r/~ .ВЗАИМОЗАМЕНЯЕМЫЕ
ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ
И ЗАРУБЕЖНЫЕ
_/

ПОЛУП_РОВОДНИКОВЫЕ
ПРИБОРЫ
А. С. БЕЛОВ
В. . И. ГОРДЕЕВд ·

А. В. НЕФЕДОВ

. ;,l)

~""
,
, в , 1 ма)
~5в, 1 ма)

l

100(511 : 1 Ata)

:~
10

-"4о-~
40

!-'=10

~moit, Г

~~
МП41А
ТО5
ГТ 108Г;
Л1Л41А

31

6ФО.3
Б

43

УДК

621.382

r

Белов А. С. и др.

Б 43

Взаимо:Заменяемые отечественные и зарубежные полупроводниковые
М., «Энергия», 1971-

приборы.

104 с. с илл :
Перед загл. авт.: А . С. Белов, В . И. Гордеева,
А. В. Нефедов.
В

справоу:нике

приведены

сведения

о

взаимозаме­

няемых отечественных и зарубежных полупроводниковых
приборах , даются рекомендации по подбору пр1</).nттженных аналогоп, приводятся условные обознэ ".
Jлу пµv n ал.никовых
ряда стрil"н:- -

приборов

Справочни к ---рас считан
"'-\ 1-1имаю щихся

электr ~

и

----· "

взаимозамен .... ·

на

".

') J)Ы

Предисловие
В наооящее время полупровоД'никовые приборы нашли широкое

применение ·во ·многих

областях совремеН'ной технаки. НепрерЫi!'НО

расширяют:ся о·бласти их ·применения, улучшают:ся их характеристики
и параметры,

по·вышается надежность .

Создание современных и специализир·ованных полупроводнико­
вых приборов по'3аоляет осваивать но·вые, ранее недоступные обла ­
сти

схемотехники,

схем и

улучшать

различные

варианты

радиСУГехнических

узлов.

Несомненно, что зарубежная информация о применении полупро­
водниковых ·приборов 1ПрИi!лекает вним а·ние широкото круга рад·ио­
любителей и специалистов радиоэлектронной техники, т . е. ·в·сех, кому
приходится эксплуатировать, настраивать, улучшать и разра'баты­
вать электронные схемы и устройства.
В зарубежных источниках литературы (каталогах, ·справочни­
ках , книгах , 1 журналах, информационно-справочных листах и т. д.)
или в ~переводах книг и статей, посвященных применению полупровод­
никовых приборов, часто •i!стречаются интересные и о· ригиналыные
принципиальные схемы различных радиоэлектронных устройств на
полупрОВОД'НИКОВЫХ приборах .
Однако для . их воспроизведения, а та·коке при ремо·нте зарубеж­
ной радиоэлектронной аппаратуры ' (радиоприемников, телевизоров,
магнито·фонов, рав лич'НО'ГО рода измерительной аппаратуры и т. n.)
необхоД'имо знать соотв етствующие по назначению, хара·ктеристика'М
и ·параметрам отечественные полупроводнИ1<овые приборы (прибли­
женные а1налоги).
В отечествеН'!юЙ научно-технической литературе 1i!о1просы, связан­
ные с возможно'стью взаимозаменяемости зарубежных и отечестnен­
ных полупроводниковых приборо:в , О'свешены недостаточно.

В настоящем справочнике, составленном ·на основе изучения за­
рубежной яаучно-тех·нической информации (о применении, характе­
ристиках и пара м етрах ·полупровоД'никовых 'Приборов) и личного
опыта

авторов,

ра·ссматриваются

'!!·опросы,

свяванные

с

взаимозаме­

няемостыо отечествен'ных и зарубежных транзи'сторов и диодо·в, при­
водятся па· раметры и система услов·ных о·бозначен·ий, принятая в ря­
де зарубежных пран, предлагаются рекоме'ндации 1!10 подбору при ­

ближенных аналогов .
Кроме того , приводят:ся таблицы взаимозаме·няемых отечестnен­
ны х и зарубежных диодов и тра'нзисторов (одина"Коnого функцио­
нального назначения и с близкими электрическими параметрами).
В сштзи с оrраю1·ченным о·бъ е мом спраnоч'ни;<а авторы вынуж­
де<ны ·были 'сократить перечень ра,ссматриваемых взаимозаменяемых
прибороu.
·
Авторы

}

Глава

1
~

Общие сведения
УСЛОВНЫЕ

ОБОЗНАЧЕНИЯ ЗАРУБЕЖНЫХ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

ПРИБОРОВ

Раввитие полупроводниковой промышлен·ности в разлиЧ'Ных стра ­
нах и ·появление большого коли ч ества ·разнообразных ти по•а полупро­
водниковых П'ри·боров ~повлекло за собой создание •новых и со·вер ­
шен·ствование прwнятых систем обоз·начений этих пр.иборов. За рубе ­
жом существует •м11юго •ста·ндартных и нестандартных систем обо­

значений ·полупровод·н·июУвых приборов. Несовершенные си·стемы обо­
значений, составленные 'без учета перспективного ·развития при6о­
ро·а, постепенно исчез ают. IНаблюдае'тся тенденция ·к общей ста•нда•р­
ти з ации обоз·нач ений. Ниже рассмотрены основ·ные системы обозначе­
ний зарУ'бежных приборов , указаны их преимущества и недостатки,

Система JEDEC. Наиболее распро·страненной является система
обоз·начений, принятая Объединенным Техническим Советом lПО элек­
тронным при·борам ОША •(JED1EC). 'Согла·сно этой системе тюлупро ­
водниковые приборы обозначаются индексом, в котором п ервая циф­
ра по'Казывает количество р-п переходов:

!

-диод;

23-

транзистор;
тетрод .
'
За wндексом следует буква N и з атем се рийный :номер, под
которым приборы регистрируются Ассоциацией предприятий элек ­
троююй промышленности (EIA).
Пр им ер:
2№Мб -946-й
зарегистрированный
транзистор;

!N808-808 - й зареги·стриро·ванный диод и т. д.
К индексу может дабавляться одна ·или ·несколько букв . Бук ­
венные символы ·служат для обозначения взаимозаменяемых прибо ­
ров.

Следует иметь в виду, что 1полупровод·никовые при·боры, серий­
ные номера которых следуют друг за другом, могут значительно от­
личаться по своим характер-и·стикам

и цоколевке .

Ассоциация п редприятий электронной промышлен·ности ·реги­
стрирует приборы по характеристикам, приводимым изготовителями.
Любой из1готовите.11ь, ·приборы которого по характер:исти1<ам и па ­
раметрам подобны у~же зареги•стри·рованным EIA, может ·поставля1ъ
приборы с принятым по сиоеме JEDEC обознаr1ением.
СогJ1ас но амери·ка·ис кой воеиной специфнющии ·к промышJ1е·нно­
му номеру добанляет с я ·приставка JAN (в малогабарю1ных п рибо­

рах J), заменившая использовавшиеся ·раньше пристав·ки USA, USAE
USN, о·боз·начавшие ведомство заr«азчш<а .
Система Pro Electron. В Европе наряду со ста·Р""•У1'ной системой
обозначений JEDБC широко ·и•спользуется таю·· - "17 ·о::.та·н дартная система Рго Electron. Обозначения ПР '
· •:i_ ~ ,
ци е й Assoc i at i oп Interпatioпa l Рго Electro
;'
ле • ·

•Как и . по системе JБDEC , по сист '
·- -~я вновь разра•бот--·
постав.11~

-· "

rистрациоиным оболrачением, е<:ли характерисТИl\И 1прнбо·ра ·соответ ­
ствуют

ранее

зарегистрированному.

Бел.и по о·бозначениям JEDEC ·можно определить только коли­
чество переходов у прибора и примерное в·ремя разработки, так как
номера

присваиваются

в

возрастающем

·порядке,

то

используемые

системой Pro Electron буквы и цифры дают ·больше сведбний о при­
боре, что является ее преимуществом.
Обоз'Начение по ·системе Pro Electron в-сегда пятизначно.
Прибо·ры, предназ·наченные для широ·кого приме·нения, например
для радио·вещателЬ'ных и телевизионных прием·ников, магнитофоrю.з
и т. д., обозначаются двумя ·буква·ми и тремя цифр·ами, прi!боры
для промышленной и специальной аппаратуры о·боз·начаются тремя
буквами и двумя цифрами.

Пр им ер:

ВУ1 ·27 - прибор широкого применения;
ВНУ96 - при>бор специальното применеюrя.
Первая ·буква обозначает код материала;
А - приборы, использующие материал ·с шири1ной запрещен·ной
зоны от О,б до 1,0 эв (германий); 'В - приборы, использующие ·ма·тер·иал с шириной за1преще'!!lюй
зоны от 1,0 до 1,3 эв >(кремний);
С - приборы, использующие материал с шириной запрещен·ной
зоны, равной или vолее · 1,З эв (арсС"нид галия);
D - приборы, использующие материал с Шириной залрещеююй
зо1ны менее О,'6 эв (антимонид индия);
R - приборы без лерехода, использующие полупроводниковый
материал .

Вторая буква обозначает ·наз·начение:
А - детекторный 'быстродейст.зующий ·смесителЬ'ный диод;
В - диод с леременной емкостью;
С -транзистор ~rизкочастотный маломощный Rthja> 15° С/вт;
D - транзистор }!ИЗКОч.астотный мощный Rthja<15 °С/вт;
Е - туннелыный диод;
F -транзистор 'ВЫСО'Кочастотный мало,\IОЩНЫЙ Rthja> 15 °С/вт;
G - сложные при·боры (в одном корпусе нескольхо различных
приборов);
Н - измеритель напряженности ма11нитного поля;
'К - ге'Нератор Холла;
L -транзистор высокочасТО'ГНЫЙ мощный Rthja< 15 °С/вт;
М - ·модулятор и умножитель Холла;
Р - светочувствитель·ные пр·иборы ' (фотодиод, фототранзистор);
Q - жзлучающий прибор;
R - прибор, работающий в области пробоя;
S ~ пере1<лючающий транзистор маломощный;
Т - регулирующие и переключающ11е П'риVоры, мощные (КУБ
и т. п.) Rthja< 15 °С/вт;
Х

Z-

диод ум·ножительный;

У

диод выпрямительный мощный;
стабилитроны.
Если ·в одном корпусе :имеет·ся несколько одинаковых приббров,
то абоз·начение производи-гся в соот.зектвии с указалным 'l<одом
для дис·кретных приборов. Если ·в одном r<орпусе имеется ·нес-колько
разных приборов, в качестве второй буквы обозначения и·спользуется
бухва G.

Для приборов широкого применения по·сл е двух букв следу >Т
трехзначный порядковый номер от

100

до

999.

Для приборов, пред-

5

·-

на зна ченных для применения

ратуре ,

третьнм зна·ком

в промышлен·ной и специаль·ной аппа­

является буква, начиная от

Z

в обратном

алфаа·иТ>ном !Порядке: У, Х и т. д . , за которой следует порядковый
·номер от

10

до

99.

.

К о•сновному qбоз·начению часто доба·вляется буква, указываю­
щая ·на отличие от ос·новното типа.

Пр им ер: АС 1'80К -

транзистор, подобный АС180, но в другом кор­
пусе;

ВSХ51К- тра·нзистор, подобный

BSX51,

но более высоко­

вольтный.

Для некоторых типов ·п·ри·боров, таких ·как ста•билитрооы, мощ­
ные диоды и тиристоры, ·возможна дололн·ителыная классификация,

согласно которой к оС'новному пятиз·начному о•боз·начению через тире
или дро·бь добавляе1'Ся до·полнитель·ный код.

Например, для
сведения

о

сrабилитронов

ном·иналыюм

дололнителыный

напряжении

и

его

код

допусках

·в

содержит
пропентах.

Первая буква указывает допуск:
А-'1 %; 'В-Q%; С-5%:
•Е-15%.
По·сле ·букаы в дополнительном коде следует номинальное на­

D- 10%;

пряжение в ·вольтах.
ставится ·буква V.

Бели это не целое

число, то ·вместо запятой

Пр им ер: обозначение стабилитрона BZY-83- CбVS.
Из приведенного обозначения можно установить, что это крем­
ниевый ста билитрон для специального назначения с регистрацио•н­
ным номером У-'83. с ·напряжением стабиливации •6;8 в и допуском
на ·налряжение ± '5% .
Для ·вьгпрямитель·ных диодов дополнительный ·код указывает
максималыную

а·мллитуду о•братного

напряжения

п еременного тока-.

Для тир·и·сторов дополнительный код указывает меньшее из зна ­
чений максимального налряжения
амплитуды обрilтного на<пряжения.

в·ключени я

или

мак·симальной

Пр и м ер: ВУХ13 - 2·00- это кремниевый выпрямитель специального
на зю1чен ия с регистрационным но мер ом Х 13 и ·на пр яжением

200

В конце дополнит ельн ого обозначения может ст9ять ·букаа
указывающа я на
с ом).

обратную полярность

в.

R,

(сое.'(и·нение анода с корпу­

Нормальн ая полярность (соедин е·н ие катода с кор·пусом) и сим-_
мет р ичное

испо.пнение

выводов

в

коде

·не

указывается.

Пр и м ер: ВТУ99-100 - крем·ниевый тири·сто·р специ ального наз·наче­
ния с р егист рационным ·номером У99 , напряжением 100 в, обратной
ПС! Л ЯDНОСТН.

Сист ема Рго Electron широ·1<0 применяется в ФРГ, Фрмшии,
Итал ии и других страна х.
Старая европейс1сая система обозначений. С н·стем а Pro Electron
ш11ро1<0 1прн·менп ется в Европе с "6'0-х годов и часто ·наз ыва ется «но­
вой» ев роп ейс·1<ой системой о'боз·иаченнй. Она з аменил а собой ста р ую
европеЙС'I<)'Ю с и•ст е му, по которой полупро·водю1ковые приборы о·бо­
значались буквой О (нулевое напряжение накала по принятому кол.у
обознач е.н ий для ламп) .
После начальной б уквы О следовали б у квы, у1< азывающие ос­
но·вно й 'Класс при·боров:
· А - диод;
С

АР

- фотод иод;
AZ - ста~илитро·н .;

-

транзистор;

· СР ~фототран зистор;

RP -'-фоt·оnjю водящий

элемент.

После букв следовал репrстрационныИ номер ..
Пр им ер: ОА81 - диод полупроводниковый;
OAZ200

стаби ли ­

-

трон; О С 7'2 - транзистор.
Японская система. Согласно сущеетвующей в настоя щее время
В Я'ПОНЮ! системе обозначений 'Н еЛЬЗЯ определить мат ери ал, 'НО МОЖ ­
НО определить, является ли прибор ди одом или транзистором, !'!азна­
ченне прибора, тип проводимо·сти.
Индексы, стоящие перед регистрационным но мером, имеют 'следующие значення:

1S - диод ·полупров·однш<овый ;
'2SA - р-п-р тра·нзистор ·высо·кочастотный;
·2sв - р-п-р транзн·стор низкочас тотный;
'2SC - n-v-n транз истор высокоча·стотный;
2SD - п-р-п транзи·стор низко час тотный;
2SF - кремниевый управляемый выпрямитель;
2SH - полупровод!НИiювый тетрод.
П р им ер: :2SAl2 - высокочаст отный р-п-р тран зи·стор
ционным номером ·1·2.

·С

реп1стра ­

Английская система. В Англии н аиболее распр остра н ена военная

спецификация. По этой сИстеме обозначен.не полуп р ов од н иковых при­
боров состоит из двух букв CV, за ·которыми следует четырех- или
пятиз,начный цифровой номер.
Английское почтовое ведомство British Post Office также вы­
пускало свои серни полупроводниковых прибо·~:юв с о·бо.значениями
POI, РО2 и т . д.

В

настоящее время Английски й 1юмитет ·станд арто в Burghard
работает над созданием стандарта обо значенн й ·на полу -

Commitee

про·водниковые приборы .
.
Фирменные обозначения. Кроме вы ш еуказанных ст а н дартных си­
стем обознач ений изготовители-фнрмы широко использу ют свои обо­
значения.

За основу ·букве·нного о·боз·начения чаще в-се го б ерется принцип

сокраще·нного на.звания· фирмы, коды материала и применения.
Пр им еры:

DTGI 10, DTS430 -

это

германиевый

·и

кремниевый

транз.истор с ·порядковыми ·номерами 110 и 430.
D - начальная буква фирмы Delco Radio Device;
Т - транзистор;
G и S - германий и кремний соотвNственно.
Фирма Texas Inst ru meпt Ltd о•бозначает свои приб ор ы индексом
1G, 1S, 2G; 2S, за которыми следует реги·страционный номер. В этих

обозначениях цифра

1

означает диод, 2-транзистор, '6уквы

G

и

S-

германий и кр емний.

Фир·ма

Transitron

пользуется

буквенными

об означениями

для

указания фирмы и 1<ласса прибора .

Пр и м ер:
Т

TMD 50, TOR 5'20.
- обозначение фирмы;
MD - м.икродиод 1(micro diod);
CR - управляемый выпрямитель (controlled rectifier);
·50, 5'20 - регистрационные ном ера.
Фирма Mistral использо·вала буквы SF, условно об означающие

полупроводни ков ый прибор. Тр етья буква указывала ·кл асс 11рибо·ра:
D-диод;
R - мощные выпрями.тельные ди оды;
Т - транзист9ры .

7

Г1 р и м ер:

виде одетек"Гvрный диод;
выпрямительный диод ;
·1шзкочастотный транзистор.
СJiедуст отметить, что фирменные обо з нач ения многочи сл енны.
Кро·ме того, ряд потребителей применя ет собственные обозначения,
поэтому прив ест и их полную классифи·кацию не представляется воз-

SFD 103 SFR'264 S FT353 -

~<;

МО)JШЫ М .

Ц ветной код. Для маркировки малогабаритных полупроводнико­
вых диодов вместо дИ'фровых и ·буквенных обозначений часто ис­
пол ьз ует·ся цветной ·код. Наиболее широ'Кое распространение за рубе.­

жом получила ·система цветного кодирования, предложе·нная А'Ссо­
циацией пр едпр.iЯтнй электронной ·промышленности (EJA) n США.
По этой ·с истеме
цнфр и бу1ш:

у•стан о·влено сл еду ющее
Б у 1\.ва

Цвет

Цифры

Черный ·
Коричневый
Красный
Оранжевый
)Келтый

о

1
2
3
4

о

Цrrфры

D

о·бозначенне
Бу"ва

Цвет

Зеленый
Синий (голубой)
Фиолетовый
Серый
Белый

5
6
7
8
9

А
в
с

цветно е

Е

F
о
н

J

Пр.и и спользовании цветного кода в обо.значении диодов ·первая

цифра

и

но.>1ер ,

состоящнй

буква

N

опускаются.
·нз

двух,

Следующий

трех

или

за

четырех

•буквой
циф р,

N

типовой

о·бозначается

11ветными полосками по указаю·IЫМ ·НИ'Же прави лам:

номера, состоящие из двух цифр, обозначаю1'СЯ rпервой черной
поло·ской и последующими ~порой и третьей цветными полоеками,
указывающими соответствую щие цифры. Если ·в обозначении ис­
пользуется бу1ша, она указывается ч етвертой полос'Кой;
номера из трех цифр обоз·начаются тремя цветными полосками ,
указывающими ·соответствующие цифры . Четвертая полоска обозна­
чает букву;
типовой номер, со·стоящий из четырех цифр, обозначается четырьмя цвет·ными ·полос1шми и пятой чер'Ной полоской. Если в этом
случае требуется о·бозначить букву после цифр, то ее обозначают

пя той цветной полоской ' (в·место черной);
для обоз·начения rпол нриости цветные поло-ски ЛИ'бо 'СМещаюгся
ближе 1< катоду, либо первая полоска от катода дела ется двойной
ширины;

тип
ОТ

по лу проводникового

диода

читает·ся

по

цветным

полос'!<ам

l(атода.

ГРАФИЧЕСКИЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИ&ОРОВ
[ПРИНЯТЫЕ В АМЕРИКАНСКОЙ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ
ЛИТЕРАТУРЕ)

p-n-p transistor
тра·нзистор р-п-р-типа

' n-p-n transistor
транзистор п-р-п-типа

8

·

p-n-i-p transistor
транзистор р-п-i-р -типа

n-p-i-n transistor
транзистор п-р-i- п-типа

rp-n-i-n transistor
транзи·стор р-п-i- п-т-и·па

11-p-i-p transistor
тран з истор п-р-i-р-тип а

p-n-p-n traflsistor
транзистор

11-р-11-р

р-п-р-п- типа

tra11sistor

тран з и сто р

п-р-п-р-типа

p-type u11ijunctio11 tra11sistor
одно п ереходный транзистор р-типа

п-tуре uпi j u11ctioп

transistor

одаопсреходный тран з истор п-типа

p- chanпe l

fie ld-effect

tгa11sistor

п ол ево й траюистор с ка н алом р-типа

11- cl1aпnel

fi eld-effect transistor

полевой транл1стор с канЦJ]ОМ п-т1щ11

·.~

insulated-gate-field effect transistor
полевой тра нзипо.р с изолиро·ванным затвором

p-n-p tetrode junction transistor
двухбазовый транзистор р-п-р-типа

p-n-p tetrode junction transistor
двухбазовый транзистор р-п-р-типа

tetrode junctioп transistor
двухбазовы й транзистор п-р-п-типа
п-.р -п

n-p-n tetrode junction transistor
двухбазовый т.ра•нзистор п-р-п -типа

diode

thyгistor

дио :щый тирипор

light-activated switcl1
n ереклю,1ат ель, включаемый излучС'нием

ligbl-activated S\vitch
переключатель, включаемый излу че11и ем

silicoп

controlled rectifier

кремн11 е вый упраnлн е мы(! вс11ТJjЛ,!;>

ID

silicoп coпtгolled гectifiel"
кремниевый управляемый вентиль·

lig11t-activaled si li con

tl1yг i stor

1<рем ,н11евый тнрнстор, в1<люча ем ый излучением

contгolled S\vitch
управляемый nере1<лючатель,

light-activated si licon
кремниевый

включаемый

из J 1 учением

silicon

contгolled

switch

кре мниевый тетрадный тиристор

contгo ll ed switch
кремниевый тетрадный тиристор

si licon

bldirectional diodethyristor
двунаправленный диодный тиристор

Ьidirection triode thyristor
двунаправлен н ый триодный тири·стор

silicon

Ьi l a teral

switch

кремниевый двунаправленный переключатель

(триодно·

го типа)

tuпne l

--.i:

diode

1 уннельный диод

gale turn-off switch

твердотельный переключатель с выключением по упра ~ ляющему ::;лектроду

l i

rectifiets, computer diodes
выпрямит ельные диоды,
импулЬ'с'Ные диоды

zener diodes

·

стабилитроны

tunnel diodes
туннель·ный диод

varicaps
варикапы

ЗАРУБЕЖНЫЕ СПРАВОЧНЫЕ ИЗДАНИЯ ПО ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ
ПРИБОРАМ

Наиболее полным·и современ ным·и справоч+шками ·на зарубежные
приборы являются справ·очники, выпускаемые объеди1нением Derivation and Tabulation Associates ОША (DATA). Справочн и ки DATA со­
дер1жат осно·вные параметры , та·баритные чертежи и с·ведения о ко·н­

структ и вном оформленин дл я наиболее часто встречающих•ся nр'И ­
боров. Эти справочники полно·стыо пересматриваются и выпускаются
два раза в год.

В

·настоящее ·время

Сl(а ется

од:новременно

объединением

DATA

выпу -

шесть справочнико·в:

Транзи·сто·ры;
'Полупроводниковые диоды и КУВ;
Эл е1про·вакуумные пр·иборы;
Линей·ные интегральные схемы;

Логические интегралыные схемы;
Транзисторы, -с·нятые с пр оизводства.
Указанные -справочники в больши·нстве случаев позволяют оты-с ­
кать п араметры зарубежного прибора и произвести предваритель-ный
выбор отечественного аналога.
При отсутствии сведе-ний о·б кнтересующем •приборе, а также при
детальном изучении ·возможности замены следует . о·бращатЬ'ся к фир­
ме-нным каталога·м и инфор·мационно - сп равочным листам .

СИСТЕМА ОБОЗНАЧЕНИЙ ОТЕЧЕСТВЕННЫХ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

По ГОСТ
стоят из

10862-'64

о·боз·начения полупроводнико·вых ·приборов со­

четырех элеме·нтов.

Четвертый элемент - буква, обозначающая
группу ~прибора (ра~новидность типа).

12

клас-сификацио·н-ную

Первыi\ элеменr
Условное об означения

Исходный матеµиал

г или
к или
А или

Ге рманий
Кремний
Арсенид галлия

1
2
3

Второй элемент

Класс или группа приб оров

Условюе
обоз нач е­

"'
:i:""

о <11

"'~
о'"

Класс или груп па п риборов

"'о"
(,;\О ::s::

ние

;:.,
Выпрямительные
версdльные

уни-

д

импульсные

ДИОДЫ

Транзисторы
Варикапы
СВЧ диоды
Фотопри 5оры
Неуправляемые
слойные
приборы

т
в
А
ф

много-

у

Управлнемые м1югосJюЙ­
ные

о"'

переключающие при ­

боры
Туннельные диоды

и
с
ц

Стабилитроны
Выпрнмительные столбы
и блоки

н

переключающие

Третий элемент

У славное

1 обозначе- 11

Назначение прибо;~а

Назначение прибора

ние

Диоды НЧ:

Стабилитроны

101-399
401-499
501 - 599
101-999

выпрямительны е
универсальные
импульсные

Варикапы
СВЧ диоды:
смесительные
видеодетекторы

модуляторн ы е
п араметрические
п ереключающие

умножительные

Фотодиоды
Фототранзисторы
Управляемые многослой ные

переключающие

101-1 99
201-299
301 - 399
401-499
50 1-599
601-699
101-199
201 - 299

Условное
обозначе- ;

f,g

иие

сред-

ней мощности:
н:шрнжение

с та-

билизации
1,0--9,9 в
10-99 в

100-199

(J

Стабилитрон ы

боль-

401 - 499
501-599
601-699

шой мощности :
н<~пря:жение стаби лизации

1-9, 9 в
10-99 в
100- 199

в

Выпрямительные
столбы

при-

боры:
малой мощности
средней мощности
большой МОЩНОСТИ

1

малой

701-799
801 - 899
900- 999
101-199

мощно -

сти

101 - 199
201 - 299
1301-399

Выпрямител ьные
столбы

средней

201-299

м ощ-

ности

13

fj podoлжeii1lu

У

1 обозначеCJIOBHOe 11

Назначение прибора

У_сл~

1

На з начение прибора

о о озна4е-

нне

ние

Выпрямительные

Управляемые многослойные

переключающие

средней мощности
малой МО IД НОСТИ

большой мощности
Туннельные диоды:

201-299
101-199
30 1-399

кн средней

101-199
201-299
301-399

мощности:

генераторные
переключающие

малой

стабилиза-

напряжение
ции

1,0-9,9
10-99 в
100-199

101-- 1991
201-299
301-399

в

в

401-499
50 1-599

Выпрнмительные бло!(И большой

мощности:

·-

мощности

мощности

Транзисторы

усилительные

Стабилитроны

301-399

б локи малой мощности
Выпрямительные бло-

при-

боры:

~

малой

10 1-199
20 1-299
301-399

низкой час1оты
средней ча стоты
высокой частоты
Транзис торы
средНlЙ МОЩНОСТИ:
низкой частоты
средней Ч<lСТОТЫ
высокой частоты
Трю1зисторы
боль-

401-499
501 - 599
601-699

шой мощности :

701 - 799
801-899
901 - 999

низкой частоты
средней частоты
высокой частоты

Условные графические обозначения для полупроводнИ'!ювых при­
боров приведены в ГОСТ 76'24-б2.

ВЗАИМОЗАМЕНЯЕМОСТЬ ОТЕЧЕСТВЕННЫХ И ЗАРУБЕЖНЫХ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
Воспро.и зв одимость
зави 1 сит

от

степени

ПРИБОРОВ
технических

•с овпадения

показателей

характеристик

и

радиоаппаратуры

параметров

исполь­

зуемых полу;провод·никовых пр·иборов.
Оче·видно, что в идеальном случае аналогичность (эквивалент­
ность) приборов предполагает их полную вза.имозаменяемо·сть по
всем

электрическим

характеристикам

и

параметрам,

предельным

экс­

плуатациоrнным значениям режимов, по установочным ·и табаритным
размерам. Должны учитываться также дан·ные по устойчивости
к в·нешним воздействиям · (вибрациям, ударам, ·климатическим воздей­
ствиям и др.), ·надежность и долговеч·но•с ть.
Од:нотипные отечественные и
зарубежные полупроводниковые
приборы практически никогда не со·впадают по всем своим электри ­
ческим параметрам, так ·как их эксплуатационные свойства описы­

ваются большим

числом

метров, :которые ·не

прибора

· (имеется

и змене нне

величин

(несколько десятков)

строго

одинаковы

естественный

даже

в

электрических пара­
пределах

технологический

некоторых параметров

от

одного

разброс) .

минимума

до

типа

Причем
максиму­

ма для да нного типа при·бора может д ости·гать нескольких ·с от :~ро­
центов.

14

..._ .,,,.",>J:i

Принципы,
значения
нятые

в

С'Вяза·но

нормы

в е личин

технич еских

с

и

м етоды

эл ектрических

объе м ом

определения 'Наиболее

параметров,

д окументациях

производства

характеристшш разброса

разных

вероятного

устанавливаемые и при­
стран,

·неидентичны ,

(устанавливают·ся

что

стати·стиче·ские

параметров, функции • раепределения

пара­

метро·в в зависимост;.~ от режима и т. п.) , со степенью жесткос•ти но,рм
технич е·ски х

усл овий ,

ряду па!Jаметров

с

различными

технологиче-с·кими

запасам•и

по

и др .

Р е жимы, у словия , м ето д ы проведения различных видов 1Электр.и­
чес rшх, мех анических и I<лиматичесrшх испытаний, нормы яа пара­
метры

-

критерии

~го д ности

при

ис1пытаниях

-

н

от ·которых з ависят уста·навливаемые параметры
мо·сть

прибора

определя ет·ся

в

основяом

в

методы

измерения,

(а ·взаимоЗамеияе ­

ерав•нимых,

идентичных

условиях), ·многообраз· ны и не ун·ивер·сальны для раэличных типоа
прибо· ров.
Кроме того, пара·метры пр:иборов имеют зависимость не только
от режима работы (тока , напряжений , частоты • сигнала, данных ·внеш ­
них цепей и т. п.) и от температуры , IНО и изменяются со врем енем
(дрейф параметров во время работы и при хранении).
Имеются свои о•с обенно·ст и и ·в под.ходе к стандартизац:ии ~пара­
метров,

харюперистик

и

свойств

приборов,

принятой

в

отдельных

страна х .

Долж·на учитыватыся так1 же взаимозамеияемо·сть по присоеди­
нительным размерам · (размеры выводов, элементы ·кре п ления при
монтаже и т. п.) и га·бари11ным размерам, которая о п ределяет воз­
можность замены однотипных приборов при соблюдении заданных
усл овий сопряжения ·с аппаратурой (с 1панель·ками, подстав·ками, теп­
лоотво д ами, экранами и т. п.), что может иметь з·начешrе п ри раз­
личного

рода ·климатических

и ·механических

воздействиях

и

и•спы ­

таниях.

Зарубежные полупроводнико·вые при·боры имеют разнообразное
конструктивное оформление: корпуса мотут быть стеклянные , метал­
лостеклянные , пластмассовые, металлопластмаесовые, металлокерами ­

ческие , стеклокерамич еские и другие . (в на·стоящее в·ремя за рубежом
разработано ·более ста унифицированных ·корпуеов приборов). Из-за
различных требований к кон·струкции 1<орпусов 1при6оров · (·рас·поло ­
жение, ·ф'орма и размеры выво д о·в, ·в·нешний вид , стойхость к ра з лич­
rюго ро д а возд е йствиям, . ·форма корпу с а , цокол е·ю<а, ·в ес и т. п.)
установочные и габар.итные · размеры у большин·ства сравниваемых
отечественных и за р убежных приборов ·не совпадают . Лишь у •не­
скольких

типов

имею'I'ся

·сходные

конструкции,

например

корпу с а

типа ТО- 1 8, ТО-5 , ТО -·60 , ТО-?2 и др.
Т а ю1 м обра з о м , и з ск аз ан 1 ного выше сJlед ует , что поJ1но е подобне
(по параметрам) пр а ктич ес ки и·с к л ючае"Гся, ·и о в з аимозаменяемости
отечественных и за р убежных при·боров м·ожно с удить лишь по х арак ­

тер·ным параметр ам , устанавливающи·м их о с новное (целевое) 'Назна­
чение · (как известно, ра з работка приборов ведет·ся ·с учетом особен­
ностей конкретных классов (групп) схем, в которых предпоJ1аrается
их использование) , т. е. в конкретной схеме .отдельным параметрам
придается особое значение. Однако и в этом случае имеются свои
тр удности , •спн з а·rшые с исключитель'НЫМ раз·нообразием условий •экс­
пJ1уатации ( ме хюrпчес r\ и е, кл иматиче с 1ш е и др . ) , областей и режимов
применения nо лу nро в о д н нк о в ы х ~приборов в ·с овре мщ11юй раю~оаппа ­
ратуре, ·кqт оры ~ г1 е мq•г у т бl>П!> полнqст!>ю учтены ,

15

Кроме того, взаимозаме·няемость приборов зависит не только от
их свойств, усло·вий эксплуатации и режимов применения, 'НО и от
рационально разработанной ·схемы и правиль·ного использования в ней
приборов. Например, если - конкретная схема ·рассчитана на предель­

ные для приборов параметры ' (а не ·на оптимальные) или ·на специ­
альный подбор приборо·в одного типа по одному или ряду параме ­
rров ('без учета их раз·броса), то усл овия ·взаимозам еняемо·сти
нарушаюl'ся и при вамене приборов схема может оказаться ·вообще

нера6отоспосо·бной. Естественно, если сх ема рас·считана так, что при
наихудших условиях эксплуатации : (раз'брос параметров элементов,
колебания ·напряжения ~питания и температуры, ·к·рай~ние положения
систем регулирования, крайние значе·ния входrюго ситнала , воздей ­
ств·ия разли чног о рода яатрузок и т. п.) не превышае·кя 'НИ одна из
установленных предельно допустимых :.еличин параметров прибо·ров

(тока, напряжения, мощно·сти), то подбор экви·валентных типоn при­
боров упрощается .

Воспроизведение схемы требует твvрческого подход а. н~ исклю­
ч ено, что при повторении (воспроиз ведении) схемы мож ет оказаться,
что для подобра·нного отечеств енного прибора при использовании
указанных ·в схеме величин пассивных элементов (резисторов, ·ко нден­
саторов, катушек индуктив·ности) она ·не ·будет функционировать
нормаль·но или окажется ·неработоспособной, и в ряде случаев при­
дется ·вводить ·кор'рективы ·в

величину

номюrалов

пассивных 'Элемен­

тов (подгонка :или регулиров·ка) или и з менять принципиальную схе­
му ( иеключать или в·ключать дополнителыные элементы).
Если же з.аимствуется толь·ко схемное решение, то р асчет эле­
м е нтов

сх емы

производикя

в

соответствии

·с

парам е трами

отечест­

ве·нного прибора такого ж е наз н а чения, так как J{ачеет [Jенные пока­
затели схемы определяюкя ·выбором типа и оптимальным режимом

·работы прибор а. При замене отказавшего в арубежно·го ·прибора в го­
товой радиоаппаратуре 1 (ма11нитофо·не, радио прием·нике, телевизоре
и т. д.) возможно потребуется индивидуальный, ·более тщательный
подбор соатвектвующего отечественного прибора, так как перестрой­
ка ·схемы в ряде случа ев мож ет быть ·н еж елательна.
Как :из вестно , им е ютс я схемы , которые К'ритичны ·к нез начитель­
ным и з·ме н енням п а раметро в приборов , и з-з а чего мажет нар у шиться
работа сх е м ('н априм е р, д ифф е р енциальн-ы е усилители, ра.зл·ич·ные ви ­

ды 'балансны х с хем, много·к аскадные высохочас тоrны е или н'\.rз·1<0Час­
тотны е усилители , усилители 1по·стоя·нного тока и др.) . В других схе ­
мах существен·ное ·изменение пара метров пр·иборов ·не "Вызывает ·на­
рушения ~rормальной рае5оты
(схемы с глубокой отрицат ельной
обратной 'связью, ·ключевые схемы ,
рел аксационны е гс·н е раторы
11 др.) .
Кро ме того , н ез и ачит еJ1ь·ны е из м ен ения парам етров ттодб и·раемы х
приборов ·м ог ут и н е повлияrгь на услов ия вза имоз ам еня ем о с'tи, та 1<
к ак в ·с х е ма х

и н о г д а пре д усм атри в ают р е гулиру е мые элементы, с

110-

мощью 1<ото ры х можно добитьс я оптимальных вы х о дных п ар а метров

(выходными параметрами схемы в зависимости от ее функциональ­
ного ·назначения могут ·быть ·коэффициеIIТ ус иления, амплитуды тока

или ·напряжения, дл ит ельно сть импуль·с а ·и др.). Последние зависят
не только от ·пара м етров !Приборов , но и от ~напряжения источни·ка
питания и ·сх еМ'ны х э л е·м е нтов.

Таким обр а З ом , наи·более точный п од б о р э1< в и в але нтных типов
от е ч ес тв енных

и

з ар уб ежны х

п р иб ор о в

м о ж ет

П'ро·вод ит ь с я

то,%1<0

с y ч e тQ ilj I\о н·к р еиюй э л ехт рич е~ко ~ с х ем ы и ~е ~п ециqJИч е С"к их O ~ Q Цj

бенностей, что позволяет определить требуемые выходные параметры
и режимы ее работы и не учитывать вторvстепенные парам ,етры при ­
боров.
Если требования, предъявляемые ·к полупроводниковому прибору
пр и использова·нии в схеме , неизвестны, то производится подбор· пр·и ­
боров пут ем формального сравнения их основных электрических па­
рамет,ров. Если известно типовое ·назначен;rе приборов, то подбор
приборов прож~водится по характерным ~параметрам (с учетом пре­
дель·ных параметров) .
При проектировании и разра•ботке радиоаппаратуры представ­
ляют интерес следующие •сведения о полупроводниковых п риборах :
типовое ·назначение,

основные

и предель· ные электрлч ес·кие

параметры

и их раз·брос , электрические ха·рактеристики 1 (вх.одные, выхо д ные, за­
в·исимость параметро·в от температуры , режима и др.) , режим изме­
рЕ.шия статических и динамичес·1шх (импульсных) па· ра·метров, габа­
риты, вес и др.

Из-за

различных причин, связанных ·со ·слQlжностью техноло•ги ­

ческого процесса изготовления полупроводн·иковых приборов и ·С н е ­
однородностью

исходного

·материала,

их

электричесю1е

парам е тры,

1<ак уже отмечалось, ·имеют значительный раз·брос от минимальног.о
до максимального з·начения, причем ·неодинаковый как для различ -

'

ных тех·нологических типов, так и для различных параметров. Хоро­
шей повторяемостью 1 (воспроизводимостью) в ~пред елах одного типа
обладают, например, такие параметры ·как И(вR)Ево, Се, г,, rь,ь .
Наибольший раз·брос имеют, ·например, параметры h21. и 1, 21ь, по ­
это·му при·бары од;н.ого технологического типа разбивают по ни·м на
группы. 3начение параметров внутри ~границ от минимума до макси ­
мума может быть произвольным, что вынуждает при про е ктировании

f

радиосхем п роизводить •расчет с

учетом

о·боих

гран.ичных

значений

(иногда бывает достаточным ра·счет по минимуму). Нормы , которые
устана·вливаются на разброс параметров,
ляют,ся различными способами.

Используя при ра·счете схем

учитываются

и

опре д е ­

или подборе приборов справочные

данные, необходимо учитывать до·статочно большой запас по величи­
не ~параметров для подавляю щ ег.о большинства приборов . В чаоно­

сти, величина ! с ве берет·ся с ·большим запасом ·по сра·в·нению с р е ­
альными значениями. Поэтому срав·ненис приборов широкого прнме11ения по величине ! с во практически не всегда целесообразно. Лишь
только
ные

для

радиосхем,

тра , нзи·сторы,

где до л жн~.r

предназиачеи · ные

исполь з овать·с я
для

с пециали з иров'ан­

использования . в

микротохо­

вых •реж11мах, обращается о·собое внимание на велачину ! с во. На­
пример , зарубежные малошу ,1 ящис тран. з и..::торы типов 2N929, ·2N930,
2N2483 и 2N24:84, ра з работанны е специа .'1ь·но для ра·боты при малы х

то1<а х • (рабочий rшапа з он ток о в с остав :1яет с оотвЕ·т с твенно

1

Ata ·и

1

10

Аtка-

лtка-10 ма), имеют величин у f с во Юна пр;1 Исво=45 в .

В с·вязи ·с тем , что по параметра·м

h21e,

И z,

f 1i21ь

(или

f т)

при·бо-ры

раз·биваются •на группы, они могут сравниваться .или по д бираться
непосредственно (целесообразно в одинаковых режимах). Од:нако
в зарубежных проспектах, каталогах и .1и рекламных сообщениях
чаоо не указывают разброс для ряда параметров. Могут приводить­
ся лишь типовые значения
параметров h21e, rьь ' Се, F, Се
т.
гсЕ sa t и др . , что з атрудня ет по д бор приборов. К тому же не дают·с я
свед е ния об и з менении параметров в проце сс е э нп .1 у ат а ции , нет

f

д а нны х

ров

д лн

по

на д ежно сти ,

ра з личны х

ч т о тр е бует·с я

1штеторий ·схем,

при

оц е нке

Кроме

того,

го ."t но с ти

для

прибо­

зарубежны х

!7

прибо ров прив одятся ·величины пробив н ых напряжений~ которы е мо­

гут отличаться в два и даже ·более раз от значе"Ни и лределыны х
напрюкен.ий, принятых для отечественных приборов. Пробивные на­
прткения устанавлив а ют для опред~ленных уровней то·ка, а предель­
ные

являются

расчетными

или

стати·ст ич ескими

п арамет рами,

·опре­

деляемы м и нз статистического распределения пр 0<бивных напряжений
путе·м введения ·коэ·ффици ен та запа·са . По след1-1·ий определяется дли­
тельными стендовыми испытаниями на срок службы.
Р е жимы измерений приборов, соответствующие оптимальным па ­
раметрам,

а также

ха ракт ер

их

зависимости

от

режи-ма

·r-rеодинако­

вы для различных типов (к л а·сс ов) при·боров, что долж но уч-,пы вать­
ся лри сопоставлении ·соответствующих •парам етров. В ча·стности,
имеется

сложная

завис имость

коэффициента

уеиления

по

току

тока эмиттера или коллектора (обычно h21e слабо зависит от

.U с

от

Ео).

Ограничение максимальн0<го тока коллектора определяется по ·сни­
жению коэффициента усиления по току до определенной задюшой
величины (пр авда, еще учитыва ются явление <<Токово го пробоя» и
ма·ксимальная темл ература пt=рехода), "Которая может быть различна
для разных типов приборов. Поэтому очевидно, что п р и •С ОВ<падении
режи·м ов ·измерений сравн и ваемых параметров оцеш<а .о ·взаимозамеприборо в была ·бы более полной . Для переключаю щих лри­

. няемости

боров ·необходимо учитывать, что велюшна в·ремени ра ссасывания
для отечественных и зарубежных приборов определяе'!'ся при раз­
лично й сте п ени насыщения. По величинам же параметров ton и fot t
объективно трудно выдел ить приборы о ди накового 6ыстродейсгвия
(эти 1па рам ет·р ы обычно использую-rся ·как рекламные ·и л.и спра·воч­
ные даиные) .
Многие зарубежные фирмы кром е допустимой рабочей темпера ­
туры

ность
при

указывают

при

лре дельную

хранен·ии

температурах,

температуру

при6ор·ов

зависит

превышающих

хранения,

та'К

как

от температуры

допу·стимую ,

оказывается

надеж­

( хранение
для лри­

боров более тяж елым, чем перегруз"Ка по электрич ескому режиму) .
В информационных материалах могут отсутствовать данные п о
измен ению ! с во и li21e пр·и 1,райних з начения х допустимой рабочей
температуры, что является определяющим лри работе 1'ра·нзистора
во -м ногих ·классах ·схем.

Следу ет еще · лринять во внимание, что ·в завио1мо·сти от совер­
ш е н ство·вания и расширения схем·ны х пр·имен ений полупроводнико­
вых прибо·ров количество да нных, характеристик и параметров для
различ-ных типов при·бо-ров ·нео.:щнаковы .

И, наконец, необходимо отметить, что при серийном выпуске
приборов они не могут быть 1практичееки проконl'ролирова·ны по всем
параметрам,

пред:ставляющим

очевидно , ·не в се лараметры

интерес

для

схемотехники,

поэтому,

могут ·гарантироваться.

РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ПОДБОРУ

И ПРИМЕНЕНИЮ

ПОQУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

По.:~.бор приборов долж е н осуществляться путем ср авнения спра­
во ч ных данных на отечеств енные и зарубежные приборы. К зару­
бежн ой рекламной информации о приборах необходимо относиться
с

о ст орожностью,

так

как

ча сто

целью

ее

яв ляе тся

выгодное

пред­

ст ав11 е н11е n~pa ~·1 e тpo1J прибора, т. е . указывает·ся т11 по вое либо д аж t'

максимал ьно достижимое

!В

дл я · данной

разработки

з·начен и е

(И ,1fl

~1ИНИмалы-i6, В завв·симости о1' внiiа ·Пар3-метра). Н процессе ·серий­
ного

прои з в·о дства

эти

пара·метры

в

•с реднем

оказыв а ются

з начи­

телоно ·нн·же (выше) рекламных.
Под:бо·р взаимозаменяемых приборо·в состоит в определении та­
ких типов 'Приборов для схем одина·1(ОВО·ГО наз•начения, осн·овные па­
раметры (специфич·ные для данной ·схемы) ·которых близки или даже
сов·падают между собой. При этом приборы должны совпадать по
типу

исходното

материала,

по

ТИ·ПУ

проводимо·сти,

по

технологиче­

с ким методам изготовлеI1ия
(сплавные, тянутые, диффузионны е,
сплав но -диффузион+1ые,
микросплавные,
поверхностно-барьерные,
планарные , планар•но-эпитаксиальные и др.), так ·как каждый н з ннх
позвош~ет

получить

вполне ·определе нлы е ·свойства

и

сочетания па ­

ра·м етров :при·боров. Поэтому при выбо·ре электрического режима
следует уч,пывать •не только о·бщие .положения по примен енню, но

и технологические осо·бенности 1юн·кретных типов при·боров. Одна·ко
в

ря д е

случаев

эти

положен.ия

пельзя

считать

категоричными,

так

как германиевые приборы могут быть заменены крем·ниевыми и
наоборот . Кроме тото, 'При под:бор е пр·иборы могут и не совпадать
по технолотическим приз1131(аМ, если требуемые от ·них парам етры
равноценны, т. е. если •113'рам етры приборов обеспечивают выпол не­
ние зада·нных технических требований схемы .

До сравнения параметров приборов прежде ·всего определяет·ся
их основное (целевое) назначен·ие, т. е. параметры должны отвечать
о·сновным требования м работы. Например, пр едназ•начены ли прнбо ры для использования в схемах усилителей мо щности, тока или на­
пряжения низкой, про·межуточной или высо1<ой частоты, в микро­

мощных • (микроамперных)
чающих

·схемах,

·в

cxe'V!ax

усилителях, •генераторных
автома тич еской

или

регулировки

перекл ю­
усиления

(АРУ), в малошумящих усилителях ·низ·к ой или высо·кой частоты,
в ли·нейных усилителях, ·в схемах с ·инверс.ным вхлючением транзи­
сторов и других схемах. Каждый из при·боров такого частного ~при ­
менения (существуют приборы и универсального применения) имеет
свои специфические осо6еююсти. В ча·стности , приборы, специаль·но
разра·ботанные для схем АРУ, имеют о·пределенную регулировочную
характеристику; 1'ра'нзисторы, разработан·ные специально для иеполь­
зования в УПЧ, имеют 'Малую проходную емко сть;
транзи·сторы,
пр едназ·наченные для •схем высохокачественных (линей.ных) усили­
телей, имеют постоянный 'Коэффиц·иент усиления 13
определенно'М

д иап азоне ТОКОВ (критерий ЛИНеЙНОСТИ ·веЛИЧИНЫ /121Е ОТ ТОКа 'КОЛ ­

лектора); от приборов, предназначенных для инверсного включения ,
требуются малые остаточ·ные параметры; от транзисторов для мало ­
ш умящих усилителей требуется 'Малый коэффиц·иент шума ·на опре­
деленной ча·стоте и т. п. Обла·сть применения определяет специфи че ­
ски е параметры 'При6ора. Необходимо отметить, что -сопоста·вляться
должны приборы одного класса , (т . е. маломощные с маломощн ы­
ми, а мощные с мошными) и одинаковых групп (частотные пр еде ­
лы усиления
транзисторов
должны
соответствовать . требованиям
схемы ).

Сравнение 'Приборов долж•но 1проводитЬ'ся не толь](о по неболь­
шому

числу ·наиболее важных и хара·ктерных п араметров, ·опреде ­
ляющих узкую обла сть п рименения, но и по предельным значениям
параметров. Как из вес1'НО, полупроводниковые 'Приборы чуапвитель­
ны к перегрузкам по току, напряжению и мощности. Они могут

выходить ·из строя, если рабочая область вы ходит за Г':Jаницу устой ­
чивой и ·надежной

2*

работы.

Это з·начит,

что

парамет р ы ~предельных

19

·

режимов ограничнв а !От область допустимых элекtрИчё ск их режимоf1
их ра·боты. Поэтому хак в отеч ественной , так и зарубежной ·схемо­
технике вводят'Ся ·ко·эффиц11енты за паса по пр едел ынъ1м параметрам .
Вообще полупроводниковые приборы работают более устойчиво при
малых напряжениях и относительно ·больших токах, чем наоборот
при одном и том же ,значении мощности. Кроме того, схемы на по·
лупроводниковых приборах проектируют с учетом возыожного дрейфа
их параметров ;в процессе хранения и эксплуатации, поэтоыу облег­
чение рабочих режимов позволяет существенно уменьшить дрейф
параметров

во

времени.

В приводи•мой далее та•блице ·взаимозаменяемые зарубежные и
отечественные п·риборы подобраны так, чт.о их предель·ные парамет­
ры отличаются не ·более чем в два раза 1 (для мощных пр·иборов эта

разница еще меньше). Следует отметить, что техноJ10гичеС'кие запа·
сы

по

параметрам

~предельного

режима

оказываются

наименьш•ми

для мощных приборов.
При срав·нении мощностей ~необходимо учитывать услоаия, для
которых дается з·начение мо~цнасти (температуру 'Корпуса или акру·
жающей среды, наличие теплоотвода).
Сопоставление ·напряжений 1 (.~ ряда др·угих ·параметров) долж­
но проводиться с учетом особенностей схемы применения прибора.

К:ак известно, величина И(вн)сво используется для расчета режима
11аботы зак·рытото транзистора ·или при ·нключении его ~по схеме
с общей базой; велwчнна И(вн)Ево - для расчета режима при нали­
чии запирающего напряжения (например, для различного рода им­
пульсных схем, усилителей класса В и т. п.).

У сплав·ных тран з·исторов величины И<вн)с во и И(вR)Ево почти
одинаковы . (это важно для использования прибо·ров в релаксацион ­
ных ·генераторах,

где ва·крытый транзистор работает при поаышен­
ных обрат·ных ·напря,ж·ен;1ях на обоих переходах) . У диффузион·ных

приборов величина И(вR)Ево не превышает обычно

1-10

в : (правда,

сейчас с помощью планарной технологии с пециалыно получ ены для
ряда приборО'В более высокие з·начения).

Величина И(вR)СЕо используется для расчета режима тра·нзи­
стора · в схеме е общим эмИттером при отсутствии запирающего
напряжен·ия или когда оно мало · (меньше 0,5 в), тогда ·необходимо
знать И(в н)с Ео в импульс·ном режиме. Величина И(в н)с Ео имеет "Наи­
ме•ньшее значение ~при Rв=оо (о·брыв ·базы) и работа прибора при
этом не разрешается, а наибольшее при R в =0. Следует учитывать,
что при повышении температуры величины И(вн)с Ео, И(вн)с во и
И(в R)E по снижаютея.
Главное, ·на что необходимо обратить ·внимание при подборе оте­
чественных и зарубежных приборов, это на отличие режимов измере­
ния их п араметров, а также на отличие режимов работы полупровод ­
никовых приборов в аппаратуре от режимов при которых были полу­

чены справ-очные данные. Как известно, величина ! с во сказывается
на режиме работы схемы по постоянному току. В мощных транзисто­
рах она ограничивает требуемую мощность, вызывает температурную
нестабил ьность, снижает наде )кность. В маломощных транзисторах

большое з·начение ! с во ухудшает добротность избирательных элемея­
тов (1{01пуров) и снижает выходное сопротиаление схемы; в релак­
са цио·нных

ператур·ную

генераторах

изменяет

нестабильность.

время

релаксации

Неуправляемые

и вызывает тем­

о·братные

ток·и

как

у германиевых, так и хремниевых при·боров имеют тенденцию к ·по­

степенному увеличению.

20

Значение емкостей

Се

и

Се влияет ·на

ча -

с тотную характер1·1еrи1<у уснл итеJt я, что особенно зам етно при и с ­
nольз ованин в ысо·кочастотны х ( д р ейфовы х ) прибо ро в (для ю1 з·ко­
частотных при•боров значения Се и Се ·могут сов ерш ен·но · не влиять
на частотную характеристику). Приводимые вели ч и н ы F относятся
обычно к оптимальным з·начениям сопротивл е ния ген ер атора и опти­
мальному р ежиму работы ~ (при определенном токе, напряжен.ни и
частоте), от которых они существ енно зависят. 'Воо·бще говоря, для
выбора оптимально-го режима
р а боты
транзи сторов
необходимо

знать характер изменения .ос·нов·ных параметров при изме:н ении Ис
И

f c.
Надежная работа сх емы зависит ·не т олько от ·к ачества ·прибо­

ров, правильности их примен ени я и режимов р а боты , •но и от степе­
ни критич•ности ехемы к измен ению ~парам етров прибор ов (об это м

уже упоминал о сь) и элем е нтов в·нешних цепей. Н апр имер, для вы ­
сокочастотных ·приборов ·надо учитывать при м онт аже дли·н у Под­
водящих

проводов,

так

как

в

сх е ме ·во з можно

·в о з:никн овение

пар а ­

з1пной •генерации.
Прив еден·ные с ведени я о вз аи м оз аменя е мо ст и п ол упроводнико ­
вы х приборов и о·бщие р е·комен д а ц ии по подбору отечеств е нных и
з арубежных приборов дл я схем а·н алогичного на зна чения , конечн о,
не претенду ют ·на строгость и пол но ту, но дают до стат очную (оце ­
ночную) информацию для того, чтобы в·оспрои з в одить с хемы из -з а­
рубежной л ите рату ры или пр о и з водить рем онт з ар убежной ра дио ­
аппаратуры .

Г

n а в а 11

Взаимозаменяемые транзисторы
ПОЯСНЕНИЯ К Тд.6ЛИЦАМ

В ·предл а га емых н.wж е таблица х сравнения от ечественные и за ­
рубежны е приб о ры подобраны так им обра з ом, что п редельны е пар а ­
метры у ·них ·не отличаются •б олее чем ·в дв а р аза · ( для мощны х
приборов это отличие меньше), др угие осно·вны е п а рамет ры пример­
но

совпад а ют

или

•несколько

лу чш е

у

отечеств енных

тран з исторо в .

При подбор е учитывались ос новн ое н азнач ени е ~пр и бо ров , специфиче ­
ские

-

.---...

п араметры

и

характерист ики ,

а

т акж е

их

ко нст р ук тивно -те х·н о ­

логи чеекие о•соб енно.сти.

В таблице приняты следу ющие условны е о·боз н ачени я, -прин яты е
в СССР п о рекомендации МЭК:

Р стах( Р" . макс)

- максимальная м ощность, ра ссеива ема я колл екто­
ром ;

fh21ь(f a) -тра·ничная частота ·передачи тока в схеме •с о·б­

fт -

щей базой ;

максимальная

частота

дение ·коэффи ц.ие·нта
измерения);

передачи
перед ачи

ток а
то·ка

(произ в е ­

на

частоту

·

21

f1. 21 aU~)---'- гра н Ич.ная tiatтoтa tiеред11чН i'oi<~i ti схем е - с оь­
щнм

эмнтте ром;

fм(fг) - максима.~ьная частота г ен е рац,ш;
U (BR )C во• ( U

ибо) -ПрОбИВНОе

1НаПрЯЖеНИе

КОЛЛе!сrо р

р азоМ'кну той цепи э-миттера;

коллектор

-

база

·
- эмиттер

Пр И

с/.

....
1

И(вn)сЕо' (Инэо) -

пробивное напряжение

при

И<в RJEBo ( Иэбо) -

проби в ное налряж еаие эмиттер-·база при разомк ­

ра зом н уто й цепи базы;
нутой 11епи колл е ктора;

f с(! н) -

ТОК КОЛЛеК ТОр а;

1 с rзо (/но) - обратный ток колл ектора (при разо мкн утой це пи
эмиттера);

/121с(~о) -

к оэффициент переда чи тока в р ежиме малого сиг­
нала в ·схеме с общим эмитт е ром;

/121Е (В)

- хоэффициент п е р едачи тока в режиме большого
01гиала в с хеме с об щи·м эмитт е ром;

Gp (Кр) - коэ ффици ент уеил ~ ния по мощности;
Се· ( Сн) - ем·ко сть коллект о рного перехода;
F(Fш) - коэ ффициен т ш ума;
r с Е sa t (rн, Rн) - сопрот ивление на·сыщения;
rьь' · Се{Г5'Сн) - постоянная времен и цепи обр а тн ой связи ;
rь (r5) - ба зо во е · сопротивление:
t,(tp) - вр емя рассасывания.
Пр им е чан и е. В скобках указаны старые обозначения пара ­
метро в . Для мощных приб оров указывается мощно·сть ра·ссеяния
с теплоотводом • (для ма л омощных .приборов эта мощность приводит­
ся в скобках). Режим измерений пар а метров h21e, /12 1 Е, / с во, Р, Gp

·

у к аз ывается в скобках .

Значения параметров h21e, h21E, 1 с во указаны при температуре
окружающей среды •25 °С Дл я параметров f h2 1ь , fт, fм, f~, fh21 e.
/121с, ii2 1E.

F,

ния,

не

если

Се, Rн ,

t, даются типовые среднест ат исти ч еск и е значе­

ук а з ы вается

интервал

от

минимума

до

максимума.

Принятые ·сокращения по тех н ологи и и з готовления тра·н з н сторов:
Т- тянут ые;

С ПБ МС мед
СД ДП ПЭ М-

с пла вны е;
п о в ерХ'н о стно-барьер ные ;
м и к росплавны е;
м и·кросплавные диф фуз ионные;
сплавно- дифф узи он ные;
диффузи ояные;
планарные;
пл анарно-элитаксиальные;
меза;
Ge - те рманий;
Si - 1<рем·ний.
Для удобст ва и эко но мии места в табл ице дл я т акнх парам ет­

-

ров ,

тока

'I<ак

\:О Протнв ление

на\:ыщения

и

граничная

частота

передачи

в сх е11е с о·бщи·м эмиттером, ш::поль:юваны следу юwие обо з на­

ч ения : R.н вместо · rcE sat и

f~

в:v1есто fh2te.

В табли цу вошли оте t~ ественны е типы пр иборов , \:Ведения о тех­
ничес'l<ИХ

22

ха р а·ктери стик ах

1<-оторых

опу-блнкованы

в

официа л ьны х

::._ --"

/

справочных изданиях 1968-1969 п. Параметры зарубежных прибо­
ров взяты из фи·рменных каталогов и информационно-справочных ли­

с т ов. Кроме того, ·ис п ользовался справочник

DATA

за

1968

г.

Сокращения и условные обозначения, ~п ринятые 'В области полу ­
про·вод'!иковой и электронной тех·ники США.
Общие обозначения и сокращения:

BV -

fLs ns pF Тор Та

-

Tstg Те

-

Tj -

пробив·ное

напряжение;

частота;
по· следовательная индуктивность;
наносекунда
пикофарада

( 10- 9
1( 10- 12

температура окружающей среды;
т е мп ература хран ения;
т е мп е ратура 1<ор п уса;
температура перехода;
время задержки;

f1 -

время е1пада;

fo n -

время в·ключения;

foff -

время выключения;

t, t. -

ф), ·м-икромикрофарада;

рабочая температура;

td. -

tp -

сек), миллими·кросекунда;

время и·м,пульса;
время нарастания;
время накопления.

Условные обозначения и сокращен:;я,

упоrребляе-м-ые для тран-

зисторов :

В, Ь
С, с

-

базовый электрод;
колл е ктор11ый электро д ;

Е, е .- эмиттерный эл е ктрод ;

BV с во или V(c вn)СЕо- п робивное напряжение коллектор­
·база при

В V свu или

разомкнутой цепи ~эмиттера;

V(вn)c Ео - пробивиое напряжение

коллектор

--

эмитт е р при ра з ом 1(1 нутой ц е г111 -базы ;

BV cEn или V(вR)CER -

пробивное напряже·ние коллектор

-

эмиттер при заданном сопротивлении между ·базой и
эмиттером;

В V с Es ит~ V(вn)c Es эмитте·р

В V с Е х н л и V(в n )c ЕХ }М µ.тт ер

про·бивное напряжение коллектор

при ·коротком

замыкании

базы

п р об11вно е ·напряжение кол ле ктор

при за_данных

у словrtях ,;

-

и эмиттера;

-

или

BV CEV

пробив.~-юе напряжение J<оллектор­

v(BR)CEV -

. эмиттер при запирающе~1 смещении в цепи базы ве­

личиной

В V Е во или

относительно эмиттера;

V

V<в R)E во

- пробив'ное ·напряжение

эм.иттер

-

база при разом·кнутой цепи коллеJ<Тора;

С;ь

вход:ная емко'СТЬ (в схеме с общей базой);

-

С;е Соь

входная ем·кость ' (В схеме с общим э·миттером);
выходная е·м1<ость

-

Сое -

(в схеме с общей ·базой);

выходная емкость (в схеме ·с общим эмиттером);

f мь -

граничная частота усиленliя ,по току на малых сиг­
•налах ·в схеме 'С общей ·базой 1при усло·вии короткого
замыкания на выходе;

f hfe -

граничная частота усиления по то1<у в схеме с общим

f 1'

произведение коэффициента усиления ·на ширину по­

эмиттером;

-

лосы пропус1<ания частот (см. отечественные обозна­
чения параметров);

hF в -

величина

коэфф.ициента

усиления

по

постоянному

тоху в схеме с общей базой;

h1ь

·1<оэффициент усиления по перемен·иому то1<у на ма­

-

лых

сигналах

при

условии

1<0роткого

за ·мыкания

выходе в схеме с общей базой;

hF в -

на

'

величина коэффициента усиления по постоянному то­
ку в схеме с общим эмиттером;

коэффициент усиления по .переменному току при ко

hte -

ротком

замыка·нии

на

выходе

в

схеме

с

общим

эмиттером;

hic, hiь -

дифференциальная величина ·входного импеданса при
коротком

замыкании

мах с общим

hoe, hоь -

дифференциальная
водимости

при

на ·выходе соответственно

эмиттером

и е ·общей

величина

разо·мкнутой

пол•ной
схеме

в схе­

базой;

выходной

про­

tоответетвенно

в схемах с общим эмиттером и общей базой;

hre, hть -

коэффициент обратной связи в режнме малого сиг­
нала соответственно в схемах с общнм эмиттером н
общей базой;

1в -

iь

ба з овый ток (постоянное значение);
базовый

ток

(мгновенное значение);

lc -

коллекторныl1 ток (по·стоянное значение);

ic -

холлекторный ток ~(мгновенное значение);

!в ie 1с

во

Э\\ИТтерный ток · (поноянное значение);
эмиттерный ток (мгновенное з·начение);

-

начальный (температурный) ток коллекторного перl'­
хода (по с тоя·нный тох) при раз·омюrутой цепи эмит­
тера;

l

с ЕО -

с квозной ток коллекторн·ого перехода лри разомrшу­
той цепи базы;

-

! с r-:л

-~ Нi1чальны1'1 ток колле кrорноrо 11~рехода fi pн э ад ~ 1!нd<,1

lc Ex

с опротнвл е нии м е жду ба з ой и эмиттером;
- 11ача J1ы11,1й то1< ·ко .1ле 1<торн ото п ерехода при
н ы х условия х :1Iежду базо й и эми ттером;

зада н ­

1 с Ев -

началь·ный ток коллекторного перехода при ·коротко­

1Ево -

начальный то·к эмиттерного

замкнутых вьшодах базы и эмиттера;

перехода

{постоянный)

при разо·мкн утой цепи коллектора;

Rc -

Rь

RE rь ,..,, ·Се гс F.( s al. ) -

V в F:
V Ев

-

V,ь

-

V Ев" -

со проти влеш~е во внешней цепи баз ы;
сопротивление во вне шней цепи коллектора;
со про т ив лени е во внешн ей ц е пи эмиттера;
ра с пре :r.е.п е н1ю е сопротивл ен и е ·ба зы ;

постоянная

вр емен и цепи обратной связ и;

с опрот·ивление

нас ыщен ин

колл ектор

-

эмиттер;

напряже·ни е ба за - эмиттер · (по стошгное );
напряжение
эмиттер - база (постоянное);
налря1жение эмиттер - база (мr1ювенное и эффекТil'В ­
ное);
пос тоян ное напряже•ние между выводами эмиттера
и базы при заданном обра1'но:11 на.пряжении между
r.ыводами коллектора и базы ·и токе ·э·миттера, рав­
ном ·нулю, - п лаваю щий потенци ал эмиттер - база;

V Е во V Ее V F:c" -

напряжен..~ е эмиттер - база (статическо е);
ш1пряжение эмиттер - ·коллектор (по сто я·нное);
постоя·нное напря~ж е ние между выво дам и эмиттера и
коллектора при задан·ном о·братном ·напряжении меж­
ду выводами ·ба з ы и ·коллектора и разомкнутой це пи
ко .1ле1<тор

V RT Vс в Vс Е Vce V вE(sat) V с E(sat) V с ER е

-

8;А

-

-

эмитт ер ;

напряжение с мыка·ния · (прокола);
!1зпряжени е

коллекто р

база

напряжение

коллектор

эмиттер

напряжение
мтновенное);

коллектор -

• (постоя нное);
(постоянное);

эмиттер

напряжение ·насыщения база

-

и

эмкттер;

напрнжение ·насыще ния коллектор
обратное ·напрнжение коллектор

(эффектианое

-

-

эмиттер;

эмкттер;

тепловое сопротивление;
тепловое сопротн-вление от ·пе~ехода ·к О'Кружающей
среде;

8.т А -

т епловое сопротивление от пер ехода к кор п усу;

NF- коэффициент (факто р) шума;
- об щ ая мощность ра•ссея·н ия;
Ре - мощность ра-с-се.яюш на 1<оллекторе;

Рт или Рп
Ро
Р;

-

hF E(i nv) -

~10щность выход·ная;
входная мощность;

стат нческий 1<Оэффициент

усиления

при

инверсно м

вхлюч.:нии;

Гес(оn) -

сопротивление
тора

между

ошрытоrо

выводами

тра•нзи·стора

в

эмиттера
реж име

и

1<оллек­

малого

сиг­

нала;

GPE -

коэффициент уснленин по мощно сти.

25
/
/

/

Таблица nзаимозамеiнiемых отечес тве flfiЫ .'<

Обоз нач е ние

при -

б о ра

Т ех н о л о rн ч е-

скцй тип
прнбо ра

а·а
Uu

fh2I b •
Ре т а х,
м ет

00 щ

f * т, f ** М •

"'о

00
щ

-

р;; р;;

Мгц

00 00

::::,-::::,-"

/с , ЛU.l

""'00

::::,-

2N З 4

Ое , р-п - р. С

150

0, 4

40

-

100

2 NЗ5

Ое, п - р-п , С

150

0, 8

40

-

100

2 N34A

Ое, р-п-р, С

50

0,6

25

-

8

.
.
..
.
..

50
50
50

-

-

1,3

20
20
20
45

-

5

8
8
8
300

240

1,3

45

5

300

240
155
155

1
1
0,5

45
25*
25*

-

5

15

300
50
50

155
180

1
1, 8

45
25

5
10

10
200

180

1,8

40

10

200

180

1,8

50

10

200

180

1,8

60

10

200

180

1,5

25

10

200

180

1,5

40

10

200

180

1,5

50

10

200

180

1,5

60

10

200

180

1

25

10

200

180

1

40

10

200

180

1

50

10

200

180

1

60

10

200

100
100

0,6
0,8

22*
15*

12
12

10
10

2N36
2N37
2N38
2 N43
2N43A
2 N44
2N44A
2N45

2N45A
2N59
2N59A
2 N59B
2 N59C
2 N60
2 N60A

2N60B
2N60C
2N61
2 N61A
2N6!В
2N61C

2N63
2N64

То . же

"
"

"

"
"

"

"

.. ..
..
..
.
..
..
..
..
.
.
"

"

"

"

"

"

.

.. ..

~40

1

26

~ 11 зарубежных транзисторов

h21e• h*21в

1 сво.
мка

с

•.

пф

F,

дб

Rll.

ОЛ<

Тип
корпуса

(~40) 75
50
(6 в. 1 ма)
( 40) 75
50
(6 в. 1 ма)
(~40) 60
(6 в, 1 ма)
45 (6 в, 1 ма)
30 (6 в, 1 ма)
15 (6 в, 1 ма) .
(~30) 42
16 (45в)
( 1 в' 1 ма)
(~30) 42
16
(5 в, 1 ма)
25 (5 в, 1 лш)
16
31 (5 в, 1 ма)
8
j6(45в)
( - 12) 25
(5 в, 1 ма)
15
15 (5 в, 1 ма)
15
90* (100 лш)

-

-

ТО22

-

-

ТО22

90* (100

лш)

15

90* ( 1СО

лщ)

90* (100
65*

40
40
4()
40

40
40

OV15
OV14
OVll
OVll
i:zo32
R032

-

R03'2
R032

-

Т05
ТО5

Т029

40

-

ТО5

15

40

-

ТО5

да)

15

40

-

ТО5

(!СО лtа)

15

40

-

ТО5

65* (lCO

лш)

15

40

-

ТО5

65* (100

лш)

15

40

-

ТО5

65* (100

ма)

15

40

-

ТО5

45* (100

ма)

15

40

ТО5

45* ( 100

,на)

15

40

45* ( 100

л1а)

15

40

45* ( 100

ли)

15

40

1 ма)
1 ма)

20
20

-

-

22 (6
45 (6

в,
в,

-

ТО5
ТО5
ТО5

OV3
OV3

Приближенный отеtrест венный аналог

МП20А;
МП41А
МП38А;
МП37Б
П27А; П28
П27; П27А
П27А
П27; П27А
МП25Б

1127;

МП25Б
МП25Б,

А

МП41, А
МП39, Б;
МП40А
МП40А,
МП20Б;
МП42Б
МП20Б;
МЛ42Б
МЛ21Г;
J\Ш42Б
МЛ21д;
МП42Б
МП20Б;
МП42Б
МП20Б;
МП42Б
МП21Г;

МП42Б
МП2!Д;
МП42Б
МП25Б;
МП42Б
МП20Б;
МП42Б
МП20Г;
МП42Б
МП20Д;
МП42Б
МП39; МП41
МГ141

27

П родолже1ше

-

.

"

6се

00
о оозначе11ие

при-

бора

Технологиче-

скпй тип

прибора

Ре тах•
мвт

fh2lb•
r·т. r··м.
Мгц

се

щ

(.) (.)

;; Ег
еэ. !::.

:;:, :;:,

2 N65

Ое, р-п-р, С

2N68

То же

..

2N77
2N94
2NlOl

..
.. ..

2N104
2N105
2N106
2N107
2 N109
2Nlll

2N 141

28

16

f~=

зо

~

=10кzц
З5

150
20

вт

З5

За

0,7
2

25
20

f~=

зо

-

0,7

зо

12

0,75
0,8
1
1

25
15
12

-

15
10
10
150
200

=10кzц

150

100

15
100
За
БО

БО

То же

lЗО

з

зо

..

130

3

зо

20

200

25

> 28

10

10

5

8Б

85
85
85
100

0,7
0,8
1
0,8
0,7

25
25
25
25

ЗО*

12
12
12
12
12

10
10
10
10
100

100

0,8

зо

12

100

100

'1

зо

12

100

100

0,8

зо

12

100

100

4,5

20

-

50
150

зо

з ot

Ge.

2N 1З8

20

165

2NiЗO
2NIЗI
2NIЗ2
2NlЗЗ
2N!ЗОА

2N1З5

1

Ое, р-п-р. Д

Ое, р-п-р.
ПБ

2NIЗЗА

вт

:;:,-

"

о~. р-п-р. с

2 N128

2NIЗ2A

20

1

I •' ма

се

10
12
20

2 NlllA

2 NlЗIA

125

щ

f2

р-п-р, С
То же

.. ..
..
..
..
.•
..
..
.
"

100

150
20

вт

З5

-

20

f~=8кzц

60

-

lсво·

h21e•
h"21в

75 (5

в,

мr.:а

1

15 (0,5

в,

1

19
24
50
90
50
26

1

F,

дб

RH' ом

Тип
корпу са

-

OV4

а)

-

-

-

ZA24

40
100

-

-

ТО!
ТО-22
ТО!3

ГТ!09В, Ж
МП38А
П4А; П4В;
П213

ТО40

МП39Б;
ГТlО~Б
ГТ!О9В, Ж
МП39Б
ГТ!О9А , Б
J\Ш42Б
МП42А;
i\1П40А
1'1П42А;
МП40А

10
50

-

лtа)

,на)

З

-

10

40

-

5
12
10
7

-

17
36
40
,;;;;;60
12

-

-

12

(3

( 6 в ' 1 Лtа)
(6~в, 1 ма)
(6 в , 1 лtа)
(6 в' 1 ма)
(6 в, 1 ма)

в)

~5

12
12
12
. 12
15

40
40
40
40

-

F=25

ТО-2

OV4
ROЗt

T04!:J
OV4

-

Т024

F=25
F=22
F=20
F=6

ТО5
ТО5
ТО5
ТО5

OV4

-

OVl6

1

.ма)

15

-

-

OVl6

90 (6 6, 1

ма)

15

-

-

OV16

-

-

OVl6

14

-

R031

в,

50 (6 в' 1

.ма)

15

20 (5

в,

1

ма)

5

44 (1

в,

50ма)

20

-

-

ТО22

ма

-

Rн=4

ТОIЗ

25

(2в;

Приближенвый отеч ест11еввый авало

35

(3в; О,5ма)

45 (6

--

в,

пф

10

44 (4в;О,7ма)
45 (1,5в; О,5ма)
19 (5 в, 1 ма)
3 65* ( 1 в, 50 ,11а)
25 (6 в, 1 лtа)
25 (6

•.

ма)

55 (4в; 0,7 ма)
50 (6 в, 1 ма)
:;::>10,5 (0,5 а)
44 (6

с

0,5

а)

2

МП41А;
ГТ!ОВВ;
МП42Б
П4В; П213

ГI422;

ГТЗО9д, Е;
ГГ310Д, Е
ГТ 1 09А
ГТ109Б, В
ГТ109В, Г
ГТ109Б, В
ГТ108А;
МП42;
МП39Б
ГТ108Б; В;
МП42А;
МП41А

ГТ108В, Г;
ПМ42Б;
МП4 1 А
ГТIОВБ,
В; МП42А;
МП41
ГТ108Б;
МП40
МП42А;
МП41А
П4БЭ;
П4ДЭ; П213
П214Б

29

Продолжение

Обозна ч е-

Технолоr иче-

ние при -

ский тип при-

бора

бора

fh21b•

Ре тах•

t·т· f"м.

мвт

Мгц

.

"

"

"

о

00

со

щ

со

uu

щ

-

;:г ;:г

/ 1,

Ata

р:;

со со
';:;;~';:;)~

со

';:;;~

1

2Nl43

Ое, р-п-р, С

20

вт

То же

60

30

3

2Nl55

То же

20

вт

f ~= 4 кгц

30

15

За

20

вт

f~~4кгц

30

15

3

20 вт
20 вт
150

То же

60
80
40

30
30
1

3 а
3 а
25

То же

150

4

40

5

25

2Nl75

Ое, р-п - р. С

20

0,85

10

10

2

2N \80
2Nl8l
2N !82

То же

150
150
100

0,7

0,7
3,8

30
30
25

30
30
15

150

-

20

-

100

0 ,8

25

5

200

200

0,8

25

5

200

100

1

25

5

200

200

l

25

5

200

100
200

1,2
1,2

25
25

5
5

200
200

200

0,8

25*

-

200

200

1

25*

-

200

200
200
150

1,2
1,5
3

25*
25*
18

--

5

200
200
50

75
85

0,78
2

30
12

12
12

50
20

85

2

12

12

20

..

2N 156

..

2Nl58
2Nl58A
2N l60

Sj, ·~-р·-п, С

2Nl60A

2N!85

"
"

"
"

"

"

..

2N l86
-.2N 186А

"

.

..
..
.
.

2Nl87
2Nl87A
2N188
2N188A

"

2Nl89

"
·•

"

2Nl90

"

"

"

"

2Nl91
192
2N l93

Ge, ;1-/п, С

2N2Сб

Ge,

~N

р-п - р, С
То же

2N2C•7
2N207A
1

30

"

"

.4 .

а

а

-

150

-

-

-·-

1 сво·

li21 e•
h*2ш

10

мка

(6в; 0, 25а )

5

.ма

32* (2 в; 0,5 а)

1 ма

25* (2 в;

1 жа

О, 5 а)

21* (28; О,5а)
21* (2 в; 0,5 а)
15 (58, 1.ма)

1 ма
1 ма
10

с,,

rufJ

-

Р, дб

RH, ом

-·

Rн = 6

-

Тип
корпуса

ТО!З

ПрибJJиженн ый.(оте<1 ест ве нный а налог

П4АЭ; П 2 1 3;

112 146

Rн=О,65

тоз

П4ДЭ;
П 203; П 2 13

Rн=О,75

ТОIЗ

П4БЭ;
П4ДЭ;
П 203; П 2 13

Rн=О.75

ТОIЗ
ТОIЗ

Rн=О,75

П4БЭ; П213
П4БЭ; П213

МПIIЗ;
MГil J ЗA
МПll З;
МПI !ЗА

7

-

OV9

10

7

-

O V9

12

36

F=6

10
10

-

-

25
25
10

14 -

-

-

16

40

-

R032

16

40

-

R032

16

40

-

RОЗ2

(1в, 100 ма)

16

40

-

R032

МП42Б;
МП20А

54 (5 8 , 1 ма)
54* (1 8, 100 ма)

16
16

40
40

-

R032
R032

МЛ20А

32 (58 , 1 АИ)

16

40

-

RОЗ2

42 (58 , 1 ма)

16

40

-

R03 2

67 (5 в, 1 .ма)
90 (58 , 1 ма)
7,5 (68, l м )

16
16
50

40
40
11

-

R032
R032

-

Т0 22

47 (5 8, 1 ма)
100 (5в, 1 ма)

10
15

35
40

-

R032

F =l5

ТО 5

100 ( 5 В, 1 Ata)

10

40

P= IO

ТО5

15 (5 8, 1 ма )
65 (48 ;

0,5ма)

60 (6 8. 1 ма)
60 (6 8, 1 ма)
25 (6 в, 1 ма)
80 (1

8,

50

ма)

24 (5 8, 1 1.ia)
24* (18,

100ма)

36 (5 8' 1 ма)
36*

ТО40

R08
Х41

R08
ТО22

П27,

А;

ГТ109И, Ж;
115А
МП41А
МП41А
М П41 А;
ГТ ! ОSБ
МП41А;
МП42Б
МП42А;

МП20А
МП42А;
МП20А
МП42Б;
МП20А

МП42Б;
МП20Б
МП20А;
МП25
МП20А ;
МП25
МП20А. Б
МП20Б
МПЗ5;
МП36А

ГТ108Б, В, Г
ГТ108Г;
МП41А
ГТ108Г;

МП4 1А

31

П pofJoлжe:uii!

О.Sо з на·1е ние при 1 ора

Те х нол о гичес к ий тип
при б ора

Ре т а х ,
л~вт

f !121Ь•

f * т· f**м.
Мщ

.

-"

О:)

О:)

:::;,~:::;,~

2N215

f с'

Mct

е:.
:::;,

2

12

12

20

То Ж !О

150

0,7

30

12

50

150
20
250
250

1
0,85
0,6
0,51

25
10
18*
25

12
10

70
2
150
150

250

0,51

25

150

250

0,4

30

150

250

0,4

30

150

25 вт
25 вт
25 в . п
25 вт
25 вт
150

0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,5

30
30
50
50
50
45

150
30

1,3
30**

20
6

100
200
350
25 вт

1,3
1,3

-

0,4

25
25
25
15

15

200
200
200
3а

25

вт

О,

15

15

3

а

25

вт

0,4

30

30

3

а

25

вт

О,

30

30

3

а

... ...
..
..
..

2N226

.
..
..
.

2N227
2N234A
2N 235А
2N235B
2N236A
2N236B
2N237

.

...
.

. ..

..

Ое, р-п-р,
ПБ

Ое, р-п - р, С
То же

.. ..
. ..

2N255A

..
..

2N256
2N256A
2N263

щ

i?

85

2N225

2N241
2N241A
2N249
2N255

О:)

Се, р-п-р, С

2N217
2N220
2N223
2N224

2N238
2N240

с5

щ

uU
(?ii;
О:)

2N207B

'"

о о

Si,

п- р-п, Т

-

125

125

15
15

3
3
3
3

3
20

-

150
15

-

-

а
а
а
а
а

5

125

;~до

45

-

20

2N264

То же

125

10

45

-

20

2N265

Ое, р-п-р, С

75

1,5

25

-

50

..

120
150

4
0,5

20
45

-

2N269
2N272
32

То же

9

100
100

1

1

hzi e·
h*21E

в,

1 сво ·

с

м ма

Тип
кор п уса

Приближенный
отечественныr1
аналог

40

f=5

ТО5

44 (6 в' 1 лtа)

ГТ108Г;
МП41А

10

40

f=l2

ТО!

,\Ш4 1 А;

75 (!в, 50л~а)
65 (4в; О,5лtа)
110 (4,5в; 2ма)
90*
(О ,бв; 100 .ма)
100*
(О,6в; 100 ма)
60*
(О,6в; 100 лtа)
75*

14
12
7
10

36
-

-

"". 60* (0,5 а)
~ 40* (0,75)
;;; 60* (О, 75 а)
50 (6 в , 1 лtа)

8

-

-

-

-

1 ма
1 ма
1 ,w.a
l

-

-

ма

10

45* (1 в, 50 ,ria)
20
;? 16 (3в; О,5лщ) 3 (5 в)

~

25-;- 100
~ 25

(О ,5а)

(0 ,5

а)

Т025

-

ТО2 5

-

ТО25

-

ТО3
Т03
ТО3
ТО3
ТО3
ТО22

-

Rн=О,8
Rн=О,8
Rн=О,33
Rн=О,33

-

R11 =0,035

ТО22
Т024

-

5

ма

-

-

ТО3

l

ма

-

-

ТО3

5

л1а
в)

-

-

-

-

50 (45

16

40

40 (0,3; 20 лт )
120(56, 1 ма)

20
10

20
40

5 0 (45в)

f=9-;-15

-

f=\2

МП266
ЛШ20А

1128
М1120Б
МП20Б;
МП42Б
МП206;
J'\1Il42Б
МП206;
МП426
МП206;
М!!426

11 216В
П 4Д; П216В
11 4д ; П217А

1145;

11 4Д; Г1216А

П 4Л.; П216А
МП4 1 А;
ПМ40
М.11426

11422;
ГТ309д;
ГТ3 1 0Е

лtа

40

45*-150*
(5 в, \О лtа)
20- 55*
(5 в, 10 11ta)
11 5 (5 в, 1 Лtа)

3-92

-

f=6

1

-

16
16
25

50(1в, 1 00лtа)

25-;-JGO
(0 ,5 а)
25 (0,5 а)

~6

-

ТО !
ТО!
Т025
ТО25

-

73 ( 1 в,100ма)
73* (1 в, 100 лtа )

- :

F, дб
'~н• ом

10

(О,6в; 100ма)
~ 25 (0, 5 а)
;;;.40* (О, 5 а)

.

пф

1 лtа)

100 (5

4

•.

R032
R032
R0 11 7
Т О3

ТО3

МП42Б;
МП42Б
ГТ4036,
1146, Д;

112 168
1146, Д;
11 2 168
П46,

Д;

11216, А, 13
1146, Д;
П2 1 6А,

OV9

113078

0\19

/l307A

R032

М П3 96;

ТО\
ТО5

ГТ108Г
МП426
МП4 1 А;
МП426

В

33

Продолжение

.

-"

Обозначе н ие прибо ра

Технолоrиче-

СI<НЙ ТИП
прибора

Рстах•
мот

fh21b•
f*т· t••м.
Мщ

са

2N274
2N279
2N280
2N28 1
2N283
Ш 284
2N284Л

2N29 1
2N3 19
2N320
2N321
2N322

р -п-р, С

Ge,

Ge ,

2N331

р-п-р, С
То же

Ge,

"

.
.. -

"

"

'

"

"

"

"

"
"

.
.

"

"

"

"

"

"
"

"

..

~.~
са са

Si , п-р - п,

2N333A
2N334

S!, п-р-п, д
S!, п-р-п, Т .

2N336
2N337
2N338
2N338A
2N344
34

щ

~

'

/с, ма

!'О.

:::>

150

1

20

80

30

35

125
125
125

0,3
0,3
0,35

30*
30*
16

125
125
125
180

0 ,5
0,35
0,35

30

-

32
30
30
25

-

10
10
10
200

1

25

3

200

25

3

200

10
0,5

100 '
10

Т

То же

То же

..

Ge,

р - п -р,
ПБ

10
10
125

;;;э

225

;;;э l

225

~2

20*

3

200

225

~1

18

5

200

225

~1.5

18

5

200

200

;;;э2

18

5

200

30

12

200

45
45

1
1

25
25

150
150

,5

0,4
~]

~2

500
150

~8·

45
45

4
1

25
25

150

~2

45

1

25

150

~2

45

1

25

125

~ 10
~30

45
45

1
2 ,5

20
20

500

45

45

2,5

20

5

--

5

Si, 1~-p~n. д- 125 (500)
То же

-

10

225

75(300)

2N332
2N333

2N335

са

uu

р-п-р , ед

2N323
2N324

о

щ

:::>-:::>-

2N273

"'

0 0

20

11

50**

h2Je•
h"21E

1 сво.

20 (0,25 в;
50 ма)
60 (12 в, 1 л1а)

10

30 (2 в; О, 5 лт)
47 (20 в, 3 лtа)
70* (5,4 в;
10 лtа)
40 (10 в; О,5ма)
30 (2в; О,5ма)
47 (20 в, 3 ма)
45 (0,5 в;
100 ма)
25- 42
(1 в, 20 л-~а)
34- 65
(1 в, 20 ма)

12
12
10

-

4,5
12
12
25

се. пф

.л11tа

F,

40

8

1,7

r

Т1ш
корпуса

аналог

ТО5

МП42А, Б

-

ТО44

П414, А;
П401; П422

R09

МП39А
МП39А
МП42Б

-

ДО9

R08

-

-

-

F=9+15

-

-

-

-

R08
R08
OV7

16

25

-

ТО5

16

25

-

ТО5

53-1 21
в, 20 ма)
34-65
(1 в, 20 ма)

16

25

-

ТО5

16 .

,;;;;;:35

-

Т05

50- 121
(1 в, 20 ма)
72 (1 в, 20 лш)

16

.;;;35

-

ТО5

16

~35

-

Т05

30-70
(6 в, 1 ма)
~ 9 (5 в, 1 .ма)
29 (5 в, 1 ма)

16

36

-

ТО9

50 (45 а)
50 (45 в)_

30 (5 в . 1 ма)
54 (5 в, 1 .ли)

50 (45 в)

7
7

в,

50 (45 в)

10

50 (45 в)

7

1
50 (45)

2
2

99 (20 в, 1 лtа) __ 50 (45)

63 (5

1 л-~а)

;?-76 (5 в, 1 лш)
~20

(20 в, 1 ма)
;?-45 (5 в, 10 .лr.а)

(3

11- 33.
0,5 ма)

в;

З"'

-

..;;;; 3 (5

в)

7
7

R08

= 200
F=30

Rн=200

ТО5
ТО5
ТО5
Т05

F = 30
200

Т05

f=30

ТО5

Rн=

t. =

ТО5
ТО5

2

-

ТО5

<;6

-

ТО24

= 150

=0,02

~\1П39Б
МП39А, Б
МП39А, Б
МП42Б
МП25Б;
МП20А
МП25Б;
МП20А;
МЛ42Б
МП42Б;
МП20А
МП25Б;
МП20А;

МП42Б

Rн

Rн

Прнближенныii
отечественный

-

-

-

(1

-

дб

RH' о,и

л1.ксек

МП42Б;
МП20А
МП42Б;
МП20А
МП42А

MПlll
МП111Б;
П307В
КТ601А
П307В
МП113А;
П307В
МП113А;
П307В
П307В
П307В;
КТ312Б
П307В;
КТ312В
rтз1од

35

Продолжение

Обозна ч е ·
вне прибо ра

Техволог нче -

ский тип
прибора

Ре тах•
м вт

f h2 1b·
f*т· t••м.
М гц

.

. "'.

"

uu
&' i02

&'

оо
ro
щ

ro ro

::;-:;:,~

2NЗ45
2NЗ46

Ое, р-п-р,
ПБ
То же

2NЗ50

Ое, р-п- р , С

2NЗ51

То же

20

75**

5

10

вт

те. ма

е_

:;:,

50

5

f ~=6 к,zц

щ

5

50**

вт

ro

-

20

10

о

50

5
За
За

2NЗ60

Ое, р-п -р, С

170

2,5

32

6

200 (400)

2NЗ6 1

То же

170

2,5

32

6

200 (400)

2N362
2N363
2NЗ67

..
..

170

2

25

6

100 (200)

170

1,5

32

6

100 (200)

"

150

~о.3

30

10

75

~О.4

1,З

30
30

10
10

75
50

"

2N369

..

150
150

2N370

Ое, р-п-р, Д

80

30

20

1,5

10

2N371

То же

80

30

20

0,5

10

80

30

20

0, 5

10

80

30

25

0,5

10

f~=6 кгц

50

-

3iz

225

з

50

20

400

225

4

50

20

400

225

5

50

20

400

120

100

40

2NЗ68

2NЗ72
2NЗ73

2N376
2N381
2NЗ82
2NЗ8З

2NЗ84

"

"

..
.
"

.

"

.
..
"

..
..

10

вт

0,5

10

2NЗ9З

Ое, Мс·р ,

25

50 8

6

-

50

2N395

Ое, р-п-р, С

150

3

30

20

250

З1 i

-

~h21e•

1 сво·

.'1 *2 1 Е

М/Са

25- 100
(3

в; 0,5 ма)
~ 10 (3 в;
0,5 ма)

.;;;;; 3 (5 в)

.;;;;6

в)

.:;;;;6

.:;;;;3 (5

1 5( 1 2в)

-

( 1 2в)

-

15 (12 в)

ма)

1
1
1

20-60*
в; 0 ,7 а)
25- 90*
(2 в; О, 7 а)
50- 150*
(1 в, 50 ма)
25- 75
( l в; 50 л~а)
90 (6 в, 1 ма)
50 (6

в,

1

19 (5

в,

49 (5
95 (5

в.

3

.ма

3

ма

(2

-

Тн п
корп уса

ГТ310Д
П4Д; П203;
П214А
П4Д; П203 ;
П214Б
МП42Б;
МП20Б
МП42Б;
МП20А
МП42Б;
МП20Б;
МП41П
МП42Б;
МП20А;
МП41А
МП41,А;
М.П42А
МП41А
МП41А,
МП20А
П401;
ГТ309д, Е
П401;
ГТ309Д, Е
П401;
ГТ309Д, Е
П401 ;
ГТ309Д, Е
П4Д; П203
П211
МП25Б;
МП21Д, А
МП25Б;
МП21А, Д
МП26Б;
М.П21А, Д
П416Б;
П403;
П415АБ
ГТ310Е

Rн

=

0,8

ТО3

Rн

=

0, 8

ТО3

ТО5

-

ТО5

15 (12 в)

-

-

Т05

ма)

15

-

ТО5

ма)
ма)

-

60 (12

в,

1 .ма)

20

60 (12

в,

1

ма)

20

-

-

ТО7

60 (12

в,

1

ма)

20

-

-

ТО7

60 (12

в,

1

ма)

8

1 ,6

-

Т07

15

-

ТО5

-

OV9

-

ТО7

-

-

10

20

F.:;;;;8

ТО5

ма)

10

20

ТО5

75-120 (20ма)

10

20

60 (12 в;
1, 5 ма)

12

2

-

:;;;,20 (0,5 в;
50 ма)
20-150
(1 в, 10 ма)

5 (6
6 ( 15

в)
в)

Rи

=

0,8

аналог

Т024

-

в,

отечественный

ГТЗlОЕ

-

15

Приближенный

ТО24

ТО5

60-95 (20

-

дб

F,

Rн• ом

-

35-1 20
(2 в; 0,75 а)
35- 65 (20 ма)

"

С 0 , пф

ТО3

ТО5
Т044

.;;;;6

Rн = 9

ТО24

.:;;;;20 (5 в)

R.~4

ТО5

МП24Б;
МП20А

37

Продолженае

.

. "'.

Обозначе н ие прибо ра

Технологиче-

ский тип

прибора

Рстах•
мвт

fh21b•
f*т• f**м ·
Мгц

1б @
uu
~~

ro ro

::::>~::::>~

2N396

Ос, р-п -р, С

2N398

То же

2N398A
2N398B
2N399
2N400
2N401

"

"

"

"

"

"

"

"

2N402
2N403
2N404

"

"
"

2N405

.
"
"
"

.

"

"

"

"

"

2N406
2N407

.
..

2N408

"

2N413A

"

2N419
2N422

"

Ge,

"

р-п-р, С

2N425

То же

2N426

..

2N444
2N444A
2N445
2N445A
2N456

Ge,

п-р-п, С

.

То же

"

Ge, р-п:р, С

150

5

50·

1

-.

"6

ro

щ

/с• ма

~
еэ.

::::>

30

20

250

105

50

100

150

0,8

105

50

200

250

1

105

75

200

35 вт

0,5

35*

40

3

а

35

вт

0,4

50

40

3

а

35

вт

0,4

35*

40

3

а

180
180
150

0,6
0,85

;;: 4

25
25
25

10
10
12

150
200
100

150

0,65

20

2,5

35

150

0,65

20

2,5

35

150

6,5

20

2,5

70

150

6,5

20

2,5

70

150

2,5

30

200

0,3

55

-

150

0,8

35

12

100

170

~2 .5

30

20

400

150

::;;:,3

30

20

400

150

~О.5

15

10

50

150
150

;;,О,5

~2

40
15

10
10

50
50

30
40

10
20

50
5а

35

вт

150
50 вт

~2

-

3

а

h2Je•

Iсво·

li*21E

30-150
(! в. 10 ..иа)
;-:: 20 (0,35 в;
5 лт)
?-20 (0,35 в;
5 ма)
?-20 (0,25 в;
5 ма)
?-20 (О, 7 а)

.;;;;20 (5 в)

14(2,5в)
!4(2,5в)

6

Тип
корпуса

Rв..;;;;70

ТО9

-

Rн.;;;;

70

ТО5

(2 , 5в)

-

Rв..;;;;

50

ТО5

1

J.ta •

-

Rв.=0,8

40
40
.;;;;20

--

20 (0,5

а)

1

.ма

15
15
5 (12

в)

= 0,3
Rи = 0,8

Rн

Rн,,;;;;

12

Приближенный
отечественный
аналог

-

.ма

ТО3
ТО3

ТО3
ТО5
ТО5
ТО5

МГ142Б;
МГ120А
МГ1 2 1 Е
МГ126Б, А;
МП21Е
МП26А, Б;
МП21Е
П4Б, Д;
П2!6А
П4Б, Д;
П216А
П4Б, Д;
П216А
МП42А
МП42А
МГ!42А

14

40

-

ТО44

МГ!40А;

J Ata)

14

40

-

ТО!

МГ!41
МГ!40А;

-

-

ТО40

-

ТО!

-

ТО5

35 (6

В,

65 (l

в,

50

л~а)

14

65 ( !

в,

50

ма)

14

-

в)

9- 44 (1,5 в;
2,2 а)
50 (6 в, 1 л~а)
30 (0,25

в)

(О, 25 в)

1

15 (20
4 (!

в)

,5в)

,,;;;;20

(5в)

4 (l, 5 в) ,;;;;20 (5 в)
. 25

?-15 (5в, 1 л~а)
35 ( 4, 5 в; \ Ata)

4
25

в; 1 ма)
?- 10*(1,5в;5а)

1

J\ta

1 .ма)

15 (4,5 в;

дб

ТО5

2

30- 60

F,

Rн• ом

Rв..;;;;4

а)

25 (9 в, 1 ма)
35 (9 в, 1 1.ia)
?-30* (О, 15 в;
12 л~а)
35 (6 в, 1 ,11а)

...

6 (20 в)

?-30 (!

30 (6

се. пф

At1Ca

;?-35 (5

4
2

жа

-

-

tp=
=26М1(Се1(

Rн = 1,5

ТО3

F,,;;;; 6,5

ТО5

Rн.;;;;3

ТО5

Rн.;;;;

3

-

ТО5
ТО5
ТО5

-

-

Rн =

ТО5

0,2

ТО5
ТО3

MII41
МП41А;
МГ!42Б
МЛ41А;
МП42Б
МП42А;

МП 20А
П4А , Б, В;

11216
МГ!39Б;
МП41А;
МП42Б
МП20А;
МП25Б
МП20А;
МП25Б
МП35;
МП 36
МП37А, Б
МПЗ8, А

.\11138,

А

П2!0В

39

Продолжение

Обозначе ние пр11бо-

технолоrнче-

скнй тип

прибора

ра

Ре тах'
мвт

fh21b•
f*т, r··м.
Мгц

.."

"'6

&;&?
ro ro

&?

оо

ro щ
uu

;:,~:::;--

2N457

Ge,

р - п-р, С

То же .

2 N458

ro

щ

/с, .ма

~
;:,

50

вт

-

60

20

5

а

50

вт

-

80

20

5

а

50

вт

f ~=5 кгц

105

20

5

а

225

? 1,2

45

10

400

2 N460

. .•
.

2 N464

"

.

200

?0,7

45

12

100 (200)

2 N465

..

200

?0,8

45

12

100 (200)

2N466

"

200

?1

35

12

100·(200)

200

?8

15

2

25

200

?-8

30

2

25

200

~8

30

2

25

200
200
200

?8
;?8
~8

45
45
15

2
2
2

25
25
25

200

~8

30

2

25

200
200

?8
?8

30
45

2
2

25
25

200
200

;;:;:8
~8

45
15

2
2

25
25

200

? 12

30

2

25

200

;;. 20

15

2

25

200

;; 20

30

2

25

200
200

?8
?20

30
45

2
2

25
25

200

? 8

45

2

25

2 N459

2N470
2N471

2N471A
2N472
2 N472Л
2N473

2N474
2N474A
2 N475
2 N475A

"

Si,

"

п-р - п, Т
То же

"

"

"

"

"

"

"

"

."
.. ..
"
"

"
"

2N 477

"

"

2N 478

"

"

"

"

2N 476

2N 479
2N 479А
2N 480

"

"

"

"

2N 480А

"

"

40

Iсво·

hzle•
h"21E

~ 1 0*

5

(1,5

се. пф

мка

в

а)

~ 1 0*

2

ма

t'P =

2 ма

15

~27

15 (20 в)
15

(6

~56

в,

1 .ма)

(6 в, 1 ма)

2

tp =
мксек

=26

ма

ом

корпуса

fp=

=25

ТО3

П210Б

=
Rн =

0,2

тоз

Л210Б

0,5

ТО3

Rн

-

ТО5

F.;;;22

ТО5

-

F.;;;22

Т05

-

F.;;;22

Т05

50

(20в)

'

аналог

0,2

мксек

15

Приближенный
отечественный

Rн=

мксек

=26

(1,5 в,
5 а)
20-70*
(2 в, 2 а)
17- 36
(5 в, 1 .ма)
~ 14 (6 в, 1 ма)

Тип

Р, дб

R11 ,

П210Б;

ГТ701А
МП25А
МП39Б;
МП40;
МП40А
МП40А;
МП39Б:
МП42А
.МП41А;
N1Л39Б;

M!l42A
<8

Rн

=

300

ТО5

П307Г

.;;;8

Rн

= 300

ТО5

П307Г

.,;;;;;20

Rn = 300

ТО5

П307Г

.;;;8
.;;;20
<8

Rн=300

Rн =

ТО5

300

1'05
1'05

П307Г
П307Г
П307Г

<8

Rн

= 300

ТО5

П307Г

.;;;20
.;;;20

1'03

Rн

-

0,5 (45 в)

= 300

П307Г
П307Г

О,5(45в)
О,5(15в)

.;;;8
.;;;10

N.н

=

450

ТО5

П307В
П307В

0,5 (30 в)

< 10

Rн

= 450

ТО5

П307В

О,5( 1 5в).

.;;;8

Rн =

300

ТО5

П307В

0,5 (30

в)

.,;;;;;8

Rн=

300

ТО5

П307В

0,5 (30
0,5(45

в)

в)

.;;;20
<8

Rн

300

ТО5
ТО5

П307В
П307В

0,5(45

в)

<20

ТО5

П 307В

О ,5 (15 в)
10- 25
(6 в, 1 м)
О,5(30в)
10-25
(6 8, 1 Ata)
0 ;5 (30в)
10- 25
(6 в, 1 ма)
~6(6в, 1 ма) О , 5(45в)
~6 (5 в, 1 ма) 0,5 (45в)
О,5( 1 5в)
20- 50
(6 в, 1 .ма)
0,5 (30в)
20- 50
(6 6, 1 Ata)
~20(66,]

Ata)

20-50
(6 в, 1 лtа)
35(6 в, 1 ма)
30- 60
(6 6, 1 Ata)
30-60
(6 В, l А!а)
40-100
(6 в, 1 ма)
40-100
(6 в, 1 ма)
70 (6 В, 1 Ata)
40-100
(6 в , 1 ма)
70 (6 в, 1 .ма)

-

Т05

-

-

=

-

ТО5

;

41

Продолжение

Обозначение при -

бора

2N481
2N482
2N499
2N499A

Технологнческий тип
прибора

~

щ

ЕО. ЕО.
:::;, :::;,

/с' ма

i:c

;:;--

-

3,5
170

12
30

0,5

20
50

60

:;;;:.120*

30

0,5

50

30

~50*"'

35

1

50

50
225

0,6
:;;:,,2,5

40
18

5

100
200

200

1,5

15

10

200

85

2

20

20

20

85

2

20

20

20

85

2

20

20

20

85

2

20

20

20

6 кгц

80

28

3,5

а

То

же

..
.
..
..
..
.
..
"

2N535A
2N535B
2N536
2N538

"

2N538A

.

2N539

"

..
..
..

2N539A
2N540
2N540A

42

~~

150
30

2N535

2N555

i:c

То же

Ое.Мс'Д-Р·

2N5i9

2N554

uu

12

Ое, р - п-р, С
То же

2N553

Мщ

"'о

3

2N506
2N508

2N543

t·т· f"м.

"'

150

..

2N542

мвт

...

Оо
i:c i:c

Ое, р-п-р, С

2N504

2N541

Рстах•

fh2lb•

Si,

п-р-11, Т

То

.

же

"

Ое, р- п-р, С
То

же

..

f?=

20

34

вт

34

вт

То же

80

28

3,5

а

34

вт

:;;;:.0,2

80

28

3,5

а

34

вт

:;;;:.0 ,2

80

28

3,5

а

34

вт

:;;:,,0,2

80

28

3,5

а

34

вт

:;;;:.0,2

80

28

3,5

а

200

39

15

2

25

200

39

30

2

25

200

39

45

2

25

35

вт

f ?=25кгц

80

40

4

а

40

вт

f~= 6 кгц

15

15

3

а--

40

вт

То же

30

15

3

а

Iсво ·

h21 e•
h*21E

с

.мка

•.

пф

-

Т О5
ТО!

МП41А
ГТ310А

ТО!

ТО5

П423;
ГТ309Б
ГТ310Е ;
ГТЗО98
П29
МП20А, Б

-

ТО5

МП25

40

-

ТО5

МП4 1 А;
ГТ!О88, Г
М.П41А;
ГТ 1 08В, Г
МП41А;
ГТ ! О88, Г

1
2

Л!П.)

10(12
5

в)

лtа)

20 (9 в' 1

лш)

5

~2,5

ма)

10

<2.5

40(1 в, ! Олш)
99-198
(! в, 20 ма)
25
(4,5 в, 1 ма)
100(5 в, 1 ма)

15
7

-

-

<35

-

2

12

12

в,

16(12

в,

1

14
14
<2.5

ТО!

OVll

100(5

в,

1

ма)

12

40

-

ТО5

100(5

в,

1

ма)

12

40

-

ТО5

12

25

-

ТО5

150*
(1 в, 30 ма)
20- 50*
(2 в, 2 а)

2

ма

-

Rн.;;;;О,3

МТ36

-

2

ма

-

Rн~О,3

МТ36

30- 75*
(2 в, 2 а)

2

ма

Rн<О.3

МТ36

-

2

ма

Rн<О,3

МТ36

45- 113*
(2 в, 2 а)

2

.ма

Rн<О,3

J\1Т36

2

лtа

-

Rн<О,3

МТ36

-

0,2 (15 в)
80- 200
в, 1 ма)
О , 5 (30 в)
80- 200
(6 6, J Л·tа)
О , 5 (45 в)
80--200
(6 в, 1 лш)
2 лtа
40- 80*
(2 в, 0,5 ма)
10 Ata
~30*
(2 в, 0,5 а)
20 ;.и
~30
(2 в, 0,5 а)

аналог

МП41А

в)

в'

Приближенный
отеч ествениый

ТО5

10(12

50 (6
8 (1 0

корпуса

-

л1а)

50 (6 в' l

Тип

Р , дб
ом

RH,

МП20Б;

ГТ108Г
П 4Б; П2168;
П217В
П4Б; П2168
П2178
П4Д; П2168;
П2 1 78
П4Д; П2 1 68;
П2 1 78
П4Д; П2168;
П2 1 78
П4Д; П2168;
П2178
П3078, Г

2,4

Rн= 300

2 ,4

Rн=300

ТО5

П3078,

2,4

Rн= 300

ТО5

П307В, Г

-

Rн= О,3

MDI

П4Д;П

-

Rн =О,8

ТО3

П4Д;

112168

-

Ru=0,8

тоз

П4Д;

П216В

-

ТО5

(6

Г

2168

43

Продолжение

Обозначе-

Техиолоrиче-

иие при-

ский тнп
прибора

бора

Ре тах•
мвт

f h21 Ь•
f'т· f"м.
Мгц')

.

- "'

0 0
00

щ

2N563
2N564

Ое, р-п-р, С
То

..

2N565
2N566
2N573
2N588

же

00

Р?Р?
00 00

Р?
!О.

щ

1с' ма

:::,

0 ,65

80

60

5

150

0,8

30

10

250

150

0,8

30

10

50

10

вт

а

"

"

150

1

30

10

50

"

"

150

1

30

10

50

200

-

40

25

250

30

~50**

15

-

50

-

20

..
Ge,

"'6

uu

:::,~:::,~

2N561

=

р-п - р,
мед

2N591

Ое, р-п-р , С

50

0,7

32

2N602

Ое, р-п -р, Д

120

20*

20

1

--

120

~1 2

35

1

-

120

40*

30

1

120

60*

30

2

-

180

1,8

25

10

200

..

180

1,5

25

10

200

180

1

25

10

200

"

"

180

0,6

25

10

150

"

"

180

0,85

25

10

200

"

"

125

3

20

10

150

"

"

170

1,5

32

6

100

"

"

37

вт

-

40*

-

5

а

"

"

37

вт

-

70*

-

5

а

"

"

37

вт

-

80*

-

5

а

2N602A
2N603
2N604
2N609
2N610
2N611
2N612
2N613
2N614
2N633
2N639
2N639A
2N639B

44

То

же

..
..

Ое, р-п-р, С

То

же

h21e

lсво·

0

h*2 1 в

мн:а

20-50
(2 в, 4 а)
25 (5 в , 1 .11а)

F,

дб

Rи, ом

Rн=О,2

.ма

3

Тип
корпуса

ТО3

25

30

R011 6

25

30

ТО5

55 (5

в,

Л!П)

25

30

R0 \1 6

55 (Б

в,

лт)

25

30

ТО 5

150
2

40

40

ТО5

(12

в,

ли)

15

1,5

в,

2

F< l 5

лш)

Приближенный
отечественный
аналог

ма)

П4Д; П203;
П 2 1 4А
МП 25А;
МП4 2А
Л1П39Б ;
МП40
Л1П4 J А;

ТО!

МП2 5
МП 4 1 А;
МП25
МП 20Б;
М!! 2 1 д
П422;
ГТ309Б ;
ГТ3 1 0Д
ГТ 1 09В, Г

ТО\

~20

8

4

ТО 9

(1 в; 0,5 лш)
80 (1 в; 0,5 м а)

П40 1 ; П416

8

,;;;.7

ТО9

П40 1 ; П416

8

3

ТО9

П402; П41"6А

8

3

ТО9

25

40

ТО5

ма)

25

40

ТО5

45"(\ ООма)

25

40

ТО5

~30

0,5 ли)
;?40
(1 в; 0,5 лиi)
90* (1СО ма)

в;

25 (9

8'

А'!й )

25

40

ТО5

35 (9

в,

ма)

25

40

ТО5

4,5
0,5 лtа)
60*
(0,5 в; 50 л~а)
. 15-30*
(5 в, 3 а)
15- 30*
(5 в, 3 а)
15-30*
(5 в , 3 а)

6

8

ТО5

П402; П403;
П4 1 6Б
МП25Б;
МП42Б
МП25А;
МП42Б
МП 25А;
J\Ш4 2Б
МП39Б;
МП40
МП4 1 А;
МП42А
МП39; МШ2

ТО5

МП42Б
П4Д , Б;
П2 1 6В
П4Д, Б ;
П2 1 6В
П4Д, Б;
П216В

65''' (100

(9

··"

пф

6'

(1

~

•.

25 (5

70(12

~

с

в;

25
1

Aia

Rн=О,83

ТО3

5

А!а

Rи=О,83

ТО3

5лю

Rн=О,83

Т О3

45

П родолженuе

"

Обозначе-

Технолог и ч е-

ние при-

CI<Иlf ТИП
прибора

бора

Ре тах 1
"нвт

. fh21b•
t *т· r·•м.
Мгц

."

'

"'

6

00
ФФ

ф

5?5?

i'?'

uu

щ

фф

:::,-;:;,-

2N640

Ge,

р - п -р. Д

42

34

1

10

80

42

34

1

10

80

42

34

1

10

120
120
200

30*
50*
1,5

30
30
30

2
2
25

100
100
250

200

2

30

25

250

200

2,5

30

25

250

210

22

30

12

1

~40*

60

5

500

~50*

GO

5

500

300*

15

3,5

50

300

12

1

50

~ 150*

15

1 ,5

100

~ 150 *

15

2

100

~40*

60

.5

500

~50*

60

5

500

~60*

75

7

500

500
(1 ,8 вт)
300
300
150

~50*

120

7

5СО

;;о-30*
~30*
~25*

60
100
13

3
3
1

50
50
100

150

~35*

13

4

100

.

150

~50*

13

4

100

п-р- 11, М

150

~600*

20

4

150

же

2N647

..

2N643
2N644
2N653

"

О•:,

2N654

"

11-р-11, П

Si,

То же

2N697
2N705

Ge,

2N71l

"

То

"

2N720A

п-р-п, Д
То же
Ge, р-п-р,
мед
То же

Si,

2N796

46

же

.
..

2N718A

2N797

.

11-р - п, П

Si,

2N718

2N795

же

..

2N711B

2N754
2N755
2N794

р-п-р, М

То

2N711A

2N717

же

" ."

2N66l
2N696

"

p·n:p. С

То

2NG55

"
Ge,

:::,

80

То

2N64 l

[с, .ма

l'O..

GOO
(2 вт)
600
(2 в.1~)
150
(300)
150
(300)
150
150
400
(1,5 вт)
400
(1,5 вт)
500
(1,8вт)

-

а

-

h2Je•
/i*2 JE

Iсво·

с, . пф

Atfta

1 ,6

-

ТО7

П402 ;

1 ,6

60 (12

в,

1

ма)

7

60 (12 в' 1

.ма)

7

(0 ,25

в,

10 Ata)

аналог

ТО7

5

~:<0 (1 0 в , 5 м)
~QO( I Oo , 5лtа)
~30*
(0 , 3 в, 10 .ма)
~50*
(0,3 б, 10 Ata)
~50*
(0,3 в , 1О .1т)
~40*

оте ч еств енный

-J ,6

ма)

20
(0,5 в, 10 ма)
25-150
(0,5 в, 10 ма)
30-1 50
(0,5 8, 10 ма)
20- 60*
(1 0 в, 150 ма)
40- 120*
(10 8, 150 ма)
40- 120*
(10 в, 150 лtа)
40-1 20
(1 0 в, 150 ,на)

П р11блнжеин :,1ii

П402; П4 1 6А ;
П422
П402; Г14 1 6А ;

1

~25
в , 10 .ма)

Ти п
корпуса

ТО7

в,

(0.,3

дб

-

60(12

45 (7 в , 5 ма)
45 (7 б, 5 Ata)
30- 70
(6 в, 1 .ма)
50-125
(6 В, 1 Ata)
100-250
(6 в , 1 ма)
120*
(0,5 в, 50 ма)
20- 60*
(10 8, 150 Ata)
40-120*
(10 б, 150 Ata)

F,

Rи, ом

П422

Il416A;

П422

10
10
15

2
2
10

-

ТО9
ТО9
ТО5

15

10

-

ТО5

6

10

-

ТО 5

5

12

-

ТО 5

П4 1 6А
МЛ20А;
МП42 А
NШ 20А;
МП42А
МП 20А ;
МП426
ГТ32 1 В, Е

100
(60 в)
100
(60 в)
3 (5 в)
в)

3 (5

11416

,,;;;35 (1 0в)

Rн < I O

Т0 5

КТ602А

,,;;;35( 1 0в)

Rн< I O

ТО5

КТ6026

5 (l О

в)

Rн< 30

ТО1 8

ГТ30 86

5 (1О

в)

Rн<50

Т01 8

ГТ308Б

1, 5 (5

в)

6

Rн<30

ТО1 8

ГТ308Б

1 , 5 (5

в)

6

Rн~25

Т0 1 8

ГТ3086

Rн,,;;;;,, 1 0

Т0 1 8

КТ602А

Rн<1 0

ТО18

КТ 60 2Б

Rн< IO

ТО1 8

КТ602Б

Rн,.;;;3 0

ТО1 8

КТ602 Б

ТО1 8
ТО 1 8
ТО1 8

ПЗО7-П 3 09

< 100
(60 в)
,,;;;;,,1 00
(60 в)
<1 00
(75 в)
< 100
(120 и)
1
1
3

< 35
(1 О в)
<35
(1 О в)
<25
(1 0 в)
< 15
(1О и)
,,;;;10
< 10
< 12

-

Rн<3О

П3 07В. Г

11416;
ГТ30 8А

3

< 12

-

Т0 1 8

П4 1 6А

3

< 12

-

Т018

П416А

ТО 1 8

ГТЗ 11И

1 (1О

в)

< 4(5

в)

Rн = 14

47

_Продолжсние

.

. "'.

Обозначе ·
ние

при-

бора

2N839
2N840
2N842
2N870

Технологиче·
ский тип
прибора

Si,

п-р-п, П
То же

"
"

.

2N910
2N91 l

"

То

"

же

"

2N926
2N927
2N928

Ge,

300
300
300
500
500
(1,8 вт)
500
(1,8 вт)
500

"

.
..
..
..

2N925

мат

f*т. t••м.
Мгц

00
ro щ

uu
i? i?

"'

6ro

щ

i?

Г0 , лtа

ro ro

;:,-;:,-

ro
;:,- -

~5 0*

45
45
45
100

2
2
2
7

50
50
50
500

~60*

100

7

500

~50*

100

7

500

~ 40

100

7

500

~30*
~30*

30*

(1,8вт)

р-п - р, С

Si,

2N924

2N990

"

..

2N912
2N923

"

Ре тах•

fh2 l b•

( 1 ,8вт)

150

~0,8

40

40

50

150

0,8

40

40

50

150

0,8

50

50

50

150

0 ,8

50

50

50

150

0,8

70

70

50

150

0,8

70

70

50

67

~44*

20

1

10

р-п-р,
ед

2N991

То же

67

;;;,44*

20

1

10

2N992

..

67

~44*

20

1

10

67

~ 44*

20

1

10

f~=5 кгц

80

40

5а

5 вт

1 ,5

60

12

500

10

вт

1 ,5

60

12

90

ат_

f~~3 кгц

80

40

12
13

45
45

2N993

Ge,p-n-p,

2Nl011

Ge,

р-п-р, С

2Nl067

Si,

п-р-п, д

2NI 068

То же

2Nl l 20

Ge,

2NI 149
2N\I50

Si,

48

М

р-п-р, С

п - р-п, Т
То же

45

вт

150
150

11

1,5

а

15 а
25
25

....

-

"

1

h2Je•
/t•2IE

1 сво·

с

мка

~20(56,
~40(56,

1
1 .ма)
1
1 Ata)
1
? 20(56, 1 Ata) .
100
40-120
(10 в, 150 ма) (100 6)
100
~80(5в, 5.ма)
(100 в)
100
40-100
' (100 в)
(5 8, 5 Ata)
,,;;;;100
20-50
(100 в)
(5 в, 5 лtа)
0,025
12-30
(6 в, 1 лщ)
0,025
24-70
(6 в, 1 ма)
0,025
10-24
(6 в, 1 ма)
0,025
20-55
(6 в, 1 лtа)
0,025
8-22
(6 в, 1 л:а)
0,025
18- 50
(6 6, 1 .ма)
8
~40(68, 1 Ata)

•.

пф

F,

Тип

дб

Приближенны/\

отечественный

Rп• ом

корпуса

-

П307А, Б, В
П307А, Б, В
П307А, . Б, В
КТ602Б

аналог

.;;;;15
.;;;;15
6
.;;;; 15

Rв<30

Т018
Т018
ТО18
ТО18

.;;;;15

Rн<40

ТО18

КТ602Б, Г

.;;;;15

Rн<40

ТО18

КТ602 Б, Г

.;;;;15

Rн~40

Т018

КТ602А, В

.;;;;20

Rн~IOO

Т018

МП115

.;;;;20

Rн<IOO

ТО18

МП!lб

.;;;;20

Rн<lOO

ТО18

~20

Rн<.100

Т018

~20

Rн< l OO

ТО 1 8

1\1Л114;
МП115
МП114;
МП115
МГ1114;

.;;;;20

Rн~lOO

ТО18

МП115

.;;;;4

Т072

ГТ322В;
ГТ309В,

.;;;;4

ТО72

ГТ322Д;

Т072

-

МП115

Д, Е

~40(68,

1 Ata)

8

~40(6в,

1 ма)

8

<4

~40(6в,

1 ма)

8

<_3

F.;;;;8

-

Rн<.О,

30-75*
(2 в, 3 а)
15-75*
(4 в; 0, 2 а)
15-75*
(4 в; 0 , 75 а)
20-50
(2 в , 1О а)
13(5 в, J лtа)
24(5 в , 1 ма)

4-92

•,

20 Ata
0,5

.ма

0 , 5 Ata
15 Ata
50 (45
50(45

в)
в)

7
7

П416;
ГТ309В

11422;
ГТ309А;
ГТ322В

дб

Т072

11422;

тоз

ГТ309Б, Г;
ГТ322
П210Б

Rн=10

ТО8

П701А

Rн=2,7

ТО8

П701А;
КТ801А, Б

Rн<О,1

ТО41

Rн= 200
Rн= 200

OV9
OV9

П210Б;
ГТ701А
П307В
П307В

5

49

п poдoЛJICIJНlle
<о

•

"'о

Uu

-

•
Оо

Обозна"rе ние прибо -

Т ехнологический ти п

2N1192

мвт

прибора

ра

2N115 1
2Nll52
2Nll53
2Nl 191

Ре тах•

fh2 1b•
r·т· f"м.
Мгц

со щ

со

щ

&'&'

со

О'1 О'1

::;--:::,-

ма

10 ,

о,;

:::,

~8

ое: р-п-р, с

150
150
150
200

15
16
1,5

45
45
45
40

1
1
1
25

25
25
25
200

То же

200

2

·10

25

2СО

100

~1

20

10

100

Si,

п - р-п, Т
То же

. .

2NI 265
2N 1300

Ge,

р-п-р , М

150

40*

13

1

100

2N1303

Ое, р-п-р, С

150

~3

30

25

300

п-р-п,
То же

800
800

~70*
~70*

120
120

4
4

300

2N1335
2N l336

Si,

2N 1.337
2N l338
2Nl339
2N l340
2Nl34 1
2Nl342

Si,

11

.

"

800

~70*

120

4

300

"

"

800

~70*

80

3

300

800

~70*

120

3

300

800

~70*

120

3

300

800

~70*

120

3

300

800

~70*

150

5

300

240
300
5 вт

35
30
1,5

30
20
60

l
2
12

500
50
1,5 а

5

вт

1,5

100

12

1,5

а

5

вт

1,5

60

12

1,5

а

5

вт

1,5

100

12

1, 5

а

25

вт

1,25

60

12

3,5

а

25

вт

1,25

100

12

3,5

а

70*

20

11-р-11, Г1
То

же

"

"

"

"

2N 1384
2Nl390
2N l479

Ое, р-11 - р, Д
Si, 11 - р - 11, 11
Si, п - р-11, J\1

2Nl480

То же

2N14S l
2N1482
2N1483
2Nl484
2N15 \5

50

:зоо

..
..
..
..
Ое, р - п-р,
ед

.

83

-

10

'сво·

li21e•
h*21E

39(5в,
49(5в,
75(5в,
20-ВО

се. пф

1,нса

1 лtа)
1 л1.а)
1 ма)
( 10 ,на)

50 ( 45в)
50 (45в)
50 (45в)
15

7
7
7
20

F,

Ru'

дб

олt

Rн=200
Rн=200
Rн=200

Тип

.

корпус а

0\19
OV9
OV9

Приближенный

отечественый
аналог

П307В

40-135 ( 10

ли)

15

20

-

ТО5

~50 (бв,

1

л~а)

10

25

-

ТО5

П 307В
ПЗО7В
МП42А;
МП20А
МП42Б;
J\11П20А
МП42Б;

(О,3в,

10

л~а)

3

-

-

ТО5

МП41А
МП42Б;

~20 (1в,

10

ма)

50

~ 10 *(10в, 30 ли)

~10*

30 л1а)
;:>-:10*
( 1Ов, 30 ,на)

6

(25в)

(5в)

20

-

ТО5

R",,;;;;,20

ТО5

Jv1П41A
МП25Б;
МГ121Г

1
1

в

-

10

-

ТО5
ТО5

1\Т602А, Б
КТ602А,Б

1

в

-

ТО5

КТ602А,Б

10

-

ТО5

КТ602В,Г

1

в

-

ТО5

КТ602А,Б

1

в

ТО5

КТ602А,Б

1

в

-

ТО5

КТ602А,Б

10

.В

-

ТО5

КТ602А,Б

50

7
-

-

ТО!!

R"=7

ТО5
ТО5

ГТ32!Г
П307В
КТВОlА
КТВОlБ

(10в,

~ 1 0*

( l Ов, 30 лtа)
?10*
(10в, 30 .ма)
:;;,,10*
(10в, 30 ма)
? 10*
(!Ов, 30 ма)
? 10*
( 1Ов, 30 лю)
5О* (20в, 200 ма)
~ 15 (5в, 10 ма)
>~~20*

0,2 а)
? 20*
(4в, 0,2 а)
35-100
(4в, 0,2 а)
35-1 00
(4в, 0,2 а)
20-60
(4в, 0,75 а)
20-60*
(4в, 0,75 п.)
100 (Gв, 1 лш)

10

О,В
0,01 лщ

(4в,

4*

0,01

ма

-

Rн=7

ТО5

0,0 1

Лtа

-

Rн=7

ТО5

KTBO l A

0,01

л1а

-

Rн=7

ТО5

КТВОlБ

0,0 15

ма

-

Rн=3,5

тов

П702

0,0 15

Л/il

-

Rн=3 ,5

тов

П702

-

-

Т07

П402; !1403;
П4146

13

51

Продолжение

"'6

. "',;

Обозначе·

вне прибо·

Технологиче~

ский тип

2N 1516

2N161З

п-р·· n, Т
То же

2N l587

п-р-п, П

Si ,

п-р-п,

2Nl647

Si,

2Nl649
2N l 674

Si, ti-p-n,

То

р:)

щ

щ

Uu

&?

&?&?
""р:)

те. ма

р:)

:;;,

8З

70*

20

-

10

8З

7С*

20

-

10

150

4

15

1

25

150

4

зо

1

25

tЗ вт)

~60*

75

7

500

вт

10*

80

6

За

. 10*

80
15

6
2

За

800

!V\

20

д

20 вт
200

)!(~

О о
р:)

:;;,~:;;,~

р- п - р,
ед
То
же

Si,

Мгц

.

Ge,

2N l517
2N l 586

мвт

прибора

ра

Ре тах•

fh21b•
f*т· f"м.

.

~20*

25

2N168З

Ge,

р-п-р, Л1

150

2Nl704

Si,

п-р-п, Д

500

5

45

6

50

2Nl714

Si,

п - р-п, М

800

~16*

60

6

750

800
( 10 вт)

~16*

100

6

750

2вт
вт)
2вт
( 10 вт)

16*

60

6

750

16*

100

6

750

50**

40

1

10

То

2Nl7 15

"

2Nl7 19

2Nl768
2Nl769
2N18З7
2N 1 8З7А

2N1889
2N189З

2N2049
2N2092

же

.
..

2Nl718

2Nl749

80

lЗ

4

100

(l Овт)

(10

р-п-р,
1vleд

Ge,

п - р-п, Д

Si,

То

же

75
40

вт

1,25

60

12

За

40

вт

1,25

100

12

За

п-р-п, П

Si,

То

же

-

"

"

. .
"
Ge,

.

р-п-р,
ед

600

~140*

80

8

500

800

~140*

80

8

500

800

(З вт)

~50*

100

7

500

800

(З вт)

~ 50*

120

7

500

~50*

75

7

500

З2

1

10

800
100

75

-

1

52

•
Iсво·

h21 e•

h*21E

С0 , пф

,шса

F, дб
Rн, о...и

тип
корпуса

Приближенный

о течествен.ный
аналог

67

(бв,

1

M1l)

13

..3

-

ТО7

67

(6в ,

1

лtа)

13

6

-

П402; П403;
П414А

ТО7

П402; П403 ;

9-27
1 ( 1 5в)
(5в, 1 .ма)
9-27
1 (30в)
(5в, 1 .мп)
35 (10в, 10 лtа) 0,01 (60в)
15-45*
0,5 а)
30-90*
(10в, 0,5 а)
50 (5в, 1 лш)
85*
(О, 5в, 40 ма)

0,1

Лtа

О,

Лtа

(!Ов,

~50

1 ма)
20- 60*
(5в, 0 , 2 а)
20-60
(6в, 0,2 а)
20- 60*
(5в, 0,2 а)
20- 60*
(5в, 0,2 а)
30- 150
(бв, 1 лш)
35-1 00*
(4в. 0,75 а)
35- 100*
(4в; 0,75 а)

1

Rн=300

OV9

~30

Rн=300

OV9

~25 (10 в)

-

Rн= 10

MTll

Rн=3

Jv\Tl 1

П702А

-

;;;с40*
(10в, 150 лtа)
~75
(5в, 1 лtа)
150 (бв, 1 ма)

П70 2

0,5
3

<20
8

-

ТО5
ТО5

П ЗО7Б,В

0, 1

15

-

ТО 5

КТ601А

-

R11 =10

ТО5

П701А

Rн= IO

ТО5

П701А

Rн=10

МТlЗ

П701А

Rн= 10

1'viТ13

П701А

10

<50
(10 в)
.;;;;50
( 10 в)
,;;;;,50
( l О в)
.;;;;50
( 10в)
2,5

15

-

Rн= l

15

-

Rн=l

МТ5

П702А

0,5

,,;:;;;18

Rн =5

ТО5

КТ602Б,Г

0,5

<18

Rн=5

ТО5

КТ602Б,Г

15

Rи<ЗО

ТО5

КТ602Б

15

Rи~ЗО

ТО5

КГ602Б
I\Т602Г

-

-

(IОв,

150 ма)
;:i 40*
(10в, 150 лtа)
:;;;.40*
(10в, 150 а )

ТО5

MПlJI;
MПlllA
MПll IБ;
MП!ll
КТ602Б

R"=3

( 5в,

~40*

Il4J·4A

<30

.;;;;100
( 100 в)
< 100
(120 в)
<100
(75 в)
8

-

ТО9

МТ5

25

-

ТО5

4

-

ТО7

П4J6А

ГТ322А,Б,В

11702

П422; П416Б

53

Продолжение

.-

"6

- "'

Обозначе-

Техноло1· и ч ес -

кий тип
прибора

ние прибора

Ре тах 1
J.!Bm

fh21b•
f*т" f'*м ,
М гц

Оо
00 щ

00

щ

Uu

с:;;-

~

е~

::::, :::>

80

8

16

0,5

15

Д

55

15*

. 18

0,5

5

55

~15*

18

0,5

5

80
100
(250)

5
6
4,5

12
20
35

0,5
10
20

10
25
40

(250)

4,5

45

20

40

"
Ge,c!j{·p,

55
55
55
80
100

85
75
55
60
70

18
18
18
20
20

12
0,5
0,5
0,5
0,5

5
5
5
10
10

То же

100

70

20

0,5

10

100

100

20

0,5

10

55

40

18

0,5

5

55

35

18

0,5

5

120
55

30
130

20
18

0,5
0,5

50
5

55

110

18

0,5

5

55

50

18

0,5

5

55
80
80
50

45
20
20
120

18
20
20
30

0,5

-

5
10
10

-

-

50

110

30

-

-

50

100

30

-

-

15

100

15

-

2

15

100

15

-

2

Ge,

2SA28

Ge, p·n-p,
То же

2SЛ29

·

Ое, р-п-р, С

2SA33
2SA41

То

"

р-п-р, д

Ge

То же

"

2SA70

..

2SA71
2SA72

р-п - р, д

Ge,

То же

2SA73
2SA75
2SA76

"

"

.

2SA77

2Sд.93

2SA1 11
2SA112
2 SAl 16

"

"
"
"

2SA117
2SA118

2SA l22

..

..
. ..
..
..
..

2SA92

2SA121

.

>Ке

..
.
.

2SA42
2SA57
2SA58
2SA60
2SA66
2SA69

::::,

р-11- р, С

2SЛ 1 2

2SЛ3 1

Ge,

р-п-р, Т

То же

1

54

/с • м а

00

,._

Iсво·

''2Ie•
h•21E•

Ml(a

25- 100

(12в)

6

(6в, 1 .ма)
~20 (68, 1 лtа)

С 0 , пф

F,

дб

RИ' ОМ

Тип
корпуса

ТО!

33

8

6

-

ТО44

8

6

-

ТО44

10
5 (20в)
6 ( 12в)

10
12
13

-

R055

F=7,5

( 1 2в)

13

F=7 ,5

~

~20 (6в,

1

,11а)

50 (68, 1 ма)
65 (6в, 1 жа)
20- 80
(6в, 1 ма)
20-80
(68, J Лtа)
80 (9в , 1 лtа)
80 (9в, 1 ма)
70 (6в, 1 лtа)
75 (6в, 1 ма)
150 (6в, 1 ма)

6

1

ма)

13

3,5

150 (68, 1

ма)

13

2,5

-

-

150

(6в ,

10
10
10
10

(18в)
(18в)
(18в)
(12в)

13

3, 5 (6
3,5 (6
3,5 (6
2,2
4

в)
в)
в)

40 (68, 1

ма)

12

(18в)

3,5 (6 8)

(6в,

ма)

12

(18в)

3,5 (6

20

1

70 (38, 20 ма)
70 (6в, 1 ма)
70

(6в,

70

(4,5в,

1

лtа)

1

ма)

50(4,58, lлta)
40 (96, J Лtа)
45 (9в, 1 лtа)
1, 5
(12в, 12 лtа)
1, 5
(12в, 12 лtа)
1,5
(12в, 12 .м)
24 (6в , 1 лtа)
24 (68 , 1

.ма)

8
12

6
12

12

12

в)

(l8в)

3,5 (6

в)

10 (1 8в)
20
20
10

3,5 (6
1,7
1,7
2

в)

10

-

ТО!

-

Т044
ТО44
ТО44
ТО !
Т07
ТО7
ТО7
ТО44

Т044
ТО44

Т044
ТО44

Приближенный
отечественный
аналог

МП41А;
ГТ 108Б
МП416Б;
ГТ309Д
МП416В;
ГТ309Д
J\Ш41А
ГТ108В
МП39Б
МПЗ9Б

.

ГТ309Б, Г
ГТ309Б , Г
ГТ309Б, Г
П414
П402; П403;
П414Б
П402; П403;
П414Б
П403;
П415А, Б
ГТ309Д, Е;
ГТ322Б
ГТ309Д, Е;
ГТ322А
П4l6Б
П416Б ;
ГТ322Б
П422;
ГТ309Б
П422; ГТ322;

11402;

ГТ3о9Е

-

-

ТО44
ТО44
ТО44
Т044

То же
П414
П414
ГТ309Б

10

2

-

ТО44

ГТ309Б

10

2

-

ТО44

ГТ309Б

8

1,3

-

R014

ГТ310Д, В

8

1 ,3

-

ROJ4

ГТ310Д, В

55

.

П родолJ1сение

"'

Обозначе -

нне прибора

Техн о лоrиче-

1

скнй тип
прибора

Ре тах 1
мвт

f1,2 1b·
f*т· !**м·
Мгц

о·~
со w
Uu

"'

о

со

w

сгсг

сг

::; ::;--

:;:,~

со со

10 ,

ма

са

-

2
2
5

2SAl2'i
2SA125
2SA175

Ое, р-11-р, Т
То же
Ое, р-11-р, Д

15
15
55

120
120
85

15
15
18

0,5

2SA 182

Ое, р-п - р, С

100

6

25

12

100

2SA208

То же

120

3

20

12

400

2SA214
2SA2 15
2SA21G
2SA219
2SA220

Ое, р-11-р, д

15
15
15
70
70

140
120
120
50
50

15
15
15
20
20

0,5
0,5
0,5
1,5
1,5

2
2
2
15
15

70

50

20

1,5

15

70
70
50

50
50
80

20
20
20

1 ,5
1,5
0,5

15
15
10

50
50
50
75
75
80

100
95
80
400*
400*
90

20
20
20
20
20
20

0,5
0,5
0,5
0,2
0,2
0,5

10
10
10
5
5
10

80
80
100

120
135
155

20
20
30

0,5
0,5
0,5

10
10
30

55
80

60
50

20
20

0,5
0-,5

10
10

80
80
80

40
30
50

20
20
9

0,5
0,5
0,5

10
10
10

80

30

9

0,5

10

80
120

20
80

9
30

0, 5
0,5

30

150

3,8

18

12

200

2SA22 l
2SA222
2SA223
2SA224
2SA225
2SA226
2SA227
2SA229
2SA230
2SA233
2SA234
2SA235
2SA246
2SA256
2SA267
2SA268
2SA269
2SA270
2SA271
2SA272
2SA279
2SA282
56

То

}1\е

"
"
"

"
"
"

"

"

"

"

"

"
"

"

"
"

"
"

"
"
"
"

Ое, р-п~р. М
То

же

"
"

"

"

"

"

Ое, р -п- р, Д

То же

"

"

"

"

"

"

"

"

Ое , р-п-р,
ед

Ое, р-п - р, С

10

"
1

Iсво·

h21e•
h*21E

С 0 , пф

мr<а

F,

дб

Rн• ом

Приближенны
отечественный

тип
корп уса

анало г

1

24
32
80

(6в,
(6в,
(9в,

1
1
1

.м.а)
лtа)
лт)

5 (15

50*
( 1, 5; 30

лю)
~ 15*
(О, Зв; 200 лtа)
25 (6в, 1 ма)
40 (Gв, 1 лtа)
40 (6в, 1 ма)
70 (6в, 1 ма)
150 (6в, 1 лtа)

80

(6в,

1

8
8
15 (18

,иа)

100 (бв, 1 .ма)
100 (6в, 1 ма)
80 (бв, 1 ма)
80 (бв, 1 лtа)
120 (6в, 1 л-tа)
60 (6в, 1 лtа)
~3 (6в, 1 лtа)
~3 (бв, 1 ма)
50 (бв, 1 ,иа)

1,3
13
в)

в)

20

2,2(6в)

13

Rн=3

ТО4 4

ТО5

-

ТО!
ТО!
ТО!
ТО44
ТО 44

в)
в)·

15 (15

в)

3,5

15 (15 в)
15 (15 в)
12

3,5
3,5
3

12
12
12
10 (12
10 (12
30 (20

в)
в)
в)

3
3
3
15 (6 в)
1,5 (6 в)
2,5

в)
в)
в)

2, 1
2, 1
3

-

-

-

ТО44
ТО44
ТО44
ТО17
ТО/7
ТО44

30 (20
30 (20
30 (30

75
60

(6в,
(бв,

1

лtа)

10
10 (12 в)

2,2
2,2

-

R01 8

J Лtа)

45
45
75

(бв,

(6в,
(6в,

] Лt.а)
1 лtа)
1 лtа)

10 ( 12
10 (12
10

в)
в)

2,2
2, 2
3

--

ТО!
ТО!
ТО!

60

(6в,

1

,на)

10

3

-

ТО!

10
6

3
3,5

-

ТО!
ТО?

Rн=l

Т05

1О (6

в)

п

1

п

г·f31Зл
ГТ313А
П416А, IЗ;
П309Д, Е

ТО44
ТО44
ТО44

ма)
ма)
,11а)

в)

А
А
А
Г
Е;
Г
Е;
ГТЗ22Б, Г
ГТ322Б
ГТЗ22Б, Г
ГТ322Б;
ГТ309Г
То же

ТО44

1
1
5

7 ( 12

ГТ310В,
ГТ310В,
ГТЗ!ОВ,
ГТ322Б,
ГТЗО9Г,
ГТ322Б,
ГТЗО9Г,

ТО44
ТО44

(6в,
(6в,
(6в,

~30
(О, 5в, 100 лtа)

МП25Б

ТО44

70
90
70

45 (6в, 1 лtа)
100 (4в, 10 лш)

П42 2;

ГТ322Б ;
ГТ309Е, Г
М!142Б

-

-

5
15 ( 15
15 (15

ГТ3!0Д, Е
ГТ3 10Д, Е

R014
R014

25
1
1
1
3,5
3,5

5

5

-

ТО!

То же
п

п

ГТЗО8В;
П415Б
П322Б, Г, Е
1140 l; П402;
П414А
То же

П4J4А: Б;
П402
П414А, Б;

ll401
То же

!14156;
П414Б
МП20А;
МП42Б

57

П родолжен.ие

..

;;

н

Обозначеие прибора

2SA288
2SA289
2SA290
2SA304

Тех нологиче-

Ре тах,

ский тип
прибора

мвт

..

Мгц

ro

р - п - р,

м
То же

..

р-п - р,

<о

о

щ

ro

ro ro

i?
ro

Uu
С2 i?
:::,-:::,-

Ge,

Ge,

!ii21b•
f*т· r···м·

оо

щ

I0 ,

ыа

:::,-

80

530

20

0,3

10

80
80
65

550
590
4,5

20
20
18

0,5
0,5
12

JO

40

с

10

2SA312

Ge, кп-р,

150

25

40

2

200

2SA3 13

То же

60

40

18

0,5

20

60

40

18

0,5

20

60

55

18

0,5

20

60

75

18

0,5

20

70

50

20

1,5

15

70
70
70
70
60

50
50
50
50
250*

20
20
20
20
20

1,5
1,5
. 1,5
1,5
0,5

15
15
15
15
10

60

250*

20

0,5

10

60

250*

20

0,5

10

60

200*

20

0, 5

10

80

50

20

0,5

10

80
80
80

35
40
35

20
20
25

0,5
0,5
0,5

lO
10

80
80
150

35
40
60*

25
25
13

0,5
1
l

10
10
100

90*

70

1,5

700

500*

20

0,5

5

2SA314
2SA315
2SA316
2SA321
2SA322
2SA323
2SA324
2SA33l
2SA345
2SA346

..
..
.
.
. ..
..
"

"
"

..

Ое, р-п-р,
м
То же

..
..

2SA347
2SA348
2SA350

Ое,

p -n -p,
д

2SA351
2SA352
2SA353-

.. .
..

То

же

"

2SA354
2SA355
2SA4l2

ое." ~~l-p,

2SA4!6

Ое, ~-п-р,
Д

2SM20

Ge, p-n-p,

J\1

58

6

·

J

вт

50

10

1

h21e•

,._

Тсво·

h*21E

20 (6

в,

3

се. пф

мка

ма)

30 (20 в)

F,

дб .

RH ,

ОМ

Приближенный
отечественный
аналог

1

-

0,9

Тип
корпу с а

-

ГТ3 1 3А,Б

-

-

ГТ3 1 3А,Б

-

-

-

ТО5

ГТ 1 08Г
ГТ320Б;
ГТ321Б

1

20 (6 в, 3 .ма)
20 (6 в, 30 ма)
20-220
(6 в, 1 ма)
30-1 50*
( 1 6, 200 ма)
22-200
(6 в, 1 ма)

30 (20 вi
30 (20 в)
4 (12 в)

22- 200
в, 1 ма)
22- 200
(6 в, 1 .ма)
22-200
(6 в, 1 п~а)
70 (6 в, 1 ма)
70 (6 в ,
120 (6 в,
70 (6 в,
100 (6 в,
30 (6 в,

6 (12

в)

3 (6

в)

Rн=2,5

ТО5

6 ( 12

в)

3,5 (6

в)

-

ТО5

6 ( 12

в)

4,5 (6

в)

-

ТО5

6 (12

в)

4,5 (6

в)

-

ТО5

6 (12

в)

4,5 (6

в)

-

ТО5

15 ( 15 в)

3,5

rь'=36

OAt

Т044

15 ( 15 в)
15 (15 в)
15 (15в)
15 ( 15 в)
30

3 ,5
3,5
3,5
3,5
1,2

rь'=40 олt
rь'=50 ом

Т044
ТО44
Т044
ТО44
ТО\7

(6

~

1 ма)
1 ма)
1 ма)
1 ма)
3 ма)

0,8
0,8
11 (6 в)

30 (6

в,

3

ма)

30

1,2

• 30 (6

в,

3

ма)

30

1,2

1О (6

в,

3

ма)

30

1, 5

90 (9 6, J Ata)

10 ( 12 в)

2,5

70 (9 в, 1 ма)
75 (9 в, 1 лт)
70 (9 в, 1 ма)

10(12в)

10 (12 в)
10 ( 12 в)

70 (9 в, 1 ма)
90 (9 в, 1 ма)
30* (0,5 в,
30 л~а)
40-100*
(10 в, 0,6 а)

10(12в)
1 0(12в)
20 (13 в)

в,

10(12в)

25 (12

2

ма)

600

rь' = 40 ом

rь'=50 ом

Gp=l8
(100 Мzц)
Gp= 20
(100 Мгц)
Gp=21
(100 Мгц)
Gp=l5
(100 Мzц)

ГТ3 1 3А,Б

П422;
ГТ322Б;
П416Б
То же

..
"

"

ГТ322Е;
ГТ309Е
То же

. ..
"

гf3 1 Зл

ТО!7

ГТ3 1 3А

ТО\ 7

ГТ3 1 3А

ТО17

ГТ313А

-

ТО!

2 ,5
2,5
2,5

-

ТО!.
ТО!
ТО!

ГТ322Г,Е;
П416Б
То же

2,5
2,5
12

-

-

-

-

t,=0,06

ТО!
ТО!
ТО!
тоз

.мксек

1,5

F=5,5
(200 Мгц)

П416Б
То же

П416А ,

ГТЗО8А

Л!/ССеtС

t.=0,6

ГТ3Ъ2r,Е;

ТО17

П602И;
П602АИ;
П605А
ГТ313Б

П родолже/iае

..
"'

Обозна1 1е -

н ие прибора

2SA427
2SA428
2SA434
2SA435
2SA436
2SA437
2SA440

Технолоrнче-

скнй тип
пр:1боµа

Ое, р-п-р,
д
То же

Ое, м.-п-р,

Рстах,
мвт

f'т· f*'м.
Мгц

aJ

i?~
aJ aJ
:;:,-:;:,-

! 0,

Ata
~

aJ

:;:,-

15

20
20
20
20

0,5
0,5
0,5
0,4

10
10

10
10
10
16

100
80

50
400

20
20

80
60
60
60

400
400
400
480*

м
То ж е

щ

i?

-

20

Ое, р-п-р,

щ

uU

45

же

"'
6aJ

оо

100

..
" .

То

f112lb·

0,5

15
10

!О

5

2SA460
2SA461
2SA462
2SA476

.. .

Ое, g:п - р,

60
60
60
55

400
400
400
130

20
20
20
18

0,5
0,5
0,5
0,5

2SA506

Ое, м.-п-р,

75

300*

18*

5

5

2SA507
2SBI6A

Ое, {п-р,

250*

18*
20

--

5

5
600

-

600
600
10
10

2SB17A
2SB18A
2SB23
2SB24
2SB26A
2SB32
2SВЗЗ

2SB37
2SB39
2Sl343
2SB43A
2SB44
2SB48
2SB50

"

То же

То

"
"
"
"

.
"

75
1,8 вт

-

0,25

40
80
15
15
45

150

0,8

20

2,5

50

.

150

1

20

2,5

50

"

150
50

1
0,85

30
10

12
10

50
2

150

1

25

12

50

150

1

45

12

150

80

:;:.0, 5

30

12

50

140

2,5

16

100

140

3,5

16

-

же

"
"

"

"
"

.. .
..
..
..
..
..

1,8
1,8
20

вт

вт

40
40
вт

-

5
5
12

За

100

h21e

Iсво·

0

li *21Е

Тин
корпуса

Приближенный

отечественный
аналог

15

.;;;;;5

-

ТО44

80 (6 в, 1
10 (6в, 3

.ма)
ма)

15
30

.;;;;;5
1"4

-

ТО44
ТО7

П402;
П4!4А,Б
То же
ГТ313А

1,4
1,2
1,2
2

-

ТО18
ТО18
ТО!8
ТО18

ГТ313А
ГТ3 1 3А
ГТ3 1 3А
ГТ3 1 3Б

Т017
ТО 17

10
10
10
80

(6
(6
(6
(6

в,
в,
в,
в,

3
3
3
2

ма)
ма)
ма)
м)

30
10
30
70

(6
(6
(6
(6

в,
в,
в,
в,

3
3
3
1

ма)
ма)
ма)
.ма)

30
30
30
20 (20

в)

-

-

rь' Се=

=;о40 нсек

30
30
10
12

0,9
1
0,8
1,7

-

ТО17
ТО !

ГТ3 ! 3Б
ГТ3!3Б
ГТ313Б
ГТ322Б

-

10

2

-

R103

ГТ313А

-

10
20 (5

2

-

Rl03
R057

ГТ313А
ГТ403Б,В

R057
R057

То же

-

-

-

R069

-

-

ТО3

в)

-

34-11 5*
(1,5 в, 1 а)
40 (6 в, 1 ма)

20 (5 в)
20 (5 в)
10
10
160 .
(12 в)
14

-

-

ТО!

в,

14

-

-

ТО!

МП21д;
МП41А
МП20Б;

80 (6 в, 1 ма)
65 (4 в, 0,5 ма)

14
10

45 .
40

-

ТО!
ТО!

МП4 1 А
То же
П27,А;

40-110*
(1 в, 50 ма)
40.,--110*
( 1 в, 50 ма)

10(12в)

35 (6

в)

ТО!

ГТ109Ж
МП41А

10(12в)

35 (6

в)

50* (2 в, 50 ма)
50* (2 в, 50 ма)
-

-

80 (6

1

ма)

со

""

дб

ма)

50* (2 В, 50 А!а)

1

F,

Rн' ом

1

60 (6

в,

Се, пф

MF<a

45-115
(6 в, 1 ма)
21-62
(1 в, 20 ма)
130*
(1в,20ма)

10

(12в)

-

30 (6

в)

F=8

-

ТО!

ТО!

ГТ109В; П5
То же
П4Д; П214 Б

МП42Б;
МП4 1 А;

F=8

ТО!

16

25

F=l 5

ТО5

16

25

F= l2

ТО5

МП40А
ГТ108Б
МП42А
МП39Б;
МП41А;
МП42Б;
МП20Б

6\

Прод ол:J1с· ен ие

."

Обо з наче-

нне прибо-

технолоrнческий тип

ра

прибора

2SB54
2SB57
2SB59
2SB60
2SB60A
2SB6 1
2SB62
2SB63
2SB66
2SB67
2SB67 А
2SB73
2SB75
2SB75A
2SB77
2SB77A
2SB8 1
2SB82
2SB90
2SB94

"

"

"

"

"

"

"
"

"

"

"

"

"

"

"

.

"
"

"
"

"

"

"

"

"

.

"

"

.
..
"

"

"

2SB 107

-"

2 sв112

2SB131

62

"

"

."

2SB110
2SB111

мвт

Ое, р-п -р,
с
То же

2SB97
2SB 101

2SB107A

Ре тах,

"
"

"

..
... ...
"

"

4

ft121b•
t•т. f**м.
Мгц

00
ro щ

uu

Р?О?

"

6ro

щ

Р?

ro ro
::::,-;::,-

::::,

л·~ а

10 ,

~

80

1

30

12

150

100

1

30

10

100

150

1

30

10

100

150

1

20

2,5

50

150
150

1
1

2,5
12
12

50
50
500

вт

0,4

20
30
60

ат

0,4

32

12

500

150

1 ,5

30

12

70

1

12
30
10
12

150
150
2
100

4

(350)
(350)
50
150

2
2

55
60
10
25

150

2

45

12

100

150

-

25

12

100

45

12

100

150

1

5

вт

0,5

80

12

500

5

вт

0,5

100

12

500

40
150

1
1

18
25

12

50
150

40
125

-

1,2

18
30

12
10

5
50

10

вт

0,4

30

10

2

а

20

вт

0,4

60

10

2

а

1
1

25
25
25
40

10
10

50
50
50
1,5

100
100
100
11 вт

1

f ~=5KZЦ

10

12

а

Iсво,

h21e•
h*21E

80-300
(6 в, 1 лщ)
65 - (6 в, 1 .ма )

11

7 О* (1 а , 50 ,~и )

( 30 в)

-

15

-

~60*

ма)

( 1,5 в,
50 J.ta)
~60* (! ,5 в,
50 ма)
30- 120*
(2 6, 100 лtа)
20-1 20*
(2 в, 100 .ма)
150 (6 в, ! лtа)
45-125*
(1 в, 50 лщ)
70 (6 в, 1 .ма)
40-80
(6 в, \ Ata)
20-1 20*
(2 8, [00 Ata)
20- 120*
(2 6, 100 A!ll)
30 (6 в, ! ма)
45 (6 8, ] Ata)
60 (6 в, 1 л~а)
70* (1,5 в,
0,7 а)

-

IZ055

Rн=20

ТО !

-

14 (30 в)

32

F.;;;.20

ТО!

10(30в)
lО(ЗОв)
7 ( 12 в)
!4(30в)

45
45
50

F,;;;,20
F,,;;;;;,20
F=3, 5
F.;;15

ТО!
ТО!
ТО !
ТО!

(45в)

50

F .;:;20

ТО!

25

40

'

-

ТО !
ТО!
ТО!

МП39Б;
Пl08В
lvШ25Б
МП25Б
П28
МП39Б;
МП42Б
МП39Б;
МП42Б
МП20А;
,МП42Б
МП20А;
МП42 Б
ГТ40 3И

25 (45 в)

-

-

ТО !

50 (50 в)

-

f 5 = 3 л~ксек

35 (506)

-

f 8 =3

14 (30в)
30 ( 10 в )

12

500 (60 в)
500

(60в)
!О
!О

10
5 Ata
(40 в)

-

-

F=10

-

ГТ109Г;
МП4 1 А
То же

ГТ403Б

ТО!

л·1ксек

МП42 Б ;
МП41А
МП42 Б;
МП41А

MD!O

-

в)

МП4 2Б;

гr10Зв

-

12
35 (6

анало г

MDIO

14 (25 в)

14 (18 в)
14 (256)

Прибли женный
отечестnенный

ГТ 1 09Г

-

в)

1

ТО!

70 ( 12 6)

14 (12
10
70 (12

в,

-

-

70* (1в,50лtа)
85 (6 в, ! л~а)
30- 125*. '
(1 в, 500 ма)
30-1 25*
(l в , 500 ма)
50-100
(6 8, [ Ata)
Ф5 (6 в, 1 л~а)
45 (6 в, 1 лш)
80 (4в, О,5лш)
55 (6 в, 1 ма)
55 (6

в)

тип
корпуса

в)

в)

!

дб

Rн, ом

-

14 ( 12

в.

35 (6

15

,на)

70 (6

F,

се . пф

ll'UC G

ТО !

-

П403И
ГТ109И
МП42Б;

МП20А
П28

F=7
F=8 ( 1 кгц)

ТО2

Rн =О,35

ТО3

МП395 ;
МП41А
П203

Rн=О,35

Т03

П203

ТО!
ТО!
ТО !
ТО3

ГТ J О8А,Б
ГГ!О8А,Б
ГТ ! О8А,Б
П201А

-

15
15
15

-

--

-

-

63

П родолженае

..

...
"'

Обозначение п р и бо -

· Тех н ологиче -

ра

прибора

ский тип

2SB l32

Ge, p·n ·p,

2SB l34

с
То же

. ..
..

2SB l35
2SBl36

"

2SB136A
2SB137
2SBl38

"

.

"

"

..

2SB138A
2SB 138B

"

"

2SB 168
~SB180

2SB 181
2SB185 ·
2SB186
2SB 187

"

.

"

"

"

"

"
"

"

"

"

"

..

2SB 188
2SB189

"

"

288200
2SB200A
2SB2 17
2SB216
2SB228
2.SB229
2SB230

2SB23 1

Се,

"

"

"

"

"

"

"
"

"
"

"

"

"

"
r-11 -p,

Рстах,
мsт

f h2 ! b•
f*т· f**м·
Мгц

"о

оо
Фщ

ф

t) t)

щ

i?i?

i?

~;::,-

;::,-

ФФ

/ с , ма

ф

1,5

а

f~=5кщ

60

12

100

0,8

30

15

50

100
150

0 ,8
0,8

30
25

15
12

50
150

150

0,8

60

12

300

11

вт

30

вт

0,4

30

15

5

а

30

вт

0,4

60

30

5

а

30

вт

0,4

80

30

5

а

30

вт

0,4

80

30

5

а

0,8

9

2,5

100

150
5,5

вт

-

40

12

500

5,5

вт

-

60

12

500

200
200

1
1

25
25

12
12

150
150

200

1

25

12

150

12
12

150
400

200
250

-

1

25
25

~ 50

0,5

32

12

400

250

0,8

45

12

400

--

24

вт

0,2

20

10

3

а

24
44

вт
вт

0,2
0,2

60
80

10
50

3
5

а
а

44

Em

0,2

100

50

5

а

44

вт

0,2

120

50

5

а

25

вт

1,5

120

1

6

а

•

д
1

64

1.'

ll21г,

h"21E

70 8 (1,5 в;
0,7 а)
70 (1,5 в;
0 ,5 ма)
70 (6 в, 1 ма)
i20• (1,5 в,
50 ма)
120• (1,5 в,
50 ,wa)
30-250*
(1,5 в, 1 а)
з0-250•

(1 ,5 в, 1 а)
30-250*
(1 ,5 в, 1 а)
30-250*
(1,5 в, 1 а)
60 (3 в, 1 ма)

lcrю,

<1,5 в,
30 .wa)

-

40- 145*
(l·в, 100 ма)
30-150 8
.,(1 tJ, 150 лtа)
30-150*
(1 в, 150 .м)
25-200*
(1,5 в, 1 а)
во• (1,5 в, 1 а)
20-55*
(1,5 в, 4 а)
20-55*
(1,5 в, 4 а)
20-55
(1,5 в, 4 а)
25-2 СЮ*
в, 5 а)

(1

5- 92

F, дб

Тип

Rи, ом

корпуса

0,5

,\Щ

0,5

ма

-

0,5

ма

0,5

ма

-

-

-

rь'=70 ом

10
10
10

14

15 (20 в)

-

Прибли женный
отеqествениыJI
анал.ог

-

5 ма
(60 в)
10

1 ма
10• (1,5 в,
(40 в)
0 ,5 а)
1 лtа
10• (1, 5 в,
(60 в)
0,5 а)
45 (6 в, 1 ма) 15 (20 в)
100 (6 в, 1 лш) 15 (20 в)

ioo•

со, пф

мка

-

ТО3

П201А

·-

ТО!
ТО!

-

ТО!

-

ТО3

МП39Б;
ГТlОВВ,Г
То же
МП42Б;
МП20А
МП20Б;
МП21Д,Е
П4Д; П217В

1'03

ПД4; П217В

ТО3

!14Д; П2l7В

F=4 ( l

кгц)

ТО!

ТО3

-

ТО!

.

П4д; П217В
- мп42Б;

тов

МП20А
ГТ40315,Е

тов

То же

ТО!
ТО!
ТО!

МП42Б
МП42Б;
МПWБ
То'же

ТО!
Х5

МП2SБ

ROIO

М.П25Б

ROIO

МП25Б

40 (12 8)

-

,Щ(12 в)

:40 (6 в)

-

500
(20 в)

-

-

ТО3

П4Д; П216В

-

-

ТО3
ТО3

П4Д; П217В
ГТ70lА

15(20в)
40 (12 в)

-

250
(30 в)
250
(30 в)
250
(30 в)
3.30
( 12 в)

35 (6

-

в)

-

ТО3

П70lА

-

ТО3

ГТ701 А

Rв=О , 06

ТО3

ГТВО4А

65

Продолжение

."

. ..

о

Обозначе Р.Ие прибо ра

Техноло г иqе -

ский тип
прибора

Ре тах•
мвт

fh21b•
t·т· f"м .
Мщ

о щ

l3

С)

--

р:; р:;

!О. е.

;::, ;::,

2SB239
2SB240

2SB.~?4 1

2SB242
2SB242A
2SB244
2SB261
2SB262
2SB263
2SB264
2SB265

Ое,

p -n -p,

С

.. ..
..
..
..
..
..
..
..

То

же

"'

1

6

'°2

щ

/с, м а

1

е.

13

вт

0,5

80

30

1

а

13
13
13

вт
вт
вт

~0.2

0,5
0,5

40
80
30

15
30
15

1
l
l

а
а
а

13

вт

0,5

60

. 20

l

а

13

вт

0,5

80

30

l

а

65

2,5

20

2,5

30

65

3

20

2,5

30

200

1, 5

20

2,5

150

70

1

30

-

50

170

1,3

40

12

100

-

1
1
5

80
120
120
18

1,5
1,5
1,5
12

ба
а
10 а

38

12

150

5
12
50

20
150

2SB274
2SB275
2 SB276
2SB290

Ос, р- п ~р. С

12 вт
12 вт
12 вт
65

2 SB291

То же

150

1

...

40
100
225

12

10

l

0,5

25
l 10
20
20
80
100
120
120

50
50
50
1

10
10
10
6

а
а
а
а

2 SB302

2SB303
2SB330

Ое, р -п -р,Д
То же

...
..
..

..
..

6

4()

2

Ое, р - п~р. Д

44
44
44
30

вт
вт
вт
вт

1
1
0,25
0,25
0,25
1,5

2SB343

То же

30

вт

1,5

150

1

6

а

2 SB355

Ое, р - п - р, С

4

вт

-

25

12

1

а

2SB364

То же

150

1

20

12

400

150

1

20

12

400

2 SB335
2 SB336

2SB339
2 SB340
2SB34 1
2 SB342

83
83

•

;::,

10
10

60
60
.)

::-

1

1 -

1

2SB365

66

..

?.

h21e•

Iс во.

h•21E

с •. пф

м1<а

"

F , дб
Rи, ом .

Ти п
корпуса

П риближенный

отечественный
аналог

1

1

30- 90*(1 в.
0, 3 а)
30*(1 в, 0,3 а)
30* (1 в, 0,3 а)
20-60*(1 в,
0,3 а)
20-60* (! в,
0,3 а)
20- 60* ( 1 в,
0,3 а)
45 (6 в, 1 ,иа)

100 (80 в)
200(40 в)
200 (80 в)
1 ма(30в)
1 ма(30

в)

1 ма(80в)
в)

12 (12

60* (1,5 в,
14(12в)
30 .ма)
65* (1 в, 150 .ма) 14(12 в)
45- 100(1,5 в,
0,5 ма)
100*(1 в, IООма)

5(6 в)

50* (1, 5 в, 1 а)
j40*(!,5в, 4а)
35*(1,2в, !Оа)
50-200(6 в,

1 ма (30'в)
1 (30 в)
1 (30 в)
4 ( 12 в)

1 ,11а)
22-220 (6 в,
1 ма)
80(6 в, 1 .ма)
100(6 в, 1 ма)
35(1 в, 2 ма)
в, 1 л~а)
в, 60 ма)
40- 175(4в, 1 а)
20-80*(1в,8а)
20-80*(1 в, 8 а)
50*(!,Бв, Ба)

70(6
80*(1

50*(1,Бв,Ба)
30-1 20*(1,Бв,
1 а)
60- 150(0 ,5 в,
100 лtа)

35-90* (0,5
100 .ма)

в,

10

10( 1 2в)
Е

(12

в)

J5 (20 в)

20
10
iO
250 (30
250 (30
250 (30

в)
в)
в)

Бма

(120 в)
5 ма
(150 в)
0, 1 ма

-

-

Rн= О,5

-

-

ТО8

П20 1 А

ТО8
ТО8
ТО8

П201А
П201А
П201А;
П203

Т08

То ж~

ТО8

..

f=30

ТО!

f = 23

ТО !

f=20

ТО!

f:' = 3( 1 кгц)

-

30

-

ТОБ

-

-

MD24
MD24
MD24

-

9 (6

в)

35 (6

в)

10

-

-

f = 3,5
F .;;;30

-

мксек
л1ксек
щ<.сек
Rн=О,06

i1 = 6
11 = 6
t, = 6

Rн = О,06

50 (6

в)

50 (6

в)

-

ТОБ

ГТIО88, Г;
МП39Б
ГТ1088, Г;
МП39Б
МП42Б; .
МП41А
ГТ 1 08В, Г;
МП39Б
МП42Б;
МП20Б
ГТ804А
ГГ804А
ГТ804А
МП20Б;

ГТ!О8Г
МП42Б;
МП20Б .
П28
J\Ш39Б

ТОБ
ТО!
ТО!
ТОБ

R018
R018
MD24
MD24
MD24

·

МП42А;
МП26, А

ГТ108В, Г
j\Ш20А

ТО3

ГТ701А
ГТ701А
ГТ701А
ГТ804А, Б

Т03

ГТ804А, Б

MD23

ГТ403Б

ТО!

МП20Б

ТО!

МП20Б

67

П.родолЖение

.-

-"

Обозначе11не прнбо ра

Технологнче-

скнй тип
прибора

Рстах •
мвт

fh2 l b•

t·т· r•·м.
Мщ

uu

;:2 ~

2SB368

Ое, р-п-р, С
То ж~

..
..

2SB375
2SB378

..
..

2SB379
2SB386

..

2SB400
2SB419
2SB421
2SB424
2SB425
2SB426
2SB433
2SB448
2SB449
2SB458
2SB458A
2584588
258473
2584742SB475
2SВФ83

Ge,

р - п-р, Д

То же

Ge,

р - п-р, С
То же

..
..
..
..
..
..
..
..
..
..
..

1._, ма

!:>:

llQ t:a

~~

2SB367

"'
~t1J

~@

t:a

1

~

4

вт

0,5

25

12

4

вт

0,5

45

12

30

вт

1,5

150

1

180

1,3

18

180

1, 5

150

1

а

1

а

9а

150

18

-

1,5

30

15

300

100

1

20

10

40

6

-

45

12

2,5

80

1

вт

300

150

1,5

30

вт

0,3

80

40

3

а

30

вт

0,3

60

12

3

а

30

вт

0,3

32

12

За

56

вт

-

70

40

15

а

13

вт

32

10

1

а

50

20

З ,5

25

12

1

а

22,5

f~= -

.

= 10 кгц
-

,~ -

= 10кzц

4

вт

4

вт

4

вт

4,3

вт

-

45

12

1

а

100

12

1

а

f~ =

32

6

1

а

-

35

6

2

а

f~ =

20

6

300

80

40

= 10кzц

12

вт

150

= 10кzц

60

вт

f~ =

'

а

600

15

=2,5кzц
1

68

1

а

;

h2Je•
h*21E

Iсво.

1

со, пф

мка

F,дб

Тип

Rи• ом

корпуса

Приближе•яыl!
отечественяыl!
аналог

1

60*(1,5 8,
0,5 а) .
110*(1,5 8,
0,5 а)
50*(1,5 6,
8 а)
19-60(6 6,
1 лtа)
38-121 (6 6,
J Лtа)
80* (О, 5 8,
50 ма)
120(6 6, 1 ма)

100(12 8)

80-120* (1,56,
0,5 а)
30-150* (1 6,
150 ма)
34-i 15* (1,5 6,
1 а)
34-115* (1,5 6,
1 а)
34-115*(1,5 6,
1 а)
30-120*(2 6,
5 а)
30-110*(1 а)
30-85• (3

а)

28-210*(1,5 в.
0,5 а)
28-210*(1,5 6,
0,5 а)
28-210*(1,5 8,
0,5 а)
40-180* (0,5 а)
J00*(J,fi
0,2 а)

5лtа

( 150 6)
10(18 6)

-

8,

-

MD23

-

MD23

Ra=0,06

ГТ403Б, И;
П201А
То же

ТО3

ГТ804Б

35

F=IO

ТО5

10(18 6)

35

F=IO

ТО5

МП42Б;
МП39Б
То же

10

ТО!

МП20Б

250(126)

-

-

30 (6 6)

15 (20 6)

160(12 6)

-

160(12 6)

-

16(12 6)

4

.ма

1

ма

-

3

ма

-

О,! ма

-

О,! ,1ta

-

50
150
0,2 л1а
(25 6)
20

R,

40-100* (1,5
10 а)

100 (12 6)

-

5

ма

-

-

t,=2 л1ксек
F~25

-

-

-

-

Rи=О,

15

Rи=О,06

rь'=25 ом

Ra=0,03

МП39Б;
ГТ!ОВГ
П601Б

ТО!

П60ВБ
П4Д;
П217В
П4Jl;
П217В
П4Д;

ТО3
ТО3
Т036

П216В
ГТ701А

MDII

П201А

ТО3

П4Д;
П216В

MD17

Г f403Б, И

MD17

То же

MDl7

..

MDIO

ГТ403Б

-

-

П202;

ТО!

П201А
МП20А

ТО3

ГТ701А

69

Продолженuе

"'

Обоз н а ч евне приб о-

Тех н оло r ич еСJ(ИЙ ТИП

прибора

ра

2SB484

Ge,

2SC16.
2SCJ7
2sc1a
2SC21

мвт

60

вт

То

же

..
Si,
..

п -р -п , Д
То же

Si, п-р-п ,

2SC2~

М

2SC44

.. ..
..
..
..
..

2SC49

Si, п - р - п,

2SC50
2SC56
2SC59

Si, п - р- п, М
Si, п- р-п, П
Si,n-p-n, ПЭ

2SC64

Si, ii-p-n , М

2SC65
2SC66
2SC69

То же

Si, ;i-p-n, д

2SC101

Si,

То

2SC29
2SC41
2SC42
2SC42A
~SC43 _ .

70

Мщ

f~ =

же

ПЭ

п -р-п, М

Si, п~р-п , ПЭ

uu

"'

о

"1

lLJ

/ 0 , .ма

~~
е:. е:.
::;, ::;,

е:.
::;,

100

40

15

а

140

40

15

а

р:;

;;

60

вт

Т о же

6

вт

..

25

6

1а

100
50
70

25
25
25

5
5
2

30
50
30

вт

6

60

5 ,5

225
115
50 В111

100
100
20

40
40
150

3
3
6

50
25
5а

200
200
200
60

2

а

50

вт

20

150

6

5 -а

50

вт

20

200

6

5

а

50

В111

20

150

6

5

а

50

вт

20

150

6

5

а

160*

120

6

300
4

800
(2,5 вт)
20 вт
200
800
(2,5 вт)
600

60*
180*
150*

180
20
120

5
3
6

!00

100

2

50

600
600
800

110
1 !О
18

150
150
120

2
2
6

50
50
300

<30*

60

5,5

160*

120

6

300

100
130
160
220

20
40
60
120

5
5
5
5

100
100
100
100

60

вт

800
(2,5 вт)
2sc15o . Si, п - р -п , М
750
2SC 151 .·
То же
750
750
2SC152
2SC154
Si, ~-р-п, д
750
2SC149

f·т· f"м.

= 2,5 кг ц

2SB485
2SB492

р - п -р , С

Ре тах•

f h2 1Ь•

6 ·~
'1) lU

а

25
300

2

а

h21 e•

-·

h'2!E

Iсво·
мка

40- 100* (! ,5 в,
5 ма
10 а)
40- 100*(1,5 в,
5 ма
10 а)
JQQ* (J,5 В,
50 (20 в)
· 0 ,2 а)
25* (1 В , 10 Ata} 2,5(15в)
. 30(6 В, 2 Ata} 2,5(12 в)
80 (0 ,3 в,
О, 1 (6 в)
О, 1 Ata}
25* (1 в , 1 а) 1 л1а (30 в)
в, 10 ма)
3 0*( 10 в , !Ома)
12- 92*(10 в,
1 а)
4- 185* ( 1о в.

30*( 10

в)
в)
60ма
( 150 в)
60 ма

1 (10
1 ( 10

1 а)
12- 128* (JQ В, 30 (50 в)
1 а)
4-J85*(J0 В,
60 л1а
1 в)
4-1 85 (10 В,
60 Ata
1 а)
0,5
50*(10 в,
150 ма)
40* (5 в, 4 а)
120
80(6 В, 2 Ata}
2
35* (10 В,
0,5
150 ма)
35 (20 в, 5 ма) 10(100 в)
30 (20 в, 5 ма)
55 (20 в, 5 ма)
20-120*(!0 В,
150 ма)
12- 250(10 В,
1 а)
~ !5*(10 В,
150 "11а)
50 (6 в, 10 ма)
50 (6 в, 10 ма)
55 (6 В, 10 .ма)
11 (10 в, 10 .ма)

с

•. пф

аналог

ТО3

ГПО I А

-

Rв = О,03

ТО3

ГТ701А

-

Гь' = 30 OAI

4
4
7

-

-

F=15

~450
( 10 в)

Rв(тип) = 2,5

-

ГТ403В, Б

ТО18
ТО18
ТО18

КТ3 12Б, В
КТ3 1 2Б, В
КТ312Б; В

ТО3

11702
КТЗ12А
КТ312А
КТ802А

-

Rв =2

ТО5
Т05
тоз

-

Rв=2

тоз

КТ802А

Rв = О,4

тоз

КТ802А

Rll=2

ТО3

КТ802А

-

Rв=2

ТО3

КТ802А

-

ТО5

КТ602Б,Г

-

ТО66
Н0127
ТО5

КТ805А

-

4
4

10

-

-

2,3
10
6

3 .ма
(20 в)
1О (60 в)

.;;;;;450
(10 в)
14(10 в)

-

Приближе11аый
отечестаеuый

Rн=D,03

6
6
10(10

в)
в)
в)

Тип
корпуса

-

10( 1 50в)
10( 1 50в)
2 (60 в)

1 (20
1 (20
1 (20

F, дб
RJJ.' ОЛI

7
7
7
60

в)

- ·

ТО5

-

ТО5
ТО5
ТО5

-

Rв ( 1 v, п)= 2,

5

RR(тип ) = 14

-

КТ3'12Б

КТ6028, Г
КТ601А ;
КТ602А, Б
То ж~

кт602Б. г

1066

П702

TOS

КТ6О?Г

то5 ·

ТО5
тоs
Т05

КТ602Г, Б
КТ602В, Г
КТ602В, Г
КТ602Г

71

Продолжение

О!Юзваqе-••е nрнбора

Технологнqе-

ский тип
прибора

Рстах•
мвт

fh21Ь•
t·т· t••м.
Мгц

"

"

:;;s ·~
щ
~~

-

2~

10 ,

ма

с:;-

~~

'°

!О. !О.
;:;:, ;:;:,

;:;:,

2SC174
2SC199

S!, п-р-п, П
Si, п-р-п, М

200
600

170*
130*

30
80

5
15

25
50

2SСЗ03
2SСЗО4
2SСЗО5
2SСЗО6

Si,

SI, п~р-~, ПЭ

800
800
800
800
800
800
800
800
750

200*
225*
225*
150
200
90
120
120
110•

50
60
80
50
80
100
120
140
50

3
4
5
5
5
5
5
5
5

500
500
500
500
500
500
500
500
100

..

750
750

110•
110•

50
100

5
5

100
100

То же
п-р-п, Д

750
16 вт
16 вт
50 вт

110•
10•
·10•
20

100
140
100
110

5
5
5
5

100
3а
3а
5а

2SC493

То

вт

20

8()

5

5

а

2SC494

.

.

50
50

вт

20

50

5

5

а

п-р-п, М

50

вт '

20

140

5

5

(l

2SC519A
То же
2SC520A
2SC521A
2SC818
Si, 71-р~п. П
2SD43
Si , п-р-п, С

..

50 вт
50 вп
50 вт
800
110

20*
20*
20*
100*
1

130
100
70
160
25

5
5
5
5
12

2SD45

50

вт

20*

150

6

5

а

50

вт

20*

150

6

5

а

50

в1z

20*

100

6

5

а

20

вт

1,5

IOU

10

3

а

30

вт

-

220

18

3

а

4

25

12

100

п-р-п, П
То же

... ...
.. ..

2SC307
2SСЗО8
2SСЗО9
2SСЗ!О
2SСЗ52

2SСЗ52А
2SСЗ53

2SСЗ53А

2SC488
2SC489
2SC492

2SC518

То

SI, ~-р~п, М
SI,

Si,

То

2SD75
72

i\\

же

..

2SD47

2SD56

же

п-р-п,

Si,

2SD46

2SD4~

же

п-р-п, Д

Si,

То же

Ge,

п-р-п, С

150

1

7а
7а
7 а
100
50

h21e•
h*2tE

45(6 8, 2 ма)
50-200(12 в,
3 ма)
15(28 8, 5 ма)
20(28 в, 5 ма)
25 (28 в, 5 мп)
55(10 в, 5 ма)
55(10 в, 5 ма)
40(10 в, 5 ма)
40(10 в, 5 ма)
40(10 в, 5 ма)
26-272(3 в,
1 .ма)
70(3 в, 1 ма)
26- 272 (3 в,

Iсво·
М/СО

1
О,1( 1 5в)

-

в)

10
10
10
10
10
10
10
10
.;;;4,5

0,2
0,2

~4.5

3

Rн=ЗО

"

t,=0,2.мксек

t,=0, 2 мксек
t;=O, 2 111ксек

-

-

-

15-150*( 1 в,
О, 1 а)
40(6 в, 1 ма)

50
14 (25

в)

42

Тип
корпуса

F~15

Приближенный
отечественный
аналог

72
ТО5

ТО5
ТО5
ТО5
t.=O, 3111ксек . ТО5
t,=0, 3 мксек ТО5

0,2
3
3 ма
3 ,иа
10 ма
(50 в)
10 ма
(50 в)
10 ма
(50 в)
10 ма
Rн(жип)=0, 16
(50 в)
20* (5 в, 1 а)
1 ма
20*(5 в, 0,5 а) 1 ма (50 в) 150(20 в)
20* (5 в, 0,5 а) 1 ма(50 в) 150 (20 в)
1
4,5
20 (10 в, 10 Ata)
40-110*(1 в, 14(12в)
24 (6 в)
50 11-ia)
12-128* (10 в,
15 Ata
Rн=О,6
1 а)
12-184*(10 в.
15 ма
Rн=О,6
1 а)
12-184* (10 8,
15 л1а
Rи=О,6
1 а)
15
20(4 в, О,75а)
-

6-92

\

F, дб
RR' ом

90(3 в, 1 ма)
80*(5 в, 0,5 а)
80* (5 в, 0,5 а)
15-220*(5 в,
1 а)
15- 220*(5 в,
1 а)
15-220* (5 в'
1 в)
40* (5 в, 5 а)

1

.;

1 ,5
10(10

50
10
0,05
1
0,01
1
1
0,01
0,2

] Ata)

'

С 0 , пф

ТО5
ТО5
ТО5
ТО5

ТО5
ТО5

КТ312В
КТ602Г
КТ602В, Г
То же

... ...

кт602Л. Б

То же
КТ602В, Г

..
..

То же

ТО5
ТО66
ТО66
тоз

КТ805Б
То же
КТ802А

тоз

То же

тоз

тоз

..
..

тоз
тоз
тоз
ТО5
ТО!

КТ802А
КТ602А, Б
МПЗ8А

тоз

КТ802А

тоз

КТ802А

таз

КТ800А

ТО8

П702;
КТ805Б
КТ805А

MD17
ТО!

кi·8о2л

МП36А;
МП38А

73

П родолже~ше

Обозиачение прнбора

Техиологиqе-

ский тип
прибора

Ре maxt
мвт

fh21b•
f*т· f"м.
М гц

.."'

со

l:t:I

ir'Pi

5?
cn

uu

2SD82
2SD83
2SD84
2SD90
2SD91
2SD92
2SD93
2SD94
2SDl20

Ое, 11-р-п, С

Si,

п-р- 11, Д
То же

2SD147

..
.. ..
.. ..
..
..
..
.. ..
..
..
..

2S Dl80

Si, 11- р-п,,

.. ..

2SDl21
2SD124
2SD1 25
2SDl26
2SD130

2SD139
2SD146

2SD182

4

150

п-р-п, Д

JJta

::,--

45

12

100

10
10
10
10
10
10
10
10
12

6 а
6 а
6 а
3 а
3 а
3 а
3 а
3 а
1,5 а

50 вт
50 вт
50 вт
20 вт
20 вт
20 вт
. 20 вт
20 вт
1 вт

;;;;.1,5
5
5
5
5
5
1,4

100
150
200
30
60
100
150
200
60

lвт

1,4

100

12

1,5

21

вт

1,2

60

10

6

21

вт

1,2

100

10

6 {/,

~ 1,5

~ 1,5

~

а

а

60
25

вт

f~=12кгц

1

150
60

5
10

7
3

а

вт

25

вт

1

90

10

3

а

20

вт

1,4

40

5

1

а

20

вт

1,4

60

5

1

а

50

вт

20*

80

7

5

а

10

вт

1,5

40

12

1

а
а

ЭМ

Si,

1с'

щ

"° ф

::;,-::;,~

2SD75A

"'

о

щ

l:t:I

а

2S Dl83

То же

10

вт

1,5

100

12

1

2S 0184

Si, п-р-п, М

25

вт

1,5

60

12

1,5

а

2SDl85

То же

25

вт

1,5

100

12

1,5

а

2S Dl91

Ое, п-р-п, С

~1

30

12

74

150

'

150

~

1
''2 Ie•
h*21E

40 (6

6.

1 Ata)

1 сво·

25 (45 6)

40* (4 6 , 1 а)
30
40* ( 4 6, l а)
30
40* (4 в, 1 а)
30
20* (4 в, 1 а)
2 J\trl
2 ;\!(/,
20* (4 в, l а)
20* (4 в, l ())
2 о!Ш
20* (4 6, l а)
2 лtа
20* (4 в , l а)
2 Ata
15-1 00*
10(30 0)
(4 6 , 0,75 а)
15-100*
10(306)
(4 6, 0,75 а)
10- 75*
25 (306)
(4 в , 1,5 а)
10- 75*
25 (30 6 )
(4 6 , 1,5 а)
20*(46, 1 ,5а)
25
30-200*
1 ма
- (5 6 , 0,5 а)
30- 200*
l ма
(6 6, 0,5 а)
30- 150*
20
(4 в, 0,5 а)
20- 150*
20
(4 6, 0,5 а)
30• (2 8; 3 а)
2 ма
15-1 20*
8, 0 ,75 а)
15-120*
(4 6, 0,75 а)
20-100*
(4 в, 0,75 а)
20- 100*
(4 8, 0,75 а)
22- 220
(6 6, 1 ма)
(4

с

•. пф

м1<а

42

F,

R8

дб
, ом

F .;;;;20

тип
корпуса

Приближеииыl!
оте чественный
аналог

ТО !

МП36А ;
МП38А
КТ802А

-

Rн=D,5

ТО3

-

Rн= О,5

Т О3

КТ802А

Rн=О,5

ТО3

!\Т802 А

11702

·-

Rн =-~О,5

Т09

. Rн= О, 5

ТО9

Г\702

Rн=О ,5

ТО9

Г\702

-

Rн=О, 5
Rн=D ,5

ТО9

J<.ТSО5Б

Т09

IП805А

f 1 =3 AtKC

ТО5

КТ80 1 Б;
П701А

-

t,=3лtKC

ТО5

То же

-

t,= l ,8

MIGC

ТО3

КТ802А

-

· fs=l ,8

MIGC

ТО3

КТ802А

-

Т О3

КТ802А

-

ТО66

П702;
КТ805Б

-

-

ТО66

То жР.

-

Rи=2

MD 10

Г\702

-

Rн=2

MDlO

П702

-

-

ТО3

КТ802А

15

-

-

ТО8

П70.!А;
КТ801А, Б

15

-

-

ТО8

То же

10

-

Rи=2

ТО8

П702

10

-

Rв.=1

тов

П702

ТО5

МП38А

14 (12

в)

-

--

25 (6 6)

-

75

НОРПУСА ЗАРУБЕЖНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

MD17
f\-1011

MD24

~i
- - - - - - Jf,2 _

_____,

_L
[

'

1

~-

r

~·

L.'-,

~~t_
~

76
......

МТ5

МТ11

МТ13

ov 3
OV4

· 1·.
/(

1

б

J

ov э
ov 11

.iitl
lf

б

J

9
lJ пп
•

~(ffi бо~

.....

·.

OV1 4-

OV1 5

-

..."

~

1

R010
RОЭ

'<:?(;::

Цdетноя
Jll
метно п u
.

б
R018

78

·5~ 1

.@Jff
'.

•
i

.. 1
9,Ч __,

R О 31

RO 57

R069

RO 117

ап
тm

·~
R01 27

.,.,

...._____t
1

шт ill__~

J

~

f(

1

ПЩ П___l

Е1Э

ТО7

тов

Т013

80

ТО24

ТО40

ТО29

iqi

..,

~s~·

ТО4-4

1041

-.

Т086

1---rs,1 -1
. r.;,1"-•1

r;J

-. -г

"'"

.J .- . . . . п ~

~

-тг---'-'--+-__u-

~

КОРП// С

ТО72
-5,85
4,!15-- -

х

5

-t-

8,9

Х41

~
..,,
-

r n а в а 111

Взаимозаменяемые
полупроводниковые

· диоды

ПОЯСНЕНИЯ Н Т д&ЛИЦдМ

В таблицах приняты следующие У'Словные обозначения:

И п (И обр) -

постоянное обратное напряжение~падение ·на ­
пряжения

на

диоде

'При

'Протекании

постоян­

ного обратного тока;

Ил mах(И0Gр.ма1<с) -

маI<'сималыно допустимое 'ГIО·стоянное обратное
напряжение

-

максимально

допустимое

посто­

янное налряжение, обеспечивающее вада1rную
надежность при длитель·ной работе;

fF

тах (J пр.ср.ма1<с) -

МаК'СИМаЛЬНО

-

ток

-

ДОПУСТИМЫЙ 1ПОСТОЯННЫЙ

максимально

допустимый

обеспечивающий
зада.иную
длительной работе;

! R (! обр)

-

И Р (Ипр) -

Пр ЯМОЙ

прямой

ток,

наде<Ж'ность

при

постоянный обратный ток -'ПОСТОЯННЫЙ
в обр~тtiом направлении ;

постоянное прямое •напряжение
пряжения на

-

ток

падение на­

диоде при проте:< аЮ!И •постоянно­

го прямого тока;

И z (И ст)

- н апряжение стабилизации ния

на

·стабилитро11е лри

падение напряже­
1проте·ка1нии

опреде­

лвнното то1<а ста·билизации;

! z!(/ ст) -

то·к ста·билизации - ток, проте1<ающий
ста·билитрон в области стабилизации;

через

Rd(Rд) -дифференциальное сопротивление- отношение
·
приращения напряж ения на диоде ~(стабили­
троне)

к ·вызвавшему его малому приращению

тока через диод (стабилитрон);
Т К.И z (ТКН)

-

температурный ·коэффициент напряжения ста ­
билизации-отношение относительного измене­
ния напряжения стабилизации,
выраженного
в .процентах, ·к а•бсолютному ·изменению тем­
пературы окружающей среды (при nост9яин.ом

т.оке стабщ1н,з ации) ,:

82

'

j

,.. ~

). ;

ЛИ z (ЛИ ст) -

•

• '

'

откJ101-1ение

величины

разброс
мое

лизации от значения
tтт(tвосст) -

•

'

напряжения стабилнзащiи

-

'.

- ДопуС"тii­

напряжения

стаби ­

U z;

время восетановлепия обратното сопротивле­
ния при переключении диода с Прямого тою1
на обратное налряжевие от момента ridДачИ
им.пульса обратного напряжения до момента ,
-когда

·о·бра1'ный

ток

диода

уменьшается

до

заданного уровня;

Ct (С) -

емкасть диода-емкость между выводами дио­
да

Ртах· (Рмакс)

-

пр·и

вадан.ном

максималь-ная
мальная

на11ряжении

постоянная

допустимая

смещения;

мощно·сть

постоянная

-

макс и·

мощность,

расt еиваемая на диоде, обеспечиваюtн:ая за­
данную надежность при длительной работе и
при определенной температуре
окр уж ающей
· с реды.

1F

-

i1 if<saтge) -

lo i(p alse) -

1в iт -

iт(saтge) -

!, -

прямой 'ТО'К (постоянный);
максимальное
ского) тока;

з начени е

прямого

(период 1J11е­

пиковое з·начение прямого .импульсного тока ;
средний выпрямл ен ный то·к 1(выход·ной) ток ;
имп ул ьсный ток;

обран1 ый то1< (попаянный);
м а кс имальный обр а 1'ный тох;

максимальное з нач е ние обратного ток а;

ток на с ыщения;

t1 т -

время устанавления прямого сопротивления;

lтт -

время

восста1новления

обратного

соп·ротивле -

ния;

ИF

-

Иf -

ИR -

BV н -

прямое •напряжение (nосrоянное);
максимальное падени е прямого напряжени я ;

обрат.rюе напряжение

(постоянное);

.пробив•но е напряжение;

U,. -

максимальное

1,, -

ток стабилитрона 1вбл11з и

fz -

Zk -

V1i az Ст Р

-

обра тное

ток стабилизации

напряж ен и е:
пробоя:

(стабилитрон а );

полно е со противл е·ние
пробоя;

стабилитрона

вблизи

напряжение стабилnзации;
телшератур.ный

коэффициент

напряжения;

общая ем·ко·сть диода;
мощность рассе яния.

83

ТАБЛИЦЫ ВЗАИМОЗАМЕНЯЕМЫХ ЗАРУБЕЖНЫХ И ОТЕЧЕСТВЕННЫХ ДИОДОВ.
ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ

Обозначение при -

Материал

бора

1N35
1N40
1N56
NбО

N63
N74
N75
N9 1
N92
N107
NI08
N128A
N158
N255X
N273
N308
N309
N3 10
N313
N334
N343
N360
N363
N365
N386

Ge
Ge
de
Ge
Ge
-

Ge
Ge
Ge
Ge
Ge
Ge
Ge
Ge
Ge
Ge
Ge
Ge
Gc
Si
Si
Si
Si
Si
Si

UR<max'

/ртах'
а

8

50
25
46
30
100
75
100
100
200
10
50
40
380
30
32
8
30
100
100
300
300
100
500
1 ООО
33
~

,

1 23

Ata

22,5 лtа
60 .ма
50 ма
50 ма
22,5 лtа
50 ма
О, 15
О, 1
О, 1
-

30 .ма
0,5
20 ма
80 Лtа
О, 1
О, 1
40 ма
40 Лtа
0,4
0,4
О, 1
О, 1
О, 1
35 ма

IR·

t,

•с

25

-

25
25
25
25

25
55
55
25

25
55
25
25
25
25
25
25
150
150
100
100
25
25

Ml&Q

IR· М"

при.

f=25°

10
35
300
67
50
50
625

-

-

-

1 ,4
0,95
-

200
200
10

-

-

0,8

11
20
500
100
100
50
-

О,

1

t,

•с

с

-

-

- --

1

-

55
55
-

-

55
-

-

-

-

-

0,2
0 ,5
0,25
0,25
0,25
10 л1ка

-

150
150
100
100
100
100

UR·
8

Ир,

Ip.

а

Приближенный

Корпус

отеч ест.вен-

в

ный аналоr

Д12
Д2Б
Д9Е
Д9Б
Д9Ж

007
7 ,5 J.ta
10 1
007
10 1,5 1 12,7 ма
007
15 ма
30 1
А22с
4 Лtа
10 1
007
4 Лtа
50 !
М4*
15 ма
10 , 1. 5
3 };!а
007
100 1 .о
О, 15 1
003
100 0,22
О, 1
D03
200 О, 19
О, 15
007
10 1
0,05
007
50 1
А21
3 ли
10 1
J\'1 418
0,5
380 1,4
2 1
4,5 J.tll
007
О, 1
20 1
D07
0,3
007
8 1
1
О, 1
20 1
А23а
15 ,11а
100 1
А23а
20 ,на
100 1
А23а
0,8
004
300 2
0,8
300 2
004
0,2
100 2
. 002
0,2
500 2
002
0 ,2
1 ООО 2
002
5,5 л1а
007
33 1

Д13

Д9Л
Д7Б
Д7Г

д9Б
д12
д2в .

д7Е
дll
Д9Д

д9Б
д9Г
Д9Ж

д9Л
д204
Д204
Д206
Д210
Д218

Д106А.

"1)

<)

;)

1N388
lN442
1N443
1N497
1N530
IN53l
IN532
IN533
IN600
IN600A
IN602
I N602A
IN6 19M
IN645A
IN647
IN673
IN683
1N687
1N773
IN869
1N870
I N871
1N872
IN873
1N874
1N876
1N878
1Nl059
1Nl065
1Nl067
INI068
IN1069
I N1073
00

(l1

Si
Si
Si
Ge
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Gei
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si

' 1

47
300
400
25
100
200
300
400
100
100
200
200
30
225
400
400
400
600
75
100
200
300
400
500
600
800
1 ООО
100
100
200
300
400
200

27 ма
0,3
0,3
80 ма
0,3
0,3
0,3
0,3
0,3
0,3
0,3
0,3
25 ма
0,4
0 ,4
0,4
75 ма
75 ма
50 ма
О, 1
О, 1
О, 1
о, 1
о, 1
о, 1
о, 1
о, 1
5
5
5
5
5
5

25
100
100
25
25
25
25
25
100
100
100
100
25
25
25
25
150
150
25
25
25
25
25
25
25
25
25
100
100
!00
100
100
100

о,

1
1
1,5
20
3
7,5
10
15
25
1
25
1
8
0,2
0,2
1

10

20
15
20

мка

мка
.мка
JJ!Ka

0,2
0,2
100
20
20
20
20
20
20
20
20
1 ООО
1 ООО
1 ООО
1 ООО
1 ООО
1 ООО

мка
J.tKa
мка
.мка
мка
AtKa
AIKa
AtKa

100

100
100
100
150
150

47
300
400
20
100
200
300
400
100
100
200
200
10
225
400
300
400
600
50
100
200
300
400
500
600
800
1 ООО
100
100
200
300
400
200

1
1,5
1 ,5
1
2
2
2
2
1,5
J ,5
1,5
1,5
]

1
]

1
1 ,О
1,0
1,0
0,6
0 ,6
0,6
0,6
0,6
0,6
0,6
0 ,6
1,5
1,5
1,5
1,5
1,5
1,5

3,5 л1а
0,3
0,3
О, 1
0,3
0,3
0,3
0,3
0,2
0,4
0,2
0,4
3 ма
0 ,4
0,4
0,25
0,2
0,2
О, 1
0,1
0 ,1
О, 1
О, 1
О, 1
0,1
О, 1
О, 1
5
5
5
5
5
5

D07
D02
D02
D07
D03
D03
D03
D03
DOI
DOl
DOl
DOl

КД103А,

Д2268
Д226Б
Д9И
Д226Д

Д226Г
Д2268
Д226Б
Д226Д
Д226Д

д226Г
Д226Г

А2а

Д!О6

Al

Д203
д205
Д205
Д209
Д211
Д13
Д206-

А!
А87

D07
D07
D07
А21
А21
А21
А21
А21
А21
А21
А2 1

S67a
S66a
S66a
S66a
Sбба

S68a

Д207

д208
Д209
Д210
Д211
д217
д218
Д242Б ·
Д242Б
Д243Б ·
Д245Б
д246БД243Б·

П родол.же нuе ·
Обозначение при-

Материал

бора

1Nl074
1N1075
1Nl090
1Nl091
1N1092
1N1125
IN1126
1Nl586
1Nl621
IN1622
1Nl623
IN1624
1N1702
1N l 703
1Nl704
1N l705
1Nl763A
1N2239
1N2248
1N2248A
1№270
1№271

IN3000
IN3246
JN3247
IN3248
IN3867

Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si

U Rmax•

1 Рт ах •

в

а

300
400
200
300
400
300
400
500
100
200
300
400
100
200
300
400
400
600
100
100
600
600
400
50
100
200
400
1

5
5
5
5
5
3
3
3
10
10
10
10
0 ,3
0,3
0,3
0,3
1
5
10
10
1
1
3
1
1
l
1

1R.• мка
t,

0С

1= 25°

100
100
100
100
100
50
50
150
100
100
100
100
50
50
50
25
75
25
25
25
25
25
40
25
25
25
60

IR·

при

с

1 ООО
1 ООО

'

2
2

-

2
0,3
0,3
0 ,5
5
5

-

-

-

-

-

-

-

-

-

И р,

UR ,
в

l p,

а

Корп ус

в

Прйбл 11ж е нн ы й
оте ч е ст вен -

ный

анало

1

-

-

/, ос

A!U

-

-

25
25
25
150
150
150
25
25
25
25
100
100
100
100
135
150
150
150
150
150
175
150
150
150
125

5
5
0 ,3
0 ,3
0,3
0,3
0 ,5
0,5
1
0 ,5
0 ,35
0 ,35
2
0 ,5
0, 5
0 ,5
0,005
1

300 1 1,5
400
1,5
200
1,5
300
1,5
400
1, 5
300
1, J
400
1 ,1
500
1,5
100
1,2
200
1,2
300
1,2
400
1 ,2
100
1, 7
200
1'7
300
1' 7
400
1, 7
400
1,2
600
0 ,6
100
0 ,6
100
0 ,6
600
0 ,6
600
0,6
400
1
50
]' 1
100
1, 1 '
200
1 ,1
400
1,1

1

5
5
5
5
5
1
1
6
10
10
10
10
1
1
1
1
1
1, 5
10
10
1
1
3
1
1
1
1

S68a
S68a
F25
F26
F25
D04
D04
D04
S43
S43
S43
S43
А5 3
А5 3
А5 3
А5 3

DOI
S35
D0 4
D0 4
D04
S35
М17 6а
А216
А216

А21 6

A38j

Д2 45Б
Д246Б
Д2 43Б
Д2 45 Б
Д2 46 Б

К д202 ж
Кд2 02К
К д2 02Nl.
д242
д2 43

д 24 5
Д2 46

.!J.2 26Д
д 226 Г
Д2 26В
д 222Б
К Д2 02Л
Д 24 8Б
Д 2 42
Д242
К д 202 С
Кд 2 02С
Кд 2 02К
КД202Б ·
Кд 2 02Г
К Д 202Е
I\ д 202JF

1

<\

;)

1N4139
IN4l40
;IN4141
IN4143
1N4436
1N4437
1N4998
'1N4999
!N5001
·1N51 97
1Е2

1Е3
ЗЕl
1Е 4
2Е4
ЗЕ2
.3ЕО5

-3F50
!S 1657
1S426
:JS449
1Sl010
:1 IJ2F
12J2F
13J2F
18J2
18J2F
6А500
lORIВ

'10R2B
·63R2R
64R2R
500R6B
1::д

·-J

'Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Ge
Si
Si
Ge
Ge
Ge
Ge
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si

'~

50
!СО

200
600
200
400
100
200
600
50
200
300
100
400
400
200
50
500
200
10
110
30
100
200
300
800
800
500
100
200
300
400
600

3
3
3
3
10
10
3
3
3
3
l
1
3
1
0,3
3
3
3
0,006
0,02
0,04
0,050
0,3
0,3
0,3
О, 1
О,

l
6
О, l

1
10
10
5

О,

50
50
50
'50
100
100
40
40
50
55
50
50
50
50
25
50
50
80
25
25
25
25
100
100
100
100
100
25
25
25
75
115
25

О,
О,
О,
О,

25

100
200
80

25
5
5
10

1
1

0,3
0,3
0,3
0,3
0,3

100
100
100
100
100

50
100
200
600 .
200
400
100
200
600
50
200
300
100
400
400
200
50
500
200
6
100
10
100
200
300
800
800

0,5
0,5
4
3
1

150
100
150
150
150

100
200
300
400
600

l

1
1,0
1,0
2,0
2,0
О, 1
7,68
0,05
0,05
О, 1
0,05
0,5
О, l
О, 1
0,5
5

50
50
50
50
100
100
175
175
50
175
100
100
50
100
60
50
50
150

1
1
1
1
1,2 .
1,2
1
1
1
1
1
1, 1
1
1,1
1,3
1
1
1, 1
0,8
1
1
1
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
1,2
2
2
1, 1
1,1
2

3
3
3
3
10
10
3
3
3
3
1
1
3
1
0,30
3
3
3
5 ма
2 ма
5 1<1.а
40 ма
0,3
0,3
0,3
0,3
0,3
6
О, 1
О, 1
10
10
5

A22L
A22L
A22L
A22L
М249
М249
М176а
М!76а

A22L

Кд202А
Кд202В
Кд202Д
Кд202Р
Д243
Д246
Кд202В
Кд202Д
Кд202р,

А23с

Кд202А

D027
D027

Кд202Е
Кд202И
Кд202В
Кд202Л

А51в

D027
А35а
А51в
А51в

Д226Б

А120

Кд202д
Кд202А
КД202М
д2Ж
д!ОА

D07

ЩJЛ

А22

д9В
д226Д
Д226Г
д226В
Д217

D04

D013
D0 13
D013
D03
D013
Sl9f
S4e
S4e

Д217
Д247Б
Д206
Д207
д245А
Д246А
Д248Б .

·

Продолжение
1
Об означе ние

при-

Мате ри ал

URm ax•
в

б ора

[Рта х '
а

IR•
t,

'С

м1<а

IR •

при

1=25°

ма

с

t,

'С

1

UR ,
·

в

Ир ,

Ip.

а

Корпус

в

Приблн женны й
отечествен-

ный аналог

1
367К
618С

1014
1034
10786
А А 130
А А131
А 5С2
. А Д 30
А М.32
А М3.07А
в 2105
в Yl06
в У126
с ВБО
с В !ОО
·С DllF
с G66H
·С L3
с V448

D D4521

D D4523

D D4526
D К 19
Е 2Н3
Е'6С3
Е 6 Н3

Si
Si
Si
Si
Si
Ge
Ge
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Ge
Ое

Si
Ge
Si
Si
Si
Ge
Si
Si
Si

500
75
100
300
200
15
40
200
30
300
100
300
500
500
50
100
75
60
300
100
100
200
400
25
500
200
500

10
0,025
0,4
0,4
0,4
0,020
0,02
1
0,04
0 ,4
О, 1
О, 1
1
l ,0
0,035
0,035
0,015
0,013
1,0
0,025
lO
100
10
О , 11
3
10
10

130
25
25
25
25
25
25
50
25
100
25
25
150
150
25
25
25
25
50
25
25
25
25
25
150
150
150

-

10
0,04

0,2
0,2
0,2
1
22
15

-

-

0,5
О, 1
0,3
0,003
0,01
0,5
1
2
0,2

-

0,5
-

-

-

О,
О,

1
1

30
10

-

-

100
10
10
10
40
10
10

-

-

-

1
1
1

1
' }

180
125
-

150
150
100
150
25
150
150
55
·-

100
25
25
25
60
150
150
150

500
68
100
300
150
lO
5
200
30
300
80
300
500
500
10
10
10
2
300
50
!00
200
400
10
500
200
500

1,2
1
1
1
1
1
1
1
1
1,25
1
1,2
0 ,9
1
1
1
1
1
1, 1
1,0
1
1
1
0,48
1, 3
1,3
1,3

10
1,5 ма
0,4
0,4
, 0,4
4,5
2,7
1
1
0,4
0,05
О, 100
1
1
0,015
0,015
0,005
0,003
1
0,003
10
10
10
0,01
3
10
10

S27
С3

D07
D07
D07
D07
D07
А84

D07
D04
D07
С72

D02
D02
С35
С35
М236

D07
D027
А38

Sl9
S19
Sl9
D07
D04
D04
D04

Д247
Д105А
Д202
Д204
Д203
Д!ОА
Д2В
КД202Е
Д106А
Д204
Д223А
Д208
КД202Н
КД202Н
КД103Б
Д104
Д2Д
Д2Г ,
Кд202И
Д2Е
Д242А
Д243
Д246А
Д9К
КД202М
Д243
Д247

·t

--.:i

ЕМ50!

1 GAIOO
02010
~

03010
GPMlNA
HS1007
HS1012
МSЗ5Н
ОА9
ОА150

PD133
PS5301
РS4ЗО ·

PID5
P2G5
Р4Н5
Р505

PS440
Р20 10
Р3010

00

Ф

S202
S203
S204
S205
S206
S208
S210
SCA4
SD13
SFD!07
SI!lE
SLAI IAB
SLAllC

Si
Si
Si
Ge
Si
Si
Si
Ge
Ое

Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si.
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Ое

Ge
Si
Si
Si

100
100
200
300
зо

150
50
зоо

25
100
85
300
300
100
300
400
300
400
200
300
200
300
400
500
600
800
1 ООО
400
50
15
300
50
50

1,0
0,035
10
10
0,023
0,090
0,09
0,4
О, 1
0,02
о.аз

0,4
0,4
О, 1
О, 1
0,3
0,4
0,4
10
10
О, 1
О, 1
О, 1
О, 1
О, 1
О, 1
О, 1
1
0,06
0,02
10
1
1

25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
55
25
25
25
25
25

0,03

О,

100
0,2
0,2
25
300
1,0
0,02
10
10
10
10 .

100
100
100
100
100
100
100
200
22

1

100

3
3

125
125

5

100

0,015

100

0,04
0,01
0,5
0,5

100
150
150
100
100
100
100
150
125
125

О',5

0,5
0,5
0,5
3
3

50
3
1
0,25
О,

125
140
100
100

100 1,1
10
1
200 1,1
300 1 ' 1
100 1,2
150
1
50
1
300
1
15 0,55
60
1
60
1
300
1
300 1,5
100
1
300
1
400
1
JOO . 1
400 1,5
200 1, 1
300 1,1
200 1,2
300 1,2
400 1,2
500 1,2
.600 1,2
800 1,2
1 ООО 1,2
400 1,2
30
1
10
1
200 1,4
50
1
50 1' 1

1
0,015
10
10
0,008
0,05
0,050
0,4
0,05
0,005
0,01
0,4
0,5
О, 1
О, 1
0,3
0,4
0,5
10
10
О, 15
О, 15
О, 15
о, 15
О, 15
О, 15
О, 15
1
0,015
0,004
40
1
1

А51в
СЗ5

D04 D04
D07
D07
D07
ClOa
А2
А46
А46
М343
МЗ43
М343
М343
А46

S95a
S95a
А54
А54

А54
А54
А54
А54
А54
АЗ8с

D07
D07
' МЗ47
А69
А69

\1

КД202Г
Д104
Д243
Д245А

Д!l

Д22ЗБ
д223
Д204
Д9Г,./

/

"/
/

Д-2Е

Д104А
Д204
Д204
Д206
Д208
Д226Б
Д204
Д205
Д243

Д245
д207
Д208
Д209
Д210
Д211
Д217
Д218
КД202Л
Д9Е
ДlОА
Д245
Кд202Б
КД202Б

Продолжение .

Обозначе·
ние при-

N\ атериал

И Rrna.x'
в

бора

а

5
5
0,4
0,25
0,4
0,4
0,25

500
600
100
400
200
300
300

Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si

SOD500HF
'SOD600Hr'
ZC!O l
.ZC1 24
ZS!02
.ZS!03
.ZS1 23

1Ртах'

IR,

t,

0С

f R• м а

f=25°

75
75
25
25
25
25

-

Прибли-

мr<а

при

t,

0С

с

0,5
0 ,5
15
0,05
0,015
0,015
0 ,05 ·

-

0 ,2
5
0 ,2
0,2
5

100
100
100
10 р

100
100
100

UR•

Ир,

8

в

500
600
100
400
200
300
300

fp,

а

Корпус

женный
отечествен

ный анало г

1
1
1
!,!
1
1

5
5
0,4
0,25
0,4
0,4

-

-

F24Л
F24Л

D07
D07
D07
D07
D07

Д247Б

Д248Б
Д202
Д226Б
Кд103 Б
Д204
Д226В

1

'
Сtаб и.l'ит rоны
.

Обозна'Jение прибора дU Z•
1

1N674
1N7 15A
1N764A
1 N764-1
1N766, А
IN1 355 , А
1N1 602
IN1 803, А
1N1 805
IN 1807, А
1JN1817, А

',

5
5

v

1

±%

1

Uz, з

4,7
11
8,8
8,0
12,8
15
6,8
5,6
6,8
8,2
15

\Ртах_. вт 1
0,40
0,25
0,25
0,25
0,25
10
10
10
10
1()
10

1

·--

Iz ,

ма

20
12
10
10
5,0
500
300
1 ООО
1 ООО
1 ООО
500

На· ом

16
9
12
12
55
2, 0
0 ,4
1
1,0
1,0
2, 0

Ti(Uz,
%/ 0 С

0,03
0,065
0,05
0,05
0,07

1

t,

•с

Корпус

А31в

175А

D07
D07
D07
D07
D04
D04
S11
Sll
Sl l
Sl9a

!75А

0 ,05

200

0,07

175А
175А
175А
150А

отечественный
аналог

200S
150
150
150

Приближенный

КС1;17А
Д814Г ,
Л.809
Д8!4А
Д813

Д8!5Е
Д8 1 5Б
Д815А
Д815Б

Д8!5В
Д815Е

•J

\ }

'

1'J~

_,.

н

-:i

*

~

IN1817 , С
INl819, А
IN2041
IN2042
1N2045A
1N2046-1
1N2047-l
IN2048-1
1N2498
IN2500, А
IN3148
IN3519
1N3995, А
IN4026 , А, В
IN4028, А, В
IN4030, А, В
IN4032, А, В
IN4038, А, В
IN4040, А, В
IN4042 , А, В
IN49 12
IN4912A
IN4968, А , В
IN4978
lN4978A, В
IN4980
JS55
IS 193
1S194
!S I96
IS333
IS336
IS473

5
5
5
5
5
5
5
5

5
5
5
5
5,0
8,0
5,0
8 ,0
5,0
10

15
18
4,9
5,8
10
12
15
18
10
12
8,5
11
4,7
22
27
33
39
68
82
100
12,8
12,.8
27
68
68
82
8,5
8,0
9,0
11
8,0
11
11

10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
0,4
0,4
10
5
5
5
5
.5
5
5
0,4
0,4
5
5
5
5
0,3
0,4
0,4
0,4
0,25
0 ,25
0,25

500
500
1 ООО
1 ООО
500
500
500
500
500
500
10
10
530
55
45
38
32
18
15
13
7,5
7,5
50
20
20
15
10
20
20
10
10
5
15

2,0
3,0
1,0
0,7
] ,5
2 ,0
3,0
3,0
2,0
2,0
15
8,0
1,2
5,0
6,0
10
1.5
75
100
150
25
25
6 ,0
44
44
65
20
8,0
8,0
15
20
25
20

0,07
0,07
0,02
0 , 03

150А
!БОА

!50J
150J
150А

0,07
0 , 08
0,08
G,06
0,06
0,005
0,065

J50J
150J
150J
150J
1 50А
1 50А
200А

175S
0,087
0,09
0,092_
0 , 094
0,097
0,098
О, 1
0,01
0,0 1

1 80А
180А
180А
180А
180А
180А

i80A
i75
175
175А
1 75А
175А

0,07
0,06
0 ,06
0 , 07
0,07
0 ,07
0 ,065

175
150
150
150
150
150J
150J
150J

Sl9a
Sl9a
D04
D04
Sl
D04
D04
D04
Sl
Sl9a

Д8 ! 5Е
Д81 5Ж
Д815И
Д815А
Д81 5Г
Д815д
Д815Е
Д815Ж
Д815Г
Д81 5Д
Д81 8В
Д8!4Г

А3 1в

D07
0 04
S82
S82
S82
S82
S82
S82
S82
007
007
А223
А223
А223
А223
А 1 06
А22
А22
А22
Л22
А22

D07

Д8·15И

Д816А
Д81 6Б
д81 6В
Д816Г
д817Б
д817В
Д817Г
Д8!4Д
Д814 Д

·

д8166
Д8176.
Д8l7 Б.

д8 17В;
Д8 18В;

Д8 14А
Д8! 8А
д814Г.

д814А
д8l4Г
Д814Г'

П родол жение-·

Обозначение прибора 1 дИz. ±% 1 Иz, в / Ртах• вт /.
1S760
IS2 1IO
IS2110A

!Б

10
Б
Б
Б

6Б3С7
6БЗС9
18Б24
107Б24

10
10

109424

Б

10
10
10

109Б24

1102
1111
1322
1327
1333
1347
1422
1427
1 4ЗЗ
14З9

1447
БЗ30
БЗ32
БЗЗ8
Б430
Б4З2
А24
В221З

В2УБ6
В2У60

•

-

10
10
10
12
12
10
12
10
10
10
10
10
10
10
Б
Б

12,8
11
11
7,6
8,0
8,8
7,8
9,8
9,8
3,3
11
22
27

О,2Б

0,4
0,4
О, !Б
О, !Б
О,6Б
О,6Б

0,6
О,6Б

зз

О,2Б
О,2Б
Б
Б
Б
Б
Б
Б
Б
Б
Б
Б
Б
Б
Б
Б

8,0
8,0
4,7
6,8

0,28
0,28
0,28

3З

47
22
27
зз
З9

47
27
З3
Б6

27

О, iБ

lz,

Ata /·
Б
Б

5
Б

5

10
10
10
10
10

Rd'

зо

60
40
7
8,0
З,О

3,0
6,0
З,0

6Б
зо
IБ
зо

5

40
зо
IБО
IБ

40
30
20
12
IБ

30
20
10

20
180
зо

60
100
160
200
16
2Б

80
16

зо

20
0,2
1
1
1

ом

-

2Б

6

З70
Б,О

/

ТКИ

z,

%/"С

0,078
0,07
0,07
О,ОБ
О,ОБ

0,08
0,07
0,08
0,08
0,07
0,07
0,08
0 ,09
0,09
0,09
0,08
0,09
0,09
0,09
0,09

-

-

-

t,

·с

Корпус

Приближенный ·
1

отечественно~й"
аналог

-

ТО!
А!

!БОА
!БОА
1БО
!БО

С3
сз

180
180

DOl
DOI

Д81З
Д814Г
Д814Г
Д808
Д808
Д814Б
Д808

DОЗ

Д814В

180

DOl

д814В

!БО
!БО
IБО
!БО
I БО
!БО
IБО
!БО
IБО
IБО

СlЗ
С43
АIЗЗ
АIЗ3

-

IБО 1

150
150

I БО
IБО
IБО
IБО
IБOJ
1 БОJ
IБOJ

Al

А I З3
А I З3
А1ЗЗ
А13З
А13З
А ! З3
А 1 З3
А133
А 1 33
А133
А13З
А!З3
С!

D07
АЗ
АЗ

КС!ЗЗА
Д8 1 1
Д816А
Д816Б
Д816В
Д816Д
Д816А
Д816Б

Д816В
Д816Г
Д816Д
Д816Б
Д816В
Д817А
Д816Б
Д816В
Д8 1 4А
Д818Б
КС147А
КС168А

(/

";

CD3 127
Е86

ES2110
HZ27
HZ33
HZ47
HZ56
HZ82
HZ1 00
KS30A, AF
KS30B , BF
KS32A, AF
KS32B, BF
KS34A, AF
KS34B, BF
KS36A , AF
KS36B, BF
KS38A, AF
KS38B , BF
MZ \008
MZ5 11 2
MZ5 11 3
MZ51 15
MZ5 ll 8
MZ52 12
MZ52 13
MZ52 l5
MZ52 18
MZ53 12
MZ53 13
MZ53 15
MZ53 18
ОА 1 26 / 8

~ OAZ200

./

5
5,0
5,0
10
10
10
10
10
10
5
10
5
10
5
10
5
10
5
10
8
5
5
5
5
10
10
10
!О

20
2()
2()
20
10
5

12,7
8,0
11
27
33
47
56
82
100
3,3
3,3
3,9
3,9
4,7
4,7
5,6
5,6
6,8
6,8
8,0
120
130
150
180
120
130
150
180
120
130
150
180
8,0
4,7

0,25
0,4
0,25
5
5
5
5
5
5
U,3
0,3
0 ,3
0,3
0,3
0,3
0,3
0,3
0,3
0,3
0,25
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
0,250
0 ,3

5
10
5
40
30
22
18
12
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
10
10
10
8 .0
5 ,0
10
10
8
5
10
' 10
8
5
.3
1

70
15
50
35
7,0
8,0
19
48
75
75
70
70
60
60
35
50
7
8
10
170
19()
330
430
170
130
330
430
170
ню

330
430
7
420

0,081

1 50А

175

1.

0 ,0
0,03
0, 05
0, 05
0 ,07
0 , 08
0 ,08
0 , 08
0 ,06
0 , 06
0,04
0, 05
0 , 02
0,03
0,07
0,07
0 ,05
О, 1
() , 1
О, 1
О, 1
О, 1
С! , 1
О, 1
О, 1
О, 1
О, 1
О, 1
О, 1
0,042

1 75А
1 65С
165С
1 65С
165С
165С
165С

150
150
150А
150А

150J
15 0 А
150А
150А
1 50А
150А

175J
175А
175А

А23
А1

D07
М22 1
М221
М22 1
М222
М22 1
М22 1

Z5 1
Z5 1
Z5 1
Z5 1
Z51
Z5 1
Z51
Z51
Z51
Z5 1
D07
A46d
A46d
А46е
А46е

175А ·

А46 1

175А

A46d
А46е
А46е

175А
1 75А

175
150J

A46d
A46d

1•
Д813
Д8 1 4 А .
Д811
Д8 l 6Б
Д816 В ,
Д816Д
Д8 1 7 А
Д817В
Д8 1 7Г

КС 1 3 3А1
КС13 3А
I<Л39А .
КС139 А .
КС 1 47 А
I\C147 А
КС 1 5 6 А
КС 1 5 6 А
КС 1 68А..
КС 1 6 ~А
Д814.А
КС620А. .
КС63 0А
КС65 0А .
КС680А
КС62 0 А

КС630А.
КС650А
КС680А
КС620А

КС63 0А
КС65'0А
КС680А

А46е
А46е
А22

Д8 1 4А

ClOb

КС 1 47А

~ ~~~~~~--,-~~~-:-~~--,~~~--с-~~~,--~~~~~~~~~~~~~~~П~р~о~д~ол~ж
:....:..:.е~~а.:...:.е

Обозначение прибора \

AUz,

±%

1

И

Z• 8

1

Р •вт
mOx

1

l Z• Afa

1

1
10
0,4
10
5
10
10
5
7, 5
7,5
10
10
8
5
10
10
8,0
5,0
50
40
20
50
50
40
20
10
5
5,0
45

1

R 11•

ом

1

Т~~~·

t, ,

"С

Корпус ПJ'~:~~~t==~~
1

'

5
5
10
10
10
5
5
5
5
5
10

OAZ202
РО6043
Iф60

.R09A
.R013A
SV\28
SV131
SV134
SVM91
SVM905
UZ5212
UZ5213
UZ5215
UZ5218
UZ5312
UZ5313
UZ5315
UZ5318
UZ5827
UZ5833
UZ5856
UZ5922
UZ5927
UZ5933
UZ5956
WZ528
Z8K
ZlOK
ZN39. А.

JO

В

10
10
10
20
20
20
10
10
10
20
20
20
20
5
10
10
20

5,6
3,3
5,8
8,75
12,8
8,0
9,0
11
9,0
9,0
120
130
150
180
120
130
150
180
27
33
56
22
27
33
56
5
8,5
10
33
1

300
0,250
10
0,2
0,2
0,25
0,25
0,25
0,25
0,25
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
0,4
0,35
0,35
7,5

0,018

380
45
1, 8
10
35
15
15
50
75
75
170
190
330
430
170
190
330
430
6
10
35
5
6
10
35
5

0,02
0,06
0,075
0,05
0,057
0,063
0,01
0,005
. О, 1
175
О, 10
О, 1
О, 1
О, 1
О, 1
О, 1
0,09
0,09
0,095
0,08
0 ,09
0,09
0,095

7

0 , 055
0, 065

15
22

-

О .09

150J
150
150S
150S
150S
150
150
150
100.R
100.R
175А
175А
175А
175А
175А 1
175А
175А
175А
175А
175А
175А
175А
175А
175А
175А
1 50А

150J
150J
175

ClOb

КС 156А

А 2с

К(:: 133А_

S103

Д815А

А 108
А108

Д814Б.

007
007
007
007
007
А 223
А 223
А223
А223
А223
А 223
А223
А223
А223
А223
А223
А223
А223
А 223
А223
А97
С 18
С18

SI 17

Д813
Д8 1 4~.
Д818Гt
Д8 1 1

Д818Г
Д818Г
КС620А..
КС630А
КС650А _
КС680А
КС620А
КС630А

КС650А
КС680А _

д816Б
д816В .
д817А_

д816А
д816Б
д816В
д817А
д818Б

' Д818В
д818А .
д816Г

'

. ~

1/

"
Импульсные

Обозначепне прибора

Мате риал

URmax'
8

диоды

i

1

trr•
1 Ct,
хсек

пфl

f p.

Ир, в

ма

IR,
при

м1<а

25°

С

1R•
,шса

Si
Ое
Ое
Ое

'I N777

Si
Si

1N81 8
1N840
1N933
1N3873
!N3954
IN4305
1N4747

Ge

Si
Si
Si
Si

33Р1

Ое

ВАУ63

Si
Si
Si
Si

'ВАУ74
'ВАУ71
:вsл31

'DR402

Ое

НМО626А
НМGЗ600
:нмоз954

HMG4322

Si
Si
Si
Si
Si

ОА92

Ое

PD126
PS721

Si
Si

НМО4150

1

100
20
25
75
70
40
100
50
50
50
30
30
50
50
50
50
100
50
50
50
50
50
15
100
60

500
300
300
500
500
300
400
4
4
4
10
80
4
4
4
4
500
500
4
4
4
4
100
500
300

3

l

-

1

0,5
1
1,5

-

10

-

3,5

1

UR,

в

lpmax·I
ма

1

1

1

IN662
1N695
IN695A

t°C

1
1

4
0,95
3,25 . 1,0
f' ,85
6
1
3,2
4
l
3
l
2
1
2
l
5
1,5
2,5
1
3,25 1
2,5
l
1,5
1
0,5
0,6
2,0
l
3,0 . 1

1

10
100
!О

100
30
150
4
150
200
10
30
30
100
200
20
30
20
!О
2СО

200
200
200
3
10
5

'

100

2

20
125
20
20
75
5
100
100

i

-

0,25
О,

i

10
О, 1
O, l

1
5
250
О, l
О, l
О, l
О, l
О, 1
0, l
О, 1
О, 1
О, 1
2.5
20
5
О,

-

-

100
!00
100
100
250
30
100
100
100
100
15
!00
50

Приб:Лижениый

Корпус

оте Чественный
аналог

1

100
70
. 55
·· 100
100
75
100
150
150
25
150
!25
125
150
55
150
150
150
150
150
60
100
100

50
-

10
50
60
40
10
50
50
50
30
30
50
35
35
50
50
35
50
50
50
50
-

50
45

40
100
150
150
150
200

-

30
115
200
75
100

-

-

10
30
40

Al
D07
007
007

Д220Б
Д18
Д18
Д3 12А

А21

Д219А

А21

КД504А

007
007
D07

Д312
КД509А
КД510А

А159

007
D07
007
007
D07
Al
007
М208в
М208в
М208в
М208в
М208в
АЗ
А2
А46

КД509А
КД50ЗА
Д18; ДЗ!l
КД509А

Кд5 10А
КД509А
КД509А
Д312
Д220
КД510А

КД510А
КД510А
КД5 1 0А
Д18

Д220В
д220

КОРПУСА ЗАРУБЕЖНЫХ ДИОДОВ

А1

А2Ь

о

А21

АЗ с

)

~

о

...,

5,6

о;

u

о
А22
о

2,7

д2З

А35

о

~

1"

5

г-

о

1

о

А54
ц-- --~-

t
......
....._.

'

!

.;1

о

-

А84-

д8 7

о

о

l

"'

Si

"

......

M:J
""'

[l '
96

~

<о

"'"

?-..

А106

_,_

о
С1
5,6

- сз

~· C"Jf
о

о п
С18

t}

I
!<':>'
..._

С43

о

ЕН
~

72

Ф58

._,.

s::,·

"'

97

D Оэ

004

CJ

9,7

о

D 07
ГJ

с,
~~
t~
1

о

98

Q

DO 1З

о

D027

rn
F25

м

221

М22

2

катоо

.. МЗ-43-

S11

S19

99

S35

~
s 82

wн

368

}'.

Прнложенне

Примеры применения
приборов-аналогов

Предварительный
усилитель
к
магнитофону.
В
усилителе
(рис. П-1) применяются две цеп и обратной связи . Первая из них
между базой Т1 и эмиттером Т2 имеет апериодический характер , так
как содержит один ·резистор R.з . Сопротивление его выбирается в за­
висимости от напряжения источника питания: при напря~жении 9 в-

100
по

ком,

а

при напря жен ии

постоянному

току,

1!·8

в эта величина удваивается . Дрейф

несмотря

на

непосредственное

соединение

транзисторов в такой схеме, ПО'ЧТИ полностью отсутствует.

Частотнозависимая
причем

значение

коррекция

сопротивления

осуществляется
последнего

цепью

резистора

RвСзR1,

зависит

от

примененной головки и скорости движения ленты. Вместо транзисто­
ров 2N3391 (Т1 , Т2) можно применить отечественные
планарные

транзистор'ы !(ТЗ!5 с любыми буквенными индексами.

Двухтактный выходной
каскад
на
одном транзисторе.
На
рис. П-2 показана принципиальная схема усилителя на двух тран­
.зисторах, которая

отличается

весьма

малым сопротивлением

нагруз-

101

кн . Выходная мощность. усилителн соста влнет 35 ,11в1'. При необхо ­
димости она может быть повышена до 69 мвт и бол ее, ес,1и исклю ­
чить из схемы конденсатор ·С2.
Усилитель, изображенный на рис . П-3, развивает на выходе мощ­
ность около 1 вт при п·рименении в выходном каскаде транзистора

типа 2N5'54. Транзисторы типа 2N215 можно заменить транзисторами
МЛ93Б, МП41.д, МП26Б, а траН'зисторы типа 2N554 - транзистора ­
ми П4Д, П211бВ.

Рис.

r, ZNZ15

П-2.

Тz ZN21S

- J/j

Рис.

П-3.

;.

"

(

1

,
(

"
:

~(

Содержание

1

1

3

Пре дисловие
Гл а в а

Общие

I.

4

сведения

Усл овные_ обозначения зарубежных полупроводни­
ковых

приборов

Графические
приборов

Т·ехнической

8

литературе)

Зарубежные справочные издания пп полупровод­
никовым

4

обозначения
полупроводниковых
(принятые в американской научно­

приборам

Си стема обозначений отечественных
никовых приборов

полупровод­

12
12

В за имозаменяемость отечественных и зарубежных
пол у проводниковых приборов .

14

Рекомендации по подбору и
проводниковых приборов

18

Г л а в а

II.

применению

полу­

Поя с н е ния к таблицам

21

.

Т абл ица в з аимозаменяемых от еч ес твенных
рубежных транзисторов
Корпуса
Гл а в а
вые

21

Взаимозаменяемые транзисторы

зарубежных

III .

п

за­

транзисторов

Взаимозаменяемые полупроводнико­

82

диоды

82

Пояснения к таблицам
Таблицы

взаимозаменяемых

чественных

Выпрямительные

диодов

.

диоды

Стабилитроны
Импульсные диоды

Корпуса зарубежных диодов
Прнложею:е

26
76

зарубежных

и

оте·

84
84
90
95
96
101
103

, )1:

Александр Сергеевич Белов,
Валентина Ивановна Гордеева,
Анатолий

Владимирович

Нефедов

ВЗАИМОЗАМЕНЯЕМЫЕ ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ
И ЗАРУБЕЖНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ

Редактор В. А. Солдатенков
Художник Г. Д. Целищев

Техничес.к.ий ~редактор Л. А . Пантелеева
Корректор Е. В. Житомирская
Сдано в набор
Т-13373

г.

Подписано к печати 23/!Х

Формат 84Х108 1 / 82

Усл. печ. л.
Тираж

3/III 1971

35 ООО

5,46
экэ.

Цена

32

коп.

10.

Московская тнпографня № 10 Главполиграфпрома
!(омитета по печати при Совете Министров СССР.

Шлюзовая

наб"

10.

г.

2
6 ,43
Зак. 92

Уч.-нзд. л .

Издательство .Энергия". Москва, М-114,
Шлюзовая наб.,

1971

Бумага тнпографская №

\

"-

'/
f

1·-

:

~ .r

\

/

ц~на

32 коп.

'

-

.