Автор: Перельман Б.Л. Петухов В.М.
Теги: радиотехника транзисторы радиолюбители издательство солон микротех ремонт аппаратуры режимы эксплуатации
ISBN: 5-85954-025-6
Год: 1996
Текст
1m
□ 5w? OtTU#»*'
Предлагаем
9 ’ свою помошь
u> •_ * pacnpocrpuH&uhi'£>ал^>^афиче<'кпГ! npCW'^w
'% .(^ r .'„-I-. r.pfp^ .-ярд- • -rv.
t 'i’WOhi'^ й*/сл ' ^oyfii'ieeHNbuf‘ MQ*.t?r 4®тс*дл5Лс» •,1е-(уТда^
,яе<ц JVc.ijhiw^ v. мз готрудничо^ршл^ ^
Выполняем
s4k*u* 7> J; t=pEH. Л»
’ W*p*iOJ*
7 !ригдешаем
‘•crCTSf c/ernpti
AcV-1
At.
y Предоставляем
о ' ri «ь
4:
tel: 498 - 1298
256 - 5457
—------------------------------------------——
Перельман Б.Л., Петухов В.М.
НОВЫЕ
ТРАНЗИСТОРЫ
СПРАВОЧНИК
ЧАСТЬ I
МОСКВА
СОЛОН, МИКРОТЕХ
1996 г.
Авторы: Перельман БЛ., Петухов В.М.
Новые транзисторы. Справочник - "СОЛОН", "МИКРОТЕХ",1996 г 272 с.: ил.
Приведены сведения о назначении биполярных и полевых транзисторов, их
электрические и эксплуатационные характеристики, зависимости параметров от
режимов, частоты и температуры. Приводятся для конкретных типов транзисторов
предельные режимы эксплуатации, габаритные чертежи и особенности монтажа
Для специалистов и радиолюбителей, занимающихся разработкой и ремонтом
аппаратуры Полезен для учащихся техникумов и студентов ВУЗов
Обложка - А.Караманов.
Графика, компьютерная верстка - А.Караманов, Е.Караманов.
Издательство "СОЛОН" благодарит Родина Александра Васильевича за
оказанную помощь в подготовке справочника
ISBN 5-85954-025-6
© "СОЛОН", МИКРОТЕХ"
© Перельман Б.Л., Петухов В М., 1994
проблемы с комплектацией ?
свяжитесь с нами сейчас I
Платан |
от МИКРОСХЕМ до РЕЗИСТОРОВ
Мы являемся крупнейшим в России дистрибьютором
электронных компонентов отечественного и
зарубежного производства.
• Нашими партнерами являются крупнейшие заводы-производители электронных
комплектующих. Наши цены конкурентоспособны и часто ниже заводских.
• На оптовом складе всегда в наличии более 5000 наименований продукции:
микросхем, транзисторов, конденсаторов, резисторов, диодов, установочных
изделий, сопутствующих товаров.
• В случае отсутствия на складе нужного Вам товара возможны поставки на заказ
• Доставка в любую точку России
• По вашей просьбе высылается прайс-лист с полным перечнем изделии
факс;
E-mail
почтой
Прием заявок круглосуточно:
(095)971-3145; модем: BBS. Platan 2400/MNP5 (N81)
root@>aop atan.msk au тел.: (095) 284 3669
129110, Москва a/я 996, ( с 18.00 до 9 00 );
или по адресу:
129110, Москва, ул. Гиляровского, 39, {рядом с метро ~Пр. Мира"),
{cl 0.00 до 18.00).
Телефоны для справок: {095) 284-3669, 284-5678.
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.................................................. 8
УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ 10
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ............................................ 14
Транзисторы маломощные низкочастотные 14
Транзисторы п-р-п...............................................14
2T2I5A9 2Т215Б9. 2T2I5B9, 2Т215Г9, 2Т215Д9. 2T2I5E9 14
1 ранзисторы р-п-р............................................. 16
КТ209В2..................................................... 16
2T2I4A9. 2Т214Б9, 2T2I4B9, 2Т214Г9, 2Т214Д9, 2T2I4E9 17
KT2I6A. КТ216Б, KT2I6B..................................... 18
КТ218А9. КТ218Б9, KT2I8B9. КТ218Г9.КТ218Д9, KT2I8E9 . ... 20
Транзисторы маломощные высокочастотные 22
Транзисторы п-р-п ............................................. 22
КТ381Б. KT38IB КТ381Г. КТ381Д. KT38IE . . 22
KT3I5IA9. КТ3151Б9, KT3I5IB9 КТ3151Г9. КТ3151Д9, КТЧ51Е9 23
KT3I73A9....................................................25.
KT3I79A9................................................... 27
Транзисторы р-п-р.............................................. 28
KT3I57A..................................................... 30
KT3I80A9.................................................... 31
Транзисторы маломощные сверхвысокочастотные 31
Транзисторы п-р-п...............................................31
КТ339АМ......................................................31
КТ396А9......................................................32
KT3I06A9 ............................................. -... 33
KT3I42A................................................... 34
KT3I70A9................................................. 36
КТ3174АС-2...................................................37
2T3I75A..................................................... 38
1
4
Транзисторы р-п-р................................................40
KT3I26A9..................................................... 40
КТ3128А9......................................................41
КТ3150Б-2.....................................................41
2T3I62A, 2Т3162А-5............................................43
KT3I65A.......................................................44
Транзисторы средней мощности низкочастотные 45
Транзисторы п-р-п................................................45
КТ504А, КТ504Б, КТ504В........................................45
Транзисторы р-п-р................................................45
КТ505А. КТ505Б 47
Транзисторы средней мощности высокочастотные 49
Транзисторы п-р-п................................................49
КТ645А, КТ645Б................................................49
КТ646А. КТ646Б................................................50
2Т665А9, 2Т665Б9..............................................51
КТ666А9.......................................................53
КТ680А........................................................54
КТ683А, КТ683Б, КТ683В. КТ683Г. КТ683Д, КТ683Е, 56
КТ684А, КТ684Б, КТ684В........................................57
КТ698А КТ698Б, КТ698В. КТ698Г КТ698Д, КТ698Е .. 58
Транзисторы р-п-р.........................................-......59
КТ639А. КТ639Б, КТ639В. КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж КТ639И 59
KT66IA........................................................61
КТ662А........................................................62
2Т664А9, 2Т664Б9..............................................64
КТ667А9...................................................... 65
КТ668А, КТ668Б. КТ668В...................................... 66
KT68IA........................................................68
КТ685А, КТ685Б, KT6S5B. КТ685Г. КТ685Д. КТ685Е, КТ685Ж....... 69
КТ686А, КТ686Б. КТ686В. КТ686Г. КТ686Д, КТ686Е, КТ686Ж 71
КТ687АС-2, КТ687БС-2 .........................................72
КТ692А........................................................74
Транзисторы средней мощности сверхвысокочасготныс 75
Транзисторы п-р-п................................................75
2Т657А-2, 2Т657Б-2. 2Т657В-2..................................75
КТ659А........................................................77
2T67IA-2......................................................78
2Т682А-2, 2Т682Б-2............................................79
2Т688А-2, 2Т688Б-2............................................81
КТ695А........................................................83
5
Транзисторы р-п-р.................................................84
2T69IA-2.......................................................84
Транзисторы мощные низкочастотные..................... . 86
Транзисторы п-р-п.................................................86
2T7I3A........................................................ 86
2T7I6A, 2Т716Б, 2Т716В.........................................87
2T7I8A, 2Т718Б.............................................. 90
КТ817Б2, КТ817Г2.............................................. 91
КТ839А.........................................................92
KT84IA. КТ841Б, KT84IB.........................................93
2Т847А. 2Т847Б................................................ 95
2Т848А.......................................................*••• 97
KTS56A, КТ856Б................................................ 98
2Т875А, 2Т875Б, 2Т875В, 2Т875Г................................ 99
2Т878А, 2Т878Б............................................... 101
2Т879А, 2Т879Б...._..............-............................ ЮЗ
2T88IA. 2Т881Б. 2T88IB. 2Т881Г............................... 105
2Т885А. 2Т885Б............................................... 107
КТ890А, КТ890Б, КТ890В........................................109
2TS9IA........................................................ ИО
КТ897А, КТ897Б................................................112
KTS99A....................................................... П4
KT8I07A, КТ8107Б, KT8I07B.....................................114
KT8I09A. КТ8109Б............................................. 116
KT8II6A, КТ8116Б, KT8I16B.....................................117
KT8II7A.......................................................118
KT8II8A........................................................Н8
KTSI20A........................................................П9
KT812IA. КТ8121Б.............................................. 120
KT8I23A..................................................... 120
KT8I24A. КТ8124Б, KT8I24B.....................................121
Транзисторы р-п-р.............................................. 122
2Т709А2. 2Т709Б2. 2Т709В2..................................... 122
KT8I6A2.......................................................123
KTS42A, КТ842Б...... .........................................124
2Т876А. 2Т876Б, 2Т876В. 2Т876Г............................... 126
2Т877А. 2Т877Б, 2Т877В»...................................... 128
2Т880А. 2Т880Б. 2Т880В. 2Т880Г...............................- 130
KT8S7A, КТ887Б............................................... 133
KT8S8A. КТ888Б................................................135
Транзисторы мощные высокочастотные 137
Транзисторы п-р-п............................................... 137
КТ928А. КТ928Б, К.Т928В.....................................137
2T9S0A, 2Т980Б................................................138
КТ985АС.......................................................141
6
КТ986А, КТ986Б. КТ986В. КТ986Г 142
2Т993А......................................................144
КТ997А. КТ997Б..............................................145
КТ999А......................................................147
2T9I26A.....................................................148
2T9I3IA.....................................................151
KT9I33A.....................................................153
KT9I45A9................................................... 154
Транзисторы р-п-р . ...........................................156
KT9I44A9.....л............................................ 156
Транзисторы мощные сверхвысокочастотные 157
Транзисторы п-р-п.................................................157
KT9I6A, КТ916Б.................................................157
КТ984А, КТ984Б.................................................159
2Т988А, 2Т988Б.................................................161
2Т989А, 2Т989Б, 2T9S9B, 2Т989Г.................................163
2Т995А-2.......................................................165
2Т996А-2, 2Т996Б-2. 2Т996В-2, 2Т996Г-2.........................167
KT9I04A. КТ9104Б...............................................169
KT9I06AC-2, КТ9106БС-2.........................................171
2Т9110A-2, 2Т9110Б-2...........................................172
2T9I2IA, 2Т9121Б, 2T9I2IB. 2Т9121Г.............................174
2T9I24A. 2Т9124Б...............................................177
2T9I27A, 2Т9127Б.............................................. 180
2T9I29A .......................................................182
2Т9134А, 2Т9134Б.............................................. 183
2T9I35A-2 186
2T9I37A 188
2T9I39A. 2Т9139Б.............................................. 190
2T9I40A .......................................................192
KT9I4IA. KT9I4IAI .............................................194
2T9I49A. 2Т9149Б.............................................. 196
ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ..............................................198
2П308А9, 2П308Б9. 2П308В9, 2ПЗО8Г9, 2П308Д9, 2П308Е9 198
АП320А-2, АП320Б-2.........................................200
КП327А. КП327Б, КП327В, КП327Г.............................202
2ПЗЗЗА, 2ПЗЗЗБ........................................... 203
2П335А-2, 2П335Б-2.........................................204
2П341А. 2П341Б.............................................206
КП346А9. КП346Б9, КП346В9..................................207
КП401АС, КП401БС...........................................209
2П601А9....................................................211
АП602А-2. АП6О2Б-2, АП602В-2, АП602Г-2, АП602Д-2.......... 212
7
АП605А-2................................................... 215
ЗП606А-2, ЗП606Б-2, ЗП606В-2.............................. 216
ЗП607А-2.........................................-...........217
ЗП608А-2, ЗП608Б-2, ЗП608Г-2.................................219
2П609А, 2П609Б...............................................221
2П701А, 2П701Б............................................. 223
2П702А...................................................... 225
КП704А, КП704Б...............................................227
КП705А, КП705Б. КП705В . 228
2П706А, 2П706Б. 2П706В...................................... 230
КП7О7А. КП707Б, КП707В.................................... 232
КП709А, КП709Б...............................................233
КП712А, КП712Б, КП712В.....................................234
КП8О1А, КП801Б. КП801В, КП801Г.............................235
КП8О2А. КП802Б ......................................... 237
КП804А.......................................................238
КП805А, КП8О5Б. КП805В ..................................... 239
КП908А, КП908Б............................................ 241
2П92ОА, 2П920Б . .. . 242
ЗП925А-2. ЗП925Б-2...........................................245
2П928А, 2П928Б.......................................-...... 247
ЗП930А-2, ЗП93ОБ-2, ЗП930В-2.................................249
2П93.3А. 2П933Б............................................. 250
КП937А. КП937А-5.............................................251
2П938А, 2П938Б, 2П938В, 2П938Г, 2П938Д. КП938А, КП938Б,
КП938В. КП938Г. КП938Д.......................................252
2П941А. 2П941Б 2П941В. 2П941Г. 2П941Д 253
КП944А , КП944Б..............................................256
КП951А-2. КП951Б-2. КП951В-2.................................258
Приложение. Аналоги отечественных и зарубежных транзисторов . 261
ТОО "Микротех" тел (095) 366-37 36 ЛР NO6T78fl Тираж 12300 экз. Заказ N 991
Отпечатано в Подольской типографии, г Подольск, ул Кирова 25
8
ВВЕДЕНИЕ
Настоящий справочник содержит данные по электрическим и
эксплуатационным параметрам маломощных. средней мощности и
мощных биполярных п полевых транзисторов, разработанных и освоенных
за последние несколько лет и на которые в большей своей части
публика!щи отсутствуют.
Справочные данные включают сведения о назначении транзистора в
том или ином классе аппаратуры (усилителях. генераторах, источниках
питания, приемных и передающих устройствах и т.н.), об электрических
параметрах, предельных эксплуатационных режимах, технологии
изготовления и массе прибора. Практически на все приведенные в
справочнике транзисторы лап габаритный чертеж и основные размеры
корпуса Кроме того, в справочнике приведены графики зависимости
основных электрических параметров от режимов питания, температуры
и частоты
Для некоторых типов транзисторов, которые конструктивно
модернизированы, но сведения об их электрических параметрах
публиковались ранее, графические, зависимости параметров не
приводятся
Все электрические параметры и их графические зависимости
приведены для температуры корпуса и ш окружающей среды +25 ± 10 С,
если не оговорено другое значение температуры На некоторых графйках
показаны как медианное значение параметров сплошная шипя, так и
границы 95%-ного разброса штриховые линии.
Всправочнике на ряд транзисторов приведены кроме нормированных
электрических параметров, указываемых в технических условиях, еще и
не нормированные справочные данные, в тексте они помечены
звездочкой. Эти данные характеризуют реальные значения электрических
параметров для большей части приборов достаточно представительной
выборки.
В настоящее время отечественной промышленностью выпускаются
сотни типов биполярных и полевых транзисторов Специалистам
приходится выбирать нужные им по параметрам приборы из большой
номенклатуры н для облегчения этой задачи ниже приведены сведения
о принципе, заложенном в обозначение (маркировку) транзисторов
Маркировка наносится на корпус прибора, либо указывается в этикетке
и содержит определенную информацию о свойствах транзисторов
9
Первая цифра (1,2,3) или буква (Г, К А) маркировки указывает об
использовании приборов в аппаратуре специального или широкого
применения, а также о полупроводниковом материале кристалла
(германий, кремний или арсенид-галлия). Второй элемент маркировки
(буквы Т или П) определяет принадлежность транзистора к биполярным
или полевым приборам. Третий элемент маркировки указывает па
частотные и мощные свойства транзисторов - чем значение цифры
выше, начиная с I до 9. тем больше мощность и выше частотный
диапазон.
Цифры четвертого, пятого и шестого элсмен га маркировки указывают
па номер разработки прибора. И, наконец, последний элсмен г маркировки
(буква от А до К) обозначает деление приборов данного тина па группы
(подтипы) но классификационным параметрам.
Материал в справочнике изложен так, что специалисту легко найти
сре in большого количества различных типов транзисторов требуемый
ему прибор, удовлетворяющий по мощности, полярности и частотным
свойствам.
В приложении к справочнику представлены наиболее близкие ана-
логи отечественных и зарубежных транзисторов выпускаемых
различными фирмами и странами. Этот материал может оказаться
полезным для замены вышедших из строя транзисторов при ремонте
и м пори 1ой радиоэлектронной ап паратуры.
I 1астояший справочник поможе г многочисленным проектировщикам
радиоаппаратуры и радиолюбителям при использовании справочных
данных сделать правильный выбор того или иного транзистора в
конкретной разработке, а также студентам при выполнении курсовых и
дипломных заданий соответствующих дисциплин.
10
УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ
4/кэ........постоянное напряжение коллектор-эмиттер
1/кэо,гр.... граничное напряженке
t/кэо постоянное напряжение коллектор-эмиттер при токе
базы, ранном пулю
1/кэк ......постоянное напряжение коллектор-эмнттер при
заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер
t/кэк постоянное напряжение коллектор эмит тер при
короткозамкнутых выводах базы и эмиттера
1/кэх.......постоянное напряжение коллектор-эмиттер при
заданном обратном напряжении база-эмиттер
t/кэк,и.....импульсное напряжение коллектор-эмиттер при
заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер
1/кэк.и импульсное напряжение коллектор-эмиттер при
короткозамкнутых выводах базы и эмиттера
Мсэх.н......импульсное напряжение коллектор-эмиттер при
заданном обратном напряжении база-эмиттер
1/кэо.проб . пробивное напряжение коллектор-эмиттер при токе
базы, равном пулю
t/кэк,проб..пробивное напряжение коллектор-эмиттер при
заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер
Мсэк.проб пробивное напряжение коллектор-эмиттер при
короткозамкнутых выводах базы и эмиттера
Мох.проб....пробивное напряжение коллектор-эмиттер при
заданном обратном напряжении база-эмиттер
1/кэ.макс... максимально допустимое постоянное напряжение
коллектор-эмиттер
1/кэ,и,макс максимально допустимое импульсное напряжение
коллектор-эмиттер
t/кь ....... постоянное напряжение кол лектор-база
t/кь, и . . импульсное напряжение коллектор-база
1/кьо,проб..пробивное напряжение коллектор-база при токе базы,
равном нулю
1/кв,и,макс максимально допустимое постоянное напряжение
коллек тор-база
1/кв,и,макс.максимально допустимое импульсное напряжение
коллектор-база
СЬьодтроб.. пробивное напряжение эмиттер-база при токе базы
равном нулю
t/эь........постоянное напряжение эмиттер-база
д1/ьэ....... падение напряжения на участке база-эмиттер
11
, I
Сэь,макс....максимально допустимое постоянное напряжение
эмиттер-база
t/си........напряжение сток-исток
(Ли напряжение затвор исток
Сип.........напряжение исток-подложка
1/си,макс...максимально допустимое напряжение сток-исток
СЪи.макс ...максимально допустимое напряжение затвор-исток
l/зс.макс максимально допустимое напряжение затвор-сток
t/сн.макс...максимально допустимое напряжение сток-подложка
1/ип.макс... максимально допустимое напряжение исток-нохтожка
t/зп.макс... максимально допустимое напряжение затвор-подложка
С/зи пор .... пороговое напряжение полевою транзистора
и огс.......напряжение отсечки
(7н.........напряжение питания
/к.......... постоянный ток коллектора
/э .........постоянный ток эмиттера
Л>.......... постоянный ток базы
/к.и .......импульсный ток коллектора
/э,и........импульсный ток эмиттера
/ь.и........импульсный ток базы .
/кр ........критический ток биполярного транзистора
/к,нас......постоянный ток коллектора в режиме насыщения
/г>,нас. постоянный ток базы в режиме насыщения
/к.макс..... максимально допустимый постоянный ток коллектора
/э.макс.....максимально допустимый постоянный ток эмиттера
/ь.макс . .. максимально допустимый постоянный ток базы
/к.и.макс...максимально допустимый импульсный ток коллектора
/э,и,макс...максимально допустимый импульсный ток эмиттера
/кьо ... обратный ток коллектора
/эьо........обратный ток эмиттера
/кэк........обратный ток коллектор-эмиттер
/с.макс ....максимально допустимый постоянный ток стока
/с.ост......остаточный ток стока
/з(пр),макс.максимально допустимый прямой ток затвора
/с,и.макс...максимально допустимый импульсный ток стока
/с нач .....начальный ток стока
/з ут.......ток утечки затвора
Ст.......... емкость генератора
Сэ .........емкость эми стерното перехода
Ск..........емкость коллекторного перехода
С( । и......входная емкость полевого транзистора
Сп (1......... выходная емкость тюлевого транзистора
Ср и .......проходная емкость нолевого транзистора
Сзсо........емкость затвор-сток при отсоединенном выводе истока
12
Сзио........емкость затвор-исток при отсоединенном выводе стока
/............частота
/гр граничная частота коэффициента передачи тока в
схеме с общим эмиттером (ОЭ)
Аур • • коэффициент усиления по мощности биполярного
(полевого) транзистора
Ain .........коэффициент шума биполярного (полевого)
транзистора
Анас.........коэффициент насыщения
Act U........ коэффициент стоячей волны по напряжению
/. длина выводов
Р . постоянная рассеиваемая мощность биполярного
(полевого) транзистора
Аср средняя рассеиваемая мощность биполярного
(полевого) транзистора
Ри...........импульсная рассеиваемая мощность биполярного
(полевого) транзистора
Рк постоянная рассеиваемая мощность коллектора
Ак ср .......сре 1няя рассеиваемая мощность коллектора
Авх входная мощность биполярного (полевого) транзистора
Авх (по). ..входная мощность-в пике огибающей (средняя
мощность однотонового сигнала с амплитудой, равной
амплитуде двухтонового сигнала в пике огибающей)
Авых(по).....выходная мощность в пике огибающей (средняя
мощность однотонового сигнала с амплитудой, равной
амплитуде двухтонового сигнала в пике огибающей)
Апад, мощность падающей волны СВЧ сигнала
Амакс . максимально допустимая постоянная рассеиваемая
мощность биполярного (полевого) транзистора
Ри макс максимально допустимая импульсная рассеиваемая
мощность биполярного (полевого) транзистора
Ак,и,макс.... максимально допустимая импульсная рассеиваемая
мощность коллектора
Ак ср макс .... максимально допустимая средняя рассеиваемая
мощность коллектора
Q .. скважность
2вх .... входное полное сопротивление на большом сигнале
8/Ъ последовательное активное сопротивление эмиттера
Лк сопротивление в цепи коллектор-источник питания
Абэ..........сопротивление в цепи база-эмиттер
Аб...........сопротивление в цепи база-источник питания
Ан...........сопротивление нагрузки
Аг выходное сопротивление генератора при измеренениях
Аси .. сопротивление сток-исток полевого транзистора
Аси отк...... сопротивление сток-исток в открытом состоянии
Аг .. тепловое сопротивление
13
Лг(п-к)......тепловое сопротивление переход-корпус
Rr, и(п-к) ..импульсное тепловое сопротивление переход-корпус
Rr (п-с).....тепловое сопротивление переход-среда
h2i3, Ь2|Э...статический коэффициент передачи тока в режимах
малого и большого сигналов
/И21э/.......модуль коэффициента передачи тока по высокой частоте
5 2б.........коэффициент обратной передачи напряжения в схеме
с общей базой (ОБ)
/512б/.......модуль коэффициента обратной передачи напряжения
в схеме ОБ
........коэффициент прямой передачи напряжения в схеме
ОЭ
5226 . коэффициент отражения выходной цепи в схеме ОБ
5............крутизна характеристики полевого транзистора
Т............температура окружающей среды
7k...........температура корпуса, для бескорпусныхтранзисторов-
крисгаллодержателя (подложки)
Th...........температура р-п перехода
Т]к ... .....коэффициент полезного действия коллектора
Т]с..........коэффициент полезного действия стока
/вкл • вРемя включения
Гвыкл........время выключения
t ........... время задержки
/ир..........время нарастания
/рас.......... время рассасывания
Гсп..........время спада
Ги ..........длительность импульса
/ф...........длительность фронта импульса
£ш .. ЭД С шума
агд (h216)...фаза коэффициента передачи тока.
14
РАЗДЕЛ ПЕРВЫЙ
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
ТРАНЗИСТОРЫ МАЛОМОЩНЫЕ НИЗКОЧАСТОТНЫЕ
Транзисторы п-р-п
□ 2Т215А9, 2Т215Б9, 2Т215В9, 2Т215Г9.2Т215Д9, 2Т215Е9
0,95
2T2I5 (А9 Е9)
Транзисторы кремниевые эии
{аксиально-планарные структуры
п-р-пусилительные. Предназначены
ли» применения в усилителях и
переключающих устройствах ге-
рме и тированной аппаратуры Вы-
пускаются в пластмассовом корпусе
с жесткими выводами. Масса тран-
зистора не более О, I г.
Электрические параметры
Коэффициент шума на / = I кГц при {7кб = 5 В. /э = 40 мкА.
Яг = 10 кОм .зля
2Т215Д9. нс более................................................5 дБ
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ:
при Т = +25'С
Скб = 5 В. /э = 10 мА
2T2I5A9. нс менее........................................... 20
2Т215Б9......................... !...........................30 .90
2T2I5B9. 2Т215Г9.............................................40...120
Скб = I В. /з = 40 мкА. не менее
2Т215Д9..........................................•...........80
2T2I5E9.................................:....................40
15
при Т= -60°С
Uk(5 = 5 В, /э = 10 мА
2Т215А9, нс менее..............................................7
2Т215Б9........................................................10...90
2Т215В9, 2Т215Г9..............................................15...120
{ЛИ = 1 В, /э = 40 мкА, не менее
2Т215Д9........................................................25
2Т215Е9........................................................15
при Т = +85’С
(7кб = 5 В, /э = 10 мА
2Т215А, не менее ............................................20
2Т215Б9........................................................30.150
2Т215В9, 2Т215Г9...............................................40...200
(7кб - 1 В. /э = 40 мкА, не менее
2Т215Д9........................................................80
2Т215Е9........................................................40
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при (7кб = 5 В,
/э = 1 мА
не менее...........................................................5 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при (7кб = 5 В,
k = 2мА, /= 5 МГц,
не более...........................................................5 не
Граничное напряжение при /э = 10 мА, не менее
2Т215А9, 2Т215Б9...................................................80 В
2Т215В9........................................................60 В
2Т215Г9........................................................40 В
2Г215Д9........................................................30 В
2Т215Е9........................................................20 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = 10 мА 76 = 1 мА,
не более......................................................0,6 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 10 мА, 76 = 1 мА,
не более......................................................1,2 В
Входное сопротивление в режиме малого сигнала при (7кб = 5 В 7э = 2 мА,
/= 800 Гц....................................................1,2*..1,5*..10 кОм
Емкость коллекторного перехода при (7кб = 10 В, не более...........10 пФ
Обратный ток коллектор-эмиттер при (7кб = (7кэ,макс, Лбэ = 10 кОм,
не более.
Т= +25'С и -60'С...............................................1 мкА
Т= +85’С.......................................................10 мкА
Обратный ток эмиттера при (Тэб = (Тэб макс, не более. ...... 10 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Ябэ = 10 кОм:
2Т215А9......................................................100 В
2Т215Б9.......................................................90 В
2Т215В9.......................................................80 В
2Т215Г9.......................................................60 В
2Т215Д, 2Т215Е9...............................................30 В
Постоянное напряжение эмиттер-база-
2Т215А9.......................................................30 В
2Т215Б9, 2Т215В9, 2Т215Г9, 2Т215Д9............................7 В
2Т215Е9.......................................................20 В
Постоянный ток коллектора.........................................50 мА
Импульсный ток коллектора при 7И = 10 мс, Q = 100.................100 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Г = 60 +25"С. ... 200мВт
Температура р-п перехода..........................................+125”С
Температура окружающей среды ..................................... - 60 +85°С
16
Транзисторы р-п-р
□ КТ209В2
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры р п р усилительный
Предназначен для применения в усилительных и импульсных микромодулях и блоках
герметизированной аппаратуры. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами
Масса транзистора не более 0,3 г.
КТ209В2
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при Йо = 1 В,
Лк = 30 мА.
не менее................................................ -....200
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при йсб — 5 В,
/э = 10 мА
не менее.......................................................5 МГц
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = 300 мА. 76 = 30 мА,
нс более .....................................................0,4 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 300 мА, 76 = 30 мА,
не более......................................................1,5 В
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при Лбэ = 10 кОм, /к = 1 мкА
нс менее.......................................................15 В
Пробивное напряжение база-эмиттер при 76 - 1 мкА, не менее . ... 10 В
Емкость коллекторного перехода при йсб = 10 В, не более............50 пФ
Емкость эмиттерного перехода при йб = 0,5 в, не более.............. 100 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база. . ...... ............... 15 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Иоэ = 10 кОм .. ....... 15 В
Постоянное напряжение эмиттер-база ................................Ю В
Постоянный ток коллектора ....................................— 0,3 А
Импульсный ток коллектора при 7И = 0,5 ............................0,5 А
Постоянный ток базы .............................................. . .0,1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1:
Т = ..........................................................200 мВт
Г=+100’С ...................................................... 62,5 мВт
17
Температура p-n перехода............................................+I25"C
Тепловое сопротивление переход-среда ............................... 0,4'С/мВг
Температура окружающей среды .......................................-45...+ 10(ГС
1 При Т>+45°С максимально допусти мая постоянная рассеиваемая мощность’коллектора
уменьшается линейно.
□ 2Т214А9, 2Т214Б9, 2Т214В9,2Т214Г9, 2Т214Д9, 2Т214Е9
Транзисторы кремниевые эпи-
таксиально-пленарные структуры
р-п-русилительные Предназначены
для применения в усилителях и
переключающих устройствах герме
тизированной аппаратуры Выпу-
скаются в пластмассовом корпусе с
жесткими выводами Масса транзи
стара не более О, I г
Электрические параметры
Коэффициент шума на/= I кГц при 6кб = 5 В. /э = 40 мА. Кг — Ю кОм
лая 2Т214Д9............................. ....................1.8’...3.5*...5 дБ
к, Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ:
, при 7 = +25°С. 6кб = 5 В. 7э = 10 мА
2T4I4A9, нс менее.....................................................20
2Т214Б9.........................................................30...90
2T2I4B9. 2Т214Г9...............................................40...120
В при Т = +25"С. 6кб = I В, /э = 40 мкА, НС менее:
2Т213Д9.........................................................80
2T2I4E9.........................................................40
Г при 7'= -60’С:
6кб = 5 В, /э = 10 мА:
2T2I4A9, не менее ................................. .7
L 2Т214Б9.............................................................10.90
2T2I4B9, 2Т214Г9................................................15... 120
| 6кб = I В. /э = 40 мкА. нс менее
2Т214Д9..................... ...................................25
2T2I4E9......................................................... 15
I при Т = +85“С:
6кб = 5 В. /э — 10 мА:
2T2I4A9 нс менее ..................................... 20
2Т214Б9.........................................................30. 150
2T2I4B9. 2Т214Г9................................................40.200
6кб = I В, /э = 40 мкА. нс менее'
2Т214Д9.........................................................80
2T2I4E9..............................................4..........40
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при 6кб 5 В.
D /э I мА.........................................................5..20*. 30* МГц
А Постоянная времени цепи обратной связи на высокой час готе при 6кб = 5 В.
/э = 2 мА./= 5 МГц,
нс более ...........................................................5 нс
18
типовое значение...............................................I* нс
Граничное напряжение при /э 10 мА, не менее
2Т214А9, 2Т214Б9...................................................80 В
2Т214В9........................................................60 В
2Т214Г9........................................................40 В
2Т214Д9........................................................30 В
2Т214Е9........................................................20 В
Напряжение насыщения коллектор эмиттер при /к = 10 мА, /б = 1 мА,
не более.....................................................0,6 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 10 мА, /б = I мА,
нс более.....................................................1,2 В
Входное сопротивление в режиме малого сигнала при (Л;б = 5 В, /э = 2 мА
/= 800 Гн..................................................... 1,2..2,5.10 кОм
Емкость коллекторного перехода при Окб = 10 В, не более...........10 пФ
Обратный ток коллсктор-эмитгер при Скэ = Окэ, макс, Лбэ = 10 кОм, не более:
Т= +25"С и 60"С...................................................1 мкА
Г =+85‘С .....................................................10 мкА
Обратный ток эмиттера прн ОЬб = to6. макс нс более. 10 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Ябэ = 10 кОм'
2Т214А9................. ......................................100 В
2Т214Б9........................................................90 В
2T2I4B9........................................................80 В
2Т214Г9................... .................................... 60 В
2Т214Д9. 2Т214Е9...............................................30 В
Постоянное напряжение эмиттер-база
2Т214А9.........................................................30 В
2Т214Б9. 2T2I4B9, 2Т214Г9, 2Т214Д9.....!.......................7 В Я
2T2I4E9........................................................20 В
Постоянный ток коллектора ........ ....................... 5Q мА
Импульсный ток коллектора при /и = 10 мс. 0= 100 ... 100 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т -6О...+25“С...... 200 мВт
Температура р-п перехода...........................................+125'С
Температура окружающей среды .. ............................... -60. 4-85'С
□ КТ216А, КТ216Б, КТ216В
Транзисторы кремниевые эпита-
ксиально планарные структуры р п р уни-
версальные. Предназначены для применения
в усилителях, генераторах, в стабилизаторах
напряжения и тока, импульсных ус тройствах
Выпускаются в пластмассовом корпусе с
жесткими выводами. Масса транзистора нс
более 0,1 г.
КТ216 (А-В)
19
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при (7кб = 5 В, /э = 1 мА'
КТ216А..........................................................9...50
КТ216Б........................................Л.............30. ISO
КТ216В......................................................30.200
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при б'кб = 5 В
/э = I мА,
не менее........................................................25 МГц
Граничное напряжение при /э = 10 мА. не менее
КТ216А...................................................... 60 В
КТ216Б......................................................30 В
KT2I6B......................................................15В
Емкость коллекторного перехода пр» (7кб = 5 В. не более ........10 пФ
Обратный ток коллектора при (7кб = (7кб,.макс не более . .......1 мкА
Обратный ток эмиттера при (7эб = t/эб, макс не более ........... I мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база:
KT2I6A...................................:.....................60 В
КТ216Б.....................................................30 В
KT2I6B ...................................,................15 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Ябэ = 2 кОм
KT2I6A.............................................................60 В
КТ216Б.........................................................30 В
КТ216В.........................................................15 В
Постоянное напряжение эмиттер-база:
КТ216А ............................................................30 В
КТ216Б.........................................................15 В
КТ216В.........................................................10 В
Постоянный ток коллектора....... ................ .......... 10 мА
Импульсный ток коллектора при ти = I мкс. Q = 10 ........... 20 мА
Постоянная рассеиваемая мощность* коллектора
Т= -60 .+25’С..................................................75 мВт
Г = +85°С......................................................30 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность1 коллектора при л, = 1 мкс, Q = 10
Т= -6О ..+25*С...................................."................100 мВт
Г= +85’С.......................................................75 мВт
Температура р-п перехода..... ................................. +125°С
Температура окружающей среды ...........-60 ..+85’С
1 При 7>+25*С максимально допустимые постоянная и импульсная рассеиваемые
мощности коллектора уменьшаются линейно
Зависимость статического коэффи-
циента передачи тока от тока
эмиттера транзистора КТ216А
и КЗ / Пиэями
Зависимость напряжения коллектор-
эмиттер от сопротивления в цепи база-
эмиттер КТ216(А-Б)
20
Зависимость статического коэффици-
ента передачи гока от тока эмиттера
транзистора КТ216Б
Зависимость статического коэффици-
ента передачи тока от тока эмиттера
транзистора KT2I6B
□ КТ218А9, КТ218Б9, КТ218В9, КТ218Г9, КТ218Д9,КТ218Е9
Транзисторы кремниевые эпита-
ксиально-планарные структуры р-п-р уни-
версальные. Предназначены для применения
в усилителях, генераторах и импульсных
устройствах в составе >ибридных инте-
i ральных микросхем с общей герметизацией.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с
жесткими выводами. Масса транзистора не
более 0 I г.
КТ218 (А9-Е9)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
4/кб = 5 В, /э = 10 мА для KT2I8A9, КТ218Б9, KT2I8B9, КТ218Г9 и
С/кб = I В 'э = 0,04 мА для КТ218Д9, KT2I8E9
KT2I8A9. нс менее ...........................................20
КТ218Б9......................................................30 ..90
КТ218В9, КТ218Г9...........................................40...I20
КТ218Д9. не менее...........................................80
KT2I8E9, не менее........................................... 40
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при Окб = 5 В
/э = 1 мА,
не менее.........................................................5 МГц
Граничное напряжение при /э = 10 мА, не менее’
КТ218А9. КТ218Б9.............................................80 В
КТ218В9......................................................60 В
КТ218Г9......................................................40 В
КТ218Д9 .....................................................30 В
КТ218Е9......................................................20 В
21
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = 10 мА, /6 = I мА.
не более ......................................................0,6 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 10 мА. /б = I мА,
не более .........................................................1.2 В
Емкость коллекторного перехода при 1/кб = 10 В, не более ..........15 пФ
Емкость эмиттерного перехода при 6'эб = 0,5 В, не более ... 20 пФ
Обратный ток коллектор-эмипер при Лбэ = 10 кОм. не более
KT2I8A9 при Мсэ = 100 В.....................................I мкА
КТ218Б9 при Скэ = 90 В........................................I мкА
KT2I8B9 при £7кэ = 80 В....................................... I мкА
КТ218Г9 при Цкэ = 60 В....................................... I мкА
КТ218Д9. KT2I8E9 при 1/кэ = 30 В..............................I мкА
Обратный ток эмиттера при t/эб = 4/эб, макс, не более . .10 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при U = 10 кОм
KT2I8A9. КТ218Б9..............................................80 В
KT2I8B9.......................................................60 В
КТ218Г9.......................................................40 В
КТ218Д9.......................................................30 В
KT2I8E9.......................................................20 В
Постоянное напряжение эмиттер-база:
KT2I8A9.......................................................30 В
КТ218Б9. KT2I8B9. КТ218Д9.............. ......................7 В
KT2I8E9.......................................................20 В
Постоянный ток коллектора .. ....... .... 50 мА
Импульсный ток коллектора при /н = 10 мс. Q = 100 125 мА
Постоянный ток базы..... .......... . . . 20 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т = -60 +25"С 200 мВт
Температура р-п перехода ..........................................+125'С
Тепловое сопротивление переход-среда.. . . . ......................500°С/Вт
Температура окружающей среды ...................................... -60. ,+85’С
1 При 7>+25’С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллекюра
рассчитывается по формуле
Рк, макс = (125-Т)/0,5, мВт
Пайку выводов рекомеМтуется проводить с применением лудящих паст и припоев на
расстоянии не менее 0.15 мм от корпуса транзистора, время пайки нсбоясе 4 с. температура
пайки не более +265‘С.
Зависимость напряжения
насыщения эмиттер-база от
тока коллектора
Зависимость напряжения
насыщения коллектор-
эмиттер от тока базы.
Зависимость напряжения
нас ы и тения колле ктор- эм итт ер
от тока коллектора.
22
ТРАНЗИСТОРЫ МАЛОМОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ
Транзисторы п-р-п
□ КТ381Б, КТ381В, КТ381Г, КТ381Д, КТ381Е
КТ38! (Б-Е)
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные
структуры п-р-п универсальные. Предназначены для
применения в дифференциальных усилителях, гене-
раторах, импульсных устройствах. Бескорпусные, без
кристаллолержатсля с гибкими выводами. Масса
транзистора не более 0,003 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при (7кб = 5 В.
/э = 10 мкА, «е менее:
КТ381Б..............................................................40
КТ381В.........................................................30
КТ381 Г, КТ381Д, КТ381Е........................................20
Отн । |снис статических коэффициентов передачи тока в схеме ОЭ при
(7кб = 5 В, /э = 10 мкА для сдвоенных транзисторов, не менее:
KT38I Б.КТ381 Е...............................................0.9
КТ381В.КТ381Д.................................................0,85
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при 1/кб = I В,
/э = I мА,
нс менее..........................................................200 МГц
Разность напряжения эмиттер-база сдвоенных транзисторов при 1/кб = 5 В.
/э = 10 мкА,
не менее..........................................................5 мВ
Обратный ток коллектора при (7кб = 5 В, не более..................30 нА
Обратный ток эмиттера при (7эб = 6 В не более ......... . 5 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база..............................25 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Ябэ — I кОм...... .. 20 В
Постоянное напряжение эмиттер-база...............................6,5 В
Постоянный ток коллектора............................................15 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т = -60 +40’С..... 15 мВт
23
Температура р-п перехода........................ +90”С
Температура окружающей среды................................-6О...+7О°С
Относительная зависимость
статического коэффициента
передачи тока от температуры
Лго /hniiuj
Относительная зависимое гьстатического ко-
эффициента передачи тока оттока эмиттера
Зависимость статического коэффициента
передачи тока от температуры
□ КТ3151А9, КТ3151Б9,
КТ3151В9, КТ3151Г9, КТ3151Д9,
КТ3151Е9
Транзисторы кремниевые эиита-
ксиально-иланарные структуры п-р-п
универсальные. Предназначены для
применения в усилителях, генераторах,
импульсных устройствах в составе гибри-
дных интегральных микросхем с общей
герметизацией. Выпускаются в пластма-
ссовом корпусе с жесткими выводами
Масса транзистора не более 0.1 г
«Г ’
КТ315ЦА9-Е9)
24
Электрические параметры
Статическим коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
1'кб = 5 В, / = 10 мА для KT3I5IA9. КТ3151Б9. KT315IB9. КТ3151Г9,
{/кб = I В, /э 0 04 мА лля КТ3151Д9. KT3I5IE9
KT315IA9. не менее ...................................................... . 20
КТ3151Б9.................................................................... 30. .90
KT3I5I B9.KT315IГ9..........................................................40... 120
КТ3151Д9. нс менее ................................................. ...... 80
KT3I5IE9. не менее..........................................................40
Граничная частота коэффициента перс.’1ачи тока в схеме ОЭ при 6гкб = 5 В.
h = 1 .мА. нс менее........ ...........................................100 МГн
Граничное напряжение лри /э = 10 мА нс менее
KT3I5IA9.KT3I5I Б9................ 80 В
КТЗ15IB9...:..................................................................60 В
КТ3151Г9....:...........................................:...................л......*........................4..4о в
КТ3151Д9......................................................................30 В
KT3I5IE9.................................................................... 20 В
Напряжение насыщения коллектор эмиттер при /к = 10 мА. /б I мА
не поясе..........................................................................0,6 В
Напряжение насыщения базаэмиттср при /к=10 мА. /6=1 мА. нс более 1 2 В
Емкость коллекторного перехода при О'кб = 10 В. нс более.......................... 15 пФ
Емкость эмиттерною перехода при бэб = 0.5 В. не более ... ..........20 пФ
Обратный ток коллектор-эмиттер при
1!кэ = 100 В для KT3I5IA9. {,'кэ 90 В лля КТ3151Б9.
бкэ = 80 В для KT3I5IB9.
{.кэ = 60 В лля КТЗ 151 ГЧ
{/кэ = 30 В лля КТ3151Д9, KT3I5IE9. Ябэ = 10 кОм.
не более..................................................... I мкА
Обратный ток эмиттера при {/эб = 5 В. нс более ................. .10 мкА
Предельные экстялуа анионные данные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Ябэ = 10 кОм:
KT3I5IA9. КТ3151Б9...................................................80 В
KT3I5IB9.........................i.................................60 В
КТ3151Г9................. .......-.................................40 В
КТ3151Д9....................................................... ЗОВ
KT3I51E9 ........v..................r ..........................20 В
Постоянное напряжение база-эмиттер............. ........................5 В
Постоянный ток коллектора . . . ..................... . . . 100 мА
Импульсный ток коллектора при /к = 10 мс.(2 100 150 мА
Постоянный ток базы .......... ......................................... 30 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т= -60. +25 С ... . . 200 мВт
Температура р -п перехода . ... .........................+125’С
Температура окружающей среды ....... . .................... - -60 +85“С
При 7>+25С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора
рассчитывается но формуле
Рк макс = (125-Т)/0,5, мВт
Пайку выводов рекомендуется проводить с применением лупящих наст и припоев на
расстоянии нс менее 0.15 мм от корпуса транзистора, время пайки не более 4с. температура
пайки не более +265’С
25
Злвисимоетьстагическот о коэффициента пе-
редачи тока от тока эмиттера
Зависимость напряжения насыщения
база-эми пер от юка коллектора
Зависимость статическою коэффи-
циент перелаян тока от температуры
Зависимость напряжения насыщения
коллектор эмиттер от юка коллектора
□ КТ3173А9
0.15
KT.U73A9
Транзистор кремниевый эпи-
таксиально планарный структуры
и р-н переключательный. Прсяна
тначсн для применения в бы юной
видеотехнике и составе т-ибрилных
интегральных микросхем, в платах
поверхностного монтажа Выпу-
скается в п.шетмассовом корпусе с
жесткими выводами Масса трап
зистора не более 0.01 I
26
Электрические параметры
С этический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ:
при 1/кэ = 5 В. /к = 30 мА.........................................50...500
при Г/кэ = 10 В, /к = 150 мА, не менее ................... ... 50
Могуль коэффициента перслачи тока на высокой частоте при 1/кэ = 10 В,
/к = 50 мА,/= 100 МГц
не менее...........................................................2
Граничное напряжение при /к = 10 мА
не менее......................................................27 В
Напряжение насыщения коллектор-эмнттер при /к = 100 мА, /б = 10 мА.
не более.......................................................0,15 В ,
при /к = 500 мА. /б = 50 мА.
не более.......................................................0,6 В
Время включения при /к = 500 мА, /б = 50 мА, не более .. 30 нс
Время выключения при /к = 500 мА, /б = 50 мА, не более..........20 нс
Емкость коллекторного перехода при Цкб = 10 В. не более..........10 пФ
Обратный ток коллектора при 1/кб = 20 В, не более..................0,1 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база..................................30 В
Постоянное напряжение эмиттер-база...................................5 В
Постоянный ток коллектора' при Т= -60...+25"С........................0,53 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора2 при Т = -60...+25"С.....0,2 Вт
Температура р-п перехода .......................................... - +125*С
Тепловое сопротивление иерсхол-окружаюшая среда ... ............. 0,5"С/мВ1
Температура окружающей среды.........................................-6О...+85°С
'При Т = +25. .+85°С максимально допустимый постоянный ток коллектора
рассчитывается по формуле
1к макс = (125- Т)/С/кэ нас * 500, А
-При Т +25. +85"С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность
коллектора рассчитывается по форм), е
Рк,макс = (125-Т)/500, Вт
Зависимость статического коэффициента
передачи тока от тока коллектора
Зависимость напряжения насыще-
ния коллектор-эмиттер от тока
коллектора.
27
Зависимость напряжения коллектор-эмиттер
от сопротивления в пени базы.
□ КТ3179А9
0.15
0.25
1,1
Транзистор кремниевый эпи-
таксиально-планарный стру ктуры
п-р-п универсальный Пре (назначен
для применения в бытовой видео-
технике в составе шСршных интс
тральных микросхем. » платах по-
верхностного монтажа. Выпускается
в пластмассовом корпусе с жес I кими
выводами. Масс, транзистора не
более 0.01 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при 1/кэ = 5 В,
/к = 10 мА. не менее
Г = +25 и +85'С.................................................65
Т= -60'С.........................................................10
Обратный ток коллектора при 1/кб = 100 В, не более:
Т= -60 и +25°С ..................................................I мкА
Т— +85”С......................................................... 10 мкА
Предельн к плуата и ые данные
Постоянное напряжение коллектор-база ... ... . 150 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер.............................. 150 В
Постоянное напряжение эмиттер-база .............5 В
Постоянный ток коллектора при Т = +25°С.. . ............... 55 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 при Т= -60. ,+25"С . ... 0,2 Bi
Температура р-п перехода.............................................+125'С
Тепловое сопротивление переход-среда.................................0,5'С/ mBi
Температура окружающей среды.........................................-6О...+85’С
28
1 При Т = +25 . +85"С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность
коллектора рассчитывается по формуле
Рк, макс = (125-7)/ 500, Вт
Допустимое значение статического потенциала 500 В
Очистку транзисторов используемых для автоматической сборки, рекомендуется
производить в спирто-бензиновой смеси (1:1) при вибростмывке с частотой 50 Гц и
амплитудой колебаний до 1 мм в течение 4 минут.
Транзистор изготавливают с отформованными выводами, перед монтажем
дополнительной подготовки не требуется
Пайку выводов рекомендуется проводить в следующих режимах: одноразовым
погружением корпуса s расплавленный припой при тем тературе не выше +265’С не более
4 с. Припой ПО 61 по ГОСТ 21930, флюс состоит из 25% по массе канифоли (ГОСТ 19113)
и 75% по массе изопропилового ГОСТ 9805) или этилового (ГОСТ 18300) спирта
сплавление паяльной (лудящей) пастой в режиме нагрев вывода в месте пайки до
температуры не выш +190’С не более 30 С, последующий нагрев вывода в месте пайки
до температуры не выше +230"С в течение не более 15 с.
При ключении транзистора в электрическую цепь, находящуюся под напряжением
базовый выход необходим > присоединять первым и отключать последним Работа
транзисторов врежиме оборванной базы” по постоянномутокукатегорически запрещается.
Транзисторы р-к-р
□ КТ3157А
Транзистор кремг иевыйэпитакснально-планарныйструктурыр-я-р переключательный.
Пред газначен для прим нения в переключательных и импульсных устройствах Выпускается
в пластмассовом корпусе с гибкими выводами Масса транзистора не более 0,3 г.
КТ3157А
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при Окэ = 20 В,
/к = 25 мА
не менее......................................................50
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при Окб = 20 В,
/э = 10 мА
не менее......................................................60 МГц
Граничное напряжение при /к = 10 мА, не менее .....................250 В
Напряжение насыщения коллектор эмиттер при /к = 15 мА, К = 3 мА,
не более......................................................1 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 15 мА, Л = 3 мА,
не более .................................................. 1,2 В
Емкость коллекторного перехода при Окб = 30 В, не более 3 пФ
Обратный ток коллектора при Окб - 200 В не более ............... 0,1 мкА
Обратный ток эмиттера при СЬб = 5 В, не более. 10 мкА
29
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база .. ........ 250 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер:
Ябэ = 10 кОм.....................................................250 В
Ябэ = ОО......................................................... 250 В
Постоянное напряжение база-эмнттер.............. .................... 5 В
Постоянный ток коллектора ...........................................30 мА
Импульсный ток коллектора при ги = 2 мс ........ .................... 100 мА
Постоянный ток базы..................................................20 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора-
Т = -45...+25-С......................................................0,2 Вт
Т = +Ю0'С........................................................ 0,08 Вт
Температура р-п перехода............................................. +150°С
Температура окружающей среды -45 + 100"С
При Г >+25°С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора
уменьшается линейно
Зависимость статическою коэффициента
передачи тока от тока эмиттера
Зависимость модуля коэффициента
передачи тока от тока эмиттера
Зависимость напряжения насыщения
коллектор-эмиттер от тока коллектора
Зависимость напряжения насыщения база-
эмиттер от тока коллектора
30
П КТ3180А9
Транзистор кремниевый эпита-
ксиально-планарный crpyi гуры р п-р
универсальный. Предназначен для
применения в бытовой видеотехнике в
составе гибридных интегральных
микросхем, в платах поверхностного
монтажа. Выпускается в пластмассовом
корпусе с жесткими выводами Масса
транзистора не более 0,01 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при (7кэ = 5 В,
/к = 10 мА,
не менее:
Т = +25 и +85°С..................................................90
Т= -45°С.........................................................30
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = 30 мА, /б 3 мА.
не более.........................................................IВ
Обратный ток коллектора при t/кб = 150 В. не более
Т = +25 и -45'С..................................................I мкА
Г= +85"С.........................................................10 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Ябэ = 100 кОм . . 50 В
Постоянное напряжение эмиттер-база...................................5 В
Постоянный гок коллектора............................................50 мА
Постоянная рассеиваемая мощность ко. лектора при Т= -45...+25‘С.. .0,2 Вт
Температура р-п перехода.............................................+|25'С
Тепловое сопротивление перехол-среда.................................500’С/Вт
Температура окружающей срслы.........................................-45...+85°с
При Т = +25...+85°С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность
коллектора рассчитывается по формуле
Рк,макс = (125-Т)/500, Вт
Допустимое значение статического потенциала 500 В
Очистку транзиС1оров. используемых для автоматизированной сборки рекомендуется
производить в спирто-бензиновой смеси (1:1) при виброотмывке с частотой 50 Гн и
амплитудой колебаний ло I мм в течение 4 мин
Транзистор изготавливают с отформованными выводами перед монтажом
дополнительной подготовки не требуется.
Пайку выводов рекомендуется проводить в следующих режимах.
- одноразовым погружением корпуса в расплавленный припой при температуре не
выше +265°С не более 4 с Припои ПОС61 по ГОСТ 21930, флюс состоит из 25% по массе
канифоли (ГОСТ 19113) и 75% по массе изопропилового (ГОСТ 9805) или этилового
(ГОСТ 183000) спирта;
- сплавление припойной пастой в режиме нагрева вывода в месте пайки до ъемиерату
ры не выше +190‘С в течение не более 30 с, последующий нагрев в месте пайки до
температуры нс выше +230"С в течение не более 15с.
При включении транзистора в электрическую цепь, находящуюся пол напряжением
базовый вывод необходимо присоединять первым и отключать последним. Работа
транзистора в режиме “оборванной базы” по постоянному току категорически запрещается
31
ТРАНЗИСТОРЫ МАЛОМОЩНЫЕ СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ
Транзисторы п-р-п
□ КТ339АМ
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры п-р-п усилительный.
Предназначен для применения в усилителях высокой частоты Выпускается в пластмассовом
корпусе с гибкими выводами Масса транзистора не более 0,3 г.
КТ339АМ
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при (7кб = 10 В,
/э = 7 мА,
не менее..........................................................25
Коэффициент усиления по мощности на f= 35 МГц при (/кэ = 16.6 В,
/к = 7,2 мА,
не менее..........................................................24 дБ
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при (Леэ = 10 В,
/э = 5 мА
не менее..........................................................300 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при (Леб = 10 В,
/э = 7 мА, f= 5 МГц,
не более..........................................................25 пс
Емкость коллекторного перехода при (Леб = 5 В. не более ........2 нф
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор база.... 40 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер...........................25 В
Постоянный ток коллектора ... 25 мА
32
i
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:'
Т= -60...+25°С...................................................260 мВт
7 = +125"С....................................................... 100 мВт
Температура р-п перехода ... .....—.................................. + 175°С
Температура окружающей среды .... 60 +125°С
1 При 7>+25"С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора
уменьшается линейно.
Расстояние от места изгиба до корпуса транзистора не менее 3 мм. радиус закругления
не менее 1,5 мм. Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора.
П КТ396А9
Электрические параметры
Транзистор кремниевый
эпитаксиально планарный
структуры/;/,-/; усилительный
Предназначснлля применения
в усилителях СВЧ Выпуска-
ется в пластмассовом корпусе
с жесткими выводами Марки-
руется зеленой точкой на кор
пусе. Масса транзистора не
более 0,05г
Статический коффиниент передачи тока в схеме ОЭ при б/кб=2 В /к=5 мА
Т = +25“С.................................................... 40..250
Т = +100’С...................................................40. .500
Т = -60"С.................................................... 20.250
Модуль коффициента передачи тока на высокой частоте при t/кб = 2 В,
/э = 5 мА. f = .300 МГц.
нс менее ................ 7
Граничное напряжение при /э = 5 мА. не меисе....................... 15 В
Постоянная времени пени обратной связи на высокой частоте при t/кб = 2 В,
/э - 5 мА f = 30 МГц.
не более.......................................................15 пс
Емкость коллекторного перехода при t/кб = 5 В. не более 2 пф
Емкость эмитгерного перехода при t/эб = I В. нс более ......... 2.5 пф
Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме ОБ при Скб=2 В.
/э = 5 мА. f = 50 .1000 Гц,
нс более........................................................... 11 Ом
Обратный ток коллектора при t/кб = 15 В, нс более:
Т = +25’С .............................................. :.....0.5 мкА
7 = +100"С.....................................................5 мкА
Обратный ток эмиттера при t/кб = 3 В, не более ....................1мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор база............................ ..15В
Постоянное напряжение коллектор - эмиттер при Ябэ = 3 кОм .........15 В
Постоянное напряжение эмиттер база ... ЗВ
33
Постоянный гок козлектора 40мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1:
Т = -60... +25°С.....................................................100 мВт
Т = + 100‘С................................................. . 25 мВт
TeMiiepaiypa р п перехода ........................................... + 125"С
Тепловое сопротивление переход - среда............................... I C/mBi
Температура окружающей среды ... ................ -60...+ 100"С
1 При изменении температуры окружающей среды от +25 до +1ОО'СРк.макс уменьшается
линейно.
□ КТ3106А9
КТЗ ЮМУ
Транзистор кремниевый
эпитаксиально-планарны й
груктуры л р-п усилитель-
ный.Предназначен для при-
менения во входных и после
дующих каскадах усилшелсй
высоком частоты. Выпускается
в пластмассовом корпусе с
жесткими выводами Марки
руется синей точкой на кор-
пусе Масса граюис гора не
более 0,05 г
Электрические параметры
Коэффициент шума на частоте/= 120 МГц при t/кб = 5 В. /э = 5 мА.
Rr = 50 Ом.
нс более...,.............. .......................................2лБ
типовое значение I 4’ tB
Козффнписг усиления по мощности на частою / 120 МГн при Скб = 5 В
/э = 5 мА. Rr = 50 Ом
типовое значение...................................................19' дБ
Статический коэффициент нереяачи юка в схеме ОЭ при t/кб = I В.
/э 5 мА не менее
Т = +25 и +100 С. .................................................40
Т = -60’С.......................................................... 20
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при t/кб = I В
/э 5 мА, f = 100 МГн
нс менее . ... ... ...................... 9
Постоянная времени цени обратной связи на высокой частоте при
t/кб = 5 В, /э = 10 мА, f = 30 МГн.
не более............................................................... 10 пс
Емкость коллекторного перехода при t/кб = 5 В, нс более .... .......2.5 пф
Емкость эмнттерного перехода при Г'кб = I В. нс более.................. 3 пф
Обратный ток коллектора при Укб = 15 В. нс более
Т = +25"С..........................................................0.5 мкА
Т = +100"С......................... ...............................5 мкА
Обратный гок эмиттера при Г'эб = 3 В. не более . I мкА
34
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор - база............................15 В
Постоянное напряжение эмиттер - база при Ябэ = 10 кОм 15 В
Постоянное напряжение эмиттер - база ............. ............... ЗВ
Постоянный ток коллектора.......... 20 мА
Импульсный ток коллектора при/и = 10 мкс Q = 2. 40 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1:
Г = -60... +25"С..............................................100 мВт
Т = +100’0....................................................25 мВт
Температура р-п перехода.. ......... . + 25°С
Тепловое сопротивление переход - среда............................ГС/мВт
Температура окружающей среды............. 60. .+ 100 С
1 При изменении температуры окружающей среды от
уменьшается линейно.
+25 до +100°С Як, макс
Л213/Л213 5мА
.aS
Зависимость статического
коэффициента передачи
тока от тока коллектора
О,в
0.S
0.2
О
Зависимость коэффициента
шума от тока эмиттера
Зависимость коэффп
циента шума от папря
жепия коллектор база.
□ КТ3142А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры п-р-п псреключаге шныи
Предназначен для рименения в переключательных и импульсных устройствах, усилителях,
преобразователях. Выпускается вмсталлостсклянпом корпусе с гибкими выпадами Масса
транзистора нс более 0,4 г.
КТ3142А
35
Э ектрическне параме ры
Статический коэффициент передачи гока в схеме ОЭ
при Цкз = I В, /к = 10 мА............... ...................... 40. 120
при 1/кэ = 2 В. /к = 100 мА, не менее ... 20
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при 1/к.э = 10 В,
/к = 10 мА,
не менее .................... 500 МГн
Граничное напряжение при /э = 10 мА не менее...... ....... 15 В
Напряжение насыщения колясктор-эмитгер при /к = 10 мА /б I мА
не более........................................................0.25 В
Напряжение насыщения база-эмиггср при /к = 10 мА. /б = I мА.
hV более.................................... .. ....................0.85 В
Время включения при /к = 100 мА, /б = 10 мА. не более ..........12 нс
Время рассасывания при /к = 100 мА. /б = 10 мА. нс более ..... 13 нс
Время выключения при /к 100 мА, /б = 10 мА. не более 18 нс
Емкость коллекторного перехода при 1кб = 10 В. не более. 4 пф
Обратный юк коллектора при 47кб = 20 В. не более....................0,4 мкА
Предельные эксплуатационные таттные
Постоянное напряжение коллектор база .............................. - -40 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Ябэ 0 40 В
Постоянное напряжение эмиттер баэа .... 4.5 В
Постоянный ток коллектора .... .... 200 мА
Импульсный ток коллектора при /н = I мкс. Q = 50 ............... . ... 500 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
Т= -45...+25’С.....................................................360 мВт
>=+85’0 ..................................................... 185 мВ*
Температура p-я перехода .. ... ... +I50 C
Температура окружающей среды ... 45 +85'С
При 7 >+25 С.максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора
уменьшается линейно
Зависимость напряжения
насыщения коллсктор-эмит
тер от гока базы
Зависимость статического
ко эфф нпнента передач и
тока от тока коллектора
Зависимость шт пряжения
коллектор эмиперогсопро-
тпиления в цепи база-
эмипер
36
□ КТ3170А9
0.15
КТЛ7ОА9
Транзистор кремниевый эиита
ксиально-иланарный структуры п-р-п
усилительный Предназначенлля при-
менения в выходных каскадах УПЧ
телевизиров и в бытовой видео технике
в составе гибридных интегральных
микросхем. Выпускается в пласт
массовом корпусе с жесткими вы во
вами Масса транзистора не более O.OI i
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при t/кб = I0 В.
/э = 7 мА,
нс менее............................................................|00
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при Гкб= IО В.
/э = 5 мА,
не менее ............ ..............................................300 МГн
Граничное напряжение при /э = I0 мА, не менее . ................... 30 В
Емкость коллекторною перехода при Г'кб = I0 В. нс более......... 2 нФ
Обратный ток коллектора. не более
при Скб = 20 В ..................................................... 0,1 мкА
при 6кб = 40 В . .... .............. | мкА
Обратный ток эмиттера при 6'эб = 4 В. Нс более...................... I мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база.................. . 40 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при /?бэ = I0 кОм ..........30 В
Постоянное напряжение эмиттер-база ................ ................4 В
Постоянный ток коллектора...........................................30 МА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 при Т = -60.. +25"С ...0.25 Bi
Температура р-п перехода .................................+I50T
Тепловое сопротивление переход среда................................ 500"C/Bi
Температура окружающей среды ......................... -60...+ |00'С
1 При Г +25. 100С максимально допустим тя
постоянная рассеиваемая мощность коллектор;!
рассчитывается по формуле:
Р к,макс — (150-Т)/500, Вт
Зависимость статического коэффициен та передачи
тока от тока эмиггера.
37
Зависимость емкости коллектора от
напряжения коллектора.
Зависимость модуля коэффициента
передачи тока от тока эмиттера.
Сборка из двух кремниевых эпитаксиально-
планарных структуры п-р-п усилительных тран-
зисторов. Предназначен* для применения в
широкополосных дифференциальных усилителях,
сумматорах, компараторах, смесителях, балансных
усилителях. Бескорпусные, на кристаллодсржателе,
с । ибкими выводами Масса транзистора нс более
O.O'Mi
Электрические параметры
Коэффициент шума на частоте/= 100 МГц при Ькб = 5 В, /э = 3 мА.
Rr = Rti = 50 Ом ............................................ 1Д* 1,8* ..3 дБ
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при 1/кб = 5 В
Гэ = 3 мА
Т = +25’С.....................................................80. .160* 270*
Т = + 125"С, не менее........................................80
Т - -60"С, не менее..........................................40
Отношение статических коэффициентов передачи тока в схеме ОЭ
при №6 = 5 В,/э = 3 мА...........................................0,8...1
38
Абсолютная разноси, прямых падений напряжений база эмиттер при
I'kv = 5 В. /э = 3 мА,
не более ............................... .....................10м В
Емкость коллекторною перехода при 6'кб = 5 В. типовое значение.....0,64* пф
Емкость эмиперного перехода при Е/эб = 0, типовое значение ... 0,7*пф
Обратный ток коллектора при Е/кб = 10 В. не более:
Т= +25 и -60‘С.....................:..........................1мкА
7"=+125."С.................................................... 20м кА
Обратный юк эмиттера при Еаб I В, нс более.
Т = +25 и -60’С.......................... ....................20 мкА
Т - +125’С............. . . .............. 200 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор - база........................
Постоянное напряжение эмиттер бам . . ......
Постоянный ток коллектора ....................................
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 при, Т = -60. ,+75'С
TeMiicpaiypa р-п перехода .........................
Тепловое сопротивление переход среда ....
Tcnepaiypa окружающей среды....................
1 При 7">+75°С /\. макс снижается линейно ао 60 мВт при 7 = + 125 С
10 В
I В
7.5 мА
. 150 мВ,
+ 150’С
. 400 С/Вт
. -60. ,+ 125‘С
Зависимое!и коэффициента шума и
коэффициента усиления oi тока эмп пера
Зависимое!ь граничном часто!и oi
зокя nil! пера
□ 2Т3175А
Транзистор кремниевый эпи !аксиалы!о-планарный структуры п-р-п уендительныи
Предназначен дтя применения в усилит лях и генераторах высокой частоты. Выпускается
и .мстх1лос1ск.1янном корпусе с гибкими выводами. Масса транзистора не бо ice 0.5 i
273/75/1
39
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при С'кб = 5 В. /э = 3 мА
Г = +25*С . . . ........... ____ _____ 250 .1000
Т = +125’С.............................................-......... 250 .1500
Т= -60’С.........................................................50...500
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при <7кб = 5 В.
/э = 10 мА./ = 100 МГи.
не менее.........................................................3
Обратный ток коллектора при 6'кб = 50 В. нс более:
Т = +25 и -60°С . ............. .... ..................0,05 мкА
Т= + 125’С.......................................................5 мкА
Обратный ток эмиттера при (Л>б = 5 В. нс более. ............... ...... 10 мкА
Пре тельные ксилуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база ....................... 50 В
Постоянное напряжение коллектор эмиггер при Ябэ = 10 кОм 45 В
Посюянное напряжение эм и стер-бала ............... 5 В
Пос юянный ток коллектора ............................ ............... 100 мА
Импульсный ток коллектора при /и = 40 мкс, Q = 500 .... 200 мА
Постоянная рассеиваемая мотинос1Ь коллектора при Г=-60 +25"С .........0.35 Hi
Температура р -п перехода . ..... ..... ............... + |50”С
Тепловое сопротивление переход-среда. ......... .................... 357*С/Вг
Темпера тура окружающей среды ... ................. 60 +125’С
1 Пр! Т >+25’С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мошноС1Ь
коллектора рассчитывается по формуле
Р к,макс = (150-D/357. Вт
Транзисторы пригодны ,сэя монтажа в аппаратуре метолом ipynuoBofi пайки и
паяльником Допуснтмосчис то перепаек выводовтранзпсюровпри проведении монтажных
онсраций - 2. Расстояние от корпуса до начала нагиба выводов не менее 3 мм Расстояние
от корпуса до места дужения и панки выволок подлине вывода не менее 3 мм. Конструкция
трантнетора обеспечивает трехкратное воздействие ipynnoBon пайки и туженпе выводов
горячим способом без применения теплоотвода при температуре групповой панки +260±
10°С в течение не более 4 с. Интервал чежчу последовательными пайками 5-10 с.
Очистку транзисторов следует производить в спирто-бензиновой смеси (1.1) при
• виброотмывкс с частотой 50 Гн с амплитудой колебаний до I мм в течение 4 мин
Зависимость напряжения насыщения
колле к юр-эмиттер от тока коллектора.
Зависимость статического коэффи
имен га передачи тока от юка эмпп ера
40
Транзисторы р-п-р
П КТ3126А9
KT3I26A9
Транзистор кремниевый эпитаксиально-
планарный структуры р-п-р усилительный
Предназначен для применения в усилителях,
тенераторах. преобразователях Выпускается в
пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 0.1 т.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи гока в схеме ОЭ при Г'кб = 5 В,
/э = 3 мА...........................................................25...I50
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при Г'кб = Ю В.
/э = 2 мА.
нс менее ... .................... . . ......... 450 МГц
Постоянная времени цепи обратной свяли на высокои частоте при 6'кб 5 В
/э = 5мА,/ 100 МГн.
не более ___ . . ...................... . . .15 по
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = К) мА. /б = I мА,
нс более ................................... .........1,2 В
Входное сопротивление в схеме ОБ в режиме малою сигнала при Скб = 5 В.
/э= I мА./= 0.01 I кГц.
нс более . ... . .......... 34 Ом
Выходная проводимость в схеме ОБ в режиме малого сит нала при Г'кб 5 В.
Ь = I мА./- 0.01.. 1 кГц.
ПС более............................................................ | мкСм
Емкость коллекторного перехода при Г-кб = 10 В. по более............2.5 пФ
Емкость эмиттерното перехода при Об = 2 В. нс более ......2.5 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база .......... 35 И
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при /?бэ = 10 кОм 35 В
Постоянное напряжение эмиттер-база....................................3 В
Постоянный ток коллектора ........................................ ... 30 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т= 45 +25 С НО мВт
Температура окружающей среды ................ -45 . +85 (
Пайку выводов рекомендуется проводить е применением лудящих паст и припоев на
расстоянии не менее 0.15 мм от корпуса транзистора, время пайки не более 4 с. температура
панки не более +265°С
41
□ КТ3128А9
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры р-п-р усилительный
Предназначен для применения в селекторах телевизионных каналов с автоматической
регулировкой усиления Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами
Масса транзистора не более 0,1 г Габаритный чертеж аналогичен КТ3126АЧ
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при 1/кб = 5 В
Уэ = 3 мА..........................................................15..150
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при (7кб = 10 В
k = 4 мА,
не менее...................................................... 650 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи па высокой частоте при (Лсб = 10 В,
/э 4 мА,/= 100 МГц,
не более...........................................................5 пс
Коэффициент усиления по мощности на/= 200 МГц при (Лсб = 10 В
h — 4 мА,
не менее...........................................................14 дБ
Оптимальный ток эмиттера, соответствующий Кур=Кур макс, при Uk& = 10 В,
/= 200 МГц.........................................................3...5 мА
Глубина регулирования коэффициента усиления по мощности на/= 200 МГц
при ЦкЪ = 10 В, /э = 4 .9 мА
нс менее ..........................................................20 дБ
. Входное сопротивление в схеме ОБ в режиме малого сигнала при 1/кб 5 В
к = 1 мА,/= 0,05 . 1 кГц,
не более.......................................................34 Ом
Обратный ток коллектора при ГЛ<6 = 15 В, нс более 1 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база ...... . 35 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при /!бэ = 10 кОм ......... 35 В
Постоянное напряжение эмиттер-база.... . .......... ЗВ
Постоянный ток коллектора..........................................20 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т— -45. +35'С . ...ПО мВг
Температура р-п перехода.................................... +150"С
Температура окружающей среды............... -45...+85'С
Пайку выводов рекомендуется проводить с применением лудящих паст и припоев па
расстоянии не менее 0,15 мм от корпуса транзисторов, время пайки пс более 4 с,
температура пайки не более +265’С.
□ КТ3150Б-2
Транзистор кремниевый эпитаксиально - планарный струк-
туры р-п р усилительный. Предназначен для применения в
усилителях высокой частоты. Бескорпуспой на кристал-
лодержателе с защитным покрытием и гибкими выводами
Масса транзистора не более 0,02г.
КТ3150Б-2
42
Электрические параметры
Статический коэффициет передачи тока в ОЭ при Г.*кб = 5 В,
/э = 2.5 мА............................................................ 60... 180
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при Скб = 5 В,
Ь = 10 мА. f 100 МГн .............................. ..................... 12 15* .17*
Напряжение насыщения коллектор - э.миттср при /к = 10 мА,
Я> = 1 мА .................,....................................... 0,1*...0,14*. 0,25 В
Напряжение насьппення база эмиттер при /к = 10 мА. /б = I мА........0.8* .0,85*... 1.2 В
Время рассасывания при /к = 10 мА. /б = I мА ........ 16*...20* 30* не-
постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при 6 кб = 5 В.
/э = 5 мА.У = 30 МГц.....................................................4*...7* . 30 нс
Емкость коллекторного перехода при 6'кб = 10 В......................0.5*.. 0.75*. 2 пф
Емкость эмптгерпото перехода при {/эб -0........... I 1* 1.3* 2 пф
Обратный юк коллектора при Iжб = 40 В........ ....0.001*. .0.01*. 0.5 мкА
Обратный ток эмиттера при ЕЭб = 4 В ........0.001* 0,005* .0,5 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор база.................. 40 В
Постоянное напряжение коллектор - эмиттер при /?бэ = 10 кОм ... 35 В
Постоянное напряжение эмиттер - база . .... ... 4 В
Постоянный ток коллектора.........................................ЗОмА
Импульсный ток коллектора при т„ = 10 мкс, (2=2...................50 мА
Постоянная рассеннаемая мощность коллектора1:
Т= 60. +65'С........................................................ 120 мВт
Г» +85'С ............................................ .......88 мВт
Температура р-п перехода ....... ...................... +125Х
Тепловое сопротивление переход - среда ............0.45 С/мВт
Температура окружающей среды......................................-60 . +85‘С
При изменении температуры окружающей среды от +65 до +S5 C Рк макс умень-
шается шнс-йно
Зависимое ! ьстатического коэффициента
передачи гока от тока эмиттера
Зависимость напряжения насы-
щения кол текгор • эмиттер от
тока коллектора.
43
□ 2Т3162А, 2Т3162А-5
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры р-п-р универсальные
Предназначены для применения в усилительных и переключающих устройствах ВЧ и СВЧ
диапазонов длин волн Выпускаются в металлостеклянном корпусе с i ибкими выводами
(2Т3162А) и в бсскорпусном оформлении па пластине, кристаллы неразделенные
(2ТЗ162А-5). Масса транзистора в корпусе нс более 0.5 г, бескорпуспого - 0,0025 г
2Т3162А,
2Т3162А-5
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при Окб = 3 В
при /э = 10 мА
7 =+25'С.............................................................60 100* 200
Т= + 125“С.........................................................42...600
Т= -60’С...........................................................18...240
при /э = 50 мА.........................................-.............25...60*...80
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при Скб = 20 В,
/э= 10 мА,/ 100 МГц.....................................................7... 13* 16*
Напряжение насыщения коллектор эмиттер при /к = 10 мА
Л = 1 мА...........................................................0,07*..0,1*...0,25 В
Время рассасывания при /к = 10 мА. J6 = I мА.......................40*...80*...100 нс
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при бкб = 10 В
/э = 10 мА,/ 30 МГц............ ........................................8’ 20* 150 не
Емкость коллекторного перехода при t/кб — |0 В 1,4* 1,6* 5 пф
Емкость эмиттерпого перехода при 1Л>6 = 1 В 3* 4,5*. .6 пф
Обратный ток коллектора при 64<б = 60 В, нс более:
7 = +25"С.............................................- -............. 0,5мкА
7 = + 12543........................................................15 мкА
Обратный ток эмиттера при t/эб = 4 В, не более
Т = +25’С...............................................................0,5 мкА
Г=+125‘С .................................................. 15 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение ко иектор - база ..... 60 В
Постоянное напряжение коллектор - эмиттер при Кбэ = 5 кОм........60 В
Постоянное напряжение эмиттер - база 4 В
Постоянный ток коллектора . .. ... ......... 150 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 при Т -60. +25'С .... 300 мВт
Температура окружающей среды...... -60 +125 С
'При Т>+25"С Рк.макс снижается па 2 мВт/’С
44
□ КТ3165А
№1165А
Транзистор кремниевый эп1паксиально-
планарный структуры р-п-р усилительный
Предназначен для применения в ven петельных
и переключательных устройствах. Выпускается
в пластмассовом корпусе с ленточными выво-
дами. Масса транзистора не более 0,3 i.
Электрические параметры
Коэффициент шума на/= 750 МГц при 67кб = 10 В /э = 3 мА.
не более.................................................. . 8 л Б
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при (ко = 10 В.
/э = 3 мА.
не менее . . . ............................................. 25
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при (/ко = 10 В,
/э = 3 мА,
нс менее ...................................................... 750 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при ('кб = 10 В
/э= 3 мА./ = 100 МГн.
не более............................................. _ 3 цС
Емкость коллекторного перехода при t/кб = 10 В. не более ....... 0.65 пФ
Обратный ток коллектора при (/кб = 40 В. не более 0.1 мкА
45
Предельные экстт туатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база .... ........ ... .......40 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер 35 В
Постоянное напряжение база-эмиттер ... ЗВ
Постоянный ток коллектора.......... ........................ . 30 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектор.) ......... . . 160 мВт
Температура окружающей среды . 45 +70°С
ТРАНЗИСТОРЫ СРЕДНЕЙ МОЩНОСТИ НИЗКОЧАСТОТНЫЕ
Транзисторы п-р-п
□ КТ504А, КТ504Б, КТ504В
Транзисторы кремниевые
планарные структуры п-р-п пе-
реключательные.
Предназначены для при-
менения в высоковольтных ста-
билизаторах напряжения и пре-
образователях Выпускаются в
металлическом корпусе с
гибкими выводами н стеклян-
ными изоляторами. Масса тран-
зистора не ботее 2 г
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при С'кб — 5 В
/э = 0.5 А...........а........................Л... 15. .2$*... 100*
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при 0кб = 10 В,
/э = 50 мА.
не менее......................................................... 20 МГц
Граничное напряжение при /к = 30 мА. не менее
КТ504А............................................................. -250 В
КТ504Б-......................................................... 150 В
КТ504В......................................................... 230 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = 0.5 А. /б = 0.1 А.
не бешее.........................................................1 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 0.5 А. /б = 0 I А.
не более...................................................... 1-6 В
Время включения при Скэ = 50 В. /к = 0 5 А /б = 50 мА. нс более 0.1 мкс
Время выключения при бкэ = 50 В. /к = 0.5 А /б = 50 мА. не более .3.5 мкс
Емкость коллекторного перехода при 4.?кб = 10 В, типовое значение . .16 пФ
Емкость эмиттерного перехода при б'эб = 0.5 В. типовое значение . . .600 пФ
Обратный ток коллектора при Скб = t/кб.макс. не более .... 100 мкА
Обратный ток эмиттера при бэб = 6 В. нс более. .................. . 100 мкА
46
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база
КТ504А............................................................400 В
КТ504Б........................................................250 В
КТ504В........................................................300 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер.
при Лбэ = 100 Ом
КТ504А....... ..................... ,...............350 В
КТ504Б........................................................200 В
КТ504В........................................................275 В
при Лбэ = оо
КТ504А....................................................... 250 В
КТ504Б . . . . 150 В
К Г504В....................................................... 230 В
Постоянное напряжение эмиттер -база .... .... 6 В
Постоянный ток коллектора ................................. . I А
Импульсный ток коллектора при z|( = I мс ...................2 А
Посюянный ток базы ............ ......................_...........0.5 Л
Постоянная рассеиваемая мощность1 коллектора
с теплоотводом
7 k = -6О...+25’С.................................................10 Вт
7k = + IQO’C..................................................4 Вт
без гс Iлоотвола
Т= 60..+25 С................................................... I Bi
7 = -НОО’С ...................................................0.4 Вт
Температура р-п перехода +150‘С
Темперапра окружающей ерслы............................ -60’С. 7k = +|()()’С
При 7k >+25“С Рк.макс уменьшается линейно
Области безопасной работы транзистора
Зависимость статического коэффициент
передачи тока <> тока эмиттера
47
Транзисторы р-п-р
□ КТ5О5А, КТ505Б
КТ505(А,Б)
Транзисторы кремниевые
планарные структуры р-п-р пе-
реключательные I Тредназпачены
для применения в источниках
вторичного электропитания и
переключающих устройствах.
Выпускаются в металлическом
корпусе с гибкими выводами и
стеклянными изоляторами.
Масса транзистора не более 2 г
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при Мсб = 10 В
h = 500 мА,
нс менее....................................................25
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при Окб = 10 В,
/э = 50 мА,
не менее.....................................................20 МГц
Граничное напряжение при Лк = 20 мА, не менее
КТ505А ................................................... 250 В
КТ5О5Б.......................................................200 В
Напряжение насыщения коллектор - эмиттер при /к = 0,5 A, h = 0,1 А,
не более........................................................1,8 В
Напряжение насыщения база - эмиттер при /к = 0,5 А, /э = 0,1 А,
не более.....................................................1,8 В
Время включения при Цкэ — 40 В, /к = 200 мА, /б = 20 мА
не более................................................... 0,3 мкс
48
типовое значение...............................................0,25* мкс
Время выключения при 1кб = 40 В, Лк = 200 мА, Л> = 20 мА,
не более...........................................................3,5 мкс
типовое значение...............................................2,7* мкс
Емкость коллекторного перехода при йсб = 10 В, типовое значение ...50* пф
Емкость эмиттерного перехода при СЬб = 0,5 В, типовое значение. .. 420* пф
Обратный ток коллектора при Цкб = 1кб, макс не более .... 100 мкА
Обратный ток эмиттера при Изб = 5 В. не более........... ..........100 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор - база
КТ5О5А.........................................................300 В
КТ505Б..'....................................................250 В
Постоянное напряжение коллектор - эмиттер
При Ябэ = 100 Ом
КТ505А......................................................300 В
КТ5О5Б..................................................;....250 В
при Лбэ = ею
КТ5О5А.........................................................250 В
КТ505 Б......................................................200 В
Постоянное напряжение база - эмиттер ... .... 5 В
Постоянный ток коллектора ...............1 А
Импульсный ток коллектора при /и = 10 мс ...............2 А
Постоянный ток базы..............................................0,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при 7k = -60 +25’С:
с теплоотводом1..................................................5Вт
без теплоотвода2.............................................1 Вт '
Температура р-п перехода.........................................+150°С
Температура окружа щей среды ........................... -60’С. Гк =+100’С
1 При Т > 25’С Ek,макс уменьшается линейно до 2 Вт при 7k = +100"С.
2 При Г>+25’С Ik, макс уменьшается линейно до 0 4 Вт при Т = + 100’С
Зависимость статического коэффици-
ента передачи тока от тока эмиттера
49
ТРАНЗИСТОРЫ СРЕДНЕЙ МОЩНОСТИ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ
Транзисторы п-р-п
П КТ645А, КТ645Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п универсальные.
Предназначены для применения в высокочастотных генераторах и усилителях, в
бысгролеисшуЮ1ЦИХ импульсных устройствах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с
гибкими выводами. Масса транзистора нс более 0,3 г
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ'
КТ645А при //кб = 2 В, /э = 150 мА............................ 20.. 200
КТ645Б при //кб = 10 В. /э = 2 мА, нс менее S0
Граничная частота коэффициента срслачи тока в схеме ОЭ при Скб = 10 В.
/э = 50 м.А.
не менее................... ................................... 200 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при Скб 5 В,
/э = 5 мА./= 5 МГн,
нс более...........................................................120 пс
Напряжение насыщения колиектор-эмиттср, не более
КТ645А при /к = 150 мА, /6=15 мА...............................0.5 В
КТ645Б при /к = 10 мА, /б = I мА............................ . . 0,05 В
Время рассасывания при /к = 150 мА, /6 = 15 м к, не более 50 нс
Емкость коллекторного псрсхола при 1/кб — 10В, не более............5 пФ
Емкость эмнггерною перехода при //эб = 0, не более .........50 пФ
Обр 1ный ток коллектора при //кб = /7кб.макс. не более:
Т = -45...+25"С......................................... 10 мкА
Т= +85"С.............................................. ........100 мкА
Обратнып ток эмиттера при //эб = 4 В, не более..................... 10 мкА
50
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор база:
КТ645А......................................................... 60В
КТ645Б ......... ......... ................................... 40 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при /Сбэ I кОм:
КТ645А........................................................ 50 В
КТ645Б..........................................................40 В
Постоянное напряжение эмиттер-база ........... .....................4 В
Постоянный ток коллектора ............................ .-......... 300 мА
Импульсный ток коллектора при /и = 10 мкс, Q - 5 ..... 600 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1
при Т= -45...+25°С..............................................0,5 Вт
при Г = +85°С..................—................................0,25 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при /1( = 10 мкс, (? = 5.
Т= -45...+55Х.......................................................1 Вт
Температура р-п перехода............................................4-,150’С
Температура окружающей срслы........................................-45...+S5X
1 При Тот +25 ло +85’С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность
коллектора уменьшается линейно.
Изгиб выводов транзистора не ближе 5 мм от корпуса с радиусом такруг.тення 1.5 мм
Пайка выводов транзистора юпускаезся нс ближе 3 мм от корпуса при температуре нс
выше +270°С н течение не более 10 с
Допустимое значение статического потенциала 1000 В
□ КТ646А, КТ646Б
Транзисторы кремниевые эпитакси
ально планарные структуры п-р-п усили-
тельные Предназначены для применения в
усилителях высокой частоты, импульснь* и
переключающих устройствах Выпускаются
в пластмассовом корпусе с жесткими
выводами Масса транзистора не более 1 г.
КТ646(А.1>>
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи юка в схеме ОЭ при Скб=5 В. /э = 0,2 А
КТ646А............................... ........................................40—2000
КТ646Б, не менее ................ . - —........ 150
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при 1кб = 10 В
/э = 30 мА,
не менее.......................... ......................................... 250 MI и
51
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте ври Скб = 5 В
/э = 50 мЛ,/= 5 МГц,
нс более ............................................ 120 ПС
Напряжение насыщения коллектор эмиттер, не более
КТ646А при /к = 0,5 А. /б = 50 мА.............................0,85 В
КТ646Б при /к = 0,2 А, /б = 20 мт ... .............0.25 В
Напряжение насыщения база-эмиттер не более.
КТ646А при /к = 0,5 А., /б = 50 мА ........................... 1,2 В
КТ646Б при /к = 0.2 А, /б = 20 мА............................. 1,2 В
Емкость коллекторного перехода при (7кб = 10 В, не более..........10 п<|>
Емкость эмитгерного перехода при {7кб = 0, нс более 80 пФ
Обратный ток коллектора при (7кб = (7кб,макс, нс более............. 10 мкА
Обратный ток эмиттера при (7эб = 4 В, не более.....................10 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база:
КТ646А........................................................................60 В
КТ646Б.......................................................................40 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
при Ябэ = 1 кОм:
КТ646А 50 В
КТ646Б. ..................................................................................... .................... 40 В
Постоянное напряжение эмиттер-база 4 В
Импульсное напряжение эмиттер-база......................... ...... ,5В
Постоянный ток коллектора ........................................................0,5 А
Импульсный ток коллектора ........................................................0,7 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора............................... I Вт
Импульсная рассеиваемая мощность коллектор;! ..................... 1,2 Вт
Температура р-л перехода.................... .....................................4 150*С
Температура окружающей среды................................ 45...+85"С
П 2Т665А9, 2Т665Б9
2Т665(А9,Б9)
Транзисторы кремниевые эпнтакси
ально-планарные структуры п р п уни
нереальные. Предназначены лля примене-
ния в усилителях и переключающих
устройствах Выпускаю1ся в и астмассовом
корпусе с жесткими выводами. Марки-
руются условными знаками 2Т665А9-2А.
2Т665Б9-2Б. Масса транзисторов нс более
0,1 г
Э ектрнческие параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при (7кб = 2 В.
/Э = 0,15 А................................... ................. 40...250
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при Скб - 5 В
/э = 50 мА, типовое значение ... ........... 200* МГп
52
Граничное напряжение при /э = 30 мА, не менее
2Т665А9........................................................80 В
2Т665Б9.......................................................60 В
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер при /к = 0,15 А, /б = 15 мА,
нс более....................................................... -0,3 В
Напряжение насыщения база- эмиттер при /к = 0,15 А, /б = 15 мА,
не более.................................................... 1,1 В
Время включения при Скэ = 20 В, /к = 0,2 А, /б = 40 ма, нс более..0,1 мкс
Время выключения при (Ла = 20 В, /к = 0,2 A. /б = 40 мА, не более. 0,5 мкс
Время спала при (Ла — 20 В,/к = 0,2 А, К = 40 мА, не более........0,2 мкс
Емкость коллекторного перехода при ЦкЪ = 5 В не более 25 пф
Емкость эмиттерного перехода при СЪб = 0,5 В, не более............150 пф
Обратный ток коллектора при Скб = 100 В, нс более.................10 мкА
Обратный ток эмиттера при ЦзЪ = 5 В, не более 10 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база:
2Т665А9.......................................................120 В
2Т665Б9.......................................................100 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер:
при Лбэ = I кОм
2Т665А9.....................................................100 В
2Т665Б9.......................................................80 В
при Лбэ = оо:
2Т665А9..........................:...........................80 В
2Г665Б9.......................................................60 В
Постоянное напряжение эмиттер-база................................5 В
Постоянный ток коллектора ... 1А
Импульсный ток коллектора при = 10 мс.............................1,5 А
Постоянный ток базы................................................ 0,3 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при 7k = -60 +25”С
с теплоотводом ..... .......... ...... .... .... 1 Вт
без теплоотвода............................................... 0,3 Вт
Температура р п перехода.... .— . ...................... +150"С
Температура окружающей среды............................... 60’С 7k = +100"С
Зависимость статического коэффи
циента передачи тока от тока
эмиттера
Зависимости напряжений насыще-
ния коллектор-эмиттер и база-
эмиттср от тока коллектора.
53
□ КТ666А9
Транзистор кремниевый эпитакси
ально-планарный структуры п-р-п уни
версальный Предназначен для применения
в генераторах отклонения передающих
телевизионных камер высокой четкости на
трубках с дефлекторной системой откло-
нения Выпускается в пластмассовом
корпусе с жесткими выводами Масса тран-
зистора не более 0.1 г.
Электрические параме ры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при 6'кб = 10 В,
/э = 5 мА,
не менее .... ... ... . ....... . 50
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при 6кб - 10 В.
/к = 1.5 мА.
не менее... .60 МГц
Граничное нипряженне при /э = 30 мА. нс менее ...................... 250 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к — 10 мА. /б = 2 мА.
не более ......................................... ............0.8 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 10 мА. /6=2 мА. не более . 1,2 В
Обратный ток коллектора при 6кб = 300 В. не более ..................0.1 мкА
Обратный ток эмиттера при 6'кб = 5 В, не более......................I мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база.............. 300 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Ябэ = I кОм........ 300 В
Постоянное напряжение база-эмиттер............. 5 В
Постоянный ток коллектора ................. .......................20 мА
Импульсный ток коллекюра при /н = 500 мкс. ... 50 мА
Постоянный ток базы ........................... ...................5 мА
Импульсный ток базы при /и = 500 мкс . . ...................... ...10 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
с теилооiволом1 при 7k = 60 +25°С.................................... I Вт
без теплоотвода- при Т = 60 +25’с................. ........ 0.3 Вт
Темпераяура р-п перехода .......................................... +|50'С
Температура окружающей среды ... .......... -60. +100°С
1 При 7к>+25’С
Рк,макс — (150-Тк)/125, Вт
2 ПриТ>+25‘С
Р,.макс = (150-Т)/4!6, Вт
Панку выводов рекомендуется проводить с применением лудящих наст и припоев на
Г расстоянии нс менее 0.15 мм от корпуса транзистора, время пайки не более 4 с. температура
1 пайки не более +265’С.
54
Зависимость напряжения насыще
нпя коллектор-эмиттер от пока
коллектора
Зависимость статического коэффициента
передачи тока от юка эмиттера.
□ КТ680А
Транзистор кремниевый зпитакспааьно-планарный структуры п-р-п ус1шизельнын.
Предназначен для применения в усилителях низкой частоты. Выпускается в плас i массовом
корпусе с гибкими выводами. Н i корпус наносится условная маркировка - уголок черною
цвета и буква Л Масса граизнстора не более 0.3 г.
КТ680А
55
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при СЛсэ = 1 В, Л = 500 мА
Г = +25'С....................................................... 85. 180*.. .300
Т= +85’С........................................................85.600
Т= -45*С........................................................40. .300
при (Лез = 1 В, /к = 1 А..........................................60*...150*
при (Леэ = 10 В. 7k = 5 мА .......................................50*...200*
при бкэ = 5 В, /к = 50 мА, не менее .......................... 80*
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при Скэ = 5 В
Лс = 50 мА, /= 100 МГц,
не менее............................................................1,2
типовое значение................................................2,5*
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
при /к = I А, Уб = 0,1 А......................................0,27*. .0,4*...0,5 В
Напряжение насыщения база эмиттер
при /к = 1 А, Уб = 0,1 А.......................................0,9*. .0,95*...1,2 В
Обратный ток коллектора при (Лсб = 25 В не более
+25 и-45°С...........................................................ЮмкА
Т = +85"С.......................................................500мкА
Обратный ток эмиттера при (Ъб = 5 В, не более.......................10 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база ................. .............30 В
Постоянное напряжение коллектор эмиттер......................... 25 В
Постоянное напряжение база-эмитгер..... .......... 5 В
Постоянный ток коллектора.... ....................... 0,6 А
Импульсный ток коллектора при Уи = 20 мс, Q 100......... ...........2 А
Постоянный ток базы.......... ..................... .............100 мА
Импульсный ток базы при «и= 20 мс Q = 100............. . .... ...200 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 при Г<+25'С . ... 0,35 Вт
Температура р-п перехода............................................+125"С/Вт
Тепловое сопротивление переход-среда .. ....... ....... 286°С/ Вт
Температура окружающей среды....................... -45. +85"С
1 При Г>+25’С Рк,макс снижается линейно на 3,5 мВт/С
A2w
КТ680А
ТО'3 10'1 1Г1 1*,А
Зависимость статического коэф-
фициента передачи тока от тока
коллектора.
Зависимость напряжения насы
щения коллектор-эмиттер от
тока коллектора
56
□ КТ683А, КТ683Б, КТ683В, КТ683Г, КТ683Д, КТ683Е.
КТ68МА-Е)
Транзисторы кремниевые планарные
структуры п-р-п универсальные Предна-
значены для применения в усилителях и
переключающих устройствах . Выпускаются
в пластмассовом корпусе с жесткими
выводами. Масса транзисюра не более I г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при (7кэ 10 В.
/к = 0.15 А:
КТ683А.КТ6.83В.КТ683Г........................................ .40.120
КТ683Б.КТ683Л................................................... 80...240
KT6S7E . ...•........................ ................J,...^.....................Л..............Л,,.. I6O..:48O
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при (.'кб = 10 В.
/э = 50 мА.
не менее... ................................................... 50 МГц
Граничное напряжение при /э = 30 мА. нс менее
КТ68ЭА......................................................... 90 В
КТ683Б.КТ683В................................................... 80 В
КТ683Г ..........................................................60 В
КТ683Д.КТ683Е....................................................40 В
На (ряжение насыщения коллектор эмиттер при /к = 0.15 А. /б = 15 мА
нс более....................................................... 0.45 В
Напряжение насыщения база-эмипер при /к = 0.15 А. /б = 15 мА.
не более...................................... . ......... .... I В
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при /к “0,1 мА. Лбэ 3 кОм.
не менее.
KT6S3A......................................................... 150 В
КТ6836.КТ683В ................................................. 120 В
КТ683Г......„„Й.—.............. 100 В
КТ683Д.КТ683Е................................................... 60 В
Пробивное напряжение база эмиттер при /э = 0.1 мА нс менее •
КТ683А.КТ683Б.КТ683В.................................. .........7 В
КТ683Г.КТ683Д.КТ683Е .........................................5 В
Время включения при (7кб = 40 В /к = 0.2 А, /б = 40 мА,
типовое значение.......................... .0,1* мкс
Время выключения при (7кб = 40 В. /к = 0.2 А. /б = 40 мА.
типовое значение1.......................................................................0,2* мкс
Емкость коллекторною перехода при (7кб = 10 В. не более.............15* пФ
Емкость эмиттерното перехода при (7эб = 0.5 В. не более ........... 65* пФ
Обратный ток коллектора при (7кб = 90 В /ня КТ683А. КТ683Б. КТ683В
н 40 В аля КТ683Г. КТ683Д. КТ683Е. нс более I мкА
57
Области безопасной работы транзисторов
Зависимость напряжения насыщения
кол лектор-эхитгер от тока колле к юра
Зависимость напряжение насыщения
ба*а-9мипер от тока коллектора
□ КТ684А, КТ684Б КТ684В
Транзисторы кремниевые эпи такснааьно-планарные структуры
п-р-п усиди । ел ьные Предназначены для применения в усилите лях,
тенераторах. переключающих и импульсных устройствах
Выпускаются в пластмассовом корпусе с тибктьми выводами
Масса транзистора не более 0.3 г.
КТШ (А В)
58
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при 6кб = 2 В,
/э = 150 мА:
КТ68А............................................................40..250
КТ684Б, КТ684В ..................................................40 160
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при 6'кб = 10 В
/э = 50 мА,
не менее............................................. -......40 МГц
Напряжение насыщения коллсктор-вмиттер при /к 0.5 А, /б = 0,05 А,
нс более......................................................... 0.5 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 0.5 А, /б = 0,05 А,
нс более.........................................................1.2 В
Емкость коллекторного перехода при t/кб = 10 В, не более....... 50 пФ
Обратный ток коллектора при t/кб = t/кб.макс. не более............... 100 нА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база:
КТ684А.......................................................45 В
КТ684Б.................................................... ... 60 В
КТ684В.......................................................ЮО В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер:
КТ684А......................Л....... ........................45 В
КТ684Б...................... 60 В
, КТ684В....................... ЮО В
Постоянное напряжение эмиттер база...............................5 В
Постоянный ток коллектора . ..—.. ...... ............... . . . I А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора ........ 0,8 Вт
Температура р-п перехода.............. ..........................+150"С
Температура окружающей среды . ........................ ... -45 +125‘С
П КТ698А, КТ698Б, КТ698В, КТ698Г, КТ698Д, КТ698Е
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры при перекпюча
те тьныс. Прслназначеныдля применения в бесконтактных переключательных устройствах,
для управления электродвигателями, в быстродействующих ключевых схемах с низким
напряжением насыщения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами
Масса транзистора не более 0.3 i
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи гока в схеме ОЭ при б'кб = 5 В
/к = I А, не менее:
Г= +25"С и +100°С
КТ698А, КТ698Б ........................................................................... 20
КТ6698В. КТ698Г. КТ698Д, КТ698Е...................J....:..........................A....... 50
Т= -45’С
КТ698А, КТ698Б.............................................................................10
КТ698В. КТ698Г. КТ698Д. КТ698Е..........................................................25
59
Напряжение насыщения коллектор эмиттер не более
КТ698А, КТ698Б, КТ698В КТ698Г КТ698Д при /к=2 А, /6=0 I А 0.25. В
КТ698Е при /к = I А. /б = 0,02 А...............................0,1 В
Обратный ток коллектор-эмпт тер при б'кэ - Б'кэ.макс,
Лбэ = I кОм. не более:
« = +25’С......................................................20 мкА
Т =. +100’С и -45“С............................................100 мкА
Обратный ток эмиттера при М5э = 4 В, не более
Т= +25'С....................................................... 100 мкА
Т = + 100’С И -45"С ................ 200 мкА
Прсдетьныс эксплуа анионные , энные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Лот = I кОм:
КТ698А.............................................:..........90 В
КТ698Б .......................................................70 В
КТ698В........................................................50 В
L КТ698Г........................................................ЗОВ
КТ698Д. КТ698Е........................-....................... 12 В
Постоянный ток коллектора ........................................2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора, .... 0.6 Вт
Температура р-п перехода + 15(ГС
Температура окружающей среды .............................-45 ..+100’0
Допустимое значение статическою потенциал:! ............. 200 В
Тран тис торы пригодны для монтажа и аппаратуре метолом трупповои папки и
паяльником Максимальное расстояние от корпуса .то места лужения и пайки по длине
вывода I 5 мм Конструкция сборок тратт щеторов обеспечивает трехкратное вожсйствне
групповой пайки и лужения выпотов горячим способом бет применения теплоот во та и
соединение при температуре групповой пайки не более +265”С в течение нс более 4 с.
Интервал между посленоттатсльиымп пайками 5-10 с
Транзисторы р-п-р
П КТ639А, КТ639Б КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж
КТ639И
Транзисторы кремниевые эпитакси-
ально-планарные структуры р-п-р униве-
ре снятые Прсдпатначсны для применения
в каскадах предварительного усиления и в
переключающих устройствах Выпускаются
в пластмассовом корпусе с жесткими выво-
дами Масса транзисторов не более 0,7 г
КТ639(А И)
60
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при t/кб = 2 В. /э = 150 мА:
при Т= +25’0
КТ639А.КТ639Г.КТ639Е ........... ..................... 40 100
КТ639Б.КТ639Д.КТ639Ж ...... 63.160
КТ639В.......................................................... I00...250
КТ639И..........................................................180.400
при Т= + 125’С ..... .............................. 0.81ь1Э. мин...31121Э.макс
при Т = -65’С не менее .......................... 0.3h,p. мин
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте iipti Ькь= 5 В,
/э = 30 мА,/= 20 МГн................................................4.-.. 10*. .12*
Граничное напряжение при /э 50 мА, не менее
КТ639А.КТ639Б.КТ639В ...........................................45 В
КТ639Г.КТ639Д ..................................................60 В
КТ639Ж..........................................................S0 В
КТ639И .........................................................30 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к — 500 мА,
/б =50 мА................................................ 0.15* . 0.35* 0,5 В
Напряжение насыщения база эмиттер при /к = 500 мА.
/б = 50 мА................................................. 0 92* .0,96*. .1.25 В
Время рассасывания при /к = 500 мА /б = 50 мА, типовое значение 200* нс
Емкость коллекторною перехода при t/кб = 10 В —.......... 15*..20”. 50 пФ
Емкость эмиттерного перехода при t/эб = 0,5 В...................90*..120*...200 пФ
Обратный ток коллектора при t/кб = 30 В. нс более
Т=+25’С.........................................................100 нА
Г=+125"С ......... .. ..... ........ .................. 100 мкА
Обратный ток эмиттера при 1/эб = 5 В. нс более......................100 нА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база:
КТ639А.КТ639Б.КТ639В ........................................45 В
КТ639Г.КТ639Д.................................................60 В
КТ639И.................... ................................... 30 в
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Лбэ = I кОм для КТ639Ж 100 В
Постоянное напряжение база-эмиттер................................5 В
Постоянный ток коллектора ........................................1.5 А
Импульсный ток коллектора ........................................2 А
Постоянная рассей тасмая мощность коллектора* при Т = -60. +35‘С ... I Вт
Температура р-п перехода ........... ............... +150’С
Тепловое сопротивление переход среда............................. I 15'С/Вг
Температура окружающей среды ... .............................. -6О...+ 125°С
1 При Т > +35‘С постоянная рассеивающая мощность коллектора определяется из
выражения
Рк, макс = (150- Т)/115 , Вт
Зависимое!и тока ба ты от напря-
жения база-эыитгср
Зависимость статическою коэффини
ента передачи тока оттока коллектора
61
тока коллектора
коллектор эмиттер от тока коллектора
□ КТ661А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры р-п-р импульсный
Пре (назначен для применения в быстродействующих ключевых устройствах электронных
автоматических телефонных станций. Выпускается в металлическом корпусе с гибкими
выводами и стеклянными изоляторами Масса транзистора не более 0,5 t
К1661А
Электрические параметры
Статический коэффициенз передачи тока в схеме ОЭ
при (Леэ = 10 В, /к = 150 мА »
7 = +25'С.......................................................100.. .175*.. .300
Т= +85'С................i....................................... 100...600
Г=-45'С ........................................................ 40 300
при (Леэ = 10 В,/к = 0,1 мА не менее .......75
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при ((кэ = 20 В
/к = 50 мА, f— 100 МГц
нс менее.........................................................2
типовое значение............................................. ... 3*
Граничное напряжение при /э = 10 мА, не менее 60 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, не более
при /к = 150 мА. 76 = 15 мА ................................... ... ... 0,4 В
при /к = 500 мА, 76 = 50 мА.....................................1,6 В
Напряжение насыщения база эмитгер при /к = 150 мА 76 = 15 мА
не более..................................л.............................1,3 В
Время включения при /к = 150 мА /б = 15 мА .................. 15*.. 30*. .45* нс
Время выключения при /к = 150, /6=15 мА .............................................100*. 120*...150* нс
Емкость коллекторного перехода при t/кб = 50 В.. .......... 4* .6*. 8* Пф
Обратный ток коллектора при 6'кб=50 В. не более
Т= +25 и -45’С ................... ..................................................... 0,01 мкА
Т= +85"С ................................................................ ... ................................. 1 мкА
Обратный ток коллектор эмиттер при t/кб = 30 В. t/эб = 0,5 В. нс более 50 нА
Обратный ток эмиттера при t/эб = 5 В не более .......... 10 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база .. . ....... 60 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер ............— .........60 В
Постоянное напряжение база-эмиттер....... ......... .................5 В
Постоянный ток коллектора:
с теплоотводом.................................... • 600 мА
без теплоотвода .................................................300 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при /к 45 +25°С:
с теплоотводом1 . ........ч ............- 1.8 Bi
без теплоотвода’ ..........- 0.4 Вт
Температура р-п перехода.............................................+200'С
Тепловое сопротивление переход среда----------... ..................440'С/Вт
Тепловое сопротивление переход-корпус ... ................. 97’С/Вг
Температура окружающей среды . ...... ....... 45°С...7к = +85°С
1 При Гк >+25’С постоянная рассеиваемая мощность коллектора определяется из
выражения
Рк, макс = (200-Тк)/97, Вт
2 При Г>+25’С
Рк. макс = (200-Т)/440 , Вт
Зависимость напряжения насыщения
коллектор-эмиттер от тока коллектора
Зависимость статического коэффициента
передачи тока от тока коллектора
П КТ662А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры р-п-р импульсный
Предназначен лля применения в быстролсйс i нуюших ключевых устройствах электронных
автоматическихтслефонныхстаннп;1 Выпускается в мсталлостеклянном корпусе с гибкими
выводами. Габаритный чертеж аналогичен транзистору KT66IA Масса транзистора не
более I 5 г
63
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ:
при 6'кэ = 10 В, /к = 150 мА
Т = +25‘С ... .... . 100.300
Т = +85”С ......................... 100..600
7 = -45"С .........................................................40...300
при 7/кэ = 10 В, /к = 500 мА. не менее.............................50
при f/кэ = 10 В. /к = О I мА. нс менее .......... 75
Модуль коэффициента передачи тока па высокой частоте при t/кэ = 20 В,
/к - 50 мА /= 100 МГн
нс менее................................................. j.............2
Граничное напряжение при / э = 10 мА................................ 60...75*..95* В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
при /к = 150 мА. Я> = 15 мА...................................... 0.15*...0,3*.„0,4 В
при /к = 500 мА. /б = 50 мА. пс более .............. ..............1.6 В
Напряжения насыщения база-эмиттер.
при /к = 150 мА. /б = 15 мА ................................... 0.8*. I* 1.3 В
при /к = 500 мА. /б = 50 .мА. не более 2.6 В
Время выключения при /к = 150 мА. /6=15 мА не более..................... 200 нс
Емкость коллекторною иерехола при t/кб = 10 В не более. 8 пФ
Обратный ток коллектора при t/кб = 50 В не более
Г = +25 и 45°С .0 01 мкА
Т = +85*С .......... .1 мкА
Обратный ток коллектор-эмиттер при t/кэ = 30 В, t/эб = 0.5 В. нс более .... 50 нА
Обратный ток база эмиттер при 1'эб = 5 В, нс более . 10 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база..................................60 В
Постоянное напряжение коллектор эмиттер . 60 В
Постоянное напряжение база -эмиттер ........... 5 В
Постоянный ток коэыектора ................. ... ................. 400мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 при Т= -45 +25 С 0.6 Вт
Температура р-п перехода . +200’С
Тепловое сопротивление ттсрехол-срела. ............... 290’С/Вт
Температур;! окружающей среды..................................... . -45„.+85сС
1 При Т >+25°С постоянная рассеиваемая мощность коллектора определяется из
выражения
Рк.макс = (200-Т)/290 , Вт
Зависимость напряжения насыщения Зависимое ь статического коэффициента не-
кол.тектор-змиггер от тока коллектора рсдачи тока от тока коллектора
□ 2Т664А9, 2Т664Б9
Транзисторы кремниевые эшпа-
ксиалыю-планарные структуры р-п р
универсальные. Предназначены для
применения в усилителях и пере-
ключающих устройствах. Выпускаются
в пластмассовом корпусе с жесткими
выводами На корпусах транзисторов
наносят условные знаки. 2Т664А9 - 1А,
2Т664Б9 -1Ь. Масса транзистора не
более 0,1г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при Скб = 2 В
Ь = 0,15 А........................................................40...250
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при 17кб = 5 В
1э = 50 мА, типовое значение .................................... 140* МГц
Граничное на [ряжение при h = 30 мА, не менее
2Т664А9.......................................................80 В
2Т664Б9.......................................................60 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = 0,15 А,/о = 15 мА
не более.....................................................0,3 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 0,15 А, Д5 = 15 мА
нс более........................................................1,1 В
Время включения при №э = 20 В /к = 0,2 А ,/Б = 40 мА, не более ... 0,1 мкс
Время спада при С/кэ = 20 В, /к = 0,2 А /б = 40 мА не более.......0,3 мкс
Емкость коллекторного перехода при №6 — 5 В, нс более ....... 25 пФ
Емкость эмиттерпого перехода при (Тэб = 0,5 В, нс более...........150 пФ
Обратный ток коллектора при Цкб = 100 В не более............. 10 мкА
Обратный ток эмиттера при 1Ьб = 5 В, не более. ............. 10 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжет ис коллектор-база-
2Т664А9......................................................120 В
2Т664Б9.......................................................100 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
при Абэ = 1 кОм:
2Т664А9......................................................100 В
2Т664Б9.......................................................80 В
при Абэ =
2Т664А9....................:..................................80 В
2Т664Б9 ......................................................60 В
Постоянное нанряже тис эмиттер база.. ............. 5 В
Постоянный ток коллектора.........................................1А
Импульсный ток коллектора при = 10 мс.............................1,5 А
Постоянный ток базы .... ................. ... 0,3 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при 7k = -60 . +25"С
с теплоотводом................................................... 1 Вт
без теплоотвода...............................................0,3 Вт
Температура р-п перехода ................ ........................+150"С
Температура окружающей среды ........................ ... 60’С Тк =+100°С
65
Зависимости статического коэффици-
ента передачи тока от тока эмиттера
Зависимости наг ряжений насыщения
коллектор-эмиттер и база-эмиттер от
тока коллектора
П КТ667А9
Транзистор кремниевый эптаксиально планарный структуры рпр универсальный.
Предназначен для применения в генераторах отклонения передающих телевизионных
камер высокой четкости на трубках с дефлекторной системой отклонения Выпускается в
пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Габаритный чертеж транзистора аналошчсн
приведенному для транзисторов 2Г664А9, 2Т664Б9. Масса транзистора нс более 0.1 i
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при (/кб = 10 В
/э = 5 мА
не менее.......................... ...............................50
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при (Леэ 10 В.
/к = 1,5 мА
не менее..........................................................40 МГц
Граничное напряжение при /к = 30 мА нс менее ............. 250 В
Напряжение насыщения коллектор эмиттер при /к = 10 мА, 76 = 2 мА,
не более.......................................................1,2 В
Обратный ток коллектора при t/кб = 300 В, не более . .....0,1 мкА
Обратный ток эмиттера при t/эб = 5 В, не более. . I мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база................... .......... 300 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при /?бэ = I кОм..........300 В
Постоянное напряжение база-эмиттер ........................... 5 В
Постоянный ток коллектора.........................................20 мА
Импульсный ток коллектора при = 500 мкс. .............. 50 мА
Постоянный ток базы...............................................5 мА
Импульсный ток базы при ти = 500 мкс ..... ................... 10 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
с теплоотводом1 при 7k = -6 ...+25 С. . .. 1 Вт
без теплоотвода2 при 7 = -60. +25”С ...0,3 Вт
Температура р-п перехода..........................................+ 150"С
з-ззг
66
Тепловое сопротивление переход-корпус ........ .... 125 С/Нт
Тепловое сопротивление переход-срсла ..................... ...... 416'С/Вт
Температура окружающей среды......................................... -60... + 100°с
При 7k >+25’С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность
коллектора рассчитывается по формуле
Рк .макс — (150- Тк)/125, В i
’ При Т >+25’С
Рк макс = (150-Т)/416, Bi
Пайку выполов рекомендуется провозить с применением гуляй их паст и i рипоев на
расстоянии не менее 0,15 мм от корпуса транзистора, время пайки поболее 4 с, температура
пайки не более +265"С.
Зависимость напряжения насыщения
коллектор -эмиттер от тока коллскто|кт
□ КТ668А, КТ668Б ,КТ668В
Транзисторы кремниевые эпитаксиалы о-планарныс
структурыр п р усилительные Прелнатначены .тля т рименения
в усилителях, генераторах, переключающих устройствах
Выпускаются в пластмассовом корпусе с тибкттми выводами
Масса транзистора нс более 0.3 г
КТ668(А-В)
67
Электрические параметры
Коэффициент шума на частоте I кГц при t/кэ = 5 В, /к = 0,2 мА. I
Rr= 0,2 кОм....................................................... 1,4* . 2,7*... 10 дБ
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при Г'кб = 5 В, /э = 2 мА
при Т = +25"С.
КТ668А...................................................................75 . 140
КТ668Б................................................................. 125...250
КТ668В................................................................. 220...475
при Т = -60"С, нс менее........................ ... О ЗГт, мин
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при 1'кб = 5 В
/э = 10 мА,/ = 100 МГц...................................................2...2.7*...3*
Напряжение насыщения коллектор-эми пер
при /к = 10 мА. /б = 0,5 мА............. ......................0,08*...0.17*.. 0.3 В
при /к = 100 мА, /б = 5 мА.................................... 0.15* 0.25.0,65* В
Емкость коллекторного перехода при t/кб 10 В --- I* .4 5* .7 нФ
Обратный ток коллектора при 6’кб — 30 В. не более
Т = +25’С............................................................15 нА
7~= +|25’С ..........................................................4000 нА
Обратный 1ок эмиттера при Z/эб = 5 В. нс более............ .............. 100 нА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база....... ... ...... 50 В
Постоянное напряжение коллектор эмиттер при Ябэ=Г, /к=2 мА ........45 В
Постоянное напряжение база-эмиттер .. 5 В
Постоянный ток коллектора .... 100 мА
Импульсный ТОК коллектора..... - - -00 мА
Постоянный ток базы .............. ................................50 мА
Постоянны рассеиваемая мощность коллектор; при Т = 60. +25°С.. 500 мВт
Температура р п перехода...... ............ .............+ 15£С
Тепловое сопротивление иерсхол-срела ...... 0,25 С/мВг
Температура окружающей срезы ......... -60 +125 С
1 При Т > +25"С постоянная рассеиваемая мощность коллектора определяется на
выражения
Рк, макс = (I50-T)/ 0,25 , мВт
^2/3
Зависимости тока базы от
напряжения база-эмипср
Зависимость статического коэффициента
передачи тока оттока коллектора
68
Зависимости коэффициент шума оттока
коллектора
Зависимость напряжения насыщения
коллек гор-эм и пер от гока коллектора
П KT681A
Транзистор кремниевый эпитаксиально планарный структуры р н-р усиаптельный
Предназначен .спя применения в усиди те лях низкой час юты. Выпускается и пластмассовом
корпусе с гибкими выводами На корпус наносится условная м тркироттка черный квадрат
и Сукна < А > . Масса гран тттсторов не более 0.3 i
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при С'кэ = I В. /к = 500 мА'
Т= +25"С............л............................................... .85..КК)*..,300
Т= +85’С......................................... 85. б(ю
Г=±45’С.............................................................. 40... 300
при 6'кэ = I В. /к = I А..................... . . 60. .80
при Скэ = I0 В. /к = 5 мА.
не менее......................... ... ......................50
типовое значение ......... 130*
69
при Окэ = 5 В, /к = 50 мА, нс мспсс.................................80
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при (Леэ = 5 В
/к = 50 мА. /= ЮО МГц
не менее........................................................1,2
типовое значение..................................................1,5*
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
при Лс = 1 А, К = 0,1 А.........................................0,27*. .0,4* .0,5 В
при /к = 0,1 А, Л) = 0,01 А.................................0,03*..0,05*..0,2 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 1 А, Л> - 0,1 А. 0.9*. .0,95*..1,2 В
Обратный ток коллектора при 1/кб = 25 В, нс более
7 = +25 и -45"С.......................................................10 мкА
Т = +85'С..................................................... . 500 мкА
Образный ток эмиттера при йб = 5 В, нс более. ......10 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база .....30 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер...........................25 В
Постоянное напряжение база-эмиттер ...... 5 В
Постоянный ток коллектора.........................................0,6 А
Импульсный ток коллектора при и = 20 мс. Q = 100 .................2 А
Постоянный ток базы...............................................0,1 А
Импульсный ток базы при /и = 20 мс, Q = 100 ... ... .............0,2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 при 7< +25’С... .0,35 Вт
Температура р-п перехода. ........... ... • .+125’С
Тепловое сопротивление переход-среда........... . 286’С/Вт
Температура окружающей среды......................................-45„.+85’С
1 При Т = +25”С Л, макс снижается линейно на 3 5 мВт/”С
Зависимость статического коэффици-
ента передачи тока оттока коллектора
Зависимость напряжения насы-
щения ко ллектор эмиттер от тока
коллектора
□ КТ685А, КТ685Б, КТ685В, КТ685Г, КТ685Д, КТ685Е, КТ685Ж
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры р-п-р универсальные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах Выпускаются
в пластмассовом корпусе с гибкими выводами Масса транзистора пс более 0,3 г.
Габаритный чертеж аналогичен приведенному для транзистора KT68IA (стр. 68.)
70
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока п схеме ОЭ при
б'кб = 10 В, /э = 150 мА для КТ685(А.Б,В,Г),
/7кб = I В. /э = 150 мА для КТ6Х5Д,
С'кб = I В /э = 300 мА лля КТ685(Е Ж)
при Т - +25°С
КТ685(А.Б.Е)......................................................40... 120
КТ685(В.Г.Ж)...................................................... I00...300
КТ685Д............................................................ 70...200
при Т = +125°С...................................................... 32...300
|ри Т = -60"С не менее ....................... ....................12
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при б'кб = 20 В.
/э = 30 мА/ = 100 МГн. не менее
КТ685(А.Б.В,Г) . . . .......... ..................... 2
КТ685Л........................................_.................3.5
КТ685(Е.Ж) .... ...2,5
Напряжение насыщения коллектор ами ггер при /к = 150 мА. /6=15 мА.
не более
КТ6Х5(А.Б.В.Г)....................................................0.4 В
КТ685(Д.Г.Ж) .................. ..................................0,3 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 150 мА. /б — 15 мА. нс более:
КТ685(А,Б.В.Г)..................................................... 13В
КТ6Х5(Д.Е,Ж) ..................................................... |.| В
Время рассасывания при /к = 150 мА. /6=15 мА. нс более................80 нс
Емкость эмиттерною перехода при Скб = 10 В не более:
КТ685(А.Б.В.Г)........................................................X пФ
КТ6Х5(Д.Е.Ж) ..................................................... 12 пФ
Емкость «минерного перехода при t/эб - 2 В. tie более ................30 пФ
Обратный ток коллектора при
/'ко = 50 В лля КТ6Х5(А.Б.В.Г).
Скб = 25 В хчя КТ6Х5(Д,Е.Ж). нс более
при Т = +25°С;
КТ685(А.В,Д,Е.Ж)...................................................0.02 мкА
КТ685(Б.Г) ...................................................0.01 мкА
при Т= - 125 С
КТ6Х5(А.В) . . . 20мкА
КТ6Х5(Б Г.Д Е.Ж)........... .... .... 10 мкА
Предельные жената а ионные данные
Постоянное напряжение коллектор база
КТ6Х5(А.Б.В.Г) ....................................................60 В
КТ685(Д,Е.Ж)..................................... ................ЗОВ
Посюянное напряжение коллектор-эмиттер при /к 10 мА. Ябэ = ос.
КТ6Х5(А.В).......................................................... 40 В
КТ685(Б.Г)................................................. ...60 В
КТ6Х5(Д,Е.Ж) 25 В
Постоянное напряжение эмиттер-база ... 5 В
Постоянный ток коллектора . . ... 600 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 при 7 = 60 1-25°С........600 мВт
Температура р п перехода ........................ ....................+150‘С
Тепловое сопротивление переход-среда . ....... 0,208’С/ mBi
Температура окружающей среды.....................>................... -6О...+ 125’С
1 При 7 = +2э°С. /А. макс снижается на 4.S мВт.’‘С
7 1
П КТ686А, КТ686Б, КТ686В, КТ686Г, КТ686Д, КТ686Е, КТ686Ж
Транзисторы кремниевые энитаксиально-няанарныс структуры р-п-р универсальные
Предназначены для применения в усилителях мощности Выпускаются в пластмассовом
корпусе с гибкими выводами На корпусе транзистора наносится только обозначение
типономинала без индекса < КТ > Масса транзистора нс более 0.3 i
Габаритный чертеж аналогичен приведенному для транзистора KT68IA (стр 68.)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при:
С'кб = I В. /л = 100 мА
Т= +25’С:
КТ686А.КТ686Г.КТ686Ж ........................................ 100 .170*. .250
КТ686Б.КТ686Д.............................................. 160240*...400
KT6S6B.KT686E ............................................. 250.400’ .630
Т= + 125’С....................................... . O.Sh,, э,-мин 2.51121). м:,кс
Т = -60’С. нс менее................................... -.....0.311,|Э. мин
при 6'кб = 1 В. /э = 300 мА. Т= +25'С. нс менее
КТ686А.КТ6Х6Г.КТ686Ж .................... 60
КТ686Б.КТ686Д ... ... ... 100
КТ686В.КТ686Е.............................................. 170
при 6'кб = I В. /э - 50 мА Т = +25 С не менее:
КТ686А.КТ686Б.КТ686В.КТ686Г.КТ686Ж ..........................20
КТ686Ж .............................. ........... 40
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при бкб = 5 В.
/э = 10 мА. ’
нс менее ... ........................ ......................... 100 МГц
типовое значение ...... ... ........... 150* МГц
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = 500 мА.
/б = 50 мА.....' .........................................0.2*..0.3*..0.7 В
Емкость коллекторною перехода при (кб = 10 В
КТ686А КТ686Б КТ686В.КТ686Г.КТ686Д.КТ686Е _____ ___________6*...8»...12 пФ
КТ686Ж......... ..... 30*.. 40* .54 нФ
Обратный ток коллектор-эмиттер при 7кэ = l/кэ. макс, нс более
Р Т= +25’С......................................................0.1 мкА
Т= + 125°С........ .....................................,..10 мкА
Обратный ток эмиттера при (Тэб = 5 В нс более ...... ... 0.1 мкА
Предельные экслуат анионные данные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
KT6S6A.KT6S6B.KT6S6B. ..............................................45 В
КТ68'6Г.КТ686Д.КТб86Е.КТб86Ж ................. 25 В
Постоянное напряжение база эмиттер ........... ...................... 5 В
Постоянный ток коллектора прзз 7k = -60 .+25 С 800 мА
Импульсный ток коллектора при /и = 10 мс........... ........— I 5 А
Постоянный ток базы .................. . ................. ... 100 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при 7k = 60 . +25'С
с теплоотводом1 ........ .... 1.4 В i
без теплоотвода’ ......... ......................-... 0.62э Вт
Температура р-п перехода ..... ................ +150 С
Тепловое сопротивление переход среда.......... ....... 0,2’С/мВз
Тепловое сопротивление переход корите . ............................. 0.09’С/мВз
Температура окружающей среды ....... ... . ....................... -60’С. 7k = +125 С
72
1 При '7k > +25“C постоянная рассеиваемая мощное 1ь коллектора определяется из
выражения
Рк. макс = (!50-Тк)/0,09 , мВт
2 При Г > +25‘С
Рк, макс ~ (!50-Т)/0,2 , мВт
Зависимое п, напряжения насцщеиня
коллектор-эмит lepoi тока коллектора
Зависимое in тока коллектора от
напряжения база -эмипер
П 2Т687АС-2, 2Т687БС-2
7.25 7.25
2Т687А(С 2.БС 2)
Сборки излвух кремниевых эпитаксиально
планарных структуры р п р переключающих
транзисюроп Прелнааначены лля применения
в импульсные линейных, усилителях и преобра-
зователях Ьескориуеные в керамическом кри
силло.тержателе. с защитным покрытием, с
гибкими ВЫ1КЫ.1МН
Сборки маркируются цветными точками
2T6S7AC 2 черной 2T6S7BC 2-бс.юй
Масса сборки не более Зг
Электрические параметры
Статический коэффициен! иерелачи тока в схеме ОЭ при LV6 = 5 В.
т„ = 30 мкс. Q 100-
при /э = 0.3 А ...................................... 20 60* 90*
при /э = 3.5 А. нс менее ...................................... Ю
Модель коэффициента передачи гок-i на высокой частоте при Пкб = 5 В
h = I А/ 00 Mil . ...............|.5‘..2‘ 5.5*
73
Напряжение насыщения коллектор-эм итср при /к = 300 мА, /б = 60 мА
при 7 k = +25“С
2Т687АС-2 ..................................................0,2* .0,4* I В
2Т687БС-2...................................................0.2*. .0.3*...0,8 В
при 7k = +125 и 60°С пс более
2Т687АС-2 ........................................................ 2 В
2Т687БС 2.......... .................. ................ 1.6 В
Напряжение насыщения база змнлер при /к 300 мА. /6=60 мА 0.95* I Г 1.2* В
Время включения при /к = I А. /к//б = 5. типовое значение ... X*
Время рассасывания при /к = 1 А /к//б = 5. типовое значение ........ 70* нс
Время спала при /к = I А. /к//б 5. типовое значение ..... 6* нс
Обратный юк коллекгора при Б'кб = 50 В:
7k = +25°С.................................................0,001 *...0,5*. .2 мА
7k = +125 и -60°С. не более ...,................................5 мА
Обратный ток эмиттера при (/зб = 3 В
Тк = +254 ...............................0.001* 0.5* .5 мА
7k = +125 и -60*С. не более ....................................10 мА
Емкость коллекторною перехода при 6'кб = 10 В................... 20* 25* 40* нФ
Емкость змиттерною перехода при 1/ю = 0.5 В .....40* .60’ Х0* пФ
Предельные зкеилуатациоппые таимые
Постоянное напряжение кол 1екюр-база:
2Т687АС-2 ....................... ................ 70 В
2Т6Х7БС-2.......... ...........................................«» В
Постоянное напряжение ко |.тсктор змипер при Ябэ = 100 Ом:
2T6S7AC 2 ......................................................60 В
2Т687БС-2... ................. 50 В
Постоянное напряжение база-эмпттер. ......... ЗВ
Постоянный ток коллектора I 5 А
Имнхльсный ток коллектора при ти — 10 мкс.. (2 100
2T6S7AC-2 .............. ......... ............................3.5 А
2Т687БС-2 ..................................4.5 А
Постоянный юк базы .... ...... 0.3 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при 7k = 60 +50 < 1.5_Вт
Температура перехода........ ............................ . +150’С
Температура окружающей среды..... ........................ -60’С. 7k = +125'6
При Т > 50°С постоянная рассеиваемая mouihocii. коннектора определяется из
выражения
Рк. макс = (150-Тк)/67 , Вт
Зависимоегь статичссктио
ко к|и|>и ииен га передачи юка
от тока тмп ггера
Зависимости времени вклю-
чения, рассасывания и спала
от юка коллектора
Завис и мост и напряжений
насыщения коллектор
эмиттер и база эми пер от
тока коллекюрл
7 4
Зависимости гока базы от
напряжения база-эмиттер
Области безопасной работы транзисторов
□ КТ692А
Транзистор кремниспый эпитаксиально планарный структуры р п-р универсальный.
Предназначен тля применения в системах внутрисхемного контроля печатных плат
Выпускается в мсгзллостсклянном корпусе с гибкими выводами Масса транзистора не
более I 1
КТ692А
Электрические параметры
С гатичсскин коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при t/кэ = I В.
/к = 500 мА
Т- + 25’С, нс менее............................................ 20
Г = 4-125'С............................................. :....20... 150
Г = -454' ........ ...........................................10 S0
Модель коэффициента передачи тока на высокой частоте при /жб = 10 В.
/> = 50 мА./= 100 МГц.
не менее............................. ........................1,9
Граничное напряжение при /к = 10 мА, не менее ....... 30 В
Напряжение насыщения коллектор эмиттер при /к 500 .мА, /б = 50 мА.
не более ........................................... .........0.5 В
Напряжение насыщения база эм и стер при /к 500 мА 16 •= 50 мА.
не более...................................................... 1.2 В
Обратный ток коллектора при t/кб = 30 В. не более:
Г= +25V и -45 С...............................................0.1 мкА
Г= +125"С.....................................................I мкА
7 5
Преле ьныс эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база . . 40 В
Постоянное напряжение эмиттер-база. ...................... 5 В
Постоянный гок коллектора ................... I А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 при Т= -45...+25 С I Вт
Температура р-п перехода.......................X.....................+150’С
Тепловое сопротивление переход-среда .. ........... ................. 125‘С/Вт
Температура окружающей среды....... ................... 45 +125ГС
1 При Т > +25°С
Рк.макс = (150D/125, Вт
Допустимое значение статического потенциала 500 В.
Транзисторы пригодны для монтажа и аппаратуре метолом групповой пайки и
паяльником Расстояние от корпуса до места лужения и пайки по длине вывода нс менее
3 мм Число допустимых перепаек при проведении монтажных операций 2 Расстояние
места изгиба вывода от корпуса нс менее 3 мм. Радиус изгиба не менее 1,5 мм
При включении гранзисгора в электрическую цепь, находящуюся пол напряжением,
базовый вывод необходимо присоединять первым и отключать последним
ТРАНЗИСТОРЫ СРЕДНЕЙ МОЩНОСТИ СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ
Транзисторы п-р-п
П 2Т657А-2, 2Т657Б-2, 2Т657В-2
Транзисторы кремниевые СВЧ структуры п-р-п предназначены для работы в схеме с
общим эмп ггером в усилительных и генераторных устройствах в диапазоне час гот от 2 ГГп
в составе гибридных интегральных микросхем
Транзистор выполнен но эпитаксиально-планарной технологии
Конструктивное исполнение транзистора беекорпуснос с размещением кристалла на
металлокерамическом держателе с гибкими полосковыми выводами базы коллектора и
двумя ахгиперами Масса транзистора не более 2 г.
2Т65КА-2. Б 2. Б 2)
Электрические параметры
Обратный гок коллектор-эмиттер при 1/к-з = 12 В. /?эб - I кОм, не бо.гес 1 мА
Обратный ток эмиттера при Узо = 2 В. не более..................... ®.1 мА
Коэффициент усиления по мощности при Иг = 7 В, /э = 45 мА, /= 2 ГГц,
нс менее ........................................................8 дБ
Выходная мощность при Un ~ 7 В, /э = 45 мА, f—1 ГГц, ДКур 5 2 дБ,
не менее.........................................................50 мВт
Граничная частота коэффициента передачи тока при № = 5 В, /э = 30 мА,
нс менее.........................................................3 ГГц
Модуль коэффициента обратной передачи напряжения в схеме с общей базой
на высокой частоте при / = 100 МГн, Mi = 5 В, /к = 30 мА, нс более 1,8 10-3
Емкость коллекторного перехода при 1йсб = 15 В,/= 10 МГц, не более 1 пФ
Емкость эмиттсрпого перехода при К>б = 0,/ = 10 МГц, нс более 1,9 пФ
Статический коэффициент передачи тока при 17кб = 6 В /э 30 мА
2Т657Б 2,
при 7 = +25'С.......................................60...200
при Т= -60'С........................................40...130
при 7 = +125'С......................................150.. 240
Для 2Т657А-2 параметр l^ig нс нормирован
2I657B2
35.. 70
22 44
46.90
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение:
коллектор-эмиттер при Лэб = 1 кОм ....... 12 В
эмиттер-база ..........................."... ....... .......... 2 В
Постоянный ток коллектора............................................60 мА
Температура р п перехода...... .................................135’С
Тепловое сопротивление псреход-кристаллодержатсль ........ . 200’С/Вт
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора..........................375 мВт
При температуре кристаллодсржателя 7k = 60 125"С
Рк,макс = (135-Тк)/Кг(п-к) , Вт
Зависимость выходной мощности .от
мощности па входе.
Зависимости минимального коэффици-
ента шума и оптимального коэффи
циенга усиления но мощности от тока
эмиттера.
Зависимость относительного изменения про-
бивного напряжения коллектор-эмиттер от
сопротивления в цепи база-эмиттер
77
П КТ659А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры п -р-п переключательный
Предназначен для применения в высокоскоростных переключающих устройствах
Выпускаются в мсталлостеклянпом корпусе с гибкими выводами Масса транзистора нс
более 1,5 г.
КТ659А
Э сктричсские параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при (Ткэ = 1 В
/к = 3(Х мА,
не менее........................................ :...........35
типовое значение ..............................................125
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при Окэ = 10 В
/к = 100 мА,/= 100 МГц,
не менее .............................................. 3
Напряжение насыщения коллектор эмиттер
при /к = 1 А, Го = 0,1 А, нс более ....................... 0 9В
типовое значение...............................................0,36* В
при /к = 0,1 А, /6 = 0,01 А, не более..........................0,26 В
типовое значение...............................................0,11*11
Время включения при /к = 1 А, Го = 0,1 А, пе более...............40 пс
типовое значение...:...........................................II* пс
Время выключения при /к ~ 1 А, 25 0,1 А, нс более . .... 80 нс
типовое значение...............................................60* нс
Емкость коллекторного перехода при t/кб = 10 В, не более..........10 пФ
типовое значение...............................................6* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база ... 60 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер...... 50 В
Постоянное напряжение база-эмиттер...................... 6 В
I- Постоянный ток коллектора..........................................1,2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т =-45. +25’С.. 1 Вт
Температурар-п перехода. ... .... +180'С
Тепловое сопротивление переход-среда .... ............. 155°С/Вт
Температура окружающей среды . ........................ -45. +85’С
1 При Т > +25"С постоянная рассеиваемая мощность коллектора определяется из
выражения
Рк, макс = (180-Т)/155, Вт
78
Зависимости тока базы от
напряжения баш-эмиттер
Зависимое! ьнапряжения на-
сыщения коллектор эмиттер
от тока коллектора
Зависимость статиче
скою коэффициента пе
речам и тока от тока кол
лектора
□ 2Т671А-2
Транзистор кремниевый эпита-
ксиально планарный структуры п-р-п
генераторный. Предназначен.тля при-
менения в усилителях мощности и
генераторах в диапазоне частот
2. 8,5 ГГц в схеме ОБ при напряжении
питания 13 В в составе гибридных
микросхем Бескориусные, на кри-
с 1аллолержателе. с гибкими выводами
На корпус транзистора нанося г услов-
ный знак-букву <Т> черной краской
Масса транзистора нс более 0.Н5 I.
Электрические парамигры
Выходная мощность на частоте / = 8.5 ГГц при Г'п = 12 В /к = |20 мА.
Азх = 100 мВт................................................... 300.350* . 400 мВт
Коэффициент усиления ио мощности на часюте / = 8.5 ГГц при U1 = 12 В.
/к = 120 мА Азх = 100 мВт, ... ................................... 48* 5.1* 6 дБ
Коэффициент полезного действия на/=8.5 ГГц. при til = 12В. /к = 120 мА,
Fax = 100 мВт. гипопос значение........ ................................. 25%
Фаш коэффициента передачи тока на высокой частоте в схеме ОБ при
./= 1 ГГц. Б'кб = 5 В. /к = 100 мА. ................ 5.7*...5,8*...1.3 град
Емкость коллекторною перехода при Г'кб = 5 В. типовое значение.......1.45* пФ’
Обратный ток коллектора при Гкб = 15 В. не более
Г— +25 и -60”С ............. ...... ............................. I мА
Г= + 125’С.......................................................5 мА
Обратный гок эмиттера при Цэб = 1.5 В, нс более:
Т= +25 и -60’С..................... .............................0.4 мА
Т = +125*С................ ......................................5 мА
79
Предельные ксплуат анионные данные
Постоянное напряжение питания ......................... ............... 13 В
Постоянное напряжение коллектор-база --- --------- 15 В
Постоянное напряжение эмиггер-база................. ...................1.5 В
Постоянный юк коллектора ................................—г.............0.15 А
Импульсный юк коллектора....................... ...„....... ..........0,15 А
Постоянная рассеивающая мощность коллектора при <Л;б = S В,
Гк = -60...+63 С.................................................. ;...-0.9 Вт
Средняя рассеиваемая мощность коллектора и динамическом режиме-’ при
7k = -бо...+5О’С 1.з Вт
Температура р-п перехода...............................................+ 190 С
Тепловое сопротивление перехот-кристаллолсржатсль 130"C/Bi
Тепловое сопротивление переход-кристал тодержатель в динамическом
режиме ...................................................... ; 100 С/Вт
Температура окружающей среды ............................ -6()’С.. Гк — + 125'С
1 При Гк > +63’С постоянная рассеиваемая мощность коллектора определяется из
выражения
Рк. макс = (190-1 к)/130 . Вт
- При Гк > +50’С средняя рассеиваемая мощность коллектора определяется из
выражения
Рк. ср. макс = (190 Гк)/100 . Вт
ВТ
Зависимост и выходной
.мощности, коэффициента
усиления и коэффициента
'полезного денетвт|я колле
ктора от вхояной мощности
3.HTHCIIMOCIH выходной мош
носит, коэффициента уси-
ления и коэффициента по-
лезного действия ко (лектора
от напряжения ин гания
□ 2Т682А-2, 2Т682Б-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиальнопланарные структуры п-р л усилительные.
Предназначены для применения и малошумящих усилителях в герметизированной
аппаратуре. Бсскорнусныс. на керамическом кристалиолержателе. с тнбкпми выводами.
Маркируются цветным знаком <V> у байтного вывода 2Т6К2А-2 - синею цвета.
2T6S2-2 черною цвета. Масса транзистор.! нс более 0.3 т
80
03.S
Электрические параметры
Минимальный коэффицисн! шума
на частоте/= 3,6 ГГц при tieG = 7 В. /э = 20 мА................. 3.2*. .3.3*...4 дБ
на часкме f = 65 МГн при 6кб = 5 В. h 10 мА.
= Ли - 5(1 Ом . ........................................... 1.3* 1,52*...2* дБ
Оптимальный коэффиипет есиленпя по мощности на час(оге/= 3.6 ГГп при
(*б = 7 В. /э = 20 мА...... .....................,................7...8.7*...9.2* лб
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при 6кб = 7 В.
/э = 20 мА. не менее. .
при Т - +25 и -г|25'С
2T6S2A-2 . .. . . .....................40
2Т682Б-2 ....................................... ...............«О
при Г= 60’С.
2T6S2-2.................... .............-............... эр
2Т682Б-2............... ..........................................40
Граничная часюта коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при С'кб = 7 В.
/э = 20 мА....... . 4.4* .4,7* ...5.7* ГГп
Обратный ток килектора при ( кб 16 В нс более
7 = +25 и 60’С .............................................. | мкА
Т = +125'0................ ....................... ...............20 мкА
Обратный юк эмиттера при (/эб I В нс более:
Т— +25 т 60 0 20 мкА
Г=+|25С . ................ ............... 200 мкА
Емкость коллекторного перехода при 6 кб = 10 В. ....0,7* ..(),Х’...0,9* пФ
Емкос(ь эмиттерното перехода при 6'эб = 0 .......... 4,3* 4,4* 4.9* пФ
II ре тельные экенлуа (анионные данные
Постоянное напряжение коллсктор-база .................................10 В
Постоянное напряжение эмит тер-ба та. .,.................. I В
Постоянный гок коллектора .... .............. 50 мА
Постоянная рассеиваемая мотпность коллектора1 при Т= -60...+60’С ..... 330 мВт
TeMiiepaiypa р-п перехода ........ . .................................+175*0
Теплоиое сопрОТиттасние иерсхттл-иристаллсмсржагель ..................250’С/Вг
Температура окружающей среды .........................................-60. +12.5"С
1 При Т > +60"С постоянная рассеиваемая мощность коллектора определяется из
выражения
Рк. макс = (175 Тк)/250 , Вт
81
Зависимости коэффициента
шума от гока эмиттера
Зависимости коэффициента
шума и коэффицисн га усиле-
ния ОТ ЧИС1О1Ы
За вис и моеI и ко эффи цис нта
Шу мао< напряжения коллскюр
база
Зависимоети коэффициента
усиления от напряжения кол ле-
ктор-баш
2Т688А-2, 2Т688Б-2
Тран шсгор кремниевый СВЧ 1енераторныАструк
гуры п-р-п пре твазначен лля работы в схеме с обшей
базой в усилительных и генераторных устройствах в
составе шбрилных итечральных микросхем.
Транзистор выполнен но эпи шкеиально-планар-
ной leXHoioniu
Конструктивное исполнение транзистора беско-
риусное с размещением кристалла на мстадло
керамическом держателе с 1ибки.ми полосковыми
выводами эмиттера, коллектора и базы Масса трап
тис юра не более 0.1 I.
2Г688А-2. 2Т688Б-2
Электрические параметры
Выходная мощность (медианное значение)
2T6S8A-2 при Uk6 = 7 В. /к < 100 мА. Ркх = 25 мВт 15 ГГц
не .менее.........................................................50 мВт
2Т688-2 при t/кб = 7 В. /к < 100 мА, Р&х 50 мВт./1 12 ГГЦ.
нс менее •....!...................................................100 мВт I
Выходная мощность
2Т688А-2 при t/кб = 7 В, /к < 100 мА Рпх = 25 мВт /= 15 ГГп.
нс .менее...........................*.............................40 мВт
2Т688Б-2 при t/кб = 7 В. /к < 100 мА. Рих = 50 мВт./= 12 ГГи.
нс менее..........................................................S0 мВ г
Обратный ток коллектора при Скб = 16 В.
при Гк = +25’С и 60’С. не бо тее................ ................... I мА
при 7k = + 125’С, нс более.................. ............... 5 мА
Обратный ток эмиттера при t/эб = 1 В
при 7k = +25"С и -60’С. нс более................ ...................0,5 мА
при 7k = +125’С, нс более................................ ... — 2 мА
Фаза коэффициента передачи юка при Скб = 5 В. /к = 50 мА. f- 1 ГГц,
нс болеб:
2Т688А-2...................................... ...................9 трал
2Т688Б-2.......................... 10 трат
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение
коллектор-база .. .................... 16 В
эмиттер-база......................... ..........................I В
Постоянный зок коллектора ..........................................100 мА
Температура p-и перехода ... ... 175 С
Тепловое сопротивление нерехол-кристла'Ю тержателт..................200’С/Вт
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
При Т= -60’С до 7k = +25‘С .........................................750 мВт
При 7k = +25 + 125°С мощность расеч ттыт ас гея i о формх.те
Рк.макс = (Тп макс-'lк)/Ч\(п-к) . Вт
где 7k-температура кристаллодсржателя
Зависимости энергетических параметров
транзистора от тока коллектор !
Зависимости энергетических пара
метров транзистора от напряжения
коллектор база
83
Зависимости энергетических Пираме
тров транзистора от входной мощности
Зависимость емкости коллекторного
перехода от напряжения коллектор-
ба та.
Зависимости фазы коэффициента i срезами
тока от тока коллектора.
П КТ695А
Транзистор кремниевый эпитаксиально пла-
нарный структуры п р и универсальный Предна-
значен для применения в видеотехнике Выпуска-
ется в пластмассовом корпусе с жест кими выводами
Масса транзистора нс более 0.2 т
КТ695А
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при Скб = 10 В.
/э = I мА
Т= +25"С.............................................J............. 50..200
Г = +100"С ....................................................... 50. .400
Т= -60’С............................................................ 10.S0
84
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при <'кб = 10 В.
/э = 1 мА
не менее........................................................500 МГн
Граничное напряжение при /э = 10 мА. нс менее . ...... 25 В
Емкость коллекторного перехода при t/кб = 10 В, не более............ 1.5 пФ
Обратный ток коллектора при Г'кб = 30 В. не более:
Т= +25 и -60’С..................................................0.1 мкА
Т= + |00‘С ................................ :...................Ю мкА
Обратный ток эмиттера при Пэб 4 В, не более
Т = +25 и -60’С.....................................................0.1 .мкА
Т= +|00°С ...................................................... 10 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-бача................................30 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при /?бэ 10 кОм 25 В
Постоянное напряжение эмиттер база ............. .4 В
Постоянный ток коллектора ..................... 30 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т= -60.. *-25'С . 0 45 Вт
Температура р-п перехода............................................+150"С
Тепловое сопротивление псрехол-срела................... ............ 255°С/Вт
Температура окружающей среды ....................................... 60 |00’С
1 При Т> +25‘С максимально допустимая постоянная рассеиваемая .мощность коллектора
рассчитывается по формуле
Рк.макс = (!50-Т)/255. Вт
Допустимое значение статического потенциала 500 В.
Транзисторы пригодны для монтажа в аппаратуре метолом групповой пайки и
паяльником. Расстояние от корпуса до места лужения и пайки но .тине выводов не менее
1 мм Число допустимых перепаек выводов транзисторов при проведении монтажных
оиерапий-2. При включении транзисторов в электрическую цепь, находящуюся под
напряже тием. базовый вывод необходимо присоединять первым и о кяючать нос тевнттм
Транзисторы р-п-р
□ 2Т691А-2
Транзистор кремниевый планарный структуры
р-л-руеилительный с нормированным коэффициентом
шума на частоте I ГГц. Предназначен для применения
в СВЧ усилителях Бескорпусвон. на керамическом
кристаллодсржателе. с полосковыми выводами. На
транзистор наносят черной краской условный знак
<+> . Масса транзистора нс более 0.2 г.
2T6QIA-2
85
Электрические параметры
Коэффициент шума на частоте/ = 1 ГГц при t/кб = 10 В, /к = 5 мА,
нс более......................................................4* дБ
Коэффициент усиления по мощности на частоте/= 1 ГГц при t/кб = 10 В,
/к — 50 мА
не менее .....................................................6,6* дБ
Граничная мощность па частоте/= 1 ГГц при t/кб = 10 В, /к = 50 мА
нс менее ....................................................23 мВт
I Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при t/кб = 10 В
|/э = 50 мА, нс менее
Т= +25 и + 125"С..............................................20
Т = -60’С.....................................................10
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при t/кб 10 В
/э = 50 мА
нс менее......................................................3 ГГц
Емкость коллекторного перехода при t/кб = 10 В не более 3,5 пФ
Обратный ток коллектора при 1/кб = 40 В нс более
Г= +25 и -60’С................................................1 мА
Т= +45’С ................................................ ЗмА
Т= +125’С.....................................................10 мА
Обратный ток эмиттера при t/эб = 3 В, нс более.....................I мА
Предельные эксплуатационные данные
, Постоянное напряжение коллектор-база . . ........... 40 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Абэ = 100 Ом .... 25 В
Постоянное напряжение эмиттер-база 3 В
Постоянный ток коллектора............................................0,2 А
Постоянная расеивасмая мощность коллектора1
7k = -6О...+25’С................................................1,2 Вт
7k = +125’С.....................................................0,25 Вт
Температура р-п перехода.. .................................+150°С
Температура окружающей среды ........................... ... -60’С. ,7k = +125’С
При Т> +25’С Рк макс уменьшается линейно
Эквивалентная схема транзистора 2Т691А-2 в
активном режиме
Зависимость статического коэф-
фициента передачи тока от тока
эмиттера
86
Зависимость граничной
час।ты от тока эмиттера
Зависимость коэффициента
шума от час юна
ТРАНЗИСТОРЫ МОЩНЫЕ НИЗКОЧАСТОТНЫЕ
Транзисторы п-р-п
П 2Т713А
Транзистор кремниевый мега-планарный структуры п-р-п импульсный Претн иначеи
лля применения в высоковольтных с 1абилтза торах и импульсных устройствах. Выпускается
в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами. М^сса
транзистора не более 20 т
Электрические параметры
Статический коэффициент перепали тока в схеме ОЭ при 77кб “ I0 В.
/к = 1,5 А:
7k = +25’С..............................................................5 -.20
7k = + |00’С и 60’С. не менее . ..... — 1.5
87
Граничная частот коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при 6кб = 10 В
/к = 1,5 А
не менее...........................................................1,5 МГн
Граничное напряжение при /к = 100 мА, L 40 мГн нс менее ................ 900 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = 1,5 А. /б = 1.5 А,
не более............................................................... I В
Время рассасывания при С'кэ = 750 В. 7к = 1.5 А. /б = 0.7 А. нс более 15 мкс
Обратный ток коллектор эмитгер при Лбэ = 10 Ом
7k = +25"С при 7/кэт = 2500 В, нс более .................. ....... I мА
7k = + 100°С и -60’С при 7/кэг = 1100 В не более.. I мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер1 при /?бэ = 10 Ом п. = 3 мкс,
Дб'кэ/Д/ = 0 53 В/мс. 7k = -40.75’С ......... ...... ..........2500 В
Постоянное напряжение эмиттер-база ....... ..........................6 В
Постоянный ток коллектора ...........................................3 А
Постоянный ток базы .................................................3 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при2 7k = -60...+25’С .. 50 Bi
Температура /> » перехода ............................. .. . +|50 С
Температура окружающей среды .............................. -60’С 7к = + 100’С
1 При 7к от -40 то 60‘С и от+75 до +]00"С максимально допустимое напряжение
коллектор эмиттер 7/кэк.макс снижается лине.йно до 1100 В
При уменьшении длительности фронта нарастания напряжения на коллекюре от 3 мкс
до 0 максимально допустимое напряжение коллектор эмиттер 7/кэк.макс снижается
линейно до 900 В
- При 7k > +25’С максимально допустимая посктяиная рассеиваемая мощность
коллектора рассчитывается по формуле
Рк.люкс = (150- Tk)/R\(h-AJ.Bt
где /?г(п-к) = 2.5’С/В* при 7/кэ = 50 В. /к = I А
□ 2Т716А, 2Т716Б, 2Т716В
Транзисторы К|Х'Мнневыс меза-планарные структуры п-р-п составные универсальные
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах Выпускаются
в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами. Масса
транзистора не более 20 г.
2Т7/6А, 2Т716Б 2T7I6B
88
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при Б'кб = 5 В. /э = 5 А
не менее.......—...............................................750
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при t/кэ = 5 В.
/к = 0,5 А / 3 МГн.
нс менее ... ..... .. .................. ................. ...-
Граничное напряжение при /э — 100 мА нс менее:
2T7I6A..........................:.............................S0 В
2Т716Б.........................................................60 В
2Т716В .....................-..........-............ -.......40 в
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = 5 А. /б = 0,02 А.
не более................ ......................................2 В
Напряжение насыщения база эмиттер при /к = 5 А, /б 0.02 А
не более.......................................................3 В
Пробивное напряжение коллектор-база при /к = I мА, не менее
2T7I6A . Ю0В
2Т716Б.........................................................«О В
2T7I6B .......................... 60 В
Пробивное напряжение база-эмипер при /э = 5 мА, не менее........... 5 В
Время включения при t/кэ = 20 В. /к = 5 А. /б = 0.02 А. не более . . 2 мкс
Время выключения при t/кэ ~ 20 В /к — 5 А. /б = 0 02 А. не более 7 мкс
Емкость коллекторного перехода при t/кб = 5 В. нс более ...... 150 пФ
Емкость эмштерното перехода при t/эб = 0.5 В. пс более ......... 350 нФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база-
2T7I6A____________Г...............................................ЮО В
2Т716Б........................................................«0 В
2T7I6B........................................................ 60 В
Постоянное напряжение колле тор эмиттер:
при Кэб = I кОм
2Т716А ................. ............... ЮО А
2Т716Б ................................................SOB
2T7I6B .......................................................60 В
при Лбэ =
217 ЮА ..................................-.................... S0 А
2Т716Б .......... ............................. 60 В
2Т716В .......................................................40 В
Постоянное напряжение база эмиттер. 5 В
Постоянный ток коллектора ............... Ю А
Импульсный ток коллектора при Тн = 2 мс . 20 А
Постоянный ток базы.......................................... ----- 0,2 А
Импульсный ток базы при 6, = 2 мс................................ • 0.3 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора’ при 7'к = -60. ,+25’С
с тептоотттолом...................................................30 Вт
без теплоотвода ............................................. • 2 Вт
Температура окружающей среды .... “60 С 7к = 125‘С
мВт/’С без |СПлоозв<мы
89
Облает безопасной ранены ipan hi
сторон
Л2»
Зависимое п> с инк чсс кого коэф-
фициента передачи тока or тока
эмипера
Зависимости напряжения наем
пения ко.'ыск юр эмиттер и база-
э-мипер от юка коннектора
Зависимое гм времени включения,
пик печения и спада от гока
коддскгора
Принципиальная схема тран шегора
90
П 2Т718А, 2Т718Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п универсальные
Предназначены для применения во вторичных источниках электропитания, усилителях
постоянного тока Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами
Масса транзистора нс более 28 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при СЛсэ = 4 В, /к = 2 А,
не менее......................................................20
Граничное напряжение при /к = 100 мА L = 40 мГн, не менее:
2Т718А 400 В
2Г718Б.........................................................300 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = 5А, /б = 1А,
не более.....................................................1 В
Напряжение насыщения база эмиттер при /к = 5 А, Й5 1 А, не более . 1,7 В
Время включения при Окэ = 100 В, /к = 5 А, /б = I А, не более ... 0,5 мкс
Время рассасывания при [Леэ - 100 В, /к : 5 A. То = 1 А, не более 2,5 мкс
Время спада при СЛсэ = 100 В, /к = 5 А, То = I А, нс более .......0,4 мкс
Обратный ток коллектора при (Лсб = [Лсб,макс, не более............. 2 мА
Обратный ток эмиттера при 6/эб = 5 В, не более.....................20 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база:
2Т718А............................................................400 В
2Т718Б........................................................ 300 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Абэ 10 Ом
2Т718А........................................................... 400 В
2Т718Б........................................................ 300 В
Постоянный ток коллектора .....................................—10 А
Импульсный ток коллектора .............................. —- 12 А
Постоянный ток базы.................................... 4 А
Импульсный ток базы...................................;...........6 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 при 7k < +25"С....... 200 Вт
Температура р-п перехода..........................................+200°С
Температура окружающей среды ....................... -6О’С...7к=+125*С
1 При 7к > +25“С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность
коллектора рассчитывается по формуле
Ркмакс = (200-Тк)/0,87, Вт
91
□ КТ817Б2, КТ817Г2
КТ817 (Б2, Г2)
Транзисторы кремниевые эпитакси
ально-планарныс структуры п-р п усиди
тельные Предназначены для применения в
усилителях низкой частоты, операционных
и дифференциальных усилителях, прсобра
зователях и импульсных устройствах Выпу-
скаются в пластмассовом корпусе с жесткими
выводами Масса транзистора нс более 0,7 г
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при t/кб = 5 В
/э = 50 мА для КТ817Б2, /э = 15 мА для KT817I2.
нс менее................................................... 100
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ цри (7кб = 10 В
h = 250 мА,
нс менее.............................................................3 Ml ц
Граничное напряжение при /э 0,1 А, нс менее
КГ817Б2..................................................... 45 В
КТ817Г2................;.................. ......................90 В
Напряжение насыщения коллектор-эмитгер при /к = 1,5 А, /б = 0,15 А,
нс более.....................................................0,12 В
Напряжение насыщения база эмиттер при /к = 1,5 А, /6 = 0,15 А,
не более....................................................1,5 В
Пробивное напряжение база-эмиттер при /э = 1 мА нс менее .... 5 В
Емкость коллекторного перехода при t/кб = 10 В, типовое значение . . 60* пФ
Емкость эмитгерного перехода при СЬб = 0,5 В, типовое значение.......115* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база:
КТ817Б2......................................................45 В
КТ817Г2..........................................................100 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
при Абэ = I кОм
КТ817Б2..................................................... 45 В
КТ817Г2..........................................................Ю0 В
при Абэ = «о
КТ817Б2..................................................... 45 В
КТ817Г2..........................................................90 В
Постоянное напряжение база эмиттер .......5 В
Постоянный ток коллектора............................................ЗА
Импульсный ток коллектора при /и = 10 мс .................6 А
Постоянный ток базы.................................................. 1 Д
91
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 при 7k = 40 +25"С:
с теплоотводом......................................................25 В г
без теплоотвода ............................................... • В г .
Температура р-п перехода............................................+ 150*С
Температура окружающей среды............................. -4О‘С...7к = + 100’С
1 При 7к +25°С Рк. макс уменьшается линейно на 0.2 Вт/’С с теплоотводом и на 0.1
Вт/“С без теплоотвода.
□ КТ839А
Транзистор кремниевый меза-планарный структуры п-р-п импульсный. Предназначен
для применения в высоковольтных иерекяючактши* устройствах н источниках вторичного
элентропи гания. Выпускается в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными
изоляторами. Масса транзистора нс более 20 i
KTSJ9A
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при (Лэ = 10 В.
/к = 4 А...........................................................5..Л2
Модуль коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при (.'кэ = 20 В, /к = 0.3 А.
/= I МГн. нс менее .................... .........................
Граничное напряжение при /к = 0.1 A. L = 40 мГн. нс менее 700 В
Напряжение насыщения коллектор эмиттер при /к = 4 А. /б 2 А.
не более.......................................................1.5 В
Напряжение насыщения база эмиттер при /к = 4 А. /б = 2 А
не более.................. ....................................1.5 В
Время рассасывания при t/кэ = 500 В. (бэ = 5 В, /к 4,5 А /б = I.S А.
пс более.........................'.................................. Ю .мкс
Время сна;1а при (/кэ = 500 В. Сбэ = 5 В /к = 4.5 А. /б = 1.8 А.
нс более........................................ ’................1.5 мкс
Емкость коллекторного перехода при ('кб = 10 В. не более. 240 пФ
Емкость э.миггерного перехода при (5»б 5 В. нс более . ... 4000 нФ
Обратный гок коллектора при (7кб = 1500 В. не более...... 1 мА
Обратный ток эми пера при (эб = 5 В. не более ...........10 мА
93
Предельные ксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база 1
Гк = -40. +60"С 1500 В
Тк = -40. -45‘С..................................................... 1400 В
7k = +60 . +85"С.................................................... 1250 В
Постоянное напряжение коллектор эмиттер при Лбз = [0 Ом, /л. = 3 .мкс:2
Гк = -4О...+6О’С..................................................... 1500 В
Гк = -4О...-45’С...... .............................................. 1400 В
7k = +60...+85“С..................................................... 1250 В
Постоянное напряжение эмиттер-база.. . ... 5 В
Постоянный юк коллектора . ............................... ............ 10 А
Импульсный ток коллектора ............................................ . 10 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора3 при Гк = -45 +25’С 50 Вт
Температура р-п перехода ......... ..................... +125°С
Температура окружающей среды ................................... -45"С. Гк = +85’С
1 При Гк —40 -45’С и +60 +85’С максимально допустимое постоянное напряжение
коллектор-база снижается линейно
- При Гк = -40. -45'С и +60...+85°С максимально допустимое постоянное напряжение
коллектор-эмит Iер снижается линейно.
При Тф < 3 мке максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер
снижается линейно до 700 В при q, = 0,5 мкс.
’ При Гк = +25. +85*С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность
коллектора рассчитывается по формуле
Рк,макс = (125-Тк)/К\(п-к). Вт
тле /?т(тт-к) определяется из области максимальных режимов.
□ КТ841А, КТ841Б, КТ841В
Транзисторы кремниевые планарные структуры п-р-п переключательные. Прс.тназна
йены тля применения в переключающих устройствах импульсных модуляторах, мощных
преобразователях линейных стабилизаторах напряжения Выпускаются и металлическом
корихссс жесткими выводами и стеклянными изоляторами. Масса транзистора нс более
20т.
KT84IA, КТ841Б КТ841Б
94
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при (Лсб = 5 В.
/э = 5 А,
не менее ... .................................................. 12
типовое значение ........... ......... ............. 20*
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при 6кб = 10 В.
/э= 0.2 А.
не менее . . .............. .....................10 МГц
Граничное напряжение при /к 0,1 А. не менее
KT84IA. КТ841В ..................................................350 В
КТ 41Б ........ ..........._.... ............ 250 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = 5 А, /б = I А;
нс более.........................................................1.5 В
типовое значение ----- ...... .....0.6* В
Время включения при (Леэ = 200 В /к 5 А. /б = I А для KT84IA,
КТ841Б.
типовое значение ...................................................0,08* мкс
Время спала при Ткэ = 200 В /к = 5 А. /б = I А лля KT84IA, КТ841Б,
нс более....................................................... ..0.5 мкс
Время рассасывания при (7кэ = 200 В./к = 5 А./б = I А. лля KT84IA. КТ841Б.
нс более . ... ................... . . ........................... I мкс
типовое значение.............. .................................0.8* мкс
Емкость коллекторною перехода при (7кб = 10 В.
нс более ...........................................................300 пФ
типовое значение................................................ 220* пФ
Емкость эмитгерного перехода при 0‘эб = I В,
нс более........... ..............................................5000 пФ
типовое значение . ......... .................— —........ 3800* пФ
Обратный ток коллектора при (7кб = f/кб.макс. нс более .............3 мА
Обратный ток эмиттера при (лэб = 5 В. не более................. .... 10 мА
Пре ельиые эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база:
КТ841А, KT84IB ..................................................600 В
КТ841Б......... ..............................................400 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер:
при (,'эб < 1.5 В:
KT84IA, KT84IB ...............................600 В
КТ841Б............................ .............................400 В
при Ябэ = —
KT84IA, KT84IB ........... ............................ 350 В
КТ841Б.—............ ................................250 В
Импульсное напряжение коллек гор эмиттер при Ябэ < 100 Ом:
KT84IA. KT84IB ................................................. 500 В
КТ841Б....... ...........................................350 В
Постоянное напряжение база-эмиттер.................. 5 В
Постоянный юк коллектора . ............ 10 А
Импульсный ток кол icKiopa при ги = 10 мс. .................. ...... 15 А
Постоянный ток ба >ы . .. .................................. 2 А
Импульсный юк базы при /„ 10 мс .................... _ ... 4А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при 7k < +25 С
с теплоотводом1 .......................... ........... 50 Bi
без теплоотвода^ ........ .................... 3 Вт
Температура р-н перехода .............. + 150‘С
Температура окружающей среды . .. . ...-45*С...7к =+!00’С
1 При 7к > +254 /V макс, снижается линейно до 20 Вт при 7к = +100 С
- При Т> + 25 С /к. макс, снижается линейно до 1,2 Вт при Т= + |00‘С
9 5
Облает беюиасиои работы тран-
зисторов
Зависимость статического коэф-
фициента передачи тока or зока
П 2Т847А, 2Т847Б
Транзисторы кремниевые меза планарные сгруктуры при переключательные,
реана и гачен ы .тя применения в иоочникак взоричното электропитания Выпускаются
ме зала плеском корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами Масса
заизистора не более 30 г.
2Т847(А,Б)
96
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока и схеме ОЭ при 6'кэ=3 В, /к=15 А
Т= +25°С-...............................................................8...9.5*...25*
Г = +100 и -45°С. не менее.........................................5
Грани тная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при бкэ = 10 В.
/к = 1.5 А
2Т847А
нс .менее.......................................... .................15 МГн
типовое значение...................................................40 МГц
2Т847Б не менее .....................................................Ю МГн
Граничное напряжение при /к 0.1 А. /к нас = 0.3 А. Л 25 мГн.
не .менее.......................................... -..................350 В
Напряжение насыщения коллектор эмиттер при /к = 15Л,
/б = ' А ................................. - 0 2* . 0.5* .1.5 В
Время рассасывания при 2жэ = 200 В. /к = 15 А. /б = 3 А. ббэ = 7.5 В.
не. более............................ ................ - ..... 3 мкс
Время спала при Г'кэ = 200 В /к 15 А. /б = .3 А. 7-бэ = 7.5 В нс более 1.5 мкс
Емкость коллекторного перехода при 6кб = 400 В,
не более.......................................................... 200 нФ
типовое значение... .......... И)0 пф
Обратный ток коллектора, нс более
Т - 25 С при 6кб = 650 В ... 5 мА
Г= + 11МГС при 6кб = 400 В............................. 5 мА
/ = 45"С при 6кб = 650 В .. . . 5 мА
Обратны! ток эмиттера при 2.Г» S В. не более 100 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер1 при Лбэ = 10 Ом.
Гк =-45 ,.+75"С...................-................. ...............650 В
Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при Лбе» = 10 Ом тп 20 мкс.
ь, = 1.5 мкс. Гк — -45...+75 С .'............................... . 6^1 В
Постоянное напряжение ба за эмиттер ............. SB
Постоянный юк коллектора........................................ 15 А
Импульсный ток коллектора при ти 2 мс 25 А
Постоянный ток базы ....................._................. ........ 5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора- при Гк = 45 +25 С 125 Bi
Температура/>-л перехода............ +20О’С
Температура окружающей среды........ 45'С Гк“ = |0()°С
При Гк > +75 С максимально допустимые постоянное т импульсное напряжение
коллектор-эми пер снижаются линейно ло 350 В при Гк = ИНГС
- При Гк = > +25 С максимально лонусимая постоянная рассеиваем тя мощность
коллектора рассчитывается ио формуле
Рк.макс = (200-'Гк)/Р\(п-к). Вт
гас /Ст(и-к) = 0.7‘С/Вт при бкэ - 10 В. /к = 12.5 А
Допустимое значение статического тготенииала 2000 В
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм от корпуса трап тистора при
TCtinepatype припоя +26О’С в течение нс более .3 с
97
П 2Т848А
Транзистор кремниевый меза-планарный структуры п-р-п усц,тительный. Прейиачиачен
для применения в электронных системах зажигания. Выпускается и металлическом
корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами Масса транзистора нс бояее
20 । ’
2ТК4М
Электрические парам ы
СП1ГИЧССКИН коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при (>кэ 5В /к = 15 А
нс менее..............................—......... .............. 20
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме О-Э при бкэ - 10 В .
/к = I. А.
нс менее .......... . ... . 3 МГн
Граничное напряжение при /к = 5 A, L = 1,5 мГн не менее ......... 400 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = 10 А . /б 0.15 А
не более
Г=+25*С.................................. ................... 2 В
Т= -40’С.......................................................4,5 В
при /к 7 А. /б 0,07 А, 7~=+25’С ........ ..................I* 1.3* 1.5 В
Напряжение насыщения база- тмипер при 1к 10 А. 16 - 0 |5 А
Т= +25 °C.......................................... 1,7*... 1.95* ...2.7 В
Т= -40"С ........................................... ... 1.5*...2.1* 3.5 (J
Прямое напряжение диода при /пр = 10 А. не более ... 2 В
Обратный ток коллектор эмиггер при бкэ = 400 В. Лбэ I кОм не более 0 25 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Лбэ = 1 кО.м 400 В
Постоянное напряжение бдза-э.мипср 7 В
Постоянный гок коллектора .......................................... 15 А
Постоянный ток базы ......... ......................... ............4 А
Постоянная рассеиваемая мощность кол лектора при Тк = -60 4 |00“С ... 35 В г
Температура р п перехода ............. ................ . • +150’С
Температура окружающей ерслы ............................... ы С .Тк = +12>С
Пайка выводов транзистора допускается не ближе 5 мм oi корпуса при температуре 260 С
в течение не более 3 с, время лужения 2 с
ч~°зг
98
□ КТ856А, КТ856Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально планарные структуры п-р-п переключатель-
ные Предназначены для применения в переключающих устройствах. Транзисторы
выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.
Масса транзистора и металлическом корпусе нс более 16 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при б'кэ = 5 В.
/к = 5 А ...............!............................................ 10...60
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при (.'кэ = 10 В.
/к = 2 Л.
нс менее ................................................... . 8 МГц
типовое значение .............. 20 МГц
Граничное напряжение при /кЭ = 0 I А не менее:
КТ856А ........г................................................400 В
КТ856Б.......................................................... 350 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к=5 А. /6=1 А........0,2*..0,4*...1.5 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 5 А, /б = I А 0.9* . 0,95* 2 В
Время включения при 6'кэ = 200 В, /к = 5 А. /6 = 0.5 А......0,08*..0.15*. .0.5* .мкс
Время спала при (.кэ = 200 В /к = 5 А /б = 0.5 А, не более ... 0.5 мкс
Время рассасывания (,'кэ = 200 В, /к = 5 А, /6 = 0.5 А, не более. 2 мкс
Емкость коллекторного перехода при (/ко = 90 В. не более ... 100 пФ
Обратный ток коллектора ттрт (,'кб = (/кб.макс нс более..............3 мА
Обратный ток эмиттера при (66 = 5 В. не более............... 20 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база.
КТ856А .....................................................................800 В
КТ856Б .............................................. .. 700 В
Постоянное и импульсное напряжение коллектор-эмиттер при Лбз = 10 Ом.
т„ = I мкс. /4|, I мкс:
КТ856А......................................................................400 В
КТ856Б .....................................................;............... 350 В
Постоянное напряжение база-эмиттер..............................................5 В
Постоянный ток коллектора ........................................................... 10 А
Импульсный ток коллектора......................... ............................ . 12 А
Постоянный ток базы ..............................................................3 В
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при ('кэ 40 В.
7k = + 25‘С.......................................................................75 Вт
Температура р п перехода ...................................................... ... -т-15()‘С
Тепловое сопротивление переход-корпус.............................................1.67Х7Вт
Температура окружающей среды............................. ..............-60‘С . Гк = +100'С
99
П 2Т875А, 2Т875Б, 2Т875В, 2Т875Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально пленарные структуры п-р-п переключатель-
ные Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами
Масса транзистора нс более 20 Г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при (Лсб = 5 В,
1э = 5 А
2Т875А, 2Т875Б, 2Т875В..........................................80...250
21875Г..........................................................40... 160
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при (Леэ = 10 В
/к = 0,5 А........................................................ 20 .120 МГц
Граничное напряжение при /к = 30 мА не менее
2 Г875А; 2Г875Б................................................60 В
2Т875В.........................................................40 В
21875Г.......................................................... 80 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при & = 5 А, /б = I А,
не более.............................................................0,5 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 5 А, /б 1 А нс более 1,5 В
Время включения при 11кэ = 30 В. /к 5 А (б = 0,5 А, типовое значение 0.12*мкс
Время выключения при (Леэ = 30 В, /к = 5 А, (б = 0,5 А.
типовое значение................................................0.4* мкс
Время спада при (Леэ = 30 В, /к 5 А, (б = 0.5 А, типовое значение...0,05* мкс
Емкость коллекторного перехода при (Лсб = 10 В, типовое значение 910* пФ
Емкость эмитгерного перехода при СВэ = 0.5 В, типовое значение . . 5500* пФ
Обратный ток коллектора при (Лсб = (Лсб макс, не более 3 мА
Обратный ток эмиттера при №э = 5 В, нс более.... .......... 10 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база:
2Т875А, 2Т875Г........................................................90 В
2Т875Б............................................................70 В
2Т875В........................................................... 50 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер.
при Лбэ = 100 Ом
2Т875А, 2Т875Г..................................................... 90 В
2Т875Б........................................................... 70 В
21875В............................................................50 В
Ч
100
при Ябэ = оо
2Т875.А, 2Т8755...................................................60 В
2Т875В............................................................ 40 В
2Т875Г............................................................М) В
Постоянное напряжение база-эмиттер. .............. 5 В
Постоянным ток коллектора ...................... ..................... 10 Л
Импульсным ток коллектора при /и = 10 мс .................. 15 А
Постоянный юк ба ты ..................................................3 А
Импульсный ток базы при fH = 10 мс....................................5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
при 7k = 60. +25‘С:
с icii.ioo।волом ...:.....................50 Вт
бет icn.TooiBO.ia . . ..... ..................... 3 Вт
Темпера гура р-п перехода.............................................+ | 50'С
Температура окружающей среды _.................................-60‘С...7к =+125’С
При 7k > +25‘С Рк, макс, уменьшается линейно па 0,4 Вт/*С с теплоотводом и па
20 мВт/ C без теплоотвода
Облает н безопасной работы Зависимости статического коэф
транзисторов финиепта нереаачм юка от тока
эмиттера
Зависимость напряжения насыщс
пня коллектор эмиттер от тока
коллектора
Зависимость напряжения наст пне
ния ба та- ми i тер оттока коллектора
101
Записимости коэффициента К от длительное нт
импульса
□ 2Т878А, 2Т878Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р п переключ цель-
ные Предназначены лля применения и переключающих устройствах импульсных моду-
ляторах. и источниках вторичного электропитания. Выпускаются в металлическом корпусе
с жесткими выводами и стеклянными изоляторами. Масса транзистора нс более 17г.
Электрические парамет ры
Ста...... коэффициент перетачи тока в схеме ОЭ при Гкэ = 5 В;
Л = Кт А.
7k =+25'С............................................................12...13*.-50
7k = +125 и 60’С.......................-...................... _..... 5. >0
Граничная частота коэффициента пере тачи тока в схеме ОЭ при Ска - 10 В
& = । д............... ............................. .............. 10...22*. .33* МГц
Граничное напряжение при /к = 0.1 Л. L = 40 мГн.
*>TS78A .................................. ....... "W -460*....570*В
2Т87КБ. пс менее .................’......... ......................- 300 В
Напряжение насыщения кол лектор-эмиттер при /к = 15 А;
/6 = ЗА;.........:....I.......................................... 0.35* .0.42*... 1.5 В
102
/6 = 3 A;............ ................................................0.35*...0,42*...1,5 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 15 А;
/6 = ЗА;.............................................................. 1.05*...1.15*...2 В
Остаточное ни ряжение коллектор-эмиттер при /к = 15 А; /б = 3 А;
не более................................................................30 В
Время включения при {/кэ = 300 В; /к = 10 А; /б = 2 А............0,17*...0,23*...0,4.мкс
Время рассасывания при (/кэ = 300 В; /к = 10 А; /б = 2 А...............0.8*... 1,2*...2.5.мкс
Время ciietn при (/кэ = 300 В; /к = 10 А; /б = 2 А....................0.15*...0,2*. ,0,5мкс
Емкость коллекторного перехода при Uk& = 10 В..............!...... 215*...300*...500пФ
Емкость эмиттериого перехода при (/эб = 2 В ..... .... 5000* . 6200* ЮОООпФ
Обратный ток коллектора не более
при 7k = +25’С;
2Т878А при (/кб = 800 В.................................................3 мА
2Т878Б при (/кб = 600 В . ...................................3 мА
при 7k = + 125’С;
2Т878А при (/кб = 700 В.............................................. 10 мА
2Т878Б । ри (.'кб = 500 В...... ...............................10 мА
при Т = 60 С
2Т878А при (.ко = 700 В..............................................3 мА
2Т878Б при (.Кб = 500 В........... ..................................3 мА
Обратный гок эмиттера при Б5б = 6 В; пс более................................40 мА
Пре льны эксплуатационные данные.
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер1 при Ябэ = 10 Ом
2Т878А........................................................800 В
2Т878Б.........................................................600 В
Импульсное напряжение коллектор- эмиттер при Ябэ = 10 Ом. /ж > 1.5 мкс;
2Т878А........................................................600 В
2Т878Б.........................................................500 В
Постоянное напряжение эмпггер база.................................6В
Постоянный юк коллектора ..........................................25 А
Импульсный ток коллектора..........................................30 А
Постоянный ток базы ...............................................6 А
Импульсный юк базы ................................................7 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
с теплоотводом,- при 7к < +25'С; (/кэ = 20 В....................... Ю0 Вт
без те нюотвода5 при Т < +85'С ................................ 2 Вт
Температура р-п перехода ........................... + |50°С
Te.Miiepaijpa окружающей среды ...........................-60°С...Тк = + |25‘С
1 При I змененип 7k от +75 ло + I25C п от -20 до -60'С (/кэг макс, снижается до 700
В для 2T87SA до 500 В *чя 2Т878Б
- При 7k > +25Х постоянная рассеиваемая мощность коллектора определяется из
выражения
Рк MtiKt = (150-Тк)/1.25 , Вт
' При । мснепи । Т от +85 то 125‘( Рк макс, снижается линейно то 0.8 Вт
Зависимость тока базы
от напряжения база-
эм и I тер
Зависимость тока
чми пер. от напря-
жения бата-эыиттср
Зависимость статического
коэффициента передачи тока
от гока коллектора
103
4ks в
П 2Т879А, 2Т879Б
Транзисторы кремниевые эг1итакси:1чьно-н.'1анарнысструктуры п-р-п переключатель-
ные. Предназначены для применения в мощных нерек-почающнм. с тройствах Выпускаются
в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами Масса транзистора нс более 28т.
Электрические пар метры
Статический коэффициент передачи тока и схеме ОЭ при С;ю = 4 В./к = 20 А.
нс менее:
при Гк = +25"С:
2Т879А 20
2Т879Б...................................................... 15
при 7k = + 125*С..................................................Ю
104
при 7 = -60°С
2TS79A................................. ‘ ............. 10
2Т879Б...........................................................7
Граничная частота коэффициента передачи тока и схеме ОЭ при Е'кэ = 10 В
/к = I А
не менее......................................................... |0 МГц
Граничное напряжение при /к = 0,3 A. L 25 мГн не менее .......... ... 200 В
Напряжение насыщения коллектор эмиггер при /к = 20 А /б = 2 А
не бо ice
2ТХ79А........................................ | 7 В
2Т879Б.........................................................2 В
Напряжение насыщения база эмиттер при /к = 20 А /о 2 А, не более . ... I.S В
Энергия вторичного пробоя при ГЬб = -2 В. Ябт» = 50 Ом L = 10 мГн,
не менее .... ...................................... ..........|0() мДж
Время включения при Гкэ = 100 В. /к = 20 А. /б = 2 А. не более .......0.35 мкс
Время рассасывания при Ркэ - НК) В, /к = 20 А. /6=2 А. не более 1 2 мкс
Время спала при б’кэ = 100 В, /к = 20 А. /б = 2 А. не более ..... 0.25 мкс
Емкость коллекторного перехода при ('кб = 10 В. не более........ S00 пФ
Емкость эмпперного перехода при Гэб = 2 В. не более .... 10000 пФ
Обратный ток коллектора при Е'кб = 200 В. нс более
7k = +25 С.......................................... .......3 мА
7k = +125 и -60'С................................................ 10 мА
Обратным ток зиппсра при Глб = 6 В. нс более . .... . 10 мА
Зависимости импульсною тепловою соттро
тивления переход-короче от длительное,пт
и м пульс:т
Области безопасной работы дотнзпеторов
Предельные iKCH.iya т ациош'ыс тарные
Постоянное напряжение кол лектор-база ... ............. . 200 В
Постоянное напряжение коллектор-зчтгпер тртт /?оэ = 10 Ом. . . 200 В
Импульсное напряжение коллектор эмиттер' при /?бэ = 10 Ом.
/<], I икс . ................ 200 В
105
Постоянное напряжение эмнттер-база.......... .................... 6 В
Постоянный ток коллектора ......................50 А
Импульсный ток коллектора .................л......................75 А
Постоянный ток базы ..............................................20 А
Импульсный ток базы...............................................30 А
Постоянная рассеиваемая мощное и. коллектора’ при (/кт = 20 В
Гк = +25"С............... :.......... ...........................250 Вт
Температура р-п перехода ......... ... ................. +20'ГС
Температура окружающей среды .... . .... 60‘С. .Гк ~ + 125аС
1 При Гф < I мкс (/кэк.и.макс снижается линейно ло 150 В при Тф — 0.5 мкс
- При Гк > +25 С постоянная рассеиваемая мощность кол лектора определяется из
выражения
Ас. макс = (200- Тк)/(), 7. Вт
П 2Т881А, 2Т881Б, 2Т881В, 2Т881Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-нланарныс структуры п р-п универсальные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройс шах Выпускаю гея
в металлическом корпусе с гибкими выпотами и стеклянными изоляторами Масси
транзистора не более 2 i
2T8SIA. 2ТЖ1Б. 2Т№№. 2Т881Г
Электрические парамстры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при (.'Кб = I В,/э = 1 А
2TSS1A.2TS8IB.2TS8IB ............................ ..................SO 250
2TSSIT ...............................................fJO.,160
Граничная частота коэффициента першачи тока в схеме ОТ при (/ко = 5 В
/э = 0.05 А............................ ’ ................ 30.300 МГц
Граничное напряжение при /э 0,03 А. нс менее:
2TSSIA.2TS8IB . ...... ................... 60 В
2TSSIB ............. ..........................................40 В
2Т881Г ....................................... -.............S0 В
Напряжение насыщения коллектор-тмнттср при /к - I А. /б 0.2 А
не более ....... — ................................................ 0.35 В
Напряжение насыщения база-лмпттер при /к I А /б = 0.2 А. нс более 1.3 В
Время включения при (/кэ = 20 В /к = I А /б = 0.2 А.
типовое значение........ ......... • ...0.08* мкс
Время выключения при бкэ — 20 В. /к 1 А. /б = 0.2 А.
никните значение ............... ..................... .......... 0.6* мкс
106
Время рассасывания при t/кэ = 20 В. /к = I Л, /б = 0,2 Л,
типовое значение.....................................................0,5* мкс
Емкость коллекторного перехода при t/кб = 5 В. типовое значение 200* пФ
Емкость эмпттерного перехода при t/эб - 4 В. типовое значение . 900* пФ
Обратный гок коллектора при t/кб = 7кб. макс не более .............. 0.2 мА
Обратный ток коллекгор-вмиттер при t/кэт = Екэт.макс. /?бэ = I кОм.
не более......................,..................................... 0.5 мА
Обратный ток эмиттера при t/эб = 4.5 В, не более.......................I мА
Преле ьные эксплуатационные данные
Постоя! ное напряжение коллекюр-база'
2Т881А.2Т881Г................................................... 100 В
2Т881Б.........................................................80 В
2T88IB.........................................................50 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
при /Юз = I кОм
2TS8IA.2T88I Г............................................... 100 В
2Т881Б......................................................... 80 В
2Т881В.......................................................... 50 В
при Лбэ = тс
2TSSIA.2TS8IB....................................................60 В
2Т881В .. ..............................................40 В
2Т881Г.........................................................80 В
Постоянное напряжение база эмиттер 4.5 В
Постоянный ток коллектора .........................................2 А
Импульсный ток коллектора при /и — 10 мс ........... 4 Л
Постоянный юк базы.................... . [ А
Импульсный ток базы при т.. = 10 мс................................ 1.5 .Л
Постоянная рассей нас мая мощность коллектора1 при 7k = 60 +25‘С
с теплоотводом'.......................................... . .. 5 Вт
без теплоотвода ........................... . 0.8 Вт
Температура р-п перехода.................................... ......+ 151ГС
TcMiiepaiypa окружающей «рсды .............. ....... -60’С 7k = 125’С
При изменении Гк oi +25 до +125 С Рк. макс снижается линейно па 0 04 Вт/’С с
еплоотвотом и н 6.4 мВт/°С без тентоотво и
Области безопасной работы
транзисторов
Зависимости статического коэф-
фициент перед.ГН1 тока от юка
эмиттер.!
107
Зависимости времени включения,
выключения и рассасывания or тока
коллектора
□ 2Т885А, 2Т885Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально планарные структуры п-р-п нереключа
тельные Пре.тназиз юны для применении и иеючниках вторичною электропитания
Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими вывозами и стеклянными изоляторами.
2188>(Л.Б>
108
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока и схеме ОЭ при //кэ = 5 В. /к =20 А.
т„ = 100 мкс. Q = 200. нс менее
7k = +25*С.........................................................12
7k = +125 и -60’С.................................................. 8
Граничная частота коэффициента передачи тока и схеме ОЭ при /Леэ = 5 В.
/ = 0.05 А.............. .........................................15. .20*...25* МГц
Граничное напряжение при /к = 0 1 A. L = 29 мГн
2Т885А.......................................................400..450*...500* В
2Т885Б.......................................................500..550*...600* В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = 30 Л. /б = 6 А,
= 100 мкс.(?= 200 ...................................................1.2*. .2*...2.5 В
Н отряжение насыщения база-эмитгер при /к = 30 А. 15 = 6 А / (00 мкс.
Q — 200. нс более ... 35В
Время нключення при //кэ = 200 В, /к = 30 А. /к//б = 5............0,1*...0.15* .0.5* мкс
Время рассасывания при //кэ = 200 В. /к = 30 А. /61 = 6 А. /62 9 А
не более................................................................ 2 мкс
Время спала при //кэ = 200 В. /к = 30 А; А>1 = 6 А. /52 = 9 А . 0.25*...0.351..0.5 мкс
Емкость коллекторного перехода при //кб = 100 В:........ 100'...150*...200*нФ
Емкость эмиперното перехода при /Ьб = 5 В . 3500* .3800*.. 4500*ттФ
Обратный ток коллектора при //кб = 500 В. не более
7k = + 25’С..................................................... ... I мА
Гк =+125 и-60’С.................................... 2 мА
Обратный юк эмиттера при 7/эб = 5 В. не более ............... 50 мА
Пре е.тьные эксплуатационные тайные
Импупьснос напряжение коллектор-база ............................ 800 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при /эб F -1.5 В или /<бэ = 10 Ом
2Т885А.......................:.....................................400 В
2T8S5B.......................-.............................. 500 В
Импульсное напряжение коллектор эмиттер при //эб = 1.5 В или
Ябэ = 10 Ом. /ц = 20 мкс. 0=2. /ф > 0,5 мкс ....................... 800 В
Постоянное напряжение база-эмиттер...................... .......... 5 В
Постоянный юк коллектора .... ...... 40 В
Импульсный юк коллектора при /и = 20 мкс.(2 = 10 60 Л
Постоянный ток базы...........-.................... . 10 А
Импульсный ток базы при = 20 мкс.ф = 10.................... . 20 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 при Гк = -6О...+25’С..150 Вт
Температура р-п перехода ...................... +|50”С
Тепловое сопротивление переход-корпус ................... . 0.84’С/Вт
Температура окружающей среды ........................ . -60"С. .Гк = +125 С
1 При Гк = +25’С постоянная рассеиваемая мощность коллектора, опрелелется иг
выражения
Рк макс — (150-Тк)/0,84 . Bi
109
П КТ890А, КТ890Б, КТ890В
Транзисторы кремниевые мсза-планарные
Сфукгуры п р-п сосанные усилительные
Предназначен у для применении «схемах зажи-
мная авюмобильных .т ни гл елей. Выпуска-
ются и пластмассовом корпусе с жесткими ни-
нолами Масса ipinriicropa не более К) г.
KTSWfA.B)
Электрические параметры
Граничное напряжение при /к = 0 I A. L = 25 мГн
KTS90A . .. ...... 350 430*...650* В
КТ890Б. KTS90B........................... —................. 350 4Ю*...500* В
Напряжение насыщения коллектор-эмш гер нс ботее
Гк = +25’С:
при /к - 7 А. /б = 70 мА............ ........................ 1.6 В
при /к = 8 А. Л = ЮО мА.................................. 1-8 В
при /к = 10 А /б = 150 мА 2 В
7 k = + 100'С
при /к = 8 А. /б = 100 мА ..................................... 2.4 В
Напряжение насыщения база-эмиттер. пс более:
при /кS А /б = 1)0 мА.........................................2.2 В
при /к = Ю А, /б = 250 мА 2,5 В
Прямое паление напряжения на диоле i pit /пр JOA, не более . 2.7 В
Обратный ток коллектор-эмиттер при /Лэ = 350 В. Лбз = от. пс более
Г- +25 и -45"С
КТ890Л............................ ..............................0.5 мА
КТХ90Б. КТ890В..........-.....-.. .........................0.25 мА
Г = + ЮО С
KTS90A............................ ............................2 мА
KTS916. KTS9I В . .. . ......................... I мА
ОбрагныЛ гок эмиттера при С'эб = 5 В. нс более 50 мА
II ре тельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллекюр-аынтгер ....... 350 В
Постоянное напряжение эмшгер-база. .... 5 В
Посюяннып ток коллектора ... 20 А
Постоянный ток базы ............................... . 5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Гп = + 150°С........ 120 Bi
Энер|пя витринного пробоя
KTS90A. КТ890Б при /к = 7.75 A L = 10 мГн. Ябэ = °о.... ...... 300 мДж
КТ890В при /к = 10 А. /. - 10 мГн. Ябэ = Ю0 Ом ....... ........500 мДж
Тепловое сопротивление перелой-корпус 1 04 С Вт
Температура р-п перехода .... .......... ..............+150 С
Температура окружающей среды ............-45‘С. Гк =.+ 100‘С
110
Зависимость статического коэффициента
нсрелачн тока от тока коллектора.
Зависимость статического коэффитщ
ента псрелачи тока or гока коллектора.
Транзистор кремниевый эпитакси-
ально-планарный структуры пр и перс
КЛЮЧЛ1СЛЫ1ЫИ Предназначен ста при
менения и источниках вторичного эвс
ктроиитаиия Выпускается в мставло-
ксрамическом корпусе с полосковыми
ттыво тами
Масса транзистора не более 12т.
Электрические параметры
Сгятттчсскпй коэт|>фц|щснт нсрелачн тока в схеме ОЭ нрн Мо 4 В./к = 5 А.
1ц = 100 мкс.Q = 200
Гк +25 С .................. .............................. 20 .35*. .50*
Гк = -125 С.не менсе . . ........................ ...................21)
1 = 60 С не менее....................................................S
Граничная частота коэффициента нсрелачн гока в схеме ОЭ ври 6'кэ = 5 В
/к = 0.5 Д......................................................... 12*...17*...20* МГн
Граничное напряжен нс при /к = 0.1 A, L = 29 мГн................... 250.2X0* .ЗК)*В
Напряжение насыщения коллектор э.миттср нрн /к = 40 А. /б X А.
/„ = 100 мкс.(?= 200 .............................................. 0.45*...0,75* .1.2 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 40 А. /б = S А. /и = 100 мкс
Q = 200 ....................................................[2* 1.5*. 2 В
Время включения при Скэ = 100 В. /к 40 А. /к//б = 5 . . 0.05* 0.15*.. 0.3 мкс
Время рассасывания при Г'кэ = 100 В. /к = 40 А. /61 = 4 А. <
«2 = ХА............................................................0.4* 0.6* .[ мкс
Время спала при ('кэ = 100 В./к = 40 А. /61 = 4 А. /62 - X А 0.05’ . 0.12" 0.2 мкс
Ill
Обратный ток коллектора при 7/кб = 250 В, не более:
7k = +25'С............................................................2 мА
7k = +125 и -60"С ...............................................5 мА
Обратный ток эмиттера при = 7 В, не более .....50 мА
Емкость коллекторного перехода при 1кб = 100 В. ............. 300* 350* .400 пФ
Емкость эмиттерното перехода при 7бэ = 5 В................ 5000*.. 5800* 6500 нФ
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное напряжение коллектор-база при ги — 20 мкс, Q = 2 350 В
Постоянное напряжение коллектор эмиггер при М>э = -1,5 В или
Ябэ = 10 Ом ......................................... ... 250 В
Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при /бэ - -1,5 В или R6) - 10 Ом.
к, < 20 мкс.Гф ? 0.5 мкс,(? = 2..................................... 350 В
Постоянное напряжение база-эутиГтср . ......... 7 В
Постоянный ток коллектора ........................................... 40 А
Импульсный ток коллектора при /н = 20 мкс, Q = 10 ...................... 60 А
Постоянный ток базы ... .... ... ..................................... 10 А
Импульсный ток базы при /н = 20 мкс,С = 10........................... 20 А
Постоянная рассейпасмая мощность коллектора1 при Гк = -60. ,+25'С 150 Вт
Температура р-п перехода.... .......... ............................ +150 С
Тепловое сопротивление переход-корпус .......... - О,ХЗЗгС/Вт
Температура окружающей среды ............ ...........................-60‘С 7к = -Н25С
1 При 7k > +25‘С постоянная рассеиваемая мощность коллектора опрсяеяяется из
выражения
Рк. макс = (150-Тк)/0.833 . Вт
Расстояние от корпуса то места лужения и пайки выводов 2 мм. температура припоя
+235‘С. время пайки нс более 3 с
Зависимости тока базы
от напряжения база-
эмитгер
Зависимость статического
коэффициента передачи тока
от тока коллектора
Зависимости напряжений
насыщения коллектор
эмиттер и база-эмиттер от
тока коллектора
импульсного теплового со
переход-корпус от .lthtc.ii.
ГО'5 Ю~* иг3
ности импульса
112
t 10 l/tn.B Обтает it безопасной работы транзистора
□ KT897A, КТ897Б
Транитсторы кремниевые эпитаксиально планарные структуры н р-н составные
Предназначены лля применения в вышитых каскатах электронного коммутатора в систе-
мах зажигания автомобилей, вторичных ис точниках' питания и других импульсных схемах,
с индуктивной нагрузкой Выпускаются в мет.ы.тичсско.м корпусе с жесткими выводами и
сгсклян....мн изоляторами Масса не более 20 т.
Электрические параметры
Статический коэффнннси г передачи тока в схеме ОЭ при Скб 5 В Аэ = 5 А,
не менее.......................................................... 400
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при t/кэ = I0 В.
/к = 0.5 А. не менее .. ..... ................. 10 МГн
Граничное напряжение при /к = 0,1 А. не менее
КТ897А.............................................. ’....................... 350 В
КТК97Б............................................................... 200 В
113
Напряжение насыщения коллектор эмиттер, не более*
к = 7 А, /6 = 0,07 А..........................................1,6 В
/к = 8 А, /б = 0,1 А..........................................1,8 В
/к = 10 А, /6 = 0,25 А...................... .................1,8 В
Напряжение насыщения база-эмиттер, нс более:
। /к = 8 А, К = 0,1 А............................................2,2 В
/к = 10 А, Л5 = 0,25 А........................................2,5 В
Обратный ток коллектор-эмиттер при 17кэ бкэ.макс не более . 250 мкА
Обратный ток эмиттера при 1/эб = 5 В, не ботсс .... ...... 50 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база,
j КТ897А...........:.............................................350 В
КТ897Б.............................. .........................200 В
Постоянное напряжение коллектор эмиттер при Абэ - 100 Ом
КГ897А........................................................350 В
КТ89076................................................ ......200 В
Постоянное напряжение эмиттер база ’ 5 В
Постоянный ток коллектора..........................................20 А
Постоянный ток базы................................................5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 при 7k = -60...+25"С
с теплоотводом
КТ897А.............................................................150 Вт
КТ898А.............1..........................................125 Вт
, без теплоотвода
КТ897А.............................................................3 Вт
КТ898А........................................................1,5 Вт
Температура р-п перехода:
КТ897А.............................................................+175"С
К1898А..................................:.....................+150’С
.Температура окружающей среды.............................-6О°С...7к = +125"С
1 При 7к от +25 до +125"С максимально юпустимая постоянная рассеиваемая
мощность коллектора рассчитывается по формуле
Рк,макс = (Тп-Тк)/К\(п-к), Вт
" гае Лг(п-к) = ГС/Вт для КТ897А , КТ897Б с теплоотводом, 50"С/Вт для К.1897А,
К. 1897Б без теплоотвода
Зависимость статического коэффициента
передачи тока от тока эмиттера
Зависимость напряжения насыщения
коллектор эмиттер от тока коллектора.
114
Область безопасной работы
Зависимость коэффициента К колле-
ктора от длительности импульса.
П КТ899А
Транзистор кремниевый мез -пла-
нарный стуктуры п-р-п составной усили
тельный Предназначен для применения в
усилительных и переключательных устрой-
ствах. Выпускается к пластмассовом корпусе
с жесткими выводами Масса транзистора
нс более 3 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при 14сб = 5 В, /э = 5 А,
не менее......................................................1000
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при 1)кэ = 5 В
/к = 5 А,
не менее......................,...................................7 МГц
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = 5 А, /б = 50 мА,
не более..................................t.......................1,3 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор база. 160 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер .............. 150 В
Постоянное напряжение эмиттер база ... 5 В
Постоянный ток коллектора........................................8 А
Импульсный ток коллектора........................................15 А
115
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при 7к = +25°С . . 65 В г
Температура р-п перехода ............................................ +150°С
Температура окружающей сретты ................................ -45°С.. Гк = +10()"С
□ КТ8107А, КТ8107Б, КТ8107В
Транзисторы кремниевые меза-пяапарные структуры и р п переключательные
Пре (назначены для применения всхемах строчной развертки тслеви июнних приемников,
во вторичных источниках питания, в высоковольтных псреключатс'тьнтix устройствах
Выпускаются и металлическом корпусе с жест кпмп выводами и стеклянными нзоля юрами
Масса транзистора не более 20 т
Электрические параметры
С татический коэффициент передачи тока в сок ОЭ при Ькб = 5 В
КТ8107А при /к = 4,5 А не менее ...... 2.25
КТ8107Б при /к = 4.5 А. не менее..... ............2,25
KT8I07B при /к = I А ..... ............S...I2
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при {.'кб = 5 В.
/к = I А, нс менее . ................ ..........................7 МГн
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, нс более
KTSI07A при /к = 4.5 А. /б - 2 А ....... | В
КТ8Ю7Б при /к = 4,5 В. /б = 2 А........................... I В
KTSI07B при /к = 4 А. /б - 0.8 А ....... 5 В
Время спала, не более
KT8I07A при /к - 4 5 А. /б = 2 А .... (1,7 мкс
КТ8107Б при /к = 4.5 А. /б - 2 А ... 0.6 мкс
КТ8107В при /к = 4 А. /б = 0.8 А .................. I мкс
Предельные эксплуатационные данные •
Постоянное напряжение коллектор база . 1500 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Ябэ = <х>;
KT8I07A. КТ8107Б 700 В
KTSI07B................................................ 600 В
Постоянное напряжение эмиттер база......... 5 В
Постоянный ток коллектор;
KT8I07A....................... КА
КТ8107Б. КТ8107В ..... 5 А
Импульсный ток коллектор!
KTS А . ............. . ......... 15 А
КТ8Г07Б................. ...................................7.5 А
KTS107B................... .......................... 8 А
116
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Гк +25 С:
КТ8107А.............................................................100 Вт
КТ8107Б.........................................................125 Вт
KTXI07B.,.......................................................50 Вг°
Температура р-п перехода............................................+150 °C
Температура окружающей среды...... .................. -45 С. Гк = +100 С
□ КТ8109А, КТ8109Б
Транзисторы кремниевые мета-
лл тарные структуры при составные
усиШтслытые. Прслназнячсны для при
меления в схемах зажитанття автомобилей,
схем управления двигателем. регуляторах
напряжения. Выпускание т и лас т массовом
корпусе с жесткими выводами. Масса
транзистора не бол е 3 т
Электрические параметры
Статический коэффициент нсрелачн тока в схеме ОЭ при (.'кб =5 В. /э “2.5 А.
не менее ................................................................ I50
Граничная частота коэффициента передачи тока и схеме ОЭ нрн (-ко = 5 В,
/э = I А. не менее .............................................- --- 7 МГц
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = 2 А. /б = 0.1 А 1.5 В
Время рассасывания нрн /к = 2 А. /б = 0.1 А. нс более . мкс
Время си.1.1<1 при /к = 2 А, /б - 0,1 /V не более ... ... 1.5 миг
Предельные зкештуатациоттттые данные
Постоянное напряжение коллектор база
KTSI09A .............. -’50 В
КТ8109Б.................................. 300 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при /йээ = I кОм'
KTS109A. ..................... 350 В
КТМ09Б.......... 300 В
Постоянное напряжение эмиттер база........... 5 В
Постоянный ток коллектора .... 7 А
Импульсный ток коллектора ........................ , - - 10 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора нрн Гк = +25 ’С S0 Вт
Температура р-п перехода....................................... ..-«150 С
Температура окружающей среды ............................. -45 *С. .7к = +S5 'С
117
П КТ8116А, КТ8116Б, КТ8116В
КТ8116 (А-В)
Транзисторы кремниевые эпитакси-
ально-планарные структуры пр-л состав-
ные усилительные. Предназначены для при
менения в усилительных и переключа-
тельных схемах, в преобразователях напря-
жения. Выпускаются в пластмассовом
корпусе с жесткими выводами. Масса
транзистора не более 3 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при Скб =3 В,/э =0,5 А,
не менее......................................................1000
Грапшшая частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при Ыгб = 3 В ,
/э = 0,1 А,
не менее...........>................................................4 МГц
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Гк = 3 А, Й5 = 0,12 А,
нс более...................................................... 2 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор база.
KT81I6A.......................................................100 В
КГ8116Б.......................................................80 В
КТ8116В.......................................................60 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Лбэ = I кОм
КТ8116А.......................................................100 В
КТ8116Б.......................................................80 В
КТ8116В.......................................................60 В
Постоянное напряжение эмиттер-база ... 5 В
Постоянный ток коллектора........................................8 А
Импульсный ток коллектора .......................................16 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при 7k = +25 "С......65 Вт
Температура /> п перехода.......... +150 'С
Температура окружающей среды ............................-45 °C..,7k = +100 °C
118
□ КТ8117А
и
Транзистор кремниевый эпитаксиально-
планарный структуры п р-п переключа-
тельный. Предназначен для применения во
вторичных ис сочниках э.зек гронитания, схемах
управления электрическими двигателями, в
усиди гелях постоянного тока Масса тран-
зистора не более Юг.
КТ8И7А
Электрические параметры
СТагическй коэффиниен! передачи тока и схеме ОЭ при б'кб = 5 В. /э = 5 А.
нс менее ............................................... ...................Ю
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при <'кб = 5В,
Г> = 5 А.
ис менее.........•..........................................................4 МГн
Напряжение насыщения коллек тор-тми стер при /к = 5 Л. /б = 0.5 А.
нс более .............. ...... .. ......................................... 1.5 В
Время рассасывания при /к = 5 Л, /б = 0.5 А. нс более I мкс
Время спала при /к = 5 А. /б = 0.5 Л. не более .......................... 0,3 мкс
Предельные эксплуатационные тайные
Постоянное напряжение коллектор-база ........ 500 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Лот = 10 Ом............. 400 В
Постоянное напряжение эмннер-база --- --- 5 В
Постоянный гок ко (.лектора...... ... Ю А
Импульсный ток коллекктра ----------- 15 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т= +25 "С....... 100 Bi
Температура р-л перехода....... ... . . . - ................ 15) (
Температура окружающей среды......... ...-45 “С... 7”=+100 "С
□ КТ8118А
Транзистор кремниевый мета-планар-
ный структуры п-р-п переключательный
Предназначен для применения в высоко-
вольтных переключатся иных схемах, усили-
те тих постоянною тока Выпускается в
пластмассовом корпусе с жесткими вы-
водами Масса транзистора ис более 3 г.
KT8II8A
119
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при Окб = 5 В,
h = 0,2 А.................... .....................................10.40
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при С/кб = 5 В
/э = 0,1 А,
не менее - ...................................... ........ ........15М1ц
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Лк = 1,5 А, /б = 0,3 А,
не более..............................................;...... 2 В
Время рассасывания при /к = 1,5 А, 76 = 0,3 А, пс более......... .2 мкс
Время спада при /к = 1.5 А, /б = 0.3 А, не более ......... 0,7 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база...............................900 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Абэ = 10 Ом . 800 В
Постоянное напряжение эмиттер-база..... .......................5 В
Постоянный ток коллектора..........................................3 А
Импульсный ток коллектора..................... ....................10 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при 7k = +25 "С . 50 Вт
Температура р-п перехода............... ...........................+150 °C
Температура окружающей среды ..... -45 °C 7k = + 100 "С
П КТ8120А
Транзистор кремниевый мсза-эпитаксиальный структуры п-р-п переключательный
Предназначен для применения в переключательных схемах, во вторичных источниках
электропитания, схемах управления электрическими двигателями Выпускается в
пластмассовом корпусе с жесткимк.выводами Масса транзистора нс более 3 г.
Габаритный чертеж аналогичен КТ8118А
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при йсб =5 В, /э -4 А,
нс менее.......................................................10
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при (Лсб = 5 В,
/э = 2 А.
нс менее ..........................................................20 МГц
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = 4 А, /б = 0,8 А,
не более..................................................... 1 В
Время рассасывания при /к = 4 А, /б = 0,8 А, не более 2 мкс
Время спада при /к = 4 А, 16 = 0,8 А, не более ...... 0,2 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база.......... ................. 600 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при йбз = 10 Ом . 450 В
Постоянное напряжение эмиттер-база ................................5 В
Постоянный ток коллектора...... . . ..............8 А
Импульсный ток коллектора..........................................16 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при 7k = +25 'С .60 Вт
Температура р-п перехода...........................................+150 °C
Температура окружающей среды ...............................-45 °C...7k = +100 °C
120
□ КТ8121А, КТ8121Б
Транзисторы кремниевые планарные струкзуры п-р-п переключательные.
Прслнатиачены для применения в высоковольтных переключательных схемах, усилителях
поспаптною тока, блоках питания персональных ЭВМ. Выпускаются в пластмассовом
корпусе с жесткими выводами Масса транзистора не более 3 г.
Г збарнтный чертеж аналогичен КТ8И8.А.
Электрические параметры
Статический коэ<|1фициенз передачи гока в схеме 09 при ГЛа» = 5 В.
/э = 2 А........................................... ...................8-60
Граничная частота коз<|и|>ипипента передачи тока зз схеме ОЭ при С'кб = 5 В.
/Э = I А.
не менее.............................................................. 4 МГн
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к 4 А. /б = 1 Л.
ззе более.................................................... -........ 1 В
Время рассасывания при /к = 4 Л, /б = 1 Л. нс более . ... — 3 мкс
Время спада при /к = 4 А, /б = 1 А. не более............... ... 0.4 мкс
Пре. е.зьныс эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база.
KTSI2IA .................................... -.......... 70з) В
KTS12IB .......................... . ............. 600 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер ззри /?бэ = 10 Ом
KT812IA .................................................... 400 в
КГМ21Г. ......... ...................'.................-...... 300 В
Постоянное напряжение эмиттер-база....... ......... ....... 5 В
Посзоззиный ток коллектора . ... ..... ... . 4 А
Импульсный ток коллектора .... 8 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Гк = +25 'С 75 Вт
Температура р-п перехода ..... ...... +150 Ч
Температура окружающей среды................................«45’С...Тк = + ЮО’С
П КТ8123А
Транзистор кремниевый эпитаксиально планарный структуры п-р л хсилитезьнып
Пре шазначсн ьзя применения всусмах вертикальной развертки телевизионных приемников,
зз усилителях постоянною тока. Выпускается в пластмассовом корпусе, с жесткими
выводами Масса транзистора не более 3 з .
Габаритный чертеж аналог ттчеи KTSII8A
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока зз схеме ОЭ при /Гкб= К) В. /э=0,4 А.
нс менее ... .............................................. . 40
Граничная частота коэффициента передачи тока зз схеме ОЭ при Г'кб = 10 В.
h = 0.4 А.
не менее......... .... ......................5 MI и
Напряженке насыщения коллектор-эмиттер ззри /к = 0 5 А. /б 0.05 А
нс более....................................—................... . IB
121
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база 200 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Лбэ — 1 кОм........... 150 В
Постоянное напряжение эмиттер база. ......... 5 В
Постоянный ток коллектора............... ....................... 2 А
Импульсный ток коллектора ............ . ... . . . ЗА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при 7k = +25 "С ... 25 Вт
Температура р-п перехода................................................+150 'С
Температура окружающей среды -45 °C Тк = +100 “С
□ КТ8124А, КТ8124Б, КТ8124В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п нерсключа
тельные Предназначены тщя применения всхемах горизонтальной развертки те тсвизионных
приемников, в переключательных схемах Выпускаются в пластмассовом корпусе с
жесткими выводами. Масса транзистора не более 3 г
Габаритный чертеж аналотичен КТ8118А.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при (Лсб = 5 В. /э = 5 А
нс менее ...............................................10
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при (/кб - 5 В.
h = 2 А,
пс менее..................................................... ...10 МГц
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, не более
КТ8124А. КТ8124В при /к = 5 A, J6 = 0,5 А......................1 В
КТ8124Б при /к = 6 А, 16 = 1,2 А . IB
Время рассасывания, нс более:
КГ8124А, КТ8124В при /к = 5 А. /б = 0,5 А.................... 1.5 мкс
KI 8124Ь при/к = 6 В /б =1,2 А 1,3 мкс
Время спада, нс более
КТ8124А, КТ8124В нри /к = 5 А, Л = 0,5 А.......................0.7 мкс
КТ8124Б при /к = 6 А. /б = 1,2 А...............................0,4 мкс
v
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
КТ8124А, КТ8124Б...............................................400 В
КГ8124В........................................................ 330 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Лбэ = 100 Ом
КТ8124А, КТ8124Б...............................................200 В
КТ8124В........................................................150 В
Постоянное напряжение эмиттер-база.............................. . . 5 В
Постоянный ток коллектора...... ............................ ......7 А
Импульсный ток коллектора ..................................... . 15 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при 7k = +25 “С . . 60 Вт
Температура р-п перехода........................... ...............+150 'С
Температура окружающей среды................................-45...Т = +100 *С
122
Транзисторы р-п-р
П 2Т709А2, 2Т709Б2, 2Т709В2
О
2Т709(А2-В2)
Транзисторы кремниевые
меза-планарныс структуры р п р
составные усилительные. Пред-
назначены для применения в
усилителях и переключающих
уыройствах Выпускаются в пла-
стмассовом корпусе с жесткими
выводами Масса транзистора не
более 2 5 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент зерелачи тока в схеме ОЭ при Скб = 5 В. /а — 5 А.
нс менее:
2Т7О9А2......................................................................... 500
2Т7О9Б2.2Т7О9В2 ... ....._. 750
1 дель коэффициента передачи тока на высокой частоте при Скэ - 5 В.
/к = 0.5 А ./= 1 МГн.
не менее................... ........................... . . 3
Граничное напряжение при /э = 100 мА. не менее:
2Т709А2...............................................................................S0 В
2Т7О9Б2........:.................................................................60 В
2Т7О9В2........................... :........................................... 40 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = 5 А. /б = 0.02 А.
не более........................................................................2 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при /к 5 А. /б = 0.02 А. нс более 3 В
Пробивное напряжение коллектор-база при /к = I мА. не менее:
2Т909А2................................................ ...........................100 В
2Т7О9Б2 ...... ................................................. 80 В
2Т709В2.......1.......................1............................Д,................................ 60 В
Пробивное напряжение база-эмиттер при /э = 5 мА не менее............................5 В
Емкость коллекторного перехода при (7кб = 5 В нс более ........ 250 пФ
Емкость эмиттерззого перехода при (7эб = 0.5 В не более ..... 1000 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база.
2Т7О9А2.................................................. Ю0В
2Т709Б2..................................................80 В
2Т709В2........................................60 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
при Лбэ = 1 кОм
2Т709А2.....:...................... -...................100 В
2Т709Б2 .................................................80 В
2Т709В2......................... ........................60 В
123
при Лбэ = ОО.
2Т709А2................................................ «О в
2Т709Б2.............. .................................. 60 В
2Т7О9В2...........................л................40 В
Постоянное напряжение база-эмпттср......................... 5 В
Постоянный ток коллектора .............................. К) А
Импульсный юк коллектора при z|t = 5 мс 20 А
Постоянный ток базы................................... 0.2 А
Импульсный ток базы нрн ги = 5 мс ............................ . . 0.4 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора* при 7k = 60 +25‘С.
с тенлоотволом ........................................ ..... 30 Bi
без теплоотвода.................................. . . ........ I Bi
Температура р-п перехода .......... ... +I50X
Температура окружающей среды .............................. -60'С. .7k =+|00'С
1 При изменении 7k от +25 до + 1004 /\ макс снижается линейно на 0 24 Вт/‘С с
теплоотводом и на Я мВт/’С без теплоотвода
Трлн тиетор кремниевый яти1лк.11Я'1ьно
меза-планлрныи структуры р-п-р \сн. и
тельный. Предназначен т тя применения в
усилителях ниткоп частот .1 операционных
и дифференты, ii.iicix уси вы тях. иреобр.
зоватсяях и импульсных устройствах Выих
скается в тт.таст массовом корпусе с жесткими
выводами Масса транзистора не более I т.
Электрические параме гры
[Статический коэффициент передачи гока в схеме ОЭ при бкэ = IВ /к=0,0? А.
не менее .. . . .......... 200
Граничная частота коэффициента передачи гока в схеме ОЭ нрт Мсб = К) В
/т = 250 мА
не менее ................................................ ... . 3 МГц
Граничное напряжение при /э = 0,1 А нс менее 25 В
Напряжение насыщения коллектор-змипер при /к = 1 А /б 0.1 А.
не более ... . О b В
типовое значение 0 33* В
Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = I А. /б = 0.1 А
нс более............................................. ...... .. 1,5 В
типовое значение 0,92* В
Пробивное напряжение база эмиттер при /э = 1 мА. нс менее . .... 5 В
Емкость коллекторного перехода при Г'кб = 10 В. типовое значение . . 60' пФ
Емкость эмиперното перехода при (Лтб = 0,5 В. типовое значение .... 115* пФ
Обратный ток коллектора при 1/кб = 25 В не более 100 мкА
124
Прслсп.ныс эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база 40 В
Постоянное напряжение коллектор эмиттер:
Кбэ = 100 Ом ................. ........ 4(1 В
Лбэ = оо........................................................ 25 В
Постоянное напряжение база-эмиттер.................................5 В
Постоянный ток коллектора ........................................3 А
Импульсный ток коллектора при /и = 10 мс ... 6 Л
Постоянный ток базы ............... 1 А
Постоянная рассеиваемая мощность кол.Гектора1 при 7 k 40 ,+25'С 25 Вт
Температура р -п псрехояа......................................... +150 С
Температура окружающей среды................................. 40“С 7k = i 100 С
1 При /к > + 25 С 7k. макс снижается линейно до 10 Bi при 7k = +100’С
П КТ842А, КТ842Б
Транзисторы кремниевые э1нпакси<си>н< планарные езрумуры р-п-р переключите гь
ные. Предназначены для применения в мощных преобразователях, линейныхегабили и юрах
напряжения Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими вы во ими и стеклянными
изоляторами
Масса транзистора не более 20 г
КП42А. КТЫ2И
Электрические п рам тры
f газнческии коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при 7 кб = 4 В. /э - о А
нс мепсс......................................................'-- 15
типовое значение ........ 20
Граничная частот коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при /кз = 10 В
/к = 0.2 Д.
не менее ................................................ ........10 МГц
Граничное напряжение при /к 50 мА.
KTS42A . . ........ 250 В
КТХ42Б................................................... . . 150 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = 5 А. /б = I А.
нс более.......................................................... I .X В
типовое значение ................................. 0.5* В
125
Напряжение насыщения база эмиттер при /к = 5 А. /б = I А.
нс более ...................................... ............... 1.8 В
типовое значение.............................._...............1,1 *В
Время включения при (,'кэ=20 В /к=2 А. /6=0,5 А. типовое значение 0.12* мкс
Время спада при б'ю=20 В. /к=2 А. /6=0.5 А типовое значение. .....0.13* мкс
t Время рассасывания при /жэ 20 В. /к = 2 А. /б = 0.5 А.
типовое значение . ........... ................. ................. 0,8* мкс
Емкость коллекторною перехода при t/кб = 10 В типовое значение . 250* пФ
Обратный гок коллектора при t/kfi «= t/кб макс, не более . 1 мА
Обратны!! гок эмиттера при t/эб = 3 В, не более ................ 5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база
КТ842А.............. ........................................ 300 В
КТ842Б........................................................200 В
I Постоянное напряжение коллектор эмиттер
при Лбэ = 10 Ом
КТ842А .................................................... . 300 В
КТ842Б .............. ........................................ 200 В
при /?бэ = <м;
КТ842А ....................................... 250В
КТ842Б........; ......................150В
^Постоянное напряжение база эмиттер ............... 5В
К Постоянный ток коллектора ........... . ... 5А
, Импульсный ток коллектора при Юме .... 8А
По. IOHHTU пт к । Гы пт |д
^^шпу.|ясный ток базы при /и = 10 мс _____ 2А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при 7k = -45 +25 С
‘ F с теплоотводом 50 Вт
I без теплоотвода2 ................... 3 Вт
^Кмпература рц ттерсчола 150 <
Температура окружающей среды ..... -45’С. 7k =+100'6
1 При 7k > +25 С Рк.макс уменьшается линейно до 20 Вт при 7k = +100 С
- При Т > +254' Ас.макс уменьшается линейно до 1,2 Вг при / = +100 С
Зависимость статическою кош|и|>иипевта
Передачи тока от тока эмипера
Зависимости напряжений насыщения
коллектор - эмиттер и база - эмит тер от
тока
126
Зависимости коэффициента К or
длительности импульса
□ 2Т876А, 2Т876Б, 2Т876В, 2Т876Г
Тран шсгоры кремниевые зпитаксиально-плапарные структуры р пр персквючагель-
ныс Предназначены для применения в усилителях и переключающих уезройентах
Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными и юля юрами.
Электрические параметры
СтагическиН коэффипиеш передачи тока в схеме ОЭ при 6'кб = 5 В. h 5 А
TS76A. 2Т876Б. 21876 В ... .80 250
2Т876Г ....................................... ...... .....л..„.40...160
Граничная час юга коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при (’кт ~ 10 В.
/к = 0.5 А ... . .................................................. 20. 120* МГн
Граничное напряжение при /к = 30 мА. не менее.
2Т*76А. 2Т876Б............................................ 60 В
2Т876В ........................................... 40 В
2TS76T........................................................ SOB
Напряжение н 1сыщепия коллектор - эмиттер при /к 5 А /б = I А.
нс более....................................... - .......... 0.5 В
Напряжение насыщения база эм тпер при /к = 5 А. /б = 1 А нс более 1.5 В
Время включения при 6/кэ = .30 В, /к = 5 А. /б = 0.5 А.
127
нс более...............Л................................... .. О 25 мкс
гм новое значение.............................................0,12 мкс
Время выключения при 6/кэ = 30 В, /к = 5 А, /б = 0,5 А,
не бочее ... | мкс
типовое значение...............................................0,4* мкс
Время спада при 6/кэ = 30 В, /к = 5 А, /б = 0,5 А,
нс более ................................... .. ... ... .0,2 мкс
типовое значение...............................................0,05* мкс
Емкость коллекторного перехода при 1ЛХ> = 10 В типовое значение 910* пФ
Емкость эмитгерного перехода при 11ж = 0,5 В. типовое значение..... 5500* нФ
[ Обратный ток коллектора при t/кб = t/кб.маис не более............3 мА
Обр. гный ток эмиттера при t/эб = 5 В, нс более .... ..............10 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор - база.
2Т876А. 2Т876Г.......................... 90 В
2Т876Б................................................... :....?ов
2TS76B.........................................................50 В
Постоянное напряжение коллектор - эмиттер'
при Лб: = 100 Ом;
2TS76A, 2Т876Г.................... 90 В
I 2Т876Б........................................................70 В
h 2Т876В.......................................................50 В
при Ябэ = «>:
2Т876А. 2Т876Б ............60 В
2Т876В....................................... .................40 В
2Т876Г .......................... ...........................80 В
► Постоянное напряжение база эмиттер....... ............5 В
Постоянный ток коллектора ............. . ............... 10 А
(Импульсный ток коллектора при = 10 мс ........ 15 А
Постоянный ток базы ...............................................3 А
Импульсный ток базы при тн = 10 мс....... . . ....5 Л
। Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Гк = -60. ,+25'С:
с теплоотводом...................... 50 Вт
без теплоотвода... ........ ...............................3 Вт
Температура р-п перехода___. ......................................+ 150*С
Температура окружающей среды .......................... -60'С...7к = + |25’С
При 7к > +25'С Рк.макс снижается линейно на 0,4 Вт ’С с теплоотводом и на
24 мВт/"С без теплоотвода
^2'3
Зависимое|ь статического коэффициент
исрсяичи тока от тока эмиттера
128
129
Напряжение насыщения коллектор - эмиттер при /к = 10 А, /б = 0,04 А,
• не более......................................................2 В
Напряжение насыщения база - эмиттер при /к = 10 А, /б = 0,04 А,
не более ......... ..............................з в
Время включения при 1/кэ = 20 В, /к = 10 А, /б = 0,04 А,
типовое значение ... ................ ......... 0.22* мкс
Время выключения при 1/кэ = 20 В, /к = 10 А, /б = 0,04 А,
типовое значение..................................................0,75* мкс
Время спада при 1/кэ = 20 В, /к = 10 А, /б = 0.04 А, ' <
типовое значение..................................................0,3* мкс
Емкость коллекторного перехода при 1/кб = 20 В.типовос значение.830* пФ
Емкость эмиттерного перехода при 7/эб = 3 В. типовое значение. 1300* пФ
Обратный ток кол ектор - эмиттер при 1/кэ = t/кэ макс, 1/эб = 1,5 В,
нс более.....................,....................................| мА
Обратный ток эмиттера при t/эб = 5 В, не более ....... 5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Зависимость напряжения насыщения
иотлекгор эмиггер oi гока коллекюра
Зависимость напряжения насыщения база
эмиггер от юка кол лектора
П 2Т877А, 2Т877Б, 2Т877В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные с|рукгуры р «-/> составные
универсальные Прелназиачеиыжля применения вусилнгелях и переключающих ус rpoiici нах.
Выптскакмся в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.
Масса 1| шзистора нс более 20 I
Постоянное напряжение коллектор - база:
2Т877А................................_..........................80 В
2Т877Б..........................................;............60 В
2Т877В.........................................................40 В
I Постоянное напряженние кол тектор - эмиттер.
2Т877А..............................................................80 В
[. 2Т877Б.........................................................60 В
2Т877В.................................................... 40 В
I Постоянное напряжение эмиггер - база............................5 В
। Постоянный ток коллектора.............................. ;.......20 А
Импульсный ток коллектора при ги = 10 мс........................ 40 А
, Постоянный ток базы............................................. |$ а
I Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 при 7k = -6О...+25"С:
с теплоотводом..................................................50 Вт
без теппоотвода............................................ .... 3 Вт
Температура р-п перехода.............................................+|75“С
Температура окружающей среды............................... -60’С... 7k = +125'С
Рк макс снижается линейно
на 0,44 Вт/"С с теплоотводом и на
Электрические параметры
(. laiiviccKirii коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при Скб=10 В. /э-=1(> А
2TS77A.................._............................................ ....... ... 750...10000
ЗГХ77Б, 2TS77B*""..-......... ..................... ................. -••? 2500...1X000
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при I к л = 5 В.
/к = 3 А,
не менее..............................—............................................... Юр МГн
Граничное напряжение при /к - 0.1 А. не менее
2Т877А ............................................................ . . ХО В
2Т877Б............................................. .................................1>0 В
2Т877В................... 40 В
1 При 7k > +25°С
20 мВт/"С без теплоотвода
Зависимость напряжения насыщения
коллектор - эмиттер от тока коллектора
Зависимость напряжения насыщения база
- эмиттер от тока коллектора
5-992
130
131
Зависимость коэффициента К от
длительности импульса
Зависимости времени включения и
выключения от тока коллектора
Зависимости статического коэффи-
циента передачи тока от тока
эмиттера
Области безопасной работы
транзисторов *
□ 2Т880А, 2Т880Б, 2Т880В, 2Т880Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры р п р универсальные
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах Выпускаются
в металлическом корпусе с гибкими выводами и стеклянными изоляторами. Масса
транзистора не более 2 г.
2Т880(А-Г)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при (7кб = 1 В, 7э = 1А.
2Т880А, 2Т880Б, 2Т880В............................................80...250
2Т880Г........................................................40...160
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при (Ткэ = 5 В,
Лс = 0,05 А..................................................30...300* МГц
Граничное напряжение при Лс = 0,03 А, не менее:
2Т880А, 2Т880Б....................................................60 В
2Т880В........................................................40 В
2Т88ОГ........................................................80 В
Напряжение насыщения коллектор - эмиттер при /к = 1 А, /б = 0,2 А,
не более........>..............................................а... 0,35 В
Н пряжеНис насыщения база эмиттер при /к = 1 А, К = 0,2 А,
не более.....................................................1,3 В
Время включения при Окэ = 20 В, Ik = 1 А, Л> = 0,2 А,
типовое значение ...................... ...................... 0,08* мкс
Время выключения при (Ткэ = 20 В, /к = 1 А, /б = 0,2 А,
типовое значение.............................................. ... 0,6* мкс
Время рассасывания при (Ткэ = 20 В, /к = 1 А, 76 = 0,2 А,
типовое значение............................-...-.................0,5* мкс
Емкость коллекторного перехода при Укб = 5 В, типовое значение. 200* пФ
Емкость эмиттерного перехода при Иэ = 4 В, типовое значение....... 900* пФ
Обратный ток коллектора при (7кб = 11кб,макс не более............. . 0,2 мА
Обратный ток коллектор - эмиттер при (Леэ = (7кэ,макс Ябэ = 1 кОм,
не более..........................................................0,5 мА
Обратный ток эмиттера при Обэ = 4,5 В, не более . . ........... 1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Г Постоянное напряжение коллектор - база:
2Т880А, 2Т880Г................................................100 В
2Т880Б.......................................................80 В
2Т880В.......................................................50 В
[ Постоянное напряжение коллектор - эмиттер
при Лбэ - 1 кОм
2Т880А, 2Т880Г............................I......................100 В
2Т880Б..................................................;....80 В
2Т880В.......................................................50 В
при Лбэ = ~:
2Т880А, 2Т880Б................................................60 В
2Т880В.......................................................40 В
2Т880Г.......................................................80 В
Постоянное напряжение эмиттер - база ........................ 4,5 В
I Постоянный ток коллектора.................................... ...2 А
Импульсный ток коллектора при /и = 10 мс.................. 4 А
В Постоянный ток базы..............................................1 А
Импульсный ток базы при /и = 10 мс . .................. 1,5 А
Постоянная рссссиваемая мощность коллектора1 при Тк = -60 +25”С:
с теплоотводом .............................................. 5 Вт
без теплоотвода..............................................0,8 Вт
| Температура р-п перехода.........................................+150°С
| Температура окружающей среды ............................. -60”С...7к=+125°С
1 При 7к > +25*С Ас,макс снижается линейно на 0,04 Вт/°С с теплоотводом и на
Г 6,4 мВт/°С без теплоотвода.
132
Ajo
Зависимости статического коэффи-
циента передачи тока от тока эмиттера
Области безопа ной работы тран-
исторов
Зависимости времени включения, вы-
ключения, рассасывания от тока
коллектора
Зависимость напряжения насыщения
коллектор - эмиттер оттока коллектора
Зависимость напряжения насыщения
база эмиттер от тока коллектора
133
□ КТ887А, КТ887Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры р-п-р переключательные
Предназначе ы для применения в переключательных схемах, импульсных модуляторах,
стабилизаторах напряж ния Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами
и стеклянными изоляторами. Масса транзистора не более 20 г.
КТ887(А, Б)
Электрические параметры
Статический ффициент передачи тока в схеме ОЭ при Окб = 9 В,
|Ь = 1 А..........................................................20...120
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при Окэ = 10 В,
Ук = 0,5 А,
[ - не менее.........................................................15 МГц
Граничное напряжение при 7k = 100 мА, L = 160 мГн, не менее:
КТ887А...........................................................600 В
КТ887Б....................................................1......500 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = 1 А, /б = 0,4 А,
не более............................................................1,4 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 1 А, Уб = 0,4 А,
не более...............................................;. ................ 1,5 В
Время нарастания при Окэ = 250 В, 7k = 1 А, Уб = 0,2 А,
не более..............................................................0,15 мкс
типовое значение.................................................0,12* мкс
Время рассасывания при №э = 250 В, 7k = 1 А, Уб = 0,2 А,
не более..............................................................5 мкс
типовое значение.................................................3* мкс
I Время спада при Окэ = 250 В, Ук = 1 А, Уб = 0,2 А, не более.........0,5 мкс
| типовое значение....................................................0,35* мкс
Емкость коллекторного перехода при Окб = 10 В,
не более..............................................................400 пФ
типовое значение.................................................350* пФ
Обратный Ток коллектора при Окб = Окб,макс, не более..................0,25 мА
Обратный ток эмиттера при Оэб = 5 В, не более..... ..... . 1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база:
КТ887А...........................................................700 В
КТ887Б...........................................................600 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер:
Лбэ = 100 Ом
КТ887А...........................................................700 В
КТ887Б...........................................................600 В
134
Лбэ = 00
КТ887А
КТ887Б
600В
500В
Постоянное напряжение эмиттер-база..............................5 В
Постоянный ток коллектора.......................................2 А
Импульсный ток коллектора при /и = 100 мкс, Q = 100 5 А
Постоянный ток базы.............................................1 А
Импульсный ток базы при /и = 100 мкс, Q = 100 .. .
Постоянная рассеиваемая мощность1 коллектора при 7k = -60. .+25 "С
с теплоотводом.......J............................................
без теплоотвода .........*....................................
2 А
75 Вт
3 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при 7k = -60. +25 'С,
= 100 мкс О = ЮО .............
Температура р-п перехода......
Те|ипература окружающей среды
.......750 Вт
.......+150 ”С
-60 "С 7k =+125 "С
1 При 7k > +25 °C максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность
коллектора снижается линейно на 6 Вт/”С с теплоотводом и на 0,6 Вт/°С без теплоотвода.
передачи тока от тока эмиттера.
Зависимость коэффициента мощности Зависимость времени спада импульса от
коллектора от длительности импульса. тока коллектора
135
П КТ888А, КТ888Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры р-п-р переключательны
Предназначены для применения в преобразователях, модуляторах, стабилизаторах напря
жения вторичных источников электропитания Выпускаются в металлическом корпусе с
гибкими выводами и стеклянными изоляторами Масса транзистора не более 2 г
КТ888(А,Б)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при (Лсб = 3 В,
2э = 30 мА........................................................30...120
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при (Леэ = 10 В,
/к = 30 мА,
не менее..........................................................15 МГц
Граничное напряжение при Ас = 30 мА, не менее
КТ888А.......................................................800 В
КТ888Б........................................................600 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Лс = 20 мА, 16 = 4 мА,
не более.........................<.............................1 В
Напряжение насыщения база эмиттер при Лс = 20 мА, /6 = 4 мА,
не более ....................................................1,5 В
Время нарастания при йсэ = 250 В, Лс = 40 мА, 16 = 8 мА
не более..........................................................0,7 мкс
типовое значение .............................................0,35* мкс
Время рассасывания при йсэ = 250 В, Лс = 40 мА, 16 = 8 мА,
не более..........................................................3 мкс
типовое значение..............................................1,3* мкс
Время спада при Окэ = 250 В, /к = 40 мА, 16 = 8 мА, не более 0,5 мкс
Обратный ток коллектора при Ькб — Мсб^сакс не более ......II мкА
Обратный ток эмиттера при Чэб = 7 В, не более .......... .....10 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база.
КТ888А..................................................... 900 В
КТ888Б......................................................600 В
П стоянное напряжение коллектор эмиггер \
Абэ = 1 кОм
КТ888А......................................................900 В
КТ888Б......................................................600 В
Абэ = о°
КТ888А......................................................800 В
КТ888Б......................................................600 В
Постоянное напряжение база-эмиттер..............................7 В
Постоянный ток коллектора.......................................0,1 А
Импульсный ток коллектора при /и = 100 мкс, Q - 100............. 0,2 А
136
Постоянный ток базы ..............................................0.05 А
Импульсный ток базы при /и = 100, Q = 100 ........................0.1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при 7k = -60...+25 "С:
с теплоотводом................................................7 В
без теплоотвода...............................................0,8 Вт
Температура р-п перехода..........................................+150 ”С
Температура окружающей среды................. .............-60'С 7к=+125*С
1 При 7к от +25 до +125 *С максимально допустимая постоянная рассеиваемая
мощность коллектора снижается линейно на 56,2 мВт/"С с теплоотводом и на 6,4 мВт/°С
без теплоотвода.
Относительная зависимость коэффици-
ента мощности от длительности
импульса.
137
ТРАНЗИСТОРЫ МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ
Транзисторы п-р-п
□ КТ928А, КТ928Б, КТ928В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п импульсные
редназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах, в генераторах
Выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами и стеклянными изоляторами
Масса транзистора не более 3 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при Окб=3 В, 7э=150 мА:
КТ928А...........................................................20...100
КТ928Б...........................................................50...200
КТ928В........................................................... 100...300
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при Окэ = 10 В,
2k = 50 мА,
не менее.............................................................250 МГц
Граничное напряжение при Лс = 20 мА, не менее..... .... 40 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при 2k = 300 мА, 16 = 30 мА,
не более.............................................................1 В
Напряжение насыщения база-эмиттер гри 2k ~ 300 мА, 26 = 30 мА,
не более.............................................................1,5 В
Время рассасывания при 2k = 300 мА, 16 = 30 мА, не более ............250 нс
Емкость коллекторно перехода при Окб = 10 В,
не более.............................................................10 пФ
типовое значение.................................................6,9 пФ
Емкость миттерного перехода при Оэб = 0, не более .......100 пФ
Обратный ток коллектора при Окб = Ок макс, не более:
Т = +25 ’С
КТ928А, КТ928Б...................................................5 мкА
КТ928В......,....................................................1 мкА
Т = +85 "С.........................................................60 мкА
Обратный ток эмиттера при Оэб — 5 В, не более............. 5 мкА
138
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база.
КТ928А, КТ928Б ................................................60 В
КТ928В...........................:.............................75 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Ябэ = 0:
КТ928А, КТ928Б.................................................60 В
КТ928В.........................................................75 В
Постоянное напряжение эмиттер-база.................................5 В
Постоянный ток коллектора..........................................0,8 А
Импульсный ток коллектора ....................................... 1 2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 при 7k = -45 ..+25 ‘с.0,5 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при Ти = 10 мкс, Q = 50,
7k = -45...+25 'С..............................“..................3,6 Вт
Температура р-п перехода..........................................+150 ’С
Температура окружающей среды................................-45”С...7к = +85 ’С
1 При 7к > +25 *С максимально допустимые постоянная и импульсная рассеиваемая
мощности коллектора снижаются линейно на 4 мВт °C.
П 2Т980А, 2Т980Б
2Т980(А,Б)
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный
мощный структуры п-р-п предназначен для работы в
линейных широкополосных усилителях мощности.
Транзистор 2Т98ОА работает в диапазоне 1,5...30 МГц, а
транзистор 2Т98 ОБ в диапазоне 30 80 МГц Транзистор
2Т980Б может работа ь в диапазоне 5 30 МГц со
снижением постоянной мощности рассеяния на 20% от
предельно допустимой мощности Транзистор
конструктивно выполнен в металлокерамическом корпусе
КТ 19 Масса транзистора не более 11г
Электрические параметры
Выходная мощность при № = 50 В, /= 30 МГц для 2Т980А /= 80 МГц для
2Т980Б,
не менее.......................................................250 Вт
Выходная мощность в пике огибающей при № = 50 В,/= 30 МГц для 2Т980А,
/= 80 МГц для 2Т980Б,
не менее...................................................250 Вт
Коэффициент усиления по мощности в пике огибающей при Uh = 50 В,
Рвых = 250 Вт
/ - 30 МГц для 2Т980А не менее.............................25
/= 80 МГц для 2Т980Б, не менее.............................5
139
Коэффициент полезного действия коллектора в пике огибающей при йг=50 В,
Рвых = 250 Вт
/= 30 МГц для 2Т980А, не менее.................................35 %
/= 80 МГц для 2Т980Б, не менее ................................30%
Коэффициент комбинационных составляющих третьего и пятого порядка при
Иг = 50 В Лых п о = 250 Вт
/= 30 МГц для 2Т980А, не более.................................-30 дБ
/= 80 МГц для 2Т980Б, не более.................................-27 дБ
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при йеэ = 20 В
Л 9 А./= 30 МГц,
не менее............................. 5
Обратный ток коллектор-эмиттер при Цкэ = 20 В Яэб = 10 Ом, 7k = +25"С,
не более..........................................................100 мА
То же при 7k = -60’С, + 125’С, не более ...........................200 мА
Обратный ток эмиттера при 1Ьб = 4 В, не более................. 500 мА
Статический коэффициент передачи тока, не менее при йсб = 10 В /к = 5 А,
7k = +25'С
2Т980А.........................................................15
2Т980Б.........................................................10
1 при 7k = -60’С, 2Т980Б...........................................5
при 7k = +125’С, 2Т980Б..........................................10
Емкость коллекторного перехода при t/кб = 50 В, /= 1 МГц, не более . . . 450 пФ
Емкость эмитгерного перехода при 1Ъб = 0,/= 3 кГц, не более ....... 15000 пФ
Граничное напряжение при /э = 200 мА, не менее 55 В
Индуктивность эмиттера, не более ................ 1,6 нГн
Индуктивность базы, не более..................... .................1,9 нГн
Сопротивление изоляции между любым выводом и корпусом не менее 1,0 МОм
Конструктивная емкость эмиттер-корпус, не более... 3,68 пФ
Конструктивная емкость коллектор-корпус, не более ............. 3,7 пФ
Конструктивная емкость база-корпус не более .. ......... 1,11 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор эмиттер при Кэб < 10 Ом ....100 В
Постоянное напряжение эмиттер-база.................................4 В
Постоянное напряжение питания 50 В
Постоянный ток коллектора ..................................... ... 15 А
Постоянный ток базы................................................5 А
КСВН коллекторной цепи при/Ъых п о < 100 Вт и любой фазе рассогласования
в течение 1с.........................................................30 .
Входная мощность (эффективная).....................................16 Вт
Входная мощность в пике огибающей ................................... 16 Вт
Рабочая частота ...................................................1,5 МГц
Температура р-п перехода...........................................200’С
Тепловое сопротивление переход-корпус..............................0,57’С/Вт
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора в диапазоне температур
7k = -60’С... 7k = +30’С...........................................300 Вт
В иапазоне температур 7k = ЗО’С. 7k = 125’С мощность линейно снижается
до 135 Вт
Средняя рассеиваемая мощность коллектора в динамическом режиме в диапа
зоне температур 7k = -60’С 7k = +30’С....... .............. . 300 Вт
В диапазоне температур 7k = ЗО’С. ,7k = 125’С мощность линейно снижается до 135 Вт
140
передачи тока на высокой'ч'астоте от
тока коллектора
Зависимость выходной мощности в пике огиба-
ющей от входной мощности
Зависимость максимально-допустимой
постоянной рассеиваемой мощности от
температуры
Область безопасной работы
141
П КТ985АС
КТ985АС,
Сборка из двух кремниевых эпитаксиально-
планарных структуры п-р-п генераторных
транзисторов. Предназначена для прим нения в
двухтактных широкополосных илителях мощности
в диапазоне частот 220.. 400 МГц при напряжении
питания 28 В Выпускается в металлокерамическом
корпусе с гибкими полосковыми выводами Сборка
содержит внутренние согласующие ГС-звенья для
каждого транзистора Масса сборки не более 10 г
Электрические параметры
Выходная мощность в двухтактной схеме на f = 400 МГц при йсэ = 28 В,
7k +40*С,
не менее .........................................................125 Вт
Коэффициент усиления по мощности в двухтактной схеме на/= 400 МГц при
Рвых. = 125 Вт, Скэ = 28 В, 7k = +40*С,
не менее..........................................................3,5
типовое значение..............................................5,6*
Коэффициент полезного действия в двухтактной схеме на f = 400 МГц при
Лых = 125 Вт, Скэ = 28 В, 7k = +40‘С,
не менее..........................................................50 %
типовое значение..............................................61 %
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при 1кэ - 10 В,
tfk = 4 А,/= 300 МГц..............................................2,2...6,4*
Критический ток при Цкэ = 10 В /= 300 МГц,
не менее .........................................................14 А
типовое значение..............................................26* А
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при йсб = 10 В,
А = 0,5 А,/= 5 МГц................................................10*...21 пс
Емкость коллекторного перехода при Окб ” 28 В,
не более..........................................................270 пФ
типовое значение..............................................195* пФ
Обратный ток коллектор-эмиттер при 1кэ = 50 В, Ябэ = 10 Ом,
не более.................................................... -...120 мА
Обратный Юк эмиттера при 1Ьб = 4 В, не более 60 мА
Индуктивность внутреннего ГС-звена, типовое значение .....0,47* нГн
Емкость внутреннего £С-звена, типовое значение . .............580* пФ
Индуктивность внутренней коллекторной перемычки
типовое значение........................’.........................7,5* нГн
Индуктивность выводов, типовое значение
• эмиттерного.....................................................0,17* нГн
коллекторного....................-............................1* нГн
базового......................................................0,5* нГН
142
143
Пред ельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Лбэ = 10 Ом 50 В
Постоянное напряжение эмиттер-база........................... 4 В
Постоянный ток коллектора .........................................17 А
Средняя рассеиваемая мощность коллектора в динамическом режиме
при 7k = -40. ,+40’С................................................185 Вт
КВСН коллекторной цепи на/= 400 МГц при Рым = 80 Вт, Скэ = 24 В 10
Температура р-п перехода .......................................... +160"С
Тепловое сопротивление переход-корпус в динамическом режиме........ 0,б5°С/Вт
Температура окружают й среды ............ 40’С.. 7k = +85"С
При 7k > +40“С максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в
динамическом режиме рассчитывается по форму
Рк,ср, макс = (160-Тк)/0,65, Вт
Изгиб выво ов допускается нс ближе 3 мм от корпуса сборки Пайка выводов
допускается не ближе 1 мм от корпуса сборки при температуре +270"С.в течение 4 с
Д пускается монтаж сборки методом пайки фланца к теплоотводу при обеспечении
температуры корпуса не более +150 "С в течение 2 минут.
□ КТ986А, КТ986Б, КТ986В, КТ986Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально
планарные структуры п-р-п генераторные с
внутренними согласующими цепями по входу й
выходу. Предназначены для применения в
генераторах и усилителях в схеме с общей базой в
импульсном режим i диапазоне частот 1.4.1,6
ГГц для КТ986А КТ 86Б КТ986В и в диапазоне
0,6...0,8 ГГц для КТ986Г. Выпускаются в металло-
керамическом корпусе с ленточными выводами
Масса транзистора не более 6 г.
Электрические параметры
Выходная мощность при Скб = 45 В, tu = 10 мкс, Q = 100:
КТ986А в bf= 1,4.1,6 ГГц при Рвх = 87 5 Вт,
не менее............................................v...........350 Вт
типовое значение................................................390* Вт
КТ986Б в bf= 1,4. 1,6 ГГц при Лх = 75 Вт,
не менее..............................................................300 Вт
типовое значение.... ........................А......................330* Вт
КТ986В в V= 1,4...1,6 ГГц при Лх = 70 Вт
не менее..............................................................350 Вт
типовое значение....................................................390* Вт
КТ986Г в V= 0,6.0,8 ГГЦ при Лх = 70 Вт,
не менее .............................................................350 Вт
типовое значение....................................................390* Вт
Коэффициент усиления по мощности при 6кб = 45 В, /и = 10 мкс Q = 100
КТ986А в 1,4... 1,6 ГГц при Лх = 87,5 Вт,
не менее................... „ .............. 6 дБ
типовое значение............................................6,5* дБ
КТ986Б в V- 1,4 -1,6 ГГц при Лх = 75 Вт,
не менее................................ .......... 6 дБ
типовое значение............................................6,5* дБ
КТ986В в Д6= 1,4. .1,6 ГГц при Лх = 70 Вт,
не менее........................................ .. 7 дБ
типовое значение.............................................7,5* дБ
КТ986Г в Af= 0,6 0 8 ГГц при Лх = 70 Вт
не менее......................................................7 д₽
типовое значение.............................................7,5* дБ
Коэффициент полезного действия при 6кб = 45 В, = 10 мкс, Q = 100:
КТ986А в ttf- 1,4... 1,6 ГГц при Лх = 87,5 Вт,
не менее............................................ ................30 %
типовое значение................................................*32*%
КТ986Б в Д6= 1,4... 1,6 ГГц при Лх = 75 Вт,
не менее'........................................................30 %
типовое значение................................................32*%
КТ986В в V= 1 4 1,6 ГГц при Лх = 70 Вт,
не менее ........................................................35 %
типовое значение................................................37*%
КТ986Г в ДУ= 0,6...0,8 ГГц при Лх = 70 Вт,
не менее ..................................... ............ .....35 %
типовое значение......................................... 37*%
Обратный ток коллектора при 6кб = 50 В, не более
КТ986А..............................................................60 мА
КТ986Б, КТ986Г............................................. 50 мА
КТ986В..................................................... 40 мА
Обратный ток коллектор эмиттер при бкэ = 45 В, не более
Г=+25'С.............................................................60 мА
Г = +125’С и -60"С 70 мА
Обратный ток эмиттера при 6Ьб = 3 В не более
КТ986А, КТ986Г......................................................50 мА
КТ986Б, КТ986В...........,................................. 40 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база............................. 50 В
Постоянное напряжение эмиттер-база.................................3 В
Импульсный ток коллектора при <и = 10 мкс, Q = 100 26 А
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при /и = 10 мкс Q = 100,
7k = -60 +85‘С.....................................................910 Вт
Температура р-п перехода...........................................+200’С
Температура окружающей среды...............................-60’С... 7k = +125*С
1 При 7k = -6О...+85'С, /и = 10 мкс, Q = 100
Рк и,макс = HS/Rr,u(n-K), Вт
144
При Т- +85 +125 С, t„ = 10 мкс, Q = 100
Рк,и,макс — (200-Тк)/Кт,и(п-к), Вт
Rr,u(n-K) = 1,65/Q + 0,045 ( 1 - 0,86/^Tq для КТ986А
7?г и(п-к) = 2 06/Q + 0,045 ( 1 - 0,86/'J~Q)уП^ для КТ986Б
Ит,и(п-к) = 1 65/Q + 0 036 ( 1 - 0,86/\^Q)V7^ для КТ986В, КТ986Г
Формулы справедливы при Рк, и макс < 1300 Вт
□ 2Т993А
Транзистор кремниевый планарный
структуры п-р-п переключательный.
Предназначен для применения в пере-
ключательных и усилительных устрой-
ствах Выпускается в металлокера-
мическом корпусе с ленточными выво
дами Масса транзистора не более 4 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при [Леэ = 5 В /к = 5 А.
7k = +25'С.......................................................... 10-35*. 70*
7k = +125*С, не менее............................................10
Т = -60 *С, не менее.............................................5
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при [Леэ = 10 В,
Ж = 1 А.......................................................18О..195*..2Ю* МГц
Граничное напряжение при /к = 0,05 A, L = 25 мГн ................. 70 .90* .115* В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = 5 А,
76 = 0,5 А...........................................................0,4*. 0,7*..2 В
Емкость коллекторного перехода при [Лсб = 5 В...................220*..300*..375 пФ
Емкость эмитгерного перехода при 1йб = 4 В ................. 1800* 2500*..3000 пФ
Обратный ток коллектора не более
7k = +25’С при [Лсб = 150 В..........................................30 мА
7k = +125’С и -Б0"С при [Лсб = 120 В ............................50 мА
Обратный ток миттера при (/56 = 4 В не более ........................ 175 мА
145
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база1 при 7k = -60. .+ 100"С ......150 В
Постоянное напряжение коллектор эмиттер2 при йбэ = 10 Ом,
7k = -60...+100’С.................................................120 В
Импульсное напряжение коллектор эмиттер при Абэ = 10 Ом
= 5 мкс.........................:................................70 В
Постоянное напряжение эмиттер-база...................... ..... 4 В
Постоянный х>к коллектора........................... '.............5 А
Импульсный ток коллектора при /и= 5 мс, Q- 1000, Окэ=35 В или /и=10 мкс,
G = 1000, Окэ = 70 В...............................................10 А
Постоянный ток базы................................................7,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при 7k = -60.. +25"С...50 Вт
Температура р-п перехода...........................................+175’С
Температура окружающей среды.................................-60°С..7к= + 125“С
1 При 7к > +100’С максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
уменьшается линейно до 120 В при 7k = +125’С
2 При 7k > + 100’С максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-
эмиттер уменьшается линейно до 100 В при 7k = + 125°С.
3 При 7k > +25°С максимально допустимая постоянная расе иваемая мощность
коллектора рассчитывается по формуле
Рк, макс = (Г75-Тк)/Кт(п-к), Вт
где Аг(п к) = З’С/Вт при Окэ = 20 В, /к = 2,5 А
КТ997А, КТ997Б
КТ997 (Л,Ь)
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-
планарные структуры п р-п переключательные
Предназначены для применения в устройствах
управления сверхбольшими интегральными
схемами запоминающих устройств нацнлиндри-
ческих магнитных доменах. Выпускаются в
пластмассовом корпусе с жесткими выводами
Масса транзистора не более 3 г
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при Окэ = 1 В, 7к = 4 А
не менее
КТ997А при 7к = +25*С..........................................40
7к = +85 и -45’С.............................................20
КТ997Б при 7к = +25'С..........................................20
7к = +85 и -45’С.............................................10
146
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при Исэ = 10 В,
/к = 0,5 А,/= 30 МГц
не менее..........:...............................................................1,7
Граничное напряжение при /к = 0,1 А, £ = 25 мГн не менее ............................. 45 В
Напряжение насыщения коллектор - эмиттер при /к = 8 А, 75 = 0,4 А для
КТ997А и к = 8 А, 75 = 0,8 А для КТ997Б,
не более................,.........................................................1 В
Напряжение насыщения база - эмиттер при /к = 8 А 75 = 0,8 А,
не более..............................i............................................ 1,5 В
Время включения при Окэ = 25 В, СЬб = -5 В, /к = 5 А, 15 = 0,5 А,
типовое значение..........5.................................'.....................300* нс
Время рассасывания при 1Лсэ = 25 В, 1Ъб = 5 В /к = 5 А, 15 = 0,5 А,
типовое значение ...................................... . . 500* нс
Время спада при Uia = 25 В, СЬбЭБ = -5 В, /к = 5А, 75 = 0,5 А,
типовое значение..................................................................140* нс
Обратный ток коллектора при Окб — 45 В, не более
7k = +25*С...............................„....................................... 10 мкА
7k = +85 и -45°С.............................................. 20 мкА
Обратный ток эмиттера при 1Ьб = 5 В не более..........................................ЮО мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное и импульсн е напряжение коллектор эмиттер при 7?бэ = ~...45 В
Постоянное напряжение база эмиттер . ............................5 В
Постоянный ток коллектора ............................................................10 А
Импульсный ток коллектора ............................................................20 А
Постоянный ток базы..................................................................4 А
Импульсный ток базы...................................................................8 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 при 7k = +25’С...........................50 Вт
Температура р-п перехода..............................................................+150’С
Тепловое сопротивление переход - корпус ..............................................2,5’С/Вт
Тепловое сопротивление переход - среда................................................75°С/Вт
Температура окружающей среды....................................-45°С...7к = +85"С
1 При 7к > +25"С постоянная рассеиваемая мощность коллектора определяется из
выражения
Рк, макс = (150 - Тк)/Яг , Вт
г я ыи^л
Зависимости импульсного теплового сопротивле-
ния переход - корпус от длительности импульса
Области безопасной работы
транзисторов
147
0.65
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планар
ный „трукрутры п-р-п усилительный. Предназначен
для применения в блоке цветности цветного телевизора
Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими
выводами Масса транзистора не более 2 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при l/кэ = 10 В,
7k = 25 мА, не менее:
Тк = +25'С...................................................50
7k = +100’С................................................ 30
Т= -45”С.....................................................20 '
Граничная частота коэффициента п редачи тока в схеме ОЭ при йсэ = 10 В,
А = 10 мА, не менее..............................................60 МГц
Граничное напряжение при 7k - 10 мА не менее 250 В
Напряжение насыщения коллектор - эмиттер при /к = 15 мА, /6=3 мА
не более
7k = +25"С......................................................1 В
7k = +100 и -45°С............................................2 В
Емкость коллекторного перехода при Ысб = 30 В, не более 2 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Цэб = 3 В, не более.. ..... 30 пФ
Образный ток коллектора при t/кбi= 250 В, не более
7k = +25 и -45’С.................................................0,1 мкА
7k = +100*С..................................................20 мкА
Обратный ток эмиттера при Оэб = 5 В, не более. .....10 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор - база ..................... 250 В
Постоянное напряжение коллектор - эмиттер при /й>э = 10 Ом....... 250 В
Постоянное напряжение эмиттер - база ..................... 5 В
Постоянный ток коллектора.................................... 50 мА
Импульсный ток коллектора .................................. 100 мА
148
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 при 7k £ +25‘С:
с теплоотводом......................................................5 Вт
без теплоотвода.................................................1,6 Вт
Температура р-п перехода............................................+15СГС
Тепловое сопротивление'переход - корпус ............................ 25'С/Вт
Тепловое сопротивление переход - среда...................... 78'С/Вт
Температура окружающей среды.................................-45°С 7k = + 100'С
1 При 7k > +25*С постоянная рассеиваемая мощность коллектора определяется из
выражения
Рк,макс = (150tTk)/Rt , Вт
Зависимость тока
базы от напряжения
база - эмиттер
Зависимость напряжения
насыщения коллектор -
эмиттер оттокаколлектора
Зависимость статического
коэффициента передачи тока от
тока коллектора
□ 2Т9126А'
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры п-р-п генераторный.
Предназначен для применения в усилителях мощности и генераторах метрового и деци-
метрового диапазонов длин волн. Выпускается в металлокерамическом корпусе с винтом
и полосковыми выводами. Масса транзистора не более 30 г.
2Т9126А
149
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте/= 1,5 МГц при № = 50 В, не менее . 500 Вт
Коэффициент усиления по мощности на частоте/= 1,5 МГц при Vn = 50 В,
Лых = 500 Вт...........................................................13*...16*...18* дБ
Коэффициент полезного действия на частоте/= 1,5 МГц при Vn = 50 В,
’Лых = 500 Вт......................................................................... 60...70*...75*%
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при йсб =10 В, /э =5 А.
Г= +25*С................................................................ 10...40*... 100*
7’=+125*С................................................................1О...5О*...12О*
Т=-60'С..„............................................................. 5...20*...50*
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при Vka = 50 В,
/к = 8 А............................................................. 100...140*...160* МГц
Напряжение насыщения коллектор - эмиттер при Гк = 10 А,
Л = 1 А_______'...................................................... 0,3*...0,4*...0,5*В
Емкость коллекторного перехода при йсб = 50 В........................ 400* ..450* . 500 пФ
Емкость эмиттерного перехода при СЪб = 0........ ................ 0,02* .0,035* 0,1 мкФ
Конструктивная емкость эмиттер - корпус, не более .. .........7,5* пФ
Конструктивная емкость коллектор - корпус, не более.. ... 5,7* пФ
Конструктивная емкость база - корпус, не более. ... . 1,6* пФ
Полное входное сопротивление на большом сигнале приЛых=500Вт, №=50В,
не более
/= 1,5 МГц..................................................................(0,4-jl,6)* Ом
/= 100 кГц.......................................................... (0,58-j3,2)* Ом
Обратный ток коллектор - эмиттер при Исэ = 100 В, /!бэ = 10 Ом-
Т= +25"С.....................................................................1*...20*...200 мА
Т= +125-С...............................................................2*...30*...300 мА
Т = -60"С......................................................... 2*...ЗО*...ЗОО мА
Обратный ток эмиттера при СЪб = 4 В................................ 1*...100*...500 мА
ИнДуктивн сть эмиттера, не более..............................................1,5* нГн
Индуктивность коллектора, не более............................................0,9* нГн
Индуктивность базы, не более ..........;......................................2,5* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания ...................................50 В
Постоянное напряжение коллектор - эмиттер при Ябэ = 10 Ом .......100 В
П стоянное напряжение база - эмиттер 4 В
Постоянный ток коллектора........................................30 А
Постоянный ток базы..............................................4 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при 7k = -60 +50'С...330 Вт
Средняя рассеиваемая мощность коллектора в динамическом режиме при
7k = -6О...+5О’С.................................................330 Вт
Постоянная высокочастотная мощность, падающая на вход транзистор . 26 Вт
Температура р-п перехода................ ........................+200’С
Тепловое сопротивление переход - корпус..........................0,45”С/Вт
Минимальная рабочая частота......................................0,1 МГц
Коэффициент стоячей волны по напряжению коллекторной цепи при
Лых = 250 Вт № = 30 В и кратковременном рассогласовании (1 с)....30
Температура окружающей среды..........”1.........•........ -60”С.. 7k = + 125°С
150
Зависимости выходной мощности
и коэффициента усиления от
напряжения питания
Зависимости выходной мощности от
входной
/гр мгч
Зависимость коэффициента усиления от
частоты
Зависимость граничной частоты от
тока коллектора
Зависимость выходной мощности от
температуры корпуса
1S1
□ 2T9131A
Транзистор кремниевый эпитаксиально планарный структуры п-р-п генераторный
Предназначен для применения в линейных широкополосных усилителях мощности,
генераторах в диапазоне частот 1,5.30 МГц при напряжении питания 50 В Выпускается
в металлокерамическом корпусе с винтом и полосковыми выводами Масса транзистора
не более 30 г
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте/= 30 МГц при Un = 50 В не менее . . 400 Вт
Коэффициент усиления по мощности на частоте /= 30 МГц при № = 50 В
;Лых = 400 Вт.............................................................. 10*...13*...16*
Коэффициент полезного действия коллектора на частоте / = 30 МГц при
Un = 50 В, Рвых = 400 Вт..............................................60*...65*...70* %
Коэффициент комбинационных составляющих третьего и пятого порядков на
частоте/= 30 МГц при Uh = 50 В Рвых = 400 Вт ........................-35*...-32* . -30* дБ
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при Ыо=10 В /к=10 А.
7k = +25‘С.......................................................... 10.. .40*.. .100*
7k = +125'С.........................................................1О...5О*...2ОО*
Г =-60* С............................................................5...12*...70*
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при Скэ = 30 В,
/к = 8 А......................................................... 100...130*...180* МГц
Граничное напряжение при /к = 200 мА ..................... 55* . 60* 65 В
Напряжение насыщения коллектор эмиттер при /к = 25 А,
Л = 5 А..............................................................1Д*...1,8*...2,5* В
Емкость коллекторного перехода при №б = 50 В 500* 600*. 800 пФ
Емкость эмиттерного перехода при йэб = 1 В............. 0 009* 0,09* .0,1 мкФ
Входное сопротивление на болы ом сигнале при Uh = 50 В, Рвых = 400 Вт,
/= 30 МГц, типовое значение..............................................(0,3+/ 2)* Ом
Обратный ток коллектор - эмиттер при UfSt = 100 В, /!бэ = 10 Ом:
7k = +25'С..........................................................1*...50* . 200 мА
7k = +125’С.......................................................3*...80*...300 мА
т= -60’С........................................................ю*...1оо* .300 мА
Обратный ток эмиттера при И>э = 4 В ................................. 1*...150*...600 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания................................... 50 В
Постоянное напряжение коллектор - эмиттер при Лбэ = 10 Ом.......100 В
Постоянное напряжение база - эмиттер..............................4 В
152__________________________________________________________________________
Постоянный ток коллектора ............................. 25 А
Импульсный ток коллектора ..................................... 40 А
Постоянный ток базы ......................................... I 7 А
Постоянная рассеиваемая Мощность коллектора.
7k = +125"С.......................................................175 Вт
7k = -60. ,+50"С..............................................350 Вт
Средняя рассеиваемая мощность коллектора в динамическом режиме:
7k = +125 С.......................................................175 Вт
7k = -6О...+5О"С..............................................350 Вт
Непрерывная высокочастотная мощность, падающая на вход транзистора 40 Вт
Температура р-п перехода..........................................+200'С
Тепловое сопротивление переход корпус 0,425'С/Вт
Коэффициент стоячей волны по напряжению коллекторной цепи2 .... 30 1
Температура окружающей среды...............................-60’С...7к=+125*С
1 При 7к > +50”С постоянная рассеиваемая мощность коллектора определяется из
выраж ния
Рк,макс — (200-Тк)/0,425, Вт
2 При Лых = 150 Вт
Ры.В
Зависимость тока базы
от напряжения база -
эмиттер
Зависимость тока эмиттера
от напряжения база -
эмиттер
Зависимость выходной
мощности от входной
Mj.Ms ,я6
Зависимость граничной
частоты от тока эмиттера
Зависимость коэффи-
циента нелинейных и ка-
жений 3-го и 5-го поряд-
ков от выходной мощности
Зависимость коэффи
циента нелинейных
искажений 3 го и 5-го
порядков от напряжения
питания
1S3
П КТ9133А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-
планарный структуры п-р-п генераторный
Предназначен для применения в линейных
усилителях мощности в схеме ОЭ в диапазоне
частот 170. 230 МГц при напряжении питания 28
В. Выпускается в металлокерамическом корпусе с
полосковыми выводами. Масса транзистора не
более 9 г.
Электрические параметры
Выходная мощность в пике огибающей на частоте/= 225 МГц при Oh = 28 В,
7k - 3 5 А, Лх = 5,35 Вт 7k S +40’С, не менее .....30 Вт
. Коэффициент усиления по мощности на частоте/= 225 МГц при йт = 28 В,
, 1к = 3,5 А, Рвых. = 30 Вт, 7k S +40’С, не мспее .......5,6
Коэффици н комбинационных составляющих третьего порядка на частоте
f = 225 МГц при йт = 28 В, 7k = 3,5 А, /Ъых = 30 Вт,7k < +40'С,
не более..........................................................-53 .дБ
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при йеэ - 10 В,
7k = 5 А/= 100 МГц, не менее.....................................2,4
I Критический ток при Окэ = 10 В/ = 100 МГц, не менее.............7 А
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при йсб = 5 В,
Ьэ = 0,8 А/= 5 МГц, не более......................................30 пс
(Емкость коллекторного перехода при Окб = 28 В, не более..........160 пФ
' Обратный ток коллектор - эмиттер при йгэ = 55 В, Лбэ = 10 Ом,
не более....................................._...................200 мА
Обратный ток эмиттера при Оэб = 4 В,не более ........20 мА
, Индуктивность коллектора, типовое значение ........0,9* нГн
Ьщуктивно эмиттера, типовое значение ........0 46* нГн
Индуктивность базы, типовое значение.............................1,26* нГн
Предельные эксплуатационные данные
I Постоянное напряжение коллектор - эмиттер при 7?бэ = 10 Ом .... .. 55 В
, Постоянное напряжение эмиттер база......... ............... 4 В
Постоянный ток коллектора.........................................16 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 при 7k S +70‘С.. 130 Вт
Температура р-п перехода..........................................+200“С
Репловое сопротивление переход - корпус...........................1"С/Вт
[Температура окружающей среды................................-45"С...7к = +85"С
154
1 При 7к > +70’С постоянная рассеиваемая мощность коллектора определяется из
выражения
Зависимость тока коллектора от напряжения коллектор - база
Транзистор кремниевый эпитакси-
ально планарный структуры п-р-п уни
версальный Предназначен для применения
в ключевых схемах, импульсных модуля
торах преобразователях линейных стаби
лизаторах напряжения Выпускает я в
пластмассовом корпусе с жесткими вы
водами На корпус наносят условный знак
“6А” Масса транзистора не более 0,07 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при йсб = 10 В,
/э = 10 мА...................................................................20...40*...150
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при йсэ — 10 В,
Гк = 10 мА.................................................,.............5О...65*...7О*МГц
Граничное напряжение при 7k = 30 мА.
не менее........................................................................ 300 В
типовое значение ............................................................380* В
Напряжение насыщения коллектор эмиттер при /к = 10 мА,
7б=1мА.....................................................................0,3*...0,5*...! В
Напряжение насыщения база - эмиттер при Лс = 10 мА,
75 = 1 мА.................................................................0,7*...0,8*...1,2В
Обратный ток коллектора при йсб = 500 В, не более ......... 1 мкА
Обратный ток эмиттера при £Ъб = 5 В, не более ........... 1 мкА
1SS
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжены: коллектор база .................. 500 В
Постоянное напряжение коллектор - эмиттер при Лбэ = 1 кОм
dUxa/dt = 250 В/мкс...............................................500 В
Постоянное напряжение эмиттер - база........ .....................5 В
Постоянный ток коллектора ................................ . 50 мА
Импульсный ток коллектора при Ги = 500 мкс Q = 2.............. ... 100 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при 7k = -6О...+25°С:
с теплоотводом1...................................................1 Вт
без теплоотвода2...........................j..................0,3 Вт
Температура р-п перехода..........................................+150"С
Тепловое сопротивление переход - корпус...........................125"С/Вт
Тепловое сопротивление переход - среда............................416’С/Вт
Температура кружающей среды............................... -60”С.. 7к = + 100“С
При 7к > +25°С постоянная рассеиваемая мощность коллектора определяется из
выражения
Рк,макс = (150-Тк)/125, Вт
2 При Т> +25°С
Рк,макс = (150~Т)/416, Вт
Зависимости тока базы от
напряжения база - эмит-
тер
3 ависимости статического коэффициента передачи тока
от тока коллектора
156
Транзисторы р-п-р
П КТ9144А9
Транзистор кремниевый эпитаксиально планарный структуры р-п-р универсальный
Предназначен для применения в ключевых схемах импульсных модуляторах, преобра-
зователях, линейных стабилизаторах напряжения Выпускается в пластмассовом корпусе
жесткими выводами. На корпус наносят условный знак“5А”. Масса транзистора не более
0,07 г Габаритный чертеж корпуса см. КТ9145А9
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при 17кб = 10 В,
/э = 10 мА.......................................................20...40* .150
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при №э = 10 В
Jk = 10 мА................................................30...35*. .40* МГц
Граничное напряжение при 7k = 30 мА,
не менее.........................................................300 В
типовое значение.............................................380* В_
Напряжение насыщения коллектор - эмиттер при 7k = 10 мА, 76 = 2 мА
не более.........................................................0,6 В
Напряжение насыщения база - эмиттер при 7k = 10 мА,
76 = 2 мА....................................................0,7*...0,8*..1,2 В
Обратный ток коллектора при №6 = 500 В не более..................1 мкА
Обратный ток эмиттера при Пэб = 5 В не более........•............1 мкА
Предельные экспдуатациояиые данные
Постоянное напряжение коллектор - база........................... 500 В
П стоянное напряжение коллектор - эмиттер при 7?бэ = 1 кОм
dUts/dt = 250 В/мкс..............................................500 В
Постоянное напряжение эмиттер - база ........................ ,5В
П стоянный ток коллектора .......................................50 мА
Импульсный ток коллектора при /и = 500 мкс Q = 2.................100 мА
Постоянный ток базы..............................................5 мА
Импульсный ток базы при /и = 500 мкс, Q = 2 .....................10 мА
Постоянная рес еиваемая мощность коллектора при 7k = -60...+25*С.
с теплоотводом*..............................................1 Вт
без теплоотвода1 2.................-.........................0,3 Вт
Температура р-п перехода.........................................+150’С
Тепловое сопротивление переход корйус ................ 125”С/Вт
Тепловое сопротивление переход - среда .......................... 416’С/Вт
Температура окружающей среды ........................... 60 С 7k = +100'С
1 При 7k > +25°С постоянная рассеиваемая мощность коллектора определяется из
выражения
Рк,макс = (150-Тк)/125, Вт
2 При Т> +25-С
Рк,макс = (150-Т)/416 , Вт
1S7
ТРАНЗИСТОРЫ МОЩНЫЕ СВЕРХВЫСОКОчАСТОТНЫЕ
Транзисторы п-р-п
□ КТ916А, КТ916Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры л р-п генераторные
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и
автогенераторах на частотах 0,2 1 ГГц при напряжении питания 28 В Выпускаются в
металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом Масса
транзистора не более 2 г.
КТ916(А,Б)
Электрические параметры
Выходная мощность на/== 1 ГГц при Una - 28 В, не менее.
КТ916А..........................................................20 Вт
КТ916Б......................................................16 Вт
Коэффициент усиления по мощности на/= 1 ГГц при Исэ = 28 В
КТ916А,
не менее...................................................2,25
типовое значение............................................. 2,5*
•КТ916Б,
не менее...................................................1,85
Коэффициент полезного действия коллектора на/= 1 ГГц при Цкэ = 28 В,
не менее....................................................45%
Статический коэффициент передачи тока в схеме.ОЭ при Окэ = 5 В,
7k = 0,25 А, типовое значение ............35
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при Исэ = 10 В,
7k = 1,5 А, не менее:
I КТ916А.......................................................1,1 ГГц
КТ916Б......................................................0,9 ГГц
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при 7k = 0,25 А, 76 = 0,03 А,
типовое значение................................................0,2* В
1S8
Напряжение насыщения база- митгер при /к = 0,25 А, Л = 0,03 А,
типовое значение...................................................0,92* В
Критический ток на/= 100 МГц при 1/кэ = 0,
нс менее .......................................................... 2,6*А
типовое значение..............................................2,8* А
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при 1/кб = 10 В,
/э = 100 мА, /= 30 Мгц,
не более..........................................................10 пс
типовое значение..............................................4* пс
Емкость коллекторного перехода при t/кб = 30 В,
не более...........................................................20 пФ
типовое значение..............................................14* пФ
Емкость эмиттерного перехода при Цэб = 0, типовое значение........ 190* пФ
Полное входное сопротивление при 1/кэ = 28 В,/= 1 ГГц,
типовое значение.................................................... 2,2+)17* Ом
Полное сопротивление нагрузки типовое значение ..................2+j6* Ом
Обратный ток коллектор-эмиттер при 1/кэ = 55 В, Лбэ = 10 Ом. не более:
КТ916А.............................................................25 мА
КТ916Б............................................-..........40 мА
Обратный ток эмиттера при йб = 3,5 В, не более ...................4 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база..................................... 55 В
Постоянное напряжение коллектор эмиттер при Лбэ = 10 Ом .................55 В
Постоянное напряжение эмиттер база.......................................3,5 В
Постоянный ток коллектора ........................L .................................. 2 А
Импульсный ток коллектора при 1И = 5 нс, Q = 10...'.................. 4 А
Постоянный ток базы......................................................1 А
Средняя рассеиваемая мощность коллектора1 в динамическом режиме
при 7k = -60...+25’С.....................................................30 Вт
Температура р л перехода.................................................+160'С
Тепловое сопротивление переход-корпус....................................4,5“С/Вт
Температура окружающей среды .....................................-6O'C..7k = +10СС
1 При 7к > +25”С максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора
рассчитывается по формуле
Рк ср. макс = (160-Тк)/4,5, Вт
Зависимость статического коэф-
фициента передачи тока от тока
эмиттера
159
П КТ984А, КТ984Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-
планарные структуры п-р-п генераторные Пред-
назначены для применения в усилителях мощности
и генераторах на частотах 720 ..820 МГц а схеме ОБ
при напряжении питания 50 В Выпускаются в
металлокерамическом корпусе с полосковыми
выводами Масса транзистора не более 7 г
Электрические параметры
Импульсная выходная мощность на частоте/ = 820 МГц при Uh = 50 В,
/и = 10 мкс Q = 100, 7k 5 +40°С, не менее
КТ984А.......................................................................75 Вт
КТ984Б..................................................................250 Вт
Коэффициент усиления по мощности на частоте/ = 820 МГц при Uh = 50 В
<и = 10 мкс, Q = 100, 7k < +40*С
КТ984А при Лых = 75 Вт.......................................................5...5,9*...9*
КТ984Б при Лых = 250 Вт.................................................4...7*...10*
Коэффициент полезного действия на частоте f = 820 МГц при Uh = 50 В
/и = 10 мкс Q = 100, 7k == +40"С:
КТ984А при Лых — 75 Вт....................................................35...50*...60* %
КГ984Б при Лых = 250 Вт............................................ 35...45*...55* %
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при Гкэ = 10 В
/= 300 МГц
КТ984А при 1к = 2,5 А................................................... 2...3*...4*
КТ984Б при 7к = 5 А...................................................2...3*...4*
Критический ток при №э = 10 В,/= 300 МГц
КТ984А...........................:...........................................5*...6*. .8* А
КТ984Б............................................................... 15*. .18*...22* А
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при йсб = 10 В,
/= 5 МГц.
КТ984А при Лэ = 0,4 А ............................................... 2,5* 5* 20* пс
КТ984Б при Лэ = 0,6 А...................................'............3*...5*. .20* пс
Емкость коллекторного перехода при Цкб = 50 В:
КТ984А.................................................................17*...18*...35* пФ
КТ984Б............................................................ 50*...55*...80* пФ
Обратный ток коллектора при №б = 65 В, не более
КТ984А........................................................................30 мА
КТ984Б.............................................г....................80 мА
Обратный ток эмиттера при 1Ьб = 4 В, нс более.
КГ984А.................................................. 15 мА
КТ984Б...................................................40 мА
КСВН выходной цепи в импульсном режиме при изменении фазы ко-
эффициента отражения в пределах 0 60’С при Цкб = 50 В, 1ц = 10 мкс,
Q = 100, f = 820 МГц, 7k = +40’С при кратковременном расе «тасовании
(1 с), нс более
КТ984А цри Рвых = 75 Вт................................ 10*
КТ984Б при Рвых - 260 Вт.................................3*
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания ...................................50 В
Постоянное напряжение коллектор база............................. 65 В
Постоянное напряжение эмиттер - база............................. 4 В
Импульсный ток коллектора:
КТ984А............................ ..........................7 А
КТ984Б.......................................................16 А
Средняя рассеиваемая мощность коллектора в импульсном режиме при
„ = 10 мкс Q = 100 7k S +25"С:
КТ984А.......................................................1,4 Вт
КТ984Б.......................................................4,7 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при Ги = 10 мкс, Q = 100:
КТ984А.......................................................15 Вт
КТ984Б .................................................. 62,5 Вт
Минимальная рабочая частота. ....................................40С МГц
Температура р-п перехода ........................................+1б0’С
Температура окружающей среды..............................-45’С...7k = +85"С
1 При 7k > +25"С средняя рассеиваемая мощность коллектора определяется из
выражения
Рк,срмакс = (160-Tk)/R? (п-к), Вт
где Аг (п-к) определяется из графика.
Зависимости теплового
сопротивления переход
корпус от длите ьности
импульса
Зависимости импульсной
выходной мощи >сти и
коэффициента олезного
действия коллектора от
входной мощности
Зависимости импульсной
выходной мощности и
коэффициента полезного
действия коллектора от
входной мощности
161
□ 2Т988А, 2Т988Б
,, 12.5
Транзистор кремниевый эпитаксиально-
планарный СВЧ широкополосный с согласующими
цепями структуры п-р--п предназначен для работы
в схеме с общей базой в непрерывном и импульсном
режимах в полосе частот 0,7...1,0 ГГц для транзи-
стора 2Т988А и 0,9 1 4ГГцдлятранзистора2Т988Б
в передающих устройствах радио-локационных и
связных систем. Масса транзистора не более 5 г.
Транзистор конструктивно выполнен в металло-
керамическом корпусе с полосковыми выводами
Электрические параметры
Выходная мощность, не менее
при Кур > 6 дБ «т = 28 В /= 0,7; 0,85; 1,0 ГГц,
2Т988А..........................................................15 Вт
при Кур > 7,8 дБ, № = 28 В,/= 0,9; 1,15; 1,4 ГГцТ)к > 50 %,
2Т988Б........................................................18 Вт
Коэффициент полезного действия коллектора, не менее
при Кур > 6 дБ. Un = 28 В,/= 0,7; 0,85 1,0 ГГц
2Т988А..........................................................40 %
при Кур > 7,8 дБ, Рвых > 18 Вт, Ыт = 28 В,/= 0,9, 1,15, 1,4 ГГц,
2Т988Б..........,.............................................50 %
Коэффици гт усиления по мощности, не менее
при № 28 В Лых > 18 Вт Пк > 50 % /= 0,9; 1,15; 1,4 ГГц,
2Т988Б........................................................7,8 дБ
Обратный ток коллектора при 1Лсб = 50 В, не более при 7k = +25°С
2Т988А..........................................................50 мА
2Т988Б .....................................................30 мА
при 7k = +125'С, Т= -60°С
2Т988А........................................................100 мА
2Т988Б......................................................60 мА
Обратный ток эмиттера при <Ьб = 3,5 В, не более
2Т988А..........................................................15 мА
2Т988Б......................................................10 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение эмиттер-база..........................................3,5 В
Постоянное напряжение коллектор-база........................................50 В
той 7k = +25*С Т — -60°С линейно снижается до 45 В
Н пряжение питания в импульсном режиме
при /„ < 500 мкс, Q > 10 2Т988А............................................ 35 В
при ти < 10 мкс, С > 10 2Т988А.......................J.............................40 В
при < 1000 мкс, Q > 10 и
при А, < 500 мкс, С > 5 2Т988Б..........................:...............35 В
при Ги < 20 мкс, Q > 10 2Т988Б......................'..................40 В
«-592
162
Средний ток коллектора.
2Т988А ......................................................... 2,5 А
2Т988Б.........................-.............................1,7 А
Средний ток базы:
2Т988А...........................................................1,0 А
2Т988Б.....................................................• 0,7 А
Средний ток коллектора в радиоимпульсном режиме .
при /и < 1000 мкс, 6 > Ю % < 500 мкс, Q > 5 2Т988Б............ 2 А---’
при 1^< 20 мкс е > 10 2Т988Б ...................... ..... ..ЗА
Средняя рассеиваемая мощность коллектора при Т — -60 7k = +25‘С
2Т988А ........................................................... 4 Вт
2Т988Б.....................................................- - 33 Вт .
при 7k > +25... 7k = +125*С мощность рассчитывается по формуле
Рк, ср, макс = (Th, макс-Тк)/Кт(п- к), Вт
где Аг(п к) = 3,5'С/Вт для 2Т988А
Яг(п-к) = 4 5’С/Втдая 2Т988Б
Температура р-п перехода.......................................... - 175*С
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора в радиоимпульсном режиме
рассчитывается по формуле
Рк, и, макс — (Тп макс -Tk)/Rv,u (п-к), Вт
где
Рг,и(п-к) = Rt(n-K)/Q + Ят,и(п-к) (Q-l)/Q
Зависимости выходной мощности и
коэффициента полезного действия
коллектора от частоты
Зависимости коэффициента полезного
действия коллектора от входной мощности
Зависимости выходной импульсной мощно-
сти и коэффициента полезного действия от
частоты
163
□ 2Т989А.2Т989Б, 2Т989В, 2Т989Г
2Т989(А,Б,В,Г)
Транзистор кремниевый эпитаксиально-
планарный СВЧ генераторный широкополосный
СВЧ с внутренними цепями согласования по входу
и выходу структуры п-р-п предназначен для работы
в усилителях мощности твердотельных связных и
радиолокационных устройствах в полосе частот
1,3...2,2 ГГц для 2Т989А, 2Т989Б, 1,3-17 ГГцдля
2Т989Г и 1,6. 2,0 ГГц для 2Т989В. Допускается
применение транзистора 2Т989Г в диапазоне частот
1,25... 1,7 ГГц и 1,225...1,7 ГГц, при этом параметры
транзистора не гарантируются Масса транзистора
не боле) 4,76 г.
Трап истор поставляется в мсталлокерами
ческом корпус е с гибкими выводами
Электрические параметры
Выходная мощность при Un = 28 В, не менее J
Ах < 11,0 Вт/= 2,0 ГГц 2Т989А .........................................35 Вт
Ах < 6,5 Вт,/= 2 О ГГц 2Т989Б................ 26 Вт
Ах < 2,4 Вт,/ = 1,6...2,0 ГГц 2Т989В...............................12 Вт
Ах < 5,0 Вт,/= 1,3... 1,7 ГГц 2Т989Г...............................25 Вт
Коэффициент полезного действия коллектора при Un = 28 В, пс менее
Ах < 11,0 Вт,/= 2,0 ГГц 2Т989А.........................................32 %
Ах < 6,5 Вт,/= 2,0 ГГц 2Т989Б .....................................30 %
Ах < 2,4 Вт,/= 1,6...2,0 ГГц 2Г989В..............................40 %
Ах < 5,0 Вт,/= 1.3...1,7 ГГц 2Т989Г..............................45 %
Коэффициент усиления по мощности при Un = 28 В, не менее
Ах < 2,4 Вт, /= 1,6 .2,0 ГГц 2Т989В..............................7 дБ
Ах < 5,0 Вт,/= 1,3...1,7 ГГц 2Т989Г..............................7 дБ
Обратный ток коллектора
при 6кб = 45 В 7k = +25'С...+ 125*С не более
2Т989А, 2Т989Б.........................................................100 мА
2Т989В.............................................................30 мА
2Т989Г.............................................................50 мА
при 6кб = 40 В, Т = -6О“С
2Т989А, 2Т989Б................................................,...... 100 мА
2Т989В.............................................................30 мА
2Т989Г.............................................................50 мА
Обратный ток эмиттера при 666 = 2 В, не более
2Т989А, 2Т989Б...,.....................................................40 мА
2Т989В......;....1.................................................15 мА
2Т989Г............................................. ,.............25 мА
Обратный ток коллектор-эмиттер при бкэк - 30 В не более
2Т989А, 2Т989Б.........................................................120 мА
6
164
Предельные эксплуатационные данные
2Т989А 2Т989Б 2Т989В 2Т989Г
Постоянное напряжение, В.
эмитгер-база коллектор-база ....2,0 ...45 2,0 45 2,0 45 2,0 45
при 7k = +15"С. Т = -60'С йсб макс инейно снижается до 40 В Постоянный ток коллектора, А ...5,0 4,0 1 7 2,5
Тепловое сопротивление переход корпус "С Вт . 2,0 2,6 5 0 5 9
Температура р-п перехода .195 195 185 185
Постоянная рассеиваемая м щность коллектора Вт при Ыт < 8 В, Т= -60...7к = + 115"С .. 40 30 14 25
при 7к = +115*С +125*С мощность линейно снижается по форму Рк, макс — 7ir макс-Тк/Рг(п-к), Вт Средняя рассеиваемая мощность коллектора в динамическом режиме Вт при Т= 60 . 7k = +25°С . 85 85
при Т = -60 7k = +60’С - 25 35
при/S 1,3 ГГц, Г= -6О...7к = +115*С 40 30 - -
При 7k = +25"С +125 для 2Т989А, 2Т989Б и при 7k = +60’С.. + 125’С для 2Т989В,
2Т989Г, а также при f < 1,3 ГГц 7k = +115°С...+125'С для 2Т989А, 2Т989Б Рк, ср, макс
линейно снижается по формуле:
Рк ср макс = (Тп макс-Тк)/Кг(п-к), Вт
Зависимости выходной мощности от
входной мощности
Зависимость выходной мощности от
напряжения питания
Типовые зависимости выходной мощ- .
ности от частоты и входной мощности
Зависимость теплового сопротивления
переход корпус от температуры корпуса
165
□ 2Т995А-2
Транзистор кремниевый эпитакси-
ально планарныйструктурыл-р-лгенера-
торный Предназначен для применения в
усилителях и генераторах в диапазоне
частот 2...10 ГГц в схеме ОБ при напря-
жении питания 14 В Бескорпусной, на
металлокерамическом кристалле
держателе с гибкими выводами. Масса
транзистора не более 2 г
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте/= 10 ГГц при Un = 13 В /к = 0 5 В,
7*вх = 1 Вт................................................................1,5*...Г,85*...2,2* Вт
Фаза коэффици эта передачи тока на часто те f— 1 ГГц при 1/кб = 3 В,
Лс = 0,3 А......................................................................8*...8,5*...13 град
Обратный ток коллектора при йсб 18 В:
7k = +25 и -60’С......................................................0,003*...0,16*...2 мА
7k = +125’С, не более..........................................................5 мА
Обратный ток миттера при Сбб = 1,5 В:
7k = +25 и -60’С...........................................................0,065*...0,1*...! мА
7k = +125’С, не более ........................................... ......... 5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания.....................................14 В
Постоянное напряжение коллектор - база......................... 18В
Постоянное напряжение база - эмиггер.............................. 1,5 В
Постоянный ток коллектора.......................-.................0,6 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 при йсб = 7 В,
7k = -60...+40’С..................................................3 Вт
Средняя рассеиваемая мощность коллектора2 в инамическом режиме при
7k = -60...+25’С..................................................5,7 Вт
Температура р-п перехода..........................................+ 190’С
Тепловое сопротивление переход корпус.............................50’С/Вт
Тепловое сопротивление переход - корпус в динамите ком режиме . 29’С/Вт
Температура кружающей среды ........................... -6О’С...7к =+125’С
При 7к > +40’С постоянная рассеиваемая мощность коллектора определяется из
выражения
Рк,макс — (190-Тк)/50, Вт
2 При 7k > +25°С
Рк,ср.макс = (190-Тк)/29, Вт
166
Расстояние места пайки выводов от кристалледержателя 1 мм, мпература пайки
+260’С, время пайки не более 3 с. При пайке выводов на расстоянии 0,5 мм температура
пайки не должна превышать -150’С
Зависимости выходной мощности
коэффи тента усиления и коэффици
ента полезного действия от входи й
мощности
Зави имости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэффи-
циента полезного действия коллектора
от напряжения питания
Схема замещения транзистора 2Т995А-2 в активном режиме:
С = 180 пФ Скэ = 0,6 пФ С1 = 0,82 пФ, С2 = 0,45 пФ, Ci = 0,8 1,05 пФ
С4 = 0,55 пФ, Ск1 = 0,54 пФ (Исб = 10 В), Ск2 = 1,65 пФ (№б = 10 В),
Сз = 13,2 пФ (И>э = 0), в рабочем режиме 33 пФ, £э = 0,55 нГн, Z6 = 0,13 нГн,
LI - 0,25 нГн, £к = 0,45 нГн R - 1...2 Ом, rg = 0,8 Ом, гк = 0,2 Ом
167
□ 2Т996А-2, 2Т996Б-2, 2Т996В-2, 2Т996Г-2
Транзистор кремниевый усилительный
СВЧ структуры п р-п предназначен для ра-
боты в схеме с общим эмиттером в усиди
тельных устройствах в составе гибридных
интегральных микросхем
Транзистор изготавливается по эпита-
ксиально-планарной технологии
Конструктивное исполнение транзи-
стора бескорпусное с размещением кри
стаяла на металлокерамическом держателе
с гибкими полосковыми выводами базы,
коллектора и двумя минерами Масса
транзистора не более 0,21 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока при Окэ = 10 В, /к = 100 мА,
не менее
при Г = 25 и 125’С
2Т996А-2, 2Т996В-2, 2Т996Г-2..................................35
2Т996Б-2...............)......................................70
при Т = -6О"С..................................................... 17
Граничная частота коэффициента передачи тока при Окэ = 10 В, 2к = 100 мА,
не менее.....................................................4 ГГц
Граничное напряжение при Л. = 50 мА, не менее:
2Т996А-2......................................................20 В
• 2Т996Б-2........................................................16 В
Обратный ток коллектор-эмиттер при Окэ = 20 В, /Ьб < 100 Ом,
не более..........................................................5 мА
Обратный ток эмиттера при Оэб = 2,5 В, не более ..................0,5 мА
Обратный ток коллектора при Окб = 20 В, не белее .......... ......1 мА
Емкость коллекторного перехода при/= 10 МГц, (Лсб = 10 В для 2Т996А-2,
2Т996Б-2, не более................................................2,3 пФ
Емкость эмиттерного перехода при/= 10 Мгц 1Ъб = 0 для 2Т996А-2,
2Т996Б-2, не более...............................v................20 пФ
Выходная мощность при Лх = 30 мВт, Окэ = 10 В, /= 650 Мгц, не менее:
для 2Т996В 2.................................................. 115 мВт
для 2Т996Г-2..................................................136 мВт
Коэффициент комбинационных составляющих на частоте 60 МГц и при
мощности сигнала основного тока в нагрузке 1 мВт при At = Кг — 75 Ом,
Лэ = 4,5 Ом, Окэ = 10 В, /к — 100 мА, не более
для 2Т996А-2, 2Т996Б-2 (по второй гармонике) М2...............65
для 2Т996А-2, 2Т996Б 2 (по третьей гармонике) М3 ...... 95
168
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при /Ьб < 100 Ом .. 20 В
Постоянное напряжение коллектор-база ..............................20 В
Постоянное напряжение эмиттер-база...................... 2,5 В
Постоянный ток коллектора..........................................0,2 А
Импульсный ток коллектора при Q = 10, Ти = 1 мкс.................0,3 А
Температура р-п перехода...........................................150’С
Тепловое сопротивление персход-кристалподержател 40*С/Вт
П стоянная рассеиваемая мощность коллектора при 7k = -б0...50*С 2,5 Вт
При 7k = 50..125’С
Рк макс = (Тп макс-Тк)/Рг(п-к)
Зависимости статического коэффициента
передачи тока от тока коллектора
СллФ
О 00 во по w /Ж(Мд
Зависимость коэффициента передачи
тока в режиме малого сигнала от тока
коллектора
Область безопасной работы транзистора
в статическом режиме
Зависимость емкости эмиттерного
перехт^а^ напряжения эмиттер-база
Зависимость граничной частоты коэффициента
передачи тока от тока коллектора
169
— I 1 —
П KT9104A, КТ9104Б
/7,4
КТ9104 (А,Б)
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-пла-
нарные структуры л-/Т-л генераторные Предназна-
чены для применения в усилителях мощности и
генераторах в схеме ОБ в диапазоне частот 350.. .700
МГц при напряжении питания 28 В. Выпускаются
в металлокерамическом корпусе с полосковыми
выводами Масса транзистора не более 10 г
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте/^ 700 МГц при Un = 28 В. 2к+40’С, не менее
КТ91О4А при Лх = 0,625 Вт.......................................5 Вт
КТ9104Б при Лх = 2,8 Вт,........................................20 Вт
Коэффициент усиления по мощности на частоте/= 700 МГц при Un = 28 В,
7к = +40”С:
КТ91О4А при Рвых = 5 Вт .................................... 8 .12*... 13*
КТ9104Б при Рвых = 20 Вт...................................—....7...9*...12*
Коэффициент полезного действия на частоте / = 700 МГц при йт — 28 В
7к +40’С
‘ КТ91О4А при Рвых = 5 Вт.........................................40...46*...50* %
КТ91О4Б при Рвых = 20 Вт...................................~....50...55*...60* %
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при йеэ — 10 В,
/= 300 МГц:
КТ9104А при /к = 1 А...................... .......................2.3,2*. 4*
КТ9104Б при /к = 2 А..............................................2...2,5*..4*
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при йсб 5 В,
/= 50 МГЦ
КТ9104А при Гэ = 0,3 А......................................6*... 10*. .20* пс
КТ91О4Б при Ь = 0,6 А................................... - 5,2* .9*. .20* пс
Емкость коллекторного перехода при Цкб = 28 В.
КТ91О4А.....................................................12*...13* ..20* пФ
КТ9104Б...........................-•........................ 28*...30* . 40 пФ
Обратный ток коллектора при йсб = 50 В, не более
КТ9104А.........................................................Ю мА
КТ9104Б......................................................... 20 мА
Обратный ток эмиттера при Цэб = 4 В, не более
КТ9104А...............................................................5 мА
КТ9104Б.........................................................Ю мА
170
КСВН коллекторной цепи при изменении фазы коэффициента отражения
в пределах0 .360* при tti = 24 В,/= 500 МГц, 7k S +50*С при кратковремен-
ной работе (3 с) и уровне выходной мощности на согласованной нагрузк 4 Вт
для КТ91О4А и 20 Вт для КГ9104Б, не более ..........................5*
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания.....................................29 В
Постоянное напряжение коллектор, - база...........................50 В
Постоянное напряжение эмиттер база..............................4 В
Постоянный ток коллектора.
КТ9104А.......................................................1,5 А
КТ9104Б.......................................................5 А
Средняя рассеиваемая мощность коллектора1 при 7k S +40*С
КТ9104А...........................................................10 Вт
КТ9104Б.......................................................23 Вт
Температура р-п перехода..........................................+ 175’С
Тепловое сопротивление переход - корпус:
КТ9104А.......................................................8,2"С/Вт
КТ9104Б.......................................................3,1’С/Вт
Температура окружающей среды.......................... -45*С...7к = +85"С
1 При 7к > +40*С средняя рассеиваемая мощность коллектора определяется из
выражения
Рк ср,макс = (175-Тк)/Рг(п-к) , Вт
Зависимости коэффи
циента усиления и ко-
эффициента полезного
действия коллектора от
Зависимости коэффици
ента усиления и ко-
эффшщента полезного
действия коллектора от
частоты
Зависимости выходной мощно
сти от напряжения питания
частоты
Принципиальная электрическая схема
транзистора КТ9104А. JC1 = 2+0,2 нГн
£2 = 1.4-+0 14 нГн L3 = 1,5+0,(5 нГн
Cl = 5O-+5 пФ •
Принципиальная электриде кая хема
транзистора КТ9104Б £1=1,7-+0,2 нГн
£2=0,65 +0 06 нГн, £3=1,5+0,15 нГн,
С1=125 -+5 пФ
171
□ КТ9106АС-2, КТ9106БС-2
Сборка из трех СВЧ кремниевых п-р-п транзисторов предназначена для усилителей
линейного тракта.
В сборке использован кристалл транзистора 2Т657А (первый транзистор) и кристаллы
транзистора 2Т996А (второй и третий транзисторы)
Сборка изготавливается в бескорпусном исполнении на металлокерамическом держателе
из окиси бериллия Масса сборки не более 2 г.
Электрические параметры
Обратный ток коллектор-эмиттер при Скэ = 12 В, Лэб = I кОм транзистора 1,
не более........................................................ 1-0 мА
Обратный ток коллектор-эмиттер при Ысэ=20В, Лэб=100 Ом
транзисторов 2 и 3, не более.... ................................ 5,0 мА
Обратный ток коллектора при Ысб - 20 В транзисторов 2 и 3, не более 1 0 мА
Обратный ток эмиттера при Йб = 2 В транзистора 1, не более .... 0,1 мА
Обратный ток эмиттера при 1Ъб = 2,5 В транзисторов 2 и 3, не более.0,5 мА
Статический коэффициент передачи тока
при Цкэ = 5 В, -Ь = 100 мА транзисторов 2 и 3, не менее
КТ9Ю6АС-2....................................................30
КТ9106БС-2.............................................;.....60
Граничное напряжение
при /к = 50 мА транзисторов 2 и 3 не менее
КТ9Ю6АС-2................................................... 20 В
КТ9106БС-2....................................................16 В
172
Предельные эксплуатационные данные
Транзистор 1 транзисторы 2 и 3
Постоянное напряжение эмиттер-база ..............2,0 В 2,5 В
Постоянное напряжение коллектор эмиттер
при Яэб = 1 кОм............................. 12 В
при Кэб = 100 Ом.............................. 20 В
Постоянный ток коллектора .......................60 мА 200 мА
Температура р-п перехода.........................135"С 150°С
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
при 7k = -60’С. 7k = +6О“С ...................0,3 2,5
В диапазоне температур от +60’С до+125”С мощность транзистора 1 снижается по
формуле
Рк,макс = (135-TK.)/Rt(n-k),
где Ttr(n-k) = 250"С/Вт - тепловое сопротивление транзистора 1.
В диапазоне температур от +25*С до+85"С мощность транзисторов 2 и 3 снижается по
формуле
Рк.макс = (150-Тк)/Кг(п-к),
где Rr(n-k) = 50"С/Вт тепловое опротивление транзисторов 2 и 3.
Зависимости статического коэффи Область безопасной работы транзисторов
циепта передачи тока от тока 2 и 3.
коллектора транзисторов 2 и 3.
□ 2Т9110А-2,2Т9110Б-2
Ж.
2Т9П0(А-2,Б-2)
Транзистор кремниевый эпитакси-
ально-планарный СВЧ генераторный
импульсный с согласующими цепями
структуры п-р-п. Предназначен для
работы в диапазоне частот 1,4... 1,6 ГГц
в составе гибридных интегральных
микросхем усилительных и генера
торных устройств Конструктивное
исполнение бескорпусное с гибкими
выводами на кристаллодержателе.
Масса транзистора не более 10 г.
173
Электрические нараметры
Выходная импульсная мощность при tii=45 В,/= 1,4.1,6 ГГц, = „10 мкс,
О £ 100, не менее
при Ax S 50 Вт 2Т9110А-2......................................200 Вт
при Ах $ 25 Вт 2Т9110Б-2......................................100 Вт
Коэффициент полезного действия коллектора при Йт = 45 В,/= 1,4. .1,6 ГГц,
/„ S 10 мкс Q£ 100, не менее
при Ах S 50 Вт 2Т9110А-2......................................30%
при Ах S 25 Вт 2Т91ЮБ-2.......................................35%
Коэффициент усиления по мощности при Un = 45 В /= 1,4...1,6 ГГц,
t„ £ Г мкс Q 2: 100, не менее
при Ах S 50 Вт 2Т9110А-2....................................... 6 дБ
при Лх S 25 Вт 2Т9110Б-2......................................6 дБ
Обратный ток коллектора при йсб = 50 В, не более
при 7k = 25'С
2Т9110А-2..........:..............................................50 мА
2Т9110Б-2.....................................................25 мА
при 7k = 125’С и Т— -60’С
2Т9110А-2 .......................................... ..........75 мА
2Т9110Б-2.....................................................37,5 мА
Обратный ток эмиттера при К>б = 3 В, не более
при 7k = 25"С
2Т9110А-2.........................................................50 мА
2Т9110Б-2.....................................................25 мА
при 7k = 125'С и Т = -60’С
2Т9110А-2......................................................75 мА
2Т9110Б-2.....................................................37,5 мА
Обратный ток коллектор-эмиттер при Окэ = 45 В не более
2Т9110А-2.........................................................40 мА
2Т9110Б-2 .............................. .....................20 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база .......................... 50 В
Постоянное напряжение эмиттер-база ...............................ЗВ
Температура р-п перехода..........................................180’С
Минимальная рабочая частота.......................................0,6 ГГц
На частоте 0,6 ГГц гарантируются значения электрических параметров в пре-
делах норм, приведенных выше
Импульсный ток коллектора при tK = 10 мкс Q = 100
2T911QA-2.........................................................15 А
2Т9110Б-2.....................................................7 А
При 7k > 85’С
1к, и макс = (180-Тк)/6,4, для 2Т9110А-2
1к, и макс = (180-1к)/13,6 для 2Т9110Б-2
Импульсная рассеиваемая мощность транзистора при г„ = 10 мкс, Q = 100
2Т9110А-2.........................................................500 Вт
2Т9110Б-2 ....................................................200 Вт
При 7k > 85’С, /и < 10 мкс или Q > 100
Ри,макс = (180-Tk)/Rt, и (п-к),
ще _ _
Rr,u(n-K) = 2,4/Q + 0,057(1-0,86/4Q)Vtu "C/Вт, для 2Т91ЮА-2
Яг,и(п-к) = 2,4/Q + 0,114(1-0,86/4'q)4tu "C/Вт, для 2Т91ЮБ-2
Формулы справедливы при Р и макс < 700 Вт для 2Т9110А-2 Рн макс < 350 Вт для
2Т91ЮБ-2
174
Зависимость выходной импульс ной
мощно та от входной мощности.
Зависимость коэффициента полезного
действия коллектора от входной
мощности
Зависимость емкости колле
кторвого перехода от напря
жсния коллектор-база
Зависимости выходной импульсной мощности от
температуры кристаллодержателя '
□ 2Т9121А, 2Т9121Б, 2Т9121В, 2Т9121Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-
планарные структуры п-р-п генераторные.
Предназначены для применения в широко-
полосных импульсных усилителях и генераторах
в диапазоне частот 2 3—2,7 ГГц в схеме ОБ при на-
пряжении питания 35 В Выпускаются в металло-
керамическом корпусе с полосковыми выводами
Транзисторы содержат внутренние согласующие
цепи. Масса транзистора не более 5 г
2Т9121 (А-Г)
175
Электрические параметры
Импульсная выходная мощность при /и = 100 мкс, Q = 10, 7k S +25’С, не менее*
при Un = 40 В 4f= 2,3 2,7 ГГц:
2Т9121А при Лх = 8,7 Вт.....................................35 Вт
2Т9121Б при Лх - 4,4 Вт.....................................17,5 Вт
2Т9121В при Лх = 1 Вт.......................................4 Вт
2Т9121Г при Лх = 12,5 Вт....................................50 Вт
при Un = 32 В f— 2,7 ГГц.
2Т9121А при Лх 8,7 Вт...........................................25 Вт
2Т9121Б при Лх = 4,4 Вт.....................................17,5 Вт
2Т9121В при Лх = 1 Вт.......................................4 Вт
2Т9121Г при Лх = 12,5 Вт....................................35 Вт
Коэффициент усиления по мощности при Лх = 8,7 Вт для 2Т9121А
Лх = 4,4 Вт для 2Т9121Б, Лх = 1 Вт для 2Т9121В, Лх = 12,5 Вт для 2Т9121Г,
“ 100 мкс, Q = 10, 7k S +25*С, не менее
Й1 = 40 В, А[ — 2,3...2,7 ГГЦ.................................6 дБ
Uh = 32 В,/= 2,7 ГГЦ........................................4,5 дБ
Коэффициент полезного действия коллектора при Лх = 8,7 Вт для 2Т9121А,
Лх = 4,4 Вт для 2Т9121Б, Лх = 1 Вт для 2Т9121В, Лх = 12,5 Вт для
2Т9121Г, /„= 100 мкс, С = Ю, 7k = +25'С не менее
Uh = 40 В,/= 2,3—2,7 ГГц....................................30 %
Uh = 32 В,/= 2,7 ГГц........................................25 %
Обратный ток коллектора при бкб = 42 В, не более
при 7k = +25*С:
2Т9121А.......................................................15 мА
2Т9121Б.....................................................7,5 мА
2Т9121В-....................................................2,5 мА
2Т9121Г.....................................................22,5 мА
при 7k = +125 и -60*С:
2Т9121А.......................................................22 мА
2Т9121Б..................................у..................11 мА
2Т9121В.................................'..................3,7 мА
2Т9121Г.....................................................35 мА
Обратный ток коллектор - эмиттер при Окэ = 40 В, не более
при 7k *= +25'С
2Т9121А.........../...............................................30 мА
2Т9121Б.......................................... :..........15 мА
2Т9121В.......................................................5 мА
2Т9121Г.......................................................45 мА
при 7k - +125 и -60"С:
2Т9121А.......................................................
2Т9121Б.......................................................
2Т9121В.......................................................
2Т9121Г.......................................................
45 мА
23 ма
7,5 мА
70 мА
Обратный ток эмиттера при Оэб = 3 В, нс более
при 7k = +25’С.
2Т9121А........................................................20 мА
2Т9121Б..............................................-.....10 мА
2Т9121В ...................................................3,5 мА
2Т9121Г....................................................30 мА
при 7k = +125 и -60’С:
2Т9121А......................................................30 мА
2Т9121Б..........-........................................15 мА
2Т9121В......'.............................................5,2 мА
2Т9121Г....................................................45 мА
176
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор база ......................... 42 В
Постоянное напряжение миттер - база ...................... . 3 В
Импульсный ток коллектора при L, = 100 мкс, Q = 10-
2Т9121А....................................................9,2 А
2Т9121Б....................................................4,6 А
2Т9121В.......................................................1,15 А
2Т9121Г...................................................... 13 А
Импульсная рассеиваемая м щность1 [грис,= 100 мкс, О = 10,7к=-60 и+25'С:
2Т9121А...........................................................92 Вт
2Т9121Б ......................................................46 Вт
2Т9121В......................................................11,5 Вт
2Т9121Г.......................................................130 Вт
Температура р-п перехода..........................................+185°С
Температура кружающей среды .............................. -60"С 7k = +125"С
1 При 7k S +25*С импульсная рассеиваемая мощность определяется из выражения
Ри,макс — 160/Rr,u(n-k), Вт
при 7k > +25’С
Римакс = (185-TK)/(Rv,u(n-k)), Вт
Где
Rr,u (n-k) = 3/Q + 0,19 (I - 0,86/^Q ) tu для 2T9121A
Rr,u (n k) - 6/Q + 0,38 (1 - 0,86/^Tq ) tu для 2Т9121Б;
Яг,и (n k) = 24/Q + 1,52 (1 - 0,86/уГо. )У tu для 2T9121B,
Яг,и (n-k) = 3/Q + 0,128 (1 - 0,86/tFq )уПи для 2Т9121Г.
Формулы праведливы при Т’и.макс s 165 Вт для 2Т9121А при Т’и.макс S 80 Вт для
2Т9121Б при Ри макс S 20 Вт для 2Т9121В, при Ри макс 5 220 Вт для 2Т9121Г
Зависимости импульсной выходной
мощности от входной
Зависимости импульсной выходной
мощности, коэффициента усиления и
коэффициента полезного действия
коллектора от входной мощности
177
Зависимости коэффици нта усиления и
коэффициента полезного действия
коллектора от входной мощности
Зависимости импульсной выходной
мощности от напряжения питания
Зависимости импульсной выходной
мощности от частоты
Зависимости импульсной выходной
мощности от частоты
□ 2Т9124А, 2Т9124Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-пла-
нарные структуры п-р-п генераторные Предназна-
чены для применения в широкополосных усилителях
и генераторах импульсного (2Т9124А) и непре-
рывного 2Т9124Б) режимов работы в диапазоне
частот 3,1 3,5 ГГц в схеме ОБ при напряжении
питания 24 В в импульсном режиме и 21 В в непре-
рывном Выпускаются в металлокерамическом
корпусе с полосковыми выводами Транзисторы
содержат внутренние согласующие цепи. Масса
транзистора не более 5,5 г
/
2Т9124(А,Б)
178
Электрические параметры
Импульсная выходная мощность при /и = 100 мкс, Q = 10, 7k = +25’С,
Рвх — 3,3 Вт для 2Т9124А, не менее.
Оа = 24 В, 4Г= 3,1...3,5 ГГц... ...............................10 Вт
Ол = 20 В,/ =3,3 ГГц...........................................8 Вт
Выходная мощность при Лх = 2,5 Вт, 7k = +25’С для 2Т9124Б, не менее:
№ = 21 В, 4<= ЗД...3.5 ГГц.....................................8 Вт
Ki = 20 В, /= 3,3 ГГц.....л....................................7 Вт
Коэффициент усиления по мощности при 7k = +25’С, не менее*
2Т9124А при = 100 мкс, Q = 10, Лх = 3,3 Вт:
№ = 24 В, 4/"= 3,1.. 3,5 ГГц................................. . . 3 дБ
№ = 20 В,/= 3,3 ГГц............................................2,4 дБ
2Т9124Б при Лх = 2,5 Вт.
tti = 21 В, 4Г= 3,1.3,5 ГГц ...................................3,2 дБ
Ph = 20 В,/= 3,3 ГГц...........................................2,8 дБ
Коэффициент полезного действия коллектора при 7k = +25’С, не менее:
2Т9124А при 1И = 100 мкс, Q = 10, Лх = 3,3 Вт
Ph = 24 В, 4Г= 3,1...3,5 ГГц ....................... . . 30 %
Ph = 20 В,/= 3,3 ГГц...........................................30 %
2Т9124Б при Лх = 2,5 Вт:
Ph = 21 В, 47= 3,1...3,5 ГГц ..................................35 %
Ph = 20 В /= 3,3 ГГц ..................35 %
Обратный ток коллектора, не более:
7k = +25"С при йсб = 30 В .. ................... ..............20 мА
7k = +125”С при Ркб = 30 В.....................................40 мА
7k = 60’С при Ркб = 25 В.......................................40 мА
Обратный ток коллектор - эмиттер при Ркэ = 24 В, 7k = +25"С для 2Т9124 А,
не более...........................................................30 мА
Обратный ток эмиттера при Рэб = 1,5 В, не более:
7k = +25'С.........................................................10 мА
7k = +125 и -60’С..............................................20 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор - база1 при 7k = +25 +125’С .. 30 В
Постоянное напряжение эмиттер - база.............Л.................1,5 В
Постоянный ток коллектора для 2Т9124Б ...........1,5 А
Импульсный ток коллектора при /и - 250 мкс, О = 10 для 2Т9124 А....2 А
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора? при Г„ = 100 мкс, Q = 10,
7k = -60. .+65’С для 279124А ......................................23,5 Вт
Средняя рассеиваемая мощность коллектора в динамическом режиме3 при
7k = -60...+25’С для 2Т9124Б.......................................21,5 Вт
Температура р-п перехода...........................................+200"С
Температура р-п перехода в импульсном режиме.......................+ 175’С
Тепловое сопротивление переход - корпус ...........................8’С/Вт
Тепловоз сопротивление переход - корпус в импульсном режиме........4,6’С/Вт
Температура окружающей среды............................. -60'С. .7k = +125’С
1 При изменении 7k от +25 до -60’С Ркб снижается линейно до 25 В.
2 В диапазоне температур 7k = +65 . + 125’С Л,и, макс рассчитывается по формуле
Рк,и,макс = (175-Тк)/Лт,и(п-к), Вт
3 В диапазоне температур 7k = +25 . +125’С Л,ср,макс рассчитывается по формуле
Рк,ср,макс = (200-Тк)/Кг(п-к), Вт
Зависим сти импульсной выходной
мощности, коэффициента усиления
и коэффициента полезного действия
коллектора от входной мощности
Зависимости выходной мощности,
коэффициента полезного действия
кодлектора от входной мощности
Зависимости импульсной выходной
м щности и коэффициента полезного
действия коллектора от напряжения
питания
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэффици-
ента полезного сйствия коллектора
от напряжения питания
Зависимости импульсной выходной
мощности и коэффициента полезного
действия коллектора от частоты
Зависимости выходной мощности
коэффициента усиления и коэффициента
полезного действия коллектора пт частоты
180
2Т9127 (А, Б)
* Транзисторы кремниевые эпитакси-
ально-планарные структуры п-р-п гене-
раторные Предназначены для применения
в импульсных усилителях мощности и
генераторах в полосе частот 1,025...1,15
ГГц в схеме ОБ при напряжении питания
50 В. Выпускаются в металлокерамическом
корпусе с полосковыми выводами Транзи-
сторы содержат согласующие цепи по входу
и выходу. Масса транзистора не более 5 г.
Электрические параметры
Импульсная выходная мощность при/„ = 10 мкс,С= 100, не менее в диапазоне
частот ДГ~ 1,025...1,15 ГГц при № = 50 В:
2Т9127А при Лх = 150 Вт ...................................550 Вт
2Т9127Б при Лх = 60 Вт.....................................250 Вт
на частоте / = 1,15 ГГц при Ki = 40 В
2Т9127А при Лх = 150 Вт ...................................400 Вт
2Т9127Б при Лх = 60 Вт.....................................180 Вт
Коэффициент усиления мощности при /и = 10 мкс, Q = 100 не менее,
в диапазоне частот Af= 1,025.1,1 ГГц при Un = 50 В
2Т9127А при Лых = 550 Вт ................................... 5 64дБ
2Т9127Б при Лых = 250 Вт......................................6,2дБ
на частоте 1,15 ГГц при Un = 40 Вт
2Т9127А при Лых = 400 Вт..........................................4,2дБ
2Т9127Б при Лых = 180 Вт......... ............................4,7дБ
Коэффициент полезного действия при /и = 10 мкс, Q = 100 не менее
в диапазоне частот f = 1,025. .1,1 ГГц при Un = 50 В
2Т9127А при Лых = 550 Вт..........................................35 %
2Т9127Б при Лых = 250 Вт......................................35 %
на частоте/= 1,15 ГГц при Un = 40 Вт
2Т9127А при Лых = 400 Вт .........................................30 %
2Т9127Б при Лых = 180 Вт......................................30 %
Обратный ток коллектора при Исб = 65 В не более.
при 7k = +25’С:
2Т9127А.........................................................70 мА
2Т9127Б.......................................................35 мА
при 7k = +125 и -60'С:
2Т9127А 105 мА
2Т9127Б ......................................................52 мА
Обратный ток коллектор - эмиттер при йэ = 50 В, не более-
2Т9127А...........................................................80 мА
2Т9127Б.......................................................40 мА
Обратный ток эмиттера при И»б = 3,5 В, не более:
при 7k = +25"С
2Т9127А.........................................................70 мА
2Т9127Б.......................................................35 мА
при 7k = +125 и -60"С:
2Т9127А..................'......................................105 мА
2Т9127Б.......................................:...............52 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор база .............................65 В
Постоянное напряжение эмиттер база ............................... . 3,5 В
Импульсный ток коллектора при /н = 10 мкс, Q = 100-
2Т9127А.......................................................38 А
2Т9127Б...............................................Л.......19 А
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора2 при = 20 мкс Q = 100,
7k 5+85-0
2Т9127А ........................................... П51 Вт
2Т9127Б . . ..................................................524 Вт
Температура р-п перехода..........................................+200'С
Температура окружающей среды................................-6О'С..7к=+125°С
1 1к и,макс = Рк и,макс (Q.t^/30,3 ,А для 2Т9127А,
1к,и макс — Рк,и,макс (Qj^/27,6, А для 2Т9127Б.
2 При 7к < +85"С импульсная рассеиваемая мощность коллектора определяется из
выражения
Рк,и,макс = 115/Ri(h-k), Вт
при 7k > +85’С
Рк,и,макс = (200-Тк)/Рт(п-к), Вт
182
□ 2Т9129А
Транзистор кремниевый эпитакси-
ально-планарный структуры п-р-п усили-
тельный Предназначен для применения
в широкополосных импульсных усили
телях мощности в диапазоне частот
3,1...3,5 ГГц в схеме ОБ при напряжении
питания 24 В Транзистор содержит вну-
тренние цепи согласования Выпуска-
ется в металлокерамическом корпусе с
гибкими выводами
Масса транзистора не более 5,5 г
Электрические нараметры
Импульсная выходная мощность при Рвх = 7 Вт 1К = 100 мкс, Q = 10,
7k = +25"С, не менее.
на частотах [ = 3,1; 3,3; 3,5 ГГц при Ur = 24 В................20 Вт
на частоте f= 3,3 ГГц при Un = 20 В ...........................16 Вт
коэффициент усиления по мощности при Лх = 7 Вт /и = 10 мкс, Q = 10
7k = +25"С не менее.
на частотах/= 3,1 3,3, 3,5 ГГц при Un = 24 В 4,5 дБ
на частоте / = 3,3 ГГц при Ch-20 В.............................3,3 дБ
К эффициент полезного действия при Лх = 7 Вт, ги = 100 мкс, Q = 10,
7k = +25‘С, не менее
на частотах/ = 3,1, 3,3; 3,5 ГГц при Un = 24................... В 30 %
на частоте f - 3,3 ГГц при Ch = 20 В ..........................30 %
Обратный ток коллектора при Скб = !0 В, не более:
7k = +25’С.....................................................30 мА
7k = +125 и -60'С..............................................60 мА
Обратный ток коллектор - эмиттер при Йсэк = 24 В, не более ........50 мА
Обратный ток эмиттера при ЦэЪ = 1,5 В, не более
7к = +25*С.....................................................10 мА
7к = +125 и -60’С..............................................20 мА
Предельные эксплуатационные данные ,
Постоянное напряжение коллектор база при 7k = +25. +125"С.......30 В
Постоянное напряжение миттер - база .................. 1,5 В
Импульсный ток коллектора цри 1„ — 100 мкс О = 10............... 4 А
Импульсный ток базы при /и = 100 мкс Q = 10 *..... ............. 0,35 А
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при г„ 100 мкс, 0=10,
7k = -60. ,+65вС................................................47 Вт
Температура р п перехода - корпус ..............................+175’С
Тепловое сопротивление переход корпус .............. 2.3 *С/Вт
Температура окружающей среды ............................. -60 С 7к=+125°С
183
При изменении 7к от +25 до -60'С йсб нижается линейно до 25 В
2 При 7к > +65"С импульсная рассеиваемая мощность коллектора определяется из
выражения
Рк,и,макс = (175-Тк)/2,3 , Вт
Расстояние от корпуса до места лужения и пайки выводов не мемее 3 мм, температура
пайки +260’С, время пайки не более 3 с Допускается пайка выводов на расстоянии не
менее 2 мм от корпуса при температуре не свыше +150"С в течение не более 3 с.
Зависимости импульсной выходной
мощности коэффициента усиления
и коэффициента полезного действия
коллектора от входной мощности
Зависим сти импульсной выходной мощно-
сти, га эффици нт (усиления и коэффициента
полезного действия коллектора от напря
жения питания
Сборка из двух кремниевых эпита
ксиально-планарных структуры п-р-п гене-
раторных транзисторов Предназначена
для применения в усилителях мощности и
генераторах в схеме ОБ в диапазоне ча-
стотО.б. 1,5 ГГЦ при напряжении питания
45В Каждый транзистор содержит вну-
тренние согласующие цепи. Выпускается
в металлокерамическом корпусе с поло-
сковыми выводами
Масса сборки не более 25 г.
2Т9134 (А, Б)
184
££ ££ ££ ££
Электрические параметры
Импульсная выходная мощность в двухтактной схеме на частоте /= 1,5 ГГц
при Un = 45 В 1„ = 10 мкс Q = 100 7k S +25'С, не менее:
2Т9134А при Ах = 250 Вт...............1..........................1000 Вт
Лх = 125 Вт.......................................... 550 Вт
2Т9234Б при Лх = 200 Вт.......................................... 800 Вт
Лх = 100 Вт.......................................... 440 Вт
Коэффициент усиления по мощности в двухтактной схеме на частоте/11,5 ГГц
при Ch = 45 В 1„ = 10 мкс, Q = 100, 7k S +25’С, не менее
2Т9134А при Ах = 250 Вт..........................................6 дБ
Лх = 125 Вт.......................................... 6,4 дБ
2Т9134Б при Лх = 200 Вт .........................................6 дБ
Лх = 100 Вт .................................6,4 дБ
Коэффициент полезного действия в двухтактной схеме на частоте /= 1,5 ГГц
при Ch = 45 В, 4, = 10 мкс, Q = 100, 7k S +25’С,
не менее...........................................................30 %
Обратный ток коллектора при Окб — 50 В, не более:
7k = +25’С......................................................120
7k = +125 и -60’С ....................,...-....................180
Обратный ток коллектор эмиттер при Скэ — 45 В, не более
при 7k = +25’С:
2Т9134А.................................:.....................160
2Т9134Б .......................................................120
при 7k = +125 и -60‘С-
2Т9134А.......................................................200
2Т9134Б........................................................150
Обратный ток эмиттера при Цэб - 3 В не более
7k = +25’С .....................................................120
7k = +125 и 60’С...............................................180
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор - база ............................50 В
Постоянное напряжение эмиттер - база .............................. 3 В
Импульсный ток коллектора при /и = 10 мкс, Q = 100’
2Т9134А........................................................78 А
2Т9134Б .......................................................63 А
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора1 при ги = 10 мкс, Q = 100,
7k S +85’С:
2Т9134А............................................................2600 Вт
2Т9134Б........................................................2100 Вт
Температура р-п перехода...........................................+190’С
Температура окружающей среды ................................ -60’С. 7k + 125’С
1 При 7k S +85°С импульсная рассеиваемая мощность коллектора определяется из
выражения
Рк и,макс — 105/Иг(п-к) , Вт
При 7k > +85’С
Рк,и,макс = (190-Тк)/Кт(п-к) , Вт
где
Ягбл-кЛ ’С/Вт = 0,5/Q + 0,012(1 - 0,86)/То.)У1и для 2Т9134А,
Лг<л-к;,’С/Вт = 0,6/Q + 0,015 (1 - O^/Tq)^ для 2Т9134Б
185
Схема соединения электродов с
выводами 2Т9134 (А,Б)
Эквивалентная схема замещения транзисторов 2Т9134 (А,Б) в активном режиме
£1=£э=0 06 нГн, £6=0,02 нГн, £к-0,12 нГн. £2=0,18 нГн, tl 8 . 9 пФ, С2 200 пФ
СЗ=400 пФ, С4=8 .9 пФ, СЪ=1800 пФ Ск1=47 пФ £к2=93 пФ Скэ=20 пФ
Дг=0,01 Ом, /’6=0,1 Ом, /к=0,1 Ом
Зависимости выходной мощности, коэффи-
циента усиления и коэффициента полезного
действия коллектора от входной мощности
Зависимости выходной мощности, коэффи-
циента усиления и коэффициента полезного
действия коллектораот напряжения питания
186
П 2Т9135А-2
2Т9135А-2
Транзистор кремниевый эпитаксиально
планарный структуры п-р-п генераторный
Предназначен для применения в усилителях
и генераторах в диапазоне частот 2 10 ГГц
в схеме ОБ при напряжении питания 14 В
в герметизированной аппаратуре Выпуска
ется на металлокерамическом кристалле-
дсрхателе Масса транзистора не более 1 г.
к
1
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте/= 10 ГГц при Un = 12 В, /к = 0,85 А,
Лх = 1,5 Вт 7k - +25’С,
не менее........................................................2,6 Вт
медианное значение ..........................................3 Вт
Коэффициент полезного действия на частоте/= 10 ГГц при й> = 12 В,
/к = 0,85 А, Лх = 1,5 Вт
7k = +25’С.................................................... 26...29*.. 31* %
Фаза коэффициента передачи тока на высокой частоте при йсб = 2 В,
/к = 400 мА,/ = 1 ГГц,
не более ........................................................16 град
Обратный ток коллектора при йсб = 15 В. не более:
7k = +25 и -60’С................................................2 мА
7k = + 125’С........................;........................5 мА
Обратный ток эмиттера при И>э = 1,2 В, не более.
7k = +25 и -60’С................................................1 мА
7k = +125’С..................................................3 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор база........................... 15 В
Постоянное напряжение эмиттер - база..............................1,2 В
Постоянный и импульсный ток коллектора ........................... 0,95 А
Средняя рассеиваемая мощность коллектора в динамическом режиме
при 7k = 60...+25’С...............................................8,7 Вт
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора2 при йсб — 6 В,
7k = -60. +57’С...................................................3,4 Вт
Температура р-п перехода..........................................+190’С
Тепловое сопротивление переход корпус в динамическом режиме.... 19‘С/Вт
Тепловое сопротивление переход корпус.............................39’С/Вт
Температура окружающей среды .............................. -60’С 7k =+125’С
187
При 7k > +25'С средняя рассеиваемая мощность коллектора определяется из выражения
Рк ср макс = (190-Тк)/19 Вт
При 7k > +57*С постоянная рассеиваемая мощность коллектора определяется из
выражения
Рк,макс = (190-Тк)/39, Вт
Эквивалентная схема замещения транзистора 2Т9135А-2 в активном режиме
С = 240 пФ Скэ = 0,8 пФ,С1 = 0,84 пФ, С2 = 0,7 пФ СЗ = 1 пФ С4 ),6 пФ,
Gel = 0,72 пФ Ск2 = 2,2 пФ, Сэ =17,6 пф при 1лэ = О.Сэ = 40 пФ при <Л5э = 1,2
В,£э = 0,2нГн,£б = 0,1нГн Л = 0,2нГн £к=0,15нГн Я=1 2 Ом тс = 0,5 Ом
гк = 0,2 Ом °
Зависимости выходной мощ-
ности коэффици нтаусиле
ния и коэффициента полез-
ного действия коллектора от
входной мощности
Зависимости выходной
мощности, коэффициента
усиления и коэффициента
полезного действия колле-
ктора от тока коллектора
Зависимости выходной
мощности, коэффициента
усиления и к эфф и
полезного действия от
напряжения питания
Зависимость фазы коэффициента передачи тока в схеме ОБ
от тока коллектора
188
□ 2Т9137А
Транзистор кремниевый эпитаксиально планарный структуры п-р-п усилительный
Предназначен для применения в линейных усилителях в схеме ОЭ на частотах до 2,3 ГГц
Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Транзистор
маркируется условным обозначением буквой “Р” Масса транзистора не более 3 г
2T9I37A
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте /= 2,3 ГГц при Скб = 18 В, /к = 380 мА,
не менее........................................................... 2,1 Вт
медианное значение .................................................2,5 Вт
Коэффициент усиления по мощности на частоте/= 2,3 ГГц при (7кб = 18 В,
/к = 380 А......................................................5,5.6,9* 7,7* дБ
Коэффициент полезного действия на частоте f 2,3 ГТц при Скб - 2,3 ГГц
при йсб = 18 В, /к = 380 мА, не менее............................. 30,7 %
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при йсб = 10 В
/к = 300 мА..........;..........................................2,7...4,4*..5* ГГц
Емкость коллекторного перехода при &кб = 18 В .............. 4*..4,6* . 5,5 пФ
Емкость минерного перехода при (Ъб = 0.......................... 20*...30*...45 пФ
Обратный ток коллектор - эмиттер при Цкэ = 22 В Ябэ = 100 Ом, не более
7k = +25 и -60’С.....................................................10 мА
7k = +125’С.............................................•-.......20 мА
Обратный ток эмиттера при Иэб = 3,5 В, не более
7k = +25 и -60’С......................................................2 мА
7k = +125’С ......................................................4 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор - эмиттер1 при Лбэ = 100 Ом ...... 22 В
Постоянное напряжение эмиттер - база .............................3,5 В
Постоянный ток коллектора ........................................ 550 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора2 при 7k = -60 +50’С . .. 9 Вт
Температура р-п перехода..........................................+160’С
Тепловое сопротивление переход корпус ............................ 12,2’С/Вт
Температура окружающей среды .................... -60’С 7k =+125”С
189
i
2
Цкэв. > 20 В допускается только при закрытом эмиттерном переходе
При 7k > +50‘С постоянная рассеиваемая м щность коллектора определяется из
выражения
Рк.макс = (160-Тк)/12,2, Вт
Зависимость тока базы
от напряжения базы -
эмиггер
Зависимости коэффици-
ента полезного ействия
коллектора от тока колле-
ктора
Зависимости коэффициента
усиления от выходной мощ-
ности
Зависимости выходной
мощности и коэффициента
усиления от тока коллектора
О 100 200 300 ZK nA
Зависимости граничной
частоты оттока коллектора
Зависимость емкости
коллекторного перехода от
напряжения коллектор
база
Зависимость емкости эмиттер-
ного перехода от напряжения
база - эмиттер
Области безопасной работы
транзистора
190
□ 2Т9139А, 2Т9139Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-
планарные структуры п р-п генераторные
Предназначены для применения в широко-
полосных усилителях и генераторах импульс-
ного (2Т9139А) и непрерывного (2Т9139Б) ре-
жимов раб ты в диапазоне частот 2,7...3,1 ГГц
в схеме ОБ при напряжении питания 24 В в
импульсном режиме и 21 В в непрерывном
Выпускаются в металлокерамическом корпусе
с полосковыми выводами Масса транзистора
не более 10 г.
Электрические нараметры
Импульсная выходная мощность при Рах = 2,85 Вт, /и = 100 мкс, Q = 10,
7k = +25’С для 2Т9139А, не менее:
па частотах f = 2,7; 2,9, 3,1 П ц при Uh = 24 В ..............10 Вт
на частотах f— 3,1 ГГц при Uh = 20В .......... ...............7 Вт
Вых дная мощность при Лх = 2,5 Вт, 7k = +25”С для 2Т9139Б, не менее
на частотах/= 2,7; 2 9 3,4 ГГц при Un = 21 В . 9 Вт
на частотах/ — 3,1 ГГц при Un - 20 В ... ..7,5 Вт
Коэффициент усиления по мощности при Лх = 2,85 Вт ги = 100 мкс, Q = 10,
7k = +25"С для 2Т9139А, не менее:
на частотах/= 2,7 2 9 3,1 ГГц при Oh = 24 В 3,5
на частотах/ = 3,1 ГГц при Un = 20 В ......... .............2,45
Коэффициент усиления по мощности при Лх = 2,5 Вт 7к=+25°С для
2Т9139Б,не менее:
на частотах/= 2,7; 2,9, 3,1 ГГц при Un = 21 В ............... 3,6
на частоте/= 3,1 ГГц при Un = 20 В ........................ 3
Коэффици нт полезного действия коллектора при 7k = +25”С, не менее
2Т91 I9A.
на частотах/= 2,7; 2,9; 3,1 ГГц при Un = 24 В Лх = 2,85 Вт,
Г„ = 100 мкс, Q = 10..........................................32 %
на Частоте 7=31 ГГц при Un = 20 В, Лх = 2,85 Вт, /и = 100 мкс
Q = 10 .......................................................35 %
2Т9139Б
на частотах /= 2,7; 2,9; 3,1 ГГц при Un = 21 В, Лх = 2,5Вт ... 35 %
на частоте Г= 3,1 ГГц при Un = 20 В, Лх = 2,5 Вт .............35 %
Обратный ток коллектора, не более
Тк = +25-С при Окб = 30 В ........................ 20 мА
7к = +125"С при Окб = 30 В и 7к = 60’С при Окб = 25 В . 40 мА
Обратный ток коллектор миттер при Окб = 24 В для 2Т9139А,
не более......................................................ЗОмА
Обратный ток эмиттера при ЦэЪ = 1,5 В, не более
7k = +25’С....................................................10 мА
7k = +125’С и -60'С...........................................20 мА
191
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор - база1...................... 30 В
Постоянное напряжение эмиттер база ..............................1,5 В
Постоянный ток коллектора для 2Т91 9Б 1 5 А
Импульсный ток коллектора для 2Т9139А 2 А
Постоянный ток базы для 2Т9139Б..................................0,2 А
Средняя рассеиваемая мощность коллектора в инамическом режиме2 при
7k = +25...-60’С для 2Т9139Б.....................................21,5 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при 7k = -60. ,+65’С,
= 100 мкс, 10 для 2Т9139А......................................... 23,5 Вт
Тепловое сопротивление переход - корпус.......................... 8'С/Вт
Тепловое сопротивление переход - корпус в импульсном режиме 4 6°С/Вт
Температура окружающей среды ............................. -60’С . 7к=+125’С
1 При изменении 7к от +25 до 60°С Окб макс нижается линейно до 25 В.
2 В диапазоне температур 7к = +25 +125’С средняя рассеиваемая мощность коллектора
определяется из выражения
Рк,ср,макс = (200-Тк)/8, Вт
3 В диапазоне температур 7k = +65 +125"С импульсная рассеиваемая мощность
коллектора определяется из выражения
Рк,и,макс = (175-Тк)/4,6, Вт
Зависимости импульсной вы-
ходной мощности, коэффици-
ента усиления и коэффици
ента полезного действия
коллектора от частот
п 2 L-t^nTn
Эквивалентные схемы входной и выходной цепей
транзисторов 2Т9139 (А,Б)
Зависимость тока базы
от напряжения база -
эмиттер
Зависимости импульсной вы
ходной мощности коэффици
ента усиления и коэффициента
полезного действия коллектора
от входной мощности
Зависимости импульсн й вы
ходной мощности, коэффици
ента усиления и коэффици нта
полезного действия коллектора
от напряжения питания
192
Зависимости выходной
мощности, коэффициента,
усиления и коэффициента
полезного действия колле-
ктора от частоты
Зависимости выходной
мощности, коэффици-
ента усиления и коэффи-
циента полезного дей-
ствия коллектора от вход-
ной мощности
Зависимости выходной
мощности, коэффициента
усиления и коэффициента
полезного действия колле-
ктора от напряжения пита
ния
□ 2Т9140А
таз
Транзистор кремниевый эпитаксиалыю-
планарный структуры п-р-п генераторный
Предназначен для применения в широко-
полосных усилителях мощности, генераторах и
умножителях в диапазоне частот 0,9... 1,45 ГГц в
схеме ОБ при напряжении питания 28 В
Выпускается в металлокерамическом корпусе с
полосковыми выводами Масса транзистора не
более 20 г.
2Т9140А
Электрические параметры
Импульсная выходная мощность на частотах/= 1,2, 1,3; 1,4 ГГц при №=32 В,
/и = 300 мкс 6=5, Кур = 6,5 дБ Т]к = 45 %, 7k = +25 С,
не менее ...................................................... 125 В
Выходная мощность на частоте /= 1,3 ГГц при № = 28 В, Кур - 6 дБ,
Т]к = 45 %, 7k = +25 С,
не менее..........................................................ПО Вт
193
Коэффициент усиления по мощности, не менее
на частотах = 1,2, 1,3, 1,4 ГГц при Un = 32 В {„= 300 мкс, 0 = 5
Рвых — 125 Вт, Т]к = 45 %,
7k = +25"С..............:.......................................6,5 дБ
на частоте/= 1,3 ГГц при {Th = 28 В, Лых = ПО В, Т1к = 45 %,
7k = +25'С....................................................6 дБ
Коэффициент полезного действия коллектора, не менее
на частотах/= 1,2, 1 3, 1,4 ГГц при Un = 32 В Г„ = 300 мкс 0=5,
Рвых = 125 Вт, и
7k = +25’С....................................................45 %
на частоте f= 1,3 ГГц при tZh = 28 В, Лых = 110 В Ку р = 6 дБ,
7k = +25'С ,..................................................45 %
Обратный ток коллектора, не более
7k = +25*С при йсб = 50 В.....................................150 мА
7k = +125"С при Окб = 50 В....................................300 мА
7’ = -60"С при йсб = 45 В.....................................,300 мА
Обратный ток эмиттера при Цэб = 3,5 В 7k = -6О...+125’С, не более 50 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор - база1............................ 50 В
Постоянное напряжение эмиттер - база .............................3,5 В
Средний ток коллектора............................................10 А
Импульсный ток коллектор;
при Ти = 20 мкс, Q = 10.......................................15 А
при tK = 100 мкс, Q = 10 или 1Н = 400 мкс, 0=5........,.......12 А
Средний ток базы...................................... ...........4,5 А
Средняя рассеиваемая м щность коллектора в динамическом режиме2
при 7k = -60 ..+25'С........................... ..............176 Вт
Температура р-п перехода...........................\..............+175'С
Тепловое сопротивление переход - корпус .......... . . ....0,85'С/Вт
Температура окружающей среды..............................-60’С... 7k = + 125 "С
При изменении 7к от +25 до 60’С йсб макс снижается линейно до 45 В
При 7к > +25"С средняя рассеиваемая мощность коллектора определяется из
выражения
Рк ср макс = (175 Тк)/0,85 , Вт
Рк,ср — UnlK+Pex Рвых
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора.
при 7k 5 +75’С.
Рк,и,макс = 100/Ri,u(n-K) , Вт
при 7k > +75’С.
Рк и,макс — 175-Тк/Кг,и(п-к) , Вт
где
Яг и(п к) = Rr,(n-K)/Q + Я’г.иСл-к^/С (Q-1);
Яг и (n-к) определяется из графика.
Транзи тор работает в непрерывном и радиоимпульсном режимах при напряжении
питания 28 В - в непрерывном режиме при напряжении 32 В - в радиоимпульсном режиме
при /и £ 1000 мкс, Q £ 10 и /и £ 400 мкс Q £ 5, при напряжении питания 35 В в радио
импульсном режиме при 20 мкс, Q г 10
Применение транзистора в статическом режиме (в том числе в режиме класса А) не
допускается.
Минимальное расстояние места пайки выводов от корпуса 3 мм температура пайки
+260’С Допускается пайка выводов на расстоянии 5 мм от корпуса, при этом температура
прип >я не должна превышать + 150'С, время пайки не более 10 с
При монтаже транзистора в микрополосковые линии допускается обрезать и изгибать
выводы на расстоянии не менее 1 5 мм от корпуса При этом усилие не должно передаваться
на место соединения вывода с корпусом
+-992
194
Эквивалентная схема замещения транзистора 2Т9140А в активном режиме
Ск1 = 16,7 пФ Ск2 = 52 пФ Скэ = 16,7 пФ, Сз = 1 00 пФ СТ = 40 пФ,
С2 = 5 n<f>, СЗ = 660 пФ СТ = 46 пФ С5 = 5 пФ, £б = 0,012 нГн, £1 «= 0 04 нГн
12 = 0,025 нГн, £3 = 0,4 нГн, £4 = 0,42 нГн, £5 = 0,27 нГн, £6 = 0,025 нГн,
£7 = 0,4 нГн/mm, Дт — 0,025 Ом, rg - 0,04 Ом Лс 0,08 Ом
Зависимость импульсного теплового сопро-
тивления переход корпус от длительности
импульса
Зависимости импульсной выходной
мощности и коэффициента полезного
действия коллектора от частоты
□ КТ9141А, КТ9149А1
Транзисторы кремниевые эпитаксиально планарные структуры л р-п усилительные
Предназначены для применения в выходных каскадах видеоусилителей многоцветных
графических дисплеев. Выпускаются в металлическом корпусе (КТ9141А) с гибкими
выводами и стеклянными изоляторами и в металлокерамическом корпусе (КТ9141А1) с
полосковыми выводами Масса транзистора в металлическом корпусе не более 1,5 г, в
металлокерамическом - не более 1,9 г
KT914U
19$
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при №э=5 В 7к=50 мА.
7k = +25’С..........................................................15...45
7k = +85 и -60’С....................................................10...70
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при Ёкэ = 10 В
/к = 50 мА,/= 300 МГц....................................................3,4...4,5*...5*
Емкость коллекторного перехода при йсб = 10В, не более. .......... 2 5 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Оэб = 0, не более ......... .. 25пФ
Обратный ток коллектора при Окб = 120 В, не более .......... 0,1 мА
Обратный ток коллектор-эмиттер при №э = 80 В, Абэ = 1 кОм, н более:
7k = +25 и -60’С........................................................ 1 мА
7k = +85'С.......................................................... 2 мА
Обратный ток эмиттера при СЬб = 3 В, не более-
7k = +25’С..........................................................„...0,1 мА
7k = +85 и -60 4С..........-........................................0,3 мА
Предельные эксплуатационные данные
^Постоянное напряжение коллектор - база...........................120 В
Постоянное напряжение коллектор - эмиттер при Абэ = 1 кОм ........80 В
Постоянное напряжение эмиттер база.......... ..................... 3 В
Постоянный ток коллектора.
КТ9141А.................’.....................................'300 мА
КТ9141А1......................................................400 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 при 7k £ +50’С.
КТ9141А............................ :............................3 Вт
КТ9141А1......................................................5 Вт
Температура р-п перехода..........................................+200’С
Тепловое сопротивление переход - корпус
КТ9141А...........................................................35’С/Вт
КТ9141А1......................................................30’С/Вт
Температура окружающей среды..................................-6О’С...7к=+85'С
1 При 7к > +50’С постоянная рассеиваемая мощность коллектора определяется из
выражения
Рк макс = 200-Тк/1&(п-к), Вт
196
□ 2Т9149А, 2Т9149Б
Транзисторы кремниевые эпитакси
ально планарные структуры л-р-лусили-
тельнеые Предназнчены для примене-
ния в импульсных усилителях мощности
в диапазоне частот 2.. 2,3 ГГЦ в схеме ОБ
при напряжении питания 28 В. Выпуска-
ются в металлокерамическом корпусе с
полосковыми выводами Масса транзи-
стора не более 5,5 г.
2Т9149 (А,Б)
Электрические параметры
Импульсная выходная мощность на частотах/= 2; 2,15; 2,3 ГГц при № =28 В,
/„ = 300 мкс 0=5, 7k = +25*С, не менее
2Т9149А при Лх = 7,5 В .........................................30 Вт
2Т9149Б при Лх = 3 Вт.......................................12 Вт
Коэффициент полезного действия на частотах/=2; 2,15; 2,3 ГГц при tZn=28 В
Г„ = 300 мкс, 0=5, 7k = +25’С, не менее
219149А при Лх = 7,5 Вт.........................................30 %
2Т9149Б при Лх = 3 Вт ......................................35 %
Обратный ток коллектора при йсб = 45 В не более
при 7k = +25'С
2Т9149А.......................................................100 мА
2Т9149Б.....................................................50 мА
при 7k = +125 и 60°С‘
2Т9149А........................................................150 мА
2Т9149Б.....................................................100 мА
Обратный ток эмиттера при И>э = 2 В, не более:
при 7k = +25"С:
2Т9149А.......................................................50 мА
2Т9149Б.............................................1.......20 мА
при 7k = +125 и 60°С
2Т9149А........................................ -.............100 мА
2Т9149Б.....................................................40 мА
1 при 7k = -6О*С Скб = 40 В
197
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания.....................................28 В
Постоянное напряжение коллектор - база ............... ...........45 В
Постоянное напряжение эмиттер база 2 В
Импульсный ток коллектора при г„ = 300 мкс, Q = 5
2Т9149А............................................1..........4,5 А
2Т9149Б.......................................................2,1 А
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора2 при /и = 300 мкс, Q = 5,
7k = +60"С
2Т9149А...........................................................100 Вт
2Т9149Б.......................................................56 Вт
Теплово опротивление переход корпус в импульсном режиме
2Т9149А...........................................................1,25'С/Вт
2Т9149Б.......................................................2,22’С/Вт
Температура р-п перехода..........................................+195’С
Температура окружающей среды ....... ..................... -60’С.. 7к = + 125‘С
1 При изменении 7к от +25 до -60’С 1Лсб,макс снижается линейно до 40 В
2 При 7к > +60’С импульсная рассеиваемая мощность коллектора определяется из
выражения
Рк,и,макс = (185-Tk)/Ri и(п-к), Вт
3При 7k > +60*С Яг,и(п-к) возрастает линейно до 1,4"С/Втдля 2Т9149Аидо 2,5’С/Вт
для 2Т9149Б при 7к = +125‘С.
Допускается использовать транзистор в режиме с 1„ до 500 мкс и Q = 5 при этом
значение _Рк,и макс не должн превышать 65 Вт для 2Т9149А и 25 Вт для 2Т9149Б при
7k = +60’С
Допускается использовать транзистор в непрерывном режиме при этом значение
Рк, ср, макс не должно превышать 35 Вт для 2Т9149А и 20 Вт для 2Т9149Б при 7k = +60 С
При 7k = +60. + 125’С средняя рассеиваемая мощность коллектора определяется из
выражения
Рк,ср,макс — (150-Тк)/Кг(п-к), Вт
Ят(п-к) увеличивается линейно от2,б’С/Втпри7к=+60’СдоЗ,12°С/Втпри7к=+125°С
для 2Т9149А и соответственно от 4,5 до 5,4*С/Вт для 2Т9149Б
Зависимости импульсной выходной
мощности от частоты
Зависимости импульсной выходной
мощности от частоты
198
РАЗДЕЛ ВТОРОЙ
ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
□ 2П308А9, 2П308Б9, 2П308В9, 2П308Г9, 2П308Д9, 2П308Е9
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основер-
п перехода и каналом л-типа. Предназначены для применения в герметизированной
аппаратуре во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока, в пере
ключающих устройствах и коммутаторах с высоким входным сопротивлением. Выпускаются
в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Масса транзистора не более 0,1 г.
2П308(А9-Е9)
Электрические параметры
Крутизна характеристики при Оси = 10 В, йи = 0:
7k = +25*С
2П308А9, 2П308Б9...............................................1...4 мА/В
2П308В9.............-..........................................2 -5 мА/В
2П308Е9, не менее..............................................1 мА/В
Т = + 100’С, нс менее.................................. . .0,5 мА/В
Т = -бО'С, не менее.............................................1 мА/В
1»»
Время включения при йи = 10 В, йи = 0 для 2П308Г9 2П308Д9,
не более.........................................................20* нс
Время выключения при йи - 10 В йи “ 0 для 2П308Г9 2П308Д9
не более.....................!..,................................20* нс
Напряжение отсечки при йи — 10 В /с = 10 нА.
2П308А9..........................................................0,2...1,2 В
2П308Б9......................................................0,3...1,8 В
2П308В9......................................................0,4-2,4 В
2П308Г9......................................................1...6 В
2П308Д9......................................................1...3 В
2П308Е.......................................................0,2—6 В
Начальный ток стока при йи — 10 В, йи = 0
2П308А9 „........................................................0,4... 1 мА
2П308Б9......................................................0,8—1,6 мА
2П308В9..................................................... 1,4—3 Ма
2П308Е9, не более...-........................................6 мА
Ток утечки затвора при йи^ 0, йи = 10 В, не более
Т= +И5ГС............................................. ...........1 нА
Г= +100'С....................................................1 мкА
Ток утечки затвора при Оси = 0, йи = -30 В, не более.............10 мкА
Активная составляющая выходной проводимости при йи=10В, йи~0 не
более
2П308А9......................*...................................10 мкСм
2П308Б9, 2П308В9.............................................20 мкСм
Сопротивление сток исток в открытом состоянии при йи = 0,2 В йи = 0:
Г = +25’С
2П308Г9 .........................................................230 .250 0м
2П308Д9, не более............................................500 Ом
Г = -60*С, нс более
2ПЗО8Г9 .......................................................250 Ом
2П308Д9 -....................................................500 Ом
Г = +100‘С, не более
2П308Г9........................................................500 0м
2П308Д9...................................................... 1000 Ом
Входная емкость при йи = 10 В, йи = 0, не более..................6 пФ
Выходная емкость при йи = 10 В йи = 0, не более ................... 2 пФ
Предельные экснлуятав-нотые данные
Постоянное напряжение сток-исток..................................... 25 В
Постоянное напряжение затвор-сток ..................................30 В
Постоянное напряжение затвор-исток.................................... 30 В
Постоянный ток стока................................................20 мА
Постоянный ток затвора ......................................... 5 мА
Постоянная рассеиваемая мощность1 при Г = -60. +25'С ...............80 мВт
Температура окружающей среды .......................................-60...+100’С
1 При Т+25’С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность
рассчитывается по формуле
Р макс = 80 - 0,5(Т-25), мВт
Пайку выводов рекомендуется проводить с применением лудящих паст и припоев на
расстоянии не менее 0,15 мм от корпуса транзистора, время пайки не более 4 с, температура
пайки не более 4-265’С
200
□ АП320А-2, АП320Б-2
Транзисторы полевые । арсенидгаллиевые с
затвором в виде барьера Шоттки и каналом
л-типа. Предназначены для применения во
входных каскадах приемных устройств в составе
гибридных интегральных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими
полосковыми выводами На крышку
кристаллодержателя наносится условная
маркировка цветной точкой: АП320А 2-красной,
АП320Б 2-зеленой. Масса транзистора не более
0,2 г
Электрические параметры
Минимальный (соэффициент шума на/= 8 ГГц при ОЬи ЗВ 7с = 10 мА
АП320А-2...............................................................3,2*...4*...4,5 дБ
АП320Б-2....................................... ..........................4.5*...5*...6 дБ
Оптимальный коэффициент усиления по мощности на /= 8 ГГц при
Uck = 3 В, 1с = 10 мА....................................................3..5..7 дБ
Крутизна характеристики при Чек = 1,5 В, 1с = 15 мА................ 5 9 5... 16 мА
Ток утечки затвора при Ози = -2,5 В
Т= +25"С...............................................................0,01*..1*..20 мкА
Т = +85°С, не более.....’.............................................80 мкА
Т - -60”С, не более.................................................... 60 мкА
Входная емкость, типовое значение. ......................... 0,18* пФ
Проходная емкость, типовое значение . ......... 0 15* пФ
Выходная емкость, типовое значение .................................... 0,18* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток-исток:
7k = 60 ..+50"С.......................................................4 В
7k = +85"С............................................................3 В
Постоянное напряжение затвор-исток 5 В
Постоянное напряжение затвор-сток ................................ ... 8 В
Постоянная рассеиваемая мощность
7k = -60. ,+40-С.................................................... 80 мВт
7k = +85"С ........................................................ 30 мВт
1 При 7k > +50"С максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток
снижается линейно
2 При 7k > +40’С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность
снижается линейно
201
Пайка выводов производится на расстоянии 1 мм от кристаллодержателя при условии
обеспечения надежного отвода тепла от вывода между местом пайки и кристаллодержателем
При этом следует пользоваться серебряно-ицдиевыми припоями температура пайки не
более +260'С время пайки не более 3 с.
Допускается пайка выводов па расстоянии не менее 0,2 мм от кристаллодержателя при
температуре пайки не более +160С в течение не более 10 с. Допускается использование
только бескислотного флюса.
Допускается однократный изгиб выводов с радиусом закругления 1,5 мм на расстоянии
1 мм от кристаллодержателя
Допускается при монтаже транзисторов обрезать выводы на расстоянии не менее 2 мм
от кристаллодержателя
Зависимость коэффици-
ента шума от напряжения
сток-исток транзистора
АП320А-2
Зависимость коэффициета
шума от напряжения сток
исток транзистора АП320Б-2
Зависимость коэффици-
ента усиления по мош
ности от напряжения
сток-исток
Зависимость коэффициента
шума от частоты
Зависимость коэффициента
усиления по мощности от
частоты
202
□ КП327А, КП327Б, КП327В, КП327Г
Транзисторы кремниевые планар-
ные палевые с двумя изолированными
затворами имеющими защитные
диоды с каналом л-типа. Предна-
значены для применения в селекторах
каналов, телевизионных приемников.
Выпускаются в пластмасс вом корпусе
с гибкими выводами Маркируются
цветными очками. КП327А - одной
белой, КП327Б - двумя белыми КП327В
- одной красной, КП327Г - двумя
красными Масса транзистора не более
0,3 г.
Электрические параметры
Коэффициент шума при йи = 1 В, Пии = 4 В, /с = 10 мА, не более
КП327А на частоте/= 800 МГц................................3,9 дБ
КП327Б на частоте /= 200 МГц............................... 2,8 дБ
КП327В на частоте f— 800 МГц................ ...............4,5 дБ
КП327Г на частоте/ 200 МГц................................3 дБ
Коэффициент усиления пс мощности при йи = 10 В Пни = 4 В, /с = 10 мА,
не менее
КП327А на частоте/= 800 МГц ............................. 13 дБ
КП327Б на частоте f— 200 МГц ........................ 19 дБ
Оптимальный коэффициент усиления по мощности при йи=10 В, Пии=4 В
/с = 10 мА пе менее
КП327В на частоте/= 800 МГц..................................12 дБ
КП327Г на частоте/= 200 МГц..................................18 дБ
К эффициент обратной передачи напряжения при йи = 10 В Озм = 4 В
1с = 10 мА, не более:
КП 2 А на частоте/= 800 МГц ............................... 30 дБ
КП327Б на частоте / = 200 МГц................................-25 дБ
Глубина регулирования усиления при йи - 10 В, йзи = +4 -2 В, не более
КП327А на частоте/= 800 МГц..................................... 40 дБ
КП327Б на частоте/= 200 МГц..................................40 дБ
Крутизна характеристики при йи = 10 В Паи = 4 В, 7с = 10 мА, не менее
Т= +25 и-45'С...................................................9,5 мА/В
Т= +85’С.....................................................8 мА/В
Пробивное напряжение защитных диодов затворов 1 и 2 при
/з1И = /зти = 10 мА...............................................6..18 В
Начальный ток стока при Пии = 4 В, йш = О'
при Т= +25*С, Цен = 10 В.
КП327А, КП327Б................................................0,5. 17 мА
КП327В, КП327Г, не более.....................................17 мА
203
при 7к = +80’С, йи = 6 В:
КП327А, КП327Б.............................................0,5.17 мА
КП327В, КП327Г, не более..................................17 мА
при Г = -45‘С, йи ~ 6 В,
не более...................................................20 мА
Ток утечки затворов 1 и 2 при Кси = 0, Кии = Кии = ±5 В, не более 50 нА
Емкость затвор - исток при йи = 10 В, йгв = -2 В, Кии = 0:
КП327А.......................................................1,3-2,3 пФ
КП327Б....................................................1,5-3 пФ
КП327В, не более..........................................2,5 пФ
КП327Г, не более .........................................3,6 пФ
Емкость сток - исток при Кси = 10 В Кии = -2 В Й1И = 0, не более
КП327А.......................................................1,3 пФ
КП327Б....................................................2 пФ
КП327В....................................................1,6 пФ
КП327Г....................................................3 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток - исток 14 В
Постоянное напряжение затвор 1,2 - исток .......................5 В
Постоянное напряжение затвор 1,2 - сток ........... 16 В
Постоянный ток затвора 1,2......................................10 мА
Постоянный ток стока ..................................... . 30 мА
Постоянная рассеиваемая мощность при1 Т= -45...+60'С .......... 200мВт
Температура окружающей среды ...................................-45. ,+85‘С
1 При Т> +6О'С Рмакс уменьшается на 2,5 мВт/”С
□ 2ПЗЗЗА, 2ПЗЗЗБ
Транзисторы кремниевые планарные нолевые с каналом л-типа и затвором в виде
обратносмещенного р-п перехода Предназначены для применения в усилителях низкой
частоты Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами Масса транзистора
не более 0,5 г
2ПЗЗЗ{А,Б)
Электрические параметры
ЭДС шума на частоте f — 75 Гц при йи = 10 В, к = 10 мА, не более . 20 нВ/б/Гц
Крутизна характеристики при йи = 10 В, йи = 0, не менее
при Т = +25 и -60*С.
2ПЗЗЗА......................................-..................4 мА/В
2ПЗЗЗБ.........................................................2 мА/В
204
при Т = +125"С
2II333A.......................................................2 мА/В
2ПЗЗЗБ.......................................................1.2 мА/В
Напряжение отсечки при t/си 10 В /с — 1( мкА
2ПЗЗЗА..........................................................1-8 В
2ПЗЗЗБ, не более............................................4 В
Остаточный ток стока при Оси = 1 В /зи = -10 В, не более... . 10 ь А
Ток утечки затвора Оси = 0, йи = -10 В для 2ПЗЗЗА и -3,5 В для 2ПЗЗЗБ не более:
при Т +25 и -60’С.
2ПЗЗЗА..........................................................2.10 1° А
2ПЗЗЗБ......................................................1.10 7 А
при Т= +125*С:
2ПЗЗЗА.......................................................1.10'А
211333Б................................:....................1.10 5 А
Сопротивление сток - исток в открытом состоянии при Оси = 0,5 В, йи = О,
не более.......................................................1,5 кОм
Емкость затвор исток при ОЬи = 10 В, йи = 0, не более... 6 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток - исток:
2ПЗЗЗА..............................................................50 В
2ПЗЗЗБ..............................................................40 В
Постоянное напряжение -затвор сток.
2II333A.............................................................50 В
2ПЗЗЗБ...................................................к.........40 В
Постоянное напряжение -затвор - исток:
2ПЗЗЗА................................................................. 45 В
2ПЗЗЗБ.............................................................35 В
Постоянная рассеиваемая мощность1 при Т = -60...+25"С ......0,25 Вт
Температура р-п перехода.... ........................................+150°С
Текстовое противление переход среда ........................... 500°С/Вт
Температура окружающей среды ............................-60...+125’С
1 При Т > +25’С постоянная рассеиваемая мощность определяется из выражения
Рмакс = (150-Т)/500 , Вт
□ 2П335А-2, 2П335Б-2
Транзисторы кремниевые энитаксиалыю-
планарны: полевые с затвором в виде обратносмещен
н >го р п перехода с каналом n-типа усилительные.
Предназначены для применения в усилителях высо-
кой частоты герметизированной аппаратуры. Выпу-
скаются на керамическом кристаллодержателе с гибки-
ми выводами. На корпус наносится условная марки
ровка- 2П335А-2-буква А, 2П335Б-2- буква Б Масса
транзистора не более 0,2 г.
2И335(А-2.Б2) .
205
Электрические параметры
Коэффициент шума на/= 400 МГц при йи = 10 В, /с = 5 мА.
2П335А-2............................................................. 1.2 4 дБ
2П335Б-2.........................................................1 .2,3. 6.дБ
Коэффициент усиления по мощности на f= 400 МГц при Vai = 10 В
к = 5 мА.............................................................1,8...2 дБ
Крутизна характеристики при Оси = 15 В йи = О
Г = +25*С
2П335А-2...........................................................4.. 5.. 5,8 мА/В
2П335Б-2...........................................:.............2 .4. 5 мА/В
Т = +125*С
2П335А-2, не менее.................................................1,5 мА/В
2П335Б-2, не менее...............................................1 мА/В
Т=-60’С
2П335А-2, не менее.................................................4 мА/В
2П335Б-2, не менее...............................................2 мА /В
Напряжение отсечки при Vai = 15 В к = 1 мкА
2П335А-2........................................................«....2..3.5..8 В
2П335Б-2.........................................................0,8..3,5..6 В
Начальный ток стока при Vai = 15 В, йи = 0:
2П335А-2 ............................................................ 8. 11 .25 мА
2П335Б-2.........................................................1,5. .3. 7
Ток утечки затвора при йи = 0, йи = -10 В, не более.
Т= +25’С.............................................................10 нА
Т= +125"С.......................................... .............1 мкА
Т= -60’С..........................................................0,1 мкА
Активная составляющая выходной проводимости на/= 1 кГц при йп = 15 В
2П335А-2..................................................... 1О,5..45..13О мкСм
2П335Б-2...................................................10..40..110 мкСм
Входная емкость при йи = 15 В........................................2..2,4-4 пФ
Проходная емкость при йи = 15 В...................................0,5-0,64..1 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток-исток ................................ 20 В
Постоянное напряжение затвор-сток....... ... 25 В
Постоянное напряжени затвор-исток....... ....................... 25 В
Постоянный ток стока .......+................................. . . 25 мА
Постоянная расе ивасмая мощность при Т = -60 -40’С1. 100 мВт
Температура структуры...............................................+140*С
Тепловое противление переход-среда ....... ГС/мВ
Температура окружающей среды 60 + 125’С
1 При Т > +40’С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность
рассчитывается по формуле
Р макс = 140-Т, мВт
Пайку выводов допускается проводить па расстояние не менее 2 мм от
кристаллодержателя транзистора. Пайку проводить паяльником мощностью 60 Вт с
напряжением 6-12 В время пайки не более 3 с, температура пайки не более +260’С При
пайке жало аяльника должно быть заземлен Разрешается производить пайку путем
погружения выводов не более, чем на 3 с в расплавленный припой с температурой +260-
±10’С. Перед погружением в припой выводы промывают спиртом а затем смачивают
флюсом ( состав флюса. 10 40% канифоли 90 60 этиловый спирт припой ПОС61 по
ГОСТ 21930-76).
Допускается одноразовый изгиб выводов на расстоянии не менее 0,5 мм от корпуса
206
О 2П341А, 2П341Б
03,6
Транзистор кремниевый эпитакси-
ально-планарный полевой с каналом
и-типа и затвором в виде р-п перехода
предназначен для работы во входных
каскадах малошумящих усилителей
Конструктивное исполнение транзи-
стора металлокерамический корпус
КТ-23 Масса транзистора не более 0,08 г.
Электрические параметры
Начальный ток стока при йи = 5,0 В, йи = 0. не более
2П341А..........................................................20 мА
2П341Б .....................................................30 мА
Ток утечки затвора при Йи = -10 В,
Т= 25’С и Т= -60"С, небо лее..............................1,0 НА
при 7k = +125"С, не более ..................................100 НА
Крутизна характеристики при Оси = 5 В, йи = 0, не менее
2П341А .......................................................... 15 мА/В
2П341Б......................................................18 мА/В
Напряжение отсечки при йи = 5,0 В /с = 100 мкА, не более............3,0 В
Входная емкость при Оси = 5,0 В, /с = 5,0 мА/ = < 15 МГц, не более .5,0 пФ
Выходная емкость при Оси = 5,0 В, йи = -2 В, /< 15 МГц, не более 1,6 пФ
Проходная емкость при йи = 5,0 В, йи = -2 В, f < 15 МГц, не более 1,0 пФ
ЭДС шума при йи = 5,0 В Л = 4,5 мА,/< 100 кГц, не более............ 1,2 НВ/чТц
Минимальный коэффициент чума при йи = 5,0 В /с = 4,5 мА,
/= 400 МГц, не более.........................................2,8 дБ
при / = 200 МГц, не более ....................... 1,8 дБ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение..................................................15 В
Постоянное напряжение затвор-исток....................................10 В
Постоянное напряжение затвор-сток .................................. ..15В
Прямой ток затвора ................................................ 5 мА
Постоянная рассеиваемая мощность при Т = -60.7k = 60*С ............150 мВт
при 7k = 60 125’С мощность линейно снижается на 2,0 мВт/°С
207
Зависимость крутизны характери-
стики от начального тока стока
Типовые передаточные характери-
стики
Зависимость ЭДС шума от частоты
Зависимость крутизны характер»
стики от напряжения затвор-исток
□ КП346А9, КП346Б9, КП346В9
Транзисторы кремниевые
планарные полевые с двумя
изолированными затворами
имеющими защитные диоды,
с каналом л-типа Предна-
значены для применения в
селекторах каналов метрового
и дециметрового диапазонов
длин волн телевизионных
приемников Выпускаются в
пластмассовом корпусе с
жесткими выводами Марки-
руются цветными точками:
КП346А9 - белой КП346Б9 -
желтой Масса транзистора не
более 0,2 г.
208
Электрические параметры
Коэффициент шума при Оси = 10 В, йти = 4 В к = 10 мА, не более:
КП 46А9 на частоте/ 800 МГц...............................3,5 дб
КП346Б9 на частоте/= 800 МГц................................ 4,5 дБ
КП346В9 на частоте/= 200 МГц. . 1,9 дБ
Коэффициент усиления по мощности при ОЬи = 10 В, Цпи. = 4 В, /с = К мА,
НС мснсс
КП346А9 на частоте f = 800 М ц................................ 15 дБ
КП346Б9 на частоте / = 800 МГц............................... 13 дБ
КП346В9 на частоте / = 200 МГц............................21 дБ
Коэффициент обрати й передачи напряже шя при tfcft = 10 В Пии = 4 В
к = 10 мА не менее'
КП346А9 на частоте / = 800 МГц ................... 30 дБ
КП346В9 на частоте / = 200 МГц.......................... 25 дБ
Глубина регулирования усиления при Цел = 10 В Пии — 4 В, к = 10 мА,
(7ни = +4...-2 В, не менее
КП346А9, КП346Б9...........................................40 дБ
КП346В9....................................................50 дБ
Крутизна характеристики при Оси = К В Пии = 4 В к = 10 мА, не менее
при Т = +25 и -45"С
КП346А9, КП346Б9...........................................12 мА/В
КП346В9....................................................10 мА/В
при Г = +85’С-
КП346А9, КП346Б9...............................................9 мА/В
КП346В9.....................................................8 мА/В
Пробивное напряжение защитных диодов затворов 1 и 2 при ОЬи = 0,
Озг,з2и = 0....................................................6...20 В
Начальный ток стока при Оси = 10 В, йж = 4 В Озш = 0, не более:
Т= +25 и +85*С.................................................20 мА
Г= -45’С...................................................25 мА
Ток утечки затвора при Vcb = 0, Kih = 5 В Цз2и = 0, не более... 50 нА
Емкость затвор исток при Оси = 10 В, Й1и = (Тли = 2 В не более
КП346А9, КП346Б9...........................................2.6 пФ
КП346В9....................................................3 пФ
Емкость сток - исток при 1кк = 10 В, Й1И = 0, йзи — -2 В, пе более:
КП346А9, КП346В9...............................................1,3 пФ
КП346Б9....................................................1,5 нФ
Емкость сток - затвор при Оси = 10 В, йш = 0, йж = -2 В не более:
КП346А9, КП346В9...............................................0,035 пФ
КП346Б9... .............................................:....0,45 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток - исток . .......................... 14 В
Постоянное напряже ше затвор 1,2 - исток ...................... 16 В
Постоянное напряжени -затвор 1,2 - сток ... 16 В
Постоянная рассеиваемая мощность1 при Т = -45 +65*С .. ...200 мВт
Температура окружающей среды...................................-45...+85’С
1 при Т > +60‘С Азаке снижается на 2,5 мВт/”С
209
П КП401АС, КП401БС
Сборка, составленная из двух пар
кремниевых эпитаксиально планарных
МДГ! транзисторов 1 и 3 с л-каналом и
транзисторов 2 и 4 с p-каналом, пред-
назначена для работы в переключающих
импульсных устройствах
Сборка конструктивно выполнена в
металлокерамическом корпусе с полоско-
выми выводами. Масса сборки нс более
1,5г
КП401(АС,ЬС)
Электрические параметры
Крутизна характеристики «канального транзистора I и 3 при Иск = 8 В,
I Zc = 1 A, 7k = 25'С, 7k = -45’С, не менее . . 280 мА/В
Ж Тоже при 7k = +85"С, не менее........................................... 230 мА/В
I Крутизна характеристики р-капального транзистора 2 и 4 при йи = 8 В,
К /с = 1 A 7k = +25’С, 7k = -45“С нс менее . . 130 мА/В
1 К Тоже при 7k = +85’С, не менее ................................ 100 мА/В
I Пороговое напряжение транзистора 1,2,3,4 при йи = 5 В /с = 1 мА
I 7k = +25’С, 7k = -45"С, нс менее.................................0,8 В
I Тоже при 7k = -85’С, не менее...................................1,0 В
Сопротивление сток исток л-калального транзистора 1,3 при 7k = = 25’С,
| , 7k = 45"С Изи = 11,5 В, для КП401АС, не более...................1,2 Ом
При Изк = 15 В для КП401БС, не более..............................2,0 Ом
Р Тоже при Тк = +85'С, не более
КП401АС ............................................... 1,5 Ом
КП401БС.......................................................3,0 Ом
L Сопротивление сток-истокр-канального транзистора 2 4 при йи = 11,5 В
В для КП401АС, йи = 15 В для КП401БС, 7k = +25’С, 7k = -45’С, не более
КП401АС.................................................................2,5 Ом
| КП401БС......................................................5,0 Ом
[ , То же при 7k +85"С, не более
' КП401АС ........................................3,3 Ом
КП401БС......................................................7,0 Ом
I Ток утечки затвора транзистора 1,2,3,4, при йи = 12 В, не более...0,1 мкА
Г Начальный ток стока л канального транзистора 1, при йи 20 В, йи = 0
| 7k = +25'С, 7k = -45”С, не более.................................. 3 мА
То же при 7k = +85’С, не более............................................5 мА
[ Начальный ток стока р-канального транзистора 2,4 при йи = 20 В йи = 0,
7k = +25'С, 7k = -45’С, не более 1 мА
| То же при Тк = +85'С, не более .................................. 2 мА
В 99Z
210
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток-исток.....................................30 В
Постоянное напряжение затвор-исток...................................20 В
Постоянная рассеиваемая мощность транзистора 1,2,3.4 при 7k = -45°С...
7k = +35‘С...........................................................0,42 Вт
В диапазоне темпераггур+35...+85’С Рмакс линейно снижается до 0,225 Вт Импульсная рассеиваемая мощность и канального транзистора 1,3 при t„ < 100 мкс, Q> 100 2,5(Вт Импульсная рассеиваемая мощность р-каналы! го транзистора 2,4 при < 100 икс П > 100 . . 5 0 Вт
Номер вывод* Назначение электрода Тип транзистора
1 СТОК •
2 ИСТОК л канальный (1)
3 затвор
5 затвор
6 ИСТОК р-канальный (2)
7 сток
10 сток
11 ИСТОК л-канальный (3)
12 затвор
14 затвор
15 ИСТОК р-канальный (4)
16 СТОК
Зависимости сопротивления сток исток в от-
крытом состоянии оттока стока дляр-каналь-
ных транзисторов
Зависимости сопротивления сток-
исток в открытом состоянии от
тока для л-канальных транзи-
сторов
Зависимости крутизны характеристики оттока
стока рканальных транзисторов
211
Зависимости крутизны характера
стики от тока стока л-канальных
транзисторов
/сЛ
Передаточные характеристики
п-канальных транзисторов
□ 2П601А9
Транзистор кремниевый планарный полевой с затвором в виде обратно смещенногор-л
перехода и каналомл типа. Предназначен для применения во входных и выходных каскадах
усилителей и в преобразователях частоты герметизированной аппаратуры. Выпускается в
пластмассовом корпусе с жесткими выводами Масса транзистора нс более ОД г
Электрические параметры
Коэффициент шума на частоте f = 400 МГц при С'си = 10 В
/с = 20 мА.....................................................2,б*...3*. .6 дБ
ЭДС шума на частоте/=100 кГц при ОЬи = 10 В,
1с = 20 мА.................................................0,8...1...2нВ/^Гц
Крутизна характеристики при Цен. = 10 В 1/зи = 0, не менее
Г=+25 и-60-С...................................................50 мА/В
Г= +125’0 .....................................................35 мА/В
Напряжение отсечки при 1км = 10 В 7с = 10 мкА 4 12 В
Начальный ток стока при Ckn = 10 В, Цзм. = 0 не более . 400 мА
Ток утечки затвора при Um = -15 В, не более:
т= +25-С...................................................... 1.10-8 А
Г= +125-С......................................................1 10-6 А
Емкость сток затвор при Оси 10 В, Цзм = -10 В, не более . 6 пф
8
212
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток - исток ............................. 20 В
Постоянное напряжение запор - сток 20 В
Постоянное напряжение затвор исток ................................15 В
Постоянный прямой ток затвора .................................. 5 мА
Постоянная рассеиваемая мощность1 при Т— -6О...+25’С ..............1 Вт
Тепловое сопротивление переход - среда............................. 125'С/Вт
Температура окружающей среды ................................... -60...+125’С
i
1 При Т > +25’С постоянная рассеиваемая мощность определяется из выражения
Рмакс = (150-Т)/125, Вт
Зависимости коэффициента шума и
коэффициента усиления от частоты
□ АП602А-2, АП602Б-2, АП602В-2, АП602Г-2, АП602Д-2
АП602(А-2 - Д 2)
Транзисторы полевые арсенидГаллиевые планарные
с затвором в виде барьера Шоттки и каналом л-типа
генераторные Предназначены для применения в
усилителях мощности, автогенераторах,преобразовате
лях частоты, работающих в диапазоне частот 3... 12 ГГц.
Бескорпусные на металлокерамическом кристалло-
держателе с гибкими выводами. Масса транзистора не
более 1,5 г.
Электрические параметры
Выходная мощность
АП602А 2 на/= 12 ГГц при йи = 7 В Лх = 100 мВт,
7k = +25"С............................................................ 180...210*...230*мВт
АП602Б 2 на/= 12 ГГц при йи = 7 В Лх = 50 мВт,
7k = +25'С .............................................................100...ПО*...140* мВт
АП602В 2 на/= 8 ГГц при йи = 7 В.Лх = 100 мВт,
7k = +25'С..............................................................200...240*...330* мВт
АП602Г-2 на/= 10 ГГц при йи = 7,5 В, Лх = 250 мВт,
7k = +25’С..............................................................450...500*...550* мВт
213
АП602Д-2 на/= 8 ГГц при Оси = 7,5 В Лх = 250 мВт
7к = +25’С.................................................’...........500.540*. -600* мВт
Коэффициент усиления по мощности'
АП602А 2 на/= 12ГГц при йи = 7 В Лх = 100 мВт
7к = +25’С............................................... ’...............2,6...3,2*...3,6* дБ
АП602Б-2 на/= 12 ГГц при йи = 7 В, Лх = 50 мВт
7к = +25’С.................................................................3...3,4*...4,5* дБ
АП602В 2 на/= 8 ГГц при Оси = 7 В Лх = 10( мВ
7к = +25’С.................................................................3...3,8*...5,1* дБ
АП602Г-2 на/= 10 ГГц при Оси = 7,5 В, Лх = 250 мВт
шн>7к = +25’С...............................................’...............2,6...3*...3,5* дБ
АП ОД 2 на/= 8 ГГц при Пси = 7,5 В Лх = 250 мВт
7к = +25’С.................................................’...............3...3,4*..3.8* дБ
Крутизна хатактеристики при йи = 3 В, йи = -2 В
Т = +25’С
АП602А2................................................................20... 60*... 100* мА/В
АП602Б-2.............................................................20...50*...80* мА/В
АП602В-2.............................................................20...45*...70* мА/В
АП602Г-2..........................................................40... 120*...200* мА/В
АП602Д-2...........................................................40... 100*... 160* мА/В
Т= +85’С
АП602А-2................................................................15...35*...50* мА/В
АП602Б-2................................................................15...30*...50* мА/В
АП602В-2 .......................................................... 15 ..20* 30* мА/В
АП602Г-2.............................................................30...70*...120* мА/В
АП602Д-2.............................................................. 30...60*...100* мА/В
Г= -60’С
АП602А-2..............................................................25...70*...110* мА/В
АП602Б-2.............................-.................................25...б0*...90* мА/В
АП602В-2..............................................................25...50*...80* мА/В
АП602Г-2.............................................................50...140*...180* мА/В
АП602Д-2.............................................................50... 120*... 160* мА/В
Начальный ток стока при йи = 3 В, йи = 0:
Т = +25"С
АП602А-2 ............................................................ 220*...270...320* мА
АП602Б-2.......................................................... 180*...220*...280* мА
АП602В-2............................................................ ПО*...160*...200* мА
АП602Г-2............................................................440*...540*...640* мА
АП602Д-2 ......................................................... 360*. .440*...560* мА
Т= +85’С
АП602А-2........................................................ 160* 180* 260* мА
АП602Б-2........................................................... 120*...150*...220* мА
АП602В-2............................................................. 80*... 130*... 180* мА
АП602Г-2............................................................320*...360*...520* мА
АП602Д-2....................................................„..... 240*...300*...440* мА
Т= -60’С
АП602А-2.............................................................. 240* 300*...340* мА
АП602Б 2................................................................200*...240*...300* мА
АП602В-2............................................................... 130*...180*...230* мА
АП602Г-2 .............................................................. 480*...600*...680* мА
АП602Д-2..................................... -..........................400*...480*...800* мА
Ток утечки затвора при йи = -3,5 В.
АП602А-2, АП602Б-2, АП602В-2................................................ 0,001*...0,005*...0,3 мА
АП602Г-2, АП60ОД-2......................................................0,002*...0,01...0,6 мА
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания на стоке
7k = 60’С
АП602А 2, АП602Б-2, АП602В-2..................................7 В
АП602Г-2, АП602Д-2..........................................7,5 В
214
7k = +40...+70-C....................:............................6 В
7k = +70. +85”C..................................................5 В
Постоянное напряжение затвор-исток. ............. 3,5 В
Потенциал статического электричества.............. ....... ..ЗОВ
Постоянная рассеиваемая мощность
7k = -6О..+4О'С
АП602А-2, АП602Б-2, АП602В-2 .......................... 900 мВт
АП602Г-2, АП602Д-2,......•..................................... 1800 мВт
7k == +85’С
АП602А-2, АП602Б-2, АП602В-2....... 450 мВт
АП602Г-2, АП602Д-2.............................................900 мВт
Средняя рас: иваемая мощность в динамическом режим
7k = -60. 40 С
АП602А 2. АП602Б-2, АП602В-2 ........ 900 мВт
АП602Г 2, АП602Д-2.............................................1800 мВт
7k +85*С
АП602А 2, АП602Б-2, АП602В-2 ......................... 450 мВт
АП602Г 2, АПбоад-2 ............................................900 мВт
Минимальная рабочая частота .......................................1 ГГц
Температура структуры..............................................+130"С
Температура окружающей среды ....................... ........... -6О..7к =+85'С
Расстояние от кристаллодержателя до места пайки выводов не менее 2 мм Температура
припоя не выше +265’С, время пайки не более 4 с.
Допускается пайка выводов на расстоянии 1 мм от кристаллодержателя, при этом
температура пайки не выше +150’С, время пайки не более 3 с.
Допускается однократный изгиб выводов с радиусом закругления 1,5 мм на расстоянии
2 мм от кристаллодержателя
Допускается при монтаже транзисторов обрезать выводы на расстоянии не менее 2 мм
от кристаллодержателя, при этом усилие Не должно передаваться па место приварки
вывода кристаллодержателю.
Допускается эксплуатация транзисторов па частотах ниже 3 ГГц до 0,1 ГГц при
напряжении питания на стоке не более 5 В
T’bwx.wBi
Зависимости крутизны хара
ктсристики от тока стока
Зависимости выходной
мощности от входной
Зависимости выходной
мощности от входной
215
iH
•Um tn
Ям
Им О
Зависимости выходной
мощности от входной
Зависимости выходной
мощности от входной
□ АП605А-2
Транзистор нолевой арсенидгаллиевый
планарный с затвором в виде барьера
Шоттки и каналом и-типа усилительный
Предназначен для применения в мало
шумящих усилителях и усилителях с рас
ширенным динамическим диапазоном в
составе гибридных интегральных микро-
схем. Бескорпусной на керамическом
кристаллодержателе с гибкими полоско-
выми выводами и металлической крышкой
Масса транзистора не более 0,15 г.
Электрические параметры
Минимальный коэффициент шума на / = 8 ГГц при СЬи = 4 В, /с = 30 мА,
не более......:...............................................3,5 дБ
типовое значение..............................................1,75* дБ
Максимальный коэффициеш усиления по мощности на / = 8 ГГц при
Оси = 4 В, к = 30 мА..........................................8* дБ
Оптимальный коэффициент усиления по мощности на / = 8 ГГц при
СЬи = 4 В, к = 30 мА, не менее................................5 дБ
Порог перегрузки транзистора на/= 8 ГГц'
при СЬи = 4 В, к = 30 мА, не менее............................15 мВт
при Оси = 5 В, к = 80 мА не менее ............................35 мВт
Выходная мощность на/= 8 ГГц при Цся - 5 В Рвх = 20 мВт, не менее .... 100 мВт
Крутизна характеристики при tfcn = 4 В, /с = 30 мА, не менее . ... 30 мА/В
Напряжение отсечки при ГЬи = 3 В, к = 10 мА не более ..... .......5,5* В
Начальный ток стока при Цен = 3 В, не менее ...............150 мА
Ток утечки затвора при Цзк = -2,5 В, не более
7 = +25’С и -60’С.............................................10 мкА
Т- +85’С......................................................100 мкА
216
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток исток........................... 6 В
Постоянное напряжение затвор-исток..................................4 В
Потенциал статического электричества................................30 В
Постоянная рассеиваемая мощность •
Т = -60...+40’С.................................................450 мВт
Т= +85*С........................................................240 мВт
Непрерывная мощность, падающая на вход транзистора при (км = 5 В
1с = 80 мА....:.....................................................1,4 Вт
Температура окружающей среды........................................-60...+85’С
1 При изменении температуры окружающей среды от +40 до +85‘С максимально
допустимая постоянная рассеиваемая мощность уменьшается линейно
□ ЗП606А-2, ЗП606Б-2, ЗП606В-2
ЗП606 (А-2-В 2)
Транзисторы арсенидгаллиевые планарные
полевые с барьером Шоттки и каналом « типа
генераторные Предназначены для применения в
усилителях мощности, автогенераторах преобра
вателях частоты на частотах до 12 ГГц в герме-
тизированной аппаратуре. Бескорпусные, с гибкими
выводами, на металлокерамическом кристалло-
держателе Маркируются точками ЗП606А-2
одной черной, ЗП606Б-2 - двумя черными
ЗП606В 2 тремя черными. Масса транзистора не
более 0,2 г.
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте / = 12 ГГц при t/си = 8 В, 7k = +25°С,
не менее f
ЗПбОбА 2 при Лх = 0,16 Вт..................................0,4 Вт
ЗП606Б 2 при Лх = 0,1 Вт.................................... 0,4 Вт
ЗП606В-2 при Лх = 0,24 Вт............................... ....0,75 Вт
Коэффициент усиления по мощности на частоте / = 12 ГГЦ 7k — +25’С,
не менее
при Оси = 8 В
ЗПбОбА 2 при Лх = 0,16 Вт .................................. 4 дБ
ЗП606Б-2 при Лх = 0,1 Вт........................................6 дБ
ЗПбОбВ-2 при Лх = 0,24 Вт................................. 5 дБ
при (км = 5 В Лх = 20 мВт
ЗПбОбА-2.........................................................4 дБ
ЗП606Б-2........................................................б дБ
ЗП606В-2................................................... 6 дБ
217
Коэффициент полезного действия на частоте / = 12 ГГц при 1км = 8 В,
Тк = +25'С, не менее.
ЗП606А-2 при Лх = 0,16 Вт........................................20 %
ЗП606Б-2 при Лх = 0,1 Вт.................................... 20 %
ЗП606В-2 при Лх = 0,24 Вт................................... 35 %
Крутизн характеристики при (км — 3 В, Тс = 0,25 А, нс менее
ЗП606А-2....................................................... 70 мА/В
ЗП6О6Б-2......................................................90 мА/В
□ ЗП607А-2
Транзистор арсенидгаллиевый
планарный нолевой с барьером Шоттки
и каналом л-типа генераторный. Предна-
значен для применения в усилителях
мощности и генераторах на частотах до
10 ГГц в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусной, с гибкими выводами, на
керамическом кристаллодержателе
Масса транзистора не более 0,12 г.
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте f = 10 ГГц при (кк = 8 В, Лх = 380 мВт,
7k = +25*С...........................................................1...1,1*...1,2* Вт
Коэффициент усиления по мощности на частоте /= 10 ГГц при йи = 8 В,
Лх = 380 мВт, 7k = +25*С.............................................4,5.. 4,9*.. 6* дБ
Коэффициент усиления по мощности в линейной области амплитудной
характеристики на частоте / = 10 ГГц при (км = 5 В, Лх = 100 мВт,
7k =+25’С.....................,..........................................4.5*...7* дБ
Коэффициент полезного действия стока на частоте/= 10 ГГЦ при йи = 8 В
Лх = 380 мВт,
7k = +25'С...........................................................20...26*...45* %
Крутизна характеристики при (км = 3 В, Цзи = -2 В 80 300* 400* мА/В
Начальный ток стока при Оси = 3 В, йи = 0..........................0,8*...1,1*...1,6* А
Остаточный ток стока при йи = 3 В йи = 5 В 0,01. .0,5...5 мА
Ток утечки затвора при йи = -5 В:
7k = + 125’С.......................................................0,1*...5*...400 мкА
7k = +25'С и -60'С.................................... 0,01*...0,5*...400 мкА
Сопротивление сток исток в открытом состоянии при йи = 1 В,
к = 500 мА...........................................................3*...5*...6*. Ом
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение питания стока....................... 8 В
Постоянное напряжение затвор - исток.....................................- 5 В
Постоянная рассеиваемая мощность при 7k = -60 . +25*С ......3,5 Вт
Средняя рассеиваемая мощность * в динамическом режиме при
7k = -6О...+25"С.........................................................3,5 Вт
218
Температура структуры..............................................+ 165°С
Тепловое сопротивление структура корпус........................37"С/Вт
Температура окружающей среды.................................-60*С.. 7к=+125°С
1 При 7к > +25”С постоянная рассеиваемая мощность определяется из выражения
Рмакс = (165-Тк)/37, Вт
2 Средняя рассеиваемая мощность может быть определена из выражения
• Рср,макс = иси!с-(Рвых.-Рвх).
При монтаже транзисторов в гибридную микросхему рекомендуется приклеивать
основание кристаллодержателя к теплоотводящей поверхности монтажной платы
теплопроводящим клеем УП 5 20 М ТУ6-05-241 208-79 Перед нанесением клея
кристаллодержатель транзистора и монтажная плата должны быть прогреты при +60*С в
течение 6 мин Клей олжен быть нанесен тонким слоем, соединение склеиваемых
поверхностей производить прижатием так, чтобы избыток клея равномерно выступал из-
под основания После приклеивания должна производиться просушка при +120'С в
течение 1 ч и при +150’С в течение 2 ч.
Допускается осуществлять монтаж транзисторов в микросх му припайкой основания
кристаллодержателя к теплоотводящей поверхности платы при температуре пайки не более
+ 180”С или при +200’С в течение не более 3 мин
Изгиб выводов допускается не ближе 1 мм от кристаллодержателя с радиусом
закругления 0,5 мм. Минимальное расстояние места присоединения вывода от
кристаллодержателя 2 мм температура пайки не более +260’С, время пайки не более 3 с.
Допускается пайка или сварка на расстоянии 0,5 мм от кристаллодержателя при температуре
не более +150’С в течение не более 3 с
Зависимости коэффициента
усиления и коэффициента
полезного действия пока от
выходной м щности
Зависимость выходной
мощности от входной
219
П ЗП608А-2, ЗП608Б-2, ЗП608Г-2
Транзисторы арсенвдогаллиевые планар-
ные полевые с барьером Шоттки и каналом
л-типа генераторные Предназначены для
применения в усилителях мощности и
генераторах в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные, с гибкими выводами, на
керамическом' кристаллодержателе Марки
руются цветными точками ЗП608Г-2 -одной
зеленой Масса транзистора не более 0,09 г.
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте f = 26 ГГц, при Ven = 7 В 7k = +25"С
ЗП608А 2 при Рвх = 44,5 Вт..........................................0.1...0,!!♦...0,12* Вт
ЗП608Б-2 при Рви = 66,5 мВт ......................................0,15...0Д6*...0Д7* Вт
ЗП608Г-2 при Лх = 60 мВт.............................................0,15...0,16*...0,2* Вт
Коэффициент усиления по мощности на частоте f = 26 IIЦ при £/си = 7 В,
7k = +25"С:
ЗП608А-2 при Лх = 44,5 мВт .......... ................................. 3,5...3,7*. .4* дБ
ЗП608Б-3 при Лх = 66,5 мВт...........................................3,5...3,7*.. 4* дБ
ЗП608Г 2 при Ли = 60 мВт.............................................4...4,2*... 5,2* дБ
Коэффициент усиления по мощности в линейной области амплитудной
характеристики при Vcu = 4 В Лх = 5 мВт,
7k = +25’С.
ЗП608А-2, ЗП6О8Б-2 на частоте/= 26 ГГц............................. 3,5 4* 5* дБ
на частоте/= 18 ГГц..........................................................4...5*...6* дБ
ЗП6О8Г-2 на частоте/=' 26 ГГц........................................... 5...6*...7*дБ
Коэффициент полезного действия на частоте /= 26 ГГЦ при 1/си = 7 В
7k = +25’С:
ЗП608А-2 при Рви = 44,5 мВт.............................................15...17*...20* %
ЗП608Б-2 при Лх = 66,5 мВт..........................................10... 12*... 15* %
ЗП608Г-2 при Рвх = 60 мВт.............................................15...16*...17* %
Крутизна характеристики при Veit =* 3 В
ЗП608А 2 при /с = 50 мА................................................ 15 20*. .30* мА/В
ЗП608Б-2 при /с = 100 мА...........................................20...40*. 60* мА/В
ЗП6О8Г 2 при /с = 100 мА ......... 20 40* .95* мА/В
220
Ток утечки затвора при йи — -3 В
7k = +25 и 60’С........................................................0,005*...0,01*...0,2мА
7k = +125’С..............................................................0,05*...0,1*...1 мА
Предельные эксплуатационные данные .
Постоянное напряжение стока1 при 7k = 60 ..+70’С............. 7 В
Постоянное напряжение затвор-исток ........ ....................... -3 В
Постоянная рассеиваемая мощность2 при 7k = -60 . +40’С;
ЗП608А-2.......................................................0,6 Вт
ЗП608Б-2.......................................................1,1 Вт
ЗП608Г-2.......................................................1 Вт
Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме при 7k = -60. ,+40’С:
ЗП608А-2......................................................-....0,6 Вт
ЗП608Б-2...................:...................................1,1 Вт
ЗП6О8Г-2.......................................................1 Вт
Температура структуры .............................................+150"С
Тепловое сопротивление структура - кристаллодержатель
ЗП608А-2.......................................................200’С/Вг
ЗП608Б-2, ЗП608Г-2.............................................ЮО’С/Вт.
Температура окружающей среды .............................. -6О’С...7к= + 125’С
1 В диапазоне 7к = +70. + 125’С Сек S 6 В.
2 При 7к > +40”С постоянная рассеиваемая мощность определяется из выражения
Рмакс = (150-Тк)/Кт(п-к), Вт
При монтаже гран исторов в гибридную микросхему рекомендуется приклеивать
основание кристаллодержателя транзистора к теплоотводу теплопроводящим клеем УП-
5-207М Т26-05-241-208 85
Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 2 мм от кристаллодержателя с
радиусом закругления- не более 0,5 мм Минимальное расстояние места присоединения
вывода от кристаллодержателя 0,5 мм Допускается пайка выводов при температуре не
более +260"С в течение не более 3 с.
Зависимость выходной
мощности от входной
Зависимости тока стока и
крутизны характеристики от
t апряжения затвор исток
221
П 2П609А.2П609Б
Транзистор кремниевый высокочастотный малошумящий
с управляющим переходом предназначен для работы в усили-
телях высокой частоты и смесителях приемных устрой-
ств Транзистор конструктивно выполнен в металлостеклянном
корпусе КТ-2. Масса транзистора не более 1,5 г
2П609(А,Б)
Электрические параметры
Крутизна характеристики при Ven = 10 В, йи = 0, не менее
КП609А.....................................................30 мА/В
КП609Б ....................................................25 мА/В
Начальный ток стока при йи = 10 В йи = 0, не менее
КП609А.....................................................100 мА
КП609Б.....................................................60 мА
Ток утечки затвора при йи = -10 В, йи = 0 7k = +25“С, 7k = -60*С,
не более......................................................1,0 нА
То же при 7k = +125'С, не более................................10 нА
Минимальный коэффициент шума при йи = 10 В, /с = 20 мА
[/= 200 МГц, не более.........................................3,0 дБ
То же при / = 400 МГц,.не более................................5,0 дБ
Напряжение отсечки при йи = 10 В, /с = 100 мкА, нс менее
КП609А.....................................................6,0 В
КП609Б.....................................................3,0 В
Входная емкость при йи = 10 В /с = 20 мА, /< 15 МГц, не более 10 пФ
Проходная емкость при йи = 10 В, /с = 20 мА/< 15 MIЦ, не более 3,2пФ
Выходная емкость при йи = 5 В, йи = -10 В,/< 15 МГц, не более..3,2 пФ
Оптимальный коэффициент усиления по мощности при йи = 10 В,
1с = 20 мА, /= 200 МГц, не менее
КП609А.....................................................8,0 дБ
КП6О9Б.....................................................10,0 дБ
Тоже при / ~ 400 мГц, не менее
КП609А.....................................................3,5 дБ
КП609Б.....................................................4,0 дБ
222
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток исток
КП609А .......................................................25 В
КП609Б........................................................20 В
Постоянное напряжение затвор-исток
КП609А........................................................25 В
КП609Б........................................................20 В
Постоянное напряжение затвор-сток
КП609А........................................................25 В
КП609Б................................:.......................20 В
Прямой ток затвора ...............................................10 мА
Температура структуры ............................................150°С
Тепловое сопротивление переход корпус .......... .................80”С/Вт
Постоянная расе ивасмая мощность
при 7k = -60’С . 7k = +40’С........................................1200 мВт
при 7k = + 125’С...'..........................................- 120 мВт
Зависимости крутизны характе-
ристики ут напряжения :атвор -
исток
Зависимости крутизны характеристики
от напряжения сток-исток
Зависимость коэффицента шума от
частоты
223
Передаточные характеристики
транзистора
Зависимость минимального коэффи
циента шума от тока-стока
□ 2П701А, 2П701Б
12.5
. V
Транзистор кремниевый эпитаксиально-
планарный с изолированным затвором и л-каналом
предназначен для работы во вторичных источниках
питания, Переключающих и импульсных устройствах,
атакже в ключевых стабилизаторах и преобразователях
напряжения Транзистор конструктивно выполнен в
металлокерамическом корпусе с полосковыми
выводами Масса транзистора не более 6 г.
Электрические параметры
Крутизна характеристики при йи — 30 В /с = 2,5 A, tK — 600 мкс Q > 200,
не менее..........................................................800 мА/В
Ток.стока при Ven = 30 В, ~ 25 В, /и = 600 мкс, Q > 200,
не менее..................................'...................,...5 А
Начальный ток стока при йи = 30 В, йи = 0 7k - 25'С, 7k = -60’С
не более.........................................-................30 мА
Тоже при 7k = 125*С, не более....................................60 мА
Остаточный ток стока при йи~-10 В, йи=500 В для 2П701, при йи=400 В
для 2П701Б, не более........................... .................35 мА
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии при йи = 20 В /с = 0 5 А,
не более
2П701А..................А........................-............3,5 Ом
2П701Б........................................................2,8 Ом
224
Емкость затвор-исток при йи = -5 В f= 1 МГц, не более . 1200 пФ
Проходная емкость при йи - 30 В Йи = -10 В,/= 10 МГц,
не более......................................................30 пФ
Выходная емкость при йи = 30 В, йи = -10 В,/= 10 МГц,
не более..........................................................140 пФ
Время ключения при йи = 400 В йх = 20 В Яг = 15 Ом
ЯН = 50 Ом........................................................30 нс
Время ыключения при йи = 400 В №х — 20 В, Яг = 15 Ом
Ян = 50 Ом........................................................40 пс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток-исток
2П701А......................................................’..500 В
2П701Б.........................................................400В
Постоянное напряжение затвор-сток
2П701А.........................................................510 В
2П701Б.........................................................410 В
Постоянное напряже ше затвор-исток 25 В
Постоянная расе иваемая мощность при 7к= 60”С 7к=35"С 4 Вт
То же при 7к = 35. ,125*С....................................... 12,5 Вт
Передаточные характеристики
Зависимость крутизны характеристики от
напряжения затвор-исток
225
Зависимость сопротивления сток-
исток в открытом состоянии от
напряжения затвор-исток
П 2П702А
2П702А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-
планарный с изолированным затвором и п каналом
предназначен для работы во вторичных источниках
питания переключающих и импульсных устройств а
также в ключевых стабилизаторах и преобразователях
напряжения Транзистор конструктивно выполнен в
металлокерамическом корпусе с полосковыми
выводами КТ 48 Масса транзистора не более 6 г.
Электрические параметры
Крутизна характеристики три йи — 20 В, /с = 2,5 А, 1И = 600 мкс, Q > 200
не менее............................................................800 мА/В
Ток стока при йи = 20 В, Си = 20 В, и = 600 мк (2 > 200, не менее 8 А
Начальный ток стока при йи = 20 В, Цзи = 0 7k = 25"Си 7k = -60'С
не более........:...................................................Ю мА
Тоже при 7k = 125"С, не более.......................................35 мА
Остато ный ток стока при Vcu = 300 В, йи = 10 В не более 10 мА
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии при йи = 20 В /с = 1 А,
не более............................................................1,0 Ом
Емкость затвор-исток при йи = 10 В,/= 1 МГц......................... 950 пФ
Проходная емкость при йи = 50 В, йи = -10 В, /= 10 МГц..............7 пФ
226
Выходная емкость при йи = 50 В, йи = -10 В /= 10 МГц ...............150 пФ
Время включения при йи = 300 В, йх-20 В, Аг = 50 Ом, Ай = 50 Ом.....60 нс
Время выключения при йи = 300 В, йх = 20 В, Аг = 50 Ом, Ай = 50 Ом.. 80 нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток-исток....................................300 В
Постоянное напряжение затвор-сток...................................310 В
Постоянное напряжение затвор-исток ... . ' .......... 30 В
Постоянная рассеиваемая мощность
при 7k = 60 С 7k = 35’С.........................................50 Вт
при 7k = 35’С... 125’С..........................................17,5 Вт
Зависимость сопротивления сток исток в
открытом состоянии от напряжения затвор-
исток
Зависимости сопротивления сток
исток в открытом состоянии от
тока стока
227
П КП704А, КП704Б
Транзисторы кремниевые эшпаксиально-плаварные полевые с изолированным затвором
с каналом л-типа Предназначены для применения в быстродействующих импульсных
устройствах в выходных каскадах многоцветных графических дисплеев в источниках
вторичного электропитания Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами
Масса транзистора не более 2.5 г.
КП704 А,Б)
Электрические параметры
Крутизна характеристики при Zc = 1 А ........... .. 1000.2500 мА/В
Пороговое напряжение при Zc = 10 мА ... ..1,5* .2* 4 В
Начальный ток стока при йи — 0, не более
при Т= +25 и -45-С
КП 04А при йи = 200 В . 0,8 мА
КП704Б при йи = 200 В..............................................1 ма
при Т = +85"С, йи = 180 В.............................................1,5 мА
Ток утечки затвора при йи = -30 В, не более......... ............1 мкА
Сопротивление сток - исток в открытом состоянии при йи : 15 В Zc = 0,5 А
КП704А.................................................... 0,2*...0,25*.. 0,35 Ом
КП704Б.................................................. 0,2*...0,25*. .0,5 ОМ
Время включения при Яг = 75 Ом, Ян = 2 Ом..........................60*...80*...100 нс
Время выключения при Rr = 75 Ом, Ян = 2 Ом .................... 60* .80* 100 нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток исток
7k = +25 и -45-С..................................................................200 В
7k = +85"С ..................................................................... .180 В
Постоянное напряжение затвор исток 20 В
Постоянный ток сток....................................................................10 А
Постоянная рассеиваемая мощность при 7k = -45 +25"С 75 Вт
Температура кристалла.........................,........................................+150°С
Тепловое сопротивление кристалл корпус 8,3*С/Вт
Температура окружающей среды ............. -45’С 7k = +85’С
1 При 7k > 25‘С Атаке снижается линейно до 8 Вт при 7k = +85’С
228
□ . КП705А, КП705Б, КП705В
Транзистор кремниевый полевой мощный переключательный МДП л-канальный с
вертикальной структурой предназначен для работы в переключающих и импульсных
усройствах транзистор КП705В предназначен для работы в качестве силового электронного
ключа в импульсных источниках электропитания многоцветных графических дисплеев
САПРБИС и другой бытовой аппаратуре. Транзистор конструктивно выполнен в
металлостеклянном корпусе КТ-9 Масса транзистора не более 15 г.
Электрические параметры
Ток стока при (йи — 25 В, беи = 30 В, Q > 200 (и < 600 мкс, нс менее.5,4 А
Начальный ток стока при бЬи = 30 В, (йи = 0, нс более.
при 7k = 25 и 60'С
КП705А, КП705Б...................................................7 мА
КП705В......................................... .................5 мА
при 7k = 85’С.................................... .................15 мА
Остаточный ток стока, не более:
при (йи = -10 В, беи = 1000 В, КП705А ............. .... 10 мА
при (йи = -10 В, беи = 800 В КП705Б..............................10 мА
при (йи = 0, беи = 800 В КП705В .................................5 мА
Крутизна характеристики при бди = 30 В, /с = 2 А, /и - 600 мкс, Q > 200,
не менее........................................................ 1000 мА/В
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии при (йи = 20 В, к. ~ 0,5 А,
не более
КП705А...........................................................4,3 Ом
КП705Б, КП705В...................................................3,3 Ом
222
Емкость затвор-исток при йи = 10 В / = 1 МГц ......... 1700 пФ
Входная емкость при йи = 50 В йи = 0,/=1МГц 1500 пФ
Проходная емкость при йи = 50 В, йи — 0,/= 1 МГц 20 пФ
Выходная емкость при йи = 50 В, йи = 0,/= 1 МГц . 140 пФ
Время включния при йи = 500 В, Яг = 50Ом, Ян = 100 Ом, Овх = 20 В 60 нс
Время выключения при йи ж 500 В, Яг = 50 Ом, Ян = ЮО Ом,
СЬх = 20 В....................................................80 нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток исток
КП705А..................................................... 1000 А
КП705Б, КП705В.............................................800 В
Постоянное напряжение затвор исток.......................... 30 В
Постоянное напряжение затвор-сток при Rm < 1 Ом
КП705А.....................................................1010 В
КП705Б.................................:...................810 В
КП705В............:........................................800 в
Постоянная рассеиваемая мощность1...........................125 Вт
1 При 7k = 25...85"С линейно снижается до 40 Вт
Зависимость сопротивления- сток
исток в открытом состоянии от
температуры
Зависимость крутизны характеристики
от. тока стока
230
П 2П706А, 2П706Б, 2П706В
Транзисторы кремниевые эпита-
ксиально планарные полевые с изолиро-
ванным затвором и каналом л типа
переключательные Предназначены для
применения в источниках вторичною
электропитания, переключающих и
импульсных устройствах, в ключевых
стабилизаторах и преобразователях
напряжения усилителях и генераторах.
Выпускаются в металлокерамическом
корпусе с полосковыми выводами Масса
транзистора не более 10 г.
Электрические параметры
Крутизна характеристик при йи ~ 30 В, /с = 2 А, не менее . 1,5 А/в
Ток стока при йи — 30 В, йи = 25 В, не менее..................... 15 А
Начальный ток стока при йи = 30 В, йи = 0 не более:
Т= +25 и -60'С.............................................. 10 мА
Т = +125-С....................................................30 мА
Остаточный ток стока при йи = йи макс, йи = -10 В, не более.......10 мА
231
Сопротивление сток - исток в открытом состоянии при йи = 20 В /с = 1 А,
не более
2П706А............................................... ’......0,8 Ом
2П70В........................................ ...............0,5 Ом
2П706В.................’.....................................0,65 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток - исток'
2П706А................................................ .....500 В
2П706Б, 2П706В....................................... .......400 В
Постоянное напряжение затвор сток
2П706А................................................ .....510 В
2П706Б, 2П706В...............................................410 В
Постоянное положительное и отрицательное напряжение затвор - исток . . 30 В
Постоянная рассеиваемая мощность1 при 7k = -60. ,+35’С .. 100 Вт
Тепловое опротивление структура корпус ГС/Вт
Температура окружающей среды............................ -60’С.. 7k = +125’С
При 7k > +35’С Рмакс снижается линейно до 21 Вт при 7k = +125’С
Расстояние от корпуса до начала изгиба вывода нс менее 3 мм Расстояние от корпуса
до мест, лужения и пайки выводов не менее 3 мм, температура припоя не выше +265°С,
время пайки не более 3 с.
Зависимость тока стока от
напряжения затвор - исток
Зависимость импульсного
теплового сопротивления
Зависимость крутизны
характеристики от тока
структура-корпус от длитель-
ности импульей:
Rr,u(n к) (Q) = (l-Rr.u(n-k)/
/Q+Rr и(п-к)
работы транзисторов
232
□ КП707А, КП707Б, КП707В
Транзисторы кремниевые полевые эпитаксильно-rтланарные с изолированным затвором
и каналом л-типа переключательные Предназначен для применения в импульсных исто-
чниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стаби
лизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением,блоках питания
ЭВМ, схемах управления электродвигателями. Выпускается в металлическом корпусе с
жесткими выводами и стеклянными изоляторами Масса транзистора не более 20 г.
Электрические параметры
Крутизна характеристики при Оси = 20 В, /с = 3 А, /и = 60 мкс, Q = 200,
не мепее.......д..............................................1,6 А/В
Пороговое напряжение при йи = йи, 1с ~ 10 мА, нс мепее .... 5 В
Ток стока при йи = 30 В йи = 10 В, не менее:
КП707А....................................................25 А
КП707Б....................................................16,5 А
КП707В..............:.....................................12,5 А
Остаточный ток стока при йи = йи, макс, йи = 0, не более . 1 мА
Начальный ток стока при йи = 20 В, йи = 0, не более...........25 мА
Ток утечки затвора при йи = 0, йи = ±20 В, не более. ......100 мкА
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии при йи = 20 В, /с = 2 А,
не более:
КП707А....................................................1 Ом
КП707Б....................................................2,5 Ом
КП707В....................................................3 Ом
Время включения при йх = 20 В, Ан = 100 Ом, Аг = 50 Ом не более
КП707А при йи = 200 В,...................................25 нс
КП707Б при йи = 300 В ...................................25 нс
КП707В при йи = 500 В ............... 25 нс
Время выключения при №х = 20 В, Ан = 100 Ом, Аг = 50 Ом не более
KI1707A при йи = 200 В....................................80 нс
КП707Б при йи = 300 В....................................80 нс
КП707В при йи = 500 В....................................80 нс
Время парастания при №х = 20 В, Ra = 100 Ом Аг = 50 Ом не более
КП707А при йи = 200 в....................................55 нс
КП707Б при йи = 300 В....................................55 нс
КП707В при йи = 500 В ,..................................55 нс
Время спада при {7вх = 20 В, Ан = 100 Ом, Аг = 50 Ом, не более:
КП707А при йи = 200 В ...................................80 нс
КП707Б при йи = 300 В....................................80 нс
КП707В при йи = 500 В....................................80 нс
233
Входная емкость при Uch = 25 В, йи = 0, нс более 1600 пФ
Проходная емкость при Цси = 25 В, йи = 0, не более...... 45 пФ
Выходная емкость при йи = 25 В, йи = 0, не более .........600 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток исток
КП707А............................................ ...........400 В
КП707Б........................................................600 В
КП707В........................................................750 В
Постоянное напряжение затвор-исток...............................20 В
Постоянная рассеиваемая мощность при 7k = -60...+25‘С . . 100 Вт
Температура структуры ..................................... +150’С
Температура окружающей среды..................>........... -60°С..7к = + 100’С
Транзисторы кремниевые полевые
эцитаксиально-нлапарпыс с изолирован
ным затвором и каналом л-типа переклю
нательные. Предназначены для применения
в импульсных источниках электропитания
телевизионных приемников, переключа-
тельных и импульсных устойствах, схемах
управления электродвигателя. Выпускаются
в пластмассовом корпусе с жесткими
выводами Масса транзистора не более 3 г.
Электрические параметры
Крутизна характери ики при йи = 25 В к = 2 А, не менее. .........2 А/В
Пороговое напряжение при йи = йи, /с = 1 мА ... 2. 4 В
Начальный ток стока при йи = 600 В, йи = 0, не более ...... . 0,5 мА
Ток утечки затвора при йи = 0, йи = 20 В, не более...............0,1 мкА
Сопротивл ние сток-исток в открытом состоянии при йи = 10 В, /с = 2 А,
не более'
КП709А........................................................2 Ом
КП709Б........................................................2,5 Ом
Время включения при йи = 300 В, №х = 10 В, /с = 2 А, Кг = 50 Ом
не более.........................................................50 нс
Время пада при йи = 300 В, Овх = 10 В, /с = 2 А, Кг = 50 Ом, не более . 100 нс
Входная емкость при йи = 25 В, йи = 0, не более 650 нс
Проходная емкость при йи = 2£ В, йи = 0, не более ................70 пФ
Выходная емкость при йи = 25 В, йи = 0, не более.................. 140 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток-исток................................. 600 В
Постоянное напряжение затвор исток 20 В
Ток стока............................,......-.......................4 А
Постоянная рассеиваемая мощность1 при 7k 45 +25‘С ................ 75 в
234
Температура структуры................-...............................+150 С
Температура с кружающей среды ............................... 45 С 7k = + 100°С
1 При 7k от +25 до + 100'С максимально допустимая постоянная рассеиваемая
мощность снижается линейно до 35 Вт
П КП712А, КП712Б, КП712В
Транзисторы кремниевые полевые эпитакси-
ально-планарные с изолированным затвором и кан
лом р-типа переключательные Предназначены для
применения в переключающих и импульсных
устройствах. Выпускаются в металлокерамическом
корпусе с полосковыми выводами Масса транзистора
не более 6 г.
Электрические параметры
Крутизна характеристики при йи = -4 В, /с = 2 A, t„ = бООмкс, Q = 200
КП712А, КП712Б..........................................................2..2,5*..3* А/В
КП712В..........................................................1.8..2,3* .2,4* А/В
Начальный ток стока при йи = 0, не более.
7= +25 и -60’С
КП712А при беи = -80 В...............................................1 мА
КП712Б КП 12В при йи = -100 В .......................................1 мА
7 = + 100’С
КП712А при беи = -80 В...............................................3 мА
КП712Б, КП712В при йи = -100 В.......................................3 мА
Ток стока при йи = -8 В, йи = -12 В6 /„ = 600 мкс, Q = 200:
КП712А, КП712Б...................................................... 18* 25*..27 А
КП712В.............................................................. 15*..20*..22 А
Ток утечки затвора при йи = 0, йи = 20 В, не более.......................0,1 мкА
Пороговое напряжение при беи = -4 В, 7с = 10 мА..........................-5..-2,7..-2В
Сопротивление сток исток в открытом состоянии при йи = 12 В, Zc = 1 А
КП712А................................................. 0,19*..0,23* .0,25 Ом
КП712Б .................................................. 0,25*..0,28*..0,3 Ом
КП712В..........................................................0,3*..0,35*..0,4 Ом
Входная емкость при беи = -25 В, йи = О,
не более................................................................. 1800 пФ
типовое значение ....................................................1500 пФ
Выходная емкость при йи = 25 В, Йи = 0, типовое значение ............... 380 пФ
Проходная емкость при йи = -25 В йи = 0, типовое значение............... 100 пФ
Время включения при йи = -80 В, йх = -12 В Ян = 8 Ом, Яг = 25 Ом,
типовое значение.........................................................130 нс
Время выключения при йи = 80 В йх = -12 В, Ян = 8 Ом, Як = 25 Ом,
типовое значение....................................................v.......... 350 нс
235
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток -исток:
КП712А........................................ -80 В
КП712Б, КП712В................................................-100 В
Постоянное напряжение затвор исток ...............................±20 В
Постоянное напряжение затвор-исток
КП712А.......................................................80 В
КП712Б, КП712В................................................100 В
Значение статического потенциала .................................200 В
Постоянный ток стока:
КП712А, КП712Б................................................ ЮА
КП712В........................................................8 А
Импульсный ток стока..............................................30 А
Постоянная рассеиваемая мощность1 при 7k = -60 ..+35'С............50 Вт
Температура структуры........................................v....+150'с
Тепловое сопротивление переход-корпус .......................... . 2,3‘С/Вт
Температура окружающей среды ..............................-60 С. Тк = +100'С
При 7k > +35 С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность
рассчитывается по формуле
Рмакс = (150-Тк)/2,3 , Вт
Транзисторы пригодны для монтажа в аппаратуре паяльником. Допустимое число
перепаек выводов-3 Расстояние от корпуса до начала изгиба выводов нс менее 3 мм
Разрешается при монтаже транзисторов отрезать выводы на расстоянии не менее 1 мм от
корпуса. Минимальное расстояние места пайки выводов от корпуса 3 мм температура
припоя не выше +265'С, время пайки не более 3 с. Допускается пайка выводов на
расстоянии не менее I мм от корпуса, при этом температура пайки нс выше + 150'С, время
пайки не более 3 с Допускается, сварка выводов на расстоянии не менее 3 мм от корпуса.
Шероховатость контактирующей поверхности теплоотвода должна быть не более 1,6
мкм, отклонение от плоскостности не более 0,02 мм Для уменьшения контактного
сопротивления следует применять пасты, например, KJ1T-8 по ГОСТ 19783.
П КП801 А, КП801 Б, КП801 В, КП801Г
Транзисторы кремпиевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором па основе
р-п перехода и вертикальным каналом л-типа. Предназначен для применения в выходных
каскадах усилителей звуковоспроизводящей аппаратуры Выпускаются в металлическом
корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами. Масса транзистора не более
20 г.
КП801(А-Г)
236
Электрические параметры
Сопротивление сток исток в открытом состоянии при йи = 0, не более:
при йи = 0, не более
КП801А, КП801В КП801Г при к = 0,4 А.........................2,2 Ом
КП801В при к = 0,2 А........................................4,4 Ом
Крутизна характеристики, не менее
КП801А при йи = 15 В, к = 4 А.........................600 мА/В
КП801Б при йи = 15 В, к = 3 А.........................450 мА/В
КП801В при йи = 20 В, к = 4 А ........................800 мА/В
КП801Г при йи = 20 В, /с = 4 А.........................600 мА/В
Напряжение отсечки при йи = 70 В для КП801А, КП801Б 75 В для КП801Г,
к = 10 мА, не более............................................-30 А
Начальный ток стока, не менее
при йи = 10 В, йи = 0,6 В.....................................4,5 А
при йи = 5 В, йи = 0,6 В
КП801В..............-.....-.................................3,5 А
КП801Г......................................................3 А
Ток утечки затвора при йи-йи= 30 В для КП801А, КП801В КП801Г, 25 В
для КП801Б, не более............................................0,3 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток-исток:
КП801А, КП801Б .............................................75 В
КП801В................................................-.....НО В
КП801Г......................................................140 В
Постоянное напряжение затвор-сток. ,
КП801А......................................................ПО В
КП801Б......................................................90 В
КП801В......................................................150 В
КП801Г......................................................180 В
Постоянное напряжение затвор-исток.
КЛ801А, КП801Б..............................................-35 В
КП801В, КП801Г..............................................-40 В
Постоянный ток стока.
КП801А, КП801Б.:............................................5 А
КП801В, КП801Г..............................................8 А
Постоянная рассеиваемая мощность1 стока при 7k = -40 ,+25*С:
КП801А, КП801Б..............................................60 Вт
КП801В, КП801Г..............................................100 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность стока при 7k = -40. +25’С, /и = 100 мс
КП801А, КП801Б..............................................200 Вт
КП801В, КП801Г .............................................300 Вт
Температура структуры...........................................+150’С
Температура окружающей среды..............................-60’С. 7k = +85"С
1 При 7k > +25’С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность стока
рассчитывается по формуле
Рс макс = 60 (1-(Тк-25)/125], Вт для КП801А, КП801Б
Рс,макс ~ 100 [1-(Тк-25)/125], Вт для КП801В, КП801Г
237
□ КП802А, КП802Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально гиданарные полевые с затвором на основе р-п
переходам вертикальным каналом л-типа Предназначен для применения в преобразователях
постоянного напряжения быстродействующих ереключающих устройствах Выпускаются
в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами Масса
транзистора не более 20 г
Габаритный чертеж аналогичен КП801(А Г)
Электрические параметры
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии при /с = 1 A k - 10 мА
не более........................................................з Ом
типовое значение ...........................................1,5* Ом
Крутизна характеристики при йи = 20 В /с = 3,5 А
не менее....................................................0,8 А/В
типовое значение............................................ 2* А/В
Напряжение отсечки при Оси Оси,макс, 1с = 3 мА, не менее
КП802А........................).......................... -25 В
КП802Б......................................................-28 В
Время включения при йи = 300 В, /с = 2 А,
не более........................................................80 нс
типовое значение............................................40* нс
Время выключения при Иск. = 300 В /с = 2 А,
не более........................................................30 нс
типовое значение............................................15* нс
Ток утечки затвора при Um = Um макс, не более.
КП802А......................................................0,3 мА
КП802Б......................................................0,7 мА
Остаточный ток стока при йи = 400 В, Um = -25 В, не более .......0,5 мА
Ток обратносмещенного р п перехода сток-затвор при Озе = йс макс,
не более........................................................1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток-исток
КП802А......................................................500 В
КП802Б......................................................450 В
Постоянное напряжение затвор-сток
КП802А......................................................535 В
КЛ802Б...:..................................................480 В
Постоянное напряжение затвор-исток:
КП802А......................................................35 В
КП802Б....................................................... 30 В
Постоянный ток стока...........,.................................2,5 А
Прямой ток затвора .............................................. 1 А
Постоянная рассеиваемая мощность при 7k = -45 . +25‘С .... 40 Вт
Тепловое сопротивление переход корпус ........................ 3,1’С /Вт
Температура окружающей среды.......................... -45°С..7к = +85’С
1 При 7к > +25’С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность стока
расчитывается по формуле
Рс макс = 40 [1-(Тк 25)/125], Вт
238
□ КП804А
КП804А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный
полевой с изолированным затвором и каналом л-типа
переключательный предназначен для работы в
быстродействующих импульсных схемах
Конструктивное исполнение транзистора металло-
стеклянный корпус КТ-2. Масса транзистора не более 2 г.
Электрические параметры
Начальный ток стока при беи = 60 В, СЬи = 0, нс более........... 250 мкА
Ток утечки затвора при бзи = -20 В, Оси = 0, не более ...........0.5 мкА
Крутизна характеристики при 6Ьи = 10 В /с = 0 8 А, (и = 300 мкс
не менее.........................................................0,8 А/В
Пороговое напряжение при tfcn = 10 В, Л = 300 мкА, не более 4 В
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии при /с = 0,8 А, бзи = 10 В
не более.........................................................0,6 Ом
Входная емкость при С£и = 25 В бш = 0, не более ............... 200 пФ
Проходная емкость при Оси = 25 В, Цзи = 0, не более .............25 пФ
Выходная емкость при беи = 25 В, бзи = 0, не более...............100 пФ
Время включения при Uc пит = 30 В, бвх = 10 В, Аг = 50 Ом Ан = 36 Ом,
не более ...................................................... 45 нс
Время выключения при Uc пит = 30 В, бвх = 10 В, Аг = 50 Ом, Ан = 36 Ом
не более........................................................ 45 нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение затвор -исток ............................20 В
Постоянное напряжение сток-исток
при 7k = +25’С...............................................60 В
при 7k = +85*С и Т= -60ГС....................................50 В
Постоянный ток стока............................................ 1 А
Импульсный ток стока............................................4 А
Постоянная рассеиваемая мощность при Т = 60 7k = +25"С........ 2 Вт
при 7k = от25.85'С мощность линейно снижается на 16,6 мВт на ГС
239
Передаточные характеристики
' Зависимость крутизны характе-
ристики от тока стока
Зависимости входной,выходной и
проходной емкостей от напряжения
сток-исток
□ КП805А, КП805Б.КП805В
КП805(А,Б В)
Транзистор кремниевый мощный
переключательный МДП с л-каналом
предназначен для работы в импульсных
источниках питания Транзистор констр
ктинно выполнен в металлопластмассовом
корпусе КТ-28. Масса транзистора не более
2,2 г.
240
Электрические параметры
Крутизна характеристики при йи = 20 В, 7с = 2 А, /и < 600 мкс, Q > 200
нс менее.....................................................2,5 А/В
Начальный ток стока при йи = 20 В, Um = 0, 7k = +25'С, 7k = -60’С
не более........................................................1 мА
То же при 7k = +85”С не более...................................2 мА
Остаточный ток стока при Um = 0, йи = 600 В для КП805А, КП805Б
йи = 500 В для КП805В, не более.................................3 мА
Ток стока при йи — 20 В, йи = 10 В, не менее..................... 4 А
Пороговое напряжение при Пси = 20 В 7с = 10 мА не более 4 В
Сопротивление сток исток в открытом состоянии при йи 1 В, Um = 10 В,
не более
КП805А, КП8О5В .............................................2 Ом
КП805Б......................................................2,5 Ом
Время включения при йи — 100 В, t/вх = 20 В, Ян = 20 Ом, ЯГ = 25 Ом
не более........................................................180 нс
Время выключения при Цси. — 100 В №х = 20 В, Ян = 20 Ом, Яг 25 Ом
не более........................................................220 нс
Входная емкость при Um ~ 0, йи 20 В, f— 1 МГц, не более 1300 пФ
Проходная емкость при Um = 0, йи = 20В, /= 1 МГц, не более 40 пФ
Выходная емкость при йи = 0, йи = 20 В, / = 1 MI ц, не более....130 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток исток
КП805А, КП805Б................................................600 В
КП805В........................................................500В
Постоянное напряжение затвор-исток ........................... 20 В
Постоянное напряжение затвор-сток
КП805А, КП805Б...............................................600 В
КП805В........................................................ 500 В
Постоянная рассеиваемая мощность
при 7k = -60’С. ..7k = 25’С..................................60 Вт
при 7k = +85’С...............................................31 Вт
Передаточные характеристики
Зависимости входной, проходной и выходной
емкостей от напряжения сток-исток
241
Зависимости крутизны характе-
ристики от тока стока
Зависимости сопротивления сток-исток в
открытом состоянии от напряжения затвор
исток
□ КП908А, КП908Б
Транзисторы кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и капаломл-
типа генераторные. Предназначены для применения в усилителях и генераторах на частотах
до 2,25 ГГц а также для применения в быстродействующих переключающих устройствах
наносекундного диапазона. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми
выводами. Масса транзистора не более 3 г.
КП908(А,Б)
Электрические параметры
Выходная мощность на/= 1,76 ГГц при йи = 35 В, йи = 0, Рвх = 0,6 Вт для
КП908А, не менее................................................ 1 Вт
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии при йи=0 1В йи=20В для
КП908Б................................................... 14*..18*..25 Ом
Крутизна характеристики при йи = 20 В к = 80 мА 24 32* 40* мА/В
Ток стока при йи = 20 В, йи = 10 В:
КП908А.......................................................280.310*.350 мА
КП908Б.................................................200 .230* .280* мА
Начальный ток стока при йи = 20 В, йи = 0, не более 25 мА
Остаточный ток стока при йи = 40 В йи = -10 В нс более:
КП908А......... ............................................0,5 мА
КП908Б.......................................................0,2 мА
S-992
242
Входная емкость при Оси & 25 В, йи “ -6 В
КП908А.....................................................................3*..3,8*..4,5 пФ
КП908Б.....................................................................3,5*..5*..6,5 пФ
Проходная емкость при йи “ 25 В, йи -6 В...................................0,2*-0,3*..0,6 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток-исток....................................40 В
Импульсное напряжение сток-исток....................................55 В
Постоянное напряжение затвор-сток...................................50 В
Импульсное напряжение затвор-сток ..................................60 В
Постоянное напряжение затвор-исток.................................. 20 В
Постоянная рассеиваемая мощность1 при 7k - -40 35‘С................. 3,5 Вт
Тепловое сопротивление переход-корпус...............................15’С/Вт
Температура окружающей среды...................................-40*С.7к = +85’С
1 При 7k > +35’С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность
рассчитывается по формуле
Р макс = 3,7(0,98-(Тк-25)/125), Вт
Формовка выводов и вращение их вокруг оси запрещается При установке транзистора
на теплоотвод чистота контактной поверхности теплоотвода должна быть не менее 2,5,
неплоскостность контактной поверхности не более 0,03 мм
Минимальное расстояние места пайки выводов от корпуса транзистора 3 мм. Температура
пайки не выше +260"С в течение времени не более 3 с При пайке необходимо обеспечивать
отвод тепла от места пайки и защиту корпуса транзистора от попадания флюса и припоя
В момент пайки все выводы должны быть закорочены Жало паяльника заземляется
обязательно
При работе с транзисторами необходимо принимать меры защиты от воздействия ста-
тического электричества и учитывать возможность их самовозбуждения как высокочастотного
элемента.
2Л920(А,Б)
Транзистор кремниевый СВЧ эпитаксиально-
планарный с изолированным затвором ил каналом
предназначен для работы в генераторных и
усилительных устройствах с рабочей частотой до
400 МГц.
Транзистор конструктивно выполнен в металло-
керамическом корпусе. Масса транзистора не
более 8 г
243
Электрические параметры
Начальный ток стока при йи = 20 В Цзк = 0, 7k = +25"С, 7k = -60°С
не более........................................................100 мА
То же при 7k = +85’С, нс более..................................200 мА
Остаточный ток стока при йи = -10 В, йи = 50 В, не более........100 мА
Ток стока при йи = 20 В йи = 20 В, пс менее
2П920А................:....................... .............15 А
2Ц920Б......................................................12 А
Крутизн характеристики при йи = 20 В к = 3 А, не менее ......... 1000 мА/В
Емкость затвор-исток при йи = 10 В /= 1 МГц не более
2П920А......................................................400 пФ
}2П920Б.....................................................360 нФ
Емкость выходная при йи = 20 В, йи = 0,/= 1 МГц, не более... 160 пФ
Емкость нроходная при йи = 20 В йи = 0,/= 10 МГц, не более .....7 пФ
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии при йи = 20 В к = 1 А
ти = 100 мкс, Q = 200, не более
2П920А......................................................0,6 Ом
2П920Б......................................................1,0 Ом
Выходная мощность при йпит = 50 В, Рвх = 7 Вт /= 200 МГц, класс В
2П920А......................................................’...152 Вт
Коэффициент усиления мощности при Рвх = 7 Вт, йпит = 50 В./= 200 MI ц,
класс В,
2П920А......................................................13 дБ
Коэффициент полезного действия стока при Рвх = 7 Вт, йпит = 50 В,
/= 200 МГц, класс В,
2П920А.......................................................57%
Выходная мощность при йи = 50 В Рвх = 30 Вт, / = 400 МГц, пс менее
- 2П920А........................................................150 Вт
2П920Б........................................................120 Вт
Коэффициент усиления по мощности при йпит=50 В,Рвх=30 Вт,/=400 МГц,
не менее
2П920А...................................................... 7 дБ
2П920Б......................................................6 дБ
Коэффициент полезного действия стока прийи = 5ОВ,Рвх=ЗО Вт/ 400 МГц,
не менее
2II920A.....................................................52%
2П920Б...........................f...................Г......50%
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток -исток 50 В
Постоянное напряжение затвор-исток 25 В
Постоянное напряжение затвор-сток 60 В
Напряжение затвор-сток в динамическом режиме 80 В
Напряжение сток-исток в динамическом режиме ............ 70 В
Постоянная рассеиваемая мощность при 7k = -60’С ,7k = 40"С .... 130 Вт
При 7k от +40’С до +125°С мощность линейно снижается до 30 Вт
244
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления по мощности
и к< эффицие! а полезного действия
2 4 f I ti и n it n tcA
Зависимости крутизны характеристики от
тока стока
Зависимости крутизны характеристики
от напряжения затвор-исток
Зависимости тока стека от напряжения затвор-
исток
245
□ ЗП925А-2, ЗП925Б-2
ЗП925 (А-2, Б-2)
Транзисторы арсенцдгаллиевые эпита-
ксиально-планарные полевые с барьером
Шоттки и каналом л-типа усилительные
Предназначены для применения в широко-
полосных усилителях мощности в диапазонах
частот 3,7 4,2 ГГц (для ЗП925А-2),
4,3...4,8ГГц(дляЗП925Б 2) втракте с волно-
вым сопротивлением 50 Ом в герметизи-
рованной аппаратуре. Бсскорпусные, па
металлокерамическом кристаллодержателе, с
гибкими выводами. Масса транзистора не
более 5 г
246
Электрические параметры
Выходная мощность при Цси=7 В, Zbx=Zbwx=50 Ом, Рвх=0,7 Вт, Тк=+25"С
ЗП925А 2 в диапазоне частот 3,7 4,2 ГГц .............2. .2,8*...3* Вт
ЗП925Б-2 в диапазоне частот 4,3. 4 8 ГГц ....2 ..2,8*...3,5* Вт
Коэффициент у иления по мощности при (Теи = 7 В Zbx = Zbhx = 50 Ом,
Рвх = 0,7 Вт Тк = +25’С:
ЗП925А-2 в диапазоне частот 3,7 4,2 ГГц 4 5 6* 6,5* дБ
ЗП925Б-2 в диапазоне частот 4,3...4,8 ГГц.....................4,5...5,5*...6* дБ
Коэффициент полезно э действия при 1/си = 7 В Zbx = Zbux = 50 Ом,
Рвх = 0,7 Вт Тк - +25’С
ЗП925А-2 в диапазоне частот 3,7...4,2 ГГц.....................25.. 35*...40* %
ЗП925Б-2 в диапазоне частот 4,3...4,8 ГГц.....................25...35*...40* %
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Оси = 7 В, Zbx = Zbhx =
=50 Ом, Лх=0,7 Вт, 7к=+25'С в диапазоне частот 3,7.. 4,2 ГГц (для ЗП925А-2)
и 4,3 4,8 ГГц (для ЗП925Б-2), не более............................. 3
Крутизна характеристики при Геи = 3 В, /с = 1,8 А 300* .500* 700* мА/В
Начальный ток стока при беи = 3 В, йи = 0 ... 1,8* .2,4* 3* А
Остаточный ток стока при Оси = 3 В, йи = -6 В..................1*...10*...Ю0* мА
Ток утечки затвор при Йи = -5 В нс более
Тк = +25 и -60’С................................................0,1 мА
Тк = +125’С.......................................................0,25 мА
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии при Геи = 1 В,
йи = 0......................................................!..0,75*. ,1*...1,5* Ом
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток исток* при /к = -60. +85'С . 8 В
Постоянное напряжение затвор - исток . 5 В
Постоянная рассеиваемая мощность2 при Тк = -6О...+25’С................7 В
Средняя рассеиваемая мощность2 в дин мическом режиме при
Тк= -6О...+25’С...................................................... 7 Вт
Температура кристалла.................................................+150’С
Тепловое противление кристалл корпус.......................... 18’С/Вт
Температура окружающей среды..................................-60’С...7k = +125’С
1 При Тк > +85'С Геи,макс $ 7 В
2 При Тк > +25’С постоянная и средняя рассеиваемая мощность определяются из
выражения
Рмакс = (150-Тк)/18 , Вт
Рср,макс = иси1с-(Рвых-Рвх).
Расстояние места пайки выводов до кристаллодержателя не менее 2 мм температура
пайки +26О’С, время пайки не более 3 с. Допускается пайка или сварка выводов на
расстоянии не менее 0 5 мм от кристаллодержателя при температуре + 150’С в течение не
более 3 с.
Зависимости выходной
мощности коэффици-
ента усиления и коэффи-
циента полезного дей-
ствия стока от входной
мощности
247
П 2П928А, 2П928Б
Транзисторы кремписные эптаксиально планарные полевые с изолированным затвором
и каналом л-типа генераторные Предназначены для применения в усилителях мощности
и генераторах. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами
Масса транзистора не более 17 г.
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте / = 400 МГц при Цен = 50 В, 7k = +25'С
2П928А при Лх = 60 Вт.............................................250.265* .280* Вт
2П928Б при Лх - 50 Вт........................................200...220*...240* Вт
Коэффициент усиления по мощности на частоте/= 400 МГЦ при (ки = 50 В,
7k = +25’С
2П928А при Лых = 250 Вт...................................6Д*...6,4*...6,7* дБ
2П928Б при Лых = 200 Вт......................................6*..6,4*. 6,8* дБ
Коэффициент полезного действия на частоте /= 400 МГЦ при йи — 50 В
7k = +25*С
2П928А при Лых = 250 Вт..........................................50*...53*. .55* %
2П928Б при Лых “ 200 Вт.........................................45*. 50*...53* %
Крутизна характеристики при йи “ 20 В, Тс “ 3 А............... 1 1,8* 2,3* А/В
Ток стока при йи “ 20 В, йи “ 20 В:
2П928А...............................................................16...21*...24* А
2П928Б..........................................................13... 16*... 18* А
Начальный ток стока при йи = 20, йи = 0, нс более
7k “ +25 и -60'С.......................................................150 мА
7k = + 125’С.......................................................400 мА
Остаточный ток стока при йи — 50 В, йи = 10 В нс более _............ 150 мА
Сопротивление сток - исток в открытом состоянии при йи = 20 В /с = 1 А,
типовое значение.......................~...............................0,4* Ом
Емкость затвор-исток при разомкнутом выводе стока и йи “10 В 470* 530* 570* пФ
Выходная емкость при йи “ 20 В, йи “ 0 .............. 150*... 160*. .180* пФ
Проходная емкость при йи “ 20 В, йи “ 0 ...................... 33* 50*. .60* пФ
Примечание Электрические параметры (кроме Лых Аур и Т|с) указаны для каждой
половины транзистора. —
248
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряж ние сток - исток
2П928А........................................................ 50 В
2П928Б...................................................... 55 В
Постоянное напряжение затвор исток . 25 В
Постоянное напряжение затвор сток.
2П928А........................................................60 В
2П928Б........................................................65 В
Постоянная рассеиваемая мощность1 при 7k = +25 -60"С .... 250 Вт
Температура окружающей среды .............................-60"С...7к = +125'С
1 При 7к > 25”С Рмакс с тюкается линейно до 50 Вт при 7к = +125"С
Схема соединения электродов с выводами 2П928 (А,Б)
Зависимости выходной мощности
коэффициента усиления и коэффи
цис нта полезного действия стока от
входной мощности
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэффи
циепта полезного действия стока
от напряжения сток - исток
Зави имости выходной мощности,
коэффициентаусил ния и коэффи-
циента полезного действия стока от
входной мощности
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэффи
циента полезного действия стока
от напряжения сток - исток
249
□ ЗП930А-2, ЗП930Б-2, ЗП930В-2
Транзисторы арсенидгаллиевые эпитакси-
ально-планарные полевые с барьером Шоттки и
каналом n-типа генераторные Предназначены
Для применения в широкополосных усилителях
мощности в диапазоне частот 5,7 6,3 ТТц в
герметизированной аппаратуре. Бескорпусные,
на металлическом кристаллодержателе с гибкими
выводами Масса транзистора не более 10 г
Электрические параметры
... 5 5,5*...7‘ Вт
7,5.8*...9,5* Вт
Выходная мощность в диапазоне частот 5,7. .6,3 ГГц, Ven —8 В Zbx — Zbmx —
= 50 Ом 7k = +25’С:
ЗП930А-2 при Лх = 1,4 Вт
ЗП930Б 2 при Рвх = 2,4 Вт
ЗП930В-2 при Рвх = 3,6 Вт,
не менее..........................................................Ю Вт
типовое значение...........................................—Ю»5 Вт
Коэффициент усиления по мощности в диапазоне частот 5,7 .6,3 1Гц,
йи = 8 В, Zbx = Zbux = 50 Ом 7k = +25’С:
ЗП930А-2 при Рвх = 1,4 Вт........................ ... 5,5.6,5*...7* дБ
ЗП930Б-2 при Рвх = 2,4 Вт, не мепее............ 5 дБ
ЗП930В-2 при Лх = 3,6 Вт.......................... .. ...... 4,5,. 5* ..5,5* дБ
Коэффициент полезного действия в диапазоне частот 5,7 .6,3 ГГц, йи - 8 В
Zbx = Zbmx = 50 Ом, 7k = +25"С'
ЗП930А 2 при Лх = 1,4 Вт
ЗП93ОБ 2 при Лх = 2,4 Вт
ЗП930В-2 при Лх = 3,6 Вт,
не мепее .................
типовое значение .......
.25.. 30* 40* %
30 35* 45* %
40 %
45* %
Крутизна характеристики при Ven = 3 В, fc = 4 А,
не менее.............................................
типовое значение.................................
Начальный ток стока при йи = 3 В, йи = 0,
не менее.............................................
типовое значение.................................
Остаточный ток стока при йи = 3 В, йи = -5 В, не более
Ток утечки затвора при йи = -5 В
7k = +25 и -6О”С.....................................
7k = + 125"С,не более............................
1 А/В
1,3* А/В
.4 А
4,5* А
. 15 мА
0,001* 0,01’ 0,5 мА
....... 1 мА
250
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток - исток................................. 8 В
Постоянное напряжение затвор - исток...............................-5 В
Постоянная рассеиваемая мощность1 при 7k - -6О...+35’С.............21 Вт
Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме при
7k = -6О...+35*С..................................................21 Вт
Температура кристалла.............!...;....................;......+150*С
Тепловое сопротивление кристалл - кристаллодержатель...............6’С/Вт
Температура окружающей среды................................-6О'С...7к = +125"С
При 7к > +35'С постоянная рассеиваемая мощность определяется из выражения
Рмакс = (150-Тк)/6, Вт
2 Средняя рассеиваемая мощность может быть определена из выражения
Рср,мак£ = исик-(Рвых-Рвх) Вт
□ 2П933А, 2П9ЭЗБ
Транзисторы кремниевые эпита-
ксиально-планарные полевые с изоли-
рованным затвором и каналом л-типа
генераторные Предназначены для при
менения в линейных и широкополо ных
усилителях мощности и генераторах с
высокой стабильностью частоты на ча-
стотах до 1 ГГц, Выпускаются в металл о
керамическом корпусе с полосковыми
выво; ами Масса транзистора не
более 9 г.
Электрические параметры
Выходная мощность в двухтактной схеме на частоте f = 1 ГГц при £&и = 45 В,
Рвх - 30 Вт, 7k = +25'С:
2П933А.........................................................7О...75*..,78* Вт
2П933Б.........................................................6О...64*...69* Вт
Коэффициент полезного действия в двухтактной схеме на частоте /= 1 ГГц при
0си”45 В Ах = 30 Вт, 7k = +25’С не менее'
2П933А......................................................... 30%
2П933Б.............................................................28 %
251
Крутизна характеристики при Сек = 20 В. /с = 2 А /и = 60 мкс Q 200,
не менее
при 7k = +25 и -60’С:
2П933А....................................... ............................................650 мА/В
2П933Б................,................................................550 мА/В
при 7k = +125*С.
2П9ЭЗА....................................................................................500 мА/В
2П933Б.................................................................450 мА/В
Ток стока при (Ли = 20 В, йи = 20, /и = бОмкс, Q = 200
при 7k = +25’С
2П933А....................................................................................9...1У...15* А
2П933Б.................................................................7,5.. 8*...9* А
при Т = -60’С, не менее
2П933А..........................:........................................9 А
2П933Б.................................................................7,5 А.
при 7k = +125’0
2П933А.................................................................6,5 А
2П933Б .:......................................................,.......5,5 А
Начальный ток стока при (Ли = 20 В Цзц = 0, не более
7k = +25 и -60’С . ... ........... ...................... 75 мА
7k = + 125’0........................................................... 200 мА
Остаточный ток стока при (Ли = 45 В, йи = -10 В, не более 75 мА
Ток утечки затвора при йи = -20 В (Ли = 0, не более........ 0,25 мкА
Емкость затвор - исток при йи = 10 В, типовое значение ... 210 пФ
Примечание. Электрические параметры (кроме Рвых и Т]) указаны для одного
транзистора
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток - исток . ................... 45 В
Постоянное напряжение затвор - исток ............................ . 20 В
Постоянное напряжение затвор - сток ................ 55 В
Постоянная рассеиваемая мощность1 при 7k = -60...+35’С .. . 160 Вт
Температура окружающей среды................................. -60°С ..7k = 125’С
1 При 7k > +35"С РМакс снижается линейно до 30 Вт при 7k +125°С
Расстояние от места пайки выводов до корпуса не мепее 2 мм, температура припоя нс
выше +26О’С, время пайки не более 3 с Допускается пайка выводов на расстоянии не менее
1 мм от корпуса, при этом температура пайки не должна превышать +50’С, время пайки
не более 3 с.
Схема соединения электродов с выводами 211933 (А Б)
□ КП937А, КП937А-5
Транзисторы кремниевые полевые планарные с затвором на основе р-п перехода и
вертикальным каналом л типа переключательные Предназначены для применения в исто
чниках вторичного электропитания преобразователях напряжения, системах электро-
привода, импульсных генераторах электроискровых обрабатывающих комплексах Транзи-
стор КП937А-5 предназначен для применения в гибридных интегральных микросхемах
Конструктивно транзистор КП937А-5 выполнен в виде кристалла размером 6x6x0 4 мм па
общей пластине диаметром 76 мм с контактными площадками. Транзистор КП937А
выпускается в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами
Габаритный чертеж корпуса соответствует КП705 Масса транзистора не более 20 г
252
Электрические параметры
Сопротивление сток исток в открытом состоянии при h = 10 A, /з = 1 А,
не более..................................‘.............................0,07 Ом
Статический коэффициент передачи тока при Осн = 5 В, /с = 5 А,
типовое значение .......................................................20
Напряжение отсечки при Оси = 450 В, /с = 2 мА, не менее - 15 В
Гок утечки затвора при (Ли = -15 В, К»с = -15 В, нс более . .. ...0,3 мА
Ток затвор-сток обратносмсщенного перехода при Цзс — 475 В,
не более...................... .................................... 1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток - исток 450 ,В
Постоянное напряжение затвор - сток . .475 В
Постоянное напряжение затвор - исток . . 20 В
Постоянный ток стока............................................17,5 А
Импульсный ток стока............................................30 А
Постоянный прямой ток затвора ............ ..................... 2 А
Импульсный прямой ток затвора...................................4 А
Постоянная рассеиваемая мощность...... .........................50 Вт
Температура окружающей среды.............. . 60°C 7k = +125’С
□ 2П938А, 2П938Б, 2П938В, 2П938Г, 2П938Д, КП938А, КП938Б,
КП938В, КП938Г, КП938Д
Транзисторы кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с затвором па основе
р-п перехода и вертикальным каналом n-типа переключательные Предназначены для
применения в импульсных источниках вторичного электропитания, для питания двигателей
ностояшюго и переменного тока, в мощных коммутаторах, усилителях низкой частоты
Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами
Габаритный чертеж корпуса соответствует КП705 Масса транзистора не более 20 г
Электрические параметры
Сопротивление канала в открытом состоянии при /с = 10 А, /з = 2 А,
не более:
при Т = +25°С:
КП938А. КП938Б...............................................0.07 Ом
КП938В. КП938Г, К1193ВД.................... ................. 0,1 Ом
при Т = -60 и +125"С
КГ1938А. КП938Б..............................................0,1 Ом
КП938В, КП938Г, КП93ВД.......................................0,11 Ом
Статический коэффициент передачи тока при t/си = 5 В /с = 5 А, не менее
Т= +25"С.....................................................,20
7’= -60 и +125’С.............................................10
Напряжение насыщения сток - исток при Л = 10 А, /з = 2 А для
2П938А - 2П938Д, не более.
Г=+25'С......................................................0,7 В
Т= -60 и +125*С..............................................1 В
Ток утечки затвора при САи = -5 В, пе более:
Г=+25-С..........................................................3 мА
Т= -60 и +125'С..............................................10 мА
253
Остаточный ток стока при йи = йимакс для 2П938А при йи - О,
2П938Б, 2П938В, 2П938Г 2П938Д при йи = -3 В не более
7 = +25*С.....................................................3 мА
Т= -60 и +125'С............................................... Ю мА
Время включения при Цен = 150 В, /с = 10 A, h = 2 А, не более......0,2 мкс
Время спада при йи = 150 В, к = 10 A, h = 2 А, не более ..........0,15 мкс
Время рассасывания при йи = 150 В к = 10 А, /з = 2 А, не более.....1,5 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток исток
2П938А, 2П938Б, КП938А, КП938Б............................500 В
2П938В, КП938В..............................................450 В
2П938Г, КП938Г..............................................400 В
2П938Д, КП938Д..............................................300 В
Постоянное напряжение затвор - сток:
2П938А, 2П938Б............................................505 В
2П938В....................................................455 В
2П938Г....................................................405 В
2П938Д.................................................... 305 В
КП938А, КП938Б............................................500 В
КП938В....................................................450 В
КП938Г....................................................400 В
КП938Д ............................................. ..... 300 В
Постоянное напряжение затвор - исток................ -5 В
Постоянный ток стока
2П938А - 2П938Д ............................... . 15 А
КП938А - КП938Д...........................................12 А
Импульсный ток стока.
2П938А - 2П938Д .................... ................20 А
КП938А - КП938Д...........................................18 А
Постоянный прямой ток затвора:
2П938А - 2П938Д.............................................4 А
КП938А - КП938Д...........................................3 А
Импульсный прямой ток затвора
2П938А - 2П938Д............................................10 А
КП938А - КП938Д...........................................5 А
Постоянная рассеиваемая мощность1 при 7k = -60 3-25’С 50 Вт
Температура р-п перехода . . . ............... ...............+150°С
Температура окружающей среды............................-60”С...7к = + 125С
1 При 7к > +25"С
Рмакс = 501(1-(Тк-25)/125], Вт
П 2П941А, 2П941Б, 2П941В, 2П941Г, 2П941Д
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный с изолированным затвором и
л-каналом МДII генераторный предназначен для работы в усилителях и генераторных
устройствах
Транзистор конструктивно выполнен в металлокерамическом корпусе с полосковыми
выводами трех модификаций. Масса транзистора 2 г для 2П941А и не более 4,5 г для
2П941Б, 2П941В 2П941Г, 2П941Д
254
Электрические параметры
Выходная мощность, Вт не
при Uc пит = 12 В, /= 400 МГц Рвх < 0,4 Вт . 3
То же при Лх < 3,5 Вт........................
То же при Лх < 9,5 Вт........................
То же при Лх < 9,0 Вт........................
Крутизна характеристики, мА/B, не менее
при t/си нит=12В, /и=600мкс, Q>200, /с=0,5А 200
То же при /с = 2 А ....................600
То же при /с = 4 А
То же при 7k = -60°С..............
То же при 7k = + 125“С......
Коэффициент полезного действия стока, %
нелепее при йпит = 12 В /= 400 МГц
Лх < 0,4 Вт .
То jte при Лх = < 3,5 Вт
То же при Лх < 9,5 Вт ..............
То же при Лх < 9,0 Вт ..............
Начальный ток стока. мА,не более при
йи = 10 В, йи = 0, 7k = -60”С...Гк = +25’С..
То же при 7k = +125°С.........
Остаточный ток стока, мА, не более при
Оси - 36 В, йи = -5 В ......................
Ток стока, мА, не менее при Оси = 2 В
йи = 20 В /и < 600 мкс, Q > 200,
7k = -60‘С. 25'С............................
То же при 7k = +125'С....................
Входная емкость пФ при йи = 12 В,
йи = 0,/< 15 МГц............................
менее
2II941A 2П941Б 2П941В 2П9411
2П941Д
15
30
....л.........25
30
.200. 600
. 160
1200
1200
480
1000
1000
900
600
600
800
.50
50
... 50 .... 50 50
10 20 30 30 20
20 40 60 . 60 40
2 8 16 16 8
0,6 3 6 5 3
0,2 2 4 3,4 2
20 100 200 200 200
Примечание Для сдвоенного транзистора 2П941Д указаны электрические параметры
/с нач, S, /с, /состдля каждой его половины
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток-исток ............... 36 В
Постоянное напряжение затвор-исток................................... 20 В
Постоянное напряжение затвор-сток ................................... 41 В
255
Постоянная рассеиваемая мощность 7к = 60'С.Тк = +100’С:
2П941А...................................................3 Вт
2П941Б...................................................15 Вт
2П941В, 2П941Г, 2П941Д...................................30 Вт
В диапазоне температур 7к = +100'С 7к “ +125'С мощность линейно снижается до
0,5 от значения при 7к = +25'С
Зависимость крутизны характери
сТики от тока стока
Зависимость выходной мощности,
коэффициента усиления по мощ-
ности и коэффициента полезного
действия стока от входной мощ-
ности
Зависимость выходной мощности,
коэффициента усиления по мощ
нести и коэффициента полезного
действия стока от входной мощ-
ности
Зависимость сопротивления сток
исток в открытом состоянии от
напряжения затвор-исток
256
□ КП944А, КП944Б
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный р-канальный МДП предназначен
для работы в схемах управления накопителей ЭВМ на гибких и жестких магнитных
носителях
Транзистор конструктивно выполнен в пластмассовом полосковом корпусе типа
ТО-252. Масса транзистора не более 0,5 г.
Электрические параметры
На< альный ток стока при Оси = -10 В, йи = 0, 7k = +25°С
7k = +85°С, не более...........................................0,5 мА
То же при 7k = -45’С, не более............................3 мА
Ток стока при и = 8 В, и = -10 В, не менее
КП944А.........................................................15 А
КП944Б....................................................10 А
Пороговое напряжение при /с = -1,0 мА, йи = -10 В ......1,5 В. 4,5 В
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии при /с = -2 А, йи = -12 В,
не более:
КП944А....................................................0,3 Ом
КП944Б....................................................0,4 Ом
Остаточный ток стока при и = 0, и = -50 В для КП944А и йи = -60 В
для КП944Б, не более..........................................1 мА
Время включения при О и : -25 В, Rr — 50 Ом, Ан = 5 ОМ, йх = -10 В,
не более.......................................................90 нс
Время выключения при и = -25 В Аг = 50 Ом, АГ = 5 Ом, йх = -10 В,
не более...............................................-.......120 нс
Ток утечки затвора при йи = -20 В не более"
КИ944А.....................................................10’ А
КП944Б....................................................L0"8 А
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток исток.
КП944А............................................................50 В
КП944Б.................................................... 60 В
Постоянное напряжение сток-затвор
КП944А............................................................50 В
КП944Б..................................................... 60 В
257
Постоянное напряжение затвор-исток...... .....................20 В
Температура перехода...................................................150'С
Тепловое сопротивление переход-корпус.................................4’С/Вт
Постоянная рассеиваемая мощность при Z = -45"С.. 7k = +25’С . 30 Вт
В диапазоне температур 7k = +25’С 7k 85’С мощность рассчитывается по формуле:
Рмакс - (Тп мах-Тк)/Рт(п-к)
'с.А
Передаточные характеристики
Зависимость сопротивления сток-исток в
открытом состоянии от напряжения затвор-исток
Зависимость крутизны хара-
ктеристики от тока стока
Зависимость сопротивления
сток-исток в открытом состо-
янии от тока стока
Зависимость порогового напряжения
от температуры
258
□ КП951А-2, КП951Б-2, КП951В-2
Транзисторы кремниевые палевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором
л-типа генераторные. Предназначены для применения в усилителях и генераторах
Бескорпусные на металлокерамическом крисгаллодержателе с гибкими выводами Масса
транзистора не более 1 г
/5^ |
Электрические параметры
Выходная мощность на/= 400 МГц при йпит = 12 В, не менее
КП951А-2 при ftx - 1 Вт.........................................3 Вт
КП951Б-2 при Лх = 0,4 Вт...................................6 Вт
КП951В-2 при Лх - 5 Вт.....................................15 Вт
К эффициент полезного действия на/— 400 МГц при йпит = 12 В,
не менее........................................................50 %
Крутизна характеристики при Оси = 10 В, /и = 600 мкс Q = 200, не менее
КП951А-2 при к = 0,5 А..........................................200 мА/В
КП951Б 2 при /с = 1,5 А....................................500 мА/В
КП951В-2 при Л = 2 А....................................... 1000 мА/В
Начальный ток стока при йи = 10 В йи = 0, не более
У =+25 и-60 С
КП951А-2.......................................................1 мА
КП951Б-2, КП951В-2.........................................2 мА
Т= +85'С
КП951А-2.....................................................2 мА
КП951Б-2, 2КП951В-2........................................4 мА
Остаточный ток стока при йи = 36 В,йи = -5 В, не более:
КП951А-2........................................................2 мА
КП951Б-2...................................................4 мА
КП951В-2...................................................8 мА
Ток стока при йи = 2 В, йи = 20 В <и = 600 мкс, Q = 200, не менее
КП951А-2...................................................0,6 А
КП951Б-2...................................................1,5 А
КП951В-2...................................................3 А
Пороговое напряжение при йи = 10 В к = 20 мА, не более ....... 6 В
Предельные эксплуатационные датые
Постоянное напряжение сток-исток...............................36 В
Постоянное напряжение затвор-исток.............................20 В
Постоянное напряжение затвор-сток .............................41 В
259
Значение статического потенциала
КП951А-2, КП951Б-2...............................................100 В
КП9561В-2.....................................................200 В
Постоянная рассеиваемая мощность при 7k = -60+85‘С:
КП951А-2.........................................................3 Вт
КП951Б-2......................................................6 Вт
КП951В-2......................................................15 Вт
Температура окружающей среды...............................-60*С... 7k = +85"С
Транзисторы пригодны для монтажа в аппаратуре паяльником Расстояние от
кристаллодержателя до начала изгиба выводов не мепес 3 мм Разрешается при монтаже
транзисторов обрезать выводы на расстоянии не менее 1 мм от кристаллодержателя
Минимальное расстояние места пайки выводов от кристаллодержателя 2 мм Температура
припоя +265’С, время пайки не более 3 с. Допускается пайка выводов на расстоянии не
менее 1 мм от кристаллодержателя, при этом температура пайки не должна превышать
+ 150 С, время пайки не более 3 с.
Допускается сварка выводов на расстоянии не менее 1 мм от кристаллодержателя, при
этом температура кристаллодержателя не должна превышать +150”С Напайка
кристаллодержателя на теплоотвод при температуре не более +240’С.
При использовании транзисторов необходимо учитывать возможность их само
возбуждения как высокочастотных элементов.
список
АНАЛОГОВ
ОТЕЧЕСТВЕННЫХ
И
ЗАРУБЕЖННЫХ
ТРАНЗИСТОРОВ
0912Р600 ... . 2Т9134А
1561-1010 ... . 2Т874А
1561-1015 2Т874А
1743 1030 2Т874А
1743-1220 2Т874Б
2023-1 2Т9137А
2023-6 2Т9149А
222430 2Т9149А
2301 2Т9137А
2307(A) .... 2Т9103(А,Б)2
27АМ05 2Т9121В
40346L ... . КТ504Б
40346S . .. . КТ504Б
6002 ... . КТ3173А9
6101 ... . КТ646А
92PV57 ... . 2Т880А
2N1036 2Т214Д9
2N1508 КТ684Б
2N1573 2Т215В9
2N1654 2Т214Б9
2Т214В9
КТ218Б9
2N1655 2Т214А9,В9,А9
2N1717 КТ684В
2N1777 2Т665Б9
2N1820 2Т862А.Б
2N1923 2Т215Б9
2N1990 . - КТ684В
2N2246 ... КТ3151Е9
2N2459 2Т3151В9
2N2463 2Т3151В9
2N2905L . ... КТ661А
2N2907A КТ661А
2N30362 КТ684В
2N3037 КТ698Б
2N329 2Т214Д9
2N329A КТ218Д9
2N3467L КТ692А
2N3486A КТ661А
2N3503 КТ661А
2N3638A КТ686Г.Ж
2N3645 ... . КТ662А
2N3702 КТ681А
2N3703 КТ685Е
2N3737 КТ659А
2N3762J KI 692А
2N3839 КТ396А9
2N3974 КТ3173А9
2N3976 КТ3173А9
2N4001 ... КТ683Г
2N4060 КТ685Д
2N4128 КТ9116А
2N4234 КТ692А
2N4291 КТ685Ж
2N4447 2П601А9
2N4448 2П601А9
2N4494 КТ645А
2N479 2Т215Е9
2N479A 2Т215Е9
2N4889 КТ686Б
2N5108 2Т9159А
2N5126 КТ339АМ
2N5149 2Т880Б
2N5154L 2Т881Б
2N5372 КТ685Е
2N5373 КТ685Ж
2N5416 КТ505А
2N542A 2Т215Д9
2N5448 КТ685Е
2N5581 КТ928А.Б
2N5621 2Т876Б
2N5622 2Т875Б
2N5623 2Т876Г
2N5625 2Т876А
2N5626 2Т875А
2N5650 . .. КТ396А9
2N5651 КТ396А9
2N5652 КТ396А9
2N5662 КТ698В
2N5681 КТ683Г
2N5682 КТ683В
2N5769 КТ3142А
2N5813 КТ686Д
2N5823 КТ685В.Г
2N6285 2Т877Б
2N6286 2Т877А
2N6551 .'. КТ683Д 2SC1436 2Т862А.Б
2N6617 КТЗ 32А2 2SC1443 КТ879Б
2N6720 КТ683А 2SC1552 КТ682А2.Б2
2N6721 КТ504Б 2SC1604 КТ984А
2N6730 2Т860А 2SC1624 КТ683Б
2N6772 КТ504А, 2SC1742 КТ3132А2
КТ504В 2SC1786. 2Т862А.Б
2N7089 2П712Б 2SC1815 КТ3102В
2N735A 2ТЗ 51В9 2SC1826 КТ817Г2
1 2N739 2Т215В9 2SC1827 КТ817Г2
2N754 2Т215Г9 2SC1846 КТ645А
г 2N759AJ 2Т3151В9 2SC1889 КТ698А
1 r2N844 2T2l5C9i 2SC2036 КТ646А
1 КТ3151В9 2SC2027 КТ828А
1 2N845 2Т215В9 2SC2086 КТ684А
i 2N926 КТ218Г9 2SC2093 . .. . 2Т9103(А,Б)2
» 2N928 2Т214Г9, 2SC2115 Т3132А2
КТ218В9 2SC2121 КТ828Б
2N946 2Т214А9, 2SC2 88 КТ3126А9
КТ218А9 2SC2749M........... 2Т716В
’2N1036 КГ218Д9 2SC2790 КТ828Б
г 3N169 КП908А.Б 2SC279 KTR2RR i
2S304 КТ209В2 2SC2902 2Т862Г
1 2S307A КТ209В2 2SC2920 2Т862Г
2S321 2Т214Б9, 2SC3061 КТ856А.Г
КТ218А9 2SC3150K КТ8118А
2SA1009AMT КТ887А.Б 2SC3277M 2Т716В
2SA1584 КТ9144А9 2SC3279 ICTROfin F
2SA1682-5 КТ9144А9 2SC3306 . .. КТ8117А
2SA715 КТ639Б1 2SC3419 КТ646А
2SA736 КТ639Б1 2SC3446 КТ841Б
2SA743 КТ639Б1 КТ841Б
2SA779 КТ639Б1 2SC3466 КТ841Б
2SA780 КТ639Б1 2SC3455L КТ878Б
I 2SA1660 КТ3180А9 2SC3507 КТ841Б
2SA490U КТ816А2 2SC3 09 КТ841Б
2SB1220Q . КТ3180А9 2SC3569... .. КТЯ5ЯА
2SB435U КТ816А2 . 1ггяедд
Г23В506А КТ842А.Б 2SC3574 КТ858А
J.2SB515D 2Т880В 2SC3596F 2Т9141А
2SC1007 .. .... КТ646Б 2SC3723 КТ868А
2SC1009A КТ3151Д9 2SC3724 КТ868А
2SC1172 КТ839А 2SC3725 КТ868А
2SC3794...
2SC3798 .
2SC3994L.
2SC4050 ...
2SC4098 ...
2SC4142
2SC4143 ..
2SC4144 ..
2SC4296 ..
2SC4452 ..
2SC478 ...
2SC714 ...
2SC784 . .
2SC785 ...
2SC815 ....
2SC829 ...
2SC900 ...
2SC914 ....
2SC923 ....
2SD1171 ...
2SD1172 ..
2SD1279 ...
2SD1423A ..
2SD1615A ...
2SD1940D .
2SD401A . .
2SD64 ..
2SD642A .. .
2SD717 ....
2SD794Q...
2SD794R....
2SD809(1)L.
2SD814 ....
2SD850 ....
2SD870 ...
2SD877Y/GR
2SK11 ....
2SK1117...
2SK1162(A).
2SK1248. ..
2SK1409...
2SK1454...
КТ868А
КГ868А
КТ878А
КТ8120А
КТ695А
КТ872А.Б
КТ872А.Б
КТ872А.Б
КГ858А
КТ3142А
КТ645А
КТ645Б
КТ3126А9
КТ3126А9
КТ645А
КТ3151Е9
КТ3102
КТ645Б
КТ3102Г
2Т713А
2Т713А
КТ839А,
КТ841А.В
КТ646А
КТ683Е
2Т875А.Г
КТ8123А
2Т848А
КТ646А
2Т875В
КТ817Б2
КТ817Б2
КТ683Е
КТ3179А9
2Т713А
КТ8107В
КТ817Г2
2П335А2
2П707Б В
2П706А
2П706А
КП937А
КП937А
2SK278 .. . 2П707А
2SK293 .... 2П702А
2SK298 КП707А
2SK443 .. . 2П341Б
2SK444 ... . 2П341Б
2SK48 2П335Б2
2SK49 ... . 2П335А2
2SK493F ... . 2П341Б
2SK508 .. . 2П341А
2SK513 2П803Б
2SK54 .. . 2П341А
2SK543-5 2П308Е9
2SK659 КП945А
2SK757 КП704А
3SK132 .. . КП346(А,Б,В)9
3SK133 2П327А.Б
3SK162 2П327А.Б
3SK186 2П327А.Б
А5Т3638А КТ686Г
А5Т4026 КТ685А.Б
А8Т3702 .... КТ681А
АМ1416-200 КТ9862А-Г
АМ1416-200АСК ... 2Т994(А,В,Г)2
АМ82325 40 2Т9121А.Г
АМ83135-5 . 2Т9124А
АМ83135-10 .... 2Т9124А,
2Т9129А
АМ83135-15 2Т9129А
АРТ1004 . ... КП705А
APT4065GN .... 2П706В
АТ00510 2Т657(А,Б,В)2
АТ00535 2Т657(А,Б,В)2
АТ00570 2Т657(А,Б,В)2
АТ41410 2Т657(А,Б,В)2
АТ41435-3 2Т657(А,Б В)2
АТ41470 2Т657(А,Б,В)2
АТ8101 АП602Г2,
ЗГ1606(А,Б)2,
ЗП607А2
АТ8151 ЗП606В2,
ЗП607А2
ВС107АР КТ3102А
1 ВСЮ8АР КТ3102В BDX85 2Т716В
ВС108СР КТ3102Г BDX85B 2Т716Б
» ВС170 КТ3151Е9 BDX85C . . . 2Т7 6А, КТ3170А9 2П609А.Б
ВС170А ВС182А КТ3151Е9 КТ3102А BF189 BF246B
ВС183С ВС251 ВС287 I ВС313А ВС327 ВС327-16 ВС327АР КТ3102Г КТ668Б КТ664А9, Б9 КТ687БС-2 КТ686А КТ686В КТ686Б BF247A BF247B BF253-3 BF272 BF305 BF314 BF410A 2П609А.Б 2П609А.Б КТ3170А9 КТ3150Б2 . . КТ3179А9 КТ3128А9 2П335Б2
у • г ВС327ВР 1ВС327Р ВС328-16 ВС328АР ВС328ВР ВС361 ВС432-10 1BC485L ГВС557АР ВС612К IBC612L ВС728-10 [BC847AR ' ВС857 fBCY18 BCY29 . .. . ВСХ54-6 ВСХ76 ВСХ76-25 ВСХ76-40. . BCW37 BCW47B КТ686В КТ686А КТ686Е КТ686Д КТ686Е 2Т687БС-2 ....... КГ685В,Г . ... . КТ684А КТ668Б 2Т687АС-2 . .... 2Т687АС-2 КТ686Д . КТ3175А КТ668А . .. 2Т214Е9 . . .. 2Т214Г9 КТ684Б КТ686А КТ686Б КТ686В .... КТ686А КТ3175А BF420 BF420S BF423 : BF423S BF433 BF472S BF569 BF622 BF623 BF679 BF679S BF747 BF869SA BF883S BF970 BF998 BFP23 BFQ18A BFQ33 BFQ33C BFR30 BFR31 . .. . 2Т666А9 . .. 2Т666А9 . . КТ3157А КТ3157А 2Т691А2 . ... КТ667А9 КТ3150Б2 КТ667А9 КТ667А9 КТ3150Б2 КТ3150Б2 КТ3174АС КТ999А КТ999А КТ3150Б-2 КП346(А,Б,В)9 КТ868А . . 2Т996(А,В,Г)2 КТ3132А2 КТ3132А2 2П308(А,Б,Е)9 2П308(А,Б)9
BCW93B.K BD179-I6 BD370A6 BD372A6 BD372A10 BD415 BDS10 BDT21(A) BDX34B КТ685В.Г КТ817Г2 КТ639А1 КТ639А1 КТ639Б1 КТ683Д КГ997А КТ899А 217ЙЗД2 BFS98M.L К . . КТ685А.Б
BFS99 BFT19A BFT28C BFY41 BFY80 BFX19 - - . BFX20 BFX21 КТ698А КТ505Б КТ505Б 2Т665А9 КТ3151Б9 КТ3128А9 КТ3128А9 КТ3128А9
BFX55 ... KT984A
BLF242A .... КП945Б
BLF521 ... 2П941А
BLF544B ... 2П941Б
BLF545 .... 2П941В.Г.Д
BLV75(A) .... 2T9133A
BSS16 .... 2T881B
BSS64 KT3151A9
BSS64L KT3151A9
BSX23-. КТ698Б
BSX64 . .. КТ817Г2
BSX96. КТ698Г
BSW27 ... KT659A
BSW28 KT659A
BSW67 .... 2T665A9
BSW85 КТ646Б
BU104P ... КТ8124А.Б
BU109P ... KT8124B
BU208A .... КТ8107Б
BU2310 .... 2П803А
BU289 KT899A
BU508 ... КТ872А.Б
BU508AD ... КТ872А.Б,
KT8107A
BUP38 ... KT878A
BUV22 ... 2T891A
BUV48E ... 2Т847А.Б
BUV70A ... КТ841Б
BUZ216 КП805В
BUZ32 КП704А
BUZ326 . . 2П706Б
BUZ53A .... КП705А
BUZ83A .... КП704Б.В
BUZ90 . КП805А
BUZ90A . КП709Б
BV112 .... KT856B
BV113 КТ856Б
BV207 КТ828Б
BV290A ... КП805Б
BVK426-1000B(A).... .... КП704Б
BVK454 200B(A) ... КП704Б
BVK455 600B(A) ... КП805Б
BVK462 60B(A) КП945А
BVR11 2T866A
BVS52W .... 2T891A
BVT56A9 . . KT839A
BVT91 KT879A
BVU70A .... КТ841Б
BVX11 .... 2T866A
BVX14 .... КТ841Б
BVX17B .... 2Т718Б
BVX22 . . 2T891A
BVW36 . KT839A KT856A
BVW40A ... KT504A.KT504B
CDR075 2T9118A
CFY12 ....АП605А2
CL100 .... KT698B
CL150 ... КТ698Г
CM860 . . 2П601А9
CN100 KT698B
CS9016 ... KT339AM
D1-7E КТ984Б
D1-12E ... КТ984Б
D1-12B ... КТ984Б
D100 ... KT698B
D150 КТ698Г
D44H7 .... KT997A
D54E1 .... 2T709B2
D62T4040. . .2T885A
D62T5040 2Т885Б
DC5108 .... KT3162A
DV1006 ... 2П941В.Г.Д
DXL3501 .... АЛ602А 2
DXL3501A-P100F.... .... АП605А2
DXL3503 АП602В2
ECG324 . . 2Т881Г
ECG381 . . КТ842А.Б
EN2369A ... KT3142A
EN916 KT695A
Fl008 ... 2П941В.Г.Д
F1014 2П941В.ГД
F1027 2П928АБ
F1053 . 2П923А.Б,
2П933А.Б
F1201 КП951В2
F2013 2П923В
F2013H 2П933А.Б
FJ201F KT3132A2
FJ451LE . . КТ682А2.Б2
FLM5964-4C .... ... ЗП930А2
F-M5964-8C ... ЗП930А2
FSX51X . . . . АП602Б2
FSX51WF . АП602В2
FSX52X ... АП602А2
ЗП606В2
FSX52WF ... АП602А2
GE53414 KT680A
GES5813 КТ686Д
GSRU0035 . 2T862B
GSTV15020 2T866A
GT8002 КТ897Б
I HMF-0301A . АП605А2
HMF-1200 ... ЗП607А2
HMF-0620 ... АП602Г2
BMF-2400 . . ЗП607А-2
HSE148 2Т215Г9
HSE401 КТ645Б
I HXTR4101 2Т688А2.Б2
J02015A КТ9116Б
JE9015 KT668A
ILM3742 3 . 3A925A-2
IM3742-3 ... ЗП925А2
IMM4450 3 ... ЗП925Б2
IRF5532 ... КП712Б
IRF626 . . 2П702А
IRF632 ... КП704Б
IRFBG30 2П803А
IRFR024 ... ... КП945А
IS8864-AS .. ЗП6О8(А,Б,Г)2
IXTP3N80(A); 2П803Б
IXTP4N60 .. КП709Б1
IXTP4N60A KC307A .... КП709А, КП805А КТ668Б
KC635 . . . KT684A
KC638 КТ685А.Б
KF423 .. .. KT3157A
KM935 . . КТ685Д
KSA952 . . . KT681A
KSC2757 KT3106A9 KT396A9
KSC5019 КТ698ДЕ
LDR405B 2T9118A
LT1739 2T9141A
LV2731E50S 2T9139A
M8106. . КТ683Д
MA42 112-510. . 2T691A2
MA42 113-510. .. 2T691A2
MA4F004-918 . . .. . АП602Д2
MA4F005-500 ... . АП602Б2
MF175 2П933А.Б
MGF1801 ЗП606(А,Б)2
MGF1802 . . АП602А2
MGFC41V5964 ЗП930(Б B)2
MJ1000 . .. КТ890А,Б,В
MJ10004PF1 . КТ890А.Б В
MJD243-1 КТ683Г
MJE13005 ... . КТ8121А
MJE2801T КТ997Б
MJF16010A 2Т847А.Б
MJF2955 .. .. 2Г876А.Г
MJL13004 КТ8121Б
ML500TI 2Т995А2, 2Т9135А2
MM5682HXV . ... КТ683В
MMBF5459L 2П308В9
MMBTA20 КТ3151Г9
MMBTA20L КТ3151Г9 КТ646Б
MPS2923 КТ680А
MPS3393 КТ680А
MPS3638K КТ686Г MPS3725 КТ659А MPS3826 К645А MPS53402 КТ680А MPS6565 КТ645А MPS6565M К645А МР59462 КТ68 A MPSH04 КТ3151Б9 . MPSU03 KT683A MRF1015MA KT916A MRF1015MC KT916A MRF136 2П941А MRF422 КТ9160А,Б,В MRF430 2T9126A MRF544 2T9159A MRF5812 2T691A2 MRF843 2T988A MRF846 2T9118A MRF892 2T988A MSC0204100 2П928А.Б MSC82308 2T9137A MSC88001 АП602Д2 MSM344210 ЗП925В2 MSM5964-2 ЗП930А2 MSM5964-2 ЗП930(Б.В)2 MTM3N60 КП707БВ МТР12Р08 2П712А MTP3N50 .... 2П701А.Б MTP4N10 2П703Б MTP5N05 2П923Г МТР8Р10 2П712В NEM2020B-20 2989В NEM3008B20 2Т9139А NN5009D КП709А NTE323 2Т880А NTE324 2Т881А NTP7N05 2П923В РН0104125 КТ985АС РН1214-60 2Т9140А PKB3001V 2Т9135А2 PMD17K40 2Т877В PN3638A КТ686Г,Ж PN3691 КТ381Б PN5128 КТ698Д.Е PN5132 КТ381Б,В,Г,Д,Е РТ7502 КТ874Б PTS484(A) КТ856Б РХТ2222 КГ3173А9 PZ1418B30V 2Т989А PZ1721B25V 2Т989А PZ2327B15V 2Т9121Б RCA1C03 2Т881Г RCA1C08 2Т876Б RFL2N05 КП804А RFM3N50 2П701А RFP12P08 2П712А RRF623 2П703А RZ12 4B60R 2Т9140А S920TS... 2Т666А9 S923TS КТ3157А
NE11508112 2Т988Б NE2133 КТ3132А2 NE56854 2Т671А2 NE56953 2Т995А2 NE57835 КТ682А2Б2 NE59503 2Т996(А,В,Г)2 NE59560 2Т996(А,В,Г)2 NEM080481E-12 КТ9104А NSW082081B-12 КТ9104Б NEM2015 2Т989Б SD1015 КТ9116А SD1080-7 КТ984А SD1543 2Т9134А SD1842 2Т9137А SD211 КП908А.Б SDT14304 2Т718Б SDT14305 2Т718А, КТ841Б SDT18802 КТ828Б SDT4309 КТ698А
NEM2015B-20 2Т989Г 1 " У " , SDT5504 2Т881А
SDT55476 KT841A.B
SDT69504 2Т880Г
SE9401 2T709A2
SE9402 2T709A2
SF232 KT662A
SF332 KT662A
SG251 21665A9
SG769 KT3142A
SK3467 2T862B
SK3534 2Т875Б
SK3717 2T876B
SK3718 2T876B
SK3995 2T848A
SML12303 2Т718Б
SML55401 2T885A
SML723 KT828A
SML824 KT828A
SS9015 KT668A
ST1053 2П933А.Б
ST45E1 2T709B2
ST54 6 KT505A
STIP6006 к... КТ888Б .У... KT888A
STIP8006
SX954 KT3162A
ТВС328А KT686E
ТВС547А .. . . . .. ... КТЗ 75A
ТС9502 АП602Б2
TCC2023-6L .... . . 2Т9149Б
ТСС232715 2Т9121Б
TED1802K КТ685Ж
ТН20 2T9126A,
2T9131A
ТН430 КТ980А.Б
TI486 КТ684Б
Т.Р125 2T709B2
TIPI 30 KT8116B
TIP131 КТ8116Б
TIPI 32 KT8116A
TIPI 50 КТ8109Б
TIPI 51 KT8109A
TIP664 KT897A
TMPTA42 2T666A9
TN2219 KT928B
TP2907A KT662A
TP2945 KT216E9
TRS100A 2T215A9
TRW2020F 2Т989Б
YTF623 2П703А
YTF832 КП805В
UTS2222A КТ646Б
UPT115 2Т665Б9
V913B КТ682А2.Б2
VN0340N1 2П701Б
VN1204N1 2П923А.Б
ZT210 KT692A
ИЕХ§айПа[Га@‘и1
К[^@ЖШ[ЛС©§
1 Серия книг”Игры для SPECTRUM” (пять выпусков).
В каждой книге приведено описание 500 игр Общее количество
описанных игр 2500 Для каждой игры приводится сюжет управление
цель, правила и небольши подсказки. Книги могут комплектоваться
дискетами с играми ( = 2000 игр ).
Объем.......................................от 192 до 208 стр.
2 “Тайники ZX и как установить вечную жизнь”.
Данная книга является приложением к описаниям игровых программ. В
ней описаны способы установки в игре неограниченных ресурсов; жизней,
топлива, боеприпасов и т.п. Кроме теоретических сведений в книге дастся
описание конкретных ‘адресов бессмертия” для 600 игр с пояснениями.
Объем...............................................64 стр.
3 “BASIC”
В книге приведено описание самого распространенного и простого в
изучении языка “Бейсик”. Книга содержит многочисленные примеры и
поможет вашему ребенку научиться программировать
Объем ..............................................96 стр.
4 “АССЕМБЛЕР”
В данной книге описан основной язык программирования. Он относится
к языкам низкого уровня и позволяет общаться с компьютером
практически на “ты”. С помощью ассемблера пользователь наиболее полно
сможет использовать ресурсы машины. Рекомендуется его изучать после
ознакомления с бейсиком
Объем ..............................................80 стр.
5 “МАШИННЫЕ КОДЫ”
Книга рассчитана на опытного пользователя. Машинный код является
входным для процессора Некоторые программы могут быть написаны в
кодах, минуя процесс создания программы в мнемонике и последующей
трансляции
Объем .............................................. 150 стр
6 “Инструкция но эксплуатации 48К”
Инструкция по эксплуатации компьютеров ‘ SPECTRUM 48К”.
Представляет собой паспорт на изделие Включает в себя описание
технических характеристик и основных режимов работы. Является
незаменимой при первом знакомстве с компьютером. Все компьютеры,
укомплектованные данной книгой, как правило, имеют гарантийное
обслуживание
Объем............................................... 48 стр.
7 “ Инструкция 128 К”
Инструкция по эксплуатации компьютеров “SPECTRUM 128К”
Представляет собой паспорт на йзделие. Включает в себя технические
характеристики, описание режимов работы, описание TRDOS (дисковой
операционной системы) и TLW (текстового редактора) Одна из лучших
книг для SPECTRUM-128.
Объем ..............................................96 стр
8 Справочник “Системные программы”
Справочник по системным программам для компьютеров SPECTRUM-
48К и SPECTRUM-128К. В книге содержится описание различных
системных программ
Объем .................................................. 220 стр.
9 “Справочник по транзисторам” (два тома)
Подробное описание характеристик современных транзисторов широкого
применения подготовленное известными авторами Перельманом БЛ и
Петуховым В М Количество описанных транзисторов около 400.
Объем ..................................... 300 стр. (каждый том)
10 Справочник “Разъемы, шнуры соединители для бытовой аудио- и
видеоаппаратуры”
В справочнике описаны различные типы шнуров и разъемов Книга
является необходимой для владельцев и пользователей аудио- и
видеоаппаратуры
Объем ..............................:................... 32 стр
11 “48 программ для изучающих Бейсик”
Учебное пособие с конкретными примерами программ для начинающих
изучение BASICa.
Объем ................................................. 120 стр.
12 “Что может ZX SPECTRUM”
Описание возможностей применения компьютера ZX SPECTRUM в быту
для управления различными устройствами
Объем ............................................... 32 стр
13 “Ремонт дисководов “Электроника МС 5305,5311,5313”, “ЕС-5323”,
“ТЕАС”, "ROBOTRON”.
Описание по ремонту и настройке дисководов, наиболее часто
встречающихся в домашних компьютерах Книга содержит комплект схем
для каждой модели дисковода.
Объем .................................................. 100 стр
14 “Справочник накопителей на жестких магнитных дисках”
Подробное описание характеристик большинства используемых сегодня
интерфейсов и НЖМД в современных ПЭВМ
Объем .................................................. 80 стр.
15 “Графика для ZX SPECTRUM”
Описание графических возможностей компьютера ZX SPECTRUM,
учебное пособие по работе с графическими программами на конкретных
примерах Может комплектоваться дискетой с приведенными в книге
программами.
Объем .................................................. 200 стр
16 “Игры для телеприставок”
Описание более ста игр для телеприставок типа “Денди”. Цветная вклейка
- 8 страниц.
Объем .................................................32 стр
17 Готовятся к изданию схемы для различных типов компьютера
SPECTRUM 128
TEL/FAX (095) 268-5558 (с 10.00 до 18.00)
TEL (095) 498-1298 (с 21.00 до 23.00)
©мимами©!!
Для приобретения справочника “Новые транзисторы”, часть 1, Вам необходимо
перечислить следующую сумму, исходя из количества приобретаемых Вами киш и с
учетом тарифов связи на пересылку от 01 07 94г.
Количество книг (пгт) Сумма подлежащая перечислению
1 5.5 тыс. рублей
2 10 тыс рублей
3 —..................... 14 5 тыс. рублей
4 ........................19 тыс рублей
5 23.5 тыс. рублей
6 27 тыс. рублей
Книги будут выслапы.Вам в течение двух недель после прихода от Вас денег по адресу
119021 г Москва, а/я 557, Кравченко А.Б.
Выход второй части “Справочника” ожидается в конце 1994 - 1кв. 1995гг. Следите за
рекламой в журнале “Радио .
В г.Москве книги издательства “Солон” можно приобрести по нашим ценам по
адресу: ул. Стромынка (мстро“Сокольники”), д.11, магазин “ЛУЧ”, комната 7 По
вопросам оптового приобретения продукции фирмы в г.Москве обращаться по телефонам.
(095) 268 - 5558 (с 10.00 до 18.00) (095) 498-1298
Продукцию фирмы Вы можете приобрести у иаииа дилеров в следующих городах.
Архангельск.........(8180) 49 - 6135
Владимир ...........(09222) 406 - 67
Волгоград..........(08442) 34 - 4615
Екатеринбург........(3432) 22 1441
Нижний Новгород.... (8312) 27 - 0558
Оренбург...........(3530) 41 - 3001
Ростов ............(8632) 35 - 9976
Санкт-Петербург .... (812) 157 - 5486
Смоленск (08180) 9 - 5584
Ялта (0600) 32-5119
оо
По вопросам оптовых закупок и продаж обращайтесь по тел-
( 095 ) 460-4033 Факс: ( 095 ) 304-0937
Принимаются заказы на изготовление печатных плат по высококачественной
технологии и надписей на алюминии Телефон для справок ( 095 ) 127-9714
При желании можно получить каталог имеющихся комплектующих по почте. Условия
поставки деталей по почте высылается вместе с каталогом.
Наш адрес- г Москва 105568, А/Я № 33
Самый широкий выбор электронных компонентов в СНГ Любая редкая и дефи-
цитная комплектация в наличии около 8000 наименований микросхем и 4000 наимено-
ваний транзисторов, а также резисторы конденсаторы, диоды, СВЧ компоненты,
кварцевые резонаторы бескорпусная элементная база, около 2000 фирменных микро
схем и транзисторов, и многое многое другое Фирменные инструменты для радио-
монтажников (мультиметры, паяльники и т д.) , приборы. Принимаем комплексные
заказы от организаций и частных лиц па комплектацию изделий.
Продажа в розницу осуществляется в фирменном магазине “Кварц", при московском
заводе “ПЬЕЗО” концерна ФОТОН", по адресу 105023 , г Москва, ул. Буженинова,
16 Проезд ст. м. Преображенская площадь.
Телефоны для справок : ( 095 ) 964-08-38, 365-31-20
Предлагаем заводам изготовителям электронных изделий дилерские услуги по реализа-
ции оптовых партий Поможем реализовать неликвиды радиодеталей.
Телефон: ( 095 ) 460-40-33, Факс: ( 095 ) 304-09-37