Текст
                    ПОЛУ
ПРОВОДНИКОВЫЕ
ПР1ЛЕМНО
УСИЛИТЕЛЬНЫЕ
УСТРОЙСТВА

Р. М. ТЕРЕЩУК, К. М. ТЕРЕЩУК, С. А. СЕДОВ ПОЛУ- ПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИЕМНО- УСИЛИТЕЛЬНЫЕ УСТРОЙСТВА СПРАВОЧНИК РАДИОЛЮБИТЕЛЯ КИЕВ „ПАУКОВА ДУМКА*’ 1981
УДК 621.375(075.8) 621.396.62. В справочнике приведены основные сведения об усилительной и радиоприемной аппаратуре на полупроводниковых приборах и интегральных микросхемах.. Даны характернстикд электро- и ра- дио^ а те риалов, радиодеталей н намоточных узлов, полупроводни- ковых приборов и микросхем, громкоговорителей н телефонов,- источников питания, а также принципы построения стерео- и квадрафонических систем звуковоспроизведения и практические схемы прием но -усилительных устройств. Для широкого круга радиолюбителей, инженеров и техников,, работающих в области прнемно-усилительной техники. Ответственный редактор Л. Е. СТЕПАНОВ Рецензенты С. Г. БУНИН, В. М. ЕГИПКО, В. С. СКРЯБИНСКИЙ Редакция справочной литературы Т Ш21(04)-81 ' 583-81. 2402020000 С) Издательство ,«Паукова думка", 1981
ОГЛАВЛЕНИЕ Предисловие............................ ........ -................ Б Список основных сокращений . ...................................... 6 Глава I Электро- и радиоматериалы........................................ 7 § 1. Проводники................................................... 7 § 2. Медные обмоточные провода..................................... 9 § 3. Обмоточные провода высокого сопротивления.................... 12 § 4. Монтажные провода............................................ 13 §5. Припои и флюсы............................................. 15 § 6. Электроизоляционные материалы ............................... 18 § 7. Ферромагнитные материалы..................................... 24 Глава II Радиодетали и узлы общего применения . . . -............................................. 38 § 1. Общие сведения о конденсаторах....... 38 § 2. Конденсаторы постоянной емкости...................................... 44 $ 3. Конденсаторы подстроечные и переменной емкости...................................... 60 § 4. Основные сведения 6 резисторах........................ 62 $ 5. Резисторы постоянного сопротивления. 65 § 6. Резисторы переменного сопротивления............. 69 § 7. Терморёзисторы............................................• 74 § 8. Переключатели..................................................................... 76 § 9. Малогабаритные электромагнитные реле постоянного тока.............................. 77 | 10. Громкоговорители и телефоны........................................................ 85 § 11. Микрофоны и звукосниматели............... .......... 100 Г л а в а III Намоточные узлы радиоаппаратуры....................................... Ш § 1. Общие сведения о высокочастотных катушках индуктивности. . . 111 § 2. Катушки индуктивности для колебательных контуров........ 112 § 3. Дроссели высокой частоты..................................... 131 § 4. Общие сведения о трансформаторах и дросселях низкой частоты . . 132 § 5. Маломощные трансформаторы питания...................... 138 § 6. Согласующие трансформаторы.................................... 143 § 7. Дроссели сглаживающих фильтров питания. ............ 151 Глава IV Полупроводниковые приборы ........................................ 154 § I. Полупроводниковые диоды...................................... 154 § 2. Биполярные транзисторы...................................... 1§^ §3. Полевые транзисторы . ...................................... 2«3 $4. Тиристоры................................................... 287 Г л а в а V Интегральные микросхемы......................................... 309 в 1. Общие сведения ...................................•.......... 309 § 2. Полупроводниковые интегральные микросхемы ................... 315 | 3. Гибридные интегральные микросхемы............................ 330 3
Глава VI Усилю ели звуковой частоты........в ..................., . . . • . - 349 § I. Основные параметры усилителей звуковой частоты............... 349 § 2. Свойства каскадов усиления при различных включениях транзистора 351 § 3. Питание цепей транзистора и стабилизация режима его работы. . . 352 § -I . Трансформаторные выходные каскады.......................... 356 § 5. Всстраисформа торные выходные каскады........................ 362 § 6. Транзисторные каскады предвари тельного усиления............ 370 § 7. Предварительные усилители на ПС ..... . .............. 377 .§ 8. Обратные связи в усилителях звуковой частоты............. . . 382 § ') . Коррекция АЧХ в усилителях звуковой частоты ...........Г". . . 385 § 10. Регулировки в усилителях звуковой частоты.................... 386 §11. Шумы в усилителях........................................ . 390 § 12. Усилители для магнитофонов .............................. 391 § 13 Усилители Для электрофонов................................... 409 § 14. Усилители для высококачественного звуковоспроизведения....... 414 § 15. Измерение основных параметров усилителей.................... 421 Гл;па VII Р.д о приемные устройства'......................................... 422 § 1. Основные показатели качества радиоприемников ................ 422 § 2. Структурные схемы радиоприемников.......................... 431 § 3. Ориентировочный расчет структурной схемы супергетеродинного радиоприемника............................‘........................ 434 § 4. Встроенные аптенпы........................................... 439 § 5. Входные устройства ........•................................ 443 § 6. Усилители сигнальной частоты............................... 450 § 7. Преобразователи частоты ..................................... 452 § 8. Гетеродины.................................................. 459 § 9. Усилители промежуточной частоты.............................. 462 § 10. Демодуляторы . . . .......................................... 470 §11. Блоки УКВ радиовещательных приемников....................... 478 § 12. Автоматические регулировки в радиоприемниках................. 480 § 13. Индикаторы настройки радиоприемников....................... 485 14. Стереофонические радиоприемники............................. 486 §.15. Измерение основных параметров радиовещательных приемников. . . 490 Глава V П Г Исто’.ники электропитания приемно-усилительных устройств.......... 495 § I. Первичные химические источники тока........................ 495 § 2. Вторичные химические источники тока (аккумуляторы).......... 499 § 3. Неуправляемые выпрямительные устройства................... 503 § 4. Сглаживающие фильтры....................................... 506 § 5. Стабилизаторы напряжения.................................. 510 Глава 4X Электроакустические устройства и системы звуковоспроизведения ..... 520 § I Акустические системы [3, 9, 10]............................................................................. 520 § 2. Включение головок громкоговорителей в многополосные акустичес- кие системы [9, 10].................................................. 528 § 3. Практические примеры акустических систем с различным включе- нием головок громкоговорителей [3, 7, 10]............................. 533 § 4. Гехиология изготовления различных акустических систем ПО]. • . 544 § 5. Звгкопзлу чающие выносные акустические системы [1, 2г 6Д8#9]. . 549 § 6 Электроакустические системы звуковоспроизведения (4, 5, 9]*.... 559 Глава X Примеры любительских приемно-усилительных устройств.............ч . - 572 § 1. Радиоприемные устройства.................................. 572 § 2. Монофонические усилители.................................. 599 § з. Усилители для стереофонии............................... 616 § 4. Усилители для псевдоквадрафонии............................. 629 § 5. Усилители-компрессоры для цветомузыкальных установок........ 637 § 6. Электронные музыкальные устройства.......................... 64§ Список литературы............................. 653 Предметный указатель............................................. 659
ПРЕДИСЛОВИЕ Творчество радиолюбителей приобретает все более широкий размах. Тысячи радиолюбителей участвуют в совершенствовании схем, кон- струкций и технологических процессов производства устройств и аппа- ратов на полупроводниковых приборах. Цель справочника — дать радиолюбителям основные сведения, необходимые при разработке и изготовлении приемно-усилительной аппаратуры. Наряду с описанием принципов построения усилителей, радиоприемников и отдельных узлов приведены сведения о материа- лах, радиодеталях и узлах, полупроводниковых приборах и интег- ральных микросхемах, которые используются в приемно-усилитель- ных устройствах, а также об акустических устройствах и системах. Изложена методика расчетов отдельных узлов и каскадов. Расчетные формулы представлены втшде, удобном для практического использо- вания. Рассмотрены радиолюбительские конструкции электроакусти- ческих устройств и схемы приемно-усилительных устройств различ- ной сложности, приведены параметры отдельных узлов и деталей, входящих в эти устройства, и рекомендации по их наладке. Принципы построения отдельных узлов и каскадов в основном проиллюстрированы практическими схемами, на которых указаны типы транзисторов и параметры элементов. Однако тот или иной узел и каскад могут быть выполнены также на других транзисторах и при других напряжении источника питания и значениях параметров эле- ментов. В справочнике приведен список литературы, которая дает возможность более подробно ознакомиться с тем нли иным конкрет- ным вопросом (в тексте ссылки на литературу заключены в квадрат- ные скобки). Консультации по вопросам радиотехники можно полу- чить в любом городском радиоклубе ДОСААФ и Центральном радио- клубе СССР (103012, Москва, К-12, ул.. Куйбышева, 4). Радиодета- ли, высылаемые наложенным платежом, можно заказать на Москов- ской межреспубликанской торговой базе Центросоюза (121471, А1оск- ва, ул. Рябиновая, 45) и Центральной торговой базе Посылторга .(111126, Москва, Е-126. ул. Авиамоторная, 50). Перечень высылае- мых радиодеталей имейся в каждом почтовом отделении, Главы I, III, VI—VIII и § 1—9 главы II написаны Р. М. Тсрещу- ком, главы IV. V — К. М. Терещуком, § 10, 11 главы II и главы IX, X — С. А. Седовым. Авторы выражают искреннюю благодарность ответственному ре- дактору доктору технических наук, профессору А. Е. Степанову, ре- цензентам доктору технических паук В. М. Египко, кандидатам тех- нических науч: С. Г. Бунину и В. С, Скрябинскому, рекомендации ко- торых способствовали улучшению справочника. Л вторы
СПИСОК ОСНОВНЫХ СОКРАЩЕНИЙ AM — амплитудная модуляция АПЧ — автоматическая подстройка частоты АРУ — автоматическая регулировка усиления АС — акустическая система А ЧМ—амплитудно-частотная модуляция АЧХ —амплитудно-частотная ха- рактеристика БУКВ — блок УКВ ВЧ — высокая частота В У — входное устройство ГСС — генератор стандартных сиг- налов ДВ — длинные волны ДД — дробный детектор Дм — демодулятор ДПФ — двухконтурный полосовой фильтр ИС — интегральная схема КВ — короткие волны КПД — коэффициент полезного действия НЧ — низкая частота ОБ — общая база ОИ — общий исток ОК — общий коллектор ООС — отрицательная обратная связь ОУ — операционный усилитель ОЭ — общий эмитт ер ПОС — положительная обратная связь ППС — полупроводниковый пара- метрический стабилизатор ПрЧ — преобразователь частоты ПЧ — промеж уточная частота СВ — средние волны СВЧ—сверхвысокая частот ТкЕ — температурный коэффициент ТКИ — температурный коэффициент индуктивности ТКцн — температурный коэффициент начальной магнитной проницае- мости ТКС — температурный коэффициент сопротивления У В — усилитель воспроизведения УЗ— усилитель записи УКВ — ультракороткие волны УНЧ — усилитель низкой частоты УПТ — усилитель постоянного тока УПЧ — усилитель промежуточной частоты УСЧ — усилитель сигнальной частоты ФА.— ферритовая антенна ФАПЧ — фазовая автоматическая подстройка частоты ФД — фазовый детектор ФНЧ — фильтр нижних частот ФПЧ — фильтр промежуточной частоты ФСС — фильтр сосредоточенной селекции ФЧХ — фазово-частотная характеристика ЦМУ — цветомузыкальная уста* ненка ЧД.— частотный детектор ЧМ — частотная модуляция в ЭДС — электродвижущая сила ЭМИ — электромузыкальный инет* румент ЭМОС— электромагнитная обратная связь ЭМФ — электромеханический фильтр ЭПУ— электропронгрывающее устройство емкости
ГЛAB A I ЭЛЕКТРО- И РАДИОМАТЕРИАЛЫ § 1. Проводники Основные электрические параметры проводников — удельное элект- рическое сопротивление и температурный коэффициент электри- ческого сопротивления. Удельное сопротивление проводника — сопро- тивление провода длиной 1 м с постоянным по длине поперечным сечением 1 мм2. Температурный коэффициент сопротивления — относительное изменение сопротивления при изменении температуры на Iе С. ТКС зависит от температуры. Сопротивление провода определяется по формуле R — pl/S, или R = 1,27p//d2, где R — сопротивление, Ом; р — удельное сопротивление, Ом-мм2/м I — длина провода, м; S — поперечное сечение провода, мм2; d — диаметр провода, мм. Сопротивление провода зависит от темпера- туры: RT = Я20 [1 + «-(Г - 20)/1001, где RT — сопротивление при заданной температуре; /?2Э — сопро- тивление при 20° С; а — ТКС, % /° C; Т — заданная температура, ° С. Основные параметры некоторых проводников низкого сопро- тивления приведен^ в табл. 1.1, а высокого сопротивления — в . табл. 1.2. Таблица 1.1 Основные параметры проводников низкого сопротивления Удельное со-, противление ТКС, Температура Плотность, Материал при 20° Q, %/°с плавления, г/см3 Ом«мм2/м °C Алюминий 0,028 0.49 660 2,7 Бронза фосфористая 0.115 0.4 900 8,8 Золото 0,024 0.37 1060 19,3 Латунь 0,03 . . . 0,06 0.2 900 8,5 Медь электротехн ич еская 0,0175 0,4 1080 8,9 Никель 0.07 0.6 1450 8,8 Олово 0,115 0,42 230 7,3 Платина 0.1 0,3 1770 21.4 Свинец 0,21 0.4 330 11.4 Серебро 0,016 0.38 960 10,5 Сталь 0,098 0,62 1620 7,8 Уголь 0.33 ... 1.85 0,06 — Хром 0,027 — — 6,6 Цинк 0.059 0,35 420 7,0 Для изготовления образцовых резисторов, магазинов сопро- тивлений, шунтов к амперметрам и добавочных сопротивлений к вольтметрам используют манганин, обладающий малым ТКС,
Таблица 1.2. Основные параметры проводников высокого сопротивления Материал Удельное со- противление при 20° С, Ом-мм2/м ТКС (в интервале 0 . . . 100° С), %/сс Макси- мальная рабочая темпера- тура, °C Темпера- тура плав- ления, СС Плотность, Г/см3 Константан 0,44 ... 0,52 0,0005 500 1270 ' 8,9 Манганин 0,4 ... 0,5 0,005 100 1200 8,4 Нейзильбер 0,28 . . . 0.35 0,03 150 1000 8,4 Никелин 0,39 . . . 0,45 0,002 150 —• — Нихром 1,0 . . . 1,1 0,015 . 900 1400 8,2 Реотан 0.45 ... 0,52 0,04 150 —. — Фехраль 1,1 ... 1,3 0,01 900 1460 7,2 Хромаль 1,45 0,005 1000 1500 7,1 Таблица (.3. Медные обмоточные провода Марка Характеристика изоляции Диаметр годной жилы, мм Максималь- ная рабочая темпера- тура, °C ПЭ В-1 ПЭВ-2 ГТЭВД пэвкл пэвло ПЭВТЛ-1 ПЭ ВТЛ-2 пэвшо ПЭЛ лэлко пэло ПЭЛР-1 ПЭЛ Р-2 ПЭ Л У лэ л ш ко пэлшо ПЭМ-1 ПЭМ-2 ПЭМ-3 нэп л о ПЭТВ пэтк ПЭТЛО Один слой высокопрочной эмали Два слоя высокопрочной эмали Один слой высокопрочной эмали с полнптельным термопластичным крытпем Высокопрочная эчаль с покрытием основе капроновой смолы Высокопрочная эмаль и обмотка шелка с лавсаном Один слой высокопрочной тепло- стойкой эмали Два слоя высокопрочной тепло- стойкой эмали Высокопрочная эмаль н обмотка искусственного шелка Лакостойкая эмаль Лакостойкая эмаль и обмотка из кг ронового волокна Лакостойкая эмаль и обмотка из шс ка с лавсаном Один слой высокопрочной поли- амидной эмали Два слоя высокопрочной поли- амидной эмали Лакостойкая эмаль (утолщенный слс Лакостойкая эмаль и обмотка из пронового волокна Лакостоикая эмаль и обмотка из г турального шелка Од» н слой высокопрочной эмали «металвин» Два слоя высокопрочной эмали «металвин» Три слоя высокопрочной эмали- «металвин» Высокопрочная теплостойкая эмаль обмотка из шелка с лавсаиом Высокопрочная теплостойкая эмаль Теплостойкая эмаль Высокопрочная теплостойкая эмаль обмотка из шелка с лавсаном Co- lo- na из из п- л- >й) са- а- и и 0,02 0,06 0,2 0,1 0,06 0,06 0,07 0,03 “ 0,2 0,05 0,1 0,05 0,1 0,05 0,1 0,06 0,06 0,05 0,06 . . . 2,44 . . . 2,44 . . . 0,5 . . 0,15 . . . 1,3 . . 1,56 . . 0,51 . . 2,44 . . 2,1 . . . 2,1 , . 2,44 . . 2,44 .. 1,56 . . 1,56 .. 2,44 . . . 1,3 . . 2,44 . . 0,51 . . . 1,3 120 120 105 105 120 105 105 105 105 120 105 105 105 105 120 130 130 8
большим удельным сопротивлением и малой тертоЭДС в контакте с медью. Для изготовления реостатов и балластных резисторов ис- пользуют проволоку из никелина, нейзильбера, реотана и констан тана, а в нагревательных приборах — из ни-хрома, фехраля и хро- маля. § 2. Медные обмоточные провода Медные обмоточные провода предназначены для изготовления об- моток трансформаторов, дросселей, электромагнитных реле, кату- шек колебательных контуров и т. и. Эти провода могут иметь по- крытие (изоляцию) из эмали, волокнистых материалов пли комби- нированное покрытие из эмали и волокнистых материалов. Эмаль обладает лучшими электроизоляционными свойствами, чем волок- нистые материалы, поэтому эмалированные провода имеют мень- шие диаметры, чем провода с изоляцией из волокнистых мате- риалов. Электроизоляционные свойства капронового волокна и нату- рального шелка несколько выше, чем хлопчатобумажного волокна. Капроновое волокно превосходит натуральный шелк по стойкости к истиранию и воздействию таких растворителей, как бензин, бен- зол,- минеральные масла и т. и. Основные параметры наиболее часто применяемых медных об- моточных проводов приведены в табл. 1.3 и 1.4. При выборе марки провода учитывают рабочую температуру, электрическую прочность изоляции и надежность. В аппаратуре па полупроводниковых при- борах используются в основном провода с эмалевой изоляцией. При повышенных требованиях к надежности аппаратуры рекомен- дуются провода с двухслойной изоляцией (ПЭВ-2, ПЭВТЛ-2, 17ЭЛР-2 и др.). Провода с комбинированной изоляцией применяют при повы- шенных механических нагрузках в процессе намотки или эксплуа- тации аппаратуры. Провода марки ПЭВТЛ отличаются сравнитель- но высокой стойкостью к нагреванию, большим сопротивлением изоляции и сравнительно малым tg 6(см. §6). Эти провода можно залуживать погружением в расплавленное олово или припой, а также паяльником без предварительной зачистки и применения флюсов. Для изготовления бескаркасных обмоток используются провода марки ПЭВД с дополнительным термрпластичным покрытием из лаков на поливинилацетатноп основе. При нагреве до температуры 160... 170° С в течение 3...4 ч витки склеиваются. Высокочастотные обмоточные провода (литцепдраты) предназ- начены для' изготовления высокочастотных катушек индуктивности с высокой добротностью. Эти провода представляют собой пучок эмалированных'проволок диаметром 0,05; 0,07; 0,1 или 0,2 мм, перевитых особым способом. Весь пучок обычно покрывают волок- нистой изоляцией. Благодаря определенному расположению про- волок в пучке ослабляется поверхностный эффект (вытеснение тока к поверхности провода под воздействием магнитного поля, возни- кающего при протекании тока) и, следовательно, уменьшается со- противление провода токам высокой частоты. Выпускаются высокочастотные обмоточные провода следую- щих марок; ЛЭЛ — без дополнительной изоляции; ЛЭЛД — с об- моткой из шелка с лавсаном в два слоя; ЛЭЛО — с обмоткой из шелка с лавсаном в один слой; ЛЭП — без дополнительней изоля-. ции; ЛЭПКО — с обмоткой из капронового волокна; ЛЭШД — 9
*— о <-рв— — — —4 —ppp ppp e opppppppppppoo opofepppppp о©©еэр©©остст©орст©стст©оо *to to—'— о о еэ © © © oo co oo -ч *q -N g g g g g g g g G w» л. ww w w to to to to to to — — — — — — — — "a ст ст стст ст ©*ao G GtOCO^CTGW G W CT -N >й>. tO © Л. tO © ~N G G— © -ч] — CD GG — © M CH G — © © CD -N G G G tO — © © © G ст ►₽» G tO tO bi Диаметр медной жилы, мм Таблица 1.4 0,0003 0,0005 0,0007 0,0013 0,0020 0,0028 0,0039 0,005 0,0064 0,0079 0,0095 0,0113 0,0133 0,0154 0,0177 0,0201 0,0227 0,0255 0,0284 0,0314 0.03461 0,0416 0,0491, 0,0573 0,0661 0,0755 0,0855 0,0962' 0,1134 0,132 0,1521 0,1735 0,1885 0,2043 0,2206 0,2376 0,2552 0,2734 0,3019 0,3217 0,3526 0,3739 0,4^72 0,4301 0,4657 0,5027 0,5411 0,5809 0,6362’ 0,6793 0,7238 0,7854 0,8495 0,9161 0,9852 1,057 1,131 1,227 Сечение медной жилы, мм2 О © О 00,00,0 О еэ © О О ©О ©ООО© оррорроррроррррбррррррр ©t— — — — О О ООО ООООООС ООО О ООС ОО ОС С - — “ — — tO tp tO G GGu СП СТ G G СО СТ — G ст Об NJ Cd’g’-Ч ЬО ©\j —"ел — — — — — tOtOtOtON5GGGG^^^rf»GGGG'N-^a©0’-GGCD©GG©GMCTG — G^-NCT4^tOGGGGGW^©S G ОО О^ООЛ s ^СС WOON WSTCoaUU V- to « G G G CO — G fC ос G — 4>. 00 G-Ч © © nJ G — NNGCC ,, Сопротивление 1 м провода при 20° С, Ом Основные параметры «• - —СТ о © О ©© О СТ© © ореррррярррряряр.ср,0 COCO О © ©СТО ©©©СТОСТ©©© *— ©’®-ng’^ *g to’*— о ст ©сю оо -ч"-ч ©g-g слЯ м" 92x2? ° © © рост © ст о ст ст ст е ст ст © © © NCIOSOO w^MW""--~oooo©oo w • to ^ooci^ д. sco-scao^^CN:--Wcn^cuo wo-сло co woi-i юстчо^ю--о totOKJCOCOCTrf^NO^OO©© -~J ~N — —J «^j © ^ CT 'Допустимый ток При плотности 2’А/мм-, А — — —— — — — — octctctctctO©©©©© oppppppppppppppppppppp ©pee© oooctctct©ctct WN5N3 NO*- — ©©© ©’©Об 00 05 CD -4 “4 n] G G G G G G G G G £ £ £“ ££ ?? W N? to to to to to — — — — — — — ”"00000*0 1 1 WCO*. CT t\2 Ю © G to © G G CT CD tO © ^ 4^ tO © CO G ** >< © G tO © “N G G " CT W tO — © CT Co CT G се CT © CD ~N © CT ' 1 GGGCl сл Q I ст СП G G G Диаметр, ММ =1 2ООФЛММССТС.1С1^ЛЛХУХ«“С!С^Ю№«"“""^"„ , , — to G 00 !O G — G — -J to 00 G to © G G — © G — О CD -4 G « ГО © 00 -N G G G Ф» W W to tO to tO — — — — — CT©WG*4^OWW4^G©G — ©-NOD©-WCOQG© CT-— N^owsa 06 © to 4^. -4 — CD СЛУОСПОЛ(ОоаЧСПДУЮ>-<»- CT G © — to Ст 00 G *<_© G 00 4^ to — bo 4b CD G ©M CT •N’©’woo Масса 100 м, г ^3 *5 Я Я S cc 00 •£* GMatJtCOMtCO WON AtC!C4^NOCO0W'-COClW©4C!lW-044» WtO-06000)Cn>UWtO--oOW4cjl^X w © G G G G G G G G G G G 5 G Диаметр, мм е 5? 3 о ”OC^W4NO,OCnCn4»^4»WWyWt<teMMWM'-l-‘"-"“' — GG © tO M — C1--N MWCntCOO W"ON4iW-- CTCO'NGWtO©G^]pGG4^GGtOtOtOrO>— — — — — CO о \2©O tOWW^CnOCtKON Ж© tc^cooo.-o “N CCOOJS 00 CO © tO Gp JO © G W — CD p^p©S G 4* WM — — CT © CT *ct©’g© toga© wpboooо д ^N-citoocca ©woogg Масса 100 м. г £ Е у я о W 1 0,12 0,13 0,14 0,15 0.Ю 0,18 0,19 0,20 0,21- 0,22 0.23 0,24 0,25 0,26 0,27 0,29 0,30 0,32 0,34 . 0,37 • 0,39 0,42 0,44 0,46 0,49 0,52 0,55 0,58 0,60 0,63 0,65 0,67 0,71 0,75 0,76 0,79 0,81 0,85 0,87 0,90 0,93 0,96 0,99 1,03 1,06 1,09 1.14 1,18 1,21 1,26 1,3 1,34 1,39 Диаметр, мм 1 5э о я 3,3 4,2 5,3 6,5 7,9 9,3 h,o 12,7 14,7 16,7 18,9 21,2 23,7 26,3 29,0 32,2 35,2 41,7 48,8 56,9 65,1 74,2 83,6 93,5 109 127 145 165 179 194 209 225 257 283 301 330 349 378 402 434 468 507 538 588 627 668 727 783 844 906 971 1040 1130 Масса 100 м, г Е 0
Продолжение табл I 4 Диаметр медной жилы, мм Сечение медной жилы, мм3 Сопротивление 1 м ппородя при 20е С, Ом Допустимый ток ПРИ ПЛОТНОСТИ 2 А/мм2, А ГК-Л ns В-1. ПЭЛИ1О Диаметр, мм Масса 1 00 м, г , Диаметр, мм Масса ! 100 м, г Диаметр, мм Масса 100 м, г ’ 1,3 1,327 0,0132 2,654 1,38 1190 1,38 1200 1,44 1220 1,35 1,431 0,0123 2,86 1,43 1290 1,43 1290 1,49 1310 1,4 1,539 0,0113 3,073 1,48 1390 1,48 1390 1,54 1409 1,45 1,651 0,0106 3,3 1,53 1490 1,53 1490 1.59 1500 1,5 1.767 0,0098 3.534 1,58 1590 1,58 1590 1.66 1620 1,56 1,911 0,0092 3,822 1,64 1720 1,64 1720 1,72 1750 с обмоткой из натурального шелка в два слоя; ЛЭ1ПО — с обметкой из натурального шелка в один слой. Провода марок ЛЭП и ЛЭПКО перед лужением не требуют зачистки и применения каких-либо травильных составов. Основные параметры некоторых высокочастотных обмоточных проводов приведены в табл. 1.5. Таблица 1.5. Основные параметры высокочастотных обмоточных проводов (ГОСТ 16186—74) о О о и « Диаметр провода, мм о аметр п] ОКИ, MN *ло про : в пуч ч 60 ' >^д Е О X с четное ение ме жилы, ч u 2 S s s ® р * C.Q о О_ С Л Л ° R « ® ° 5 к СП СЪф СЪФ СТ; Ь С 2 CU о 32 S Е CLI о S ОО Ф О к й с-1 Я 0.05 10 0,25 0,32 0,38 0,0196 1012 16 0,31 0,38 0,44 —— — 0,0314 634 20 0,34 0,41 0,47 — .— 0,0392 567 50 — — 0,71 — — 0,098 209 0,06 3 — — — 0,2 —. 0,0085 2300 5 — — — 0,25 — 0,0142 1380 0,07 7 — 0,34 — — ——г 0,0269 760 8 0,29 0,36 0,42 0,35 0,4 0,0308 ‘ 624 10 0,33 0,4 0,46 0,39 6,44 0,0385 499 12 —— 0,42 0,48 0,42 0,47 0,6462 416 16 1 0,47 0,54 0,47 0,52 0,0616 312 20 0,52 0,59 0, 53 0,57 0,077 219 27 1 0,58 0,65 —- — 0,101 190 32 —. 0,63 0,7 — 0,123 161 50 0,82 0,89 — — 0,193 85.6 0,1 9 0,44 0,51 0,58 0,48 0,53 0.G70F 276 12 0,5 0,57 0,64 0,54 0,59 0,0942 207 14 0,54 0,61 0,68 0,58 0,63 0.11 177 16 0,57 0,64 0,71 0,Й1 0,66 0,126 153 19 0,6 0,67 0,71 —. — 0,119 131 21 0,64 0,71 0,78 0,69 0,73 0.165 118 24 0,68 0,7.5 0,82 0,71 0,78 0,188 103 28 0,74 0,81 0,88 0,8 0,84 0,22 91,3 11
§ 3. Обмоточные провода высокого сопротивления > Обмоточные провода высокого сопротивления используются для из- готовления проволочных резисторов и шунтов. Термостойкость этих проводов так же, как и медных, определяется материалом изоля- ции. Основные характеристики обмоточных проводов высокого сопротивления приведены в табл. 1.6...1.8. Таблица 1.6. Обмоточные провода высокого сопротивления Марка * Характеристика изоляции Диаметр жилы, мм Константановые ПШДК ПЭЕО1С П5 В КМ-1 П .Вкм-2 ПЭВКТ-1 ПЭВКТ-2 ns к пэшок Два слоя обмотки из шелка Эмаль и один слой обмотки из хлопчатобумаж- ной пряжи Один слой высокопрочной эмали 1 Два слоя » » J Один слой » » 1 Два слоя » » J Лакостойкая эмаль Эмаль и один слой обмотки из шелка Мангами ПШДММ ПШДМ1 ПЭВММ-1 ПЭР,ММ-2 ПЭВМТ-1 ПЭВМТ-2 ПЭ мм ПЭМТ Пэме ПЭН юм м пзшомт Два слоя обмотки ив шелка » » » » » Один слой высокоппочгюй эмали Два слоя » » Один слой » , » Два слоя » » Лакостойкая эмаль « ». » Высокопрочная эмаль Эмаль и один слой обмотки из шелка » » » » » » 0.05...1.0 0,04...1,0 0,1...0,8 0,03...0.8 0,03...1,0 0,05...1,0 0,05...1,0 0,05...0,8 0,02.. .0,8 0,05...1,0 0,03...1,0 0,05...0,8 0,05...1,0 Н и х р о м о в ы е ПЭВИХ-1 ПЭР.ПХ-2 ПэНХ Один слой висок on ро мной эмали Два слоя » » Лакостойкая эмаль ® Последняя буква марки провода означает:; М-* мягкий; С стабилизированный. 0,02...0,4 о, оз., .юл Т — твердый? Г а б ли п а 1.7. Conpoi явление 1 м провода высокого сопротивления, Ом Материал манганин константан нихром мягкий твердый мягкий твердый Х15Н60 - Х20Н80 — 1370 3374 и, 025 —• У 76 — — 2160 0,03 .606 655 655 693 1528 1500 0.04 312 . 369 369 390 857 844 <‘,05 220 237 237 250 550 535. 0,06 152 164 164 173 386 379 <• (>07 112 121 121 127 281 278 0,08 85,4 92,5 92,5 97,5 216. 213 0,09 67,6 73,1 73,1 77 170 168 12
Продолжение табл. 1.7 Диаметр, мм Материал манганин КОНСЗ ззтан 1 нихром 3 МЯГКИЙ | твердый мягкий | твердый | X151160 Х20П80 од 54,8 59,2 59,2 62,4 138 136 0,12 38,1 41,1 41,1 43,6 95,7 94,7 .0,15 24,3 26,3 26.3 27,7 61,1 60,5 0,18 16,9 18 18 19 43 42.1 0,2 . 13,7 14,8 14,8 15,6 35,3 34,1 0,22 11,3 — 12,1 12,9 29,2 28,2 0.25 8,76 9.5 9,5 9,98 22,6 21,8 0,28 —- 7,55 7,96 18 17, 4 0,3 6,06 6,6 6,6 6,93 15,3 15,2 0,32 — — — — 13,8 13,3 0,35 4,4 7 4.83 4,83 5,09 11,3 Н,1 0,38 3,81 —- 4.1 4,32 0,4 3,42 3,7 3.7 3,9 8,59 8,52 0,45 • 2,71 2,92 2,92 3,09 6,98 6,73 0.5 2,2 - 2,37 2,37 2,5 5,66 5,45 0.55 1,82 1,96 1,96 2,06 — 0,6 1,52 1,65 1.G5 1,73 4,07 3,82 0,65 1,36 1,4 1,4 1,49 — 0,7 1.12 1,21 1,21 1,27 2,91 2,84 0,75 0,975 —. 1,05 1,12 — 0.8 0,854 0,925 0,925 0,975 2,23 2,17 0,85 — — 0,82 0,864 0,9 0,675 0,731 0,731 0,77 1,76 1.72 1.0 0,548 0,592. 0,592 0,624 1 1,42 1,39 Манганиновые провода выпус- Таблица 1.8. Мйкропровода каются двух классов. ТКС прово- марки ПССМ из манганина дов класса А составляет от ?f-3 X X 10-6 до —4 • 10—Б, класса В — от +6 • 10-5 до — 6 • 10-5. Для Сопротивление 1 м провода, Ом Диаметр, мкм малогабаритных высокоомных ре- зисторов повышенной стабильности выпускают провода диаметром 6... 10 мкм в сплошной стеклянной изо- 15000±2500 11С00± 1500 8000±1500 14 16 17 ляции,’обладающей хорошими изо- 5500±1000 18 ляционными свойствами,. Эти прово- 4000±500 20 да сортируют, по IX сопротивлению на единицу длины § 4. Монтажные провода - Монтажные провода выпускаются в полпхлорвиниловой, полиэти- леновой, фторопластовой и волокнистой изоляциях. Провода с во- локнистой изоляцией применяют в аппаратуре, работающей в нор- мальных условиях (при невысокой влажности воздуха и темпера- туре), когда исключена возможность конденсации воды в аппара- туре и отсутствует резкие климатические изменения. Наиболее термостойки провода с фторопластовой изоляцией (до 2E0J С). По конструкции токопроводящей жилы различают- однопро- волочные (негибкие) и многопроволочные (гибкие) монтажные про- вода. У последних токопроводящая жила свита из тонких медных проволок (голых или луженых). Основные параметры монтажных проводов приведены в табл. 1.9. .13
Таблица 1.9. Основные параметры монтажных проводов Марка Конструкция Номинальное сечение жилы, мм2 Макси- мальное рабоч ее напряже- ние, В Интервал рабочих темпера- тур, °C от 1 до мгв Многопроволочный, ИЗОЛИрО’1 ванный полихлорвинилом | 0,1; 0,2; 0,35; 0,5; 0,75; 1,0 220 —60 +70 мгвэ То же, экранированный ? 220 —60 +70 мгш Мио гоп ровол очный, изолиро- ванный одним слоем оплет- ки из искусственного шелка 0.05; 0,07; 0,1 24 —60 +90 МГ'ШД Mhoi он ро полочный, изолиро- ванный двумя слоями оплет- ки из искусственного шелка 0,05; 0,07; 0,1; 0,2; 0,35; 0,5 60 —60 +90 мгшдл Многопповолоч ный, изолиро- ванный двумя слоями оплет- ки из искусственного шелка, лакированный 0,05; 0,1; 0,2; 0,35; 0,5 250 -60 +100 мгшдо Многоп поволоч и ый, изолиро- ванный двойной обмоткой и оплеткой из искусственного шелка 0.05; 0,07; 0,1; 0.2; 0,35; 0,5; 0,75; 1,0; 1,5; 2,5 100 —60 +90 мпм Многопроволочный, изолиро- ванный полиэтиленом 0,12; 0,2; 0,35; 0,5; 0,75; 1,0; 1,5 250 —50 +100 мшв Многопроволочный, изолиро- . ванный двойной обмоткой из 0,07 0,2; 0,5; 380 —50 +70 шелка 0,75; 1,5 1000- —50 +70 мшп Однопроволочный, изолиро- ванный обмоткой из шелка 0,07; 0.2; 0,5; 380 —50 +70 и полиэтиленом 0.75; 1,0 1000 —50 +70 11 МВ Однопроволочный, изолиро- ванный полихлорвинилом 0,2; 0,5; 0,75 380 —60 +70 пмвг Многоп роволочн ый, изолиро- ваниый обмоткой из хлопча- тобумажной Пряжи илн стекловолокна и полихлор- винилом 0,2; 0,35; 0,5; 0,75 380 —60 +70 Пмов Одно проволоч и ый, изолиро- ванный обмоткой из хлопча- тобумажной пряжи нли сте- кловолокна и полихлорвини- лом 0,2; 0,35; 0,5; 0,75 380 —60 +70 пмп Однопроволочнкй, изолиро- ванный полиэтиленом 0,2; 0,5 380 —60 +70 14
§ 5. Припои и фпюсы Припой — это сплав металлов, предназначенный для соединения деталей и узлов пайкой. Он должен обладать хорошей текучестью в расплавленном состоянии, хорошо смачивать поверхности соеди- няемых материалов, а в твердом состоянии иметь требуемую меха- ническую прочность, стойкость к воздействию внешней среды, требуемый коэффициент теплового расширения и др. Припой выбирают в зависимости от вида соединяемых металлов или сплавов, размера деталей, требуемой механической прочности и устойчивости к коррозии. Для пайки толстых проводов используют припои с температурой плавления более высокой, чем для пайки тонких проводов. В некоторых случаях необходимо учитывать и электропроводности припоя. Припои разделяют па мягкие с температурой плавления /пл < <: 4 (XV С и твердые с > 5OO'J С. К мягким припоям в основном относятся оловянно-свинцовые с содержанием олова от 18 до 80%, а также сплавы олова с кадмием, цинком, алюминием, висмутом и др. Твердые припои отличаются более высокой прочностью при растяжении. К ним относятся главным образом медно-цннковые (ПМЦ) и серебряные (ПСр) припои. Основные характеристики не- которых припоев приведены в табл. 1.10. В. радиотехнической промышленности и радиолюбительской практике наиболее широко используются оловянно-свинцовые при- пои. Их разделяют на бессурьмянистые, содержащие не более 0,05% сурьмы, малосурьмянистые, содержащие 0,05...0,5% сурьмы, и сурьмянистые, содержащие 0,5...6% сурьмы (ГОСТ 21930—76). Малосурьмяиистые припои рекомендуются для пайки цинковых и оцинкованных деталей, сурьмянистые — в основном для пайки стальных деталей. Для самостоятельного изготовления припоя тщательно высу- шенные компоненты состава отвешивают на технических весах, рас- плавляют смесь в металлическом тигле над газовой горелкой и, перемешав припой стержнем из мягкой древесины пли стали, очень осторожно разливают в формы-желоба из жести, дюралюминия или гипса. Перед разливкой с поверхности расплава стальной пластин- кой снимают пленку шлака. Плавку необходимо выполнять в хо-. рошо проветриваемом помещении, надев защитные очки, перчатки и фартук из грубой ткани. Флюс — это вещество или состав, предназначенный для раство- рения и удаления окислов с поверхности спаиваемых деталей. Он должен надежн^ защищать поверхности деталей и припоя от окис- ления в процессе папки. Выбор флюса зависит от соединяемых пайкой металлов пли сплавов и применяемого припоя, а также от вида монтажно-сборочных работ. Температура плавления флюса должна быть ниже температуры плавления припоя. Флюсы разделяют на активные (кислотные), бескислотные, активированные, антикор- розионные. Активные флюсы интенсивно растворяют оксидные плевки га поверхности металла, что обеспечивает высокую механическую прочность соединения. Такне флюсы используют, когда можно пол- ностью удалить их остатки с поверхности соединяемых деталей и места пайки. Прн монтаже электро- и радиоаппаратуры активные флюсы применят^ нельзя. Бескислотные флюсы изготовляют па ос- нове канифоли, которая при пайке очищает поверхность от окислов 15
Т а блица I.IO. Основные характеристики некоторых припоев Марка* Состав, % Темпе- ратура плавле- ния, °C Проч- ность и рп растя- жении, к г;мм2 Применение ПОС-90 Олово — 89...9I, свинец —- остальное 220 4,9 -Для пайки пищевой посуды и медицинских инструмен- тов ГОС-61 Олово—- 60...62, свинец — остальное 190 4,3 Для лужения и пайки в электро- и радиоаппарату- ре, где недопустим пере- грев ГОС-40 Олово — 39...4I, свинец — остальное 238 3,8 Для панки в электроаппара- туре и деталей из оцинко- ванной стали пос-зо Олово — 29...31. свинец — остальное 256 3,3 Для лужения и пайки дета лей из меди и ее сплавов стали Г ОС-10 Олово — 9.. .11, сви- нец — остальное 299 3,2 Для лужения и пайки кон- тактных поверхностей элек- троаппаратуры ПОС-61 м Олово — 60...62, медь— 1,2...2, сви- нец — остальное 192 4.5 Для лужения и пайки элек- тропаяльником тонких мед- ных проводов, печатных проводников, фольги ГОСК 50-18 Олово — 4 9...51, кадмий — 17... 19, свинец — остальное 145 6,7 Для пайки чувствительных к перегреву деталей ПОСС р-15 Олово— 15, цинк — 0.6, свинец— 83, 15, серебро — 1, 25 276 — Для пайки деталей из цинка и оцинкованной Стали Лвиа-1 Олово — 55,- кад- мий — 20, цинк — 200 Для пайки тонкостенных де- талей из алюминия и его сплавов Aonii-2 Олово — 10. кадмий — 29. цинк — 25, алю- миний— 15 250 То же 31А Me «ь -- 27...29, крем- П!!й—5...7, алюми- ний — остальное 525 Для пайки детален из меди и ее сплавов при высоких требованиях к механиче- ской прочности соединения МФ1 Фосфор — «.5...10, 800 — Для пайки деталей из меди н сталей при невысоких требованиях к механиче- ской прочности OlCp-25 Медь — 10, серебро — 25, цинк — 33 780 28 Для пайки деталей из стал ей,- меди и ее сплавов при вы- .сокпх требованиях к меха- нической прочности и аити- - коррозионной стойкости Сплав By д.1 Олово—12,5, сви- нец — 25, кадмий — 1,5, висмут—50 60,5 1 Для пайки в тех случаях, когда требуется очень низ- кая температура плавления припоя * В припоях млрох ПОС допускаются следующие примеси (%):' висмут — UfH мышьяк —0.0 ъ железо, никель, сера — до 0,02, цинк, алюминий — до'0,002, мгдч - д-у 0,05. В припое марки ПСр-25 допускается не более 0,5% примеси, в том чи-. о не более 0,15% свинца. 16
Таблица 1.11. Состав и область применения некоторых флюсов Состав, % Применение Очистка М''Ста пайки от остат- ков флюса Активные флюсы Хлористый цинк —25 , . , 30, соляная кислота —0,6 . . , 0,7, вода—остальное При папке деталей из черных и цветных металлов Тщательная промывка водой Флюс-паста: хлористый цинк (насыщенный ра створ) — 3,7, вазелин (УН-1 пли УП-2, ГОСТ 782—59) — 85, дистил- лироцаииая вода — остальное То же То же Флюс КЭЦ: канифоль-24, хлористый цинк—1, спирт этиловый — остальное При пайке цветных и драго- ценных металлов, а также ответственных деталей нз черных металлов Промывка ацегоном Флюс-паста: канифоль -- 16,* хлористый цинк — 1, . вазе- лин технический — остальное То же. Обеспечивает повы- шенную прочность соедине- ния То же Еескислотн.'ь^ флюсы Канифоль светлая (ГОСТ 797—64) При пайке меди п ее спла- вов: в.о время электромон- тажных работ мягкими и лег- коплавкими припоями Промывка аце- тоном или спир- том Флюс КЭ: канифоль—15 . . . 28, спирт этиловый — осталь- ное То же. Удобен для переноса в труднодоступные места То же Глицерино-канифольный флюс: канифоль — 6, глице- рин—14’ спирт этиловый (или денатурат) — остальное То же. Рекомендуется для тех случаев, когда требу- ется герметичность соедине- ния То же Активированные ф л осы Флюс ЛТИ-1: спирт этило- вый — 67 . . . 73, канифоль— 20 . . . 25, солянокислый ани- лин (ГОСТ 5213—50) — 3 . . . 7, триэтаноламин (ВТУ МХП 1931—49) — 1 ... 2 При пайке «большинства ме- таллов и сплавов (сталь, нержавеющая сталь, медь и ее сплавы, цинк, ни- хром, никель, серебро и др.) Не обяза- тельна Флюс ЛТИ-120: спирт эти ле- вый— 63 ... 71, канпф-.’Ль— 20 . . . 25, диэтплимин со- лянокислый (ВТУ МХП 326— 52) — 3 . .. о, триэтанол- амин —1 . .. 2 То же То же АиТНКОррОЗН 1*1 И Ы С 4’ Л Ю с ы флюс ВТС: вазелин техниче- ский — 63, триэтаноламин — 6,3, с алиц и лова я кг. с лота—6,3, спирт этиловый — остальное Флюс ФИМ: ортофогфор- ная кислота (плотность 1,7 г/см3)— 16, спирт этило- вый — 3,7, вода дистиллиро- ванная — остальное При пайке меди и ее сплавов, константана, серебра, плати- ны п ее сплавов То же. К{оме того, применя- ется при пайке черных ме- таллов Промывка спиртом или ацетоном Промывка водой 17
Продолжение табл. Lil Состав, % Применение Очистка места пайки от о стат* ков флюса Флюс с анилином: соляно- кислый анилии — 1,75, гли- церин — 1,5, канифоль — ос- тальное. Для уменьшения вяз- кости добавляют уайт-сиирит -То «же. В большинстве слу- чаев может заменить флюсы В ТС и ФИМ Нс обязательна и защищает ее от окисления. Их широко используют при монтаже радиоаппаратуры. Удаление этих флюсов после пайки не обязатель- но. Активированные флюсы изготовляют на основе канифоли с до- бавкой активизаторов. Они пригодны для соединения металлов и сплавов, плохо поддающихся пайке (сталь, никель, нихром и др.). Антикоррозисмные флюсыпе вызывают коррозии после пайки. Не- которые из них можно не удалять с места пайки. Состав и область применения некоторых флюсов приведены в табл. 1.11. При пайке медными и латунными припоями, которые отличаются высокой температурой плавления, в качестве флюсов используют главным образом буру (Na2B4O7) и смеси ее с борной кислотой (НзВО3), борным ангидридом (В2О3) и некоторыми дру- гими солями. § 6. Электроизоляционные материалы Основные параметры электроизоляционных материалов. Диэлектри. ческая проницаемость материала — величина, характеризующая способность диэлектрика поляризоваться в электрическом поле и равная отношению емкости конденсатора с данным диэлектриком к емкости аналогичного конденсатора, диэлектриком которого яв- ляется вакуум (ГОСТ 21415—75). Тангенс угла диэлектрических потерь tg б характеризует удель- ные диэлектрические потери, т. е. мощность, рассеиваемую в еди- нице объема вещества, и равен отношению тока проводимости к току смещения. Чем больше tg б, тем больше нагрев диэлектрика в электрическом поле заданных частоты и напряженности. Электрическая прочность диэлектрика определяется напряжен- ностью однородного электрического поля, при которой происходйт электрический пробой. Электропроводимость диэлектрика -харак- теризуется удельным объемным (или просто удельным) р и удельным поверхностным ps сопротивлениями. Для низкокачественных элект- роизоляционных материалов (дерево, мрамор, асбестоцемент и дру- гие) значение р находится в пределах 1О6...1О8 Ом • м, для. высоко качественных (фторопласт, полистирол, кварц и другие) — 1014,.. 101в Ом • м. Нагревостойкость материала — это способность длительно вы- держивать высокую температуру, а также резкую смену темпера- тур. Электроизоляционные материалы разделяют на классы нагре- востойкости (ГОСТ 8865—70): Класс нагревостойкости Y А Е В F Н С Максимальная рабочая тем- Бсратура, сС 90 105 120 130 155 180 >180 Основные параметры электроизоляционных материалов приве- дены в табл. 1.12, 18 '
Электроизоляционные смолы бывают природные и синтети- ческие.'Природные смолы (шеллак, канифоль и др.) могут служить основой электроизоляционных лаков. В настоящее время более широко используются синтетические смолы (капрон, полиэтилен, полистирол, полиэфирные, полиамидные, карбамидные, фенолоаль- дегидные и др. смолы) — как в чистом виде, так и в качестве основы лаков и эмалей. Пластические массы (пластмассы) — материалы па основе при- родных или синтетических высокомолекулярных соединений, спо- собные под действием Нагрева и давления формоваться и затем устой- чиво сохранять приданную форму. Пластмасса состоит обычно из связующего вещества, наполнителя, пластификатора, красителя и вспомогательных веществ. В зависимости от свойств связующего вещества в состав пластмассы может входить только часть компо- нентов. Наиболее важными свойствами современных пластмасс являются малая плотность, высокая механическая прочность, хи- мическая устойчивость, хорошие электроизоляционные свойства, способность перерабатываться в изделия простыми методами. Наиболее распространены следующие пластмассы: 1) поливи- нилхлоридные; 2) полистирол; 3) полиолефины (полиэтилен, поли- пропилен); 4) фторопласты; 5) акриловые пластики (органическое стекло и др.); 6) фенопласты; 7) аминопласты; 8) полиамидные плас- тики (капрон, анид и др.); 9) полиуретановые пластики; 10) эфиро- целлюлозные пластики; 11) стеклопластики; 12) кремнийоргани- ческие пластики; 13) эпоксидные смолы. Хорошими электроизоля- ционными свойствами обладают полистирол, фторопласты, кремний- органические пластики; большой механической прочностью — полиамидные пластики и стеклопластики, высокой термостой- костью — кремнийорганические пластики. Листовые электроизоляционные материалы. Гетинакс — лис- товой материал из прессованной бумаги, пропитанной бакелито- вым лаком. Марки А, Б, В, Г используют при работе на низких час- тотах, марки Ав, Бв, Вв, Гв— на высоких частотах. Марки А и Б отличаются повышенной электрической прочностью и маслостой- костью, Б — повышенной электрической прочностью вдоль слоев, В — повышенной механической прочностью, Г — повышенной вла- гостойкостью. Марки Ав, Бв, Вв, Гв характеризуются малыми диэлектрическими потерями, Ав — повышенным удельным сопро- тивлением, Бв — повышенной термостойкостью, Вв — повышенным удельным сопротивлением. Толщина выпускаемых листов: для марок А, Б — 5...16 мм, для В — 0,2...30 мм, для Г — 5...30 мм, для Ав —0,4...6 мм, для Бв — 0,5...5 мм и для Вв, Гв — 0,4...3,5 мм. Текстолит изготовляется из пропитанной бакелитовым лаком прессованной хлопчатобумажной ткани. Выпускаются следующие три марки текстолита: А, Б, ВЧ. Марка А отличается повышенной маслостойкостью, Б — повышенной механической прочностью, ВЧ — пониженными диэлектрическими потерями и повышенным удельным объемным сопротивлением. Текстолит выпускается в виде листов толщиной 0,5...50 мм и стержней диаметром 8...60 мм. Стеклотекстолит (стекловолокиит) изготовляется на основе стеклянной ткани (волокна), пропитанной синтетическими смолами, и обладает повышенной механической прочностью. Толщина лис- тов — 0,5...3,5 мм. Лакоткань представляет собой хлопчатобумажную или шелко- ₽ую ткань, пропитанную масляными лаками или маслостойкнмн 19
Таблица Г.12. Основные параметры электроизоляционных материалов Материал* Диэлектрическая проницаемость Тангенс угла диэлектрических потерь при частоте Электриче- ская проч- ность, кВ/мм Наг рево- стойко ст ь, 0 С Плотность, Г'СМ5 50 Гц 1 МГц Асбест (ВЛ) 0,7 — 2 600 2,0...2,6 Бакелит (СС) 4,0...4,6 0,05...0,12 — 10...40 150 1,2 Бумага конденсаторная 3,5 0,01 — 20 100 1,0...1,2 Воск пчелиный (В) 2,8... 2,9 0,02... 0,03 — 25...30 63 0,96...0,97 Гетннакс А, Б, В, Г 6...8 0,07...0,1 — 17...30 115...125 1,25...!.4 Гетинакс Ав> Eg, Bg, Tg 6...7 — 0.04...0,06 25...33 125...150 1.3...1,4 Канифоль (CH) 3,5 0,01 — 10...15 60...70 1,1 Капрон, нейлон (ПСС) 3,8...4,2 0,025... 0,03 0,04 15...20 60 1,13 Карболит (П) ’ — 0,03...0,1 — 10...15 — 1,2...1,3 Лакоткань хлопчатобумажная 4,0,..4,6 0,03...0,2 — 5...30 ] 8...60 J 105 1,5 Лакоткань шелковая 3,8...4,5 0,04... 0,08 — Озокерит (В) 2,3 . 0,01 0,003 25 55...98 0,9...1 Органическое стекло (ПСС) 3,5...3,6 0,02...0,06 — 25...40 52... 53 1,18 Парафин ’ 1,9...2,2 — 0,0037 20...30 49...55 0,55... 0,9 Полистирол 2,45.„2,65 0,0002...0,0004 0,0002... 0,0008 25...40 65...96 1,05...1,07 Полихлорвинил (ПСС) 3...5 0,03.„О,08 0,04...0,1 14...20 60...7 0 1',4...1.75 Полиэтилен (СС) 2,2...2,3 0.0002...0,0005 0,001 20...35 100 4 0,92... 0,94 Полипропилен (ПСС), 2,0...2,1 —» 0,0002...0,0003 20.. 30 140...150 0,9...0,91 Прессшпан 3...4 0,02 0,02...0,03 9... 12 100 0,9...1,1 Резина 3,0 0,15 20 55 1,6
» }' - Огнетокер амина 4500... 1700 0,02...0.03 0,004.„0,009 •М 4 Слюда мусковит 6,8...7,2 0,0004.„0,0007 0,001 85.„95 1 Слюда флогопит 5...6 0,006.„0.015 0,005 50 J 600 2,8 Смолы кремнийорганические 3...5 0.001...0,03 0,003.„0,05 18...20 180...200 1.6...Ц7 Смолы эпоксидные 3,7...3,9 0,013 0,019 16 140' 1,1...1,2 Стеатит (К) 6,0...0,5 0,0007 0,002.„0,0008 20...25 160 2.7.„3.0 Стекло 4.„10 0.0005... 0,001 0,001 20.„30 5 00...1700 2.2...4.0 Стеклотекстолит (ССН) 7,5...8.0 0,01...0,1 — 10...12 130 Стецловолокнпт (ПН) 8 0.5 — ’ 4...10 150.„180 ) 1.6...1.8 Текстолит Л, В (ССН) 7,5...8,.5 0.1.„0,15 2...8 Текстолит ВЧ (ССН) 7.5...8 — 0,07 5...8 J 125.„135 1.3.„1,45 Тиконд (К) 70...150 0,0004 0,0004...0,0008 10...12 1 1 3,9 Ультрафарфор (К) 8...8,5 . 0,0004... 0,0008 0,0004.„0,0012 20...25 J 1 3.3.„3.4 Фторопласт-3 (ПСС) 2,3.„2,8 — 0.005.... 0,01 13...15 125 2,1.„2,15 Фторопласт-4 (ПСС) 1,9...2,2 — 0,0002...0,6003 25...27 180.„200 2,1... 2,3. Фибра 3,5 0,05 « — 3...7 100 1,1.„1.2 Фенопласты (П) 7,5...10' 0,03...0,3 — 13...16 100.. .250 1,3.„1.0 Целлулоид (ПЭ) 5,5 — 0,02 30 40 1,3 Целлофан (ПЭ) 3...4 0,2 — 40 80 1,25 Церезин (В) 2,1.„2,3 ' 0,0002 0,0002 15 55.„8'0 0,95 Шеллак (СН) 3,5 ,01 — 20.„30 50.„60 1,0.„1.( Эбонит (КП) 2.7...3.0 — 0,01.„0,015 25 50...90 1,2...1,4 Электрокартон 3,5 0.05 — 8...13 100 • 0(95...1,2о. * Буквы в скобках обозначают: В —.воскообразный, ВЛ — волокнистый, К— керамический, КП — каучуковая пластмасса, П — пласт- масса. ПН — пластмасса с наполнителем, ПЭ — пластик эфиропеллюлозный, ЯСС — продукт смолы синтетической, СН — смело «ату- ! альная, СС — смола синтетическая, ССН — смола синтетическая с наполнителем.
синтетическими смолами. Лакоткань на основе хлопчатобумажной тка- ни выпускается марок Л X1 (с повышенными диэлектрическими свой- ствами), ЛХ2, ЛХМ (маслостойкая) и ЛХС (специальная). Толщина' лаяоткани марок ЛХ1 и ЛХМ — 0,17...0,24 мм, марки ЛХ2— 0,15-..0,24 мм. Лакоткань на основе шелковой ткани выпускается марок ЛШ1 (с повышенными диэлектрическими свойствами), ЛШ2 (с нормальными диэлектрическими свойствами) и ЛШС (спе- циальная). Толщина — 0,06...0,15 мм. Лаки. Пропиточные лаки используются в основном для про- питки волокнистой изоляции (бумага, картон, пряжа, ткань), обмо- ток трансформаторов и других, узлов с целью повышения электри- ческой прочности, улучшения теплообмена и уменьшения гигроско- пичности изоляции,- Для пропитки обмоток применяют маслянсн» ' битумный лак 447, который высыхает при Температуре 110... 150° С за 6 ч, или кремнийорганический лак ЭФ-3, который высыхает - при температуре 200° С за 2 ч, а также масляно-битумные лаки 447М, 458, 458М (классы нагревостойкости Л, Е, В), меламиио- масляно-глифталевый лак МЛ-92 (классы А, Е), эпоксидные ком- паунды на осное смол ЭД-5, ЭД-6, ЭДЛ (классы В, Е), кремний- органические лавки -47, К-57, КО-947, ЭФ-ЗБСУ (класс Н) и др. Покровные лаки и эмали применяются для образования меха- нически прочной, гладкой, влагостойкой электроизоляционной плен- ки на поверхности узлов радиоаппаратуры. Промышленность вы- пускает покровные лаки Э-4100, УР-231 (классы нагревостойкостй А, Е), СБС-1, МЛ-32, ЭП-096 (класс Е), К-55 (классы В, Е) и др., а также эмали СВД, СПВ.Д1КЭ (класс А), ЭП-51 (классы А, Е), 100АСФ (классы В, Е), ОЭП-4171-1 (класс Е), ЭП-74Г (класс Н) и др. Клеящие лаки применяются для склеивания деталей из различ- ных материалов. Полистирольный лак (раствор полисти- рола в толуоле, ксилоле и других растворителях) при высыхании образует пленку, обладающую высокими диэлектрическими показа- телями и малой гигроскопичностью. Пленка не выдерживает иагрева выше 80" С. Шеллачный лак (раствор шеллака в этиловом спирте) обладает высокой электрической прочностью и используется для склеивания и пропитки. Компаунды отличаются от лаков отсутствием в их составе лету- чего растворителя. Они обычно являются смесями различных поли- меров пли способных к полимеризации веществ, битумов, восков и т. п. Различают две основные группы электроизоляционных ком- паундов — пропиточные и заливочные. Назначение пропнточнйх компаунДов такое же, как и пропиточных лаков (см. выше). Зали- вочные компаунды используются для заполнения сравнительно больших полостей и промежутков между различными деталями узлов радиоаппаратуры, а также для нанесения сравнительно толстого покрытия на узлах (катушках контуров, трансформаторов и др.) с целью защиты их от увлажнения, улучшения условий отвода теп- ла, увеличения пробивного напряжения. По сравнению с лаками компаунды позволяют достичь лучшей влагостойкости изоляции, поскольку после затвердевания в них не остается пор от испаряю- щегося растворителя. Битумные компаунды принадлежат к термо- пластичным. Онн размягчаются при нагревании (для пропитки или заливки) и отвердевают при охлаждении. Компаунд Ns 309 состоит из, битума №5 (81%), олифы натуральной (3%) и озокерита (16%). К пшаунды К-Н5Н и К-168 па основе эпоксидных смол отличаются хорошей морозостойкостью (до —60а С). — 22
Клеи. Фейолполивинилацетатные клеи (ГОСТ 12172—74) предназначены для склеивания металлов и неметаллов. Клеи ма- рок БФ-2 и БФ-4 применяют для склеивания цветных металлов, нер- жавеющей стали, термореактивных пластмасс, органического стекла, дерева, фарфора, керамики, фибры, кожи, бумаги и других материалов в любом сочетании. Клей БФ-4 используют в тех слу- чаях, когда клеевое соединение должно быть эластичным и стой- ким к вибрации. Клеи марок БФ-2Н и БФ-4Н рекомендуются для склеивания черных металлов, марки БФР-2— д’ля склеивания паке- тов магиитопроводов, марки БФ-6 — для .склеивания тканей, фетра, войлока, целлофана и др. Полистирольный клей состоит из бензола (56% по массе) и по- листирола (4%) в виде стружки. Применяется для склеивания дета- лей из полистирола. Клей, содержащий 10% полистирола, исполь- зуется для закрепления концов обмоток высокочастотных катушек на каркасах из полистирола. Акриловый клей (2...3% органического стекла и 98...97% ди- хлорэтана) применяется для склеивания органического стекла. Клей 88-Н — это раствор резиновой смеси № 31 и бутилфе- нолформальдегидной смолы в смеси этилацетата и бензина в отноше- нии 2:1. Предназначен для склеивания холодным способом резины и металлов. Клеем 88-Н можно приклеивать резину к стеклу, дереву, коже .и другим материалам, а также склеивать резину с резиной. Клей наносится/гонким слоем на склеиваемые поверхности, которые соединяют после подсыхания клея (до отлипа). Клеевое соединение выдерживают под небольшим давлением в течение нескольких ча- сов. Клей с осадком необходимо йеред употреблением тщательно перемешать. Эпоксидные клеи — это смеси эпоксидной смолы и отвердителя (гексаметилендиамина или полиэтиленполиамина). Для отвердева- ния при комнатной температуре на 100 г смолы берут 6,5... 10 г от- вердителя. Если клеевое соединение должно быть эластичным, в смесь добавляют пластификатор (например, дибутплфталат). Эпоксидными клеями можно пользоваться в течение 1,5 ч после смешения компонентов. Клей Л-4 состоит из эпоксидной смолы Э-40, дибутилфталата и полиэтиленполиамина. На 100т смолы берут 15 г дибутилфталата и -8 г полиэтиленполиамина. Предва- рительно смешивают дибутилфталат и полиэтиленполиамии и эту смесь вводят :в смолу перед .склеиванием. 1 ** Эпоксидные клеи характеризуются высокой стойкостью к воз- действию воды и различных растворителей, ие требуют больших давлений при склеивании. Клей 77ФЭ-2//0.примеияют для склеивания алюминия и дюралю- миния, стекла силикатного и органического марки 1-53, дерева, кожи, бумаги, резины, кожи и.резины, полиамидных пленок, тканей. Клей К-300-61 используют для склеивания стали, сплавов титана, магния, алюминия, асботекстолита, стеклотекстолита, асбоцемента, фторопласта-4 между собой и в различных сочетаниях. Поверхности склеиваемых деталей должны быть хорошо очищены и обезжирены. Клеевое соединение выдерживают при комнатной температуре под давлением 10..,100 кПа. Клей ВС-ЮТ применяют для -склеивания стали, алюминия, стеклотекстолита, пенопласта между собой и в различных сочетаниях. Клеевое соединение выдерживает нагрев до 200е С в течение 200 ч. 23
§ 7. Ферромагнитные материалы Материалы, способные сильно намагничиваться в слабых маг- нитных полях, называют ферромагнитными (ферромагнетиками). Магнитная восприимчивость ферромагнетиков (отношение намаг- ниченности к напряженности магнитного поля) имеет болыпи^по- ложительные значения (до сотеи-тысяч и миллионов). К ферромаг- нетикам относятся железо, никель, кобальт и их сплавы, а также ферриты. Из них изготовляют магнитопроводы (сердечники) транс- форматоров, дросселей, контурных катушек, постоянные магниты, экраны и т. п. Основные характеристики ферромагнетиков определяются по кривым намагничивания (зависийЬстям магнитной индукции Л от напряженности магнитного поля Н). При циклическом намагничи- вании кривая намагничивания образует петлю гистерезиса. На рис. 1.1 показано семейство симметричных гбетель гистерезиса,-по- лученных при различных максимальных значениях напряженности ноля Нт. Кривая, проходящая через вершины петель, называется основной кривой намагничивания по индукции. Эта кривая явля- ется важнейшей характеристикой материала, удовлетворяет требо- ваниям хорошей воспроизводимости и широко используется для характеристики намагничивания материала в постоянных полях. Петлю гистерезиса, полученную при условии насыщения, называют предельной. В справочниках обычно приводят симметричные пре- дельные петли гистерезиса. Индукция насыщения Вт — индукция, соответствующая на- т, е. такому состоянию материала, при котором магнит- ная индукция не изменяется при изменении напряженности магнит- ного поля. Основная единица индукции — тесла (Т). Остаточная индукция В, — индукция, которая остается в материале после сня- тия внешнего магнитного поля. Коэрцитивная сила по индукции Нс — величина, равная напряженности магнитного поля, необхо- 24
Рис. J.2. Частная петля гисте- резиса. димого для изменения индукции от Вг до нуля. Основная единица напряженности поля — ампер на метр (А/м). Магнитная проницаемость — коэффициент, показывающий, во сколько раз магнитная индукция в ферромагнетике больше, чем в воздухе. Магнитная проницаемость ферромагнетика зависит от напряженности поля, температуры и других факторов. Абсолютная магнитная проницаемость определяется отношением р.. = BIH, относительная* —отношением р = В/р^Н, где р() = '5л1О~7Г/м= = 1,257 мкГ/м — магнитная постоянная. Начальная магнитная проницаемость ри отношение магнитной проницаемости на ос- новной -кривой намагничивания по индукции при Н -> 0 (см. рис. 1.1) к магнитной постоянной. Величина рн характеризует ра- . боту материала в слабых полях. Максимальная магнитная прони- цаемость — максимальное значение магнитной проницаемости как функ- ции напряженности поля на основ- ной кривой намагничивания по ин- дукции. Петля гистерезиса, полученная при намагничивании материала пере- менным полем, называется динамичес- кой. Такая петля гистерезиса харак- теризует затраты энергии в течение одного цикла перемагничивания. В общем случае она шире, чем петля гистерезиса при перемагничивании постоянным полем, так как отражает потери не только на гистерезис, но и на вихревые токи, а также дополнительные потерн. Кривая, про- ходящая через вершины динамических петель гистерезиса, полу- ченных при различных значениях Нт, называется динамической кривой намагничивания, а отношение индукции к напряженности поля на этой кривой — динамической магнитной проницаемостью р . Обратимая магнитная проницаемость (при постоянной составля- ющей магнитного поля Нс) р, — предел отношения изменения ин- дукции к удвоенной амплитуде изменения напряженности поля Н Л в данной точке начальной кривой намагничивания по индукции (или петли гистерезиса), деленный на магнитную постоянную (рис. 1.2). Температурный коэффициент начальной магнитной проницае- мости — относительное изменение рн при изменении температу[ ы иа 1° С. Потери энергии в ферромагнитном материале тем больше, чем больше объем материала, площадь динамической петли гистерезиса и частота перемагничивания, а также чем меньше удельное объем- ное электрическое сопротивление материала. Удельные магнитные потери — мощность, поглощаемая в единице массы магнитного ма- териала и рассеиваемая в виде тепла при воздействии на материал переменного магнитного поля. Магнитно-твердые материалы характеризуются высокой коэр- цитивной силой и применяются для изготовления постоянных маг- нитов. К магнитно-твердым материалам относятся некоторые * Обычно пользуются термином «магнитная проницаемости, опуская слово «относительная». 25
Таблица 1.14. Параметры петли гистерезиса и удельные потери электротехнических сталей Марка стали Толщина листов, мм Магнитная индукция, Т, при /7, А/см Удельные потери, Вт/кг, при '* вт, т частоте, Гц 10 ' 25 50 | 100 | 300 1.0 | 1.5 1.7 341 0,33 1,3 1,46 1,57 1.7 1.9 1,35 3 50 0,5 1.3 1,46 1,57 1,7 1,9 1,55 3,5 — 50 342 0,35 1.2Э 1,45 1,56 1,69 1,89 1.2 2,8 __ 50 0,5 1,29 1,45 1,56 1,69 1,89 1.4 3,1 — 50 343 0,35 . 1,29 1,44 1,55 1,69 1,89 1,05 2,5 — 50 0,5 1,29 1,44 1,55 1,69 1.89 ’ 1,25 2,9 — 50 Э43А 0,35 1,29 1,44 1,55 1,69 1,89 0,9 2,2 — 50 0,5 1,29 1,44 1,55 1,69 1,89 1,15 2,7 — 50 344 0,35 КЗ 1,44 —- . 19,0 10,7* — 400 0,2 1,29 1,42 —- — 12,5 7,2* -—• 400 0,1 1,28 1,4 — — — 10,5 6,0* — 400 3310 0,35 0,5 1.6 1.6 1,75 1,75 1,83 1,83 1,91 1,91 1,98 1,98 0,8 1,25 1,75 2,45 2,5 3,2 18 3320 0,35 1,65 1,8 1,87 1,92 2,0 0,7 1,5 2,2 50 0,5 1,65 1,8 1,87 1,92 2,0 0,95 2,1 2,8 50 3330 0,35 1,7 1,85 1,9 1,95 2,0 0,6 1,3 1,9 50 0,5 1,7 1,85 1,9 , 1,95 2.0 0,8 1,75 2,5 50 3330А 0,35 1,7 1,85 1,9 1,95 2,0 0,5 1,1 1,6 50 3340 0,2 1,6 1,7 — — — 12,0 7,0* ** 400 33100 0,5 — 1.5 1.6 1,73 1,96 1,7 3,7 — 50 33200 0,5 — 1,48 •5 1,72 1,95 1,5 3,4 — 50 * При Вт = 0,75 Т. Рис. 1.3. Зависимость динамической магнитной проницае- мости от'амплитуды магнитной индукции и напряженности подмагничивающего поля для электротехнической стали марок Э42 (штриховые кривые) и Э310 (сплошные кривые). 27
Стали марок Э31, Э41, Э42 широко применяются для изготовле- ния магнитопрородов дросселей и трансформаторов, работающих в диапазоне звуковых частот.На более высоких частотах применяют сталь Э44, изготовляемую в виде листов толщиной 0,1...0,35 мм и отличающуюся меньшими удельными потерями. Для работы в сла- бых полях предназначены стали марок Э45, Э46, имеющие более высокую начальную магнитную проницаемость. Наиболее высо- кими магнитными свойствами обладают холоднокатаные стали марок Э310, Э320, ЭЗЗО, которые, кроме,того, характеризуются улучшенными магнитными-свойствами вдоль проката. Эти стали выпускаются в виде листов и лент. Электротехнические стали очень Рис. 1.4. Зависимость обратимой магнитной проницаемости от напряженности подмагничивающего поля некоторых ферромагнитных сплавов (при оптимальном немагнитном зазоре). чувствительны к механическим воздействиям. Поэтому после ме- ханической обработки (резка, штамповка и т. п.) их подвергают отжигу. Пермаллой — магнитно-мягкий сплав на основе никеля и железа с высокой магнитной проницаемостью в слабых магнитных полях (при напряженности порядка 0,1 коэрцитивной силы) на низ- ких частотах. С увеличением содержания никеля магнитная прони- цаемость пермаллоя повышается, однако возрастают удельные по- тери и уменьшается индукция насыщения. При повышении частоты, а также напряженности подмагничивающего поля магнитвая про- ницаемость пермаллоев резко уменьшается. На рис. 1.4 представлена зависимость обратимой магнитной проницаемости от напряженности ^подмагничивающего поля для наиболее широко применяемого пер- маллоя, а на рис. 1.5 —зависимость динамической магнитной про- ницаемости от амплитуды магнитной индукции и напряженности подмагничивающего црля. Пермаллои весьма чувствительны к ме- ханическим воздействиям. При изготовлении деталей из пермаллоя 'следует избегать ударов, рихтовки и т. п. Во избежание деформа- ций, приводящих к ухудшению магнитных свойств магпитопровода, 28
его пластины должны быть сжаты слабо, а обмотка не должна сдав- ливать магнитопров'од. Пермаллои выпускаются в виде холоднокатаных лент толщиной 0,02...2,5 мм, горячекатаных листов толщиной 3...22 мм и горяче- катаных прутков-диаметром 8...100 мм и поставляются в термически необработанном состоянии. После изготовления деталей" их терми- чески обрабатывают для улучшения магнитных свойств. Основные параметры пермаллоев приведены в табл. 1.15. магнитной индукции и напряженности подмагничивающего поля для пермаллоев. Пермаллои с малым содержанием никеля марок 45Н и БОН применяются для изготовления магннтопроводов малогабаритных трансформаторов, дросселей и других намоточных узлов, работаю- Таблица 1.15. 'Основные параметры пермаллоев Марка* Л1агиитная проницаемость Коэрци- тивна я сила, Л/м Индукция на сыще- ния, Т Удельнее электрическое сопротивление. Ом • М1м2/М начальная - максималь- ная 45Н it00.. .2800 (16...25) . 10s 16...32 1,5 0,45 БОН I800X.3000 (20...35) - 103 10...24 1,5 0,45 50Н-У 3000... 4 000 (30...40) • 10s 10...14 1,5 0,45 38НС 2500...3000 (20...25) . Ю8 1 ' 0,95 0,9 421IC 25 00... 3000 (20...25) • 10s 8 1, * 0.85 50НХС 1500...3000 (15...20) • 10s I0...24 1,о 0.9 76НХД (10...18) - 103 (5...15) • 104 1,6...5,6 0,75 0,57 7711 МД (40...90) • 10s (15, ..25) . 104 0.64...1,0 —-• 78НХ (10...12) . 103 (30...35) • 108 2 1,07 0,16 79IIM - (16...25) • 103 (7...15) • 104 1,6...4,0 0,75 0,55 79IIMA (18...50) • 10а (8...30) • 10* 0,8.. ^,-8 0,75 0,56 7911М-У (20...30) 10s (10...22) • 104 1,2...2,4 0,73 0,55 8011М (10... 12) • 10* (3...4.5) . 10s 0,48...0,72 — — 801IXC (18...35) • i0» (7...17) • 104 1,2..*4,0 0,65 0,63 ♦ Цифры и буквы марок пермаллоя обозначают: цифры и буква И в начале — процентное содержание никеля, У в конце — улучшенные свойства, остальные буквы — основные легирующие материалы (Д — медь, М — молибден или мар- ганец, С — кремний, X — хром). 29
его пластины должны быть сжаты слабо, а обмотка не должна сдав- ливать магнитопровод. Пермаллои выпускаются в виде холоднокатаных лент толщиной 0,02...2,5 мм, горячекатаных листов толщиной 3...22 мм и горяче- катаных прутков-диаметром 8... 100 мм и поставляются в термически необработанном состоянии. После изготовления деталей? их терми- чески обрабатывают для улучшения магнитных свойств. Основные параметры пермаллоев приведены в табл. 1.15. Пермаллои с малым содержанием никеля марок 45Н и 50Н применяются для изготовления магннтопроводов малогабаритных трансформаторов, дросселей и других намоточных узлов, работаю- Таблица 1.15. Основные параметры пермаллоев Марка* Магнитная проницаемость Коэрци- тивная сила, Л/м Индукция насыще- ния, Т Удельное электрическое сопротивление. Ом • мм2,м начальная• максималь- ная 45Н 1?00...28С0 (16...25) . 10s 16...32 1,5 0.4 5 50Н 1800Х.3000 (20...35) • 103 10...24 1,5 0,45 5 ОН-У 3000...4000 (30...40) • 10’ 10...14 1,5 0,45 38НС 2500. ..3000 (20. ..25) • 10s 1 0,95 0.9 42НС 2500...3000 (20...25) • 103 8 1, 0.85 50НХС 1500...3000 (15...20) • 10s 10...24 1,0 0 9 76НХД (10...18) . )03 (5...15) 104 1,6...5,6 0,75 0,57 77НМД (40...90) • 103 (15, ..25) - 10* 0,64...1,0 — — 78НХ (10...12) • 103 (30...35) 10s 2 1,07 0,10 79НМ _ (16...25) • 103 (7...15) - 104 1,6...4,0 0,75 0,55 79НМА (18...50) • 103 (8...30) • 104 0,8..^,8 0,75 6,56 79НМ-У (20...30) • 103 (10...22) • 10* 1,2...2,4 0,73 0,55 80НМ (10... 12) • 104 (3...4.5) • 10е 0,48...0.72 — — 80НХС (18...35) • 104 (7...17) • 10‘ 1,2. ..4,0 0,65 0,63 * Цифры и буквы марок пермаллоя обозначают: цифры и буква Н в начале — процентное содержание никеля, У в конце — улучшенные свойства, остальные буквы — основные легирующие материалы (Д — медь, М — молибден или мар- ганец, С — кремний, X —’ хром). 29
щих с подмагничиванием, а также в магнитных цепях, работающих в слабых постоянных магнитных полях. Легированные пермаллои марок 38НС, 42НС и 50НХС отличаются повышенным удельным электрическим сопротивлением и поэтому применяются для изго- товления магнитопроводов трансформаторов, катушек индуктивности и других намоточных узлов, работающих при повышенных и вы- соких частотах. Пермаллои с большим содержанием никеля обладают сравни- тельно малым удельным электрическим сопротивлением и поэтому используются только для изготовления магнитных экранов и магии- толроводов, работающих в постоянных магнитных полях. Легирог ванные высоконикелевые пермаллои также имеют повышенное .удельное электрическое сопротивление и применяются для изго- товления магнитопроводов малогабаритных трансформаторов, дрос- селей, реле и экранов. При повышенных требованиях к температур- ной стабильности применяют пермаллой марки 76НХД, а при высо- ких — пермаллой марки 77НМД. Выпускаются также пермаллои с прямоугольной петлей гистерезиса, которые используются в им- пульсных и вычислительных устройствах. В конце обозначения марки этих пермаллоев стоит буква П. 2. Магнитодиэлектрики — это пластические массы, в которых связующим является диэлектрический материал, а наполнителем— порошок из магнитно-Мягкого материала. В СССР производятся магиитодиэлектрики на основе карбонильного железа, альсифера и пермаллоя. Достоинства магнитодиэлектриков — малые удельные потери энергии, сравнительно слабая зависимость параметров от темпе- ратуры, времени и напряженности магнитного поля, постоянство маг- нитной проницаемости в широком диапазоне частот, а недостаток — сравнительно малая начальная магнитная проницаемость, что огра- ничивает возможности повышения добротности катушек индуктив- ности. Электромагнитные параметры магнитодиэлектриков определя- ются на образцах тороидальной формы. По этим параметрам оцени- вается качество материалов и кольцевых сердечников. Основные параметры магнитодиэлектриков: начальная магнитная проницае- мость, температурный коэффициент магнитной проницаемости и тангенс угла общих потерь при заданных условиях. Тангенс угла общих потерь характеризует потери в магнитном материале. Для ограниченного диапазона частот в слабых магнитных полях при tg 6 < 1 зависимость tg 6 от напряженности поля и час- тоты имеет следующий вид: I где бв и бг — коэффициенты потерь на вихревые токи и гистерезис соответственно; бд — коэффициент дополнительных потерь. При по- вышении частоты f и напряженности магнитного поля Нт начиная с некоторых значений коэффициенты потерь возрастают. Поэтому вводится понятие критической частоты fKp, при которой резко увеличивается tg 6. Обычно пользуются понятиями Др при tg б = = 0,1 и при tg б = 0,02'. Чем выше начальная магнитная прони- цаемость материала, тем меньше граничная частота; ' Магнитодиэлектрики на основе карбо- нильного железа изготовляются прессованием порошка 30
карбонильного железа с бакелитом, стиролом илй аминопластом. Химическая промышленность выпускает два класса порошков-из карбонильного железа: Р (марки Р-10, Р-20, Р-100 и Р-100Ф) — для радиоаппаратуры и Пс — для проводной связи. Кроме того, из карбонильного железа класса Р отжигом в водороде получают вос- становленное карбонильное железо (ВКЖ)> которое отличается по- вышенной магнитной проницаемостью и повышенными потерями. Детали из ВКЖ имеют характерный металлический блеск. Основные параметры карбонильного железа приведены в табл. 1.16. Диапазон рабочих температур карбонильного железа — от —60 до + 100‘ С; тангенс угла потерь изменяется линейно до частоты 100 МГц (для класса Р) и до частоты 50 МГц (для класса П), а так- же при изменении напряженности магнитного поля до 2400 А/м. Таблица 1.16. Электромагнитные параметры магнитодиэлентриков на основе карбонильного железа (ГОСТ 13610—79) Марка* Началь- ная маг- нитиая прони- цаемость Ко эффициен ты потерь ткц в интервале температур от —60 до + 100° С, %/° с Максималь- ная рабочая частота, МГц вг. We, м/А Вв • 10», 1/Гц 6Д - 10‘ Р-10 12...15 3...5 2...3,5 1,5...2,5 0,0025... 0,018 10 Р-20 12...15 1,5...2,5 2...3 0,5...1 - 0,002...0,015 20 Р-100 10...12 1,2...1,9 0,5...1,2 0,5...1 0,005...0,01 100 Р-100Ф 10...12 1...2 0,5...1,5 0,003...0,015 100 Пс 11...13 <1,5 <3,5 -.0,2 0,0025...0,01 1 20 ВКЖ 25 — — — б,025...0,035 0,2 •Цвета маркировки: для Р-10 — белый, для Р-20 — красный, для Р-100—* синий, для Р-100Ф — зеленый, для Пс — желтый. Магнитодиэлектрик альсиф е.р получают прессо- ванием порошка из сплава альсифер (алюминий —кремний —же- лезо) с бакелитом или аминопластом. Он отличается хорошими электромагнитными свойствами и невысокой стоимостью. Важной особенностью альсифера является то, что его температурный коэф- фициент магнитной проницаемости в зависимости от содержания кремния и алюминия может быть меньше, больше нуля или равен ему. Большинство выпускаемых альсиферов имеет отрицательный температурный коэффициент магнитной проницаемости, что позво- ляет использовать их для температурной компенсации параметров катушек индуктивности. Наименьшими значениями ТКр характе- ризуется компенсированный альсифер, в обозначении марок кото- рого содержится буква К. Основные параметры альсиферов приведены в табл. 1.17. Ин- тервал рабочих температур магнитодиэлектриков на основе альси- фера — от —60 до -Т12СГС, пределы линейности тангенса угла по- терь:'по частоте — 0,5 МГц для марки ТЧ-90,1 МГц для ТЧ-60, 2МГц для ВЧ-30 и 20 МГц для ВЧ-22; по напряженности поля —240А/м для марки ТЧ-90,400 А/м для ТЧ-60,800 А/м для ВЧ-30 и 1200 А/м для ВЧ-22. 3. Ферриты представляют собой спеченную смесь окиси трех- валентного железа с окислами одного или нескольких двухвалент- ных металлов. Ферриты тверды, хрупки и по механическим свой- ствам подобны керамике. Плотность ферритов значительно меньше ' 31
Таблица 1.17. Основные параметры магнитодиэлектриков па основе альсифера Марка* Начальная магнитная । роница- емость при 20° С Максималь- ная рабочая частота, кГц ТКцн, %/° С, при температуре, 0 С Тангенс угла общих потерь на частоте 100 кГц при Нт, А/м > Маркировочный знак 9 от +20 до +70 от +20 до —60 16 40 ТЧ-90П 82.„94 10 < — 1 0,06 | — — — Синяя полоса ТЧ-60П 55...65 10 < — 1 0,04 | — — — Черная « ТЧК-55П 5Q...60 10 -0,015...+0,005 — — — Красная » ВЧ-32П 30...34 50 < — | 0,025 | — — — Белая > ВЧ-22П 20...24 100 < - 1 0,02 | — . — — Зеленая » ВЧК-22П 20...24 100 , -0,005.„+0,005 — — — Желтая » ТЧ-90Р, МТЧ-90Р 82...94 10 < — | 0,06 | — 0,071 0,073 Две синие полосы ТЧ-60Р, МТЧ-60Р 55...65 50 <-| 0,04 1 0,0196** 0,0213»* Две черные » ТЧК-55Р, МТЧК-55Р 50...00 v •50 -0,015.„+0,005 —0,045...+0,015 0,0198** 0,0215** Две красные » ВЧ-32Р, МВЧ-32Р 30...34 100 < - 1 0,025 | — 0,0108 0,0114 Две белые » ВЧ-22Р, МВЧ-22Р 20...24 100 < - 1 0,02 | 0,0029 0,0033 Две зеленые г ВЧК-22Р. МВЧК-22Р 20...24 100 — 0,005.„+0,005 -0,015.„+0,015 0,0029 0,0033 Две желтые » * Буквы марок обозначают: ТЧ — тональная частота, ВЧ — высокая частота,' К — компенсированный температурный коэффициент магнитной, проницаемости,- ПиР - соответственно назначение альсифера? для проводной связи и радиоаппаратуры. ** При t — 60 кГц.
плотности металлических магнитных матгргалов и составляет 4;5...4,9 г/см . Ферриты хорошо шлифуются й полируются абра- зивными материалами. Их можно склеивать, например клеем рФ-4. Ферриты являются полупроводниками и обладают электрон- ной проводимостью. Их удельное электрическое сопротивление мо- жет быть очень большим (до 10е Ом • см), что обусловливает малые потеря на вихревые токи в переменных полях высокой частоты. Однако с ростом частоты потери увеличиваются, а магвятная про- ницаемость ферритов уменьшается. Основные параметры ферритов приведены в табл. 1.18. Ферриты’обладают большей коэрцитивной силой и меньшей остаточной ин- дукцией и индукцией насыщения, чем металлические ферромагнит- ные материалы. Поэтому их не ис- пользуют в сильных полях. Свой- ства магнитно-мягких ферритов существенно зависят от частоты, напряженности поля и темпера- туры. На рис. 1.6 представлена зависимость динамической магнит- ной проницаемости от напряжен- ности поля для ферритов некото- рых марок. Обратимая магнитная Проницаемость ферритов (особен- но никелево-цинковых с высокой начальной магнитной проницае- мостью) зависит от ' напряжен- ности подмагничивающего поля (рис. 1.7 и 1.8). Рекомендацив по-ис- пользованию магнит- но-мягкнх ферритов. Современные магнитно-мягкие ферриты можно разделить на не- сколько групп, различающихся электромагнитными параметрами и назначением. Ферриты марок 6000НМ, 4000НМ, 3000НМ, 2000НМ, 1500НМ, 1000НМ исполь- Рис. 1.6. Зависимость динамической магнитной проницаемости от ампли- туды напряженности поля для фер- ритов разных марок: / — 1000НН; 2 — 2000НМ1: 3 — 10CCFM; 4 — 2000НМ; 5 — 3000НМ; 6 — 600НН: 7—2000НН; 8—4000ИМ; S— 1S00HM3: Iff — 400НН; 11 — I000HM3; 12 — 200НН, 700НМ; 13— 6000ИМ. зуются на частотах до нескольких сотен килогерц, когда не предъяв- ляются повышенные требования к температурной стабильности. Ферриты первых трех марок рекомендуется применять в магннтопро- водах вместо тонколистового пермаллоя (толщиной 0,1...0,02 н меньше). Ферриты марок 2000НМ1, 1500НМ1, 20С0НМЗ, 1500НМЗ, 1000НМЗ’ н 700НМ отличаются повышенной температурной ста- бильностью и сравнительно малыми потерями. Их можно исполь- зовать в слабых н средних полях при частоте до 3 МГц. При повышен- ных требованиях к термостабнльности в широком интервале темпе- ратур предпочтительнее использование ферритов четырех послед- них марок. ♦ Ферриты марок 2000НН, 1000НН, 600НН, 400НН, 200НН и 100НН применяются в слабых полях в диапазоне частот до не- скольких мегагерц. Ферриты первых трех марок значительно усту- пают марганцево-цинковым ферритам с такими же значениями маг- нитной проницаемости, однако они дешевле, поэтому широко исноль- 2 1-88 33
1 вблица 1.1®. Основные параметры магнитно-мягких ферритов Марка* Начальная магнитная проницаемость при 20° С ч. Параметры петли гистерезиса ТКцн в интер- вале температур от +20 ДО +50° С, %/°С Нт. А/м Вт, Т Вп т HCi А/м 10 ооонм 8000...12000 800 0,35 0,11 4,0 0,5.„1,0 о ооонм 4800...8000 800 0,35 0,13 6,4 0...0.84 4000НМ 3500...4800 800 0,38 0.14 11,2 0,4...0,8 г 000HM 2500...3500 800 0,37 0.1 9,6 0,45...0,75 2000НМ 1700...2500 800 0,39 0.1 16,8 — 0.5...4-0,1 2000НМ1 1700...2500 800 0.34 0.15 20,8 — 0,02.„4-0.2 2800НМЗ 1700...2500 800 0,36 0,12 25 0...0.2 1500НМ ' 1200...1700 800 0,35 0,11 24 —0,15...4-1,2 15С0НМ1 1200...1700 800 0,35 0,14 16 — 0.15.„4-0,12 1500НМЗ 1200...1700 800 0,38 0,09 20,8 —0,03.„4-0,1 1000НМ 800...1200 800 0,35 0,11 28 0,1.„0,9 1000НМЗ 800...1200 800 0.33 0,1 * 28- — 0,02...4-0,1 700НМ 500...800 800 0,4 0,05 25,6 — 0,014.„4-0,084 2000НН 1500...2500 800 0,25 0,12 8 0,6...1.8 юоонн 800...1200 800 0,33 0,15 20 0,5...1,5 осени 500...720 •800 0,31 0,14 32 0.36.. .0,9 4С0НН 320...480 800 0,23 0,12 64 0,2...0,6 зоонн 280...350 4000 о,3 0,13 80 0,15.„0,45 200НН 130...250 800 0.17 0,1 120 0,08...0,2 200НН2 190...230 4000 0.4 0,25 80 0,4.„0,8 150НН1 125...160 — — —• 0.6...1.2 100НН 80...120 800 0,36 0.2 64 0,9...3 100НН1 80...120 —> —• —• 90НН 80...95 400Q 0,38 0,29 224 0,63 60НН 50...65 4000 0,42 0.3 320 0,15...0,36 55НН 50...65 4000 0.33 0,24 544 0,47 35НН 30...38 4000 0,34 0,28 720 0,21 300 ВЧ 280...320 — — — — ♦— 200ВЧ 180...220 — — —0,2 150ВЧ 125...160 4000 0,35 0,17 240 —0,06.„4-0,06 100 ВЧ 80...120 4000 0,37 0,17 300 0,08 90 ВЧ 80...100 — — — —‘ 0,045 50ВЧ 45...60 800 0,36 0,13 112 0,25 50В 42 45...65 4000 0,31 0,2 448 —0,О15.„4-0,05 50ВЧЗ 45...60 — — — — 0,25 30ВЧ2 25...35 4000 0,29 0,16 720 — 0,1.„4-0,1 20ВЧ 16...24 4000 0,14 0,05 640 —0.02...4-0,03 10ВЧ1 9...14 —. — — — 9ВЧ 9...13 — — — —» 0.036.„0,01 7ВЧ1 6.. .8 8000 0,13 0,06 2200 — 0,02.„4-0,1 5ВЧ1 4,7—6,5 •—• —• 0,14 4ВЧ 3,3... 4,2 — — — — 0,4 * В обозначении марки феррита цифры соответствуют номинальному значению низкочастотный; вторая буква: М— маргаицево-цинковый феррит, Н никелево- высоких частотах; цифры после букв свидетельствуют о Р2ЗЛИЧИЙ свойств ** Минимальная рабочая температура для ферритов марок 35НН, 90НН и 150НН4 остальных ферритов — =^60° С. 34
Тангенс угла потерь, ие более, при (tg 5/Ни>Х X 10* при напряжен- ности поля 0,8 А/м Критиче- ская час- тота, МГц, при tg 6 Максимальная напряжен- ности поля, А/м частоте, МГц рабочая частота, МГц амплиту- да напря- женности поля. А/м рабочая темпера- тура, ** °C 0.1 0,02 0.8 | 8 0,35 0,9 0,02 35 0,005 — — — 90 0,24 0.36 0,02 40 0,03 — 0,05 8 100 0,14 0,24 0,2 35 0,1 0,005 0,1 8 120 0,1 0.18 0,2 35 0,2 0.015 0,2 10,4 120 0,03 0,09 0,2 15 0,45 0,06 0.45 14.4 155 0,03 0,09 0,1 15 0,5 0,05 1,0 14,4 70 0,024 0.07 0,1 12 0.5 — 1,0 14,4 100 0,023 0, 07 0,1 15 0.6 0,09 0,6 16 155 0,023 0,07 0,1 * 15 0.6 0,09 1,0 16 70 0,008 0,023 0,1 5 1,5 0,35 1.0 16 155 0,015 0.06 0,1 15 1,0 0,13 1.0 24 155 0,006 0,015 0,1 • Б 1.8 0,7 1.0 24 155 0,112 — 3 160 5,0 2,1 3,0 32 150 0,2 0,6 0,1 100 0,2 0,005 0,2 70 0,085 0,2 0,1 85 0.4 0,02 0.3 — 100 0,015 0,075 0.1 25 1,2 0,2 1.0 •— по 0,008 0,02 0.1 20 2,0 0.7 2,0 .— 125 0,011 1.0 35 5 3 4,5 — 100 0,006 0,013 0,1 30 3 1 — — 120 0.01 — 3,0 50 15 10 30 — 100 0,01 — 3.0 — 35 17 30 — 100 0,013 •— 1.0 125 30 ' 15 30 — 100 0,02 — 1.0 200 4 — —. — 120 0,01 •— 7.0 ПО 30 15 30 — 100 0,015 •— 15, № 250 50 35 50 — 100 0,008 •— 8,0 145 50 — 50 — 100 0,01 — 7,0 — 120 — 120 — 100 0,05 — з.о 166 8 — — 120 0,013 — 3,0 65 20 — — — 0.02 •— 12,0 130 25 15 — 60 0,013 10,0 130 35 25 —w — 125 0.008 —» 8.0 89 40 — — — 125 0.01 — 0,5 200 60 — — 125 0,006 —- 10,0 120 50 35 50 125 0,007 8,0 140 85 — W* <ч 125 0,025 • 0,2 5,0 850 200 100 50 — 125 0,02 зе,о юоо 100 65 70 — 125 0.05 •— 15.0 5000 220 — —. — 125 0,02 •— 15,0 2200 250 — —. — — 0,012 —» 100,0 1700 200 — 200 — 125 0,03 15,0 6000 350 .— — .— 0.028 •— 400,0 1200 300 — 300 — 125 начальной магнитной проницгемости; первая буква Н означает, что феэрнт цинковый; буквы ВЧ указыва ют. что феррит Йредназначен для работы на равна 0°С, для 1500НМ1 н 2000НМ1------10° С, для 30ВЧ2 —. —20“ С, для 2* 35
Рис. 1.7. Зависимость обратимой магнитной проницаемости от напряженности подмагничивающего поля для ферритов разных марок: . Рис. 1.8. Зависимость обратимой магнитной проницаемости от на- пряженности подмагничивающего поля для ферритов разных марок; 1 — 200НН2; 2 - 300НН; 3 — 90НН; 4 - 60НН; 5 — 35НН; 6 — 10ВЧ1. 1 — 6000НМ; 2 — 4000НМ; 3 — 3000НМ: 4 — 2000НМ, 2000НМ1; 5 — 1500МН1, 1500НМЗ: 6— 1000НМ, 1000НМЗ; 7-700НМ (сплош- ные кривые); Г — 2000НН; 2' — 1000НН; 3' — 600НН; 4'— 400НН; 5’ — 200НН; 6' — 100ВЧ; 7' — 50ВЧ2 (штриховые кривые).
зуются при невысоких требованиях к стабильности и потерям. Остальные ферриты этой группы применяются в катушках колеба- тельных контуров и магнитных антеннах. Ферриты марок 150ВЧ, 100ВЧ, 50ВЧ2, 30ВЧ2, 20ВЧ, 7ВЧ и 4ВЧ предназначены для использования в слабых полях' Кри частоте до 100 МГц. Они отличаются малыми потерями и малым ТКрн в широком интервале температур, поэтому наиболее широко применяются в высококачественных катушках индуктивности, а’ первых двух марок—-также для магнитных антенн. Ферриты марок 300НН, 200НН2, 150НН1, 100НН1, 90НН, 60НН, 55НН, 35НН и 10ВЧ1 отличаются малыми потерями в силь- ных полях. Их основное назначение — сердечники катушек коле- бательных контуров, перестраиваемых подмагничиванием сердеч- ника, и контуры магнитных модуляторов. В слабых полях tg б и ТКрн этих ферритов значительно больше, чем ферритов груп- пы ВЧ. Ферриты марок 300ВЧ, 200ВЧ, 90ВЧ и 50ВЧЗ целесообразно использовать для сердечников высокочастотных широкополосных трансформаторов, . 1
ГЛАВА II РАДИОДЕТАЛИ И УЗЛЫ ОБЩЕГО ПРИМЕНЕНИЯ § 1. Общие сведения о конденсаторах ч Электрический конденсатор представляет собой систему из двух проводников электрического тока (обкладок), разделенных диэлект- риком, и обладает способностью накапливать электрическую энергию. Емкость конденсатора определяется отношением накапливае- мого в нем электрического заряда к приложенному напряжению. . Емкость конденсатора зависит от материала диэлектрика, формы и взаимного расположения обкладок и для разных конструкций выражается следующими формулами: для плоского конденсатора с двумя, обкладками С = 8,8 • 10-SgS/d, где е — диэлектрическая проницаемость диэлектрика; S — пло- щадь обкладки; d — толщина диэлектрика; для многопластинчатого плоского конденсатора С = 8,8 • 10-зе.5(п — l)/d, где п — число обкладок; для цилиндрического конденсатора С = 0,5. 10~8e//lg (D2/Dj), где I — длина цилиндров; Dj — внешний диаметр внутреннего ци- линдра; D2 — внутренний диаметр внешнего цилиндра; для спи- рального конденсатора, изготовляемого намоткой, с диэлектриком и обкладкой ленточной формы С = 1,76. lO-SfM/d, где Ь и L — соответственно ширина и длина развернутой плоской лепты. В приведенных формулах единица емкости — пикофарада, площади — квадратный миллиметр, линейных размеров — мил- лиметр. Удельная емкость конденсатора — отноше- ние емкости к объему (нли массе) конденсатора. Номинальная емкость конденсатора — ем- кость, которую должен иметь конденсатор в соответствии с норма- тивной документацией (ГОСТ или ТУ). Фактическая емкость каж- ' дого экземпляра конденсатора отличается от номинальной, но не более чем на величину допуска. Номинальные емкости всех типов конденсаторов постоянной емкости (кроме вакуумных н сильно- точных высокого напряжения) устанавливаются ГОСТ 2519—67. Согласно этому стандарту, номинальные емкости конденсаторов с допустимыми отклонениями ±5, ± 10 и ±20% выбираются из рядов, приведенных в табл. II.1. Конкретные значения номиналь- ной емкости получают умножением соответствующих чисел рядов ня 10!, где п — целое положительное или отрицательное число. Номинальные емкости конденсаторов с допустимым отклонением 38
Таблица II.I Риды Е номинальных емкостей конденсаторов и сопротивлений резисторов Индекс . ряда Номинальные значения (единицы, десятки, сотни ом, килоом, мегаом, гигаом. Допустимое откло- нение от номиналь- ных значений, % гикофарад, микрофара/ фарад) Е6 1.0 1,5 2,2 3.3 4.7 6.8 ±20 EI2 • 1,0 1,5 2,2 3,3 4,7 6,8 ±10 1,2 1.8 2,7 3,9. 5,6 8.2 ±10 Е24 1,0 1,5 2,2 3,3 4.7 6,8 ±5 1,1 1,6 2,4 3,6 5,1 7.5 ±5 1.2 1,« 2,7 3,9 5.6 8,2 ±5 1.3 2,0 3,0 4,3 6.2 9.1 ±5 Примечание. Ряды Е представляют собой геометрическую прогрессию со енаменатвлем qn. равным: для ряда Е6. ?« == 5/ 10 == 1,47; для EI2 <?,, = 1,/ м/ 4в/" У 10= 1.21: для Е24 9,4 = -]/ 10 = 1,1; для Е48 qu = if 10= 1,05; для . МГ 162/" Е96 ?,.= |/ 10= 1,025; для EI9S <?„, = |/ 10= 1,012. более 20% выбираются из ряда Е6. Номинальные емкости конден- саторов, разработанных до введения ГОСТ 2519—67 и не подверг- шихся последующей модернизации, выбираются нз рядов, установ- ленных для каждого типа конденсатора. Номинальные емкости конденсаторов с допустимым отклонением меньше ±5% (за исклю- чением конденсаторов с бумажным н пленочным диэлектриками в прямоугольных корпусах) выбираются из рядов Е48, Е96 и Е192, установленных, как и ряды в табл. II.1, Международной электро- технической комиссией (МЭК). Допустимое отклонение емкост йот номиналь- ной (допуск) характеризует точность значения емкости. Значения этих отклонений- установлены ГОСТ 9661—61, в соответствии с не- торым конденсаторы делятся ности: на следующие основные классы точ- Класс 001 Допустимое откло- 002 005 00 I П III нение, % ±0,1 Класс IV ±0.2 ±0,5 ±1 ±5 ±10 ±20 V VI допустимое откло- нение. % —10...+20 —20...+30 —20...+50 Электрическая прочность конденсатора характеризуется сле- дующими показателями: номинальное рабочее напряжение (или просто номинальное напряжение) — максимальное напряжение, прн котором конденсатор может надежно работать в течение мини- мальной наработки в условиях, указанных в технической докумен- тации (ГОСТ 21415—75); испытательное напряжение — макси- мальное напряжение, при котором испытывается электрическая прочность конденсатора; пробивное напряжение — минимальное напряжение, при котором происходит электрический пробой кон- денсатора при быстром испытании (напряжение повышается до про- боя в течение нескольких секунд). Соотношение между этими напря- жениями определяется видом диэлектрика. Обычно испытательное 39
напряжение превышает номинальное и 1,5...3 раза. Номинальные напряжения конденсаторов установлены ГОСТ 0665—68. Сопротивление изоляции конденсатора — сопротивление кон- денсатора постоянному току. Оно определяется соотношением /?из = 17//ут, где U — напряжение, приложенное к конденсатору; /ут — ток проводимости, или утечки. Постоянная времени конденсатора тс — произведение сопротив- ления изоляции н емкости конденсатора. Величина тс является основной характеристикой1 качества конденсатора при использо- вании его в цепи постоянного тока. Она выражается в МОм • мкФ или в секундах. Для разных типов конденсаторов значение тс может составлять от нескольких''минут до нескольких суток. Проводимостью изоляции обусловлен саморазряд конденса- тора — уменьшение напряжения на обкладках предварительно за- ряженного конденсатора с течением времени,' Постоянная времени тс представляет собой время, в течение которого напряжение на конденсаторе снижается до значения Ute, т. е. до 37% начального напряжения U. Сопротивление изоляции измеряют при нормальных климатических условиях (температура 25±10'4 С, относительная влажность 45.,.75%, атмосферное давление 86... 106 кПа). С повы- шением температуры сопротивление изоляции резко уменьшается. Так, сопротивление изоляции конденсаторов с органическим ди- электриком при повышении температуры на 10й С уменьшается в 2 раза, а на 100° С — в 1000 раз. Частотные свойства. Емкость конденсатора зависит от частоты приложенного переменного напряжения. При изменении частоты изменяются диэлектрическая проницаемость диэлектрика и степень влияния паразитных параметров — собственной индуктивности и со- противления потерь. На высоких частотах любой конденсатор мож- но рассматривать Как последовательный колебательный контур, образуемый емкостью С, собственной индуктивностью Lc и сопро- тивлением потерь Rn. Резонанс этого контура наступает на частоте /р = LcC. При /> /р конденсатор в цепи переменного тока ведет себя как катушка индуктивности. Следовательно, конденса-- тор целесообразно использовать лишь на частотах f< fp, на кото- рых его сопротивление носит емкостный характер. Обычно макси- мальная рабочая частота конденсатора примерно в 2.-3 раза ниже резонансной. Характер частотной зависимости действующей емкости конден- сатора Сд (с учетом влияния параметров Lc и 7?п) в диапазоне час- тот от нуля до /р обусловливается соотношением параметров С, Lc и Rn‘ В большинстве случаев Сд уменьшается с ростом частоты во всем указанном диапазоне. Однако вблизи резонансной частоты она всегда уменьшается и стремится к нулю. Потери энергии в конденсаторах обусловлены проводимостью диэлектрика, нагревом металлических элементов, контактов между обкладками и выводами н другими явлениями. В конденсаторах малой мощности, .для которых допустимая реактивная мощность составляет не более сотен вольт-ампер, потери в основном опреде- ляются потерями в диэлектрике. Мощность потерь в конденсаторе Pa = ^ptg6. 40
Ил дог, Рис. II.1. Зависимость допустимой ам- плитуды напряжения на конденсаторе от частоты. Области режимов работы кон- денсатора: 1 — рабочих; 2 — теплового пробоя; 3 — повышенной вероятности электрического пробоя; 4 — электрического пробоя; 5 — пониженных значений Сд; 6 — индук- тивного характера сопротивления кон- денсатора. где Рр = 1/г(£>С — реактивная мощность конденсатора.; tg 6 — тан- генс угла потерь (U — переменное напряжение на конденсаторе; С — емкость конденсатора; о — круговая частота). Величина tg6 (или обратная ей, называемая добротностью конденсатора) харак- теризует потери энергии в конденсаторе. Чем больше добротность конденсатора, тем меньше потери энергии в нем при прочих равных условиях. Допустимая амплитуда -переменного напряжения на конденса- торе, при которой потери энергии не превышают допустимых, оп- ределяется по формуле доп ~ p.oiJn№’ где Рр.дОп — допустимая реак- тивная мощность, В • A; f — частота переменного напряже- ния, Гц;' С — емкость конден- сатора, Ф. Превышение напря- жения Um доп может вызвать тепловой пробой диэлектрика и другие нежелательные явле- ния. Значения Рр.дОП приво- дятся в справочных данных конденсаторов, предназначен- ных для работы в цепях пере- менного н пульсирующего то- ков. На рнс. II.1 представле- на зависимость напряжения (7т доп от частоты, построен- ная для фиксированных значе- ний температуры и допусти- мой мощности потерь Ра = = Ра доп- Граничная частота определяется допустимым сни- жением действующей емкости. Стабильность параметров конденсаторов. Электрические свой- ства и срок службы конденсаторов зависят от условий эксплуа- тации (воздействие тепла, влажности, радиации, вибраций, ударов н др.). Влияние тепла проявляется в изменении емкости и доброт- ности - конденсаторов, а также электрической прочности. Температурный коэффициент емкости ха- рактеризует обратимые изменения емкости конденсатора с измене- нием температуры. Он представляет собой относительное изменение емкости при изменении температуры на Г С. Конденсаторы постоянной емкости в зависимости от темпера- турной стабильности разделяются на группы, каждая из которых характеризуется своим ТКЕ (табл. II.2), Если зависимость емкости от температуры нелинейна, температурную стабильность емкости конденсатора характеризуют относительным изменением емкости при переходе от нормальной температуры (20±5~> С) к предельным значениям рабочей температуры. Допустимые изменения емкости конденсаторов относительно емкости при 20J С приведены в табл. 11.3. Необратимые изменения емкости конденсаторов при воздействии тепла характеризуются остаточным относительным изменением 41
Таблица 11.2. Характеристики групп температурной стабильности конденсаторов__________________________________________________и Группа ТКЕ, %/ °C Изменение ёмкос- ти, %, не более, в интервале температур, °C Цвет номи- нальиое значение допустимые отклонения покрытия маркиро- вочкого знака подгруп- па 1 подгруп- па 2 от —60 до +20 от +20 до +155 Сл юдяные А Не нормируется .— —. — —• Б ±0,02 | — | — —- — — В ±0,01 — — — — — — Г ±0,005 | — | — •— — — — Керамические, стеклянные и стеклокерамические П100 (П120) +0,01 +0,012 — 0,004 ±0.004 —2 +2 Синий — П60 +0,006 +0,012 — 0.004 ±0.004 — 1,5 +2 Серый Красный ПЗЗ +0,0033 +0,012 — 0,004 ±о.оо5 +1 — мпо 0 +0,012 — 0,004 ±0,003 ±1 ±1 Голубой Черный мзз — 0,0033 +0,012 ±0.003 +1 —1 Корич но- —0.004 вый М47 — 0,0047 +0,012 — 0,004 ±0,004 +1,5 —1,5 » — М75 —0,0075 +0,012 —0,004 ±0,004 +2 —2 Красный Ml 50 —0,015 +0.012 — 0.004 ±0,004 +3 —3 Красный Оранжевый М220 —0,022 +0.012 — 0,004 ±0.004 +4 —4, Желтый ,М330 —0,033 + 0,012* — 0.006 ±0.006» +6 —6 » Зеленый М470 — 0,047 +0,012 — 0,009 ±0.009 +8 —8 » Синий М750 — 0,075 +0,025 ±0,012 +12 —12 — (М700) —0,012 М1500 (Ml 300) —0,15 ±0,025 ±0,025 +25 —25 Зеленый — М2200 — 0,22 ±0,05 +40 — 40 Зеленый Желтый М3300 — 0,33 ± 0,1 +60 —60 — — Приме а н и я: I. Конденсаторы могут быть покрыты эмалью любого цвета с.маркировкой буквами и цифрами или двумя рядом расположенными знаками (точки или полоски). При этом конденсаторы групп П100, ПЗЗ, М47, М750, Mt500 должны иметь цветной знак, соответствующий цвету покрытия конденсатора. Для других групп цвет первого знака должен соответствовать цвету покрытия, а вто- рого — цвету, указанному в графе «Цвет маркировочного знака». В последнем случае площадь первого знака должиа быть приблизительно в два раза больше площади второго. 2. Маркировочный знак на трубчатых конденсаторах помеща- ется со стороны вывода внешнего электрода. • Для стеклокерамическнх конденсаторов и ±0,01 соответственно. 42
емкости после возвращения к исходной температуре. Такое относи- тельное изменение емкости называется коэффициентом температур- ной нестабильности емкости (КТНЕ). С повышением температуры уменьшаются электрическая проч- ность конденсатора и срок его службы. Понижение атмосферного давления приводит к уменьшению электрической прочности, изме- нениям емкости вследствие деформации элементов конструкции кон- денсатора; возможны нарушения герметизации конденсатора. При поглощении влаги диэлектриком конденсатора увеличивается ем- кость и резко уменьшается сопротивление изоляции. В результате уменьшения сопротивления изоляции возрастают потери, особенно при повышенных температурах, и уменьшается электрическая прочность (повышается вероятность теплового пробоя). При дли- тельном хранении конденсаторов изменяется их емкость. Классификация конденсаторов возможна по разным признакам. Целесообразнее всего классифици- ровать их по роду диэлектрика. Сокращенные обозначения, позволяющие определить, к како- му типу относится данный конден- сатор, установлены ГОСТ 13453— 68. Они содержат три элемента. Первый элемент (одна или две буквы) ' обозначает группу кон- денсаторов: К — конденсатор по- стоянной емкости; КТ — конден- сатор подстроечный; КП — кон- денсатор переменный. Второй — число, обозначающее разновид- Таблица (1.3. Допустимое изменение емкости конденсаторов с диэлектриком из низкочасютной керамики относительно емкости при 20° С в интервале температур от —60 до ±85° С Группа Допусти- мое изме- нение емкости, % Цвет маркиро- вочной точки иа корпусе оранжевого цвета НЮ ±10 Черный Н20 ±20 Красный ИЗО • ±30 Зеленый изо ±50 Синий Н70 ±70 —. Н90 ±90 Белый диэлектриком; 4 — ность конденсаторов: 1 ный; 2 — воздушный; — вакуум- 3 — с газообразным с твердым диэлектриком; 10 — керамические на номинальное на- пряжение до 1600 В; 15 — керамические на номинальное напряже- ние 1600 В и выше; 20 — кварцевые; 21 — стеклянные; 22 — стеклокерамические; 23 — стеклоэмалевые; 31 — слюдяные малой мощности; 32 — слюдяные большой мощности; 40 — бумажные иа номинальное напряжение до 2 кВ с обкладками из фольги; 41 — бумажные на номинальное напряжение 2 кВ и выше с ...обкладками из фольги; 42 — бумажные с металлизирован- ными обкладками; 50 — электролитические фольговые алюминие- вые; 51 — электролитические фольговые танталовые, ниобиевые и др.; 52 — электролитические объемно-пористые; 53 — оксидно- полупроводниковые; 54 — оксидно-металлические; 60 — воздуш- ные; 61 -г- вакуумные; 71 — полистирвльные; 72 — фторопласто- вые; 73 — полиэтилентерефталатные/ 75 — комбинированные; 76 — лакопленочные; 77 — поликарбонатные. Третий элемент — порядковый номер конденсатора, присваиваемый при разработке. Маркировка конденсаторов. Для маркировки конденсаторов и записи в технической документации введены кодированные обо- значения емкости и допустимых отклонений емкости от номиналь- ной. Они состоят из цифр, обозначающих номинальную емкость; буквы, обозначающей единицу емкости; буквы, обозначающей до- пустимое отклонение емкости от номинальной. Емкости до 100 пФ выражаются в пикофарадах и обозначаются буквой П; емкости от 43
100 пФ до 0,1 мкФ — в нанофарадах и обозначаются буквой Н; емкости от 0,1 мкФ и выше — в микрофарадах и обозначаются бук- вой М. Эти буквы ставятся иа место запятой десятичной дроби, которая выражает значение емкости. Если значение номинальной емкости выражается целым числом, то буква, обозначающая еди- ницу емкости, ставится после него. Если значение номинальной емкости выражается десятичной дробью, меньшей единицы, то нуль целых и запятая из маркйровки исключаются и буквенное обозначение единицы емкости располагается перед числом. Например, 9,1 пФ обозначается 9П1; 22 пФ — 22П; 150 пФ — Н15; 1800 пФ— 1Н8; 0,01 мкФ — ЮН; 0,15 мкФ — М15; 50 мкФ — 50М. Кодиро- ванные обозначения допустимых отклонений емкости от номиналь- ного значения приведены в табл. II.4. Таблица 11.4. Кодированные обозначения допустимых отклонений емкости и сопротивления от. номинальных Допустимое отклонение» % Кодированное обозначение Допустимое • отклонение, % * Кодированное обозначение ±0,1 ж +30 Ф ±0.2 У От 4-50 до —10 э ±0,5 д От 4-50 до —20 * Б ±1 р От 4-80 до —20 , А ±2 л 4-ЮО 7 Я + 5 и От 4-100 до —10 Ю ±10 с ±0,4 * X ±20 в В пикофарадах. На конденсаторах достаточно большого размера обозначаются тип, номинальная емкость и допустимое отклонение емкости от но- минальной в процентах, номинальное напряжение, марка завода- изготовителя, месяц и год выпуска. Если конденсатор данного типа выпускается только одного класса точности, то допуск не маркируют. На слюдяных и некоторых других конденсаторах указывается груп- па ТКЕ. Для маркировки группы ТКЕ используется также цветной код — окраска корпуса в определенный цвет (см. табл. II.2), а для маркировки допустимых изменений емкости при изменении темпе- ратуры — цветной код в виде точки определенного цвета (см. табл. II.3). § 2. Конденсаторы постоянной емкости Слюдяные конденсаторы выпускаются с обкладками из фольги, а также с обкладками, выполненными способом металлизации.’ По- следние имеют меньшие размеры. Слюдяные конденсаторы характе- ризуются высокими электрическими показателями и применяются в качестве контурных, переходных, разделительных, блокировоч- ных, а также в различных фильтрах. Герметизированные слюдяные конденсаторы являются наиболее влагостойкими, но имеют боль- шие размеры и высшую стоимость. Внешний вид некоторых слюдяных конденсаторов показан на рис.П.2, а основные параметры приведены в табл. II.5. Сопротивле- ние изоляции слюдяных конденсаторов — 7,5...50 ГОм, доброт- 44
Рис. П.2. Слюдяные конденсаторы: 1 — КСО-1; 2 — К СО-2; 3 — КСО-5; 4- СГМ-Г; 5 — СГМ-3; 6 — СГМ-4. ность превышает 1000 (для конденсаторов с емкостью более 200 пФ). Слюдяные конденсаторы типов КСО (конденсаторы слюдяные опрес- сованные) и СГМ (слюдяные герметизированные малогабаритные) выпускаются с допусками ±2; ±5; ± 10; ±20%, кроме КСО с труп-- пой А по ТКЕ, которые вы- пускаются с допусками ±5; ±10 и ±20%. Керамические конденсаторы представляют собой пластннкн, диски или трубки нз керамики с нанесенными на них элек- тродами из металла. Для за- щиты от внешних воздействий эти конденсаторы окрашивают эмалями или герметизируют, покрывая эпоксидными компа- ундами либо заключая в специ- альный корпус: Керамические конденсаторы широко приме- няются в качестве контурных, блокировочных, разделитель- ных и др. Конденсаторы с ди- электриком из высокочастотной керамики характеризуются высоки- ми электрическими показателями н сравнительно небольшой стои- мостью. Сопротивление изоляции этих конденсаторов при 20J С превышает 5... 10 ГОм, тангенс угла потерь на частотах порядка Таблица П.5. Основные параметры слюдяных конденсаторов Тип Номинальная емкость, пФ Номинальное напряжение, В Реактивная мощность, В • А, не более Г руппа по ТКЕ Размеры (без выводов), мм КСО-1 51...750 250 5 Б. В 13X7X4,6 100...750 250 5 Г К СО-2 100...2400 500 10 Б,.В, Г 18X11X6,5 100...680 500 10 А КСО-5 470...6800 500 20 А, Б, В, Г 20X20x9 7500... 10000 250 20 СГМ-1 100... 560 250 5 Б, Г 15X9,5X6 СГМ-2 620...1200 250 Ъ 15X10X7 СГМ-3 100...4300 500 10 Б, Г 19X13,5X7,5 1 100...3000 1000 10 100...1500 1500 10 СГМ-4 6800... 10000 250 20 Б, Г 19X22X9 4700...6200 500 20 3300...6800 1000 20 1600...3900 1500 20 К31П-6 100...1000 100 , 5...20 ’ —- бхбхз 1 МГц—0,0012...0,0015. Основные параметры керамических кон- денсаторов приведены в табл. II.6; внешний внд некоторых из них показан на рис. II.3, а чертежи внешнего вида — на рис. II.4. Конденсаторы с диэлектриком из низкочастотной керамики от- личаются большой удельной емкостью н малой стоимостью. 45
Таблиц а 11.6. Основные параметры керамических, стеклянных. стеклокерами_ Тип Особенности конструкции Пределы номинальной емкости, пФ Ряд номи- нальных емкостей Допустимое отклоне-* ние емкости от номн-’( иальной, % i Керам 1 ч е с к и е клг Литой, секционный 18... 2000 Е24 2; 5; 10; 20 1000...10000 — 20 47 00... 2 2000 Е6 От +80 до —20 клс 8,2...3000 Е24 5; 10; 20 680... 100000 Е6 От 4-80 до —20; 20 км Монолитный 16...5600 Е24 5; 10; 20 680...68000 Е6 От 4-50 до —20 15000... 150000 Е6 От +80 до —20 КМ-6 > 120...15000 Е24 5; 10; 20 10000... 150000 Е6 От 4- 50 до —20 22000... 2200000 Е6 От 4-80 до —20 кд Ди сковый 1...270 Е24 2; 5; 10; 20 330... 68 00 Е6 От 4-50 до —20 кду Дисковый, для УКВ 1...47 Е24 10; 20 ' кдо Дисковый, опорный 3,3...100 — 20 1500; 2200 —. От +80 до —20 ко Опорный, трубчатый 6,8... 330 — 20 1000...4700 — От +80 до —20 кт Трубчатый 1...750 Е24 2; 5; 10; 20 680... 10000 Е6 От 4-80 До —20 ктп Трубчатый, проходной 5,6...470 — 10; 20 1500... 15000 —— От 4-80 до —20 КТПМ-Е Трубчатый, проходной, 5,6...390 10; 20 К10У-5 малогабаритный 680...3000 От 4-80 до —20 Дисковый 3300...2,2-10® От 4-80 до —20 К10-7В Пластинчатый 15...1000 Е24 5; 10; 20 680... 10000 Е6 От 4-50 до —20 К10-17 1500...68000 Е6 От +80 до —20 П рямоугольный 2,2...39 000 Е24 5; 10; 20 470...680000 Е6 От +50 до —20 К10-23 4700...1,540е Е6 От 4-80 до —20 2.2...3000 Е24 5; 10; 20 КЮ-26 Плоский, неизолированный 680...33000 Е6 От 4-50'до —20 1 1,2...274 Е12...Е96 К10-28 Плоский изолированный (0,22...1). 10» Е6 От +50 до —20; 20 К10-29 Цилиндрнч ескнй 0,47... 10 Е24 5; 10; 20 К1 0-36 Плоский, изолированный 1500...68000 Е6 От +50 до —20 К10-40 Ннзкоч астотный 3300...22С0( Е6 От 4-80 до —20 Стекл я и н ы е К21У-2 —- 10...3000 5; 10; 20 К21У-3 — 9.1...5600 2; 5; 10; 20 К21-5 П рямоу гольный 2,2...330 Е24 5; 10 K2I-7 Плоский, изолированный 56...20000 5; Ю; 20 K2I-8 9,1...1500 Е24 5; Ю; 20 K2I-9 • 2,2...10000 Е24 2; 5: 10; 20 С теклокерамич е с к н е скм Многослойный 10...Ю00 Е24 2; 5; 10; 20 скм-т 680... 5100 Е6 От +50 до —20 Многослойный, термо- стойкий Плоский, изолированный 9,1. ..1000 Е24 2; 5; 10; 20 К22У-1 22... 39 00 Е24 5; 10; 20 К22-5 или неизолированный 680... 150 00 Е6 От +50 до *—20 75...39000 Е24 5; 10; 20 470. ..120000 Е12 10; 20 Ст екл оэмалевые кс ( Плоский | 9,1...1000 - 2; 5; 10; 20 Примечание. Цифры в графе «Примечание» обозначают I — для работы в це стоянного и переменною токов; 3 — для использования в качестве контурных, раз и блокировочных; 5—допустимые отклонения емкости от номинальной не мене цветной код (зеленый— 70 В, фиолетовый— 160 В , желтый — 250 В, коричневый- для которых: коричневый— 100 В черный — 160 В, без маркировки— 50 В); 8 — с проволочными выводами и без ннх. 46
уески и стеклоэмалевых конденсаторов J Номинальное ; - напряжение : - при темпера- 2 туре до 85 °C, в Допусти- мая ^.ак- тивная мощность, В А Группы по ТКЕ Интервал рабочих темпера- тур, °C Приме- чание ОТ | до 160; 250 60...150 М47, М75, М700, М1300 —60 + 125 1; з; 7 160; 250 3...7.5 ИЗО —6( -J-100 1: 4; 7 70; 160 3...7,5 Н70 —6( +85 1; 4 80; 125; 200 75...175 М47, М75, М750. Ml 500 —60 +85 1; 3; 7 50; 80...200; ЗБ 3,75...8,75 Н30, Н50, Н70. Н90 —60 +85 1; 4; 7 160; 250 10.-.40 ПЗЗ,.МПО, М-17, М75, М750, Ml500 —60 4-155 1; з । 100; 160; 250 0,5...2 ИЗО —60 +125 1; 4 50 0,5...2 Н90 —60 +85 1; 4 25; 50 10...30 ПЗЗ, М47, М75. М750, М1500 —60 +155 1; з £5; 50 0,5...1.5 Н30, Н50 —60 4-155 2; 4 25; 35 0,5...1,5 Н90 —60 4-85 2; 4 . 30; 80; 100...500 20...100 П120, ПЗЗ, М47, М150, М1500 —60 4-155 1; 3; 5 160; 300 1...5 Н30, Н70 —40 te 1; 4 500 40...100 П100. ПЗЗ, М47, М700 —60 2; 3;-5 400 75 П120, М47, М75, М700, М1300 —60 +85 1 400 —• Н70 —60 +85 1 500 50; 75 П120, М47, М75, М700, Ml 300 —60 --85 1 500 2; 4 Н70 —60 4-85 1 80...750 20...600 П100, ПЗЗ, М47, М75, М700, М1300 -60 4-125 1; 3; 5 80; 160; 300 1...30 Н70 —40 4-85 1: 4 , 400; 500; 750 0. ..70 П100, М47, М75, М750, М1500 —60 +85 1; 4 400; 500; 750 2,5...3,5 Н70 —60 4-85 200 ЗС; 40; 50 11120, М47, М75. М750. М1500, М22С0 —60 4-85 100; 160 1,5; 2; 2,5 изо —60 4-85 3...50 — 1420, Н50, Н90 —60 4-85 К 4 50 20...100 ПЗЗ, МПО, М47, М75, М750, М1500 —60 4-155 1; з 50 1...5 ИЗО —61 + 155 1; 4 50 1...5 Н70, Н90 —60 4-155 1; 4 25; 50 1. ..40 ПЗЗ, М47, М7 5, М750, Ml 500 —60 4-125 1; 5 25: 50 0,05...1,5 Н50 —60 4-125 1 25; 40 0,05...1,5 Н90 —60 4-85 1 16 20 ПЗЗ, М17, М75, М750, М1500 —60 4-85 1 16 1 нзо —60 4-85 1; 4 50 20 мпо —60 +85 1; з 50 0,5; 1 НЗО —60 +S5 1; 4 250 10 М75, МЗЗО, М750, М1500 —60 4-85 1; 8 50 0,5; 1; 1,5 НЗО —60 +85 1; 4 50 5 Н70 —60 4-85 1; 4 125...1000 5; 10 П120, МПО —60 +200 1; 6; 9 250 160 25...100 10 ПЗЗ, МПО МПО, М47, М75, МЗЗО —60 —60 +100 1; 3; 1; 6; 9 50 10...50 П120 —60 +155 1; 3 250 10...40 П60, ПЗЗ. МП0.М47.М75, Ml50, МЗЗО — 60 4-155 1; 9 25...500 40...200 П100, ПЗЗ, МПО, М47, М75, Ml 50, М220 —60 +125 1; з 125; 250; 500 30; 40; 55 МПО, М47, МЗЗО —60 +125 1; 9 125; 250 1; 1,5 НЗО —60 +100 1; 4 125; 250 30; 40; 55 МПО, МЗЗО —60 +200 1: 3 35...250 15; 20; 30 МПО, М47, МЗЗО —60 4-85 1; з 12...100 ),8; 1,0; 1,5 НЗО —60 +85 2; 4 25 20...60 М75, М470 —60 4-85 1: з 25 5...15 НЮ —40 +85 2; 4 . 300; 500 | 15...200 [П60, МПО, М47, Ml 50 | 2; 3; 6 лях постоянного, переменного и пульсирующего токов; 2 — для работы в цепях по- делительных и бЛокироврчных; 4 — для использования в качестве разделительных 0,4 пФ; 6— не менее 1 пФ; 7 — для маркировки рабочего напряжения применяется 125 В, черный— 200 В, без маркировки— 80 В, кроме конденсаторов группы ИЗО, допустимые отклонения емкости от номинальной не менее 0,25 пФ; 9 — выпускаются 47
Сопротивление изоляции этих конденсаторов при 20"’ С — не менее 1...3 ГОм, тангенс угла потерь — не более 0,025...0,035 (измеряется на частоте I кГц). ТКЕ этих конденсаторов не нормируется. Их Рис. II.3. Керамические и стеклоэмалевые конденсаторы: 1 —КТ-1; 2 — КТ-2; 3 — КТ-3; 4 — КД; 5 — КДУ; 6 — КПМ; 7 — КС» 8 — КЛС. температурная стабильность характеризуется относительным изме- нением емкости в интервале рабочих температур (см. табл. II.3), Конденсаторы с диэлектриком из низкочастотной керамики приме- няют в цепях, где потери не имеют большого значения, а изменение емкости мало влияет на работу аппаратуры, например в качестве разделительных или блокировочных. 48
Сравнительно большой удельной емкостью обладают низко- вольтные керамические конденсаторы на основе тонких пленок (КЮ-7В, K10-I7, К10-23 и др.). Обкладки этих конденсаторов вы- полняются в виде слоя серебра, нанесенного на керамические плас- тинки (пленки). Конденсаторы с небольшим ТКЕ (термостабильные) применя- ются в контурах гетеродинов повышенной стабильности и узкополос- ных селективных систем, а конденсаторы с отрицательным ТКЕ (группы М47, М75 и др.)—для термокомпенсацип изменений ре- е зона пеной частоты контуров. Стеклимые конденсаторы представляют собой монолитные спеченные блоки из чередующихся слоев стеклянной пленки и влю- РиС. И.5.' Малогабаритные металлобумажные и металлоплепочкые конденсаторы: 1 — МБМ (номинальное напряжение 160 В); 2— ПМ-1; 3— ПМ-2 (5100 и 510 пФ). миниевой фольги. Корпус конденсаторов изготовляется из такого же стекла, что и диэлектрик между обкладками. Этим обеспечиваются высокая добротность конденсаторов (до 700 на частотах порядка 1 МГц), большое сопротивление изоляции (10...50 ГОм и больше) и повышенная теплостойкость. Конденсаторы выпускаются с про- волочными выводами и без иих. В последнем случае их припаивают к проводникам- печатных плат торцевыми поверхностями, к кото- рым подсоединены обкладки. Удельная емкость стеклянных конден- саторов примерно такая же, как конденсаторов с диэлектриком из высокочастотной керамики. Чертежи внешнего вида стеклянных конденсаторов приведены на рис. II.4, а основные параметры — в табл. II.6. Стеклокерамические конденсаторы по конструкции подобны стеклянным. Диэлектриком в них служит стекло с добавкой высо- кочастотной керамики. По электрическим параметрам эти конден- саторы близки к керамическим и стеклянным (см. табл. 11.6). Чер- тежи внешнего вида стеклокерамических конденсаторов приведены на рис. II.4. Стеклоэмалевые конденсаторы по конструкции также подобны стеклянным. Диэлектриком в них служит стекловидная эмаль, а об- кладками — слон серебра. Стеклоэмалевые конденсаторы характе- 49
о Таллина 11.7. Основные параметры 'металлобумажных, пленочных и металлопленочных конденсаторов с номинальным напряже- нием до 180 В Тип Особенности конструкции Корпус Пределы номинальной емкости Допустимое отклонение емкости от номинальной, % Номиналь- ное на- пряжение, В Интервал рабочих тем- ператур, °C Приме- чание 1 ОТ ДО МБМ Полистиролы Металлобумажный, малогабаритный 1ые с фольговыми обкладками ЦМ 0,05...! мкФ 10; 20 160 2 ПМ Малогабаритный - 100 пФ...0,01 мкФ 5; 10; 20 60 -60 +70 2 К70-7 | - Полистнрольные с металлизированными обкладками ПМ, ПП | 0,01...0,5 мкФ 0,3; 0,5; 1; 2 юо -60 • +60 2 К71-3 Герметизированный ПМ 1 4...10 мкФ I 1; 2; 5; 10 1 160 -60 + 100 2 К71-4 Уплотненный ЦМ 1,2... 10 мкФ | 2; 5; 10: 20 160 -60 +85 +85 3 К71-5 | | ЦМ 1 Полиэтилентсрефталатные с металлизированными обкладками 0.01...1 мкФ 1 2; 5; 10 1 160 -60 3 К73П-3 Для печатного монтажа ПМ 0,05...1 мкФ 10; 20 160 -60 + 125 2 К73-5 Герметизированный, плоский — 0,001...0,22 мкФ 10; 20 100 -60 + 125 4; 5 К73-9 | » » Полнэтнлентерефталатные с фольговыми обкладками — 0,001...0,47 мкФ 5; 10; 20 100 -60 + 100 2 К74-5 | Для печатного монтажа ПМ 0,001...0,22 мкФ 10; 20 50 1 -20 | +70 5 Лакопленочные К76П-1 Герметизированный Уплотненный ЦМ им 0,47...22 мкФ 5; 10; 20 63 -60 + 70 2 К76-2 Герметизированный Уплотненный ЦМ ЦМ 0,47...22 мкФ 5; 10; 20 100 -60 +85 2 К76-4 Поликарбонап гиые с металлизированными обкладками ЦМ 0,47...10 мкФ 5; 10; .20 25 -60 +70 2 К77-1 — ЦМ 0,22...22 мкФ 0,1.. 3,9 мкФ 0,5; 1; 2; 5; 10; 20 2; 5; 10; 20 63 100 —80 + 125 э К77-2 ♦ ЦМ 0,056. „2,2 мкФ С,01...0,047 мкФ 2; 5; 10; 20 5; 10; 20 63 100 —60 + 100 2 Примечания: 1. В графе «Корпус» буквы обозначают: ПМ — прямоугольный металлический; ПП— прямоугольный пластмассо- вый; ЦМ •— цилиндрический металлический. 2. В графе «Примечание» цифры обозначают: 2 — для работы в цепях постоянного, переменного и пульсирующего токов; 3 — для работы в цепях постоянного, переменного н пульсирующего токов, а также импульс- ном режиме; 4 — допускают эксплуатацию при напряжении не ниже 10 В; 5 — для работы в цепях постоянного ^пульсирующего токов.
рнзуются высоким сопротивлением изоляции (более 20 ГОм при температуре 20° С),, большой добротностью (до 700 на частотах по- рядка 1 МГц), повышенной теплостойкостью (см. табл. II.6). Их внешний вид показан на рис. II.3. Металлобумажные конденсаторы характеризуются значительно большей удельной емкостью, чем бумажные. Диэлектриком в них является лакированная конденсаторная бумага, обкладками — слои металла толщиной меньше микрометра, нанесенные на одну сторону Таблица 11,8. Максимальные размеры (без выводов) и масса кон- денсаторов типа МБМ с номинальным напряжением 160 В бумаги. Корпусы выполнены в виде цилиндров из алюминия (рис. II.5), герметизированы на торцах эпоксидной смолой. Основные параметры металлобумажных конденсаторов типа МБМ (металлобу- мажных малогабаритных) приведены в табл. II.7, а их максимальные размеры и масса — в табл. II.8. Пленочные н металлопленоч- ные конденсаторы. Диэлектриком в пленочных и металлопленочных конденсаторах является тонкая пленка из пластмассы (полисти- рол, фторопласт н др.). Обкладки пленочных конденсаторов — ме- таллическая фольга, металлопле- ночных — тонкий слой металла, нанесенный на пленку. Конденсаторы с пленочным диэлектриком характеризуются большой добротностью (до 2000), большим ' сопротивлением изоля- ции (до 10s ГОм) н высокой ста- бильностью (ТКЕя= 0,02%/° С). Конденсаторы с фторопластовым ________ . £ ч ч Ч t- га 5 я л и й | Од, S SV О S « X ф S 0,05 6.8 22 2 0,1 9,3 22 3 0,25 9,3 36 5 0,6 11,8 36 8 1.0 14,8 36 10 Конденсаторы с фторопластовым диэлектриком могут работать до температуры 200J С. Параметры некоторых типов пленочных конденса- торов приведены в табл. II.7 и II.9, а внешний вид показан на рис. II.5. Таблица 11.9. Максимальные размеры (без выводов) и масса конденсаторов типа ПМ Номинальная емкость*, пФ Диаметр Длина Масса, г, не более ,. ПМ-1 ПМ-2 ПМ-1 ПМ-2 _ж_ _ ПМ-1 ПМ-2 100; 300; 510 3,4 4 9 14 0,4 0,8 750; 1000 4 5 11 16 0,5 1.0 1100...1500 5.5 6 12 18 0,8 2.0 1600...2400 5.5 6 18 24 1,2 2.5 2700...3300 6 7,5 18 24 1,6 3,0 3600; 3900 6,7 7.5 18 24 1,8 3,0 4300... 5600 7,5 8,5 18 24 2,0 3.5 6200... 8200 9 10 18 24 2.3 4,0 9100; 10000 1 0 11 18 24 2,5 4.5 * Про» ежуточные значения номинальной емкости приведены в табл. 11.1. Электролитн ’ежие и оксидно-полупроводниковые к<ндеисаторы в качестве диэлектрика содержат оксидный слой на металле, явля- ющемся одной из обкладок (анодом). Вторая обкладка (катод) — электролит (в электролитических конденсаторах) или слой полупро- водника (в оксидно-полупроводниковых), нанесенный непосредствен- 51
Тзбятгця '1.10. Основные гтэра.”2тры электрол и г ни-эсг^х конденса торов с номинальным нэп ?яжеииом до 160 В Тип Пределы номиналь- ной емкости, мкФ Допустимое откло- нение емкости от номинальной, % Номинальное рабо- чее напряжение. В Диапазон рабочих температур, 0 С Изменение емкости по отношению к емкости при 20е С, %, не более ^гглп ПРИ ^rnin при -'пи кэ-м 10...2000 От -J-50 до -20 8...150-* -40 +60 -50 +39 кэ-пм 10...1000 От +50 до -20 20...150’* -50 +60 -50 +15 кэ-ом 10...1000 , От +50 до -20 20...150** —60 +60 -50 +15 ЭГЦ-М 5...2000 От +50 до —20 6...150** -40 +60 —50 +30 эгц-ом 5...2000 От +50 до —20 25...150** —60 +60 -50 +15 эм-н 0,5...50 +100 4...150 -10 +70 —60*** эм-м 0,5...50 +100 4...150 -40 +70 — 60*** эм-ом 0,5...5 +100 20...100 -60 +70 —60*** — К 50-3 1...5000 От +50 до — 20* 6...160** -40 +70 -50 +30 К50-ЗА 1...1000 От +50 до -20 12... 160** -60 +85 -50 +30 К50-ЗБ 2...2000 От +50 до -20 6...160** -40 +70 -50 +30 К50-6 1...10 000 От +80 ДО -20 6...160 -10 +70 — ( +35 1 -10 ' К50-7 20...500 От +80 до -20 50; 160** -10 +85 — +25 К50-9 0,5...20 От +100 до -10 3; 6 -20 +60 -50 +40**** К50-12 1...5000 От +80 до -20 6,3...160** -20 +70 -40 +30
K50-I5 2.2...680 От +50 до —20 От +80 до —20 * 6,3...250 —60 +125 -60 + 30 К50-16 2... 5000 — 6,3...25 -20 +70 . — — 0,5...2000 — 50...160 -20 +70 — — К50-18 1000...470 000 От +50 до —20 3...250 —25 +70 — — К50-20 1...5000 От +80 до —20 6,3...160* ** -40 +70 -50 +30 эт 5...500 ±20; ±30; 6...150 —60 +100 -50 +30 этн 9...70 от +50 до —20 30...100 -60 +100 ' -30 +40 ЭТО-1 Юл.80 ±10; ±20; ±30; 6...90 -60 +155 -60 +45 ЭТО-2 100...1000 от +50 до —20 6...90 -60 • +155 - —60 +45 К52-1 1,5...470 ±10; ±20; ±30; 3...100 — 60 +85 -70 +30 К52-1Б 3,3...680 от +50 до —20 6,3...100 • —60 +85 -70' +30 К52-2 10... 1000 6...90 -60 +155 —75 +45 К52-3 10...1000 ±10; ±20; ±30; 6...90 -60 +155 -30 +25 К 52-5 6,8...330 от +50 ДО -20 15...150 -60 ' +200 -30 +30 * Для конденсаторов с номинальным напряжением до 100 В и номинальной емкостью до 100 мкФ — от -J-80 до —20%. ** Конденсаторы выпускаются и на более высокие рабочие напряжения. *** Для конденсаторов с номинальным напряжением 10 В и выше — не более—50%. pi ***♦ Для конденсаторов с номинальной емкостью 5 мкФ и более и рабочим напряжением 3 В, а также для конденсаторов стюминаль- ной емкостью 2 мкФ н более и рабочим напряжением 6 В — не более 30%.
Таблица И.II. Номинальные размеры и масса конденсаторов типа К50-6 Номинальное напряжение, В Номинальная емкость, мкФ D, мм Н, мм Масса, г Вариант кон* струкцнн (см. рис. II.7, а) 6 50 7,5 - 13 1,4 1 6 100 10,5 15 2,5 6 200 14 16 ' 5,5 2 6 1 00 18 18 8,5 10 10 6 13 0,8 1 10 20 7,5 13 1.4 10 50 10,5 15 2,5 10 100 12 16 4 2 10 200 16 18 6,5 10 500 18 25 12 10 1000 18 45 25 10 2000 24 47 40 3 10 4000 30 47 60 15 1 4 13 0,6 1 15 5 6 13 0,8 15 10 6 13 0,8 15 20 ' 7,5 13 1.4 15 30 7,5 13 1.4 15 50 10,5 18 3,5 1 15 100 12 18 4,5 2 15 200 16 18 6,2 15 500 18 25 12 15 1000 21 45 35 15 2000 26 62 55 3 15 4000 30 62 70 25 1 4 13 0.7 - 1 25 5 7,5 13 1.4 25 10 7,5 13 1.4 25 20 10,5 15 2,5 2 25 50 14 18 . 6 25 100 16 18 6,5 25 200 18 45 8,5 25 500 18 45 25 3 25 iooo 30 47 60 25 2000 30 62 70 25 4000 34 80 । 120 50 1 6 13 0,8 1 50 2 6 13 0,8 50 5 7,5 13 1.5 50 10 10,5 15 2,5 50 20 12 16 4 2 50 • 50 18 18 8,5 50 100 18 25 12 50 200 18 45 25 100 1 6 13 0,8 1 100 2 6 18 1,2 100 5 7,5 18 2,0 100 10 12 18 4,5 2 100 20 14 18 5,5 160 1 6 18 1.2 1 460 7.5 18 2 54
Продолжение табл II 11 Номинальное напряжение, В Номинальная емкость, мкФ О, мм Н, мм Масса, г Вариант кон- струкции (см рис. 11 7,, а) 160 5 12 18 4,5 2 160 10 16 18 6.5 15 5 6 18 1,2 / 15 10 7,5 18 2.0 15 20 10.5 18 3,5 15 50 <6 18 6,5 2 25 10 10.5 18 3.5 1 Примечание. В конце таблицы приведены размеры и масса для пяти но- миналов неполярных конденсаторов. Таблица 11.12. Максимальные размеры (см. рис. II.7) и масса конденсаторов типа К50-9 Номиналь- ное напряг жение, В Номиналь- ная ем- кость, мкФ Q 1 L, мм- blt мм мм н, мм Масса, г, не более, для вариантов кон- струкции / 2. 3 3 6 0,5: 1; 2 0.5; 1 2,8 10.5 3,4 11 *1,7 0,2 0.25 3 6 5; 10 2; 5 3,5 13,5 м 14 2,0 0,25 0.4 3 6 20 10; 20 5.0 13,5 6,0 14 2,8 0,45 0.6 Примечание. Длина выводов— 16...20 мм (для вариантов конструкции/ и 2) и 10...12 мм (для варианта 3)‘, диаметр выводов — i0,4± 0,1 мм. Таблица 11.13. Номинальные размеры* (см. рис. II.7) и масса конденсаторов типа К50-15 Номинальное напряжение, В Номинальная емкость, мкФ О*» мм мм Масса, г, не более** 6.3 68 9 28 4/5 6.3 150 9 35 4,5/6.5 6,3 220 9 50 6/7.5 6.3 330 9 60 7/8.5 6.3 680 12 6 У 11/13 16 47 9 28 4/5 16 100 9 35 4.5/6.5 15 220 9 60 7/8.5 16 470 12 60 11/13 16 680 12 70 31,15 65
Продолжение табл. 11.13 Номинальное нал ряж сние, В Номинальная емкость, мкФ D, мм £, мм Масса, г, не более 25 33 9 28 4/5 25 47 9 35 4,5/6,5 25 100 9 60 7/8,5 25 220 12 60 11/13 25 330 12 - * 70 13/15 50 10 9 28 4/5 50 22 9 50 6/7,5 50 47 9 60 7/8,5 50 100 12 70 13/15 100 4,7 9 28 4/5 100 15 9 50 6/7.5 100 33 12 60 11/13 100 47 12 * - 70 13/15 1G0 4,7 9 35 4,5/6.5 160 10 9 60 7/8,5 160 22 12 60 11/13 160 33 12 70 13/15 * Приведены номинальные значения D (допустимые отклонения J.0’5) в мак- симальные значения L. ** Числитель дроби—масса конденсатора в нормальном исполнении, знамена- тель— в тропическом исполнении. но на оксидный слой. Аноды изготовляются из алюминиевой, танта- ловой или ниобиевой фольги. Электролитические и оксидно-полупроводниковые конденсаторы отличаются малыми размерами, большими токами утечки и боль- шими потерями. При одинаковых номинальных напряжениях и но- минальных емкостях объем танталовых конденсаторов меньше объема конденсаторов с алюминиевыми анодами. Танталовые конденса- торы могут работать при более высоких температурах, их емкость меньше изменяется при изменении температуры, токи утечки у-них меньше. Оксидно-полупроводниковые конденсаторы могут рабо- тать при более низких температурах, чем электролитические. Проводимость широко распространенных электролитических и оксндно-полупроводниковых конденсаторов сильно зависит от полярности приложенного напряжения, поэтому они используются лишь в цепях постоянного и пульсирующего токов. Изготовляются также неполярные электролитические конденсаторы, в которых обе обкладки содержат оксидный слой. Значение переменной состав- ляющей пульсирующего напряжения не должно превышать допус- тимого для данного конденсатора. Сумма амплитуды переменной составляющей и постоянного напряжения не должна превышать номинального напряжения данного конденсатора. Электролитические и оксидно-полупроводниковые конденса- торы используются в фильтрах выпрямителей, в качестве блокирую- щих и развязывающих в цеп-ях звуковых частот, а также в качестве переходных в полупроводниковых усилителях звуковых частот. Основные параметры электролитических конденсаторов с но- мйнальным напряжением до 160 В приведены в табл. 11.10, размеры и масса, конденсаторов некоторых типов — в табл. II. 11...II. 15» 56 з
Таблица I J. 14. Номинальные размеры* (см. рис. II. 8) и масса конденсаторов типов ЭТ и ЭТН ЭТ ЭТН ф В? о га 0 я к я г? о Ч п f- QJ G £Х * Й Е Ф га £ S и sge s s s ra *> ss S *CQ S K 5 a. „ ra £ E w a £ га Я X К к m Q •J <u < a .2 <2 я X я a <5 6 50 8.5 44 11 30 20 8,5 6 150 11 48 15 30 50 14 6 500 14 67 30 30 70 14 15 50 11 44 12 15 100 11 54 J 5 60 10 11 15 250 14 67 30 60 25 14 30 20 10 44 12 60 30 14 30 50 11 54 15 30 1Ь0 14 55 22 100 5 11 60 100 10 14 10 10 44 12 100 20 14 60 20 11 48 15 60 50 14 55 22 100 5 8,5 44 11 100 10 11 48 15 100 30 14 67 30 150 5 10 44 12 150 10 11 54 15 150 20 14 55 20 48 55 67 48 55 67 15 22 30 22 30 * Приведены номинальные значения D ^допустимые отклонения и мак- симальные значения L. Конденсаторы типов К52-2 и К-52-3 с номинальными емкостями от 10 до 80 мкФ выпускаются в корпусах диаметром 13,5±0,5 мм и длиной мм, а с номинальными емкостями от 100 до Таблица Номинальные размеры конденсаторов л DxL (cm. рис. 11.8) мм, при номинальном напряжении, В IggS X x sc S 3 • 6.3 16 25 35 50 70 90 1.5 2,2 3,3 4,7 6,8 10 15 22 33 47 68 100 150 220 330 470 3X11 4X14,5 4,6x17,5 3x11 4x14,5 4,6X17,5 6X20 6X20 7,5x24 7,5X24 Зхп 4X14,5 4.6x17,5 6X20 7,5X24 3X11 4X14,5 4,6X17,5 6X20 7,5x24 зхи 4X14,5 4,6X17,5 6X20- 7,5x24 3X11 4X14,5 4,6X17,5 6x20 7,5x24 3x11 4x14,5 4,6X17,5 6X20 7,5x24 3X11 4x14,5 4.6X17,5 6x20 Г1 p и м e ч a 0,5...0,9 мм. и и e. Длина e ыводов - - 25...30 мм, дна метр Bf ВОДОЙ — 57
Рис, 11.6. Малогабаритные электролитические конденсаторы: / — ЭМ; 2—К50^6 (20 мкФ. 15 В: 10 мкФ, 10В; 1 мкФ, 30 В). Рис. II. 7 Габаритные чертежи электюлитических фольговых алюминиегых конденсаторов: ’ а—К50-6; б — К50-15 (полярный); о — К50-15 (неполярный); г — К50-9^; д — К50-16; е— К50-18 (/—3— варианты конструкции). Рис. 11.8. Габаритные чертежи электролитических конденсаторов типов ЭТ» ЭТИ (а) н К52-1 (6). 58
1000 мкФ — в корпусах диаметром 24±0,5 мм и длиной 9,5 io & мм- Внешний вид конденсаторов типа ЭМ и некоторых конденсаторов типа К50-6 показан на рис. 11.6, а габаритные чертежи различных типов — на рис. 11.7 и 11.8. Рис. 11.9, Габаритные чертежи оксидно-полупроводниковых конденсаторов: а— К53-1; 6—К53-7; в— К+3-12; a—К53-14; <) — К53-6А; е—КОПП; ж — К53-16 (7. 2 — варианты конструкции). Основные параметры оксидно-полупроводниковых конденсаторов приведены в табл. 11.16, габаритные чертежи — на рис. II.9. Кон- денсаторы типа К53-7 выпускаются в корпусах с номинальными раз- мерами (диаметр и длина): 3,2x18; 4x20; 4X25; 4 X 30; 7 X 20; Таблица 11.16. Основные параметры оксидно-полупроводниковых конденсаторов Тип Пределы номиналь- ной ем- кости, мкФ Допустимое отклонение емкости от номинальной, % Номиналь- ное рабо- чее напря- жение, В Интервал рабочих тем- ператур, -° С ’Изменение ей* костн по от- ношению к ем- кости при 20° %, не более ^min *max при *min при *тах КОПП 4,7...100 От ±50 до —20 6; 15; 30 —60 ±85 —35 +40 К53-1А 0,033...100 ±10; ±20; ±30 6...30 —80 +125 — 15 +15 К53-4 0,47...100 ±10; ±20; ±30 6...20 — 60 4-85 —35 +35 К53-6А 4,7...100 От 4*50 до —20 6; 15: 30 -60 + 125 —15 + 15 К53-7 1...47 - 15; 30 —60 4-85 —40 К53-8 0,5...20 От 4-50 до —20; ±20 1,5...15 — 60 4-85 +50 К53-12 1...100 ±10; ±20; ±30 6,3...30 — 60 4-85 —20 +•20 К53-14 0,033...100 ±10; ±20; ±30 6,3...30 — 60 +85 — 40 4 50 К53-16 0,01...10 ±20; ±30 1,6...30 —60 ±85 — 25 + 20 59
7 X 27; 7 X 30 и 7,8 X 30 мм; типов К53-1, К53-4 и К53-12 — в корпусах с номинальными размерами 3,2 X 7,5;-4 X 10; 4 X 13; 7 X 12 и 7 X 16 мм; типа К53-6А —в корпусах с номинальным диа- метром 9 мм, длиной 13,3 и 17,5 мм; типа КОПП — в корпусах с номинальным диаметром 10,5 мм, длиной 14 и 18 мм; типа К53-16— в прямоугольных корпусах с номинальными размерами 1,9 X 3,4 X X 1,2, 2,3 X 3, 7 X 1,6 и 2,3 X 5,0 X 1,6 мм. § 3. Конденсаторы подстроечные и переменной емкости Подстроечные конденсаторы применяются в колебательных контурах для точной подгонки емкости в процессе наладки радиоаппаратуры. Наиболее высокими электрическими показателями характеризуются подстроечные конденсаторы с воздушным диэлектриком, представ- ляющие собой миниатюрные прямоемкостиые конденсаторы пере- менной емкости; Керамические -подстроечные конденсаторы от- личаются более простой конструкцией, меньшими размерами и стои- Таблица П.17. Основные параметры подстроечных конденсаторов Тип Пределы измене- ния емкости, пФ Номинальное напряжение, В ТКЕ, %/ °C, или группа Тангенс угла ’ потерь* ♦♦♦, не более ° Интераал рабочих температур, § °с Своздушнымднэлектриком КТ-2 1,5...5; 1,5...10; 1,9...15; 2.5...30; 3...50 160 0,03 0,002 —60 +125 КПВ 4...50; 5...75; 6...100; 7...125; 8...140 — 0,005 0,001 -60 +100 1КПВМ-1...14 2КПВМ-1...12* ЗКПВМ-1...14** 6,5...24**« 1.3...5,8*** 6,5...24**‘ 35о; 650 0,01 0,001 —60 +125 Керам ические КПКМТ-2/7 2...7 500 0...—0,04 0.0025 —60 4-ЮО КПКМТ-4/15 КПКМТ-6/25 КПКМТ-8/30 КТ4-20 ОД СЕ О Д КЗ W N3 о О W сл 50 0. ..—0,02 0,002 —40 4-85 КТ4-21 1...5; 2..,10s 250 0. ..-0,015 0+02 —60 4-85 КТ 4-25 3...15; 4..,20 0.4...2; 1 . 5; 100; 250 П100; 0.002 —60 4-85 3...15; 4...20; 5...25; 6...30; 8...40 МП0; М7 5; М470; М750 * Сдвоенные конденсаторы. ** Дифференциальные конденсаторы. *** Пределы максимальных емкостей. На частотах до 5 МГц для КТ4-20, до 100 МГц для КТ4-21, до 1 МГц для остальных конденсаторов. ео
мостью, поэтому применяются наиболее широко. Основные пара- метры подстроечных конденсаторов приведены в табл. 11.17, а габаритные чертежи —на рис, П.10, Конденсаторы переменной емкости применяются в качестве элементов перестройки колебательных контуров, в частности в ра- * диоприемных устройствах. Они изготавливаются с воздушным и твер- дым диэлектриками. Конденсаторы с воздушным диэлектриком отличаются большей точностью установки емкости, меньшими поте- рями иболее высокой стабильностью. Конденсаторы с твердым диэлектриком характеризуются меньшими размерами. Важной ха- рактеристикой конденсатора переменной емкости является зависи- мость емкости от угла поворота подвижных обкладок (ротора), которая определяет закон изменения частоты настройки колеба- тельного контура. Рис. 11.10. Габаритные чертежи керамических подстроечных конден- саторов; I — КТ4-20; 2—КТ4-21; 3 — КТ4-25 (вариант «а»); 4 — КТ4-25 (вариант «б»); б — КТ4-25 (вариант «в»); 6 — КПКМТ. В радиоприемниках применяются прямоволновые и прямо- частотные конденсаторы переменной емкости. Прямоволнбвые конденсаторы характеризуются -квадратичной зависимостью ем- кости от угла поворота ротора, а прямочастотные— обратиоквадра- тнчной зависимостью. В первом случае будет равномерной шкала настройки преемника, выраженная в единицах длины волны, во втором — шкала настройки, выраженная в единицах частоты. Из твердых диэлектриков в конденсаторах переменной емкости используются органические пленки и высокочастотная керамика. Конденсаторы с керамическим диэлектриком отличаются меньшими размерами. Конденсаторы с пленочным диэлектриком являются источниками электрического шума, обусловленного изменением емкости при вибрации и разрядами статического электричества, которое возникает в результате электризации органических пленок при вращении пластин конденсатора. Выпускаются одно- и двухсекционные конденсаторы перемен- ной емкости с твердым диэлектриком, а также одно- и многосекцион- ные конденсаторы переменной емкости с воздушным диэлектриком. В табл. П.18 приведены пределы изменения емкости двухсекционных малогабаритных конденсаторов переменной емкости для радиоприема ников. Односекционные керамические конденсаторы типа КП4-ЗА имеют емкость 6,,.200 пФ, двухсекционные типа КП-ЗБ—4... 61
Таблица П.18. Пределы изменения емкости блоков конденсаторов переменнод емкости Тип .блока Пределы изменения емкости, пФ Радиоприемник, в котором установлен блок Приме- ч ание секций подстроечных конденсаторов КПЕ 10-.363 — «Спидола», «ВЭФ—Спидола-10», ВЭФ-12 1 КПЕ 12...495 — «Эфир», «Эфир-67» 1 КПЕ 9...2G0 •—• «Атмосфера», «Атмосфера-2М» 1; з КПЕ 9 ...270 — « Альпинист» 1 КПЕ 5...240 — «Гиала» 1 S. КПВМ 8,5—260 — «Банга», «Соната», «Меридиан» 1 КПЕ-3 7...180 3...7 «Нева», «Мир», «Ласточка», «Сатурн» 2; 3 КПЕ-3 7.-210 3...7 «Нева-2» 2; 3 КПЕ-3 7...240 2,5—7 «Алмаз» 2 КПЕ-3 6...250 2,5—7 «Кнев-7», «Планета» 2; 3 КПЕ-5 5...240 2,5—12 «Сокол», «Сокол-2», «Мрия», «Сокол-4», «Космонавт», «Су- венир», «Топаз-2», «Спорт-2» 2 КПТМ 4...220 «Гауя», «Селга» 2 КПТМ-1 6...260 «Рига-301» 2 КПТМ-4 5...260 2.,.8 «Юпитер», «Нейва», «Этюд», «Сигнал», «Орбита» 2 КПЕ 3...150 «Космос», « Космос-М», «Орленок», «Рубии» 2 КПЕ 2—120 — «Сюрприз» 2 Примеч ание. 1Г 2 — конденсаторы соответственно с воздушным н твердым диэлектриками; 3 — конденсатор с верньером. 200 пФ, типа КП-ЗВ — 5...150 пФ, типа КП4-ЗГ—8...220 пФ. Номинальное рабочее напряжение этих конденсаторов состав- ляет 10 В. ! § 4. Основные сведения о резисторах Классификация резисторов. По виду вольт-амперной характерис- тики (зарисимость тока от приложенного напряжения) различают резисторы линейные (постоянного и переменного сопротивления) и нелинейные. В нелинейных резисторах в качестве токопроводящего элемента применяются разные полупроводниковые материалы. По конструкции резисторы подразделяются иа пленочные, объемные и проволочные, а по материалу токопроводящего (резистивного) элемента — на пленочные углеродистые, металлопленочные, ме- таллоокисные, металлодиэлектрические, композиционные и полу- проводниковые. По способу защиты резистивного элемента разли- чают резисторы неизолированные, изолированные (лакированные), компаундированные, опрессованные пластмассой, герметизирован- ные и вакуумированные. В зависимости от назначения резисторы подразделяются на ре- зисторы общего и специального применения. К резисторам общего 62
(применения не предъявляются повышенные требования в отноше- нии точности их изготовления и стабильности параметров. К резис- торам специального применения можно отнести резисторы повышен- ной стабильности, высокочастотные, ' высокомегаомные, а также резисторы для микромодулей и микросхем. Номинальное сопротивление резистора — значение сопротив- ления, которое должен иметь резистор в соответствии с норматив- ной документацией (ГОСТом, техническими условиями). Факти- ческое сопротивление каждого экземпляра резистора может отли- чаться от номинального, но не более чем на допустимое отклонение. Номинальные сопротивления резисторов постоянного сопротивле- ния устанавливаются ГОСТ 2825—67 (см. табл. II. 1). Для резисто- ров с меньшими допустимыми отклонениями установлены ряды но- минальных значений. Е48 и Е96. Конкретные значения сопротивле- ний получают умножением соответствующих чисел рядов на 10", где п — целое положительное или отрицательное число. Номиналь- ные значения сопротивлений резисторов с допустимыми отклоне- ниями более ±20% выбираются из ряда Е6. Номинальная мощность "резистора — максимально допустимая мощность, рассеиваемая на резисторе, при которой параметры ре- зистора сохраняются в установленных пределах в течение длитель- ного времени, называемого сроком службы. Напряжение на ре- зисторе не должно превышать 17ном, соответствующего номинальной мощности: (7Н0М = У Р1[ОМД, где Рном — номинальная мощность, Вт; R — сопротивление, Ом. Температурный коэффициент сопротивления — относительное изменение сопротивления резистора при изменении температуры окружающей среды на 1° С. ТКС может изменяться в интервале температур. У некоторых резисторов изменяется н знак ТКС< Большим номинальным сопротивлениям резистора соответствует больший ТКС. Электрическая прочность резистора характеризуется предель- ным напряжением, при котором резистор может работать в течение срока службы без электрического пробоя. Предельное рабочее на- пряжение резистора зависит от атмосферного давления, температу- ры и влажности воздуха. Уровень собственных шумов резисторов определяется случай- ными колебаниями разности потенциалов, возникающими на ре- зистивном элементе вследствие флуктуаций объемной концентрации носителей заряда и флуктуаций его электричеЬкого сопротивления. ЭДС шумов проволочных резисторов, а также непроволочных, к ко- торым не приложено напряжение, при 20° С в полосе частот А/ ^определяется по формуле л 1 ; Еш^0,125]/Д/7?, ч где Еш —ЭДС шумов, мкВ; А/ — полоса частот, кГц; 7? — сопро- .тивлениё резистора, кОм. Уровень шумов непроволочных резисторов, к которым прило- жено постоянное напряжение Uo, характеризуется отношением среднеквадратического (эффективного) значения ЭДС шумов ЕЦ1 к напряжению Uo. По уровню шумов стандартные непроволочные резисторы делятся на две группы, К первой (группа А) отно< ятся резисторы, уровень шумов которых не более 1 мкВ/B, ко второй — резисторы, уровень шумов которых не более 5 мкВ/B в полосе 63
Частот 60 Гц...6 кГц. Нсхоюрые специальные резисторы имеют значительно меньший уровень собственных шумов (до 0,1 мкВ/В). Уровень шумов резисторов переменного сопротивления выше, чем резисторов постоянного сопротивления, за счет шумов переходного контакта. Частотные свойства резисторов определяются номинальным со- противлением и распределенными реактивными (паразитными) па- раметрами (индуктивностью и емкостью). Активное сопротивление резистора на переменном токе зависит как от его номинального со- противления, так и от его емкости и индуктивности. В свою оче- .-редь, собственная распределенная емкость и индуктивность резис- тора зависят от его формы и числа витков спиральной нарезки резистивного элемента. Для высокоомных резисторов активное со- противление уменьшается с повышением частоты. Так, сопротив- ление резистора МЛТ-2 с номинальным сопротивлением 100 кОм на частоте 10 МГц составляет около 60 кОм. Полное сопротивление низкоомных резисторов, которые не имеют нарезки резистивного элемента, с ростом частоты возрастает и на частоте резонанса дос- тигает максимального значения. ' Маркировка резисторов. На каждом непроволочном резисторе указываются номинальное сопротивление, допустимые отклонения сопротивления от номинального и тип резистора. Если уровень шумов резистора меньше' 1 мкВ/B, на нем ставится буква А. Для резисторов новых типов принята система сокращенных обозна- чений, установленная ГОСТ 13453—68. Резисторы постоянного сопротивления обозначаются буквой С, переменного — буквами СП. Цифра, стоящая после букв, обозначает: 1 — углеродистый, 2 — металлопленочный или металлоокисный, 3 —пленочный компо- зиционный, 4 — объемный композиционный, 5 — проволочный. После дефиса следует номер разработки резистора. Кодированные обозначения номинального сопротивления ре- зисторов (ГОСТ 11076—69) состоят из цифр, обозначающих номи- нальное сопротивление, и буквы, обозначающей единицу измере- ния сопротивления. Сопротивления до 100 Ом выражаются в омах и обозначаются буквой Е, сопротивления от 100 Ом до 100 кОм — в килоомах и обозначаются буквой К, а сопротивления от 100 кОм до 100 МОм — в мегаомах и обозначаются буквой М. Эти буквы ставятся на место запятой десятичной дроби, которая выражает значение сопротивления. Если значение Номинального сопротивле- ния выражается целым числом, то буква, обозначающая единицу измерения, ставится после него. Если значение номинального сопротивления выражается десятичной дробью, меньшей единицы, то нуль целых и запятая из маркировки исключаются и буквенное обозначение единицы измерения ставится перед числом. Например, 47 Ом — 47 Е; 4,7 кОм—4К7; 47 МОм — 47М; 4,7 Ом — 4Е7; 47 кОм — 47К; 4,7 МОм — 4М7; 0,47 МОм — М47. Допустимые отклонения- сопротивления от номинального обо- значаются буквами (см. табл. II.4). Номинальная мощность указы- вается только на непроволочных резисторах больших габаритов. Номинальная мощность малогабаритных резисторов определяется по размеру корпуса. Старые обозначения типов резисторов состоят из.букв. Первая буква обычно обозначает вид резистивного элемента: У — углеро- дистый, К — композиционный, М — металлопленочный, Б—боро- < углеродистый; вторая — вид защиты резистивного элемента: Л — лакированный, Г — герметичный, Э—эмалированный, И — изо- 14
лированный, В — вакуумированный; третья особые свойства резистора: Т—теплостойкий, П — прецизионный, В — высокоом- ный, М — малогабаритный, О — Объемный, Н — низкоомный. Иногда вид резистивного элемента обозначается двумя буквами (МО — металлоокисный); вторая буква может указывать и на особые* свойства (М — мегаомный, Т — теплостойкий). § 5. Резисторы постоянного сопротивления Основные параметры непроволочных резисторов постоянного со- противления приведены в табл, 11.19, а некоторые их типы — на рис. 11.11, Углеродистые резисторы. Резистивный элемент этих резисторов представляет собой тонкую пленку углерода, осажденную на осно- вание из керамики. В качестве основания обычно используются стержни или трубки. Углеродистые резисторы характеризуются высокой стабильностью сопротивления, низким уровнем собствен- ных шумов, небольшим отрицательным ТКС, слабой зависимостью сопротивления от частоты и приложенного напряжения. Бороугле- Рис. 11.11. Резисторы постоянного сопротивления: 7 — ОМ Л Т различной мощности; 2— ВС-0,125; 3—ВС-0,5 и ВС-0,25. родистые резисторы типа БЛП по стабильности сопротивления мо- гут не уступать проволочным резисторам. ТКС этих резисторов ра- вен —(0,012...0,025)%Г С. Композиционные резисторы. Резистивный элемент этих резис- торов изготовляют на основе композиций, состоящих из смеси порош- кообразного проводника (сажа, графит и др.) и органического или неорганического диэлектрика. Композиционные резисторы выпус- кают пленочного и объемного видов. Пленочные композиционвые резисторы по конструкции подобны углеродистым, но отличаются большей толщиной пленки. Объемные резистивные элементы изго- товляют в виде стержня путем прессования композиционной смеси, пленочные —«путем нанесения композиционной смеси на изоля- ционное основание. ’ 3 65
Таблица 11.19. Основные параметры непроволочных резисторов постоянного сопротивления Тип •Характеристика Номинальная мощность, Вт Пределы номинального сопротивления Ряды проме- жуточных зиач ений сопротивления Допустимое отклонение сопротивле- ния от номи- нального, % Предельное рабочее на- пряжение, о Интервал ра- бочих темпе- ратур, °C Примечание от ДО Углеродистые ВС-0,125 ВС-0,25 ВС-0,5 ВС-1 ВС-2 ВС-5 ВС-10 Благостойкие С1-4 С1-8 УЛД Тонкослойные Композиционные КИМ-0,05 КИМ-0,125 С4-1-0.25 С4.Р0.5 С4-1-1 С4-1-2 04-2-0,25 С4»2-0,5 С4-2-1 С4-2-2 То же Пленочные, изо' лированиые Объемные в стеклоксрамиче- ской оболочке 0,125 10 Ом.,.1 МОм Е6, Е12, Е24 5; 10; 20 100 -60 +125 0,25 27 Ом...5,1 МОм 350 -60 +100 0,5 27 Ом...10 МОм 500 -60 +100 1,0 47 Ом.„10 МОм 700 —60 +100 2,0 47 Ом.„10 МОм 1000 —60 +100 5,0 ’ 47 Ом. „10 МОм 1500 —60 +100 10,0 75 Ом.„10 МОм 3000 , —60 +100 0,125...0,5 10 Ом.„10 МОм Е24. Е48 2; 5; 10 250...500 —60 +125 0,125.„1,0 10 Ом. „10 кОм Е24, Е96 1: 2; 5 —60 +155 1 1,о; 2,0 56 Ом„.5Ю кОм Е24 0,5; 1; 2; 5 120; 240 | 0 + 45 2 0,05 Ю Ом...5,6 МОм 1 Е24 5; 10; 20 | 100 -60 +125 3 0,125 27 Ом.,.1 ГОм | 200 —60 +125 0,25 10 ОМ...5Ю кОм Е24 '5; 10; 20 300 -65 +350 0,5 10 Ом.„510 кОм 400 —65 +350 1,0 10 Ом.,.1 МОм 500 -65 +350 2,0 10 Ом.,.1 МОм 750 -65 +350 0,25 10 кОм.„5,1 МОм Е24 5; 10; 20 300 —60 +155 0,5 10 кОм.„10 МОм 400 —60 +155 1,0 10 кОм...10 МОм 500 -60 +155 2,0 10 кОм... 10 МОм 750 -60 +155
co ♦ ТВО-ОД25 T ВО-0,25 > 0,125 0,25 3 Ом.,.100 «Ом 3 Ом. .'.510 кОм ТВО-0,5 0.5 ТВО-1 1.0 10 Ом...1 МОм ТВО-2 2.0 Мета л л оплеиочные МТ-0,125 Неизолированные, 0,125 8,2 Ом...1,1 МОм МТ-0,25 эмалированные 0,25 8,2 Ом...2 МОм МТ-0,5 0,5 8,2 Ом...5,1 МОм МТ-1,0 1,0 8,2 Ом...10 МОм МТ- 2,0 2.0 8,2 Ом...10 МОм ОМЛТ-0,125 То же,’с повы- 0,125 100 Ом...2,2 МОм ОМЛТЕ-0,5 шенной механи- 0,5 8,2 Ом...5,1 МОм ОМЛТЕ-1 ческой проч- ностью 1,0 8,2 Ом...10 МОм ОМЛТЕ-2 2,0 8.2 Ом...10 МОм С2-6-0.125 ' Эмалированные 0,125 100 ОМ...1 МОм С2-6-0.25 0,25 100 ОМ...2 МОм С2-10 Эмалированные, 0,125 10 Ом.,.1 кОм С2-10 высокочастотные 0,25...2 1 Ом,...3010 Ом « С2-11 Эмалированные 0,125; 0,25 1 Ом...100 Ом 02-22-0,125 0,125 ' 24 Ом...2,2 МОм 02- 22- 0,25 > 0,25 24 Ом...5,1 МОм 02-24-0,25 0,25 2,7 Ом...1,5 МОм 02-24-0,5 0,5 4,7 Ом...2,7 МОм 02-24-1 1.0 12 Ом...10 МОм 02-24-2 2,0 33 Ом... 10 МОм Металлоокнсиые МОН-0,5 Низкоомные, 0,5 1...270 Ом о МОН-1 эмалированные 1,0 1...100 Ом МОН-2 2,0 1...100 Ом
Е24 5; 10; 20 100 300 400 500 750 —60 —60 -60 —60 -60 4-155 +155 +155 + 155 +155 4 4 4 4 4 Е24 5; 10 200 —60 +200 200 -60 +200 350 —60 +200 500 —60 +200 700 -60 +200 Е96 0,5; 1 200 —60 +125 Е24 5; 10 350 —60 +125 500 — 60 +125 700 — 60 + 125 Е24 5; 10; 20 200 * -60 +300 Е192 0,5; 1 200 -60 +125 200...350 -60 +125 Е24 5; 10 — -60 + 155 В Е24 5;-10; 20 200 -40 +70 250 -40 +70 Е12, Е24, 1; 2; 5; 10 20 -40 +85 Е48, Е96 20 -40 +85 20 -40 +85 Е12, Е24 5; 10 20 -40 +85 Е24 5; 10; 20 7; 12 -60 + 125 5 5; 10 8,7; Ю — 60 +125 5 5; 10 14 —60 +125 1 5
2 Продолжение табл. 11.19 Тип Характеристика Номинальная мощность, Вт Пределы номинального сопротивления 02-1-0,25 Эмалированные 0,25 1 Ом...510 кОм 02-1-0,5 0,5 1 Ом.,.5Ю кОм 02-1-1 1.0 1 Ом...1 МОм С2-1-2 2,0 1 Ом...5,1 МОм С2-26 Точные, эмали- рованные 0,5...2 1 Ом...10 кОм 02-27 Высокой астот- 0,125 10 Ом...3010 Ом ные, эмалирован- ные 0,5...2 1 Ом...ЗОЮ Ом Металлодиэлектрические С2-8 — 0,125 10,2...1000 кОм 0,25; 0,5 10,2...5110 кОм 1,0 10,2...10000 кОм 02-23 — 0,062 10 Ом...0,1 МОм 0,125 24 Ом...2 МОм 0,25 24 ОМ...З МОм / 0,5 24 Ом...5,1 МОм 1,0 24 Ом...10 МОм 2,0 24 Ом...10 МОм С2-33 0,125 1 Ом.,.3 МОм 0,25 1 Ом...5,1 МОм 0,5 1 Ом...5,1 МОм 1,0 1 Ом.. 10 МОм 2,0 1 Ом',.10 МОм
Ряды про- Допустимое ное 1ие, Интервал рабочих тем- ператур, °C О) X X межуточных значений отклонение сопротивле- Л О) Ч « * 4)^5 У <и сопротивле- иия от номи- Пред рабоч напр? В S X НИЯ иального, % от до с Е12, Е24 2; 5; 10 350 -65 4-155 6 500 -65 +155 6 ♦ 700 -65 +155 6 1000 -65 +155 6 Е96 0,5; 1; 2 — -60 + 155 I Е192 0,5; 1; 2; 5 200 -60 +125 300...350 -60 +125 Е24, Е96 1; 2; 5 200 -60 +155 250; 350 -60 +155 500 -60 +155 Е24, Е96 1; 2; 5; 10 80 -60 + 155 200 -60 +155 250 -60 +155 350 -60 + 155 500 -60 +155 750 -60 + 155 Е24 ' 2; 5; 10 200 -60 +125 250 -60 +125 350 .-60 +125 500 -60 +125 750 -60 +125
ffS-.Se.» Se?5gg к gs §ас‘ n‘S!n = К ^”* ? о So Sjf ь й £j з S32 § о К? С S Е^о ^gg^a-н <Р К _ *з ет _ К — н <У ° W S я О л- " ' Н1§§ « ® S л «о й ф Ч Сио 2 «- « к ® S § О осч g Яо g &s о я fee*® л ° <у о п- ш-’о 5 И >1® <UZ> < ° F- Й R SHsti iKWl „ r-i О л» М «w t~> (У £ к §о esg 3 н SS-g 3“ я й S • И Пленочные композиционные резисторы характе- ризуются сил.ьной зависимостью сопротивления от напряжения, низкой стабильностью параметров и очень высокой надежностью. Объемные компози- ционные резисторы' с органическими связующими материалами отличаются высокой стабильностью параметров, сравнительно низкой надежностью и по- ниженным уровнем собственных шумов, а р неорга- ническими связующими материалами — очень высо- кой надежностью, низкой стабильностью сопротив- ления и слабой зависимостью сопротивления от частоты до 50 кГц. Сопротивление этих резисторов практически не зависит от напряжения. Металлоплеиочные резисторы содержат резис- тивный элемент в виде очень тонкой (десятые до- ли микрометра) металлической пленки, осажденной на основание из керамики, стекла, слоистого плас- тика, ситалла или другого изоляционного материа- ла. Металлоплеиочные резисторы характеризуются высокой стабильностью параметров, слабой зави- симостью сопротивления от частоты и напряжения и высокой надежностью. Недостатком некоторых металлоплеиочиых резисторов является понижен- ная надежность при повышенной номинальной мощ- ности, особенно при импульсной нагрузке. ТКС ре- зисторов типов МТ и ОМЛТ не превышает 0,02%г С. Уровень шумов резисторов группы А не более 1 мкВ/B, группы Б— не более 5 мкВ/В. Металлоокисиые резисторы изготовляются на ос- нове окислов металлов, чаще всего двуокиси олова. По конструкции они не отличаются от металлопле- ночных, характеризуются средней стабильностью параметров, слабой зависимостью сопротивления от частоты и напряжения, высокой надежностью. Проволочные резисторы постоянного сопротив- ления обычно выполняют на цилиндрическом изо- ляционном основании с одно- или многослойной об- моткой. Провод и контактные узлы защищают, как правило, эмалевыми покрытиями. Проволочные ре- зисторы характеризуются высокой стабильностью сопротивления, низким уровнем собственных шумов, большой допустимой мощностью рассеяния, высо- кой точностью сопротивления. Эти резисторы обла- дают сравнительно большими паразитными реак- тивными параметрами и поэтому применяются лишь на сравнительно низких частотах. В качестве обмо- точных проводов используются провода высокого сопротивления (см. гл. I). Для уменьшения пара- зитных параметров проволочных резисторов при- меняют намотки специальных видов. § 6. Резисторы переменного сопротивления Основные параметры резисторов переменного сопро- тивления приведены в табл. П.20, а габаритные чертежи некоторых типов—на рис. 11.12.* 69
о Таблица 11.20. Основные параметры резисторов переменного сопротивления Тип Номинальная мощность, Вт Пределы номинального сопротивления Допустимое от- клонение сопро- тивления от но- минального, % Металлоокнсные СП2-1 0,5: 1 47 Ом...100 кОм 20 СП2-2 0,5; 1 47 Ом...47 кОм 20 СП2-3 0,25 22...330 Ом 30 Ко м п о з и ц н о и ные СП 0.25...1 470 Ом...4,7 МОм 20; 30 СПЗ-1» 0,025...0,25 470 Ом.,.1 МОм 20; 30 СПЗ-2а 0,5 470 Ом... 4,7 МОм 20; 30 СПЗ-26 0,25 4,7 кОм...2,2 МОм 20; 30 СПЗ-За, СПЗ-Зб 0,05 1 кОм...1 МОм 20; 30 СПЗ-Зв, СПЗ-Зг 0,025 4,7 кОм...1 МОм 0; 30 СПЗ-Зд 0,025 10...47 кОМ 20 СПЗ-Зд ' 0,05 10...47 кОм 20 СПЗ-4а 0,25 220 Ом...470 кОм 20; 30 СПЗ-46 0,125 4,7...470 кОм -0; 30 СПЗ-4В 0,125 220...470 Ом 20; 30 СПЗ-4г 0,05 4,7...470 кОм 20; 30 СПЗ»4д 0,05...0,25 220 Ом...470 кОм 20; 30 СПЗ-6» 0,125 1 кОм.„1 МОм 10; 20; 30
Предельное ра- бочее напряже- ние. В Вид функцио- нальной зависи- мости Предельная рабочая температура, °C 120; 170 А +200 300: 400 А +125 2.3...9 А +70 250...500 А, Б, В + 125 250 А + 70 300 А +70 200 Б, В +70 50 А +70 30 В +70 30 Б +70 — А +70 150 А +70 100 Б. В +70 150 А +70 100 Б, В +70 100; 150 А, Б, В +70 160 А +100
СПЗ-8 0,25; 0,5 10 кОм.,.2,2 МОм СПЗ-9 ( 0,5...2 470 Ом...4,7 МОм СПЗ-10 0,25...2 470 Ом...4,7 МОм СПЗ-11 0,125 . 10 кОм...1 МОм СПЗ-12 0,125; 0,25 2,2 кОм...2,2 МОм 4,7 кОм...2,2 МОм 100 кОм...2,2 МОм СПЗ-13* 0,125 I'kOm...! МОм СПЗ-14 0,125 1,5; 2,2; 3,3 МОм СПЗ-15* 0,125 10 кОм...2,2 МОм СПЗ-16 0,125 1 кОм.,.1 МОм СПЗ-17 1 4,7 кОм...2,2 МОм 2 470 Ом...4,7 МОм СПЗ-18 0,05 3.3...4,7 кОм СПЗ-19* 0,5 10 Ом.,.1 МОм СПЗ-22* 0,125 100 Ом-..l МОм СПЗ-24* 0,125 100 кОм СПЗ-55 0,125...0,5 680 Ом...680 кОм СПЗ-26а 0,25 33...220 кОм СПЗ-266 0,125 СПЗ-29 1 1...10 МОм СПЗ-ЗО 0,125 4,7 кОм...2,2 МОм 0,25 2,2 кОм. ..6,8 МОм 0,125 100 кОм...2,2 МОм СПЗ-31 0.5...2 150 кОм...10 МОм СПЗ-35 0,125 100; 150; 220 кОм
20; зо 105; 350 А, В +70 10; 20; 30 150; 500 А, Б, В +Ю0 10; 20; 30 400; 500 А, Б, В +100 20 — — +125 20; 30 24...200 А +"0 10: 20; 30 24...200 В +70 20; 30 110; 200 Е, И +70 20 150 А +125 30 300 А +85 20 150. ‘ А +125 20; 30 150 А + 125 20; 30 400 Б, В ‘ +125 20; 30 500 А + 125 20 30 А +55 — 150 А +125 20 150 А +70 10 ПО В + 70 20 200...300 А, Б, В +100 20 150 А +70 100 В +70 30 1000 А +70 20; 30 Б, В + 70 20; 30 200 А +70 20: 30 Е, И +70 20; 30 150...353 А +1Э5 10 30 В, Д +70
Тип ♦Номинальная мощность, Вт Пределы номинального сопротивления СПЗ-36* 0,5 100; 150; 220 кОм СП4-1, 2. 3 0,125...1 47 Ом...4,7 МОм СПО 0,15,..2 47 Ом’...4.7 МОм Пр'оволоч н ы е ППБ 1...50 2,2 Ом...47 кОм ппз 3 4,7 Ом...20 кОм СП5-1, 4* 1 100 Ом...10 кОм СП5-2, 3» 1 3,3 Ом...47 кОм СП5-11, 14, 15* 1 10 Ом...47 кОм СП5-16Т* 0,125...! 3,3 Ом...47 кОм СП5-17, 18» 0,5 4,7 Ом...1 кОм СП5-20Т* 2 4.7 Ом...22 кОм СП5-22, 24* 1; 2 ’ 4,7*Ом...22 кОм СП5-29 1; 2; з 4,7 Ом. ..22 кОм СП5-30 15; 25; 50 2,2 Ом...47 кОм СП5-37 . 75 ,47 Ом...3,3 кОм СП5-39 0,5 100 Ом...22 кОм * Подстроечный резистор. ••Эффективное значение переменного напряжения.
Пройолж-сние табл. П 20 Допустимое • отклонение сопротивления от номинального, % Предельное рабочее напряжение, В Вид функциональной зависимости Предельная рабочая температура, °C 60 Б +70 20; 30 160.. .350 А, Б, В +125 20; 30 100...600 А +125 6; 10 я А +155 5; 10 400 А +155 5; 10 300 А +125 5: 10 300 А +125 10 220“ А +125 5; 10 29...216 А +125 5 А +125 5; 10 252** А +125 б; 10 250 А +125 5: 10 А +155 5; 10 А +125 10; 20 500 А । +100 5; 10 А +125
Резисторы переменного сопротивления применяются для регу- лирования силы тока и напряжения. По конструктивному исполне- нию они делятся на одинарные и сдвоенные, одно- и многооборот- Рис. П.12. Габаритные чертежи резисторов переменного сопротивления: 1 — СПО-2; 2—СПЗ-24; S— СП5-1; 4 — СП5-2; 5 — СП4-1а; 6 — СП5-14; 7 — СПЗ-13а; 8— СП2-2 (1 Вт); S— СПЗ-17а; 10— СП5-39В. ные, с выключателем и без него; по назначению — на подстроечные для разовой или периодической подстройки аппаратуры и регули- ровочные для многократной регулировки в процессе эксплуатации аппаратуры; по материалу резистивного элемента — на проволоч- ные и непроволочные; по характеру изменения сопротивления (функциональной завнснмости) — на резисторы с линейной (груп- 73
па А), обратно логарифмической (группа Б), логарифмической (группа В) и другими функциональными зависимостями (группы Е, И). Проволочные резисторы переменного сопротивления отличаются повышенной • термостойкостью, нагрузочной способностью, высо- кой износостойкостью, стабильностью параметров при различных внешних воздействиях, сравнйтельно низким уровнем собственных шумов и малым ТКС. Недостатки этих резисторов — ограниченный диапазон номинальных сопротивлений, значительные паразитные емкость и индуктивность, сравнительно высокая стоимость. § 7. Терморезисторы Терморезисторы — это термочувствительные резисторы, сопротив- ление которых значительно изменяется с изменением температуры. Они применяются в цепях температурной стабилизации режима тран- зисторных усилителей, а также в различных устройствах измерения, контроля н автоматики (измерения, контроля и автоматического ре- гулирования температуры, температурной и пожарной сигнализа- ции и др.). Основные характеристики терморезнсторов: температурный ко- эффициент сопротивления, вольт-ампериая характеристика, инер- ционность, стабильность. Вольт-амперная характеристика опреде- ляет зависимость тока, проходящего через терморезистор, от при- ложенного напряжения (при условии теплового равновесия между телом терморезистора и внешней средой). Инерционность характе- ризует скорость восприятия температуры окружающей среды, сле- довательно, скорость изменения сопротивления резистора при изме- нении температуры окружающей среды. Степень тепловой инерцион- ности определяется постоянной времени. Инерционность терморе- знсторов зависит от их конструкции, размеров и теплопроводности окружающей среды. Стабильность терморезистора характеризуется временем, в течение которого он сохраняет свои свойства при эк- сплуатации или хранении. Термисторы характеризуются отрицательным ТКС;' их элект- рическое сопротивление уменьшается с повышением температуры, Для большинства термисторов температурная зависимость сопро- тивления в рабочем интервале температур определяется соотноше- нием । где То— абсолютная температура, при которой сопротивление термо- резистора равно RB, К; Т — абсолютная температура, при кото]Лй определяется сопротивление Ry, К; В —• постоянный коэффициент (см. табл. 11.21). Постоянной времени термистора принято считать время, в течение которого температура его тела уменьшится в е раз при резком изменении температуры окружающего воздуха от 120 до 20° С. Вольт-амперные характеристики термисторов имеют резко выраженный максимум в области малых токов. Основные параметры термисторов с прямым подогревом, используемых для темперам р- ной стабилизации режима транзисторов, приведены в табл. II 21. Позисторы характеризуются большим положительным 1 КС. В определенном интервале температур их сопротивление может .увеличиваться на несколько порядков. При более низких темпера- турах ТКС позисторов отрицателен. Основные параметры позисторов приведены в табл. 11.22. 74
чи Минимальные значения (в области положительного ТКС). Cl «tb Л. Js. W м *- W “ ^^соетслслсл^ Тип 0,02. .0,15 0,04. ..0.4 0,1...0,7 0,01..0,1 1...10 0,1...0,4 0,5...3 0,1...50 0,003...0,02 Номинальное сопро- тивление при 20 °C, кОм 20...125 100... 200 40...155 20...125 0...125 10...125 20...125 0...125 —20...4.125 Интервал температур по л о жител ьно га ТКС, °C 125...135 S0...120 70...100 70...95 60...90 70...100 55...95 10...70 70...100 Интервал температур максимального ТКС, °C Ы Ю Ы М м сл. о сл сл ся ет о о Ьо Максимальный ТКС, %/°с 1000 1 vvu 1000 10000 10000 10000 10000 1000 5...80 э э э Кратность изменения сопротивления • 1 о> С5 -20 —60! —60 —60 —60 —60 —60 —60 от Интервал рабочих темпера- । тур, °с +++++++++ слслслслслслслсл§ ДО 1.6 1.1 0,8 1.3 0,2 0,8 0,8 0,8 2,5 Допустимая мощность рассеяния, Вт 20 20 20 5 40 40 40 i ‘° Постоянная времени, с, не более
♦ Промежуточные уначення номинальных сопротивлений соответствуют шкале ГОСТ 2825—67. 2 n Q 3 2 2 3 3 3 1* 1* Ж !* ? Й^ЗЗ333322222 “ м м Ш G ® “ 5 " Л “ Тип 3,9; 4,7 Ом 22...1000 кОм 22...1000 кОм 0,1...10 кОм 0,1. „10 кОм 0,3...20 кОм 1...220 кОм 1...220 кОм 1...10С0 Ом 10...4700 Ом 4,7...1000 Ом 10...2200 Ом 0,3.„22 кОм 33; 47;68;100; 150;220; ЗЗООм 2.2: 2.7: 3.3: Номинальное сопро- тивление* при 20 °C 20 '° \ 10; 20 30 10; 20 20 10; 2 0 10; 20 20 20 10; 20 10; 20 10: 20 Допустимое отклоне- ние сопротивления от номинального, % 2600...3200 2060...4300 3600...6000 2580...3860 2060... 3430 2060...4300 2060...3430 3600 206 П. 4.4 П Г) 36 СО... 7100 3600... 7200 36 00...7200 36ПП Коэффициент В, К N3 N3 N3 СО W • • * • ? : • N .“** Л со оь : * : ; ; • Ч сл Д О1 А ел 4,2...8.4 4,2...8,4 4,2...8,4 4,2 4.2 2.4...5 ТКС при 20 °C, %/град —40 —60 —60 -60 —60 —60 0 1 1 !7> О => О —60 —60 —40 — 4(1 ОТ Интервал рабочих темпера- тур, °C +180 + 126 +70 +120 +165 +125 +70 +125 + 120 + 125 +100 +100 + 125 до 1 500 500 1 700 600 ел => о э о 1000 800 600 при 20 °C 8 г ja Ь .4 + а Т п> К "О S Q л » я В» р 3 л> - п J3 s 1 » о,3 0,3 1 0,3 0,1 0,4 0,5 2 2 0,5 0,3 0,1 0,2 3 ПРИ ^тах 1 со со. 1 j 1 1 “ Оо СО I Q О w СП о 911 S9 Постоянная времени, с, не более „ Таблица П.21. Основные параметры термисторов с прямым подогревом]
Позисторы, как и термисторы, можно использовать для темпе- ратурной стабилизации режима транзисторов. Температурной за- висимостью сопротивления можно управлять, используя последова- тельное или параллельное соединение позистора и термистора или позистора и линейного резистора. При сочетании позистора и тер- мистора температурная зависимость сопротивления имеет максимум или минимум в зависимости от способа их.соединения. § 8. Переключатели Переключатели используются для коммутации цепей постоянного и переменного токов в радиоэлектронной аппаратуре, измеритель- ных приборах и т. п. Малогабаритные переключатели представлены на рис. 11.13. Рис. 11.13. Малогабаритные переключатели: 1 — МПН-1; 2 — ПМ; 3— МПВ-1; 4 — П2К. Переключатель типз МПН-1 (малогабаритный низкочастотный) на одно направление и 10 положений рассчитан на напряжения до 30 В при токах до 0,5 А. Сопротивление изоляции между кон- тактами — ие менее 100 МОм. Размеры (без выводов): диаметр — 13,5 мм, высота — 30 мм, масса — ие более 8 г. Переключатель тип: ПМ (малогабаритный) рассчитан иа на- пряжения до 300 В при мощности до 25 В • А. Ток переключаемой цепи не должен превышать 0,2 А. Сопротивление изоляции между контактами и на корпус — не менее 1000 МОм. Переключатели типа ПМ могут содержать 1...5 галет следующих типов: 2П4Н, ЗПЗН, 5П2Н, 10П1Н, 11П1Н. Цифры и буквы обозначают: первые цифра и буква — число положений, вторые — число направлений (переключаемых цепей). Максимальный диаметр переключателя не превышает 32 мм, длина (в зависимости от числа галет) — ие более 19; 28; 37; 47; 55 мм, масса (в зависимости от числа галет) — около 29; 34; 39; 44; 49 г. Переключатель типа МПВ-1 (малогабаритный высокочастот- ный) рассчитан на переключение цепей с напряжением до 100 В при постоянном токе до 0,2 А или переменном токе до 0,25 А иа час- тотах до 15 МГц. Емкость между любым контактом и корпусом ие превышает 1 пФ, тангенс угла диэлектрических потерь — ие более 0,01, сопротивление изоляции — не менее 100 МОм. Пере- ключатели типа МПВ-1 выпускаются двух видов: с одним замы- • Пателем на восемь положений (одно направление) и двуми замыка- тглими на четыре положения (два направления). Габаритные раз- меры 22 X 13 X 12 мм, масса —- не более 4 г. 76
Модульные переключатели типов П2К (кнопочный) и П2КЛ (клавийиый) составляются из отдельных ячеек (модулей) с различ- ным числом контактных групп. Изготовляются пять типов яч^ек с числом контактных групп на переключение 2; 4; 6; 8, а также так называемая нулевая ячейка (без контактов), предназначенная для одновременного возврата всех нключеииых ячеек в исходное поло- жение. Все ячейки имеют одинаковые размеры, за исключением длины, которая зависит от числа контактных групп. В зависимости от назначения переключателя ячейки с различным числом контакт- ных групп можно собирать на металлической арматуре в каком- либо, порядке с любым из трех возможных шагов: 10, 15 или 20 мм. Переключатель может состоять из одной ячейки, используемой как отдельный переключатель, из 2...19 ячеек при шаге 10 мм или из 2... 10 при шагах 15 и 20 мм. Клавишный переключатель отлича- ется от кнопочного тем, что к нему добавляется механизм, превра- щающий блок нажимных кнопок в клавиатуру. Допустимый постоянный ток через контакты при активной нагрузке составляет 0,1 А при напряжении 250 В и 1 А при 12 В, допустимый переменный ток (при частоте 50 Гн) —0,2 А при напря- жении 250 Ви 1,5 А при 12 В. Емкость между контактами — около 1,5 пФ, тангенс угла диэлектрических потерь„на частоте 1 МГц — ие более 0,05, сопротивление изоляции в нормальных условиях — не менее 1 ГОм. § 9. Малогабаритные электромагнитные реле постоянного тока Электромагнитные реле предназначены для коммутации электри- ческих цепей в устройствах автоматики, сигнализации и связи. Реле состоит из корпуса, который обычно является и частью магнито- провода, сердечника, катушки, якоря, контактной группы, основа- ния и чехла. Реле открытого типа чехла це имеет.Малогабаритные реле постоянного тока приведены на рис. 11.14, а основные их пара- метры— в табл. II.23...II.29. Реле типа РСМ разделяются по параметрам обмоток, числу и виду контактных групп. Реле РСМ-1 содержат по дне группы за- мыкающих контактов, реле РСМ-2 —по одной группе замыкающих и одйой группе размыкающих, реле РСМ-3 — по две группы размы- кающих. Обмотки этих реле рассчитаны на максимальную мощность рассеяния 800 мВт. Электрическая прочность изоляции между кон- тактными пружинами, обмоткой и корпусом — 400 В переменного тока частотой 50 Гц. Реле типа РЭС-6 разделяются по обмоточным данным, числу и виду контактных групп (см. табл. 11.25). Реле типов РЭС-7 и РЭС-8 содержат по шесть групп контактов на переключение. Реле типа РЭС-8 могут применяться для коммутиронания перемен- ного тока до 5 А при напряжении 50 В, выдерживая при этом 5 тыс. срабатываний. Реле типа РЭС-9 содержат по две группы пере- ключающих контактов из серебра или платиноно-иридиевого спла- ва, Реле с контактами из платиноно-иридиевого сплава допускают коммутирование постоянного тока до 0,8 А при напряжении 30 В (1 млн срабатываний) или переменного тока до 0,2 А при напряже- нии 115 В и-частоте 50 Гц (100 тыс. срабатываний). Реле типа РЭС-10‘содержат по одной группе замыкающих или переключаю- щих контактов и. различаются по обмоточным данным (см. табл. 11.27). 77
Реле типа РЭС-15 содержат по одной группе переключающих контактов, а типа РЭС-22 — по четыре таких группы. При комму- тировании постоянного напряжения 30 В реле типа РЭС-22 выдер- живают 10 тыс. срабатывании, если ток не превышает 3 А, 100 тыс. срабатываний, если ток не превышает 2 А, и 200 тыс. срабатываний, если ток не более 1 А. Мощность рассеяния в обмотке этих реле не должна превышать 1,5 Вт. Реле типов РЭС-42... РЭС-44 имеют герметизированные магни- тоуправляемые контакты — герконы, представляющие собой кон- тактные ферромагнитные пружины, которые помещены в герметич- ные стеклянные баллоны, заполненные инертным газом, азотом Рис. II 11. Малогабаритные электромагнитные реле постоянного.тока: /— РСМ; 2—Р.-гС-б; 3 — РЭС-9; 4— РЭС-15; 5 — РЭС-10; 6 — РЭС-22 высокой чистоты или водородом. Контактные элементы являются одновременно элементами магнитной цепи. Под действием магнит- ного поля достаточной напряженности ферромагнитные контактные пружи.ны притягиваются, деформируясь, и замыкают или размы- кают контакты. Герконы отличаются большой износоустойчивостью контактных пружин и малым временем срабатывания. Реле типа РЭС-42 содержат по одной магнитоуправляемой кон- тактной группе, работающей на замыкание, типа РЭС-43 — по две такие же группы, типа РЭС-44 — по три такие группы. Емкость между разомкнутыми контактами не превышает 0,4 пФ. Габарит- ные чертежи и схемы реле типов РЭС-42...РЭС-44 приведены на рис. 11.15, а основные параметры—в табл. 11.23 и 11.30. Реле типов РЭС-55А и РЭС-55Б, как и типов РЭС-42...РЭС-44, имеют герконы, по отличаются конструктивным оформлением (рис. 11.16) и параметрами (табл. П.31). Они содержат по одной переключающей контактной группе. 78
ТаблицаП.23. Параметры малогабаритных электромагнитных реле Тип Максимальный коммутируемый ток, А, при напря- жении, В ад S S га W 3 га Время, мс ‘ размеры, не более га t- постоян- ный пере- менный Число не мене срабат! вания и hr 0 аз га” о га S РСМ 1/28 ' 10ь 2...16 1.5...3 26.5X17,5X28 25 РЭС-6 6/30- 0.3/30 0,1/300 — 5 • 103 10е 10“ — — 26,5X19,5X31 34 PSC-7 2/30 0,3/300 1/50 3 • 10» 25 15 40X40X53 120 РЗС-8 0,8/30 0,3/220 0,5/250 10» 20... 25 10 49X32X50 110 PSC-9 2/30 • 0,3/250 * 0,2/115 * 10» 11 — 021X28 20 РЭС-10 2/30 0,3/250 0,2/115 10» — — 17X11X20 7.5 РЗС-15 ' 0,2/30 0,015/150 0.13/127 10» 8 — 011X17 3,2 РЭС-22 0,05/60 0,3/60 — 10’ 10» 15 6 30x20x22 36 РЗС-42 РЭС-43 РЭС-44 0,25/180 0.25/130 10» 1 1 •* 1 »** 0,3 См. рис. 11.15 12 15 18 РЭС-56А РЭС-55Б . 0,25/180 0.25/130 10е 1 — . См. рис. 11.16 — ♦ Для реле с серебряными контактами. ♦* При подаче напряжения на одну обмотку или параллельном включении обмоток. При последовательном включении обмоток— не более 1,3 мс. * * * При работе одной из обмоток. При последовательном включении обмоток -• не более 1,3 мс, при параллельном — не более 0,5 мс. Таблица 11.24. Параметры реле типа РСМ Тнп Номер па спорта Обмоточные данные Ток, мА Сопротив- ление, Ом Число витков Диа метр провода, мм срабаты- вания отпуска- ния РСМ-1 Ю. 171.81.01 525 4500 0,07 26 Ю.171.81.20 750 • 5000 0,06 25 5 KX171.81.37 750 5000 0,06 24 ——• 10.171.81.43 200 2800 . 0,09 45 8 К). 171.81.50 60 1400 0,12 68 — IO.17l.8l.53 250 3000 0,08 40 — 79
Продолжение табл. II.24 Тип Номер паспорта Обмоточные данные Ток, мА Сопротив- ление, Ом Число витков Диаметр провода, мм срабатыва- ния отпуска- ния РСМ-2 Ю.171.81.02 525 4500 0,07 26 4,5 Ю.171.81.21 750 5000 0,06 24 < 10.171.81.30 750 5000 0,06 25 5 Ю.171.81.31 120 2100 0.1 70 — Ю.171.81.51 60 1400 0,12 68 —- Ю.171.81.52 16 275 0,31 390 —ч Ю.171.81.54 750 5000 0,06 24 Ю.171.81.56 525 4500 0,06 24 — Ю.171.81.58 30 1100 0,14 100 — РСМ-3 Ю.171.81.22 750 5000 0,06 24 — KJ.171.81.32 120 2100 0,1 65 — Ю.171.81.55» 525 4500 0,07 — Ю.171.81.57 60 1400 0,12 70 — • Напряжение срабатывания реле не более 18 В. Таблица 11.25. Параметры реле типа РЭС-6 Номер паспорта Число и вид группы кон- тактов ♦ Обмоточные данные Ток, мА Сопротивле- ние, Ом Число витков срабатыва- ния отпуска- ния РФ0.452.110 2з 2500 12000 15 2 РФО. 452.111 1250 8500 21 4 РФ0.452.112 850 6600 25 Б ’ РФО. 452. ИЗ 550 6200 30 6 РФО. 452.114 300 4300 42 8 РФО. 452.115 200 3600 55 9 РФО.452.116 125 2900 62 10 РФ0.452.120 2р 2500 12000 15 2 РФО. 452.121 1250 8500 21 4 РФО.452.122 850 6600 25 5 РФО. 4 52.123 550 6200 30 6 РФО.452.124 300 4300 42 8 РФО.452.125 200 3600 55 9 РФО. 4 52.126 125 2900 62 10 РФО. 452.140 1п 2500 12000 15 3 РФ0.452.141 1250 8500 20 4 РФО.452.142 850 6600 25 5 ' РФО. 452.143 550 6200 28 6 РФО. 452.144 300 4300 35 8 РФО. 452.145 200 3600 50 12 РФО.452.146 125 2900 60 15 РФ0.452.100 2п 2500 12000 20 3 РФО.452.101 1250 8500 26 5 РФ0.4Б2.102 850 6600 32 6 30
Продолжение табл. П.25 Номер .паспорта Число и вид груп- пы контак- тов * Обмоточные данные Ток, мА Сопротивле- ние, Ом Число витков срабатыва- ния отпуска- ния РФ0.452.103 550 6200 35 8 РФ0.452.104 300 4300 60 10 РФ0.452.105 200 3600 65 15 РФ0.452.106 125 2900 70 18 РФ0.452.107 60 1950 100 РФО. 452.109 30 1500 130 — РФО. 452.130 13 1р 2500 12000 15 2 РФО.452.131 1250 8500 21 3 РФО.452.132 850 6600 25 4 РФО.452.133 550 6200 30 5 РФ0.452.134 300 4300 42 6 РФО. 452.135 200 3600 55 8 РФО.452.136 125 2900 62 9 • Цифры обозначают число групп контактов, а буквы: з — замыкание; р— раз- мыкание; п — переключение. Таблица 11.26. Параметры реле типов РЭС-7...РЭС-9 Тип Номер паспорта Обмоточные данные Ток, мА Сопротив- ление, Ом Число витков срабаты- вания отпуска- ния РЭС-7 PC4.590.008 180 3330 . 75 15 РС4.590.009 4000 16000 16 2.5 РС4.590.010 8000 21000 12 2 РС4.590.011 160 3500 71 10 PC4.590.013 215 4000 75 15 РЭС-8 РС4.590.050 180 2900 80 15 РС4.590.051 8000 17000 13 2.5 РС4.590.052 160 2700 86 16 РС4.590.056 3500 11000 20 4 РС4.590.060 2100 8300 28 5 РС4.590.062 180 -2900 80 15 РС4.590.063 45 1475 158 30 РС4.590.064 160 2700 86 16 РЭС-9 РС4.524.200» 500 4600 30 5 РС4.524.201 500 4600 30 5 РС4.524.2С2 72 1800 80 13 РС4.524.203* 30 1400 108 18 РС4.524.204» 9600 21000 7 1,1 РС4.524.205* 3400 13000 11 1.7 PC4.524.208 9600 21000 7 1.1 • Реле с серебряными контактами; контакты остальных реле типа РЭС-9 — из плашново-нридпевого сплава. fit
Таблица 11.27, Параметры реле типа РЭС-10 Номер паспорта Число и вид группы контактов Обмоточные данные Ток срабаты- вания, мА Допустимое напряжение на обмотке ♦, В Сопротив- ление, Ом Число витков РС4.524.300 1з 4500 11000 6 68 PC4.524.30l 1п 4500 11000 8 68 РС4.524.302 1п 630 4000 22 40 РС4.524.303 1п 120 I860 50 18 РС4.524.304 1п 45 1100 80 И PC4.524.305 1з 1600 6500 10 35 РС4.524.308 1з 120 1800 35 18 * При 20° С. Таблица П.28. Параметры реле типа РЭС-15 Номер паспорта Обмоточные данные Ток, мА Допустимый ток обмотки мА, не более Сопротив- ление, Ом Число витков срабаты- вания отпуска- ния PC4.591.001 2200 6000 8,5 2 16 РС4.591.002 160 1700 30 7 68 РС4.591.003 330 2400 21 5 43 PC4.591.004 720 3900 14,5 3.5 28 • При 20° С. Таблица П.29. Параметры реле типа РЭС-22 Номер паспорта < Обмоточные данные Ток, мА Допустимое напряжение на обмотке *, В Сопротив- ление, Ом Число витков срабаты- вания отпуска- ния РФ4.500.125 2860 11500 11 2 66 РФ4.500.129 175 3400 36 8 13 РФ4.500.130 2500 11500 10,5 2.5 53 РФ4.500.131 650 6200 20 4 26 РФ4.500.Г63 700 6200 21 3 33 РФ4.500.225 650 6200 19 6 а 26 РФ4,500.231 700 6200 21 3 33 * При 20° С. 82
РЭС-42 РЭС-43 РЭС-44 чертежи и схемы электромагнитных реле типов Рис. II.15. Габаритные ... РЭС-41. РЭС-42... РЭС-55А 33 Рис. 11.16. Габаритные РЭС-55А и РЭС-55^ Цветная метка чертежи и схемы электромагнитных реле типов 83
Таблица 11.30. Параметры реле типов РЭС-42... РЭС-4 4 Тнп Номер паспорта Обмоточные данные Напряжение. В Обозначе- ние ВЫВО- ДОВ Сопро- тивле- ние, Ом Число витков срабаты- вания (не более) отпуска- ния (не более) номи- нальное рабочее РЭС-42 PC4.569.151 А, Б 820 5500 6,5 1,2 12 РС4.569.152 А, Б 4000 12000 14 3 27 РЭС-43 РС4.569.201 А, Б 230 1900 5,5 1 12 В, Г 230 1900 5.5 1 12 А. Г* 460 3800 5,5 1 12 А (В), Б (Г)** 115 — 2,8 0,5 12 РС4.569.202 А, Б 1200 4850 11,5 2 27 В, Г 1200 3800 14 2,5 27 А, Г» 2400 13 2.5 27 А (В). Б(Г)»» 600 — 6.5 1.2 27 РЭС-44 РС4.569.251 А, Б 190 1650 6 I 12 В. Г 190 1650 6 1 12 А. Г* 380 3300 6 1 12 А(В),Б(Г)»« 95 3 0,5 12 РС4.569.252 А, Б 900 3060 15 2,5 27 В. Г 900 3400 13,5 2 27 А, Г» 1800 6460 14 2,2 27 А(В), Б (Г)** 450 — " 7 1,1 27 * При последовательном включении обмоток. *• Прн параллельном включении обмоток. Таблица 11.31. Параметры реле типов РЭС-55А и РЭС-55Б Тип Номер паспорта Обмоточные данные Напряжение, В Сопротив- ление, Ом Число витков срабатыва- ния (ие более) отпускания (не более) номиналь- ное рабо- чее РЭС-55А РС4.569.601 1880 7200 16,2 1.8 27 РС4.569.602 377 3220 7,3 0,85 12,6 PC4.569.603 95 1820 3,25 0,35 6 РС4.569.604 67 1480 2,5 0,3 5 РС4.569.605 35 1080 1,72 0,2 3 PC4.569.606 1880 7200 14,2 1,6 27 РС4.569.6 07 377 3220 х 6,3 0,75 12,6 РС4.569.608 95 1820 2.75 0,3 6 РС4.569.609 67 1480 2,1 0,25 5 РС4.569.610 35 1080 1,46 0,18 3 84
Продолжение табл. list Тип Номер - паспорта Обмоточные данные Напряжение, В Сопротив- ление, Ом Число витков срабаты- вания (не более) отпуска- ния (не более) номиналь- ное рабо- чее РЭС-55Б PC4.569.626 1880 7200 . 16,2 1,8 27 РС4.569.627 377 3220 7,3 0.85 12,6 РС4.569.С28 95 1820 3,25 0,35 - 6 РС4.569.629 67 1480 2,5 0,3 5 РС4.569.630 35 1080 1.72 0.2 3 РС4.569.631 1880 7200 14.2 1,6 27 РС4.569.632 377 3220 6,3 0,75 12,6 PC4.569.633 95 . 1820 2,75 0,3 6 РС4.569.634 67 1480 2,1 0.25 5 • РС4.569.635 35 1080 1,46 0,18 3 § 10. Громкоговорители и телефоны [6, 7, 11] Определение, классификация, параметры. Громкоговоритель (теле- фон) — прибор для преобразования электрических колебаний в аку- стические колебания воздушной среды — является последним и од- ним из наиболее важных звеньев любого акустического тракта, так Как его саойства оказывают чрезвычайно большое влияние на ка- чество работы этого тракта в целом. По способу преобразования колебаний громкоговорителе и те- лефоны разделяются на электродинамические катушечные (подав- ляющее число типов громкоговорителей), электромагнитные (ос- новное число телефонов), электростатические, пьезоэлектрические и некоторые другие; по виду излучения — иа громкоговорители непосредственного излучения, диффузорные и рупорные; по вос- производимому диапазону — на широкополосные, низко-, средне- н высокочастотные; по потребляемой электрической мощности — на мощные и маломощные. Стандартом ГОСТ 16122—78 установлены определения пара- метров громкоговорителей и относящихся к ним терминов. Приве- дем основные из них. Номинальная мощность — максимальная подводимая электри- ческая мощность, ограниченная тепловой и механической проч- ностью громкоговорителя и нелинейными искажениями, превышаю- щими заданное значение. Обычно оио меньше паспортного. Гром- коговоритель ие должен выходить из строя прн длительном еа воздействии. Частотная характеристика громкоговорителя по звуковому давлению — зависимость звукового давления, развиваемого гром- коговорителем, в точке свободного поля (находящейся на определен- ном расстоянии от рабочего центра) от частоты при постоянном напряжении на зажимах громкоговорителя. . ;
Рабочий центр — обычно геометрический центр симметрии выходного отверстия излучателя. Для сложных излучателей рабо- чий центр указывается в описании громкоговорителей. Неравномерность частотно^характеристики и эффективно во- спроизводимый диапазон частот определяются по частотной харак- теристике, снятой на рабочей оси, которая обычно совпадает с гео- метрической осью излучателя, а для сложных излучателей указы- вается в описании. Среднее стандартное звуковое давление (отдача) — среднее звуковое давление, развиваемое в диапазоне рабочих частот на рабочей оси на расстоянии 1 м от громкоговорителя и 1 см от,теле- фона при подведении к громкоговорителю электрической мощности 0,1 Вт, а к телефону — 1 мВт. Входное сопротивление громкоговорителя зависит от частоты, поэтому в справочниках приводится номинальное электрическое сопротивление — минимальный модуль полного электрического со- противления громкоговорителя в диапазоне частот выше частоты основного резонанса его механической колебательной системы, при которой полное сопротивление достигает максимального значения. Характеристика направленности — зависимость звукового давления, развиваемого громкоговорителем, в точках свободного поля, находящихся на одинаковом расстоянии от рабочего центра, от угла между рабочей осью громкоговорителя и направлением иа выбранную точку. Обычно эту характеристику нормируют к осе- вому звуковому давлению. Характеристика направленности изме- няется в зависимости от частоты, поэтому ее измеряют на ряде час- тот или в заданной полосе частот. Характеристику направленности, снятую в плоскости, называют диаграммой направленности. Коэффициент осевой концентрации — отношение акусти- ческих мощностей ненаправленного и направленного излучателей при равенстве их осевых звуковых давлений. Ко.-ффициент гармоник — отношение среднеквадратичного звукового давления гармоник к среднему звуковому давлению — измеряют для ряда заданных частот при подведении к громкогово- рителю синусоидального напряжения, соответствующего номиналь- ной мощности. Коэффициент полезного действия громкоговорителя в паспорт- ных данных обычно не приводится. Вместо него указывают стандарт- ное звуковое давление или характеристическую чувствительность, однозначно связанные между собой и с акустической мощностью. Если подвести к громкоговорителю электрическую мощность 0,1 Вт, то (согласно определению стандартного звукового давле- ния) осевое звуковое давление равно стандартному, Характеристическая чувствительность — отношение среднего звукового давления, развиваемого громкоговорителем в номиналь- ном диапазоне частот на рабочей оси на расстоянии 1 м от рабочего центра, к корню квадратному из подводимой электрической мощ- ности. Дребезжание — спектральные компоненты излучаемого гром- коговорителем сигнала, вызываемые механическими дефектами его конструкции и слышимые при его работе в номинальном и эффек- тивно воспроизводимом диапазонах частот. Установлены две категории телефонов: 44 (нормальные) — для работы при температурах от —10 до +45^ С и'влажности до 90± ±3%; У (устойчивые) — при температурах от —50 до 4-50JC и влажности до 95±3% (ГОСТ 13Д91—78). Полное электрическое 86
сопротивление на частоте 1000 Гц должно быть 260±52 Ом, хотя допускаются и другие его значения. Коэффициент гармоник на час- тоте 1000 Гц не должен превышать 5% при мощности 1 мВ • А. Габаритные размеры телефона не должны превышать размеров кругового цилиндра с диаметром основания 48 мм и высотой 24,5 мм; диаметр слухового отверстия — 13 мм. Нормы на параметры громкоговорителей изложены в ГОСТ 9010—78. Громкоговорители (головки) должны выдерживать испы- тания на теплоустойчивость до 60° С, на влагоустойчнвость — до 93±2% при 30° С, на холодостойкость — от —20 до —40J С, а так- же на ударную устойчивость, ударную прочность и виброустойчи- вость. Стандартное звуковое давление на расстоянии 1 м при мощ- ности 0,1 Вт должно быть не менее 0,2 Па, за исключением громко- говорителей, используемых в закрытых акустических системах (см. ниже). Частотная характеристика должна соответствовать ти- повой с допустимым отклонением ±6 дБ. Если же типовая частот- ная характеристика не приводится, то допустимая неравномерность в номинальном диапазоне рабочих частот не должна превышать 14 дБ. Предусмотрены следующие номинальные мощности: 0,1; 0,25; 0,5; 1,0; 2,0; 3,0; 4,0; 6,0; 8,0; 10,0; 15,0; 20,0; 25,0; 30,0; 50,0 Вт и независимо от. этого ряда мощностей ряд номинальный сопро- тивлений: 2, 4, 8, 15, 25, 50, 100, 400, 800 Ом. Допустимые отк.' о- нения от приведенных сопротивлений не превышают + 15; — 20%. Громкоговорители не должны дребезжать при подведении к ним синусоидального сигнала номинальной мощности в диапазоне от минимальной частоты основного резонанса до наивысшей частоты номинального диапазона рабочих частот. У одного из выводов громкоговорителя иногда наносится знак полярности в виде точки, пукли или знака «+», который по- могает правильно осуществить параллельное соединение громкого- ворителей. Обозначение громкоговорителя, иапример 1 ГД-3-100, расшифровывается так: первая цифра (1) — мощность, Вт; буквы , «ГД» — громкоговоритель динамический; вторая цифра (3) — по- рядковый иомер разработки; последние цифры (100) — значение резонансной частоты, Гц. При маркировке нестандартных громко- говорителей добавляются буквы, указывающие завод-изготовитель (например: ЗГД-6 ВЭФ, 5ГД-3 РРЗ). Электростатические гром- коговорители маркируются тремя буквами: ГСВ (громкоговоритель - статический высокочастотный) или ГСШ (громкоговоритель стати- ческий широкополосный), характеризующими тип, и цифрами, обо- значающими номер разработки (иапример, ГСВ-1, ГСШ-1). Международные нормы на высококачественные громкоговори- тели системы высокой верности (HiFi) коротко формулируются так. . Номинальный диапазон рабочих частот — 50 Гц... 12 кГц. Частот- ная характеристика, снятая третьоктавными полосами розового шума, должна укладываться в допустимую область с неравномер- ностью ие более 8 дБ в диапазоне частот 100 Гц...4 кГц и не более 12 дБ на частотах ниже 100 Гц и выше 4 кГц (розовый шум — шумо- вой сигнал, уровень спектральной плотности энергии которого при повышении частоты снижается с постоянной крутизной 3 дБ/окт, в диапазоне частот измерений; октава (окт) — диапазон частот, ограниченный значениями fminH/max, для которого fmaxlfmi„ = 2). Звуковое давление, приведённое к расстоянию 1 м, при рабочей мощности должно быть не менее 1,2 Па (96 дБ). Коэффициент гар- 87
моник ие должен превышать 3% в диапазоне частот 250 Гц...1 кГц при подводимом синусоидальном сигнале рабочей мощности, 2% в диапазоне чйстот 1...2 кГц при подведении 1/2 мощности и1% в диа- пазоне частот 2....4 кГц при подведении 1/4 мощности. Частотные характеристики, снятые под углом 15° к оси вверх, вниз, вправо, влево7 не должны отличаться от осевой характеристики при их со- вмещении больше чем на 4 дБ. Частотные характеристики громко- говорителей для двух • каналов стереофонической установки не должны различаться более Чем иа 2 дБ. Рекомендуемые значения сопротивлений — 4 и 8 Ом. Телефоны применяются в бытовой аппаратуре и связи. Стерео- фонические телефоны дают возможность полного разделения правого и левого каналов микрофон — усилитель — телефон — ухо. Электромагнитные телефоны (например, типа ТК-47) приме- няются в телефонных аппаратах и переговорных устройствах. Прин- цип действия: на постоянный магнитный поток системы, состоящей вз постоянного магнита и магнитопровода (полюсных наконечни- ков), накладывается переменный поток звуковой частоты, создавае- мый надетыми на магнитолровод катушками, к которым подводится напряжение звуковой частоты. Перед полюсными наконечниками находится ферромагнитная диафрагма (мембрана). Под воздейст- вием постоянного и переменного магнитных потоков, пронизывающих диафрагму, мембрана колеблется в такт с переменным магнитным потоком и излучает акустическую волну, поступающую в ухо. В результате возникает ощущение звука. При одинаковом звуковом давлении (отдаче) телефоны разного сопротивления, имеют разные чувствительности. Чтобы сравнить телефоны, вводят понятие приведенной чувствительности: Л7пр = — МТ К|ZT|/ZCT, где /Ипр — приведенная чувствительность теле- фона, Па/В; МТ — его чувствительность (отношение звукового давления к подводимому напряжению); |ZT| — модуль его электри- ческого сопротивления; ZCT — стандартное сопротивление, которое в телефонии принимается равным 600 Ом. Средняя чувствительность телефона типа ТК-47 в диапазоне 300 Гц...З кГц составляет 15.... 17 Па/В, а сопротивление его катушек постоянному току — 130 Ом. В переговорных устройствах и на радиостанциях в основном при-, меняется телефон типа ТА-4, частотная характеристика которого более равномерна, средняя чувствительность в диапазоне 300 Гц... 4 кГц составляет 3 Па/В при сопротивлении постоянному току 2,2 кОм и 15 Па/В — при сопротивлении 65 Ом. Более сложную магнитную систему имеет телефон типа ДЭМК-6А. Для того чтобы при изменениях атмосферного давления его диафрагма не прогиба- лась внутрь или. не выпучивалась, телефон снабжен керамической пробкой, пропускающей воздух, но не пропускающей влагу. Средняя чувствительность составляет 20 Па/В при сопротивлении постоян- ному току 130 Ом. Несколько отличается от него телефон типа ДЭМК-7Т. В нем нет керамической пробки, а в основанив проделан ряд отверстий, что придает его частотной характеристике многоре- зонансный характер, как, например, у телефона типа ТА-4. Электрические эквивалентные схемы телефонов типов ДЭМК-6А и ТК-47 одинаковы. При сравнительном рассмотрении частотных характеристик чувствительности перечисленных телефонов нужно учитывать, что они не приведены к стандартному сопротивлению 600 Ом и поэтому располагаются на разных уровнях. 88
Для прослушивания радиопередач, звукового сопровождения телепередач и звукозаписи применяются стереофонические телефоны в основном электродинамического типа. Описание принципа дейст- вия этого типа телефонов приводится ниже; в качестве примера приведем конструкцию телефона ТДС-1 (рис. 11.17, о). В корпусе находится малый электродинамический громкоговоритель с диффу- зором или полусферической диафрагмой. Пространство -между ним и корпусом заполнено звукопоглощающим материалом (поролон). Перед громкоговорителем находится перфорированная решетка. К краю корпуса примыкает мягкий амбушюр, прилегающий к уш- ной раковине. Пара таких телефонов позволяет получить высокока- чественное воспроизведение особенно низших частот при малой мощ- Рис. П.17. Устройство телефона: а—тип ТДС-1 (7 — малый электродинамический громкоговоритель; 2 — корпус; 3 — решетка; 4 — мягкий амбушюр; 5 — контакт; 6 — звукопоглощающий материал); б— квадрафонический (7, 2— громко- говорители соответственно переднего н заднего каналов; 3—амбу- шюр; 4 — корпус);-в, г— изодинамииеский. ности, обеспечивая хороший стереофонический эффект и довольно надежно изолируя слушателя от внешних шумов, а окружающих — от звуков воспроизведения. Устройство квадрафонического теле- фона схематически показано на рис. 11.17, б. Его основным отли- чием является то, что на каждое ухо действуют два громкоговори- теля. На рисунке приведены громкоговор-ители переднего и заднего каналов, например правых каналов. Так же устроен телефон перед- него и заднего левых каналов. Преобразователи передних каналов располагаются при надевании наушников прямо против входа в слуховые каналы, а задние смещены за ушную раковину, что не- сколько ослабляет высокие частоты. Иногда оба громкоговорителя включаются через специальный электрический контур, позволяю- щий подчеркнуть низкие частоты для одного преобразователя и вы- сокие для другого. Электродинамические головные телефоны построены на элект- родинамическом принципе, но без применения громкоговорителей. Наиболее известный из них — изодинамический. Он состоит из магнитной системы и диафрагмы. Оригинальная магнитная система, в свою очередь, состоит из двух дискообразных магнитов, например, из феррита бария, намагниченных так, что каждый из них имеет Ь9
I три пары полюсов. Например, центральная часть, ограниченная окружностью, имеет полярность N, следующая кольцевая — S, а наружная кольцевая — N (рис. 11.17, г). Таким образом, по по- верхности магнита проходят два радиальных магнитных потока. Так же намагничен и второй магнит. Л1агниты по всей плоскости перфо- рированы для того, чтобы обеспечить проход звука через отверстия при колебаниях диафрагмы из синтетической пленки, натянутой между магнитами на равных расстояниях от поверхности каждого из них. На пленку нанесен проводник в виде спирали. В том месте, где встречаются противоположно направленные потоки (скруж- ность, проходящая через точку 4), витки спирали начинают идти Таблица П.32. Основные параметры .елефонов Тип Диапазон частот, Гц Модуль электриче- ского сопро- тивления, Ом Чувстви- тельность средняя, Па/В Габаритные размеры, мм 4 Масса, кг Применение Электромагнит н ы е - ТК-67-Н 300...3400 260 8—14 0 48x25 0,06 В телефонных аппаратах ТКЭД-7 300...3400 260 14—21 0 48 x 24,5 0,06 То же ТА-4 300...4000 65 2200 15 3 0 51X24,5 0,06 В телефонных аппаратах и аппаратуре связи То же ТК-47 300...3000 130 15—17 0 42X14 0,035 В аппаратуре связи ТА-56М 300...3000 300, 600 5,5-10 0 24X21,5 0,15 на пару То же ТГ-7М 300...3000 150 на пару 8—14 0 65x180X125 0,17 иа пару То же 11-8 200...6000 5000 на пару 6 0 42x165x135 То же В радиоприем- никах ТОН-2 300...3000 12000 на пару 4 0 15x22 0,01 То же и в слу- ховых аппа- ратах ТМ-4 300...3000 50 1,7 0 22x11,7 0,02 В аппара- туре связи и слуховых аппаратах ДЭМ-4М Электро 300...3000 динами 600 е с к и 28 е 0 55x30 0,16 В аппарату- ре связи; обратимый в микрофон ТДК-1 100...5000 160 10 0 52x26 0,115 В аппара- туре связи ТД-6 100. ..5000 140 10 0 52x26 0,110 Измеритель- ный, для зву- козаписи и контроля 12 А-25 40...16000 60 6 1— 0,365 То же тдс-1 40...16000 10 2 0.5 Стереофони- ческий, мак- симальная мощность 0,5 Вт 80
9 в обратном направлении. Следовательно, сохраняется взаимораспо- ложение магнитного поля и электрического тока. Диафрагма изоди- намического телефона возбуждается по всей поверхности, поэтому он очень эффективен, имеет весьма равномерную частотную харак^ тернстику и ничтожные линейные искажения. В пьезоэлектрических телефонах используются пьезоэлектри- ческие синтетические пленки. Фирма «Пайонир» применяет пленку поливиннлнденфлуорид. Она имеет разную толщину (от 8 до 30 мкм), малую жесткость и удовлетворительные пьезоэлектрические пара- метры. Качество такого телефона достаточно высокое. При этом он не требует напряжения поляризации (см. ниже описание электро- статических громкоговорителей). Основные параметры наиболее распространенных телефонов приве- дены в табл. П. 32. Диффузорные электродинамиче- ские громкоговорители. В диффузор- ном громкоговорителе диффузор (рассеиватель), входящий в его меха- ническую подвижную систему, вы- полняет функции преобразования ме- ханических колебаний в акустиче- ские и излучения звука. Процесс излучения звуковых воли довольно прост: при своих ко- лебаниях диафрагма приводитв дви- жение частицы прилегающего к ней воздуха, создавая попеременно его сжатие и разрежение. Колебания этих частиц передаются соседним слоям воздуха н т. д., создаются волны сжатия и разрежения, кото- рые движутся со скоростью звука вдаль. На рис. II.18 приведен схема- тический чертеж электродинамичес- кого громкоговорителя. Принцип его действия заключается в том, что катушка с намотанным на нее проводом, находящаяся в ра- диальном магнитном поле, при пропускании через нее перемен- ного тока i испытывает действие силы F — ВИ, где В — индук- ция в зазоре; I — длина провода. Эта сила приводит в движение диффузор, жестко скрепленный с катушкой (называемой звуковой) и подвешенный к корпусу по внешнему краю, а также центрируемый шайбой. В результате диф- фузор является поршневым излучателем и имеет одну степень сво- боды колебаний (только по осевому направлению). Магнитное поле создается кольцевым постоянным магнитом (в ряде громкоговорите- лей магнитом служит керн) и магнитной цепью из двух фланцев и керна. Между керном и верхним фланцем есть кольцевой зазор, в котором размещена звуковая катушка, свободно колеблющаяся в нем. Чтобы диффузор не изгибался как мембрана и для создания необходимой жесткости, ему обычно придают форму усеченного ко- нуса с круговым или эллиптическим основанием. Тем не менее на высших частотах диффузор, изгибаясь, колеблется как мембрана: волны изгиба двигаются от центра к периферии и обратно, созда- вая стоячие волны по радиусам диффузора. Для больших диаметров диффузора (около 25 см) эти колебания начинают появляться на Рис. П.18. Устройство диффу- зорного электродинамического громкоговорителя: 1 — звуковая катушка; 2 — Диф- фузор; 3— подвес диффузора} 4 — корпус; 5—шайба; 6, 3 — фланцы; 7 — магнит; 9— керн; 10—кольцевой зазор; И — от- верстия для выхода тыльного из- лучения 91
Рис. II. 19. Частотная характери- стика давления диффузорного громкоговорителя типа 4ГД-8Е в экране. .частотах выше 1500 Гц, для меньших — на более высоких часто- тах и воспринимаются слушателем как искажения звука. Механическая колебательная система имеет резонансную час- тоту <вм = 1/У tnCM, которую называют частотой механического ре- зонанса (т — масса подвижной системы; См — ее гибкость). Ниже частоты механического резонанса среднее звуковое Давление гром- коговорителя резко падает. Практически для широкополосных гром- коговорителей ‘не удается уменьшить частоту механического резонанса до 60...70 Гц. Следовательно, нижняя граница передаваемого диапазона частот не менее 50...60 Гц, а в боль- шинстве случаев не менее 70...80 Гц. Частоту, выше которой диффузор колеблется как мембрана, можно по- высить (при сохранении его массы и размеров), придав диффузору боль- шую жесткость. Это достигается утол- щением стенок диффузора с уменьше- нием их толщины к периферии. Одновременно с этим умень- шают плотность материала, напри- мер делают его пористым (без сквозных пор). Применяется различ- ная пропитка материала диффузора, поэтому в диапазоне частот, в котором диффузор колеблется как мембрана, частотная характе- ристика получается очень изрезанной (рис. II. 19). Но так как слух человека из-за достаточно широких критических полосок слуха сгла- живает частотную характеристику, то не все пики и провалы заметны на слух. Частотная зависимость осевой чувствительности громкого- ворителя (отношение звукового давления на оси к подводимому на- пряжению) без учета резких пиков и провалов близка к равномерной до частот примерно 6...7 кГц (см. рис. II.19). Это объясняетси тем, что с увеличением частоты перестает ко- лебаться внешняя часть диффузора. Выше 7...8 кГц частотная характе- ристика круто падает. Все это отно- сится к несоставным громкоговорите- лям, рассчитанным для работы в ши- роком диапазоне частот. Верхнюю границу диапазона частот повышают до 10...12 кГц, например, кольцевой гофрировкой диффузора. При этом с увеличе- нием частоты перестают колебаться один за другим внешние участ- ки диффузора, одновременно уменьшается возможность колебания его как мембраны. Другой способ =— применение дополнительно- го конуса, который вставляется внутрь диффузора (рис. II.20). В этих случаях на высоких частотах основной диффузор перестает работать из-за относительно гибкого соединения его со звуковой катушкой и в работу включается малый диффузор, достаточно жест- кий и легкий. Чувствительность (эффективность излучения) громко- говорителя на высоких частотах повышают, уменьшая индуктивность Луковой катушки, например, с помощью вихревых токов Фуко; уменьшение индуктивности снижает ее электрическое сопротивле- ние и приводит к возрастанию тока на высоких частотах. Для этого П.20. Громкоговоритель а Рис. дополнительным конусом. 93
на керн надевают насадку в ннде медного колпачка с разрезом. На низких частотах чувствительность громкоговорителя повышают, применяя специальные акустические оформления, подробно опи- санные в § 1, гл. IX. Направленность одиночных диффузорных громкоговорителей неявно выражена из-за малости поверхности излучения; она прояв- ляется в диапазоне высоких частот. Наибольшая подводимая к головке электрическая мощность ограничена значением, при котором коэффициент гармоник не пре- вышает нормы, установленной ГОСТом нли техническими условия- ми (обычно не более 5....10% на частотах 100...200 Гв). Этот пара- метр называют номинальной мощностью, выражают ее в ваттах, указывают в паспорте или другом документе на голсвку. В настоя- щее время громкоговорители выпускаются мощностью 0,025... 50 Вт. КПД головки громкоговорителя (отношение излучаемой акус- тической мощности к подводимой электрической) снижается при уменьшении ее размеров, так как одновременно уменьшаются пле- ща.^ поверхности диффузора, объем провода катушкн и индукция в зазоре. Поэтому у малогабаритных громкоговорителей значение КПД очень мало: в основном составляет 0,2...0,5%, не превышая даже у самых мощных 1...2%. Чтобы скомпенсировать уменьшение звуковой отдачи, сопутствующее снижению КПД, к громкоговори- телям малогабаритных акустических систем приходится подводить существенно большую мощность. Среднее стандартное звуковое давление, создаваемое современными динамическими головками, составляет 0,1...0,3 Па. Нелинейные искажения в диффузорных громкоговорителях в основном создаются из-за нелинейности меха- нической системы в центрирующей шайбе и подвесе диффузора и из-за неравномерного распределения индукции в зазоре. Коэффи- циент нелинейных искажений иа частотах около 100 Гц доходит до’10% и более. Для его уменьшения применяют центрирующие шай- бы, имеющие сложную конфигурацию и выполненные из специаль- ных материалов, гофрированные подвесы, а также полюсные нако- нечники такой формы, при которой создается более равномерное поле в зазоре. Для маломощных громкоговорителей_высоту звуко- вой катушки делают больше высоты зазора, вследствие чего число пересекаемых силовых линий ие зависит от амплитуды колебаний. В электродинамических громкоговорителях возможно появление субгармонических искажений, в результате которых создаются составляющие с частотами, равными половине частоты колебаний диффузора. Эти субгармоники появляются в тех случаях, когда образующая диффузора прямолинейна, т. е. когда диффузор имеет коническую форму. Чтобы уменьшить возможность возникновения субгармоник, образующей диффузора придают криволинейную форму (например, экспоненциальную). Внутреннее сопротивление громкоговорителей обычно состав- ляет несколько ом. Для согласования его с сопротивлением прием- ника, трансляционной линии ит. п. применяют трансформаторы. При этом входное сопротивление громкоговорителей с трансформатором определяется номинальным напряжением источника мощности и но- минальной мощностью громкоговорителя ZBX = ^н0М/Рном- Рупорные излучатели. Основным недостатком громкоговорите- лей непосредственного излучения является их чрезвычайно низкий КПД. Причина этого заключается в несогласованности сопротивле- ний механической системы н окружающей среды. Для повышения 93
сопротивления излучения нужно увеличивать размеры излучателя, но это повлечет рост механического сопротивления массы излучателя и ие даст выигрыша в КПД. Поскольку диффузор выполняет две функции: преобразования механических колебаний в акустические и излучения этих колебаний в окружающую среду, разрешить такое противоречие можно только разделением этих функций, которое осуществляется в рупорных громкоговорителях. Рупор служит также для согласования сопротивлений механической системы и окружающей среды. Рупором называют трубу с переменным сече- нием. Входное отверстие излучающего рупора (горло) меньше, чем выходное (устье). Выходное отверстие является излучателем, а Рис. II.21. Виды рупоров: а — сдвоенный; б — секционированный. входное — нагрузкой для механической системы. Таким образом, излучатель может быть сделан сколь угодно большим, а механиче- ская система — небольшой и потому легкой. Рупоры применяют с различным законом изменения попереч- ного сечения. Наиболее распространены рупоры экспоненциальные; реже применяются конические, так как они имеют значительно менее равномерную амплитудно-частотную характеристику. Для острой направленности и более низкой границы передаваемого диапазона частот следует увеличивать выходное отверстие рупора и выбирать рупор большей длины. Для увеличения длины рупор часто сверты- вают или складывают (рис. 11.21). С аналогичным явлением мы сталкиваемся в духовых музыкальных инструментах: чём ниже регистр инструмента, тем длиннее его рупор. Для концентрации или рассеяния звуковых воли применяются •акустические линзы, основанные на преломлении звуковых лучей при переходе из одной среды в другую с разными скоростями распро- странения (например, скорость распространения звуковых волн 94
в пористых материалах или в решетках и жалюзи пластин отли- чается от скорости распространения в открытом пространстве), К недостаткам рупора можно отнести нелинейные искажения, еб- условленные большой величиной и резким изменением амплитуды звукового давления в пределах одной длины волны в горле рупора, а также частотные искажения в рупорах конической формы. Ру- порные электродинамические громкоговорители имеют два кон- структивных варианта: узко- и широкогорлые. Площадь входного отверстия рупора в узкогорлых громкоговорителях в несколько раз меньше площади поршневой диафрагмы, в широкогорлых — эти площади или одинаковы, илн близки друг к другу. Электростатические громкоговорители делятся на конденсатор- ные, электретные и пьезогромкоговорптели. Рис. 11.22. Конденсаторный громкоговоритель? о — конструкция (/ — массивный электрод; 2 — гибкий 'электрод с изо- ляцией; 3 — натягивающий винт); б — схема включения. На рис. 11.22, а приведена схематическая конструкция конден- саторного громкоговорителя. На ребристом полуцилиндре с по- мощью винта натянута тонкая металлическая фольга, с внутренней стороны облицованная диэлектриком, или полимерная пленка, сна- ружи покрытая металлом. Поверхности полуцилиндра и фольга служат электродами конденсатора. Между электродами приложено поляризующее напряжение Uo. На эти электроды подается еще переменное напряжение 17; сила притяжения электродов F == — (£7»+ t/)2S/8nd2, где S — площадь электродов; d — расстояние между ними. Прн U < Uo можно пренебречь квадратнчно'й состав- ляющей, тогда переменная сила F = CU0U!d, так как С = S/4nd. Следовательно, сила, действующая на гибкий электрод, определя- ется отношением поляризующего напряжения к межэлектродному расстоянию U0/d, емкостью конденсатора С и переменным напряже- нием. Коэффициент электромеханической связи громкоговорителя Ксв обратно пропорционален частоте, а электрическая ха- рактеристика t7U — ч>С прямо пропорциональна ей, т. е. они ком- пенсируют друг друга, что выравнивает чувствительность на высо- ких частотах. 95
Таблице 11.33. Основные параметры диффузорных электродинамических гром коговоритслей Тип Диапазон частот, Гц Неравнимер ! кость частот- ной характе- 1 рнстики, дБ Резонансная , частота под- вижной си- । стемы, Гц Среднее стан- дартное зву- ковое дав- ление, Па Полное со- противление звуковой ка- тушки, Ом V шарнтные 13меры (в 7аие), мм । Масса, г U CbR 0.025ГД-1 600...4000 18 — 0,15 6 40X16.5 17 0.Й25ГД-2 1000... 3000 18 500 0,15 60 40x16.5 17 0.05ГД-1 700...2500 18 500... 700 0,15 60 — — 0.05ГД-2 700...2500 18 500...700 0,15 6,5 — 0.1ГД-1 ВЭФ 450...3000 — .— — 3,5 — 0.1ГД-3 400...3000 16 500 0.13 6,5 50X20,5 35 0.1ГД-ЗМ 630...3150 18 550 0,18 10 50x20,5 35 0.1 ГД-6 450...3000 18 400 0.23 10 60X27 60 0.1ГД-8 440.. .3000 18 400 0,13 10 60X21,5 40 0.1ГД-9 450...3150 18 450...580 0,18 60 .— 0.1ГД-12 450. ...150 18 430 0,2 10 — 0.15ГД-1 4 00.. .8000 18 — 0,15 6 60X22 50 0.15ГД-3 150.. 5000 18 —. 0,15 6 — .—. 0.25ГД-1 300...10000 — — 0,18 6 60X25 50 0.25ГД-1 РРЗ 300...3000 13. 300 0,2 8 72x34 70 0.25ГД-2 300...3000 18 300 0.2 25 70x29 120 0.25ГД-9 300...3500 15 300 0,28 10 70X36 120 0.5ГД-2 100. „6000 — 100 — 5.5 124 0.5ГД-10 150 ..7000 14 150 0.23 5 160x50 150 0.5ГД-11 150...7000 14 150 0,23 5 105x36 150 0.5ГД-12 150...7000 15 150 0.25 4,5 105 X 36 250 0.5ГД-14 250...3500 15 200 0,23 28 102x50 130 0.5ГД-15 150...7000 15. 150 0,23 28 102X50 128 0.5ГД-17 250... 5000 15 400 0,35 8 106x70x37 150 0.5ГД-17Б 250...5000 15 400 0,25 8 106 X 70 X 37 150 0.6ГД-20 315...-5000 15 300 0,3 8 80X34 0.5ГД-21 315...7000 15 300 0,3 8 80x37 1ГД-1 150...5000 — 140 0,25 3 150X75 700 1ГД-1 РРЗ 4000... 15 1200 0,4 10 105X63 260 ...13000 1ГД-1 ВЭФ 200...4000 14 240 0.23 6.5 90X57 200 1ГД-2 ВЭФ 1000... 15 290 0,2 6,5 90X57 200 ...15000 1ГД-4 100...10000 12 120 О.з 8 150Х100Х - Х58 1ГД-5 150...6000 15 120 0,2 6.5 126X50 370 ЗГД-6 100...6000 15 100 0,28 6,5 126X53 600 1ГД-7 150..6000 15 100 0,3 6 124x63 600 1ГД-8 200...6000 12 170 0,45 6 124x64 400 100...7000 95 1ГД-9 ' 200...10000 14 150 0,25 6.5 156X98X56 250 1ГД-10 120...7000 15 120 0,25 6.5 156x98x48 370 1ГД-11 150...6000 15 140 0,28 6,5 126X46 300 1ГД-12 200...10000 14 175 0,25 5 156x98x41 200 1ГД-14 150...10000 14 150 0.25 5 125X45 180 1ГД-17 100...7000 14 0,22 220 •— 96
Продолжение табл. 11.33 Тип Диапазон частот, Гц Неравномер- ность частот- ной характе- ристики, дБ Резонансная частота под- вижной сис- темы. Гц Среднее стан- дартное зву- ковое давле- ние, Па Полное со- противление звуковой ка- тушки, Ом Габаритные размеры (в плайе), мм Масса, Т 1ГД 18 1ОО...1ПОСО 15 100 0.2 6.5 156x98x48 .200 1ГД-19 100...10090 15 100 0.2 6,5 156x98x44 200 1ГД-20 150...7000 15 150 О.з 6,5 156X98x60 240 1ГД-28 100...10000 15 95 0,2 6,5 156x98x41 . 200 1ГД-36 100...10000 12 120 0.2 8 125X100 х Хб7 250 2ГД.З 70.. .10000 14 80 0.25 4.6 152x69 400 2ГД-4 70...10000 14 80 0,23 5 152x54 300 2ГД-6 90... 7000 14 — 0,23 420 — 2ГД-7 70...10000 15 80 0,23 4.5 .152x62 230 2ГД-8 80...8000 15 100 0.23 4.5 264x94x58 280 2ГД-8 ВЭФ 80... 7000 15 90 0.23 3.4 152X75 500 2ГД-19 80-... 10000 15 80 0,2 4.5 152x54 220 2ГД-19М 100...10000 15 100 0,2 4-. 5 452x52 200 2ГД-22 100...10000 15 100 0.2 4,5 — — 2ГД-28 7б,„ 10000 15 80 0,2 4,5 152x55 250 2ГД-35 80... 12500 15 70 0,2 4.5 152x52 — ЗГД-1 РРЗ 150...60С0 15 120 0.25 10 150x52 400 ЗГД-1 200...5000 10 120 0,3 8 150x54 — ЗГДВ-2 1000... ...18000 15 270 0,25 4.5 ' 105x64 230 ЗГД-З ВЭФ 100...7000 15 — 0.25 1.6 — —. ЗГД-5 ВЭФ 100...7000 15 120 0,25 3,4 202x90 1зоо ЗГД-6 ВЭФ 80...7000 — 80 0,25 3,4 202 X90 1300 ЗГД-7 80...7000 14 90 0,25 4.5 204Х134Х Х77 650 ЗГД-9 80...7000 14 80 0,25 5 204 X131X Х65 900 ЗГД-15, ЗГД- 15М 1000... «..18000 15 270 0,25 4,5 — — ЗГД-16 80...8000. 18 80 0,25 4,5 2Q4X134X Х67 330 ЗГД-17 100. ..5000 18 125 0,4 5.5 — — ЗГД-28 80...8000 18 Ж) 0,25 4.5 204Х134Х Х57 410 ЗГД-31 1000... ...Т8000 10 300 0,25 6,5 100X48 — 4ГД-1 60...12000 14 60 0,25 5.5 202x100 600 4ГД-2 60... 12000 14 60 0.25 5 202x80 900 4ГД-2 РРЗ 100... 12000 15 100 0,3 10 200x93 900 4ГД-3 70...7000 14 70 0,25 4.5 197X96 1200 4ГД-3 РРЗ 130...12000 15 130 0,3 10 200X93 900 4ГД-4 60...12000 15 60 0,27 8 - — — 4ГД-5 63... 50 00 10 45 0.3 8 202X76 600 4ГД-7 63...12500 10 63 0,3 4,5 202x76 430 4ГД-9 '100...8Q00 18 120 0,25 4.5 204Х134Х Х54 4ГД-8 100...10000 14 120 0,3 4 -*• 4 1-88 97
. -ь- » л> >ь. mm — — — — " 5; — — « х 0 е> we4 w е*> ел. ел ел сл сл сл сл сл ел л. -ь. iiXSSS SSS2 55SS2S??2SSS53 5 j= ь S 5 3555 555 СП co ГО 0 00 Ci КЗ m J * J- ' 1. ' • • w m at 4*. w co N3 •“ — ~ X 10 W - w M M H’ 00 e 00 О 0 4> » ? 73 ? W 0J QO Тип 40.„8000 50... 8000 50...5000 40...5000 800...18000 1000... ...15000 50...8000 70...14000 70...14000 40... 16000 40...18000 80...10000 100...10000 100...10000 80...10000 40...5000 63...5000 70.. .8000 50...7000 40. „10000 40. .12(100 60...12000 63...12000 80...10000 40...5000 70...7003 50...12000 70... 12000 70...12000 70...12000 100... 10000 100...10000 60...6500 60...16000 40 ...560(1 : Диапазон частот, Гц 15 10 15 12 15 14 14 15 18 18 15 14 10 12 18 15 10 15 12 12 15 12 14 12 15 15 16 14 14 10 10 10 10 10 Неравномер- ность частот- ной характе- ристики, дБ 50 50 30 28 270 270 60 70 70 40 40 80 *• 60 60 65 30 70 50 70 90 70 90 90 48 65 30 85 85 55 25 ,42 — ’ 45 ' Резонансная частота под- вижной сис- темы, Гц 0,23 0,2 0,4 0.3 0,3 0,3 0,25 0,25 0,25 0,25 0,25 0,40 0,35 0,3 0,4 0,25 0,12 0,2 0,14 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,25 0,17 0,25 0,25 0,3 0,3 0,4 0,3 0,4 Среднее стан- дартное зву- ковое давле- ние, Па 4.5 8 4 10 4 4.5 4,5 4 4,5 4.5 4,5 8 1,2 8 4.5 8 8 8 10 4.5 8 4.5 8 5 15 15 6 15 15 16 Полное со- противление звуковой ка- тушки, Ом tO K”) СП о О if со ел ел g 1 1 и 1 x xXx O’ л S 295x140 324X212X X128 0 O> СЛ 1 X 1 ? £ 1 I J — CO — 0 W 0 сл 202x71 260x180 X X108 252x106 252x126 252x126 254X170X X100 254X170X X100 254X170X X80 254X170X X91 254X170X X68 327X225X X130 222x96 Габаритные размеры (в плане), мм 5800 1500 4700 1500 2000 2400 230» 230. 2600 535 750 1380 1700 1700 700; 600 450 525 540 1300 500 Масса, г Продолжение табл. 11.33
Таблица П.34. Основные параметры новых разработок диффузорных электродинамических громкоговорителей Тип Паспортная мощность, Вт Номинальная мощность, Вт Номинальное сопротивле- ние; Ом Диапазон частот, Гц Неравномер- ность частот- ной характе- ристики, дБ Стандартное звуковое дав- ление, Па Габаритные размеры (в плане), мм Высота, мм Масса, кг 0.25ГД-10 0,5 0.25 8 315...5000 15 0.2 63x63 29,5 0,028 0.5ГД-30 1,0 0,5 15 125...10000 14 0,3 80x125 47 0,19 0.5ГД-31 1,0 0,5 15 200...10000 14 0,23 80X125 42 0,19 Д5ГД-37 1,0 0,5 8 315...7000 15 • 0,3 80x80 37,5 0,135 1ГД-39Е 1,5 1,0 8 200...6300 14 0,2 100x100 36 0,20 1ГД-37 1,5 1.0 8 100...10000 10 0,25 100x460 65 0,27 1ГД-40Р 1.5 1.0 8 100...10000 12 0,28 100x160 45 0,25 1ГД-48 2,0 1.0 8 ’ 100... 10000 12 0,3 100x160 63 0,27 2ГД-38 3.0 2,0 4 100...12500 12 0,2 100X160 58 0,28 2ГД-40 3,0 2,0 — 100... 12500 12 0,28 100X160 47 0,32 ЗГД-32 6,0 3,0 4 80...12500 12 о,3 125x200 77 0,52 ЗГД-38Е 5.0 3,0 4 80... 12500 14 0,2 160x160 55 0,29 ЗГД-40 5,0 3,0 4 80...12500 14 0,2 160x100 58 0,3 4ГД-8Е 6,0 4,0 4 125...7100 14 0,3 125x125 49 0,62 4ГД-35 8,0 4,0 4/12 63...12500 14 0.25 200x200 74 0,90 4ГД-36 8,0 4,0 4/12 63...12500 14 0,2 200x200 85 0,65 10ГД-36 15,0 10,0 4 63...20000 14 0,2 200x200 87 1,40 15ГД-11 30,0 15,0. 4/8 250...5000 14 0,2 125x125 75 1,25 Низком а стотные 6ГД-6 20,0 6,0 4 63...5000 15 0,1 125x125 80 1,5 10ГД-ЗОЕ 25,0 10,0 8 63...5000 15 0,15 240x240 116 2,4 10ГД-34 25,0 10,0 4 63...5000 14 0,1 125x125 73 1.25 25ГД-26 50,0 25,0 4 40...5000 14 0.12 200x200 125 2,5 ЗОГД-1 70,0 30,0 4/8 80...1000 14 0,15 250x250 151 6.0 Высокомастотиые 0.5ГД-36 0.7 0,5 10 1000... ...16000 16 0,15 80x80 34.5 0,08 1ГД-3 — 1.0 12,5 5000... ...18000 10 0,3 70X70 33 0,18 2ГД-36 3,0 2,0 8 3000... ...20000 12 0.2 50x80 35 0,09 ЗГД-2 6,0 3,0 ' 15 5000... ...18000 10 0,25 63X63 31 0.20 ЗГД-31 6.0 3.0 8 3000... ...18000 15 0,2 100x100 48 0,3 6ГД-11 10,0 6,0 8 3000... ...20000 14 0,2 50x50 48 0,33 10ГД-35 15,0 10,0 15 5000... ...25000 14 0,25 100x100 47 1,0 6ГД-13 10,0 6,0 8 3000... ...20000 12 о.з юохюо 45 1.0 4* 99
Конденсаторный громкоговоритель используют, как правило, г качестве высокочастотного элемента акустических систем. Напри- мер, при внешних размерах 15Х 10 см и длине волны не более Я см (т. е. на частоте 4250 Гц) его коэффициент излучения не за- висит от частоты. Для получения частотно-независимой чувствитель- ности частоту резонанса механической системы выбирают на ниж- ней границе передаваемого диапазона частот, последовательно с громкоговорителем включая активное электрическое сопротивление /?б (рис. 11.22, б), которое уменьшает падение напряжения на громкоговорителе с увеличением частоты за счет роста тока через емкость, Значение отношения Uold ограничено электрической проч- ностью пленки, поэтому чувствительность зависит только от раз- меров излучателя. Разработаны громкоговорители конденсаторного типа и на широкий диапазон частот (например, АСЭ-1), ио произ- водство их очень дорого. Электретные громкоговорители отличаются от конденсаторных применением в них электретйбй пленки, заранее наэлектризован- >юй. Поляризующее напряжение образуется предварительной элект- ризацией одного из электродов, изготовляемого из полимеров или керамических поляризующихся материалов и имеющего металли- ческое покрытие. Оно является электродом конденсатора, а элект- рет— источником поляризующего напряжения. Поляризация элект- рета постепенно уменьшается и через несколько лет .требуется его замена или повторная поляризация. В этом заключается как недос- таток электретного громкоговорителя по сравнению с конденсатор- ным, так и его достоинство, поскольку для него не требуется источ- ник напряжения. По механическим и акустическим характеристикам электретный громкоговоритель не отличается от конденсаторного. Пьезогромкоговорители. Край пластинки из сегиетовой соли или пьезокерамики связывают с диффузором и получают громкого- воритель непосредственного излучения, коэффициент электромеха- нической связи которого такой же, как конденсаторного. Малая кли- матическая стойкость сегнетовой соли, низкая чувствительность пьезокерамики, большая неравномерность • частотной характерис- тики, высокое входное сопротивление и большие нелинейные иска- жения ограничивают применение пьезогромкоговорителей. Осаовные параметры диффузорных электродинамических гром- коговорителей приведены в табл. 11.33, П.34, рупорных — в табл. IX.3. § 11. Микрофоны и звукоснимвтели [6, 7] Микрофонами и звукоснимателями называются устройства, пре- образующие энергию звуковых или механических колебаний в электрическую. Микрофоны по .способу преобразования подразделяются на угольные, электромагнитные, электродинамические (ленточные), электростатические (конденсаторные и электретные); по диапазону частот — на узкополосные (речевые) и широкополосные; по направ- ленности — иа направленное двухсторонне (восьмерочные) и одно- сторонне (кардиоидные), а также ненаправленные и остронаправ- ленные. Микрофоны, способные выделять полезный сигнал иа фоне помех (шумов), называют шумозащищенцыми. В качестве послед- них, в частности, применяют электромеханические преобразова- тели — ларингофоны, служащие для приема речи на фоне сильных шумов, например в авиации. 100
ТОСТ 16123—70 установлены определения характеристик мик- рофонов, важнейшими нз которых являются следующие. Чувствительность — отношение напряжения холостого хода на выходе микрофона к воздействующему звуковому давлений), вы- ражаемое в вольтах (милливольтах) на паскаль (B/Па, мВ/Па). В настоящее время чувствительность разных типов микрофонов примерно одинакова. В табл. 11.35 приведены номинальные значе- ния сопротивлений и напряжений для микрофонных усилителей и микрофонов различных типов, рекомендуемые Международной электротехнической комиссией (МЭК). Перепад чувствительности фронт/тыл — отношение чувствительности микрофона в направ- лении рабочей осн к чувствительности его под "углом 180 град к ней. Таблица 11.35. Обобщенные номинальные параметры микрофонов Мик рофои Номинальное сопро- тивление, Ом Выходное напряжение, мВ микро- фона нагрузки номи- нальное мини- мальное макси- мальное Эл ектродинамич еский 50 150 0.1 0.04 10 200 600 0.2 0,08 20 600 1800 0,35 0,16 35 2000 6000 0.6 0.2 60 Конденсаторный и 50 150 0.5 0.2 0.5 электретный 200 600 1 0.4 1 600 1800 1,7 0.64 1,Т В табл. 11.35 значения выходного напряжения даны для звуко- вого давления 0,2 Па в номинальном режиме. При расчете микро- фонных усилителей номинальное сопротивление микрофона счита- ют внутренним сопротивлением- источника напряжения на входе усилителя, входное сопротивление усилителя — сопротивлением нагрузки микрофона, за ЭДС источника принимают выходное на- пряжение микрофона на холостом ходу. . В угольных микрофонах звуковые колебания воздействуют на мембрану, которая-изменяет силу сжатия зерен угольного порошка, что вызывает изменение внутреннего сопротивления микрофона. Это изменение используется для управления током батареи, вклю- ченной последовательно с микрофоном и первичной обмоткой вход- ного трансформатора. Наиболее распространенными в СССР типами угольных микрофонов являются капсюли МК-Ю и МК-16. Их применяют в телефонах, переговорных устройствах, радиопередат- чиках. Капсюль МК-Ю выпускается в трех модификациях, разли- чающихся электрическим сопротивлением и условиями питания. Модификация НО имеет сопротивление 50 Ом, напряжение ее пита- ния 1,5 или 3 В; Модификация СО — сопротивление 100 Ом, моди- фикация ВО — сопротивление 200 Ом, ток ее питания 10...40 мА. Средняя чувствительность микрофона МК-Ю 200 мВ/Па, диапазон частот очень узок: 1...2 кГц, неравномерность частотной характе- ристики за пределами этого диапазона — более 20 дБ. Микрофон МК-16 несколько сложнее микрофона МК-Ю, его частотная ха- рактеристика равномернее: диапазон рабочих частот 300 Гц...5 кГц при неравномерности-± 10 дБ, средняя чувствительность 101
400 мВ/Па. Капсюль МК-16 выпускается в двух модификациях, также различающихся электрическим сопротивлением и условиями питания. Модификация СО имеет сопротивление 70 Ом, ток ее питания 100 мА; модификация ВО — сопротивление 200 Ом, ток ее питания 50 мА. Как видно из приведенных данных, угольные микрофоны отличаются большой чувствительностью, большой не- равномерностью АЧХ, узкой полосой пропускания; им свойствен также большой уровень шумов. В электромагнитных микрофонах мембрана или связанный с ней якорь колеблется в поле постоянного магнита, изменяя маг- нитный поток в воздушномJ3a3ope. Колебания магнитного потока вызывают появление ЭДС в катушке, расположенной на магните. Качественные показатели их невысокие, однако они отличаются большой надежностью, простотой конструкции и невысокой стои- мостью. Кроме того, их можно использовать в качестве телефонов. Из электромагнитных микрофонов в СССР наиболее распространен микрофон типа ДЭМШ, так как он сбладает свойством помехоза- щищенности. Его диапазон частот — 300 Гц...З кГц, характеристика направленности — восьмерка, чувствительность на частоте 1 кГц — не менее 7,7 мВ/Па, а средняя чувствительность по диапазону — 3,3 мВ/Па. Модуль полного электрического сопротивления на час- тоте 1 кГц — 400...1000 Ом. Габаритные размеры микрофона: 0 23 X 11 мм, масса 14 г. В аппаратуре связи также широко ис- пользуется микрофон МЭМ-60. Его диапазон частот — 250 Гц... ...3 кГц, чувствительность при номинальной нагрузке 60 Ом на час- тоте 100 Гц — 2... 10 мВ/Па, модуль полного электрического со- противления на этой же частоте — 300 Ом ± 20%. Микрофон снабжен резиновым рупорком и четырехпроводным шнуром длиной 1,25 м с жилами, облуженными на концах. Габаритные размеры микрофона 176Х 60 X 80 мм, масса 400 г. Из всех типов микрофонов наиболее распространены электро- динамические, использующие явление электромагнитной индукции — возбуждение ЭДС при движении катушки в магнитном поле. ЭДС, индуктируемая в катушке, с которой скреплена диафрагма, про- порциональна звуковому давлению, нзмененйд которого передаются диафрагме. К динамическому типу относятся также ленточные микрофоны. В них роль диафрагмы и катушки одновременно вы- полняет тонкая легкая металлическая ленточка, колеблющаяся в постоянном магнитном поле под действием звуковой волны. Ленточные микрофоны обладают высококачественными показате- лями, широкой полосой пропускания и применяются в основном для звукозаписи и передачи программ в закрытых помещениях. Принцип действия электростатических микрофонов (конденса- торные и электретные) аналогичен изложенному в § 10 принципу работы -электростатических громкоговорителей. Конденсаторный микрофон — плоский конденсатор, у которого одна из обкладок (мембрана) подвижная. Под воздействием звука емкость конденса- тора изменяется. Для того чтобы эти изменения превратить в пере- менный ток звуковой частоты, на. обкладки конденсатора подают постоянное напряжение или включают его в контур высокочастот- ного генератора. Звукоприемный капсюль имеет подвижную об- кладку либо из металлической фольги толщиной 2...30 мкм (не- ржавеющая сталь, никель, тнтан), либо из тонкой (3...6 мкм) метал- лизированной полимерной пленки. Диаметр обкладки — от 2 до 35 мм. Второй (неподвижной) обкладкой служит массивная металли- ческая пластина (база). Расстояние между обкладками 20...40 мкм. 102
Для улучшения температурной стабильности базу и остальные металлические детали капсюля иногда выполняют, из того же мате- риала, что и мембрану, а изолирующие ,элементы — из кварца. В последнее время базу изготовляют из радиокерамики илн стекло- пластика. Ее поверхность, обращенную к мембране, металлизирует вжиганием золота или серебра, а иногда покрывают слоем окиси кремния толщиной 3 мкм для предохранения капсюля от корот- кого замыкания (пробивное напряжение слоя — не менее 150 В). База имеет отверстия, расположенные райномерно под мембраной, которые вместе с шелковой тканью, их закрывающей, определяют демпфирование мембраны и частотную характеристику капсюля. Для преобразования изменений емкости конденсатора в колебания электрического напряжения или тока применяют либо низко-, либо высокочастотный способ. Первый из иих распространен наиболее широко: капсюль микрофона включают последовательно с нагру- зочным резистором и источником постоянного поляризующего на- пряжения, которое может достигать 60...70 В. При уменьшении емкости конденсатора капсюля под воздействием звука заряд на его обкладках уменьшается и, наоборот — при увеличении емкости заряд возрастает. Измеиеиия заряда вызывают переменный ток в цепи и иа нагрузочном резисторе появляется переменное напряже- ние, поступающее на вход микрофонного усилителя. При высоко- частотном способе включения конденсатор капсюля представляет собой элемент контура высокочастотного генератора; изменения емкости приводят к его частотной модуляции, а после демодуляции выделяется низкочастотная составляющая, которую подают на вход микрофонного усилителя. Емкость капсюля — единицы — десятки пийофарад, диапазон рабочих частот — от 20...30Гцдо 20.,.50 кГц. Характеристика направленности конденсаторного мик- рофона определяется конструкцией его капсюля. Одна из разновид- ностей электростатических микрофонов — электретные, которые отличаются от конденсаторных конструкцией капсюля и тем, что не требуют для работы поляризующего напряжения: на одну из об- кладок наносится слой электрета с постоянным электрическим заря- дом, обеспечивающим поле, которое соответствует поляризующему напряжению до 100 В, и сохраняющимся примерно 30 лет. Пара- метры основных типов электродинамических и электростатических микрофонов приведены в табл. 11.36. Ларингофоны. Угольные ларингофоны. При разговоре колебания от.гортани передаются корпусу ларингофона и его электроды пере-1 мещаются относительно корпуса. Порошок между электродами де- формируется и на зажимах возникает напряжение звуковой частоты. Чувствительность ларингофона — отношение выходного напряже- ния к колебательной скорости корпуса. Ларингофон 7IA-5 имеет сопротивление 165 Ом и работает при напряжении питания 3 В, его чувствительность — 40000 мВ/см/с. Широко используются так- же ларингофон ЛТ-3. Частотные характеристики чувствительности и сопротивление этих преобразователей практически одинаковы. Эффективная полоса частот составляет 3 кГц (1...4 кГц) при нерав- номерности ±4 дБ, частотная характеристика напоминает АЧХ полосовых фильтров, коэффициент прямоугольности этой характе- ристики по уровню 0,1 примерно 1,6. Электромагнитные ларингофоны. Когда колебания от гортани передаются к корпусу ларингофона, магнитная система благодаря инерции начинает перемещаться относительно якоря. Это изменяет магнитный поток, пронизывающий катушки, вследствие чего на 103
Таблица 11.36. Параметры основных типов микрофонов Тип Номиналь- ный диапазон частот, Гц Неравно- . мерность частотной характе- ристики, ДБ Внут- рен- нее сопро- тивле- ние, Ом Чувстви- тельность холостого хода на частоте 1000 Гц, мВ/Па Средняя (мини- мальная/ разность уровней чувстви- тельности фронт/тыл, дБ Электр о.д и МД-52А 50... 16000 12 250 1.2 12 (6) МД-52Б 50... 15000 12 250 1,2 12 (6) МД-52Б-СН 50... 15000 12 250 1.2 12 (6) МД-63 60...15000 20 250 1.1 МД-63Р 60...15000 20 250 1.1 МД-66 100... 10000 20 250 2,0 1-' (6) МД-71 50... 15000 8 250 1.5 МД-78 50...15000 20 (на 1 м); 150 2,0 * 12 (6) 8 (на 0,1 м) МД-200 100...10000 12 250 1.5 12 (6) МД-201 100...10000 12 250 1.5 82А-5ММ 50...J0000 10 250 4,0 18 (S) МД-74 50.. .10000 20 250 1.2 10...10000 8 • Ленто МЛ-19 50...16000 14 250 2,0 15 МЛ-51 40...16000 10 250 1,6 — К о в д е и с а т о р н ы е МК-6 20...40000 5 250 ““• МК-16 20...40000 6 250 2.0 МК-12 - 50... 15000 9 600 11 (на 20 (10) нагрузке) МК-13М 30...18000 6 (в режиме 600 5,5 (иа 12 (10) кардиоиды нагрузке в диапазоне 600 Ом) 50... 15000 Гц) ' 104
Направленные свойства Внеш- ние размеры Мас- са, кг Назначение намические Односторонне направленный 0 32x120 0,20' Универсальный » > 0 32x114 0,17 0 Для любительской звуко- записи » > 325Х270Х . Х190 0.170 Стереофония еский Ненаправленный 0 22x68 0,125 Нагрудный или петличный » 0 22x68 0,050 Для радиомикрофонов Односторонне направленный 0.37X92 0,150 Речевой для звукоусиления Ненаправленный 0 33x116 0,170 Для акустических измерений Односторонне направленный 0 52x180 0,320 Для эстрады, ручной с амор- тизированным капсюлем » > 0 35x115 0,150 Для любительской звуко- записи Ненаправленный 55x31.5х Х41 0,100 То же Односторонне направленный 0 44X135 0,650 Универсальный для тон- ателье, киностудий и приема шумов на натуре Остронаправленный (индекс направленности выше 125 Гц — не менее 6 дБ) ч н ы е 0 71X810 0,500 Для приема на фоне шумов, репортаже Односторонне направленный 140x46x41 0,55 Универсальный студийный / Двусторонне направленный (косинусоида) и .электретн ые 0 52x180 0,60 Универсальный студийный с усилителем, напряжение пи- тания которого 1,2 В — Ненаправленный 0 55x95 0,050 без кабеля и пита- ющего устрой- ства Для акустических измерений 0 13X129 0,140 » ъ Односторонне направленный 0 22x142 0,115 Для передачи и записи речи и муаыки Односторонне направленный, 46x22x98 0,160 С дистанционным выбором ха- двусторонне направленный, ненаправленный рактеристик направленности. Для передачи и записи музы- ки и речи — . J05
Тип Номиналь- ный диапазон частот, Гц Неравно- мерность частотной . характе- ристики, ДБ Внут- рен- нее сопро- тивле- ние, Ом Чувствн- тел ьность холостого хода на частоте 1000 Гц, мВ/Па Средняя (мини- мальная) разность уровней ч увстви- тельности фронт/тыл, ДБ МК-15 50.. .15500 12 600 5,5 (на нагрузке 600 Ом) 10/фронт— 90°) МКЭ-2 (электретный) 50... 15000 15 200 1,5 15 МКЭ-3 (электретный) 50... 15000 10 2000 3,5 — МКЭ-6 50—16000 18 250 3,5 18 19-А-31 20...20000 8 80 . 20 — I9-A-31 • 20. ,.20000 8 80 22 — 19-А-31 20...20000 8 80 25 КМС-19-01 (малогаба- ритный) 20... 20000 _ 8 80 16 КМС-19-02 20—20000 8 80 20 КМС-19-03 (ветроза- щи щеиный) 20.. .20000 8 80 20 КМС-19-04 («музы- кальный») 20... 20000 8 80 20 КМС-19-05 20... 20000 8 80 45 КМС-19-07 20...20000 8 80 9 — КМС-19-08 20...20000 8 80 10 — К МС-19-09 20...20000 8 80 30 — КМКЭ-1 (электрет- ный) 20...20000 8 80 17 — зажимах катушек развивается напряжение звуковой частоты. Час- тотная характеристика электромагнитного ларингофона ЛЭМ-3 имеет вид острой резонансной кривой с максимумом на частоте 1,8 кГц и полосой не более 4—5%.- Его применение целесообразно при действии сильных помех и предполагает повышенный тон пере- даваемой речи. Практически все ларингофоны используются попарно, будучи прижаты к горлу с двух сторон. Электрическое соединение ларинго- фонов последовательное. Общая надежность микрофонов характеризуется значением средней наработки на отказ, которая нормируется техническими условиями данного типа. Она составляет, например, для электро- динамических микрофонов не менее 5000 ч. Как правило, основной причиной ухудшения работы микрофона или выхода его из строя является нарушение электрических контактов, большей частью в разъеме или во встроенных усилителях конденсаторных и электрет- ных микрофонов. Ремонт микрофона требует осторожности. 106
Продолжение гнавл П.36 Направленные свойства Внешние размеры Мас-, са, кг Назначение Односторонне направленный в вертикальной плоскости, ненаправленный в горизон- тальной 58x58x70 0,210 Для передачи и записи му- зыки и речи Односторонне направленный 0 21X146 0,120 Для комплектации магнито- фонов: переносных клас- са 1, стационарных класса 2 Ненаправленный 0 14x22 0,008 Для встраивания в магнито- фоны Односторонне направленный 0 48x195 0,140 Для эстрады, ручной с амор- тизированным капсюлем Для кинематогра4Я1ескнх целей Ненаправленный 44X25X190 0,300 Односторонне направленный 44x25x190 0,300 То же Двусторонне направленный 44x25x190 0,300 » » Односторонне направленный 0 21x158 0,110 » » » * 0 39x188 0,200 » » »' * 0 57X198 0,240 0 47x190 — » » Остронаправленный 0 24x850 0,280 » » Ненаправленный 0 21x158 0,110 » » Двусторонне направленный 0 24 x 203. 0,190 » * Односторонне направленный —~ — —* ‘ » * 0 32х23х Х194 6,250 Для кинематографических целей Звукосниматели. По принципу действия известны звукоснима- тели следующих типов: магнитные, пьезоэлектрические, полупро- водниковые, фотоэлектрические. Наибольшее распространение по- лучили магнитные и пьезоэлектрические'(пьезокерамические) зву- косниматели. По количеству каналов звукосниматели разделяются на монофонические, стереофонические и универсальные. Стереофо- нические звукосниматели имеют два канала — правый и левый. Чувствительность звукоснимателя — выходное напряжение на нагрузке I МОм при воспроизведении сигнала частотой 1 кГц и ам- плитуде колебательной скорости конца иглы 1 см/с. Размерность чувствительности аналогична размерности чувствительности ла- рингофона. У с т р ой ст в о ' и маркировка. Звукосниматель сос- тоит из головки и тонарма, укрепляемого в электропроигрывающем устройстве на поворотной иожке. Основными частями головки яв- ляются иглодержатель с корундовой или алмазной иглой и преоб- разователь механических колебаний в электрические (в соответствии 107
с принципом.действия). В головке стереофонического звукоснимателя два таких преобразователя. Так как иглы для современных грам- пластинок с узкой канавкой и грампластинок прошлых лет, выпус- каемых с широкой канавкой, различаются размерами, универсаль- ные головки звукоснимателя делают сменными (каждая для опре- деленного типа грампластинок) или снабжают их сменными блоками с определенным типом иглы либо с двумя переключаемыми иглами. Рабочие положения переключателя и сменные головки (или блоки) имеют цветовое или цифровое обозначение. Головка стереозвуко- снимателя может иметь три или четыре- вывода. Маркировка голо- вок и их выводов приведена в табл. 11.37. - Таблица 11.37. Маркировка головок и выводов звукоснимателей Тип грамзаписи Головка Выводы тип обозна- чение, цвет ЧИС- ЛО но- мер назначение цвет провода Монофонич еСкая с широкой ка- навмЦ* Универ- сальная 78, зеленый 2 1.2 Канал - Монофан ич еская с узкой канав- кой ' То же V. красный 2 1.2 Стерео- и моно- фоническая с узкой канавкой » » 3 1 2 3 Левый канал Общий (земля) Правый канал — Стереофоническая Стерео- фоничес- кая 3 1 2 3 Левый канал Общий (земля) Правый канал Белый Черный Красный Стереофоническая То же 4 1 2 3 4 Левый канал Левый (земля) Правый канал Правый (земля) Белый Синий Красный Зеленый Примеры звукоснимателей, изготовляемых промышленностью: ГКЭ-661 — пьезоэлектрический, монофонический, для ЭПУ клас-, сов 2 и 3; ГЗКУ-631Р — пьезоэлектрический, стереофонический, для ЭПУ класса 2; ГЗУМ-73С — магнитный, стереофонический, для ЭПУ высшего и 1-го классов. Зарубежными аналогами зву- коснимателя ГЗУМ-73С являются М44-МВ фирмы «Шур» (Shure), К9 фирмы ADC, Т-2001 или MF-100 фирмы «Тенорел» (Tenorel). л Головка звукоснимателя должна быть определенным образом ориентирована относительно грампластинки. Идеальное ее распо- ложеиие такое, как у рекордера при записи: игла перемешается к центру грампластинки по ее радиусу. Однако конструктивно удоб- нее перемещать головку по дуге, поворачивая тонарм относительно вертикальной оси, хотя при этом возникают угловое искажения, вызывающие появление второй гармоники сигнала. Выбором изо- гнутой формы тонарма и его оптимальных размеров угловые иска- жения сводят к минимуму в пределах всей зоны записи грамплас- тинки. Для портативных ЭПУ среднего качества обычно выбирают следующие размеры тонарма: длина от точки закрепления на панели ЭПУ до точки касания иглы внешней окружности грампластинки — 185 ± 2 мм; расстояние от той же точки закрепления до центра вра- щения грампластинки — 175 мм; угол изгиба тонарма —к20°. Качество воспроизведения и износ пластинки зависят'от вели- чины прижимной силы иглы в канавке, которая регулируется с по- 108
мощью противовеса или пружины в тонарме. Для пьезоэлектри- ческих звукоснимателей прижимная сила не должна превышать 70 мН, для магнитных она устанавливается в зависимости от клас- са ЭПУ: для высшего класса — не более 20 мН, для класса 1 — не более 30 мН, для класса 2 — не более 40 мН. При недостаточной прижимной силе возникают нелинейные искажения, так как игла не будет надежно следовать по канавке и даже может выйти из нее. Чтобы обеспечить симметричное положение иглы в иемоду- лированной канавке, что особенно важно при воспроизведении сте- реозаписи, в лучших звукоснимателях предусматриваются балан- сировка тонарма и компенсация нежелательной скатывающей силы, направленной к центру пластинки; эта сила через иглу оказывает избыточное давление на внутреннюю стенку каиавки, увеличивая ее износ и нарушая баланс сигналов левого и правого каналов при воспроизведении стереофонической записи. Электромагнитная головка звукоснимателя состоит из связан- ного с иглой стального якоря, который колеблется внутри катушки, находящейся в поле постоянного магнита. Колебания якоря вызы- вают изменения магнитного потока, пересекающего катушку, в ней наводится ЭДС, пропорциональная амплитуде колебаний якоря. Звукосниматели характеризуются достаточно равномерной частот- ной характеристикой, высокой надежностью работы и простотой конструкции. Пьезоэлектрическая головка пока распространена шире, чем электромагнитная. Она более чувствительна, не подвержена элект- ромагнитным наводкам, дешевая и простая по конструкции. Коле- бания иглы оказывают скручивающее усилие иа пьезоэлемент (из фосфата или титаната бария), на обкладках которого разви- вается ЭДС, пропорциональная амплитуде колебаний иглы. При Магнитном звукоснимателе АЧХ предварительного усили- теля. должна быть обратна по форме характеристике грамзаписи, а пьезоголовка ие требует такой коррекции. Максимально допусти- мое значение амплитуды колебательной скорости и максимальное отклонение резца во избежание перерезания соседних канавок при записи приводят к необходимости намного снижать уровень записи на низких частотах (менее 400 Гц). Вместе с этим удается увеличить отношение сигиал/шум при допустимых искажениях. При воспроизведении частотные искажения записи нужно компенсировать подъемом АЧХ канала иа низких частотах. В пьезоголовках такая компенсация происходит естественно, так как их внутреннее сопро- тивление носит емкостный характер й АЧХ сквозного тракта вос- произведения имеет спад с ростом частоты. В магнитных головках, имеющих внутреннее сопротивление индуктивного характера, про- исходит усугубление неравномерности АЧХ, внесенной при записи грампластинки. Поэтому здесь необходимо фильтр, АЧХ которого обратна АЧХ головки. Таким фильтром обычно является предвари- тельный усилитель, который .полезен также из-за низкой чувстви- тельности магнитных .головок: не более 0,7 мВ/см/с у магнитных и 50..,,70 мВ/см/с — у пьезоэлектрических. Соответственно при коиструиройаиии усилителя можно считать, что магнитная головка развивает 3 мВ, а пьезоголовка — 250 мВ. Пря любом типе звуко- снимателя в усилителе приходится корректировать амплитудно-час- тотные Искажения, поэтому для воспроизведения грамзаписи следует применять усилитель с раздельной регулировкой тембра на низких и высоких частотах. Номинальная нагрузка для пьезоголовки Долж- на состоять из сопротивления 1000 ± 50 кОм и емкости 150 ± 10 пФ, 109
включенных параллельно, а нагрузка магнитной головки — из со- противления 47 ± 5 кОм. Стереофоническая головка обеспечивает воспроизведение двух- канальной стереофонической записи одной иглой, а также монофо- нической граммофонной записи. Оба канала головки должны обладать одинаковыми частотными характеристиками чувствитель- ности. Номинальный диапазон частот в ЭПУ высшего класса со- ставляет 20 Гц...20 к£ц, класса I — 31,5 Гц... 16 кГц, класса 2— 50 Гц ...12,5 кГц, класса 3 — 50 Гц ... 10 кГц при неравномер- ности АЧХ от 4 до 6 дБ в середине и от 8 до 10 дБ на краях диапа- зона. Каналы стереофонических звукоснимателей в средней части частотного диапазона могут различаться по чувствительности не более чем на 2...3 дБ. Головка стереофонического звукоснимателя содержит пьезоке- рамический блочок в виде трубки, которая состоит из двух одина- ковых элементов, соединенных параллельно. При модуляции пра- вого канала пьезокерамический элемент деформируется в одной плоскости, при модуляции левого — в другой и на парах электро- дов, расположенных взаимно перпендикулярно по диаметру трубки, возникают электродвижущие силы, пропорциональные уровням, сигналов при записи. Принцип работы магнитного стереофони- ческого звукоснимателя (с параллельным магнитным сопротивле- нием) заключается в том, что при модуляции каждого канала игло- держатель смещается; при этом изменяется величина зазора в плос- костях магнитного потока и в каждой катушке, расположенной на магните, наводятся электродвижущие силы, пропорциональные уровням сигналов левого и правого каналов. В современных звукоснимателях применяются постоянные корундовые и алмазные иглы, которые имеют правильную кони- ческую или эллиптическую форму и зеркальную полировку. Сред- ний срок службы корундовых игл при правильной эксплуатации составляет примерно 200 ч, алмазных — 500 ч. Проверку работы и измерение качественных показателей зву- коснимателя производят с помощью измерительной грампластин- ки фирмы «Мелодия» типа ИЗМ ЗЗД 0101/0102, содержащей запись ряда частот с определенными значениями колебательной скорости.
ГЛАВА Hi НАМОТОЧНЫЕ УЗЛЫ РАДИОАППАРАТУРЫ § 1. Общие сведения о высокочастотных катушках индуктивности Высокочастотными называются катушки индуктивности, сопротив- ление которых имеет индуктивный характер в диапазоне частот с верхней границей 100 кГц...400 МГц. Высокочастотные катушки индуктивности применяются в качестве элементов колебательных контуров для получения магнитной связи между определенными участками электрических цепей РЭА или создания на отдельных участках электрической цепи заданных реактивных сопротивлений индуктивного характера. В зависимости от назначения высокочастотные катушки индук- тивности разделяют на четыре группы: а) катушки контуров, не определяющих частоту; б) катушки контуров, определяющих час- тоту (например, гетеродинов); в) катушки связи контуров с другими цепями; г) дроссели высокой частоты. По конструктивным признакам катушки делят на цилиндри- ческие, плоские (спиральные) и тороидальные, одно- и многослой- ные, с сердечниками и без сердечников, экранированные и неэкр'а- нированные. Однослойные катушки выполняются намоткой с при- нудительным шагом или сплошной, плоские катушки наматывают из провода или изготовляют из фольги на печатной плате. Высокочастотные катушки с переменной индуктивностью ис- пользуются для перестройки контуров в процессе эксплуатации аппаратуры, а подстраиваемые катушки—для регулировки аппара- туры в процессе изготовления. Основные параметры катушек индуктивности. Индуктивность характеризует количество энергии, запасаемой катушкой, при про- текании по ней электрического тока. Чем больше индуктивность катушки, тем больше энергия магнитного поля при заданном значе- нии тока. Индуктивность зависит от формы, размеров, числа витков катушки, а также от размеров, формы и материала ее сердечника. Добротность — отношение реактивного сопротивления катушки к ее активному сопротивлению потерь. Добротность катушки в большинстве случаев определяет резонансные свойства и КПД контура. Собственная емкость является паразитным параметром. Наличие собственной емкости катушки обусловливает увеличение потерь энергии и уменьшение стабильности настройки колебатель- ных контуров. В диапазонных контурах собственная емкость ка- тушки уменьшает коэффициент перекрытия диапазона частот. Ста- бильность параметров при изменении температуры и влажности, а также во времени имеет особое значение для катушек контуров гетеродинов, узкополосных фильтров и др. Стабильность индук- тивности при изменении температуры характеризуется темпера- турным коэффициентом индуктивности (ТКИ),. равным относитель- ному изменению индуктивности при изменении температуры на 1° С. 111
§ 2. Катушки индуктивности длв колвбательных-контуров Однослойные цилиндрические катушки выполняются на диэлектри- ческих каркасах или без них. Катушки без каркасов применяются, когда необходима большая добротность при невысоких требованиях к стабильности индуктивности, например для контуров входных устройств приемников диапазона метровых воли. Диаметр провода для таких катушек выбирают в основном из соображении жесткости конструкции (1...1.5 мм и более), а количество витков ограничивают (5...8). Для однослойных катушек, выполняемых сплошной намот- кой, изготовляют гладкие каркасы; для катушек, наматываемых с принудительным шагом,— каркасы с канавкой, расположенной по винтовой линии, и л и.с ребрами вдоль образующей цилиндра. Катушки, намотанные с принудительным шагом, отличаются меньшей собственной емкостью и большей добротностью. Повыше- ние нх добротности обусловлено снижением потерь в диэлектрике вследствие уменьшения собственной емкости. Указанные достоин- ства катушек, намотанных с принудительным шагом, проявляются сильнее при намотке на каркасы с ребрами, а также при изготовлении каркаса из материала с меньшим значением произведения диэлект- рической проницаемости на тангенс угла потерь. Для однослойных катушек с индуктивностью выше 15...20 мкГ обычно применяют сплошную намотку. Целесообразность перехода на сплошную намотку определяется диаметром катушки. Приведем ориентировочные значения индуктивности, при которых целесооб- разен переход на сплошную намотку: » Диаметр каркаса, мм 6 10 15 20 25 Предельная индуктивность, мкГ 2 4 10 .20 30 - Катушки с индуктивностью более сотен микрогенри выполняют многослойными. При диаметре каркаса 10 мм однослойная намотка целесообразна при индуктивности не более 30 мкГ. Однослойные катушки индуктивности наматывают медным по- серебренным проводом (с принудительным шагом) или медным про- водом в эмалевой изоляции. Катушки’для колебательных контуров гетеродинов коротких и метровых волн, к которым предъявляются требования высокой добротности и стабильности индуктивности, наматывают на каркасы из высокочастотной керамики, харак- теризующейся малым температурным коэффициентом линейного расширения, малым значением тангенса угла потерь и достаточной механической прочностью. Намотку выполняют проводом со значи- тельным натяжением (50...60% разрывного усилия) или нагретым до 80... I2OJ С ' проводом при незначительном натяжении. Более высокой стабильностью характеризуются катушки, в которых обмотка образована слоем меди, нанесенной на керамический кар- кас методом вжигания с последующим серебрением. Индуктивность однослойной катушки, выполненной сплошной намоткой, определяется по формуле L = 0,01 Oto2/<7/О0,44), (Hi.l) где L — индуктивность, мкГ; D — диаметр катушки, см; I — длина намотки, см; w — число витков; при намотке с принудительным ша- гом — по формуле L'= L — /гШ10-з, 112
где L' — индуктивность катушки, мкГ; L индуктивность, вы- численная по формуле (111.1), мкГ; k — поправочный коэффициент, найденный по гра_фику (рис. 111.1). Для точной подгонки индуктивности однослойных -катущек, выполненных сплошной намоткой, перемещают подстроечный сер- дечник, крайние витки или короткозамкнутый виток, соосный с ка- тушкой. Индуктивность катушек, намотан- ных с принудительным шагом, можно из- менять также, перемешан место подсоеди- нения одного из выводов. Симметричные катушки индуктивнос- ти применяются в симметричных колеба- тельных контурах (контуры частотных де- текторов и др.). Бифилярная иамотка (рис. 111.2, а) выполняется двумя прово- дами, сложенными вместе. Начало одного провода Н2 соединяют с концом другого Kj. Место соединения является средним выводом катушки. При такой намотке до- пускается подстройка индуктивности сер- дечником при несущественном нарушении симметрии. Перекрестная ' намотка (рис. III.2, б) позволяет достичь более точной симметрии; которая не нарушается при под- стройке сердечником. Pic. IH.I, Зависимость поправочного коэффици- ента от x/d (т — шаг на- мотки; d — диаметр про- вода). Многослойные цилиндрические катушки индуктивности при- меняют, когда требуется индуктивность более 30...50 мкГ. Несек- ционированные многослойные катушки с рядовой сбмоткой характе- ризуются пониженными добротностью и стабильностью, большой собственной емкостью. Значительно лучшими показателями обла- дают многослойные катушки, выполненные намоткой «внавал», когда витки располагаются хаотично. Ка- тушки, выполненные намоткой «универ- салы» (перекрестной), также могут иметь сравнительно высокую добротность (до 100) и пониженную собственную емкость, однако для их изготовления требуется бо- лее сложное оборудование. В настоящее время катушки, выполненные намоткой «универсалы», изготовляются редко, по- скольку равноцей^?Ь1е параметры можно получить прн намотке «внавал», если ис- Рис. Ш.2. Симметричные катушки индуктивности, выполняемые бифилярной (о) и перекрестной (б) на- моткой. пользовать типовые ферромагнитные сер- дечники. Обычно многослойные катушки наматывают на каркасы из полистирола. Для намотки используются провода с эма- левой изоляцией, эмалевой и дополни- тельной шелковой изоляцией (марки ПЭЛШО, ПЭВШО- н др.), а также лнтцендрат (см. гл. I, §2). При использовании проводов с дополнительной шелковой изоля- цией уменьшается, собствениая емкость катушек, а при исполь- зовании лнтцендрата повышается добротность (на частотах, не пре- вышающих 1....1.5 МГц). Существенный недостаток катушек, на- мотанных литцендратом,— резкое возрастание собственной емкос- ти при обрыве или плохом контакте хотя бы одной из жилок провода. ИЗ
Индуктивность многослойной катушки без сердечника опреде- ляется по формуле - L = 0,0802ш2/(30ср + 9Z + 10/), (Ш.2) где L — индуктивность, мкГ; Dср —средний диаметр катушки, см; I — длина катушки, см; t — толщина катушки, см; w — число вит- ков. Если задана индуктивность и нужно рассчитать число витков, следует задаться значениями D, I и / и определить значение w, ис- пользуя формулу (III.2). После этого необходимо определить тол- щину катушки: / = l,3dpu>/Z, Рис. II 1.3. Секциониро- ванная катушка индук- тивности. Рис. II 1.4. Зависимость коэффици-- ента связи между смежными сек- циями от размеров секций и рас- стояния между ними. где / — толщина, мм; d0 — диаметр провода с изоляцией, мм; I — длина катушки, мм. Если фактическая толщина катушки отличается от принятой вначале более чем на 10%следует задаться другими размерами и повторить расчет. Секционированные катушки характеризуются сравнительно высокой добротностью, пониженной собственной емкостью и мень- шим наружным диаметром. Наиболее часто секционированные ка- тушки наматывают на специальные каркасы внавал (рис. III.3), Каждая секция представляет собой многослойную катушку с не- большим числом витков. Число секций выбирают обычно от двух до шести. Индуктивность секционированной катушки, состоящей из п секций, определяется по формуле Е = Ес[п4-2йсв(п-1)], где Lc — индуктивность секции; kCB — коэффициент связи между смежными секциями, зависящий от размеров секций и расстояния Ь между ними (рис. Ш.4). Отношение Ь/Ьср выбирают так, чтобы значение коэффициента связи находилось в пределах 0,25...0,4, Это достигается йри Ь = 2Z. Каждая секция рассчитывается как обычная катушка (см. выше). Плоские катушки представляют собой спирали, изготовленные намоткой из медных обмоточных проводов нлн методом печатного 114
монтажа из фольгированного гетинакса или стеклотекстолита. Они могут иметь круглую, квадратную или другую форму. Плоские проволочные катушки характеризуются удовлетворительной меха- нической прочностью, сравнительно небольшой собственной ем- костью, простотой изготовления и могут применяться на частотах до 10 МГц. Для их изготовления целесообразно использовать провода с дополнительной шелковой изоляцией, поскольку при этом дости- гается повышенная прочность клеевого соединения витков. Печатные плоские катушки на стеклотекстолите отличаются повышенной механической прочностью и применяются на частотах до 100 МГц. Для более высоких частот печатные катушки изготов- ляют из фольгированного фторопласта. Обычно индуктивность печатных катушек не превышает 10 мкГ. Чтобы получить приемли мое значение добротности катушки, ширину проводников выбирают в пределах 0,4... 1 мм. При этом на площади 1 см2 размещается катушка с индуктивностью до 10 мкГ. Для увеличения индуктив- ности можно использовать последовательное включение двух и более катушек, расположенных на одной или двух сторонах пе- чатной платы. Для повышения добротности катушки следует выби- рать диаметр внутреннего витка не менее 10 мм. Современные пе- чатные катушки имеют добротность 100... 130 па частотах 10...30 МГц. - Индуктивность и добротность плоской катушки существенно увеличивается, если с одной или обеих сторон на нее наложить ферритовые пластинки. Изменяя -расстояние между катушкой и пластинками, можно регулировать индуктивность катушки. Индуктивность плоской катушки с круглыми витками опреде- ляется по формуле L = 24,7 • 10-3f)cp 1g 4Dcp/l. ' где L — индуктивность, мкГ; £>ср — средний диаметр катушки, см; i— радиальная ширина катушки, см; w—-число витков; индуктив- ность плоской катушки с квадратными витками — по формуле L = 55,5 - 10~3 а Уте5 1g 8а/t, где L — индуктивность, мкГ; а — средняя длина стороны квадра- та, см; t — наименьшая радиальная ширина катушки, см; w — чис- ло витков. Экранированные катушки применяют, когда необходимо устра- нить паразитные связи, обусловленные внешним электромагнитным полем катушки, или влияние на катушку полей других источников. Эффективность экранирования повышается при увеличении час- тоты переменного поля, толщины экрана и уменьшении удельного сопротивления материала экрана. Экраны высокочастотных катушек индуктивности изготовляют из меди или алюминия толщиной не менее 0,4...0,5 мм. Такая толщина экрана при частоте переменного поля более 1 МГц превышает расстояние, на котором плотность наводимого тока падает в 100 раз по сравнению с плотностью тока на поверхности экрана, что достаточно для эффективного экрани- рования. Под влиянием экрана изменяются параметры катушки: умень- шаются индуктивность и добротность, увеличивается собственная емкость. Изменение параметров катушки тем больше, чем ближе к ее виткам расположен экран. Индуктивность экранированной 115
однослойной или тонкой многослойной катушки можно определить при помощи графика, приведенного на рис. 111.5, где //£>ср — от- ношение длины катушки к ее среднему диаметру; L3!L — отноше- ние индуктивности экранированной катушки к индуктивности той же катушки без экрана; £>э/£>ср — отношение диаметра экрана к среднему диаметру катушки. Если экран прямоугольной формы, при расчете пользуются эквивалентным диаметром, равным полу- сумме диаметров вписанной и описанной окружностей. Влияние экрана на катушку с броневым или тороидальным сердечником зна- чительно слабее, чем на катушку без сердечника. Экран такой ка- Рис. Ill 6. Расположение щ-иро зсй в экране: 1 — правильное; 2 — неправиль- ное. тушки можно располагать иа мини* мальном расстоянии от нее. -Часто экраны высокочастотных катушек снабжены отверстиями для вращения сердечников или измене- ния положения одной из катушек, связанных индуктивно. В этих слу- чаях отверстия должны быть мини- мальными. Прорези следует распола- гать перпендикулярно к образующей цилиндрического экрана, если катуш- ка расположена соосно с экраном. Пра. пильное и неправильное расположе- ние прорезей при соосном расположении экрана и катушки пока- зано на рис. III.6. Катущки с сердечниками из немагнитных металлов, характери- зующиеся высокой стабильностью, применяются в контурах гете- родинов, широкополосных УПЧ в приемниках КВ и УКВ. Матери- ал сердечников — медь, латунь, алюминий и его сплавы. Медные сердечники используются преимущественно для подстройки индук- тивности (до 20%), когда вносимые сердечником потери должны быть минимальными. При введении в катушку металлического сердеч- ника индуктивность и добротность уменьшаются, причем ивдук- 116
тивность уменьшается тем больше, чем больший объем металла вво- дится и чем больше его проводимость. Добротность уменьшается еще в большей степени, чем индуктивность. Например, введение в катушку медного сердечника, уменьшающего индуктивность на, 15%, вызывает снижение добротности на 45%. При введении алю- миниевого сердечника, уменьшающего индуктивность на 15%, доб- ротность уменьшается в 3...4 раза. Поэтому алюминиевые сердеч- ники используются в катушках широкополосных контуров для специальных приемников. При расчете катушек с сердечниками из немагнитных металлов определяют расчетное значение индуктивности катушки без сердеч- ника: L=LTp(l + bLIL), где LTp — требуемое значение индуктивности; &LIL—относитель- ное изменение индуктивности катушки при введении сердечника (рис. Ш.7). На рис. III.7 показано среднее положение сердечника, при котором к = 0. • __________AL/L __________ . aUl Рис. III.7. Зависимость относительного изменения индуктивности от разме- ров катушки и положения немагнитного металлического сердечника. Катушки с ферромагнитными сердечниками содержат меньшее число витков при заданной индуктивности и отличаются более вы- сокой добротностью и меньшими размерами. Применение ферро- магнитных сердечников позволяет уменьшить размеры экранов и упростить подгонку индуктивности. Указанные преимущества полностью реализуются в диапазонах ДВ, СВ и КВ при соответст- вующем выборе вида сердечника н его материала и малых напряже- ниях на катушке, например в радиоприемниках. Прн использова- вии ферромагнитных сердечников снижается стабильность пара- метров катушек, кроме того, индуктивность и добротность катушек зависят от амплитуды переменного напряжения на катушке и зна- чения постоянного тока, протекающего через обмотку. Ферромагнитные сердечники для катушек изготовляются из магиигодиэлектриков и ферритов (см. гл. I). При заданных габа- 117
ритных размерах катушки следует применять материал сердечника, обладающий наименьшим значением отношения тангенса угла по- терь к начальной магнитной проницаемости в диапазоне рабочих частот. Сердечники из ферритов обеспечивают большую добротность катушек, чем сердечники из магнитодиэлектриков. Для стабильных высокочастотных катушек индуктивности рекомендуется применять сердечники из карбонильного железа. Основные параметры ферромагнитных сердечников. Эффек- тивная магнитная проницаемость рс — отноше- ние индуктивности катушки с сердечником к индуктивности этой катушки без сердечника. Чем больше магнитная проницаемость материала сердечника (измеряется на сердечниках кольцевой формы), ниже частота переменного напряжения на катушке и меньше рас- стояние между сердечником и обмоткой катушки, тем выше эффек- тивная магнитная проницаемость сердечника. Добротность характеризует потери, вносимые сердеч- ником в катушку, и равна отношению реактивного сопротпгления катушки к вносимому сопротивлению потерь. Измеряется на стан- дартной катушке. Относительнаядобротн о[с т ь сер- дечника QO1H— отношение добротности катушки с сердечником к добротности этой же катушки без сердечника — характеризует потери, вносимые сердечником в катушку, и может служить мерой определения диапазона рабочих частот. Верхней границей диапазона рабочих частот является частота, при которой относительная доб- ротность уменьшается до единицы. За пределами диапазона рабочих частот применение сердечника целесообразно только для регули- ровки индуктивности. Стабильность параметров сердечника ха- рактеризуется изменением эффективной магнитной проницаемости и потерь при изменении температуры окружающей среды, влажности воздуха, а также со временем. При изменении температуры изме- няется главным образом магнитная проницаемость. Это изменение характеризуется температурным коэффициентом магнитной прони- цаемости ТКрс, равным относительному изменению рс при изме- нении температуры на 1° С. Изменение рс с течением времени вы- зывается старением материала и проявляется особенно резко в на- чальный период после изготовления сердечника. Катушки с цилиндрическими сердечниками. Промышленностью выпускаются цилиндрические сердечники (рис. III.8) из карбониль- ного железа и ферритов. Резьбовые сердечники используются в ци- линдрических одно- и многослойных катушках, когда требуется подгонка индуктивности в процессе регулировки аппаратуры, и в качестве элемента подстройки (подстроечника) броневых сердеч- ников. Для этих же целей используются гладкие (стержневые) и трубчатые сердечники с напрессованной резьборой втулкой из пластмассы. Стержневые сердечники применяются также в дрос- селях высокой частоты, а трубчатые — в ферровариометрах. Основные параметры цилиндрических сердечников и их номи- нальные размеры приведены в'табл. III.1 и III.2. Для тонких катушек, намотанных непосредственно иа сердеч- ник, длина которого превышает длину катушки, эффективную маг- нитную проницаемость сердечника определяют по приближенной ,-эмпирнческой формуле Pc = fx^/LI + 0,84 (пс//с)*’7 К - 1)], 118
где |хн — начальная магнитная проницаемость материала сердеч- ника (см. гл. I, §7); Dc — диаметр цилиндрического сердечника; /с — длина сердечника. Если катушка намотана на каркас, то Рис. Ш.8. Цилиндрические ферромагнитные сердечники? а — резьбовой; б — стержневой; в — стержневой с резьбовой втулкой; г— трубчатый; д*— трубчатый с резьбовой втулкой. эффективная магнитная проницаемость сердечника снижается. В этом случае и; = Ос(ис- !)/£>* +1. Таблица II 1.1. Основные параметры цилиндрических сердечников из карбонильиof*о железа Типоразмер* Материал Эффек- тивная магнитная проницае- мость**, не менее Относи- тельная доброт- ность**, не менее Частота измере- ния, МГц ТКц в интервале температур от —60 до 4-85° С C9.3XI0 Р-10 1,9 1.2 6 0,0025... 0, ОН C9.3XI9 2,9 1,85 5 0,0025... 0, ОН C9.3XI9 Р-20 2,95 2.0 5 0,002...0.015 С9.3Х19 Р-100 1,55 2,1 50 0.005... 0,01 С9.3Х19 Р-100Ф 1.6 1.1 50 0,003...0,015 С9.3Х19 Пс 2.9 2,0 5 0,0025... 0,011 T9,3x3,2X10 Р-Ю 1.9 1,2 6 0,015 T9,3x3,2x19 р-10 2,0 1,35 6 0,015 РМ2Х7 Р-100 60 0,01 РМ2Х8 Р-100 — — 60 0,01 РМЗХ5 Р-100 50 0.01 РМЗХ8 Р-100 — — 50 0,01 PM4XI1.5 Р-100 — — 50 0,01 * В обозначении типоразмера первая буква соответствует типу сердечника (С—стержневой, Т—трубчатый, Р—резьбовой). В обозначении типоразмера резьбового сердечника буква М указывает иа то, что резьба метрическая; первое число—диаметр, мм, второе—длина сердечника, мм. В обозначении фипоразмера трубчатых сердечников числа соответствуют наружному, внут- реннему диацетрам и длине (в миллиметрах). *• При измерении с однослойной катушкой, намотанной на каркас нз полисти- рола Диаметром 11 мм и содержащей 18 витков провода ПЭВ-1 0,41 для частот измерения 5 и 6 МГц и 2 витка— для частоты 50 МГц. 119
Таблица III.2. Номинальные размеры стержневых и трубчатых сердечников из магнитно-мягких ферритов (ГОСТ 19726—74) Стержневой сердечник Трубчатый сердечник Диаметр, мм Длина*, мм Диаметр, мм Длина** мм наружный внутренний 1,2 10,0 2,5 0,8 5,0...14,0 1,8 12,0 2,8 ’ 0,8; 1,0 4,0...14,0 2.5 5,0...32,0 а, о 0,8; 1,0; 1,5 5.0...14.0 2,8 6,3... 45,0 3,2 0,8; 1,0; 1,5 4,0...14,0 3,2 6,3...50,0 4,0 0,8; 1,0; 1,5 12,0...32.0 3,6 8,0...50,0 4,2 1.2; 1,5 . 10,0...40,0 4,0 8,0...50,0 6,0 1,5; 2,5 8,0...44,0 4,5 10,0...50,0 6,3 2,0; 2,6; 3,0 8,0...45,0 5,0 10,0...50,0 8,0 4,0; 5,0 10,0...63,0 6,3 12,0...63,0 10,0 4,0; 7,1 10,0...63,0 8,0 16,0...71,0 12,0 5,0 10,0.,.63,0 10,0 20,0—71,0 14,0 16,0 8.0 8,6 20,0...63,0 20,0...63,0 * Промежуточные значения приведены в ГОСТ 19726— 74. Гис. III.9. Броневые сердечники из фер- ритов: о—Тип Б (с одним боковым пазом); б — тип Ч (чашечный). где £>с — диаметр сердечника; DK — средний диаметр катушки; рс — эффективная магнитная проницаемость сердечника (при на- мотке непосредственно на сердечник). Катушки с броневыми сердечниками характеризуются малыми размерами, сравнительно высокой добротностью и малой собственной емкостью. Ценным свойством катушек с броневыми сер- дечниками является слабое внешнее магнитное поле, со- здаваемое ими, что позво- ляет приближать экраны к самому сердечнику, а в не- которых случаях не экра- нировать катушки. Катуш- ки с броневыми сердечни- ками применяют в контурах сигнальной н промежуточ- ной частот радиоприемни- . ков и в электрических филь- трах различного назначе- ния. Конструкции броневых сердечников' показаны на рис. III.9 и III.10. Броне- вые сердечники могут быть с замкнутой или разомкну- той магнитной цепью. Сер- дечник с замкнутой магнит- ной цепью составляется из в отверстие которого вво- двух чашек с центральным керном, дится цилиндрический подстроечник (рис. III.9, а и III.10, а, б), или из чашки без керна и резьбовой втулки с керном (рис. 111.10, в). Немагнитный зазор 6 образуется при укорочении керна 'одной (см. рис. III.9, а) или обеих чашек. Броневой сердечник с разо- мкнутой магнитной цепью состоит из чашки с керном, чашки беа .. 1>'О
керна и подстроечника. Частным видом броневого сердечника является чашечный сердечник (рис. III.9, б и III. 10, г). В качестве подстроечников используются стержневые, резьбовые и трубчатые сердечники с резьбовой втулкой (см. рис. III. 8). Если чашки не имеют резьбы, подстроечники ввинчивают в детали крепления ча- шек. Сердечники с разомкнутой магнитной цепью (с зазором) обла- дают меньшей эффективной магнитной проницаемостью, вносят меньшие потери. ’ Намотку катушек с броневыми сердечниками выполняют вна- вал на специальные каркасы, содержащее 2...4 секции (см. рис. Ш.З). Рис. ШЛО. Броневые сердечники из карбонильного железа:- а— СБ-9а, СБ-12а, СБ-18а; б— СБ-23а, СБ-28а, СБ-34а; в— с резьбовой втул- кой: г — чашечный; 1,2 — чашка с керном соответственно без резьбы и с резьбой; 8 — подстроечник;л4 — чашка без кериа; 5 — резьбовая втулка. Поскольку длина провода получается сравнительно небольшой, потери в нем относительно малы. Поэтому диаметр провода слабо влияет иа добротность катушки, которая практически определя- ется добротностью сердечника.Для намотки применяют одножильный провод в эмалевой изоляции диаметром 0,1...0,2 мм или многожиль- ный провод, состоящий из 2...5 жил диаметром 0,07...0,1 мм в эма- левой изоляции. Броневые сердечники изготовляются из ферритов и карбониль- ного железа. Сердечники из ферритов могут иметь одни (см. рис. III.9) или два боковых паза. В качестве подстроечников исполь- зуются стержневые и трубчатые сердечники с резьбовой втулкой (см. рис. III.8, в, д). Номинальные размеры броневых сердечников из ферритов приведены в табл. Ш.З, подстроечников к ним — в табл. III. 4, а их основные'параметры —в табл. III.5 и 111.6. Эффективная магнитная проницаемость сердечников типа Б с не- магнитным зазором нормирована, ее значение (см. табл. П1.5) ус- танавливается зазором. В сердечники, изготовленные без зазора, можно ввести немагнитный зазор, установив между чашками про- . кладки из электроизоляционного материала. Эффективная магнитная проницаемость сердечников с немаг- нитным зазором определяется по формуле Рс.э = Рс/(1 + И0^/ср). 121
Т а бл и ц а Ш.З. Номинальные размеры броневых и чашечных сердечников из ферритов Тип сердеч - инка Размеры чашки, мм (см. рис. III.9) Средняя длина пути Средняя площадь сечения магнитной цепи, см8 Начальный коэффициент индуктив- ности, мкГ <*1 ^2 ds </4 Н h магнитной линии, см Б6 6,65 5,0 2,8 1,1 2,? 1,8 1,04 0,07 Б9 9,3 7,5 3,9 2.0 2,7 1.8 1,26 0,11 БИ 11,3 9,0 4,7 2,0 3,3 2,2 1,54 0,18 Б14 14,3 11,6 6,0 3,0 4,3 2,8 1,89 0.28 Б18 18,4 14,9 7,6 3,0 5,35 3.6 2,49 0,48 Б22 22 17,9 9,4 4,4 6,8. 4.6 3,04 0,69 Б26 26 21,2 11,5 5,4 8,15 5,5 3,6 1,01 БЗО 30,5 25,0 13,5 5,3 9,5 6.5 4,44 1,38 Б36 36,2 29,9 16,2 5,4 н.о 7,3 5.4 2,2 Б42 43,1 35,6 17,7 5,4 15,0 10,15 6,17 2.48 Б48 48,7 39.5 20,4 7,3 15,9 10,3 6,92 3,74 Ч, 6.5 5,3 3.3 3,6 2.6 0,006...0,017 ч, 6,5 5.3 F—. 3,3 3,6 2,1 0,007...0,022 6,5 5,3 —- 3,3 4,5 3,5 0,008...0,02 ч’ 6,5 5,3 — 3.3 4,5 3,0 0,01 ...0,022 ч. 6,5 5,3 Л— 3.3 5,5 3,5 0,18 ,...0,37 ч. 6,5 5,3 — 3.3 5,5 3.0 0,2 ...0,41 ч, 9,0 7,8 3.3 4,5 3,5 0,21 ...0,4 ч„ 9.0 7,8 3,3 4,5 3,0 0,23 ...0.5 ч, 9,0 7,8 — 3,3 6,5 5.5 0,22 ...0,52 Ч„ 9,0 7,8 3,3 6,5 5,0 0,26 ...0,6 Та б л н ц а Ш.4. Рекомендуемые сочетания чашек и подстроечников в броневых й чашечных сердечниках из ферритов Тип чашки Типоразмер подстроен ника * стержневого резьбового трубчатого Б6, Б9 ПС0.56Х5 Б9, БИ ПС0.8Х5 Б11 ПС1Х6 —* —. Б14 ПС1.8Х8 ПС2.2Х8 ПР2,2хО,5х8 ПТ2.2Х0.8Х8 Б18 ПС1.8Х10 ПС2.2Х10 ПР2,2X0,5x10 ПТ2.2Х0.8Х10 Б22 ПС3.2Х11 ПС3.5Х13 ПРЗ,5x0,5x11 ПТЗ,5X1,2x13 Б26 ПС3.9Х15 ПС4.5Х15 ПР4,5x0.5X15 ПТ4,5Х1,5Х16 БЗО ПС4.2Х17 ПР4,5x0.5x17 ПТ4,5х1,5х 18 ПС4.6Х17 Б36 ПС4.5Х21 ПР4,5x0,5x21 ПТ4,5Х1.5х20 Б42 П €4,5X25 ПР4,5X0,5X25 ПТ4,5Х1,5Х23 Б48 ПС6Х25 ПРбх 0,5x25 ‘ ПТ6Х1.8Х24 ЧГ..Ч. СЗХ6 . СЗХ7.5 й— СЗХ9.5 Ч„..Ч„ СЗхб — СЗХ9.5 СЗХ13.5 * В обозначении типоразмера числа обозначают: для стержневых—диаметр и длину, для резьбовых — диаметр, шаг резьбы и длину, для трубчатых — на- ружный, внутренний диаметры и длину. 122
Таблица 111.5. Эффективная магнитная проницаемость и начальный коэффициент индуктивности броневых сердечников из ферритов (с зазором) Тип сердеч- ника Марка феррита 2000НМ1 1500НМЗ 100011МЗ 700НМ 50ВЧ2 | 30ВЧ2 । 20ВЧ2- Е6. — — — — 13,5/10 — — 33,7/25 — 21,6/16 — Б9 63/60 26,2/25; 42/40; 63,-60 26,2/25 10,5/10 ' 16,8/16 - БП 58/60 38,8/40; 58/60 38,8/40 15,5/16 9,7/10 103/100 Б14 90/160 22/40; 56/100; 90/160 22/40 9/16 - 14/25 Б18 . 65/160; 102/250 25/60; 41/100 | 10,5/25 — *41/100 65/160 16/40 Б22 57/160; 90/250; 140/400 22/60 14/40 — 36/100 - Б26 72/250; 116/400; 182/630 29/100 — 46/160 72/250; 116/400 — 46/160 — БЗО 44/160; 69/250; 112/400; 224/630 — — Б36 77/400; 121/630; 193/1000 - — Б48 | 98/630; 194/1250; 249/16 00 | - - - — Примечание. Числитель дроби — эффективная магнитная проницаемость, знаменатель— начальный коэффициент индуктивности (в миллигенри) Таблица Ш.6. Эффективная магнитная проницаемость и начальный коэффициент индуктивности броневых сердечников из ферритов (без зазора) Тип сердеч- ника Марка феррита 20С0НМ1 1500НМЗ 1000НМЗ 700НМ 50ВЧ2 ЗОВ 42 20В 42 Б6 850/630 680/500 — — Б9 . 1130/1060 9 60/900 720/680 555/520 50/47 30/28 20/19 Б11 1170/1200 970/1000 730/750 555/570 48/50 29/30 19/20 Б14 1230/2200 1050/1850 770/1370 580/1030 49/88 30/53 19/35 Б18 1270/3100 1130/2750 820/2000 620/1500 49/120 30/73 19/48 Б12 1450/4000 1160/3200 835/2300 615/1700 49/137 30/83 20/55 Б26 1550/5400 1230/4300 860/3000 630/2200 49/172 — —• БЗО 1660/6000 1300/4700 900/3250 655/2350 -—. —' Б36 1670/8700 1300/6800 900/4700 — — •— •— Б48 1750/11300 1350/8700 930/6000 — — — Примечание. Числитель дроби — эффективная магнитная проницаемость, внаменатель — начальный коэффициент индуктивности (в миллигенри). ... >23
где рс — эффективная магнитная проницаемость сердечника без зазора (см. табл. III.6); 6 — длина зазора; /ср— средняя длина пути магнитной линии сердечника (см. табл. III.3). Если зазор образован прокладкой между чашками, длина равна удвоенной толщине про- кладки. Температурный коэффициент индуктивности катушки с сердеч- ником без зазора полностью определяется температурным коэффи- циентом магнитной проницаемости сердечника ТК рс. Если в сер- дечник введен немагнитный зазор, ТКИ меньше. При 6//ср<0,01 тки^ткнс/о + нЛ'ср)- Чашечные сердечники типа Ч изготовляют из термостабильных ферритов марок 1000НМЗ и 50ВЧ2 (см. табл. I. 18). Эти сердеч- ники применяют в катушках для контуров малогабаритных прием- ников. Сердечники Ч3...Ч10 из феррита марки 1000НМЗ исполь- зуются на частотах до 2 МГц, Ч1...Ч4 из феррита марки 50ВЧ2 — на частотах 1...50 МГц. Броневые сердечники из карбонильного железа типа СБ вы- пускаются с замкнутой магнитной цепью (исполнение «а») и разомк- нутой магнитной-цепью (исполнение «бя). Зазор между кернами в сердечниках исполнения «а» не превышает 0,5 мм для СБ-9а и 2 мм — для остальных сердечников. Номинальные размеры сердеч- ников типа СБ приведены в табл. III.7, а основные их параметры — в табл. III.8. Из карбонильного железа марки Р-100Ф изготовляют детали для броневых сердечников, показанных на рис. III. 10, в, г. Чашки выпускаются с двумя боковыми пазами и без пазов. Номи- нальные размеры этих деталей приведены в табл. III.9. Таблица III.7. Номинальные размеры броневых сердечников из карбонильного железа “ • Тип сердеч- ника , Размеры, мм Средняя длина пу- ти маг- нитной линии *, см Средняя площадь сечения магнитной цепи, см8 чашкн подстроеч ника rf, d, h н 1с Ос СБ-6 : 6,5 4,9 3,0 2,0 3,2 7,0 М2 1,31 0,11 СБ-9 9,6 7,5 4,6 2,1 3,8 8,0 М3 1.6 0.23 СБ-12 12,3 10,0 6,0 4,1 5.5 11.5 М4 2,5 0,3 СБ-13 18 14 9 5,2 7.4 13,5 М5 3,4 0,74 СБ-23-11 23 18,5 10 3,1 5,7 13 М7Х0,75 2,9 1,1 СБ-23-17 23 18 11 6 8,7 19 М7Х0.75 4 1.14 СБ-28 28 22 13 8,5 11.7 25 М8х1 5,4 1,7 CS-34 34 27 13,5 10,2 14,2 30 М8Х1 6,8- 2.3 • Для сердечников с замкнутой магнитной цепью (исполнение «а»). Выбор магнитного материала и типа сердечника зависит от требований, предъявляемых к катушке индуктивности. Например, для малогабаритных катушек, к добротности которых ие предъяв- ляются высокие требования, целесообразно применение сердечни- кбв из ферритов с высокой начальной магнитной проницаемостью. Для п^рышения добротности следует применять ферриты с возможно 124.
Таблица III.8. Основные параметры броневых сердечников из карбонильного железа Тип Материал Эффективная Магнитная проницае- мость Относитель- ная доброт- •‘ность, не меиее Частота измере- ния, МГц Температур- ный коэффи- циент магнит- ной проницае- мости, %/сс СБ-9а Р-10 2,7...3,9 2,1 3 0,015 СБ-12а 3,0...4,3 2,2 0,5 0,015 СБ-126 1,7,..2,5 ТО 0,5 0,015 СБ-23-lla 2.8...4.3 1,55 0,85 0,015 СБ-236 1,8...2,6 1,0 0,85 0,015 СБ-23-17а 3,4...4,5 1,3 1,0 _ 0,015 СБ-28а 3,7...4,9 1,2 1,0 0,015 СБ-34а- 3,4...5,0 1,1 1.0 0,015 СБ-Sa Р-100 2,6±15% 1.0 30,0 0,01 СБ-12а 2,3±15% '0,9 25,0 0,01 СБ-Sa Р-100Ф 2,3±15% 1.0 30,0 0,015 СБ-12а 2,1 + 15% 0,9 25,0 0,015 Т а блица III.9. Номинальные размеры деталей из карбонильного железа марки Р-100Ф (см. рис. Ш. 10, в, г) Деталь ММ £?2, ММ 4?3, ММ d4, мм Г/, мм Й, мм йм, мм Чашка 6.5 5,0 3,1 2,8 2,0 — 8,0 6.0 — 3,4 3,5 2,0 — 8,0 6.0 —. 3,2 4,0 2,8 9,0 7.1 3,2 3,0 2,0 — 9,0 7,1 — 3,2 3.6 2,0 — Втулка 8,0 •-* 4,6 — — 2,65 2,65 Кольца 6,5 3,1 — — 0,8* 8.0 — — 3,4 —t 1,0* 6,0 - —• 3,0 — 1,5* 5.0 — 3,0 1.0» * Толщина колец, мм. большим отношением pH/tg б (см. гл. I, § 7). Дальнейшее повышение добротности может быть достигнуто введением немагнитного зазора. Если к катушке предъявляются повышенные требования в отноше- нии температурной стабильности индуктивности, то следует выби- рать термостабильиые ферриты и сердечники с зазором или сердеч- ники из карбонильного железа. Когда задан ТКИ катушки, необ- ходимо выбирать сердечник с эффективной магнитной проницае- мостью рс = ТКИ-рн/ТКрн, где рн — начальная магнитная про- ницаемость материала сердечника; ТКрн —- ее температурный коэффициент (см. гл. I, § 7). 125
Число витков катушки с броневым сердечником рассчитывается по формуле w — тУL, где L — индуктивность катушки, мкГ; т — постоянная, определяемая размерами сердечника и свойст- вами магнитного материала. Ниже приведены значения т для бро- невых карбонильных сердечников: Тип сердечника СБ-9а СБ-12а СБ-23-lla СБ-23-17а СБ-28а СБ-34а т 7,1 6,7 4 4,5 4,3 4,4 Для сердечников других типов значения т можно определить экс- периментально, измерив индуктивность катушки с известным чис- лом витков. Для определения числа витков катушки с броневым сердечником можно пользоваться формулой w — = У UALb, где ALh — начальный коэффициент индуктивности (индук- тивность одного витка), зависящий от материала и размеров сердечника (см. табл. Ш.З, Ш.5 и III.6); L - индуктивность катушки с сердеч- ником. В табл. III. 10 приведены основ- ные параметры стандартизованных катушек с броневыми сердечниками. Катушки выполнены односекцион- ными однообмоточными и рассчитаны на работу при частотах до 25 МГц. Они могут быть влагозащищенными (тип I) и невлагозащищенными (тип II), дли печатного (исполнение А) и объемного (исполнение Б) мон- тажа. Катушк и с тороидальными (кольцевыми) сердечниками характе- размерами, практически полным от- Л Рис. П 1.11. Тороидальные (коль- цевые) сердечники: а — из альсиферов; б — из фер- ритов. ризуются минимальными сутствием внешнего магнитного поля, что позволяет использовать их без экранов, и сравнительно высокой добротностью (при выборе соответствующих материалов). Недостатки этих катушек — слож- ность намотки, невозможность регулировки индуктивности и пони- женная стабильность индуктивности. Катушки с кольцевыми сер- дечниками применяются в контурах промежуточной частоты малога- баритных приемников, в контурах, перестраиваемых подмагничи- ванием, в качестве дросселей' и т. п. Тороидальные сердечники изготовляются из ферритов и альси- феров (рис. III.11). В табл. III. 11 приведены основные размеры колец из альсиферов, а в табл. III.12 и 111.13 — размеры ферри- товых колец с внешним диаметром до 45 мм. Выбор материала и типоразмера сердечника для тороидальных катушек определяется требованиями к катушке (см. выше).При вы- соких требованиях к стабильности параметров катушки следует применять кольца из альсиферов с компенсированным ТКрн (см. табл. 1.17). Размеры кольца выбирают с учетом требований к индуктивности и добротности катушки. Чем больше индуктивность '126
Таблица ШЛО. Основные параметры стандартизованных катушек индуктивности € броневыми сердечниками (ГОСТ 16970—71) = s о 4 =5« Е * S в 2 £ ТОК, Тип Е н хс О S Ф ex аз®'' к - E s gf аз 23 „ <p Ф 43 О □ В *5 Ф Л Ф S Ч ^8 33 о < ® о о> £ к о, Ч со ДГ сз к 1—* аз н ря а л g 2 И ч 2s Ч s СЗ о E Ф ч§ g Ф И® ex S' и rhe £o,g о 2 О О ф х г 5 □ >, ф Е 1 О - КИСБ-Эа 0.15...0,3 ±2 ±5 6 20.. .150 0,15 0,3...1,0 ±2 ±5 10 20. .150 0,15 1,0...10,0 ±2 ±5 12 20.. .150 0,04 10,3...100,0 ±1 ±5 12 20. .150 0,04 КИСБ-12а 0,25...1,0 ±2 ±4 8 20.. .150 0,41 1,0...10,0 ±2 ±4 15 20.. .150 0,08 10,3...50,0 ±1 ±4 20 20.. .150 0,08 50,0...100,0 ±1 ±4 20 20.. .150 0,04 КИСБ-126 0,15.. .0,95 ±2 —4...+10 8 40...95 0,41 КИСБ-23-lla 1.0...10,0 ±2 ±4 15 30.. .200 0.08 10,0...100,0 ±2 ±4 20 30.. 200 0,08 100,0...150,0 ±1 ±4 20 30.. 200 0,08 103,0...750.0 ±1 ±4 20 30.. 200 0,06 750.0...1180,0 ±1 ±4 20 30.. 200 0,04 КИСБ-236 0,24... 1,0 ±3 —4...+Ю 10 30.. .150 0,75 1,03...3,35 ±2 —4...4-10 15 30.. .150 0,08 КИСБ-23-17а 20,0...fcO,0 ±1 ±5 20 40.. .250 0,38 60,0... 300,0 + 1 ±5 20 40.. .250 0,12 300,0...900,0 + 1 ±5 20 40.. .250 0,09 900,0...2360,0 ±1 ±5 25 40.. .250 0,04 КИСБ-28а 40,0...100,0 4-1 ±5 30 50.. .250 0,49 100,0...450,0 ±1 ±5 50 50.. .250 0,22 450,0...2000,0 ±5 50 50.. .250 0,12 20 00,0...4000,0 +1 ±5 50 50.. .250 0.05 КИСБ-34а 2000,0...9000,0 ±1 ±5 50 30.. .170 0,12 9000,0...20000,0 ±5 50 30.. .170 0,09 20000,0...30000,0 ±1 ±5 50 30.. .170 0,05 W * В среднем положении подстроечника, т. е. когда он входит р чашку без резь- бы катушки КИСБ-9а на 1 мм, катушек КИСБ-12а н КИСБ-126—на 2 мм, КИСБ-23-lla и КИСБ-236— на 2,3 мм, КИСБ-23-17а и КИСЕ-34а— на 3 мм н КИСБ-28а — на 3,5 мм. ** Зависит от частоты и номинальной индуктивности. Та б лица 111.11. Основные размеры альсиферовых колец (ГОСТ 8763—77) Типоразмер * Средняя длина пути магнитной линии, см Площадь поперечно- го сече- ния, мм2 Типоразмер * Средняя длина пути магнитной линий, см Площадь попереч- ного сече- ния, мм2 К15х7Х4,8 3,14 16,6 К44Х28Х7.2 10,9 49,7 К15Х7Х6.7 3,14 23.9 К44Х28Х10.3 10,9 74 К19Х11Х4.8 4,48 17,0 К55x32x8,2 13,0 78,2 К19Х11Х6.7 4,48 24.5 К55Х32Х9.7 13,0 95 К24Х13Х5.2 5,46 24,6 К55Х32Х 11.7 13,0 117 К24Х13Х7 5,46 34,2 К64Х40Х9.7 15,7 99 К36Х15Х7.5 9,37 37,6 К64Х40Х14 15,7 150 К36X25x9,7 9,37 49.5 К75Х46Х12 18,3 148 К75Х46Х16.8 18,3 216 * В обозначении типоразмера кольца первое число соответствует наружному диаметру, второе — внутреннему, третье — толщине кольца. 127
Таблица III.12. Номинальные размеры кольцевых сердечников из марганцево- цинковых ферритов Типоразмер Средняя длина пути магнитной линии, мм Площадь, мм8 Типоразмер Средняя длина пути магнитной линии, мм Площадь, мм8 попереч- ного сече- ния окна попереч- ного сече- НИЯ окна К4.0x2,5x1,2* 9.84 0,88 4.91 . 20.0X10.0X5,0 43,55 24.02 78.54 K5.0x2.0xl.5 9.6 2,1 3.14 К20.0Х12.0x6,0* 48,14 23.48 113,09 К5.0ХЗ,0'х1,5* 12г04 1.47 7,07 К28Х16Х9* 65.64 52.61 201.06 К7.0X4,0X1.5 16.41 2,19 12,57 К31Х18.5Х7 74,41 42,79 268.8 К7,0X4.0X2.0* 16.41 2,92 12,57 К32Х16Х8 69,68 61,5. 201.06 К10.0Х6.0Х2.0 24.07 3,91 28,27 К32Х16Х12 69,68 92.25 201.05 К10.0Х6,0X3.0* 24.07 5,87 28,27 К32Х20Х6 78,75 35.34 314.15 КЮ.^хб.0X4.5 24.07 8.81 28.27 К32Х20Х9* 78,75 53,02 314.15 K12.0x5.0x5,5 23,57 18.07 19.63 К38Х24Х7 94,04 48,15 452.38 KI2.0X8.0X3.0 30,57 6.92 50,27 К40Х25Х7.5 98.64 55,23 490,87 K1G, 0X8.0X6,0 34,84 23,06 50,27 К40Х25Х11* 98,64 81,11 490,87 К16.0x10.0X4,5* 39.37 13,25 78.54 К45Х28Х8 110,47 66,74 615.75 К17.5Х8.2Х5.0 36,75 22.17 52,81 К45Х28Х12 110,47 97,83 615.75 Примечания; L Сердечники нз феррита марки 700НМ изготовляют с на- ружным диаметром от б до 20 мм включительно. 2. Сердечники типоразмеров K5.0X2.0Xl,5; К32Х16Х12 и К45Х28Х12 из ферритов марок 1000НМ, 1500НМ. 2033НМ, 3000НМ. 4000НМ, 6000НМ, 100Q0HM не изготовляются. 3. Сердечники, отмеченные звездочкой, изготовляются из феррита марки 10000НМ. 4. В обозна- чении типоразмера первое число соответствует наружному диаметру кольца, второе — внутреннему, третье — толщине кольца (в миллиметрах). Таблица 111.13. Кольцевые сердечники из никелево-цинковых ферритов Типоразмер сердечника to о о о о L0 о о о Марка схГ со X X X 1О X <о X X о X о сч ю фер- о о о о ш о о оГ 00 х X X , X X X рита ** X X X X со X X X <о <а о сч сч иО сч СО сч о о о о о о X X X X X X о" о со о" о о сч сч । сч со о Ю у 5 2 2 2 ьг S й 2 . & 2 2 2 2000НН + + + + . + + —. + — + 4- 4- —• 1000HII + — 4- + + - + — + — — + + + — соонн + — + + + + + + — — + + 4- + 4 00 НИ + + + 4- + + — + — — + 4- + — 200 НН + — — — — — + — — + — — + 4- 100НН1 + — + + + + — — — — — 4- — — 55НН — — — + — — + — — — + — — + 128
Продолжение табл. III. 13 и добротность катушки, тем большими должны быть размеры кольца. Для намотки катушек с кольцевыми сердечниками следует применять обмоточные провода с повышенной механической проч- ностью изоляции (с дополнительной шелковой изоляцией нли изо- лированных высокопрочными эмалями). Намотку выполняют при помощи шпули, на которую предварительно наматывают провод. Перед намоткой кольцо следует обмотать лентой из лакоткани. Число витков катушки с кольцевым сердечником определяется по формуле ш— 280 J/" L/cp/nASc. где L — индуктивность катушки, мГ; /ср — средняя длина пути магнитной линии, см; рд — динамическая магнитная проницае- мость материала сердечника (см. гл. I, § 7); Sc — площадь попереч- ного сечения сердечника, см2. Если катушка предназначена для работы без постоянного подмагничивания в слабых переменных магнитных полях (Н < 10 А/м), то вместо рд в формулу следует подставить значение начальной магнитной проницаемости материа- ла сердечника (см. гл. I, §7). После расчета числа витков катушки необходимо оценить воз- можность размещения обмотки на сердечнике. Для этого рассчиты- вают площадь поперечного сечения обмотки с учетом изоляции про- вода и неплотности намотки и сравнивают ее с площадью окна сер- дечника. Должен оставаться запас площади окна, превышающий площадь сечения шпули с проводом. При необходимости выбирают кольцо другого размера и рассчитывают новое значение числа витков. Индуктивно связ иные катушки используются для магнитной связи между колебательными контурами, между антенной (или ан- тенным фидером) и входным контуром приемника, в межкаскадных связях, в качестве широкополосных трансформаторов и т. п.-Для обеспечения магнитной связи между катушками их наматывают б 1-88 129
Рис. III. 12. Ферровариометр: 1 — обмотка; 2 — наружный цилиндр из фер- ромагнитного материала; 3 — каркас катуш- ки из пластмассы; 4 — сердечник: 5 — эк- ран; 6 — тяга. может достигать 0,5. Для катушек, на общий каркас (или сердечник) либо располагают рядом так, чтобы их оси были параллельны. Отклонение от этого условия приводит к уменьшению связи. Степень магнитной связи между катушками характеризуется взаимной индуктивностью, которая зависит от числа витков кату- шек, их формы и размеров. Коэффициент связи между катушками /гС1, = MlVгде М — взаимная индуктивность; Lr и £2 — индуктивности связанных катушек. Расчет взаимной индуктивности катушек без сердечников мож- но выполнить лишь ориентировочно. Для катушек с сердечниками методика расчета не разработана. Поэтому приводим предельные значения коэффициентов связи для различных катушек. Для катушек, намотанных на кольцевой магнитный сердечник, коэффициент свизи можно принять равным единице. Для катушек с броневым сердечником без зазора он близок к единице. Если однослойные катушки намотаны с принудительным шагом так, что витки одной z из них располагаются меж- ду витками другой, можно получить коэффициент свя- зи до 0,8, а при введении магнитного сердечника — еще больше. Если однослой- ная катушка расположена иа одном каркасе с много- слойной, коэффициент связи одна из которых разделена на секции, расположенные по обе стороны другой, достигается коэф- фициент связи 0,65...0,75. Коэффициент связи между катушками, помещенными в отдельные броневые сердечники, не превышает 0,015...0,02. Ферровариометры (вариометры с ферромагнитными сердеч- никами) применяются в качестве элементов настройки колебатель- ных контуров, например, в автомобильных приемниках. Ферро- вариометр (рис. Ш.12) состоит из цилиндрической катушки, внутрь которой вдвигается сердечник из материала с высокой магнитной про- ницаемостью, например из феррита. Катушка размещается внутри цилиндра из ферромагнитного материала. Коэффициент перекрытия ферровариометра тем больше, чем больше магнитная проницаемость материала сердечника и чем бли- же он расположен к виткам катушки. Если использовать феррито- вый сердечник, можно получить коэффициент перекрытия 25....30 и больше. Следует выбирать сердечники, у которых длина в 5...10 раз больше диаметра, а диаметр сердечника меньше наружного диаметра каркаса катушки на 0,5....1 мм. Ферровариометры могут использоваться для одиовремеииой перестройки нескольких колебательных контуров. При этом сопря- жение настроек контуров преселектора приемника и гетеродина обычно достигается включением дополнительных сопрягающих кату- шек индуктивности. В этом случае ферровариометры преселектора и. гетеродина идентичны. Сопряжение может также достигаться применением сердечников различных форм и размеров или катушек с разным расположением витков. 130
§ 3. Дроссели высокой частоты Дросселем высокой частоты называют катушку индуктивности, включаемую в цепь для увеличения сопротивления токам высокой частоты. Основные параметры дросселя: полное сопротивление, со- противление постоянному току и собственная емкость. Сопротивле- ние дросселя постоянному току должно быть'минимальным, пол- ное сопротивление — достаточно большим и иметь индуктивный ха- рактер. Собственная емкость Со дросселя определяет его критичес- кую частоту /кр = 1/2л УLC0, где L — индуктивность дросселя. На частотах ниже критической полное сопротивление дросселя имеет индуктивный характер. Критическая частота дросселя долж- на быть возможно большей (по крайней мере больше максимальной рабочей частоты аппаратуры, в которой используется дроссель). Поэтому его собственная емкость должна быть минимальной» Точ- ность индуктивности не имеет значения. Конструктивно дроссели высокой частоты выполняются в виде одно-, или многослойных катушек с ферромагнитными сердечниками или без них. Многослойные используют в диапазонах ДВ и СВ, однослойные — на более коротких волнах. Для уменьшения соб- ственной емкости многослойные катушки секционируют, а одно- слойные наматывают с принудительным шагом. Еще лучшие ре- зультаты можно получить при намотке с прогрессивным шагом, при этом дроссель должен быть подключен так, чтобы меньший потен- циал высокой частоты был со стороны малого шага намотки. Если добротность дросселя не имеет значения, то с целью уменьшения собственной емкости дросселя выбирают диаметр кар- каса от 3 до 6 мм и наматывают провод малого диаметра (0,02... 0,05 мм). Однако плотность тока не должна превышать 4...5 А/мм2. Дроссели с-ферромагнитными сердечниками отличаются мень- шими размерами, меньшим количеством витков при заданной ин- дуктивности и, следовательно, меньшей собственной емкостью. Поэтому они могут работать в более широком диапазоне частот. Если через дроссель протекает небольшой ток и требуется большая индуктивность, то целесообразно использовать тонкие стержни (диаметром 1,5...2 мм) из ферритов с большой магнитной проницае- мостью. Если использовать феррит марки 600НН, у которого с увеличением частоты уменьшается диэлектрическая проницае- мость, а при частоте выше граничной — и магнитная проницае- мость, то индуктивность и собственная емкость дросселя будут уменьшаться с повышением частоты, что исключит резонансные явления в широком диапазоне частот. Добротность дросселя важна в случаях, когда он подключается параллельно колебательному контуру (по переменному току). При этом целесообразно изготовление дросселя с ферромагнитным сердеч- ником. Число витков дросселя определяют так же, как число витков контурных катушек индуктивности. Диаметр провода выбирают так, чтобы получить приемлемую плотность тока и падение напряжения на дросселе не более 10% напряжения источника питания. При изготовлении дросселей высокой частоты с ферромагнит- ными сердечниками цилиндрической формы на сердечник наклады- вают слой конденсаторной бумаги или диэлектрической пленки и сверху наматывают обмотку. Если используется броневой сердеч- ник, обмотку располагают на секционированном каркасе из пласт- массы. На тороидальном сердечнике обмотку наматывают секциями. Б* 131
Промышленность выпускает высокочастотные дроссели типа ДМ с ферритовыми сердечниками. Номинальные индуктивности этих дросселей лежат в интервале 1...500 мкГ. Допустимые зна- чения тока — не менее 60 мА и возрастают с уменьшением индуктив- ности. § 4. Общие сведения о трансформаторах и дросселях низкой частоты Трансформатор — электромагнитное устройство переменного тока, предназначенное для£изменения напряжения, согласования сопро- тивлений электрических цепей, разделения цепей источника и на- грузки по постоянному току, а также для изменения состояния цепи относительно корпуса. Основной частью трансформатора является магнитопровод из магнитно-мягкого материала с размещенными на нем обмотками. Трансформаторы, используемые в приемно-усилительной аппа- ратуре, можно разделить на трансформаторы питания (силовые) и согласующие (сигнальные). Трансформаторы питания применяются в выпрямительных устройствах для получения различных напря- жений. Согласующие трансформаторы используют для согласова- ния входа усилителя и источника сигнала (входные), выхода усили- теля с нагрузкой (выходные), в качестве элемента межкаскадной связи (межкаскадные). Дроссель низкой частоты — катушка индуктивности с магни- топроводом, предназначенная для использования в электрических цепях в качестве индуктивного сопротивления. В приемно-усилительиой аппаратуре дроссели низкой частоты используются в фильтрах питания, различных низкочастотных фильтрах и цепях коррекции АЧХ. Магннтопроводы. Для уменьшения потерь на вихревые токи магнитопроводы трансформаторов и дросселей набираются из штампованных пластин (рис. III. 13), навиваются из полос элект- ротехнической стали либо железо-никелевых сплавов (рис. II 1.14), а также изготавливаются из магнитно-мягких ферритов (рис III.15). Витые (ленточные) магнитопроводы характеризуется возможно- стью использования материалов различной толщины (до нескольких микрометров), что позволяет применять их для трансформаторов при повышенных частотах; лучшим, чем у пластинчатых магии- топроводоВ, использованием магнитных свойств материалов (особенно холоднокатаных сталей); несколько повышенными потерями; нали- чием воздушного зазора в стыках (5...40 мкм); меньшей стоимостью изготовления. Преимуществом магиитопроводов, набираемых из пластин, является'возможиость изготовления их практически из лю- бых, даже очень хрупких, материалов. По конструкции магннтопроводы разделяют иа броневые, стержневые и кольцевые (тороидальные). В броневом сердечнике обмотки располагаются иа центральном стержне, что упрощает конструкцию, обеспечивает более полное использование окна и частично создает защиту обмотки от механических воздействии. Недостатком трансформаторов с броневым магнитопроводом явля- ется повышенная чувствительность к воздействию магнитных полей низкой частоты. Это ограничивает применение броневых магнито- яроводов для входных трансформаторов. В стержневых магнитопроводах обмотки располагаются на двух стержнях. При этом уменьшается толщина намотки и, следовательно, 132
индуктивность рассеяния трансформатора. Кроме того, уменьшается расход провода и увеличивается поверхность охлаждения, что важно для мощных трансформаторов. Стержневые магнитопроводы применяют для мощных выходных трансформаторов, а также для входных трансформаторов высокочувствительных усилителей.. Кольцевые магнитопроводы позволяют наиболее Полно исполь- зовать магнитные свойства материала, обеспечивают слабое внешнее магнитное поле трансформатора, однако применяются сравнитель- но редко вследствие сложности намотки трансформатора. Штампованные пластины чаще всего бывают Ш- и Г-образной форм. Пластины Г-образной формы используются для стержневых Рис. III. 13. Магнитопроводы из штампованных пластин: а—Ш-образный (броневой): б — стержневой. Рис. III.14. Витые (ленточные) маг- нитопроводы: а — броневой? б — кольцевой (торои- дальный). магнитопроводов, Щ-образные — для броневых. Размеры нормали- зованных броневых магнитопроводов из штампованных пластин приведены в табл. III. 14. Для сборки магнитопровода из Ш-образных пластин к ним добавляют перемычки. Чтобы ликвидировать зазор между пласти- нами и перемычками, магнитопровод собирают «вперекрышку». В магнитопроводах трансформаторов и дросселей, по обмоткам которых протекает постоянный ток (например, дроссели фильтров питания), делают немагнитный зазор. В этом случае пластины магни- топровода собирают в одну сторону. Между пакетами пластин и пере- мычек помещают прокладку из листового электроизоляционного материала необходимой толщины. Для уменьшения потерь на вихревые токи пластины изолируют тонким слоем лака (с одной стороны) или окисла, который образует- ся при отжиге. После сборки магнитопровода его стягивают планками или уголками при помощи шпилек с гайками либо специальными 133
Таблица III.14. Размеры нормализованных броневых магнитопроводов из штампованных пластин (см. рис. III. 13) Тип У, мм У1, ММ Ь, мм й, мм L, мм Н, мм Сред- няя длина пути маг- нитной линии, см III 9 9; 12 9 22,5 36 31,5 7,72 12 10; 42; 16; 20; 25; 32 12 30 48 42 10 16 10; 12; 16; 20; 25; 32; 40 16 40 64 56 13,7 20 12; 16; 20; 25; 32; 40; 50 20 50 80 70 17,4 25 16; 20; 25; 32; 40; 50; 64 25 62,5 100 87,5 21,4 32 20; 25; 32; 40; 50; 64; 80 32 80 ' 128 112 27,4 40 25; 32; 40; 50; 64; 80; 100 40 100 160 140 34,3 ША 5 6.3; 10 5 12,5 20 17,5 4,3 6 8; 12,5 6 15 24 21 5,2 8 10: 16 8 20 32 28 6,3 10 16; 20 10 25 40 35 8,6 12 25 12 30 48 42 10,3 ШВ 3 4; 6,3 3,5 8 14 12 2,8 4 4; 8 5 10 20 15 3,4 П римеч а'и и е. Типоразмер маг витопровода обозначается буквами Ш, ША или ШВ и цифрами, выражающими произведение уу1г например ША8Х16- Таблица 111.15. Размеры нормализованных ленточных броневых магнитопроводов (см. рис. III. 14, а) Тип у, ММ У1. мм Ь, мм й, мм L, мм Н, мм Средняя длина пути Маг- ниткой линии, см ШЛ 4 4; 5; 6,5; 8 4 10 16 14 3.4 5 5; 6,5; 8; 10 5 12 20 17 4,-2 6 6,5; 8; 10; 12,5 6 15 24 21 5,1 8 8; 10; 12,5; 16 8 20 32 28 6.8 10 10; 12,5; 16; 20 10 25 40 35 8,5 12 12,5; 16: 2о; 25 12 30 48 42 10,2 16 16; 20; 25; 32 16 40 64 56 13,6 20 20; 25; 32; 40 20 50 80 70 17,1 25 25; 32; 40; 50 25 62,5 100 87,5 21,3 32 32; 40; 50; 64 32 80 128 112 27.3 40 40; 50; 64; 80 40 100 160 140 34,2 ШЛМ 8 8; 10; 12.5; 16 5 14 26 22 5 10 10; 12,5; 16; 20 6 18 32 28 6,4 12 12.5; 16; 20; 25 8 23 40 35 8,1 16 16; 20; 25; 32 10 26 52 42 0,7 20 20; 25; 32; 40 12 36 64 56 12,7 25 25; 32; 40; 50 15 45 80 70 16 ШЛО 4 5; 6,5; 8; 10 5 13 18 17 4,4 5 5; 6,5; 8; 10 6,2 16 22.4 21 5,6 6 6; 8,5: 10; 12,5 7,5 23 27 29 7,3 8 8; 10; 12,5; 16 10 27 36 35 9,6 10 10; 12,5; 16; 20 12,5 32 45 42 11 12 12,5; 16; 20; 25 20 44 65 57 14,7 Г 16 16; 20; 25; 32 24 64 81 71 18,1 Примечание. Типоразмер магнитопровода обозначается буквами ШЛ, ШЛМ или ШЛО и цифрами, выражающими произведение yylt например ШЛМ 12x16. 134
Таблица HI.16. Размеры нормализованных ленточных кольцевых магнигопроводов типа ОЛ (см. рис. III. 14, б) d, мм D,mm Ъ, мм Средняя длина пути магнитной линии, см d, мм £),мм bt мм Средняя длина пути магнитной линии, см 10 16 4; 5; 6,5; 8 4 32 50 16; 20; 25; 32 12,8 12 20 5; 6.5; 8; 10 5 40 64 20; 25; 32; 40 16,3 16 26 6,5; 8; 10; 12,5 6,5 50 80 25; 32; 40; 50 20,4 20 32 8; 10; 12,5; 16 8,1 64 100 32; 40; 50; 64 25,8 25 40 10; 12,5; 16; 20; 25 10,2 80 128 40; 50; 64; 80 32,6 Примечание. Типоразмер магнитопровода обозначается буквами ОЛ, циф- рами в виде дроби, указывающими отношение d/D, и цифрой, указывающей размер Ь, например ОЛ32/5С-20. обжимками. Шпильки должны быть изолированы от пластин. Стяж- ные планки, уголки или обжийки служат одновременно для креп- ления трансформатора на шасси. Из полос электротехнической стали навивают Ш-, О-образные и тороидальные, (кольцевые) магннтопроводы. Ш-образиый и то- роидальный магннтопроводы показаны на рис. III. 14. Размеры нормализованных ленточных броневых магнитопроводов приведены в табл. III.15, а ленточных кольцевых — в табл. III.16. На рис. III. 15 представлен Ш-образный магнитопровод, из- готовляемый из ферритов. Размеры этих магнитопроводов при- ведены в табл. III. 17 (размеры кольце- вых магнитопроводов из низкочастотных ферритов приведены в табл. III. 12). Каркасы, на которые наматываются обмотки трансформаторов и дросселей, прессуют из пластмассы, склеивают из ® электрокартона или собирают из отдель- ных деталей, изготовленных из гети- накса, прессшпана, текстолита или элек- -L трокартона. Иногда применяют бескар- / касную намотку (на гильзу). На рис. III. 16 приведены собранный каркас и Чертежи Деталей. Рис. 1П.15. Ш-образный маг Обмотки трансформаторов и дрос- нитопровод из ферритов, селей разделяют на цилиндрические и галетные. Цилиндрическая обмотка (рис. III. 17, а) проще в изготовлении. При намотке, на каркас провод может уклады- ваться рядами (слоями) или беспорядочно (внавал). При повышен- ных требованиях к электрической прочности обмотки, например Таблица 111.17. Размеры Ш-образных магнитопроводов из ферритов (см. рис. IIIЛ5) Типораз- мер мм Ь, мм с, мм d, мм т, мм 1. ММ Средняя длина пути магнит- ной' линии, см Площадь окна, см8 Марки феррита Ш2.5Х2.5 10 6,5 2,5 3,3 5 2,5 3,3 0,13 4 000НМ, ШЗхЗ 12 8 3 4 , 6 3 4 0,2 2000НМ, Ц14Х4 16 10,4 4 5,2 8 4 5,2 0,33 2000НМ1, Ш5х5 20 13 5 6,5 10 5 6,6 0.52 700HM, Шбхб 24 16 6 8 12 6 8 0,8 600НН 135
Продолжение табл. II1.17 Типо- размер а, мм bt мм с, мм d, мм е, мм /, мм Средняя длина пути магнит- ной линии, см Площадь окна, см2 Марки феррита Ш7Х7 30 19 7 9,5 15 7 9,5 U4 4000НМ, 1П8Х8 32 23 8 11,5 16 8 11 1,72 2000НМ, Ш10Х10 36 26 10 13 18 10 12 2,1 200011М1, 600НН, И112Х15 42 30 12 15 21 15 14 2.7 2000НМ. Ш16Х20 54 38 16 19 27 20 18 4,2 2000НМ,- 11120X28 65 44 20 22 32 28 21 5,3 2000НМ1 Примечание. Магнитопроводы составляются из двух одинаковых частей. в трансформаторах питания, применяют рядовую намотку. Для увеличения электрической прочности обмотки используют межСлое- вую изоляцию (между каждым рядам или после нескольких рядов). В качестве такой изоляции в зависимости от требуемых электри- ческой прочности, теплостойкости и допустимой стоимости приме- няют ленты из бумаги (толщина 0,006...0,2 мм), лавсана или фторо- пласта. Межобмоточная изоляция выполняется так же,’ как и меж- слойная, но состоит из нескольких слоев ленты (в зависимости от РиС. 111.16. Каркас катушки тран -форматора в собранном виде (а) и детали (по 2 шт.) (б); 1 — щечки; 2, 3 — пластины. напряжения между обмотками). В трансформаторах согласования и дросселях для полупроводниковой аппаратуры можно применять намотку внавал без межслойной изоляции. При намотке внавал получается меньшая собственная емкость трансформатора. Для уменьшения собственной емкости обмотки секционируют, наматывая их на каркасы с перегородками. Если обмотка должна быть симметричной, ее разделяют на две равные части, которые наматывают в разные стороны в виде отдель- ных секций. Общей (средней) точкой является соединение концов или начал полуобмоток. Пр’и малых напряжениях симметричную обмотку можно наматывать двумя проводами, сложенными вместе. Галетная обмотка (рис, III. 17, б) сложнее в изготовлении, но отличается более высокой электрической прочностью, меньшими .собственной емкостью и индуктивностью рассеяния и допускает ремонт путем замены галет. Для намотки галет используют спе- 136
цнальные оправки, состоящие из гильзы и двух щечек с радиаль- ными прорезями. Перед намоткой в прорези вкладывают отрезки прочных ниток, которыми скрепляют витки после намотки галеты. Разновидность галеты — обмотка, изготовленная печатным способом из фольгированного пзоля.циоиного материала. Печатные галеты собирают в общий пакет и соединяют между собой. Такие обмотки применяют для трансформаторов очень малой .мощности, особенно при небольших токах. Симметричность галетной обмотки достигается разделением ее на две равные части, которые наматывают и соединяют так же, как и в случае цилиндрической обмотки. Для обмоток трансформаторов и дросселей применяются мед- ные обмоточные провода (см. гл. I, § 2-). Диаметр провода определя- Рвс. 111.17. Обмотки трансрорматогов и дросселей; а — цилиндрические; б — галетные (/ — первичная; 2— вторичная). ется плотностью тока, сопротивлением обмотки, соображениями удобстна намотки и надежностью. Очень тонкие провода (с диа- метром менее 0,07 мм) ие так надежны, значительно дороже и услож- няют намотку. Вид изоляции провода выбирают в зависимости от рабочей температуры обмотки, требуемой ее электрической проч- ности, допускаемого коэффициента заполнения окна магнитопрово- да. В трансформаторах для полупроводниковой аппаратуры, пред- назначенной для работы в нормальных условиях, обычно исполь- зуют провода н эмалевой изоляции (марки ПЭЛ, ПЭВ и др.). Выводы обмоток выполняют тем же проводом, что и обмотку (если диаметр провода не очень мал), или как отдельную деталь в ниде от- резка гибкого многожильного изолированного провода, припаивае- мого к концу (началу) провода обмотки. Для повышения надежности соединения необходимо обеспечить плавный переход жесткости от места пайки к выводу, исключить соприкосновение места пайки с химически активными материалами (например, пропиточными со- ставами) и обеспечить защиту его от воздействия влаги. Для защиты трансформаторов и дросселей от воздействий внеш- ней среды их обмотки пропитывают изоляционными материалами (см. гл. I, § 6). Кроме того, трансформаторы и дроссели обволаки- вают компаундами или герметизируют. 137
§ S. Маломощные трансформаторы питания Наиболее важными электрическими параметрами трансформаторов питания являются выходное напряжение, номинальная мощность, КПД, падение напряжения. Номинальной мощностью трансформатора питания называют сейму номинальных мощностей вторичных обмоток (ГОСТ 80938—75). Номинальная мощность вторичной обмотки определяется как про- изведение тока при номинальной нагрузке на номинальное напря- жение. Ряд номинальных напряжений вторичных обмоток установ- лен ГОСТ 10763—64. Допустимые отклонения напряжений от но- минальных ±0,15 В при номинальных напряжениях не более 7,5 В и ±2% при номинальных напряжениях более 7,5 В (ГОСТ 14233—74). Номинальная мощность трансформатора пропорциональна час- тоте напряжения сети, индукции в магнитопроводе, плотности тока обмоток, площади сечения стали в магнитопроводе и площади се- чения меди, заполняющей окно магннтопровода. КПД трансформатора П = Рном/(Рном + Рмп + Роб)' где Рном — номинальная мощность трансформатора; Рмп — мощ- ность потерь в магнитопроводе; Роб — мощность потерь в обмотках. Падение напряжения KU, выраженное в относительных еди- ницах, показывает степень изменения выходного напряжения при полном изменении тока нагрузки от нуля до номинального значе- ния: KU = РО(,1РНОЫ- Следовательно, для повышения стабильности выходного напряжения необходимо уменьшать потери в обмотках путем снижения сопротивления обмоток. Масса и габаритные размеры трансформатора зависят от номи- нальной мощности, напряжения, КПД и допустимой температуры перегрева трансформатора. Конструктивный расчет маломощного трансформатора питания проводится по заданным среднеквадратическим значениям напряжений питающей сети Ult вторичных обмоток U2, Us, , Un и токов вторичных обмоток /2, /3.....1п- В результате расчета находят типоразмер магнитопровода (если он не задан), число витков каждой обмотки w,, и>2, .... Wn', диаметры проводов каждой обмотки dlf d2, , dn- Расчет выполняют в следующем порядке. Определяется номинальная мощность трансформатора п рном=хр- Z—2 где Pi — Uili. Значения напряжений и токов обмоток, предназначен- ных для выпрямителей, вычисляются при расчете выпрямителя (см. гл. VIII, § 3). Определяется произведение ,5м5ок ~ ^PaoM/fBmikOKkM, где SM — площадь сечения магнитопровода, см2; S0K — площадь окна марнитопровода, см2; Рноы — мощность, Вт; f — частота питающей сети, Гц; Вт — амплитуда магнитной индукции в магнитопроводе, Т: j — плотность тока в обмотках, А/мм2; /гок—коэффициент заполне- 138
вия окна магнитопровода; kM — коэффициент заполнения сечения стержня магнитопровода. Значение Вт можно выбрать по графику (рис. III. 18) в зависимости от габаритной мощности трансформатора Рг ~ (1,05... 1,3) Риоы и марки стали. Наибольшее значение коэффи- циента при Риом соответствует трансформаторам с Риом < 10 В-А, наименьшее—трансформаторам с Рном > 100 В • А. Плотность тока в обмотках выбирают от 2 (при Р > 200 В • А) до 6 А/мм2 (при Рном — 10 А • В и менее). Коэффициент kOK тем меньше, чем тоньше провода обмоток (чем меньше поминальная мощность трансформатора). Для броневых трансформаторов с Р = 15... 50 В-A можно при- нимать /г = 0,22...0,28, с Рнпм = 50...150 В . А А = 0,28...0,34 и KJix Hum Uxi для трансформаторов большей мощ- ности Лок = 0,35...0,38. Коэффициент kw зависит от толщины листов и вида их изоля- ции. Для магнитопроводов из Ш-об- разных пластин толщиной 0,1 мм, изолированных лаком, можно при- нять kM ~ 0,7, при толщине пластин 0,2 мм ku= 0,85 и при толщине плас- тин 0,35 мм &м = 0,91. Если плас- тины изолированы фосфатной плен- кой, то можно принимать kM — = 0,75; 0,89 и 0,94. Рис. III. 18. График для выбора ин- дукции в зависимости от габаритной мощности трансформатора при час- тоте 50 Гц для сталей: / —Э41, 343; 2, 3 — Э310 {2 — маг- нитопровод из пластин; 3 — ленточ- ный магнитопровод). Определяются размеры магни- л'опровода (см. тЪбл. II 1.14 и III. 15). Для маломощных транс- форматоров рекомендуются броне- вые магнитопроводы, позволяю- щие изготовить трансформаторы меньших размеров, массы и стоимости. Для выбранного магнито- провода должно выполняться условие yyibh > SMS0K. Отношение у1/у не должно превышать 2...2,5. В противном случае следует выбрать пластины большего размера. Для кольцевых магни- топроводов должно выполняться условие (D~d)d*b>3SMSOK, где D, d, b — размеры магнитопровода (см. табл. III. 16). Определяется число витков обмоток да,- = 2200UiffBmSM, где L’i — напряжение на Z-й обмотке, В; f — частота, Гц; Вт —- амплитуда магнитной индукции, Т; 5М — площадь, см2. Число вит- ков вторичных обмоток следует увеличить на 2...5%, чтобы учесть внутреннее падение напряжения; Наибольшее значение относится к трансформаторам с номинальной мощностью до 10 В- А, наи- меньшее — к трансформаторам с номинальной мощностью не менее 200 В • А. 139
Определяются диаметры проводов обмоток di = 1,13 /7777, где Ц — ток г-й обмотки, А; / — плотность тока, А/мм2. Ток в пер- вичной обмотке примерно равен 1,ЕРН0М/Uj. Из табл. 1.4 выбирают ближайшие большие значения диаметров проводов. Проверяется размещение обмоток на магнитопроводе. Число витков в слое цилиндрической обмотки “’сЛ=Р-2(6к+1)]/1^из, где h — высота окна, мм; 6К — толщина материала каркаса, мм; dH3 — диаметр провода, мм, с изоляцией (см. табл. 1.4). Число слоев обмотки Л' = a S Рис. III.19. Схемы переключения иа разные напряжения сети первичных обмоток сетевых трансформаторов питания: = ш/шсл, где w — число витков обмотки. Толщина обмотки 6об = = л?ел(^з + «из)> где 6из-тол- щина изоляции между слоями. Должно выполняться условие Ъ > «к + X «об + «пр. где Х«об~ суммарная толщина всех обмо- ток; 6пр — суммарная толщина всех прокладок между обмотками; Ь — ширина окна. Если это условие не выполняется, следует увели- чить размеры м'агнитопровода и вы- полнить ' расчет трансформатора снова. а — с одной; б — с двумя секциями. Схемы переключения первич- ных обмоток трансформаторов пи- тания приведены на рис. III. 19. Оии рассчитаны иа подключение трансформаторов к сети переменного тока с напряжением 220 и 127 В. В схеме, данной на рис. III.19, а, первичная обмотка выпол- нена с отводами, рассчитанными В схеме, приведенной на рис. 111.19/ б, первичная обмотка состоит из двух секций, рас- считанных на напряжение 127 В. Одна из секций имеет отвод, рассчитанный на напря- жение 93 В (участок 1—2). Прн включении на 127 В секции соединяются параллельно, при включении на 220 В включа- ются последовательно участки 1—2 и 4—5. Вторая схема по- зволяет лучше использовать на соответствующие напряжения, /I 12'3 И <5 /6 17 18 >9 2021 22 Рис. 111.20. Схема унифицированных - трансформаторов питания типа ТПП: 1 . . 22 — номера выводов. провод, поскольку обе секции наматываются проводом, рассчитан- ным на ток при напряжении питания 220 В. Недостатками этой схемы являются необходимость точно выдерживать число витков при намотке обеих секций и большее число выводов, что услож- няет процесс намотки и снижает надежность трансформатора. Унифицированные трансформаторы питания разработаны на базе нормализованных магнитопроводов и выпускаются в массовом 140
Таблица Ill. 18. Электрические параметры трансформаторов питания типа ТПП (см. рис. 111.20) Типономинал Номиналь- ная мощ- ность, В* А Ток пер- вич ной обмотки *, А Напряжение вторич- ных обмоток, В Номиналь- ный ТОК - БТОрИЧНЫХ обмоток, А 11, II' III, пг IV, V ТПП201-127/220-50 1,65 0,03 1,25 1,25 0,35 0,29 ТПП202-127/220-50 1,65 0,017 1,24 2,48 0,65 0,188 ТПП203-127/220-50 1,65 2,53 . 2,51 0,65 0,146 ТПП204-127/220-50 1,65 2,5 5 1,3 0,094 ТПП205-127/220-50 1,65 2,5 10 0,65 0,063 ТПП206-127/220-50 1,65 5 5 1,32 0,073 ТПП207-127/220-50 1,65 5 20 1,3 0,031 ТПП208-127/220-50 1,65 10 10 2,6 0,037 ТПП209-127/220-50 1,65 10 20 5 0,024 ТПП210-127/220-50 3,25 0,045 1,26 1,25 0,35 0,57 ТПП211-127/220-50 3,25 0,025 1,25 2,48 0,35 0,4 ТПП212-127/220-50 3,25 1,26 2,48 0,65 0,37 ТПП213-127/220-60 3,25 2,52 2,5 0,65 0,29 ТПП214-127/220-50 3,25 4 4.3 0,73 0,147 ТПП21Б-127/220-50 3,25 5 10 1,3 0,1 ТПП216-127/220-50 3,25 10 10 2,6 0,072 ТПП217-127/220-50 3,25 10 20 2,64 0,05 ТПП218,-127/220-50 3,2Б 10 20 5 0,046 ТПП219-127/220-50 5,5 0,071 1,26 1,25 0,35 0,965 ТПП220-127/220-50 5,5 0,041 2,53 2.5 0,66 0,485 ТПП221-127/220-50 Б, 5 2,48 5 1,32 0,31 ТПП222-127/220-50 5,5 2,48 10 0,66 0,21 ТПП223-127/220-50 5,5 5 Б 1,25 0,244 ТПП224-127/220-50 5,5- 5 10 2,61 0,156 ТПП225-127/220-50 5,5 10 20 2/57 0,084 ТПП226-127/220-Б0 5,5 0,11 20 20 3,96 0,063 ТПП227-127/220-Б0 9 1.25 1,24 0,35 Л 1,57 ТПП228-127/220-50 9 0,061 1,25 2,5 0,67 1,02 ТПП229-127/220-50 9 2,54 2,52 0.68 0,8 ТПП230-127/220-50 9 2,48 Б 0,66 0,55 ТПП231-127/220-50- 9 2,5 10 2,6 0,3 ТПП232-127/220-50 © 5,04 10 2,63 0,268 ТПП233-127/22О-Б0 . 9 Б 2JD 1.3 0,17 ТПП234-127/220-Б0 9 10 10 2,56 0,2 ТПП23Б-127/220-50 9 10 20 2,57 0,138 ТПП236-127/220-Б0 9 10 20 5 0,128 ТПП237-127/220-50 9 0,175 20 20 4 о,1 ТПП238-127/220-50 14,Б 5 10 1,3 0,446 ТПП239-127/220-Б0 14,5 0,1 1,24 1,23 0,34 2,55 ТПП240-127/220-50 14,5 1,24 2,5 0,34 1.77 ТПП241-127/220-50 14,5 2, Б 2,5 0,62 1,28 ТПП242-127/220-50 14,5 2,46 5 1,28 0,83 ТПП243-127/220-Б0 14,5 2,46 10 0,68 0,55 ТПП244-127/220-Б0 14,6 4 6,27 0,74 0.6Б5 141
Продолжение табл. III. 18 Типономинал Номиналь- ная мощ- ность, В • А Ток пер- вич ной обмот- ки *, А Напряжение вторич- ных обмоток, В Номиналь* ный ток вторичных обмоток^ А II. II' III, III' IV, V Т11П245-127/220-50 14,5 0,175 5 10 2,61 0,415 1 ПП246-127/220-50 14,5 0.1 5 20 5 0,24 ТПП247-127/220-50 14,5 10 20 2,58 0,22 ТПП248-127/220-50 14,5 20 20 4 0.165 ТПП249-127/220-50 22 0,25 1,25 2,51 0.35 2,56 ТПП250-127/220-50 22 0,145 2.5 5 0,63 1,35 „ТПП251-127/220-50 22 2,5 10 2,58 0,73 ТПП252-127/220-50 22 5 5 1,32 0,97 ТПП253-127/220-50 22 5 10 2,58 0,61 ТПП254-127/220-50 31 0,34 2,5 5 1,34 1,76 ТПП255-127/2 20-50 31 0,19 2.5 10 0,72 1,18 ТПП25В-127/220-50 31 4 6,3 0.72 1.4 ТПП257-127/220-50 31 5 5 1.35 1,37 ТПП258-127/220-50 31 5 10 2,6 0.88 ТПП259-127/220-50 31 5 20 1,34 0,59 ТПП260-127/220-50 31 10 10 2.5 0,69 ТПП261-127/220-50 31 f 10 20 2,6" 0,47 ТПП262-127/220-50 31 20 20 4,1 0,35 ТПП263-127/220-50 57 0.615 1,28 1,26 0,36 10 ТПП264-127/220-50 57 0,36 2,48 2,45 0,7 5 ТПП265-127/220-50 57 2,45 5 0,69 3,5 ТПП266-127/220-50 57 2,48 10 2,57 1.9 ТПП267-127/220-50 57 5 4,95 1,31 2,52 ТПП268-127/220-50 57 5 10 2,55 1,62 ТПП269-127/220-50 57 5 20 1,33 1,08 ТПП270-127/220-50 57 10 10 2.5« 1,25 ТПП271-127/220-50 57 10 20 4,95 0,81 ТПП272-127/220-50 72 0,72 2,5 5 1.35 4.1 ТПП273-127/220-50 72 0,42 1,25 1,25 0,42 12.5 ТПП 274-127/220-50 72 1.25 2,5 0.46 8,8 ТПП275-127/220-50 72 2,5 2,5 0,68 6,3 ТПП276-127/220-50 72 2.5 10 0,71 2,73 ТПП277-127/220-50 72 5 5 1,35 3,2 ТПП278-127/220-50 72 5 ю - 1,35 2,2 ТПП279-127/220-50 72 5 20 5 1.2 ТПП280-127/220-50 72 10 10 2.6 1,6 ТПП281-127/220-50 72 10 20 2,62 1.1 ТПП282-127/220-50 72 20 20 4 0.81 ТПП283-127/220-50 90 0,94 1,25 2,48 0,62 10,2 ТПП284-127/220-50 90 0.55 2,46 5 0,61 5.5 ТПП285-127/220-50 90 2.5 9,95 2,61 3 ТПП286-127/220-50 90 3,9 6,34 0,75 4.1 ТПП287-127/220-50 90 5 10 2,63 2,55 ТПП288-127/220-50 90 5 20 1.32 1.7 ТПП289-127/220-50 90 I10 20 5 1.3 * Числитель дроби — ток при напряжении питания 127 В, знаменатель =- при 220 В. 142
порядке. Для аппаратуры на полупроводниковых приборах выпус- каются трансформаторы питания типа ТПП (табл. 111.18) броневой конструкции. Все они рассчитаны на питание от сети напряжением 127 и 220 В и частотой 50 Гц. Схема трансформаторов типа ТПП приведена на рис. III.20, а их конструктивные параметры — в табл. III.19. Таблица Ш.19. Конструктивные параметры трансформаторов питания типа ТПП Тип тран сформатора Типоразмер ма гнитопрсвода Габаритные размеры, мм Масса, г, не более » ТПП201...209 ШЛ12Х16 52x56x52 365 ТПП210...218 ШЛ12Х20 56 X 56x52 ’ 420 ТПП219...226 ШЛ12Х25 62x56x52 490 ТПП227...237 ШЛМ20Х16 53X72X68 £50 ТПП238...248 1Ш1М20Х20 57x72x68 750 ТПП249...253 ШЛМ20Х25 62X72X68 850 ТПП254...262 ШЛМ20Х32 €9x72x68 1С00 ТПП263...271 ШЛМ25Х25 68X88X82 1400 ТПП272...282 ШЛМ25Х32 75X88x82 1700 ТПП283...289 ШЛМ25Х40 83x88x82 2100 § 6. Согласующие трансформаторы Согласующие трансформаторы применяются чаще всего в выходных каскадах УНЧ для согласования сопротивления нагрузки с выход- ным сопротивлением выходного каскада. Для междукаскадной свя- зи согласующие трансформаторы применяют, когда требуется боль- шая амплитуда тока на выходе усилителя. В этом случае использова- ние согласующего трансформатора на входе оконечного каскада позволяет значительно повысить усиление мощности сигнала и сни- зить расход энергии питания. Кроме того, в предоконечном каскаде может быть применен транзистор меньшей мощности. Междукас- кадный трансформатор необходим также при очень низком входном сопротивлении следующего каскада. На входе усилителя согласую- щие трансформаторы применяются, когда источник сигнала имеет малое выходное сопротивление и развивает малую ЭДС или при необходимости симметрирования входной цепи. Основные параметры согласующих трансформаторов: индуктив- ность первичной обмотки £ь индуктивность рассеяния Ls, активное сопротивление обмоток г, собственная емкость Стр, коэффициент трансформации п, постоянная времени трансформатора ттр, кри- тическая мощность Ркр, КПД и уровень нелинейных искажений, вносимых трансформатором. Величины Li, Ls, Стр и г вместе с сопротивлением нагрузки определяют частотные искажения трансформаторного каскада. Ин- дуктивность Li зависит от постоянной и переменной составляющих токов в обмотках, которые влияют и на уровень нелинейных искаже- ний, Чтобы частотные искажения ие превышали допустимых, 143
значение Lj должно быть достаточно большим, a Ls и Сгр — достаточно малыми. Коэффициент трансформации — отношение числа витков вто- ричной и первичной обмоток. Значение п выбирается из условия со- гласования сопротивлений источника сигнала и йагрузки. Постоянная времени трансферматора, работающего в режиме класса А, определяется по формуле ^ = 2^, (III.3) а работающего в режиме класса В — по формуле ' ттр = 3,4£1/г1, (III. 4) где Lt — индуктивность, Г; —активное сопротивление, Ом, пер- вичной обмотки. Постоянная времени трансформатора зависит только от геометрических размеров магнитопровода и обмоток, а также от свойств материалов магнитопровода и проводов. Критическая мощность трансформатора — мощность, при ко- торой вносимые трансформатором нелинейные искажения равны максимально допустимым. Нелинейные искажения, вносимые трансформатором, обуслов- лены нелинейностью характеристики намагничивания магнитопро- вода и в ряде случаев нестационарными процессами при отсечке тока в обмотках. Для того чтобы искажения не превышали допусти- мого уровня, амплитуда магнитной индукции в магнитопроводе при наибольшей амплитуде сигнала на трансформаторе и иаиниз- шей частоте должна быть не больше допустимого значения, которое зависит от свойств материала магнитопровода. Нелинейные искажения, обусловленные отсечкой тока в об- мотках, например, при работе усилителя в режиме класса В, про- являются в основном на высших рабочих частотах. Для уменьшения этих искажений необходимо уменьшить индуктивность Ls. Расчет согласующих трансформаторов низкой частоты. Для конструктивного расчета трансформатора обычно задают (получен- ные из электрического расчета) индуктивности Lj и Ls, сопротив- ления обмоток /] и г21 коэффициент трансформации п, ток постоян- ного подмагничивания /0, амплитуду напряжения на первичной обмотке Um и наииизшую рабочую частоту fa. Ориентировочный расчет выполняется в следующем порядке: I. Выбирают магнитный материал для магннтопровода, учи- тывая требования к массе, габаритным размерам трансформатора и его стоимости, а также условия работы трансформатора в усили- теле. Так, для входных трансформаторов, к которым предъявля-. ются требования минимальных габаритных размеров, следует ис- пользовать железо-никелевые сплавы марок 79НМ и 80НХС (см. гл. I, § 7). При менее жестких требованиях в отношении габа- ритных размеров и требованиях минимальной стоимости целесооб- разно использовать ферриты с высокой магнитной проницаемостью (марки 10000НМ, 6000НМ, 4000НМ). Для маломощных (сотые доли ватта) трансформаторов различного назначении, работающих без подмагничивания, также можно применять железо-иикелевые спла- вы и ферриты с высокой проницаемостью, а для трансформаторов, работающих с подмагничиванием,— те же материалы, но с мень- шей магнитной проницаемостью. Для трансформаторов с мощностью порядка десятых долей ватта, работающих без подмагничивания, при жестких требованиях в отношении габаритных размеров сле- 144.
дует применять сплавы 45Н, 50Н, 79НМ, при требовании минималь- ной стоимости — стали марок Э310...Э330. При работе с подмагни- чиванием целесообразно использование сталей марок Э42, Э43 и Э310...Э330. Для трансформаторов с мощностью порядка единиц ватт наиболее пригодны стали марок Э310...Э330, однако можно использовать и стали марок Э42, Э43. Толщину листов (или ленты) магнитного материала следует выбирать по низшей частоте сигнала. Так, при низшей частоте до 100 Гц толшинз стальных листов выбирается 0,35 мм, железо-нике- левых сплавов — 0,2...0,35 мм. 2. Выбирают типоразмер магннтопровода. Свойства магнито- проводов различных типов рассмотрены в § 4. Размеры магнитопро- вода выбирают так, чтобы на нем размещались обмотки и чтобы амплитуда магнитной индукции не превышала допустимой. Для пред- варительного выбора магнитопровода-рассчитывают минимально до- пустимое значение постоянной времени трансформатора по формуле (Ш.З) или (Ш.4). Далее, используя табл. Ш. 14. III. 15 или III.17, подбирают такой магнитопровод, для которого выполняется усло- вие 7 • i0~aSMSOKkMkQK/lMlB > т1р/р, (111.5? где SM и SOK — площади сечения и окна магнитопровода соответст- венно, см2; kM и kOK — коэффициенты заполнения сечения стержня и окна магнитопровода соответственно; 1Ы и 1В — средняя длина пути магнитной линии и витка обмоток соответственно, см; тгр— постоянная времени трансформатора, Г/Ом. Значения SM и SOK вычисляют по размерам магнитопровода (см. табл. III.14, III.15 или III.17), значение kM выбирают так же, как и в случае трансфор- маторов питания (см. § 5), значение kotl можно принять равным 0,25 (для аппаратуры на полупроводниковых^приборах), значения /м приведены в табл. III.14, III.15 и III.17, значение /в можно оп- ределить по формуле 1В + j/|) + лЬ, где у, yt, b — размеры магнитопровода. Если трансформатор работает при слабых сигналах без подмаг- ничивания, магнитопровод выполняют без зазора и в формулу (III.5) подставляют значение начальной магнитной проницаемости материала. При постоянном подмагничивании в формулу (III.5) подставляют значение обратимой магнитной проницаемости рг (см. гл. I, § 7) с учетом оптимального немагнитного зазора. На рис. Ш.21 приведен график для ориентировочного определения р, в зависимости от произведения LIg. Если L/g < 100 Г • мА2, то в формулу (III.5) можно подставлять значение рн. В данном-слу- чае L — Li. 3. Определяют число витков первичной обмотки Wl = 8920 /LI/M/SMp, (III.6) где Li — индуктивность, Г; 1Ы — длина пути магнитной линии, см; SM — площадь, см2; р = рн (для трансформаторов, работающих при слабых сигналах без подмагничивания) и р = р, (Для транс- форматоров, работающих с подмагничиванием). 145
Далее вычисляют напряженность подмагничивающего * поля по формуле Нв = 4ящ17п//м (III.7) (Wo— напряженность, А/м; /0—ток,- А; /м — длина, м), уточ- няют значение р, (см. рнс. 1.4) и число витков по формуле (III.6), Для трансформаторов, работающих при сильных сигналах, на- пример выходных, определяют число витков первичной обмотки по заданной амплитуде Индукции Вт в магнитопроводе (без постоян- ного подмагничивания): = 3500t/m//S В , * 1,1 1 Н М /И * 3* Рис. III.21. График для ориентиро- вочного определения обратимой маг- нитной проницаемости (L — индук- тивность катушки; /0 — ток подмаг- ничивания). Рис. Ш.22. График для опреде- ления относительной длины не- магнитного зазора в магнито про- водах. где UM — амплитуда напряжения иа первичной обмотке, В; / — частота, Гц; 5М — площадь, см2; — амплитуда индукции, Т. Для электротехнической стали значение Вт можно принять равным 0,3...0,4 Т при мощности трансформатора до 0,1 В • А, 0,4...0,6 Т при мощности 0,1...! В • А, 0,6...0,8 Т при мощности 1.4.10 В • А. Для сплава 80НХС значение Вт не должно превышать 0,1 Т, а для сплава 45Н — 0,2 Т. Из двух полученных значений числа витков нужно выбирать большее. 4. Определяют длину немагнитного зазора (длятрансформаторов, работающих с подмагничиванием). Для этого уточняют напряженность магнитного поля по формуле (III.7) и по графику (рис. III.22) нахо- дят относительную длину немагнитного зазора 60тн. Далее вычисляют длину зазора 63= 1^^/ 100. 5. Находит число витков вторичной обмотки: ьи2= win. ' 6. Определяют диаметры проводов обмоток. Исходя из допустимой плотности тока диаметр провода первичной обмотки рассчитывают по формуле ^, = 0,8 где d,—диаметр, мм; — ток в обмотке, А. 146
Для получения требуемого сопротивления обмотки гг диаметры про- водов определяют по формуле с1г = 1,5 • 10~2[ w^/r^, где- dj— диаметр, мм; /в — средняя длина витка, см; гг— сопротивление, Ом. Выбирают большее значение диаметра провода и округляют его до ближайшего стандартного (см. табл. 1.3). Диаметр провода вторичной обмотки определяют из условия получения наибольшего КПД трансформатора: d2 = d-Jj/"n. 7. Проверяют размещение обмоток на магиитопроводе (см. § 5). Если условие размещения не выполняется, выбирают магнитопро- вод большего размера и проводят расчет трансформатора снова. 8. Определяют индуктивность рассеяния трансформатора: [бПр + 0,33 (6об1 + 6об2)] 10-VAo6, где Ls — индуктивность, мГ; /в — средняя длина витка, см; Аоб — высота обмотки, см; 6пр — толщина прокладки между обмот- ками, см; 6об1 и 6об2 — толщины обмоток, см. Если индуктивность рассеяния превышает заданное допустимое значение, применяют галетную обмотку (см. § 4). Пример. Задано = 0,5 Г; Ls-^. 100 мГ; гг = 10 Ом; п — 0,22; /0 = 50 мА; Um = 10 В; /н = 100 Гц. Выбираем электротехническую сталь марки Э310 и толщину листа 0,2 мм. По табл. 111.14 выбираем магнитопровод Ш16 х 16, для ко- торого b = 1,6 см, h = 4 см, у = 1,6 см, z/j = 1,6 см, / = 13,7 см. Вычисляем SM = 1,6 X 1,6 = 2,56 см2; SOK = 1,6 X 4 = 6,4 см2; /в = = 2 (1,6-j- 1,6) + я 1,6 = 11,4 см. Принимаем £м = 0,85; £ок = 0,25. Определяем = 0,5 • 502 = 1250 Г • мА2. По графику (рис. III.21) находим |1Г= 340, ттр/цг = 0,5/10 • 340 = 1,47• 10-4. Проверяем выпол- нение условия (III.5): (7 • 10~3) • 2,56 • 6,4 • 0,85 - 0,25/13,7 • 11,4 = = 1,45 • 10~4яг 1,47 • Г0~4. Принимаем для дальнейших расчетов магнитопровод Ш16 X 16. Вычисляем = 892b 0,5-13,7/2,56-340 = = 790 витков; Но = 4л 790 • 0,05/13,7 = 36,2 А/м. Принимаем р = = цц = 500. Уточняем ci'j = 650 витков; Принимаем Вт = 0,5 Т и находим = 3500 • 10/100 • 2,56 • 0,5 = 175 витков. Принимаем большее значение: teij = 790 витков; w2 = 650 • 0,22 — 174 витка; d1 = 0,8 [/бД5 — 0,18 мм; dt = 1,5 - 10~2 [/790 - 11,4/10 = 0,45 мм. Выбираем провод ПЭВ-1 0,44; d, из = 0,48 мм; d2 = 0,44/[/0,22 = = 0,94 мм. Выбираем провод ПЭВ-1 0,93; d21I3=0,99 мм. Прини- маем 6К = 1 мм и находим шсл1 = [40 — 2 (1 +1)]/1,3 • 0,48 — 58 вит- ков; /гсл1 = 790/58 ~ 14 слоев: 6об1 = 14 (0,48 + 0,1) — 8 мм; щсл2 = [40 — 2(1 + 1)]/1,3 -0,99 — 28 витков; Л'сл2== 174/28.^6; 6об2 = = 6 (0,99 -ф- 0,05) — 6 мм. Принимаем 6пр = 0,3 mmj У 6об = 8 -ф- 6 — яг 14 мм; Ь= 16 мм > 14+1 +0,3= 8,5 мм; Ls = 7902 - 11,4 [0,3 + + 0,33 (8 + 6)] 10-5 /3,8 яг 100 мГ. Унифицированные согласующие трансформаторы. Для аппара- туры на транзисторах промышленностью выпускаются входные трансформаторы типа ТВТ и выходные (оконечные) трансформаторы типа ТОТ. Их схемы приведены на рис. III.23. Трансформаторы типов ТВТ и ТОТ характеризуются неравномерностью АЧХ не 147
Таблица TII.20. Основные параметры унифицированных входных трансформаторов Тип Входное сопро- тивление, Ом, на выводах Сопротивление на- грузки, Ом, на выводах Индуктивность, г Коэффициенты трансформации Число витков первичной обмотки Сопротивление об- моток постоянному току при 20° С, Ом 1-2 1-3 4-5 4—6 первичной обмотки рассея- ния л t *2 «8 «4 первичной вторичной ТВТ1 50 100 250 500' 0,035 0,003 1,7 2,4 2,4 3,45 290 10,9 130 ТВТ2 200 400 250 500 0,14 0,01 0,85 1,2 1,2 1,74 580 44 130 ТВТЗ 600 1200 250 500' 0,42 0,04 0,49 0,7 0,7 1,0 1000 125 130 ТВТ4 2500 5000 250 500 1,75 0,12 0,245 0,35 0,35 0,5 2000 485 . 130 ТВТЗ 50 100 1000 2000 0,035 0,00 24 3,4 4,8 4,8 6,9 290 10,9 520 ТВТ6 200 400 1000 2000 0,14 0.01 1,7 2,4 2.4 3,45 580 44 520 ТВТ7 600 1200 1000 2000 0,42 0,03 0,98 1,4 1,4 2 1000 125 520 ТВТ8 2500 5000 ' 1000 2000 1,75 0,12 0,49 0,7 0,7 1- 2000 485 520 ТВТ9 50 000 — 500** — 17,5 1.2 0,11 —> — 6300 4300 100 ТВТ10 500 000* 500*** — 175 12 0,035 — —• 10 000X2 6500X2 97X2 • На выводах 1—4. ••На выводах 3—4. •••На выводах 5—8.
н 3 й Ч Н Н И Ч Ч Ч Ч Ч НЧ“Ч“Ч-Ч>Ч Ч Ч Ч Ч Ч Ч ч Ч Ч ч ч ч ч ч ч ч ч ч о о о о о о о оо о о о о о о о о о о о о о о о о ос о о о о о о Q Q о Н Н Н -4 -Ч Н Ч ч Ч Н Ч Ч i Ч Ч ч Н Ч Ч Ч Ч Ч Ч Ч Ч ч ч Н Ч J Ч ч Ч ч н rfx Л* W w СХ> QJ MQJMWWW М tc N Ю М Ю ГО Ю ГО ГО ►- X ►— т— ►— X X ►— О о о с — С о СО Ч 3> СЛ W го — О Ч? 00 -Ч ОТ СЛ w М ►- о О СО -Ч от СЛ Л» Q0 го ». о О СО Ч ffl Тип 1.0 l.o 2.5 2,5 2.5 2,5 2.5 2.5 2.5 2:5 2,5 2.5 2.5 2,5- Э О О О D О О О О О О О О О DO О О О О О О Номинальная мощ- ность, Вт 425 425 106 106 106, 106 106 106 150 150 150 150 150 150 425 425 425 425 210 210’ 210 210 300 300 300 500 300 зол э о 150 150 150 150 150 150 1-2 Входное сопро- тивление, Ом, на выводах 950 950 240 240 240 240 240 240 330 330 330' 330 330 330 950 950 950 950 475 475 475 475 600 600 600- 600 600 ллп Л СЛ 330 330 330 330 ' 330 330 1-3 1700 1700 -425 425 ' 425 425 425 425 590 590 590 590 590 590 850 850 850 850 1175 1175 1175 1175 1175 1175 1700 1700 1700 -1700 зс оо л СЛ D О 590 590 590 590 590 590 1-4 256 720 4 11.2 32 90 256 720 4 11.2 32 90 256 720 4 11,2 32 4 И,2 32 90 256 720 4 11,2 32 90 256 79П 4 11.2 32 90 256 720 5-6 - Номинальное со- противление на- грузки, Ом, на выводах 5.5 16 45 126 360 1020 5,6 16 45 126 360 1020 5,6 16 45 126 360 1020 5.6 16 45 126 360 1020 5,6 16 45 126 360 1020 5,б’ 16 45 126 360 1020 5-7 512 1440 8 - 22.4 64 180 512 1440 8 22.4 64 180 512 1440 8 22,4 64 18П 64 180 512 144П 64 । 180 512 1440 8 О о 00 8 22,4 64 180 512 1440 5-8 0.6 0,6 0,13 0,13 0,13 0,13 0,13 0.13 0.18 0,18 0.18 0.18 0Д8 0,18 0,6 0,6 0,6 Л 6 о.з 0,3 О.з 0,3 0,41 0,41 0.41 0, 41 0,41 Л 4! D О JO W 0,22 0,22 0,22 0,22 0,22 0.22 первичной обмотки Индуктив- ность, Г 1 0.034 0.034 0.008 0,008 0,008 0,008 0,008 0,008 0,012 0,012 0,012 0,012 0,012 0,012 0.017 0,017 0.017 0,017 0,017 0.017 0,024 0.024 0,024 0,024 0.024 0,024 0.034 0.034 0,034 0 П34 0,012 0,012 0,012 0,012 0,012 0,012 рассеяния 4 21X2 4 21x2 4 21X2 4 21X2 4 ‘ 21X2 4 21X2 6 16x2 6 16X2 6 16X2 6 16X2 6 16X2 6 16x2 6 19X2 6 19x2 6 19X2 6 19X2 6 19x2 6 19x2 149 4 14X2 4 14x2 4 14X2 4 14X2 4 17x2 4 17X2 4 17X2 4 17X2 4 17x2 4 17X2 О № 4 12x2 4 12x2 4 12X2 4 12x2 4 12x2 4 12x2 Номинальный ток подмагничивания, мА Напряжение иа пер- вичной обмотке, В, не более Таблица Ш.2!. Основные параметры унифицированных выходных трансформаторов
Продолжение табл. 111.21 ая мощ- Входное сопро- тивление. Ом. Номинальное соп- ротивленце на- грузки, Ом, Индуктив- ность, г ЫЙ ТОК ивания' мА ie на пер- лотке, В, н а выводах на выводах Тип и . л н чга К S к я я . Й S го И <иош а - ® £ сл СО СП со з- ь РЗ ° O.S к о о Sis ® S Й Э 25^8 о ° X к J, J, J. 1 ID • 1 ID 1 LD О) \Q G о л р. ►S о X с Хи® ТОТ 142 2,5 210 475 850 4 5,6 8 0,25 0,017 6 22X2 ТОТ143 2,5 210 475 850 11,2 16 22,4 0,25 0,017 6 22x2 ТОТ 144 2,5 210 475 850 32 45 64 0,25 0,017 6 22X2 ТОТ145 2,5 210 475 850 90 126 180 0,25 0,017 6 22X2 ТОТ 146 2,5 210 475 853 256 360 512 0,25 0,017 6 22x2 ТОТ 147 2,5 210 475 850 720 1020 1440 0.25 0.017 6 22X2 ТОТ148 2,5 300 660 1175 4 5,6 8 0,35 0,024 6 27x2 ТОТ149 2,5 300 660 1175 11,2 16 22,4 0,35 0,024 6 27X2 ТОТ 150 2,5 300 -660 1175 32 45 64 0,35 0,024 6 27x2 ТОТ151 2,5 300 660 1175 90 126 180 0,35 0,024 6 27X2 ТОТ152 2,5 300 660 1175 256 360 512 0,35 0,024 6 27X2 ТОТ153 2,5 300 660 1175 720 1020 1440 0.35 0,024 6 27X2 более 2 дБ в диапазоне частот 300... 10 000 Гц. Напряжение на пер- вичной обмотке трансформаторов ТВТ не должно превышать 1 В. Рис. Ш.23. Схемы унифицированных согласующих сигнальных трансформаторов. типа ТОТ выпускаются с номинальными мощностями от 0,025 до 25 Вт при коэффициенте гармоник ие более 5%. Основные пара- метры унифицированных входных трансформаторов приведены в табл. III.20, где приняты следующие обозначения: для трансфор- маторов типов ТВТ1...ТВТ8 __ w4-5 . __ ^4-0 . ___ ^4-5 . _ ^4-в . Л, == --- , Л2 — ----- , Ля--------’ “4 '— ----- . Wt_s Wi^3 tt>!_2 4 Wi-z для TBT9 «! = щ3_4/Щ1_2; для ТВТ10 — w^/w^. Здесь w — число витков между выводами, указанными в индексах. Основные параметры трансформаторов типа ТОТ с номиналь- ными мощностями 1 и 2,5 Вт приведены в табл. III.21. 160
Экранирование входных трансформаторов применяют для за- щиты от различных наводок. Экранирование от электрических полей может быть получено при помещении трансформатора внутрь ме- таллического футляра, надежно соединенного с корпусом усили- теля. Экранирование от магнитных полей достигается расположе- нием трансформатора в футляре из магнитного материала. Эффек- тивность экрана повышается при увеличении толщины стенок и маг- нитной проницаемости материала. Для эффективного экранирования экраны изготовляют из железо-никелевых сплавов с толщиной лис- тов 0,3...0,5 мм. При этих условиях обеспечивается ослабление наводок до 100 раз. Расстояния между стенками экрана и трансфор- матором должны быть не менее 5...10% габаритных размеров трансформатора. Крепление трансформатора к экрану должно быть выполнено немагнитными материалами. § 7. Дроссели сглаживающих фильтров питания Основными параметрами дросселей сглаживающих фильтров пита- ния являются индуктивность, номинальный ток подмагничивания, сопротивление постоянному току, допустимое переменное напряже- ние. Во многих случаях стремятся при заданных габаритных разме- рах и массе получить возможно большую (или заданную) индуктив- ность при минимальном сопротивлении постоянному току. По- скольку индуктивность дросселя зависит от тока подмагничивания и амплитуды переменного напряжения, ее измеряют при номиналь- Таблица III.22. Основные параметры унифицированных дросселей сглаживающих фильтров Типоиоминал* Типоразмер магнито- провода Допустимое значение пе- ременного на- пряжения, В Сопротивление обмоток, Ом основной компенси- рующей Д1-0.08-0.32 ШЛ6Х12.5 1 19 0.95 Д2-0,16-0,22 3 35,5 1.5 ДЗ-0,3-0,16 4 63,5 3.5 Д4-0.6-0Д2 5 120 6,5 Д5-1,2-0,075 8 . 300 16,5 Дб-2,5-0,06 11 455 24 Д7-5-0.04 14 1023 133 Д8-0.08-0.Б6 ШЛ8Х16 1 8.6 0.48 Д9-0,16-0,4 3 19 1 Д10-0.3-0.28 4 33 3 Д11-0,6-0,2 5 80 4 Д12-1,2-0,14 8 132 7 Д13-2,5-0,1 11 220 10 Д14-5-0.07 14 535 54 Д15-10-0.05 20 1100 120 Д16-0.08-0.8 ШЛ10Х20 2 4.65 0,26 Д17-0Д6-0.56 3 10,6 0,56 Д18-0,3-0,4 4 19 1.26 Д19-0,6-0,28 5 36 3 Д20-1,2-0,2 8 63 3,5 151
Продолжение табл. Hl.22 Типоиоминал* Типоразмер магнито- провода Допустимое значение пе- ременного на- пряжения, В Сопротивление обмоток, Ом основной компенси- рующей Д21-2,5-0.14 ШЛЮХ20 11 152 8,2 Д22-5-0,1 14 290 36 Д23-10-0.07 20 628 84 Д24-20-0.05 35 1056 141 Д25-0,08-1,1 ШЛ12Х25 2 4 0.15 Д26-0,16-0.8 3 7 0,36 Д27-0.3-0.56 4 14 0,7 Д28-0.6-0.4 5 28 1,6 Д29-1,2-0,28 8 57,5 3 ДЗО-2,5-0,2 11 139 7 Д31-5-0.14 14 200 23,5 Д32-10-0.1 20 410 56 ДЗЗ-20-0,07 - 35 800 100 ДЗ-1-0,08-1,4 ШЛ16Х16 2 2,6 0,15 Д35-0.16-1.0 3 6,3 0,3 Д36-0,3-0,8 4 10,5 0,6 Д37-0.0-0.51 5 22 1,25 Д38-1,2-0,4 8 39 2,2 Д39-2,5-0,26 11 85 5 Д40-5-0,18 14 185 26 Д41-10-0.13 20 350 50 Д42-17-0.09 35 675 96 Д43-0.08-2.2 ШЛ20Х20 2 1,85 0,076 Д44-0.16-1.6 3 3,7 0,22 Д45-0,3-1,1 4 7 0,35 Д46-0,6-0,8 5 15 0,89 Д47-1.2-0.56 8 37 1,69 Д48-2.5-0.4 11 51 2,7 Д49-5-0.28 14 130 13 Д50-10-0.2 20 200 20 Д51-20-0.14 35 440 49 Д52-0.01-12.5 ШЛ25Х40 2 0,086 Д53-0,02-4,4 ШЛ20Х20 2 0,35 0,02 Д54-0,02-1,1 ШЛ8Х16 0,5 2,08 0,1 Дбб-0,02-0,56 щлбхб.в 0,25 4,2 0,2 Д56-0,0005-16,5 ШЛ12Х25 0,25 0,017 — Д57-1,2-0,8 ШЛ20Х40 20 26 2,6 Д58-40-0,035 ШЛ10Х20 35 3000 300 Д59-0,0043-2,9 1ПЛ12Х16 0,5 0,3 — Д60-0,0005-10” ШЛ16Х20 0,25 0,015 0,015 ДЫ-0,02-3 ШЛ16Х16 3 0,6 0,085 Д62-0,05-2,5 ШЛ32Х40 8 0,55 — Д63-0,00125-0,56 ШЛ6Х6.5 0.1 0,12 — Д-64-0,08-0,1 ШЛ6Х6.5 ОД 12 —. Д-65- 0,0025-0,56 ШЛ6Х6.5 0.5 0,36 —. 'Д66-0,05-0,02 ШЛ10Х10 0.5 1.1 — 152
Продолжение табл. И!.22 Типономинал* Типоразмер магнито- провода Допустимое значение пе- ременного напряжения, В Сопротивление обмоток. Ом основной компенсирую- щей Д67-0.002-2 ШЛ€Х12,5 о,1 0,4 — Д68-0,008-1 ШЛ6Х12,5 0,25 1,1 Д69-0.005-5.6 ШЛ16Х16 1 е,17 — * В обозначении типономниала первая группа цифр— порядковый номер дрсс* селя, вторая—номинальное значение индуктивности дросселя при номиналь- ном токе подмагничивания. Г, третья — номинальный ток подмагничива- ния, А. ** Дроссель Д60-0,0005-10 имеет третью обмотку с сопротивлением 0,015 Ом ном токе подмагничивания и заданном переменном напряжении. . Расчет дросселей фильтров выпрямителей можно выполнять по методике, используемой для расчета согласующих трансформато- ров с постоянным подмагничиванием (см. § 6). Основные параметры унифицированных дросселей сглаживаю- щих фильтров приведены в табл. III.22.
ГЛАВА IV ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ § 1. Полупроводниковые диоды По конструктивно-технологическому принципу различают диоды точечные и плоскостные. У точечных диодов (рис. IV. 1, а) р—«-пе- реход образуется в месте контакта полупроводниковой пластины с острием металлической иглы. У плоскостных диодов р—«-переход образуется на границе раздела двух слоев полупроводника с элект- ропроводимостью разных типов (рис. IV. 1, б).'Плоскостные диоды позволяют пропускать значительно большие токи, чем точечные, однако они имеют повышенную междуэлектродную емкость, что ограничивает их применение для работы в диапазоне высоких час- тот. При помощи специальных технологических приемов изготав- ливают плоскостные диоды с очень малой площадью переходов — микроплоскостные и диффузионные меза-диоды. В них сочетаются достоинства плоскостных и точечных диодов. Для изготовления Рис. IV.1. Устройство полупроводникового диода: а —точечного; б— плоскостного сплавного. диодов используют германий, кремний, арсенид и фосфид галлия. Германиевые диоды работают при температурах не выше 70° С, кремниевые — не более 125...ISO"1 С. Обозначение типа полупроводниковых диодов состоит из не- скольких элементов. Первый элемент обозначает исходный мате- риал, из которого изготовлен прибор: германий или его соединения— Г; кремний или его соединения — К; соединения галлия — А. Для приборов, используемых в устройствах спецйального назначения, установлены следующие обозначения исходного материала: герма- ний или его соединения — 1; кремний или его соединения—2; соединения галлия — 3. Второй элемент — класс прибора: диоды выпрямительные, универсальные, импульсные — Д; выпрямитель- ные столбы н блоки — Ц; диоды сверхвысокочастотные — А; вари- капы — В; диоды туннельные и туннельные обращенные — И; диоды излучающие — Л; генераторы шума — Г; приборы с объем- ным эффектом (приборы Ганна) — Б; стабилизаторы тока — К? 154
Таблица IV.I. Третий элемент обозначения типа полупроводникового диода Класс диодов Обозначе- ние > Выпрямительные: малой мощности (среднее значение прямого тока не бо- лее 0,ЗА) 1 средней мощности (среднее значение прямого тока более 0,ЗА, . но не более ЮЛ) 2 Универсальные (рабочая частота не более 1000 МГц) Импульсные: 4 время восстановления обратногсг сопротивления более 150 нс Б” время восстановления обратного сопротивления более 30, ио не более 150 нс 6 время восстановления обратного сопротивления более 5, но не более 30 нс 7 время восстановления обратного сопротивления не менее 1, но не более 5 нс 8 время, восстановления обратного сопротивления, менее 1 нс Выпрямительные столбы и блоки: 9 столбы малой мощности (среднее значение прямого тока не бо- лее 0,ЗА) 1 столбы средней мощности (среднее значение прямого тока более 0,3, но не более 10А) блоки малой мощности (среднее значение прямого тока не бо- лее 0,ЗА) 3 блоки средней мощности (среднее значение прямого тока бо- лее 0,3, но не более 10А) 4 Варикапы: подстроечные умножительные (варакторы) 1 2 Туннельные и туннельные обращенные; усилительные 1 генераторные 2 переключ ательные 3 обращенные 4 Излучающие: инфракрасного диапазона видимого диапазона (светодиоды): 1 с яркостью не более 500 кд/м3 3 с яркостью более 500 кд/м2 4 Сверхвысокой астотные: смесительные 1 детекторные 2 пара метрнч еские 4 регулирующие (переключательные, ограничительные и моду- ляторные) 5 ум нож итель ные 6 генераторные 7 Т а б л иц.а IV.2. Третий» четвертый и пятый элементы обозначения типа полупроводниковых стабилитрона и стабистора Стабилитроны и стабисторы Обозначение Третий элемент Четвертый и пятый элементы Мощность не более 0,3 Вт: напряжение стабилизации менее 10 В 1 01...99 напряжение стабилизации ие менее 10 и не более 99 В 2 10...99 Напряжение стабилизации не менее 100 и не бо- лее 199 В 3 00...99 155
Продолжение табл. IV.2 Стабилитроны и стабисторы Обозначение Третий элемент Четвертый и пятый элементы Мощность более 0,3, но не более 5 Вт: напряжение стабилизации менее 10 В 4 01... 99 напряжение стабилизации не менее 10 и не более 99 В 5 10...99 напряжение стабилизация не менее 100 н не бо- лее 199 В Мощность более 5, но не более 25 Вт: 6 00...99 напряжение стабилизации менее 10 В 7 01... 99 напряжение стабилизации не менее 10 и не более 99 В 8 10...99 напряжение стабилизации не менее 100 и не более 199 В 9 00...99 Примечание. При напряжении стабилизации менее 10 В четвертый эле- мент — целое число, а пятый — десятые доли вольта: при напряжении стабили- зации не менее 10 и не более 99 В четвертый и пятый элементы— целые числа, при напряжении стабилизации не менее 100 и не более 199 В четвертый и пятый элементы — разность между значением номинального напряжения Стабилизации и 130 В. Для стабисторов с напряжением стабилизации менее 1 В четвертый эле- мент— целое число, пятый— десятые доли вольт*. Таблица IV.3. Цветная маркировка диодов Тип Диода Метка посредине корпуса Метка иа выводах + 1 ” ДЭЗ Красная точка Красная точка — Д'» В Оранжевая точка » » — ДЭГ Желтая точка » » — Д9Д Белая точка » » — ДЭЕ Голубая точка —, Д9Ж Зеленая точка — Д9И Две желтые точки » » — Д9К Две белые точки » » — ДЭЛ Две зеленые точки » » —• Д9,М Две голубые точки — ДЮ — Зеленый конец — Д10А — Желтый конец — ДЮБ *— Красный конец —- ДО.,.ДНА — » > Черный конец Д18 — Красная точка Желтая точка Д20 — Красный конец Зеленый конец ДЮ1 Белая точка — — ДЮ1А — — — Д102 Желтая точка — —. Д102А Оранжевая точка —» — ДЮЗ Голубая точка — Д1ЙЗА Зеленая точка —’ 156
Продолжение табл. IV. 3 Тип Метка посредине корпуса Метка на выводах диода + Д1С4 Белая точка — — Д104А Красная точка — — Д1С5 Желтая точка — — Д1С5А Оранжевая точка — — ДЮ6 Голубая точка — - — Д1С6А Зеленая точка — — Д219 — Красная точка — Д219А Красная точка » » Черная точка Д220 Желтая точка » » Синяя точка Д220А » > Черная точка Д220Б > а Зеленая точка Д223 Четыре красные точки Красный конец Черный конец Д223А Две красные точки » > » » Д223Б » » КД102А — Зеленая точка — КД102Б — —* — КДЮЗА — Синяя точка — КД103Б • — Желтая точка — КД105А, — Желтая полоса — Б, В, Г КД109А — Белая точка — КД109Б — Желтая точка — КДЮ9В — Зеленая точка — КД521А Три синие полосы — — КД521Б Три серые полосы — —• КД521В Три желтые полосы — —, КДБ21Г Три белые полосы — — КД521Д Три зеленые полосы — — КДБ22А’ Два цветных кольца — — КД522Б Три цветных кольца —• — Примеч ание. Корпусы диодов типов Д10...Д10Б окрашены в желтый цвет, других типов— либо в черный цвет, либо совсем не окрашены. стабилитроны и стабисторы—С. Третий элемент — назначение прибора (табл. IV. 1). Четвертый и пятый—порядковый номер разработки технологического типа прибора (от 01 до 99), шестой элемент — деление технологического типа на параметрические группы (буквы русского алфавита от А до Я)- Третий элемент обозначения стабилитронов и стабисторов определяет индекс мощности, четвертый и пятый — кодированное обозначение номинального напряжения стабилизации (табл. IV.2), шестой — последовательность разработки (буквы русского алфа- вита от А до Я). Наборы дискретных полупроводниковых приборов (несколько приборов, выполненных в одном корпусе) обозначаются в соответствии с их разновидностью н перед последним элементом добавляется буква С. 157
Примеры обозначения полупроводниковых диодов: диод полу- проводниковый универсальный, предназначенный для устройств широкого применения, германиевый, номер разработки 12, группа А — ГД412А; диод туннельный переключательный, предназначен- ный для устройств широкого применения, из арсенида галлия, но- мер разработки 01, группа Л — ЛИ301Л; стабилитрон полупровод- Рис. IV.2. Условное графическэе обозначение полупроводниковых диодов^ а— диод, выпрямительный блок; б — туннельный диод; в — обращенный тун- цельный диод; г — стабилитрон односторонний; й — стабилитрон двусторонний; е— варнкап; ж— варикапная матрица; з— светодиод. никовый, предназначенный для устройств широкого применения, кремниевый, мощностью не более 0,3 Вт, с напряжением стабили- зации 6,8 В, последовательность разработки А — КС168А; набор полупроводниковых приборов, дискретным прибором которого яв- ляется импульсный диод, предназначенный для устройств широкого применения, кремниевый, со вре- менем восстановления обратного сопротивления более 150 нс, но- мер разработки 01, группа А — КД501СА. Для полупроводниковых дио- дов с малыми размерами корпуса используется цветная маркиров- ка (табл. IV.3). В обозначениях полупровод- никовых диодов, разработанных до 1964 г., первый элемент — буква Д, второй —число, харак- теризующее назначение прибора, третий — буква, указывающая разновидность прибора. Обозначение параметров полу- проводниковых диодов установле- но ГОСТ ' 20004—74. Условное графическое обозначение полупро- водниковых диодов приведено на рис. IV.2 (ГОСТ 2.730—73). диода выражает зависимость Рис. IV.3. Вольт-амперная характе- ристика выпрямительного диода: 1 — при повышенной; 2 — при нор- мальной; 3 — прн пониженной тем- пературах. Вольт-амперная характеристика тока, протекающего через диод, от значения и полярности прило- женного к нему напряжения (рис. IV.3). Ветвь, расположенная в первом квадранте, соответствует прямому (пропускному) на- правлению тока, а расположенная в третьем квадранте — обратному направлению тока. Чем круче и ближе к вертикальной оси пря- мая ветвь и ближе к горизонтальной обратная ветвь, тем лучше вы- прямительные свойства диода. При достаточно большом обрат- ном напряжении у диода наступает пробой, т. е. резко возрас- тает обратный ток. Нормальная работа диода в качестве элемента 158
с односторонней проводимостью возможна лишь в режимах, когда обратное напряжение не превышает пробивного. Токи диодов зависят от температуры (см. рнс. IV. 3). Если через диод протекает постоянный ток, то при изменении температур ры падение напряжения на диоде изменяется приблизительно на 2 мВ/° С. При увеличении температуры обратный ток увеличива- ется в 2 раза у. германиевых и в 2,5 у кремниевых диодов на каж- дые 10° С. Пробивное напряжение прн повышении температуры понижается. 159
За За За ja За За За За За За За За За За За За За' to to to >7 to to to to <o to to to co w co w w +>£* Л +* Л> Л 4* Оь О О о О (~5 СП СП СЛ Д A w М W N М ГО СЛ Л w W й ^ > ' СЛ > ЕЛ > w > > > За Зя Зя fci я )э я За ja За За За 3= За W to (О (О to (О СО tv to so to to to to iv ±5 to to fO to CO (O IC 1Э M to to tv IO to to cncncno й ?5 s га За т ro c3 > > -1 ю и ЬЗа о to 00 “Ч За За За За За За ГО Ю to to to to — i—OOOO “ о о co ч о Тип диода 0,1* 0,1* 0,1* 0,1* 0,1* 0.1* 0,1* 0,1* i 0,3* о.з* 0.3* 0,3* (0,4) (0,4) (0.4} (0.1) (0Л) (0.4) (0,7) 047) (0.7) (0.7) 1,0* 1,0* 3.0* 3.0* 5,0* 10* 10* 10* 10* 10* 5* 10* 10* 5* 10* 10* 5* Максимально допус- тимый (средний) прямой ток, А i 100 200 300 400 500 600 800 1000 400 300 200 100 200 400 100 200 300 400 100 200 ! зоо 400 200 200 150 150 150 50 100 100 100 200 200 200 50 50 50 300 300 300 Максимально до- пустимое обратное напряжение, В 1.0 0,1 1.0 0.1 . 1.0 0.1 1.0 0.1 1.0 0,1 1.0 0.1 1.0 0.05 1.0 0.05 l.o 0.3 1.0 0,3 l.o 0,3 l.o 0,3 (1.0) 0,05 (1,0) 0.05 (1.0) 0.2 (1.0) 0.2 (1.0) 0.2 (1.0) 0.2 (1.0) 0.2 (1.0) 0.2 (1.0) 0,2 (1.0) 0,2 0.3 0,8 0.3 1,2. 0,35 1,0’ 0.35 1,2 0.3 2,0 0.35 2,5 (1.2) 3 (1.0) 3 (1.5) 3 (1.2) 3 (1.0) 3 (1.5) 3 (1.0) 3 (1.0) 3 (1,0) 3 (1.2) 3 (1.0) 3 (1.5) 3 Постоянное (сред- нее) прямое напря- жение, В Обратный ток при максимально допус- тимом обратном наг пряжении, мА 09— 09— ! и у— 09— 09— 09— 09— 09— 09— 09— 09— 09— as- se- ss— 1 Л СЛ С Л СЛ с Я л —60 : —60 -^60 i —60 1 —КП л э э 1 1 е> С4 о о 1 Со О —60 —60 — КП о 1 1111 к ЯХ О О С) с Э О о о о с 1 с е 1 о о 0 Интервал рабочих темпера- тур, °C + + 4" + + + 4- + + + + + + + + + + + + 4- 4- 4- 4- + 4- *"* — — Ч Ч СЛ Ч СЛ Ч » СО СО СО СО СО СО tO to to to м to м to to to to to О О СЛ О СЛ О СЛ СЛ СЛ СЛ СЛ СЛ СЛ слслслслслслслслслслслсл +- + 00 СО СЛ С.1 4“ ’ ио СЛ то 1 08+ 08+ it ++++++ § ОО Ю М W to Ю N ОО О О О о О О § IV.4, а IV. 4, а IV.4, а IV.4, е IV.4, е IV.4, д 1V.4. д Конструкция (номер рисунка) Таблица IV.4. Основные параметры выпрямительные диодов
° 'ggg-ggggp и. MtNptOtfbOWbOHONJ J o©eoooooo GO N’tOwNNfOMf^hO <» b^S^raj3^K!№ Ж 2® .2® 2®* Ж Ж Ж t® ,ю * ё йэё ёё ё 8 2£“2 3S3 S8 5 > СТ ГО СТ > Щ СП > СТ > 0" 2Д106А ГД107Л S4 Х’Я 5ёёё л ° ет 8 1 W И ,> О Д248Б КД102А КД102Б КДЮЗА КД103Б КЛ1П4Л 5= 5 £ 2 а] 3 в 3 J3 69 60 У) ОТ > s Ч О X § = Продолжение табл. IV.4 w CT w CT W yi W CI W CT •“ *- _ m m rn m ОТ СД ст ст ОТ ОТ CT " • от э с А> 1 fo* . 10* 5* 10* ' 5* 5* 0.1* 0,1* 0,1* 0,1* 0,01» (Q.3) (0.3) (0,3) (0.3) 0,3* 0,02* 0,0025* (0,1) (0,1) Максимально допу- стимый (средний) прямой ток, А ЗООГ 50 50 300 200 , 400 600 800 100 15 20 800 1000 100 300 600 100 100 200 200 50 50 _ 100 100 200 . 200 300 300 400 ’•- 400 .400 400 400 500 500 600 250 Максимально допу- стимое обратное на- пряжение, В (6'0) (6'0) (6'0) (6'0) (6'0) . (6'0) (6'0) (6'0) (6'0) —(6'0) 1 1 1 I I (I)' (I) (I) (S'I) (S'I) »'o I 1 (I) (I) W (i) i г "I I I 1 (S'l) (1.2) (1,0) (1.5) (1.2) Постоянное (сред- нее) прямое напря- жение, В 0,1 0,15 0,15 0,1 o.t 0,1 3 3 3 3 0,8 0,8 0,8 0,8 0,8 0,8 0.8 0.8 0.8 0.8 о о о О О О о о© о О © И- н- н- о О О О 63 <- о о О О о w w w w w « о о о Обратный ток при максимально'допу- стимом обратном напряжении, мА . 1 1 от CT о о : d —60 —60 —60 fin I 1 5 3g — 40 -60 —60 —60 1 —60 —60 о —60 —60 —60 —ло 1111 "СТ ст ст от о о о о III II 1 от ст от от от . ст ООО ст от о 1 1 EJ от с = ос 1 1 ОТ с о с •| § 3 3 Интервал рабочих температур, °C + + + + + + + + + + + + + + + + + ++ '++.+ + + + + + ++ + £ ++++++ S£gssSiS§§ §§is CT 8 ” SS ° ° g SoiSS 3 g_g go jigjSgjgg < .< < < < < <<<< < •* > > я *. > * .* .* * ££ £ о» О» О» О» 4М» Конструкция (номер рисунка)
Максимально допустимый средний выпрямленный ток. * О о о о СЛ^КЛ СЛ СЛ СЛ 00 00 00 00 ' о о КЗ КЗ
Максимально допу- стимый (средний) прямой ток, А Максимально допу- стимое обратное на- пряжение, В Постоянное (сред, нее) прямое напря- жение, В Обратный ток при максимально допу- стимом обратном напряжении, мА о Интервал рабочих температур, °C Конструкция (номер рисунка। Продолжение табл. IV.4
Выпрямительные диоды предназначены для выпрямления ftepe- менного тока низкой частоты (обычно менее 50 кГц). В качестве вы- прямительных используют плоскостные диоды, допускающие благо- даря значительной площади контакта больший выпрямленный ток. Основным материалом для изготовления выпрямительных диодов является кремний. Основные параметры. Постоянное прямое напряжение 1/пр —постоянное напряжение на диоде при заданном постоянном прямом токе. Постоянное обратное напряжение 1/обр —постоянное напряжение,' приложенное к диоду в обратном направлении. Посто- янный прямой ток /пр — постоянный ток, протекающий череб диод в прямом направлении. Постоянный обратный ток /обр — в* 163
Таблиц» IV. 5. Основные параметры высокочастотных диодов Тип й прямой ри прямом и 1 В ьно допу- прямлен- <А Е О ф ЧОЮ Он. 5 Я ® VO _ <л о< к ?ная рабо- а, МГц е .с Л О Интервал рабочих тгмператур, °C св а к ? диода Постоянны ток, ^А, п > напряжени Макснмал) стимый вы НЫЙ ТОК, S ! Макснмал! стимое o6j напряжена Макснмал! । ратный то> (при oSpai I пряжении, 1 Макснмал! чая часто! Емкость Д| от ДР Конструкц (номер рис Д2Б 5 16 30 100(10) 150 1 — 55 4-60 1V.5, 6 Д2В 9 ’ 25 40 250 (30) 150 1 — 55 4-60 Д2Г 2 16 75 250 (50) 150 1 —55 4-60 Д2Д 4,5 16 75 1250 (50) 150 1 —55 4-60 Д2Е 4,5 16 100 *250(100) 150 1 — 55 4-60 Д2Ж 2 8 150 250(150) 150 1 —55 4-60 Д2И 2 16 100 250(100) 150 1 — 55 4-60 Д9Б 90 40 10 250(10) 40 1...2 —55 4-60 IV Б, а Д9В 10 20 30 250 (30) 40 1...2 —55 4-60 Д9Г 30 30 30 250 (30) 40 1...2 —55 -4-60 Д9Д 60 30 30 250 (30) 40 Г... 2 —55 4-60 -= Д9Е 30 20 50 250 (50) 40 1...2 —55 4-60 Д9Ж 10 15 100 250 (100) 40 1...2 - —55 4-60 Д9И 30 30 30 120 (30) 40 1...2 —55 4-60 IV. 5, а Д9К 60 30 30 60 (30) 40 1...2 —55 4-60 Д9Л 30 15 100. 250(100) 40 1...2 —55 4-60 ДЮ —, 3* 10 100 150 1 —60 +70 IV.6, б Д10А - — 5* 10 200 150 1 —60 +70 Д10Б — 8* 10 200 150 1 -60 +70 ДЧ ‘ 100 20 30 250 (30) 150 1 —60 -4-70 1V.5, б Д12 - 50 20 50 250 (50) 150 1 —60 4-70 Д12А 100 20 50 250 (50) 150 1 — 60 -4-70 Д13 100 20 75 250 (75) 150 1 -60 4-70 дн 30 20 100 250 (100) 150 1 —60 +70 ДНА 100 20 100 250 (100) 150 I —60 -4-70 ДЮ1 2** 30 100 10(75) 200 0.5 —55 4-100 IV.6, б Д101Л 1 30 100 10(75) 200 0,5 — 55 4-100 ДЮ2 2** 30 * 75 10 (50) 200 0,5 -55 +100 Д102А 1 30 75 10(50) 200 0,5 -55 4-100 ДЮЗ 2*’ 30 30 30 (30) 200 0.5 —55 4-100 ДЮЗА 1 30 30 30 (30) 200 0.5 —55 +100 ДЮ4 2** 30 100 10(75) 600 0,6 — 55 + 100 IV.5, в ДЮ4А 1 30 юо 10(75) 600 0,6 —55 4-100 ДЮ5 2** 30 75 10(50) 600 0,6 —55 4-100 ДЮ5Л 1 30 75 10(50) 600 0,6 —55 4-100 ДЮ6 2»* 30 30 30(30) 600 0,6 —55 4-100 ДЮ6А I 30 30 30 (30) • 600 0,6 —55 +100 Д223 - 50 50 50 1(50) 20 — -55 +100 1V.5, а Д223А 50 50 100 1 (100) 20 — —55 +100 Д223Б .50 50 150 1 (150) 20 — -55 +100 IC4
Продолжение табл IV. 5 Тип диода - S «.о *- к &g« с Зсё ио S*g Cgg ns a® - s« * 0е * £ <E n£gs' = SoS о 3 i2 a x я * a “ 3 s's Интервал рабочих температур, °C от до КД401А КД401Б ГД402А ГД4О2Б ГД403А ГД403Б ГД4ОЗВ ГД404АР КД407А КД409А 5«r* 5*»« 5... 20 30 30 25 25 50 5t) 75 75 15 15 5 5 5 ' 3 24 24 5(75) 5(75) 100(10) 100(10) 0.5(24) 0.5 (24) 0.15 0,15 100 100 1000 1000 1 1.5 0,8 0,5 —55 —55 — 55 -55 — 25 — 25 — 25 —60 —55 —55 + 100 +100 +60 +60 +55 +55 +55 +60 +100 +100 IV.5. в IV.5. а IV 5. в IV.5, IV.5, а IV .5, г 5 5 • При f = 70 МГц, + — 1,5 Ви Д„ = 0 • • При 0,5 В. • •• При U = 2 В. постоянный .ток, протекающий через диод в обратном направлении при заданном обратном напряжении. Средний прямой ток /пр ср — прямой ток, усредненнуй за пердод. Средний обратный ток /обр (р— обратный ток, усредненный за период/ Дифференциальное сопро- тивление диода гд1(ф — отношение приращения напряжения на дио- де к вызвавшему его малому приращению тока. Максимально допустимые параметры ** К ним относятся: максимально допустимое постоянное обратное напряже- ние Добр тах, максимально допустимый постоянный прямой ток /пртах. максимально допустимый средний прямой ток /пр срп1ах, максимально допустимый средний выпрямленный ток /вп сртах, мак" симально допустимая средняя рассеиваемая мощность диода. Основные параметры выпрямительных диодов (рнс. IV.4) при- ведены в табл. IV.4. - Высокочастотные диоды—приборы универсального назначе- ния: для выпрямления токов в широком диапазоне частот (до не- скольких сотен мегагерц), для модуляции, детектирования и дру- гих нелинейных преобразований. В качестве высокочастотных в основном используются точечные диоды. Высокочастотные диоды имеют те же свойства, что и выпрямительные, но диапазон их рабо- чих частот гораздо шире. Основные параметры высокочастотных (универсальных) диодов (рис. IV.5) приведены в табл. IV.5. . • Максимально допустимые параметры определяют границы эксплуатацион- ных режимов, при которых диод может работать с заданной вероятностью в те- чение установленного срока службы. 165
— ххж X > > х X х г т> X X -! -1 -1 X XXX Ъ Ъ ЪЪ Ъ to i> Ja ia Ja fa Q tQ t-Q ГО ю •— S3 й Й О co Э О О Ф л > > Тип диода 1... о Ja Ja ia ta Ja Ja ia ia Ja £J ia *□ j, Ja Д507А Д508Л Л5ПЯБ ta Х=! w w ср JX О1СЛО1 £ с — — о О о о о s* w w to > > > CD. СП > Максимально допус- тимый импульсный ток, мА, прн дли- тельности 10 мкс 100 30 30 100 00 50 50 50 100 500 50 30 30 >00 00 00 50 50 50 •00 >00 >00 >00 100 >00 too •00 •00 >00 >00 200 100 200 15 15 15 20 100 10 2 2 100 30 1 30 10 16 10 in 250 40 80 50 50 20 20 10 94П US 1 os OS OS 91 191 Макенмал тимый вып ный ток, м эНО допус- рямлен- А 1,1 1.1 0,6 0,6 0,6 1 1,1 1 0,57 1.0 SI S‘l 2,5 1,25 I 1,25 i 1,25 2.5 3,5 2 5 1 2,5 3,75 3,75 3.75 Прямое и» напряжеии не более пульсное е, В, 50 50 12 12 12 15 50 10 10 10 30 30 15 05 00 О 20 30 30 100 75 30 1 30 10 40 20 20 70 50 '70 inn Максимал! тимое обра пряжение, >но допус- тное на- В 5 5 50 100 200 5 5 5 2 2 5 5 1 50 60 inn 2 100 100 100 100 10 10 1 9 50 100 1 I 1 1 Максималь ратный то? ный об- ч мкА о K .» о еэ os s gg 1 * • 1 ° ° 1 1 1 -° ° | ° 0,3 0,0 0.0 0,5 0.5 0,0 0,0 50 0.1 0,0- 0,5 0,5 0,5 n к Время восс :тановле- 4a. ♦ 0,5' 0,5 15 13 15 15 15 1,5 3,0 3,0 3,0 5 2,5 6 2 0,8 0,75 0,75 4 4 1 1 1 1 4 0,9 0,5 0,35 4 2,5 3 Емкость диода, пФ — 55 —60 —55 —55 — 55 —40 —55 — 40 —60 —60 —CO — 40 — 40 —60 1 1 Jx Л. э О о —55 — 40 — 40 — 40 — 40 — 40 — 40 0 KK —40 — 40 —55 — 55 —55 KK О Интервал рабочих температур. 4444 44444 4 4 4 4 4- 4- 4- 4 4- -44*4- 4-4- +4* 4- 4 4 4 4 4 4 •“ 00 00 CO •— — *4 00 CO 00 00 Qi 0Л Qi “ N Q5 co О О Oi O> — ”2* X X £2 ОСЛЩСлОФОСлСЛ ООО СЛ чЛ СП Qi о о о сл tn oo oo о 2 2 2 2 о о ооо ® © ° ° <-5—— 3 < < < 5- < < < < < < < < < - < < < < < < t^ сл 5я tn Jen Jen СЛ СЛ У ^Л 1л ЛСЛ Сл СЛ Jen Joi У' У k a о, И в си а с» «• в со» в а о> » * » Конструкция (номер рисунка) Т аблица IV.6. Основные параметры импульсных диодов
Продолжение табл fV Тип Диода Интервал рабочих температур, °C КД 521А КД521Б КД521В КД521Г КД521Д КД522А КД522Б КД524А КД524Б КД524В 500 50 1.75 500 50 1.75 500 50 1,75 500 50 1,75 500 50 ’ 1.75 1500 100 — 1500 100 — 400 40 — 400 40 •— 400 40 — 15 60 50 30 12 30 50 24 30 15 Заряд переключения, пКл. 1 1 1 1 1 2 5 2 2 2 0,004 0,004 0,004 0,004 0.004 0,004 0,004 250* 300* 300* 10 ! 10 10 10 10 4 4 3 2,5 4 —60 — 60 —60 —60 —60 — 55 —55 —60 —60 — 60 4-125 4-125 4-125 4*125 4-125 4-85 IV 5, к 4-85 4-125 IV.5.4 4-125 4-125 Импульсные диоды предназначены для преобразования импуль- сных сигналов (в детекторах видеосигналов телевизионных прием- ников, ключевых и логических устройствах и др.). В основном ис- пользуются точечные диоды. Основные параметры. Импульсное прямое напряжение 1/Пр н — пиковое прямое напряжение на диоде при заданном им- пульсе прямого тока. Импульсное обратное напряжение Побр и— пи- ковое обратное напряжение на диоде, включая как однократ- ные выбросы, так и периодически повторяющиеся. Общая ем- кость диода Сд — емкость, измеренная между выводами диода при заданных напряжении п частоте. Рремя установления прямого на- пряжения туст— интервал времени с момента подачи импульса пря- мого тока на диод (при нулевом напряжении смещения) до дости- жения заданного прямого напряжения на диоде. Время восстанов- ления обратного сопротивления т№С — интервал времени с момента прохождения тока через нуль после переключения диода из сос- тояийя заданного тока в состояние заданного обратного напряжения до момента достижения заданного обратного тока. Заряд переклю- чения QnK — часть накопленного заряда, вытекающего во внешнюю цепь при изменении направления тока с прямого на обратное. Максимально допустимые параметры. К ним относятся: максимально допустимый импульсный прямей ток ^пр ишах» максимальная и минимальная рабочие температуры. Ос- новные Параметры импульсных диодов (см. рис. IV.5) приведены в табл, IV.6. Стабилитроны и стабисторы предназначены для стабилизации уровня напряжения при изменении Протекающего через диод тока. У стабилитронов рабочим является пробойный участок вольт-ампер- 167
ной характеристики .в области обратных напряжений (рис, IV. 6}. На этом.участке напряжение на диоде остается практически посто- янным при значительном изменении тока, протекающего через ди- од. У стабисторов рабочим служит прямей участок вольт-ампер ной характеристики (рис. IV.7). У двухаиодных стабилитронов имеются два встречно включенных р—н-перехода, каждый из которых яв- ляется основным для противоположной полярности. Основные параметры. Напряжение стабилизации Ucr — Рис. IV.6. Вольт-амперная характеристика стабилитрона. заданном токе стабилизации. стабилизации от номиналь- ного Д t/CT ном — максимально допустимое отклонение напря- жения стабилизации от номи- нального для стабилитронов данного типа. Дифференциаль- ное сопротивление стабилитрон на гСТ — отношение прираще- Рнс. IV.7. Вольт-амперная ха* рактеристика стабистора. ния напряжения стабилизации на стабилитроне к вызвавше- му его малому приращению тока в заданном диапазоне частот. Температурный коэффициент напряжения стабилизации аст — отношение относительного -изменения .напряжения стабилизации к абсолютному изменению температуры окружающей среды при по- стоянном токе стабилизации. Полная емкость стабилитрона С — емкость между выводами стабилитрона при заданном напряжении смещения. Максимально допустимые параметры. К ним от- носятся: максимальный /сттах, минимальный /стт|П токи стабили- зации, максимально допустимый прямой ток /тах, максимально допу- стимый импульсный прямой ток /пр в тах, максимально допустимая рассеиваемая мощность Ртах. Основные параметры стабилитронов и стабисторов (рис. IV.8) приведены в табл. IV.7. Варикап — полупроводниковый диод специальной конструк- ции, емкость которого можно изменять в значительных пределы». 168
С увеличением обратного напряжения емкость р—и-перехода умень- шается но закойу 1 Си = С* [«₽«/(% + ^)]". где Cv —емкость диода при обратном напряжении <7; Со — ем- кость диода при нулевом обратном напряжении; срк — контактный потенциал (составляет десятые доли вольта); п — коэффициент, зави- сящий от типа варикапа (п = 2.~3). Варикап, предназначенный для умножения частоты сигнала, называют варактором. Варикапы ис- пользуют в устройствах автоподстройки частоты, генераторах, ге- теродинах с электронной перестройкой частоты. Рис. IV.8. Стабилитроны и стабисторы. Основные параметры. Емкость варикапа Ск — емкость, которая измеряется между выводами при заданном обратном на- пряжении. Коэффициент перекрытия по емкости Кс — отношенье емкостей варикапа при двух заданных обратных напряжениях. Добротность варикапа Q — отношение реактивного сопротивления на заданной частоте переменного сигнала к сопротивлению потерь при заданной емкости или обратном напряжении. Постоянный об- ратный ток варикапа /о6р — постоянный ток, протекающий через диод в обратном направлении при заданном'обратном напряжении. ({ максимально допустимым параметрам относятся: максимально до- пустимое постоянное обратное напряжение 17обр п1ах и максимально допустимая рассеиваемая мощность Ртах» Основные параметры варикапов (рис. IV.9) приведены в табл. IV.8. Туннельный диод. Вольт-амперная характеристика (рис. IV. 10) содержит участок с отрицательным дифференциальным сопротив- лением (отношение приращения напряжения к приращению тока). Эго позволяет использовать-диод в усилителях и генераторах элект- рических колебаний, а также в разнообразных импульсных устрой- ствах. Качество диода определяют протяженность и крутизна падаю- щего участка АБ. Частотные свойства диода, работающего на малых 169
OZT Таблица IV.7. Основные параметры стабилитронов и стабисторов 'X о Ток стабилизации, '55 КЗ . S-H мА Q О. Я g a Тип go X 11 gs X X w X g.5 мииималь- макси- s3< = I s Л 5 'Soa НЫЙ мальный £ £ X ,w S X ч га Й 44 fl. u3 Стабилитроны ! Д808 7...8,5 (0,043) 3 33 50 Д809 8...9,5 (6,048) 3 29 50 Д810 9...10,5 (0,053) 3 26 50 Д911 10...12 (0,060) 3 23 50 Д813 11.5...14 (0.070) 3 20 50 Д314А 7...8,5 (0,043) 3 40 50 Д814Б я...9,5 (0.048) 3 36 50 Д814В 9...10,5 (0,053) 3 32 50 Д814Г 10...12 (0,060) . 3 29 50 Д814Д 11,5...14 (0,070) 3 24 • 50 Д815А 5,6 15 50 1400 1000 Д815Б 6,8 15 50 1150 1000 Д815В 8,2 15 50 9*50 1000 Д815Г 10 15 25 800 1000 Д815Д 12 15 25 650 1000 Д815Е 15 15 25 550 1000 Д815Ж 18 15 25 450 1000 Д815И 4.7 15 25 1400 1000
Дифференциальное сопротивление. Ом Температурный ко- эффициент напряже- ния стабилизации, %/°с Максимально допус- тимая рассеиваемая мощность, Вт Интервал рабочих температур, ’С ОТ ДО Конструкция (номер рисунка) 6 + 0.07 0,28 -55 4-100 IV. 8, л 10 4-0,08 0,28 -55 4-100 12 +0,09 0,28 — 55 ’ +100 15 4-0.095 0,28 — 55 +100 18 4-0,095 0,28 — 55 +100 6 +0,07 0.34 -60 +100 IV.8, л 10 4-0,08 0,34 -60 +100 12 +0,09 0,34 -60 +100 15 +0,095 0,34 -60 +100 18 4-0,095 0,34 -60 +100 0,9 0,056 8 -60 +100 IV.8, в 1.2 0,062 8 -60 +100 1.5 0,088 8 -60 + 100 2.7 0,10 8 -60- + 100 3,0 . 0,11 8 -60 +100 3.8 0,13 8 -60 +1оо ' 4,5 0,14 8 -60 -4-100 0.82 0.06 8 -60 +100
Д816А 22 IS 10 ' 230 1000 10 Д816В 27 15 10 180 1000 12 Д816В 33 15 10 150 1000 15 Д816Г 39 15 10 130 . 1000 18 Д816Д . 47 15 10 110 1000 22 Д8ЦЛ 56 15 5 90 1000 47 Д817Б 68 15 5 75 1000 56 Д817В 82 15 5 60 •♦ООО 68 Д817Г loo 15 5 50 1000 82 Д818А 9 +20 3 33 — 25 Д818Б 9 -20 3 33 — 25 Д818В 9 15 3 33 — 25 Д818Г 9 15 3 33 — 25 Д818Д 9 15 3 33 — 25 Д818Е 9 » 15 3 33 — 25 КС133А 3,3 10 3 81 50 ' 65 КС139А 3,9 10 3 70 50 60 КС147А 4.7 10 3 58 50 56 КС156А 5,6 10 3 55 50 46 КС162А 6.2 (0,4) 3 22 — 35 КС168А 6,8 (0,5) 3 45 50 28 КС168В 6,8 - (0.35) 3 20 — 28 КС170А 7,0 (0.35) 3 20 — 20 КС175А 7,5 (0.5) 3 18 — 16 2С17ОЕ 7,5 5 3 20 20 30 2С175Ж 7.5 (0.4) 0,5 17 50 40
0,15 5 -60 +100 IV.8, « 0,15 5 -60 +100 . 0,15 5 -60 +100 0,15 5 —60 + 100 0,15 5 -60 +100 0,18 5 -60 +100 0,18- 5 —60 + 100 0,18 5 -60 +100 0,18 5 —60 +100 +0,02 0,3 -60 +100 IV.8, a -0,02 0,3 • -60 -1-100 ±0,01 0,3 -60 -1-100 ±0,005 0,3 -60 +юв ±0,002 •0,3 —60 + 100 ±0,001 0,3 —60 + 100 —0,11 0.3 -60 +100 IV.8, a —0,10 0,3 —60 +100 —0,09; 0,3 -60 +100 +0,01 ±0,05 0,3 -60 +100 IV.8, о -0,06 0,15 -55 + 100 IV.8. 6 ±0,06 0,3 -60 +100 IV.8, a ±0,05 0,15 —55 + 100 IV.8. 6 ±0,01 0,15 — 55 +100 IV.8, 6 ±0.04 0,45 —55 +100 IV.8. 6 о.ю' 0,15 -60 +125 "lV.5, « +0,07 0,125 —60 +125
гл КС196Б КС196В KC196F КС2ИБ 2С210Е 2С2КХЖ. о - 9 2 2 Q 2 2 2 2 <© со <р о <£> со 00 ' О rz « f Г* it* - КЭ КЗ b > > w » > s? a 01 01 04 9'6 9*6 9’6 9*6 Гб 1'6 1'6 Г‘6 Гб . 1*6 1’6 ,г’8 г'8 г‘8 Напряжение стаби- лизации В (0,6) 5 (0,5) - (0,6) 5 5 5 5 5 (0,5) 5 5 5 5 (0,7) 5 10& Разброс напряжения стабилизации, ±% (±В) ООО +" ср СР СР СР СР СР <л 03 СЛ <Л СЛ СЛ СР СР СР минималь- ный Ток стабилизации, мА 17 18 15 16 16 16 .15 15 1» 14 20 20 20 20 14 16 13 1 макси- мальный gg 1 III 09 03 09 03 Макси мальпб^дот- пустимый прямой ток, мА 14 30 40 Л8 18 18 18 18 30 40 18 18 18 18 22 30 40 Дифференциальное сопротивление. Ом ±U,UU20 ±0,001 ±0,0005 +0,07 0,1 +0,09 ±0,005 +0,05 0,1 +0,08 +0,06 ±0,005 ±0,002 ±0,001 ±0,0005 0,1 JJl Л0 Температурный ко- эффициент напря- жения стабилизации, %/°с О р to Сл сл 0,15 0,15 0,126 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,125 ' 0,2 0,2 0,2 0,2 0.15 Максимально допус- тимая рассеиваемая мощность, Вт 1 1 о о -60 . -60 -60 -60 -55 —60 -6b —55 —60 —60 -60 -60 —60 —60 1 СЛ СЛ S Интервал рабочих температур, °C it t ii"tt it i tit W Ю О о о О О Ю КЗ оооо о to Ю о сл сл о оооо слеп оооо о сл сл о 5 IV.8, б IV.5, е IV.8,-6 IV/.8, а IV.5, в IV.8, а IV.8, б IV.5,е Конструкция (номер рисунка) 'Продолжение табл. IV.7
КС211Б И +ге 5 33 КС211В 1! -15 5 33 — КС211Г 1! ±10 5 ' 33 — КС211Д И - ±10 5 33 — 2С211И И 5 3 13 — 2С211Е 11 5 3 14 20 2С211Ж И (0,6) 0,5 12 50 2C2I2B 12 5 0,5 12 — 2С212Е 12 5 0,5 13 20 2С212Ж 12 (0,6) 0,5 И 50 КС213Б 13 (0,9) 0,5 10 — 2С213Е 13 5 0,5 12 20 2С213Ж 13 (0,7) 0,5 50 2С215Ж 15 (0,8) 0,5 8,3 50 2С216Ж 16 (0,9) 0,5 7.8 50 2С218Ж 18 (1.0) 0,5 6,9 50 2С220Ж 20 (1,0) . 0,5 6,2 50 2С222Ж 22 (1.1) 0,5 5,7 50 2С224Я^ 24 (1,2) 0,5 5,2 50 КС433А 3,3 10 3 191 КС439А 3,9 10 3 - 176 КС447А 4,7 10 3 159 — КС456А 5,6 10 3 139 —
is +8,02 , 0,28 —80" +120 IV.8, « 15 -0,02 0,28 —60 +120 . 15 ±0,01 0,28 —60 + 120 15 ±0,005 0,28 -60 +120 23 +0,07 0,15 —60 +125 IV.8, 6 30 0,1 0,15 —60 +125 IV-5, » 40 +0,092 0,125 -60 +125 24 +0,075 0,15 -60 +125 IV.8, 6 30 ' 0.1 0,15 -60 +125 IV.5, e 40 +0,095 0,125 -60 +125 25 +0,08 0,15 1 -55 + 100 IV.8, 6 30 0,1 0,15 —60 +125 IV.5, Д 40’ +0,095 0,125 -60 +125 70 0,1 ' 0,125 -60 + 125 IV.5, » 70 0.1 0,125 —60 + 125 70 0.1 0,125 -60 + 125 70 0,1 0,125 -60 + 125 70 0,1 0,125 -60 + 125 70 0,1 0,125 -60 + 125 25 -0,1 1,0 -60 + Ю0 IV.8.0 25 -0,1 1,0 -60 + 100 18 -0,08; zl,0 —60 +юо +0.03 12 +0,05 1,0 —60 + 100 V
tZI +> ср gd co w to ю to — — — — oo cn Напряжение стаби- ^cnw— о м -к> о “ fJ ° hco Низании, В 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 5 5 10 5 5 Разброс напряжения стабилизации, ±% (±В) zcp — ср ср — — —* —* ср — — — — — ср минималь* ный Ток стабилизации, мА 119 96 79 67 53 45 22 37 ' зз 30 27 15 17 23 10 макси- мальный 1,жхл I 1 сл сл сл сл ! сл сл сл сл сл ! 1 ':о 1 1 о о о о 1 о о о о о ’ Максимально до- пустимый прямой ток, мА 5 25 25 25 25 25 120 25 30 40 45 50 40 50 280 Дифференциальное сопротивление, Ом +0,065 0,08 0,1 0,1 0,1 0,1 +0,01 0,1 0,1 0,1 0,1 ±0,005 0,1 0,1 ±0,01 Температурный ко- эффициент напряже- ния стабилизации, %/°С 1,0 1,0 1.0 1,0 1,0 1,0 0,5 1,0 1,0 1,0 1.0 0,5 0,64 1,0 0,5 Максимально допус- тимая рассеиваемая мощность, Вт -60 -60 -60 -60 -60 -60 -55 —60 -60 -60 -60 -55 i -40 -60 —55 о н Интерна темпер + 100 + Ю0. + Ю0 + Ю0 + 100 + 100 + 100 + Ю0 +>25 + 100 + 125 + 100 +85 + 125 + 100 я о л рабочих атур, °C Со СО СО СО QO до со о, а сл cit а сх> а Конструкция (номер рисунка) Продолжение табл. 1V-7
9С8ЯА Я (*» 1 14,6 50 200 0,12 1,0 л —60 + 125 IV.5, а КС568В 68 S 3 10 * — * 400 ±0,01 0,72 —55 + 100 1V.8, д 2С591А 91 5 I 8.8 50 400 0,12 1.0 —60 +125 IV.8, а КС596В 96 5 3 7 »— 560 ±0,01 0,72 —55 +100 1V.8, а 2С600А 100 (5) I 8,1 50 450 0,12 1.0 —60 + 125 IV.8, а КС620А 12о 15 5 42 . 1000 150 +0,2 5 -60 + Ю0 IV.8, s КС630А 130 15 5 38 1000 180 +0,2 5 -60 + 100 КС650А 150 15 2,5 33 1 1000 270 +0,2 5 —60 + 100 КС680А 180 15 2.5 28 1000 330 +0,2 5 — 60 + 100 2С920А 120 10 5 42 1000 100 0.16 х 5 -60 + 130 1V.8, е 2С930А 130 10 5 38 1000 120 0,16 5 -60 + 130 2С950А 150 10 2,5 33 1000 170 0,16 5 -60 + 130 2С980А 180 10 2,5 28 1000 220 0,16 5 —60 +130 Стабистора Д219С 1,0 ЙИ — 50 —. -60 + 125 V.b.e Д220С 1.5 ' — — 50 — —60 + 125 Д223С 1,0 — — — 50 — — -60 + 125 2С107А 0.7 10 1 100 500 7 2* — —60 + 125 IV.8, а 2С113А 1.3 10 1 100 200 . 12 -3* — -60 + 125 2С119А 1,9 10 1 100 200 15 -4» — —60 + 125 • В миллив ольтах на г радус. П римеч ание. Стабилитроны типов Д815...Д817, КС620...КС680, 2С920...2С980 с буквой П в конце обозначения (например, Д317АП1 имеют обратную полярность выводов (минус на корпусе при прямом включении).
уровнях сигнала, на участкесотрицательнымсопротивлением опре- деляются параметрами элементов эквивалентной схемы (рис. IV. II,). Активная составляющая полного сопротивления имеет отрицатель- ный знак до частоты Рис. IV. 9. Варикапы. Усиление и генерирование колебаний возможно на частотах, ие превышающих fR. Основные параметры. Пиковый ток 1п— прямой ток в точке максимума вольт-амперной характеристики, при котором di/du = 0. 176
КВПОБ КШЮВ RBiior КВ11ОД я ЬЯЯЯ Я Я Я Я Я Я ЯЖЛХЯ Ж-Я ЯЛЯЯ) я я я я я яяяя я “ и я я я я я я*я я я я я я i S SS g g § 5 S § S г § § £ £ £ £ = 58 = S S §1 > ® я я > "i я я > Я* я > ja i я я > я > Ja -I я я S Д901Е Д902 КВ101А VRI ЛОА Jg Й Й ): © © © © © 5 © -с мм — СО СП > Тип вари- капа 8...17 (3) 12...18 (4) 14,4...21,6 (4) 16,6...26.4 (4) 12...18 (4) 14,4—21,6 (4) х* 14...23 (4) 19—30(4) 25. ..40 (4) 19-30 (4) 19...30 (4) 18...32 (4) 28-48 (4) 90. ..120(4) 106...144 (4) 128...192 (4) 95...143 (4) 128... 192 (4) 400...600 (4) 400...600 (4) 20...50 (4) 15...35 (4J 10...40 (4...9) 10—40 (6...18) 30...65 (2.. .9) 30. ..65 (6—18) 2,3;..2,8 (25) - 2.. .2,3(25) 8„ .16 <31 22—32 (4) 22...32 (4) — 28—38 (4) 28...38 (4) 34—44 (4) 34—44 (4) 6. ..12 (4) 160 94П /П.Я1 i t Номинальная емкость, пФ (при на- 80 45 , 80 45 80 45 25 4 45 45 45 45 80 80 80 45 45 45 80 80 90 50 120 90 5.5...16 13...31 5,5.-.16 13.. .31 25 25 1 25 25 45 45 ' 45 45 45 Максимально допустимое обратное напряжение, В 4 3 4 3 4 3 1.1...1,2 2,5 2,5 2,5 2,5 3,5 3,5 3,5 3 3 3 3 3 4 3 Гз 1,5 й 4...5.5 4,5...О-,5 4...6 4 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 Коэффициент перекрытия j по емкости 300 150 150 & Э э 1 40 60 20 20 20 20 300 300. 160 160 800 100 40 50 40 100» 100» 100* 100* 100* 500 НПО 25 30 25 30 25 30 30 12 40 40 40' Добротность на 50 МГц, не менее частоте - - - - 1 1 10 10 5 5 5 5 5 . 50 50 20 20 100 100 100 100 0,5 0,5 0.5 0,5 1 Обратный ток, мкА, не бо- лее Го Го Го Го ГО 300‘0 SOO ‘0 900*0 0.09 5,0 5,0 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,15 0,15 7,0 7,0 0,1 0.1 0,1 0,1 П ОПК Э © => © £> э 0,25 0,25 0,25 0,25 0,25 0.25 Максимально допустимая . рассеиваемая мощность, ьт а 1 я ет D О ж э 1, 1 Э О , 1 D О э 1111 ь. >и Ль Ль СП с D О О О СЛ ъи— 09 — 09— L1 э о м 1 X 1 1 э о о о о © э 1. © э |_ © III "• л сл с. © © СЛ с —55 —55 —55 —55 КС 3 Э« 411 Интервал рабочих 1 темпера- + + + + +н МММ 1'Э 1'Э - + + + + + + +++++ и 5-55? ЗЗЗо g g gg +85 +85 +85 +85 +85 +85 + 100 +55 +85 +85 +85 +85 +85 +85 +85 +85 +85 +85 +85 1 я 0 IV.9, а IV.9. в 1V.9, д IV.9. * IV. 9,яс IV . 5. с IV.5, а IV.9, а IV.9, 6 IV.9. и IV.9. г Конструкция (номер ри- сунка) „ Т. я б л « uaf- IV.8.. ...Основные параметры варивапов
Продолжение табл. IV.8 — ст 3 8 3 «й 5 р. ф Интервал ГС О о рабочих 4 о < темпера- Л- Тип Номинальная емкость, пФ Б 4* CJ с на »нее SS Л 2- ® w о S тур °C § а. вари- (при напри- ыГ 2к к женим, В) £ £ я Й в « <и s 2 S3 ® 4g ® Я «2 35 К гс S S л и S 52 £Х gi; ГС О' ’В-5 <п о о ^4 с 4S л <и О ч и • й: о га и < л. от ДО S О & КВ110Е 17,6...26,4 (4) 45 2,5 150 1 0,1 —60 4-125 1V.5. а КВС111А 26,4...39,6 (4) 30 2,1 200 1 — —60 -| 100 IV.9. к КВС111Б 26,4...39,6 (4) 30 2,1 150 1 — —60 4-100 КВ11БА 100...700 0,1 — — 0,1-10—’ — —40 +85 1V.8.O КВ115Б 100...700 0,1 — 0,05- Ю"’ — -40 -1-85 КВ115В 100...700 0.1 — — 0.01-10'’ — —40 +85 КВ116 168.„262 (1) 10 20 100“ 1 — -40 +85^ 1V.9, « * На частоте 10 МГц. ••На частоте 1 МГц. Ток впадины /в — прямой ток в точке минимума вольт-ампериой характеристики, при котором dildu = 0, Отношение токов тун- нельного диода /П/7В — отношение пикового тока к току впадины. Напряжение пика Un — прямое напряжение, соответствующее пи» новому току. Напряжение епа&ины UB — прямое напряи^ние, соот- ветствующее току впадины. Напряжение раствора Upj) — прямое 178
напряжение, большее напряжения впадины, при котором ток равен пиковому. И ндуктивность диода — полная последовательная эквивалентная индуктивность диода при заданных условиях. Удельная емкость туннельного диода Сд//П — отношение емкости туннельного диода к пиковому току. Дифференциальное сопротив- ление — величина, обратная крутизне вольт-амперной характе- ристики. Резонансная частота туннельного диода fa — расчетная частота, при которой общее реактивное сопротивление р—«-пере- хода и индуктивности корпуса туннельного диода обращается в нуль. Предельная резистивная частота fR — расчетная частота, на которой активная составляющая полного сопротивления после- довательной цепи, состоящей из р—«-перехода и сопротивления потерь, обращается в нуль. Шумовая постоянная туннельного диода Кш — величина, определяющая коэффи- циент шума диода. Сопротивление по- терь туннельного диода гП — суммар- ное сопротивление кристалла, контакт- ных присоединений и выводов. Максимально допустимые параметры. К ним относятся: макси- мально допустимый постоянный прямой ток туннельного дирда /пр тах, макси- мально допустимый прямой импульсный ток /пр и|гах, макгимальнэ допустимый постоянный обратный ток /обртах> waK' симальио допустимая рассеиваемая СВЧ мощность диода Рсвч тах. Обращенный туннельный диод — Рис. IV.12. Вольт-амперная характеристика обращенного туннельного диода. диод с очень малым значением пико- вого тока. Так же, как и у туннельных, у обращенных диодов ток при малых обратных смещениях больше, чем при прямых. По- этому «проводящим» участком в данном случае служит обратная ветвь вольт-амперной характеристики (рис. IV. 12). Основные пара- метры обращенных туннельных (рис. IV. 13) диодов те же, что и туннельных (кроме 1/рр) (табл. IV.9 и IV. 10). Дополнительно задаются параметры обратной ветви характеристики (напряжение при заданном обратном токе). Диоды с барьером Шоттки выполняются на основе структуры металл—полупроводник. От диодов с р—«-переходом они отличаются лучшей технологичностью и более широкой областью применения: длй преобразования амплитуды и частоты электрических колеба- ний, световой энергии в электрическую, генерирования электри- ческих колебаний. Диоды с барьером Шоттки имеют малый уровень вносимых шумов и высокое быстродействие (порядка наносекунды). Выпускаемые промышленностью диоды с барьером Шоттки типов АА529, 3A530A, 3A531A предназначены для использования в аппа- ратуре СВЧ. р—I—w-диоды выполняются в виде трехслойной структуры, в которой крайние слои изготовляются из иизкоомного (сильнолегн- . рованного) полупроводника, а средний слой — из высокоомного (слаболегированиого)^ полупроводника. Под действием внешнего электрического напряжения изменяется внутренний импеданс дио> да, что позволяет использовать его в устройствах управления 179
Таблица IV.9. Основные параметры туннельных дюцов Л Отношение Напряже- Напряже- Макси- мально Тип Ток тока пика Hlft допусти- диода пика, мА к току впадины В раствора, В мое пря- мое напря- жение, В АИ101А 1 5 0,16 — 0,35 АИ101Б 1 5 0,16 — 0,35 АИ101В 2 6 0,16 —• 0,35 АИ101Д 2 6 0,16 — 0,35 АИ101Е 5 6 0,18 — 0,35 АИ101И 5 6 Л,18 — -0,35 1ИЮ2А 1.5 5 6,07...0,1 —• 1И102Б 1.5 5 0,07...0,1 — — 1И102В 1.5 5 0,07...0,1 —- — 1И102Г 2 5 0,09 — —- 1И102Д 2 5 0,09 —• 1И1 02Е 2 5 0,09 — 1И1 02Ж 2,7 5 0,07...0,09 — 1И102И 2,7 5 0,07...0,09 1И102К 2,7 5 0,07...0,09 — — ГИ103А 1,5 4 0,09 0,4 ГИ103Б 1,5 4 0,09 0,4 ГИ103В 1,5 4 0,09 0,4 ГИ103Г 1,7 1 4 0,09 — 0,4 1И104А 1.5 4 0,09 t ““ 0,4 1И104Б 1.5 4 0,09 0.4 1И104В 1.5 4 * 0.09 0.4 1И104Г 1,5 4 0.1 и.» 0.4 1И104Д 1.5 4 0,1 — . 0,4
Макси- мально до- пустимый прямой ток, мА Макси- мально допусти- мый об- ратный тик, мА Емкость диода, пФ Интервал рабо- чих температур, ° С Конструк- ция (номер рисунка) ОТ де ___ 4 -60 +70 ,1V.13. а — — 2...8 —60 +70 — — 5 —60 +70 — — 2,5...10 —60 +70 — — 8 -о0 +70 -• 4,5... 13 —60 +70 IV.13, а 3 3 0,9...!,8 —50 +70 3 , 3 1,4...2,2 -50 +70 3 3 1.8...3,0 -50 +70 4 4 1...2 -50 +70 4 4 1,6...2,6 -50 +70 4 4 2,2...3,2 -50 +70 5,4 5,4 1,2—2,2 -50 +70 5,4 5.4 1-.8...2.7 -50 +70 5,5 5.4 2,3...3,5 -50 +•70 1.5 1,5 •1...2.1 -60 +70 - IV.13, д 1.5 1,5 0,8...1,6 -60 +70 1,5 1,5 0,7...1,3 -60 +70 1,5 1.5 1...3.2 — 60 +70 1.5 1.5 0,8. ..1.9 -60 + 70- IV.13, t 1.5 1,5 4.6..1.4 —60 4-70 1.» 1,5. 4Д.-. 1.1 — + 70 i.a 1.5 0,48. ..1,0 —60 4-7С 0,75 1.5 0,4...0,9 —60 +70
181 1И104Е 4 0,1 0.4 0,75 АИ201А 1в 10 0,18 — 0,4 — АИ201В 10 10 0,18 — 0,4 — АИ201Г 20 10 0,2 — 0,45 — АИ201Е 20 10 0,2 — 0,45 — АИ201Ж 50 10 0,26 — 0,45 — АИ201И 50 10 0,26 — 0,45» — АИ201К 100 10 0,33 — 0,5 — АИ201Л 100 10 0,33 — 0,5 — ЗИ202А 10 10 0,2 — 0,4 — ЗИ202Б 10 10 • 0,2 — 0,4 — ЗИ202В 10 10 0,2 — 0,4 — ЗИ202Г 20 10 '' 0,22 — 0,45 — ЗИ202Д 20 10 0,22 — 0,45 — ЗИ202Е 20 10 • 0,22 — 0,45 — ЗИ202Ж 30 10 0,24 — 0,45 — ЗИ202И 30 10 0,24 0,45 — ЗИ202К 50 10 0,26 — 0,45 — АИ301А 2 8 0,18 0,65 — 1 АИ301Б 5 8 0,18 0,85...1,15 — 2,5 АИ301В 5 8 0,18 1,0...1,3 — 2,5 АИ301Г 10 8 0,18 0,8 — 5 ГИ304А 4,8 5 0,075 ' 0,44 — 10 ГИ304Б 5,2 5 0,075 0,44 — 10 ГИ305А 9,6 5 0,085 0,45 — .20 ГИ305Б 10,4 •5 0,085 0,45 — 20 ЗИЗО6Г 2 8 0,17 0,88...1,23 — . 0,-8 ЗИЗО6Е 2 8 0.17 0,88...1,23 — 1,8 ЗИЗО6Ж 5 8 0,17 0,88...1,23 — 2,0 ЗИЭ06К 5 8 0,17 0,9...1,26 — 4,5
1.5 0,4...0,8 8 ч -60 -60 +70 +70 IV.13, е 5...15 [10 • 6...20 15 -60 . +70 —60 +85 — -60 »+70 -60 +85 — 10.. .30 20 10...50 -60 -60 +85 +85 —60 +85 20 — 60 -1-85 IV.13. « 3 — 60 +85 20 1,5...3,0 60 +85 20 40 ' ,40 40 60 60 2,3...4,8 4 ' 2...4 3...6 5 4...8 ' ,^60 -60 —60 -60 -.60 -Н5 -t-B5 -t-85 . +85 -т-oo / .100 10 — 60 +70 -г 1'0 — 12 -60 IV.13, в — , 25 -60 +70 — 25 . — UU + 70 50 — 60 10 20 -60 +70 +70 IV.13, б 10 20. -60 20 +70 IV.13. б 30 . -40 т/и 20 30 —40 +70 4 8 —60 +70 1V.13, в 4 4...12 -60 +7 0 10 15 —60 +70 10 8...25 —60
08 - - Тип диода Ток пика, мА Отноше- ние тока пика к току впадины Напряже- ние пика, В Напряже- ние раствора, В Макси- мально допустимое прямое напряже- ние, В ЗИ306Л 10 8 0,17 0,9...1,26 — ЗИЗО6М 10 8 0.17 0,9...1,26 — ЗИЗО6Н 10 > 8 0,17 0,9.„1,26 — ГИ307А 2 7 0,07 0.4 — 1ИЗО8А 5 5 0,! — — 1И308Б 5 5 0,11 — — 1И308В ГО 5 0,11 — — 1И308Г 10 5 0,12 — — 1И308Д 10 5 0,13 — — 1И308Е 20 5 0,14 — — 1И308Ж 20 5 0,16 — 1И308И И 5 0,15 — — №388К 80 S 0,t8 — —
Продолжение табл. IV.9 Макси- мально допусти- мый пря- мой ток, мА Макси- мально допусти- мый об- ратный ток, мА Емкость диода, пФ « Интервал рабочих темпера- тур, 0 С Конструк- ция (номер рисунка) ОТ до 4 20 12 -60 +70 IV.13, в 4 20 30 -60 +70 9 20 15,..50 -60 +70 4 4 20 -40 +60 1V.13, б 6 9 1,5...5 -60 +70 IV.13, д 4 б 0,7...2 —60 +70 20 30 4...10 -60 +70 15 22,5 1,5...5 -60 +70 • 6 9 0,8.. .2- -60 +70 20 30 3...15 -60 +70 8 12 I...4 -60 +70 40 60 5,..20 -60 +70 20' 30 2,3...8 -60 +70
сигналами — аттенюаторах, модуляторах, ограничителях уровня и г. и. При использовании p-i- n-диодов в аттенюаторах системы Рис. IV.13. Туннельной и обращенные туннельные диоды. АРУ (см. гл. VII) сохраняется высокая линейность тракта при изменении усиления, а также уменьшается уровень вносимых шу- мов. Таблица IV. 10. Основные параметры обращенных туннельных диодов Тип диода Ток пика, мА Постоянное пря- мое напряжение. мВ Постоянное об- ратное напряже- ние, мВ Максимально до- пустнмый посто- янный прямой ток, мА Максимально до- 1 пустнмый посто- янный обратный ток, мА Емкость диода, пФ 1 Интервал ра- бочих темпе- ратур, °C Конструкция (но- мер рисунка) ОТ ДО ГИ401А — 330 90 0,3 4 2,5 —55 +70 IV.13, а ГИ401Б — 330 90 0,5 5,6 5 —55 + 70 АИ402Б 0.1 600 250 0,05 1 4 —60 4 85 IV. 13,в АИ402Г 0,1 600 250 0,05 1 8 —60 4-85 АИ402Е 0.2 600 250 0,05 2 8 —60 485 АИ402И 0,4 600 250 0.05 4 10 —60 4-аб ГИ403А 0,15 350 120 10* — 8 —40 4-60 IV.13,6 * Прямой импульсный ток. Светодиод — специально сконструированный полупроводнико- вый прибор, создающий некогерентное оптическое излучение опре- деленного спектрального состава при прохождении через него 183
прямого тока. Конструкцией светодиода предусмотрена возможность вывода светового излучения из области перехода сквозь прозрачнее стекло в корпусе. В зависимости от выбранного материала и ширины Рис. 1V.14. Прямые ветви вольт-амперной характе- ристики светодиода типа АЛ106: / — при пониженной, 2 — при нормальной, 3— при повышенной температу- рах; 4 — границы поля допусков при нормальной температуре. запрещенной зоны - полупроводника излу- чение может лежать в инфракрасной, види- мой или ультрафиолетовой областях спект- ра. Свойства и эффективность работы све- тодиода оцениваются совокупностью электрических, световых и эксплуатацион- ных характеристик. Основными из ии’х являются мощность и яркость излучения, эффективность преобразования электриче- ской энергии в световую, вольт-амперные, спектральные, динамические характери- стики, пространственное распределение из- лучения. Характеристики светодиода име- ют значительный разброс и существенно зависят от температуры. На рис. IV. 14 показаны прямые ветви вольт-амперной характеристики светодиода при различной температуре окружающей среды и разброс 'характеристик от экземпляра к экземпля- ру при нормальной температуре. Светодиоды используются как свето- вые индикаторы, источники излучения в оп- тоэлектронных парах, при работе с кино- Рис. IV. 15. Светодиоды. 184
Таблица IV. 11. рсногвые параметры светодиодов Тип диода Яркость, кд/м’ КЛ101А 10 КЛ101Б 15 КЛ101В 20. АЛ102А 5 АЛ102Б 40 АЛ 102В 20 АЛ102Г 10 АЛ103А — АЛ103Б — АЛ 106 А — АЛ106Б — АЛ106В АЛ107А — АЛ107Б — АЛ108А — А » « £ ск с. ЧСЕ о F* ей 2 ° В tc о £ Е О) ►5 О я <р 2to S 2 к Я ё©« SgS . , -Н— ей О. S £ с о i «е >»к< < с О? 2 5,5 10 — — 5,5 20 , — 5,5 40 — 3,2 10 2* — 4,5 20 2* — 4.5 20 2* — 3.0 10 2* — 1.6 52 2* 1,0 1.6 52 2* " 0,6 1.7 120 — 0,2 1,7 120 — 0,4 1,7 120 — 0.6 2,0 100 — 6,0 2.0 100 — 10,0 1.35 110 2 1.5 1 Цвет свечения зал ра> темпе - ° С Конструкция (иомер рисунка; xN иичил ратур, от | ДО Желтый —10 +70 IV.15, а » — 10 +70 — 10 +70 Красный —60 +70 IV.15, б » —60 +70 Зеленый —60 +70 Красный —60 +70 Инфра - -40 +85 IV.15, е красный > — 40 +85 —60 +85 IV.15, в » —60 +85 —60 +85 » — 40 +85 IV.15. д —40 +85 » —60 +85 IV. 15, « ♦ Максимально допустимое импульсное обратное напряжение. и фототехникой, в устройствах автоматики. Основные параметры светодиодов (рис. IV. 15) приведены в табл. IV. 11. Рекомендации по применению диодов. 1. При монтаже необхо- димо изгибать выводы диодов иа расстоянии не менее 10 мм от корпу- са в специальных, зажимах (если нет других указаний). 2. Пайка должна производиться на расстоянии не менее 10 мм от корпуса. Температура плавления припоя ие должна превышать 260'" С'(на- пример, припой ПОС-40). При этом необходимо установить тепло- отвод между местом пайки н корпусом диода. Время пайки должно быть минимальным (2...3 с). 3. Диоды следует располагать как мож- но дальше от элементов с большим тепловыделением (электронные лампы, силовые трансформаторы и т. д.). 4. Для нормальной ра- боты мощных выпрямительных диодов следует предусмотреть до- полнительные теплоотводы в виде металлических пластин (нз меди или' алюминия), металлических шасси, специальных радиатсров. 5. Не рекомендуется располагать диоды ни в постоянных, ни в псре- меииых сильных магнитных полях. 6. Для повышения надежности не следует использовать диоды в предельных режимах. Рекомендует- ся ограничивать рабочие токи и напряжения значениями, не превы- шающими 0,7 предельных. 7. При параллельном соединении дьсдов последовательно с каждым диодом необходимо включать резне юр (до 10 СМ в зависимости от типа диода). При последовательном соединении диодов их иесбходимо шунтировать резисторами 1Е5
(50...100 кОм на каждые 100 В обратного напряжения) или выравни- вающими конденсаторами. 8. Устройство с диодами необходимо рассчитывать с учетом максимально возможных изменений пара- метров в диапазоне рабочих температур и дрейфа параметров в про- цессе эксплуатации и хранений.' В табл. IV.12 приведены критерии сохранения работоспособ- ности днодов при изменении их параметров. Правильно рассчитанное устройство должно оставаться работоспособным при изменении пара- метров диодов в указанном интервале. Таблица IV.12. Критерий сохранения работоспособности диодов при изме- нении их параметров Параметр Критерий • Постоянное прямое напряжение • Постоянный обратный ток Время восстановления обратного сопротивления Напряжение стабилизации Дифференциальное сопротивление ('пр < 1’5^пр Л>бр ^обр Iе) твос < 1»-* *Твос 1е* Ь,ст < *днф < ЬГ>Тднф(с) • (с) — сдаточная норма по Техническим условиям. § 2. Биполярные транзисторы Транзистор — электропреобразовательиый полупроводниковый при- бор с одним или несколькими электрическими переходами, пригод- ный для усиления мощности и имеющий три или более выводов. Биполярный транзистор — транзистор, в котором использу- ются заряды носителей обеих полярностей. В отличие от полупро- водниковых диодов биполярные транзисторы имеют два электрон- но-дырочных перехода. Основанием прибора служит пластина полу- проводника, называемая базой. С двух сторон в нее вплавлена примесь, создающая области с проводимостью, отличной от прово- димости базы. Таким образом получают транзистор типа п—р—п, когда крайние области являются полупроводниками с электронной проводимостью, а средняя — полупроводником с дырочной прово- димостью, и транзистор типа р—п—р, когда крайние области яв- ляются полупроводниками с дырочной проводимостью, а средняя — полупроводником с электронной проводимостью. Нижнюю область называют эмиттером, а верхнюю коллектором. На границах облас- тей с различной проводимостью образуются два перехода. Переход, образованный вблизи эмиттера, называют эмиттериым, вблизи кол- лектора — коллекторным. При использовании транзистора в схе- мах на его переходы подают внешние напряжения (рис. IV. 16). В зависимости от полярности этих напряжений каждый из перехо- дов может быть включен либо в прямом, либо в обратном направле- нии. Соответственно различают три режима работы транзистора: ре- жим отсечки, когда оба перехода заперты; режим насыщения, когда оба перехода отперты; активный режим, когда эмиттерный переход частично отперт, а коллекторный заперт. Если же эмиттерный пере4 186
ход. смещен в обратном направлении, а коллекторный — в прямом, то транзистор работает в обращенном (инверсном) включении. В основном транзистор используют в активном режиме, где для смещения эмнттерного перехода в прямом направлении на базу транзистора типа р—п—р подают отрицательное напряжение отно- сительно эмиттера, а коллектор смещают- в обратном направлении подачей отрицательного напряжения относительно эмиттера. Напря- жение на коллекторе обычно в несколько раз больше напряжения на ^эмиттере. Классификация. Транзисторы классифицируются по исходному материалу, рассеиваемой мощности, диапазону рабочих частот, прин- ципу действия и т. д. В зависимости от исходного материала их- делят на две группы: германиевые и кремниевые. Германиевые транзисторы работают в интервале тем- ператур от —60 до ф-78... 85° С, крем- ниевые — от —60 до + 120...150i С. По диапазону рабочих частот их делят на транзисторы низких, средних и высоких частот, по мощности — на классы тран- зисторов малой, средней и большой мощности. Транзисторы малой мощнос- ти делят на шесть групп: ус'илители низ- ких и высоких частот, малошумящие усилители, переключатели насыщенные, ненасыщенные и малотоковые (преры- ватели); транзисторы большой мощнос- ти — на три группы: усилители, гене- раторы, переключатели. По технологи- ческому признаку различают транзис- торы сплавные, сплавно-диффузионные, Рис. IV. 16. Структура тран- зистора и схема иодачи на- пряжений иа его электроды. диффузионно-сплавные, планарные, эпитаксиальные, конверсион- ные, эпитаксиально-планарные. Обозначение типа биполярных транзисторов состоит из не- скольких элементов (ГОСТ 10862—72). Первый элемент обозначает исходный материал, из которого изготовлен прибор: германий или его соединения — Г; кремний или его соединения — К; соединения галлия — А. Для транзисторов, используемых в устройствах спе- циального назначения, установлены следующие обозначения исход- ного материала: германий или его соединения — 1; кремний или его соединения — 2; соединения галлия — 3. Второй элемент — подкласс полупроводникового прибора. Для биполярных транзис- торов вторым элементом является буква Т. Третий элемент — на- значение прибора (табл. IV. 13). Четвертый и пятый элементы — порядковый номер разработки и технологического типа прибора (от 01 до 99). Шестой элемент — деление технологического типа на параметрические группы (буквы русского алфавита от А до Я). Например: транзистор, предназначенный для устройств широкого применения, германиевый, низкочастотный, малой мощности, но* мер разработки 15, группа А — ГТ115А. На.боры дискретных полупроводниковых приборов обознача- ются в соответствии с их разновидностью и перед последним эле- ментом добавляется буква С. Обозначение типа транзисторов, разработанных до 1964 г., состоит из трех элементов: первый — буква П (полупроводниковый триод, транзистор); второй — цифра (порядковый номер разработки в соотиетствии с табл. IV. 14); третий — буква, соответствующая 187
T a б л и ц а IV.13. Третий, четвертый и пятый элементц обозначения типа транзистора Мощность рассеиваиня. Вт Обозначение при граничной частоте передали тока до 3 МГц (низкоч астотные) до 30 МГц (средиеч астотные) более 30 МГц (высокоч астотн ые) 4 До 0,3 (малая) 101...199 201...299 301...399 До 1.5 (средняя) 401...499 . 501 ...599 601 ...699 Более 1,5 (большая) 701...799 801 ...899 901..-999 Таблица IV.14. Второй элемент обозначения типа транзисторов, разрабоч тайных до 1964 г. Материал Мощность рассеивания, Вт Обозначение при граничной частоте передачи тока До 5 МГц (низкочастот- ные) более 5 МГц (высокоч астот- ные) Германий До 0,25 (малая) 1...99 401 ...499 Кремний 101 ...199 501... 599 Германий Более 0,25 (большая) 201.„299 601... 699 Кремний 301...399 701...799 разновидности транзистора данного типа. В обозначение модернизи- рованных транзисторов входит буква М (например, МП101А, МП21В). Обозначение параметров биполярных транзисторов установле- но ГОСТ 20003—74. Параметры постоянного тока характеризуют неуправляемые токи транзистора, связанные с обратными токами переходов.. Об- ратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор — база н разомк- нутом выводе эмиттера (рис. IV. 17, а). Обратный ток эмиттера — ток через эмиттерный Переход при заданном обратном напри- женни эмиттер — база и разомкнутом выводе коллектора (рнс. IV, 17,6). Обратный ток коллектор —эмиттер /^эо — ток в цепи кол. лектор — эмиттер при заданном Обратном напряжении коллектор — эмиттер (рис. IV. 17, в). Обратные токи коллектора и эмиттера зависят от температуры переходов: / _ /125) /1(Л,-25). . _ ,(25) ек'(ТЛ~25> 'КБО ~ 'КБО е ' 'ЭБО _ 'ЭБО * При разомкнутом выводе базы — ПРИ коРоткозамкнУтых вывОдак эмиттера и базы — ^КЭК’ ПРИ заДаииом сопротивлении в цепи база — эмиттер — при заданном обратном напряжении эмиттер- база — /«.эх. 183
где ’^КЕО» ^эбо — обратные теки' коллектора и эмиттера при 25”.С; k}— коэффициент, равный 0,06...0,09 1/°С для германия и 0,08... ...0,12 1/°С для кремния; Тп — температура перехода, °C. Эти зави- Рвс. IV.17. Схемы измерения: с —обратного тока коллектора: б—обратного тока эмиттера; в*-обратного тока коллектор — эмиттер. симости могут быть нарушены вследствие протекания тока поверх- ностной утечки, особенно при низких температурах, когда объемцые токи /КБо‘и /ЭБО малы, и больших напряжениях, когда поверхност- ные токи сравнительно велики. Обрат- ный ток коллектора /^бо является основным дестабилизирующим факто- ром в каскадах иа транзисторах. Малосигиальиые параметры харак- теризуют работу транзистора при воздействии малого сигнала, т. е. Рис. IV. 18. Схема четырехполюс- ника, эквивалентного транзи- стору. сигнала, возрастание амплитуды ко- торого на 50% приводит к увеличе- нию измеряемого параметра иа ма- лую величину соответственно задан- ной степени точности (обычно не более, чем на 10%). При воздей- ствии малого сигнала транзистор рассматривают как линейный активный несимметричный четырехполюсник (рис. IV. 18), у кото- рого один из зажимов всегда является общим для входа и выхода. В зависимости от того, какой из электродов транзистора подклю Рис. IV.19. Схемы включения биполярного транзистора чен к общему зажиму, различают включения с общей’базой, общим эмиттером и общим коллектором. Варианты схем включения тран- зистора приведены на рис. IV. 19. В соответствии с теорией четырехполюсников входные и выход- ные напряжения и токи (t/j, /ри <72, /2) однозначно связаны между собой системой уравнений, содержащей четыре параметра четырех- полюсника. Система h-параметров получила широкое распространение, так как при измерении этих параметров требуется воспроизведение •189
хопостого хода на входе (4=0) или короткого замыкания на выходе (U2~ 0), что легко выполнить. В этой системе параметров уравне- ния четырехполюсника записываются в виде £4. = йц/i + ft[2C/2; Z2 = h21li + h22f/2. Все ft-параметры имеют определенный физический смысл: hlt — — UJli — входное сопротивление транзистора при короткозамкну- том выходе ([/2= 0); ftX2= — коэффициент обратной связи по напряжению при разомкнутом по переменному току входе (/1= 0); ft21= /2//v— коэффициент передачи тока при короткозамк- нутом выходе (U2 = 0); ft22 = 12/ И2— выходная проводимость при разомкнутом по переменному току входе (4= 0). Обычно ft-параметры измеряют при включениях транзисторов ОБ нли ОЭ. Связь между ft-параметрами для разных схем включе- ния определяется формулами ^пб^^ПэЛ1 + Л21э); fti26~ 1эЛ22э/(1 + й21э); ^216 ~ ^21э/(* + ^21э); ft226~ й22,/(1 + л21э); ^пк — аНэ; А12к= */(• +Л12э): ^21к ~ —(• + ^21э); Л22к ~ Л22э' Для наиболее часто используемых параметров (коэффициент пере- дачи тока при включении с ОБ и ОЭ) введены особые обозначений; ft216 = —a; ft2Js = р. Зависимость между а и р определяется выра- жением р = а/(1 — ос). Так как малоснгнальные параметры изме- ряют на низкой частоте (ц основном 270 н 1000 Гц), нх можно счи- тать действительными величинами. Система у-параметров используется преимущественно на вы- соких частотах. По способу определения «/-параметры являются параметрами короткого замыкания по переменному току на входе или выходе, что вытекает из уравнений G ~ У1№1 + У 12^2’ 4 = У 21^1 “Ь У 22^2- Все ^/-параметры имеют определенный физический смысл: «/х1 = — liIUl — входная проводимость *при короткозамкнутом выходе (С/2= 0); yi2 = 111^2 — обратная взаимйая проводимость при ко- роткозамкнутом входе ([4=0); i/2X = —прямая взаимная проводимость (крутизна) при короткозамкнутом выходе; у22 — = 12IU2 — выходная проводимость при короткозамкнутом входе. Связь между ft- и «/-параметрами выражается формулами йхх=1/{/х«; J/ii=l/ftii; й«2 =—У12/У11, У12 =•—йх2/йхх; Й21 = У21/Уи', ' У21 = й21/Лц; Й22 ~ У22 -У12У211У1й У22 = ^22--^J2ft2j/ft]J. Обычно в справочниках приводятся ft-параметры прн включении тран- зистора с ОБ. По этим параметрам можно определить ^/-параметры при включении с ОЭ: ^21б)^11б: У12э = ^22б ^126^ ^21б)^11б> У21э ~ Su = h2l6/hl 1б; «/22э = ft22g + ^126ft216/ft( (б- 190
Если вместо Л21С в справочнике приведено h2l3, то следует восполь- зоватьси формулой Л210 = й21э/(1 -|- Л21э). Малосигнальиые параметры транзистора зависят от схемы его включения, режима работы, температуры и частоты. Так, параметр /г21э прямо пропорционален, a /iU(S — обратно пропорционален току коллектора. Это необходимо учитывать, если режим работы тран- зигтора отличается от режима измерения параметров. "Высокочастотные параметры характеризуют транзисторы иа высоких частотах. Граничная частота по определенному параметру — это частота, выше которой транзистор не может быть использован как усилительный элемент. Граничная частота коэффициента пе- редачи тока при включении с общим эмиттером /гр — частота, при которой модуль коэффициента передачи тока при включении с об- щим эмиттером равен единице. t Предельная частота по определенному параметру •— частота, при которой этот параметр уменьшился на определенную величину (обычно 3 дБ) по сравнению с первоначальным (низкочастотным). П редельная частота передачи тока при включении с ОБ fn2l6 — частота, при которой модуль коэффициента передачи тока меньше на 3 дБ по сравнению со значением иа низкой частоте. Предельная частота по крутизне характеристики fs'— частота, при которой модуль крутизны проходной характеристики при включении с ОЭ мешьше на 3 дБ по сравнению с его значением на низкой частоте. Максимальная частота генерации /тах — наибольшая частота, при которой транзистор способен генерировать в автогенераторе. Емкость коллекторного перехода — емкость между выво- дами базы и коллектора при заданных обратном напряжении эмит- тер •— база и режиме эмиттерной цепи. Емкость Ск в первом при- ближении является функцией напряжения на коллекторе Ск ~ V ^кэ/^кэ справ* где Ск гг,р,р — емкость коллекторного перехода, приведенная в спра- вочнике для определеииого Сопротивление базы гБ, — сопротивление между выводом базы и переходом база — эмиттер. На достаточно высокой частоте гБ, = = I Л11э I ^Постоянная времени обратной связи на сысокой частоте тк — произведение сопротивления базы на емкость Коллекторного перехода (тк = гБ,Ск). Эта-величина используется при расчетах ^-па- раметров на высоких частотах. В справочных данных приводятся Ск, гБ», Ск, измеренные при -определенном режиме. Высокочастотные параметры транзистора связаны между собой определенными зависимостями. Так, ^шах ~ Г /гр/тК: ^Л2|б ~ ^21б/гр: fs = frph\\6^rB’’ /д21э —/гр/(1 +й21э), где fma* — максимальная частота генерации, МГц; /гр— граничная частота коэффициента передачи тока при включении с ОЭ, МГн; 1S1
тк — постоянная времени, пс; ^2)б— предельная частота коэффици- ента передачи тока при включении с ОБ, МГц; fs —предельная час- тота по крутизне характеристики, МГц; — предельная частота коэффициента передачи тока при включении с ОЭ, МГц. Активные составляющие входной и выходной проводимостей транзистора на высокой частоте f < 500 МГц при включении с ОЭ можно определить по формулам £вх — (1 + ^2Ь/,11б'Их/ГБ')^21э/,11б (I + Vs); _ . ^216 £вых Л22б ’ tj "116 2«/stkVs "126 + ~—— 1 + Vs . входную и выходную емкости — по формулам 1 — гБ,//г11б/г21э „ wrpft11(S (• + /$)' вы‘ крутизну характеристики — по формуле Свк ТК (IV. 1) (IV.2) ; (1V.3) 5 ~ h2i3/(l + А21э) Аиб т I 4- ys; модуль обратной взаимной проводимости — по формуле IУ it I — 2л/sVs^K’ (IV.4) (IV.5) где Vs~fffs- Если величина Л)1б отсутствует в справочных данных транзистора, ее можно рассчитать по формуле Лн6~лэ + гб7^2Ь' где гэ = 25,6а//к; гБ, = тк/Ск. Вформулах (IV.1)...(IV.5) ие учтены индуктивности выводов транзистора, которыми можно пренебречь на частотах f < 0,3 /гр, не снижая точности расчета. Коэффициент шума Кш —'отношение мощности шумов на вы- ходе транзистора к той ее части, которая обусловлена тепловыми шумами сопротивления источника сигнала. Коэффициент шума су- щественно зависит от частоты, режима транзистора (С7К, 1^, внут- реннего сопротивления источника сигнала и температуры. В табли- цах параметров транзисторов приведены гарантируемые макси- мальные значения в определенном, не оптимальном режиме и только для малошумящих транзисторов. Для получения минимального уровня шумов необходимо найти наивыгоднейший режим по току и напряжению при оптимальном сопротивлении источника сигнала. На рис. IV.20 приведены усредненные зависимости коэффициента шума от частоты для германиевых и кремниевых транзисторов. Для обеспечения работы усилителя в «малошумящем» режиме не- обходимо, чтобы его первые каскады использовались при малых токах эмиттера (0,4...0,5 мА), небольшом напряжении иа коллек- торе (0,5...2,5 В) и по возможности узкой полосе рабочих частот. Параметры большого сйгиала характеризуют работу транзис- тора при изменениях токов и напряжений в широких пределах. Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмитте- ром h2\3 — отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданных постоянных обратном напряжении кол- 192
лектор — эмиттер и токе эмиттера в схеме с общим эмиттером. Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером уиэ — отношение постоянного тока коллектора к постоянному на- пряжению база — эмиттер при заданном напряжении коллектор — эмиттер. Статическая крутизна прямой передачи используется для расчета схем с генератором напряжения на входе (например, в мощ- ных усилительных каскадах) и почти не зависит от схемы включе- ния транзистора. М а ксимальио допустимые параметры ог- раничивают область допустимых режимов работы транзисторов. Превышение максимально допустимых параметров резко снижает надежность работы тран- зисторов. Тепловые параметры характеризуют устойчи- вость транзисторов при работе в широком диапа- зоне температур и опре- деляют связь между рас- сеиваемой электричес- кой мощностью н темпе- ратурой определенных областей приборов. Мак- симальная температура перехода Ттел — макси- мальная положительная температура перехода, при которой обеспечи- %и,Дб 1Q 8 6 4 2 О Кремниевые транзисторы^ 6 дБ/окт Германиевые транзисторы /„ — Lnf 4 / вается заданна я иадеж- ность, устанавливаемая с определенным коэффи- циентом запаса. Для' германия Тта* составляет Рис. IV.20, Усредненные зависимости ко- эффициента шума транзисторов от частоты. 80... 100° С, для кремния — 150...200° С* Минимальная температура перехода (окружающей среды) Tmln— -минимальная отрицательная температура, при которой обеспечи- вается заданная надежность. определяетси разрушающими механическими усилиями, возникающими между отдельными элемен- тами транзистора при его охлаждении. Общее тепловое сопротивление транзистора (переход — окру- жающая среда) RT = (Та — Т^)/Рп, где ТП — температура перехода, °C; Тс — температура окружающей среды, °C; Ра — мощность, рас- сеиваемая иа переходе. Тепловое сопротивление транзистора (пере- ход-корпус) (Т„—Тк)/Рр, где Тк — температура корпуса транзистора, °C. Максимально допустимая рассеиваемая мощность биполярного транзистора с ростом температуры снижается и для каждой конкрет- ной температуры определяется по формулам Рmax ~ max — ^п)^Т (для маломощных транзисторов); pmax.~^max — Гп)^в <для мощных транзисторов без теплоотвода); Ртах т ~ (^гпах—^с)^в + ^кс) (для МОЩНЫХ транзисторов с теплоотводом), 7 1-88 193
где /?кС — тепловое сопротивление корпус — среда, ®С/Вт (зави- сит от качества радиатора). Для транзисторов малой мощности в справочнике приводится Rj, а для мощных транзисторов — Вольт-амперные характеристики содержат информацию о свойствах транзистора во всех режимах работы при больших и ма- рке. IV.21. Входные характеристики транзистора при включении: о — с ОБ; б — с ОЭ. лых сигналах, в том числе о связях между параметрами. По вольт- амперным характеристикам можно определить ряд параметров, не приводимых в справочной литературе, а также рассчитать цепи смещения, стабилизации режима, оценить работу транзистора' в широком диапазоне импульсных и постоянных токов, мощностей Рис, IV. 22. Еыходные характеристики транзистора при включении а — с ОБ; б — с ОЭ. и напряжений. В основном используются два семейства статических вольт-амперных характеристик: входных и выходных. . Входные характеристики устанавливают зависимость входного тока (ток базы или эмиттера) от напряжения между базой и эмит- тером при определенном напряжении на коллекторе. Входные ха- рактеристики транзистора (рис. IV.21) аналогичны характеристи- кам диода в прямом направлении с экспоненциальным возрастанием 194
*4 Таблица IV.15. Основные параметры транзисторов 'малой мощности низкочастотных Параметр Обозна- чение Еди- ница Тип транзистора МП9А МП10 МП10А МП10Б МП11 МП11А МП13 Обратный ток коллектора при I/jcp, В* Обратный ток эмиттера при УдБ1 Режим измерения Л-параметров ;КБО мкА 20/25 20/15 30/30 30/30 20/15 20/15 15/5 ;ЭБО мкА 30/15 30/15 30/30 зо/зо 30/15 30/15 30/15 напряжение коллектора UK В 5 5 5 5 5 5 5 ток коллектора 1к мА 1 1 1 1 1 1 1 Входное сопротивление Л11б Ом — — — — — — 30 Коэффициент передачи тока й21э — 15...45 15...30 15,..30 25...'50 25...50 45...100 > 12 Коэффициент обратной связи Л12б — — — — — — — 4 • 10-’ Выходная проводимость h226 мкСм 2,5 2,5 2,5 2,5 3,3 3,3 3,3 Предельная частота коэффициента передачи f/l216 МГц 1 1 1 1 2 2’ 0,5 Емкость коллекторного перехода СК пФ 60 60 60 60 60 60 50 Постоянная времени цепи обратной связи ТК ПС — — — — —• — Коэффициент шума Максимально допустимые параметры Кщ ДБ 10 — — — —• —• постоянное напряжение коллектор-база УКБ шах В 15 15 30 30 15 15 15 постоянное напряжение коллектор—эмиттер ^КЭ max в 25 25 30 30 25 25 15 постоянный ток коллектора max мА 20 20 20 20 20 20 20 импульсный ток коллектора a max мА 150 150 150 150 150 150 150 рассеиваемая мощность без теплоотвода ^max мВт 150 150 150 150 150 150 150 Максимальная температура окружающей среды T’max »С +70. +70 +70 +70 +70 +70 +70 Минимальная температура окружающей среды ЛтНп °C -60 -60 -60 -60 -60 -60 -60 Общее тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал Конструкция и расположение выводов (номер рисунка) Основное назначение ° С/мВт 0,2 Для ус» кой И П{ 0,2 п—р—п, IV.2 лителей и омежуточ 0,2 германий 3, а генерато ной часто 0,2 ров низ- 0,2 п—р—п, IV. 2 Для уси торов в 0,2 германий 3, а лителей н диапазон до 2 МГц 0,2 р—п—р. германий IV.23, а генера- частот
из „ СО ' * Параметр Обозна- чение Еди- ница Обратный ток коллектора при 1/КБ> ®* ZKEO мкА Обратный ток эмиттера при УЭБ> В* 7ЭБО мкА Режим измерения ft-параметров напряжение коллектора "К В ток коллектора 'к мА Входное сопротивление А11б Ом Коэффициент передачи тока А21э — Коэффициент обратной связи А12б — Выходная проводимость А22б мкСм Предельная частота коэффициента передачи ^А21б МГц Емкость коллекторного перехода СК пФ Постоянная времени цепи обратной связи тк ПС Коэффициент шума дБ Максимально допустимые параметры постоянное напряжение коллектор—база УКБ шах В постоянное напряжение коллектор—эмиттер УКЭ шах В постоянный ток коллектора lK max мА импульсный-ток коллектора /К и max hfA .рассеиваемая мощность без теплоотвода ^max мВт Максимальная температура окружающей среды 7max . вС Минимальная температура окружающей'среды' " T’niin ° с Общее тепловое сопротивление транзистора • С/мВт Тип перехода, материал Конструкция и расположение выводов (номер рисунка) Основное назначение i
Продолжение табл. IV.IS Тип'транзистора МП13Б МП14 МП14А МП14Б МП15 МП15А МП16 15/5 15/5 15/5 15/5 15/5 15/5 — 30/15 30/15 30/30 30/30 30/15 30/15 —«а 5 5 5 5 5 5 1 1 1 1 1 1 1 10 30 30 30 30 30 30 20...60 20...40 20...40 30...60 30...60 50...100 25...30 4 • 10-’ 4.10~а 4-10-’ 4 • 10-’ 4 • 10—» 4 • 10-а — 3,3 3,3 3,3 3,3 3,3 3.3 —* 0,5 1.0 1 1 2 2 1 50 50 50 50 50 50 — __ —. —• 12 — — — — — —< 15 15 ’30 30 15 15 — 15 15 30 30 15 15 15 20 20 20 20 20 20 50 160 150 150 150 150 150 300 150 150 150 150 150 150 200 +70 +70 +70 +70 +70 +70 4-70 -60 -60 —60 «W-60 —60 —- 60 0,2 0,2 0,2 0,2 0.2 0,2 и, + р— п—р, германий IV.23. Для усилителей и генераторов в диапазоне до 2 МГц частот "Для уст» ройств перекале» чения
Параметр Обозна- чение Обратный ток коллектора при В* Обратный ток эмиттера прн C/gg, В» Режим измерения Л-параметров напряжение коллектора ток коллектора Входное сопротивление Коэффициент передачи тока Коэффициент обратной связи Выходная проводимость Предельная частота коэффициента передачи Емкость коллекторного перехода Постоянная времени цепи обратной связи Коэффициент шума Максимально допустимые параметры постоянное напряжение коллектор—база постоянное напряжение коллектор—эмиттер постоянный ток коллектора импульсный ток коллектора рассеиваемая мощность без теплоотвода Максимальная температура окружающей среды Минимальная температура окружающей среды Общее тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал Конструкция и расположение выводов (иомер рисунка) Основное назначение 7КВО ' У эво ук /к ft116 Й21э *126 &22б ^216 СК УКБ max УКЭ max ^К max ZK и max ^max Tmax rmin Яр
Прадолжети табл. IV.IS Еди- ница Тип транзистора МП16А МП16Б МП20А МП20Б МП21В МП21Г МП21Д мкА — 50/50 50/30 50/40 50/60 50/50 мкА — — 50/30 50/30 50/40 50/60 50/50 В 1. 1 5 5 5 5 5 мА 10 10 5 5 5 5 5 Ом — — 20 20 20 20 20 — 30...50 45...100 50...150 80...200 20...100 20...80 60...200 — —- —• — — —> мкСм — — 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 МГц 1 2 2,0 1,5 1,5 1.0 1.0 пФ — — 30 30 30 30 30 ПС — — — — — —• ДБ — — — — — — —• В — — зо 30 40 60 50 В 15 15 20 20 30 35 30 мА 50 50 50 50 50 50 50 мА 300 300 300 300 300 300 300 мВт 200 200 150 150 150 150 150 » С +70 +70 + 70 +70 +70 +70 +70 ° С -60 -60 -60 -60 -60 -60 -60 » С/мВт 0,2 р—п—р, IV. 0,2 германий 23. а 0,33 0,33 р— 0,33 i-р, герм IV, 23, о 0,33 акий 0,33 Для устройств переключения Для усилителей, генераторов и устройств пере ключ ездя
Обозна- чение Обратный ток коллектора при С/щ;. ®* Обратный ток эмиттера при УдБ1 ®* Режим измерения Л-параметров напряжение коллектора ток коллектора Входное сопротивление Коэффициент передачи тока Коэффициент обратной связи Выходная проводимость Предельная частота коэффициента передачи Емкость коллекторного перехода Постоянная времени цепи обратной связи Коэффициент шума Максимально допустимые параметры постоянное напряжение коллектор—база постоянное напряжение коллектор—эмиттер постоянный ток коллектора импульсный ток коллектора рассеиваемая мощность без теплоотвода Максимальная температура окружающей среды Минимальная температура окружающей среды Общее тепловое сопротивление транзистора ZKBO Z3BO ук ZK А11б а21э а126 а226 ^>216 СК Лш иКБ max ^КЭ max ZK max ZK и max ^max zmax zmin Тип перехода, материал Конструкция и расположение выводов (номер рисунка) Основное назначение
Продолжение табл, IV,/5 Тип транзистора Еди- ница МП21Е МП25 МП25А МП25Б МП26 МП26А МП26Б мкА 50/70 75/40 75/40 75/40 60/35 60/35 60/35 мкА 50/70 75/40 75/40 75/40 75/40 75/40 75/40 В 5 ' 20 20 20 20 20 20 мА 5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 Ом 25 25 25 25 25 25 25 — 30...150 13...25 20...40 30...80 13...25 20...40 30...30 —- — 4.10—8 4-10—8 4 • 10—8 4 • !0~8 4 • 10—’ 4 10—8 мкСм 2,5 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 М1?ц 0,7 0,2 0,2 0,5 0,2 0,2 0,5 пФ 30 70 70 70 50 50 50 ПС — — — •— — «— ДБ — — — — — — — В 70 40 40 40 70 70 70 В 35 40 40 40 70 70 70 мА 50 50 50 50 50 50 50 мА 300 300 400 400 300 400 400 мВт 150 200 200 200 200 200 200 ’С +70 +60 +60 +60 +60 +60 +60 ’ с -60 -60 —60 -60 —60 -60 -60 С/мВт 0,33 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 р—n—р, германий IV,23, а Для усилителей, генераторов и устройств переключения
Параметр i Обозна- чение Обратный ток коллектора при Уцб, В* ?КБО Обратный ток эмиттера при УэБ’ В* 7ЭБО Режим измерения ft-параметров напряжение коллектора • ук ток коллектора 'к Входное сопротивление Лцб Коэффициент передачи тока . Й21э Коэффициент обратной связи Л126 Выходная проводимость &22б Предельная частота коэффициента передачи ^216 Емкость коллекторного перехода Ск. Постоянная времени цепи обратной связи ’к Коэффициент шума Кш Максимально допустимые параметры постоянное напряжение коллектор—база УКБ max постоянное напряжение коллектор—эмиттер ^КЭ max постоянный ток коллектора ZK max импульсный ток коллектора и max рассеиваемая мощность без теплоотвода ^max Максимальная температура окружающей среды 7"max Минимальная температура окружающей среды T'min Общее тепловое сопротивление транзистора R 7 Тип перехода, материал Конструкция и расположение выводов (номер рисунка) Основное назначение
Продолэиниг табл. IV.IS Тип транзистора Еди- ннца МП 27 МП27А МП 28 МП35 МП36А МП37 МП37А мкА 3/5 3/5 3/5 —. — —— мкА — — 15/5 15/5 15/5 15/5 В 5 5 5 5 5 5 5 мА 0,5 0,5 0,5 1 1 1 1 Ом 50 50 50 26 26 26 26 — 20... 100 20...170 20... 200 10...125 15...45 15...30 15...30 — — —. з. ю—* 3 • 10-‘ 3 • 10—* мкСм МГц 2 1,0 1 1,0 I 5 3,3 0,5 3,3 1 3,3 1 3,3 1 пФ 50 50 50 50 50 50 50 ПС — — — — — ДБ 10 5 5 . — 12 — — В 5 5 5 15 15 15' 30 В 5 5 5 15 15 ' 15 30 мА 6 6 6 20 20 20 20 мА — — —* 150 150 150 150 мВт 30 30 30 150 150 150 150 ° с +60 + 60 +60 +60 +60 +60 +60 ° с 0 С/мВт -60 -60 -60 -60 0,2 -60 0,2 -60 0,2 —60 0,2 р—л —Р, германий IV.23. а л—р—л, IV. германий 23, а Для малошумящих усилителей Для аппаратуры связи широкого применения
200 Параметр Обмана - чение Обратный ток коллектора при ^КБ' в* Обратный ток эмиттера при Ugg, В* Режим измерения Zt-параметров напряжение коллектора ток коллектора Входное сопротивление Коэффициент передачи тока Коэффициент обратной связи Выходная проводимость Предельная частота коэффициента передачи Емкость коллекторного перехода Постоянная времени цепи обратной связи Коэффициент шума Максимально допустимые параметры постоянное напряжение коллектор—база постоянное напряжение коллектор—эмиттер постоянный ток коллектора импульсный ток коллектора рассеиваемая мощность без теплоотвода Максимальная температура окружающей среды Минимальная температура окружающей среды 7кво 7эво "к 'к Либ а21э а126 А22б ,а216 СК кк УКБ max иКЭ max ^К max ^К и max pmax ^max rmin Общее тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал Конструкция и расположение выводов (номер рисунка) Основное назначение
Продолжение fV 18 Тип транзистора Еди- ница МП37Б МП38 МПЗ 8 А МП39 МП39Б МП40 МП40А мкА — —. 15/5 15/5 15/5 15/5 мкА 15/5 15/5 15/5 30/5 30/5 30/5 30/5 В 5 5 5 5 5 5 5 »А 1 1 1 1 1 1 1 Ом 26 26 26 25 25 25 25 — 25...50 25...55 45... 100 > 12 . 20...60 20...40 20...40 — 3...10-* з. ю-« 3 • ю-* 5 10-‘ 5 • Ю~* 5 • Ю-* 5 • 10~* мкСм 3.3 3,3 3,3 3,3 3,3 3,3 3,3 МГц 1 2 2 0,5 0,5 1,0 1.0 пФ 50 . 50 50 60 60 60 60 ПС — — — — — ДБ — — — 12 — — —а В 30 15 15 10 10 10 30 В ' 30 15 15 15 15 15 30 мА 20 20 20 40 40 40 40 мА 150 150 150 150 150 150 150 мВт 150 150 150 150 150 150 150 •С +60 +60 +60 +60 +60 +60 +60 * с -60 —60 -60 -40 —40 —40 —40 ° С/мВт 0.2 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 п—р—п, германий IV. 23, а 'Для' аппаратуры связи Для р« р—п—р, германий IV.23, а шовешательиых приемников ,широкого применения и устройств переключения
Параметр Обозна- чение Обратный ток коллектора при Пкб- б* Обратный ток эмиттера при J/дБ' в* ’ Режим намерения fc-параметоов напряжение коллектора ток коллектора Входное сопротивление Коэффициент передачи тока Коэффициент обратной связи Выходная проводимость Предельная частота коэффициента передачи Емкость коллекторного перехода Постоянная времени цепи обратной связи Коэффициент шума Максимально допустимые параметры постоянное напряжение коллектор—база постоянное напряжение коллектор—эмиттер постоянный ток коллектора импульсный ток коллектора рассеиваемая мощность без теплоотвода Максимальная температура окружающей среды Минимальная температура окружающей среды Общее тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал Конструкция и расположение выводов (номер рисунка) ;КБО 7ЭБО "к 'к Л116 Л21э Л) 26 *226 ^216 ск ’к УКБ шах ^КЭ max ^К max и max ^max 7"max 7"min ЛТ ^5 Основное назначение
Продолжение табл. IV. 1 б Еди- ница Твп транзистора МП41 МП41А МП42 МП42А МП42Б МП101 МП101 А мкА 15/5 15/5 mm мт 50/10 50/5 мкА 30/5 30/5 — 3/20 3/10 В 5 5 1 1 1 5 5 мА 1 1 10 10 10 1 1 Ом 25 25 —- — • -— •т» — 30...60 50...100 20...35 30...50 45...100 10...25 10,..30 — 5 • 10-’ 5 • 10-’ — — 3 • ю-» 3 . 10-’ мкСм 3,3 3,3 — ' — 2 2 МГц 1 1 1 1 2 0,5 0,5 пФ 60 60 - — — — 150 150 ПС — — — — — — ДБ — — — — — — 15 В 18 10 15 15 15 20 10 В 10 10 15 15 15 20 10 мА 40 40 — — 20 20 мА 150 150 150 150 150 100 100 мВт 150 150 200' 200 200 150 150 » С +60 +60 + 70 +70 +70 +120 + 120 ° С -40 —40 -60 -60 —60 -60 —60 ’ С/мВт 0,2 0,2 ОД 0,2 0.2 0.5 0,5 р—п—р, германий IV.23, а р—Г 1—р, германий IV.23, а п-р-п, германий IV.23, а Для радиовеща- тельных приемни- ков и устройств переключения Для устройств ключения пере- Для усилителей и генераторов низ- кой частоты
Т'П О Параметр Обозна- чение Еди- ница Обратный ток коллектора при У кв» в* Обратный ток эмиттера при В* Режим измерения h-параметров напряжение коллектора ток коллектора Входное сопротивление Коэффициент передачи тока Коэффициент обратной связи Выходная проводимость Предельная частота коэффициента передачи Емкость коллекторного перехода Постоянная времени цепи обратной связи Коэффициент шума Максимально допустимые параметры постоянное напряжение коллектор—база постоянное напряжение коллектор—эмнттер постоянный ток коллектора импульсный ток коллектора рассеиваемая мощность без теплоотвода Максимальная температура окружающей среды Минимальная температура окружающей среды Общее тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал Конструкция и расположение выводов (номер рисунка) Основное назначение 7кво 7эбо 'к Л11б Л2!э Л12б Л22б ^216 СК Л Кщ t;KE max УКЭ max max 7 К н max ^max T'max 7min мкА мкА В мА Ом мкСм МГц пФ ПС дБ В В мА мА мВт °C °C 0 С/мВт
Продолжение табл. IV. 15 Тип транзистора МП101Б МП102 МП! 03 МП! 03 А МП! 04 МП105 МП! 06 50/10 50/5 50/5 50/5 400/30 400 15 400/10 3/20 3/10 3/1 о 3/10 200/10 200/10 200/5 5 5 5 5 5 5 5 1 1 1 1 ! 1 1 — — — 300 300 300 15... 45 15...45 15...45 30... 75 >9 9...45 15...100 3 • 10“8 3 • ю- ’ з. ю—» 3 • ю—» — — — 2 2 2 2 — — 0,5 0,5 1 ’ 1 0,1 0,1 0,5 150 150 150 150 — — — — — —• — — —« — — — — — — — — 20 10 10 10 60 30 15 20 10 10 10 60 30 15 20 20 20 20 10 10 10 100 100 100 100 50 50 50 150 150 150 150 150 150 150 + 120 +120 + 120 + 120 +120 +120 +120 —60 -60 -60 -60 -60 —60 -60 0,5 0,5 л—р—п,- IV. 0,5 кремний 23, а 0,5 п—р, кре* IV.23, а <ннй Для усилителей и генераторов Для усилителей и гене- низкой частоты раторов низкой частоты
Параметр Обозна- чение Еди- ница Обратный ток коллектора при В* Обратный ток эмиттера при Удв- в* Режим измерения h-параметров напряжение коллектора ток коллектора Входное сопротивление Коэффициент передачи тока Коэффициент обратной связи _ Выходная проводимость Предельная частота коэффициента передачи .Емкость коллекторного перехода Постоянная времени цепи обратной связи Коэффициент шума Максимально допустимые параметры постоянное напряжение коллектор—база постоянное напряжение коллектор—эмиттер постоянный ток коллектора импульсный ток коллектора рассеиваемая мощность без теплоотвода Максимальная температура окружающей среды Минимальная температура окружающей среды Общее тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал Конструкция и расположение выгЭДд0Б (номер рисунка) Основное назначение № О ы ;КБО ЛЭБО ^К 'к Л116 а21э Л12б А22б ?А21б СК 'к икъ max ^КЭ max max ^К и max ^max ^max T'min мкА мкА В мА Ом мкСм МГц пФ ПС ДБ В В мА мА мВт ’С °C 0 С/мВт
Продолжение табл. IV. Is Тип транзистора КТ104А | КТ104Б КТ104В КТ104Г ГТ108А ГТ108Б 1/30 1/15 1/15 1/30 10/5 10/5 1/10 1/10 1/10 1/10 15/5 15/5 5 5 5 5 5 5 1 I 1 1 1 1 120 120 120 120 15 15 9...36 20...80 40...160 15...60 20...50 35...80 — ж» —» —— — — — — — — 3,3 3,3 5 5 5 5 0,5 1 50 50 50 50 50 50 3 3 3 3 5000 5000 — — — — — 30 15 15 30 10 10 30 15 15 30 10 10 50 50 50 50 50 50 — — —. —- —— —— 150 150 150 150 75 75 +100 +100 +100 +100 +55 +55 -60 -60 —60 — 60 —40 —40 0.4 0,4 р—п—р. IV.2 0.4 кремний 3, а е,4 0,8 р—п—р, IV. 0,8 германий 23, и Для усилителей и генераторов частоты низкой Для усилителей и генераторов в мало- габаритных радиове- щательных приемни- ках
to р Параметр Обозна- чение . Обратный ток коллектора при В* 7КВО . Обратный ток эмиттера при Z7gg, ®* УЭБО Режим йзмерения й-пара метров напряжение коллектора "К ток коллектора Входное сопротивление *116 Коэффициент передачи тока *21 э Коэффициент обратной связи *126 Выходная проводимость *226 Предельная частота коэффициента передачи ^*216 Емкость коллекторного перехода ск . Постояная времени цепи обратной связи *К . Коэффициент шума КШ Максимально допустимые параметры постоянное напряжение коллектор—база ^КБ max •постоянное напряжение коллектор—эмиттер УКЭ max постоянный ток коллектора max импульсный ток коллектора ^К и max рассеиваемая мощность без теплоотвода ^max Максимальная температура окружающей среды Тщах Минимальная температура окружающей среды ЛтНп Общее тепловое сопротивление транзистора Яу Тип перехода, материал ' Конструкция и расположение выводов (номер рисунка) Основное назначение Ч
ПроВолятт тавл. IV.1S Еди- ница Тип транзистора ГТ108В ГТ108Г ГТ109Д | ГТ109Б | ГТ109В |•ГТ109Г [ ГТ109Д мкА 10/5 10/5 5/5 5/5 5/5 5/5 2/1,2 мкА 15/5 15/5 5/5 5/5 . 5/5 5/5 3/1,2 в 5 5 5 . 5 5 5 5 МА 1 1 1 1 1 1 1 Ом 15 15 27 27 27 27 27 — 60... 130 110...250 20...50 35...80 60... 130 110...250 20...70 — — — 0,5.10“’ 0,5.10—’ 0,5-10“» 0,5.10“’ 0,5.10—’ мкСм 3,3 3,3 3,3 3,3 3,3 3,3 3,3 МГц 1 1 1 1 1 1 3 пФ 50 50 30 30 30 30 40 ПС 5000 5000 5000 5000 5000 5000 5000 ДБ — *— —- — — В 10 10 И) 10 10 10 10 В 10 10 6 6 6 6 6 мА 50 50 20 20 20 20 20 мА — — мВт 75 75 30 30 30 30 30 ° с 4-55 +55 +55 +55 +55 +55 +55 ° с -40 —40 —30 —30 —30 —30 —30 ’ С/мВт 0,8 0,8 -•ч р—п—р, германий IV.23, 6 р- 1—р, германий IV.23, а Для усилителей и Для усилителей и генераторов сигналов генераторов сиг* в малогабаритных радиовещательных налов в малогаба• приемниках; ГТ109Д— в медицинской ритных аппаратуре щательиых при* емниках
Обозиа- Едп- Параметр чеиие н’и'ца Обратный ток коллектора при ^КБ. В* 7КВО мкА Обратный ток эмиттера прн УдБ> в* 7эбо мкА Режим измерения ft-параметров напряжение коллектора В ток коллектора 'к мА Входное сопротивление *116 Ом , Коэффициент передачи тока *21э — Коэффициент обратной связи *126 — Выходная приводимость 1 *226 мкСм Предельная частота коэффициента передачи ^*216 МГц Емкость коллекторного перехода СК пФ Постоянная времени цепи обратной связи t ПС Коэффициент шума ДБ Максимально допустимые параметры постоянное напряжение коллектор—база УКБ max В постоянное напряжение коллектор—эмиттер УКЭ mix В постоянный ток коллектора ^К max мА импульсный ток коллектора н max мА рассеиваемая мощность без теплоотвода р max мВт Максимальная температура окружающей среды ° С- Минимальная температура окружающей среды ’ С Общее тепловое сопротивление транзистора ° С/мВт Тип перехода, материал Конструкция и расположение выводов (иомер рисунка) Основное назначение О СЛ
Продолжение табл. Щ.15 Тип транзистора ГТ1 09Е ГТ109Ж Г|ГЮ9И МП111 МП1Г1А МП111Б МГЦ 12 2/1,2 1/1.5 5/5 3/10 3/10 3/10 3/10. 3/1,2 5/1,5 5/5 3/20 3/20 3/20 3/20 5 . 5 5 5 5 5 5 1 1 1 1 1 1 1 27 27 27 40 40 40 40 50... 100 > 100 20...80 10...25 10,..30 15...45 15...45 0,5.10-’ 0,5-10-’ 0,5-10—’ з- ю—» 3 - ю-’ 3- Ю-’ 3-10-» 3,3 3,3 3.3 2 2 2 2 5 5 1 0.5 0,5 0,5 0,5 40 30 30 150 150 150 150 5000 5000 5000 — — — — — 12 18 — — 10 10 10 20 10 20 10 6 6 6 20 10 20 10 20 20 20 20 20 20 20 —1 — —- 100 100 100 100 30 30 .30 150 150 150 150 +55 +55 +55 +100 + 100 + 100 + 100 -30 -30 -30 -60 -60 -60 —60 — — — 0,8 0,8 0,8 0,8 р—п —р, германий IV.23, а п—р—п, кремний IV.23, а Для малогабаритных радио- вещательных приемников; ГТ109Е — в медицинской ап- паратуре: ГТ109Ж —для Для мэлотоковых устройств пере- ключения. модуляторов, усилите- лей и генераторов низкой частоты ч часовых механизмов
N5 о , Параметр Обозна- чение Еди- ница Обратный ток коллектора при У}^б> В* 7кбо мкА Обратный ток эмиттера при C/gg, В* Режим измерения Л-параметров 7эбо мкА напряжение коллектора ик В ток коллектора 7К мА Входное сопротивление Л И б Ом Коэффициент передачи тока *21э — Коэффициент обратной связи *126 — Выходная проводимость *226 мкСм Предельная частота коэффициента передачи ^216 МГц Емкость коллекторного перехода ск пФ Постоянная времени цепи обратной связи ТК ’ ПС Коэффициент шума Максимально допустимые параметры кш ДБ постоянное напряжение коллектор-база 77КБ max В постоянное напряжение коллектор—эмиттер 77 КЭ шах в постоянный ток коллектора 7 К max , мА импульсный ток коллектора 7Ки max мА рассеиваемая мощность без теплоотвода Лпах мВт Максимальная температура окружающей среды 7тах "С Минимальная температура окружающей среды 7min "С Общее тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал Конструкция н расположение выводов (номер рисунка) Основное назначение 0 С/мВт
Продолжение табл. IV. 15 Тип транзистора мпнз МП113А МП114 МП115 МП116 ГТ115А ГТ.115Б 3/10 з/ю 10/30 10/15 10/10 40/20 40/30 3/20 3/20 10/10 10/10 10/10 40/20 40/20 5 5 5 5 5 1 1 1 1 1 1 1 25 25 40 40 35 35 35 — — 15...45 30...75 > 9 9...45 15...100 20...80 20...80 з. ю-’ з-ю-’ З-Ю-’ З-Ю-’ 3-10-’ — — 2 2 3,3 3,3 2 — — 0.1 0,1 0,1 0.1 0,5 1 1 150 150 80 80 30 — — — — — — — — — — — — — — 10 10 60 30 15 20 30 — — 60 30 15 —, 20 20 10 10 10 30 30 100 100 50 50 50 — — 150 150 150 150 150 50 50 +100 + Ю0 + 100 + Ю0 +100 +45 +45 —60 -60 —60 —60 -60 -20 -20 0,8 0,8 0,5 0,5 0,5 0,8 0,8 п—р—п, кремний IV.23, а р—п—р, кремний 1V.23. а р—п—р, германий IV.23, б Для малотоковых Для усилителей и гене- Для усилителей ' устройств переклю- чения, модулято- ров. усилителей н генератороа низкой частоты раторов низкой частоты и генераторов низкой частоты f
Параметр Обозна• чение Обратный гок коллектора при У^б> В* Обратный гок эмиттера прн УдБ' Й* Режим измерения Л-параметров напряжение коллектора ток коллектора Вводное сопротивление Коэффициент передачи тока . Коэффициент обратной связи Выходная проводимость Предельная частота коэффициента передачи Емкость коллекторного перехода Постоянная времени цепи обратной связи Коэффициент шума Максимально допустимые параметры постоянное напряжение коллектор—база постоянное напряжение коллектор—эмиттер постоянный ток коллектора импульсный ток коллектора рассеиваемая мощность без теплоотвода Максимальная температура окружающей среды Минимальная температура окружающей среды Общее тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал Конструкция и расположение выводов (номер рисунка) Основное назначение 7кво ;ЭБО ^К 'к *116 *21э Л126 *226 ?*21б СК тк Кш ^КБ max УКЭ max !К max ;К н max ^max ^max * Числитель дроби — ток, знаменатель — напряжение. »♦ Граничная частота коэффициента передачи тока.
Пгю^бл^сечмтабл. IV, 1 а ЕДИ- ница Тип транзистора ГТ115В | ГТ115Г | ГТ115Д | 1Т116А 1ТН6Б | 1Т116В I 1Т116Г мкА 40/20 40/30 40/20 — — —' мкА 40/20 40/20 40/20 — — — — В 1 1 1 1 1 1 1 мА 25 25 25 100 100 100 100 Ом — — 30... 100 30... 100 30...100 30...100 — 60...150 60... 150 125...250 15...65 30...100 30...100 15...65 — — ь— — — мкСм — —- — — МГц 1 1 1 !»• !•* 1*« пФ — — — — — — ПО — — — — — — ДБ — — *• ма — — — В 20 30 20 — В —- — —• 15 15 15 15 мА 30 30 30 50 50 50 50 мА — —• — 300 300 300 300 мВт 50 50 50 150 . 150 150’ 150 ’С +45 +45 +45 +70 +70 +70 +70 ’С -20 -20 -20 -60 — 60 -60 —60 С/мВт 0,8 0,8 0,8 — — — —й р—п- -Р; германий 1V.23, б р—п—р, германий . IV.23. а Для усилителей и ге- нераторов низкой Для переключающих и импульс- ных устройств частоты
о Таблица IV.16. Основные параметры транзисторов малой мощности среднечастотных Тип транзистора Параметр чение ница П29 П29А ПЗО П307 П307А П307Б Обратный ток коллектора при УкБ> ЛкБО мкА 4/12 4/12 4/12 20/80 20/80 20/80 Обратный ток эмиттера при в* /ЭБО мкА 4/12 4/12 4/12 10/3 10/3 10/3 Режим измерения h-параметров напряжение коллектора "к В 0,5 0,5 0,5 20 20 20 ток коллектора /к мА 20 20 20 10 10 10 Входное сопротивление й11б Ом —- — — 70 70 70 Коэффициент передачи тока Л21э —« 20...50 40...100 80...180 16...50 30...90 50..Л50 Коэффициент обратной связи ft126 Л- "Ч — — — — Выходная проводимость ft226 мкСм — — — Предельная частота коэффициента передачи ^216 МГц 0,5 5 10 20 20 20 Емкость коллекторного перехода CK пФ 20 20 20 ч^ — Постоянная времени цепи обратной связи тк ПС 6000 6000 6000 — — — Коэффициент шума ДБ ч. ч^ Ь—» Максимально допустимые параметры постоянное напряжение коллектор — база УКВ max В 12 12 12 80 80 80 постоянное напряжение коллектор « эмиттер УКЭ max В 10 10 10 80 80 80 постоянный ток коллектора lK max мА , — м — 30 30 30 импульсный ток коллектора 1К и max мА 100 100 100 120 120 120 , рассеиваемая мощность без теплоотвода ₽max мВт 30 30 30 250 250 250 Максимальная температура окружающей среды Лпах °C +60 +60 +60 +70 +70 +70 Минимальная температура окружающей среды Лп1п °C —60 —60 —6^ — 40 —40 —40 Общее тепловое сопротивление транзистора ’С/мВт — — — — — — Тип перехода, материал о»— п— р, германий л—р— кремний Конструкция и расположение выводов (номер IV .23, а IV» Р Основное назначен!® Для модуляторов, импульсных ' Для широкополосных в переключающих устройств и высоковольтных усилителей
Параметр Обозна- чение Еди- ница Обратный ток коллектора при В* 7КБО мкА Обратный ток эмиттера при У^'д, В* Режим измерения Л-параметров . 7ЭБО мкА напряжение коллектора ^К В ток коллектора '' ' 7К мА Входное сопротивление А11б Ом Коэффициент передачи тока а21э — • Коэффициент обратной связи &12б «м Выходная проводимость ь22б мкСм Предельная частота коэффициента передачи • ^216 МГц Емкость коллекторного перехода СК пФ Постоянная времени цепи обратной связи ТК ПС ‘ 1 Коэффициент шума Максимально допустимые параметры ДБ постоянное напряжение коллектор — база ^КБ max В постоянное напряжение коллектор — эмиттер ^КЭ max В постоянный ток коллектора 7К max мА импульсный ток коллектора 7К и max мА рассеиваемая мощность без теплоотвода ^max мВт Максимальная температура окружающей среды T'max °C Минимальная температура окружающей среды Лщп °C Общее тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал Конструкция и расположение рыводов (номер рисунка) Основное назначение Лт °С/мВт № О со ,
Продолжение табл. IV.IS Тип транзистора П307В П307Г П308 П309 КТ201А КТ201В 20/60 20/80 20/120 20/120 1/20 1/20 50/60 ' 10/3 50/120 50/120 3/20 3/20 20 20 20 20 1 1 10 10 10 10 5 5 70 70 70 70 50...150 16...50 30...90 16...50 20...60 30.. .90 — — — з-ю-* 3.10~а — «ж 2 2 20 20 20 20 10** 10** — — 20 20 — — — — — — — — — — — 60 80 120 120 20 20 60 80 120 120 20 20 30 30 30 30 20 20 120 120 120 120 100 100 250 250 250 250 150 150 4-70 4-70 4-70 4-70 4-125 4-125 —40 —40 —40 —40 -60 —60 — п—р*~п, IV,2 кремний 3, д — п—р— п IV.1 кремний 23, е Для широкополосных и высоковольтных усилителей Для усилителей в диа- пазоне частот до 10 МГц
м о Пвойолжти! табл. tV.lt Тип транзистора ' Параметр Обозна- чение > Еди- ница Обратный ток коллектора при У к б. В* ** 7КНО мкА Обратный ток эмиттера при Уцэ, В» /ЭБО мкА Режим измерения й-параметров напряжение коллектора ук В ток коллектора ' гк мА Входное сопротивление А11б Ом Коэффициент передачи тока а21э Коэффициент обратной связи а126 Выходная проводимость А22б мкСм Предельная частота коэффициента передачи ^а216 МГц Емкость коллекторного перехода СК пФ Постоянная времени цепи обратной связи тк ПС Коэффициент шума Хш ДБ Максимально допустимые параметры постоянное напряжение коллектор — база ^КБ max В постоянное напряжение коллектор — эмиттер 7КЭ max В постоянный ток коллектора !К max мА ' импульсный ток коллектора ,t 1К н max мА рассеиваемая мощность без теплоотвода ^max мВт Максимальная температура окружающей среды Лпах rmln Хт °C Минимальная температура окружающей среды °C Общее тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал Конструкция н расположение выводов (номер рисунка) Основное назначение "С/мВт • Числитель дроби—ток, знаменатель — напряжение. ** Граничная частота коэффициента передачи ток*. КТ201В КТ201Г КТ201Д КТ203А КТ 203 Б КТ2СЗВ 1/10 1/10 1/10 1/60 1/30 1/15 3/10 3/10 3/10 1/30 1/15 1/10 I 1 1 5 5 5 5 '5 5 1 1 1 — — 300 300 300 - 30...90 70...210 30...90 •>9 30...100 30...200 ’ 3.10-" 3.10—’ 3.10-» — — — 2 2 2 — —. —- 10“ 10“ 10“ 5 5 5 20 20 20 10 10 10 — — — — — —— — — 15 — — — 10 10 10 60 30 15 10 10 10 60 30 15 20 20 20 10 10 10 100 100 100 50 50 50 150 150 150 150 '150 150 +125 +125 +125 + 125 +125 +125 -60 -60 -60 -60 -60 -60 — •— •— — — — п— р—п. кремний IV.23. 1 р— п—р, кремний IV.23. е Для усилителей в диапазоне Для усилителей и генераторов частот до 10 МГц 1 низкой н промежуточной частот
Таблица IV.17. Основные параметры транзисторов малой мощности высокочастотных Параметр Обозна- чение Еди- ница Тип транзистора П401 П402 П403 | П403А | П410 П410Д П411 П411А Обратный ток коллектора при в* ;КБО мкА 10/5 5/5 5/5 5/5 2/5 2/5 2/5 2/5 Обратный ток эмиттера при t/gg, В* Режим намерения Л-параметров 1 ЭВО мкА 100/0,75 100/0,75 100/1 100/0,75 — — — — напряженке коллектора ^к В 5 5 5 5 5 5 5 5 ток коллектора 'к мА 5 5 5 5 5 5 5 5 Входное сопротивление ft116 Ом 15 15 15 15 — — — — Коэффициент передачи тока й21э — 16...300 16...250 30... 100 16...200 27... 120 80...250 27... 120 80...2И0 Коэффициент обратной связи ft126 —• — — — — — Выходная проводимость h226 мкСм 5 5 л 5 10 10 10 10 Граничная частота коэффициента передачи ^гр МГц 30* » 60“ 120“ 120“ 200** 200“ 400** 400** Емкость коллекторного перехода ск пФ 15 10 10 10 5 5 5 5 Постоянная времени цепи обратной связи тк пс 3500 1000 500 500 300 300 200 200 Коэффициент шума Максимально допустимые параметры кш ДБ — — — — — — — постоянное напряжение коллектор — база ^КБ max В 10 10 10 10 5 5 5 5 постоянное напряжение коллектор*—эмиттер УКЭ max В 10 10 10 10 8 8 8 8 постоянный ток коллектора 7К max мА 20 20 20 20 20 20 20 20 ' импульсный ток коллектора мА — — — рассеиваемая мощность без теплоотвода ^max мВт 100 100 100 100 1 00 100 100 100 Максимальная температура окружающей среды °C +70 4-70 4-70 4-70 4-85 4-85 4-85 +»5 Минимальная температура окружающей среды °C -60 -60 -60 -60 — 55 — 55 —55 -55 Общее тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал Конструкция и расположение выводов (номер рисунка) Основное назначение N3 °C/мВт 0,6 Для у в ди 0,6 D—П — Р, IV.2 силнтеле* апаэоне кс 0,6 ерманий 4, а и генер >ротких 0,6 аторов волн Для ров 9— л— р, IV. ’Сил”те^ сверхвы гермаи 24, б ей w сокой ч» ИЙ ерато- 1 СТОты
Продолжение табл. IV. 17 ьо го Параметр Обозна- чение Еди- ница Тип транзистора П416 П416А | П416Б П417 П417А [ П422 П425 Обратный ток коллектора при С/цв, В* ;КБО мкА 3/10 3/10 3/10 3/10 3/10 5/5 5/5 Обратный ток эмиттера прн Удв. В* Режим измерения h-параметров 7ЭБО мкА 150/2 150/2 160/2 30/0,5 30/0,5 — — напряжение коллектора ^К В 5 5 5 5 5 5 5 ток коллектора 'к мА 5 5 5 5 5 1 1 Входное сопротив^?ине ft116 Ом — 10 10 38 38 Коэффициент передачи тока Л21э 20...80 60...125 90. ..250 24...100 65...200 24... 100 24...100 Коэффициент обратной связи ft126 — — — — — — — — Выходная проводимость ft226 мкСм 5 5 5 10 10 5 5 Граничная частота коэффициента передачи frp МГц 40 60 80 200* • 200’* 60” 120” Емкость коллекторного перехода ск пФ 8 8 , 8 5 ’5 10 10 Постоянная времени цепи обратной связи тк ПС 500 500 500 400 .400 1000 500 Коэффициент шума Максимально допустимые параметры ДБ — — , —• 10 10 постоянное напряжение коллектор —'база ^КБ max В 10 10 10 — — — , постоянное напряжение коллектор — эмиттер ^КЭ шах В 12 12 12 8 8 10 10 постоянный ток коллектора 7 К шах мА 25 25 25 10 10 20 20 импульсный ток коллектора ^К и max мА 120 [120 120 — — — — рассеиваемая мощность без теплоотвода T’max мВт 100 100 100 50 50 гоо 100 Максимальная температура окружающей среды Лпах °C +70 +70 +70 +70 +70 +5о +55 Минимальная температура окружающей^ср.еды Лтип °C -60 -60 —60 — 60 -60 —40 -40 Общее тепловое сопротивление транзистора Ят °С/мВт 0,4 0,4 0,4 0,5 0,5 —• —• Тип перехода, материал р—п—р, германий Р—п—р, германи й Р—п—р, германий Конструкция и расположение выводов (номер 1V.24, а IV, 24, в 1V..24, а рисунка) Основное назначение Для импульсных устройств, для усилителей Для усилителей генераторов и усилителей и генераторов сверхвысокой ча- стоты и генераторов ' высокой частоты
Параметр Обозна- чение Обратный ток коллектора при в* Лево Обратный ток эмиттера при ^ЭБ»' Режим измерения h-параметров 7эбо напряжение коллектора ток коллектора Входное сопротивление ЛПб Коэффициент передачи тока л2!э -Коэффициент обратной связи А12б Выходная проводимость , л22б Граничная частота коэффициента передачи frp Емкость коллекторного перехода СК Постоянная времени цепи обратной связи тк Коэффициент шума Максимально допустимые параметры Лш постоянное напряжение коллектор — база УКБ max постоянное напряжение коллектор — эмиттер max постоянный ток коллектора max импульсный ток коллектора ^К и max рассеиваемая мощность без теплоотвода ^max Максимальная температура окружающей среды т 1 max Минимальная температура окружающей среды ^min Общее тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал Конструкция н расположение выводов (номер рисунка) Основное назначение № Ят
Продолжение табл. 1У П - Еди« ница Тип транзистора КТ301 |кТ301А |кТ301 Б КТ301В КТ301Г КТ301Д КТ301Е КТ301Ж мкА 40/20 40/20 40/30 40/30 40/20 40/20 40/20 40/20 мкА 50/3 50/? 50/3 50/3 50/3 50/3 50/3 50/3 в 10 10 10 10 10 10 10 10 мА 3 3 3 3 3 3 3 3 Ом — —» — —, — — 20...60 40...120 10.. .32 20...60 10...32 20...60 40...120 80...300 — —« —. — — — — —• мкСм 3 3 3 3 3 3 3 3 МГц 30 30 30 30 60 60 60 60 пФ 10 10 10 10 10 10 10 10 ПС 2000 2000 4500 4500 2000 2000 2000 2000 дБ — — — — — — — — В 20 20 30 30 20 20 • 20 20 в 20 20 30 30 20 20 20 20 мА 10 10 10 10 10 10 10 10 мА — — — — —- — — мВт 150 150 150 150 , 150 150 150 150 »С +85 4-85 +85 +85 +85 +85 +85 +85 ’С -55 -55 —55 -55 —55 -55 — 55 -55 ’С/мВт 0,6 0,6 Для ус 0,6 илителей 0,6 п—р—п, IV.2 и генер до 60 0,6 кремний 4, а аторов в Л1Гц 0,6 диапазон 0,6 е частот 0,6
NO ** ч Параметр Обозна- чение Еди- ница Обратный ток коллектора прн Укб, ®* ZKEO мкА Обратный ток эмиттера при Уэб, В* Режим измерения Л-параметров ;ЭБО мкА напряжение коллектора В ток коллектора 'к ыА Входное сопротивление ЙЦЛ Ом Коэффициент передачи тока Л21э — Коэффициент обратной связи й12б — Выходная проводимость й22б мкСм Граничная частота коэффициента передачи /гр МГц Емкость коллекторного перехода Постоянная времени цепи обратной связи® ск пФ тк ПС Коэффициент шума Максимально допустимые параметры Кщ ДБ постоянное напряжение коллектор — база УКБ max В постоянное напряжение коллектор — эмиттер УКЭ max В постоянный ток коллектора ^К max мА импульсный ток коллектора и max мА рассеиваемая мощность без теплоотвода ?max мВт Максимальная температура окружающей среды Ртах °C Минимальная температура окружающей среды Ptnin °C Общее тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал Конструкция и расположение выводов (номер рисунка) Основное назначение ^7 ’С/мВт
ГТрайоляе^мие табл /V Г? Тип транзистора ГТ305А ГТ305Б ГТ305В КТ306А КТЗОбЬ КТ306В 4/15 0,5/15 0,5/15 0,5/15 30/1,5 30/1,5 30/0,5 1/4 1/4 1/4 1 1 1 1 1 1 10 10 10 10 10 10 — — 30 30 30 25...40 50...500 40...360 20...60 40...120 20...100 — — — — — — 5.10—’ — — — 140 160 160 300 500 300 7 7 5 5 5 5 500 500 300 2 — 500 — 6 5 5 5 15 15 15 15 15 15 15 15 15 10 10 10 40 40 40 30 30 30 100 100 100 — — — 75 76 75 150 150 150 +60 +60 +60 +125 + 125 + 135 -55 -55 -55 -50 -50 -5Ь 0,8 0,8 0,8 — —• р— п—р, германий IV,24,<? р—п, кремний IV. 24, е • Для усилителей и-генераторов высокой частоты,....- устройств переключения
Продолжение табл. IV. 17 Параметр Обозна- чение Еди- ница Обратный ток коллектора при ZKSO мкА Обратный ток эмиттера при C/gg, В* /ЭБО мкА Режим измерения h-пэраметров напряжение коллектора иК ток коллектора 'к мА Входное сопротивление Л11б Ом Коэффициент передачи тока Л21э « — Коэффициент обратной связи Л12б — Выходная проводимость ft226 мкСм Граничная частота коэффициента передачи /гр МГц Емкость коллекторного перехода СК пФ Постоянная времени цепи обратной связи ТК ПС Коэффициент шума дБ Максимально допустимые параметры постоянное напряжение коллектор — база ^КБ max В постоянное напряжение коллектор — эмиттер ^КЭ max в постоянный ток коллектора 7 К max мА импульсный ток коллектора и max мА рассеиваемая мощность без теплоотвода T’max мВт Максимальная температура окружающей среды Лпах °C Минимальная температура окружающей среды Лтп °C Общее тепловое сопротивление транзистора °С/мЕ Тип перехода, материал Конструкция и расположение выводов (номер рисунка) Основное назначение Тип транзистора КТ306Г | К.Т306Д ГТ308А ГТ308Б | ГТ308В ГТ309А ГТ309Б 0,5/15 0,5/15 5/15 5/15 5/15 5/5 5/5 1/4 1/4 50/2 50/2 50/2 30/1,5 30/1,5 1 1 5 5 5 5 5 10 10 5 5 5 1 1 30 30 30 30 30 38 38 40. ..200 30...150 20... 75 50... 120 80...200 20... 70 60... 180 — 1 • 10— • 1 • 1 о—’ 1.10—’ —• — — 4,5 4,5 4,5 5 0,5 500 200 90 120 120 120 120 5 5 8 8 8 10 10 . 500 300 400 400 500 500 500 5 5 — — 8 —- 6 15 15 20 20 , 20 10 10 10 10 12 12 12 10 10 30 30 50 50 50 10 10 —. — 120 120 120 — — — 150 150 150 50 50 4-125 4-125 +70 + 70 + 70 +55 4-55 -50 —50 -55 -55 -55 — 40 —40 — 1 - 0,25 0,25 0,25 1 1 п—р—п, кремний IV.24, е р— п—р, германий IV, 24, ж р—и— р, IV германий .23. е Для усилителей и генераторов высокой частоты, устройств пере- ключения Для усилителей, генера- торов высокой частоты и импульсных устройств Для усилителей и гетеродинов ра- дновещате лън ы х приемников
rO О Параметр Обозна- чение Обратный ток коллектора при В* Обратный ток эмиттера при £/35, В* Режим измерения Л-параметров напряжение коллектора ток коллектора Входное сопротивление • Коэффициент передачи тока Коэффициент обратной связи Выходная проводимость Граничная частота коэффициента передачи Емкость коллекторного перехода Постоянная времени цепи обратной связи Коэффициент шума Максимально допустимые параметры постоянное напряжение коллектор — база постоянное напряжение коллектор — эмиттер постоянный ток коллектора импульсный ток коллектора рассеиваемая мощность без теплоотвода Максимальная температура окружающей среды Минимальная.температура окружающей среды Общее тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал' Конструкция и расположение выводов (номер рисунка) Основное назначение 7КБО /ЭБО 'К . Л11б Л21э й12б Л22б СК ТК УКБ max уКЭ max ZK max ^К и max ^max Лпах ^min' *т 1 1
Продолжение табл. IV. 17 Еди- ница Тип транзистора ГТ309В ГТ309Г ГТ309Д ГТ309Е ГТ310А ГТ310Б гтзюв мкА 5/5 5/5 5/5 5/5 5/5 5/5 5/5 мкА 30/1.5 30/1,5 30/1,5 30/1,5 — — — В 5 5 5 5 , 5 5 5 мА 1 1 . 1 1 1 1 1 Ом 38 38 38 38 38 38 38 — 20...70 60...180 20...70 60. ..180 20. ..70 60...180 20...70 — а— — —- —а 1 а— , — мкСм 0.5 0,5 0,5 0.5 3 3 3 МГц 80 80 40 40 ISO 160 120 пФ 10 10 10 10 4 4 5 ПС • 1000 1000 1000 1000 300 300 300 ДБ — 6 — — 3 3 4 В 10 10 10 10 12 12 12 В 10 10 10 10 10 10 10 мА 10 10 10 10 10 10 10 мА —а а» — — — —- мВт 50 50 50 50 20 20 20 °C +55 4-55 +55 +55 +55 +55. +55 °C -40 — 40 -40 -40 -40 -40 -40 °С/мБт 1 1 I 1 2 2 2 р—л—р германий ОО « р— 1—р, германий IV «У* л Для усилителей, гетеро дивов и преобразователей частоты в радиовещательных приемниках
Продолжение табл. tV.ff 217 Параметр Обозна- чение Еди- ница Тип транзистора ГТ310Г гтзюд ГТ310Е ГТ311Е I ГТ311Ж ГТ311И Обратный ток коллектора при У^Б, В* ЛКБО мкА 5/5 5/5 5/5 10/12 10/12 10/12 Обратный ток эмиттера при УЭБ, В» Режим измерения h-параметров 7 ЭВО мкА — — 15/2 15/2 15/2 напряжение коллектора В 5 5 5 5 5 5 ток коллектора ’К мА - 1 1 1 5 5 5 Входное сопротивление Л11б Ом 38 Зв 38 29 29 29 Коэффициент передачи тока *>21э — 60...180 20*.-70 60...180 15...80 50...200 100...300 Коэффициент обратной связи hl26 — — —- 1.5-10-1 1,5-10-3 1,5-10-’ Выходная проводимость h226 мкСм 3 3 3 2 2 2 Граничная частота коэффициента передачи frp МГц 120 80 80 250 300 450 Емкость коллекторного перехода ск пФ 5 5 5 2.5 2,5 2,5 Постоянная времени цепи обратной связи тк ПС 300 500 500 75 100 75 Коэффициент шума Максимально допустимые параметры Кщ ДБ 4 4 4 — постоянное напряжение коллектор — база ^КБ max В 12 12 12 12 12 10 постоянное напряжение коллектор — эмиттер ^КЭ max В 10 10 10 12 12 10 постоянный ток коллектора ^К max мА 10 10 10 50 50 50 импульсный ток коллектора ^К и max мА — — — — — — рассеиваемая мошиость без теплоотвода ^max мВт 20 20 20 150 150 150 Максимальная температура окружающей среды ^max °C +Б5 +55 +55 +60 +60 +60 Минимальная температура окружающей среды ^min "С -40 — 40 — 40 — 40 —40 —40 Общее тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал Конструкция и расположение выводов (номер рисунка) Основное назначение °С/мВт 2 Р-жГ Для у си и преоб в радио 2 1—р, герман IV.23, в лите лей, те- эазователе/ вещательны 2 ИЙ геродинов частоты х прием- 0,3 п— Для радио 0,3 р—п, герма IV.24, з приемной аг 0,3 НИЙ паратуры
№ Параметр Обозна- чение Еди- ница Обратный ток коллектора при В* УКБО мкА Обратный ток эмиттера при C/gg, В* Режим измерения h-параметров /ЭБО мкА напряжение коллектора В ток коллектора 'К мА Входное сопротивление А11б Ом Коэффициент передачи тока Л21э — Коэффициент обратной свяэн й12б — Выходная проводимость й22б мкСм Граничная частота коэффициента передачи /гр МГц пФ Емкость коллекторного перехода СК Постоянная времени цепи обратной связи тк ПС Коэффициент шума Максимально допустимые параметры Кщ ДБ , постоянное напряжение коллектор — база ^КБ max. В постоянное напряжение коллектор — эмиттер ^/КЭ max в постоянный ток коллектора max мА импульсный ток коллектора и шах мА рассеиваемая мощность без теплоотвода ^тах мВт Максимальная температура окружающей среды т 1 max °C Минимальная температура окружающей среды T'min °C Общее тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал Конструкция и расположение выводов (номер рисунка) Основное назначение °С/мВт
Продолжение табл. IV, П Тип транзистора КТ312А КТ312Б КТ312В ГТ313А ГТ313Б КТ315А КТ315Б 10/15 1'0/30 Ю/15 3/12 3/12 1/10 1/10 10/4 10/4 10/4 10/0.23 1 0/0,25 30/5 30/5 2 2 2 5 5 10 10 20 20 20 5 5 1 1 — —- — 30 30 40 40 10...100 25... 100 50...280 20...250 20...250 20...90 50...350 — •— — 2,5-10-“ 2 5-10-» — — •— — — 5 5 0.3 0.3 80 120 120 00 450 250 250 5 5 5 2,5 2 7 7 500 500 500 . 75 75 300 500 — — — 7 — — 15 30 15 15 15 — 15 30 15 15 15 20 15 30 30 30 10 10 100 100 — — / — — — 225 225 225 100 100 150 150 +85 +85 +85 +'55 +55 +100 +100 -40 — 40 — 40 —40 -40 -55 -55 — — — — 0,67 0,67 з—л, кремний р—п—р. германий п—р—л кремний IV.24, и IV. 24, з 1V.24, К Для видеоусилителей теле- Для угилгтелей. гетеродинов визионных приемников и устройств вычислительной ( техники и преобразователей в телевизионных н радиовещательных приемниках
Параметр Обозна- чение Обратный ток коллектора при £7^б, В* Обратный ток эмиттера при В* Режим измерения й-параметров напряжение коллектора ток коллектора Входное сопротивление Коэффициент передачи тока Коэффициент обратной связи Выходная проводимость Граничная частота коэффициента передачи Емкость коллекторного перехода ‘Постоянная времени цепи обратной связи * Коэффициент шума Максимально допустимые параметры постоянное напряжение коллектор — база постоянное напряжение коллектор — эмиттер ' постоянный ток коллектора импульсный ток коллектора рассеиваемая мощность без теплоотвода Максимальная температура окружающей среды Минимальная температура окружающей среды Общее тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал Конструкция и расположение выводов (номер рисунка) Основное назначение ;КБО /ЭБО 'К й11б й21э Л12б ' ft226 ср СК тк ^КБ max УКЭ max max и max ^max T'max T'min •ко s
Продолжение табл. IV. 17 Тип транзистора КТ315В КТ315Г КТ315Д | КТ315Е КТ316А КТ316Б КТ316В 1/10 1/10 1/10 1/10 0,5/10 0.5/10 0.5/10 30/5 30/5 30/5 30/5 1/4 1/4 1/4 10 10 10 10 1 1 1 1 1 1 1 10 10 10 40 40 40 40 — — — 20...90 50.. .350 20...90 50...350 20...60 40...120 40...120 —— — — — — — 0,3 0,3 0,3 0,3 — — — 250 250 250 250 600 800 800 7 7 7 7 3 3 3 500 500 1000 1000 — — — — — — — — — — —- — 10 10 10 30 25 40 35 . 10 10 10 100 100 100 100 30 30 30 — —• — — 50 50 50 150 150 159 150 150 150 150 +1 00 +100 + 100 + 100 +125 + 125 +125 -55 -55 -55 —55 -60 -60 —60 0,67 0,67 п— Р— л IV 0,67 , кремний 24, к 0,67 п— о— п, крек IV,23, е 4НИЙ Для усилителей, гетеродинов Для быстродействующих и преобразователей частоты в телевизионных и радиовещатель- ных приемниках 1 устройств переключения
KI _ . С Параметр Обозна- чение Обратный ток коллектора прн Уцб- е* Обратный ток эмиттера при УэБ- в‘ Режим измерения й-па:аметров напряжение коллектора ток коллектора Входное сипротиалекяе Коэффициент «ередачя тока Коэффициент «братвой связи Выходная проаадммость Грянячияя частота коэффициента передачи Ем воете аамекторного перехода Постоянная временя цели обратной связи Коэффицкеят шума Максимально допустимые параметры постоянное напряжение коллектор —база постоянное напряжение коллектор — эмиттер постоянный ток коллектора импульсный ток коллектора рассеиваемая мощность без теплоотвода Максимальная' температура окружающей среды Минимальная температура окружающей среды Общее тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал Конструкция и расположение выводов (номер рисунка) Основное на,авя'1«.в.и« 'КЕО 'ЭБО “К ’ 'к А11б л21э л12б А22б /гр ск тк кш УКБ max УКЭ шах ^К шах к шах /’max Т ' max ЛпШ Ят
Продолжение табл. IV. 17 Тип транзистора КТ316Г КТ316Д | ГТ320А ГТ320Б ГТ320В ГТ321А ГТ321Б 0,5/10 0,5/10 20/20 20/20 20/20 500/60 500/60 1/4 1/4 100/2 100/2 100/2 — — 1 1 1 1 1 3 3 10 10 10 10 10 500 500 — — 7 7 7 — 20... 100 60...300 20.,, 80 50...160 80...250 20...60 40...120 — — 1.2-10-’ 1,2-10-’ 1.2-10—’ —- — —- 3 3 3 — 600 800 80 80 80 60 60 3 3 8 8 8 80 80 150 150 500 500 600 600 600 — — — — — — — 10 10 20 20 20 60 60 10 10 12 it 9 50 50 30 30 150 150 150 200 200 50 50 300 300 300 2000 2000 150 150 200 200 200 160 160 +125 +125 +*0 +70 +70 +60 +60 — 60 -60 -55 -55 -65 -55 —55 —- — 0,225 0,225 0,225 0,25 0,25 п—р—п, кремний р— п—ре германий IV.23, е IV.24. ж Для усилителей Для усилителей и генераторов высокой высокой частоты частоты, импульсных устройств
Параметр Обозна- чение Еди- ница Обратный ток коллектора при В» 7КВО мкА Обратный ток эмиттера при Удв, В* ;ЭБО мкА_ Режим измерения Л-параметров напряжение коллектора уК В ток коллектора ’'К мА Входное сопротивление Л11б Ом Коэффициент передачи тока Л21э — Коэффициент обратной связи Мб —. Выходная проводимость Л22б мкСм Граничная частота коэффициента передачи /гр МГц Емкость коллекторного перехода СК пФ Постоянная времени цепи обратной связи ТК ПС Коэффициент шума Кщ ДБ Максимально допустимые параметры постоянное напряжение коллектор — база ^КБ max В постоянное напряжение коллектор — эмиттер иКЭ max В постоянный ток коллектора max мА импульсный ток коллектора 1К и max мА рассеиваемая мощность без теплоотвода ^max мВт Максимальная температура окружающей среды Лпах °C Минимальная температура окружающей среды Лп(п °C Общее тепловое сопротивление транзистора Лт °С/мВт Тип перехода, материал Конструкция и расположение выводов '(иомер рисунка) Основное назначение
Продолжений табл. TV.17 Тип транзистора ГТ321В ГТ321Г ГТ321Д ГТ321Е ГТ322А ГТ322Б ГТ322В 500/60 500/45 500/45 500/45 4/40 4/10 4/10 — — — — —ч W 3 3 3 3 5 5 5 500 500 500 500 1 I 1 — — — 34 34 34 80...200 20...60 40...120 80...200 30...100 50...120 20...120 — — —• — 6.1-0- » 6.10-' 6.10—* — — —- — 1 1 1 60 60 60 60 80 80 50 80 80 80 80 1,8 1,8 2.5 600 600 600 600 50 100 200 — — — — 4 4 4 60 • 45 45 45 15 15 15 50 , 40 40 40 10 10 10 200 2,00 200 200 10 10 10 2000 2000 2000 2000 — — — 160 160 160 160 50 50 50 +60 +60 +60 +60 +55 +55 +55 -55 -55 —55 -55 -40 -40 -40 0,25' 0.25 р—п—р, IV. 0,25 германий 24, ж 0,25 0,7 Р— 0,7 1—р, герм IV.24, л 0,7 алий Для усилителей и генераторов Для усилителей высокой высокой частоты, импульсных устройств и промежуточной,частот в радиовещательных приемниках
222 Параметр Обозна- чение Еди- ниц а Обратный ток коллектора при Б* ZKBO мкА Обратный ток эмиттера при С7эБ» Б* Режим измерения ft-параметров Z3EO мкА напряжение коллектора ик В ток коллектора 'К мА Входное сопротивление *116 Ом Коэффициент передачи тока ^21э — Коэффициент обратной связи *126 — Выходная проводимость *226 мкСм Граничная частота коэффициента передачи frp МГц Емкость коллекторного перехода ск пФ Постоянная времени цепи обратной связи тк ПС Коэффициент шума Максимально допустимые параметры Кщ ДЙ постоянное напряжение коллектор — база УКБ max в постоянное напряженке коллектор — эмиттер ^КЭ max в постоянный ток коллектора zKmax мА импульсный ток коллектора ZK и max мА рассеиваемая мощность без теплоотвода ^max мВт Максимальная температура окружающей среды Лпах °C Минимальная температура окружающей среды 7min °C Общее тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал Конструкция и расположение выводов (номер рнсуика) Основное назначение 7?т °С/мВт
Продолжение табл IV 17 Тип транзистора ГТ323А ГТ323Б ГТ323Б КТ325а| КТ325б| КТ325В |КТ326А|КТ326Б 30/20 30/20 30/20 0,5/15 0,5/15 0,5/15 0,5/20 0,5/20 100/2 100/2 100/2 1/4 1/4 1/4 0.1/4 0,1/4 5 5 5 5 5 5 2 2 500 500 500 10 10 10 10 10 20...60 40...120 80...200 30...90 70...210 160...400 20...70 45...160 200 200 300 800 800 1000 400 400 30 30 30 2,5 2,5 2,5 5 5 300 300 300 125 125 125 450 450 20 20 20 15 15 15 20 20 10 10 10 , 15 15 15 15 15 — — — 60 60 60 50 50 1000 1000 1000 50 50 4 50 — 250 250 250 225 225 225 200 200 +60 +60 +60 + 125 +125 +125 +125 +125 —55 -55 -55 -60 -60 -60 — 60 0,6 р—п—р, -60 0,6 кремний п—р —п, repv аниЙ И —f —п, кремний — 1У.„24Л_Л TV.24, н IV.34, п Для генераторов И им- Для различных устройств пульсных устройств
Параметр Обозна- чение Еди- ница Обратный ток коллектора при В* 7кбо мкА Обратный ток эмиттера при U^, В* Режим измерения Л-параметров 7эбо мкА напряжение коллектора В ток коллектора 'к мА Входное сопротивление ftl 16 Ом Коэффициент передачи тока й21э — Коэффициент обратной связи Л12б — Выходная проводимость fe226 мкСм Граничная частота коэффициента передачи Zrp МГц Емкость коллекторного перехода СК пФ Постоянная времени цепи обратной связи ТК ПС Коэффициент шума Максимально допустимые параметры *ш ДБ постоянное напряжение коллектор — база УКБ max В постоянное напряжение коллектор — эмиттер УКЭ max В постоянный ток коллектора 7К max мА ’ импульсный ток коллектора ГК и max мА рассеиваемая мощность без теплоотвода ₽max мВт Максимальная температура окружающей среды Лпах °C Минимальная температура окружающей, среды ^min °C Общее тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал Конструкция и расположение выводов (номер рисунка) Основное назначение ю ю Со Ят °С/мВт
Продолжение табл. tV.17 Тип транзистора ГТ328А ГТ328Б ГТ328В ГТ329А | ГТ329Б ГТ329В ГТ329Г 10/15 10/15 10/15 5/10 5/10 5/10 5/10 — ** — 100/0,5 100/0,5 100/0,5 100/1,5 5 5 5 5 5 5 5 3 3 3 5 5 5 5 —— — —— —— —— 20...200 40...200 10...50 15...300 15.„300 15...300 15. ..300 — — — — — — — — — — — 400 300 300 1200 1700 1000 1000 1.5 1.5 1,5 2 3 3 2 5 10 10 15 30 20 15 — — — 4 ' 6 6 5 15 15 15 10 10 10 10 — — — 5 5 5 — 10 10 10 20 20 20 20 — — — __ — 50 50 50 50 50 50 50 +55 +55 +55 +60 +60 +60 +60 -40 — 40 -40 — 60 -60 -60 -60 — — — 0,8 0,8 0,8 0,8 р—п —р, германий IV.24, л п—р—п, германий IV.24, р Для каскадов автоматической Для входных цепей малошумящих регулировки усиления уст- ройств метрового диапазона радиоприемных устройств высокой частоты сверх-
Продолжение табл. IV. 17 to to Параметр Обозна- чение Еди- ница Обратный ток коллектора при В* 7КВО мкА Обратный ток эмиттера при Удв, В* Режим измерения /1-параметров 'ЭБО мкА напряжение коллектора уК в ток коллектора /к ыА Входное сопротивление А11б Ом Коэффициент передачи тока *21э — Коэффициент обратной связи Л12б — Выходная проводимость *226 мкСм Граничная частота коэффициента передачи /гр МГц Емкость коллекторного перехода СК пФ Постоянная времени цепи обратной свяаи Тк ПС Коэффициент шума Максимально допустимые параметры Кш дБ постояииое напряжение коллектор — база УКБ max В постоянное напряжение колле ктор — эмиттер УКЭ max в постоянный ток коллектора ^К max мА импульсный ток коллектора /К и max мА рассеиваемая мощность без теплоотвода ₽max мВт Максимальная температура окружающей среды . Лпах °C Минимальная температура окружающей среды rmin °C Общее тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал Конструкция и расположение выводов (номер рисунка) Оснрвиое назначение °С/мВт Тип транзистора гтззод ГТЗЗОЖ гтззои КТ337А КТ337Б КТ337В 5/10 5/10 5/10 1/6 1/6 1/6 100/1,5 100/1,5 100/1,5 ' 5/4 5/4 5/4 5 5 5 0,3 0,3 0,3 5 5 5 10 10 10 о» о» —- —- — 30.,.400 30...400 10...400 30...70 50... 75 70...120 — —— — — — —- — — — 500 1000 500 500 600 600 3 3 3 6 6 6 30 50 30 . — — 5 8 5 — — — 10 10 10 6 6 6 —< 6 6 6 20 20 20 30 30 30 — —1 —- — —- 50 50 50 150 150 150 +55 +55 +55 +85 +85 +85 —40 -40 —40 —40 -40 -40 1 - 1 1 0,6 , 0.6 0,6 п—р-ь-п,. германий IV.24. р Р“ п—р, кремний IV,23, е Дл.я приемно-усилительной аппа- Для усилителей и генераторов ратуры сверхвысокой частоты сверхвысокой частоты, быстро- действующих устройств пере- ключения
8 1-88 Параметр Обозиа- ченне Обратный ток коллектора при с/^5, В* ZKEO Обратный ток эмиттера при с/95, В* Режим измерения ^-параметров ;ЭБО напряжение коллектора ук ток коллектора /к Входное сопротивление Л11б Коэффициент передачи тока *21 э Коэффициент обратной связи Л126 Выходная проводимость Граничная частота коэффициента передачи Емкость коллекторного перехода СК Постоянная времени цепи обратной связи tK Коэффициент шума Максимально допустимые параметры кш постоянное напряжение коллектор — база max постоянное напряжение кол лектор — эмиттер ^КЭ max постоянный ток коллектора max импульсный ток коллектора •К и max рассеиваемая мощность без теплоотвода ^max Максимальная температура окружающей среды 'max. Минимальная температура окружающей среды ^mi л Общее тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал Конструкция и расположение выводов (номер рисунка) Основное назначение Rr ЬЭ 8
Продолжение табл, IV.17 Еди- нииа Тип транзистора ГТЗЗЬА ГТЗЗ°Б ГТ338В КТ339А КТ339Б | КТ339В КТ339Г КТ339Д мкА 30/20 30/20 30-20 1/40 1/2 5 1/40 1/40 1/40 мкА — — — » В — — 10 10 10 10 10 мА — -р. — 7 7 7 7 7 Ом .— .— .— — — .— — — — — >25 > 15 >25 >40 >15 — — .— —. — — — .— мкСм — — — — — — — — МГц 30 30 30 300 ' 250 4 50 250 250 пФ 2 2 2 2 2 2 2 2 ПС — — 25 25 50 100 15 0 дЬ — — — — — — , — — в — — 40 25 40 40 40 в 20 20 20 25 . 12 25 25 25 мА —. .— — 25 25 25 25 25 мА 1000 1000 1000 — — — — — мВт 100 100 100 250 250 250 250 250 °C + 55 +55 +55 4-85 •4*85 +85 •4-85 Н-85 сс -40 -40 —40 -40 — 40 -40 -40 -40 ’С/мВт 0,6 0,6 0,6 — — — р—п —л, германий п— р~ п, кремний IV.24, з IV.24. с Для устройств наио- н пикосекундной техники 1 Для выходных каскадов усилителей промежуточной чистоты телевизионных приемников цветного и ч^рно-белого изображения
226 Параметр Обозна- чение Обратный ток коллектора при в* Обратный ток эмиттера при £/35, В* Режим измерения ^-параметров напряжение коллектора ток коллектора Входное сопротивление Коэффициент передачи тока Коэффициент обратной связи Выходная проводимость Граничная частота коэффициента передачи Емкость коллекторного перехода Постоянная времеии цепи обратной связи Коэффициент шума Максимально допустимые параметры постоянное напряжение коллектор — база постоянное напряжение коллектор — эмиттер постоянный ток коллектора импульсный ток коллектора ч рассеиваемая мощность без теплоотвода Максимальная температура окружающей среды Минимальная температура окружающей среды Общее тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал 'КБО ;ЭБО 'к *'А116 й21э ft126 ft226 frp СК ТК ^КБ max иКЭ max шах и max ^max Лпах Лп1п Конструкция н расположение выводов (номер рисунка) Основное назначение
Продолжение табл. 1У.П Еди- ница Тип транзистора КТ340А КТЙ40Б КТ340В КТ340Д ГТ341А ГТ341Б ГТ341В мкА 1/15 1/20 1/15 1/20 5/10 5/10 5/10 мкА — — — — 50/0.5 50/0.5 50/0,5 в 1 1 2 1 5 5 5 мА 10 10 20 10 1 1 1 Ом — —,. —• —« —- — — — 100...300 >100 >35 >40 15...300 15...300 15...300 __ — — — — — — — мкСм — —< —• —- МГц 300 300 300 300 1500 2000 1500 пФ 3,7 3,7 3,7 3,7 1 1 1 ПС — — 150 10 10 10 дБ — — — — 4,5 5.5 5,5 В 15 20 15 15 10 10 10 в 15 20 15 15 5 5 - ' 5 мА 50 50 50 50 10 10 10 мА 75 200 — — — — мВт 150 150 150 150 35 35 35 °C +85 +85 4-85 4-85 4-60 4-60 4-60 °C -10 — 10 — 10 -10 -40 -40 —40 °С/мВт п—р—г TV 1, кремний 23, е —• Л— >—п. германий IV.24. р Для усилителей, генераторов Для приемно-усилительной И импульсных устройств аппаратуры СВЧ
Обоэна> Еди- Параметр чвние ница Обратный ток коллектора при &* 7КБО мкА Обратный ток эмиттера при УэБг в* 7ЭБО мкА Режим.измерения Л-параметров напряжение коллектора °К В ток коллектора 'К мА Входное сопротивление ' Й116 Ом Коэффициент передачи тока й21э — Коэффициент обратной связи й12б — Выходная проводимость ft226 мкСм Граничная частота коэффициента передачи /гр МГц Емкость коллекторного перехода СК пФ Постоянная времени цепи обратной связи ТК пс Коэффициент шума *ш ДБ Максимально допустимые параметры постоянное напряжение коллектор — база ^КБ max В постоянное напряжение коллектор — эмиттер УКЭ max в постоянный ток коллектора 7К max мА импульсный ток коллектора ^К и max мА рассеиваемая мощность без теплоотвода ^max мВт Максимальная температура окружающей среды Лпах °C Минимальная температура окружающей среды Лп(п °C Общее тепловое сопротивление транзистора R Т SC/мВт Тип перехода, материал Конструкция и расположение выводов (номер рисунка) Основное назначение
Продолжение табл. IV 17 Тип транзистора КТ342А КТ342Б КТ342В | КТ342Г .КТ343А КТ343Б 0,5/25 0,5/20 0,5/15 ' 0.5/25 1/10 1/10 30/5 30/5 01 30,5 — — 5 5 5 5 0,3 0,3 1 I 1 1 10 10 — — — — — — 100...250 200...500 400...1000 50...125 >30 >30 —. — — — — — — — — — 300 300 300 300 3 00 300 8 8 8 8 6 6 •—» — — — — — — — — — — —. — — —. 25 20 10 45 17 17 50 50 50 50 50 50 300 300 300. 300 — — 250 250 250 250 150 150 4-125 - 4-125 4-125 4-125 4-150 4-150 —60 -60 — 60 —60 -10 -10 0,5 0,5 0,5 0, 0,5 0,5 п кремний р—п—р. кремний !V.23.e IV,23, е Для импульсных устройств и генераторов Для токовых ключей, каскадов стробирова- ния, логических устройств
Продолжение табл. IV. 17 Параметр Обозна- чение Еди- ница Тип транзистора КТ343В | КТ343Г КТ345А КТ345Б КТ345В ГТ346А ГТ346Б Обратный ток коллектора прн В* БО мкА ' 1/7 1/10 1/20 1/20 1/20 10/15 10/15 Обратный ток эмиттера при УдБ. В* Режим измерения h-параметров 7ЭБО мкА — 1/4 1/4 1/4 100/0.3 100/0,3 напряжение коллектора ук В 0,3 1 1 1 1 10 10 ток коллектора 'к мА 10 150 100 100 100 ' 2 2 Входное сопротивление Ом — — — — Коэффициент передачи тока ^2!э >30 >20 20—60 50...85 70-105 >10 >10 Коэффициент обратной связи h126 — — —. ' — —< Выходная проводимость ^226 мкСм — — — — — —i Граничная частота коэффициента передачи ' frp МГц 300 300 350 350 350 700 550 Емкость коллекторного перехода пФ 6 6 15 15 15 1,3 1,3 Постоянная времени цепи обратной связи ’к ПС — — — 3 5,5 Коэффициент шума Максимально допустимые параметры ДБ — — — — — 8 —4 постоянное напряжение коллектор — база ^КБ max В — — 20 20 20 15 15 постоянное напряжение коллектор — эмиттер ^КЭ max В 9 17 20 20 20 15 15 постоянный ток коллектора ZK max мА 50 50 200 200 200 10 10 импульсный ток коллектора /К и max мА — 150 300 300 300 — — рассеиваемая мощность без теплоотвода ^max мВт 150 150 100 100 100 40 40 Максимальная температура окружающей среды Гтах °C +150 +150 +• 5 +85 +85 +55 +55 Минимальная температура окружающей среды rmin °C -10 -10 -40 -40 -40 -40 -40 Общее тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал Конструкция и расположение выводов (номер рисунка) Основное назначение «т °C/мВт 0,5 р—п—р IV.2 Для токо чей, к с тробиро 0,5 кремний 3, е зых клю- аскадов вания, ло- 1,1 0— Для бы импул 1.1 п— р, к ре» IV.23, и стродейст ьсных уст 1,1 <иий зующнх ройств Р—п— р. IV. Для се. телеви прие* германий 24, л пекторов аионных ников гнческих устройств
Параметр Обозна- чение Обратный ток коллектора при C/re, В* Обратный ток эмиттера при В* Режим измерения ft-параметров напряжение коллектора ток коллектора Входное сопротивление Коэффициент передачи тока Коэффициент обратной связи Выходная проводимость Граничная частота коэффициента передачи Емкость коллекторного перехода Постоянная времени цепи обратной связи Коэффициент шума Максимально допустимые параметры 7кбо 'ЭБО "К й11б й21э Л12б Л22б frp СК ТК Кш постоянное напряжение коллектор — база max N3 постоянное напряжение коллектор — эмиттер постоянный ток коллектора импульсный ток коллектора рассеиваемая мощность без теплоотвода уКЭтах 7 К max и max Rmax Максимальная температура окружающей среды Лпах Минимальная температура окружающей среды ^min Общее тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал Конструкция и расположение выводов (номер рисунка) Основное назначение
Продолжение табл. IV.1? Еди- иица Тип транзистора КТ347А КТ347Б КТ347В КТ049А КТ349Б К.Т349В КТ350А мкА 1/15 1/9 1/6 1/10 1/10 1/10 1/10 мкА 10/4 10/4 10/4 1/4 1/4 1/4 10/4 В 0.3 0,3 0,3 1 1 1 1 мА 10 10 10 10 10 10 500 Ом — — — — — — — — 30...400 30...400 50...400 20...80 40...160 120...300 20...200 — — — — — — — — мкСм — — — — — — — МГц 500 500 500 300 300 300 500 пФ б 6 6 6 ё 6 7Ъ ПС — — — — — — — ДБ — — — — — — — В 15 9 6 20 20 20 20 в 15 9 6 15 15 15 15 мА 50 50 50 — — мА 110 ПО 110 40 40 40 600 мВт 150 150 150 200 200 200 200 °C +85 +85 +85 +85 +85 +85 +85 “С -40 —40 —40 -40 -40 -40 —40 °С/мВт 0,5 0.5 0,5 . 0,6 0.6 0.6 0.6 р— п—р, кремний в—п—р, кремний IV.23, е IV.23, е Для быстродействующих Для усилителей считывания импульсных устройств запоминающих устройств
N5 ё * Параметр Обозна- чение Еди- ница Обратный ток коллектора при В» Обратный ток эмиттера при В* Режим измерения /i-параметров напряжение коллектора ток коллектора Входное сопротивление Коэффициент передачи тока Коэффициент обратной связи Выходная проводимость Граничная частота коэффициента передачи Емкость коллекторного перехода Постоянная времени цепи обратной связи Коэффициент шума Максимально допустимые параметры постоянное напряжение коллектор — база постоянное напряжение коллектор — эмиттер постоянный ток коллектора импульсный ток коллектора рассеиваемая мощность без теплоотвода Максимальная температура окружающей среды Минимальная температура окружающей среды Общее тепловое сопротивление транзистора Тнп перехода, материал Конструкция н расположение выводов (номер рисунка) Основное назначение 'КБО 7ЭБО 'к Л11б й21э Мб h226 frp СК тк УКБ max иКЭ max lK max ГК н max ^max Лпах '"min RT мкА мкА В мА Ом мкСм МГц пФ ПС • пБ В В мА мА мВт °C °C °С/мВт
Продолжение табл. IV. 17 Тип транзистора КТ351А КТ351Б КТ352А КТ352Б КТ355А 2Т356А ' . 2Т356Б 1/10 1/10 1/10 1/10 0.5/15 0,5/10 0,5/10 10/4 10/4 10/4 10/4 — — — 1 1 1 1 5 5 5 300 ' 300 200 200 10 10 10 — — —. — 10 10 10 20...80 50...200 25...120 70...300 80...300 80...260 80...320 — — — — — — — — — . — — — — 200 200 200 200 1500 1650 2000 15 15 15 15 2 1.2 1.2 — — — — — 60 20 — — — — . — — — 20 20 20 20 15 10 io 15 15 15 15 15 10 . 10 — — — — 60 40 - 40 400 400 200 200 — — — 200 200 200 200 225 100 100 +85 +85 +150 + 150 +125 +125 +125 -40 -40 -10 -10 • —55 -60 -60 0,6 0,6 0.6 0,6 0,3 — — р—п—; , кремний п— р—п, кремний IV.23, е IV.24. л IV.24, р Для запоминающих устройств усилителей считывания Для приемке-усилительной аппаратуры сверхвысокой частоты
Параметр Обратный ток коллектора при ^К.Б> в* Обратный ток эмиттера при Vgg, в* Режим измерения h-параметров напряжение коллектора ток коллектора Входное сопротивление Коэффициент передачи тока Коэффициент обратной связи Выходная проводимость Граничная частота коэффициента передачи Емкость коллекторного перехода Постоянная времени цепи обратной связи Коэффициент шума Максимально допустимые параметры постоянное напряжение коллектор — база постоянное напряжение коллектор — эмиттер постоянный ток коллектора импульсный ток коллектора рассеиваемая мощность без теплоотвода Максимальная температура окружающей среды Минимальная температура окружающей среды Общее’ тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал Конструкция и расположение выводов (номер рисунка) (Основное назначение .. к
Продолжение табл. 1У.П Обозна- чение Еди- ница Тип транзистора К.Т357А КТ357Б КТ357В КТ357Г | КТ358А КТ358Б КТ358В /КБО мкА S/6 5/6 5/20 £/20 10/15 10/30 10/15 УЭБО мкА — — — — — ук В 0.5 0,5 0,5 0,5 5,5 5,5 5,5 'к мА 1-0 10 10 10 20 20 20 &116 Ом — — — — — —- й21э — 20...100 60...300 20...100 60...300 10...100 25...100 50...280 й12б — — — — — — — й22б мкСм — — — — — ?ГР ск МГц пФ 300 7 300 7 300 7 300 7 80 5 120 5 120 5 тк ПС 30 — — 500 500 500 Кш ДБ — — — — — ^КБ max В 6 6 20 20 15 30 15 ^КЭ max В 6 6 20 20 15 30 16 max мА 40 40 40 40 30 30 Л< и max р мА мВт 100 too 100 100 60 100 60 100 60 100 ^тах °с +85 +85 + 85 +85 +85 +85 -j-85 T'min °C —40 -40 — 40 —40 —40 —40 — 40 «Т °С/мВт 0,7 0,7 0,7 0,7 0,7 0,7 0,7 Р—П— f , кремний п— р— п, кремний IV.23, к IV,23, к Для ключевых устройств Для генераторов и им- пульсных устройств
Параметр Обозна ченне Обратный ток коллектора при В* Обратный ток эмиттера при УЭБ, В’ Режим измерения ft-параметров напряжение коллектора ток коллектора Входное сопротивление Коэффициент передачи тока Коэффициент обратной связи Выходная проводимость Граничная частота коэффициента передачи Емкость коллекторного перехода Постоянная времени цепи обратной связи Коэффициент шума Максимально допустимые параметры постоянное напряженке коллектор — база постоянное напряжение коллектор — эмиттер постоянный ток коллектора импульсный ток коллектора рассеиваемая мощность без теплоотвода Максимальная температура окружающей среды Минимальная температура окружающей среды Общее тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал УКБО 7эбо "к 'к hii6 . А21э А12б а226 frp ск тк УКБ шах УКЭ max ^К max /К н max ₽max 7"max Лп1п 2?T Конструкция и расположение выводов (номер рисунка) Омовиое назначение
Продолжение табл. IV 17 Тип транзистора КТ361А КТ361Б КТ361В КТ361Г КТ361Д КТ361Е ГТ362А ГТ362Б 1/25 1/20 1/40 1/35 1/40 1/35 5/5 5/5 — — — — — — — — 10 10 10 10 10 10 3 3 1 1 1 1 1 1 5 5 — — — — — — —— — 20...90 50...350 20...90 50...350 20...90 50...350 10...200 10...250 — — — — — — — — — — — — — — 250 250 250 250 250 250 2400 2400 9 9 7 7 7 7 1 1 500 500 1000 500 250 1000 10 . 20 — — — — — 4.5 5,5 25 20 40 35 40 35 5 5 25 20 40 35 40 35 5 5 — — — — — — 10 10 —- — — — — — — — 150 150 150 150 150 150 40 40 + 100 + 100 + 100 + 100 +100 + 100 +55 +55 -60 -60 -60 —60 -60 —60 -40 -40 0,67 0,67 Для уси 0.67 0,67 0,67 о—п—р, кремний IV.24. к. лителей высокой частоты * 0.67 . 2 п—р—п, IV.! Для прие лительно! туры св кой ча 2 германий 4, р мно-уси- аппара* ерхвысо- CTOTbl
Продолжение табл. IV. 17 Параметр Обозиа- чение Еди- ница Обратный ток коллектора при В* ;КБО мкА Обратный ток эмиттера при t/эв» Режим измерения й-парвметров ;ЭБО мкА напряжение коллектора ^К В ток коллектора. /К мА Входное сопротивление Л11б Ом Коэффициент передачи тока ft21=, — Коэффициент обратной связи — Выходная проводимость ^526 мкСм Граничная частота коэффициента передачи ?гр МГц Емкость коллекторного перехода СК пФ Постоянная времени цепи обраткой связи гК ПС Коэффициент шума Максимально допустимые параметры кш ДБ постоянное напряжение коллектор — база ^КБ max В постоянное напряжение коллектор — эмиттер ^КЭ max в постоянный ток коллектора 'К max мА импульсный ток коллектора и max мА рассеиваемая мощность без теплоотвода ^max мВт Максимальная температура окружающей среды Лпах сс Минимальная температура окружающей среды T’min "0 .Общее тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал Конструкция и расположение выводов (номер рисунка) Основное назначение «Г ’С/м Вт № co • Числитель дроби — ток, знаменатель — напряжение, Тип транзистора КТ363А КТ363Б | КТ373А | КТ373Б1 КТ373В’ КТ373Г 0,5/15 0,5/15 0,05/25 0,05/25 0.05/25 0,05/25 0.5/4 0,5/4 30/5 30/5 30/5 30/5 5 5 5 5 5 5 5 5 1 1 1 1 — — — — . —. 20...70 40...120 100...250 200...600 500...1000 50..,125 — ' — '— — 1200 1500 300 300 300 300 2 2 8 8 8 8 50 75 — — — — — — — — — — 15 15 30 25 10 60 15 12 — — — 30 30 50 50 50 50 50 50 200 200 200 200 150 150 150 150 150 150 +85 -г 85 H-S5 +85 +85 +85 ' -40 —40 — 40 -40 —40 -40 0,7 0,7 0,6 0,6 0,6 0.6 р—п—р кремний п—р—п. кремний IV.23, е IV 23, и Для прйемно-усили- Для усилителей высокой частоты и им- тельиой аппаратуры сверхвысокой частоты пульсных устройств
& Таблица IV. 18. Основные параметры транзисторов средней мощности низкочастотных Ф- Параметр Обозна- Еди- Тнп транзистора чение ница П201Э П201АЭ П202Э П203Э | П302 | ПЗОЗ ПЗОЗ А. П304 Обратный ток коллектора при В* ZKEO мкА '400/20' 400/20 400/20 400/20 100/35 100/60 100/60 100/80 Обратный ток эмиттера прн УдВ’ в* «Режим измерения Л-параметров 7ЭБО мкА 400/10 400 10 400/10 400/10 — — — — напряжение коллектора В 10 10 ' 10 10 10 10 10 10 ток коллектора /к мА 200 200 200 200 120 120 120 60 Коэффициент передачи тока *21 э кГц > 20 > 40 > 20 — ♦ * > 10 >6 > 6 > 5 Предельная частота коэффициента передачи Максимально допустимые параметры ^*216 100 200 100 200 200 100 100 50 постоянное напряжение коллектор — база ^КЕ max В 45 45 - 70 70 35 60 60 80 постоянное напряжение коллектор — эмиттер ^Кё> max В 30 30 55 55 35 60 60 80 постоянное напряжение эмнттер — база ^ЭБ max В — — — — 6 10 2,5 10 постоянный ток коллектора /К max А 1.5 1,5 2 2 0,5 0,5 0,5 0,5 постоянный ток базы ^Б max А —• — — — 0,2 0,2. 0,2 0.2 рассеиваемая мощность беэ теплоотвода pmax Вт 1 1 1 1 1 1 1 1 рассеиваемая мощность с теплоотводом ^max Т Вт 10 10 10 10 7 10 10 10 Максимальная температура окружающей среды ^max °C +60 +60 + 60 +60 +85 +85 +85 +85 Минимальная температура окружающей среды T’min °C -55 -55 . — 55 — 55 -55 — 55 . -55 —55 Общее тепловое сопротивление транзистора Ry °С/Вт — — — — 100 100 100 100 Тепловое сопротивление транзистора «в °C/Вт 3,5 3,5 3,5 3,5 10 10 10 10 Тип перехода, материал р—п—р, германий р—л—р, кремний Конструкция и расположение выводов (номер IV. 25, а IV.25, б рисунка) Основное назначение Для усилителей мощности Для усилителей мощности низкой частоты, преобра- низкой частоты, переключателей зователей напряжения н тока и преобразователей напряжения и тока
Параметр Обозна- чение Еди- ница Обратный ток коллектора при ;КБО мкА Обратный ток эмиттера при t/gg. В* Режим измерения ft-параметров /ЭБО мкА напряжение коллектора ик в ток коллектора !к мА Коэффициент передачи тока — Предельная частота коэффициента передачи Максимально допустимые параметры fft216 кГц постоянное напряжение коллектор — база Б’КП max В постоянное напряжение коллектор — эмиттер иКЭ max в постоянное напряжение эмиттер — база ^ЭБ max в постоянный ток коллектора max А постоянный ток базы ^Б max А рассеиваемая мощность без теплоотвода р max Вт рассеиваемая мощность с теплоотводом ^max Т Вт Максимальная температура окружающей среды Т °C Минимальная температура окружающей среды ° С Общее тепловое сопротивление транзистора ° С/Вт Тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал Конструкция и расположение выводов (номер рисунка) Основное назначение й ся • RB ° С/Вт
Продолжение табл. IV.13 Тип транзистора « П306 П306А | ГТ403А | ГТ4ОЗб| ГТ403В . ГТ403Г | ГТ403Д . ГТ403Е 100/60 100/80 50/45 50/45 50/60 50/60 50/60 80/60 — — 50/20 50/20 50/20 £0/20 50/20 50/20 10 10 5 5 5 5 5 100 50 100 100 too too too too 7...30 5...50 20...60 50,..150 20...60 50... 150 0... 150 >30**» 50 50 8 8 8 8 ’ 8 : 8 60 80 45 . 45 60 60 60 60 60 80 30 30 4^ 45 45 45 6 4 20 20 20 20 20 20 0.4 0,4 1,25 1,25 1,25 1,25 1.25 ' 1,25 — — 0,4 0.4 0,4 0,4 0.4 0,4 — — 0,6 0.6 0.6 0.6 0.6 0,6 10 10 4 4 5 4 4 5 +85 +85 +70 + 70 ' + 70 +70 +70 +70 -55 —55 —55 —55 —55 —55 -55 -55 100 100 100 100 100 100 100 100 10 р—п—р, IV.2 10 кремний 5, б 15 15 12 р—п—р. IV 15 германи 25. г 15 й 12 Для усилителей Для выходных каскадов усилителей низкой мощности низкой частоты, устройств переключений, преобра- частоты,^преоб- разователей на- пряжения и тока зователей и стабилизаторов и тока напряжения
Параметр Обозна- чение Обратный ток коллектора при в* ;КБО Обратный ток эмиттера при C/gg, ь* Режим измерения Л-параметров ;ЭБО напряжение коллектора ток коллектора 'к Коэффициент передачи тока *21э Предельная частота коэффициента передачи Максимально допустимые параметры ^216 постоянное напряжение коллектор — база ^КБ щах постоянное напряжение коллектор — эмиттер УКЭ max постоянное напряжение эмиттер — база У ЗБ max постоянный ток коллектора ZK шах постоянный ток базы х • 'Б max рассеиваемая мощность без теплоотвода. ^max рассеиваемая мощность с теплоотводом ₽max Т Максимальная температура окружающей среды т 1 max Минимальная температура окружающей среды Т • 1 min Общее тепловое сопротивление транзистора Rx Тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал Конструкция н расположение выводов (номер рисунка) Основное назначение
Продолжение табл. IV.18 Еди- яйца Тип транзистора ГТ403Ж ГТ403И ГТ4ОЗЮ| ГТ402Д | ГТ402Е|ГТ402Ж| ГТ402И | ГТ404А мкА 40/80 70/80 50/45 25/10 25/10 25/10 25/10 25/10 мкА 70/20 70/20 Е0/20 — — — — 25/10 В 5 5 5 1 1 1 1 1 мА 100 100 100 3 3 3 3 3 — 20...60 50...150 30...60 30...80 30...80 60...150 60...150 30...80 кГц 8 8 8 Ю00 1000 1000 1000 1000 В 80 80 45 - — — В 60 60 30 25 25 40 40 25 В 20 20 20 0.35 0,35 0.35 0.35 0,3 А 1,25 1,25 1,25 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 А 0,4 0.4 0,4 - — — — — Вт 0,6 0,6 0,6' 0,6 0,6 0,6 0.6 0,6 Вт 4 4 4 — — — — °C +70 + 70 +70 +55 -f-55 -f-55 -г 5 5 +55 »с -55 -55 -55 —40 — 40 —40 —40 —40 ° С/Вт 100 100 100 100 100 100 100 100 'С/Вт 15 1 15 15 15 15 15 15 15 р—Л- -р, германий р—и—р, германий п-р-п, герма- IV.25, г IV.25, в НИЙ IV.25. в Для выходных кас- Для выходных каскадов усилителей низ- кадов усилителей кой частоты радиовещательных 'приемки» низкой частоты, КОВ устройств переклю- чения, преобразова- телей и стабилиза- торов напряжения и тока
Параметр ОбОЗН'е • чение к Обратный ток коллектора при ^КБ’ в* ** 'КБО Обратный ток змиттера при 1/35, В* 'эБО Режим измерения 1г-параметров напряжение коллектора "к ток коллектора 'К Коэффициент передачи тока й21э Предельная частота коэффициента передачи ^216 Максимально допустимые параметры постоянное напряжение коллектор—база ^КБ max постоянное напряжение коллектор— эмиттер ^КЭ тпя'*- постоянное напряжение эмиттер — база- ^ЭБ । ах постоянный ток коллектора та.- постоянный ток базы ma \ рассеиваемая мощность без теплоотвода р 'max рассеиваемая мощность с теплоотводом Максимальная температура окружающей среды т Минимальная температура окружающей среды T'mln Общее тепловое сопротивление транзистора «т Тепловое сопротивление транзистора ^в Тип перехода, материал Конструкция и расположение выводов (иомер рисунка) Основное назначение * Числите ль дроби — ток. знаменатель — напряжение. ** Статическая крутизна прямой передачи ^21 э = 1.2,..!, * * * При — 5 В и 7 =450 мА.
Продолжение табл. [V.18 Тип транзистора ’ , ГТ404Б ГТ404В ГТ404Г ГТ405А ГТ405Б ГТ405В ГТ405Г 25/10 25/10 25/10 25'25 25/25 25/40 25/40 25/10 25/10 25/1 — — — — 1 3 1 1 3 1 3 1 3 1 3 1 3 60...150 30...80 60...150 30... 80 60...150 30...80 60...150 1000 1000 1000 1000 1 000 1000 1000 — — — — — — 25 40 40 25 25 40 40 0.3 0.3 0.3 0.35 0.35 0.35 0.35 0,5 0.5 0,5 0,5 0,5 0.5 0.5 — — — —- — — — и. 6 0.6 0.6 о.ь 0.6 0.6 0.5 — — — — — — 4-55 4-55 + 55 +оэ +55 + 55 +55 — 40 — 40 -40 -40 — 40 -40 — 40 100 100 100 100 • 10., 100 100 15 15 15 —- —— *1— —л. германий D—п—р. германий I V.25. f IV.23, ж Для выходных каскадов усилителей низкой час- тоты радиовещательных приемников Для выходных каскадов усилите- лей низкой частоты
ьо Таблица IV. 19. Основные параметры транзисторов средней мощности среднечастотных ио „ • Тип транзистора Обозиа- Еди- Параметр чение инца П601И П601АИ П601БИ П602И П602АИ Обратный ток коллектора при У^Б' в* 'КБО мА 0,2/10 0,1/10 0,13/10 0,1/10 0,13/10 Обратный ток эмиттер? при УэБ’ В* 7ЭБО мА 1/0,5 1/0,5 1/0.5 1/0,5 1/0,5 Режим измерения й-параметров напряжение коллектора "К В 3 3 3 3 3 ток коллектора 'к А 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 Коэффициент передачи тока Й21Э — > 20 40...100 80...200 40...100 80...200 Граничная частота коэффициента передачи 1'гр МГц 20 20 20 30 30 Емкость коллекторного перехода СК пФ 170 170 170 170 170 Постоянная времени цепи обратной связи "к ПС 750 750 750 750 750 Максимально допустимые параметры постоянное напряжение коллектор — база ^КБ max В 25 30 30 30 25 постоянное напряжение коллектор — эмиттер УКЭ max В , 25 30 30 30 25 постоянное напряжение эмиттер — база ^ЭБ max в 0,7 0,7 0,7 0,7 0,7 постоянный ток коллектора ^К max А — — — — — импульсный ток коллектора и max А 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 постоянный ток базы f Б max А — — — — — рассеиваемая мощность без теплоотвода ^max Вт 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 • рассеиваемая мощность с теплоотводом ₽max T Вт 3 3 3 3 3 Максимальная температура окружающей среды ^max 0 С +60 +60 +60 +60 +60 Минимальная температура окружающей среды ^min ° С -50 -50 — 50 -50 -50 Общее тепловое сопротивление транзистора Ry ° С/Вт 50 50 50 50 50 Тепловое сопротивление транзистора «В 0 С/Вт 1.5- 15 15 15 15 Тип перехода, материал р —п—р, германий Конструкция и расположение выводов (номер IV.26, а рисунка) Основное назначение Для усилителей и импульсных устройств
Параметр Обозна- чение Еди- ница Обратный ток коллектора при В* ;КБО мА 9 Обратный ток эмиттера при Ugg, В’ Режим измерения h-параметров 7ЭБО мА напряжение коллектора "к В ток коллектора !к А Коэффициент передачи тока *»21э — Граничная частота коэффициента передачи МГц Емкость коллекторного перехода СК пФ Постоянная времени цепи обратной связи Максимально допустимые параметры ТК ПС постоянное напряжение коллектор — база иКБ max В постоянное напряжение коллектор — эмиттер ^КЭ max В постоянное напряжение эмиттер — база ^ЭБ max В постоянный ток коллектора max А импульсный ток коллектора 7К и max А постоянный ток базы 'Б max А рассеиваемая мощность без теплоотвода ^max Вт рассеиваемая мощность с теплоотводом ^max T Вт Максимальная температура окружающей среды ^max ° С Минимальная температура окружающей среды T'min 0 С Общее тепловое сопротивление транзистора RT ° С/Вт to Со Тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал Конструкция и расположение выводов (номер рисунка) Основное назначение » С/Вт • Числитель дроби — гок, знаменатель — напряжение.
Продолжение табг. tV.19 Тип транзистора П605 П605А П606 П606А । П701 П701А П7016 2/45 2/45 2/35 2/35 0.1/40 0.1/60 0,1 /35 1/1 1/1 1/0,5 1/0.5 3 3 3 3 ' 3 3 3 10 10 10 0,5 0,5 6.5 0.£ 0.5 0,2 0,2 20.„60 40..'. 120 20...60 40... 120 1 0...40 '5...60 ' 30...100 •— 30 30 12.5 12.5 12.5 130 130 * 130 130 — — — 500 500 500 500 8500 >500 • 8500 45 45 35 35 40 60 35 40 40 25 25 30 60 35 1 1 . 0.5 0.5 2 2 2 — — — — 0.5 0,5 0.5 1.5 1.5 1,5 1.5 1 1 1 — — — — — — —• 0.5 0.5 0.5 0.5 1 1 1 3 3 3 3 10 10 10 +60 +60 +60 +60 +100 + 100 + 100 — 60 — 60 — 60 -60 — 55 -55 -55 50 50 50 50 85 85 85 15 15 15 15 10 10 10 р~п—р, германий м— р—п, кремний IV.26, а IV.26, 6 " Для усилителей, генераторов Для усилитёлеП и гене- и импульсных устройств в дна- раторов. устройств пе- пазоне частот до 30 МГц реключе ния
т 8 блина TV.20. Основные параметры транзисторов средней мощности высокочастотных Параметр Обозна- чение Еди- ница КТ601А КТ602А Тип транзистора КТ602б|кТ602в| КТ602г|кТ603А КТ603Б Обратный ток коллектора при t/^g, В* 7кво мкА — 70/120 70/120 70/80 70/80 10/30 10/30 Обратный ток эмиттера при С^ЭБ» Режим измерения /г-параметров 7эбо мкА 50/2 50/5 50/5 50/5 50/5 3/3 3/3 напряжение коллектора "к В 20 10 10 10 10 2 2 ток коллектора 'к мА 10 10 10 10 10 150 150 Коэффициент передачи тока ''21 э —• > 16 20...80 > 50 15...80 > 50 10...80 > 60 Граничная частота коэффициента передачи f гр МГц 40 150 150 150 150 200 200 Емкость коллекторного перехода СК пФ 15 4 4 4 4 15 15 Постоянная времени цепи обратной связи Максимально допустимые параметры ТК Г. С 600 300 300 300 300 400 400 постоянное напряжение коллектор — база иКБ max в 100 120 120 80 80 80 30 постоянное напряжение коллектор — эмиттер УКЭ max в 100 100 100 70 70 30 30 постоянное напряжение эмиттер — база ^ЭБ max в 2 5 5 5 5 3 3 постоянный ток коллектора мА 30 75 75 75 75 300 300 импульсный ток коллектора и max мА — 500 500 500 500 600 600 постоянный ток базы ^Б max мА 30 — — — — — — рассеиваемая мощность без теплоотвода ^max Вт 0,25 0,85 0,85 0.85 0,85 0,5 0,5 рассеиваемая мощность с теплоотводом р max Т Вт 0,5 2,8 2,8 2,8 2,8 — — Максимальная температура окружающей среды ° С +85 +85 + 85 +85 + 85 +85 +85 Минимальная температура окружающей среды •с -20 -40 -40 -40 — 40 -40 -40 Общее тепловое сопротивление транзистора 0 С/Вт 250 150 150 150 150 200 200 Тепловэе сопротивление транзистора Тип перехода, материал Конструкция и расположение выводов (иомер рисунка) Основное назначение «в ° С/Вт п-р—п, кремний 1V.23, д Для видео- каскадов те- левизионных приемников 45 Для ус в диапаз 45 г—р—п, IV.27 тлателей оне част< 45 кремний , б и генер зт до 15 45 1 торов МГц п—р—п, IV.2 Для у^ил генерато сокой ч устройс ключ кремний 3, д ителей и ров вы- астоты, тв пере- ения ’
Обозна- чение Параметр Обратный ток коллектора при Б\в, в* ;КБО Обратный ток эмиттера при С/дБ1 в* Режим измерения ^-параметров УЭБО напряжение коллектора ик ток коллектора 'К Коэффициент передачи тока Л21э Граничная частота коэффициента передачи /гр Емкость коллекторного перехода СК Постоянная времени цепи обратной связи Максимально допустимые параметры "К постоянное напряжение коллектор—база ^КБ max постоянное напряжение коллектор— эмиттер УКЭ max постоянное напряжение эмиттер— база ^ЭБ max постоянный ток коллектора ^К max импульсный ток коллектора • « ^К и max постоянный ток базы ^Б max рассеиваемая мощность без теплоотвода ^max рассеиваемая мощность с теплоотводом pmax Т Максимальная температура окружающей среды ' max Минимальная температура окружающей среды T'min Общее тепловое сопротивление транзистора Лт Тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал Конструкция и. расположение выводов ( номер рисунка)- Основное назначение «в
Продолжение табл. IV.20 Еди- ница Тип транзистора КТ603В КТбОЗГ |кТ603Д|кТ603е)кТ604А|кТ604б|кТ605а|кТ605Б мкА 5/15 5/15 1/10 1/10 — - - - мкА 3/3 3/3, 3/3 3/3 100,5 100/5 100/5 100/5 В 2 2 2 2 40 40 40 40 мА 150 150 150 150 200 200 20 20 — Ю...80 > 60 20...80 60... 200 10...40 30...120 10...40 30...120 МГц 200 200 200 200 40 40 40 40 пФ 15 15 15 15 7 7 7 7 ПС 400 400 400 400 — — 250 250 в 15 15 10 10 300 300 300 300 в 15 15 10 10 250 250 250 250 в 3 3 3 3 5 5 5 5 мА 300 300 300 300 200 200 — — мА 600 ООО 600 600 — — 200 200 мА — —— _ _ Вт 0,5 0,5 0,5 0,5 0,8 0.8 0,4 0,4 Вт — — - - 3 3 - - °C +85 +85 +85' +85 +100 +100 +100 + Ю0 ’ С —40 — 40 —40 —40 —25 —25 —25 —25 0 С/Вт 200 200 200 200 150 150 300 300 ° С/Вт — — — — 40 40 — — т—р—п, креминй п—р—п, кремний 1V.23, д 4V.27. б | IV.23, 0 Дя? У“ал оТ=еД^т^1 ге”®РаТ°Р°в Для видеоусилителей и ге- вырской частоты устройств нераторов разверток теле- переключевия визионных приемников
к to Параметр Обозна- чение Обратный ток коллектора при (2^б- В* Обратный ток эмиттера при £/35. В* Режим намерения /i-параметров напряжение коллектора ток коллектора Коэффициент передачи тока Граничная частота коэффициента передачи Емкость коллекторного перехода » Постоянная времени цепи обратной связи Максимально допустимые параметры постоянное напряжение коллектор — база постоянное напряжение коллектор — эмнттер постоянное напряжение эмиттер — база постоянный ток коллектора импульсный ток коллектора постоянный ток базы рассеиваемая мощность без теплоотвода рассеиваемая мощность с теплоотводом Максимальная температура окружающей среды Минимальная температура окружающей среды Общее тепловое сопротивление транзистора Тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал Конструкция н расположение выводов (номер ривутга) Основное наэнач енве 7КБО 7ЭБО "К 7К Л21э ?гр ск тк УКБ max ^КЭ max ^ЭЕ max 7К max 7Ки max 7Б max р rmax ^max Т Гтах гтт RB
Продолжение табл. [V.20 Еди- ница Типтранзистора • КТ606А КТ606Б- КТ607А КТ608А КТ608Б П607 ГТ607А мкА — — 1000/40 Ю/60 •10/60 300/30 300/30 мкА 300/4 300/4 0,5/4 10/4 10/4 500/1.5 500/1,5 В 10 ю' — 3 , 3 мА too 1.00 — 200 200 250 350 — > 3,5»* > 3«* > 7“ 20... 80 40...160 20...80 60... 200 МГц 350 350 700 200 200 60 60 пФ 10 Ю 4 15 15 50 50 ПС 10 12 18 — — 500 500 В 60 60 . 40 60 60 30 30 В 60 60 35 60 60 25 25 В 4 4 4 4 4 1,5 1,5 мА 400 400 150 40Д 400 300 300 мА 800 800 300 800 800 600 600 мА 100 100 — — — — — Вт 2,5 2,5 — 0,5 0,5 1,5- 1,5 Вт — — 1,5 — — — — “С +85 +85 + 100 +85 +85 +60 +60 “С — 40 -40 -55 -40 -40 -55 —55 ° С/Вт — — — 200 200 — — ’С/Вт 44 44 — — — 2 • 2 п—р—п, кремний П— р—п, кремний п—п—р„ германий IV. 29, д IV.27, г | IV. 23, д IV.27,' i Для усилителей Для усилителей и те- Для генераторов и генераторов нераторов сверх- КВ и УКВ, сверхвысокой высокой частоты импульсных частоты устройств
Параметр Обозна- чение Обратный ток коллектора при 1/кБ» В* УКБО Обратный ток эмиттера при Z/gB’ В* Режим измерения h-параметров 7эбо напряжение коллектора ик ток коллектора 7К Коэффициент передачи тока *21э Граничная частота коэффициента передачи /гр Емкость коллекторного перехода СК Постоянная времени цепи обратной связи Максимально допустимые параметры тк постоянное напряжение коллектор — база ^КБ max постоянное напряжение коллектор — эмиттер ^КЭ max постоянное напряжение эмиттер — база УЭБ max постоянны!! ток коллектора /К max импульсный ток коллектора 7К и max постоянный ток базы 7 Б max рассеиваемая мощность без теплоотвода р max рассеиваемая мощность с теплоотводом '’max Т Максимальная температура окружающей среды т max Минимальная температура окружающей среды ^min Общее тепловое сопротивление транзистора ЯТ Тепловое сопротивление транзистора Тнп перехода, материал Конструкция и расположение выводов (номер рисунка) Основное назначение № Оо «В
Продолжение табл. IV.20 Еди- иица Тип транзистора П608 | П608А | П608Б | П609 | П609А П609Б мкА 300/30 300/30 500/50 300/30 300/30 500/50 мкА 500/1,5 500/1,5 500/ 1,5 500/1,5 500/1,5 500/1,5 В 3 3 3 3 3 3 мА 250 250 250 250 250 250 — 40... 120 80...240 40... 120 40...120 80...240 80...210 МГц 90 90 90 120 120 120 пФ 50 50 50 50 50 50 пе 500 500 500 500 500 500 в 30 30 50 30 30 50 в 25 25 40 25 25 40 в 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1.5 мА 300 300 300 300 300 300 мА 600 600 600 600 600 600 мА — — — — — — Вт 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1.5 Вт — — — — — — ° с +60 +60 +60 +60 +60 +60 ° с ' -55 —55 -55 -55 -55 — 55 0 С/Вт — — — — — — 0 С/Вт 2 2 2 р—п—р IV. 2 германий 27, в 2 2 Для генераторов КВ и УКВ, импульсных устройств
Параметр Обозна- чение •Еди- ница Обратный ток коллектора при в* 'КБО мкА Обратный ток эмиттера при В* Режим измерения h-параметров 'ЭБО мкА напряжение коллектора В ток коллектора /к мА Коэффициент передачи тока й21э — Граничная частота коэффициента передачи ^гр МГц Емкость коллекторного перехода СК пФ Постоянная времени цепи обратной связи Максимально допустимые параметры тк ПС постоянное напряжение коллектор — база УКБ max в постоянное напряжение коллектор — эмиттер ^КЭ max в постоянное напряжение эмиттер — база ^ЭБ max в постоянный ток коллектора max мА импульсный ток коллектора 7К н max мА постоянный ток базы Б max мА рассеиваемая мощность без теплоотвода р 'max Вт рассеиваемая мощность с теплоотводом pmax Т Вт Максимальная температура окружающей среды т ' max ’ С Минимальная температура Окружающей среды ^min ’ С Общее тепловое сопротивление транзистора «т ° С/Вт Тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал Конструкция и расположение выводов (номер рисунка) Основное назначение RB ° С/Вт
Продолжение табл. IV .20 Тип транзистора КТ610А КТ6 10Б КТ611А КТ611Б КТ611В КТ611Г 0,5/20 0,5/20 100/4 100/4 100/3 100/3 100/3 100/3 10 10 40 40 40 40 150 150 20 20 20 20 50 ..300 20...300 10...40 30...120 10..-.40 30...120 1000 700 60 60 60 60 3.5 3.5 5 5 5 5 75 25 200 200 200 200 20 20 200 200 180 180 20 20 180 180 150 150 4 4 3 3 3 3 300 300 100 100 , 100 100 — — —- — — — — — 0,8 0,8 0,8 0,8 1.5 1.5 3 3 3 з' +85 Н-85 + 100 + 100 + 100 -4-100 -40 — 40 -25 — 25 —25 -25 — — 150 150 150 150 — — 40 40 40 40 п— р—п, кремний И —О—п кремний IV.27, е IV.2 7. б Для усилителей и гене- Для усилителей напряжения, ключевых раторов н релаксационных устройств сверхвысокой частоты
re Сл Параметр Обозна- чен не Еди- нице Обратный ток коллектора при J/re, В* Лево мкА Обратный ток эмиттера прн t/gg, в* Режим измерения ft-параметров , 7ЭБО мкА напряжение коллектора ук В ток коллектора /к мА Коэффициент передачи тока *21 э — Граничная частота коэффициента передачи 1 гр МГц Емкость коллекторного перехода СК пФ Постоянная времени цепи обратной связи Максимально допустимые параметры 'к ПС постоянное напряжение коллектор — база ^КБ max в постоянное напряжение коллектор — эмиттер КЭ max в постоянное напряжение эмиттер — база ^ЭБ max в постоянный ток коллектора 7К max мА импульсный ток коллектора ;К и max мА постоянный ток базы 7Б max мА рассеиваемая мощность без теплоотвода ^max Вт рассеиваемая мощность с теплоотводом Вт Максимальная температура окружающей среды "С Минимальная температура окружающей среды °C Общее тепловое сопротивление транзистора ° С/Вт Тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал Конструкция и расположение выводов (номер рисунка) Основное назначение rb ° С/Вт * Числитель дроби — ток, знаменатель — напряжение. ♦ • Модуль коэффициента передачи I ! на частоте 100 МГц,
Продолжение табл. IV.20 •Тип транзистора ГТ612А 1Т614А КТ616А КТ616Б КТ617А КТ618А 10/12 . 10/12 12/10 12/10 5/30 — 10/0,2 — 15/4 15/4 15/4 100/5 5 ' 5 1 1 2 40 50 50 500 500 400 1 5...6,3’* 15...250 > 40 > 25 . > 30 > 30 1500 1000 200 200 150 40 3,5 — 200 200 15 7 7 15 — — , 120 — 12 12 20 20 30 300 — 9 . 20 20 20 250 0,2 0,5 4 4 4 5 120 200 400 400 400 100 — — 600 600 600 — — — —к — — — 0.36 0,4 0,3 0,3 0.5 0,5 — — — — — +70 + 70 +85 -4-85 +85 4-ЬО -55 —60 -40 -40 — 4U — 40 132 100 260 260 215 200 — — —- — — — п—р—и, германий IV.27, е и—р—п, кремний п—р— п, кремний IV.23, е IV.2 7, а Для усилителей и гене- Для импульсных Для вычислитель- раторов сверхвысокой частоты устройств ных машин
Таблица TV.21. Основные пяла метры транзисторов большой мощности низкочастотных X 4 . . Параметр Обозна- чение Еди- ница Тип транзистора П4АЭ П4БЭ П4ВЭ П4ГЭ П4ДЭ П213 П213А Обратный ток коллектора при U^g, В* Обратный ток эмиттера при Ugg, В* Режим измерения А-параметров напряжение коллектора ток коллектора Коэффициент передачи тока Предельная частота коэффициента передачи Максимально допустимые параметры постоянное напряжение коллектор — база постоянное напряжение коллектор — эмиттер постоянное напряжение эмиттер — база постоянный ток коллектора постоянный ток базы рассеиваемая мощность без теплоотвода рассеиваемая мощность с теплоотводом Максимальная температура окружающей среды Минимальная температура окружающей среды Общее тепловое сопротивление транзистора Тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал Конструкция н расположение выводов (иомер рисунка) ©виовнее назначение /КБО 'ЭБО 'К а21э f/l21 б иКБ шах ^КЭ max ^ЭБ max ZK max ^Б max р rma ^тах Т Лпах гт1п «В мА мА В А кГц В В В А А Вт Вт ’ С ’С « С/Вт ’С/Вт 0,5/10 0,6/10 10 2 > 5 150 60 50 5 1,2 2 20 +60 -55 2 Для ьы 0,4/10 0,6/10 10 2 15...40 150 70 60 5 1,2 2 20 + 60 -55 2 Р— иодных ка юи 0,4/10 0,6/10 10 2 > 10 150 40 35 5 1,2 2 20 +60 -55 2 1—р. терм IV.28, а скадов У ;их устро 0,'4/Ю 0,6/10 10 2 15...30 150 60 50 5 1,2 2 20 +60 -55 2 аний 14 и пере йств 0,4/10 0,6/10 10 2 > 30 150 60 50 о 1.2 2 20 +60 -55 2 ключа- Р,15/45 0,3/15 5 0.2 20...50 150 45 40 15 5 0,5 11,5 +70 -60 35 3.5. р—п—р, IV. Для вых скадов образо; и ста бид нал ряже ключг устрс а. 1/45 0,'4/Ю 5 0,2 > 20 150 45 30 10 '5 0,5 10 +70. -60 ' 35 4 германий 28, б пдных ка- /НЧ, пре- отелей изаторов ния, пере- ищи х 1ЙСТВ
Параметр Обозна- чение Еди- ница Обратный ток коллектора при В* ZKBO мА Обратный ток эмиттера при В* Режим измерения ^-параметров 'ЭБО мА напряжение коллектора ^К в ток коллектора ZK А Коэффициент передачи тока й21э — Предельная частота коэффициента передачи Максимально допустимые параметры ^216 кГц постоянное напряжение коллектор — база ^КБ max В постоянное напряжение коллектор — эмнттер иКЭ max В постоянное напряжение эмиттер — база ^ЭБ max В постоянный ток коллектора max А постоянный ток базы ^Б max А рассеиваемая мощность без теплоотвода р гтзх Вт рассеиваемая мощность с теплоотводом ртах Т Вт Максимальная температура окружающей среды ^тах °C Минимальная температура окружающей среды ^min «С Общее тепловое сопротивление транзистора R'l 0 С/Вт Тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал Конструкция и расположение выводов (номер рисунка) Основное назначение ьэ ria. Яв ° С/Вт
Продолжение табл. /V.2J Тип транзистора П213Б П214 П214А П214Б П214В П214Г П215 1/45 0,3/60 0,3/60 0,15/60 1,5/60 1,5/60 0,3/80 0,4/Ю 0.3/15 0,3/15 0.3/15 0,4/10 0,4/10 0,3/15 5 5 5 5 5 5 5 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 > 40 20...60 50...150 50...150 > 20 — *• 20...150 150 150 150 150 ' 150 150 150 45 60 60 60 60 60 80 30 55 55 55 55 55 70 10 15 15 15 10 10 15 5 5 5 5 5 5 . 5 0,5 0,5 0,5 0.5 0,5 0,5 0,5 —. — —— — — — «— , 10 10 10 11,5 10 10 10 +70 +70 +70 +70 +70 +70 +70 — 60 -60 -60 —60 — 60 -60 —60 35 35 35 35 35 35 35 4 4 4 3,5 4 4 4 р—п—р, германий IV.28, б Для выходных каскадов УНЧ, преобразователей и стабилизаторов напряжения, переключающих устройств
Параметр Обозни- ч ение Еди- ница Обратный ток коллектора при В* /КБО мА Обратный ток эмиттера при Ugg, В* ;ЭБО мА Режим измерения /г-параметров напряжение коллектора “к В ток коллектора !К А Коэффициент передачи тока й21э — Предельная частота коэффициента передачи /ft21 й к1 ц Максимально допустимые параметры постоянное напряжение коллектор — база ^КБ max в постоянное напряжение коллектор — эмиттер ^КЭ max в 1 остоянное напряжение эмиттер — база иЭБ max в постоянный ток коллектора max А постоянный ток базы ^Б max А рассеиваемая мощность без теплоотвода pmax Bi рассеиваемая мощность с теплоотводом ^max Г Вт Максимальнай температура окружающей среды 7"max °C Минимальная температура окружающей среды ^min вс Общее тепловое сопротивление транзистора «Т ° С/Вт Тепловое сопротивление транзистора RB. ° С/Вт Тип перехода, материал Конструкция и расположение выводов (номер рисунка» Основное назначение
Проделжение табл. /V.2; Тип транзистора П216Б П216В П216Г П216Д П217В П217Г ГТ701А 1,5/35 2/35 2,5/50 2/50 3/60 3'60 6/60 0,75/15 0,75/15 0.75/15 0,75/15 0,75/15 0.75/15 — 3 3 3 3 3 3 2 2 2 2 2 2 2 5 > 10 > 30 > 5 15.. .30 15...40 15...40 > 10 100 too 100 100 100 100 50*** 35 35 50 50 60 60 35 35 50 50 60 60 55 15 15 15 15 15 15 15 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7.5 12 0,75 0,75 0,75 0,75 0.75 0.75 — — — — — — 24 24 24 24 24 24 50 +70 +70 +70 +70 +70 +70 +70 — 60 — 60 — 60 -60 -60 -60 -55 35 35 35 35 35' 35 — 2,5 2,5 2,5 2,5 2.5 2,5 1.2 Z5— п—р, германий IV.28, 6 IV.28. < Для ВЫХОДНЫХ каскадов УНЧ Для усг- радиовещательных приемников. телевизоров, ройств магнитофонов зажига- НИЯ ДБм- гателей
Параметр Обозна- чение Еди- ница Обратный ток коллектора при В* Лево мА Обратный ток эмиттера при Уд б» В* Режим измерения /г-параметров ;ЭБО tA напряжение коллектора "к В ток коллектора * А Коэффициент передачи тока А21э — Предельная частота коэффициента передачи Максимально допустимые параметры fft216 кГц постоянное напряжение коллектор — база ^КБ шах В постоянное напряжение коллектор — эмиттер ^КЭ шах В постоянное напряжение эмиттер — база ^ЭБ шах В постоянный ток коллектора max А постоянный ток базы ^Б max А рассеиваемая мощность без теплоотвода р max Вт рассеиваемая мощность с теплоотводом Pmax Т Вт Максимальная температура окружающей среды 7"max °C Минимальная температура окружающей среды 7"min ’С Общее тепловое сопротивление транзистора °С/ВТ Тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал «В 0 С/Вт Конструкция и расположение выводов (номер рисунка) Основное назначение
' Продолжение табл. IV.2J Тнп транзистора 1Т702А 1Т}о2 Б 1Т702В ТТ703А ГТ703Б ГТ703В ГТ703Г ГТ703Д 12/60 12/60 12/60 0,5/20 0.5/20 0.5/30 0,5/30 0.5/30 — — — 0,05/10 0,05/10 0.05/10 0,05/10 0.05/10 1,5 1,5 1,5 1 1 1 1 1 30 30 30 0,05 0,05 0,05 0,05 0,05 15.,.100 15...100 > 20 30...70 50...150 30...70 50...100 20...45 — — — 10 10 10 10 10 60 60 60 — — — — — 60 60 40 20 20 30 30 40 4 4 4 — — — — — 30 30 30 3,5 3.5 3.5 3,5 3,5 5 5 5 — — — — — 5 5 5 1 • ъ 1.6 1,6 1,6 1,6 150 150 150 15 15 15 15 15 +70 +70 +70 +55 +55 +55 +55 +55 — 60 -60 -60 —40 -40 — 40 — 40 —40 10 10 10 — —. — — — 0,3 р-н- 0,3 -р,' герм IV.28. д 0,3 аний 3* 3 р—п 3 —р, герм IV.28, ж 3 аннй Для устройств Для выходных каскадов УНЧ переключения радиовещательных приемников, телевизоров, магнитофонов,.
о * Параметр Обозна- чение Обратный ток коллектора при t/^в» В* Обратный ток эмиттера при ^эв» Режим измерения h-параметров напряжение коллектора ток коллектора Коэффициент передачи тока Предельная частота коэффициента передачи Максимально допустимые параметры постоянное напряжение коллектор — база постоянное напряжение коллектор—эмиттер постоянное напряжение эмиттер — база постоянный ток коллектора постоянный ток базы рассеиваемая мощность без теплоотвода рассеиваемая мощность с теплоотводом Максимальная температура окружающей среды Минимальная температура окружающей среды Общее тепловое сопротивление транзистора Тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал Конструкция и расположение выводов (номер рисунка) Основное назначение ;КБО 7ЭБО ук 'К *21 э ^216 ^КБ max УКЭ max ^ЭБ max ZK max ^Б max P’max ^max T Лпах T’mln «В * Числитель дроби— ток, знаменатель — напряжение. -У21Э=М...2Д А/В.
Продолжение табл. IV.21 Тип транзистора КТ704А |КТ7О4Б |КТ7О4В |ГТ7О5А |гТ705Б |'ГТ7О5В( ГТ705Г| ГТ705Д — — — 0,5/20 0,5/20 0,5/30 0,5/30 0,5/20 100/4 100/4 100/4 0,3/10 0,3/10 0,3/10 0,3/10 : 0,3/10 15 15 15 1 1 1 1 1 1 1 1 0,05 0,05 0,05 0,05 0,05 >15 >15 >15 30...70 50...100 30...70 50...100 90...250 3000 3000 3000 10 10 10 10 10 — — — — 200 200 200 20 20 30 30 20 4 4 4 — — — — 2,5 2,5 2,5 3,5 3.5 3,5 3,5 3,5 2 2 2 — — — — — — — — 1,6 1,6 1,6 1,6 1,6 15 15 15 15 15 15 15 15 + 100 + 100 + 100 +55 +55 +55 +55 + 55 -40 -40 -40 -40 -40 -40 -40 -40 — — — 30 30 30 30 30 5 п—Р 5 — л, Kpei IV.28, е 5 иний 3 3 п—Р- 3 -л, гер» IV.28, ж 3 «аний 3 Для устройств строчной развертки телевизион- ных приемников Для выходных каскадов УНЧ \ радиовещательных приемников, телевизоров, магнитофонов
Таблица IV. 22. Основные параметры транзисторов большой мощности среднечастотных Параметр Обозна- чение Еди- ница Тип транзистора П702 П702А КТ801А КТ801Б | КТ802А | КТ803А Обратный ток коллектора при В* ;КБО мА 5/70 5/70 10/80 10/60 60/150 Обратный ток эмиттера приУдв, В* Режим измерения й-параметров 7ЭБО мА 5/3 5/3 2/2,5 2/2,5 40/3 50/4 напряжение коллектора Ук В 10 10 5 5 10 10 ток коллектора 'к А 1 1 1 1 2 5 Коэффициент передачи тока й21э — >25 >10 13...50 20...100 >15 10...70 Граничная частота коэффициента передачи МГц 4 4 10 10 10 20 Емкость коллекторного перехода пФ — — — — — —— Постоянная времени цепи обратной связи Максимально допустимые параметры тк , пс —• — — — — — постоянное напряжение коллектор — база ^КБ max в *60 60 80 60 150 — постоянное напряжение коллектор—эмиттер УКЭ max в 60 60 80 60 120 60 постоянное напряжение эмиттер — база ^ЭБ max в 3 3 2,5 2,5 3 4 постоянный ток коллектора ZK max А 2 2 2 2 5 10 постоянный ток базы ^Б max А 0,5 0,5 0,4 0,4 1 — рассеиваемая мощность без теплоотвода ? max Вт 4 4 — — 3 5 рассеиваемая мощность с теплоотводом ^max T Вт 40 40 5 5 50 60 Максимальная температура окружающей среды т msx »С 4-85 +85 +85 +85 +100 + 160 Минимальная температура окружающей среды rmin °C — 55 — 55 ' -40 -40 -25 -60 Общее тепловое сопротивление транзистора °С/Вт 33 33 20 20 30 — Тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал Конструкция и расположение выводов'номер рисунка) Основное назначение ьо сл t—< «В °C/Вт 2,5 п— р—п, IV. Для ус и генер в диа частот 2,5 кремний 29, а илителей аторов пазоне Ю 5 МГц «—р— п, IV.2 Для ус кадровой ной ра: телевиз прием кремний 9, б тройств н строч- вертки 4ОННЫХ ЧИКОВ 2,5 п— Дл выс 1,66 Р—п, кремний IV.28, г я усилителей мощности окой частоты
ND СЛ № Параметр Обозна- чение Еди- ница Обратный ток коллектора при (УкБ’ в* Обратный ток эмиттера при ^ЭБ» В* Режим измерения ^-параметров напряжение коллектора ток коллектора Коэффициент передачи тока Граничная частота коэффициента передачи Емкость коллекторного перехода Постоянная времени цепи обратной связи Максимально допустимые параметры постоянное напряжение' коллектор — база постоянное напряжение коллектор—эмиттер постоянное напряжение эмиттер —база постоянный ток коллектора постоянный ток базы рассеиваемая мощность без Теплоотвода рассеиваемая мощность с теплоотводом Максимальная температура окружающей среды Минимальная температура окружающей среды Общее тепловое сопротивление 1ранзистора Тепловое•сопротивление транзистора Тип перехода, материал Конструкция и расположение выводов (номер рисунка) Основное назначение ;КБО ^ЭБО ик 'К а21э ?гр СК тк ^КБ max УКЭ max ^ЭБ max max ^Б max ₽max Р т rmax Т Т ' max ^min мА мА В А МГц пФ пс В В В А А Вт Вт °C °C °С/Вт °С/Вт
Продолжение табл. IV. 22 Тип транзистора КТ805А КТ805Б | ГТ806А ГТ806Б | ГТ806В ГТ806Г ' ГТ806Д 0,1/5 - 0,1/5 — — — — 100/5 100/5 8/1,5 8/1,5 . 8/1,5 8/1,5 8/1,5 10 . 10 — — — 2 2 10 10 10 10 10 >15 >15 10...100 10...100 10...100 10...100 10...100- 20 20 10** 10*» ю** 10** 10** — — — — — — — — — — ' — — — — 160 135 75 100 120 50 140 160 135 75 100 120 50 140 • 5 5 1,5 1.5 1.5 1.5 1,5 5 5 5 15 15 15 15 2 2 3 3 3 3 3 3 3 2 2 2 2 2 30 30 30 30 30 30 30 + 100 + 1 00 +55 +55 +55 +55 +55 — 55 -55 ' — 55 — 55 -55 -55 -55 30 30 — — — — 3,3 п—р— п, IV.2 3,3 кремний 8, г 2 2 р—л 2 —р, герм IV. 28, г 2 аиий 2 Для выходных Для мощных импульсных усилителей, каскадов строч- ной развертки телевизоров преобразователей напряжения и / тока
Параметр Обозна• чение Еди- ница Обратный ток коллектора прн ^КБ» в* Обратный ток эмиттера при ^эб» В* Режим измерения Л-параметров напряжение коллектора ток коллектора Коэффициент передачи тока Граничная частота коэффициента передачи Емкость коллекторного перехода Постояннаи времени цепн обратной связи Максимально допустимые параметры постоянное напряжение коллектор — база постоянное напряжение коллектор—-эмиттер постоянное напряжение эмиттер — база постоянный ток коллектора постоянный ток базы рассеиваемая мощность без теплоотвода рассеиваемая мощность с теплоотводом Максимальная температура окружающей среды Минимальная температура окружающей среды Общее тепловое сопротивление транзистора Тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал 'КБО 'ЭБО "к 'к Л21э 'гр СК ’к -° КБ max УКЭ max ^ЭБ тйх 'К max ^Б max ртах ^тах Т ^тах 7"т1п Яг Яв мА мА В А МГц пФ ПС В В В А А Вт Вт °C °C °C/Вт °C/Вт Конструкция и расположение выводов (номер рисунка) Основное назначение 8 со
< Продолжение табл IV.22 Тип транзистора КТ807А | КТ807Б КТ808а| КТ809а| ГТ810А |кТ814А | КТ814Б — — — - 20/200 0,05/40 0,05/40 15/4 15/4 50/4 50/4 — — — 5 5 30 10 ' 2 2 0, 5 0,5 6 2 . 5 0,15 0,15 15...45 30...100 10...50 15...100 >15 >40 >40 — — 7 5,5 15 3 3 — — 500 .170 — 60 60 — — — — — — — — — - - 200 - — 100 100 120 400 200 <0 50 4 4 44 1,4 — — 0,5 0,5 10 > Ю 1,5 1,5 0,2 0,2 4 1,5 1< 5 0,5 0.5 —— —" 5 — 0,75 — — 10 ю •. 50 40 15 Ю 10 +85 +85 + 100 +125 +55 +Ю0 + 100 — 40 —40 — 60 —60 —55 —40 -40 — — _ _ 50 - — 8 8 2.0 2,5 2.5 — п—р—п. п—р—п, Р—п—р. р—п—р. кремний кремний германий кремний FV.29. в IV.28, t IV.29, и IV.27. ж Для каскадов строчной Для импульс- Для выходных развертки телевизоров ных ус ройств каскадов Ь НЧ, ключ евых устройств
Параметр Обратный ток коллектора при Б* 7КБО Обратный ток эмиттера при ^эб» Б* Режим измерения Л-параметров ^ЭБО напряжение коллектора Ук ток коллектора 1к Коэффициент передачи тока Граничная частота коэффициента передачи ^21 э /гр Емкость коллекторного перехода ск Постоянная времени цепи обратной связи Максимально допустимые параметры тк постоянное напряжение коллектор — база ^КБ max постоянное напряжение коллектор—эмиттер °КЭ max постоянное напряжение эмиттер — база ^ЭБ щах постоянный ток коллектора /К max постоянный ток базы ^Б шах рассеиваемая мощность без теплоотвода Ртах рассеиваемая мощность с теплоотводом ^тах Т Максимальная температура окружающей среды Лпах Минимальная температура окружающей среды /"min Общее тепловое сопротивление транзистора Тепловое сопротнвлевне транзистора Тип перехода, материал Конструкция и расположение выводов (номер , рисунка) -аыашзявае
ПроВолжгни1' табл. IV.22 Тип транзистора КТ814В | КТ814Г KT8I5A КТ815Б КТ815В КТ815Г 0,05/40 0,05/40 Д05/40 0,05/40 0,05/40 0,05/40 — — — — — 2 2 2 2 2 2 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 >40 >30 >40 >40 >40 >30 3 3 3 3 3 3 60 60 60 60 60 60 —* — — — — — __ — 70 100 40 50 70 100 — ~~ — — — 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 -м -м ОМ — — 10 10 10 10 10 10 + 100 +100 +100 + 100 + 100 + 100 — 40 — 40 -40 -40 -40 -40 — — — — — — — — — — р—п—р, кремний п-р-п, кремний &Л7,ж IV. 27, ж Для выходных каскадов УНЧ, ключевых устройств
Параметр Обозна- чение Еди- ница Обратный ток коллектора при В* 7кбо мА Обратный ток эмиттера при В* Режим «измерения й-параметров 7ЭБО мА напряжение коллектора в ток коллектора 'К А Коэффициент передачи тока *21 э — Граничная частота коэффициента передачи ^гр МГц Емкость коллекторного перехода Ск пФ Постоянная времени цепи обратной связи Максимально допустимые параметры тк ПС постоянное напряжение коллектор — база ^КБ max в постоянное напряжение коллектор—эмиттер ^КЭ max в постоянное напряжение эмиттер — база ^ЭБ max в постоянный ток коллектора А постоянный ток базы ^Б max А рассеиваемая мощность без теплоотвода ^max • Вт рассеиваемая мощность с теплоотводом ^max Т Вт Максимальная температура окружающей среды Лпах °C Минимальная температура окружающей среды T'min °C Общее тепловое сопротивление транзистора Ят °С/Вт ♦ Тепловое сопротивление транзистора Тнп перехода, материал Конструкция н расположение выводов (номер рисунка) Основное назначение кэ , СЛ Сг’ « Яд -С/Вт
Продолжение табл. IV .2'2 Тип транзистора КТ816А КТ816Б КТ816В КТ816Г КТ817А |КТ817Б ]КТ817В КТ817Г 0,1/40 0,1/40 0,1/40 0,1/40 0,1/40 0,1/40 0,1/40 0,1/40 — — — — — — — — 2 2 2 2 2 2 ? 2 2 2 2 2 2 2 • 2 2 >20 >20 >20 > 15 >20 >20 >20 >15 3 3 3 3 3 3 3 115 115 115 115 55 55 55 55 — — — — — — — — — . — , — — 40 50 70 100 40 50 ' 70 • 100 — — —. — — —. — — 3 3 3 3 3 3 3 3 1 1 1 1 1 1 1 1 — — — •я— 20 20 20 20 20 20 20 20 +100 +100 +100 + 100 + 100 + 100 + 100 +100 -40 — 40 —40 -40 -40 —40 -40 • -40 — — — — —* — — — — р—п—р, IV .2 кремний 7, ж — п—р—п 'IVJ кремни! 7, ж Для выходных каскадов УНЧ, Для выходных каскадов УНЧ< ключевых устройств ключевых устройств-
Пар аметр Обратный ток коллектора прн В* Обратный ток эмиттера при ^35, В* Режим измерения й-параметров напряжение коллектора ток коллектора Коэффициент передачи тока Граничная частота коэффициента передачи Емкость коллекторного перехода Постоянная времени цепи обратной связи Максимально допустимые параметры постоянное иапряжение коллектор — база постоянное напряжение коллектор—эмиттер постоянное напряжение эмиттер — база постоянный ток коллектора постоянный ток базы рассеиваемая мощность без теплоотвода рассеиваемая мощность с теплоотводом Максимальная температура окружающей среды Минимальная температура окружающей среды Общее тепловое сопротивление транзистора Тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал Конструкция и расположение выводов (номер рисунка) Основное назначение • 9 Числитель дроби — ток, знаменатель — ьапря *’ ,Л21б.
Продолжение табл. IV.22 Обозна- чение Еди- ница Тип транзистора КТ818А [КТ818Б |кТ818В |кТ818Г |КТ819А |КТ819Б КТ819В | КТ819Г 7кбо мА 1/40 1/40 1 /40 1/40 1/40 1/40 1/40 1/40 Z3BO мА — — — — — — — — Ук ’ В 5 5 5 5 5 5 5 5 >к А 5 5 5 5 5 5 5 5 ^21э » 1 5 >20 >1 5 >12 >15 > 20 > 15 >12 Г гр МГц 3 3 3 3 3 3 3 3 ск пФ - — — тк ПС — — — — — — ^КЬ max в — — — — __ — — — ^КЭ max в 40 50 70 90 40 5U 70 100 ^ЭБ max в — — — — — — — — ZK max А 10 10 10 10 10 10 10 10 z5 max А 3 5 3 3 3 3 3 3 ^max Вт — — — •— — — — ^max T Вт 60 60 60 60 60 60 60 60 T ’С +100 + 100 + 100 + 100 + 100 + 100 + 100 + 100 T'min °C — 40 -40 -40 -40 -40 — 40 -40 — 4J «Т °С/Вт — — — — — — — — «Р °C/В г —n—р, кремний IV.28, и п — р— п, IV. 2 кремний 8, и Для выходных каскадов УНЧ, ключевых устройств к енне.
Таблица IV.23. Основные параметры транзисторов большой мощности высокочастотных > Параметр Обозна- чение Еди- яйца Тип транзистора 1Т901А | 1Т901Б | КТ902А | КТ903А | КТ903Б КТ904А КТ904Б Обратный ток коллектора при б^КБ» В* 'КБО мА 8/40 8/40 10/70 — — — — Обратный ток эмиттера при ^ЭБ’ В* Режим измерения ^-параметров 1ЭБО мА 10/ 10 100/5 10 50/4 50/4 0,3/4 0,3/4 напряжение коллектора В 10 10 — — ток коллектора /К А 5 4 5 2 2 2 — — Коэффициент чередами тока ft21 э — 20...50 40...100 >1,5** 15...70 40...180 >3,5**.- >3** Граничная частота коэффициента «передачи ?гр МГц 30 30 35 120 120 • 350 300 Емкость коллекторного перехода СК пФ — — — 180 180 12 12 Постоянная времени цепи обратной связи К ПС — — — — — 15 .20 Максимально допустимые параметры • постоянное напряжение коллектор — база ^КБ max в 50 40 65 G0 60 60 60 постбянное напряжение коллектор —эмиттер ^КЭ max в 50 40 ПО 60 60 60 . 60 постоянное напряжение эмиттер — база в — 5 4 4 4 4 постоянный ток коллектора А 10 10 5 3 3 0,8 0,8 постоянный ток базы max А 2 2 2 — — 0,2 0,2 рассеиваемая мощность без теплоотвода рассеиваемая мошновть с теплоотводом pmax Вт Вт 15 15 30 30 • 0 5 5 Максимальная температура окружающей среды 7 ’’'ах + 70 +70 + 120 +85 +85 +85 +85 Минимальная температура окружающей среды T'min • °C -60 — 50 -60 — 40 -40 -40 — 40 Общее тепловое сопротивление транзистора °С/Вт — — — — Тепловое сопротивление транзистора • °С/Вт 2,5 2,5 3,3 3,3 3.3 16 1G Тип перехода, материал Конструкция и расположение выводов (иомер Р—п—р, IV. германий 28. г Р— п, кремний IV 9Я ха п—р—п, кремний IV.29, д рисунка) Основное назначение Для усилителей и генераторов Для усилителей н генера- Для усилителей и генераторов в диапазоне торов высокой частоты высокой частоты, частот до 30 МГц импульсных устройств
to СП tc - • Парам VP Обозна- чение Еди- ница * Обратный ток коллектора при ^КБ» В* Обратный ток эмиттера при 1^ЭБ» В* Режим измерения й-параметров напряжение коллектора ток коллектора Коэффициент передачи тока Граничная частота коэффициента передачи Емкость коллекторного перехода Постоянная времени цепи обратной связи Л1аксимальио допустимые параметры постоянное напряжение коллектор — база постоянное напряжение коллектор—эмиттер постоянное напряжение эмиттер — база постоянный ток коллектора постоянный ток базы рассеиваемая мощность без теплоотвода рассеиваемая мощность с теплоотводом Максимальная температура окружающей среды Минимальная температура окружающей среды Общее тепловое сопротивление транзистора Тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал УКБО ;ЭБО /к h213 ^гр СК тк ^КБ max ^КЭ max ^ЭБ jnax max /Б max pmax ^max Т 7"тах ^min я в мА мА В А МГц пФ пс В В В А А Вт Вт °C ' °C •«С/Вт «С/Вт Конструкция и расположение выводов (номер рисунка) Основное назначение
Продолжение табл. IV.23 Тип транзистора ГТ9 05А | ГТ905Б | 1Т906А | КТ907А | КТ907Б 2/75 2/75 — — — 5/0,4 — 15/1,4 0,35/4 0,35/4 10 10 10 28 28 3 3 5 0,4 0,4 35.;.юо 35...100 30...150 >3,5*’ >3»« — 60 30 350 300 — 200 — 20 20 — 300 — 15 25 75 60 75 — — 75 60 — 65 • 65 — — 1.4 4 4 3 3 10 1 1 о.б 0,6 1.5 0,4 0,4 1,2 1.2 — 6 6 15 16 16 + 70 —60 +70 —60 +70 -60 +85 -40 +85 -40 50 50 50 7.5 7,5 9 9 2.5 — — D—П—Р, германий 0—' п—р, германий и—р— п, кремний IV.29, и IV.29, е 1V.29, д • Для усилителей, генераторов, импульс- ных устройств Для усилителей, генераторов, импульсных устройств
© Параметр Обоза а* ченве Еди- ница Обратный ток коллектора при В* Обратный ток эмиттера при ^эб» В* Режим измерения ^-параметров напряжение коллектора ток коллектора Коэффициент передачи тока Граничная частота коэффициента передачи Ёмкость коллекторного перехода • Постоянная времени цепи обратной связи Максимально допустимые параметры постоянное напряжение коллектор — база ' постоянное напряжение коллектор—эмиттер постоянное напряжение эмиттер — база постоянный ток коллектора постоянный ток базы - рассеиваемая мощность без теплоотвода рассеиваемая мощность с теплоотводом Максимальная температура окружающей среды Минимальная температура окружающей среды Общее тепловое сопротивление транзистора Тепловое сопротивление транзистора Тип перехода{ материал Конструкция и расположение выводов (номер рисунка) Основное назначение ю • • * СИ <0 'кбо Лэбо ук 'к Л21э f гр СК тк УКБ max иКЭ max УЭБ max ZK max ZB max ^max ^max T zmax zmin R'Y ,7'B мА mA В A МГц пФ ПС В В В А А Вт Вт °C °C °С/Вт ?С/Вт
W>iiSiii.W4 —Bj. fWrw Тиа транзистора KT»08A j КТ908Б КТ909А1 КТ»9В.| КТ9ОТВ [ КТ9«9Г' гтед Им 6/40 300/5 250/5 6/3,5 10/3,5 6/3,5 10/3,5 2 2 К 10 М ю 10 10 4. 1,5 3 1,5 3 10 8...00 >20 >3,5** >5‘» >3** >4,5** 50...320 30 30 350 500 300 450 30 —» •—В 30 60 35 '60 —» —' Мв 20 20 30 30 ~| «н 33 100 60 60 60 60 60 32 5 5 3,5 3,5 3,5 3,5 —< 10 10 2 4 2 4 10 5 <5 t 2 1 2 3 —1 —1 ж 35 50 50 27 54 27 54 —1 +125 +125 +85 +85 +85 +85 +70 -60 -60 -40 —40 -40 -40 -60 1—« — в- 2 2 5 2,5 5 2,5 1,85 n—P=*n, кремний п-^р— п,- кремний р—п—р, германии IV.28, e 1V.27, а IV.29, Ж Для ключевых Для усилителей, умножителей частоты стабилизаторов и преобрааовате- ’ лай И генераторов в диапазоне УКВ
S3 о —. • , Параметр Обозна- чение Еди- иица Обратный ток коллектора при С7кБ» В* Обратный ток эмиттера при Цэб- В* Режим измерения Л-параметров напряжение коллектора т8к коллектора Коэффициент передачи тока Граничная частота коэффициента передачи Емкость коллекторного перехода Постоянная времени цепи обратной связи Максимально допустимые параметры постоянное напряжение коллектор — база постоянное напряжение коллектор-эмиттер постоянное напряжение эмиттер — база постоянный ток коллектора постоянный ток базы рассеиваемая мощность без теплоотвода рассеиваемая мощность с теплоотводом Максимальная температура окружающей среды Минимальная температура окружающей среды Общее тепловое сопротивление транзистора Тепловое сопротивление транзистора Тип перехода, материал Конструкция и расположение выводов (номер рисунка) • Основное назначение ;КБО 7ЭВО ик /К й31э frp СК тк иКБ max УКЭ max ^ЭБ max max ^Б max р max PmaxT ?max Гт1п RT R3 мА мА В А МГц пФ ПС В В В А А Вт Вт °C °C °С/Вт °C/Вт * Числитель дроби — ток. знаменатель — напряжение. Модуль Й21э на частоте 100 МГц.
Нрадо/тчи» wee*, yr.n Тип транзистора КТ911А | КТ911Б | КТ911В КТ911Г 2Т912А | 2Т912Б 5/55 2/3 5/55 2/3 5/40 2/3 5/40 2/3 250/.-, 250/5 1.5 3 10 10 ' 10 10 0,1 о,1 0,1 0,1 5 5 >2,5 >2 >2,5 >2 10...50 20...100 1000 800 1000 800 90 90 10 10 10 10 в —• 25 25 50 100 — 55 55 ' 40 40 . —« — 40 40 30 30 70 70 3 3 3 3 5 5 0.4 0,4 0,4 0,4 20 20 — — —, 10 10 3 3 3 30 30 —* —г — -— +85 +85 +85 +8'5 +125 +125 — 40 -40 — 40 —40 -60 -60 33 •зз 33 33 — — — — —л — 1,66 1,66 п— р— п, кремний п—р—п, кремний IV. 29,- е IV.29, к Для усилителей и умножителей Для усилителей частоты СВЧ и генераторов
Комектр Рис. IV.23. Транзисторы малой мощности низко», средне- и высокочастотные.
Fiic. IV.24. Транзисторы малой мощности высокочастотные. Коллектор
тока при увеличении напряжения. При Uk > 0 входные характе- ристики мало зависят от напряжения иа коллекторе. При понижении Ми повышении температуры переходов транзистора входные харак- теристики смещаются в область больших или меньших входных напряжений соответственно. Выходные характеристики устанавливают зависимость тока коллектора от напряжения на нем при определенном токе базы пли змиттера (в зависимости от способа включения транзистора). Отли- чительной особенностью выходных характеристик транзистора (рис. IV.22), включенного по схеме с общей базой, яляется слабая зависимость тока коллектора от напряжения При напряжении (7КВ выше определенного значения происходит пробой коллектор- Рис., IV.25. Транзисторы средней мощности низкочастотные кого перехода. Ток коллектора транзистора, включенного по схеме с ОЭ, в основном зависит от напряжения на коллекторе. Резкое возрастание тока коллектора начинается при меньшем напряжении на коллекторе, чем при включении транзистора по схеме с общей базой. Только при закрытом транзисторе ШБЭ=0) напряжение пробоя приближается к напряжению пробоя транзистора, включен- ного по схеме с общей базой. При повышении температуры перехо- - дов выходные характеристики смещаются в сторону больших токов из-за увеличения обратного тока коллекторного перехода. Статические вольт-амперные характеристики транзисторов иа постоянном токе строят по точкам или получают с помощью спе- циальных характериографов, позволяющих избежать сильного нагрева транзисторов. Основные параметры транзисторов приведе- ны в табл. IV. 15...IV.23, а конструкция и расположение выводов — на рис. IV.23...IV.29. Проверка работоспособности транзисторов может быть прове- дена измерением токов, протекающих через переходы в прямом и обратном направлениях. Проверка с помощью авометра. Если к базе транзистора р—п—р- типа подключить положительный полюс внутренней батареи ом- метра, то переходы будут закрыты и омметр покажет большое со- • 263
противление между базой и коллектором или базой и эмиттером (рис. IV.30, а}-. Если же к базе подключить отрицательный полюс источника, то омметр покажет малое сопротивление между базой и коллектором или базой и эмиттером (рис. IV.30, 6). Для транзи- сторов п—р—n-типа полярности изменяются на обратные. Прямое сопротивление перехода обычно порядка десятков ади сотен ом, обратное — сотен килоом или мегаом. У кремниевых маломощных транзисторов -оба сопротивления могут быть выше, а у мощных германиевых — ниже. Необходимо учесть, что предельно допустимое напряжение на переходах для ряда транзисторов (в основном высокочастотных, вапример П401...П403) меньше, чем напряжение батареи некоторых авометров. Для проверки этих транзисторов следует применять авометры с напряжением батареи не более 1 В. Проверка большинства низкочастотных транзисторов, у которых до- пустимое напряжение на переходах состав- ляет 10...20 В, может выполняться обычвыми авометрами. Проверка с помощью батареи и миллиам- перметра. Этим способом ориентировочно из- меряется коэффициент передачи тока в схе- 24,g Коллектор 10.4 Эмиттер У-0./2р § Коллектору Эми.'п.те'/' Ж 0/7 е>22 ,015,5 Г база Рис. IV.26. Транзисторы б средней мощности среднечастотные. не с общим эмиттером /121э (₽)• Для этой пели необходимо собрать схему, приведенную на ри$. IV.31. При подключении источника напряжения Е = 1,5..Л,5 В через миллиамперметр будет протекать ток /к. Коэффициент передачи тока й21э = — ^эь)’ гДе UaB=0,2...0,3 В. Если Е — 4,5 В (напряжение новой батареи 3336Л), а /?изм выбрать равным, например, 43 кОм, то /г21э = 10/к J[/K, мА). Рекомендуется начинать измерения с больших/?изм (например, 240 кОм). При этом Л21э = 50/к. Если показания миллиамперметра окажутся малыми, то переходят к меньшим значениям 7?нзм. Резистор /? Пред- назначен для предохранения прибора на случай замыкания внутри проверяемого транзистора. Его сопротивление 330 Ом. При Е — 1,5 В 7?нзм и R соответственно уменьшают. Для радиолюбительских целей рекомендуется упрощенный пере- носной испытатель транзисторов Л2-23, с помощью которого мож- но проверять параметры не только транзисторов (а, р, й22б, КЕО’ пробой участка коллектор — эмиттер), но и диодов малой мощности. 'Защита транзисторов от электрических перегрузок должна предусматривать ограничение токов и напряжений ниже макси- 264
Эмиттер
мально допустимых при их работе в переходных режимах* Так, в режиме переключения на индуктивную нагрузку максимальное напряжение на коллекторе может в несколько раз превышать по- стоянное напряжение питания £к, При включении транзистора энергия, накопленная в катушке индуктивности, может привести к его повреждению. Известны способы защиты транзисторов от пере- Рис. IV.28. Транзисторы большой мощности низкочастотные напряжения (поглощение части накопленной катушкой индуктив- ности энергии или блокировка транзистора от попадания в опасную высоковольтную область). Схема защиты с помощью последователь- ной /?С-цепн приведена на рис. IV.32, а. Для этой схемы емкость конденсатора и сопротивление резистора определяются по форму- лам С = & = <^£*«'/2 Е„ 266
Рис. 1V.29, Транзисторы большой мощности средне-- $ высокочастотные. 267
где С — емкость, пФ; L — индуктивность, мкГ; R1 — сопротивле- ние, Ом. Схема защиты от всплесков напряжений с использованием шунтирующего диода приведена на рис.IV.32, б. Перепад напряжения на катушке индуктивности в этом случае равен прямому падению Гис. IV.30. Схемы измерения сопротивления переходов транзистора: а — обратного; б — прямого. напряжения на диоде. Физический смысл защиты транзистора с по- мощью диода состоит в том, что энергия, запасенная катушкой ин- дуктивности, передается с помощью диода источнику питания и вы- деляется на активном сопротивлении нагрузки. Для ускорения вре меня разряда последовательно с диодом можно включить добавочный резистор R1 (рис. IV.32, в). Включение резис- тора R1, кроме того, снимает высокочастот- ную генерацию контура, образованного пара- зитной емкостью диода и индуктивной нагруз- кой Вместо R1 можно применить кремниевый стабилитрон, включенный встречно шунтирую- щему диоду (рис. IV.33, о). В этом случае мак- симальное напряжение на транзисторе будет ограничено значением Дкэтах = £к + С/ст- Для защиты усилителей от случайных перенапряжений, а также от импульсных пере- грузок в схеме с реактивной нагрузкой при- меняются кремниевые стабилитроны (рис. IV.33, б). В усилителях низкой частоты мож- но также шунтировать участок коллектор — эмиттер диодом. В широкополосных усилите- Рис IV.31 Схема про- верки коэффициента передачи тока тран- зистора лях, однако, такой способ может изменить час- тотные свойства каскада за счет значитель- ной емкости диода. Схема защиты, используемая в широкополосных и других высокочастотных усилителях, приведена па рис. IV.33, в. Смещение'выбирается таким образом, чтобы оно было меньшел17ст стабилитрона. При нормальной работе каскада стабилитрон закрыт и не влияет на частотную характеристику усилителя. При превышении установ- ленного напряжения стабилитрон шунтирует транзистор, предо- храняя его от повреждения. ' Для защиты транзистора от перегрузки по току рекомендуются следующие способы; включение токоограничпвающих резисторов 2С8
последовательно с выводами коллектора и эмиттера (не следует ограничивать ток включением резистора в цепь базы); шунтирование полупроводниковых приборов резистором; параллельное включение транзисторов. Используя последний способ, необходимо учиты- вать, что полупроводниковые приборы имеют разброс сопротивле- ние. IV.32. Схе1йы защиты транзистора от перенапряжений с помощью; а—последовательной 7?С-цепи; б — шунтирующего диода; в— шунти-. рующего диода и резистора. пи я и, следовательно,- ток между параллельно включенными при- борами распределяется неравномерно. Так как разброс сопротив- ления зависит от температуры и изменяется со временем, надежная работа достигается не подбором приборов с идентичными пара- Рис. IV.33. Схемы защиты транзистора от перенапряжений с помощью: а—-диода и стабилитрона; б, в— стабилитрона. метрами, а выравниванием тока приборов с помощью добавочных резисторов небольшой величины, включенных последовательно в цепь каждого прибора (рис. IV.34). Параллельно включенные тран- зисторы необходимо располагать на одном и том. же теплоотводе, приняв меры по максимально возможному выравниванию темпера- тур их корпусов. Эти температуры не должны отличаться более чем на 1...2Q С. Рекомендации по применению транзисторов. В предваритель- ных каскадах усилителей низкой частоты целесообразно использо- 269
вать низкочастотные транзисторы малой мощности, причем в первых каскадах высокочувствительных усилителей рекомендуются спе- циальные малошумящие транзисторы. В каскадах, работающих в области высоких частот, следует применять транзисторы, у которых Рис. IV.34. Схема выравни- вания токов через парал- лельно включенные тран- зисторы. граничная частота в 3...5 раз больше максимальной рабочей частоты каскада. Мощные транзисторы нельзя использо- вать в маломощных режимах (при ма- лых токах), поскольку их работа будет неустойчивой. В каскадах, работающих в ключевых и импульсных режимах, сле- дует применять транзисторы соответст- вующих типов. В табл. IV.24 приве- ден перечень возможных замен транзис- торов ранее разработанных типов тран- зисторами последних разработок. Расчет каскадов и выбор режима» транзисторов следует выполнять с уче- том температурных и временных измене- ний их параметров. Ниже приводятся критерии годности транзисторов в про- цессе эксплуатации или хранения ((c) обозначает сдаточную норму по техни- ческим условиям на транзисторы): 7КБО < 37КБО(ср 1ЭБО < 37ЭВО(с)>’ О,7Й21Э ^21э 1’5^21э max (с)> °’7Л21э min (с) < Л21э < 1.5Й21э max (с) ; ^ш(с) + 3 ДБ- Необходимым условием устойчивой работы транзисторов является достаточно большое сопротивление постоянному току в цепи эмит- тера и малое — в цепи базы (между базой и эмиттером). Таблица 1V.24. Перечень возможных замен ранее разработанных транзисторов Тип транзистора Аналоги, рекомендуемые для замены Тнп транзистора Аналоги, рекомендуем ые для замены МП9А, МП10А , КТ306А...Г МП41А; МП42А, Б КТ203А...Д МП11А КТ312А,..В КТ502А...Е МП13Б: МП14А, Б; КТ203А...Д П401...П403А КТ326А, Б МП15А; МП16А, Б П416А. Б KT32GA, Б МП20А, Б; МП21В...Е KT50IA...M П417А КТ326А, Б МП25А, Б; МП26А, Б КТ501А...М; П422; П423 КТ326А, Б КТ502А...Е П4АЭ...ДЭ КТ814А...Г; П27А; П28 КТ501А...М; КТ816А...Г КТ502А...М П201Э, АЭ; КТ814А...Г; П29А; НЗО КТ502А...Е П202Э; П203Э КТ816А...Г МП35; МП36А КТ201А...Д П605А; П606А КТ639А...Д МП37А. Б; МП38А КТ503А...Е; П607А; П608АБ;.. КТ644А...Г г КТ203А...Д П609А, Б МпаЭБ; МП40А КТ502А...Е 270
Для повышения надежности и долговечности транзисторов । следует: * 1. Снижать рабочую температуру транзисторов. Оптимальный интервал рабочих температур от *—5 до + 40vC« 2. Выбирать рабочие напряжения и токи, не превышающие'0,7 максимально допустимых. Нельзя использовать транзисторы в мак- симально допустимых режимах по двум параметрам одновре- менно. 3, Защищать транзисторы от перенапряжений, применяя ста- билитроны, демпфирующие цепи, ограничивающие диоды, а также от перегрузок по току, включая последовательно с выводами эмит- тера и* коллектора токоограничивающие резисторы. 4. Не допускать работы транзистора хотя бы с временно от- ключенной базой. Отвод тепла — одна из главных задач при конструировании радио- аппаратуры. Теплоотво- дящие элементы должны рассчитываться так, что- бы их тепловое сопро- тивление обеспечивало нормальную теплоотдачу корпуса транзистора в окружающую среду, а температура перехода транзистора не превы- шала допустимую. При свободной компоновке элементов внутри аппа- ратуры целесообразно использовать спеииаль- Рис. IV.35. Ребристый радиатор: а — односторонний; б — двусторонний ные радиаторы или располагать транзисторы непосредственно на шасси прибора. По конструкции радиаторы делят на пластинчатые, ребристые односторонние (рис. IV. 35, а) и двусторонние (рис. IV.35, б). В табл. TV.25 приведены размеры радиаторов, рассчитан- ных на различные рассеиваемые мощности при температуре ок- ружающей среды до 60° С. При плотной компоновке элементов внутри аппаратуры или больших мощностях рассеивания в приборе применение радиаторов, расположенных внутри блока или прибора, становится малоэффектив- ным. В этом случае пелесообразно располагать мощные транзисторы непосредственно на корпусе прибора или на радиаторах, имеющих тепловой контакт с внешней средой. Для эффективной работы радиатора необходим надежный тепло- вой контакт с транзистором. Для этого контактирующая с транзис- тором поверхность радиатора должна быть плоской, гладкой, без заусенцев и царапин. Для каждого вывода транзистора необходимо просверлить отдельное отверстие минимального диаметра. Тран- зисторы необходимо крепить к радиатору при помощи предусмотрен- ных конструкций (болты, фланцы и др.). Для улучшения теплового контакта между транзистором и радиатором используют специаль- ные геплопроводящие пасты или смазки, например пасту кремнг.йор- ганическую теплопроводящую ДПТ-8. Электрическая изоляция транзистора от радиатора достигается установкой прокладок из слюды, фторопластовой пленки толщиной 271
Таблица IV. 25. Размеры радиатора Тип Рассеивае- мая мощ- ность, Вт Размеры теплоотвода, мм Число ребер радиатора транзистора 7.Х/ к 1 * А ь Пластинчатый П302...П306 ' 5 90x40 4 6 100x100 4 —- — — —* П601...П606 1 50x50 3 —. — 2 75X75 3 —— — —— 3 100X100 3 — 4 110X110 3 —* — — П213.„П215 1 40X40 4 — 2 50x50 3 — —а —- ГТ703, ГТ705 3 65x65 3 —я — 4 90X90 3 — «— — —* Ребристый ГТ806, КТ902 4 60x60 3 12 4 7 7 односторонний 6 80X80 3 20 5 7 9 8 ЮОХ юо 3 20 4 10 9 десятки микрометров, металлокерамических прокладок, а также использованием радиаторов с глубоким анодированием. Однако необходимо стремиться к электрической изоляции радиатора от корпуса прибора, а не транзистора от радиатора. , Если дв । мощных транзистора или более включены параллель- но, необходим хороший тепловой контакт между ними, чтобы тепло- вой режим транзисторов был одинаковым и устойчивым. Для этого транзисторы устанавливают на общем радиаторе. В противном слу- чае перегрев одного из ннх приведет к увеличению рассеивав* мой им мощности за счет уменьшения ее иа остальных транзисто- рах. Правила установки и включения транзисторов 1. Транзисторы необходимо крепить за корпус, причем мощные транзисторы — прн помощи предусмотренных конструкцией дета- лей (болты, специальные фланцы и т. п.). 2. - Выводы разрешается изгибать на расстоянии ие менее 10 мм от корпуса, если нет других указаний. Изгиб жестких вы- водов мощных транзисторов запрещается. 3. Транзисторы не следует располагать вблизи элементов и узлов с большим тепловыделением (электронные лампы, трансфор- маторы питания, мощные резисторы и др.). 4. Транзисторы не следует размещать в сильных магнитных полях. 5. Выводы следует паягь не ближе 10 мм от корпуса, обеспе- чивая теплоотвод между местом пайки и корпусом транзистора. Вре- мя пайки должно быть как можно меньшим (не более 2...3 с). Сле- дует применять припои с температурой плавлении не более 260J G (см. §5 гл. I). 6. Выводы базы должны подсоединяться первыми, а отклю- чаться последними. Запрещается подавать напряжение на транзис- тор с отключенной базой. 7. Транзисторы можно заменять только при отсутствии напря- жения питания. 78. Необходимо исключить возможность подачи напряжения питания обратной (ошибочной) п-олярностн, которым может быть пробит один нз^переходов транзистора. Для этого рекомендуется 272
включать полупроводниковый диод последовательное цепь пита- ния транзистора. 9. Для защиты транзисторов от Действия статического элект- ричества необходимо тщательно заземлять оборудование и'измери- тельные приборы, применять заземленные браслеты и паяльники с заземленным жалом. § 3. Полевые транзисторы Полевым называют транзистор, в котором ток через канал управля- ется полем, возникающим при приложении напряжения между за- твором и истоком. Полевые транзисторы по сравнению с биполяр- ными имеют большие входное и выходное сопротивления и меньшую крутизну проходной характеристики. Работа полевых транзисторов а Рис. IV.36. Устройство полевого транзистора! а— ср— n-переходом; б— с изолированным затвором и встроенным каналом; в — с изолированным затвором н индуцированный каналом. основана на движении основных носителей заряда в полупровод- ника. Управление током в выходной цепи осуществляется управляю- щий напряжением, поэтому их усилительные свойства, как и элект- ронных ламп, характеризуются крутизной. • Полевые транзисторы в зависимости от способа изготовления и электрических характеристик делятся на две группы: транзисторы с р—n-переходом и с' изолированным затвором (МОП транзисторы). Полевой транзистор с р—п-переходом состоит из полупроводни- кового стержня (пластины из кремния) с омическими выводами от каждого конца, в котором методом диффузии образован канал — тончайший слой с дырочной проводимостью (рис. IV.36, а). По краям канала также методом диффузии образованы более массивные участки с дырочной проводимостью. Таким образом, на поверхности канала с противоположных, сторон формируется р—n-переход, рас- пложенный параллельно направлению тока. В ^’соответствии с ГОСТ 15133—69 каналом полевого транзистора называют область в полупроводнике, в которой ток носителей заряда регулируется изменением ее поперечного сечения. Тип канала (п. или р) зависит от- электропроводимости полупроводника. Вывод, через который в канал втекают носители заряда (поло- жительный для p-канала и отрицательный для n-канала), называют истоком; противоположный вывод, через который из канала в ыте- кают носители заряда,—• стоком; третий вывод, к которому прикла- дывается управляющее напряжение,— затвором. При подключении к истоку положительного, а к стоку отрицательного напряжения в канале возникает электрический ток, создаваемый движением дырок от истока к стоку, т. е. основными носителями заряда (дыр- ками в области с дырочной проводимостью). В этом заключается 273
существенное отличие полевого транзистора от биполярного, у ко- торого в образовании коллекторного тока участвуют как электро- ны, так н дырки. Движение носителей заряда вдоль электронно- дырочного перехода (а не через переходы, как в биполярном тран- зисторе) является второй характерной особенностью полевого тран- зистора. Электрическое поле, создаваемое между затвором и каналом, изменяет плотность носителей заряда в канале, т. е. величину про- текающего тока. Так как управление происходит через обратно смешенный р—n-переход, сопротивление между каналом и управ- ляющим электродом (затвором) велико, а ток затвора мал, В полевых транзисторах с изолированным затвором затвор отделен от канала тонким изолирующим слоем окиси кремния. При очень тонком изолирующем слое проникновение поля в канал не затруднено, при этом ток затвора значительно уменьшается и не Рис. IV.37. Схема вклю чения полевого транзистора: и — с ОН; б — с ОС; в — с ОЗ. зависит от полярности приложенного к затвору напряжения (в от- личие от полевых транзисторов с р—«-переходом). Каналы полевых транзисторов с МОП структурой по физичес- ким свойствам разделяются на встроенные (обедненный тип) и ин- дуцированные (обогащенный,тип) (рнс. IV. 36, б, в). По встроенному каналу течет ток в отсутствие вапряжения на затворе, если прило- жить напряжение между стоком^ и истоком. Это так называемый начальный ток стока. Током стока можно управлять, изменяя зна- чение и полярность напряжения между затвором и истоком. Прн некотором положительном напряжении затвор — исток транзис- тора с p-каналом или отрицательном транзистора с n-каналом ток в цепи стока прекращается. В полевом транзисторе с индуцирован- ным каналом при отсутствии напряжения на затворе ток между стоком и истоком очень мал. При подаче ца затвор транзистора с p-каналом отрицательного напряжения (положительного для дран» зистора с n-каналом) по отношению к цетеку ток между стоком и истоком увеличивается. Полевой транзистор в качестве элемента схемы представляет собой активный несимметричный четырехполюсник, у которого один из зажимов является общим для цепей входа и выхода. В зависи- мости от того, какой из электродов полевого транзистора подклю- чен к общему выводу, различают схемы: с общим истоком и входом на затвор; с общим стоком н входом на затвор; с общим затвором н входом на исток. Схемы включения полевого транзистора показа- ны на рис. 1V.37. , По аналогии с ламповой электроникой, где за типовую принята схема с общим катодом, для полевых транзисторов типовой является схема с общим истоком. Параметры полевых транзисторов удобно
определять в системе проводимостей, или «/-параметров четырех- полюсника (см. §2 данной главы). Эквивалентная схема полевого транзистора, элементы которсй выражены через «/-параметры, приведена на рис. IV.38. При таксу подключении каждая из проводимостей имеет физический смысл'. Входная проводимость определяется проводимостью участка затвор — исток «/зи = </ц + Р12; выходная проводимость — проводи- мостью участка сток —исток уси = «/22 -|- у21; функция передачи — крутизной вольт-амперной характеристики S = у21 — у12; функция обратной передачи — проходной проводимостью узс = у\2. Эти пара- метры принимаются за первичные параметры полевого транзистора, используемого в качестве четырехполюсника. Если первичные пара- метры четырехполюсника для схемы с общим истоком определены, то можно рассчитать параметры для полевого транзистора. Обозначение типа полевых транзисторов состоит из несколь- ких элементов. Первый элемент обозначает исходный материал, из которого изготовлен прибор: гер- маний или его соединения — Г; кремний или его соединения — К; соединения галлия —А. Для тран- зисторов, используемых в устрой- ствах специального назначения, установлены следующие обозначения исходного материала: гер- маний или его соединения — Г, кремний или его соединения —2; соединения галлия — 3. Второй элемент — подкласс полупро- водникового прибора (буква П). Третий элемент — назначение прибора (см. табл. IV.13). Четвертый и пятый элементы — поряд- ковый номер разработки и технологического типа прибора (от 01 до 99). Шестой элемент—деление технологического типа на пара- метрические группы (буквы русского алфавита от А до Я). Наборы ди- скретных полупроводниковых приборов обозначаются в соответствии с их разновидностью и перед последним элементом добавляется буква С. Например: полевой транзистор, предназначенный для устройств широкого применения, кремниевый, малой мощности, высокочастотный, номер разработки 03, группа А — 2П303А. Обозначение параметров полевых транзисторов установлено ГОСТ 19095—73. Начальный ток стока Iс кач —ток стока при напряжении между другой схемы включения Узе Сток Затвор д3и $иЗИ Исток Исток ta--- Рис. IV.38. Эквивалентная схема по- левого транзистора. затвором и истоком, равном нулю, и напряжении на стоке, равном илн превышающем напряжение насыщения. Остаточный ток стока 7с ост—ток стока при напряжении между затвором и истоком, пре- вышающем напряжение отсечки. Ток утечки затвора /Зут — ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой. Обратный ток перехода за- твор — сток при разомкну'том выводе — ток, протекающий в цепи затвор — сток, при заданном обратном напряжении между затвором и стоком и разомкнутыми остальными выводами. Обратный ток перехода затвор — исток при разомкнутом выводе /зио— ток, протекающий в цепи затвор — исток, при заданном обратном напря- жении между затвором н истоком и разомкнутыми остальными вы- водами. 275
Напряжение отсечки полевого транзистора ПЗНотс — напря- жение между затвором и истоком транзистора с р—«-переходом или изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного. Пороговое напряжение полевого транзистора иЯИ пор — напряжение между затвором и ис. током транзистора с изолированным затвором, работающего в ре- жиме обогащения, при котором уок стока достигает заданного низкого значения. Крутизна характеристики полевого транзистора S — отно- шение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току иа выходе транзис- тора в схеме с общим истоком. Входная емкость полевого транзистора С]]и — емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе в схеме с общим истоком. Выходная емкЬсть полевого транзистора С22в — емкость между стоком и истоком при корот- ком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим ис- током. Проходная емкость полевого транзистора С12и — емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком. Частотные свойства полевых транзисторов определяются пос- тоянной времени 7?С-ц§ри затвора. Поскольку входная емкость Сци у транзисторов с р—«-переходом велика (десятки пиксфарад), их применение в усилительных каскадах с большим входным сопро- тивлением возможно в диапазоне частот, не превышающих сотен килогерц — единип мегагерц. При работе в переключающих схемах скорость'переключения полностью определяется постоянной времени 7?С-цепи затвора. У полевых транзисторов с изолированным затвором входная емкссть значительно меньше, поэтому их частотные свойства намного лучше, чем чу полевых транзисторов с р—п-переходом. Граничная частота определяется но формуле /гр = 1595/С1]и, где /гр— частота, МГц; S — крутизна характеристики транзистора, мА/В; СПи — емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току выходной цепи, пФ. Шумовые свойства полевых транзисторов оцениваются коэффи- циентом шума (см. §2 данной главы), который мйло зависит от напряжения сток — исток, тока стока и окружающей температуры (ниже 50° С) и монотонно возрастает с уменьшением частоты и внут- реннего сопротивления источника сигнала. На рис. IV.39 представ- лена типичная-зависимость коэффициента шума полевого транзис- тора от частоты и внутреннего сопротивления источника сигнала. Коэффициент шума измеряют в заданном режиме по постоянному току (7СИ, /с иа определенной частоте. Вместо коэффициента шума иногда указывают: шумовое напря- жение полевого транзистора иш — эквивалентное шумовое напря- жение, приведенное ко входу, в полосе частот при определенном полном сопротивлении генератора в схеме с общим истоком; шумо- вой ток /ш — эквивалентный шумовой ток, приведенный ко входу, при разомкнутом входе в полосе частот в схеме с общим истоком. - Тепловые параметры полевого транзистора характеризуют его устойчивость при работе в диапазоне температур. При изменении температуры свойства полупроводниковых материалов изменяются. 276
Это приводит к изменению параметров, полевого- транзистора, в первую очередь, тока стока, крутизны и тока утечки затвора. Зависимость изменения тока стока от температуры определяется двумя факторами: контактной разностью потенциалов р—п-пере- от частоты и внутреннего сопротивления источника сигнала хода и изменением подвижности основных носителей заряда в ка- нале. При повышении температуры контактная разность потенциа- канала падает, а ток увеличи- лов уменьшается, сопротивление вается. Но повышение темпера- туры приводит к уменьшению под- вижности носителей заряда в кана- л • и тока стока. При определенных условиях действие этих факторов в аимно компенсируется н ток по- левого транзистора перестает за- висеть от температуры. На рис. IV.40 приведены сток-затворные характеристики при различных Рис. IV.41f Зависимость тока утечки затвора полевого транзистора с р—п- переходом от температуры. Рис. IV.40. Сток-затворные харак- теристики полевого транзистора при разных температурах: 1----1-85; 2--1-25; 3----60° С. температурах окружающей среды и указано положение термо- стабильной точки. Зависимость крутизны характеристики от тем- пературы у полевых транзисторов такая же, как и у тока стока. 277
С ростом температуры ток утечки затвора увеличивается^ Хотя абсолютное изменение тока незначительно, его надо учитывать при больших сопротивлениях в цепи затвора, В этом случае изменение тока утечки затвора может вызвать существенное изменение напря- жения на затворе полевого транзистора и режима его работы. Тем- Рис. IV. 42. Сток-затворные характеристики полевого транзистора; а—с р — n-переходсм; б—с изолированным затвором и встроенным каналом^ в— с изолированным затвором и индуцированным каналом. пературная зависимость тока утечки затвора полевого транзистора с р—n-переходом приведена на рис. IV.41. В полевом транзисторе с изолированным затвором ток затвора практически не зависит от Рис. IV.43. Выходные (стоковые) характеристики полевого транзи- стора. от напряжения между затвором температуры. Вольт-амперная характеристи- ка полевого транзистора содер- жит информацию о его свойствах во всех режимах работы и о свя- зях параметров между собой. По вольт-амперным характеристикам можно определить ряд парамет- ров, не приводимых в справоч- ной литературе., а также произ- вести расчеты цепей смещения, стабилизацию режима, оценку работы транзистора в широком диапазоне токов и напряжений. Обычно используют два семейства статических вольт-амперных ха- рактеристик: сток-затворные (пе- реходные) и стоковые (выходные). Сток-затворная характерис- тика — зависимость ток& стока истоком. На рис. IV. 42 приведены сток-затворные характеристики различных типов полевых транзис- торов. Выходная (стоковая) характеристика — зависимость тока стока от напряжения на стоке при фиксированных значениях напря- жения затвор — исток (рис. IV.43). Выходные характеристики имеют участок насыщения: начиная с некоторого напряжения меж- ду стоком и истоком ток /с практически не увеличивается. При 278
некотором значении напряжения сток — исток 17С!1 происходит пробой