Класс 12с, 2
№ 72182
СССР
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛьТзтВ^^~~~
К г ПАТЕНТ ДГ <;
• ' '' ГЕХ«К'”СКАЯ 
А. А. Штернберг |	Р,?-''НСТГГД
СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЬ1РАЩИВАНЙЯ"КРЙСТА7ТЛиВ"
Заявлено 30 июня 1947 г. за № 357756 в Министерство
промышленности средств связи СССР
Для однородности питания растущего кристалла сегнетовой соли
автором разработан способ выращивания кристаллов в растворе.
В кристаллизатор 1 цилиндрической формы (см. чертеж) полезной
емкостью 7—9 л наливают раствор, насыщенный при 42е и нагретый до
52°. Кристаллизатор накрывают стеклянным диском Д охваченным для
обеспечения герметичности резиновым кольцом 3. В центре крышки
вмонтирована бронзовая направляющая втулка 4, в которую вставлена
вертикально вращающаяся ось — кристаллоносец 5; он имеет кони-
ческую форму, которая обеспечивает легкий съем кристалла. В самом
низу нарезаны два паза: кольцевой, предупреждающий спадение
кристалла с оси, и вертикальный, предупреждающий проворачивание
кристалла.
По мере роста кристалл врастает в эти пазы и укрепляется на оси.
Кристаллоносец оканчивается стальной шпилькой 6, к которой воском
приклеивают затравку 7, имеющую следующие размеры по осям: Х=1,5;
У—0,8; Z—5,0.
Верхняя часть затравки на 5 мм отстоит от низа кристаллоносца.
Вся затравка, за исключением верхнего среза, покрывается слоем воска
и таким образом оказывается как бы в восковой сумочке, предохраняю-
щей ее от растворения при погружении в сильно перегретый раствор.
После охлаждения растет верхняя грань затравки площадью всего
1 мм2, что исключает необходимость тратить время на регенерацию за-
травки.
Кристаллик, вырастая под восковой сумочкой, охватывает тонкую
шпильку и, развиваясь во все стороны, укрепляется на кристаллоносце,
врастая в пазы.
При непрерывном вращении кристалла со скоростью 30—60 обjмин
происходит его рост при снижении температуры раствора.
Вначале устанавливается температура на 1,5е ниже температуры
насыщения раствора; при этом кристаллы растут со скоростью 10 мм. в
сутки по оси Z. Для поддержания этого пересыщения суточный спад
температуры рассчитан по формуле:	,
где Н v—искомая температура; х— длительность роста в сутках; V—
объем раствора; Уо—исходная температура.
№ 72182
- 2 ~
Технические преимущества этого метода заключаются в следующем.
1.	Максимальное использование объема кристаллизаторов и
раствора.
В кристаллизаторе емкостью 8 л вырастает кристалл весом 4 ка;
при этом, по мере роста и приближения кристалла к стенкам сосуда,
условия обмывания его поверхности улучшаются, чего нельзя достигнуть
иным методом перемешивания.
2.	Рост кристалла начинается от точечной затравки, что исключает
наследственные искажения кристаллической решетки.
3.	Затравка погружается в сильно перегретый раствор (на 10°), что
предохраняет от паразитических кристаллов.
4.	Выращивание производится при значительном переохлаждении
(1,5°), чем достигается большая скорость роста кристаллов (в среднем.
3,5 мм за 20 дней) и снижаются требования к терморегулировке.
Предмет изобретения
I. Способ для выращивания кристаллов сегнетовой соли, отли-
чающийся тем, что затравку кристалла перед внесением в пересы-
щенный раствор заключают в восковую или из другого подобного ма-
териала оболочку.
2. Устройство для осуществления способа по п. 1 с применением
кристаллодержателя, отличающееся тем, что кристаллодержатель
снабжен на своем нижнем конце кольцевой выточкой и продольной
сквозной щелью с целью самоукрепления кристалла на кцисталло-
держателе.
Редактор Н. А. Седов Техред А. А. Камышникова Корректор Л. Комарова
Лоди, к печ. I.III-61 г.	Формат бум. 70X1087ig Объем 0,17 усл. п. л.
Зак. 10690	Гараж 220	Цена 3 коп.
ЦБТИ при Комитете по делам изобретений и открытий
при Совете Министров СССР
Москва, Центр, М. Черкасский, пер., д. 2/6
Типография ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий
при Совете Министров СССР, Москва, Петрочка, 14.