/
Теги: электроника электротехника вольтметр техническое описание инструкция по эксплуатации
Год: 1980
Текст
27-28
ВОЛЬТМЕТР
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ
ЦИФРОВОЙ
ТЕХНИЧЕСКОЕ ОПИСАНИЕ
И ИНСТРУКЦИЯ ПО ЭКСПЛУАТАЦИИ
ПРИЛОЖЕНИЕ
АЛЬБОМ СХЕМ
1880
1. Вывод 14 микросхемы D соединить с точкой +5В
! 2, Вывод 7 микросхемы D соединить с точкой
’ 3> КТ — контрольные точки
.4. 1—Г — перемычка
*5. X — концевые печатные контакты.
16. Допускается замена резисторов ОМЛТ с отклонением ±10%
। резисторами ОМЛТ более высокого класса точности
Интегратор
Схема электрическая принципиальная
33
Лист регистрации изменений
Изм. Номера листов (страниц) Всего листов (страниц) в докум. № докум. Входящий № сопроводи- тельного докум. и дата Подпись Дата
изменен- ных заменен- ных новых аннули- рованных
ВОЛЬТМЕТР УНИВЕРСАЛЬНЫЙ
ЦИФРОВОЙ В7-28
ТЕХНИЧЕСКОЕ ОПИСАНИЕ
И ИНСТРУКЦИЯ ПО ЭКСПЛУАТАЦИИ
ПРИЛОЖЕНИЕ
АЛЬБОМ СХЕМ
19 8 0
ОПИСЬ Стр.
Тг2.710.003 ЭЗ Вольтметр цифровой В7-28. Схема электрическая принципиальная , 3
Тг2.710.003 ПЭЗ Вольтметр цифровой В7-28. Перечень элементов 5
Tr5.008.001 ЭЗ Преобразователь Ucv. Схема электрическая принципи- альная 7
Tr5.008.001 ПЭЗ Преобразователь Ucv. Перечень элементов 9
Тг5.008.002 ЭЗ Преобразователь R. Схема электрическая принципи- альная .......... 13
Тг5.008.002 ПЭЗ Преобразователь R. Перечень элементов 14
Тг5.032.037 ПЭЗ Усилитель. Схема электрическая принципиальная . 17
Tr5.032.037 ПЭЗ Усилитель. Перечень элементов 19
Тг5.087.090 ЭЗ Блок вторичного электропитания. Схема электрическая 23
Tr5.087.090 ПЭЗ Блок вторичного электропитания. Перечень элементов 24
Тгб.ЮЗ.ПЗЭЗ Блок аналоговый. Схема электрическая принципиальная 27
Tr5.103.113 ПЭЗ Блок аналоговый. Перечень элементов .... 29
Тг5.107.006ЭЗ Интегратор. Схема электрическая принципиальная 33
Тг5.Ю7.О06 ПЭЗ Интегратор. Перечень элементов 35
Тг5.123.057 ЭЗ Стабилизатор напряжения. Схема электрическая прин- ципиальная . . . . . . . . ’ . 39
Тг5.123.057 ПЭЗ Стабилизатор напряжения. Перечень элементов 40
Тг5.139.038 ЭЗ Блок управления. Схема электрическая принципиальная 43
Тг5.139.038 ПЭЗ Блок управления. Перечень элементов .... 45
Tr5.139.040 ЭЗ Блок управления АЦП. Схема электрическая принци- пиальная ......... 49
Тг5.139.040 ПЭЗ Блок управления АЦП. Перечень элементов 51
Тг5.171.038 ЭЗ Усилитель входной. Схема электрическая принципи-
альная . 54
Тг5.171.038 ПЭЗ Усилитель входной. Перечень элементов .... 55
Тг5.174.011 ЭЗ Блок индикации. Схема электрическая принципиальная 57
Тг5.174.011 ПЭЗ Блок индикации. Перечень элементов .... 59
Тг5.280.037 ЭЗ Блок переключателей. Схема электрическая принци- пиальная 60
Tr5.280.037 ПЭЗ Блок переключателей. Перечень элементов 61
Тг5.282.102 ЭЗ Блок коммутации реле. Схема электрическая принци- пиальная 62
Tr5.282.102 ПЭЗ Блок коммутации реле. Перечень элементов . 63
Зак. 179
БЛОК КОММУТАЦИИ РЕЛЕ
Перечень элементов Tr5.282.102 ПЭЗ
Поз. обозна- чение Наименование Кол. Примечание
л Микросхема 159НТ1Е ХМЗ.456.014 ТУ 1
1 5 Микросхема 133ЛА7 И6/И63.088.023 ИУ 5
Резисторы ОМЛТ ОЖО.457.107 ТУ
Rl. R2 ОМЛТ-0,125-1 кОм±Ю% 2
R3 ОМЛТ-0,125-10 кОм±10% 1
R4. R5 ОМЛТ-0,125-3,9 кОм±Ю% 2
R6, R7 ОМЛТ-0,125-10 кОм±Ю% 2
Т1, Т2 Трансформатор Тг4.720.045 2
Диод полупроводниковый 2Д522Б дРЗ.362.029 * 9
1. Вывод 14 микросхем D1...D5 соединить с точкой «а», вывод 7 —
с точкой « Л ».
2. X — печатные контакты.
3. 1... 17 — штыревые контакты.
4. Допускается замена резисторов ОМЛТ с отклонением ±10%
резисторами ОМЛТ более высокого класса точности.
Блок коммутации реле
Схема электрическая принципиальная
62
ВОЛЬТМЕТР ЦИФРОВОЙ В7-28
Перечень элементов 1Т2.710.003 ПЭЗ
Поз. обозна- чение Наименование Кол. Примечание
А1 Блок аналоговый Тг5.103.113 1
А2 Блок вторичного электропитания Тг5.087.090 I
АЗ Блок переключателей Тг5.280.037 1
. А4 Блок индикации Тг5.174.011 1
А5 Блок управления Тг5.139.038 1
В Счетчик ЭСВ-0,5-12,6-0 ФШ0.281.007 ТУ 1
S Переключатель П2Т-1-1 ОЮ0.360.028 ТУ 1
5
БЛОК ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЕЙ
Перечень элементов Тг5.280.037 ПЭЗ
Поз. обозна- чение Наименование Кол. Примечание
в Резонатор РГ-07-11 ГТ-2500 кГц-БЗ ШЖ0.338.067 ТУ 1
с Конденсатор КМ-5а-М1500- 1500 пф±10% ОЖ0.460.043 ТУ 1
Микросхемы
DI, D2 134ЛБ2А 6К0.347.083 ТУ1 2
D3 134ЛБ1А 6К0.347.083 ТУ1 1
D4 133ЛАЗ И6/И63.088.023 ТУ7 1
Резисторы ОМЛТ ОЖ0.467.Ю7 ТУ
R1...R10 ОМЛТ-0,125-10 кОм±Ю% 10
R11 ОМЛТ-0,125-510 Ом±Ю% 1
R12, R13 ОМЛТ-0,125-220 Ом±Ю% 2
R14 ОМЛТ-0,125-1,8 кОм ±10% 1
S1 Переключатель 7П1Н ПМ ЕЫ0.360.001 ТУ 1
S2 Переключатель 5П1Н ПМ ЕЫ0.360.001 ТУ 1
,rul
61
„Вход" ( Ljt i..},
К2
Сеть
a==f n22DV 5Qfa'
ft j I У» Ж/Гилх
11 »‘, г-
'^<r
и
,X22
>72
',MD
.29
Цепь
к счетчику
наработки
10020’
1ШГ
юог
10“ L-*
1“
er L~*
s t
Цель
KU, Л1
К 2. 09
Kf.fiS
Kf. fl
КЗ. fl
К2.ЯТ
K2.pt
K2, 03
KI. ft
KI, KU
*5B
OSajuu
Сиен, ff
Сигн #
Сиен, в
Сиен-S
3J_
.Ла
Ж.
8f3
9, if
№,8
tip
12,M
IjH
16f
f9.Sf
J&S-
2tx
22, Ц
цепь
K9.A1
К2. KU
К1.ЯЗ
Kt. m
КЗ. ft
82. fit
KZM
K2.P3
Kt. ft
К1.Л9
+ 58
Общий
Сигн.я
Сиен. В
CwnS
ns
цель
tyvn£ty
1,0
tyCKpfH
0(0
Qty
0(21
a
in
s
>ГК1й1
fyw.CY2}
PcVnCffla
P^VHCft^
РуукСЯЦ
toft/tCfe}
fi&T_
iSB
Общей
2,5МГц
±L
Л£.
V*
АЛ-
3,M
Ю,к
12 M
XS
цепь
" fyw 8№
I
РуунШЧ)
~PjfVH~Cty
Ручн.С1^}
. tyvnCfc)
Outfit A ВТ
Общий
?s.______
Вольтметр цифровое B7-28
Схема электрическая принципиальная
„фцяыпр
Qty
tty
r(21
-SBC.
&}
SLL
em
ef>)
cm
.’:ч.
Й/2)
JM*L
Kty
W
tty
tty
200k
WOk
800k
too*
20k
90k
*0k
10k
2k
9k
8*
JJL
2D
W
80
10
900
800
100
ID
10
1
I KI
IQ
10
ia
10
IQ
10
IO
ira
IQ
ira
ita
is
ira
is
IQ
IQ
IE3
1ЕЯ
10
IQ
IS
IQ
ia
10
in
10
in
in
in
iQ
in
in
!P
J
3
1. Вывод 4 микросхем DI... D3 и вывод 14 микросхемы D4 соединить
с точкой «а».
2. Вывод 11 микросхем DJ... D3 и вывод 7 микросхемы D4 соединить
с точкой «±».
3. X — печатные контакты.
Блок переключателей.
Схема электрическая принципиальная
60
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ U
Перечень элементов Tr5.008.001 ПЭЗ
103. обозна- чение Наименование Кол. Примечание
А Микросхема 153УД1 ХМЗ.458.001 ТУ 1
KI. К2 Реле РВ-5А Тг5.670.005 2
Конденсаторы КМ-5 ОЖ0.460.043 ТУ
С1...СЗ КМ-56-ПЗЗ-16 пф±5% 3
С4 КМ-56-ПЗЗ-ЗО пф±5% 1
С5 КМ-56-ПЗЗ-240 пф±5% 1
Конденсаторы КМ-5 ОЖ0.460.043 ТУ Конденсаторы К73-11 ОЖО.461.093 ТУ Конденсаторы КТ-4 ОЖ0.460.116 ТУ Конденсаторы К50-6 ОЖО.464.107 ТУ Конденсаторы КД-1 ОЖО.460.154 ТУ
С6 КМ-56-ПЗЗ-62 пф±5% 1
С7 К73-11-630В-0.15 мкф+10% 1
С8 КМ-56-ПЗЗ-100 пф±Ю% 1
С9 КТ4-21а-4/20 пф 1
С10 КМ-56-ПЗЗ-120 пф±10% 1
СП К50-6-1-50в-5 мкф 1
С12...С14 КМ-56-ПЗЗ-16 пф±5% 3
С15 КМ-56-ПЗЗ-160 пф±10% 1
С17 КД-1-М700-10 пф±10%-3-НМ 1
Конденсаторы К50-6 ОЖО.464.107 ТУ Конденсаторы КМ-5 ОЖО.460.043 ТУ Конденсаторы К53-4 ОЖО.464.037 ТУ Конденсаторы К73-11 ОЖО.461.093 ТУ
С19 К50-6-1-50в-5 мкф I
С20 КМ-56-ПЗЗ-51 пф±5% 1
9
Поз. обозна-
Наименование Кол. Примечание
чение
С21* КМ-56-ПЗЗ-110 пф±10% 1
С22 КМ-56-ПЗЗ-120 пф± 10% . . 1
С23 КМ-56-ПЗЗ-51 пф±5% 1
С24 КМ-5б-Н90-0,068 мкф 1
С25 КМ-56-М1500-510 пф±10% 1
С 26 К53-4-15-3,3±20% 1
С27 КМ-56-ЦЗЗ-16 пф±10% 1
С28 К73-11-63в-1 мкф±10% 1
С29 К53-4-15-3,3±20% . 1
СЗО КМ-56-Н90-0.068 мкф 1
С31 К53-4-6-4,7±20% 1
Конденсаторы КМ-5 ОЖО.469.043 ТУ Конденсаторы К50-6 ,——=
ОЖО.464.107 ТУ Конденсаторы К73-11 llvifV ОЖО.461.093 ТУ IV rw- aS^ ©Ц21«^а|\
С32 КМ-56-Н90-0.068 мкф Г”
СЗЗ, С34 К50-6-1-6в-50 мкф 2
С36 К73-11-63в-3,9 мкф±10% 1
С36...С38 К73-11-63в-1 мкф±10% 3
Резисторы С2-29В ОЖО.467.099 ТУ Резисторы ОМЛТ ОЖО.467.107 ТУ
Rl, R2 С2-29В-0.125-505 кОм±0,1%-1,0-А 2
R3 ОМЛТ-0,125-33 кОм±5% 1
R4 ОМЛТ-0,125-24 кОм±5% 1
R5, R6 С2-29В-0,125-499 кОм±0,1%-1,0-А 2
R7 С2-29В-0,125-10 кОм±0,1%-1,0-А 1
Резисторы СП5-3 ОЖО.468.506 ТУ Резисторы ОМЛТ ОЖО.467.107 ТУ Резисторы С2-29В ОЖО.467.099 ТУ
R8 СП5-3-1Вт 220 Ом±Ю% 1
10
БЛОК ИНДИКАЦИИ
Перечень элементов Тг5.174.011 ПЭЗ
Поз. обозна- чение Наименование Кол. Примечание
DI, D2 Микросхемы 133ЛА7 И6/И63.088.023 ТУ7 2
D3 133ЛАЗ И6/И63.088.023 ТУ7 1
D4...D10 133ИД1 дР/ИбЗ.088.023 ТУ28 7
D11 133ЛА7 И6/И63.088.023 ТУ7 1
Н1...НЗ Лампа СМН-6,3-20-2 ТУ16-535.446-76 3
Н4...Н9 Лампа индикаторная ИН-12Б
ЩА0.334.0П ТУ 6
Н10...Н12 Лампа СМН-6,3-20-2 ТУ16-535.446-76 3
R1...R5 Резисторы ОМЛТ ОЖО.467.107 ТУ ОМЛТ-0,25-39 кОм ± 10 % 5
R6, R7 ОМЛТ-0,5-27 кОм±Ю% 2
R8 ОМЛТ-0,25-39 кОм±Ю% 1
R9, R10 ОМЛТ-0,125-15 кОм±10% 2
Rl 1...R16 ОМЛТ-0,125-47 кОм±Ю% 6
V Транзистор П308 ЖКЗ.365.059 ТУ 1
хз Штырь ЕЭ7.740.385 1
59
jf6__£
г
в___L
9___£
О___£
fV- fe,
2—L
10__8~
1___9_
3
б
ос5
1 о
2 <
14
лЕ
15
е
9
1Ь___1
15 2,
8____£
9____£
13___£
1Ч___£.
И 7.
10___£
X
ю.
У-4 г
г® 1 2 3
в
тг
о-
813
rw
о-
81S
О-
R16
2 3 4 5 6 7 8 9 W 11 12
25 26 27 28
/ / /7
Цепь
1. Вывод 14 микросхем DI... D3, D11 и вывод 5 микросхем D4... D10
соединить с точкой «б».
2. Вывод 7 микросхем DI... D3, D11 и вывод 12 микросхем D4.. D10
, соединить с точкой «х »
3. XI, Х2 — концевые печатные контакты.
i 4. Допускается замена резисторов ОМЛТ с отклонением ±10%
< резисторами ОМЛТ более высокого класса точности. •
Блок индикации
Схема электрическая принципиальная
57
сг
м
a
«
ООщийсигн.
V»
V5
С32
022
7’ Ф“ общий питания.
вгоО V у
^ХЗ !2пр.Х1__________
\ХВ Защита___________’
... ^5&
Л6 У/ЛХ2
-К. В в
V2
vs
7?«
Cff
= ^1№
= «СО
з eZW
AW
хт ava
21»
--к~-2ЧВ
MS
C25
±030
т R28
C2J
ft 36
V2i езг
323
С21
+1$BB
>13,83
R22 C26 C.
ai яге
выхов
мз
.из
w*
его егз
020
C21
вы *'£
\3гв
ПН >1:7, я
п:ЦК;е,е
-гое вне,»
1. XI — концевые печатные контакты.
2. ХЗ... Х6 — концевые печатные площадки.
3. 1—1', 2—2', 3—3' — перемычки.
4. КТ — контрольные точки.
5. Допускается замена1; резисторов ОМЛТ с отклонением ±10%
резисторами ОМЛТ более высокого класса точности.
8. — защита. |
* Подбирается при регулировании.
Преобразователь U~
Схема электрическая принципиальная
7
Поз. обозна- чение Наименование Кол. Примечание
R17 Резистор СП5-3-1Вт 100 Ом±Ю% ОЖО.468.506 ТУ 1
VI, V2 Диод полупроводниковый 2Д522Б дРЗ.362.029-01 ТУ 2
V3, V4 Транзистор 2П303А Ц23.365.003 ТУ 2
V5, V6 Диод полупроводниковый 2С213Ж СМ3.362.825 ТУ 2
V7, V8 Транзистор 2П303А Ц23.365.003 ТУ 2
V9, V10 Диод полупроводниковый 2С213Ж СМ3.362.825 ТУ 2
VII Транзистор 2Т201Б СБ0.336.046 ТУ 1
V12...V14 Диод полупроводниковый Д223Б СМ3.362.018 ТУ 3
V15 Транзистор 2Т203Г ЩЫ3.365.007 ТУ 1
V16, V17 Диод полупроводниковый 2Д522Б дРЗ.362.029-01 ТУ 2
V18...V22 Диод полупроводниковый Д223Б СМ3.362.018 ТУ 5
Х2...Х6 Штырь ЕЭ7.740.385 5
56
Поз. обозна- чение Наименование Кол. Примечание
R9 ОМЛТ-0,125-33 к0м±5% 1
R10 ОМЛТ-0,125-120 Ом ± 10 % 1
R11 ОМЛТ-0,125-7,5 кОм±Ю% 1
R12 ОМЛТ-0,125-15 кОм±5% 1
R13 ОМЛТ-0,125-24 кОм±Ю% 1
R15 ОМЛТ-0,25-6,2 кОм±Ю% 1
R16 С2-29В-0,125-320 кОм±0,1 %-1,0-А 1
R17 С2-29В-0.125-35,2 кОм±0,1 %-1,0-А 1
R18 ОМЛТ-0,125-300 кОм±Ю% 1
R19 СП5-3-1Вт 10 кОм±Ю% Резисторы СП5-3 ОЖО.468.506 ТУ Резисторы ОМЛТ ОЖО.467.107 ТУ Резисторы С2-29В ОЖО.467.099 ТУ 1
R20 СП5-3-1Вт 1 кОм±Ю% 1
R21 СП5-3-1Вт 470 Ом±Ю% 1
R22 ОМЛТ-0,125-360 кОм±Ю% I
R23 ОМЛТ-0,125-1,5 кОм±Ю% 1
R24 СП5-3-1Вт 470 Ом±Ю% 1
R25 С2-29В-0,125-47 Ом±0,1 %-1,0-А 1
R26 С2-29В-0,125-407 Ом±0,1%-1,0-А 1
R28 ОМЛТ-0,125-20 кОм+10%, 1
R29 ОМЛТ-0,125-47 кОм±Ю% 1
R30, R31 С2-29В-0,125-2,87 кОм±0,1 %-1,0-А 2
R32 ОМЛТ-0,125-1 кОм±Ю% Резисторы С2-29В ОЖО.467.099 ТУ Резисторы ОМЛТ ОЖО.467.107 ТУ 1
R33 С2-29В-0,125-47 кОм±0,1 %-1,0-В 1
R34 ОМЛТ-0,125-15 кОм±Ю% 1
11
Поз. обозна- чение 1 Наименование Кол. Примечание
R35 ОМЛТ-0,125-30 кОм±5% 1
R36 ОМЛТ-0,125 -51 кОм ± 10 % 1
R37 ОМЛТ-0,125-110 кОм±5% 1
R38 ОМЛТ-0,125-15 кОм + 10% 1
R39 ОМЛТ-0,125-33 кОм±5% 1
R40 ОМЛТ-0,125-51 кОм±10% 1
VI, V2 Диод полупроводниковый 2Д522Б дРЗ.362.029 ТУ 2
V3 Транзистор 2П303А Ц23.3.65.003 ТУ 1
V4, V5 Диод полупроводниковый 2Д522Б дРЗ.362.029 ТУ 2
ТранзистЬры
V6 2П303А Ц23.365.003 ТУ 1
V7, V8 2Т326Б ЩТ0.336.003 ТУ О
V9 Диод полупроводниковый 2Д522Б дРЗ.362.029 ТУ 1
Транзисторы
V10 2Т312Б ЖК3.365.143 ТУ 1
VII 2Т203Г ЩЫ3.365.007 ТУ 1
V12 2Т312Б ЖК3.365.143 ТУ 1
Диоды полупроводниковые
V13 2С175Ж СМ3.362.825 ТУ 1
V14, V15 2С182Ж СМ3.362.825 ТУ 2
V16, V17 КД514А ТТ3.362.124 ТУ 2
Транзисторы
V18 2Т203Г ЩЫ3.365.007 ТУ 1
V19 2П303А Ц23.365.003 ТУ 1
V20 2Т203Г ЩЫ3.365.007 ТУ 1
V21 2П303А Ц23.365.003 ТУ 1
Х2 Штырь ЕЭ7.740.385 1
12
УСИЛИТЕЛЬ ВХОДНОЙ
Перечень элементов Тг5.171.038 ПЭЗ
Поз. обозна- чение Наименование Кол. Примечание
Al, А2 Усилитель Тг5.032.037 2
С Конденсатор КМ-5а-М47-51 пф± ±10% ОЖО.460.043 ТУ 1
Е1 Делитель ДНМ-101 Тг5.172.037 1
Е2 Делитель ДНМ-103 Тг5.172.050 1
KI, К2 Реле РВ-5А Тг5.670.005 2
Резисторы С2-29В ОЖО.467.099 ТУ Резисторы ОМЛТ ОЖО.467.107 ТУ
Rl, R2 С2-29В-0,1.25-49,9 кОм ±1 %-1,0-В 2
R3 С2-29В-0,125-5,11 кОм±1 %-1,0-В 1
R4 Резистор СП5-3-1Вт 100 Ом±Ю% ОЖО.468.506 ТУ 1
R5 ОМЛТ-0,125-10 кОм±Ю% 1
R6 ОМЛТ-0,125-100 кОм±Ю% 1
R7 ОМЛТ-0,125-24 кОм±Ю% 1
R8 ОМЛТ-0,125-30 кОм+5% 1
R9 ОМЛТ-0,125-82 кОм±5% 1
R10 ОМЛТ-0,125-10 кОм±Ю% 1
R11 ОМЛТ-0,125-100 кОм±Ю% 1
R12 ОМЛТ-0,125-5,1 кОм ± 10 % 1
R13 С2-29В-0,125-32 кОм±1 %-1,0-В 1
R14, R15 ОМЛТ-0,125-220 кОм+,10% 2
R16 Резистор С2-29В-0,125-4,99 Ом± ±10%-1,0-В ОЖО.467.099 ТУ 1
55
1. Gl, G2 — изолированные источники питания G1=G2=24B. 2. XI — печатные контакты.
3. Допускается замена резисторов ОМЛТ с отклонением ±1094 резисторами ОМЛТ более высокого класса точности.
Усилитель входной
Схема электрическая принципиальная
Й1
Unp.Kt
xs Защита
ХУ
Х5 Упр.К2
12
<
9,99к
В)
1. КТ1, КТ2 — контрольные точки.
2. XI — концевые печатные контакт
В)
№
0
Преобразователь R
К2 6
КЗ S
999к
3. Допускается замена резисторов ОМЛТ с отклонением ±10%
резисторами ОМЛТ более высокого класса точности
Схема электрическая принципиальная
1г CU or rtJUD А 1 CJ1D Перечень элементов Тг5.ОО8 К .002 ПЭЗ Поз. обозна чение Наименование Кол. Примечание
Поз. обозна- Наименование
чение Кол. Примечание R26 ОМЛТ 0,125-120 кОм±Ю% 1
R27 ОМЛТ-0,125-300 Ом±Ю% ОМЛТ-0,125-4,3 кОм±Ю% 1
А1 Усилитель Тг5.032.037 1 R28 1
А2 Микросхема 159НТ1Е ХМЗ.456.014 ТУ 1 R29 ОМЛТ-0,125-47 кОм ±10% 1
АЗ Микросхема 153УД1 ХМЗ.458.001 ТУ 1 R30 ОМЛТ-0,125-4,3 кОм±Ю% 1
Конденсаторы КМ-5 ОЖ0.460.043 ТУ R31 ОМЛТ-0,125-47 кОм± 10% 1
С2 КМ-5а-М750-330 пф±10% 1 R32 ОМЛТ-0,125-120 кОм ± 10 % 1
СЗ КМ-56-М1500-510 пф±10% 1 R33, R34 ОМЛТ-0,125-3 кОм±Ю% 2
С4 КМ-5а-М750-200 пф±10% 1 Резисторы ОМЛТ ОЖО.467.107 ТУ Резисторы СПб ОЖО.468.506 ТУ
Е1 Делитель ДНМ-104 Тг5.172.051 1 R35, R36 ОМЛТ-0,125-47 кОм±Ю% 2
Е2 Делитель ДНМ-107 Тг5.172.062 1 R37 ОМЛТ-0,125-240 кОм ±10% 1
KI, К2 Реле РВ-5А Тг5.670.005 2 : R38 ОМЛТ-0,125-47 кОм±Ю% 1
Резисторы СП5-ЗТ ОЖО.468.506 ТУ! Резисторы СП5-3 ОЖО.468.506 ТУ "L. astena.ru V к» ОМЛТ-0,125-200 Ом±Ю% 1
Резисторы ОМЛТ ОЖО.467.107 ТУ Резисторы С2-29В ОЖО.467.099 ТУ IIV W**. а Z--41 R40 ОМЛТ-0,125-1 кОм ±10% 1
R1 СП5-ЗТ 22 ом 10% 1 ' R41 СП5-3-1Вт 100 Ом±Ю% I
R2 СП5-3-1Вт 2,2 кОм±Ю% 1 R42 СП5-3-1Вт 150 Ом±Ю% 1
R3 СП5-3-1Вт 220 Ом±Ю% 1 VI Диод полупроводниковый 2Д522Б дРЗ.362.029 ТУ 1
• R4 СП5-3-1Вт 22 кОм±Ю% 1 V2 Транзистор 2Т203Г ЩЫ3.365.007 ТУ 1
R5, R6 ОМЛТ-0,125-1 кОм±Ю% 2 V3 Диод полупроводниковый 2Д522Б
R8 С2-29В-0,125-825 Ом±1%-1,0-В 1 дРЗ.362.029 ТУ 1
С2-29В-0,125-407 Ом±1%-1,0-В V4, V5 Транзистор 2Т201Б СБ0.336.046 ТУ 2
R9 1 V6, V7 Транзистор 2П304А СБ3.365.106 ТУ 2
R10 СП5-3-1Вт 150 Ом±Ю% 1 Транзисторы
R11 ОМЛТ-0,125-1 кОм±Ю% 1
V8...V11 2Т203Г ЩЫ3.365.007 ТУ 4
Резисторы ОМЛТ ОЖО.467.107 ТУ Резисторы С2-29В ОЖО.467.099 ТУ V12...V15 2Т312Б ЖК3.365.143 ТУ 4
Резисторы СП5-3 ОЖО.468.506 ТУ V16...V21 2П304А СБ3.365.106 ТУ 6
R12 ОМЛТ-0,125-51 кОм±Ю% 1 V22, V23 Диод полупроводниковый 2С139А СМ3.362.805 ТУ 2
R13 ОМЛТ-0,125-8,2 кОм±Ю% 1
14
53
Поз. обозна- чение Наименование
R1 Резисторы ОМЛТ ОЖО.467.107 ТУ Резисторы СП5-3 ОЖО.468.506 ТУ ОМЛТ-0,125-10 кОм±Ю% 1
R2 СП5-3-1Вт 22 кОм±Ю% 1
R3 ОМЛТ-О,125-200 кОм±Ю% 1
R4 Резисторы ОМЛТ ОЖО.467.107 ТУ Резисторы СПб ОЖО.468.506 ТУ ОМЛТ-0,125-10 кОм ±10% 1
R5 ОМЛТ-0,125-20 кОм±Ю% 1
R6 ОМЛТ-0,125-3 кОм±5% 1
R7 ОМЛТ-0,125-200 кОм±Ю% 1
R8 ОМЛТ-0,125-10 кОм±Ю% 1
R9 ОМЛТ-0,125-2 кОм±Ю% 1
R10 ОМЛТ-0,125-750 Ом±Ю% 1 '
RU ОМЛТ-0,125-510 Ом±Ю% 1
R12 СП5-3-1Вт 22 кОм±Ю% 1
R13 ОМЛТ-0,125-3,9 кОм±5% 1
R14 ОМЛТ-0,125-200 кОм±Ю% I
’ R15 ОМЛТ-0,125-51 кОм±Ю% 1
R16, R17 ОМЛТ-0,125-300 кОм±Ю% 2
R18 Резисторы ОМЛТ ОЖО.467.107 ТУ ОМЛТ-0,125-20 кОм±Ю% 1
R19, R20 ОМЛТ-0,125-30 кОм ±10%
R21 ОМЛТ-0,125-120 кОм±Ю% 1
R22, R23 ОМЛТ-0,125-30 кОм±Ю% 2
R24, R25 ОМЛТ-0,125-300 кОм±Ю% 2
52
Поз. обозна- чение Наименование Кол. Примечание
R14 ОМЛТ-О, 125-1,5 кОм±10% 1
R15 С2-29В-0,125-3,01 кОм±1 %-1,0-В 1
R16 С2-29В-0,125-1 МОм±1 %-1,0-В 1
R17 СП5-3-1Вт 22 кОм±10% 1
R18 С2-29В-0,125-1 МОм±1 %-1,0-В 1
R19 С2-29В-0,125-32 кОм±1 %-1,0-В 1
R20, 21 ОМЛТ-О,125-100 кОм±Ю% 2
Диоды полупроводниковые
VI, V2 Д223Б СМ3.362.018 ТУ 2
V3, V4 2Д522Б дРЗ.362.029 ТУ 2
V5 2С213Ж СМ3.362.825 ТУ 1
V6 Транзистор 2Т201Б СБ0.336.046 ТУ 1
V7 Диод полупроводниковый 2С191Ф ТТ3.362.125 ТУ 1
V8 Транзистор 2Т201Б СБ0.336.046 ТУ 1
V9 Диод полупроводниковый Д818Д СМ3.362.025 ТУ 1
V10 Диод полупроводниковый Д223Б СМ3.362.018 ТУ i
VII Транзистор 2Т203Г ЩЫ3.365.007 ТУ 1
V12...V17 Диод полупроводниковый 2Д522Б дРЗ.362.029-01 ТУ 6
Х2...Х5 Штырь ЕЭ7.740.385 4 ч
15
ЭК УПРАВЛЕНИЯ АЦП
нь элементов Тг5.139.040 ПЭЗ
Наименование 1 \ Кол. Примечание
1 Микросхема 159НТ1Е ХМЗ.456.014 ТУ 1
i । Конденсаторы КМ-5 ОЖ0.460.043 ТУ Конденсаторы КД ОЖО.460.154 ТУ Конденсаторы К50-6 ОЖО.464.107 ТУ
С1 КМ-5а-М750-1000 пф± 10% 1
’ С2 КМ-5а-М1500-3000 пф±10% 1
СЗ, С4 КМ-5а-М75-100 пф±10% 2
С5, С6 КМ-5а-М75-150 пф±10% 2
С7, С8 КМ-5а-М75-100 пф±10% 2
С9, СЮ КД-1-М75-7.5 пф±10%-3 2
СП КМ-5а-Н90-0,033 мкф 1
С12 КМ-5а-М1500-510 пф± 10% 1
С13...С15 К50-6-1-50в-5 мкф 3
Микросхемы
D1 134ХЛЗ 6К0.347.083 ТУ1 1
D2 134ЛБ2А 6К0.347.083 ТУ1 1
D3 134ЛБ1А 6К0.347.083 ТУ1 1
D4 136ЛАЗ И63.088.023 ТУ1 1
D5 134ЛР1А 6К0.347.083 ТУ1 1
L1...L3 Дроссель высокочастотный ДМ-0,4-16 мкГн+5% ГИ0.477.005ТУ 3
51
- Общий акнто
3,
Усилитель
Схема электрическая принципиальная
Допускается замена резисторов
ОМЛТ с отклонением ±10% рези-
сторами ОМЛТ более высокого клас-
са точности.
17
Поз. обозна- чение Наименование Кол. Примечание
D78 134ЛР1А 6К0.347.083 ТУ1 1
D79 134ТВ14 6К0.347.083 ТУ1 1
D80 134ХЛЗ 6К0.347.083 ТУ1 1
D81 134ЛБ1А 6К.0.347.083 ТУ1 1
D82 134ХЛЗ 6К0.347.083 ТУ1 1
D83, D84 134ЛБ1А 6К0.347.083 ТУ1 . 2
D85 134ЛБ2А 6К0.347.083 ТУ1 1
D86 134ЛБ1А 6К0.347.083 ТУ1 1
D87 134ЛР1А 6К0.347.083 ТУ1 1 -
Резисторы ОМЛТ ОЖО.467.107 ТУ
R1 ОМЛТ-0,125-10 кОм+10% 1
R2 ОМЛТ-0,125-200 Ом±Ю% 1
R3 ..R9 ОМЛТ-0,125-1 кОм±Ю% 7
R1O...R13 ОМЛТ-0,125-10 йОм±Ю% 4
R14, R15 ОМЛТ-0,125-1 кОм±Ю% 2
RI6 ОМЛТ-0,125-10 кОм±Ю% 1
R17 ОМЛТ-0,125-2,7 кОм±10°/0 1
R1’8, R19 ОМЛТ-0,125-1 кОм±Ю% 2
R20, R21 ОМЛТ-0,125-10 кОм±Ю% 2
S Блок переключателя П2К ТУ11ЕЩ0.360.037 ТУ 1 карта заказа ТгЗ.602.039 Д6
XI Розетка РГП2-44 Ф70.364.000 ТУ 1
Х2 Розетка РГП2-22 Ф70.364.000 ТУ 1
Х5, Х6 Розетка РГП2-44 Ф70.364.000 ТУ 2
48
УСИЛИТЕЛЬ
Перечень элементов Tr5.032.037 ПЭЗ
Поз. обозна- чение Наименование Кол. Примечание
Плата Тгб.673.801 1 П1
А Микросхема 153УД1 ХМЗ.458.001 ТУ 1
Конденсаторы К73-Н 11 ПЖП 4К1 TV 11 Конденсаторы КМ-5 ОЖ0.460.043 ТУГ Конденсаторы К53-4 1 ОЖО.464.037 ТУ v astena,rU^
Cl, С2 К73-11-63В-0.1 мкф±10% 2
сз КМ-56-ПЗЗ-36 пф±10% 1
С4 КМ-56-ПЗЗ-16 пф±10% 1
С5 К53-4-6-4,7±20% 1
С6 КМ-5а-Н90-0,068 мкф 1
С7 КМ-56-М75-100 пф±10% 1
Конденсаторы
С8 КМ-5а-М1500-2200 пф±5% ОЖ0.460.043 ТУ 1
С9 К53-4-15-2,2±20% ОЖО.464.037 ТУ 1
СЮ КМ-5а-М1500-2200 пф±5% ОЖ0.460.043 ТУ 1
Резисторы С2-29В ОЖО.467.099 ТУ Резисторы ОМЛТ ОЖО.467.107 ТУ
R1 С2-29В-0,125-20 кОм±1%-1,0-В 1
R2 С2-29В-0,125-32 Ом±1%-1,0-В 1
R3 ОМЛТ-0,125-3,6 кОм±5% 1
R4 ОМЛТ-0,125-2 МОм±5% 1
R5 ОМЛТ-0,125-27 кОм±5% 1
R6 ОМЛТ-0,125-2,7 кОм±5% 1
19
Поз. обозна- чение Наименование Кол. Примечание
Резисторы ОМЛТ ОЖО.467.107 ТУ
R7 ОМЛТ-0,125-20 кОм±5% 1
R8 ОМЛТ-0,125-1,5 кОм±Ю% 1
R9 ОМЛТ-0,125-360 кОм ±5 % 1
R1C ОМЛТ-0,125-510 кОм+5% 1
R11 ОМЛТ-0,125-5,1 кОм±5% 1
R12 ОМЛТ-0,125-1 кОм±5% 1
R13 ОМЛТ-0,125-270 кОм±Ю% 1
R14 ОМЛТ-0,125-470 кОм±5% 1
R15 ОМЛТ-0,125-150 кОм±5% 1
R16 ОМЛТ-0,125-51 кОм±Ю% 1
R17 ОМЛТ-0,125-30 кОм±10% 1
R18...R20 ОМЛТ-0,125-2,2 МОм±5% 3
R21 ОМЛТ-0,125-30 кОм±Ю% Резисторы ОМЛТ ОЖО.467.107 ТУ 1
R22 ОМЛТ-0,125-200 кОм±5% 1
R23 ОМЛТ-0,125-20 кОм±Ю% 1
Транзисторы
VI 2П306Б ТФ0.336.003 Ту' 1
V2 2П303А Ц23.365.003 ТУ 1
V3 2Т201Б СБ0.336.046 ТУ 1
V4 Диод полупроводниковый 2Д522Б дРЗ.362.029 ТУ 1
V5 Транзистор 2П303А Ц23.365.003 ТУ 1
А Плата Tr6.673.794 Микросхема 2ПС104А aA0.339.033 ТУ 1 1 П2
20
Поз обозна- чение Наименование Кол. Примечание
D50 134ТВ14 6К0.347.083 ТУ1 1
D51 134ХЛЗ 6К0.347.083 ТУ1 1
D52 134ЛБ1А 6К0.347.083 ТУ1 1
D53 134ТВ14 6К0.347.083 ТУ1 1
D54 133ЛАЗ И6/И63.088.023 ТУ7 1
D55 134ТВ14 6К0.347.083 ТУ1 1
D56 134ЛБ1А 6К0.347.083 ТУ1 Микросхемы 1
D57 134TBI4 6К0.347.083 ТУ1 1
D58 133ЛАЗ И6/И63.088.023 ТУ7 1
D59 134ЛР1А 6К0.347.083 ТУ1 1
D60—D63 134ЛР2А 6К0.347.083 ТУ1 4
D64 133ЛАЗ И6/И63.088.023 ТУ7 1
D65, D66 134ЛБ1А 6К0.347.083 ТУ1 2
D67 133ЛАЗ И6/И63.088.023 ТУ7 1
D68 134ЛР1А 6К0.347.083 ТУ1 1
D69 133ЛАЗ И6/И63.088.023 ТУ7 1
D70 134ЛБ2А 6К0.347.083 ТУ1 1
D71 133ЛАЗ И6/И63.088.023 ТУ1 1
D72 134ЛР1А 6К0.347.083 ТУ1 1
D73 134ЛБ1А 6К0.347.083 ТУ1 Микросхемы 1
D74 134ЛБ2А 6К0.347.083 ТУ1 1
D75 134ЛБ1А 6К0.347.083 ТУ1 1
D76 134ЛР1А 6К0.347.083 ТУ1 1
D77 134ТВ14 6К0.347.083 ТУ1 1
47
Поз. обозна- чение Наименование Кол. Примечание
D22 134ТВ14 6К0.347.083 ТУ1 1
D23 134ХЛЗ 6К0.347.083 ТУ1 1
D24 134ЛБ1А 6К0.347.083 ТУ1 1
D25 134ЛР1А 6К0.347.083 ТУ1 1
D26 134ХЛЗ 6К0.347.083 ТУ1 1
Микросхемы
D27 134ТВ14 6К0.347.083 ТУ1 1
D28 134ЛБ1А 6К0.347.083 ТУ1 1
D29, D30 133ТВ1 И6/И63.088.023 ТУ7 2
D31, D32 134ТВ14 6К0.347.083 ТУ1 2
D33 136ЛР4 И63.088.023 ТУ1 1
D34 134ЛБ1А 6К0.347.083 ТУ1 1
D35 134ЛБ2А 6К0.347.083 ТУ1 1
D36 134ЛБ1А 6К0.347.083 ТУ1 1
D37 134ЛР2А 6К0.347.083 ТУ1 1
D38 134ТВ14 6К0.347.083 ТУ1 I
D39 134ЛБ1А 6К0.347.083 ТУ1 1
D40, D41 133ЛАЗ И6/И63.088.023 ТУ7 2
D42 134ТВ14 6К0.347.083 ТУ1 1
Микросхемы
D43 134ЛБ2А 6К0.347.083 ТУГ 1
D44 134TBI4 6К0.347.083 ТУ1 1
D45, D46 134ЛБ2А 6К0.347.083 ТУ1 2
D47 134ТВ14 6К0.347.083 ТУ1 1
D48 133ЛАЗ И6/И63.088.023 ТУ7 1
D49 134ЛБ1А 6К0.347.083 ТУ1 1
46
Поз. обозна- чение Наименование Кол. Примечание
Конденсаторы
С1 К53-4-6-47±20% 0^0.464.037 ТУ 1
сз К73-1ЬбЗВ-0,1 мкф±10% ОЖО.461.093 ТУ 1
С4 КМ-5а-М1500-220 пф±10% ОЖО.460.043 ТУ 1
С5 К73-11-630В-8200 пф±Ю% ОЖО.461.093 ТУ 1
С6 КД-1-М75-3.9 пф±0,4-3 ОЖО.460.154 ТУ 1
Резисторы ОМЛТ ОЖО.467.107 ТУ
R1 ОМЛТ-О, 125-11 кОм ±5% 1
R2 ОМЛТ-О,125-43 кОм±5% 1
R3 ОМЛТ-О, 125-56,2 кОм±2% 1
Резисторы С2-29В ОЖО.467.099 ТУ Резисторы СП5 ОЖО.468.506 ТУ Резисторы ОМЛТ ОЖО.467.107 ТУ
R4 С2-29В-0,125-32 кОм±1 %-1,0-В 1
R5, R6 СП5-3 100 5% 2
R7 СП5-3 6,8 К 10% 1
R8 ОМЛТ-0,125-5,6 кОм±5% 1
R9 ОМЛТ-О, 125-24,9 Ом±2% 1
R10 ОМ Л Т-0,125 -2 МОм ± 10 % 1
R11 ' ОМЛТ-О,125-28 кОм±2% 1
R12 ОМЛТ-0,125-4,7 кОм±5% 1
R13 ОМЛТ-0,125-4,7 кОм±Ю% 1
R14 ОМЛТ-0,125-3,3 кОм±5% 1
R15 ОМЛТ-О,125-24 кОм±Ю% 1
R16, R17 ОМЛТ-0,125-3 кОм±Ю% 2
21
Поз. обозна- чение Наименование Кол. Примечание
Резисторы ОМЛТ ОЖО.467.107 ТУ
R18 ОМЛТ-0,125-390 Ом±Ю% 1
R19 ОМЛТОД25-ЮО Ом±10% 1
R20, R21 ОМЛТ-0,125-51 Ом±Ю% 2
VI Диод полупроводниковый 2Д522Б дРЗ.362.029 ТУ 1
Транзисторы
V2 2Т326Б ЩТ0.336.003 ТУ 1
V3 2П303А Ц23.365.003 ТУ 1
Диоды полупроводниковые
V4, V5 2Д522Б дРЗ.362.029 ТУ 2
V6, V7 2С182Ж СМ3.362.825 ТУ 2
V8, V9 ' Транзистор 2Т203Г ЩЫ3.365.007 ТУ 2
V10, VII Диод полупроводниковый 2Д522Б дРЗ.362.029 ТУ 2
22-
БЛОК УПРАВЛЕНИЯ
Перечень элементов Тг5.139.038 ПЭЗ
Поз. обозна- чение Наименование Кол. Примечание
Cl, С2 Конденсаторы КМ-5 ОЖО.460.043 ТУ Конденсаторы К53-4 ОЖО.464.037 ТУ КМ-5а-М1500-1200 пф±10% 2
СЗ КМ-5а-М1500-680 пф±10% 1
С4 К53-4-6-4,7+20% 1
С5 КМ-5а-М1500-200 пф+10% 1
D1 Микросхемы 133ИЕ2 И6/И63.088.023 ТУП 1
D2, D3 134ТМ2А 6К0.347.083 ТУ4 2
D4 133ЛАЗ И6/И63.088.023 ТУ7 1
D5 133ИЕ2 И6/И63.088.023 ТУН 1
D6, D7 134ТМ2А 6К0.347.083 ТУ4 2
D8 133ЛАЗ И6/И63.088.023 ТУ7 1
D9 133ИЕ2 И6/И63.088.023 ТУП 1
DIO, D11 Микросхемы 134ТМ2А 6К0.347.083 ТУ4 2
D12 133ЛАЗ И6/И63.088.023 ТУ7 1
D13 133ИЕ2 И6/И63.088.023 ТУ11 1
D14, D15 134ТМ2А 6К0.347.083 ТУ4 2
D16 133ЛАЗ И6/И63.088.023 ТУ7 1
D17 133ИЕ2 И6/И63.088.023 ТУН 1
D18, D19 134ТМ2А 6К0 347.083 ТУ4 2
D20, D21 133ЛАЗ И6/И63.088.023 ТУ7 2
45
astena.
м
w
1... 13 — концевые штыревые контакты платы А.
Блок вторичного электропитания
Схема электрическая принципиальная
БЛОК ВТОРИЧНОГО ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ
Перечень»элементов Тг5.087.090 ПЭЗ Поз. обозна- Наименование Кол. Примечание
чеиие
Поз. обозна- Наименование Кол. Примечание
чение Резисторы С2-29В ОЖО.467.099 ТУ Резисторы СП5-3 ОЖО.468.506 ТУ
Резисторы ОМЛТ ОЖО.467.107 ТУ
F Предохранитель ВП1-1-0,5 а ОЮ0.480.003 ТУ 1 R4 С2-29В-0,125-3,01 кОм±1 %-1,0-В 1
R5 СП5-3-1Вт 3,3 кОм±10% 1
Т Трансформатор Тг4.700.179 Транзистор 2Т903Б И93.365.004 ТУ 1 R6 1
С2-29В-0,125-6,49 кОм±1%-1,0-В
V 1
Вилка двухполюсная ВД1 R7 ОМЛТ-0,125-8,2 Ом±5% 1
X
га0.364.003 ТУ 1 R8 ОМЛТ-0,125-2,7 кОм±Ю% 1
R9 ОМЛТ-0,125-75 кОм±Ю% 1
А Плата Tr6.673.777 Диодная сборка 2Д906А 1 R10 1
С2-29В-0,125-3,01 кОм±1 %-1,0-В
А1
ТТ3.362.105 ТУ 1 R11 СП5-3-1Вт 3,3 кОм±Ю% I
А2 Микросхема 142ЕН1А ТРЗ.458.000 ТУ 1 Резисторы С2-29В ОЖО.467.099 ТУ Резисторы ОМЛТ ОЖО.467.107 ТУ
Конденсаторы К5О-6 ОЖ0.464.107 ТУ IIW astena.ru! -* R12 Резисторы СП5-3 ОЖО.468.506 ТУ С2-29В-0,125-6,49 кОм±1 %-1,0-В 1
Конденсаторы КМ-5 ОЖ0.460.043 ТУ R13 ОМЛТ-0,125-15 Ом±5% 1
С1 K50-6-II-25B-200 мкф 1 R14 1
ОМЛТ-0,125-2 к0м±10%
С2...С7 K50-6-II-15B-1000 мкф 6 параллельное
КМ-56-Н90-0.1 мкф С=6000 мкф R15 ОМЛТ-0,125-18 кОм ± 10 % 1
С8 1 R16 СП5-3-1Вт 3,3 кОм±Ю% 1
•С9 K50-6-I-10B-100 мкф 1
R17 С2-29В-0,125-1,69 кОм±1%-1,0-В 1
Резисторы ОМЛТ ОЖО.467.107 ТУ Резисторы СП5-3 ОЖО.468.506 ТУ Резисторы С5-16Т ОЖО.467.513 ТУ ОМЛТ-О,25-2 М0м±Ю% R18, R19 ОМЛТ-0,125-430 Ом±Ю% 2
Диоды полупроводниковые
R1 1
VI 2С212Ж СМ3.362.825 ТУ 1
R2 ОМЛТ-О,125-750 Ом± 10% 1 V2 2Д522Б дРЗ.362.029 ТУ 1
R3 СП5-3-1 Вт 3,3 кОм±10% 1
V3 2С212Ж СМ3.362.825 ТУ 1
R4 ОМЛТ-О,125-10 кОм±Ю% 1 V4 2Д522Б дРЗ.362.029 ТУ 1
R5 ОМЛТ-О,125-6,8 кОм±Ю% 1
R6 ОМЛТ-О,125-1,6 кОм±Ю% 1 •
24
41
С1АБИЛИЗА1ОР НАПРЯЖЕНИЯ Наименование Кол. Примечание
Перечень элементов Тг5.123.057 ПЭЗ Поз. обозна- чение
Поз. обозна- чение Наименование Кол. Примечание R7 ОМЛТ-0,125-18 кОм±Ю% 1
R8 С5-16Т 1 вт 0,82 ом 1% 1
А1...АЗ Диодная сборка 2Д906А ТТ3.362.Ю5 ТУ 3 .Резисторы
А4, А5 Микросхема 142ЕН2А 6К0.347.098 ТУ 2 R9 СП5-3-1Вт 680 Ом±Ю% ОЖ0.468.506 ТУ 1
А6 Микросхема 142ЕН1А 6К0.347.098 ТУ 1 - R10 С2-29В-0,125-407 Ом±1%-1,0-В ОЖО.467.099- ТУ 1
Конденсаторы К50-6 ОЖО.464.107 ТУ astenaaru] 1 R11 ОМЛТ-0,125-10 кОм±10% ОЖО.467.107 ТУ 1
Конденсаторы КМ-5 ОЖ0-460.043 ТУ
Cl, С2 СЗ K50-6-II-50B-200 мкф КМ-56-Н90-0.1 мкф 2 1 параллельное С=400 мкф VI, V2 Диоды полупроводниковые 2Д204В ТР3.362.066 ТУ 2
С4 K50-6-I-50B-20 мкф 1 V3 Д237В ТР3.362.021 ТУ 1
С5, С6 С7 К50-6-П-50в-200 мкф КМ-56-Н90-0.1 мкф 2 1 параллельное С=400 мкф V4 V5 2С213Ж СМ3.362.825 ТУ 2Д522Б дРЗ.362.029 ТУ 1 1
Конденсаторы К50-6 ОЖО.464.107 ТУ Конденсаторы КМ-5 ОЖО.460.043 ТУ V6 Транзистор 2Т201Б СБ0.336.046 ТУ 1
С8 К50-6-1-50в-20 мкф 1
С9 К50-6-П-15в-500 мкф 1
СЮ КМ-56-Н90-0.1 мкф 1 -
СИ К50-6-1-Юв-20 мкф 1
Резисторы ОМЛТ ОЖО.467.107 ТУ г
R1 ОМЛТ-0,125-8,2 Ом±5% 1
R2 ОМЛТ-0,125-2,7 кОм±Ю% 1
R3 ОМЛТ-0,125-82 кОм±Ю% 1
*
40
25
X — концевые печатные контакты.
Стабилизатор напряжения
Схема электрическая принципиальная
39
Поз. обозна- чение Наименование Кол. Примечание
R42 ОМЛТ-0,125-1 кОм±Ю% 1
R43 ОМЛТ-0,1:25-100 Ом± 10% 1
R44 СП5-3-1 Вт 2,2 кОм± 10% 1
VI Транзистор 2П304А СБ3.365.106 ТУ 1
V2 Диод полупроводниковый 2С182Ж СМ3.362.825 ТУ 1
V3, V4 Транзистор 2Т203Д ЩЫ3.365.007 ТУ 2
V5 Транзистор 2П304А СБ3.365.106 ТУ 1
V6 Диод полупроводниковый Д223Б СМ3.362.018 ТУ 1
V7 Транзистор 2П303А Ц23.365.003 ТУ 1
V8 Транзистор 2Т203Г ЩЫ3.365.007 ТУ 1
V9 Диод полупроводниковый Д223Б СМ3.362.018 ТУ 1
V10, VII Диод полупроводниковый 2Д522Б дРЗ.362.029 ТУ 2
Транзисторы
V12 2П303А Ц23.365.003 ТУ 1
V13 2Т201Б СБ0.336.046 ТУ 1
V14 2Т203Г ЩЫ3.365.007 ТУ 1
• Диоды полупроводниковые
V15 2С139А СМ3.362.805 ТУ 1
V16, V17 2С213Ж СМ3.362.825 ТУ 2
V18 Транзистор 2Т203Г ЩЫ3.365.007 ТУ 1
VI9 Транзистор 2Т608Б И93.365.013 ТУ 1
Диоды полупроводниковые
V20, V21 2Д522Б дРЗ.362.029 ТУ 2
V22, V23 2С213Ж СМ3.362.825 ТУ 2
V24...V27 2Д522Б дРЗ.362.029 ТУ 4
V28 Транзистор 2Т203Г ЩЫ3.365.007 ТУ 1
V29...V31 2Д522Б дРЗ.362.029 ТУ 3
38
БЛОК АНАЛОГОВЫЙ
Перечень элементов Тг5.103.113 ПЭЗ
Поз. обозна- чение Наименование Кол. Примечание
Изоляторы ИСШ ОЖ0.487.008 ТУ
Е1 ИСШ-1-250 1
Е2...Е5 ИСШ-1.4-1000-А 4
Е6 ИСШ-1-250 1
Е7...Е12 ИСШ-1.4-1000-А 6
Е13...Е15 ИСШ-1-250 3
Е16...Е19 ИСШ-1.4-1000-А 4
Е20 ИСШ-1-250 1
Е21, Е22 ИСШ-1.4-1000-А 2
Е23...Е32 ИСШ-1-250 10
Резисторы
R1 СП5-3-1Вт 22 кОм±Ю%
ОЖО.468.506 ТУ 1
R2, R3 СП4-1а-47 ком-А-12 ОЖО.468.045 ТУ е
Т Трансформатор Тг4.700.147 1
XI...ХЗ Наконечник ЕЭ7.750.162 3
Х4 Розетка Тгб.604.031 1
Х5...Х43 Наконечник ЕЭ7.750.162 39
А1 Плата объединительная Tr5.282.119 1
АЗ Преобразователь R Тг5.008.002 1
А4 Преобразователь U ~ Тг5.008.001 1
А5, А6 Диодная сборка 2Д906А
ТТ3.362.105 ТУ 2
А8 Усилитель входной Тг5.171.038 1
29
Поз. обозна- чение Наименование Кол. Примечание
А9 Блок управления АЦП Тг5.139.040 1
А10 Интегратор Тг5.107.006 Конденсаторы К71-4 ОЖО.461.086 ТУ Конденсаторы К50-6 ОЖО.464.107 ТУ Конденсаторы КМ-5 ОЖО.460.043 ТУ 1
Cl К71-4-0.01 мкф±10% 1
С2 К71-4-0.1 мкф±5% 1
СЗ К71-4-0,39 мкф±5% 1
С6, С7 К50-6-П-50в-50 мкф 2
С9, СЮ К50-6-П-50в-50 мкф 2
СП К71-4-0.01 мкф±10% 1
С12 КМ-5а-М750-1000 пф±10% 1
С13 КМ-5а-М75-100 пф±10% 1
К1,К2 Реле РВ-5А Тг5.670.005 Резисторы С2-29В ОЖО.467.099 ТУ Резисторы ОМЛТ ОЖО.467.107 ТУ 2
R1 С2-29В-0,125-1 Ом±1%-1,0-В 1
R2 ОМЛТ-0,125-680 кОм±Ю% 1
R3 ОМЛТ-0,125-200 Ом±Ю% 1
R4 ОМЛТ-0,125-1 кОм±Ю% 1
R5 С2-29В-0,125-100 кОм±1%-1,0-В 1
R13 ОМЛТ-0,25-3,3 МОм±Ю% 1
R14, R15 ОМЛТ-0,125-3,9 кОм±Ю% 2
R16 ОМЛТ-0,125-510 Ом±Ю% 1
Tl, Т2 Трансформатор Тг4.720.045 2
XI Штырь ЕЭ7.740.385 1
30
Поз. обозна- чение Наименование Кол. Примечание
R17 ОМЛТ-0,125-24 кОм+10% 1
R18 ОМЛТ-0,125-10 кОм±Ю% 1
R19 ОМЛТ-0,125-3 кОм±Ю% 1
R20 ОМЛТ-0,125-100 кОм±Ю% 1
R21 ОМЛТ-0,125-3 кОм±Ю% 1
R22 ОМЛТ-0,125-510 Ом±Ю% 1
Резисторы ОМЛТ ОЖО.467.107 ТУ
R23 ОМЛТ-0,125-24 кОм±Ю% 1
R24 ОМЛТ-0,125-3,9 кОм±5% 1
R25 ОМЛТ-0,1,25-6,8 кОм 1
R26 ОМЛТ-0,125-680 Ом±5% 1
R27 ОМЛТ-0,125-6,8 кОм±Ю% 1
R28 ОМЛТ-0,125-1 кОм±Ю% 1
R29 ОМЛТ-0,125-20 кОм±Ю% 1
R30 ОМЛТ-0,125-1 кОм±Ю% 1
R31 ОМЛТ-0,125-10 Ом±Ю% 1
R32 ОМЛТ-0,125-3,6 кОм±Ю% 1
R33 ОМЛТ-0,125-10 кОм±Ю% 1
Резисторы ОМЛТ ОЖО.467.107 ТУ
R35 ОМЛТ-0,125-51 кОм+10% 1
R36 ОМЛТ-0,125-100 Ом±10 % 1
R37 ОМЛТ-0,125-4,7 кОм± 10% 1
R38 ОМЛТ-0,125-12 кОм±5% 1
R39 ОМЛТ-0,125-24 кОм+5% 1
R40 ОМЛТ-0,125-2,4 кОм±10% 1
R41 ОМЛТ-0,125-200 Ом±Ю% 1
37
Поз. обозна- чение Наименование Кол. Примечание ^°3' °^озна’ чение Наименование Кол. Примечание
Конденсаторы Х2 Розетка РГП2-22 Ф70.364.000 ТУ 1
С15 КМ-5а-М1500-510 пф±10% Х7...Х13 Штырь ЕЭ7.740.385 7
ОЖО.460.043 ТУ 1
__,Х14 Контакт Тг7.732.407 1
С16...С18 О Розетка РГП2-22 Ф70.364.000 ТУ 1
С19.С20 К73-11-63В-0.1 мкф±10% 2 |Г 11 www- astena.ruj. Контакт Тг7.732.407 1 ,
D Микросхема 136 ЛАЗ И63 088.023 ТУ1 1 1» XI7 Штыоь ЕЭ7 740385 1
Резисторы ОМЛТ ОЖО.467.107 ТУ Х18 Контакт Тг7.732.407 1
R1 ОМЛТ-0,125-10 кОм±Ю% 1 Х19 Штырь ЕЭ7.740.385 1
R2 ОМЛТ-0,125-15 кОм±5% 1 Х20 Контакт Тг7.732.407 1
R3 ОМЛТ-0,125-1,5 кОм±Ю% 1 Х22, Х23 Штырь ЕЭ7.740.385 2
R4 ОМЛТ-0,125-39 кОм±Ю% 1 Х25, Х26 Штырь ЕЭ7.740.385 2
Резисторы ОМЛТ ОЖО.467.107 ТУ Х28...Х32 Штырь ЕЭ7.740.385 5
Резисторы СП5-3 ОЖО.468.506 ТУ
ХЗЗ Розетка РГП2-44 Ф70.364.000 ТУ 1
R5 ОМЛТ-0,125-120 кОм±5% 1
Х39 Штырь ЕЭ7.740.385 1 ч
|R6 СП5-3-1Вт 6,8 кОм±Ю% 1
Х40 Розетка РГП2-44 Ф70.364.000 ТУ 1
R7 ОМЛТ-0,125-5,6 кОм±5% 1 *
Х41, Х42 Штырь ЕЭ7.740.385 2
R8 ' ОМЛТ-0,125-39 кОм±Ю% 1
Х43 Розетка РГП2-22 Ф70.364.000 ТУ 1
R9 ОМЛТ-0,125-10 кОм±Ю% 1
Х44...Х54 Штырь ЕЭ7.740.385 11
RIO ОМЛТ-0,125-3,9 кОм±Ю% 1
А2 Блок коммутации реле Тг5.282.102 1
RH ОМЛТ-0,125-47 кОм±Ю% I
R12 ОМЛТ-0,125-1 МОм±Ю% 1 All Плата Тгб.673.812 1
R13 ОМЛТ-0,125-2 кОм±Ю% 1 X Розетка РГП2-22 Ф70 364.000 ТУ 1
А12 Стабилизатор напряжения
Резисторы ОМЛТ ОЖО.467.107 ТУ Тг5.123.057 1
R14 ОМЛТ-0,125-39 кОм±10% 1
R15 ОМЛТ-0,125-10 кОм ±10% 1
R16 ОМЛТ-0,125-3,6 кОм±Ю% I
36
31
ИНТЕГРАТОР
Перечень элементов Тг5.107.006 ПЭЗ
Поз. обозна- чение Наименование Кол. Примечание
Микросхемы
А1 2ПС104А aAQ.339.033 ТУ 1
А2 140УД1Б 6К0.347.004 ТУ 1
АЗ 159НТ1Е ХМЗ.456.014 ТУ 1
Конденсаторы
Cl, С2 К53-4-6-10±20% ОЖО.464.037 ТУ 2
СЗ К73-11-63В-0.1 мкф±10% ОЖО.461.093 ТУ 1
С4 КМ-5а-М75-100 пф±10% ОЖ0.460.043 ТУ 1
С5 КМ-5а-М47-36 пф±10% ОЖ0.460.043 ТУ 1
Конденсаторы КМ-5 ОЖ0.460.043 TJ^ Конденсаторы К73-11 || ОЖО.461.093 ТУ |1« Конденсаторы К71-4 11 ОЖО.461.086 ТУ |U Конденсаторы КД ОЖ0.460.154-ТУ jstena-f*
С6 КМ-5а-Н90-0,015 мкф 1
С7 К73-11-63В-0.1 мкф±10% 1
С8 К71-4-2.2 мкф±10% 1
С9, СЮ КМ-5а-М47-36 пф±10% 2
СИ КД-1-М75-3.9 пф±0,4-3 1
С12 КМ-5а-Н90-0,068 мкф 1
CJ3 КМ-5а-М47-36 пф±10% 1
С14 КМ-5а-Н90-0,068 мкф 1
35