-348К,р=665Па..
при Т=398 К ..
КТЗ16А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г. КТ316Д:
при Т= 21Э--;-363 К .
при Т=398 К ..
Общее тепловое сопротивление
Температура перехода .
Температура окружающей среды
1,1
0,5 пФ
6 нГн
10в
10в
4в
30 мА
50 мА
30 мА
50 мА
50 мА
50 мА
150 мВт
100 мВт
60 мВт
150 мВт
60 мВт
556 К/Вт
423 к
От 213 до
398 к
1,1
~Of----.r-=='i"'-~f---+--'+----1
~01----+--""=----L---J..-'---l_
_J
' ;!. 0,9 H'-+ -- ,lf- -- --t ---f". .-- t-- --i
-"'
~
1
~ 0,8 2TJ16A -2Т316Д,
.;;;' 0,7 КТ31бА- КТ31бД
Зависимость
относнтельного
статического коэффициента пе­
редачи тока в схеме с общим
эмиттером от тока эмиттера.
320
0,9,_____,,, __ -+- _
_,___,____, _
_,
-
С>..
~ о,в
С>..
'!--~ 0,71---11- -+ --+ --+- -J -- -+- -I
Зависимость относительной гра­
ничной часготь1 от тока эмит­
тера.


•
~
~
~ 1,2
~ 1,2
~ 1,1
~ 1,11-"'-...+--i ---
~
~
~ 1,01---+--+-~~-t--+--i ~ 1,0 t---+-+""""J---1---\--~
-~
-~
~ о 91----.1<~---1--+--+--+----i ~ 0,9 Г--2:-:::--:-±--::l--+-=~--1
u
)
u
~
~
~ О,8
~ 0,8
~
~
:::, о7r----+---+--+---1---+-----<
)
~71-----1---+---+---t--t----1
06L-_l...._L---~::"="=--='::;-~
'213 2'+3 273 303 333 J63Т,К
06' 2 · ' :':1J:-:::-2'+
....J:::--:027""'3 _3 _0. _ 3 _3 _3. _ 3- -"3в'-3-т-',к
Зависимость относительного на­
пряжения насыщения коллек­
тор-эмиттер от темпера·~ уры.
Зависимость относительного на­
пряжения насыщения база-эмит­
тер от температуры.
2Т318А-1, 2Т318Б-1, 2Т318В-1, 2Т318В1-1,
2Т318Г-1, 2Т318Д-1, 2Т318Е-1, КТ318А-1,
КТ318Б-1, КТ318В-1, КТ318Г-1, КТ318Д-1,
КТ318Е-1
Транзисторы кремниевые :шитаксиально-планарные 11-р-п переклю­
чательные СВЧ маломощные.
Предна·Jначевы ;~~•я работы в
переключающих схемах гермеги­
зированной аппаратуры.
Бескорпусные, с гибкими вы­
водами, с защитп:.rм покрытие~·!.
Транзисторы помещаю1ся в воз­
вратную гару, позволяющую без
извлечения из нее траrписторов
производить измерение ·электриче-
ских параметров. Обозначение типа
и маркировочная точка эмиттера
приводятся на крышке возврапюй
тары.
Масса транзистора не бо­
лее 0,01 г.
Эле1•тр11ческие параметры
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при
lк=10мА,/Б=1мАнеболее:
приТ=298КиТ=213К:
2Т318А-1, 2Т318Б-1, 2Т318В-1, 2Т318Вl-1,
КТ318А-1 КТ318Б-1, КТЗISВ-1 . . ...
2Т318Г-1,' 2Т318Д-1, 2Т318Е-1, КТ318Г-1,
КТ318Д-1, КТЗISЕ-1
....
при Т=358 К:
2Т318А-1, 2Т318Б-1, 2Т318В-1, 2Т318Вl-1,
КТ318А-1, КТ318Б-1, КТ318В-1.
11 По.1упроводпиковые 11риборы
0,27 в
0,33 в
0,3 в
321


2Т318Г-1, 2Т318Д-1. 2Т318Е-1, КТ318Г-1, КТ318Д-1.
КТ318Е-1 ............. .
Напряжение насыщения база-эмиттер при lк = 10 мА,
/Б= 1мАнеболее:
вриТ=298КиТ=213К:
2Т318А-1. 2Т318Б-1, 2Т318В-1, 2Т318Вl-1,
КТ318А-1, КТ318Б-1, КТ318В-1 .
2Т318Г-1, 2Т318Д-1, 2Т318Е-1, КТ318Г-1,
КТ318Д-1, КТ318Е-1 .....
при Т= 358 К:
2Т318Г-1. 2Т318Д-1, 2Т318Е-1. КТ318Г-1.
КТ318А-1, КТ318Б-1. КТ318В-1 .
2Т318Г-1, 2Т318Д-1, 2Т318Е-1, КТ318Г-1,
КТ318Д-1, КТ318Е-1 ......... .
Статический коэффициент передачи 1ока в схеме
с общим :>миттером при Икэ = 1 В, 13 = 10 мА:
при Т= 298 К:
2Т318А-1. 2ТЗ18Г-1. КТ318А-1. КТ318Г-1 ...
2Т318Б-1. 2Т318Д-1. КТ318Б-1, КТ318Д-1
2Т318В-1. 2Т318В1-1, 2Т318Е-1, КТЗISВ-1,
КТ318Е-1.........
при Т= 358 К:
2Т318А-1, 2Т318Г-1, КТ318А-1, КТ318Г-1 .. .
2Т318Б-1, 2Т318Д-1, КТ318Б-1, КТЗIЩ-1 .. .
2Т318В-1, 2Т318Вl-1, 2Т318Е-1, КТ318В-1.
КТ318Е-1...........
при Т= 213 К:
2Т318А-1. П318Г-1, КТ318А-1. КТ318Г-1
2Т318Б-1, 2Т318Д-1, КТ318Б-1, КТ318Д-1
2ТЗ18В-1. 2Т318Вl-1, 2Т318Е-1. КТ318В-1.
КТ318Е-1..............
Модуль коэффициента передачи тока при j = 100 МГц.
приИкэ=2В,/э=5мАнеменее:
2Т318А-1, 2Т318Б-1, 2Т318В-1. 2Т318Вl-1,
КТ318А-1, КТ318Б-1, КТ318В-1 . . . . . . .
2Т318Г-1, 2Т318Д-1, 2Т318Е-1, КТ318Г-1.
КТ318Д-1, КТ318Е-1 ..... .
Время рассасывания при
нс бо:1ее:
fк=1о~1Л,/Б=1мА
2Т318А-1, 2Т318Б-1,
КТ318Б-1, КТ318В-1 .
2Т318Вl-1.....
2Т318Г-1, 2Т318Д-1,
КТ318Д-1, КТЗ18Е-1
2Т318В-1, КТ318Л-1,
2Т318Е-1, КТ318Г-1,
Емкость коллекторного перехода при
f=10МГцнеболее:
2Т318А-1, 2Т318Б-1, 2Т318В-1,
КТ318А-1, КТ318Б-1, КТ318В-1 ...
2Т318Г-1, 2Т318Д-1, 2Т318Е-1,
КТ318Д-1, КТ318Е-1 . . . . . .
322
ИкБ=5 В,
2T318Bl-I,
КТ318Г-1,
0.37 в
0,9 в
1,0 в
1,05 в
1.15 в
30-90
50-150
70-280
25-180
45-300
60-560
15-90
26-150
33-280
4.3
3.5
15 нс
10 нс
25 нс
3,5 пФ
4,5 пФ


Емкость эмиттерного перехода при И кэ = О, f =
= 10 МГц не более:
2Т318А-1, 2Т318Б-1, 2Т318В-1, 2Т318Вl-1,
КТ318А-1, КТ318Б-1, КТ318В-1 ..
2Т318Г-1, 2Т318Д-1, 2Т318Е-1, КТ318Г-1,
КТ318Д-1, КТ318Е-1 .
Напряжение отпирания при Икэ = 2,5 В, /э = 0,05 мА
нс менее:
при Т= 298 К:
2Т318А-1, 2Т318Б-1, 2Т318В-1, 2Т318Вl-1,
КТ318А-1. КТ318Б-1, КТ318В-1 .
2Т318Г-1. 2Т318Д-1, 2Т318Е-1, КТ318Г-1,
КТ318Д-1, КТ318Е-1 .
при Т= 358 К:
2Т318А-1, 2Т318Б-1, 2Т318В-1, 2Т318Вl-1,
КТ318А-1, КТ318Б-1, KTЗISB-1, .
2Т318Г-1, 2Т318Д-1, 2Т318Е-1, КТЗISГ-1,
КТ318Д-1, КТ318Е-1 ..
Обратный ток коллектора при ИкБ = 1О В не более:
приТ=298.КиТ=213К.
приТ=358К.
Обратный ток эмиттера при Иэ~; = 3 В не бо:1ее
Предельные эксплуатационные данные
Постоянные напряжения коллектор-база, кол.1ектор­
эми1герприR63= 3кОм,Т=213+358К.
Постоянное
напряжение
эмиттер-база
при
Т=213+358 К .
Пос1оянныii i ок коллектора в режиме насыщения
приТ=213 .;-358 К .
Импульсный ток кол:1ектора при ти ,;; 10 мкс.
Q-;:1О, 'Ф,;;100нс.
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
приТ=213+328К
приТ=358К.
Темпера тура перехода
Тепловое сопротивление 11ерсход-среда
Температура окружающей среды .
4пФ
5пФ
0,57 в
0,55 в
0,42 в
0,4 в
0,5 мкА
10 мкА
1 мкА
10в
3,5 в
20 мА
45 мА
15 мВт
5 мВт
373 к
3 К/мВт
От 213 до
358 к
Пр п м е q а 11 и я: 1. Максимально допустимая постоянная рассеи­
ваемая мощность коллектора, мВт, при Т = 328 + 358 К определя­
ется по формуле Рк м•кс = (373 - Т)/3.
2. При пайке выводов должны быть приняты меры, исключаю­
щие возможность нагрева к рис 1·алла и защитного покрытия до
температуры более 373 К.
Не рекомендуется работа тран:шсторов при рабочих токах соиз­
меримых с неуправляемыми токами во всем диапазоне температур.
При включен1111 транзистора в цепь, находящуюся под напря­
жением, базовый контакт должен присоед11ня гься первым 11 отсос-
диняться последним.
11*
323


! 5 ,мА 2Т318А-1-2Т318Е-1,
KT318A-1 -KT .J18E -1
h
1,0
1
0,8
:.::
:.::
~
:.::
""'
""
0,6
""'
°'
11
,,.,
"'
1--
,.,,
o,цi----1-11--+r---+--++---I
0,21- - --++ -- - -!t--+- -+- - --I
OL.L.----1.~"'-"-~-'--~'---'
0,5 0,6 0 ,7 0,8 0,9 U53,8
Входные характеристики.
213
2Т318В-1,2Т31881-1,
1ЦО 2 Т318Е-1,-t-т--4--+----1
КТ318В-1,
2Т.J18Б-1,
120 КТ318Е-1__,,'-+-_2ТJ18Д-1,
1О О 1-----+-_,,,_+----1''--К Т318 Е-1 ,
КТ318Д-1
1
1
8О1-----+---ы<----1f---2Т318А -1,
2Т318Г-1,
60 Ь-"""1--+-~КТ318А-1,
КТ318Г-1
ЦOr=::=:::r=_...J___J_
__,__.J___J
213253 293333 373 т,к
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от
70- 3
.50
50
цо
-ч: 30
"'~
.; 20
"'
~10
о
температуры.
2 ТJ18А~1-2Т318Е
1
-1,
-КТ318А-1-КТ318Е-1-
-k
1
Uк5= 108 /
/
_"/
213 253 293 333 373 I,K
Зависимость обратного тока
коллектора от температуры.
324
hг1з 2Т3188-1, 2Т31881-1,
1цо 2Т318Е-1, КТ318В-1,
КТ318Е-1
12о1-----+-----+--+--1----1
100
ц
8
16Iк,мА
За виси масть статическоr о коэф­
фициента передачи тока от тока
коллектора.
Jhг1зl2'1 2Т318А-1-2Т318Е-1,
КТ318А-1-кт:3'18Е-1
201---+- -+- - -+ - --l -- -I
161---..+~-+--+----lf----I
12 1----+~.-4----1---1-----1
8 1---+ --+---'.. . .. .. .- -1 - --1
ц.___,__
_, __ .. .L __ _Jc__::::.,j
О 20 '10 60 80f,МГц
Зависимость модуля коэффици­
ента передачи тока от частоты.
6
2 Т318А-1-2Т318Е-1,
5, 5 КТ318А-1-КТ318Е-1
51---+- -+- -+- -+- --1
-е.
<:::
с§ '1 ,51 ----+--+ --+ --+ ---I
~
<-.о ц ~--;----+--+--+----!
3,5
3...____._........__......_ _
_,__ __,
о
2Jц5
Uк5,U53,B
Зависимости емкостей коллек­
торного и эмиттерного пере­
ходов от напряжения коллек-
тор-база и база-эмИJтер.


2Т324А-1, 2Т324Б-1, 2Т324В-1, 2Т324Г-1,
2Т324Д-1, 2Т324Е-1, КТ324А-1, КТ324Б-1,
КТ324В-1, КТ324Г-1, КТ324Д-1, КТ324Е-1
Транзисiоры кремниевые эпптаксиально-планарные п-р-п пере­
ключательные маломощные и СВЧ усилитс.-~ыrые с ненормирован­
ным коэффициентом шума.
ПредназначеIIЫ для переключе-
ния (2Т324А-1, 2Т324Б-1. 2Т324В-1.
2ТЗ24Г-1, КТ324А-1, КТ324Б-1.
КТ324В-1, КТ324Г-1) и усиления
сигналов
высокой
частоты
(2Т324Д-1, 2Т324Е-1. КТ324Д-1,
КТ324Е-1).
О,б
\
1i
Бескорпусные, без кр11сталло­
держатс.1я, с r116кими выводами
и защитны"1 покрытием IIa основе
кремнийорганического лака. Выпус­
каются в сопроводи·1ельной таре.
Обозначение пша приводится на
этикетке.
Масса транзис1ора не более
0,002 г.
ItUЦЗ1шттер
Ко1111ектор
Э.1е1пр11чсские параметры
Граничная частотu при UкБ = 2 В, fэ = 5 мА не
менее:
2Т324А-1, 2Т324Б-1. 2Т324В-1, КТ324Л-1. КТ324Б-1,
КТ324В-1.....·····......
2Т324Г-1, 2Т324Д-1, 2Т324Е-1, КТ324Г-1. КТ324Д-1,
КТ324Е-1
.
.
.
·
·
·
·
·
·
.....
.
Постоянная времени цепи обратнрй с;зязи при Ию; =
=2В,J3=5мА,f=10 МГц2Т324Д-1, 2Т324Е-1,
КТ324Д-1, КТ324Е-1 не бо.1ее .
.
...
Время рассасывания при lк ""с = 1О мА, /Б.шс = 1 мА,
Rк=75Омнсбол~е
2Т324А-1, 2Т324Б-1, 2Т324В-1, КТ324А-1, КТ324Б-1.
КТ324В-1. . . . .
2Т324Г-1,КТ324Г-1. . . . . . . .
Статический коэффIIциент передачи тока в схеме с об­
щим эмиттером при Ек =О, lк = 10 мА:
при Т= 298 К:
2Т324А-1, КТ324А-1
2Т324Б-1, 2Т324Г-1, КТ324Б-J, КТ324Г-1
2Т324В-1, КТ324В-1
2Т324Д-1, КТ324Д-1 .
2Т324Е-1, КТ324Е-1 .
800 МГп
600 МГц
180 пс
10 !!С
15 нс
20-60
40-120
80-250
20-80
60-250
325


при Т= 213 К:
2Т324А-1 ..
2Т324Б-1, 2Т324Г-1
2ТЗ24В-1
2Т324Д-1 . .
2Т324Е-1 ..
при Т= 358 К:
2Т324А-1 ..
2Т324Б-1, 2Т324Г-1
2Т324В-1
2Т324Д-1 ....
2Т324Е-1 . . .
Граничное напряжение при fэ = 1 мА 2Т324А-1, 2Т324Б-1,
2Т324В-1, 2Т324Г-1, 2Т324Д-1, 2Т324Е-1 не менее.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при lк = 1О мА,
lь=1мАнеболее.
Напряжение насыщения база-эмиттер при /к= 10 мА,
/Б=1мАнеболее. .
Обратный ток ко;шектора ври Uк 6 = 10 В не более:
приТ=298К..
при Т = 358 К 2ТЗ24А-1, 2Т324Б-1, 2Т324В-1. 2Т324Г-1,
2Т324Д-1, 2Т324Е-1 .
Обратный·1ок эмиттера при Т=298 К, Ию;=4Вне
более.
Емкость коллекторного перехода при UкБ = 5 В не
8-60
16-120
32-250
8-80
24-250
20-120
40-240
80-500
20-160
60-500
5в
0,3 в
1,1 в
0,5 мкА
10 мкА
1 мкА
бо.оее .
2,5 пФ
Емкость эмиттср~;tого перехода при U36 =О В нс бо-
лес
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база .
Пос 1оянное напряжение кол:1ектор-:>миттер при R36 ,;;
<;; 3 кОм ....
Постоянное напряжение эмиттер-база .
Постоянный ток коллектора .
Имнульспый ток коллектора при ти ,;; 1О мкс, Q ;, 1О.
Постоянная рассеиваемая мощность:
приТ=213-с-328К.
при Т=358 К .
Общее тепловое сопротивление
Температура перехода . . .
Температура окружающей среды.
2,5 пФ
10в
10в
4в
20 мА
50 мА
15 мВт
5 мВт
3 К/мВr .
373 к
От 213
до358к
Пр им е чан и е. При эксплуатации транзисторов в составе микро­
схем должен быть обеспечен теплоотвод от кристалла с Rт.;; 3 К/мВт.
326


1,1
1~ 1,0
"
:50,9
СТ)
-~о 8
~'
СТ)
} 0,7
v-
v
./
" 2ТJ2Ч-А-1- 2Т32Ч-Е-1,
,___
КТ32Ч-А-1-КТJ2Ч-Е-1-
1
1,2
.-.._
1,0
~ 0,8
"
':!]О,В
"<!:о lf- .
'- ..
'
"'-
...._'-О,2
1
1
,
-
2TJ2lf-.A-1-2TJ2ЧE-1
КТ32Ч-А-1-КТ32Ч-Е-f-
11
Uк 6 =281
0,6
О,5
08121620Iк,МА0
8 12 18 20I3,мА
Зависимосrь
относительного
статического коэффициента пе­
редачи тока от тока ко.1лектора.
Зависимость относительной rра­
НИ'IНОЙ частоты от 1ока эмит­
тера.
1,Ч- ...----т-~------~
1,3
2 Т32Ч-А-1-2Т32Ч-Е-1,
КТ32ЧА-1-КТ32ЧЕ-1
~ 1,21----t---+---+--+---',__--1
., .;
~ 1, 1 t----t ---+---+ --. JC---'-- -"
'-.,,
~ 1, о 1----t---+-_q .._ _ J_ _ _ _JL---I
~
Iк=10мА
:::} 0,9
16=1мА
Зависимое 1ь относительного на­
пряжения насыщения коллектор­
эмиттер от температуры.
о,8 "'=:---=-'"---'--.J...___J,_....J....__,
213 2Ч-J 273 303 333 363 т, к
2Т325А, 2Т325Б, 2Т325В, КТ325А, КТ325Б,
КТ325В
Коллектор
Тран·шсторы крс!v!ниевые ·тн­
таксиа.1ьно-11.1а11арные 11-р-11 СВЧ
усилите.1ьные с ненормированным
коэффипиенто~1 шу\~а.
ZJ
6,6
fi$"o
i ""1"'
""1
Прсдназаа<Jены ;ря усиления
сигналов высокой с1астоты.
Выпускаются в мста.1.1остек­
лянном корпусе с 1нGки~1и выво­
дами. Обоз11ач~ннс гипа приво­
дится на боковой i!овсрхности кор­
пуса.
Масса транзистРра не более
1,2 г.
-
1
Электри•1еск11е параметры
$
Гра1ш<Jная частота при Uкr; = 5 В, /э = 10 мА:
2Т325А, 2Т325Б, КТ325А, КТ325Б нс менее .
2Т325А, 2Т325Б, КТЗ25А, КТ325Б, типовое
чение .
2Т325В, КТ325В не менее .
1
Ф!l,Ч
База
.
800 МГц
зна-
.
1000 * МГц
1000 МГц
зrт


2Т325В, КТ325В, лшовое значение .
Постоянная вре:v~ени цепи обр<нной связи при Uк 6 =
= 5В,13=10мА,I=10МГцнебо.1ее
типовое значение .
Статический коэффициент переда'ш тока в cxe:vie с общим
эмиттером при Ию;= 5 В, lк = 10 мА·
при Т= 298 К:
2Т325А, КТ325Л
2Т325Б, КТ325Б
2Т325В, КТЗ25В
при Т=213 К:
2Т325А
2Т325Б
2Т325В
при Т= 398 К:
2Т325А
2Т325Б
2Т325В
Граничное напряжение при 13 = 10 мА не менее
типовое значение .
Обратный ток коллектора при ИкБ = 15 В не более:
приТ=298К..
при Т = 398 К 2Т325А, 2Т325Б, 2Т325В
Обратный ток эмиттера при Т = 29~ К, Иэь = 4 В
не более:
2Т325А, 2Т325Б. 2Т325В .
КТ325А, КТ325Б, КТЗ25В.
Емкость коллекторного перехода при Ик 6 = 5 В. / =
= 10 МГц не более
1200 • MГII
125 IIC
50* IIC
30-90
70-210
160-400
12-90
28-210
64-400
30- 170
70-400
160- 700
15в
25*в
0,5 мкА
5 мкА
1 мкА
0,5 :viкA
2.5 пФ
типовое значение .
2.0*пФ
Емкость эмиттерного перехода при U36 = 4 В. / =
= 10 МГц нс более
2,5 пФ
типовое значение .
2,0 • 11Ф
Емкость конструктивная между выводами коллектора
и эмиттера*
0,35 пФ
Индуктивность выводов э:v~иттсра и базы• при 1 =
=Змм.
7 нГн
ПредеJ1ьные эксплу:пащюнпые данные
Постоянное напряжение коллектор-база .
Постоянное напряжение коллсктор-эмит rep 11р11 RэБ о(
<;;З кОм .
Постоянное напряжение ·;миттер-база .
Постоянный ток коллектора:
2Т325А, 2Т325Б, 2Т325В .
КТ325А, КТ325Б, КТ325В
Постоянный ток эмиттера:
328
2Т325А, 2Т325Б, 2Т325В .
КТ325А, КТ325Б, КТ325В
15в
15в
4в
60 мА
30 мА
60 мА
30 мА


Импульсный ток коллектора 11ри т11 ,;;; 1О мс. Q >- 2
КТ325А, КТ325Б. КТ325В .
60 мА
Импульсный ток 'Эмиттера при т11 ,;;; 10 мс. Q;, 2
КТ325А. КТ325Б, КТ325В .
60 мА
Постоянная рассеиваемая мощнос1ь:
при Т= 213-;- 358 К, р;, 6650 Па
при Т=213-:-358 К. р=665 Па
приТ=398К.
225 мВт
150 мВт
85 мВт
Общее тепловое сопротивление .
Темпера тура перехода .
Температура окружающей среды
1, 2 ....---.--.--.---..----т--.
1) 11----+- -+- -+- -+- - -+- -i
СТ) 1, о \--'llof;.<;"7!7'7'7'~'7'7k-t--;
_. s = . 'i::;, О 9 HЧ--"f<W,'17777j;7;77t7'J~
.........
'
"'
. s =. ' i::;, О,81--+--+-+-""<7'..,..,?'7'7'7'7'5/
О 7 2Т325А-2Т325В,+--__.......,_,,
'
КТ325А -KTJ258
о' 6 '----!---:'::--::"~-:-:';,..--~-:--'
0102030W50lк,МА
Зона возможных положений за­
висимости относительного ста­
тического коэффициента пере­
дачи тока от тока коллектора.
1,2
1,1
1,о
~О,9
.........
..._::-о 8
'
-
/
/
2Т325А :_2ТJ25А,
КТ325А-КТ325А -
/
'
UКБ =58
0,7
0,6
О51015202513,мА
Зависимость о пюсительной гра­
ничной частоты от тока эмит­
тера.
~
286 К/Вт
423 к
От 213 до
398 к
2,0 r---г--.---~-~~
1,8
2Т325А -2Т325В,
КТ325А -КТ325В
1, 6 t----+ --+- --l --.\ .--1 L- --.I
~"' 1) lf t--+--t--+--+--1~,><1
.........
~ 1, 2 1--+--+--1---+....~~~
. s=.
1,0 f---;;;;\;..~~~~f---+--J
~80~~--'---'--'--'--....J
2,5 5 7,5 10 12,5UкБ,В
Зона возможных наложений за­
висимости относи·rельного ста­
тического коэффициента пере­
дачи тока от напряжения кол-
лектор-база.
1, 7 ,..---..,,--,...---~--~
1,3
2Т325А-2TJ25B,
КТ325А-КТ325В
1, 2 t---1--+--1---+--1f-~
- е- 1,1t----1--+---1---'--1'----1
. ,.;
..... ._
. .. _: : - 1,0 t---1---,:...+-"""''+--+--1f-~
о, 9 t--+--+---1----1--+--~
0,8 ~~..,.._.._-....L...-.1-_JL--_.
О 2,5 5 7,5 10 12,5 Uк5,В
Зависимость относительной гра­
ничной частоты от напряжения
коллектор-база.
329


1) 1 ....--г----т--,---.-----,,--,
1, о 1--+ ---+ --ol:;::--t- --r--;
"' 0,9
<Т)
Т=298К
:} о, в 1----1---+-+---!-~l---i
'-..._
Q::
',;)_о, 7
:::::.
0,6
2TJ2 5А- 2Т325В,
KT325kKTJ258 _ _, __ __. ,
n/N,"/o
120
/
1
Uк5 =581
J3 =10мА
v-
/1
2Т325А-2Т325В,
КТ325А-КТ325В -
1
0,5 <---'--~-':----='=--='=~
1 2 5 10 20 5ОR36,к0м
100
80
60
lfO
20
J
Зависимость
относительнш о
максимально допустимого по­
стоянного напряжения ко;1лек­
тор-эмиттер от сопротивления
в цепи база-эмиттер.
О
2 3 lf 5h113,кОм
Интегральная кривая распреде­
ления входного сопротивления
в схеме с общим эмиттером
в режиме ма;юго сигнала.
1Т329А, 1Т329Б, 1Т329В, ГТ329А, ГТ329Б,
ГТ329В, ГТ329Г
Транзисторы германиевые планарные 11-р-11 СВЧ уси;штельные
с нормированным коэффициентом шума на <~астотс 400 МГн.
Предназначены для 11римевения во входных и последующих
каскадах усилителей высокой часrоты и СВЧ.
Вы11ускаются в ~меr аллостек~1янном корпусе с гибкими полоско­
вымп выводами. Обозначение типа приводи1ся на крышке корпуса.
Масса тран1r1стор'1 не более 1 г.
8,5
8,5
Корпус
u
Электрические параметры
Граничная частота при Ик6 = 5 В, /3 = 5 мА не
менее:
330
1Т329А, ГТ329А
1Т329Б, ГТ329Б
1,2 ГГц
1,7 ГГц


1Т329В, ГТ329В . .
ГТ329Г
Постоянная времени цепи обратной связи при UкБ =
= 5В,I,= 5мА,/=30МГцнеболее:
1Т329А, ГТ329А, ГТ329Г .
1Т329Б
1Т329В. ГТ329Б, ГТ329В .
Коэффициент шума при ИкБ = 5 В, Iэ = 3 мА:
при/=400МГц.Rг=75Омнеболее:
1Т329А, ГТ329А
IТ329Б, 1Т329В. ГТ329Б, ГТ329В .
ГТ329Г
приf=60-с-400МГц.Rг=75 Ом, типовое зна-
чение .
ври /= 600 МГц, Rг = 50 Ом, типовое зна-
чсние
при /= 900 МГц, Rг = 30 Ом, типовое зна-
чение
Оптимальное сопротивленне генератора при измерении
коэффициен 1 а шума*:
1,0 ГГц
0,7 ГГц
15 пс
30 пс
20 пс
4дБ
6дБ
5дБ
3,5*дБ
4* дБ
5* дБ
ври/= 60 МГ11 .
при/= 180 -с- 400 МГц.
.
. 75-100 Ом
50 Ом
Диапазон '~астот, соответствующий равномерному спектру
шумов (об 'Jасть белОJ о шума)* .
. 1-400МГц
Коэффициент уси,1ения по мощности * при ИкБ = 5 В.
/з=5мА.f=400МГц.
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим
эмиттеро:v1 ври (.,'кБ = 5 В, fэ = 5 мА:
приТ=298К.
6дБ
15-300
при Т = 213 К 1Т329А, 1Т329Б, 1Т329В
при Т = 343 К IТ329А, IТ329Б, IТ329В
.От 1/3до 1,2
значения при Т = 298 К
.От 0,8 до 2,5
значения при Т = 298 К
fэ=5 мА нс менее
5В
Граничное напряжение при
Обратный ток коллек гора
приТ=298К.
при ИкБ= 10 В не более:
при Т = 343 К 1Т329А, IТ329Б, 1Т329В .
Обратный ток э:v~иттера не более:
при Т=298 К:
при Uз 6 = 0,5 В ГТ329А, ГТ329Б, ГТ329Г
при ИзБ = О, 7 В 1Т329А, IТ329Б
при U36 = 1 В IТ329В, ГТ329В .
при Т=343 К:
при U36 = О, 7 В 1Т329А, IТ329Б
приU36=1ВIТ329В..
Входное сопротивление в схеме с общей базой в режиме
малого сигнала при ИкБ = 5 В, fэ = 5 мА 1Т329А,
1Т329Б, 1Т329В не более .
Емкость коллекторного перехода при Uк6 = 5 В не
более:
5 мкА
50 мкА
!00 мкА
100 мкА
100 мкА
150 мкА
150 мкА
22 Ом
331


IT329A, ГТ329А, ГТ329Г
.
.
1Т329Б, ГТ329Б, 1Т329В, ГТ329В
Емкость эмиттерного перехода при ИэБ = 0,5 В не
более.
Емкость конструктивная между выводами эмипера 11
корпуса*
Емкость конструктивная между выводами базы и кор­
пуса*. . .
Емкость конструктивная между выводами коллектора
и корпуса*.
Предельные эксплуатащюнные данные
Постоянное напряжение коллектор-база .
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер:
приRэБ.:;1кОм..
при заданном И6 э .
Постоянное напряжение эмиттер-база:
ГТ329А, ГТ329Б, ГТ329Г
IT329A, IТ329Б .
.
1Т329В, ГТЗ29В . .
Напряжение коллектор-эмиттер в режиме усиления при
RэБ.:; 1 кОм, /~ 20 кГп .
Постоянный ток ко.1лектора .
Постоянная рассеиваемая "1ощность:
при Т= 213 + 323 К IТ329А, \Т329Б, IТЗ29В
при Т = 213 + 323 К ГТ329А, ГТЗ29Б, ГТ329В .
при Т = 343 К~ 1Т329А, \Т329Б, 1Т329В .
при Т = 333 К ГТ329А, ГТ329Б, ГТ329В, ГТ329Г.
Общее тепловое сопротивление
Температура перехода:
1Т329А, 1Т329Б, \Т329В .
ГТ329А, ГТ329Б, ГТ329В, ГТ329Г
Темпера тура окружающей среды:
2пФ
3пФ
3,5 пФ
0,5 пФ
0,5 пФ
0,6 пФ
10в
5в
10в
0,5 в
0,7 в
1в
5,5 в
20 мА
50 мВт
50 мВ1
25 мВт
25 мВт
0,13 К/~1Вг
363 к
353 к
П329А, \Т329Б, 1Т329В. .
ГТ329, ГТ329Б, ГТ329В, ГТ329Г
От213до343К
От213до333К
ц.,о г---т-~-.....--~~--
1Т329А -1Т329В,
J,5
ГТ329А-ГТ329В
3,0 1----+-+- -+ -= .....+=+'----1
1, о .----~-+---+---1----1--'
о}5.___.. _....... __..... _ __..... __ _.'----'
2Ц.68101213,мА
332
Зависимость граничной частоты
от тока эмиттера.
11


1Т330А, 1ТЗЗОБ, 1Т330В, 1Т330Г, ГТ330Д,
гтззож, гтззои
Транзисторы германиевые планарные 11-р-11 СВЧ уси.1итсльные
с нормированным коэффиuиентом шума.
Предназначены для уси.'"!ения и rснерировання э.1сктр11ческих
сигналов.
Выпускаю rся в металлостеклянном корпусе. ~ rибки,111 полоско-
выми выводами.
Масса транзистора не более 2 1
1
1, .J
. J,2
0,2
L.~-8~,s~_,..>~IE~-8~,s~-;J
Элек·1 ричсские параметры
С1атн'1~ский коэффиuиент передачи тока в схеме с
общи:-.1 эмиттером при И1(Б = 5 В. 1-э = 5 мА:
при Т= 298 К:
1ТЗ30А, 1Т330Б. IТЗЗОГ. ГТЗЗОЖ, ГТ330Д.
IT330B .
ГТ330И
при Т=213 К
пр11Т=343К.
30-400
S0-400
10-400
.От 0,4 до 1,2
значения при
т=298к
.От 0.5 до 2,5
значсни~ при
т~2У~к
5 М!с.'\
50 'V!кА
Обратный ток коллектора, не бо.1ее:
приИкь=10 В, Т=213-о-298К
приИкь=5В,Т=343К...
Моду.1 ь ~;о::~фф:щиента перею1чн тока при ИкБ = 5 В,
lэ = 5 мА,/= 100 МГu не менее:
1Т330А, !Т330В. ГТ330Ж .
1Т330Б
IТ330Г .
10
15
7
333


ГТЗЗОД, ГТЗЗОИ . .
Коэффиuиент шума при ИкБ=5 В, /э=5 мА,f=
= 400 МГu не более:
IТЗЗОА
ГТЗЗОД, ГТ33ОИ .
Обратный ток эмиттера при ИэБ = 1,5 В не более
Постоянная времени uепи обратной связи при ИкБ =
= 5В,/э=5мА./=30МГuнеболее:
IТЗЗОА .
IТ330Б
1Т330В, ГТЗЗОЖ .
IТЗЗОГ, ГТЗЗОД, ГТ330И .
Емкость коллекторного перехода
более:
IТ330А, !ТЗЗОБ, IT330B .
при
IТ330Г, ГТ330Д, ГТ330Ж, ГТ330И
Емкость эмиттерного перехода при
более.
ИкБ=5
ИэБ = 0,5
вне
внс
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = 20 мА,
/Б = 2 мА 1Т33ОА, IТ330Г, ГТ33ОД, ГТ330И не бо-
лее
.
.
.
.
Напряжение насыщения база-эмиттер при
/Б = 2 мА IТЗ30А, 1ТЗЗОГ, ГТ330Д,
более.
Время рассасывания при /к = 20 мА, /Б = 2
1Т330Г не более .
Iк=20 мА.
ГТЗЗОИ не
мА IT330A,
Граничное на11ряженке при / 3 = 5 мА IТ330А, 1ТЗЗОГ
не менее. .
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база:
1Т330А, IТ330Б, 1Т330В, !Т330Г .
гтззод, ГТЗ30Ж, ГТЗ30И .
Импульсное напряже1111е коллектор-база:
при Т= 213 -с- 318 К:
1ТJЗОА, IТЗЗОБ, 1Т330В .
1Т330Г
5
5дБ
8дБ
100 мкА
25 пс
50 ПС
100 пс
30 ПС
2пФ
3 11Ф
5пФ
0,3 в
0,7 в
50 нс
бв
13в
10в
20в
18в
20в
при Т = 228 -;- 328 К ГТЗЗОД, ГТ330Ж, ГТ330И .
приТ=318-с-343К .
.Снижение на
1в
через каждые
5к
Постоянное напряжение эмиттер-база .
Постоянное наnряжение коллектор-эмиттер
1Т330Б, 1Т330В, 1Т330Г . .
1Т330А,
1,5 в
13в
ПостояННЬ!Й ток коллектора .
20 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при Т= 213 -с- 318 К 1Т330А, !Т3ЗОБ, IТ330В,
\ТЗ30Г
.
.
.
.
.
.
50 мВт
334


при Т = 228 -:- 318 К ГТ330Д, ГТ330Ж, ГГ330И .
при Т = 343 К JТ330А, 1Т330Б, IТ330В, 1ТЗЗОГ .
при Т = 328 К ГТ330Д, ГТ330Ж, ГТЗ30И
50 мВт
25 мВт
40 мВт
Темпера тура перехода:
1Т330А 1Т330Б, 1Т330В, 1Т3ЗОГ
rтз3од', гт3зож, гт3зои . . .
368 к
333 к
Температура окружающей среды;
IТ330А, 1Т3ЗОБ, !Т330В, 1Т330Г
От 213
до343к
От 228
до328к
ГТЗЗОД, ГТ330Ж, ГТ330И . . .
10
1Т330А -1Т330Г,
ГТ330Д,ГТ330Ж,
ГТ330И
,,,"'
0011....4~-'---'---~-::":-:::-:7.
'
213 233 253 273 293 313 т,к
Зона возможных положений за­
висимости обратного ·тока кол­
лектора от ·е"1r1ературы.
1,2
~ 1,1
~
~ tOl---1---t---d-_,.,_,,.r=-+--Н
,,
t:_ 0 ,9 i'=--~'--+-+---t---i-Т---t-1
"'
{о,в1
"'
~ 0)7 1-+-+- ->-
- t::
~5.__.___,__.__:-':'::_._~==-~
213 253 293 333 т,к
Зона возможных положений
зависимости
относительного
статического коэффиuиента пе-
редачи тока от температуры.
~ 1,1 г---г--т--..----т--т----,
11
1Т330А-1Т3JОГ,
~1
' i: ГТJ30Д,
~09
~ ~ ГТJ30Ж,
~ ) t---+ - -t --'<1i'I-
"'
~~ ГТJ30И
~ о,в t---+--t---No,.---4--+----i
~~ 0,7t--t---+--+----'IW--+---i
§-
~ ~61---+--+--+---i>,.......-"'""--1
~ о 5 L--...J.,.-.L...,,...-L-=-....J.....,.,....,::ъ..--::!
) о 10 102 103 104 R53,0M
Зона возможных положений за­
висимости относительного вро­
бивного напряжения коллектор­
эмиттер от сопротивления база-
эмиттср.
1TJ30A -1TJJOГ-,---"-----'
ГТ330Д, ГТJJОЖ,
ГТJJОИ
1
~51----+--+--+---+---1----1
о2ч68
Зона возможных положений за­
висимости относительного мо­
дуля коэффиuиента передачи то­
ка от напряжения коллектор-
база.
335


- ---- ._
1,5
<>::
:;;о
""'11
">
~
"' 1,0
,__
"'
- <:::
"-.._
;>.
"'
- <:::
-o,s
о24-6
Зона возможных положений за­
висимости относительнш·о мо­
дуля коэффицнен1а передачи
тока oI тока ::~миттера.
2Т331Л-1, 2Т331Б-1, 2Т331В-1, 2Т331Г-1,
КТ331Л~1, КТ331Б-1, КТЗЗ!В-1, КТЗЗ!Г-1
Тр:1нзисторы кремниевые планарные п-р-п высокочастотные и
СВЧ уснл~;тс:1ьные с нормированным коэффициентом шума на
0,8
~fi·I~ ,. _
1
-Г>-п-<">-·-11
j '"'" ?f!iJ) ФП,°'J.
Jмumrnep Коллектор
частоте 100 МГц.
Пре;щаз11ачень1 для усиления
и генерирования сигналов высокой
частоты.
Бескорпусные, без кристал:ю­
J~ержателя, с гибки~ш вывода~.111 и
з~щ1п ным покрытием эмалью. Вы­
пускаются в сопрово;щтельной та­
ре. Обозш1 чснпс типа привалится
на этикет1:е.
Масса транзистора не более
0,003 r.
Электр11'1еск!lе 11араметры
Граничная частота при Икь = 5 В, lэ = 3 мА:
не менее:
2Т331А-1, 2Т331Б-1, 2Т331D-1, КТЗЗlА-1, КТ33!Б-1,
КТЗЗIВ-1
2Т331Г-1, КТЗЗlГ-1 ...
1 иповос значение:
2ТЗЗIА-1, 2Т331Б-1, 2Т33IВ-1
2ТЗЗIГ1 ...
Постоянная времени цепи обратной связи
=5В,Iэ=1мА,f=5МГцнеболее.
птовое значение 2ТЗ3!А-1, 2ТЗЗIБ-1,
2Т331Г-1.
при Икь =
2ТЗЗIВ-1,
Мюшмальны:i коэффициент шума при Икь = 5 В, 13 =
250 МГц
400 МГц
450 * МГц
500 * МГц
120 пс
50* пс
= lмА,I=100МГцнеболее ........ 4,5дБ
1иповое значение 2Т331А-1, 2Т331Б-1, 2ТЗЗIВ-1,
2ТЗЗIГ-1
.
.
.
.
2,5*дБ
336


Статический коэффициент передачи тока в схеме с об­
щимэмиттеромприИкБ=5В,lэ=1мА:
при Т= 298 К:
2Т331А-1, КТЗЗIА-1
2Т331Б-1, 2Т331Г-1, КТЗЗlБ-1, КТЗЗIГ-1
2Т331В-1, КТЗЗIВ-1
при Т= 213 К:
2Т331А-1 .
2Т331Б-1. 2Т331Г-1
2Т331В-1 .
при Т= 398 К:
2Т331А-1 .
2Т331Б-1, 2ТЗ31Г-1
2Т331В-1 .
Постоянное прямое напряжение эми пер-база при ИКБ =
=5В,Iэ=1мА:
20-60
40-120
80-220
10-60
15-120
30-220
20-130
40-250
80-500
2Т331А-1, 2Т331Б-1, 2Т331В-1, 2Т331Г-1 .
КТ331Л-1, КТ331Б-1, КТЗЗlВ-1, КТ331Г-1
Обратный ток коллектора при ИкБ = 15 В
при Т= 298 К.
.0,55-0,75 в
.
0,5-0,75 в
не более:
при Т= 398 К 2Т331А-1, 2Т331Б-1, 2Т331В-1.
2Т331Г-1.
Обратный ток эмиттера при И-эБ = 3 В не более:
0,2 мкА
10 мкА
приТ=298К. .
0,5 мкА
при Т=398 К 2Т331А-1, 2Т331Б-1, 2ТЗЗIВ-1,
2Т331Г-1.
10 мкА
Емкость коллекторно1 о перехода при Ик 6 = 5 В не
более.
типовое значение 2Т331А-1, 2Т331Б-1, 2ТЗ31В-1,
2Т331 Г-1
Емкость эмиттерного перехода при ИэБ = 1 В не бо-
лее
типовое 3Начение 2ТЗ31А-1, 2Т331Б-1, 2Т331В-1,
5пф
3* пФ
8пФ
2Т331Г-1
5* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение кол:1ектор-база .
Постоянное нанряжение коллектор-эмиттер:
при R"ЭБ .;; 10 кОм .
при R36 .;; 100 кОм 2Т331А-1, 2Т331 Б-1, 2ТЗ31В-1,
2Т331Г-1.
Постоянное напряжение эмиттер-база
Постоянный ток коллектора .
Постоянный ток базы .
Импульсный ток коллектора при ти .;; 10 мкс .
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Т= 213 -с- 358 К 2Т331А-1, 2Т331Б-1, 2Т331В-1,
2Т331Г-1.
15в
15в
10в
3в
20 мА
5мА
50 мА
15 мВт
337


при Т= 213 -7 - 348 К КТ331А-1, КТЗЗlБ-1, КТЗЗIВ-1,
КТ331Г-1............
15 мВт
при Т= 398 К:
2Т331А-1, 2Т331Б-1. 2Т331В-1. 2Т331Г-1 .
КТЗЗlА-1, КТ331Б-1, KT331B-l, КТ33!Г-1 .
3 мВт
2,5 мВт
Общее теп.1овое сопротивление:
2Т331А-1, 2Т331Б-1. 2Т331В-1. 2Т331Г-1 .
КТ331А-1. КТ331Б-1. КТ331В-1, КТЗ31Г-1
Температура перехода . . . .
330 К/Вг
400 К/Вт
408 к
От 213
ДО398К
Температура окружающей среды .
hz1э 2T331Б-1,2TJJJГ-1
150 KTJJ1Б-1, KTJJ1Г-,1-
1251---+ -- - -t --7''---f':----j
100
50~-+---/--+---------j
25 1----7"'-+- -=""'1'-
о"----'-----:----'---'--=-----'
10 -2
10 I 3,мА
Зависи:v~ость ста !'ического коэф­
фициента передачи тока о г то­
ка эмиттера.
1000.---,---..-.---.--~~
900
800
1
2T3J1A-1-2TJJ1Г-1,
KT3J1A-J - KTJJ1Г-1
1
<:'" 700 r----т---t---+---+---+-~
~
~БООг--t--+--+--,+--+---J
~
500 f-+-~=P+-.d---i
4-00 t--#-+---+ ИкБ =5Br
JOO..___._ _ _ _,'--' - - -'- -'- - -'
О24-б81013,мА
Зависимость граничной час 1 оты
от тока т1липера.
2Т332А-1, 2Т332Б-1, 2Т332В-1, 2Т332Г-1,
2Т332Д-1, :КТ332А-1, :КТ332Б-1, :КТ332В-1,
:КТ332Г-1, КТ332Д-1
Транзисторы кремниевые !1Ланар11ые н-р-11 высоко•~астоп1ые 11
СВЧ усилительные с нормированны~1 1шJффш111енто'1 шума на
частоте 100 МГп.
Прс;tна1начены л.1я усиления и генерирования сш·налов высокой
1,Z
. 0,б
1
N
1
,. ,.
1
~11
L:) Q
Эми.ттер ба.за. , Коллентор
338
частоты.
Бескорпусные, без кри­
ста.>лодержателя. с гибкими
выводами и защи гным по­
крытием эмалью. Выпуска­
ются в сопроводительной
таре. Обозначение типа прц­
водится на этикетке.
Масса транзистора нс
более 0,003 г.
1


Электрические параметры
Граничная частота при ИкБ = 5 В, /э = 3 мА не
менее:
2Т332А-1, 2Т332Б-1, 2Т332В-1, КТ332А-1, КТ332Б-1,
КТ332В-1............
2Т332Г-1, 2ТЗ32Д-1, КТ332Г-1, КТ332Д-1
типовое значение:
2Т332А-1, 2Т332Б-1, 2Т332В-1
2Т332Г-1, 2ТЗ32Д-1 . . . .
Постоянная времени цепи обратной связи при ИкБ =
=5В./э=1мА,I=5МГцнеболее.
типовое значение 2Т332А-1, 2Т332Б-1, 2Т332В-1,
2Т332Г-1,2Т332Д-1..........
Минимальный коэффициент шума при ИкБ = 5 В, /э =
=lмА,j=1()()МГцнсболее.........
типовое значение 2Т332А-1, 2Т332Б-1, 2Т332В-1,
2Т332Г-1,2Т332Д-1.............
Статический козффициенr передачи тока в схеме с общим
эмиттеромприИкБ=5В, lэ=1мА:
при Т= 298 К:
2Т332А-1, КТ332А-1 . . . .
2Т332Б-1, 2Т332Г-1, КТ332Б-1, КТ332Г-1
2Т332В-1. 2Т332Д-1. КТ332В-1, КТ332Д-1
при Т= 213 К:
2Т332А-1....
2Т332Б-1, 2Т332Г-1
2Т332В-1. 2Т332Д-1
при Т= 398 К:
2Т332А-1....
2Т332Б-1, 2ТЗ32Г-1
2Т332В-1, 2Т332Д-1
L'кБ =
250 МГц
500 МГц
450 * МГц
550 * МГц
300 пс
80* пс
8дБ
5* дБ
20-60
40-120
80-220
10-60
15-120
30-240
20-130
40-250
80-500
Постоянное прямое напряжение Jмиттер-база нри
=5В,/3=lмА...........
Обратпый ток ко,1лектора при ИкБ = 15 В нс
приТ=298К..........
.
.
.
0,55 -0 ,75 в
более:
при Т = 398 К 2Т332А-1, 2ТЗ32Б-1. 213328-1,
2Т332Г-1, 2ТЗ32Д-1 ...... .
Обратный ток Jмиттера нри ИэБ = 3 В не бо,1ее:
приТ=298К.....
·
·
·
·
.
.
.
.
.
.
при Т = 398 К 2Т332А-1, 2Т332Б-1, 2Т332В-1,
2ТЗ32Г-1. 2Т332Д-1 .
Емкость коллек горного перехода при ИзБ = 5 В не
более.........
·
·
.
.
.
.
.
.
.
.
типовое значение
2ТЗ32Г-l, 2Т332Д-1
Емкость эмиттерного
более......
типовое значение
2ТЗЗ2Г-1, 2Т332Д-1
2Т332А-1, 2Т332Б-l, 2Т332В-1,
перехода при Иэ6 = 1 В не
2Т332А-1, 2Т332Б-1, 2Т332В-\,
0,2 мкА
10 мкА
0,5 мкА
10 мкА
5пФ
3* пФ
8пФ
5* пФ
339


Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение кол.1ектор-база . .
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер:
приRэБ.:;10кОм.....
при RэБ.:;; 100 кОм 2Т332А-1, 2Т332Б-1, 2Т332В-1.
2Т332Г-1, 2Т332Д-1 . . . . ..
Постоянное напряжение эмиттер-база .
Постоянный ток коллектора . .
Постоянный ток базы . . .
Импульсный ток коллектора при <и ,,:;; 10 мкс
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при Т= 213 -с- 358 К 2Т332А-1, 2Т332Б-1, 2Т332В-1,
2Т332Г-1,2Т332Д-1.............
при Т= 213 -с- 348 К КТ332А-1, КТ332Б-1, КТ332В-1,
КТ332Г-1, КТ332Д-1 . .
.
.
.
.
.
...
при Т= 398 К:
2Т332А-1,
2Т332Б-1,
2Т332Д-1 ..... .
КТ332А-1, КТ332Б-1,
КТ332Д-1.....
Общее тепловое сопротивление:
2Т332А-1, 2ТЗ32Б-1,
2Т332Д-1 .
'
....
КТ332А-1, КТ332Б-1,
КТ332Д-1.....
Температура пе19ехода . . .
Температура окружающей среды
hг1з
150
125
100
75
50
25
о
10-2
10 r3)мА
2Т332В-1.
2ТЗ32Г-1,
КТ332В-1, КТ332Г-1,
2Т332В-1, 2Т332Г-1,
КТЗ32В-1, КТ332Г-1.
800
700
:::r 600
L:
~500
"'-
.....'- чоо
JOO
200
о2ч6
15в
15в
10в
3в
20 мА
5 ~1А
5J мА
15 ~1вт
15 мВт
3 мВт
2,5 мПт
330 К/Вт
400 К/Вт
408 к
От 213
до398к
8 10 I3,мА
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от ·1ока
эмиттера.
Зависимость грёю!чной •шстоты
от тока эм1п1ера.
340


1Т341А, 1Т341Б, 1Т341В, ГТ341А, ГТ341Б,
ГТ341В
Транзисторы гср:vшниевые 1I:1анuрные 11-р-11 СВЧ vс1ы1пельные
с нор~шрованным коэффипиентом шума на частоте 1 rГц.
ПредназIIачсны ::~ля усш1еI1ИЯ СВЧ си~ на.1ов.
Выпускаю гся в -.1еталлостек.1я1шом корпусе с гибкими полоско­
выми выво::~ами. Обозначение приво::~ится на крышке корпуса.
Масса транзистора не более 1 г.
0.15
~
-~-о
"'
"' ;::-
.....
t--
r-.
~
~:~
"Э-"Э-
' -s.
L__O
1,1 3,z
Э.1ектрические параметры
Граничная час1ота 11ри ИкБ = 5 В. /э = 5 мА IIe
;vieнee:
1Т341А. IТ341В, ГТЗ41А. ГТ341В
IТ341Б. ГТ341Б .
типовое значение:
1Т341А, IТ341В, ГТЗ41А. ГТ341В.
1Т341Б, ГТ341Б .
ПостояIIная времени цепи обратной связи при ИкБ =
=5В,/э=5мА,f=30МГцнебо~1ее.
типовое значение .
Минимальный коэффиписн 1 шума при ИкБ = 5 В. J.3 =
=2мА,f=1ГГц,Rr=50-7-75Омнеболее:
IТ341А, ГТ341А
1Т341Б, IT341B, ГТЗ41Б. ГТ341В
типовое зна ченне:
IТ341А, ГТЗ41А .
IТ341Б, IT341B, ГТЗ41Б, ГТ341В
Максимальный коэффициент усиления по мощности*
приИкБ=5В,/э=5мА,f=1ГГц.
Статический коэффициент нередачи тока в схеме с об­
щимэмиттеромприИкБ=5В, /э=5мА:
при Т= 298 К:
1Т341А, 1Т341Б. JT34IB
ГТ341А, ГТ341Б, ГТ341В
1.5 ГГн
2 ГГп
1.95 * ГГв
2,55 * ГГII
]0 !!С
7* пс
4,5 дБ
5,5 дБ
4,0*дБ
4,4*дБ
5-6 дБ
15-250
15-300
341


при Т= 213 К IТ341А. IТ341Б. 1Т341В .
От 1;3
;\О \.2
значения при
т=29~к
при Т= 343 К 1ТЗ41А. 1ТЗ41Б. 1Т341В .
. От0,8;102.8
значения при
Т=298К
Граничное напряжение при /э = 5 \IA не :чснее .
Обратный ток ко.иектора при UкБ = 10 В не бо:rее:
приТ=298К.
при Т= 343 К 1ТЗ41А. 1Т341Б. IТ341В .
Обратный ток эмиттера не более:
11ри Т=298 К:
IT341A, ГТ341А. !ТЗ41Б. ГТ341Б. ГТ341В прн
l/35=0,3в.
1Т341Впри UэБ=0.5 В .
при Т= 343 К:
IТ341А, !Т341Б при UэБ = 0.3 В
1Т341В пр11 UэБ = 0,5 В .
Входное сопротив.1ение в схеме с обшей базой в ре­
жиме :-,1з.1ого сигнала пр11 Uк 6 = 5 В. lэ = 5 мА не
бо~1ее .
Емкость ко.1.1екторного
более .
lИПовое знаqенис .
Емкое 1 ь эмиттерного
более .
пшовое значение .
перехо;:щ
перехода
прн СкБ=5в не
при (.'ЭБ=0.3 в нс
Емкость коне 1рукпrвная :-1ежду выво.:ш:-ш эмиттера и
кор11уса •
Е:-..1кость копетруктиюшя \!Сж;1у вывода:-.-111 базы и кор­
пуса*.
Емкость конструк11шная \1СЖд) выnо;_tа:vщ ко.1лектора
5в
5 чкА
50 мкА
50 \1КА
50 чкл
100 мкА
100 мкА
20 0\1
1пФ
0.5*нФ
2пФ
0.85 * пФ
0.5 пФ
0.5 пФ
н r;op11yca * .
0.6 пФ
Предельные эксплуатаuиоиные данные
Посrояшюе напряжен пе коллек юр-база .
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер:
при R36 =О.
приR36=1кОм.
при заданном UБэ
Постоянное напряжение ЭУ!Иттер-база:
1T34JA, ГТ341А, 1Т341Б, ГТ341Б
1ТЗ41В, ГТ341В .
Напряжение коллектор-эмиттер в реЖИУ!е усиления при
RэБ:;:;; 1 кОм,/~ 20 кГц.
Постоянный ток коллектора .
342
10в
10в
5в
10в
0,3 в
0,5 в
5,5 в
10 мА


г Постоянная рассеиваемая \.ющность:
приТ<;333К.......
.
...
при Т = 343 К IТЗ41А, IТ341Б. IТ341В ..
СВЧ мощность, падающая на вход транзистора*. ври
Т= 298 К:
35 мВт
25 мВт
внепрерывномрежиме.........
в импульсном режиме при •и <; 25 мкс,/<; 400 Гц.
50 мВт
250 мВт
0,8 К/мВт
358 к
Общее тешювое сопротивление . . . .
Температура перехода, ГТЗ41А. ГТ341Б. ГТ341В
Темпера тура окружающей среды:
IT341A. 1Т341Б, 1Т341В
.
От 213
ло343к
От 233
до333к
С!
ГТ341А, ГТЗ41Б. ГТ341В ..
Ч,D
3,5
1TJlf1.A.
-
1TJlf1B,
ГТJ4-1A -1TJlf18
~01----+--+----1--+-+-----1
!..-.._ 2,51-----1---+ -_,...," ---t--+ ---t
~
<+-: 2,D 1------+ - -+ -
1,5
~OL....<i.......L--L-..L-----''----'-:-::.~
D2lfб81DI3,мA
Зависимость граничной частоты
от тока ·пшттера.
Кур,дБ
5,5
5,D
~51------+--+J'--+----lc----+----1
lf, D1-----1 ---1 --+ --
3,5 1------++ --+ --+ ----lc----+ ----1
3,DL---1--1---'------'~~-=--
D123lf5I3,мА
Зависимость коэффиаиен 1 а уси­
ления по мощности от тока
эмиттера.
Кш,дБ
lf,D
1ТJlf1A-1ТJlf1B,
ГТJlf1A-ГТJlf1 В
J,8 t--+*--+--+---1--1-----1
J,бг---t-'\1--+----lг--..+---1
J,lfг--+--t--1---+-+--~
UкБ == 58, f==. 1ГГц
J,2i----t --t --+- ---11-- -+--I
J,D~_..~-'-~-'-._Ji___.J..____.J
D12Jlf5I3,мА
Зависи~юсть коэффипиента шу­
ма от тока Э:-.1Иl гера.
Кш,дБ 1 3111
Т ., - A-1TJ1f1B,
J,9 ГТ31f1А -ГТ3Ч1В
3, 8 Г----t-;-;---+--;=с=-----+--+---+-1
3,7
J,бt--+--+--+--"'1'--1---~
J,51---+---='f=.--1---!--J-----1
J,Ч::-:--::-::-=-:-':-::,-,-~--'---'---'
293 303 313 323 333 31f3 Т,К
Зависимое гь коэффициента шу­
ма от температуры.
343


2Т354А-2, 2Т354Б-2, КТ354А, КТ354Б
Транзисторы кремниевые эпн­
такс11а_1ьно-н.шнарные 11-р-11.
Предназна'-!ены для усиления
с11гналов. Бескорпусные, на нике­
левом кристаллодержателе. с гиб­
кими золотыми выводами н с за­
щитным покрытием. изго говлен­
ным на основе кремнийорганиqес­
кого лака.
Масса гранзистора не более
0.003 r.
Электрические параметры
Статиqеский коэффиниент персда'-!и го1ш в схеме с об­
щ11мэмиттеромпри/к=5мА, Uк=2В:
при Т= 213 К:
2Т354А-2 .
2Т354Б-2 .
при Т= 298 К:
2Т354А-2, КТ354А
2Т354Б-2,-КТ354Б.
нри Т=398 К:
2Т354А-2 .
2Т354Б-2 .
Моду.1ь коэффиниента переда'-!И тока при Ик = 2 В.
Iэ=5мА,f=100МГцнеменее:
2Т354А-2, КТ354А .
2Т354Б-2, КТ354Б .
Входное сопротивление в схеме с общей базой в ре­
жи:\-!е малого сигнала при Uк = 2 В. 1-э = 5 мА не
бол~е .
Постоянная времени цепи обратной связи при Ик =
= 2В,1-э=5мА,/=30МГннеболее:
2Т354А-2, КТ354А .
2Т354Б-2. КТ354Б .
Напряжение ~!ежду коллектором и эм11ттером прн / 6 =
=ОиI-3
=5мАнеменее.
Емкость коллекторного перехода при Uк = 5 В не
более.
Емкость эмиттерного перехода при Иэ = О не более .
Обратный ток коллектора при Uк = 1О В не бо.1ее:
при Т=298 К .
при Т = 398 К 2Т354А-2. 2Т354Б-2
Обратный ток эмиттера при Uэ = 4 В не более
344
20-200
45- 360
40-200-
90- 360
40- 360
90-650
11
15
10 Ом
25 пс
30 пс
10в
1.3 пФ
1,2 11Ф
0.5 мкА
5 мкА
1 мкА


Пре::tе.1ьиые эксплуатационные данные
Постоянное напряжение ко.1лектор-база .
Постоянное напряжение кшшек1ор-·~мипер при R 53 ,;;
.;;; 3 кО-..1
Постоянное напряжение эмиттер-база .
Постоянный ток коллектора .
.
Им11у:1ьсный ток ко:1.1ектора при т" ,.:; IU чкс. Q;:, 2 .
Постоянный ток эмиттера .
Импульсный ток э"1иттера при т" ,.:; 10 :viкc. Q ;:, 2
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Т = 213 с- 34S К 2Т354А-2. 2Т354Б-2
11ри Т = 398 К 2Т354А-2. 2Т354Б-2
приТ=213с-323ККТ354А.
приТ=358 К .
Темнература перехода КТ354А. КТ354Б
Диапазон рабочей температуры:
2Т354А-2, 2Т354Б-2
КТ354А. КТ354Б .
10в
10в
4в
10 мА
20 ,1А
10 мА
20 мА
30 мВт
10 мВг
30 мВт
16 мВт
398 к
От 213
ДО398К
От 213
до358к
---._
- q::
~
1,2
Uкз=2В
Зависн:\\ость относите.1ьного
статического ко:~ффи1щента 11е­
ре11а чи тока от тока ко:и1ектора.
~ 1,01--7"'1~-+---F"'"".,...=-I--
""
- t::t_
"°
....
"'
~ 08>--~-~-
.,, )
~-<:::
~s.____.__ _.__"-----!::----'o-~
12J45бIк,мА
1
'
8
Iк=5мА
tбl---т--f---t--+r--t--t
-;;;-
~ 1,41-----1 -- -f- --17''--+ -- --t -- -1
""
~121---+--;.<--t
"°)
~ 1,0 1---<- -+-
~~0,8i:----1--+--+--+---+-----1
Зависимое 1ь о гноен тельного
ста i ического ко:>ффи1Iиента пе­
редачи тока от напряжения ко.1-
.1ектор-эмиттер .
Зависимость относите.1ьного
:v~ол:уля ко·Jффиаиента передачи
1 ока от юка эмиттера.
-...._
Uкз = 28, f== 1DОМГц
~ 1,0 i----т--h-"""-+--+-----1
tr,
11
., .,
~~ 018 1-----11- -+-
~...... __
~~ 0,б
~б'-----'---'--"-----':---:'=-..,.,-0
о24б810Uкз,В
о24б8ЮI3,мА
345


Iз=SмА
f=IODMГu,
КТ35ЧА,1кт31ЧБ, 1
2TJ51fA-2 , 2Т351fБ-2
D,8 1...-.....1..--1--'----'---'-~
D2lfб810Uкз,В
Завнси~нJСТЬ
относи~ е.1ьного
модуля коэффнниента перс;щчи
тока от напряжения ко.1.1ектор-
--.... 1,2
Q:::i
"'11
эмиттер.
i_ 1, D1----'l- -+- --+ --+- ---1- --1
-t
1
"'
2T351fA-2,2TJ51fБ-2
t-> D8 1----1----1-.-+----+--1-~
)
D2lf68Uкз,В
Зависи~юсть относительной по­
стоянной времени 11е11и обрат­
ной связи 01 напряжения кол-
--....
Q:::i
""11
""
~
""
~
""
(_)
1,lf
1,3
1,2
1,1
1,D
D,9
лсктор-э~ш пер.
1
2Т35Ч-А-2, 2Т35Ч-Б-2
\ f=10МГи,
'
..._
--
~~.,..,
11
"'
~
~t-> "'
с;-.
11
1
1111
КТ 35Ч-А, КТ35Ч-Б,
J
2
2T351fA-2,
1
2T3f lfБ-2
1
1
\ Uк=28
"-
f=JDMГu,
о2ifб810Iз,мА
Зависи'v!ость относительной 1ю­
стоянной времени l{епи обрат­
ной снязи от тока э'v!иттера.
f =ЮМГи,
1,D г---+---+----1-----1
"'
~ D,8 t----+--"""" -- --11- -- --J
"'
~">
с.:. D,6 1------+ ---.!.-+ ----< ,_ _ __
_j
D
1
2
"Зависимое 1ъ относительной ем­
кости эмиттерного перехода о г
напряжения э:-.шттер-база.
_
КТ35Ч-А,КТ35Ч-Б, _
2Т35Ч-А-2,2ТJ5Ч-Б-2
1
-1
Uкз 108
~
/
....
/
/
./
D,8
D2lf681ОUк5,В
273
313
353 т,к
Зависимость относительной ем­
кости коллекторного перехода
от напряжения коллектор-база.
346
"Зависимость 0·1 носительного об­
ратного тока коллектора от
температуры.


1,б
~ 1/1-
"'=
со
~ 1,21--- ---+ ---rt-----" j
11
t::.. 1,D 1-----4~--+-----J
~
-€_ D,8
""'
)\; Об 2T351fA-2, 2Т351fБ-2
-с:
}
~ifL.....___ .._ ____.,,.,.....--:~
213
293
373 т,к
\ 1кт35ЧА,КТ35ЧБ 1
2TJ5lJA-2 , 2Т35ЧБ-2
lf
\
\Uк=28
1'.. .
-
-~
D2
б8
Зависимость
относите.1ьно1 о
статического коэффиниента пе­
редачи тока от те:v~пературы.
Зависимость относительного
входного сопротивления от то­
ка эмиттера.
2Т355А, КТ355А
Транзисторы бипо.1ярные кре:v~ниевые п.1анарные п-р-11.
Прсдна·тачены Jця усиления и генерирования электрических сиг­
налов в широком диапазоне частот. Выпускается в ме галлостеклян­
ном корпусе с r 11бкими выводами. Обозначение типа приводится
на корпусе.
Масса транзистора не более 1,2 г.
Электрические параметры
Статический коэффипнент передачи тока в схеме
с общим эмиттером в режиме большого сигнала
приИКБ=5В,lк=10мА.
Входное сопротивление в схеме с обще~ базой
в режиме малого сигнала при ИкБ = 5 В, Iэ = 10 мА,
f=l кГц не более
Модуль коэффициента передачи тока при UКБ = 5 В,
lэ=10мА,f=300МГцнеменее.
Постоянная времени цепи обратной связи при
ИкБ=5 В, Iэ=10 мА,f=30 МГ11 не более
80-300
10 Ом
5
60 пс
347


Емкость ко.1лекторноrо перехода при ИкБ = 5 В не
бо.1ее
Емкость эмиттерного перехода прн ИэБ = 4 В не
бо.1ее
Обратный ток эмиттера при ИэБ = 4 В не более:
2Т355А .
КТ355А .
Обратный 1ок коллектора при Икь = 15 В не более
Предельные Jксп.~уатациош1ые дан11ые
Постоянное напряжение коллектор-база .
Постоянное напряжение коллек 1ар-эмиттер
R63.;;;3кОм.
Постоянное напряжен не эмиттер-база .
Ток коллектора
Импульсный ток кол.1ектора прн •и .;;; 0.5 мс,
Ток эмиттера .
Импульсный ток эмиттера при t 11 .;;; 0,5 мс,
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Т=213-;.358 К
приТ=398К.
Температура перехода
Температура окружающей среды
при
Q~2
Q~2
1Т362А, ГТ362А, ГТ362Б
2пФ
2пФ
1 мкА
0,5 мкА
0,5 мкА
15в
15в
4в
30 :'.!А
60 мА
30 мА
60 мА
225 мВт
85 мВт
423 к
От 213 до
398 к
Трю13исторы германиевые планарные п-р-п СВЧ уси.1ите.1ьные
с нормированным коэффи11иентом шума на частоте 2,25 ГГн.
д
0,2
З,2 1,3
348


r- Пр'Ш"'"'"'""' лл> "'""'""""' '" о,оннщ н •юслонующн'
каскадах усилителей СВЧ.
Выпускаются в \.le·1 аллостекляпном корнусе с гибкими по,1оско­
выми выводами. Обозначение типа приводится на крышке корпуса
транзистора. Для транзисторов 1ТЗ62А допускается условная марки­
ровка буквой А и двумя красными точкам11 на ф.1анцс ножки
междv выводами эмиттера и базы.
Масса транзистора не более 2 1
'Электрические параметры
Граничная частота при ИкБ = 3 В. lэ = 5 мА не
менее
типовое значение
Постоянная нре\.!е11и
ИкБ=ЗВ./э=5
1Т362А, ГТ362А .
ГТ362Б .
цепи обратной свя·зи * при
мА, I= 100 МГц не более:
Минимальный коэффиниен1 шума при /э = 2 мА,
2,4 ГГн
4.8 * ГГн
10 пс
20 пс
/=2,25 ГГн не бо.1ее:
при ИкБ = 3 В !Т362А, ГТ362А
4,5 дБ
приИкБ=3 В ГТ362Б .
5,5 дБ
приИкБ=5В !Т362А -
4.5*дБ
типовое значение для IT362A:
приИкь=3В.
3,7*дБ
приИк6=5В.
3.0* ,1Б
Статический коэффипиент передачи тока в схеме
собщим эмиттером при ИкБ=3 В. f·э=5 мА:
при Т= 298 К:
IТ362А, ГТ362А .
1О-200
ГТ362Б
10--250
при Т= 213 К IT362A
.От 0.3 до 1,5
значения при
при Т= 343 К 1Т362А .
т=298к
.От 0,5 до 2,5
значения при
т=298к
Обратный ток кол:1ектора 11р11 UкБ = 5 В не 60.1ее:
приТ=298К.
при Т= 343 К JТ362Л .
Обратный ток э'v!иттера при Т = 29S К. И·35 = 0,2 В
не более:
IT362A .
ГТ362А, ГТ362Б.
Емкость коллекторного перехода 11ри Ию; = 5 В не
более
типовое значение .
Емкость эмиттерного перехода при ИэБ = 0 ,2 В не
более
типовое значение .
5 мкА
30 мкл
50 мкА
100 мкА
1нФ
0,5*пФ
1пФ
0,5* пФ
349


Коэффипиент отражения входной цепи в схеме с об­
щим эмиттером* при ИкБ=3 В, lк=2 мА,
/= 1,95 ГГц:
модуль .
фаза .
Коэффиниен1 обратной передачи напряжения в схеме
с 06щи~1 эмиттером* при UкБ = 3 В, lк = 2 мА,
f= 1,95 ГГн:
модуль .
фаза .
Коэффиаиснт 11рямой передачи напряжения в схеме
собщимэмитгером*приИкБ=3В,lк=2мА,
I= 1,95 ГГц:
·модуль .
фаза .
Коэффициент отражения выходной ае11и в схеме с об­
щим 1миттером* при ИкБ=3 В, lк=2 мА,
I= 1,95 ГГ11:
"1Оду.1ь
фаза .
Преде.1ьные эксплуатащюиные данные
Постоянное напряжение коллсктоr-база .
Постоянное напряжение коллек гоr-эмиттер при
RэБ=1кОм.
Постоянное напряJ1о<еIIие эмиттер-база .
Постоянный ток кот1ектора . .
Постоянная rассеиваемая мощность ко.1лектора:
приТ=298К
приТ=343КIТ362А. .
Импу.1ьсная СВЧ мощность. 11адающая на вход
транзистоrа •.
при Т=343 К./=1 ГГ11. Q= 15
Температура пеrехода IT362A .
Тем11ература окружающей среды:
IТ362А .
ГТ362А, ГТ362Б .
0,04
-
165~
0,2
50
1,6
38
0,54
-72
5в
5в
0,2 в
10 мА
40 мВт
25 мDт
80 мВт
35~ к
01 213 до
343 к
От 228 до
328 к
2Т366А-1, 2Т366Б-1, 2Т366Б1-1, 2Т366В-1,
КТ366А, КТ366Б, КТ366В
Транзисторы кремниевые планарные п-р-11 универсальные сверх­
высокочастотные маломощные.
Предназначены для применения в импульсных, переключательных
и усилительных сверхвысокочастотных схемах герметизированной
аппара турь1.
350


Бескорпусные, с гибкими выводами, с защитным покрытием.
Транзисторы поставляются в сопроводительной таре с возможностью
измерения их параметров без извлечения из тары. Маркировка тран­
зистора приводится на сопроводительной таре различными точками:
2Т366А-1 - красная; 2Т366Б-1
-
черная; 2Т366Бl-1 - синяя; 2ТЗ66В-
1 - зе.1еная; КТЗббА
-
две красные; КТЗббБ - две черные; КТЗббВ
-
две зеленые.
Масса транзистора не более 0,003 г .
.4
Рс~зм~:ры, мм
Tl.Ln
т~х1 lJ
1
ZТЗ66Л-1 о, 66 1 0104 1
КТЗ66 А
i
1 ZТ366Б-1
1
1 zтзов s1-1
0,7S
0104
НТ366Б
1
-ZТЗббВ-1 0,85'
О,04
НТ'ЗббВ
i
1
Эле1ар11ческие пара~1етры
Модуль коэффипиента передачи тока при Икэ = 2 В,
f= 100 МГц не мене.::
при Iк = 3 :-1Л 2Т366А-1. КТ366А
приfк=10мА:
2Т366Б- l, КТ366Б
.
.
2Т366Б 1-l
при Iк = 15 ~1А 2Т366В-1, КТЗббВ
Постоянная времени цепи обратной связи при
Икэ=2В,/=5МГцнеменее:
при Iэ = 3 мА 2ТЗ66А-1, КТЗббА .
при /э = 5 мА 2Т366Б-1, 2Т366Б!-1, КТЗббБ
при /э = !О мА 2Т366В-1, КТ366В
.
Время рассасывания не более:
при fк = 3 мА, /Б = 0,3 мА 2Т366А-1, КТ366А
при fк = 10 мА, /Б = 1 мА 2Т366Б-1, 2Т366Бl-1,
КТЗббБ . .
.
·
·
.
10
10
8
10
60 нс
50 нс
40 НС
50 нс
80 нс
351


при lк = 15 ~1А, 16 = J,5 мА 2Т366В-l, КТ366В
Коэффициент передачи тока в cxe:v1e с общим
эчиттерш.1 при Икэ = 1 В:
при / 3 = 1 мА 2Т366А-1. КТ366А; при
/ 3 = 5 мА 2Т366Б-1, 2Т366Б!-1, КТ366Б; при
13=15мА2Т366В-1,КТ366В.....
Напряжение насыщения_. ко.>лектор-эмиттер ие более:
при lк = 3 мА. 16 = 0,3 мА 2Т366А-l, КТ366А:
при Iк = 10 мА, / 6 = l мА 2Т366Б-l. 2Т366Бl-l.
КТ366Б; при lк = 15 мА, /Б = 1,5 -.1А 2Т366В-l,
КТ366В.......·..······
Напряжение насыщения база-эмиттер
при lк = 3 мА, 16 = 0,3 мА 2Т366А-l. КТ366А;
при Iк = 10 мА, / 6 = l мА 2Т366Б-1. 2Т366Бl-l.
120 нс
50-200
0,25 в
КТ366Б................0,8-0,87в
при lк = 15 мА, 16 = l,5 мА 2Т366В-l, КТ366В
Емкость коллекторного перехода при ИкБ = О, l В,
0,78-0,85 в
/= 5 МГц не более:
2Т366А-l, КТ366А .
2Т366Б-l, 2Т366Бl-1, КТЗ66Б
2Т366В-l, КТ366В
Е!v!кость эмиттерного перехода при Иэь = 0.1 В,
/= 5 МГц ис более:
2Т366А-1, КТ366А
2Т366Б-l, 2Т366Б1-1, КТ366В
2Т366В-l, КТ366В .
Обратный ток кщ1лектора при Ик 6 = 15 В не более:
приТ=298К....
при Т= 358 К ....
Обратный ток коллектор-эмиттер при Икэ = 10 В
неболее.....
Обратный ток эмиттера при ИэБ = 4,5 В не бо.>ее:
приТ=298К
приТ=358К..
Предельные эксп.~уатационные данные
Постоянное напряжение ко.>лек юр-база . .
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер .
Постоянное напряжение эмиттер-база .
Постоянный ток коллектора:
2Т366А-1, КТ366А .
2Т366Б-l, 2Т366Бl-l, КТ366Б
2Т366В-l, КТ366В . . . .
Импульсный ток коллектора при т11 <;;; 10 мкс, Q ;;> 10:
2Т366А-1, КТ366А .
2Т366Б-1, 2Т366Б l- l, КТ366Б .
.
2Т366В-1,КТ366В......
Постоянная рассеиваемая мощность:
2Т366А-1, КТ366А при Rт = 1 К/мВт:
352
l,l пФ
1,8 пФ
3,3 пФ
0,8 пФ
1,8 пФ
3,5 пФ
O,l мкА
0,5 мкА
0,5 мкА
0,1 мкА
0,5 мкА
l5в
JOВ
4,5 в
10 мА
20 мА
45 мА
20 мА
40 мА
70 мА


при Т=343 к
30 мВт
при Т=358 к
15 мВт
2Т366Б-1, 2Т366Бl-1, КТ366Б при Rт = 0,6 К,1мВт
щшт,,;;343к.
50 !V!Вт
при т=358к
25 :-,,1Вт
2Т366В-1. КТ366В при Rт = 0,3 К'мВт
ripн ]'<, 343 к
90 мВт
l[IJHТ=35RК.
50 мВт
Импу.~ы;н.ш рассеиваемая мощное гь при тн <, 10 мкс,
Q)'iO:
2Т366А-1, КТ366А .
2ТJ66Б-i. 2Т366Бl-1, КТ366Б
2Т366I3-1. КТ366В .
Температур:1 нерсхола .
Темнсратура окружаrощей среды
25 мВт
40 мВт
70 мВт
373 к
От 213
ДО358К
Пр им е чан и е. При монтаже допускается воздействие темпера­
туры 423 К в 1ече1111е не более 2 ч.
Выводы допускается изгибать с радиусом изгиба более 0,3 мм.
они должны закрепляться без натяжения.
При монтаже не допускается использование материалов, всту­
пающих в химическое и электрохимическое взаимодействие с за-.
щитным покрытием и друr И!V!И элементами конструкции транзистора.
В качестве 1ащ1пного покрьп11я транзистора используется эмаль ЭП-91.
hг13
18О 1---"+--+-Uкэ = 28--+- -- -<
но1---+----+-+--+--r----i
2!3668-1
1001-7-~::::о+---;~т---r-~
6О 2Т366А -1 fт-1-36_6_Б+---1--1
201---+---lf---+----t--t--~1
о510152025Iк,мА
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от rока
кол;rектора.
Jhг1э 1
20
16
12
8
о
чо
Зависимость модуля коэффи-
30
циента передачи тока от тока
коллектора.
20
Зависимость постоянной вре­
мени цепи обратной связи от
тока эмиттера.
12 Полупроводниковые приборы
10
о
11
Uкз=28
f =100МГц- -
1
2Т366В,-1\
-
,,..
......,
-..
1'"' ~
.....
1
1
2ТJ66Б-1
~2Т336А-1
5 10 15 20 25Iк,мА
1
.1
1
1
Uкэr=28, f=JОМГц
1
1
t 2Т3б6А-1 2ТJ66Б-1
/
1
1
'
2!3668-1
-
., ,,.
5 10 1520 25lз,мА
353


2Т368А, 2Т368Б, КТЗ68А~ КТЗ68Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиа"•ьно-плашtрные п-р-п СВЧ
усилите"1ьныс с ненормированным (2Т368Б, КТ368Б) и нормиро!)ан­
ным (2Т368А, КТ368А) коэффи1111ента!V!и шума на частоте 60 МГц.
Предна:шачены д.1я применения во входных и пос.1едующих
каскадах уси.11пе:1ей высокой частоты.
Выпускаются в ~1етал.1остеклянно~1 корпусе с гнбкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора нс более 1 г.
30
53
IE ",~
,
~
ба.за. Коллентор
....
"'
"'
..,
~1
-
>-- :; ..;-
$. $.
~t
Jми.ттер
Электрические параметры
Граничная частота при UкБ = 5 В, 1-э = 1О мА не
менее.
типовое значение
Постоянная времени неш1 обратной связи прн ИкБ = 5 В,
1-э=1О мА,.f=30 МГн не более
типовое значенае .
Коэффициент шума при UкБ = 5 В, 1-э = 10 мА,
.f = 60 МГц, Rг = 75 Ом 2Т368А, КТ368А не более
типовое значение .
Статический коэффициент передачи тока в схеме с об­
щимэмиттеромприUкБ= lВ,lк=1ОмА:
при Т= 298 К.
ври Т = 213 К 2Т368А, 2Т368Б
при Т = 398 К 2Т368А, 2Т368Б
Граничное напряжение при 1-э = 1О мА не менее
типовое зпа чение .
Обратный ток коллектора при UкБ = 15 В не более:
при Т=298 К .
при Т = 398 К 2Т368А, 2Т368Б .
354
900 МГц
1100 * МГ11
15 пс
7пс
3,3 дБ
2,8•дБ
50-300
25-300
40-500
15в
25*в
0,5 мкА
5 мкА


r'
1
Обратный ток эмиттера при Т = 298 К,
не более
ИэБ=4 В,
....
Входное сопротивление в схеме с общей базой в ре­
жиме малого сигнала при ИкБ = 5 В, /э = 10 мА,
f=1 кГц не более
типовое значение.
Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 5 В нс более
типовое значение.
Емкость эмиттерного перехода:
при U36 = l В 2Т368А. 2Т368Б не более
при Изь = l В 2Т368А, 2Т368Б, типовое значение
при U36 = 4 В КТ368А, КТ368Б не более
Емкость конструктивная между выводом эмиттера и кор­
пусом* .
Емкость конструктивная мсжJLу вы1Jодо:v1 ко;rлектора и
корпусом* .
Емкость конструктивная между выводом базы и кор-
пусом* .
Емкость констр) ктивю1я между выводами коллектора
и эмиттера* .
Емкость конструктивная между вывода:vш ко.1лектора
и базы• .
Иидуктивиосrь выводов J\1нттера и базы* при ! = 3 мм
Предельные ЭI'сплуатащюиные д:шные
Постоянное напряжение коллектор-база .
Постоянное напряжение
коллектор-эмиттер при
Rэ6 ,,;;; 3 кОм .
Постоянное напряжение эмиттер-база .
Импульсное напряжение коллектор-база при ти,,;;; 0,5 мс,
Q;;. 2.
Импульсное напряжен и~ ко:шсктор-змиттер
RэБ<;;;3((ОМ,Ти.;:0.5~н.:.Q;>2
Постоянный 1 ок коллектора
Постоянный ток Jм11ттера .
Импульсный ток коллепора при Ти <;;; 0,5 мс,
Импульсный ток ·э:-.тттера при tи <;;; 0,5 мс,
Постоянная рассеиаас:--нш мощность:
приТ=213-7·338 К, р;> 6650 Па
при T=2i3-:-338 К, р=665 Па
прпТ=398К.
Общее тсп.1овое .::оnротивление .
Темпера тура перехода .
Температура окружающей среды
12*
при
1 мкА
6Ом
3* Ом
1,7 пФ
1,2 пФ
3пФ
2* пФ
3пФ
0,45 пФ
0,6 пФ
0,4 пФ
0,08 пФ
0,15 пФ
4,5 нГн
15в
15в
4в
20в
20в
30 мА
30 мА
60 мА
60 мА
225 мВт
150 мВт
60 мВт
364 К/Вт
423 к
От 213
ДО398К
355


1,1
1,0 ,__ __--+ -_
_,__
-~ ~91---1-i--+--Н,-+--il----i
~~ 0,8
"'
- J::
О/
0,61---4--+--+---+-~--i
0,5....___, _ _
__,_ _.. ___. ._ _
_,_ _ __.
0 10 20 30 Ч.0 50Iк1МА
1,0t--" -+ --+ --+ --+- -+- -1
0,9:----:'---':---'..,,--~-~--'
О 215 5 7,5 10 12,5Uк5,В
Зависимость относительного
статического коэффициента пе­
редачи тока от тока коллек-
тора.
1,2
1,1t---+---r-
.-i--"1"""-L
-
::- 1,0
~ 0,9 1---+-- -+ --
Е-
"-'
0181------м---+--
Зависимость относительного
стапrческого коэффициента пе­
редачи тока от напряжения
1,20
1,15
коллектор-база.
2Т368А, 2Т368Б,
КТ368А, КТ368Б
~101---+--+--l---!---i-~
-::-
~ 1р5 f---+ --+ --t- -+'=:;oo-+"""'-1
<:>._
~'-
~OOt------+--,lo<'-.f.----!----1----1
0,71--1-+--+--+----+---+-----t
0,951----7!- - -+- -t --+--t- - --i
О,6.____._ _. _ _... _ _ _. _
_. _-= -'
О,90~~--.....---~_._ _,__ _.
О510152025Iэ/"А
О 2,5 5 7i5 10 12,5 Uк6,в
Зависимость относительной гра­
ничной частоты от тока эмrп­
тера.
1)
~ 1,Оl--+~Ч=-Tt----_2+-9_8_K----t----t
:!;
~ ~91----+--+--+---"~-+--i
$'-...
',;, 0,81----+ --+- -+ --l ----"<-+ --i
~""0,7
~
::::i 0,6 ;---1---+--т-------,t--+-4
0,5..__ __. _ _
__._
_, __. ___. . ____.
1 2 5 1020R35,кОм
Зависимость
относительного
максимально допустимого по­
стоянного напряжения коллек­
тор-эмиттер от сопротивления
в цепи база-эмиттер.
356
Зависимость
относительной
граничной частоты от нiinряже­
ния ко.1лектор-ба3а.
3,0
2,5
-
'3 2,оt-+-+--t---r---1---!---I
""
~ 1151-----"il---!---+---t--.-+--I
""
UкБ =58
0,5
I 3 =10мА-+----+-~
о_'-::-~-:-'---'---'--'---'
0,001 0,01 О, 1 1 10 100-f:МГц
Зависимость о·! нос1п.::.1ыюrо ко­
эффициента шума от частоты.


rr·
1)
i
2ТЗ71А, КТ371А
Транзисторы кре:1.1ниевые эпитаксиально-плаиариые
усилите,1ыrые с ненормированным коэффициентом шума.
п-р-п СВЧ
Пре,д;азнuчены ;ця уси:rенпя
сигналов сверхвысоких частот.
Jмu.mmep
Выпvскаются в :...1етаЛJюкера'\.111-
ческо~r к~рпусе с гибки'l.Ш полоско­
выми вывода'l.111. Обозначение ти­
па приво;нпся на этикетке. На
крышке кор11уса транзистора нано­
сится усювная :...~аркировка uвет­
ными то<rка'\.Ш: 2Т371 А - одна си­
няя; КТ371А - две синие.
Масса транзистора не бо_1сс
0,3 r.
/
база
Электрические параметры
r"''
'
:i' 1
1
Граничная частота при ИкБ = 5 В, /э = 10 мА не
z,з
__( 0,6
D,Z
менее .
3 ГГц
типовое ·шачение 2Т3 71 А ·
3,6 * ГГц
Постоянная времени цепи обратной свя !И при
ИкБ=5 В, /э=10 мА, /=30 МГц нс более
типовое значение 2Т371А
Коэффициент шума при ИкБ = 5 В, /э = 5 мА,
f=400МГц,Rг=75Ом2Т371А.
Статический коэффициент передачи тока в схеме с об-
щим э:1.1иттером при ИкБ = 1 В, Iк = 10 'l.1A:
приТ=298К
при Т= 213 К 2ТЗ71А .
нри Т= 398 К 2Т371А .
Граничное напряжение при /э = 10 мА не менее
типовое значение 2T37 l А .
Обратный ток коллек1ора при ИкБ = 10 В не более:
при Т=298 К .
при Т= 398 К 2Т371А .
Обратный ток 'Э'\.ШТТСрii при Т = 298 К. ИэБ = 3 В
не более
Входное сопротивление в схеме с обшей базой в ре­
жиме малого сигнала при ИкБ = 5 В, /э = 10 мА,
f=1кГuнеболее.
типовое значение 2ТЗ 71 А .
Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 5 В ие
более.
типовое значение 2ТЗ71А .
Емкость эмиттерного перехода при ИэБ = 1 В нс более
типовое значение 2Т371А .
15 пс
8* пс
4* дБ
30-240
15-240
30-400
10В
22*в
0,5 мкА
5 мкА
мкА
10 Ом
4* Ом
1,2 пФ
0,7*пФ
1,5 пФ
0,9*пФ
357


Емкость конструктивная между выво;1ами кол;1ектора
и э~1иттера * .
Индуктивность выводов эми г 1·ера и базы*
Коэффиrнrент отражения входной цепп в схеме с общим
эмипером*приUю;=5В,!') =1ОмАRг=50Ом:
при/= 40() МГц:
мо;(уль
фаза
при/= 1 ГГ11:
моду;1ь.
фаза
Коэффшrиент обратной псре,щчи напряжения в схеме
с общи:v~ эмиттеро:v~ * при Uк6 = 5 В, fэ = 1О мА.
Rг= 500~1:
приf=400МГн:
модуль
фаза
при/= 1 ГГц:
модуль
фаза
КоJффициент прямой передачи н:шряжения в схеме
с общим эмиттером* при Uк6 = 5 В, fэ = 1О мА,
Rг= 50Ом:
приf=400МГц:
модуль
фаза
приf=1~::г11
модуль
фаза
Коэффициент отражения
щим эмиттером при
Rг= 50Ом:
выходной цепи в схеме с об­
ИкБ=5в. fэ=10 мА,
приf=400МГц:
модуль
фа:~ а
прнf= lГГц:
модуль
фаза
Предельные зкеплуатациош1ыс данные
Постоi!НIЮС напряжение коллектор-база .
Постоянное напряжение коллек 1 ор-эмн пер
при
RэБ<;;;3кОм .
Постоянное напряжение Jмиттер-база
Постоянный ток ко.'1лектора
Постоянный ток эмиттера
Импульсный ток коллектора при Lи ~ 10 мкс, Q ;;.. 2
Импульсный ток эмиттера при '",,;;; 10 мкс, Q;;.. 2
358
0,2 пФ
2,5 нГн
0.32
-56
0.14
-112
0,09
71
0,18
60
1,9
57
0,64
-27
0,5
-52
10в
10В
3в
20 мА
20 мА
40 мА
40 мА


г Постояннаярассеиваемая мощность:
приТ=213-с-338К,р36650Па
при Т=213ё-338 К, р=665 Па
приТ=398К.
100 мВт
65 мВт
30 мВт
Общее тепловое сопротивление .
Температура перехода• .
Температура окружающей среды
1,2
1,11---+--+-Ur:Б = 18--+ -_ _,
_Е
1,01---f---Ь--+-~+--lг---1
~"; .:. 019
~
Зависимость
относительного
статического коэффициента пе­
редачи тока от тока коллек -
тора.
1
Uк5=5В
1....- -
.0 ,833 К/мВт
423 к
От 213
до398к
1,В
~5г---t--+--+--+--+~-J
~ ~Цi---f--+--1---~-~-I
- Il'
;;; ~Jt---t--+-->"-+--~-1
'< '-
"'
- .<:: 1,21---+-·_..<---l-
~1 t---+7--+--+---l--~l--I
Зависи'\юсть относительного
статического коэффициента пе­
редачи 1 ока от напряжения
коллектор-база.
1,0
I3 =11ОмА
-....
1;2
111
-<с-10
- :t::. 1
Jv
/
г-...
/
r- .. ....
lf
-f::0,95
- :t::.
!/ 2Т371А 1
KTJ71A
~<с-о,9
(1;8
)
1
'2Т371А~
КТ371А
~ 0,9
(1;85
0,7
018
1
1
1
1
~
~~
'
оч-812162Uiз,мАО21/.В
В 10Uк51 в
Зависимость относительной гра­
ничной частоты от тоJ(а эмит­
тера.
Завпсl!мость относительной гра­
ниiл-IоЙ частоты от напряжения
коллектор-база.
359


2,7
2,Ч- 2TJ71A,KTJ71A
2,1
-
3
-
3
~ 1,8
UкБ=58
~
3
3
""'
1,5
""'
f =Ч-00МГц
1,2
111
.. ... .,._
2TJ71A,KTJ71A _
-
11
11
-
~-Uк5=58
Iз=5мА
j
'
)
0,9
о
2 J !./- 5I3,мА
1,3
1,2
1,1
1,0
0,9
10-2 10- 1 1 10 102 10J f,МГц
Зависимость относительного ко­
эффициента шума от тока эмю­
тера.
Зависимость относите.1ьного ко­
эффициента Шу!V!а от частоты.
2ТЗ72А, 2ТЗ72Б, 2ТЗ72В, КТЗ72А, КТ372Б,
КТ372В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-11 СВЧ
усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте
1 ГГц.
Предназначены для применсиия во входных и пос.1едуюших
каскадах усилител~й сверхвысоких частот.
lfоллехтор
Выпускаются в кера:vшческо~1
корпусе с гибкими по.1осковыми
выводами. Обозначение типа при­
вод1пся на яр.·1ыке, нахоюнцемся в
ин;:;;ивидуальной упаковке. На кор­
пусе между базовыУI и э:vшттер­
ным выводами наносится услов­
ная маркировка цветными точками:
2Т372А - одна зеленая. 2Т372Б
-
одна черная, 2Т372В - одна бе.1ая,
КТ372А - две зе.1еные, КТ372Б
-
две черные, КТ372В - две бе:1ые.
Масса транзистора нс 60.1ее 0,2 г.
Элекiрические парамеч>ы
Граничная частота при Икэ = 5 В, lэ = 5 мА не менее:
2Т372А, КТ372А, 2Т372В, КТ372В
2.4 ГГц
3.0 ГГц
360
2Т372Б, КТ372Б .
типовое значение:
2Т372А, КТ372А
2Т372Б, КТ372Б
2Т372В, КТ372В
.
4,35 * ГГц
4,80 * ГГц
.
3,75 * ГГц


~·· Пое<о""""' ''"""" '""" оfiJЩшой
""" •
J
ИКЕ;= 5 В, /э = 5 мА./= 30МГцнеболее .
'
типовое значение .
Минисvш.1ьный коэффициент шума 11рн Uкь = 5
fэ = 2 мА,/= 1 ГГц не бо.1ее:
2Т372А. КТ372А .
2Т372Б, КТ372Б. 2Т372В. КТ372В
гиповое зна ченис:
для 2Т372А, КТ372А
!l!IЯ 2Т372Б. КТ372Б
для 2Т372В, КТ372В
при
в.
Оптимальный коэффи11иент усиления по мощности* при
Ик6=5В,/э=5мА./=1ГГ11неменее.
типовое значение .
Статический коэффи11ие11т перещ1ч11 тока в схеме с общим
эмиттером*приИкБ=5В,1, = 5мА:
2Т372А, 2Т372Б, 2Т372В . .
КТ372А, КТ372Б, КТ372В не менее
Обратный ток коллектора при ИкБ = 15 В не более:
приТ=298К.
приТ=398К.
Обратный ток эмит1ера при UЭБ = 3 В не более:
при Т= 298 К.
при Т=398К .
Емкость коллекторного перехода 11ри Икь = 5 В не
более .
типовое значение .
Емкое·~ ь эмиттерного перехода~ при UэБ = О В нс более
типовое значение .
Коэффи11иент отражения входной цепи в схеме с общ11м
эмиттером*приUк,=5В,fк=5мА, Рвх=1м1;Вт,
f= 1 ГГц:
модулL
фаза
Коэффициент обратной перс.~ачи напряжения в схеме
с общим эми·1тероУI* при И10=5 В. fк=5 мА,
Р8,=1мкВт,/=1ГГп:
модуль
фаза
Коэффициент прямой передilЧИ напряжения в схеме
с общим эмиттеросv1* при Икэ = 5 В, lк = 5 мА,
Р8,=1мкВт,/=1ГГц:
модуль
фаза
Коэффициент отражения выходной цепи в
щим эмиттером* 11ри Uкэ = 5 В,
Р8,=1мкВт,/=1ГГ11:
модуль
фаза
схеме с об­
lк=5 мА,
9 !!С
4* llC
3.5 дБ
5,5 дБ
2,9*дБ
3,5 * 11Б
3.8*дБ
10 дБ
12*дБ
10-90
10
0.5 мкА
10
20 мкА
200 мкА
1пФ
0.65 * пФ
1.5 пФ
1.2 пФ
О,!4
-1 49
0,093
59
3,29
76
0,623
-3 0'
361


Предельные экс11луатаuнонные данные
Постоянное напряже1111е кол:1сктор-база . . .
Постоянное
напряжение
ко:JЛек гор-Jмиттер
RэБ~10 кO:vr .
•
•
•
•
•
Постоянное на в ряжение эми пер-база . .
Импульсное
напряжен пе
кол."Jектор-эмиттер
RэБ~10кО\1,111~10мкс./=50 Г11..
Постоянный ток коллек гора .
Постоянная рассеиваемая мощность кол:1ек 1ора:
при Т=213-с-373К .
при Т= 398 К:
2Т372А. 2Т372Б. 2Т372В
КТ372А. КТ372Б. КТ372В
при
пrн
Импульсная СВЧ :1-ющность, надающая на вхол тран-
зистора*. при Т~ 343 К./= 1ГГ11.Q?15.
Общее 1еп.ювос со11ротиоленис .
Температура перехода .
Температура окружающей среды .
Кш,дБ 2TJ72B,KTJ72B
fi;5i--.-,.--+--+-i~--+----i
1
т
Uк5=58
- f =1ГГц
v
15в
15в
3в
15в
10 ),!Д
50 мВ1
30 ),!ВТ
25 чВт
RO мВт
1 К/чВт
428 к
От 213
ДО398К
5,0 ,____, _____
'+,5
l.Q
"{ 9,0
.,-:
l/2TJ72A.:: .
-
2TJ72B,
'+,О,___,_._ __,_ _
J
1
KTJ72A-
-
KTJ-728
~ В,5
J,5
J, о 1--' -1- -4--+ --+
~5L-.L..1.--'---'--"'---'--'
О
2Jч~Iз,мА
Кш,дБ
362
9 ,___,___
81---+--+--+---+--+-------i
71---->----+--
б
5
ч
2,5 J J,Sf,ГГц
в,о
7,5
7,D
о
1
2Jч
Зависимость коэфф1щиен·1 а шу­
ма от тока эмиттера.
Зав11;;иносп, коэффин нен 1а уси··
ления по мощное п1 от тока
эмиттера.
Зависююсть коэфqчщиснта шу­
ма от часто1ы.


18
15 2TJ72A-2TJ728
.
,
KTJ72A-KTJ72B
Зав11си'V10сть коJффшшснта уси­
ления 110 мощности от час таты.
LQ
"<:
<>:
~
11/-
12
1D
в
в
l/-
о 0,5 1 1,5 2 2,5f,ГГц
1Т374А-6
Транзистор германиевый планарный п-р-п СВЧ усилительный
с нормироваННЫ'VI коэффициентом шума на частоте 2,25 ГГц.
Предназначен д.'!Я приме-
нения во вхо--1ных и последую­
щих каскадах уси.1ите.1ей сверх­
высоких частот.
Бескорпус11ый, на керами­
ческо~·I криста:;.1одержате.1е. с
контактны:чи
п.1ощадка.,,rn.
Обоз па чсние типа прнво;:щтся
на яр.1ыке, находящемся в ин­
дивидуальной упаковке.
Масса транзистора нс бо­
.1ее 0,004 г.
'Э.1ектр11чесю1е параметры
Граничная частота коэфф1щr1ента передачи тока в схеме
с общим эмиттером прн Uкь=3 В, /э=2 мА
не .\-1е11ее
типовое значение .
Постоянная времени
ИкБ=3 В, lэ=2
типовое значение .
цепи
~1А,
обрат11ой связи
f= 100 МГц не
при
более
Минимальный коэффициент шума при L'к 6 = 3 В,
/э=2 мА,f=2.25 ГГц не более .
типовое значение .
Оптимальный коэффициент усиления по мощности* при
Ик6=3 В, lэ=2 мА,f=2,25 ГГц не менее
типовое значение .
Статический коэффициент передачи тока в схеме с об­
щимэмиттеромприИкь=3В, /э=2мА:
при Т=298 К .
2,4 ГГц
3,6 * ГГц
10 пс
4* пс
4,5 дБ
4* дБ
3дБ
6дБ
10-100
363


приТ=213Кнеменее .
при Т=343 К .
.8; от 0.3 до
1.5 значения
приТ=298К
.От0.5до3
значений при
Обратный 1ок ко.1лектора при Uю; = 5 В не более:
при Т=298 К .
при Т=343 К
Обра1ный ток ·;~,шттера при Uэь = 0.3 В не более
Ем.кость коллекторного перехода 11ри ИК!; = 5 В нс бо.1ее
типовое значение .
Е\.!кость эмиттерного перехода при UJь = 0 .3 В 11е
бо.1ее .
типовое значение .
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база .
Постоянное
напряжение
коллектор-эмиттер
RэБ.;; 1 кОм .
Постоянное напряжение эмиттер-база .
Постоянный ток коллектора .
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
приТ=213.;-318К.
при Т=343~К .
Общее тепловое сопротивление
Температура перехода .
Температура окружающей среды
hz1з
ц.5
/
1/
"v
/
1ТJ7Ч-А-6_
Uк5=JB
в
7
~6
L..
"'-~ 5
при
Т=298К
5 \iKA
30 мкА
100 ~1кА
1 11Ф
0.7*пФ
1пФ
0,5*вФ
5в
5в
0,3 в
10 мА
25 мВт
10 мВт
1.5 К/мВт
358 к
От 213
до343к
Ч-D
35
JD
гs
го
/
!./ -
UкБ =38
J
D2Ч-б
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тока
эмиттера.
364
J
г
Dгц.6в10Iк,мА
Зависимость граничной частоты
от тока коллектора.


r!
Кш,дБ
5,0
~бl---+--+---J--t-:;~t----1
Ч-, 2 1---+--+---71~+-t---I
J, в 1-----+- -7'-+- -
Кш,АБ
Ч-,5
Ч-,0
3,5
3,0
2,5
2,0
....__
1...- --
11
._1ТJ7Ч-А-6
-
--
UКБ =38- -
Iз =2мА
J) Ч- l---!- --- -jf-----+ --- -- -1!-- -t --- -l
~OL---_L_.-.J'---1.....--'-:--~;--'
О
2 J Ч- 5I3,мА
1 1,25 1,5 1, 75 2 2,25f,ГГц
Зависимость коэффиаиента шy­
:via от гока эмиттера.
Зависимость коэффициента шу­
ма от частоты.
2Т382А, 2Т382Б, КТ382А, КТ382Б
Транзисторы кре;,,1ниевые эпитакснально-п,1а1шрные п-р-11 СВЧ
усилительные с нормироваННЫ).1 коэффюшентом н·1ума на частоте
400 МГц.
Предна:шачены ;~:1я
применения во входных
и последующих каска'1ах
усилителей высокой ча­
стоты н СВЧ.
Выпускаются в ме­
таллокерамическом кор­
пусе с гибкими по.·1оско­
выми выводами. Обозна­
чение типа приводится на
этикетке. На крышке кор­
пуса наносится условная
маркировка
цветныv1и
· точками:
2Т382А - одна
черная, КТ382А - две чер­
ные, 2Т382Б - одна крас­
ная, КТ382Б - две крас­
ные.
Масса транзистора
не более 0.3 г.
Э,1сктрические параметры
Граничщ1я частота коэффициента передачи тока в схеме
собщимэ~нптсром при ИкБ=5 В, lэ=5 мА не
менее.
типовое з:1ачение .
Постоянная времени цепи оGрапюй связи при
ИкБ=5В, lэ=5мА,/=30МГц:
2Т382А, КТ382А не более . .
2,3
1,8 ГГц
2,25 * ГГц
15 ПС
365


типовое значение .
2Т382Б, КТ382Б не более
типовое значение .
Коэффициент шума при ИкБ = 5 В, lэ = 5 мА,/= 400 МГц,
Rг=75 Ом:
2Т382А, КТ382А не более
типовое значение .
2Т382Б. КТ382Б не более
типовое значение .
Статический коэq,фюшент передачи тока в схеме с об-
щим эмиттером при Ию; = 1 В, 1, =
5 мА:
при Т=398 К .
при Т = 213 К 2Т382А, 2ТЗ82Б .
при Т = 398 К КТ382А. КТ382Б
Граничное напряженне при /э = 5 мА не менее
типовое значение .
Обратный ток коллектора при Uю:; = 15 В нс бо:1ее:
при Т=298 К .
нри Т = 398 К 2Т382А. 2Т382Б .
Обратный ток эм1птсра при Т = 29~ К. Иэь = 3 В не бо.1ее
Входное сопротнв!rепие в схеме с обшей базой в режи­
ме малого сигнала при UкБ=5 В, lэ=5 мА,
f=1кГц не более
типовое значение .
Емкость кол.1екторного перехода при Икь = 5 В не более
типовое значение .
Емкость эмиттери.ого перехода при U36 = 1 В не более
типовое зна чепне .
Индуктивность каждого вывода * .
Коэффициент отражения входной цепи в схеме е общим
эмиттером*при ИкБ =5В. lэ= 5 мА,.f=400 МГц,
Rг = 50 O:vi:
модуль
фаза
Коэффициент обратной передачи напряжения в схеме
с общиу~ эмиттером* при ИкБ = 5 В. /э = 5 ~1А.
f=400МГц,Rг=50Ом:
модуль
фаза
Коэффициент прямой передачи напряжения в схеме
с общим эмиттером* при Икь=5 В, lэ=5 мА.
.f=400МГц.Rг=50Ом:
модуль
фаза
Коэффициент отражения выходной цепи в схеме с общим
эмиттером•приИк6=5В,lэ=5мА,f=400МГц,
Rг=50Ом:
модуль
фаза
366
6* пс
10 пс
5,5*ПС
3дБ
2,2*дБ
4,5 дБ
2,5*дБ
40-330
30-330
40-450
10в
20*в
0.5 мкА
5 мкА
1 мкА
10 Ом
3* Ом
2пФ
1 *пФ
2,5 пф
1,6* пФ
4 нГн
0,26
-133'
0.102
66'
4.15
86'
0,54
- 35°


~
fi
1
Предельные эксплуатаuнониые данные
Постоянное напряжение коллектор-база . .
15в
Постоянное
напряжение
коллектор-эмиттер
при
Rэ6.;;3кОм..
Постоянное напряжение эмиттер-база .
Постоянный ток коллектора .
Постоянный ток Jмиттера .
10в
3в
20 мА
20 мА
Q?2 40мА
Импульсный ток ко:1лсктора при Ти .;; 1О мкс,
Импульсный ток э:-.шттера при т11 .;; 1О :\!КС,
Постоянная рассеиваемая мощность:
Q?2 40мА
приТ=213-о-338К,р?6650 Па
при Т=213-;-338 К, р=665 Па
приТ=398К..
100 мВт
70 мВт
30 мВт
833 К/Вт
423 к
От 213
до398к
Общее тепловое сопротивление
Температура перехода .
Температура окружающей среды
1,г
1,11--1 --+--1 -=. ..t--'f--
1-- .- +- -- .,L--4- --+ UКБ = 18
1
t--F-+--+-2ТJВгА,
гтзвгs,
1-L- --+- -+-- КТ38 гА,
KTJBZБ
D,7L--1---\-~.;..."'-"'-"."----+----I
0,6L-......J..~..1.-__l....~.L-.....l.o-::-'
ОЧ-812162Diк,мА
Зависимость
относите.1ьного
статического коэффициента пе­
редачи тока от тока коллек-
тора.
Зависимость
относите.-~ьного
статического коэффициента пе­
редачи тока от напряжения кол-
лектор-база.
Зависимость относите.-~ьной гра­
ничной частоты от тока .эмит­
тера.
1,6
Iк=5мА
1,5t---t --t--+ ---I--+-----'
1,1 t--+ -_ _, . . ."' -+- ---1--+ -----j
~DL..o.::....L.~-L~L----L~..1-__J
О 2,5 5 7,5 10 12,5Uк5,8
~ч.г-.--~r--.-----1'-=----.
1,Zl--t--Ь.o!CJ---1--+--1
1,0 t--++--+--+-__;----1-~
~~
;,_ о,в r---+1--
ч."-
О,6~--+--
О,Ч-н----t--+--t~-+--+----1
D,2~-::-~!:----'---il....-J..--1
ОЧ-В1216ZOI3,мА
367


~
гтзв2А, гтзвгБ,
---::::
КТЗ82А,КТЗ82Б
"
11
~ D,Z t--t--т--uКБ =5В +----+- -t
11
"'
01
f=Ч-DDMГu,
~)
~ о 1--1\c---t - - -t- -t -:::::;.+ --f
1
.,J -о,1t----+--+--1---t--r---;
-~2......_. _ _... _........... _... _...........~
О1гJЧ-5I3,мА
Приведенная зависимость коэф­
фициента шума от тока эмит­
тера.
Приведенная зависи:v~ос 1ь коэф­
фициента шума от частоты.
Приведенная завш;и~юсть коэф­
фициента шума от температуры.
f=Ч-ОDМГи,
UКБ=5B-+---1--+-r---1
Iз=SмА+--1---1+---1
1Т383А-2,~ 1Т383Б-2, 1Т383В-2, ГТ383А-2,
ГТ383Б-2, ГТ383В-2
Транзисторы германиевые планарные п-р-п СВЧ усилительные
с нормированным коэффициентом шума на частотах 1 ГГц (IТ38ЗБ-2,
ГТ383Б-2), 2,25 ГГ11 (IТЗSЗА-2, ГТ383А-2) и 2,83 ГГц (IТ383В-2.
ГТЗSЗВ-2).
Предназначены для применения во входных и последующих
каскадах усилителей сверх высоких частот.
Ма,рки.рабачные mачми
1
1,8
0,6Z
368
Выпускаются в керамичес-
ком негерметизированном кор­
пусе с гибкими полосковыми вы­
водами. На крышке корпуса со
стороны вывода эмиттера нано­
сится условная :v~аркировка цвет­
ными точками: 1ТЗSЗА-2 -
розовая, 1Т383Б-2 - белая,
IТЗSЗВ-2 - синяя, ГТ383А-2
-
черная и розовая, ГТЗSЗБ-2 -
черная и белая, rтзsзв-2 -
черная и синяя.
Масса транзистора не бо-
лее 0,1 г.


Электрические параметры
Граничная частота коэффициента передачи тока
в схеме с общим эмиттером при ИкБ = 3,2 В,
Iэ=5мАнеменее:
1Т383А-2, ГТ383А-2.
1Т383Б-2, ГТ383Б-2 .
1Т383В-2, ГТ383В-2 .
Постоянная времени цепи обратной связи при
ИкБ=3,2 В, Iэ=5 мА,f=30 МГц не более:
!Т383А-2. !ТЗ83Б-2. ГТ383А-2. ГТ383Б-2 .
1Т383В-2, ГТ383В-2 . . . .
Коэффициент шума при Икэ = 3,2 В, Iэ = 2 мА не
более:
1Т383А-2, ГТ383А-2, при f = 2,25 ГГц .
IТ383Б-2, ГТ383Б-2 при/= 1 ГГц . .
!Т383В-2, ГТ383В-2 при f = 2.83 ГГц .
Статический коэффициент передачи тока в схеме с об­
щим эмиттером при ИкБ = 3.2 В. Iэ = 5 мА:
при Т= 298 К:
IТ383А-2, IТ383В-2, ГТ383А-2, ГТ383В-2 .
IТ383Б-2, ГТ383Б-2 . .
при Т=213К неменее:
2,4 ГГц
1,5 ГГц
3.6 ГГu
10 пс
15 пс
4,5 дБ
4,0 дБ
5,5 дБ
15-250
10-250
IТ383А-2, !Т383В-2
8;ОТ0,3ДО
1,5 значения
приТ=298 К
\Т383Б-2....·······....6;от0,3до
1,5 значения
при Т=298 К
при Т = 343 К !Т383А-2, !Т383Б-2, 1Т383В-2 От 0,5 до 2,5
значения при
Т=298К
Обратный ток коллектора при ИкБ = 5 В не более:
приТ=298К.............
при Т = 343 К !Т383А-2. IТ38ЗБ-2, IТ383В-2
Обратный ток эмиттера при ИэБ = 0,5 В не более:
приТ=298К..............
при Т = 343 К 1Т383А-2, IТ383Б-2, !Т383В-2
Емкость ко:1лекторного перехода при ИкБ = 3,2 не более
типовое значение . . . . .
Емкость эмиттерного перехода при Иэ6 = 0,3 В не
более:
IТ383А-2, ГТ383А-2 . . .
.
.
.
.
IТ383Б-2, !Т383В-2, ГТ383Б-2, ГТ383В-2 . .
Коэффициент отражения входной цепи в схеме с об­
щим эмиттером* при ИкБ = 3,2 В, Iэ = 5 мА,
f = 2,25 ГГц:
модуль
фаза ..•
5 мкА
30 мкА
50 мкА
100 мкА
1пФ
0,6*пФ
1пФ
1,2 пФ
0,017
- 104°
369


Коэффициент обратной передачи напряжения в схеме
с общим эмиттером* при Ию; =3,2 В, 1, = 5 мА,
f= 2,25 ГГц:
модуль
О, 195
фаза
68с
Коэффициент прямой передачи напряжения в схеме-
с общим эмиттером* при ИкБ = 3,2 В, lэ = 5 мА,
f = 2.25 ГГц:
модул
1,29
Фаза
67,5-
Коэффициент отражения выходной цепи в схеме с об-
щим эvшттером* при ИкБ =3,2 В, /э=5 мА,
f= 2,25 ГГц:
моду.'JЬ
0,655
фаза
- 35°
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение кол.'Jектор-база . .
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RэБ .;;
.;; 1 кОм
Постоянное напряжение эмиттер-база . .
Постоянный ток коллектора . .
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при Т=328 К ..
при Т = 343 К IТ383А-2, IТ383Б-2, IТ383В-2
Импу.1ьсная СВЧ мощность, пад-ающая на вход тран-
зистора при Т~= 298 К, 'tи .;; 100 мкс, Q :;;, 20
Общее тепловое сопротивление
Температура перехода .
Температура окружающей среды:
IТЗSЗА-2, IТ383Б-2, IТ383В-2
ГТ383А-2, ГТ383Б-2, ГТЗSЗВ-2.
5в
5в
0,5 в
10 мА
25 мВт
16 мВт
50 мВт
1,25 К/мВт
363 к
От 213
ДО343К
От 233 до
328 к
Кш,дБ 1TJ8JA-2-1TJBJB-2 ,
б,5 ГTJBJA-2-ГТJBJB-2
7,0
ПJBJA-2 -1Т3838 -2,
б,5 ГТJВJА-2-ГТJВJВ-2
~01----+--1---+--+---f--i
5,5
5)0
~51--...3oj,--J-~,......,'-+--+-~
l.Q б,О 1----+ --1- -+- -+ ---1- --1
"<
:f. 5,5
5,0 ,____.. ____
Ч-,51---JI'---+- -+ - --=
~о.__.__ _. _ _... _ __. _
_.____,
О
2 J Ч- 5Iк,мА
Ч-,О ....___, _ _...._ _. __. _ _......_ _ _,
о
2J
Зависимость коэффициента шу­
ма от тока коллектора.
370
Зависимость коэффициента уси­
ления по мощности от ток<J.
коллектора.


r Кш)дБ 1TJ8JA-2 -1TJ83B-,2)
7 ГТ383А-2-ГТ383В-2
111
6 Uк Б = 3) 2 в--+---+--1
5 Iк=2мА+--+-t-+~
Ц. Кш.опт
3j---;P.:~~
2L.-...J...,--1-~-;':--:~~
О 0)5 1 1,5 2 2,5f,ГГи,
Зависимость коэффициента шу-
Кш,дБ
J./.,5
ма от частоты.
1ТJ83А-2-
1Т383В-2,+ -+- - - -+ -- -+-t
ГТ383А-2-
Г Т38 3В- 21-----1---...я----1
ц. ,ц.
4,Jl----l~-+~-+-~-V------11-----i
4,2
11кБ=~2В
ц.1
Iз=2мА
'
f =2, 25ГГ.и,
ц.о
' 2'-93 -30
.....
J_3_1..__3_3_Z._3_,3:-'J:-::J-,3~J./.;':"'3~Т.=',К
Зависимость коэффициента шу­
ма от температуры.
12г---.--,r---т---.,...--.-----.
1о г-----т---..11---
В r----т---1~~-'Ч---+---I
о 0,5 1 1,5 2 2,5f,ГГц
Зависимость коэффициента уси­
ления по мощности от частоты.
5,2
в
1TJ 3A-2-1TJ8JB-2,
5,1 ГТ383А-2.-ГТ383В-2
~ 5,0i---t---='J"-.~~--1--~I--~
"(
'f.4,9i---t~-t-~-+---'~--!~~
::.::: ц.,в
4,7t---+--'--r-~Т---l~--I--~
4,6~~=-=~-.,,-,!~_.__~1.--1
293 303 313 323 333 3ц.3 Т,К
Зависимость коэффициента уси­
ления по мощности от темпе­
ра туры.
2Т384А-2, 2Т384АМ-2, КТ384А, КТ384АМ
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные 11-р-11 переклю­
чательные маломощные.
Предназначены для прпмепения в герметизированной аппарату­
ре в импульсных, переключающих каскадах наносекундного диапазона.
Бескорпусные, с rибки~ш вывода~ш, защитпы~·J покрытием па
керамическом (2Т384А-2, КТ384А) и металлическом (2Т384АМ-2,
КТ384АМ) кристаллодержi\ те.111х.
Поставляются в сонроводительной таре, позволяющей без из­
влечения из НС<' транзис1 о ров проводить измерение их электри­
ческих парамегров. Обозначение типа приводится на сопроводитель­
ной таре.
Масса тран1истора на керамическом кристаллодержателе не более
0,015 r, па металлическом не более 0,004 г.
371


1,9
Ко!111ектор
Эмиттер
1,1
,.
Электрические параметры
Граничное напряжение при /к = 1О мА, ти . , ; ; 30 мкс
и Q ~ 50 2Т384А-2, 2Т384АМ-2, .
15-34 * В
типовое
значение
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при
=150мА,/6=15мА:
24* в
fк=
2Т384А-2, 2Т384АМ-2 .
J иповое значение .
КТ384А, КТ384АМ не более
Напряжение насыщения база-э~иттер
/Б=15мА:
.О,25 * -0,53 В
0,28*в
0,6 в
приfк=150 мА,
2Т384А-2, 2Т384АМ-2 .
типовое значение.
.
.О,81*~1,158
0,91*в
Вре~1я рассасывания при
ЛЗ84А-2, 2Т384АМ-2
КТ384А, КТ384АМ .
/к= 150 :-.1А, 16 = 15 мА:
Статический коJффициент передачи гока в схеме с об­
шимэмиттеромприИкз=1В,fк=150~iA. .
типовое значение .
Модуль коэффиuиснта передачи тока при Икз = 10 В,
fк=100мА,I=100МГп.
типовое значение .
Обратный ток кол.-.ектора не более:
2Т384А-2, 2Т384АМ-2:
при Ик6 =30 В и Т=213+298 К ..
приИк6=20ВиТ=398К.
КТ384А, КТ384АМ при Ик6= 30 В и Т=298 К
Обратный ток эмитттера не более:
2Т384А-2, 2Т384Аl\,1-2:
приU36=5В,приТ=213+298К.
при Т= 398 К.
КТ384А, КТ384АМ при ИэБ=4 В и Т=298 К
Обратный ток коллектор-эмиттер при R63 = О 2Т384А-2,
2Т384АМ-2 не более:
372
12 //С
15 нс
30-180
90*
4.5-13 *
11.5 *
10 чкА
100 :>.JKA
10 :щсЛ
10 мкА
100 'V!KA
iO мкА


приИкБ=30ВиТ=213КиТ=298К.
приИкБ=20ВиТ=398К
Емкость ко.1лекторного перехода при ИкБ = 10
. f = 1О МГц 2Т384А-2, 2Т384АМ-2
типовое значение .
Емкость эмиттерного перехода при UJБ = 0,5
. f = 1О МГц 2Т384А-2, 2Т384АМ-2 .
типовое значение .
Преде.1ьные эксплуатационные даниые
в.
Ппстоя1шос
шшряжение
кол.1сктор-эмиттер
ЩJИ
R63 = 5.0 кОм КТ384А, КТ384АМ при Тк = 228 + 358 К
Постоянное напряжение коллектор-баз!\:
2ТЗ84А-2, 2Т384АМ-2:
приТк=213+373К
приТк=398К.
КТ384А. КТ384АМ при Тк = 228 + 358 К
Постоянное напряжение эмиттер-база:
2Т384А-2, 2Т384АМ-2 при Тк = 213 + 398 К .
КТ384А,КТ384АМприТк=228+358К. .
Постоянный ток коллектора при Рк < Рк. "акс.
2Т384А-2, 2Т384АМ-2 при Тк = 213 + 398 К .
КТ384А. КТ384АМ при Тк = 228 + 358 К .
Импульсный ток ко.1лектора при tи,;; 5,0 мкс, Q;:;,. 10
И Рк.ер < Рк.макс
2Т384А-2, 2Т384АМ-2 при Тк = 213 + 398 К.
КТ384А, КТ384АМ при Тк = 228 + 358 К .
Постоянная рассеиваемая мощность кол.•ектора:
2Т384А-2, 2Т384АМ-2:
при Тк=213-;-358 К
приТк=398К.
КТ384А, КТ384АМ:
приТк=228+343К
приТк=358К.
Теruювое сопротивление переход-подложка
Температура р-п перехода:
2Т384А-2. 2Т384АМ-2
КТ384А, КТ384АМ .
Температура окружающей среды:
2Т384А-2. 2Т384АМ-2
КТ384А, КТ384АМ
10 мкА
100 мкА
1,3*-4 пФ
1,7* пФ
7 *-20 пФ
8* пФ
30в
30в
20в
30в
5,0 в
4,0 в
0,3 А
0,3 А
0,5 л
0,5 А
0,3 Вт
0,06 Вт
0,3 Вт
0,2 Вт
100 К/Вт
408 к
393 к
От 213
ДО398К
От 228
до358к
Пр им е чан и я: 1. Для 2Т384А-2, 2Т384АМ-2 при Тк =
= 358 + 398 К максимально допустимая постоянная рассеиваемая
мощность коллектора, Вт, рассчитывается по формуле
Рк.макс = (408 - Тк)/(Rт п·пд + Rт пд-к).
2. Монтаж транзисторов в микросхемы осуществляется сле­
дующим образом. Место монтажа в микросхеме смачивается спирто-
~73


канифольным флюсом (10-30 ~~канифоли, 90-70~~ спирта). Затем
укладывается фольга припоя ПОС-61 (ГОСТ 21931-76) толщиной
30 мкм, размером 1,9 х 1,9 мкм. Допускается нагрев микросхемы
до (473 ± 5) К в течение 10 с. В момент пайки транзистор при­
жимается к месту монтажа пинцетом. Усилие прилагается к боко­
вым поверхностям кристаллодержателя.
Допускаются другие 'V1стог.ы монтажа транзисторов в микросхемы,
обеспечrmаюшие надежный тепловой контакт подложки транзистора
с корпусо'V1 микросхемы и це.1остность конструкции транзистора.
При монтаже транзисторов в микросхемы дштжны быть приня­
ты меры, исключающие возможность 11eper иба выводов и соприкос­
новения их и кристалла транзистора с острыми краями элементов
микросхемы. Рекомендуется выводы транзисторов и место сварки
или пайки закреплять лаками. При это"1 пе допускается использование
материалов, вступающих в химическое и электрохимическое взаимо­
действие с защитным покрытием и други"1и элементами конструкции
транзистора.
h21З 2ТJВЧА-2, 2ТJ8ЧАМ-2,
200 КТJ8ЧА, КТJ8ЧАМ
160 1---+l--+ -- -+ --t --+ -- -t
12о ......,, .. . . . __. __-+- - --1-- --+- --1
800--+~..,__-'-'F--т--~+--1
Ч01---+-t-.,,.,..,..,-t--+---i
hг1з 2ТJ8Ч.А-2, 2TJВ'fAM-2)
150 KTJВ'fA, КТJ8ЧАМ
120r---t-~+---t-~-+---+~~
901---+-"""""' -+- -t- --+ ---I
6о>---+-+----+
JOt-----+~+---!-~-4----+~~
о 100 200 JOO 'I00 500 Iк,мА о O,if 0,8 1 ,2 1 ,6 2,ОUкз,В
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тока.
коллектора.
(Х)
t2
8
2
2T38ifA-2,2TJ ЧАМ- ,
1,О KTJ8ЧA,KTJ8ifAM
0,81---1----!----+ --+ --+--,..- t
~ о,в1----1- --1! ---+ --, .i.o""'---+ -- -I
:t
<;J. ор 1--1----1_,,,,.::.....+--+--+-~
:;,,,
о, 2 \--._,€-1----!----+--+--+-~
о
Зависимость напряжения насы­
щения коллектор-эмиттер от
тока коллектора.
374
Зависимость статического коэф­
фициента 11ередачи тока от
напряжения коллектор-эмиттер.
1,3
1,2
(Х) 1,1
~ 1,0 >----+- -•-+ -2Т38ifA - 2,-
...;
~ 0,В
2TJ8ifAM-2 ,
КТJВЧА,
0,8
КТJВЧАМ
0,7 .____. _..,....._. _ _.. __ _ _. _,,,.....__.
О 100 200 300 ifOO 500Iк,мА
Зависимость напряжения насы­
щения база-эмиттер от тока
коллектора.


lh21э 1
lh21э I
12
10
в
6
't
2
о IJ.0
Зависимость моду.1я коэффи­
циента передачи тока от тока
кол.r;ектора.
12
llt±:::F::F::;l
11 t---+.,,C...._ J _
Iк=100мА
10
f=100МГц,
9r--+---t~-+---+-~+--I
2TJВ'tA-2, 2TJ8'tAM-2 ,
В KT!BlfA, K~J81J.AM
О IJ. 8 12 16 20Uкз,8
Зависимость модуля коэффи­
циента переда'!и тока от напря­
жения коллектор-эмиттер.
1Т387А-2, 1Т387Б-2
Транзисторы германиевые планарные 11-р-11 СВЧ генераторные
маломощные.
Предназначены для уси:1сния и
Бескорпусные, на кера;-,шче-
ском кристал.1одержателе. с гиб-
кими ПОЛОСКОВЫ"1И вьrводами
и кера"1ической крышкой.
Выпускаются в нндивпду­
альной таре-спутнике, обозначе­
ние типа приводится на таре.
На крышке транзистора нано­
сится условная маркировка цвет­
ными точками: !Т387А-2 - 'rер­
ная, 1Т387Б-2 - белая.
Масса транзистора не бо­
лее 0,1 г.
генерирования СВЧ
11:
s
О>1
:;
1
!311иттер
L__
Электрические пара'lетры
Выходная мащпос1 ь в режиме автогtнсратора при
ИкБ=7В,/э=50мАнсменее:
!Т387А-2 при/= 3 ГГц ..
1Т387Б-2 приf=4 ГГц .
медианное значение не менее:
1Т387А-2 при/= 3 ГГц .
!Т387Б-2при/=4ГГц.
Граничная частота коJффициента передачи тока в ~хеме
собщимэмиттером при ИкБ=3 В, /'J =50 мА пе
менее:
!Т387А-2
1Т387Б-2.
сигналов.
о,1
50 мВт
50 мВт
75 мВт
65 мВт
2,16 ГГц
3,0 ГГц
375


Постоянная времени цепи обрапюй связи при Ию;= 5 В,
fэ=30 мА,f=30 МГцнеболее:
IT387A-2
IТ387Б-2
Коэффициент усиления по мощности* при Ию; = 7 В
не менее:
1Т387 А-2 в схеме с общей базой при f = 2,25 ГГп,
flк=30~~ •
.
•
•
1Т387Б-2 в схеме с общим эмиттером при
f=0,5ГГц,/э=20мА
Минимальный коэффициент шума* при ИкБ = 7 В:
1ТЗ87 А-2 в схеме с общим эмиттером при
Iэ=5-с-30мА:
приf=О,1ГГц.
при/=1 ГГц .
!Т387Б-2 при /э = lО -с- 20 мА:
при f = 0,5 ГГц в схеме с общим эмиттером .
приf=1ГГцвсхемесобщейбазой. .
приf=2,5 ГГцвсхемесобщей базой.
Граничное напряжение при /э = 50 мА не менее .
Обратный ток коллектора при ИкБ = 10 В не более:
приТ=213КиТ=298К.
при Т=343 К .
Обратный ток эмиттера при ИэБ = 0.2 В не более:
приТ=213КиТ=298К.
при Т=343 К .
Сопротивление б~азы * при ИкБ = 7 В, lэ = 50 мА не
более......
Сопротивление коллектор-база* при ИкБ = 7 В,
!3=50мАнебо.1ее.
Емкость коллекторного перехода при Ик 6 = 5 в· пе'
более
Емкость
более
эмиттерного перехода* при . Иэ 6 = О В не
Индуктивность базы в режиме насыщения* при Ию; = О В,
lк=50мА,f=1ГГцнеболее.
Коэффициент отражения вхщ<ной uепи в cxe;., Je с общи.\!
1миттером * при Икэ = 5 В:
при /к= 10 мА,/= 0,5 ГГц:
модуль
фаза
приfк=30мА,f=0,5ГГп:
'-Юду.'IЬ
фаза
приlк=10мА,f=1ГГц:
модуль
фаза
при /к= 30 мА,/= 1 ГГц
модуль
фа:;а
376
6,5 пс
4,0 !IC
2
10
2,5 дБ
5дБ
3дБ
4,8 дБ
7,5 дБ
8в
10 мкА
100 мкл
10 мкА
100 мкА
9Ом
4.5 0 .\1
3пФ
4,5 11Ф
0.45 нГн
1, 78
-140
1,55
-150
1,92
-165.
1,78
-175с


Коэффипиент обратной передачи напряжения
с общим эмиттером* при Икэ = 5 В:
приlк=10мА,f=0,5ГГu:
модуль
фаза
при fк = 30 мА,/= 0.5 ГГп:
модуль
фаза
приlк=10мА,f=1ГГц:
модуль
Фаза
пр~/к=30мА,f=1ГГц:
модуль
фаза
в схеме
Коэффиниент прямой передачи напряжения в схеме с
общим эмиттером* при Икэ = 5 В:
при /к= 10 мА, .f= 0,5 ГГц:
модуль
фаза
при/к=30мА,f=0,5 ГГн:
модуль
фаза
при/к=10мА,f=1ГГц:
модуль
фаза
при/к=30мА,(=1ГГц.
модуль
фаза
Коэффициент отражения выходной цепи в схе:че с
общим зм1птером * при Икэ = 5 В:
приfк=10мА,f=0,5ГГц:
модуль
фаза
при lк = 30 мА./= 0,5 ГГ11:
:1,юдуль
фаза
при lк = 10 мА,/-~ 1 ГГц:
модуль
фаза
при/к=30мА.f=1ГГп:
модуль
фаза
Постоянное
Постоянное
RэБ.;;; 100
Постоянное
Предельные эксп.1уатащюиные даиные
напряжение коллектор-база . .
напряжение кол"-~ектор-эмиттер
Ом
напряжение эмиттер-база .
при
-14,5 дБ
61с
-
14,2 дБ
70
- 10,5 дБ
60
-10 дБ
61,
8дБ
81
9,5 дБ
75о
4дБ
60
1,79
--
55
1,45
-40
1.67
-57
1,38
-61
10в
8в
0,2 в
377


Импульсный ток ко.1лектора при 298 К, 'tи <,;; 10 мкс,
Q ;?о 100.
•
•
....
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при Тк=2137303 К .
при Тк=343 К
Рассеиваемая мощность коллектора в режиме уси.1ения
мощности:
при Тк=2137303 К
при Тк=343 К
Температура перехода .
Температура кр11стал.1одержателя
При эксплуатапни обязательно приченепие теплоотвода,
обеспечивающего тешювое сопротивление переход­
окружающая среда не бо.1ее .
1
1
1
1TJ87A-2
1
1
UкБ=JВ_ ,_____
J,0
'-
<>::>
~
-
/
-- ..........
~..,
Q...' °
2)25
2,0
О 10 20 JO Ч-0 5ОI3)мА
150
Iз=50мА
125
100
75
50
25
о2IJ.6
140 мА
175 мВт
85 мВт
300 мВт
120 мВт
373 к
От 213 до
343 к
250 К/Вт
Заnисимость граничной частоты
от тока эмиттера.
Зависимость выходной мощно­
сп1 в режиме автогенератора от
напряжения коллектор-база.
120
1TJ87A-2
110
120
Uк5= 7В
100
80
'-
100
'-
<>::>
~
90
~
><
<;
Q..." '
80
<>::>
во
~
9
rf> IJ.0
2о
7о t-----+ - --+ -t -
0
ВО._~~---_._~~_._~
10 20 JO J./.0 50 5013,мА
О 10 20 JO 1t0 50 Рвх;мВт
Зависимость выходной мощно­
сти в режиме а~иогенератора
от тока эмиттера.
378
Зависимость выходной нощно­
сти о г в:1;одной в усилнтелr
класса С в схеме с общей базой.


КТ391А-2, КТ391Б-2, КТ391В-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиа.1ьно-п.1анарные п-р-11 СВЧ
уеилитеJ1ьные с нормированны'vl коэффицненто:-.1 шума на частоте
3,6 ГГI\.
Предназначены д.1я нрименения во входных и последующих
каскадах усилитес1ей сверхвысоких частот.
Бескорпусные, на керамическом кристаллодержателе, с гибкими
полосковы:vш выводюли и приклеивае~юй керамической крышкой.
Обозначение пша приводится на ярлыке, находящемся в ;шди­
видуа.1ьпой таре. На крышке транзистора наносится условная мар­
кировка нветными то'1ками: КТ391А-2 - две черные, КТ391Б-2-
две белые, КТ391В-2 - две синие.
Масса транзистора не более 0,2 г.
11 о.ллехтор
Jми.,ттер
0,6
1
1,в I" "1
Э.1ектрические параметры
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
собшимэмиттеромприИкэ=7В, fэ=5мА:
КТ392А-2. КТ391 Б-2 нс менее
типовое значение
КТ391В-2 не менее .
Постоянная времени цепи обратной связи* при
ИкБ=7В,fэ=5мА,f=100МГцнебо.1ее.
типовое значение .
Минимальный коэффициент шума
/3=5мА,f=3,6ГГI\неболее:
КТ391А-2
КТ391 Б-2
КТ391В-2
типовое значение:
КТ391А-2
КТ391Б-2
Максима-.1ьный коэффициент усиления
ИкБ=7В,/3=5мА,f=3.6ГГц:
КТ391А-2, КТ391Б-2 не менее
типовое значение
КТ391В-2 не менее
при ИкБ=7
по мощности
В,
при
о,1
5 ГГц
6* ГГц
4 ГГц
3,7 пс
3ПС
4,5 дБ
5,5 дБ
6дБ
3,5* дБ
5,2* дБ
6дБ
7* дБ
4дБ
379


Оптимальный коэффициент усиления по мощности* при
UкБ=7В,/3=5мА,f=3,6ГГцнеменее.
типовое значение .
Статический коэффициент передачи тока в схеме с
общим эмиттером при UкБ=7 В, Iэ=5 мА не
менее
типовое значение .
Обратный ток коллектора не более:
при Т= 298 К:
КТ391А-2, КТ391Б-2 при ИкБ = 10 В
KT39IB-2 прu UкБ=7В .
при Г= 398 К:
КТ391А-2, КТ391Б-2 при UкБ = 10 В
КТ391В-2 при Uкь=7 В .
Обратный ток эмиттера не более:
КТ391А-2, КТ391Б-2, при ИэБ = 2 В
КТ391В-2приU36=1В.
Выходная мощность * при снижении усиления
приUкБ=7В,f=3,6ГГн:
при/3=5мАнеменее.
типовое значение .
прн /э=7 мА не менее
типовое значение .
на1дБ
Входное сопротивление в режиме малого сигнала в
схеме с общей базой* при UкБ=7 В, lэ=5 мА
не более .
типовое значение
Емкость коллекторного перехода при UкБ = 5 В не
более
типовое значение .
Емкость эмиттерного nерехода * при UэБ = О В пе
более.
типовое значение .
Емкость корпуса входная *
Емкость корпуса выходная*
Емкость корпуса проходная*
Индуктивность вьпюда базы* при l = 1 м:11
Индуктивность вывода эмиттера при параллельном соеди-
3,5 дБ
5* дБ
20
90*
0,5 мкА
0,5 мкА
2 мкА
2 мкА
20 мкА
20 мкА
2 мВт
2,5 мВт
3 мВт
4 мВт
8,5 Ом
6,7 Ом
0,7 пФ
0,5* пФ
lпФ
0,8 пФ
0,18 пФ
0,26 пФ
0,04 пФ
0,87 нГв
нении выводов* при / = 1 мм •
Индуктивность вывода коллектора* при / = 1 мм .
Индуктивность вьшодов корпуса* .
0,43 нГн
0,87 нГн
.О,69 нГн/~ш
Предельные эксплуатацJюниые даииые
Постоянное напряжение коллектор-база:
КТ391А-2, КТ391Б-2
КТ391В-2
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
RэБ.;;; 10 кОм.
380
при
15в
10в
10в


Постоянное напряжение эмиттер-база:
КТ391А-2, КТ391Б-2 .
КТ391В-2
· Постоянный
ток коллектора
2в
lв
10 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
приТ=213-с-358К.
70 мВт
50 мВт
при Т=398 К ..
СВЧ мощность. падающая на вход тран3истора *, нри
Ию;=7В,fэ=5мА,/=3,6 ГГц:
непрерывная
импульсная при <и.; 10 мкс, Q;;. 1000
.
70 ~1Вт
200 мВт
423 к
От 213 до
398 к
Температура перехода . .
Температура окружающей среды .
12
KTJ91A-2
l.Q
UкБ =78
~ 1--~..--+---11 3 =1мА
j. б 1--1- _,,"""'"-+ --+- --t-- -i
'>с_::з lj 1--1- -+ - -- -l- -f "- ... .::l---i
21-=::;o-+-~'\--+--+~t---j
Кш. мин
QL,__..J---1~..l.-_.!...--,"-:-:~
1 1,5 2 2,5 3 J,5f,ГГц
Зависимость козффпниептов шу­
ма и усиления от частоты при
настройке на 1\ШНИму:v~ коэффи-
циента шума.
12
10
l.Q
8
<{
~'>с_ б
~
::з ц
""'
2
о
2 3 lj 5f,ГГц
Зависимость коэффициентов шу­
ма и усиления от частоты при
настройке на минимум коэффи-
циента шума.
12
10
~8
~
~б
'>с_::з lj
l.Q
"'(
~:>.,
'>с_
~'>с_
2
о12Jц5f,ГГц
Зависимость коэффициентов шу­
ма и усиления от частоты при
настройке на минимум козффи-
циен; а шума.
10
9
8
7
б
5
ц
Кш.опт
2 2,5 J J,5 lj Ч,5f/Гц
Зависи:v~ость коэффициентов шу­
!'.tа и усиления от частоты при
настройке на максимум коэф-
фициента усиления.
381


10
9
l.Q
c:t
в
.::
7
:>,
::.:::
~6
"с_
5
ц.
г 2,5 J J,5 ц. ц.,5 f,ГГц
Зависимость коэффициентов щу­
ма и усиления от частоты при
настройке на :-.шкси:-.1ум коэф-
фициента усиления.
l.Q 8
c:t
~ 51------1-~--+--+-+-----1~--t-----1
"с_
о12Jц.5f,ГГц
Зависимость коэффициентов шу­
ма и усиления в 50-омном трак­
те от частоты.
J J,И,ГГц
Зависимость коэффициентов шу­
ма и ус1шения в 50-о~нюм трак­
те от 'ШСТОТЫ.
382
l.Q
t:t
i~
"c_=i
5
ц.
2 2,5 J 3,5 4 ц.,5f,ГГц
Зависимость коэффициентов шу­
ма и усиления от частоты при
настройке на макСИ'-'iУМ коэф-
фициента усиления.
КТ391А-2 Uкs=7B
I3 =5мА
1---;f'-____:::"""-=:-+-f=~бГГц
ц,51
Кш.ми.н
l.Q
~о..__._~_._~...____._~.....___,
213 243 273 JOJ 333 363 Т,К
Зависимость коэффициентов шу­
"'1"а и усиления от температуры.
12
КТ391А-2
10
8
"t
б
~~ ц.
"с_;э
2
о123'+5f,ГГц
Зависимость коэффициентов щу­
ма и усиления в 50-ол1ном трак­
те от частоты.


2Т396А-2, КТ396А-2
Транзисторы креынпевые эпитаксиально-планарные п-р-п· СВЧ
уси~1ительные с ненормированным коэффициентом шума.
Предназначены ддя уси;1ения
11s
сигналов сверхвысоких частот.
~--'-'-'с.:_~
Бескорпусные. на никелевом
крисп1;1лодержателе, с гибкиУ!И вы­
водами и защитным покрытием
на основе креынийор1 анического
лака.
Выпускаются в сопроводитель­
ной таре. Обозначение типа при­
водится на этикетке.
Масса транзистора нс 60.1ее
11 n~1r ~
Ба:и ~ Эмиттер _. _ ____..
0,003 г.
Ко1111ектор
Электрические параметры
Граничная час юта коэффициента перелачи тока в схеме
собщимэмиттеромпри ИкБ=2 В, /э=5 мА не
менее.
типовое значение 2Т396А-2
Постоянная времени uепи обратной связи
ИкБ=2В,/э=5мА,f=30МГцнеболее.
типовое значение 2Т396А-2 .
при
Время задержки включения в cxe:-. ie дифференциального
усилителя*при Iк = 20 мА .
.
.
Время нарастания в схеме дифференциального усили­
теля*приIк=20мА.
Время задержки выключения в схеме дифференциа.'1Ь­
ного уси:штеля * при Iк = 20 мА .
Время спала в схеме дифференциального усилителя*
при Iк=20 мА .
Статический коэффициент передачи тока в схеме с
общим эмиттером при ИкБ = 2 В, lк = 5 мА:
при Т=298 К
при Т=213 К
Т = 358 К КТ396А-2
Т = 398 К 2Т396А-2
при
при
Граничное
Обратный
боле~:
напряжение при /э = 5 мА не менее
ток коллектора при ИкБ = 15
при Т=298 К
вне
при Т = 358 К КТ396А-2
при Т = 398 К 2Т396А-2
Обратный ток эмиттера при Т = 298 К, Иэ~; = 3 В
не более.
2,1 ГГц
2,5* ГГц
15 пс
7,7* пс
0,6 нс
0,8 нс
0,9 НС
0,65 нс
40-250
20-250
40-500
40-500
10в
0,5 мкА
5 мкА
5 мкА
мкА
383


Входное сопротивление в схеме с общей базой в режиме
малого сигнала при ИкБ=2 В, lэ=5 мА,
f=50-;-1ОООГцнеболее.
11 Ом
типовое значение 2Т396А-2 .
6,1* Ом
Емкость ко.1лекторного перехода при Ию; = 5 В не
более.
Емкость эмиттерного перехода при ИэБ = 1 В не
более
Емкость коне груктивная между выводами
и эмиттера * не более .
Индуктивность выводов эмиттера н
более.
кол~1ектора
базы* не
Предельные эксплуатационные да1шые
Постоянное напряжение коллектор-база .
Постояшюе напряжение коллектор-Jмиттер
RэБ=3 кОм
Постоянное напряжение эмиттер-база
Постоянный ток коллектора .
Постоянный ток эмиттера .
Импульсный ток коллектора
Импульсный ток эмиттера .
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Т = 213 -;- 338 К 2Т396А-2
при Т = 213 -с- 323 К КТ396А-2
при Т = 351'! К КТ396А-2 .
при Т= 398 К 2Т396А-2 .
Общее те11ловое сопротивление:
2Т396А-2
КТ396А-2
Температура перехода:
2Т396А-2
КТ396А-2
Температура окружающей среды:
2Т396А-2
2Т397А-2
прн
!,5 пФ
2пФ
0,52 пФ
13 нГн
15в
10в
3в
40 мА
40 мА
40 мА
40 мА
30 мВт
30 мВт
16 мВт
10 мВт
3 К/мВт
2,5 К/мВт
423 к
398 к
От 213 до
398 к
От 213 до
358 к
П р им е чан и е. При эксплуатации транзисторов в составе микро­
схем с тепловым сопротивлением участка между нижней поверхностью
кристаллодержателя и окружающей средой Rт максимально допусти­
мая постоянная рассеиваемая мощность, мВт, рассчитывается по
формуле
Рмакс = (Тп макс - 1)/(0, 15 + Rт),
но не должна превышать 100 мВт для транзистора 2Т396А-2 и
80 мВт для транзистора КТ396А-2.
384


••
г~~
..
1
ll
1,2
2
1,'/.
2ТJ9бА-2,КТJ9бА-
2TJ9BAl2,KT396A-г 1
~1
~J
/
~ ~01---A----+--...J--.j-.::~--1
-"'
~D'
""'
,:' 1
~!1
-.i::: D,8l!--+--+---i----1--+----t
n71~--I-~+--+--+~+-~
и,
~5-~..i-~~1 _ _._~'----'-=-'
D 8 16 2/f 32 lfDIк,мА
Зависвмосл,
относительного
статического коJффнцпента ве­
редачн тока от тока ко;1:1ек-
тора.
1,5
~251----.j'----..G---+--+--t-----I
0,9
0,8
о
I~== 5
i..... -
l./
1
2,5 5
J
./
v
Завпсиыость опюс11те.1ьноrо
с 1·атичсского коэффициента пе­
реда•ш тока от напряжения кол-
лектор-ба·3а.
1,05
.. ... ..
_ ~ 1,0 ~--++--+-
1,DD
~
-~
v
/ rэГ5мА-~
,!0,75U.--1---+---1--+--i-----I~
2TJ96A -2,
'1-.' -
~5
--+-- ---1
~95 -
>-KTJ96A-2
1
0,2 5 L--1-__j..-- -1- --+ - -i- ---t
Зависимость относите:1ыrой гра­
ничной 'ШСТО гы ОТ тока Э~АИТ­
тера.
Зависимость относительной гра­
rшчной частоты от напряжения
коллектор-база.
Зависимость статического коэф­
фициента переда'Iи тока от тем­
пературы.
13 Полупроводниковые приборы
1, Jг--.--.---,--~--...,
1,2
- ~ 1, 11--- -11 ---+ --+ --' 1- --+ ----1
- <::
';;:,~01----1--+----оА---+--1----1
,_
"'
- <:: о, 91----11- - -A- --+ -
0, 81---A'----4 -- -l- -+ - -l -- - -I
0,7.___.~...J..~...L..-.J_~L...-......I
213 21./-J 273 303 3ЗЗ 363!,К
385


2Т397А-2, КТ397А-2
z,z
1"'
r
1,;
"'1
Транзисторы кремниевые эпи­
такс11ально-п:1анарные 11-р-11 СВЧ
усн,11пе.1ьные с ненор:v~ированны:v~
коэффнцне11то~1 Ш) :- .ia.
~
.....
1
т
1
Пре;щазначены для уси.•ения
спrна.1ов высокой частоты.
Бескорпусные, на кера.\1иче­
ско\1 крис га.1.1одержате"1е, с гибки­
ми вывода\·ш 11 Защнтным покры­
тием на основе кре:-.~нийоргани­
ческого лака. Выпускаются в
со11роводительной таре- Обозначе­
ние типа приводится на этикетке.
612311. Ха.пленmор Jмu.mmвp
Масса транзистора не бо­
"1ее 0,02 1.
Электрические параметры
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
собщим эмиттером при ИкБ=5 В, fэ=2 мА не
менее
типовое значение КТ397 А-2
Постоянная времени цепи обратной связи при ИкБ =
= 5В,/3=2мА,f=30МГuнеболее
типовое значение 2Т397 А-2 •
Статический коэффющент передачи тока в схеме с
общим эмиттером при ИкБ = 5 В, fк = 2 мА:
при Т=298 К
при Т=213 К
прн Т= 358 К КТ397А
при Т= 398 К 2Т397А .
Граничное напряжение при /э = 2 мА нс менее
Обратный ток коллектора при ИкБ = 40 В не более:
при Т=298 К
при Т= 358 К КТ397А
при Т= 398 К 2Т397А
Обратный ток эмиттера при Т = 298 К, UЭБ = 4 В,
не более .
Входное сонротивление в схеме с общей базой в режи­
ме малого сигнала при ИкБ=5 В, /3=2 мА,
/=5071000 Гц не более.
типовое значение 2Т397 А-2 .
Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 5 В не
более.
Емкость эмиттерного перехода при ИэБ = 1 В не
более
Емкость конструктивная между выводами коллектора
и эмиттера*
Индуктивность выводов эмиттера и базы *
386
500 МГц
1,06* ГГц
40 ПС
18* пс
40-300
20-300
40-600
40-600
25в
1 мкА
10 мкА
10 мкА
1 мкА
25 Ом
17,5* Ом
1.3 пФ
1,5 пФ
0,1 пФ
13 нГи


Пределы1ые эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база .
Постоянное нанряжение ко.1лсктор-эм11ттер при RэБ ,,;;;
.; 10 кОм
Постоянное напряжение э~о1и 1 тер-база
Постоянпыii 1 ок ко.1лектора .
Постоянный 1ок эмиттера
Импульсный ток ко.1лектора при "tи .; 1О
Q;;. 2
МКС,
Импу.1ь\:ный 1 ок JУ!И пера при '" .; 1О мкс, Q :;, 2
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Т= 213 .;.. 363 К 2Т397А-2 .
при Т= 213 .;.. 338 К КТ397А-2
при Т= 358 К КТ397А-2
при Т= 398 К 2Т297А-2
Общее тепловое сопротивление
Температура перехода:
2Т397А-2
КТ397А-2
Температура окружающей среды:
21397А-2
40в
40в
4в
10 мА
10 мА
20 мА
20 мА
120 мВт
120 мВт
80 мВт
50 мВт
0,5 К/мВт
423 к
398 к
От 213 до
398 к
КТ397А-2
От213до358К
Пр им е чан и е. При ·эксплуатации транзисторов в составе микро­
схем с теп:ювы~.1 совротивлением участка между нижней поверхностью
кристаллодержате.тя и окружающей средой Rт при общем теп.1овом
сопротивлении пе более 0.5 К.'мВг максимально допустимая постоян­
ная рассеиваемая мощность, мВт, рассчитывается по формуле
Рмакс = (Тп '1акс - 7)/(0,1 + Rт),
ио не должна превышать 225 мВт для транзистора 2Т397 А-2 и
180 мВт для транзистора КТ397А-2.
1,2
1,1
">
-
~ 1,0
~
~ l7,9
- i::::
l7,B
0,7
~ 1,ц. f--t --+- -1---1 --J -+---I
-""
~13
~J
"'
-i:::: 1, 2 /--t--1---Нl"--+---1--1
0,6
о2ц.б810Iк/ltA
1, 11--+-+7'Ч--J--1---1
1,0 L....~-Ji-......J.___J_..J...._J
О В 16 2'1 - 32 i/-OUк5,B
Зависимость относительного
. ста тиче ско го
коэффициента пе­
редачи тока от тока коллектора.
13*
Зависимость относительного
статического коэффициента пе­
редачи тока от напряжения кол-
лектор-база.
387


1,г
1)0
.
~8
-~
~06
"'-
)
~
О/+
0,2
1
1
1
1
1
2TJ97A-2)KT397A-2
1 -...........
~
\ икk =58
'\.._
!""'
1,' /.
1,3
1,2
-"'-
~ 1,1
"'-
ч-:- 1,0
1
1
1
1
1
2Т397А 1-2)КТ397А-2
11
./
~Iз=2мА
'/~
/
v-
т
1
о2
6 8 1013,мА
0,9
0,8
о8162'1-32
'1 -0 Uк5,8
Зависимость относительной гра­
ничной частоты от тока эмит­
тера.
1,2
1,1
~ ~01---1----4--.'1---+-+--~
-""
~ о 9,____, _
_,,_ _
_.__...___,_
_,
"')
[. о 8 ,______,,.___
)
~71-+--4--+-+--+---1---4
~5..___,__ _.___.~-.1...~~........J
213 2'1-3 273 303 333 3бJТ,К
Зависимость
относительного
статического коэффициента пе­
редачи тока от температуры.
Зависимое 1ь относи !·ельной гра­
ничной частоты от напряжения
колле!\тор-база.
1,2
2Т397А-2,КТJ97A-2
~ 1,1 t-----+ ---+------1
~
Т= 213К
""
1,01==~~..:..:,..:..:.::.:..:J---I
"'
$" ~91----+-~..----::~~.:....::..:_:__i
~
~ ~8t----+----+3'.~~~
"""'
$ ~7t----+-----1--~__:,
~6~~--'-:::----1-::-_ _J
10
102
103 R35,кОм
Зависимость относительного
максимально допустимого по­
стоянного напряжения коллек­
тор-эмиттер от сопротивления
в цепи эмиттер-база.
КТ399А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-п:1анарный 11-р-п СВЧ
усилительный с иормированным коэффициентом шума на часто­
те 400 МГц.
· Предназначен
для применения во входных п последующих
каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частот.
Выпускается в металлостсклянном корнусе с п:бкими выво/:щми.
Обозначение типа приводится на боковоJi повер:нссти корпуса.
Масса транзистора не более 1 г.
388


13,5
5,З
Коллентор Корпус
"11"' о, 7
Jми.."'>"1ер
Эле1-<тр11ческие параметры
Граничная часто~а при ИкБ= 5 В, /3~, 10 мА не
менее
типовое значение .
Постоянная вре~1ени пени обратной связи ври
Ию;=5 В, /3= 10 ~1Л, f=30 МГц IIC
более
типовое значение
Мини'V!алыrый коэфф1щие11т шума при Ик 6 = 5 В,
/3=5мА,/=400МГцпеболее.
типовое значение .
Оптимш1ь11ый коэффнниент усиления tю мощности*
прпИкь=5В,/э=5~1Л,f=400МГц.
Статический коэффициент r1ередачн тока в схеме с
общи~1 эмит~ером при ИкБ = 1 В, /э = 5 мА:
при Т=298 К нс менее
типовое значение .
Обра 1 ный ток коллектора
прн
В,
Т=298 Кнеболее .
Обратный ток эмиттера прн Т= 298 К, Ик6 = 3 В
не бо.1ее .
Емкость коллекторного 11ерехода нри ИКБ = 5 В не
более.
типовое значение .
Емкость эмиттерного перехода при ИэБ = 1 В не
более
типовое значение
Емкость конструктивная между выводом эмиттера
н корпусом*
Емкость конструктивная между выводом коллектора
и корпусом * .
Емкость конструктивная между выводом базы
и корпусом * .
Емкость конструктивная между вывода:1-1н ко:1лектора
и базы*
1,8 ГГr\
2,4-2,9* ГГц
8ПС
6,2* IIC
2дБ
1,3-1,7* дБ
11,5-13,0 дБ
40
80-170*
0,5 мкА
1 мкА
1,7 пФ
1,5* нФ
3пФ
2,1-2,6* пФ
0,45 пФ
0,6 пФ
0,4 пФ
0,15 пФ
389


Емкость конструктивная между выводами коллектора
11 эмнттера *
Индуктивность выводов эмиттера и базы* при
1=3:-.1м.
Предг.·1ьныс эксп.1уатаu11онные даииые
Пос·юянное напряжение коллеrстор-база .
Постоянное напряжсн11е коллек·1 ор-эмиттер
при
RJБ .; 10 кОм
Постояшюе напряжение э:v~иттер-база
Постоянный ток коллектора .
Постоянный ток эмиттера .
Импульсный ток коллектора при '" .; 10
Q;;, 2
Импульсный ток эмиттера при т" .; 10
Q;;, 2.
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Т=213 -7- 328 К, р.;6650 Па
при Т=213-7-328 К, р=665 Па
при Т=398 К
Температура окружающей среды .
1р
./'
мкс,
мкс,
1
'-
0,08 пФ
4,5 11Г11
15в
!5в
3в
20 мА
20 мА
40 мА
40 мА
150 мВт
105 мВт
39 мВт
От 213 до
398 к
~ 0,Blt--KГT3_9~9ГA--lf--c~~~~
--::::
0,6
'§
1
~D
~
~-1
J
r
КТ{99А1
,,.,
'!., о,ц.
~
-
::з 0,2
::.::
1
::.::::з о
-02
,D
J
~2
390
-J
D
ц.
2,5 5
'!.,
-2
~"- -3
~
~-ч
::..:
-5
/
{
11
Uк5=5В
-'---
f=ЧDОМГц
в 12 16 2013,мА
Оц.В12162013,мА
1
KTJ99A
1
1
13= 5мд
f =чоомгц-
1
-
-
Зона возможных по.1ожениi!
приведенной зависимое ги коэф·
фициента шума от тока эмю-
тсра.
Приведенная зависимость козф­
фициента усиления во мощно­
сти от тока эмиттера.
Приведенная зависимость коэф­
фициента шума от напряжения
коллектор-база.


Приведенная зависимость коэф­
фициента усиления по мощно­
сти от напряжения коллектор·
база.
LaD
"t
-11 --' k-+ . --Jl---i--. l- -I
-.: ::
..: :
<...: -21--+-~-+-
~~ -Jl--+--l-~~-~-.!..--1
11
~ -t,Li--;- -+- -+-""k---1 -- -1
-::...
2 l-'"6!W..<;К.4";.+---11---t---.I '} - 5 l--t--+--..f--1-~----1
~
DL-_L_ _::ы;.~~=~~ ::.::
ю-3 10-2 10-1 1 10 10 2 f,МГ11,
Зона возможных положений за­
висимости коэффициента шума
от частоты.
Приведенная зависимость коэф­
фициента усиления по мощности
от частоты.
КТ3101А-2
Транзистор кремниевый эшпаксиальио-планарный п-р-п СВЧ
усилительный с нормированным коJффициентом шума на частотах
l и 2,25 ГГц.
Предназначен для применения во входных и последующих кас­
кадах усилителей сверхвысоких частот.
Бескорпусный, на керамическом кристаллодержателе, с гибкими
полосковыми выводами и приклеиваемой компаундом керамической
крышкой. Обозначение типа приводится на этикетке.
Масса транзистора не более 0,04 r.
391


77
~
""
~
КО1111ектор 1'>5
~
-'--
о, 72
о,в
О.§
Электрические параметры
Граничная частота при ИкБ = 5 В, lэ = 1О мА не
менее
типовое значение .
Постоянная времени цепи обратной связи при
Ик6=5В,lэ-F5мА,.f=30МГцнеболее
типовоезначение......
Минимальный коэффициент шума:
при Ик6=5 В, lэ=5 мА, /=2,25 ГГц не
более.....
типовое значение
при ИкБ=2 В, lэ=2 мА, .f=1 ГГц не
более.....
типовое значение
Максимальный коэффициент усиления по мощности:
при ИкБ=5 В, lэ=10 мА, .f=2,25 ГГц не
менее
типовое значение .
приИк6=2В,/э=2мА,.f=1ГГц.
Онтимальный коэффициент усиления по мощности*:
приИк6=5В,/э=5мА,.f=2,25ГГп. . .
приИк6=2В,13=2МА,.f=1ГГц. . . . .
Статический коJффициент передачи тока в схеме с
общим эмиттером при ИкБ = 1 В, lк = 5 мА,
Т=298 К ..... .
Обратный ток коллектора
Т=298Внеболее..
Обратный ток эмиттера при
=2,5Внеболее.
392
при ИкБ=15 В,
Т=298 К, С-35=
~
._
~
4,0 ГГц
4,5* ГГц
10 пс
5* пс
4,5 дБ
3,3-4,1* дБ
3,0 дБ
1,8-2,2* дБ
6дБ
8,2-9,8* дБ
13,0-17,5 дБ
6,3-8,7 дБ
8,0-9,1 дБ
35-- 300
1 5 !'ЛКА
1 мкА


Емкость кол.1екторного перехода при Ик6 = 5 В не
бо.1ее
типовое значение
Емкость эмиттерного перехода при ИэБ = 1 В не
бо.~ее
типовое значение .
Индуктивность вывода базы*.
Индуктивность вывода эмrптера *
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллек·1 ор-база .
напряжение
кОм
ко.1лсктор-эмиттер
Постоянное
U36= 10
Постоянное напряженне эмиттер-база
Постоянный ток коллектора .
Постоянный ток эмиттера .
Импульсный ток коллектора при <и<::: 10
Q;;,. 2
Импульсный ток эмиттера при 'tи <::: 10
Q;;,. 2
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Т= 213-;- 318 К
при Т=358 К.
Общее тепловое сопротивление
Температура перехода
Температура окружающей среды
при
МК<.:,
мкс.
1,5 11Ф
0,65* пФ
2,5 11Ф
1.0* пФ
2 нГн
2 пГн
15в
l5в
2,5 в
20 мА
20 мА
40 мА
40 мА
100 мВт
50 мВт
0,8 К/мВт
398 к
От 213 до
358 к
Пр им е чан и е. При экс1иуатации транзисторов
росхем должен быть обеспечен теплоотвод от
Rт <::: 0,8 К/мВт.
в сос1аве мик­
кристалла с
10---г-~.--.-~.--~---.
Ot-t-t------::~ci-~1---1----i
~
"{
-1
. ;::
~-2
1
J- -з
О,5 Ц.....-1--1---+--il---t----1 _ Ч UКБ == 2 В, f = 1ГГи,f----\-1-----1
К~р при Iз=2мА
~4u__.:_~L-_i..,.__.J.,_-:';:--;-' -5~--'-~~--'-~1---11-----'
D4В12162DI3,мA
D4 В12162013,мА
Приведенная зависимость гра­
ничной частоты от тока эмит­
тера.
Приведенная зависюлость коэф­
фициента усиления по мощности
о г тока эмиттера.
393


5
г
КТ3101А-2
'+
LCJ
"{
LCJ 3
"t
~
-~ -1
""'
~
2
-"'
""'
1
~-2
""'
1
1
:з
""' D
1----1- - -h<'"-" ..,_ Uк Б = 5В
f=2,25ГГц
-J
К~ при Iз=5мА
-1
D
-1.j. .....___.._........._
_..__.....____....___.
D
7,5 1D 12,5 Uк6,В
Ч 8 12 16 2D!3,мА
Приведенная зависимость коэф­
фициента шума от тока эмит-
тера.
Приведенная зависимость коэф­
фициента уси~1ения по мощности
от напряжения коллектор-база.
LCJ
D
LCJ 12
~ -D,ч
~ 101---tr--KTJ1D1AJ~
Ь; -D 8 >---+- ·-+ --r-. .-- -1 ---1
~8
Uк5- 5В
~,
~
Iэ=1DмА
11 -1,21----1'---t-.,;'t-----+ --+ -- -- -i
С\;\~ бt----+--+-..-+---<--+----<
,,
~
~
-
:з -1ft1----1--~--+-
-
~'+
т
~
:з -2,D 1----1 ---+-+--+-- -1 ---1
1 2i-----t---r---t--+...,--,r---t
""' - 2,2 .____....___.-=-_,_-:--~-...._~ ~
D D/1- D,!f 1,2 1 ,6 f,ГГц
D
Приведенная зависимость коэф­
фициента шума от часто гы.
Пр1шеденная зависимость коэф­
фициента усиления по мощно­
сти от час1 оты.
КТ3106А-2
Транзистор кремниевый эпитаксиальпо-планарный п-р-п СВЧ уси­
лительный с нормированным коэффнциеrпом шума на 'шстоте
120 МГц.
1, 15
11) ~ц
Ба.за-и
_
1
Коллектор J11и.ттц
394
Предназначен для применения
во входных и последующих ка­
скадах усилителей высокой час­
тоты.
Бескорпусный, на никелевом
кристаллодержателе, с гибкими
выводами и защ!!тным покрытием
на основе кремнийорганического
лака. Выпускается в сопроводи­
тельной таре. Обозначение типа
приводи1ся на этикетке.
Масса транзистора не бо- .
лее 0,003 r.


Электрические параметры
Граничная частота при UкБ = 2 В, Iэ = 5 мА не
менее
1 и новое
значение
Постоянная времени 11е11и обратной связи при
Ик6=2В,/з=5мА,/=30МГцнебо.1ее.
типовое ·значение
Коэффициент шума при Икь = 5 В, /3 = 5 мА,
Rг = 50 0:-л, /= 120 МГц не бо.~ее
типовое значение
Коэффициент усиления по мощносги * при Икь =
= 5В,Iэ=5'>!А,/=120МГц,Rг=50Ом
.
Статический коэффициент передачи тока в схеме с
общимэмиттером при Икь=5 В, Iэ=5 мА не
менее
типовое значение .
Граничное напряжение * при lэ = 5 мА
Обратный ток коллектора при Икь = 15 В не
·
более
Обратный ток эмиттера при Т = 298 К, Иэь =
= 2,5Внеболее.
Емкость коллекторного перехода при Икь = 5 В не
более
типовое значение .
Емкость эмиттерного 11ерехода при Иэь = 1 В не
более
типовое значение .
Индуктивность вывода базы *
Индуктивность вывода эмиттера *
Предельные эксn.JУатациоииые даииые
l ГГц
1,6-2,2* ГГц
10 пс
6,4-9,О* пс
2дБ
1,06-1,8* дБ
17-18 дБ
40
100*
21-28 в
0,5 мкА
1 мкА
2пФ
l,5* пФ
3,5 пФ
3,0* пФ
13 нГн
13 нГн
15в
Постоянное напряжение ко.1лектор-база .
Постоянное напряжение кошrектор-эl\шттер
при
Rэь,;; 10 кОм
Постоянное напряжение эмиттер-база
Постоянный ток коJ!лектора
Постоянный ток эмит 1·ера .
Импульсный ток 1шллек юра 1 11 ,;; 1О
Q;;,. 2
Импу.1ьс11ый ток эмитгера при т" ,;; !О
Q;;,. 2
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Т=213-о-323К
при Т=358 К.
Общее тепловое сопротивление
Температура перехода .
Температура окружающей среды
мкс,
.мкс,
15в
2,5 в
20 мА
20 мА
40 мА
40 мА
30 мВт
16 мВт
2,5 К/мВт
398 к
От 213 до
358 к
395


Пр им е чан и е. Прн эксплуатации транзисторов в
составе микросхем должен быть обеспечен теплоотвод
от кристалла с Rт,,;; 2,5 К/~1Вт.
-
~ 1,2
~~ 1)D
~
D,8
ктi106~-2 /
/./
/
,,,.
1 Uк5 =5В
1
1,6
1,ч
-гт,
_KTJ106A-2
1
v ....
v
/
./
v Iк=5мА
/
D,6
D,Ч
D'+В121620Iк1мА
D,6
D,lf
О 2,5 5 7 ,5 1D 12,5Uк5,В
Зависимость
относительного
статического коэффициента пе­
редачи тока от тока коллектора.
1,6
1,Ч
1,21----!-~<--+---+---+--t
-
::- 1о1----+с­
~)
"'-
ч..'- 0181--1 -!- -+- -+- - -+- -+- - -1
Зависимость оп10сите.1ьного
статического коэффициента пе­
редачи тока от напряжения кол-
1)2
1)5
1,1
лектор-база.
. -"'-
~ 1,D51---+__,,<-+--+---+--1'~-1
::-
ч..: 1,Dr-- _, ,,- -+ ---+- -+ --+- -1
D,951-+---+--+--t---+--t---I
8 12 16 2013,мА
~9~~-~~~-~~-.......
О 2,5 5 7 ,5 10 12,5Ик5,В
1,5D
1,25
КТ3106А-2->---<
11
~ 1,0
Uкs=5В -+----+---!
-j D, 75 Н--+---'-fт-=-'1""'2Т-D-'-М'-Ги, -1---1
1
~ 0,5
~25i-t--+--+---7t--t--т---i
о
396
Зависимость относительной гра­
ничной частоты от тока эмит­
т-ера.
Зависимость относительной гра­
ничной частоты от напряжения
коллектор-база.
Приведенная зависимосгь коэф­
фициента шума от тока эмит­
тера.


О,'+
D,3 KTJ1DBA -2__.___,_~
11
Lci D2
I з = 5 мА -1-----1..,,ес...--1--.--1
"'1: ,
f= 12DМГи,
Приведенная зависимость коэф­
фициента шума от на11ряжсния
коллектор-база.
-~
о,1t----+--+--.......'--J_--1--1
""'1
3 Dt----t--~---1---1---i--1
""'
-
0,1 г-,..,.--+--+----1--1-----1
-42~-=-'"=-~-.i....____J_.....J...~
D 2,5 5 7, 5 10 12,5Uк5,В
1Т3110А-2
Транзистор гср~шииевый эпитаксиа.·11,но-ш1анарный п-р-п СВЧ гене­
раторный маломощный.
Предназначен для усиления и генерирования сигналов сверхвы­
соких частот.
Бескорпусный, на керамичес­
ком криста.1лодержателе, с r иб­
кими по.1осковы!\1И выводами и ке­
рамической крышкой. Выпускается
в индивидуа.1ьной таре-спутнике,
обо·шачение типа приводится на
таре. На крышке наносится услов­
ная маркировка - зеленая точка.
Масса транзистора не бо­
лее 0,2 г.
Эле1причес1ше параметры
9
Граничная частота при ИкБ = 3 В, lэ = 50 мА не менее
Постоянная времени цеш1 обратной связи при ИкБ = 5 В,
Iэ= 30 мА,.f=100 МГц не бо.1ее .
Выходная мощность в режиме автогенератора при
ИкБ=7В,Iэ=5мА,f=4ГГцнеменее
медпанное значение не менее .
Коэффициент усиления по мощности* при ИкБ = 7 В,
Iэ=20 мА, riк=40~~:
приf=0,5 ГГц
приf=1,0ГГц
приf= 2,25 ГГц
1,8
0,6
2,5 ГГц
5пс
50 мВт
65 мВт
10 дБ
8,2 дБ
6,6 дБ
397


Минимальный коэффициент шума* при Икь = 7 В,
/3 =10-;-20мА:
при / = 0 ,5 ГГц в схеме с общим эмиттером
11риI =1ГГц в схе~1с с общей базой .
при/= 2.5 ГГц в схеме с общей базой .
Граничное напряжение * при /э = 50 мА не менее .
Обратный ток ко.тлектора при Ик 6 = 1О В не бо.1ее:
приТ=213КиТ=298К.
приТ=343К.
Обратный ток эмнт1ера при U36 = 0 .2 В не более:
приТ=213КиТ=298К
при Т= 343 К.
Сопротивление базы* при ИКБ= 7 В, 13 = 50 мА не более
Сопротивление коллектор-база* при ИКБ= 7 В, /э = 50 мА
не более .
Емкость коллекторно1 о перехода при UКБ = 5 В не более
Емкость эмиттерного перехода* при U36
=ОВнеболее
Индуктивность базы в режиме насыщения* при UKG =О В,
/к= 50 мА,/= 1 ГГц не более .
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база .
Постоянное нанряженис коллектор-эмиттер при R
36
~
~100Ом.
Постоянное напр!lжение эмиттер-база .
Постоянный ток коллектора при Т = 298 К
Импу.1ьсный ток коллектора при Т = 298 К, 'tи < 1О мкс,
Q;,, 100 .
Пос~ оянная рассеиваемая мощность коллектора:
в статическом режиме:
при Т=213-;-303К.
при Т=343 К .
в динамическом режиме:
при Т= 213-; - 303 К.
приТ=343К.
Общее тепловое сопротивrение * .
Температура перехода .
Темпера тура кристаллодержателя
Пр им е чан и е. При эксплуатации обязательно при­
менение теплоотвода, обеспечивающего тепловое сонро­
тивление переход-окружающая среда не более 250 К/Вт
398
ЗдБ
4,8 лБ
7,5 дБ
8в
50 ;,,1кА
100 мкА
50 мкА
100 мкА
9Ом
4,5 Ом
3,5 пФ
4,5 пФ
0,45 нГн
10в
!ОВ
0,2 в
17,5 мА
140 мА
175 мВт
85 мВт
300 мВт
120 мВт
250 К/Вт
373 к
От 213 до
343 к


.-15D
125
. !;;, 100
::;:
;75
1Т311DA - 2 _1--д----1
1
1
Iз =5DмА
f = ЧГГи, -4.~+--+---1
~ 50 ~-1--1-+-+---t---t---t
D
Зависимосгь выходной мощно­
сти в режиме автогенератора
от напряжения коллектор-база.
го~...,._~+---+-~1с-----1---1
D~-7::--::io:--....1...--1..~.L_-J
1D го ЗD чо 50 BDIз,мА
Зависимость выходной мощно­
сти в режиме автогенератора
от тока эмиттера.
2Т3115А-2, 2Т3115Б-2, КТ3115А-2, КТ3115В-2,
КТ3115Г-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-п.1анарные п-р-п СВЧ уси­
лительные с нормированным коэффициентом шума на частотах 4
(2Т3l l5Б-2) и 5 ГГц.
.
Предназначены для применения во
каскадах усилителей сверхвысоких частот.
входных и пос.1едующих
Бескорпусные, на керамическом
кристал:rодержателе, с гибкими по­
лосковыми выводами и прик,1ен­
ваемой керамической крышкой.
Обозначение типа приводится на
ярлыке, находящемся в индивиду­
альной таре. На крышке тран­
зистора наносится_ условная марки­
ровка цветным кодом: 2T31I5A-2
-
красная точка; 2ТЗ 115 Б-2 - жел 1 ая
точка; KT3ll5A-2
-
красная по.'Jо­
ска; KT3ll5B-2- желтая по.юска;
КТЗl 15Г-2 - синяя посюска.
Точха. ма.рнироВочна.я
9
Масса
лее 0,2 г.
тран·шстора пе
О,б
бо-
l<оллектор
ЭJ1ектрические параметры
Граничная частота* при ИКБ = 6 В, 13 = 5 мА не менее
типовое значение
Постоянная времени цепи обратной связи* при ИкБ = 7 В,
Iэ=5мА,f=100МГцнеболее.
типовое значение .
О,б
5,8 ГГц
7,0 ГГц
3,8 пс
3пс


Минимальный коэффициент шума при ИКБ = 7 В,
/э=5 мА:
2T3 l l 5A-2, КТ3115А-2 нрн / = 5 ГГц пе бо:1ее .
пшовое значение .
.
.
.
.
2ТЗ 115Б-2. КТЗ 115В-2 11ри j = 4 ГГц нс бо.1ес
типовое значение .
КТ3115В-2 при / = 5 ГГц не более .
КТ3115Г-2 при/= 5 ГГц нс бо.1се .
Оrпималыrый козффтщеН1 ус1шения по мощности прн
ИКБ=7 В, /э=5 мА:
2Т3115А-2, КТ3115А-2, KT31 l5B-2 при /= 5 ГГц
неменее. . .
типовое значение .
2ТЗ 115Б-2, КТ3115В-2 при/= 4 ГГц не менее .
типовое значение .
КТ3115Г-2 при f = 5 ГГ11 не менее . .
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общи:v~
эмиттером при ИКБ = 5 В, /3
= 5мАпеменее. .
Обратный ток коллектора не более:
при Т= 298 К:
2ТЗ 115А-2, 2Т3115Б-2, KT3 l l 5A-2, KT3 l l 5B-2 при
ИкБ=10В.....
КТЗl15Г-2 при Ию;= 7 В ..
при Т= 398 К:
2Т3115А-2, 2Т3115Б-2, КТ3115А-2, KT31l5B-2 11р11
ИКБ=IО в ...
КТ31 l5Г-2 при ИкБ = 7 В.
Обратный ток эN>!иттера при Иэь = 1 В не более:
2Т31 l5А-2, 2ТЗ115Б-2, КТ3115А-2, КТ3115В-2
КТ3l15Г-2 .
Входное сопротивление в режиме мало1 о си~ нала в схеме
собщейбазой*приИк6=7В,/3=1мАнеболее
типовое значение .
.
.
.
.
Емкость коллекторного перехода* при ИкБ = 5 В не бо.1ее
типовое значение . .
.
.
.
.
Емкость эмиттерноrо перехода* при ИэБ = 1 В не более
типовое значение . .
.
.
.
.
.
третьего
5дБ
4.5*дБ
3.6 дБ
3.4*дБ
4.6 дБ
6,0 лБ
5 ;<Б
6.7*дБ
бдБ
7,5*дБ
4лБ
15
0,5 мкА
0,5 мкА
20 :viкA
20 :-,,шА
20 мкА
35 мкА
9Ом
6,5 Ом
0,6 пФ
0,33 пФ
0,5 пФ
0,46 пФ
Коэффициент интермодуляцнонных искажений
порядка* при Икь = 7 В. Рвых = 100 мкВт:
при/э=7мА
.
От -51 до
-62 дБ
при/э=5мА.
Предельные эксплуатационные даииые
Постоянное напряжение коллектор-база:
400
2Т3115А-2, 2Т3115Б-2, КТЗ115А-2, КТ3115В-2
КТ3115Г-2 • • •
.
•
.
•
•
•
•
.
.
.От
-45 до
-54 дБ
10в
7в


Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при R36 =
=]кОм:
КТЗ 115А-2. 2Т3115Б-2, КТ3115А-2. КТЗ 115В-2 .
КТ3115Г-2 .
10в
7в
]в
Пос1·ояшюе напряжение эмиттер-база .
Постоянный ток ко"-~лектора .
8,5 мА
Постоянная рассеиваемая мощность ко:тлектора:
при Т=213-о-243 К 2Т3115А-2, 2Т3115Б-2,
К13115А-2, КТ3115В-2.
при Т= 213-о- 358 К КТ3115Г-2 .
при Т=398 К.
70 мВт
50 мВ1
. 35 iviIJT
СВЧ мощность, падающая на вход гранзистора *,
при Т~ 358 К,/= 3,6 ГГп:
непрерывная
импульсная при 'tи ~ 1 'v!KC:
при /повт = ] кГц
при.fповт=25 кГц . .
Тсмпсратур<t перехода .
Температура окружающей среды
3)5
~OL...-...J..~..L---'-~-'---,'=""'=,.....
О2L/-В810Iз)мА
Зависимость минимального ко­
эффициента шума от ток<t эмит­
тера.
Зависимость оп rимального ко­
эффициента шума от тока эмит­
тера.
Зависимость коэффициента шу­
ма в 50-омном тракте от тока
эмиттера.
25 мВт
500 мВт
100 мВт
423 к
От 213 до
398 к
Кш)дБ
Uк5=7В
81---+-~.,:.:.::..-1-~i--_J_--I
7
61----1---,,..i~:..+---1.~..)_-I
L/-t---t""'-:;;;!~...l-~~+--1
30~~2~.J,-..-L__.J,~.L.....~
В 8 10lз)мА
Кш)дБ
~5t----+-+---i'----6''-.J.---I
~Ot---+~t--t.-~1---J-----..j
5,51- -1 ........-- 1. .L._ _
5)0 t---+--1-~
L/-)51---J . . . . -_J __
~O~--:--~-::---'-~L--.....1-__J
о2L/-68


"'
7 t--t --," 1 -----:::!;;;o......... _:-t -- -i
~~в
!;:\.
~....... 5 '---'~---1--./---'4---l-----J
ц.
UкБ=7В_,__ _,___,
3.___.~_._~.._--'~-'---'
о2L/-вВ10Iэ)мА
8
7
J'- -'- -+ -- -l-
2.___._~_.__--'-~~'---'
02Ч.б810lз)мА
Кuрд5
5
L/-1----1---1---+---+-7'-+-----i
JL--1 - __J_ _- -L -1 --1- -1- -- --1
2 1----.ie:'- -.+ ---
о
2 3 Ч. 5f,ГГи,
Зависимость коэффициента шу­
ма от частоты.
Зависимость макс111v1ального ко­
эффициента уснления по мощ­
ности от тока эмиттера.
Зависимость оптимального ко­
эффициента ус1ыения по мощ­
ности от тока эмиттера.
Зависимость коэффициента уси­
ления по мошности в 50-омном
тракте от тока эмиттера.
J,O
2,51---+~-1--+--+--"'-..-+----1
l.Q 2 ,01- ---;jf---l --+- --1 --+- ---I
~ 151--..u.--....:2TJ115A-2_-+-___,
:.; '
Uк5= 78
~tO
f = 5 ГГц-+---11----1
Rг=Rн=500м
о2L/-6810I3,мА
l.Q 16
"t:
~121----+-".+--1----+-+----1
~8
L/-
о12JЧ.5f,ГГц
ЗависиУ~ость коэффициента уси­
ления по мощности от частоты.
2Т3120А, КТ3120А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п СВЧ уси­
лительные с нормированным коэффициентом шума на частоте
400 МГц.
402


Предназначены для применения во
входных и последующих каскадах уси­
лителей сверхвысоких частот.
1,З
Выпускаю гся в мсталлокерамиче­
ско!\1 корпусе с гибкими полосковыми
выводами. Обозначение типа пр1пю­
дится на этикетке. На крышке корпуса
наносится услопная маркировка цвет­
ными точками: 2ТЗ 120А - олна бе:шя,
КТЗ 12ОА - две белые.
Масса транзистора не более 0,3 r.
1
-
., ... Кол1 шrт с,о
Электр11ческ11е параметры
Граничная час гота при UкБ = 5 В, Iэ = 10 мА не менее
типовое зна чсние .
Постояннсш времени нспи обратной связи при ИкБ = 5 В,
Iэ=!ОмА,f=30MГIIнеболее
типовое значение .
Минимальный ктффициент шума при ИкJ? = 5 В,
Iэ=5мА,I=400МГц1!еболее.
типовое зна•1ение .
.
.
КоэффициентшуманриИкБ= 5В,fэ=5мА,Rг=50Ом,
f=400МГцнеболее.
типовое значеппе .
ОптпмалuнLIЙ ко::>ффицпепт усиления по ~1ощ~rоста r.ри
ИкБ=5В,Iэ=5мА.f=400МГцнеменее.
типовое 3начепие .
СтапР:ескиii коэффициент передачи тска в схеме с общим
эмиттеромприИк6=1В, lк=5~1А:
при Т= 298 К не менее
типовое зна чепие
приТ=213Кнсменее.
приТ=398Кнеменее.
Обратный ток коллектора при ИкБ = 15 В не f:.o.'!~e:
при Т=298 К.
ври Т=398 К .
Обратный ток эмиттера при UэБ '~ 3 В }{е более
Емкость кол:1скторноrо перехода при UкБ = 5 D нс бо.11~::
типовое значение .
Емкость эмиттерного перехода пrн Иэь = 1 В н~ 60:1се
типовое зн~р1ение .
Преде;1ы1ые экпи1~·а~ ащсош~ые шшныt
Постоянное шн:ряжение коллект,Jр-база .
Постоянное напряжепне кол;;еJ..:тор-э.шп·~t:r up;1 p,,l'
=10кОм.
Постоянное на~1р::~жение эмиттер-·база •
1,8 ГГu
3* ГГц
8ПС
3,8*ПС
2дБ
1,3*дБ
2,2 дБ
1,t~ дБ
!О дБ
13,5 * дБ
ло
J24*
20
40
0,5 m:A
S м~А
J 1.ш;\
2 ,,ф
l,.:.i * п(_l-'
3,2 п··1·
},s f: 11G'")
15в
3в
403


Постоянный ток коллектора .
Постоянный ток Jмиттера . .
Импульсный ток коллектора при 111 ,,;; 10 мкс, Q ?> 2.
Импульсный ток эмиттера при 1 11 ,,;; 10 мкс, Q ?> 2
Постоянная рассеиваемая мощность:
20 мА
20 мА
40 мА
40 мА
приТ=213-о-338К.
при Т=398 К .
Общее тепловое сопротивление
Темпера тура перехода .
Темпера1ура окружающей среды
2TJ120A
KTJ120A
l.Q
" '( ~11---+-+---t---Ь.""""'t---i
?.: .? . о 1----+-~"-+--t--+---i
1
3 -о 11-----+ -
""'
)
-0,2μ...--+--+--+--t--+---i
""
"'(
~
_: :.,
:..::
1
~:..::
J
2
1
о
-1
-2
2TJ120A
КТ3120А
100 мВт
30 мВг
.
0,86 К/мВт
423 к
От 213 до
398 к
-031--_.___.~_,__,_~........_~
' О 2,5 5 7,5 10 12,5Uк5,В
Приведенная зависимость коэф­
фициента шума от напряжения
коллектор-база.
0,6
0,5
~ О/+ н---+--+---r--тr__,--i
~3 0,J l-+--t --+---t -+--+----1--1
1
::.::3 о, 21-+ -+ --+- -+1-
~ 1~+-+--,.~--.--..---,~-1
Приведенная зависимость коэф­
фициента усиления по мощности
от напряжения коллектор-база.
1
01--hi~f----1----''---+---I
~ -1 >--++--+
~
~ -21-i--t--+-~-+--+---lf---I
1
Uк5=58
!>.. -J>-+ -+- - -+
~
f-= 1ЮОМГц
-L /-1+---+-+-- -+- -+- -+- -I
-5--~-~-~__._....._-=-"
О L/- 8 12 18 20I3,мА
О L/- 8 12 16. 20!3,мА
Приведепная зависимость коэф­
фициента шума от тока эмит­
тера.
404
Приведенная зависимость коэф­
фициента усш1ения по мощностн.
от тока эмиттера.


r.
6
5
5
2TJ120A,
2,5
КТJ120А
""
LQ
1/-
"t: о
q:
~
-3
UкБ=58
-:...
~3
J3 =5мА
~ -2,5
1
"-
.,J 2
:..,
-5
~
-7,5t--+~-t----if----J-~+-~
10
-1 0 !::-~~-:-:-~--L-_l__.j_
О О,2 D,Ч- 0,6 0,8 1,Оf,ГГц
Приведенная зависимость коэф­
фищ1е!па шума от частоты.
Приведенная зависимость коэф­
фициента усиления по мощно­
сти от частоты.
1Т612А-4, ГТ612А-4
Транзисторы германиевые п;та­
нарные п-р-11 СВЧ генераторные
маломощные.
Предназначены для усиления
и генерирования сигналов сверх­
высоких частот.
Бескорпусные. на керамическом
кристаллодержа ге:1е, с метаJЕIИЗИ­
рованными контактными выступа­
ми и покрытым эмалью кристал­
лом. Выпускаются в ин;щвидуаль­
ной таре-спутнике. Обозначение ти­
па приводится на таре.
Масса транзистора не бо­
лее 0,2 г.
ба.за
ф 1,5
Эмиmт&р
Эле1пр11чесю1е параметры
Граничная частота при UкБ = 5 В, Iэ = 50 мА не менее
Постоянная времени цепи обратной связи при ИкБ = 3 В,
Iэ=80мА,f=30мГцнебо:~ее.
Выходная мощность в режиме автогенератора при
ИкБ=8 В, 1э=90 мА,/=2 ГГц:
!ТбJ 2А-4 не менее .
медианное значение не менее .
ГТ612А-4 не менее .
Коэффициент усиления по мощности* при f = 1 ГГц,
riк = 65 % 1Т612А-4 не менее .
Граничное напряжение при Iэ = 100 мА IT612A-4 не менее
Обратный ток коллекгора при ИкБ = 12 В не более:
!Т6!2А-4:
приТ=213КиТ=298К
при Т= 343 К.
1,б 0,6
1,5 ГГц
7ПС
150 мВт
180 мВт
200 мВт
3
8в
5 мкА
50 мкА
405


ГТ612А-4при Т= 298 К .
Обратный ток эмиттера при ИэБ = 0,2 В не более:
IТ612А-4:
приТ=213КиТ=298К
при Т= 343 К.
ГТ612А-4 при Т= 298 К ..
Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 5 В не более
Предельные эксп.1уатационные данные
Пос,1 оянпое напряжение коллектор-база . .
Постоянное напряжение коло1ектор-эмиттер при RэБ ,,;;
,,;; 10 Ом 1Т612А-4 .
Постоянное напряжение эмиттер-база . .
Постоянный ток кол,1ектора при Т = 298 К ГТ6!2А-4
Импульсный ток ко"1лектора при Т = 298 К, ти ,,;; 10 мкс,
Q;;. 100 1Т612А-4 . .
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
1Тб12А-4:
при Т= 213-; - 308 К.
при Т=343 К .
ГТ612А-4 при Т = 298 К
Рассеиваемая мощность коллектора в режиме усиления
мощности и автогенератора:
при Т=298 К ГТ612А-4 .
при Т= 308 К 1Т6!2А-4 .
при Т= 343 К .....
Температура пер~хода . . .
10 мкА
5 мкА
50 мкА
!О мкА
3,5 пф
12в
8в
0,2 в
120 мА
200 мА
360 мВт
190 мВт
360 мВт
570 мВт
570 мВт
225 мВт
373 к
Температура кристаллодержателя:
!Т612А-4
ГТ612А-4
От218до343К
От213до343К
Пр им е чан и е. При эксплуатации транзистора
обязательно применение теплоотвода, обеспечивающего
тепловое сопротив.1ение переход-окружающая среда не
более 138 К/Вт
225
1Т612А-'1
200
.t:; 175
::;:
; 150
~
ci.:: 125
100
5б
Зависимость выходной мощно­
сти от напряжения коллектор­
база.
406
Кур
J,'1
/
/
1
1
1
1Тб12А-'1
,,,.. - -
f=1ГГц
3,3
J,2
J,1
3,0
5678910UкБ,В
Зависимость коэффициента уси­
ления по мощности от напря­
жения коллектор-база.


l] />/о
32
31
30
29
28
27
1
1
1
_1Тб12А-1./-
ГТВ12А-1./-
---
1"'
f=1ГГц
5в78910UKБJB
Зависимость КПД от напряже­
ния коллектор-база.
Кур
3,5
J,41-----1 --+- -+ --+- --i'--t
~J~-+-~~:._+-~~-t---1
~21---1.1'--+--~--t----'\i;;----;
f_,1ГГц
3,11---+-+---i--+--t--1
~о.___._~.__~~~=--~
О 50 100 150 200 РвьwмВт
Зависимость коэффициента уси­
ления по мощности от выход­
ной мощности.
300
250
/;;, 200
~
~ 150
Q..~ 100
50
-
1
1
1Тб12А-1./-
1-ГТ612А-1./-
~~
/'1
f=ZГГи.
Иха=8В
о 20 40 60 80 Рвх,мВт
Зависимость выходной мощно­
сти ОТ ВХОДНОЙ.
l]} "/о
35
31./-r---r-~г---+.,,-::-.,1----1-----1
3 2 t---1- -1- -#- Т---<>---+---1
JO
28
25
о
Зависимость КПД от входной
мощности.
1Т614А
Тран:зистор герма1нr~Р.J.,1й а_'1а·
нарный 11-р-п СВЧ reнc~paiopннii.
Пред1.а·1шtчен для работы il rс­
нераторных сн~;,rах в гермст:1·3;1rю­
ванной аппаратур~.
Бескорnуснь,й с -защип~ь'м по­
крытием. Оl~О:JН'1ЧС>п1е нша нри­
водится В Л!Еt.;ГКе.
Масса тра~г.шсгора не fю­
лее 0,2 г.
407


Электрические параметры
Выходная мощность при ИкБ = 9 В, f = 500 МГц в схеме
с общей базой не менее
Модуль коэффициента передачи тока при Икэ = 5 В,
lк=50мА,f=100МГцнеменее.
Постоянная времени цепи обратной связи при ИкБ = 5 В.
lэ=50мА,/=30МГцнеболее.
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим
эмиттером при Ик6=5 В. lэ=50 мА .
Обратный ток коллектора при ИкБ = 12 В не более
Обратный ток эмиттера ИэБ = 0,5 В не более .
Предельные жсплуатац11онные данные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RэБ = О.
Т=213+343 К.
Постоянное напряжение кол.1ектор-база при Т = 213 +
+343к.
Постоянное напряжение эмиттер-база при Т = 213 + 343 К
Постоянный ток коллектора при Т = 213 + 343 К
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
приТ=213+323К.
при Т=343 К •
Температура окружающей среды
200 "'1Вт
10
15 пс
15-250
10 чкА
5 мкА
9в
12в
0,5 в
200 мА
400 мВт
200 мВт
От 213 до
343 к
Пр им е чан и е. Температура припоя при монтаже транзистора
в схему должна быть не выше 503 К. Время пайки не должно
превышать 3 с.
lfOO
JOO
с!:;
' :<.200
о
2
"/
....
<
/
:..-
~
1T611fA
1
f°оfООМГц
/
....-
v...-
бОмА
-
у
1
./
401"!А
1--
-
-
ffJ<=80мA
6
Зависимость выходной мощно­
сти от напряжения 1юл:1ектор­
база.
408
200
,._
150
ct:i
':<.
~100
а::
50
200
\
1T611fA
1
\
'
\
\
Uк5=98
"'
IJ< =8011А
,.........,
'-
lfOO 600 800 f,МГц
Зависимость выходной мощно·
сти от частоты.


'Тн ,пс
1T61L/-A'
Зависимость постоянной време­
ни цепи обратной связи от тока
Jмиттера.
12
10
8
6
10
КТ633Б
-........
~r--
--
Uк5 =58
f=30МГц
30
50
7013 ,мА
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный 11-р-п переклю­
чательный.
Предназначен для работы в высокочастотных и импульсных
схемах.
Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 3 r.
23
6'.б
.7миттер
Кмлектор
Электр11чес1,;ие ш:раметры
Статический коJффициепт нсредачи тока в схеме с общи~1
э:-.шттеромпри ИкБ=1В, lэ=10 мА .
Граничное напряжение * при lэ = 1О мА не н~Есе .
Напряжение насыщсш1я коллектор-эмиг1·ер при Iк ~·
=100мА,J6=10\!Лнеболее.
НGt.пряжсние насыщс·нпя tiтза-::н•;!нттсг Ерп !1< ~ 100 мА.
16 = 1О мА Нё бо,1;;с
типов се значение .
20-160
15в
0,6 в
!,5 в
0,85*в
409


Время рассасывания при Iк = 10 мА, /Б = 10 мА не более
типовое значение .
Время выключения* при UэБ = 1,5 В, lк = 10 мА,
/6=3мА.
Время выключения* при Uэ6 = 1.5 В, fк = JO мА,
16=3мА.
Моду.1ь коэфф1щиента передачи тока на f = 100 МГц,
приИкэ=!ОВ,/к=100мАнеменее
Постоянш1я времени цепи обратной связи* при/= 5 МГц,
Uк=10В,fэ=30мА.
Емкость коллекторного персхохщ при ИкБ = 10 В нс более
Емкость эмиперного нерехода при UЭБ = 0,5 В не более
Обратный ток ко.1.1ектора при Ию;= 30 В не Go:;ee .
Обратпый ток э'v!игтера при И36 = 4,5 В нс более .
Обратный ток ко.1лектор-эмиттер при Икэ = 30 В не более
Коэффициент шума* при/= 20 МГц, Uп = 5 В. /3 = 5 мА
Предельные эксплуатанио1шые данные
Постоянное напряжение коллектор-база при Т = 228 +
+358к
Постоянное напряжение эмиттер-база при Т = 228 + 358 К
Постоянный ток коллектора при Т = 228 + 358 К .
Импульсный 1ок коллектора при Т = 228 + 358 К,
'tи,,;;1О МКС, Q;;>50 .
Постоянный ток ба.зьI при Т = 228 + 358 К .
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
приТк=228+298К.
приТ,=358К.
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при
'tи ,,;; 1О МКС, Q ;;, 50:
приТ=228+298К
приТ=358К.
Тепловое сонротивлсние переход-окружающая среда
Теrиювое сопротивление переход-корпус .
Тем11сратура окружающей среды .
30 нс
6" нс
9нс
13 нс
5
10 ПС
4,5 пФ
25 пФ
10 мкА
10 мкА
3 мкА
6
30в
4,5 в
0,2 А
0,5 А
0,12 А
1,2 Вт
0,24 Вт
0,72 Вт
0,15 Вт
347 К/Вт
104 К/Вт
От 228 до
358 к
Пр им е ч а 11 и е. Пайка выводов допускае1ся на расстоянни не
менее 3 мм от корпуса транзистора при температуре пайки не
более 523 К в течение нс более 1О с при наличии теплоотвода в
месте пайки. Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 3 мм
от корпуса транзистора. Допустимая величина электростатического
потенциала !ООО В.
410


hz1э
70
60
50
40
30
20
10
1
1
KT6J35
"-. .
.........
'-
UкБ =18
"
0,8
0,7
0,6
""' 0,5
~ о,ц
~
, ,;0,3
::::,"' -
0,2
0,1
1
КТ633Б
/
... v
vv
/
v 16 =10мА
v
,,,,,
О 50 100150200250300 Iк,мА О 50 100150200250300 Iк,мА
Зависимость напряжения насы­
щения кол.>ектор-эмиттер от то-
Зависимость ста rического коэф­
фициента передачи тока от тока
коллектора.
1
КТ63.JБ
\
'
3
Г\.'-...,
r--
1
2
0 Ц 81216202ЧUкБ,8
Зависимость емкости коллек­
торного перехода от напряже-
hz1э
90
ния ко:шектор-база.
1
КТ6.ПБ
.... ~
-
,__
v
r---- ..
Iк,мА
210
180
150
120
90
60
30
о
ка кол.>ектора.
...__
КТ63JБ
\
\
\
1"'-
кr--
.__
1
2Ч681012UкБ,8
Зависимость тока коллектора от
напряжения коллектор-база.
1,6
1,ц
1,2
KT6JJБ
v
v
80
70
60
50
lfO
""'._
1
/
_v
'"'
UкБ =18
~ 0,8
Cj
::::, 0,6
о,ч
I/
v
v
I5=10мА
1
30
~2
20
О 50 100150200250300 Iк,мА О
100 200 JOO Iк,мА
Зависнмость статического коэф­
фициента передачи тока от тока
коллектора.
Зависимость напряжения насы­
щения база-эмиттер от то­
ка коллектора.
411


КТ640А-2, КТ640Б-2, КТ640В-2
Транзисторы кремниевые эпит;~ксиально-планарные п-р-п СВЧ ге­
нераторные.
Предназначены для применения в cxe:vie с общей базой в усили­
тельных н генераторных устройствах в диапазоне 1- 7,2 ГГц в герме­
тизируемой аппаратуре.
9
Коллвнтар
Бескорпусные, на ~rетал:юксра­
мическом держате~1е, с полосковы­
ми выводами. Ус1овное обозна­
чение типа приводнтся на верхней
части держате.1я: КТ640А-2 - чер­
ная полоска, КТ640Б-2 - бе.1ая по­
"'оска, КТ640В-2 - синяя по.10ска.
Обозначение типа привоiщтся в эти­
кетке.
Масса транзнстора не бо­
лее 0,2 г.
Электр11ческие параметры
Выходная мощность при / = 7 ГГц, UКБ = 15 В, !к =
= 45мА,Рвх=25мВт:
КТ640А-2, КТ640Б-2 не менее .
типовое значение .
КТ640В-2, типовое значение .
Коэффициент ус!!'Jlения по мощности при / = 7 ГГн,
ИкБ= 15 В, Iк=45 мА, Р0,=25 мВт КТ640А-2,
КТ640Б-2, типовое значение .
Фаза коэффициента передачи тока при / = 1 ГГц,
Ик6=5Внеболее:
КТ640А-2:
при /к= 30 мА
при/к=50мА.
КТ640Б-2, КТ640В-2:
приfк=30мА.
при/к=50мА. .
Граничная частота коэффициента
Ик6=5Внеменее:
КТ640А-2:
при /к= 30 мА
при/к= 50мА.
КТ640Б-2, КТ640В-2:
при /к= 30 мА
при/к= 50мА.
типовое зпа чение:
при/к=30мА.
при/к=50мА.
передачи тока при
Критический ток* при Ик 6 = 5 В, тиновое значение
412
80 МВт
100 мВт
80 мВт
6дБ
0,33 рад
0.47 рад
0,26 рад
0,44 рад
3,0 ГГц
2,1 ГГц
3,8 ГГн
2,3 ГГц
5,0 * ГГц
4,0 * ГГн
50 мА


Модуль коэффициента обратной передачи напряжения в
схеме собщей базой при ИкБ=15 В, Iк=30 мА,
f = 100 МГц не более:
КТ640А-2
КТ640Б-2, КТ640В-2
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой
частоте* при Икь = 15 В, lк = 30 мА, типовое зна­
чение:
КТ640А-2
КТ640Б-2, КТ640В-2
Емкость ко.1лекторного перехода при Икь = 15 В не
более.
тпповое значение .
Активная емкость коллектора* при ИкБ = 15 В, типо­
вое значение .
Суммарная активная и пассивная емкость коллек1 ора *
при Икь = 15 В, типовое значение .
Емкость коллектор-эмиттер*, типовое значение .
Емкость кол;1екторного вывода*, типовое значение
Емкость эмиттерного вывода*, типовое значение .
Емкость эмиттерного перехода при Иэь = О не бо.:rее
типовое значение .
Сопротивление базы*, типовое значение .
Пос.:rедовате.'lьное сопротивление коллектора*, типовое
значение.
Индуктивность вывода э:--111ттера внутренняя*, типовое
значение.
Индуктивность вывода базы внутренняя*, типовое зна­
чение .
Индуктивность вывода коллектора внутренняя *, типовое
значение
Обратный ток коллектора при Икь = 25 В не более
Обратный ток эмиттера при Иэь = 3 В не более
Минимальный коэффициент шума+ при Кур= 8 дБ
КТ640А-2 типовое значение:
приИк~=15В,lк=1ОмА,f=4ГГц.
приИкь=10В,lк=15мА,/=6ГГц.
Преде.1ьные эксплуата1щонные данные
Постоянное напряжение коллектор-база при· Тк =
=213-; - 398 к
.
Постоянное напряжение эмиттер-база при т. = 213-;- 398 К
Постоянный ток коллектора при Тк = 213 -;- 398 К
Постоянная расссивае:11ая мощность кшыектора:
при т.=2]3-;-333 к.
прит.=398 К.
Внутрсшrее тепловое сонротивление
· Те~11;ер11')-ра
п;:рсхода
Темп.:р:нура 1:орпуса .
1.5. 10- 3
3,О· 10- 3
0,6 ш:
1,0 ПС
1,3 пФ
0,9 пФ
0,15 пФ
0,50 пФ
0,12 пФ
0,28 пФ
0,16 пФ
3пФ
1,8*ПФ
4Ом
2Ом
0,5 нГп
0,3 нГн
0,5 нГн
1мА
0,1 мА
5,5 дБ
8,0 дБ
25в
3в
60 :11А
600 мВт
165 мВт
150 К/Вт
423 к
От 213
ДО398К
413


Пр им е ч а н и е. Монтаж транзисторов в схему осуществляется
припайкой металлизированно1·0 основания держателя к теплоотво­
ду при Т..;; 423 К. Допускается пайка выводов на расстоянии не
менее 2 мм от держателя при Т <;; 5.В К допускаося пайка вы­
водов на расстоянии 0,5 м~1 от держате.'Jя нри Т..;; 423 К в течение
не бо.<ес 3 с.
Не рекомендуется напряжение питания бо.'lсс 15 В.
°' 18 '-~+--'Rтs-ц-оА.___2_1"-~.__,
о 15'
1
1
1
'
О 10 20 30 ЦО 50Iк,мА
0,181--+-'1---+--+-+-~
0,151.-~'---'---'---'--......J
О36912Uк6,8
Зависимость фазы коэффициента
передачи тока от тока коллек­
тора.~
2/+сг-1--r и 1-в
1(5== 5
2,0
-t
--т- -f = 1ООМГц
L!'
'
1
_
16 -~--~ .'<Ть''IОБ-2._
~ ' rF-:-КТ6ЧОВ-г
~ 1,2
--~,-=--i-=--;
r;J; 0,8 -··-11--\~~i~~- !
1
1
K764:JA, ·-2 1
1
о,ц[J~~~~l~.:J~~:J~I--
0 1С 2{' SU 11:; sr;Iк,м.4
Зависиносп, ~10д:;л11 К•Х'•}·(1• ШЕ­
ен1а обра·fн(ч) тк·~~е/~"-·r.11 • . uJ : p} · ~
жения от T:JJП. к-:1 .r::-:e:c··JJEi.
414
Зависимость фазы коэффициен­
та передачи тока от напряжения
КОЛЛ/ОКТОр-база.
2,Ц
~01--~+--+-- +·~-+-~
i;;- 1,6
о
6'
З;шис1:~юс1ъ мс•дуля 1<01ффиuи­
с1:-.:« ·:<ip·нnni• rtepeдa<\11 напря­
;«ения 01 нзгtrяжения коллек- .
TQ;1-·6~:\D.


-'
Ск,пФ
1,6
1,г
0,8
О//.
о
5 10 15 ZDUк5,8
Зависимость емкости коллектор­
ного перехода от напряжения
ко:1лектор-база.
175
150
125
~ 100
::;
~75
:о
Q... '<> 50
25
о3691215Uк5,В
Зависимость выходной мощно­
сти от напряжения ко,1лектор­
база.
Зависимость выходной мощно­
сти от напряжения коллектор­
база.
~81----l~,...,-!--1----1---=::::i
о,ц
о
Зависимость емкости эмиттер­
ного перехода от напряжения
эмиттер-база.
175
150
КТВ'l-ОБ-'2
125
~ 100
::;
~75
о...;:,
50
25
о3691215Uк5,В
Зависимость выходной мощно­
сти от напряжения коллектор­
база.
....
75
a::i
::;__ 50 l---t-----::o~~«=::._l-c-_j_.--1
1!
a...i2 . 2 51------1:~-+-+----l---+----I
Iк=Ч-5мА, f=7ГГц
03691215UкБ,В
415


1
2)0
о
1)5
-1
1)0
-2
0)5
123ч.5бf,ГГц
Зависимость модуля коэффици­
ента отражения входной цепи
и е_го фюы от частоты.
IS21бl)дБ
rp)paa
ч.
о
2
-1
о
-2
-2
-J
- lf.
-'+
123ч.5бf,ГГц
Зависимость модуля коэффици­
ента прямой передачи напряже­
ния и его фазы от частоты.
-12
-15
2,0
-18
1,5
-21
Uк=10В
1,0
-2ч.
Iк = Ч.DмА
0,5
123ц5бf,ГГц
Зависимость модуля коэффици­
ента обратной псре;щчи напря­
жения и его фазы 01 час готы.
\5226\,дБ
rp ,ра.а
0,5
о
о
-1
-0,5
-2
-1
-з
-15
-'+
)12Jч.5бf,ГГц
Зависимость '.1одуля коэффици­
ента отражения выходной цепи
и его фазы от 'Шстоты.
р-п-р
1Т313А, 1Т313Б, 1Т313В, ГТ313А, ГТ313Б,
ГТ313В
416
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р.
Предназначены для усиления сигналов.
Выпускаются в мета:rлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора не более 2 г.


18
5
Эле1ар11ческие пара:1-1е1·ры
Коэффиниент передачи тока в режиrv;е малого сигнала
приИкБ=5В,/3=5мА:
при Т= 233 К ГТ313А. ГТ313Б .
Пр!I Т= 298 К:
IТ313А
1Т313Б
1Т313В
ГТ313А, ГТЗ13Б
ГТ313В
при Т= 328 К:
ГТ313А, ГТ313Б
ГТ313В
Модуль ктффишrента передачи тока при UкБ = 5 В,
13 =5 мА./=100 МГц:
1Т313А.....
·
1Т313Б, 1Т313В, ГГ313Б
ГТЗlЗА, ГТ313В ...
Статическпй коэффициент пср~дачи тоr:а в схеме с общим
эмилеромприUкэ=3В,Iэ= 15 чА:
15-200
20-250
20-80
60-250
20-200
30-170
20-400
30-350
3-10
4,5-10
3.5 -10
при Т= 298 К:
1Т313А
1Т313Б
IТЗIЗВ
при Т=213 К
10-230
10-75
30-230
.От1до0,5
значения при
Т=293 I(
приТ=343Кнсболее···
.
.
.
.
.
.
.От 2,5 значе­
ний при
Обратный ток коллектора при ИкБ = 12 В нс более:
прн Т= 213 -с- 298 К 1Т313А, 1Т313Б, 1Т31ЗВ ..
при Т = 233 -с- 298 К ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В .
при Т= 328 К ГТ313А, ГТЗlЗБ, ГТ313В.
нри Т= 343 К 1Т313А, 1Т313Б, 1Т313В ...
14 Полупроводниковые приборы
т=298к
ло 500
5 мкА
5 мкА
50 мкА
40 мкА
417


Обратный ток эмиттера при
lТЗlЗА, \Т313Б, 1тзiзв .
ГТЗIЗА, ГТЗlЗБ, ГТЗlЗВ.
ИэБ = 0,4 В не более:
Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 5 В не
более..........
•
.
.
Постоянная времени цепи обратной связи при ИкБ = 5 В,
lэ=5мА,f=5МГцнеболее:
\ТЗlЗА, ГТЗIЗА, ГГ313В ......... .
IТЗlЗБ, !Т313В, ГТ313Б . . . ...... .
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при lк = 15 мА,
!Б=1,5мАнсболее......
'
Напряжение насыщения база-эмиттер при /к= 15 мА,
/Б = 1,5 мА не более •...........
Граничное напряжение при lэ = 10 мА IТЗlЗА, IТ313Б,
1Т313В не менее ........... .
Коэффиuиент шума при ИкБ = 5 В, lэ = 5 мА,
Rг=75 Ом,/=60 МГu IТЗlЗВ не более ...
Емкость эмиттерного перехода при ИэБ = 0,26 В,
f= 10 МГu не бо"1ее:
IТЗlЗА
IТЗlЗБ, !Т313В
Предельные эксплуатацноН11ые данные
· Настоянное
напряжение коллектор-база:
lТЗlЗА, ПJlЗБ, IТЗlЗВ •
30 мкА
50 мкА
2,5 пФ
75 пс
40 пс
0,7 в
0,6 в
7в
8дБ
18 пФ.
14 пФ
12в
ГТ313А, ГТЗ13Б, ГТ313В при Т~ 318 К .
ГТЗlЗА, ГТ313Б, ГТ313В при Т> 318 К.
15в
.Снижение на
1 В через
каждые 5 К
Импульсное напряжение коллектор-база при т0 ~ 1
и коэффициенте заполнения не более О, 1:
IТЗlЗА, !Т31ЗБ, \ТЗ13В
приТ=3187343К.......
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер:
при RБ/Rэ < 10 П313А, IТ313Б, lТЗIЗВ
при Т=3187343 К ...... .
мкс
20в
.Снижение на
1 В через
каждые 5 К
12в
.Снижение на
1 В через
каждые 5 К
при Rэ > 500 Ом, Rr; ~ 2 кОм ГТ313А, ГТ313Б,
ГТЗIЗВ...
•
.
.
.
.
.
•
.
.
.
•
при RБЭ = 500 Ом ГТ313А, ГГЗIЗБ, ГТ31ЗВ.
Постоянное напряжение эмиттер-база . ·
Постоянный ток коллектора:
IТЗIЗА, IТ3J3Б, IТЗIЗВ
ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В. . ' .
418
15в
12' в
0,7 в
50 мА
30 мА


Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при Т= 213-; - 315 К IТ313А, IТ313Б, IT313B.
при Т= 343 К 1Т313А, 1Т313Б, IT313B ..
при Т= 293 К ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В.
при Т = 328 К ГТ313А, ГГ313Б, ГТ313В.
100 мВт
35 мВт
100 мВт
50 мВт
Температура перехода:
IТ313А, IТЗIЗБ, !Т313В ..
ГГ313А, ГГЗIЗБ, ГТ313В .. ~~~~~---"-'---"----·­
Температура окружающей среды:
358 к
343 к
IТ313А, IТ313Б, !ТЗIЗВ
ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В
5,01---+ -+ --+ - -+-="'i---;
~ ~Ol----!:-..-1'==--+-:7!"'~t-~
"'~
~ о,1 Ь..""+--l--+--::::-1'<---t---j
~
о001 L..... -.. J .-- '---':,.,,. . .. -: :'="'"="="':'-="
'
213 233 253 273 293 313 т,к
Зона воз~-южных положений за­
висriмости обратного тока кол­
лектора от температуры.
-Зона возможных положений за­
висимости модуля коэффици­
ента передачи тока от тока
эмиттера.
....
---------
hz1з
От 213
ДО343К
От 233 до
328 к
12 о t---Т--+--'-+-"-+-+---1
100
u~~t'-:'
B01=::t:t:::i===F=-!--Т=-J
BOr--~-=-:-7=--t--+-+---,,,..i
чo~i-=~~:::i=--i--J
20~-==-:'""""""=-~-'-~.L--.J
213 233 253 273 293 313 т,к
Зависимость коэффициента пе­
редачи тока от температуры.
/h213I
6 t--r+--+--~-1-
5 t-+-.,,.,..."""i~+---.:...i.-+-_.j
ц Н-.f--t---!---"'1..,,--""'~+---1
3 r----r--+- -+ -- -1-"'.+- -- -J
1т31JА -1т31з в
2r----r---t--+---1---1----J
1z-~-,..,.___._........__.L-_J
О 8 16 2'1 32 ЦО13,мА
419


Кш,дБ
1
1
о
(J
7
6
5
1./- 1-----t--+--Т--!--+---i--i
J .____. _
__.__....__...___._
_.
0 1./-0 80 120 160 200 f,МГ!.{
Зона воз~1ожных по."Iожсний за­
виснмости коэффпциен1а шума
от часготь:.
Зона возможных по.'Iожений за­
в11симосп1 моду.'Iя ко·;rрфнциен-
1 а перел.ачн тока от ч<~стоты.
2Т326А, 2Т326Б, КТ326А, КТ326Б
Трапзнсторы кгеrvПIИСВI1!С 1пптаксиа"11"но-п_-1анариыс р-п-р. Пре;~­
назначены для усил-~аия высоr<очаt.: ro1 аых н сверхnь,~око•~асто-1·ных
снгна.~оu.
Выпускаются в мстrLТ!~'rост~li.'1ЯННО:'\1 кори; с.: с r иi"5кn\U1 выво~1а·._rrr
Масса 1 ранзис гора не Go:1ec 0,5 г.
Cra ~ ~Рн:·ск~1ii ко.)ффиц~1..:Iг::· п~~рсд;.IЧН ·1 ~~;,~~ n ::.: ·~с':-.< (· 06:аt1ч
э:"Еттсрl,:>.1 прп Uп; = 2 В, /") = \(1 :-.1Л.
при Т= 2'.18 К:
2ТЗ26.1\. I~T326A
7:)-70
2Т326Б, КТ326Б
'''-- iii(i
при Т~с2\3 К:
КТ326А
420
.От 0,3 _.:н:·~ЧСlЕ:Я
r;рн Т= 298 К
до 70


r;
.
КТ326Б .
.От 0,3 значения
приТ=298К
до 160
при Т= 398 К:
2Т326А. 2Т326Б, не бо:ке .
КТ326А
. 2 значения при
т=298к
От10до2
знi.lчений при
Т=298К
КТ326Б .
От22до2
значе1111й при
т=298к
Модуль коэффиц11еfпа передачи тока при Uк 5 = 5 В,
/3=10мА,I=100МГцнеменее:
2Т326А
2,5
2Т326Б
4
КТ326А. КТ326Б
4
Обра1ный ток ко.1лск1ора при UкБ = 10 В не более:
приТ=298К.
приТ=398К.
Обратный ток Jмиттера при И-:;5 = 4 В не более:
11рч Т=298 К .
прп Т = 398 К 2Т326А, 2Т326Б .
Напряжение насыщения база-эмиттер при !" = 10 мА
/Б=1мАнеболее.
Напряжение насыщения ко.1лектор-эмнттер при lк =
=10мА,J6=lмАнеболее
Постоянная вре:v~еин uепи обратной связи при Uкr; = S В,
/3=!ОмА,/=5МГцнебо.1се.
Емкость кол.:~екtорного перехода при ИкБ = 5 В не ГJолсс
Емкость э\шттерного перехода при UэБ = О не болс:е
Предслы1ы~ эксплу11тiщ1юпные ;щ1шые
Постоянное шшряжсние кол,1ектор-бi.!за .
Постоянное напряж~ннс 7С\ШТтер-база .
Постоянное
нанрлжсние
ко.1:;ектор-э:v~1птер
R63 <: 100 кО~1 .
Постоянный ток ко:1.сrектора
Постояннаи р::~ссеrшасмая мошность колпс:;тооа:
при Т = 213 -с- 298 К 2Т326А. 2Т3265
при Т = .398 К 2Т326А, 2Т326Б .
11ри Т = 213 -с 303 К КТ326Б, КТ326Б
при Т = 398 К КТ326А. КТ326Б
при Т = 298 -с- 398 К 2Т326А, 2Т326Б и
Т = 303 -с- 398 i{ КТ326А, КТ326Б .
Темпера"! ура гrерехо::щ:
2Т326А, 2Т326Б .
КТ326А. КТ326Б .
нри
при
0.5 мкА
iO ~~кА
0,1 мкА
10 мкА
1,2 в
0,3 в
450 l!C
5пФ
4пФ
20в
4в
15в
50 мА
250 :чВт
83,3 ~fBT
200 мВт
41,7 мВг
Снижается
линсiiно
448 к
423 к
Температура окружающей среды
.
От213до398К
421


l51 MA
10.__-+---t-+-+---+f--+-~
8.__-+---t-+-+-~-+-~
Uкз=5В
6 1---+---Н--+-++--+--1
l/-1- - -+ - --if -- -lr-
2t---+--+i--..--r-
о
1,2 1,6 2,0 U3;18
38.аисимость тока базы от на­
пряжения эмиттер-база.
1,г гТ326А,гТ326Б,
1,0 КТJг6А,КТ32бБ--+-~
С1:)_ 0,8
.. ..
~ 451---1---+---+---'---+--~
~:::::. ор f---+-+.г7'f-:--+--+---t
о 10 го 30 l/-0 50Iк,мА
----Зависимость напряжения насы-~­
щения коллектор-эмиттер от то-
1,2
1,0
~ 0,8
~
~ 0,6
"'
:::.L .o о,ц.
0,2
о
ка коллектора.
....- -
-
гТJ26А, 2Т3г6Б,
-кт326А,КТ326Б- -
11
11
Iк 1=10мд
Зависимость напряжения насы­
щения база-эмиттер от тока
базы.
421
hz1з
1001----1 -- ---',. _ _. .. ..
801----1---1--3,1-__,_-1---1
60Г---::::;1;;;;;==---11---+---'1....,_-+---1
l/-0~-:t==!o--,--!~~-4":~
20
о 10 20 30 '1-0 50Iк,мА
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тока
коллектора.
1,г
1,0
2Т326А1, гтJгбБ,
-КТ326А; КТJгбБ
~ о,в
~ О,б
-
I5 =1мА
...;
:::.1.о О,Ц.
<>
:i:
~
u
с:!
<>..
-f.>
0,2
о
Зависимость напряжения насы­
щения база-эмиттер от тока
коллектора.
1го
100
1
1111
2Т326А, 2Т326Б,КТ326А,
КТ328Б
во
60
l/-0
го
.
\
'
!5=0,1Iк
'~ .... _
._
о 10 20 30 '1-0 50Iк,мд
Зависимость времени рассасыва­
ния от тока коллектора,
/


7к,пФ
5,0
гтJгs~ 1 1
KTJ26A
,_ 2ТJZбб -КТJZбб
-
,___
С3,пФ
2,5
гт.'rгs.4 KTJ2SA
~ ZТJ2бБ -кт.згбб -
,____
ч,о
J,0
2,0
1,0
\
'\,
..........
--
-
.....
г,о
1,5
1,0
0,5
\.
'\
r-. .. ..
,...........
,..._
о2q.бв10UкБ,в
~ависимость емкости коллектор­
rого перехода от напряжения
коллектор-база.
о1г3ч5и36,в
Зависимость емкости эмиттер­
ного перехода от напряжения
эмиттер-база.
.
ГТ328А, ГТ328Б, ГТ328В
,
Транз·иСторы германиевые эпитаксиально-планарные р-п-р СВЧ
усилительные с нормированным. коэффициентом шума на частоте
180 МГц.
Предназначены для усиления сигналов в метровом диапазоне
длин волн с автоматической регулировкой усиления.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 2 г.
18
C\j
. ,.;_
'S.
-
-
-
--
!\с)::::
-
"Q '&.
-
'<),
~~
--
"Q
·
Электрические параметры
Граничная частота:
приUкБ=10В,lэ=2мАнеменее:
ГТ328А
..•••.
ГТ328Б, ГТ328В • •
.
•
приUкБ=5В,lэ=10мАнеменее.
•
Постоянная времени цепи обратной связи при UкБ = 10 В,
lэ=2мА,f=100МГцнеболее:
ГТ328А.... .
·
·
·
ГТ328Б, ГТЗ28В .
.
.
.
•
Коэффициент шума при UкБ = 10 В, lэ = 2 мА,
Rг=75Ом,f=180МГцнеболее
·'
400 МГц
300 МГц
90 МГц
5пс
10 пс
7дБ
423


Стати:1ес:кнй коэфф1щиент передачи тока в схеме с общим
эмиттеромприИкБ=5В, /э=3 МА:
при Т= 293 К:
ГТ328А
ГТ328Б
ГТ328В
при Т= 233 К:
ГТ328А
ГТ328Б
ГТ328В
при Т= 328 К:
ГТ328А
ГТ328Б
·.
ГТ328В
Обратный ток коллектора при Ик 6 = 15 В не более:
приТ=293К...
ПриТ=328К•..
•.
Обратный ток эмиттера при Т = 293 К, Иэ 6 = 0,25 В
неболее.....
Емкость коллекторного перехода:
приИк6=5В,f=10МГцнеболее
Емкость эм1птерного перехода:
приИэ6=0,15 В,f=10 МГц неболее:
20-200
40-200
10-50
5-200
10-200
3-50
20-600
40-600
10-150
10 мкА
100 мкА
100 мкА
1,5 пФ
ГТ328А
,
ГТ328Б,ГТ328В.........
2,5 пФ
•·
5,0 пФ
П11едельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база . . . .
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
RэБ.;;; 5 кОм ....... .
Постоянное напряжение эмиттер-база .
Постоянный ток коллектора . . .
Постоянная рассеиваемая мощность
Температура окружающей среды .
1,3
1,г
1
ГТJZВА-ГТ3288
при
15в
15в
0,25 в
10 мА
50 мВт
От 233
до328к
~ 1,1t---t--t---t---ct-7''"+-~
....
-""
·~ 1,0 l---c -+-+,,,,e=-f - -- - -+-+- - - -1
Зависимость
относительного
статического коэфф1пщента пе­
·редачи тока от напряжения кол-
~
~ О,91---7"!---+--+---11---+---1
Iз=3мА
0,81---+-+- - -ll- - -+-4 - - -I
0,7 .......~-----~_.__...___,
огq.6в10Uк6,в
424
лектор-база.
·,


Зависимость
относительного
статического коэффициента пе­
редачи тока от тока эмиттера.
Зависимость
относптсльного
статического коJффициента пе­
редачи тока от температуры.
Зависимость постоянной време­
ни цепи обратной связи от тока
эмиттера.
118 гт32вд-гтj2вtз
1,6
~ 1//.
~~ 1,2
"'
-i::: 1,01-----1--1----+--J!C--.jl--~
~81---1--,.,,..~--+--+---+
~6.._-L.._..___._~,....,,"='~
213 233 253 273 293 313 т,к
1,3
1,2 ГТJ28А-ГТJ28В
~ ~1t---t--+--1---+--__:i---J
-"'
~ 1 о t--+-r+-'--!-~-.j___J
">}
......
~ fl,9 t---t- -+- -1 --. .J -_ .)l-_ _J
UкБ =58
~Br---+--t--+---1'----1.-__.
~7,___...._
_,_ __J'---L- .L . -'
О21./.681013,мА
1Т335А, 1Т335Б, 1Т335В, _1Т335Г, 1Т335Д
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р СВЧ пе­
реключательные маломощные.
Предназначены для применения в схемах переключения.
Выпускают в металлостеклянном корпусе с гибкими выволами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 2,2 г.
{} "'
KOJ1J1exmap
ба.за
а>
$
....
~
.. ...
$
со
5,5
"tS!.
Змцтmер
ФЧ,z.
425


Электр11ческие параме~~ы
Граничная частота при UкБ = 5 В, /э = IG мА не
менее...................
Постоянная времени цепи обратной связи пр1 Ию; = 5 В,
Iэ=5мА,f=5МГцнеболее......
Время рассасывания при Iк. нас= 10 мА, lь = 0,5 мА
не более:
\Т335А....
\Т335В, \Т335Д
· типо вое
значение:
IT335A
.....
.
\Т335В, \Т335д· .... .
Статический коэффициент передачи тока в схеме
· щим
эмиттером при UкБ = 3 В, /э = 50 'м\:
при Т= 298 К:
1Т335А, 1Т335В
. ------
\Т335Б, Т1335Г.
1Т335Д
с об-
300 МГц
700 пс
100 НС
150 НС
.
75*нс
82* нс
40-70
60-100
50-100
при Т=213 К
.От 0,6 до 1,4
, значения при
Т=298К
при Т= 343 К:
\Т335А, \Т335В
\Т335Б. \Т335Г. \Т335Д ....
"
.....
·~-.--~-~- --------
'Граничное ·напряжение при /э = 1О мА не мнее:
\Т335А, 1Т335Б .
\Т335В, \Т335Г, \Т335Д
типовое значение:
1Т335А, IТ335Б . . .
IТ335В, \Т335F, \Т335Д
.От 0,9 до 1,5
значения при
Т=298К
.От 0,9 до 1,7
значения при
Т=298К
13в
10в
14,5*в
12,5* в
Напряжение насыщения коллектор-эмrпер при
Iк=250мА,/Б=25мАнеболее:
1Т335А, 1Т335Б .
IТ335В, IТ335Г, \Т335Д . . .
типовое·значение. . . . . . .
2в
1,5 в
0,72* в
Напряжение насыщения база-эмиттер при 'к= 10 мА,
/Б=1мА
неболее........
типовоезначение. . . . . .
Обратный ток коллеrстора не более:
приТ=298К,UкБ=20В.
при Т=343 К, UкБ= 15 В ..
Обратный ток эмиттера при Т = 298 К не fuлee:
\Т335А, 1Т335Б, 1Т335В, \Т335Г:
426
0,45 в
0,36* в
10 мкА
100 мкА


при Иэ6=2,5 В
приИэ6=3В.
\Т335Д:
приИэ6=2В.
приИэБ=3В.
Емкость коллекторного перехода
более:
\Т335А, \Т335Б . .
\Т335В, l'Г335Г, \Т335Д .
..
приИкБ=5Вне
Емкость эмиттерного перехода при ИэБ = 1 В не более
Предельные э1.:сплуатацнонные даН11ые
Постоянное напряжение ко.1лектор-база:
приТ=213+318К.
.
.. ...
.
приТ=343К...
.
.....
.
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
ИэБ;;. 0,5 В:
при Т=213+318 К.
при Т=343 К ...
Постоянное напряжение
RБэ.;;; 1 кОм:
IТ335А, \Т335Б:
приТ=213+318К.
при Т=343 К .
IТ335В, !Т335Г, \Т335Д:
приТ=213+318К..
приТ=343К...
.......
.......
коллектор-эмиттер
Постоянное напряжение эмиттер-база:
пр11 Т=213+318 К .... .
при Т= 343 К ...... .
при
при
Импульсное напряжение коллектор-база при Иэ6 .;;; 2 В,
'tи .;;; 1О МКС, Q ;;. 1О:
П335А, П335Б:
приТ=213+318К..
при Т=343 К ...
1Т335В, П335Г, \Т335Д:
при Т=213+318 К.
при Т=343 К ...
Импульсное напряжение коллектор-эмиттер
ИэБ;;. 0,5 В, ти.;;; 10 мкс, Q;;. 10:
приТ=213+318К..........
при Т=343 К·........... .
Импульсное напряжение .эмиттер-база при ти .;;; 250
Q;;. 10:
при Т;=213+318 К ..
при Т= 343 К .....
Постоянный ток коллеJСтора:
приТ=213+318К
при Т= 343 К ....
при
мкс,
5мА
10 мА
60 мкА
1мА
8,5 пФ
10 пФ
35 пФ
20в
15в
19в
14в
17в
14в
14в
11в
3в
2,5 в
35в
30в
30в
25в
25в
20в
4в
3,5 в
150 мА
100 мА
427


Импульсный ток коллектора при <н .;;; 50
'V!KC, Q ;;> 5:
приТ=213·: 333 К .·.
250 мА.
150 мА
при Т=343 К ..
Постоянная рассеив2.емая мощность:
приТ=213-:-318К.....
200 мВт
67 мВт
при Т= 343 К ...... .
Импульсная рассеиваемая мощность при И кэ ,,,;; U кэо. гр•
'tи .;;; 50 МКС, Q ;;. 5:
при Т=213-:-333 К .
.
.
при Т=343 К .... .
Общее тепловое сопротивление
Температура перехода . . . .
Температура окружающей среды
1,2
1,0
1Т335А -1Т335Д
<Х:!__ 0,8
"t! 0,6
>:
...;
- ::: ::,""-
О,'+
0,2
1,6
1,'/.
11:) 1, 2
~ 1,0
.. ..;
~0,8
0,6
о Ч­ 1----
500 мВт
350 мВт
300 К/Вт
363 к
От 213
ДО343К
1
1
1
1Т335А ;1Т335Д
1_о
Iк-25 мА
1
1
15 =25мА
./
__,. /
/'
~--
о 50 100 150 200250Iк,мА
Зависимость напряжения насы­
щения колле1;тор-эмиттер от то-
'213 233 253 273 293 313 т, к
Зависимость напряжения насы­
щения ко~1лектор-эмиттер от
температуры.
""
1,' f
1,2
ка коллектора.
~01---+--+--+---+-r--+---1
;:; D,81 ---+ --+ -- ---0 .!'- ---+ --+ ---;
t!
>:
~о)Б1--·-t-_.,,..-+-__,.
-:::::,
Зависимость напряжения насы­
щения ·база-эмиттер от тока
коллектора.
428
о,в
D,7
°"!.. D,6
~ 0,5
~-::::: . О/+
О,3
1
1
Iк=1ОмА_ t--
IБ =; 1м~
1
1
1Т335А -:-1Т335Д
........................
-
-.......
:---- ~
0,2
213 233 253 273 293 313 т,к
Зависимость -r~апряжения насы­
щения Gаза-эмиттер от темпе-
ратуры.


гво
1,1
1,0
1
1
·--
Iк=ЮмА
1
1
21/-0 t---+----t--тIБ1 = 1мА
_ _ 1T J:5A -1Тс?21.1 !J, _
11
'
-
гoo1---_i_--1-+--t--t---cr1
0,9
~ о,в
::,
(; 0,7
<i
....,"'-
0,б
0,5
о,ч
с-- Iк=200мА
I51=20мА
1\
~rБг=О
/I62 =1/-ОмА
213 233 253 273 293 313 Т,К
·Зависимость времени рассасыва­
ния от температуры.
Зависимость времени рассасы­
вания от температуры.
КТ337А, КТ337Б, КТ337В
Транзисторы кремниевые эп~паксиа,1ыю-планарные.. р-п-р СВЧ
универсальные · мало:-.,ющ1! ые.
.
Предназначены д.1я применения в переключательных. импульсных
и усилительных высокочастотных схемах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 r.
135
5",.J
1
KмneкmtJp
Электрические параметры
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
с общим эмиттером при Икэ= 5 В, /э= 10 мА не
менее:
КТ337А .
КТ337Б. КТ337В
Время рассасывания при /к= 10 мА, /Б = 1
более:
КТ337А
.
·;
КТ337Б, КТ337В .
мА не
500 мгц
600 МГц
25 нс
28 нс
429-


с 1а l ИЧССI~н;! KOJффt::tilCII [ ш:рС..1'1ЧИ тока в СХС\<1С с об-
щим "J'vHHГ<OfIO'v! пrи С'1с)=О.З В, lэ= 10 ~А:
КТ337А
КТ337Б
КТ337Н
Haпpmkc:!!le ш1сыщснш1 ко.1.1ектор-J'vf!Н тер пр11 I,: = 1О чА.
lь=1\IЛ не бо.1сс .
Напряжение 11:н:ышсн11;~ база-э1'шттер !lpi! fк = 10 '.1А.
lr;= 1 "JA неiio_1е,;
.
Е:чкссть ко.1.1екторного перехода при L 'кr, = 5 В.
f= 10 МГц ::~ 60:1сс .
[\нсость ·;х111пср;юго перехода при U-7 ь =О, I = 10 МГц
нс боло.;е .
Обр:1: ;1н11 ток ко:1.Т~!,тоrа при L-'кь ~ б
Обjн п1ый 1ок ко:1 •тек rор-·1-,111п ер ври
PL-) = iОкОх1неGo.-icc .
В нс 60.1ее
L'кэ=б В,
Ilосто~~нчо~ н::нiря:~,е1--1ие коллектор-база н ко 1~ег:11.•i1-
30-70
50- 75
70-120
0.2 в
1н
6вФ
8пФ
1 ~,Iк.,\
) ".'КА
3\l!Пicp при RБэ ,,;: 10 кО~ .
6В
По(;; оянно~ напря.ж(':н:с J~н1ттср-nаза
ПосгоJ~нны~i ток ко.:.'Iектора .
Пос1оя.1н-I?сЯ рас:син:~1:~,1ая 1чu1uнос1ъ:
при Т,,;: 333 К .
нри Т=358 К .
Темпер1:) ра нереход<I
Теп.~rопсс ссnрот1i:з~1сннt: .
Tcмrrcpa rypG окру-.:;~'Пон1с'i срс;н.1
ГТ346А. ГТ346Б, Гi'34fiB
4в
30 чл
I 5() ~1вт
108 мВт
423 /(
0.6 К \IBT
От :2.13
Тг:..tн11н~1 Jры гср;>.·:1:j1н:'зi~'с ·Jв~:i ~1кc;1_t_t;,1-:,- .;::rин:1р.1ые p~n·p С'ВЧ
)'СИ:-i:11 c_·i~Il::rC с нг:~ \1ripc•;_;_•нpJ: I\1 ко··н>:>:Р , ' .l l'P 10\1 HJ: ~:i:1 }!Э. Ч~'..СТОТС'
~:оо J\r1 i"P .
Пp(',l,;]:_':_'j.':J"-•.;;:~,; ~--~}I y:.:•:.i·.:t~UЛ СИ;}[J. ~-;.;::: в ,,_.1,1..'I.il1\il'iГC·;.: 1_:·": fl~'1-
П~;J..;: ~-- :l.·J!:! ;... (,_!lI ;:· ~::·-~1...l"-':~r1;-.-:.~._::-,:oii рС1"\ i•;:н-,~":1_"';~ y:'I!.l1..'I:;r~.
Г;__,J·
"._
·.': 1<1~r;}~ ~~ ;;..~(.';:; 1 :,JCT:_,~·_Т5;Eif0\1 !>:t~гР::.сс С Г:Ibl:~1;,~:.~ [~Lflц\·'.:.\н~.
430


Эле~>тр11ческие параметры
Граничная частота при ИкБ = 10 В, lз = 2 мА не
менее:
ГТ346А .
ГТ346Б, ГТ346В
.
.
.
Пос гоянная врсмею1 цепп обратной связи при Ию;= 10 в,
/.) = 2 мА нс Gо:тее:
ГТ346А
ГТ346Б
ГТ346В
Коэффиниеrп шу,1а при L'кБ = 10 В. l·э = 2 мА,
Rг = 75 0:-л 11е 60.1ее:
ГТ346А при /=800 МГц
ГТ346Б при / = 800 МГц
ГТ346В при / = 200 МГц
Ко1ффициснт уси:1ения по мощности при Uк 6 = 10 В,
lэ=2 мА./=800 МГц не менее
Ко>ффrщиент обра гного усиления по чощности при
Ию;=10В,!1=2мА./=ROOМГцнсMei!ce:
ГТ346А
ГТ346В
Статичсс•иЙ коэффицш:rп н::редачи тока в cxore с 0G-
щ1ш эчил epo:vr при l./ю; = 1О В. lэ = 2 :v:A:
нри Т= 291' К:
ГТ346А, ГТ346Б
ГТ346В
700 МГц
550 МГц
3пс
5,5 пс
6пс
7дБ
8дБ
7дБ
10.5 дБ
20 дБ
12 дБ
10-150
15-150
3,5
г:р1' Т ~- 233 К не '1спее
при .--Г = 328 К не 6<~J1ee
3 значения·
11риТ= 298К
ОGг"1rный то:\ кс1._i_·1.::ктор;l при [!КБ= 15 В пе (}o:r,;:e:
при Т=298 К .
10 м:и\
пр:I Т_с328К
!01) '.1К/.
ОGр:нный ток ~;:v;:;т гс1х1 при Т = 298 К, U3 r; = r;.J Б
н~ 1.J о.1ес .
100 :\.УТ(А
Е\!'С("·-::л) ко·1:тс;~1 ог11010 1и.:рсхо,1а прн L/кБ = 5 в нс
ГIРС1(1янн·.JС Il:l~•r>э-,1~cнпt:: ;... о.:.тсr:1ср-ба·за.
Поr:тояf;;1се напря,1~.:нн~ I·:{~_гr.1еrс-пр-т\1иттср:
при Кэь=О
•
приR·Jr;=5кО,1.
По::: 1о~{нное напрпжснис 'J\.н1ттер-6а')а .
Постоянный 1·ок кo~'I~Iei{TOpa .
Постоя:ШZLЯ рассеrшас";Gя мощность
Темпера 1 ура пср~-..о:и.1 .
То.шература окружающей среды .
. 20в
20в
15в
0,3 в
10 мА
50 мВт
358 к
От 233
ДО328К
431


1 ГТJL/-БА +rтJ4L6B
Uкз=1ВI
Зависимое rь востоянной време­
ни цепи обратной связи от тока
эмиттера.
5 613,мА
КТ347 А, КТ347Б, КТ347В
Тран311сторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-11-р СВЧ
универсалы1ь:е ;лаломощные.
Предназначены для работы в переключательных, импульсных, уси­
лнтельпых и генераторных схе\с!ах низкой 11 высокой частоты.
UЫП)СК<!.ЮТСЯ в МСТ'1ЛлоетеКЛЯ111!0~! корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводи rся на корпусе.
Масса транзистора не более 0.5 г.
.Jниттер
5aJa
'fJ2,S
Коллектор
Электрические пара~:етры
Нзr!ря ..ксшrс Н~\с:лцения коллектор-эмиттер при lк ~с 1О мА,
/Б=1:·лА нс более .
Сп1т;1ческпй коэффrщиент передачи тока в схеме е
:ним 1миr1ером при Ию;= 0.3 В, 1, = 10 мА:
КТ347Л, КТ347Б.
КТ347В .
об-
Модуль 1;о~фф:щиента передачи тока в схе\с!с с общим
э:-.нп:ером нрн.f~100 МГц, Uк6= 5 в, Iэ= 10 мА
НС J', 'fCHCC
Время рассасывания при lк = 10 ~1А, 16 = 1 мА не
более:
432
КТ347А, КТ347Б .
КТ347В .
0,3 в
30-400
50-400
5
25 !!С
40 НС
~
""


Емкость ко.•лекторного перехола · при ИкБ = 5 В,
f=10 МГц не более
•
.
Емкость эмиттерного перехода при Ии= О,/= 10 МГц
не более.
.
•
.
Обратный ток кол.1ектора при ИкБ = ИкБ. чакс не более
Обратный ток коллектор-э:-.шттер при RБэ = 10 кОм,
Икз = Икз. "акс не бо.1ее .
Обратный ток э"шттера при Икз = 4 В не более
Предельные J1-:еп.1уатацио11ньiе данные
Постоянные напряжения ко:1.1ектор-ба1а, кол:1ектор-э;. 1 ит-
тер при R5э = 10 кО'v!, Т= 233-;. 358 К:
КТ347А
.
КТ347Б .
КТ347В .
Постоянное напряжение база-·J 1\.шттер при Т = 233 -; . 358 К
Постоянный ток кол.1ектора при Т = 233 -; . 358 К
Импульсный ~ок кол.1ектора при Т= 233-;. 358 К
Постоянная рассеиваемая мощное rь ко:1.·1~ктора при
т=233 -;.328к.
Импульсная рассеивае"~ая мощность коллектора
т=233 -;.358к.
Температура нерехода .
Температура окружающей срс;1ы .
при
6пФ
8пФ
1 мкА
0,5 мкА
10 мкА
15в
9в
6в
4в
50 мА
110 YIA
150 мВт
150 мВт
423 к
Ог 233
ДО358К
Пр им е ч а 11 и я: i. Максимально ,'.\ОПустимая постоянная рассеи­
ваемая мощность коллектора, мВт, flpи Т = 328 ~- 358 К рilссчиты­
вастсл по фориуле Рк. чакс = 50 + (378 - Т)/0,5.
2. Допускается производить пайку выводов нu расс1 ~·,;шш не ме­
нее 5 мм от корпуса транз11стора. При пайке жало пая. • ь яи ка дол ж­
но быть заземлено. Разрешается произ~;одить rн;йку п:, тп.1 поrруже1п;п
выводов не более чем на 3 с в расплавленный нршой с т = 533 К.
Минимальное расстояние :viecтa изгиба вы~ю,с~а от 1юрпусэ 3 мч,
',
радиус изгиба не менее 1,5 мм. При включении 1 ранзистора в электри­
ческую цепь, находящуюся вод напрюr,сz-шем, коллекторный вывод
должен присосд11~Jяться послсл.нt1м и отсоt'",J.нпятLся псрiЗы:.л. Не р~­
ко,1енлуется :жсплуалщия транзисторов с отк.110·-:сннсii базой 1ю
постоянноv.у ·гоку. f-I~~ реко:--.1~:~.Jуется эксп.1уа га:lия тр:~:ti111сторов прн
рабочих токах, соизыеримых с нсупрас.17.е:"11"!:·.~п 0Gрат~-1ыми тою1ми
во всем ,r~i1апазонс теJ\11r:сгатур.
КТ349А, КТ349Б, КТЗ49В
Транзисторы креv.:·шевые 1шпаh1:1:'1лыю-планарные р-!'-Р СВЧ уни­
версальные маломощные.
Предназна·.Jены для перrключепая 11 усп.1ения спп;а.~ов высо­
кой частоты.
433


Выпускаются в :v~еталлостеклянном корпусе с гибкими выво~ .
дами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.,
Масса транзистора не более 05 г.
·
'
13,7 5,3
Электрические параметры
Граничная частота; коэффициента передачи тока в схеме
собщимэмиттеромприИкБ=5В,/э= 10мАнеменее
Статический коэффициент передачи тока в схеме с об-
щим эмиттером при .ИкБ = 1 В, /э = 10 мА.
КТ349А
КТ349Б .
КТ349В .
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при
Iк=10мА,/6=1мАнеболее
Напряжение насыЩения база-эмиттер при Iк = 10 мА,
/Б=1мА·не более .
Обратный ток коллектора при ИкБ = 10 В не более
Обратный ток коллектор-эмиттер при Икэ = 15. В,
Rэ6 ,;;; 1О кОм не более .
Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 5 В не
более.
Емкость эмиттерного перехода при U36 = О не более
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение -коллектор-база .
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rэ 6 ~
~10кОм .
Постоянное напряжение эмиттер-база .
Импульсный ток коллектора при тн ~ 1 мс
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
приТ=2337303К•
при Т= 358.
Общее тепловое сопротивление
Температура перехода .
Температура окружающей среды
434
.
•,,
300 МГц.
20-80
40-160
120-130
0,3 в
1,2 в
1 мкА
1,5 мкА
6пФ
8пФ
20в
15в
4в
40 мА
200 мВт
108 мВт
600 К/Вт
423 к
От 233
до358к


\
'
2Т360А-1, 2Т360Б-1, 2Т360В-1,
КТ360Б-1, КТ360В-1
Транзисторы кремниевые эпи­
такснально-планарные р-п-р СВЧ
переключательные маломощные.
Бескорпусные с rнбкнмн вы­
водами. Обозначение типа приво­
дится на этикетке.
Масса транзистора не бо­
лее 0,05 r.
0,7
КТ360А-1,
0,8
f.База
.9нцттер
Кмлектор . l
Электрические параметры
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
собщимэмиттеромпри ИкБ=2 В, /э=5 мА не
менее:
2Т360А-1, КТ360А-1 ....
2Т360Б-1, 2Т360В-1, КТЗ60Б-1. КТ360В-1
типовое значение . . . . .
•
.
.
.
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой
частотеприИкБ=2В,/э=5мА,f=5МГцнеболее
типовоезначение......
......
Время рассасывания при /к= 10 мА, /Б = 1 мА не
более:
2Т360А-1,КТ360А-1............
:П360Б-1, 2Т360В-1, КТ360Б-1, КТ360В-1 .•. .
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим
эмиттеромприИк6=2В,/э=10мА:
при Т=298 К:
2Т360А-1.
КТ360А-1
2Т360Б-1 .
КТ360Б-1
2Т360В-1, КТ360В-1 .
300 МГц
400 МГц
550 МГц
450 пс
180 пс
100 нс
200 нс
25-70
20-70
40-120
40-140
80-240
при Т=213 К 2Т360А-1, 2Т360Б-1, 2Т360В-1
.Ог1до0,3
при Т= 358 К 2Т360А-1, 2Т360Б-1, 2Т360В-1
более. . .
•
•
·
·
значения при
Т=298К
не
. 2,5 значения
при
Т=298 К
435


Напряжен не насыщения коллектор-эмиттер при lк = 1О мА,
/Б=1мАиеболее....
•
.
типовое значение . .
•
.
.
.
.
Напряжение насыщения база-эмиттер при lк = 10 мА,
/Б=1мАнеболее....
•
типовоезначение......
Обратный ток коллектора не более:
при Т= 298 К:
при ИкБ = 25 В 2Т360А-1, КТ360А-1 .
•
,
.
.
.
при ИкБ = 20 В 2Т360Б-1, 2Т36ОВ-1, КТ360Б-1,
КТ360В-1 . .
.
.
.
.
при Т= 358 К:
при ИкБ = 25 В 2Т360А-1
при ИкБ = 20 В для 2Т360Б-1, 2Т360В-1 •
Обратный ток эмиттера не более:
при Т= 298 К:
приИэБ=5В2Т360А-1,КТ360А-1......
при ИэБ = 4 В 2Т360Б-1, 2Т360В-1, КТ360Б-1,
КТ360В-1 ...•...
при Т= 358 К:
при ИэБ = 5 В 2Т360А-1
при ИэБ = 4 В 2ТЗ60Б-1, 2Т360В-1
Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 5 В не более
типовое значение .
Емкость эмиттерного перехода при Иэ 6 = О не более
типовое значение .
Преде.1Jьиые эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллеl(тор-б.аза:
2ТЗ60А-1, КТЗ60А-1 ........ .
2Т360Б-1, 2Т360В-1, КТ360Б-1, КТ360В-1 ..
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при
RБэ.;; 10 кОм:
2ТЗ60А-1, КТЗбОА-1 .
.
.. ..
2Т360Б 1, 2Т36ОВ-1, КТ360Б-1, КТЗ60В-1
Постоянное напряжение эмиттер-база'
2Т360А-1, КТЗбОА-1 . . . . . .·
.
2Т360Б-1, 2ТЗ60В-1, КТ360Б-1, КТ360В-1
Постоянный ток коллектора . . .
•
.
.
Импульсный ток коллектора при ти.;; 1 мкс, Q;;;. 10
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при Т= 328 К .....
приТ.=358К.....
Общее тепловое сопротивление
•·
Температура окружающей среды:
2Т360А-1, 2Т360Б-1, 2Т360В-1
КТ360А-1, КТ360Б-1, КТ360В-1
436
0,35 в
0,12 в
1,2 в
0,85 в
мкА,,,·
мкА
10 мкА
10 мкА
0,5 мкА
0,5 мкА
10 мкА
10 мкА
5пФ
1,8 пФ
7пФ
2,8 пФ
25в
20в___
20в
15в
5в.
4в
20 мА
75 мА
10 мВт
5 мВт
7 К/мВт
От 213
до358к
От 233
ДО358К


2Т363А, 2Т363Б, КТ363А, КТ363АМ, КТ363Б,
КТ363БМ
Транзисторы кремниевые эпнтаксиально-п.1анарные р-п-р СВЧ
универсальные маломощные.
Предназначены для переключения и усиления сигналов высо­
кой и сверхвысокой частот.
Транзисторы 2Т363А, 2Т363Б, КТ363А, КТЗбЗБ выпускаются
в метал.1остеклянном корпусе с тремя гибкими выводами. Обозна­
чение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Транзисторы КТЗбЗАМ, КТЗбЗБМ выпускаются в пластмассовом
корпусе с гибкими выводами. На корпусе наносится условная мар­
кировка двумя цветными точками: КТЗбЗАМ - две розовы~::;
КТЗбЗБМ - розовая и желтая.
Масса транзистора в мета.1лостеклянном корпусе не более 0,5 г
и в пластмассовом - не более 0,3 г.
Кол.11t>ктор
Электрические параметрь1
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
собщимэмиттеромприИкБ=5 В, /э=5 мА не
менее:
2Т363А, КТ363А, КТ363АМ
2Т363Б, КТЗбЗБ, КТ363БМ
типовое значение:
2Т363А
2Т363Б
..
,
.
Постоянная времени цепи обратной связи при ИкБ·= 5 В,
.
/3=5мА,f=30МГцнеболее:
2Т363А, КТ363А, КТ363АМ
2ТЗ63Б, КТ363Б, КТ36ЗБМ
типовое значение:
2Т36ЗА
2Т363Б
Время рассасывания при /к = 1О мА не более:
2ТЗ63А, КТЗ63А, КТЗ63АМ при /Б = 1 мА .
2ТЗ6ЗБ, КТЗ63Б, КТ363БМ при /Б = 0,5 мА .
1,2 ГГц
1,5 ГГц
1,8 * ГГц
2,3 * ГГц
50 пс
75 пс
25*пс
30* пс
10 нс
5нс
437


типовое значение:
2Т363Апри/6=1мА..·.......
2Т36ЗБпри/Б=0,5мА..........
4,5 нс
4нс
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим
эмиттеромприИк6=5В./3=5мА:
при Т= 298 К:
2Т363А, КТ363А. КТ363АМ
2Т36ЗБ, КТЗбЗБ, КТ363БМ
при Т= 213 К не более:
2Т363А.....
2Т363Б.....
при Т = 213 К 2Т363А. 2Т363Б
при Т= 233 К не бо.1ее:
КТ363А, КТ363АМ
.
.
•
.
.
КТ363Б. КТ363БМ . .
•
.
.
•
.
при Т = 233 К КТ363А, КТ363АМ,
КТ363БМ ...•••..•.
при Т= 358 К не менее:
КТЗ63Б,
КТ363АМ, КТ363Б.
20-70
40-120
75
130
От до 0,7
значения при
т=298к
85
150
От1до0,7
значения при
Т=298К
'15
30
КТ363А, КТ363АМ . .
КТ363Б, КТ363БМ . .
при Т = 358 К КТЗбЗА,
КТ363БМ не более .
.2.s :uщчения...при
Т=298К
при Т=398 К не менее:
2Т363А
2Т363Б
15
30
при Т = 398 К 2Т36ЗА, 2ТЗ63Б не. более2,5 зна<1ення при
Т=298К
Напряжение н~сыщения коллектор-эмиттер при
/к=10мА,/6=1мАн~более.....
типовоезначение.·..........
Напряжение насыщения база-эм~тттер при lк = 10 мА,
/Б=1мАнеболее....
•
.
.
.
.
.
.
.
типовое значение . . . .
Обратный ток коллектора при Ик 6 = 15 В не более:
при Т=298 К .
•
•
.
•
.
.
...••.
при Т = 358 К КТ363А, КТ363АМ. ТКЗбЗБ,
КТ363БМ и при Т = 398 К 2Т36ЗА, 2Т363Б
Обратный ток эмиттера при U36 = 4 В не более:
приТ=298К.
•
.
.
.
.
.
•
.
.
.
•
•
при Т = 358 К КТ363А, КТ363АМ, КТ363Б,
КТ363БМ и при Т= 398 К 2Т363А, 2Т363Б
Емкость коллекторного перехода при Ик 6 = 5 В не
более •
.
.
.
типовое значение •
.
•
.
•
.
.
438
0,35 в
0,2* в
1,1 в
0,8* в
0,5 мкА
10 мкА
0,5 мкА
10 мкА
2пФ
1,5 пФ


Емкость эмиттерного перехода при U36 = О 2Т363А,
2Т36ЗБ не более
.типовое значение . . . .
•
•
Предельные эк.сплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база .
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер:
при R36 .;;; 1 кОм:
2Т363А, КТ363А, КТ363АМ
2Т363Б, КТ363Б, КТ36ЗБМ .
приRэБ.;;10кОм. .
Постоянное напряжение эмиттер-база .
Постоянный ток коллектора . ·.
Импульсный ток коллектора при 'tи .;;; 1 мкс, Q;;,, 2
По'стоянная рассеиваемая мощность коллектора:
приТ.;;318К•
•
•
•
•
при Т = 358 К КТ363А, КТ363АМ. КТ363Б,
КТЗбЗБМ .
при Т = 398 К 2Т363А. 2Т363Б .
Импульсная рассеиваемая мощность 2Т363А, 2ТЗ.6ЗБ
Общее тепловое сопротивление .
Темпера тура перехода .
Температура окружающей среды:
2Т363А, 2Т323Б
КТЗ63А. КТ363АМ. КТ363Б, КТ363БМ.
2пФ
0,8* пФ
15в
15в
12в
10в
4в
30 мА
50 мА
150 мВт
93 мВt
36 мВт
1,5 Рк. макс
700 К/Вт
423 к
От 213
до' 398 К
От 233
ДО358К
hz1зВО 2T36JA, 2Т363Б
КТ363А КТ363Б
hz1з
60
2TJ63A, 2ТJ63Б
КТ363А ,КТ36JБ
50t---t-"K~~~J~бJ~A~M~,~K~TJ~б~3~бM..:......_i
70 KTJб3At1 'кТJбJбН
60'---1--1----1-_,,1"--+-~
Т= 29ВК
~--1---1-I з = 5мА
30 ' ----L- --' ----' --' -1____. .. _____.
О2q.6В10Uк5,В
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от
напряжения коллектор-база.
ll-Ot--+--t---~-1----L_J
JOr---:::-~=-:-:-t-~..-+----4
20
1O::----=-::--'~-'---L.-..1..---1
О 20 l/-0 60 ВО 100 I3,мА
Завис~мость статического коэф­
фициента передачи тока от тока
эмиттера.
439


2Т370А-1, 2Т370Б-1, КТ370А-1, КТ370Б-1
1~~
;;\ ~1-~
/(fl~!1
<:31 t:
"'U
(")
с:;
":j
'
с:3 ~
~
i
""
>=
""
1
--
-
'fJO,OЗfi
Транзнстор~1 кр.;:"rнаевыс ·нп!­
таксиа:1ьно-,1.1аrrаrныс ;н1-р СRЧ
универса.1ьныс ~ы.10\ющныс.
Прс..J!·J:а1н;1ч;;пы .=~.1я псрс~.110-
чення и усп_·;-~н:ия аысоь:очастот­
ных 11 сnерхвысокочастотпых cиr­
нa.rot:J.
Бсскорi1у~ны~. без 1:рис1а:т.10-
дсржате.1;:I, с r116к1t:\Ш Н!)rвода)..tИ
и защнтны~r покрытис'.1. Выпуска­
ются в сопрооо.:цп~:1ъноi1 таре.
Обозвачепыс твпа приво~1нтся на
основанип индl1видуа.1ьной тары.
Масса Г[)J.l-ПИ~ ! ora НС бо.1ес
0.005 1.
~»ектрическис ш1ра~1етры
Г ран1-..iчная частот:-\ 1'~01ффилиента неrс,:_~ачи гoi<c-:t н схе­
~1е с 0611(н:.r J\ШПСfЮ\1 при Uкr; = 5 В, f·э = 1 мА
II~ \1CJ-!e~:
2Т370А-1. KTЗ-iOA-l
2Т370Б-1. [(Т370Б-l
тнnоr;ос ЗНСlЛСfIИС:
1 ГГн
!.2 ГГ11
2Т370А-1. KTЗ;t0.·'1.-l
!~*rrн
2Т370Б-l, КТ370Б-1
1.7'Пц
Постояннз.тт вре~:еа11 uепи обратной связи Ер::1
Uк;;=5В,I'J =3 >Ii\,/ =30МГцнебо:;zс:
2ТЗ/ОЛ-1. КТ370А-l
:::ТЗ70I>-l, KТ37iJG-J
TE:loaa.:: -.зн:_l'1.1е!!;i-.::
2Т37РА-l. КТ370А-1
2Т370Б-!. КЛ706-1
Вронi расас-ывани;; щш lк = lO ~1А, /г, =
Go. -tce
1 ~~поr;ое 1гrа~rе1п~.: .
Стат1~~1ссr<:нi~ кn·нJнJн:UIЕ::;т rz~pc.::(tl.ЧИ тока D cxe~.i-:: с об­
IПН\1 ~:--111-:тсрс-?-.1 прн l/е-·ь =- - = 5 В, I э =- 3 iЧЛ.:
440
пр;; Т= 298 К:
2Т370Л- 1. КТ37l!А-1
:ТЗ71Б ! , КТ3 70Ь-1
I1p!! Т= 213 К:
КТЗ/ОЛ-1. ~:тло:::-.-1
2TJ70A- l нс более
2Т370Б-1 не более
)0 i1C
75 пс
~с
--' * :н.:
}j :;-:
пс
!О !IC
"'
:::.
НС
1H~PfC-!1IЯ прн
1=298к
75
130


:\
при Т= 233 К:
КТЗ70А-1. КТЗ70Б-1
От1до0,7
значения при
Т=298К
75
130
КТ370А-1 не более
КТ370Б-1 не более .
нри Т= 358 К не бо.1ее
Напряжение т;сыщения коJшектор-·>миттер
2.5 значения
приТ=298К
при
Iк==10мА.JБ=1v1Aнеболее.
типовое зна'rе1.1ие .
Н;шряжение шtсыщен11я база-э~шттер при lк = 10 :-.1А.
15=1:-.1Анеболее.
типовое значение .
Обра·1 ный ток кол.-~ектора при Uю; = 15 В не бо.~ее:
при Т=298 К .
приТ=35R К .
Обратный ток эмн пера при Uэг, = 4 В нс бо.1ее:
при Т=298 К .
пр11 Т=358 К .
Е.v.:кость ко,1лекторного персхо,<щ при Икг, = 5 В не
бо.-тее
-п1повое значение .
Емкость эмиттерного перс;-;о.сщ при Uэь =О не 60:1ее
типовое значение .
Прсдс.1ы1;,~~ Jксп.1уатациош1ые
Пос1 ояннос напряжение коллектор-база .
Постоянно:о напряжен не ко.1лек rор-з:-.шттер:
при Р.."1Б ~ l кО~1:
П370А-1. КТ370А-1. КТ370Б-1
2Т370Б-1 .
прпFэr;<10кОм.
Лосто;Iанос нзпряже!пrс )\,н1тrер·ба1:1.
Постояннь~н- ток 1ц)...1.-i~:-:тс·рэ:
приГ~323 К .
1;р1; Т=358 К .
l11\Нiу"1ьсный то:( r~c;i.;:eL:7opa п_рн '!и ~ мкс. Q ;;-: 20
Пссто;,rншя p.:i;:(.:e~!1.:i.эcТL1,1;1 :.<·:iri~нoc iЪ 1~оллсктора:
пр:1 Т<323 К ·.
нрнТ=358К.
И:~rПУ~l!JС~аЯ p;:-E::C~И~a(i\-JJЯ: Мо~:Ji;ОСГЬ КО.:"1Ле!\:ТОра пpri
т11 <; l -v1кс, Q ~ 20 2Т-'70Л-l. 2Т370Б-i:
пр;! 7'=213 .; -323 К.
при Т=358К .
Общее -; еп.>авое сонротиn.-~:~;rие
Температура перехода .
0.35 в
0.2*в
1,1 в
0.8*в
0.5 мкА
10 мкА
0.5 .v.:кА
10 мкА
2пФ
1.5*пФ
2пФ
0.8*пФ
15в
15в
12 J3
10в
4в
15 :viЛ
10 мА
30 ~11\
15 :~лВт
8 мВт
30 rv1 Вт
16 :;1Вт
5 I<Л:Br
398 к
Температура о~;ружающей среды:
2T370A-J, 2Т370Б-J .
КТ370А-1. КТ370Б-1 .
.От213до358К
.От233до358К
441


h21a
2Т370А-1,
110 г--+--+--- 1 2тз7ОБ-1,
100
КТ370А-1,
КТJ7ОБ-1
901----+-+---t--Ь-""F-----j
вo1---+_.,,,.l'----+--1---+-----j
h21Э
50
'10
2TJ70A-1 ,
2Т37ОБ-1,
KTJ70A-1,
kTJ70Б-1
30>----+---+----+~---+-__.
20г--+-___,~-+-___,,____-+----1
10г---+---+----t--+--+----1
о .....__. . _
_.... ._.... .._ .. .... .. _
_._ __.
5 10 15 20 25I3,мА
1
10
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тока
эмиттера.
1,2
1,0
2Т370А-1,
2Т37ОБ-1,
о,в
КТ370А-1,
Q:)
КТJ70Б-1
...
0,6
О!
:>:
..;
О,'1
:.::·
:::.
0,2
со
Зависимость статического ко.эф­
фициента передачи тока в схеме
с общим эмиттером от тока
1,10
1,05
1,00
эмиттера.
2Т370А-1,
t----+ -- ---+2T3 70 Б-1,
КТ37ОА-1,
1----1---1КТJ70 Б-1
~ 0,95
"
цi 0,90
:::.
0,85
о 5101520251к,мА
0,80
о510152025Iк,мА
Зависимость напряжения насы-
г-
~-,
1
Зависимость напряжения насы­
щения коллектор-эмиттер от то­
ка коллектора.
_
щения база-эмиттер от тока кол- __
лектора.
1Т376А, ГТ376А
Транзисторы германиевые эпитаксиально-планарные р-п-р СВЧ
усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте
180 МГц.
Предназначены для применения во входных и последующих
каскадах усилителей высокой 'Iастоты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 0,5 г.
·
442


5
• Эм(Jттер
'\
'
/iаза
1.J. 5
5,. J
Ка
1<0111текто17
</J2,5
Электрические параметры
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
собщимэмиттеромпри ИкБ=5 В, Iэ=2 мА не
менее......·.
.
.
.
.
Постоянная времени цепи обратной связи
5В,Iэ=2мА,f=100МГцнеболее:
JТ376А .
ГТ376А .
при ИкБ =
Коэффициент шума при ИкБ=5 В, /3 =1 мА, Rr=
=50Ом,f=180МГцнеболее:
для 100 о,~ транзисторов . . .
для 95 % транзисторов JТ376А
для 25 % транзисторов JТ376А
.
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим
эмиттеромприИкБ=5В,Iэ=2мА:
1 ГГц
10 пс
15 пс
3,5 дБ
3дБ
2дБ
при Т=293 К
при Т=213 К .
10-150
.От 0,3 до
значения при
Т=298К
при Т= 358 К ....
•
•
...•• •..От 0,8 до 3
Граничное напряжение при /э = 2 мА не менее .
Обратный ток коллектора при ИкБ = 7 В не более:
при Т=293 К. .
.
...
.
приТ=358К..
.
..
.
Обратный ток эмиттера при Т = 293 К, ИэБ = 0,25 В не
более.
Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 5 В не
более.......
·
•
.
.
•
.
.
.
•
.
Емкость эмиттерного перехода* при ИэБ = 0,15 В IT376A
неболее......
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база . .
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
3к0м ...... ·
•
•
Постоянное напряжение эмиттер-база .
Постоянный ток коллектора .
•
.
значений при
Т=298К
7в
5 мкА
300 мкА
100 мкА
1,2 пФ
5пФ
7в
7в
0,25 в
10 мА
35 мВт
Постоянная рассеиваемая мощность
Температура окружающей среды •
•От213до358К
443
l!


1, 10
1,05
1,00
~е-­
- ..... .0,95
.,._е-
0, 90
/'
1/
1тJ75дj
ГТ376А v
1
~
r-1"
1
J3 =2мА
0,85
0,80
123l/56Uк5,В
Зависимость относительной гра­
ничной частоты от напряжения
коллектор-база.
->:
1,'/.
1,3
1,2
~ 1,1
.. .... ..
~ 1,0
\.
"-..
""
1
1Т376А, ~
ГТ376А
1
I3 =2мА
........_
- r--
...
1,3
1,2
1,1
....,_'С:-1 о
.. .... ..
}
....~("" 9
.J,
0,8
0,7
123l/5613,мА
Зависимость относительной гра­
ничной частоты от тока эмит­
тера.
1,8
1,6
1) l/
~"'12
.. ... ...
'
~ 1,0
\
\
'\
1Т376А,
ГТ376А -
1
1
Uк5 =58
.............
-
0,9
0,8
123l/5
0,8
0,6
6 Uк5,В
02
6 В 10Iз,мА
Зависимость относительной по­
стоянной времени цепи обрат­
ной связи от напряжения кол-
лектор-база.
2,2
2' о 1---+--+--+---+--+:а..._.,
1,8
-:З
::.::
. ... ... ...
116 t---+--+ -----+--+ ----<
::.:::з 1,'11---+--н---+---+--+----i
Зависимость относительной по­
стоянной времени цепи обрат­
ной связи от тока эмиттера.
1, 5 ,.---,...-.--..--т--.-~
1, l/ l---+- -+--' -- -+--i ---1
1TJ76A,
1, 3 1---1---1ГТ37 БА
-:з::.:: 1,2
.. .... ..
:з::.:: 1)1........-+---1--<---i.----+-----1
1, о l---+"""""'+--f'.::_+ --- -:f--1
о9..____.__..____..__..___..___,
2 3 l/ 5 6Iэ,мА '2132'13273303333363т,к
Зависи:11ость относительного ко­
эффициента шума от темпера­
туры.
Зависимость относительного ко­
эффициента шума от тока эмит­
тера.
444


1Т386А
Транзистор германиевый эпитаксиально-планарный р-п-р СВЧ уси­
лительный с нормированным коэффициентом шума на частоте
180 МГп .
. Предназначен
для применения в усилителях высокой частоты,
смесителях, гетеродинах, в том числе для схем с автоматической
реrу,111ровкой усиления.
Выпускается в ·металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 0,5 г.
13,S
5,3
Эмvттео
Электрическ11е параметры. ·
Граничная частота козффипиента передачи тока в схеме
с обшим эмиттером.:
приИкБ=10В,/3=2мАнеменее
приИкБ=2В,/э=10мАнеболее.
Постоянная времени цепи обратной связи при ИкБ =
10В,/э=2мА.f=100МГцнеболее.
Коэффициент шума при ИкБ=10 В, fэ=1 мА, Rг=
= 50Ом,f= 180МГцнебо;1ее
Статический козффициент передачи тока в схеме с обшим
эмиттеромприИкБ=5В,lэ=3мА:
450 МГц
90 МГц
10 ПС
4дБ
при Т=293 К
при Т=213 К .
10-100
.От 0,3 до
при Т=343 К .
значения при
Т=293К
.От 0,8 до 2,5
значения при
Т=293К
Обратный ток коллектора при ИкБ = 15 В не более:
приТ=293К.
при Т=343 К .
Обратный ток эмиттера при Т = 293 К, U36 = 0,3 В
не более .
Емкость коллекторного перехода при Ик 6 = 5 В не
более.
10 мкА
150 мкА
100 мкА
1,5 пФ
~s


Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база .
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при
RэБ.;; 3 кОм .
Постоянное напряжение эмиттер-база .
Постоянный ток коллектора .
Постоянная рассеиваемая мощ.ность
Температура перехода . . . . .
Температура окружающей с~еды .
1,2
1,2
1,0
1,0
1Т386А
0,8
Uк5 =10В
0,8
..._е- 0,6
-.._Е- О,Б
.. .... ..
........
,!- О,'1-
.._е-о,ц.
0,2
0,2
) ...-
/ 1Т386А
1
1
1 I9 =2мА
1
15в
15в
0,3 в
10 мА
40 мВт
358 к
От 213
до343к
о2'!-681019,мА
о2'!-6В10Uк5,В
. Зависимость отнQси"!'t:льной гра­
ничной частоты от тока эмит­
тера.
Зависимость относm:ельной гра­
ничной частоты от напряжения
коллектор-база.
.,
6
1
1Т386А
5
'!-
и 1-10в
КБ-
~
3
-
2
~
/
/
.....
/
о2'!-6В1019,мА
Зависимость относительной по­
стоянной времени цепи обрат­
ной связи от тока эмиттера.
446
-μ'
12
10
в
6
1
1
1Т386А
1
1
I9 =2мА
---
; '1-
\
\
2
.. .... ._
о
Зависимость относительной по­
стоянной времени цепи обрат­
ной связи от напряжения кол-
лектор-база.
';.


3,2
2,8
2,'1
" ;, ,;_;j 2,0
.. .... ..
:!
""'
1,6
/
v
1Т3В6А
v
1/
/ Uкэ=10В
v
/
1,10
1,08
1,06
>,,; _:! 1,D'I
.. .... ..
" " '-;j 1,02
\
\
\
'\"
1
1Т386А
I3=1мА
.. ... ..
['..._
-
1,2
0,8
о123
5 I3,мА
1,00
0,98
о2
6 8 10Uк3,в
- Зависимость
относительного ко­
зФФициента шума от то!}а эмит­
тера.
Зависимость относительного ко­
эффициента шума от напряже­
ния коллектор-эмиттер.
2Т392А-2, КТ392А-2
Z,l
1,4
2/
3 8ы6ода. ФО,036
Транзисторы кремниевые эпи­
таксиально-планарные р-п-р СВЧ
усилительные с ненормированным
коэффициентом шума.
Предназначены для усиления
сигналов высокой частоты.
Бескорпусны~, на кристалло­
держателе, с гибкими выводами
и защитным покрытием.
Выпускаются в сопроводитель­
ной таре. Обозначение типа при­
водится на этикетке.
Масса транзистора не более
0,02 г.
Электр11ческие параметры
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
с общим эмиттером при ИкБ=5 В, lэ=2,5 мА
не менее:
2Т392А-2....
КТ392А-2 .
типовое значение 2Т392А-2
Постоянная времени цепи обратной связи
5В,lэ=2,5мА,f=30МГцнеболее:
2Т392А-2
.
.
.
.
КТ392А-2 ....
типовое значение 2Т392А-2
при Ик6 =
300 МГц
500 МГц
450* МГц
120 пс
80 пс
55*пс
447


Коэффициен1 шума• прп ИкБ = 5 В, Iэ = 2.5 "1д, / =
=100МГц,Rr=750"'1
.
4,3 -4,8 дБ
Статический коэффиннснт передачи тока в схе"'1е с
общим эчrrттером при L'кs = 5 В. Iэ = 2.5 мЛ:
приТ=298 К.
пра Т= 213 К 2Т392А-2 .
40-180
.От1до0,6
при Т ~ 358 К 2Т39:0А-2 не Go.•~e
Обратный 1'11; ко1лек~ора пrи ИкБ=40 В не бо_rее:
11р11т=298к.
при Т= 358 К 2Т392А-2 .
Обрап'1,1й ток э~шттсра при U)i; = 4 В не бо:rее:
приТ=298К.
при Т= 358 К 2Т392А-2 .
!:~,;кость кол:rекторного перехо,1а при UкБ = 5 В не
60.-1ес •
-t~;повое
:нн:..ч~;:ние .
Емкость 'J:vп1т гсрного перехода не 60~1ее:
2Т392Л-2 ври ИэБ = 1 I3
КТ392А-2 11рн Uэ 5 =О.
Пр~де.1Lные э"сплу2тащюнные дшшые
Постоянное напrяжснис ко.11лсктор-б[!за .
Постоянное напряж~~те кол_сектор-·•.,,;иттер при RэБ <
значеrrия при
т~298к
2 значения
прп
Т=298К
0.5 мкА
5 мкА
0,5 '.!КА
5 мкА
2.5 пФ
1.12 * пФ
5пФ
3.5 пФ
40в
<:; 1О хО>.1 .
40В
Постоянное напря:жсr1~;с эi\.nrттср-6аза .
Посто;шаыii тоr< ко.•п;:ктора .
И:J\лпу:л-.С1IЬ!Й 1•::Н( КО~J.-lектора ПрН Та~ 10 МКС, Q ~
;?: 2
Гlocтoл:пIZl:l рг.ссе1~!3:tс:-.1ая :"Ло1цпос1ь ко_1лектора:
ЩНIТ~338К.
nри Т= з::;s К, R1 = 450 К/В1
Т~плоЕо~ CJnpoтиn_rrcн:,re пср~ход-крис1 а.тт.1одержатель .
Тсмп;,;/а тура 11ере;\ода .
~
~
t с:-rп,~рат~.:13а 01:ру:к~~-01пси срел.ы:
2Т39'2А,-2
КТ392А-2
448
4в
10 мА
20 ~-iA
120 \1tlT
~8 мВт
lOO KiBi
398 к
От 213
до358к
От 233 до
358 к


у1--f:!
11
1
1.
1,10
1,05
1,00
">
- J;.0,95
---
~ 0,90
-< ::
D,85
2TJ92A-2 ,
КТ392А 12
1
1,1 .--.--,--,-----,--.,----,
1, о 1-6"'1"""'~--+-----1---1-----1
0,80
о2'tб
в
о, б l-----t--+--+--+-~1--........J
о 5 !;---' c-- -! ------l ---L _l _ _J
1DUк5,B 'О 't В 12
Зависимость
с гатического
относи гес1ы10го
коэффиu11еН1 а пс­
рсда<ш тока в схеме с обшюл
эмиттеро'.1 от нанряжения кол-
:~сктор-6а1а.
Кш,АБ
5,0
L/-,8
Lf. ,B
Iз = 2,5мА
L/-,Ч
f=1DDMГц
Ч-,2
Rг= 750м
ч,о
оч812162DUк5,B
Зависимость коэффициента шу­
ма от напряжения коюrектор­
база.
Зависимое гь 01 носитсльного
с гатическоr о коэффициента пе­
редачи тока в схеме с общим
эм1птсро:\л от тока эм1птера.
Кш ,.д,Б
5,2
2Т392А-2,
KTJ92A-2 -1-~ч-----1
5,0
L/-, 8
L/- ,6
ч,ч
Ч-,2
о2Ч6В10!3,мА
Зависимость коэффициента шу­
ма от гока эмиттера.
:КТ3109А, КТ3109Б, :КТ3109В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарпые р-п-р СВЧ
усилитс.'!ьные с нормированным коэффнцие:пом шума на частоте
800 МГн.
Предвазначсl!ы д:rя врнмснения в селекторах телевизионных
каналов метрового и дециме·1рового диапа·юнов длин волн.
Выпускаю1ся в п.'!асгмассовом корнусе с гибким и по.1осковыми
выводами.
На 1;орпусс у выво:1а базы наносится ус:овная маркировка
цвеrнымн rочк:1:v.п: КТ3109А - бе.~ая и ро:ювия; КТ31096
-
белая
И ж:с.пая: КТ~ 109В - бе;;ая 11 Сl!НЯЯ.
Масса транзистора ве более 0,3 г.
15 Ло.чпроnо:.ншковые г:риборы
449


7,3
2,7
-~--t.;-7-
7,2
~<'*--4--
Электри•1есю1е пара\11:1ры
~1 f"'<1
-t--н--<-i.,.,"
~
Граничная частота коэффиниента передачи 1 ока в схсче
собщнмэмиттеромприИкБ=10В, Iэ=10 мА не
менее:
КТ3109А, КП109Б
КТ3109В ..
типовое значение .
800 МГц
600 МГ11
1400 * МГн
Постоянная времени цепи обратной связи прп ИкБ =
= 10В,13=10мА,f=30-;-100МГпнеболее:
КТ3109А.
КТ3109Б, КТ3109В .
типовое значение .
Коэффициент шума при Ик~; = 10 В, J.э = 10 мА, Rг =
= 75 Ом, f= 800 МГц пе более:
КТЗJО9А.
КТ3109Б ..
КТ3109В. .
тшювое значение .
Коэффициент усиления по мощности при UкБ = 10 В,
Iэ=10 мА, Rг=2 кОм, f=800 МГн нс менее:
КТ3109А.
КТ3109Б, КТ3109В .
типовое значение .
Коэффициент обратного усиления по мощности при
ИкБ=10 В, Iэ=JO мА,f=800 МГц не более:
450
КТЗJО9А.
КТ3!09Б.
бш:
10 пс
4*пс
бдБ
7дБ
8дБ
7* дБ
15 дБ
13 дБ
18* дБ
-7 дБ
-3 дБ


КТ3!09iЗ.
'IИJ!OUOC J~:aчcHiiC •
Ста r11чc:.:1~ijf кo·:ффнiUiCJI г пс:р~~1.J l~H 1ока в схс~\1е с
oбLL!!J\I >·.111ттс1-'0~1 nрн L·кs = 10 В, /:J ·=!О ~-1Л:
11р:1 / = 29S к IIC !\feH('e
1;:•ir Т=22S К
11r11 т= 351\ к
Обр:1л1'-.1:i ток •0:1_-;сктор:~ прн LiкБ = 20 В нс более:
.щы
Т= ::''!S К .
щшг=35(;к.
Обраt::ы:·; го;-: J:\1нттера IIpII t_,·ЭБ =:: 2 tl нс Go.J\:c:
11pi! т~-'298к .
пр•1 Т~358 К .
Е;-.,11.:сч;п, ко~'!.I~;~.:тор1:1..)ГО перс\.с1_'1J прн С'к 6 -= 10 В нс
60.1ее .
пн 1 овР~ значсн;:tс .
Посто:.нzг:ос напря:.+~енис кол.1С~{тор-бази:
КТ3109А.
КЛ!О9Б. КТ3109В .
Пос 1 oяIIIioC ни.11ря1±-:С!-:!Иt= ко.тн~к1ор-э~~:а r 1ер t 1р~1 Rэг, :(
~ 100 1;0~1:
КТ3109А.
КТЗ 10%, КТ3 l 09В
Постоянное напряжеаие 1~11п гер-база
Пос1ояr111ый ток ко.<'Jе>:гора .
Постоянная рассе1шае:-.лая :чошность:
пр11 Т=22В-с-313 К.
11ри Т=358 !С .
--1
дБ
-5*дБ
15
-
5-240
10-500
0.1 мкА
10 :vшЛ
10 мкА
100 мкА
1пФ
0.8* пФ
30в
25в
25в
20в
3в
50 мА
170 мВт
100 мВт
Общее 1сп.1шюе со про' ивлс11ие
Те,лпсратура перехода .
Температура окружаюа_цсй среды
.
0,65 К/мВт
423 к
От 228
ДО358К
П41t}Г, П418Д, П418Е, П418Ж, П418И,
П418К, П418Л, П418М
Транзисторы гср~1анисвые диффузионно-сп.'Iавные р-п-р усилитель­
ные маломощные.
Прсдна:;начены для 11рименения в усилительных и генераторных
каскадах СВЧ и ВЧ диапазонов.
Выпускаются в меrаллостеклянном коаксиальном корпусе с
жесткими выводами. Обозначение типа приводится на боковой 110-
верх11ости корпуса.
Масса транзистора не более 3 r.
15*
45t


8миттер
База
~ ~ Ко1717ектор
' (>.
'&/
10 J,__1._1_
_...,____:8;__~
Э.1ектр11•1есfmе пара-.1етры
Гршшчная частота ко·>фф1шиен1а пере;шчи тока в схб1е
собщнм 1мнттером при ИкБ=6 В, lэ= 10 ~1А не
:.1с11ее:
П418Г, П418Д, П418Е, П4i8Ж .
П418И. П418К, П418Л, П418М .
Постоянная вре~.1еш1 цепи обратноii связи при ['кь =
= 5В,J3=5~1Л,f=5МГuне60,1ее:
П~ISГ, П418Е.
П418Д, П418Ж. П418И. П418Л .
П418К. П418М .
С 1йтнческнй коэффиниен 1 I1ерг:~ач:и 1ока в схс\.1е с
0Gшп~1 Э\11Етсрсм при U;~r; = i В. J.) = 1О \:А:
П41~Г. f1418Д. П418Л. 1!4iь~·J:
при Т= 2~!3 К.
щтт=343к.
прп 1'=213 К .
П418Е. П418Ж.~11418И, П418К:
при Т=293 К
нриТ=34:\К.
г-риТ=213К.
Моду~1ь коэффициента п<ерспа•т тока при ИкБ = 6 !3.
/ 3 = 10 мА./= 100 МГп не !'.1еасе:
П418Г, П41RД. П41SЕ. П418Ж .
П418И. П418К П41RЛ, П418М .
Входное сопротин;1с1шс нри С'кr; == 5 Б, J.) = 5 ~1А н~
60J1ee.
ВходнGq по:шая пμово;щмость при UкБ = 5 В. 11 ==
400 МГв
200 МГн
50 l!C
100 пс
200 пс
8-70
~- 110
6--70
60-17()
60--: :Ю
40-- 1'iO
4
2
10 О\1
=5 \IAне(io.1cc.
1О ч1:С,1
Обг:~тный ток коллек-1ора при l/к 5 =- 1() В нс nr· ГiСС':
прr1 Т=293 К и Т=:?13 К .
3 :.1u\
прнТ=343к. .
70 \1КА
Обр.:ш1,Jй ток ко,1лектор-эмиттер при ИкБ = S В. Rьэ =
= 50 ко,, не бо~•ес .
1О ":кА
Грuннчное напряжение нрн lэ = 3 мА не ~:енсс
П418Г, П418Д, П418Л, П418М .
7В
П418Е, П4!8Ж, П418И. П418К .
6,5 В
Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 5 В. f =
= 5 МГа не более:
452
П418Г, П418Д, П418Е, П418Ж
П4!8И, П418К, П418Л, П4!8М
3пФ
4пФ


Преде.1ьные эксп.1уатационные да1шые
Постоянное напряжение коллектор-·Jм~птср:
при коротко·1а~1кнутых выводах эмиттера и базы.
при отключен11оi1 базе .
Постоянное напряжение эv.иттер-бюа .
Постоян1ш!i гок ко,1.1ектора .
Пос юяш1ая рш:сеивасмая мощ11ост;, при Т = 213
333 к.
Тс\шсра 1) ра псрехо.1а .
Теч пера л·р~ окружа:ощсй среды
10в
8в
0.3 в
10 мА
50 мВт
358 к
От 213
ДО 343 !{
Пр и -.1сча11 и с, При Т = 333 ~ 343 К '.щкс11;,1ат,но лопустимая
постопнная р~1ссеипае'.rая чощ1юс 1ь кол.1ек ropa. мВт, рассчитывается
по фор'.1у.;~е
Рк '"\Кс = (35R - Т)/0,5.
hz1з
120
40
20
О 10 20 30 Ч-0 50I3,мА
Завис1Рl!Ость стJ rи!.:ecr.:oro коJф­
фиuнснта ~:..:рс,Jачн тока or тока
J:viПTL ера.
Ра·1дсл
80
бОг--г_,,,,,_--1~-+-~+---1
Ч-0
О21./-6810Iз,мА
Зависимое rь ко·эффиниента пе­
рслачп тока в ре;,;име малого
t:игш~ла от тока эмиттера.
шее гей
ТРАНЗИСТОТ'Ьl I\10ЩНЫЕ НИЗКОЧАСТОТНЫЕ
n-р-п
ГПОi~ П701А, П701Б
Тр"~м1::-:торы I\}·;~."· ·::~:~:Ае дисl·"фу1понно-сн~1а:1нr_-,z~ п-р-11 )СИлитель-
11ыс Jспко~1::t:' отиь:.; ~-; ·~_:; ны·е.
Прел;на:;нdче:rи д.1я r:[Ч1\'~·~Ht.-·t 1 1~я в у·.:н1Jнте.1ы1ых и генератор­
ных касt(~дах pa.rн~o):1r1пrLr:н1~IX устройс 1н~
453


Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выво­
дами. Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 12 r, с крепежным фцанцем не
более 16 r.
10
9,1 .f
Зми.mтер
ба.за.
Калле1<тор
/
'
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме с
общим эмиттером при Ик 6 = 10 В:
при Т= 298 К:
П701при/к=0,5А. .
П701Апри/\(=0,2А..
приТ=398Ки/к=0,2А:
П701
П701А ...• •
при Т= 213 К:
П701 при /к= 0,5 А не менее
П701А при Iк = 0,2 А не менее
П701Б при Iк = 0,5 А:
при Т=293 К.
приТ=218Кнеменее.
Модуль коэффициента передачи тока при Ик 6 = 20 В,
/к=0,1 А,f=5МГц неменее .
.
Входное напряжение при ИкБ = 10 В, /к= 0,5 А не
более.•••
.
.
.
.
.
.
.
.
.
•
.
•
.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = 0,5 А,
/Б=0,1Анеболее..
•
•
.
.
.
Обратный ток коллектора П701, П701Б при ИкБ = 40 В
иП701АприИк6=60Внеболее•
.
.
.
Обратный ток коллектор-эмиттер при R6э .;; 100 Ом
не бо.лее:
П701:
nриИю,;=50В,Т=298КиТ=213К
npiaИкБ=35В,Т=398К•••••
10-40
15-60
10-90
15-120
6
9
30-100
15
2,5
4,0 в
7,0 в
100 мкА
0,5 мА
3,0 мА
:•.


П701А:
при ИкБ=70 В, Т=298 К и Т=213 К
приИю;=50В,Т=398К.....
П701Б:
приИкБ=50В,Т=293КиТ=218К.
приТ=373К..
.
.
.
.
•
Обратный ток эмиттера при ИэБ = 3 В не более .
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное. напряжение коллектор-эмиттер при RБэ =
= 100 Ом:
при Т=213+373 К:
П701
П701А.
.
приТ=218+373КП701В
[Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при ·/к.и=
'
0,5А,R63,,,;100Ом,Т=213+373К:
П701......
.
•
·
.
П701А
....
Постоянное напряжение коллектор-база:
при Т=213+373 К:
П701 ... .
.
П701А .... .
ripи Т=218+373 К П701Б
Постоянное напряжение эмиттер-база:
П701, П701А при Т= 353 + 393 К и П701Б при
Т=373 К .....
П701Б при Т=218+353 К ...
Постоянный ток коллектора . . . .
Импульсный ток коллектора П701, П701А .
Постоянный ток эмнттера .
Постоянная рассеиваемая мощность:
с теплоотводом при Тк ,,,; 323 К •
без теплоотвода при Т,,,; 338 К .
Тепловое сопротивление переход-корпус .
Тепловое сопротивление переход-среда
Температура перехода .
Температура окружающей среды:
П701, П701А
П701Б
0,5 мА
3,0 мА
0,5 мА
5,0 мА
3,0 ~А
40в
60в
40в
30в
50в
40в
60в
40в
1,8 в
2,0 в
0,5 А
1,0 А
0,7 А
10 Вт
1Вт
10 К/Вт
85 К/Вт
423 к
От 213
ДО398К
От 218
до373к
Примечание. При Т> 373 К Икэ и ИкБ снижаются на 10%
через каждые 10 К. При Тк;;.. 323 К рассеиваемая мощность кол­
лектора, Вт, рассчитывается по формуле
Рк.макс = (423 - Т.)/Rт.п-к·
При Т = 338 + 393 К рассеиваемая мощность коллектора, Вт,
рассчитывается по ~рмуле Рк.макс = (423 - Т)/Rт.п-с·
455


15,мА
250
~1,0
200
~
<:::>~
11
150
~0,8
100
~
-""
~·
50
~ о,в
- <::
о 012 0/1 016 0,8 1р U531B
о 0,2 O,Li 016 0,8 11Оlк1 А
Входные характеристики.
'g
П701,
~
П701А,
~
П701Б
:::.~ о, 8 !---+--+ --_
__,
~<>
~
~ о, 6 1--+--1---1--+---Т-
:::,""
э.
Зависимость относительного
статического коэффициента пе-·
редачи тока от тока коллектора.
Joo~~-~~---~
250 t--;+-+ --+
2 00 O---t-.... ......,f------1
t::
~150+---+--+-"--+--+--1----<
""
<..>
1001---4----1--+----+-...+-=::_..j
50t----t--+--+--+--I--~
о,'t .._.....__...__....__.__.....__.___,_,
1012 51022 5103RБЭ,Ом 0 102030 ЧО 50UкБ,В
Зависимость
относительного
пробивного напряжения коллек­
тор-эмиттер от сопротивления
база-эмиттер.
h21э
BOt----t--t---t---c..--н.......,
50 l----t--t--~--,f--,l''-t-----1
ЧО~----+---....,___,~~-~__,
30 _--+-_ _._,..._,_-+-~----f
201-=;;;1;;;;--r- ....., .,,:.f---t -' -' -' -1 --i
10 Uк5=1DB Iк=О,2А
2J3 273 313 353 393 т,к
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тем­
пературы.
456
Зависимость емкости коллектор-·
ного перехода от напряжения
коллектор-база.
б, о ....---,---,---т---т--.----.
5, о 1---+- -+- -+- -+- - -+..,,- -J
<t:i 't ,O t---+--+--+---~-+-~
::! 3,0 t--! '==t----f- -::!,_ L:.-f- --1
:i::
...;
~2,оt---+--+--+---t----.-----i
Iк =0,5А 16 =0,1А
1, о 1---+--+- -+- -- -+--+- -- -- -1
о ...__.__...___......__.__..____.
233 273 313 353 393 т,к
Зависимость напряжения насы­
щения коллектор-эмиттер от
температуры.


0702, П702А
Транзисторы кремниевые меза-планарные п-р-п усилительные
низкочастотные мощные.
Предназначены для применения в выходных каскадах усилите­
лей низкой частоть~, переключающих каскадах, преобразователях
и стабилизаторах постоянного напряжения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 24 г. с крепежным фланцем
не более 34 г.
.,.,
N
.......
1Z,5
з,в
11
Зми.тmер
Ф1Z
Ко.л.лентор
-~-----· __ .
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим
эмиттером при Ик 6 = 10 В, _lэ,,;, 1,1 А не менее:
приТ=298Кит.=393К:
П702
П702А.
При Т=213 К:
П702
П702А.
Модуль коэффициента передачи тока при Икэ = 30 В,
lк=0,3А,f=1МГцнеменее.
Выходное напряжение при Икэ = 10 В, lк = 1 А не
более.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при lк = 1 А,
!6=0,2Анеболее:
П702 .
П702А
Обратный ток коллектора при ИкБ = 70 В не более;
QриТ=298КиТ=213К:
П702
П702А.
прит.=393К:
П702
П702А.
25
10
10
5
4,0
4,0 в
2,5 в
4,0 в
5,0 мА
2,5 мА
10 мА
5,0 мА
457


Обратный ток колJ!ектор-эмиттер при RБэ = 100 Ом,
Ик6=70Внеболее:
приТ=298КиТ=213К:
П702
П702А.
приТк=393К:
П702
П702А.
Обратный ток эмиттера при ИэБ = 3 В:
при Т=298 К.
прит.=393К.
Предельные эксплуатационпые данные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер и коллектор­
база:
приТл.;;;393К•
при Тл=423 К
Постоянное напряжение эмиттер-база .
Постоянный ток коллектора .
Постоянный ток базы .
Постоянная рассеиваемая мощность:
с теплоотводом:
при т• .;;; 323 К
прит.=393К.
без теплоотвода:
при Т.;;; 293"' К
при Т=393 К.
Тепловое сопротивление переход-корпус .
Тепловое сопротивление переход-среда
Температура перехода .
Температура окружающей среды
10 мА
5,0 мА
15 мА
7,5 мА
5мА
15 мА
60в
30в
3,0 в
2,0 А
0,5 А
40 Вт
12 Вт-
4Вт
0,9 Вт
2,5 К/Вт
33 К/Вт
423 к
От 213
до393к
Пр им е чан и е. При т. > 323 К максимально допустимая
постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, рассчитывается
по формуле
Рк.макс = (423 - Т.)/ Rт.п-г
При Т > 293 К максимально допустимая постоянная рас­
сеиваемая мощность коллектора, Вт, рассчитывается по формуле
Рк.макс = (423 - Т)/Rт.п-.:·


hг1э
100
80
60
'tO
20
/
1
П702,
П702А- ~
Uк 3 =1DIJOB
1
1
О O,'t 0,8 1,2 1,6 2,0Iк,А
Зависимосп, статического коэф­
фициента передачи тока от тока
коллектора.
h21э.и
100
П702,П702 А -+ --i
801---+-t---+---l~-t--:;-t
60
ЧО1----+--1---А---;--г----1
20~-+---+---+--r--r---i
о 'tD во 120 160 20Dhг1э
Зависимость коэффициента пе­
редачи тока в импульсном ре­
жиме от статического коэффи-
циента передачи тока.
hг1э
100
80
60
'tO
20
о
/
1-
П702, >---
П702А-
1,......-
1--
--
.....-
--
Iк f 1,0~
10 20 30 'tO 50 Uкз,В
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от на­
пряжения коллектор-эмиттер.
6,0
5,0r----i;--+--+--+--1----1
Q:i 't, о r--t--t-- -t-+:. . .. . -=' -J --j
~
~ J,Dt---!~71""---t--±..--~--J
n:i
:::,'« 2,0 t-"'"-!--+--+--+---;>----1
1,0 Iк=1A,Id=D,2A
т---,~-1
о27~3~---~1~...J.....-..L.~.l-~
33
353 т,к
Зависимость напряжения насы­
щения коллектор-эмиттер от
температуры.
2Т704А, 2Т704Б, КТ704А, КТ704Б, КТ704В _
Транзисторы кремниевые меза-планарные п-р-п импульсные вы­
соковольтные низкочастотные мощные.
Предназначены для работы в импульсных модуляторах.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы­
водами. Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
459


77
'Jниттер
. Электрические
параметры
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при lк =
=2,5А,!6=·1,5Анеболее...
Напряжение насыщения база-эмиттер при lк = 2,5 А,
/Б=1,5Анеболее......
СтатичесЕ:1й коэффициент передачи тока в схеме с
общим эмиттером:
приТ=298К,Икэ=15В,lк=1А:
2Т704А, 2Т704Б, КТ704А, КТ704Б
КТ704Впеменее......
приТ=373К,Икэ=10В,Iк=0,5А
2Т704А,2Т704Б......
приТ=213К,Икэ=15В,lк=1А
2Т704А,2Т704Б......
Модуль козффицие~та передачи тока при f = 1 МГц,
Ик6=15В,Iк=0,1Анеменее.
Обратный ток коллектор-эмиттер при R63 = 10 Ом не
более:
при Т= 298 К:
2Т704А, КТ704А при Икэ = 1000 В
2Т704Б, КТ704Б при Икэ = 700 в
КТ704В при Икэ = 500 В
приТ=373КиТ=213К:
2Т704АприИкэ=700В.
2Т704Бпри Икэ=500В.
Обратный ток эмиттера при U63 = 4 В не более .
Преде.11ьные :жсnлуатацио1шые данные
lJ9СТОЯННое напряжение коллектор-эмиттер при R 6э =
.=10ОмилиИБэ=1,5в
460
при т. = 213-:- 373 К:
2Т704А
2Т704Б .....
при т. = 263 -:- 333 к КТ704Б, КТ704В
при т.=228 -:-358ККТ704А.
5в
3в
10-100.
-
10
6-300
6-100
__
3
5мА
5мА
5мА
10 мА
10 мА
100 мА
: '~"
500 в
350 в
400 в
500 в


Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при R63
=
= 1ООмилиИБЭ=1,5В,<и=1+10мс,'Ф;;;,1Омкс,
Q)о50и<и<;;;1МС,Тф)о10МКС,Q)о10:
приТк=233+353К:
2Т704А, КТ704А
2Т704Б, КТ704Б
КТ704В
приТк=213 -7-373 К:
2Т704А
2Т704Б
Постоянное напряжение база-эмиттер при Тк = 213 +
373 К 2Т704А, 2Т704Б и при Т = 228 -с- 353 К КТ704А,
КТ704Б, КТ704В.
Постоянный ток коллектора при Тк = 213 + 373 К 2Т704А,
2Т704Б и при Тк = 228 + 353 К КТ704А, КТ704Б,
КТ704В . .
·
·
·
·
Импульсный ток коллектора при т11 <;;; 10 мс, · Q )о 2,
Тк=213+373 К 2Т704А, 2Т704Б и при Тк=223 -;-
353 К КТ704А, КТ704Б, КТ704В . .
Постоянный ток базы при Тк = 213 + 373 К 2Т704А,
2Т704Б и при т. = 223 + 353 К КТ704А, КТ704Б,
КТ704В ..
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при т. =
= 213+323К(прит.=228+323ККТ704А,КТ704Б,
КТ704В). -
.
.
·
·
Температура перехода .
1000 в
700 в
500 в
700 в
500 в
4в
2,5 А
4А
2А
15 Вт
398 к
Температура окружающей среды:
2Т704А, 2Т704Б .
КТ704А, КТ704Б, КТ704В
.От213Кдо
тк= 373 к
.От228Кдо
т.=358к
Пр им е чан и е: Максимально допустимая постоянная рассеивае­
мая мощность коллектора, Вт, при т. > 323 К определяется по
формуле
Ркмакс = (Тп - Тк)/Rт.п-ю
где Rт.п-к - тепловое сопротивление переход-корпус, определяемое
из области максимальных режимов.
За температуру корпуса принимается температура любой точки
основания транзистора диаметром не более 13 мм со стороны опор­
ной поверхности.
·Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 2 мм от
корпуса транзистора.
461


2Т70ЦА, 2Т70ЦБ
КТ70ЦА-КТ70Ц8
108
~21---+----+-+---++-~-~
о о,ц 0,8 1,2 1,6 и53,В
Вх~дные характеристики.
~" hz1з
50 1---А----1'<---
цо 1-+---+-='=~
·- ---
201------t- -+- -+- -l -- - - - -i
10~~-~-~~'--~
о 0,5
1,5 2 Iк,А
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тока
коллектора.
100 .__ __ .__. ...__ ___ . _
_.___.
о
2 3 цU53,B
Зависимость емкости эмиттер­
ного перехода от напряжения
база-эмиттер.
461
---
ц.
3
2
о
1,!
1
2Т70ЦА, 2Т70ЦБ
-кт7ОЦА-КТ70Ц8 -
/
v
/
//
0,2 О,ц 0,6 O,BU53,8
Зависимость тока эмиттера от
напряжения база-эмиттер.
20
16
12
в
ц
о2ц6Blк/I5
Зависимость напряжения насы­
щения коллектор-эмиттер, В, от
Ск,пФ
во
отношения lкflБ.
Ц01--->r--+---+--l---I
201---+-+-......::::i:==..,._.....j
о 20 ЦО 60 80Uк5,В
Зависимость емкости коллектор­
вого перехода от напряжения
коллектор-база.
---


-
hг1з
501-----1~=+::::...--+--~+-------i
20
2Т70ЦА,2Т70ЦБ
КТ70ЦА-КТ70Ц8
10L---1-~-...L--L-._J
213 253 293 333 373 Тк,К
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от
температуры корпуса.
I к ,А r--т--т--гпг--г--г-rтт--~-то.,,
Ч 1---1f--l -+++ --+ --+ -H.
2 t=t:=t::lstt::::t=Н:t
~0021--1--+-1.++--1--+--+++--+--t-1-tt
~001!--,!--J.....,1..1,.L,-~....,,J:-==--~~~~
1
Область максимальных режи­
мов.
1,1
""
J. 0,9
- ... .:;._
~ 0,8 Г--+--+~,.+..---i-_
_j
~
~7t--~t----1t----+~-l---I
~6':---',...,,---L-=--L.,,.--...1...,,__J
10 10 2 10з 1оч 1osR53,0м
Зависимость относительного на­
пряжения коллектор-эмиттер от
сопротивления база-эмиттер.
Iз , А г-т---гТТ1-г--г-rм---,,-.--.
ч l--~-1-.u.&-L--.J
2 t-t--1-н.1'"'""'-,г<-'с;;' "' - '- - '- "' - =-+ --!
11=$$!11~1:
о, 002~+--1-1+1---+__;1-1-+1--4--1----1
0,001!-~-'-~....,,.L-L-.J..U........L......L.~
1
Область максимальных режи­
мов.
КТ801А, КТ801Б
Транзисторы кремниевые диффузионно-сплавиые п-р-п мощные.
Предназначены для работы в схемах кадровой и строчной
разверток, источниках питаню1.
Выпускаются в металлостекшшном корпусе с гибкими выводам1о1.
Обозначение типа приводится иа корпусе.
Масса транзистора не более 4 г.
463
J


зz
3
Коллентор Эми.ттер
-~1
,.
"t
-
!Q
~
ISt &
,._
'S.
., .,
., ;-
$
оа,эа,
Электри'lеские параметры
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
собщим эмиттером при ИкБ=10 В, Iк=0,3 А не
менее.......
.
.
.
.
.
.
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим
эмиттеромприИкэ=5В,lк=1А:
КТ801А ........ .
КТ801Б ........ .
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = t А;
·
/Б=0,2Анеболее.....
Обратный ток коллектор-эмиттер при RБэ.;; 100 Ом
не более:
КТ801А:
приИкэ=80В, т.=233+298К
приИкэ=40В,т.=358К.
КТ801Б:
приUкэ=60 В, т.=233 ..;-298 К
при Икэ~30В, т.=358 К .
Обратный ток эмиттера при ИэБ = 2,5 В не более .
Предельные эксш1уатациониые данные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
.;; 100 Ом:
при RэБ.;;
прит.=233 ..;-328 К:
КТ801А .
КТ801Б
прит.=358К:
КТ801А ..
КТ801Б
Постоящюе напряжение эмиттер-база
Постоянный ток коллектора . . .
Постоянный ток базы . . . . .
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
. при
т.=233 ..;-328 К
прит.=358К..
Температура перехода .
Температура окружающей среды
464
,•
'.
r/!6
1~';
-d,
10 МГц
15-30
20-100
2в
10 мА
20 мА
АО мА
20 мА
2мА
80в
60в
40в
30в
2,5 в
2А
0,4 А
5Вт
2Вт
423 к
От 233
до358к
11


hг1э
96
во
6Ц
цв
32
16
о
/
/
/
/
к1ТВО1~
\
--
--
---
,/'
/
--
......
v
......
---
--
.....
-
Uкэ =38
1
1
Зона возможных положений за­
висимости статического коэффи­
циента передачи от тока кол-
лектора.
~
cr,:·_- ,
hг1э
11
во
КТВ01Б
v-- --
/"
-
....
/
60
//
цо
/
- "- ...... ...
20
/
---
...........
/
',
,/'
-,
Uкэ /38
о 200 '100 600 ВООiк,мА
Зона возможных положений за­
висимости статического коэффи­
циента переда'lи тока от тока·
коллектора.
КТ802А
Транзистор кремниевый меза-планарный 11-р-п мощный универ­
сальный. Предназначен для работы в усилителях постоянного тока,
генераторах стро'!НОЙ развертки, усилителях мощности.
Выпускается в металлостеклянном корпусе с жесткими .выводами.
Обозна'lение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 34 г.
Jмиттер·
К0tмектор
Электрические параметры
Граничная 'lастота коэффициента передачи тока в схеме
с общим эмиттером при ИкБ= 10 В, lк= 0,5 А ие
менее.
10 МГц
465


Ст::~ 1ический кtпффшшент передачи тока в cxe:v1e с об1ш1\1
э\шттеrом11rиИкБ= lОВ, lк=2д не менее .
Напrяжение шн:ыщенпя кt>л,1с1\Тор-J:читтер при fк = 5 А,
/5=0,5Анеболее.
Обратны[[ ток ко.исктора пrи Uк 5 = l 50 В не 60:1ее:
прит,се248с-298к
11ри Тк=37.3 К .
Пr;г.~~.1ьиыс ЭJ-\'с:плуатапiН3П~ьrе _1ан:нън~
Пос ~оаннос напр5I~l~(ннс кс_:-r_-rсктор-база
Постоянное напряж<еН!iС э;-,шrтер-ба1а
Постоянный 10" кол.:Jектора
.
Пос'Jоянпый гоr·: бuзьr .
Посн1~нн1ая рассснвае~.iLlЯ ~1ощн;:~сть ко.1.1екто:J,l:
приТк=248с-323К.
<~риТк=373К.
Теп.1овое со про 1ив:1енис 11еrс·-:сч-корп)С .
Т.ом11сра тура перехода
Температура корпуса .
15
5в
{-)(} ~!.д.
200 чл
l.'O В
3в
5А
lА
~Э В1
:J Пт
2,5 К/Вт
423 к
От 248
до371к
hm
1
г~,~
КТ802А 1
120
~,--il----i---i~--i----<
7
6
к1тво2I-Тl
-------:~1
о
1
\
1
1
1
1
--
2Jц
Зона возможных положений за­
висимости статического коэффи­
циента передачи тока от тока
коллектора.
5
1
Iк ==SA
1
т-Т11 =29ВК
\
\
2
"\
о
1
...... _
\
'
--
---
1-----
2
-
--
3Кна.с
Зона возможных положений за­
висимости напряжения насыще­
ния коллектор-JNiиттер от коэф-
фициента насыщения.
2Т80ЗА, КТ80ЗА
Транзисторы крс~:uиевые меза-планарные п-р-п мошные уни­
версальные.
Предназначены для работы в уснлип:лях постоянного тока,
генераторах стро•1ной ра>вертки, источниках пит;шия.
466


Bыriyct:afcTc>I в 1\,1стап.1а­
стек~1 hl~HC\r корпусе с жсс i КiЕ<ЛИ
выво,Jа~iИ. ОGотаач~Епс -~нпа
приво.:.rится па корн) се.
Масса т1хшзис1 ора не бо­
лее 34 г.
5a,3(L
EfJ-
F)ill~
1
l177 1
'~'
.
~
Jми,ттер
1
.
z5,6
1
----~-~
/i. оллекrпор
Э.1с~.тр;:ч;сскl!е пара:ш::тр:.1
ГраннчIIая ч:~сто ra коэфф~1циента передсtчн тоt\а n с:<С'л,1 е
с общич J\1и11еро:-,1 прп ИкБ = 10 В, 1-j ~ 0.5 А 11~
60.1ее .
20 МГн
Стап1чсс1;11ii коэффшщснт 11ередачи тока в схече с общич
э:шптеромприUк6= 10 В, lк=5Л:
2ТRОЗА
10-50
ктsозл
при Т~ = 213 2Т803А
при Г, = 233 К КТ803А нс :-.1с11сс
Haпp~IЖt:!~IIe НЗСt~пцеЕ1:я коллек 1ор-')МИ I с1ер прн lк = 5 А.
lг,=iАне60:1re.
Обратный ток 1"vл.:дс~-\10р-J:vнrттср прн Я 3 ь ~~ 100 OI\1
не более.
О бра 11-:ый l·ок Э'Л'!; ·1 ера нр 11 UэБ = 4 В не бuс1сс:
2Т803А.
l{Т803Л..
Прt:де"'1ьные эr:сп.1уалнн!о1н~;_;;!е дl"нпп"1е
Постсюшос напряжсаис коллектор-J:шп гер 11р11 П- 0 ~ ~
, ;,; 100 О:,1:
при 7~= 213-с-373К2П03А .
прнТк= 233-с-373ККПi03А.
И м1rу.:11-,сное напряжеrЕ1е кол_1.,;;·ктор-)МНТ rcp прл [ ·j:") :--. ::
= 2В,1r1<10нкс,Q~2.
Постоянное напряженнс ·;мпттср-ба_Jа .
Постоянный ток КОJiлсктора .
Постоянная рассенв~с;,;ая ~ющнос гь 1 рюписУО[)а:
при Тк = 213 -с- 323 К 2Т:303А
при Т. = 233 -с- 323 К КТ803А
прн Тк = 373 К КТ803А
при Тк = 398 К 2Т803Л
Температура нерехо,1а
Температура корпуса:
2Т903А
КТ803А
10-70
6-50
6
2,5 в
5ш\
20 мА
50 мл
60в
!iO В
soз
4в
10А
60 В1
60 Вт
30 Вт
15 Вт
423 к
От 213
до398к
От 233
ДО373К
467


1
'
2Т803А
!.---'"'
~~i--
r
Iк=1А
hг1э
20
10
о 510152025Uкэ,В
Завнсн~1ость статическо1 о коэф­
фашrснта передачи тока от на-
11ряже!i ня ко.1.1е;;тор-1'vшттер.
Ск,п'Р '2ТВОJА,КТВО3~п
6001~--1--+--+--+--~--I
Заnнси~.1ость c~tI\ucтa 1~0.. u.rсктор­
ного пер~ход":. от напряжения
ко.исктор-бази.
3,0 ~~--'--~--'-----''----'
О123Lf.5l3,A
Знн;;си\1ос11, ~1о;;у.1Я коJффнцн··
ента псре;щ<ш 1ока от тока
)1\Н!ТТера.
,-,- -
КТ803А
hг1з -
,
J01--/~--=-,+--:-~r--+---<
/
1
'
'
'
201---+---1~-+->.---1~-'-~
10Ucc-~+-..,._~
о
lj.
8iDА
Зона возможных положе>шii ;а­
вис11\1ост11 статического ко:;ф­
фн1~~rента ш:рс11ачн тока от тока
кo~Jj;e:cropa.
KT8u5A, КТ805Б, КТ805АМ, I(Т805БМ;
KT805Bl\il
низкочастотные мощные.
Пред1rс11н<«:ены для прнчсвспия в схс!\1ах выходных каскадов
строчной развертки телевизоров, систем зажигания двигателей внуг­
реннего сгорания.
Транзисторы КТ805А, КТ805Б выпускаются в металлостеклян­
ном корпусе с жесткими выводами.
468


Транзисторы КТ805АМ, КТ805БМ, КТ805ВМ выпускаются в
пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа
щшводи·rся на корпусе.
Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 24 г,
в пластмассовом не более 2.5 г.
1
Коллектор
23,5
фJ,6
база
Коллектор
Эмиттер
),Ч-5
1,2S
1-iat!fHtЖCHHC пac:;:Iil!.2.!IИq 1.:ci.l.tICKTOГ-JMH l rep:
пр;~fкс_~~А,fь-U.5А:
КН:О5А. кт:;с1' АТ>! не 60.·1се .
КТ805Б. KT~0~51'.f нс Go,1ce
з
0,75
прr1 !к -= 2 А, fг, -= 0.2 А KTSfJ5GM не 60:1се
f-Ianpя:.к~'IJH~ на~:,1urс1~п~ 6::сн1-Jrv1;,тт~'СР при lк = 5 А, /Б =
=n.sА:
КТС~О5Л, KT:)05;\:i· ,, 1 lH~ бс1.rн:е .
КП:О55, KT805БJl!l. KT805B!"v1 не fio::ce
2.5 в
5в
2,5 в
2,5 в
5в
469


Ста1и•1еский коJффициент переда<ш
общим Jмrптеро:ч нрн Икэ = 10
нша в cxe:vie с
В,fк=2Лне
ыенсе.
15
Граннчная частота ко·нjнjнщиснта передач!! тока к схеме
с 061ц:rм 1\Шттсром прн Uкэ= 10 В, fк=1А не
МСН<сС •
20 \!! 11
Импу:н,сный оС,ра шь:й ток ко.оек, ора 11ри Rь·) = l О О\1
НС: 60.1~,::
КПО5А, КТх05АМ при Uкэ = l 60 В .
КПfJ5Б, КТ805БМ, КТ80513М при U;.;.э = !35 13 .
061~:' п1ыi1 то:' J:vшrтcpa при U3 r, = 5 В не бо:~сс .
ПJ1>С.\<0.1ы1ые эксп.1уатшщош1ыс ,зз!iные
Им11ульснос н:1щ,яжен!fе ко.:~~1ск 1ор-J"1ИТ 1ер rrpa ~:н <
<;;500мс,'Ф?15мс,R5э~100ОмпрнТ=373К:
КТ805А, КТ805АМ .
КТ805Б. КТ805БМ, КТ805ВМ .
Постояrшое напряженпе ";~шттср-база .
Постоянный ток ко.1лсктора
Им•iульсный ток коппектора при i:" ..,;; 200 мс 11 Q =
= 1,5.
Постоянный так базы .
Импу:rьсный ток базы при ти <;;; 20 :vшс
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Тк<;;;323 К .
приТк=373К.
Температура перехода
Общее тепловое совротивление
Температура корпуса .
60 ~.1,А
60 ~.и\
lt)O \IA
160 в
135 в
5в
:1А
8А
2А
2,5 А
30 Вт
15 Вт
423 к
3,3 К/Вт
От 218
ДО373К
Пр им сч ан и я: 1. Для КТ805А, КТ805АМ в схемах строчной
развертки телевизоров допускается Икэ.и = 180 В при т. <;;; 343 К,
1:и.;; 15 мкс. При повышении температуры до 423 К Икэ.и умень­
шается на 10 % через каждые 10 К. В схемах стро'!ной развертки
телевизоров допускается ИэБ.и = 8 В при т11 <;;; 40 мкс.
2. Пайку выводов транзисторов в металлостскляшюм корпусе
следует производить в течение не более 10 с. Температура пайки
не должна превышать 533 К.
Пайку выводов транзпсторов в пластмассовом корпусе разре­
шается ароизводить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса тран­
зистора.
При монтаже трю;зисторов в схему допускается однора:ювый
изгиб их выводов на расстоянии не менее 2,5 мм от кор11уса под
углом 90 ° с радиусом изгиба не менее 0,8 мм. При эгом должны
приниматься меры, исключающие возможность передачи усилий на
корпус.
Изгиб в плоскости выводов не допускается.
470


Заnисrе.нJ~~ гь статпчссr:оrо hо·зф­
фицпен ra лере.Jа:л1 l OJ,:: .J ст то~а
кс:, .• о:' ;::р.1.
Зависн\.1осr т~ L'! а rическоi о ко::;ф ..
фпцпентз ~1срсдi1чи тока or 1е1\::::­
псра турr,!.
f hг~э; kT805A 1 КТВО;б kT805A!1,'
1
1 _ 1А 1и·rDoч:,"
20' ..... -
1. к-
(\/О vиlt
Г~и1,з=10В
15~----t---4
1
~L-i 's;J=_·---l
1
;
1/
,__
i____,
1 -3-·
10 f)/;Гц
3иниси~\1(:L:ТL :\1:-_;;ly.-:~1 К()'J{l1фиuи­
ен и-1 п:-rс, {~Р!и 1 Р.:а о г час готы.
Заuиснмосгь относите~1ьного
максимально !\ОПустн~юrо на­
пр:;-;:жепня коллектор-:э.~1пттср от
сопрст1JБ.'Iсrr1~я э;v1~п тер-бu·~а.
КТ807А, КТ807Б
Транзисторы кремниевые меза-планарные 11-р-11 униnе~;салы1ые
мощные.
Предназначены для рабо1 ы в генераторах калровой и строчной
разверток, усилителях низкой частоты, исто'iниках питания.
Выпускаются в мепиrлопластмассовом корпусе с гибкими выво­
дами. Обозначение пша приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
471


22
1S
Jмummep
О,З'
Гр:Jничнан ч<.н:тота ко·jффивиснта нере,.:_щчн тока в схсче
с общпм эмиттером нс менее .
Статический коэффициент передачи тока в схеме е общим
:шпттсромприИкз=5В.Iк=0.5 А:
при Т= 298 К'
КЛЮ7А
КТ807Б
11;•:r Т= 358 К:
КТ807А
КТ807Б
при Т= 233 К:
КТRО7А
КТ807Б
НаЕрял·:еш1е насыщспая ко.1лсктор-эмиттер при !к = 0,5 А.
!6-~O.JАнебо.·:ее..............
Обратный ТОК ко.1,1ст;тор-эмпттер при и!О = 100 В:
прн Т=233 ;-2
1
:JSКнеболее.
прнТ~358Кнеболее.
Обра1ныii тоr: ''11птеrа при U36
= 4Внеболее
11р;2;н::нNны~ зксn~'lуа 1ациониь1е да~~ные
ПостоягтЕос напр~ж,_~r1:н~ коллсктор-·~м11ттер при RБJ ~
С::10 О"лшшЛ63=l~;Ом11U
53
= 0,5В
Посюяннос н~нрюкенне э;.шттер-база . . .
Пос1ояii•1ый ток кол;1ектора
Импульсный ток ко,1;;сктора
Постоянный ток базы .
Постоянная рассеиваемая мощность кол.с~сктора:
при Т=233-о-343 К
при Т=358 К .
Тепловое сопротивление переход-корпус .
Температура перехода .
Температура окружающей среды .
472
15-45
30- JOO
20-60
45-150
J0-30
20- ri7
]в
5мА
15 ыА
15 мА
100 в
4в
0,5 А
J,5 А
0.2 А
JO Вт
8Вг
8 К/Вт
423 к
От 233 до
358 к


hг1з
1201--~~1--~---Jl--~----i
КТ807А, КТ807Б
/
/
/
/
/
80f---,,,____...,.:..._f.--~--1~~--1
/
l---~---
-и;J =SB Iк=О,5А
01--~=--'--~...;.;_J'--'-~--'
233
273
313 Т,К
Зона IЗО'J!\Южных по;юженнй за­
висимое 1и статического коэффи­
циента переда•1и тока от те,ше-
ратуры.
Зона воз;-..1ожных по~1оженпii ·,а­
nисимости с1а1 !!'I·~ско1 о коэффп­
ни~нта передачи тока от j ока
кол:~сктора.
Зона ПОЗ!\10Ж!-IЫХ ПО.10ЖСН!!Й за­
ВНСЕЧС'СТИ Наi1rяжсния HZlCbllUC-
HИЯ КО. 1.-!СК 1ор-J~шттер ОТ те!\"-
hг1з
120
80
40
о
1,2
КТ807А ,КТ807Б
~--- ---
J/
.......
/
/
1
--
/
1
--
--
----L
Uкз =SB, ---
0,2
0,4
1
!
КТ807А, КТВ07Б
---
--
i.- ---
Iк =0,5А
1
15 =0,1А
==t===1-----
-
1
пературы.
о
23.3
'
273
-
, 5fJ 353Т,Х
2Т808Л, КТ808А
Тrа1т,исгоры кре~п-Iпсв~.~с ).1е1а-плnнарные п-р-п п~реключJтс.вьнr)~~
н1пr:о 1~~lСТС ! Hl_, .lC \ff)ЩHblё.
Ilрс~~назн;:.tчсны д~1я рv.богт,~ u Fс1к1чевых схе:\1с~х. генераторах
строчноii разэсрл,11, электронных реrу.сятСJрах напряжения.
Вы11ускаiотся п :\1етз.~1.-rос1ек.1пнно:--А корпусе с жестк1tУJи в1,твоJНi"1И.
О6озна1rсн::1е r пнJ приuо.J.~Iтся на корпусе.
fviacca тi1~;;1·;а.::тора н~ 6o:ice 22 I, н._~кнлно~-о :1з.rн1а 12 r.
Jми.'11mор
i
i
473


l-Iапря;1:снпс 1:tic1_,1:;k'ТIIiR 6:l'3H-)ЧI(( 1ср при
/G=0.6
•\
тнлоr:о.:; jil;-.~1.:E1:c .
СI·uт:;чсс ..:н{: 1\tYJ(~Ч}1r;1~~rcнг IIсμе,__1,ичн тс:I--:а в С\:\~С- с t'61!1И\1
эч;;1теrю\1 11р!! [' .
= \В,!.=6А:
нр:~ т = =~l)S к"~
.
f\
ГИП.)30С :?.HJ. 1 i.CPf:1.: •
Jj~Yi1 Т = у.):) ]~ пе ~:ен~~
11;"1 г= .::1i к.
Отнои_i:--=11ис.~ сгатнчсс!\~:го :..:01~~;фнциентz~ пег-:с1.J~Iн тока в
CXC\JC С OC:/Iд!:\I 1~H!f1..:p0\1 пrи Т = 398 К К СТ~! i ~!-
1*-2.5В
IA* В
!()-)()
20*
!О
6-50
Ч·:~кu~rу r..:c1 Jфс!нrцпен I) (1рн Т = 298 К н--~ 60:1се .
3
Вμс:\:<1 1х1сс,-:ьшаш:я 11р11 l.'к, = ! 5 В, /к= 6 А не бо.1се 2 !\1кс
l\1оду,1ь ко Jффrписнта псрс.:щчи тока нμа .f = 3.5 МГп.
Uкэ= 10 В. /_
7
= li.5 А не меш:r
2,4
Емrюсг, ~;ох1екторноrо перехода прн С10 = 10 В,
/=lМГцне60.1ес.
500 нФ
Обратный ~ок 1rо.ыектор-э~11птер при 1..·к» = 200
RБ') = iO 0:,1:
•'rи Т=2У8 к .
тrн:сr.ое зна че!н1е .
Т'91\К''
160 В нс 60;1~е
нри ._ -_
-~
~ l- f.\';t
г;рнТ=213К пс 00:1ее
Обратный ток 1миттеrа пrи Uьэ = 4 В
типовое зва-·rен11е .
В.
.0.UCH*-JмA
O.J* мА
20 -.,1А
3мА
.0,01*- 50мЛ
JO* мА
Постоrtнное напряжение ко_1т.-rсктор-э~н1ттеr при R,
=
=JOОм.Т,,~373К...........Б~
•
ИмнульСfюе н:ш;;:1женпе коллеrаор-змигrер прн U_э = 2 В
и:шRБ'J=JO0~1.т,,;500мкс,Q;>,6.Т ,,;373k. . .
120 в
250 в
4в
JOА
4А
Пос rоян:iое ш1рряже~1ие 'Jмиттср-база при Т = 213 -;- 398 К
Постоя~шый ПЧ( коллектора при Т = 2 J 3 -;- 398 К
Ток ба:Jы при Т= 213-;-398 К .
Постоянная pacceиIJ<.iC'.1:1Я мощность коллектора:
при Т = 213-;- 323 К с теплоотводом
при т' = 2] 3 -;- 323 к без теп:юотвода
Тепловое ~опротивлсние переход-корнус .
Темпера тура перехода .
Температур::: корпуса .
Темпера·~ ура окружающей среды.
50 Вт
5Вт
2 К/Вт
423 к
398 к
От 213 до
т=398к
к
Пр им сч ан и я: ! . Постоянное и импульсное· напряжение коллек­
тор-эмиттер при Т = 373 -;- 423 К снижается линейно на 1О% через
каждые JО К. п
474


Не рекомендуется работа транзисторов при рабочих токах, соизме­
р11мых с неуправляемыми обратными токами во всем диаш13оне
те~шератур.
Для снижения ;шн гакпюго теплового сопротивления между корпу­
СОi'1 и тешюотводом необходимо применять смаз1:у нз невысыхающеrо
мас:~а 1ии ·1ою:ую фо.1ьrу из мягкого мета.1.1а.
2. J\Jсханические усилия на выводы транзисгоров не до:~жны
превышать J9,62 Н в осевом и 3,43 Н в перi!~ндш.:у.1 ярном
направлениях к оси вьтода.
Пайка выводов д.onyci--.1e 1ся на гасстсянни не \1t'Ht>f' Fi l\1ч от·
корпуса транзисгора .
....
а::. 30 1---1- - --+-- -'o.-l- -- -f -- -i
...
>:
~ 201--1- _J_
__ j._ ,. _-+ --1
с('
101-__j.---1---+---~--t
OL___,1,_.....J__...l--'--.-ll
298 323 31.J8 373 398 Тк,К
Зависимость максимально до­
пус;гимой рассеиваемой мощно­
сти коллектора от температуры
корпуса.
hz13
2Т808А, КТ808А
5gL----+--+-'=-+--~--I
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тока
коллектора.
31--+- -l- -f -+ -J. --<- -J
21----c,::.:__-+--l-./---J-_j
о 0,2 0,1.J 0,6 0 ,8 Uзs,B
Входные характеристики.
hz1э
25
го
15
10
5
о
1
r1
1
2ТВОВА,КТ808А
ик)=3В
""'
,_Iк=6А
vv
v
.........
213 253 293 333 373Тк,К
Зависимость статического коэф­
фициента переда•ш тока of тем­
пературы корпуса.
475


hг1J
?OL--"->:-----1---+--..L-+-~
цо1--+-+---+---+--+---1
30'-.-'--'---'-~-'---'
213 253 293 333 373Т",К
Зависимость статического коэф­
фициента пере.:~:~чи тока корпуса.
1
2ТВОВА,
к~вовА-
10
\ !"=БА
Ск,пФ
2Т809А,
25Он--+-____,КТ809А
700 1---+--1--+---'1=-~
50,____,__---'--~--'--~
О 10 20 30 l/OUк6,В
З<шнси:vюt: 1 ь емкости ко.1~-~ек­
торноrо перехода от напряжения
кол~1ектор-база.
гтвов~f
\
КТВОВА
111
\ т,, =3231(-
'
Te=4'23K-i
~-постоянном
тоне
~1
1
\
1
2
101
1
О 0,Ч 0,8 1,21,6 !5 ,А
Зависимое 1 ь напряжения насы­
щения кол:1ектор-з:vнптср от
тока базы.
102
8
G
ц
1ifJ
,___
в импульсном
,___
режиме приТ,,<i.500м1<с, ,___,
r~~~OТJ)' ~ >7ft: с-- 1
1 2 lf6810
Об~1асть максимальных рс:.;;и­
мов.
2Т809 Л, КТ809А
Тра11зпстtJры крсмннсРыс мсза-п~11:~~1r"рныс 1:-р-11 псрс;,л1оtrатсльr1ыс
~:изкочастотные ~ющпые.
Пре/l,Паз.rаЧ'.?НЫ IL]f}t работь1 в КЛIОЧСЧЬiЛ Ii iT'"~пy ..;iЬ':JH)~x ('\_(\'.!"~.
Выпускаi~.У:ся n ~1~тал~11ос1~к.1~нri1._1\;; J:оглу1..с с Xiec-п:~}\HI пыво­
даr~пс Oбoзl!ai:tc..':нrc i ra1a прпно.JJ1тсн на ::орпусс.
J\1acca трзня1с1ора пе более 22 r.
476


База.
Зми.тmер
Ко.ллектор
э,"Jектрические 11ара'\1етрм
Напря~енае насыщення коплсктор··JМ!!I гер при /к= 2 А,
/
6
=(),4Лпсбо.1сс............
Н;шряжснис насыщения ба3а-1миттер прн /к = 2 А.
/Б=0,4не60_1сс. . .
Стан1'1i0с~а1й кохрфшiнсн1 псредачп тока в схеме с общн~1
·ннптеро\1 IIfШ С'к":> = 5 В. /к = 2 А:
пр1: Г= 298 К.
прнТ=398К.
11рн Т=213 К .
J.5 в
2.3 в
15-100
15-130
10- 100
Врс\1н нк_1ючсния г:ра ff; = 2 А. IF> = 0.5 А. '" = 1() \1!(С 0.2--0.3 \1КС
i нповос знrР~енпе
0.25 т-.1кс
Врс'v!я сп.:ца прв /к,= 2 А, /г; = 0.5 Л. \ = 10 ~l!(C.
• 0_2 -0,3 ~шс
Вре:ш; расс:,~ыва1шя прп fк ~ 2 Л. 15 = С1 .5 Л. 'и= Н) \НСС 0.5 -3 :v1кс
~пповое знn ч~tн~~
Моду"1ь к0Jффпц1;_сн r u iP:p~д;:iiп~ I о::са нр1! /-= 3,5 :\11ГЕ.
_икэ=5В.!к=0.5Апсмс~;сс.
Ооратный тпк ко~1_1сктор-·,;,!!iТТСр г.ра l/1Cc! = 400 13,
Rr;") = J О O:v1 не 60:1ее:
приТ-~2913КиТ=213К
при т= 398 к, u10
,=зоов
Обратпыil TQ}: Э\1НТТера пrи [/Б':Э = 4 в !-Те 60_-11:е
f1рс;_.~~1~пыс 'J:..::спл:уат2r.н~~:п-а~lе .г~аfпч,1с
Постояннее на:1ряжсннс EO. ' f гтс;сг·:ч_1-J:\1~1-гтсr пр1~ Т ~ :;73 К,
RБ==1ООм....-...·.
"
Посr'&яс:1юе напрнжсн11с G;11а-э~1;;' 1ср щы т, = 213 ~ 298 К
Лостоя:ш;..1i 'r ток коллектора прп Тк = 2 i 3 -:- З'JS К
.
И ~шv:rьс!1ый ток 1~сллсктоrа при т -с 400 1чкс, Q :;;, 1О
7'-=213~3\18 к .....
11
•
То/ба·;ывриТ=213 -:-393 К
Постоянная расс~1пзас!\rан мошнос~ъ ко;•псктора нри
т=213~323к. ..
Темкпература перехода .
Температура корпуса .
Температура окружающей среды
2 ыкс
1,5
3мА
]() щ\
50 мА
400 в
4в
3А
5л
1,5 л
40 Вт
423 к
398 к
От213К
дот= 398 к
к
477


Пр нм сч ан н я: 1. Пос 1 ~1?.H!-rve I!а11ря:-~-:::нис K·.J.ri~rcк гор-э~11Iт1ер
I1p!r Т = :~тJ---;.- 423 К сн1гt1\а~г,:х .'1r1нсй110 11:J l0°l1 ч;.;ре·з ка~1~дыс 10 К.
~~. 11
i\:! а .;с~;'\ 1;_1 __ 1D: :L) ,__ l(_)ll)'l- l il\1aH f2();.; l Q;l (j !-ij}t г~~l'~":~J; з:-tС:">.НiЯ MOlLJ[OC ГЬ
J\O.l:Н:KlOГ:iJ. Б1. ~Jr:н т" > 323 i( (i!If:.!\aCTCЯ ?, ...:001зстсj:Jl~И с фup:v1y __" I O iJ
гд~ ;Г.:.т ~-·.; ~:::п:1с.;_.ос L".)iJ[iC i ~m_'rенне IE'f.'~\.;_J __ i, -::" ,pi;yc, ;нтг::,i..;_·:s:.t'),fOe
И1 o~----~.lC! Н :vr,u~....:·11:·.1,1:; r_J~I:~!X rс:-~;П\~02.
n I:;\•i!l> ~ 1:_};__-~-!_Ы:\ C:\L"\iaX ,:_..;оп~ c~~U..i.Q 1·ся liepcr РУ3!(Н П11 ~"~CLЦ2<1 (:'Ttr
pucc·.:t:~~~1·:~1.:i .iO 30~) R1 :з ri1o~:~n1 не-rск.1 а-о ...1с·.11~1я. u1н1
, 11 1 .1\{ ,'т:1н1с:;;,­
нос1ь ис::.~гр.;-~:-:н .10:1.-r~на C:,i 1ь r:~ Uo_1 Jt.:~ O..J 1\!J' .c , \.\ас lOia IlL.J. .: 1:1 ру3к11
не 61..1w:1ee :) кГн, rсчг1ер~tт~ ро_ корпус?_ пс (),_,_:-;с~ JiJ3 К.
В ~:~~:Пj.i~Cf;Ы'\ С\С:'l!Э.Х J;Jil)CKaeтCЯ [:l>) ~ 8 13, нrа п·о:.J ДO.'l:.K~11J
бы1ь:/~<lА,Q:;., 2.Г:;>30кi'ц.
,Е{о;~'уп-:...:с ~-ся иc!iO~lL 30IHl1I~iC тран3ис r ора
МГН(IЕСНН~~я ":oiJUiOCTD нрн нереюн-оt;ении
IJPИ/К,,<;;;7 А, Q~2.
llt.:: ~lVw"!F.Ofd ПрСВЫЕiа 1 Ь
J00Втu ·ic<reiшc Н·~ бо;iсс5мксиQ~JО.
Не р;:>коr,~епду.:;1С:! рn6отз транзисторов прп !1абочнх. токах, сои:~~1е­
rимых С !;еупр~11:_·;ю::\·1НМ Н о бра 1~1ЫМИ ТОКЗМН ВО BCel\!f ~lИ'-iПаЗОНС
ТСМПСIХlтур окрул·а;он~:;ii cpe.rtы.
З. l\1!сс1п11ч,;ска~ ycir,i;ня Iia г.ыводы ТГ<~Нс:;пс1орсв не долж·.:rы
нревы1;•:11 r, l 'J.б2 Н 1; оссво:,; а 3.43 Н IJ пеμпt'Нi1'tкуJiярном
HanpaEЛ(!lТJ5:X 1~ Ol'if ТiЬН10с·~.а.
11ай1\а вr_,;~1(J_.г:cd дОII):с:~астся 1:1 рJс~~тояЕ~:и t~,; мене\." 6 MI\1 ог
кopIIyc-:1 11ы1н11'~ 1ира.
1,5
Q:)
"
~ 1)3
>:
с,;
~1,2
478
1,1
1
о
1
1
1
1
2ТЗО9А, КТВО9А1
I!k·=2A
--
1-
v-
/'
1,if
1,2 г
1
1
1
1
2Т809А,КТ809А
1
1
1
1)=2AI
1
1
\
1
r
0,6
о,ц
о
_ ._. ..__
J
О,2 O,Li 0,6 0,815, А
Входные характсристшш.
Зависи"юс гь напряжения насы­
щения коллектор-эмиттер от
тока базы.
Зависимость напряжения насы­
щения база-эмиттер от тока
базы.


Зависимость с 1атr1ческого коэф­
фициента передачи ток~1 от тока
кол.:сктора.
1
11
2ТВО9А,КТВО9А
~
"'
.Е 1,2
O,Bt----1i~-t-7'f--r--t
о,ч[=±::__,____. ._- - -- :'::=--"
213 253 293 3J3 373Т10 К
Завпси:v.ость обратного то1'а
коллсктор-Jмиттер от тсмш:ра­
туры корпуса.
~
0/15
0/1
~ 0,351----il---t --1''---+ --t
"'
""
. .. ::= ~Jl---1--~j/<---!--t---1
Зависимость обратного тока
коллектор-эмиттер от темпера­
туры корпуса.
hг1Э 2Т809А,КТ809А
50t--j1~o::i::::,,,,,-J...::--+---1
35t---+-~+--+~__.__..j
30
0,5
·--·----
1,5 2 2,5 Iк,А
/h21э/ 2ТВО9А,КТВО9А
~Ог--,--+--+--~-~
~9t--t-1C-->t-+--+~
~Brr---ir----t-+--+--1---4
~7i-----1Г---t--\-t·--+--~
~6~--:'"-----'--L---L-~~
О 0,11 0,8 1,2 1,6Iк,А
Зависимость модуля коэффици­
ента передачн тока от тока
колпектора.
Зависимость времени рассасы­
вания от тока коллектора.
479


1,
2T809~,f
l<T~09f
'\.. Т. =';>23К
-на постоянном 1-\ . Тп Ч2JК
--токе
\
~~
1
-~
=- в uмnyJ11:1CHOM
1
peжut.~e при Tи~JDOмi<C, ~
1
-t ·r00 )о ЗОмкс, Q"'(t 1
'1
111111
r-
10-J
1 2 lf61013,3
100 иkЭ ,в
Область :v.акснмальных режи­
мов.
КТ8~2А, КТ812Б, КТ812В
Транзисторы кремнневые меза-планарные п-р-п импульевы~ высо­
ковольтные низкочастотные ~чощные.
Предшлш1чены ;urя работы в выходных каскu;н1х строчной
развертки тспсвазоров.
13~..;пускаются n мет<L1лос rсклянном корпусе с жесткими выво­
дами. Обо:~начсни~ 1ина 1~ршюд1пся нз корпусе.
Масса транзистора нс более 20 г.
13 10,J
"'
3,8
1°"
~
-
~
~
-t
~ ---
"&
--
"
lr,=2А
480
. 1.3''--25r,
1,б-' в


Напряжение насыщения
/Б=2А
база-эмиттер при lк = 8 А,
типовое значение .
.
.
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим
эмиттером не менее:
КТ812А,КТ812БприИкБ=2,5В,lк=8А.
КТ812ВприИкБ=5В,lк=5А.
.
.
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
1,7*-2,5 в
2*в
4
10
с общим эмиттером при ИкБ = 20 В, Iк = 2А
3*-16* МГц
типовое значение .
11* МГц
Обратный ток коллектора при RБэ = 10 Ом
КТ812А при Икэ = 700 В, КТ812Б при Икэ = 500 В,
КТ812В прн Икэ = 300 В не более .
Предельные эксплуатац1юш1ые данные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБэ =
=10 Ом, Тк=228+358 К:
КТ812А
КТ812Б
КТ812В
Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при RБэ =
= 10Ом,Ти.;;1мсИQ;;;,10ИЛИти.;;50мкси
Q>2,т=228+358к:
КТ812А
КТ812Б
КТ812В
Постоянное напряжение база-эмиттер при Тк = 228 +
358к.
Постоянный ток коллектора при Т, = 228 + 358 К .
Импульсный ток коллектора при т,, .;; 1 мс и Q;;;, 10
ИЛИТи<;;50МКСИ Q;;>2,Тк=228+358К,
Постоянный ток базы при т. = 228 + 358 К •
Импульсный ток базы пря т11 < 1 мс и Q ;;> 10 или
Ти<;;50МКСИQ;;>2,Т, =228+353К.
Постоянная расссиБаемая мощность коллектора при
т.=228+323к.
Температура перехода .
Температура окружающей среды
5мА
400 в
300 в
200 в
700 в
500 в
300 в
7в
8А
12А
3А
4А
50 Вт
398 к
От 228 до
т=358к
к
Пр им е чан и е. Маr(сималыю допустимая постоянная рассеивае­
мая мощнос1ь коллектора при т. = 323 + 358 К снижается линейно
на0,5Втчерез1К.
При применении транзисторов в схемах строчной развертки
допускается эксплуатация при предельных значениях напряJКения
коллектор-змиттер и тока коллектора, при этом температура
корпуса не должна превышать 373 К, а рассеиваемая мощность
коллектора 50 Вт.
16 ПолупровсдпиковвьJе приборы
481


Зависимость тока эмиттера от
напряжения база-эмиттер.
КТ812А-КТ8128
hz13
801----+-~,,__-.:1-~-t---i
2
~ 1,6
"'
d
о2
:; 1,2 ~-+--J.""'-+--+---1
$
~ 0,81----" -1 ---1- -+-- -+-- --1
"'
с>;
~0,41---+---+---+---t----1
КТ812А-КТ8128
о
2
6
0,15
о,1
О,05
о
_кfв12~-
к~в1гв
1
,Uкэ=О
/
/
--
v
0,5
Входная характеристика.
6
~
2
КТ812А - КТ8128
/""
Uкg=ZOB, f= !НГц
........
Г'-.........
..........
........
~
о 0,5
1,5 2 Z,5Iк,A
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тока
коллектора.
Зависимость модуля козффи­
циента передачи тока от тока
коллектора.
Зависимость напряжений насы­
щения ко:шсктор-эмиттер и ба­
за-эмпттер от тока кол.'Iсктора.
КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г
Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные п-р-п
упиверсальные низкочастотные мощные.
Предназначены д.•я работы в усилителях низкой частоты, опе­
рационных и дифференциальных усилителях, преобразовате.~ях, им­
пульсных схемах.
482


(
1
Выпускаются IJ п:шстмассовом корпусе с гибкими выводами.
Обозначеш:е пша приводи.ся на корпусе.
Масса· транзпстора не более 1 г.
ф 3,2
2,8
fl
~J
-
_.с".:..'.,. _ _ _ __ , _,_"
~
-
.
___.....................!-'
~1~[~1
~11~
1
1
J~
Зми.ттер
каллзктор
~!
0,5
Электр11ческ11е параметры
Граничное напряжение при 13 = 50 мА, 'и = 300 мкс,
Q;,, 100 не менее:
КТ815А
КП15Б
КП15В
КТ815Г
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = 0,5 А,
1
6
=0,05Апеболее.............
Напряжение насыщения база-эмиттер при [к= 0,5 А,
1
6
=0,05Анеболее....
•
.
.
.
.
.
.
.
.
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим
эмиттером при UJD = 2 В, !к= 0,15 А не менее:
КТ815А, KТSl:iь, КТ815В ....... .
КТ815Г .
...
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
с общим эмиттером при Икэ= 5 В, Iэ= 0,03 А
не менее.
Емкость коллекторного перехода при Икэ = 5 В,
/=465кГцнеболее.
Обратный ток коллектора при ИКБ = 40 В не более .
Предельные э1~сплуатациоиные даппые
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ .;;
.;; 100 Ом, Тк= 233-'- 373 К:
КТ815А
КТ815Б
КТ815В
КТ815Г
16*
25в
40в
60в
80в
0,6 в
1,2 в
40
30
3 МГц
40 пФ
50 мкА
40в
50в
70в
100 в
483


Постоянное напряжение база-эмиттер при
373 к.
Постоянный ток коллектор:~ прн Тк = 2В + 373 К .
Импульсный ток ко"1""Jектора при 'и ,,:; 10 r,1c, Q ;;о 100,
т =233+373 к ....... .
Постоянный ток базы при Т = 233 + 373 К "
к
Постоянная рассеиваемая мощ1юс1ь кщшектср:~:
с теплоотводом при Т, = 233 + 298 К .
без теплоотвода нри Т = 233 + 2'!3 К
Температура перехода .
Температура окружающей среды .
5в
1,5 А
3А
0,5 л
10 Вт
1Вт
398 к
От 233 до
т"= 373 к
Пр и меч ан и я: 1. Максимально допустимая постошшая рассеи­
ваемая мощность коллектора без теп.1оотnода прп Тк = 298 + 373 К
снижается линейно на 0,01 Вт через 1 К.
2. Пайку выводов разрешается произвоюпь на рзсстоянии не
менее 5 мм от корпуса. Разрешается произво;щть пайку путем погру­
жения выводов не более чем па 2 с в р<.:.::плавс:~r:ный припой
с температурой !!С выше 523 К.
Изгиб выводов допускается на расстоv.нии f<e меп:е 5 мм от
корпуса транзистора с радпусом заI'РУГ."IС!:ня 1,5-2 м:,1, при т1ом
должны приниматься меры, иск.1ючающие воз~:uжвссть п:р;дачи
усилий на корпус. Изгиб в плоскоспr выводов не допусr;ается.
Q:)
0,25
0,2
~ О,15
"'
с>;
:::::.""- О,1
0,05
о
к1тв1}А Ц)тв~5Г
1
111
-
Il(/IБ = 10
/)
1/
v
10 20 '+О 60 100 200 400 Iк,мА
h21з
80
60
lfO
20
о
-~
кfв15А 1J
1
кт'в1sf-
vhЧ- '
v
v11l
Uкз=28
1
JJ
Зависимость нанряжения насы­
щения коллеrпор-эмиттер от
тока коллектора.
Зависимость стапr•!ссксго коэф­
фиц11ента передачи тока от то­
ка коллектора.
Зависимость максимально до­
пустимой мощности рассеивания
коллектора от температуры кор-
",
10
8
о
пуса.
\
\
\
КТ815А- 1\
-ктr15 ~ \
0,1 О,2 О,61
-
2 1./ 6 10 20 1./060100 1./ООiк,мА 233 273 313 353 393Тк, К
484


i
1
КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г
Транзисторы кремниевые меза­
эшпаксиально-планарныс п-р-п уIШ­
версальпые низкочастотные мощ­
ные.
Предназначены д"1:я примсне- ~
ния в усилителях нпзкой часто1ы,
операционных и дифференциаль­
ных усилитс:1ях, прсобразовате"с~ях
и импулr,сных схемах.
Выпусr:аются в пластмассовом
корпусе с гпбкими выводами. Обоз­
начение типа приводится на корпусе.
Массз транзистора не более
0,7 г.
7,8
Электрические параметры
Гр:ншчное напряжение при l' .J = 100 мА, '<и .;; 300 мкс,
Q;,, 100 не менее:
КТ817А
КТ817ь
КТ817В
КТ817Г
z,в
25в
45в
60в
80в
Напряже1тс Н(!СЫЩЕНШI коллектор-Jмнттер пrн1 ! 1( = 3 А.
/6=0,3Апеболее.
1В
Напря~;с":!~ !Шсыщснш1 база-::Jмиттср при lк = 3 А,
!Б=0,3Анеболее.
1,5 в
Статическпй коэффилн-~нт Г':еrедачи тока в схеые с 061цн~1
эми1repo;1!!;->:r И1:э= 2 I\ lк= 2 А не менее:
KTSl7A, КТ817Б, ТК817Е .
20
КТ817Г .
15
Граничная частота коJффпциспта передач;1 ~ока в схеме
с общим э:шптсром при Ик'.J = 5 В, Iк = 0,05 А
не менее .
3 МГ11
Емкость f:о"1л.сктоr1юго перехода при Икэ = 5 В,
f=465кГцнс более·
115 пФ
Обратный ток коллектора при ИкБ = 25 КТ817 А; при
0,6
1,z
ИкБ = 45 В КТ817Б; при Ию; = 60 IЗ КТ817В; прп
ИкБ = 100 В КТ817Г не более .
100 мкА
485


Пре,1ельные эксплуатациоппые данные
Постоянное напряжение кол:1ектор-эмиттер при Rьэ = х
Т,=213 ..;-373К:
КТ817А
КТ817Б
КТ817В
КТ817Г
Постоянное напряжение ко:1J1ек гор-·;,лпттср прп RБЭ ~
.;:;1кОм,Т=213 ..;-373К
КТ817А .•
.....
КТ817Б
КТ817В .
КТ817Г .
Постоянное напряжеппе база-Эl\Ш 11ер при т. = 213 ..;- 373 К
По..:гоянныi! ток коллектора нrн Тк = 213 ..;- 373 К .
Импу.:1ьсный ток коJ1:1ектора при т" >;; 20 \1С, Q;,, 100,
т.= 213-'- 373к.
Постоянный ток базы при Т, = 2!3 ..;- 373 К .
Постоянная рассеиваемая мощность ко.т~ектора:
с теплоотводом при Тк = 213 ..; - 298 К
без теплоотвода ври Т = 213 ..; - 298 К .
Те:-шератуrа перехо;:щ .
Температура окружающей среды
25в
45в
60в
80в
40в
45в
60в
100 в
5в
3А
6А
IA
25 .Вт
1Вг
423 к
От 213 до
т"= 398 к
Пр им е чан и е. Пайку выводов разрешается проводить на
расстоянии не менее 5 мм от корпуса.
Изгиб выводов допускается на расстояшш не менее 5 м~1 от
корпуса транзистора с радиусом закруг:1ен11я 1,5 - 2 мм. при этом
должны приниматься меры, исключающие воз~южность пере.1ачи уси­
лий на корпус. Изгиб в 1шоскости выводов пе допускается.
При монтаже транзисторов на теплоотвод крутящий мо:-.1еыт при
пажа гии не должен превышать 70 Н ·см.
1,0
0,8
~0,6
i!оLf
"''
$ 0,2
о
1
КТ817А - К Т81'1Г
1'1
Iк/I5=10
,~v
11
J
1
v
10 20 '1060100200 6001000 'IODOiн,мA
Зависимость шшряжсшш насы­
щения колnсктор-эмн пер от то­
ка колле1пора.
486
150
100
50
о
~
!/
v
~
vt Uк3 =2В
~
1\. КТ817А-КТ817Г
~
1
f\
1\1
1'..1
Г'
1 2 '161020 '1060100200 60010DOJ3 ,мi1
Зависимость статического коэф­
фнцЕента передr.чн гока от тоrса
эмиттера.


r25
1151
~10-
а:!- 51---+--+--+--~--1
OL-_L~...t__.1.---i-::-'--
213 253 293 333 373 !н,К
Зависпмость максимально до­
пустимой мощности рассеива­
ния коллектора от температуры
корпуса.
6 КТ817А - KT817f'
ц t--t-+-ffif--t-----1-+--I
~2t---t--:-:-::'7--J~--+::to-JJ~-<
0,1<:--'- - -L -LJ ...J .. ..- l_J_ _.Jr:::J::L
12
цо Uкз,В
Область максимальных режи­
мов.
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, КТ819АМ,
КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ
Транзисторы кремниевые меза­
эпитаксиально-планарные п-р-п уни­
версальные низкочастотные мощ­
ные. Предназначены для примене­
ния в усилителях низкой частоты,
операционных и дифференциаль­
ных усилителях, преобразователях
и импульсных схемах.
Транзисторы КТ819А, КТ819Б,
КТ819В, КТ819Г выпускаются в
п:~астмассовом корпусе с гибкими
выводами (вариант !), транзисторы
КТ819АМ, КТ8!9БМ, КТ819ВМ,
КТ819ГМ - в мста:шостеклянном
корпусе с жесткими
выводами (вари-
ант 2). Обозна•1е-
1111е пша прпводит­
ся на корпусе.
Масса транзис­
торов
КТ819А,
КТ8!9Б, КТ819В,
КТ8!9Г не бо.1ее
2,5 г, транзисторов
КТ8!9АМ,
КТ819БМ,
КТ819ВМ,
КТ819ГМ
не более 15 г.
13
10,З
З,t!
Вар1ш.'1m1
10,65 ~
/{олле11тор
!Japuaнm 2
1, 37
--н--
1,1
z,в
/..,.ч,в
35,6
~1
1
...
~-----з_а_____,~
16,g
/
Коллектор R 13 1 55"
Змцттвр
487


Электрические парамеЧJы
Граничное напряжение при lк = О, 1 А, 1:11 ,,;:;; 300 мкс,
Q;,, 100 не более:
КТ819А, КТ819АМ.
25В
КТ819Б, КТ819БМ
40В
КТ819В, КТ819ВМ .
60В
КТ819Г, КТ8!9ГМ .
80В
Напряжение насыщснпя коллектор-эмипер 11μ11 lк = 5 А,
JБ=0,5Анеболее.
Напряжение насыщения база-эмнттер при lк = 5 А,
/Б=0,5Анеболее.
.
.
.
.
Статический коэффиписнт передачи тока в схеме с общт.1
эмиттером прп ИкБ = 5 В, lк = 5-А не менее:
КТ819А, КТ819В, КТ819АМ, КТ819ВМ .
КТ819Б, КТ819Г, КТ819БМ, КТ819ГМ.
Граничная частота коэффициента передачи 1ока в схеме
с общим эмиттером при ИкБ=5 В, lэ=0,5 А не
менее.....
.
.
.
.
.
.
Обратный ток коллектора при ИкБ = 40 В не более . .
Предельные э1ссп:ту:пац11011ные данные
Постоянное напряжение коллектор-э:-.шттер при т. = 233 -' -
373 К:
КТ819А, КТ819АМ
КТ819Б, КТ819БМ
КТ819В, КТ819ВМ
КТ819Г, КТ819ГМ
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер прн R 63 ,,;:;;
,,;:;; 100 Ом, Тк = 233-'- 373 К:
КТ819А, КТ819АМ .
КТ819Б, КТ819БМ .
КТ819В, КТ819ВМ .
КТ819Г.....
КТ819ГМ
Постоянное напряжсинс база-эмиттер при т. = 233 -:- 373 К
Постоянный ток коллектора при Т, = 233 -' - 3 7 3 К:
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г . .
КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТS19ГМ
Импульсный ток коллектора прп т11 ,,;:;; 1О мс, Q ;,, 100,
тк=233 -'- 373к:
КТ819А, КТ8!9Б, КТ819В, КТ819Г . .
КТ819АМ, КТ819БМ, ICT819BM, КТ819ГМ
Постоянный ток базы при т. = 233 -'- 373 К .
Импульсный ток базы при т11 .;; 10 мс, Q;,, 100,
т.=233 -7-373к. . .
.
.
.
.
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
с теплоотводом при Тк .;; 298 К:
488
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г . .
КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ .
2в
3в
15
12
3 МГ1t
1мА
25в
40в
60в
80в
40в
50в
70в
100 в
90в
5в
10А
15А
15А
20А
3А
5А
60 вт
100 Вт


г---
1
?"е.;0;еплоотвода при Т < 298 К:
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г.
1,5 Вт
КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ __ •
Температура перехода .
2Вт
'398 к
0;2-з--3--110
Температура окружающей среды .
т. = 373 к----------
п р им сч а и и я; 1. Постоянная рассеиваемая мощr:ость коллек­
тор<! без теплоотвода при Т" = 298 + 373 К сннжаетсн линейно на
0,015 Вт через 1 К КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ8!9Г и на 0,02 Вт
через 1 К КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ.
2. Пайку выводов разрешается производить на расстоянии не
менее 5 мм от корпуса.
При !V!Онтажс в схему транзисторов КТ819А, КТ8!9Б, КТ8!9В,
КТ819Г допускается одноразовьШ изгиб выводов на расстоянии не
менее 2,5 мм от корпуса под углом 90 , радиусом нс менее 0,8 мм.
При этом должны 11рипиматься меры, иск;-~ючающие возможность
передач11 усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допуска-
ется.
КТ819АМ-КТ819ГМ
120
1001------------j
~ во в~~~~~~-.~~
~
Зависимость максимао1ЫЮ до­
пустимой мощности рассеива­
ния кол.1ектора от температуры
корпуса.
I5,A КТ819А-КТ819В
hz1з
О,8
120
~6L--~~---1---~~.Н--1
~Цl---1~-+~~~-';----j
0,2
90
60
30
/
120r-------~-~
КТ819А-КТ819Г
100 10---г--.----.----1--~
.._
808
<t)
СтеплоотбоiJом
u6
~60
~
с...,,;.40 4
Зависи:\о!ость максимально до­
пустимой мощности рассеива­
ния коллектора от температуры
корпуса.
1
r1"
,
КТ819А-; КТ8198
~н-n~"-
vv 11
'
Uкэ =58
'\.
" >....
о L---J.. -:s: ::__i__ .L:--'
О,Ч 0,5 0,6 0,7 D,8U5э,B 0,010,02 0,060,10,20/1-0,61 2 4- б Iз,А
Вхо;щая характеристика.
Зависимость статического коэф-
фициента передачи тока от тока
эмиттера.
489


1,2
КТ819А - !(Т819В
1
2
1
1
1
КТ819А -КТ819В
!__
-r--
t---."
0,6
(() 0,4
О,8
1
""
">
~06
-:::::::. )
~ 0,4
::}
0,2
о
10 20 4060100 400 103 2
Зависимость напряжения кол­
лектор-эмиттер от сопротивле­
ния база-эмиттер.
110
Cl:j
~ 901----1г---г----1,г----1~с-1
с:;
КТ819А-КТ818В
'"
$ во i----t--+----+---+--~
70r--+---+---+---f---I
60~~---'------~-'---'
213 253 293 333 373Тк,К
'
~ 0,2
;j 0,1
-::о""О,06
0,04
1--Iк/I Б =10
/
v
~
v
~ ......
О,02
0,01
4 Rsз,Ом
О,10,2 О,4 0,6 1 2
Зависимость напряжения насы­
щения коллектор-эмиттер от то­
ка коллектора.
Заnисимость Еремени выключе­
ния от тока коллектора.
Зависимость статического коэф­
фициента псрсда•ш тока от
температуры корпуса.
Зависпмост1. граrРРiного напря­
женпя от те;"шературы корпуса.
КТ821А-1, КТ821Б-1, КТ821В-1
Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные п-р-п уни­
версальные низкочастотные мощные.
490


Предназначены .rtля применения
в усилителях низкой частоты, оп~­
рационных и дифференциальных
усилителях~ преобразователях п
импу:~ьсных схемах гер~·1е rизt1ро­
вuнной аппаратуры.
Кал.лвнтор
Бескорпусные, с гибки~.ш вы­
во;:~.алш, без крнстал:юдержатс,1я,
с защптным покрытие~1. Каж;<ыii
транзистор упаковывается в ин;rп­
видуальную тару. Обозначение тиш.1
приво 11ится на сопроводительной
таре.
Масса транзистора не бо.<ее
0,02 г.
Электрические параметры
Граничное напряжение при lк = 50 мА, т" ,;: 300 мкс,
Q? 100 не менее:
KT821A"J
КТ821Б-1
KT82 JB-1
Напряжение насыщения коллектор-·;;\шттер при Iк = О,5 А,
/Б=0,05А неболее .
На11ряжение насыщения база-Jмиттер нрн lк = 0,5 А,
lв=0,05 А не более .
Статический коэффициен1 передачи тока в схеме с общим
JМ1птеро'.1 при Икв = 2 В, lк = 150 мА пе менее:
КТ821А-1, КТ821Б-1 .
КТ821В-1
Граничная частота коJффюп;.~нта пере.1ачи TOJ(a в схеме
с общим эмиттером при Икэ=5 В, lэ=0,03 А нс
менее.
Емкость коллекторного перехода при Икэ = 5 В,
40в
60в
80в
0,6 в
1,2 в
40
30
3 МГц
f=465 кГп не более .
40 пФ
обратный ток ко:шектора при Uкь = 40 В не бо.1ее .
30 мкА
Нреде.:.~ы1ые эксплуатационные дr.ш1ые
Постояшюе напря'!:~Ш!С коллектор-эмиттер при Rьэ <:;
< 100 Ом, Т= 233-;- 358 К:
КТ821А-1
КТ821Б-1
КТ821В-1
Постоянно<: шшря3.:енн~ база-эмиттер при Т = 233 -;- 358 К
Постоянный ток ко.:ыt"к ropa ТJГИ Т = 233 + 358 К .
И:vШу!'ьсный ток кол::ектора нри т11 ,;: 10 мс, Q? 100,
т=233 -;-358к.
Посто>1нный 1ок базы прп Т= 233-; - 358 К.
ПостояЕная рассеиваемая мощность кол.'Jектора .9 составе
гибридной схемы при Т = 233 -;- 298 К .
50в
70в
100 в
5в
0,5 А
1,5 А
0,3 А
10 Вт
491


Температура перехода .
Температура окружающей среды
398 к
От 233 до
358 к
Пр им е чан и я: 1. Максимально допустимая постоянная рассеи­
ваемая мощность коллектора, Вт, в составе гибридной схемы при
Т = 298 -о- 358 К опреде;~яется по форму.1с
Рк ""'" = (398 - Т)/20.
2. Допускается пайка выводов на расстоянии не менее 3 мм от
защитного покрытия.
КТ823А-1, КТ823Б-1, КТ823В-1
Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные п-р-п уни­
версальные низкочастотные мощные.
Предназначены для применепия в уси,>ителях низкой частоты,
операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях
и импульсных схемах.
Бескорнусные, с гибкими выво­
дами, без кристаллодержателя, с
защитным покрытием. Каждый
транзистор упаковывается в инди­
видуальную тару. Обозначение типа
приводится на сопроводительной
таре.
Масса транзистора нс более
0,02 г.
Jмиттер
Электр11чесю!е параметры
Граничное напряжение при / 3
= 100 мА, \.,; 300 мкс,
Q;;. 100 не менее:
КТ823А-1
КТ823Б-1
КТ823В-1
11апряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к= 1 А,
/Б=0,1 А не более
>Iапряжение насыщения база-э/\шттер при Iк = 1 А,
/Б=0,1 А не бо;~ее .
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим
эмиттеромприИкэ=2В,/к=1Анеменее.
,~?аничная частота коэффициента пере;щчи тока в схеме
с общим э:миттсром при Икэ = 5 В, Iк = 0,05 А
не менее.
Емкость коллекторного перехода при Икэ = 5 B,f = 465 кГц
не более
Обратный ток коллектора при ИКБ = 40 В нс более
492
45в
60в
t!O В
0,6 в
1,5 в
25
3 МГц
75 пФ
50 мкА


r Предельпые эксплуатационные дапные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБэ . ,;
.,;1кОм,Т=2337358К:
КТ823А-1
КТ823Б-1
КТ823В-1
Постоянное напряжение база-эмиттер при Т = 233 7 358 К
Постоянный ток КОiIЛектора при Т = 233 7 358 К .
Импульсный ток коллектора при т" <;; 20 мс, Q :;;> 100,
т=2337358к.
Постоянный ток базы при Т = 233 7 358 К .
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора в составе
гибридной схемы при Т = 233 7 298 К
Температура окружающей среды .
45в
60в
100 в
5в
2А
4А
0,5 А
20 Вт
От 233 до
358 к
2Т824А, 2Т824АМ, 2Т824Б, 2Т824БМ
Транзисторы кремниевые меза-планарные п-р-п импульсные низ­
кочастоrные мощные высоковольтные.
Выпускаются в мегаллокерамическом корпусе с жесткими выво­
да:\ш (2Т824А, 2Т824Б - вариант 1) и в мсталлостеклянном
корпусе с жесткими выводами (2Т824АМ, 2Т824БМ ~ вариант 2).
Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
12
22
(о
~
Коште,rтор
12
Коааектор
Вариант 1
Эмиттер
(()
<!-~
,....
'б).
Вариант 2
27,1
R4,!i
17
Эмиттер
493


Эле1прнческне параметры
Модуль коэффициента передачи тока при ИкБ = 10 В.
fк=0,2А,f=1МГцнеменее.
3,5
типовое значение . . .
6*
Времяспаданрн Икэ~100В, fк=5А, /Б=2,5 А нс
1,8 ~.шс
Статнческнй ко1ффицнент перелачп тока в схеме с общим
эмиттером:
при Т=293 К. Uк'Э=2,5 В, fк=8 А пе У!еНее
5
типовое значение . . .
15*
нри Т=213 К, Икэ=2.5 В, fк=8 А не менее
3
при Т=398 К. Икэ=2,5 В, fк=5 А не менее
4
Граничное нанряжение при fк = 100 мА, tи <;; 200 мкс
неменее.....
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
приfк=8А,16=1,6Анеболее.
•
типовоезначение. . . . . .
приfк=17А,16=5Атиповоезначение.
Напряжение насыщения база-эмиттер прп fк = 8 А,
16=1,6Анеболее.
типовое значение.
Обратный ток коллектора не более:
при Т= 298 К:
при Ик 6 = 700 В 2Т824А, 2Т824АМ
при ИкБ = 500 В 2Т824Б, 2Т824БМ
при Т= 213 К:
при Ик 6 = 500 В 2Т824А, 2П24АМ
при Икr, = 400 В 2Т824Ь. 2Т824БМ
при Т= 398 К:
при Ик 6 = 400 В 2Т824А, 2Т824ЛМ .
при ИкБ = 300 В 2Т824Б, 2Т824БМ
Обратный ток Jмиттера при И36 = 6 В нс более
Емкость коллекторного нерехо11а при Ию;= 100 В,
/=1МГцнеболее.
Емкость эмиттерного перехода при UэБ = О. f = 1 МГц
неболее........
Предельные :жсплуатащюнные данные
Постоянное напряжение кол,>сктор-эмиттер
RэБ.;; 10 Ом, lнр? 3 мкс, Тк =213 -о- 373 К:
2Т824А, 2Т824АМ .
2Т824Б, 2Т824БМ . .
Импульсное напряжение ко,1лектор-эмиттер
RэБ=10Ом,т.=2337358К:
494
при1:11 <;;20мкс,'Ф?3мкс,Q?3:
2Т824А, 2Т824АМ . . . . .
2Т824Б, 2Т824БМ . . . . .
при'tи<;;500мкс,'tф?0,5мкс,Q?2
при
при
350 в
2,5 в
1,1*в
1,9* в
2,5 в
1,8*в
5мА
5мА
10 мА
10 мА
10 мА
10 мА
50 мА
250 пФ
8000 пФ
400 в
350 в
700 в
500 в
400 в


Постоянное напряжение эмпттер-бnза при т. = 213 -7- 398 К
Постоянньп! тоrс кою1еrпора щш Т, = 213 -7 - 398 К
Импу.'lьсный ·1ок ко.1лектора п;л1 •и~ 20 мкс,
Тк=213-7-398 К:
приQ?10.
при Q?2.
Постоянный ток базы нри Т, = 213 -7 - 398 К
Импульсный ток базы при т11 ,,;; 20 мкс, Т, = 213 -7- 398 К:
приQ?10.
при Q?2 .
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при
тк=213 -7-323к.
Температура окружающей среды.
.
7в
10А
17А
12А
4А
7А
5А
50 Вт
От 213 до
т"= 398 к
Пр и :--1 е чан и е. Максимально допустимая постоянная рассеивае­
мая мощность ко;тлектора, Вт, при Т, ? 323 К определяется по
формуле
Рк. ,шкс = (423 - Тк)/2.
Максимально лопусти'V!ое импульсное напряжение коллектор­
эмиттер (при "Ф? 3 мкс) при понижении температуры корпуса от
233 до 213 К и повышении температуры корпуса от 358 до 373 К
снижается линейно до 500 В 2Т824А, 2Т824АМ и до 400 В 2Т824Б,
2Т824БМ; нри повышении температуры корпуса от 373 до 398 К это
напряжение снижается линейно до 400 В 2Т824А, 2Т824АМ и до
300 В 2Т824Б, 2Т824БМ. Максимально допустимое импульсное напря­
жение ко;шектор-эмиттер (при "Ф ? 0,5 мкс) при понижении темпера­
туры корпуса от 233 до 213 К и при повышении температуры
корпуса от 358 до 373 К снижается линейно до 350 В; при по­
вышении те:v~пературы корпуса от 373 до 398 К э·ю напряжение
снижается линейно до 300 В. Максимально допустимое постоянное
напряжение коллектор-эмиттер при повышении температуры корпуса
от 373 до 398 К снижается линейно до 300 В. При подаче на
закрытый транзистор импульса напряжения с Uкэ ? Икэо.гр амплиг;­
да тока прн переходно:--1 процессе не должна превыша 1ъ 0,4 В/ RэБ·
Пайка выводов допускается на расстоянии не меые;е ! ,5 мм от кор­
пуса.
КТ826А, КТ826Б, КТ826В
Транзисторы кречписвые меза-планарные п-р-п переключа1.:ль­
ные высоковоль·1 ныс низкоч~стотныс мощные.
Пре'!назначены для работы в схемах прсобразовате.'!ей посто­
янно~ о напряження, высоковольтных стабилизаторах, клю<~евых схеыах.
Выпускаются в мета.'!лостекляшюм корпусе с жесткими выво­
дами. Обозначение типа нриводится на корпусе.
Масса транзистора нс более 17 г.
495


Электр11чес1ше параметры
Граничное напряжение при Iк = 100 мА, t" = 160 мкс,
Q~ 10 не менее:
КТ826А, КТ826В .
КТ826Б .
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при lк = 0,5 А,
ТБ=0,2неболее.
·
Напряженпс насыщения база-эмиттер при lк = 0,5 А,
ТБ=0,2Анеболее.
Статический коэффищ1е:п передачи тока 13 схеме с об­
щим эмиттером при Икэ = 10 В, lк = 0,1 А:
при Т=298 К
при Т=398 К
при Т=213 К
ВремяспадаприИкэ=500В, lк=0,5А, /6=0,2 А,
RБэ = 10 Ом нс более:
КТ826А .
КП26Б .
Модуль ко:Jффштента перет1чи тока в схеме с oGщII.\.I
эмиттеромприf=1МГц, Икэ=15 В, lк=О,1А
не менее .
Емкость коллекторного переход::~* пrи Uк 6 = 100 В,
f= 1 МГц не более
типовое значение.
Емкость эмиттерного перехода* ври U63 = 5 В, .f =
= 1МГцнеболее
типопое зн::tченне .
Обратный ток коллсктор-эмитгер пра
не более:
приТ=298К,Uкэ=700В.
приТ=398К,Икэ=300В.
при Т=213 К, Икэ=~ОО В
Обратный ток эмиттера при ИБэ = 5
496
RБэ= 10 Ом
в не более
500 в
600 в
2,5 в
2в
10-120
5-300
5-120
1,5 мкс
0,7 мr;с
6
25 !!Ф
20 [[(~)
250 nФ
200 пФ
2мА
5мА
4мА
3мА


Пределы1ые эксплуатащюппые данные
Постоянное напряжение
ко.1лектор-э~шттер
при
R63<;;1ООм,Тк=213 -'- 348К.
Импу;тьсное напряжение ко.1ле1;тор-эмиттер
при
RБэ<;; 1ООч, т11<;; 20 мс.Q>50:
при 'Ф ? 0,2 (скорость нарастzшия псре;щсго фронта
неболее3,5В/нс),Тк=213 -'-348К.. ....
при "Ф ? 1.5 мкс (скорость нарастания переднего
фронта не бо.'Jее 0,66 В1нс), Т, = 298 К КТ826Б
Постоянный 11 импульсныli токи t:ол;тсктора пrш
Тк=213-'-398К.
Постоянный и импульсный ток!1 базLI при Т, = 213 -~ 398 К
Постоянная рассеиваемая !'.ЮШЕость коллектора при
т.=213 -'- 323к.
Температура перехо;:щ .
Температура ко;шуса .
Температура окружающей срсдн
700 в
700 в
1000 в
IA
0,75 А
15 Вт
423 к
398 к
От 213 до
т.=398к
Пр им е •1 ан и я: 1. ~Л:.н-:сшл:tJ1ьно ;щпустпмая постоянная рас­
ссивэе~.!ая мощное~ ь, Вт, при Тк = 323 - '- 393 К рассчитьшастся по
формуле
2. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм
от основания корпуса.
Q:J 800
"
~ 700
<:!
~
"'
600
"'"'
~ 500
"
"'
~ 1100
""
1
1
1
КТ826А- КТВ268
1
\
1
\
\
\
<;;, JOO
::::,
213 253 293 333 373Тк,К
Зшшснмостъ МШ(СJ!',1~'лъпо до­
пустнмого ПОСТОЯЕНОi О И ИМ­
ПУЛЬСНОГО наilряженнй коллек­
тор-эм11ттер от тб1пературы
корпус;~,.
Входные характеристики.
Зависимость макснма."Jьно до­
пустимой мощносп1 рассс:ша­
ния !(ОЛ:!ектора от темпера гу-
ры корпуса.
I6,мА
IJOO КТ826А-
КТБ2SВ
JOO
200
100
о
0,5 0,6 0,7 0,8
11
15
12 _ kT82GA'- l
.t9
~6
:е
"-"" 3
о
КТ82БВ
\
:
1
\
0,9 U53,B
t\
\\
11.
213 253 293 333 373 цщ;,,к
497


100
60
цо ;;7"'
-<f:l 11'
"'20
~10
.с:: 8-
-
Uк3 =1 1рв
-кiвгk1~
_,
-ктвгБв
\
'
'
6
ц
2
1
-
"
10 20 LJDБO 100 200 ЦОО Iк,А
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тока
коллектора.
200>----+-+---+-~-t--~-+-----<
о'""""---1.~-'-~-'-----''----'
0,6 0,7 0,8 0,9 1U53, В
Зависимость тока кол.аектора от
напряжения база-эмиттер.
201------t-~--!"~-+-~-+-----J
10'---' ---L--' ---' --.. =ol
О 20 ЧО 60 80Uк5,В
Зависимость емкости хо"-~лсктор­
ного перехода от напряжения
ко.rыектор-база.
498
15
12
КТВZБА-
КТ826В
Q;)
9
"
<>
"'
"'
..; 6
1
-!f
3
qzA Iк=О,5А
о 100 200 300 1+00 l5,мА
Зависимое 1ъ напряжения насы­
щения кол">ектор-э:vшттер от то­
ка базы.
Зависи!l-!ость гранично\'~ частоты
от тока коллектора.
Зависимссть емкости эvшттер­
ного перехода ог напряжения
база-эмиттер,


r1
Uкз,В
600
,'j00
'100
300
100
1000 R63 ,Ом
За1шс;;мос1 ь максимально до­
пустимого шшряжсния кол:тск­
тор-л.~иттер от сопротивления
база-эми пер.
40,_L-L..-~.J--~-'-~-'-~~
213 253 293 333 373Тк,К
Зависимое 1ь статичсско1 о коэф­
фвциен i а передачп тока от тсr"1-
пературы корпуса.
10
8
""'~
6
"'
"'
"'с.;
~"" ц
2
о
гч68Iк/IБ
Зависимость напряжения насы­
щения коллектор-эмиттер от
lк//Б.
Iк,А
1
0,6
О,'-!
О,2
0,1
0,06
О,О'-1
0,02
0,01
0,006
О,00'!
0,002
0,001
0,0005
1
1
' '\.
Т,, 298К
~
Т,,=lf23K
"'
! КТ826А \'\
~ н-!,'1\
~ '-- '- КТ82БА КТ8258 r\~
'
-
c_l I КТ826Б......_
"
__
111 1111 R
КТВ26А-КТ82б8 1
-
~p~i 1dи'(dt f ~>fr81~c~
2 lf 610 20 1/060100200 Uнз,В
Область макси:'v!альных режи­
мов.
КТ827 А, КТ827Б, КТ827В
Т~аазисторы кре)щпевыс :.1еза-эпитаксиально-планарные п-р-п со­
ставные универсальньrс низкочастотные мощные.
Предназн«чены для работы в усилителях низкой час.-оты, им­
пульсных усилитеJiЯХ мощности, стабилизаторах тока и напряжения,
повторителях, переключателях, в электронных системах управления,
в схемах автоматики и ~ащиты.
Выпускаются в мета.'!лостеклянном корпусе с жесткими выво­
дами. Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
499


Гранпчпое иш1ряжстrе
tи<300мкс,Q~ICC:
КТ827А.
типовое значен~1е
КТ827Б.
типовое значение
КТ827В.
типовое значевпе
Г.р!I
lк. = 100
Напряжение насыщения коллсктор-Э"-ШТтер:
приlк=1ОА,lr;=40мА.
типовое значение .
приlк=20А,lr;==200мА.
пmовое знач~ние .
Н~.прпжешiе насыщения база-эмиттер при lк = 20 А,
!Б=200мА.
типовое значение .
Статический коэффициент ш:рсдачи тока в схеме
собщимэмиттеромприИк>=3В,lк=10А:
приТ=298К.
типовое значение
приТ=398К.
приТ=213К.
типовое значение
Статический коэффициент передачн тока в схеме
собщимэмиттеромприИкэ=3В,lк=20Ане
менее
100-140 * в
110*в
80-100 * в
90* в
60-80* в
70* в
1*-2 в
1,45*в
1,8*-3* в
2,4* в
2,6 *-4 в
3*в
750-18000
6000 *
750-18000
100-3500 *
750 *
100
Вре!'.!Я включения при lк = 10 А, !Б = 40 мА 0,3 *-1 * мкс
типовое зпачение
0,5 * мкс
Время выключен~1я при lк=10 А, !Б=40 мА 3*- 6* мкс
типовое значение .
Время рассасываппя при Iк = 10 А, !Б = 40 мА
типовое значение .
Модуль коэффiщиента передачи тока при Икэ = 3 В,
lк=10А,f=10МГцнеменее.
500
4* мкс
2 *-4,5* мкс
3* мкс
0,4


Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 1О В
типовое значение .
Емкость эмиттерного перехода при UБэ = 5 В
типовое значение .
200*- 400* пФ
260*пФ
160*-350* rrФ
180* пФ
Входное напряжение база-эмиттер при lк = 1О А,
Икэ=3В.
типовое значение .
Обратный ток коллектор-эмиттер при R 6э = 1 кОм
не более:
1,6*-2,8* в
2*в
при Т=298 и Т=213 К.
приТ=398К.
Обратный ток эмиттера при ИБэ = 5 В не более
Предедьные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБэ =
= 1 кОм и постоянное напряжение коллектор-база
приТк=213+398К:
КТ827А
КТ827Б
КТ827В
Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при
Тф = 0,2 мкс:
КТ827А
КТ827Б .
КТ827В .
.
Постоянное напряжение база-эмиттер при т. = 213 + 398 К
Постоянный ток коллектора при т. = 213 + 398 К
Постоянный ток базы при т. = 213 + 398 К .
Импульсный ток коллектора при т. = 213 + 398 К
Импульсный ток базы при т. = 213 + 398 К.
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при
т.=213+298к.
Тепловое сопротивление при Икэ = 10 В, lк = 12,5 А.
Температура перехода .
Температура окружающей среды .
3мА
5мА
2мА
100 в
80в
60в
100 в
80в
60в
5в
20А
0,5 А
40А
0,8 А
125 Вт
1,4 К/Вт
473 к
От 213 до
т. =398 к
Пр нм е ч ан и я: 1. Максимально допустимая постоянная рас­
сеиваемая мощность коллектора, Вт, при т. = 298 + 398 К опреде­
ляется по формуле
Рк. макс = ( тп - т.)/Rт. П-К•
где Rт. п-" - тепловое сопротивление переход-корпус, определяется
из области максимальных режимов.
2. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм
от корпуса транзистора.
501
\


hz1з
400001-----+ - - -'<--+ -r --t -+ -- - -1
200001---~<+---+-l---1'-+---1
10ооо~~~=Е~~Е~
6000~
1-ЮОО
20001----+---+-r-1r-+----"i~
1000\=_=;;::::;;;j~~E+:1~==~
600
~g~\1-_т"-+l-2з;+:131т l
1
2
4 6В1011uА
Зона возможных положений за­
висимости статического коэффи­
циен~а передачи тока от тока
~
<>
<::1
"'
коллектора.
3,5 КТ827А-КТ827В
J 1-----1--+--+---.1----!
~ ~51--~f-'l~ho<----il-----1---1
~
175
КТ827А -КТ8278
15о1----t----+-
1
--+ --+ -----!
~ 125 1---Т~-+--+--+---1
"'
"'
- : :: : :. " " 100 1----1 --+--+-= '!----1
502
751-----<--+--~--+--~
so.____._~_,__.._~_.___.
О
2 J L/ RБЗ,кОм
hz1з
1
1
11
,.___ _
4000
2000
1000
>----К,827А т КТ827В
~t--"l--~
iUкз=~В ' !' -.
600
400
200
100
60
40
20
10
-
1
1
~----г-т = 213 к
_Jн
~---г--~-i-
~-
.._ __
i..---
'
~\
'\\
~
--
....
-....,
i
1
2
4 6810Iк,А
Зона возможных положений за­
висимости статического коэффи­
uиента передачи тока от тока
кол.1ектора.
2,25
КТ827А - КТ8278
2 Г--:::;;;F;==!=~=~-=1
и 1 Iк=10А
~
БЭ.нас
~ ~75f-i:J::::::::+=:;;;:j:==:;:I:==~
~
5
~ 1, 5 14--l---l-----i~---i1~0---I
"'
~ 1,25
<:>:i
Iк=5А
$
Зависимости напряжений насы­
щепий коллектор-эмиттер и ба­
за-эмиттер от тока коллектора.
Зависимости напряжеrшй насы­
щений кол.1ектор-Jмиrтер н ба­
за-эми rтер от тока базы.
Зависимость максимально до­
пустимого напряжения коллек­
тор-эмиттер от сопротивления
база-э:-.шттер.


\hг1эl КТ827А -КТ8278
5l----l--_J.,o4.+~-.l---+-+-1
Iк
20
10
в
6
ц
2
1
0,8
0,6
0,11
0,2
0,1
1
1
1'~
Тк =298К _
\
'
'
'
\
\
KT827A-t .
КТ827Б--[~\
~~~27~-К\\
1 2 /./ 681020 ЦОUкэ,В
Зависимость модуля коэффици­
ента нередачи тока от тока
ко.>лектора.
Область максимальных режи­
мов.
КТ828А, КТ828Б
Транзисторы кремниевые меза-планарные п-р-п импу:тьсные вы­
соковольтные низкочастотные мощные.
Предназначены д.1я раба rы в схемах источников питания, вы­
соковольтных ключевых схемах.
Выпускаются в мсталлостеклянном корпусе с жесткими выво­
дами. Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
R4,S 2от§. Ф4,1
3,Вu-1---1----"- Змиттер
1J 10,3
Электрические параметры
Граничное напряжение при lк =О,!, 'tи = 300 мкс,
Q:;. 50 не менее:
КТ828А
КТ828Б .
700 в
600 в
503


Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = 4,5 А,
/Б=2А:
при Т=298 К .
типовое значение .
приТ=213КиТ=398Кнеболее.
Напряжение насыщения база-эмиттер при /~< = 4,5 А,
/Б=2А
типовое значение .
Статический коэффиuиент передачи тока в схеме с обшим
эмиттером при Икэ= 5 В, Iк=4,5 А не менее
тиrювое значение .
Модуль коэффициента передачи тока при /= 1 МГц,
Икэ=20В,Iк=100мАнеменее.
типовое значение .
Время включения при Икэ = 500 В, Iк = 4,5 А, /Б =
=1,8Анеболее.
типовое значение .
Время рассасывания при ИкЭ = 500 В, Iк = 4,5 А, /6 = 1,8 А
не более.
типовое значение .
Времяспадапри Икэ=500 В, Iк=4,5 А, /Б=1,8 А
не более.
типовое значение .
Обратный ток коллектора при ИкБ = 1400 В КТ828А;
ИкБ= 1200ВКТ828Б, Т= 298Кнеболее.
Обратный ток коллектор-эмиттер при R 6э = 10 Ом,
Икэ = 500 В КТ828А; Икэ = 400 В КТ828Б не более:
приТ=213К.
при Т=398 К •
Обратный ток эмиттера при И6э = 5 В не более.
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
RБЭ= 10 Ом, Т.=213+353 К:
КТ828А
КТ828Б .
.
Импульсное напряжение коллектор-эмиттер
RБэ=10 Ом, Тк=233 -;-358 К, 'tи.;;40 мкс,
'Ф;;;. 3 мкс:
КТ828А .
КТ828Б .
при
при
Q;;,,, 10,
Постоянное шшряжение база-эмиттер при Т, = 213 -;- 398 К
Постоянный ток коллектора прп т. = 213-; - 398 К
Импульсный ток коллектора при 'tи .;; 10 мс, Q ;;,,, 2,
Т.=213+398К.
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при
Т,=213+323 К.
Температура перехода .
Температура окружающей среды
Or 213 до
504
0,5 *-3 в
1*в
5в
0,95*-З в
1*в
2,25
4*
4
7*
0,55 .\-!КС
0,4 * мкс
10 мкс
5* мкс
1,2 мкс
1* мкс
5мА
5мА
10 мА
10 мА
800 в
600 в
1400 в
1200 в
5в
5А
7,5 А
50 Вт
423 к
т.=398 к


П р и м е ч а н и е. Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
КТ828А при Т, = 358 + 398 К снижается линейно до 500 В и
КТ828Б до 400 В.
Импульсное напряжение коллектор-эмиттер КТ828А при изменении
т.от233до213КиувеличениеТ,от358до398Ксни­
жается линейно до !ООО В, КТ828Б до 800 В.
Скорость из:\1снсния напряжения на коллекторе (dИкэ/dt) КТ828А
при т. = 233 + 358 К не более 0,46 В/нс, КТ828Б не более 0,4 В/пс;
при т. = 213 + 398 К КТ828А не более 0,33 В/нс, КТ828Б не более
0,26 В/нс.
Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при 'Ф ;;, (),3 мкс,
Q ;;, 2, т" ,;; 40 мкс (dUю/dt,;; 2,3 В/нс и 2 В/нс КТ828А и КТ828Б
соответственно) снижается линейно до 700 В KT82SA и до 600 В
КТ828Б при т. ,;; 358 К. При Тк = 358 + 398 К это напряжение
снижается линейно до 500 В КТ828А и до 400 В КТ828Б
(dUюiilt,;; 1,65 В;нс КТ828А и dИкэ/dtt,;; 1,33 В/нс КТ828Б).
Для улучшения теплового контакта рекомендуется смачивать
нижнее основание транзистора полиметилснлоксановой жидкостью
ПМС-100 ГОСТ 13032-77.
За температуру корпуса принимается температура любой точки
опорной плоскости основания транзистора в пределах окружности
диаметром 20 мм.
I 5,А КТ828А,КТ828Б
ЦL--+---+---f----l---1
JL--1----i---l-J'-+--+~
2 L--+ --1 --.+ ---lf---1
Входные характеристики.
s~~-.....:.--.---,---,--__,
ч 1-----1- -+cl---+
J1----'---'-"
21---1---Ji..+---1--h~i---'
hz1э
ЧО
30
20
10
о
1,1
~71----,~/~=--1-~~---1
Iк=О,5А
~6~~..__~.._~..__~..__--.J
о2ц6
Зависимость напряжения насы­
щения база-эмиттер от Iк/IБ.
111
1
КТ828А,
и1
-'5'
кэ- в
КТ828БI
v --~
J..... - "'
'
./
1'.
~
\
о
ч6
0,010,02 0,060,10,2 0,ЧО,61 2 Чiк,А
Зависю.1ость напря:жения насы­
щения коллектор-эмиттер от
lк/IБ.
Зависимост·Ь статического коэф­
фициента г;ередачи тока от тока
коллектора.
505


Ск,пФ
f./.00
1
1
КТ828А,
КТ828Б
JOO
1
\
\,..
-
200
100
о 20 L/O 60 8ОUк5,8
Зависимость е~1кости кол,-~сктор­
ного перехода от напряжения
коллектор-база.
50
f./ .01- ---f--t - --t '<-+- --1
101---+-+- -+- -+-+-i
о,_____.__ _.__=-----'~--!
213 253 293 JJJ 373!,,,К
Зависимость максимально до­
пустимой мощности рассеива­
ния коллектора от температуры
1
-3
10
.корпуса.
r
КТ82ВА-l_L
_,
"·
КТ8285
'1.
'
\
+-=
г--~-~ll 1 \
-~~=32sКCI '
_
lп""':_l.f_23K
\
'
-
1
'1.
t\
1
'\!
КТВ2ВА
КТ828Б
1 111
г
11
1 2 1161020 '1060100
'100 800
Uк3,8
506
2500 f---+ --- -"<+----1 --- -1- __ _ .. j
2 ООО t---t---t--"'lo~-+---1
1ООО.___.__....._____,__
__.___,
о
2
Зависпмость емкости эмиттер­
ного перехода от напряжения
база-эмиттер.
9
КТ828А,КТ828Б
81--- 'lli----1- -4 --- -- -1- -- --4
<.>
~ 71---1---1--~l---l----I
u
d
"°<>.. 6 1---1-- -l-> ' --"-- l----I
51--+--+--f-~-~
ц..__..___.__.___..____,
о
2J
Зависимость времени рассасы­
вания от тока коллектора.
Область ма ксимальпых реж и-
~юв.
0,85
~
0,8 КТ82ВА, КТ828Б
1
1
~ 0,75
1
~
Е о,7
.. .,
0,65
0,6
о
2 J ЦIк,А
Зависимость времени спада от
тока коллектора.


КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г
10,Ч
Транзисторы крс-.,шиевые меза­
п.1анарныс п-р-п составные уни­
верса.1ьные низкочастотные мощ­
ные,
Jгf з, 75
4,б
1,З7~
Пре.1назначены д,rя работы в
усилителях низкой частоты, ключе­
вых СХС'.!аХ.
~1
~1
1
1
0,1
Выпускаются в пласт~1ассовом
корпусе с 1-KCCTIOI\1:! BLIIЗO;J.a~ПI.
Обозначение типа приводится на
корпусе,
1,Z
Z,5 1
0,4
1 _Ка~лектар
0,55 "
1 0,85
Масса транзистора не 60.1ее 2 г,
Э.11ектрические параметры
Граничное напряжение при Iк = 100 мА не менее:
КТ829А
КТ829Б
КТ829В
КТ829Г
Напряжение насыщения ко:шектор-эмиттер при Iк = 3,5 А,
/Б= 14:-.1Ане более .
.
.
Напряжение пасышения база-э~литтер при Iк = 3,5 А,
/Б=14мАнеболее.
.
Статический коэффициент пере.:rачи тока в схе'.1е с общим
эмиттеромприИкэ= 3В./к= 3Ане менее:
приТк=298КиТ=358К.
приТк=233 К.
Модуль коэффициента Liередачи тока при f = 10 МГц,
Икэ=3В,Iк=3Анеменее.
Обратный ток ко.1лектор-Jмиттер при Икэ = Икэ.ме.кс•
RБэ = 1 кОм нс более:
прит;,=298кит=233к.
11р11 т.=358 К .
Обратный ток JМиттера при UБэ = 5 В не более
Предельные эксплуатационные тшные
Постоянное напряжение ко.ттектор-эмиттер нри RБэ .;:
. ;: ! t:Ом, постоянное напряжение кол,1сктор-база
прпТк=233-с-358К:
КТ829А
КТ829Б
КТ829В
КТ829Г
100 в
80в
60в
45в
2в
2,5 в
750
100
0,4
1,5 мА
3мА
2 "1А
100 в
80в
60в
45в
507


Постоянное напряжение база-эмиттер при т. = 233 -о- 358 К
Постоянный ток коллектора при Т" = 233 -о- 358 К
Импульсный ток кол,1ектора при т11 ,,,,;; 500 мкс. Q ;;, 10,
5в
8А
тк=233 -0-358к.
Постоянный ток базы при т. = 233 -о- 358 К .
12А
0,2 А
Постоянная рассеиваемая мсщность колл:::ктора при
т.=298 к
Тепловое сопротивление переход-корпус .
Температура перехода .
60 Вт
2,08 К/Вт
423 к
Температура корпуса •
Температура окружающей срелы
35~ к
От 233 до
т.= 358 к
Пр им е чан и я: 1. Максимально допустимая постоянная рас-
сеиваемая мощность коллектора, Вт, при Т, = 298 -7 358 К рассчи­
тывается по формуле
Рк.маr.с = (423 - Т.)/2,08.
2. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм
от корпуса транзистора, при этом температура корпуса не должна пре­
вышать 358 К.
Для улучшения теплового контакта рекомендуется смачивать
нижнее основание транзистора полиметилсилоксановой жидкостью
ПМС-100 ГОСТ 13032-77.
Температура корпуса транзистора измеряется на поверхности
основания корпуса со стороны держателя.
! 5,мА
L/O КТ829А­
КТ829 Г t--t-t--~---;
JОг---+--+--+-+---1-~
о 0,5
1,5 2 u63,B
1,5
1,ц
Cl:)
~
1,3
....
<:!
:i:
..; 12
~,
1,1
1,0
о1
508
hг1э
1
КТ829А -КТ829Г
5000
f./ .000
3000
2000
1000
о2L/6Вlк,А
Входные характеристики.
Зависимость статического· коэф­
фициента передачи тока от то­
ка коллектора.
Зависимость нэ.пряжения насы­
щения колле1аор-эмиттер от
lк/!Б.


1
i
~:
Ззrпrси~.1ость ~л:н~спмально до­
пустпчого нuнршкенпя коллск­
тог-э~шттер от сопро r·ив.1ения
Guза-Jмиттер.
Зависимое rъ ~1акси,1ально до­
пус r имсi"r мощное ги рассеива­
нш:r ко:~лектора от тс1'шерату-
ры корпуса.
06.'шс·r ь максимальных режи­
'\о!ОВ.
р-п-р
Iк ,А
6
ц
2
1
0,6
о,ц
0,2
о,1
0,06
о,оц
0,02
0,0?
1
1\
1\~
i\
'
'
\
КТ829Г--- r\.
КТ8298- ~
КТ829Б:::::_ -
с=::
КТ829А-::::. ~·
111
'-
2 ц61020 цо60700
Uк3,В
П4АЭ, П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ
Транзисторы германиевые сплавные р-п-р универсальные низко­
частотные мощные.
Предназначены для применения в схемах переключения, вы­
ходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях по­
стоянного напряжения.
Выпускаются в метал;rостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Обозначение типа приводится на корнусе.
Масса транзистора не более 14 г.
509


zз
10
1
4от8.Ф3,Z
Э.r.:е1~трмчесю1е параметры
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = 2 А,
/ 6 = 0,3 А П4БЭ, П4Ва, П4ГЭ, П4ДЭ не более
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим
эмиттеромпри Икэ= 10 В, lк=2А:
П4АЭ не менее
П4БЭ ....
П4ВЭ не менее
П4ГЭ.
П4ДЭ не менее
Коэффициент усиления по мощности при Рвых = 1О Вт,
ИкБ=26В,Rн=25Ом,f=1кГ11неменее:
П4АЭ.
П4БЭ.
П4ГЭ.
П4ДЭ.
Коэффиuиент нелинейных искажений при Рвых = 10 Вт,
ИкБ=26В,Rн=25Ом,f=1кГuнеболее:
П4АЭ, П4БЭ ..
П4ГЭ, П4ДЭ .
Грuничная частота коэффициента передачи тока в схеме
с общей б:вой не менее .
Обратный ток коллектора при ИкБ = 10 В не более:
П4АЭ ..
П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ .
Обратный ток коллектор-эмиттер при Rr,э = 15 Ом:
приИкэ=60ВП4БЭнеболее
прпИкэ=50В:
П4ГЭ, П4ДЭ не более . .
П4АЭ не более.
при Икэ= 35 В П4ВЭ не более
Предельные эксплуатационные дан11ые
Постоянное напряжение коллектор-база:
П4АЭ, П4ГЭ, П4ДЭ
П4БЭ. .
.
....
510
·s,s
0,5 в
5
15-40
10
15-30
30
20 дБ
23 дБ
27 дБ
30 дБ
15 ~/~
1О ~/0
150 кГц
500 мкА
400 мкА
20 мкА
20 мкА
50 мкА
20 мкА
бОn
70в


П4ВЭ.
.....
Постоянное напряжение коллектор-Jмиттер
RБз.;: 15 O:v1:
П4АЭ, П4ГЭ, П4'ДЭ
П4БЭ.
П4ВЭ.
Постошшr,rй ток ко"1,1екrора
Посrояrшый ток базы .
Постоянная рассеиваемая мощность:
с тевлоотводом:
при Тк.;: 313 К:
П4АЭ ...
П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ
приТк= 323К:
Л4АЭ ..
П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ
приТк=343 К:
П4АЭ .
П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ
без теплоотвода:
прн Т.;: 298 К:
П4АЭ ..
П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ
Те:vшература перехода . .
Тепловое сопротивление переход-корпус:
П4АЭ.
П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ .
Те:vшера·1 ура корпуса .
1,1
-----., 1,0
"'(
'il 0,9
"'
::::;__,о 8
~'
"'
~ 0,7
"'
} 0,6
0,5
о
0,2 0,IJ. О,6 Uэ5,В
О
/1
при
40в
50в
60в
35в
5А
1,2 А
20 Вт
25 Вт
15 Вт
20 Вт
7,5 Вт
10 Вт
2Вт
3Вт
363 к
2,67 К/Вт
2 К/Вт
От 213 до
343 к
ПЧАЭ-П'!ДЭ
""""'"
""'
Uкэ =10 В-
'
'
2
Входные характеристиrш.
Зависп:v,ость
относительного
статпческого коэффициента пе­
редачи тока от тока коллектора.
511


ПlfБЭ-ПЧДЭ
JO
251--~-i,-~-t--~---t~----j
201---+-" '
Зависимость макси:1>1ально до­
пустимой мощности рассеива­
ния коллектора от температу-
ры корпуса.
~ 1,1
11
~ 1,0
~~ 0,9
<:!
~ 0,8
">
~ 0,7
~
~ 0,6
с,,; 5
О') о,
-$ 0,1
ri ч.Аэ - ni./Дэ
--. ..
"'-
....,
"' "-..
10
Заrшсимость
относите.1ьноrо
макс11ма,1ьно допустимо~ о на­
пряжения коллеr(тор-эм1птер от
сопротив,1ения база-эмиттер.
П201Э, П201АЭ, П202Э, П203Э
Транзисторы 1 ерманиевые сплавные р-п-р универсальные низко­
частотные мощные.
Предназначены для применения в схемах переключения, выход­
ных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постояино­
го напряжения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выво­
дами. Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора пе более 12 r.
z
z.z
Зми,ттвр
пr
Бrиа
J<.оллектор
zз
Z,7,
Z1
Злектричес1ше параметры
Напряжение насыщения колл~ктор-эмпттер при lк = 2 А,
lr; = 0,3 А П201АЭ, П202Э, П203Э не более
Статический коэффицпеrп передачи тока в схеме с об-
512
'"'
,...,
5, fj
2,5 в


i
11
1
1
t
1
щим эмиттером при Икэ = 10 В, lк = 0,2 А,
не менее:
П201Э, П202Э .
П201АЭ ....
Статическая крутизна прямой передачи при Икэ = 28 В
П203Э:
20
40
при Т=298 К ..
при Т=213 К .
.
1,2-1,8 А/В
0,8-1,4 А/В
Граничная частота козффпциента передачи тока в схе­
ме с общей базой при ИкБ= 10 В, /к=0,2 А
не менее:
П201Э, П202Э. .
П201ЛЭ, П203Э .
Обратныii ток rшллеюора не более:
при Т= 298 К:
при Uк;;=20 В П201Э, П201АЭ и Ик6= 30 В
П202Э, П203Э .
при Т= 343 К:
при ИкБ=20 В П201Э, П201АЭ и ИкБ= 30 В
П202Э, П203Э .
Обратный ток эмиттера при ИзБ = 10 В не более:
при Т=298 К
при Т= 343 К.
Преде~-;:ьиые экt=плуатациоШlые данные
Постояшюе напряжение ко;тлектор-база:
при Т= 293 К:
П201Э, П201АЭ
П202Э, П203Э .
при Т= 323 К:
П201Э, П201АЭ
П202Э, П203Э .
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБэ <
<50Ом:
при Т<293 К:
П201Э, П201АЭ
П202Э, П20ЗЭ .
при Т= 323 К:
П201Э, П201АЭ
П202Э, П203Э .
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Рк _,;; ;
<10Вт,Т<323К:
П201Э, П201АЭ .
•
П202Э, П203Э . . .
Постоянный ток коллектора:
П201Э, П201АЭ . . .
П202Э, П203Э . . .
Импульсный ток колле;стора:
П201АЭ .
П202Э, П203Э .
17 Полупроводниковые приборы
100 кГц
200 кГц
0,4 мА
2мА
0,4 мА
2,5 мА
45в
70в
30в
55в
30в
50в
22в
30в
10в
15в
1,5 А
2А
2А
2,5 А
513


Пос1 оянная рассеиваемая мощность:
с теплоотводом:
ври Тк,;;; 323 К
при Тк= 343 К
без тсп;;оотвода:
пр!rТ~298К.
10 Вт
4,3 Вт
1Вт
Им11ульсная рассепвае-.шя мощность при т11 ,;;; 5 с, Q ?3' 3,
тк,;;;343к.....
Переключае:чая мощность постоянного тока .
Температура перехода . .
10 Вг
30 Вт
358 к
Общее 1епловое сопротивление 11ереход-корпус
Температура корпуса . . . .
3,5 К/Вт
От 213
до343к
1,2-----~----~
П201Э - П203Э
"
1,о t--.-..-+--+--;--t---+---1
"<
~
<:::>- о, 8 l---+--+ ---f--1- --+---I
11
~ 0,6
"'
,~ ~ql---------+--+--~+--+--------+--1
"-
~0
7
2 ,____. _
_,__-+---+---'---'
- <::
1,2 ,.----г-------~
Uкз=10В, lк=О,2А
"
,о
. : : :- 1, l===;;t;::----::1~:--:::----1
<:::>
~ о,в
11
~ 0,6 f------+ --/-' -----' > --' ,. ._ _--- 1
""'
"""'-;::;, o,q
"-
'""
,-;;;. 0,21-----1-- - -+ -- --I
о..____._ ___.....____,
О 0,5 1,0 1,5 2,02,5Iк,А
юг
1Qll f, Ги,
Зависимость
относите.>ьпого
статического коэффициента пе­
редачи тока от тока коллектора.
15,мА
514
180 l----+- -+ - -
1601----+1---1----1
120 1-----1-+----+---~
80>----+-+ -- --1-- -- --<
Ч01---1--+-----l-----I
о
О,5
1,0
Входные характеристики.
Зависимость
относительного
статичес1(ого ко-эффициснта пе­
редачи 1ока от частоты.
~ 1,1
11
1,0
п201з, пzoJэ
.............
'
~
""'
'
-
10 100 10000 R5з,Ом
Зависимость макснмально до­
пустимого напряжения коллек­
тор-з:vшттер от сопротив.1енпя
база-эмиттер.


r'
П210А, П210Ш
Транзисторы герм<ншевые сплавные р-п-р унщJерсалr,ные низко­
частотные мощные.
Предназначены д.1я применения в схемах переключения, вы­
ходных каскадах уснлителей низкой частоты, преобразователях по­
стоянно~ о напряжения.
Выпускаются в металлостсклянно:..,1 корпусе с 1·иб1\ими вьrводами.
Обозначение типа приводи гся па !~орпу:е.
Масса транзистора н~ более 37 г, с н:~конечииками выводов
и крепежным ф;~анцем 48,5 г.
" JomB.
Фl/,fj
Элею рнчес1•ие пара'Wетры
-
Гранич1юе ":апряжеш1е при lк. и = 2,5 А не менее .
пшовое з!-!аченпе .
Статнчсс~-:ая кгулс1rа пря"v!оЙ передачи в схеме с общим
эыиттсроrv1:
П210Лпри!к=5А,Икэ= 7.Внеменее
1ИiJOBOC JIH\tICHИC •
П210ШпраIк=7А,Икэ=lВнеменее
типоnос зпач('НЕС •
Статический коэффициент пср<:дачи тока в схеме с о6щпм
э:vнптером:
П2!0А11риUкэ=2В,11:=5Анеменее
типовое значение .
П210ШприUкэ=1В,lк=7А.
тшюrюе значение .
Граничная частота козффпцнента передачи тока в схеме
собщейбазойприИкБ=20В, lэ=0,1 А неменее
Плавающее напгяжение эмиттера при Ик 6 = 40 В не
более:
П210А.
П210Ш
17*
50в
70* в
6,66 А/В
9" А/В
6,52 А/В
!О* А/В
15
19*
15-60
23*
100 кГц
1,5 в
0,15 в
515


Обратный ток коллектора:
ври Т= 298 К:
при ИкБ=45 В П210А, ИкБ=65 В П210Ш не
более .
при Т= 343 К:
при ИкБ = 45 В П210А не более
при ИкБ = 65 В П210Ш не более
Обратный ток эмиттера П210Ш нс более
при ИэБ= 15 В
приИэБ=35В.
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база П21 ОА .
Постоянное напряжение ко.1лектор-эмиттер:
П210А при ИБэ>1,5 В .
П210Ш при ИБэ>0,5 В .
Постоянное напряжение эмиттер-база .
Постоянный ток коллектора в режиме насыщения П210А
Импульсный ток коллектора в режиме насыщения при
'Ф<15 мкс П210Ш .
Постоянная рассеиваемая мощность:
при т.<298 К .
прит.=343К.
Тс1л;н:ратура перехода
Общее тепловое сопротивление:
переход-корпус
переход-окружающая среда
Температура корпуса .
50 мА
12 мА
3мА
10 мА
65в
65в
64в
25в
12А
9А
60 Вт
15 Вт
358 к
1 К/Вт
40 К/Вт
От 213
ДО343К
П р и м е ч а н и е. Пайку выводов разрешается производить на
расстоянии не менее 20 мм от корпуса в течение не более 10 с.
Температура жала паяльника до""Jжна быть не более 533 К.
Расстояние от корпуса до начала изгиба вывода должно быть
не менее 20 мм.
hг13
120
100
80
60
'Ю
20
1
-
\
\
2
П21DШ,
Икэ=1В
\,,
--
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от то­
ка коллектора.
516
hz13
100
80
60
Ч-0
20
о
1
П21DА
1
\.
Икз=2В,
"\.
!3=0,5А-
-
........
......_
-
Ч- 8 12 16 2Df,кГц
Зависимость статического коэф­
фициента передачw тока от час­
тоты.


1
r
1
/,
0,5
~ О,'+
(;
О!
:, 0,3
~
lк=10А
0,2
0,1
1 1,5 2 2,5 3Кнас
Зависимость напряжения насы­
щения коллектор-эмиттер от ко­
эффициента насыщения.
2Lf
20
16
1
11
П210А-П210Ш
-
/
/
/
/' Iк=5А
~
80
1
1
П210Ш
,_
Iк.и= 2,5 А
1
1
50
213 2ч.3 27J 303 J3J т,0 к
Зависимость граничного напря­
жения от температуры корпуса.
П21DА
11 1,0 k---+- ---1- -- -- -1
"'
~'- -
~ 0,8 1-----' "-1- -- --1-- -- -1
- .§-
"-
~ 0,бt-----+-__::0....::1------J
::;
""
;g о,Lf._ __--1.____J __ ___i
о12JLf5Кнас
1
Зависимость времени рассасыва­
ния от коэффициента насыще­
ния.
Зависимость относительного
максимально допустимого нап­
ряжения коллектор-эмиттер от
сопротивления база-эмиттер.
0213, П213А, П213Б, П214, П214А, П214Б,
П214В, П214Г, П215
Транзисторы германиевые сплавные р-п-р уrшверсальные низко­
частотные мощные.
Предназначены д.1я нримен::ния в схемах переключения, выход­
ных каскадах усилителей низкой частоты, преобразовате,1ях постоянно­
го напряжения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими вывода­
ми. Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора нс более 12,5 г, крепежного фланца не
более 4,5 г.
517


Ко1111ектор
'
25
13
Эле1пр11•~сск11с параметры
Напряжение насыщения ь:оллектор-эмиттер:
приlк=3А,16=0,37Анеболее:
П213
П214, П214А, П214Б, П215 .
приlк=2А, 16= 0,3 А П213Б, П214В.
более.
JO,S
П214Г не
Напряжение насыщения база-э:'11иттер при Iк = 2,5 А,
/Б=О,37 А:
П213 пе более . .
П214, П214А, П215 не более
П214Б ...... .
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим
эмиттеромприИкэ=5В,lк=0,2А:
П213А, П214В не менее
П21 ЗБ не менее
П214 .
П214А
П214Б, П215
П213 при Iк= 1,0 А
Крутизна прямой персдачн в схеме с общ11м эмиттероы
0,5 в
0,9 в
2,5 в
0,75 в
1,2 в
0,6-0,9 в
2U
40
20-60
50-150
20-150
20-50
приИкэ=28В,R" = 360~1,/=270ГцП214Г
1,4-2,1 А/В
Граничная частот~- коэффициента передачи тока в схеме
с общей базой при ИкБ=1О В, lк=100 мА не
менее.
Плавающее напряжение Эhшттера при Т = 343 К:
приИкБ=45В:
П213неболее....
П213А, П213Б не более
при Ик6= 60 В:
П214, П214А, П214Б не бо.-rее
П214В, П214Г не бол~е ..
при Ик5 = 80 В 11215 не более
Обр:Атный ток коллеr(тора не бо,-~ее:
при Т= 293 К:
518
150 ~:Гц
0,3 в
о,5 n
0,3 в
0,5 в
0.3 в


r1
приИкБ=45В:
П213
П213А, П213Б
приИкБ=60В:
П214, П214А
П214Б, П214В. П214Г
приИкБ=80ВП215.
при Т= 343 К:
при Ию;= 45 В:
П213 ....
П213А, П213Б .
приUкБ=60В:
П214, П2i4А
П214Б ....
П2!4В, П214Г .
при UкБ= 80 В П215
Обра1ный ток кол.1ектор-эмипер при /Б =О не более:
прпИкэ=30ВП213...
при Ию= 45 В П214. П214А, П214Б
при L'ю = 55 В !1214В, П214Г
нри U1сэ=60 В П215 ...
Обратный ток коллсктор-эшптер при Rкэ = 50 Ом
не более:
при Икэ = 30 В П213А, П213Б
11ри Uю = 55 В П214В, П214Г
Обратный 1ок э~шттер<t не более:
при Т= 293 К:
при Изь= 15 В П213, П214, П2!4А. П214Б,
П215
при Uз;; = 10 В П213А, П213Б. П214В, П214Г
при Т= 343 К:
приUл=15В:
П213. П214Б.
П214. П214А, П215.
приU36=lOВ:
П2!3Л, П213Б
П214В, 1Е!4Г
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжеш1е коллектор-база:
П213, П213А, П213Б ..... .
П214, П214А, П214Б, П214В, П2!4Г
П215.......
·
•
·
·
Постоянное напря!I{ение коллектор,эмиттср
RэБ _,;; ; 50 Оы:
П2!3А, П2!3Б ....
при
0,15 мА
1,0 мА
0,3 мА
1,5 мА
0,3 мА
2,0 мА
4.5 :v1A
2,5 "1А
2,0 ~1А
5,0 мА
2,5 мА
20 мА
30 мА
30 мА
30 мА
10 мА
10. мА
0,3 мА
0,4 мА
2мА
2,5 мА
4,5 мА
5мА
45в
60в
80в
30в
519


П213
П214, П214А, П214Б, П214В, П214Г
П215
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при /Б = О:
40в
55в
70в
П213
30В
П214, П214Б .
45В
П215 .
60В
Постоянное напряжение эмиттер-база:
П213А, П213Б, П214В, П214Г .
П213, П214, П214А, П2!4Б, П215
Постоянный ток коллектора
Постоянный ток базы .
Постоянная рассеиваемая мощность:
прит.<318К:
П213А, П213Б, П214, П214А, П214В, П214Г,
П215
П213, П214Б .
приТ,=343К:
П213А, П213Б, П214, П2!4А, П214В, П214Г,
П215
П213, П214Б .
Температура перехода
Общее тепловое сопротивление переход-корпус:
П213, П214Б .
П213А, П213Б, П214, П214А, П214В, П214Г, П215
Температура корпуса .
10в
15в
5А
0,5 А
10 Вт
11,5 Вт
3,75 Вт
4,3 Вт
358 к
3,5 К/Вт
4 К/Вт
От 213
ДО343К
П р и меч ан и е. При эксплуатации транзистор с помощью
накидного фланца должен быть жестко закреплен на металли­
ческом шасси или на специальном теплоотводе со шлифованной по­
верхностью.
Перед креплением транзистора контактирующие поверхности ре­
комендуется смазывать маслом.
Диаметр отверстия в теплоотводе под выводы транзистора
должен быть не более 5 мм.
При необходимости электрической изоляции корпуса (коллектора)
транзистора от шасси или теплоотвода между транзистором и теп­
лоотводом рекомендуется ставить прокладку из слюды. Суммарное
тепловое сопротивление между переходом и теплоотводом увеличи­
вается на 0,5 К/Вт на каждые 50 мкм слюдяной прокладки.
Пайку к выводам транзистора необ;;оди"1о производить на их
плоской части. При пайке цилиндрическая часть вывода должна
быть зажата теплоотводящими губками.
Изгиб выводов допускается только на их плоской части.
520


r
1
J5 ,А
0,5
0,4-
0,3
0, 2 l--- '-' "'-' r:::___-1 .- -H-+ --t- -- -- -!
о
Входные характеристики.
1,5
П214В
П214Г
1
"'>::
1,0
::;
"'
'"'
~ 0,5
14г-~-~-~~--~
12 t----+-+-~---1--./-----J
Зависимость максима.,1ыю до­
пустиУrоЙ мощности рассеива­
ния коллектора от температуры
корпуса.
hг1з
240
Икэ=5
200
160
120
80
цо
о 1020304050Ик5,В О 0,20,40,60,81,0Iк,А
Зависимость обратного тока
коллектора от напряжения кол­
лектор-база.
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от· то­
ка коллектора.
П216, П216А, П216Б, П216В, П216Г, П216Д,
0217, П217А, П217Б, П217В, П217Г
Транзисторы германиевые сплавные р-п-р универсальные низко­
частотные мощные.
Предназначены для применения в схемах переключения, выход­
ных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоян­
ного напряжения.
Выпускаются в мета:1лостеклянном корпусе с жесткими вывода­
ми. Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 12,5 г, крспежноr о фланца не
более 4,5 г.
521


l.5
30,5
13
zч
Z or.1fJ.Ф з,s Ф 17,1
Н апряж.;ПiJС Н?.СUЩСНИЯ К r}Ji" ·ieK i OJ1-'":~).1HTTep:
при/к=4/\.I"= 0.5Анс60:1ес:
1'i2l6. П2!6А
ГJ:J17. П2i7А. П217Б. П2!7Г .
прЕ fк=2 А, lг,=03 А П2!бБ. П216В. П2!1'Д,
П.1 J 7D Jit' Солее
.
Напряжепне насыщения база-з\1иттер
lь=О.5 А.
П2 ! б, П217 не 60.1ее
П217G ...
П2!7 iiC более .
ОGrатный I о:-: кow1Jlt:KTOJ1г Ее бо.'1..?t:':
при Т= 293 К:
прi1Ик6=J5В:
!12!6Б
П216В .
лрн сткr; - 40 В 11216. Н2i6.д~
пун; (/!~Ь = ~;) Т3.
Г1!G!.
л::.~6}1 .
прп l/r<[J ;- (,() В:
п:::J7, П2i7Л, 11-'17Ь.
ГJ2J7i:, Л2i7Г
при Т== 343 К:
н;~и U;;ь = 35 В П2!6Б, П216В
щп; Ut.:5 = 40 В Il216. 1121бЛ
ПГ'~ с:КБ = 50 В П216Г, П2!6Д
п:)и Сiк5 = 60 В:
П2!7, П217Л, fШ7Б .
П2!7В, П217Г ..
Обратный ток ко:1лсктор-1мил ер ври / 5 = О не Gолее:
прп Uкз =~О В Il2!6, П2!6А .
при Ию= 45 В П217, П217А, П217Б .
522
1"1
N
~.1
0,75 в
!,О В
0,5 А
l,5 в
0,() -() ,9 в
0,8 в
1.5 ~!А
1 ~1А
О ') :-.и\
0.5 мл
7,5 ~.1А
4,5 мА
7.5 мА
5 )..1/\
7.5 мА
40 мА
50 мА


Обрат11ый r ок кст1сктор-э~шпер при Rь·.::i = О не бо.1ее:
при Ию= 35 В 11216Б. П216В
приUкэ=50 В:
П216Г.
ШlбД
11рп L'ю = 60 В П217В, П217Г
Обратныii ток );,шттер-база при ИэБ = 15 В не более:
прп Т= 29i К:
П216. П2!6А, П217, П217А, П2!7Б .
П216Б, П216В. П216Г. П2i6Д, П2!7В, П2!7Г
при Т= 343 К:
П216. Г!216А. П2!7, П217А, П217Б .
П216Б, П216В, П216Г, П2!6Д, П2!7В, П2!7Г
Ст а 1ическнй коэффиrшен r пере::1ачи тока в схеме с
обu1и~1 Э\!Н 1теро;.,1:
приUкэ=5В,Iк=1А:
П216А.
П217А.
П217Б не менее
приИкэ=3В,fк=2А:
П216Б не менее
П2!6В не менее
П216Г не менее
П216Д.
П217Г.
Статическпй коэффиuнент передачи тока IJ схе~·1с с об­
щи~~ )сvшттером:
при Uкэ=О.75. В. lк=4 А П2!6 не меаее
приИкэ=1В,Iк=4АП217неменее..
Грш:и,1ная частота коэффициента передачи тока в схеме
ссбщейбазойприИкБ=1О В, Iк=О,1Ансменее
Плавающее напряжеш~е э:vшл ера не 60J1ee:
прн Uкь = 35 В П216Б. П216В
11ри Икь=40 П216. П216А.
при Икь = 50 В П2!6Г, П2!6Д
вриИкь=60В:
П2!7, П217А, П2!7Б
П217В, П217Г .
Предельные эксш1уатацнош1ые данные
Постоянное навряжение коллектор-база и ко.1лектор-
эмиттер при Rьэ =О:
20 мА
50 мА
20 мА
20 мА
0.4 мА
0,75 мА
4мА
7мА
20-80
20-60
20
10
30
5
15-30
15-40
18
15
100 кГц
0,5 в
0,3 в
0.5 в
0,3 в
0,5 в
П216Б, П216В.
35В
Ш!б, П216А .
40В
Ш!бГ, П216Д.
50В
П2!6. П217А. П217Б, П217В, П217Г
60В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при / 6 = О:
Ш!б, П2!6А
П217, П217А, П2!7Б .
...
30в
45в
523


Постоянное напряжение эмиттер-база .
Постоянный ток кол.1ектора .
Постоянный ток базы .
Постоянная рассеиваемая мощность:
при т• .;; 298 К:
П216, П216А, П217, П217А, П217Б
П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217В,
приТ,=343К:
П216, П216А, П217, П217А, П217Б .
П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217В,
Температура перехода .
Общее теп.1овое сопротив."Iение переход-корпус:
П2!6, П216А, П217, П2!7А, П217Б
П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П2!7В,
Температура корпуса .
15в
7,5 А
0,75 А
30 Вт
П2!7Г 24 Вт
7,5 Вт
П217Г 6 Вт
358 к
2 К/Вт
П217Г 2,5 К/Вт
От 213
ДО343К
Пр и м е чан и е. При эксплуатации транзистор с помощью на­
кидного ф.1анца должен быть жестко закреп.1ен на металлическом
шасси илн на специальном теплоотводе со шлифованной поверх­
носты{). Перед креплением транзистора контактирующие поверхности
рекомендуется смазывать невысыхающим маслом. Диаметр отверстия
в теплоотводе под выводы транзистора должен быть не более 5 мм.
При необходимости электрической изоляции корпуса (кол;1ектора)
транзистора от шасси или теплоотвода между транзистором и теп­
лоотводом рекомендуется ставить прокладку из оксидированного
алюминия или слюды. Суммарное теп:ювое сопротивление между
переходом и теп-1оотводом увеличивается на 0,5 К/Вт па каждые
50 мкм слюдяной прокладки или на 0,25 К/Вт на каждые 50 мкм
слоя окиси алюминия.
Is,мA П21В,П21ВА-П21ВД,
П217, П217А -П217Г
о 0,2 О,'+ О,В 0,8 1,0 ИэБ,В
Входные характеристики.
524
hг1з
BOt--~~-1-~~~-+---1
Uкз=5В
50t--~~-+~~~---+-~
ц.о '-----3. ..... .! -
JO f------=F'>'~=-
201-----.д~-<----1--~
1о t- '---"" 'o;::----+- '"'" ""=+-
о
1
2 Iк/1
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от то­
ка коллектора.


hг1з
3,0
100
">: 2,0
:;;;
~
""
50
._., 1,о
о
1
2 Iк,А
Зависимость статического коэф­
фицпента перелачн тока от тока
ко,1лектора.
1
0,8
"С 0,5
~О/+
§ 0,3
......
02)
пЙ1в, h21в~, пz17, '- -- -
~
П217А,П217Б-
/
1/
1/
7
~
~
0,1
213 233 253 273 293 313 Тк ,К
Зависимость обратного тока
коллектора от температуры кор­
пуса.
П216Д
Зависимость обратного тока
коллектора от напряжения кш1-
лектор-база.
П21ВБ,П21ВВ;П21ВД,
5 П21ВГ,П217В,П217r
2t----t---+--1----+--.,jL.'---J
Q2t-----t----IГ---+-~~-+--I
~1'---'----'-~1---1._ _L __ _J
213 233 253 273 293 313Тк,К
Зависи'.lость обрю нога тока
кшыектора от температуры кор­
пуса.
Пайка к выводам транзис 1ора довускается то~1ько на их плос­
кой части. При пайке цилию.\рIIческая часть вывода должна быть
зажата теплоотводящимн губками.
Изгиб выводов допускается только на их плоской части.
0302, П303, ПЗОЗА, П304, П304А, П306, П306А
Транзисторы кремниевые р-п-р усилительные низкочастотные
мощные.
Предназначены для нрименения в схемах уснленпя низкой ча­
стоты и преобразователях настоянного н::~нряжения.
Выпус;.:юо гся в металлостеклянном корпусе с жесткими выво­
дами. Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 1О г.
525


JмtLmmep
10
9,4
"'
"'
'S-
1
Электрические параметры
Сопротпвление насыщения коллектор-эмиттер при
Iк=150мА,/6=50мАпеменее:
при Т= 2911 К ПЗОЗ, П303А, П306 . .
при Т=393КиТ=213КП303, П303А
Статический коэффициент передачи тока в схеме с об­
щим эмиттером при ИкБ = 10 В:
приIэ= 120мА:
П302 пе менее .
ПЗО3, ПЗОЗА не менее
при Iэ= 100 мА П306 .
при/э=60 мАП304пе менее
при/3=50мАП306А.
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
с общим эмиттером при Ик 6 = 20 В пе менее:
при iэ= 120 мА:
ПЗО2
ПЗ03. ПЗОЗА .
П304
при /э= 100 мА П306 и при lэ=50 мА П306А
Входное напряжение пе более:
прпИкБ=10В,Iк=300мА:
П302
П303, П304 .
П303А.
при Ик6=15 В. lк=300 мА
приИк6=15В,Iк=200мА.
Обратный ток коллектора:
526
приТ=298К,ИкБ=30ВП302;приИк6=60В
П303, П303А, П304, П306; при Ик 6 = 80 В П306А
не более .
приТ=393К,ИкБ=30ВП302;приUКБ=50В
20 Ом
30 Ом
10
6
7-25
5
5-35
200 кГц
100 кГц
50 кГц
50 кГц
6в
10в
4в
6в
4в
100 мкА
1


ПЗОЗ, П30ЗА. ПЗО4, П306; при ИкБ = 65 В П306А
пеболее....
1500 мкА
Обратный ток кол:1сктор-э:-.шттер при RэБ = 100 Ом:
прит=298К, Икэ=40ВПЗО2; при Икэ=70в
ПЗОЗ, ПЗО3А, П306; при Икэ = 100 В П304, П306А
не бо:1ее
приТ=393К,Икэ=30ВП302;приИкэ=50в
П303, П303А, П306; при Икэ = 65 В П304; при
Икэ=60 В П306А не более .
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБэ .;;
.: :; 100 Ом:
при Т= 298 К:
1мА
6мА
П302
30в
П303, П303А
50В
П306
60В
П304
65В
П306А.
80В
при Т= 373 К:
П302
35В
ПЗОЗ, П30ЗА, П306
60В
П304, П306А
80В
при Т= 423 К:
П302
18В
П 303, ШОЗА, П306
30В
П304. П 306А
40В
Постоянный ток коллектора;
П306, П306А .
П302, ПЗ03, П303А, П304
Постоянный ток эмиттера П306, П306А .
Постоянный ток базы П302, П303, П303А, П304 .
Постоянная рассеиваемая мощность:
с теплоотводом:
при т.=323 К
при т.=393 К
без теп:юотвода:
прп Т=323 К
приТ=393К
Температура перехода
Общее тепловое сопротивление:
переход-корпус
переход-окружающая среда
Температура корпуса .
0,4 А
0,5 А
0,5 А
0,2 А
10 Вт
3Вт
Вт
0,3 Вт
423 к
10 К/Вт
100 К/Вт
От 213
ДО393К
Пр и ы е чан и е. Пайка подводящих проводов. допускается толь­
ко к крючкам выводов транзистора. При пайке не допускаются
изгибы и боковые натяжения выводов.
527


15 ,мА
П302, П303,П303А,
600 ..___.___,_ПJО4,П304А, П306,
500
П:J06д
1,6
~ 1,4
"'(
::;
1
1
ПJО2,П303,
П303д,П304;--
П.J04A,f1306,
Uк3=О
4001----U------J--+--+-+--+-~
~ 1,2
11
~1,0
П306А / '-
~
~ 0,8
-<::
'-...
~ 0,6
-< ::'° "
0,4
'/
'\!\..
Uкз=108
"'~
о
0,2
U35 ,В
О50
Входные характеристики.
1, 5 1----!--l --+ --j --! -----j
09L--...J..~!--1-~'---'---'
}273293313 333 353373 Тн}к
1,2
1,01----+ - -+-... -+ - -+- -t- - -1
Без
,_ 0,8 теп11остбоiJа
о:э
11
~ 0,6 П302,П303,
~ri:!- О,Ч П303А, ПJОЧ-, -1~'4----j
П30'1А,ПJОВ,
П 30ВА --1-~е--_ц...--"
0;2
DL--1..~.1.--L-L--1...---'
273 29J 313 333 353 373Т,К
528
С()
Завнси~юсть
относительного
статического коэффициента пе­
редачи тока от тока коллектора.
П304,
П306А при
Т=293К
П306,П303,
П303А при
Т=293К
~ 60 14.j;~--1---~---+-....._,
"'
~40
$ 3 5 l-~""'-""-io-+-'--+----1
J о ~....,,,P...,-\--t-
2
Зависимость относнтельного
статического коэффицнента пе­
редачи тока от температуры
корпуса.
Зависимость максимально до­
пустимого напряжения кол.'Iек­
тор-эматтер от сопротивления
база-эмиттер.
Зависимость максимально до­
пустимой мощности рассеива­
ния коллектора от темпера-
туры.


r!
П601И, П601АИ, П601БИ, П602И, П602АИ
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р универ­
сальные низкочастотные мощные.
Предназначены для применения в усилительных, импульсных и
переключающих каскадах радиоэлектронных устройств.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими (вариант 1)
и жесткими (вариант 2) выводами. Обозначение пша нриводится
на корпусе.
Масса транзистора не более 12,5 г.
11
i-----
~~
1
е.
-~
--
-
tJapua. 'im 2
Эпuттер
[}apuattm f
Эми.rп
--
"'
,....
е.
J5
35
60
8,8 -
ба.за.
R5,8 ffоллекrпор
Эшштричссю1е параметры
Граничное напряжение при lэ = 0,3 А, f = 1 кГu,
'tи= 5 мкс не менее:
ПбО!И, Пб02АИ .
.
.
.
.
ПбО!АИ, ПбО!БИ, Пб02И
•
•
.
.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер * при
lк=120мА,IБ=60мА.
Напряжение насыщения база-эмиттер* при Iк =
= 0,5А,IБ=0,25А..
20в
25в
2в
1,5 в
529


Статпчсский коэффициент нередачи тока в схеме с
общим эмиттеро:-.1 при Икэ = 3 В, Iк = 0,5 А:
при Т= 293 К:
ПбОIИ не менее.
ПбОIАИ, П602И .
ПбОIИ. П602АИ.
прп Т= 343 К:
ПбОIИ, ПбU!БИ, П602АИ не более.
ПбО!АИ, П602И
при Т= 213 К:
ПбОIИ нс :v1енее
ПбОIАИ, ПбО!БИ, П602И, П602АИ нс
более...
Постоянная времени uепи обратной связи при
ИкБ=20 В, /'J=50 мА, /=5 МГц не
более
Модуль коэффициента пере;:щчи тока при ИкБ =
= 10 В, Iэ=50 мА, /=10 МГц не иенее:
ПбОIИ. ПбОIАИ, ПбОIИ .
П602И, П602АИ .
Время нарастания при /к = 0.5 А:
ПбОIИпри/Б=60мА.
ПбО!АИ, ПбО!БИ. П602И, П602АИ при
/Б=30мА.
Время рассасывания при Iк = 0,5 А:
ПбО!Иприlь=60 мА.
ПбО!АИ, Пб02И при lь = 30 мА
ПбОIБИ, Пб02АИ при lь = 30 мА
Обратный гок кол-•ектора не более:
при Т= 293 К:
приИкБ=10В:
ПбО!И
ПбОIАИ, П602И
П601БИ, П602АИ
приИкБ=25 В:
ПбОIИ
П602АИ .
нрн Икь = 30 В ПбОlАИ, ПбО!БИ,
П602И
при Т=343 К при ИкБ=IО В ПбОIИ,
ПбОIАИ, ПбО!БИ, П602И, П602АИ.
Обратный ток эмиттера при ИэБ = 0,5 В . .
Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 20 В,
f=5 МГц нс бо.·1ее ...
Еl\-шость эмпттсрного нерехода * при Иэь = 0,5 В,
/= 5МГц.
.
...
530
20
40-100
80-200
250
40-100
10
0.5 значения
при Т=293К
750 пс
2
3
0.4 мкс
0,4 :VIKC
6 мкс
4 мкс
5 мкс
200 мкА
100 мкА
130 мкА
2мА
1,5 мА
1,5 мА
6мА
мА
170 пФ
2500 пФ


Предеаьные эксплуатаuнонные данные
Напряжение коллектор-эмиттер при R 63 .;; 100 Ом:
при Т= 293 К:
ПбОIИ, Пб02АИ
ПбОIАИ, ПбОIБИ, Пб02И
Напряжение кол:1ектор-база:
при Т= 293 К:
ПбОIИ, Пб02АИ .
ПбО!АИ, ПбОIБИ, Пб02И
Напряжс1111е Э'\11Iттер-база:
при Т=293 К .
приТ=343К.
Импульсный ток коллектора
Рассеиваемая мощность:
25в
30в
25в
30в
0,7 в
0,5 в
1,5 А
без теплоотвода при Т = 213 -о- 333 К
с теплоотводом
0,5 Вт
приТк = 298 К
.
.
.
.
при т.=343 К
.
.
.
.
Теп.1овое сопротивление переход-корпус
Теп.1овое сопротпвление переход-среда
Темпера 1ура перехода .
3,0 Вт
0,75 Вт
15 К/Вт
50 К/Вт
358 к
От 213 до
343 к
Температура окружающей среды .
Пр нм е чан и е. Максима.1ьно допустимая постоянная рассеивае­
мая мощность коллектора, В1. с теплоотводом при т. = 298 -о- 343 ·К
и без теплоотвода при Т = 333 -о- 343 К рассчитывается г:о формуле
Рк.мш =( 358 - Т)/ Rт.
15 ,мА
501---!--4~'-- ~-h<----+~-1
Ск, п<Р
ПSО1И,П601АИ,
220
П601БИ, ПS02И,
JВОн--t---1--ПS_О~2_А_И,__-1-~
140 r--т-т--т--1--r
100 ;---.----+
SO!---t--+-~.._1=--+---1
20~~~_._~.___.__.;.__.
О О,25 0,5 0,75 1 ,0 1,25 U53,B
О 102030 4050Uк5,В
Входные характеристики.
Зависимость емкости коллектор­
ного перехода от напряжения
коллектор-база.
531


П601И,П601АИ,П601БИ
пвоги; пв'огдИ
r....
!'...
~!'..
'!'...
'1\.
~
'
о
101 2
Зависимость
относительного
пробивного напряжения коллек­
тор-эмиттер от сопротивления
Зависимость
относительного
пробивного напряжения кол­
лек гор-эмиттер от сопротив.1е-
11ия база-э:vшттер.
база-эмиттер.
112
П601И, ПВО1АИ,
~ 1,0 t....::f-'"-+""'=='i--1::--п ВО 1Б И, ПВО 2И,
~
Пб02АИ
~ 0,8
""
~Об
""}
!о,ч
"'
~ 0,2 l--+---+---+-l---~-+---+---1--+-J
о .......__...___.__._~_.__.__..~_.__.___..~
700 2
5 1012
Зависимость относительного пробивного
напряжения коллектор-эмиттер от сопро­
тивления база-эмиттер.
ГТ701А
Транзистор германиевый сплавной р-п-р универсальный низко­
частотный мощный.
Предназначен для работы в схемах усилителей мощности низ­
кой частоты, в импульсных и к;1ючевых cxe- " 'taX.
Выпускается в металлостеклянном корнусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не бо;1ее 25 г, крепежного фланца не бо­
лее 7,5 г.
532


6'0
1J
Электрические параметры
Граничное напряжение при /э = 2,5 А не менее:
приТ=298К.
при Т=343 К .
Статический коэффициент передачи тока в схеме с
общим эмиттером при Икэ=2 В, Iк=5 А не
менее
.
Предельная частота коэффициента передачи тока в схеме
собщимэмиттером при ИкБ=20 В, Iк=О,1А не
менее
Обратный ток коллектора при ИкБ = 60 В не более:
приТ=298К.
приТ=343КиТ=218К•
Обратный ток коллектор-эмиттер при Икэ = 100 В,
ИБэ=1,5 В, Т=343Кнеболее .
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Тп =
=213-7-358к.
Импульсное напряжение коллектор-эмиттер
при
Иьэ=0,5В,"Си=1мс,Q;:;,10, Тп =213-о-358К
Импульсное напряжение кол;1ектор-эмиттер при Иьэ =
= 0,56В,"Си=0,3МС,Q;:;,10,Тл =2137358К•
•
Постоянное напряжение база-эмиттер при Т11 = 213-;-
358 к
Постоянный ток коллектора при Тл = 213 -о- 358 К
Постоянный ток базы при Тп = 213-; - 358 К .
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при Т= 298 К.
при Т=328 К .
при Т=343 К .
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при
"Си= 1 МС, Q ;:;, 10:
при Т=298 К
при Т=348 К
100 в
90в
10
50 кГц
6мА
30 мА
50 мА
55в
100 в
140 в
15в
12А
0,15 А
50 Вг
25 Вт
8,3 Вт
1200 Вт
700 Вт
533


Теп:ювое сопротивление переход-корпус .
Температура псрсхола .
1,2 К/Вт
358 к
От 218 до
343 к
Температура окружающей сре,1ы .
50
'10
10
о
\11
ГТ701А _
\
'
\\
213 253 293 333 373Тк,К
Зависимость :-.~аксима:1ьно до­
пустимой мощности рассеива­
ния кол:1ектора от температуры
корпуса.
ГТ701А
I5,мА
801---~--+--l-+---l--i
Вхо11ные характеристики.
1200
.....
1100
Q)
~1000>--+--+---.-1---!----+
tl
:;;
" 9 о о 1----+--+~.+---+-------<
~
8001---+--+--~--1-_,
700 .____._ _
_._ _. .__ ->. -J_
_,
273 293 313 333 353 Тк,К
Зависимость максимально до­
пустимой импульсной мощности
рассеивания коллектора от тем-
пературы корпуса.
hг1з
11/r---->n-- -+- - -+ - -+ - --I
Зависимость статического коэф­
фипиента передачи тока от тока
эмиттера.
1Т702А, 1Т702Б, 1Т702В
Транзисторы германиевые сплавные р-п-р у11иверсаль11ые низко­
частотные мощные.
Предназндчены для работы в усилителях мощности низкой
частоты, в к;почевых схемах преобразователсii напряжения, в схемах
управляемых регуляторов, в импульсных схемах.
534


r1
1
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими выво­
дами. Обознаqение типа нриводится на корпусе.
Масса транзнс гора не более 23 г.
~~-irn
О\lп~~=-~~--
~'
"Q
t-,_ +- -1'----..Jlll
"'-'
175 -s.
--------~
Зl'?иmтвр
Коллехтор
30
'Элс1.:тр11ческне ш~.рамстры
Г раничнос напряжение 11ри lк = 2, 5 А не менее:
при Т= 298 К:
IТ702А, !Т702Б
IТ702В
при Т= 343 К:
!Т702А, 1Т702Б
IГ/025
при Т= 2i3 К:
1Т702А, 1Т702Б
1Т702В
Напряжение насыще1шя коллектор-эмиттер нрн lк = 30 Л.
JБ=3Анеболее:
1Т702А, 1Т702В .
1Т702Б
Стап1•1еС1iПЙ коэффштент передач!! тока в схеме с об­
щим эмиттером пр11 UкБ = 1,5 В, lк = 30 А:
1Т702А. 1Т702Б .
IT702B не MC!fCe
Модуль козффицнента передачи тока в схеме с общим
эмиттером при /= 10 кГц, Ию;= 1,5 В, lк = 4 А
не менее
Обратный ток ко.'!лектора при ИкБ = 60 В не более:
при Т=298 К
приТ=343К.
Пр!!Т=213К.
Обратный ток Э!V!иттера при ИБэ = 4 В не более .
60в
40в
45в
30в
45в
35в
0,6 в
1,2 в
15-100
20
12
12 мА
30 мА
10 мА
2мА
535


Предельные эксплуатацно1шые данные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при ИБэ =
= 3 В, Тп=213-;-348 К:
1Т702А, 1Т702Б .
60П
IТ702В
40В
Постоянное напряжение коллектор-база при Тп = 213 -;-
348 к
Постоянное напряжение база-эмиттер при Тп = 213 -;-
348 к.
Постоянный ток коллектора при Тп = 213-;- 348 К
Постоянный ток базы при Тп = 213 -;- 348 К .
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
с теплоотводом:
при Т,=303 К
при т.=323 К
при т.=338 К
без теплоотвода:
при Т=298 К
Температура перехода
Тепловое сопротивление переход-корпус .
Тепловое сопротивление
переход-окружающая
да.
Тбшература окружающей среды .
ере-
60в
4в
30А
5А
150 Вт
80 Вт
30 Вт
5Вт
348 к
0,3 К/Вт
10 К/Вт
От 213 до
т.=343 к
Пр им е ч а 11 и с. Нс допускается отсоединенне цепи базы при
налнчии напряжения между коллектором и эмиттером.
гоо
1
1
1
1Т702А-1Т7028
160
\
\
\\
i
\
,__
120
Q)
~
u
"'t:I 80
:;;
""
Q_
1/0
о
273 293 313 333 353Тп,К
Зависи'.юс1ъ максимально до­
пустимой мощности рассеива­
ния коллектора от температуры
перехода.
536
2,5
2
~ 1,5
u
t:I
~1
~
0,5
о
1
1
1
1Т702А-1Т702В
1
1
I к=20А
1
;г5А 1
\'Iк =~ОА
\]
г3
Зависимость напряжения насы­
щения коллектор-эмиттер от
тока базы.


цо1----1---+-__.:~=-1--=--1
351----1---+-~+-~...--1
hг1э
35
1Т702А-1Т7028
20
Iк=30А+---+---1
10 15 20 25Iк,А
15_'7-::-..........,.~.J.......--1~-L-___J
293 313 333 353 373Тк,К
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тока
коллектора.
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тем­
пературы корпуса.
ГТ703А, ГТ703Б, ГТ703В, ГТ703Г, ГТ703Д
Транзисторы германиевые сплавные р-п-р уси;штельные низко­
частотные мощные.
Предназначены для работы в схемах усилителей мощности низ-
кой частоты.
Выпускаются в металлостекляшю:-..~ корпусе с жесткими выво­
дами. Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не бо;1ее 15 г.
z1, 1
KaJJJJeкmap
Электрические параметры
Напряжение насыщен11я коллектор-эмиттер 11р11 lк = 3 А,
!Б = 0,225 А не более
Напр~жение нас.:..1щения база-эмиттер при /к = 3 А,
/Б = 0,225 А не более
0,6 в
1в
537


Стати'!еский коэффициент переда'IИ тока в схеме с об-
ЩИ-"'1 эмиттером при Икэ = 1 В, lэ = 0,05 А:
ГТ703А, ГТ703В .
ГТ703Б, ГТ703Г
ГТ703Д .
Граничная '!астата козффиниента псре1щqи тока в схеме
с общю.1 змиттеро-"'1 нри Икэ = 2 В, lк = 0,5 А не
менее.
Линейность статического коэффшшен Ia передачн тока
К;= (11213 при /3 = 0.05 А)/(11213 при /3 = 1.5 А) .
Обратный ток колпектора при Ик~; = 20 В ГТ703А,
ГТ703В и при Ию; = 30 В ГТ703В, ГТ703Г.
ГТ703Д ric более .
Обра1ный ток эмиттера при ИБэ = 10 В .
Преде.>ьные эксп;1~·апщишшыс данные
Постопнное на11ряже1ше коллеr;тор-эмнттер
=50 Ом, Тк=2337328 К:
ГТ703А, ГТ703Б
ГТ703В. ГТ703Г .
ГТ703Д .
Импульсное напряжени~ ъ:ол~1ектор-э:1.нптср
=.50Ом,1:11 = 1мс.Q;;,,10,Тк =298К:
ГТ703А, ГТ703Б
ГТ703В, ГТ70ЗГ .
ГТ703Д .
11ри
при
Постоянный ток ко.1лсктора при Тк = 233 7 328 К
Постоянная рассеиваемая мощность кол:1ектс1:~а:
с теплоотво,10"'1 при Тк ·= 233 -".. 313 К
без теплоотвода при Т = 233 - "- 308 К
Темпера·rура корпуса .
Тепловое сопротивлепне переход-корпус .
Тепловое сопротив"1енне переход-среда
Температура окружающей среды .
Rьэ =
RБэ =
30-70
50-100
20-45
10 кГц
0,6-1,5
0,5 мА
0,5 мА
20в
30в
40в
25в
35в
50в
3,5 А
15 Вт
1,6 Вт
358 к
3 К/Вт
30 К/Вт
От 233 до
тк=328к
Пр им сч ан и я: 1. Макснма:-~ьно допустимая постоянная рас­
сеиваемая мощность коллектора, Вт, с теп.-~оотводом при Тк =
= 313 7 328 К опреде:-~яется по формуле
Рк. макс= (358 - Тк)/3.
Маr:сп:vrально донустю..~ая постоянная рассеивае:..шя мощность
колл~ктора, Вт, без теплоотвода при Т = 308 - "- 3 28 К определяется
по формуле
Рк. макс = (358 - Т)/30.
2. Допускается пайка выводов на расстоянии не мепее 6 мм
от корпуса любым способа:-..~ (пайка, сварка, пайка погружением
538


,
1
1
1
и т. д.) при условии, что те:v~пература в любой точке корпуса не
превышает преде.1ьно допуствмую температуру окружающей среды.
При включении транзисторов в электрическую цепь коллектор­
ный контакт должен присоединяться последним и отсоединяться
первым.
Не рекомендуется эксплуатация транзисторов при рабочих токах,
соизмеримых с неуправляемыми обратными токами.
I5,мА ГТ703А-ГТ703Д
801----+~rt--~+---t~--1
о
Входные характеристики.
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тем­
пературы.
hz1э
"'
/
80/
60
цо
""
20/
о
Зона возможных положений за­
висимости статического коэф­
фициента передачи тока от тока
эмиттера.
hгн
8Ог--+~-+-~+--+~-1
/Jнэ =18
201---+~--+-~-+-~-l----J
О
Iэ =О,05А
233 253 273 293 313 т,к
ГТ705А, ГТ705Б, ГТ705В, ГТ705Г, ГТ705Д
Транзисторы германиевые сплавные р-п-р усилительные низко­
частотные мощные.
Предназначены для работы в схемах усилителей мощности
низкой частоты.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с JКесткнми вы­
водами. Обоз на чсние типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 15 г.
539


12 10,3
:J.9,б
30
3,:J
Электр11чсск11е параметры
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к =
=1,5А,/6=0,1Анеболее..
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 1,5 А,
/Б=0,1неболее.....
Статический коэффициент передачи тока в схеме с
общим эмиттером при Икэ = 1 В, lэ = 0,05 А:
ГТ705А, ГТ705В .
ГТ705Б, ГТ705Г . .
ГТ705Д .
Предельная частота коэффициента передачи тока в схеме
с общим эмиттером при Икэ=2 В, Iк=0,5 А не
менее
Линейность статического коэффициента передачи тока
К;=(h21эпри/э=0,05А)/(h21эпри/3 = 1,5А). . .
Обратный ток коллектора при ИкБ = 20 В ГТ705А,
ГТ705Б, ГТ705Д; при Ик 6 = 30 В ГТ705В, ГТ705Г
не более.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
Обратньrй ток коллектор-эмиттер при R 6э = 50 Ом,
Икэ = 25 В ГТ705А, ГТ705Б, ГТ705Д и при
Икэ = 36 В ГТ705В, ГТ705Г не более .
Обратный ток эмиттера при U63 = 1О В не более .
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБэ =
= 50Ом,т.=233+328К:
1в
2в
30-70
50-100
90-250
10 кГц
0,6-1,5
0,5 мА
1,5 мА
0,3 мА
ГТ705А, ГТ705Б, ГТ705Д . .
20В
ГТ705В, ГТ705Г
30В
Импульсное напряжение коллектор-эмиттер
при
ИБЭ = 50 Ом, 'tн,,;;; 3 мс, Q;:;. 10, Тк = 298 К:
ГТ705А, ГТ705Б, ГТ705Д . . . . . .
ГТ705В, ГТ705Г . . . .
•
.
.
.
Постоянный ток коллектора при т. = 233 + 328 К .
540
25в
35в
3,5 А


,.
11
'
l
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
с теплоотводом при Тк = 233 -;- З 13 К
без теплоотвода при Т = 233 -;- 308 К
Температура перехода .
15 Вт
1,6 Вт
358 к
3 К/Вт
30 К/Вт
От 233 до
т.=328к
Примеч ания: 1. Максимально допустимая постоянная рас-
сеиваемая мощность коллектора, Вт, с теплоотводом при
Тепловое сопротивление переход-корпус
Тепловое сопротивление переход-среда
Температура окружающей среды .
Тк = 313-; - 328 К определяется по формуле
Рк. макс = (358 - Тк)/3.
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность
коллектора, Вт, без теплоотвода при Т = 308 -;- 328 К определяется
по формуле
Рк_ макс<= (358 - Т)/30.
2. Допускается пайка выводов на расстоянии не менее 6 мм
от корпуса любым способом (пайка, сварка, пайка погружением
и т. д.) при условии, что температура в любой точке корпуса не
превышает предельно допустимую температуру окружающей среды.
При включении транзисторов в электрическую цепь коллектор­
ный контакт должен присоединяться последним и отсоединяться
первым. Не рекомендуется эксплуатация транзисторов при рабочих
токах, соизмеримых с неуправляемыми обратными токами.
1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В, ГТ806А, ГТ806Б,
ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р переклю­
чательные низкочастотные мощные.
Предназначены для работы в импульсных схемах, преобразо­
вателях и стабилизаторах тока и напряжения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими вывода­
ми. Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 28 г.
13.4 122
'
,
.' !.§
База
'
-
-
"'-! О)
-
~~
•-
"$.
-
~f2,sП~
Ко1111ектор
541


Электр11ческие параметры
Граничное напряжение при /э = 3 А, 't11 <;: 50 мкс,
f=20 _,_ 50Гцнеменее:
IT806A
40В
IТ806Б
65В
1Т806В
80В
Напряжение насыщения кол.'Iсктор-·Jмиттер при !, = 2 0 А,
16 =2 А, Т=213_,_343 К (при Т=218_,_328 К
ГТ806А, ГТ806Б. ГТ806В, ГГ806Г, ГТ806дJ не
более
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 20 А,
/6=2Анеболее.
ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д .
Стап1<1еский коэффющент !iсредачи
общим эмиттером (на границе
lк=10А:
при Т=298 К и Т=343 К
ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г,
при Т=213 К (при 7'=218 К
ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д)
тока в схе;.А~ с
насыщения) пр11
(при Т= 328 К
ГТ806Д)
ГТ806А, ГТ806Б,
Время выключения прп Иrо = 45 В, lк = 5 А,
0,6 в
0,8 в
1в
10-100
10-150
!6=0,25Ансбо;1ее..
30 мкс
Граничная частота коэффиниента передачи тока в схеме
собщим эмитгером при Икэ=5 В, fк=1 А не
менее
Обратный ток коллектор-эмиттер при U63 = 1 В,
Икэ = 75 В IТ806А; ври Икэ = 100 В !Т806Б;
при Икэ = 120 В IТ806В нс бorrec:
при Т=298 К и Т=213 К.
приТ=343К..
при Т = 298 К Икз = Икэ . .~акс· ГТ806А, ГПОбБ,
ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д .
.
.
.
.
Обратный ток эмиттера при U63 = 2 В не более .
Преде.г;ьные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение ~;оллектор-эмиттер при U63 =
=1 В, при Тп=213_,_358 К (при Тп=218_,_328 К
ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д):
1Т806А, ГТ806А
1Т806Б, ГТ806Б
!Т806В, ГТ806В
ГТ806Г
ГТ806Д
542
10 МГц
12 мА
25 мА
15 мА
5мА
75в
100 в
120 в
50в
140 в


r
'
Постоянное напряжение база-эмиттер при Тп = 213 +
358 К (при Тп = 218-; - 328 К ГТ806А, ГТ806Б,
ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д) .
Постоянный ток коллектора в режиме насыщения при
Т= 213 + 358 К (при Т= 218 + 328 К ГТ806А, ГТ806Б,
ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д) .
Импульсный ток коллектора в режиме насыщения при
Q~2. "tи= 1000 МКС, Кнас= 1, Тп=213+358 К.
Постоянный гок базы при Тп = 213-;- 358 К (при
Т" = 218 + 328 К ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г,
ГТ806Д).
Постоянная рассеивае:-.шя мощность коллектора:
с теплоотводом при Тк = 213 + 298 К
без теплоотводз. при Т = 298 К .
Тепловое сопротивление переход-корпус .
Температура перехода .
Тем11ература окружающей среды:
1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В .
ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д
2в
20А
25А
3А
30 Вт
2Вт
2 К/Вт
358 к
От 213 до
тк=343к
От 218 до
т.=328к
Примечания: 1. При Т.=298+343 К (при Т,=328 К
ГТ806А. ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д) максимально допусти­
мая постоянн~.я рассеиваемая мощность коллектора, Вг, с тепло­
отводом рассчитывается по формуле
Рк. макс = (358 - Т.)/ Rт. п-к·
Не допускается отключение базы при наличии напряжения меж­
ду ко:щектором и эмиттером. Не рекомендуется работа транзистора
при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемыми токами во
всем диапазоне температур.
Эксплуатация транзисторов в режимах за пределами областей
максимальных режимов, в том числе с учетом процессоn, про­
исходящих при включении и выключении, запрещается. При работе
в импульсном рслш:\1е при отсутствии открывающего импульса
транзистор ;юлжен быть закрыт положительным смещением базы
0,5В<;;:ИБэ<;;:2В.
2. Пай~ш выводов допускается на ржстоянип не менее 6 мм
от корпуса транзистора. При включении транзистора в· электри­
ческую цепь, пахо;\Ящуюся под напряжением, кол,,~кторный
контакт должен подсоед1шятLСЯ последним и отсоел.иняться пер­
вым.
543


201.......~--1>......Ц~~-~
701--+-"r -+--+-". + ---4<-... ....
61--+-~'<"-+-н->.-+--+~Л
ц 1--+---+-Н--'!,,----\'
21--+- - -+-!-!,-μl-+- - --++'---i
1
0,6 l::::j~~..+=~=1
О,'/.
0,21--+---+-+-Н----+--'1!---i
0, 1 Отхрытоа состоян е
1 2 L/61020L/0Uк3,B
Область максимальных режи-
1'-fОВ.
20t-.:!----д..~~f.!o.r-~Н--I
1о1---1->--'-'-_._,,"'
21--'+----+--+-t-+>.--+-++--\н-1
1
0,6
~Цl--+--~-Нf-+---+~Н-1-,f-Н
0,2
о, 1 .. __.. .. ___. __. _._. ___. __.. .... .... .... ..
1 2 ц61020L/OUк3,В
Область максимальных режи­
мов.
544
2t--+--4--Н-+\--Ч---+-1~-Н
1
0,6i=:-=~~+.+=fs;=tU:t:1
о,ц
0,2
0,7.___,____.._._l...J..--L-..J.....>LU
1 2 L/61020цоUка,В
Об:шсть максимальных режи­
мов.
1
1
1
1Т806А-1Т806В,
-
ГТ806А -П806В -
25
-..;;;;;;:
"
22,5
20
15
\
\~
""""
17,5
12,5
10
О5101520Iк,А
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тока
коллектора.


r1
!
цc1---+--+--=f....,,,,,:-+-----i
2or---+-~-1-~-+---t~---j
о.____,~__.-~.~
213 253 293 :ПJ J73Тк,К
Зависи'Лосп. статического коэф­
фициента нер~;щчп тока от тем­
пеr.:пуры корпуса.
0,550
~525
1Т806А-1ТВ068,
ГТВD6А-ГТ80БВ
~ 0,5 ~---1--+--+----::rr--f
<!
:i:
~ор5
::::.
Oft25~---:~--t---+--t--~-f
~ц.___,____,._ __ . _
___ ._- :: --'
О 0,5
1,5 2I5,A
Зависимость напряжения насы­
щения база-эмиттер от тока ба­
зы.
Входные хараI(терпстнки.
18 По.'JуЩJоводниковые приборы
5гг-т-.---.----.---,----,
1Т806А­
ц 1-+ ---11- -+ -- ---1- 1Т806 в)
о
"J:: ~ ~~
ГТ806А-
,,,., }"- --+----П8068
111
:.:,
.~---ч 1
Зависимость напряжения насы­
щения коллектор-эмиттер от
тока базы.
Iк,А 1T8CSA -1!8068,
2,5 ГТВDSА- --,-,с-----т.---1
ГТ8068
о 0,1 0,2 0,J O/iu63,В
Зависимость тока коллектора от
напряжения .база-эмиттер.
1,5
0,5 t----+---!t---+--1+--~
о i_-;;.__~=--..J_--'
О, 1 0,2 O,J О,ц 0,5 U53,8
545


ГТ810А
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р низкочас­
тотные усилительные мощные.
ВыпусI(аются в металлостек.тянном корпусе с жестким!! вывода­
ми. ОбозначенlJе типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 12 r.
Z5
30,5
13
Z4
Z,5
Ko11J1e1<mop
Zот0.Ф3,5
Ба.за.
ф 17,1
ф11
Электрические параметры
Граничная частота при Икэ = 10 В, fэ = 0,5 А не
менее
15 МГц
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при lк = 10 А,
/6=1Анеболее.
0,7 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при fк = 10 А,
!6=1Анеболее.
0,8 В
Статический коJффнuиент передачи тока в схеме с
общим эмиттером при Икэ=1О В, /э=5 А не
менее.
Обратный ток ко.тлсктора при ИкБ = 200 в пе
бо.тее.
Обратный ток эмиттера при ИэБ = 1,4 в не
более.
Преде"тьные эксплуатащюиныс данные
Посто<1нное напряжение
Т=298 К
кол.тектор-база
Постоянное напряжение коллектор-Jмиттер
=J00Ом,Т=298К.
Импу.тьсное напряжение кол.-rектор-змиттер
= 100Ом,тн=20мкс,Т=298К.
Постоянное напряжение
Jм1птер-база
Т=298К.
546
при
при Яэs =
при Rэ5 =
при
5
20 мА
15 :..1А
200 в
200 D
250 в
1,4 в


r Постоянный ток коллектора при Т = 298 К .
Постоянный ток базы при Т = 298 К
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при
Т= 298 К:
с теп~1оотводом .
без теплоотвода .
Тепловое сопротив~1ение:
вереход-корпус
переход-среда .
Температура перехода
Температура окружающей среды
1Т813А, 1Т813Б, 1Т813В
10А
1,5 А
15 Вт
0,75 Вт
2,5 К/Вт
50 К/Вт
338 к
От 218 до
328 к
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р переклю­
чательные низкочастотные мощные.
Предназначены для работы в схемах переключающих устройств.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выво­
дами. Обозначение тнпа нриводится на корпусе.
Масса транзистора не более 28 г.
Ба.з'1-
\
г-т
\
1
1
.
,,.,
"'
N
,,_;
"Э-
...,,
12,5
Z5,5
Коллектор
Электрические параметры
Граничное напряжение при /э = 3 А, <и .;;; 50 мкс,
""'
.....,
"G-
/= 20-;- 50 Гц не менее:
!Т813А
60В
!Т813Б
75В
!Т813В
80В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 30 А,
/Б=3Анебо~1ее.
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 30 А,
/Б=3Анеболее.
18*
0,8 в
0,8 в
547


Статический коэффиuиснт передачи тока в схеме с
общпм эмиттером (на граниuс насыще.шя) прн
lк=20А:
при Т=298 К
при Т=343 К, lк= 10 А
прн Т= 21'3 К.
Время выrслюченн~ при Икэ = 30 В, lк = 30 А,
/Б=5Анеболее:
IТ813А ...
IТ813Б, IТ813В .
Обратный ток коллектор-эмиттер при U63 = 1 В не
более:
при Т=298 К и Т=213 К; при Икэ=lGO В
IТ813А; при Икэ = 125 В IТ81ЗБ; прн Uкэ =
= 150 В IТ813В ..
при Т=343 К, при Икэ=80 В IТ813А; при
Uкэ= 100ВIТ813Б;при Икэ= 120В IТ813В.
Обратный ток эмиттера при U63 ~ 2 ·в не более .
Предельные эксплуатац11он11ые данные
Постоянное напряжение коллектор-Jмиттер при U63 = 1 В:
приТ,=213+313К:
IТ813А
IТ813Б....
!Т813В
прит.=213+343К:
IТ813А
IТ813Б
IТ813В
Посто~нное
358 к.
Импульсное
358 К:
напряжение
напряжение
база-эмиттер
база-эмиттер
при Ти..;;; 1мс, Q;;:,,2
при Т11 ..;;; 5 мкс, Q ;;:,, 3
при т.=213+
при т.=213+
10-60
10-60
10-120
3 мкс
5 мкс
16 мА
25 мА
40 мА
100 в
125 в
150 в
80в
100 в
120 в
2в
4в
6в
Постоянный ток коллектора при Т, = 213 + 358 К
30А
Импульсный ток коллектора при т. = 213 + 358 К,
Т11 ..;;; 1 мс, Q ;;:,, 2
.
40А
Постояш:ыii ток базы при т. = 213 + 358 К . .
5А
Импут.снш'i то;; базLI при т. = 213 + 358 К, т11 <;; 1 мс,
Q;;:. 2 .
.
10А
Постоянная рассе1шасмая мощность коллектора:
прит.=213-~298К......
безтеплоотводаприТ=213 +298К,р=670Па.
Температура нерехода .
Температура окружающей среды . . .
548
50 Вт
1,5 Вт
358 к
. От213Кдо
т.=343к


r1
Тепловая постоянная времени отвода тепла переход-
среда *
5- 10 мин
типовое значение .
7 мин
Тепловая постоянная времени отвода тепла переход-
корпус * .
7- 25 мин
типовое значение .
Тепловое сопротивление переход-среда
типовое значение
12 мин
.1 5-30 К/Вт
20 К/Вт
П р им сч ан и я: 1. Не допускается отключение базы при нали­
чии н:шряжения между коллектором и эмиттером. Запрещается
использовать транзистор в схемах, У которых цепь базы разомкну­
та по постоянному току.
При напряжении Икэ;;:,, 20 В и RБэ > 5 Ом рекомендуется за­
пирать транзистор положительным смещением 0,5 В .;;; U63 .;;; 2 В.
Эксплуатация транзисторов за пределами областей максималь­
ных режимов (открытое состояние), в том числе с учетом про­
цессов, происход<1щих при включении и выключении, запрещается.
2. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 6 мм
от корпуса. Разрешается производить пайку выводов методом по­
гружения не более чем на 2- 3 с в расплавленный припой с тем­
пературой пе более 533 К.
При включении транзистора в ::тектрическую цепь, находящую­
ся под напр~1жен11е;..1, коллекторный контакт должен присоединяться
последним и отсоединяться первым.
Iк,А
'10 1--1 --:+ --r++.. -< n o- -; .:
61--'.+----1-'Н
f./ .1- -....P ..-- I-
o,sJ:.-....+-_j__-Ц~:+----t-1-H
O,f ./.
0,2~.l---4-.J....1-1---.P.....~rt-Н
0,1
в
1 2 f./ . 6810 20 f./.ОUкэ,
Область максимальных режи­
мов.
Iк,А
l/01----t---l--1.-1-1--.i~*
20
10..,_-+-_,,_._
6,___....,______,..___.
f./ . ,____,.,..._~_,.__.
2,___,_~~........
1 "fi,,=3'13K
0,6i-,.-+-~l--l-5'1--:\,l----'l--l>.Щ
O,f./.
О,2t---+-~1--1-1-1--+>-.-....н-f.\!Н
0,1......__._~......_._,_,___,___....,_,_,!..W
1 2 '1 6810 20 1/0Uк3,8
Область максимальных режи­
мов.
549


Iк,А
1T81JB
60
цо
20
10
6
ц
2
0, 2 1---+-~-+--Н--t"<--~Н11Н
о,1.___. __ _,,_ _. _......._._ _......................
12ц61020ЦОUкз,В
1Т813А-1Т813В
hz1э
80н----t---+---1---IГ------1
SOt--~--+--+---+----1
ЦОt---+"<--+--+---+----1
20t---+~~-=i-~-+---I
о 10 20 30 ЦОiк,К
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тока
коллектора.
,_
~ J о ~--+--+---+--+----1---<
u
"'
"'~20t---+--+---+---1----!
о.....""
550
101---+---+--++--I--~
о ..__..... _..... __'--'._
213' 253' 293 JЗ'J 3'73Тк,К
I5,A
8
1T81JA-
6
1!8138
ц
1
2
Входные характеристики.
<-
Область максимальных режи­
мов.
0,5
~ оц l----<f---4- -+-iUl----1
u,
t!
=<
~ O,J
:::::.
~
gо, 2 1-----1-~_.,,.,.'-4---l---I
J ~1>----<--+---'---1---1
Iк/I5 = 10
о 10 20 JO ЦОIк,А
Зависимость напряжений насы­
щений кол~-тектор-эмиттер и ба­
за-эмиттер от тока коллектора.
Зависимость максимальн,1 до­
пустимой постоянной рассеивае­
мой мощности коллектора от
температуры корпуса.


r
1.
180
160
~140
~
~ 120
с.;
~100
80
1Т8?3А,1Т8138
~1Т813В
1
\.
1Т813Б ' \
1
\
1Т813А
\
1
\
213 253 293 333 373 !;,К
Зависимость максимально до­
пустимого напряжения коллек­
тор-эмиттер от температуры
корпуса.
hг1з 1Т813А -1Т813В
801---1-~-1---+~+---1
о L--...J..--1--.J---'____,~
21J 253 293 333 373 Тк,К
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тем­
пературы корпуса.
Зависимость обратного тока
коллектор-эмиттер от темпера­
туры корпуса.
1
0,8
~О,6
:::::.
"'-..
~О,'+
""
:::::. 0,2
о
~...
1
1J111
,,
1Т813А-1Т813В
~
'~
1 2 ц. 6 10 20 1/.060100 l/.00 R53 ,Ом
Зависимость относительного
максимально допустимого на­
пряжения коллектор-эмиттер от
сопротивления база-эмиттер.
1ТВ13А -1Т8138
0,6
0,51----1---+--+-~-~
схэ._ O,Цt----if-----1--J.~-1---!
...
<:1
:'; о 3t--1f---~L--+--+--1
:}'
0,2 l""== --4- -1-
~1':-=--:.1-.....L.-...J__.J..____J
213 253 293 333 373Тк,К
Зависимость напряжения насы­
щения коллектор-эмиттер от
температуры корпуса.
6
5
1ц
~3
~
2
1
1
1
1
1ТВ13А-
'-1ТВ13В
)
/1
j
__. /
213 253 293 3J3 J7J"fк,K
551


:КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г
Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные р-п-р уни­
версальные низкочастотные мощные.
Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, опе­
рационных и дифференциальных усилителях, преобразователях, им­
пульсных схемах.
Выпускаются в п:1астмассовом корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не бо:1ее 1 г.
Z,B
Электрнческ11е пара~1етры
Граничное напряжение при / 3 = 50 мА, <и .;; 300 мкс,
Q ;;. 100 не менее:
КТ814А
25В
КТ814Б
40В
КТ814В
60В
КТ814Г
80В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер пр11 Iк = 0,5 А,
IБ=0,05Анеболее.
Напряжение насыщения база-эмиrтер прн Iк = 0,5 А,
IБ=0,05Анеболее.
Статический коэффипнент передача тока в СХбfС с
общим эмиттером при Икз = 2 В, Iк =О, 15 А не
менее:
КТ814А, КТ814Б, КТ814В .
КТ814Г .
Граничная частота коэффшшента передачи тока прп
0.6 в
1,2 в
40
30
Икэ=5В,Iэ=0,03Анеменее.
3 МГц
Емкость коллекторrюго перехода при Икз = 5 В,
f=465 кГц не более .
40 пФ
Обратный ток коллектора при ИкБ = 40 В не
более
50 :v1кА
552


г
1
1.
1
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБэ .;;
.;;100Ом,т.=213+373К:
КТ814А
КТ814Б
КТ814В
КТ814Г
Постоянное напряжепне база-эмиттер при т. = 233 -;-
373 к.
Постоянный ток коллектора при т. = 233 + 373 К .
Импульсный ток коллектора при <и .;; 10 мс, Q ;;. 100,
т.=233 -;-373 к .
Постоянный ток базы при т. = 233 + 373 К
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
с теплоотводом при т. = 233 + 298 К
без теплоотвода при Т = 233 + 298 К
Температура перехода .
Температура окружающей среды .
40в
50в
70в
100 в
5в
1,5 А
3А
0,5 А
10 Вт
1Вт
398 к
От 233 до
т.=373к
Пр и м е чан и я: 1. Максимально допустимая постоянная рас­
сеиваемая мощность коллектора без теплоотвода при т. = 298 -;-
373 К снижается линейно на 0,01 Вт через 1 К.
2. Пайку выводов разрешается производить на расстоянии не
менее 5 мм от корпуса. При пайке жало паяльника должно быть
заземлено.
Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от
корпуса транзистора с радиусом закругления 1,5- 2 мм, при этом
должны приниматься меры, исключающие возможность передачи
усилий па корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается.
0,5
0/1
~ 0,3
..,
tl
:z:
<>i 0,2
~
o,i
о
1
11111
КТВНА -КТВ1'1.Г
Iк/I5 =10
111'
/
v
70 20 1/060100 цоо Iк,мА
Зависимость напряжения насы­
щения коллектор-эмиттер от
тока коллектора.
553


h21Э
100
80
60
чо
20
1/
v
1.,,,
v
~ ....
1ТКТ81ЧА - КТ81ЧГ
Uк=2В
r\,.
\
'
"
~
0,10 ,2 О,ЧО,61 2 lf 610 20 ЧО 60100 ЧООiк,А
10--.....-.--.---,
81---+-----t.~f--+----1
J; 61--1--+-"<-f--+-----I
~lj
"~
Q...,.:_ 21--+-+----+4-+-----1
о '=-~-=-'=с-=-="='"'=~=-'
233 273 313 353393!,,,К
Зависимость статичесI<Оrо коэф­
фициента передачи тока от тока
коллектора.
Зависимость максимально тю­
пустимой постоянной рассеивае­
мой мощности коллектора от
температуры корпуса.
КТ816А, КТ816Б, КТ816В, КТ816Г
Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные р-п-р уни-
версальные низкочастотные мощные.
""
,,..
~""
...;-
1
1,Z
Z,3
Б а,3а.
Эмиттер
О,88
Но.плектор
z,з
~
Предназначены для при­
менения в усилителях низкой
частоты, операционных и диф­
ференциальных усилителях, пре­
образователях и импульсных
схемах.
Выпускаются в пластмас­
совом корпусе с гибкими вы­
водами. Обозначение
типа
приводится на корпусе.
Масса транзистора не бо­
лее О,7 г.
Э.11е1прические параметры
Граничное напряжение при Iэ = 100 мА, t 11
,;;; 300 мкс,
Q ;;< 100 не менее:
КТ816А
25В
КТ816Б
45В
КТ816В
60В
КТ816Г
80В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 3 А,
/Б=0,3Анеболее.
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 3 А,
/Б=0,3Анеболее.
Статический коэффициент передачи тока в схеме с
554
IB
1,5 в
---


Гобщим 'миmром щ>и Uю~2
'
КТ816А, КТ816Б, КТ816В .
В,Iк=2Анеменее:
КТ816Г .
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
собщим эмиттером при Uкэ=5 В, Iк=0,05 А не
20
15
менее.
.
.
.
3 МГц
Емкость коллекторного перехода при Икэ = 5 В, f =
= 465кГцнеболее.
115 пФ
Обратный ток коллектора при ИкБ = 25 В КТ816А;
при UКБ = 45 В КТ817Б; пр;~ Ию;= 60 В КТ816В;
при ИкБ = 100 В КТ816Г пе более .
100 мкА
Преде"'IЬИые л•сп.1;уатац11011иые даниые
Постоянное напряжение кол:1ектор-эмиттср при RБэ = х
Тк=213-:-373 К:
KТSIGA
КТ816Б
КТ816В
КТ816Г
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер прн 1R 63 ,;;;
,;;; 1 кОм при Тк=213-:-373 К:
КТ816А
КТ816Б
КТ816В
КТ816Г
Постоянное напряжение база-эмиттер при Тк = 213 -;-
373 к.
Постоянный ток коллектора при т. = 213-; - 373 К .
Импульсный ток коллектора при ти ,;;; 20 мс, Q;,, 100,
Тк=213-о-373 К .
Постоянный ток базы п~:;и Тк = 213-; - 373 К .
Постоянная рассеиваемая мощное rь коллск·~ ора:
с теплоотводом при Т, = 21 З -;- 298 К
без теплоотвода при Т = 213 -;- 298 К
Температура перехода .
Температура окружающеi! среды .
25в
45в
60в
80в
40в
45в
60в
100 в
5в
3А
6А
lA
25 Вт
1Вт
423 к
От 213 до
т.=398к
П р и м е чан и с. Паi!ку выводов разрешается проводить на рас­
стоянии не менее 5 мм от корпуса. При пайке жало паяльника
до,-rжно быть заземлено.
Изгиб вьшодов допускается на расстоянии не мен<:е 5 мм от
корпуса транзистора с радиусом закругления 1,5 - 2 мм, при этом
должны приниматься меры, исключающие возможность передачи
усилий на корпус. Изгиб в плоскости вьшодов не допускается.
Прн монтаже транзисторов на теплоотвод крутящий момент при
нажиме не должен превышать 70 Н ·см.
555


1,2
о,в
""... 0,6
"
КТ(11б.д,- К Т81бГ
111 1
h2rз
180
11f0
Iк/15 =10
1
/
111 1
IJ
~о
100
~ ,lf
1
1 11 1 ........
1
-·
:::; 0,2
во
о
20
v1
..... ~'ктВ1бА- КТВ1б г
v
"
Uкэ =28
"...
1
11
".........
10 20 ЧО 60100200 6001000 lfOOOiк ,мА 1 2 lf б 10 20 lf060100 ЧОО 1000 Iз ,мА
Зависимость напряжения насы­
щения кол.1ектср-эмиттер от то­
ка ко:шектора.
25
го
5
о
l
1
\ КТ816А-
\КТ816Г-
1\
\
\
213 253 293 333 J73ТюК
Зависимость максимально ::10-
пусти~ой постоянной рассеи­
ваемои мощности коллектора
от температуры корпуса.
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от то­
ка эмиттера.
2 ц681020 цоUкэ,В
Область максимальных режи­
мов.
t<~T818A, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г, КТ818АМ,
КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ
Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарныс р-п-р уни­
r:ерсальные низкочастотные мощные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты,
операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и
сv1пульсных схемах.
Транзисторы КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г выпускаются
в пластмассовом корпусе с гибкими выводами (вариант !), тран­
зисторы КТ818АМ, КТ8!8БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ - в металло­
стеклянном корпусе с жесткими выводами (вариант 2). Обозначение
типа приводится на корпусе.
556


г Масса транзисторов КТ818А, КТ818Б, КТ818В, KTS 1SГ не бо.1се
2,5 г, транзисторов КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ пе
более 15 г.
10, 55"
.Jнитт~р
13
3,8
BaptuLнm 1
Ф3,5
база,
Ноллектор
Ва,риа.нт Z
1,37
Ч,8
1,1
3'1 ,G
30
Ноллехтор
ЭJ1ектр11чес1ше параметры
Граничное нащ:яж~ние при lк = 0,1 А, <и,;;; 300 мкс,
Q;,, 100 пе менее:
КТ818А, КТ818АМ
25В
КТ818Б, КТ818БМ
40В
КТ818В, КТ818ВМ
60В
КТ818Г, КТ818ГМ
80В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = 5 А,
!6=0,5Ан;;60;1се.
2В
Напряжение насыщения база-эмиттер При lк = 5 А,
!6=0,5Анеболее.
3В
Статический ко:>ффпциент передачи тока в схеме с
общи">! эмиттером при ИкБ= 5 В, fк=5 А не
менее:
557


КТ818А, КТ818В, КТ818АМ, КТ818ВМ . . .
КТ818Б, КТ818Г, КТ818БМ, КТ818ГМ . . .
Граничная частота коэффициента передачи тока
ИкБ=5В,lэ=0.5Анеменее......
Обратный ток коллектора при ИкБ = 40 В
бо:1е~...............
при
не
Предельные :жснлуатацишшые да1шые
Постоянное напряжение ко:шектор-эмиттер при RБэ = х
тк=233 .;-373 к:
КТ818А, КТ818АМ .
КТ818Б. КТ818БМ
КТ818В, КТ818ВМ .
КТ818Г, КТ818ГМ .
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБэ =
= 100Ом,Т,=233 .;-373К:
КТ818А, КТ818АМ .
КТ818Б, КТ818БМ
КТ818В, КТ818ВМ
КТ818Г....
КТ818ГМ
Постоянное напряжение
373 к ...... .
база-эмиттер при тк = 233 .;-
Постоянный ток коллектора при т. = 233 .;- 373 К:
КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г ..
КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ
Импульсный ток коллектора при <и .;; 10 мс. Q > 100,
т.=2337373к:
КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г ...
КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ .
Постоянный ток базы при Т, = 233 7 373 К .
Импульсный ток базы при <и .;; 10 мс, Q > 100.
тк=233.;-373к..........
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
с теплоотводом при Т, .;; 298 К:
КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г . . .
КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ
без теплоотвода при Т.;; 298 К:
КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г . . .
КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ
Температура псрсхол<1 . . . .
Температура окружающей среды.
3
15
12
МГц
1мА
25в
40в
60в
80в
40в
50в
70в
100 в
90в
5в
10А
15А
15А
20А
3А
5А
60 Вт
100 Вт
1,5 Вт
2Вт
398 к
От 233 до
тк= 373 к
П р и м е чан и я: 1. Постоянная рассеиваемая мощность коллек­
тора без теплоотвода при Т = 298 7 373 К снижается линейно на
0,015 Вт через 1 К КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г и на
0,02 Вт через 1 К КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ.
558
1


2. Пайку выводов разрешается производить на расстоянии не
менее 5 мм от корпуса. При пайке жало паяльника должно
быть заземлено.
При монтаже в схему транзисторов КТ818А, КТ818Б, КТ818В,
КТ818Г допускается одноразовый изгиб выводов на расстоянии не
менее 2,5 мм от корпуса под углом 90 ·,
радиусом не менее
0,8 мм. При этом до~"Iжны приниматься меры, исключающие воз­
можность передачи усилий па корпус. Изгиб в плоскости выводов
не допускается.
120
IOOl--~-+--+--+---1
во~8--μ,,-+-+---t-~
.. ...
~бОi-=
6-+-- -'11----t- - -r -- -,
~
~ ч.oi...:*'----1--+-\,.--:!L....---'--~
df2
201---+.;;;:--+--V--г-""1
Зависимость максимально до­
пустимой постоянной рассеи­
ваемой мощности коллектора
от тс:-,,шературы корпуса.
l5 ,А КТ818А-КТ818Г,
1,0 КТ818АМ-КТ818ГМ
1
1
0,8 ~-1---+-+--tг---J
о, 6 1----+--+--+ --tt-- ---i
0,4
hz1э
100
80
60
40
20
о
!.- '"
f20
to KT8f8A-KT81Br
100
.. ...
80
8
С menAoom8otloн
CQ
60
6
~t::I
~
40
4
""
~
Зависимость максимально до­
пустимой постоянной рассеивае­
мой мощности коллектора от
темпера туры корпуса.
кт818А-'кт81в'г, 1 1
КТ818АМ-КТ818ГМ -
1
--
......
1°"
//
'\
1\.
Uк5=5В
.,
11
1'~
'
·il·
0,2
OL-....i...--=-_..,,.-:''::-7"~
0,4
0,01 0,02 0,06О,1 0,2 0,4 0,81 2 4 !10 А
Входная характеристика.
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от то­
ка коллектора.
559


~81--+-+-н+-+-f-+t-+--Г--t--t-i
~ 0,6
~~ ~Ч1--+-+-rt+-t-f-+t-t---+---t-~--1
"'
~ 0,21--+-+-н+-t-f-+·t-+--+---t--t-i
о ~'---1-L..LL._L__J_J..U.-1--0-_,__,
10 20 чо60100 чао 1000 2'10 3 6·103
R53 ,Ом
Зависимость относительного на­
пряжения коллектор-эмиттер от
сопротивления база-эмиттер.
<>
~ ~71---+-...-+--t--1----;
~
~ ~61---t--+-";:--
~
ц
8
Заnисимость времени выключе­
ния от тока коллектора.
110 ,----,- - - -:;;;;...--"'"=------,,- - - - --,
100J---,..-+-~---+---o~--<
901---t-~1!---+,---+-~......;
~
КТ818А-/(/818Г,
:;; 80 КТ818АМ-КТ818ГМ
~ 70 1----+
1
---+---+
so.___._~.L.--'-~-'-----'
213 253293333373~0К
560
б
1/-
2
>---КТ818А - К Т(]18!~ t
~
КТ818АМ-КТЗ18ПJ
1
1 m--·
1
·-
Q:)
1
1
f.
·--
-Jк/15=10 t-~'1 ~
V'
v
-
-. -::::6..:
,,,,,.
'
-
1
1
Зависимость папряжеюrя 11асы­
щеш1я коллектор-эмиттер от то­
ка ко~1лс~,;:тора.
hг1з
2ц1----;-~--1-----:-----J
22
Ix=5A
1в1--~-+~-+-~1---1-~-1
16.__...~---~'--......._~~
213 253 293 333 373 Тк,К
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тем­
пературы корпуса.
Зависимость граничного напря­
жения от температуры корпуса.


:КТ820А-1, КТ820Б-1, КТ820В-1
Транзисторы !(ремниевые мсза-эпитаксиально-планарные р-п-р уни­
версальные низкочастотные мощные.
Пре.'1на1начены для применеппя в усилителях низкой частоты,
операционных и дифферс>rниапы:ых усилителях, преобразователях и
импульсных схемах герметизнрunанной аппаратуры.
Бескорпусные, с гибки:vш выво,1амн, без кристаллодержателя,
с защитным покрытие:v1. Кю;<дый трапзнстор упаковывается в инди­
видуалытую тагу. 06озпачснне пша 1 ранзистора приводится на
сопроводrrтельной ·r аре.
Масса транзистора не более 0,02 г.
Электр11ческпг пнраметры
Граничное напряжение при lк = 50 мА, ти <:;; 300 мкс,
Q? 100 не менее:
КТ820А-1
КТ820Б-1
КТ820В-1
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при lк = 0,5 А,
/Б=0,05Анеболее.
Напряжение насыщения база-эмиттер при lк = 0,5 А,
/Б=0,05Апе более .
Статический коэффипиепт передачи тока в схеме с общим
эмиттером при ИкБ = 2 В, lк = 150 мА пе менее:
КТ820А-1, КП20Б-1 .
КТ820В-1
Граничная частота коэффициента перещ1чи тока при
Икэ=5В,/3=0,03Анеменее
Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 5 В,
f=465кГцнсболее
Емкость эмиттерного перехода при ИБэ = 0,5 В,
f=465кГцнеболее
40в
60в
80в
0,5 в
1,2 в
40
30
3 МГц
65 пФ
65 пФ
561


Обратный ток коллектора при ИкБ = 40 В не
более .
.·
30 мкА
Преде:1ьныс эксп.-~уатаuионные данные
Постоянное напряжение кол.1ектор-1м1птер при RБэ ,,:;;
,,:;; 100 Ом, Т= 233 + 358 К:
КТ820А-1
КТ820Б-1
КПi20В-1
Постоянное напряжение база-эмиттер при Т = 233 +
358 к.
Пос1оянный 1ок кол.1ектора прн Т = 233 + 358 К .
и~.шульсный ток коллектора при ти ,,,; 10 мс, Q ~ 100,
т=233+358 к
Постоянный ток базы прп Т = 233 + 358 К .
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора в составе
гибридной схемы при Т = 233 + 298 К
Температура перехода .
Температура окружающей среды.
50в
70в
100 в
5в
0,5 А
1,5 А
0,3 А
10 Вт
398 к
От 233 до
358 к
П р им е чан и я: 1. Максимально допустимая постоянная рас­
сеиваемая мощность кол лек 1 ора, Вт, в составе гибридной схемы
при Т = 298 + 358 К определяется по формуле
Рк. "акс = (398 - Т)/20.
2. Допускается пайка выводов на расстоянии не менее 3 мм
от защитного покрытия.
hг1з
160
120
80
80
о
/"
111•111111
КТ820А-1-КТ820В-1
!'-~
"'-
Uк5=2В
'
1•'
.... ,
~
2461024б1022413,мА
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тока
эмиттера.
562
h21з
1/0
/<Т820А-1 -
КТ82ОВ-1
35 Г--t---+----t-7""'1-----1
30t----+--"°1---_._~-L--'
25
20 ..........~--'-~-'--'---'
213 235 293 533 373Т,К
Зависимость статического коэф­
фициен га передачи тока от тем­
пера туры.


~
~0,9
.......
' ;!;, о,в
~07
'
0,6
ктв20А-1 - ктв2ов-1
"'-
"'1-- .
...... t-.
~t-.
0,5
0,4
""0 ,3
"'
~ 0,2
<...;
-$ 0,1
о
-
1
'
"
'
'
1
КТВ20А-1-!(Т820В-1
1
1
1
11
Iк/15 =10
J
//
-
tO 2 Ч.61022 Ч.610J2 Ч.61042RБЭ,Ом
102 ll6 10 22 lllк,мA
Зависа"-'!Ость относительного на­
пряжения коллектор-э:vшттер от
сопротивления база-эмиттер.
1,1
КТВ20А-1-КТ8208-1
1
11
11
~
lк/16 =10 1.1
l/
"v
"
1
~ 0,9
'-'
"
~ 0,8
~
vv
О,7
О,6
102 ц6ш22 цlк,мА
Зависиv~ость напряжения насы­
щения коллектор-база от тока
коллекrора.
Зависимость напряжения насы­
щения коллектор-эмиттер от
тока коллектора.
2,5
2
КТ82ОА-1-КТ8208-1
~ 1,5 r--t - --t- - -17"'--1- - -- -<
"":;;:
"'
~
""
..... о 5 t----!- --+- -1- -_j _--1
'
O~~--'---'--_j_-~
293 313 333 353 373 т,к
Зависимость обратного тока
ко"1лекrора от те:мпературы.
КТ822А-1, КТ822Б-1, :КТ822В-1
Транзисторы крслшиевыс меза-эпитаксиально-планарные р-12-р уни­
версальные низ;:очастотные мощные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты,
операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и
импульсных схемах.
Бескорвусные, с гибкими выводами без кристаллодержателя,
с защитным покрытием. Каждый транзистор упаковывается в инди­
видуальную тару. Обозначение типа приводится на сопроводитель­
ной таре.
Масса транзистора пе более 0,02 г.
563


Электрические параметры
Граничное напряжение при / 3 = 100 мА, ти <:;; 300 мкс,
Q ~ 100 не менее:
КТ822А-1
45В
КТ822Б-1
60В
КТ822В-1
80В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = 1 А,
/6=0,1Анеболее.
0,6 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 1 А,
/6=0,1Анеболее.
1,5 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим
эмиттеромприИкэ=2В,Iк=1Апеменее.
25
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
с общим эмиттером при Икэ=5 В, Iк= 0,05 А не
менее.
3 МГц
Емкость коллекторного перехода при Икэ = 5 В,
f=465кГцнеболее.
115 пФ
Обратный ток коллектора при ИкБ = 40 В не
более
50 мкА
Предельные эксплуатационные даш1ые
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при R 63 <:;;
,,:;; 1 кОм, Т= 233-: - 358 К:
КТ822А-1
КТ822Б"1
КТ822В-1
Постоянное напряжение база-эмиттер при Т = 233 -с-
45в
60в
!OJ В
358 к.
5в
Постоянный ток коллектора при Т = 233 -:- 358 К .
Импульсный ток коллектора при tи <:;; 20 мс, Q ~ 100,
т=233 -:-358к.
Постояш1ый ток базы при Т = 233 ~- 358 К .
564
2А
4А
0,5 л
l1


Постоянная рассеиваемая мощность коллектора в составе
гибридной схемы при Т = 233 + 298 К .
Температура окружающей среды .
20 Вт
От 233 до
358 к
2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, :КТ825Г, :КТ825Д,
КТ825Е
Транзисторы кремниевые меза-планарные р-п-р составные уни­
версальные низкочастотные мощные.
Предназначены для работы в усилителях низкой частоты,
импульсных усилителях мощности, стабилизаторах тока и напряже­
ния, повторителях, электронных системах управления, схемах авто­
матики и защиты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 20 r.
Коллектор
3,8
1Z
9миттер
10,з
База,
Электр11ческ11е параметры
Граничное напряжение при Iк = 100 мА, t, . , , ;; 300 мкс,
Q;;, 100:
2Т825А .
2Т825Б .
2Т825В, КТ825Д .
КТ825Г
КТ825Е .
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер не более:
при/к=1ОА,/Б=40мА....
при/к=20А,/Б=200мА. .
Напряжение насыщения база-эмиттер не более:
при/к=10А,/Б=40 мА
при/к=20А, /Б=200мА.
80в
60в
45в
70в
25в
2в
3*в
3в
4*в
565


Статический коэффициент передачи тока в схеме с
общим эмиттером при ИкБ = 10 В, 1-э = 10 А:
при Т= 298 К:
2Т825А
2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е.
при Т= 398 К:
2Т825А
2Т825Б, 2Т825В
при Т= 213 К:
2Т825А
2Т825Б, 2Т825В
Статически коэффициент передачи тока!!"в схеме с
общим эмиттером* при ИкБ = 10 В, Iэ = 20 А
неменее....
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигна­
ла*приИкБ=3В,1-э=10А,f=5кГц.
типовое значение .
Время включения при /к=1О А, /Б=40 мА не
более
типовое значение
Время выключения при /к= 10 А, / 6 = 40 мА не
более
типовое значение
Модуль коэффициента передачи тока при ИкБ = 3 В,
Iэ=10А,f=1МГцнеменее.
Емкость коллекторного перехода при Ик 6 = 10 В,
f=100кГцнеболее
типовое значение •
.
Емкость эмиттерного перехода при ИБэ = 3 В,
f=100 кГц не более
типовое значение .
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер
ИБэ = 1,5 В не менее:
566
приТ=298К,Iк=1мА:
2Т825А
2Т825Б
2Т825В, КТ825Д
КТ825Г .
КТ825Е .
приТ=398К,Iк=5мА:
2Т825А
2Т825Б
2Т825В
приТ=213К,Iк= 5мА:
2Т825А
2Т825Б
2Т825В
при
500-18 ООО
750-18000
400-25 ООО
600-25 ООО
100- 18000
150- 18 ООО
100
430-60000
1500
1 мкс
0,4 * мкс
4,5 мкс
З* мкс
4
600 пФ
350* пФ
600 пФ
400* пФ
100 в
80в
60в
90в
30в
80в
60в
50в
100 в
80в
60в


'
г'1
Предельные эксплуатациоииые даи11Ые
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБэ .;;
.;;1 кОм юи UБэ=1,5 В при Т,=213-:-398 К
2Т825А. 2Т825Б, 2Т825В и при Т, = 233 -:- 373 К
КТ825Г. КТ825Д. КТ825 Е:
2Т825А
2Т825Б
2Т825В, КТ825Д
КТ825Г
КТ825Е
Постоянное
398к. .
напряжение база-эмиттер при Т, = 213-:-
Постоянный ток коллектора при Т, = 213 -:- 398 К
2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В и при Т, = 233 -:- 373 К
КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е . . . .
•
•
.
.
.
Импульсный ток коллектора:
при Т, = 213 -:- 398 К 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В .
при Тк = 233 -:- 373 К КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е
Постоянный ток базы при Т, = 213 -о- 398 К 2Т825А,
2Т825Б, 2Т825В и при Тк = 233 -:- 373 К КТ825Г,
КТ825Д,КТ825Е............
Постоянная расеиваемая мощность коллектора:
2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В при Тк = 213 -:- 298 К .
КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е при Тк = 233 -о- 298 К .
безтеплоотводаприТ=298К.....
Температура корпуса:
2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В .
КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е
Температура перехода:
2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В
КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е
Температура окружающей среды:
2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В
КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е .
100 в
80в
60в
90в
30в
5в
20А
40А
30А
0,5 А
160 Вт
125 Вт
3Вт
398 к
373 к
448 к
423 к
От 213 до
т"=398 к
От 233 до
тк=373 к
567


.....
200
160
2Т825А -2Т8258
КТ825А - КТ825 В
ct) 120 """'..+~-+--+----+---1
"
~
~ 801----+-~......,..--1---<---<
цо1----+--+-~-.4-'>.-+----1
о.____._ ___. _ __._- -'.. ..._ .._~
273 313 353 393 ц3п/(,к
1цо~~-~-~--~
2Т825А-2Т8258
120 1------1- -- -1--+ -- --4- --J
2Т825Б
~ 80 i--__,t--'4-~--!---1
t:I
::;
ЦО1----+--+---+-~+---1
20..___,~_._~.........~...___,
273 313 353 393 ц33 rк,к
Зависимость максимально до­
пустимоrо напряжения коллек­
тор-эмиттер от температуры
корпуса.
3,5
2Т825А-2Т8258,
Зависимость максимально до­
пустимой постоянной рассеивае­
мой мощности коллектора от
hг1з
10000
6000
цооо
2000
1000
600
цоо
200
100
температуры корпуса .
1
2Т825А-2Т8258,
'--- -!<Т825А-КТ8258
-
' ---
1 111
-
UКБ =108
11
".Т/( =3981<-
~~--.::: '-
298К_
~/
~~
~
~
\Тк=213К - . ..
7
'
"
\
\
0,10,2 0,Ц0,61 2 11 61013,А
1,11
Зависимость статического коэф­
фиuиента передачи тока от тока
эмиттера.
~ 3,0 КТ825А-КТ8258
"" 1,2
2ТВ2SА.!_2тв2s~μ_
КТ825А-КТ8258
~
р' 5 1--+--+-+-IН---+-+--1+++--1 "' 1,0
~
~
~ 2 1----1---1--1-+4---+-----1--Н--41 zо, 8
""
~О,6
~
t--+--,---++-t--i ::S' 0,4
1
/ Т,,=298К,__
-
r- ...
- .....
/ -....
~
Т,,=398К
Iк~~ ~1~
",
О, 5 l::::::t::::ClJ_LLJ_il.LJ О, 2
0,10,20,40,61 2 46101к,А 100 400 10 3 цюз 10112.7011 Rsз,Ом
Зависимость напряжений насы­
щения ко_-шектор-эмиттер и ба­
за-эмиттер от тока коллектора.
568
Зависимость
относительного
пробивного напряжения коллек­
тор-эмиттер от сопротивления
база-эмиттер.


r.
Тк=29ВК -Т:,,~11!f~ '!;,О,5~с
160 1---4--_ _J _--L- --J . -- --J
.:,,, ~100мкс'- :::'-
!" ...
1'1 -0
=."'С,,!!.§.2, 01
1--.._
\
"" 12 о l---+- -J .--1 ---1 ---...j
lк,А
1'I0
20
10
6
q. .__Статически.iJ.
"
...
"'
\
' ;;, 100
2
1
0,6
0,'1 -
0,2
0,1
1
~режим 1
2Т825А-2Т8258
2 q. 6810
2Т825А-
"
2Т825Б--1 ----
2TB258---L
20 q.o БОUкэ,В
"
!---+-__.;.,~
~ 801---t-~+---1-~+---1
::5' БО1---1-~Н~~~82~5.~~'--1-----1
'1-0
20 '::--':---1. .- L- .. .! ._ _J
273 313 353 393 '1-33Тк,К
Область максимальных режи­
мов.
Зависимость максимально до­
пустимого напряжения коллек­
тор-эмиттер от температуры
корпуса.
Раздел седьмой
ТРАНЗИСТОРЫ МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ
п-р-п
КТ604А, КТ604Б, КТ604АМ, КТ604БМ
Транзисторы кремниевые меза-планарные п-р-п универсальные
высокочастотные мощные.
Пре;шазначены для применения в схемах операшюнных уси­
лителей, видеоусилителей и генераторов разверток.
Траншсторы КТ604А. КТ604Б выпускаются в металлостеклян­
ном корпусе (вариант 1), а транзисторы КТ604АМ, КТ604БМ -
в пластмассовом корпусе с гибкими выводами (вариант 2). Обозна­
чение типа прпволится на корпусе.
Масса транзистора в мсталлостеклянном корпусе не более 5 г,
в пластмассовом не более 1 г.
569


Вариант 1
~~
.9м11ттер
"'
... ..,
<:;
.. ..
-
,.. _
....
-
2,4
32
8
l\orlfleкmop
7,8
Вариант 2
2,8
fiaиJL
0,88
1,2
0,fi
Электрнческне параметры
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к =
=20мА,/Б=2мАнеболее.
Статический коэффициент передачи тока в схеме с
общим эмиттером при Ию; = 40 В, Iэ = 20 мА:
КТ604А, КТ604АМ
КТ604Б, КТ604БМ
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
с общим эмиттером при ИкБ=40 В, Iэ=20 мА
не менее .
Емкость коллекторного перехода при Ик 6 = 40 В,
f=2МГ11неболее.
Емкость эмиттерного перехода при ИэБ = О, f = 2 МГц
не более .
Обратный ток коллектор-эмиттер при Икэ = 250 В не
более.
Обратный ток эмиттера при U36 = 5 В не более .
570
8в
10-40
30-120
40 МГц
7пФ
50 пФ
20 мкА
50 мкА


г Предельные эксплуатационные данные
'
Постоянное напряжение коллектор-база:
при Т,,;:; 373 К
при Т=423 К .
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RзБ ..;;
..;; 1 кОм:
при Т,,;:; 373 К
при Т=423 К
Постоянное напряжение эмиттер-база:
при Т..;; 373 К
при Т= 423 К.
Постоянный ток коллектора
Постоянная рассеиваемая мощность:
без теплоотвода:
при Т<298 К
приТ=373К.
с теплоотводом:
при т• ..;; 298 К
приТ,=373К.
Температура перехода
Тепловое сопротивление:
переход-корпус
переход-окружающая среда
Температура окружающей среды и корпуса .
300 в
150 в
250 в
125 в
5в
2,5 в
200 мА
0,8 Вт
0,33 Вт
3Вт
1,25 Вт
423 к
40 К/Вт
150 К/Вт
От 233 до
373 к
Пр им е ч ан и е. При монтаже допускается пайка выводов на
расстоянии не менее 5 мм от корпуса. Пайку с:1едует производить
паяльником в течение не более 10 с, температура пайки не должна
превышать 533 К. Необходимо осуществлять теплоотвод между
корпусом и местом пай><и.
Для транзисторов в метал,•остеклянном корпусе изгиб выводов
допускается на расстояню1 нс менее 5 мм от корпуса с ра­
диусом закруг:1ения не менее 3 мм, при этом должны быть при­
няты меры предосторожности, обеспечнвающие неподвижность вы­
вода между местом изгиба и стеклянным изолятором.
Для транзпсторов в пластмассовом корпусе изгиб выводов
допускается под углом не более 90 с в плоскости, перпендикуляр­
ной плоскости основания корпуса транзистора, и на расстоянии
не менее 3 мм от корпуса транзистора с радиусом изгиба не
менее 1,5 мм.
571


hш
100
80
60
1/0
20
о
.1
1
КТ601fА,КТ60ЧБ
-
:~~ЧАМ,КТ,ОЧБМ
,
, Uкэ='IОВ
"
/
::- ..
'· ..... -
/
-
--
'---
1- __
-
1/0 во 12013,мА
Зона воз~южпых положений за­
висимости статического коэффи­
циента передачи тока от тока
эмиттера.
КТ601/А, КТ60ЧБ
КТ601/АМ,КТ601/БМ
О201/060ВОf,МГц
Зависимость модуля коэффици­
ента передачи тока от частоты.
Jh21el
з=20мА, f =20МГи,
572
10l---1---1----1--+----1'--1
8 1---А--1--.__-+---1------<
6 1---J.oc_ . J----+-- -l ---+--
I/ 1---" 1--+---+ --+---1--
2
о
КТ60ЧА,
КТ601/Б
КТ601/АМ,
КТ601/БМ
10 20 30 '10 50Uкэ,В
hг1Э КТ60'1А, КТ601/Б
100 КТ601/АМ, /
КТ60ЧБМ /
80
--
,,,, ....
Iэ =20мА
60
1/0
20
--
о
1/0 во 120 Uкэ,В
Зона возможпых положений за­
висимости статического коэффи­
циента перелачи тоrса от напря-
lh21el
12
10
8
6
1/
2
о
жения коллектор-эмиттер.
-
11'1
1
КТ60ЧА,КТ601/Б __
КТ60'1АМ ,КТ601/БМ
,,.-
-- ........ ,
[,,
1
.. ..
-~
,,.
.... .......
---
!"-
/
... ..
Uкз~20В "' .....
f=20МГи,
11
10 20 30 1/0 50I3,мА
Зона возможных положений за­
висимости модуля коэффициен­
та передачи тока от тока эмит-
тера.
Зона возможных положений за­
висимосп~ модуля козффициента
передачи тока от напряжения
коллектор-эмиттер.


rЗависимость емкостн коллек­
торного перехода от напряже­
ния ко.'Iлектор-база.
Ск ,пФ
10
~\
/( 1БМА, КТЕО 1+АМ,
KTiJMБ_ КТбОЧБМ_
1\.
в
6
ч
2
.........
.......__
О20ЧО6080Uк5,8
КТ611А, КТ611Б, КТ611В, КТ611Г
Транзисторы кремниевые планарные п-р-п усилительные.
Предназначены для ус11лепия и генерирования напряжения в
диапазоне высоких частот.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение т1:1па приводитс11 на корпусе.
Масса транзистора не более 5 г.
34
8,6 ~
1
1
-
с,,,
.
--
_,_
'
'Q.
--
--
'
'ес:,
с:;; -
21+~
"Q.
Модуль коJффициента 11ередачи тока nри Uкэ = 40 В,
/э=20 :-.1Л,f=20 МГц не менее .
Постоянная времени цепи обратной связи при
Uк5=20В,!3=20мА,f=2МГцнеболее.
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общ!I~-r
эмиттером при UкБ = 40 В, lэ = 20 мА:
при Т= 298 К:
KT61 IA, КТб\ IВ
КТб\IБ, КТб\ IГ
3
200 пс
10-40
30-120
573


при Т= 373 К:
KTбl lA, KTбll В
КТбJ 16, КТбl lГ
при Т= 248 К:
KTбl IA, KTбllB.
КТб11Б, КТб11Г .
Напрr.жение насыщения ко:тек 1ор-эм1птер
lк=20мА,ln=2мАнсболее.
при
Емкость кол.1екторного перехода при Икr;о = 40 В не
более...............
Обратный ток ко.1лектор-э.v11111er ври R 35 =О не более:
при Ию= 180 В КТ611А, КТбl 1Б,
пр11 Ию= 150 В КТб! lВ, КТ611Г . .
Обратный ток эмиттера не более:
при U350 =3 В KTGllA, КТб!IБ, KTбllB,
КТбllГ ..... .
Предельные эксп.11уатац11ониые данные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
при
RэБ.;; 1 кОм:
приТп=248 .;-373 К:
KTбllA, КТбllБ.
КТ611В, КТ611Г
приТп=423К:
KTбllA, КТ611Б
КТ611В, КТ611Г
Постоянное напряжение коллектор-база:
KTбllA, КТ611Б:
при Тп=248 -:-373 К
приТп=423К.
KTбl lB, КТбl lГ:
при Тп=248 -:-373 К
приТп=423К.
Постоянное напряжение база-эмиттер:
при Тп = 248-:- 373 К:
KTбl lA, КТ611Б, KTбl lB, КТбl IГ
приТп=423 К:
КТ611А, КТ611Б, KT61 IB, КТбl lГ .
Постоянный ток коллектора при Тп = 248 -:- 373 К .
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
приТ=298К
при Т=398 К
ври Тк=298 К
ври Тк=398 К
Тепловое
сопротивление
переход-окружающая
среда.........
.
.
.
.
.
.
.
.
.
Тепловое сопротивление переход-корпус КТ611А, КТ611Б,
КТ6!1В,КТб!lГ..............
Температура перехода КТ611А, КТ611Б, КТ611В,
КТбllГ ................. .
574
10-80
30-240
5-40
15-120
0.8 в
5пФ
100 мкА
100 мкА
100 мкА
180 в
150 в
90в
75в
200 в
100 в
180 в
90в
3в
1,5 в
100 мА
0,8 Вг
0,33 Вт
3Вт
1,25 Вт
150 К/Вт
40 К/Вт
423 к


((
Температура окружающей среды .
.От248Кдо
т.= 398 к
Пр им е чан и е. Пайка выводов транзисторов КТ611А, КТ611Б,
КТб 11 В, КТб 11 Г лонускастся па расстоянии не менее 5 мм от
корпуса пр11 те:v~псратурс пайки не более 533 К в течение 10 с.
Допускается 1п1 иб Еыводов на расстоянии не менее 5 мм от корпу­
са с радиусо~1 и:з1 иба 1,5-2 мм. Запрещае1ся использование тран­
зисторов без теплоотвода ври мощности рассеяния более 0,8 Вт.
Разрешается использовать транзисторы в схеме видеоусилителя теле­
визоров при коэффициенте пспользованпя по напряжению Икэ =
= 0,9 ИКЭR. чакс·
2Т625А-2, 2Т625Б-2, 2Т625АМ-2,
КТ625А, КТ625АМ
2Т625БМ-2,
Транзисторы крем-
ниевые
эпитаксиально­
планарные п-р-п персклю­
чительные.
Предназначены для
работы в импульсных схе­
мах в герметизированной
аппаратуре.
Бескорпусные, с за­
щитным покрытием, с гиб­
кими выводами. Обозна­
чение пша приво;щтся на
этикетке.
Масса транзисторов
2Т625А-2, 2Тб25Б-2,
КТ625А (вариант 1) не
более 0.015 г, 2Тб25АМ-2,
2Т625БМ-2, КТ625АМ
(вариант 2) не 60:1ее
0,04 1.
1,9
Вариант 1
~ ~umm•p
Коллектор
Вариант 2
~~
w:::аттер о о
Коллектор
575


Э.'lскчшческпе параметры
Статический коэфф~щис:нт ш::рсда•н; ток:~ в схеме с об-
щим эмиттером при Икэ = I В, fк = 500 мА:
2Т625А-2, 2Т625АМ-2
2Т625Б-2,2Т625БМ-2.........
КТ625А,КТ625АМ..........
Напряжение н:;сыщенпя коло1,::ктор-эмиттер при fк =
= 500 мА, I Б = 50 ~!А, 11е ~!CJ;,;e:
2Т625А-2, 2Т625АМ-2, 2Т625Б-2, 2Тб25БМ-2 .
КТ625А,КТ625АМ...........
Напряжение нас:..1щевия б:~за-э•.шгтер при lк = 500 ~iA,
/Б=50мЛнеменее:
30-120
20-120
20-200
0,63 в
1,2 в
2Т625А-2, 2Т625АМ-2, 2Т625Б-2, 2Т625БМ-2. .
1,2 В
КТ625А,КТ625ЛМ...........
1,5 В
Граничное напряжение при /к = 1О ~1А, /Б = О, <и .;;
~30 мrсс, Q~50 не ~1енсс:
2Т625А-2,2Тб25АМ-2..........
2Т625Б-2, 2Т625БМ-2 . .
•
.
.
.
•
.
.
.
Время рассасывания при lк = 500 мА, JБ = 50 мА, пе
более:
2Т625А-2, 2Т625АМ-2, 2Т625Б-2, 2Тб25БМ-2 . . . .
КТ625А,КТ625АМ......
.
.
.
.
.
Модуль коэффшщен1·а пе!"едачи тока при Икэ = 10 В,
Iк=50ыА,/=100МГцнемепее:
2Т625А-2, 2Тб25АМ-2, 2Т625Б-2, 2Т625БМ-2 . . .
КТ625А,КТ625АМ.............
Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 10 В не
более.................
Емкость эмиттерного перехода при ИэБ = О не более .
Обратный ток коллектора при ИкБ = 60 В не более .
Обратный ток эмиттера при ИэБ = 5 В не более . .
Обратный ток коллектор-эмиттер при Икэ = 60 В,
RэБ=О не более •
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
Предельные эксплуатационные да.чные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RэБ <
~ 5 кОм 2Т625А-2, 2Т625АМ-2, 2Т625Б-2, 2Т625БМ-2
приТк=2137373 КиКТ625А, КТ625АМпри Тк=
40в
30в
30 нс
60 пс
2,5
2
9пФ
90 пФ
30 мкА
100 мкА
60 мкА
2237358к..............
40в
Постоянное напряжение коллектор-база:
2Т625А-2, 2Т625АМ-2, 2Т625Б-2, 2Т625БМ-2:
nри Тк=2137373 К........
бОВ
приТк=398К.......
•
.
.
45В
при Т, = 223 - 358 К КТ625А, КТ625АМ .
60В
Постоянное напряжение эмиттер-база
2Т625А-2,
2Т625АМ-2, 2Тб25Б-2, 2Т625БМ-2 при Тк = 213 -:- 398 К
иКТ625А,КТ625АМприТк=2237358К. . . . .
5В
Постоянный ток коллектора 2Т625А-2, 2Т625АМ-2,
2Т625Б-2, 2Т625БМ-2 при Тк = 213 7 398 К и КТ625А,
576


КТ625АМ при Тк= 223 -;-358 К .
Импульсный ток коллектора при tи.;; 5 мкс, Q:;,, 10
2Т625А-2. 2Тб25АМ-2. 2Тб25Б-2, 2Т625БМ-2 при Тк =
= 213 -;- 398 К и КТ625А, КТ625АМ при Тк = 223 -;-
358 к.
Постоянная рассеиваемая \ющность коллек~:ора:
2Т625А-2, 2Тб25АМ-2. 2Т625Б-2. 2Т625БМ-2
Тк = 213 -;- 358 К и КТ625А, КТ625АМ при
= 223-;-343к. . .
2Тб25А-2, 2Т625АМ-2, 2Тб25Б-2, 2Тб25БМ-2
Тк=398КиКТ625А,КТ625АМприТк=358К.
Температура перехода:
2Тб25А-2, 2Т625АМ-2, 2Тб25Б-2, 2Тб25БМ-2
КТ625А, КТ625АМ . .
Температура окружающей среды:
2Т625А-2, 2Т625АМ-2. 2Тб25Б-2, 2Тб25БМ-2
КТ625А, КТ625АМ .
при
тк=
при
IA
1,3 А
1Вт
0.7 Вт
408 к
393 к
От 213
дотк=398к
От 223 до
тк= 358 к
Пр им е чан и е. Монтаж транзисторов в микросхемы осущест­
вляется в следующем порядке: место монтажа в микросхеме сма­
чивается флюсоУI ФКСп, затем укладывается фольга припоя ПОС-61
толщиной 30 мкм. размером 1,9 х 1,9 мм. Допускается нагрев
микросхемы до темпера1уры не выше 473 К в течение не более
10 с. В момент пайки транзистор нрижимается к месту монтажа
пинцетом. Усилие прилагается к боковым поверхностям кристал­
лодержателя.
60
ц.о
1/
20
о
100
.1
2Т625А-2, 2Т625Б-2
2Тб25АМ-2, 2Тб2JБМ-2
/
-....
!'--. ...
"
Uкэ=18
300 500 700 Iк ,мА
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тока
коллектора.
19 Полуnровош-IИковые приборы
0,8
2 Т625А-2 ~ 2Т625Б-2
0,6
2Тб25АМ-2, 2Тб25БМ-2 I/
1/...
о
100
__,,,/
... v
Jl<./JБ =10
300 500
/
v
700 Iк,мА
Зависимость напряжения насы­
щения коллектор-эмиттер от то­
ка коллектора.
577


1, '1
1,2
Q::] 1
/
0,6
100
2ТБ25А-2 ,2ТБ25Б-2
2Тб2.5АМ-2, 2Тб2.55f'1-2
/
v
/
/
v
vv Iк/JБ =10
300 500
Зависи~лость напряжснIIя насы­
щения база-эмипер от тока
кол:1еr;тора.
3
2
1
о
'
2Т625А-2, 2Т625Б-2
2тв2JАм-2, 2тв'z55м-2
/v-г-..i'..
v
",
\
Uкэ=1DВ
1 f=10JМГц
100 200
Зависимость молуля кос;ффици­
ен·1 а lJередачи ·1окu от тока
кол.:tектора.
_,,
Ч-5
35..___
~25
15
5
о
2Т625А-2, 2Т625б-2
2Тб~м-2, 2Тб25бМ-2
'
1
~г-......
Iк /15 =10
1
200 '100 600 Iк, мА
Зависн:vюсть времени рассасы­
вания 01 тока коллектора.
2Т625А'-2, 2Т625б-2
12 \ 2Тб2.5МJ-2, 2Тб25БМ-2
\
"'
...........
f'o>-...
8
---
-
1
-
о
в
'!6
Зависимость емкости каj1лектор­
ного перехода от напряжения
коллектор-база.
2Т629А-2, КТ629А
Тr2нзистсры кре:'v!ниевыс эпнтакснально-планарные п-р-п пере-
кл1очатс;-л.пыс.
Пр~д~1азпс..чепь1 для работы в н;о..,1пульсных cxel\1ax герr-летизи­
рованной аппаратуры.
578


Бескорвусные. с защи1 ным покрытием, с гибкими выводами.
Выпускаются в сопроводитс,<ьной таре. Обозначение типа приводится
на этикетке.
Масса транзистора не более 0,02 r.
1,2
/ ; \-Эмиттер
~~омектор
База
'Э.ТJе..: гр11•1еск11е параметры
Статический коэффшщснт перед::~чи тока в схеме с
общим эмиттером:
2Тб29А-2 при Ик6 = 1,2 В, /э = 500 мА:
ври Т=298 К
приТ=398К.
ври Т=213 К .
КТ629АприИкБ=5В,l·э=500мА,Т=298К.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк =
= 500мА,!6=50мАнсболее:
2Т629А-2
КТ629А .
Напряжение насыщения база-эмиттер при lк = 500 мА,
/Б=50мАнеболее.
Время рассасывания при lк = 500 мА, /Б = 50 мА,
2Т629А-2 не более .
Обратный ток коллектора при Ию; = 50 В, Т = 213 -;. -
398Кнеболее.
Обратный ток коллектор-эмпттер при Икэ = 50 В, R36 =
= 1 кОм 2Т629А-2 не более .
Обратный 1ок эмиттера при U-э;; = 4,5 В 2Т629А-2 не
более.
Граничное напряжение нри 1, = 10 мА:
2Т629А-2 не менее
КТ629А .
Модуль коэффипиента передачи тока при Икэ = 5 В,
Iк=50 мА,f=100 МГц не менее
Емкость ко;шекторного верехода при ИкБ = 1О В не
более:
2Тб29А-2
КТ629А .
Емкость эмиттерного перехода при ИэБ = 0,5 В не
более:
19*
25-80
25-150
10-80
25-J50
0,8 в
lB
1,5 в
90 нс
5 мкА
5 мкА
5 мкА
50в
40в
2,5
20 пФ
25 пФ
579


2Т629А-2
КТ629А .
Постоянная вре~~ени аепи обратной сап1и * при Uк 6 ~~
= 10В,/3=50мА,j=30МГu2Т629А-2
Время выключения * пр;~ Iк = 500 \1А, / 6 = 50 мА,
2Т629А-2
Время включения* при Iк = 500 мА. lr, = 50 \!А,
2Тб29А-2
Прсде.1ьные эксn.1уапщиош1ые данные
Постоянное напряжение ко:тлектор-эмитт::р нри Т =
=213-;--398КиRэr,=1кОм.
Постояано:: напряжение коллектор-база прп Т = 213-; --
398 к.
Постоянное напряжение эмиттер-база при Т = 213 -;-
398 к.
Постоянный ток коллектора при Т = 213 -' - 398 К .
Постоянная рассеиваемая мощность ко:1лсктора:
при Т=213-'- 353 К
при Т= 398 К.
Температура перехода .
Температура окружающей срелы
100 пф
120 пФ
1:ю пс
75 нс
30 нс
50в
50в
4.5 в
JA
1Вт
0,18 Вт
408 к
От 213 до
Т=398К
Пр и !\1еча11 не. При монтаже трn1в1н.:тора ....:;,онускае 1с1 11~1й1.:;1
выnодов аа расстоянии нс мене{; 2 ~;л.1 .Jo м·ссга nьг:о..:~а вывода
и3 защипюго покр~пия при гемнерат;рt н;;; выше 473 К в т;;;че1rие
не более 10 с. Изгиб вывода !-lоаус"ается на расстоянии нс
!\.-rснсс 0,5 мм от места п:ыхода вь.::-воJtа 111 защ111ио1 о нок:·)ытия.
Запрещ<J.<:01 ся соприкосновение Еыпода и крпсталл:t н перегиб вы­
водов на ребрах металлической по,1.1ожк11 и на rшструмен ге .:
остры~ш краями.
2Т629А-2
1,2
1iТб20А
/
Iк /!5 =10
/
./
v
./
v
--
"-
о
0,2
O,L/-
0,6 lк, А
Зависимость напряжения насы­
щения коллектор-эм;;ттер от то­
ка коллектора.
580
hг1э~~~-~~~~~~-~-r~
1'Юt---+--r--t--t---:--t--+---!
Заuисш.юсть статического коэф­
фициента передачи тока от тока
коллектора.


1201----+---+--
Зависимость статического коэф­
фициента nередачи тока от
наnряжения ко.1лсктор-база.
Зависимость граничной частоты
от тока коллектора.
\
15 1\
'\11..
'\ "'~КТ629А
"'- ....
1
Г--.:::!._Т629А-2 -
70
5
о
10
го
30 Uкs ,В
Зависимость емкости коллектор­
ного nерехода от наnряжения
коллектор-база.
400
2Т629А-2
-'- -
КТб29А
/
~['-...
300
1
'"
'"'
~ 200
Uкз=SВ
'
о
100 200 300 Iк,мА
КТ902А
Транзистор кремниевый мсза-нланарный п-р-11 уси,·штельный вы-
сокочастотный мощный.
Предназначен для лрименення в схемах высокочастотных уси­
лителей мощности.
Вьшускается в металлостеклянном корnусе с жесткими выводами.
Обозпачение типа nриводится на корnусе.
Масса траизистора не более 25 г.
581


23,5
-
12,5 71
J17.!i
__,
-
--.
"'""
-
-'
"J
""'
--
""
"J
."
-
.....
'е. ~
1'\!
-
'
J',8
Э.fJектрические параметры
Напряжение насыщения кол.1ектор-эмипер при lкэ =
=2.5А,/Б=0,4Анеболее.
2В
Входное напряжение база-эмиттер при Икэ = 10 В, fк =
= 2Ансболее.
2В
Статический коэффициент
общим эмиттером при
менее.
передачи
Икэ= 10
тока в схеме с
В.fк=2Ане
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с
общим эмиттером при Uкз=1О В, /э=1 А не
меиее.
Обратный ток коллектора при Ик 6 = 70 В не более
Обра·tный нмпу.-~ьсный ток коллектор-эмиттер ври Икэ =
= 110В,RБз=50Ом,f=50Гпнебо.1ее.
Обращый ток эмютера при U36 = 5 В не более .
Преде,7ы1ые экст1уатацнтшые дшшые
Постоянно~ т.шршr;енr:е кол.1сктор-б:ла при Т ~
~398к.
И1'шульсно'1 напря:кенн•.: коллектор-тvш пер при Т ~
~39~К,R53~5Ом,'"~15мкс.
Постоянное п::шряжсние эмиттер-баз:.; лри Т ~ 398 К.
Постоянныfi ток кос1ле1пс•ра .
Постоянныii ток Gазы .
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Тк.;;;323 К .
приТк=398К.
Температура ш·р~хода
Общее т~r;:ICJnoc сопротив:rсние
Тс~.;1псра 1ура корпуса .
15
35 МГц
10 мА
60 мА
100 мА
65в
110 в
5в
5А
2А
30 Вт
7,6 13т
423 к
3.3 К/Ег
01· 213
.:о ::~s I{
Пр :и r..·i е ч апис: 1. {;'к;.~!;<кс, С'кэ и.\::~~;:•с гr:,;1 1 ~= 42.~ !{ умеп~­
шаются в 2 ра">а.
582


r
'
2. Пайка выводов производится паяльником в течение не
более 10 с. Пайка выводов донускается на плоской части выводов
транзиооров.
Запрещае1ся кручение выводов вокруг оси. Изгибы и боковые
натяжения выводов не лопускаются.
hг1з
КТ902А
100 /
801--,...,+~-t.----l~--.-~,--j
40L----L~-L---''l.---"-+~-+-------j
201------1....~-1---1-~~-'-+---1
о2
б В 10Iк,А
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тока
коллектора.
КТ902А
Ск)пФ
~OOL!..-~~J--~~1---~--1
о
20
Зависимость емкости коллектор­
ного перехода от напряжения
коллектор-база.
hz1з
100
во
60
40
20
о
---
--
КТ902А
/
/
1к=2А
/
1
-
/
1)
/
v-
-
/
4 В 12 16 20Uкэ,В
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от
напряжения коллектор-эмиттер.
Зависимость емкости эмиттер­
ного перехода от напряжения
эмиттер-база.
583


140
120
100
~80
d
КТ902А
'
"'
ти~15мкс,
"\
-R36 ~50Ом-
1
1
~60
"'
-:!5 40
20
273
323
373 ·Т,К
Зависимость максимально до­
пустимого импульсного напря­
женпя коллектор-эмиттер от
температуры.
...
""'
40
КТ902А
~ 20 1----4- -,,, __, _____ __ _ j
d
:;,;
""
о._ 1о1-----1----+-o-->.~-----J
273
J23
373 Тк,К
Зависимость максимально до­
пустюлой рассеиваемой мощ­
ности коллектора от тем нера-
туры корпуса.
2Т903А, 2Т903Б, КТ903А, КТ903Б
Транзисторы кремниевые меза-п.'Iанарные п-р-п генераторные.
Предназначены для применения в схемах высокочастотных ге­
нераторов и усилителей.
Выпускаются в металлостекпянном корпусе с жесткими выво­
дами. Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора Hl: более 24 г.
11
12,5
ба.за.
.~аллектар
Эле1прические параметры
Выходная мощность * при Икэ = 30 В, /= 50 МГц,
т•.;;;323Кнеменее.
К{)эффициент усиления по мощности* не !V!енсс .
Напряжение насыщения ][Оллектор-эмиттер при Iк = 2 А,
/Б=0,4Апеболее:
2Т903А, 2Т903Б .
КТ903А, КТ903Б .
584
10 Вт
3
2в
2,5 в


r Напряжение насыщения база-эмиттер при fк = 2 А,
/ 6 = 0,4 А 2Т903А, 2Т903Б нс более .
.
Статический коэффициент аередачп тока в схеме с об­
щим э:vшттером при Икэ = 10 В, /к= 2 А:
2Т903А, КТ903А .
2Т903Б. КТ903Б .
Входное напряжение при Икэ = 10 В, fк = 2 А не
более:
2Т903А, 2Т903Б .
КТ903А, КТ903Б .
Модуль коэфф1щпепта передачи тока прн Икь = 10 В,
2в
15-70
40-180
2,5 в
3в
fк=О,5 А, /=30 МГц не менее
4
Емкость кол,>екторного перехола при ИКF; = 30 В, / =
= 2МГцнеболее.
180 пФ
Постоянная времени цепп обратной связи при Икэ =
= 30В.Iк=100мА,/=2МГцнеболее.
Обратный ток коллектор-эмиттер:
приИкэ=70 В, RБэ=100 Ом, Т=298 К не
более:
2Т903А, 2Т903Б
КТ903А, КТ903Б
приИю=60В, R5э=О0"'1, Т=398К2Т903А,
2Т903Б
Обратный ток эмиттера при ИэБ = 4 В не бо,1сс:
2Т903А, 2Т903Б . .
КТ903А. КТ903Б
Индуктивнос1ь эмиттерного вывода не более
Прсде.~ьные эксплуатациои11ые ,1ан11ые
Пос гояпное напряжение коллектор-база IIpн Т < 373 К
2Т903А, 2Т903Б и Т.;;; 343 К КТ903А, КТ903Б .
Импульсное напряжение коллектор-база при Т.;;; 373 К
2Т903А, 2Т903Б и Т.;;; 343 К КТ903А, КТ903Б .
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер нри RF.э .;;;
~100Ом. Т~373 К 2Т903А, 2Т903Б и Т~343 К
КТ903А. КТ903Б .
Импульсное напряжение коллектор-эмиттер ари RБэ .;;;
~100Ом,приТ~373К2Т903Л,2Т90ЗБиТ~343К
КТ903А, КТ903Б .
Постоянное напряжение эмиттер-база .
Постоянный ток коллектора .
И"-lпульсный ток коллектора:
при Ти.;;; 10 мкс, Q;;;. 10
.
при ти .;;; 1 мкс, Q,,, 100 .
Постоянная рассеиваемая мощность:
прп Т, < 323 К 2Т903А, 2Т903Б; при Т, < 298 К
КТ903А, КТ903Б . .
при Т, = 393 К 2Т903А, 2Т903Б; при Т,.;;; 358 К
КТ903А, КТ903Б . .
500 ПС
2мА
10 мА
10 мА
30 мА
50 мА
10-8 Гн
60в
80в
60в
80в
4в
3А
5А
10А
30 Вт
9Вт
585


при Тк = 39~ К 2Т903А, 2Т903Б
.
.
Импу.1ьсная рассеиваемая мощность при
Q ;;о 10, Икэ.;;; 30 В:
при Т, = 323 К 2Т903А. 2Т903Б: при
КТ903Л, КТ903Б . .
нри Т, = 343 К 2Т903А, 2Т903Б; при
КТ903А, КТ903Б .
Температура нерехода.
2Т903А, 2Т903Б .
КТ903А, КТ903Б .
Общее тепловое сопротивление
Температура корпуса:
2Т903А, 2Т903Б .
КТ903А, КТ903Б .
'".;;; 10 мкс,
тк ,,,_; 298 к
Т,=358 к
7,5 Вт
60 Вт
18 Вт
423 к
388 к
3,33 К/Вт
От 213
ло398к
От 233
ДО358К
Пр им е чан и е. При повышении температуры постоянное на­
пряжение коллектор-база и коллектор-эмиттер снижается линейно
на 10 ~~ через каждые 10 К.
При работе в схемах ВЧ генераторов и усилителей с ампли­
тудной модуляцией допускается м1·новешюе значение напряжения
звуковой частоты до 70 В.
зо 2Т90ЗА, 2Т90ЗБ,
КТ90ЗА, КТ90ЗБ
25
201--~+->-г--+-~-t-~--1
~ 151----+ ---' 1"' -- --<1----1
~ 10 1----+- - -+- - --1"""'::---1
~
5
20 зо 40 50 f,МГц
Зависимость выходной мощно­
сти от частоты.
12
10
8
2
о
2Т90ЗА, 2Т90ЗБ,
'-КТ90ЗА,КТ90ЗБ/ .;
/
/
,,,,,
/7
f=50 МГц,
Рвхj J BJ
5 10 15 20 25Uкэ,В
Зависимость выходной мощно­
сти от напряжения коллектор­
эмиттер.


hг1з
70
2Т90ЗА, 2Т90JБ,
КТ90ЗА, КТ90ЗБ
бQl----1-~+--+-~'--+-----i
501----,~:h4~::k--+-~t--~
чо~---;~~~'177~~1--~
3oi----.ч---1~+3'~,,._r---~
201-----+-~~+--+~t--~
101.........-L---L~...l--L~i....,,....~
О12J45Iк,А
Зона возможных положений за­
висимости статического коэффи­
циента передачи тока от тока
коллектора.
1
2тво'зд, 'гтвоJБ,
КТ90ЗА, КТ90ЗБ
.v ["...
r"\..
Uкэ=1ОВ,
...
f=JОМГц
г
о
Зависимость модуля коэффицн­
ен r а передачи тока от тока
·;миттера.
hг13
120
2Т90ЗА, 2Т90ЗБ,
КТ903А, КТ90ЗБ
100t---+---+-f----+--+--1
80t--+--t----if----+::.~:>7-I
60/---t--j,.~~~~~
40t---!77~~~-l----J.---I
201---+--+~-!---1-~.__~
о 510152025Uкз,В
Зона возможных положений за­
висимости статического коэффи­
циента передачи тока от напря-
жения коллектор-эмиттер.
2T90JA~ 2T90JS,
KT90JA,t<TU035
\
300
200
~ f=2МГц
--
100
о
Зависимость емкости коллек­
торного перехо,u:а от напряже­
ния коллектор-база.
2Т908А, КТ908А, КТ908Б
Тран-н1сторы кремниевые меза-планарныс п-р-п нерсключатсльные
высокочастотные мощные.
Предназначены для работы в ключевых стабилизаторах 11
преобразователях напряжения, импульсных vюдуляторах.
Выпускаются в мета:июст.:клянном корпусе с ж~сткими выво­
дами. Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора без накидного фланца нс более 22 г,
накидного фланца не более 12 г.
587


~~j~-
(h <:\!- ~-
"J
С\1
"&
4.Б
2,5
12,2 13.' 1
Электрические параметры
Напряжение насыщения коллектор-эми г гер не более:
2Т908А,КТ908АприIк=10А,IБ=2А.
2Т908АприIк=5А,/Б=lА. . . .
КТ908БприIк=4А,/Б=0,4А..
Напряжение насыщения база-эм111 тер не более:
2Т908А,КТ908Лпри/к=10А,lь=2А.
2Т908Априfк=5А,/Б=1А..
Стати<rеский коэффпциент передачи тока в схеме с об­
щим эми ггером при Т = 298 К:
2Т908А,КТ908АприИкэ=2В, lк=10 А.
КТ90~БприИкэ=4В,Iк=4Анеменее.
Отношение статического коэффициента передачи тока
при Тк = 398 К к статическому коэффициенту передачи
токаприТ=298К, Ик"Э=2В,/к=5А2Т908Ане
более.
Времявключенияприfк=5 А, fь=1А, т11=lОмкс
.,..,
N'
1,5 в
0,8 в
1в
2,3 в
1,6 в
8-60
30
3
2Т908А .
.
. О,1- 0,3 мкс
типовое значение .
0,2 мкс
Время рассасывания при fк=5 А, /5=J А, ти=
= lО мкс 2Т908А .
.
. 0,6- 2,6 мкс
типовое значение .
2 мкс
ВремяспадаприIк=5А,16=1А,т"=10мкс
2Т908А .
.
. О,1-0,3 мкс
типовое значение .
0,2 мкс
Модуль коэфф1щиента передачи тока при f = 10 МГц,
Ик"Э=10В,/3=1Анеменее:
2Т908Л.....
5
КТ908А. КТ908Б . .
3
Емкост~, коллскторно1 о перехода при Ик = 10 В, f =
= 0,3МГцнсболее..
типовое значение .
Обратный ток коллектора нс более:
приТ=29~КиТ=213К:
2Т908А, КТ908А при R5э = 1О Ом, Икэ =
=100в..
588
700 пФ
500*пФ
25 мА


rr
1
КТ90~БприR63=250Ом,Икэ=60В.
при Т=398 К 2Т908А при RБэ=10 Ом, Икэ=
=80в.
Обратный ток J!v!иттера при ИБэ = 5 В пе более
Пре;~ельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Тп =
= 2137373К:
2Т908А, КТ908А нри RБЗ = 10 Ом .
КТ908Б при R5э = 250 Ом .
Постоянное напряжение коллектор-база при Тп = 213 -7 -
373 К 2Т90~А .
Постоянное напряжение база-э!v!иттер нри Тк = 213 -7 -
398 к.
Постоянный ток ко.1лектора при Т, = 213 -7 - 398 К .
Постоянный ток базы при Т, = 213 -7- 398 К .
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
т,=213~-323к.
Teмrrepa тура перехода .
Температура корпуса .
Температура окружающей среды
при
50 мА
50 мА
300 мА
100 в
60в
140 в
5в
10А
5А
50 Вт
423 к
398 к
От 213 до
тк= 398 к
Примечания: 1.
и коллек гор-ба за при
Постоянное нащ1яженне кшrле1-:тор-эмиттер
Т11 = 373 -7 - 423 К снижается лннейно па
1О0
0
через каждые 1О К.
Максима:тьно допусти:v1ая постоянная рсtсс~ив<~е:vшя :.ю::цность
коллек гора при т. = 323 7 39~ К определяется по формул<:;
Рк \1акс = (Т" - Т.)/Rт.п-к•
где Rт п-к - тепловое сопротивление переход-корпус, определяемое
из области максимальных режимов (напрн:v1ер, при Ur;-э = 10 В,
Iк= 5 А Rт.п-к=2 К/Вт).
Не рекомендуется работа транзистора при рабо<Jих токах,
соизмеримых с неуправ.с1яемымп обратными токами во всем диа­
пазоне температур. При консгруировании схем слелуст учитывать
возможность самовозбуждения транзистора за счет паразитных связей.
2. Механические усилия на
превышать 19,62 Н в осевом
направлениях к оси вывода.
выводы
и 3,43
транзистора не должны
Н в перпенд11r<у.1ярном
Пайка выводов допускается на расстопнин пе менее б мм
о 1 корпуса транзпс1ора.
589


Входные характерис r икн.
0,85
0,81---+ - -+- - -
Cl:)
Iк=10А
;:, 0,75 >------>-- -+- -- -+ -- -<
<::!
"'
~ О,71----1--+--+--'~-~
:::,
О,651--~1----1--+--+--+--<
0,6.___.. _ __ _. _
__._
_.L._
_,,
о0,51
Зависимость напряжения насы­
щения коллектор-эмиттер от то­
ка базы.
hг1з 2Т908А, КТ908А
501-----1<---+ --+
1
--+---1
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тока
коллектора.
590
2Т908А,
КТ908А, -+----+-<>~--<
КТ908Б
о 0,5
Зависимость тока )М!птера ог
напряжения база-эмиттер.
1,5
1,'1
1,1
1
1
1
1
2Т908А, КТ908А
/
/
/
/ Iк= 10А
1 1,'1 1,8 2,2 2,615, А
Зависимость напряжения насы­
щения база-тvвптср от ~ока
базы.
hг1з
20
15
10
5
о
1
,-~-
2Т908А, КТ908А
_j_-
/т
Uкз=28
213 253 293 333 373 Тк,К
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тем­
пературы корпуса.


г J 2Т908А, КТ908А
~2,5 ---........ -------;
<>
<:!
;; 2f----+--=-'-+--;--;---;
~
~ 1)5
~с.;
$
Зависимости напряжений насы­
щения коллектор-эмиттер и ба­
за-эмиттер от температуры кор-
пуса.
Область максима:1ьных режи­
мов.
100011---+- - 2Т908А,
КТ908А,КТ908Б
800tt--t --+ --+- -+ --- -I
цооr-----....-+--+--+----1
2 00 ~-;:1;:--1=--.....::i:=.ь...-..J
О 20 40 60 80Uк5,8
Зависимость емкости коллек­
торного перехода от напряже­
ния коллектор-база.
Iк,А
6
ц
2
1
0,6
о,ц
0,2
0,1
0,06
о,оц
0,02
0,01
2т9о'вА
КТ908А
'\
_Tн=J2JK
"
';=.. Тп =423К
\
1
1
1 2 ц 6810 20 ЦОUк3,8
2Т912А, 2Т912Б, КТ912А, КТ912Б
Тран·шсторы кремниевые эпитаксиа.1ыrо-пл:шарные п-р-п высоко­
частотные генераторные.
Предназначены для работы в усилителях мощности.
Выпускаются в металлокерам~;чсском корпусе с жесткими вы­
водами. Транзисторы поставляются с диоло:-.1, смонтированным внутри
корпуса и пре 11назначенным для контроля тсмпср<:туры корпуса.
Разрешается поставлять транзисторы без диода. Обозначение типа
приводится на бoкonoii поверхности корпуса. Тран:шстор без диода
маркируется синей точкой около диодного вывс!<а.
Масса транзистора не более 45 r.
591


Электрические параметры
Выходная мощность двухтонового сигнала в пике оп1-
бающей на частоте 30 МГц при Ек = 27 В не
менее.
70 Вт
Коэффициент усиления по мощности при Реых(nо) = 70 Вт
не менее.
10
Коэффициент полезного действия коллектора при Pnыx(no) =
=70Втнеменее.
50 ~~
Коэффициент комбинационных составляющих третьего
порядка при Рвых(nо) = 70 Вт нс более .
-
30 дБ
Модуль коэффициента передачи то1<а при f = 30 МГц,
Икэ=1ОВ,Iк=3Анеменее.
3
типовое значение .
Емкость коллекторного перехода* при ИкБ = 27 В .
Статический коэффициент передачи тока в схеме с об­
щимэмиттеромприИкБ=1ОВ,Iк=5А:
2Т912А, КТ912А .
2Т912Б, КТ912Б .
Обратный ток коллектор-эмиттер при Икэ = 70 В, Rэь ,,;;;
,,;:; 10 Ом пе более .
Обратный ток эмиттера при ИэБ = 5 В не более
Прямое напряжение на диоде при Inr = 20 мА
Обратный ток диода при И= 5 В пе более .
Предельные э1•сп.'Iуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при -RэБ ,,;;;
,,;:; 1О Ом:
2Т912А, 2Т912Б:
5,5 *
200 пФ
10-50
20- 100
50 мА
250 мА
0,3-1 в
1мА
Тп=213+398К
70В
Тп=428К.
35В
КТ912А, КТ912Б:
тк=228+348к
70в
тк=358к.
56в
Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при ИэБ =
= 1,5 В в схеме высокочастотного усилителя при f =
= 1,5 + 30 МГц 2Т912А, 2Т912Б:
при Tn=213+398 К
приTn=428К.
592
80в
60в


r Постоянное напряжение эмиттер-база 2Т912А, 2Т912Б
при Тп=213 +428 К и КТ912А, КТ912Б при Тк=
=228+358к.....
Постоянный ток коллектора 2Т912А, 2Т912Б при Тп =
= 213+428 К и КТ912А, КТ912Б при т.=228+
358к.......
.
...
Постоянный ток базы 2Т912А, 2Т912Б при Тп = 213 +
428КиКТ912А,КТ912БприТк=228+358К.
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
2Т912А, 2Т912Б:
приТк=213+373К.
приТк=398К.
КТ912А, КТ912Б при Тк = 228 + 358 К
Средняя рассеивае:\!аЯ мощность коллектора в динами­
ческом режиме при Ек .;; 28 В:
2Т912А, 2Т912Б:
при Тк=213+373 К.
прит.=398К.
КТ912А, КТ912Б при Тк = 228 + 358 К
Тепловое сопротивление переход-корпус ..
Температура окружающей среды:
2Т912А, 2Т912Б .
КТ912А, КТ912Б.
5в
20А
10А
30 Вт
15 Вт
30 Вт
35 Вт
17,5 Вт
35 Вт
1,66 К/Вт
От 213 до
Тк=398 К
От 223 до
тк=358 к
Пр им е чан и е. Допускается производить пайку выводов на
расстоянии не менее 2 мм от корпуса паяльником, нагретым до
температуры 523 К, в течение не более 10 с. Допустимый крутящий
момент на монтажный винт при креплении 1ранзистора 1,8 Н · м.
Осевое усилие на винт допускается не более 1600 Н.
hg1з
70
60
50
'!О
JO
/
2Т912А, КТ912А
/
-
-
r--
Uк5 =58
20
10
о
23'f567ВIк,А
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тока
коллектора.
2Т912А, 2~9125
5
v -r-......кт9t2А,НТ912б
1
.... 1'-..
'f
... !"-.
Икэ=10В
r=
13orrц
3
2
О123'f56Iк,А
Зависимость модуля коэффици­
ента передачи тока от тока
коллектора.
593


2Т912А, КТ912А
'f
2Т912А, 2Т912Б,
/
КТ912А, НТ912Б -
28
2'f
20
16
о
./
5
~ v"'
v
Iк=5А
10
15 UКБ ,В
/
/
3
'
v
Iк/!5=5
v
"v
./
v
о
5
10
15 Iк,А
Зависимость статическо: о коэф­
фициента передачи тока от
напряжения коллектор-база.
Зависимое rь напряжения насы­
щения ко:ыектор-Jмиттер о г
тока коллектора.
2Т917А
Транзистор кремниевый меза-планарный 11-р-11 универсальный вы­
сокочастотный мощный.
Предназначен для работы в имвульспых схемах. схемах усио1е­
ния и генерирования.
Выпускается в металлокерамическом корвусе с жесткими вы­
водами. Обозначение типа приводится па корпусе.
Масса транзистора не бо."Jее 20 r.
Э:1е1прiiческие парам;!трЫ
Напряжение насыщения коллектор-э1'>:ипер при lк = 10 А,
/6=2АЕ~бол;;с
2В
J-Iarч_-;я:x;.~lE~C 1:::н::ь11~;:.:::rия бJ.за-змиттер при fк = 10 Л,
/6 = 2 Л П"; Go;::;;.'
.
Ста1и~:ск~~·1 r,~,~:::·~:i1~~:н1ca 1 пере,r:111и тока в
06ппнv1 :м:ЕТТ·':'~Jом при Икэ = 5 В, fк == 7 А:
при Т=298 К .
594
схеме с
2,2 в
10-60


1'!'
1
1
'
приТ=213К.
приТ=398 К, fк=2,5 А
Модуль коэффициента передачи тока при Икэ = 10 В,
fк=1А,f=30 МГц не менее
О бра тн ый 1 ок коллектор-эмиттер при RБэ = 1О Ом,
Икэ = 150 В не более:
приТ=298КиТ=213К.
при Т=398, Икэ=120В .
Обратный ток эмиттера при И&э = 5 В не более .
Выходная мощность* при Ик = 30 В, f = 10 МГц в
классе С.
.
.
Коэффициент усиления по мощности* (Рвых .;; 50 Вт) при
Ик=30В,/=10МГц.
Коэффициент полезного действия при Ик = 30 В, f =
= 10МГц(Рвых~50Вт)•
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при R 63 =
= lOОм.Тп~373К.
Импульсное напряжение коллек·!Ор-эмиттер при т11 .;; 1 мс,
Q>2,Тп=213+423К.
Постоянное напряжение коллектор-база при Тп = 213 +
423 к.
Постоянное напряжение база-эмиттер при Тп = 213 +
8-60
10- 180
2
20 мА
40 мА
200 мА
30-50 Вт
10-20
70-80 °·~
150 в
200 в
150 в
423 к.
5в
Импульсно<: напряжение база-эмиттер при tи .;; 1 мс,
Q;:>2, 16эи.;;1 А, Тп=213+423 К
Постоянный ток коллектора при Тп = 213 + 423 К .
Импульсный ток коллектора при tи .;; 1 мс, Q :;> 2,
Тп=213+423К.
Постоянный ток базы при Тп = 213 + 423 К
Импульсныйтокбазы при <и.;; 1 мс, Q:;> 2, Тп =213 +
423 к.
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при т. =
=213+323 к.
Мгновенная рассеиваемая мощность коллектора на фрон­
тах в режиме переключения при дJштельности фрон-
тов переходных про11ессов О, 1 -0,2 мкс, Тп = 213 +
423 к.
Тепловое сопротивление переход-корпус .
Температура перехода .
Температура окружающей среды .
8в
10А
15А
5А
7А
50 Вт
500 Вт
2 К/Вт
423 к
От 213 до
т.=398 к
Пр им е чан и я: 1. Максимально допустимая постоянная рас­
сеиваемая мощнос;гь колле1<тора, Вт, при т. > 323 К определяется
по формуле
Ркмакс = (423 - Тк)/2.
595


Максимально донустнмое постоянное напрпжение коллек1ор-
1миттер нри Tn > 373 К с11иж:~еТСS! .1инейно на 10 °0 через кюi:цыс
10 К.
2. Пaiiкu выводов допускае·1ся на расстоянии нс мс:1ее 2 м~1
0·1 корпуса тран·зистора.
2Т920А, 2Т920Б, 2Т920В, КТ923А, КТ920Б,
КТ920В, КТ920Г
Гранзисторы кремниевые Jпитаксиально-11.1uш1рнь1е п-р-11 ге11ера-
1ор11ые высокочас1отныс.
Предназначены д.1я пр11мснения в схемах уси.1ип:.1ей г,ю;нности.
в том ч11с,11:: с а'.ш.11пудноi1 моду;тяшrей, у~лио:ыrтс:1ях '!астаты
и автогенера1орu.х на часю1ах 50-200 МГц при напряжеш~и пи­
гания 12,б В.
Вьш::.скаются в меrа;тлокерами•1ескuм корпусе с четырьми изоли­
рованными от корпуса 1 ибю1м11 лснточнымв выводами п ~юнтаж-
11ым винто'v!. Обознuчсние пша приводится на "орпусе.
Масса транзис•ора не 60_1ее 4,5 г.
Элек rр11ческие п11ра~1е-~ры
Выходная мощность при Икэ = 12.б В. / = 175 МГп,
т, ,;; 313 к:
2Т920А, КТ920А
2Т920Б, КТ920Б
2Т920В, КТ920В
КТ920Г .
Коэффипиент усиления по мощностп:
2Т920А, КТ920А не менее
типовое значение .
596
2Т920Б, КТ920Б нс менее
типовое значение .
2Т920В, КТ920В нс менее
типовое значение .
КТ920Г не менее .
2Вт
5Вт
20 Вт
l.'i Вт
7
12*
4,5
9*
3
4*
3


.. . , , Ко,ффшщснт пол"""'" "'''т"'
2Т920Б, 2Т920В пе менее
типовое значение .
коллектора 2Т920А,
Статический коэффициент передачи тока в схеме с об-
щим Э!У!иттером * при Икэ = 5 В:
2Т920А при Iк = 50 мА, типовое значение
2Т920Б при /к = 100 мА, типовое значение
2Т920В при /к = 250 мА, типовое значение
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер*:
2Т920А при lк = 50 мА, /Б = 10 мА, типовое зна-
чение .
2Т920Б при /к= 100 мА, /Б = 20 мА, типовое
значение .
2Т920В при /к = 250 мА, /Б = 50 мА, типовое
значение .
Модуль ко::>ффициента передачи тока при/= 100 МГц,
Икэ=IОВ:
2Т920А, КТ920А при /к = 0,2 А не менее
типовое значение .
2Т920Б, КТ920Б при Iк = 0 ,4 А не менее .
типовое 3наче11ие . .
2Т920В, КТ920В при lк = 1,Q А пе менее
типовое значение .
КТ920Г при/к=1,О А не менее . .
Критический ток коллектора* при Икэ = 10 В, / =
= 100 МГц:
2Т920А, КТ920А не менее
типовое значение .
2Т920Б, КТ920Б не менее
типовое значение .
2Т920В, КТ920В не менее
типовое значение . .
КТ920Г не менее .
Постоянная времени цепи обратной связи при Икэ =
=10В,f=5МГц:
при l~ = 30 мА 2Т920А, 2Т920Б, КТ920А, КТ920Б
и при /э = 150 мА 2Т920В, КТ920В, КТ920Г не
более .
типовое значение .
Емкость коллекторного перехода при Икэ = 1О В, f =
=5МГц:
2Т920А не более .
1иповое значение .
2Т920Б не более .
типовое значение .
2T92GB не 60.>ес .
типовое значение .
Емкость эми г ;ерного перехода ври ИБэ = О, f = 5 МГц не
более:
2Т920А ...
60 '/~
70*~~
30
40
25
0,3 в
0,4 в
0,45 в
4
7,5 *
4
7*
4
4,5"
3,5
0,8 А
1,0 А
1,5 А
2,0 А
4,5 А
7,0 А
4,0 А
20 пс
8* пс
15 пФ
10* пФ
25 пФ
16* пФ
75 11Ф
50* пФ
55 пФ
597


2Т920Б
2Т920В
Обратный ток ко,тлектор-эмиттер при Икэ = 36 В, RэБ =
= 100 Ом не более:
при Т= 298 К:
2Т920А
2Т920Б, КТ920А
2Т920В
КТ920Б
КТ920В. КТ920Г
при Т= 39~ К:
2Т920А
2Т920Б
2Т920В
Обратвый 1ок Э'V!Иттсра при ИэБ = 4 В:
при Т= 298 К:
2Т920А, 2Т920Б .
2Т920В
Индуктиввос1 ь выводов *:
2Т920А, КТ920А:
)'V!НТТерного
коллекторного .
базового .
2Т920Б, КТ920Б:
:Jмнттерного
коллекторного .
базового .
2ТУ20В, КТ920В, КТ920Г:
эмиттерного
коллек юрноrо .
базового .
Емкости выводов относи гелыю корпуса*:
]:шп н:р-корпус
ко.1лектор-корпус .
база-корпус .
Предельные· э1.:сп.1уатац11он11ые данные
Постоянное напря;;:епие ко.1лектор-эмиттер прп R6з ~
<;; 100 Ом
Посто::::::ное нuпря;!':с:нис эмиттер-база .
Пос гот~нпый ·1 CI\ !\:ОЛЛ.;i\тора~
2Т92ОА, КТ920А .
П9205, КТ920Б .
2Т92ОЕ, KT920D, КТ920Г .
Ili\нту~'~ь.с.ныi1 1cr< I\1..,'lп_1сктора при т11 ~ 20 мr:с, Q ~ 50:
П92ОА, КТ920А .
2Т920Б, КТ920Б .
2Т92ОВ, КТ920В, КТ920Г
Постоянный ток базы:
2Т92ОА, КТ920А •
598
100 пФ
410 пФ
мА
2мА
5мА
4мА
7,5 мА
2мА
4мА
10 мА
0,25 мА
2мА
1,7 нГн
2,4 нГн
2,9 нГн
1,2 нГн
2,6 нГн
2,4 нГн
1,0 нГн
2,4 нГн
2,4 нГн
1.84 пФ
1,53 пФ
0.96 пФ
36в
4в
0,5 А
!А
3А
IA
2А
7А
0,25 А


2Т920Б,КТ920Б...........
2Т920В,КТ920В,КТ920Г.......
Импульсный ток базы при tи.;; 10 мкс, Q :;> 100:
2Т920А, КТ920А . . . .
2Т920Б,КТ920Б...........
2Т920В,КТ920В,КТ920Г.......
Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме:
при Тк.;; 323 К:
2Т920А, КТ920А . . .
•
2Т920Б, КТ920Б . . . .
2Т920В, КТ920В, КТ920Г .
приТк=398 К:
2Т920А
2Т920Б
2Т920В
Тепловое сопротивление переход-корпус:
2Т920А, КТ920А . . . .
2Т920Б, КТ920Б . . . .
2Т920В, КТ920В, КТ920Г .
Темпера тура перехо11а . .
Темпера тура корпуса:
2Т920А, 2Т920Б, 2Т920В
КТ92ОА, КТ920Б, КТ920В, КТ920Г
0,5 А
1,5 А
0,5 А
IA
3,5 А
5Вт
10 Вт
25 Вт
1,25 Вт
2,5 Вт
6,2 Вт
20 К/Вт
10 К/Вт
4 К/Вт
433 к
От 213 до
398 к
От 238
ДО258К
Пр им е чан и е. Разрешается обрезать выводы на расстоянии
не менее 5 мм от корпуса без передачи усилия на керами­
ческую часть корпуса, без нарушения герметичности и с сохранением
обозначения коллекторного вывода.
Рвь 1х,Вт 2Т920А, 1/к, о/о
5
КТ920А --1 ---+ ---< 100
f./.
-!--1---+--+----180
31----!'=:...._- l -- - -4 - -,J-"' -= -+ -- - --160
2
f./.O
1
20
О 0,1 0,2 0,3 O,f./ . О,5 f;,,Вт
Зависимость выходной мощ­
ности и кпд от входной мощ­
ности.
1/к1 °/о
100
Рвых, Вт 2Т920Б,
10 ,___ _..__ КТ9 20Б
80
i.:...--9'-~=....\-~-I 60
f./ . t ----Y -----4 ---+----1 f./ .O
8 t-----!---+---..,.~'
6
20
о
0,5 1
1,75 fе,,Вт
Зависимость выходной мощно­
сти и кпд от входной мощ­
ности.
599


Рsых ,Вт
Т/н '%
20
100
~ых
16
1/н 80
12
60
8
l.J .0
l.j.
20
о 2 l.J. 6 8 10f8x,Вт
Зависимое~ ь выходной :\!ОЩIIО­
сти И КПД ОТ ВХОДНОЙ :\!ОЩ­
llОСТИ.
Рных 7 Вт
Т/н ,
0
/о
2,5
~-1-----J 100
2, о Г----+--+--+--+--+----.1 80
~5
m
l.J .0
о, 5 1-----+- -+-+-+- -+- -+- -- --J 20
о246810Uкз,В
Зав11симость выходной мощно­
сп~ и КПД от нанряжсния
ко.1:1ектор-э:-.1 нттер.
1
,,Вт
Ре"10
2Т920Б,
1
1/н' % Рных ,Вт
2Т920В
Т/н, %
i<ТЭ20Б
100
2 О 1---+---+К Т920 В-<---1------< 10 О
Т/н
~
v
.··
7,5
75
5 _f= 175 МГц
17r--
Рвх =1,О Вт / fбых
50
/,
2,5
25
о
Зависимость выходной мощно­
сти и КПД or напряжения
коллектор-Jмиттер.
6~--------~
2Т920А, КТ920А
5 r---+--l ---t ----+ --4----1
Uкз=12,6 в
....
ctJ 3 f--'"'oj,;:-"""'-=l-~+--1i----I
"'
Q...,:; 2 i---f' " " " '=- +-- -lf =... .c.: ',.
1
о~_.__ _.__~_.__
_.___,
100 120 1l.J.0 160 180 200f,МГц
Зависимость выходной мощно­
сп1 от частоты.
600
10
50
....
о246810Uкз>В
Зависимость выхолной мощно­
сп1 и КПД 01 напряжения
коллектор-Jм1п 1·ер.
12~~-~------
2Т920Б ,КТ920Б
101---+--+--+--+--i----l
Uкз=12,6 в
8 1---'= =i--.!,, --f
<tJ__ 6 ~&-+-="'Чоо::--+::~~--1
"'
Q...;;, l.j. 1 --+- -t+=""""l=o --+-" t- .;.-.J
2l----+-"-+--t---+--1-----1
о '---'- - -'- -'- --'-- -'- -- -'
100 120 1l.J.0 160 180 200 f,МГц
Зависи~юсть выходной чощно­
сти от частоты.


Ск,пФ
f=5МГц
50 t-- '...+ -+ - -- --1--1--1- --1
24
40tт---+-"r1+--+--+--+-~
>-
а: 20
301--\---1-----"'---C::::=,jЬ,,,.....--J
"
a_J. 16
20t+-. ...+ - -
12
101-~+-+....:.::::~......~+--.J
8 L--i..-...1..----1.--'--......,...'-:--~
100 120 1Lf.O 160 180 200 f, МГц О
Зависимость выходной мощно-
Зависимость емкости ко.1лектор-
сп1 от частоты.
ноrо перехода от напряжения
'Сн,ПС
f=5 МГц
30 ..._ _ .._
_,
в--1----1
Икз=10
1
25
2Т920В,
КТ920В
20U--1--1---1--+-
151-1._.j...--1-----l--Ц-~+----1
10~~±=::::::1$'4
5
2Т920А,КТ920А
1
О 0,2о,ц0,60,8 1I3,А
Зависимость постояююй вре­
мени l{епи обратной связи от
тока э:читтера.
/h21э 1
10
в
б
4
2
1
1
1
1
2Т920А,КТ920А
/""'
-r-...
"' "-
.
f= 100 МГц1)
'- --
'-Икз= 108
1
1
О 0,2 0,4 0,6 О,8 1,Оiк,А
Зависимость модуля ксJффи­
циевта передачи тока от тока
коллектора.
коллектор-база.
Iкр,А
6
f=100МГц
5
ц
3
2
1
о24
Зависимость критического тока
от напряжения коллектор-эмит­
тер.
1
Jh21э
10
8
б
ц
2
11
1
2Т92ОБ, КТ920Б
.i.--
г--.. .....
"['..
'- --
f =100МГц,
~И1rз =108
1
1
О 0,4 0,8 1,2 1,В 2Iк,А
Зависи:vюсть модуля коэффи­
l{Нснта передачи тока от тока
коллектора.
601


Jh21э 1
2Т920В, КТ92ОВ
Зависимость \1одуля коэффици­
ента передачи тока от тока
ко;1:1ек·1 ора.
бt---+--+---+--+-----+---i
2
f = 1DОМГ11,
-
Икз= 108 ~--+------<
о21./-6
2Т921А, КТ921А, КТ921Б
Транзисторы кремниевые 11.1а~1ар11ые 11-p -ri высокочастотные ге­
нераторные.
Предназначены д:~я работы в усилителях КВ 11 УКВ диапазонов.
Выпускаются в \1ета:1.1окерамическом корпусе с жесткими вь1-
вода!\!и. Обозначение типа приводи гся на боковой поверх1IОС'! и
корпуса.
Масса транзистора не более 6,5 r.
70,8
11, s
11
"<>
_, _ _. ., .. .... .... ...- +-- --+- ~:Г
Jм1.1ттер
'Электрические параметры
Выхо11ная мощность при f = 60 МГц, Ек = 27 В не
менее,
12,5 Вт
Выходная мощность ;~вух101ювого сигнала в пике ш·и-
бающей при/= 30 МГц, Ек = 27 В не менее .
12,5 Вт
Коэффициен1· усиления по мощности ври Рвых = 12,5 Вт:
2Т921А, КТ921А не менее .
8
КТ921 Б не менее .
5
Коэффициент полезного ле!lствия коллектора при Р6 ых =
=12,5Втнеменее.
50 ~о
Коэффициент комбинационных составляющих третьего
порядка при f = 30 МГц, Рвых(по) = 12,5 Вт не бо-
лее
-30
дБ
602


Моду.1ь коэффипиента передачи тока на f = 30 МГц
приИкэ=10 В,lк=0,4 А не :vieнee .
3
типовое значение .
7.5 *
Статический коэффиниент передачи тока в схеме с
общнмэчиттеромпри Тк=303 К. ИкБ= 1О В, fк=
=1Ане~1снее.
1О
типовое значение
Пос1оянная вре~1сни 11е11и обратной связи при ИкБ =
=10В,lк=1А.
Емкость кол.1екторного перехода* при ИкБ = 20 В
Емкость эм1п герного перехода* при Иэь = 3 В •
Обратный ток эмиттера при ИэБ = 4 В не более
Обр<пный ток коллектор-эмиттер при Икэ = 70 В, RэБ =
=10Омнеболее.
Индуктивность коллек горного вывода*
Индуктивность базового вывода* .
Индуктивность эмиттерного вывода* .
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RэБ ,;;;
.;; 10 Ом:
2Т921А:
45*
22 пс
50 пФ
210 нФ
20 :viA
10 мА
3,5 нГн
3,5 нГн
3,0 нГн
11риТп=213+398К
65В
приТп=428К.
32В
КТ921 А, КТ921 Б:
приТп=228+398К
65В
нрнТп=423К.
32В
Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при ИэБ =
= 1.5 В в схеме высокочастотного уси.1ителя при f =
= 1.5+60МГц:
2Т921А:
при 7~=213+398 К
приТп=428К.
КТ921А. КТ921Б:
прит"=228+398к
приТп=423К.
ПоС1оянное напояжение эмн 1 тер-база 2Т92 !А
= 213 + 428 К; КТ921А. КТ921Б при
398 к.
при Т11 =
Тп=228+
Посгоянпый ток кол.-~екrора 2Т921А при Тп = 213-;-
с123 К: КТ921А, КТ921Б 11ри Тп = 228 + 393 К.
Пс.:тоянныii то« ба3ЬI 2Т921А IIpи Т11 = 213 + 428 К;
КТ921Л, КТ921Б при Тп = 228-;- 298 К .
Посто~нная расссиааеыая 1\~ощность кал1Jекто~х1:
2Т921А:
80в
60в
80в
60в
4в
3,5 л
lA
прп Тк=2i3+348 К
прит.=398К.
12,5 Вт
4,2 Вт
603


KT92JA, КТ92JБ:
приТк=228 -7-348К.
вриТк=398К.
12,5 Вт
4,2 Вт
Средняя рассеиваемая мощность коллектора в динами­
ческом режиме при Ек ,;;; 28 В:
2Т921А:
при Тк=213-7-348 К
приТк=398К.
КТ921А, КТ921Б:
при Тк=228 -7-348 К
при Тк=398 К .
12,5 Вт
4,2 Вт
12,5 Вт
4,2 Вт
Тепловое сопротивление переход-корпус .
Температура окружающей среды:
2Т921А....
6 К/Вт
От 213
дот.= 398 к
От 228
ДО
КТ921А, КТ921Б.
т.=398к
Пр им е чан не. Пайку выводов допускается производить на
расстоянии не менее 2 :viм от корпуса транзистора. Осевое усилие
на винт допускается не более 250 Н, на выводы транзистора не
бо,1ее 5 Н, изгибающее усилие нс более 1 Н.
hя1э
70
60
50
L/-0
JO
20
10
о
/"
2Т921А , КТ921А
Uμ, 6 ; 108 Г"....
.. ... ..
r---. . .
1
2
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тока
коллектора.
604
Ск,пФ
90
80
70
60
50
L/-0
JO
20
\
\
о
2Т921А, КТ921А,
КТ921 Б
1"'-
"" 1"""-
.......
t-......
t--
10
20
30Uк5о,В
Зависимость емкости коллектор­
ного перехода от напряжения
коллектор-база.


L/-00
~
300
200
100
о
!'-. .
2Т921А, КТ921А,
КТ921Б
"' ....... r-..~
1
2
Зависимое 1ь емкости 1миттер­
ноrо перехода от напряжения
эмиттер-база.
1,8
1,6
1,Lf.
Q:o 1,2
"
"
"
:Е 0,8
0,6
O,Lf.
0,2
о
2Т921А, КТ921А
1/
/
v
1
v
1
/
/ Iк/Is =5
/
/./
2
Завис~н."н)СТЬ напряжения на.сы­
ще1шя ко.1.1с1:тQр-J:v~иттер от то­
ка коллектора.
lh21зl
8
JI,;-
1
2Т921А, КТ921А,
КТ9215 -
<-------
!"-....
........
"
7
6
5
Lf.
3
2
1
1
~
1
Uкэ =10 В 1""'-
f=JO МГи,
о
2
lIк,А
Зависимость моду.1я коэффици­
ента передачи тока от тока
коллектора.
Кур
16
2Т921А , КТ921А
15
1Lf.
fВых=12,5 Вт
13 ,____
12
11
10
9
22
f=60 МГц
lv
/
2Lf.
,
/
1
26
/
,,,,..-
/
v
1
28 Икэ,В
Завис1шос1 ь ко·1ффицие:па уси­
.1ен ия от напряжения ко:1лек­
тор-э'11ипер.
2Т922А, 2Т922Б, 2Т922В, КТ922А, КТ922Б,
КТ922В, КТ922Г, КТ922Д
Тран·шсторы кремниевые эпитаксш~льно-планарные 11-р-п 1·енера­
торные высокочастотные.
Прсдназнс~чены для применения в схемах у·:ипитсл~й мощности,
в тем чис.1с при амплитунной модуляции, в у;.~ножителях частоты
и авто1·енераторах на частотах выше 50 f,1Гu и;:ш напряжении
питания 28 В.
605


Выпускаются в металлокерами•1еском корпусе с четырьмя изо­
лированными от корпуса гибкими ленточными выводами и мон­
тажным винтом. Обозна.ченис тнпа приводится на корпусе.
Масса транзис 1ора не более 4,5 г.
1
~11
1
1~
Jми,ттер
8om8.~1
1
г7
Электри•1еские параметры
Выходная мощносп" прн Икэ = 28 В, f = 175 МГц,
т.>(313к:
2Т922А, КТ922А
2Т922Б. КТ922Б
КТ922Г
КТ922Д .
2Т922В, КТ922В
Коэффициент усиления по мощности:
2Т922А, КТ922А не v.енее .
типовое
2Т922Б,
значение
КТ922Б i НС
т11rюnое ·ша чение
менее
КТ922Г не менее .
2Т922В. КТ922В не менее
п~повое значение .
КТ922Д не менее .
Коэффшщент по.1езноrо действия
менее
типовое значение .
коллектора
не
С га"I ический коэффющснт передачи тока в схеме с
общим эми1тt:ром* при Икэ =5 В, ври Iк=О,l А
2Т922А; Iк = 0,25 А 2Т922Б; при Iк = 0,5 А 2Т922В,
5Вт
20 Вт
17 Вт
35 Вт
40 Br
10
20*
5.5
10*
5
4
6*
3.5
55 оо
65* оо
тиновое значение .
50
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер*. типовое
значение:
606
2Т922А при fк=100 мА. /Б=20 мА
2Т922БприIк=250мА,lь=50мЛ.
2Т922ВприIк=500 мА, /5=100 мА
0,3 в
0,35 в
0,4 в


Модуль коэффициента передачи тока при f = 100 МГц,
Икэ=lОВ:
2Т922А, КТ922А при /к = 0 ,4 А не менее .
З
типовое значение
7*
2Т922Б. КТ922Б. КТ922Г при /к= 1,5 А не
менее .
типовое значение
2Т922В. КТ922В при /к = 3 А не менее
типовое значение .
КТ922Д при lк=3 А не менее .
Критический ток коллектора при Икэ = 10 В./= 100 МГц:
2Т922А, КТ922 не менее
типовое
значение
КТ922Г не менее .
2Т922Б. КТ922Б не менее
типовое значение .
КТ922Д не менее .
2Т922В, КТ922В не менее
типовое значение .
Постоянная времени цепи обратной связи
Икэ=10В,f=5МГц:
2Т922А. КТ922А при /э = 40 мА не бо:~се
типовое значение.
2Т922Б, КТ922Б, КТ922Г при 13 = 150 мА
более
типовое значение
2Т922В, КТ922В, КТ922Д при 13 = 300 мА
более
типовое значение
при
не
не
Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 28 В.
/= 5 МГц:
2Т922А не более
типовое значение
2Т922Б не более
ГИilОВое значение
2Т922В не более
типовое значение
Емкость эмиттерного переi\ода * при ИэБ = О. I = 5 МГц,
типовое зна ченне:
2Т922А
2Т922Б
2Т922В
Обратныii гок коллектор-эмиттер при Икэ = 65 13,
R"Jь = !00 Or.1 НС' бо:н:е:
11р11 Т= 298 К:
2Т922А
КТ922А .
3
6.5*
3
4.5*
2,5
0,6 А
1,2* А
1.8 А
2А
3*А
4,5 А
5А
8,5* А
20 пс
7.5* ПС
20 пс
8* пс
25 пс
20* ПС
15 пФ
8* пФ
35 пФ
20* пФ
65 пФ
50* пФ
75 пФ
200 пФ
500 иФ
2мА
5мА
607


2Т922Б
2Т922В, КТ922Б, КТ922Г
КТ922В
при Т= 398 К:
2Т922А
2Т922Б
2Т922В
Обратный ток эмиттера при U36 = 4 В не более:
при Т= 298 К:
2Т922А
КТ922А
2Т922Б
2Т922В
КТ922Б
КТ922Г
КТ922В, КТ922Д
при Т= 398 К:
2Т922А
2Т922Б
2Т922В
Индуктивность выводов*:
2Т922А, КТ922А:
эмиттерного
коллекторного .
базового . .
2Т922Б, КТ922Б, КТ922Г:
эмиттерного
коллекторного . .
базового . .
2Т922В, КТ922В, КТ922Д:
эмиттерного
коллекторного . .
базового . .
..'.
.
Емкости выводов относительно корпуса*:
эмиттср-корг1ус
коллектор-корпус
база-корпус
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
RБЭ <;; 100 Ом:
при Тп = 298-;- 433 К
при Т=213 К ..
Постоянное напряжеrшс эмиттер-база
Постоянный ток коллектора:
2Т922А, КТ922А . . .
2Т922Б, КТ922Б, КТ922Г
2Т922В, КТ922В, КТ922Д
608
при
10 мА
20 мА
40 мА
4мА
20 мА
40 мА
0,25 мА
0,5 мА
1,0 мА
2,5 мА
3мА
4мА
6мА
0,5 мА
2мА
5мА
1,7 нГн
2,4 нГн
2,9 нГн
1,1 нГн
2,4 нГн
2,5 нГн
0,9 нГн
2,4 нГн
2,4 нГн
1,84 пФ
1,53 пФ
0,96 пФ
65в
55в
4в
0,8 А
1,5 А
3А


1
1
Импульсный
2Т922А,
2Т922Б,
2Т922В,
ток КОЛо"Jектора при Ти ,;;; 20 мкс, Q ~ 50:
КТ922А
КТ922Б, КТ922Г .
КТ922В, КТ922Д .
Средняя рассеиваемая мощное~ ь в ;:шнамическом
режиме:
приТк"313К:
2Т922А, КТ922А
2Т922Б, КТ922Б, КТ922Г
2Т922В, КТ922В, КТ922Д
приТк= 398 К:
2Т922А
2Т922Б
2Т922В
Тепловое со про 1 Иiценне переход-корп~. с:
2ТУ22А, КТ922А .
2Т922Б. КТ922Б, КТ922Г
2Т922В, КТ922В, КТ922Д
Температур<'. перехода
Температура 1copi1yca:
2Т922А, 2Т922Б, 2Т922В
КТ922А, КТ922Б. КТ92:2В, КТ922Г, КТ922Д
1,5 А
4,5 А
9А
8В1
20 Вт
40 Вт
2,3 Вт
5,8 Вт
1.17 В1
15 К/Вг
6 К/Вт
3 К/Вт
433 к
От 213 до
398 к
От 233 до
358 к
Пр н м е ч u н 11 я: 1. Допускается работа транзисторов при любых
значениях коэффицне11та стоячей во.1ны по напряжению (по модулю
и фа·1е) при Етrт " (28 + 2,8) В при условнн, ч 10 предельные ·жсплуа­
тацнонные зна'rения Рк "''кс· Iк. мuкс· Икэ. ИэБ (постоянные состав­
ляющие) не прев;,нпнrот лонустимые.
2. Р<Iзреш:;стся обр~зать вы:юды на расстоянии не менее 4 мм
от корпуса без пср<0дачн усилпя па керам11ческую часть корпуса
и без нарушения гср"1е 1 ичност 11 с сохрuнением обо1начения кол­
лекrорно1 о nызoJl.U.
Ч испп '1 конта~;тноiJ 11оверх11ост11 теплоотводов должна быть не
менее 1,6 . Не11лоскос1 ность контактной поверхности теплоотводов
должна быть не более 0,04 м:vi.
20 ГJ0_1упрово.:шиков1,1с нрибоrы
609


Ре.,,, Вт
2Т922А 11н, о/о Рвых ,Вт
'lн ,
0
/о
10 1----+---+КТ922А-+---+--1100 2 О
100
8
80 161---+---;г--.-ч-----.~-+-----180
6
60 12
60
Рвых
4 .........'-t-~,,,._--+----r--i---; 40 8 1-----+ ---+ --+ ---+ ---1 40
f=175 МГц
2
20 41---+---1Икз =28В-
20
О О,1 0,2 0,3 0,4 0,5 fв"Вт
Зависн,юс1ь выхо,111оii мощно­
сти 11 КПД or вхолюii мощ­
ности.
Рвых , Вт 2Т922В,
17н' °1о
50
КТ922В
100
40
1
во
30
60
20
40
10
20
о246810f'вх,Вт
Зависимость выходной мощно­
сти и КПД от вхо;111ой мощ­
ности.
Рвых
20
15
12
8
4
о
',вт 2Т922Б !
КТ922Б
/
'lн
/
,_
./
/
~Рвых
... ..
Рвх = 2Вт
f=175МГц
11
1
'lн'
v
>---
о/о
100
во
60
40
20
5 10152025Икз,В
Зависимость выходной мощно­
сти и КПД от напряжения
коллектор-эмит гер.
610
О 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 fsx ,Вт
Зависнх·юсть выходной \1ощ1ю­
с111 11 КПД ОТ B.\OДIIOii \ЮЩ­
НОСТ!I.
f'в.,,, Вт
о/о
5
100
4
80
3
60
2
40
ftx =0,25 Вт
1
f=175 мrцtj20
о510152025U1u,B
Завис11мость вы:-.од1юй \10щно­
сп1 и КПД от напряжения
кол.1сктор-эх11птер.
f'вых
50
40
30
20
10
о
',Вт ' 2Т922В\ 'lн ,'
КТ922В
/
1/н
/v
.....
.F
-
\вых,/
v f'вх=1Вт
f'=175 МГц-
11
о/о
100
80
60
40
20
5 10152025Икэ,В
Зависимость выходной хющно­
сти и КПД от на11ряжсння
коллектор-э:-.шттер.


/h21зl 2Т922А,КТ922А
101-----+-~+--+-~+--+----1
81---+- -1--+ --+ - --+ ----1
51---д-~l---P>-.....t~-+----4
Чl-L-i--.+----J.--+-~f"""'.-f
2
f= 100 МГц,
Uкз= 108
О 0,2 0,Ч О,В 0,8 1,0 Iк,А
Зависнvtость модуля коэффи­
циента передачи тока от тока
коллектора.
2 Т9228, КТ922В
/ -~....
1
f=100МГц, "'~
-икз = 108
1
1
2
о
Зависи:-.1ость модуля коэффици­
ента псрслачи тока от тока
кол~1ектора.
в
5
ч
о
1
1
2Т922Б,КТ922Б
~
--
v
/ Vf=1DOMГц
v
)
ч в 12 16 20Uкз,8
Зависи~юсть критического тока
от напряжения коллектор-эмит­
тер.
20*
lh21эl
10
в
6
ч
2
о
r
1
2Т922Б, КТ922Б
-
),/
.. ... ... ..
.....
"----
f =100 МГц,
-Uкз"" 108'
1
1
0,5 1 1,5 2 2,5Iк,А
Зависимость модуля коэффи­
циента передачи тока от тока
коллектора.
1,6
1,2
о,в
о,ч
о
2Т922А,КТ922А
I/
,_.
V f=100МГц
/
Зависимость критического тока
о 1 напряжения ко:1:1ектор-эмит­
тер.
12
10
8
<;( в
~
._, ч
2
о
1
1
т
2Т922В,КТ9228
~v
,/"'
1/ f =1DОМГц
/
Ч 8 12 16 20Uкз,В
Зависимость критического тока
от напряження коллектор-эмит­
тер.
6ll


f=5МГц
Ск,п'f'
1001-1--1-~-1--+~~~t---;
-т:"пс
201---+~-~~~-'-~~--j
801--'o-+~-+-~t---;-~~--1
161----~-t-~-+-~+-,,,,_.~---1
12
401--"~t----;:;1;~~-+===t::;.:;~
20~-+---+~3---_..==~~
в ~:!S~~L---L_J
4
Uкз=108,f=5МГц
о
о 0,2 С,4 0,6 0,8 1,Оiк,А
Зависимость емкое ги кол.1ек­
торного перехода от напряже­
ния кол.1ектор-база.
Зависпмость постоянной вре­
:1.1ени цени обратной связи от
тока коллектора.
2Т926А, КТ926А, КТ926Б
Транзисторы кремниевые меза-планарные п-р-п пере1<.1юча гель­
ные высокочастотные высоково.1ьтныс мощные.
Предназначены для работы в импульсных модуляторах.
Выпускаются в металJiокерамическом корпусе с жесткими выво­
дами. Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
'fсло/Зна,R тачка,
Каллектар
ба,за.
Электрические пара~1етры
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = 15 Л.
/Б=1,5А(КТ926Бприlк=10А)
типовое значение .
Напряжение насыщения баш-эvшттер при Iк = 15 А.
/Б=1,5А(КТ926БприIк=10А)неболее.
Статический коэффициент передачи тока в схеме с
общим эмиттером при Икэ = 7 В, /к = 15 А.
tи=500МКС,Q:;>50:
612
0.4*- 2.5в
0.6* в


при Т=~98 К:
2Т926А
КТ926А, КТ926Б
при Т= 213 К 2Т926А
Отношение с 1атического ко7ффициен r а передачи тока
при Т = 398 К к ста тичсt:ко~1у коэфф1щи~!П у переда ч 11
тока при Т = 298 К 2Т926А не бо.1ес .
.
Модуль ко·н)1фициента передачи тока 11р11 / ~ 30 МГц.
Uкэ=10В,lк=1Ансменее.
Обратный ток коллектор-эмиттер при RБэ = 10 Ом нс
боо<ее:
при Т=298 К и Т=213 К, Uкэ=150 в
2Т926А
при Т= 298 К, Икэ= 150 В КТ926А, КТ926Б .
11ри Т= 39S К, Икэ= 120 В 2Т926А
Обратный ток ·эмиттера при Иsэ = 5 В не более .
Преде.1ы;ыс л;:сп.1у:нацио1111ые данные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при
R63= !ООм,Tn=213+373К(прпт.=228+373К
КТ926А, КТ926Б) .
Им11ульсное напряжение кос1.1ектор-эмиттср
'" ~500м1;с,Q~50, Т, =213+398 К (при
= 228 + 373 К КТ926А, IСТ926Б) .
при
т,=
Постоянное напряжение база-jми гтер при Т, = 213 +
+39R К (щж Тк=228+373 К КТ926А,
КТ926Б)
Постоянный ток коллектора при т. = 213 ~ 398 К
(11р11 Тк = 228 • 373 К КТ926А, КТ926Б) .
Импу.1ьсный ·101с коо1лекгора при '",,;; 520 мкс,
Q:;>SO, Т"=213+398 К (при Тк=228+373 К
КТ926А, КТ926Б)
.
Постоянный ток базы при Тк = 213 + 39S К
(при Тк = 228 + 373 К КТ926А. КТ926Б) . .
.
Импульсный ток базы при Тк = 213 + 398 К (пр1 1
т. = 228 + 373 К КТ926А, КТ926Б).
Постоянная рассеивае~шя мощность коллектора при
т.=2!3+323 К (при Т,=228-~323ККТ926А,
КТ926Б)
Импу.1ьсная рассеиваемая мощность при 1и ,,;; 500 мкс,
Q:;>50,т.=298+353к
Температура корпуса:
2Т926А .
КТ926А, КТ926Б
Температура перехода
Температура окружающей среды:
12-60
10-60
5-60
3
1,7
25 мА
25 мА
80 мА
300 мА
150 в
200 в
5в
15А
25л
7А
12А
50 Вт
450 Вт
398 к
373 к
423 к
2Т926А .
От 213 до
тк=398 к
613


КТ926А, КТ926Б
От 228 до
т.=373 к
П р и м е '1 а н и я: 1. Постояш~ое напряжение ко.1лектор-эмиттер
при Тп = 373 ~ 423 К снижае1·ся .1иней110 па 10 °0 через каждые
\О К.
Максимально дОI!)ТТимая постоянная рассеиваемая
коллектора, B"I, при т. = 323 ~ 398 К определяется по
мощность
формуле
Pi;.. ч•кс = (Тп - Т,)/Rт п-к·
где Rт. 11 -к - тепловrе сопропш.1е11ие
из области ~~аксимальных режи:'v1ов
lк=5А,Rтn-к=2К/Вт).
переход-корпус,
(например, при
опреде.1яе:-.10е
[iк-э= 10 в.
При конструировании схем с;1едуеr учитывать возможность
самово·1буждения транзисторов за счет паразитных связей.
2. Для снижения контактного теп.1ового сопротив_1епия необ­
ходимо применять с:vшзку из невысых:зюшего :viac.1a и_1и 1онкую
фольгу из :1;1ягкого м:зтсрнала.
Креп.1е1ше транзисторов к пане_1и осушеств_1яется при по:vющи
гайки. Осевое усиление на винт ;:ю_1жно быть нс бо.1ее 1176 Н.
Пайка выводов допускается па расстоянии не менее 2 мм 01
корпуса тра11111~тора. За те:-.тературу корпуса прнню1астся те:vшера­
тура любой точки основания диаметром не бо_1ее 13 ;1,1м со
стороны опорной поверхности.
I5,A
2,0 t---t ---1-+-- -t+--+- --i
Входные характеристики.
614
h
г;~ 2Т926А,КТ926А,f<.Т92бБ
30
20:---+~-+-~+-~~~
10~~~~~~~~~
Оц81216Iк,А
Зависимость статического коэф-"
фициента передачи тока от тока
коллектора.


6
5
2Т!126А
КТ926А ____,
КТ92бб
'
"'
~ 2 1----4-1---__,1----UБз. на.с
с.;
~
Зависимости напряжений насы­
щения кол"1ектор--эмиттер и ба-
1а-1миттер от гока базы.
2цо
1
1
2Т926А КТ9~6А
1
200
КТ92бБ
CQ 160
'
1\
\~
..........
1-о....._
цо
о
Зависимость максимально до­
пустимого напряжения коллек­
тор-эмиттер от сопротивления
база-эмиттер.
Ск, пФ
1000 ~
2Т!12бА
_КТ926А
о....>С
800
600
цоо
200
1
\
\
КТ92бб
~"'---
о 20 ЦО 60 80Uк5,В
Зависи'V!ость е'V!кости коллек­
торного перехода от напряже­
ния коллектор-база.
1200 г--т---,---т--~
ООО 2Т92бА,1<.J92бА,JЛ92бБ
1
'fи=10мкс,
fl. =15
200 ,_____.. _
_,____
о '----' ---' --. l. .' -"::.::: .; ..::: ..:: . .. . -1
273 298
Зависимость максимально до­
пустимой импульсной мощно­
сти рассеивания коллектора от
температуры корпуса.
615


25
<:(
~ 15 1---+ --+
~
~ 101---1----1~---<~--!----<
"'
.....
о 30 60 90 120Uк3,В
Iк,А
10
8
6
ц
2
1
0,8
0,6
о,ц
0,2
0,1
0,08
qo6
и,оц
---
г----.
'
Тп= 423К
~.Тк = 323К
111
~
КТ926А-
КТfl2бБ::
~ 2Т926А
1\ г1
\
\
\
\
0,02
0,01
1 2 ц 6810 20 ЦОUк3,В
60
50
20
10
1
r
1
1
2Т92бА, КТ926А,НТ92бБ
'
\
\
'\
\
213 253 293 JJJ 373Тк, К
Зависимость максимально до­
пустимого импульсного тока
ко:шектора от напряжения кол-
:rектор-эмиттер.
Зависимость ~шксима.<ы10 до-
11уст11мой чошности рассснва­
НI:я r;оллектора от темпера·~ уры
корпуса.
Об,1асть макСН\·1а.1ы1ых режи­
мов.
КТ927А, КТ927Б, КТ927В
Тран»ис горы кремниевые п,1апарные 11-р-11 чошные высоко час-
тотныс.
Предназначеа<,1 л.;тя работы в коротково,1новых транзисторных
переда 1'IИках в дшшаJ011е частот до 30 МГц в составе герме пr­
зированной: ап11арd:1угь1.
Выпускаются п метал.1011.<ас гмассопых корпусах с жесткими вы­
водами. Обозначение пта прнnодитсп на корпусе.
Масса транзистора пе более 10 г.
61~


база.
Д11,оа
!(оллектор
Эмиттер
Электрические параметры
Выходная мощность при Икэ = 28 В, f = 30 МГц .
Коэффициент усиления по мощности при Икэ = 28 В,
f=30МГц,Рвых=75Вт.
Коэффициент полезного действия транзистора при
Икэ=28В,/=30МГн,Рвых=75Вт.
Коэффициент _комбинационных составляющих при
Икэ=28В,f=30МГц,Рвых=75Вт.
Активная составляющая полного входного сопротив-
ления при Рвых=75 Вт. Икэ=28 В, f=
=30МГц
Граничная
схеме с
Iк=1
частота
общим
А
типовое значение
коэффициента передачи тока в
эмиттером при Икэ = 28 В,
Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 28 В не
более
Емкость эмиттерного перехода при ИэБ = О не
более
Статический коэффициен1 передачи тока в схеме с
общим ·э,,,шпером при ИКБ= 6 В, Iк= 5 А:
КТ927А
КТ927Б
КТ927В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при
Iк=10А,/6=2Анеболее
Обратный ток -эмиттера при Иэs = 3,5 В нс
более
Обратный ток ко.1лсктор-эмиттер при Rэs = О и
Икэ=70 В не 60.1ес .
Предес~ы1ые экспJLуатацио1шые да1111ые
.Постоянное напряжение кол лек гор-·;м1птер:
при R63 =О
·
приRБз= XJ
•
75 Вт
13-16
48-52 °1
'"
-(30-39) дБ
2,65 Ом
105-210 МГц
150* МГц
190 пФ
2850 пФ
15-50
25-75
40-100
0,7 в
40 мА
40 мА
70в
35в
617


Постоянное нанряжение эмиттер-база
Постоянный ток ко.1лектора
Импу:1ьспый ток коJ1лектора .
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора в 11и­
намическом режиме:
при т. == 213 -;- 34[<: К
приТ,=423К.
Тепловое сопротив:1ение корпус-нерехо:r .
Те"1пера тура перехода
Температура окружающей сре:rы .
3,5 в
10А
30А
83,3 Вт
33,3 Вт
1.5 К/Вт
473 к
От 213 ,10
423 к
2Т928А, 2Т928Б, КТ928А, КТ928Б
Тран·шс1оры кремниевые эпитаксиальнс-планарные п-р-11 высоко­
частотные универсальные.
Предназначены для работы в быстродсйствуюших импульсных
схемах. в цепях вь1числительных машин. ·JJ схемах генерирования
электрических ко,1ебаний.
Выпускаются в ме1 аллостеклянном корпусе с гибкими выво­
дами.
Масса 1 ранзистора не более 3 г.
23
6',!i'
Место
f-E----~,___ _, _ __ __ "" ' марки ро§кu
17, 8
Электри'lеск~1е параметры
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
с общпм эмиттером при ИкБ ~ 10 В, lк == 50 мА,
не менее:
618
2Т928А. 2Т928Б
КТ928А, КТ928Б
300 МГ11
250 МГц


Статический коэффициент перелачи тока в схеме с
общим Э"'1'ИТТером нри Ик5 = 3 В, 1, = 150 мА:
2Т928Л
2Т928Б. КТ928Б
КТ928А
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер ври /к =
= 300мА,!6=30мАнеболее:
2Т928А, 2Т928Б .
КТ928А. КТ928Б
На11ряжение насыщения эмиттер-база при lк = 300 мА,
/ 6 = 30 мА 2Т928А. 2Т928Б не более .
Е:v~кость коллекторного псрехо,щ при Ик 6 = 10 В,
f=10МГцнеболее:
2Т928А, 2Т928Б
КТ928А. КТ928Б
Емкость эмиттерного перехода при Ик5 = О не бо.1ее:
2Т928А, 2Т928Б
КТ928А, КТ928Б
ПоС1оянная времени 11епи обратной связи на высокой
частоте нри ИкБ=10 В, lк=50 мА,f=10 МГ11
КТ92~А. КТ928Б не более .
Обратный ток коллектора при Ик5 = 60 В не более:
~Т928А, 2Т928Б .
КТ928А. КТ928Б .
Время рассасывания при lк = 300 мА, /5 = 30 мА не
более:
30-100
50-200
20-100
0.6 в
1,0 в
1,5 в
10 пФ
12 пФ
90 пФ
100 пФ
100 НС
1 мкА
5 мкА
2Т928А, 2Т928Б
225 IIC
КТ928А, КТ928Б
250 нс
Постоянное
Постоянное
RFa=О.
Посrоянное
Постоянный
Пределы1ые эксплуатационные данные
напряжение ко.1лектор-база .
нанряжение коллектор-эмиттер
при
напряжение эмиттер-база .
ток кол:1ектора .
Им11у.1ьсный ток коллектора при •и ,;;; 1О мкс,
Q:;;,, 50
Импульсная рассеиваемая мощность кол.1ектора при
Тн ,;;; 1О МКС, Q :;;,, 50:
2Т928А, 2Т928Б:
при Т=213с-298 К
приТ=398К.
КТ928А:
-при
Т=228~298 К
приТ=358К.
КТ928Б:
при Т=228с-298 К
при Т=358 К .
60в
60в
5в
0,8 А
1.2 А
3.6 Вт
3,2 Вт
3.5 Вт
3,26 Вт
3,6 Вт
3,36 Вт
619


Пщ:тоянная рассеиваемая мощность коллектора:
2Т928А, 2Т928Б:
при Т=213с-298 К
при Т=398 К
КТ928А. КТ928Б:
при Т=228с-298 К
приТ=358К.
Темпсратуrа пеrехода
Температура окружающей среды.
2Т928Л. 2Т928Б .
КТ928А, КТ928Б
КТ929А
0,5 В1
0,1 Вт
0,5 Вт
0,26 81
423 к
От 213 до
398 к
От 228 до
358 к
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный 11-р-п 1 енера­
торный высокочастотный.
Предназначен для применения в схемах усилителей мощности,
в том числе при амплитудной модуляции. в умножителях частоты
и автогенераторах на частотах более 50 МГц при напряжении
питания 8 В.
Выпускается в металлокерамическом корнусе с четырьмя изолн­
рованны:чн о r корпуса гибкими ленточными выводами и монтаж­
ным винтом. Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не бо.1ее 4,5 1.
Змиттер
01 15
Z1
Электр11чесю1е параметры
Выхощ1ая rv•ощнос1 ь при Икэ = 8 В, / ~ 175 МГ11.
Тк ,,;; 313 К нс менее
Козффициепт усиления по мощности нс менее .
тиновое ·значение .
Коэффициент по"1е11юго дейс1вия коллектора
менее.
типовое значение
620
не
2Вт
~
ll,5*
55оо
7У ~'~


Статический коэффициент передачи тока
общим эмиттеро:-1 * при Икэ = 5 В.
в схеме
fк=О.7
с
А.
типовое ·значt:ние .
~()
Модуль ко·эффициенrа переда•rн тока прн /= 175 МГц.
Икэ=8В, fк=0,3 Анеменее.
4
типовое
знаtrение
Критический ток кОJшектора * при Ск-э = 8 В. / =
= 100 МГц. типовое 3начс;:пс
Постоя1ш2я вреченн цепи обра 1ной связи нрн Uк-э =
= 8 R./'=5МГн.lк=50~rAнсболее
типовое значение .
Е'\1кость ~;ол.1скторного перехода нрн ИкБ = 8 В.
f=5МГцнебож~е.
гиповое значение .
Обратный ток кол.1ектора * при Uкr; == 30 В. Т = 298 К.
типовое значение .
Обра·rный ток коллектор-э~шттер при Uкэ = 30 В.
R5э = 100 Ом не более:
приТ=298К.
приТ=398К.
Обратный ток -~миттера нри Uэь = З В не более:
приТ=298 К
приТ=398К.
Индуктивность выводов*:
эмнттерного
кол.1екторного
ба-юного.
Емкости выводов относительно корпуса*
эмиттер-корпус
коллек-1 ор-кор пус
база-корпус
Предельные л>сплуатащюшrы~ .1шшыс
Пос гоянное напряженнс ко.-1.-rектор-база .
Постоянное на~1ряже11ие ко.1:1~ктор-'JМИТП?р
пrн
Rr;3 .; 100 Ом
Пос юянное напряжение J;.-rr:1, ер-база
Постоянный ток ко:rлсктора
Импульсный то« ко:1.1ектор<1
Срелняя р.1ссе:шае:v~ая ~-юшrrость в _1ина\11гrес1,с01 режиме
rrrи т.,::;J13 !(
Тсп.-10rюе сопротин_,1е1шс r.срсхси-корпус .
Те;.шература п.:р(?хода
Темнсратура кор;1усt1
2,5 А
~5 пс
l)* IIC
20 11Ф
15* пФ
0.5 \1А
5мА
10 мА
5мА
10 :viA
1.2 нГн
2,4 11Г11
2.6 11Гн
l.R4 пФ
1,53 пФ
0.96 11Ф
30в
'ОВ
3в
0.8 А
1.5 А
6В1
20 К/В1
433 к
От 233 до
373 к
П р и \1 е чан и я: I, Пр11 Е11,н ""' 9 В μоп;-скастся работа гран­
З!Iс rora пр!I Кстt ~ 1О при ) с:;uвшr 11е11геныше11ия предельно до-
621


пустимых режимов эксплуатании. При Е,, 11 т = 9 7 12,б В пиковое
з11а'1е11ие напряжения коллектор-эмиттер не полжно превышать 50 В.
2. Разрешается обре·>ать вывопы на расстояннп не менее 4 мм
от корпуса без передачи уси.1ия на кера:-.1и'rсскую часть корпуса
без нарушения rерметис:ности и с сохранением обозначения ко~1лек­
торпого вывода.
Чистота контактной поверхности теп.1оотвода должна быть не
менее 1,6 . Неп:юскостность контактн()й поверхности теплоотводов
должна быть нс более 0.04 мм. Д.1я уменьшения кон·1ак1 но го
теплового сопrотнв~1ения между корпусом и теплоотводом следует
пр1I\.1енять теп.100 1водящие смазки.
Рвы" Вт
КТ929А
12
f=175 МГц
в1---+-+---+""7''4---+--1
Б >-----<f----..,.~-+---+---+-----<
4 Г--У--t---=--+
о 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 Рвх' Вт
Зависимость выходной мощно­
сп1 от вхолной мощности.
lh21э 1
10
9
в
7
в
5
о4
1
КТ929А
/""
/
1 f=100 МГц,
l =OJA-
-
к1) 1
6 8 10 12Uкэ,В
Зависимость модуля коэффици­
ента передачи тока от напряже­
ния коллектор-эмиттер.
622
Р8.,. ,Вт
КТ929А
Uкз=ВВ
'Г'/н' й/о
51---~----+-----1100
'Г'/н
цt-::;~~~::!;:::::::~во
3
60
2
цо
""""".,.=--1 20
100
200
300 f, МГц
Зависимость выходной мощно­
сп1 и КПД от частоты.
1
lh21э
10
9
в
7
6
5
1
1
1
1
КТ929А
"-
f =100 МГц,
Икэ=ВВ
11
О 0,1 0,2 0,3 О/+ О,5Iк,А
3аВИСИ\10С1Ь модуля коэффИЦИ·
ента передачи тока от тока кол·
лектора.


r lкр,А
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
о
КТ929А
/
/
/
/
/ f=1DОМГц
1
2чВ81DUкз,В
Завнси:\1ость критического тока
от 1шnряжения-кол.1ектор-э'>1ит­
тер.
КТ929А
о
10 20
Зав1rси:-.юс·1 ь е:-.1коспr ко.1лск-
1орного перехода о 1 напряже­
ния коллектор-база.
't'юПС
1Ч
12
10
в
в
ч
f--
~
КТ929А1
11
~f==5МГц,
'
J!к5==88
!\...
J
О ЧО ВО 120 160 200!3,мА
Зависимость постоянной вре­
мени цепи обратной связи от
тока Jмиттера.
С3,пФ
КТ929А
чoi----i-~-=t,-...;~~-i
f=5МГц
о
2
Зависи:vюс1ь е\1кости Jл1и·1 rep-
нor о перехода от напряжения
·J\1Нттер-ба·ш.
hz1з
70
1
1
КТ929А 1
'7;'_,ПС
1
КТ929А
60
50
ЧD
30
20
1
,V
1
'
Икз= 5 в,
,,/
......
О 0,2 О,Ч 0,6 0,8 1,0Iк,А
Зависимое 1ь статического коэф­
фицие111а передачи тока 01 1ока
коллектора.
12
1D
8
6
ч
2
~
'\
'
1.1
f=5 МГц
13=50мА
"' r---....
v
О2Ч6810Uк5,В
Зависимость постоянной време­
ни l{епи обратной связи от
напряжения коллектор-база.
.
623


КТ935А
Тран·нrс1 ор кремниевый эпил1ксиальный ме3<1-11:rанарный 11-р-11
перек.1ючательвый высокочастотный мощный.
Предназн<1чсн лля р<tботы в ключевых и импульсных схе:vшх.
Выпускае гся в мел1л:юкер<1мнческом корпусе с жесткимн вы­
водами. Обозначение типа привод1пся на корпусе.
М:кса транзистора не более 20 r.
ба. за,
"
Ма.,рхиробочнад Ноллектар
Jми.ттер
тачка.
"Эле1стрнчес1ше параметры
Граш1ч:юе напряжснпе при fк = 1 А не менее
Напряжение насыщения коллек 1ар-эмиттер
прн
lк=15А,/6=3А небо.1сс
т:.1пово~ значение .
J-!апря)!(ение насыщения база-эмиттер при fк = 15 А.
/Б=3 А не 60.1ее
пшовое значение .
Статический коэфф:;rш::н 1 ш:рсдачи тока в схеме с
общим э~литтером при Икэ = 4 В, 1к = 15 Л:
при Т=298 К .
типоrюе значение
при Т=398 к. Икэ=5 в. lк=3 А не
бо.1ее .
70в
1в
0.75* в
l.7 в
1,3*в
20- 100
40*
150
приТ=213К
1О- 100
Вреия включения при fки= 10 А. lr; =2 А не
бо:т~е
0.25 мкс
Вре\:я выключения$ при fк 11 = 1О А, lr, = 2 А нс
бо:тсс .
О.: \IK~
Моду.1ь козффrщ11снrа псрсдu•:п токu щт /= 30 МГц,
Uкэ=10В./к=1Апеменее
1.7
Е~1кос1 ь l(о:тлскторпого 11срехода при С'к 5 = l О В.
/= l МГц не бо.СJе~
SOO нФ
Емкость змпттерноrо персхо,1а * прп Иr;э = 4 В .
.f= 1 МГu нс бо;тсе
3500 nФ
624


Обrа 1ный ток кол;rектор-Jмиттер пrи R 53 = 10 Ом не
более:
при Т=298 К и Т=213 К, Ик-.,=80 В
приТ=398КИкэ=60В
Обратный ток эмиттера при И5э = 4 В не более
Преде.1ьные э1.:сш1уатащюиные данные
Постоянное напряжение ко.1:1ектор-J\111ттер прп R 57 =
= 10Ом,Тп.;;3~3К.
Импульсное напряжение коллектоr-эмиттер при ти ,,;;;
,,;50мкс.Q~20,'Ф~15мкс,R5э=10Ом.
Постоянное напряжение база-Jмиттер при Т, = 213 с-
30 мА
60 мА
300 мА
80в
100 в
398 к
5в
·импу.1ьсвое напряжение база-эмипер пrн т" -;;; 50 YIKC,
Q?20, Т,=213-;-398 К
6В
Постоянный 1ок коллек1 ора при Тк = 213 с- 398 К .
Импульсный ток коллектора
Т,=213 -;-398 К
при
мс,
Постоянный ток базы при Тк = 213 с- 398 К .
Импу.1ьспый ток базы ври т" ,,;;; 1 мс.
тк=213с-398к.
Q? 20,
Q? 20.
Постоянная рассеиваемая мощнос1 ь ко.1.1сктора при
тк=213с-323 к
Те"'1псратура перехода
Те\!!1Сратура корпуса .
Тбшература окружающей среды
20А
30А
10А
15А
60 Вт
423 к
398 к
От 213 до
тк= 398к
Пр11,1ечания:
Макси\1ально .1опустимая востоянная рас-
сеивnе:v~ая мощность кол.1сктора. Вт. при Т, > 323 К рассчнтывается
по фор:-.1у.1с
Рк чакс = (423 - T,)/R7 п-к·
где Rт. ii-к - тепловое сопротивлеш1е переход-корпус. 011ределяе!\:ое
из об.1асп1 максима;1ьных rежи:-.юв.
Дог.ускается при включении nппаратуры выброс тока ко.1ле;,:тора
до 50 А в ~ечение 1 мс, далее ток кол.1ектора спадnет до
20Автеченне2мс.
2. Пайка выводов допускается на расстошвш не менее 2 мм
от корпуса транзистора.
625


120
1
КТ935А
100
.........
................
Г'--... ~
сч_ 80
<>
"'с:!
::i;
60
('j
"'
:;:,
40
20
J63 37J J83 J93 40J 413 Тп,К
Зависr1л1ость \f<1KCll\Hl.1&Ho до­
пустичого напря"'сння ко:1лек­
тор-э\шттср от течпера 1 уры пе-
рехода.
hz13
КТ935А
12 о 1----1 - -... ......'-= - '-- --l ---I
о
/
/
Зона воз!'.10жных щ1_1ожений за­
внс11:-1ос п1 с1 а r ического коэф­
фиц11ен 1 а передачи тока от тока
1,7
1,6
~ 1,5
<..)
с:!
~ 1,4
~
1,3
1,2
о
ко_1.1ектора.
1
КТ935А
--
Iк=15А / /
/
/
/
v
2
Зависимое r ь напряжения насы­
щения база-эчиттер от тока
базы.
626
Входные характернстики.
3
Q:)
," ': 2 1----+1---I
-
15А
'1
к-
>:
~ 1,5 1---1~-11---11---11---1
:;:,
Зависимость напряжения насы­
щения ко.1.1ектор-эмиттер от 1 о­
ка базы.
Ск,пФ
700
600
500
400
300
\
\
\
1
1
KT9l5A
1
i
\
"
!'--..
О 20 40 60 80Uк5,8
Зависимость емкости коллек­
торного перехода от напряже­
ния ко.1лектор-база.


....
60
CtJ
~
~50
":.:
о..."" чо
KT9J5A
1
\
\
'
\
UкзR,в
90
80
70
60
50
1'-
!'.. .
"r---
1J11
КТ935А
" ......
Г----..1-...
30
20
213 253 293 333 373Т,,К 0,01 O,Oll 0,10,20,ЦО,61 2 l/RБЭ,Ом
Зависимость :--1аксима.,1ьно до­
пусти\сЮЙ мощности рассеива­
ния ко;1лектора от температуры
корпуса.
5
ц
КТ935А
со
3
~
"<:1
"'
...;
~
2
о2ц68Кнас
Зависимость напряжения насы­
щения ко_1_1ектор-J:шптер от
lк !5.
Зависимость напряжения кол­
_1ектор-эмиттер от сопротивле­
ния база-эмиттер.
Iк,А
10
6
ц
2
0,6
о,ц
0,2
0,1
О,06
о,оц
0,02
0,01
""
КТ935А 1
1'.
'
Тк=29ВК_
._Область u Т,,.='123К
максимальных\
~режи.моfJ на ' ,
посто~нном токе
\
>---
_1
-
Максимально
--допустимое 1
импульсное 1Ю.Лрнжение
при-r:""50мкс,Q >20'
-
-R53=~00м,-r:tр?:1,5мкс
1'
1'1
1 2 461020 4060100Uк3,8
Об.1асть максимальных режи­
мов.
КТ940А, КТ940Б, КТ940В
Транзисторы кремниевые мсза-планарные п-р-п высокочастотные
уснли 1еJ1ьные мощные.
Пре,с~юлначены J(ля работы в выходных каскадах видеоусили­
телей телевизионных приемников цветного и черно-белого изображе-
ния.
Вьшускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Обо­
·шаченне пша приводится на корпусе.
Масса транзистора не более О, 7 г.
627


2,8
f,2
0,88
2,3
ктg40А ,5, в
'Электр11ческ11е 11араметры
Граничная частота при Икэ = 10 В, lк = 15 мА не
менее.
Статический коэффициент передачи тока в cxe;v.c с об­
щим эмиттером нри Икэ= 10 В, lк=30 мА не
менее.
Напряжение насыщения коллектор-::~:v~иттер при Iк = 30 мА,
IБ=6мАпеболее.·
Обратный гок коллектора не более:
при Ик6 = 250 В КТ940А
при Ик6= 160 В КТ940Б .
при Ик6= 100 В КТ940В . .
Обратный ток эмиттера ври Иэ6 ~ 3 В нс более
Емкость коллекторного перехода при Ик 6 = 30 В, / ~·­
lМГцнеболее.
Предель11ые эксnлуатац1101шыс данные
Постоянное напряжснне ко~1лектор-база при т. = 228 -с-
318 К:
КТ940А
КТ940Б
КТ940В
Постоянное напряжсн11е коллектор-J:vшггер нра R·)Б ";
,,;;10кОм,т.=2287318К:
КТ940А
КТ940Б
КТ940В
Пос гояннос напряжение 1:v11п ~ер-база при Тк = 22~ -
90 МГп
25
1в
50 нА
50 11А
50 нА
5() нА
55пФ
300 в
=so в
160 в
зuо в
250 в
160 в
318 к
5в
628


Пос 1оянный ток коллек 1ора при Тк = 22S -о- 318 К :
Импульсный ток коллектора при Ти = 30 мкс. Q ? 1О,
тк=228+318к.
Постоянный ток базы при т.= 228 + 31S К .
Пос1 оянная рассеиваемая мощное r ь коллектора:
без те11;юотвода при Тк = 228 ~ 29S К .
с теплоотводом при т. = 228 + 318 К, Uк-, = 100 В,
при С'кэ= 160 В
при Ию=250 В .
приИк)=300В.
Тепловое со11ротивление:
11ереход-окружающая cpei\a
переход-корпус
Температура перехода .
Темнера 1ура окружающей среды
100 мА
300 мА
50 мА
1,2 Вт
10. Вт
7,5 Вт
3,5 Вт
1Вт
104 К/Вт
10 К/Вт
423 к
От 228 до
358 к
П r им е чан и е: Макси!'.1ально допустимая постоянная рассеивае­
мая мощность ко.1лектора, Вт. бе1 теплоотвода при Т > 29S К
опреде.1яется по формуле
Рк ""'с = (423 - Т)/104.
Макс11ма;1ь110 допустимая постоянная рассеиваемая моrцность
ко.1лектора, Вт, с rеп.1оотводом при Т, > 318 К определяется
по форму.1е
Рк·шс=(423- Т,) 10.
КТ94ЗА, КТ943Б, КТ943В, КТ943Г, КТ94ЗД
Транзпсторы кре~1ниеные "v1еза­
планарные 11-р-11 усштительные высо-
ко час r<п ные мощные.
Прсдназ:-:rачены д.:~я работы в им- c:i _
ПУЛЬСНЫХ СХС"vШХ.
Выпускаются в пластмассовом
коr11усе с 1 ибкими выводами. Обо-
значение 111ш1 !lрИводи 1ся на корнусе.
Масса ·1ранзистора не бо.1ее 0,8 г.
"'Е
"'
"
t:;
"'"'
'"'
Z,8
1:-1
;-1
o,z
629


Э:~ектрические параметры
Напряжение насыщения ко.·1лектор-·Jм1птер при lк = 1 А,
15 =О.1А не бо.1ес:
КТ'J43А. КТ'J43Б. КТ943В . .
КТ943Г.КТ94ЗД. . . . . .
Статический коэффнниент 11ерелачи тока в схеме с об­
щю1 эмиттеро:v~ при С'кэ = 2 В. lк = 0.15 А:
при Т= 29S К:
КТ943Л
КТ943Б
КТ943В
КТ943Г
КТ94ЗД
при Т= 35R К:
КТ943А
КТ943Б
КТ943В
КТ943Г
КТ943Д
при Т= 228 К не "1енее:
КТ943А, КТ943Б, КТ943В
КТ943Г. КТ943Д . . . .
Моду.1ь ко·Jффищrента 11ередач11 ~-ока 11р11 /= 10 МГц.
с·кэ=1О В, lк=0,25 А не сv1енее
.
.
.
.
Обратный ток ко.1лектора при UкБ = 45 В КТ943А;
при UкБ = 60 В КТ943Б; при И'кБ = 100 В КТ943В,
КТ943 Г. КТ943Д не более:
приТ=298КиТ=228К:
КТ94ЗА. КТ943Б, КТ943В
КТ943Г, КТ943Д
при Т=358 К:
КТ943А. КТ943Б, КТ943В
КТ943Г, КТ943Д .
Обра1ный ток эми11ера при И5 э = 5 В не бо.1ее:
0,6 в
1.2 в
40-200
40-160
40 - 1.:Ю
20 - 1()0
30- 100
40-400
40- 320
40- 250
20- 200
30- 300
15
5
3
0.1 :vtA
1мА
0.2 мА
3мА
КТ943А, КТ943Б, КТ943В
~1Л
КТ943Г,КТ943Д.......
5мА
Постоянное
358 К:
Предеш.ные Jксn.1уатащюнпые данные
напряжение коллектор-база при Т, = 228 -с-
КТ943А
КТ943Б
КТ943В, КТ943Г, КТ943Д
45в
()О В
100 в
Пос 1оянное напряжение кол.1ектор-эмиттер при RБэ =
= 10 Ом-с-1кОм, U53=0,5 В, Т.=228-с-358 К:
КТ943А....
45В
КТ943Б, КТ943Д .
60В
КТ943В, КТ943Г .
80В
630


Импульсное напряжение кол~1ектор-эмиттер при R 6 э =
= 1 0 Ом, Тк=228+358 К:
КТ943А
КТ943Б
КТ943В, КТ943Г .
КТ943Д .
Граничное нанряжение при fк = 100 мА, Тк = 228 + 358 К:
КТ943А
КТ943Б. КТ943Д
КТ943В, КТ943Г .
Постоянное напряжение ·эмиттер-база нри Т, = 228 +
358к.
Постоянный ток ко.1лектора при Тк = 228 + 358 К .
Импульсный ток ко.пек юра при Q ;,, 50, т11 о;; 1 мс,
т,=228+358 к .
Постоянный ток базы при Тк = 228 + 358 К .
Постоянная рассеиваемая мощность ко.1.1ектора при
Тк=228+29RК.
Температура перехода .
Температура окружающей среды
50в
75в
100 в
80в
45в
60в
80в
5в
2л
6А
0,3 А
25 Вт
423 к
От 228 до
тк=358 к
П р и м е ч ан и я: 1. Ра3решается использование транзисторов
в схемах кадровой развертки те.1еви·юров при Q = 2, т11 = 10 мс
н /к.и о;; ЗА. Максима.1ьно допустимая постоянная рассеиваемая мощ­
ность коллектора. Вт, 11ри Тк = 298 + 35R К рассчитывается по
фор!Уrу.1е
Рк.ч•кс = (423 - Тк) ! 5.
2. Допускается пайка выводов на расстоянии не менее 5 мм
от корпуса транзистора. При пайке температура корпуса не лолжна
превыша гь 398 К. При ·жсплуатации транзистора слелует учиты­
вать возможность е1 о самовозбуждения за счет паразитных обратных
связей :v1онтажа.
1
1
КТ9113А-
20
КТ94ЗД
1
1
~Uкз=О-
1
1
1
15
Uкз=2В--
10
1
J
~/
5
О
0,11 0,5 D,6 D, 7 D,8 U53,B
Входные характеристики.
h21Э КТ91/3А -КТ91138
100 1----11'"--" ..+ -- - _j _--1_. . . J
BOt-t---1 ----+ -' \-!---.+ ---1
701-'---!---+.--Ц--1----.1
D,5
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от то­
ка коллектора.
631


hг1э
70.__---'.__---'...__..~_..~__,
ц.о
0,5
Зависимое 1ь с-1 атического коэф­
фициента передачи тока от тока
коллектора.
Ск,пФ
50
цо
30
20
10
о
632
25
1\1
1
КТ9Ц3А-
\нп11;зд
'
\
\
10
213 253 293 333 373 тк ,к
\
кт)ц3д-~
~
f\.
НТ943Д
""-
,.............
t--
1,2
Iк= 1А
КТ943Г,КТ94JД
о 5 10 15 20Iк/I5
Зависимое·~ ь напряжения насы­
щения кол,1ектор-эмиттер от
lк/IБ.
600
500
цоо
о
1\.
1
1
1
КТ943А-НПl43Д
\
'"" ~
............
2
Зависи~1ос 1 ь максимально до­
пустимой мощное ги рассеива­
ш1я коллектора от температуры
корпуса.
Зависимость емкости эмиттер­
ного перехода 01 нш1ряжев11я
база<•мнттер.
Зависимость обратно~ о 1 ока
коллектора от тем пера т) ры
корпуса.


Ct:J
~1501--~-l-~-l-+~-l-~t-----1
~ 10 о l----+ --+- --k --t --- ---1
501-----+- --+---1 ---+-----1
о._____..____._ __.._~-~
0,3
0,25
0,2
1 0,15
.:;
~ 0,1
,. .__,
0,05
о
КТ9i/3А-Н.ТrJ4ЗД
1
/
/
l/1
-
--
10 100 1000 10000 R63,Dм
213 253 293 333 373Тк,К
Зависимость емкости коллек­
торного перехода от напряже­
ния коллектор-база.
Зависимость напряжения кол­
.1ектор-эмиттер от сопротивле­
ния база--,миттер.
КТ945А
Транзистор кремниевый эпитаксиальный 11-р-п уси.1ительный вы­
сокочастотный мощный.
Предназначен для работы в И7'1Пульсных модуляторах.
Выпускается в мсталлостсклянном корпусе с жесткими выво­
дами. Обозначение типа нриводится на корпусе.
Масса транзистора не 60;1ее 20 г.
16'
~
77
,._
-
1--•-' -
<;:;'
---
"'
-
-е.
-~
......
.. ..:
'
'G.
JJ
10,J
Ко1111ектор
26
-
Электрические параметры
Напряжение насыщения кол~1ектор-эмиттср при /к = 15 А.
lь=3Анеболее.
Напряжение насыщения база-Jмиттер при lк = 15 А.
/Б=1.5Ансболее.
2,5 в
2.5 в
633


Статический коэффициент передачи тока в схеме с
обши'Vf змиттеро:v~ при Икэ = 7 В, lк = 15 А:
приТ=298 Кнеменее.
при Т=228 К не менее .
при Т= 373 К К;=(h21э при Тк=373 К)/(1120
при Т,=298 К) не бо.1ее .
Моду.1ь коэффициента передачи тока при / = 30 МГц,
Uкэ=10В. lк=1Анеменее
Обратный ток ко.1.1ектор-зм11t 1ер при Икэ = 150 В.
RБэ = 10 Ом не более:
приТ=298Ки Т=228К
при Т=373 ·к .
Обратный 1ок эмиттера при И6 э = 5 В не более
Предельные эксплуатациоииые да1шые
Посгоянное напряжение кол.1ектор-эмиттер при RБэ =
= 10 Ом, Тк=228..;-373 К.
Импульсное напряжение ко.1.1сктор-змиттер при Q;,, 50 ,
•и .;: 20 мкс, dUю/dt .:,;: 0,36 В/нс, Тк = 228 -' - 373 К
Постоянное напряжение база-эмиттер при Тк = 228 -' -
373 к
Постоянный ток коллектора при Тк = 223 -' - 3 73 К .
Импульсный ток коллектора пр!! Q ;,, 20 , •и .;; 500 мкс,
Тк=228 -'- 373К.
Постоянный ток базы при Тк = 228 ..; - 373 К .
Импульсный ток базы при Q ;,, 20, <и .;;; 500 мкс,
тк=228 ""373к.
Постоянная рассеиваемая мошность коллектора при
т,=228 -'- 323к.
Тепловое сопротив:тение при Uкэ = 1О В, Тк = 323 К,
тп=423 к
Температура перехода .
Температура окружающей среды
10
8
3
1,7
25 мА
80 мА
300 мА
150 в
100 в
5в
15А
25А
7А
12А
50 Вт
2 К/Вт
423 к
От 228 до
т,=373к
Пр и '1 е чан и я: 1. При Т, > 323 К 1юстояпная рассеиваемая
мощное 1ь коллектора, Вт. снижается в соответствии с формулой
Рк.макс = ( Тп.мокс - Т.)1 Rт.11-к·
где Rт п-к - тепловое сопротивление переход-корпус.
Пр11 использова>~ии транзистора при Uкэ > 10 В тепловое сопро­
тивленнс определяется из области максимальных режи!\-юв. Так, при
постоянном напряжении коллектор-эмиттер. лежашем в прсде.1ах
о г 1О до 100 В, тепловое сопротив.1ение составляет 5,55 К /Вт.
2. Миниvщлыюе расстояние от корпуса до мес·1а пайки выво­
дов 5 мм. При пайке температура корпуса не должна превышать
373 К в течение не более 3 с. Креtцение транзистора к панс.•н
осуществляется при помощи винта или винта с гайкой с усилием
19,6 Н.
634


Транзистор l'!сполыуется только с теплоотводом. Для снижения
контактно~ о теп.1ового сопротив,1епия необходимо применять поли­
ме ги.1си.·юксановую жидкость П МО-100 ГОСТ 13032-77 .
За темпер;пуру корпуса принимается температура поверхности
основания диаметром (20 ± l) мм относите;1ьно центра основания
со стороны внешних выводов.
Запрещается даже кратковременная рабо га транзистора вне об­
ластн '1акс11ма.1ьных режимов.
При конструировании схем с.1едует учитывать возможность само­
возбуждения транзис·rоров за сче·1 паразитных связей.
h21э
КТ945А
1о о 1---+. "-- +-" .-- +
оцв1216Iк,А
Зона возможных по.1ожений за­
висимости статического коэффи­
циента передачи тока от тока
ко.1лектора.
6
КТ945А
5
\
Iк=15А
ц
'
со
.:;
J
о
:i:
с.;
:::} 2
Зона возможных по,1ожений за­
висимости напряжения насышс­
ния ко.1.1ектор-эмиттер от тока
базы.
со
~
...,
"'Cj
::;
.,;
~
J
r
КТ945А
-1к=15А
--
2,5
_,,., .. .
----
0,5
.... -~
о
0,5
---
--
-- ---
1,5 2
---
-
--
Зона возможных по.1ожений за­
висимости напряжения насыще­
ния база-1!\шттер от тока базы.
300
250
200
-.......
150
100
50
о
10
1
КТ945А
r
IкзR~ 25мА
"
........_
r---
Зависимость максимально до­
пустимого напряжения насыше­
ния коллектор-эмиттер от со-
противления база-эмиттер.
635


I6,A
КТ91./5А
~51---t---1--~·+-----.-,Н---i
0,51-----1~-1---.<-Н<---+---i
OL-__.~_....o::;....._._~...___.
J
2,5
2
0,5
1
'
--~
КТ91./5А
1
Iк= 15А
v
~v
..-
0,5 0,6 0 ,7 0,8 0,9U63 ,B
о
2 1./
6
Входные характеристики.
Зависимость напряжения насы­
ще1шя коплектор-1миттер от
/к;'/Б.
Ск,пФ
1000
800
600
if.00
200
\
\
'
\ ...
'
... ....
- - .......
KT9if.5A
f=1МГц
......
--
... ..__
---
--
о 20 '10 6080Uкз,В
2 RТт;тFFТffEP~~~
1.~~~~~it§~~~~
q.l--i--1~-f""'f=~f9'-+-+-н-+-=t~-+---1
21--1--FЗJ~"lr+--t++-+-+-'::'::'-c:'=-1--~
~ 70-1 t:::::E:E~~=1=11S:::=t:;=:
~ 61=
Q::
q.
2 1--+- -+ -++ -+ --+ ---<
70-Z~+--+-~--+-~~~~~+-.__.___,
Зона во:~:v~ожных положений за­
висн:v~ости емкости коллектор­
ного перехода от напряжения
Зависимость импульсного теп­
:1ового сопротивлеrшя перехо,J­
корпус от длительности пч-
колпектор-1м11ттер.
пульса.


Iк,А
цо
го
10
6
ц
2
1
0,6
о,ц
о,г
10-1
D,06
о,оц
0,02
1
1
f
f
/ КТ945А
0
-r:н=1Dдмкс 5DV1Dмc 5мс~1мс
~Q;>,2'~ --.;_ -
_ _ _: _ --.....~ ""'-~....::*~-+~
...,..., :;-::~ ""\,/'\-500мк~ \" '
'
.......
·.'
10Dмкс_~
~,,,
'" -с:=
1
Т,,=323К
~'' '11
~1
~','-,
..,_50мкс ,
Т,,=423К
·~\,',,
'
1
,.
'
-- Статический
"': ,,
--~
1 {J_ежим
~' '~,
-
-
-Имп)~льсныu режим --.; ~~>~
'•"'
10-2
1
г
ц
610го
цо Uкэ,В
Область :'v1<1ксимu"1ьных режимов.
КТ947А
Транзистор кремниевый п~1анарный n·p -11 высокочастотный ге­
нераторный.
Предназначен для усилителей мощности д.1и11но- н средневол­
нового диапазона.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими вы­
вода:vш. Обозначение типа приводится на боковой поверхности
корнуса.
Масса транзисторu не более 35 г.
.
tu,6
12,5
,
637


Электрические параметры
Выходная мощность при / = 1,5 МГ11, Икэ = 27 В не
менее.
Козффшшент уси:1ения по мощности при Рnых = 250 Вт,
Ию=27 В,/=1,5 МГп не менее .
типовое значение .
Коэффшщент полезного дейс гвия кол.1ектора пrи Рвы< =
=250Вт.Икэ=27В./=1,5МГпне'v!енсе.
1·иповое значение .
Молу.% коэффициента передачи тока при / = 30 МГп.
Ик1=10 В, Iк=4А. не менее.
Статический козффиниент передачи тока в схеме с общим
эмиттеромприИкэ=5В, fк=20 А:
пр11 Т,=298 К
прнТ,=398К.
ll(Jif т, =213к.
Обратный ток ко.1лектоr-эмиттер при Т, = 298 К,
Икэ=100В,RэБ=10Омне60.1ее.
Обратный ток зми1тера прн Тк = 298 К. ИэБ = 5 В
не более.
Емкость коллек горного перехода* при L'кБ = 27 В .
Пре:1ельные эксплуатационные данные
Посrоянпое напряжение ко.1.1ектор-эмиттер при Rэr; =
=10Ом:
при Тп=213-7-373 К.
при Тп=473 К.
Постоянное напряжение эмиттер-база при Т11 = 213 7
473 к
Постоянный ток ко.1лектора при Тп = 213 -7- 4 73 К .
Импульсный ток коллектора при / °?' 100 кГц, Q °?' 2
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность кол.1ектора:
прит"=213 -7-323к.
приТ,=398К.
Тепловое сопротнв.1сн ие переход-корпус .
Мнннмальная: рабочая часто~ а .
250 Вт
10
70*
55\
70°0*
2,5
10- 80
10-160
'i-80
100 мА
150 мА
680 пФ
100 в
70в
5в
20А
50А
200 Вт
100 Вт
0,75 К/Вт
100 кГц
473 к
Температура перехода .
Темr1ература окружающей среды
.
От213Кдо
т.=398к
Примечание. Допускается: осевое усилие на винт не более
1200 Н.
638


hz1з
'10
30
20
10
//
KT9'f7A
-
"'
/
Икэ=5 В
Оlf 81216202'1Iк,А
Зависимость слпического коэф­
фициента передачи тока от тока
ко.1.1ектора.
1,8
1,6
1,'f
Q:J 1,2
~1
"'·о 8
~'
0,6
/
,v
KT9'f7A
/
/
,v
v
1/Iк/!6 =10
0,'f
0,2
Оlf81216202'1lк,А
Зависимость напряжения насы­
щения кол.1ек 1ар-эмиттер о г то­
ка ко.1.1ектора.
1
KT9Li-7A
3
,.,,.--
v.
2
f=ЗОМГц
1
Икэ=10В 1
i
о
2
Завнсю10сть модуля ктффици­
ента передачи от тока коллек­
тора.
Ск,пФ
1'100
1200
1000
800
600
'100
200
о
\
\_
20
КТ9'17А
"""
...........
'10
Зависи:-.1ость е:-.1кости ко.т1ектор­
ного перехода от напряжения
кол.1ектор-база.
КТ957А
Тран:тс1ор кречниевый эпитаксиально-п.1анарный 11-р-п высоко­
частотный генераторный.
Предназначен д:1я ш11рокопо.1осных уси.1ите.1ей мощности в
диапазоне частот l ,5 - 30 МГц.
' Выпуска'е 1ся
в мета:1.1окерамическо:v~ корпусе с полоскоfыми
выводами. Обозначение тиnа приводится па крышке.
Масса транзистора не бо.1ее 15 г.
639


Э.1е1причсские параметры
Выход11ая мощность 11р11 I = 30 МГц, Икэ = 28 В не
менее.
Козффиниент уснления по мощносп~ в рсжи:v~с двух­
тонового сигна1ш при Рnых(по) = 150 Вт, Ик = 28 В,
U')r;=0,45 В,.f=30 МГп, Л/'=1+5 кГц не менее
Коэффициент полезного действия кол.1сктора в режиме
двухтонового сигнала при Рвых(по) = 150 Вт, Икэ =
=28 В, U36=0,45 В,f=30 МГц, Л/=1+5 кГн
не менее
Коэффюшент комбинационных составляющих третьего и
пятого порядков при Рвых(nо) = 150 Вт, Икэ = 28 В,
Иэ6=0,45 В, /=30 МГц, Л/=1+5 кГн не более
Статический коэффициент псрелачи тока в схеме с общим
эмиттеромприИкэ=5В,fк=5А
125 Вг
17
50 ""
33 дБ
10- 80
ти nовое зна ченис.
50*
Модуль коэффициента передачи тока при Uкэ = 5 В.
fк=5А,f=30МГцнеменее.
3.3
Емкость коллектор но~ о перехода при UкБ = 28 В не
бо;rее.
типовое ·шачеrше* .
Обратный ток коллектор-эмиттер при Uкэ = 60 В.
Rэr,=10Ом нс более .
Обрагный ток эмиттера np11 ИэБ = 4 В не более.
Активная сосгавляrощая входного импеданса*
при
Рв,,.х(по) = 150 Вт, I= 30 МГц .
Реактивная составляющая входного имнед;:шса* прн
Рвых(по) = 150 IЗт, .f = 30 МГц
Индуктивное пr выводов*:
эмиттера.
базы
коюrектора
Емкость эмиттерного перехода nри ИэБ = 4 В .
640
600 пФ
500* пФ
100 мА
30 ~1А
0,6 Ом
0,5 Олr
1,4 нГн
2,2 нГrr
2 пГн
1900 пФ


r
i
j
Предельные ж:сплуатацишшыс данные
Пиковое напряжение коллектор-эчиттср в режиме уси­
ления высоко•1астотного с11гна.1а при Rэь = 1О Ом и
Тп=213+473 К
Постоянное напряжение питания ко.1;1ек гора в режи~1с
усиления высокочас·1 отного сигнала при Tn = 213 +
473 к
Постоянное нанряженне ·эмиттер-база при Tn = 213 +
473 к.
Постоянный ток ко.1лектора при Tn = 213 -С· 473 К
Постоянный ток базы при Т11 = 213 + 473 К .
Постоянная расссивае~шя мощность коллектора при
Икэ=28 В:
нри Тк=303 К
при Тк=373 К
прн Тк=398 К
Средняя рассеивае.чая мощность коллектора в динами­
ческом режи:v~е нри Uкз = 28 В:
при т.=213+373 к
прит.=398К.
Степень рассогласования нагрузки в режиме усиления
высокочастотного сигнала нри Рвых(но) = 70 Вт.
Икз = 28 В, t = 1 с и любой фазе коэффициента
отражения .
Тепловое сопротнплеиие нереход-корпус
Температура перехода
Температура корпуса
Температура окружающей среды
'
60в
28в
4в
20А
7л
120 Вт
69 Вт
52,5 Вт
100 Вт
75 Вт
30: 1
1,42 К/Вт
473 к
398 к
От 213 до
т.=398к
Пр им е чан и е. При 1шйкс темнера 1ура корпуса пе до:1жна прс­
выш:пь 398 К. При отсутс1 вии контроля за температурой корпуса
пайка производн гся паяJ1ышком, нагретым до температуры не вы­
ше 523 К, в течение не более 8 с на расстоянии не менее
1 мм от корпуса. Допускается изгиб выводов на расстоянии не
менее 3 мм от корпуса.
21 По.1упроnод1ш~овые приборы
641


h21J
35
30
25
20
15
10
5
/
КТ957А
_,
.......... ~
Икэ=5В
о2'1681012Iк,А
Зависимость стати<1еско1 о коэф­
фициента передачи тока от то­
ка коллектора.
Мз,АБ
- '10
-38
-36
-3 '1
-32
-30
-28
-.?6
v
1
L
КТ957А
/,,,,. ,.-
-.....
!'-..
'\.
'\
Икэ =28 В
\
1\
'
' 10 60 80 100 120 1'10 160 fВых(по)'Вт
Iк,А
21
18
15
12
9
6
J
-
'
\
'
кт957А
\.
'
r--.. .
~
1
2
1
о
/
/
КТ957А
i
Икэ=5 В
f= JОМГи,
1
1
-
23'156Iк,А
Завнснмость .vюдуля коэффици­
ента передачи тока от тока
коллектора.
Кур
32
30
28
26
2'1
22
20
18
/
КТ957А
-
-.......
1
r--.._
f=JОМГц ..............
и.~э=28 в
"'"-'
U35=0 ,458
"""'
1
'10 60 80 100 120 1'10 F/Jыx(nc), Вт
ЗависиУ1ость ко·эффиниснта ком­
бинационных
сос 1 ав;1яющих
третьего порядка от выходной
мошности в пике огибающей.
Зависимость коJффнциента уси­
ления от выходной мощности
в ппке оrнбающей.
Зависимость тока коллектора от
О 5 10 15 20 25 30 35 Uкэ ,В напряжения коллектор-эмиттер.
642


,-,
КТ958А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный п-р-п генератор­
ный высокочастотный.
Предназначен для применения в схемах усилителей мощности
к.•асса С, в умножителях частоты и автогенераторах на частотах
50- 200 МГц при напряжении питания 12,6 В.
Выпускается в металлокера­
мическом корпусе с четырьмя изо-
о.з
лированны:v~и от корпуса гибкими
ленточными выводами .. Транзис­
тор содержит внутреннее согласую­
щее LС-звено. Обозначение типа
приводится на корпусе.
Масса транзистора не более
о,з
7г.
2 ат8.Ф3,Z 1
15 1.оо
Электрические параметры
Выходная :v~ощность при Икэ = 12,6 В, / = 175 МГц,
т.,;;313 К нс менее
Коэфф~щнен r усиления rю \ющности не менее .
типовое зш~чение .
КоJффпциент по.1е·шого дейс гвия кол:1ек1 ора не менее
п11ювое значение.
Статический коэффицнент
обшим J\НП тером прн
псреда'IИ
Uкэ= 8
гока в схеме с
В, /к=500 мА,
типовое значение .
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к =
= 500 мА, / 6 = 100 viA, типовое значение .
Модуль коэффшщента персх:ачи тока при ./ = 100 МГц,
Uкэ=10В,fк=3,5Анеменее.
r иIIовое зна <1ение.
Критический ток коллектора нри Икэ = 10 В,/= 100 МГц,
типовое значение .
Пос1оянная времени
ИкБ=5 В, /э=50
чснис '
цепи обратной связи
мА, /= 5 МГ11, типовое
при
зна-
Емкость коллек r орного перехода при ИкБ = 12 В, f =
=30МГцнеболее.
40 Вт
4
6*
50 °~
75 °~*
55*
0,08* в
4
7*
20* А
"
12* пс
180 пФ
типовое значение .
130* пФ
Емкость эмиттерного нерехода при ИэБ = О, .f = 5 МГц,
типовое значение .
21*
1920* пФ
643


Обратный ток коллектор-эмиттер при Икэ = 36 В,
Rr,э=1О Ом при Т=298 К не более
Обратный ток Э!УШТТсра при Uэь = 4 В 11ри Т = 298 К
не более.
Индуктивность внутреннего LС-звсна. типовое зш1'1е­
ние
Емкость внутреннего /,С-·1вена, типовое значение .
Индуктивность выволов * при 1 = 1 мм:
эмиттерного
ко,-~лекторного .
базового .
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение ко;1лек гор-·эмиттер при R
53
, ;,;
,;,; \О Ом.
Постоянное напряжение эмиттер-база
Постоянный ток коллектора
Средняя рассеиваемая мощность в линамическом ре­
жиме:
при Тк,;,;313 К .
приТк=398К.
Тепловое сопротивление переход-корпус .
Температура перехода
Темнература корпуса .
25 мА
10 мА
0,52* нГн
1400 пФ
0.49 нГн
1,6 нГн
0,6 нГн
36в
4в
10А
85 В1
25 Вт
1,4 К/Вт
433 к
От 233 до
358 к
П р и м е ч ан и я: 1. Допускается работа гранз11сторов на перемен­
ном сигнале в режиме классов А, АВ, В при ус.1овии, что ра­
бочая точка находится в пределах области максимальных режимов.
Допускается работа тран·шсIОров при/> 200 МГц, Р 0, '1акс < 10 Вт
и непревышешш предельно допустимых режимов.
2. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 1 мм от
корпуса. Пайку производить при температуре не выше 543 К в ге­
чение времени не более 5 с.
Разрешается обрезать выводы на расстоянии не \1енее 4 мм от
корпуса, без нарушения герметичности и с сохранением обозпачення
коллекторного вывола.
Чистота контактной поверхности теплоотводов должна быть не
менее 2,5 .
Неплоскостность контактной новерхнос 1 и i еплоотводов до.1жна
быть не более 0,04 мм.
Тепловое сопротивленнс корпус-тешюо1 вод при нанесении тен,ю­
отводяшей смазки типа КПТ-8 (ГОСТ 19783-74) на 11оверхность
теплоотвода траН3истора не более 0,3 К/Вт.
644


Р8.,, , в~
50
КТ958А
Т'/н' О/о Рв.,, ,Вт
1
КТ958А
Т'/н'
.
О/о
100
100
50
,,,, Р. 1
80
401---+--+--+--->"f-~
301--'--l---~l-A--j~-f--i60
20
40
20
о12345fвх,Вт
Зависимости выходной мошно­
сти и коJффициента полезного
действия от входной мощности.
Рвых' Вт
50
40
30
60
20
70
о246810fвх,Вт
Зависимости выхоi(НОЙ мощно­
сти и коэффициента полезного
действия от входной мощности.
/hztэl
10
8
6
4
2
/lf
1
КТ958А
--
.........
............
.........
f= 100 МГц
1
1
1
инэ= 1ов
О48121620Iк,А
Зависимость модуля коэффици­
ента передачи тока от тока кол­
лектора.
40
30
20
10
о
/
Вт
"
Т'/н
---r
'/
1/ f =175 МГц
Икэ=12В- -
1
1
80
60
40
20
2 4 6 8 10f'вх,Вт
Зависимое ги выходной мощно­
е 1·и и коJффициента поле·шого
действия от входной мощности.
Рвых ,Вт
Т'/н' О/о
50
100
40
80
30
Т'/н
60
20
40
10
20
о48121620Uк3,в
Зависимости выходной мощно­
сти и коэффициента полезного
действия от напряжения коллек-
20
15
10
5/
тор-ЭУ!ИТтер.
1
КТ958А
v~
/
v
7 f=100МГц
О48121620Iк,А
Зависимость критического тока
от тока коллектора.
645


'Сн1ПС
КТВ58А
1
\
f=5МГц
\ UкБ=5В
20
"~
10
о 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 Iз,А
Зависимость постоянной вре­
мени цепи обратной связи от
тока эмиттера.
С3 ,пФ
1500
1400
1300
1200
1100
1000
\,,
1
КТ958А
f=
1
1 МГц
--
r--
-
О12345U85,B
Зависимость емкое r и э:v~иттер­
ного перехода от напряжетш
эми 1· 1 ер-база.
6
4
2
о
646
1
КТ958А
\
\"
Тп =433К ........
'
~Т"=298К
..... ~
11
246810Uкз,В
Ск ,пФ
200 1
\
КТ958А
1
160
120
80
40
о
\ f=30 МГц
'
-r--
-·
Зависимость емкое~ и коллектор­
ного перехода от напряжения
·
коллектор-база.
3, 2 .----.----,----.---~
КТ95ВА
3, о 1----+--+--___,t---~
Uкз =36 В
" '1; 2, 8 t--->o.--+---'Т---___,t---~
::;;
; 2,6i----т-...:---r---t----i
~ 2,4 t----+---+"'..,....___,t---~
2,2 i-----t---Г---1----i
20~~...._~_._~_,_~__,
)213 273 333 393 т, к
Зависимое 1ъ обратного тока
коJIJrекrор-эмиттер 01 темпера­
туры.
Зависимость тока коллектора от
напряжения коллектор-эмиттер.


r
1.:
'
i
р-п-р
П605, П605А, П606, П606А
Транзисторы германиевые конверсионные р-п-р универсальные
мощные.
Предназначены лля применения в уси!lительных, генераторных
и импульсных каскадах низкой и высокой частот (до 30 МГц).
Выпускаются в метал~тостекляпном корпусе с жесткими (вариант 1)
и гибкими (вариант 2) выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора варианта 1 не более 11 г, варианта 2 не
более 12 г.
7
Покрыт11е
пoil паiiку
•
Жесткая
~асто 861fJorJa
11
Вариант 1
Вариант 2
27
13,5 "
RJ,8
Км11ектор
"Э;1с1пр11ческие параметры
Граничное напряжение при I, = 0,3 А, / = 1 -о- 10 кГц,
~:"=5мкс:
П605, Пб05А .
35-55*В
647
•


типовое значение .
П606, 11606А . .
45* в
20-40*в
типовое значение .
30* В
Напряжение насышения коллектор-1!VI1птер 11р11 fк = 0 .5 А
П605, П606 при fь = 60 ~;А и П605А, П606А при
!Б=30~1А,
.О,4* - 2,0 В
типовое значение.
0.7* В
Напряжение насыщения база-эмнттср при fк = 0.5 А
П605, П606 при fь = 60 мА и П605А. Г\606А при
Iь=30!VIA .
. О)*
-
1.2 В
типовое значение
0.5* В
Статический ко1фф1щиею 11ередачп тока в схеме с
общим эмиттером:
приИкэ=3В,fк=0.5А./=0,1 -;.10кГн:
при Т= 293 К:
П605, П606 .
20-60
типовое значение
35*
П605А, П606А .
50- 120
тиноное значение
приТ=343 К.
при Т= 213 К:
П605, П606
П605Л, Пб06А
при Ик·J=7 В. /к=1.5 мА,
Т = 293 К П605. П605А. П606,
типовое значение .
/=0,1-; .10 кГц при
ПбОбЛ .
Постоянная времени цепи обратной связи при Ек = 20 В.
75*
(0,5 - 1,5)
значения
при
Т=293К
14-84
25-168
20-50*
30*
fэ=50мА,/=5МГц.
.40* - 500 11с
типовое значение .
80* пс
Модуль коэффициента передачи тока при Икь = 1О В.
13
= 50 мА./= 10 МГц ПбОб, П606А .
3.0 - 7,0*
типовое значение .
5.5*
Время включения при Ек = 20 В.
= 1710кГц,!11;;, lвк.1:
П605, П606 при lь = 60 мА
типовое 3начение .
fк=0.5
Пб05А, ПбОбА при JБ = 30 мА нс более
А. !=
Время рассасывания при Ек = 20 В. fк = 0,5 А, !=
= 1-с-10кГц:
0,06* -
-
0,3 мкс
О, 1* ~1КС
0,35 \.IKC
Пб05,ПбОбпри/Б=60 чА.
типовое значение .
.0,4* - 3,0 мкс
П605А, ПбОбА при lь = 30 мА не бо:тее
Обратный ток коллек гора не более:
648
приТ=293 КПб05, Пб05А при UкБ=45 Ви
П606, ПбОбА при Икь=35 В .
1.0* мкс
4.0 мкс
2мА


приТ=343КПб05,П605Апри ИкБ=40Ви
ПбОб, ПбОбА при ИкБ=30 В .
Обратный ток ко;~лектор-'ЭМИттер при сопротивлении в
цепи базы 100 Ом П605. Пб05А при Икэ = 40 В и
П606,ПбОбАприИю=25Внеболее....
Обратный ток эмиттера Пб05, П605А при ИэБ = 1,0 В
и ПбОб, Пб06А при ИэБ = 0,5 В не более:
при Т=293 К ..
при Т=343 К .
Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 20 В.
RмА
3мА
1мА
2мА
/=5МГц.
.
50*- 130 пФ
типовое значение .
70* пФ
Емкость эмиттерного перехода* при ИэБ = 0,5 В, f =
=5МГцнеболее.
2000 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при подан­
ном ИБэ:
приТ=213с-293К:
Пб05, П605А
П606, ПбОбА
ври Т= 343 К:
Пб05, П605А
П606, ПбОбА
приRБэ~100Ом,Т=213с-293К:
П605, П605А .
Пб06, П606А .
при RБэ,;; 10 Ом, Т= 343 К:
П605, Пб05А .
ПбОб, П606А .
Постоянное напряжение кол,<ектор-база:
приТ=213с-293К:
Пб05, П605А
ПбОб, ПбОбА
прн Т= 343 К:
П605, Пб05А
П606. Пб06А . .
Постоянное напряжение ЭС\шттер-база:
Пб05, Пб05А
П606, П606А .
Имнульсный ток коллектора при •и ~ !О мс и Q > 2
Импульсный 1ок базы при Ти,;; 10 мс и Q > 2
Постоянная (средняя) рассеиваемая мощнос-1ь без теп,10-
отвода:
при Т=213с-333 К.
приТ=343К. .
Постоянная (средняя) рассеиваемая \ющность с тспло-
0·1 водом при Rт.к-с,;; 5 К/Вт:
приТ=213с-293К.
45в
35в
40в
30в
40в
20в
20в
15в
45в
35в
40в
30в
1,0 в
0,5 в
1,5 А
0,5 А
0,5 Вт
0,3 Вт
3,0 Вт
649
'


при Т=343 К..
Тепловое сопротивление переход-корпус*.
Тепловое сопротивление переход-среда*
Температура р-п перехода . .
Температура окружающей среды .
0,75 Вт
15 К/Вт
50 К/Вт
358 к
От 213 до
343 к
Пр им е чан и я: 1. Максимально допустимая постоянная рассеи­
ваемая мощность, Вт, с теплоотводом при Т = 298 ..;- 343 К и без
теплоотвода при Т = 333 ..; - 343 К рассчитывается по формуле
Рк.макс=(358- Т)/R1
2. Минимальное расстояние от корпуса до мес га пайки 20 мм
(вариант 2) и 5 мм (вариант 1).
15 ,мА
5,0
'1,0
J,Ot--+--++- -+-- -++-- -1- -1
2,01----+--И--+-1--+--+---I
1,0 t--+-++----+---+-~
1,2
1,0
""0,8
Q
~ о,в
С>:
"'
-!5 0,4
0,2
о
1
ПВО5, ПВО5А,ПбОВ,
""" '\ ПВОВА -
11..
\
'\.
r-
-----
О 0,1 0,2 О,3 О,4 0,5 U53,8
1012 5 102 2 5103R53,Ом
Входные характеристики.
hz13
50Г-+-=Jo--+--'f'=--t--~
1/-Оt--н--+---+--+--1---1
J о t-+--t ---+--t ----+- --+----'
20
1о1---t---+-___,t----+---+----'
о чв121620Uкз,В
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от
напряжения коллектор-эмиттер.
650
Зависимое 1 ь относительного на­
пряжения l;(оллектор-эмиттер от
сопротив"•ения база-э:v~иттер.
hz13
ПВО5,ПВОВ
501---1---1---+---1~--1---1
'10~7"F'::::=o~-+---!~-f---!
JOfL---+-~г--+--""-l~--1---1
201---1-~г--1---1~--1---1
10
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тока
коллектора.


г-----.---..----
.
hz13
100 1--1-..,,..+_,,,,~==F--+---1
801---д-~1---+---1~-+---1
601--+--1-~1---+---1~-+-----!
чо1-1----1-~1---+---1~-+-----1
Iк=О,5А,
20
f = 0,1+10 кГц
1
о
hz1з
120
100
80
60
L/-0
20
1
П605А,
П606А
~
1
""
{ Uкз=38 ..........
>-------
..........
f=;О,1~10кГц
~
О О,Ч 0,8 1,2 1,6 2,0Iк,А
Зависимость ста·1 ического коэф­
фициента передачи ·1 ока от
напряжения коллектор-эмиттер.
Зависимость статического коэф­
фицие1па нерсдачи "I ока от тока
коллектора.
П607, П607А, П608, П608А, П608Б, П609,
П609А, П609Б
Транзисторы германиевые конверсионные р-п-р универсальные
мощные.
Пре;ща·шачены для применения в усилительных, генераторных
и и:'.fпульсных каскадах низкой и высокой частоты.
Выпускиются в мета~тлостекляшюм корнусе с жесткими выво­
дами.
Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 12 г.
.J5
27
Эмиттер
!.+--'-'---..!
база
Электрические параметры
Граничное напряжение при /э = О, 1 А, f = 1 -т 1О кГц,
'"= 5мкс:
при Т=2!3-т293 К:
RS,8
651


П607, П607А, П608, Пб08А, П609, П609А.
типовое значение
П608Б. Пб09Б .
типовое значение
при Т= 343 К:
25-50* в
35*в
40-70* в
50* в
П607, П607А. П608. П608Л, П609. П609А не
менее .
:юв
30в
П608Б, Пб09Б . .
Напряжение насыщения коллектор-э:v~иттер при
lк=0,2 А П607 при /6=20 мА; П607А, П608,
Пб08Б, П609 при /г, = 10 мА и П608А, П609А,
П609Бприli;=5мАнеболее.
2в
0,94* в
типовое зна 'Iение .
На11ряжение насыщения база-·,мигтер при fк = 0,2 А
П607 при fь = 20 мА, П607 А, ПбОR, П608Б, Пб09
при /г, = 10 мА и Пб08А, П609А, Пб09Б нри
/6=5мАнеболее
0,6 в
0,4* в
типовое :тачение.
Статический ко·~ффициент передачи
щим эмиттером при Икэ = 3
/= 0,1-с-10 кГц, 1и = 15 мкс:
при Т= 293 К:
11607 .
типовое значение.
П607А
ти11овое зна'1ение .
П608, ПбОRБ, П609 .
типовое значение .
П608А, П609А. П609Б .
тиновое значение .
при Т=343 К не более
при Т=213 К.
тока в схеме с
В, fк=0,25
Постоянная времени цепи обратной связи при
Ик6=1ОВ,/3=О,1А,/=5МГц
ти11овое значение .
Модуль коэфф111111ента передачи тока при
Икг,= 10В,/3= 50 мА,/=20МГЦ:
П607, П607А .
типовое значение .
П608, П608А, Пб08Б
типовое значение .
П609, Пб09А, П609Б
типовое значение .
Время рассасывания rrpи fк = 0,2 А .
.f= 1-с-1ОкГц
Пб07 прн / 6 = 20 мА, П607А, П608, П608Б, П609
при / 6 = 10 мА и П608А, П609А, П609Б нри
/Б=5мА .
652
об­
А.
20-RO
53*
60-200
139 *
40-120
80*
80- 24{)
154 *
3 значения
приТ=293К
От0,4до2
значения ври
т=293к
8*- 500 пс
52*пс
3-10*
6*
4,5-13*
8*
6-15 *
1I*
0,6*-3мкс


типовое значение .
Обратный ток коллек1ора не более:
rrpн Т= 293 К:
П607. П607А. П608. П608А. П609, П609А при
ИкБ=30В.
П608Б, П609Б ври ИкБ = 50 В .
типовое значение .
нрн Т=343 К:
П607, П607А, П608, Пб08А, П609, Пб09А при
ИкБ=30В.
П608Б, П609Б 1Iри ИкБ = 50 В .
Обра r ный ·r ок коллектор-·эмиттер:
при Т= 293 К, RБэ = 100 0"1 П607, Пб07А,
П608, Пб08А, П609. Пб09А при Ию = 25 В
иП608Б,П609БnриИкэ=40Внсболее.
гиповое значение .
приТ=343К,r1риRБэ=10Ом:
П607, П607А, Пб08, П608А, П609, 11609А при
Uкэ= 20В.
П608Б, П609Б при Икэ = 30 В .
Обратный ток эмиттера при ИэБ = 1 ,5 В не более:
щшТ=293К.
типовое 1наченис .
приТ=343К .
Емкость коллекторного перехода при Икь = 1О В,
f=5МГц.
типовое значение .
Емкость Jмиттерного перехода при Иэь = 0,5 В,
f=5МГцнеболее
Предельные эксп.•уатацишшые дшшые
Пос юяпное напряжение кол лек 1 ор-Jмиттер:
приRБЭ=100Ом.приТ=213с-293К:
П607, Пб07А. П608. П608А. П609, Пб09А
ПбЗ8Б, Пб09Б .
rrrшRь=10Ом, 1Ip11 Т=343 К:
П607, П607А, П608. Пб08А, П609, П609А.
П608Б, П609Б .
Пос·1оянное напряжение коплектор-база:
П607, Пб07А, Пб08, П608А. П609. П609А
Пб08Б, П609Б .
Пос гоянное напряжение эмиттер-база.
Пос1оянный ток кол,1ектора .
Импульсный ток кол-1ектора при ти < 10 мс и
Импу~1ьсный ток базы 11ри Ти < 1О мс и
Постоянная (средняя) рассеиваемая мощное гь
ИкБ,;;;20ВиТ=2137313К.
Тепловое сопротивление переход-корпус .
Q>2
Q>2
при
1.1 ,, мкс
300 мкА
500 мкА
9* мкА
3СОО чк:\
500() ~IKA
500 мкл
12*мкА
3000 мкА
5000 мкА
500 мкА
2.0 * мкА
2()00 чкА
16''- 50 пФ
21*пФ
500 пФ
25 I3
40в
20в
30в
30в
50в
1,5 в
0,3 А
О,~ А
0,15 А
1,5 Вт
15 К/Вт
653


!5 ,мА
12
П607
П607А,
ct:>
П608,
1О П60ВА,+------.---;-=-,__.....,
8 П608Б}---ll- -+ -_ _ ,f---l--1
П609, /
П609А''.--++--+----1+-----<
П609Б
6
о О,1 0,2 0 ,3 О//. 0,5 U53,B
П607,П607А,П608,
5 П608А,П608Б,П609,
ч П609А,П609Б
1,2
1,0
~ 3t--+--+---+--t---+..""--;
§1
';;, 0,8
~-. ..... 0,6
""
~ 2t---+--+-- -+----t ---+--- -t
~
.я о,ч
0,2
о
О 0,1 0,2 0,3 0,Ч Iк.и ,А
Зависимость напряжения насы­
щения коллектор-эмиттер от
импульсного тока коллектора.
1,5
Ик51 =20В
1
\
258 \
1
\'
J; 1,0
ИкБ=30В \\
П607,П607А ,П608, ~ \
П608А,П609,П609А
'
о
101 2
213 233 253 273 293 313 333 т,к
Зависимость максимально до­
пустимой мощности рассеива­
ния коллектора от температуры.
654
Температура р-п­
перехода .
Температура окру-
жающей
среды
358 к
От 213
до343к
Входные характеристики.
П607, П607А, 'п608,П608А,
-r-- П608Б, П609, П609А,-
r--..
П609Б __
-........ .......
'!'....
IкэR =0,5м~
.........
51022 510J2 5ю*2R53,Ом
Зависи~юсть относительного на­
пряжения коллектор-эмиттер от
сопротивления база-эмиттер.
1,5
Ик~ =20 В
1
\
308
\
1
\
чов
1
'\.\~\
UкБ =50 8 \.\
,_П608Б, П609Б ........ ~
1111
о
213233253273293313333т,к
Зависимость максимально до­
пустимой мощности рассеива­
ния коллектора от температуры.


1
11.
КТ626А, КТ626Б, КТ626В, КТ626Г, КТ626Д
Транзисторы кремниевые э11итаксиально-планарные р-п-р высоко­
частотные.
Прещ~азначены ,'\ЛЯ работы в радиотехнической аппаратуре ко­
ротковолнового диапа1она.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Обозна'lение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 3,5 г.
,..,
с--..,'
Эми,ттt:р
....,-Г-t:::-;:=J--t...::.~=:J
o-..,~'L_--1="f::::.=:--+;c:==;:::=t-
!.J,.J
12,1
Электрические параметры
Фз
з,в
Граничная час 1ота при Ик-э = 1О В, 1-э = 30 мА не
менее:
КТ626А, КТ626Б . .
КТ626В. КТ626Г, КТ626Д
Ста111ческ11й ко1ффициент 11ередачи тока в схеме с общим
эмиттером при Ик-э= 2 В, Iк=О,15 А:
КТ626А
КТ626Б
КТ626В
КТ626Г
КТ626Д
Обратный ток кол.1ектора не более:
КТ626АприИкь=30В.
КТ626Б. КТ626В при Икь = 30 В, КТ626Г, КТ626Д
приИкь=20В.
Обратный ток ·;миттера * при И-эь = 4 В не более:
КТ626Л .
КТ626Б КТ626В КТ626Г, КТ626Д . . . .
Постоянная 0времени ;tепи обратной связи* на f = 5 МГц,
приИкь=10В,11=30мАнеболее.
Емкос1ь коллекторного верехода * при Икь = 10 В не
более.
Напряжение насыщения
КТ626Б при fк = 0,5
КТ626Г, КТ626Д при
более.
коллектор-эмиттер КТ626А,
А, fь = 0,05 и КТ626В,
Iк=0,5А,16=О,1Ане
75 МГц
45 МГц
40-250
30-100
15-45
15-80
40-250
10 мкА
150 мкА
10 мкА
300 мкА
500 пс
150 пФ
1,0 в
655
'


Прсде.1ы1ые :жсплуатациош1ые данные
Постоянное
наnряжение
коллектор-база
при
Т=233+358К:
КТ626Л
КТ626Б .
КТ626В .
КТ626Г, КТfi26Д.
Постоя:шы;'i ток кол;1ск·10ра при
ИмпульсНLiЙ гок коллектора при
Постоянная рассеиваесv~ая мощность
прит.=233+333К
прит.=358К.
Темпера тура перехода
Те~лпера тура окружающей среды
т=233+358
Т=233+35R
ко:тектора:
к
к
45в
60в
80в
20 I3
0,5 А
1,5 А
6,5 81
4Br
398 к
От 233 до
т.=333к
П р н м сч а н и е. Пайка выводов допускается на расстоянии нс
~1енес 5 мм от корпуса транзис 1 ора. И 31 иб выводов допускастсq
на расстояш:;~ не менее 3 мм от корпуса транзистора с радиуса~.!
за1(ру1 Jн:1;:11я 1,5 - 2 мм.
720
,,,,.
80-
-
L/O
о
0,1
f(T626A, КТ62БД
~
-- ........
i"'--...
U.ч:Б =28
""'
~
0,3
0,5
1
L/O
1
~
-J
.....L.--"'"'
v
20
10
о
0,1
656
1
~1'-..
КТВ268, КТ626Г
Uкэ =28
0,3 0,5
60
/
l/-0
20
о
0,1
КТБ26Б
~
-
~r---....
"
UкБ =28
....
J
LJ
0,3
-
О,:;
Зависимость статического ко'Jф­
фициента передачи ток:~ от тс1...1
змипера.
Зависи\10С-1 ь статпческого ко~'>­
фициент:~ перед:~чи тшш от 1 or.' 1
эмиттера.
Зависимость статического ко»j1-
фицие1па передачи тока от тоr:~
эмиттера.
l·~


1Т901А, 1Т901Б
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р переклю-
чательные высокочастотные мощные.
ВыrrуLкаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 25 г. Масса крепежного фланца
не бо.1ее 1О г.
Jат8.ФЧ,5
ба, ЗСL
60
Э.1ектрн•1ескне параметры
Граничная частота ври Икэ = 10 В, /э = 0,5 А не
мене\': .
30 МГц
Время нарасгания при Икэ= 1О В, ИБэ= 0,5 В, fк=
=5А.
.0,5-0,7 мкс
Время спада при Икэ = 10 В, ИБэ =0,5 В, fк = 5 А .О,2-0,7 мкс
Статический коэффициент передачи тока в схеме с об-
щпм эмиттером:
при Т= 298 К:
приИкэ=10В,/3=5А:
1Т901А.
r и по вое значение
1Т901Б.
типовое значение
приИкэ=10В,/3=0,1А:
IT901A
типовое значение .
приТ=343К.Икэ=1ОВ,/э=5А:
1Т901А
1Т902Б
при Т=213 К, Икэ= 10 В, fэ=5 А:
1Т901А
IТ901Б
Граничное напряжение при /э = 5 А:
при Т= 298 К:
IТ90IA
типовое значение
20-50
33*
40-100
72*
10-25 *
19*
14-60
28-120
t
20-60
40- 120
40-53*в
51* в
657


1Т901Б.
типовое ·шачение
приТ=213КиТ=343Кнеменее
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при fк = 5 А,
/Б=1А:
30-51*в
47* в
30в
приТ=298К.
типовое значение .
прн Т= 213 К не бо:rее.
при Т=343 К не бо.1сс
. 0,3 *-0,6 в
0,4*в
0.7 в
Обрашый ток кол,1ектора при ИкБ = 40 В не более:
прнТ=298КиТ=213К.
прнТ=343К.
Обратный ток ко,1лек1ор-эмиттер при Икэ = 50 В,
И6э=0.5 В не 60,1сс .
Пределы1ые эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база
Тк=213-;- 343 К:
IT901A
1Т901Б
Постоянное
['эБ = 0,5 В,
IТ901Л
1Т901Б
напряжение
коллектор-эм;п тер
т,=213+343к:
при
при
Постоянный ток коллектора при Тк = 213 7 343 К
Посгоянный юк базы при Тк = 213 -;- 343 К .
Постоянная рассеиваемая мощность при Тк = 213 -;- 310,5 К
Температура окружающей среды .
1,8 в
8 :viA
60 мА
15 мА
50в
40в
50в
40в
!ОА
2А
15 Вт
От 213 до
тк=343к
Пр им е чан и я: 1. Максимально допустимая постоянная рас­
сеивае:-.шя ~rошпость при Тк > 310,5 К определяется по формуле
Р""'" = (358-Т.)/2.5.
Донускается в режиме переключения выброс напряжения кол­
лектор-база длительностью до 10 мкс для IT901A до 50 В, д,1я
1Т901Б до 40 В.
2. Расстояние o·r начала гибкой части составного вывода до
нача.1а ияиба BLIBoдa Ее менее 5 мм.
1Т905А, ГТ905А, ГТ905Б
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р переклю­
чательные ( 1Т905А) и усилительные низкочас"I отные (ГТ905А, ГТ905Б)
мощные.
Предназначены для применения в переключающих каскадах, им­
пульсных усилителях и выходных каскадах ус~1.1ителей низкой частоты.
Выпуска~тся в металлостеклянном (1 Т905А) и мсталлопластмас­
совом (ГТ905А, ГТ905Б) корпусах с жесткими выводами.
658


1€
'
:~
Обозначение типа приводится на корпусе.
!
1
1
Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 4,5 г
(с крепежным фланцем не более 6 r), в металлопластмассовом
корпусе не более 7 г.
12
*
' <")
~
-~"6 .
"Q
ff
18
fTU05A
2ото ~з,2
RJ,5
Коллектор
ГТ905А, П905б
Электрические параметры
Граничное напряжение 11ри /э и = 3 А, 1: 11 = 60 мкс и
Q;;;,8000или'" = 30мксиQ;>4000 1Т905Анеменее
Гра11ичная частота коэффициента перелачи тока в схеме
с общим эмис1гером при ИкБ=10 В, /3 =0,5 А
1Т905А не менее .
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 3 А,
/Б=0,5Анеболее:
1Т905А, ГТ905А, ГТ905Б при Т = 298 К .
IТ905А:
при Т= 213 К.
приТ=343К.
Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 3 А,
/Б=0,5 А 11е более .
Постоянная времени цепи обратной связи при
ИкБ=30В,Iэ=30мА,f=20МГцнеболее:
ГТ905А, ГТ905Б .
IT905A
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим
эмиттеромприИкБ=10В,lэ=3А:
65в
30 МГц
0,5 в
0,5 в
0,8 в
0,7 в
300 пс
500* пс
1Т905А, ГТ905А, ГТ905Б при Т = 298 К. . . . . . 35-100
659


IT905A:
11ри Т= 213 К
приТ=343К
Модуль ко"Эффициент::~ передачи тока при Икь = 10 D.
/э = 0,5 А, f = 20 МГц ГТ905А, ГТ905Б нс ме!-!ее
Время включения при Икь = 30 В, lь "= 0,5 А,
'и= 20 мкс, f = 50 Гн !Т905А не более
Время рассасыва1шя при ИКБ = 30 В, /Б. и = 0,5 А,
т11=20мкс,f=50Гц1Т905Анеболее
Время спада при Икь=30 В. lьи=0,5 А, т11=
= 20мкс,f=50Гц1Т905Анеболее.
Обратный ток коллектора не более:
при Т= 298 К 1Т905А, ГТ905А при Икь= 75 В
иГТ905Б11риИю;=60В.
приТ=213КГТ905АприИкь=75В.
приТ=343КГТ905АприИкь=75В.
Обратный ток эмиттера Иэь = 0,4 В не более .
Емкость коллекторного перехода при Икь = 30 В.
f= 10 МГц не более:
ГТ905А, ГТ905Б .
1Т905А
Емкость эмиттерного перехода при И КБ = 30 В,
35- 100
20-110
0.2 ~1КС
4 \ll~l'
0.3 мкс
2,0 мА
2,0 мА
8,0 мл
5,0 мА
200 пФ
250 '' пФ
I=10 МГцнс более .
8000* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение коллектор-змиттер при Rr;з <;: 1,0 0~1 .
60В
приU63=0,4В:
1Т905А, ГТ905А .
75В
ГТ905Б
CiO В
Имnульсное напряжение кшщектор-эмиттер:
при ти<;: 1О мс .
запертого тран:шстора при ти <;: 20 мкс и Q ;>, 3
ГТ905А, ГТ905Б .
Постоянный, импульсный (в pe'Кt1!v1e переключения) 1ок
коллектора .
Импульсный ток коллектора в режиме переключения
прити,,,;20мкс.
Постоянный, средний прямой или обратный гок базы
Импульсный rrрямой или обратный ток базы .
Постоянная или средняя (при ти <;: 1 ~.1С) рассеиваемая
мощность с теплоотводом при Тк = 213 + 303 К
Постоянная рассеиваемая мощность без теплоотвода
приТ=213+298К.
Тепловое сопротивление переход-корпус .
Тепловое сопротивлею1е нереход-среда
Те:-.fпсратура перехода .
Температура окружающей среды .
пов
130 в
\,О А
7.0 А
0.6 л
!,О А
6,0 Вт
1.2 Вт
l) к.-вг
50 К;Бт
358 к
От 213
ДО343К
Пр им е чан и е. При т. = 303 + 343 К макси'V!алыю лопуст11мая
постоянная рассеиваемая мощность, 81, рассчитывается по фop'Vly.'Ie
660


i,;
1
1'·
Рк ,шкс = (358-Т.)/Rт п-к·
При Т = 298 -7 - 343 К макси'v!ально допустимая пос1оянная рас­
сеиваемая мощность кол.'Iектора, В 1. рассчитывается 110 форму.~е
Рк. \1акс = (358 - Т)/Rт п-с·
15 ,мА
2501---+---lf---i-f-+~t--~
2001----1- - --1-J -- --t -+ -+ -- -+ - - --i
150 1----1-----14---~--+--1----;
100 1----t- -+- -+- -r-+
501--~~--+
Iз ,А
2,0
1, 6 1---+--t--1---+-д---1
1, 2 r----t--+-~+--.t-'---.J.------4
о, 8 t---t-......- - -"" - -+- -1 -- - -J
О,'1 г--~7"--+---+---1----.1
о 0,2 0/1 О,6 0,8 1,0U53,В о О,1 0,2 0,3 0/1 0,5U5з,В
Входные характеристики.
3,0
2,5
1Т905А,
П905А,
ГТ905Б
2,0
CQ
...,
" 1,5
"'
n)
$ 1,0
0,5
О 0,2 0,4 О,6 0,8 1,015, А
Зона возможных положений за­
висимости напряжения насыще­
ния коллектор-эмиттер от тока
базы.
CQ
Зависимость тока эмиттера от
напряжения база-эмиттер.
1,2
1,0
0,8
~ О,6
n)
~ 0,4
0,2
О 0,2 0,4 0,6 0,8 1,016 ,А
Зона возможных положений за­
висимости напряжения насыще­
ния база-эмиттер от тока базы.
661


Ск,п'Р
500
ЦOOf-\r-+-~+----+----IГ---t----1
J001---1>o.~+---+--__,Г---+----t
2001---+-~r--.::+---1Г----Г----1
1001-----4--~+---+--__,f----+----t
о 510152025Uк5,8
Зависимость емкости коллектор­
ного перехода от напряжения
коллектор-ба за.
hz1э
50
цо
30
20
10
о
l1тво5А,j
-
ГТ905А ,ГТ905Б- t----
-
/
.. ..
,
Uк5 =108
0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 Iк ,А
Зависимость статического ко1ф­
фиц11ента передачи тока от тока
коллектора.
1Т906А, ГТ906А, ГТ906АМ
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р переклю­
чательные мощные.
Предназначены для применения в преобразователях напряжения,
переключающих и других импульсных каскадах радиоэлектронных
устройств.
Выпускаются в металлостеклянном ( 1Т906А, ГТ906А) и метал­
лопластмассовом (ГТ906АМ) корпусах с жесткими выводами.
Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора в металлостекляшюм корпусе не более 4,5 г
(с крепежным фланuем не более 6 r), в металлопластмассовом
корпусе не более 7 г.
(24
'&.
"Q
lf
fti
fТgОбА, ГТUОбА
~
1,5
'<>
"".:'
....
ПUОбАМ
662
r:
1
1"
,,.
~)
"
r,
1·
~ ~1!
ll
'!jj
1.


г
t
Электрические параметры
Граничное напряжение при Iэ. и = 5 А, 'tи .;;; 50 мкс
иQ;<200неменее...
.
65В
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
с общим эмиттером при ИкБ=10 В, /3=0,5 А
1Т906А не менее .
30 МГц
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 5 А,
/Б=0,5Анеболее:
1Т906А, ГТ906А, ГТ906АМ при Т = 298 К .
IT906A:
при Т= 213 К.
при Т= 343 К.
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 5,0 В,
/Б=0,5 А не более .
Время включения прн ИкБ = 30 В, /Б. и = 0,5 В,
'tи=20мкс,f=50Гцнеболее.
Время рассасывания при ИкБ = 30 В, /Б и = 0,5 В,
'tи=20мкс,f=50Гцнеболее.
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим
эмиттеромвриИкБ=10В,/э=5А:
1Т906А, ГТ906А, ГТ906АМ при Т = 298 К
1Т906А:
приТ=213К.
вриТ= 343 К.
Обратный ток коллектор-эмиттер при ИкБ = 75 В,
ИэБ = 0,5 В не более:
ври Т= 298 К и Т= 213 К IT906A, ГТ906А,
ГТ906АМ
при Т= 343 К:
1Т906А .
ГТ906А, ГТ906ЛМ
Обратный ток ·эмитrера при ИэБ = 1,4 В не более:
IT906A
ГТ906А, ГТ906АМ
Предельные эксплуатационные да11ные
Напряжение коллек1ор-эмиттер при ИБэ = 0,5 -с- 1,4 В
Импу,<ьсное напряжение коллектор-эмиттер запертоr·о
трюпистора при <и <:; 20 мкс и Q ;< 3 ГТ906А,
ГТ906АМ
Напряжение коллектор-база .
Нанряжение база-эмиттер . .
Постоянный или .импульсный (в режиме переключения)
ток коллектора:
IТ906А
ГТ906А, ГТ906АМ
Постоянный или импульсный ток коллектора в режиме
насыщения при токе выключения 1Т906А не более
5 А и ГТ906А, ГТ906АМ не более бА •
.
.
.
.
.
0,5 в
0,5 в
1,0 в
0,6 в
1,0 мкс
5,0 мкс
30-150
30-170
20-150
8,0 мА
15,0 мА
30,0 мА
8,0 мА
15,0 мА
75в
130 в
75в
1,4 в
5,0 А
6,0 А
IOJI А
663


Ток коллектора в режиме перек.1ючения IT906A при.
И кэ = 36 В и выбросах напряжения до 45 В,
t 11 .;;; 1О мкс и Икэ .;;; 25 В ГТ906А, ГТ906АМ .
Постоянный или средний (за период нс более 2 мс) ток
базы .
Постоянная или средняя (за период не более
рассеиваемая мощность при т. <:; 310,5 К.
Импульсная рассеиваемая мощность:
при'tи<:;10мкс.
при'tи<:;200мкс,.f<:;5ГциИк<:;60В.
Тепловое сопротивление переход-корпус .
Тепловое сопротивление переход-среда
Температура перехода .
Температура окружающей среды . .
2 мс)
7,0 А
1,5 А
15,0 Вт
375 Вт
300 Вт
2,5 К/Вт
50 К/Вт
348 к
От 213
ДО343К
Примеча11ие. При т. >310, 5 К максимально допуL•имая
постоянная рассеиваемая :v~ощпость, Вт, рассчитывается по формуле
Рк. макс = (348 - Т.)/2,5.
1,2
1,0
Q:) о,8
~ 0,6
.. .;
$ 0,4
0,2
>----
/ 1тJosA~ j
-гтвО6А,ГТ906АМ~
1
1
1к=5А
\
-
0,6
0,5
0,4
~ 0,3
..;
$0,2
о,1
о
-
] 1Т906А) 1
-
ГТ~06А, ГТ906А М -
1
1
1
1
1
lк =5А, !6 =0,5А
_,
-~
/
о 0,2 0,4 0,6. 0,8 1,0 IБ,А
213 233 253 273 293 313 333Т,К
Зависимое гь напряжения насы­
щения коллектор-эмиттер от то­
ка базы.
hz1a
100
80
60
40
20
о
1
1Т§ОбА, ГТ906А,
ГТ906АМ
-~-
/
/
/" I3=5A
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от
напряжения коллек гор-база
664
Зависимость напряжения насы­
щения коллектор-эмиттер от
hг1э
100
80
60
40
20
о
/
температуры.
1Т906А} 'гтво6А'
ГТ906АМ
/
v
""'
Ик5 =10 В '\.
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тока
Jмиттера.


~.
f
1
1
1Т910А
Транзистор гср:-.~аниевый диф­
фузиошю-сп~~авной р-п-р персклю­
чате.1ьный Rысокочас·1 отный мош­
ный.
Прс;:щазпа•1ен для применения
в схемах мостовых преобразова­
телей напряжения.
Вынускается в ыетал~-~опласт­
массовом корпусе с жес гкими вы­
. водами.
Обозначение типа приRо­
дится на корпусе.
Масса транзистора не более 5 r.
Эдектрическне параметры
Граничное напряжение при 1,. и = 5 А .
типовое значение .
Напряжение насыщения коллектор-эмиг1ер:
приТ=298 Ки Т=2'13 К, lк11=1О
lьи=1А.
типовое значение
прпТ=298К,lки=20А./Б11= 2А
типовое значение.
при Т=343 К, lки=10 А, /5и=
А
более .
za
13
t:3,..,
t:3
""
А
не
Статический коэффициент переJщчи тока в схеме с
обшим эмиттером :
при Т= 298 К:
приИкБ11= 10В.13и=О,1Л
типовое значение .
приИкБи=10В,1·311=10А
пшовое 3начение.
приИк6и=10В./.эи~20А
8,5
~
~SС>..
1
"'
Щ4--
Е:>:
"
<:;
<:;
"'
"'
25-31*В
2R*В
0.15*-О.6 В
0,19*в
0,22 *-0 .8 в
0.25*в
1в
30- 104 *
70*
50-320
167 *
50- 320 *
типовое значение .
223 *
при Т=343 К, UкБ.и=10 В, Iэ.и=0,1 А не
менее .
11ри Т=213 К. Ик5 11 =10 В, 1,и=IО А
35
35- 320
Время н;~растания при Ик 11 = 10 В, /к. 11 = 5
тиновое значение .
А0,6*- ~.5 мкс
.
1* мкс
ВремяспадаприUкэ= 1ОВ,lк.и=5А.
типовое значение
Граничная часто~ а коJффипиента передачи тока в
схеме с общим )МИт.тером нри ИкБ = 1О В.
lэ=О,1Анеменее.
0.5 *-1 мкс
0,8 * мкс
30 МГц
665


Обратный lOK коллектора при Ик& = 40 В не более
приТ=298КиТ=213К
приТ=343К.
Предельные эксплуатацнонные данные
Постоянное напряжение кол.1ектор-змнттер ври
UБэ=0,4В,Т=213с-343К.
Постоянное шшряжение коллек гор-база при Т = 213 -с-
343 к.
Постоянный ток коллектора при Т = 213 с- 343 К
Импульсный ток ко.<.<ектора при т11 ,:;; 1 мс, Q ;,, 1О,
т=213 _,_ 343к.
6мА
20 мА
32в
33в
10А
:юА
Постоянный ток базы при Т = 213 с- 343 К .
3А
Импу.1ьсный ток базы при 1: 11 , : ;; 1 мс, Q ;,, 1О.
Т=213с-343К.
бА
Срелняя рассеиваемая мощность коллектора (время
усреднения не более 1 мс) при т. = 213 с- 293 К:
с теплоотводом
бе3 теплоотвола .
Температура перехода
Тепловое сопротив.~ение переход-корпус .
Тепловое сопротив.1ение переход-среда
Температура окружающей среды .
35 Вт
0,9 Вт
358 к
1,85 ЮВт
70 К/Вт
От 213 до
т.=343к
П р и м е ч ан и я: J. Допускается выброс нипряжения коллектор­
эмиттер до 37 В длительностью не бо.<ее 1О мкс в схеме преоб­
разователя напряжения.
Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощное 1ъ кол­
лектора. В 1, при т. = 293 с- 343 К определяется по следующим
форму.~ам:
Рк ер.макс= (358 - T .J;!,85;
без ТСП.<оотвода
Рк. ер. МdКС = (358 - Т,)/70.
2. Минимальное расе 1·ояние места пайки от корпуса 6 мм,
температура места пайки не выше 523 К в течение 5 с.
Допускается однократный изгиб вывода на расстоянии 0,5 мм
от выступа компаунда.
666


!5,А 1Т910А
1, 6 1-----+-----<е-+--+----<
Uкз =О
1,21------+-----<_-+-_.._
_,
Uкз=108
о,в 1---l --'°'l,--f.-,1--f -- - - -1
~q1---1--н--ь<-----+--i
100
80
""'._
60
"'"'qo
$
20
1Т910А
-r---. ...
......
-
о._......---<""--'----'-~
0,1 0,2 0,3 O ,q 0,5 U5э,В
о
0,10,2 0,6 1 2 q 610 20 qo60100 R63 ,Ом
Входные характеристики.
hг1з
во>---+-~+--.А'--+----1
401----h'--+-~-+-~~---I
201--.о<----'~~~-+-~+---1
о.__-'-~-'-~-'---'----'
213 253 293 JJJ 373Т,,,К
ЗаDиси:\Jость статического коэф­
фициента передачи гока от тем­
пературы корпуса.
Зависимость статического коэф­
фициента передачи 1·ока от тока
эмиттера.
Зависимость пробивного напря­
жения ко~•лектор-эмиттер от
сопротивления база-эмиттер.
О,35
0,3
т
1Т910А
-
..,,,..,.
--
<.> 0,25
~
д 0,2
~ L...--""'
~
0,15
0,1
213 253 293 333 37JТ/(,к
Зависимое 1 ь напряженпя насы­
щения ко.1:1ектор-эмиттер от
темпера туры корпуса.
hz13
250
200
150
100
50
о
/
1
1
1
1Т910А
J .,,..,-
~
/
U1<б.и =108


КТ932А, КТ932Б
Транзисторы кремниевые эпитакснально-плапарпые р-п-р уси­
лительные мощные.
Предназначены для рабо·1ы в широкополосных усилнтелях
мощности и автО1·енераторах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выво­
даVIи. Обозначение типа нриводится на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Коллентор
Zот9.ФЧ
++1-I-----+-->.~~
~1
Электрнчесюfi~ параметры
Граничная частота коэффициента нередачи тока при
Икэ=3В,lк=1Анеменее:
КТ932А
КТ932Б .
Статический коэффициент псрецачи тока в схеме с
общим эмиттером при Икэ = 3 В, lк = 1,5 А:
КТ932А
КТ932Б .
Напряженпс насышепия коллектор-эмиттер
= 1,5А,/Б=0,25Анеболее.
типовое зпа чение .
при lк=
!=
40 МГц
60 МГц
18-80
36- 120
1,1 в
0,4* в
Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 20 В,
=5МГц.
.1 10-200 пФ
RБЭ = 100 Ом,
Обратный ток коллектор-эмиттер
Икэ=80 В не более
при
типовое значение .
Предельные эксплуатационные да1111ые
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Т = 213 -с-
373 К:
1,2 мА
0,1 *мл
КТ932А
80В
КТ932Б
60В
668


Постоянное юшряжение коллектор-база при Т = 213 _, _
373 К:
КТ932А
SOВ
КТ932Б
60В
Постоянное напряжение эмиттер-база при / 36 = 5 мА
приТ=213 -'-373К.
Ток ко.ыектора постоянный при Т = 213 - ' - 373 К .
Постоянная рассеиваемая vющность кол.1ектора:
приТ,=213~323К.
приТ,=373К.
Температура окружающей среды
4.5 в
2А
20 Вт
10 Вт
От 213
ДО
т.=373к
Минима:1ьное расстояние от корпуса до места пайки выводов
6 \1М.
Икз,В
1000м
140 ....____,_-:~.:t=:"=*-:t:::::::-1-1
KT9J2A
601----!-~_J._~-I--~-~
40,__--J'---'---L---'---'
293 313 3'33 353 J73 т,к
Завпсн~1ость напряжения ко.1-
лектор-э:v~иттср от 1еvшературы.
hг1з
BOt-----t---т--~....+--:"---1~--.J
60
КТ932 А,КТ932Б
о 0,5
Зависимое гь статического коJф­
фшнrснта перелачн тока от тока
ко.1:1ектора.
КТ933А, КТ933Б
ТранзистоiJЫ кремниевые эпитаксиально-п;~анар~:ые р-11-р высоко­
частотные уси.111те.1ь11ые мощные.
Предназначены для работы в Ш!!рокополоспых усп.-штелях
мошности в автоrенсра торах.
Вьшускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами.
Обозначение 1 ипа приводится на корпусе.
Масса тран·тстора не более 1,5 г.
669


"'
z
5аJЦ,
Ф5 f{оллентор
""'
G-
-
-
~~"'$-
-
[1з,,1
6,6
... 1
,<
>' €'
Jмиттер
'Э.1ек1р11ческ11е nара'"етры
Граничння чнстота коэфqнщиента пере.:~ачп токн прп
Uк-э=3В.13=0,4Анс"1енее.
С1а1 пческий коэффициент пере;ычп тока в схе,,,1е с
oбrщ1!'vl эмиттером при Uкэ ~ 3 В. lк = 0.4 А:
КТ93JА .
КТ933Б .
Напряжение насыщения ко.1!1ектор-э:--.штте.р при fк = 0.4 Л.
fг, = 0.05 А 11е бо.1сс .
типовое значение .
Е:-.1кость ко;1:1екторно1 о перех.о.:rа прп (:r.:ь ~ 20 В. f =
90 МГп
18-80
36-l20
1.1 в
0.4*в
=5МГц.
50- 70 пФ
Обратный ТОК ко.1.1ектор-1м111 1ер при R5-э = 100 o~r
lie 60.~ее:
11р11 Uкз = 80 В КТ933Л
при (;кэ = 60 В КТ933Б
Предс.1ь11ые эксn.ч·а 1ац1ю1111ые да1111ые
Постоянное напряжение ко.1.1ектор-э,шт rer 11рп Т = 213 -: -
373 К:
U.3 \1А
0.3 \!А
КТ'JЗЗА
~ОВ
КТ933Б
60В
Постоянное напряжение ко.1.1ектор-6аза при Т = 213-: -
373 К:
КТ933А
80В
КТ933Б
60В
[ lостоянное напряжение -~~ш 11 ер-база при fэь = 5 \IЛ.
Т=213-с-373К.
Постоянный ток ко.иектора при Т = 213-:- 373 К
Постоянная рассеивае;1ая \Ющность коJ1:1ектора:
при т.=213-:-325 к
приТ,=373К.
Температура перехода
Температура окружающей среды
670
4.5 в
0,5 А
5Вт
2.5 Вт
423 к
От 213
ДО
т.=373к


r Причечанис. Минюла.1ыюе расстояние от корпуса до честа
пайки выводов б мм.
hг1Э
80
60
'10
20
о
КТ933А
--
/
,
....
Uкз=ЗВ,
1--,
.....
-.._
--
r..........
--,
Зона возможных по.1ожений за­
вис11чосп1 статического коJффи­
циента передачи ~ока от тока
ко.·1.1ектора.
Ск,пФ
1'10
120
100
80
60
'10
20
о
КТ933А,КТ933Б
\
1\ ',,
""'
,_
'
~'
',
---- ·-
'
r-- _
-t--
--
10
Зона во·зможных по.1ожений 1а­
в11симосп1 ечкости ко.1.1ектор­
ного перехода от на11ряжсния
ко.1.1ек 1ор-база.
р{[Jd(' .1 вось.ной
ТРАНЗИСТОРЫ МОЩНЫЕ
СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ
11-р-11
2Т606А, КТ606А, КТ606Б
Тра11зисторы кречниевыс "Jпи гаксиа~1ьно-п:1анарные
тор11ые сверх высокочастотные.
п-р·п генера-
Пре.1назначсны д.1я применения в
носп1, в том числе при ачплитудной
частоты и автогенераторах на час 1от ах
схемах уси.11пеJ1ей чощ­
'\1одуляции в умнож11те.1ях
выще 100 МГн при на-
пряжении rrнтания 28 В.
Выпускаются в ме1ал.1оксрамическом корнусе с ~полированны­
ми от корпусз жсстюJ\111 выводами с мо1пажны:-.1 в~штом. Обозна-
чение типа приводится на корпусе.
t
Масса 1ранзистора не 60.1ее б r.
671


1
12
Э.1ек 1·р11'1есю1е пара~1етры
Выхозная мощность при L'кэ = 28 В. /= 400 МГн.
Т,,;; 29S К .
Коэфф1щие11т уси.1ения по мощное~ и не :v1енес .
типовое значение .
Ко1фф1щиснт 11олезноrо лей с 1 вия ко.1.1ектора нс ~1е-
нее
Напряжение насыщения ко,1лектор-эмв 11 ер* при fк =
200мА,/5=40мАне6<ыее.
Мозуль коэффшщенга передачи гока прн /= 100 МГц,
Ик,э = 10 В. /к= 100 мЛ не менее:
2Т606А. КТ606А .
КТ606Б .
Критпческий ток кол.1ектора при Икэ = 10 B.j = 100 МГц
не менее.
Ilостоянная вре\1СНИ 11е1ш обратной связи при Ию;=
10В. .f=5МГн./э=30мАнеболее:
2Т606А. КТ606А .
КТ606Б .
емкость кшшекторноrо 11ереходе1 при liк 6 = 2S В. I =
5МГцнеболее.
Обра 111ый ток кол;1ектор-эмиттер 11ри Икэ = 65 В. Rэ 6 =
l 00 О\1 11е 60.1ее:
при Т= 29S К:
2Т606А
КТбОбА. КТбОбБ
приТ= 403К2Т606А .
Обратный ток Jм11ттера при Uэ 6 = 4 В нри Т= 29S К
не 6001ее:
2Тб06А
КТбОбЛ. КТ606Б .
Пред~-~ы1ыс э1;:сплуатационные дан11ые
Постоянное ,напряжение ко,шектор-эмиттер при R6 'J ~
,:;; 10 Ом:
2Т606А
КТ606А. КТ606Б .
672
1.0 Вт
2.5
3*
'j~"
-
-
о
l.O В
3,5
3
100 мА
10 нс
12 нс
10 пФ
1мА
l,5 \1А
2мА
0.l мА
0.3 мА
65в
60в


Пиковое напряжение кол,1ектор-1миттер при/? 100 МГц:
2Т606А
КТ606А. КТ606Б .
Постоянное напряжение 1"1IЛ 1ер-б;ла .
Постоянный 1ок ко.1.1ектора
Пиковый ток ко.щектора .
Постоянный ток базы
Средняя рассеивае'vlая мощность в .11111а\НР!еско\1 ре­
ЖИ\1с:
приТ,=З13К.
11p1t Тк 0 = 398 К 2Т606А
Тепловое со11ротивле11ие перехо.'.(-корнус
Температура персхо.1а:
2Т606А
КТ606А. КТ606Б
Те'v!пература корпуса:
2Т606А
КТ606А. КТбОбБ .
75в
70в
4в
400 мА
800 мА
100 мА
2.5 Br
0.57 81
44К'Вт
423 к
393 к
От 213
до
398 к
От 233·
i\0
35S К
11р11 меч ан и е. При монтаже тран1исторов допускается усилие,
перпепдикуляр1юе оси выво,1а. не более 50 1. кате~ орически Jа­
прещается изгиб выводов. а также 11х кручение. вокруг оси.
Пайка выво;юв допускается на расс1ояш1и не менее 1 мм от
корпуса транзистора.
Ис1ю:1ь:ювание транзистора бе·1 геплоотвода не рекомендуется.
Чистота контактной повсрхностн ·теп.1оотводов лолж11а быть
нс менее 2.5 . Неплоскосшость контактной поверхности теплоот­
вода должна быть не 60.1се 0.03 мм.
1
'
1
1
2Т 606А, l<T606A
1,2
/
Uкз == 288
/
._f=ЦООМГи,
v
1
!/
7
О 0,05 0,1 0,15 0,2 О,25f'вх,Вт
Зависимость относительной вы­
ходной МОЩНОСТИ ОТ ВХОДНОЙ.
22 Полупроводниковые приборы
1,2
2 Т606А, !<Т606А
~ 1,о1---J--+-'--+---1---+---I
со
~ 0,81----t--+---+--+-..."'-4--I
Q~ 0,6
"
~ О,'+l---Jf--,,...q_--11---1----4--J
z~ 0,21--.L....-f--
~
'
о
В 12 16 20Uкз,В
Зависимость относительной вы­
ходной мощности от напряже­
ния коллекто~:Jl!Эмиттер.
673


...... ..,_
с:: 5,0
~
С:>
~ 2,0
2Т606А, КТ606А
11 1 о 1-----+---t~--г--;-----1
~'
~ О,5 1-----+---+-+--__,..--т-----1
~
Рвх = J30 мВт,
~ 0,2
Uкз= 28 В
а..: ~1L__ _._L-.._____.-::-_._-:-'
10D 200 300 lfOO 500 f, МГц
Зависимость относи rе.1ьной вы­
ход11ой :-.1ощности от часто 1ы.
1,2
--;::-- 1,0
CQ
7i" 0,8
!!
~ 0,6
~
~ O,lf
""
1::- о,г
2Т606А.• КТ606А
/
~
.... v
~v f= 1./-00 МГц,
/
Uкэ = 288-
~
1,2
1,0
-- ;:::--
~ 0,8
11
~ 0,б
а':'
';с 0,1.f.
:>,
~02
Cl.
'
"":>,
о
2Тб06А, КТбОбА
/
,., .-
""'
/
f = lfOO МГ11,,
>---
Uкз=28В
1
1
0,2 O,lf 0,б 0,8 1,0 fвьюВт
ЗависИ:-.1ость относв 1·е_1ьного ко­
эффиш1ен Ia ус11:1ен ня от выход­
ной МОЩllОСТИ.
'lк,''/о 2Т606А,КТ606А
70t---t---+---t----+--+-~
60i---- ..= =-1t----+- - - -11 -- -+ -- -J
50t----+ ----11 ---+- ----"" '"' --+----1
lfO
30t----+- - - -1t----+- - - -1t----+- - -J
20~~~---......_~..__......___,
О 0,2 о,ц. 0,6 0 ,8 1,ОfвьюВт
О 100 200 300 lfOO 500f,МГ11,
Зависимость относите.·1ьно1 о ко­
эффициента поо1е1ного действия
ОТ ВЫХОДНОЙ :-.10ЩНОСТ11.
~ 1,2
::!
а
~ 1,0
11
~ 0,8
""
k 0,6
""""
k 0,1.f.
2Т606А JКТ606А
,ir
"r-....
'\
'
Зависимость коэффициента по­
лезного :tействия от частоты.
1,2 ~--~~---~~
2Т606А ,КТ606А
........_
"С
::;
а
~ о, в t-----+--t--~--t--,-1-----1
11
,_ _::: 0,6
~ 0 l.f.1----+---+---+-uкз = 2в в
.s:;°"
'
""
.::.о,21---+---+---41---+--+---1
.s :;""
0,2
О 100 200300 1/-00500Iк,мА о 50 100 150200 250lк,А
Зависимость
опюснтсльного
статического коэффициента пе­
редачи тока от тока коллек-
тора.
674
Зависимость моду.1я относи­
тео1ьного коэффициента пере­
дачи тока от тока коллектора.


_g
3,0
---.,, 2,5
"'<:
::;
~ 2,0
~ 1,5
'-
~......_
~ 0,5
о
2Т606А~
1
КТ606А
\
f=2 МГц
Uкз =108- -
\.
1
50
---.,,
3,0
2,5
~ 2,0
11 1,5
$
'-
}-J~ 1
......_
\:-> "' 0,5
о
2TG06A ' ,
КТ606А
1
\
f=2 МГц
\ Iк=30мА- -
...........
!'--~
Зависимосп, от нос111е.ты1ой по­
стош1110й врс\1сю1 цепи обра г­
ной СВЯЗI! ОТ 1·ока ко.тле1п OJXl.
Зависимость относите.1ы10й по­
стояш1шi времени цепи обрат­
ной связи от напряжения кол-
2Тбd6А)
КТ БОБА
,,
... ...
о ю2030 1/-О 50UкБ,в
1,2
1,0
с;-
1~ о,в
::::, "'
'-- О,6
"'
(_)
......_
01/-
&}
0,2
о
лек 1ар-эмиттер.
2ТВО6А 1,
r'\
КТ606А
\
"-.
.......
2 1/- 6 8 10U35,B
Зависи'vlоС rь относительной ем­
кое 111 коллекторноr о перехода
от напряжения коллектор-база.
Зависимость относительной ем­
кости ·~миттерного перехода от
напряжения Jмиттер-база.
2Т607 А-4, КТ607А-4, КТ607Б-4
Тран·шсторы кремниевые эпитак­
сиально-планарные 11-р-11 генераторные
сверхвысокочасто гные.
Предназначены для генерирования
и уси.тения напряжения в герметизи­
рованной аппаратуре.
Бескор11усные с защитным покры­
тием. Обозначение типа привошпся
в этикетке.
Масса транзистора не более 0,4 г.
22*
Ба., за.,
J/'fummcp
'
Ноллентор
675


Э.~ектрическ11е параметры
Выходная мощность (медиа1111ое значение) при L'кi; =
20 В. Iк= 11О мА. / = 1 ГГц 2Т607Л-4. КТ607А-4
при Рвх = 0.4 Вт. КТ607Б-4 ври Р8, = 0.5 Вт не
менее.
Коэффициент усиления по :vющности ('1енианное 1на­
чснис) при Uкь=20 В. /к=110 мА. /=1 ГГц не
менее:
2Т607А-4. КТ607А-4 при Р8 , = 0 .4 В1
КТ607Б-4 ври Р., = 0,5 Вт .
Коэффициент по,1езного лействия кш1_1ектора (;.~едиашюе
3начение) при ИкБ=20 В. Iк=110 мА./=1 ГГ11
2Т607А-4. КТ607А-4 при Р8 , = 0 .4 Вт. КТ607Б-4 при
1Вт
4дБ
3 11Б
Р.,=0,5Втнеменее...-
45 ""
Модуль коэффиниента передачи тока при Икэ = 10 В.
Iк=80 мА, /= 100 МГц нс :vieнee
7
типовое значение.
9*
Постоянная времени цепи о бра 1ной связи ври Ик 6 =
=10В,/3=30мА,/=5МГц:
2Т607 А-4, КТ607 А-4 не Go:1ee
типовое значение •
.
КТ607Б-4 не более .
Емкость ко,1лектор11ого перехода при Ик 5 = 1О В не
более:
2Т607А-4, КТ607А-4.
КТ607Б-4
Оqратный ток коллек Iopa 2Т607 А-4. КТ607 А-4 11ри
ИкБо = 40 В. КТ607Б-4 ври Ию;= 30 В не Gо_-тее
Обратный ТО!( Jмиттера при U36 = 4 В не более .
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллек гор-1м11 гтер нри Rэь =
10 Ом:
2Т607А-4 при Т= 2!3 ~ 358 К и КТ607А-4 при
т=228-7-358к.
2Т607А-4 при Т= 398 К .
КТ607Б-4 при Т= 228 -;-358 К . .
Постоянное напряжение кол_1сктор-база:
2Т607А-4 пр11 Т= 213 -;- 358 К и КТ607А-4 при
т=2287358к.
2Т607А-4 при Т= 398 К .
КТ607Б-4 при Т = 228 -;- 358 К
Постоянное напряжение Jмrптср-база:
676
2Т607А-4 при Т = 213-;- 358 К и КТ607А-4. КТ607Б-4
приТ=228 -;-358 К
2Тб07А-4при Т=398 К . .
18 ПС
10* llC
25 пс
4пФ
4.5 пФ
1 мкл
0.5 ~1кА
35в
25в
30в
40в
30в
30в
4в
3в


Постоянный ток коллектора:
2Т607А-4 при Т = 213 7 358 К и КТ607А-4. КТ607Б-4
приТ=228 -;-358К.
2Тб07А-4 при Т= 398 К .
Постоянш1я рассеивае\1аЯ мощность ко.·1;1ектора:
2Т607А-4 при Т, = 213-;- 313 К и КТ607А-4. КТ607Б-4
приТк=228 -;-313К.
2Тб07А-4 при Тк = 398 К .
КТ607 А-4 и КТ607Б-4 при Тк = 358 К
Те:v~пература перехода .
Тепловое соrrротивление персхо.1-корпус .
Температура окружающей среды:
2Тб07 Л-4
КТ607А-4. КТ607Б-4 .
150 мА
125 мА
1.5 Br
0.34 Вт
0,89 Вт
423 к
73 К/Вт
От 213
до
т.=398 к
От 228
до
тк=358к
n р им е чан и е. Kperr.1e11иe транзистора вроизводится приклеи­
ванием или пайкой. Максима:1ыю допус1и-.,,1ая темнература привоя
не бо.1ее 433 К. Время пайки не бо.1ее 3 с. Нажимное усилие
на торце каждого вывода не должно прсвыщать 400 r.
1,5
1
1
1
1
2~607A-l.f, KT607A-l.f
./
/
1,3
1,5
2 T607A-l.f,KT607A -l.f J
/
/
1,J
/
/
,
J
/
~11
'
/ ИкБ=20В
/
lк =110мА-
,
f у Гlцii
0,9
0,7
/ Iк=110rA
,
Рвх=О,1.fВт-
1
fт1тц~
•
0,9
0,7
0,1
0,2
0,3
0,1 .f Рвх, Вт
О
в
16
21.f ИкБ ,В
Зависичость выхо,1ной мощ-
ности от входной.
Зависи"'юсть выходной мощно­
сти от напряжения коллектор­
база.
677


1,3
2T607A-lf;
J
>------
KT60711-lf
v
1,1
/
/
i/
/ UКБ =208
р8х= 0,'f Вт- -
/
"
""'._ 0,9
"
Q__~
0,7
z/
f r1тц
0,5
60
во 100
120 Iк ,мА
Зависимосгь выходноi1 мощно­
сти от тока ко.~лектора.
т",пс
10
9
в
7
о
2T607A-Lf ,KT607A-lf
\
\ Ик5 =108
'
f=5МГц
1\
"'
!'- .
-
r-
20
ЧО
60 Iз ,мА
Зависимость 11остоянной време­
ни цепи обратной связи 0·1 тока
J\шттера.
10
в
6
lf
50
/
2T607A-Lf, KT607A -lf
-
--- r--
f -100МГц
... .... ...
Икэ =108
100 150
200 Iк,мА
Зав1rсимос rъ моду.1я коэффи­
циен r а передачи тока от тока
кол.1ектора.
hг1э
70
60
50
lfO
30
20
10
/
о
50
2T607A-lf
-
Иэк=10В
100
150
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тока
кол,1ектора.
2Т610А, 2Т610Б, КТ610А, КТ610Б
678
Транзисторы кремниевь1е эпн­
таксиально-планарнь1е п-р-п СВЧ
усилнтельны е.
Предназначены для усилrтелсй
напряжения и мощности.
Выпускаются в ме·1 ЩJлокерами­
ческом корпусе с гибкими полоско­
ны ми выводами. Обозначение типа
приводится на крыщке корпуса.
Масса транзистора не более 2 r.


Электрические параметры
Статический коэффиниент
общим Jмиттером при
2Т610А
2Т610Б
КТ6!0А
КТ610Б
передачи
ИкБ=10
тока в схеме с
В, Iэ= 150 мА:
Неравно~1ерность коэффи11иента передачи тока в схеме
с общим эми 1тером в режиме малого сигнала при
Ик-э = 10 В, /к= 30 -7 - 270 мА 2Т6\ОА, КТ6\ОА нс
более .
Коэффициент усиления по мощности (медианное зна­
чение) при Икэ = 12.б В, Рвых = 1 Вт, /= 400 МГ11
2Т61 ОБ не менее .
гишнюе значение .
Коэффициент 110.1езного ,"!ействия коллектора (медианное
значение) при L'кэ = 12.6 В, Рвых = 1 Вт,/= 400 МГц
2Т610Б не менее .
Граничная частота коJффиниен га передачи тока в схеме
с общим эмиттером при L'кэ = 1О В, lк = 150 мА:
2Тб!ОА, КТ610А не менее
типовое значение .
2Т610Б. КТ610Б не менее
типовое значение .
Постоянная времени не11и обратной связи при ИкБ =
= 10В,fэ=30~1А,f=30МГп:
2Т610А не бо,1ее .
гиновое значение
2Т61 ОБ не более .
типовое значение .
КТ61 ОА не более
КТ61 ОБ не более
Емкость коллекrорного перехода при ИкБ = 10 В нс
более .
Емкое·~ ь Jм1птерного нерехода ври ИэБ = О не боJ1ее .
Граничное нанряжение при Iэ = 30 мА не :о.1енее .
типовое значение .
Обратный ток кол,<ек юра при ИкБ = 20 В не более .
Обратный гок Jмиттсра при ИэБо = 4 В не более .
Коэффициент шума* при f = 2 -7- 200 МГц, Iк = 30 мА,
Rг=75Ом.
Индуктивность эмиттерного вывода* (при испоJ1ь·ювании
лвух выводов) .
Индуктивность коллекторно1 о вывола * .
Пределы1ые эксш1уатационные данные
Постоянное напряжение коллек rор-Jмиттер при Rэ 6 =
100 Ом, Т = 213-;-- 398 К 2Т610А, 2Т610Б и ври
50-250
20-250
50-300
20-300
2,3
6,4 лБ
8 *дБ
45 ~·~
1000 МГц
1250* МГц
700 МГц
1100* МГц
35 ПС
20*пс
18 ПС
7,5*ПС
55 ПС
22 ПС
4,1 нФ
21 пФ
20в
24* в
0,5 мА
0,1 мА
1
6дБ
0,6 нГн
2,38 нГн
Т = 228-;-- 358 К КТ610А, КТ610Б .
26В
679


Постоянное напряжение эмиттер-база при Т = 213 -с-
398 К 2Т610А, 2Т610Б и при Т= 228 -7 - 358 К КТ610А,
КТ610Б .
Постоянное напряжение питания в режиме усrысния
мощности 2Т610Б при /> 100 МГ11 прн работе в ре­
жиме класса С .
Постоянный ток коллектора нри Т= 213 -7 - 398 К 2Тб10А.
2Т610Б и при Т= 228.;.. 358 К КТ610А, КТ610Б .
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при Т.=213.;-323 К 2T6JOA. 2Т610Б и прн Т,=
228 -7 - 323 К КТ610А, КТ610Б . .
при Т, = 358 К 2Т610А, 2Т610Б. КТбlОА. КТб IОБ.
Температура перехода 2Т6JОЛ. 2Т610Б
Температура окружающей среды:
2Тб!ОА, 2Т610Б .
КТбlОА, КТбlОБ.
4в
15в
0.3 А
1.5 Вт
1Вт
423 к
213 ;10
398 к
От 228
до358к
Пр им е чан и е. Пайка вы волов цонускае rся при температуре
не выше 423 К. Изгиб выводов допускается на расстоянии
не менее 3 мм от корпуса транзистора с рапиусом нс менее
1,5 мм. Допустимое значение Jлектростатвчсскоrо по1еншшла
1000 В.
hi1з
160
1'10
120
100
80
60
чо
20
о
/
1
/,r
1
100
КТ610А
~
Uкз=10В
200 300 Iк,мА
Зависимое 1ъ статического коэф­
фициента передачи тока от тока
коллектора.
680
h21З
90
80
70
60
50
чо
30
20
о
1
/
/
100
КТ610Б
r
,,,-
~
"1'-
1
Uкз=10 В 1
1
1
200 300 Iк ,мА
Зависи-.,юсть статическо1 о коэф­
фициента нере;~ачи тока от тока
ко,1лектора.
l


1,8
1,5
,,,.
t::: 12
'
)
0,9
0,6
о
1
2ТБ10А ; КТБ10А
I/......
-
1
Uкэ =10 В
100 200
Зависимость граничной частоты
от гока ко~1лектора.
7:х ,пс
2Т610А, КТ610А
/,
J
JO
"!\..
v
..... ,..__
~
17
20
10
Iэ =JОмА
о
5
10
15 Uк5 ,В
Зависимость постоянной време­
ни непи обратной связи от
напряжения коллектор-база.
2Т610А
150
v
........
..........
1/
7 Uкэ=10В
100
50
о
100
200 300 Iк,мА
Зависимость стат~ческого коэф­
фиuиента передачи тока от тока
коллектора.
2тв10Б, 'ктвюБ ..
.,,.. -
0,8
./
v
1
Uкз =10 В
0,lf
о
100 200
Зависимость граничной часто гы
от тока кол~1ектора.
\
2ТБЮБ, КТ61ОБ
\
\
r:t
15
"
[/
!'. .
~
·-
10
~
5
13 =30мА
о
5
10
Зависимость постоянной време­
ни uепи обратной связи от
напряжения ко.1лсктор-база.
2Т610Б
150
,)'
-........ ......
1.1
"1'.
/
'\
100
Uк3 =10 В
50
~
О
100 200
300 Iк,мА
Зависимость статического коэф­
финиента передачи тока от тока
коллектора.
681


КТ624А, КТ624ЛМ
Ва.риа,нт 1
1,1
Тран1исторы креV!ниевые Jпитак~
сиально-планарные 11-р-11 переключа­
те:1ьные.
Предна"Значены д.1я работы в им-
пу:1ьсных cxc:viax в гер:vrетизирован­
ной шrпаратурс.
811.ри,11.нтZ
Бескорпусные с 1ащитны\1 покры­
тием с гибкн:vш выводаV!И. Обозначе­
ние типа приводится в этикетке. Мас­
са траюисторон КТ624А (вариант 1)
нс 6011ее 0,015 г. Масса транзисторов
КТ624АМ (вариант 2) не бо.~ее 0,004 г.
Элсктр11ческ11е параметры
Статический коэффициен1 передачи тока в схеме с
общим эмиттером при Икэ = 0,5 В, fк = 300 мА .
Напряжение насьrщения коллектор-эмиттер при /к = 1 А.
Ir;=100мАнеболее.
типовое значение .
Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 1 А, / 6 =
=100мАнеболее.
типовое значение
Время рассасывания при fк = 1000 мА. / 6 = 100 мА не
более.
Модуль коэффициента передачи тока на .f = 100 МГн
приИкэ=5В,lк=100мАнеменее.
типовое значение .
Граничное напряжение при / 3 = 30 мА нс менее
типовое значение .
Емкость коллекторного перехода 11ри Икг, = 5 В не
более.
Емкость эмиттерного перехода при ИэБ = 5 В нс
более.
Обратный ток кол.1ектора при Ик 6 = 30 В не более .
Обратпый ток эмиттера при Ил = 4 В не более .
Обратный ток коллектор-эмиттер при Икэ = 30 В, R 36 =
=О не более .
682
30-180
0,87 в
0,62*в
1,7 в
1,2*в
18 нс
4,5
9,7 *
12в
22*в
15 пФ
50 пФ
100 мкА
100 мкА
200 мкА


Предельные Jксплуатационные да1шые
Постояшюе напряжение коллектор-ба1а при Т, = 223 -: -
358 к.
Постоянное напряжение эмиттер-база при Тк = 223 -:-
30в
358 к.
4в
Граничное напряжение при /э = 30 ~1А при Тк = 223 -:-
358 к.
12в
Постоянный ток ко,1лектора при Тк = 223 -:- 358 К .
1А
Импу,1ьсный ток ко,1лектора нрн т" <:; 5 мкс, Q ~ 1О,
т.=223-:-358к.
1,3 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
11ри Т,=223 -:-343 К
1Вт
0,7 Вт
приТ,=358К.
Температура перехода
Те'11пература окружающей среды
393 к
От 223
ДО
т.=358 к
Пр им е чан и е. Монп1ж транзисторов в микросхемы осу­
ществляется в следующеч порядке: место монтажа в микросхеме
смачивается флюсом ФКСП, затем укладывается фольга припоя
ПОС-61 то:rщи11ой 30 мкс, раз"'1ером 1,9 х 1,9 мм. Микросхема
нагревается до теыпературы 473 К в течение 10 с. В момент
пайки транзистор притирается к :viecтy монтажа пинцетом. Уси,1ие
при.1агается к боковым поверхностя"'1 кристаллодержателя.
80
60
lfO
20
о
1
1
1
К T621fA, KT621fA М
{
' r\.
!"...
Uкэ =0,5 В
"" 'Г"'-..
-....
200 1/00
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тока
коллектора.
0,lf
KT621fA, КТ62'1А М
/
..... v
0,3
./
,,,
1./
v Iк/15=10
,,,
о
200 lfOO
Зависимость напряжения насы­
щения кол:тектор-эмиттер от то­
ка коллектора.
683


1,1
KT62lfA , KT62lfA М
1
KT621fA, КТ62Ч-АМ
/
,.- ......
~
1
./
./
1/
"
0,8
0,7
о
/
/
--
200
/
v
v
Iк/15 = 10
lfOO
Зависимость напряжения насы­
щения база-эмит 1·ер от тока
коллектора.
Ск,п<Р
KT621fA,
KT62ifAM
в ...........
............
.........
lf
о
lf
в
9
"- ..
r-. ..
'r---....
Икз =5
1
8
.... ........
в
f= 100 МГц
1
1
7
о
200 lfOO
Зависимость модуля коэффици­
ента передачи тока от тока
кол_1сктора.
Зависи'Vlость емкости кол_1ек­
торноrо перехода от напряже­
ния коллектор-база.
КТ634А-2
Jмиmтвр
~оллентор база
684
Транзис·1ор кремниевый ·ти-
1аксиа~1ьно-планарный 11-р-11 СВЧ
. генераторный.
Пре;:ншзначен для рабо гы в
генераторах и усилителях мощ­
ности в диаш1зоне частот l - 5 ГГц
в герметизированной аппаратуре
только в схече включения с общей
базой.
Бескорпусной с защитныч по­
крытием с гибкими выводами на
кристаллодержателе. Обоз на че11ие
типа приводится в этикетке.
Масса транзистора нс более
О,15 г.


Э.1ектрические параметры
Выходю1я "ющность (медианное ·значение) при ИкБ =
=20В.fк=J00:-.1А,/'=5ГГцне~1снее....
Коэффи1ше11т уси.1ения по мощносги * прн Р"'·" = 200 мВ"J,
Ию;=20В./к=100мА./=5ГГц.
.
.
Коэффш1иен 1 полезного действия кол~1ек1 ора * при р
-
= 20 0 \1В1. Uкь=20 В, fк=lOO ~1А./=5 ГГц ."ы~-.
ти1ювое ·значеrше
Гр<~ничн<1я ч<1стол1 11ри Uкэ = 1О В, fк = 100 мЛ не
\1енее .
типовое значение
Пос1оянная вреv1ени пепи обратной связ11 при ИкБ =
10В./'J =30мА./=100МГцнеболее
типовое значение .
Емкое 1ъ ко.1лекторного перехода при Uю; = 15 В не
более.
типовое зна<rение .
Емкое·~ ь 1м1п rерного переход<! при U'JБ = О не более .
Меж·ыектролные емкости держ<1теля:
!\.!ежду базой и кос1.rектором .
между базой и эмиттером .
между ко:1;1е[(торо~1 и эмиттером
Обратный ток кол лек 1ора при Uкi; = 30 В не бо.iее:
приТ=29SК.
нриТ=398К.
Обратный ток ·1ми г repa при и,Б = 3 В не более:
приТ=2l3-;-298К.
при398К.
Последовательные индуктнвноспr выводов :~ержате­
ля *:
базового .
эмиттерного
ко.1лекторного
Преде.1ьные ·1кеш1~·ата11иош1ые данные
Постоянное напряжение !(О.1:1е1;тор-база при Тк = 298 -;-
398 к.
Постоянное ншrряжение 1~шттер-ба·1а при Тк = 213 -;-
398 к.
Постоянный ток коллектора при т. = 213 -7- 398 К .
И:v~11у.1ьсный ток ко.1леКJора при Т, = 213 -; .-
398Ки
т" ,,;; 10 мкс. Q? 50
Постоянный ток базы при т. = 213 -7- 39~ К
.
.
Средняя рассеиваемая мощность кол.1сктора в ;шнами­
'Iеском режиме на частотах более 1 ГГц при т. =
213-7-298к.
прит.=398 К
Тепловое сопротивление переход-корпус
200 ~1Вт
l,75 -3 .4
17,5-34%
22.5*%
1.5 ГГц
2* ГГц
2пс
0,85 * пс
2,5 пФ
1,9* пФ
8пФ
0,61 пФ
0.44 пФ
0,003 пФ
0.5 мА
5мА
50 мкА
500 мкА
0.1 J нГн
0,3 нГн
0,5 нГн
30в
3в
0,15 А
0,25 А
75 мА
1,8 Вт
0,36 Вт
100 К/Вт
685


Температура перехода . .
Температура окружаю11(еЙ среды
423 к
От 213
до
т,=398 к
Пр нм е 'I ан и е. Пайка выводов прон1водится при температуре
493 К в течение времени не бо.1ес 10 с. Держатель транзистора
является базовым J~1ектро;ю~1.
....
800
700
600
500
~ Lf.00
; 300
Q_~ 200
100
,.,v
//
KT6JifA-2
~
/
.,.,....
ИкБ =20 В
Iк =0,1 А
f=5ГГц
11
800
600
~
Q,_~
200
KT63Lf.A -2
Рвх=200мВт,!к=0,1А
f=5ГГц
~_...
,,,/
//
"
О 50 100150200250300fdx,мВт о J 6 9 12 15 18ИкБ,8
Зависи~1ость выходной ~ющно­
сти ОТ BXOitHOЙ.
171(,%
25
20
15
10
о
KT6Jlf.A-2
1.----
,,....
/
/'
/1 UкБ=20В
/
/ Iк=О,1 А
f=5ГГц
11
100
200 300 Рв"мВт
Зависимость коэффициента по­
лезного действия от входной
мощности.
686
Зависимость выход11оii мощно­
сти 01 напряжения кол~1ектор­
база.
2,2
1,8
'С! 1,Lf.
0,6
о
J
/
/''
/
'10
KT6Jlf.A
-2
-... .... ..
....
.......
Икэ =10 В
во
Зависимость граничной частоты
от тока коллектора.


КТ63ЧА-2
KT63ifA-2
0,3
~V....-
1,6
0,2
/"
1,2 \
Ик 5 =tqв
v
\
f =100 МГц
о,1
о
6
v
1lf
18 Uкз,В
0,8
0,lf
о
"'-
20
lfO
Зависимость критического тока
от напряжения ко.1,1ектор-J"1Ит­
тер.
Зависимость постоянной време­
ни uепи обратной связи от то­
ка ко.1лектора.
КТ635Б
Транзистор кремниевый эпитаксиально-п,1анарный п-р-п переклю­
чате.1ьный.
Пре,'\назначен ДjlЯ импу,1ьс11ых и высокочастотных схем.
Выпускается в мета.1лос гек;1янном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхнос·1 и корпуса.
M<J.cca тр<J.н·3ис1ора не более 3 г.
23
6',6 '
Коштектор
Элек 1рические 11араметры
Ста1ический коэффшшент передачи тока в схеме с об­
щимэмиттером11риИк-э= 1В, lк= 500мА.
типовое значение .
Напряжение насыщения коллектор-·iмиттер при lк =
=500мА.lr;=50мАнеболее.
Напряжение насыщения база-эмиттер ЩJИ lк = 500 мА,
/Б=50мАпеболее.
·
Время выключения при fк = 500 мА, / 6 = 5q_ мА не
более.
типовое значение
20-150
40*
0,9 в
1,2 в
60 НС
45* нс
687


Время рассасывания при /к = 500, fь = 50 мА не бо­
лее
50 нс
Обр<ннь1й ток коллектора при ИкБ = 60 В не бо-
~
Юм~
Обратный ток эмиттера при и,ь = 5 В не бо.1ее
20 мкА
Обратный ток ко.1.1ектор-эмиттер при Икэ = 60 В, Rэь =
=О
не бо:1ее .
30 мкА
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
собщимэмиттеромпри U10=10 В. fк=50 ~1А не
менее.
типовое значение .
Емкость кол.1екторного перехода при ИкБ = 1О В не
более.
типовое значение .
Емкость эмиттерного перехода при Иэь = О пе более .
Граничное напряжение при /-э = l О мА не менее
типовое значение .
Постоянная времени цепи обратной свя·1и при Ию;=
=1 0 В. I,=30 мА:.f=5 МГц.
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база при Т = 228 -' -
200 МГц
460* МГ11
10 пФ
7.4*пФ
90 пФ
45в
52*в
25 ПС
358 к.
60в
Постоянное напряжение эмиттер-база при Т = 228 - ' -
358 к.
5в
Постоянное напряжение кол.1ектор-1"1иттер при R35 =
=о т=228-'-358к.
60в
Постоянный ток кол.1ектора при Т = 228 -' - 358 К
Импульсный ток ко.ыектора при Т = 228 + 358 К
Постоянная рассеиваемая мощность ко.1.1сктора:
приТ=228+298К
приТ=358К.
Температура перехода
Тепловое сопротивление переход-окружающая
сре-
да.
Тепловое сопротивление переход-корпус .
Температура окружающей среды .
688
lA
1,2 А
0.5 Вт
0.1 В1
393 к
190 К/Вт
63 К/Вт
От 228
ДО
т.=35~ к


h21Э
1'10
120
100
80
60
lfO
20
КТБ35Б
-г--...,
"
'
'"
Икэ=1В
'"'
',
['-...
0,5
0,lf
С1:]
~0,3
>:
,,;
~
0,2
о,1
КТБ35Б
[7
v
_,v
Iкlls =10
о
100 300 500 700 Iк, мА
О 100 200 300 Ч-00 500 600 Iк,мА
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тока
коллектора.
Ск,пФ
1lf
12
10
в
6
lf
2
"
"
КТ635Б
-....._
-
-
о lf812162021fИкs,В
Зависимость емкости коллектор­
ного перехощ1 от напряжения
кол.1ектор-база.
Зависимость напряжения насы­
щения ко:1лектор-эмиттер от то­
ка .коллектора.
КТ635Б
~i. --
-
.........
~ Uн6 =58
Iэ '=tонА
lfO
60
80 f,МГц
Зависимость коэффициеюа шу­
ма от частоты.
2Т904А, КТ904А, КТ904Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера­
торные сверхвысокочастотные.
Предназначены для работы в схемах усиления мощности, ге­
нерирования, умножения частоты в диапазоне 100-400 МГп в ре­
жимах с отсечкой коллекторного тока.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами.
Обозначение типа указывается на боковой поверхности кор­
нуса.
Масса транзистора не более 6 г.
689


1<.оллентор
;t
база/
Jми,ттер !
Электрические параметры
Выходная мощнос1ъ на /= 400 МГц прн L'кэ = 28 В
не менее:
2Т904А. КТ904А
КТ904Б .
Коэффициент уси.1ения по мощности ю1 /= 400 МГ11
приUкэ=28 В не менее:
2Т904А при Рвых= 3 Вт .
КТ904А при Роых = 2.5 Вт .
КТ904Б при Рвых = 2.5 Вт
Выходная мощность* на/'= 100 МГн при Икэ = 28 В.
Р., = 1 Вт 2Т904А. типовое значение .
Коэффициент полезного действия кол.1ектора при Ик-э =
28В.Р.,=1Вт2Т904А:
на /=400 МГц не менее
па / = !00 МГц типовое значение
Модуль коэффиниента передачи тоюt 11ри / = 100 МГц.
Икэ=28В.fк=200мАнеменее.
Критический ток при Икэ = 1О В не менее:
2Т904А. КТ904А .
КТ904Б .
типовое значение 2Т904А. КТ904А
Емкость коллекторного перехода при Ик~; = 28 В не
более.
Постоянная времени непи обратной связи при Икь =
10В.1-э=30мА.f=5МГцнеменее:
2Т904А. КТ904А .
КТ904Б .
Активная емкость кол:1ектора * при Ик~; = 28 В, типовое
значение
Суммарная активная и пассивная емкость ко.1.1сктора *
при ИкБ = 28 В, типовое ·1начение .
Емкое·~ ь ко.1.1ектор-)миттер *. типовое значение
.
Емкость эмиттерно1 о перехода* при И-э~; = О, типовое
значение
Со11ротивление
Сопротив:1ение
Индуктивность
ние
эмиттера*, типовое значение .
базы*, типовое значение .
вывода внутренняя*. типовое значе-
Индуктивность у конца вывода*, типовое значение •
690
3Вт
2.5 Вт
2.5
3
2.5
8Вт
3,5
400 мА
300 мА
800*мА
12 11Ф
15 !!С
20 пс
2.6 пФ
7.8 пФ
0.5 11Ф
130 пФ
0.1 Ом
1Ом
2,5 нГн
4 нГн


'~"
Статический коэффициент передачи тока в схеме с
общим эмиттеро\1*при Uкэ = 5 В. lк=0.25 А .
Граничное напряжение при /к= 0.2 А не менее . .
Напряжение насыщения кол.1ектор-эмиттер * при fк =
0.25 А. /Б = 0,05 А. типовое значение .
Напряжение насыщения база-эмипер * при lк = 0,25 А.
lr; = 0.05 А. типовое значение
Обратный ток ко.1.1ектор-э"11птер при RэБ = 100 О\1 не
бо.1ее:
2Т904А при f<кэ=65 В .
КТ904А. КТ904Б при Uкэ = 60 В
Обратный ток э~111ттсра при С'эБ = 4 В 2Т904А не
60.1ее .
ЕмкоС1ь выводов ·Jм1птера и базы* на корпус. ти­
повое "Jначение .
Емкость вывода ко.1.1сктора на корпус*. типовое зна­
чение.
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение ко:1.1ектор-база:
10-60
40в
0,3 в
0.9 в
lмА
l.5 мА
O.l мА
l,3 пФ
l,8 пФ
2Т904АприТп=213-:-423 К. . .
65В
КТ904А, КТ904Б при Тп = 233 -:- 398 К
60В
Постоянное напряжение коллектор-эм11·1 гер при RэБ =
100 Ом:
2Т904АприТ11=213-:-423 К . . .
65В
КТ904А. КТ904Б 11ри Тп = 233 -:- 393 К
60В
Пиковое на11ряжение на ко.1лскторе в динамическом
режиме при/~ 100 МГц:
2Т904Л при Т11 = 213-:- 423 К ..
КТ904А, КТ904Б при Тп = 233 -:- 393 К
Постоянное напряжение база-эмиттер:
2Т904А при Т11 = 213-:- 423 К .
КТ904А. КТ904Б 11ри Тп = 233 -:- 393 К
Постоянный ток коллектора:
2Т904А при Тп=213-:-423 К.
КТ904А. КТ904Б 11ри Т11 = 233 -:- 393 К .
Импульсный ток коллектора:
2Т904А прн Тп = 213-:- 423 К .
КТ904А. КТ904Б при Т11 = 233 -:- 393 К .
Постоянный ток базы:
2Т904А нри Тп= 213-:- 423 К .
КТ904А, КТ904Б при Тп = 233 -:- 393 К
Средняя рассеивае\1ая мощность коллектора в динами­
ческом режиме:
2Т904А:
при т.=213 -:-313 К
прит.=398 К .
КТ904А. КТ904Б:
при т.=233-:-313 к
прит.=358К.
75в
70в
4в
4в
0,8 А
0,8 А
1,5 А
1,5 А
0,2 А
0,2 А
7Вт
1,6 Вт
5Вт
2,2 Вт
691


Тепловое сопрот11в.1ение переход-корпус .
Температура перехода:
16 К/Вт
2Т904А
КТ904А. КТ904Б .
Температура кор11уса:
2Т904А
КТ904А. КТ904Б .
423 к
393 к
От 213
до398к
01 233
/Ю35SК
Пр им е чан и е. Допускается пайка выводов на расстоянии не
менее l мм от корпуса.
Транзистор должен прижиматься к теплоотводу с осевым уси­
лием 750 Н (крутящий момент 1,2 Н · м).
Усилие, пер11ендику.1ярное оси вывода. не более 0,5 Н; за­
прещается изгиб и кручение выводов.
600
500 ~-1--+---+--+---+---1
400t---#+--+---+--~-+---I
~ 300
;t 200
100
О 0,2 0/1 0,6 0,8 1,0Iк,А
Зависимость граничной частоты
от тока коллектора.
0,6
0,4
0,2
о
1
/
/
10
./
...--
2Т904А,_
-
КТ904А
Зависичость критического ток<~
от напряжения кол.1сктор-эм11т-
1ер.
1
1
2Т904А,
-с:, ,пс
2тэ1оцА (
20\
КТ904А,
КТ904Б
\
...............
~
10
о
Зависимое гь емкости ко.1лсктор­
ного перехода от напряжения
коллектор-база.
692
10
8
6
4
2
о
........
KT~04AI
f=S МГи,
1
1
~
1
1
1
1
1
UкБ =108
1
1
1
100
Зависимость постоянной време­
ни цепи обратной связи от rш:а
коллектора.


12
6
f=100 МГц
f=400МГц
10
5
8
ц
.. ..
.. ..
Q:1
6
Q:1
3
~
~
~
"'
а_.:!. ц.
о_~ 2
2
1
О о,ц 0,8 1,2 1,6 2,0~х,Br О 0,4 0,8 1,2 1,6 2,0f6x,Br
Зависимость выходной мощно­
сти от входной.
1,2
---._
1,0
Q:1
~ 0,8
11
"'
- $'-
0,6
....._
!:!
а._.:!. о,ц.
"'~ 0,2
а...""
100МГц
о
10
20 Uю,В
Зависимость относите.1ьной вы­
ходной мощности от напряже­
ния коллектор-эмиттер.
Зависимость выходной мощно­
сти от температуры корпуса.
Зависимость выходной мощно­
сти от входной.
...
12 r-т--т-т-r--т-.,.......,~~~~
2Т904А ,КТ904А,
1О .__.__,_..___.__КТ90 ц. Б
8 1-+-R~+-+-k±-++.jl--I
~ 6 Н-+-+-+-+-..........,1-+-+--+-~
!:!
а._.:!. ц.
ц.оо т;, ,к
Зависимость выходной мощно­
сти от температуры корпуса.
6г-т--т-т-~г-т--г--.--.г-т--.-..,-,
5
....
~ 3 H-t- -+- -+- --i --j __J---+" '- 1--- -1- --1 ---1
!:!
a._.:t. 2
f =LfOO МГц
Uкэ = 28 В +-i1-+--1-~
fб,= 1Вт
1 t-+-+-+-~-1-~-l--1---1--1---1
~o~o:'--l-'--'-:J<~o~o.J-J--l.......1..-.1.......1.....J
цоо т,,,к
,
693


2Т907А, КТ907А, КТ907Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-ш1анарные 11-р-11 генера­
торные сверхвысокочастотные.
Пре,с1на3наче11ы д.1я работы в схемах усиления мощности, ге­
нерирования. умножения частоты в диапазоне !00-400 МГц в
режимах с отсечкой ко:1.1екторноrо тока и в импу.1ьсных cxe:- ,, iax.
Выпускаются в \1е·1 ал.1окера."1ичсско:-,,1 корпусе с жесткими вы­
водами. Вывод эмиттера J.1ек грически соединен с корпусом.
Обозначение типа указывается на боковой поверхности корпуса.
Масса транзис гора не более 6 г.
Эмиттер
17
2J
11
э.1ектрическне параметры
Выходная мощность на /= 400 МГц при Uкэ = 28 В:
2Т907А при Р"' = 4 Вт не менее
8Вт
2Т907 А. КТ907 А при Р" = 4 Вт, тиновое зна-
чение .
КТ907Б 11ри Р8, = 4 Вт, типовое значение .
Коэффи1111ент полезно~ о действия ко,1лектора при Икэ =
=28В:
2Т907А при Р8, = 4 Вт. I= 400 МГn не менее.
типовое значение .
при.f=!50 МГц не менее .
КТ907А. КТ907Б при Рвх = 4 Вт. /= 400 МГn. ти­
повое значение .
Модуль коэффиниента передачи тока при /= 100 МГц.
Икэ=2~В,lк =0,4Анеменее:
2Т907 А. КТ907 А .
КТ907Б
Критический ток* при Uкэ = !О В. типовое значе­
ние
Емкость коллекторного перехода при UкБ = 30 В не
более.
Постоянная времени цепи обратной связи при I = 5 МГц.
ИкБ=10В,13=30мАнеболее:
2Т907 А, КТ907 А .
КТ907Б .
Активная емкость коллектора* при Ию; = 30 В. типо­
вое значение .
694
10* Вт
8* Вт
40 °,;
65*
0
•
0
68*
0
~
3.5
3
1.8 А
20 пФ
15 пс
25 пс
3,5 пФ


Сум:11арная активная и 11ассивная с:11кость коллектора*
при ИкБ = 30 В. типовое 111ачение .
Емкос1ь коллектор-э:11иттер *. типовое значение
.
Емкость J:У1иттерно1 о перехода * при ИэБ = О, типовое
значение
Емкость выво;щ коллектора на корпус*. типовое зна-
•1ение.
Емкое 1ь вывода базы на корпус*, типовое значение .
Со11ротивление э:v~иттсра *. типовое значение
.
Сопротивление ба1ы • .
типовое з11ачение .
Индуктивность вывода Jмиттера вну·1 ренняя *, типовое
значение
Индуктивное гь вывода базы в11утренняя *. типовое зна-
10 пФ
5пФ
220 пФ
5пФ
1,3 пФ
0,4 Ом
1Ом
0.8 нГн
чение .
2,5 нГн
Индуктивность базы у конпа вывода*, типовое зна-
че1111е .
4 нГн
Индуктивнос1ъ вывода ко.1лек юра внутренняя*, типовое
значснне
2_, 5 нГн
Индуктивность ко:1лектора у кон1щ вывода*, типовое
значение
4 нГн
Статический коэфф111111снт
общим эмиттером при
менее.
типовое 1иа чение.
передачи тока в схеме с
Икэ=5В,/к=0,4Ане
Граничное напряжение ко.1лектор-Jмиттер при lк = 0,2 А
не менее.
Напряжеипе насыщения кол.1ектор-эмит1ер * при /к =
0,25 А, /Б = 0 ,05 А. типовое значение .
Напряжение насыщения база-·J:vшттер * при Iк = 0.25 А.
/Б = 0,05 А. типовое значение
.
Обратный ток ко.1лектор-·Jмиттер при Икэ = 65 В, RэБ =
l00 Оч не более .
Обратный ток эмиттер-база при U-эБ = 4 В не более .
Пределы1ыс эксплуатац1юн11ые данные
Постоянное на11ряжение ко:шектор-Jми1· 1ер при RэБ =
100 Ом:
2Т907А при Т11 = 213-:- 423 К .
КТ907А, КТ907Б при Тп = 233-:- 393 К
Пиковое напряжение коллек юр-эмиттер в режиме
ратора мощности при/= 100 МГц:
2Т907Л при Т11 =213-:-423 К.
КТ907 А, КТ907Б при Тп = 233 -:- 393 К
Постоянное напряжение база-Jч1птер:
2Т907А при Т11 = 213-:- 423 К .
КТ907А. КТ907Б при Тп = 233 -:- 393 К
Постоянный 1ок коллектора:
2Т907А при Т11 = 213-:- 423 К .
КТ907А. КТ907Б при Т11 = 233-: - 393 К
гене-
10
50*
40в
0,35 в
0,9 в
2мА
0,25 мА
65в
60в
75в
70в
4в
4в
А
А
695,


Импульсный ток коллектора при Ти = 10 мкс, Q = 100:
2Т907А при Т11 = 213-;- 423 К .
КТ907А. КТ907Б при Т11 =233-;- 393 К.
Постоянный ток базы:
2Т907А при Т11 = 213-;- 423 К .
КТ907 А. КТ907Б при Т11 = 233 -;- 393 К
Средняя рассеивае"1ая мощность ко:1лектора в динами­
ческом режиме:
2Т907А:
при Тк=2l3-;-298 К
11риТк=398К.
КТ907 А, КТ907Б:
при Т,=233 -;-29В К
приТк=358К.
Тепловое сопротивление переход-корпус .
Температура перехода:
2Т907А
КТ907 А, КТ907Б .
Температура корпуса транзистора:
2Т907А
КТ907 А. КТ907Б
3А
3А
0.4 А
0.4 А
16 в[
3,3 Вг
12.6 Вт
4.7 Вт
7,5 К/Вт
423 к
393 к
От 213
до398к
От 233
до258к
Пр и меч ан и е. Пайка выводов допускаегся на расстоянии 1 1 с
менее 1 мм от корпуса.
Транзистор должен прижиматься к теплоотводу с осевым уси­
лием 750 Н (крутящий момент 1.2 Н · м).
Усилие, перпендикулярное оси выводов. не более 0.5 Н: ~а­
прсщается изгиб и кручение выводов.
При использовании 1·ран·mсторов в режимах класса А рекомсн­
дуе·1ся снижать напряжение питания, при это:-.1 постоянная рас­
сеиваемая мощность коллектора не должна 11ревы111ать 10 Вт 11р!1
Тк<::;323Ки2,5ВтприТк=398К.
696
2Т907А ,
1
КТ907А
500
-
,,,v--
- ......
'
/
'
/ Uкз=28 В
1
300
о
1
Зависимость граничной частоты
от тока кол"1ектора.


2Т907А,
t....-
i--
~КТ907А
""'
2
_L
v1
v
,
/
о
10
20 Uкэ ,В
Зависимость критического тока
от напряжения кол:1ектор-эмит­
тер.
'Lн, ПС
10
8
6
.
1
2Т907А,
КТ907А
1
"/'--... ..
]
·'·
f=5 МГц
ц-
~Uк5=10В
l1
1
2
о
0,1
0,2 Iк ,А
Зависимость постоянной време­
ни uепи обратной связи от то­
ка коллектора.
Рвы
10
8
6
ц
2
о
х ,Вт
~
2Т907А,КТ907А
/
/'
V"
...... v f='IOOMГu,
р, =4 Вт-
Вх
j
10
Зависимость выходной мощно­
сти от напряжения ко.•лектор­
эмиттер.
Ск,пФ
60
50
'10
30
20
10
о
\
\
\
1
1
2Т907А, КТ907А,
КТ907Б
~
J'.... ....
-
r---
10
Зависимость емкости коллек­
торного перехода от напряже­
ния коллектор-база.
Р9",,Вт
Т/к ' О/о
10
80
8
70
6
БО
ц
50
2
'10
30
о
2
3 ц Рб.'в
Зависимости выходной мощно­
сти и коэффициента, полезного
действия от ВХОДН()Й i'v!()ЩНОСТИ.
Рвых ,Вт
10
60
.___.._~.___.___.~....___,50
О
2 fн"Вт
Зависимости выходной мощно­
сти и коэффициента полезного /
действия от входной мощности.
697


2Т909А, 2Т909Б, КТ909А, КТ909Б, КТ909В,
КТ909Г
Транзисторы крсмниевЬ1е эшпаксиально-планарные п-р-п генера­
торные сверхвысокочастотные.
Предназначены для работы в схемах усиления мощности, ге­
нерирования. умножения '!i1стоты в диапазоне 100- 500 МГц в режимах
с отсе<1кой ко:шекторного тока.
Выпускаются в гермегичном че·1 а:1.1окера~шческом корпусе, 1ерме­
тизированном плас 1 массой. Выводы полосковые, вывод эмиттера
э,1сктрическн соединен с флаю1ем корпуса. Ус:ювное обозначение
типа указывается на верхней поверхнос-1 и корпуса.
Масса тран·JИстора не ()олее 4 г.
Zom§.
фJ,2
27
J
1S
!Ja.Ja
J,7
0,2
Электрические 1шраметры
Выходная мощность на / = 500 МГц
т.<;;313Кнеменее:
2Т909А ври Р8, = 10 Вт
2Т909Б при Рвх = 20 Вт
698
1 иповое значение*:
2Т909А при Р8, = 10 Вт
2Т909Б при Рвх = 20 Вт
КТ909А при Р8, = 10 Вт
КТ909В при Рвх = 10 Вт
КТ909Б при Р0, = 20 Вт
КТ909Г при Р., = 20 Вт
при Ик-э=28в.
17 Вт
35 Вт
24 Вт
42 Вт
20 Вт
15 Вт
40 Вт
30 Вт


Коэффи11ие11т по.~е1но1 о действия коллектора на
I= 500 МГ11 при Икэ = 2~ В. Тк.;; 313 К не менее:
2Т909А при Р8,= lО Вт
2Т909БприР0,=20 Вт.
типовое значение*:
2Т909А и КТ909А при Рвх = 10 Вт
2Т909Б и КТ909Б при Рвх = 20 Вт
Модуль· коэффи11иента передачи тока при I= 100 МГц,
Икэ=iOВнеменее:
2Т909А,КТ909Априlк=l.5 А.
2Т909Б. КТ909Б нри lк = 3 А
КТ909В11ри/к=1,5А....
КТ909Гпри'/к=3А. . ...
Граничная частота* при Икэ = 1О В. типовое значение:
2Т909А. КТ909А при /к= 1.5 А ...
2Т909Б.КТ909Бприlк=3А. . .
Критический ток при Икэ = l О В не менее:
2Т909А, КТ909А .
2Т909Б, КТ909Б
КТ909В ....
КТ909Г....
типовое значение:
2Т909А, КТ909А .
2Т909Б, КТ909Б .
Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 28 В не менее:
2Т909А, КТ909А . . . .
2Т909Б, КТ909Б, КТ909Г . .
КТ909В........
Емкость эмит repнoro 11ерехола * при ИэБ = О, типовое
значение:
. 2Т909А.
КТ909А. КТ909В .
.
.
.
.
.
.
2Т909Б. КТ909Б, КТ909Г . .
.
.
.
.
...
Постоянная времени не пи обратной связи при/= 5 МГ11,
Ик6=10Внеменее:
2Т909А, КТ909А при lэ = 150 мА
2Т909Б, КТ909Б нри /э = 300 мА .
КТ909В при lэ= l50 мА
КТ909Г при fэ = 300 мА
Активная емкость кш1~"Iектора * при ИкБ = 28 В, типовое
значение:
2Т909А. КТ909А. КТ909В
2Т909Б, КТ909Б. КТ909Г
Суммарная активная и пассивная емкость коллектора*
при ИкБ = 28 В, типовое значение:
2Т909А, КТ909А. КТ909В . .
•
.
.
2Т909Б, КТ909Б, КТ909Г . . . . . .
Емкость коллектор-эмиттер*, типовое значение:
2Т909А, КТ909А, КТ909В . . . . . .
2Т909Б, КТ909Б, КТ909Г . .
•
.
.
.
Емкость корпус-коллектор-эмиттер*, типовое значение
55 '/~
55 оо
3,5
5
3
4,5
650 МГц
680 МГц
3А
6А
2,5 А
5А
4*А
8*А
30 пФ
60 пФ
35 пФ
250 пФ
500 пФ
20 ПС
20 пс
30 пс
30 ПС
5пФ
9пФ
15 пФ
30 пФ
7пФ
10 пФ
1,7 пФ
699


Емкость корпус-база-эмиттер*, типовое значение.
Сопротивление эмиттера*. типовое значение:
2Т909А, КТ909А, КТ909В
2Т909Б, КТ909Б, КТ909Г .
Сопротивление базы*, типовое значение:
2Т909А, КТ909А, КТ909В .
2Т909Б, КТ909Б, КТ909Г .
Индуктивность вывода Э\IИтгера внутренняя*, типовое
значение
.
.
.
.
.
.
Индуктивность вывода базы* на расстоянии 3 мм от осно-
вания. типовое значение .
.
.
.
.
Индуктивность вывода коллектора* на расстоянии 3 :11м
от основания, типовое значение .
Граничное напряжение кол.1ектор-эмиттер не менее:
2Т909Априfк=О,1А...
2Т909Бпри/к=0,2А.
На11ряжение насыщения коллектор-эмиттер*, 1иповое
значение:
2Т909А, КТ909А, КТ909В при lк = 0,5 А, /Б =О,! А
2Т909Б, КТ909Б, КТ909Г при lк = l А, /6 = 0,2 А
Напряжение насыщения база-эмиттер*, типовое ·шачение:
2Т909А, КТ909А, КТ909В при lк = 0,5 А, lr; = О,! А
2Т909Б, КТ909Б, КТ909Г при fк = ! А, 16 = 0,2 А
Обратный ток коллектор-эмиттер при Икэ = 60 В,
R36 = !О Ом не бо;1ее:
2Т909А
КТ909А, КТ909В.
КТ909Б ..
КТ909Б, КТ909Г .
Обратный ток эмиттера при UэБ = 3.5 В не более:
2Т909А
КТ909А, КТ909В.
2Т909Б
КТ909Б, КТ909Г .
Предельиые эксплуатациоииые ~а1шые
Пос1оянпое напряжение коллектор-Jмиттер при RэБ =
=!О Ом:
2Т909 А, 2Т909Б:
приTn=298-;-433К.
приТп=213К.
КТ909А, КТ909Б, КТ909В, КТ909Г:
вриTn=298-7-393К.....
приТп=233К.
Пиковое напряжение коллектор-эмиттер при Rэь = ! О Ом:
2Т909А,2Т909БприТтт=213 -7-433К. .. . .
КТ909А, КТ909Б, КТ909В, КТ909Г при Ттт = 233 -;-
393к.
Постоянное напряжение база-Jмиттер:
2Т909А, 2Т909Б при Tn = 213-;- 433 К
700
0,85 11Ф
О,!5 Ом
О,! Ом
0,5 Ом
0.25 Ом
0А5 нГн
2.5 нГн
2 нГн
35в
35в
O,IR В
0,18 в
0,85 в
0,1\5 в
25 мА
30 мА
50 :11А
60 мА
4 :11А
6мА
8мА
10 мА
60в
50в
60в
50в
60в
60в
3,5 в


КТ909А, КТ909Б, КТ909В, КТ909Г при Тп = 233 +
393к........
.
.
.
.
.
.
.
.
3,5 в
Постоянный ток ко1Е1ектора:
2Т909АприТ11=213+433К. . . .
2А
2Т909БприТп=213+433К. . . .
4А
КТ909А, КТ909В при Тп = 233 + 393 К
2А
КТ909Б, КТ909Г при Тп = 233 + 393 К .
4А
Импу:1ьсный ток кол,1ектора при •и= 20 '11Кс. Q = 50:
2Т909АприТп=213-'- 433 К . . .
4А
2Т909БприTn=213+433К...
8д
КТ909А, КТ909В при Тп = 233 + 393 К
4А
КТ909Б. КТ909Г при Тп = 233 -:- 393 К
8А
Постоянный rок базы:
2Т909АприТ11=213+433К...
1А
2Т909БприТ11=213+433 К . .
2А
КТ909А, КТ909В при Тп. = 233 + 393 К
1А
КТ909Б, КТ909Г при Тп = 233 + 393 К
2А
Средняя рассеиваемая мощность коллектора в динами-
ческом режиме:
2Т909А:
приТ.=213+298В.
нрит.=398К.
2Т909Б:
при т.=213+298 к
приТ,=398К.
КТ909А. КТ909В:
приТ,==233+298К
прит.=358К.
КТ909Б, КТ909Г:
приТ,=233 -:-298 К
приТ,=358К.
27 Вт
54 Вт
14 Вт
25 Вт
8Вт
50 Вт
16 Вт
Теп.-~овое сонрm ивление перехо11-корнус
2Т909А. КТ909А, КТ909В . .
2Т909Б, КТ909Б, КТ909Г . . .
5 К/Вт
2,5 К/Вт
Температура перехода 2Т909А. 2Т909Б
КТ909А, КТ909Б, КТ909В. КТ909Г
Температура корпуса:
2Т909А, 2Т909Б . . . .
КТ909А, КТ909Б, КТ909В. КТ909Г
433 к
393 к
От 213 до
398 к
От 233 до
358 к
11 р им е чан и е. Допускается пайка выводов на расстоянии не
менее 3 мм от корпуса в течение времени нс бо,-~ее 1О с нри температуре
пайки не бо.'lее 533 К. Обрезание выводов разрешается на расстоянии не'
менее 5 мм от корпуса.
701


о246810Iк,А
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тока
ко.1лектора.
0,9
Uкэ = 108
0,7
с::
'-... 0,6
"-
'-
Ч-
0,5
О/+
2Т909Б,
КТ909Б
0,3
о2l/6Вlк,А
Зuвисимость граничной частоты
от токu коллектора.
12
101---+---+----1~-'-
8!---+-----+-
1/0
301---+--""'t..:~+---+--+---I ~ 6 t--+.f-+-ь-t-=+----1
"-
~
го 1----1 ---+
1о1----1--4-
о
Зависимость емкости коллектор­
ного перехода от напряжения
коллектор-база.
'Т:к,пс
10 1----1--+---'-.С-
9....._ __,.____. _
__.._
6
5,____._
_..._
_.__
_.__
_.__~
о
100
200 13 ,мА
Зависимость постоянной време­
ни цепи обратной связи от то­
ка эмиттера.
702
5 10 15 20 25Uкэ,В
Зависимость критического тока
от напряжения коллектор-эмит·
тер.
....
o:i
60
501-+- -+ -l- .+-11-+ - ' +-l- - .J - ..I
цо
~ J 0 ~Hl-/-f-+."'4-
~
201-+-+ -t7"'f7"l -+-+ - -+-+ - -1
о
10
Зuнисимость выходной мощно-
сти от входной.


60
50
....
цо
Q:J
~ З'О
Q.° "
20
10
о
10
Uкз,В
Зависимосrь выходной мощно­
сти от напряжения ко:1лектор­
эмиттер.
l/к,Х
70
60
50
цо
JO
20
о
10 Р8х,Вт
Зависимость коэффициента по­
:1езноrо действия от входной
мощности.
2Т911А, 2Т911Б, КТ911А, -. КТ911Б,
КТ911В,
КТ911Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиа:1ыю-п.танарные п-р-п генера­
торные сверхвысокочастотные.
Предназначены для применения в схемах усилителей мощности
в том числе при амплитудной модулянии в у'\.!ножите.тях часто­
ты и авто1·енераторах на частотах более 400 МГц при напряжении
питания 28 В.
Выпускаются в мета.1лоплас1 массовом корпусе с четырьмя гиб­
кими :1енточными выводами и монтажным винтом. Обозначение
типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 6 r.
0,2
Эмиттер
4,1
19
703


Эдектрические параметры
Выходная мощность при Ик, = 2R В. Кур~ 2. т.,,;; 313 К.
при/= 1,8 ГГц:
КТ911А
2Т91 IА. KT91 IB
нrи {= 1.0 ГГц:
КТ911Б
2T'J 11Б, КТ91 1Г
Коэффициен1 усиления по мощности при Икэ = 28 В.
Рвых = 0 .8 Вт, Тк,;;; 313 К./= 1с-1.8 ГГц. не менее:
2Т91 1А, 2Т911 Б, КТ91 1В. КТ911 Г .
KT91 IA. КТ91 JБ.
Коэффициент поле3ноrо действия коллектора* при
Икэ = 28 В, Рвых = 0 .8 Вт. Т,,;;; 313 К./= 1с-1,8 ГГц,
типовое значение . .
Статический ко:Jффнциент псре;щчи тока в схеме с общим
·Jмиттером * при Икэ = 5 В. /. '> = :юо мА. типовое
значение.
Модуль коэффшlиента псрелачи тока при /'= 300 МГц,
Икз=10В.fк=100мЛнсменее:
2Т91 IА
2Т91 IБ
KT91 IA, -КТ91 IВ.
КТ91 1Б. КТ91 1Г .
Критический ток коллектора при UкJ =- 10 В,/= 300 МГц:
2Т91 1А. КТ911 А не менее
ги11овое значение .
2Т91 IБ, КТ91 IБ не менее
типовое значение .
KT91 IB не менее .
КТ91 IГ не менее .
llос:тоянная вrемени 11епи обратной связи при ИкБ =
~10В,1,= 30мА./=5МГцнс60.1ее:
2Т91IА.2Т91 IБ, KT91 IA. КТ91 IБ.
KT91 IB ...
КТ91 IГ ..
Емкость ко:1лекторного 11ерехода при Uкь = 2Н В. f ~
= 5МГцне60.1ее.
типовое значение .
Е мк·ость эмиттерного 11еrехода * при u,Б =О, .f ~ 5 М Г11.
tи11овое значение .
Обратный ток коллектора при Uю; = 55 В не более:
704
при Т= 298 К:
2Т91 IА. 2Т911Б .
КТ91 1А, КТ91 1Б. КТ91 1В .
КТ91 IГ
при Т= 398 К:
2Т91 !А. 2Т911 Б
1.0 В1
О.& В1
1,0 Вт
0.8 В1
2
2.5
40
3,34
2.8
2.5
2
170 мА
220* мА
150 мА
220*мА
160 мл
140 мА
25 llC
50 rк:
100 llC
10 11Ф
4* 11Ф
18 пФ
3мл
5мА
10 мА
10 мА


Обра1ный 1ок ·~ми-~repa при UэБ = 3 В. Т= 298 К не
более·
2Т91 IА. 2Т911Б .
КТ911 А, КТ911 Б. КТ911 В. КТ91 IГ
Предс.1ь11ые экс11.ч·атац~ю1111ые :щ1111ые
Постоянное напряжение ко.1.1ектор-база
2Т911Л. 2Т911Б. КТ911А. КТ911Б.
КТ91 1В. КТ911 Г .
Постоянное на11ряжен11е ко"1.1ск 1ор- J\111Тrcp при
,,; 100 Ом:
2Т91 IА.
КТ911 В,
2Т911Б. КТ911А. КТ911Б
КТ911Г
Постоянное напряжение J.~шттер-ба·1а
Постоянный ток ко:1.;ектора
Сре;шяя рассеиваемая )<Ющность в дина VIИ'!еском реж11V1е:
при·т,,,;323 К 2Т911А. 2Т911Б; при Т,,,;298 К
КТ911А, КТ911Б. КТ9!1В. КТ911Г.
при Т,= 39R К 2Т911А. 2Т911Б .
при Т, = 358 К КТ911А. КТ91!Б. КТ911В. _КТ911Г
Тсп.10Dое сопротив"1сние пере\од-корпус
Теvrпература перехода:
2Т91 IА. 2Т911Б
KT9 llA. КТ911 Б. КТ911 В. КТ911 Г
Те~111ература корпуса:
2T91 IA, 2Т911Б
.
КТ911Л. КТ911Б. КТ911В. КТ911Г
1мА
2мА
55в
40в
40в
30в
3в
400 ~1А
3Вт
0.75 В1
1,05 Вт
33 К/Вт
423 к
393 к
01 213 до
398 к
От 233 до
358 к
Пр им е чан и е. Разрешается трехкратный изгиб вы волов на рас­
стоянии нс менее 3 мм от корпуса с радиусом закругления не менее
1 мм, а также подрезка выводов на расстоянии нс менее 5 мм
от корпуса. При изгибе и подрезке выводов должна быть обеспе­
чена неподвижность выводов на уqастке от корпуса до места 1п­
гиба или подрезки и исклю<1ена возможность nереда'!и усилия на
место нрисоедннепия вывода к корпусу. Допускается изгиб выводов
на расстоянии от 1 до 3 мм о r корпуса и по11рсзка на расстоянии
от З до 5 мм от корпуса при условии выполнения выще~азан­
ных требований и по метО!:.!!'~\С, не приводящей к нарущению
копструкпии и 1ерметиqности транзистора.
23 По.1упрово.:шнковые приборы
705


2Т911А, КТ911А
1, 3 1----+--+---~--+---+--___,
1,0
h
~ о,91----+--+---+----,.-<+---+--___,
"
o....:i о, 61--+ - -+ -7"-+ --+ --+- -- - --1
о,31----+--+---+-----+---+--___,
о 0,1 О,20,3О/+ 0,5fв~,Вт о 5 10 15 20 25Uк,В
Зависи.~1ость выходной ~;ошно­
сти от вхо,1ной.
2,2
2,0
1,8
ti; 1,6
"
о...~ 1,lf
1,2
1,0
"
'
2тв11s!
КТ911Б
1
1
Рнх=0,3Вт
Uкз =28в--
~
""""
~
Зависи:-1ость выхо;1ной мошно­
с1 и от напряжения источника
питання.
ТJн,%
7о1---+----1--+
60 1---+- --f"'-,. ., .L+
501----+----1~-+-~Ь---+------1
40
30
201---+ --l ---+ --l ---+ -----i
о,в
1оL--'---'----'--'--..__--'
О 0,8 1,0 1,2 1/./- 1,6 f, ГГц,
О510152025Uк3,В
Зависимость выходной мошно­
сти от частоты.
Кур
5
q.
3
2
1
о 51015202530Uк3,В
Зависимость коэффициента уси­
ления по мощности от напря­
жения коллектор-эмиттер.
706
Зависи:v~ость коJффицнента по­
:1езного .1ействия от напряже­
ния ко.1.1ектор-эч1п 1ер.
lhz1э J
10
8
6
q.
2
о
2Т911А, 2Т9115,
КТ911А,КТ911Б
Iк=:100мА
f = 300МГц
5 10 15 20 25Uкэ,В
Зависимость моду.1я коэффи­
циента нередачи тока от на­
пряжения коллектор-эмиттер.


1; /hгrэ /
2Т911А, 2Т911 Б,
КТ911А- КТ911Г
1
10
в ,_____ ___,_ ик J = 1о 8--1---<
6
f =300МГц
ц
2
о
100 200 300 Iк1мА
Зависн~юсть молуля коJффи­
циента перелачи 1 ока от тока
ко: ~лектора.
......,,_
l:t)
~
""
-:::;,°""
'-
с3'
"с3'
ц
3
2
о
2Т911А, 2Т911Б,
КТ911А-КТ911Г
Зависимость относительной ем­
кости ко,1:1ек горного перехо;щ
от напряже11ия коллектор-база.
12
~10
2Т911А , 219115,
ктs11А -ктs11г
~
CJ
"'>
11
"'
>--;
'-
~
'μ'
в
6
ц
2
о
UкБ =10 В
f =5МГц
'
200 I3 ,мА
Зависю.н5С1 ь опrосJАтс1ы10й по­
стоянной времени u;счи обрат­
ной связн о г тока )V. :~ rтсра.
Зависи~1осп, ем кости 'мн r r r:p-
нor о нерехода о 1 напряжспня
Jм ит гер-6аза.
2Т913А, 2Т913Б, 2Т913В, КТ913А, КТ913Б,
КТ913В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные 11-р-п rене­
ра торные сверхвысокочастотные.
Предназначены для работы в схемах усилею111 мошности, г;.­
нерирования, умножения частоты в диапазоне 200- iOOO МГц в ре­
жимах с отсечкой коллекторноrо тока.
Выпускаются в герметичном меrаллокерами<1еском корпусе с по­
лосковыми выводами. Обозна'Iенне т11па ука·и,шается на крышке
корпуса.
Масса транзистора не более 1.6 r.
23*
7fY7


2, 6'
Колnектор
20
Fаза
15,7
Электрические параметры
КоJффиuиент усиления по :-.ющносп1 на .f= 1 ГГн при
Икэ=28 В:
0,75
2Т913А при Рвых = 3 Вт, типовое значение
2.5
2Т91ЗБ при Рвых = 5 Вт, типовое значение
2.5
2Т913В при Рвых = 10 Вт, типовое значение
2.5
КТ913А при Рвых = 3 Вт не менее.
2
КТ913Б при Рвых = 5 Вт не '.1енее .
2
KT9f3В при Рпых = 1О В1 не '.1енее .
2
Коэффициент полезного действия ко.-~лектора на/= 1 ГГц
приИкз=28 В:
2Т913А при Рвых = 3 Вт. типовое значение
45•;0
2Т913Б при Рвых = 5 Вт. типовое значение
45 °0
2Т913В при Р0 "" = 10 Вт. типовое значение
55 ~о
КТ913А при Рnых = 3 Вт не менее
40 °0
КТ913Б при Рвых = 5 Вт не менее .
40°0
КТ913В при Рвых = 10 Вт не менее
50 °0
Граничная сшстота ко~ффшrиента 11ередачи тока при
Икэ = 10 В 2Т913А, КТ913А при /к= 200 мА;
2Т913Б, КТ913Б, 2Т913В. КТ913В при Iк = 400 мА
не менее
Критический ток при Икэ = 1О В не менее:
2Т913А
2Т9! ЗБ
2Т91 ЗВ
Емкость коллекторно1 о перехода прн ИкБ = 28 В не
более:
2Т9!3А
2Т913Б
2Т9!3В. КТ913Б
КТ913А
КТ913В
Постоянная времени цепи обратной 1.:вя·н1 прн .! = 30 !\1 Гн.
ИкБ=10В,/=50мАнеболее:
708
900 МГн
0,4 А
0,8 А
1.6 А
6пФ
JO 11Ф
12 пФ
7пФ
14 пФ


2Т913А. КТ913Б. КТ913В
2Т913Б, 2Т913В ..
КТ913А
Активная емкость ко.-1;~ектора * при Ию;= 28 В, ти-
повое -значение:
2Т913А. КТ913А .
2Т913Б, КТ913Б
2Т913В. КТ913В .
Суммарная активная и 11ассивная емкость ко.1,<ек1 ора *
при Ик 6 = 28 В, типовое зна<1ение:
2Т913А. КТ913А
2Т913Б. КТ913Б .
2Т913В. КТ913В .
Емкость коллектор-эмиттер*, ти rювое значение:
2Т91ЗА. КТ913А .
2Т913Б, КТ913Б .
2Т913В, КТ913В .
Сопротивление эмиттера•. ти11овое значение:
2Т913А. КТ91ЗА
2Т913Б, КТ913Б .
2Т913В. КТ913В .
Сопротивление базы*, типовое значение:
2Т913А, КТ913А .
2Т91 ЗБ, КТ913Б .
2Т913В, КТ913В .
Индуктиш;ость вывода баJы * на расстоянии 3 мм от
кор11уса, типовое нrачснис:
2Т913А, КТ913А .
2Т913Б, 2Т913 В. КТ913Б, КТ913В
И11ду1пивность вывоца ко.•:1ек1ора * на расстоянии 3 мч
or корпуса 2Т913А" КТ913А, 2Т913Б. КТ913Б, 2Т913В,
КТ913В, типовое значение .
Индуктивность вывода эмит repa • при заземлении обоих
выводов у основания. типовое значение:
2Т913А, КТ913А.
2Т913Б, КТ913Б, 2Т913В, КТ913В ..
Граничное напряжение коллектор-эмиттер при Iк = 75 мА
2Т913А, 2Т913Б, 2Т913В не более
....
Емкость эмиттерного перехода* при ИэБ =О, lи1ювое
значение:
2Т913А, КТ913А .
2Т91ЗБ, КТ913Б, 2Т913В. КТ913В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер* при Iк =
=250мА,/6=30мА
2Т913А, КТ913А, 2Т91ЗБ. КТ913Б, 2Т913В, КТ913В.
типовое значение.
Напряжение насыщения база-э"111ттера * при /к = 250 мА,
/ 6 = 30 мА, типовое значение
.
Обратный ток ко.riлектор-эмиттер при Икэ = 55 В,
RэБ = 10 Ом не более:
15 ш;
12 пс
18 пс
1,3 пФ
2,5 пФ
2,7 нФ
4пФ
8,0 пФ
8,2 пФ
0,7 нФ
1,5 пФ
1,5 пФ
0,15 Ом
0,1 Ом
0.05 Ом
3Ом
1,5 Ом
1,1 Ом
3 нГн
2,5 нГн
2 нГн
0,55 нГн
0,25 нГн
30в
40 нФ
80 пФ
'
0,28 в
0,86 в
709


2Т913А
. 2Т913Б.
2Т913В
КТ913А
КТ913Б. КТ913В.
10 мА
20 мА
25 -.tA
50 мА
Обратный ток ;;.ш rтера при С "ЭБ = 3.5 В не более
1мА
По.111ое входное сопро 111в:1еш1е в дина-.t11чсско"1 режи-.tе *
на /= 1 ГГ11 при Uкэ = 28 В. типовое значение:
2Т913А при Рnых = 3 В1
. (3 +j20) Ом
2Т913Б при Р""" = 5 Вт
.(1.2 + /lбJОм
2Т913В пр11 Рвых = 10 Вт
.(1,2+114)0м
Преде.1ьиые экс11.1}а 1 ацио1шые данные
Постоянное нанряжение кол.1ектор--~м111 тер при Rэ 6 =
= 10Ом:
2Т913А. 2Т9JЗБ. 2Т9JЗВ:
при Т,=298 -:-398К.
приТк=213К...
КТ913А. КТ91ЗБ. КТ913В:
приТ,=298-:-358К.
//>
прит.=228К...
Пиковое напряжение коллектор-эмиттер при Rэ 6 = 1О Ом:
2Т913А. 2Т91ЗБ. 2Т9!3В при Тк = 213-: - 398 К
КТ913А, КТ913Б. КТ913В при Тк = 228-:- 358 К
Постоянное напряжение эмиттер-бюа:
2Т913А, 2Т913Б. 2Т913В при Т, = 213-:- 398 К
КТ913А, КТ913Б. КТ913В 'при Тк = 228-:- 358 К
Постоянный ток коллектора:
2Т913АприТ,=2137398К....
2Т913Б. 2Т913В при Т, = 213-:- 398 К .
КТ913Априт.=228-:-358К... . .
КТ913Б. КТ913В при т. = 228-:- 358 К.
Импульсный ток ко:1.1ектора:
2Т91ЗА нри Т,=213-:-398 К . . .
2Т913Б. 2Т913В при Т, = 213-:- 398 К.
КТ913А при Т,=228-:-358 К . . .
КТ913Б. КТ913В при Т, = 228-:- 358 К.
Средняя рассеиваемая ~ющность кол.1ек iopa в динами­
чсскоч режиме:
710
2Т913А:
при Т,=213 -:- 328 К
прит.=391\К...
2Т913Б:
нри Т, = 213-:- З43К.
прит.=398К.
2Т913В:
при т.=213 -:-298 К
прит.=398К.
КТ913А:
при т.=228 -:-328 К
прит.=358К.
КТ913Б:
при Т,=228 -:-343 К
прит.=358 К.
55в
45в
55в
45в
55в
55в
3.5 в
3.5 в
0.5 А
IA
U,5 А
IA
IA
2А
IA
2А
4.7 Вт
1.2 Вт
12 Вт
2Вт
4,7 В1
3,2 Вт
8Вт
6,5 Вт


КТ913В:
при Т,=228 -;-298 К
приТ,=358К. . .
12 Вт
6Вт
Тепловое сопротивление нереход-корпус:
2Т9\3А, КТ913А .
20 К/Вт
10 К/Вт
2Т913Б, 2Т913В, КТ913Б, КТ913В
Температура перехода . .
Температура корпуса:
2Т913А, 2Т913Б, 2Т913В
КТ9\3А, КТ9l3Б, КТ913В
423 к
От 213 до
398 к
От 228 до
358 к
П р и м е ч а н и е. В процессе присоединения выводов температура
корпуса в любой его точке не должна превышать 358 К. Изгиб
и обрезание выводов допускается на расстоянии не менее 3 мм
от корпуса.
При ·жсплуатации оба вывода эмиттера должны быть симмет­
рично соединены в схеме. На •1астотах менее 200 МГц должны
применяться облегченные режимы при пониженном напряжении пи­
тания.
Тр:шзисторы 2T9l3A и КТ913А могут быть использованы в ли­
нейных усилителях в режимах при Икэ .;; 6 В, lк .;; 500 мА.
2Т913~,КТ913А
5,0l--+---+-~-1----1-----1
f = 100МГц
2,5
о
Зависимость модуля каэффици­
ента переда•ш тока на высокой
частоте от тока коллектора.
Jhz1э J
10,0t...L.--i~~~~.;:o...,.j---I
5,0 2Т913Б,КТ913Б,
2Т913В,KT91J8
2,5 1--+--+--+--1--~
f =100МГц
о 0,Ц 0,8 1,2 1,Бlк,А
Зависимос1ъ модуля коэффици­
ента передачи тока иа высокой
частоте от тока коллектора.
711


3L__LLJ,,::::r:t:::::l-_ _ j_ _ __j
2Т913Б,КТ913Б
21------.41-,L---l~-+~-t-~--1-------;
о 10 20 30 1/0 50Uкэ,В
Зависимость критического тока
от напряжения кшшектор-эмит­
тер.
Ск,пФ
1о1----А.--+--
81---+--Р....:.'
- -.i .-... .1
61-- .... -if---!--
о 10 20 30 ЦОUк5,В
Зависимость емкости коллектор­
ного перехода от напряжения
коллектор-база.
6
2Т913А,КТ913А
51-~1----1~-+~-+~-+~~
о 0,2 а,ц 0,6 0,8 1,ОР8х,Вт
Зависимость выходной мощно­
сти от входной.
712
'Т:к, пс
1~0'--".........,'----'~_..~-+-~~
5,0
2,5
о 50 100 150 200 I3,мА
Зависимость постоянной време­
ни цепи обратной связи т
тока эмиттера.
С3,пФ
1001---+- -+ - -+ - --1 - --1
80
601--~~-+---'-;----+---I
2Т913А, КТ913А
о
2 3" цU35,B
Зависимость емкости эмиттер­
ного перехода от напряжения
эмиттер-база.
12
10
~8
<r::>
'~ 6 L---11----1~"'-i
...
~
о 0,8 1,6 2,Ц J,2fвюВт
Зависи:vюсти выходной мощно­
сти от входной.


1lf --.---т--.-----.---.---,
2
о,__~_,,.,,...__._-:-'::---:7--~
15
20
25 Uкз, В
Зависимости выходной мощно­
сти от напряжения ко,1лектор­
эмиттер.
1/f
12
10
>-в
~
о
2ТS13Б] КТS13Б
f~1 ГГц ,- 'хР
-Uкз==2В В 1
•
·,
,...J'вх == 1Вт 2
'
Кстu=3 /
\
.
,
\
\
1
\
1
\
,f'вых
i---
·-"
... ...... ....
...
-
,.. ....-
Зависимость выходной мощно­
сти и мощности рассеивания
коллектора от фазы коэффици­
ента отражения нагрузки при
рассогласовании.
КТ916А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарнь1й п-р-п генератор­
ный сверхвысокочастотный.
Предназначен для работы в схемах усиления мощное ги, гене­
рирования, умножения частоты в диапазоне 200-1000 МГ11 в ре­
жимах с отсечкой коллекторного тока.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковыми
выводами. Обозначение типа указывается на верхней крышке корпуса.
Масса транзистора не более 2 г.
·
2,6'
О,75"
.9миттер
20
Коллектор 11, 5 "
.J
15", 7
713


Электрические параметры
Коэффиuнснт усиления по мощности на / = 1 ГГц при
Рвых=20 Вт, Икэ=28 В не менее .
типовое зна•1ение .
Коэффиuиент нолезного действия коллектора на f = 1 ГГц
при Рвы'=20Вт, Икэ=28 В не менее .
пшовое ·тачение
Граничная частота козффициента передачн тока при
Икэ= 10 В:
прнIк=1,5 А
при Iк=2,6 А
приlк=1,5А,
не менее .
не менее .
гиповое значение
Критический ток* при Икэ = 10 В, тнповос ·значе-
нис
ЕмкосJъ коллекторного перехода при Икь = 30 В не
менее.
nшовос значение .
Пос1оя11ная вре~1сни цени обратной свя·ш при ИкБ =
0~ 10 В.!·~~' 100 мА,/=30 МГц не более
тн11пр:о~ зrн1·~'-"f~1-н~ •
Актиtтвя сУ1;,11сп. коллектора* при tfкэ 0~ 30 В, пшовое
значС'ние
Суммащ1ая а1' пшная и пассивная с~жость коллектора*
при Uю; се 30 в. ПШО3Ое :шачение .
Емкость ко.1лектJр-э~штп·р *, типовое зна•1сние
Сопроп:влечис ба1ы*, тнповое значение.
Сопротивление эмиттера*, типовое значение .
Емкость эУ!иттерного перехода* при ИэБ = О, типовое
значе1ше.
Индуктивное 1ъ эмиттерноr о вывода при симметричном
зазем_1ении у с•сно0ш1ия карпуса *, типовое значение.
Индуктивность базового вывода у основания корпуса*,
типовое знач~ние .
Индуктивность коллекторного вывода у основания кор­
пуса*, тип"1вос значснве
Стап1ческиi! ь.0··1ффш1.иен1· передачи тока в схеме с общи'\1
ЭМУ.И ером* ;~)и Ик:сJ = 5 В, lк ~ 0,25 А, типовое
значение
Нзпрюкеанс насн•цення l'').'IЛсКJор-эмнт1ер" п;:зи /r; =
= U,25 А, 11; = fJ.tJ:\ А, пшово~ зна•1сш1е
Напря>ц.е1шс ш~сыщсния база-эмитrер ~ при Iк = 0.25 А,
Ii; = 0.03 А, ТИ'1Оl'Ое :шачение .
Об1х1тный ток ко,1:1ек rор-эм1пте,1 r1ри L\·э = 55 В,
Rэ6=10 Ом не l)оле.~ .
~j яе l',,ur.e
гг,~. U10 =
2,25
2,5 *
45 ~u
55* %
1,1 ГГц
0,8 ГГц
J,4* ГГц
2,8 А
20 пФ
14* пФ
10 пс
4*пс
4пФ
12 пФ
1,5 пФ
0,7 Ом
0,05 Ом
190 пФ
0,35 нГн
1 нГн
0,6 нГн
35
0,2 в
0,98 в
25 мл
·1 мА
Обра·тый ·1 сщ Э\'fll' rep-G;1.1a при l!-: ,i; " ::,.~
Полно~ RXO)J.Hue CU1I;.."' ·JTPR:ICHJiC * нри / ;:..· 1
= 28 В, Ри,~х =::юн," типовое ·1ш1чt:{•:1с.
·~'1 +jl7\Ом
.., ,,.::
Полrю~ ~·0111.·св:•.,· ~;.:пе нщру:1:'1~" 1 гс ( ·· 1
1
·~·:1, [';.:"
= 2R Н, Р't!.н:-. :--- ::о Вт~ -;:т1L1vзс1 ;: ,"н t(JC(fC3
•
• (2 ·1-/б) о~'·
714


Предельные эксп.1уатациоиные дан11ые
Постоянное напряжение ко:r.rектор-база:
fl[ШТ,=298-7-358К.
приТ,=228К.
Постоянное напряжение ко_1_1ек 1оr-эхшттер пrи R-эБ =
10 Ом:
55в
45в
приТ,=2У8 -7-358К.
55В
нриТ,=228К.
45В
Пиковое наr1ряжеrrис ко.1:rектор-эмиттер в динамическом
режи:v1с при Т,= 228 -7- 358 К .
55Н
Постоянное напряжение эми п еr-база при Тк = 228 -;-
358 к.
Постоянный rок ко.1лектора при Тк = 228 -7 - 358 К .
Ихшу.1ьсный ток ко_1.1сктора при 'и= 5 нс, Q = 10,
3,5 в
2А
Т,=228 -;-358
4А
Постоянный ток базы при Т, = 228 7 358 К .
Средняя рассеиваемая мощность ко.1лектора в динами­
ческом режиме:
при Т,= 228 -7- 298 К
приТ,=358К.
Теп.1овое сопротив:1ение пepexo;1-кorrryc
Техшеrатура перехода
Темнеrатуrа корпуса
IA
30 Вт
16,7 Вт
4,5 К/Вт
398 к
От 233 до
358 к
Пр им е чан и е. При температуре менее 433 К ограничений на
место пайки выводов не нак.1адывастся.
J
2
о
КТ916А
/
~
1
10
Зависимость критического тока
от напряжения коллектор-эмит­
тер.
..::
1,8
1,6
1,' f
'--._
1,2
~
...:: 1,0
о,в
0,6
о
11
1
КТ916А
,
"""
'\i
\
'
\
Uкз =10 В
\
2J
Зависиvюсть rрани<нюй частоты
от тока коллектора.
715


т. ,пс
\ КТ916А
1
6
'
1
1\
Uкз =108
"
5
............
r-. .
-
Зависнмость пос гоянной време­
ни цепи обратной связи от
тока Jмиттера.
24
20
16
...
""~ 12
"<
Q_~
8
4
о
2 4 6 8fв,,Вт
Зависимое r ь выходной мощно­
сти от входной.
КТ91бА
20
./
/"
/i
1'
/
f=1ГГц _
Рвх=8Вт
11
о
10
20 Uкэ,В
716
Ск, п'Р
201--~+-~+-~+--~+--~
'Зависимое 11, е\1кос1 и ко.1:1ек 1ор­
ного 11ерехода 01 напряже11 ия
ко.1.1ектор-база.
77н 'о/о
60
50
40
о2468fвх,Вт
Зависимость коэффициент а по­
.1ез1rого действия от вхот1ной
МОЩfЮСПI.
Зависимосп. выходной мощно­
сти от напряжен11я ко,1лектор­
эмиттер.


КТ918А, КТ918Б
Тран1нсторы кремниевые эпнтаксиа.11ьно-план<1рные п-р-п генера­
торные сверхвысокочастотные.
Предназначены д.1я применения при вк;~ючении с общей базой
в cxe:viax усилителей мощносrи и rенераторах на частотах от [ до
3 ГГц 11ри напряжении питания до 20 В гср\1етизированной ап­
наратуры.
Выпускаются в керамическом корпусе с частичной герметизацией
с гибкими ленточными выводами. Обо·шачснне типа нриводится
на корr1усе.
Масса тран1истора не 6001ее О, 15 г .
.Jмиттер
К0;111ектор
Электрические параметры
Выходная мошность при ИкБ = 20 В, I = 3 ГГп,
типовое значение:
КТ918А при Р8, = 125 мВт .
КТ918Б при Р., = 250 мВт .
Коэффициент усиления по мощности не менее .
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
с общим эмигтером при Икз = 10 В, lк = 100 мА
не менее:
КТ918А
КТ918Б
Постоянная времени цепи обратной связи при Ию; =
= 10В,1,= 30мА,/=100МГпнеболее:
КТ918А .
КТ9l8Б .
Емкость ко.1лекторного перехода прй ИкБ = 15 В, ( =
= 10МГцнеболее.
Емкость эмиттерного перехода при ИБэ =О,/= 10 МГц
не более .
250 мВт
500 мВт
2
0,8 ГГц
\,О ГГц
15 нс
4НС
4,2 пФ
15 пФ
717


Обратный
Обратный
ток кол:~ектора при Uю; = 30 В не
ток э>.шттера 11r11 Иr,э ~~ 2.5 В не
более
более
Предельиые з1;-сп.r1~·ата111101шые да1шые
Постоянное на11ряжение ко.1.~ектор-ба 33
Постоянное напряжение 'J'>IИ 1·1ер-база .
Постоянный ток r;о_~.1ектоrа
Средняя рассснваеча~r МОЩНОСlЬ в .1в11ачrrческом rеж11ме
(нри Г~ 1 ГГо):
при Тк=' 291' К
.
при т.=З~i\ К
.
Тепловое co11ro1 ннление 11ерtход-корпус
Температур<\ r1ерехоца
Тсмпературl: корпуса
2мА
100 мкА
30в
2.5 в
250 -.1А
2,5 Вт
1.3 Вт
50 К/Вт
423 к
01 213 до
358 к
П р им сч а н в с. Монтаж тра~пи(.: r ора в микроо.е~tу осущес 1·вля­
ется r1у1,;ы 11рrшай1;и KGpayca т~,а;лнс 1ора к н·н:1со: поrошrей по­
верх11ос 1и.
Тенлоптво1t, на ICO ~орый мо~j i'Ируе н.:я 1pa11-~11t.:·l1.Jp. д0.'1iheH бь11ъ
облужсн o.oe11Jo~.1 ~олщиной 10 ;v.км и::ц cepcGpo\1 ~о:1щипоii 10 мкм.
()c-rI1.."°'Hi:!~•IIe KCJpr1y~~a перед :1·1ii:<o11 нrобхолн~r~о о3с ~жн;~ить эп1-
ловьrм с1а:р 1,п~.1 с номощы-о ва ПIQro 1а:-лпо1:а
в IOl'l .CCIBC 11р•-11юя ~ЮЖН!! ИС!!•:-н.:ю11:11ь С!!JЫВЫ с тошературоi!
плавлснrrн мсн<'е 423 К. Например. шr;<>.;;i--cepeGpo (3 °0 ) или ин/щ[1-
олово (41'
0
)
(пр11:-.1енешrе др)rН.\ пр1>ПОС!J н,~ допус;ц1еrся). Пр1!­
пой нрока Гbldat' l'CH ;:{О то:'ЩИIJЫ 0,05 - - о.о 7 мм н H<i;'CHt'JCЯ на
прямоу~·о:н.нио:и ра·,мсрам 2,IJ >( 4. :,1~1. обе1жнрнваегся кипячен11е~1
в четырех хлор нс т~1 уг 1~[1'),1~.
Мес10 монrdжа тμа11-{исторJ Аг. ~"С.1.1оот1·~сл Сi\,,.ачив~-1ется сrrирто­
вым раствором ка11ифоли. !loc;ic '!('ГО монтируен:~ ~р.нпистор.
Пuйка транJист<~рз на тсплоо гвод пrшпRо,111 н:н в печи с инерт­
ной атмосферой при 1ем11~ра1 уре не более 4 73 К.
Пайка г.ыводов JMИI гсрэ и коллск юра r1роr13водится с помоwью
микропая:1;.1r11к:1 1v.ощ1юсtъю 11.~ 60:1~е 15 Вт на расстоянии 3 мм •>!'
корпуса. Вре.~!Я r1аi1кн 1.с донжно 11рсвышать 3 с.
Дouy.:i..,1crc• !r:li-i'<a вывоJ;,ов на расстоянии менее ·; мм 01 кор­
пуса, ес:ш ври Jroм тем~н:ратура корпуц: не прсвыш.нст 4,13 К.
И :н н·1 выводов довускается на расстояшrи нс более J М\1 о r
корпуса траазпl'ТО~'а с i·:c;t>·;-cc1м ·3акгу: лсr:иf' l ,5 "2 \JM. При 1п"
гибе должна быть об~::спсч~~па :{~f11J,1r.нжнас1ь учасrка вывnда мсж.Е'у
местом ияиоа 11 коμ<1у<:О\1 г.рибора.
2Т919А, 2Т919Б, 2Т919В~ KT9l9A, КТ919Б,
КТ919В, КТ919Г
Транзпсторы крсl\IН1-н:~оы;, эпrrтаксн~~ г~ъно-11;1лнар:1ые п-р-11 гсн~р11А
горные С!k'рхвысокочаст1..1т11ыс.
llредп:1~~нач:~ны ,'!JBI p~fo i ~А ь сх:;?~,~:~х у~а_,,( ,>J;r м:.)й_~:-~ости, J-ен =:-
718


рирования, у\1rюжения частоты в диашлоне О, 7 - 2,4 ГГц в режимах
с отсечкой ко:1.1ек горного тока.
Выпускаются в метал,1окерамических корпусах с полосковыми
вывода\1и. Транзисторы КТ9\9А, КТ9l9Б, КТ919В, КТ919Г имеют
допо.11rитель11ую пластмассовую обо,1очку. Условное обозначение типа
дае1ся на верхней части корпуса: транзисторов 2T9 l 9A - буква А
и зе:1еная точка, 2Т919Б - буква Б и черная точка, 2Т919В
-
буква В и белая точка. Обозна<1ение типа дается на этикетке.
Обозначение типа грапзисторов КТ919А, КТ919Б, КТ919В, КТ9\9Г
дается на верхней части корпуса.
Mucca 1ра11зисторов не более 2,2 r.
Тип тран- JJ,
зистора
мм
2Т.979А
()
74-
2Т97.95
6
К0tиектор
2Т.91.9 В
()
КТ91.9 А
7,S
КТ.919 5
7,S
КТ97.9 В
J,S
КТ.97.9 Г
7,S
э.~ектр11чес1..:11е параме1·ры
Выходная мощное1ь rш / = 2 ГГп при L'кь = 28 В,
Rэr. = 0,4 0~1:
2Т9\9А. КТ9\9А при Рвх = 1 Вт:
не менее .
типовое ·3ю1чение
2Т9l9Б, КТ9!9Б при Р 0 , = 0,5 Вт:
не ченее .
типовое значение
2Т9!9В. КТ919В при Р8, = 0.2 Вт:
не :vieнee •
типовое значение
КТ919Г при Р8, = 1 Вт:
не ~1енее .
типовое значение
Коэффициент по.1езного действия ко:rлектора на
f=2ГГцприИкБ=28В,RэБ=0,4Ом:
3,5 Вт
4,4 Вт
1,6 Вт
2Вт
0,8 Br
1Вт
3Вт
3,5 Вт
719


2Т919А, КТ9\9А при Р8, = 1 Вт, типовое зна-
чение .
33 /~
2Т919Б, КТ9\9Б 11ри Р8, = 0,5 Вт, типовое
значение
30 /~
2Т919В, КТ919В при Р8, = 0,2 Вт, типовое
зна•1ение
КТ919Г при Р8, = 1 Вт, типовое значение .
Модуль коэффициента передачи тока при/= 300 МГц,
ИкБ=10Внеменее:
2Т919А, KT9l9A, КТ919Г при /к= 0,5 А.
2Т919Б, КТ919Б при /к= 0,25 А .
2Т919В, КТ919В при /к= 0,1 А .
Критический ток нри ИкБ = 1О В не менее:
2Т919А, КТ919А
2Т9\9Б, КТ919Б.
2Т919В, КТ919В
КТ919Г .
Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 28 В:
2Т919А не более
2Т919Б не более
2Т919В не более
КТ919А, типовое значение
КТ9\9Б, типовое зна•~енис
КТ919В, типовое значение .
КТ919Г, тшювое значение .
Постоянная времени цепи обратной связи при
f=30 МГц, ИкБ=10 В, /э=50 мА не
более
Активная емкость коллектора* при Икь = 28 В,
типовое значение:
2Т919А, КТ919А. КТ9l9Г
2Т919Б, КТ919Б
2Т919В, КТ9!9В
Суммарная активная и пассивная емкость коллек-
тора* при ИкБ = 28 В:
2Т9\9А, КТ919А, КТ9\9Г, типовое значение.
2Т919Б, КТ919Б, типовое значение .
2Т919В, КТ919В, типовое значение .
Емкость коллектор-эмиттер*, типовое значение:
2Т919А, КТ919А, КТ919Г
2Т919Б, КТ919Б
2Т919В, КТ919В
Емкость вывода эмиттера на корпус*, типовое зна-
чение
Емкость вывода коллектора на корпус*, типовое
значение....
Емкость эмиттерного перехода* при ИэБ = О, типо­
вое значение:
720
2Т919А, КТ919А, КТ919Г
2Т919Б, КТ919Б
25 /~
30%
4,5
4,5
4,5
l,l А
0,5 А
0.22 А
\А
10 пФ
6,5 пФ
4,5 пФ
10* пФ
6,5* пФ
4,5* пФ
12* пФ
2,2 [JC
2,5 пФ
1,5 пФ
0,7 нФ
7,5 пФ
4пФ
2пФ
0,4 пФ
0,2 пФ
О,\ пФ
2,6 пФ
1,9 пФ
50 пФ
25 пФ
·j ·(;


;~
1
1
21919В, КТ919В.
Сопротивление эмиттера• 2Т919А. КТ919А. КТ919Г.
типовое значение .
Со11ротив.-тение базы*, вшовос 3наченис:
2Т919А. КТ919А. КТ919Г
2Т919Б. КТ919Б .
219198. КТ9198
.
Сопропшлеш1е кол.-тсктора *. н1повое з11аченис
21919А. КТ919А, КТ919Г
2Т919Б, КТ919Б
2Т9198. КТ9198
Индуктивность вывода ба"Jы в11утрен11яя *. ги11овое
значение:
2Т919А. КТ919А. КТ919Г
2Т919Б. КТ919Б .
219198. КТ9198
.
Индуктивность вывода э:-,111ттсра внутренняя*. 11шо-
вое ·1на чен ие:
2Т919А. КТ919А. КТ919Г
2Т919Б. КТ919Б
2Т9198. КТ9198.
И11дук1·11внос1ь вывода ко.1лектора внутренняя*. ти­
повое значение .
Обратный ток ко.1,1ектора прн СкБ =. 4 5 В не бо:1ес:
2Т919А. КТ919А. КТ919Г
2Т919Б, КТ919Б .
2Т919В, КТ919В.
Обратный ток Jшптсра при Uэi; = 3 .5 8 не Go.:ice ·
2Т919А. КТ919Л. КТ919Г
2Т919Б. КТ919Б
2Т9198. КТ919В
Полное входное сопрот11в.'1е1ше * при .! = 2 ГГц.
Uкь=2R В, Р3,~1 Вт. Р6 ы,,=4.5 81 2Т919А,
12 пФ
0.14 Ом
0.5 Ом
1Ом
2Ом
0.7 Ом
1.4 Ом
3 ()\,1
0.14 нГн
0.25 ·f1Гн
0.35 нГн
0.5 ·н.rн
0.8 нГн
1.3 нГн
0.7 нГн
10 мА.
5 \1А
2мА
2мА
мА
0.5 мА
типовое зна'1ение .
(2.2 +jlб) Ом
110.нюе сопротивлсн11е на~ рузки * при /= 2 ГГц,
Uк6=28 В. Р0,= 1 Вт. Р0ы,=4.5 Вт 2Т919А.
111повое значение .
(2.1
-
/2.5) Ом
Предельные эксп.1уа 1·ацнонные ланные
Постоянное напряжение коллектор-база:
2Т9J9А. 2Т919Б, 2Т919В при Т. = 213 -с- 398 К .
КТ919А, КТ919Б. КТ919В. КТ919Г:
прит.=298-с-373К.
прит.=228К.
Постоянное напряжение эмиттер-база:
2Т919А, 2Т919Б, 2Т919В при Тк = 213 _ ,. 3 91\ К
КТ919А, КТ919Б. КТ919В, КТ919Г при Т, = 228 _,.
373к.
45в
45в
408
3.5 в
3,5 в
721


Постоянный 1ок коллектора:
2Т919А при Т,=213+398 К
2Т919БприТ,=213+398К.
2Т919Впри 'Г,=213+398 К.
КТ919А. КТ919Г при Т, = 228 ~ 373 К
КТ919Б 11ри Т,=228+373 К ..
КТ919В при Т,=228+373 К ..
И:-.ту.1ьспый ток К(n:1ектора при '" = 2 0 мкс. Q = 50:
2Т919АприТ,=213+398 К
2Т919Б11риТ,=213+398К. . .
2Т919Впр11Т,=213+398К. . .
КТ919А. КТ919Г при Т, = 228 + 37.'
К
КТ919БприТ,=228+373К.
КТ919В 11ри Т,=228+373 К
Постоянный ток базы:
2Т919А при Т,=213+398 К.
2Т919БприТ,=213+398К.
2Т919В при Т,=213+398 К
КТ919А. КТ919Г при Т, = 228 + 373 К
КТ919Б при Т,=228+373 К ..
КТ919В при Т,=228+373 К ..
Срелняя рассеивае:-.щя мощность кол.1ектора в динами­
ческом режиме:
2Т919А:
приТ,=213+298К
11риТк=398К.
2Т919Б:
11ри Т,=213+298 К
приТ,=398К.
2Т919В:
при Т,=213+298 К
11риТк=398К.
КТ919А. КТ919Г:
приТ,=228+298К
при Тк=373 К.
КТ919Б:
Прl!Т,=228+298К
приТ,=373К.
КТ919В:
11рнТ,=228+298К
приТ,=373 К.
Тсп.101юе сопротнв.1сние 11ереход-корпус:
2Т919А. КТ919А. КТ919Г
2Т919Б, КТ919Б .
2Т919В. КТ919В .
Температура корпуса:
2Т919А. 2Т919Б, 2Т919В
КТ919А, КТ919Б, КТ919В. КТ919Г
722
0.7 А
0.35 А
0.2 А
0.7 А
0.35 А
0.2 А
1.5 А
0.7 А
0.4 А
1.5 А
0.7 А
0,4 А
0,2 А
0.1 А
0,05 А
0,2 А
0.J А
0.05 А
10 В1
1,7 Вт
5Вт
Вт
3.25 Вт
0.75 Вт
10 Вт
3.8 Вт
5В1
2Вт
3,25 Вт
1,35 в[
12 К/В1
25 К/Вт
40 К/В1
От 213 до
398 к
От 228 до
373 к


Пр им е '1 ан и е. Изгl!б и пайка выводов разрешаются на рас­
стоянии нс ме11ее 3 мм от корпуса при Т.;:; 573 К. Донускается
пайка на расстоянии -,,1е11ее 3 чм от кор11уса при Т.;:; 423 К в те­
чение времени не более 3 с.
До11ускается Щ)И\>1енение транзисторов в стати<1сских режимах:
2Т919А. КТ919А, КТ919Г при ИкБ <';; 7 В, fк.;:; 0,5 А: 2Т919Б,
KT9i9h при Ик6 <';; 7 В, fк <';; 0,25 А; 2Т9i9В, КТ919В при
ИкБ<';; 9 В, Iк <';; О,15 А.
Допускаю1ся режимы рассог.1асования нагрузки при ИкБ = 28 в
с Кс, ( = 3 при срелней мощности, рассеиваемой на ко.1лскrоре, не
превышающей допустимую.
1,б
..::
L..: 1,2
'!-.~ 0,8
о,ч
2Т919А ,К7919А
о о,ч о,в 1,2 1,б 2,Diк,A
Зависиvrость граничной частоты
о r тка коллск гора.
3ависИ'-'!ОС1Ъ ПOCТLH/llHCii времс­
llИ це1;и ofipc! rкой свя<н or Т()­
ка l(OJIЛCKl ар~.
1,6
~L..... 1 ,2
С<.
....:- 0,8
о,ч
2Т919Б, КТ919Б
о 0,2 0,Ч О,б D,8 1,Оiк,А
Зависимость граничной <~астоты
от тока кол;1ектора.
Тх ,пс
UКБ=5В
108
1)оf--""---+---+----
UкБ =288
о,51----+----!---
2Т919Б,
КТ919Б
о
0,1
0,2
.
}aDИCИMt)Cl h ПОСl ОЯННОЙ сrел.1с~
ни ЦСllИ обратной СВЯ1И от ] l)-
ка )(ОЛJ!ектора.
723
'


2Т919В, КТ9198
о
10
Зависимости емкосп1 ко:1.1ектор­
ного перехода от 11апряжен11я
ко.1лектор-база.
р,8 Вт
п01
ЫХJ '2Т919А КТ919А '/1(}/о
6
)
60
5
50
Ч с..--+--"'----'---'--1---' ЧО
3
30
2 1---+---4UкБ= 28 В'·-1--~ lO
f = lГГц,
1---1- -- -1 R63 =0,5Dм
10
L---L--L---J--l....-.1.----J о
О D,2 0,Ч 0,6 0,8 1,ОРвх,Вт
Рвых,Вт
Jl----1--+:..~_.e.~-~
1---1 - -1 -- -+ ---ie----4 -- --150
2 1---+ ---!-f -'4 =- i--+--I 1/-0
2Т919Б, КТ919Б
1
1
UкБ=28В,f=2ГГ11,,
30
го
RБз=О,50м
1---+--+----1--1--~ 10
'---'---'----'---'--''---' о
О О,1 0,2 O,J D,Ч 0,5 Рвх,Вт
724
о
1,0 2,0 3,0 4,0 U35 ,В
Зависимость е:v1кос 1и "Jмиттер­
ного нерехода от 11а11ряжс11ия
э-,,111ттер-база.
Зависи:vюсти выхолной мощ­
ности и коэффициента ПОоlе1-
ного действия от входной мощ-
ности.
Зависимости выходной мощно­
сти и коэффициента поле-зног')
лействия 0·1 входной мощное 1н.


.',вт
Р6ы
1,2
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
о
r;)
1
-
F8",_
--'7к-
-
,...v
//
2Т919 В, КТ919 В
1
1
1
U115 =2BB, f=2ГГц,
'
1
R5•9 ~o,s Ом
1
1
,%
60
50
40
30
20
10
0,1
0,2 Рвх, Вт
'ЗаВ!!СИ\ЮС ПI ВЫХОЛНОЙ \.Ю!ЦНО­
СП! 11 ко1ффициен 1а 1ю:1езно1 о
. 1ейс·1 вия
от входной МОЩl!ОС [и.
Р6ых , Вт
Т/к' о/о
5 1----+- -+-- -+--+- -t -- - --i 5 о
4~""1'---.;;;:-f'=--f..;;;;::--t--t--~40
2
+--""t-o;;::-t -- -i3о
--+ ---120
/----"Т--+-с.-+=--т--t-----i10
о
о
1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 f, ГГц
'Зависихюсть выхо/1ной мощ­
ное 1и и ко·,ффициентu 1ю.1с1-
1ю1 о действия от частоты.
Рвых ,Вт
4
'7к J о/о
40
J 1----LJ,,a~f:::::t:::..J Jo
2Т919А,
2 КТ919А-+--__,...._-+---+----120
t----+--+--+---1--+-----<10
О510152025Uк5,В
Зависимости выходной мощно­
сти и коэффициента по.1езноr о
действия от напряжения кол.1ек-
1 ор-база.
Р6ых ,В
6 F""--..C--t--+---+-+--+----J
5 J----t---i--f"'~--+---1---1
4 r-----r-т----t--+--P...,...+--J
Uк5 =28В
3t----r-=---t--:-+--+--+----I-~
2
1r-----т--т---t--+--+---+---i
O"";;-"-::-;;-:-.-:--::'-::---:-L-:::--,,J..,,.-,.~,......J
1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 f, ГГц
·~ав11с11'.1ос1 ь вы:-.о.~ной х101н110-
сти о 1 частоты .
fб.,,,Вт
77к 'о/о
5t---t--""""""'-"'r------fl--~50
4
-t---t---"'~-f 40
3t---+--f----+-----f..:::=,,,,~30
2
20
UКБ=2ВВ,f=2ГГц,
Рв,=1 Вт--+---110
~_,__..___._--'~~о
О 0,2 0,4 0,6 0,8R35,Ом
'Завис11х1ос1 и выходноii мощно­
t: 1и в ко1ффиш1ент.~ 110.1сзно1 о
действия от сопрот11в.1сния
J>нптер-ба·за.
1-бых ,Вт
Тfк, %
4 Г-----Г-t-::;;;о!--t---,-+---1 40
3
30
2 t-----+- -+-
-;;":~~--120
2Т919Б,
r---т----;~-+- КТ919 Б 10
Рвх =0,5 Вт, R35 =0,5 Ом
о510152025Uк5,В
Зависимости выходной мощно­
е 1и и коэффициента по.1е1ноrо
действия от напряжения коллек-
тор-база.
725


Pg.", Р, Вт
10
_,_,~,_,"'-+~-+-~~в
2
2
о
о
я/3 2я/3 :тr 4я/3 5n/3 рад
Зависпмости выхо;tноИ \1ощно­
с rи, рассеинае:>1ой мощности
кот1ектора и коэффициента
стоячей во.1ны на входе от от­
носитс:1ьной фазы коэффициента
отражения наrру1к11 при рас-
со1 !ШСовании.
2Т925А, 2Т925Б, 2Т925В, КТ925А, КТ925Б,
КТ925В, КТ925Г
Транзисторы кремниевые эпнтаксиально-n.1анарные п-р-11 генера-
торные сверхвысокочастотные.
Предна·шачены для приченения в схемах уснлите.1ей мощности
на частотах 200- 400 М Гн при напряжении ни гания 12,6 В.
Выпускаются в ме·1 а:1.1окерамическом корпусе с четырьмя изо-
лироват1ыми от корпуса гибкими .1енто<1ными выводами и монтаж­
ны.м вин 1ом. Обоз на '!СНие пта прнво;щ rся на корпусе.
Масса тр:шзистора не более 4,5 г.
6,8
ЭJ1сктр11•1есю1е пара\lетры
Выходная ~1ощностh 11ри L'кэ = 12,6 В, i = 320 МГц.
Т,,,;;338 К:
726
2Т'J25А, КТ925А .
КТ925Б
2Т925Б
КТ925Г
2Т925В, КТ925В
О, 15
2Вт
5Вт
7Вт
15 Вт
20 Вт


Коэффиниент усиления по мощности:
2Т925А. КТ925А не менее
типовое ·ша'1ение
КТ925Б нс менее
2Т925Б не менее
типовое зна<1е1111с
2Т925В. КТ925В не ме11ее
1 иновое значение .
КТ925Г нс менее .
Коэффициент нолезного .1ействия коллек~ора
типовое 'начснис ·
2Т925А .
2Т925Б. 2Т925В .
Модуль ко·1ффиниснrа персда<rи тока при/= 100 МГн.
Uкэ=10 В:
2Т925А при Iк = O,li А ве :-..1е11ее
типовое зна<Jение .
2Т925Б при /к = 0,8 А не менее
тнповое зна'!ение .
2Т925В при fк = 1.0 А не менее
типовое ·шачение .
КТ925А при fк = 0,6 А не менее
КТ925Б при /к= 0,8 А не менее
КТ925В. КТ925Г при /к= 1.0 А не ~1енее
Критический ток коJ1.1екторu 11ри ['кэ = 10 В,/= 100 МГц
не :-..Jенее:
2Т925А, КТ925А .
2Т925Б. КТ925Б
КТ925В, КТ925Г .
2Т925В
Постоянная времени цепи обратной связи при Uк 6 =
= 10 В,/=5 МГц:
2Т925А, КТ925Л при / 3 = 30 ~1А не более
тюювое ·шачение
2Т925Б, КТ925Б при /3 = 30 мА не более
типовое значение
2Т925В, КТ925В, КТ925Г при f·э = 100 мА не
бо.1сс .
типовое значение
Емкость кол~1екторного 11ерсхода при UкБ = 12.б В,
f= 5 МГц:
2Т925А не более
типовое ·шачение
2Т925Б нс более
типовое значение
2Т925В не бо.1ее
6,3
7*
5
4
6*
3
3,2*
2,5
60110
63*оо
70*оо
6
14*
6
17*
5
10*
5
5
4,5
0,8 А
1.0 А
4,5 А
5,0 А
20 пс
8* пс
35 пс
22* пс
40 пс
15*!!С
15 11Ф
9,5* пФ
30 пФ
15* пФ
60 пФ
типовое значение
44* пФ
Обратный ток кол.~ектор-эмиттер при Uкэ = 36 В,
Rэь = 100 Ом не более:
при Т= 298 К:
727


2Т925А
КТ925А
2Т925Б
КТ925Б
2Т925В, КТ925В. КТ925Г .
при Т= 398 К:
2Т925А
2Т925Б
2Т925В
0\irнiный rок ·1миr1ера 11е более:
при Т= 298 К:
2Т925АприU36=4В .
2Т925Б 11ри Иэ~; = 4 В
2Т925В при И36 = 3.5 В
при Т= 398 К:
2Т925А при U'Б=4 В
2Т925Б [fри ИэБ = 4 В
2Т925В при ИэБ = 3.5 В
Индуктивность выводов*:
2Т925А, КТ925А:
эмиттерного
кол.1екторного .
базового . . .
2Т925Б, КТ925Б:
эми11ерного
коллекторного .
базового .
2Т925В, КТ925В, КТ925Г:
эмиттерного
коллек горноr о .
базового .
Емкости выводов относите.1ьно корвуса *:
эмиттер-корпус
коJ1лектор-корпус
бюа-кор11ус
Преде.1ы1ые эксплуатационные данные
Пос 1оянное напряжение ко.1.1ектор-эмиттср
R6э,,;; 100 О\-1 .
Постоянное напряжение кол.1ектор-ба:ш
Постоянное напряжение эмиттер-база:
2Т925А, КТ925Л, 2Т925Б, КТ925Б
2Т925В, КТ925В, КТ925Г
Постоянный ток кол.1ектора:
2Т925А, КТ925А .
2Т925Б. КТ925Б .
2Т925В, КТ925В. КТ925Г
при
Импульсный ток ко1лектора 11р11 кос1111усоида.1ыюй
форме импульса:
728
5мА
7мА
10 -,,1А
12 "1А
30 v1A
10 v1A
20 v1A
50 v1Л
2 v1A
5мА
5 :viA
4мА
10 мА
10 мА
1,2 нГн
2,4 11Г11
2,6 нГн
1,0 нГн
2,4 нГн
2,4 нГн
1,0 нГн
2,4 11Г11
2,4 нГн
1.84 пФ
1,53 пФ
0,96 пФ
36в
36в
413
3.5 в
0,5 А
1,0 А
3,3 А


1
li
'
•
j
i
j
2Т925А, КТ925Л
2Т925Б. КТ925Б
2Т925В, КТ925В, КТ925Г
1.0 А
3.0 А
8.5 А
Средняя расссивае\1ая мощность R .1ина,1ическо'1 режиме:
при т. ,,;; 313 К:
2Т925А. КТ925А .
2Т925Б, КТ925Б
2Т925В, КТ925В. КТ925Г
11риТ,=398К:
2Т925А
2Т925Б
2Т925В
Теr1:ювое сопротив.1ение переход-кор11ус:
2Т925А. КТ925А
2Т925Б. КТ925Б
2Т925В. КТ925В. КТ925Г
Тем11ература перехода
Теvrпер:нура корпуса:
2Т925А. 2Т925Б. 2Т925В
КТ925А. КТ925Б. КТ925В. КТ925Г
5.5 В1
11 Вт
25 Вт
1.25 81
:'.5 В;
5.7 в1
20 К/Вт
10 К/Вт
4.4 К/Вт
423 к
От 213 до
398 к
От 233 до
358 к
Пр и l\i е чан и е. Пайка выводов допускается на расстоянии не
менее 3 мм от корпуса 1ю методике. не приводящей к наруше­
нию конструкции и гермстичнос·rн транзистора. Пайку необходимо
проводить при те:-..тературе нс выше 543 К в 1 еченне вре-,,1сни
не бо.1ее 5 с.
Разрешается обрезать выводы на расстоянии не \1енес 5 мм
01 корпуса без передачи усилия на керамическую часть, без нару­
шения герметичности и с сохранением обозначения кол.1ек 1орного
вывода.
с.::
1800
1500
1200
~ 900
С\.
'<-' -
600
300
о
2Т925А,
КТ925А ,____
1/~
"
Uкэ =10 в
"'
0,4 0,8 1,2 1,6 2,0 Iк,А
Зависимое r ь 1 ра1111ч::оi! час 10·1 ы
от тока кo:1:1ci\:-i·vp:..t.
1800
1500
1200
с.::
~ 900
С\.
~ 600
300
о
,,...
~
2Т925Б)
кт91sБt-
~1
Uкз=10В
'~
\
Зависимость граничной частоты
о 1 1 ока ко.>.1сктора.
729


1200
1
1
1
1
2Т925В,КТ925В
900
-
/
1--...
........... !'
300
Uкз = 108
о
Зависимость rранич1юй частоты
от тока коллектора.
12
10
1
1
1
2Т925Б, КТ925Б
в
, .._
Q::i
6
~
"
~ц
2
/
,....
"/f=300МГц-
·/ икзт12,1 в
'
О о,ц D,8 1,2 1,5 2,0 Рвх, Вт
Зависимость выходной мощно­
сти от входной.
Кур
101--"1.----+
в 1--_, , , . , +----1 ------i
61---+--"'<~-+ ____,
111---+
Рво~х =2 Вт, 1
2t------iiJ,o ='12,БВ--
200
300
ЧОО f,МГи,
Зависимость коэффициента yc'I.·
ления по мощносп1 от час1огы.
730
3,О 2Т925А,КТ925А
2,5 l---t --+- -+ -,. . .+ --+ - ---1
2, о l---t--+ --++ -, --1 ---+--- -I
, .._
~ 1, 5 1----1 --.. A ---. J. .--- l-- -+- ---J
~
cf 1,01---~+-
,.. _
о О,1 О,2 0,3 О,Ч О,5Рвх,Вт
Зав11симость выходной мощно­
сти ОТ IJХОДНОЙ.
гц~-~--~-~--
2тэ2sв, кт925 в
20 1-----+ --
16 1----+ ---- •' --- 1-- ---1
Q::i~ 12 1----+-1"---1
"
"
~ в --.ч--икэ=12,6В
о
2
ц
6 f1x ,Вт
Зависимое 1 ь выходной мощно­
\:т11 ос входrюй.
З.1 ?.;:, нм.Jсл. к1) Jффиц:~ента ycи­
_,н·r· rJ""J TJ . .A"~)iJ~i:()CIИ ог Ч<.\CIOIЪI.


~11
11
:1
ll!
J
Кур 2Т925В,КТ925В
5
4
J
2
200
300
400 f, МГц
Зависимость коэффиниен1 а уси­
.1ения по :v~ошности 01 частоты.
-т:к,пс
501-----1-~+---+~-+---1>---1
40
30
201-\Fч.........,,r,,
10~;?1-=ФJ9--:::P----t----1
о
Зависимость постоянной нре:v~с­
ни uепи обратной связи о• тока
·
ко:1лсктора.
f=5МГц
2Т925В, КТ925В
2Т925Б,КТ925Б
80
ВОtтТ'-'kсr-т~+--+~+--~
40t:-?'1;1----t-=-+-..d-~+--~
гor-RJ"-Ф::::::l:::±--J
о 48121620Uк5,В
Зависимость емкости коллектор­
ного перехода от напряжения
коллектор-база.
lh21эl
5
4 ~-+_,_,,,_ __
Jl--~'->4'+--
2
1
о
2Т925Б,КТ925Б
'
2Т925А, КТ925А
f==100 МГц
24В810Uкз,В
Зависимость модуля коэффици­
ента пере,1ачи гока от напря­
жения ко.1лектор-эмиттер.
КТ930А, КТ930Б
Тр:шзисторы кре\1Н11еныс
эп11такс11а:1и110-п.~анаrшыс 11-р-11
генера 1OJlilЫC сверхвысокочас­
тотные.
Предназначены д.1я пр11\1е­
нения в схемах 1ш1рокопо.1ос­
ных )СН:1и 1ес1ей хющнос 1и к.1ас­
са С. У!VIНОжи 1е.1ях частоты и
автогенераторах на час 1отах
100-400 МГ11 при напряжении
питания 28 В.
Выпускаются в металло­
керамическом корпусе с четырь-
731


мя нзо,1нрованными от корпуса г11бк11\1И :·1енточными выводами.
Транзистор содсржи1 внутреннее сог.1асующсе l,С-·1вено. Обо·шачение
пша приводится на кор11усе.
Масса транзистора не бо.·1ее 7 r
Электричесю1е napa\le 1 ры
Выхо;1ная ~ющнос1ь при U10 = 28 В. / = 400 МГн.
Т,~313Г:
КТ930А .
КТ93ОБ .
Ко·эффиннент уси:rения по мощностн не \1енее ·
КТ930А .
КТ93ОБ .
Ко:~ффиuиент по.1езного .1ейсrвия
КТ930А не менее
пшовое значение .
КТ930Б не менее
типовое зна'lсние
Статический коэффициент переда 'IH тока
общи~~ Jмиттером * 11ри Ск·э = 5 В.
1иrю1юе 1на <1ение:
КТ930А .
КТ9ЗОБ .
в схеме с
lк=0.5 Л.
Моду.1ь коJффrщиеН1 а передачи тока ripи / = 300 МГ11,
Uк·3=10В:
40 Вт
75 Вт
5
3.5
50 (~о
65* (;о
50 iJH
58*1)о
40
50
КТ930А при fк = 2,5 А не менее
1.5
типовое 1начение
КТ930Б при lк = 5 А не :'v!енее
т11повое
ЗНа'!еНие
Критический ток коллек 1ора *
/"= 300 МГц, типовое значение:
КТ930А
КТ9ЗОБ .
при
В.
Постоянная времени цепи обратной свя·1и • при
UкБ=10В,lэ=0.5
КТ9ЗОА .
А. ( = 5 МГн. типовое зю1•1ение ·
КТ9ЗОБ .
Емкость кол.1скторно1 о перехода при Икь = 28 В,
/= 30 МГц:
КТ930А не бодее
типовое ·шачение
КТ930Б не более
типовое значение
Емкость эмиттерного перехода* при С'эь = О, / = 5 МГц,
типовое значение:
КТ930А .
КТ93ОБ .
Обратный
RБэ= 10
732
ток кол:1ектор-эмиттер
Ом, Т= 298 К не более:
при Икэ=50 в.
'~·
_),~
2
3.2*
8А
20А
8пс
11 пс
80 пФ
62* пФ
100 пФ
130* пФ
800 пФ
2000 пФ


f
КТ930А
КТ930Б
Обрапrый ток J!\ШТтера при l>эБ = 4 В. т = 298
бо~нс:е:
КТ930А
КlЧЗОБ
Ин..:~уктнвностu ВН)Тренне10 LС-звсна *. TИllOBOC
чен11е:
КТ930А .
КТ930Б .
Е~1кость янутрсннего /_С-звена*. 1111ювпе значение·
КТ930А .
КТ930Б .
Индуктивность вы во;~ о в*. типовое ·значение:
КТ930А:
J\шттерного:
при/=1мм
11ри/=3мм
кол.1екторно1 о:
при/=1мм
при/=3мм
базового:
11ри /= 1 м.м
при 1= 3 м:1-1
КТ930Б:
эмиттерного:
при 1= 1 ~1\1
при/=3мм
ко.1лекторного:
при 1=1 мм
при/=3мм
базового:
при 1=1 мм
11ри/=3мм
Предельные экс11луа-~ ащюнные данные
Постоянное напряжение коллсктор-Jмиттер
RБ,;;; 10 OYI
Постоянное напряже1111е Jч1птер-база
Постоянный 1 ок ко.1лсктора:
КТ930А
КТ930Б
не
зна-
при
Средняя рассеиваемая 1\Iощ1юсть в д~1Нами•1еском режиме
нрн Тк,;;313 К:
КТ930А .
КТ'!ЗОБ .
Теп.1овос со про: НР. 'Clf!iC r1срс~од-корпус:
КТ930Л
КТ930Б .
20 мА
100 мА
10 мА
::ю \1А
0.44 11Г11
0.26 нГн
450 пФ
650 пФ
0,35 нГ11
0.54 нГн
1,6 нГн
2,03 нГн
1,57 нГн
2,05 нГн
0.24 нГн
0,43 нГн
1.6 нГн
2,03 нГн
l,42 нГн
l.84 нГн
50в
4в
6А
lOА
75 Вт
120 Вт
1,8 К/Вт
0,8 К/Вт
733


Те"1пера·1ура псрсхо;1а
Теч пера тура корпуса
433 к
01 233 до
358 к
пр и \1ечан11 я: l. Допускается работа тран·111сторов в рсжнче
к.1ассов А, АВ, В прн ус.1ов1111, чго ра6очая точка на'lодится в
oi\1acr11 чаксима.1ы1ы.х режичов.
Допускается ра601а 1раю11сторов при Г> 400 МГu. Р 0 ,.;; 7 Вт
КТ930А и Р., ,;; 18,75 R1 КТ930Б и нспрсвыше111111 преде.1ьных
эксп.чапщио1111ых режнмов.
2. Пайка выводов допускается на расс1 оянии не \1енее l мм
от корнуса методом, не приво;1ящ11м к нарушению конструкuни
11 [ ермеп1чнос 1и 1 ранзистора. n ай ку разрешается производить при
Т:;:; 543 К в течение времени не более 3 с.
Разрешается обре·1а1ъ выво)!ы на расстоянии не ченее 4 \1'1
от корпуса без передачи ус11.1ия на керамическую часть корнуса,
без нарушения герметичности 11 с сохранен11е~1 обо·шачения ко~'!­
_1екторно1 о нывода.
Чисто·rа кон ~актной поверхности тсп.1оотводов до.1жна быть не
>v1енее l .6. Неп.1оскос 1нос rь кон rакпюй поверхности теплоотводов
должна бьп ь не более 0,04 мм. Теп.1овос сопротивле1-1ие корпуе­
н~11лоотво,r1 при нuнесешт теплопроводяшей с;..,~азки пша КПТ-8
(ГОСТ 19781- 74) на поверхность теп:юо 1вода траюистора не более
О.3 К1Вт.
'r:к, ПС
f=SMГU,
30
Ul<Б =5 В
1
20
1
10
о
1,0 I3 ,A
Зависимость постоянней вре­
мени цепи обратной сiJязи or
тока эмиттера.
734
С1<,ПФ
f=JO МГц
300
200
100
о
Зависн;..,~ссть емкости коллектор­
ного п~реход:~ ог напряжения
коллектор-ба"lа.


1,
..
l
1
i1lt
;
С3,пФ
2500
2000
1500
1000
500
1,
i'-......
... .... .... _
11
f=1МГц
1
1
-........;;:JТ9,30Б
1
~ КТ930А
1
Зависи\1ос-1 ь емкости Э'v1иттеr­
ного перехода от напряжения
эмиттер-база.
fвых
50
40
30
20
10
,Вт
~
1
КТ930А
IЛРвых
/ "7н
f=200 МГц
икт2в
1в
IJн' %
100
80
60
40
20
О
2 3 4 5fвх,Вт
Зависимости выходной мощно­
е 1и и ко·,ффиниента полезного
дейс1в11я 01 входной мощнос111.
Iк,А
Т,,=433К
10__....__
__ j_
!н=308К
8/----1\--+---1----1
6 t----+-,._-+---1----J
4 t----t-з..-~~--1----J
2 t---+--~~~---1
о
10 20
Зависимость максима.1ьно до­
пустимого тока коллектора от
напряжения коллектор-эмиттер.
Рвых' Вт
КТ930Б
17.,%
100
100
80
80
60
60
40
40
20
20
о246810Рвх,Вт
Зависимости выхо.1ной мощно­
сти и КО')ффнциен 1а полезного
действия от входной мощности.
fв01,, Вт
IJн1% Рвых,Вт
КТ930Б
'1н' %
100
5о \__j___j_-l-__..~+---1100 100
40
80 80
30
60 60
гс
40 40
1о t,____J __,LC.C-'"'-<- ->- -+- --1 20
2о
о246810f'вх,Вто
J1н
-
v
/
v
Рв~[/
1/
v
f=400МГц
икз
12вr-
80
60
40
20
246810fв"Вт
Зависимости выходной мощно­
сти и коэфф11циента поле:~ного
действия от входной мощности.
Зависи!vюсти выходной мощно­
сти и коэффициента полезноr о
действия от входной мощности.
735


ihг1эl f= 300МГц,Uк3 =10В
5
4 ~-+--+---+
о246В10Iк,А
Зависимос1ь моду~1я коэффвци­
ента передачи тока от тока кол­
лектора.
20
15
10
5
1
1
1
f=300МГц
1
v
\1
1/ КТ9JОБ
1
1
1
"KT9JOA
1/....
1
.........
1
4 8 12 16 20 2f./.Uкз,В
Зависимость критического тока
от напряжения ко.1.1ектор-1,нп­
тер.
КТ931А
Транзистор кремниевый эпитаксиа;1ьно-пла11арный 11-р-11 генера­
торный сверхвысокочастотный.
Предназна'lен лля 11римене11ия в схемах широко110~1осных уси­
_тите:1сй ~ющности класса С. у1'11ю-
2атб. Ф 3,Z
:;-
t
t
">:
">
/ ;'!
~
}
"'"-
">:
"'
~1}
""
18,Ч
J
0,3
жите:1ях часто 1ъ1 и автогенераторах
на частотах 50- 200 МГц при шt­
пряжении питания 28 В.
Выпускается в мета.1:юкера­
мическом корпусе с четырь_\!Я
изолированными от корпуса гиб­
кими ленточны:ми выводами. Тrан­
зистор содержит внутреннее сог.1а­
сующее LС-звено. Обозначение
пша приводится на корпусе.
Масса тран·111с1ора не бо-
лее7r.
Э.1ектрическне 11араметры
Выходная мощность при Ик-, = 28 В, f = 175 МГ!!.
т•.;;313 к
80 Вт
3.6
5.5*
Коэффи11иент уси.1ения 110 мощности ве CvJeнec .
типовое
значение
Коэффициент полезного действия
менее.
типовое значение .
Статический коэффициент передачи
общим эмиттером* при Икэ = 5
736
коJ1;1ектора
тока
В,
в cxe~re
Iк=0,5
не
с
А.
50 °0
60*оо


1
типовое зна•~ение .
Напряжение насыщения ко:шектор-эмиттср * при fк =
= 0,5 А, lь =О, 1 А. типовое :~начсние .
Мо,1у.1ь коэффиниента передачи тока ври f = 100 МГн,
Uк-э=1ОВ,lк=5Анеченее.
типовое ·ша чение .
Крити•1еск11й ток ко.1,1екгора" при Ск-3 = 10 В.
/'= 100 МГн. типовое значение
Пост оянн.tя времени не пи обрат ной связи* при
L'кБ= 10 В. /э=0.5 Л. !=5 МГн. тнповое
знаl1ение
Емкое 1ь ко.1лскторного перехода при Uк 6 = 28 В.
j=30 МГн пе 60.1ее
пнювое зна•1ение .
Е~.шосгь Jм1птерного нерехода" лр11 Uэ 6 =О. / = S МГ11,
25
0,09 в
:п
4,0*
22А
!8 i1C
240 пФ
190* пФ
п11ю1юе значение .
3200 пФ
ОGратный ток коллекrор-1миттер при U10 = 60 В.
RБ'Jс~10 Ом. Т=298 К не более .
30 мА
Обратный 1ок ·эмиттера при L'эБ = 4 В не бо.1ее:
при Т=298 К .
10 мА
Пр!!Т=358К,
20 МЛ
Индуктшшость внутре~шего LС-звена *,
rиповое зна-
•1енне .
Емкость внутреннего LС-звена *, 11нювое зш1•1ение
Инлуктнвност~, выводов*. типовое значение:
1миттернщ·о:
!IрИf=1М,1.
при/=3мм
кол,1ектор11ого:
при/=1мм
при /= 3 :1,1м
базового:
нри/=1~1м
при1=3мм.
Пре,1е.~ьные эксп.1уатацншшые данные
Пос1оянное
напряжение
кол.1ектор-1~шттер
при
RБ-э,;; 10 Ом .
Постоя1нюе нанряженне э:1,шттер-база .
Постоянный ток кол.~ек·1 ора
Средняя рассеиваемая мошнос·1 ь в динамическом ре­
жиче:
прн Т,,;; 313 К
ври Гк=358 К
Теп.1ово.:: сопротивление псрехо11-корвус .
Температура нерехода
Температура корпуса .
24 По.1уr1ров0Jниковыс nриборы
0.43 нГн
1600 пФ
0,29 нГн
0.47 нГн
1,6 нГн
2,03 нГt1
1,47 нГн
1.92 нГн
60в
4в
15А
150 Вт
44 Вт
О,~ К/Вт
433 к
От 233 до
358 к
737


П р и м е ч а 11 и я: 1. Допускается работа транзисторов в к.1ассах
А, АВ, В при ус:ювии, что рабочая точка находится в об_с1асти
максима.1ьных режимов.
Допускается рабо1а транзисторов при/> 200 МГц. Р6 ,.,;; 20 Вт
и нспрсвышении прсде.1ьных ·;ксп.1уата1шонных режимов.
2. Пайка выво.1ов допускается на расстоянии не менее 1 мм
от корпуса мстодо~1. не приводящим к нарушению конструкции
и герметичности транзисторов. Пайку разрешается произвошпь при
Т ~ 543 К в течение вре\<1ени нс бо.1ее 3 с.
Разрешается обрезать выводы на расстоянии не менее 4 мм
от кор11уса без передачи усн.1ия на керамическую часть. без нару­
шения герметичности и с сохранением обозначения кол.1ек 1орного
вывода.
Чистота контактной поверхности теп~1оотводов должна быть не
менее 2,5.
'
Неплоскостность контактной 1юверхности теплоотводов до.1жна
быть не более 0,04 мм.
Тепловое сопротивление корпус-теплоотвод при на11есении тепло­
отводящей пасты типа КПТ-8 (ГОСТ 19783-74) на поверхность
теплоотвода транзистора не более 0,3 К.!Вт.
fвых, Вт
КТ931А
11ч' о/о Рв"" Вт КТ931А
11н' О/о
100
100 100
100
'80
80
60
60
цо
цо
20
20
о2Lf.6810fв,,Вт
Зависимости выходной мощно­
сти и коэффициента полезноrо
действия от входной мощности.
738
80
80
60
60
цо
цо
20
20
о Lf. 6 8 10 12fвх,Вт
Зависимости выходной мощно­
сти и коэффициента полезного
действия от входной мощности.


'
'
i
1J
i
fны" Вт КТ931А '1н' о/о
1001----+-----<l---+---+--l-----t100
80
80
60
60
цо
цо
20
20
о ц 8 12 1620f'в,,Вт
Зависимости выхолной чошно­
сп1 11 коэффициента по.1с·1ноt о
действня о 1 вхотrой чощности.
[hz1эl
5
ц
3
2
о
/1
КТ931А
-....
......
f = 100МГц
Uкз=10В
8
Зависичость модуля коэффици­
ента передачи тока от тока
ко.1лектора.
1
КТ931А
1
11
f =5МГц, -
\ Uк6=58
\."
1
30
20
1
1
10
о
Завнси.,,юсть посrоявной време­
ни цепи обра 1ной свя·т от тока
ко.1:~ектора.
24*
?выи Вт КТ931А '1н1 о/о
1OOt---+ ---+ -4 --+ -+ ---1100
80
80
60
60
цо l--+- - -h.4:::t:::::J:_j
201----+ - -+ - -I
20
Завис11мости выходной мошно­
с1·и и коэффициента полезного
дейс гвия от напряжения ко.1.1ск-
тор-эмиттер.
1
КТ931А
20
/
~
./
v
JO
/ f =100МГц
'J
-
10
о if В 1l. 16 20Uкз,В
Зависимость критического тока
от нанряжения коллектор~эмит­
тер.
1
300
\ КТ931А
1
\
1
"'
f= 30МГц
.... .......
...........
--
200
100
о 10 20 30 ЦО 50Uк5,8
Зависимость емкости коллектор­
ного перехода от напряжения
ко.1лектор-база.
739


Сз,пФ
3'100
3200
3000
2800
2600
2'100
о
\
\
\
КТ931А
f =1МГц
"-...
"'--
-~
2
Зависимость е~1косп1 эм11ттер­
ного перехо,сtа о 1· напряжения
база-эх1иттер.
-в
6
'1
2
о
KT931.JJ .
\
\
\
-тп ='133К, ,,
_Тк =303К
1
10 20 30 Uкз,В
Зависимость ~~аксимально до­
пустимого тока кол.1сктора от
напряжения ко.1лек1 ор--J\11птер.
КТ934А, КТ934Б, КТ934В, КТ934Г, КТ934Д
'
Транзисторы кре:,1ниевые эпитаксна_1ьно-планарные 11-17-11 п:нера­
торные сверхвысокочастотные.
Предназначены для применения в схемах yt:11mпc.1eii \ющ11ос­
ти класса С, в том чнсJ1е нри а~тп;1иту,~цой мo:r,yляLiHII n :,~.лиожн­
телях частоты и автогенераторах на частотах u,иее 100 l\fГ11 11ри
напряжении питания 28 В.
Выпускаются в ме галл о керамическом корпусе t.: че 1ырt-\1я 11зо.111-
рованными от корпуса 1 ибких1и J"~нточнЫ\1И выволачи н \JOJI J"ажны\1
винтом. Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса траюv.стора не 60,1ее 4, 5 r.
'Элекчшчеекис nаращ?тры
Выходная мощность при Uкc:J = 2;) В. /= 400 t,1г11.
Тк;;; 313 К:
740
КТ934А
КТ934Г
КТ934Б
3Bt
10 кт
12 Вт


11
КТ934Л: .
КТ934В .
Коэффициент усилеш~я по мощности
КТ934А не менее
типовое ·Jначение .
КТ934Б не менее
типовое значение .
КТ934В не \1енес
1111ю1юе значение .
КТ9З4Г не менее
КТ934Д пе '.1енсс:
Коэффициент полсз1iОГо действия коллек гора нс мене~
Стаr11ческий коJффиuиснт 11ередачи тока в схеме с ori-
Il!И\1 ·;\1 и r 1ером* при Иrо = 5 В. Iк = 1()() мА КТ934А;
прп fк = 150 мА КТ934Б; при lк = 250 мЛ КТ934В.
типовое значеннс ..
Напряжение насыщения кол~1ек 1ор-эми·11 ер*. типовое ·~на-
чсние.
КТ934А при fк=100 :v1A. /G =20 мА
КТ934Б при Iк= 150 мА, lr, = 30 мА
КТ934В 11р11 /к= 250 мА, /Б = 50 мА
Моду.1ь ко1ффициенн1 передачи тока ври j = 100 МГц,
Uкэ=10 В:
11р11 lк = О.15 А КТ934Л: при /к = О,6А КТ934Б:
при fк = 1.2 А КТ934В не \1енес .
пспооое значение .
ври Iк~0.6 А КТ934Г: при lк= 1,2 Л КТ934Д
нс менее .
Критический ток ко:1J1ектора при U10 = 10 В, .f = 100 МГц:
КТ934А не менее .
типовое значение .
КТ934Б не менее
типовое значение
КТ934В не \1енее
типовое ·~начение .
КТ9ЧГ не менее
КТ934Д нс :v1снее
Пос1оян11ая вре~1сни r1еш1 обрашой сш1зи при Uк 6 = 10 В,
f= 5 МГн:
.
пр!! lк=O.IA КТ934А: прн fк~О.15А КТ934Б;
при /к = 0.2 А КТ934В нс fioлec .
пшооос значение
11ри lк = 0.15 А КТ934Г; 11р11 lк = 0,2 А КТ934Д
нс бо_1ес .
Ем~осrь кот1екторноrо псре~L1да при Uкr, = 28 13 . f =
= 5 МГu rre 60~1се·
КТ934А
пшовос 3нач~ш1е
КТ934Б. КТ934Г .
1 ипонос значение
20 Вг
25 Вт
6
8*
4
5,5*
3
4"
3,3
2.4
50""
50
0)в
0,16 В
0,12 в
5
9•
4,5
230 мА
400* мА
1000 мА
1500* мА
2000 мА
3000* мА
900 мА
1R!IO мА
20 пс
5* f!C
25 пс
9 IIФ
6,5* пФ
16 пФ
10* пФ
741


КТ934В. КТ934Д .
тИПС'АОе -шнчение .
Емкость 1\!IJГrerнш о пере:-; ода* прн ( 'эr; = ()_ / = 5 МГц:
КТ934А. типовое -~начение .
КТ934Б. KT9JiГ. типовое -mаченне .
КТ934В. КТ934Д. типовое значение
Обратнь1й гок ко.1лектор·э\11птср при Ск-з = 60 В.
RБ'J=1UO\t, Т =298Кне60.1ее:
КТ934А
КТ934Б
КТ934Г
КТ934В
КТ934Д
Обратнь:й 1ок Э\Нrттера при С'эБ = 4 В, Т = 298 К не
бо_1ес:
КТ934А. КТ934Б. КТ934В
КТ934Г .
КТ934Д .
Индуктивность вы1юдов•:
КТ934А:
э:v~иттерного
ко.~:rекторного
ба'ЮВОl"О .
КТ934Б. КТ934Г:
эмиттерного
ко~1.1екторного .
ба-ювого .
КТ934В, КТ934Д:
эмиттерного
кол.1ек 1оrного .
базового .
Межэлектродныс емкости корн уса*:
эмиттер-корпус
ко:tлектор-коrпус
база-корпус .
Предс:1ь11ые эксп.1уа 1апио11ные данные
Постоянное напряжение ко.1:!ек гор·J\111ттер при
,;; 10 0"'1:
приТ=29R -:-358К.
приТ=233К.
Постоянное напряжение 1\1НТrер-Gаза
Постоянный 1ок кол.1ектора:
КТ934А
КТ934Б, КТ934Г .
КТ934В. КТ934Д .
Средняя рассеивае"1ая :v~ощнос 1ь н диначнческом рсжиче
при Т,,;; 301 К:
КТ934А
КТ934Б, КТ934Г .
742
32 пФ
22* пФ
30 пФ
10() иФ
2()() пФ
5 ~,1А
1() \tA
15 \!А
20 \tA
3() \tЛ
5мА
7.5 \·1А
8 \1А
1.3 нГн
2,5 нГн
3.1 нГн
1.2 нГн
2,5 нГн
3.1 нГн
1.0 нГн
2.5 нГн
2,8 нГн
1.84 пФ
1.53 11Ф
0.96 пФ
60в
~ов
4н
0.5 л
IJJ А
2.U А
7.5 Вт
15 Вт


КТ934В. КТ934Д .
Теп.1овое сопротив.1ение переход-корпус:
КТ934А
КТ934Б. КТ9ЧГ .
КТ934В. КТ934Д
Те~шература перехода
Те\lперат}ра корпуса .
30 Вт
17,5 К/Вт
8,8 К/Вт
4,4 К/Вт
433 к
От 233 до
358 к
П р 11 ~1 е Ч а Н И Я: 1. Допускается работа траН'!ИСТОрОIЗ В K.laccax
А. А В. В пр11 ус.1о;шн. что рабо'iсtЯ точка нu;.:о;:штся в об:;асти
макс11ма.1ьных режимов.
В схе~1ах транзис 1орных ген ера I оров. уе11.1ите.1ей мощности,
у~шожите.1ях часrоты дОII)СКается работа при любых 3начениях
Кст.[ (по ~10ду.1ю и фазе) пр11 напряжении питания не бо;1ее
(28 + 2.8) В при ус.1овии непревышения предельно допустимых ре­
жимов экс11:1уатации.
Допустимые значения Кст.С при любых -,начениях фазовых
уг.1ов и Т, <;; 313 К:
КТ934А при Рвых = 3 Вт
!О
КТ934Б:
приРвы'=6Вт.
приР8ы,=7Вт.
при Рвых = 8.5 Вт
КТ934В:
при Рвых=12 Вт
при Рвых = 15 Вт.
при Рвых=20 Вт
!О
5
3
10
5
3
2. Пайка выводов допускается на расстоянии не ~1енее 3 мм
от корпуса методом. не приводящим к нарушению конструкции
и герметичности транзисторов. Пайку разрешается производить при
Т <;; 543 К в течение времени не бо.1ее 5 с. Разрешается обре­
зать выводы на расстоянии не менее 4 ~1м от корпуса без передачи
уси.1ия на керамическую часть корпуса, без нарушения герметич­
ности и с сохранениеч обо·шачения ко.1.lекторного вывода. Допус­
кае 1ся пайка выводов на расстоянии не ыенее 1 мм от корпуса
методо'.1. не приводятим к нарушению конструкции и герме­
тичности тран·шс гора. Пайку с.1едуст производить в течение вре­
мени не бо,1ее 3- 4 с. при Т <;; 493 К с теплооrводом чежду кор­
пусо\1 и ~1есто~1 пайки. Необхо,111мо защищать корпус прибора
01 попалан11я на него брызг флюса и 11рипоя.
Чистота коюактной поверхности теплоотвода должна быть не
менее 2.5 . Неплоскостность контакт пой поверхнос-1 и теп.lоотводов
до.1жна бы гь не бо.1ее 0.04 мм. ДСiя уменьшення контактного
теплового сопротивления между корпусом и i с ;~.1оотводом следует
применять теп.1оотводящие смазки.
743


1
ТJн' о/о
KT93L/A
100
4
80
3
60
2
40
1
20
О 0,1 0,2 О,30,4 0,5fi,,Bт
Зависн~юсти выходrюй мощно­
е·~ и и коэффициента по.1езно1 о
действия от входной мощности.
Рвых, Вт КТ934В Т/н, %
25
100
2О1----т-~1---t----1~-+---1во
15
60
10 1---+~A---J----+--+---I 40
__. __ ___ .-J 20
о1
5fe"Вт
Зависимости вы хо •~1юй :-.ющво­
стн п коэффнuнен га nо:1езного
дейспзня от вхо,_;ной \1Ощносп1.
ihг1э\
10
8
в
4
2
1
1
КТ934Б
~-......
1
,,
",
1
'
'
f=ЮОМГц
-
-и.1(3 = .5 в
11
-·
'
о D,Ч D,8 1,2 1,в 2,0 Iк,А
Зависи\10с-1 ь :-.1оду;1я ко'нJчtш­
циента передачи тока от гока
ко,1лсктора.
744
f'вы•' Вт КТ93L/Б ТJн' О/о
20 --
1
100
f=400 МГц, Uкз = 28В
1
18
80
12
60
в
40
4
20
о D,5 1,0 1,5 2,0 2,5 fВх ,Вт
Завнс11мосг·и выходной мощно­
е 111 и коJффициента по.1езно1 о
действия от входной мощностн.
\hг1з\
КТ934А
701---+- -+--1-- -+· --+- -1
8 1-----j, --. d---t --f --+---I
6 ,_... .._,_-1-___._ _ __ _, _ _
__,
2
L--' -- -' --' -- -' --""---'
о 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5L<,А
Заnнси-.,юсть ~10-'\уля ко:;ффиuн­
снта переJач:и -[cr.:a 0-1 roкn
KO.l!<CKTOpa.
lhг1з !
KT93!./ -f!
10,_____,_ _ _,__,_--+--~
81---1'-+--~-"'lc--·+--
2
о
Завнс1щость \Юду,-~я К(У"j>фици­
ента передачи тока от тока ко.1-
лектора.


i
l,J
1
1
Iнр,А
0,5
О,'+
0,3
0,2
0,1
о
-
1
1
KT93J./ .A
-
v
,,.........
v
/ f=100МГц
ч. 8 12 16 20Uкэ,В
Зависимость критического тока
от на11ряжения ко.1.·1ек 1ор-1:-.нп­
тср.
Iкр,А
5
J./.
J
2
1
о
1
1
КТ9JЧ.8
~
/f=100МГц
1
'+
8 12 16 Uкэ,В
Зависимость крити'1еско1 о тока
от напряжения коJ1J1ектор-1м11т­
тер.
f=5МГи,
ЧOi-+-+--+--r--r----1---1
J0>---41 -- -4 - -- --+ --+-- -J -- -j
20~j---t-=""t-~;;;:.lt==
10 t-f"'k;;::-t-="""t'- .. .. .ti=:i.:l=:::j
Завнс11\1ость емкости кол.1ектор­
ного перехода от напряжения
ко.1лектор-база.
I 11p,A
2,0
1,В
1~2
0,8
О,'+
о
1
1
KT9JJ./.Б
--
..__.
/
v
/ f=100МГц
'
1
'+ 8 12 16 20Uкэ,В
Завнt:н'vrость кр111 ичсского rока
от rrапряжения ко.1.1ектор-э~шт­
тер.
KTSJJ./.B
о 0,2 О/+ 0,6 0,8 1,Оiк,А
1авнсимос1 ь постоянной вре­
~1ени цепи обратной сня·т от
J ока ко.1.1ектора.
Сэ,п'Р
f =5 МГи,
200t---+-____,f---+-~--+--J
1б0 t---Ч----l--+----1--i--1
12о t-Т--t-----i-=-;,q....::..::..;.:::_-+-----j
80 f----f"',~-1-.
4-0i...:---+--t--+-+----+--1
о
2J4-
Завпс11:-.10сть емкости эми 1тер­
иого перехода от напряжения
ба1а-эмип ер.
745


0,4
0,J
0,2
0,1
о
KT9JJ./ .A
\
\
Тп=ЧJЗК,
"'
-
Тк 129В
1К
5 10 15 20 25Uкз,В
Зависи;.,10t:ть макси~1а_1ьно .10-
пусп1;.,101 о тока кол.1ектора от
напряжен11я ко.1лек·1 ор-эмнттер.
Iк ,А
2,0
1,В
1,2
0,8
О/+
о
KT~3LfB
1\1
7;,=l.f33K
\ Т,,=298к-
\
'!'....
l
5 10 15 20 25Uкэ,8
Зависимость максимально до­
пустимого тока коллектора от
напряжения коллектор-эмиттер.
КТ9J4Б
Iк,А
11----+~-+-~-i---+--+-----i
0,8
~Bf---+--t---+--"r---+-_,
D,lf
0,2f---+--t---+--+----1----jH
о 510152025Uкз,В
Зависимость макс11ма.1ьно до­
пустимого тока кол.1ектора от
напряжения кол,1ектор-эмиттср.
f'вых, Вт
KT93LfA
"1'/н, о/о
5 l---+ -- -- -if----+ - --t- -+ -- --1100
4
80
3!--d..,.~===l==~-l-d во
2
W·
f=2ООМГц
11-----+- - -4 Uкз =28 В
20
О О,05 О,1 0,15 0,20,25 fi" Вт
Зависимости выходной мощно­
сп1 и коэффициента по.1езноrо
действия от входной \Ющнос ги.
f>ных
20
,Вт
KT93LfБ
l
Т/н ,о/о Рвы"Вт КТ9348
r;,,o/o
100
251------+--~-+--+-::::7"1'-----i 100
1В
12
8
~·...
/
-
---
,_. .,
--.
/
k';;
fвых
1
f=200 МГц,
ик(2~вr
во
во
LfO
20
О 0,2 O,Lf О,В 0,8 1,0 ?в,, Вт
Зависнмос ги выхо,1ной мощно­
сти и коэффициен га по,1с·Jного
действия от входной мощности.
746
2 О Г-rl~:::;;;:;+:;:::::t--i 80
15
во
10
40
Uкз=28 В
5
20
о 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 fв,1Вт
Зависимости выходной \1ощно­
сти и козффициента по.1езноrо
дейсгвrrя от входной мощности.
f'
1


Ре",, Вт
КТ934А
Тfн, %
5
100
1/-
во
3
60
2
1/-0
1
20
о 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 fВх ,Вт
Зависн\юслr выхо.1ной мощно­
е~ и и ко·эфф1щ11ен га по.1езного
действия от ю.о;:шой мощн_ос1 и.
Ре.,,,Вт КТ934В 7Jн,%
25
100
201---1----1-~-+------+-~t--~BO
75 !--_J_--i,~~=I::~~ 60
10
40
5
20
о123L/5fevBr
Зависимости выходной мощно­
сти и коэффициента полезного
действия от входной ~ющности.
Ре", , Вт
20
16
12
8
1/-
о
l--~~=!==t:::::+____j50
40
г---r~-t------J~-+-~+------120
123Lf5Ре,,Вт
Зависи:-.юстн выходной :-.ющно­
сти 11 ко ;ффпuиента по,1сзного
деЙСl BIIЯ О 1 ВХОДНОЙ MOЩllOCl И.
Р6", , Вт
KT93LfA
Т/к %
100
Lft---+-~~---l--~f-----1--~80
3 Г---+----i--=.\....,j......--t-7'-~ бО
2
40
1
т
о 510152025Uкз,В
Зависи:-.юсти выходной мощно­
сти в коэффициента пое1езного
действия о 1 напряжения коJ1лек-
тор-зчиттер.
,,Br
Рв"
20
КТ934Б
77н ' о/о Рвых ',вт KT93Lf8
1Jн '
1
О/о
100
16
12
в
о
100
25
-
'
-
80
20
Т/н I/
Fвых _,. v
I/
V'
f= LfOO МГц
fвх т2,5\Вт-
во
15
LfO
10
20
5
5 10 15 20 25и,Фв
о
.
1/
/
11
~к
/,
./
-
/
Vf6ыx
f=L/00 МГц
Рвi=в/тТ
80
60
чо
20
Зависимости выходной мощно­
сп1 и коэффициента по.1езного
действия от напряжения кол-
Зависимости выходной мощно­
е ги и коэффициента полезного
дейс гвия от напряжения кол-
.1ектор-эмиттер.
лектор-эмиттер.
747


КТ937А-2, КТ937Б-2
ТранJос горы кrе,,шиевые ·ти rаксиильно-п:щш1рные 11-р-11 генера-
1 орные свеr'\высокочас [ огные.
Пре.1т1·mа'1е11ы д:1я работы в схе\нtх усн.1е11ия ~ющноо11. ге-
11ерировшшя. ) \1Ножен11я час 1оты в .1ш1ш1Jш1с 0.9- 5 ГГн в режи\1ах
с отсечкой ко.1:1екторного токi! в
r срмсл11нруе\ЮЙ аппаратуре.
Ьескорнусв ые. выпускаются на
мета.•1.1оксра \111ч~ском держатс.1е с
ПO:IOCKOBLIMI! ВЫВО,'(ами.
Ус10в110с обозначение 11ша
приво:нп ся на верхней частн :1ср­
жа те.1я: КТ9 37 А-1 - букви А
·п
лве зеленые точки. КТ93 7Б-2
буква Б 11 ;:ще белые точки. Oбo­
ЗHd'ICHire ·111па прнводится на »тн­
кеткс.
Масса тран11к 1ora не более 2 г.
З.1ек грические пара,1етры
Выхо;1Ная мощность на / = 5 ГГц при UкБ = 21 В·
КТ937А-2 при /'J = 0,22 А. Рв, = 1 Вт нс ~1енее .
l,6 Вт
типовое ·тачение
КТ937Б-2при/э=0.45А.Р"'=2Brне~1енсс .
типовое значение .
Козффициевт поле·того действия ко.1лектора на / =
= 5 ГГп при Икь = 21 В, типовое значение:
КТ937А-2при/3=0.22А.Р.,=lВт.
КТ937Б-2нри1,=0,45А,Р.,=2Вт.
Фаза коэффициента передачи тока прн / = l 1Тц, Uкь =
= 5Внеболее:
КТ937А-2 при 1, = 0,15 А .
КТ937Б-2 при /э = 0,3 А .
Граничная частота коэффициен 1а пcpeita чи токi! *
ИкБ = 5 Н, 1иповое ·тачение:
КТ937А-2 при fэ = 0.15 А .
КТ937Б-1 при J., = 0.3 А .
Критическиii ~ок лри ИкБ = 5 В не -.,1снее
КТ937А-1
КТ937Ь-2
Критнческнй ток* нри Ию;= 5 В, типовое значенне.
КТ937А-2
КТ937Б-:Z
ври
~моду.% коэффициента обратной передачи напряження
в схе'1е с общей базой при ИкБ = 10 В,/= 100 МГц
748
2* Вт
3,2 В1
3,8*Вт
35 ()о
ЗR/)(\
0,297 рад
0.279 рад
6.5 ГГц
6,5 ГГц
0.2 А
0.4 А
0,4 А
0.8 А


11
"
не более:
КТ937А-2 при /э = 50 \1А .
КТ937Б-2 при /э = 80 мА .
Постоянная времени rrепи обра 1ной связи* при f' = 100
МГц, Ию;= 10 В, пшовое значение:
КТ937Л-2 при /э = 50 ~1А .
КТ937Б-2 при /э = 80 :v1A •
Емкосгь коллекгорrrого псрсхо:~а прп Uк 6 = 20 В нс
60.1ее:
КТ937А-2
КТ937Б-2
Емкость коллекторного перехо::rа* при ИкБ = 20 В, ти­
повое значение:
КТ937А-2
КТ937Б-2
Активная емкость коллектора* при ИкБ = 20 В, типо­
вое значение:
КТ937А-2
КТ937Б-2
Суммарная активная и пассивная е\1кос r ь ко.1лек 1 ора *
при ИкБ = 20 В, типовое значение:
КТ937А-2
КТ937Б-2
Е!'.1кость ко.1.-1ек гор-эмиттер*, типовое зпачсн ие :.
КТ937А-2
КТ937Б-2
Е:v1кость ко.1лекторного вывоJд на основание держате­
ля*. типовое значение .
Е!'.шость ·Jмиттерноr·о вывода на основание держа те;~ я*.
типовое значение .
Емкость эмнттерного перехода прн С-JБ = О не бо-
. iee:
КТ937А-2
КТ937Б-2
Сопротив::ение эмиттера*. l!Шовое з11аченс1е:
КТ937А-2
КТ939Б-2
Сопротивление баJы*. т;шовос ·значение:
КТ937А-2
КТ937Б-2
Последовательное сопротив.1ение ко;1лек1 Jpa~. r нповое
знаt-1ение:
КТ937А-2
КТ937Б-2
Индуктивность вьшода эмиттера внутренняя*. т11повое
значение:
КТ937А-2
КТ937Б-2
Индуктивность вr,rвода базы внутреню1я*, типовое зна­
чение:
2.1
. 10-3
2.0 · 10-з
О.78 пс
0,6 пс
5.5 пФ
7,5 пФ
3пФ
4,5 пФ
0.3 нФ
0,6 пФ
1,35 пФ
2,7 пФ
0.35 пФ
0.7 пФ
1.6 пФ
2пФ
25 пФ
50 нФ
0,5 Ом
0.3 Ом
1Ом
0,5 Оч
1 0\.1
0.5 Ом
0.9 нГн
0,8 нГн
749


КТ937А-2
КТ937Б-2
Обратный ток ко.1.1сктоrа 11r11 Скь = 25 В 11е бо.1ее:
КТ937А-:
КТ937Б-2
Обра I ный i ок J\111 I гсра пр11 [·к,, = 2.5 13 нс Go.1ce:
КТ9.\7А-2
КТ9ЛF.-:'
По.1нос в·.;о..111ос со11рот11в:1с1r11с* КТ9~7А-2 пр11 f = 4 ГГ!.!.
L'кr.~21 В.!'",---().-! Hi. P " 1,ix=3 .6 Br. 11к=4U';",
Rэь = О. r 1111овс)~ ·111а 1 1~ш1с .
ЛО.iНОС \.:OПporвв_ll'llilC 11а1 r::..1:..:11*. тirпouoc 111аченне.
Прс.1с.1ы1ые л>еn.1уатащюнные дан11ые
Пос гояннос напряжен нс ко.1.rсктор-ба1а при т. = 213 +
398 к.
Посrоянное наrrrяжснr1с: ·Jч1птср-ба1а при Т, = 213 ~
398 к.
Постоянный ток ко:1.1сю ора при Т, = 213 + 398 К:
КТ937А-2
КТ937Б-2
Постоянная рассеиваемая -.ющиос 1ь ко.1.1ектора:
КТ937 А-2 при С'кr; = 6.5 В:
приТ,=2l3+353К•
приТ,=398К.
КТ937Б-2 при Ию;= 5 В:
при Тк=2l3+353 К.
приГ,=398 К.
Средняя рассеиваемая мощность кол.1сктора в ,1инами­
ческо~·1 рсжн\!с:
КТ937А-2:
при Т,=213-~298К
11рит.=398К.
КТ937Б-2:
при Т,=213+298 К
приТ,=398К.
Теп.1овое сопротин:1~ш1е переход-корпус:
КТ937А-2
КТ937Б-2
Течпераrурu нсрсхода
Температура корпуса .
0.35 11Г11
0.25 нГ11
2 \!А
5 \1Л
0.2 \rA
fl,'\ \1д.
(0,5 +
+}15) О:--1
(3i-jl)Ov1
25в
2.5 в
0.15 А
0.45 А
l.44 Вт
0,44 вг
2,25 Вт
0,25 Вт
3,6 В1
0,7 Вт
7.4 Вт
l,5 В1
34.5 K/Br
17 К/Вт
423 к
От 113 до
398 к
пр]! \1 е ч а [[ н я: 1. Паfiка !!f.!ВО;щв ПрОl!ЗВОДIПСЯ на расстояrши
не менее 3 \1\1 от .1ержатс.1я прн Т.,;: 533 К, .JОТТ)-Тrшется об­
резка н паiiка выыион на расстоя:т1r до 1 ~.:\1 01 :кржа 1е.1я
при Т,;;; 423 К в тс•1сннс Rречсн11 не 60.1ее 3 с прн ус.товин
фИКС3Ц:!1! ОС!!О!Ш!!l!Я ВЫПО;::а. Допускаеl С:Я [!аi/ка 11 00ре1Ка ф:1анца
держаге.1я бе3 псре...1а 1ш :--1ехаrшческих на11ряжен11й на керачиче-
750


скне дета.1и держате.1я при Т < 423 К в течение времени нс бо­
.1ее 3 с.
2. Не рско\1еr1.1уется напряжение пнтання КТ937А-2 бо.1ее 14 В
11 КТ937Б-2 бо.1ее 15 В в ,1ш~па1011е частот 0.9
-
1.4 ГГц. д.1я
нсех п~пон бо.1ее 18 В в .111апа-зоне частот 1.4
-
2,5 ГГц rt бо.1ее
21 В прн частоте 60:1сс 2,5 ГГп. Статнч~скнй режн~r дОП);ска­
стсяприl'кG<10Внfк<50чА.
о 100 200 300 i/ООiз,мА
Завис11~10сп_, мо,_~у.1я КuJффици­
е11та передачи тока от тока
"J\ШТТсра.
IкрА
1,0
~
g_ 0,16t----t---t--1--
~~ 0,12t----t --1- - -! -- - --l- - -- .I
~
КТ9З'7Б-2
i:' 0,08 >--->--f = 1ГГц -1- -- -1
<::!
о 200 i/00 600 80013,мА
Зависимость фазы коэффици­
ента передачи тока от тока
"Jмит гера.
1,2
1,0t---Т--'l.t--=1--~=--f---+~
0,8
-
0,8t----t--+---..+--
,..,
0,6
О//.
0,2
о2i/68Uк5,В
<:::>
~ 0,6
!:2. О,1/-1- --t ---1 f =1D DМГ11, -1- - -4 - -1
Uкs=5В
0,2t----t--+--+----+---1----1----I
о 20 1/-0 60 ВО 100 12Dlз)мА
Зависимость критического тока
от нанряжения ко.1.1ектор-база.
Зависимость 'v!одуля коэффици­
ента обратной передачи напря­
жения от тока эмиттера.
751


Ск,пФ
10 U-~---1----1--+------I
С3,пФ
251--> . ... ... .+ --+- --+- --+ - -1- -- -1
2 ,________,
КТ937А-2
о 5 10 15 20Uк5,8
Завис11vюс 1 ь емкости коллектор­
ного перехода от напряжения
кол.1ектор-ба·н1.
Рвых,Вт
,____,,__~-~---+---1 30
КТ937А-2
1,0
о
11
1-----+-f = 5ГГц,
1---1--UкБ= 218,
1----+- -Iк= 220мА
Завнси:v~ость выходной мощно­
сти и коэффициента полезного
действия от входной мощное 1 и.
20
10
fв"" Вт
l]к,%
1,8
цо
1,6
JO
1,'1
20
1,2
10
1
о
10 12 1Ц 16 18 20UкБ,В
Зависимость выхолной мощно­
сти и коэффициента поле·шого
действия от напряжения кол-
лектор-база.
752
о
КТ937А-2
0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 Uэ5,8
Зависи\1ость е\1кости эмиттер­
ного перехода от напряжения
Jvrиттер-б~за
Р8ых, Вт
ТJк,"lо
Цl---+--+--l--Ь..-160
50
,-~~цо
30
'---'-~-'---'-~..,..,_,-:-'20
О о,ц 0,8 1,2 1,6 Р8х,Вт
Зависи:v~ость выходной мощно­
сти и коэффициента по.1сзного
действия о г входной мощности.
+-~---:~о:.+--4 цо
~~--dJ5
1-'iЧ-?'F--t--t---i 30
Зависимое 1 ь выходной мо111но­
с r и и коэффициента по.1езно 1 о
действия от напряжения кол-
лектор-база.


Рвых 'Вт КТ937А-2 ТJн >О/о
2,0
50
'7к
цо
1,6
1,2
30
f=5 ГГц,f!,,=1 Вт,
20
о,в
Ик5=21 В
0,4
10
о
о
120 140 160 180 200 Iк, мА
Зависимость выходной ;v~ощно­
с 1и 11 ко-эффициснта пос~езного
дейс1 вш1 от тока ко.1.'Jектора.
Зависимость выходной мощно­
сти от чаСТОIЫ.
Завис11мости выходной мощ110-
сп1, рассеиваемой мощности и
коэффициента стоячей волны на
входе от фазы коэффи11иеН1а
отражения нагрузки при рас­
согласовании с К:,. с= 2 при
сопротивлении ав гоматическо­
го смещения, равном нулю, в
режиме оптимальной нагрузки:
(Кстu)0, = !,Рвых=l,3Вт,Р=
= 1,6 Вт.
fбых 1 Вт
ц,о
3,5
40
3,0
30
2,5
20
2,0
10
1,5
о
О,25 0,3 0,35 О,ц О,'15 Iк, А
Зависимость выходной мощно­
сп1 и коэффициента по.1ез11оп1
дейс1 ния от тока ко"1лсктора.
б
5
f./.
о
f =О,9-1,Ч.ГГц,Uкs= 158
f=1,Ч.-2,5ГГц ,Uкs= 1ВВ
f >2,5ГГц, Uк5=21В
1231/5f,ГГц
"6ых ,Р, Вт
3
КТ937А-2 (Кст и)6х
15
2
o.__~~'---'---JL--...J_--'O
2I g?!.,
J J :л: ч.7j- 52} 1Рн ,рад
753


liыx' Р, Вт
3
KT9J7A-2
f=2ГГц, (Кст./J)и=2,
Uк5=12В, f8,=0,35Вт
Зависимость выходной мощно­
сти, рассеиваемой мощности и
коэффициента стоячей волны на
входе от фазы коэффициента
отражения нагрузки при рас­
согласовании с Кст. и= 2 при
сопротивлении автоматическо­
го смещения, равном нулю, и
при компенсации индуктивности
базы внешней емкостью в ре­
жиме оптимальной нагрузки:
(Кст.L)nx = 1, Рвых = 1,4Вт, Р=
= l,l Вт.
КТ938А-2
Транзистор кремниевый эшrтаксиа.1ьно-п.1анар11ый 11-р-11 генератор­
ный сверхвысокочастотный.
Предназначен д"1я работы в схеС\-!аХ уси.1ения мощности, гене­
рирования, у"1ножения частоты в ;щапазоне до 5 ГГц в режи­
мах с отсечкой ко.1.1екторного тока в гер"1етизируемой аппаратуре.
Бескорпусной, вы11ускается на керамическом лержателе с лен­
точными выводами. Ус,1овное обозначение типа - черная точка на
верхней части держате.1я. Обозначение типа приводится на этикетке.
Масса транзистора не бо.'!ее О, 15 г.
19
'Электрическ11е пара:viетры
Коэффициент усиления по мощности на f = 5 ГГц при
Икь=20В,Рвых=1Втнеченее.
2
типовое значение .
3
Коэффициент по.1езного действия ко.1лектора на f =
= 5ГГцприИкь=20В,Рвых=1Втнеменее
26 °0
типовое значение •
33 °~
754


Граничная частота ко1ффиц11ента передачи тока при
Uю;=3 В. fк=0,15 А не :vreнee .
Критический ток при UкG = 3 В. типовое значение
Е\1кость ко.1.·1екториоr о персхо.ц при СкБ = 20 В не
бо.1сс .
Посгоянная врс\1ени цепи обратной связи прн/= 100 МГц,
Сп=10 В. 1, = 50 мА не бо.1ее
2 ГГц
0,27 А
4пФ
2пс
типовое значенrrс
0,6* пс
Акп1вrшя е\1кость ко.1.1ек 1ора при l.'кБ = 20 В. гн-
повое значение .
Су\rмарная ак п1вная и шtсснвная е\1 кость ко.1.1ектора
при СкБ = 20 В. ·1 шювое значение .
Емкость ко.1.1ектор-э\111ттер. типовое значение .
Е\1кость )\1Иттерного перехода при с,Б = 2 .5 в. 1 и­
повое значение .
Емкость выво..щ э\111ттера относитс.1ьно базы, типовое
значение
Е\rкость вывода ко.1.1сктора относите:rьно базы. ти-
повое значение
Сопротив:rение базы. типовое значение .
Сопротивление ко.1.1ек1 ора. типовое значение
Индуктивность вывода базы внутренняя, типовое зна-
0.3* пФ
1,2* пФ
0,5* пФ
7.5* пФ
0.35* пФ
0,5* пФ
1,5* Ом
1*Ом
чение .
О,17* нГн
Индуктивность вывода эмиттера внутренняя. типовое
значение
0,3* нГн
Индуктивность вывода ко.1.1ектора внутренняя. типовое
значение
Сопротивление эмиттера, типовое значение .
Обратный ток ко.1лектора при ИкБ = 28 В не более
Обратный ток Э\1ИТТсра при и,Б = 2,5 в не более
Предельные эксплуатационные даtшые
Постоянное напряжение ко.1.1ек гор-база при Тк = 228 +
+358к.
Постоянное напряжение Э\!Иттер-база при т. = 228 ..о.
-'- 358 к.
Постоянный ток ко,ыектора при Т, = 228 ..о. 358 К .
Постоянная рассеиваемая \1ощность коллектора при
ИкБ ,,,_;; 10 В:
приТ,=228..о.303К.
прит.=358К.
Средняя рассеиваемая мощность кол.1ектора в дина­
МИ'!еском реж11\1е:
прит.=228+298К.
приТ,=358К.
Теп.1овое сопротив.1ение переход-корпус .
Темпера тура перехода .
Температура теп.:~оотвода .
0.5* нГн
0,25* Ом
1мА
0,1 мА
28в
2,5 в
0,18 А
1,5 Вт
0,8 Вт
2,5 Вт
1,3 Вт
50 К/Вт
398 к
От 228 до
358 к
755


Пр и :vi е чан-и е_ Держа тел, транзис гора должен припаиваться к
теплоотводу при Т < 473 К за вре:v~я не бо:1ее 3 с при уси_1ии
приж11:v~а 5 Н_ Допускается 11рнж11:v~ лержатс_1я к теп_1001 во;~у с усrоие\1
20 Н без пайки_
Пайка вывоаов ло.1ж11а про11звод1п~,ся на расстоянии нс \1енес
3 :1,1ч от дсржате_1я. при Т < 4::!3 К допускается паiiка на расстоянии
110 1 \1М при ус_1овин жес1ко!1 фиксанни основания вывода от­
носитс_1ьно держа 1е.1я_
.::
'--
<:>.
5
КТ938А-2
ч..'- з1-----+---+---->--+----1
Зави..::11:1,юст~, граничной частоты
от тока ко;1:1ектора_
С,'<,п'Р
5
J
2
о
\
"
f'. .
1
1
1
КТ938А-2
--
-
1
--
[
1
1
10
Зависимость ел1косп1 коС1,1ектор­
ного 11ерехо1щ от напряжения
кол:1ектор-база_
756
1
1
КТ938А-2
D,2
-
....
J."-
/
v
1
0,J
0,1
2
Зав11спЛ1ость критического тока
01 напряжения ко.1_-1ектор-база_
'"'к ,пс
KT9JBA+2 1
т
\ Uкs'=108
1
0,7
'\
'-
uj
0,6
0,5
О 20 ЧО 60 80 100lз/"А
Зависимость постоянной врсч~­
ни цепи обратной свюи , -, 1
тока эмиттера_


КТ9138А1_2
1,2
/
.. .-
,/
v'
1 UкБ =208
f1=5 гц-,__
1,0
1,0
.. ..
0,8
ct;)
~ 0,6
rf О,Ч-
0,2
О 100 200 300 400 Рвх,мВт
о
10
20
Зав1к11\1ос 1ь выхо;щой ~-ющ1ю­
ст11 от входноii.
Зависи~юсть выхо;щой ~10щно­
сти от нанряжения ко.r.1ектор-
6а3а.
КТ939А
Транзистор кре"1нисвый титаксиально-п;~анарный 11-р-11 уси.11пеаь­
ный сверхвысокочастотныii.
Прелна·значен ш1я усилите.1ей к:1асса А с повышенны"1и 1ребо­
ваннямн к :1инсiiностн.
Выпускается в мета;r;юкера"1ическо'\1 кор11усе с гибкими по.1ос­
ковы\1и выводами. Обозначение типа приводится на крышке корпуса.
Масса тран3исгора не более 2 1.
zo.s
Эмu.mmt::
11,5
коилент р
-----"'+--1-4.5
1J,д
Электрические параметры
Граничная частота коэффициента передачи тока:
при Uкэ~12 В, 1-э=0.2 А не менее
типовое значение .
приU1сэ=15В.Iк=50мАнсменее.
Постоянная времени цепи обратной связи при Uк = 10 В.
/3=50мА,/=30МГц не более
1 иповое значение .
2500 МГц
3060* МГц
2000 МГц
10 пс
4,6* пс
757


Сгатичсскнй коэфф11ц11ент псрсдач11 тока в c'e\le с общ1щ
эх.шттеро!l.r:
при l'кэ = 12 В, /к= 200 !1.!А
т иповос значение .
при Сп=5В, fк=50 чА
Неравно\1срность коэффициента псрс.Jа•111 тока в рсжиче
.\~а.того снгна.та при Ск·сJ = 12 В. fк = 40 + 4()0 \rд не
60.тее .
типовое ·значеннс .
Граннчное напряже1111е прн /.cJ = 30 \IA не .\1енее
гнповое значение .
Ечкос гь ко.т.тскторного перехода при Ск 6 = 12 В нс
60.тее .
rиповое значение .
Обратныii ток ко.1.1ектора при Ск 6 =; 30 В не бо.тее .
Обратный ток эчиттера при l'эь = 3.5 В не бо.тее
Ечкость э:<.шттерного перехо;~а* при l'эБо =О .
пшовое значен11е .
Обратный ток ко.1.1сктор-э'.1иттер* 11р11 Скэ = 30 В не
бо.тее .
Преде.1ьные эксп.1уатацнонные ,1ан11ые
Постоянное напряжение ко:1.1ектор-ба 1а:
11р11 тк=298 -;-398 к.
приТ,=213К.
Постоянное напряжение ко.1.1ектор·1\1111 rep пр11 R" 6 =
= 10Оч:
приТ,=298-;-398К.
при Тк=213 К.
Постоянное напряжение -эчиттер-база при Тк = 213 + 398 К
Постоянная рассеиваемая '\Ющнос гь ко.1.1сктора:
11ри Т,=213 -;-298 К
приТк=398К.
Течпература перехода
Тем11ература окружающей среды
40-:юо
113*
35-200
1.5
1,25*
1~в
28* в
5.5 пФ
. 1,9* пФ
1 \Iд
0.5 \rд
15-23пФ
17.5 пФ
2 ,rд
30в
25в
30в
25в
.\5 в
4Вт
0,8 Вт
423 к
От 213 до
т,=398к
П р и ч е ч а 11 11 с. Пр11 эксп.туаташш гранз11с тров в реж11!'.1ах. нс
выхо;~ящих за преде:1ы об.1ас1 и макси\lа.тьных режн:vюв. допускается
их пр11мене1111е на низкнх частотах вп.тоть до статического режнма.
Пайка выво.1ов допускается пр11 ус.ювии, 'По те\шсратура корпуса
в .тюбой точке пе будег 11ревышать 423 К. Изгиб выводов
допускается на pacc·r оянии нс '.1енее 3 мм от кор11уса транзистора.
Разрешается обрезать выводы 11а расстоян11и не менее 3 М\1 от
корпуса. Оба эмиттерных вывода ;~о:rжны быть симметрично соединены
в электрической схеме.
758


h21З
120
110
100
90
80
70
60
50
-
/
"
КТ939А
~
~
--- ............ ~
~
Uк5 =12 В
50 100 150 200 250 300 350 Iк, мА
Зависнмость с гатического КО)ф­
фициен ra передачи тока от тока
ко.1.1ектора.
Ск,пФ
9
\
'
\
\
КТ939А
'\.
'-~
3,2
3,1
3
2,9
'С!. 2,8
;,,2 ,1
<+..'-
2,6
2,5
2,'1
1
/
КТ939А
~
V"'
~1'...
!/
...........
Uкз =12 В
50 100 150 200 250 300 350 Iк, мА
Зависш.1 ость граничной частоты
от тока ко.1.1ектора.
Iк,мА
KT9J9A
\ Тп=42JК
'fOO
JOO
i\ ТК=298К
200
\ ....
100
в
7
6
5
'1
J
2
0'1 81216202'1UкБ,8
о'1В1216202'1Uкэ,В
Зависимость емкости ко.1.1ек·1 ор­
ного перехода от напряжения
коллектор-база.
КТ942В
Зависимость тока ко:шектора
от напряжения ко,1лектор-эмит­
тер.
Транзистор кре:v~ниевый э11итаксиально-планарный 11-р-11 генера­
торный сверхвысокочастотный.
Предназначен ;1;1я работы в схемах усиления мощности, 1·ене­
рирова11ия, умножения <~асrоты в диапазоне 0,7-2 ГГц в режимах
с отсечкой ко:шекторноrо тока.
Выпускается в мета:r.1окерамическом корпусе с по.1осковыми
выводами. Ус.1овное обозначение тнпа дае·1ся на верхней части
корпуса: буква В и красная точка. Обозначение типа дается
в этикетке.
Масса 1ранзистора не более 2 г.
759


'
~
hf~"J
1,S
-
.f, 9
Э.1е1прнческие параметры
Выхо;шая 7v1Ощнос1 ь на Г = 2 ГГц при С'кь = 28 В.
Р8,=481неменее.
1 нrювое значение .
Коэффициеrп полез11ого действия ко.иектора на/= 2 ГГц
при Ик6 = 28 В, Рвх = 4 Вт. типовое значение .
Моду.1ь коэффиниента передачи гока нrи Икь = 10 В.
fэ=1.2 А. /=300 МГц не чснсе .
тнповое з11а че11ие .
КрiПИ'rеский ток при ИкБ = 10 В. I = 300 МГц 11е
менее .
Критический 1ок ",
ти11оное значение
Пос1оянная вречсни цепи обратной связи при С'ю; = 10 В.
13= 150 мА./=30 МГu нс боже
типовое значение .
Е\rкость ко.1.·1ек rорнт·о перехо;1а пrи С'кь = 28 В не
8Вт
9Вт
30 ""
6.5
11,4*
1.5 А
2.5 А
2.5 пс
1.8* !IC
бо.1ес .
22 пФ
типовое зпачение .
16.5* пФ
Елrкость J:vrиттериого перехода* при И, 6 = О. пшовое
3f1ач~н11е
Су·vr\шрная активная 11 пассивная е:v1кость коллек1 с'рного
псрехо_сш* при Икг, = 28 В. типовое значение .
Елrкость 11ерехо;щ ко:иек 1ор-эмнттер*. тнповое з11аче-
1111е
Л к 1нвная е:-лкость ко.1.1екторного перехода* при Ию; =
= 2 8 В, типовое значение
Е\rкость 11ерехода э:-литтер-база*. типовое значение.
Е\1кость псрсхо.1а кол.1ектор-6а·ш *.типовое значение.
Сопротивле11ие базы*. типовое значение .
Пос.1едователыюе сопротив.1е11ие коллектора*, типовое
значение
Сопrотив.1енис 'JМиттера*. типовое значение .
Индуктивность базы внутренняя*. типовое ·шачение .
760
110 1:Ф
12.5 пФ
2.5 нФ
2пФ
2.7 пФ
2.0 i!Ф
0.25 О:ч
0,25 0:-л
0,1 Ом
0,14 нГн


Индуктивность эмиттера внутренняя*, типовое значе-
ние
0.8 нГн
Индуктивность ко:1."Iсктора вну гре11няя*. типовое значе-
ние
1.5 пГн
Техшсратурный коэффициент критического тока*. типовое
значение
Техшературный коэффициент граничной час 1оты *. гипо­
вое значение
Температурный коэффициtнт сопротив:1ения базы*, ти­
повое значение .
Обратный ток ко.пектора при Ию; = 45 В не бо.1ее .
Обратный то.к эмит гера при ['эБ = 3.5 В не бо."Jее
Предельные эксплуатационные данные
Пос 1·оянное напряжение ко.'lлекrор-база:
прит.=298..о.373К.
приТк=228 К .
·
Постоянное напряжеш1е эмиттер-база при Тк = 228 ..о. 373 К
Постоянный ток ко.1."Iектора при т. = 228 ..о. 373 К .
И:1.шу.1ьеный ток ко.1.1ектора при т11 = 10 чкс, Q = 100,
тк= 228..о.373 к
Постоянный 1ок ба'!ЬI при Тк = 228 ..о. 373 К
Средняя рассеивае,1ая :1.ющность ко.т1ектора в ,:шна \Ш­
ческом реж11:1.1е:
приТк=228..о.298К
прит.=373К.
Тсп."Iовое сопро 1 ив.тение переход-корн ус
Тсмпературu корпуса .
0.003 1/К
0.0006 1/К
0.0003 1/К
20 мА
10 \1А
45в
40в
3.5 в
1.5 А
3А
0.5 А
25 Вт
14.3 Вт
7 К/В1
От 228 до
373 к
Пр нм сч ан 11 я: 1. П::ш:«J выво.1ов прн Т ~ 53:1 К ;ю.1жна
прои1водиться на расстоянии не .\1енее 3 V.' .! от корпуса. Допус­
кается пайка на рассгоянш1 до 1 мм от корпуса при Т ~ 398 К
при времени пайки не более 3 с. Разрешается пайка корпуса
тра;пистора к теп:1сютводу при Т ~ 423 К 11 11р11 скорости изчене-
11ия температуры при пайке не более 1 К/с.
2. Работа транзистора в И\шульсных рсж1п1ах K.'Jacc-a А до­
пускается нри т11 ~ 1О :1.1кс 11 в непрерывных ре·.ю1\н1х при
l1к6~7ВиРк~4,9Вт.
761


КТ942В
2 t----~t--f =J00 МГц
о
1,0
2,0
Завис11,10с 1h \10. 1~. тя ко Jфф1щ11-
снта передач11 ~ока на высокой
частоте от тока )\!IПтера.
Ск, пФ
100
80
\
КТ9428
\,,
--
60
цо
20
о
10
20
Зависимость емкости ко.1:1ек­
торного псрсхощ1 о 1· напряже­
ния коллектор-база.
Рвых,Вт КТ9428
!Jк,%
10 t----+ --+- -+- ---1--t 50
ц f--------+- --+ - --1 20
Uк 5 =2ВВ,
2t----+- -+- f = 2ГГц ,
10
1 R53 =0,5 Ом
0
о
2 3 f!. Рвх,Вт
Завис1.1\1осп1 выхо:1ной мощно­
е ги и ко ;ффициента по~'!езноrо
действия от входной чощности.
762
"tн,пс КТ9428, f = 30 МГц
100
1aH!ICl!\10CTh ПОСl оянной вpe\1e­
lll! цепн обра1 ной свя111 от тока
ко.1.1ектора.
С3,пФ
100
во
60
цо
20
о
~
""' ~ ....
-
r--
КТ9428
1,0
З<1виси\1Ость емкости J~ш ггер­
ного 11ерехо.1<1 от напряжения
ЭMll I f ep-Oi1 '3a.
Р8ых, Br КТ942В
lJк, %
10 f----+--+--+---4-~ 50
4
,____.. __Uкs =288,
f= гггц,
21----+- Рвх = цВт
цо
20
10
1
.___, ____,_ __, ___.__ ___ _. о
0
01 2 0,4 0,6 0,8 R53,Ом
Завпсн~юсти выход110й чошно­
сп1 н К(nффнuиента по.1с1но1 о
лelic 1вня от сопропш:1ения Gаза-
эмит гер.


124
7к ,О/о
КТЭL/-28
20
1
100
16
80
,_
~12
60
:::<
о._.::, 8
L/-0
1 Uк5=28В
ц
f=1ГГц
20
1
1
о
о 0,2 о,ц 0,6 0,8 Рох ,Вт
Завнс11\юст11 вы\о.1ноii \1ощ1ю­
с 111 11 ко·э</1фш111ен 1а по.1езного
деi!с1вня 01 B")JflOЙ \IOЩHOCTll.
Реш' Вт
Тj,%
25
70
20
60
15
.....
50
.....
10
L/-0
КТЭL/-28
Т/
5
30
OL-__J~....J..~....1....~J..._.......J'---'
0,8 1,0 1,2 1,ц 1,6 1,8 f,ГГц
Завнсн\10сп1 выходной \1Ощно­
ст11 11 кос~фф1щиен·1 а 1ю.1ез11ого
действия 01 частоты в схе:-.1с
и:-.1П) .1ьс1юг о автогенератора.
,_
30
25
20
КТЭL/-28
/,,,
о:_ 15
/,.
v f=1,5ГГц-
5
о
/v
/ tи =2мкс
-
Q=10
1
!
10 15 20 2530 35Uк5,В
Зав11с11\1ость выхо.1ной :'-101цно­
ст и в СХе\1е 11:'-IП)'.1 hCHO! о ав го­
гснератора от напряжения ко:1-
_1ек гор-база.
Рв",, Вт
L/-Ot---i""...-t--+-~+---+----j
10
о ... ,,..- f- .,,.- ...... ..,,- ..J .- ...,.1 - ,-. 1. ...- .....J
0,8 1,0 1,2 1,Lf 1,6 1,8 f,ГГц
Зависн-.юсть вы.\одной :'-1ощно­
сп1 от частоты в схе\1е 11\1-
пу.1ьсного уси.1ите:1я \1ощности.
КТ960А
Транзистор крс\1н11свый 'JПИ 1аксиа:1ьно-н.1анарный п-р-11 генератор­
ный свср:шысокочастотный.
Прелщзначе11 J.1я прI1\1енсния в схсчах усн.111те.1еi! \Ющностн
класса С. у\1ножнте:1ях частоты 11 азтогенераторах на частота.х
100-400 МГц при напряжении питания 12.6 В.
Вып)скается 13 чета:1.1оксрамическо\1 корпусе с четырь:-.1я нзо­
.'Тиропа~шы:'-1и ог корпуса гибки\111 :1енточны\1и выво,1ами. Транзис­
тор содержи~ вну1реннее сог.1асующее LС-звено. Обозначение типа
приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 7 r.
763


база
0,3
7
Э.1с1причсскис пара'1етры
Выхо.·1ш1я :-.ющнос1ь при Uкэ = 12 В. Г= 400 МГц.
Тк~ЗlЗК.
КоJффшщент уси.1е11ия по \1Ощности нс >vicнcc
11111овое ·1ю1чение .
Ко-эфф11цнснт поле·1ного ;1ейс1 вня кол:1ектора не менее
типовое значение .
Н<шряжение насыщения коллектор--эмиттер при /к =
= 500 мА. / 6 = 100 мА. типовое значение .
Мо.:~у.1ь ко-эффициснта передачи гока при j = 300 МГц,
Uкэ=10В.fк=3Анеменее.
r иrювое ·ша чение .
Критический ток коллектора* при Uкэ = 10 В. (=
= 300 МГн. гнповое значение .
Постоянная врс\1сни 11еп11 обратной связи* при UкБ = 5 В.
/э = 500 YIA. /= 5 МГц, типовое значение .
Емкое гь кот1екторного перехода* при UкБ = 12 В.
f=30МГцнеболее.
типовое значение .
Е\1кость 1:-.111ттерного пcpcxoJia при U36 =О. / = 5 М(ц.
11111овое ·1начение .
Обратный ток коJшектор-J\111Ттер прн Uк·J = .16 В.
Rr,э = 1О Ocv1 нс более:
при Т=298 К .
11ри Т= 398 К.
Обратный ток -э~штн:ра ври U36 = 4 В не бо:1сс:
при Т=298 К .
приТ=398К.
Ин.:~укпшность внутреннего LС-звена*. типовое значение
764
40 В1
2.5
3.5*
60 00
65* () ()
0.08* в
2
4*
22А
12,5 пс
120 пФ
82 пФ
1200 пФ
20 мЛ
40 мл
10 мА
20 мА
0,33 11Гн


1;t
1~' р
,!
Емкостh внутреннего LС-·1вена *. типовое зна ченис
Индуктивность выводов прн / = 1 \1М:
Э\11птерноrо
ко.~:1екторного
базово1 о .
Пре.1е.1ьные эксп.1уатаuионные данные
Постоянное напряжен не ко.1.1ек1 ар-эмиттер при R 63 ,,;:
<10о,,
610 пФ
0,38 нГн
1.6 нГн
0,49 нГн
36в
Постоянное напряжение Э\IИl гер-база
4В
Постоянный ток кох1ектора
7А
Средпяя рассеиваемая мощность в динамическом ре-
жиме:
при Тк<313 К.
' при
Т,=398К.
Допусти\1ый Кст с при Рnых < 40 Вт. Uкэ = 12.б В.
Т,<313К:
втечение3с.
в непрерывно\! режн\1е
Теп."Iовое сопротивление переход-корпус
Тсчпература перехода
Тс,шернура корпуса . ·
70 Вт
20 Вт
10
3
1. 75 К/Вт
433 к
От 233 до
358 к
П р 11 меч а н и я: 1. Допускается работа тра11зисторо:з на пере­
менно\~ сигнале в рсЖИ\Iе к.<ассов А. АВ при ус:юшш, что ра­
бочая точка находится в области максича:1ьных режимов.
Допускается работа тран1исторов при f > 400 МГц, Рn,.чакс ,,;:
< 16 Вт и нспревышешш прсдс."Iьно до11устимых режимов.
2. Пайка выводов допусrшегся на расстоянии пе \1енее 1 мм
от корпуса по ~1стодике. нс пршюлящсй к нарушению конструкuии
и гер\1е гичности трuн:нк 1оrов.
Пайку с1сдуст про11·!RОit11ть при те\шературе жала пuяльникu
не выше 543 К в течение ЕР"'1ени не бо:rее 5 с.
Разрешается обрезать выво.\Ы на рассто<rнии не !У!енее 4 \l:V! 01
корпуса без передачи уси."Iня на керамическую чuсть корпуса ое1
нарушения гермстичноспr н с сохрансниеч обозначения ко.1,"Jектор­
ного вывода.
Чвсто га ктп uк гной поверхности теплоотводов до.1жш1 быть
не ченее 2.5 . неп.сюскостнос1 ь не более 0,04 \1М.
Тсп."Iовос сопротивление корпус-1 епJюотвод при нuнесенин т~пло­
отводящей с!У!азкн типа КПТ-8 (ГОСТ 19783-74) на поверхность
теп.1оотвода транзистора не бо;1ее 0,3 К,'Вт.
765


Тн1ПС
501---1,---+~4---J-~-+--~+-----i
401--+.+-~4---J-~-+--~+-----i
3оt---+--!-
201---1-~~--J-~-+-~I-----<
101---+-~+---+----"''f..::-+-----1
О 0,2 О,4 О,6 0,8 1013,А
Зависи\1ость пос1 оя1111ой вре:v~е­
ни цепи обратной снязи от тока
Т\fИттера.
6
5
4\
"""
КТ9160А
1
Uкэ =36 в
R35 =100м
......_
--
-
213 273 333 393Т,К
Зависимость обратного тока
кол.1ектор-)миттер от темпера­
турь1.
Рвых
50
40
30
20
10
',Вт
КТ960А
7'/к~
... ~
fВых
/
\.v
/
, / f=200 МГц
Uкэ=12,6 В
1
1
1
1/н' %
90
..,.......
-
80
70
60
50
О
2 3 4 5Рвх,Вт
Зависl!\IОСТЬ ныхо.11юй \IО1нно­
сп1 11 ''пффиц11е111 а 1ю.1е1нш о
деЙСl ПJ!Я ОТ В.ХОД НОЙ ~IОЩ!IОСТИ.
766
Ск,п<Р
200
\
1
КТ960А
160
120
80
40
\
.1
f=30МГц
""~ -~
-
о
10
20
Зависимость емкости ко.1.1ек­
торного перехода от напряже­
ния ко.1.1ектор-баJа.
1
КТ960А
'\
Тп=433К '-..
,_____
............
Т,,=300К
11
1
о246810Uкэ,В
Зависимость максим<1льно до­
пус1 имо1 о тока коллектора от
напряжения коллектор-эмиттер.
fвых' Вт
КТ960А
11.,%
50
во
l/-0
70
30
60
20
50
10
40
о246в10Psx'Вт
Зависимостh вых<1дной мощ1ю­
с111 и коэффициеIIта по,<ез1юго
действия от входной мощности.


Рsых, Вт
501----t --- -t -
КТ960А 7/н ,°/о
+---+--t-- --180
цo1---+-7'-+--+-+--::=t------l 70
30
60
20
50
10
цо
0._-'-~-'-----1.~-'-~'---'
2Ц681012f'вх,Вт
Зависи\1ость выходноii мощно­
сти и коэффициента по.1езного
действия от вхо,1ной мощности.
1hг1зf
5
ц
3
2
о
1
КТ960А
-
/
-,.. ..
( f=300МГц ...............
-
Uкз=108
1l
ц8121620Iк,А
Зависимость модуля коэффици­
ента передачи тока 01 тока
ко.1.1сктора.
fвых, Вт
КТ960А
77н,%
50
100
цо r----т-::--т--~-~ 80
30
60
20
цо
10
20
о
8
12 Uкз ,В
Зависfl\1ости выходной :1-1ощно­
стн и коэффициента полезного
действия от напряжения ко.1.1ек-
fнр,А
20
16
12
в
о
тор-э:1-1иттер.
КТ960А
v
~v
v
/ f=300 МГц
2ц6810Uкэ,В
Зависи\1ость критического тока
от напряжения ко.1лсктор-эмит­
тер.
р-11-р
2Т914А, КТ914А
ТраИ111сторы крс~шисвые эпитаксиа.1ьно-п.1анарные р-11-р мощные
сверхвысокочастотные.
Предназначены д.1я испо.1ьзования в широкопо.1осных двухтакт­
ных ус11;1и гелях моmности на частотах до 400 МГн в паре с
транзистором 2Т904А (КТ904А).
Выпускаются в :1-1стал.1окерам11ческих корпусах с жестки:1-1и вы­
водами. Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса прибора не более 6 г.
767


J,7
3мцттео
Э.1ектричесю1е пара~1етры
Выхо~ная мощность при Р", = 1 Вт. L·к·) = 28 В 2Т9НА
не ~1енее:
на (= 100 МГu
на /= 400 МГц
Коэфф1щиент по.1езного действия ко.·1.1сктора при U10 =
= 28В.Рвых=3Вт:
2Т914А не :vieнee:
на /= 400 МГu
11а /= 100 МГu
КТ914А при Рвых = 2.5 Вт,/= 400 МГu не :vieнee.
Емкость коллекторного перехода при Скr; = 28 В. / =
= 5 МГu не бо.1ее
Критический ток при Икэ = 10 В, /= 100 МГu не
менее:
2Т914А
КТ914А
Граничная частота коэффиuиснта псрел<1 чи 1 ок<1 в схеме
с общим эмиттером при Икэ = 28 В, I= 100 МГц.
Iк=0.2Анеменее.
Постоянная времени цепи обратной связи при ИкБ = 1О В.
/э=30мА,.f=5МГцнсболее:
2Т914А
КТ914А .
Предельные экс1ыуатационные данные
Посто~шюе напряжение кол,"Iектор-база .
Постоянное нанряжение коллектор-эмиттер
Постоянное н<1пряжение >миттер-база
Постоянный ток коллектора
Импульсный ток коллектора .
Постоянный ток базы .
Постоянная рассеиваемая ~ющность кол.1ектора:
при Т,=213 -;.298 К
приТ,=398К.
Постоянная рассеиваемая мощность ко.1лсктора в динами­
ческом режиме:
768
7.2 Вт
2.5 Вт
40 ()()
65()()
30 n(J
12 пФ
400 мА
250 мА
350 МГu
15 нс
20 нс
65в
65 13
4в
0.8 А
1.5 А
0.2 А
7В1
0,4 Вт


при т.=213-:-313 К
прит.=398К.
7В1
1,5 Вт
Теп.1овое сопротивление переход-корпус .
Темпера гура перехода
16 К/Вт
423 к
От 213 до
398 к
Температура корпуса .
2,4
2,01----1----1------11---j
h'
<>::> 1,В 1----1--+ -- --""""'"1----1
2Т914А
~
~ 1,2 l----l----1---"''---~1---;
~
~ 0,8 1----'--J<--+ -
~
С\.: о/f1----''----+-
'
О O,'t 1,0
Зависимость относите.1ьной вы-
хощюй мощности от
входной.
о О,5
f =Ч-ООМГи,,
Uкэ= 288,
Тн = 29ВК
1
Зависимость относительного ко­
эффициента пос1езного действия
1,2
1,0
о
2 Т91ЧА
~""
v
/
/..,.
-
,;
Рвх -1,О Вт,-
f = Ч-00 МГц,
т = 29вк-
1к11
5 10 15 20 25Uкэ,В
Зависимость относительной вы­
ходной мощности от напряже­
ния коллектор-эмиттер.
2Т91ЧА
2
1
,_
'-икэ=2ВВ,
>--Рвх=18т
1
213
273
.........
~
333 т,к
Зависимость выходной мощ-
1юсти от температуры.
J от входной мощности.
i!:
25 По,1упроводниковые приборы
769


Разде.1 дев.'1 111ый
ТРАНЗИСТОРНЫЕ СБОРКИ
11-р-11
1НТ251, 1НТ251А, К1НТ251
Транзисторные сборки. состоящие из четырех кремниевых.
эпитаксиально-п.1анарных 11-р-11 перек.1ючате:1ьных высокочастотных
ма.1омощ11ых транзисторов.
Предназначены д;1я 11рименения в псрек.1ючате.1ы1ых схемах.
Выпускаются в мета.1локерамическом корпусе с гибкими вы­
водами. Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса сборки не более 0,4 r.
14 73
12
1110 .9
~А~А
2
:J 4-
Электричес1ше пара:четры
Напряжение насыщения ко;1;1екгор--эмютер при lк =
= 400мА,/Б=80мА:
fi7
1НТ251, 1НТ251Л не бо-1ее
1В
пшовое значение
К1 НТ251 не 60.1ее
Нап.ряжение н<1сыщения эмиттер-база при fк = 400 мА.
/Б=80мА:
1НТ251, 1НТ251А не более .
типовое ·;начение .
Статический коэффrщиент передачи тока в схеме с
общим эмиттером при Икэ = 5 В, lэ = 200 мА:
1НТ251, 1НТ251Л
типовое значение .
К 1НТ251 не менее
770
0,7* в
2в
1,5 в
1.1* в
30- 150
45*
10


Мо2у:1ь коэффи!lиента переда'Ш тока при Икэ = 10 В,
Iк=30 мА,/=100 МГц не менее .
2
типовое зна,rе1ше .
Bpc:vrя рассасыоання при fк = 150 \tA, /li = 15 х1А:
l НТ251 нс бо:1ее .
типовое значение .
lHT25lA. KlHT25l не более
1 нпuвое зна'1ен11е .
Емкость ко.ыекгорного переход;:~ при Uк 6 = 10 В. /=
=2МГ!lнеGo.1ee.
типовое значение .
Емкость J:юrттерного перехода при Uкэ =О, f = 2 МГц
не бо.1ее . .
типовое значение .
Обратный ток ко.1.1ек1ора при Uкr; = 45 В не более:
приТ=298К.
прн Т= 398 К !НТ25l. lНТ25lА .
Обратный ток Э.\шттера при ИэБ = 4 В не более
Преде.1ьные эксп.1уатащюн11ые данные
Постоянное напряжение кол.1сктор-база и кол.1ектор­
эми пер при Rэr; < l кОхr:
4,5*
100 нс
65* нс
200 нс
120* нс
15 пФ
~* пФ
50 пФ
30*пФ
6 мкА
30 мкА
10 мкА
K1HT25l
45В
IНТ251. lHT25lA:
приТп<373 к'
45В
при Тп=423 К
22В
Постоянное напряжение эх1иттер-база .
4В
Импу.1ьсное напряжение эхшттер-Gаза при ти < 10 мкс,
Q>2.
Импульсное напряжеrше ко:1.1ектор-эмиттер при ти <
<10мкс.Q>2:
КIНТ25l
1HT25l, IНТ251А:
11ри Тп<373 К
прит"=398к.
при Тп=423 К
Постоянный ток коллск1 ора
ИХ1пу.1ьсный ток ко.1лектора при Ти < 10 мкс, Q > 2
Пос 1 оянная рассеиваемая хющнос 1 ь:
при Т~333 К .
при Т= 358 К КIHT25l .
при Т = 398 К 1НТ251, 1НТ251А
Имnу;1ьсная рассеиваемая :v10щность 1НТ251. lHT251A:
приТ<333К.
приТ=398К.
Температура перехода:
1НТ25l. 1НТ251А
ЮНТ251
Тепловое сопротивление переход-среда
25*
6в
60в
60в
40в
30в
400 мА
800 мА
0,4 Вт
0.16 Вт
0,1 Вт
10 Вт
2,5 Вт
423 к
393 к
218 К/Вт
771


Температура окружающей среды:
1НТ251, 1НТ251А
КIНТ251
От 213 до
398 к
01 238 ;io
358 к
Примечание. Рассп1я11ие 01 корнуса ;10 мес1а паiiк!! (по
длине вывода) нс :vrcнcc J ~1~1. Ра«нус 1пгпба выводов должен
быть не ме!!ее 0,3 ~1ч. расстояние от корпуса Jo центра окруж­
ности изгиба не менее 1 мм.
При :vюнтаже на 11.1а ry неоGхо,.~и~ю уч.: 1ыеать. 'По корпус
сборкп имеет метал.1ичсскос дно и мста.'"с·н1чс:скую крышку и 11н один
из выводов не имеет сое.•щнепия с дном и крышкой корнуса.
Выводы 1 и Я свободные.
hг1э
100
80
60
1./0
20
о
1
1НТ251,
К1НТ251
1
-
-.....
1
Uкэ=5В
"
50 100 150 200 250 Iк,мА
Зависимость статического коэф­
фшщснта передачи тока от тока
коллектора.
CQ
1,2
1,0
0,8
~ 0,6
~ 0,1./
0,2
'
1НТ251,
К1НТ251
Iк/15 =5 1...........
v
1/
v
1/
./'
hг1з
100
80
60
1./0
20
о
1НТ251,
К1НТ251
1
..........
у
..,,. v
1
Iк=,200мА
1./ R 12 1620Uкз,В
Зависимость статического коэф­
фициента нере;щчи тока от
напряжения коллек r·ор-эмиттер.
1,8
1,6
1,1./
1НТ251,
К1НТ251
1
4
v
/
lк/15 =5 /v
I/1
~ 1,2
"
.. .;
~ 1,0
v
/
о
0,8
0,6
100 200 JOO 1./00 500 Iк,мА
О 100 200 300 /./00 500 lк ,мА
Зависимость напряжения насы­
щения коллектор-эмиттер от
тока коллектора.
772
Зависимость напряжения насы­
щения база-эмиттер от тока
ко.1лектора.


ri
IJ
Jh21эl
25
20
15
10
5
'\
\
1нт2s1)
К1НТ251
J3 130мА-..... ___
Ul(з=10B
"
r- ... ._
---
О 20 L/-0 60 80 100f,МГц
Зависимость \1Оду.1я ко·}ффици­
снта псрепачи тока от 'шстоты.
С3,п<Р
35
30
25
20
15
10
о
'
\
\
1
1НТ251,
К1НТ251
1
f=2 МГц
"''"
......
......_
г--
2 3 L/- 5U35,В
Зависимость емкое r и эмиттер­
ного перехода (П напряжения
ба·ш-эмиттер.
Ск,пФ
121
\
1нт2s1)
К1НТ251
10
в
6
L/-
2
1
\1
f=2МГц
'--
О 102030L/-0 50Uк5,В
Зависимое 1 ь емкости коллек­
торного перехода от напряже­
ння кол.1сктор-ба1а.
60г--.-~г-~~~~~
5о 1---+-- -+
~ 3 о l-"'"'-1.,--+-~1=----1---1---J
:!;
., ,.;
:::S' 20 г--т--t-""":!---+--+---1
о
Зависимость максимально до­
пустимого напряжения 'ко.1лек­
тор-·влиттср от сопротивления
ба·1а-эмиттер.
2Т381А-1, 2Т381Б-1, 2Т381В-1, 2Т381Г-1,
2Т381Д-1
Парные транзисторы. состоящие из двух о rдельных кремниевых
эпитаксиалыю-планарных 11-р-11 транзисторов с раздельными выво­
дами. Транзистор 2ТЗ81Г-1 одиночный.
773


1,1
Бескорпусные без криста.1.10-
держате.1я с 1 ибкими выводами
и ·защи·1 ны\1 nокрытие"1. Постав­
.1яются в сопроводите.1ыюй гаре,
позво.1яющей без изв.1ечения нз
нее nро11зво.J111 ь 1лмерение э.1ектри­
ческих парюлстров транзIJсторов,
и.111 в таре-спутнике парами, а
траю11сторы 2Т381 Г- J по оJному
:1ибо 110 .:~ва транзистора. Обозна­
чение типа приволпся па этикетке.
Коллектор
Масса каждо1 о тран·зистора не
более 0,01 г.
Э.1ектрические пара\/етры
Статический коэффициент
общим эмиттеро"1 при
не "1енее:
пере.Jачи
Икэ=5
приТ=298КиТ=346К:
2Т381А-1
2Т381Б-1
2Т381В-1
2Т381Д-1
при Т= 298 К 2ТЗ81Г-1
при Т= 213 К:
2Т38JА-1
2Т381Б-1
2Т381В-1
2Т381Д-1
тока в схе\!е с
В, 1-э=10 мкА,
Отноше11ие статических
в схеме с общнм
/.е> = 10 мкА не '\1енее:
при Т= 298 К:
козффициен rов переJачн тока
э~шттером при Икэ = 5 В,
2Т381Л-1, 2Т381Б-1
2Т381В-J .
при Т=213 К и Т=346 К
Ра·тость прямых папен ий напряжения на переходах
эмиттер-база при Икэ = 5 В, /э = 10 мкА 2Т381Л-1,
2Т381Б-1,·2ТЗ8 J В-1 не бо.1ее:
при Т=298 К .
приТ=213КиТ=346К
Разность прямых падений напряжения на перехо;.(ах
ко.1:1ек гор-база при /к = 100 мкА, Т = 298 К 2Т38 JД- J
нс бо.1се
Обратный ток ко.:цектора нс более:
774
приИк 6 =5В:
при Т=298 К .
при Т= 213 К 2Т381А-1, 2Т381Б-1, 2Т38JВ-1
при Т= 346 К 2Т381А-1, 2Т381Б-1, 2Т381В-1
приИк6=25В.
50
40
30
20
20
]5
12
10
4
0,9
0,85
0,6
3 :viB
10 нА
10 нА
200 нА
200 иА


г Обратныйбо.-1ее.
ток
э:..шттера
при
UэБ=6,5 в не
Пре;~е.1ьные эксп.~уатащ1ош1ые данные
Постоянное напряженне ко.1_1ектор-база при Т = 213 7
346 к.
Постоянное JJапряжсние ко.1.1ектор-J:..ш 1 гер
при
U36= 1кОч.Т=213-7-346К:
2Т38iА-1, 2138/Б-1. 2Т381В-1. 2Т381Д-J .
2Т381 Г-1
Постояrшое напряжение э:vшттер-база при Т = 213 7
346 к.
Постоянныii ток ко.1.1ектора при Т = 213 -7 - 346 К .
Постоянная расссивае~шя :v~ощность коллек 1ора при
Т=213-7-313 К
Те \111ера тура перехода .
Те:vшсратура окружающей среды
1нА
25в
15в
25в
6.5 в
15 мА
15 мВт
363 к
От 213 до
346 к
Пр и :..1 е чан и е. Макси:\1ас1ьно допустимая постоянная рассеивае­
мая :\!Ощность коСI:rектора при Т > 313 К опреде.1яется по формуле
Рк щ"с = (363 - Т)'Rт.п.,.
При -,.юнтаже тра~писторов в микросхе:..1ы они до:1жны быть
смонтированы на расстоянии не 60.1ее 2 -,.1м друг от друга. Пайка
(сварка) выводов допускается на расстоянии не :vieнee 0.6 мм от
края поверхности покрытия кристалла. Пр11 монтаже транзисторов
до.1жны быть приняты ~1еры. 11ск.1ючающие нагрев защитного по­
кры 1ия крисгал.1а до тс~шературы бoJJee 453 К в течение вре­
мени бо.1ее 5 с. При эксп.ч·атацнн транзисторов в аппара-1 уре
теп.1оотвод криста.1ла до:1жеп обеспечива1 ь Rт..,;; 4 К, :-.~Вт.
КТС395А, КТС395Б
Транзисторные сборки. состоя11ще кажлая из двух кремниевых
эпитаксиалыю-планарных 11-р-11 унивсрса.1ьных ма.1омощных тран·1ис­
торов с раздельными выво;щ:vш.
Предназначены д.1я применения в 1ерметiпированной аппаратуре
в ба:шнспых, диффсренциа.тыrых и операционных уси.1ителях, пере­
к.1ючающих, и:v~пульсных и других каскадах, в которых требуется
иденп1чность параметров двух 1·ранзнсторов.
Сборки поставляются в виде наборов из двух отдельных тран­
зисторов. Транзисторы бескорпусные с гибкими выводами, защит­
ны:vr покрытием, на метал;1ических подложках. э:1ектрически соеди­
ненных с выводами ко.-rлекторов. Сборки упаковываются в герме­
тичную сопроводитс.1ьную тару. Обозначение типа приводится на
сопроводительной таре.
Масса сборки не более 0,5 r.
775


2,5
~~Баз;;/ ~Эмиттер
Коrмектор
Электричес~.:ие параметры
Граничное напряжение при lэ = 5 мА не менее:
КТС395А
КТС395Б
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
при
lк=10мА,/Б=1мАнеболее.
Напряжение насыщения база-эмиттер при lк = 10 мА,
/Б=1мАнеболее..
Модуль коэффициента нередачи тока при Икэ = 5 В,
/э=10мА,f=100МГцнеменее
Разность напряжений база-эмиттер транзисторов сборки
при Ик6=5 В, lк=1 мА для КТС395А не
более.
.
.
.
.
.
Статический коэффициент передачи тока в схеме с
общим эмиттером при Ик6 = 5 В, 13 = 1 мА:
при Т= 298 К:
КТС395А
КТС395Б ..
при Т= 228 К:
КТС395А
КТС395Б . .
при Т= 358 К:
КТС395А не менее
КТС395Б не менее
Обратный ток ко:тс:стора при Ик 6 ~ 45 В не бо.1ее:
приТ=298КиТ=228К..
при Т=358 К .
.
...
Обратный ток эмиттера при U63 = 4 В не более .
776
45в
30в
0.3 13
1,0 в
3.0
10.0 ыВ
40-120
100-300
20- 120
50-300
40
100
0,5 мкА
1.0 мкА
0,5 мкА


Емкость
/= 10
коллекторного
МГц пе бо.1ее
перехода при Икь = 10 В,
Преде.тьные л•сплуатащюн11ые даниые
Напряжение ко.1~1ектор-·эмиттер при R 5 э = 10 кОм.
fкьu = 10 мкА
Напряжение коллектор-база 11ри fкьо = 1О мкА
Напряжение база-%шттер при fэьо = 10 мкА
Ток коллектора одиночного транзистора .
Ток базы одиночного транзнстора .
Постоянная рассеивае:v~ая 7'1Ощность двух гранзисторов
сборки с дополни1еJ1ы1ым теплоотволом при обеспе­
чении теплового со11ротшз.1ения под1ожка-среда не
более 200 К/Вт н Т,;;;333 К .
Импу.-~ьсная рассеивае:чая '.ющность двух rранзнсторов
сборки с дополюпе:1ьным теплоотводом при обеспе­
чении теп"1ового со про 1ив.1е11ия под.1ожка-среда не
более 200 К/Вт, ти,;;; 10 мкс, Q ;<; 2 и Т,;;; 333 К .
Постоянная рассеиваемая :vющность одиночного тран­
зистора при постоянной рассеиваемой мощности
сборки, не превышающей предельную .
Импульсная рассеиваемая мощность одиночного тран­
зистора при импульсной рассеиваемой мощносп 1
сборки, не превышающей предельную .
Тепловое сопротивление переход-под.1ожка .
Те:vшература перехода .
Температура окружающей среды .
8,0 пФ
45в
45в
4.0 в
100 мА
30 :v1A
300 мВт
500 мВт
250 мВт
500 мВт
100 К/Вт
423 к
От 22R до
358 к
Пр им сч ан и я: 1. При монтаже в микросхеv.у максича:1ьно
допустимая постоянная рассеиваемая мощность ко.1"1ектора, мВт,
рассчитывается по формуле
(423 - 7)
Рк чакс = -' ----'- -
Rт п-с
где Rт n-c = Rт. п-н" + Rт 11,1-т + Rт т-с; Rт п-п:~ - тепловое сопро rивление
переход-подложка; Rт пд-т - теп.1овое сопротивление подложка-тепло­
отвод; Rт. т-с - геп.1овое сопротивление теплоотвод-среда.
2. Извлечение сборок и·J 1ерметичной упаковки, входной кон гроль
пара:v1етров, монтаж в микросхемы, гер:\!етизации микросхем до.1жны
осуществляться в помещениях при соб"1юдении прави:1 вакуумной
гпгиены, влажности воздуха не выше 65 °0 и температуре
(298 ± 10) к.
Минимальное расстояние от места пайки (сварки) до защит­
ного покрытия должно быть не менее 4 мм. Температура жала
паяльника должна быть не бо.-~ее 513 К, время пайки - не более
1 мин. Допускается трехкратная перепайка сборок.
Необходимо приннмать меры защиты or ста ГИ'1еского заряда.
777


1
1
КТС395А,
~ктс395Б
hг1э
Uк5=58
200
Uкз=О, j
1
Uкз=5В- f-1
J/
J/,,;
160
120
во
цо
О О,2О// 0,6 О,В 1,0U5э,В О 20 цо 60 ВО 100Iз,мА
Входные характеристики.
h21э
2001---11--+++1--i--+~1---+-++н
160 1---il-+-l-+I---;--+++.,...\-+~-...!
120 1--t -+-y,j..4 - - -++++ -+- -+++1
8о1--1---1-4-1-1-
ЦO l--+----±.i-++,,q:-+1-+.J...-+-+-+-Н
о ' --" --J.. .1..J.1--'--L ..J '--1 .J.--L --L ..J ...l ..I
10-22 ц 6 10- 12 ЧБ 10°2 1/ Iк,мА
Зависимость статическоr о коэф­
фициента передачи 1 ока от тока
кол.1ек 1 ора.
<.>
"'
1)2
1,1
~ 1,0
с.;
""
~ 0,9
<>::
~0,8
1
1
l1
1
КТС395А - КТС 3956
-"'
t--.. _ _
I к= 10мкА
0,7
0,6
103 10Ч 105 105 107R53,Ом
778
hг1э
200
160
120
во
цо
о
Зависи'v!ость статического коэф­
фшщента 11ередачи тока от тока
эмиттера.
1
1
Uк5=5 В
1
1
КТС395Б-.
~н-
v
1
КТС395А,
--
,_
213233253273293313333т,к
Зависи~1ость статического коэф­
фиl{иента передачи тока от тем­
пературы.
Зависимость относительного
максимально допустимого на­
пряжения коллектор->миттер от
сопротивления база-эмиттер.


г
КТС398А-1, КТС398Б-1
Транзисторные сборки. состоящие каждая из двух изготовленных
на олно\1 крисп1.1.1е кре.\шиевых эп11таксиа.1ьно-планарных п-р-п уси­
.11пе.1ьных сверхвысоко'1астотных \1а.10\1ощных транзисторов е раз­
де.1ы1ыхш вывода:-.11!.
П ре...(на1наче11ы д.1я пр11х1енения в герх1етизнрован11ой аппаратуре
в. 1ш1рокопо.1осных ба.1ансных. ;щфферснциа.1ьных и операционных
) си.111те.1ях и других каскадах, в которых 1 ребуется идентичность
парах1етров двух тран3ис горов.
Сборки бескорпусные с 1ибк11х111 выводах111. зищитным rюкры-
1 нем без крис га.1.!Одержатс.1я. Постав.1яются в сопроводительной
таре. позво.1яющей бе-з изв:1ечения из нее сборок проводить из­
мерение их э.1ектричсск11х параметров.
Обо1начение типа приводится на этикетке.
Масса сборки не бо.1ее 0,005 r.
ба.за.
1,5
Коллектор
Э.1ектр11ческие пара~1етры
баJа
Моду.1ь коэффициента передачи 1ока ври L'к 6 = .l В,
Iэ=2мА./=IUO МГц не менее .
10
Постоянная вре:1лени цепи обратной связи при
ИкБ=5В./"J =l "v!A./=30МГцнебо.1ее.
50 пс
Статический коэфф1щиен 1 передачи тока в схеме с
общН.\1 эхштгером при ИкБ = 1 В, lэ = 1 мА при
Т=298К .
40-250
Отнощение статических коэффициентов передачи тока в
схеме с общи'\1 эмиттером при ИкБ = 1 В, lэ = 1 мА
при Т= 298 К;
779


КТС398А-1 .
КТС398Б-1 .
Разность пря~1ых падений напряжений Э\,НПтер-база
приИкБ=5В,Iэ=1мАнеболее:
КТС398А-1 прн Т = 298 К
КТС398Б-1 при Т = 298 К
Обратный ток коJJ:rектора при UкБ = 10 В, Т = 298 К
не 60~1ее
Обратный ток 1м1птсра при Uэь = 4 В не более .
Емкостh коJ1.1екторного псрехо.1а при Uю; = 5
/=10МГцне60:1ее.
Емкость Jми1 терн ого JJepexoдa при
(=_10 МГц не более
Преде.1ьные эксп.1уатационные даиные
В,
В,
Постоянное напряжение кол.1ектор-эмиттер
при
Rи <;; 10 кОм
Постоянное напряжение коллектор-база .
Постоянное напряжение эмиттер-база .
Постоянный ток коллектора каждого транзистора
сборки
Импу,1ьсный ток коллектора каждого 1 ранзистора сборки
при<и<1ОмксиQ~2.
Постоянный 1ок Jмиттера каждого транзистора
сборки
Импульсный ток эмиттера каждого ·1 ранзистора
сборки при <и<10 мкс и Q~2
Постоянная рассеиваемая мощность двух транзисторов
сборкиприRт.11-с<1К/мВти Т= 2J3-о-358К.
Температура окружающей среды .
0,8-1,25
0.9 -1 ,1
1.5 мВ
3,0 ~1В
0.5 мкА
1,0 мкА
1.5 пФ
2,0 пФ
10в
10в
4,0 в
10 мл
20 мА
10 мл
20 мА
30 мВт
От 213 до
358 к
Пр им е ч а п и е. При монтаже сборки в r ибридную интеграль­
ную микросхему и в процессе техно.1огического цикла изготов­
ления микросхем не лопускае1ся использование материалов, вступаю­
щих в химическое и электрохимическое взаимодействие с защитным
покрытием и другими элементами конструкции прибора (защитное
покрытие кристалла изготовлено на основе кремнийорганического
лака).
Пайка (сварка) выводов допускае1ся на расстоянии не менее
1 мм от кристалла; до.1жны быть приняты меры, исключающие
возможность натяжения и деформации выводов, нарушения защит­
ного покрытия, касания выводами незащищенных частей кристалла
и токоведущих частей платы, а также должен быть обеспечен
небольщой свободный провис закрепленного вывода.
Температура нагрева сборки не должна превышать 398 К
(при пайке или сварке выводов допускается превыщснис указанной
температуры до значения не более 453 К в течение времени, не
превыщающеrо 5 с).
780


~,:;;.
1,8
.........
1,6
""(
~
""
1,LI-
11
..._,..,,
'-
1,2
"""'
- <:::
1,0
"~ 0,8
-.<::
1,2
~'"-
1,15
11
1,1
""
::5"
'-:, 1,05
~
:::.. _
1о
- ......
'
j 0,95
КТС398А-1,
1--~__J__КТС398Б-1
1
1
I3=2мА
f=100МГц
0,6
о2LJ.6810!3,мА
0,9
о2LJ.6810Uк5,8
Зависиl\юсть относитс.1ьноrо
модуля коэффициенга пере­
дачи тока от тока эмиттера.
1,8
~1,б
::,
'; ;- 1,LJ.
">
~12
">)
,_
"'
~ 1,0
~
.;;: 0,8 1
1
1
1
1
1
KTCJ98A-1,KTCJ98Б-1
---
_,/
....
1
/
v Uк6=1В
Зависимость
относительного
статического коэффициента пе­
редачи тока от тока эмиттера.
........
30
'<(
'
~ 2 51-- _,:::___ -1 --1 --A- -+- --I
1)
:;: 2,01---+--+-4--+--1--1
~~ 1,51---+~4-+--+--!--1
1
~ 1,0 1-7""'+-+
~
.fj 0,5 1--__J .--1---1-- -+--l --1
1
Зависимость относительного
моцуля коэффиннента пере­
дачи тока от напряжения кол­
1,25
~ 1,2
a:i
,, __
11 1,15
~
~11
">
)
~
~ 1,05
~
~ 1,0
о
.1ектор-база.
1
1
1
/
КТС398А-1,
-ктСJ9ВБ-1 /
/
/ I_з=1мА
),/
1/
2Ч.В810Uк5,В
Зависимость относительного
статическоr о коэффициента пе­
редачи тока от напряжения кол-
.1ектор-база.
-щ- 1,J
l
'"' 1,21--+-'з::.+=_1_м--1А--+-~+--1
:=I
<\, 1,1 l--+--+--+-~+----1-...J
~~
1ц:; 1оl--+--++-+--+----1-...J
::::;, "'
)
-;, 0;9,____,_-1--L--
~
~ 0,8 l-7<-t --+- -+- -+ - -1 --1
1<;
~о2
6в
~ 0,7!--=-~-~-.1:---1,.-...J
10I3,мА О 2 Ч. В 8 10Uк6,В
Зависимость относительной раз­
ности прямых падений напря­
жений эмиттер-база от тока
эмиттера.
Зависимость относительной раз­
ности прямых п:щеннй напряже­
ний эмиттер-база от напряжения
коллектор-база.
781


1,8
< 1,6
~ 11/
11)
...,
t:'_ 1,2
"'
~ 1,0
l-> "' 08
)
\
\
1
КТСJЗВА-1,
КТСJ98Б-1 -
.,.
vv
Uк5=58
f=JОМГц-
111
1,8
--.._
1,6
a:i
Lr,
11 1/+
LO
"' 12
~)
"'
-t_ 1,0
КТС398~ -1,I
·ктсзввБ-1 -
\
\
1\.
"....
Iз=1мА ---
-f==JОМГц
11
о,в
о2
в8
μ 0,8
о,в
10 l3,мА
02
б 8 1ОUк5,В
Зависимость относительной по­
стоянной времени цепи обрат­
ной связи от тока эмиттера.
1,8
~ 1,В
ct:)
i 1,Ч
...,
""
~1,2
""
~ 1,0
~
0,8
KTCJ98A-1 ,
КТСJВВБ-1
Зависимость относительной по­
стоянной времени непи обрат­
ной связи от напряження кол-
лектор-база.
1,'+
KTCJ98A-1 ,
--..._
112 t-;:-+--КТС398Б-1
~ 10 1--'li,----+--+--+--+-~
11'
...,
:;:;" 0,81--+-~~-+--+--+--1
'- =-
~ 0,61---+---+--+-""""'Т------i--I
...,
с.з О,'+ 1----+--+--+:----+--+=~
о,в
о2чб8
о,г._-1.._ _._ __ . _ _._ _~ _,
10 Uк5,8
О12JЧ5U35,B
Зависимость относительной ем­
кости ко:1лекторного перехода
от напряжения ко.1лектор-база.
Зависимость относительной ем­
кости эмиттерного перехода от
напряжения эмиттер-база.
2ТС613А, 2ТС61ЗБ, КТС61ЗА, КТС61ЗБ,
КТС61ЗВ, КТС61ЗГ
Транзисторные матрицы кремниевые эпитаксиально-планарные
п-р-п переключательные.
Предназначены для быстродействующих импульсных схем.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Матрица содержит четыре изолированные транзисторные структуры.
Масса матрицы не более 4 r.
782


5
14,S
г-----,
11/-~ ~1
1.J
1
1
2
12
3
1~pi r;E;i;
8~~7
L------ _ J
Ооозна'{ение 0610000§:
1,S,8,72 -оаза
2, 6, 8,73-коллектор
J, 7, 70,11/--змиттер
75" -корпус-
4, 11-сбооодный
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме с
общим эмиттером при Ик6 = 5 В, Iк = 200 мА:
при Т= 298 К:
2ТС613А, КТС613А
2ТС613Б. КТС613Б
КТСбlЗВ ..
КТС613Г ..
при Т= 358 К:
КТСбlЗА
КТСбlЗБ.
КТСбlЗВ .
KTC613l' .
при Т= 398 К:
2ТС613А ..
2ТС613Б ..
25-100
40-200
20-120
50-300
20-200
30-300
10-120
30-300
20-200
30-300
Напряжение насыщсння коллектор-эмиттер при /к =;
=400мА,15=80мА:
2ТС613А,2ТС613Бнеболее........
1В
типовое значение . . . . .
·
·
·
·
·
·
.
·
.
0,5* В
КТС613А, КТСбlЗБ, КТСбlЗВ, КТСбlЗГ не более 1,2 В
783


Напряжение насыщения база-эмиттер при lк = 400 мА,
/Б=80мАнеболее.
типовое значение .
Время рассасывания при lк = 150 мА, /Б = 15 мА не
более.
типовое значение .
Модуль коэффициента передачи тока при ИкБ = 10 В,
lэ=30 мА,/=100 МГц не менее
Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 10 В не
более
типовое значение .
Емкость эмиттерного перехода при UэБ = 4 В не
более. . .
Граничное напряжение при /э = 50 мА 2ТС613А,
2ТС613Б не менее .
Обратный ток коллектора не бо.1ее:
2ТС613А, 2ТС613Б при ИкБ = 60 В
КТС613А, КТС613Б при ИкБ = 60 В
КТС613В, КТС613Г при ИкБ = 40 В
Обратный ток эмиттера ИэБ = 4 В не бо.1ее
Пределы1ые эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база:
2ТС613А, 2ТС613Б:
приТп=213+-373 К
приТп=398К.
приТп=423К.
КТС613А, КТС613Б:
приТп=228+-343К
приТп=393К.
КТС613В, КТС613Г:
приТп=228+-343К
приТп=393К.
Постоянное напряжение коллектор-1миттер
при
RэБ=1кОм:
2ТС613А, 2ТС613Б:
приТп=213+-373 К
приТп=398К.
приТп=423К.
КТС613А, КТС613Б:
приТп=228+-343К
приТп=378К.
приТп=393К.
КТС613В, КТС613Г:
приТп=228+-343К
приТп=378К.
приТп=393К.
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
при
RэБ =О:
2ТС613А, 2ТСбl3Б:
784
2в
1,1*в
100 нс
45* нс
2
15 нФ
8* пФ
50 пФ
40в
5 мкА
8 мкА
8 мкА
10 мкА
60в
45в
30в
60в
30в
40в
20в
50в
37в
25в
50в
42в
25в
30в
25в
15в
,j
11
'\\f
t'


1
приТп=213 -373К
приТп=398К.
приТ11=423К. .
КТС613А, КТС613Б:
приТп=228 ..;..343 К
приТп=378К.
приТ11=393К.
КТС613В, КТС613Г:
приТп=228+343К
приТп=378К.
приТп=393К. . .
.
.
.
.
.
.
.
.
.
Постоянное напряжение база-э:v~иттер 2ТС613А, 2ТС613Б
при Тп = 213 + 398 К и КТС613А, КТС613Б, КТСбlЗВ.
КТС613ГприТп=228..;..393К........
Имнульсное напряжение коллектор-база при tи .;; 10 мкс,
Q"" 2:
2ТС6!3А, 2ТС613Б:
при Т11 =213..;-373 К
приТ11=398К.
приТп=423К.
КТ613А, КТС613Б:
при Тп=228 ..;..343 К
приr;,=393К
КТС613В, КТС613Г:
при Т11 = 228 ..;.. 343 К
приТ11=393К..
Импульсное напряжение коллектор-эмиттер
нри
•и.;;1Омкс.Q;.2,Rэь =1кОм:
2ТС613А, 2ТС613Б при Тп = 213 + 373 К
КТС613А, КТС613Б при Тп = 228 7 343 К
КТС613В, КТС613Б при Т11 = 228 7 343 К . .
Постоянный ток коллектора 2ТС613А, 2ТС613Б при
Т=213..;-398 К, КТС613А. КТС613Б. КТСбlЗВ
КТС613Г при Т= 228 7 358 К ........ :
Имнульсный ток кол:~ектора при •и <;; 10 мкс. Q ;. 2
2ТС613А, 2ТС613Б при Т = 213 + 398 К и КТС613А,
КТС613Б, КТС613В, КТС613Г при Т= 228..; ..
358к.......
.
.
.
.
.
...
Постоянная рассеиваемая :v~ощность транзисторной
матрицы:
2ТС613А. 2ТС613Б:
приТ=2137323К.
.
.
.
.
приТ=398 К.
.
...
КТС613А, КТС613Б, КТС613В, КТС613Г:
приТ=2287323К.......
приТ=358К.........
Постоянная рассеиваемая мощность одной структуры
транзисторной матрицы 2ТС613А, 2ТС613Б при
Т=2137323 К и КТС613А, КТС613Б, КТС613В,
КТСбlЗГ при Т= 228 ..;.. 323 К .
•
.
•
.
•
•
.
•
60в
45в
30в
60в
50в
30в
40в
34в
20в
4в
80в
60в
40в
80в
40в
60в
30в
70в
70в
50в
400 мА
800 мА
0,8 Вт
0,2 Вт
0,8 Вт
0,2 Вт
0,5 Вт
785


при Т= 398 К 2ТС613А, 2ТС613Б
Импульсная рассеиваемая мощность транзисторной мат­
рицы при t11 .:;; 10 мкс, Q>2:
2ТС613А. 2ТС613Б:
приТ=213 -;-323К.
при Т=398 К.
КТС613А, КТС613Б. КТС613В. КТС613Г:
приТ=228+323К.
при Т=358 К .
И"шу.-~ьсная рассеиваее\1ая ~ющность о;:щоЙ структуры
транзисгорной матрицы 2ТС613А, 2ТС613Б при
t 11 .:;;10 мкс. Q>2 Т=213+323 К и КТС613А,
КТС613Б. КТС613В, КТС613Г при Т= 228-;-
322 к.
при Т= 398 К 2ТС6!3А, 2ТС613Б
Температура перехода:
2ТС613А, 2ТС613Б .
КТС613А, КТС613Б, КТС613В, КТС613Г.
Тепловое сопротив.-~ение переход-корпус .
Тепловое сопротивление переход-окружающая среда
Температура окружающей среды:
2ТС613А, 2ТС613Б .
КТС613А, КТС613Б, КТС613В, КТС613Г.
0,125 Вт
3,2 Вт
0,8 Вт
3,2 Вт
0,8 Вт
2Вт
0,5 Вт
423 к
393 к
60 К/Вт
125 К/Вт
От 213 до
398 к
От 228 до
358 к
П р им е чан и е. Пайка выводов допускается на рассто_янии не
менее 3 мм от корпуса матрицы при температуре жала паяль­
ника не выще 523 К в течение времени не более 5 с. Изгиб
выводов донускае·~ся на расстоянии не менее 3 мм от корпуса
матрицы с радпусом закругления не менее 1,5 мм. Допускается
любая комбинация и пос.1едова те.-~ьность включения транзисторных
структур !J матрице при ус:ювии, что Рк ""кс, одной транзистор­
ной струк~·уры не превышает 0,5 Вт. а мощность, рассеиваемая
Dсей матрицей, 0,8 В при Тл = 228 -;- 323 К. Донустимый электро­
статический потенциа.-~ не более 1000 В.
КТС631А, :КТС631Б, :КТС631В, :КТС631Г
Транзисторные сборки, состоящие из четырех кремш~евых эпи­
таксиа;1ьно-планарных п-р-п перек.-~ючательных сверхвысокочастотных
мошных транзистороD с разде;1ьными выводами.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выво­
дами. Обозначение пша приводится па корпусе.
Масса сборки не более 4 г.
786


19, s
2,Sх 6'=1S
18,5
Ооозначение 8ь1601JоВ:
2, fi, 9, 7З-коллектор
1,s,в, 12-оаза
З,7, 70, 14-эниттер
4, 11 - cfJoooiJныii
э.~ектр11ческ11е параметры
Граничная частота при Икэ = 10 В, Iэ = 50 мА нс
менее. . .
КТС631А, КТС631Б
КТС631В. КТС631Г
.
.
.
.
.
...
350 МГц
·
·
·
·
....
200 МГц
Напряжение насыщения
= 450 мА, /Б=45
lк=100мА,/6=10
более.......
ко.1лектор-эмиттер при /к =
мА КТС631А, КТС631Г и
мА КТСбЗ 1Б, КТС631 В не
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 450 ~1А.
Ir, = 45 мА КТС631А. КТС631Г и lк = 100 мА,
/Б = 1О мА КТС631 Б, КТС631 В не бо.1ее ·.
.
Статический коэффициент передачи тока в схеме с
общим эмиттером при Икэ = 1 В, lк = 300 мА
КТС631А, КТС631Г и Iк = 150 мА КТС631Б, КТС631В
не менее .
•
.
.
.
.
.
·
·
Емкость коллекторного
f=10 МГц не более
перехода при Ик 6 = 10
Емкость э.'>шттсрного перехода при
f=10МГцнеболее..
•
.
UБэ = 0,5
В,
В,
1,2 в
2в
20
15 пФ
100 пФ
787


Постоянная времени цепи обратной связи при
Ию=10В,Iэ=30мА,f=5МГцнеболее.
Время рассасывания при Iк = 150 мА, Ir, = 15 :viA не
более:
КТС631А, КТС631Б
КТС631В, КТС631Г
Обратный ток кол.1ектора при Uкэ = Икэ."акс нс
более:
КТС631А, КТС631В.
КТС631Б, КТС631Г.
Обратный ток эмиттера нри И6э = 4 В 11е 60:1ее
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение ко:~.'Iектор-эмиттер при RБэ =
=О, Т= 308 К:
40 нс
30 нс
60 !!С
200 'IKA
50 лшА
100 :\!КА
КТС631 А, КТС631 Б .
30В
КТС631В, КТС631Г .
60В
Постоянное напряжение коллектор-баш при Т = 308 К:
КТС631А, КТС631Б .
КТС631 В, КТС631 Г .
Постоянное иапряжение база-з:\о!итгер при Т = 308 К .
Постоянный ток коллектора при Т = 308 К·
КТС631А, КТС631Г .
КТС631Б, КТС631В .
30в
60в
4в
IA
0.3 А
Импульсный ток ко.1лектора при ти .:;; 10 мкс, Q-;; . 50 ,
Т= 308 К:
КТС631 А, КТС631 Г
КТС631Б, КТС631В.
Пос гоянная рассеиваемая мощность транзисторной ма­
трицы при Тк .:;; 328 К
тк=358к.
И:v~пу.1ьсная рассеиваемая мощность транзисторной ма­
трицы при Ти .:;; 10 мкс, Q -;;. 50. Тк
.:;; 328 К
приТк=358 К
КТС631А, КТС631Г.
КТСоЗIБ, КТС631В
Те~шература перехода .
Температура окружающей среды
788
1,3 А
0,5 А
1Вт
0,5 в
3В1
1,5 Вт
0,9 В1
393 к
От 228 до
358 к


:К1НТ661А
Тр;шзисторная сборка, состоящая из четырех кремниевых эпи­
такспа.1ыю-планарных 11-р-11 11ереключатеJ1ьных высокочастотных ма­
ломощных гранзисторов.
Предназначена для приме­
нения в пере ключа rельных схе­
мах.
Выпускается !J ~1етал.-~окера­
мическом корпусе с гибкими
вывода:vш. Обозначение типа
приводится на корпусе.
Масса сборки не
бо-
лее 0,4 г.
'VYYV
73'
12
5
6
.98
I
ll
l1f
JV
Электр11ческие параметры
Напряжение насыщения коллектор-эмипер прн Iк =
=5мА./6=2мАнеболее
Статический коэффицнент передачи тока в cxevic с
общи'v! эJиттером при ИкБ = 10 В. Iэ = 10 мА не
менее
Обрашый
Rэь= 1
ток
кОм
кос1лектор-эм 11 пер
не более
при Ик, = 250
Предеш"ные эксплуатациоииые даю1ые
Постоянное напряжение ко.-~лектор-база .
В,
Постоянное напряжение коллекгор-эмютер
при
RБэ.:;; 1 кОм
Постоянный ток ко.-~лектора
Импульсный rок ко.-~лектора при/= 400-; - 10000 Гц.
Постоянный ток базы .
Постоянная рассеиваемая мощность (для всей сборки):
при Т.:;; 323 К .
приТ=343К.
Температура перехода
Тепловое сопротивление переход-среда
5в
·5
30 мкА
300 в
250 в
5мА
10 мА
5мА
0,1 Вт
0,06 Вт
373 к
500 К/Вт
789


Те:vшература окружающей среды .
От 238 до
343 к
Пр 11 \1 е ч u ни е. Сборка до.1жна ус1анав:111ваться на печатную
н.1ату п.<отно по всей поверхности корпуса с помощью к.1ея, не
И!Vlеюшего кrк.1отных и ще.1очных состав.1яющих и пе допускаю­
щего деформаuню корпусов в процессе чонтажа и 1ксплуатации
(например. к.1еП АК-20 и.111 :vшстика «ЛН»).
Расстояние от корпуса до места пайки (по д.1ине вьшо:щ) не
менее 1 \!~1. жа.<о пая.1ы1ика .:ю.1жно быть зазем.<ено.
Ра;.шус иянба выводов до.'rжен быть не :v1енее 0,3 \!\!, рас­
стояние от корпуса до центра окружности ияиба не менее 1 \l:VI.
11-р-11 и р-п-р
:КТСЗОЗА-2
Транзисторная сборка. состоящая и·1 ;1вух кремниевых эпитак­
сиа:rьно-п"<анарных р-п-р и 11-р-11 универса.1ьных высокочастотных
ма"1омощных транзисторов с разде.1ьными выводами.
Предназначена д.1я работы в выходных каскадах операцион­
ных усилите.1ей, уси:ште.1ях и генераторах нюкой и высокой частот
и ~·енераторах импу.1ьсиых сигна.1ов герметизированной аппаратуры.
f(олле11тоf11.1
Jми.ттер !-+==::::..../
-J-!
_LL---'--=~
1"
Бескорпусная с гибкими
выводами и защитным по­
крьпием на кристаллодержа­
тс.1с. Сборка помещается в
сопроводите.1ьную тару, поз­
во;~яющую бе·1 извлечения из
нес производить измерение их
1.1ектрнческих
параметров.
Обозначение типа приводится
на крышке возвратной тары.
Масса сдвоенных 1 ранзи­
сторов не более O, l г.
эт~ктрическ11е пара,1етры
Пара.11етры од1111оч110<'0 тра11з11стора
Граничное напряжение* при /"l = 20 :-.rA .
45-RO В
55в
типовое ·шачсние
Нанряжение насыщения ко.1.rек rор-'J:vшттер при
= 10мА,/Б=l :viAнеболее.
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 10
/Б=1мА.
типовое значение
790
Iк=
0,2 в
мА,
. О,7*-0,9
В
0,75" ' в


Стагический коэффициент передачи тока в схеме с
общим эмиттером при UкБ = 5 В. Iэ = 1 мА:
при Т= 298 К.
при Т=398 К
при Т= 213 К.
Моду.1ь коэффициента передачи тока в сх.еме с общим
эмиттером на /= 10() .МГц при ИкБ = 5 В, Iэ =
=10мАпеменее.
Постоянная вре:-1ени цепи обратной связн * на/= 30 МГц
приUк6=10В,Iэ=30мА
типовое значение .
.
Е~1кость ко.1лекторного перехода при ИкБ = 5 В, / =
= 10МГцнсболее.
Обратный ток ко.1лсктора при ИкБ = 45 В не более:
при Т=298 К и Т=213 К.
при Т=398 К .
Обратный ток эмиттера при Иг,э = 4 В не более
Пара.11етры сдвое1111ых тра11зuсторов
Отнощение статических коэффициентов передачи тока
транзисторов при UкБ = 5 В, lэ = 1 мА не менее:
при Т=298 К .
при Т=213 К и Т=398 К
Разность входных напряжений* при ИкБ = 5 В, Iэ =
= 1мАнеболее
типовое значснпе.
Предельные эксп.1уатац11онные данные
Постоянное напряжение ко:lо'lектор-эмиттер при R 6 э =
= 1 0 кОм, Т=213-;..398 К.
Постоянный ток ко11лектора при Т = 213 ..; .. 398 К
Импульсный ток коллектора при т11 ,;;; 40 мкс, Q ;,,
;;:> 500, Т=213..;.. 398 К.
Постоянный ток базы при Т = 213 ..; .. 398 К
Постоянная рассеиваемая мощное 1 ь коллекторов сдвоен­
ных транзисторов (в составе микросхемы):
нри Т=213-;..323 К
при Т=398 К .
Постоянная рассеиваемая мощное 1 ь ко.1лектора одного
транзистора (в составе микросхемы):
приТ=213-;..323К.
при Т= 398 К.
Темпера тура перехода .
Температура окружающей среды
40-180
40-280
20-180
3
30-80 нс
50 НС
8пФ
0,5 мкА
10 мкА
1 мкА
0,7
0,6
30 мВ
15 мВ
45в
0,1 А
0,5 А
0,03 А
0,5 Вт
0,125 Вт
0,25 Вт
0,0625 Вт
423 к
От 213
до398к
П р им е ч ан 11 я: 1. При извлечении сдвоенных транзисторов
из тары, измерении 11араметров, а 1 акже применении и монтаже
должны быть приняты меры, исключающие во:Jможность поврежде­
ния транзисторов, в том числе статическим электричеством.
791


2. Максимально допустимая постоянная рассеивае.'1ая мощност1.
коллектора, Вт, одного транзистора при Тк = 323 ..;- 398 К опре­
деляется по форму"1е
Рк.,~акс = (423 - Тк)i(400 + Rтк по-к),
где Rтк.•ц-к - тепт1вое сопротивление участка керампческая под­
ложка - корпус микросхе:-.лы.
250
200
"<; 150
"'~ 100
"'
........
Q::J
50
о
~J5
0,3
~ 0,25
"'
..;
~ 0,2
-
0,15
0,1
о
792
1
1
1 ,-,
КТС303А-2
1,1
КТС303А-2
1
~58
Uка =О
1
)/
1
1
0,7
0,6
'
1
1
11
,1--р-п-р
1--+--+
"бр-п
\ .....
10~г ц 68
10
sz ц БR53,Ом
Зависимость тока базы 0·1
напряжения база-эмиттер.
--ктсJоJд-2 -
\
Зависимость
относительного
\
максимально 11опустимого на­
пряжения коллектор-эмиттер от
сопротив.1ения база-эмиттер.
""
hz1э
110
г
1
J ЦКнас
111
1
KTCJOJA-2
/'"
/r
1
/
/
Зависимость напряжения насы­
щения коллектор-эмиттер от ко­
эффициента насыщения.
'
........
.........
100
90
80
70
60
0,02 0,06 0,20,4-0,6 2 1./ - 6
20 1./-Оiк,мА
qo1
0,1
10
Зависимость статическоr о коэф­
фициента передачи тока от тока
коллектора.


hг1э
160
1цо
120
100
80
60
/
/
1
1
1
КТС303А-2
/
v
/
v
v
-
-
Зав11си:v1ость сп11 ического ко·}ф­
финиен1 а 11ере;~ачи тока от гем­
пературы.
213 253 293 333 373 т,к
р-11-р
2ТС393А-1, 2ТС393Б-1, КТС393А, КТС393Б
Транзисторные сборки. состоящие каж,r~ая из двух кремние­
вых эпитаксиа_1ьно-ш~анарных р-11-р усилительных сверхвысокочас1 от­
ных ма.1омощных тран3ис горов на o,::шo:vr кристалле с раздельными
выводами.
Пре;1нuJначены для прнченення в ншрокопо.-rосных балансных.
дифференциальных и операционных ус11лите.-rях и Jtpyrиx каскадах.
в которых требуется И/\ен 1ичность параметров двух транзисторов
герметизированной аппаратуры.
1,5
"'
~unmep
Коллектор
-
6 ~ыВадоВ Фо,азо-о,ооч
793


Сборки бескорпусные с г11бк11ми вывода~ш. защитным покры­
тие\1 без крнста.1.1одсржа ге.1я. Пос 1ав.1яю1 ся в со11рово;111тс.1ьной
таре. ношо;1яющей без нзв.1счсш1я из нее провоюпь измерение
1.1ектр11ческ11х пара\1етров тра11з11сторов. Обозначение типа приводн 1·ся
на эт иксткс.
Масса с6орки нс бо_·1се (),0()5 г.
'Э:1ектр11ческие пара'\lетры
Пара.11сmры оди:юч110,'о 111ра11зuстора
Коэффициент щрла при Ск-3=6 В. Iк=1 мА, .f=
=60 МГц, Rг=250 Ом .
типовое значение .
Моду.1ь коэффициента 11ередачи тока при Ск~; = 1 В,
1-э=1 мА. /=100 МГц не менее
Постоянная времени цепи обратной связи при ИкБ =
= 2В,lэ=2мА.f=10МГцнеболее
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при lк = 10 мА,
/Б = 1 мА 2ТС393А-1, КТС393А не более .
Статический коэффициент передачи тока в cxe\-le с об­
щимJмиттеромприИкБ=1В,1, = 1мА:
при Т= 298 К:
2ТС393А-1, КТС393А
2ТС393Б-1, КТС393Б
приТ=358К:
2ТС393А-1, КТС393А не более
2ТС393Б-1. КТС393Б не бо.1ее
при Т= 213 К (Т= 228 К КТС393А, КТС393Б):
2ТС393А-1. КТС393А не менее .
2ТС393Б-1. КТС393Б не менее .
Емкость коллекторного перехопа при ИкБ = 5 В, f =
=10МГцнсболее.
Емкость эмиттерного перехода при ИБэ =О . . f= 10 МГц
не бо.1ее .
.
.
.
.
Обратный ток коллектора не более:
при Т=29~ К и Т=213 К (Т=228 К КТС393А,
КТС393Б):
2ТС393А-1, КТС393А (нрн ИкБ = 10 В).
2ТС39ЗБ-1, КТС393Б (при ИкБ = 15 В) .
при Т = 358 К, ИкБ = 10 В 2ТС393А-1. КТС393А
и при ИкБ = 15 В 2ТС393Б-1, КТС393Б .
Обратный ·1 ок эмиттера ври ИБэ = 4 В не более:
при Т=298 К и Т=213 К (Т=228 К КТС393А,
КТС393Б):
794
2ТС393А-1, КТС393А
2ТС393Б-1, КТС393Б.
при Т= 358 К .•..
3-6 дБ
4,5* дБ
5
80 пс
0,6 в
40-180
30-140
360
280
16
12
2пФ
2пФ
0,1 мкА
0,2 мкА
10 мкА
0,1 мкА
0,2 мкА
10 мкА


1
Пара1.1етры сдвое11ных транзисторов
Отношение статических коJффиuиентов передачи тока
в схеме с общим эмн1rером при ИкБ=1 В. J3 =
= 1 'V!A не :v1енее;
при Т= 298 К:
2ТС393А-1. КТС393А
2ТС393Б-1, КТС393Б
11рнТ=358Ки Т=213К(Т=228 К КТС393А.
КТС393Б):
2ТС393А-1. КТС393А .
2ТС393Б-1. КТС393Б .
Моду.1ь разности прямых напряжений эмипер-базы при
L'кБ=5В.13=1мАне60;1ее:
2ТС393А-1. КТС393А .
2ТС393Б-1. КТС393Б .
Ток утечки :v1ежлу транзисторами не 60:1ее-:
приТ=298 КиТ=213К(Т=228 ККТС393А,
КТС3936):
2ТС393А-1. КТС393А (при Ик1ю = 10 В)
2ТС393Б-1. КТС393Б {при Ик1ю = 15 В)
приТ=358К.
Преде.1ьные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение ко.1.1ектор-база и колаектор­
эмиттер при RБэ,;;: 5 кОм, Т= 213 7 358 К (Т= 228 7
358 К КТС393А. КТС393Б):
2ТС393А-1. КТС393А
2ТС393Б-1. КТС393Б .
Постоянное юшряжение э:vшттер-база при Т = 213 -;-
358 К (Т = 228 7 358 К КТС393А, КТС393Б) .
Постоянный ток коллектора при Т = 213 7 358 К ( Т =
= 228-;- 358 К КТС393А. КТС393Б) .
Импу.1ьсный ток
Т=2137358К
КТС393Б) .
ко.1.1ектора при <и ,;;: 10 :v1кс, Q ?3 2,
(Т = 228-;- 358 К КТС393А,
П остояню1я рассеиваемая мощность коллектора (сум-
марная двух транзисторов):
при Т=2137318 К (Т=2287318 К КТС393А,
КТС393Ь)
приТ=358К.
Темпера тура перехода
Тем11ера1ура окружающей среды:
2ТС393А-1, 2ТС393Б-1
КТС393А. КТС3936 .
0,9
0.8
0,8
U,7
3мВ
5 :viB
0,1 мкА
0,2 мкА
5 мкА
10в
15в
4в
10 мА
20 :-лА
20 мВт
10 мВт
398 к
От 213
;ю358К
От 228
ДО358К
Пр им е ч а 11 и я; 1. Монтаж криста.1.1ов на подложку микро­
схемы производить клеем хо.1одного отвердения на основе смо:1ы
ЭД-5.
795


Допускается изгиб выводов на расстоянии 0.5 мм. сварка не
менее 1 мм от края крис1 алла. При длине выводов бо.1ее
мм выводы должны быть дополнительно закреплены лаком.
При обнаружении обрыва золотого вывода от вывода инди­
видуальной тары у потребителя допускается приварка золо гого вы­
вода к выводу индивидуальной тары.
2. Нс рекомендуется эксплуатация гранзисторных пар при ра­
бочих токах, соизмеримых с обратными неуправ.1ясмыми тока.\1И
эмиттера и коллектора во всем интервале температур.
При значениях Rтn-c. отличающихся от значения 4 К.мВт,
максимально допустимая постоянная мощность рассеивания ко.1-
лектора должна быть нс бо.1сс 40 мВт и определяется по форму.1е
Рк макс= (398 - 7);(0,2 + Rтn-c).
гле Rт.n-c - тепловое сопротивление микросхемы на у'lасткс нижняя
поверхность кристал.•а - окружающая среда.
0,6
2TCJ93A-1 ,
2ТС J 93 Б-1,--111-------1
КТС393А,
к те 39 J Б_.,.__.......____.
~Цl---+--+----if+--++---1
58
о,г >---+- -+- -++-+ -+ - --<
о 0,2 о,ц 0,6 0 ,8 U5:;,B
Входные характеристики.
1
,
2
2TCJ93A-1 , 2ТС393Б-1,
1,1 KTCJ93A, КТСJ93Б
Зависимость
относительного
статического коэффициента пс­
рсда'lи тока от тока эмиттера.
796
1,Ц
~ 1,3
11
~ 1,21---+--~-+--+---I
~
"'
~ 1,11--~---1
~
~ 7........-+- -+
- <:::
~9,___,____,'----'---'---'
16 Uк5,8
оцв12
Зависимость
относительного
статического коэффициента пе­
редачи гока от напряжения ко.1-
лектор-база.
~ 1,2
~1
1
1
2ТС J93A-1, 2ТС39JБ-1,
~С393А,-
""11
КТС393Б
~ 0)8
\.
~
~ 0,6
$
'\
-
~ о,ц
~ 0,2
10г 70J 70Ч 105 106 R53,Ом
Зависимость относительного
макси:-.1ально допустимого на­
пряжения ко.1лектор-эмиттер от
сопротивления база-эмиттер.


1
1
1
1
2TCJ93A-1, 2ТС393Б-1,
-КТС393А,КТС393Б-
~
-- ......
~
1,5
О 0,2 О,Ч 0,6 0,813,мА
Зависимосгь модуля ра1ност11
прямых падений нащ1яже1111й
база-Jмиттер от тока эм1птера.
~ 12 ~~-~-~-~----.
~)
t!:. ~11-----1---1---1---+--~
:';J
::g:.
1
(;;
:;g> о 9,_____.... _.............
'- ...)
-:::,~ 0,8 ,__ ..., ..... ,___ __,
1
~ 0,7 "--'----''----L--~...,,...........
,,g> 213 253 293 333 373 т,к
Зависимость модуля опюси­
тельной разности прямых паде­
ний напряжений база-эмиттер
от те'\1пературы.
С3,пФ 2ТС393А-1, 2ТС393Б-1,
1,2 КТСJ93А,КТС393Б
~1~---11----1---+--+--~
Зависи\юсть емкости э:v~иттер­
НО! о 1lерехода от напряжения
база-эмиттер.
7
6
2ТС393А~1, 2ТС393Б-1
КТС393А,
~
КТС393Б
/
./v
.,,,.. .....
2
о
8 12 16 Uк5,8
Зависимость модуJ111 разности
прямых падений напряжений ба­
за-эмиттер от напряжения ко.1-
лектор-база.
Ск,пФ
1,6r'l<:-t- -+--+- -+-- -4
1,2t---t--Т'-.d--+-----1
2ТС 393А-1,2ТС393Б-1,
о,ц КТС393А, КТС393Б
1
О2ц6ВUк5,В
Зависи:v~ость емкости кол.1ек­
торного перехода от напряже­
ния коллектор-база.
Rг=900м
6 Uк3 =6В, f=БОМГц
1
1
1
5120м Rг =2520м
2ТС393А-1, 2ТС393Б-1,
КТС393А,КТС393Б
ц.___.._ _. _ _
_.__-'---J
0,5 1 1,5 2 2,513,мА
Зависимость коJффициснта шу­
ма от тока Jмиттера.
797


6
2TC39JA-1 , 2ТСJ93Б-1,
КТСJ93А,КТС393Б
1
1
Rг=252Ом+--1--4---1
I3 =1мА
f=60МГц
гц6
Зависимость коэффициента шу­
ма от напряжения кол.1сктор­
эмиттер.
6
5
2ТС 393А-1, 2ТС393 Б-1,
КТСJ93А,КТС393Б
1
1
Икз=6В
Iз=1мА
Rг=2520м
Ji----11 ----f--+--+ ---I
г ....___. _
_... _
__,__
_.__
_,
О 20 цо 60 80f,МГц
Зависимость коэффициента шу­
ма от частоты.
КТС394А, КТС394Б
Транзисторные сборки, состояшие каждая из двух кремниевых
эпитаксиально-планарных р-11-р универса,1ьных маломощных транзи­
сторов с раздельными выводами.
Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре
в балансных, дифференциальных и опер<щионных усилителях, пере­
ключающих и других каскадах, в которых требуется идентичность
параметров двух транзис горов.
Сборки поставляются в виде наборов из двух отдельных тран­
зисторов. Транзисторы бескорпусные с гибкими выводами, защит-
2,J
1
2,J
1
798


1"
i
ным покрытием, на металлических подложках, электрически соеди­
ненных с выводами коллекторов. Сборки упаковываются в герме­
тичную сопрово;:ште.1ьную тару. Обозначение типа приводится на
сопроводительной таре.
Масса сборки не более 0,5 '"
э.~ектричес~.;ие пара~1етры
Граничное напряжение при Iэ = 5 мА не менее:
КТС394А
КТС394Б
Напряжение насыщения
=10мА,/Б=1мА
ко.1лектор-эмиттер при
не более .
Iк=
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 10 мА,
/Б=1мАнеболее.
Модуль коэффициента передачи тока при Икэ = 5 В,
Iэ=10мА,f=100МГцнеменее
Разность напряжений база-эмиттер транзисторов сборхи
приИкБ=5В,Iк=1мАКТС394Анеболее.
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим
эмиттеромприИкь=5В,/э=1мА:
при Т= 298 К:
КТС394А.
КТС394Б.
при Т= 228 К:
КТС394А.
КТС394Б.
при Т= 358 К:
КТС394А не менее
КТС394Б не менее
Обратный ток ко.1лектора при ИкБ = 45 В не более:
приТ=298КиТ=228К.
при Т= 358 К.
Обратный ток эмипера при ИэБ = 4 В не более .
Емкость колJ1енорного перехода при ИкБ = 10 В. J =
= 10МГцнсболее.
Преде.1ьные эксп.1уатац11онные данные
Постоянное напряжение КОJI.1ектор-ъшттер при RБз =
= 10кОм,IкБ=10мкА.
ПоСJоянное напряжение ко.1лектор-6аза прн IкБ =
=10мкА
Постоянное напряжение база-эмиттер при lэь =
= 10мкА
Пос го:1нный ток коллектора одиночного транзисто­
ра.
Постоянный ток базы одиночно~ о транзистора .
Постоянная рассеиваемая мощность двух транзисторов
сборки с дополнительным теплоотводом при Rт.нд-с .;;;;
.;;;;200К/ВтиТ=333К•
45в
30в
0,3 в
1,0 в
3,0
10,0 мВ
40-120
100-300
20-120
50-300
40
100
0,5 мкА
1,0 мкА
0,5 мкА
8,0 пФ
45в
45в
4.0 в
100 мА
30 мА
300 мВт
799


·импульсная рассеиваемая мощность двух транзисторов
сборки с дополнительным теплоотводом Rтпд-с ,;;;
,;;;200К/Вт,<и,;;;10мкс,Q;:,2иТ=333К.
Постоянная рассеиваемая мощность транзистора при
постоянной рассеиваемой мощности сборки, не пре­
вышающей предельную .
Импульсная рассеиваемая мощность одиночного транзи­
стора при импульсной рассеивае:v~ой :v~ошности сборки,
не превышающей предельную .
Тепловое сопротивление переход-подложка .
Температура перехода .
Температура окружающей среды.
500 мВr
250 мВт
500 мВт
100 К/Вт
423 к
От 228
до358к
Пр им е чан и я: 1. При монтаже в С\ШКросхему максимально
допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт,
рассчи гывается по формуле
Ркмакс = (423 - Т}'Rтп-с•
где R7.п-с = Rт.п-нд + Rт.нд-~ + Rт.т-с; Rт.п-пд - тепаовое сопротивление
переход-подложка; Rт.пд-т - тепловое сопротивление подложка-тепло­
отвод; Rтт-с - теп.1овое со про 1·ивление теплоо гвол-сре;:щ.
2. Извлечение сборк'И из герметичной упаковки, входной
контроль параметров, монтаж в микросхемы, герметизация микро­
схем должны осуществляться в помещениях при соблюдении пра­
вил вакуумной гигиены, в.1ажности воздуха не выше 65 °0 и Т =
= (298±iO)К.
Минимальное расстояние от места пайки (сварки) до защитного
покрытия должно быть пе менее 4 мм. Температура жала пая.1ь­
ника должна быть не более 513 К, время пайки не более 1 мин.
Допускается трехкратная перепайка сборок. Необходимо принимать
меры, предохраняющие сборки от статического заряда.
800
KTCJ91fA,
КTCJ9 L/-Б --+-- -+- --+ -+- --1
81-----+ --+- --+----< , ._. .. _._
_.
6 t----t-- -+--t----ft-f--f-- --j
ц. t----t ---+ --1 ----+++--l----j
21----1 - - -+ - -t --J>-il'---l - -- -j
о 0,2 О,'+ 0,6 0,8 1,ОUБэ,В
Входные характеристики.
hz1э
200t---+--,_______.___..____,____,
120 l---;--t--_._--3!~-+---1
801--.''--+--ji----l-+~-~--I
о 20 Ц.О бО ВО 100Iэ,мА
Зависимость статического коэф­
фициента передачи тока от тока
эмиттера.
1
~


...---
hz1з
hz13
200
200
Uк5==58
160
120
120
80
80
ЧО
ЧОГ.---F"~-+--+---+---+--+-~
о
о
!
10-22 Ч610-12 Ч61002 Чiк,мА 213 233 253 273 293 313 333т,к
КТС39ЧА, КТС39ЧБ
ЗаRI1с11'lлость стат11ческого коэф-
1,2
фициента передачи тока от тока
11
кол.1сктора.
Зав11си,юс 1h сп1тического ко·Jф­
фициепта пере;щчи 1ою1 о r те\1-
пературы.
За висихюсп" опюсите.1ьного
\!аксих1а.1ьно допустих~оrо на­
пряжения ко.1.1сктор-эхшттер о 1
сопро 11ш.1ения ба·з:.r-·1,1111 r ер.
)
-.....
Iк=ЮмкА
КТСЗ 1ОЗА, КТСЗ 1ОЗБ
'\.
"......._
1--
Транзисторные сборки, состоящие из двух кре-..111иевых п.~анарных
р-п-р уси.1итс.1ьных свсрхвысокочас 1о1 ных ма.1омощных 1 ранзисто'ров
с разде.1ы1ыми выоодами.
·
Предназначены д.1я работы в .1ифференншиь11ых уси:ште.1ь11ых
каска,ц1н. Выпускаются н '1еталлостек;1яннох1 корпусе с гибкими
выводахш. Обозначение типа прино;щтся на корпусе.
Масса сборки не бо.1ее 1,5 r.
4,7
1-коллеt1тор; z-оа,за 1; З-зми.ттер
Ч-Коллеffmор; 5' - ба,за 2 i б-зми,ттер
[ / 2 26 ПО.l)ПрОВО.!НllКОВЫе пr11боры
801


Электрические параметры
Параметры одиночного траmистора
Модуль коэффициента передачи тока при ИкБ = 5 В,
lэ=3 мА,/=100 МГц.
типовое значение .
Постоянная времени цепи обратной связи при ИкБ =
=5В,/э=3мА,f=30МГц.
типовое значение .
Коэффициентшума* при Икэ=5 В, Iэ=1 мА, Rг=
= 150Ом,f=60МГц
типовое значение .
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 10 мА,
6-13 *
9*
10*-80 пс
22*пс
3,6-5 дБ
4,2 дБ
/Б=1мА.
.0,16*-О,6 В
типовое значение .
0,29*В
Напряжение насыщения база-эмиттер* при /к= 10 мА,
/Б=1мА.
типовое значение .
Статический коэффициент передачи тока в схеме с
общим эмиттером при Ик6 = 1 В, Iэ = 1 мА:
при Т=298 К .
типовое значение .
при Т=358 К .
при Т= 228 К не менее
Емкость коллекторного перехода* при ИкБ = 5 В, f =
= 10МГц.
типовое значение
Емкость эмиттерного перехода* при ИБэ =О, f =
=10МГц.
типовое значение
Обратный ток коллектора при ИкБ = 15 В не более:
приТ=298КиТ=228К.
при Т=358 К .
Обратный ток эмиттера при U63 = 5 В не более:
приТ=298КиТ=228К
при Т=358 К .
Параметры сдвоенных транзисторов
Отношение статических коэффициентов передачи тока
в схеме с общим эмиттером при ИкБ = 1 В, Iэ =
= 1мА, Т=298Кнеменее:
0,8-1,1 в
0,9 в
40-200
113 *
32-600
16
1,1 -
2,5 пФ
1,3 пФ
1,05-
2,5 пФ
1,26
0,2 мкА
5 мкА
0,5 мкА
5 мкА
КТС3103А .
0,9
КТСЗIОЗБ .
0,8
Модуль разности прямых напряжений эмиттер-база при
ИкБ=5В,lэ=1мАнеболее:
802
КТСЗlОЗА
КТСЗlОЗБ
3мВ
5мВ


Ток утечки между транзисторами при И= 20 В не
более:
приТ=298Ки Т=228К
приТ=358К
Преде,1ьиые эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база и коллектор-
0,1 мкА
5 мкА
эмиттер при RБэ,,;;; 15 кОм, Т = 228-; - 358 К •
15В
Постоянное напряжение эмиттер-база при Т = 228 -;-
358к.
5в
Постоянный ток коллектора при Т = 228 -;- 358 К .
Импульсный ток коллектора при •и ,,;;; 10 мкс, Q;,, 2 ,5 .
т=228 -;-358к.
20 мА
50 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора (суммар­
ная двух транзисторов):
приТ=228 -;-328К
при Т= 358 К.
Температура перехода
Температура окружающей среды
300 мВт
120 мВт
448 к
От 228
до358к
Теп.1овое сопротивление переход-среда
0,4 К/мВт
Пр и меч ан и е. Пайка и изгиб выводов допускается на рас­
стоянии не менее 1 мм от корпуса транзисторной сборки.
1
1
1
KTCJ10JA,
-ктсJ1ОJБ
1
1
Uкз=О- ~sв
о,ц
0,2
j
_//
о
8ходные характеристики.
1,5
~ 1,ц r---t--t---+--+~-1
11
~ 1,Ji--t--+--+-~+---1
~
~ 1,2t---+--+--7'-+--+--~
- <:::
-
~ 1,1г--r-.,,....+--+--+--~
~
Зависимость относительного
статического коэффициента пе­
редачи тока от напряжения кол-
лектор-база.
803


- --. ,_ 1,1 КТС3103А,КТС3103Б
1
/~ 0,9t---+----+-----'l~----1-----1
t:' _
~~81---1--~-1----1----'l~--i
.. s: :::
-
}0,7
0,6~~~---''----'~--'----'
0 11 8 12 1613,мА
Зависн~юсть
о 1 нос11те.1ыюго
ста 1ического коэффициента пе­
редачп тока от тока эсvtиттсра.
1,2
0,8
0,6
о
\
\
'
2
1
1
КТС3103А,
КТС3103Б -
"'
"-...
--
-
6
Зависи:vюсть емкости коллек­
торного перехода от напряже­
ния коллектор-база.
За1н~с11\1ос 1 ь \Ю.'Lу:1я оп1осн­
те:1ьной разности пр~\.1ых ш1.1с-
1111й напряжений база-J~1и 1 1ер
от тс~тсратуры.
0,9+----+----t------1i---""""~--1
~8'----'--__._~-'-~-'-~~
о 0,5
Зависи~юсть с:vrкости Э\.1иттер­
н ого 11ерсхо,_1а о 1 напряжения
база-эмиттер
1ТС609А, 1ТС609Б, 1ТС609В, ГТС609А,
ГТС609Б, ГТС609В
Транзисторные сборки, сос1оящие из четырех 1ер:vrаниевых диф­
фузионно-сплавных р-п-р перек!1юча 1ельных высокочастотных мало­
мощных транзисгоров.
Предназначены для применения в перек.1ючателы1ых схемах.
Выпускаются в мета.1лостеклянном корпусе с 1ибкими вы­
водами. Обозначение типа приводи rся на корпусе
Масса сборки не более 4 г
804


Б
1бз
'
-
~
~У,,{\1 о::::.'
"'
"
""
1::х~~- ~
_ ....
l{§}1 N 1Z
..,
1
~
С6сз11а,чение 8ы8oiJo8:
_
о,з
1, 6, 7'! 1Z -эl-'iUmmep; 3/1,g, 10-ба3ьt 1
2, !i, 8, 11- ноллектор;
I, л, Ш, N -еОини,чныii тра.ч:щстор
Э.1ектрические параметры
Гр:;ш1чнос ш1пряжение пр11 I" = 0.5 А не менее
11
9
1
1
1Ч, Z
i...:
типовое значение .
~
Напряжение насыще:шя коллекrор-)миrтер при lк = 0,5 А.
/Б=70 мА lТС609А, ГТС609А и при /Б=40 мА
1ТС6095. J ТС609В. ГТС6U9Б. ГТС609В нс более .
типовое значение .
Напрюке11ие насыщения ·Jмиттер-база пр11 /к = 0,5 А.
lь = 70 мА 1ТС609А. ГТС609А и при /6 = 40 мА.
IТС609Б, ITC609B. ГТС609Б, ГТС609В не более
.
типовое значение .
Стати•1ескнй коэфф1шиен1 передачи тока в схеме с
общим эмиттером пр~: Икэ = 3 В. /э = 0.5 А:
при Т= 298 К:
ITC609A .
ГТС609А .
!ТС609Б
ГТС609Б
l ТС6&913
ГТС609В
при Т= 343 К:
ITC609A
1ТС609Б .
ITCn09B .
приТ=333К:
ГТСЕ>09А .
ГТС609Б .
ГТCIJ09R .
Стапrч<ескиii ко'Jффициент передачи тока в схс~·-= с
общпм J:.нптеро:л:
при Икэ = 3 В, 1, = 0,25 А JТC609I!, ГТС609В
не менее .
26 nолунроводниковые приборы
1'
.,
30в
40~в
l.6 в
О,74*В
!,! в
0.57*в
33-100
30-100
53-160
50- ,-1 60
40-120
110-420
16,5 -200
26,5 -320
20-240
15-200
25-320
40-480
80
805


при Икэ = 5 В. 1, = 0.7 А 1ТС609А. ГТС609А.
1ТС609Б. ГТС609Б не менее
15
Граничная частота ко·7ффициен 1а переда '111 тока в схеме
с общим эмнтгеро:-,r при L'кэ = 3 В. lк = 0.5 А не
~1енее .
Времявк.1юченияприlк=0.5А./=2кГu. /Б=70 мА
IТС609А. ГТС609А при / 6 = 40 мА IТС609Б. ГТС609Б.
1ТС609В. ГТС609В пе бо.1ее .
типовое значение
Время рассасывания при lк = 0.5 А. /= 1 кГц. /6 =
= 70 мА 1ТС609А. ГТС609А. при / 6 = 40 мА 1ТС609Б.
ГТС609Б, 1ТС609В. ГТС609В не более . .
типовое значение .
Емкость коллекторного перехода при UкБ = 10 В. / =
= 5МГцнеболее.
•
.
.
.
типовое значение .
Емкость эмиттерного перехода при ИкБ =О. /= 2 МГц
не более.
типовое значение .
Обратный ток коллектора при Ик 6 = 30 В не более:
при Т= 293 К:
IТС609А. 1ТС609Б. 1ТС609В .
ГТС609А. ГТС609Б, ГТС609В
при Т = 333 К ГТС609А. ГТС609Б. ГТС609В .
при Т = 343 К 1ТС609А. 1ТС609Б. IТС609В
Обратный ток эмиттера при Иэ 6 = 2,5 В не более:
при Т= 293 К:
1ТС609А. 1ТС609Б. !ТС609В.
ГТС609А. ГТС609Б. ГТС609В
при Т = 333 К ГТС609А, ГТС609Б, ГТС609В .
при Т = 343 К 1ТС609А, 1ТС609Б, 1ТС609В .
Преде.~ьные эксп.~уатациои11ые данные
Постоянное напряжение коллектор-база и ко.1лектор-
эмиттер •
Постоянное напряжение эмиттер-база .
Импульсное напряжение ·7митгер-база при ти.;::; 10 мкс.
Импульсный ток коллектора при tи.;::; 10 мкс .
Импу.1ьсный ток базы при ти.;::; 10 мкс . .
Посгоянная рассеиваемая мощность (для всей сборки)
приТ.;::;316К....
•
••.
Импульсная рассеиваемая мощность (;щя одного тран-
зистора) при tи.;::; 10 мкс .
60 МГц
0,1 мкс
0.048 * мкс
0.7 мкс
0.43 * мкс
50 пФ
19,8 * пФ
250 пФ
111.6* пФ
30 мкА
40 мкА
600 мкА
500 мкА
100 мкА
200 мкА
1000 мкА
500 мкА
50в
2.5 в
3в
0,7 А
0,1 А
500 мВт
5Вт
Температура нерехода •
.
Тепловое сопротив.1е11ие переход-среда •
Температура окружающей сре,\ы н пределах:
358 к
.0 .084 К/мВ1.
1ТС609А, IТС609Б. IТС609В
ГТС609А, ГТС609Б, ГТС609В
806
От 213
ДО343К
От 233
до333к


lr1 .
/
П р и меч ан и е. Изгиб выводов и пайка допускаются на рас­
стоянии не менее 3 мм от корпуса.
hг1з
125
100
75
50
25
о
/r- .. ..
1ТС509А ....!.
'\...ТС509В-,_____
1
~
Uкз =38
........... ,..
100 200 300 400 50013,мА
Зависи"1ость статического коэф­
фициента передачи тока от тока
э~иттера.
СХ)
1ТС509Б
J
~51---+---+--t---fi--·-t----t
г>---+---+--
~1,5 ,___,__..,..
c>j
~ 1 ~--1---+--+--+-?--f--r~>"'c---t
о
Зависимость напряжения !-!аСы­
щения ко,·и1ектор-э~иттер от
тока коллск1 ора.
26*
3г--г~т--~~..--..---.
~5i----t--+---+--.j.....,jl-i--!
<>
"i 1,5 Г----+--+-+-+---1---1
"'
~
CJ
"'~
о 10() 200 300 1./-00 500Iк,мА
Зависимость напряжения насы­
щ~ния коллек гор-эмиттер от
тока коллектора.
1ТС509А
;; 0,3
<:!
<:>..
.,, 0,2
0,1
ого
Зависимость времени рассасыва­
ния от тока базы.
80?


0,6
1ТС609Б
q,5t--...-+--+---+--+----+--<
u О//. t--\--t_...н----t--+---+----1
~"~O,J1---+->r--+------•--+---<
<:!
...,сз.. о, г l--i'""""-+-"'"t=-l-~..,---1
1
1
0,1 l51=15мA~-+---t~~
о 20 ЧО 60 80 100!5,мА
Зависимость времени рассасыва­
ния от тока базы.
5О 1ТС609А -1ТС609В
501.--~-+-+-~-=-r'--t---1
Т= 293i<
""'-. _
401--+--+-+-------t·
~
~Jо1----+--·-+-+---1---+--<
")
::.::
~ 20+--~~-+---+--+---i
101------+ ---+ ---+ ---+ ---I
о.___ __.. _ _.__~.___.___,
10 50 100 500 R5з,Ом
Зависимость мuксимально до­
пустимого напряжения коллек­
тор-эмиттер от сопротивления
база-эмиттер.
2ТС622А, 2ТС622Б, КТС622А, КТС622Б
Транзисторные сборки, состоящие из четырех кремниевых 111и­
таксиально-планарных р-п-р переключательных высокочж:тотных мало­
мощных транзисторов.
Предназначены для применения в 11ереключ:~телы1ых схемах.
Выпускаются в металлокера~ичсском кор11усе с 1·ибким11 выводами.
Обозначение типа !lриводится на корпусе.
Масса сборки не более 0,4 1-.
zJ4j
Эт.~~;триче~.:ю;е пара,1етры
Напряженне насыщения ко_1.1сктор--~~--нптср щ::и lк =
= 400мА,/Б=80,\!А:
(j7
2ТС622Л, 2ТС622Б. КТС622А нс боже
1,3 В
808


г-
i типовое значение .
0.7*в
2в
11
1
КТС622Б не более .
Напряжение наСi?Iщения 1миттер-ба1а при lк = 400 мА.
/Б=80 мА:
2ТС622А, 2ТС622Б. КТС622А не более
типовое -значение
КТС622Б не более •
Стапнсский коэффициент передачи гока в СУ.сме с об-
щим эмиттером при Икь = 5 В, 13 = 200 мА:
2ТС622А. 2ТС622Б. КТС622А
типовое значение
КТС622Б не менее .
Модуль коэффициента переда•ш тока в схеме с оG­
щим эмиттером при Икэ = 10 В. /к= 30 мА, .f =
= 100 МГц:
2ТС622А. 2ТС622Б, КТС622А не менее
типовое значение
КТС622Б не менее .
Постоянная времени цепи обрuтной связи при Uк-, =
=10В,Iк=30мАнеболее.
типовое значение
Время включения* при lк = 200 мА. /ь = 20 мА не
более.
типовое значение
Время рассасывания* при lк = 200 мА. /Б = 20 мА:
2ТС622А, КТС622А не более
типовое значение
2ТС622Б. КТС622Б не более
типовое значение
Емкость коллекторного перехода* при ИкБ = 1О В, .f =
=2МГцнеболее.
типовое значение .
Емкость СJМИ'rтерного перехода* при Иьэ =О. .f = 2 МГц
не более.
типовое значение .
Обратный ток коллектора при ИкБ = 45 В нс более:
приТ=298К.
при Т = 398 К 2ТС622А. 2ТС622Б .
Обратный ток эмиттера пр!! ИэБ = 4 В не более
Предельные :жсплуатзционные данные
Постоянное напряжение кuллектор-ба·3а и ко.;шектор-
эмиттер прп Rьэ .;; l кОм 2ТС622А. 2ТС622Б:
2,2 в
1,l*в
2,5 в
25-150
70*
10
2
4.5 *
l,5
60 нс
22* нс
35 IJC
26 Нс
120 нс
65 НС
200 нс
140 нс
15 пФ
4,5 пФ
60 пФ
27 пФ
10 мкА
100 мкА
20 мкА
врнТ~373К.
45В
при т0= 423 к
22в
при Т,;;; 343 К:
КТС622А .
45В
КТС622Б .
35В
809


при Т=393 К:
КТС622А.
КТС622Б.
И \Шу.-~ьсное напряжение ко.т1ек гор-база при -r 11 < 1О мкс.
Q;;, 10:
2ТС622А. 2ТС622Б. КТС622А .
КТС622Б.
Постоянное напряжение э\1иттер-fiаза .
Импу.-~ьспое папряжею1е 'J\Нптер-база при -r 11 < 10 :--1кс.
Q;;, 10 КТС622А .
Постоянный ток ко.1;1ектора .
Импульсный ток кол.-~ектора .
Постоянная рассенвае:чая мощность ко.-~.1екторов рабо-
чих ЭЛС\·IСНТОН ма тр!ЩЫ:
при Т,;; 333 К 2ТС622А. 2ТС622Б
при Т ,;; 298 К КТС622А, КТС622Б
при Т = 398 К 2ТС622А. 2ТС622Б
при Т = 358 К КТС622А, КТС622Б
Импу,1ьсная рассеиваемая мощность коллекторов рабо­
чих элемен1ов матрицы прп -r 11 :;:;: 10 мкс, Q ~ 10.
т:;:;: 298 к .
Темнература перехода .
Тепловое сопротивление переход-среда
Температура окружающей сре,1ы:
2ТС622А. 2ТС622Б •
КТС622А. КТС622Б .
30в
20в
60в
50в
4в
6в
400 мА
600 мА
0.4 Вт
0.4 Вт
0.1 Вт
0.24 Вт
10 В1
423 к
218 К/Вт
01 213
ДО398К
От 238
до358к
Пр им е ч а 11 и е. Расстояние от корпуса .щ мес1а пайки (по
длине вывода) не менее 1 мм. жа.10 пая.1ьннка ло.1жно быть
заземлено.
Радиус изгиба выводов должен быть не менее 0,3 мм. рас­
стояние от корпуса до центра окружности изп1ба не менее 1 мм.
hz1э
70
60
50
ч.о
30
20
/
1
2ТС622А,2ТС622Б
1
Uкэ=5В
J,,,,.., ... -....
'
'- ..
'
О 100 200 300 400 500 Iк,мА
Зависимость стап1'!сского ко·1ф­
фицие11та передачи тока ог тока
коллектора.
810
1
2ТС622А, 2ТС622Б
Кнас =5
/
"/
/
/
О,25
о 100 200 300 400 500 Iк,мА
Зависимость напряжения насы­
щения ко;шектор-эмиттер от
тока ко.1лектора.


2,0
1,75
Q;) 1,5
~
~ 1,25
n;
~ 1,0
1
11
1l
2ТС622А, 2ТС622Б
Кна.~= 5
-
,,,..,,..
·--
~
1
1
1
·'
1
2ТС622А,2ТС6226
1
\
\
1
f=5 МГц
'~
........
0,75
10
............
-
0,5
5
О 100 200 JOO 1/-00 500 Iк,мА
О510152030Uк5,В
Зависи\1ость напряжения насы­
щения база-1миттер от тока
кол.1ектора.
С3,пФ
JO
25
20
15
10
5
о
1
1
1
1
1
2ТС822А, 2ТСВ22Б
'
"'
1
......
f=5 МГц
... ,
,__
-
-
2J
Зависимость смкос1 и Jмиттср­
ного перехода or напряжения
эмиттер-база.
Зависимость максимально до­
пустимого напряжения коллек­
тор-Jмиттер от температуры.
За~шсимость емкости коллек­
торного перехода от напряже­
ния коллектор-база.
2ТСВ22А_, 2ТС622Б
'\
\."
~'\
'
о,в
0,5
46~0 2 468 2 46 R63,кОм
100
Зависимость
относительного
максимально допустимого на­
пряжения коллектор-эмиттер от
сопротивления база-эмиттер.
во
50
1/-0
JO
20
2ТС822А, 2ТСВ22Б
' ..........
......
""'
373 398 чгзт,к
811


Часть треть.ч
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ПОЛЕВЫХ
ТРАНЗИСТОРОВ
Разде.z десн111ый
ТРАНЗИСТОРЫ МАЛОМОЩНЫЕ
2П101А, 2П101Б, 2П101В, КП101Г, КП101Д,
КП101Е
Транзисторы кремниевые диффузионно-планарныс по,1евые с за­
твором на основе р-п перехода и каналом р-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах уси.1ителей
низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопро­
тивлением.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выво­
дами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности кор­
пуса.
Масса транзистора не более 1,0 г.
,,з
1З,5
Jam8op Стах Исток
э.... ектрические параметры
КоJффициенг шума 11ри Иси= 5 В. Изи = О.I = 1ООО Гц,
Rг = 1,0 МОм нс более:
2П101А, 2П101Б, КПIОlГ . . .
2П101В, КПJОlД ...... .
Крупвш1 характеристики при Иси = 5 В. Uш =О:
812
при Т= 298 К:
КПIОlГ ...
2П101А, 2П101Б. КПIОlД, KПIOlE
2П101В.......
при Т = 398 К 2П101 А, 2П101 Б, 2П101 В нс более.
5 ,r1Б
10 дБ
0,15 мА/В
0.3 мА/В
0,5 мА/В
.0 ,4 значения
при
т=298к


при Т= 213 К 2ПIOIA. 2ПIО!Б. 2ПIО!В не
лее .
Нача.1ьный 1ок сrока при Иси = 5 В. U3н = О:
2ПIOIA
2П101Б
2ПIUIB
КПIОIГ, КП!ОIД. КП!О!Е не менее
бо-
2 значения
при
Т=298К
. 0,3-1,0 мА
. 0.7-2,2 мА
. 0 .5-5,0 мА
0,3 мА
Напряжение отсечки (по.'Iожите:1ьное) 11р11 Иси = 5 В. /" =
= 1 мкА не более:
2П101А, 2П101Б. КПIО!Г
5В
2П101В . .
8В
КПIОIД, KПIOIE. .
10В
Ток утечки затвора при Uсн=О. Изи =5 В нс бо-
лее:
при Т= 298 К:
2ПIО!А, 2П101Б, 2П!ОIВ. КПIОIГ
КПIОIД, КП!ОIЕ.
при Т= 398 К:·
2П101А. 2П!ОIБ .
2ПIО!В
10 нА
50 нА
1 :viкA
5 мкА
Емкость входная при Иен=5 К Изи=О не бо-
лее
12 пФ
ЕУ!кость выходная* при короткозамкну гом входе нс
более .
0,4 11Ф
Емкость проходная* при Uси = 5 В. Изи= О:
2П101А
типовое зна ченис
2ПIО!Б
типовое значение
2П!ОIВ
1 ивовое зна•1е11ие
Активная составляющая выхо,1ной прово,rщмости*
Uси=5В.Изи=О:
2П!О!А
пшовос значение
2П101Б
типшюе значение
2П!О!В
1 иповое зна чсние
Предельные эксплуатационные ,1а11ные
Нанряжение сток-исток (отрицательное) при Изи= О.
Напряжение затвор-сток.
Напряжение затвор-исток .
.
2,2-2 ,7 пФ
2,5 пФ
. 2.4-2.9 пФ
2,5 пФ
.
2,5-3 ,0 пФ
2,7 пФ
ври
90-
400 мкСм
190* мкСм
20-
120 мкСм
50" мкСм
· 6-24 мкСм
.
12* мкСм
10в
10в
10в
813


Ток стока:
КПIОIГ ..•..........
КПIОIД,KПIOIE.........
2мА
5мА
Постоянная рассеиваемая '-'ЮШнос 1 ь 2П 1О1 А, 2П!О!Б,
2П!ОIВ ........ .
50 мВт
Температура окружаюшей среды:
2ПIOIA, 2ПIОIБ, 2ПIOIB.
От 213
ДО398К
КПIО!Г, КП!ОIД. KПIOIE .
От 233
до358к
Пр н ' - ' 1 е чан и е. Значение максимальной рассеиваемой мош­
ности д.1я кажлого транзистора 01·раничивается значениями 11а­
•шльно1 о тока стока 11 максима.1ьно ,~опустимого напряжения сток-
исток.
Сумча напряжений на за 1воре и стоке не должна превы­
шать предельно ,сюпустимого напряжения на стоке во всем интер­
вале температур окружающей среды.
Запрещается подавать отрицательное напряжение на "Jатвор и
работать в ·текrрическом режиме с отключенным затвором.
1,5 2П101В,КП101Е
1
1
2П101Б, КП101Д
Q:) 1,0 >--"_.,..,.._..,___._-+----~....
"
~tJ)~
~51----+-+---+-"'"'+-o=:t=-+-~
о.__.......__...____._ _.__...._~....
213
273
333
Т,К
Зависнмость крути1ны харак­
теристики от те:-.шературы.
Кш.,дБ
15
Uси =-5 в, Изи ~о,
f=1 кГц, Rr=1 МОм
1111
2П1018,КП101Е,
Зависимость коэффициеJrта шу­
У!а от температуры.
2П103А, 2П103Б, 2П103В, 2П103Г, 2П103Д,
2П10ЗАР, 2П10ЗБР, 2П103ВР, 2П103ГР,
2П10ЗДР, КПlОЗЕ, КП103)К, КПIОЗИ,
КП103К, КП10ЗЛ, КПlОЗМ, КПlОЗЕР,
КП10ЗЖР, КПlОЗИР, КПlОЗКР, КП103ЛР,
КПlОЗМР
Транзисторы кремниевые лиффузионно-планарные полевые с затво­
ром на основе р-п перехода и кана!юм р-типа - 2П 1ОЗА, 2П 103Б,
2П103В, 2П103Г, 2ПIОЗД, КПIОЗЕ, КПIОЗЖ, КПJОЗИ, КПIОЗК,
814


Выt!ооы
Вариант 1
Место
маркuро!Jки
\
\
.Jат!Jор-корпус
\
Сток
s
13,s
5,3
От11ичите11ьная метка-точка iJ!lя
'"---'-'-'--'----~-----'---_, транзисторо!J, поrJоtfранных !J пары
Ва,риа.нm Z
Отличи.тельная мemlia - точка 8.1111
тран3и.сторо8, поfJобранны:r 8 ntLpьr
место
МаркироВки
Затбор
7
~ Ч,9 dl~ о,в"исток
дf
Ви.д А
За.тВор
Cmaк~llcmoк
J
н
1,~
КП!ОЗЛ, ПК!ОЗМ и подобранные в ШфЫ по основным э.1сктри­
ческим параметрам (начальночу току стока, крутнзне характеристики,
юшряжению отсечки)- 2П!ОЗАР, 2ПIОЗБР, 211\ОЗВР, 2П!О3ГР,
2Пl03ДР, КП IОЗЕР, КП103ЖР, КII!ОЗИР, КПlОЗКР, КПlОЗЛР,
КП!ОЗМР.
Предназначены для 11рименсния во входных ь:аскадах усилителей
низкой часто 1 ы и постоянного тока с нысоким входным сопро­
тив.~ением (2П103А, 2ПIОЗБ. 2П103В, 2ПJОЗГ, 2П!ОЗД, КПlОЗЕ,
КПlОЗЖ, КПIОЗИ, КПIОЗК, КП103Л, КП!ОЗМ), а также во вход­
ных каскадах дифференциальных усилите.>ей низкой частоты и по­
стоянного тока с высоким входным сопротив;1е11ием (2П103АР,
815


2П103БР, Ш!ОЗВР, 2111озгr, 2ПIОЗДР, КПIОЗЕР. КПIОЗЖР,
ПК!ОЗИР, КПIОЗКР. КПIОЗЛР. КП 103МР).
Вы11ускс1ются в металлостек.1янно~1 кoptryce с гибкими вывода:-111
(варш1нт i). Транзисторы КПJОЗЕ. КПJОЗЖ, КП103И, КП103К.
КП IО~Л. КП!ОЗМ, КПIОЗЕР, КП!ОЗЖР. КПIОЗИР. КП!ОЗКР,
КП 1ОЗЛР. КП 1ОЗМР выпускаются также в пластмассовом когпусе
с гибкими вывода:-111 (вариант 2).
ОбоJначение rнш1 нрнводи 1·ся на боковРй 11овеrпност11 корпуса.
Пары транзисторов упако!Jываются в тару. нскj1ючающую во3-
можность их разу1,омплектования. Транзисторы ~н1ркируются цвет­
ными точками на верхней части корпуса: черной ~ группа 1 точ­
ности подбора вар по основным электрическим нараметрам тран­
зисторов 2ПIОЗАР, 2ПIОЗБР, 2П103ВР, 2ПIОЗГР, 2ПIОЗДР и группы
О и 1 транзисторов КПlОЗЕР. КПlОЗЖР, КПlОЗИР, КП103КР,
КП 1ОЗЛР, КП 103МР; синей - группа 2 точности.
М<1сса транзистора не более 1,0 г.
Электричесю1е параметры
Максималь'Ная рабочая частота* 2П i ОЗА. 2П 103Б.
2ПIОЗВ. 2П103Г, 2П103Д. 2П103АР. 2П103БР.
2П103ВР, 2П103ГР, 2ПIОЗДР .
Коэффициент шума при Иси = 5 В, Изи = О.
f=1000 Гц, R,=1,0 МОм. Rc=2 кОм не
более
Крутизна характеристики при Иси = 10 В. Изи= О:
при Т= 298 К:
816
2П103А, 2П103АР
типовое значение
2П!ОЗБ, 2П103БР
типовое значение
2П103В, 2П103ВР
типовое значение
2П103Г, 2П103ГР
типовое значение
2П\ОЗД, 2ПIОЗДР
типовое значение
КПIОЗЕ, КП103ЕР .
КП103Ж, КП103ЖР
КШОЗИ, КПIОЗИР
КПIОЗК, КПIОЗКР.
КП103Л, КП103ЛР.
КПIОЗМ, КП103МР
при то= 358 к:
2П103А. 2П!ОЗАР
2П!ОЗБ, 2П103БР
2П103В, 2ПIОЗВР
2П!ОЗГ, 2П103ГР
2ПIОЗД, 2П103ДР
3 МГц
0.7 -2 .1 мА/В
1,6* мА/В
0,8-2.6 мА/В
1,6 * мАiВ
1,4-3,5 мА.•В
2,4* мА/В
1,8-3,8 "1А/В
2,8* мА;В
2,0-4 ,4 мА1В
3,2 * мА/В
0,4- 2.4 мЛ/В
0,5 -3 .8 мл,в
0,8-2,6 мА/В
1,0-ЗЛ мА,"R
1.8-3.8мАВ
1,3 -4 .4 мЛ•В
0.42 - 2,1мА:в
0.4~ - 2,6 :-1А1 В
0,84 - 3 .5 мА/f!
1.0-~.8 мА,D
1,1 -4 .4 мА/В


~1
КП103Е. КП103ЕР .
КП!ОЗЖ КПIОЗЖР
КПIОЗИ. КПIОЗИР.
КПIОЗК. КПIОЗКР.
КП103Л. КПIОЗЛР.
КПIОЗМ, КПIОЗМР
при Т= 218 К:
2ПIОЗА. 2П103АР
2ПIОЗБ, 2ПIОЗБР
2П103В, 2ПJОЗВР
2П103Г. 2ПIОЗГР
2ПIОЗД, 2П103ДР
КП103Е. КПIОЗЕР.
КПIОЗЖ, КПlОЗЖР
КП103И. КП103ИР
КП103К, КП103КР.
КП103Л, КП103ЛР.
КП103М, КП103МР
Начальный ток стока при Иси = 10 В,
Изи= О:
2П103А, 2ПIОЗАР .
типовое значение
2П103Б, 2П103БР
типовое значение
2П103В, 2П103ВР
типовое ·3начение
2П103Г, 2ПIОЗГР
типовое значение
2П103Д, 2ПIОЗДР
rиповое значение
КПIОЗЕ, КПIОЗЕР .
КП103Ж, КП103ЖР
КП 1ОЗИ, КП 1ОЗИР .
КПlОЗК. КПIОЗКР.
КПJОЗЛ, КПIОЗЛР.
КПIОЗМ. КП:03МР
Напр.srжение отсечки при Uси = 1О В. fc = 1О мкА:
2П103А, 2П103АР
типовое значение
2П130Б, 2П103БР
типовое значение
2П103В. 2П103ВР
типовое значение
2ПJО3Г. 2П103ГР
rиповое значение
2ПIОЗД, 2П103ДР
типовое значение
КП 1ОЗЕ. КП 1ОЗЕР .
КП103Ж, КП103ЖР
КПlОЗИ, КПIОЗИР.
0,24 - 2.4 мА/В
0.3 -2 .8 мА/В
О.48- 2,6 мА/В
0.6- 3,0 мА/В
1,0-3,8 мА/В
О, 75-4 ,4 :11А/В
О,7-3,3 мА;В
0,8-4,15 мА;В
1,4 - 5,6 мА/В
1,8-6.1 мА/В
2.0-7,0 мА;В
0.4-4,0 мА/В
0,5-4.6 мА/В
0,8-4,15 мА/В
1,0-4,9 мА/В
1,8-6,1 мА/В
1,3 -7 ,0 мА/В
0,55-1.2 мА
0,85 * мА
1.0-2,1 мА
1,5* мА
1,7-3,8 мА
2,7* '\1А
3,0-6,6 мА
4,5* мА
5.4-12 мА
7,3* мА
0,3-2,5 мА
0,35-3.8 мА
0,8-1,8 мА
1.0-5,5 мА
1,8-6,6 мА
3,0- 12 .0 мА
0.5-2.2 в
1,3*в
0.8-3,0 в
1,9* в
1.4-4,0 в
2,1*в
2,0-6 ,0 в
2,8*в
2,8-7 ,0 в
3,7*в
0,4-1,5 в
0,5-2,2 в
0,8-3,0 в
817


КП!ОЗК, КПIОЗКР.
КПIОЗЛ, КПIОЗЛР.
КПIОЗМ, КП103МР
1.4-4,0 в
2,0 -6.0 в
2,8 -7,0 в
Активная состав.1яющая входной проводимости при
Иси = 10 В. U3и =О не бо.1ее:
2П 1ОЗА, 2П 1ОЗАР
типовое зна ченне
2П103Б. 2П10JБР
типовое ·1начение
2ПIОЗВ, 2П lОЗВР .
типовое значение .
2П103Г, 2ПJОЗГР.
типовое значенпе .
2П 1ОЗД. 2П 1ОЗДР .
п~повос значение .
КП103Е, КПIОЗЕР
КП!ОЗЖ КП103ЖР.
КПJОЗИ. КПlОЗИР.
КПJОЗК, КПJОЗКР .
КПJОЗЛ, КПIОЗЛР .
КПJОЗМ. КПIОЗМР.
Ток утечки затвора не более:
2П103А, 2П103Б, 2П103В, 2П10ЗГ. 2ПIОЗД, 2П103АР,
2П103БР. 2П103ВР, 2П103ГР, 2П103ДР при Uси =О.
Изи=5 В:
при Т=298 К
приТ=358К
при Т=213 К.
КП!ОЗЕ, КП103Ж, КПlОЗИ, КПIОЗК, КП103Л,
КПlОЗМ. КПIОЗЕР, КПlОЗЖР, КП103ИР, КПlОЗКР,
КПIОЗЛР, КПlОЗМР при Иси=О, Изи=10 В:
приТ=298КиТ=218К.......
приТ=358К..............
Емкость входная при Иси = 1О В, Изи = О не 60J1ee:
2П103А, 2ПIОЗБ, 2П103В, 2П103Г, 2П103Д, 2П103АР,
2П103БР. 2П103ВР, 2П103ГР, 2П103ДР . . ...
КПlОЗЕ, КПJОЗЖ, КПJОЗИ, КП!ОЗК, КПlОЗЛ,
КП103М, КП103Г-:Р. КПIОЗЖР, КПIОЗИР. КП103КР,
КП103ЛР,КПIОЗМР............
Емкость проходю1я при Uси = 10 В, Изи= О нс более
Температурный уход разности напряжений запюр-исток
подобранной пары транзисторов* при Т = 213 -:- 358 К
не более:
818
2П103АР:
группа 1 точности подбора:
лля 80°0 пар .
.
.
.
для 20u~ пар •
.
.
'
групnа 2 гочности по,1бора для
80~опар......
2ПIОЗБР:
40 мкСм
10 мкСм
50 мкСм
15 мкСм
80 мкСм
20 мкСм
130 мкСvt
40 мкСУ!
160 "1кСм
70 мкСм
5 :-лкСм
10 мкСм
15 мкСм
20 мкСм
40 мкСм
70 мкСм
10 нА
2 мкА
20 нА
20 нА
2 мкА
17 пФ
20 пФ
8пФ
250 мкВ/К
450 YIKB/K
300 мкВ/К


группа 1 точности подбора:
для 80 °0 пар
.
.
.
.
.
;\;1я 20 "
0
пар.....
группа 2 точности подбора для
2П103ВР:
80 °0 пар
группа 1 rочности подбора:
;~.•я 80 °0 пар .
.
.
.
.
.
.
.
.
/\.>Я 20 °0 пар.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
группа 2 точности подбора д.1я 80 ° 0 пар.
Относите.1ы~ая разность крутизны характеристики при
Иси=10В.Изи=Онеболее:
2ПIОЗАР. 2ПIОЗБР, 2П103ВР, 2ПIОЗГР, 2П!О3ДР:
группа1.....
группа2......
КП103ЕР, КП103ЖР,
КП103ЛР, КП19ЗМР:
группа О
группа1....
группа2....
КПIОЗИР, КП!ОЗКР,
Относи rе.>ьная ра·шос i ь начального тока стока при
U<:и= 10 В. Изи=О не более:
2П103АР, 2П!О3БР. 2П103ВР, 2ПIОЗГР, 2ПIОЗДР:
группа1................
группа2................
КП!ОЗЕР, КП103ЖР. КП103ИР, КПIОЗКР, КП!О3ЛР,
КП!О3МР:
группа О
группа 1
группа 2
Относи rельная ра·шос 1 ь напряжений отсечки при Иси =
= 10В,Ic=10мкАнеболее:
2П103АР. 2П10ЗБР, 2П!О3ВР, 2П103ГР. 2П103ДР:
группа1................
грушш 2 •
.
.
.
.
.
.
.
.
.
•
•
.
•
.
.
КП!ОЗЕР, КПIОЗЖР, КПIОЗИР. КПIОЗКР, КП!ОЗЛР,
КП103МР:
группа О
группа 1
группа 2
Предельные )Ксплуатацно11иые да11иые
Напряжение сток-исток:
2ПIОЗА. 2П103Б, 2П103В, 2П!О3Г. 2П103Д, 2ПIОЗАР,
2П 1ОЗБР. 2П 1ОЗВР, 2ПI ОЗГР, 2П 1ОЗДР при Т = 213 .; -
358 К и КПJОЗЕ, КП103Ж, КПIОЗК, КП103М,
КПJО3ЕР, КПIОЗЖР, КПJОЗКР, КПIОЗМР при
250 мкВ/К
550 мкВ/К
300 мкВ/К
300 мкВ/К
550 мкВ/К
450 мкВ/К
5о.
о
10оо
20 °~
10\
20 °~
5О/
о
10 °<,
20 °~
10 '~0
10 ~~
т=218.;-358к............
10в
КПJО3И, КП103Л, КП103ИР, КП103ЛР при
Т=218.;-358К............
12В
819


На~; ряжение затвор-сток:
2ПIОЗА, 2П103Б, 2ПIОЗВ, 2ПJОЗАР,
2ПIОЗВР при Т= 213-:- 358 К ...
2П103Г, 2ПIОЗД, 2ПIОЗГР, 2ПIОЗДР при
358к..............
2П IОЗБР,
Т= 213 -:-
Напряжение затвор-исток 2П!ОЗА. 2П103Б. 2П!ОЗВ,
2ПIОЗГ, 2П103Д, 2П!ОЗАР. 2ПIОЗБР. 2ПIОЗВР,
2П103ГР.2ПIОЗДРприТ=213-:-358К. . . . . .
Напряжение затвор-исток (отрицательное) 2П 1ОЗА,
2ПIОЗБ, 2П103В. 2П!ОЗГ. 2П103Д, 2ПIОЗАР, 2П!ОЗБР,
2ПIОЗВР. 2ПIОЗГР, 2ПIОЗДР при Т=213-:-358 К
Сумма напряжений сток-исток и затвор-исток:
КПIОЗЕ, КП!ОЗЖ. КПIОЗИ, КПIОЗК, КПIОЗЕР,
КПIОЗЖР, КПIОЗИР, КП!ОЗКР при Т= 218-:- 358 К
КПIОЗЛ, КПIОЗМ, КПIОЗЛР, КПIОЗМР при
т=218-:-358к.......
.
.
.
.
.
.
Постоянная рассеиваемая мощность:
2П103А, 2П103Б, 2ПIОЗВ, 2ПIОЗГ. 2П103Д и каж­
дого транзистора пары 2П!ОЗАР, 2ПIОЗБР. 2П!ОЗВР,
2П103ГР, 2П103ДР:
приТ=213-:-298К.
при Т= 298-:- 358 К
при Т= 218-:- 358 К:
КП 1ОЗЕ и каждого транзистора пары КП !ОЗЕР
КП!ОЗЖ и каждого транзистора пары КП!ОЗЖР
КП 1ОЗИ и каждого транзистора пары КП 1ОЗИР
КПIОЗК и каждого транзистора пары КП!ОЗКР
КП 1ОЗЛ и каждого транзистора пары КП 1ОЗЛ Р
КПIОЗМ и каждого транзистора пары КП!ОЗМР
Температура окружающей среды:
2ПIОЗА, 2ПIОЗБ, 2ПIОЗВ, 2ПIОЗГ, 2П103Д. 2П103АР.
2П103БР, 2ПIОЗВР, 2П!ОЗГР, 2П103ДР . . . . .
КПIОЗЕ, КР!ОЗЖ, КПIОЗИ, КПIОЗК, КПIОЗЛ,
КПIОЗМ, КП!ОЗЕР, КПIОЗЖР КПIОЗИР, КПIОЗКР,
15в
17в
10в
0,5 в
15в
17в
120 мВт
60 мВ1
7 мВт
12 мВт
21 мВт
38 мВт
66 мВт
120 мВт
От 213
ДО358К
КПIОЗЛР,КПIОЗМР............От218
ДО358К
П р и мс ч а н и я: 1. Значение максимальной рассеиваемой мощ­
носпr транзисторов 2П!ОЗА, 2ПIОЗБ, 2П103В, 2П!03Г и каждоrо
транзистора пары 2ПIОЗАР, 2П103БР, 2П!ОЗВР, 211\ОЗГР оrраничи­
вастся значениями начального тока стока и максима.1ьно ;;.о!тусIИ··
мого напряжения сток-исток.
2. При пайке выводов жа.'10 паяльника до.1жно быть зазем~еrrс•.
Расс1·оя11ис от корпуса до места пайки до.1жно бьпь 3 -~ 5 ;,;~,:.
При работе с транзисторами 11собход~1мо примене1111е мер ·;а­
щиты от статического электричества.
820


Зависи:>1ос rь коэффициента шу­
ма от 11апршкен11я 1атвор-11сток.
,'ДБ 1
l<ш
3
2
~~
'r-..
....
! 2mo3.4-'2m0Jд,
КП103Е, КП103ж,- 1-~
КП103И-КП103М
1
~
/1/
с.. .... "'
11
Uси,= 1-5В, Uзи =О, Rг =1 МОм
о
Зависимость коэффициен га шу­
ма от частоты.
2П201Л-1, 2П201Б-1.
2П201Д-1, КП201Е,
КП201К, КП201Л
21:=-J=.~~г2mо3д,
,
,
КП103М
о
Кш ,дБ
J
2П103Б,2П103В, 1
1
КП103Ж,КП103И,КП103/<.
123ц5Uзи,В
2П10JА - 2П10JД,
КП10JЕ, КП103Ж,
КП103И-КП103М
ЗаЕисих·юсть коэффнuиента шу­
ма от сопро п~в:тсния генера­
тора.
2П201В-1,
КП20IЖ,
2П201Г-1,
КА2011·-:1,
Тра~1л1..:торы кре:.н-Iиевые диффу1понно-п_1анагныс по_:евыс с зат~
вором ш1 основе р-11 перехода и каналом р-пша.
Пре.1на·;~<ачены д:1я применения во входных каскадах уснлпелей
низкой частоты п постоянного тока с высоким вхс.дным сопротивле­
нием.
821


Бескорпусные с гибкими выводами без
криста,1.1одержателя с защитным покры­
тием. Каж;:1ый транзистор упаковывается
в сопроводите,1ьную тару, позволяющую
без изв.1ечения из нее производить из­
мерение J.1ек 1рических па раме гров тран­
зисторов. Обозначение типа приводигся
на сопроводите.1ы1ой таре.
Масса транзисгора нс бо.1ее 0.005 г.
Электрические пара'1етры
Коэффиuиен1 шума при Иси = 5 В. И111 = О./= JООО Гп.
Rг=1МОм.
~ иповос значение . .
Крутизна харак гернстнки при
при Т=298 К:
2П20JA-J.
2П20JБ-J.
2П201В-1.
2П201 Г-1 .
2П201Д-J.
2П20JА-1. 2П201Б-1,
2П20JД-1:
приТ=358К.
Иси=JO В. И1и=О:
2П201В-1, 2П20JГ-1.
при Т= 2]3 К нс более
822
при Т= 298 К пе менее:
КП201Е .
КП201Ж.
КП201И
КП20JК .
КП20JЛ .
при Т=358 К:
КП20JЕ .
КП201Ж.
КП20JИ
КП20!К .
КП20JЛ .
при Т= 233 К:
КП201Е .
КП201Ж.
КП20JИ
КШОJК
КШОJЛ
О,6*-3.О дБ
J,O*дБ
0.4-J.8 мА;В
0.7 -2 ,1 мА/В
0.8-2,6 мА/В
1.4-3.5 мА/В
1,8- 3.8 мА/В
От1до0,6
значения при
Т=298К
] ,6 значения
при Т=298 К
0.4 мА;В
0.7 мА/В
0.8 мА;В
J.4 мА;В
1,8 мА/В
0,24 мА/В
0.42 мд:в
0.48 мДiВ
О,84 :.1А:в
1.08 мАiВ
0,64 мА/В
l.J2 мА;В
1.28 мА/В
2,24 мА/В
2,88 мА/В


f ~"'"'°""" 'о' "о" "Р" flcи~10 В, U,и ~О•
·1
2П201А-1.КП201Е.........
•
1t
2П201Б-J. КП201Ж.
[.
2П201В-J. КП201И.
2П2ОJГ-J. КП201К.
2П2ОJД-J. КП20JЛ.
Напряжение отсечки при Иси = 10 В, lc = 10 мкА:
2П2ОJЛ-J
2П2ОJБ-J
2П201В-1
2П20JГ-J
2П201Д-]
КП201Е не бо.1ее
КП20JЖ не более
КП20JИ не более
КП201К нс бо:1ее
КП20JЛ пе бо.1ее
Ток утечки затвора при Uси=О, Изи =5 В не
более:
2П2UIA-I.
2П2ОJД-J:
2П20JБ-J, 2П20JВ-1.
приТ=213КиТ=298К..
приТ=358К. . . .....
2П201Г-1,
КП201Е. КП20JЖ. КП201И, КП20JК, КП20\Л:
приТ=233КиТ=298К...
приТ=358К.............
Емкость входная при Иен= 10 В. Изи= О не более:
2П201А-1. 2П20JБ-J. 2П201В-1, 2П201Г-J.
2П20JД-J...............
КШОIЕ, КП20JЖ. КП201И. КП20J К, КП201Л
Емкость проходная прн Иси = ] О В. Изи = О не более
Активная составляющая выходной проводимости 11ри
Иси=10В,Изи=Онеболее:
2П20JA-J
1
2П201Б-1
2П2UIB-1
2П201Г-1
2П2ОJД-1
ПредеJ1ьные э1>сплуатацио11ные данные
Напряжение сток-нсток . . . . . . . .
Напряжение затвор-сток (затвор-исток) . . . . . .
Напряжение затвор-исток (отрицательное) . . . . .
Рассеиваемая мощность (в составе условной микро­
схемы) 2П201А-1, 2П201Б-1. 2П201В-1, 2П20JГ-J,
2П201Д-1 при Т= 213 -о- 303 К и КП20JЕ, КП201Ж,
КП201И, КП20iК. КП201Л при Т= 233 -о- 303 К
Температура окружающей среды:
2П201А-1, 2П201Б-1, 2П20JВ-1, 2П201Г-1,
0,3-0,65 мА
0,55-1,2 мА
1.0 -2,1 мА
1,7-3,8 мА
3,0-6,О мА
0,4-1,5 в
0,5-2,2 в
0,8-3,З В
1.4-4,О В
2,0-6 ,0 в
1,5 в
2,2 в
3,0 в
4,0 в
6,0 в
5нА
0,5 мкА
10 нА
1,0 мкА
17 пФ
20 пФ
8пФ
15 MKCCl.1
20 мкСм
30 мкСм
50 мкСм
80 мкСм
10в
15в
0,5 в
60 мВт
823


2П201Д-1
КП201Е. КП201Ж. КП201 И. КП20\К. КП201Л
От 213
.10 358 к
От 231
.10 3511 к
Пр им сч ан и я. 1. При Т = 303 7 358 К :-.шксича.1ьная рас~еивае­
мая :-.1ощность. :-.1Вт. рассчитывается по фор\,1улс
При монтаже транзисторов в гибридную микросхему не лопус­
кается использование материас1ов. вступающих в химическое 11 э.1сктро­
химическое взаимодействия с защитны:-.1 покрытием. а 1акжс должны
быть приняты меры. ис1пючающие соприкосновение выводов с крис­
таллом (минима,1ьное расе 1оянис от места И'!гиба выводов до
криста.1ла 1 мм. радиус закрус1сния не менее 0.5 мм).
Тепловое сопротивление кристалл-корпус при монтаже в гибрид­
ной микросхеме должно быть не бо,1ее 1, 75 К/мВт.
2. При пайке (сварке) выводов (на расстоянии не менее 1 мм)
и при заливке транзисторов компаундами нагрев кристалла не
должен превышать 358 К.
При извлечении транзисторов ю сопроводительной 1·ары (пocJie
отсоединения выводов от тары) и при монтаже транзисторов в мик­
росхему должны применяться приспособления. не вызывающие по­
вреждения кристал~1а и его защитного покрытия.
S,мА/В
~о
2П201Д-1,КП201Л
гп201г-1, кпгож
2п201в-1, КП201И
-2пго1Б-1, кп 201ж
12П201А-1,
}:П201Е /
Uси=5-'-15В 1
~,О "_~_,"~~--+-'<--t---1---J'
о
1,0
2,0 Uзи,В
Зависимое п1 крутизны характе­
ристики от напряжения затвор­
исток.
824
~OF=""-!.=14--....=t'~--k=-i--=
1,0
1
Uси== 108, Изи== О
J
о .____.._...._~,_____._ _. _ _ .. ._ _
213 233 253 273 293 313 JJJТ,i(
Зависимости крутизны харикт.>
ристики от те\шературы.


г,о
о
2пго1А-1, 2п201Б-1,
кпго1Е,КПZО1Ж-i--1----4-~
2пго1В-1,кп201и
2п201г-1,
f-----f--.j'--IJ----+--~KП201К
1,0
2,0 Изи. В
Зависи)>..юстн коJффициен 1а шу­
ма от шшряжения затвор-исток.
З<1висимость коэффициента шу­
ма о r частоты.
Зависи~юсrи входной и проХUJl­
ной емкостей от напряжения
затвор-исток.
11тl1111·1
гпго1А-1, гпго1Б-1,
-
гпго1в-1, гп201г-1,
~ гпго1д-1, кп201Е,
j
кпго1ж, кп гощ
/
-
КП201К, КП201Л
\
1
г,о
'
_ _.,1'1
............
1,0
,__..._
Jjcи==s11qв, Изи=(,_, _
1 ~Г1!11М?м 1 /
о
О//.б12 J./.б10 2 J./.б1ООf,кГц
1вг--.~,---г~.,.-~~
1г
о
2ПZ01А-1,2П201Б-1,
2п201в-1, 2п201г-1,
гп201д-1, КП201Е,
кп201ж, кп201и,
КП201К,КП201Л
10 Uзи,В
2П301А, 2П301Б, КП301Б, КП301В, КП301Г
Транзнсторы кремниевые планарные полевые с изо:шрованным
затвором и индуцированным канало\.! р-типа.
Предназначены д.1я применения во вхо,)ных каскадах :-.~а_1ошу­
мяших уси;ште.1ей и не.1ш1ейных 'Vtа.1осигнальных схемах с высоким
вло-1ны:-.1 сопротивлсние'\1.
Вh!нуск<J.10 гся в мста:1лостеклянном корпусе с гибкими вы-
Исток За..т8ор
//
Карпус-поiJ.ложна Сток
825


водами. Обозначение тнпа приводится на боковой поверхности
корпуса.
Масса транзистора не 60.1ес О. 7 г.
Э.1ектрические параметры
Максима.1ьная рабо'Iая частота КП 101 Б. КП 301 В,
КП301Г. .
100 МГц
Кюффиuнент Ш)vн1 при С'с 11 = 15 В. fc = 5 мА
/=100МГu.R, = 1кОмнебо.•ее:
2П301А .
КПЗОIБ. КП301В. КШОIГ ..
Кру гизна харак1еристики при L'си = 15 В. fc = 5 '1А
не менее:
при Т= 213-:- 298 К 2П301А. 2ПЗОIБ.
приТ=228~298К
КШОIБ
КПЗОIВ .
КПЗОIГ
при Т= 343 К:
КПЗОIБ
КПЗОIВ .
КШОIГ .
при Т=358 К 2П301А 2П301Б
Начальный ток с 1ока при Uси = 15 В нс бо.1ее:
при Т= 213-:- 298 К 2П301А, 2ПЗОIБ .
при Т= 228 -с- 298 К КП301Б, КПЗОIВ, КПЗОIГ
при Т= 343 К КП301Б. КП301В, КПЗОIГ.
11ри Т= 358 К 2П30JА, 2ПЗОIБ ..
Ток утечки затвора при Иси = 30 В не бо,1ее:
ШЗОIА, 2П301Б. КП301 Б. КПЗОIВ .
КПЗОIГ .
Ток порога при U311 = 6.5 В. Иси = 6,5 В не v1снсе
Пороговое напряжение при Иси = 15 В, fc = 0.3 мА
Ак1 ивная состав.1яюшая выходной проводимости при
Иси=15В,lc=5мА.f=50-с-1500Гuнебш1ее:
2ПЗОIА. 2ПЗОIБ, КПЗОIБ
КПЗОIВ
КПЗОIГ
Входная и выходная ечкости при Иси = 15 В. lc = 5 "1А
не более .
Проходная еV!кость при Uси = 15 В. fc = 5 мА не
бо.i1ее:
2П30JА
2П301Б. КПЗОIБ. КПЗОI В. КПЗОIГ
Предельные Jксп.-~уатациошrые .'Jа1шыс
Напряжение затвор-исток
Напряжение сток-исток
Ток стока .
826
5дБ
9.5 дБ
мА/В
2 мА;В
0.5 мАiВ
0.6 мА/В
1.2 мА/В
0,3 '>1А!В
0.6 мА/В
0.5 мкА
0.5 мкА
5 мкА
5 мкА
0.3 нА
0,5 нА
10 мкА
2.7 -5,4 в
150 :-1кСм
250 мкСм
100 :-~кем
3.5 пФ
0,7 пФ
1.0 пФ
30в
20в
15 мА


Рассеиваемая мощность:
при Т=2137298 К 2ПЗО\А, 2ПЗОIБ, при Т=
= 228 7 298 К КПЗОIБ, КПЗОIВ. КПЗОIГ.
200 мВт
132,5 мВт
110 мВт
при Т= 343 К КПЗОIБ. КПЗОIВ. КПЗО!Г.
при Т= 358 К 2П301А. 2П301Б
Те:1.1пература окружающей среды:
2ПЗОJА. 2ПЗО\Б .
КПЗОIБ. КПЗО!В. КПЗОIГ
S,мА/В 2пзо1А, 2пJ01Б
г,в 1-----l---1-_:_-I--+-------+-~
4 8 12 16 20Uси,В
Зона во1можных по.1ожений за­
висимости крутизны характе­
ристики от напряжения сток-
исток.
700
2ПJ01А, 2ПJО1Б
600h--+--1_:.--t--+~+--~
500114----1--1~-+--+~+--~
1001-...+--i..::~~~~.....j
о L---'- -L-- --'-- "'-- -"=c -- -'
J579111.JUcи,B
Зона возможных положений за­
висимости акти1шой составляю­
щей выходной проводимости от
напряжения сток-исток.
J,B
J,2
2,8
1
1
От 213
ДО358К
От 228
ДО343К
1
2ПJО1А, 2ПJ01Б
1
-
Uси=-158 _...
.... -
/
/.
/
~
~ 2,l/-
"(
/
~
~2,0 /
I/"'
1,б
1,г
0,8
11/
v-·
..."""
.-" "
2l/-6
1-- ~--
-.. ... ..
--
8 10 12Iс,мА
Зона возможных положений за­
висимости крутизны характери­
стики от тока стока.
600
500
2ПJ01А,
2ПJО1Б·-+--~---4-~
3, l/-OOi---+-+--+-+-+--h<---1
"'~ JDO 1----+--+---A---'--~__.J
~
(;;'. 2001-----1 --+.<---- -l- ._e .+ -.--1 '- ---I
о l/- 8 12 16' 20Iс,мА
Зона возможных положений за­
висимое~ 11 активной составляю­
щей выходной проводимости от
тока стока.
827


Кш,дБ
7
б
5
1/-
3
2
2П301А, 2'пзо1Б
1
Uси=-1ьв,
·"
1--J с= 5мА, .,,
'/
f=100МГи, ~·"-:,....
--
-__::..V""
,,.,,,-
--
--
Dг4-В810Rг,к0м
Зона возможных положенвй за­
висимости коэффициента шума
от сопротив.1ения генератора.
,гп301А, гП3D1Б
~25t---+-~~--<=l=---i
1,0
Uси=-158
I с= 5мА-·-+---1
298 32J 31/-8
.J7J т,к
Зона возможных по.1ожений :ш­
висимости крутизны характери­
сп~ки от температуры.
~ 10 н---,~~Ч.о€---l.__-J
"
<:!
"'
t_j
.....
323 34-8 373 т,к
Зона возможных положений за­
висимости начального ток<~ сто­
ка о г температуры.
в ,, 2П 301А, 2П301Б
--
--
<l:I
&1/-1---+--+=" -......Jt::------J
1::
~
:::::i"' J 1----'-~--+---1-----1
--
---
г ,__........_ _
_,___
__. _
__,
298 323 31/-8 373 т,к
Зон<~ возможных ноложений ·1а­
висимости порогового напряже­
ния от температуры.
2П302А, 2П302Б, 2П302В, КП302А, КП302Б,
КП302В, КП302Г, КП302АМ, КП302БМ,
КП302ВМ, KП302ГIVI
Транзисторы кремниевые п.1анарные полевые с затвоr<ч-1 на ос·
новс р-п перехода и кан<~лом п-типа.
Пре1щазначены д.1я прн\1енения в широкопо.1оснътх уситнеля'
в диапазоне часгот до 150 МГц, а также в переклю'!Юощнх и коч"
мутирующих устройст·вах.
Выпуск<~ются в металлосгск,1япном корпусе с гибкими ныво;н1~111
2ПЗО2А, 2П302Б, 2П302В, КПЗО2А, КП302Б, КП302В, КП302Г - r.а­
риант 1, КПЗО!АМ, КП302БМ, КП302ВМ, КП302ГМ - варrщнт 2
Обозначение пша приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 1.5 г.
828


13,5
Ва.ри.а.нт 1
Исто1<
2ПJ02А-2ПJО28,
Ва,риа..нт Z
6
чs~
ХПJО2АМ-ХПJD2ГМ
'Электрнчес1~не пара\lетры
Крутизна харакrеристикн при Иси = 7 В, Изи= О не
менее:
11ри Т= 213-' - 298 К:
2П302А,КП302А,КП302АМ. . . . . . . . .
2ПЗО2Б. КПЗО2Б. КП302Г. КП302БМ. КП302ГМ
при Т=373 К:
КП301А. КП302АМ
.....
КП302Б, КПЗО2Г, КП302БМ. КПЗ02ГМ.
при Т= 398 К:
2П302А......
·
.
·
·
·
·
2П302Б.....
·
·
·
·
·
·
·
Коэффиuиент шума* при Иен= 8 В. Изи= О. R 1 = 1 МОм.
Ф5
5 мА/В
7 ~1А/В
2.5 "1А/В
3 мА/В
2,5 мА/В
3 мА/В
f=1кГu2П302А..........
0,2-0,6-2 .75 ;1Б
Время включения* при Uси = 10 В. ~:зи =О нс более
4нс
Врсi\-!Я вык.1ючения* при Uси = 1О В, Uзи = О нс более
5нс
Сопротивление сток-исток в открытом состоянш1 пр1r
Uси=0.2В. Изи=Онеболее:
2ТТ302Б, КП302Б. КП302Г. КП302БМ. КП302ГМ
КП302В. КП302ВМ . . . .
при Т= 213-' - 298 К 2П302В .
приТ=398К2ПЗО2В...
Нача;;·ьныii ток стока при Изи = О:
приИси=7В:
2П302А, КПЗО2А, КП302АМ
2П302Б, КП302Б, КП302БМ .
КП302Г. КПЗО2ГМ . . . .
150 Ом
100 о~:
100 Ом
200 Ом
3-24 мА
18-43 мА
15-65 мА
829


при Иси = 10 В 2П302В, КП302В, КП302ВМ не
менее.............
Ток утечки затвора при Изи = 1О В не более:
приТ=213-с-298К............
при Т = 373 К КП302А. КП302Б. КП302В. КП302Г,
КП302АМ. КПЗО2БМ. КПЗ02ВМ, КП302ГМ . . .
при Т= 398 К 2ПЗО2А, 2П302Б. 2П302В . . . .
Обратный ток р-11 перехода затвор-сток при Изе = 20 В
небо,1ее.........
.
.
.
.
.
.
.
Напряжение отсечки при Иси = 7 В. lc = 10 viкA не
бояее:
2П302А.КП302А.КП302АМ.........
2П302Б. КП302Б. КП302Г. КП302БМ. КП302ГМ
2П302В.КП302В.КП302ВМ.........
Входная емкость прн Иси = 10 В./= 10 мГu. lc = 3 мА
2П302А, КП302А, КП302АМ. /с= 8 ;.,1А. 2П302Б,
КП302Б. КП302БМ. /с= 18 vtA КПЗО2Г. КП302ГМ,
Ic = 33 мА 2П302В, КП302В. КП302ВМ не бо.1ее
Прохо.щая емкость прн Иси = 10 В. f= 10 ;.,1Гu.
Ic = 3 мА 2П302А. КП302А. КП302АМ, Ic = 8 мА
2П302Б. КП302Б, КП302БМ, Ic = 18 мА КПЗО2Г.
КП302ГМ, /с= 33 мА 2П302В, КП302ВМ не бо.1ее
Предель11ые эксплуатационные данные
Напряжение затвор"исток:
2П302А. 2П302Б, КП302А, КПЗО2Б, КП302Г.
КПЗО2АМ, КП302БМ. КП302ГМ .
2П302В, КП302В, КП302ВМ
Напряжение затвор-сток . . . .
Напряжение сток-исток
Постоянный ток стока:
2П302А, КП302А. КПЗО2АМ
2П302Б, КП302Б, КП302БМ.
Прямой ток затвора . . . .
Постоянная рассеиваемая ~1ошпость:
прнТ=213-с-298К.....
прн Т = 373 К КПЗО2А. КПЗО2Б, КП302В .. КП302Г.
КП302АМ, КП302БМ. КП302ВМ, КП302ГМ .
пр:~ Т = 398 К 2П302А, 2113026, 2П302В .
Тс\1пера гура окружаю шей среды:
2П302А. 2ПЗО2Б, 2П302В . . . . . .
КПЗ02А,. КП302Б, КШО2В, КПЗ02Г, КП302АМ.
КП302БМ. КП302ВМ, КП302ГМ . . . . . . .
33 мА
10 нА
5 мкА
50 'VIKA
i ;.,1кА
5в
7в
10в
20 пФ
8пФ
10в
12в
20в
20в
24 мА
43 мА
6мА
300 мВт
150 мВт
100 мВт
От 213
ДО398К
От 213
ДО373К


S;мА/В
12
l
1
1
1
2П302А; 2П302Б
'
10
в
5
ч
2
,_
"
''...
-
.. ... ... .. ...
-
--
.....
r---
--
--
,... __
~си=ВВ
- ...
Uзи =Оi
293 333 373 Ч13 Ч5JТ,К
Зона возможных по.1ожений за­
висимое 1 н крутизны х<~рактери­
стики от тс\шературы.
1Ч
12
2П302А 1
4
2
- ...
.........
...........
J"-......1
-
.... _
-
-
-.
1-Uси=ВВ --
Uзи=О\
-... ..
293 333 373 413 Ч53Т;К
Зона возможных по.1ожений за­
висимости нача.1ьного тока сто­
ка 01 тесvшературы.
10-s
2П302А-2П3028
10- 6 l---+ --J- -l ---= ' f7--+ ---i
10-7 i----1--1-~~+--+--1
'§
;:_ 10-81-- --1- _,i .: ,, .., ,, .- 1--+ ---i--i
:;,.,
<.;
......
10-91-_.,.;;ц..-1---J--+--+---I
10-10
273 313 353 393 '+33 Ч73 Т; /{
Зона возможных по.1ожсний за­
висимости тока утечки затвора
от температуры.
S,мА/В
12
КП302А,КП302Б,
кп3о2г+----+----1
"'1:
..........
101-~-~=1-----11---l---i
Br---t- -1 -"""""k:-+ -+ --I
бt----i=~..;-.-..J~-1--+-_J
ч
иси= вв_-+-__,_ _,
Uзи=ОI 1
1
1
2.__-:--'---'---'--~'-J__J
293 313 333 353 373Т,К
Зона воз:-.южных по.1ожений за­
висимости крутизны характери­
стики от те:v~пературы.
111
12
ч
2
1
1
КП302А
,__
--
--.....
,...__
1---t---~
..... _r
--
--
Uси 1вв -- 1-..
~
Uзи=:=D
293 313 333 353 373 т,к
Зона воз\1ожных положений за­
висимости нача.1ыюго тока сто­
ка от тесvшературы.
10-5.---.--..---~-~~-
10-б КП302А)КП302Б,
КП302В, КП302Г
10-7 r---t--IГ---t----1~"-1---1
~ 10-81--+-f--,.'""'Ь~j..L--J-__j
>-
""
~ 10-9 i--- ,,...,.,,,,." -J ..=- -1 -- -+ -- -> -- --I
10-10~-+-!----+--1---1--1
293 313 333 J53 373 393 т,к
Зона возможных положений за­
внси:vюсти тока утечки затвора
от температуры.
831


100
90
80
~70
~
~60
....
<::>, 50
чо
...
2П302А~ 2ПJО2Б,
......
гтогв-,__
.......
''...
"'!"..."
~" ......
--
... _
--
Uси=8В, Uзи 10
273 313 353 393 393 '+33 т,к
Зона во1можных положений за­
висимости входной проводимо­
сти от температуры.
~
1'+
12
10
'§8
с,,~ 6
ч
2
2П302А- .... " 1
1
2П302В,,~ "'КП302А-
-кп302г-
1
1
//
,_.
/
!/'/
---
--
" ...
.......
Uзи =о1
О12Jч5Uси,В
Зона возможных положений за­
висимости крутизны характери­
стики от напряжения сток-исток.
Uси= 88
о 2 Ч 6 8Iс.нач,мА
301-ta позмол.:н ых положений за~
висимостп относнтельной I\:ру­
тизны характеристи.ки от на-
чального тока стока.
832
100
90
~80
~70
~
"'
J; 60
50
ЧО
КП302А - КП302Г
--
-
-- ...
""' .......
--
--
r--r --_
......
... __
-- !-
--
Uси=8в,Uзи=о
1
111
293 313 333 353 373 т,к
Зона возможных положений за­
висимости входной проводимо­
сти 01 те"Ушературы.
2П302А-2П3028,
КП302А-КП302Г
100 t--""d-"__,Г---+---Г---+---1
o.___,___,'--~=-=--......--J
гчб81012Uси,В
Зона возможных положений за­
висимости входной проводимо­
сти от напряжения сток-исток.
1, 2 Г---т---т----т---т----.-~
Зона возможных положений за­
gисимос1 и относительного на­
чального тока стока от напря-
жения затвор-исток.


1
1
11
,,
i
1
2П303А, 2П303Б, 2П303В, 2П303Г, 2П303Д,
2П303Е, 2П303И, КП303А, КП303Б, КП303В,
КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КПЗОЗИ
Транзисторы кремниевые эпитаксиа.1ьно-планарные полевые с зат­
вором на основе р-11 перехода и кана~1ом 11-типа.
Предназначены д.1я применения во входных каскадах усилителей
высокой (2ПЗОЗД, 2П303Е. 2ПЗОЗИ, КПЗОЗД. КПЗОЗЕ) и низкой
(2ПЗОЗЛ. 2П303Б, 2ПЗОЗВ, КПЗОЗА, КШОЗБ, КПЗОЗВ. КПЗОЗЖ
КПЗОЗИ) частот с высоким входным сопротивлением. Транзисторы
2ПЗОЗГ, КПЗОЗГ в основном предназначены для применения 8 за­
рядочувствительных усилите.1ях и дру1 их схемах ядерной спектро­
метрии.
Выпускаются в меп1ллостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обознач~ние типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Корпус
За,т9ор
Э.1ектрические параметры
Коэффициент шум<t на Ч<tСто re 100 МГц при
Иси=10В,Изи=О,R, = 1,0кОм
2ПЗОЗД, 2П303Е, 2ПЗОЗИ, КПЗОЗД, КПЗОЗЕ не более
'Электродвижущая сила шума при Иси = 10 В.
(;1и = О не 6о.1ее:
на / = 20 Гц 2ПЗОЗА, КПЗfJЗА
н<t/=1,ОкГu:
2ПЗОЗБ. 2ШОЗВ. КПЗОЗБ, КПЗОЗВ
кnзозжкпзози......
Среднеквадратичный шумовой заря,\ ври Иси = 10 В,
Изи= О. С,= 10 пФ. 'Ф = 1 мкс 2ПЗОЗГ, КПЗОЗГ
небо.1сс.....
·
·
·
·
·
·
·
·
Крутизна хатактеристики IIpl! Иси = !() В. Изн =О,
f=50-о-1500Гц:
прп Т= 298 К:
2ПЗОЗА, 2П303Б, КПЗОЗА. КПЗОЗБ, КПЗОЗЖ
2ПЗОЗВ, КПЗОЗВ .
2ПЗОЗГ,КПЗОЗГ. . . . . .
.
.
.
.
Исток
1/(J_i
r/J Z,5
Сток
4дБ
зо нВ/VГц
20 нВ;}l[Ц
100 пВ/V Гц
0,6· 10- 16 К.1
1-4 мЛ/В
2-5 мА/В
3-7 мА/В
833


2ПЗОЗД, КПЗОЗД не менее .
2П303Е, КПЗОЗЕ не менее
2П303И, КПЗОЗИ . .
при Т= 213 К не менее:
2ПЗОЗА, 2ПЗОЗБ .
2ПЗОЗВ, 2ПЗОЗИ .
2ПЗОЗГ
2ПЗОЗД....
2ПЗОЗЕ....
при Т= 233 К нс чснсс:
КПЗО3А. КПЗОЗБ. КПЗОЗЖ .
кшозв. кпзози
кшозг
кпзозд ....
КПЗОЗЕ....
при Т= 398 К не менее:
2ПЗОЗА. 2ПЗОЗБ .
2П303В, 2ПЗОЗИ .
2ПЗОЗГ . .
2ПЗОЗД....
2ПЗОЗЕ....
при Т= 358 К не \1енее:
КП303А, КПЗОЗБ. КПЗОЗЖ .
КПЗОЗВ, КП303И
кпзозг
кшозд ....
КШОЗЕ....
Начальный ток стока при Иси = 10 В,
2П303А, 2П303Б. КПЗОЗА. КПЗОЗБ .
2ПЗОЗВ, КПЗОЗВ
2ПЗОЗГ, КПЗОЗГ.
2ПЗОЗД. КПЗОЗД
2ПЗОЗЕ, КПЗОЗЕ .
кшозж
2ПЗОЗИ. КШОЗИ
Изи= О:
Напряжение отсечки при Иси = 10 В, Ic = n.' Jj мА:
2ПЗОЗА, 2П303Б, КПЗОЗА. КПЗОЗБ . . . . . .
2ПЗОЗВ,КП303В.............
2ПЗОЗГ, 2ШОЗД, 2ПЗОЗЕ, КПЗОЗГ, КПЗОЗД,
КПЗОЗЕ не ()0;1ее
КП303Ж
2ПЗОЗИ...
кшози ...
Ток утечки затuора при Изи = 1О В не более:
834
при Т= 298 К:
2ПЗОЗА, 2ПЗJЗБ, 2ПЗОЗВ, 2ПЗОЗД. 2ПЗО3Е,
2ПЗО3И, КПЗОЗА, КШОЗБ, КПЗОЗВ, КП303Д.
КШОЗЕ....
2ПЗОЗГ, КПЗОЗГ .
КПЗОЗЖ,КП303И.......
2.6 мА/В
4.0 мА/В
2-6 мА/В
1,0 мА/В
2,0 мА/В
з.о "1А1в
2,6 мА;'В
4,0 мА/В
1.0 мА11З
2,0 :-1AiB
3,0 -.,1AiB
2,6 чАiВ
4.0 мА;В
0,5 мА/В
1,0 мАiВ
1,5 мА;В
1,3 мА/В
2,0 ~1А/В
0,5 мА/В
1.0 мА/В
1,5 мА/В
1,3 мАIВ
2,0 мА/В
0.5-2.5 мА
1.5-5.0 мА
3,0-12 мА
3.0-9.О мА
5,0-20 мА
0,3-3,0 мА
1,5-5,0 мА
0,5-3.0 в
1,0-4 .0 1З
8,0 в
0.3-3,0 в
1,0-3,0 в
0,5-2,0 в
1,0 нА
0.1 нА
5,0 нА


при Т = 398 К 2П30ЗА. 2ПЗОЗБ. 2П303В. 2ПЗОЗГ,
2ПЗОЗД. 2ПЗ03Е. 2ПЗОЗИ
при Т = 358 К КПЗОЗА. КПЗОЗБ, КПЗОЗВ.
КПЗОЗГ. КПЗОЗД. КПЗОЗЕ. КПЗОЗЖ, КПЗОЗИ
Ток утечки затвора при Изи = 30 В не более
Емкое~ь входная при Иси= 10 В, Изи=Оf = 10 МГц
небо.1~:е......
Ешшсть прохо;\ная при Иси = 10 В. Изи= O.f = 10 МГц
н~бо.1ее......
Сощютив.1ение · изоляции канал-корпус не менее
Предельные эксплуатационные данные
Нанряжение сток-исток .
Напряжение ·1агвор-сток. затвор-исток
Постоянный ток цока .
Прямой ток затвора . .
Пос 1 оянная рассеиваемая мощность:
2П303А. 2ПЗОЗБ. 2П303В. 2П303Г, 2ПЗО3Д, 2ПЗОЗЕ.
2П303И при Т = 213 -о- 298 К; КП303А, КП3ОJБ,
КП303В. КПЗО3Г. КПЗОЗД, КПЗОЗЕ. КПЗОЗЖ, КП303И
приТ=233-о-298К...
при Т=358К..
Температура окружающей сре,Jы:
2П303А. 2ПЗОЗБ, 2ПЗО3В. 2П303Г, 2ПЗОЗД, 2П303Е,
2П303И .
КПЗОЗА. КПЗОЗБ, КП303В, КПЗОЗГ, КП303Д,
1,0 мкА
1,0 мкА
10 мкА
6,0 пФ
2,0 пФ
20 МОм
25в
30в
20 мА
5.0 мА
200 мВт
100 мВт
От 213
ДО398К
,
КП303Е. КП303Ж. КП303И.
От 233
ло358к
П р им е ч а н и я: ] . Максимально допусти.\!ая постоянная рассеи­
ваеvшя мош11ость. мВт. 2П303А. 2П303Б. 2ПЗОЗВ. 2П30ЗГ, 2ПЗОЗД,
2П303Е. 2П303И при Т = 298 -о- 398 К рассчитывается по формуле
Р"акс = 200- 1.45 (Т- 298).
а КП303А. КПЗОЗБ. КПЗОЗВ. КП303Г, КПЗОЗД. КПЗО3Е. КПЗОЗЖ,
КП303И при Т = 298 ~- 358 К по форму.~е
Р"акс = 200- 1.66 (Т - 298).
2. Соединепие выво,Jов транзистора с эле:v~ентами аппаратуры
разрешается на расстоянии не .ченее 4 мм от корпуса. Жа.10 паяльника
должно быть за·1е~1.1епо.
Минима:1ыюс расстояние места изгиба вывода от корпуса rран-
1истора 3 '- '1\1. радиус и·1гиба не менее 1.5 ~1м.
Допускается однократный изгиб вывода на расстоянии 3 мм
от корпуса с ра,~иусом 0,5 м~1.
При повышенной влажности для обеспечения тока затвора не
более 10- 9 А рекомендуется использовать транзисторы в составе
герметизированной аппаратуры и.111 при местной з2щите прибора от
воздействия влаги.
835


Транзисторы КПЗОЗГ допускается однократно использовать при
Т= 233-;- !23 К.
Iс,мА
2П303Е,kП303Е
10 '---1-'"--1-2ПJОJГ, 2П303Д,
КПJОJГ, КП303Д
81--'>.-J."'-4'---!--J----1--;
о 0,6 1,2 1,8 2,Ц 3,0 U311 ,B
5
ц
0,1 2
'1 61,о2ц610Ic,мА
gzги> мкСм 2П303Е, КПJОЗЕ
1
1
1
836
2ПЗD3Г,2ПJО3Д,
1----1 -.- _ μ,.,_ _ ~ПJDЛ, i<ПЗDЗ/,
15 20 25 Uc11,В
Завислмос1ь тока сток:~ or на­
пряжения 1атвор-исток.
Зав11симос1 ь крутизны хараrпе­
ристики от 1ою1 стока.
Заuисн,1ость аrпивной состав­
;1яю:цей выходной проводимо­
сти о 1 напряжения сток-исток.


2
100
8
Б
:;
*
<..>
"'
2
:;
~10
"'
8
~ Б·ц
2
1
0,1г'161,02qБ10
Зависи:-.юстh активной сос1 ав­
_1яющсй выходной прово.1и-.ю­
с1 и от тока стока.
2ПJOJA-2ПJOJB,
KПJOJA -КПJО3В
Ч'------'------'--~
Ucи=1DB,
3
Uзи=О,
\
f =1кГц
2'-"------''---'-----"--'--~
10
100
Зона возможных положений за­
висимости ко-Jффициснта шума
от сопрот11в:1сния генератора.
Rвх,Rвых, кОм
2П303Д,
100
2П303Е,
2П303И,
801---1--\-4---1-КП303Д,
КП303Е
60'--'----"-~~~---+--<
401---1-""--~--1---
20 u_i.::::rs::±:±==U
OL-J.. __1..-.L-.L..JL-.;:=1-J
20 ЧО 60ВО100 f, МГц
Зависимости входного и выход­
ного сопротивлений от частоты.
100
~8
'~~
~2
ц," 10
~q
2
1
-
-
"-...
1
/
J
2П:S03А - 2П303В,
~
-
КП303А -КП303В-
1
1
1
Uси =; 108
Uзи =О
~
-......
~
..... r--.
..___
Iс,мА 0,01 0,1 1,0 10 f,кГц
Зависимость ::>ДС шу\ш о г
частоты
2
1
о
.....
~
2ПJО3Д, 2ПJOJE)
' 2Л303И
1
'
11•
)
КП30JД, КП30JЕ
1/
Г"'..~
""""
~iиси= 10 в;
НUзи=О, i
f=100МГц
1,,
11
о, 1 2 Ч681,О 2 ЧбВюRг,кDм
Завис ю10с1ь коэффициента шy­
:via от сопротивления генера­
тора.
в.__~~J""----'
ч μ_-A----lf----+----+:~ 100 2
о 2 Ч 6 8 10Uзи.отс,В
Зависимости начального тока
стока, крутизны характеристики
и сопротив.1ения сток-исток в
открьпом состоянии о 1· напря-
жения отсечки.
837


2П304А, КП304А
Транзисторы кремниевые диффузионно-планарные полевые с изо­
лированным затвором и индуцированным каналом р-типа.
Предназначены для применения в перек~1ючающих и усилитель­
ных схемах с высоким входным сопротивлением.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не бо~1ее 1,0 г.
nаВлож!(а.
30
5,З
Электрические параметры
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии при
Изи=20В,Jc~I=1мАнеболее.
типовое значение .
Крутизна характеристики при Иси = 1О В, Ic = 1О мА:
при Т= 298 К не менее
типовое значение .
2П304А при Т= 398 К и КП304А при Т= 358 К
не менее
2ПЗ04А при Т= 213 К и КП304А при Т=228 К
не менее .
Начальный ток стока при Иси = 25 В, Изи= О не более:
2П304А и КП304А при Т= 298 К .
2П304А при Т= 398 К и КП304А при Т= 358 К
Пороговое напряжение при Иси = 10 В, Ic = 10 мкА не
менее.
Ток утечки затвора при Иси =О, Изи= 30 В не более
Емкость входная при Иси = 15 В, Ic =О не более
типовое значение •
Емкость выходная при Иси = 15 В, Ic =О не более
типовое значение
Емкость проходная при Иси = 15 В, Ic =О не более
типовое значение
838
100 Ом
70* Ом
4 мА/В
5* мА/В
2,5 мА/В
4 мА/В
0,2 мкА
3 мкА
5в
20 нА
9пФ
7* пФ
6пФ
4,5*пФ
2пФ
1 *пФ


1
l
1
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток-исток при выводе подложки, соединен­
ном с выводом истока .
Напряжение затвор-сток при выводе подложки. соединен­
ном с выводом истока .
Напряжение затвор-исток при выводе подложки, соединен-
ном с выводом истока .
Напряжение исток-подложка
Постоянный ток стока .
Импульсный ток стока при •и< 10 мс, Q ;;> 10 и
'Ф<10мкс.
Постоянная рассеиваемая мощность:
2П304Л:
при Т=213.;.-358 К
при Т=398 К .
КП304А
при Т= 228 .;.-
328 К
при Т=358 К .
Импульсная рассеиваемая мощность при •и < 10 мс,
Q;;. 10 и 'Ф.;;; 10 мкс:
2П304А при р;;. 6650 Па:
приТ= 213 .;.-
358 К.
при Т=398 К .
КП304А:
при Т= 228 .;.-
328К.
приТ=358К.
Температура окружающей среды:
2П304Л
КПЗО4А
25в
30в
30в
20в
30 мА
60 мА
200 мВт
75 мВт
200 мВт
100 мВт
400 мВт
110 мВт
300 мВт
150 мВт
От 213
ДО398К
От 228
ДО358К
Примечания: 1. Выбранные напряжения с учетом их знаков
должны удовлетворять следующим неравенствам.
IИзи - Иипl < 1Изи.макd-
2. При работе с транзисторами необходимо принимать меры по
их защите от статического электричества.
В нерабочем состоянии все выводы транзистора должны быть
закорочены.
839


s/s'
1,2
1,0 l-----+- --- -+- -1 -- ----+- -t
~81-----<,__--+--4--+----+--1
0,5 ,__, -+_ ~--+---<---+-------<
0/f
о5
Зависимость относитслhной кру­
пвны характеристики от тока
стока.
1,2
1
2П304А, l<П~~'(А
11
1
R(и.от~':', Rси1отн~РU. 1мА
Uзи=-208 v v
1
_,...
1
0,9
1
s/s
1
~Of----+~-+-"'==-+--+--f------1
~81----1+----+--t-'--+---+---I
~51--i'-+--+--~--t----+--I
0/f >-+--+- -,- -+-- -+- -+- - -1
S =SприГОВ
0,2
Iс=10мА
о-5
-10
-15
- 20 -25 Иси,В
Зависичость относите.1ьной кру­
тизны ха рак 1·ер11с п1ки о 1 на ~:ря­
жения сток-исток.
2
10
::: 6
~ц
\ 2П304А,l<П30~А
\.
'
......
"-...
О!2
""'~ 1,0
R~И.от<= ,:;:СИ.отн пр11-20 В-
Ic=1мА
,;_ 6
е;:,'-' ц
2
0,1
2'161,02 116102Ic,мА О-5
-10 -15
-20
-25 Uзи,В
Зависимость относ11те:1ьного со­
противления с 1 ок-исток в от­
крьп о~ состояюш от тока сто-
ка.
3, о~~--,---.--,--~-...,
2П3.04А,f;П304А
~2'о1-----1---+----+--+----+-...-1
"
"
~"
1 Изи=О
~1,оi---+--+---+--+--.l'--4
.._,<.О
о-5
-10
-15
-20
-25Uси,в
Зависимость относительного на­
чального тока стока от напря­
жения сток-исток.
840
Зависимость относите.1ьного со­
противления сток-нс 1·ок в откры­
том сос 1 оянии от напряжения
100
6
'1
2
~10
-~
.._ ,
6
';
'1
"'
~2
1
6
затвор-исток.
-2П3~4А,l<П30ЧА - -т-
~ч=lс.начпри. 2981< /
/v
,
/
v Uси =-258
/ Uзи=D
273
313
353 Т, 1<
Зависимость относительного на­
чального тока стока от темпе­
ратуры.


2П305А, 2П305Б, 2П305В, 2П305Г,
КП305Д, КП305Е, КП305Ж, КП305И
Тран~исторы кремниевые диффузионно-планарные полевые с и·ю­
лировuнны:v; затвором и кшш.1оv1 11-типа.
llрс,1назначены л.1я применения в уси:1итсльных каска;;ах высокой
и низкой часпн с высоки:vr входны:-.1 сопротив.1ением.
Выпускаются в мета,1лостеклянном корпусе с гибки~111 выводами.
Обо·ша<1епис пша приводится па боковой пов-=:рхности корпуса.
Масса тра1ннстора не бо.-~ее 1,0 r·.
Электрические параметры
Коэфф1щиент шу~1а при Uси = 15 В, lc = 5 мА.
I= 250 МГц не более:
2П305А, 2П305В .
КПЗО5Д, КП305Ж .
Коэффициент уос1ення по мощности* при Иси = 15 В,
Ic=5мА. .f=2501\IГцнеменее.
Кру1изна характеристики при Иси = 10 В, fc = 5 мА:
211305А, 2П305Б, 2П305В, 2П305Г:
при Т=298 К
приТ=398К...
приТ=213Кне60:1се.
6,5 дБ
7,5 дБ
13 л.Б
6- 10 мА/В
От 1 ,10 0,65
'IН<:ЧСЮ!Я при
т=298к
1,5 значения
приТ=298К
КП305,11, КП305Ж:
приТ=298К.
при Т= 398 К не более
при Т= 213 не более
.5.2-10,5 мА/В
6,3 мА/В
15,75 мА/В
КПЗО5Е:
приТ=298К
при Т=398 К
при Т=213 К.
КП305И:
приТ=298 К
27 Полу11рово,1никовые лриборы
4-8 мА/В
2,4 -4,8 мА/В
6-12 мА/В
4-10,5 мА/В
841


при Т=398 К .
приТ=213К..
.
.... 2 .4 -6,3 мА;В
.
. 4-15,75 мА/В
Напряжение "Jатвор-нсток при С'си = 10 В. fc = 5 мА:
2ПЗО5А
2П305Б. КП305Д .
211305В. КП305Е, КП305Ж
2П305Г .
КПЗО5И ..
Напряжение отсечки при Uor = 10 В. fc = 0.01 мА
не менее
Ток утечки за·rвора при Uси =О, Uзи = -30 В не
более:
2ПЗО5А. 2ПЗО5В, 2ПЗО5Г, КП305Д. КП305Ж,
КП305И.
2П305Б . .
КП305Е ..
Емкость вхо;mая при Иси = 10 В. Те= 5 чА не
более
Емкость проходная при Uси = 10 В, fc = 5 мА
не более
Выходная проводимость* при Uси = 10 В, fc = 5 мА.
типовое значение .
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток-исток .
Напряжение затвор-сr ок:
2П305А, 2П305Б, 2П305В, 2П305Г
КП305Д, КПЗО5Е, КП305Ж, КП305И
Напряжение затвор-исток:
2П305А, 2ПЗО5Б, 2П305В, 2П305Г .
КП305Д, КП305Е, КП305Ж, КП305И
Нанряжение с1 ок-подложка
Ток стока .
.
.
.
.
Рассеиваемая мощность:
2П305А, 2П305Б, 2П305В, 2ПЗО5Г при Т = 213 +
313 К и КП305Д, КП305Е, КП305Ж, КП305И
приТ=213+298К.
приТ=398К.
Темпера 1 ура окружающей среды
0.2- 1,5 в
0.2-2,О В
0,5- '- +0.5 в
-1.5-'-
-0.2 в
-2.5-;.. -0.2 в
6в
1.0 нА
1.!О3нА
5.0 нА
5пФ
0,8 пФ
150 мкСм
15в
±30в
±15в
±30 в
±15в
15в
15 мА
150 мВт
50 мВт
От 213
до398к
П р им е чан и е. При работе с транзисторами необходимо
принимать меры защиты от статического электричества.
В нерабочем состоянии все выводы транзистора должны быть
закорочены.
842


S,мА/В
10 f---1----1-+-~--1--~
в
2ПJ05А-
б t----+ -++,o'-+ 2ПJD5Г,
КПJО5Д,
Ч t---t- -+ .f- -+-KП 30 5 Е,
КПJО5Ж,
21---~'----l--+-кпзо sи
o~-L.-.1.--L.-J.............J..--'
S,мА/В
8
71---~JJ.Ц--L-_J_--I
бt----#4---'
f./. 1-'-"-+ -+
J '---'- -.1..-.--l..._L_ __..J
-2
-1,s-1,0-0,s о D,5 Uзи,В
О 5 10 15 20Iс,мА
Зависи~юсть крутизны харак­
теристики от напряжения за­
твор-исток.
8
2П305А-2П305Г,
КП305Д, КП305Е,
КП305Ж, КП305И
~ 7 1--+--Р......±---+---!
"'!;
:::; 61---+--+--+---+--;
Uси=10 в
51---+-----+--;
Iс=5мА
'+ 1---+- -+- -+- --+--;
3.____._
_,____._
__._~
193 233 313 353 393 т,к
Зависимость крутизны характе­
ристики от те:v~пературы.
Кш, дБ
5
Ц1-----+--7""""--f---+-~
3 1-----J~-+--+--+---;
2П305А--2П305Г,
2 КП305Д, КП305Е,
КП305Ж, КП305И
Зависимости крутизны харак­
теристики от тока стока.
ц
2
1,0
~6
ц
"
2
J;- о,1
"',,,
6
~ц
2
0,01
1
1
,____
2П305А-2П305Г,- -
--
КП305Д, КПJОбЕ,-
~
КП305Ж,k'П305И "
:
-~ ,__
--
.11
. r.-
f22н ~ "'/
~
~
-
=911н ~
.,,.
Uси=25 в -
--
у
'./ ,
Ic =5мА -
--
111
3ц5678100
2 3f,МГи,
ЗанисиУiости аЕ<пшвых СОС1ав­
ляющнх входной и выходной
проводимостей сн <:астаты.
Кур, дБ
10
2П305А -2П305Г,1
КП305Д,КП305Е,
КП305Ж, КП305И
D~~~--'--'-~--'-~-J
о.____.._ _. _ _
_..____.~..,,...
100 150 200 25Df,МГц
100 150 200 25Оf,МГи,
Зависимость ко-эффициента шу­
ма от частоты.
27*
Зависимость коэффициента уси­
леиия по мощности от частоты.
843


2П305А-2, 2П365Б-2, 2П305В-2, 2П305Г-2
Транзисторы кремниевые диффузионно-планарные полевые с изо­
лированным затвором и каналом п-типа.
Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре
в усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким
входным сопротивлением.
Бескорпусные с гибкими выводами на кристаллодержателе с
защитным покрытием. Каждый транзистор упаковывается в сопрово­
дительную тару, позволяющую без извлечения из нее производить
измерение их электрических параметров. Обозначение типа при­
водится на сопроводительной таре.
Масса транзистора не более 0,005 г.
...
>:::1
r:I"'
::!
"":i:
z:
~~-
r:I r:!
""'
..,
-
r:I..,
"- tl
"' "'
.. , "'"'-
:i:
"'
""'"" r:!
"'<t>
"'
:о ~Е
1:"'
~
""'
"'"'
::!
"'::!
:r:-
...
c:j
1:""
"°'
:i::
"' "'
:r: ::!
1
Сток z
z ЗатВор 3
3 ПоiJлож- ц
ка.
4 Истом 5
Электрические параметры
Максимальная рабочая частота * .
Коэффициент усиления по мощности* при
Иси=15 В,lc=5мА,f=250МП.1
типовое значение .
Коэффициент шума при Иси = 15 В, lc = 5 мА,
f=250МГц.
типовое значение .
Крутизна характеристики при
lc=5мА:
при Т=298 К
при Т=358 К
приТ=213Кнсболее.
Напряжение затвор-исток при
lc=5 мА:
2ПЗО5А-2
2П305Б-2
2ПЗОSВ-2
2П305Г-2
844
Иси= 10 В,
Иен= 10 В,
250 МГц
12-17 дБ
15 дБ
3*-6дБ
4,8* дБ
6-10 мА/В
0·1 ! ДО 0,65
значения при
т=298к
1,5 знзчения
приТ=298К
0,2- 1.5 в
1-3 в
-0,5 _,_ +0,5в
-1,5+-О,2В


Напряжение отсечки при Иси = 10 В, lc = 0,01 мА
не менее:
2П305А-2, 2П305В-2, 2П305Г-2
2П305Б-2
Ток утеч;.и затвора при Иси = О. Изи = - 30 В
не бо:;сс .
Е:v1кость входная при Иси = 1О В, lc = 5 мА
НС 00.lCC
•
Е~шосп. прохо.1н:1я при Uси = !О В. lc = 5 мА
не более .
Полная вхо,_;:ная проводи:v1ость * при Uси = ! 5 В,
lc=5 ~.1А, /=250 МГц не бш1ее
Полная выходная проводимость* при Иси = 15 В.
lc= 5 мА.f=250 МГц не более
Преде.1ьные Jксплуатащюнные даиные
Напряжение сток-нС1 ок .
Напряжение затвор-сток:
приТ=213 -;-298 К
при Т=358 К .
Напряжсшrс затвор-нсток:
при T=2J3~298 К
приТ=358К.
Напrя,1:енне сток-поivIОжка
Ток с·~ока .
Рассеиваемая мощность с тсш1оотводом:
ЩJI! т=2!3 -;- 323 к
при Т=358 К .
Температура окружающей среды
'·
6в
2в
lнА
Ь,8 пФ
0,8 пФ
мкСм
мкСм
15в
±30 в
±15 в
±30 в
±15 в
15в
15 мА
150 мВт
50 мВт
От 213 до
358 к
П р и м е чан и~- При !1.юнтаже трагписторов в гибридной микро­
схеме не цопускастся использование матсриа.1ов, встуr1ающих в
хнмичесr.;ое н Jлектрохи:vн:''еское взаимодействия с защиrны~1 по­
крытН<"М, пзготопленньrм из диализофталапюго лака, а также должны
бь:ть прrшяты меры. исключающие соприкосновение выводов с
криста.1лом (мпнн:шшыюе расстояние от места изгиба выводов !\О
криста;1ла l мм, раJ1иус закругления нс менее 0,5 мм).
При паiiкс (сварке) выводов (на расстоянии не менее l,5 мм)
и прн за:111вке тран:зисторов компаундами те~шература кристалла не
до:rжна пренышать 373 К.
При извлечении транзисторов нз сопроводительной тары (после
отсоедин::пия выводов от тары) и при монтаже транзисторов в
м;нсроо.ему до:тжны применяться приспособления, не вызывающие
повреждения кристалла и его защитного покрытия.
845


2П306А, 2ПЗО6Б, 2П306В, КП306А, КПЗО6Б,
КП306В
Транзнсторы кречшrевые ;:шффузнонно-п.1анарныс по.1свые с ;\ву­
мя нзот1ров<1нныv1и затвора\нr. кава.10У1 11-тнпа и норчнрованным
участ1~(;.\-1 11ерехо,tнnй ~.йрак [сrис 1нки.
Пре;\на·,начс~~ы .'\.lЯ прН\rенения в прсобразоватс:rьных н уси­
лите.1ы1ых каскадах высокоii и нн-зкой частот с высоки.\1 вхо--1ным
сопрот1ш.1е1ше~.1.
Выпускае·~ ся в мета.т10стtI(.1янпом корну се с гибк11\Ш выводах~ и.
Обозначение тиТJа щшвс;..(и1ся на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора нс 60.1сс 0.5 г.
73,!i
-- -- !i,З'
1~-
"'
-
-
--
">
- -;1-·
-
-
'&
Зат§ор 7
Jamfl~Cl2Ф2,!i
.
Ф5,84-
.
Исток
Сток
Электрические пара~сгры
Предельная частота усиления* .
Коэффициент шума при Иси = 20 В. U32 и = 10 В.
lc = 5 мА./= 200 МГц:
2П306А. 2П306Б, 2П306В .
типовое "Значение .
КП306А, КП306Б, КП306В не бо:rее
Коэффициент усиления по мощности* при
Иси=15 В. 1..:1211=10 В.lc=5 мА./=
= 20 0 МГц 2ПЗО6А, 2П306Б. 2П306В .
типовое значение .
Входное сопротив.~ение* при lfcи = 15 В. И"32И =
= 10В.lc=5мА:
на/=60 МГц:
2ПЗО6А, 2П306Б, 2П306В .
типовое значение
КПЗОбА, КП306Б, КГIЗОбВ не :vieнee .
на/= 100 МГц:
2П306А, 2ПЗО6Б. 2П306В
ГИПОfЮС ЗHil ЧСНИС
КП306А, КПЗОбБ. КП306В нс менее .
Участок квадрю ичностн переходной характерисги­
ки по напряжению первого ">атвора (при ос.'!аб­
лении комбинационных составляющих третьего
порядка нс менее 80 дБ) при Uси = 15 В,
Из2и=10 В,lc=0,2+10 мА,.f=0,465 МГц
846
800 МГц
2.5 -6 дБ
3.5* дБ
7.0 дБ
10-20 дБ
15 дБ
12- 18 кОм
14 кО:ч
12 кО:-,,r
5- 10 кОм
8 кОм
5 кО:v1
--


г2ШО6А, 2П306Б, 2ШО6В , ,
' ,.....
·'
1'
-/;
типовое Jначею1е .
Крутизна характеристики при Иси = 15 В,
L1зщ=1ОВ.fc=5мА:
при Т= 298 К:
2П306А. 2П306Б, 2П306В
типовое значение .
КПЗОбА. КП306Б, КП306В .
2П306А, 2П306Б, 2П306В:
приТ=398К.
при Т= 213 К не более
КП306А. КП306Б, КПЗОбВ:
при Т=398 К не более
при Т=213 К не бо"1ее
Напряжение первый затвор-исток при
U3щ=10В,lc=·5мА:
2П306А, КПЗОбА
2ПЗО6Б, КПЗОбБ
2ПЗО6В, КП306В
Напряжение отсечки при Иси = 15
= 1ОВ.fc=1ОмкА:
2П306А, КП306А
типовое значение
2П306Б. КП306Б
типовое значение
2П306В, КП306В
типовое значение
Иси=15 В,
В, И31и =
Ток утечки первого затвора при Иси = Uз~и =О,
Из1и = 20 В не бoJiee:
2П306А, 2П306Б, 2ПЗО6В .
КП306А, КПЗО6Б, КП306В
Емкость входная при Иси = 20 В, Из2и = 10 В,
lc=5мАпеболее.
Емкость проходная при Иси = 20 В, Изш = 10 В,
lc=5мАнсболее.
.
.
.
.
1-2,5* в
1,5* в
3-8 мА/В
4,8* мА/В
4-8 мА/В
От1до0,65
значения при
Т=298К
1,5 значения
при Т=298К
5,2 мА/В
12 мА/В
~О.5-;- +0,5 В
0-2 в
-3,5-;-о в
4-0,8* в
1,6* в
4-0,2* в
0,8• в
6-1,3* в
2,2* в
1нА
5нА
5пФ
0,07 пФ
Э:1ектрические 11ара.11етры * по второму затвору
Коэффициент шума при Иси = 15 В, И31 и = 10 В,
lc=5\-!А,.f=200МГцнеболее.
Участок квадратичности переходной характерис­
тики по напряжению второго затвора (при
ос1аб.1енпи комбинационных составляющих
третьего 110рядка не менее 80 дБ) при
Иси=15 В, U31и=10 мА, lc=0,2-;-10 мА,
.f=0,465МГцнеменее......
10 дБ
IB
847


Крутизна характеристики при Иси = 15 В,
Изш=1ОВ,lc=5мА
типовое значение .
Ток утечки второго затвора при Иси = U31 и =О,
Uз2И = 20 В не более:
2П306А, 2П306Б, 2ПЗО6В
КПЗОбА, КП306Б, КП306В
Емкость входная при L'си= 15 В. U 3111 =10 В,
Ic=5мА
типовое зна ченис
Емкость проходная при L-'си = 15 В. Lз1и = 10 В,
lc=5мА
типовое значение
Напряжение
Напряжение
Напряжение
Напряжение
Напряжение
Напряжение
Постоянный
Предельные эксплуатационные данные
сток-исток .
первый затвор-сток
второй затвор-сток
первый затвор-исток .
второй затвор-исток .
первый затвор-второй затвор
ток стока
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Т= 213 ..;-308 К
при Т=398 К .
Температура окружающей среды
2-4,5 мА/В
3.7 мА/В
1нА
5нА
1,5-4 пФ
2пФ
0,3-1 пФ
0,35 пФ
20в
20в
20в
20в
20в
25в
20 мА
150 мВт
50 мВт
От 213 до
398 к
П р им е чан и е. При работе с транзисторами необходимо при­
нимать меры защиты от статического э:тектричеспщ.
В нерабочем состоянии все выводы транзистора должны быть
закорочены.
S,мА/В
108 S,мА/В 2ПJОВА- 2ПJDBB,
КПJОбА- КПJОВВ
;~~~111§
Ч-1---+~-~:._+-
о2чв
Зависимости крутизны характе­
ристики по первому затвору
от тока стока.
848
в
51---~~f---f-~r-::=-1---1
J~--1~,r:+-~4----!~--+-~
2.____,,..____....
11-..,_~_.,_ __, _ _ _,__-+-~
о
Завнси:vюсть крутизны харак­
теристики по второму затвору
от гока стока.


11·
(
!
:t.
го
18
16
~1Ч
ci:
~12
10
в
гП306А -2П3068,
КП30ВА - КП306В
о
В 1г 16 20Iс,мА
Зависимость коэффициента уси­
ления по мощности от тока
стока.
Ч!
"'{
~::.:::
20
18
16
1Ч
1г
.10
2П306А-2П306В,
......,,,.--1------1КП306А-КП306 В
го
18
10
2П306А -2П30ВВ,
КП306 А - КП3068
B~~-_..__ _, _ _ _, _
_.___J
о
8
Зависимость коэффициента уси­
ления по мощности от напря­
жения второй затвор-исток.
9 г---г-.----т--.------.,...-~
8
7
l.<J
6
"'!:
'15
ц.
5
8
150
гоо
250 f,МГц
о ц. 8 1г16и32и,в
Зависимость коэффициента уси­
ления по мощности от частоты.
Зависимое~ ь ко-,ффициента шу­
ма от напряжения второй за­
твор-исток.
2П307А, 2П307Б, 2П307В, 2П307Г, 2П307Д,
КП307А, КП307Б, КП307В, КП307Г,
КП307Д, КП307Е, КПЗО7Ж
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-п"шнарныс по.1евые с
затвором на основе р-п перехода и каналом п-тнпа.
Предназначены для применения во входных каскадах уси"1ите­
лей высокой и низкой частот с высоким входным совротинлением.
Транзисторы КП307Ж в основном преднюначены для применения
в зарядочувствительных уснлите:тях и других схемах ядерной спектро­
метрии.
Выпускаются в металлостеклянно"1 корпусе с п1бкими выво­
дами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса траюнстора не более 0,5 г.
849


За,т8ор Сток
'J.1ектрические nараметры
Коэффициент шума на f = 400 МГц при Иси = 1О В.
lc = 5 \-!А 2П307В, 2П307Д. КП307В, КП307Д
неболее...............
·
Электродвижущая сила шума на .f = 1 кГц при
Иси = 10 В, U311 =О 2П307А. КП307А. КП307Е
l!e более
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
Электродвижущая сила шума на f = 100 кГц при
Иси = 10 В. Изи =О 2ПЗО7Б. 2П307Г. КП307Б.
КП307Гнеболее........
.
.
.
.
Крутизна характеристики нри Uси = 10 В. И1и =О,
I= 50-' - 1500 Гц
при Т=298 К:
2ПЗО7А.КП307А........
2ПЗО7Б, 2ПЗО7В. КП307Б. КП307В .
2ПЗО7Г, 2П307Д. КП307Г, КПЗО7 Д .
КПЗО7Е......
КП307Ж нс менее . .
ври Т= 213 К не менее:
2П307А...
2П307Б, 2П307В . . .
2ПЗО7Г. 2П307Д . . .
прн Т = 233 К не :-.1енее:
КП307А. КШО7Ж
КПЗ07Б, КП307В
КП307Г, КП307Д . .
КП307Е ...
при Т= 398 К не менее:
2П307А...
2ПЗО7Б, 2П307В . . .
2ПЗО7Г. 2ПЗ07Д ...
при Т= 358 К не менее:
КП307А, КП307Ж
КПЗО7Б, КП307В
К11307Г, КП307Д . .
КПЗD7Е......
Нача:тьный ток стока при Иси = 10 В, Изи= О:
2П307А, КП307А . . . .
850
2ПЗО7Б, 2ПЗ07В, КП307Б. КП307В
2П307Г, 2П307Д, КП307Г, КП307Д . .
•
ФZ.~
6 .~Б
20 нВ/\/Гц
2.5 нВ/~/fЦ
4-9 мА/В
5- 10 мА/В
6- 12 мА/В
3-8 мА/В
4 мА/В
4 мА/В
5 мА/В
6 мА/В
4 мА/В
5 мА/В
6 мА/В
3 мА/В
2 :-.1А/В
2,5 ~1А/В
3 мА/В
2 мА/В
2,5 мА/В
3 мА/В
1.5 мА/В
3-9 мА
5-15 мА
8-24 мА


1.
КП307Е .... .
КП307Ж ... .
Напряжение 01сечк11 при ~:си= 10 В, fc = 10 чкА:
2П307А, КП307А ....
2П307Б. 2П307В, КП307Б, КП307В
2П307Г. 2П307Д. КП307Г. КПЗО7Д
КП307Енс60.1ее.......
КП307Жнебо.1ее.......
Акт11вная состав.1яювщя выходной проводимости при
Uси = 10 В. Изи= О. /= 50-с- 1500 Гц 2П307Г.
2П307Д, КП307Г, КП307Д нс бо:1се ..
Ток утечки ш1вора при L'зи = - lО В не 6ос1ее:
при Т=298 К:
2П 307 А, 2П307Б. 2П307В, 2П307Г. 2П307 Д,
КП307А, КП307Б, КП307В. КП307Г. КП307Д.
КП307Е...
.
.
,.
.
.
.
.
.....
КПЗО7Ж
....
·
·
·
·
·
·
·
·
при Т= 398 К 2П307А. 2П307Б,
2П307Г. 2П307Д и при Т = 358 К
КП307Б. КП307В, КП307Г. КП307Д,
2П307В,
КП307А,
КП307Е,
КП307Ж .............. .
ТокутечкизатвораприUзи= - 30Внеболее. . .
Емкость входная при Uси = 1О В, Изи = О.
f=10МГцнеболее.....
.
.
.
.
Емкость проходная 11ри Uси = 10 В, Uзи =О.
f=10МГцнеболее.....
.
...
1,5-5 "'1А
3-25 :-.-1А
0.5-3 в
1-5 в
1,5-6 в
2.5 в
7в
1,0 нА
0.1 нА
1,0 мкА
10 мкА
5пФ
1,5 пФ
Среднеквадратичный шу'.-1овой заряд при Uси = 7 В,
Изи=О.Сг=10пФКП307Жнсболее.....0,4·10-16Кл
Пре.1елы1ые экспдуатащюн11ые данные
Напряжение с1ок-исток:
2ПЗО7А, 2П307Б. 2П307В. 2П307Г. 2П307Д .
КП307А, КП307Б, КП307В. КП307Г. КПЗО7Д,
КП307Е,КП307Ж..........
Напряжение затвор-сток. затвор-псток:
2ПЗО7А. 2П307Б. 2П307В. 2П307Г, 2П307Д .
КП307А. КП307Б, КП307В. КП307Г. КП307Д,
КП307Е.КП307Ж..........
Постоянный 1ок стока:
2ПЗО7А. 2П307Б. 2П307В. 2П307Г, 2П307Д .
КП307А. КП307Б, КП307В, КП307Г. КП307Д,
КП307Е.КШО7Ж.....
Пря:-.-юi! ток затвора . . . . .
Пос гоя1шая расс1:пвас\ШЯ мощность:
2П307Л. 2П307Б. 2П307В, 2П307Г, 2П307Д:
при Т=213-с-298 К .
•
.
при Т=398 К .....
КП307А, КП307Б. КП307В, КП307Г, КШО7Д,
КПЗО7Е, КП307Ж:
25в
27в
30в
27в
30 мА
25 мА
5мА
250 мВт
50 мВт
851


при Т=233 -;-298 К .
приТ=358К.
250 мВт
130 мВт
Температура структуры 2П307А. 2П307Б. 2П307В. 2П307Г.
2П307Д .
413 к
Температура окружающей среды:
2П307А, 2П307Б. 2П307В, 2П307Г. 2П307Д
От 213 до
398 к
КП307 А, КП307Б. КП307В.
КП307Е. КП307Ж .
КП3071', КП307Д.
От 2:13 '!О
358 к
П р им е чан и я: 1. При Т:;, 298 К максимально допустимая
постоя;шая рассеиваемая мощность. мВт. расс<ппывается по форму:1е
Р"ш= 250 - 2(Т- 298).
2. Соединение тран·шl:торов с -;ле"'1ен1ами ш111ари1уры разре­
шается на расстоянии не менее 4 мм от корпуса. Допускается
однократная пайка выводов на расстоянии менее 4 мм от корпуса.
Жало паяльника при пайке должно быть за~емлено. Обязательно
применение мер. предохраняющих корпус транзистора от попадания
флюса и припоя.
При повышенной влажности для обеспечения ~ока затвора не
более 10- 9 А рекомендуется использовать транзисторы в составе
герметизированной аппаратуры ипи пр11 местной зашитс прибора от
воздействия в;~аги.
Транзисторы КП307Ж допускается од110крапю испо.1ьзовать при
Т=233+123К.
12
10
8
~в
~,,,,~ lf
2
.о
/
1
1
1
'
2ПJО7,КП307
~
/
Uси= 108,
Uзи=О
1
8 12 16 20lс,мА
Зависимость крутизны характе­
ристики от тока стока.
852
12 2ПJ,07A,KПJq7A,K~J07E
10 2П307Б, 2ПJО7В,
КПJ07Б,КП307В
о
Зависимости крутизны характе­
ристики от напряжения 'Jатвор­
исток.


~
С.>
""
2П307Б,2ПJ078,КПJО7Б,
1ООО t----+--"KПJO7В-4----+---1
61---++- - '
'f ,_______,
2 1---+ -"---J<. --
~ 1001-----+- -:i..- .. + --+- -t - -- --1
6 1-------1 ----1-. .-1 -"w -+--+ ----i
'f 1---+---1--~----+----i
2~...;:.:..-+~+--+--=r--~
J, о г---т-....--т----.--.---.
2ПJ07Б, 2П307Г,
2,5
КП307Б, КП307Г
~- 2,0 t+-+-+- --11- -- -+ -+- -I
·~cti 1,51-~"""'....~::::::i.._J__.......J
>:
; 1,0~-t--+
... ..
0,5 t----+--+ --+ --+ --1---1
10L-...J.;..-J._.._~.......,.~~
о510152025Uси,во510152025Ic,мА
Зависимости активной составля­
ющей выходной проводимости
от напряжения сток-исток.
1'1
12
10
t.Q
8
"{
""'-"3 6
~
""'-
'f
2
о510152025UСИ'В
Зависимости коэффициента шу­
ма и коэффициента усиления по
мощности от напряжения сток-
исток.
Зависимости ко·Jффициента шу­
ма и коJффициента уси,1ения по
мощности от частоты.
l.J:i
"{
~
"3
""'-
~
-::.::.""
Зависимость ЭДС шума от тока
стока.
1'1
12
10
8
6
'f
2
о
2ПJО78, ~ПJ07Д,
КП3078 ,КПJО7Д
5 10 15 20 25Iс,мА
Зависимости коэффициента шу­
ма и коэффициента усиления по
мощности от тока сгока.
г~=-+---+­
о10~0:--~20~0:---J""'"o-:-O-'f_.0"""0-f,_M.....Гц
853


КП308А, КП308Б, КП308В, КП308Г, КП308Д
Транзисторы крсмн11евые э1ш 1аксиа.1ьно-п.1а~~арные полевые с
затвором па ос11ове р-11 перехода кана.1ом 11-1 ива.
Пред11аз11аче11ы д.1я при~1снсния в герме шзированной ап11аратуре
во входных каскадах уси.1ите.1ей низкой частоты и постоянного
1ока (КП308А, КП308Б, КП308В). в переключающих схемах и
схемах коммутаторов (КП308Г. КП308Д) с высоким входным со­
противлением.
Бескор11усные с 1ибкнми выводам11 без криста.1.1одср;катс.1я с
защитным покрытием. Каждый транзистор упаковывается в сопро­
водительную тару, позволяющую без изв.1ечения из нее произво­
дить измерение их электрических параметров. Обозначение типа
приводи гся на сопроводи rе.1ыюй таре.
Масса транзистора не более 0,005 г.
Сток
3ат8ор
Электрические пара'1етры
Электродвижущая
Изи=О,f=1
не более .
сила шума при Uси = 1О В,
кГц КП308А, КП308Б, КП308В
Крутизна характеристики при Uси = 10 В, Изи= О:
при Т= 298 К:
КП308А, КП308Б .
КП308В .
Начальный ток стока при Иси = 10 В, Изи= О:
КП308А.
КШО8Б.
КП308В .
Активная составляющая выходной проводимости
приИси=10В,Изи=Онеболее:
КПЗОSА.
КП308Б, КП308В .
Сопротивление сток-веток в открытом состоянии
приИси=0,2В, Изи=О:
854
при Т= 298 К:
КПЗОSГ не более
КП308Д .
при Т= 213 К:
20 н в;i.lf;i
1-4 мА/В
2-5 мА/В
0,4-1 мА
0,8-1,6 мА
1.4-3 МР
10 мкСм
20 мкСм
250 Ом
230-500 Ом


!f
КП308Г не бо.1ее
КП308Д нс более
при Т= 39~ К:
КПЗОSГ не бо.1ее
КП308А не iio.1ee
Врес.1я вк.1ючения * нрн Uси = 10 13, Изи= О
КП308Г, КП308Д не iicыee .
Врсчя вык.1юченпя * при Uси = 10 В, Um =О
КПЗОSГ, КП308Д нс бо:1ее .
Напряженне отсечки при Uси = 10 В. lc = 10 нА:
КП308А
КП308Б
КП308В .
КП308Г.
КП308Д.
Ток утечки затвора при Uси =О, Изи = - 10 В нс
более:
при Т=298 к
при Т=398 к
Емкость вхо::щая при Иси = 10 В, Изи= О не
более
Емкос1ь выходная при Иси = 10 В, Uзи =О не
более
Пре.:tе.~ьные эксп.1уатацнонные данные
Напряжение сток-исток .
Напряжение затвор-с 1ок
Напряжение затвор-исток
Постоянный ток стока .
Прямой ток затвора .
Рассеиваемая мощность прн Т = 213 -с- 298 К
Температура перехода .
Температура окружающей среды .
250 Ом
500 Ом
500 Ом
1000 Ом
20 нс
20 нс
0,2-1,2 в
0,3- 1,8 в
0,4-2,4 в
1-6 в
1-3 в
1нА
1' мкА
6 11Ф
2пФ
25в
30в
30в
20 мА
5мА
60 мВт
413 к
От 213 до
398 к
Примсчания: 1. При Т= 298-с-398 К макси~1а.1ьнодопусти­
мая постоянная рассеиваемая :vющность. мВт. рассчитывается по
фор\1уле
Р"'""= 60 - 0.5(Т- 298)_
2. Пайка выво;~ов допускается на ра~:стоянии нс менее 1,О мм
от 1[ШН1ис 1 ора. При за.нrвке транзисторов компаундами темпера­
тура кристахш не должна превышать предельно допустимую тем­
пературу окружающей среды.
855


КПЗIОА, КПЗIОБ
Транзисторы кремниевые ,сщффу·шон1ю-п;шнарные полевые с изо­
лированны:-.1 затвором и кашыом 11-пша.
Пред11аз11ачены для при!\1е11с11ия в приемно-передающих ус грой­
ствах свеrхвысокочас 1·отного диа11азона.
Выпускаются в мега.1"1остеклянном коr11усе с гиfjкими вывода­
мн. На тсрцсвую поверхность ба.1.'ЮIШ каждого транзистора нано­
сится крас11ая точка.
Масса тrанзистора 11е бо.1ее О. 7 r.
30
5. .J
ст'~('
,
1
-
-
"1-
.,.,
""
.. ..
~
-
-
-
-
--
'<.;
"& -&
~оОмж"
Исток
Электрические пара'1етры
Ктффицисн1шумана/=1ГГцприИси=5В.
lc=5 мА:
КПЗIОА не более
КПЗIОБ
типовое значение .
Коэффипие11т усиления по мощности* 11а / = 1 ГГц
приИси=5В,lc=5YIA .
типовое значение
Крути11ш характеристики при Uси = 5 В, lc = 5 "1А,
/=507 1500Гц:
нри Т=298 К
типовое зна чсние
приТ=213К .
типовое значение
при Т=398 К
типовое значение
Начальный ток стока пр11 Иси = 5 В, 1/зи =О:
6.0 дБ
5,0* - 7.0* дБ
5,5* лБ
5,0-7.0 дБ
5,5 дБ
3.0-б,О* мА/В
4,0* мА/В
1.5 - 6,0* мА/В
4,2* мА/В
1.5 -4,7* мА/В
3.5* мА/В
11ри Т= 298 К
0.03* - 5.0 мЛ
типовое значение .
при Т = 213 ·к не боле.::
при Т=398 К ие более
Остаточный ток стока при Иси = 5 В, Изи =
=-5в.
типовое значение .
Ток утечки затвора при Изи= -10 В
типовое значение
Емкость входная при Uси = 5 В. Изи = О,
/=10МГц•
856
0.1* мА
15 мА
8,0 мА
1*- 100мкА
10* мкА
1·10-4
•-3нА
1* нА
1,4*-2,5 пФ
i
j
~·
111 •


типовое зна•1енис .
1,8* пФ
Емкость нrоходная при Иси = 5 В. Изи = О.
./=10МГн.
0,2*-О.5 пФ
0.3* пФ
типовое значение .
·Емкость выходная при Иси = 5 В. L'зи = - 1 В.
I=10МГц.
типовое 1начение
1,2*-2.О пФ
1.4* пФ
Предельные эксплуатацнонпые данные
Напряжение снж-ис1 ок .
8.0 в
10в
10в
Напряжение затвор-сток
Напряжение затвор-ис1 ок
Ток стока
20 мА
Постоянная рассеиваемая мощность при
-'- 298к.
Т= 213-' -
80 мА
Темпера~уrа окружающей среды .
От 213 ло
398 к
Примечания: 1. При Т =298 -'- 398 К максимально допусти­
мая постоянная рассеиваемая мощность, мВт, рассчитывается по
форму"1е
Рмакс = 80 - 0,55(Т- 298).
2. Пайка выводов транзисторов допускается на рассгоянии не
менеt" 3 мм от корпуса. Пайку производить отключенным от сети
пая:1ьником мощностью не бо.1ее 60 Вт. В момент пайки все
выводы должны быть закорочены.
Минимальное расстояние места изгиба выводов от корпуса
3 мм. радиус изгиба не менее 1,5 мм.
При работе с транзисторами необхолимо учитывать возмож­
иость их самовозбуждения как высокочастотных элементов и при­
Ни'11ать меры к его устранению, а также прини'l-!ать меры защиты
от статического электричества.
в
6
if
2
1
/
1/
1КПJ10А,
КПJ10Б-
J
1
/
~
v Uси=5В
о12JЦ.5U3и,В
Зависимость тока стока от
напряжения затвор-исток.
1200
1000
800
600
l/-00
200
о
КПJ10А, КПJ10Б
.... ..._
'-
......
~
~
' ...
20 40 60 ВО 100lс,мА
Зависимость
сопротивления
сток-исток в открытом состоя­
нни от тока стока.
857


12
10
8
~б
'§
""~ q.
2
о
/
/
КП310А)КП3105
-
/
1 Uси=5В
/
Зависимость крутизны характе­
ристики от на11ряжения за 1 вор­
исток.
1,8
-е. 1,7
t::
~
~
с; 16
'
1,5
\ КП310А; КПJ10Б
\
.........
............_
-
Iс=5мА,
~
,__ f
1 10rгц
12
10
в
2
о
КП310А,КП310Б
--
v .......-
/ Uси==5В
/
5 10 15 20 25Iс,мА
Зависимость крутизны характе­
ристики от тока стока.
1
КП310А) КП3105
О,'1-
.
1
\ Ic=SмA)
'
f=10МГц
О2'1-6810Uси,В
0,1
о2ч.вВ10Uси,В
Зависимость входной емкости
от напряжения сток-исток.
2'1-
КП 31ОА, КП3105
201--ос-1--+----+--+--+-~
1бt--1-+-+
-е.
<:::... 12r---н-­
"
"'
<5:, '
81---+- --+- -< --+- -+-- -I
Зависимость проходной емкости
от напряжения сток-исток.
Кш,АБ
3,9
3)8
3,7
3,6
3,5
"
КПJ10А
...........
...._
-
Ic= 5 мА,
f =1ГГц -
-
1
1
о2'1-вВ10Uси,В
Jq.567ВUси,В
Зависимость выходной емкости
от напряжения сток-исток.
858
Зависимость коэффициента шу­
ма от напряжения сток-исток.


1~
Зависимость коэффициента шу­
ма от тока стока.
Кш,дБ
Ц.,1t---l'---+~-+~-l-~-.//L.----I
'f ,O 1---+-+--+--io~-+-~
J,91---+-+--~-+--+-~
3,В 1---+-~--4-
~ 71---71''--+--+--+--+-~
~бL--:-~i,...---:1-~L.-...J....~
'f5б7В9Iс,мА
КП312А, КП312Б
Тра11зисторы кiJемниевые эшпаксиально-планарные полевые с
затвором на основе р-п перехода и кан<L1ом 11-типа.
Предназначены для применения во входных усилительных и
преобразовательных каскадах сверхвысокочастотного диапазона.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полос­
ковыми выводами. Транзисторы маркируются цветными точками:
КП312А - двумя желтыми, КП312Б
-
двумя синими.
Масса транзистора не более 0,2 г.
О,б
о. 6'
.
10
Сток
исток
~
-
-
0,7
~
Электрические параметры
Коэффициент шума при Иси = 10 В, f = 400 МГц:
КП312А
типовое значение
КП312Б .
типовое значение
Коэффициент усиления по мощности* i1рИ Иси =
= 10В,lc=5мА,/=400МГцнеменее.
~
1,0*-4 дБ
2,0* дБ
1,О*-6 дБ
2,3* дБ
2дБ
859


Крутизна характеристики при Иси = 15 В, Изи= О,
f=1-о-10кГцнеменее:
при Т= 213 -о- 298 К:
КП312А .
КП312Б .
при Т= 373 К:
КП312А .
КП312Б .
Начальный ток стока при Иси = 15 В, Изи= О
не более:
КП312А •
КП312Б .
Ток утечки затвора при Изи= -10 В, Иси =О
нс более:
при Т=213 К
приТ=298 К
при Т=373 К
Напряжение отсечки при Иси = 15 В, Ic = 1О мкА
не более:
4 мА/В
2 мА/В
1,5 мА/В
1,0 мА/В
8мА
1,5 мА
100 нА
10 нА
1 мкА
КП312А.
8В
КП312Б .
6В
Активная составляющая выходной проводимости при
Иси=15В,f=J кГцнеболее:
КП312А.
КП312Б.
Входная емкость при Иси = 15 В не более
Проходная емкость при Иси = 15 В не более .
Преде.'lы1ые жсплуатациониые даииые
Напряжение затвор-исток
Напряжение затвор-сток
Напряжение сток-исток .
Постоянный ток стока .
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Т=213-о-313 К
при Т=373 К .
Температура окружающей среды
130 мкСм
110 мкСм
4пФ
пФ
25в
25в
20в
25 мА
100 мВт
40 мВт
От 213 J\O
373 к
П р им сч а н и я: 1. Крутизна характеристики и начальный ток
стока измеряются импульсным методом при ти = 10 мс, Q = 10.
2. Для приборов с fс.н""
.;;; 5 мА измерение активной со­
ставляющей выходной проводимости, входной и выходной емкос­
тей, коэффициента шума производят при Изи = О, для приборов
С /с.нач;;;, 5 мА при l= 5 мА.
8БО


1
1
КП312А, КП312Б
1//.
1
,,,. ....
....
1.-Р ~-
-·-
-
-
293 313 333 353 J7J т,к
Зона возмоJ>:ных положений за­
висимости относите.1ьно1 о про­
бивного напряжения 1атвор-
11с1 ок от температуры.
21/-
'
КП312А
20
'
'
Uси= 158
16
"1:
'
::;;
'
;12
tl
"'
с_;
в
......
о 0,75 1,5 2,25 J,D 3/5Uзи,В
Зона во'Зможных положений за­
висимое·, и Н<t'1ального тока с га­
ка 01 напряжения 1анюр-ис1 ок.
\
i<П.J.126
Uси =15 в
О О,75 1,5 2,25 3,0 3,75 Uзи,В
Зона rюзможн;,1х по.1ожений за­
висимое ги начального тока сто­
ка от ;;апряжения затвор-исток.
в
5
Lj.
о
,/'
"-
·-
/v
//
-
1//
,
,/
КП312А
,
Uзи=D
1
1
1
1
5
1D
~
Uси,В
Зона возможных положений за­
висимосл1 крупвны характери­
стики от напряжения сток-
11стоt<.
0:1
"
"<:
::;;
С/)
6
5
Lj.
J
2
о
КП312Б
'
/"
Uзи=О .'
,/.. -
'/
,
~!;...... -
5
---- --
~-- ·-
·-
1D Uси ,в
Зона во·1~1ожных положений ·ш­
висимостн крутизны характери­
ст11к11 от навряжсния сток-
нсток.
213 253 293 3,?3 373 т, к
Зона возможных положений ·за­
виси:-.юсти тока утечки затвора
от тсмпера1уры.
861


6
5
1
о
..... ,
........
',
КП312А
.. ..
--
.............
--
..... _
-t --
Uси =15 В, Uзи =О
1
1
293 313 333 .153 373 т, к
Зона воз,10жных по.1ожен11i1 за­
виси'\1ости круппны характери­
с 111к11 01 1е,шературы.
в~--~--~-~~
5
J./ . t ---+" '-:!---+--+--1----i
Q:)
~ 3 t---t ---"'...t---t-- -''!'"-<;;::--/ --i
:.
С!) 2 l--'4-+---!--"f"-ol--1
о~__.._ _. ._ _.. .. .. _.. .... .... _
_.____,
293 313 333 353 .]73 393 т,к
Зона воз,нJжных по.1ожсний за­
виси,юсти крутизны харак гери­
стики от теч пера 1уры
Iс,мА
10
в
6
4-
2
',-._
'
'-.,,.
·--
''
1
КПJ12А,
кпз12s- -
',
',
'
--'\--
'',
............
-....
',
.. ...
О О,75 1,5 2,25 3 J,75 !Jзи ,В
Зона возможных по.1ожений за­
висимости тока стока от на­
пряжения затвор-исток.
862
21./.r----..:-,-,---,~~~~~
2Df--+--+-~'~-+----if---_j
........
161---t---г--~--1--1-_,1
КП312А
112
4 f--+-*..__l---+--+---1
~9~3=-3=-11.с:з:-з:-=-3~3-3...J5'-3-3_,J7_3--..1т,-к__J
Зона возчожных 110.·южений за­
виси,юстн на ча.1ь110го 1 (Жа сто­
ка от тс:-,шературы.
12
10
8
~6
~
"
if
--
.... ....
.........
.... _
---
КПJ12Б
- uc11 =15B, Uзн=D
-
' r--......._
~2
~
'"1::
~
о
.... __
'-
-
-
293 373 333 353 373 393 т,к
Зона возможны:-. 11оложений за­
виси,юс 1и начального тока сто­
ка от те:-,шературы.
5
'
КП312А,
.КПJ12Б
.,.,...
,,,.
4-
С/)~
3
Зона возможных по.1ожений за­
висимости крутизны характери­
стики от тока стока.


2П313А, 2П313Б, 2П313В, КП313А, КП313Б,
КП313В
Тран3исторы кремниевые диффузионно-планарные по.1евые с изо­
лированным затвором и кана.1ом п-типа.
Предназначены для применения в усилитео1ьных каскадах высо­
кой и низкой частот с высоким входным сопротивление"'1.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхнос1 и корпуса.
Масса транзистора не бо.1ее \,О г.
1<.люч
Место ма.ркиро8ю.1,
7,2
н1
Стон.
Электрические параметры
Максимальная рабочая час1ота * .
Коэффициент шума при Иси = 15 В, Ic = 5 мА,
f = 250 МГц КПЗ!ЗА, КПЗIЗБ, КП313В не
более
Коэффициент усиления но :-.1ОШности при Иси =
= 15 В, lc=5 мА. /=250 МГц КПЗIЗА,
КПЗIЗБ, КПЗIЗВ не "''енее .
Крутизна характеристики нрн Uси = 10 В,
Ic=5мА:
2ПЗIЗА. 2ПЗIЗБ. 2ПЗIЗВ:
приТ=298К
приТ=358К.
при Т=213 К не более ..
КПЗ!ЗА,
= 298к.
КПЗIЗБ, КПЗIЗВ при Т=
Напряжение затвор-исток при Иси = 10 В,
lc=5 мА:
2ПЗIЗА
2ПЗIЗБ
300 МГн
7,5 дБ
10 дБ
5-10 мА/В
От1до0,6
значения при
Т=298К
1,5 значения
приТ= 298К
4,5 -10 ,5 мА/В
0,4-1,5 в
- 0,6-;- +0,6 в
863


2П313В .
КПЗ13А
КП313Б .
КП313В .
Ток утечки затвора при Иси =О. Изи= 10 В
не более
Напряжение отсечки при Иси = 1О В, Ic = 10 мкА
не менее .
Емкость входная' при Иси = 10 В, Ic = 5 мА:
2П313А, 2ПЗ13Б, 2ПЗ13В
типовое значение .
КП313А, КП313Б, КП313В не бо,1ее. . .
Емкость проходная при Иси = 1О В, Ic = 5 YIA:
2П313А, 2П313Б. 2П313В .
типовое значение .
КП313А, КП313Б, КП313В не более
-1,5 7 -0,4 в
0,3-1,8 в
-0,5 7 +0,5 в
-2,О -о- -0,3 В
10 нА
6в
4.J*-6,8 пФ
4,8* пФ
7пФ
0.З*-0,8 пФ
0,4* пФ
0,9 пФ
Предельные эксплуатацио11ные данные
Напряжение сток-исток
15в
15в
10в
Напряжение затвор-сток .
Напряжение затвор-исток
Ток стока
Рассеиваемая мощность:
2П313А, 2П313Б. 2П313В:
при Т=233-о-308 К .
при Т=358 К .
КПЗ13А, КПЗ13Б. КП313В:
при Т=228-о-298 К .
при Т=358 К .
15 мА
120 мВт
80 мВт
75 мВт
40 мВт
Температура окружающей среды:
2ПЗ13А, 2П313Б, 2П313В
0г 213 ДО
358 к
От 228 до
358 к
КП313А. КП313Б, КП313В
П р им е ч а н и е. При работе с транзисторами необходимо при­
нимать меры защиты от статического 1лектричества.
7 f---'--+--'\_,~--+----1
61--~----Jf'F-~-!-~~~
51----F->'-+----+----~
41--+-1'---+---+----~
J ""'- ---' ---- -' "---- -'
о
5
10 Ic ,мА
864
В нерабочем состоянии все
выводы транзистора должны быть
·;акорочсны.
Зависимости крутизны характе­
ристики от тока стока.


S,мА/8
2П313А-
Зависимости крутизны харак­
теристики от напряжения за­
твор-исток.
Кур,,в,Б
2П313А -2ПJ138
Uси = 158
Ic =SмА
100 150 200 250f,МГи,
ЗависимосТh коэффициента уси­
ления по мощности от частоты.
10 1--..+-:"'-1---1-2п313В
9t--t-~t--'~~l---+---I
Bt--t-~1---+-~1---1----1
7t---+~+---11---i-~!!L---I
Iс=5мА
61---+-~1---+-~1---1----1
5._~~~~--J.~.J...__J
193233273313353т,к
Зависимость крутизны характе­
ристики от темпера туры.
Цt---t::7"''f---4--l---I
Jt--+~--t-~-1----+~~
Uси=158
Ic=SмA-+---1
1
o._~~~--1~....1-__J
100 150 200 250f,МГи,
Зависи:vюсть коэффициента шу­
:-..~а от частоты.
КП314А
Транзистор кремниевый планарный полевой с затвором на
основе р-п перехода и каналом п-типа.
Исто!(
Зат(}ор
865


Предназначены для применения в охлаждаемых каскадах пред­
усилителей устройств ядерной спектрометрии.
Выпускается в мсталлостсклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 0.5 r.
Электрические пара'V!етры
Крутизна характеристики при Иси = 10 В, 1./311 =О.
f=0.5
-'- 1,5 кГц не менее .
4 мА/В
Начальный ток стока при Иси = 10 В, Изи= О
.
2,5-20 мА
Емкость входная при Uси = 10 В, f = 10 МГц не
более.
Емкость проходная при Иси = 10 В, f = 10 МГц нс более
Среднеквадратичный шумовой заряд при Иси = 5 В,
6пФ
2пФ
lc=3 мА, Ст=О, tФ=5 мкс, пе более.
.1,32·IО- 17 Кл
Предельные эксп.1уатацио1111ые данные
Напряжение сток-исток при Т = 308 К .
Напряжение затвор-исток, затвор-сток при Т = 308 К
Постоянный ток стока при Т = 308 К .
Прямой ток затвора при Т = 308 К .
Постоянная рассеиваемая мощность при Т = 308 К .
Температура окружающей среды .
25в
30в
20 мА
5мА
200 мВт
358 к
2П350А, 2П350Б, КП350А, КП350Б, КП350В
Транзисторы кремниевые диффузионно-планарные полевые с двумя
изолированными затворами и каналоы 11-типа.
Предназначены для применения в усилительных, генераторных
и преобразовате.1ьных каскадах снерхвысокой частоты (до 700 МГц).
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вывода:v111.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Транзисторы КП350А, КП350Б, КП350В на торцевой поверхности
корпуса дополните.1ьно маркируются двумя черными точками.
Масса транзистора нс более О, 7 r.
23
SJ
фб",8*
°"
- <1-
'S
.
сток
Зат§ор 7
Зат!Jо~,2Ф2,5
1--------' -
Сток
''\.
Элсктричесю1е параметры
Коэффициент шума при Иси, = 1О В, Изш = 6 В, lc =
= 10мА:
866


1Jii
f
при/= 400 МГц:
2П350А
типовое значение .
КПЗ50А....
т!lповое значение .
кпзsов...
типовое значенш.~ .
ври/= 100 МГц:
2П35()Б
типовое значение .
КП35GБ .....
4,8* - 6дБ
5,5* дБ
3,7*-6 дБ
3,8* дБ
4.1*- 8дБ
4,8* дБ
.
4,15* -6 дБ
4,9* дБ
2,0'+' - 6 дБ
пшовое значение . .
3,0* дБ
Крутизна харакгеристикп при Uси = 10 В, U32и = 6 В,
Ic = 10 мА./= 50 -с- 1500 Гц:
2П350А. 2П350Б:
'
при Т=298 К .
типовое значенне .
приТ=213К:
типовое значение
при Т=358 К
типовое значение .
КП350А. КП350Б. КП350В:
при Т=298 К .
типовое значение .
приТ=228К..
типовое значение .
приТ=358К..
типовое значение .
Крутизна характеристики по второму
Сси=10В.L'ш1=6В.Ic=10 \tA
типовое значсш1е . .
затвору* при
6,0-
11,5* мА/В
9,4* мА/В
6,0-
15;0* мА/В
11,7* мА/В
4,0-
10,О* мА/В
8,0* :v1A/B
6,0-
13,0* мА/В
10,О* мА/В
6,0-
13,0* мА/В
11.5* мА/В
4,0-
10,О* мА/В
8.0* мА/В
0,6-
0,85 мА/В
0.7 мА/В
Нача.1ьный 10!' сгока при Сси= 15 В, Изи=О не 60;1ее:
2П350А. 2П350Б:
приТ=~98К .
.
11рн T=2l3 К 11 Т=358 К
КП350.А. КП35UБ. КП350В:
приТ=298К....
приТ=22НКиТ=358К
Нанряжен11е отсечки ори Uси = 15
=0,1 мА:
2П350А, 2П 350Б .
~ивовое значение.
КП350А, КП350Б, КП350В
В,И1ш=6В,fc=
3.5 мА
6,0 ~1А
3,5 :v1Л
6,0 мА
• О,17*- 6,0В
0,29* в
.
0,07* - 6,0 в
867


типовое значение.
0,7* В
Напряжение отсечки по второму штвору* прн Иси = 15 В.
Из 1 и=5 В, lc=O,I мА.
.
0.15-4.5 В
типовое значение .
0.5 В
Ток утечки затвора при Изи = 15 В не Go:iee
5.0 нА
Емкость входная при Uси = 10 В, Uзш = И32и =О.
I= 10 МГц:
2П350А. 2П350Б .
. 3.0*- 6.0пФ
типовое значение .
3.2*
КП350А, КП350Б. КП350В
типовое значение .
. 2,9*-6.ОпФ
3.5* пФ
Емкость нроходная при U(И = 10 В.
f=10МГц:
2П350А, 2П350Б
1 ивовое ·значение .
КПЗ50А, КП350Б. КП350В
типовое значение .
Емкость выходная при Иси = 10 В.
f=10МГц:
2П350А, 2П350Б .
типовое значение .
КП350А, КПЗ50Б. КП350В
типовое значение .
Uз1и = Uзт =О.
Активная составляющая выходной проводимости при
Uси=10В,Изш=6В,lc= 10мАКПЗ50А,КП350Б,
КП350В не более .
.
.
.
.
.
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток-исток (по"1ожительное) 2П350А, 2П350Б
при Т= 213-:- 358 К и КП350А, КПЗ50Б, КП350В при
0,03* -
0.07 пФ
0.04* пФ
0.03*-
0.07 пФ
0.05* пФ
3.2* -
6.0 пФ
4,0* пФ
2.9*-
6,0 пФ
3.2* пФ
250 мкСм
т=228 -;-358к.
15в
Напряжение первый затвор-сгок КП350А. КП350Б,
КП350В при Т= 228-:- 358 К .
21В
Напряжение второй затвор-сток КП350А, КП350Б, КП350В
приТ=228 -:-358К.
15В
Напряжение первый (второй) ·затвор-ис1ок 2П350А.
2П350Б при Т = 213 -:- 358 К и КП350А, КП350Б.
КП350В при Т = 228-:- 358 К
15В
Ток стока 2П350А, 2П350Б прн Т = 213-:- 358 К и
КП350А, КП350Б, КПЗ50В при Т = 228 -:- 358 К .
30 \1А
Постоянная рассепваемая мощность 2П350А, 2ПЗ50Б при
Т = 213-:- 298 К и КП350А, КП350Б. КП350В при
Т= 228-: - 298 К.
200 ~1Br
2П350А, 2П350Б, КП350А, КП350Б. КП350В при
Т=358К .
100 мВт
868


Температура окружающей среды:
2П350А, 2П350Б .
КПЗ50А, КПЗ50Б, КПЗSОВ
От 213 до
358 к
От 228 до
358 к
Пр им е чан и е. Расстояние от корпуса до начала изгиба вы­
вода 3 мм, радиус из.гиба не менее 1,5 мм. При изгибе усилие
не должно передаваться на стеклоизо.'!ятор.
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 3 мм от
корпуса транзистора паяльником мощностью не более 60 Вт напря­
жением 6-12 В. При пайке необходимо принимать меры защиты
корпуса транзистора от попадания флюса и припоя. В момент
пайки все выводы транзистора должны быть закорочены. Для
обеспечения тока утечки затвора не более 5 · 10 -9 А необходимо ис­
пользовать транзисторы в составе герметизированной аппаратуры •
или при местной защите транзисторов от воздействия влаги.
При работе с тра1листорам11 необх'>ди:v~о принимать меры за­
щиты от воздействия. статического электричества.
12---~~-~-.---.
10
в Г-F~e::::,jE'1/'I
0:1
'- 6 ~-+--6"'F""~c::-,JL---!
"§
(/)~ ц 1---"f---+- --+-- -11<-+- --t
Iс,мА
101
6
1/
2
100
6
1/
2
161
6
1/
__....
_,.
-
Т 213К ~"
Т=358А lh
IV/
1 2П350А ,2П3506 ,1--
J 1 КП35ОА-КП350В,-
11
Иси= 108
1
Uз2и=LJ-;вв
о L/- В 12 16 20Ic,мА -1,О-0,5 О 0,5 1,0 1,5 2,0Uз1и,В
Зависимости крутизны характе­
ристики от тока стока.
Зависимости тока стока от на­
пряжения первый затвор-исток.
Кш,дБ 2П350А,КПJ50А
Кw,дБ 2ПJ50А,КП350А
~Ot---+--t---+~--+-~~-J
6,01---", ___ -+ ---+ --+ --.......' -- -1
100 200 300 'iOO 500 600f,МГи,
Зависимость коJффициента шу­
ма от частоты.
tt,o
24681012Uси,В
Завис11.\10Сть коэффициента шу­
ма от напряжения сток-исток.
869


Кур,4Б
20
2П350А, 2П350Б,
КП.J50А-КП3508
Кур,дБ
10
181---' - .+- -+ -- -+ --+- -t- --i
121---+--'"k---f--+--+-~
8,01--~--+--+---".......- - +- - -t
U31и=О
4,0 Uш1=88
о~.,,.......,,.~_.___,..__~--=-'
100 200 300 400 500 600 f, МГц
Зависимость коэффициента уси­
ления по мощности от частоты.
о,ов
0,07
2П350А, 2П.J50Б,
\КП350А -КП3508 ' --
-в­
В, О1---+ --+- -1- -- -4,,r. _- -1- -- -1
6,о1---+--+---,-.-+---1----1
Uз1и=О
Lf. , О i---1---. .__. U32и = 8 8
2, о 1---+- -i<.- 1-- -1Ic = 15 мА
О
f='ЮОМГц
24681012Uси,8
Зависимость коэффициента уси­
ления по мощности от напря­
жения сток-исток.
в,о
7,0
6,0
1
'
·'·
1
2ПJ50А,2П350Б,
-кП350А -KПJSOB- -
-в. О,06
i:::
;D,05
~
!\.
......
\."
.. .... ..... ....
<::... 5,0
.........
-
С.;, о,оц.
-
_U31и=Uз2и ТО,
f =t10 МГц
O,OJ
"'
"'
[J ц.,о
J,O
~
>-Uз1И=О,
Jз2и= В В,
ff10~Гц
46В10121'fUси,В Lf.68101214Uси,В
Зависимость проходной емкости
Зависимость выходной емкости
от нанряжения сток-исток.
о г напряжения сток-исток.
Разде.1 одинuадцатый
ТРАНЗИСТОРЫ МОЩНЫЕ
КП901А, КП901Б
Транзисторы кремниевые планарные полевые с изолированным
затвором и индуцированным каналом п-типа.
Предназначены для применения в усилительных и генератор­
ных каскадах в диапазоне коротких и ультракоротких длин волн.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими вывода­
ми. Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 6 r.
870
i"
<,·


Ф5
.: :t-
""'~
"°
"'
;':: '
$
~
$
$
10,в
Э.1ектр11ческие параметры
Выходная мощность в непрерывно:-.-1 режиме при Uc 11 =
= 50В,Uзи=О.f=100МГцнеменее:
КП901А .
КП901Б .
Ко-эффициснт усиления 110 чошности п1-и Иси = 50 В,
Изи=О,Рвых =1~0Втнеменее:
при /= 100 МГц КП901А .
приf=60 МГц КП901А .
Коэффициент полезного действия при Иси = 50 В,
Изи=О, Рвых=10 Вт,f=60 МГц КП901А не ме­
нее
Крутизна харак1еристики при Иси = 20 В. Ic = 500 мА не
менее:
при Т= 213 К:
КП901А .
КП901Б ..
при Т= 298 К:
КП901А .
КП901Б .
при Т= 373 К:
КП901А .
КП901Б ..
Начальный ток стока 11ри Uси = 20 В. Uзи = О не бш1ее:
при Т=213 К
нри Т=293 К .
при Т= 373 К.
Остаточ!IЫЙ ток стока при Lic и = S5 В. Сзи = 15 В не
более .
Ток стока при Uси=20 В, Изи=20 В КП90lА не
~1енее .
Е:v1кость за гвор-исток при Изи = - 30 В не 60:1ее .
Проходна~ емкость при Uси = 25 В, Liзи = - 15 В не
более.
Предельные эксп.'lуатац1101111ые да1111ые
Напряжение· затвор-исток
Напряжение сток-исток . .
Стон
3а..т8ор
Ист/Jн
,
10* Вт
6,7* Вт
7* дБ
10* дБ
35*
0
~
30 мА/В
40 мА/В
50 мА/В
60 !»1А/В
20 :v1A/B
30 :-.!А/В
500 мА
200 мА
400 мА
1,6 А
!00 пФ
10 пФ
30в
70в
871


Импульсное напряжение сток-исток при <п .:;:; 1 ~·Н: •
Напряжение затвор-сток
85в
85в
100 в
ИмнуJJьсное нанряжение затвор-сток при 1 11 . : ;:; 1 мс
Постоянный ток стока .
4А
Постошшая рассеиваемая мощность:
!ipH Т=213-с-298 к
при Т= 373 К.
Температура окружающей среды
20 В1
8Вт
От 213 ;щ
373 к
Пр им е чан и е. При Т = 298 -с- 373 К маI(Сl!ма.1ьно допустимая
пос 1 оянная рассеиваемая мощность спижается лrшейпо.
S,мА/В
150
120
90
60
30
-
1
1
/1
,_ __
--
-
-
v
........._
'
,,,,."- --~
...........
"/
/
Uси=208
1
1
КП901А, КП901Б
1
1
1
' ....
S,мА/8
1501--t-"'4:::;::;;~::t4
КП901А,КП901Б
1
о2ц6В10Uзи,В
о 0,2 О,ц 0,6 0,8 Ic,A
Зона возможных положений за­
висимости крутизны характери­
стики от напряжения затвор-
S,м
150
120
90
60
30
о
исток.
А/В ,,.--
--
,.._
,
...... ,_
,
.............
1
1
-
~
-.........
1
.............
1....~ -
~
·-
---...
/
1 КП901А, КП901Б
1
1
1
1
.
Ic
15oorA
1
10 20 30 цо 50Uси,В
Зона возможных по;южений ·ш­
висимости крутизны ха рак гери­
стики от напряжения сток-исток.
872
Зона возможных по.1ожений за­
висимости крутизны характери­
стики от тока стока.
Iс,мА КП901А, КП901Б
1000 Г----i---j--f-7---t--"'i:::;;oo-;
о2цБ81ОU3и,В
Зона возможных по.1ожений за­
висимости тока стока от напря­
жения затвор-исток.


r
18
15'
КП901А, КП901Б
',
/Jзи =-158
f = 10МГи,
12
12
10
в
2
'--
1
1
1
КП901А, КП901Б
,_
....
1
1
Uси=208
f=10МГи,
-- --
----
--
'---
о
510152025Uси,ВО
51015202'/Jв
Зона воз:-.южных по.1ожений за­
висимости проходной емкости
от напряжения сток-исток.
Сзи
100
во
60
цо
20
о,пФ
--
7
~- --
Г7
1
1
1
КП901А,КП901Б
f = 10МГц
~-- -- --
,__
--
'---
--- --
Зона возможных по"1ожений за­
висимости проходной емкости
от напряжения затвор-исток.
~t6
~ 1,ц
t:;
~ 1,2
@-
- :: ::,"ff. tO
"f::: о в
.._
)
~
ft06
:s;; ,
1
1
КП901А,
'-КП901Б
~
~/
/
",..
'--·
1;
/'
,/ ~-
Jv
с---
-·
--
~'-'оц
10 15 20 25 U3и,В ,193 233 273 313 353 ц73 Т,К
о
5
Зона возможных положений за­
висимости емкости затвор-исток
от напряжения затвор-исток.
Зона возможных положений за­
висимости относительного из­
менения пробивного напряжения
сток-истqк от температуры.
2П902А, 2П902Б, КП902А, КП902Б, КП902В
Транзисторы полевые кремниевые планарные с изолированным
затвором и каналом п-типа.
Предназначены для применения в приемно-передающих устрой­
ствах в диапазоне частот до 400 МГц.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы­
водами. Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 6 г.
28 Полупроводниковые приборы
873


Сток
10, 8
11
77
Электрические параметры
Минимальный коэффициент шума при Uси = 50 В,
lc=50 мА:
при/=250МГц:
2П902А, КП902А .
типовое значение .
КП902В не более
при/= 100 МГц 2П902А
типовое значение . . .
Коэффициент уси.1ения по мощности при Иси = 50 В,
lc=50мА,.f=250МГц..........
типовоезначение.............
приИси=50В, Изи=О,Р8,=0,3 Вт,/=400МГц
2П902А,2П902Б.............
типовоезначение.............
Максимальная отдаваемая мощность* при/= 60 МГц
КП902А, КП902Б, КП902В не менее . . . . .
при Иси=50 В, Изи=О, Р8,=0,3 Вт 2П902А,
2П902Б.........········
типовоезначение.............
Крутизна характеристики при Иси = 50 В, lc = 50 мА
не менее:
приТ=213 -:-298К2П902А,2П902Б. . . .
при Т = 228 -:- 298 К КП901А, КП902Б, КП902В
при Т = 358 К КП902А, КП902Б, КП902В . . .
приТ=398К2П902А.2П902Б......
Нача~1ьный ток стока при Иси = 50 В, Изи = О не
более:
при Т= 213 К 2П902А, 2П902Б .
.
.
.
.
при Т = 298 К 2П902А, 2П902Б .
.
.
.
.
при Т = 228 -:- 298 К КП902А, КП902Б, КП902В
при Т = 358 'К КП902А, КП902Б, КП902В
при Т= 398 К 2П902А, 2П902Б . . .
Ток утечки затвора при Иси = О, Изи = 30 В не
более:
КП902А, КП902Б, КП902В . . .
2П902А,2П902Б. . . . . . .
Остаточный ток стока при Иси = 60 В, Изи= 10 В
не более .
•
.
.
.
.
•
•
.
.
•
•
•,
874
3,4*- 6дБ
5,0* дБ
8дБ
4,3*- 4,9* дБ
4,6* дБ
8,0-12*дБ
11,О* дБ
2,3* - 6,0* дБ
4,6* дБ
0,8 Вт
0.8
-
1,8 Вт
1,2 Вт
10 мА/В
10 мА/В
8 мА/В
8 мА/В
15 мА
10 :-.1А
10 мА
15 мА
15 мА
3нА
3* нА
0,5 мА


Активная составляющая выходной проводимости* при
Uси=50В.lc=50мАнебо:Jее:
30 мкСм
КП902А, КП'102Б. КП902В .
2П902А. 2П902Б .
типовое зпа чение
12 - 190 мкСм
30 мкСм
ВхоJ.ная е:-.,1кость при Сiси = 25 В. U·Jи = О. fc =О
не бо.1се:
2П902А. 2П902Б .
КП902А, КП902Б. КП902В
Выходная счкость при Uc11 = 25 В. Сзи =О. lc =О
не 60.1ее:
2П902А. 2П902Б .
КП902А. КП902Б. КП902В .
Проходная ечкос1ь при Uси = 25 В. / = 1О ~1Гц,
Изи=О,!с =Оне60.1сс:
2П902А, 2П902Б .
КП902А. КП902Б
КП902В .
Преде.'lьные эксплуатац1юнныс да1шые
Напряжение 1а твор-исток .
Пос гоянное напряжение сток-исток
Постоянное напряжен не сток-исток прп U>И =О
Пиковое юшрs;жение сток-исток г.rи т" ~ 1 мс, Q ?- !СО
не бо.1ее .
Постоянны/~ ток стока:
при Т = 213 -: - 298 К 2П902А. :П902Б
при Т = 228 -:- 298 К КП902А. КП902Б. КП902В
при Т = 358 К КП902А. КП902Б. КП902Е
при Т = 398 К 2П902А. 2П902Б .
Постоянная рассепвас~1ая ~ющнос 1Ъ:
при Т = 213 -:- 298 К 2П902А. 2П90.~Б
пр!! Т = 228 -: - 298 К Кfi'I02A. КПЧ~!.Б. Юi902Е
при Т = 358 К КП902А. КП9Г>2Е, I01'JU213 .
ври Т = 398 К 2П90~А. 2П~·С2L
Температура О!(ружающей среiШ:
2П902А. 2П902Б .
КП902А. КП902Б. КП902В
28*
11 пФ
11 пФ
11 пФ
11пФ'
0.6 пФ
0.6 пФ
0,8 пФ
30в
50в
60в
70в
200 мА
200 мА
!~О мА
130 мА
3,5 Вт
3,5 Вт
2,5 Вт
!Вт
От 213 до
398 к
От 228 до
?,58 к
87~


60~~-~~-~-~~
217902А, 2179025
501---1 -- --1
40
~30
Uси =50 в
Ic = 50 мА -+--+---<
::.
(.()~ 2 о t---:;;t::-=-t-'""1--~:t::::--t-----i
101---+--+---+-~--l----i
О-~.,.-~-~~-~~
193233 273313 353393т,к
Зона во·зможных положений за­
висимое• и крупвны хар<~ктер11-
стию1 от тсмнературы.
35~~--~~~~~~
217902А, 2179025,
30
КП902А- К17902 В
~ 201-,ц..,~:i=:==1='-..J---+-----I
"'::. 15i-ч--+....,"+-'=o.f.,--l---4---I
СГ)
Iс,мА
250~-t---<>----+--___,..,>-----t--J
2001---t---t-r--~-."-l---+----I
~
15о 1---+ - -L -f-F --»4--
О510152025Uзи,В
Зона uо·>'-'ЮЖных nоложеннй за­
виси:vюсти тока стока от на­
пря;кеrшя ·1атвор-нсгок.
35
2П902А ,' 2П9 02 Б;
30 - КП902А-КП9028 -
25
/
,,,.
1
1
---r--
/
/~
20
_J __
/
--
/'
115
Ir: :,,50мА
,
1
1
(/)~
10
5
о 4080 120160200Ic,мА о 10 20 30 LfO 50Uси,в
Зопа воз:'1ожных положений за­
висимости крутизны характе­
ристики 01· тока стока.
30
25
20
ч:~
~15
::!
(/) 10
/
2П902А, 2П902Б,
КП902А-КП9028
-
-....
О 5 10 15 20 25U3111B
Зона воз:чожвых положений за­
висимости крутизпы характери­
стики от напряжения затвор-
исток.
876
Зона возможных по,1ожсний за­
впси"V!ости крутизны характери­
стики от напряжею1я сток-исгок.
Кур
2П902А, 2П902Б,
К П902А-КП902В
18
151---+- -+- - -+- -+- -t - -- -i
Ucи=SO В
121---t-+---<---+--+------i
Ic о:50мА
9l--+----\--+'l,.--i--+--t----1
6 !-----+~-~--+----+---<
3 1----f---~~-t---l'---I
О 200 1./00 600 800 1000 f,МГц
Зона возможных по;1ожений за­
вис:r:vюсти коJффициента уси~1е­
ния по мощности от частоты.


Czzю
пФ
КП902А-КП9028
5 10 15 го 25 30Uси,В
Зона возможных положений за­
висимости выходной емкости от
напряжения сток-исток.
10
71---_J_~J,.._L.h~r==~----J
L.Q Цl----1-A-.~~--l--+---i
<:'{
cL 11---l~д'----1----1--~~---1
~о
- 21-- -- -1-L-J.CJ____j
_
5 '------' -'--'-----' I с = 50 мА
f=Ч.ООМГц
-81---..L-....L..~J-..--'~-'----'
10 20 30 ч.о 50Uси,В
Зона возможных положений за­
висимости коэффициента усиле­
. ния
по мощности от напряжения
сток-исток.
">::
1'")
1,1
1,05
~ О,95
-:-.._
11
. .!:::_-!:::. 09
~'g}
~ t:l.
~ с:: О,85
<..) ~
2П902АI,
2П902Б
1
"'J/
'll
,/
"
::::; ::::. о 8
' 193 233 273 313 353 393 т,к
.
Зона возможных положений за­
висимости относительного про­
бивного напряжения сток-исток
от температуры.
L.Q
\ КП902~, 2П902А
1
8
1
~
\ f=250МГц
\
1
\ 10 =50мА
'
~ ..... "
-- --
6
ц~
...
......... _
....
2
--
f--
О 10 20 30 цо 50Uси,В,
Зона возможных положений за­
висимости коэффициента шума
от напряжения сток-исток.
16
"'{
-
-
~8
КП902А 1
:>,
:::.::
кпвогв,
1
2П902А,
о
1
2П902Б
1
10 го JO ч.о 50Uси,В
Зона возможных положений за­
висимости коэффициента усиле­
ния по мощности от напряжения
tJ..
16
1Ц
12
t::: 10
6
ц
5
сток-исток.
2П902А,:
l 12П902Б1
f=10 МГц, Ic =50мА
,___
+---
--
f--
~- --
... __
--
1015202530Uси,В
Зона возможных положений за­
висимости входной емкости от
напряжения сток-исток.
877


2П903А, 2П903Б, 2П903В, КП903А, КП903Б,
КП903В
Транзисторы по.1евые кремниевые :шитаксиа.1ьно-планарные с
затвором на основе р-11-перехода и каналом 11-типа.
Предназначены для применения в приемно-передающих и пере­
ключающих устройствах низкочастотного диапазона (до 30 МГц).
Выпускаю·1ся в металлокерамическом корпусе с гибкими вы­
водами. Обо:значснис типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не бо:1ее 6 г.
108
Электрические параметры
Электродвижущая си;~а шума на f = 100 кГц при
Иси=IО В, lc=IO мА:
КП903А, КП903Б, КП903В .
2П903А .
типовое значение
2П903Б не 60,1сс
2П903В не более
Выходная мощность* в схе.\1е резонансного уси:1и­
те.1я в режиме класса А на f = 30 МГц при
Ее=1ОВ,Изи=О.
.
типовое значение .
Коэффициент усиления по мощности* в схеме
резонансного уси.штеля в рсжи.\1е класса А на
f=30МГuнрн Иси=10В, Изи=О••
типовое значение .
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
Иси = 0,2 В, Изи= О нс более:
при Т= 213-:- 373 К КП903В
при Т= 213-:- 298 К 2П903В .
приТ=398К2П903В..
Крутизна характеристики при Иси = 1О В, Изи = О,
f=1-:-10 кГц, 't:и<10 мс, Q;;,10 не менее:
при Т= 213-:- 298 К:
2П903А, КП903А
2П903Б, КП903Б
2П903В, КП903В
878
0,5-5.О нB/vTh
о,5* -1,0 нВ/VтЦ
о. 7* нв;ffц
2.5 нв;ffц
4,6* нВ.1v1 Гц
90-600мВт
450 .\1Вт
7,6 - 16.0 дБ
11,0 дБ
10 Ом
10 Ом
18 Ом
85 мА/В
. 50 мА/В
60 мА/В


при Т= 373 К:
КП903А.
КП90ЗБ .
КП903В .
при Т= 398 К:
2П90ЗА
2П903Б .
2П903В .
Нача.'1ьный ток стока при Иси = 10 В, Изи =О
2П903А. КП903А не более . .
Ток утечки 3атвора при Иси =О, Изи= - 15 В
неболее....
Обратный ток перехода затвор-сток при Изе=
=-20Внебо.тее.
ОстаточныйтокстокаприИси= 5В,Изи= - 15В
2П903В, КП903В пе бо.1ее . .
Напряжение отсечки при Иси = 5 В, lc = 10 мкА
не более:
2П903А, КП903А
2П90ЗБ. КП90ЗБ
2П90ЗВ, КП903В
Емкость затвор-исток при Изи= - 15 В, !=
= 0,1710 МГц не бо.тее
Е~1кость затвор-сток при Изе= -20 В, !=
= 0,1710 МГц не более
Предельные экспдуатационные данные
Напряжение затвор-исток
Напряжение затвор-сток
Напряжение сток-исток
Постоянный ток стока .
ПрЯ:-.1ОЙ ток зю·вора . .
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Т=213-о-298 К
при Т = 373 К КП903А, КП90ЗБ, КШЮЗВ
прн Т = 398 К 2П903А, 2П90ЗБ, 2П903В
Температура структуры .
Температура окружающей среды:
2П903А, 2П903Б, 2П903В
КП903А, КП90ЗБ, КП903В
50 мА/В
30 мА/В
40 мА/В
50 мА/В
30 мА/В
40 мА/В
700 мА
0,1 мкА
1 мкА
50* нА
12в
6,5 в
10в
18 пФ
15 пФ
15в
20в
20в
0,7 А
15 мА
6Вт
2Вт
1,2 Вт
428 к
От 213 до
398 к
От 213 до
373 к
Пр нм е чан и е. При увеличении напряжения 'На затворе свыше
10 В Иси.моис определяется по фор:-,,;уле
Uси макс= Иси -- (IU~и/
-
1О).
879


~
160---/------
/
1
--
1 8 о 1-+-.~-..i.:::..__.J..----+--+------J
CJ)~
Uси =108
2001--'l--l+---l- ---J-- -l- -J
100 .....,_-+-__....,Г----~--!--t--J
'J
О 100 200 300 LI00500Ic,мA О -2
-4
- 5 -в -10 U,iи,B
Зона возможных по.1ожений за­
висимости крутизны характери­
стики от тока стока.
~'<(
::;
CJ)~
140
100
.....
80
.....
.....
60•~---'---'----'------'---+----J
40.____. _ _
_,___,__
_. __..._ __.
213 253 293 333 373 413 т,к
Зона возможных положений за­
висимости крутизны характери­
стики от температуры.
6
5
4
1\
\
2П90JА-
._zП903В,
КП903А-
'-КП90JВ
1\
\
' <!:
С!:)
Зона возможных ноложенпй за­
висимости тока стока от на11ря­
жевия затвор-исток.
2П903А-2П903В,
120
КП903А
~80
::.
CJ)~
40
'
'
'
о-2
-4
-6
-8
-10 Uзи,В
Зона возможных положений за­
висимости крутиз11ы характери­
стики от напряжения затвор-
исток.
600
500
"\
2П903А-
чоо ~гпвоJв
'
1\
\
~JOO
...
"'
~ 200
1\
'
.::t
100
'
о
213 253 293 333 373 413 т,к
Зависимость максимально до­
пустимой рассеиваемой мощно­
сти от температуры.
880
о
\
213 253 293 333 373 413 т,к
Зависимость максимально до­
пустимого тока стока от тем­
пературы.


1
f
.
.
.
, }f.
Iс,мА
1000
1
1
КП903А
1
800
600
1./ -00
200
о
~....
--...~
... .... ...
r-
-r -_
Uзи=О,
Ucи==1DB С--
--
-~
-
-- --
213 253 293 333 373 т,к
Зона воз'.-!ожных по.1ожений за­
висимости тока стока от тем­
пературы.
701
бО~~-+---~--+-~-+~--1
1\
50
КП903А - КП 9038,
2П903А-2П903В
- 9-с::;._ J./ .01-11>1,.----+ --+-- -+----i
"'
'->;; 301-*1.....+----1---+-----1
201---: ..>. ... ... ..~--+-~-+~--I
юL---1.::.::.~~--§-~-~-~-
о 10 20 30Uзи,В
Зона возможных положений за­
висимости емкости затвор-сток
от напряжения затвор-исток.
1,1
Зона возможных положений за­
висимости относительного на­
пряжения зацюр-исток от тем-
пературы.
102
Ic=10 мА,
-....
'
Uси =10 в
'
~10
1
~ 2П903А-
...
-
Q::J
2П903В,
\ 1,0
КП903А -
'3
1..LJ
.. ..
КП903В
--
Зона воз,ложных положений за­
висимости ЭДС шума от час­
тоты.
80
о
\
1
10
го 30 и3и,В
Зона возможных положений за­
висимости емкое rи затвор-исток
от папряжепия затвор-исток.
213 253 293 333 373 1./ -13 т,к
Зона возможных положений за­
висимости относительного на­
пряжения сток-исток от темпе-
ратуры.
881


КП904А, КП904Б
Транзисторы кремниевые планарные полевые с изолированным
затвором и инлунировапным канало;у~ п-типа.
Предназначены д.1я применения в усилительных. преобразова­
тельных и генераторных каска;щх в _диапазоне коротких и ультра­
коротких длин волн.
Выпускаются в мстал.1окера\111ческо~1 корпусе с жесткими вы­
водами. Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 45 г.
72 :i
Сток
Электркчесю~е пара'1етры
Выходная мощность* при Иси = 55 В, Изи = О,/= 60 МГц
не менее:
КП904А .
КП904Б .
Коэффициент полезного действия* при Иси = 55 В,
Изи=О, .f=60 МГu не менее .
типовое зна'1ение .
Коэффициент усиления по мошности* при Uси = 55 В,
Рвых ;:, 50 Вт, .Г = 60 МГц (в режиме класса В) не
менее.
типовое значение .
Крутизна характерис1 ик~1 при Иси = 20 В, !с = 1 А не
менее:
при Т=213 к
при Т=298 к
при Т=373к
Начальный ток стока при Иси = 20 В, Изи =0 не
более:
приТ= 213 К.
при Т= 298 К.
при т=373к
Остаточньrй гок стока при Uси = 100 В, Изи= -20 в
не более
882
50- 75Br
30-40Вт
49 - 53"~
51 ~~
11-14дБ
13 дБ
150 мА/В
250 мА/В
100 мА/В
500 мА
350 мА
500 мА
200 мА


f
r
f
i
·~
.
1
.
Ток стока при
КП904А ..
КП904Б . .
Иси=20 В, Изи=20 В не менее:
Емкость штвор-исток при разомкнутом выводе стока прц
5А
3А
Изи=30Внсболее.
300 пФ
Преде,'Iьные эксплуатационные данные
Напряжение затвор-исток .
Постоянное напряжение сток-исток .
Пиковое напряжение сток-исток при •и .;; 1 мс, Q ;;> 2.
Постоянное напряжение затвор-сток
Пиковое напряжение затвор-сток при •и .;; 1 мс,
Q;;;, 2
••••
30в
70в
100 в
90в
120 в
75в
Постоянная рассеиваемая мощность:
приТ=2137298К
при Т= 373 К.
Те.мпература окружающей среды
30 Вт
От 213 до
373 к
' t:i
600
500
'100
"- JOO
1
С/)~ 200
KП9D'IA 1
,
КП9О'IБ
1---~
-
-
'r'u='IOмкc
Ic=IA 1
Uси=20В- ' --
11
100
о
273 298 327 J48 373 398 т,к
1ависимосгь круппны характе­
ристики от теvrвературы .
КП90ЧА,
КП9О'IБ
Uси=20 В /
60
11
1
1
КП90ЧА,КП90ЧБ
11
11
Uси==70В
о
273 323 373 lf23 lf7'J т,к
Зависимость начального тока
стока от температуры.
600
500
a:i чоо
"1 300
С/) 200
Uзи=5В
100
о lf8121620U3и,В о 102030ЧО50Uси,В
Зона воз'v!ожных положений за­
висимости тока стока от на­
пряженпЯ затвор-исток.
Зависимость крутизны характе­
ристики от напряжения сток­
исток.
883


500
l.fOO
' t:i
""С
~
300
~
Cf) 200
100
о
КП90'/-А,
t-- . '-+- ->:t---t КП90'/-Б
Uси=208
1
1
6 12 18 2'1- 30 Uзи,8
Зона возможных положений за­
висимости крутизны характери­
стики от напряжения затвор-
200
100
50
~JO
~20
~10
""
6
c{t Lf.
3
2
''\
'
',
- ....
исток.
KП90Lf.A КП90Lf.Б
исй::о,2 в г---
\
'\.
..
""-
Зона возможных положений за­
висимости сопротив:1ения сток­
исток в открытом состояюш
от напряжения затвор-исток.
о1,53
Зона возможных положений за­
висимости крутизны характери­
стики от тока стока.
Кур fвых1Вт KП90Lf.A,KП90Lf.Б
20 50 +--+--1----1-----1--~
16 Lf.0 ...___..._......_.'--"..__.___,
12 30+-_. .. . L-2''1----+ --+- - -!
8 20-h"-++- -+
Lf. 10+--+--+--~--!----J
о .....____._...._ _... __ _ _ _. _
_. ___.
10 20 30 Lf.O 50 60 Uc14,B
Зависимости коэффициента уси­
ления по мощности и выходной
мощности от напряжения сток-
исток.
КП905А, КП905Б
Транзисторы кремниевые планарные полевые с изолированным
затвором и каналом 11-типа.
Предназначены для усиления и генерирования сш·налов в диапа­
зоне частот до 1500 МГц.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми
выводами. Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 3,0 r.
884


""
t-- ,.•
'1-
-е.
.
~
1
~г--if
-
"
"
77,5
20
15, 7
'Э.1ектрические пара~1етры
Выходная :vющность* при Иси = 50 В, И111 =О,
/= 1000 МГц КП905А .
Коэффициент усиления по :vющности при Иси = 50 В,
fc = 30 мА,/= 1000 МГц:
КП905А.
КП905Б ..
Коэффициент шума при Иси = 50 В, fc = 30 мА,
/= 1000 МГц не более:
КП905А.
КП905Б ..
Крутизна характеристики при Иси = 20 В, Ic = 50 мА.
Т=298К.
типовое значение .
ТокстокаприИси=20В,Uзи=20В:
КП905А.
КП905Б .
. Начальный
ток стока при Иси = 20 В, Uзи =О,
1
,
~
-
0,75
~'
1,0- 1,4 Вт
8,0-15*дБ
6,0-10*дБ
6,0* дБ
6.5 дБ
18 - 39* мА/В
29* мА/В
225- 350* мА
150-350* мА
Т=298К..
0,5*- 20мА
типовое значение .
4* мА
ОстаточныйтокстокаприUси=60В,Изи= - 1ОВ0,06*- 1,0мА
типовое значение .
ЕУ!кость входная при Uси = 25 В, Uзи =О, f =
= 10 I'.1Ги:
КП905А.
типовое значение.
КП905Б не бо.-~ее
Е'.1кость r1роходная при Uси = 25 В, Uзи =О, I=
= JOМГп..
типовое значение
Емкость выходная при Иси = 25 В, Uзи = - 5 В,
/=10 МГц .
типовое значение
0,1* мА
3,0-7,0пФ
5,0* пФ
11,0 пФ
0,14*- 0,6 пФ
0,25* пф
1,4* - 4,0* пФ
2,0* пФ
885


Предельиые эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток-исток
Постоянное напряжение затвор-сток
Напряжение затвор-исток .
60в
70в
±30в
Постоянная рассеиваемая мощность при Т = 213 -о- 298 К
4Вт
Тепловое сопротивление* кристал:1-корпус
. 1О- ]5К/Вт
Температура окружающей среды •
От 213 до
373 к
П р 1:1 м е ч а-н и я_ 1. Максимально допустимая постоянная рассеи­
ваемая мощность, Вт, при Т, = 298 -о- 373 К рассчитывается по
фор:"1уле
Рмакс = 4[1,05 - (Тк
-: 298) / 398).
2. М1~нимальное расстояние места пайки выводов от корпуса 3 мм_
В момент пайки все выводы должны быть закорочены. Жало
паяльника до.1жно быть заземлено. Запрещается формовка выводов
и вращение их вокруг оси. При установке транзистора на тепло­
отвод чисгота контактной поверхности теплоотвода должна быть
не менее 2,5; неплоскостность контактной поверхности - не более
0,03 мм.
При работе с транзисторами необходимо принимать меры за­
щиты от воз 11ейс гвня стап1чсского электричес гва 11 учшътать воз­
можность их самовозбуждения как высокочастотных элем:::нтов.
Завис11мосги тока п о,·ш от на­
пряжения затвср-ш;!-L'JС
Зависн:vrос 1ъ
сопротилле!--IПЯ
сток-исток в открытс.м состоя-
111111 от гока стока.


rti!..
~
~1,
60
50
КП905А,КП905Б
Lf.O
~"'(
~
CJ)~
10
о 510152025Uзи1В
Зависимости круrизны характе­
ристики от напряжения затвор-
исток.
12 ~~--.---...---т----,г---.
10 1----1- -. . +- --+
LQ
'!в
rff
"""-'j
6 1---+-+--+--.A"..---1----i
~ ц L-=±==t::~L-1---1----J
21----1---+--+---+--+-----i
о ..._ __. .. _. .. .. .. __. .. ,. . . __....,...,,......,,.....,
0,5
1,0
1,5 f, ГГц
Зависимости коэффициента шу­
ма и коэффициента усиления
по мощности в режиме малого
сигнала от частоты.
Рв.,"вт Кур,дБ
1, 6 -2 , 5 r----+--+---,~--+--i
1,Lf.
- 2 ,0 ~-+-4-'+--,,,,.'""""-!----i 20
1,2 1,5
15
1,0 1,0
10
о'8 о,5+..' - -1--+-- --+-' --IC ----t 5
Uзи=О
2030 цо 50 60 70Uси,В
Зависимости выходной мощно­
сти, коэффициента усиления по
мощности и коэффициента по­
лезного действия в режиме боль­
шого сигнала от напряжения
сток-исток.
LQ
't
~
.,J
50....----..---.-__,..--~~
КП905А, КП905
50t----t--t----+-- -1f---+- --I
О 50 100 150200250lc1мА
Зависимости крутизны характе­
ристики от тока стока.
12
10
К П905А, КП905Б
8
6
21---t--f---+--f---+---I
о10:::--=-=---=t=--~--='=-....,..,,.....,......
Зависимости коэффициента шу­
ма и коэффициента усиления
по мощности в режиме малого
сигнала от напряжения сток-
исток.
Ре."' Вт КП905А ,
11 6 >----+--1-К П905 Б -;-- --i
1,ц 1--i--'--+--+--+~
1, 2 t--J--t--+--i-=..+~
~Ot---t--to,._+---1--+---i
О,8 1----1 ..,,_ _ --1 -
150 200 250 300 350 Ic ,мА
Зависимость выходной мощно­
сти от тока стока, измеренного
приИси=20В,Изи=20В.
887


КП907А, КП907Б
Транзисторы кремниевые планарные полевые с изолированным
затвором и каналом п-типа.
Предназначены для усиления и генерирования сигналов на
частотах до 1500 МГц, а также для применения в быстродей­
ствующщ. переключающих устройствах наносекундного диапазона.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми
выводами. Обозцачение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 3,0 г.
26
77, 5
20
15. 7
Электрические параметры
Выходная мощность при Иси = 40 В,
f =!ООО МГц, Рвх = 2,0 Вт:
КП907А •
типовое значение
КП907Б
типовое значение
приf=400МГц, Рвх=3,0Вт:
КП907А, типовое значение .
КП907Б не менее .
Изи= О: при
.
4.0 - 6,0* Вт
5.0* Вт
3,0*-
4,0* Вт
3,5* Вт
10* Вт
7,0 Вт
Время включения и выключения при Иси = 30 В,
Rи=10 Ом не более
2,0* нс
Крутизна характеристики при Иси = 20 В, Ic = 500 мА,
Т=298 К •
типовое значение
ТокстокаприИси=20В, Изи=20В:
КП907А
888
110-
200* мА/В
185* мА/В
1700-
2700* мА


типовое значение .
КП907Б
типовое значение .
Начальный ток стока при Иси = 20 В, Изи= О. Т =
= 298к.
типовое значение
2200* мА
1300-
1700* мА
1550* мА
'
20*-
100 мА
50* мА
Остаточный ток стока при Иси = 60 В, Изи= - 10
типовое значение
В О,6*-10 мА
1,0* мА
Емкость проходная при Иси = 25 В, Изи= - 10 В,
/=lОМГц.
типовое значение
.Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток-исток
Постоянное напряжение затвор-сток
Напряжение затвор-исток .
Постоянная рассеиваемая мощность при Т ~ 213 -; . 298 К
Температура окружающей среды .
О,8*-
3,0 пФ
1,5* пФ
60в
70в
±30в
11,5 Вт
От 213 до
373 к
П р им е чан и я: 1. Максимально ;:юпустимая постоянная рассеи­
ваемая мощность, Вт, при т. = 298 -о- '373 К рассчитывается по формуле
Рмакс = 10(1,15 - (Тк
-
298)/398].
2. Минимальное расстояние места пайки выводов от корпуса
3 мм. В момент пайки все выводы должны быть закорочены.
Жало паяльника должно бьгrь заземлено.
Запрещается формовка выводов и вращение их вокруг оси.
При установке транзистора на теплоотвод чистота контактной по­
верхности теплоотвода должна быть не менее 2,5, неплоскост­
ность контактной поверхности - не более 0,03 мм.
При работе с транзисторами необходимо принимать меры за­
щиты от воздействия статического электричества и учитывать воз­
можность их самовозбуждения как высокочастотных эле·ментов.


Ic,A
2,5
КП907А) КП907Б РвошВт КП907А, КП907Б
2,0
1,5
1,0
0,5
1
1/
/
/ ---
/
Uси=20 в
о 510152025U3",B
Зависимость тока стока от на­
пряжения затвор-исток.
220
200
180
~
11so
С1)~ 140
120
100
1
1
1
КП907А, КП907Б
1
Uзи'=4В ~
-
/
v
/
v
v
О5101520Иси,в
Зависимость крутизны характе­
ристики от напряжения сток­
исток.
17,%
КП907А
50
8
цо
6 t---t--+-=;--~:::--t--t30
ц
20
2
10
Зависимости выходной мощно­
сти, коэффициента усиления по
мощности и коэффициента по­
лезного действия от напряжения
сток-исток.
890
o:::i
10t----+--+---i--t--t---I
Uси=40 в, f:o1 ГГц
8
f'вх =2 Вт
6 t----+--+--~-Jl~-+---1
ц t----r--r..--г---t--t----1
2 t----+--+----Г---t--+----1
О,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 lc ,А
Зависимость выходной мощно­
сти от тока стока, измеренного
приИси=20В, Изи=20В~
300
250
200
кпs'о1А) кп~О7Б
Uси'=20 В
~
~ 150
::!;
/
1
~
\.
(/)~ 100
\
50
' ......
О 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 Ic,A
Зависимость крутизны характе­
ристики от тока стока.
8
',J;,.-"""+-7"F---+~40
6t---+-~F--+---=;r--t---t30
ц
20
2
10
20 25
Зависимости выходной мощно­
сти, коэффициента усиления по
мощности и коэффициента по­
лезного действия от напряжения
сток-исток.


1
i.
Р1m 1 Вт Кур,дБ КП907А
71 'о/о
107
8
6
ц.
Зависимости выхолной мошно­
сти, коэффициента усиления по
мощности и коэффициента по­
лезного действия от входной
мошности.
50
i/-0
30
20
10
f>вь"' Вт
71, о/о
12
80
10
70
8
60
6
50
ц.
'1-0
0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 J,O Ic ,А
Зависимости выходной мощно­
сп1 и коэффициента полезного
действия от тока стока, измерен­
ного при Иси=20 В, Изи=
= 20в.
Раздел две11а·дцатый
ТРАНЗИСТОРЫ СДВОЕННЫЕ
f КПС104А, КПС104Б, КПС104В, КПС104Г,
:I
КПС104Д, КПС104Е
Транзисторы кремниевые эпитаксиа.1ьно-пла11арные ионно-ле­
гированные полевые с затвором на основе р-11-пеrехода и каналом
п-типа сдвоенные.
Предназначены для применения во входных каскадах дифферен­
циальных ма,1ошумящих усилителей низкой частоты и постоянного
тока с высоким входным сопротивлением.
Выпускаются в метшиостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа прrшолится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не бо,1ее 2 г.
Место
маркиро§кц
20
6,5"
891


Э.1ектрнческне параметры
Шумовое напряжение 11ри f = 0,1-:- 10 Гц, Иси = 10 В,
R, = 30 кОм не бо~1ее:
КПС104А при 2/с = 0,18 мА .....
КПС104Б при 2/с = 0,18 мА и КПС104Г при
2/с=1,5мА.....
.
.
.
.
КПС104В при 2/с = 0,5 мА и КПС104Д при
2/c=l,5 мА ....
Крутизна характеристики при Иси = 1О В, Изи = О.
Т= 298 К:
КПС104А, КПС104Б не менее .
типовое значение .
КПС104В, КПС104Е не менее
типовое значение . . . . .
КПС104Г, КПС104Д не менее .
тивовое значение . . . . .
Разность напряжений затвор-исток при Иси = 10 В,
Т= 29R К не более:
КПС104А, КПС104Б при 2Ic = 0,18 мА ....
КПС104В при 2/с = 0,5 мА и КПС104Г,
КПС104Д при 2/с = 1,5 мА
КПС104Е ·при 2lc = 0,5 мА . .
н1повое значение. . . . . . .
.
.
.
.
.
Температурный уход разности напряжений затвор-ис-
токприИси=10Внеболее:
КПС104А при 2/с = 0,18 мА ....
КПС104Б при 2lc = 0,18 мА, КПС104В при
2lc=0,5 мА и КПС104Д при 2/с=1,5 мА
КПС104Г при 2/с = 1,5 мА .
КПС104Е при 2lc = 0,5 мА .
Отношение начальных токов стока при Иси = 10 В,
Изи = О не менее:
приТ=298К......
приТ=233КиТ=358К
Отношение напряженной отсечки при Иси = 1О В,
lc = 10 мкА не менее:
приТ=298К......
•...
·
приТ=233КиТ=358К.....
Начальный ток стока при Иси = 10 В, Изи= О:
КПС104А, КПС104Б
типовое значение
КПС104В ....
типово!) значение .
КПС104Г, КПС104Д. КПС104Е
типовое значение . . . . .
Напряжение отсечки при Иси = 10 В, lc = 10 мкА:
892
КПС104А, КПС104Б
типовое значение .
КПС104В, КПС104Е
типовое значение .
0,4 мкВ
1.0 мкВ
5,0 мкВ
0.35 мА/В
0.8* мА/В
0,65 мЛ/В
1,0* '!.1А/В
1,0 мА/В
1,7* ).1А/В
30 мВ
50 мВ
20 мВ
10* мВ
50 мкВ/К
150 мкВ/К
100 мкВ/К
20 мкВ/К
0,9
0,85
0,9
0,85
0,1-0,8 мА
0,5* мА
0,35- 1,5 мА
0,8* мА
1,1 -3,0 мА
2,0* мА
0,2-1,0в
0,6* в
0,4-2,0в
1,0* в


,f
J'1
1·~';,,
КПС104Г, КПС!О4Д . . .
типовое значение • • •
.
Ток утечки затвора при Иси =О, Изи= - 10 В не бо­
лее:
приТ=298К
КПС104А, КПС104Б, КПС104Е
КПС104В, КПС104Г, КПС104Д
при Т= 358 К:
КПС104А, КПС104Б, КПС104Е
КПС104В, КПСIО4Г, КПС104Г .
Емкость входная при Иси = 10 В, Изи = О не 60;1ее
Емкость проходная при Иси = 10 В, Изи= О не
более
Предельные эксю1уатационные данные
Напряжение сток-исток .
Напряжение затвор-сток . . . .
•
.
·
.
Напряжение затвор-исток (отрицательное) .
Напряжение затвор-исток (положительное)
Прямой ток затвора при закороченных выводах сток-
.
исток............
.
.
.
.
.
Постоянная рассеиваемая мощность для каждого из
пары транзисторов:
приТ=233-;-298К...
приТ=358К.....
Температура окружающей среды
1,0-3,0в
1,5* в
0,3 нА
1,0 нА
0,15 мкА
0,5 мкА
4,5 пФ
1,5 пФ
25в
30в
-
30в
0,5 в
0,5 мА
45 мВт
25 мВт
От 233 .до
358 к
2,'1
2//...--т---.--~~---
2,0
~
1,6
'q; 1,2
~
(/)~
0,8
О,'1-
о
Зависимости крутизны характе­
ристики от напряжения затвор­
исток.
Q:;) 1} 6 t---++-+:.""'f
"-
1 1, 2 t--:l'-+.~-+--1-----+~-+---I
(/) 0,8
0/1
О О,'1- 0,8 1,2 1,6 2,0 Ic ,мА
Зависимости крутизны характе­
ристики от тока стока.
893


3, о..--~-~-~~-...,.-----.
Uси=10В,Uзи=о
2,5
КПС10LIГ, КПС10LIД
Q:J 2, 0 1----...-+--d-----+кпс юц в~
"-
КПС101./Е
'§ 1, 5 t----+ -"'- .t- -,,"" -f"'-o;;:-t -- -r -·-i
(J)~ 1 о t---f'.. . .. .± --+ """""";;:J---j --- -j
'
0,5
О-~-~-~~-~~
233273313353393т,к
Зависимости крути·шы характе­
ристики от 1·ем11ературы.
s~~-...,.--~~-~~
КПС10'1-Б-
1./ 1---+-~кпс 104д ___ , ., . . ._ -1
2
Uси = 10 в__,-+--+---1
1
253 273 293
~о
::;'
l---+ - -+- - -,V-f=+--+ - - - -1
1
. ;: -2 h...1"::::.. __ :'k -+t--+ -1 --1
::;'
-1/-!---+--+--
Зависимости разности напряже­
ний затвор-исток, приведенной
к значению при Т= 303 К, от
1ем пера туры.
2ПС202А-2, 2ПС202Б-2, 2ПС202В-2, 2ПС202Г-2,
2П202Д-1, 2П202Е-1, КПС202А-2, КПС202Б-2,
КПС202В-2, КПС202Г-2, КП202Д-1, КП202Е-1
Тран:шсторы кремниевые эпитаксиа;1ьно-планарные ионно-леги­
рованные по~"Iсвые с затвором на основе р-п-перехода и каналом
п-пша сдвоенные и одинарные.
Предназначены для прюленения в герметизированной аппара­
туре во входных каска/щх усилителей и дифференциальных уси­
лителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным
сопротивлением.
Бескорпусные с гибки~ш выводами и защитным покрытием
сдвоенные на кристаллодсржа теле, одинарные бе·~ криста..1лодержа-
Вариант 1
!Japu.alfm 2
2
С'rпокf
rzСток
n ~Исток
Ll'зamffop
894


тел я. Сдвоенные (вариант 1) и одинарные (вариант 2) транзисторы
упаковываются в сопроводительную тару, позволяющую без извле­
чения из нее произво;:щть измерение электрических параметров
транзисторов. Сдвоенные транзисторы выпускаются также без крис­
таллодержателя в виде двух одинаковых транзисторов, подобранных
по основным э.'!ектрическим параметрам и упакованных в сопро­
водите.'!ьную тару. Обозначение типа приводится на сопроводитель­
ной таре.
Масса сдвоенного транзистора не более 0,5 г, одиночного 0,2 г.
Электрические параметры
Максимальная рабочая частота* 2ПС202А-2, 2ПС202Б-2,
2ПС202В-2, 2ПС202Г-2, 2П202Д-1, 2П202Е-1 . .
30 МГц
Э.'Iектродвижущая сида шума Иси = 10 В, Изи= О,
f = 1 кГц не более 2ПС202А-2, 2ПС202Б-2, 2ПС202В-2 20 нВ;vfЦ
Крутизна характеристики при Иси = 10 В, Изи= О не
менее:
при Т= 298 К:
0,5 мА/В
КПС202А-2, КПС202Б-2
2ПС202А-2, 2ПС202Б-2,
КП202Д-1
2П202Д-1, КПС202В-2,
0,65 мА/В
2ПС202В-2, 2ПС202Г-2,
КПС202Е-1 ....
2П202Е-1, КПС202Г-2,
1,0 мА/В
при Т= 213 К (в составе условной
2ПС202А-2, 2ПС202Б-2, 2П202Д-1
2ПС202В-2, 2ПС202Г-2, 2П202Е-1 .
при Т= 398 К (в составе условной
2ПС202А-2, 2ПС202Б-2, 2П202Д-1 .
2ПС202В-2. 2ПС202Г-2, 2П202Е-1
микросхемы):
0,65 мА/В
1,0 мА/В
микросхемы):
0,3 мА/В
0,5 мА/В
Разность напряжений затвор-исток .при Иси = 10 В не
более:
при Т= 298 К:
2ПС202А-2. 2ПС202Б-2 при 2 lc = 0,5 мА и
2ПС202В-2, 2ПС202Г-2, КПС202В-2, КПС202Г-2
при2lc=1,5:-..iA•••
•
•
•
•
•
КПС202А-2, КПС202Б-2 при 2 lc = 0,5 мА . . .
при Т = 398 К (в составе условной микросхемы)
2ПС202А-2, 2ПС202Б-2 при 2 lc = 0,5 мА и
2ПС202В-2. 2ПС202Г-2 при 2 lc = 1,5 мА .
Температурный уход разности напряжений затвор­
исток при Ис11 = 10 В:
2ПС202А-2 при 2 Ic = 0,5 мА не бо.'!ее
тип()вое значение .
2ПС202В-2 при 2 !с = 1,5 мА не бо.'!ее
типовое значение .
2ПС202Б-2 при 2 lc = 0,5 мА и 2ПС202Г-2
при 2 lc~1,5 мА пе более
типовое значение
30 мВ
10 мВ
60 мВ
50 мкВ/К
15* мкВ/К
100 мкВ/К
50* мкВ/К
150 мкВ/К
80* мкВ/К
895


Начальный ток стока прu Иси = 10 В, Изи= О:
2ПС202А-2..........
типовоезначение.......
2ПС202Б-2, 2П202Д-1, КПС202А-2, КПС202Б-2,
КПС202В-2,КП202Д-1..........
типовоезначение............
2ПС202В-2, 2ПС202Г-2, 2П202Е-1. КПС202Г-2,
КП202Е-1........
типовое значение . . . . .
Напряжение отсечки при Иси = 10 В, °Ic = lU мкА:
2ПС202А-2 ....
типовое значение .
2ПС202Б-2, 2П202Д-1, КПС202А-2, КПС202Б-2,
КПС202В-2,КП202Д-1..........
типовоезначение............
2ПС202В-2, 2ПС202Г-2, 2П202Е-1, КПС202Г-2,
КП202Е-1 . . .
.
.
.
.
.
...
типовое значение
Ток утечки затвора при Иси =О, Изи = - 10 В
не более:
при Т= 298 К:
2ПС202А-2, 2ПС202Б-2, 2ПС202В-2, 2ПС202Г-2,
2П202Д-1,2П202Е-1..........
КПС202А-2,КПС202Б-2.........
КПС202В-2, КПС202Г-2, КП202Д-1, КП202Е-1
при Т= 398 К:
2ПС202А-2, 2ПС202Б-2, 2ПС202В-2, 2ПС202Г-2,
2П202Д-1,2П202Е-1.......
Емкость входная при Иси = 10 В, Изи= U не бо-
лее
типовое значение . . . .
Емкость проходная при Иси = 10 В, Изи= О не
более....
типовое значение .· . . .
•
•
•
•
Предельные эксплуатационные даиные
Напряжение сток-исток .
0,35 - 0,8 мА
0,65* мА
0,35- 1 ,5 мА
0,95* мА
1,1-3,0мА
1,9* мА
0,4-1,ОВ
0,6* в
0,4- 2,0 в
1,1* в
1,0-3,0в
1,8* в
0,3 нА
0,6 нА
1,0 нА
300 нА
6пФ
3* пФ
2пФ
1* пФ
Напряжение затвор-сток . . . . . . . .
Напряжение затвор-исток . .
•
.
.
.
.
.
Постоянная рассеиваемая мощность (в составе условной
15в
20в
0,5 в
микросхемы) каждого из пары транзисторов:
896
2ПС202А-2, 2ПС202Б-2, 2ПС202В-2, 2ПС202Г-2:
при Т=213+328 К
при Т=398 К ..
2П202Д-1, 2П202Е-1:
при Т=213+328 К
при Т=398 К ..
КПС202А-2, КПС202Б-2, КПС202В-2, КПС202Г-2,
приТ=233+343К•
.
.
,
.
.
.
.
•
•
•
30 мВт
7 мВт
60 мВт
14 мВт
60 мВт


КП202Д-1. КП202Е-1 при Т= 233 -о- 358 К .
60 мВт
Температура окружающей среды:
2ПС202А-2, 2ПС202Б-2, 2ПС202В-2, 2ПС202Г-2,
2П202Д-1. 2П202Е-1 .
От 213 до
398 к
КПС202А-2, КПС202Б-2, КПС202В-2, КПС202Г-2 От 233 до
343 к
КП202Д-1, КП202Е-1 .
От 233 до
358 к
Пр им е чан и е. При монтаже транзисторов в гибридную микро­
схе:-.1у не допускается использование материалов, вступающих в
хи:-..~ическое и э:тектрохимическое взаимодействие с защитны:.1 покры­
тием, а также до.1жны быть приняты меры, исключающие воз­
можность соприкосновения выводов с кристаллом (~щнимальное
расстояние от места изгиба выводов до кристал.1а 1 мм. радиус
закругления не менее 0,5 :-.1м).
Тепловое сопротивление кристалл-корпус при монтаже в гибридную
микросхему сдвоенного тран·шстора должно быть не более 3 К/:-.1Вт,
одиночного - не бо,1ее 1,5 К/мВт.
При пайке (сварке) выводов (на расстоянии не менее 1 мм)
и при за.1ивке транзисторов компаундами нагрев кристалла нс
до.1жен превышать Т = 398 К.
При извлечении транзисторов пз сопроводите.1ьной тары (после
о~;соединения выводов от тары) и при монтаже транзисторов в
микросхему должны применяться приспособления, не вызывающие
повреждения кристал,1а и er о защитного покрытия.
ct;) 1, 6
'-...
11,2
(')~
0,8
о,ц
О -0/1-О,8 -1,2-1,6 -2,0 U3и,В
Зависимость крутизны характс­
ристи!\И от напряжения >атвор­
нсток.
~О.----т-~.----..-~.--~~
251----+-~l---+-~~--l---J
~20
1
~ 15 Ь...""'+=----1---1----1--1---.-<
'Щ_ 1ol=~~~~::t::::t::J
1...}
51----.--+--+--+---l---I
о -о,1-о,2-о,~-о,ц-о,5и3и,в
Зав1к1Рлость ЭДС шума от на­
пряжения затвор-исток.
897


J,O
2пс202в-2,2пс202г-2,
2П202Е-1, КПС202В-2)
КПС202Г-2, КП202Е-1 ~
ц, о г--г-.--.---т--т--..---.
Uси=10 В
3, о t---+--+--t--+--+--h..-1
l--4-~-"---2+п-с-2+02_в__+2-,-+~ ~ 2,o1---+---1f---+---l-~,L.-I--~
~ 2,0 t--+~-+---""<-12П202Д-1,
~1, О 1---+---1~---1----1.....,,с..--1---4.-----1
<>::
КПС2028-2 ::::.
~
П202Д-1 l:i" О 1---+----+-=...,..""=F=-~..J._--I
(/)~
::::.""
т,к
1' О 1--2+П-С2-0+2-:4--"2"",.. , .. .- -f" "'c+ -+ --1
-1,О
2ПС202Б-2 -
-2пс202в-2
КПС202А-2'-+---Р"""-!.,_..j -2,0 '- - - - -' -' '- -- '- -2 П С 2 02 Г - 2
Uси=10 в, Uзи=О
О.._1......93-23..._3 _2.,..73-31.._3 _35.._J_T.._,~К
- 3,ОL..L..--'--'---'-----'--'---'--'
Зависимость крутизны характе­
ристики о r температуры.
Зависимость разности напряже­
ния затвор-исток, приведенной
к значению при Т= 303 К, от
температуры.
КПС315А, КПС315Б
Транзисторы кремниевые эпитаксш1Льно-планарные полевые с
затвором на основе р-п перехода каналом п-типа сдвоенные.
Предназначены для пр11менения во входных каскадах дифферен­
циальных усилителей низкой частоты и 1юсгояююго тока с высоким
входным сопротив~•ением.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выво,1ами.
Обозначение типа приводится на боIСовой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 1,5 г.
20
с
Э.1ектрическис параметры
Максимальная рабочая частота
60 МГц
Крутизна характеристики при Uси = 5 В, Uзи = О
КПС315А нс менее .
•
2,8 мА/В
898


КПС315Б
.
1- 5 мА/В
Разность напряжений затвор-исток при Иси = 5 В, Ic =
= 0.3 мА не бо"<ее:
приТ=298 К
приТ=373К.
при Т=213 К .
Те'\1пературный уход разности напряжений затвор-исток
приИси=5В,fc=0,3мАнеболее.
Начальный ток стока при Иси = 10 В, Изи =О .
Напряжение 01сечки при Иси = 5 В, /с= 10 мкА:
КПСЗ15А
КПС315Б
Ток утечки затвора при Иси = О. Изи = - 5 В не более:
приТ=298К
КПС315А
КПС315Б
при Т= 373 К КПС315А, КПС315Б
Отношение начальных токов стока при Иси = 10 В,
30 мВ
32,25 мВ
32,55 мВ
30 мкВ/К
1-20мА
1,0- 5,0 в
0,4- 2,0 в
0,25 нА
1,0 нА
100 нА
Изи=Оне менее
.
0,9
Отношение значений крутизны характеристики при Uси =
=10В,Изи=Онеменее.
0,9
Емкость входная при Иси = 10 В, Изи= О не бо-
лее
8пФ
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток-исток .
Напряжение затвор-сток ..
Напряжение затвор-исток
Напряжение сток-полложка при напряжении затвор­
цодложка, равном нулю
25в
30в
30в
30в
Прямой ток затвора каждого транзи~ ropa .
\мА
Постоянная рассеиваемая :v~ошносгь обоих транзисторов
приТ=213+298К.
300 мВт
Те:-.н~ерагура окружаюшей среды .
От 213 до
373 к
Пр им сч ан и е. При Т = 298 + 373 К максимально допустимая
постоянная рассеиваемая :v~ошность, мВт, рассчитывается по формуле
Рмакс= 300 - 2,6(Т- 298).
899


,'{ПС315А,
2, 5 t---*--+кпс315Б -+ -- -1
o::i 2,О
Uси/108,__-+---1
~
Uипа=О
::
115
1-О,58
"" 1,0 г--+Т--+-----1~Uип=-7,08
о,5i-+-+-...,._--f--+.......-+---1
Зависимость крутизны характе­
ристики от напряжения затвор­
исток.
3, о ,_.....,,.......,.---.----.----.--г---.
КПС.!15А,
,_.._--+-.,._._--+кПС315 Б
(!:) 2,о1----+---+---+---t---+---<
"<>::
~
~
<') 1,о1---+--+---t----f..--t------f
Зависимость крутизны характе­
ристики от напряжения исток­
подложка.
КПС.!15А,
КПСJ15Б
о
-0 ,5
- 1,0 и3и=Uип~В о -o,s-1,o-1,s-2,o-2,sи3и,B
Зависимость крутизны характе­
ристики от напряжения затвор­
исток.
Зависимость отношения тока
стока к крутизне характеристики
от напряжения затвор-исток.
900
Зависимость выходной проводи­
мости от напряжения затвор­
исток.
15,О
<>:: 10,0
::;;
"
~.:j 5,0
Зона изменения зависимости ~а­
чального тока стока от кру­
тизны характеристики.


АЛФАВИТНО-ЦИФРОВОЙ УКАЗАТЕЛЬ
. ТРАНЗИСТОРОВ, ПОМЕЩЕННЫХ В СПРАВОЧНИКЕ
Тип прибора
С1р.
Тнп np11Uopa
Стр.
Тнп пrн~бора
Crp.
1НТ251
770
2П903
878
2Т606
671
IТ101
106
2ПС202
894
2Т607
675
IТ102
106
2Т117
123
2Т608
233
IТI 16
121
2Т118
125
2Т610
678
J
ITЗOS
243
2Т118-1
128
2Т625
575
IТ308
247
2Т201
51
2Т629
578
IТ311
313
2Т202
135
2Т704
459
IT313
416
2Т203
137
2Т803
466
IT320
254
2Т205
54
2Т808
473
!Т321
258
2Т208
141
2Т809
476
IТ329
330
2Т301
166
2Т824
493
1ТЗ30
333
2Т306
307
2Т825
565
IТ335
425
2Т307
310
2Т903
584
IТ341
341
2Т312
168
2Т904
689
IТ362
348
2Т316
318
2Т907
694
П374
363
2Т317
178
2Т908
587
IT376
442
2Т318
321
2Т909
698
!Т383
368
2Т324
325
2Т911
703
1Т386
445
2Т325
327
2Т912
591
IТ337
375
2Т326
420
2Т913
707
:f
IТ3110
994
2Т331
336
2Т914
767
IТ403
154
2Т332
338
2Т917
594
f
IТ612
405
2Т333
181
2Т919
718
IТ614
407
2Т336
184
2Т920
596
'~
IТ702
534
2Т348
193
2Т921
602
:1
IТ806
541
2Т354
344
2Т922
605
IТ813
547
2Т355
347
2Т925
726
IT901
657
2Т360
435
2Т928
618
IT905
658
2Т363
437
2ТМ103
48
1Т906
662
2Т364
277
2ТМ104
112
IТ910
665
2Т366
350
2ТС393
793
1
· ITM115
119
2Т368
354
2ТС613
782
ITM305
243
2Т370
440
2ТС622
808
IТС609
804
2Т371
357
ГТ108
115
2П101
812
2Т372
360
ГТ109
117
2П103
814
2Т381
773
ГТ115
118
2П201
821
2Т382
365
ГТ122
49
2П301
825
2Т384
370
ГТ124
132
2П302
828
2Т385.
2!0
ГТ125
. 133
2П303
833
2Т388
283
ГТ305
243
2П304
838
2Т389
286
ГТ308
247
2П305
841
2Т392
447
ГТ309
250
2П305-2
844
2Т396
383
ГТ31О
252
2П306
846
2Т397
Зоб
ГТ311
313
2ПЗ07
849
2Т3115
397
ГТ313
' {16
2П313
R63
2Т3120
402
ГТ3:Ю
254
2П350
~(,6
2Тб02
222
ГТ321
258
2П902
Н73
2Тб03
226
ГТ322
262
901


Продо.1ж'1'1tuе
T11n прнбора
Сгр.
Т11П прибора
С1р.
Т11п Г!р116ора
Стр.
ГТ328
423
КПС315
898
КТ359
198
ГТ329
330
КТ104
114
КТ360
435
ГТ330
333
КТ117
123
КТ361
274
ГТ337
429
КТ118
125
КТ363
437
ГТ338
264
КТ119
129
КТ364
277
ГТ341
341
КТ120
131
КТ366
350
ГТ346
430
КТ127
50
КТ368
354
1i
ГТ362
348
КТ201
51
КТ369
199
ГТ376
442
КТ202
135
КТ370
440
ГТ383
368
КТ203
137
КТ371
357
ГТ402
151
КТ206
56
КТ372
360
ГТ403
154
КТ207
139
КТ373
200
ГТ404
63
КТ208
141
КТ375
204
ГТ405
157
КТ209
143
КТ379
207
ГТ612
405
КТ210
146
КТ380
279
FT701
532
КТ211
147
КТ382
365
ГТ703
537
КТ214
149
КТ384
370
ГТ705
539
КТ215
57
КТ385
210
ГТ806
541
КТЗОI
166
КТ388
283
•i
ГТ810
546
КТ302
60
КТ389
286
ГТ905
658
КТ306
307
КТ391
379
ГТ906
662
КТ307
310
КТ392
447
ГТС609
804
КТ312
l6J,1"
,
КТ396
383
К1НТ251
770
КТ314 !it~- 172 'С ~'ttKT397
386
КIНТ661
789
КТ315
175
КТ399
388
KПIOI
812
КТ316
318
КТ3101
391
КПIОЗ
814
КТ317
178
КТ3102
215
КП201
821
КТ318.
321
КТ3104
289
КП202
894
КТ324
325
IСТЗ 106
394
f:
КП301
825
КТ325
327
КТ3107
290
1
КП302
828
КТ326
420
КТ3108
293
'.j
кпзоз
833
КТ331
336
КТ3109
КТТ304
838
КТ332
338
КТ3115
399
КП305
841
КТ333
181
КТ3117
217
КП306
846
КТ336
184
КТ3120
402
КП307
849
КТ339
186
КТ501
161
КПЗО8
854
КТ340
188
КТ502
163
КП310
856
КТ342
189
КТ503
65
КП312
859
КТ343
265
КТ601
220
КП313
863
КТЗ45
267
КТ602
222
КП314
865
КТЗ47
432
КТ603
226
КП350
866
КТ348
193
КТ604
569
КП901
870
КТ349
433
КТ605
230
КП902
873
КТ350
268
КТ606
671
КП903
878
КТ351
269
КТ607
675
·•1
КП904
882
КТ352
271
КТ608
233
КП905
884
КТ354
344
1
КТ610
678
КП907
888
КТЗ55
347
КТ611
573
КПС104
891
КТ357
272
КТ616
236
КПС202
894
КТЗ58
196
КТ617
238


Продолже1ше
Тип прибора
Стр.
Тип прибора
Стр.
Тип пrшбора
Стр.
КТ618
239
КТ921
602
МП35
100
КТ620
306
КТ922
605
МП36
100
КТ624
682
КТ925
726
МП37
LOO
КТ625
575
КТ926
612
МП38
100
КТ626
655
КТ927
616
МП39
102
КТ629
578
КТ928
618
МП40
102
КТ630
240
КТ929
620
МП41
102
КТ633
409
КТ930
731
МП42
105
КТ634
684
КТ931
736
МП!Оl
44
КТ635
687
КТ932
668
МП102
44
КТ640
412
КТ933
669
МП103
44
КТ704
459
КТ934
740
МП104
1(8
КТ801
463
КТ935
624
МП\05
1<1J
КТ802
465
КТ937
748
МП106
109
КТ803
466
КТ938
754
MП!ll
44
КТ805
468
КТ939
757
МП\12
44
КТ807
471
КТ940
627
МП113
44
КТ808
473
КТ942
759
МП114
109
КТ809
476
КТ943
629
МП115
109
КТ812
480
КТ94'5
633
МП116
109
КТ814
552
КТ947
637
П4
509
КТ815
482
КТ957
639
П27
96
КТ816
..554
КТ958
643
П28
96
КТ817
485
КТ960
763
П29
98
КТ818
556
КТС303
790
П30
98
КТ819
487
КТС393
793
П201
512
КТ820
561
КТС394
798
П202
512
КТ821
490
КТС395
775
П203
512
КТ822
563
КТС398
779
П210
515
КТ823
492
КТС3103
801
П213
517
КТ825
565
КТС613
782
П214
517
КТ826
496
КТС622
808
П215
517
КТ827
499
КТС631
789
П216
521
. КТ828
503
М2
70
П217
521
КТ829
507
М3
36
П302
525
КТ902
581
М4
73
П303
525
КТ903
584
М5
76
П304
525
КТ904
689
МП9
39
П306
525
КТ907
694
МПIО
39
пзот
60
.КТ908
587
MПll
39
П308
60
КТ909
698
МП13
82
П309
60
КТ911
703
МП14
82
П40!
295
KT9i2
59)
МП15
82
П402
295
КТ913
707
МП16
86
П403
295
КТ914
767
МП16Я
88
П406
160
КТ916
713
МП20
90
П407
160
КТ918
717
МП21
90
П414
297
КТ919
718
МП25
93
П415
297
КТ920
596
МП26
93
П4!6
299
903


С}.
Продо.1:J1се11ие
Т11п прибора
Стр.
Тин 11р~16ора
Стр.
Тнп прибора
П417
П418
П422
П423
П504
П505
ПбОI
П602
'302
П605
647
Т2
451
П606
647
тз
304
П607
651
ТМ2
304
П608
651
тмз
218
Пб09
651
ТМ4
218
П701
453
ТМ5
529
П702
457.
ТМIО
529
TI
67
TMll
ВАДИМ ЛЬВОВИЧ АРОНОВ
АЛЬБЕРТ ВАЛЕНТИНОВИЧ БАЮКОБ
АНАТОЛИЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ ЗАЙЦЕВ
ЮРИЙ АРОНОВИЧ КАМЕНЕЦКИЙ
АЛЬБЕРТ ИЗРАИЛЕВИЧ МИРКИН
ВЯЧЕСЛАВ ВЛАДИМИРОВИЧ МОКРЯКОВ
ВЛАДИМИР МАТВЕЕВИЧ ПЕТУХОВ
АРКАДИЙ КВИНТИЛИАНОВИЧ ХРУ ЛЕВ
АРКАДИЙ ПЕТРОВИЧ ШИБАНОВ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ:
Транзисторы
Редактор издательства А. Н. Гус я цк а я
Технические редакторы А. С. Да вы до в а,
Г. Г. Самсонова
Корректоры
И. А. Володяева, Г. А. Поло иска я
ИБ No 2682
Стр.
67
67
70
36
73
76
42
79
Сдано в набор 11.01.82. Подписано в nечагь 20.09.82. Т-05740.
Формат 84 х 1081/ 32 . Бумага типографская No 2. Гари. шрифта тайме.
Печать высокая. Усл. печ. л. 47,46. Ус.1. кр.-отт. 47,46. Уч.-изд. л.
SS,96. Тираж 140000 экз.
Заказ 264. Цена 3 р. 30 к.
Энергоиздат, 113114, Москва, М-114, Шлюзовая набер" 10.
Ордена Октябрьской Революции, ордена Трудового Красного Знамени
Ленинградское производственно-техническое объединение «Печатный
Двор» имени А. М. Горького Союзполиграфпрома при Государствен­
ном комитете СССР по делам издательств, полиграфии и кщ1жной
торговли. 197136, Ленинград, П-136, Чкаловский пр" 15.
·


УДI( 621.382.32~1
1\ремн11евые эшпаксrrа.;rьно-планарные мощные полевые
11 - каналLные транзнсторы со статпческой индукuней (СИТ)
тнпа КП801А, КП801Б предназначены для работы н качестне
усилителей мощности низкой частоты в высококачественно~°r
звуковоспрон:шодящей аппаратуре широкого применения, в
быстродейстнующнх ключевых схемах, в аппаратуре промыш­
ленной электроники. Корпус металJJнческнй, r·ерметизирован­
ный, с жесткими выводами, тип КТ-9Б.
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ
Парам~тр
Крутизна характеристики, мА/В
Сопротивление сток-истrж в открытом состоя­
нии, Ом
Ток утечки затвора, мА
Н:шряжение отсечки, В
1\·1аксимально до11устимое 1юстоя111юе н311ряжсние
сток-исток, в
Максимально допустимый ностоянный ток сто1\а, Л
.1Vlаксю1аль110 допvстимая мощность, рассеиваемая
стоком, Вт
.
J\'lаксима:1ьно до11\•стимое 1юстоян11ос напряжение
затвор-исток, В •
1\1аксима,1ыю дш1vстимое постоянное на 11ряжсн11l'
затвор-сток. В ·
М.аксимаJ1ьно допустимая тем1юр;пура нt•рс·
хода, 0 С
Габариты, ~1м
Масса, r
1 Значение· ·11i!pi!Ml'l ров
КГ1'3011\ \ !\ШIOJli
()00
220
2,2
4.4
0,25
0,25
25
25
75
75
5
2,5
60
30
-35
-35
110
110
150
150
39X2GX22
не более 20
Характеристики полевых трашисторов КП801А, КП80l Б
приведены на рнс. 1-8, габаритный чертеж - на рнс. 9.
Отечественные аналоги транзистора отсутстнуlот. В OTill!-
чиe от зарубежных аналогов нпервые для создания мощных
низкочастотных СИТ применена нланарная технология, обес­
печивающая возможность организацшr массового проювод­
ства транзисторов.
Уснлителн мощности на СИТ содержат в ~ва раза менLшс
комплектующнх изделнй, чем ана:rогнчные усшштетr на бн­
нолярных транзисторах, н не требуют защrпы от токовых 11
мощностных перегрузок.
Исnытання КП801А в составе электрофонов высшего 11
первого классон показалrr высокую надежность работы усилн­
тедей 11 высокое качество зву'rання.


ГоJ~овой экономический эффект ьт внедрения транз11сrора
в серийное производство составляет 210 тыс. руб.
Имеются изобретен11я:
Авторское свидетельство No 893097, пр11орнтет от 23.07 .80 .
Решение о выдаче авторского снндетельства по заявке
,\о 3052227/18-25 ОТ 10.10 .83 .
Запросы направлять по адресу: ЦНИИ «Э.11ектроника»,
117415, Москва, В-915.
)( арактеристuк.и полевых траюuсторо8 КПВО/А,1\П801Б
s.rв~ттт~·
~в··
: --1 т----т----+-
1,0 г-:-+- стt -~·
::No+bl1
!
J,,A
3,0
~__j__-1.JL.
.:и""9В
: 2,0
\а
·и,;7в
1.
1
- --,] .а
-
1.
О 10203040U,ц,ВU,u,B-10 -8-6-4-2О
Рис 1 Забисимость тока Рис2 За8цсимость тока
стака от напряжени>1
стока от напряжения
сток-исток транзистора затоор-uсток транзи-­
КП80Jд (Gоtходная ВАХ,! стара КП801А (проход-
ная хар-ка)
.
1r
35,'%
u,,,_~1013_
l2.
-
1
i'o
./
о.в
0,6
-i // 0,4
~--1-~ t j-~ 0,2
2,0 '--"'-h''<--=+
'-'-1-J'--l-..Ll--..<---P'-l--+---+---1-1
\О
~~q.,..<'-J,,Lf-,..t=-J,P'4 -1' 1
0,4i
'.
-
0,2
'
t ----
а1Z345 -J,А
Puc3. За8исимость кру
тuзны характеристики
от тока стока транзи­
стора КП801А
1 J,,мА
~1200
1000
'800
---! 600
., 400
и в -в-б-4-2о
Рисl/ Jа/!исимосr.1ь кру­
тщны характеристики
от напряже11ия затбор­
исток транзистора
КПВОIА.
О Ю 20 3040U,u,B
1
j 200
и,•. в
- 6-6-4-2 о
0,5 1-+--+--+"'"-.с;'-=-+--<
О/1
0.3
0.2
0,1
с qsr,01,520 J,,A
Рис 7 Забисцмость кру­
тизны характеристи-
1щ от тока стока тран­
зu ст о~r; КПВОТ Б
Рис 5. Забuсимость тока
стока от напряжения
сток-исток транзистора
!(ПВОJ б 1быходная ВАХ)
l
s,%
О.6
0,5
gj
О.2
O,J
-
U,u,B -Б-4-2 о
РисВ. Забuсимость кру­
тизны характеристики
от напряжения зат8ор­
исток транзистора
~ПIJOI Б
Рисб Забисимость тоха
стока от напряжения зат­
/Jор-исток транзистора
КПВОI б (проходная хар-ка}
г-----30Щf
F.020.1-о..._
-
:
1
7f
i!I ~ ,ot
J -затВор
z.- исток
3-Cf1101f.
UEI
·----~J
Рис9 Габарuтныu черте)/(