Текст
о
В. И. Галкин
А.Л. Булычев
В. А. Прохоренко
ПРОВОДНИКОВЫЕ
П РИ БОРЫ
Djvu version (с) Andrey М. Subtelnik
E-Mail: HomeStation@tut.by, FidoNet: 2:454/5.69
ББК 32.852я2
Г15
УДК 621 382(035 5)
Рецензент
II. И. ОВСЯННИКОВ,
кандидат технических наук
2403000000—338
Г---------------— 71-87
М 301(03)—87
© Издательство
«Беларусь», 1979
ф Издательство
«Беларусь», 1987,
с изменениями
1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ диоды
1Л< Система обозначений
полупроводниковых диодов
В соответствии с ГОСТ 15133—77 полупроводнико-
вым диодом называют электропреобразовательпый полупровод-
никовый прибор с одним электрическим переходом и двумя
выводами.
Полупроводниковые диоды классифицируются по исходному
материалу, технологии изготовления, площади р-п-перехода,
назначению или области применения.
Кроме одиночных диодов промышленностью выпускаются
диодные сборки, столбы и блоки, которые состоят из специально
подобранных диодов, помещенных в один корпус.
Для полупроводниковых диодов используются системы обо-
значений в соответствии с ГОСТ 5461—59, 10862—64, 10862—72,
OCT 11 336.038—77.
Согласно ГОСТ 5461—59 система обозначений включала
три элемента.
Первый элемент обозначения — буква Д, второй — число,
указывающее на материал, конструктивные особенности или
область применения;
Точечные германиевые —
1...100
Точечные кремниевые —
101...200
Плоскостные кремниевые —
201...300
Плоскостные германие-
вые 301...400
Смесительные СВЧ детек-
торы — 401 ...500
Умножительные — 501. .600
Видеодетекторы — 601...700
Параметрические германие-
вые — 701...749
Пар аметрические крем мие-
вые — 750...800
Стабилитроны — 801...900
Варикапы - 901...950
Туннельные — 951... 1000
Выпрямительные столбы —
1001..1100
Третий элемент — буква, обозначающая разновидность при-
бора.
В 1964 г. была утверждена новая система обозначений
полупроводниковых диодов (ГОСТ 10862—64), в соответствии
с которой маркировка вновь разрабатываемых полупроводни-
ковых диодов включает четыре элемента.
Первый из них — буква или цифра, указывающие на исход-
ный материал (Г или I — германий; К или 2 — кремний; Л или
3 — арсенид галлия либо другие соединения галлия).
3
Буква употребляется при обозначении диодов, предназна-
ченных для аппаратуры широкого применения, а цифра — для
диодов, используемых в аппаратуре специального назначения.
Второй элемент — буква, обозначающая класс или группу
диодов.
Третий — трсхзначпое число, определяющее назначение или
электрические свойства диодов (табл. 1).
Четвертый элемент — буква, указывающая на разновидность
типа из данной группы полупроводниковых диодов.
Начиная с 1973 г. вновь разрабатываемые полупроводни-
ковые диоды маркируются согласно ГОСТ 10862—72. Их обо-
значение состоит из шести элементов.
Первый из них — буква (Г, К, А) или цифра (1,2, 3), обо-
значающие исходный материал.
Второй — буква, указывающая на класс днода (табл. 2).
Третий элемент — цифра — назначение диода (табл. 2).
Четвертый и пятый элементы обозначения полупроводни-
ковых диодов (кроме стабилитронов и стабисторов) — это по-
рядковый помер разработки технологического типа (от 01 до 99).
В обозначениях стабилитронов и стабисторов третий элемент
является показателем мощности, четвертый и пятый — номи-
нального напряжения стабилизации (табл. 3).
Шестой элемент обозначения диодов, дииисторов и трнни-
сторов определяет деление технологического типа на парамет-
рические группы, а стабилитронов и стабисторов— последова-
тельность разработки и маркируется буквами русского алфа-
вита от А до я.
С 1977 г. разрабатываемые полупроводниковые диоды, ти-
ристоры и оптоэлектронные приборы обозначаются согласно
отраслевому стандарту ОСТ 11 336.038—77. Маркировка вклю-
чает семь элементов.
Первый элемент — буква или цифра, указывающие на мате-
риал: Г или 1 — для германия и его соединений; К нлн 2 —
кремния и его соединений; А или 3 — соединений галлия; И или
4 соединений индия.
Второй — буква, означающая подкласс прибора (табл. 4).
Третий — цифра (или буква для оптопар), характеризую-
щая один из основных признаков прибора (табл. 4).
Четвертый, пятый и тестой элементы — порядковые номера
разработки технологического типа прибора.
Седьмой - - буква, условно соответствующая классификации
по параметрам приборов одного технологического типа.
Прн необходимости указать отдельные конструктивно-тех-
нологические особенности прибора предусматривается введение
в обозначение дополнительных символов:
буквы С после второго элемента — для наборов в общем
корпусе однотипных приборов, не соединенных электрически
или соединенных одноименными выводами;
цифр, написанных через дефис, после седьмого элемента —
для бескорпусных приборов;
4
буквы Р после последнего элемента —для СВЧ приборов
с парным подбором;
буквы И после второго элемента — для импульсных тири-
сторов.
Условные графические изображения полупроводниковых
диодов и тиристоров представлены на рис. 1.1.
Рис. 1.1. Условные графические обозначения полупровод-
НИКОВЫХ диодов и iiipuciupuB'
а выпрямите,-ьный диод (ciuiO, блик), нмгулъспыи и универсальным
диод. 6 -туннельной диод, в — обращенный лнод. г - односторонний
с [ аби/ итрон, о — двухсторонний (двуханоднын) с-аб,[литрон, е ~ вз-
рпкап, ж варнкЕпиая патрица, а — светоизлучающий дюд, д — диод-
ный тристоэ (дииистор), к — диодный симметричный тиристор, л — не-
запираемом трннистор. управляемый по катоду, л -- незапнрявмый
трииистор хправлпемый по а юду; н— запираемый грннистор, упраэ-
тясмый по ьатодх с. запираемый тринистор, управляемый по аноду
1. Второй и третий элементы обоз манен ян
полупроводниковых диодов по ГОСТ 10862 — 64
Тип ленда
В. орой
и '.емент
Третий
элемент
Низкой и высокий частоты:
выпрямительные
универсальные
импульсные
Сверхвысокочастотные;
смесительные
видеодстскторы
101...399
401,. 499
50!.. 599
101...199
201. 299
5
Продолжение табл. 1
Тип диода В 1 орои i JVML4! Г 1 Третий элемент
модуляторные 301 399
параметрические 401 499
переключающие 5(11. 599
умножительные 601 699
Варикапы В 101. .999
«Фотодиоды ф 101...199
Динисторы (диодные тиристоры) мощности: н
м ал ой 101...199
средней 201.. 299
большой 301...399
Туннельные диоды: и
усилительные 101...199
генераторные 201 .299
переключающие 301...399
обращенные 401...499
Стабилитроны малой мощности (Р 0,3 Вт) с напряжением стабилизации, В: с
0,1...9,9 101...199
10...99 201...299
100...199 301...399
Стабилитроны средней мощности (0,3 <' Р ьС 5Вт) с напряжением стабилизации, В: с
0,1...9,9 401..499
10...99 501...599
100...199 601...699
Стабилитроны большой мощности (Р 5 Вт) с напряжением стабилизации, В: с
0,1...9,9 701...799
10...99 801...899
100...999 901...999
Выпрямительные столбы мощности: ц
малой (/ 0,ЗА) 101...199
средней (/пр ср > 0,ЗА) 201...299
Выпрямительные блоки мощности: малой (/ ^0,ЗА) 4 пр ср ’ ' средней (0,ЗА < /пр ср < 10А) Ц 301,.399 401..499
большой (/ >> ЮЛ) ' пр ср 7 501...599
2. Второй и третий элементы обозначения полупроводниковых диодов
по ГОСТ 10862—72
Тип диода
Выпрямительные диоды мощности:
малой (/ Ср 0.3 А)
средней (0,3 А < /пр ср < 10А)
Универсальные 1000 МГц)
6
Продолжение табл. 2
Тип диода Второй Т ретий
элемент элемент
Импульсные: д
(впс >• 150 нс 5
30 нс < /В0(, 150 пс 6
5 нс < /ипр 30 нс 7
1 НС < < 5 НС 8
Сое НС 9
Сверхвысок оч а стсл’пыс’ А
смесительные 1
детекторные 2
параметрически? 4
регулирующие (переключательные, огра-
ничительные и модуляторные) 5
умнэжительные 6
генераторные 7
Варикапы: В
подстроечные , 1
умиож ител иные (пи рак горы) 2
Туннельные и обращенные: И
усилительные 1
генераторные 2
псрсключательн ые 3
обращенные 4
Излучающие: , л
инфракрасного диапазона 1
светодиоды с яркостью до 500 нт 3
светодиоды с яркостью более 500 нт 4
Динистиры (диодные тир и с горы) мощности: н
малой (/ 0,3А) 1
средней (0,ЗА</ ^10А) 2
Выпрямительные столбы мощности: ц
малой (/ир ср< О,ЗА) 1
средней (О.ЗА < /пр ср < ] ОА) 2
Выпрямительные блоки мощности: ц
малой (/Пр ср <0,ЗА) 3
средней (О.ЗА < /пр ср < 1 ОА) 4
Диоды Ганна Б —
Генераторы шума Г —
Стабилизаторы тока К —
Стабилитроны и стабисторы С •
3. Третий, четвертый и пятый элементы обозначения стабилитронов
и стабисторов
Стабилитроны и стабисторы Третий элемент Четвертый и пятый элементы
Мощностью не более 0,3 Вт с напряжением стабилизации, В:
7
Продолжение табл. 3
Стас5»^'1итр1>ны । стабисторы Третий Четвертый и
элемент пятый элементы
м снес 10 1 01 99
1С.. 99 2 10 99
100 .199 3 00 ..99
Мощностью от G.3 л» 5 Вт с напряжением
стабилиэЕщи и, В ’
менее L0 4 01...99
IO...99 5 10...99
1OD...1 Э9 6 00...99
Мощностью от 5 д,о 25 Вт с напряжением
ставЗилизаци и, В:
менее 1 0 7 01...99
10.99 8 10.. 99
IOD.199 9 00...99
4. В порой и третий элементы обозначения полупроводниковых диодов
и тиристоров по ОСТ 11 336.038—77
Тни диода Второй элемент (подкласс} Третий элемент
Выпряммтельные диоды д
р ер < О,ЗА 1
О,-ЗА< ТИр.ср < ЮА 2
Маг иитодиоды л тергчодиоды д 3
Импульсные дисды: д
^ВСЗ" НС 4
150 нс 500 нс 5
30 нс <С 150 нс б
5 нс < Л,,,. 30 нс 7
I UCC 4ОС- с: О нс 8
^вс: 1 Вып уямительны е столбы: и 9
pi ср 0,3 а 1
0,ЗА</прф 10 А 2
Выпрямительные блоки: ^пр ср 0аЗ А. 0,3 А < /пр ср i о А ц 3
4
Вар ыкапы: в
подстр □ еч пые I
ум нож ит’ел ьньде Туннельные диоды: и 2
Усилительные 1
генераторные 2
пс“реклкэчател ыше 3
Обращенные диады И 4
Сверквысокочастотн ые диоды; А
смесител ьныс 1
8
Продолжение табл 4
Тип диода Егором a it мент (поде, часе) Трети й элемент
детекторные 2
усилительные 3
параметрические 4
переключательные и ограничительные 5
умножительнъте и наораенные 6
генераторные 7
прочие 8
Стабилитроны. мощностью ле более 0,3 Вт с напряжением стабилизации, В: С
менее 10 1
от 10 до 100 2
более 100 мощностью от 0,3 до 5 Вт с напряжением стабилизации, В: 3
менее 10 4
от 10 до 100 5
более 100 мощностью от 5 до 10 В г с напряжением стабилизации, В: 6
менее 10 7
от 10 до 100 8
более 100 9
Генераторы шума: г
низкочастотные 1
высокочастотные 2
Излучающие оптические приборы информа- ционного излучения: л
диоды 1
модули Визуального представления информации: 2
светоизлучающие диоды 3
знаковые индикаторы 4
знаковое табло 5
шкалы 6
экраны 7
Триодные тиристоры: ^отнр ср та< 0»3 А ИЛИ 7откр и тах 1 а А У
незапираемые 1
запираемые 3
симметричные при 0,3 А /ОТКр Ср щах 10 А ИЛ н 1 5 А < /,)ТЮ и max 1 ®0 5
незапираемые 2
запираемые 4
симметричные при /и1Кр Ср тах > 10 А или /0ТКр lt 100 А б
незапираемые 7
запираемые 8
симметричные 9
9
1.2. Электрические параметры
полупроводниковых диодов
Термины, определения и буквенные обозначения
электрических параметров полупроводниковых приборов уста-
навливаются ГОСТами
Обозначения некоторых основных параметров приведены r
табл 5, а специальных — в разделах, где описаны соответст-
вующие приборы,
5. Общие электрические параметры
Термины Буквенные обозначения Опрсде тения
Постоянное прямое ^пр Постоянное значение прямого на-
напряжение диода пряжения, обусловленное постоян-
Импульсное прямое Упри пым прямым током диода Для тун- нельного диода постоянное прямое напряжение и постоянный прямой ток определяются на Второй восхо- дящей ветви вольт-амперной харак- теристики Наибольшее мгновенное значение
напряжение диода прямого [[а пряжен ня, обусловлен-
Постоянное обратное Дбр ное импульсным прямым током дио- да заданной величины
напряжение диода Импульсное обратное и w обр и Мгновенное значение обратного на-
напряжение диода пряжения диода
Среднее прямое на- Пр ср Среднее за период значение прямо-
пряжение диода го напряжения диода при заданном
Пробивное напряже- ^проб среднем прямом токе Значение обратного напряжения,
ние днода вызывающее пробой перехода дно-
Постоянный прямой /пр да, при котором обратный ток до- стигает заданной величины
ток диода Импульсный прямой ^пр и Наибольшее мгновенное значение
ток днода прямого тока днода, исключая по-
Средний прямой ток Л1р ср Вторяющиеся н неповторяющнсся переходные токн Среднее за период значение пря-
диода мото тока днода
Постоянный обратный Л1бр *—-
ток диода
Импульсный обрат- об р и Наибольшее мгновенное значение
иый ток диода обратного тока диода, обусловлен-
Прямая рассеиваемая ^пр ного импульсным обратным напря- жением Значение мощности, рассеиваемой
мощность днода диодом при протекании прямого
ч ока
10
Продолжение табл 5
Термины Буквенные обоз начения Определения
Средняя рассеивае- мая мощность диода Рср Среднее за период значение мощ- ности, рассеиваемой диодом при протекании прямого и обратного ГОКОВ
Общая емкость диода Значение емкости между выводами диода при заданном режиме
Емкость перехода ди- ода ^'пер Общая емкость диода без емкости корпуса Если диод имеет p-i-ti структуру, допускается использо- вать термин «емкость структуры» и буквенное обозначение ССТр
Дифференциальное сопротивление диода Гднф Отношение малого приращения на- пряжения диода к малому прира- щению тока в нем при заданном
Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда ди- ода тэф реж нму Величина, характеризующая ско- рость убывания концентрации не- равновесных носителей заряда дио- да вследствие рекомбинации как в объеме, так и на поверхности полупроводника Эффективное время жизии опре- деляется по соотношению l/^эф */^об Н- 1/^ПОВ’ где т^ф — эффективное время жиз- ни, тоб — объемное время жизни, тпоВ — поверхностное время жизни
Заряд восстановления диода Фвос Накопленный заряд диода, вытека- ющий во внешнюю цепь при пе- реключении днода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение Заряд восстановления включает накопленный заряд и заряд емкости обедненного слоя Заряд восстановления является суммой зарядов запаздывания и спада
Время обратного вос- становления диода ^вос обр Время переключения диода с за- данного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождений тока через нулевое значение до момента достижения обратным током заданной вели- чины
Примечании 1 К буквенному инден у мякгимяльно допустимых значений
параметров добавляются «шах» или v mtn»
2 Кроме параметров указанных в табл 5 (соответствующих ГОСТ 25529—82),
индексом А/ обозначается диапазон рабочих частот диода
11
1.3. Выпрямительные и универсальные диоды
Элек! ричес кие параметры выпрями гепьных диодов
и сборок приведены в табл 6— 1 1, а их вш пиши гид и размеры —
на рис 1 2—1 10 Электрические параметры универса |ьных дио-
дов указаны в табл 12, а их внешний вид и рашсры <м на
рис 1 11
6. Выпрямительные диоды малой мощности
Тип дисда ^пр ср Л111 i < * 1 р Ц> ' rip при 1 t) Л ср ср Ообр) при ё0£р i;i. мкЛ Преде 1 ьпые режимы б Мапри КрНС 1 11 I 3 l |омер pнсу и кa
^обр max of р н та ) В Р ср 1(1 0вп ср 'ип ) мА iU 1 мА
в мА
1 2 3 4 5 6 7 а *3 10
Д7А 0,5 300 100 50 300 — 2 Gc 1 2, a
Д7Б 0,5 300 100 100 300 — 2 Ge To же
Д7В 0,5 300 100 150 300 2 Ge »
Д7Г 0,5 300 100 100 200 — 2 Gc »
Д7Д 0,5 300 100 300 300 — 2 Ge
Д7Е 0,5 300 100 350 300 2 Ge »
Д7Ж 0,5 300 100 400 300 — 2 Ge
Д206 1 100 100 100 100 1 Si
Д207 1 100 100 200 100 — 1 Si »
Д208 1 100 100 300 100 — 1 Si
Д209 1 100 100 400 100 — 1 Si »
Д210 1 100 100 500 100 — 1 Si »
Д2И 1 100 100 600 100 — 1 Si »
МД217 1 100 75 800 100 — 1 Si »
МД218 1 100 75 1000 100 1 Si »
МД218А 1 100 50 1200 100 — 1 Si »
Д226 1 300 50 400 300 — 1 Si 1 2, 6
Д226А 1 300 50 300 300 — 1 Si To же
Д226Б 1 300 100 400 300 1 Si »
Д226В 1 300 100 300 300 — 1 Si »
Д226Г 1 300 100 200 300 — 1 Si »
Д226Д 1 300 100 100 300 1 Si »
КД102А 1 (50) (0,1) 250 (100) 500 4 Si 1 2, в
КДЮ2Б (1) (50) (1) 300 (100) 500 4 Si To же
КД ЮЗА (1) (50) (0,5) 50 (100) 2000 — Si
КДЮЗБ (1.2) (50) (0,5) 50 (100) 2000 — Si »
КД Ю4 А (1) (10) (3) 300 (10) 10 Sl »
КД105Б 1 300 100 (400) 300 15 1 Si 1 2, e
КД Ю5В 1 300 100 (600) 300 15 1 Sl To же
КДЮ5Г 1 300 100 (800) 300 15 1 Si »
2Д106А (1) (300) (10) 100 (300) 3000 10 Sl 1 2, г
2 Д108А (1,5) (100) 150 (800) 100 — 1 Si 1 2, a
2Д108Б (1.5) (100) 150 (1000) 100 ** I-- 1 Si To же
КДЮ9А1 1 300 100 (100) 300 — 10 Si 1 2, d
КДЮ9Б1 1 300 100 (300) 300 10 Si To же
12
Продолжение табл 6
1 о 3 4 о 6 7 8 9 10
КД 109В1 1 300 100 (600) 300 10 Si
КДС1ИА2 1,2 100 (3) 300 (200) 20 Si 1 2, яс, з
КДС111Б3 1,2 100 (3) 300 (200) — 20 Si 1 2, ж, и
КДС111В1 1,2 100 (3) 300 (200) — 20 Si 1 2, ж, к.
’ Положительный вывод маркируется цветной точкой
г Маркируется красной точкой у первого вывода
3 Маркируется 1еленон точкой у первого вывода
4 Маркируется желтой точкой у первого вывода
2ДШ
в
Рис 12 Внешний вид и основные размеры выпрямительных диодов
малой мощности
13
7. Выпрямительные диоды средней мощности
Предельные —
- режимы
||р f, Cl св
hip ср 45 к
Тип диода Ри Л.р) ю" 5 г- *3 Номер
с 2 р сч 1 рисунка
v О е = Е « х
В А °- т* о cl сх Ок о CL. kJ t ° ri а. £ £
с —
1 2 3 1 4 5 6 г У a
Д229А 1 0,4 0,05 200 0,4 1 Si 1.3, a To же
Д229Б 1 0,4 0,05 400 0,4 1 Si
Д229В 1 0,4 0,2 100 0,4 1 Si
Д229Г 1 0,4 0.2 200 0,4 1 Si »
Д229Д 1 0,4 0.2 300 0,4 1 Si
Д229Е 1 0,4 0,2 400 0,4 1 Si
Д229Ж 1 0,7 0,2 100 0,7 1 Si
Д229И I 0,7 0,2 200 0,7 1 Si
Д229К 1 0,7 0,2 300 0,7 1 Si
Д229Л 1 0,7 0.2 400 0.7 1 Si X
Д231 1 10 3 300 10 1,1 Si 1.3, 6
Д231 А 1 10 3 300 10 и Si To же
Д231Б 1,5 5 3 300 5 и Si »
Д232 1 10 3 400 10 1.1 Si
Д232А 1 10 3 400 10 1,1 Si
Д232Б 1,5 5 3 400 5 1,1 Si »
Д233 1 10 3 500 10 1,1 Si »
Д233Б 1,5 5 3 500 5 1,1 Si »
Д234Б 1,5 5 3 600 5 1,1 Si »
Д242(Д214) 1,2 10 3 100 10 1.2 Si »
Д242А(Д214А) 1 10 3 100 10 1,2 SI
Д242Б(Д214Б) 1.5 5 3 100 5 1,2 Si »
Д243(Д215) 1,2 10 3 200 10 1,2 Si »
Д243А(Д215А) 1 10 3 200 10 1,2 Si »
Д243Б(Д215Б) 1,5 1,2 5 3 200 5 1.2 Si »
Д245(Д231) 10 3 300 10 1,2 Si
Д245А(Д231А) 1 10 3 300 10 1,2 Si >:
Д245(Д231Б) 1,5 5 3 300 5 1,2 Si *
Д246(Д232) 1,9 10 3 400 10 1,2 Si
Д246А(Д232А) 1 10 3 400 10 1,2 Si
Д246Б(Д232Г>) 1,5 5 3 400 5 1,2 Si »
Д247(Д233) 1,2 10 3 500 10 1,2 Si
Д247Б(Д233Б) 1,5 5 3 500 5 1,2 Si »
Д248Б(Д234Б) 1,5 0,25 5 3 600 5 1,2 Si ft
ДЗО2 1 0,8 200 1 5 Ge 1.3, ж
ДЗОЗ , 0,3 3 1 150 3 5 Ge To же
ДЗО4 0,25 5 2 100 5 5 Ge »
ДЗО5 о,з 10 2,5 50 10 5 Ge »
КД202 А 0,9 5 0,8 35(50) 5 1,2 Si 1.3, a
КД202Б 0,9 3,5 5 0,8 35(50) 3,5 1,2 Si To же
КД202В 0,9 0,8 70(100) 5 1,2 Si »
КД202Г 0,9 3,5 0,8 70(100) 3,5 1.2 Si »
КД202Д 0,9 5 0,8 140(200) 5 1,2 Si »
КД202Е 0,9 3,5 0,8 140(200) 3,5 1.2 Si »
КД202Ж 0,9 5 0 8 210(300) 5 1,2 Si »
КД202И 0,9 3,5 0,8 210(300) 3,5 1,2 Si »
14
Продолжение таСл. 7
1 2 3 4 5 6 7 QO 9
КД202К 0,9 5 0,8 (280(400) 5 1,2 Si »
КД202Л 0,9 3,5 0,8 280(400) 3,5 1,2 Si »
КД202М 0,9 5 0,8 350(5,00) 5 1,2 Si 3
КД 202 Н 0,9 3,5 0,8 350(54)0) 3,5 1,2 Si 3
КД202Р 0,9 5 0,8 420(500) 5 1,2 Si
КД202С 0,9 3,5 0,8 420(500) 3,5 1,2 Si »
КД 20 ЗА 1 10 1Д 420(600) 10 1 Si 1 .3,6
КД2ОЗБ I 10 1,5 5&)(800) 10 1 Si To же
КД203В 1 10 1,5 560(800) 10 1 Si 3
КД 203 Г 1 10 1,5 700(1000) 10 1 Si »
КД203Д 1 10 1,5 700(1000) 10 1 Si »
КД204А 1,4 0,6 0,15 400(400) 0,3 50 Si 1 3, a
КД 204 Б 1.4 0,6 0,1 200(200) 0,35 50 Si Тоже
КД 204 В 1,4 0,6 0,05 50(50) 0,6 50 Si
КД205А 1 0,5 0,1 500 0,5 5 Si 1 .3,2
КД205Б 1 0,5 0,1 400 0,5 5 Si T о же
КД205В 1 0,5 0,1 300 0,5 5 Si »
КД205Г 1 0,5 0,1 * 200 0,5 5 Si »
КД205Д 1 0,5 0,1 100 0,5 5 Si 3
КД205Е 1 0,3 0,1 500 0,3 5 Si 3
КД205Ж 1 0.3 0,1 600 0,5 5 Si »
КД205И 1 0,3 0,1 700 0,3 5 Si »
КД205К 1 0,3 0,1 100 0,7 5 Si 3
КД205Л 1 0,3 0,1 200 0,7 5 Si »
КД206А (1,2) (10) (0,7) 400(400) 10 ( 1 ГЙ 1 Si 1-3, d
КД206Б (1,2) (10) (0,7) 500(500) ( 1U) 10 (Ю) 1 Si To же
КД206В (1,2) (10) (0,7) 600(500) 10 (10) 1 Si »
КД208А (1) (10) (0,1) 100(100) (1,5) 1,5 1 Si 1_3, e
КД209А1 (») (0,7) (0,1) 400(400) 0,7 (0,7) 1 Si Тс же
КД209Б1 (О (0,7) (0,1) 600(600) 0,7 (0,7) 1 Si 3
КД209В’ (») (0,5) (0,1) 800(800) 0,5 (0,5) 1 Si »
КД210А 1 10 1,5 (8003 (Ю) 1 Si 1.3, и
КД210Б 1 10 1,5 (800) (10) Г Si To же
КД210В 1 10 1,5 (1000) (10) 1 Si »
КД210Г 1 10 1,5 (1000) (10) 1 Si »
КД212А2 1 1 0,5 200 (1) 100 Si 1. zc
КД212Б2 1,2 1 0,1 200 (1) 100 Si To же
КД213А2 1 10 0,2 200 10 100 Si 1.3, Д
КД213Б2 1,2 10 0,2 200 10 100 Si To же
КД213В2 1,2 10 0,2 200 10 100 Si
КД215А* 1,2 1 0,05 400 1 1 Si 1.3, ж
КД215Б3 1,2 1 0,05 600 1 1 Si To же
КД215В3 Ы 1 0,05 200 1 1 Si
1 Положительный вывод обозначен красной полосой на торце
2 Отрицательный электрод соединен с металлическим основанием корпуса,
3 'Горец корпуса у положительного вывода маркируется красной точкой. На диод 2Д215В
дополнительно наносится красная точка, на 2Д215В— буква В.
15
дщгзг, 233,234,
242,243,245'249,
КД 293
е ад 208, 209
плвскость
КДЖ
Рис. 1.3. Внешний вид и основные размеры выпрямительных диодов
средней мощности
КД2Ю
МЛ
16
8. Выпрямительные кремниевые н германиевые столбы малой и сред-
ней МОЩНОСТИ
Тил выпрямитель- ного столба "пр бз и max Ъ обр тах)> 0 Г' /пр си тол (/вп ср тд1')> мА / при обр г U обр тал. мкА Л/, кГц, не более Номер рисунка
в при / . мА пр
1 2 3 4 5 6 7 8
Д1004 6 100 2000 100 100 1 1.4, а
Д1005А 6 50 4000 50 100 1 То же
Д1005Б 11 100 4000 100 100 1
Д1006 11 100 6000 100 100 1
Д1007 И 75 8000 75 100 1 »
Д1008 11 50 10 000 50 100 1
Д1009 3,5 100 2000 (100) 100 1 • 1.4, б
Д1009А 1,75 100 1000 (100) 100 1 То же
Д1010 6 300 2000 (300) 100 1 »
Д1010А 3 100 1000 (300) 100 1
ДЮНА 1,5 300 500 (300) 100 1 »
2Ц101А 8,3 50 700 10 10 20 1.4, г
2Ц102А 1,5 100 800 — 50 1 1.4, д
2Ц102Б 1,5 100 1000 —- 50 1 То же
2Ц102В 1,6 100 1200 50 1
2Ц103А 10 50 2000 10(1000) 10 50 1.4, г
1Ц104АИ1 5,8 50 2000 10 150 10 1.4, е
КЦЮ5А 3,5 100 2000 100 100 1 1.4, ж
КЦЮ5Б 3,5 100 4000 100 100 1 То же
КЦЮ5В 7 100 6000 100 100 1 »
КЦЮ5Г 7 75 7000 75 100 1 »
КНЮ5Д 7 50 8500 50 100 1 »
КЦЮ6А 25 10 (4000) (Ю) 10 20 1.4, г
КЦЮ6Б 25 10 (6000) (Ю) 10 20 То же
КШ 06В 25 10 (8000) (Ю) 10 20 »
КЦЮ6Г 25 10 (10 000) (Ю) 10 20 »
КЦЮ6Д 25 10 (2000) (Ю) 10 20 »
2Ц106А 25 10 10(1000) 10 — 20
2Ц106Б 25 10 10(1000) 10 — 20 »
2Ц106В 25 10 10(1000) 10 — 20 »
2Ц106Г 25 10 10(1000) 10 — 20 »
2Ц108А 6 180 2000 100 150 50 1.4, а
2Ц108Б 6 180 4000 100 150 50 То же
2Ц108В ' 10 180 6000 100 150 50 1.4, и
2Ц109А1 7 300 6000 3002 10 — 1.4, к
2Ц110А 10 100 10 000 100 100 1 1.4, з
2Ц110Б 10 100 15 000 100 500 1 То же
2Ц112А1 10 10 2000 10 10 — 1.4, л
КЦ201А 3 500 2000 100 — 1 1.4, в
КЦ201Б 3 500 4000 100 — 1 То же
КЦ201В 6 500 6000 500 100 1
КЦ201Г 6 500 8000 500 100 1 »
КЦ201Д 6 500 10 000 500 100 1 »
KU201E 10 500 15 000 500 100 1
17
/1родслжение табл 8
1 2 j 4 5 ь 7 8
2Ц202А 3 500 2000 500 100 1 »
2Ц202Б 3 500 4000 500 100 1
2Ц2О20 6 500 6000 500 100 1 »
2Ц202Г 6 500 8000 500 100 1
2Ц202Д 6 500 1000 500 100 1 »
2Ц202Е 10 500 15 000 500 100 1 »
2Ц203А 8 1000 6000 1000 100 1 1 4, л
1 Положительный вывод шмсчсн точкой на торце прибора
Имг^льсный прямой ток при среднем значении прямого тока не более предельною
т(1 55 мкс не <wiee L А
М5
28 22 28
1 > -м---
2цт,шг7дб,кц^б
18
Рис 14 Внешний вид и основные размеры выпрямительных столбов
малой и средней мощности
9. Выпрямительные высоковольтные селеновые столбы
Тип столба' l/обр max, кВ /^п ср max, мА Длина стозба мм
ЗГЕ 130 А Ф 3 0,06 —
ЗГЕ220ЛФ 5 0,06 135
5ГЕ40АФ 1 1,2 100
5ГЕ60АФ 1,5 1,2 106
5ГЕ80АФ 2 1,2 112
5ГЕ100ЛФ 2,5 1 2 120
5ГЕ140АФ 3,5 1,2 130
5ГЕ200АФ 5 1,2 150
5ГЕ600АФ 15 1,2 180
Первая цифра и обозначении указывает диаметр сюлба в мм
а В однополупериодиом выпрямителе с активней нагрузкой
10. Выпрямительные блоки средней мощности
Тил блока Схема соединения И , „„ на ОДНО Обр mrtr течи В ! ^вн ср 1 (/ ) на ' пр ср max-1 одно плечо А Ток холостого 1 хода при ) МкА । обр и max1 и Напряжение ко ротного замыка |1!ИЯ при'вн ср max В У кГц Момер рисунка
1 2 3 4 5 6 7 8
КЦ401Л Удвоитель напря-
жения 500 0,4’ — 1 1 5
КЦ401Б Однофазный мост Удвоитель напря- 0,25 — 1 1 6
жения 500 0,2 — 1 То же
КЦ401В Однофазный мост Удвоитель напря- 500 0,2 —— 1 1 7
жения 500 0,2 — 1 То же
КЦ401Г Однофазный мост Удвоитель напря- 500 0,5 - - 1 1 8
жения 500 0,5 1 То же
19
Продолжение табл. 10
1 2 3 3 5 6 7 8
КЦ401Д Однофазный мост 500 0,4 1 1,9
Удвоитель напри
жен и я 500 0,4 То же
KU402A Однофазный мост 600 1 125 4 5... 15
КЦ402Б 500 1 125 4 5.., 15
КЦ402В 400 1 125 4 5...15
КЦ402Г 300 1 125 4 5...15 1,10, а
КЦ402Д 200 1 125 4 5...15 То же
КЦ402Е 100 1 125 4 5...15
КЦ402Ж 600 0,6 125 4 5.. 15
КЦ402И 500 0,6 125 4 5...15
КЦ403А Два однофазных 600 1 125 4 5.15
КЦ403Б моста для навес- 500 1 125 4 5.15
KU403B ного монтажа, 400 1 125 4 5... 15
КЦ403Г электрически не 300 1 125 4 5... 15 1.10, б
КД403Д соединенных меж- 200 1 125 4 5...15
КЦ403Е ду собой 100 1 125 4 5...15
КЦ403Ж 600 0,6 125 4 5.15
КЦ403И 500 0,6 125 4 5...15
КЦ404А Два однофазных 600 1 125 4 5,,.15
КЦ404Б моста для навес- 500 1 125 4 5.15
КЦ404В ного монтажа с 400 1 125 4 5.,.15
КЦ404Г держателями пре- 300 1 125 4 5 .15 1.10, в
КЦ404Д дохраннтелей ти- 200 1 125 4 5.15
КЦ404Е па ПМ, электри- 100 1 125 4 5..15
КЦ404Ж чески не соединен- 600 0,6 125 4 5...15
КЦ404Й ных между собой 500 0,6 125 4 5... 15
КЦ405А Однофазный мост 600 1 125 4 5...15
КЦ405Б для монтажа на 500 1 125 4 5...15
КЦ4О5В печатную плату 400 1 125 4 5,.,15
КЦ405Г 300 1 125 4 5,., 15 1,10, г
КЦ405Д 200 1 125 4 5...15
КЦ405Е 100 1 125 4 5... 15
КЦ405Ж 600 0,6 125 4 5...15
КЦ405И 500 0,6 125 4 5...15
КЦ407А Мост 300 0,5 5 2,5 20
Включение выво- 500 0,3 — — — 1,10, 0
дами 1(6) н 3(4)
Выводы 2 и 5 нзо-
лнрованы
KU409A Трехфазиый мост 600 3 3 2.5 15
КЦ409Б 500 3 3 2,5 15
КЦ409В 400 3 3 2,5 15 1.10, е
KU409Г 300 3 3 2,5 15
КЦ409Д 200 3 3 2,5 15
20
Продолжение табл. 10
1 2 3 4 5 6 7 8
КЦ409Е 100 3 3 2,5 15
КЦ409Ж 200 0,6 3 2,5 15
КЦ409И 100 0,6 3 2,5 15
КЦ410А Од н оф аз н ы й м ост 50 3 50 1.2
KLH1 ОБ 100 3 50 1,2 1,10, Ж
KI44I0B 200 3 50 1,2
КЦ412Л Однофазный мост 50 1 50 1,2
КЦ412Б 100 1 50 1,2 1.10, з
КЦ412В 200 1 50 1,2
1 Дтя первого плеча У второю птеча /пп j;ji =300
Рис. 1.5. Внешний вид н электрическая
схема выпрямительного блока КЦ401Л
Схема блоков Схема соединении
для моста для удбоителя
Ре плечо^ 2-е плечо- З-еплечо^ Ч-е плечо— ^2 Нагрузка дф—Е питание нагрузка Средняя точка vU и 5
Рис. 1.6. Внешний вид и электрические схемы выпрямительного
блока КЦ401Б
Исполнение 1
Исполнение?.
Схема блоков
Схемы соединений
для моста
' бля удбои/пеля напряжения
i-e плечо г
7еплечо -
3-еплечо~-
4-е плечо—
й
&
Рас. 1.7. В нешнин вид и электрические схемы выпрямительного
блока КЦ401В
ЛЦ‘НИГ
Схема
Схема соединении
Для места
Для ддВмтёля
напряжения
1-е плеча—
2-е плгчо-£
J-E Ш'О-р
о
¥- в пл *ча —
Средняя спзчщ
Рис. 1.8 Внешний вид и электрические схемы выпрямительного
блока К11Л01Г
кцчеид
1-е плейер
2 в плеча—
3-е плечи—
Ч е плечо—
Схеми йюпоб
Схемы соединений
для моста
для удЬоителя
напряжения
Питание
Средняя точка
>
Ч*
Рис. 1.9. Внешний внд и электрические схемы выирямшельного
блока КЦ401Д
22
КЦЦОЗА-КЦЧШИ
кцчка-кцщгв
Рис. 1.10. Внешний вид и электрические схемы выпрямительных блоков
средней мощности
23
Li 11, Универсальные диоды и диодные сборки
Тип диода 1 / пр / Л ибр с д
в при I , мА пр’ мкА при °обр’ В пФ при и В обр
1 2 3 4 5 6 7
Д2Б 1 5 100 ——
Д2В 1 9 250 — — —
Д2Г 1 2 250 — — —
Д2Д 1 4,5 250 — — —
Д2Е 1 4,5 250 — — —
Д2Ж 1 2 250 — — —
Д2И 1 2 250 — —, —
Д9Б 1 90 250 —
ДЭВ 1 10 250 — — —
дог 1 30 250 — — —
дзд 1 60 250 — — —
ДЭЕ 1 30 250 — — —
Д9Ж 1 10 250 — — —
Д9И 1 30 120 — —
Д9К 1 60 60 — — —
Д9А 1 30 250 — — —
Д18 1 20 50 20 0,5 3
Д20 1 20 100 10 0,5 3
ДЮ4 2 2 5 75 0,7 1
Д104А 1 2 5 75 0,7 1
Д105 2 2 5 50 0,7 1
Д105А 1 1 5 50 0,7 1
Д106 2 2 5 30 0,7 1
r it ) диф' вое' Предельные режимы при 0окр =. 25 ’С Материал кристалла Номер рисунка
Ом (нс> При ^ПР’ мА Опр MdXp в \р max, мА \р и мА max при гн, мкс ....
8 9 10 И 12 13 14 15
(3000) 10 30 1 50 Ge 1 11,a
(3000) 10 40 78 - Ge To же
(3000) 10 75 — 50 Ge »
(3000) 10 75 — 50 — Ge »
(3000) 10 100 - 50 — Gc »
(3000) 10 150 — 25 Ge »
(3000) 10 100 50 — Gc »
— — —- 125 Ge 1,11,6
——- — — 62 —— Ge To же
— — — 98 — Ge »
— — — 98 Ge
— — * 1 — 62 Ge »
— — —— 1 48 — Ge »
— — 48 — Gc
— — — 1 98 Ge
— — 48 —J—— Ge
(100) 50 20 16 50 10 Gc 1.11, e
(100) 50 20 16 — - - Gc To же
— 75 30 — Si »
— — 75 30 *< Si »
— — 50 30 — - Si
— —— 50 30 —— -> Sl »
— — 30 30 —— — Si »
Продолжение табл. 11
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 и 12 13 14 15
Д106А 1 1 5 30 0,7 1 — 30 30 — Si
Д219А 1 50 1 70 15 5 50 50 70 50 500 10 Si »
Д220 1.5 50 1 50 15 5 75 50 50 50 500 10 Si »
Д220А 1,5 50 1 70 15 5 75 50 70 50 500 10 Si »
Д220Б 1,5 50 1 100 15 5 75 50 100 50 500 10 Si »
Д223 1 50 50 50 — — — — — — — Si
Д223А 1 50 50 100 1 — — — — — Si »
Д223Б 1 50 50 150 — — — — — ’— Si
ДЗН 0,4 10 100 30 1,5 5 50 50 30 40 500 10 Ge »
ДЗПА 0,4 10 100 30 3 5 50 50 30 80 600 10 Ge »
Д311Б 0,5 10 100 30 2 5 50 50 30 20 250 10 Ge »
Д312 0,5 10 100 100 3 5 (500) 50 100 50 500 10 Ge »
Д312А 0,5 10 100 75 3 5 (500) 50 75 50 500 10 Ge »
Д312Б 0,5 10 — — 3 5 (700) 50 100 50 500 10 Ge »
КД401А 1 10 5 75 1 5 (2000) 10 75 30 92 Si »
КД401Б 1 10 5 75 1,5 5 (2000) 10 75 30 92 — Si »
ГД402А Г — 100 10 0,8 5 4,5 15 15 30 100 10 Ge 1.1 l,e
ГД402Б — 100 10 0,5 5 6 15 15 30 100 10 Ge To же
ГД403А, Б, В 0,5 5 — — — —— -— 5 5 .—— Ge 1.11, в
ГД404АР 0,4 1...10 —- — — — — - -— 11 3 20 —• Ge 1.11, д
КД407А 1 50 0,5 24 1 5 д 10 24 50 500 10 Si 1.11,г
КД409А 1 50 0,5 24 2 15 1 10 24 50 500 10 Si 1.11, е
КД410А' 2 — 3000 1000 — (3000) 1000 1000 50 — — Si 1.11, ж
КД410Б2 2 —* 3000 600 — (3000) 1000 600 50 1— Si То же
КД411А 1,4 1000 700 700 — — (1100) 1000 700 800 8000 25 Si 1.1 1,3
КД411Б 1,4 1000 700 600 — — (1100) 1000 600 800 8000 25 Si То же
КД411В to 1,4 1000 700 500 — — (1100) 1000 500 800 8000 25 Si »
to
о
Продолжение табл. П
1 2 3 4 5 6 7
КД411Г 2 1000 700 400 ' —
КД412А 2 10 000 100 1800 — —
КД412Б 2 10 000 100 800 —‘ —
КД 412В 2 10 000 100 600 — —
КД412Г 2 10 000 100 400 1 —
КД416А (3) (1,5) 500 400 — —
КД416Б (3) (L5) 500 200 — —
2ДС408А 0,5... 0,73 0,01 0,01 10 1,3 0,5
0.73 . 0,83 1 “— —- - —
2ДС408 Б 0,5 0,73 0,01 0,01 10 1,3 0,5
0,73... 0,83 1 —— — — —
1 Маркируются красной точкой со стороны положительного вывода
2 Маркируются синей точкой со сюрины отрицательного вывода
3 При ти - 55 ± 5 чкс. f - 50 200 Гц
8 9 10 11 12 13 14 15
(1100)- 1000 400 800 8000 25 Si
(1500)3 (1000) 800 —— 10 000 —— Si 1.11, К
(1500)3 (1000) 800 — 10 000 — Si To же
(1500)3 (1000) 600 — 10 000 — Si »
(1500)3 (1000) 400 — 10 000 — Si
— '—- 400 — 15 000 1 Si 1 2, 6
— — "" 200 — 15 000 1 Si To же
(40 5 12 10 100 10 Si 1 11, и
— — — — — — Si To же
(40) 5 12 10 100 10 Si »
Мсат маркщМки Вйшаченм
мшЬогв
Д35-ДЗЛ
5*
в Д10Ч-106, R2Z3, ГДМЗ
MWJM,A20№0.MU,№Z
к ДЮЗ
г
Рис. 1J1, Внешний вид и основные размеры универсаль-
ных диодов и диодных сборок
UJtemhw точка
КД W. ^17
27
12. Регулируемые резистивные высокочастотные р-н«-диоды
Тип д-юдя <7 Г >1<ф 0 Alp .па и Л Обр ! В X Bl Ним рр Г» 1 нкз
В и рн < , м X пФ ПР^1 в 1 Ом при /(1р мА пК т при
ТР «4 ofp В
КД413А, Б3 1 20 07 0 30- 601 2 2 2 10 20 24 20 1 11 2
КД417 А 1 20 0,4 1 25 2 — 20 24 20 То АС
1 Ч1Я КДИЗЬ rll(f 1b Ы) (ы
По > яр шхт ь и тип тнох 1 обо ; нт! потея па [го коргл се КД41 ЗА — бетон том кон КД41 ЗБ — бе тот и красной точками
1.4. Импульсные диоды
Электрические параметры импульсных диодов приведены в табл
размеры — на рис 1 12—1 19
13 и 14, а их внешний вид и
13. Импульсные диоды
Тип днода Ообр /пат 1 и тс с 1 В f 1Э ^пр ''IIT I Ар и та е I 4 / f„ пря (_ Р
в при /, м \ гФ [ -^1 < j В iil IjtKtj П 1 ' r 1
ГД507А 20 0.5 5 16(100) 50 0,8 5 100 20)1 и) 1 12 г
ГД508А 8 0.7 10 10(30) 60 0,73 0 5 20 10 । 51 1 12, с
ГД508Б 8 0,65 10 10(30) 100 0,75 0 5 20 i (' i 51 То ж г
ГД5НА 12 0,6 5 15(50)' 50 1 5 100 КО 10) 112 0
ГД511Б 12 0,6 5 15(50)1 100 1 5 (10) KJI 10) То же
Продолжение табл 13
Тип диода ^обр max { ^обр в max} В ^Пр ^пр max (^пр и max} ^А об р при (^обр та ж) , мкА Сд fBOC [QI Номер рисунка
В при мА пФ при ^обр, В нс (пКл} При/пр мА (Qofip В)
ГД511В 12 0,6 5 15(50)' 200 1 5 (100) 10(10) »
КД503А 30 1 10 20(200) 10 5 0,05 10 10(10) 1 12, г
КД503Б 30 1,2 10 20(200) 10 2,5 0,05 10 10(10) То же
КД503В 10 1,3 10 10(200) 1 6 0,05 50 10(10) »
КД504А 40 1,2 100 240(240) 2 25 5 (15) 300(30) 1 12, б
КД509А 50(70) и 100 100(1500) 5 4 0,05 (400) 50(10) 1 12, г
КД510А 50(70) 1,1 200 200(1500) 5 4 0,05 (400) 50(10) 1 12, а
КД512А 15 1 10 20(200) 5 1 5 1 10(10) 1 12, г
КД513А 50(70) 1,1 100 100(1500) 5 4 0 (400) 50(10) 1 12,з
КД514А 10 1 10 10(50) 5 0,9 0 — — 1 12, г
КД518А 0,57 1 100(1500) — — — — 1.12,з
КД519А2 30(40) 1,1 100 30(300) 5 4 0 (40) 50 1 12, г
КД519Б3 30(40) 2,1 100 30(300) 5 2,5 0 (40) 50 То же
КД520А 15 1 20 20(50) 1 3 5 4 10(10) 1 12, и
КД521А 75(80) 1 50 50(500) 1 10 0 4 10(10) 1 12, к
КД521Б 60(65) 1 50 50(500) 1 10 0 4 10(10) То же
КД521В 50(55) 1 50 50(500) 1 10 0 4 10(10) »
КД521Г 30 (40) 1 50 50(500) 1 10 0 4 10(10)
КД521Д 12 1 50 50(500) 1 10 0 4 10(10)
КД522Д4 30(40) 1,1 100 100(1500) 2 4 0,05 (400) 50(10)
КД522Б5 50(60) 1,1 100 100(1500) 5 4 0,05 (400) 50(10)
' Л,р и max Даны при тн — I мкс 11я чиидов остальных типов при ти — 10 мкс
‘ Маркируется белой точкои со стороны положительного вывода
Маркируется красной точкой со стороны положительного вывода
4 Маркируется двумя кольцами на корпусе
s Маркируется гремя кольцами на корпусе
г
КД 513
ffircd* -I
КД5ПЧА
ГД J07, ЛД 553, 558,512,514,51? ГД5‘1
Мирлимйвчная mo‘is.a. f*)
ПШ
3 КД 513, 518 А
ж
75 25
& /вы8оЗ „*“&
^Черная точка
ц КД 525
Рис 1 12. Внешний вид и ос-
новные ра шеры импульсных
диодов
КДС523В,Г
Рис. 1.13. Импульсные диодные сборки:
а — КДС523А, Б, б — КДС523В, Г
30
14. Импульсные диодные сборки и матрицы
Тип прибора ^обр max ( б обр и жаб В Г пр TZfl V Опр и т а г О 4 4 ^обр Сд ‘ IS
в при ^пр '•'А чкА при ^обр В пФ при в НС (пКл) при 'пг м \ (<70бр в>
КЛС523А1 50(70)2 1 20 20(200)3 5 50 2 0,2 (150) 20(10) 1 13
КДС523Б' 50(70)2 1 20 20i200)3 5 50 2 0,2 (150) 20(10) То же
КДС523В1 50(70)2 1 20 201200)5 5 50 2 0,2 (150) 20(1()| 1 13, б
КДС523Г1 50(70)2 1 20 201200)3 5 50 2 0,2 (150) 20(10) То же
КДС525А-Д 15(20)4 0.9 2 201200)4 1 10 8 5 5 10(10) 1 14
КДС525Е-Л 25(40)4 0,9 5 20(200)1 1 20 8 5 5 10(10) То же
КДС526А-В (15) 1.1 5 20(50)3 — — 5 0 5 10(10) 1 15
КДС627А 50(60)6 1.3 200 200|1500)5 2 50 5 0 40 200(20) 1 16
КДС628А 50(60)ь 1,3 300 — 5 50 32 0 50 300(30) 1 18
КД903А-Б7 20 1.2 75 75' 0,5 20 10 5 150 300(10) 1 17, а
КД906А 75(100) 1 50 20012000)J 2 75 20 59 2 103 50(20) 1 17, б
КД906Б 50(75) 1 50 20012000)3 2 50 20 59 2 103 50(20) То же
КД906В 30(75) 1 50 200(2000)3 2 30 20 59 2 103 50(20)
КД906 Г 75(75) 1 50 20012000)3 2 75 40 59 2 103 50(20) »
КД906Д 50(75) 1 50 200(2000)3 2 50 40 5Э 2 103 50(20) »
КД906Е 30(75) 1 50 200(2000)3 2 30 40 59 2 101 50(20)
КД908А 40 1,2 200 200i1500)3 5 50 5а 0 30 200(10) 1.19, а
КД909А 40 1,2 200 20011500)2 10 40 5а 0 70 500(10) 1 19,6
КД914А-В 20 1 5 20 1 20 — — -— 1 19.в
КД917А 40(60) 1,2 200 100 (] 500)10 5 50 6 0,05 50 10(10) 1 17, в
КД919А 40 0,85 100 100 1 40 — 1 100 100(10) 1.19, г
1 Разность прямых напряжений междс диодами при од-i паковом постоянном токе о диапазоне значений от 0,05 до 2 мА, не более, для КДС523А
—5 мВ, КДС523В—10 мВ, КДС523В и КДС523Г —20 мВ
2 При длительности импульса ти 3 мкс
‘ При длительности импульса ти IG мкс
к 4 При ДЛИ1СЛЫЮСТН импульса тн 10 мкс и скважности не менее 100
5 Через любое число диодов
9 При ти 2 мкс и скважности не менее 10
9^ 7 У КД903Б отсутствуют выводы 12 и 13
8 Одного диода при ] = 1 10 МГн
9 При f = ] 10 МГц
,а Через все диоды
I pi ri Hi pi ri rh
/о к-д Ф* o/V
Z e-40—---ofj
J О-Ю-* N -o/Z
V O. KJ -t —- o//
уо м-*-а о/?
r-M-oJ
7 o-RJ—I--о 8
КДС525А
/О 10 tx o/V
2o-t0~ *13
4° <0-1 o/Z
5~O К} I Ся o/fl
7o L——о g
КДС5255
7 о -?0 л П
2O-40-4 to ;j
Jo L-fc-o/Z
V&’ K] । - o//
50
fio гФК'1
7^-H-4---
ЛДС52УЯ
7 о KF-, fr -o/V
2 °-KJ- I'-—о 77
Jo L-Ы—oZZ
V о ।----o/7
5 о и 1-й—o?J
7o—M—1----° 8
КДС525Г
7 о t—0t—o/v
2 oH0—------0/3
3o KJ- -* Ы o/Z
VoH0—1----о//
5 о L-bf -o/g
Ь'о-КЭ—1 eg
7o-kj—1---1>8
КДБ525Д
КДС525
7оф1 К o/V
2 МИ—------o?3
J о W' -W o/2
V О-Й—1----0/7
5 о CM I M о 7Д
Б ° r-M-09
7 о Ы i-—ofj
КДБ515Е
;c-H—W-o/V
---------o;j
30 tx 1 «К o/4
V<Hm—t °T1
fo t> * kJ o/tf
go Й-. K-oy
7o 1-----off
;o oi г и o/v
2<нж4----c/3
30 L-W-otf
¥o-&t-i—0/7
у о 1-kFo jg
ffo г-И-0,9
?o-H—* °B
КДС525И
1 о-й г M о /V
2 о-Й—4 o/3
Jo I—Kj-o/Z
Vo 1--------0/7
5 o-Ot * W o/g
S о .-Й-oJ
7 o-bt ----off
Jo F-I0-O7V
2o-&h4-----o/3
3 о bf-*-K' о /2
Vo-И—f o/7
go L КЗ-0/7
ffo-M—I og
7o CH *-----off
«ДС52УЛ
Рис. 1.14. Импульсные диодные сборки КДС525
4* jrt|j
1 I 3
КДС526А
J °—k3-i
J °—ие-
у------
КДС526Б
/(ДС526В
Puc. Li5. Импульсные диодные сборки КДС526
32
1 2. J ¥ 5 6 7 ff
1b 15 14 13 1Z 11 10 9
999999 99
57 V 57 57 57 3? S7 52
oooooo 00
1 2 J 4 $ G 7 8
кдсвпА
Рис. i.16. Импульсная диодная
матрица КДС627А
n 1 2 у ч- У 5 7 в 3
OnailDDDODO
iF
/25 ¥ 5 6 7 d
о с о 9 V V
12 11 10 3
t 2з<7 m s
КД8{!Б(Г,Д,Е)
КД 371A
Рис 1. 17. Импульсные диодные матрицы КД903, КД906 и КД917А
2 I .1 ткни В И и др
33
Рис 1 18 Импупъсная диодная матрица КДС628А
Рис. 119 Импульсные диодные магрицы КД908А, КД909, КД914 и
КД91Э
54
1.5. Варикапы
Обозначения специальных параметров варикапов
приведены в табл 15, электрических параметров в табл. 16,
внешний вид и размеры см. на рис. I 20.
15. Специальные параметры варикапов
TipM Г Г hbt эбозиачсиня Он род? '?! ня
Добротность н ар ик ri- ri а <?» Отношение реа^т явное о сопротив лення варикапа на заданной часто- те к сопротивлению потерь при заданном значении емкости или обратного напряжения
Температурный коэф- фициент емкости в а рнкапа в Отношение относительного измене- ния емкости варикапа к вызвав шему его абсолютному изменению температуры окружающей среды
Коэффициент перс крытия по емкости ва- рикапа а; Отношение общих емкое (ей вари- капа при двух заданных значениях обратного напряжения
Общая емкость вари- капа Со Емкость варикапа при заданном обратном напряжении
S*
т
Рис 1 20 Конструкция и основные размеры варикапов
35
w
сл
16. Варикапы
Тип диода С при /= 1 10 МГц Лс Q
пФ ПР« ^обр В на f — 50 МГц при У л В обр
1 2 3 4 5 6
Д901А 22 32 4 3,6 4,4 25 4
Д901Б 22 .32 4 2,7, 3,3 30 4
Д901В 28 38 4 3,6 4 4 25 4
Д901Г 28 38 4 2,7 3,3 30 4
Д901Д 34 44 4 36 4 4 25 4
Д901Е 34 44 4 2 7 3,3 30 4
Д902 6 121 4 25 30 4
КВ101А 160 240 0,8 1,1 1,2 12 0,8
КВ 102 А 14 23 4 2 5 40 4
КВ102Б 19 30 4 2,5 40 4
КВ 102В 25 40 4 2,5 40 4
КВ102Г 19 30 4 2,5 100 4
КВ 102 Д 19 30 4 3,5 40 4
КВ ЮЗА 18 32 4 — 50 4
КВЮЗБ 28 48 4 — 40 4
КВ104А 90 120 4 25 100 4
КВ 104 Б 106 144 4 2 5 100 4
КВ 104В 128 192 4 2 5 100 4
КВ104Г 95 143 4 35 100 4
КВ104Д 128 192 4 35 100 4
КВ104Е 95 143 4 2 5 150 4
КВ105А 400 6003 4 3,8 500 4
КВ105Б 400 600J 4 3,0 500 4
КВ106А 20...50 4 — 40 4
/ fo6p мкА ^обр max В p max a 10 fi fl/град Номер рисунка
мВт Г|РИ flOKp (%)
7 s 0 10 11 12
1 80 250 25 500 1 20 a
1 45 250 25 500 To же
I 80 250 25 500 »
1 45 250 25 500 »
1 80 250 25 500 »
I 45 250 25 500 1 20, 6
10 25 1 — 500 1 20, d
1 40 — — 1 20, ж
I 45 90 50 — To же
I 45 90 50 — »
I 45 90 50 - 1 20 м
1 45 90 50 To же
1 80 90 50 — »
10 80 5000 (50) — 1 20 i
10 80 5000 (50) To же
5 45 100 50 — 1 20 5
5 45 100 50 — To же
5 45 100 50 — »
5 80 100 50 — »
5 80 100 50
5 45 100 50 —
50 90 150 50 — 1 20 a
50 50 150 50 500 To же
20 120 7000 (75) 1 20, л
1 2 r! i s
КВ106Б 15 35 4 — 60
KB 107 A 10 40 2 9 1 5 20
КВ107Б 10 40 6 18 1 5 20
KB107B 30 65 2 9 1 5 20
КВ107Г 30 65 6 18 1 5 20
KB109A4 2 3 2,8 25 4 55 300
КВ109Б5 2 2,3 25 4 5 6 5 300
KB109B6 8 16 3 4 6 160
1,9 3,1 25 — —
КВ1О9Г7 8 17 3 4 160
KB1 10A 12 18 4 2 5 300
KB1 10Б 14,4 21 6 4 25 300
KB110B 17,6 26,4 4 2 5 300
КВ110Г 12 18 4 2 5 150
КВ110Д 14,4 21,6 4 25 150
KB1 IOE 17,6 26,4 4 25 150
KB115A 1000 700 0 — —
КВ115Б 100 700 0 — —
KB115B 100 700 0 - —
KBC111A 26,4 4 9,1 200
КВС111Б 26.4 39 63 4 2 1 150
KB117A 26 39 3 5 7 180
KB1 17Б 26 39 3 4 7 150
2BC118A 54,4 81,6 4 3 6 4,4 2002
2ВС118Б 54,4 81 8 4 2,7 3,3 2502
KB119A 168 252 1 8.4 12,6 LOO3
KB120A8 230 320 1 2 100s
KB120A9 230 320 1 2 1003
У KB121A10 4,3 6 25 7,6 200
ь - 8 4 о
4 20 90 5000 (75) [ 1 zK 1
2 9 100 5 5 16 100 50 — 1 20 t
6 18 100 13 31 100 50 — То At
2 9 100 5 5 16 100 50 — »
6 18 100 13 31 100 50 —
3 0 5 25 5 50 500+300 1 20 з
3 0 5 25 5 50 500 + 300 То же
3 0 5 25 5 50 500 + 300 »
— — — »
3 0 5 25 5 50 —
4 1 45 100 50 — 1 20, к
4 1 45 100 50 — То же
4 1 45 100 50 —
4 1 45 100 50 — »
4 1 45 100 50 »
4 1 45 100 50 — »
— ю-4 0 1 — — 1 20 и
— 10“4 0 1 — — — То же
— 10 4 0 1 — — »
1 1 30 —— — 120 к
4 1 30 — — — То же
3 1 2.5 100 — 600 »
3 1 25 100 — 600 »
4 1 115 — — — 1 20, о
4 1 60 — — — То же
1 12 •— -— — 1 20 д
1 0.5 32 — — — 1 20 п
1 0,5 32 — — — То же
— 0,5 30 - — — 1 20 з
Продолжение табл. 16
Тип днода С при /= 1 ... 10 МГц Кс Q ^обр. мкА ^обр me С В р ma v а - I0’1 2 3 4 5 6 * £/град Номер рисунка
пФ ПРИ %ГВ * не f = 50 МГц при и л , В сбр мВт при 0 г окр (0 ) k(ip'
1 2 3 4 5 b 7 8 9 10 11 12
КВ121Б10 11 4.3...6 25 7,6 150 — 0,5 .30 — -— —- То же
КВ123А12 13 2,6...3,8 25 6,8'3 200 — 0,05 28 — — 500±300 1.20, р
1 При f = 50 МГц.
2 При f = 10 МГц.
3 При f = I МГц.
4 Маркируется белой точкой,
5 Маркируется красной точкой.
ъ Маркируется зеленой точкой.
1 Без маокировкн.
* Сборка из трех варикапов.
* Сборка из двух варикапов.
10 Маркируется у положительного вывода цветными точками, синен - КВ121А. желтой — КВ121Б
11 При изменении от 1,5 до 25 В.
12 Маркируется белой полосой у положительного вывода
13 При изменении ^Обр Д° 25 В.
1.6. Стабилитроны и стабисторы
Электрические параметры полупроводниковых ста-
ihi.'ihгронов и стабисторов приведены в табл. 17—20, а их
внешний вид и размеры см. па рис. 1.21 и 1.22.
17. Основные параметры стабилитронов и стабисторов
Термины
квеи
и ы е
обозна-
чения
Опре тел -'Я
1 кщряженис стабилиза-
ции стабилитрона
Ток стабилизации стаби-
л итрона
Дифференциальное со-
противление стабилитро-
на
Температурный коэффи-
циенг напряжения стаби-
лизации стабилитрона
Допускаемый разброс
значения напряжения ста-
билизации от номиналь-
ного значения
Значение напряжения стабилитрона
при протекании тока стабилизации
Значение постоянного тока, проте-
кающего через стабилитрон в режиме
стабилизации
Дифференциальное сопротивление при
заданном значении тока стабилиза-
ции стабилитрона
Отношение относительного изменения
напряжения стабилизации стабили-
трона к абсолютному изменению тем-
пературы окружающей среды при
постоянном значении тока стабили-
зации
Максимально допустимое отклонение
напряжения стабилизации от номи-
нального значения для стабилитро-
нов данного типа
ZCUJ7A,113Af119A
Г 7Г£М-С, 7ГЕ24-С
Рис.
1.21. Конструкция и основные размеры стабисторов
18. Стабисторы
Тип стабистора (/ ст г ст / ст.мда; мА 1 ст.min. мА аиСТ’ 10 2, %/°с Номер рисунка
В Д (/ст, В Ирм Iст, мА Ом при /ст, мА
КС107А 0,7 0,07 10 7 10 100 1 2 1.21, а
КСПЗА 1,3 0,13 10 12 10 120 1 — (3...4) То же
КСП9А 1,9 0,19 10 15 10 100 1 — (5...6) »
Д219С 1 — 50 — -— — — 1.21, в
Д220С 1,5 — 50 — — 1 — —— — То же
Д223С 1 — 50 — — — ~ »
7ГЕ1А-С 0,7 0,1 I 50 — 10 0,5 —2,5 1.21,в
7ГЕ2Л-С 1,45 0,15 1 100 —- 10 I —5 То же
7ГЕЗА-С 2,25 0,15 150 — 10 1 —7.5
39
о
19. Стабилитроны малой мощности
Тип стабилитрона игт ГС1
в ДУСТ. в при /ст, мА Ом
1 2 3 4 5
Д808 7,75 0,75 5 6
Д809 8,75 0,75 5 10
Д810 9,75 0,75 5 12
Д811 11 1 5 15
Д813 12,75 1,25 5 18
Д814А 7,75 0,75 5 6
Д814Б 8,75 0,75 5 10
Д814В 9,75 0,75 5 12
Д814Г 11 1 5 15
Д814Д 12,75 1,25 5 18
КС133А 3,35 0,35 10 65
2CI33B 3,3 0,3 5 65
КС133Г 3,3 0,35 5 150
КС139А 3,9 0,39 10 60
КС 139 Г 3,9 0,4 10 150
КС147А 4,7 0,5 10 56
КС147Г 4,7 0,5 10 150
KCI56A 5,6 0,6 10 46
КС156Г 5,6 0,6 10 100
КС 162 А 6,2 0,4 10 35
КС168А 6,8 0,7 5 28
КС 168В 6,5 0,5 10 28
7 мА 'ст men* мл ^ст ftl£LX> мА «сст-10“2, %/°с р r mai' мВт Помер рисунка
при /ст, мА
6 7 8 9 10 11
5 3 33 7 280 1 22, а
5 3 29 8 280 То же
5 3 26 9 280 »
5 6 23 9,5 280 »
5 5 20 9,5 280 »
5 3 40 7 340 »
5 3 36 8 340 »
5 3 32 9 340
5 3 29 9,5 340 »
5 3 24 9,5 340 »
10 3 81 -11 300
10 1 37,5 —— 300
5 1 37,5 — 300
10 3 70 -10 300 »
5 1 32 — 10 300 »
10 3 58 — 9 -|-17 300 300 »
5 1 26,5 — 9 300 300 »
10 3 55 5 130 1 22, з
5 1 22.4 ± 5 300 1 22, а
10 3 22 — 6 150 1 22, в
10 3 45 150 То же
10 3 20 ±5 125 »
1 2 3 4 ...... 5 6
КС 170 А 7 0,35 10 20 10
КС175Ж 7,5 0,4 4 40 4
КС182Л 8,2 0,6 10 14 5
КС182Ж 8,2 0,8 4 40 4
КС191А 9,1 0,6 5 18 5
КС 191 М-Р 9,1 0,5 10 18 10
КС191С-Ф 9,1 0,5 10 18 10
КС191Ж 9,1 0,5 4 40 4
КС210Б 10 ±0,7 5 22 5
КС2ЮЖ 10 1 4 40 4
КС213Б 13 0,9 5 25 5
КС213Ж 13 0,7 4 40 4
КС215Ж 15 1,5 2 70 2
КС218Ж 18 1,8 2 70 2
КС220Ж 20 1 2 70 2
КС222Ж 22 2,2 2 70 2
КС224Ж 24 2,4 2 70 2
20. Стабилитроны средней и большой мощности
Тип стабилитрона и СТ Г СТ
в (мВ.АС) Ом при /ст, мА
1 2 3 4 5
Д815А 5,6 15 0,9 1000
Д815Б 6,8 15 1,2 1000
Д815В 8,2 15 1.2 1000
7 8 9 1.. 13 1
3 20 —|— 1 150 »
0,5 17 7 125 »
3 17 5 150 »
0,5 15 8 150
3 15 150 »
3 15 125 »
3 20 150 »
0,5 14 9 125 •»
3 14 7 125 1 22, a
0,5 13 9
3 10 5 *' 1
0,5 10 ± 9,5 125 To же
0,5 8,3 10 125 »
0,5 6,9 10 125 122, в
0,5 6,2 10 125 To же
0,5 5,7 10 125
0,5 5.2 10 125 »
ПРИ 4тт«’ мА I , мА ст а£/ст* 10"2 % /°C р it ах Вт Номер рисунка
6 7 8 9 10
1400 50 +6 8 1 22, б
1150 50 -1-6 8 То же
950 50 -1-9 8 »
ьа
1 2 3 4 5
Д815Г 10 15 2.7 500
Д815Д 12 15 3 500
Д815Е 15 15 3,5 500
Д815Ж 18 15 4,5 500
Д816А 22 15 10 150
Д816Б 27 15 12 150
Д816В 33 15 15 150
Д816Г 39 15 18 150
Д816Д 47 15 22 150
Д817А 56 (5,5) 35 50
Д817Б 68 (7) 40 50
Д817В 82 (8) 45 50
Д817Г 100 (Ю) 50 50
КС433А 3,3 10 25 30
КС439А 3,9 10 25 30
КС447А 4.7 10 18 30
КС456А 5,6 Ю 10 30
КС468А 6,8 10 5 30
КС482А 8,2 10 25 5
КС510А 10 10 25 5
КС512А 12 10 25 5
КС515А 15 10 25 5
КС518А 18 10 25 5
КС520В 20 5 120 5
КС522А 22 10 25 5
КС527А 27 10 40 5
КС531В 31 5 50 10
КС533А 33 10 40 10
Продолжение табл 20
6 7 8 9 10
80 25 ±10 8 »
650 25 11 8
550 25 13 8 »
450 25 14 8 »
230 25 15 5 »
180 10 15 5
150 10 15 5 »
130 10 15 5 »
НО 10 15 5 »
90 5 14 5 »
75 5 14 5 »
60 5 14 5 »
50 5 14 5 »
191 3 — 10 1 1 22, а
176 3 —10 1 То же
—8 1 »
159 3 ±3 1
139 3 5 1
119 3 6,5 1
96 1 8 1
79 1 10 1 »
67 1 10 ]
53 1 10 1
45 1 10 0,5 1 22, г
22 3 1 1 1 22, а
37 1 10 ] То же
30 1 10 0,5 1 22, г
15 3 0,5 0.64 1 22, а
17 3 10 0,5 1 22, г
1 2 3 4
КС547В 47 5 280
КС551А 51 (3) 20
КС568В 68 5 400
КС591А 91 5 400
КС596В 96 5 560
КС600А 100 (5) 450
КС620А 120 15 150
КС630А 130 15 180
КС650А 150 15 270
КС680А 180 15 330
15
Й
1,5
20
55
Размеры 5 мм
д к С 2. ..
КС 52Вв КС 5318 КС 547 в // 1.5 5 5
КС558 в КС 5368 14 10 8 8
Мест маркируй
г
it реп
5 6 7 8 ч 1
5 10 3 1 1 1 22, а
1,5 14,6 1 12 0,72 1 22, г
5 10 3 1 1 1 22, а
1,5 8,8 1 12 0,72 1 22, г
5 7 3 1 1 1 22, а
1.5 8,1 1 12 5 1 22. б
50 42 5 20 5 То же
50 38 5 20 5 »
30 33 2,5 20 5
30 28 2,5 20
Рис 1.22. Конструкция и основные размеры кремне-
вых стабилитронов.
а — Д808 Д814, KC13J, КС139, КС147, КС156, КС168. КС433А,
КС439А КС447А, КС456А. КС468А. КС482А КС5ЮА КС512А
КС51дА, КС518А КС522А, КС551А, КС591А, КС600А б-Д8’5
KG630, КС650, КС680 в— КС162А, КС168В KCI70A КС175Ж,
КС1Я2Л, КС182Ж KCI9I. KC2iO, КС213, КС5ПА, г - КСи20В,
КС531В, КС547В, КС568В, КС596В
1.7. Туннельные и обращенные диоды
Специальные электрические параметры туннельных
диодов приведены в табл 21—23, а их внешний вид и ос-
новные размеры см па рис 1.3.
21. Термины н определения основных параметров
Термины Буквенные обилии Ч(Ч1ИЧ Опр t 1CJIC И ИЯ
Пиковый ток туннели иого диода / IT Значение прямо! о тока в точке мак- симума попьт амперной характерн стики туннельного диода, при кото- ром значение дифференциальной активной проводимости равно нулю
Ток впадины туннель- ного диода / в Значение прямого тока в точке минимума вольт-амперной характе- ристики туннельного диода, при котором значение дифференциаль- ной активной нроводнмостн равно нулю
Отношение токов i ун нельного диода / // п' в Отношен ио пиково! о я ока к току впадинЫ туннельного днода
Напряжение пика тун- нельного диода и п Значение прямого напряжения, со- ответствующее пиковому току тун- нельного диода
Напряжение раствора туннельного диода и рр Значение прямого напряжения на второй восходящей ветви вольт-ам- перной характеристики туннельного диода, при котором ток равен пиковому
Сопротивление потерь туннельного диода г п Суммарное активное сопротивление кристалла, контактных присоедине- ний И ВЫВОДОВ
Емкость диода Емкость между выводами диода при заданном напряжении смеще- ния
Инду ктнвность диода L т. Полная последовательная эквива- лентная индуктивность диода при заданных условиях
Макс им ал ыю доп уст н- мая рассеиваемаи им- пульсная СВЧ мощ- ность диода р СВЧ И 1T2Q Г Максимальная импульсная СВЧ мощность, рассеиваемая диодом, при которой обеспечивается заданная надежность
Предельная резистнв- Значение частоты, на которой а к-
пая частота туннельного диода тнвная составляющая полного со- iipoiявления туннельного диода на его выводах обращается в нуль
44
22. Числовые значения параметров туннельных диодов
Тип диода /м Л ПФ, не более с (/[-[. мВ. не более "рр К не менее I'v нГ ая, ггц)
1 2 3 4 5 6 7
АИЮ1А 1 4’ 5 160 —.— 1
АИ101Б 1 2.. 81 5 160 1- 1
АИ101В 2 5' 6 160 — 1
АИ101Д 2 2.51 6 160 — 1
АИ101Е 5 8J 6 180 1
АИЮ1И 5 4,5..131 6 180 — 1
АИ201А 10 8’ 10 180 —~ 1
АИ201В 10 5...151 10 180 — 1
АИ201Г 20 10L 10 200 — 1
АИ201Е 20 6...201 10 200 —- 1
АИ201Ж 50 15’ 10 260 —- 1
АИ201И 50 10...30' 10 260 1
АИ201К 100 201 10 330 —’—*- 1
АИ201Л 100 10.. .50’ 10 330 — I
АИ301А 2 12s 8 180 0,65 L5
АИ301Б 5 25* 8 180 0,85.,1.15 1,5
АИ301В 5 251 8 180 1 ..1,3 1,5
АИ301Г X СП —’ J 10 503 8 180 0,8 1,5
ГД OlO Предельные режимы три ()0Кр - 2j (. - 110MlР рнс\ н KJ
Ом, не более при Н МА ^'гр max’ В <3 о с 6ip на Л’ мА
w (JMIM |0 = и du лш и КЗD(j)
8 9 10 11 12 13 14 15
24г 30 0,5..Д6 — — — —
223 30 0,5,0,6 ~' 1 — —
163 40 0,5..Д6 — — — — 1.23, а
142 40 0,5 0,6 — —- —
73 80 0,5..Д6 —- — —
72 80 0,5. .Д6 — — — —
82 100 0,5...0,6 — — — ——
82 100 0,5. .0,6 — —- —
52 100 0,5. .0,6 — -—- — —
42 100 0,5...0,6 — — —
2,б2 220 0,5. ..0,6 —- — — — 1.23,0
2,52 220 0,5 0,6 — — —
2,2s 220 0,5...0,6 — — —
2,22 220 0,5...0,6 — — — —
— — — — 1 2,5 2,5 5 — — 1 23, а
— — — — —
Тип Диода Сд. пФ, не более ей С U р j м не более ^рр. Ь. не менее Д Н1 ГГц)
1 2 3 4 5 Ь /
ГИ103А,! 1,5 1.. 2,14 4 90 — 8 14
ГИ103Б1' 1,5 0,8... 1,64 4 90 — 9.. 17
ГИ103В" 1,5 0,7.. 1,34 4 90 — —,
ГИ103Г11 1.7 1...3.2' 4 90 — 5,5..13
1И104А 1,3.. 1,6 0,8.. 1,9 4 9012 — 0,1 0,13 (11..25)
1И104Б 1,3. .1,6 0,8.. 1,9 4 9012 — 0 1 0,13 (15 27)
1И104В 1,3.. 1.6 ОД. 1,1 4 9012 — 0,1...0,13 (17 31)
1И104Г 1,3..1,6 0,45...! 4 10012 0,1..0,13 (19. .37)
1И104Д 1,3...1,6 0,4.. 0,9 4 10012 —- 0,1.. 0.13 (21 45)
1И104Е 1.3,..1,6 0,4...0,8 4 10012 — 0,1...0,13 (25. 60)
ГИ304А 4,8 20ь 5 75 0,44 —
ГИ304Б 5,2 20ь э 75 0,44 —
ГИ305А 9,6 30а 5 85 0.457
Продолжение табл. 22
) Предельные режимы при 0г,кр = Помер pnci, н.
Ом, не более пРИ обр и* А О lip ;па-1 R 1 ^обр о У Л р m а о М А < У г: ’О Q р ‘ Ц CI 1 ('’СВЧ и гс< при 1 = 0,1 мкс) мКг
8 9 10 1 1 12 13 14 1 )
(6)5 100 0,4 0,02 1,5 ~ 1 Сп | 5(200)
(6Г 100 0,4 0.02 1 5 1,5 4(150) 1 23. г
(7)5 100 0,4 0.02 1.5 1,5 3(100)
(6)5 100 0,4 0.02 1,5 1,5 6(250)
(6)5 но 0,4 0.02 1,3 1,7 1,5 (200)
(6>5 110 он 0.02 1,3 .1,7 1,5 1150)
(7)5 110 0,4 0 02 1,3 1,7 1,5 ( 100)
(7)5 но 0,4 0,02 1,3 1,7 1,5 150) 1 23, б
(7) = 110 0,4 0,02 0,65 0,85 1,5 (401
(8)5 но 0,4 0,02 0,65. 0,83 1 5 130)
— — — 10 10 10 10 .
— — — — 20 20 —
flpouc г
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 13
ГИ305Б 10,4 30’ 5 85 0,457 — — — — — 20 20 — 1 23, г
ГИ307А 2 20 7 70 400й — — — — — 4'° 4!0 —
1 На частоте 5 30 МГц
2 При ти = 15 мкс и скважности Q 2з= 100
1 Емкость корпуса Скор -в 0.8 пФ
+ При UlJf) < 1 мВ, f = 10 МГц
!> При ти 0,1 мкс
* На частоте 10. ,20 МГц
7 При 1тах 10 мА.
8 На частоте 20 МГц,
’ При /„р = 2 мА.
10 1 ] — 1П мА
'пр и max 7 обр и «гпх 1 L ["л1
1' Диоды маркируются двумя цветными ""очками на корпусе прибора
ГИ103А — голубыми, ГИ103Б - красными, ГИ1033 - черными, ГИ103Г — зелеными
12 Емкость корпуса Скор = 0,25 1.9 пФ.
s
ЗМкшЗа
точки ГИ103
Рис. 1.23. Конструкция и основные размеры
туннельных и обращенных диодов
ГИЗМ,Зй5,М7,Щ1ИЧПЗ
точки (+)
ГИЩ 1ИЧ31
23. Туннельные обращенные диоды
Тп диода 1 [], мА, i l более СА пФ. не болео г|( пр и / = 100 мА, Ом t , 1’ с ,t,p IJ редел। цис ptжимы при 1 luuep рИС. VHKct
л р т „ л г ( пр 1 Г Ifl. Л мА \ * ф 1 Cl . 1 dyt>y J iTr ipu dgi^
В, не j/chcc при / мА в при / ,бр, мА
ГИ40! А' — 2,5 — 0,33 0,1 0,09 1 0,3 4
ГИ401Б1 5 — 0,33 0,1 0,09 1 0,5 5,6 1 OQ Л
1И401А’ — 2,5 0,33 0,1 0,09 1 0,3 4 1.23, 0
1И401Б1 — 5 — 0,33 0,1 0.09 1 0,5 5,6
АИ402Б 0,1 4 — 0,6 0,1 0,25 1 0,05 1
АИ402Г 0,1 8 — — 0 6 0,1 0.25 1 0.05 1
А И 402 Е 0,2 8 — 0,6 0,2 0,25 2 0,05 2
АИ402И 0,4 10 —— 0,6 0,4 0,25 4 0,05 4
ЗИ402А 0.1 2 18 0,6 0,1 0,25 1 0,05 2
ЗИ402Б 0,1 1,5. 3,5 16 0,6 о,1 0,25 1 0,05 2
ЗИ402В 0.1 2,7. .5 14 0,6 0,1 0,25 1 0,1 2 1.23, a
ЗИ402Г 0,1 6 — 0,6 0,1 0.25 1 0,05 2
ЗИ402Д 0,2 3,5 — 0,6 0,2 0,25 2 0,05 4
ЗИ402Е 0,2 2. 6 —- 0,6 0,2 0,25 2 0,1 4
ЗИ402И од 6 — 0,6 0,4 0,25 4 0,05 8
ГИ403А2 0,1 8 — 0,35 0,1 0,12 3 (Ю) 1 (10)1
1И403А2 о,1 8 — 0,35 0,1 0,12 3 (14)3 (I0)3 I. J
1 luti диода и положительные вывод обозначаются красной (ГИ4Н1А, LH40JA) или
синен |1И401Ь. 1И4Н1Б) точкой в уы^блснни вывода
2 Маркируется зеленой точкой *о стороны попожитстыюго вывода
' При длительности импульсов 10 мкс
1.8. Светоизлучающие полупроводниковые
приборы
Электрические параметры светоизлучающих полу-
проводниковых приборов приведены в табл. 24 — 26, а их внеш-
ний вид и размеры см. на рис. 1.24—1.26.
24. Специальные электрические параметры светоизлучающих приборов
Тс руины Буквенные обозначения Орредс енич
Сила света /с Световой поток, излучаемый свето- диодом, приходящийся на единицу телесного угла в направлении, перпендикулярном к плоскости из- лучающего кристалла
Яркость L Величина, равная отношению силы света светодиода к площади светя- щейся поверхности
Максимум спектраль- ного распределении X Длина волны светового излучения, соответствующая максимуму спек- тральной характеристики диода
48
f,2. Цбетныр тпчки ААЗО7А-Л
ЛЛ307АМ,БМ
53 <5.5 ЗЛЗЧ4
<пр через р-п переход зеьенмо
цбета сбечения (мЛ)
i ‘in
/ 24. Конструкция и основные размеры светодиодов
49
25- Электрические параметры светодиодов
1 пи прибор а С г-П и / Обо ли *iti; не ЦВ1‘1 .1 < веченин > ч ь v \(. юнные (>Г>| Г1 .и 1 и н и На K<’pli>LL Номер рисунка
мккд (К1 /м-') при ...
1/ , в пр’ / , мА пр ._
1 2 3 1 5 5 7 R
КЛ101А (Ю) 5,5 10 10 Ж 1 24, к
КЛ 101Б (15) 5,5 20 20 Ж Го же
КЛ101В (20) 5,5 40 40
2Л101А (Ю) 5 10 10 ж
2Л L01Б (15) 5 20 20 — »
АЛ102А 40 2,8 5 10 К (0,69) Краевая точка 1.24, б
АЛ102Б 100 2,8 10 20 К (0,69) Две красные I очки То же
АЛ 102В 200 2,8 20 22 3(0,53) Зеленая точка
АЛ 102Г 250 2,8 10 20 К(0 69) Три красные 7 ОЧКИ
АЛ 102 Д 400 2,8 20 22 В (0,53) Две золение точки
ЗЛ102А 20 3 5 20 К(0.69) Черная точка
ЗЛ102Б 100 3 10 20 К (0,69) Две черные точки
ЗЛ 102В 250 2,8 20 22 3(0,53) Белая точка »
ЗЛ 102Г 60 3 10 20 К (0,69) Три черные точки
ЗЛ 102Д 200 3 10 22 К(0,69) Две белые точ- ки »
АЛ112А (1000) 2 10 12 К (0,68) Красная по л оса 1.24, г
АЛ112Б (600) 2 10 12 К (0,68) Зеленая полоса То же
АЛ 112В (250) 2 10 12 К(0,68) Сними полоса >
АЛ112Г (350) 2 10 12 К (0,68) Красная по- лоса 1.24, е
АЛ 112Д (150) 2 10 12 К (0,68) Зеленая полоса То же
АЛ 112 Е (1000) 2 10 12 К (0,68) Красная точка >
АЛ112Ж (600) 2 10 12 К (0,68) Зеленая точка 5>
АЛ 112И (250) 2 10 12 К (0,68) Синяя точка »
АЛ112К (1000) 2 10 12 К (0,68) Красная точка 1 24, ж
АЛ112Л (600) 2 10 12 К (0,68) Зеленая точка
АЛ 1 12М (250) 2 10 12 К (0,68) Синяя точка
АЛ307А 150 2 10 20 К(0,666) Черная точка 1 24, в
АЛ307АМ 150 2 10 20 К(0,666) Черная точка 1.24, д
АЛ307Б 900 2 10 20 К (0,666) Две черные точки 1.24, в
АЛ307БМ 900 2 10 2 К (0,666) Две черные точки 1 24, д
АЛ 307В 400 2,8 20 22 3(0,566) Черная точка 1.24, в
А Л307 Г 1500 2,8 20 22 3(0,566) Две черные точки То же
АЛ307Д 400 2,5 10 22 Ж Две черные точки
АЛ307И 400 2,5 10 22 ОР Белая точка
АЛ 307Л 1500 2,5 10 22 ОР Две белые точ- ки »
50