'•
СПРАВОЧНИК
----по--------
ИНТЕГР АЛЬНЫМ
l\t\ИKPOCXEMAM
Под общей редакцией -
Б. В. Т АРАБРИНА
•
МОСКВА
«ЭНЕРГИЯ~
1977

6ФО.З
С74
УДК 621.382.049.7 -181.48(03)
I
А вторы: Б. В. Тарабрин, С. В. Якубовсiшй, Н. А. Барканов,
Б. А. Бородин, Б. П. Кудряшов, Ю. В. Назаров, Ю. Н. Смирнов
Спр~вочник по интегральным микросхемам. Под
С 74 общ. ред. Б. В. Тарабрина. М., «Энергия», 1977.
584с.сил.
-
На обороте тит. л . авт.: Б. В. Тарабрин, С. В. Якубовский,
Н. А. Бар1{анов и др.
Справочник содержит сведения по отечественным интегральным
микросхемам, разработанным до .1974 r.: , классификацию по функцио­
}1альному и конструктивно-технологическим признакам, систему услов­
ных обозначений, условия эксплуатации, принципиальные электриче­
ские схемы, электрические параметры и методы их измерения. Даны
рекомендации по применению микросхем.
•
Справочник рассчитан на инженерно - технических работников, за•
нимающихся разработкой 11 эксплуатацией радиоэлектронной аппа•
ратуры.
30404-235
с 051(01)-77 isl-77
6ФО:3
© Издательство «Энергия~, 1977 г.

СОДЕРЖАНИЕ
Предисловие .• . .
7
РАЗДЕЛ ПЕРВЫЙ .
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ ОБ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМАХ
1-1 . Терминология
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
...
.
.
.
.
8-
1-2 . Конструктивно-технологические виды интегральных- микро-
схе1,1 ...... . ...... •.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
...
.
.9
Технология ....... ,
.
.
.
.
.
.
.
.........
_.
.
.
9
Корпуса............................. •
:1.0
1-3 . Классификация интегр·альных микросхем по функционал.ь-
ному назначению и обозначение типов . . . . . . .
1.9
1-4. Условия эксплуатации инт-егральных микросхем
.
.
24
1-5 . Электрические параметры · интегральных микросхем
31
Параметры,- имеющие размерность напряжения .
31
Параметры, имеющие размерность тока ; . . .
33
Параметры, имеющие размерность мощности · .
·34
Параметры, имеющие размерность частоты
34
Параметры, имеющие размерность времени
34
Относительные параметры .
З5
Прочие параметры . •.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
36
. РАЗДЕЛ .ВТОIЮ.й
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ
ЦИФРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
Серии 104 и ЮО4.
Серии 106 и ЮО6.
Се рия ЮО8 ....
Серии 109 и Ю09.
Серии 110 и IOIO.
Серии 113 и К113.
Серии 114 и Ю14.
Серии 115 и К115 .
.Серия
Кl20 •
Серии 121 и Кl21 .
Серии 128 и Кl28 .
Серии ·130 и Кl30 .
Серия Кl31 ....
Серии 133 и К133_.
Серии 134 и Кl34.
Серии 136 и К!36.
.38
42
58
62
65
76
81
86
90
104
107
110
116
122
132
142
3

Серия Ю37
Серия Кl38
Серия Кl41
Серия Кl44
Серии 146 и Кl46 .
Серии 155 и Кl55 .
Серия156.....
.
...
......
.
Серия Кl58
...
.
......
.
СерияКl66....
.
.. ... ...
.
Серия Кl72 ... . ....... /
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.....
.
Серия К176 ... .•
....................
..
..
.
Серии 178 и Kl78 ....................... .
, Серия 185 .. .......... ... .............. .
Серия К187 ............................ .
Серия188.......
.
..
.
:................
Серия 191 .. •
.
.
.
.
...............
.
Серии 201 и К201 .
.
.
.
.
.
.
.
.
.....
.
Серия202.....
.,.
.
.
.
.. ...
.
Серии 204 и К204 .
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
Серия205........
.
.•,....
.
.
.
.
.
.
.
.
.
Серии210иК210.,• . .
.
..
.
.. ... ... .... ...
.
Серия211........
.
.. ... .. ... ... ...
.
Серия215.....
.
........ . ........
.
Серии217иК217......
.
...
... .... ..... .
.
Серии218иК218......
.
.. ...
.
•Серия221......... ,
.......
.
Серии 223 и К223.
Серии 229 и К229.
Серии 230 и К230 .
Серия 231 .... .
Серия 240 .... .
Серии 243 и К243 .
Серия263;....
РАЗДЕЛ ТРЕТИЙ
• СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ
АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
Серии 101 и Кl0l .......... . .
Серия Кll8 ..... .
Серии 119 и Кl19.
Серии 122 и Кl22 .
Серии IQ3 и Кl23 ...
Серии 124 и Кl24 .
Серии 129 и Кl29 .
Серии · 140 и Кl40.
Серии 149 и Ю49.
•Серии 153 и Кl53 .
Серии 159 и Кl59.
Серии 162 и Кl62 .
Серия Ю67 ....
Серия168.....
.
..................
.
Серии 173 и К173 ......................... .
4
147 .
155
160
164
166
172
186
191
195
196
198
204
207
209
213
214
221
227
232
238
241
243
. 250
254
262
265
269
275
279
287
289
298
310 .
313
315
320
331
337
338
339
340
343
344
.
345
346
347
348
349

Серия 175 ... . .
Серии 177 и Ю77.
Се рии 190 и Ю90.
Серии 198 и Кl98.
Се рии 218 и К218.
Се рия 219
Се рия К224
Серии 226 и К226.
Серии 228 и К228 .
.~
Сер ия 235
Се рия К237
Се рия К264
Серии 265 и К265 .
Серии 272 и К272 .
Серии 284 и К284 .
Серия 301 .
•
Се рии 504 и К504.
с
РАЗДЕЛ ЧЕТВЕРТЫЙ .
МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ
ИНТЕГРАЛЬНQIХ МИКРОСХЕМ
352
354
355
357
361
367
375
387
390
395
404
412
413
420
422
425
428
4-1 . Особенности измерения параметров микросхем :. . . . . . •
430
4- 2 . Измерение параметров цифровых интегральных микросхем 432
Общиеположения....................... 432
Измерение параметров, имеющих размерность напряжения 433
Измерение параметров, име~qщих размерность [ока . . . . 436
Измерение динамических параметров . . . . . . . . . . . . 442
4-3. М.етоды измерения электрических параметров аналоговых
интегральных микросхем • . . . . . . .......' .
.
.
.
.
443
Общиеположения.............•.
.
.
.
.
.
.
.
.,.
443
Измерение параметров, имеющих размерность напряжения 445
Измерение параметров, имеющих размерность тока . . . . 454
Измерение параметров, имеющих размерность мощности 460
Измерение параметров, имеющих размерность частоты . . . 460
Измерение параметров, имеющих размерность времени . . . 462
Измерение относительных параметров . . ,
.
.
.
,....
454
Измерение параметров, имеющих размерность сопротивле-
ния .......................
477
Измерение прочих электрических параметров . . . . . . •
48f
Определение характеристик ...... . .. . . ,
.
.
.
.
.
.
483
4-4 . Определение помехоус1ойчивости интегральных микросхем 484
РАЗДЕЛ ПЯТЫЙ
ПРИМЕНЕНИЕ ИНТЕГРАJlЬНЫХ МИКРОСХЕМ
5-1 . Рекомендации по монтажу интегральных микросхем
.
••
485
5- 2. Примеры построения функциональных узлов на цифровых
микросхемах............. .... ,
.
.
.
.
.
.
488
Примеры функциональных узлов на микросхемах серий 133,
К!33, 155 и К155
489
Счетные триггеры
48:J
Счетчики
500
5

5-3.
Регистры сдвига ..
Сумматоры
Разные схемы ....
Примеры функциональных узлов на микросхемах серий
113, КllЗ .. .
Триггеры . . .
Счетчики .. .
Дешифраторы .
Регистры ..•
Сумматоры........... ..
Генераторы импульсных напряжени~"r
•.
Формирователиимпульсов......... ... , ....
Примеры построения функциональных узлов РЭА на ана­
логовых микросхемах
Приложение1... . .
.
.
.
.
.
.
...
.
.
.
.
.
.
Приложение 2 . .......... . ......... . .. •
514
515
515
519
528
531
535
538
538
540
542
543
554
564

ПРЕДИСЛОВИЕ
Быстро~ расширение областей применения электронных уст•
р ойств - одна из характерных особенностей современного научно•
технического прогресса. Сегодня электроника помогает быстрее счи­
та ть, рационал_ьнее планировать , точнее управлять технологическими
п роцессами.
Создавать современные сложные электроннь,е устр.ойства, работаю•
щие с высокой' надежностью и имеющие приемлемые для практики габа­
риты и массу, позволяют только интегральные микросхемы .
Отечественная .электронная промышленность выпускает большую
и омен.клатуру микросхем, позволяющую создавать радиоэлектронную
а ппаратуру различного назначения и отвечающую самым разнообраз­
ным предъявляемым к ней требованиям. Большое увеличение фуiiкцио­
t1альной плотности ·РЭА на интегральных микросхемах при ~уществен•
1 юм повышении ее эксплуатационной надежности и долговечности,.
р езкое уменьшение габаритов, массы и потребляемой мощно.сти сделали
и нтегральные микросхемы основной элементной базой .совр.еменной
РЭА.
•
• Однако в ряде случаев · недостаточное знание параметров и экс•
плуатационных особенностей интегральных микросхем не дает воз ­
можности полностью использовать _преимущества микросхем и .даже
п риводит к технически неоправданному отказ,у от их применения .
Анализ отказов микросхем в РЭА показывает, что в большинстве
случаев отказы обусловлены нарушениям.и требований по правильности
и х применения и эксплуатации. Поэтqму .в справочнике, помимо элек­
три ческих и .эксплуатационных параметров интегральных микросхем,,
даны рекомендации по их применению и измерению параметров.
Рекомендации по применению, методы , измерения параметров и
др угие сведения базируются на результатах обобщения опыта примене­
ни я и материалах работ по изучению свойств и параметров интеграль­
ных схем.
Все замечания и предложения по улучшению справочника авторы
пр осят направлять по адресу: 113114, Москва, М-114 , Шлюзовая наб , ,,
10, издательство «Энергия» .
Авторы

РАЗДЕл · пЕРВЫЙ
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ
ОБ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМАХ
1-1. ТЕРМИНОЛОГИЯ
Микроэлектроника- область.электроники,охватываю­
щая проблемы исследования, конструирования, изготовления и приме­
нения микроэлектронных изделий.
Микроэлектронное из.делие- электроннреустрой­
ство с высокой степенью интеграции.
Интегральная микросхема (ыикросхема, МС)-
микроэлектронное изделие, в ыполняющее определенную функцию
преобразования и обработки сигнала и имеющее высокую плотность
упаковки электрически соединенных элементов (или элементов и ком~
понентов) и (или) кристаллов, которые с точки зрения требований к ис-
, пытаниям,
приемке, постцвке и эксплуатации рассматриваются как
единое целое.
Элементинтегральноймикросхемы- частьми­
кросхемы, реализующая функцию какого-либо электрорадиоэлемента,
которая выполнена нераздельно от кристалла и,ли подложки и не может
быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований
· к испытанияы, приемке , поставке и эксплуатации (к электр-орадиоэле­
ментам относятся транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы и др.).
Компонент интегральной микросхемы-
часть микросхемы, реализующая функции _какого-либо электрорадио­
элемента, которая может быть выделена как самостоятельное изделие
с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплу­
атации .
Полупроводниковая интеrральная микро­
с х е м а - микросхема, все элементы и межэ:Лементные соединения
иоторой выполнены в объеме и на поверхности по,лупроводника.
Пленочная интегральная микросхема (пле­
ночная микросхема) - микросхема, все элементы .. и межэлементны е
'соединения которой выполнены в виде пленок (разновидности пленоч­
ных микросхем: т9лстопленочные и тонкопленочные).
Гибридная интегральная•микросхема (гиб­
ридная . микросхема)
-
микросхема, содержащая, кроме элементов ,
компоненты и (или) кристалль1 (разновидности ыикросхемы - много-
кристальная МС) .
1
Кристалл интегральной микросхемы- часть
полупроводниковой пластины, в объеме и на поверхности которой
сформированы ,элементы полупроводниковой ыикросхемы, межэлемент­
ные соединения и контактные площадки .
,8

Аналоговая интегральная микросхем::~-
микросхема, предназначенная для преобразования и обработки сиг­
налов, изменяющихся по закону непрерывной функции [частныr1 слу­
чай аналоговой МС - м.икросхема с линейной характеристикой lлн-
нейна,я микросхема)].
.
·
Цифроваяинтеrральнаямикросхема- микро­
схема, предназначенная для преобразования и обработки сигналов,
изменяющихся по закону дискретной функции (одним из видов цифро ­
вой микросхемы является логическая МС).
Корпусинтеrр.альноймикросхемы- частькон­
струкции микросхемы, предназначенная для ее защиты от внешних
воздействий и для соединения с внешними электрическими цепями по-
средством выводов.
-
•
Степень интеграции интегральной микро­
с х е м ы - показатель степени сложности микросхемы, характеризуе­
м ой числом содержащихся в ней элементов и компонентов .
Степень интеграции микросхемы определяется по форм:иrе К =
= · l g N, где· К - коэффициент, определяющий степень интеграции,
округляемый до ближайшего большого целого числа; N - число вхо­
дящих в микросхему элементов и компонентов.
Серия интеrральных микросхем- совокупность
· типов
микросхем, которые могут выполнять различные функции,
имеют единое конструктивно-технологическое исполнение и предназ­
начены для совместного применения.
1-2. КОНСТРУК Т И В НО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ВИДЫ
,..ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
ТЕХНОЛОГИЯ
Современная ми~роэлектроника развиваt;тся преимущественно по ·
дву м базовы м крнструктивно-технологическим направлениям : создание
п олупроводниковых интегральных микросхем и гибридных интеrраль- •
н ых микросхем.
.
Полупр ов одниковые микросхемы. Основой технологического ме­
тода их создания является планарный процесс, обеспечивающий одно ­
временное изготовление большого количества МС на одной пластине
п ол упроводникового материала. Этот процесс осуществляется с по­
мо щью:
планарной технологии с использованием полупроводникового
м атериала и изоляцией элементов разделительными р-п переходами;
планарной технологии с применением полупроводников.ого мате­
ри ала и изоляцией элементов слоем двуокиси кремния;
планарно-эпитаксиальной технологии с изоляцией элементов раз­
де лительными р-п переходами;
технологии совмещенных схем, когда по планарной технологии
в полупроводниковом материале создаются активные элементы (тран ­
з исторы, диоды), а на поверхности полупроводника методами тонко­
пле ночной технологии - пассивные элементы (конденсаторы, рези­
сто ры).
К аждый из · этих . технологических методов имеет свои преиму­
ще ства для конкретных полупроводниковых микросхем, но в настоящее
в рем я наиболее широкое распространение получила планарно-эпитак-
сиа льная технология.
•
9

Гибридные интегральные микросхемы изготавливают в основном
с . применением двух базовых технологических процессов:
получения · толстых пленок методом шелкографии;
получения тонких . пленок методом термического вакуумного оса'Ж•
дения и др.
Интег,ральные .МС, изготовленные l'f):етодом шелкографии, полу­
чили название толстопленочных, а изготовленные методами вакуум­
ного напыления, ,ионно-плазменного и реактивного распыления и др.­
тонкопленочных интегральных . микросхем.
Практика применения полупроводниковых и-гибридных интеграль­
ных микросхем показала, что они не конкурентны между собой, а вза­
имно дополняют друг друга.
КОРПУСА
Интегральные микросхемы выпускают в корпусах и без кор•
пусов.
Типы корпусов. Согласно ГОСТ ·17457.72 ·корпуса интегральных
микросхем делятся на четыре типа · (см. табл. · 1,1).
· 1 Форма основания ·1
Тип
корпуса
l
2
3
4
Прямоугольная
Прямоугольная
Кругла$!:
Прямоугольная
· таблица 1-1
Расположение - выводов ·корпуса ,относительно
основания
В пределах основания, перпендикулярно ему
За пределами основания, перпендикулярно
ему
В пределах основания, перпендикулярно ему
Параллельно плоскости основания, .за его
пределами
По габаритным _и присоединительным размерам корпуса подраз­
деляют на типоразмеры, каждому из которых присваивают шифр,
омтоящий ·из обозначения типа корпуса (l, 2, 3 или 4) и двузначного
числа (от 01 до 99), обозначающего номер типоразмера.
Условное обозначение конструкции •корпуса состои-~; из шифра
типоразмера корrууса, числа, указывающего количество выводов, и
номера модификации.
,_
Например, корпус 201.14-2
-
это прямоугольный корпус типа 2,
типоразмера 01, с 14 выводами, модификация вто.рая.
Габаритные и присоединительные размеры на чертежах (в тех­
нических условиях, справочниках, ·паспортах МС) указывают без
учета специальных элементов или .устройств для дополнительного от­
вода тепл~ от корпусов микросхем, если эти устройства не .являются
неотъемлемыми частями. корпусов. Специальные элементы или устрой­
ства (теплоотводы) и способы их · крепления указывают в технической
до.кументации на микросхемы конкретных · типов.
Для корпусов МС установлен шаг ·выводов: для корпусов
1rипов1и 2.....2,5мм; типа 3- под углом 30 или45°; типа 4-
1,25 мм.
10

.
· 1 ~1 . 1'/-с1 (252MC1J/~1) •
2
IJ.,9
9
8
19,IJ.
151. 15 -2
Вх 2,S,;15
1ц17±11
(
:,, (
:,,
:~
1,-,
,:;:}-"
с::,
·-
.
......
"
8
19,5
~- ',
. 151.15-3(252МС15-3)
11

1!i1.15-I/ -
.
6х2,5=15
19,5
155.36 -1
1'
19
>1
9-$ --<tf.O 2~
,___ ~_ __J
-$--$- -ф--ф-
-ф--ф- -ф--ф-
~
.
-$--$- -ф--ф-
- $--$- .-ф--ф-
11.,.,
-$--$- 4--$-
t\j~
><
1
-ф--ф- -ф--ф-
~
-ф--ф- -$-
fr~в1?-+зв
'-.
1·
15,5
1 6,5
1
..
.
)
12

0,67
-
о,
--
9
10
□D
"'
DD
., .,
.....
t] t]
""
t]
DD
DD
017
{),'!§_ ц .
~
\
1(
20,5
•1
1
о,
....,,
.....
236МП17- 1
*
~"'
.,.,
""11
"'
. ,.,
>с
о,
=
1.
17,8
.1. 7,5 .1
11 Вага 1Б"
10.
18
3 11 Посол 11
5
~
ГА1-1
~
=-
<--
-
-
- ---
"'
,.
Металлостеклянные прямоугольные нестандартные корпуса .
13

м
201.111 -1
(301ПЛN-1)
1,2
• ·801ПЛ1'f
~ с;:::;=-....-""';_,.-~--'
.,..
,
..,-
~
• : . бхZ,5=15
Для МС cepuu К2З7
,.,,
,.,,
LED а:= 1С111 ~ а:а а=- iat' .
~
JfJ1ПЛ1'1-2
• flf.
,
·J
~-~~-Эз7
,
rластмассовые
у
прямо-,
rольные корпуса.
'301.8-,2
, 09,5
J:-
..
_··
~т1§-1
..,
.
1 с=:]4
...
4,8120
\<)Е
Э'

1.
J01.12-1
-1
-~
• [:===::J
~
··
c:::=:i
c::::=::i
г:=::=з
ц,в _1
.
22
1
Для серии. 272
Металлостеклянные · кру .rлые кор­
пуса. •
I.J21.'IB-1
J6,5
15

'121.50-1
____,
____ _
1
2ЧХ1,25'
lB,!i
Металло!(ерамические прямоугольные стандартные кор11уса,
,,Акци.я"
1•
2J/.
:1
1•
8
-
о
~
о
11
о
.,,
о
.,._ ,
""
.,, ~
....-....
!:
1,J
11/-lJ
.1
.l
щ
18,1
16•

,,Тр ап"
11 Трапеция 11
17

17.5±0,1
1
1'1
'-<>
о
<З
о
о
о
о
о
о
о
о
о'
о
С!
о
,1 гО
255АМП28-1
1
1
..., ,__1s
-
~)о
о
о
о
.,,
о
~
о
11
о
.,,
о
.,.~
)(
о
...,
о
.....
.,,
))~
c- .i'
\
28
s 7.5
1,
~
'--
1
1![
-г
•• · металлопол и мерные прямоугольные нестандартные корпуса.
..,,
*<с
....
6
3
1
-+ ,.·-
<с<::>"
1.....: ,...1_0±_1'/- .. ;.0,2-i. . .i .i" 6 .
а.)
Прямоугольный корпус для микросхем серии (а) и бескорпусное офор­
мление микросхем еерии (б) с герметизацией компаундом.

·Выводы корпусов могут быть круглой или прямоугольной формы .
•Диаметр круглых выводов, как правило, лежит в пределах 0,3-
0,5 мм, а размеры выводов прямоугольного поперечного сечения -
в пределах описанной окружности диаметром 0,4-0,6 мм.
Интегральные микросхемы некоторых серий, разработанных до
введения вышеупомянутого ГОСТ, оформлены в нестандартных кор­
пусах.
Конструкции корпусов микросхем, выпускаемых промышлен­
ностью, с указанием их rабаритно-присоединительных размеров пока- ,
заны на стр. 11-18 .
•
.
Бескорпусная микросхема представляет собой кристалл полупро­
водника, в объеме и на поверхности которого созданы ее элементы.
Кристалл защищен пленкой лака или тонким слоем герметизирующего
компаунда. Соединение бесиюрnусных микросхем с монтажными пло­
щадками осуществляется с помощью гибких проволочных выводов
диаметром 40...:... .50 мкм либо жестких выводов в виде шариков или стол­
биков диаметром 0,3-0,4 мм. Конструкции бескорпусных МС приве­
дены на стр. 18.
1-3. КЛАССИФИКАЦИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
ПО -ФУНКЦИОНАЛЬНОМУ НАЗНАЧЕНИЮ
И ОБОЗНАЧЕНИЕ ТИПОВ
'В · СССР с июля 1914 г. действует ГОСТ, ко~:_орый распространяется
на вновь разрабатываемые и модернизируемые интеrральньiе микро­
схемы, устанавливающий их классификацию и систему условны - х
обозначений.
В соответствии с этим ГОСТ по конструктивно-технологическому
исполнению микросхемы подразделяются на три группы, которым
присвоены следующие обозначения:
1; .5; 7 - полупроводниковые;
2· 4· 6· 8 - гибридные·
з'-'пр~чие (пленочные: вакуумные, керамические и т. д.).
У<;ловное обозначение типа интегральной микросхемы состоит
из четьiрех элементов.
Первый элемент - цифра, указывающая конструктивно-техно ­
логическое исполнение микросхемы (полупроводниковая, гибрид­
ная);
второй элемент ---- две цифры, обозначающие порядковый номер
разработки серии микросхем (от 00 до' 99); ,
третий ЭЛЕ'мент - две буквы, обозначающие функциональное н·аз­
начение микросхемы согласно табл. 1-2;
• четвертый элемент - порядковый номер
. разработки
микросхем
по функциональному признаку в данной серии.
Первый совместно со вторым элементом указывает номер серии
микросхем. В обозначении МС конструктивно-технологических серий,
разработанных до июля 1974 г . , первая из трех цифр стоит в начале обоз­
начения типа, а вторая и третья - после буквенного индекса; бук­
венные обозначения функционального назначения микросхем этих
серий приведены в крайней правой · графе табл. 1-2 (соответствуют
нормали, действующей до введения ГОСТ); •
·•
•
·•
..
Большинство МС, сведения о которых помещены в этом справоч­
нике, разработаны до введения в действие ГОСТ . Поэтому их функцио ­
нальное назначение установлено по нормали.
19

Таблица 1-2
-....
Б уквrнное обозначение
Функции, выполняемые ннтеrральнымн
По ГОСТ ·
1
Принятое
м~кросхемами
18682-73
в справочм
нике
Генераторы:
гармониче_9mJС, сигналов
гс
гс
прямоуrольных ' сигналов 1
-
гг
-
линейно-liзменяющихся сигналов
гл
-
сигналов специальной формы
ГФ
ГФ
шума;
·ГМ
--
прочие
-
ГП
-
Детекторы:
'
амплитудные
ДА
ДА
импульсные
ДИ
ди
частотные
де
де
фазовые
ДФ
ДФ
прочие
ДП
дп
-
Коммутаторы И !(ЛЮЧИ:
TOl(a
кт
-
напряжения
кн
-
прочие
кп
кп
ключ транзисторный
-
кт
ключ диодный
-
Кд
Логичес1ше элементы:
. элемент
И
ли
ли
элемент ИЛИ
лл
лл
элемент НЕ
лн
лн
элемент И-ИЛИ
лс
лс
элемент И-НЕ, элемент ИЛИ-НЕ
ЛБ
ЛБ
эле~1ент И-ИЛИ-НЕ
ЛР
ЛР
элемент И-ИЛИ-НЕ/И-ИЛИ
лк
лк
элемент ИЛИ-НЕ/ИЛИ
лк
лк
расширители
лд
J1П
прочие
лп
лэ
Модуляторы:
амплитудные
МА
МА
частотные
мс
мс
. фазо_вые
МФ
МФ
импульсные
ми
ми
прочие
'
мп
мп
20

Продолжение табл . 1-2
Буквенное обозначение
Функции, выполняе-мые интегральными
1
Принятое
миr{росхемами
По ГОСТ
18682-73
в справоч-
'
НИI<е
Преобразователи:
частоты
пс
пс
фазы
ПФ
ПФ
длительности
'
пд
-
напряжения
пн
пн
мощности
пм
-
' уровня (соrласователи)
ПУ
ПУ
формы сигнала
-
пм
код - аналог
ПА
пд
аналог - код
ПВ
пк
код-код
ПР
-
прочие
пп
пп
Вторичные источники питания:
выпрямители
ЕВ
-
преобразователи
_
ЕМ
-
стабилизаторы напряжения
ЕН
ЕН, ПП
стабилизаторы тока
ЕТ
1
ЕТ
прочие
ЕП
-
Схемы задержки:
пассивные
БМ
-
активные
БР
-
прочие
БП
-
-
Схемы селекции- и сравнения:
амплитудные (уровня сигнала)
СА
СА
временные
св
св
частотные
се
се
фазовые
-
СФ
СФ
прочие
сп
-
-
Триггеры:
JК-типа·
тв
-
RS-типа
ТР
_тр
D-типа
тм
-
Т-типа
тт
те
динамические
тд
ТД
Шмидта
тл
тш
ко~бинированные (типов. DT, RST и др.)
тк
тк
прочие_
тп
-
21

Функции, выполняемые интеrралъными·
микр·осхема.ми
Усилители:
высокой частоты 3
промежуточной частоты 3
низкой частоты з
импульсных сигналов з
повторители
считывания и воспроизведения
индикации
постоянного тока з
синусоидальных сигналов 4
видеоусилители
операционные и дифференциальные3
прочие
Фильтры:
верхних частот
нижних частот
полосовые
режекторные
пр.очие
Формирователи:
•
'
импульсов . прямоугольной формы°­
импульсов специальной формы _
адресных токов 6
разрядных токов 6
прочие .
Элементы запоминающих устрой<,тв:
матрицы-накопите.ли оперативных запо­
минающих устройств
матрицы-накопители постоянных sапо-
22
м инающих устройств·
'
матрицы-накопители оперативных запо­
минающих устройств со схемами уп­
равления
матрицы-накопители постоянных запо­
минающих устройств со схемами уп­
равления
элементы памяти
матрицы разного назначения
_ про чие
•
Продолжение табл . 1-2
Буквенное обозначение
По ГОСТ
18682-73
.
УВ
ур
УН
УИ
УЕ
УЛ
УМ
УТ'
-
-
УД
У,П
ФВ
ФН
ФЕ
ФР
ФП.
АГ
АФ
АА
АР
АП
РМ
РВ
ру
РЕ
-
-
РП
1
Принятое
в справоч~
нике
-
-
-
УИ
УЭ
-
-
УТ
УС
УБ
-
-
ФВ
ФI-1
ФП.
ФС
-
-
-
-
яп
ям
-

Продол!Нfенuе табл. 1-2
Функции , выполняемые интегральными
м икроскемами
Буквенное обозначение
По ГОСТ IПринятое
186 82-73
в справоч-
н1-1ке
•
Элементы арифметических
устройств: .
регистры
сумматоры
пол усумматоры
счетqики
шифраторы
дешифратор1!1
комбинированные
прочие
Мн огофункциональные МС2 :
аналоговые
цифровые
комбинированные
проqие
и дискретных
Микросборки, наборы элементов:
диодов
транзисторов
резисторов
коиденсаторо~ •
комбинированные
прочие
ИР
им
ил
ИЕ
ив
ид
ИI(
ИП
ХА
хл
хк
хп
нд
нт
НР
НЕ
HI(
нп
• Автоколебательные мультивибраторы, блокинr-генераторы и др.
ИР
ис
ил
ИЕ
иш
ид
ИI(
ип
ЖА
жл
нд
нт
нс
НЕ
HI(
• Микроскемы, выполняющие одновременно несколько функций.
• Усилители напряжения или _ мощности (в том числе малошумящие) ,
• Независимо от рабочего диапазона чаi'тот.
••
• Ждущие мультивибраторы, блокинг-генераторы и др.
• Формирователи напряжений и токов.
•
I1 р и •М е р 1. Обозначение типа полупроводниковой логичес кой
ми кросхемы И-НЕ/ИЛИ-НЕ с порядк0вым номером разработки серии
21 и номером в серии по функциональному признаку 1 согласно ГОСТ :
121 ЛБ1. Схема построения условного обозначения этой микросхемы ,
приведена на стр . 24, рис. а.
_
Пр им ер 2. Полупроводниковая МС И-НЕ/ИЛИ-НЕ серии 121
имеет условное обозначение - по отмененной нормали: 1ЛБ211. Схема
построения условного обозначения этой . микросхемы приведена на
стр . 24, рис. б.
Интегральные микросхемы, разработанные для радиоэлектрон-
11ых устройств широкого . применения, имеют в начале условного . обоз­
начения дополнительный индекс 1(.
При наличии разброса отдельных электрических параметров, пре­
дел ьных эксплуатационных параметров одного и того же типа ми·кро-
2~

/
Серия
_r::
:L
1
21
Лб
J:
1
Поря8ко 8ыи. номер
разработки. МС
по функциона.льномg
признаку 8 серии.
Функционально е назначение
Порядк о вый. номер разработки. серии.
Конструкти.8но -технологи.ческое цсполнение
Серия
Лб
а.)
Порядко8ыи. номер
разработки МС
по функциональному
призкак 8 сери.и.
Порядко8ыii номер разработки се ии.
Ф нкциона,льное назначение
Конструкти8но - технологи.че ское и.соолнение
Примеры построения условного обозначения типа микросхемы по
ГОСТ 18682-73 (а) и микросхемы, разработанной до введения эт о го
гост (6).
: схем в конце условно г о обозначения проставляете.я дополнительная
буква (от А до Я). При маркировке микросхем на их корпусах конеч­
ная буква может заменяться цветной точкой. Конкретные значения
разброса ,параметров микросхемы и цвет маркировочной точки у ка­
зываются в соответствующей технической документации.
1- 4. УСЛОВ ИЯ Э КСПЛУАТА ЦИИ И НТЕГРАЛЬНЫХ
МИ КРОСХЕМ
Интегральные микросхемы сохраюрот свои параметры в преде лах
норм, установленных техническими условиями на МС конкретны х т и­
пов, в процессе воздей ствия и после воздействия на них различ н ы х
эксплуатационных факторов.
В тцбл. 1-3 указаны условия эксплуатации МС, сведения о котор ых
имеются в настоящем справочнике.
Минимальная наработка МС в реж им ах и условиях, указанн ых
в ГОСТ 18725°73 и ТУ на МС конкретных типов, гарантируется н е м е­
нее· 10 ООО ч.
В упаковке предприятия~ изrотовителя или в составе аппар атуры
МС различных типов могут храниться не менее 6 или 12 лет (в склад­
ских условиях при температуре окружающего · воздуха 20 + 15° С,
относительной влажности воздуха не более 85% , в отсутст в ие в возд у хе
кислотных или других агрессивных примесей) или в условиях, уста -
новленных гоtт 18725- 73.
.
.
24

""
Q1
Номер
серии
101
К!Оl
104
К104
106
К106
KI08
109
К109
110
КllO
113
· К113
114
К114
115
К! 15
К!I8
119
К119
, К!20
Интервал рабочих
температур, 0С
1
- 6 0++85
-1 0++10
- 60++125
-ш++85
- 60++125
- 10++85
- 45++85
- 60++125 ****
-10++10
-60++10
- 10++55
- 6 0++85
-10++10
- 6 0++85
_ :_10++10
- 60++85
- 10++70
- 10++10
- 60++125
- 40++85
- 45++85
Многократное
циклическое изме-
нение те~Сературы,
,
- 60++85
-10++10 ,
- 6 0++125
- 10++85
- 6 0++125
- 10++85
-
- 6 0++125 ****
-10++10
-60++10
' - 10++55
- 6 0++85
- 10++70
·-
-
- 6 0++85
- 10++70
-
- 60++125
- 40++85
-
Относи-1
тельная
вла.ж-
несть
Атмосферное
воздуха
давление, Па
при тем -
пер ату ре
+40° С,
%
1
98
6,7_-102-3 • 10~
98
-
98
67.102-3 .10°
98
о:з. 10°-3. !О• .
-98
6,7. 102-3 . 10°
98
0,3. 105-3 . 105
98*
0,3 • 105-3 • 105
98
6,7. 102-3. 105
98*
-
98 **
6,7. 10 2-3. 10~
98 **
-
98
, 6,7 •102-3 ·101!
98*
•-
98 **
-
98*
-
98.
6,7. 103-3 . 100
98*
-
,
98
-
98
1,3. 102-3. 105
98
6,7. 102-3. 10 5
98 **
-
'
Таблиц а 1-3
Вибрация
Много- Линей- , Одиноч-
кратные
ная
ные
удары
на груз- удары
с уско-
кас
с уско-
Диапазон Уско- рением ускоре- рением
частот,
рение
g
нисм g
g
•
Гц
•
g
5-5000 40
150 · 150 1000
10-600
7,5
75
25
-
5-5000 40
150
150 ICOO
10-600
7,5
75
25
-
5-5000 40
150
150 1000
10-600
7,5
75
-
-
'
5-600
-
15
25
-
5-5000 40
150
150 lQOO
5-600 5
15
'25
-
5- 5000 40
150
150 !ООО
1-600 10
75
25
-
5-5000 40
150
150 1000
5-600 5
15
.25
-
.
5-5000 40
150
150 !ООО
5-600 5
15
25
-
5-5000 40
150'
150 1000
5-600 5
15.
25
-
5-600 5
15
25 1000
5-5000 40
150
150 1000
10....:. ..500
7,5
75
25
-
5-600 5
15
25
-
1

· i,.:,
.а,
Номер
серии
-
121
Ю21
122
Ю22
123
Ю23
124
Кl24
128
Кl28
129
Кl29
130
· юзо
ЮЗ!
133
юзз
134
Кl34
136
Ю36
Ю37
Интервал рабочих
температур, 0С
-60++125
- 10++10
-60+--j -125
- -- :45++85
-60++125
- 60++85
-60++85
- 60++10
-60++125
- 45++85
-60++125
.:.......50++85
-60++125
- 10++10
-1 0++10
-60++125
-
10++10
-60++125
- 45++85
-60++125
- 10++10
-1 0++10
Многократное
циклическое нзме-
нение температуры,
•с
,_
-
..
-60++125
-10++70
-60++125
-
-60++125
~
-60++85
- 60++10
-60++125
--,
-
-60++85
-60++125
-1o++zo
-1 0++10
-60++125
.,....10++10
· -60++125
;;..;. .:;..
-60++10 .
-1 0++10
-1 0++10
"
.~.-·
..
Относи-
тельная
влаж- -
ньсть
Атмосферное
воздуха
давление, Па
при тем-
пера.туё.е
+40° '
%
98
6,7 · 102-'-3. 105
98
-
98
1,3. 10-4 -3. JОБ
98
-
98
1,3. 102-3 . JОБ
98
-
98
6,7. 102-3 . 10~
98
-
98
67. 102-3. JОБ
'
•
98*
0,3. 105-3. lОБ
98
1,3 • 10-4
-3 •!О~
98
.....
98
6,7 • 102-3 • 10~
98*
-
98'-"
-
i
98
6,7. 102-3 . 10°
98*
-
98
6,7. 102-3 . 10°
98* 0,27 •10°-3.10°
98
6,7 • 102-3 • 10°
98* .
-
98*
Продолжен.ие табл. 1-3
Вибрация
Много- Линей- Одиноч•
кратные ная на-
ные
удары
грузка
удары
с ycko- с уско- с уско-
Диапазон Уско- рением рением рением .
частот,
рение;
g
g
g
Гц
g
5-5000 40
150
150 1000
5-600
5
15
25
-
5-5000 40
150
150 1000
5-600
5
15
25
-
·5 -5000 40
150
150 1000
5-600
5
15
25
-
5:___5000 40
150
150 1000
5-600
5
15
25
-
5-5000 40
150
150 1000
5-600
5
15
25
-
5-5000 40
150
150 IOOQ
5-600
5
15
25
-
5-5000 40
150
150 1000
5-600
5·
15
25
-
5-600
5
15• 25
-
5-5000 40
1_50
150 1000
5-600
5
15
25
-
5-5000 40
150
150 1000
"5-600
5
15
25
-
5-5000 40
150
150 1000
5-600
5
15
25
-
5-600
5
15
25

Продолжение та6л 1-3
.
-
Отиоси-
Вибрация
тельная
Мн0rо- Линей - Одииоч•
Мв(>mкратвое
впаж~
кратные ная на-
ньщ
Не1,1ер Интервал рабочих циклвческое вэме-
вость
Атмосфернсэе
удары
Fрузка
удары
серии
rемператур, 0 (i
нение теf,!Т!ературы , воздуха .
'цавление, Па
Диапазон Уско- G уско- с уско- с уско-
•G
при тем-
рением рением ре!!ием
пературе
~ частот, ;рение
g
g
g
+4о• с,
Гц
g
%
I(J38 -10++10
-1 0++10
98*
-
5-600
5
15
25
-
140 -60++125
- 60++125 1
98
6,7. 102-3 . 1оь 5-5000 40
150
150 1000
Кl4O -10++10
-10++10
98*
-
5-600
5
15
25
-
Кl41 -10++10
-1Q++10
98*
-
5-600
5
15
25
-,
Кl44 -10++70
-10++10
98*
-
5-600
5
15
25
-
146 -60++85 ,/
- 60++85
98
6,7 • 102-3, Юо 5-5000 40
150
150 !ООО
Кl46 -10++10
-10++10
98*
-
5-600
5
15
25
-
149 -60++125
- 6 0++125
98
1,3. 10- ~- 3. 10°
.5-5000 40
150
150 1000
К\4!,) -45++85
- 45++85
,
98* 0,27-10~-3 ,'10• 5-600
5
,15
25
-
15,3
- 60++125
- 6 0++125
98
6,7. 102-3. 10• 5-5000 40
150
150 !ООО
К\53 -45++85***
-
98*
-
5-600
5
15
25
-
155 -10++10
-10++10
98
6,7, 102-3. 100 5-2000 10
35
50
150
К155 -10++10
..: .10++10
98.
-
-
5-600
5
15
25
-
156 .: ._ 50++125
-
98
J
-
5-5000 40
150
150 1000 ••
К\58 -10++10
-10++10
98*
-
5-600
5
15
25
-
159 -60++125
-
98
6,7, 10 2-3, 10° 5-5000 40
150
150 1000
К!59 -60++100
-
98 *,
-
1-600
10
75
25
-
162 -60++85
-
98
6,7 • 102-3 , 10• 5-5000 40
150
150 1000
Кl62 , -10++70
-
98*
-
5-600
5
15
25
-
К!66 -45++70
-
98*
0,2 • 10°-3 • 101'> 5-600
5
15
25
-
~
·
К!67 -45++70
-
98*
-
5-600
7,5
75
25
-
168 -60++125
- 60++125
98
6,7. 102-3. 10• 5-3000 15
75
150
500

i-: ,
00
Номер
серии
.
К172
173
К!73
175
Кl76
177
К177
178
К178
185
К!87
188
190
Кl90
191
198
Кl98
2bl
К201
202
204
К204
Многократное
Интервал рабочих
цик,ilическое изме-
температур, "G
нение тем.аературы,
- 10++70
-10++10
- 6 0++85
- 60++85
- 30++50
- 60++125
- 60++125
- 10++70
-10++10
- 60++125
-
- 45++85
-
- 6 0++85
- 6 0++85
1++10
1++10
- 6 0++85
- 6 0++125
- 10++10
-
- 60++85
- 60++85
- 60++85
- 60++85
- 45++85
- 45++85
- 10++70
-10++10
- 60++125
-
- 45++85
-
-60++10
-
1++50 _
-
- 60++10
-60++10
-60++10
-60++10
- 25++55
-
Относи-
тельная
влаж-
ность
А тмосферное
воздух а
давление, Па
при тем-
перат~е
+40°
.
%
98*
-
98
6,7. 10 2-3. 10°
98
-
98
6,7. 102-3 • 10°
98*
-
98
6,7 . 102-3 • 10°
98
Q,3 • !О•-3 • !0°
98
6 7. 102-3. 10•
'
•
98*
-
98
6,7. 102-3. 10°
98
-
98
6,7. 102-3 - 10•
98
6,7 . 102-3. 10°
98
-
98
6,7. 10 2-3 . 10•
98
1,3 • 102-3 • 10°
98
-
98
6,7. 102-3. 10°
98*
1
-
98
6,7. 102-3. 10•
98
6,7. 102-3 · 10°
98 **
-
Продолжение табл . 1- 3
Вибрация
Многm- Линей- Один0ч-
кратны е ная на~
ные
удары
грузка
удары
1
с уско- с уско- с уско-
Диапазон Уско- рением рением рением
частот ,
рение
g
g
g
Гu
!Z
5-600
5. 15
25
-
5-5000 40
150
150 !ООО
5-600
5
15
25
-
5-5000 40
150
150 1000
5-600
5
15
25
-
5-5000 40
150
150 1000
5-600
5
15
25
-
5-3000 15
75
100
500
,5-600
5
15
25
--
5-5000 40
150
150 1000
5-600
5
15
25
-
5-5000 40
150 • 150 !'ООО
5-5000 40
150
150 1000
5-600
5
15
25
-
5-5000 40
150
150 1000_
5-5000 40
150
150 1000
1-600
10
75
25
-
5-5000 40
150
150 1000
5-600
5
15
25
-
5-5000 40
150
150 1000
5-5000 40
150
150 1000
1--,-600
10
75
25
-

. t--:,
··Ф
Номер
серии
205
210 ,
К210
211
• 215
217
К217
218
К218
219
221
223
К223
К224
226
К226
228
К228
229
1(229
230
К230
Многократное
Интервал рабочих
циклическое изме -
температур, 0С
нение те ~1се ратуры t
-60++10
- 60++70
' ~10++10
- 10++10
-1 0++10
-
-
60 ++70
с-60++70
-60++10
-60++10
- 60++70
- 60++70
- 3 0++70
-
- 60++70
·-
- 45++75
-
-
60++10
-60++10
-60++10
- 60++70
-60+ + 70
-60++10
- 6 0++70
-
-'30++50
-
, - 60++70
- 60++70
- 45++5-?
-
- 6 0++70
-
-
45++70
-
- 60++10
-
60++10
- 45++55
-
45++55
- 60++10
-60++10
.. :. .10++10
-1 0++10
.
Относи-
тельная
вл~ж-
ность
Атмосферное
возду.ха
лавление, Па
при тем-
пер ату ре
+4О0 С,
%
95-98 6,7. 102-3. 105
98
6,7. 10 2-3. lОБ
98
-
98
6,7. 102- 3. 105
98
6,7. 10 2-3. ]ОБ
98
6, 7. 102-3 . 105
98*
-
98
6,7. 102- 3 . 105
98
-
98
6,7. 102-3. 10 5
98
-
98
67.102-3 .1()5
\;18 *
6>. 10 2-3. 1o's
-
98 **
;_
98
6,7. 102-3. lC5
98 **
-
98,
6,7. 102-3 . 105
98 **
-
98
6,7. 10 2~3. ! ОБ
98** 6,7 ,]02--,-3 •JQБ
98
6,7. 102- 3. 105
98 **
Продолжение табл . 1-3
Вибрация
Много- Лиией- Одиноч -
кратные н ая на -
ные
у,nары
грузка
удары
с уско-
с уско- с уско-
Диапазон Уско- рение м рением рением
частот,
рение
g
g
g
Гц
g
5- 5000 40• 150
150 1000
5-1000 7,5
75
50 5000
1-600
7,5
.75
25
-
5-5000 40
75
150
150
5-5000 40
150
150 1000
5-5000 40
150
150 1000
5-600
5
'15
25
-
'5-5000 40
150
150 100.0
1-600 • 10
15
25
-
5-5000 40
150
300 1000
5-5000 40
150
150 1000
5- 2000 10
35
50
. 150
5- 600
5
15
-
25
5-80
5
,15
-
-
5-3000 15
75
ioo 150
1-600 10
75
25
-
5-5000 40
150
150 1000
1-600 10
15
25
-
5-5000 15
75
100
500
1-600 1О
75
25
-
5- 3000 15
75
100
500
1- 600 10
75
25
~

• с,,
·-,= ,
Продолжение_ табл. _1-3
Относя-
Вибрация
тельная
Много- Линей-
Многократное
влаж-
кратные ная на-
Номер Интервал рабочих
циклическо е изме-
ность
Атмосферное
удары
грузка
серии
температур, 0С
нение температуры,
~оздуха
давление, Па
с уско-
с уско-
ос
при тем-
Диапазон Уско - рением
рением
.
ператуё'е
частот,
рение
g
g
+40° .
.
Гц
g
-
%
231
- 60++8-5
-
98
6,7 · 102-3 . 105 5-5000 40
150
150
235
- 60++10
-60++10
98
6,7. 102-3 . 105 5-3000 15
75
100
К237
-30++10
-
98
-
5-600
5
10
15
240
-60++10
-60++10
198
6,7 • 102-3 • 105 5-3000 j5
35
50
243
- 6 0++70
-60++10
98
6,7. 102-3 . J05 . 5-5000 40
150
150
К243
+1++50
+1++50
98*
-
5-600
5
15
25
263
-60++10
-60++10
-
98
6,7. 102-3 . 105 5-5000 40
150
150
}5.264
- 10++55
-
98
-
5-80
5
15
10
265
- 60++10
-60++10
98
6,7. 102-3 . 105 5-5000 40
150
150
К265
- 60++70
-60++10
98*
-
-
1-600
10
75
25
272
- 60++125
-
98
6,7. 102-3 . 105 5-5000 40
150
150
К272
- 45++85
-
98*
~
5-600 15
-
25
284
- 60++10
..,,,60++10
98
6,7. 102-3. 105 5-5000 40
150
150
К284
- 45++55
-
98 **
-
1-606
10
75
25
301
- 60++85
- 60++85 .
98
6,7. 102-3 . 10° 5- 3000 15
75
100
504
- 45++125
-
98
6,7. 102-3 . 105 5-5000 40
150
150
К504
- 45++85
,._
98
-
lт-600
10
75
25
* Относительная влажн ость воздуха ripи 20°С.
~* - Относительная влажность воздуха при 25°С.
*** Для интегральных микросхем К1УТ531Б интерва.7! рабочих температур от -10 до +85°С.
**** , для интегральных микросхем 1ЛИО91 интервал рабочих температур от -60 110 +85°С.
Однноч-
ные
удар·ы
с уско-
рением
g
-
1000
500
-
150
1000
-
1000
-
'
100
-
1000
-
1000
-
500
1000
-

Бескорпусные МС в негерметичной или влагонезащищеf!ной упа­
ковке в· условиях производства rip11 влажности не более 65% и нор­
ма льной температуре могут находиться не более 30 сут, а в герметичной
или влагозащищенной упаковке предприятия-изготовителя МС в склад­
ск их условиях - не более 2 лет.
Бескорпуснь1е МС, установленные в гер метизируемые объемы
(ко рпуса модулей, узлов или блоков аппаратуры и т. п.), допускают
х ра нение такой же · длительности, как и МС в корпусах. Во всех слу­
ча ях срок хр а неюrя МС исчисляется с месяца, в котором. они изготов­
л ены (в соответствии с маркировкой на корпусе или паспортом микро­
схем ы).
1-5 . ЭЛЕКТР ИЧ ЕСК И Е ПАРАМЕТРЫ
И НТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕ М
Ниже. пр иводятся перечень электрических параметров и нтеграль •
!iЫХ МИ!(росхем, их буквенные обозначения и определения, установ­
ленные ГОСТ 19480-74 «Микросхемы интегральные. Электрические
п ар аметры. Термины, определения и буквенные обозначения», ГОСТ
18683-73 «Микросхемы интегральные логические. Методы измерения
електричесюrх параметров», ГОСТ 19799-74 «Микросхемы интеграль­
н ые аналоговые. Методы измерения электр·ических параметров и опре­
деления характеристию>, а также ряда других имеющихся в спра­
во ч_н ике эле ктрических параметров, не · вошедших в упомянутые
стандарты.
•
Если существенные : признаки понятия содержатся в буквальном
- з начении термина, определение параметра не приводится. Вместе
с тем в перечень не включены обозначения и определения пар.аметров,
широко распространенных в научно-технической литературе по vадио­
электронике, таких, как входное . напряжение Ивх, выходное напря­
ж ение Ивых, длительность импульса tи и т. п.
ПАРАМЕТРЫ, ИМЕЮЩИЕ РАЗМЕРНОСТЬ НАПРЯЖЕНИЯ
МаксиАtальное входное напряжение И вх; макс - наибольшее зна­
чение входного напряжения интегральной микросхемы, при котором
выходное напряжение · соответствует заданному значению .
Минимальное входf:1,ое напряжение, Ивх,мин - наименьшее значе­
ни е вх9дного напряжения микросхемы, при котором выходное н а пря­
же ние соответствует заданljому значению.
Чувствительность S --, - наименьшее значение входного напряже­
ния , при котором электрические параметры микросхемы соответст­
ву ют заданным значениям.
Диапазон входных · напряжений ЛUвх - интер,вал- значений напря­
ж ен и й от минимального входного напряжения до максимального.
Входное напряжение покоя U0 , вх - значение - напряжения на
входе микросхемы в отсутствие входного сигнала.
.
Выходное напряжение покоя U0 , nых - - значение напряжения на
в ыходе микросхемы в отсутствие входного сигнала,
Входное напряжение · ограничения Uвх, orp - наименьшее значе­
ние входного напряжения микросхемы, при · котором наступает . огра-
1ш чение выходного напряжения ,
Напряжение - смещения : Ис~ - значение· напряжения-; постоянного
тока на восоде микросхемы, при · котором выходное- напряжение равно ·
н улю.
•
'3·1.

Синфазные входные напряжения Исф, -вх - значение напряжений
между каждым из входов микросхемы и общим выводом, амплитуды и
фазы которых совпадают.
Помехоустойчивость Ип, макс - иаибольщ:ее значение напряже­
ния на входе микросхемы, при котором еще не происходит изменения
уровней ее выходного напряжения.
Помехоустойчивость стаrriическая Ип, ст - наибольшее значение
допустимого напряжения статической помехи по высокому и низкому
уровням , входного напряжения, при котором еще не происхо­
дит изменение уровней выходного напряжения цифровой интеграль­
ной микросхемы.
Максимальное вьtхо.дное напряженμе Ивьiх, мnкс- наибольшее зна­
чение выходного напряжения, при котором изменения параметров ми­
кросхемы соответствуют заданным значениям.
Минимальное выходное напряжение . Исых, мин - наименьшее зна­
чение выходного напряжения, при котором изменения параметров
микросхемы соответствуют - заданным значениям.
При·веденное \ко входу напряжение шумов Иш, вх - отношение
напряжения собственных шумов на выходе микросхемы при закоро-
ченном входе к коэффициенту усиления нащrяжения.
•
Остаточное напряжение И ост - падение напряженйя на выходе
пороговой .микросхемы в открытом состоянии.
Напряжение срабатывания Исрб - наименьшее значение напря­
жения постоянного тока на входе микросхемы, при котором она пере-
• ХОДИТ из ОДНОГО устойчивого состояния в другое.
Напря?'сение отпускания Иотп - наибольшее значение напряже­
ния постоянного · тока на входе микросхемы, при котором она перехо­
дит из одного устойчивого СОСТОЯЩIЯ в другое.
Минимqльное прямое напряжение на переходах Ипр, мин - наи­
меньш~е значение падения напряжения на переходах микросхемы, при
котором обеспечивается заданное значение ее электрических пара·
метров.
- Макси.малы-t0е обратное напряжение Иобр, макс - наибольшее зна•
чение падения напряжения на р-п переходе микросхемы при проте­
кании через - него обратного . тока.
Напряжение источника питания Ии: п·
Остаточное напряжение электронного ключа И~ст, 0 -шщение
напряжения сигнала на открытом электронном ключе.
Амплитуда импульсов входного напряжения Ивх, А - амплитуд­
ное значение импульсов напряжения на входе микросхемы.
Максил~альная алтлитуда импульсов входного напршжения
И вх, А, ма1<с - наибольшее амплитудное значение , импульсов , напря­
жения на входе микросхемы, при котором искажение формы импульсов
выходного напряжения не превышает заданного значения.
Максимальная алтлитуда импульсов выходного напряжения
И вых, А, ма,<с - наибольшее амплитудное значение импульсов напря ­
жения на выходе микросхемы, при котором искажение формы импуль­
сов выходного напряжения не превышает заданного значения.
Напряжение логической единицы U1 - значение высокого уровня
напряжения для «положительной» логики и значение низкого уровня
напряжения для «отрицательной» логики ;
Напряжение логического нуля U0 - значение низкого уровня на­
пряжения для <<положительной логики» и значение высокого уровня;
напряжения для «отрицательной логики».
32

/
Пороговое напряжение логической е~иницы U~op - наименьшее
значение высокого уровня напряжения для «положительной логики»
или наибольшее значение низкого уровня напряжения для r «отрица­
тельной логики» на входе микросхемы, при котором она переходит
из одного устойчивого состояния в другое.
Пороговое напряжение логичес1шго нуля U~op - наибольшее зна­
чение низкого уровня напряжения для «положительной логики» или
наи меньшее значение высокого уровня напряжения для «отрицатель­
ной логики» на входе микросхемы, при котором она переходит из од•
наго устойчивого состояния в друга~
ПАРАМЕТРЫ, ИМЕЮЩИЕ РАЗМЕРНОСТЬ TOl(A
Разность входных токов Л/вх - раЗН(?СТЬ значений токов, проте•
кающих через входы микросхемы в заданном режиме.
Средний входной ток / вх, ер - среднее арифметическое значение
входных токов, протекающих через входы сбалансированной микро•
схем ы.
Максимальный в~tходной т01, / вых, мnкt: - наибольшее· значение
вых одного •тока, при котором обеспечиваются заданные параметры
микр осхемы.
Мини.лшльный выходной ток 1вых, мин - наименьшее значение
выходного тока, при котором обеспечиваются заданные параметры
мик росхемы.
Входной ток логической единицы l~x·
Входной ток логического нуля l~x ·
Выходной ток логической единицы / ~ых·
Выходной ток логического нуля I ~ых.
Ток утечки на входе / ут, вх - значение тока _во входной цепи ми­
кр осхемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на
ост альны _х выводах.
Ток упi.ечки на выходf! 1.ут, вых - значение тока в выходной цепи
микр осхемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на
остальных выводах.
Ток потребления 1пот - значение тока, потребляемого микросх~
мой от источников питания в заданном режиме.
•
Ток потребления в состоянии ЛО§UЧеской единицы /~от· ·
Ток потребления в состоянии логического- нуля /~от·
Средний ток потребления / ПОТ, ер - значение тока, равное по"
,усумме токов, потребляемых цифровой микросхемой · от источников
нита ния в двух различных устойчивых состояниях.
Ток короткого замыкания / к. 3 - значение тока, · потребляе маго
микр осхемой при замкнутом накоротко выходе. •
Ток холостого хода I х. х - значение тока, потребляемого инте•-
11 лыюй микросхемой при -о,тключенной нагрузке.
Максимальный 1шммутируе1лый ток Iком, макс - наибольшее зна•
•1 с ние тока, протекающего чеμ-ез открытый электронный ключ, при
t · отор ом падение напр_~жения на микросхеме равно заданному зна•
•t нию.
•
• Ма ксимальный
ток закрытого ключа / 3 , макс - значение тока,
11 роте кающ~го через закрытый электронный кл_юч при максимаЛЬf!ОМ
н одн ом напряжении и , заданном режиме.
2 n/p Тарабрина В. Bt'
33

ПАРАМЕТРЫ, ИМЕЮЩИЕ РАЗМЕРНОСТЬ МОЩНОСТИ
Потреблжмая мощность Рпот - значение мощности, потребляе­
мой микросхемой от источников питания в заданном режиме .
'
Максилtальная потребляемая мощность Рпот, макс - значение мощ­
ности, потребляемой микросхемой в предельном режиме потребления.
Потребляемая .1,ющность в состояпии логической едипицы РАот•
Потреблжмая мощность в состоянии логического нуля Р~от.
Средняя потребляемая мощпость Р пот, ер - полусумма мощ-
ностей, потребляемых цифровой микросхемой от источников. питания
в двух различных устойчивых состояниях.
ПАРАМЕТРЫ, ИМЕЮЩИЕ РАЗМЕРНОСТЬ ЧАСТОТЫ
Нижняя граничная частота полосы пропускания f н - наименьшее
значение частоты, на которой коэффици_ент усиления микросхемы
уменьшается на 3 дБ от значения на заданной частоте.
Верхпяя граничная частота полосы пропускания fв - наибольшее
значение частоты, на которой коэффициент усиления микросхемы
уменьшается на 3 дБ от значени_я на заданной частоте.
Полоса пропускания Лf - диапазон частот между верхней и ниж­
ней граничными частотами полосы пропускания микросхемы.
Цептральпая частота полосы пропускания fц - значение ча­
стоты, равное полусумме нижней и верхней граничных частот полосы
пропускания микросхемы.
Частота едипичного усиления f1 - значение частоты, на которой
коэффициент усиления интегральной микросхемы равен единице.
Частота среза амплитудно-частотмй ·характеристики f срз ' -
значение частоты амплитудно - частотной характеристики, на которой
коэффициент усиления микросхемы равен О дБ.
- Частота следования илтульсов входного напряжения t:x.
Частота геперирования fг·
ПАРАМЕТРЫ, ИМЕЮЩИЕ РАЗМЕРНОСТЬ ВРЕМЕНИ
Время задержки импульса t3 д - интервал времени между фрон­
тами входного и выходного импульсов микросхемы, измеренный на
заданном . уровне напряжения или тока.
Время нарастания выходного напряжения tнар - интервал вре­
мени, в течение которого выходное напряжение микрqсхемы изменя­
ется с . первого достижения уровня О, 1 до первого достижения уровня 0,9
установившего значения.
Время установления выходного напряжения tуст - интервал вре­
мени, в течение которого выходное напряжение микросхемы изме­
няется с первого достижения уровня О, 1 до последнего достижения
уровня 0,9 установившегося значения.
Время перехода интегральн.ой микросхемы μз состояния логиче­
ской единицы в состояние логического нуля t1 •0
-
интервал времени,
в тече_ние которого напряжение на выходе микросхемы переходит от
напряжения логической единицы к напряжению логического , нуля,
измеренный на уровнях О, 1 и 0,9 или на заданных значениях напря-
щени.я.
.
. Время
перехода микросхе.мы из состояния логического нуля в со­
стояние логической единицы t0 •1
-
интервал времени, в течение . ко~

тороrо напряжение на выходе микросхемы переходит от напряжения
логического нуля к напряжению логической единицы, измеренный
на уровнях О, 1 и 0,9 или на заданных значениях напряжения.
Время задержки включения . t~·A - интервал времени между вход­
ным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе
микросхемы от напряжения логической единицы к напряжению логи­
ческого нуля, измеренный на уровне О, 1 или на заданных значениях:
напряжения.
,
Время задержки выключения t~~ - интервал времени между вход­
ным и выходным импул-ьсами при переходе напряжения на щ1ходе
микросхемы от напряжения логического нуля к напряжению логиче­
ской единицы, измеренный на уровне 0,9 или на заданных значениях
напряжения.
в
д
1,0
ремя за ержки распространения сигнала при включении tзд, р -
интервал времени между входным и ВЫJ\Одным импульсами при пере­
!Ходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения логической:
единицы к напряжению логического нуля, измеренный на уровне 0,5
или на заданных значениях: напряжения.
Время задержки распространенця сигнала при выключении t~j/ р -
интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе
нщ1ряжения на выходе микросхемы от напряжения логического нуля
к напряжению логической единицы или на заданных значениях на­
пряжения.
Среднее время задера~ки распространения с.!_1,гнала t3д,р,ср :-- ин­
тервал времени, равныи полусумме времени задержки распро.
странения сигнала при включении и выключении цифровой микро•
схемы.
,
Врел1я считывания информации fсч - интервал времени между
фронтами адресного и считанного сигналов микросхемы, измеренный
на заданных уровнях в заданном режиме.
Врел~я записи инфорлюции t3п - интервал . времени между нача­
лом адресного сигнала и появлением записанной информации на вы­
iХоде микросхемы, измеренный на заданных уровнях.
Время восстановления после считывания fвос - интервал времени
между концами адресного и - считанного сигналов микросхемы, изме­
ренный на заданных уровнях.
ОТНОСИТЕЛЬНЫЕ ПАРАМЕТРЫ
Коэффициент усиления напряже,-шя Ку. и - отношение выход•
ноrо напряжения микросхемы к входному напряжению.
Коэффициент передачи напряжения К~-
Коэффициент усиления мощности К У, р - отношение выходной
мощности микросхемы к входной мощности.
Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений Кос, сф­
отношение коэффициента - усиления напряжения микросхемы к ко­
эффи циенту усиления синфазных входных напряжений.
Коэффициент влияния нестабильности источников питания на
входной ток Квл, и. п - отношение приращения входного тока микро­
схемы к вызвавшему его . приращению напряжения источника питания.
(Аналогично определяются коэффициенты влияния нестабильности
источ ника питания на разность входных токов, э. д. с. смещения и
напр,rжение смещения.)
35

Относительный динамический диапазон по напряжению ЛИдин, отн­
отношение максимального выходного напряжения микросхемы к ми­
нимальному выходному напряжению, выраженное в децибелах. •
Относительный диапазон автоматической регулировки усиления
1ю напряжению ЛИАРУ, отн - отношение наибольшего значения коэф­
фициента усиления напряжения к наименьшему его значению при
изменении входного напряжения в заданных пределах .
.
Коэффициент гармоник Kr - отношение среднеквадратическоrо
напряжения суммы всех, кроме первой, гармоник сигнала к средне ­
квадратическому напряжению первой гармоники .
Коэффициент нестабилы-юсти по напряжению Кис, и - отноше­
ние относительного изменения выходного напряжения (выходного
тока) микросхемы к вызвавшему его относительному изменению вход-­
lЮГО напряжения.
Коэффициент нестабильности по ,току Кнс 1 - отношение отно­
сительного изменения выходного напряжения' (выходного тока) ми­
кросхемы к вызвавшему его относительному изменению тока нагруз1ш
или сопротивления нагрузки.
-
. Коэффи циент
неравномерности амплитудно-частотной харак­
теристики (коэффициент неравномерности АЧХ) Кнр, Ач - отноше­
ние максимального значения выходного напряжения микросхемы к ми ­
нимальному значению в заданном диапазоне частот полосы пропуска­
ния, выраженное в децибелах.
Коэффициент подавления К под - отношение выходных напряже­
ний микросхемы, измеренных при различных управляющих напряже­
ниях, выраженное в децибелах.
ПРОЧИЕ ПАРАМЕТРЫ
Скорость нарастания ~ыходного напряжен~я vu вых - скорость
изменения выходного напряжения микросхемы при воздействии им­
пульса максимального входного напряжения прямоугольной формы .
Крутизна вольт-амперной характеристики S В - А - отношение
силы выходного тока к вызвавшему его напряжению входного сиг­
нала1.
Крутизна пееобразования Sпрб - отношенйе . выходного тока
смесителя к вызвавшему его приращению входного напряжения при
заданном напряжении гетеродина.
Коэффициент объединения по входу Коб - число входов микро­
схемы, по которым реализуется логическая функция .
Коэффициент разветвления по выходу /(рnз - число единичных
нагрузок , которое можно одновременно подключить к выходу микро­
схемы 2 • (Единичной нагрузкой является один вхdд основного логиче ­
ского элемента данной серии интегральных микросхем.)
Коэффициент объединения по выходу Коб , вых - число соединяе­
мых между собой выходов интегральной микросхемы, при котором
обеспечив_ается реализация соответствующей логической операции 1 •
' Термин и обозначение ГОСТ 18683-73, 19480-74 и 19799-74 не уста~
новлеяы.
2 В таблицах разд. 2 настоящего справочника указаны максимальные
вначения Краа' если иное не оговорено АЛЯ интегральных микросхе м отдель­
ных типов.
36

Сопротивление нагрузки Rн - значение активного сопротивле­
ния, подключаемого к выходу интегральной микросхемы , при I<ОТО­
ром обеспечивается заданное значение выходного напряжения (выход•
но го тока) или заданное усиление.
Е,1tкость нагрузки Сн - максимальное значение · емкости, подклю•
чен ной к выходу интегральной микросхемы, при котором обеспечи­
ваются заданные частотные и иные ее параметры .
Пара,11етры диодов и транз исторов, входящих в микросборки
(н аборы диодов и транзисторов), обозначаются в справочнике симво­
ла ми, установленными для этих полупроводниковых приборов соответ• .
ствующими Государственными стандартами СССР.
:

РА~дЕЛ ВТОР'оЙ
СПРАВОЧНЬIЕ ДАННЫЕ
ЦИФРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ1
СЕРИИ 104 И К104
Тип логики: ДТЛ,
Состав серий
1НДО41, К!НДО41-диодная сборка трехвходовая
1НДО42, КIНДО42-диодная сборка четырехвходовая.
1НДО43, К1НДО43-2 трехвходовые диодные сборки.
1НДО44, К!НДО44-4 четырехвходовые диодные сборки,
1ЛИО41, К!ЛИ041-элемент 2И с возможностью расширения по И.
1ЛИ042, К!ЛИ042-элемент ЗИ с 1юзможностью расширения по И,
1ЛИО43, К!ЛИО43-элемент 4И с возможностью расширения по И,
1ЛИ044, К!ЛИО44~2 элемента ЗИ с возможностью расширения по И ,
1ЛИО45, КIЛИ045-2 элемента 4И с возможностью расширения по И.
1ЛБО41, КIЛБО41-элемент И-НЕ с возможностью расширения по И
или или.
1ЛБ043, К1ЛБО43-элемент ЗИ-НЕ с возможностью расширения по
ИиИЛИ,
1ЛБО44, КIЛБО44 -элемент 4И-НЕ с возможностью расширения по
ИиИЛИ,
Корпус прямоугольный стеклянный 401-14-1. Выводы: общий · - 12,
1HДOLf1; К1НДОL/1
~_(
88,.
Е В!/
1 В этом разделе наряду с термином «логический элем_ент:, . nрим_ен яется
сокращенное наименовани.е - «элемент».
•
1
О
В настоящем разделе параметры Ивых;• Ивь~J<, Ип, ст, Краз; К 05 указаны
в диапазоне рабочих температур микросхем, остальные параметры указаны
для температурЬ/ 259 С.
38

2 1НДО'13;1<1НДО'1·3
1
Xf2 88
XzJ
11:J ц.
9
:;:о88
:Х511 ,
1
8
1ЛИО!./Ч; К1ЛИОЧ'I
6 +Uи.п
Х1
Xz
XJ
:Cq
Х5
rI:5
Х7
rrв
1
Yt
Е ВYz
1лпм2; К1ЛИО!./2
5
1ЛИО!./5; К1ЛИ0'+5
,39

·40
'в
5
.
9
t9
8
9
10
11
8
9
1!1
11
7
8-
+и..,1
6
+u;_. 1 ·
G
и,.п1
6
5
5
ц
12 Общ.
-и•. пz
1ЛБОЧZ; К1ЛБОl/2
+Uн.nJ
J'
2
!/ЛБОЧJ,' К1ЛБ0.1/3
+Uн.nJ
J'
2
:r1
Zg
tJ' У1
ZJ
-zч
Z5
ц
12 Общ.-
-и•. пг
1ЛБОЧЧ; K1ЛБOl/-lf.
J'
2
1J'
ZЧ
13 !/1
:r.s
:r6
11
Uи.nll
12 Общ,

Таблица 2-1
Обозначение параметра 1
1НДО41-' КIНДО41-1 1ЛИ041-
1
К!ЛИ041-
1НДО44
К1НДО44
1ЛИ045
КIЛИ045
Ии. п, В*
+6,3
+6,3
Ивх, обр, .макс, в
4,5
4,5
4,5
4,5
Ипр, В**
0,60-0,85 0,55-0,90 0,60-0,85 0,55-0,90 ·
/ обр, мкА, не более
10
10**
/~х' мА; не более
1,7
2,2
• Доnу с1<а емое о т1 <л он ен ие ±10%, Положительны!! полюс источника пита­
ния подключается к выводу 6 микросхем 1ЛИ041-1ЛИ043, КIЛИ041-
КIЛИ043. или к . выводу 13 микросхем 1ЛИ044, 1ЛИ045, КIЛИ044, КIЛИ045.
• • Для входных диодов.
Таблица 2-2
Обозначение параметра .
1ЛБ041-1ЛБ044
КIЛБ041-К 1ЛБ044
Ии. ni, В*
+6,3 (6)
+6,3 (6)
Ии"п2, В*
-2,4(4).
-2,4 (4)
Ии. пЗ• В*
+з,о (2)
+з,о (2)
Рпот, мВт, не более
18
18
и~ых' В, це менее
2,6
2,6
И&ых• В, не более
0,5
0,5
fl ,О
зд' нс, не бот~е**
20
130
fO,l
эд' нс, ' не более**
110
170
Иобр, вх, в, не более
4,5
4,5
1ix, мА, не более
1,7
2,0
Vп, ст, В, не менее
0,5
0,5
Краз
5
5
• Допускаемое о т1< .11 оне ние ±10%; в скобках у1<аqан номер вывода, к ко,
торому подключается соответствующее ·напРяжение питания.
•• При С8 =50 пФ.
.
41

СЕРИИ 106 И К106
Тип логики: ТТЛ.
Состав серии
1ЛБО61, 1ЛБ061А,}
IЛБО62 lЛБОб2А -2 элемента ЗИ-НЕ с возможностью расшире-
I(IЛБО61: К!ЛБ062' ния по ИЛИ.
!$:IЛБ063, К.1ЛБО64 -2 элемента 2И-НЕ с возможностью расшире­
ния по или.
1ЛБ06б, lЛБОббА, -элемент 8И-НЕ с возможностью расширения
lЛБ065, 1ЛБ065А,}
ЮЛБО65, ЮЛБО66 по ИЛИ.
I(lЛБО67, ЮЛБО68 -элемент 6И-НЕ с возможностью расширения
по или.
К.1ЛБО69, КlЛБО610 ..;.элемент 4И-НЕ с возможностью расширения .
по или.
1ЛБО611, IЛБО611А -4 элемента 2И-НЕ.
1ЛБО6t2, 1ЛБО612А -4 элемента 2И-НЕ с открытым коллекторным
выходом.
1ЛБ0613, 1ЛБ0613А -3 элемента ЗИ-НЕ.
1ЛБ0614, 1ЛБО614А -2 элемента 4И-НЕ с повышенным коэффи­
циентом разветвления.
1ЛП061, IЛПО61А; }
!ЛП062, 1ЛП062А; -восьмивходовый расширитель по ИЛИ.
I(IЛПО61, ЮЛП062
•
ЮЛП063, ЮЛПО64 -шестивходовый расширитель по ИЛИ.
1ЛПО65, 1ЛП065А;}
!ЛП066, 1ЛПО66А; -2 четырехвходовых расширителя по ИЛИ.
К!ЛПО65, К!ЛП066
КIЛПО67, I(lЛПО68 -2 трехвходовых расширителя по ИЛИ.
IЛРО61, 1ЛР061А,}
1ЛРО62 lЛРОб 2А -элемент 4~4И-2ИЛИ-НЕ, расширяемый по
ЮЛРО61: ЮЛР062' ИЛИ.
ЮЛР063, I(IЛP064 -элемент 2-2И-2ИЛИ-НЕ, расширяемый по
или .
•
1ЛР065, 1ЛР065А, }-2 элемента 2-2И-2ИЛИ-НЕ, один с расшире-
lЛРО66, 1ЛР066А
нием по ИЛИ.
1ЛРО67, IЛР067 А, }.
IЛРОбВ, IЛРОбSА -2 элемента 2-2И-2ИЛИ-НЕ.
1ЛРО69, 1ЛР069А, }-элемент 2-2-2-2И-4ИЛИ-НЕ, расширяемый по
IЛРОб!О, IЛРОб!ОА ИЛИ.
•
1ЛРО61 l, lЛP0бl lA,}
lЛРОб! 2 , IЛP06l 2A -элемент 2-2-2-2И-4ИЛИ-НЕ.
lТРОб2 lТР0б2А -RS-триггер с элементами ЗИ-НЕ на входе,
1ТР061, lТРОб!А, }
.
КIТРО6!: - К.1ТРОб 2 , . расширяемыми по ИЛИ.
1ТРО63; 1ТРОбЗА, } • RS-тр~гге,р с элементами на входе 2И -НЕ,
ЮТРО63, ЮТРО64, -
1ТРОб4, Ю ТРОб4А расширяемыми по ИЛИ.
1ИС061А
-сумматор двухразрядный.
1ИРО61А
-
регистр восьмиразрядный nоследовательный.
42

Корпус прямоугольный стеклянный 401,14-1. Выводы: общий -
11;+Ии•n- 4.
Напряжение питания всех МЩ{росхем серии Ии.n = +5 В± 10%,
9
1ЛБО61;1ЛБО61А; 1ЛБовг; 1ЛБО62А;К1ЛБО61;1<1ЛБО62
8
:х6 11/-
8
:Х7 1
.:в 2
:Xg13 А
J:10! в
J<1ЛБО63;К1ЛБО6'1
':r:1 6
8,
•J:2 7
••J:39
А
:r:ч5 в
3:5 1
:I:5 2
8
:Х71J А
:J:eJв
10•
Y·t
12 Yz
10 !11
12 Yz
43,

44
,
1 1ЛБО65;1ЛБО65А; 1ЛБО66; 1ЛБО66А ; 1<1ЛБО65,' 1<1ЛБО66
2
8,
J
11/-
1
9
13
9
:xg1J А
&10g 8
К1ЛБО67; К1ЛБО68 .· ·
:&713 А
:сЬ9 в
К1ЛБО69; К1ЛБО610
8
4
:&1 1
+Uнл
:cz z
:C;s 6
:с7
ч.
11
J:513 А
ОО'щ-
:r69 в
1О У1
8,
10 Yt

1ЛБО611;1ЛБО611А ·
J
8
:t:1 1
8,
:t:2 z
• JУ1
:хJб 8,
:Хц 7
5Yz
:r5 9
8,
в·
:Х5 10
YJ
:х1 1Z 8,
:х8 13
.J:!_Уц
§111'f
Orfщ.
1ЛБО612; 1ЛБО612А
J
8
JУ1
8,
1'f
Уч
11
5 1'f
Orfщ. .
45

46
1ЛБО613; 1ЛБО611А
'1
+Uн.п
Xf1
Xz2
J !11
J
5
1:r
11 Общ.
XJ 1'1
Xq6
8,
Х57
Х58
1ЛБО61'1•;1ЛБО61'IА
'1
+Uи. п
:ц1 8,
.rz 12
;;tJ 1J
2
{);1/ 1'1
8,
.'
:J:5 6
U:5 7
:&7 8
•;,;8g
10\
·t
. !J1
10 !1.
2,

5
6
7
в
1Ч
г
5
6
7
1
2
3
•1лпов1;1лпов1А;1Лпов2;1лпов2А;к1Лпов1;к1лпов2
ч
А13Yt
в9!Jz
',
К1ЛЛО63,' К1ЛПО6'1-
г------. -+-Uи-.п l/-
81
А 13!Jf.
В 9!JZ
1ЛПО65; 1ЛПО6БА; 1ЛПО66; 1ЛПО66А;J<1ЛПО65; К1ЛПО66
8(
J/.
А 13!11
1Z!JZ
47

1
1<1ЛЛОВ7,К1ЛПОВВ
2
13
J
-
q.
+U,,. n
.
5
6
1
7
1ц 1ЛРО61; 1ЛРО61А; 1ЛРО62; 1ЛРО62А;К1ЛРО61; К1ЛРО62
q.
.
+Uи.п
:rg13 А
11
:Х10 .9 в
оtщ.
1
К1ЛРО63," К1ЛРО6'f
2
8,1
:Х7 1
a:z 2
8,
:Х3 6
.Сц 7
6
7
а: 13
5
А
13
Х59 в
9
48·
10 ••
Yt.
10 У1

1 1ЛРО65;1ЛРОВ5А; 1ЛРО66;1ЛРО66А
13 11/-
~(
1ЛР067;1ЛРО67А; 1ЛРО68," 1ЛРО68А
13 11/-
98
49:.

50
1ЛРО69;1ЛРО69А;1ЛРО610;1ЛРО610А
З5
98'
Х7
Х9
Q(щ.
:tg
lrto 1
1ЛРО611;1ЛРО611А; 1ЛРО612;1ЛРО612А
З5
S .ll

1ТРО61; 1ТРО61А; 1ТР062; 1ТРО62А; J<1TPOS1;J<1TPOG!!
..---...-----,-+-Ц
+Uи.п
:,.:1 6
:r:z 7
:r:;s 8
А
в
:rgJ' А
.x10 _1J 8
1ТРО63; 1ТРО63А;1ТРО6'1; 1ТР06ЧА;К1ТР063; K1ТP06ii'
~-------'i
+U11.n
Ж.168Т
•Жz7s
Ж35 А
11мщ.
·.х11 9 в
:&5 11/- 8
:,.:6 1 R
:t7;r А
жв13' в
10Q
12 Q.
51

ел
t,:)
·•
1ИСО61А
1
1"
~
11
1
11
:r1 3
1s1μ111
:rz
2
:r:J- 1 ,ISzг-Yz
:rч 13
:r$.1iJ 1Pt-lJJ
х1 - вход сигнала переноса С0; х2 - вход числа В1; х3 - вход числа А1; х4 - вход числа В2; х0 -
вход числа А 2 ; у1 - выход суммы S1 ; у2 - '- выход суммы S2 ; Уз - выход переноса Р второго разряда. ·

ел
,,.,
1ИРD61А
/
с
x3E.__ l 1J2
8
13,
Q
1//-
ii

ел
""'
' Обозначение параме1ра
·u~ых, В, не менее
U~ых , В, не более
Рпот, мВт, не более
t~;Z, нс, н~ более
t~J, нс, не более
lзд, р, ер, н_с, не более .
/~х• мкА, не более .
/~х• мА, не более
Краз
Uп, ст, В, не менее
.- ,:
<O<D
С>С>
щщ
r:;r:;
2,1
0,4'
36
30
(1ЛБО61)
15
(1ЛБО61А)
60
(1ЛБ061)
30
(1ЛБО61А)
-
180
1,5
10
0,35
.<
_,,.,
""""
"'""
"'"'
"''""
С> С>
С> С>
"''°
С> С>
щщ
щщ
ЩЩ·
r:;r:;
r:;r:;
r:;r:;
:,:::,::
:,:::,:: '
2,1
2,1
2,1
0,4
0,35 0,35
14
36
14
100
-
-
(IЛБО62)
35
-
-
(1ЛБО62А)
100
-
-
(IЛБО62)
50
(1ЛБО62А)
-
50 120
180
150 120
0,6
1,5 0,6
10
10
10
0,35
0,3 0,3
Таблиц а 2-3
.<
.<
ф-r..:01
•·о
-·:::
'°"'-
"'"' <О <О<ОФ'
"'"'
<С>Ф
С>С>С>
С>С>С>
--
'°"'
"""'
"'"'
С> С>
с,О
щщщ
щщщ
С>С> •
щщ
щщ
r:;r:;r:; r:;e:;r:;
щщ
r:;r:;
r:;r:;
---.
r:;r:;
~~~ :,:::,:::,:;'
--
2,1
2,1
2,1
2,1
2,4
0,4
0,4
0,35 0,35
0,4
18
7,0
18
7,0
72
20
45
-
-
30
(IЛБО65) (1ЛБ066)
(1ЛБО611)
15
40
-
-
12
(1ЛБО65А) (1ЛБО66А)
'
(1ЛБ0611А}
100
45
-
-
60
(1ЛБО65) (1ЛБ066)
(IЛБО611)
35
40
28
(1ЛБО65А) (1ЛБ066А)
(1ЛБ0611А)
-
-
60 140
-
180
180'
150 120
80
1,5
0,6
1,5 0,6
1,5
10
10
10
10
10
0,35
0,35
0,3 0(3
0,35

Продолженш табл , 2-3
~~
~~
i~
_,,:
-<
'
-·" '
"""'
"'"'
"'"'
--
"'"'
С>С>
С>О
ц:,-
"'-
<Dц:,
"'"" ·
"'""
r:::r:::
r:::r:::
Обозначение параметра
С> :g
o:g
С>о
-
00
С>О
ww
ww
ww
r:::r:::
r:::r:::
i:;i:;
i:;i:;
S.5
ss
i:;i:;
i:;i:;
i:;i:;
--
:.:: .:
:.:: .:
и~ых ' в, не менее
-
2,4
2,4
-
-
-
-
и~ых, В, не более
0,3*
0,4
0,4
1,45
1,45
1,45
1,45
Рпот. , мВт, не более
72
54
70
' 6,0
3,0
-
-
t~jf, нс, не более
30
30
30
50
65
150
175
(1ЛБ0612) (!ЛБО613) (IЛБО611) (IЛПО61) (1ЛПО62)
15
12
20
·20
40
-
......
(IЛБО612А) (!ЛБО613А) (1ЛБ0614А) (!ЛПО61А) (!ЛПО52А)
tii, нс, не более
75
60
100
90
90
300
230
(!ЛБО612) (1ЛБО613) (!ЛБО614) (1ЛПО61) (!ЛПО62)
50
28
60
40
60
-
-
( I ЛБО612А) (1ЛБО613А) (!ЛБ0614А) (1ЛПО61А) (1ЛПО62А)
iзд, р, ер, нс, не более
-
-
.
-
1
-
-
-
-
/~х , мкА, не более
80
80
80
180
1 180
150
120
1ix, мА; не более
0,6
1,5
0,6
1,5
0,6
1,5
0,6 •
Краз
-
10
30
-
-
,...,.
--,
Uп, ст• В, не · менее
0,35
0,35
0,35
_
0,35
(),35
0,3
0,3
8)
• Выхо.1.1н·о11 ток / вых .;;; 16 мА.

Таблиц а 2-4
·<
-<
., ;,._
·оо
<D<D
~<D
:2~
<D <D
оо
оо
<D <D
i:::t::
i:::i:::
Обозначение параметра
00
00
l::i:::
i:::i:::
i:;i:;
i:;i:;
Si::
i:;i:;
--
-
--
:.:':.:' .
:.: ':.:'
и~ых' в, не менее '
-
-
-
-
uiыx, В, не менее
1,45
1,45
1,45
1,45
Рпот, . мВт, не более
12
6
-
-
t~;/, нс, не более
50
65
40
10
(1ЛПО65) (1ЛПО66)
20
40
(IЛПО65А) • (1ЛПО66А)
t~J, нс, не более
90
90
250
250
(1ЛПО65) (1ЛПО66)
40
60
(IЛПО65А) (1ЛПО66А)
tзд, р, ер, нс, не более
-
-
-
-
f~x, мкА, не более
180
180
150
120
/~х, мА, не более
1,5
0,6
1,5
0,6
Краз
-
-
-
-
Ип, ст, В, не менее
0,35
0,35
0,3
0,3
Продолжение табл . 2-4
.<
-<,
_,,,
.,.,..
<D <О
<D<D
.,;,._
""""
00
оо
<D <D
<D""
""""
Обозначение параметра
00
00
р.. р..
Р..Р.,
оо
Р.Р.
р..р..
i:;r:;
i:;i:;
р,.Р.,
i:;i:;
i:;i:;
:.:':.:'
~:.:'
i:;i:;
--
--
и~ых' в, не менее
2,1
2,1
2,1
2,1
2,1
uiыx , В, не менее
0,4
0,4
0,35 , 0,35 0,4
Р пот, мВт, не более
24
10
24
10
48
t~;?, нс, не - более
45
105
-
-
45
(1ЛРО61) (1ЛРО62)
20
35
(1ЛРО61А) (1ЛРО62А)
t~J• нс, не более
100
115 ~
-
-
100
(IЛРО61) • (1ЛРО62)
35
50
(1ЛРО61А) (IЛРО62А)
13д, р, ер, нс, не более
-
-
60140-
f~x, мкА, не более
180
180
15о 120 180
/~х, мА, не более
1,5
0,6
1,5 0,6
1,5
Краз
10
10
10
10
1О
Ин, ст, , В, не менее
0,35
0,35
0,3 0,3 0,35
'
56

Продолжение табл. 2-4
--<
<<
<<
<<
-
<-
Ос-.1
ОС\1
Обозначение параметра ФОО
lC~
<.ООО
0)-
О>-
--
--
ФФ
ФФ
фф
ФФ
ФФ
ФФ
ф(!)
оо
00
00
00
оо
00
00
а.о..
'1. о..
о.. о..
А. о..
о..о..
0..0. .
Р-. °'4
~~ ~~
~~
~~
~~
~~
i::;~
--
--
--
--
--
--
--
и~ых ' в, не менее
2,1 2,1 2,1 2,4 2,4 2,4 2,4
и~ЫХ'в,·'
0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4
не менее
-
Р пот, мВт, не более 20 48
20
38 38
19 19
[1,0 нс, не более ·
601530
45 15. во· 30
ЗД'
,,
t 0,1
зд' нс, не боле·е
105 30 50 100,, 40 105 50
i3д, р, ер, нс, не более -
-·
-
-
-
-
-
/~х' ~кЛ, не более 180 180 180 180 180 180 180
f
1ix'
мА, не более
0,6 1,5 0,6 1,5 1,5 0,6 0,6
Краз
-
10
10
10 -10
10
10
10
Vп, ст, В, не менее
0,35
1
0,35 .0,35 0,35 0,35 0,35 0,35
~
Таблиц а 2-5
./
<<
• <<t:
- ct:)
C'\1-<:t'
<ОС.О
Ф<D
Обозначение параметра
-ct:)
-ct:)
С'-1 -<:t'
C'\1-. ::t'
00
00
<.О <D
ФФ
<DФ
<D<D
о.. С)..
°'4 о..
00
00
оо
00
°'4 °'4
°'4 о..
о.. о..
~°'4
Е-➔ Е-➔
Е-➔ Е-➔
Е-➔ Е-➔
Е-➔ Е-➔
Е-➔ Е-➔
Е--< Е-➔
--
--
--
--
--
--
~~
~~
'
и~ых' в, не менее
2,1
2,1
2,1 1
_
2,1 2,1
2,1
ио
.
вых' в, не более
0,4
0,4
0,4
0,4 0,35 0,35
Рn от, мВт, не более
36
36
14
14
36
•14
fвх, МГц, не более
3,0
6,0
1,0
3,0
-
-
tзд, Р' нс, не более
80
45
100
80
50
120
/~Х' мкА, не более
180
180
180 . 180
150 120
/О·
ВХ'
мА, не более
1,5
1,5
0,6
0,6 - 1,5
0,6
Краз
9
9
9
9
9
9
иП, ст, В, не менее
._ Q,35 0,35 0,35 0,35
0,3
0,3
-57

Тип логики: МОП.
Состав серии:
СЕРИЯ К108
К1К:ТО81 -коммутатор на 6 каналов.
К 1ТК:081 - 2 двухступенчатых RS-триггера.
К 1ЖЛО81 - многофункциональный логический элемент.
К1ЛРО81 -2 элемента 3И-2ИЛИ-НЕ (кворум-элемент).
Корпус прямоугольный стеклянный 401.14-1. Выводы : общцй
-
1;Ии.п- 7.
Для всех микросхем Ии.п = -27 В -+- 10%.
"Электрические параметры микросхем l(IKTOSH
Напряжение коммутации ......... .
.
...
О+-10 В
Сопротивление открытого канала не более
Сопротивление закрытого _ канала не менее
Ток утечки вход- подложка не более ....
Ток течки выход - подложка не более
.
.
.
Обозначение параметра
КIЖЛО81
Р110т, мВт,' не более
100
/ пот, мА, не более
2,6
и~ых• В, не менее
- 9,5
и~ых, В, не более
- 0,7
/ ут, вх; мкА, не более
0,2
Ивх, А, В, не менее*
9,0
f вх, кГц, не более*
100
fO, l
зд- • мкс, не более
6,0
t~; . мкс, не более
6,0
Краз
10
КIЛР081
50
0,8
-22
- 1,0
0,2
9,0
100
11
3,0
10
0++10 В
250 Ом
20 МОм
0,2 мкА
0,2 мкА
Таблица 2-6
KITK08I
100
2,6
- 9,5
-0,75
0,2
9,0
100
10
• Для микросхемы KI TK08 l даны значени,r амuлитуды и частоты слело•
вания тактовых и~пульсов при Rн = 1 МОм и С8 = 60 пФ.
58

1<11<Т081
8
1
----------------------06щ.
К1ТКОВ1
12Sтт
3])
2
тт
V
5R
Способы включения микросхемы:
1J/-Q1
11 Q.1
вQz
J/- 7i.z
1) двоичный счетчик: соединены выводы 3 и 14, r, и /0, В и / /; 2) сдви­
говый регистр: соединень1 выводы !О и 14, 2 и 8; 3) RS-тpиrrep : соеди•
нены ВЫВО,!LЫ 1, 2 и 8,
59

1<1ЖЛО81
Электрическа.R
схема. 6а.зо8ого ,
элемента. НЕ
~~~:
ж_JlJ
Основная логическая функция, вЬшолняемая микросхемой К 1ЖЛO8 l
У= Х1Х2Х3Х4Х5Х6Х7ХвХо-'\о + (Х1Х2Х3Х4 + Х5ХвХ1Хв) Х9Х10 +
+ (Х1Х2Хз + Х4Х5Хв + Х7Хв) Xg + Х10 + (Х1Х2 + ХяХ4 +x!\xR + х,Хв) Х9Х10,
При подаче на соответствующие входы напfяжеиий U0 и (J1 и
при объединении некоторых входов микросхема выполняет следую­
щие логические функции:
60
l) Х9 = Х10 = 0 : У1 = Х2Х~Х4Х 0ХвХ7.\:g;
У2=Х1 + .i:z+Xя+ х, +.i:s+ x«+x,+xR;
2) Хв = О; X1.n = 1: У1 = Х1Х2ХяХ4 + _Х5ХRХ1Хв1
Yi=(X1 + Xz+ (1+ Х4) (х!\+ хв+х-, + tR):
3) Xg= 1; Xin=O: У1 =Х1Х2+Х3Х4+хsх ,, +х1хв:
У2=(Х1+\:2) (Хз+Х4) (х.+Хв) (Х7+Хв)i
'
•

4) Х9=Х10= 1: У1 =Х1Х2Хз+Х4Х5Хв+х1+хв:
У2= (i1+ Xz+ Х3} (Х4+Хб+ iв)X7Xs;
5) Х9=Х10; Х4=Хв: У1 = (Х1Х2Хз+хsхв+Х1Хв) Xg;
У2= (i1 +х2+iз) (x5+ia) Х7Хв+х9;
6) Х9= Х10; Хв = Q : У1 = Х1Х2Х3Х4Х5ХвХ7+Х9;
У2=(х1 +х2+х~+х4+х5+хв+х1) • х9;
; 7) Х9=Х7= 1 :у1 = Х1Х2+ХзХ4 +х5хв+хв+Х10;
У2= (х1+ i2)(iз+ Х4)(i5+ iв) Хвi10;
8) Х9= Х10; Х7 = 1 :У1 = Х1Х2Х3Х4Х5ХвХв + x;j;
У2= (i1 +х2+хз+х4+хs+хв+х8) х9;
9) х9= О; Хв = l :У1= (Х1Х2ХзХ4+х5ХвХ7)х10;
У2= (i1 +х2+хз+х4) (хs+хв+х1)+х10;
10) Х9=0; Х4=Хв :у1=(Х1Х2Хз+Х5Х5Х7)Х4Х10;
У2= (i1 + х2+ iз) (х5 + хв+ i1)+ х4+Х10;
}l) Х10=1; Х7= 1:У1= X1XzX3X4+ Х5Х5Х9+х9;
У2= (i1 +х2+хз+х4) (х 0 +.хв+х8) х9;
12) Х1о = O; Хв = l :у1=(х1х2 .+хзх4+х5хв+х7)х9 ;
У2=(i1+ i2)(iз+ Х4)(xr, + Хв) Х7+ х9;
13) Xg=Xнj; Х7=O: У1 =(Х1Х2Хз+Х4Х5Хв+хв) Х9;
У2 = (Х1 + х2+Хз) (х4 +хs+хв) Хв+х9;
14) Хв = Х2; Х10 = О; У1 = [х1х2+Х3Х4+хв (х5+Х7)] Хо;
У2= (i1+Xz) (Хз+Х4) Хв+Х5Х7+Х9.
'1<1ЛРО81
:r,.. ;, .____
:Е '-':'----,
:r
:r:ц
:r5
,
:r5
:r7..: .: ....;::;:::;:_- 1
5
11:9, ...... ____ .
.._ _ .. .,_ _ _,.. .. .....;..1 Оfщ.
61

СЕРИИ 109 и К109
Тип логики: ДТЛ.
Состав сери й:
IЛИ091, К!ЛИО91А, }
1(1ЛИО9 1 Б
-
элемент 6И для работы на низкоомную
нагрузку.
IЛБО91А, 1(1ЛБО91А, }
1ЛБО9! Б, ЮЛБО91Б,
IЛБО91В, ЮЛБО91В,
1ЛБО91Г, КЩБО91Г
IЛБ092А, ЮЛБО92А, }
IЛБО92Б, К!ЛБО92Б,
ЮЛБ О92В, К!ЛБО92Г
IЛПО91, 1(1ЛПО91
-элемент ЗИ-НЕ с расширением по И.
-элемент ЗИ-НЕ с повышенным коэффи­
циентом разветвления и расширение м по И.
-2 трехвходовых расширителя по И.
Кор п ус прямоугольный стеклянный 401 .14-1.
, Параметры интегральных микросхем 1ЛПО91 и 1(1ЛПО9Н
Ипр(приlпр"-=1мА) ....... ,
.
, .. . ....... 0,7-0,85 В
lобр (при Ивх обр=5,25В)неболее
..
, , ... 1,5мкА
62
1ЛИО91; К1ЛИО91А; 1<1ЛИО91Б
11./
::r:1 1
_
::r:z г
:r:3 3
ц.
5
6
7
--------Оt!щ. . ·
8
.
!lt

1ЛБО91А -1ЛБО91Г; К1ЛБО91А-К1ЛБО91r
.
6
+иип2 :ч 9
8,
5•
+Uи.п 1 xz 10
J:3 12
:! У1
3
Хц8Е
l/-
----Оащ. .
. ( 1ЛБО92А;1ЛБО92Б; К1ЛБО92А-!<.1ЛБО92Г
;
6
.._+U/f,П1
Х19
8, 1>
••Xz10
_х3 ~2
J
У1
9
Х48Е
10
3
12
8
lf
Общ.
. 1ЛПО91; К1ЛПО9 1 . •
1
~
13
1
Х1
11/-
Х2
12
·хз
•,
8, 8,
1
13
Е
'12
·,::,
11/,
I
У1
'8
.
~
7
1
Х4
9
Х5
'10
_
XJi
7
8, 8,
8
Е
10
9
-
.·-.
1
..
Уг.
63

о,
Таблиц а 2-7
""'
Обоэна~ение параме1ра 1 1ЛИ09\
1
КIЛИ091А,
1
1ЛБ09\А,
1
КIЛБО91А,
1
1ЛБ092А, 1ЛБО92Б,
К1ЛИ09\Б
1ЛБО91Г
К1ЛБО91 Г
КIЛБО92А - К1ЛБ092Г
1
.ии.пi• в•
1•
5,0±10% (14)
1
5,0±5% (14)
3,0±10% (5)
3,0±5% (5)
UИ. П2' в•
-
-
5 ,0±10% (6)
5,0±5% (6)
15±5% (К1ЛБ092А, К:1ЛБ092Б ,
.
КJЛБ092В, К:1ЛБ092Г)
5±10% (1ЛБ092А., 1ЛБО92Б}
U~ых, В , не менее
2,45
2,4
2,5
2,5
2,5
uii,ix• В, не более
0,35 .
0,4
0 ,35
0,4
0,4
i ix, мкА, не более
5,0
5,0
1,5
1,5
1,5
_
Iix, мА, не более
1,6
1,6
1,3
1,5
1,5
Краз
,
12
12 (К:1ЛИО91А}
5 (1ЛБ091А)
ii (К\ЛБО9iА}
16 (1ЛБО92А, К:1ЛБ092А,
10 (К1ЛИ091 Б}
4 (1ЛБ091Б}
4 (К:1ЛБО91Б}
К!ЛБ092В}
3 (IЛБ091В}
3 (К:IЛБО91В}
12 (1ЛБО92Б, К:1ЛБ092Б,
2 (1ЛБ091Г) .
2 (К!ЛБО91Г)
К1ЛБ092Г)
Коб
6
6
6
6
6
t~д°, нс, не более
50
75
30
40
40 (1ЛБ092А, 1ЛБ092Б)
60 (К\ЛБО92А, К1ЛБ092Б,
'
К:1ЛБО92В, К1ЛБО92Г)
tii{ , нс, не более
55
90
70
80
40 (1ЛБ092А, 1ЛБ092Б)
100 (К:1ЛБ092А, К!ЛБО92Б,
К1ЛБО92В, К1ЛБО92Г)
Uп, ст' В, не менее
1
0,4
0,3
0,3
0,3
0,3
.• В скобках указаны номера выводов, к кото.рым подключаются положител1>ные полюсы источнцков питания ,

СЕРИИ 110 и Kl 10
Тип логики: РЕТЛ,
Состав сер11й:
IП(I0!A, IТКIО!Б, КIТК\О!А
IТЮО2А, · IТЮО2Б, ЮТЮО2~
1ТI(102В, IТЮО2Г, Ю ТЮО2В
1ТК102Д, 1ТК102Е, ЮТК102Д
ЮИЛ!О!А, IИЛ!ОIА, !ИЛ!О!Б
IЛБIО!А, lЛБIО!Б, ЮЛБIОIА
1ЛБ102А, 1ЛБ102Б, ЮЛБ102А
1ЛБ103А, IЛБIОЗБ, ЮЛБ IОЗА
1ЛБ104А, IЛБ104Б, ЮЛБ104А
1ЛБ105А, 1J!Б105Б, ЮЛБ105А
IЛБ105В, IЛБ105Г, ЮЛБ105В
IЛБ!О6А, IЛБ106Б, ЮЛБ106А
1ЛБ106В, IЛБ106Г, ЮЛБ106В
1ЛБ107А, IЛБ107Б, ЮЛБ107А
1ЛБ107В, ·1лБIО7Г, ЮЛБ\07В
1ЛБIС8А, 1ЛБIG8е, 1(1ЛБ108А
3 п/.р Тарабрина Б. В,
-
RSТ'триггер с импульсно-по­
тенциальным управление1.1,
-
RST-тpиrrep с эмиттерными по­
вторителями на выходах 8 и 9..
-
RST-тpиrrep с эмиттернь1ми по­
вторителями на выходах 8 и 9
и нагрузочными резисторами на
выходе эмиттерного повторите­
дн:5 кОм на-выходе9и22 кОм
на выходе 8.
-
RSТ-триггер с эмиттерными по­
вторителями и нагрузочными
резисторами эмиттерных · повто­
рите.пей: 22 кОм на выходе .9 11
5 кОм на выходе 8.
-
полусумматор.
-
элемент 6ИЛI1-НЕ.
-
элемент ЗИЛИ-НЕ.
-
элемент 4ИЛИ-НЕ.
·-
элемент 5ИЛИ-НЕ.
-
элемент 6ИЛИ-НЕ с эмиттерным:
повторителем на выходе 9.
-
элемент бИЛИ-НЕ с эмиттер­
ным повторителе!,! на выходе 9
и нагрузочным резистором 5 кОм
на выходе эмиттерного повтори­
теля.
-' -- элемент ЗИЛИ-НЕ с эмиттерным
повторителем на выходе 9.
-
элемент ЗИЛИ-НЕ с эмиттерным
повторителем на выходе 9 и на­
грузочным · резистором 5 кОм
на выходе эмиттерного повто­
рителя .
-
элемент 4ИЛИ-НЕ с эмиттер­
ным повторителем на выхо~е 9.
-
элемент 4ИЛИ-НЕ с эмиттер­
ным повторителем на выходе 9
и нагрузочным резистором 9 кОм
на вьiходе эмиттерного повто­
рителя.
-
элемент 5ИЛИ-НЕ с эмиттер­
ным повторителем на выходе 9.
65

IЛБ 108В, IЛБ 108Г, J(JЛБ !08В ,.;. . элемент 5ИЛИ-НЕ с эмиттер•
ным повторителем на,_ .выходе 9
и нагрузочным резис:Гdром 5 кОм
на выходе эмиттtрiюrо noвto- ,
рителя.
IЛБ109А, 1ЛБI09Б, _ К!ЛБI09А . - 2 элемента ЗИЛИ-НЕ.
IЛБ IOIOA,: IЛБIОIОБ, КIЛБ IOIOA - элемент 2ИЛИ~НЕ и элемент
НЕ.
IЛБIOIIA, IЛБ!Оl!Б, ЮЛБIО! !А - 2 элемента 2ИЛИ-НЕ .
IЛБ1012А, 1ЛБ1012Б, К!ЛБ1012А - элементы ЗИЛИ-НЕ и 2ИЛИ-
НЕ.
•
IЛБIОIЗА, IЛБ!ОIЗБ, К!ЛБIОIЗА- элемент 2ИЛИ-НЕ.
IЛБIOI4A, 1ЛБ1014Б, К!ЛБIОI4А _:_ элемент 2ИЛИ-НЕ с эмиттер•
ным повторителем на выходе 2.
1ЛБ1014В, I'ЛБ1014Г, К!ЛБ 1014В - элемент 2I-ЩИ-НЕ с эмиттер­
ным повторителем на выходе 9
и нагрузочным резистором 5 кОм
на выходе эмиттерного повтори,
теля.
IЛНIOIA, • шн101 Б, ЮЛНIОIА
-
элемент НЕ.
IЛН102А, 1ЛН102Б, К!ЛН102А'
IЛН102В, 1ЛHI02F, К!ЛН102В
lЛНIОЗА, IЛНIОЗБ, К!ЛНIОЗА
-
элемент НЕ с эмиттерным по­
вторителем на выходе _9 .
-
элемент НЕ с эмиттерным по­
вторителем на выходе 9 и на­
грузочным· резистором 5 кОм на
выходе эмиттерного повторителя .-
-
2 элемента НЕ.
Корпус прямоугольный стеклянный 401.14 -1 . Выводы: +Ии . п
-3; общий - 7.
Напряжение источника питания всех микросхем Ии.п = 3В-+­
± 10%.
1Tl<101A; 1Тl<101Б; i<1Tl<101A
з
+Uи.11 :z:/2
т
V
10
6
:rz1s
6Q
1
5
:z:зц т
10Q
:z:ч5 R
ц
7 OIJ'щ;
z
66

1,ТК102А;,t,Т/(102Б~ К1ТК10?А,
,'•;
2-v
6-
6
Q1
1$· 10Q1
ч
8-
т
Qz
5
5
9 Q.z
R
2
1тк102в; 1тк102г;к1rк102в
:гVт
6
6Q1
s
'
10Q1
:,_·.
ц
т
8Qg-
5R
9-
Qz
2
1ИЛ101А; 1ИЛ101Б; К1ИЛ101А
3
+Uи.п
а:11
8.
У1
:&z z
в !jz
:Х3 ц
s
U:y 5
Pz __10 Us
'
. .а.·--~ ....
Общ.
'
12
7
8
ц
5
1ЛБ101А; 1ЛG101Б;'f<11761{)1А
З+а
8 IUJ:&11 1
7
:cz z
Offщ.
:с3 ·1/-
8Ut
:&у 5
:&5 б
:J:6 10
12
81/-510
З•
67J. ,

1ЛБ102А; 1ЛБ102Б; J<1ЛБ102А
1
2
5
1
z
'f
5
1ЛБ10'f(А,Б); К1ЛБ1D'lд,
J +ии.п 1
1
8-
.r:1
.r:z 2
7
11:;rЧ-
8 !11
ОD'щ. :rч 5
ll:5 6
1-2
6
'f
5
1ЛБ105А; 1ЛБ105Б;К1ЛБ105А
J
.п:t:11 1
':rz z
81:11
:&;r 1/,
щ. :rч5
g !lz
:r5 6
11:6 10
1z6ц510
68
(:'

z
1ЛБ105(8 Г) ·1<1Л-.
,
'
51058
1
5
1ЛБ106В; 1ЛБ106Г; К1ЛБ1068
J
:r1~1
.
,
g
~zZ
Yf
:Х3 S
9 !Jz
5
1ЛБ107(А 51.
•
',,,,К1ЛБ107А
J.
+Vи.п :;~
11
g
:r3 J
!/f
:rц
•
9
11
Ur
1/, •
5
69

'10
1ЛБ107(Ь,Г) ;1(1ЛБ1078
.....,..,__-=-:+d,:;~1
.1.
•в у1
Х3J
9
в :1:ч l/-
Yz
--- --
7 Общ.
'
1
2q.
5
в·
.
!lz
12
6J/.5
1
1ЛБ10В(В,,Г); К1ЛБ1088
.....---.---..----.-....с::::э-._::.3 +U, .,n
9
26q.5
7
Х11. 1
xz2
Х:5 l/-
.Хч 5
Х56,
06щ. XIJ l/- 1
а:5 5
Xq10.
126
l/-
.
510
ВУ1
9Yz
9
Yz

п1//Б1й1ОА; 1ЛБ1O1()Б,' 1<1ЛБ1O10д
1
г
5
1ЛБ1011(А,Б) ;К1ЛБ1011А
J +и,.-"
:r:1 1
8
9
:r:z г
Yt
7мщ. :r,// .
9 !Jz
. :r:ч5
.1
2
q.
5
1ЛИО12(А,Б); К1ЛБ1012А
J
+Un.n
:r1
1.1
9.•
:r:z z
ВУ1
.:r:J. 6
7
otfщ .
в !lz
12
6
q.
1ЛБ1013(А,Б);К1ЛБ101JА
J +U,ц,
IX1±=[]-if
.
8
•:xz 5
.
8 !11
7 Otfщ.
μ1
6
п

1
72,.
1ЛБ101'1-(А,Б); 1<1ЛБ101'1-А
3 +Uи.п ~
Х11 1
• 1/11
-----к:11-+-.,---9
Xz5
,9112
- ---~8
5
1ЛБ101'1-(8_,Г} ;1<1ЛБ101'1-8 •
___ __
J +и.,.п
9
8
Х1~-У1
Xz~ifZ
1ЛН102(А,Б), К1ЛН102А
3
+U,.n u18 Yt
:Xf 1
Q
о--+-к,--9 ·
"Yz
---,-в
7
Общ.
1ЛН102{8,Г}, К1ЛН1028
• 1ЛН103(А,Б} ,К1ЛН103А
3
7
Общ.
aJ~:x~
-1
8
1
Yt
9
:х25 1 9У2
n ш,,
v~т '

О боэначенне пара_метра
I(IИЛIOIA
Р цот• мВт , не более
5,0
ltx• мкА**
28- 48
Иgых, В, не более **
0;25
и~ых• в, не менее
2,4
lвых• мА
-
t311 , р, ер, нс, не более
450
Краз
5 (8)***
4 (6; 10)***
Ип, ст• В, не менее
1
0,2
Каб
-
KIЛБIOIA, КIЛБ102А,
К\ЛБIОЗА, КIЛБ104А,
КlЛБ!ОlЗА, KlЛHI O lA
2,5
28-48
0,25
-
-
-
450
-5
0,2
.1
'6
• В скобках указаны номера в ывод са м икl?осхемы,
• .• Для МС, открытой по одно му входу,
КIЛБ105А , КIЛБ106А,
КIЛБ107А, К!ЛБl08А,
К1ЛБ1014А , К1ЛН102А,
КIЛБ105В, КlЛБ!ОбВ,
КlЛБ\07В, К1ЛБ108В,
КIЛБ1014В, КIЛН102В
8,0
28-48
0,25
-
1,2
450
5 (25)***
0,2
6
~•
••• В скобках указаны допускаемые значения Кра з при низких частотах перек лючения .
Таблиц з 2-3
КIЛБ109А , l<IЛБIOIOA,
KIЛБlOllA, К1ЛБ1012А,
КIЛНIОЗА
5,0
28 -48
0,25
450
5
0,2
3

~,j>.
Обозначение параметра
Рпот, мВт, не более
U~ых, В, не более
UJыx• В, не менее •
fвх, кГц
Itx, уст• мкА *
lвx,c(Sp, мкА**
l вых, мА, не менее
Краз
Ип, ст, В, не менее
*ПовходамRиS.
•• По входу V.
lTI<!0IA, .!ТК.!ОIБ,
ЮТК.101А
2,5
0,25
2,4
300
,:
33-53
28-'- -48
-
4
0,2
•• • В скобках указано "опустцмое значение К раз пра низких частотах переключения.
Таблиц а 2-9
1ТК.102А, 1ТК.102Е,
К.1 ТК.102А, I<l ТК.102В,
К.1 Tl(l02Д
8,0
0,25
2,4
300
33-53
28-48
1,2
5 (20) ***
0,2

Таблица 2-10
\ЛБ\05В, 1ЛБ105А,
IЛБIОбА, IЛБ107А,
.
\ЛН!ОIА, IЛБIО!А,
IЛБ108А, 1ЛБ1014А,
IЛН102А, ЦIБ105Б,
IЛБ109А, IЛБI0I0A
IИЛI0IA,
IЛБ102А, IЛБIОЗА,
\ЛБ105Г, IЛБ!ОбВ,
IЛБI0IIA, IЛБ1012А,
Обозначение пара метра
!ЛБIQ4А, IЛБIОIЗА,
1ЛБ106Б, IЛБ!ОбГ,
IИЛIОIБ
1ЛБ104Б , IЛБIОIЗБ,
IЛБ107Б, 1 ,ЛБ107В,
IЛН\ОЗА, IЛБ109Б,
IЛHI0IБ, IЛБIОIБ,
IЛБ107Г, 1ЛБ108Б,
!ЛБIОIОБ, IЛБI0I IБ,
IЛБ102Б
1ЛБ108В, 1ЛБ108Г,
1ЛБ1012Б, ' 1ЛНIОЗБ
IЛБ1014Б, IЛБ\014В,
1ЛБ1014Г, IЛН102Б,
IЛН102В, 1ЛН102Г
Рпрт• мВт, не более
16
13
13
·s,o
l~x• мкА
f
28-48
28-48
28-48
28-48
.
и~ых• В, не более
0,25
0,25
0,25
0,25
И~ых• В, не менее
2,4
..,,...
-
-
l вых• мА, не более
'
-
-
1,2
-
,
1
f3д, р, ер• нс, не более
450
450
, 450
450
Краз
4
5
5 (25)*
5
.
Ип, ст, В, не менее
0,2 ·
0,2
0,2
0,2
ё:;:1
• В скобках указано допустимое значение Краз при работе микросхем с nиз1щми частотами перек11ю•1еипя.

СЕРИИ 113 И К113
.
Тип логики: РТ Л.
Состав серий:
,,
IЛБ!З!, ЮЛБ!Зl -4 элемента 2ИЛИ-НЕ.
IЛБ132, ЮЛБ132 - 2 элемента 4ИЛИ-НЕ.
.
IЛБIЗЗ, КIЛБIЗЗ - элементьr 2ИЛИ-НЕ и ЗИЛИ-НЕ с повышенным
коэффициентом разветвления.
1ЛБ134, КIЛБ134 -элемент ЗИЛИ-НЕ . с повышенным коэффициен­
том разветвления.
1ЛБ135, }(1ЛБ135 ._ _ эJi еме нт
2ИЛИ-НЕ и 3 двухвходовых расшири-
теля по ИЛИ.
IЛCIЗI,. ЮЛС131 - эJiементы 4ИЛИ-И и 2ИЛИ-НЕ.
IИЛIЗI, КIИЛIЗI - полусумматор.
1ТР131, КПР131 -:-- 'RS-тpиrrep и элемент 2ИЛИ-НЕ
Корпус прямоуrоJiы1ый, металлостеклянный 401.14-2. Выводы:
общий - 14; +Ии.п - 9.
Для всех микросхем Ии.п = 4 В+ 10%.
1ЛБ1J1;К1ЛБ131
1J
12
11
10
1
1/- 5
67
в
1ЛБ1J2;!_(1ЛБ132
12
10
·
9
+Uи.п
11/-
Общ.
1·23lf567В
76
Х11
xz2
:чJ
хч 1/-
J:5 5
х56
Х77
:хв 8
1J
Yf
11·
у~
10Уг

1ЛБ133;Н1ЛБ1U
10
111
9
+и,.,_" :r:1 1 1 13
:rz 2
111
13
Х3 l/-
'
в
11 Yz
Хц5
z
1LI
2
06щ.
. 1ЛБ13'f,'1<1ЛБ13l/-
10
11
У1
1ЛБ135; !<.1ЛБ135
13
12
11
10
111Е13
2
11
Е12
11Е111
111- ·
в
Оащ. Х17 1
1
2J
1/. 5
67
в
;т;z в
10 !J
п

J
f
78
1лс1:и; К1ЛС131
12
11
10
1J
9
11
rc1 .
1:Jy
+Uил.2
.
f
:xz
x3J18
12Yz
хч q.
:&5 5
11YJ
1f/.
1
10 !Jq.
2 Оdщ.
:&5 б
,LJ.
'5
61
1ИЛ1J1;Н1ИЛ131
13__
·_12
__
~11___10
__
9 х1 _2'------1
23
J
q.
o-+-, _11/JJ
o-e- __ _
1_0Ylf.
RТ
11 Q,
12- ..
Q..

Таблица 2-11
·Обозначение параметра • 1 IJIБIЗI ЮЛБIЗI 1 1ЛБ132 11(1ЛБIЗ2
1
Рnот, ·мВт, не более
3,70
3,70
1,85
1,85
•/~х• мкА, не более
18,0
20,5
18,0
20,5
иgых• В, не более
0,20
0,22
0,20
0,22 ·
/Jых• мкА .
78-122 82-150 78-122 82-150
f3д, р, ер, нс, не . более
400
500
400
500
Ип, ст, В, не менее
0,15
0,15
0,15
0,15
К раз
4
4
4
4
/
Та·бл·ица 2-12
Обозначение параметра
IЛБIЗЗ
1
I(IЛБIЗЗ 1 1ЛБ134 r ЮЛБ134
Р 110т, мВт, не более
12,8
7,2 .
12,8
7,2
1ix' мкА, не более
8,0
8,0
8,0
8,0
и~ЫХ' в, не менее*
2,1
2,1
2,1
2,1
и~ых ' в, не более
0,55
0,55
0,55
0,55
I
и~ых • в, не менее
1,2
1,2
1,2
1,2
/~ых• мкА
70-122** 82-150** 4000
4000
t;;. нс, не более
400
500
400
500
Краз
50***
50***
50
50
Иn, ст, 1В, не менее
0,7
0,7
0,7
0,7
• Выводы 9 и .10 объединены,
• • no выводу 19.
:t *• По выводу 11,
·,
79

Таблиц.а 2-13
Обозначение параметра
·1
IЛБ\35 1 КIЛБ\35
1
\ИЛIЗ\ 1 КIИЛIЗI
1
Рпот, мВт, не более
0,93
0,93
3,70
3,70
U~ых• В, не более
0,20
0,22
0,20
0,22
f3 д, р, ер• нс, не более
400
500
400
500
/~ых• мкА
78-122 82-150 78-122 82-150
/~х• мкА, не более
18,0
20,5
18,0
20,5
/
Ип, ст, в. не менее
0,15
0,15
0,25
0,15
/(*
раз,
4
4
• Для микросхем КIЛБ\35 и КIИЛ\31 не регламентируется.
Таблица 2-14
Обоз,iачение параметра
!ЛС\31, \ТР\31
KIJJC\31, KITP\31
Рпот• мВт, не более
3,7
3,7
/~х• мкА, не более
18,0
20,5
U~ых• В, не более
0,20
0,22
fц, р, ер• нс, не более
400
500
1~ых• мкА
78-122
82-150
Краз
4
4
Ип, ст• · В, не менее
0,15
0,15
89

СЕРИИ 114 И К114
• • Тип логики: РТЛ.
Состав серий:
1ЛП141А, К!ЛП141А, }
1ЛП141Б, К!ЛП1 4 1Б -4 элемента НЕ-НЕТ.
1ЛП142А, ЮЛП1 42А, }-4 расшир1.пеля по НЕТ.
1ЛП142Б, I(IЛП142Б
1ЛП143А, ЮЛП143А, }
IЛП1 4ЗБ, I(IЛП1 4ЗБ -элемент бИЛИ-НЕТ.
1ЛП144А, ЮЛП144А, . } 2
2и' ЛИ НЕТ,
IЛП144Б, КIЛП144Б .
-
элемента
-
•
1ЛП145А; К!ЛП145А,
1 ЛП145Б; ЮЛП145Б
1ЛБ141А, ЮЛБ141А,
1ЛБ141Б, К!ЛБ141Б
IЛБ142А, К!ЛБ 142А,
1 ЛБ142Б, ЮЛБ142Б
IЛБ 143А, К!ЛБ 143А,
1ЛБ143Б, К!ЛБ1435
1ИЛ141А, ЮИЛ141А,
1ИЛ141Б; I(IИЛ141Б
1ИР141А, ЮИР141А,
1ИР141Б, К!ИР141Б
lТP14lA, I(lТP141A,
1ТР141Б, I(1ТР141Б
-} -2 четыреХЕ!ХОдовых расширителя по ИЛИ.
}-2 элемента 4ИЛИ-НЕ . .
} -элемент ИЛИ-НЕ с . повышенным коэффи­
.
циентом разветвления.
} -эле. менты 2ИЛИ-НЕТ и 2ИЛИ с повышен-
ным коэффициентом разветвления.
}-полусумматор и элем_ент 2ИЛИ-НЕ.
}-rазряд . двухтактного регистра сдви,а.
}-RS-тpиrrep.
Корпус металлополимерный «Тропа» . В_ыводы: ·общий - 2;
+Ии.п- 9.
Д.1я всех микросхем Ии.п = 4 В + 10%.
1ЛП1't1А ~_1ЛП1'11Б; К1ЛП1'f1А; К1ЛП1't1Б .
1
12
11
10
z
(!6щ,.
3
56
7
8

"l
12
11
10
1
12
11
2·
8
10
1
.1ЛП1'15(А,Б); 1<1ЛП1'1S{А,Б)
'
7
1
7
1ЛП1'13(А,БJ; 1<1ЛП11/J(А,Б)
1
В.9
J
1#S, 61-11
10
82

1ЛЛ141/-(А,G); J<1/IЛ1f/.ll(A,ь)
1
:5:
127
·в
11
1ЛБ1'11(А,Б); К1ЛБ1'11(А,Б)
•1
2
iI
1/- 5
68
1011
12
k1ЛБ1'1г(А,Б); 1ЛБ1'1Z(А,Б)
1
10
:r3 5
J
1/-
5
1ЛБ1'13(А,Б); К1ЛБ1'13(А,Б)
76
11,
8
10
9
:r, J
Xz, 1/-
:r,r 1
·z
:,;, ,12
Общ;
1
11>.
f !11
7
!IZ
1·
Yt
10 Yz
Yt
10·
!lг
83

-
. <r.
·'°
. <r.
·'°
<f
·'°
,r. -
щ-
<r.-
щ-
., .-
щ-
-~
..,.
_.., .
..,.
. ..,.
Обозначение параметра
--
--
_
...
Zt:;
Zt:;
..,. -
ZP..
:о: ::: о:
_р.,
t:;:S:
t::;:S:
ll.:S:
P.:S:
(>.Г'
(>.Г'
'С-
:s:-
:s:-
:s:-
..... -
..... -
:::;::,;
_
::,;
-: :<:
_:,,:
_
:,,:
_ :,,:
Рhот' мВт, не более 2,55
4,0
5,1
7,5 2,55
3,9
Р~,от' мВт, не более
3,25
4,0
4,6
6,8 2,30
3,4
U~ых, В, не более
0,2
0,2
0,2
0,2 0,2
0,2
fзд ,' р, С:р• •НС, не более 1300 1200 1950 1800 1300 1200
1~ых• мкА
43- 116 62-1 93 60-116 86-193 60-11 6 86-1 93
1~х• мкА
6-32 6- 46 6-32 6-46 6- 34 6-48
Uп, ст, в
0,15
0,15 0,15 0,15 0, 15
0,15
1(раз
4
4
4
4
4
4
.
Таблица 2-16
'
. <r.
.со
.<
·'°
:<r.
·'°
..:-
щ-
<'"'
щ'"'
<""
'°""
О бозначение
_.., .
_.., .
'"'~
'"'""
..,. ...
..,. ...
параметра
zE: zs Zt::
Zt::
Zt::
..,.-
- t::
t::t:;
t::t:;
t: t:;
t:~
t: t:;
t: t:;
t:;-
-5~
t:;-
t:;-
i::: -
t:;-
_ :,,:
_: ,,:
_: ,,:
.. ::,::-
-~
р~ от• мВт, не бо- 1,80
2,4
1, 15 1,10
2,30
2,80
'
лее
р~от• мВт, не бо- 2,80
4,4
1,15 1,70 2,80
4,4
лее
и~ых• В, не менее
-
-
-
-
-
-
и~ых• в, не более 0,2
0,2
0,2
0,2
0,2
0,2
fзд, Р• ер, НС, не бо- 650
600
1300 1200 1300 1200
лее
/~ых, Ml<A
70-110 100-1 80 70-,-110 86-193 60-116 100-11'0
l~x• мкА
6-17 6- 24 6-17 6-24 6-17 6-24
Vп, ст, в, не менее
0,15•.
0,15
0,15
Краз
4
4
4
·'
84

Продолжение табл. 2-16
_-,:
-"'
_-,:
-"'
_- ,:
-"'
· Обоэначенне
..:-
щ-
. .:""
~~-
«tC"':'I
Щ"<'> ,,
:;;~ .
_..,.
"" ...
""""
""""
(')~
параметра
~rд
::~
:: ;д
..,.-
~"'
-"'
-"'
щ~::;
щ~::;
щ~::;
щ~::;
щ~::;
щ~:;
i::-
-::.С
i::;-
-::.С
s~
i::-
-::.С
i::-
-::.С
i::-
_:,е
\
Р~от• мВт, не бо- 0,90
1,20
2,05 .2,90
35
35
лее
р~от• мВт, не бо- 1,4
2,20
2,55 3,90 2,30
9,10
лее
.'
И~ых, в, не менее
-
-
-
-
1,1
1,1
.
uiыx• в, не более 0,2
0,2
0,2
0,2
0,30* 0,30*·
0,15** 0,15**
fзд, р, ер, нс, не бо- 650
600
1300 1200 1300 1200
лее
IJ,ыx• мкА
70-110 100-180 26-330 38 -540 03000 3000
-
r
/~х• мкА
6-17 6-24 6-51 6-72 6-17 6-24
Ип, ст, в, не менее
0,15
0,15
0,15
Краз
4
4
***
.
-
-
• На выводе 8
• • На выводе 10,
,
••• При нагрузке мощного элемента на базовые элементы Краз"" 50 и при
, с оединении
вывода 1О с выводом 5, вывода 8 с выводами 3, 4, 7 и оыоода 9
с выводом 6 краз= 80 .
Таблица 2-17
.. .:
-"'
... :
·"'
..:""
"'""
-,:и,
"''"
""~
""~
.,, ....
.,, ....
Обозначение параметра
~t::·
::!:t::
:-:а
... -
- t::
t::i::
t::i::
t::i::
r: i:;
i::;-
-~
i::-
-::.С
i::;-
-::.С
i::;-
-::.с
lвх, мкА
6-17
6-24
6-17
6-24
uiыx• в, не более ,
0,2
0,2
0,2
0,2
85

,·..
.
.
СЕРИИ 115 И К115
Тип логщш: :РТЛ,
Состав серий:,
IЛБ 151, ЮЛБ15l _: _ 4 двухвходовых элемента ИЛИ : НЕ.
IЛБ J:52, К IЛБ 152-2 четырехвходовых элемента ИЛИ-НЕ.
IЛБ153, ЮЛБ153-элементы 2ИЛИ-НЕ и ЗИЛИ-НЕ . с повыш~нным
_
коэффициентом разветвления.
IЛБ154, КIЛБ154-,-элемент ЗИЛИ-НЕ с· повышенным-, коэффициентом
•
разветвления.
IЛП151, К1ЛП151-элемент 2ИЛИ-НЕ и 3 двухвходовых расшири­
теля по ИЛИ.
1ЛС151', ЮЛС151 -элемент 4ИЛИ-И и элемент 2ИЛИ-НЕ.
IТР151, КIТР151-RS-тригrер и элемент 2ИЛИ-НЕ.
Корпус прямоугольный металлостеклянный 401.14 -2 . Выводы:
общий- 14;+Ии.п- 9.
Напряжение источника питания всех микросхем Ии.п = + 4 В+
+ 10%.
•
1ИЛ1i/1(А,Б); 1<1ИЛ1't1(А,Б) ж1 ~:r_,.___
1
7'125
8
,9
10
К1ИР11/1(А,Б); 1ИР1'11(А,Б)
;r
7'i
11
'5
'
в,в
10
12
86

01<1Т/J1//.1(А,Б); 1ТР1111(А, Б)
1J
12
_
1 .,,
2J
ц.5
12
7
5
ц.•
1ЛБ151;К1ЛБ151
11
10
67
8
1ЛБ152;К1ЛБ152
10
12Jц.·sв7в
1/15153; К1ЛБ153
10
11
13
13 Yt
12 Yt
.11 У!
10 !li
1o_yz
1•13·
.!/
11 •'
у
81

1ЛБ!51/;К1//Б15Ч
10
JН>
х1 1/
5
11
Xz6
У1
7
-~
Х38
1ЛП151;К1ЛП151
,1J
12
11
10
А 13•
ч
А
12
6
А11
10у
23
1/5
67
8
13 У1
Х3J
112
Х4 1./-
Yz
J
ч
11•
!JJ
Xs5
10 Уч
61
Х56
1ТР151;К1ТР151

Обозначение параметра
Рпот, мВт, не бал.ее
И ~ых, В, не менее
Иgых, В, не более
iэд, р, ер, нс, не более
1:,ых• мкА
•
f.\x• мкА, ue более
/(раз
Иn, ст, В, не менее
Обозначение параметра
Рпот, мВт, не более
И.\ ых, В, не менее
И~ ых, В, не более
l3 д, р, ер, нс, не более
Jiзых' мкА
1~х, мкА, не более
1( раз
Ин, ст, В, не менее
Обозначение параметра
Р,ют, мВт, не более
И~ых• В, не менее
И~ы х, В, не более
i"· 1
,
нс, не более
И11, ст, В, .не менее
l,\x• мкА , не более*
1~ых, мА, не более
/(раз
• На входах 4,5и7,
Таблица 2-18
JЛБ151 1 .КJЛБ1511 IЛБ152 1 КIЛЫ52
12,5
16,3
6,25
1
8,2
0,78
0,78
0,78
0,78
0,20
0,22
0,20
0,22
]00
150
100
]50
285-500 300 -625 285-500 300-625
75
80
75
80
4
4
4
4
0,15
0,15
0,15
0,15
Продолжение табл. 2-18
IЛП151 1K.l:IJПl511
IЛС\51,
1
Кl.ЛС \51,
1ТР151 К!ТР151 .
3,1
1,1
]2,5
16, З
0,78
0,78
0,78
0,78
0,20
0,22
-
0,20 • 0,22
100
]50
100
150
285-500 300-625 285-500 300-625
75
80
75
80
4
4
4'
4
0,15
0,15
0,15
0,15
Таблиц а 2-19
IЛ Бl.53, !ЛБ 154
1
К!ЛБ153,
КIЛБ\54
25,0
26,2
2,4
2,4
0,35
0,35
180
220. •
0,7
0,7
26
26
8,0
·8,0 '
50
50
· 8~;:-- .

Тип - логики: МОП.
Состав· _ серии:
СЕРИЯ Kt20
ЮЛЛ.201 -элементы 6ИЛИ и 2ИЛИ.
К1ЛБ201 -3 элемента 2ИЛИ-НЕ и элемент.НЕ.
К !ИР201 - регистр статический реверсивный двухразрядный.
К IИР202 - регистр статический трех разрядный.
КIИЕ201 -счетчик одноразрядный, реверсивный, со сквозным пере•
носом, установочным и вентильным входами.
КIИС201 -сумматор комбинационный с управляющими входами .
К 1ЛП201 - 2 повтор_ителя и 2 элемента НЕ.
К: 1ИД201 - дешифратор на три перемещ~ых.
К: IИД202 - дешифратор со стробированием.
К:IИШ201 - шифратор.
•
К!ЛБ202 -элементы ЗИЛИ - НЕ и ЗИЛИ-НЕ/ЗИЛИ.
К1 ИР203 - регистр сдвига на 16 разрядов.
К:IИР205 -регистр сдвига на 12 разрядов.
К: !ИР207 - регистр сдвига на 8 разрядов.
К IИР204 - регистр сдвига реверсивный на 8 разрядов.
К: IИР206 - регистр сдвига реверсивный на 4 разряда.
К IИР208 -' регистр сдвига реверсивный на 4 разряда:
К IПК:201 - преобразователь последовательного кода в параллельный
на 8 разрядов.
-
К IПК:202 - преобразователь параллельного кода в последовательный
•
на 4 разряда'-
-
КIИЕ202 -счетчик с ускоренным переносом на 3 разряда.
Корпус прямоугольный стеклянный 401.14-1 . Выводы: общий -
1;- Ии.пl
-
В;- Ии.п2
-
7.
Напряжения источников питания всех микросхем: Ии. пl =
= 12,6 В+ 10%; Ии.п2 = 27 В+ 10%,
rК1ЛЛ201
5!J
8 -Uи.п1
Ц-у{ Х12 1 Lf. У1
7
XzJ
б !JZ
-ии.п2
6х391
!Jz Хц 10
v- Х511
5'
2.х512
-! !$
J
13
13
1//, Х7
1 а6щ.
gj Ха1'-1-
90
~}

13
3
·1'1-.
5•
К1ИР20f
1
· г 1'1-YJ

• К1ИР202
1<1ИС201
11/
XJ_,,б___-t
J:1--\,3,----t
хг...,__ ___
x~..: .:12=------=- - -- - --
---i
92
5 у,,.
2YJ

К1ИС201
5
1/-
6
11
-Uи.nZ
в7
1J
-Uи.п1
9
10
:г15
Общ.
XjJ
9
10 У1
:rz '1-
2Yz
:rз 6
Y:r
:r:ц 12
.
5
:Х:5 11
11/- YJ/.
:,:6 13
Ys
93

2
13
:x111f R1 ст
:х2 13 R2
:I:3 11 С1
:хч5 +1
:r5 12 IJ1
?о9 V
94
2 !11
JУг
1/- YJ
,6
Уц
10 Ys
К1ИЕ201 •
.10
-
//.
fll.
К1ИЕ201
lf
:х311
12.
:r21J
111-
5
,9
5

J<1ЛП201'
~.~
7
-Uи. п2
3
1
Хц 12
Xz2
X~!J.
.
6~u --- s
К1ИД202
-
1
2
J
1
8
5 !11
10 IJ2
11 !ls
9 !Jq
в !ls
95

К1ИД201
1J
1
Общ.
J
деоJ
·У1
x1Z 1
1 5Yz
29Уз
xz q.
J 11/-Уч
г
q. 12У5 ,
5 ВУб
,XJ 11 q.
.в10у·.
7
7
13,
Ув
96

'К1ИШ201
-Uи.nf В
.
и
-
ил2_
7
а
а
а
L}
12
11
а
а
а,
а
а.
1051J·319
1/f
в·
·2
Оdщ.
(r9 10
XfJ V2ед
1/- 'У
'
Х?5 V1
-
f
L,
1 tt'. 1J
Х32
Xq. 6
12
l7·
Х5 11./ -
Yl
~б9
х9~
6
11Y:r ,
/
,
х7 1J
Хв 10
Х5 1'1-
Xq. 6
Xz5
Х32
:х1 J
К1ЛБ202
7,и
В- n.ni
·9
-Uн.п1
а
6
'"
·t=Г:Ji
·if
5 1·(
10 12
..
1'1- 3· s· .2·
2
6
4 п/р Тарабрина Б. В!
97

• 1<1ИР203
:r19 RRG-ц1/У1
2
:i:2
V1
·:J:3 11/ Vг
в6!lг
.
:r,, ! 1)1
12 10 !/J
:I:5 1] J}z
:r612с
16 11 !l'f
К1ИР207
ц1/!11
86Ув.
К1ИР206
Х16
:rz 9
1;r!11
':CJ 2
25
Уг
х"ц
Z5 14
98
· · 1<1ИР205
:r1 9
:rz 2
1/•
У1
ZJ
8 !lг
8
:r"
:&5 13
10•
11z
12 !13
:r612с
· •К1ИР20J/. .
:&1 6
Xz9
XJ
Xq 13
Х5 1'1
;r у~
цs!lz
5 12 !/:f
8 10 !l'I
К1И_,Р208
V1 RG-
110!11
2•12Уг
lJг
с

."':)
~ vdш:mгad
w:::,
(!IJdtDd
~
~
~ vdшзnгдd
:::.r:;
(!1Jdt11d
°' vdш:mгдd
(!1Jdt11d
""
vвш:mгдd
(!1JdE:1Jd
"'
7Jdш:mгдd
(!IJdE1Jd' .
"t - 7Jdш:mгдd
(!HdtVd
.,
....
1⁄2....
t:t- '
. ...
<\а
~
4•
9!)

Разряд регистра 1
CдfJuг
В
7
13
2
11/,
11ИнВерсuя _сдВuга,
9
Paзp11fJ регистра 2)~ 5,6)7,9)0)11)3) 11./ -) 15
СдВuг
В
•
7
• 100

Ра.зряil регистра 1/-,В, 12, 16
Сд8иг
6
7-
К1ПК201
"'
J
К1ПК202
:r:/y А ц !11
2
2
в
!lг
:r1
1 :r/y
'1 У1
:r1
])
5
Xz52
1
с
YJ
11
9
6
:r:3
q
6Уг
:rz
R
1)
10 у"
13
2
Е
:r:,,
в
10 !IJ
:r:3 14
11 Ys
:r:5 3 V1
3
с
F12Уб
9
12 !N
к 13У1
:r5
11/ Vг
q
LУв
:r7
с
1.
К1ИЕ202
Х1
ст
13' !11
Xz
1
Х3
212Yz
х"
11 !/3
4
Х5
J:5
р 10У'#
J:7
101

Таблиц а 2-20
ct:)·int---
"1if't"'Ф"'oo
-
""
""
ООО
0 ·00
о
о
о
Обозначение параметра
""""""
""""""
""
""
""
ll.ll .ll .
А.А.А.
:,,: .
:,,:
.·Щ• •
::s:::s:::s:
::s:::s:::s:
r::
r::
::s:
-
-
-
:,,::, ,::, ,:
·:, ,:: ,,::, ,:
:,,:
:,,:
:,,:
/пот~, мА, не более
5,0
3,0
3,0
2,0
1,5
1пот2, мА, •не более·
1,0
1,0
1,0
1,0
1,0
Рпот~, мВт, не более
100
72
72
60
50
и;х, В, · не более
- 2,8
~ 2,8
- 2,8
-2,8
- 2,8
U~X' В, не более
-8,0
- 8,0
-8,0
- 8,0
- 8,0
и~ых' в, не менее
-2,0
- 2,0
- 2,0
- 2,0
- 2,0
Ukыx• в, не более
- 9,5
.. :.. ..9,5
~ 9,5
- 9,5
- 9,5
/ ут, вх, мкА, не более
1,0
1,0
1,0
1,0
1,0
Свх, пФ, не более
5,0
5,0
5,0
5,0
5,0
Rн, МОм, не менее
1,0
1,0
1,0
1,0
1,0
Сн, пФ, не более
50
50
50
50
50
П р им е ч а н и е. Максимальная частота следования входных импульсов
J).ля всех микросхем 300 кГц.
Таблица 2-21
;::;
о
""
о
о
о
""
Обозначение параметра
""
""
""
""
t=:
~
~
а
r::
t=:
t=:
t=:
::s:
t=:
-
:,,:
:,,:
::.:: .
:,,:
:,,:
рПОТ> мВт' не более
14,0
28,0
21,0
21,0 • 64,0
Ukыx• В, не более
- 10,0
-10,0
- 10,0
-10,0
- 10,0
и~ых• В, не менее
- 3,0
- 3,0
- 3,0
-3,0
- 2,0
fзд, р, ер, нс, не более 800
800
800
800
800
/ ут, вх• мкА, не более
0,1
0,1
0,1
0,1
0,1
Ип, ст, В, не менее
1,0
1,0
1,0
1,0
1,0
Краз
..
10
10
10
10
10
Пр им е чан и е. Максимальная частота следованщJ_ входных импульсов
для всех микросх"\м 200 кГц при емкостной нагрузке С8 = 20 пФ.
102

Таблипа 2-22
;
о
""
о
о
-
""
о
о
о
Обо,зна,~ение параметра
""
""
""
""
N
""· .
Р.
Р.
щ
u
1::(
1::(
:s:
:s:
:s:
:s:
:s:
:s:
-
-
-
-
-
-
:.:
:.:
:.:
:.:
:.:
•
:.:
Prioт• мВт, не более 28
2[
35
42
70
42
U~ых, В, не .более -10 -!О -10 -!О -10 -IQ
и~ых• В, не менее
-3,0
- 3,0
- 3,0
- 3,0
- 3,0
- 3,0
f вх, кГц, 1:1е более* 200
200
200
200
200
200
Uп, ст• в, не менее
1,0
1,0
1,0
1,0
1,0
1,0
Краз
10
10
10
10
10
10
• При Сн=20пФ.

СЕРИИ 121 И Kt21
Тип логики: ДТ Л.
Состав сери й:
К!ЛБ211Б, 1ЛБ2!1В, КIЛБ2 !1В, -элемент ЗИ-НЕ с возможностью
1ЛБ21 !А, КIЛБ21 !А, 1ЛБ21 !Б, }
•
JЛБ21 JГ, ЮЛБ21 !Г
расширения по И
1ЛБ212А, ЮЛБ212А, 1ЛБ212Б,
К!ЛБ212Б
1ЛП21!, ЮЛП211
} -элемент ЗИ-НЕ с повышенным
коэффициентом разветвления и
возможностью расширения по И .
-2
трехвходовых . расширителя
пои
Корпус круглый металлостеклянный 301.12-1. Выводы:+ Ии. п1-
11*; + Ии, п2 -10 **.
Электрические параметры диодов микросхем 1ЛП211 и К1ЛП211.
· Пря мое
падение напряжения Ипр (при токе 1 мА) ... . 0,7-0,85 В
Обратный ток /обр не более (при Uобр=5,5 В) . . . . . 5,0 мкА
• :Кроме микросхем 1ЛП211 и l(IЛП2JI.
•
•• Толькод;11я микросхем IЛБ211А-1ЛБ211Г и 1(1ЛБ211k-1(1ЛБ211 Г,

Таблица 2-23
Обозначение параметра
!ЛБ211А-1ЛБ21 !Г
К1ЛБ211А-
1ЛБ212А,
К1ЛБ212А,
К1ЛБ21 !Г
!ЛБ212Б
КlЛБ212Б
U~.пl• В*
5,0
5,0
5,0
r
5,0
4
и,,..п2, в•
3,0
3,0
-
-
Иkых, В, не менее
2,5
2,5
2,5
-
-
uiыx , В, не более
'
0,35
0,35
0,4
0,5
1ix' мкА, не ·более
1,5
1,5
5,0
5,0
1ix' мА, не более
1,3 •
1,5
1,4
1,7
t~дO, нс, не бол,ее
30
70
40
110
t~i/, нс, не более
70
150
40
90
1
Un, ст• В, не менее
0,3
0,35
0,3
0,2
Краз
5 (1ЛБ2l 1А) ' 5 (КIЛБ21 IА)
4 (IЛБ21 !Б)
4 (К!ЛБ211Б)
16 (1ЛБ212А)
16 (КIЛБ212А)
.
3 (!ЛБ211В)
3(ЮЛБ211В)
2 (1ЛБ211Г)
2 (КlЛБ211Г)
12 (lЛБ212Б)
12 (К!ЛБ212Б)
s:t· ·• Допускаемое о-тклонение 11.11я микросхем G. ин11ексом К не более ::!: 5%; для остальных ::!: 10%,

1/
3
2
1
z
1
12
1
2
3
в
:,
6
5
106
1ЛБ211А-1Л6211Г,' 1<1ЛБ211А-К1ЛБ211Г ·.
+l!и. п1
11
+U,,.nz
10
7
......._..,__....;,_gО(щ.
8
Е
1ЛБ212А; К1ЛБ212А;1ЛБ212Б; К1ЛБ212Б .
r-----.------ 11 +и.
-
н.пх12
8
7
1лп211; К1ЛП211
;1
;j
:Х2 3
Х3Ц•
хч1Е
:r1,1 88
Xz2
:&3 12
Жч788
Х58
XG6
7 !/1
'1 У1
Е1!/1
Е5
Yz·

СЕРИИ 128 И 1<128
Тип логики: ДТJJ.
f.остав сери·й: •
1ЛС281А, 1ЛС281Б, ЮЛС281А,
I<ЩС281Б, ЮЛС281В
} -элем.енты 2И и 2И-ИЛИ, оба
расширяемые по И.
1ЛР281А, 1ЛР281 Б, ЮЛР281А,
ЮЛР281Б, ЮЛР281В
}-элемент 2И-ИЛИ и элемент
2И-ИЛИ-НЕ, оба расширяемые
поИипоИЛИ(собщимвхо­
дом по И).
1ЛП281, К1 ЛП281
-
расширитель по И, . расширитель
по ИЛИ.
Корпус прямоугольный металлостеклянный 401.14 -2 . Выводы:
общий- 10; +Ии.п- 13 *.
.
. Н апряжение
источника питания всех микросхем Ии. п = 3 В ::Ь
±10%*.
Частота тактовь1х импульсов fи, вх элементов И-ИЛИ~ И-ИЛИ-НЕ
микросхем серий 128 и Ю28:
1ЛС281А, IOJ,1C281A, }
1ЛР281А, ЮЛР281А -не более 5 МГц;
1ЛС281Б, ЮЛС281Б, } не более !О МГ .
IЛР281Б, КIЛР281Б -
ц,
IЛС281В, ЮЛС281В, }
lЛP2SIВ, ЮЛР2ВIВ -не более 16 МГц.
1ЛС281k-1ЛС281В; К1ЛС281А-К1ЛС2818
5
12 11
...-______
7 +ин.п
9
11/-
" Кроме микросхем 1ЛП281 и К1ЛП281.
:r:11
Xz6
8
gУ1
·107

1ЛР281А-1ЛР281В;К1ЛР281А-К1ЛР2818
5
12 11
1J
x1L/-
8,1
xzB
Х37 Е
g
У1•
9
Хц8 А
8,1
Х52
Ж6;f Е
1L/-!Jz
11/-:х1А
7,
10.
.к1лп2в1;1лп2в1
110
J
Х11 В.1
Xz 11
1
5,
XJ 12,,
11/- !11
Хц 13
11
в
1Z
в·
3:55 &1
11
L/-
Х56
:r:7 8
7
Х9 L/-
!JZ
, 1i/-
.-
7,,
1'()8

Таблица 2-24
Обозначение параметра
11ЛС281А-1ЛС281В IЮ.ЛС28\А-IОЛС281В
Рпот• мВт, не более
И~ых, В, не менее
и~ых , В, не более
Uвх,А'В* •
Краз
KoG **
Коб ***
Иn, сп В, не менее
60
2,4
0,5
+5,8 (5; 12)
- 5,0 (11)
6
6
4
0,5
70
2,2
0,55
+5,8 (5; 12)
- 5,0 (11)
6
6
4
0,3
Продолжение табл. 2-24
Обозначение параметра
1 \ЛР281А-1ЛР281В ./ IОЛР281А-ЮЛР281В
Рпот, мВт, не более
И~ых , В, не менее
uiыx, В, не более
Uвх,А' В*
Краз
Коб**
Коб***
Un, ст• В, не менее
60
2,4
0,5
+5,8 (5; 12)
-5,0(11)
6
6
4
0,5
70
2,2
0,55 '•
+5,8 (5; 12)
- 5,0 (11)
6
4
0,3
.
• Допускаем,.ое отклонение ± 10%; в скобках указаны номера .выводов,
к которым подводятся тактовые импульсы. •
• • Коэффициент объединения по И.
•• • · К.оэффициент объединения по ИЛИ.
ивх, А' В*
1:х' мА
Обозначение параметра .
Iдх• мкА, не более
Ипр• В
U обр, макс, В
/ обр• мкА, не · более**
1
Таблица 2-25
1ЛП281
1
1(1ЛП281
+5,8
+5,8
3,3-3,6
3,0-3,6
10
15
0,65-0,85 0,60-0,90
4,5
4,5
10
15
• На выЕодах З и 10; допускаемое отклонение ± 10%,
•
• • Значение обратного тока каждого диода при Иобр, макс = 4,5 В.
1()9

-
СЕРИИ 130 И К130
Тип логики: ТТЛ.
Состав серий:
IЛБЗО!, КIЛБЗО! -2 элемента 4И - НЕ.
IЛБ302, К!ЛБ302 -элемещ 8И-НЕ.
!ЛБЗОЗ, КIЛБЗОЗ -4 элемента 2И-НЕ .
1ЛБ304, ЮЛБ304 -3 элемента ЗИ-НЕ.
IЛБ306, ЮЛБ306 -2 элемента 4И-НЕ с большим коэф<!>ициентом
разветвления.
.!
IЛРЗО!, КIЛРЗО! -2 элемента 2И-ИЛИ-НЕ, один расширяемый по
или.
IЛРЗОЗ, КlЛРЗОЗ -элемент 2-2-2-ЗИ-4ИЛИ-НЕ с возможностью· рас-
ширения по ИЛИ. ,
•
1ЛР304, К1ЛР304 -элемент 4-4И-2ИЛИ-НЕ с возможностью - расши­
рения по ИЛИ.
1ЛП30!, КlЛПЗОl-2 четырехвходовых расширителя по ИЛИ .
1ТК301, К1ТК301 -JК-триггер с логикой ЗИ на входе .
Корпус прямоугольный металлостеклянный 401 . 14-2. Выводы:
общий- 7; +Uи.п-14.
110
Напряжение питания всех микросхем Uи.п = 5 В+ 10%,
1ЛБJО1; К1ЛБ3'01
+Uи.п rc1 1 &
r&g 2
(J'
rc3 '1
Yt
'"~~а:ч 5
r&5
а:в
а'
.-.-+-+--а:7
Yt.
a:s 1J
_____ ....,.__ ...,._..,_________, _
68
1ЛБ301;К1ЛБ301
Об'щ.

•1лs303;. 1<1ЛБ3ОS
J11
68
ь 1ЛБ3D'+; 1<1ЛБ304
68
11/. 1
1lf..,
+Uи.n . Ж113 8
.
:t2· 1
·ж3 2
-. .. --;==~=~~=.:. -. :t..... __., _.., __~Q -+,......... _7
Общ. :r
7
98
хв 10
Z9 11
111

112
1Л$JО6; К1ЛБJО6
68
11/-
:I:5 9
:i:510
:I:712
.___....___
_,. __ _. . . ._ _+-lf -l-"-7. :rg13
Otfщ.
9101213
123/f
1ЛPJ03;1<1ЛPJOJ
12--------- ,
Н
1
----------
13
i ·Uи.п ·:z:1 1
ч----
5-+ --+ -.. ... .
6-f--f--f--+'
11
:z:z 13
бУ1
8Yz
,,

,10
11--t -__. . ..
12--t--+-.......
1J-+ ---+ ---
1
2-+-т__... .
J -t-t-t-.......
1/-нс-+-+--
1ЛР3О'I; К1ЛР:r01/-
59
11/-
J:1
;r;z"2
J:3
J:ц
J:5
J:5
' J:7
J:g 1J
J:9 5
•
J:10 9
7
--------------общ.·
12J1J
1
1ЛП301; К1ЛП301
'
1Jf.
9
7
Оощ.
11121/-q68
1ТК301, 1<1ТК301
11/-
А 11У1
В 12Yz
А 10У!
в 9У11'
+Uн,п:&12 RТ
жz:J 8
:&31/-
:,;ц5 I
:ts12 с
J:6 9
8
3:710
:tв11 к
:&g1J s
6'
Yt
8Yz
113

Таблица · 2-26
• Обозн ачен ·и ·е • параметра
r IЛБЗОI I КIЛБЗОl- 11ЛБЗО21КIЛБЗ02
Рпот,· мВт, не более
88
100
44
50
/~х• мА, не более
-2;3
- 2,3
- 2,3
- 2,3
1ix, мкА, , не более
70
70
70
70
и~ых' в, не менее
,
2,4
2,5
2,4
2,5
U~ых, В, не более
0,4
0,4
0,4
0,4
f1дO, нс, не более
1О
10
12
12
t~/• · нс, не более
12
12
12
12
Uп,ст, В, не более
0,4
0,5
0,4
0,5
Краз
10
10
10
10
Продолжение табл. 2-26
Обозначение параметра
IЛБЗОЗ 1 К!ЛБЗОЗ 1 1.iJБЗО4 1 КIЛБ304
Рпот, мВт, не более
176
200
132
152
1ix, мА, не более
- 2,3
- 2,3
- 2,3
- 2,3
1ix, мкА, не более
70
70
70
70
U~ых, В, не менее
2,4
2,5
2,4
2,5
и~ых, В, не более·
0,4
0,4
0,4
0,4
t~дO, нс, не более
10
10
10
10
t~д1 , нс, не более
12
12
12
12
Uп,ст, В, не.более
0,4
0,5
0,4
0,5
Краз
10
10
10
10
Таблица 2-27
•. Обозна чение параметра
1 IЛБ3061 КIЛБЗ06, 1ЛРЗ01 1К!ЛРЗО!
Рпот, мВт, не более
121
137
102
116
1ix, мА, не более
- 2,3
- 2,3
- 2,3
- 2,3
/~х• мкА, ·Не более
70
70
.70
70
И~ых• .В, не менее
2,4
2,5
2,4
2,5
И~ых; В, не более
0,4
0,4
0,4
0,4
t~дO, нс, не более
·16
14
12
12
ti'д,1 , нс, не более
15
14
15
14
Ип,ст
0,4
0,5
0,4
. 0,5
Краз ,.
--
30
20
10
10
>
,,
.:•
;..:....,·.·.·
ll4

\
Продолжение табл. 2-27
Обоэп~чеliие пар~метра 11ЛРЗОЗ 11(1ЛРЗОЗ 11Л-Р3041 К1ЛР304
Рпот, мВт, не более
102
79
51
58
1:х, мА; не более
- 2,3
- 2,3
- 2,3
-2,3
/~х• мкА, не более
70
70
70
70
U~ых, В, не менее
2,4
2,5
2,4
2,5
и;ых, В, не более
0,4
0,4
0,4
0,4
t~дO, нс, не более
12
12
12
12•
t;д1 , нс, не более
15
14
15,
14
Ип,ст
0,4
0,5
0,4
0,5
/(раз
10
10
10
10
Пр им е чан не. Для микросхем lJIP~0l, 1ЛР303, 1ЛР304 коэффициент
объединения по входам ИЛИ к06 = 8.
Обозначение параметра
Рпот, мВт, не более
и~ых' в, не менее
и:ых, В, не более
t;·д° по входусинхронизации, нс, не более
t;'д0 от R- и S-входов, нс, не более
fвх• МГц
•
Иn, ст, · В, не более
Таб.r1ица 2-28
\Т1(301,
1Т1(303
140
2,4
0,4
30
27
20
0,4
К\ Т1(301,
.1(1 Т1(303
142
2,5
0,4
35
30
18
0,5
П р им е ч а н н е. Для микросхем 10П<:ЗО1 н .1(1Т.1(303 на выводах 3, 4,
6, 9, 10, // l~x.,;; 70 мкА, 1:х.,;; 2,3 мА и на выводах 8, /2, /3 l~x.;;; 140 мкА,
1:х.;;; 4,6 мА.
Таблица 2-29
Обозначение параметра
1ЛП301
.l(IЛПЗОI
Рпот, мВт, не более
22
22
и:ых, В, не более
1,3
1,3
1:х• мА, не более
- 2,3
- 2,3
/ ~х• мкА, не более
70
70
Ип, ст, В, не более
0,4
0,5
Пр им е ч а и и е. Вносимая задержка распространения при подключении
к микросхеме IЛПЗОI с возможностью расширения по ИЛИ не более 3 нс.
115

Тип логики: ТТЛ.
Состав серии:
СЕРИЯ К131
ЮЛБЗI 1 -2 элемента 4И-НЕ.
ЮЛБ312 -элемент 8И-НЕ.
I(]ЛБ313 -4 элемента 2И-НЕ.
К1ЛБ314 -3 элемента 3И-НЕ.
К!ЛБ316 -2 элемента 4И-НЕ с большим коэффициентом разветвле-
ния по выходу.
КIЛП311 -2 четырехвходовых расширителя по ИЛИ .
.
I(IЛP311 -2 элемента 2И-2ИЛИ-НЕ, один расширяемый по ИЛИ.
КIЛРЗIЗ -элемент 2-2-2-3И-4ИЛИ-НЕ с возможностью расширения
по или.
К!ЛРЗ14 -элемент 4-4И-2ИЛИ-НЕ с возможностью расширения по .
или.
•
\Ji
KIТKЗII - JК-триггер с логикой ЗИ на входе.
Корпус прямоугольный пластмассовый 201.14-1 .
.Выводы:
об-
щий- 7;+Ии.п-14.
-
Напряжение питания всех микросхем Ии. п = 5 В+ 5%.
Электрические параметры микросхемы 1(1ЛПЗ11
Входнойток/~хнеболее......
Входной ток /~х не более ..... .
Выходное напряжение и~ых не более
Выходнойток/~ыхнеболее.....
1<1ЛБ311
6
8
116
+Uн.п tt1
:rg 2
Х3Ц
хч5
:r5
--- :r612
Х7
хв9
ощ.
2,3 мА
70 мкА
1,3 В
15 мкА
/
6'
!11

11
12
1
2
J
ц.
5
б
К1ЛБJ'i2
:Х1 11 8,
:хг 12
:Х3 1
:Xll 2
,.
J:5 3
J:5 q
J:7 5
:r:в б
.7 Общ.
К1ЛБ31З
:х11 8,
:.т:2 2
Х59 8,
'j iX510
8
Yf'
(j
YZ
8 У:!
11
yq.
щ·

1Zif5
12J13
118
К1ЛБ31'1-
6
8
К1ЛБ316
68
:z:ч J 1?,
:z:s J/.
бYz
:Z:5 5
:&7 11 1?,
:z:s 10
8Ys
:Z:g 9
11/ ,
+ии.п
:Z:5 9
.
:z:510
:z:712
_. .,...__________, _1-1'-t-:-·-:-7 же 1:5
0/iщ.
910 1213
1112if568
J<1ЛП311
11/-
7
. 06ш,.
109.

8
+ии.п :х11 & 1
J:2 13
8
1
!11
13
Xs2&1
:Т:53,
9
10
2
7 Х7Ц.
J
Otfщ. 5
G
:ха
!JZ
lJ
,5
:Xg11 А
XfO12в
К 1ЛР313'
8
Yt
9
10
J/.
5
:r: g6
6
J:10 11 А
•11
7 :х1112 в
Dtfщ.
11 !J

10
11
120
](1ЛР31L!-
59
81-
Х95
Х1() 9
L.+~-----------_.;...7 оощ. ...... __
1<1Tl<311
1J/.
:r:12Rт
Xz3 -в
.
3:3 ч
хч5 I
Х512 с
J.:6 9
8
i710
хв11 1(
:rg1J s
12
8
!11-
6{l
8-Q

Таблица 2-30
-
""
.. ,.
-
-
"'
""
""
Обозначение пара метра
р..
р..
р..
КITRЗII
i::
i::
i::
-
-
-
i<:
i<:
i<:
I ix, мА, не более
- 2,3
- 2,3
-2,3
-2,3 (J, /()
-4,6 (выводы «установка»,
«синхронизация»)
/~х• мкА, не более
70
70
70
70(J, К)
А
140 (вывод «синхро-
низация»)
210 (вывод «установка»)
Рпот, мВт, не бо)!ее 97
65
47
130
и~ых, В, не более
0,4 0,4 0,4
0,4
и~ых' в, не менее .
2,5 2,5 2,5
2,5
f1, О
эд' нс, не более
12
12
12
27 (J, К)
fO, 1
эд' нс, не более
14
14
14
-
f1, О нс, не более
-
-
-
30 (по входу
эд'
«синхронизация») '
.
Краз
10
10
10
-
10
Ип,ст, В, не более
0,5 0,5 0,5
-
П р и меч а н не. В скобках указаны обозначения входов.
-
"'
"'
..,.
<D
-
-
-
-
-
"'
""
"'
""
·"'
Обозначение параметра
щ
щ
щ
щ
щ
i::
i::
i::
i::
i::
:.:
:.:
i<:
i<:
:.:
Рпот• мВт, не более
84
42 178 125 115
I~X ' мА, не более
~2,3
- 2,3
- 2,3
- 2,3
- 2,3
/~х• мкА, не более
70
70
70
70
70
U~ых, В, не более
0,4 0,4
0,4 0,4 0;4
И~ых, В, не менее
-·
2,5 2,5
2,5 2,5 2,5
-
t~1/, нс, не более
10
12
10
10
14
t0~h •нс, не более
12
12
12
12
14
Vп. ст, В, не бопее
0,5 0,5
0,5 0,5 0,5
Краз
'
10
10 ·-
10
10
20
121

СЕРИИ 133 И К133
Тип логики: ТТЛ.
Состав серий:
IЛБЗЗI, КIЛБЗЗl -2 элемента 4И-НЕ, один расширяемый rio ИЛИ.
1ЛБ332, К!ЛБ332-элемент 8И-НЕ.
lЛБЗЗЗ, К!ЛБЗЗЗ-4 элемента 2И-НЕ.
1ЛБ334, КIЛБ334-3 элемента ЗИ-НЕ . •
1ЛБ336, КlЛБЗЗб-2 элемента 4И-НЕ с большим коэффициентом
разветвления.
IЛБ337, К}ЛБ337-2 элемента 4И-НЕ с открытым коллекторным
вь1ходом (элементы индикации).
1ЛБ338, КIЛБ338-4 элемента 2И-НЕ с открытым коллекторным • вы­
ходом (элементы контроля).
1ЛР331, КIЛРЗЗl -2 э_лемента 2И-2ИЛИ-НЕ, один расширяемый по
или.
lЛРЗЗЗ, К!ЛРЗЗЗ-элемент 2-2-2-ЗИ-4ИЛИ-НЕ с возможностью рас­
ширения по ИЛИ.
1ЛР334, КIЛР334-элемент 4-4И-2МЛИ-НЕ с возможностью расши•
рения по ИЛИ .
IЛПЗЗI, К!ЛПЗЗ! -2 четырехвходовых расширителя по ИЛИ.
1ЛП333, КIЛПЗЗЗ-восьмивходовый расширитель по ИЛИ.
IТК:331, КIТКЗЗ!-JК-триггер с логико.й ЗИ на входе . .
lТК:332
- 2 D-триггера.
Напряжение источника питания всех микросхем Ии. п = 5 В;
допускаемое отклонение Ии, п, для микросхем с индексом К не более ,
+ 5%, для остальных не более + 10%.
.
Корпус прямоугольный стеклянный 401.14 -1 или 401.14 -2 . Вы­
воды: общий- 7; +Ии.п- 14.
11J
,910121$;
8
t22
1ЛБ331; К1ЛБ331
1ZЧ5
6
У1
8
Yz

,
,
11,1
1ЛБJ32; К1Л5332
'в
1l/-
1
11:•
+
н:~,
11'\.
..,
-
-
,:---, ..
,__
....
к
r::
J
....
7
.
06'щ .
.
..
123Ч-561112
1ЛБJ33; К1ЛБJ33
7
Общ. -
Х11
xz2
:rз3
хч1./-
Х55
·:r:56
Х77
хв8
g.
Х3
хч
Х5
Х510
Х7
хв 13
в.
У1
J
!f1
6
Yz
в
!:Jз
11
УЧ- _

fZ1/-5
·124
1<1ЛБJ3'1; 1ЛБJJ'I •
1<1ЛБJ36; 1ЛБ33t
11/
+Uн.rr _х1 1 &
3:z z
J;r ·ч
:!:у 5
t!:59 &
U:5 10
:r7 12
9101Z1:I
:rs fJ
7.
............_._ _______..,_06'щ.
1<1ЛБ337;1ЛБ337
6
В
•
Мщ. ,
7
З 10121:r
6
Yt
8YZ,
Yt

1
113t1
К1ЛБ33В; 1ЛБ338
i/- 10
13
К1ЛР331; 1ЛР331
в
910 2J
i/- 5
l<1ЛPJJ3; 1ЛРJ33
8
111
125

,zJ1/-
12J13
126
K1ЛP:J:Il/; 1ЛPJJI/
в 101112 ~J
К1ЛПJJ1; 1ЛП331
11/-
11121/-568
К1ЛПJJ3; 1ЛПJ33
11/-
12
:Т:f
:rz 2
J:J J
:rч, 1/-
:rs
:т:5
J:7
:rв
Жf 1J·
Жz1
:I:3 2
:rч J
11
- :rs 1/-
:r5 5
Х76
7
11:в в
8,1
А 11У1 ..
8 12Yz
11
А
У1
8 12!lz

1<1ткз:и;1ткзи
9
171<.332,
·1
2
J
1/-
1J
т
2R
J8
1/-
5I
12С
s
108
11К
13S
Rт
1)
с
s
Rт
12 1J
•11с
10
s
5Q/
6Q1
90.2
8-
Qz
127

i
Таблица 2-32
Обозначение параметра
!ЛБЗЗI К:IЛБЗЗI IЛ):,332 К:1ЛБ332 lЛБЗЗЗ К:lЛБЗЗЗ 1ЛБ334 К:1ЛБ334
-
Рпот, мВт, не более
52
63
26
34
110 .
116
80
95
и:.ых, В, не менее
2,4
2,4
2,4
2,4
2,4
2,4
2,4
2,4
U~ых, В, не более'
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
'
t~~ 0 , нс, не' более
17
18
20
• .22
17
18
17
18
ti~1, нс, не более
36
36
36
36
36
33
36
36
zix, мА, не более
- ·1,6
-1,6
-1,6
- l,6
-1,6
- 1,6
-;-1,6
-1,6
1
/ix• мкА, не более
40
40
40
40
40
40
40
40
Ип, ст, В, не более
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
Краз
10
10
10
10
10
10
10
10

о,
"
;;,-
'""''О
"'
"'
'О
""'.,
01
о:,
Обозначение параметра
·-
Рпот, мВт, не более
/~х' мА, не более i -
/~х'. 1r:кА, не более
U~ых, В, не ~:енее
-
U~ых , В, не более
t~:, нс, не более
t0•1 'нс не более
ЗД'
'
И,i, ст, В, не более •
Коб
Краз
Таблица 2-33
1лрзз:, I к:1лрззз \ 1лРзз4 I• к1лрзз4 l 1лтз1 1 ~1лпзз1 / 1лпззз / к1лпззз
.,
55
71
72
63
22
-
22
-
- 1,6
- 1,6
- 1,6
- 1,6
- 1,6
~ 1,6
- 1,6
- 1,6
40
40
40
40
40
40
40
40
2,4
2,4
2,4
2,4
-
-
-
-
0,4
0,4
0,4
0,4
-
-
-
-
18
22
18
22
-
-
-
-
36
36
36
36
·-
-
-
-
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
1
8
-
8
-
-
-
-
-
10
10
10
10
-
-
-
-
-
Пр им е чаи и я: J. Для микросхем lЛРЗЗЗ и 1ЛР_ЗЗ4 коэффициент объединения по входам ИЛИ к 06 = 8.
,...,
2. Для микросхем 1 Л!133 1 и 1ЛП333 вносимая за.цержка распространения при по.цключении к микросхемам с-возможностью
ц;;, расширения по ИЛИ не более 5 нс,

-
c.i.?:
Таблица 2-34
ер
.-
1ЛР331 1I<IЛРЗЗI
..
•
•
•.!.•~~..
Обозначение параметра
1ЛБ336
I( 1JI Б336 1ЛБ337 IОЛБ337 1Л}?33$ К1ЛБ3· 38
.
f
1
•
.
.
Рпот, мВт, не более
82
95
82
84
100
116 •
69
76
\
....-,
..
:
.~
":,,
'-
,
-
/
1ix, мА, не более
-16
-16
-16
-
. 1,6
-16
- 1,6
-
,1,6
-1,6
'
'•
''
:.,
.
\
/~х' ~кА, не более
40
40
40
40
40
40
40
40
,.
•'
U~ЫХ' В, 1Ie Менее
24
2,4
-
-
-
-
.2,4
2,4
.
~
и~ЬIХ ' в' не более
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
-
t~~o, нс, н~ более
'-
18
22
18
22
-
-
-
t~д1, нс, не более
30
36
-
-
-
30
36·
/ вых, ~А, не ~о~~е
-
-
40
QO
l_p
16
-
-
.. ...
j
Краз
30
30
-
-
1
-
-
10
10
··•
-
~
П р и меч а н и е. Для микросхемы 1ЛРЗЗ 1 .коэффициент объединения по входам ИЛИ К б = 8.
~
о

Таблица 2-35
~ Обозначение параметра 1 1ТК:331
..
1
К!fkзз1 ' · -·
_
1ткзз2 ~ •
j. К! ТКЗ32
Рпот• мВт, не более
\
110
НО
160
160
zix, мА, не более***
- 1,6
,
---:1,6
.
- 'l,6
- 1,6
(З,4,5,9,10,11) (З,4,5,9,10;11) (2;4,10,12)
(2, 4, 10, 12)
- 3,2
- 3,2
.
...:..з,2
-з,2
(2, 13, 12)
(2, 12, 13)
(1, 3, 11, 13)
(1, 3, 11, 13)
/Ах; мкА, не более***
1
90
90
90
90
(З,4,5,9,10,11) (З,4,5,9,10,11)
(2, )2)
(2, 12)
lW
IW
1W.
1W
(12)
(12)
(3, 4, 10, 11)
(3; 4, 10, 11)
270
270
270
270
(2, 13)
(2, 13)
(1, i3)
(1, 13)
UJыxi В, не менее
2,4
2,4
2,4
2,4
V&ых• В, не более
0,4
0,4
0,4
0,4
tt,:, нс, не более*
40
48
45
60
t0;A, нс, не более*
35
,
-
40
50
t;:, нс, не более**
30
36
t0 •.1 нс не более**
25
з,q' '
fвх, МГц
15
1
-
1
-
Uп, ст, В, не более
0,4
_
_
0,4
о.4 1
0,4
• От входа . сннхронпэации.
":"""
• • От ЗхОдов уетанОвки .
.
~
• • • 1 1 скобках указаны номера выво.11ов микросхем

СЕРИИ 134 И К134
Тип логики: ТТЛ.
Состав серий:
-4 элемента 2И-НЕ.
1J1БЗ41А, JЛБЗ41Б, ЮЛБЗ41
1J1БЗ42А, 1ЛБЗ42Б, ЮЛБЗ42
JJ1Б343A, IЛБЗ4ЗБ
-2 :элемента 4И-НЕ и элемент НЕ.
-4 элемента 2И-НЕ с открытым кол-
лекторным выходом .
1ЛБЗ44А, IЛБЗ44Б
-элемент 8И-НЕ.
JJ1P341A, 1ЛР34IБ, К!ЛР341 -элемеН1:ы 2-2И-2ИЛИ-НЕ и
2-4И-2ИЛИ-НЕ.
1J1P342A, 1ЛРЗ42Б, ЮЛР342 -элемент 2-2-3-4ИЛИ-НЕ.
1ЛРЗ4ЗА, 1ЛР343Б
-элемент 4-4И-2ИЛИ-НЕ.
1ЖЛ341А, IЖЛЗ41Б, К!ЖЛ341-многоцелевой элемент цифровых
IТК341, ЮТКЗ41
1ТКЗ42, ЮТКЗ42
IТКЗ43, КПКЗ43
1ТК344А, 1ТК344Б •
структур (МЭЦС).
-J К-триггер на основе МЭЦС.
-JК-триггер.
-JК-триггер двойной.
-
D-триггер двойной.
Напряжение источника питания всех микросхем Ии. п = 5 В+
± 10%.
•
Корпус прямоугольный стеклянный 401.14 -1 . Выводы: + Ии. п -
!; общий - 11.
Электрические параметры микросхем 1ТК344А и
Мощность потребления Рnот не более ....... .
Напряжение И~ых не менее •... ... ....... .
IТК344Б
6,0 мВт
2,4 В
Напряжениеи~ыхнеболее..................0,3В
Время задержки включения i1jl и выключения i~ji микро-
схемы 1ТК344А не более .................. 120 нс
То же микросхемы ПК344Б не более ....... •
.. ...
70 щ:
Таблица 2-36
Обозначение · параметра
1
1ЖЛ341А
1ЖЛ 34\Б
КIЖЛ341
Рпот, мВт, не более
8
8
8
nx, мкА, не более *
50
50
80
1ix• мкА, не более**
300
50
360
tи, вых, нс***
270-600
150-330
200-1000
Краз
2
2
2
• Втекающий ток по стробирующему и информационным входам.
•• Вытекающий ток по стробирующему и информационным входам .
• •• Длительность выходного импульса при С" = 40 пФ.
132

Таблиц а 2-37
Обозначение параметра
!Л.Б34!А I JЛБЗ41Б I К!ЛБЗ41 ' 1 JЛБЗ42А I IЛБЗ42Б 1 !(JЛБЗ42
'
1
Р пот, мВт, не более
8,0
8,0
8,0
6,0
· 6,0
6,0
/~х• мА, не более
- 0,18
- 0,18
-' -0,20
-: -0,18
- 0,18
- 0,20
l ~х• мкА, не более
12
12
12
12,
12
12
и~ых' : в, не менее
2,3
2,3
2,1
2,3
2,3
2,1
uiыx, В, не · более
0,3
0,3
0,4
0,3
0,3
0,4
l~'до, ·нс, не более
100
.50
200
100
50
200
11~.~ нс ,
не более
100
70
200
130
100
200
Краз
10
10
10
10
10
10
Ип, ст, В, не более
• 0,5
0,5
0,3
0,5
0,5
0,3
Таблица 2-28
Обозначение параметра
1•
IЛБЗ4ЗА
1
1ЛБЗ43Б
1
!ЛБЗ44А
1
1ЛБЗ44Б
Рпот, мВт, не более
s,o
8,0
2,0
1
2,0
tix, мА, не более
- 0,18
'
- 0,18
- 0,18
0,18
l ~х, мкА, не более
12
12
12
12
/ вых, мА, не более
1,8
1,8
-
и~ых' в, не менее
-
-
2,4
2,4
uiыx, В, не более
0,3
0,3
0,3
0,3
t~до, нс, не более
120
90
120
100
t~i, нс, не более
130
100
80
60
ё;; 'Краз
10
10
10
10
с;.,

с:;; .
Таблица 2-39
, 1>-
О!')оэн~чение параметра
1ЛРЗ41А !ЛРЗ41Б КIЛРЗ41 !ЛРЗ42А !ЛРЗ42р I(!Л.РЗ42 , !ЛРЗ4ЗА 1ЛРЗ4ЗБ
1
- ....
.,.
.
Fпот, )l!Вт, Н(; более
5,0
5,0
5,0
4,0
4,0
4,0
2,5
2,5
/~х• мА, не более
-0,18 -0,18 -0,2
-0,18 -0,18 ,
- 0,2
-0,18 -0,18
If,x, М!{А, н~ бoJJee
12✓12
12
12
12
12
12
12
V~ых, В, не менее
2,3
2,3
2,1
2,3
2,3
2,1
2,4
2,4
U~ых , В, не б9дее
0,3
0,3
0,4
0,3
(),3
0,4
0,3
0,3
t~,ii°, нс , н<,, более
100
50
200
100
50
200
100
70
t~1, нс, не !Sолее
100
70
200
100
70
200
100
70
.
Krao
10
10
10
10
10
10
10
10
Vп,ст• В, не более
0,5
0,5
0,3
0,5
0,5
0,3
-
-
--

Таб.i:tица2-40-
Обозначение параметра
_
\
1ТК.341 1 К.1 ТК.341 1 1ТК.342 1 I<.1 ТК.342 1 1ТК.34З 1 Kl ТК.343
Рпот• мВт, не более
1
8,0
1
8,0
1
8,0
1
8,0
1
16
1
16
zix• мА, не более :
по входам J, К
- 0,36
- 0,36 1 -0,2
1 -0,2
1 -0,2
1 -0,2
по входам R, S
- 0,08
- 0,08
по входу с
~О,36
- 0,36
1
- 0,4
1 -0,4
1
- 0,4
1 -0,4
lix• мкА, не более:
по входам J, К
80
80
12
12
12
12
по входам- R, S
80
80
36
36
36
36
по входу с
80
80
36
36
36
36
U~ых, В, не менее
2,4
2,1
2,4
2,1
2,4
2,1
U~ых, В, не более
03' .
0,4
0,3
0,4
0,3
0,4
fвх, МГц, не более*
1,5
-
1;5
-
1,5
--
lgi, нс, не более**
150
tзд, мкс, не более***
0,5
1
1
,
0,5
1
1
0,5
-
-
Краз
10
10
10
10
10
110
• Частота следования входяsх импульсов ,
... .
•• Время задержки выкJiюаення по входам .Сброс:, и «Установка>.
<;,о
"'
••• Время за;~ержки переключе~~ия по стробирующеы)' вхо,~у .

'1-
+Uи.п
7
l------o --~ _ . . :1" --1 Мщ.
12
2
.!
s
ii---1
:7----'
8----- '
9------ '
10'-- -- --'
10
12
1ЛБ3't3А;1ЛБ3'13Б
2
-6
10.х1
11
х
Ид.
Х3
Оощ.
1ЛБ3'1-'IА ;1ЛБ3'tЧБ.
'1-
+U,,_n
8
7У2
10 У3

1ЛБ3J/.2А;1л53q25;к1ЛБ3J/.2
х16 8
xz7
10•
10
Х38
~1
хч9
х513 8
ц.
о +Uн.п
Х5 1J/.
.. .lLyz
.С7 1
Хе2
12
6
1ЛР3Ч1А; 1ЛР3Ч1Б;К1ЛРJЧ1
•13'7 :

138
1ЛР3l/2А; 1ЛР3l/2Б; 1<1ЛР3l/2
q.
+Uи. п
.1ЛРJ'1Зд; 1ЛPJ'IJS '
!lf.
Х16 8
xz7
Х38 8
хч9'
X5 :1Z
, -: ,:613
g
Х7.11/
Ха1.• 8,
. :т:g2•.
Ж10 3
:ж115
1
' +U11.rt :xj6i 8 1
хг7.
чв·
хч5
QJfщ,
10 Yt,

131'1- 1
1ЖЛJL/-1А;1ЖЛ31J.1Б; J<1ЖЛ31/-1
Ч-
1ТК3'1-1; К1ТК3'11
lf
5:
Мщ._
г
,7В911,
5
7
в
9
2
1
13
: 14-
,'3
R
i
J
1
,..
'f:!
.!
~
()
!
10~
~
1<.'
s
iз9

1ТК31/-2; К1ТК31/-2
z·
1ТК3Ч2;1ТКJ'-1 1IА;1ТКJ'-11/Б
г
140
5RТ
7
вJ
9
2с
13
11/- /(
1
Js

. ....
,1>-
5
fTXJ<13; А'I TNJLl3
11
+и•.•
iJ"
13
2
Общ.
тг
~
/
tQ1
J
Q1
с
10
~~1f/
J \д-а;
13Qг.

СЕРИИ 136 И К136
Тип логики: ТТЛ.
Состав серий:
1ЛБ361, ЮЛБ361-2 элемента 4И-НЕ.
1ЛБ362, ЮЛБ362-элемент 8И-НЕ.
1ЛБ363, КIЛБ363-4 элемента 2И-НЕ .
1ЛБ364, КIЛБ364-3 элемента ЗИ-НЕ.
; 1ЛР361, К\ЛР361-2 элемента 2И-2ИЛИ-НЕ.
, 1ЛР363, К!ЛР363-элемент 2-2-2-ЗИ-4ИЛИ-НЕ.
' 1ЛР364, ЮЛР364-элемент 4И-4И-2ИЛИ-НЕ.
1ТК361, КITK361-JK-тpиrrep с логикой ЗИ на входе.
Корпус прямоугольный стеклянный 401.14°1. Выводы: общий -
7;+Ии.п- 14.
•
Напряжение· источника питания всех микросхем Ии, п =: + 5 В;
допускаемое отклонение для микросхем с индексом К не более + 5%,
для остальных + 10%.
Обозначение параметра
Рпот• мВт; не более
• и~ЬIХ'
В, не менее
• ugыx, В, не более
fв'х, МГц, не более
t~;!: синх• _нс, не более
t~;,.~ уст• нс, не более
Uп, ст, В, не более
Igx, мА, не более :
rю входам J, К
. по входам С И ' «Установка»
/~х• мкА, не более:
по входам J, К
по входам С и «Установка~
Краз
'
1-ТК361
19,8
2,4
0,3
3,0
.1 00
100
0,4
-0,4
-0,8
30
90
10
Таблиц а 2-41
Kl ТК361
18,9
·2,4
0;3
з;о
100 .
100
0,3
- 0,5
- 1,0
32
96
10
Пр им е ч ан и_ е . t~д°. синх - время задер_жки включения от входа <CCиri_
· кронцзiщня•; t;iJ.~ ус т - -вр е м я
задержки от входов «Установ _ка нуля• н «Уста­
новка е.ц,иницы•. '

. ... ...
~
-
С;.)
-
~-
.:
·
ф
С'-1
·-Ф •
~
Об.означение
-
~
~
-
.
ф
\:О
·С.О .-
·i:o
с.о
~
i:,':)
-
м·
.
параметра
tQ
~
.r.o
r::;
i:Q
r::;
-
r::;
-
i::;:
-
~
-
~
-
Рno'I', мВт, н~ более 8
9
4
522
't
1~х!- мА, не более 0,45 ' 0,5
0,45 0,5 0,45
11х, ~кА, не боле~ 30 32
ЗQ
32 30
Vtы.x , В, не менее 2,4
. 2,3
2,4 2,3 2,4
и~ыхi.В, не более 0,3 0,4
0,3 0,4 0,3
t~ho, нс, не бо,чее 60
90.11О
•140 60
.
t~i~ нс~ J!e qqлee 60
90
60 90-60:
/
Vп1ст, В, не qo~ee
0,4 0,3
0,4. о,;з 0'4
'
--
... "":
, П р и м е ч а н и е. •]Jлямикро_схемв~ехтиповКРа~_:_.1О.
~-
ф
~
t.CI
i::;
-
~
.
.
-••
19
0,5
32
2,3
0,4
90
99
0~3
1
Таблица 2;-42
..
"1:1"
-·
-
~
~
"1:1"
ф
ф
ф
"1:1"
с.о
~
-~
С<':)
м
м
~
с.о
tQ
.Ф
о..
ф
а..
ф
о..
~
~
.
м
м
tQ
i::;:
о..
r::;
а..
r::;
а..
i:::
t:;
.. ...
r::;
-
t:;
-
t::;
-
-
~
- :..
~
-
~
-
~
..... \
-......
.
1~,
.
~
..,
•
't
•-•,-."l
•~~
12
14
11,0
14,0 10,5 13 О
'
55
'
о
'
0,45 q,5 ~ 0,45 0,5 0,45 0,5 0,45
30 32, 30
32 30
32 30
'
~
2,4 23 ..
'
,
·
24
'
2,3
2,4
2,3 2,4
3·
.
.
013 0,4 0,3
0,4 о,~. · ОА 03,
4-
60
90
80
110 140 140 80
-1
~
60
90
80
110 140 140 80
1
0,4 ,03
'
0,4
0,3 0,4 0,3 0,4

l
'
1ЛБ361; К1/!р 361
.---.-----1,-,-.-..,.______;_;_1Ч+~
н.п
1
:r:1
:r:2 2
• :r3ч
:rч 5
:r5 9
8
:rs 10
:Х7 12
....___.-+--+-1-+4--'--+-4-__:_7
:r8 13
06щ.
910121:I
8 12'1 -5
, 23fl5.61112
1Л5362; К1ЛБ362
...------....:..;.1Ч +Uил
7
L--+----+--..;..06щ.
1ЛБ363; К1ЛБ363
12
Jll.5
- 6910
8121:I
1ЛБ36Ч;К1ЛБ36Ч '
:r:1 1
:r:z 2
Х3J
:Хц q.
:Х5 5
:Х5 6
Х7 11
хв 12
8
6
!11
ВYZ
ВУ1
ВYJ

1ЛР361; К1ЛР361
11J
910 8ZJ
i/-5
1
91013123Ч5б
1'--~-. . . ,
2'--_.----1_..
3----+ -1-.. .. .. .
'1---~ -- - -
1ЛРJ63; К1ЛР363
1ЛР3~Ч,"К1ЛР36Ч
1'1 -
tO-s+v--+-1<::1-,
11-..++-кч
12--+ - -l- -«'11--a
13-- ~
..
L.Ь,..~4--_
_.. ..___ ..._ :. ..? Оаш,.
х11
XzZ
Xf181
Xz 1J
Х33 '
Xq i/-
x510 8
Х5 11
Х7 12
хв 13
Yt
l!...
Yt
145

i-.
· 1тк~м;к1тк;rs1:
11и,.,11[ ~.•
~Qn.••.QQ.··~ .
] 1 . ;;~:1тJ
!
111·vrr ~)~ '--1 ~rr~ 11\..J .11 6
•11hf
13
11 ~-
j1°
11
~11~12 ts~G
12fr1; -.
-·
1> .t·
,
.
·:
'
"
,._
;, ·--·-;> _ =
·
r :6~:
-
81 н.
7..к
xs!.!. .
11•
1.
+
...
~ ...
.
Xg~ S
. , 7-оtщ.
•
1'i
.
\

Тип логики: ЭGЛ.
Состав . серии:
СЕРИЯ К137
ЮЛБ371, ЮЛБ3719 -элемент ЗИЛИ~НЕ/ЗИЛИ с возможностыо
, расширения по ИЛИ и нагрузочными резис­
торами -на •выхрдах.
I(IЛБ372, К1ЛБ379 - 2 эле"!ента ЗИЛИ-НЕ с нагрузочными резис-
торами на выходах.
ЮЛБ37!0
-
2 элемента ЗИЛИ-НЕ.
ЮЛБ375
-
элемент ЗИЛИ-НЕ/ЗИЛИ с повышенным коэф-
фициентом разветвления и нагрузочными рези­
сторами на выходах.
ЮЛБ376, ЮЛБ3717 - элемент 5ИЛИ-НЕ/5ИЛИ с нагрузочными
резисторд/v!И на выходах.
КIЛБ378
-
элемент ЗИЛИ-НЕ/ЗИЛИ с возможностью
, расширения по ИЛИ.
ЮЛБ3716
...:..элемент ЗИЛИ-НЕ/ЗИЛИ с повышенным ко-
эффициентом · разветвления.
ЮЛБ3718
-
элемент 5ИЛИ-НЕ/5ИЛИ,
ЮЛП371, ЮЛП372 - 2 трехвходовых расширителя по ИЛИ.
IОИЛ37!, К1ИЛЗ72 - полусумматор с нагрузочными резисторами на
выходах.
-
полусумматор.
ЮИЛ375
ЮТР371
-
RS-тpиrrep -синхронн"ый с наrру:зоqными ре-
ЮТР373
К!ТР374
зисторами на выходах.
-
RS-тpиrrep синхронный . .
-
О-триггер.
Напряжение источника •питания всех микросхем серии Ии. п =
= -5 В+5%.
_
Напряжение источника опорного напряжения - 5 В + 5%.
Корпус прямоугольный пластмассовый 201.14 -1 . Выводы:
-
Ии.п
-
7; - Иопорн
-
6; общий - 14 (кром~ микросхемы • ЮЛП371 и .
ЮЛП372); у микросхем ЮЛБ375, ЮЛБ3716, I(IТP371, ЮТР373
• и 1(1 ТР374 вывод 14 , должен соединяться с выводом 1.
Статическая помехоустойчивость микросхем серии К137 (кроме
ЮЛПЗ71 и · юлПЗ72):
приt=25°Снеболее"160мВ; •
при t = -l0°C не· более 30 мВ;
приt=70°Снеболее50мВ.
147

11
5
148
1098
1098
f<1ЛБ371; f<1ЛБ3719
-------~111olfщ.
6 1312
f<1ЛБ372; f<1ЛБ379
б5ifJ
f<1ЛБ3710
J:1 в
J:2 .9
1 J:310
111 общ.
J:1~ 1
2 Xzti N~
- x3.L.
13
___ _
.......,_.,_.__,,...__
__
,-...ес..1~! Общ.
.-ин.п
1098
б5ifJ
J:1J ·1
:r:2L
J:35 ·
!11
У2

//
5
10
Н1ЛБ375
1
14
•Jt"щ. atfш,.
101112
1
К1ЛБ376; К1ЛБ3717
1Ц
Оащ.
6
10981/-J
21
1<1/!БЗ78
1;1
·r
Общ.
7
-Uи.п
98
612
Х13 1
x/'1-
xJ8
Хч9
,r8 10
:.::1..L
Xz9
ж3•10
·х'/5 А
.r:. 11 в
12 Yf
13
12Yt'
1_yz
]49

Н1ЛБ371С -,
1•11/.
Общ. ОоЩ.
7
10111Z
• Z-/Jп.п 6
Н1ЛБ371f1
11/-
OtfЩ.
109вq.J/
~
.1/
1 -/Jп.11
12 2 1<1ЛП371; К1ЛП372
S•81.1J71
150 '
1
:t13 '1
:rz '1- -
:&3 8
:rц 9
:&5 10
.. "--
11 !Н
• 2Yz
12 Yf
11
Yz
1
Yt
2
Yz

_
8•s·
. К1И Л37 1; К1ИЛ372
Jf5JZ17fJ
-llи.rr
К1ИЛ37!
1/-5Z
K1Tf371
8 1(}
11 tZ
HS .1.
2Yf
12 Yz
1
s
!ls .
sтгQ
11R
3
151

К1ТР373
sт
2Q
11R
ц.
10s
ц.-
12
-Q.
R
1.---t -4- --<~--+ --t --t- -o-- --<>- --7-Uи.п
В10
11 12
l<1TPJ7!./,
106'щ.
1118:;тгQ
Общ. 10
С1
11
Cz
~q
2 12·cJ
3
152 '
)

-
ел
::5->
Таблиuа 2-43
-
Обозначение параметра
1
КIJJБ371
,,
К:1JlБЗ72
1
КIЛБ375
1
К:1JJБ376
,
.
/ пот, мА, не Еолее
15
25
50
15
и~ых• в
-О,7+-0,95
- 0,7+ -0,!}5
-О,7+-0,95
-О,7+-0,95
и~ых• в
-1,45+-1,9
- 1;45+ -1,9
-1,45+-1,9 •
-1,34+-1,9
t;_;;>, нс, не более*
6,0
6,0
7,0
6,0
t~;t, нс, не более*
6,0
6,0
7,0
6,0
I Rз' мА**
4,,S-9,0
4,5 -9,0
-
4,5-9;0
/~х• мА, не более
0,2
0,2
0,2
0,2
Краз
15
15
100
15
Коб, вых
5
5
5
5
• Г.ри сн=15пФ.
••
Ток через резистор эмиттерного повторителя,
Обозначение
• параметра
/ пот- мА, не более
U~ЫХ' В
и~ых' в
t1;;', нс, не бо.1ее
tg;t, нс , не более
I ~х• мА, не более
Краз
Коб. вых
Таблица 2-44
К \JlБЗ78
К:1ЛБЗ79
KIJlБ3710
КIJJБЗ716 1 КIJJБ37\ 7
КIЛБ37\8
К:1ЛБЗ719
,,15
45
25,
30
35
15
35.
-,-О,7+-0,95 -0,7+ -0,95 -0,7+ -0,95-0,7+ -0,95 -О,7+-0,95 -0,7+-0,95 -О,7+-0,95
- 1,45+-1,9-1,45+ -1,9 _! _1,45+-1, 9-1,45+ -1,9 -1,45+-1,9 -1,45+-1,9-1,45+-1,9
ЦО
ЦО
ЦО
io
ЦО
ЦО
ЦО
цо
цо
~о,
io
~о
~о
цо
~
~
~,
~
~
~
~
15
15
],5
100
15
15
15
5
t
1
5
2
1
5
1
\

Обозначение
ЮТР373 -
КIТР374
параметра
l пот• мА, не более
38
55
l~x• мА, не более
0,2
0,2
и~ых• в
-0,7+-0,95 -О,7+-0,95
U.~ык• в
- 1,45+-1,9
tl,O
ЗД' нс,
'·
не более
7,0
12
fO,I
зд' нс, не более
7,0
12
Краз
100
100
Коб,пых
2
2
Обозначение
I<lИЛ371
I<IИЛ372
параметра
11,от• мА, не более
45
28
l/:~ых• В*
-О,7+-0,95 -О,7+-0,95
и~ых• в"
- 1,45+-1,9
-1,45+-1,9
fl,O
зд' нс, не более
8,0
8,0
f0,1
зд' нс, не более
8,0
8,0
l~x• мА
0,2
0,2
1Rэ' мА**
4,5-9,0
Краз
15
15
• · На инверсных выходах и выходах «Сумма...
•• Ток через рез11стор эмиттерного повторите!IR -
Обозначение параметра
l Б,..ут• мкА, не более *
ll<, ут' мкА, не более **
Ивх• В
/~х• мА, не более
К IJ!П371
1,0
5,0
- 0,74+ -0,81
0,2
Таблиц-а 2s45
I(l ТР371
55
0,2
-О,7+-0,95
-1,45 + -1,9 :
7,0
7,f)
100
2
Таблица '2-46
1(1ИЛ37З
28
-О,7+-0,95
- 1,45+-1,9
8,0
8,0
0,2
15
Таблица 2-47
KlJ!ПЗn
1,0
5,0
-0,71 +-0,84
. 0,2
• Измеряется в режиме:
на выводах 2, 12 напряжение О В; на выводаю
J, [3 относительно выводов 2, 12 напряжение минус I В; напряжение иа выво,
да-х3. 4., 5, 8, 9, 10 минус·5В.
••Измеряется .в . Режиме: на выводах 2, 12 относительно выводов 1, IJ на•
пряжение 2 В; на ,выводе 7 напряжение минус 3 В,
•
154

Тип логики: ЭСЛ.
Состав серии:.
СЕРИЯ К138
К 1ЛБ381-элемент 8ИЛИ-НЕ/8ИЛИ.
Ю'171Б382 -2 элемента 4ИЛИ-НЕ/4ИЛИ.
ЮЛБ383-4 элемента 2ИЛИ-НЕ.
Кlл'БЗ84-4 элемента 2ИЛИ.
КIЛПЗ8l -дифференциальнь1й приемник сигнала с линии;
К 1ТР38J - RS-триггер.
.
К1 ТР382 - JЭ,триrгер.
•
Корпус прямоугольный пластмас.совый 201.14-1 . Выводы:
-
И.;.~ -
7; общий - /4,* .
.Н11пряжеаие
источника питания всех микросхем Ии.п =
-
5В+
-+- 5%.
•
•
У микросхем К.IТР381 н К.IТР382 вывод 14 следует соединить с вы­
водом ' .
Н1ЛБ381 ' _ ,
11/-
Обш,; ,, j
Х1.1
1 Xz1/
х5
1!/1
&' -~
Хц. 8
Х5· 8
1l!Jz
Х59
Х7 10
xq_11 1'
J'+56в91011, 7~Uи,п
I5ii

JЧ-56
23
11 12
j55
К1ЛБJВ2 '
1l/: Общ.
-Uи.п
7
891011
К1ЛБJ83
Ч-5
1
910
:Х3Ч- 1
:хч 5
:Х59 1
:С5 10
fУ1
2Yz
1У1
sYZ
ВYJ
13 Уч

2J
11 1г
1D,12
89
13
1'+
Общ.
J<1Л538LJ
/./- 5
910
1<1ЛПJ81
z,
6
:xz J
Ж3 Ц.
жч5
1'1-
Общ. Х1
::cz
XJ
хч5
Х5
Х5
7 х7.!.1..
-и. ::св 12
и."
.
J
1У1
1
6 !Jz
1
8 Y:r
1J Уч
1
У1
биJz
8Уз
'1
13 Уч
157
'

K1TPJ81
1 Otfщ. --
1Ч.общ. 5
т
R
3''Q .
q.
с 112-
;11 ·
•Q,
'S, ;
к1тпв2 ,
f Otfщ.
11/-5Rт
Общ.
_ :JQ
6"])
q.
с
1Zi[
11s
158

Таблица 2-48
1
Обозначение параметра
.
.
КIЛБ381 К!ЛБ382 К!ЛБ383 КIЛБЗ84
КIЛП381
ЮТРЗ~I '
КIТР382
.
-.,.
....-
-
..
"
·---.
.
-1
-
l пот• мА, не более
13.
26
52
52
•52
52
52
и~ых• в, _не менее
-1,01
-1,01
-1,01
--, -1,01
- 1,01
- 1,0!
-1,01
...
и~ЫХ' в, не бо~~~
- :-::-1,55_
-:l,5q
-:1,55
-: :1,55 •
-1,55
.
-1,55
-:1,55
l~i• мА, не б~Jfee
0,3
о,~
0,3
о.~
-
10
10
/~ых' мА, не более
20
20
20
20
20
20
20
f3д, р, ер, нс, не более *
5,0
5,0
5,Q
..
5,0
5,0
10
10
Каб, вых
'
5
•5
5
/
5
5
5
5
•
Краз
10
10
10
10
10
10
10
Ил, ст• В, не более
0,1
0,1
0,1
0,1
0,1
О,~
0,1
·-
с:д
<О
• При Сн=IО пФ

Тип логики: ТТЛ.
Состав серии:
СЕРИЯ К141
1(1ЯМ411-матрица ЗУ емкостью 32 бита (8 словх4 разряда) .
К1ЯМ412 - матрица ЗУ емкостью 16 бит (4 словах4 разряда).
ЮЯМ413-матрица ЗУ емкостью 16 бит (4 словах4 разряда).
Н1ЯМ'111
9
в
7
6
10
У1g ЗУ
5
У2В
12
7
YJ
J
Уч
в
13
;,:1 10
XzJ
1Ч.
11
Уст.,,О" -•-
160
12 Р1
11•
Рг
2PJ
1Рц

Корпус прямоугольный пластмассовый 201.14-1. Выводы: разряд
Р4- 1; разряд Р3- 2; адрес х2- 3,•; подложка- 4; +Ии.п-5*; •
адресу4 - 6; адресу3 - 7; адресу2 - · в; адресу1 - 9;· адрес х1 - 10 **;
разрядР2 -:- -11; разрядР1 -12;+ Uи.п -13 **; установка нуля- 14.
7
8
9.
в
7
6
3
11/-
5
12
11
• Для микросхем КIЯМ411 . и КIЯМ412.
н Для микросхем KI ЯМ411 и 61 ЯМ413 •.
· K1Я !j!L/- 12
Ячей.ка. памяти,
6 n/p_ Тарабрина В. в .
У19 ЗУ
Yz8
12•
Р1
У37
11 Pz
-
Uц6
2Р5
:xz 3
1 Рч-
' j 01111/-
ст.,
161

2
9
7·
6
10
13
12
11
.,__......,а
Ячейка памяти;
!11' --9- -- ЗУ ·
Y2-
8
----1iil
7
у3---·
!fч._6_,.
i1_
.10_
. ...
V
О" 1L/-
.Jст.,1 . .
Электрические параметры микросхем серии К:141
Напряжение источника питания И.и. п ..........- , +з В + 5%
. Ток
считывания по ра3рядной . шине /~ч не менее . . . . 0,45 мА
Ток считывания по. разрядной· шине /~ч не более· ,_ .
.
.
40 мкА
Ток записи по шине установки нуля / эпо не более .
10 мА
Ток утечки на разрядной шине не более , . . . ,
.
,,.
5 мкА
162.'

!
Ток логической единицы в адресных шинах:
/l не более
11 не более ·
Ток логического нуля в адресных шинах:
1i не более
It не более
Мощность потребления
не более* , .....
на адресных шинах Рtот• . мВт,:
Емкость разрядно·й ·шины не более .
Ток записи по разрядной шине •/ зп, рш не более . .
• На один триггер .
+Uи.п
р
х!J
б*
0,3 мА
0,7мА.
15 мА
8,5 мА
1,5 мв"
26 пФ
12 мА

Тип логики: МОП.
Сост 11 в серии:
СЕРИЯ . К144
К!ИР441-3 квазистатичес ких сдвиговых регистра с числом разрядqв
!, 4, 16; общее питание и тактировка; входы и выходы
последовательные-.
Корпус круглый металлостеклянный 301.12 -1.
Выводы: .общий - 1; . Ии.пi
-
12;Ии.п2- 11 .
Электрические параметры микросхемы К1ИР441
!Напряжение источников питания: ·
Ии.nl•••••••••••••
Ии.п2'•••••••••••••
ТО!{ потребления / ПОТl не более
Ток потребления / пот2 не более
Частота импульсов сдвига f сдв .
Длительность импульсов сдвига:
на входе _10
.. ... ...
.
навходе3..........
!Напряжение входного сигнаfа:
и~х ..... . ..... .• ..
и~х..............
Напряжение · импульсов сдвига:
и~дв. '
ug~B••••••••'..•••
-12,6,В ±5%
-27 В±5%
4,5 мА
2,5 мА
0-1 МГц
0,2-10 мкс
0,5- 2~ мкс
- 9+-20 В
0+-2 В
-22+- 28 В
о+-з в
Задержка выходного сигнала относительно входного
.
(информационная емкость)
21 (16; 4; 1) бит
Выходное · напряжение U~шх .. . . .
0+-1 В
Выходное напряжение И~ых . .. -: ' .
- 9,5+- 13,5 В
Ток по входу фазы Ф1 не более ., .
100 мкА
Ток по входу фазы Ф2 не более . ,
.
500 мкА
Ток утечки по :7.1огическому входу не более.
5 мкА
Емкость тактовых входов (3, 10) не более
7пФ
Емкость информационных входов (2, б, 8) не более
3пФ
Выходное сопротивление Rвых не более:
приИвых-1В
..
,...:
.
.
.
.
при Uвы х- -9,5_В
.
.
.
.
•.......
Минимальное время ввода инф ормации , ' .
Сопротивление нагрузки Rн не менее . . . .
Емкость нагрузки Сн не более
Ип,стнеболее,.......... ,
.
.
164
5 кОм
10 кОм
100 нс
0,5 МОм
50 пФ
1,0 В

-
ф
- ~';\
l<fИP4IJ'1
.
• г-----., г'"' r--μ-, r--·i-гv--;..,-н-1..r-
· ----~-"'у•и,,,~~ ~~1 -c1IR(}..
11Р
•
1
h
n н·1-1
·
нНЧ
.
_
12 10
9
I4 jlt"icr111111•11.1111
.
4а. а · U..Л1 С2 116μУ1
1, 11
11111111'111
,,
.........-9
l12p1\:!рIl'ip' '5р-, ,вр117р' 1Вр119р1,l15pl'
!,,,и11 1 1
1,цнн1-1цн!-i1.,
г--.-......, .
•
.
1
11 1--+---+-1
[Е!а,.1ННг1НННН
~1
Общ.
1,
•
11
11
11
!J•!1
11
,,_ 1
f1·.11
r
[ _J"
•·
.
·10
з
~~
·--
--
г--:.....----, г--, г-, г~------l
г--------...,
1
•
h lift~
111·f~1\_J
1 · а. а.iIр li~Ja~~~JJd
:J:J
1
_а.. • , 12р i13.pl1
1
-
.
1,.111
а.
н
..а,
-
~
,
н''
1-~
1
_;Q
.71
16
вE
RG•
Cz H_zY2
1)1
-
s6
- ~R ~l1~y3
:01

СЕРИИ 146 И К146
'Устройства управления ферритовыми ЗУ _
Сос_тав , серий:
1КТ46!, КIКТ461
IKT462A, К!КТ462,;
1КТ462Б
-фор.мирователь разрядных токов,
} -2 формир·ователя вте~э:ющих _ адреснь;хтоков . .
1КТ465А, КIКТ465, } ' -2 формирователя вытекающих адресныJ!i
!КТ465Б
токов ,
.1 УИ461Б, К! УИ461Б,
, 1УИ461А, К!УИ461А,)
;1УИ462А, К 1УИ462А, -усилитель воспроизведения дву,хполярн~,й
' lУИ462Б, К!УИ462Б
[1УИ463А, К! УИ463А, )
1УИ463Б, К!УИ463Б,
1УИ464А, К 1УИ4б4А, - усилитель воспроизведения, однополярный.
1УИ464Б, К! УИ464Б
.
16б
Корпус металлостеклянный круглый 301.- 1 2 -1. -
- к1ктч G1;1к rчs1
7
11
О(щ.
7
_+и,,_.1,
9
5
. JИ.K.Т'i6g.; 11(т.l/.S2А;..1К:Т'162Б-
z
1Z_

+Uн.п1
7
9
12
10
11
K1KT'IBS;·11<Т-'IBSA; 1КТI/В55
12
8
1УИЧ-61(А,Б);К1УИ'IВ1А; К1УИ'161Б 1
7
Uн:лЦ
xuB
1>.
1
г
12
.
Yt
:rz
г
•1УИ'l.62(А,Б) ;К1УИ'f62А; К1УИ'1625
7
г
1
-
-Uи.nZ
5
lf
:t67

9
12
10
11
12
1.6 .8
1УИ'1-63(А,Б);К1УИ'l-63А; К1УИ'1-635
7
+U,1-Л1 x1{rE>2
·
12
!:lf
3 :tz
1-[~+.,.,.....::..
Uн.пЧ
1УИ'1-6'1-(А,Б) ;К1УИ'l-6'1-А,К1УИ'-16'1-Б
7
+U,,ц11Х11!1'>2
_____._ _
12
У1
Xz
i...- .a - -;:;.J
Uн.пЧ
2·
1
5
1/-

Таблица 2-49
'
ЮКТ462,
.
,Обозначение параметра
1КТ461
ЮКТ4бl
IKT462A,
1КТ4б2Б,
IKT465A
1КТ465Б
КIКТ465
Ии, nl• В*
+10
+10
'
5,0
, 5,0
5,0
Ии. п.2, В*
+6,~
+6,3
-
-
-
Ии. пЗ• В*
-6,3
-6,3
О (IKT462A)
О (1КТ462Б)
О (КIКТ462)
Ии. п• -В, не более**
-
-
+30
+22
-
Ррас, ер• мВт, не более
200
-
-
200
-
Иост• В
- 0,6++0,6
- 0,1++0,1
1,3-2,2
1,3-2,2
~ 2,8
1ут, вых• мкА ***
-50++50
- 500++500
~20(30)-
~ 20 (22)
~ 150 (12)
fвых• мА, - не более
±80
±80
330 (Q?6) 330 (Q? 6) 330 (Q? 6) -
tвкл/•· нс, не более****
3оол
-
220
220
220
500 °
-
J•
-
-
-
tвыкл/• нс_, не более
-
-
30
30
1
-
• Допускаемое отклонение для микросхем с ин,!!ексом /( не более ± 5%, ,!!ЛЯ остальных не более± 10% ; в скобках указаны
номера выводов, к которым , подключается питание.
•• Подключается к выводам · 2 и 12 через нагруэочныi! резистор.
•• • В скобка>< укаэ~Нь'! напряжения, при которых измеряются rоки утечки.
•••• Полное время включения тока.
;;,
д Для пеложительного направления выходного тока.
<D
□ ,Пли отрицательноrФ направления выхо11ноrо тока.

~~
Таблица 2-50
Gбоэначеiiие параметра
IУИ461А iУИ461Б К:! УИ46iА I<:l УИ461Б !УИ462А !УИ462Б К:! УИ462А I<:1УИ462Б
.
Ии. nl• В*
+5,о +5.0 ,
· +5,0
'
+5,О
+5,0
+5,о
+5,о
+5,о
Ии. h2; В*
-10
-10
-10
-10
-ГО
-10
-10
-10
Ии. пз, В*
- 5,0
- 5,0
- 5,0
- 5,0
- 5,0
- 5,0
- 5,0
- 5,0
и~.п4,в*.
- 5,0
о
- 5,0
о
- 5,0
о
- 5,0
- 5,0
Ррас• мВт, не более
100
100
-
-
150
150
-
-
Uсрб, мВ, не более
22
30/24
33
8,0
14
9,0
16
Ипор• нс! не более**
10
16
8,0
14,0
4,0
7,0
3,0
.5,0
t•
б ***
вкл,/' нс, не олее
100
100
-
·
-
100
100
-
-
tвыкл 1, нс, не более *"'*.
100
100
-
-
100
100
-
-
lут, вых, мкА, не более л
150
150
150
150
150
150
150
150
lвьiх, мА
1, 1......2,0
• 1;1~2,0
1,1-2,0
1,1-2,0
• Допускаемое откло~iение для микросхем с индексом К не t'олее ± 5%, для остальных - не ·более± 10%.
•• ~начение напряжения, при котором ' обесiJечивается выходной ток 'вых=l,l-2,0 мА.
•
••• Полное время включения и ВБiключения тока.
д Измеряется при напряжении 5 В•
.'

Таблица 2-51
...
Обозначени.е параметра
IУИ463А IУИ463Б ЮУИ463А
КIУИ46ЗБ 1УИ464А 1УИ464Б КIУИ464А КIУИ464Б
1
1
•1
-10 ~1)
Ии, пl• В*
-10(1)
-10(J)
-10(J)
'
1•
Ии. п2, В*
+5,о (7)
1
+5,о (7)
1
+5,о (7)
1
+5,о (7)
Напряжение источника -,- -5 (3)
-
- 5,0
-
-5,0
-
-5,0
-
смещения, В *
-5(8) -:-5(8)
. _:_5,0
- 5,0
- 5,0
- 5,0
- 5,0
- 5,0 (8)
Ррас, мВт; не более
100
100
-
-
100
100
-
-
Uсрб• мВ, не брлее
22
30
24
33
8
14
9
16
--
Uпор• мВ, не более
10
16
8
14
4
7
3
5
tвкл, 1 , нс, не более
• 100
100
-
-
100
100
-
-
'
tвыкл, 1 , нс, · не более
100
100
.-
(
-
-
100
-
-
f_вых, мА
1,1-2,0
1,1-2,0
1,1-2,0
1,1-2,0
1
1
1
-
1
lвых,ут, мкА, не более**
150
150
150
150
1
1
1
1
• Допускаемое отклонение длп микросхем с индексом К не более ::!:: 5%, J.ЛЯ остальных микросхем ± IP3⁄4; в скобках указа•
~ ны номера выводов . к которым подключается источник питания.
•
•
..;..
•• Измеряется при напряжении 5 В.

СЕРИИ 155 И К155
Тип логики: ТТЛ.
Состав серий:
IЛБ551, К!ЛБ551-2 элемента 4И - НЕ .
1ЛБ552, К!ЛБ552 - элемент 8И-НЕ.
1ЛБ51i3, К!ЛБ553 - 4 элемента 2И-НЕ.
1ЛБ554, КIЛБ554-3 элемента ЗИ-НЕ.
1ЛБ556, КIЛБ556-2 элемента 4И-НЕ с большим коэффициентом раз-
•
ветвления.
IЛБ557, К1ЛБ557-2 элемента 4И-НЕ с открытым коллекторным вы­
ходом (элементы индикации).
IЛБ558, К1ЛБ558-4 элемента 2И-НЕ с открытым коллекторным вы­
ходом (элементы контроля).
1ЛР551, К!ЛР551 -2 элемента 2И -2ИЛИ-НЕ, один расширяемый
по или.
1ЛР553, К1ЛР553 -элемент 2-2-2-3И-4ИЛИ-НЕ с возможностью рас­
ширения по ИЛИ.
IЛР554, К1ЛР554 -элемент 4-4И-2ИЛИ-НЕ с возможностью расши-
рения по ИЛИ.
1ЛП551, К1ЛП551-2 четырехвходовых расширителя по ИЛИ.
1ЛП553, К1ЛП553-восьмивходовый расширитель по ИЛИ.
ПК:551, КIТК551 - JK-тpиrrep с логикой ЗИ на входе.
-1ТК:552, КIТК552 -2 D-триггера.
КIЖЛ551
-формирователь разрядной записи, усилитель вое~
•
произведения и схема установки нуля.
IОИЕ551
-декадный счетчик с фазоимпульсным представле-
нием информации.
Корпус прямоугольный пластмассовый 201 . 14-1 . Выводы: общий
-
-
7; + Ии,п -14.
172
Напряжение питания всех микросхем И"· п = 5 В+ 5%. _
-
1ЛБ551;К1ЛБ551
86-
х11 8
·хг г
, XJЧ-
Хц5
Х59 8
:r:6 10
i712
J:9 13
6
У1
8
yz.

Электрические параметры микросхемы 1(1ЖЛ551 в режимах записи
и считывания
Ток потребления lпот не более ... - .. . .. . .. . ..
.
Напряжение uo на выходе усилителя считывания не более­
Ток / 1 на выходе усилителя считывания- не более .
Напряжение uo на разрядной шине не более .. .
Напряжение U1 на разрядной шине . . ...... .
Напряжение uo на шине установки нуля не . более
Напряжение u1 на шине установки нуля .....
Входной ток /~х не более
Входной ток /~х не более
Время задержки распространения t1J: Р не более
Время задержки распространения tgд~ Р не более , .
Электрические параметры микросхемы КIИЕ551
Входной ток /~х , не более
Входной ток /~х не более
Выходное напряжение U~ых не мене:, ..
Выходное напряжение U~ых не более . . . . .
Максимальная частота входного сигнала fмакс
Коэффициент разветвленj!я по выходу Краз
1ЛБ552;1<1ЛБ552
2
3
5
6
:r:1 1
ж2Е
:rJ 3
':rч ч.
ж5l..
жs6
J:7 11
II:g 12
8
35 мА
,0,4В
0,1 мА-
0,95 В
1,2-1,8 8
0,95 В
1,2-1,8 В
1,6 мА
80 Ml{A
60 нс
50 нс
-1,6 мА
40 _мкА
2,4 В
0,4 В
10 МГц
4
в !11
173

...
....
,1"
12
31/ 5
1ЛБ553;1<1ЛБS53
I.6 9 1()
81213
1"il-
+U/1.lr
11
'i
Общ,,
:t11.
:xz 2
8,
:Х3~ 18
:хчs.__
:rs.! ..J 8,
:r610
:t7 J!.. ' 8,
:х~-13
Lg1
в.
-
·.
!JZ
e·!J1
11
-·
!Jч

~
~
.ЦJ
1211·
•• .;..--.,., _
.. 1 .,,,,- f 1!'•Ч -:;т,
1езij5
_ 1дSSSLJ.; K1/15SSL/-
_
,.. .\
.
4
-
-. --~...:.- -- : .- :-. : ;. .----;-;;- ~~ -~ у. ~
--~--...~
-.
.,..;:;-.-. 'T r-
·· --;,.-~
.~
-:
6 91(/ 11
-
--_
_
/ 1!/-
+ии.п
8
7
•рощ_.
х~8
х;~ ••l 1г 111
x;s!.L Г -
x
4.l. 18,
хs!!:.
:&5~"
~7.
•.:Ев . ~-
&
811 .
-
-: :Ji

1ЛБ55б;К1Л655б
1ЛБ557;К1ЛБ557
86
1'1
+Uн.п :r1 1
Xz2
XJ lf
Xq5.
Х59
:r6 10
Х712
Xg 13
~~L--__. __. __-6-_. ___
_. . _.....,.___
7 Оdщ.
g;r
176
1,
56
1ЛБ558; К1ЛБ558
lf 10
. 13,
'89
-
1112
XJ
Xq6
Х5
хв9
Х7
:re 12
6У1

1ЛР551;К1ЛР551
68
1ЛР553; К1ЛР553
9
12
10
х19
Xz 10
13
1
2
7
::& 7 l/-
J
OtfШ,, ; Xg 5
4-
Xg6.
5
х10 11
Х11 12
11
81
А
в
8
У1
8
Yz
8
!:11
177

1ЛР55'1-.;К1ЛР55'1
1
2
9
11
12
13
5.
х1 1·
'&1
Xz2
XJJ
хч. ч
Х510 &
Х5; 11
х7 12
Ха· 13
Х9,SА1
Х10g81
..._ ._..._. . . .._ .,_ .,_ _.,__ ___.,_
· "-7Мш,,
К_1ЛП551; 1ЛП551
129
11 10
J<1ЛП55З;1ЛП553
11/
.-----+Vn,r, 1J
1------ '
2-------'
J--------- '
'1--t -+-+- - - -'
S-+ -+- -+- -1--<,_ ___,
6-+- -t- -t--1- ---ir--1 -~
8--t--t-- -il --t--+-+ -- '
13--------------
1 :r1
Xz1
Х32
хч3
Х5 1/·
:r6 5
Х7б
хв8 .
\
11
У1
_ 12Yz

,....
-i
<С
8 • ........_.. 1 1
~Г
1ткss1; к1ткss1
1 ТТ.
.1Z
"1'1·
+Uи.п
вс ({,
'

00о
1TK5S2;K17KSS2 '
S 1310
'11/- -
~
-
··
+llи.n
-
~
-
1
УЧУ111У 1
у
~Rl·т
J/.
' .li
уу
~Е rQ1
с''
O..°Q1
1
ц
s
1 1,, Vf( '----t-'U~ / т • 'J IltШГ "-----iЩ ' .
...
·tJ''
1
'
1-.
1JRт""
J 111~1 П П П IIIIIL7ff"L.+rttl I П П ПII
1
J-i .Qz
12
Е
11
cl·.
μQz
21~rr -----ч 1 ri1<11IГП~ 1 п1-<17
. !Q..J s
Общ.
111
6111l

~
s
-
00
....
К1ЖЛ551
11
г
/
11/-
7
о"iщ.
x1lJF t>
.т2.J.!L.
:ч-Е..
.тч 13
11 У1
5Уг
2у;

-
00
К1ИЕ551
12
~7
- 1- 1t ,....:....., 11 r1.. 1 1 x1.1 .J &1Сч.
Общ.
! tt ,--, i it ,.......,
-1-
xzl..
11
1
5
х 91&1 fY1
J-
Хч8
· l~~l~~ll~~IШll~~ll~~IШI ~ ~~11
+ии.п-·
1fП ПППIIIППIIГJIIППlt 1111 П ПI1*11 П ПIll___!i!_ППII
5
8
9

Таблица 2-52
;;;
"'
"'
.,.
-
""
"'
"'
"'
.,.
"'
0бозначение
"'
"'
"'
"'
"'
"'
"'
"'
"'
щ
"'
щ
"'
щ
"'
щ
параметра
щ
.,:
щ
с:; ·
щ
с:;
,Lд
с:;
.,:
-
с:;
-
с:;
-
с:;
-
-
~
-
~
-
~
-
~
Рпот,мВт, неболее 52 39 26 21 110 78 80 57
UI1
вьrх·• в, не менее 2,4 2,4 2,4 2,4 2,4 2,4 2,4 2,4
'
и:ых• В, не более 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4
fl,.O •
ЗД'НС,неболее;15 15 18 15 15 15 15 15
f0,1
зд. нс, не более
2922332229222922
/~х• мА, не более -1,6 -1,6 -1,6 -1,6 -1,6 -1,6 -1,6 -1,6
1ix;мкА,неболее 40 40 40 40· 40 40 40 40
Uri, ст, в, не более 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4
/(~б
4-
8-
2-
3-
Краз
10101010!.О10•1010
• По входу ИЛИ; лля микросхем с ·индексом К . не регламентируется,
Тnблица; 2-53
<D
"'
00
-
<D
"'
"'
.,, _
00
"'
"'
Обозначен не
"'
и,
U')
и,
"'
"'
;;;
"'
'"'
(.Q
U')
щ
"'
Lд
"'
о.
параметра
щ
с:;
i:q
с:;
щ
~
о.
~
~
-
~
-
-~
-
~
-
-
~
-
~
-
~
-
~
Рп~т• мВт, не более , 86 92 82 79 100' 79
73 58
и~ых• в, не менее 2,4 2,4
'
-
-
-
2,4 2,4
'
иzых• в, не более 0,4 0,4 о,4 0,4 0,4 0,4
_,, 04
,'
0,4
!
t~-:,. , нс, не более
2015-
-
-
-
18 15
~ ;:. нс, не более
2922-
-
-
-
33 22
1ix,' мА, не более
- 1,6 -1,6 -: -1,6 -1,6 -1,6 -1,6 -1,6 -1,6
183

<Ь
Обозначение
.,,
.,,
параметра
щ
r:;
-
-
!Jx, мкА, не более 40
fвых, мА; не более -
Ип, ст, в, не более 0,4
К*об
-
Краз
30
• По входу ИЛИ.
Обозначение параметра
Рuот, мВт, не более
ИJых• в, не менее
и~ых• в, не более
fl,O
зд' нс, не. более
f0,1
зд ,. нс, не более
1ix, м'А, не более
/~х• мкА, не более
и
к
п, ст• В, неболее.
раз
.
184 -
-
ф
.,,
.,,
щ
r:;
~
40
-
0,4
-
30
"'
.,,
.,,
р..
r:;
-
73
2,4
0,4
18
33
- 1,6
40
0,4
10
Продолжение табл. 2-53
....
00
;;;
....
.,,
00
.,,
"'
.,,
;;;
.,,
.,,
щ
.,,
щ
А.
.,,
.,,
.,,
щ
r:;
щ
r:;
р..
r:;
r:;
r:;
r:;
-
-
~
~
-
~
404040404040
30301616-
-
0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4
-
-
-
-
8-
-
-
-
-
-
10 '10
Таблица 2-54 ,
"'
...
.,,
...
.,,
;;;
.,,
.,,
р..
.,,
р..
.,,
. .,.,
r:;
р..
r:;
~
-
r:;
-
t-<
~
-
~
-
47
53 58
1-00
2,4 2,4 2,4
2,4 .
0,4 0,4 0,4
0,4
15
18
15
60
22
33
22
-
50.
- 1,6
- 1,6
- 1,6
-1,6(J, К)
-3,2(С, R,S)
'
40
40
40
.40(J, К)
80 (С)
0,4 0,4 0,4
0,4
10
10
10
-10

Продолжение табл. 2-54
Обозначение параметра
К.1 ТК.551
1ТК.552
КIТК.552
Рпот, мВт, не более
105
150
157,5
и~ых' В, не менее
2,4
2,4
2,4
и;ых' В, не более
0,4
0,4
0,4
/1 ,О
эд, нс, не бодее
40
60
fO,l
зд' нс, не более
40
50
1Zx'
мА,. не более
-1,6(J,К)
•- 3,2(С,R,S)
- 1,6 (D)
- 1,6 (D)
- 3,2 (С)
-3,2(С) .
/~х, мкА, не более
40(!,К) ·
40 (D)
40 (D)
80 (С)
120 (С)
120 tC)
Ип, ст, В, не более
0,4
0,4
0,4
Краз
10
10
10
ПР им е чан и я: 1. После эначений входных токов l~x и . l~x указан.,;
обозначения выводов, к которым эти значения относятся.
2. Максимальная частота переключен·ия триггеров 1ТК.551, К 1ТК.551 ,
1ТК.552 и К 1ТК.552 равна 1О МГц.
•
3. Для микросхем 1ЛР553 и 1ЛР554 коэффициент объединения по входу
ИЛИ не более 8.
Т аблиuа 2-55
Обозначение параметр_а
1ЛП551 1 КIЛП551 1ЛП553 1К.1ЛП553
Р пот, мВт, не более
20
1ix ' мА, не' более
- 1,6
- 1,6
- 1,6
-16
''
/~х ' мА, не более·
0,04
0,04
0,04
0,04
/~ых, мкА, не более
10
20
10
20
U~ых, ·В, не более
0,4
0,4
0,4
0,4
,.
fэд, В11• нс, не более
5
5
Ип . ст• В,. не более
0,4
0,4
0,4
-
0,4
Пр и меч а н и е. tзд, вн - задержка распространения, вносимая при под•
ключении к входу с возможностью расширения по ИЛИ ,
_
185

Тип· логики: ДТJ\.
Состав серии ,
•
СЕРИЯ 156
1ПМ561А:_ 1ПМ561В-формирователь . временных - интервало,в.
1УП561А, 1УП561Б - элемент 4И-НЕ , мощный с открытым коллекто-
,
ром, с возможноетью расширения по И.
1ЛБ561А- 1ЛБ561В-элемент 6И-НЕ с возможностью расширения
поИ.-
1ЛБ562
-элемент 6И - НЕ.
1ЛБ563А - !ЛБ563В - 2 элемента 4И-НЕ.
1ЛБ564А - !ЛБ564В-2 четырехвходо.вых расширителя по , ИЛИ.
!ЛБ566А, !ЛБ566Б - мощный элемент 4И - НЕ с возможностью -рас-
ширения по И.
!ЛП561
-
4 двухвходовых расширителя по И . .
Нааршкение питания - всех микросхем Ии. пl = 5 В + 10%; Ии. п2 =
=3в+10%*.
1-
Корпус металлостеклянный 401.14 -2 . Выводы: общий ·- 4; И и. п
(Ии.п1)-б; Ии.п2-5 *•
" · Только для: микро схем
l 'ЛБ561А-1ЛБ563В.
7
8
9
10
11
1ПМ561А - 1ПМ5В1В
1211/ 1
.-.-.--+---+-++-4--+---о--+--'-6 +Uид
8'8
1УП561А;1УЛ561Б
,....______,___в +llн. n
.-- -+---12=-
:r1 7
:I:z в
.Т:J 9
J
9
. :r:ч 10
:i:5 1f •
Е
8
и,

1---к:t--◄
1L/----te:t--.....- t
1J---м::1---о
12----ас:;1-.♦.....--К:t◄
10---К't-..·:
1д6561А,~1ЛБ5В1В
5
~+Uи.:Z
1
', .:ц_1_.. ._
_
, :Е2 1LJ.
:EJ 13
·
• 12:
1Ец----
:С5 10
Z6 9:
,____ .. __
ч. оtщ.
Z.1 8·1. .Е=
,1ЛБ56.2".
в·· о
ж· 1"'
1"
Х2· 1LJ.
1
:&3_.13
-}Ц
:rц _12
1J
12,.'
.&5 10
10
Ж6~9
\З
ц.·о5щ.
1ЛБ563А\~•1ЛБS63В
•
':
•
#
·8
7
9
-
10
Xt:8
12
Xg9
хз• 10-
хч 12
-6
l/-
. +Uи .п1
Общ.
Х5. 1J.
Хfк 1L/-
1J
Х7 1·•
1L/-
3
ica 2
1
2
_
8,,
:f U1
8
1У(
_
J~1
.:
1~7

1ЛБSS4A-1Л5SSJ/El
,в
7,.
9
8,
,о
:t1 IJ
fZ
liz 9
'
7
:X;s 10
!/t;
q.
:rч ·1-z
:f
+Uн.lli
Мщ.
:&5 1:r
8,
~·
:rs 1/f
:r!/.· '
~~
:i:7 1
~
fJ
fЧ-
,1
iJ
.r:в г
\.г
1ЛБ5SSA;fЛ55SSS
в
+Ри.п
&
:r:17
xz8
,7
• XJ9
1
хцЮ
Yt'
ll
9
10
·xs1f Е
11•
11
Qo'Щ, J
1ЛП5S1
~1
:r
е
{:
~
-
-
Е5
7
~8 8,8,
Е 10.
9
~
1J
.
Ч-
1J 8,8
1Z
11/-
{:
Ч-
~(nоаложка)
1_88

Таблица 2-56
<
<д
~
<
<д
~
-
-
-
"'
"'
"'
"'
<D
<D
<D
<D
<D
<D
<D
Обозначение параметра "'
"'
"'
"'
"'
"'
"'
<д
<д
<д
-<д
<д
<д
<д
.
,
"'
"'
"'
"'
t:;
"'
"'
-
-
-
-
-
:
-
-
Рпот• мВт, не более* 17
17
17
25. 34
34
34
/~х, мкА, не более
1,0 1,0 1,0 1,0 1,0 1,0 1,0
Igx , мА, не более
1,75 1,75 1, 75 1,75 1,75 1, 75 1, 75
V~ых, В, не менее 2,60 2,60 2,60 2,50 2,55 2,55 2,55
и ~ых• в, не более 0,54 0,48 0,42
'0,42 0,.54
0,48 0,42 -
/ ~ых, мкА, не более 20
20
20-
20
20
20
t' ,О
З.Д' нс, не более
30
30
30 45
30
30
30
t"· 1 нс, не более
40
40
40-
40
40
40
3~'
t O,1
'
нс, не более
20
20
20 25
20
20
20
[1,0
'
нс, не более
150 150 150 30 150 150 150
Vп. ст, В, не более
0,4
0,4 0,4
-
0,4 0,4 0,4
Коб
10
10
10
6
4
4
4
Краз
6
4
2
16
6
4
2
-
• В статическом режиме.
Таблица 2-57
Обозначение параметра 1• 1.УП561А
1
\УП561Б . ,
1ЛБ566А
1
1ЛБ566Б
/~х' мкА, не более
1,0
1,0
1,0
1,0
l~x'
мА, не более
1,75
1,75
1, 75
-
1, 75
и~ых' в, не менее
-
2,55
2,55
и~ых• в, не более
0,52
0,62
0,52
0,62
1вых• мА, не более
75
50
t O,I
'
нс, не более
30
30
30
30
fl ,О' нс, не более
90
90
90
90
fl ,О
ЗД' нс, не более
40
40
60
60
f0,1
зд' нс, не более
150
150
150
150
К раз
36
23
189

Таблица 2-58
Обозначение параметра
\ЛБ564А
IЛБ _564Б
IЛБ564В
рПОТ, ер• мВт, не более
34
34
34-
/~х, мкА, не более
1,0
1,0
1,0
/~х, мА, не - более
1,75
1,75
1,75
и~ых• в. не менее
• 2,55
2,55
2;55
Ugыx, В, не более
0,54
0,48
0,42
/~ых , мкА, не более
20
20
20
t;J, нс, не более
30
30
30
tii, нс, не более
40
40
-40
t0•1 , нс, не более
20
20
20
ti,o,, нс, не более
150
!·50
15()
Uп, ст• · В, не более
0,4
0,4
0,4
Краз
6
4
2
Коб
4
4
4
Электрические параметры ми~росхем 1ЛМБ61А - - 1ПМБ61В
Мощно.сть потребления:
.
?.~от не более
P,b<n не , более
Ток:
/~х не более .
•l~x не менее .
Напря>кение И~ых не менее .
Напряжение U~ых не более:
для !ПМ561А ..... .
для IПМ561Б . . ... .
дляШМ56ТВ.... ,
.
.
.
.
.
Минимальная длительность импульса lи на выходе 3 .не более
Минимальная длительность импульса fи на выходе 11 не более
. Время
включения t0•1 не более . . . . •.
.
.
.
.
.
:.....:
Время выключения t 1•0 не более ...... . .. . .. . .. .
Время задержки выходного импульса по выходу 3 относи-
тельновходного-tg;,нс,неболее . . . . .. . .. . .
Время - задержки выходного импульса по выходу 11 относи­
тельно входного t~до, нс, не более ,
Коэффициент разветвления Краз:
для 1ПМ561А ...... . .
для t:пМ561Б ...... . ., .
дляIПМ561В.........
65 мВт
71 мВт.·
1,0 мкА
1,75 мА
2,55В·
0,54 В
0,46 В
0,42 В
120 !{С
220 НС
35 нс
130 нс
60 НС
35 нс
6
4
2
Электрические параметры микросхемы 1 ЛП561
Оqратный ток / обр не более • . .
Прямое п·адение напряжения Uпр . . . .
Т@к утечки на ;подложку Lу.т не более . .•
Время во~становле·ния fвос не более *
• 1,0 Ml<A
О,60-О,87В
1,5 мкА
5нс
• При /пр= 1,0 мА.
l!:190

Тип логики : ТТЛ.
Состав серии
СЕРИЯ К158
К!Л Б58·1 -2 элемента 4И-НЕ .
ЮЛБ 582-элемент 8И-НЕ.
](]ЛБ 583-4 элемента 2И-НЕ.
](]Л Б584-3 элемента ЗИ-НЕ.
](]Л Р581-2 элемента 2И-2ИЛИ•НЕ .
](]ЛР583-элемент 2-2-2-ЗИ-4ИЛИ-НЕ.
](]Л Р584-элемент 4-4И-2ИЛИ-НЕ.
:ЮТ К581 -JK-тpиrrep с логикой ЗИ на входе.
Корпус прямоугольный пластмассовь1й 201 . 14-1. Выводы: об­
щий - 7; + И11.п -14.
Н апряжение питания всех микросхем Ии. п = 5 В+ 5%.
Электрические параметры - триггера КП-1(581
Мощноеть потребления Рпот в динамическом режиме не более 40 м Вт
2,4 В
На пряжение U~ых , не менее .. •.
..
......
.
.. ...
.
Напряжениеuiыxнеболее ......
•
Ток1ixповходамJиКнеболее.....
Ток /~х по входам С, «Уст» не бол·ее .
ТО!{/~хповходамJиКнеболее.....
Ток /~х по 'входам «Уст» и С не более ..
Вр ем я задержки включения от _входа С не более
0,3 В
.
-0,5 мА
-! мА
32 мкА
96 мкА
юо нс
В р емя задержки включения от входов установки логиче-
ского нуля и логической единицьi не более
Рабочая частота fвх, МГц, не более . ,
.
.
.
Дл ителнность импульса на входе С не менее .
Коэффициент разветвления по выходу Краз .•
J<1ЛБ.58 1
Х1·1
100 нс
3 МГц
200 нс
10
Xz2
•6
.
Х:5,;
Yt
хч5

12Jl/-56111Z
7
(J6J
Jll-5
:t1
:tz z
J
У1
:XJ
6 !Jz
Хц5
·:rs
8YJ
:Z:5 10
:Z:7
11-
:хв 13
Уч
+Uн.п
11/-
7
Oifщ.
192
1ZfJ
ЮЛБ582
1/f.
7
К1ЛБ583
6 910
..
К1ЛБ58'1
12J1/-fi
:r11
Xz2
х/ l_
хч 1/-
Х5 .5
х66
Х7 11
:rs 12
8121:r
:t1
:r:z
XJ 1J
Хч
Х5
Х5
:Х7
.
J:g
Xg
fi 91011
8,
I
.
11
12!Jt,
8

113
910 823
91013123Ч-56
1----;, -- -1 .. .. ,.
2----;r-1-!...U
J----+--+-Н-0-.
Ч------+--+--++.
10
11
12-+- - .
....> -i-,
13
1<1ЛР581
Ч-5
К1ЛР583
К1ЛР58Ч
Х111',1-
х,2
х;J
:r:/1-
:Х510 8
х5· 11
:r:7 12.
:r:в 13
. ._ _.__ __ ___ __ __ ___;. .7 IJtfш,.
7 n/p Тарабрииа Б. В,
193

1Т!{581; !{1!!{581
00
"'
О)
со
со
Обозначение
"'
"'
"'
щ
щ
щ
параметра
r::;
r::;
r::;
:.::
:.::
:.::-
Рпот, мВт, не более 9,45 4,98 19,4
uiыx, В, не более ' 0,3 0,3
0,3
и~ых, в, не менее
2,4 2,4
2,4
t1;, нс, не более
60 110 60
tgii, нс, не б~лее
60
60 60
/~х , ;11кА, н'е более
-
500 - 500
-
500
l~x, мкА, не более
32 32
32
Ип, ст, В, не более
0,4 0,4 0,4
Краз
10 10
10
.
194
..,.
О()
"'
щ
r::;
-
:.::
14,5
0,3
2,4
60
60
-500
32
0,4
10
2R
3g
1/
5I
12С
9&
10
11К
13S
а
11.
Таблица 2-59
00
"'
..,.
00
00
"'
"'
"'
р..
р..
р..
r::;
~
r::;
:.::
:.::
:.::
13,62 13,1 6.,82
0,3
0,3 0,3
2,4
2,4 2,4
80
80 80
80 140 80
-
500 - 500
-
500
32
32
32
0,4 0,4 0,4
10
10
10

СЕРИ~ К166
Состав серии:
I~ !НТ661 - микросборка из высоковольтных тр~шзисторов.
Корпус прямоугольный металлостеклянный 401.14-1,,
К1НТ661
•c~ -~J
1J
с:1у·
5т6
Электрические параметры каждого транзистора
Начал ьный ток коллектора f кэо не более ..
Коэффициент прямой передачи h 219 не менее
Напряжение насыщения Икэ. нас не более .
Ма ксимально допускаемые напряжения:
Икэ, макс
Икв, макс
Макс имально допускаемые токи:
'к. макс ••
/К,и. макс
/Б.макс••
7*
30 мкА
5
5В
250 В
300 В
1 5мА
10 мА
5мА
195

Тип логики: МОП.
Состав серии:
СЕРИЯ К172
КIЛБ721-2 элемента 4ИЛИ-НЕ/4ИЛИ,
КIЛБ722-элемент !ОИЛИ-НЕ/!ОИЛИ.
К!ЛИ721-4 элемента 2И.
К!ЛР721 -2 элемента 2И-2ИЛИ/2И-2ИЛИ-НЕ.
КIТР721 -RS-тpиrrep со сложной входной лоrикоit.
Корпус прямоугольный пластмассовый ЗО!ПЛ14-2. Выводы: об­
щий- /;- Ии.п
-
8.
Напряжение питания всех микросхем серии Ии.п= -27 В± 10%,
К1ЛБ721
r,
К1Л5722
i
б-
!fz
23J/.5910
196

1<1ЛР721
J2 '15
12111311/,
К1ТР721
,2
J
12
-
·.п Xf
XzJ
XJ J/-
Хц
:r:5
' :Х5
.
3:7
:хв
1
9 'Q.t
6Qz
г 1o "{j_z
Таблица 2-60
Обоз начение
параметра
1 КIЛБ7211 КIЛБ722 1 КIЛИ721 1 К!ЛР721 1 КIТР7 2 1
f11от, мА, не более 2,5
1,5
5,0
2,5
2,5
и~ых • в, не менее
~7,5
- 7,5
-7,-5
-
7,5
- 7,5
uiiыx • в, не более -2,0
- 2,0
- 2,0
- 2,0
- 2,0
111,, м кА , не более
1,3
1,3
1,3
1,3
1,3*
/ ,д, р, ер, мкс**
0,5
0,6
0,6
0,6
0,6
N11x• MO:vi , не менее
15
15
15
15
15
U11 , ст, В, не более
1,0
1,0
1,0
1,0
1,0
/( раз
15
15
15
15_
15
• Час·щта следовани,r входн ~х импульсов пе бoJiee 200 кГц.
•• При Си= 20·nФ.
197
\

СЕРИЯ К176
Тип логики: nополняющие МОП- структуры.
Состав серии:
1
R:I76ЛПI - элемент логический универсал~:;ный *.
К176ЛП4 -2 элемента ЗИли:нЕ и элемент НЕ.
-К176ЛПI 1 - 2 элемента 4ИЛИ-НЕ и элемент НЕ.
К176ЛП12 - 2 элемента И-НЕ и элемент НЕ.
К! 76ЛЕ5 - 4 элемента 2ИЛИ-НЕ.
Кl76ЛЕ6 - 2 элемента 4ИЛИ - НЕ.
Кl76ЛЕIО-:-- 3 элемента ЗИЛИ - НЕ.
К176ЛА7 - 4 элемента 2И-НЕ.
Ю76ЛА8 - 2 элемента 4И- НЕ.
К!76ЛА9 - 3 элемента ЗИ-НЕ.
I076TMI - 2D-триггера.
Корпус прямоугольный пластмассовый 201.14 -1. Выводы: об­
щий- 7;+Ии.п- 14.
J:Iапряжение питания всех микросхем Ии. п = 9 В + 5%.
_
* Микрос,оема К:176ЛП1
может быть использована в качестве: а ) трех
элементов НЕ; б) элемента ЗИЛИ - НЕ; в) элемента ЗИ-НЕ; г ) элемента НЕ;
с болhшим коэффи1J.иентом разветвления.
· 198
13
К176ЛП1
21
83
lf510

К17бЛП!/
1'+ +Uи.п
3
13XfJ1
'i
12
:r:2 'i
6Yf'
XJ5
5
11 :r;Li 11 1
6
Х5 12
1аУ2
х6 1J
1 9YJ
в
9
К17бЛП11
51i32
8
91011-12
6
1<17бЛЕ5
6
s
98
1L/-
.
Xt1
JYt
J.
+Uи.п :Xz 2
1J :х3·5
qУг
2
12х6
Li
11
8
. :r:5
10 У!
Х59
7 :Х712
11 У4
• Обш,. :ха 13
'f 10
-
199

5
3
·.3
q.
5
К176ЛЕ6 ,
К176ЛЕ10
· 1~ +Ui,п
___
__:_:_~---тr:-_-:_-=_-=--=--=--=-11_1_1 .Xt
.хг
·х
х
х
7
L!LЦL!f-H~01 ~-
J
.200
К176ЛА7·
·х1
Х·
х
х
х
Уг

J
1./-
5
3
5
К176ЛА 8 .
К176ЛА 9
821
10
,.;;..~1~----1~--Ф-.:.;11 Хц
J:5 2
....i•-------12 Х5 8
..-1•.+----!--+-~13 Х7
J!g 12
7 Xg13
-----------------обш,.
1
'
К176ЛП'l2
8
13LХ1
.п:,;;2 3
Х3
Хц
Х5
Х5
:Е.7
Хе
о
"!Jz
~
... ,.._ _.____.. _+-+_. ,_.1>-1- . .._4-6- - - -1__._- 4- -4. ..._ ~: .. ._
Xg61 8!JЗ
·--
•6
9,101'11Z

-
~
с:,
N
4
К176ТМ1
1ч +Ulf.Л
'
1
•т11
- fJ.1
с
μ,1
чIR
~
]) Т ~30.2
11с
12-
10R
•
fJ.2.
"

Та6,1ица 2-б1
Обозначение
параметра
jк:i15лп1I К176ЛП41 К17бЛПl11 К176ЛЕ51 К176ЛЕ61 I076ЛEIOI к176ЛА71 КI76ЛAsl к176ЛА91 к11бтм11 к11:лПI2
т
lпо т• мкА,
0,1
0,1
О,\
0,1
0,1
0,1
0,1
• 0,1
0,1
0,1
0,1
не более*
и~ь;х. в.
0,3 ·
0,3
·О,3 .
0,3
0,3
0,3
0,3
0,3
0,3
0,3
0,3
не более
и~ых• , в,
8,2
82
'
'
8,2
8,2
8,2
8,2
8,2
8,2
8,2
8,2
8,2
не менее
lут, вх• мкА, 0,05
0,05
0,05
0,05
0,05
0,05
0,05
0,05
0,05
0,05
0,05
не более
t~до, . НС,
200
200
200
200
200
200
-
-
-
-
-
не более
t~l· нс,
-
-
-
-
-
-
400
400
400
-
400
не более
fвх• МГ:ц,
1,0
1,0
-
i,o
1,0
1,0
1,0
1,0
1,0 •
1,0
-
не более
1
Ип, ст, В,
0,9
0,9
0,9
0,9
0,9
0,9
0,9
0,9
0,9
0,9
0,9
не более
Свх• пФ,
12
12·
-
12·
12
12
12
12
12
-
-
·
не более
'
Кtаэ
100
100
-
100
100
100
100
100
100
-
-
1:-=>
S
• В статическом режиме.

СЕРИИ 178 и К178
Тип логики: МОП.
Состав серий:
IЛБ781, ЮЛБ781 - 2 элемента 4ИЛИ-НЕ/4ИЛИ;
IЛБ782, К!ЛБ782 - элемент IОИЛИ-НЕ/IОИЛИ.
1ЛИ781; ЮЛИ781 - 4 элемента 2И.
1ЛР781, К!ЛР781 - 2 элемента 2И-2ИЛИ/2И-2ИЛИ - НЕ.
IТР781, К! ТР781 - RS-тpиrrep со сложной входной логикой.
• Корпус
прямоугольный металлостеклянный 401.14 -2 : Выводы:
общий - 1; - Ии.п
-
8.
•
Напряжение питания всех микросхем Ии:п = 27 В-+- 10%,
1ЛБ7В1;К1ЛБ781 1
-Uи.h
B:r1
11:2
Х3
Х4
•Х5
хб
(
: :r:713
ч---------~---------1:rв1'1-
23lf5
11 12 13° 11/,
1ЛБ7В2; К1ЛБ782 '
6Yt
7Уг •

1ЛИ78·1;1<1ЛИ781
Х1
Xz
XJ
Хц
Х5
Х5
,..___.___._..,_.....,._++i-_..._,,.._-ьн--1)..-......,__ щ.х7
1хв
,i2
,.J
rrJ 2 '1-5
'f5
1Ji'I-
1лпв1; 1<1ЛР7В1
12 '11 131'f
1ТР7В1;Н.ПР781
23
12 13
1/s3ТТ
JS1
гS2
11/- С1
13 R1
12 R2
Cz
1
г
У1
6
У2
9
Уз
10
Y'f

1:-:>
о
С))
Та6ли.ца2-62
Обозначение параметра
lЛS78l 11(1ЛБ7811 IЛБ7821 1(1ЛБ782, lЛИ781 1КIЛИ78j I IЛР781 11(1ЛР781 1 · ITP78I I К:1 TP78l
/ пот, мА, не более
2,5
2,5
2,5
2,5
2,5
2,5
2,5
2,5
2,5
2)5
и~ых,- в, lje менее
-9,5
-7,5
-9,5
-7,5
-9,5
-7,5
- 9,5
- 7,5
- 9,5
-7,5
uiыx' В, не более
-0,5
-2,0
-0,5
-2,0
-0,5
-2,0 -
- 0,5
- 2,0
-0,5
· -2,0
lвх, мкА, не более
-
1,3 '
-
1,3
-
1,3
-
1,3
-
1, 3*
f3д, р, ер, мкс, не более 1,9** 0,6*** 1,9** 0,6*** 1,9** 0,6* * *
1,9** 0,6* *,*
1,9** 0,6** *
Rвх, МОм, не более
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
Ип, ст, В, не более
1,0
1,0
1,0
1,0
1,0
1,0
1,0
1,0
1,0
l,O
Кnаз
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
• Для микросхем I ТР781 и К.1 ТР78! частота слелованця вхолных импульсов f ~ 0,2 МГц,
вх
-
** При Си= 200 пФ.
*'*ПриС =20пФ.
'
н

СЕРИЯ 185
Состав серии:
1 85Р У1 - интегральная микросхема для оперативных запоминающих
устройств на ос но ве симметр ич ного тиристорного триггера
со схема м и управления .
9
13
12
а)
(:хt'мы:
.-- ------r- ----r--- +U,.п
7 Общ.
!{ схемам упра8ления записьюlсчи­
тыВанием
.-
/{ ячейкам
памяти.-
-
+и•.п
11/
15 Bxoff •
~~--запис~
7
В)
Bыxoff
06щ.
г)
11 - фу н кциональная; б
-
одной ячейки памяти записи /считывания :
в - в ходной цепи записи; г - выходной цепи считывания .
207

Корпус плоскии металлостеклянный 401 .14 -1 . Выводы: коорди­
ната х1 - /; координата х2 - 2; координата х3 - 3; коорщшата х4 - 4; •
координата у1 - 5; координата у2 - 6; общий :-- 7; вход. записи логи­
ческого нуля первого разряда - 8; вход записи логической единицы
первого разряда - 9; выход первого разряда - 10; выход второго
разряда - //; вход записи логической единицы второго разряда:-- 12;
вход записи логического нуля второго разряда -13; . + Ии. п - 14 .
Эдектрическ11е параметры_ интегральной микросхемы 185РУ1
Информационная ем1<ость . . ..
Напряжение питания ...... .
Мощность потребления не более .
Потребляемый ток в режиме хранения информации
не более
.
........
.
.
.
Максимальная частота. обращения .
Ток /~ых не более
Время считывания не более
-Время восстановле}!ИЯ не более .
Емкость выхода считывания не более
Емкость нагрузки на выходе считываН!IЯ не более
Емкость разрядного входа записи не более
Емкость адресного входа не более : ....
Напряжение U~x не менее
t-iапряжение И~х не более
Ток 1ix, Р по разрядным входам записи не более
Ток 1ix, Р по разрядным входам записи не более
• Ток /~х. а по адресным входам не более ..
Ток zix, а по адре с ным входам не более
Напряжение , uiыx не более ....... .
208
16 бит (8 словх
Х2 разряда)
5 В±10%
J, 75 мВт/бит
4,7 мА
2 МГц
15 мкА
•100 НС
120 нс
3пФ
65 пФ
3пФ
2пФ
2,4 В
0,4 В
190 мкА
500 мкА
16 М!<А
550 мкА
0,4 В

Тип логики: ЭСЛ.
Состав серии:
СЕРИЯ К187
1(1ЛБ873, К!ЛБ8711 - элемент ЗИЛИ-НЕ/ЗИЛИ с возможностью
расширения по ИЛИ, с резисторами нагрузки
на выходах.
•
•
1(1ЛБ874, К!ЛБ8713 - 2 элемента ЗИЛИ-НЕ с резисторами нагрузки
на выходах.
ЮЛБ8~7. К!ЛБ8715 - элемент 5ИЛИ-НЕ/5ИЛИ с резистора~iи на­
грузки на выходах.
КIЛП871, КIЛП872 - 2 трехвходовых расширителя по ИЛИ.
l(ITP872, KITP875 - О-триггер синхронный.
,
Корпус прямоугольный пластмассовый 201.14 -1 . Выводы:
-
Ии.п­
-
6,7;общий- 14*.
Напряжениеисточника п итаниявсехми1{росхем* Ии. п= -5 8+5%. :;
• !(роме микросхем К I ЛП871
и I(I ЛП872, Статическая помехоустой­
чивость м~шросхем серии Kl 87 (кроме · КIЛП871, К! ЛП872) ~ •
при t = 25°С не более 160 мВ;
при 1= -10°С не более 30 мВ;
/при 1 = 70°С не более 50 мВ.
Н1ЛБВ73; 1<1ЛБ8711
:r:18, 1 12
• Xz9
У!
13
:r:J 10
Ь-"Хц 11 А
-U".n7
:r:55 в
1<1ЛБ87!1-;1<1ЛБ8713
209

210
К1ЛБ877;К1Лб8715
1'1-
06щ. Х1 :,
1
:r2
XJ
:rч
Х5
н.п
б
,.________,.__...__.__ 7
- U,,,,11
К1ТР872; K1TP87S
11/-
!11
в _13Уч
06щ.1 т
-
,
])
10 С1
-11 С2
12 С3

Обозначение параметра
! лот• мА, не боJ1ееi
/~Х' мкА, не более
и~ых• в
и~ых• в
!R.э• мА*
t~;, нс, не . более**
t~jf, н<;, не более**
Краз
Коб
Коб, вьпс
Обозначение параметра
/ пот• мА, не более
/~х• мкА, не более
и~ых• в
и~ых• в
/R.э• мА*
t 1;, нс, не более**
t~jf, нс, не более**
Краз
Коб
Коб, вых
К I ЛБ873,
КIЛБ8711
9,0 (К!ЛБ873),
15 (К!ЛБ8711)
80
- 0,95+ -0,70
-1,9+-1,45
1,5-3,2
11,0
9,0
15
9
5 (К!ЛБ873),
l (К!ЛБ3711)
К I ЛБ877,
!(1ЛБ87J5
9,0 (К IЛБ877),
15 (К!ЛБ8715)
80
- 0,95+ -0,70
-1,9+-1,45
1,5-3,2
11,0
9,0
!5
5
5 (К!ЛБ877),
l (К!ЛБ8715)
Таблица 2-63
К 1Л 6874,
К!ЛБ8713
13,5 (К 1ЛБ874),
20,0 (КIЛБ8713)
80
;-0,95+ -0,70
-1,9+-1,45
1,5-3,2
11,0
9,0
15
3
5 (К!ЛБ874),
1 (К!ЛБ8713)
Прсдолжение табл. 2-63
KITP872, !(1ТР875
24
80
-О,95+-0,70
-l,9+-1,45 (К:1ТР872)
- 1, 75+ -1,45 (К! ТР875)
1,5-3,2
14,0
10,0
15
l
• Знаqение тока qерез резистор эмиттерного повторит_еля .
•·• При Сн=15пФ.
•
21.l

Наименование параметра
Входное напряжение Ивх, В
Входной ток /~Х' мА, не более
{5, ут• мкА, не более*
lк, ут м~<А, не более**
Таблиuа· 2-64
К1ЛП871
К1ЛП872
-0,81+-О,76 -0,82+-О,72 •
0,16
0,16
1,0
1,0
5,0
5,0
• Измеряется в режиме:
на выводах 2, 12 напряжение О В;, на выводах
/, /3 относит~льно выводов 2, 12 напряжение минус 1 В; напряжение на вьшо-
дах3,4,5,8,9,/Оминус5В.
•
•• Измеряется в режиме: на выводах 2, 12 относительно выводов /, /3 на­
пряжение 2 В, на выводе 7 напряжение минус 3 В.

Тип логики: МО П.
Состав сери1-1 :
СЕРИЯ 188
1ЯМ88! - матрица ячеек памяти емкостью 16 бит .
Kopnyc прямоугольный стеклянный 401.14 -1 . Выводы: общий
-
1;
+Ии.п:_7.
•
Электрические параметры матрицы
Напряжение источника питания, В . ........... , 6B±l0%
Ток потребления . в режиме хранения информации не бо-
лее...... ..................... ,
.
,..10~п,А
Входной ток по всем числовым шинам не более . , , , , , 10 мкА
Токсчитыва_ния/1неменее ......
60 мкА
Ток·считывания/Онеболее............
3,0 мr<А
Ток утечки по каждой разрядной шине не более
0,5 мкА
Время запJ;IСИ не более . . .... ,
.
.
.
,....
300 нс
7
11/-
q.
11
1
г
Ячей.ка2
J
Ячей.ка 16
Общ,.
Выводы 2:· 3, 5, 6, 9, 10, ·12 , 13 -·числовые шины ячее1i:. Шина 2 -
ячейки 1, 2; шина 3 ·_
.ячейки 3, 4 ... и т. д. Выводы 4, 11 - разрядные
шины. Вывод 14 - подложка.
.21J

СЕРИЯ 191
Тип логики: ЭСЛ.
Состав серии:
1ЛБ911,
1ЛБ912;
1J1Б915
IJ1Б916;
1J1Б918
IJ1Б911О
IЛБ9116
1J1Б9118
1ЛП911;
IИJ1911
1ИЛ913
1ТР911
1ТР913
1ЛБ9119- элемент ЗИJ1И-НЕ/ЗИЛИ с возможностью расши­
рения по ИЛИ и нагрузочными резис1>орами на
выходах.
1ЛБ919- 2 элемента ЗИJ1И-НЕ с нагрузочными резисто­
рами на выходах.
1,-
ЗИЛИ - НЕ;ЗИJ1И с повышенным коэффициентом
разветвления и нагрузочными резисторами на вы­
ходах.
1J1Б9117 - элемент 5ИЛИ-НЕ/5ИJ1И с нагрузочными рези­
сторами на выходах.
-
элемент ЗИЛИ-НЕ/ЗИЛИ с возможностью расши­
рения по ИЛИ.
-
2 элемента ЗИЛИ-НЕ.
-
элемент ЗИJ1И - НЕ/ЗИЛИ с повышенным коэффи-
циентом разветвления.
-
элемент 5ИЛИ-НЕ/5ИЛИ.
1J1П912 - 2 трехвходовых расширителя по ИЛИ.
-
полусумматор с иагрузочными резисторами на
выходах.
-
полусумматор.
-
RS-тpиrrep с нагрузочными резисторами на вы-
ходах.
-
RS-триггер.
Корпус прямоугольный металлосте1<лянный 401.14-2 . Выводы
+ Ии.п - 6,7; общий - 14.
Напряжение источника питания Ии. п = - 5 В+ 5%.
Статическая помехоустойчивость микросхем серии 191 (кроме
IJ1П911, 1ЛП912):
' 214
· приt=25°Снеболее160мВ;
при t = -10°С не более 30 мВ;
при t.=:= 70°С не более 50 мВ.
1ЛБ911;1ЛБ9119
11
5
1098
1'1 -
!J1

5
10 •11 12
1Л,Б915
Otfщ.
1
3276
1Л 5916,; 1ЛБ9117
Xt 10
1
Xz 11
Х3 12
-Uи.п
г-------........-----..!2:11/-о~щ.
109В'1-J
г_1
1ЛБ918
1098
612
11/-
XtJ 1
-
x/l-
x3B
Хц 9.
Х5 1~
У1
!=J-Yz
12
1
\
1Yz
215

. 1ЛЕ9116
1
1'!-
г--1~-------------....о6ш,. jобщ.
x11D 1
101112
1ЛБ9118
12
У1
1098'!-J
1ЛБ912; 1ЛБ919
1098
1 -и.
6п.п.5 ij. J
216

1ЛБ9110
1098
3
1ЛП 911;1ЛП912
12г
х13 11 А 1!11
:i:2 1/-
1
:I:3 5
в г!12
1
хч8
A~12!J3
1
11
1
rrc9
9в
13171,
.5
q.
х;10 в 13Уч
-Uи. п
1ИП911
Otfщ.
• 11/- Ц.
HS
г
Х1~
У1
:rz 5
J
"S
1
.
!J3
.
Х38
12
Уг
:Сц 9
13
891
Jf5J21.76-им
7 U11.n
•
217

1ИЛ913
HS
s 1!J;f
12
;,
.yz
)128 9
7
Jf 5 21-Uи.п
1ТР911
тZQ
10
1J
1/,
h,
5
11
R
12
1
В10
11
1
12
1TP'91l
,, Оощ.
1'/,
8S-т
Otfщ.
10
ZQ
2
11R
1/, -
Q.
12
7
-U,м
.8 10
11 1Z
б
-и,м
21в1 Jj

11ЛБ91 I , 1ЛБ912, 1
Обозначение параыетр а
1ЛБ916
1ЛБ915
1ЛБ9116 1
/ пот, мА, не более
1 13(1ЛБ91l и
48
~16
1ЛБ916),
22 (!ЛБ912)
/~х ; мА, не более
0,16
0,16
0,16
/~х• мкА, не более
-
-
-
и~·ых' в
- 0,95+ -0,70
- 0,95+ -0,70
и~ых' в
- 1, 9+-1,45
- 1, 90+-1,45
t1;, нс, не более*
6,0
• 7,0
1
7,0
t~1, нс, не более*
6,0
7,0
7,0
/Rэ' мА .
5,0-9,0
Краз
15
ню
1001
Коб, вых
5
2
2
Коб
1 9(1ЛБ911),
3·
3
3 (IJIБ912),
5 (!ЛБ916)
1
1':>
ф
• При Си=15пФ.
IЛБ918
!ЛБ919 1
13
40
0,16
0,16
5,0
5,0
- 0,95+ -0,70
- 1,90+ -1,45
6,0
1
6,0
6,0
6,0
15
15
5
1
9
9
.
гС.: z=г l-55
1ЛБ9110, IЛБ9117.
1ЛБ9118, 1ЛБ9 119
22 (!ЛБ9l 10),
31 (!ЛБ9117, 1ЛБ9119),
13(1ЛБ9118)
0,16
- 0,95+ -0,70
- 1,90+ -1,45
6,0
6,0
1t
5(1ЛБ9110, !ЛБ9118)
1 (1ЛБ9117, 1ЛБ9Н9)
3(!ЛБ9110),
5 (1ЛБ9117, !ЛБ9118),
9 (1ЛБ9l19)

Обозначение ' пара метра
/ Б, ут• мкА, не более**
lк_, ут• мкА, не более***
Входное напряжение Ивх, В*
!~,. мА, не более
• При
/вых=-5 мА .
IЛП911
1,0
5,0
- 0,80+ -0,75
0,16
Таблица 2-66
1
IЛП912
1,0
5,0
- 0,82+ -0,72
0,16
•• Измер яется
в режиме: на выводах 2, /2 напряжение О В; на выводах
! , 13 относительно выводов 2, 12 наnряженн:е минус 1 В; напряж.е-ние на выво~
дах3,4,5,8,9,/Оминус5В.
*** Измеряется в режиме: на выводах 2, 12 относительно выводов 1, 13
напряжение 2 В, на выводе 7 напряжение Минус З В.
Обозначение параметра
/ пот, мА, не более
/ ~х, мА, не более
t~ii • нс , не более*
/Rэ' мА**
Краз
Каб, вых
Каб
•·приСн=15пФ.
1ИЛ911,
1ИЛ913
42(1ИЛ911),
24 (IИЛ913)
0,16
- 0,95+ -0,70
.:__1,90+ -1,45
8,0
8,0
5-9
15
2
2
Таблица 2-67
ITP91 I,
1ТР913
53 (IТP9l !),
35 (1ТР913)
0,16
- 0,95+ -0,70
- 1,90+-1,45
7,0 .
7,0
100
2
2
•• Значение - тока через резистор эмиттерного повторителя.
Выnад 6 у микросхем: подключают к источни1(у tшорноrо напряжения
,-5 B::t::5%;
вывод / у микросхем IJIБ915, IJIБ9116 , 1ТР911, 1ТР913 · подключается
к выводу «Общиμ• (14).
22J

СЕРИИ 201 И К201
Тип логики: РТЛ .
Состав серий:
' 1,11 Г,0 11, К2ЛБО11
-4 эле м ента НЕ.
:i.1 113012, К2ЛБ012,
} -4 элемента НЕ.
:.!,}16 01 3, К2ЛБ013
:1 .ПGО 14, К2ЛБ014
-
2 элемента НЕ и 2 элемента
:J ЛБ 015, К2ЛБ015
- 5 элементов НЕ.
:.!,116 016 , К2ЛБ016,
}- 5 элементов НЕ.
;,I.J i60 17, К2ЛБО17
2ИЛИ-НЕ.
:•.11с о 11, К2ЛС011 -2 элемента 2ИЛИ с возможностью расшире­
ния.
' I I T0 !l, К2НТ011,}
11 1IT012 , К2НТ012, • ~ набор транзисторов.
' 1 1JТО 13, К2НТО13
Корпу с прямоугольный металлополимерный «Тропа)). Выводы :
U11.n
-
4 *; общий _:_ 10.
Напр яжение питания всех микросхем Ии. п = 4 В± 10%.
·• Кр о м е наборов транзисторов.
2ЛБО11; 1<.2ЛБО11
1./ -
+flи.n
1
!,
3
1Р.
2
1.
1
8
11
1
7
ff
9
1
10
оtщ.
221

2ЛБО1З;К2ЛБО13
1/-
+Uи.п
5
J
2
Xz12.1
2
12
У2
6
8
1
11
9.
Хц 11
9
10
-
Уч
otfщ .
2ЛБО1'f; К2ЛБО1'1-
1/-
А
fУ1
12
2
:r 11
'
J
·1
9
-Yz
11
9
7
Х58
7Уз
6
в
Xg5 1
J Уч-
5
3
100бщ.
2ЛБО15;К2ЛБО1S
Ч-
+ии.п
5
J
1
2
6
12
-
9
J:5 9
1
в !ls
222

2Л БО16;К2ЛБО16; 2ЛБО17; К2ЛБО17
1/
lllи.n
,3
,1
Xz1
1
2Yz
г
7
Х36
7
{)
!JJ
1г
11
:rч 12
11 Уч
9
8
10общ.·
::С5 9
в !15
2лсо11;к2лсо11
1/-
+Uи.r, ( Х7 1
'
·:rzг.
9'
!11,
·Х311 А
.f_
___ _ ._ 1 -C::J--{
·1_
___
___,1------,Н---'
..хц l
1
Х55
8Yz
!1~---~ ~: :::11.f'
10
xs7. А
/1
----оощ,
.__,, __ _,
, /IТ011; 2НТО12; 2НТО13; 1<2НТО11; 1<2НТО12; к2нто1i '
~;1 ,
12Т
у'
223

~
Таблица 2~68
Обозначение параметра
2ЛБ011 1 К2ЛБО11 12ЛБ0!2 1 К2ЛБ012 l 2ЛБОJЗ I К2ЛБО!З 1 ~~~БОI: 1К2ЛБ014
Рпот, мВт, не более
15
15
30
30
30
30
25
25
И~х• В, не более
0,3
0,3
0,3
0,3
0,3
0,3
0,3
0,3
t0•1 , нс, не более
270
270
270
270
270
270
270
270
lвх, мА
0,58 --0,71 0,58 - 0,71 1,09-1,33 1,09-1,33 1,09-1,33 1,09-1,33 0,58-0,71 0,53--0,8
/ ут. вых ·, мкА, не бо~ее
22
22
22
22
22
22
44
44
lв, пр• мА
о, 13...,- 0,48 0,117-0,48
-
,
-
-
-
0,13-0,48
-
Ип,и, В, не более
0,3
0,3
0,3
0,3
0,3
0,3
0,3
0,3
Коб *
6
-
·6
-
6
-
6
-
/
• Для микросхем с индексом К не регламентируется.

Таблица 2-69
Обоз н ачен не параметра
2ЛБО\5
1
1(2ЛБ015
2ЛБ016
1
К2ЛБ016
/'1101 ·,
мВт, не более
20
20
38
38
11:;,,, х• В, не более
0,3
0,3
0,3
0,3
111, 1, нс; не бqлее
270
270
270
270
/,.. , мА
0;58-0,71 0,58-0,71 1,09-1,33 1,09-1,33
/vт, flыx, мкА, не ·более
22
22
22
22
11,, пр• мА
0,13-0,48 0,117-0,48
и...ст, В, не более
0,3
0,3
0,3
0,3
/(об,.
6
6
• Для микросхем К2ЛБОJ5 и К2ЛБ016 яе регламентируется .
Таблица 2-70
Обоз 11ачение
2ЛБ017
1
К2ЛБ017
2ЛС011
к2лсо1,
п а раметра
/'11от, мВт, не бо-
38
38
30
30
JICC
( 1\111,IK' в, не 'более
0,3
0,3
0,3
0,3
11 ,11, нс, не более
270
270
350
350
/ ,,1. l!C, не более
350
350
'"''
мА
1,09-1,33 1,09-1,33 0,58-0,7l *, 0,58-0,71 * ,
l,09-1,33 ** 1,09-1,33 **
, ,11, ltЫX• мкА, не
22
22
22
22
OJICe
111, 111>, мА
0,13-0,48
0,17-0,48
(1.,,, . ,., в, не более
0,3
0,3
0,3
0,3
I •**
,,1
6
6
• На входах/,2,Зrt5.
,
•• На nходе 6.
••• для микросхем К2ЛБ017 и К2ЛС011 не регламенти_Руется.
8 n/p Тарабрина Б. В .
225

Управляющая 1
микросхема
К2ЛБО11,
К2ЛБ015,
I<:2ЛCOI 1
К2ЛБО14
I(2ЛБ012,
К2ЛБО16
К2ЛБО13,
К2ЛБ017
2ЛБО11
2ЛС011
2ЛБО14
2ЛБ015
2ЛБО12
2ЛБ013
2ЛБО12,
2ЛБ013
Таблица 2-71
Выходная нагрузка управляющей ми1<росхемы
2-10 входов К2ЛБО11, К2ЛБ014, К2ЛБО15, К2ЛСО1 !,
1 вход К2ЛБО12, К2ЛБ013, К2ЛБ016, К2ЛБО17
2-11 входов К2ЛБ011, К2ЛС011, К2ЛБО14, К2ЛБО15,
1 вход К2ЛБ012, К:2ЛБ013, К:2ЛБО 16, К:2ЛБ017
2-5 входов К2ЛБ011, К2ЛСО11, К2ЛБО14, К2ЛБО!5,
1 вход К:2ЛБ012, К:2ЛБ013, К2ЛБ016, К:2ЛБ017
2-14 входов К2ЛБ011, К2ЛСО 11, К2ЛБО 14, К2ЛБО 15,
1 вход К2ЛБ012, К2ЛБОIЗ, К:2ЛБ0!6, К:2ЛБО17
2 входа 2ЛБ011, 2ЛСО! 1, 2ЛБ014, 2ЛБО15,
1 вход 2ЛБО12, 2ЛБОIЗ, 2ЛБО16, 2ЛБ017
2-8 входов 2ЛБ011, 2.JICOI 1, 2ЛБ014, 2ЛБО15,
1 вход 2ЛБ012, 2ЛБ013,1 2ЛБ016, 2ЛБ017
2 входа 2ЛБ011, 2ЛС011, 2ЛБ014, 2ЛБ015,
1 вход ;2ЛБО12, 2ЛБ013, 2ЛБ016, 2ЛБ017
2 входа 2ЛБ011, 2ЛС011, 2ЛБ014, 2ЛБО15,
1 вход 2ЛБ012, 2ЛБО13, 2ЛБО16, 2ЛБО17
2-5 входов 2ЛБОII, 2ЛС011, 2ЛБО14, 2ЛБ015
2-8 входов 2ЛБ011, 2ЛС011, 2ЛБ014; 2ЛБ015
1 вход 2ЛБ01'2, 2л1301з, 2ЛБ016, 2ЛБ,017
Таблица 2-72
Обозначение
J 2н~о11 l2нто12 , 2нто1а lк2нто11 Iк2нто12 I юнто1а
параметра
Икэ•В.
+5,0 +5,о +5,о +5,о +5,0 ,
+5,0
Рмакс, мВт
15
15-
15
15
15
15
1 к, макс• мА
15
15
15
15
15
15
h213 , не менее
22
31
70
13
22
35
UКЭ, нас' В, не бо-
0,3
0,3
0,3
0,3
0,3
0,3
лее
/ КБО• мкА, не бо-
5,0
5,0
5,0
5,0
5,0
5,0 ,
лее
226

Т_ип логики: .ДТЛ.
Со.став серии:
СЕРИЯ 202
2ЛН02 !', 2ЛН022-:-2 элемента НЕ.
2УИ 02l
-усилитель мощности.
2ЛСО2l, 2ЛС022-элемент 2-2И с расширением по И и ИЛИ.
2ЛС023, . 2ЛС024-2 элемента 2И с расширением по И.
2ЛС025, 2ЛСО26-элемент 2-2И с расширением по И и ИЛИ,
2ЛП 02l, 2ЛПО22-диодная матрица.
2НД021, 2НД022-диодная матрица.
Корпус прямоугольный металлополимерный «Тропа>>.
2лног1; глно2г
б
7
11
8
12
9
гll.•
. ..._ _,__ _ __,_
___
_._~_
идZ
2УИО21
5
11
12
9
?.
3
1
'---<1--------+-----'- -Uи.nZ
227

5
8
6
7
11
9
10
.2 28
2лсо21; 2лсогг
ц.
----+Uи,п1
1 Общ.
г
1г
2ЛСО23;2ЛС02't
z. +Uн.п1
3 Общ.
ц.
5
12
х17
Xz8
х38 .
Хч 10
Х59
1
.
Xs 11_
-Uн.пz .
2лсо2s; 2лсо2в .
; +Uип1 •·х1 8
_. 0/fщ. Xz 7
Х38
z-
12.
3и.
--
н.пz-
~
5
!11
А
8
12
УР.:
А
81
\'
1г!J(
·,

1/
2ЛПО21
5
6
2
1
10
9
2ЛПО22
А
:rц1 81
,жs 2
:r5 9
81
:&710
:&1 5
:Т:2 L/,
:Т:J 7
';r,ц 6 Е
!х5 12
:х6 1
:Т:7 10
:хв11 Е
2ндо21; 2ндо22 . •
--1---iS ,
:~
1/
;J
~
·
_
,-
- il>I
s
s
~
~ --:~--,-;~ 8
111
:9·-
:~
~
- ' -'--Dt- _:
_ 1~1,
-12-
·
---1~ 9
81
81
А 7У1
А' ВYz
А 12Яз
А ВУ1
229 ,.

1:-:>
с.,.,
о
Таблица 2-73
Обозначение параметра • 1 2ЛН021, 2лно22 \
2УИО21
1 2ЛС021, 2ЛС022 1 2лсо2_з, 2ЛСО24 1 2ЛС025, 2ЛС026
Ии.п1, В*
+4 (4)
+4 (4)
+,-4 (4)
+4 (2)
+4 (4)
Ии.п2, В*
-4(2)
-4 (!)
-4 (3)
-4 (!)
-4(3)
Ии.пз, В*
-0,25 (1)
-0,25 (3)
-0,25 (2)
-0,25 (4)
-0,25 (2)
Рпот, мВт, не более
28
41
19
67
19
U~ых• В, не боле.е
-1,35
-1,35
-1,35
:......1,35
-1,35
и~ЫХ' в, не более
-0,33
- 0,33
-0,33
-0,33
-0,33
t11 • нс, не более
200
220
220
220
150
t~;, нс, не более
220
180
180
180
150
Краз
3 (2ЛН021),
15
3 (2ЛС021),
3 (2ЛСО23),
3 (2ЛСО25),
5 (2ЛНО22)
5 (2ЛСО22)
5 (2ЛСО24)
5 (2ЛСО26)
Ип, ст, В, не более
1
Ь,3
0,3
0,3
0,3
0,3
Каб
-
-
8
8
8
* Допускаемое отклонение для Ии. пl и Ии. n2 не более ±5%, для Ии. пз = ±15%; в скобках у!iазаны номера выводов, к кото­
рым подключают соответствующие источники питания. •

t-:)
~
Обозначение параметра . \.
2ЛП021
Ии.пi, В
-4± 5%(3)
Ии.пz, В
-
Рп~т, мВт, не более
23
/ обр, мкА, не более*
1
3,0
Ипр, В, не менее
0,4 .**
0,7 ***
Uобр, макс, В
8,0
tвос, нс, не более 0
1
-
l пр, мА, не более
1
5,0
• Обратный ток диода при Uобр, макс.
•• При /пр= 10 мкА.
••• При/пр=1мА.
.1
2ЛП022
-4±5%(3)
-
4± 5%(2)
16
1
3,0
0,4 **
0,7 ***
8,0
1
_!.
1
5,0
О Время восстановления обратного сопротивления ~иода.
Таб.1и.:.а 2-7-!
1.
'-
-
2НДО21
2НДО22
0,5
0,5
/
0,4 **
0,4 **
0,7 ***
0,7 ***
10
10
20
20
5,0
5,0

СЕРИИ 204 и К204
Тип лоrИJ{И: РЕТЛ.
Состав серий
2ТК041, К2ТКО41 -RST-тpиrrep*.
2ЛБ041, К2ЛБО41, }
2ЛБО42, К2ЛБО42 - 2 элемента , И~И-~Е/И - НЕ ..
_
2НК041, . К2НК041
-
набор элементов комбинированный **. ·
2ЛИ041, К2ЛИ041 -элемент И.
Корпус прямоугольный металлополимерный «Трапеция».
• Микросхема 2ЛИ04\ работает совместно с микросхемой 2ТК041
nри
следующем соединении выводов: выводы 2, 14, 8 . б микросхемы 2ЛИ041 соеди ­
няются с выводами З, 8, 2 , 7 микросхемы 2ТК:04\ соответственно.
• • М икрос хема 2 Н К : 0 4 \ предназначена для образования дополнительны"
входов управления микросхем 2ТК041.
Jz
232
92 13
+Uн.п1
1
1l/
K2TKOl/1; 2TKO'l -1
12
-кглsши; 2лБо'l1 -
.109
+Uн. п1
56
f
1
Vт
13 Q1
JR1
10-
.
Q1
l/
R2
2Qz
5т
вQz
7S1
6
:z:1 1
12 !11
:r:2 2
:Z:J 3
11/-Yz.
хч 5_
10 !JJ
:Z:5 6
:z:~ 7
8Уч
:.:\'> '

J<2ЛБО'f2; 2ЛБО'12
+Uи.п1
+Uи.п1
13 1'1-
1256710.9
8
21
·хч5 В,
:Х5 6
'--+----------i--1;..;_1 :х6 7
._________. общ.
2Н/{0Lf.1,' K2 HKOLf.1
н 1112
тП765-l/-32•1
2ЛИОLf.1; К2ЛИО't1
1J
8
9
76
12
J

.,.
1-.:>
Таблица 2-75
С,>
""'
Обозначение параметра
1
2ТК:041
1
К:2ТК:041
1
2ЛБ041
1
К:2ЛБ04\
1
2ЛБ042.
1
К:2ЛБО42
,'
Ии, пi, В
+4± 10%
+4± 10%
+4± 10%
+4± 10%
+4± 10% +4± 10%
• Ии,п2, В
-4±10%
-4±10%
-4± 10%
-4± 10%
-4±10% -4±10%
Рпот, мВт, не более
37
37
68
68
56
56
Uвх, А• В
2,5 *
2,5 *
2,5
2,5
2,5
2,5
lи, вх, мкс
~0,3
~0,3
0,4-1,0
0,4-1,0
0,4-1,0
0,4-1,0
fвх, . кГц, не б·олее
500
300
.ивых, К:• в**
) +о,3+ +з,з +о,3++з,3 +о,3+ +з,3 +о,з++з,3 +о,6++з,3 +о,6++з,3
Uвых,Э• В***
- 0,3++2,4
--0,3++2,4
- 0,3+ +2,4
- 0,3++2,4
- 0,2++2,4 -0,1 ++2,4
t1,o, мкс, не более
0,3
0,3
0,15
0,15
0,15
0,15
t0,1, мкс , не более
0,4
0,4
0,1
0,1
0,1
0,2
t~;, мкс, не более
0,25
0,25
0,1
0,1
0,1
0,1
t~jf, мкс, не более
0,4
0,4
0,1
0,1
0,15
0,15
Ип, ст, В, не более
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
• Значение отрицательного перепада входного сигнала, при котором обеспечивается срабатывание триггера,
~ • Напряжение на коллекторных выходах.
•• • Напряжение на выходах эмиттерных повторителей,

Таблиц а 2-76
Обозначение параметра
2НКО4\
К2НКО41
2ЛИ04\
К2ЛИ041
Uy, В*
+о,з++з,о
+о,з++з,о
-о,з++3,о 1 -о,з++3,О
Рпот , мВт, не более
-
-
18
1
18
Uвх,А' В, не более
3,5
1
3,5
1
3,5
1
3,5
tи, вх, мкс, не менее
1,0
1,0
1.
1,0
1,0
to,.1 и ti ,о, мкс, не более
. 0,1
0,1
0,1
0,1
'
fвх, МГц, не более
-
-
3
3
U вых, А• В, не менее
1
1,4
i
1,4
1
1,4
1
1,4
!' -:)
vJ
• Управляющее напряжение,
(;J1

1-v
""
а,
·.. Управляющая
микросхема
2ТК041, эмиттерный выход
2ТКО41. ко_ллекторный выход
2ЛБО41, эмиттерный выход
2ЛБ042, коллекторный выход
2ЛБ042, эмиттерный выход ,
2НКО41
2ЛИ041
Таблица 2-77
Выходная нагрузка управляющей микросхемы
8 входов установки нуля 2ТКО41, входов 2ЛБО41, потенциальных входов
2ЛБ042
2 емкостных входа 2ТКО41, счетных входа 2ЛИ041
5 емкостных входов 2ЛБ042
4 потенциальных и емкостных входов 2НК041 ,
6 потенциальных входов 2ЛИО41
2 п'отенциальных и емкостных входа 2ТКО41, 2НКО41
2 емкостных входа 2ТКО41
10 входов установки нуля, потенциальных входов 2ТК041, потенциальных
входов 2ЛБ042, 2НК041
6 потенциальньiх входов 2ЛИ041
5 емкостных входов 2ЛБО42
2 емкостных входа 2П(041
4 емкостных входа 2НКО41
2. счетньiх входа 2ЛИО41
2 емкостных входа 2НКО41, входов установки нуля ·, потенциальных входов
. 2ТКО41,
2ЛБ041
10 потенциальных входов 2ЛБ042, 2НК041
2 счетных входа 2ЛИО41
•
5 емкостных входов 2ЛБ042
6 потенциальных входов , 2ЛИО41
1 вход установки нуля 2ТКО41
· 1 вход установки нуля 2ТКО41
2 емкостных входа 2ЛБО42

t,,:, ·
~
Управляющая микросхема
К2ТКО41, коллекторный выход
К2Т К041 , эмиттерный выход
К2ЛБ041, коллекторный выход
К2ЛБ041, эмиттерный выход
К2ЛБ042, коллекторный выход
К2ЛБ042, эмиттерный выход
К2НКО41
К2ЛИО41
Продолжение табл. 2-77
Выходная нагрузка управляющей микросхемы
2 потенциальнь1х или 2 емкостных входа К2ТКО41
2 потенциальных или 2 емкостных . входа К2НКО41
8 входов или 2 емкостных входа К2ТКО41
8 входов К2ЛБО41
.
8 потенциальных или 5 емкостных входов К2Л6042
4 потенциальных или 4 емкостных входа К2НК041
6 потенциальных или 2 счетных входа К2ЛИ041
2 емкостньiх входа К2ТК041
10 входов установки нуля или 10 потенциальных входов или 2 емкостных
входа К2ТКО41
10 входов К2ЛБО41
10 потенциальных или 5 емкостных входов К2ЛБ042
10 потенциальных или 4 емкостных входа К2НК041
6 потенциальных или 2 счетных входа К2ЛИО41
2 емкостных входа К2НКО41
10 входов устано!iки нуля или 10 потенциальных входов или 2 емкостных
входа К2ТКО41
1О входов К2ЛБО4 l
10 потенциальных или 5 емкостных входов К2ЛБО42
10 потенциальных или 2 емкостных входа К2НКО41
6 потенциальных или 2 счетных входа К2ЛНО41 ·
l вход установки нуля К2ТК041
l вход установки нуля К2ТК041 или два емкостных входа К2ЛБ042
-
\

СЕРИЯ 205
Состав серии,
2НКО5 .1 - импульсно-потенциальная схема совпадения,
2ЛБО51 - 2 элемента 2ИЛИ-НЕ.
2ЛБ052, 2ЛБО53-2 элемента ИЛИ-НЕ.
2ЛН051-4 элемента НЕ.
2ТСО51 -половина триггера резервированного.
Напряжение питания всех микросхем, кроме 2НКО51, Ии.п =
= 4 в-+- 10%.
Корпус прямоугольный металлополимерный «Трапеция». Выводы:
+Ии. п у 2ЛБО51 -1, 2, б, 7; у 2ЛБО52, 2ЛБО53, 2ЛНО51, 2ТСО51 -
1, 7.
Электрические параметры импульсно-потенциальной схемы совпа­
дения 2НКО51
Выходное. напряжение U~ык •• : ••.
Выходное напряжение U~ых. не менее
Амплитуда входного импульса Ивк, А не более
Амплитуда выходного импульса (J вык. А не менее •
Максимальный выходной ток I вых не более . . . .
2НК051
1314-
81069
г
J
~ч
1
7
238
о
1В
4,4 В
1,1 В
5мА

в
10
Ц Оtfщий.
11
Оtfщий.
3
5
9
13
1
+ии.п
1/- Otfщ.
11/
0tfщ.
+Un.n
2ЛБО51
2ЛБОt2; 2ЛБО53
7
+Uн. п
9
10
12
11
2
J
5
6
2ЛНО51
+Un .n
11/- 1
139
78
2
:t7 2
:rz 3
:tJ 5
:r'i 6
1О У1
12 Yz
8У!
11/ !/'1
12 У1
11
Уг
13 YZ
239

2ТСО51
/
1.
7
+Uн.п
+Uи.п
:х1l 1
8
:xz 2
1J!Jt
13
:х312
1Ч
9
:хч5 1
:Х5 6
ВУ2
••
10
:r:5
6
12
10
;f
Iт~5
Таблица 2-78
Обозначение параметра
2Л6051
1
2JI 6052,
2ЛН051
1
2ТС051
2Л 6053
Рпот, мВт, не более
50
25
8,0
25
и~ых• в, не менее
1,4
l,4
3,0
l,4
и~ых• · в, не более
0,3
0,3
0,3
0,3
/
t;J, нс, н~ более
250
250
. 250
250
Ип,ст, В, :не более
0,1
0,1
0,1
0,1
Краз
з
3
4
2
Коб
з
240

СЕРИИ 210 и К210
Тип логики: РТЛ.
Состав сер11й
2Л Б101, К:2ЛБ!ОI
-элемент ,4И-НЕ (элемент индикации).
2Л Б102, К2ЛБ102А,}
К2ЛБIО2Б
-элемент ЗИЛИ-НЕ.
Корпус прямоугольный из компаунда с 8 выводами .
2
8
Lf.
J.
2
в
1Uнл2
2ЛБ101;К2!1Б101
1
6
.
+ин.п1
7
-Uи.nZ
5
2ЛБ102;t-(2ЛБ102А; К2ЛБ102Б
6
5
Orfщ.
7
:х1 J.
:xz 2
:r3_в__, .. .
1
7
0---!11
241

fs:>
i;
Обозначение параметра
Ии. пi, В*
Ии. п2, В*
Рпот, мВт
и~ых• в
и~ых• в
и~х• в
uix, в
lк, •мА, не более
t1i." • мкс, не более
t~J, мкс, не более
Краз
Ип, ст• В, не более
2ЛБ101
100** (6)
- 1,5*** (5)
30
86
0,60
-5,40
- -' -0,23
1,0
4
1
К2ЛБ101
100** (6)
-1,5 *** (5)
30
86
0,60
1
1,0
4
2J!Б 102
-6,3л (6)
+6,3~ (4)
-0,23
-4,30
1,5
3
0,29
• R скобках указаны номера выводов, · к которым подключается асточник питания.
•• Доп ус ка ем ое отклонение ::t::: 5%.
·* * • Допускаемое отклонение ± i,5%.
д Допускаемое отклонение ::t::: 10%.
К2ЛБ102А
-6,3** (6)
+6,3** (4)
-4,4
-0,20
0,175
1,2
3
Q,29
Таблиц а 2-79
1
1
К2ЛБ102Б
- 6,3** (6)
+6,3** (4)
-4,1
-0,25
0,25
1,8
3.
0;29

Тип логики: РТЛ.
Сост ав серии
СЕРИЯ 211
2J1Б lll, 2ЛБ1l2, 2ЛБ113 -8 элементов 2ИЛИ-НЕ.
2ЛБ 114, 2ЛБl15, 2ЛБ116 - 2 элеме нта 5 ИЛИ,НЕ.
2ЛБ 117, 2ЛБ 118, 2ЛБ 119 - 4 элемента 2ИЛИ-НЕ и элемент НЕ..
2ЛБ 1110, 2ЛБ1111, 2ЛБ1112-4 элеме.нт.а 2ИЛИ-НЕ.
2ЛН 111, 2ЛНI 12, 2ЛН 113, }
2 ЛН! 14 2ЛН115 2ЛН116 -5 элементов НЕ.
'
'
2 ИР 111, 2ИР112
-
разряд регистра деления частоты .
2 ИЕ 111 , 2ИЕ112
-
разряд двоичного счетчика .
2TP I 11, 2TPI 12; 2TPI 13
2TP I 14, 2TPI 15, 2ТР116
-
2 RS-тpиrrepa и 2 элемента 2ИЛИ-НЕ.
-
2 RS-тpиrrepa.
Корпус прямоугольный металлополимерный 236МП17-1. Выводы:
+Ии.п- /;общий- 16..
!iапряжение источника питания всех микрпсхем И.,,. п = 3 В±:~ • % .
2ЛБ111;2ЛБ112; 2ЛБ113 _
13 10·
1
11 У1
6Yz
13У!
чУч
9
10
Ys
7YG
1ЧУ7
J
Ув
Lf7

Коэффициенты разветвления микросхем серии -211 '
Тип управляющей микросхемы
Значение
коэффициента
разветвления
2ЛН111, 2ЛН114, 2ЛБ111, 2ЛБ114, 2ЛБ117, 2ЛЫ110, •
2ТР111, 2ТР114, 2/1Elll, 2ИР1 1 1
'
3
2ЛН 112, 2ЛН 115, 2ЛБ 112, 2ЛБI 15, 2ЛБ 118, 2ЛБ 111 1,
2ТР112, 2ТР115, 2ИЕ112, 2ИР 1 12
4
2ЛНI 13, 2ЛН116, 2ЛБ113, 2ЛБ1 1 6, 2ЛБ119, 2ЛБ1112,
2ТР113, 2ТР116, 2ИЕ113, 2ИР!IЗ
6
244
2ЛБ11'1-; 2ЛБ115; 2ЛБ116
J'
2
;12
:r:2 Ч-
Ч-
:r:35
1
5
+U,,_n
:Хц 6
6
j
_
:r:5 8
.,
8
1//-
9
:Х59. ,
16
:r:7 11
Общ. :r:в 12
11
:ri 13
12
-:r:10 15
13.
2Л51110; 2Л51111; 2Л51112
.1
15
13
Ж3
:r:ц 11
.;;.___:_::..,+---4-......--+---......--=оощ.
Ж5
--------
.
' :r:6
l-{=:]1---,:..:. : • - :
,Ж7
5
1С
"а;8 10
1
JУ1
1,
11/-gz
7
Уз

2ЛБ117,2ЛБ118, 2ЛБ119
J6
1
J
2
7
XJ7 1
6
16Общ: Хч5
lf
5
9
11
8
1t/-
8
g
10
15
12
fJ
11 1'1-
• 2лн111;2лн112;2лн~13
1
•
+Uи.п
Х1J
1
2
ц.
5
У1·
г
6
1.
J
7
1606щ.
1
12
13
,10
1't
х·ч15 1
11/- Уч-
11
15
8
х59 1
8Ys
9
245

2лн1111-;2лн11s;2лн 116
1
+им
Х13 1 2!:Jr
4
8
2
7
1
J
6
1606'щ.
Х312 1 10У!·.·
11
1'1
10
15
13
хч13115•
12
yq,
9
:Т:55 1 9
5
.1 /5
2 тР111;2тР112; 2 ТР113
1
2sт5Q1
5
i/-
3
i/- Q
-
.
R
.1
2
3
16
15.sт 12Qz
Общ.
1'1 R
13 Qz
13'
15
.1i/-
Х16 1
7
Xz8
У1·
7
10
1
:&3 11
10 Yz
6
:t11 9
11
8
9
'
246

2ИР111;2ИР112
8
9
6
2
11
10
12 15
-
'
2
s·т
1'1-
-
1
1
R
15
3
1.о.-
1
w
10
1
12
9
"'
8
1
l1113
-
....
-
6
5
.
ц.
11
1
+Uи.п
7
'1-
J
16
Обш,.
У1
Yz
Уч
Ys
Ув
5
11./ -
!17 ,
247

2ИЕ111; 2ИЕ112
1J
15
10
в
12
:t.1 12 .
2ТР.11'1; 2ТР115; 2ТР116
1
+11,,.п
;7·.
10
13
l/-
z
16
Общ.
1t
7
___
1_зу
3
1-----,---l/уц
1/f sт •12Q1
13R
1Dq_1
зs
т
5Qz

Таблиаа 2-80
2ЛН111,
2ЛН114,
2ЛБ111,
2ЛБ114,
2ЛБ117,
Обозначение параметра
, 2ЛН112,'
2ЛН115,
2ЛБ112,
2ЛБ 115,
2ЛБ118,
2ЛН11З .
2ЛН116
2ЛБ113
2ЛБ116
2JJБ119
'f
•••.-,
- ..,'
Рп~;: ' мВт" не более
40
45
65
35
50
и~ых• в
0,9-1,35
О,9~1,35
0,9-1,35
0,9-1,35
О,9~-1,35
uiыx, В, не более
0,3
0,3
0,3
0,3
0,3
t3д, р, ер• мкс, не более
0,5
0,35
0,5
0,35
0,5
···uп,· ет, В, не . более
0,1
0,1
0,1
0,1
0,1
Продолжение табл. 2-80
'
2ЛБ1110,
2ТР111,
2ИЕ1 11 ,
2ИР111,
2ТР114,
Обозначение параметра
2ЛБ1111,
2ТР112 "
2ИЕ112,
2ИР112,
2ТР115,
2ЛБ11,12
2ТР113
2ИЕ113
2ИР113
2ТР116
•
Рпот, мВт, не более .
40
45
35
40
25
• и~ых• в
0,9-1,35
0,9-1,35
0,9-1,35
0,9-1,35
0,9-1,35
uiыx• В, не более
0,3
0,3
0,3
0,3 .
0,3
t3д, р, ер, мкс, не более
0,35
0,7
0,5
0,5
0,5
~
Иn, и, В, не более
O,l
0,1
0,1
0,1
0,1
~
1

Тип ло~ики: ДТЛ. •
Состав серии
2ЛН!5l -элемент 2НЕ.
СЕРИЯ 215
2ЛС151 -элемент 2 (2И)-ИЛИ.
2ЛСJ52 -2 элемента И-ИЛИ.
2УИ 151 - усилитель мощности.
2ПН151, }
2ПHIS2 -преобразователь напряжения.
Корпус прямоугольный металлополимерный «Тропаi.
lЛН151
1/-
+Uн.п1
5
Xt7
11
6 Orfщ.
6
'Х211
,7
в
2ЛС151
5
ц.
Х16
-+ин.п·1
8,
в
1 Orfш,.
:r:z7-
:Z:3 8
11
г
-Uн.~3 - irц 9
9
12
Х5 10
10
J:511Е
3
-Uи.п2
250
1
1
10 У2
1
12
!/1

12 llz
251

2ПН151
8
6
1 !11
3
:r36 Е
жч7
l/
8
Ж58
11 !JZ
ж69 Е
10 -cUн.nZ
2ПН152
2
.
+ии.п1·
!Xj i/-
6
l/-
5 оащ.
3
XgJ
8
1
10
XJ
1
•10
•
12 -ии.nz
252·
,,

Та6ляца 2-81
Обозначение параметра
1
2ЛН15J 1 2ЛСJ51 1 2ЛС152 1 2УИ151 1 2ПН151 1 2ПН152
Ии. пl• •В•
4,0 (4)
4,0 (4)
4,0 (2)
. 4,0 '(4)
1
4,0 (2)
1
4,0 (2)
Ии. пz, В*
-4(2)
-4 (3)
-4(1)
~4 (1)
~4 (10)
-4(12)
Ии. пз, .В*
- 0,25 (1)
- 0,25 (2) -0,25 (J) -0~25 (3)
Рпот, мВт, не более
35
22
30
48
28
73
U~ых' В, не более
- 1,40
- 1,40
- 1,40
- 1,40
- 3,45
- 1,80
[_;~ых• В, не менее
- 0,33
- 0,33
- 0,33
- 0,33
~о,33
- 0,33
lвых, ма.кс, мА
-
-
-
-
10
t~;1, нс,' не более
'
32
25
2.5
30
100
tg1 , нс_,_ не более
43
22
22
18
150
150
И п, ст, ;В, не более
0,3
0,3
0,3
. 0,3
0,3
0,3
Краз
5·.
5
5
5
-
5
Коб, вых *-*
-
6i
6
-
6
Коб***
-
8
8
• Допускаемое отклонение напр_яжения источников питания И и. П1 и И и. .0
~..не
более± 5%; И и. пз не более± 15%, В скоб-
о::ах указаны номера выводов, на которые включают И и.п·
•
t-:>
•• ПовыходуИ.
"
-~
•• • По входу ИЛИ.

СЕРИИ 217 ·И К217
Тип логики: ДТЛ. •
Состав серий:
2ЛП171, К2ЛП171
2ЛПI 72, К2ЛП\ 72
-
расширитель двойной 1
-
расширитель 1
2ЛБ171А, К2ЛБ171А,
}
2ЛБ\71Б, К2ЛБ\7 1Б -элемент 8И-НЕ.
2ЛБ 172А, К2ЛБ 172А,
}
2ЛБ172Б, К2ЛБ\72Б -2 элемента ЗИ-НЕ.
2ЛБ 173, 2ЛБ 173А,
}
К2ЛБ173, К2ЛБ173А
-элемент 6И-НЕ с повышенным коэффици-
ентом разветвления.
2ЛБ\74А, К2ЛБ174А,
}
2ЛБ174Б, К2ЛБ174Б -3 элемента И-НЕ/ИЛИ-НЕ
2ЛР171, К2ЛР!7\
-э лемент И - ИЛИ-НЕ низкочастотный.
2ТК171А, К2ТК\71А,
}
2ТК17!Б, К2ТI071Б
-
RST-тpиrrep.
2ТР171А, К2ТР171А,
}
2ТР171Б, К2ТР17!Б
-RS-тpиrrep.
2НТ !71, К2НТ 171,
2НТ172, К2НТ\72, }- набор • транзисторов структуры п-р-п.
2НТ 173, К2Н1173
2ЛП173, К2ЛП173
-диодная сборка.
• Микросхемы
2ЛП17\ ; 2ЛЛ\72, К2ЛП17\ и К:2Лf1172 применяю1· для
расши·рен ия логических возможностей микросхем 2ЛБ , \ 73 И! К:2Л Б 173 до 8 вхо•
дов или.
Корпус прямоугольный металлостеклянный «Посол». Выводы:
+ u~.nl - 6 *; + Ии.п2 - /О;_общий
-
12; корпус - 13.
Электрические параметры микросхем 2ЛП173 и К2ЛП173
Напряжение источника питания 1 .. ••• ;
•••••. • +6В±10%
Мощностьпотреблениянеболее............. 11мВт
Обратный ток диода при напряжении Иобр = 4 В не
более............................ 1,0мкА.
Прямое падение напряжения на диоде при токе ·1пр=с'
=1мАнеболее.................. ,
.
.
.
..,
То же ,при токе lпр = 0;05 мА не более 2 •••••• •
0,8 В
0,5 В
• Положительный
полюс . источника питания включается на выводы
11и/2.
• Регламентируется только для микросхемы К:2ЛПI 73.
* !(роме микросхем 2ЛП\ 73 и К:2ЛП173.

Обозначение· параметра
И11.п1, В*
Р 110 т, мВт, не более
U~ых , В, не менее
U~ых , В, не более
t ~:ц°, .нс, не более
l~j/, нс, не б<;щее
J( об**
• Допускаемое отклонение :!:: 10%.
•• По входу И..
2ЛП171,
J(2ЛП171
+6,0
18,5
5,3
0,3
12
40
4.
11
, ' 2лп111;к2лп111
6
Таблица 2-82
2ЛП172,
1(2ЛП172
+6,0
9;0
5,3
0,3
12
35
8
Xf28,1
Xz3
2
3
ч
Х3Ч
хч5
А 11У1
5
Х57
xfi. 8
Х79
в1
Yz
хв 1D
2ЛП172; 1<2~П172
.Ь +llи. n1
7
.:i178
8
Xz8
А 11У1
9
Х39
3
Хч3
ч
12 Otfщ.. ,Х5 Ч
5
13
Х55
12 У2
2
г Х72
·в
хв1
255

2ЛП173; К2J/Л17о
12
11
1
10
Xt1 81
Xz2
J.
г
9.
XJЧ
Е
У1
'1-
6
хц5.
5
7
Х57
3
8
:ч6 81
Х79
Е ВYz
13
_г- хв 10
Таблица 2-83
06означение параметра 1 2ЛБ171,11., 12ЛБ171Б, 12ЛБ172А, 1 2ЛБ172Б,
К2ЛБ171А 1(2ЛБl .71Б К2ЛБ172А 1(2ЛR172Б
Ии.п1, В*
+в.о
+6,0
+в.о
+6,0
+Ии.п2, В*
+3,о
+з,о
+3,О
+3.о
р ПОТl• мВт, не более ·
13
13
26
26
Рпот?,• мВт, не более
7,3
7,3
14,6
14,5
и~ых' в, не менее
2,6
2,6 •
2,6
2,6
и~ык• в, не бо,1ее
0,3
0,3
0,3
0,3
fl• О
зд ' нс, не более
12
12
12
12
(О• 1
ЗД' нс, не более
35
35
35
35
{Ут, вых• мкА,- не более
1,0
1,0
1,0
1,0
1ix• мА
1,7-2,1 1,7-2,1 1,7-2,1 1,7-2,l
Краз
4
6
4
6
Коб, вых
8
8
8
8
Коб
8
8
3
3
• ДопуGк~емое отклонение . ± 10%,
256

6
+Uи.п1
9
8
7
5
J./.
2
1
7
8
9
6
+ии.п1
З'
J./.
5
2
J
2ЛБ171А;2ЛБ1715;1<2ЛБ171А;l<2ЛБ171Б
10
+U,;,nZ, :&1 9 8,
:xz в
11 :X.r 7
iц. 5
:Х5 1/-
J:5 З'
:Х7 2
...__....,_-,-;1:;:..2 J:9 1
, OiJщ.
2Л.Б172А ;2ЛБ172Б;1<2ЛБ172А;l<2ЛБ172Б
11
8,
____
12_
:хц J~ В.
Общ. :rs ц.
3:5 5
2
2Л5173'; 2Л517J'A ;1<2ЛБ173; К2ЛБ17JA
'
6;_
10
11
•Uи.п1
В.
Х1J
Xz Ц.
:r.r 5
:rц 7_
Х58
Х59
9 11/р .Тuрабр11на В . В,
1
'1
1
У1
2
Уг
11
-У1
257

8
7
5
1./ -
8·
2ЛБ17'1А;2ЛБ17'iБ;К2JlБ17'1А;К2ЛБ17L/Б
.-----------
6
-
+llн.ni
_______
10_
:Х1 8
-----JEQ6ш,.13
...г
:xz 7
ВУ1
8
.11 .у·
.·
2
8,
Табл и.ц11 2.-84
Обоз~ачение
параметра
· 12лы1з, • l2лв11зл, 12лв174А, .1 ·2лв114Б, 12лР1п >
• 1(2ЛБ173 /К2ЛБ173А К~ЛБ_ 174А К2ЛБ174Б к2лр,111
Uи.пl• В*
+6,0
+'6,0
+6;0
+6;0 • +6,0
Uи.ri2, В*
+3,о
+3,о
+3,о
+3,о
+3,о
Рпотl, мВт, не бо- 32
32
39
39
29
лее
Рлот2, мВт, не бо-
7,3 .
7,3
22
22
7,3
лее
/~х• мА
1,0-1,5 1,0-1,5 1,7-2,1 1,7-2,1 1,25-1,6
и~ых' в, ' Iie менее
2,6
2,6
2,6
2,6
2,6
и~ых' в, не более
0,3
0,3
0,3
0,3
0,3
t;д0 , нс, не более
20
20
12
12
40-100
to1
•
ЗД, НС, не более
35
45
35
35
30-:100
• lут.вых, · мкА, не
3,0
3,0
более
Краз
8**
8
4
6'
8**
Коб***
8
8
8
Коб D
6
6
2
2
• Допускаемое отклонение± 10%.
• • Чи~;.rю входов микросхем 2ЛБl71А , 2ЛБ171Б н К.2J1Б171А.
••• По входу ИЛИ:
,
D По входу И.
2-58

Таблица 2-85
ОбознаqенJ! е
1 2тк,1'l1А, / 2тк~ 716 1·1,2TKI?IБI 2тР111А• .\ 2тр111в.
па ра метра
К2ТК171А
К2ТР171А К2ТР171Б
U11.n1, В*
+в.о +в,о
+в.о +в.о _+в.о
Ин. nz, ;В*
+3,о . +в.о +в.о +3,0
+3,0
Рпот1, мВт, не бо- 52
52
52
31
31
лее
Р11от2, мВт, не бо-
7,3
7,3
"Z,3
7,3
7,3
лее
l11ык• мА, не более
8
12
и~ык • в, не менее
2,6
2,6
2,6
2,6
2,6
иоuых • в, не более
0,3
0,3
;Q,3
0,3
0,3
f11к• МГц, не более
3,0
5,0
3,0
(уст , МГц, не бо-
3,0
3,0
3,0
3,0
3,0
Jlee**
U 11 ,ст, в, не более
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
/( раз
4
6
• Допускаемое отклонение± 10%.
• • Частота с:nедовання имnу:n-ьсов ,на ,вко-даJf ус,,:аноокq,
Х45
Е
Х58g
11
У1
Х59
,J:77Е
12
11
Общ.
!1
хв
'/
_ [13
9*
259

2ТК171А; 2ТК171Б;К2ТК171А; К2ТК171Б
\.
6 +Uи.п1
10
ц.
sт
+Uи.п2
2
9Q
9
12
1Q
7
Общ.
8
8
1
1J
_г-
Для реализации триггера соединяют выводы 1 и 3.
2 ТР171А:; 2ТР171Б; К2ТР171А; К2 ТР171Б
6
+Uи.п1
J
10
s
+Uи.п2
ц.
11Q
1т
11
2
9-
J
7
R
Q
ц.
8
1
9
5•
7
8
,12
Общ.
Для р,еализации тригера соединяют выводы 5 и 11.
260

Коэффициенты разветсления микросхем 2ТК171А, 2ТКl71Б,
{(2Т К171А, К2ТК171Б
••
Тип управляющей
микросхемы
Знаqение коэффициента разветвления
2TK i7lA, 2ТК17lБ
а) 4 входа 2ЛБ171А;
6) 4 входа 2ЛБ171Б;
в) 2 входа 2ЛБ171А и
2Т1071А;
r) 2 входа 2ЛБ171Б и 1
2ТК17IБ
К2Т К171А, К2ТК171Б
а) 4 входа К2ЛБ171А;
6) 4 входа К2ЛБ171Б;
в) 2 входа К2ЛБ171А и 1
К2ТК171А;
r) 2 входа К2ЛБ171Б и 1
К2ТК171Б .
Электрические параметры транзисторных сборок
2НТ171-2НТ173 11 К2НТ171..:_1(2НТ173
Макс и мал ьно допускаемое напряжение Икэ, мака . .: •
Максима льно допус1<аемый ток коллектора / К, макс
ИКЭ,наснеболее ••• . •
.
•
/КБО не более* . __.•.... ...
.
.
: ..•...•
счетный вход
счетный вход
счетный вход
счетный . вход
10В
20 мА
0,33 В
1,0 мкА
Время рассасывания не ,более ...• .. ,
.
1••
••,
25 нс
Статический коэффициент передачи тщ{а h21 э:
2НТ171 и К2НТ171 ..
2НТ172 и К2НТ172 ..
2НТ173 и К2НТ173 . .
30-90
50-150
70-280
Максим альная мощность рассеяния на 1(аждом транзи-
сторе Р,ш(с . . •
.
.
.
.
.
.
.
...
.
.
.
.
.
.
.
•...••
20 мВт
-"ПриИкв=7В.
2 НТ171; 2НТ172; 2НТ173; К2НТ171;1<.2НТ172; К2НТ173
~;J
J
V r_,:1
в\
J•
26L
.:
..

СЕРИИ · 218· И К218*
Тип логики: дт_л.•
Состав серии:
2ЛБ181, К2ЛБ181 • -элемент И-НЕ/ИЛИ-НЕ . .
2ЛН181, К2ЛН181, }
•
2ЛН182, К2ЛН182, -элемен_ т НЕ,
2ЛН183, К2ЛН183
2ТК181, К2ТК181
-RST-тpиrrep.
~ В составе серий имеются также аналоговые интегральные м11нросхемы
(сц. стр. 361).
Корпус металлостеклянный прямоуrол-ьный 151 .15-2. Выводы:
общий - 1; Ии.· п1 - 4; Ии. П2 - 7 (только для" 2ЛБ181 и К2ЛБ181).
262
Напряжение питания всех ми.кросхем Ии.п(Ии.пiJ =;+6,ЗВ+ 10%.
8
9
10
11
.
,11
,1
---. .
..L
J/.
2ЛБ1В1;1<2ЛБ181
1З 14
J
8
g
1:r
9
11/
1Р
2лн1в1; кглтв1
1/-
J
г

13
.ri
8
Обозначение параметра 1
Uи. п2, В
Р пот, мВт, не более
(jux, A• В
,... вх, мс
ИnыхА• В, не менее
(Jl, В, не менее
uo, В, не более
/V•1, мкс, не более
1' •0 , мкс, не более
1<11 , Ом*' *
(,'1(1 пФ
/( раз
2ЛН182; Н2ЛН182
'i
z
2ЛН183; К2ЛН183
/./ -
2
-
~--
1ЧJ •
Таблица 2-86
2ЛБ181
К2ЛБ181 . ,
2ЛН\81 1К.?ЛН181
+1,2
+1,2
48,5
48,5
0,48
0,48
· 2,О-6,О
2,0-6,0 2,5-6,0 2,5-6,0
0,3 (500) * 0,3 (500) *
4,5
4,0
3,5
3,0
0,15
0,2
0,15
0,2
. 0,08
0,10
0,15
0;2
820
820
100
100
3***
3***
• В скобках указано значение tи. вх пр<1 подаче cl!r<1aлa через <1аве(;,о
1111(\ конденсатор.
• • Допускаемое отклонеiше ± 5%,
• •• Инверторы 2ЛН\82 или К.2ЛН182.
263

• Обо зна чен ие параметра
·\
2ЛН182 К2ЛН1821
Рпот, мВт, не более*
27,8
27,8
Uвх, А' В
2,7-6,0 2,8-4,0
Uвых А• В, не -менее
4,0
3,5
t0• 1, мкс, не более
0,11
0,15
t1• о, мкс, не более
0,20
0,25
Крnз
3**
3**
Uост, В, не более
0,20
• Во всем диапазоне рабочих температур .
••Нагрузка-инверторы 2ЛН181 н,1н К2ЛН181.
Обо.значение параметра
Рпот, мВт, не более
R11, Ом
Сн, пФ
U~x,A• В**
tи,вх, мкс, не менее
ti}; мкс, не более
f вх, МГц, не более
uo, В, не более
. t~•ьix ·•
мкс, не более
t~'iдx• мкс, не более
.Uп,ст, В,"не более**
llf, .В, не менее
2ТК:181
21
820
100
- 2,5-6,0
0,3
0,5
2,0
0,15
0,2
0,1
0,8
4,0
Таблица 2-87
2ЛН183 1 К2ЛН183
27,5
27,5
1,1-4,0 1,2-6,0
4,0
3,5
0,13
0,15
0,20
0,25
3**
.3**
0,20
Таблица 2-88
К2ТК181
21
820
100
- 2,5-6,0
*
0,5
0,15
0,20
O,IO
0,8
4,0
• Разр ешаю щая способ ность по R• и S-входам равна 0,4 мкс.
•• По Т-входу.
-
•
•
1Н 1J
264
2тк1в1; к2тк1в1
72
12
12

СЕРИЯ 221
'Гип логики: ДТЛ.
Состав серии:
2ТР211 -RS-тpиrrep.
2ЛН 211 - 2 элемента НЕ.
2J! Б211 -элемент И-НЕ.
2ЛР211 -элемент И-ИЛИ - НЕ.
2JIП2 I l - набор диодов.
Корпус прямоугольный металлостеi<лянный 151 .14-3 (252МС15).
J
7
13
11
-: :L
11/-
2ТР211
2ЛН211
11
+Uи. п
J
5
8т
10 ·R1
sRz
8
R3
11/- Е
6Q
7А
-
s
1
Х1 11/-
J
У1
Х28
5у;
.,
.,265

1•
2
10
8
9
5
7
6
;J
- :i...
266
2ЛБ211
12,1J
!Jf
11
Yz
2ЛР211

2ЛП211
19
131211108гJ1/,5
Обозначение параметра
2ТР211
μи,т В*
4,0 (4)
Ивх, синхр, в
+ 5,0
- 3,0
fвх , МГц*
2,0
Рпот, мВт, не более
25
иВЫХ, ~, МИН' В*
2,8
Uсрб, В
0,9- 1,4**
0,5 - 0,75***
tи, вых, мкс
1,8 - 2,5
t~ь:х' мкс, не более
0,1
/ вых, мА, не более
12
Коб
6Л
20
Краз
/ !(.макс, . мА
1
uo, В, не более
Ufi'ыx' в 1 не 1{,енее
U~ЫХ' В; не менее
Uп,cf, В·, не более
0,5
7
,:r1J
81
:r:2 'i
ВУ1
:&3 5
Е
:r:ц. 7 А
:r:5 10 8f
:r5_ 11
Е9Yz
ix7. 12
:rввА
Таблица 2-89
2ЛБ21 1
4,0
+ 5,0
- 3,0
2,0
15
-
2,5
0,5
2ЛР211
4,0
+5,0
-3,0 ·
2,0
25
,5 (11)
2,5 (12)
0,3
2,3 (//)
3,8 (12)
0,5
• Допускаемые отклонения
напряжений источников пи т ания U и. п
и частоты синхронизирующих импульсов fвх не более::!: 10% : В скоб~<ах указаны
номера выводов, к· которым подк.лючается п·оJ1 ожительный пошос источника
питания и номера выходных выuодов,
* * По цепи запус1{а.
'
• •• По цепи сброса.
дПовходуИ
О По входу ИJJИ,
•
2f:П

Электрические параметры набQра диодов 2ЛП211
(для каждого диода)
Обратный ток 1обр не менее
Падение напряжения Ипр:
при lпр"71O мкА не менее
при lпр= 1 мА не более
Входнойток/вх•••••
2,0 мкА
0,4 В
0,7 В
. • 1, 74-2,23 мА
Пр им е чан и е. Постоянное напряжение питания микросхемы не
должно превышать допус1<аемого обратного напряжения диода И обр = 10 В;
размах н апряже ния при питании МС импульсным двухполярным напряжением
не должен превышать 10 В .
Электрические параметры микросхемы 2ЛН211
Напряжение источника питания (постоянное)*
Мощность потребления не более
Выходное напряжение не менее .
• Рабочая частота
...
Коэффи';Lиент разветвления
• На выво11е 1/,
'·
4В±10%
50 мВт
2,0 В
2МГц.
4

СЕРИИ 223 И К223
Тип логики: ЭСЛ.
Состав серий:
2ЛБ231, К2ЛБ231-4 элемента ЗИЛИ-_НЕ.
2ЛБ232, К2ЛБ232-элементы 4ИЛИ/4ИЛИ-НЕ и ВИЛИ.
2ЛБ233, К2ЛБ233-2 элемента ЗИЛИ/ЗИЛИ-НЕ и элемент
2ИЛИ/2ИЛИ-НЕ.
2ИЕ231, К2ИЕ231 - разряд счетчика (разряд регистра сдвиtа).
2ИД231 , К2ИД231 - дешифратор.
2ИЛ231, К2ИЛl31-полусумматор.
2ТР231, К2ТР231-2 RS-тpиrrepa .
2ТК231, К2ТК231 -RST-тpиrrep.
Корпус прямоугольный металлостеклянный «Вага 1Б» . Выводы: ·.
-
Ии,п- 5;общий- 9.
Напряжение питания всех микросхем Ии . п = -4 В-+- 10%.
2ЛБ231; К2ЛБ231
Х11'+1
15
17
Х3 16
У1
хц 111
12
13
ч-г
J
1716 15 1L/-
1312 11
7__8
6
269

2ЛБ232;1<2ЛБ232
'16
7
2ЛБ2JJ; К2ЛБ23J
'l
171615-в25131'1127q10
13
:&5 7
Х5 10
:&7 11
Х9 12
.
:rg 1'1
:r10 15
i,1 16
:r,2 17
5 -Uи.п..
:х,/3
J
х/'1
х615 1
5
-и•.•. 16
J:7
1f
:,:817
1
8
Yz
13
Ys
6
Yq.
2
Ys.
1
Yli

Обозначение параметра .
Рпот, мВт, не более
U~ЫХ' В, не менее
и~ы~• в, не более
f1:, о
~д' нс, не более*
tcl, 1
Эд' нс, не более*
1
Ип, стi В, не более
Краз
• При С11=35пФ.
Обознач'ение параметра
·,
Рпот, мВт, не более
и~ых• в, не менее
и~ых• в, не более
fl, О
зд ' нс, не более
fO, 1
эд;'нс,неболее -
fвх, МГц, не более
Ил, ;ст, В, не более
Краз
• На С-вхо,це.
2ЛБ23l,
К.2ЛБ231
128
-0,85
-1,45
15
15
0,15
10
Та6лица 2-90
2ЛБ232 ;
К.2ЛБ232
112
-0,85
-1,45
·15
15
0,15
10
2ЛБ233,
К2ЛБ233
2'20
-0,85
-1,45
. 8;0
8,0
0,15
4
Таблица 2-91
2ИЕ231,
2ТК231,
2ТР231 .,
2ИД231,
К2ИЕ231 К.21К231 К.2ТР231 К2ИД231
'
185
300
128
171
-0,85
-0,85
-0,85
-0,8~
-1,45
-1,45
-1,45
-1,45.
50
-
35
15
35
-
35
.i5
20
50*
30
-
0,15
0,15
0;15
0,15
.
10-
2
10
10
271

Электрические параметры полусумматоров 2ИЛ231 и К2ИЛ~31
Мощность потребления Рпот не более - .
Напряжение U~ых не менее
Напряжение U~ых не ·более
Время задержки включения t~i/ не более:
полусуммы.
переноса ..
Статическая помехоустойчивость U п, ст не более
Коэффициент разветвления по выходу Краз .• .
2ИЕ231; 1<2ИЕ231
Оdщий.
9
Х16
·'1
Xi1
17
1
Х32
ХцJ
Х5 l/
хв 11
Х7 12
8
1
2
-Uи.п '10
1!
272
J
11 12 5,1'1
.
250 мВт
.
-0,85 В
.
-1,45 В
с
V
]1
])2
])3
JJц
])5
20 нс
15 нс
0,15 В
RG
10
117
!Jt
16
!Jг
21а
У!
13
yq.

171316 10
J,____. _.
06ш,. .
5
-U".п
2ИД231; К2ИД231
2----+ -t
.J----
2И/1231; К2ИЛ231
I1
Х7
;tz 2
в Х516
q
10.
HSS113
Yt
St 11
Уг
Sz
7
У3
Sг8
yq.
17
р
Ys
273

2ТР231; К2ТР231
2тк2з1; к2тк2з1
:в
3
1
j
2
1а
13 11125
274
1
8
06щ.
91S1t
2s2
7
21)т
6с
•'1 V1
11 V2
12 VJ
1'1 Vч
15.fJ.1
174
ьl

СЕРИИ 229 И . К229
Тип - логики: 1 :ЭСЛ.
Со~тав серий:
2ТК291А, 2Т1(291Б, К2ТК291А, К2ТК291Б-4RSТ-триггера.
2ИД291, К2ИД291-4 полусумматора.
2ИД291, 1(2ИД291 - четырехвходовый двухступенчатый дешифратор
•
со стробированием.
2ЖЛ291, •К2ЖЛ291 - многофункциональный •логический элемент..
2TK291Aj 2Тl<291Б; l<2Tl<291A; 1<2Тl<297Б
'li
30
'15
l/0
39
37V
'11 с
'17
5Т
12V
вс
.
2
5Qz
20•
Qq.
18 Qq.
275

:,.
Корпус прямоугольный металло1<ера1',!ичес·кий. 421.48-1 . Вывод~~ :
общие-,/, 24; - Ии.п
-
25, 48.
.
276
Налрйжение · питания всех микросхем Ии. п = -5 ' В± 10%.
2ИЛ291; К2ИЛ291
Схема .
функциональная
HS
18,20
С-сумма по модулю Z · ~
п-перенос
~
-~
~
~
~

1Z
~ИД291; К2ИД291
lJCо29
1
33
г
37
131
J 1/-1
1/-
4
36_ г
5
8
б
16
11./ - lf.
7
18
35
30
8
81 , 3'1-
9
10~
11
чг
11
12
5
13
9
12
1'1- 17
15μ
\
11

~
·~
12
Обозначение параметра
Рлот,· Вт, ite более
Иых•В.
и:ых, :в
f1j/,, . нс, не более*
t~j/, нс, не более*
/вх, МГц, не более с!:*
Ип, ст, В, не более (при
t=25°C)
Краз
Обозначение параметра
Рпот, Вт, не более
и~ых• в
и~ых• в
t~i/, нс, не более*
t~jf, нс, не более*
fвх, МГц, не более**
Ип, ст, В, не более (при
. t=25° С)
Краз
,• Прi С113⁄430пФ.
2ЖЛ291; К2ЖЛ291
в
'18
~
~
l.
2ТК291А, 2ТК291Б, 1
К2ТК291А,
К2ТК291Б
1,4
-0,7+-О,9
-1,47 +-1,69
70
0,16
20
Таблица 2-92
2ИЛ291,
K2ИJJ291
•1,4
-0,7+ -О,9
-с-1,47 + ~1,69
6,0
6,0
0,16
25
Продолжение табл. 2-92
1 2ИД291, К2ИД291
1,4
-0,7+-О, 9
-1,47 +-1,69
8,0
8,0
0,16
25
2~Л291, 1\2ЖЛ291
1,3
-О,7 +-0,9
-1,47 +-1,69
6,0
6,0
0,16
25
•• Пp JJ С11 < 10 пФ; для 2ТК291Б и К2ТК291Б не более I0U МГц.

СЕРИИ 230 И К230
Тип логики: ТТЛ .
Состав серий:
2И ЕЗО\А, 2ИЕЗО\Б; }-четырехразрядный счетчик с последова-
К2И ЕЗОIА, К2ИЕЗО!Б
тельным переносом.
•
2И Е3O2А, 2ИЕ3O2Б, }-четырехразрядный реверсивный
К2И Е3O2А, К2ИЕ3O2Б
с параллельным переносом.
счетчик •
2И ЕЗОЗА, 2ИЕЗОЗБ,
К2И ЕЗОЗА, К2ИЕЗОЗБ
2И РЗОIА, 2ИРЗО\Б,
1(2 ИРЗО!А, К2ИРЗО\Б
'
} - четырехразрядный ·с•1етчик с параллель-
ным перенqсом.
..
•
}-2 четырехразрядных регистра хранения.
2ИР302А, 2ИРЗO2Б, }~четырехразрядный реверсивный регистр
К2И РЗО2А, К2ИРЗ02Б
сдвига.
2ИПЗО!, К2ИПЗО!
2ПК ЗО\, •К2ПI(ЗО!
-
четырехразрядное устройство поразряд-
1юго уравновешивания. •
-
преобразователь двоичного •кода в деся.­
тичный.
Корпус прямоугольный металлокерамический 421.5O -J . . Выводы:
общие - 24, 25; Ии.п - 49, 50.
Напряжение 11сточника питания всех микросхем Ии. п = 6 В+ Ю%.
2ИЕ301А; 2ИЕ301Б; К2ИЕ301А; К2ИЕ301Б
' i'i
1l l'!оз на чения входов и выходов: R - установка нуля; Т1 , Т2, Т4, Т8 -
11 , оды тактовых импульсов; С - цепь разрешения записи; V1, V2 ,
11, V8 - управляющие входы разрядов; D1, D2, D4, D8 - входы уста-
11,1111ш р а зрядов; m1 , m2 - вспомогательные входы; Р2 - цепь выход- •
11 111 ·0 пе реноса; Р2 - цепь .!!Ых0дно_то !:1_ереноса • инверсная; Q1 , Q2,
1 1, Qd - выходы разрядов; Q1 , Q2, Q3, Q4- выходы разрядов инверс-
ные.

~о
2ИЫО2А;2ИЕ3025;1<2ИЕ302А;К2ИЕ30,2Б
Чl/Q1
1/2-
Q1
2~Qz
Ei°Qz
н--ЕQ3
J3-
QJ
B~Qq
zв-
-Q ,;
Р2 22
--
R2rЧ1
--
RZZ Ч7
!2.g,
2\gz
Обозначения входов и выходов: R - установка нуля; Tr - вход тактового импульса сложения; Ti - вход тактово­
го импульса вычитания; С - цепь разрешеаия зап_!!си;_ D 1 , .
Dз, D4, D8 -- входы разрядов; m1 - т8 - вспомоrа-
• тельные входы; Q1, Q2, Q3, Q4 - выхо,ztы разрядов; Q1, Q2, ()3 , Q4, -
выходы разрядов инверсные; Р2 - цепь вь1ход­
ноrо переноса; Р2г - · цепь выходного переноса сложения; Р21 - цепь выходного переноса вычитания; Т
-
вход
так:rовых • импульсов; Р1 - цепь переноса с предыдущего узла; Се
-
цепь · разрещения сложения ; •'Св - цепь раз­
решення вычитания; g 1 , g 2 - пр омежу то чные выходы.
,

2ИEJOJA; ZИEJOJБ;l<ZИE30lA; l<ZИEJOJБ
чв
~
.
8 q17
3Р1
Обоз начения входов и выходов: Т - вход тактовы х импульсов; С
-
цепь разрешения записи; D - входы разрядов; R - установка нуля;
S ....:. установка единицы; т1 , т2, т 3 , т4 , т,, m6 - вспомогательные
входы; Р1 - цепь переноса с предыдущего узла; Р2 - цепь выходного
•
переноса; g - промежуточный выход .
•2И Р301А; 2ИР301Б; 1<2ИР301А; 1<2ИР301Б
Обозначения входов и выходов:
Сеч~, 2 - цепи разрешения счи- .
тывания; . С3 1 , 2 - цепи разре­
шения записи; D1, D2, D4, D8 -
'
входы разрядов; Qi: Q,, Q;i, ~ -с- :
вы,ходы разрядов; Q1, Q2, Q~ . Q4-
выходы разрядов . инверсные.
281

n--------.2ИП3ОtК2ИПJО1
9

9
5
7
11
16
20
J
2ИР3Q2А.; 2ИР302Б; J<2ИР302А; k2ИРJО2Б
Cr
ci
ll1
JJz
llч
JJв
lf-J ./. Q
.
1
lf-2 О:1
2 lf-O Qz
JBQ.z
_
l/- 35 .Q3
JJ G.3
в.31Qч
29 7iч.
Обоз1:1ачения входов и выходов: R -
установка нуля; т - .в хо д та ктов ых
импульсов; Cr - цепь , разрешения
сдвига вправо; . Ct - цепь разреше­
ния сдвига влево; т 1 - вспомогатель•
нь1й вход; D1, D2, D4, D8 - инфор•
мационные входь1_; Q!.! Q~ Q~ Q4 - вы­
;ходы разрядов; Q1 , Q2, Q8, Q4 - выхо-
ды разрядов инверсные.
Электрические 11араметры микросхемы 2ПК301
Мощность потребления Рпот, макс не более
.
0,6 Вт
.
1,6 мА
Ток /~х на один вход, ИЛИ не более . .
Ток I:Зх •на один вход И не более ..
Напряжение V:Зых не менее .. , , , : .
Н апряжение U~ых не более ... ., ,
..
Максимальное коммутируемое напряжение
Максимальный. коммутируемый ток . . . .
Статическая nомехоустойчивость Uп, ст не менее ..
.
80 мкА'
190 В
5,0 В
200 В
3,0 мА
0,3 В
2вз·

2ПКJО1;К2ПКJО1
:х/у
о(о} Q 27
1(1)
Q L/-7
7,21
1(1) гм Q L/-5
9,19._
в(2) 3(5)
а. L/-3
11
L/-(L/-)
L/-(6)
Q L/-1
17 г(г)
5(7)
Q39
3R
6(8}
f1. 37
5т1
7{9)
Q35
13,15
8(2)
Q33
mz
23
Зп
9(3) Q 31
зп __
Q29
Обозначения входов и выходов: R - цепь гашения; Зп, ЗП
-
вход и
•
выход за1,1ятой;_ т1 , т2 - в<:помоrатеJ1ь~1ые входы.
•
284 •

(s:,
со
е,,
Обозначение параметра
Рпот, Вт, - не более
lпо;, мА, не более -
Ток /~х на один вход ИЛИ, мА,
не более
Ток IJ.x на один вход И, мкА, не
более
UJ.ыx• В, ,не менее
U~ых, ~. не более
f)•ст, МГц, не более
'
'
fсч, МГц, не более
2ИЕЗОIА,
2ИЕЗОIБ,
К2ИЕЗОIА,
К2ИЕ301 Б
-
1,2
145
1,6
80
2,3
0,35
2,5
5 (2 И ЕЗОIА,
К2ИЕЗОIА)
10 (2ИЕзо·1в,
К2И?ЗОIБ)
2ИЕ302А,
2ИЕ302Б,
К2ИЕ302А,
К2ИЕЗ02Б
1,4
180
1,6
80
2,3
0,35
2,5
•
5(2ИЕ302А ,
К2ИЕ302А)
8 (2ИЕЗ02Б ,
2ИЕ302Б)
Таблица 2-93
.
2ИЕЗОЗА,
2ИРЗОIА,
2ИР302А,
2ИЕЗОЗБ,
2ИРЗОIБ,
2ИРЗ02Б,
2ИП301,
- К 2ИЕЗОЗА,
1(2ИРЗОIА, К2ИРЗ02А,
К2ИПЗ01
К2ИЕЗОЗБ - К2ИРЗОIБ
1(2ИРЗ02Б
1,3
1,7 1
1,0
1,5
150
240
140
200
1,6
1,6
1,6
_
1,6 ,
80
80
80
80
2,3
2,3
2,3
2,3
-
0,35
0,35
0,35 -
0,35
2,5
2,5
-
5,0
(2ИР301А,
, К2ИРЗОIА)
4,0
(2ИРЗО!Б,
К2ИРЗОIБ)
5(2ИЕЗОЗА,
10
-
.
10
К 2ИЕЗОЗА)
8(2ИЕЗОЗ Б,
2ИЕЗОЗБ )

~
сх,
а,
Продолжение табл. 2-93
2ИЕЗОIА,
2ИЕ302А,
2ИЕЗОЗА,
2ИРЗОIА,
2ИР302А,
Обозначение пара~етра
2ИЕЗОIБ,
2ИЕ;102Б,
2ИЕЗОЗБ,
2ИРЗО!Б,
2ИР302Б,
2ИП301,
К2ИЕЗОIА,
1(2ИЕ302А,
К2ИЕЗОЗА, К2ИРЗОIА, К2ИРЗО2А,
К2ИПЗ01
К2ИЕ301Б
К2ИЕЗО2Б
1(2ИЕЗОЗБ 1(2ИРЗОJ Б
1(2ИРЗ02Б
/сдв, МГц, не бол~е
-
-
-
-
0,625
3,0
(2ИР302А,
К2ИР302А)
1,0
(2ИР302Б,
К2ИРЗО2Б)
Un, ст• В, не более
0,3
0,3
0,3
0,3
0,3
0,3
lвых, мА, не более
15,5 (22) 15,5 (17, 21, 15,5 (17, 22) 15,5 (28, 30,
.13,95 (29,
15,5 (32,
.
22)
32, 34, 35, 31, 33, 38, 36, 40, 44)
37, 39, 41)
42)
12,4 (30, 34,
13,9 (6, 29, 13,95 (41,
13,95 (41)
12,4 (36,
12,4 (35,
35, 40)
47)
38, 40, 42,
40, 44)
$8, 42)
43, 45, 47,
12,4 (31, 33,
38, 42, 44)
12,4 (42, 44) 12,4 (29,
33, 38, 42,
48)
'
10,85 (10)
10;85 (35)
44)
10,85 (35)
9,3 (20)
9,3 (29,
9,3 (31, 40)
7, 75 (12, 18)
31, 40)
7,75 (33)
-
6,2 (38)
Обозначе ния : fсч - частота счета; fсдв-,- частота сдви.га; fуст- ;астата установки; цифрами в скобках обозначены номера
ВЫВО,!!ОВ, через которые ,!!Опускаются указанные значения выхо.11ных токов.

Тип логики: РТЛ..
Состав серии;
СЕРИЯ 231
2ИЕ31 ! -счетчик по модулю 6, 10, 16.
••
Корпус прямоугольный металлокерамический 421.48-1 . Выводы:
+ Uи.п = 23, 24~ общие_:_ 25, 26.
Электрические параметры счетч·ика 2ИЕЗ11
Напряжение источника питания Ии. п
Мощность потRе!'iления . Рлот не более
+4 В ±10%
35 мВт
Ток потребления / лот не более
7,7 :мА
Нащj~жение U~ых не более . .
0,2 В
Выходной ток на выводах 48, 46, 44, 42, 41, 39, 37,
•.35,45неменее*.
.
.
.
.
.
.
.
•...
100 мкА
Входной ток **:
на выводах 1, 3, 5, 7, 10, 12, 14, 16 не менее
на выводах 11, 18, 22, 36 не менее ...... ..
на выводе 13 не менее .• .
.
.
.
.
.
.
. Частота счетных импульсов ие более***
Максимально допускаемое напряжение помех ~
на открывание
на запирание .
Время задержки включения t~: не более
Время задержки выключения_ tgjf не более .
Коэффициент разветвления по выхо,1у Краз ,
• При Ивых=· l,O5 В.
•• ПриU8x=0,78В.
••• Пр~ Ивх, А~ 1,5 В,
.
6 мкА
12 мкА
30 l'viKA°
300 кГц
250 мВ
40 мВ
1600 нс
2200 нс
4
287

2иы11; 1<2иы11
1Уст1" стг10.1Ч8
5
.Q1 Ч6
10
1Ч
6}
8)
2 QгЧЧ
Qz чz
16Q9ч,
Обозначения входов и выходов; S 1, St, S 4, S 8 ~ установка единицы I,
II, III, IV разрядов; Ri, R2, R4, R8 - установка нуля 11 II, III, IV раз~
рндов; Т - счетный вход 1; Т1 - счетный вход 2; т1, т2, т4, т8 - вспо­
могательные входы I, II, III, IV разрядов; 2, 33 - дополнительные
выходы III разр·яда; 6, 31 - дополнительные выходы IV разряда.
Для реализации схем счетчиков необходимо осуществить следую-
щие внешние коммутации:
•
а -' - для счетчика по модулю· 6 соединить выводы: 32 с 33, 2 с 4, 18
с20,29с30,8с9,22с21,11с9,36с34;б- длясчетчикапомодулю
10соединитьвьiводы:18с19,32с31,4с6,20с22,29с30,8с9,/1
с 9, 86 с 34; в - для счетчика по модулю 16 соединить выводы: 28 с 29,
бс8,?с4,22с21,18с19,82с30,11с9,86с84;
288

Тип логики: ДТЛ.
Состав серии :
СЕРИЯ 240
2ЛБ4 0 !А-2ЛБ401В-9 элементов И-НЕ .
2ЛБ402
- 8 элементов И-НЕ с пов i:1шенн1?rм коэфф и uи е н-
том разветвления.
2Л Б403А_:2ЛБ403В- 12 элементов И-НЕ (без коллек_торных рези.
сторов) .
2ЛБ 404д ..:. 2ЛБ404В-13 элементов И- НЕ .
2ЛБ405
-'- 13 элементов И-НЕ с диодными выходами.
2ЛБ 406А-2ЛБ406В-8 элементов И-НЕ.
2И Р401А, 2ИР401Б - регистр на 4 двоичных разряда .
2И Р402А, 2ИР402Б - регистр хранения на 8 разрядов с контроле м
2И Р403А,
2ИЛ4 01Б,
2ИС401А,
2И Е401А,
2Л П401
нулевого состояния .
2ИР403Б- регистр сдвига реверсивный на 3 разряда.
2ИЛ401В-полусумматор на 8 разрядов.
2ИС401Б -сумматор на 2 двоичных разряда.
2ИЕ401Б-счетчик реверсивный на 2 разряда.
-
12 расширителей по входу И .
\
Корпус прямоугольный металлостеклянный 155.36-1. Выводы
+ Ии.п1- 28;+ Ии.п2- 38*•
Н апряжения питания микросхем:
Ии.п1=+5 В ±10%;
Ии. п2=+3 В ±10% .
.•
•
!(роме микросхем 2ЛБ402 и 2ЛБ403А - 2ЛБ403В .
2ЛБlfО-1А;2ЛБ'I-О1Б; 2ЛБ'l-018
-~о
27826
9
19
10 п/р Тарабр_ина Б. В.
2f
289

2,90
~
~
18
2ЛБW2
2ЛБ'103А;2ЛБ'f03Б;2ЛБW38
2ЛБ'IО'IА;2ЛБ'IО'IБ;2ЛБ'IО'IВ

35
2ЛБ405
2ЛБ//06А;2ЛБЧО6Б;2ЛБW68
2ИР'i01А ; 2ИР@1Б
19---~
~
'
2-l_J
1:=!!::=e=:..=:::J
17--+- --'
10--+-- - -,
1Ч--Н-=::-t---=:,
7---,,---.....,..........
12·- --< --+-1-t-- --'
(11,36
291

1"
~
Таблица 2-94
Обозначение
2ЛБ401А,
2ЛБ403А,
2ЛБ404А,
2ЛБ40{3А,
параметра
2ЛБ401 Б,
2ЛБ402
2ЛБ403Б,
2ЛБ404Б,
2ЛБ405
2ЛБ406Б,
2ИЛ401Б 2ИЛ401В
2ЛБ401В
2Л Б403В
2ЛБ404В
2ЛБ406В
.
Ррас• мВт, не более _
210
450
135 _
300
300
190
360
' 360
.
U~ых, В, не менее
2,5
2,5
2,5
2,5
2,5
2,5
2,5
2,5
.
.,
1
U~ых, В, не более
0,62
0,47
0,62
0,62
0,55
0,62
0,55
0,48
(2ЛБ401А)
(2ЛБ403А) (2ЛБ404А)
(2ЛБ406А)
0,55
0;55
0,55
0,-55
(2ЛБ401Б)
(2ЛБ403Б) (2ЛБ404Б)
(2ЛБ406Б)
1
0,48
0,48
0,48
(2ЛБ401В)
(2ЛБ403В) (2ЛБ404В)
t;:z?, нс, не более *
40
60
40
40
40
40
155
155
t0•1 не более•
ЗД-
115
50
115
115
115
115
155
155
Ип, ст• В, не более
0,4
0;4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
Краз 1
6 (2ЛБ401А)
16
6 (2ЛБ403А) 6 (2ЛБ404А)
·2
6 (2ЛБii06А)
4
2
4 (2ЛБ401Б)
4 (2ЛБ403Б) 4 (2ЛБ404Б)
4 (2ЛБ406Б)
2 (2ЛБ401В)
2 (2ЛБ403В) 2 (2ЛБ404В)
2 (2ЛБ406В)
• При С8=30пФ.

Таблиuа 2-95
-,:
щ
-,:
щ
-,:
щ
-
-
""
""
"'
"'
о
о
о
о
о
о
Обозначение параметра
...
...
...
...
...
...
-
С>.,
С>.,
Q.,
С>.,
Q.,
а.
:s:
:s:
:s:
:s:
:s:
:s:
"'
""
"'
~
"'
"'
Ррас• мВт, не более
420 .420 380 380 430 430
и~ык• в, не менее
2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5
и~ык• В. не более
0,62 0,55 0,62 0,55 0,62 0,55
tзд: сч• нс, не более
225 225 -
-
-
-
f3д. пер• нс, не более
300 300 -
-
-
-
t~д. уст• нс, не более *
-
-
90
90 250 250
i3д. к, нс, не более*
-
-
150 150 170 170
Ип, ст, В, не более •
0,4 0,4 0,4 0,4 О,'4 0,4
Краз
5
3
5
3
5
3
П•Римеч ание. t3д,сч- время задержки счета; t3д,пер- время_за•
держки переноса, t~д. уст-,, время задержки установки в состоянии лоrиче~
скоrо нуля; t 3д. к . _ время задержки записи кода; все эти параметры изме• .
РНЮТСЯ при С11 = 30 пФ.
2ИР'102А; 2ИР'102Б
1Ч
13 2'+ 25
312J1617
15J532
га
23
21
22
11
3(} l6гзs'+
16 _33 3if
L
293

32
2ИР'103А; 2ИР'IОJБ
7
'f
15
1/J
13
10
18
8
27
25
J
17
16
35
.
2
19
21
6
5
12
3'1-
11
33
• 294

2ИЕl/-01А;2ИЕl/-01Б
25----
JO----I-- ---~
22-------- ~ --- ~
3Ч---~~----!
35------i-1- --- -~
7
2
11
8
29
2ИС'f01А; 2ИС'f01Б
17-------1
J--1 - -------1
z-~----1....._....
18
19
7
8
1J
15
lJ
б
5
J2
J5
27
26
го
Jl/-
295

2илqо1Б;гилw1в
J
7
18
2
17
$
5
1l/-
15
ц
16
в
29
23
27
26
25
33
30
3q.
32
31
21/
35
Электрические параметры микросхемы 2ЛП401
Прямое падение напряжения на .диоде Ипр · не более
Обратный ток диода / обр не более .....
Емкость диода С11. не более . :
Прямой ток / пр не более ....
13.
12
10
11
22
21
19
20
0,95 В
1,0 мкА
5,0 пФ
20 мА
Время восстано,вления fвос не более , • . . . . . .
.
.
1••5,0нс
296

2ЛП'l-01
•
Е1
Е J/.
ЕN
Е18
~
8_
~& ~38 ~78
•
3
6
15
18
198
20
ЕJB
Обозначение параметра
Ррас, мВт, не более
и~ых' в, не менее
U~ых, В, не более
tэд 1:, нс, не более:
•
1· разряд
II разряд
tэд, n .i:;, нс, не более*
i3д, п, нс, не более *
tзд, сч, нс, не более *
Время задержки распростра­
.
нения информации в упра-
вляющих цепях, нс, не
более*
Un, ст, В, не более
КJ)аз
• При С6=30пФ.
29
.
Е .22
ЕJ5
~
J8
~J&
2J/.
JJ/.
Таблица 2-96
12ИС401А 12ИС401Б 12ИЕ401А 1;ИЕ401 Б
300
2,5
0,55
250
340
250
0,4
6
300
2,5
0,62
250
340
250
0,4
4
2,5
0,48
215
165 ..
160
_ 0,4
-
6
2,5
0,62
215
165
160
0,4
4
297

СЕРИИ 243 И К243
Тип логики: ТТЛ.
Состав серий:
2ЛБ431, К2ЛБ431-элемент 6И-НЕ .
2ЛБ432, К.2ЛБ432-2 элемента ЗИсНЕ.
2ЛБ433, К2ЛБ433-элемент ЗИ-НЕ и трехвходовый расширитель
по ИЛИ.
2ЛБ434, К2ЛБ434 -2 элемента 2И-НЕ . и двухвходовый расшири­
тель по ИЛИ.
2ЛБ435, К2ЛБ435-элемент 2И-НЕ и 2 двухв ходовых расширителя
ПО ИЛИ.
2ЛБ436, К2ЛБ436-элемент ЗИ-НЕ с повышенным коэффициентом
разветв,1ения.
2ЛН431, К2ЛН431 -5 элементов НЕ с открытым коллекторным вы-
2ЛН432,
2ЛН433,
2ЯП431,
2УП431,
2УП432
2УИ431
2УИ432
2УИ433
2ЛИ431
2ЛИ432
2ЛП431
ходом.
К2ЛН432- 5 элементов НЕ.
К2ЛН433:._3 элемента НЕ .
К2ЯП431 -элемент памяти .
К2УП431 -усили тель магистральный.
-2
усилителя индикации
-усилитель воспроизведения с магнитной пленки.
-входно й каскад . усилителst считывания сигналов
с магнитной пленки.
-
2 оконечных каскада усилителя считываниst сиг­
налов с магнитной пленки.
-
логичес~<Ий элемент с порог.ом переключения 4,
имеющий два входа с весом 2 и три входа с ве-
сом 1.
•
-логический · элемент с порогом переключения 3,
имеющий четыре входа с весом 1.
-
2 трехвходовых расширителя логических . воз­
можностей пороговых элементов.
2НТ431, 2НТ432,
2НТ433
-
набор транзисторов структуры п-р-п.
Корпус прямоугольный металлополимерный «Тропа».
2ЛБ'(.31; 1<2ЛБ'fJ1
2
10
28
l&f
+Uн.п
:rz J
:r
1
Ж:5 Ч·
ч
12
-
6
и1
5
12
жч
U:5
7
6
9
7
Otfщ. Ж5
11
8
9
298

2ЛБ'I-J2; 1<2ЛБ'132
Х12&
5
J
6
2
Xz
У1
Х3
ц.
Xq18
9
10
Yz
2ЛБlfJJ
К2ЛБ433.
.:t118
Xz 11
Х3 10
9
У1.
:rц. 2 81
:&5 J
·А
б !JZ
Х5L/-'
'299

12
2ЛБ'13'1-;К2ЛБ'l-31/-
1
.-------+Uн.r,
ж112 ~
Жz 2,-
2ЛБ'l-35;К2ЛБ'l-35
1 +Uи.ГI
Х112 8
11
J'
Xz2
9
10
:хз
1/, 8,f
Общ.
5
Хц
:Z:5
6 8,1
:х6 8
11·
У1
11
У1
А
J.
Yz
А9YJ

2ЛБl./!G;i<2ЛБl./!S
7
+и,,,'!
:::if1
11,9
в
6
6
10
Yt
12,2
Ж,r-ttl5 •
1/-
1 О6щ,
.
10
3
5
Таблица 2-97
-
"'
"'
..,.
.,,
ф
~~
·м
·м
•се,
.,, .,
.,.,,
Обозначение
""""
.
,,.,..,.
..,...,.
.,,..,.
<D., .
;;:щ
;;:щ
;;:щ
;;:u:i
~tQ
;;:щ
параметра
tQ i::
u:ii::
u:ii::
u:ii::
щ~::
LQ i::
i::""
. , .:,,::
i:;c- .
. , .:,,::
·i:;c-,
с-.:.::
i::""
. , .:,,::
i::""
. , .:,,::
1:;""
,,,:,::
Ии. п• В*
3,0
3,013,0•3,0
3,0
4,0
(10, 1) (8, 12) (12, 8) (J) (1)
(7)
Рпот, макс, мВт
19,1
40 24,0 43,0 28,6
33,0
Рпот, ер, мВт
11,0
22
I-5,0 25,6 18,5
20,0
и~ых '· .в, не менее
2,3 2,3
2,3
2,3
2,3
2,6
U~ых, В, не более
0,25
0,25 0,25 0,25 0,25
0,25-
iзд, ·р, ер, нс, не более 10
10
10
10
10
10
Un. с. т, В, не более
0,25 0,25 0,25 0,25 0,25 0,25
Коб.
6
3
3
2
2
3
Краз ДЛЯ микросхем-
6
6
6
6
6
16
нагрузок: 2ЛБ431,
2ЛБ432, 2ЛБ433,
2Л~434, 2ЛБ435
2ЛБ436, 2ЛН431,
4
4
4
4
4
7
2ЛН432
• Допускаемое отклонение ±10%; в скобках указаны номера выводов, на
которые включается положнтельный полюс источннка питания.
301

Обозначение параметра
Ии. n• В*
Р пот. макс• мВт
р пот, ер• мВт
U~ых, В, не менее
U~ых, В, не более
fзд, Р• ер• нс, не более
Ип, ст• В, не менее
/(раз
2ЛН431.
К2Л Н431
3,0
25,0
23;6
2,3
0,25
1·0,0 •
0,25
10 ***
Таблица 2-98
2ЛН432,
К:2ЛН432
3,0
65,0
46,1
2,3
0,25
]0,0
0,25
6**
7 ***
• Д о пу с к а е мо е отк лонен ие _:!-_ 10Gfo; положительJ{ый х:~олюс включается на
--~
•
•
• • Число
микросхем 2Л 6431, 2Л 6432, 2Л6433, 2Л 6434, 2Л Б4J5,
2Л6~~
'
••• Число микросхем 2ЛН431, 2ЛЬ432.
2ЛН~51;К21/Нi/-31
if
+.Uи.11
2
1
г
q.
У1
5
:r:z в
1
5
в
!12
rт
81
8
J!J
7
- Y:r
9
101
9
10
~уц
11
121
11
12
:&5
~у5
1 Otfш,.
i:802

2ЛНl./-:52;1<2ЛНЧ32
3
+Uи.11
1./-
1
2
2
J:1
У1
q.
1
6
5
Xz
Уг
5
6
в1
7
Х3
YJ
7
в
1D1
9
Х4
Уч
9
12 ·1
11
1D
J:5
Ys
11
12
1 Общ.
2ЛНl./-33; 1<2/!Н'l-33
11
J
+U11.i1
1
2
12
2
12
.t1
У1,
f!
1./-
6
Уг
1./ -
5
1
9
в
a:f
!:)3 .
1D
7
+и11.п
8
9
1.
QD'щ..
303

Таблица,2-99
1
1 2ЯП431, 12УП431,
О бозна·чеине параметра
1
2ЛН433,
1(2ЛН433 К2ЯП431 К2УП431
Ии. п, В*
+3,0 (3, 7) +3,0 (4) +4,0 (4)
Ии. п2• В*
+в.о (2)
Р,rот, макс• мВт ·
50
19
65
и~ых• в, не менее
2,3
2,3
2,1
иgых• в, не более
0,25
0,25
0,25
i3д, р, ер, нс, не более
10
20
U11, ст, В, не более
0,5 '
0,25
0,25
/вх, МГц, не более
15
К аз для микросхем-нагрузок:
Р2ЛБ431, 2ЛБ432, 2ЛБ433, 2ЛБ434, 6
6
6
2ЛБ435
2ЛН431, 2ЛН432
4
4
3
2ЛБ436
4
4
3
• Д оп у с ка е м ое откло нение ±i0%; 11 скобках указаны номера выводов, на
«оторые включается положительный полюс источника питания.
2ЯПl/-31;К2ЯПlf31
8--~ -- -- -- --,
б---1------
7____.
J,12'--4--------,
10----+- - - -.... .
11---4
Ч-
5
1
Общ.
9

7
5
3
1
(
11
10
'-
8
2УП't31;Н2УП4J1
z
ц.
в
9
11
,,. 10, 12 06щ.
2УИ '-131
1
ц.
+Uнл
2
12
5
9
7 Общ..
[>
[>
305 .•

~фi
Обозначение параметра
. Ии,
пl> В*
Ии. п2, В
Ип, ст, В, не менее
Рпот, макс• мВт
13д, р, ер, нс, не более
и~ых' в, · не менее
И~ых, 1?, не бо.1ее
Ивых. А• В, не менее
l~x' мА, не (';алее
/~х' ;',!А***
Краз
2ЛИ431
6,0
-3,0
0,27
70
15
2,3
0,25
0,62~0,73
(3, б, 7)
1,24....:...1,45'
(9, 10)
6
1
2ЛИ432
• 6,0
-3,0
0,27 1
61,6
t-5
-2,3
0,25
0,62-0,73
(2, 5, б)
0,72-0,81
(7, 10)
6
Таблица 2-I00
12УИ431 1 2УИ43212УИ433 -1 2УП432 1 2ЛП431
6,0
4,0
1
4,0
.
1
3,0
1
6,0
-
-
-6,0
45
14
1
80110
1
30
20
20°
20°
1
0,25
1
0,2
0,25
1,4
1,0** 0,06**
1,2
-
-
-
0,12
-
-
-
-
0,62-0,73
(3, 5, б,
8, 11)
-
-
-
-
1,85-:2,2
(4, 12)
1
1
I
1
2
• Допускаемое отклонение ±23⁄4,
•• Для микросхемы 2УИ432 указано ·максимальное значение ·амплитуды выходного . напряжения при воздействии синфазной
помехи .
• •• в скобках указаны номера входных выводов.
О Задержка распространения по отношению к фронту входного сигнала.

2
3,8
+Uи.п-1
5
'1-
6
7
10
2ЛИ'131
2ЛИ!/32
,..__...,____
1Общ. •
9
·.
L.....----~ - -U".nz
11
2
5
6
10
1Z
307

9
+Uи.п
8
7
1
2
3
+U,,;п
308
10
г
· 2УИL/32
12
1 2УИL/33
+Uн.п
:r111 t>
12 Yt
ВУ2
10.
;r12
t>
5 IJt
11
11 Yz
G
:cl 8
11у
-Ur.м
12
101
yq.
5
1/

2ЛПlf31
n
в
~
;!
+Uи.п
:х,_1_ 81
i23
'i Yl
5
l/-
Х;, 5
1
Xi,6 81
7
Х58
12У2
6
12
Х5 11
2HTi/-31; 2HTL/-32;2HTL/-33
у2У·_s
.
ув - 'Уо.11
3
.
б
'
9
Обозначение параметра•
1кво, мкА, не более"'*
И к.э, нас• В, не более
h21э
lp~c, ~с, не более
• гост 20003-74 .
•• Лри Икв=7В.
2НТ431
0;5
• 0,27
30-90
15
Таблица 2-101
2НТ432
2НТ433
0,5
0,5
0,27
0,27
60-150
70-280 '
15
15
309

СЕРИЯ 263
Состав серии:
2УИ631-усилитель-приемцик сигналов с кабельной магистрали.
2ПМ631-формирователь импульсов из логического перепада.
2КТ631 -формирователь втекающего тока.
2ГФ631 - генератор прямоугольных импульсов*.
2ПН631-2 преобразователя уровней напряжения.
• Генератор предназначен для работы на преобразователь 2ПН631,
Корпус . прямоугольный металлостеклянный 151.15-5 .
2УИ631,
_________
1_ч+и
11.п
1D9З'75
б
Общ.
1Ч
2ПМ631
Общ.
Запуск 1З F 1
Сброс 12
2
9
q.
10
з
6
iв57ч.
13
12
7'"Uи.п
310
!11
!IZ
У1
!lч

2КТ631
-Uи.п1
. Обозна чение
параметра
2УИ631
Ии. п• Вд
5,0±: 10%
(14)
Р-пот, мВт, не более
65
t \,О
зд' нс, не более*
40
t;;i, нс, не_ более *
25'
Ив,, В. не менее
,0,7-1, 7
Ивь,х, В
0,4 - 2,4
6 iи, МКС*~*
• При С11=10пФ.
• * Амплитудное значение.
1
2
F
11
10
9
8
Вы8аа 1J-контральныи
• Та.блиuii 2-102
2ПМ631
2ГФ631
- 5,0±: 10% - 5,0± 10%
(7)
(7)
90
50
12
10
10
15
0,5
- 1,5+-2,2 0,4 **
о, 1-:1,0
•• • Диапазон длительности формируемых - сигналов.
д В скобках указань~ номера выводов.
Зtl

Обознач~ние параметра
Ии. nl• В*
Ии.п2,В*
и~ых, в
и~ых• в
lвых, мА, не менее
lзд, р, ер, нс, не более
fвх, МГц, не более***
Uвых, А• В, не менее
Краз
1
21( ТбЗ 1
-5,0± 10%(7)
-1 2,6 ± 10% (12)
-О,4+-1,05
0-0,1
0,7
10
25
0,4
2 (2ГФ631)
10 - (2УИ631)
Табл и.ц а 2-103
2ПН631
- 5,0 ± 1О°(о (7)
- 1,6 + -,2,2
-О,6+-0,85
10 **
4 логических входа
МС серии Кl37
• До пу с ка е мо е отклонение::!: 10 %; в скобках указаны номера . выводов .
•• Пр11 Сн= 10 пФ,
•*• Максимальная частота входного сигнала формирователя; микросхему
21(Тб31 можно использовать для генерирова1шя колеб'аний с частотам11
. 1.кГц -40МГц.
312
130tfщ.
12----
11----4 ---'
1----➔
,7
-U,,_n1
10
1z 71211
-;Uил •
8
i/-
з
2ПН631
1
ПУ
12
2
11
ПУ
9
i/-
5
98

РА3ДЕЛ ТРЕТИЙ.
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ
АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
В настоящем разделе приводятся численные значения электриче­
ских параметров, электрические принципиальные схемы и схемы ВJ<Лю­
чения аналоговых интегральных микросхем, выпускаемых отечествен­
ной электронной промьштенностью. На схеме включения, как пра­
вило, изображены' только те выводы, элементы, их соединения, ко­
торые необходимы при измерении электрических параметров. Если
нет указания, что значения параметров сохраняются во всем диапа­
зоне рабочих температур, установленном для микросхем данной серии,
эти параметры соответствуют нормальной температуре окружающей
среды.
СЕРИИ 101 И К101
Состав серий:
I_KTOI lA- IKTOIIГ, К!КТОIIА-КIКТОIIГ-прерыватель
2
s
в
Корпус круглый металлостеклянный 301. 8 -2,
1KTD11A - 1KTD11 г; К1KTD11 А-К1ктq11г
J
2
Цепь
упра8лен4я . В
s
,7
Н.оммутируе­
мая цепь
7
313

""'
;:
Об9знач'енне параметра
IК:T O llA IК:TOIIБ IК:TOIIB
.
Иээ, макс' в•
6,3
6,3
3,0
Ивэ; макс' 8
6,5
6,5
3,5
Ик:в, макс• В**
3,5
3,5
3,5
/ К:, макс• / Э, ма.кс• мА
10
10
10
ИК:Б,-пр•-В
0,6- 0,9 0,6-0,9 о,~О,9
Uвых, ост, мкВ
50
150
50
Rээ• Ом. не более***
100 .
100
100
/ ут, вых, нА, не более
10
10
10
•· М?ксим.ально допускаемое напряжение между эмиттерами.
•• Во всем диапазоне температур .
••• Сопротивление открытого ключа (между эмиттерами}.
Таблица З-1
IК:TQIIГ KIК:TOI IA IOК:TQIJБ I(IК:TO! 1В К:IК:ТОIIГ
'
3,0
6,3
6,3
3,0
3,0
3,5
-
-
-
-
3,5
-
-
-
-
10
-
-
-
-
0,6 - 0,9
-
-
-
-
150
100
300
100
300
100
120
120
120
120
10•
,40
40
40
40
"

СЕРИЯ К118
Состав rерии:
КIУС181А-К·1УС181Д -усилитель двухкаскадный.
-усилитель каскадный.
К1УС182 (А, Б, В)
К1 УТ181 (А, Б, В)
-однокаскадный дифференциальный УПТ.
К1УБ181А-К1УБ181Г -видеоусилитель.
ЮТШ181А-К!ТШ181Д-триrгер Шмитта.
Корпус прямоугольный пластмассовый 201.14-1.
К1УС181А-К1УС181Д.
11
-..&..- 9
3
_ив_х__J -" 1
_
[>
10
2
К1УС182А-К1УС1828'
•
1
7
13
Uвх J
3
11/-
1
11/-
Uвых
315

К1УТ181А-1<1УТ1818
7
Uн.п1 •
9
7
10
J
5
8
[>
11
ilвx 10
9 Uвы!(
12
11/
-{}_н.пZ
11/
К1УБ181А -Н1УБ181Г
7
Uн.п
9
7
10
9
Uвх J
-[>
Uвы!(
1Z
10
+12
I 100,а
Зt6 .

Таблиц а 3-2
Ку,uне менее
ивых•
и ***
Тип
и:. П• на частотах
RВЫХ'
вх•
В, не
В, не
микросхемы
в
12кгцlsмгц менее•• кОм
более
ЮУС181А +6,3
250 30
1,0 1,2-3,0 , 1,2
К1УС181Б
+6,3 400 30
0,5 1,2-3,0 • 1,2
К!УС181В
+12,6 350 50
2,2 1,2-3,0 1,2
К1УС181Г
+12,6 500 50
1,8 1,2-3,0 1,2
К!УС181Д +12,6 800 50
1,8 1,2-3,0 1,2
КIУБ181А
+6,3 900
-
-
-
-
КIУБ181Б
+6,3 1300 -
-
-
-
КIУБ181В
+12,6 1500 -
-
-
-
-
'
КIУБ181Г
+12,6 2000 -
-
-
-
-
• Допускаемое отклонение± 10%.
•• При Кг=5%.
.
• • • Постоянное и переменное.
К1ТШ181А-1<1ТШ181Д
7
5
9
7
J
11
12
J
n
Uвх -
2
!'f
-Ul'l.nZ
1Ц.
9
RBX'
кОм,
не ме~
нее
2,0
2,0
2,0
2,0
-
-
-
-
-
Uвых
317

с:,,
;;
-
Обозначение параметра
Ии. пl, В*
Ии. п2, В*
Rвых, кОм
Rвх, кОм, не менее
I
Ивх, макс, мВ
/ вх, мкА, не более
t::,/ 8 x, мкА
Исф, вх• В
Ивх, В
Ку, и• не менее**
Ку.и, менее***
• Допускаемое отклонение± 10%.
•• На частоте f = 12- кГц.
••• На частотеf=5МГц.
I<.l УС182А
КIУС182Б
Kl УС182В
+4,0
+6,3
+6,3
-
-
-
1,2-3,0
1,2-3,0
1,2-3,0
1,0
1,0
1,0
100
100
50
-
-
-
'-
-
-
-
-
-
1
-
-
-
15
25
40
-
-
-
Таблиц а 3-3
1(1 УТ181
1
1
А
Б
в
'
+4,0
+6,3
+6,3
- 4,0
- 6,3
- '-6,3
3-7,0
, 3-7,0
3-7,0 •
6,0
3,0
6,0
-
-
-
10
10
20
±2,0
± 2,0
±4,0
± 2,0
±3,0
:!,:3,0
-2++1,о -3++1,О -з++l,О
15
22
_22
5,0
8,0
8,0

Таблиц а 3-4
Обозначен не параметра
1<:IТШ181А
1(1ТШ181Б
1(1ТШ181В
l(ITШISIГ
l(ITШISIД
Ии. п1, В*
+з,о
+4,0
+4,0
+6,3
+6,3
Ии. п2 В*
-
3,0
- 4,0
1 -4,0
- 6,3
~6,3
/ вх, мкА, не более
20
40
20
40
20
Исрб, В
0- 0,35
0-0,35
0-0,35
0-0,4
0-0,4
--
Иотп, В
о+-О,35
о-:.:._-о,з5
О+-0,35
О+-0,7
о+-0,1
-
Ивых, мин, В
.
-- 10,4+ +О,9
-
0,4+ +О,9 ~о,4++0,9
- 0,4++1,2
-0,4+.+1,2
•
1 И вых, ма!{с, В
+2,i5+ +з,65 +з,75+ +4,05 +з,75+ +4,05 .+6,0++6,35 +6,о+ +6,35
,.
(,;,
ц5
• Допускаем~ дtклойение + 10%,

Состав серий:
СЕРИИ 119 И Kt 19
-
усилитель НЧ входной .
...!_ усилитель НЧ.
-
усилитель постоянного тока
-видеоусилитель.
-эмиттерный повторитель.
IYC191 , ЮУС191
1УС192, К1 УС!92
1УТ191, КIУТ191
1УБ191, КIУБ\91
1УЭ\91, 1(1УЭ191
1Г~191, К!ГФ191
-
элемент блокинг-генератора ждуще-
го.
IПП191, ЮПП\91
- мост диодный.
!МАНН (А, Б), l(IMAI91
-регулирующий элемент АРУ
1ДА191 (А , Б), 1(1ДА191
-детектор АРУ.
1К:П191, КJl(П\91
-коммутатор.
!СВ!91 (А, Б), ЮСВ191
-пропускатель линейный .
ICCl91 (А, Б}, К!СС191 (А, Б), } :-элемент схемы частотной селек-
lСС192, КIСС192
ци и активный.
IГФ192А- IГФ19~В, ЮГФ192 -_мультивибратор с самовозбужде­
нием.
1ТШ191, К!ТШ191 (А, Б)
-триггер Шмитта чувствительный .
Кор п ус прямоугольный металлостеклянный 401.14 -4 .
Обозначение параметра
И.,. п1, В:*
Ии. п2, В*
/ пот1, мА, не более
/ пот2, мА, не более
к**
У,и
Ивх, В6, не более
Rвх, кОм, не менее
Ивых, В, не менее***
Обозна,,ение параметра
Ии. п1, В*
Ии.п2,В*.
/пот~, мА,·Re более·
/ пот2, мА, не более
к**
У,и
Ивх, В6, не более
Rвх• кОм, не менее
Ивых, В, не менее***
IYC\91
+6,3
-6,3
1,2
1,2
3,2 ± 20%
0,3
5,0
0,75
1(1 УС192
+6,3
-6,3
2,5
2,5
10±30%
1,0
0,70
• Допускаемое · отклонение± 10%.
•• На частоте. 1О кГu.
••• При Кг,;;; 10%.
-
Л Действу~,ощее зна•1ение.
320
. Таблица 3-5 .
!(УС\91
IYC\92
+6,3
+в,3
- 6,3
-6,3
2,0
2,5
2,0
2,5
2,0-5,0
10 ± 20°/~
0,5
0,5
4,0
0,70
0,80
_Продолжение ~абл. 3-5
1УТ191
1
1(1 УТ191
+6,3
+6,3
- 6,3
- 6,3
1,8
2,5
1,8
2,5
4,2± 25%
2-' -5
0,3
0,5
5,0
4,0
0,70
0,70

Таблица 3-6
Обозначение параметра -
lУБ191
к:1· ув191
И-,,. п, В*
+6,3
+6,3
lпот, мА; не более
6,0
6,0
Ку, и**
~5
4-10
Ивх. А• В
0,1-1,0
0,1-1,0
fи, вх• МКС
0,3-500
0,3-500
Uвых, А• в, не менее
3,0
2,0
• Допускаемое отклонение± 10%.
•-• При дл~1тельности импульсов 1-2 мкс и частоте следования 2 кГц.
Обозначение параметра
Ии. 111• В*
Ии. п2• В*
/ пот~, мА, не более
l110т2, мА, не более
fн, Гц
fв, МГц
Кt;и
Ивх• В,sфф~, не более
Rвх, кОм
Ивых, В, не менее***
Ио/вых, В
1-
IУЭ191
+3
-3
1,3
1,3
о
0,55
0,8
- 1,5
13-30
0,6
+o,1+-0,os
_
• Допускаемое отклонение ± 10%. •
• • Для синусоидального сигнала с частотой 1 кГц.
••• При Кг ,,,;; 10%.
11 _п/р Тарабрииа Б. В,
Таблиц а 3-7
I<!УЭ\91
+3
-3
2,5
2,5
20
2,0
0,7
1,5
~10
0,5
+о,2+-0,2
321

11
•1ус1в1; 1<1Ус191
Uox
l/----. 5
---
t-" ---- Uеых1
[> t--,-,;11---·Uвых2
в
,_____ -Uи.r,
1УС192; 1<1УС192
·. 13
+l!и.п1
10
18lj.1J
5
:1z
. llex
5
1>✓ 2 lleыx
~.
..
6
1
11
~
11
3
-llи.nZ
9
3
8
9 1УТ191; К1!1Т191
+Uи.п1
:r
6
89
J/.
10
6
Uвых
12
11
Uвх ц
(>
.13
s
г
-Uи. nZ
5z
322

11
1/-
13
5122
\
11*
• 1УБ191; f(1УБ191
+Uи.11
11,
U11x
2
9 l1вых
q. 1УЭ191;К1УЭ191
11· 9
1ПП191; К1ПП191
13
q.
ilвx 11
J'
q.
t>
10
5'1Z 9:
-Uи.п
5
323

Обозначение параметра
Ии; п, В*
fпот, мА, не более
Uвх, А• В**
fвх, кГц, не более
fи, вх• МКС
fф, ВХ• МКС, не более
Ивых, и, А • мкс, не более
fи, вых, В, не . менее
fф, вых, мкс, не более
fc, вых, мкс, не более
Ип, В, не хуже
Rн, кОм
Обо.значение параметра
И.,_п,В*·
1пот• мА, не более
Uвх, А• В**
fвх• кГц, не ' более
iн, вх• МКС
tФ, вх, мкс, не более
Uвых, и, А• мкс, не более
fи, вых• В, не менее
tф, вых , мкс, не более
• tc, вых, мкс, не . более
Ип, В, не хуже
Rн, кОм
1ГФ191
+6,3 -
2,5
3,5 ± 10%
100
0,2-0,4
0,1
4,5
0,5-1,4
0,15
0,40
0,6
' 1,0
1ГФ192Б
+3,О
6,0
10-20***
0,55
1,8л
• До пу ск ае мо е отклонение± 10%.
* * Полярность положительная.
Таблица 3-8
1(1ГФ191 __/ 1ГФ192А
+6,3
+3,о
3,0
6,0
3,5
100
0,2-0,4
0,1
3,0
1,4
0,3-1,4 10-20***
0,30
0,25
0,50
О,8д
0,5
1,0
Продолжение табл, 3-8
1ГФ192В
+з,о
6,0
10-20***
0,85
1,86.
1(1ГФ192
+3,о
6,0
0,5
1,0
7-25** 41
0,5
.' 1,8
*** Зависит от · параметров навесных элементов.
д От уровн.я 0,9 1:10 уровня 0,3 .
•
324

13
J,.
.11
6
10
13
2
Таблиц а 3-9
Обозначение параметра
fв, МГц, не менее
l вх, мА, не более
Knинеменее*
l у;. n'x, мкА, не более**
Rн, кОм
Ивх,макс, В***
1ПП191
2,0
10
0,6
1,0
1,5
10
• В режиме выпря'l!ления несущей частоты f = 1О кГц.
•• При обратном напряжении б;з В.
•• • Действующе& значение.
1/, 9 1ГФ191; К1ГФ191 '
9
Uвх 6
~1
1<1rФ192А-К1ГФ192В; К1ГФ19Z
12'1-610
270{)
2700
К1ПП191
1,0
10
0,5
1,5
10
+ии. 17
'1-7 .
'1- 1э. в
13'
9
11 lfoыx
11
10
5
5
. lfи.n
•
325

Обозн,ачение параметра
Напряжение источника питания Ии. n,
В*
Максимальное входное напряжение
Ивх, макс, В**
Верхняя граничная частота f8 , МГц,
не менее
I(оэфф,щиент ослабления при / рег = О
Глубина регулирования коэффициента
ослабления:
при /рег=50 мкА не менее
при /рег= 100 мкА не менее
• Допускаемое отклонение± 10% .
•• Действующее значение.
1, IMAl91A 1:
+6,3
0,5
0,2
2,6 - 5,7
]6
50
Обозначение параметра
1 IДА191А, 1ДА191• Б 1
Ии. n, В*
/ пот, мА, не более
Кп и не менее**
Иn;,,макс, В***
fн, Гц
fв, кГц
- 6,3
1,0
1,2
3,0
5
40
Таблица 3-10
1МА191Б IК.IМА191
+6,3
+6,3
0,5
0,5
0,2
_
0,2
2,0-8,0 2,0-9,0
5
16
5
Та6лица.$0Н
К.IДА191
- 6,3
2,0
0,6
3,0
5
40
• Допускаемое отклонение± !'0%.
•• В режиме выпрямления несущей частоты f = 10 кГц.
• • * Действующее значение.
92
326
1МА 191А;1МА191Б; К1МА191 -
3
5
JJ
Uвх 11
Iрёг
2
6
S Увых

· Таблиц а 3-12
Обозначение параметра ·1
··
1ТШ191 1 КIТШ191А 11(1ТЩ\91Б
Uи. nl• В*
+3
+3
+6,3
Ии. п2, В*
-3
;,._3,
-6,3
lnoт, мА, не более
3,5
5,0
5,0
Rвх, Ом, не менее
800
fн, Гц
о
о
о
fв, кГц
100
100
100
Ивх, в**
1,5
2,0
2,0
Ивх, В***
- 2,5+ +2,5
- 2,5++2,5
---2,5+ +2,5
Гист~резис, в
0±0,08
0,15
0,15
Иных, срб, в
+2,0
,t-1,3
+I,3
Иных, отп, в
- 1,0
-0,7
-0,7
Исрб• в
0±0,08
0±0,25
0±0,25
UOT!ft в
0±0,08
.0±0,25
0±0,25
• Допускаемое отклонение ±10%.
•• Де!lствующее значение переменного входного напряжения .
• • • Постоянное входное напряжение.
Обозначение параметра
И11.п, В*
/~от• мА, не более
/;rот• мкА, не более
/ вх, мА, ие более
UJ,x, макс• В**
U~x . макс• В**
• Допускае мое отклонение ±10%.
• • Действующее значение.
1кrf191
+3,о
·2,6
3,5
1,0
2,0-3,0
,__3,0-0
Таблица 3-13
КIКП\91
+3,о
3,0
10
1,0
2,0-3,0
-
3,0-0
327

11
12
9
5
13
ц.
•11
1
12
·12
5
1-J. J
.
328
1ДА 191А;1ДА1915; К1ДА191
9
Uвх 11
5
•9 Uвых
+
.....,_______. - I151_0
г
5
1ТШ191;К1ТШ191
10
7
+ин.п1
'
107
13
1L8
• Uвх
Uвых
12J
-tJи.nZ
J
1КП191; J<1f<П191 .
"11
+Uи.tt
1
11
Uвх 12
9
9 Uвых
5
rJB Врежи-
ме II от1<рыт 11
lj.
z

с,,
i-v .
<D
Таблиц а 3-14
Обозначение параметра
1 КВ191А \ 1св191в I к1св_191 l 1сс191л j 1сс191в I к1~сшл Iк1сс_191в 1
, !СС\92,
KICCl92
Ии. п, В*
- 6,3
/ пот, мА, не более
2,5
lвх• мА, не более
-
Ивх, -макс, В
-
Ивх1, В
- 6,3
Ивх2, В
-4,0
Rвх, кОм, не менее
-
Кг, %, не более**
1
-
Kn,U ' не менее***
0,8
к~ ос~
-
fн, Гц
-
fв, кГц
-
иОСТ, ВЫХ> ~ -
0,25
• Допускаемое отклонение ±10%,
•• При
Ивых=2 В.
••• При U8x2 = О.
-6,3
2,5
-
-
-6,3
- 4,D
-
-
0,7
-
-
-
0,35
Л Коэффициен-г nереда'<и цепи обратно!! связи.
-6,3
+12
3,0
3,5
-
1,0
-
3,0
-6,3
-
-4,0
-
-
400
-
2
0,65
0,95
-
0,4-0,95
-
15
-
20
0,40
-
+12
+12
+12
+12
3,5
3,5
-
3,5
-
1,0
1,0
1,0
1,0
3,0
3,0
3,0
3,0
-
-
-
-
-
-
-
-
200
300
150
-
2
2
2
-
'
0,95
0,95
0,95
0,95
(одной секции)
0,4-0,95 0,4-0,95 0,4-0,95
-
5
5
5
5
20
20
20
20
-
-
-
-
;
'
)

5
10
330
116
9
12 / 1СВ191А;1СВ191Б;К1С8191
11
d'
им10,
U8xl! 13
г
9
2
-ии.п
1СС191А; 1СС191Б;К1СС191А;К1СС191Б
21011
llвx
1СС192; К1СС192
9
Uи, п Uвx,J
7
Uвх1
11
6
1
10к
10к
'
31211 12131'i86
:5 l/1161;(
101(
UвыхZ

СЕРИИ 1~2 И К122
('.остав серий:
1УТ221А - 1УТ22IВ, }' -
усилитель постоянного тока
IOYT22-IA - КIУТ22IВ ' скадный дифференциальный . .
однока-
IYC221A .,-- !УС221Д, }
Klyc2 А Б
г
-усилитель двухкаскадный,
21(, ,В,
,Д)
1УС222 (А, Б, В),
}
•
К1УС222 (А, Б, В)
-
усилитель каскодныи
К1УБ221 (А, Б, В, Г)
-
видеоусилитель.
ЮТШ221 (А, Б, В, Г, д) - триггер Шмитта.
Корпус круглый металлостеклянный 301.12-1.
1УТ221А-1УТ221В;l<1УТ221А-К1УТ2218
7
+Uн.n
5
9
7
ц.
5
10
[>
8
• Uвх
10
9 Uвых
11
12
111
J
-ии.п
1
1УС221А-1УС221Д; 1<1УС221А-1<1УС221Д
10
7
Увых ·
J/.
Uвх ц.
3
1
1
331

1УС222А-1УС222В; J<1YC222A-l<1YC2228
7
Uи.п
7
11
Uвых .
Uвх 1/-
1
3
LI\
;
1
/
/
К1УБ221А-К1УБ221r
7
1/и.п
10
-8
7
8 Uвых
9
Uвх q.
ц.
·11
1
5
f,
J<1ТШ221А -,-1(1ТШ221Д
7
+ии.п1
5
9
7
ц
11
• Вход ц.
п 9 Выход
12
1
-tJи.nZ
1
, 332

с,:,
с,:,
с,:,
Таблица 3-15
Обозначение nараметра . 1 1УТ221А I IУТ221Б I IYT221B I К.1УТ221А I К,!УТ22\Б Г-::Т221В
Ии. nl• В*
+4
+6,3
+6,3
+4_
+6,3
+6,3
Ии. пz, В*
-4
-6,3
-6,3
-4
-6,3
-6,3
Rвх• кОм, не менее
6
6
3
6
6
3
Исф, вх• В
±.2 •
±.3
±.3
±.2
±.3
±.3
Ивх• В
-2+ +1
-3+ +1
-3+ +1
-2+ +1
-3+ +1
-3+ +1
Исм, мВ
-5++5
-5++5 -10+,+10 -5+ +5
-5+ +5
- 10+ +10
/9х:, мкА, не более
10•
10
20
10
10
20
Лlвх, мкА
±.2,0
±.2,0
±.4,0
±.2,0
+2,0
±.4,0
К
15-26**
24-40**
24-40**
~ 15**
~ 22**
~ 22**
y,U
~
5***
;:=:8***
~ 8***
~5***
~ 8***
~
8***
Rвых, кОм
1 3-7
3-7
3-7
3-7
3-7
3-7
• .Д опускаемое отклонение ±. 10% ,
•• На частоте f = 12 кГц.
••• На частоте f=5кГц.

~...
Обозначение· параметра
1
1УС221А
Ии. п• В*
+6,3
к.У,и
400-800*"'
~ 30***
Ивх, макс, В
1,2
Ивых, мин, Вд
1,0
Rвых, кОм
1,2-3,0
Rвх, кОм, не менее
- 2,0
Обозначение параметра
1
I<.1 УС221А
Ии. п, В*
+6,3
Ky,U
-
~ 250**
~ 30***
Ивх, макс, В
-
Ивых, мин, Вд
1,0
Rных, кОм
Rвх, кОм, не менее
• Допускаемое отклонение ±10%,
•• На частоте f = 12 кГц.
••• На частоте f = 5 МГц.
д При Kr= 5%.
1
IУС221Б ,
· +6,3
600-1200**
~30***
1,2
0,5
1,2-3,0
2,0
1
К!УС221Б
+6,3
~ 400**
~30***
1
0,5
Таблица 3-16
1
1УС221В
r
1УС221Г
,-
1УС22\Д
+12,6
+12,6
+12,6
500-1000**
800-1600** 1200-2400**
~ 50***
~ 50***
;::с 50* **
1,2
1,2
1,2
2,2
1,8
1,8
1,2-3,0
1,2 - 3,0
1,2 - 3,0
2,0
2,0
... 2,0
Продолжение табл. 3-1 б
1
К.1 УС221 В
1
К!УС22\Г
1
ЮУС221Д
+12,6
+12,6
+12,6
~ 350**
~ 50Q**
~ 800**
~ 50***
;?;: 50***
~ 50***
1
2,2
1
1,8
1
Ц\:

Таблица З-17
.-
Обозначение параметра
\УС222А
\УС222Б
\УС222В
KIYC222A
КIУС222Б
/
Ии. п, В*
+4
+в,з
+в,3
+4
+в,з
Ивх. макс, мВ**
100
100
50
100
100
Ку, и *"'*
20-40
30-50
45-90
~15
' ~25
Rвх, кОм, не менее
1,0
1,0
1,0
1,0
J,O
Rвых• кОм
1,2-3,0
1,2-3,О
1,2-3,0
1,2-3,О
1,2-3,О .
Продолжение табл. 3-17
Обозначение параметра
•·
К! УС222В
KI УБ221А
КIУБ221Б
КIУБ221В
К\УБ.221r
'
,.
Ии. п, В*
+6,3
+6,3
+6,3
+12,6
+12,6
Ивх, макс• мВ**
50
-
-
-
-
Ку, и ***
~40 •
~
900
~ 1300
~ 1500
~ 2800
Rвх, кОм, не менее
1,0
-
-
-
-
с,:,
~

~
·
с;,
Обозначение па р~метра
К1 УС222В
Rвых• кОм
1,2-3,0
• Д о пу ск ае мо е отклонение :tl0%.
•• Действующее значение . _
••• Нз частоте 12 кГц.
Обозначение параметра
КIТШ221А
Ии. пi, В*
+3,О
Ии. п2, В*
-3,0
lвх, мкА, не более
20
-
• Ивых, мин, В
-О,4++0,9
Ивых, ма~с, В
+2,75+. +3,05
• Допускаемое отклоненце ±10%.
К!УБ221А
,
-
К!ТШ221Б
+4,0
-4,О
40
- 0,4++0,9
+3,75+ +4,05
Продолжение табл. 3-17
К1 УБ221Б
КIУБ221В
К!УБ221Г
-
-
-
✓
Таблица 3-18
К!ТШ221В •
К!ТШ221Г
К1ТШ221Д
+4,0
+6,3
+6,3
-4,0
- 6,3
-6,3
20
40
20
'
- 0,4++0,9
-0,4+ +1,2 .
- 0,4+ +1,2
+3,75+ +4,05 +в,о+ +6,35 +6,О+ +6,35.

СЕРИИ 123 и К123
Состав серий;
-
IYC23IA - 1УС231 В , Ю УС231А - Ю УС231В
-
усилитель НЧ,
Корпус круглый металлостеклянный 301.12-1 .
Ии.п••,••
Р поп не более
Электр и чес к ие параметры
6,3 В±10%
15 мВт
Rвх, не менее
10 кОм
Ивх , макс
0,5В1
-
fв -,
.
..
.-.
.
.
..
.
....
..
.
.
.
..
.
.
.
..
.
.
.
,'. 100 кГц
_
Остальные пара метры микросхем серий 123 и К123 при сопро •
тивлении нагрузки Rн ~ 500 кОм приведены в табл. 3-19 .
1УС23 1А-1УС231В; К1УС231А- 1<1УС2318
13
12
1р
+ин.п
'f-3
13
10
Uвх 1
19 Uвых •
15к
3
ц52 6
7
337

Таблиц . а 3-19
<
щ
J:Q
<
щ
J:Q
м
;;;
"'
Обозначение пара"етра
-
"'
"'
"'
"'
""
""
""
""
""
u
u
u
u
u
u
>.,
>.,
>.,
·
>.,
>.,
>.,
-
-
-
-
:,,;
:,,; ,
·
:,,:'
..
Ky,U
300- 100- 30- 300 - J.00- 30-
500 350 120 500 350 500
-
Кг, %, не более*
2,0 2,0 2,0 2,0 2,0 2,0
Кнр, Ач• дБ, не более
1,4 1,4 1,4
-
-
-
Иш, вх, мВ, не более
2,0 1,5 1,0
-
-
-
Rвых, Ом, не более
100 100 100 200 200 200
• Для микросхем 1УС23 \ А - 1УС231 В при U вых = О, 8 В, для микросхем
KIYC231A-IOYC231B при Uвых=О,5 В.
СЕРИИ 124 и К124
Состав_ серий:
1КТ241А, 1КТ241Б; ЮКТ241-прерыватель.
Корпус круглый металлостеклянный 301 .8-2.
1/П2L/1А; 11<Т2L/1Б, !{1!{T2L/1
2
3
•
8.
Номмутuру-
.
Uy,
емая цепь
5
7
7
Таблица 3-20
Обозначение параметра
И ост, мкВ, не более
lут.вых, нА, не более
R33 , Ом, не более
И33 , В, не более
1КТ24\А
100
45
ню
±30
1КТ24\Б
KIKT241
200
300
45
50
ню
ню
±30
±30
П р и меч а и и е. Все параметры измеряются между выводами эмиттеров •
.
338

СЕРИИ 129 И К129
. Соста11
сер11й:
ши~:~- lНТ291 Ж 1-пара транзисторов структуры n-p -n
К 1нт2g / А - К Iнт 291 Ж. (базовые элементы дифференциального
КIНТ29Ш .
усилителя).
.
; Бескорпусные микросхемы с герметизацией компаундом.
Электрические параметры микросхем
Рассеиваемая мощность Ррас• не более ...... • .
.
.
15.мВт
Коэффициент пе.редачи тока h213 при f=50 Гц, · икв=5 В, .
lэ=l мА:
IНТ291А, 1НТ291Г ....... . .. .... ... ...... 30-90
КIНТ291(А,Г)....................... 20-80
IHT291·(Б,'д).......................60-180
К 1НТ291 (Б, Д) ................... .
60-180
IНТ291 (В, Е) .................. _.
.
.
.
.
.
?80
КIHT29i (В, Е) . •
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
?80••
IНТ291 (Ж, И) .•..... :
......
;...
40-160
К1НТ291 (Ж, И) ................ .
Отношение коэффициентов передачи тока не мен:е:
IНТ291 (А, Б, Ж) ....... .... :
...
.
К1НТ291 (А, Б, В, Ж) ....... .
IHT291B . .......... .
КIНТ291 (Г, Д, Е, И) ..
1НТ291 (Г, Д, Е, И) .....
Модуль коэффициента передачи тока при f = ' 100 МГц не
менее:
КIНТ291А-КIНТ291И ..•. • , ..• .•• , . ,
.
..
.
1НТ291(А,Г,Д,Е,Ж,И).
IНТ291Б
!НТ291В ........... .. .
Обратный ток коллектора при И.кв= 15 В не более:
IHT291........ ,
.
.
...
.
...
.
..
,.,
.
:.,,
.
•
• ЮНТ291 .. ;
.-
;.•.;;•••....,••.,;...:
.
,•
40-160
0,й()
O,R5
0,92
0,75
0,80
2,5
2,5
3,5
4,5
20
200
нА
нА
339

• 1нr291А - 1НТ291И /
К1НТ291А-К1НТ291И
(j
;rV
-
sl
Обратный ток эмиттера fвэо при Иэв=4 В не более:
!НТ291 ... :
..
KIHT291 -........................
.
50 нА
500 нА
Максимально допус1{аемое напряжение коллектор - база Икв ма1<с *
--._,
.
1НТ291 .
KIHT291 ...................... ,
...
.
Ток утечки между транзисторами lут не более (IHT291)
Разность прямых падений напряжения эмиттер-база,
не более:
!НТ291 (А, Б, В, Ж), ЮНТ291 (А, Б, В, Ж)
IHT291 (Г, Д, Е, И) ..
ЮНТ291 (Г, Д, Е, И) ............. .
Начальный ток коллектора fк.эо н_е более (IHT291)
Емкостъ коллекторного перехода Ск не более:
IHT291 .... , _, . ....... •.. ....
.
КJНТ291 .......... , ,
Ем1юсть эмиттерного перехода Сэ не более (IHT291,
20В
15В
10 нА
3мВ
10 мВ
15 мВ
50 нА
3пФ
4пФ
КIНТ291) . _,
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
,...
4пФ
* Во всем диапазоне рабочих температур.
' СЕРИИ 140 И К140
Состав серий:
К1 УТ401А, К1 УТ401Б
-операционный усилитель.
IУТ401А, 1УТ401Б
}
IYT402, ЮУТ402 (А, Б)
Корпус 1<руг_щ,1й м~т;зJ)достеклянный 301.12-1. Выводы: общий
-4;
+ Ин.пl -
7;
-
Ии.п2 - 1; вход инверсный -
9;
вход прямой -
10.
.
340

1YTL/-()1A; _1YT'IMS,' К1УТ'101А: k1YT'l(J1Б
9
Uвх
5
7
+и,,,,.1
1УТ1Ю2; K1YT'I02A}K1YT'l02S-
B
11
Uн.nf
1/-700
z
1г
в
9
[>
5 Uв"х
Usx 10
-- ,.
1
r1i
1г
вгоТ
1175
r -11,,,nz
341

~
~
1-:>
.,.
Обозначение параметра
\ 1УТ401А 11УТ401Б IКIУТ401АJк1ут401Б/
Ии. пl• В* (вывод 7)
+6,3
+12,6
+6,3
+12,6
Ии. п2, В* (вывод 1)
- 6,3
-12,6
- 6,3
-12,6
-
lпот, · мА , не более
4,2
8,0
-
-
Ky,U
800-4000 2000- 400-4500 1300-
10500
12 ООО
/ вх• мкА, не более
5,0**
8,0**
8,0
12
Исм, мВ, не более
± 7,0*** ± 7,0*** ± 10
±10
Л/ 8 х, мкА, не более
1,5°
1,5°
3,0
3,0
Кос, сф, дБ, не ·менее
60
60
-
-
Ивых, В •
+3,5
+в.о
± 2,8
±5,7
- 3,0
- 6,3
Rвх, кОм, не менее
4
4
-
-
Rвых• Ом, не более
700
700
-
-
Vu вых• В/мкс, не менее
-
-
-
-
Uсф, вх, макс, В, не более
±3,О ±6,0
-
~
j1
1
1
1
Ивх, В, не более
± 1,5
± 1,5
-
-
Rн, кОм, не менее
5,1
5,1
5,1
5,1
1УТ402
+12,6
-12,6
8,0
3500-15 ООО
0,7
± 5,0***
±0,2
80
±10
300
-
0,12
±6,06
при Rг;:,:
;:,: 10 кОм
± 13,9
±4,Qл
1,0
Таблиц а З-21
КIУТ402А I КIУТ402Б , 1
+12,6
-12,6
12
20 ООО-
200 ООО
1,5
±10
±0,5
-
±10.
+6ол
приRг~
;:,: 10 кОм
± 13,3
±4,06
1,0
+6,3
- 6,3
7,0
3000-
35000 ..
1,5
±10
±0,5
-
±3,0
+ 3QЛ·-~
при Rг ;h
;:,: 10 кОм
±6,6 -
± 2,06.
1,0
• Допускаемое отклонение значения напряжений
питания микросхем с индексом К не более ± 5%, для остальных микро-
схем± 10%.
.
•• Средний температурный дрейф входного тока в интервале температур от 20 до 125°С не более 40 нА/0С и в интервале
температур от 20 ДО минус 60°С не более 60 нА/0С.
• • • Средний температурный дрейф напряжения смещения не более ± 20 мкВ/0С.
О Средний температурный дрейф разности входных токов в интервале темп·ератур от 20 п.о 125°С не более ± ·10 нАL°С в
в интервале температур от 20 до минус 60°С не более ± 30 нА/ 0С.
д При внутреннем сопротнвле1111и источника вхоп.ноrо сиrнада не менее 1 кОм,
·-
.,
.
. ,·.
.

СЕРИИ 149 И 1<149
Состав серий:
IKТ4 9 IA-IKT49 1В, }-ключ токовый..
ЮКТ491 (А, Б, В)
Корпус прямоугольный металлостеклянный 401 .14 -4 .
Напряжен .не источника питания:
IKT491A, ЮКТ491А ' .................. .
1КТ491Б, ЮКТ491Б .................. .
IКТ491В, К!КТ491В .................. .
Рассеиваемая на корпусе мощность не более .... .
Входное обратное напряжение не более ....... .
Входной ток не более ................. .
1КТ'f91;К1КТ'l-91
J/.
J7
68
911 12
3В±10%
5В±10%
12,6 В± 10%
0,4 Вт
,
4В
50 мА
1'+
Таблица 3-22
Обозначение пар·аметра
/ ком, макс, мА*
Utx·• В, не более. **
U ост• В, не более
/~ых, мкА, не более
t~i/, нс, не более
_
t~',i, нс, не более
IKT491A...:.
IKT491 В
200
1,6
065
20'
100
300
• Во всем диапазоне тем пер ату р.
•• Для отк рыт ой микросхемы пр и /а х= 4 мА.
1.
К!КТ491А­
К11<:Т491 В
120
1,9
0,80
50
500
343

СЕРИИ 153 И К153
Состав серий:
1УТ531; К1 УТ531А; ЮУТ531 В-усилитель операционный.
Корпус круглый металлостеклянный 301.8-2 .
Напряжение источников питания всех микросхем: Ии. пi =
= +15В+10%;Ии.п2= -15В+10%.
Таблица 3-23
Обозначение параметра 1 1УТ531
Kl УТ531А
КIУТ531Б
1пот, мА, не более
6
6
6
Ку,И
(20+80). 10 3 (15 + 89). 103 (10+100) : ]03
fнх, MI(A, не более
0,6*
1,5
20
Исм, мВ, не более
±5**
± 7,5
± 7,5
Лfвх,_ мкА, не более
0,25***
0,5
0,6
Кос, сф, дБ, не менее
65
65
65
Ивых• В, не менее
±10
± 1.0
± 9,0
Rnx• кОм, не менее
100
100
100
Rвых• Ом, не более
200
200
200
VU,nыx' В/мкс, не ме-
0,06
нее
Исф,вх, В, не более
± 8,0
± 8,0
± 8,0
Ивх, В, не более
±5,0
±5,0
±5,0
Rн, кОм, не менее
2,0
2,0
2,0
• Средний температурный дрейф входного тока в интервале температур
от 20 ДО минус 60°С не более 17 нА/0С.
• • Срсдниi\ температурный дj),ейф напряжения смещения в
интервале
температур от 20 ДО 125°С не более 30 мкВ/00 и в интервале температур от .
20 до минус 60°С не более 35 мкВ/0С,
•••. Средний температурный
дрейф разности входных токов не более
5 нА/0С.
344

1УТ531; К1УТ531А, К1'1Т537б
1
.8
7
+Uи.п1
7
Uвxt 2
__
...__.,, 6 51,1 Uвщ
G
S·
q.
СЕРИИ 159 И К159
Состав серий:
1НТ591А..:....1НТ591Е, }-пара транзисторов
К!НТ591А-К!НТ591Е (базовые элементы
усилителя).
Корпус круглый металлостеклянный 301.8-2.
Параметры микросхем
[> 22
структуры п-р-п
дифференциального
!
I(оэффициент передачи тока в режиме большого сигнала h213 :
IНТ591А,IНТ591Г. .............. ..30-90
1НТ591 (Б, д) , ....... . ..... . .. . .. .... 60 -180
IНТ591 (В, Е) ... :
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
?80
КIНТ591 (А, Г). ; . ........ ;
...........
20-80
К!НТ591 (Б, д) ..... ... .............. 60~180
КIНТ591 (В, Е) ...., .. . .. .
.
..
.....
.. ..
•?80
. Отн оше ние
коэффициентов прямой передачи тока в режиме
большого сигнала не менее:
IНТ591 (А, Б) .. .
1НТ591В ......
1НТ591 (Г, Д, Е) ..
ЮНТ591 (А., Б, В) .
ЮНТ591 (Г, Д, Е) .
0,90
0,92 '
0,80
0,85
0,75
345

'Разность · прямых ' падений напр,янсени,й змипер - база не
более:
IНТ591А- !НТ59!В . ,
lНТ591Г- IНТ591Е ...
](1НТ591 (А; Б, В, Г) .
КIНТ591 (д, Е) ....
3мВ
lО· мВ
3,мВ
15 мВ
Остат,ные параметры каждого из транзисторов, входящих В• набор~
приведены в '!'абл. 3-24.
•
1НТ591А-1НТ591Е
1<1НТ591А-К1НТ591Е :
( ;J -·~'
;гJ
Т абл.ица .3-24
Обозначение параметра
1НТ591А-1НТ591'Е IКIНТ591А-КIНТ591Е
-
1h2н I не менее
Ск, пФ, не более
С3 , пФ, не более
/ кво• нА, не более
/ кэо, нА, не более
lут• нА*
/ э•во-• нА, не более
2,5
3,0
4,0
20
50
10
50
• Ток утечки между коллекторами.
СЕРИИ 162 И К162
Состав серий:
1КТ621А, 1КТ621Б, ЮКТ621-прерыватель.
Корпус прямоугольный стеклянный 401.14 -3 .
1КТ621А; 1КТ621Б; К1КТБ21
1
а
7
346
2,0
4,0
5,0
200
2(}
500

Обозначение параметра
IKT621A ! 1КТ621~ 11(1КТ621
Vост, мкВ, не более*
1~~.- вых,
нА, не более*
Сопротивление открытого ключа, Ом,
не более*
Иээ• В, не более**
И:кв,м а кс' В**
Иэв, макс' В**
100
-_ 45
100
±30
20
31
• Между эмиттерами.
• • Во ~сем диапазоне рабочих тем пе ра ту р.
СЕРИЯ К167
Состав серии:
I(1УС671-усилитель НЧ .
Корпус :круглый металлостеклянный 301 .8 -2 .
К1УС671
1М
l/-
200
45
100
±30
20
31
гии.~
з
Uвх
6
[>z
. L.I
Электрические параметры микросхемы 1(1 УС671
Напряжение источника питания Ии. п* •••
Ток потребления / пот не более ....... .
Коэффициент усиления напряжения Ку, и**
Температурная нестабильность Ку, и=
в диапазоне от ·25 до 70"С не более
в диапазоне от 25 до -45"С не более
Коэффициент гармоник Кг не более***
• Донускаемое отклонение ± 10%,
..
Приf=1кГц.
,
••• При V2ых=1lj.
300
50
100
±30
Uв"r
+12 В
5,0 мА
500-]300
347

Верхняя граничная частота f8 не менее
Напряжение шума, приведенное к входу, не более
Входная емкость Свх не более .....
Выходное сопротивление Rвых не более
СЕРИЯ 168
Состав серн11:
1КТ681 (А, Б, В)-переключатель двухканальный.
1К Т682 (А, Б, В) - переключатель четырехканальный. ·
Корпус прямоугольный стеклянный 401.14 -3 .
•
11
~
·13
,
1~
10
--➔ 8
9
5
--.ш:
6
7
1КТ681А-1КТ6'818 ,
11
/
LJ
1КТ682А-1КТ6828
1
3
..--➔ 1 '
2
-,
l>t-'
348
/ Uсм
11
U,I МГц
40 мкВ
80 пФ

,Таблиuа3-26
Обозначение параметра
ll(TбBIA, ll(TбBZA, 1 J'ZT681B , ll 'T682B
11(Т681Б, !!(Т682Б
''
,
Исп, макс• в
10
25
Иип, макс• в
10
25
Изп, макс• в
30
30
/ ком, макс, мА
20
20
Рмакс, мВт
100
100
Исм, В
5,0
5,0
rд, Ом, не §олее
100
100
'
.
lc, ут• нА, не более
20
100
/ и, ут• нА, не более
20
100
, /з,ут' нА, не"более
20
20
fвкл, мкс, не более
0,3
0,3
fвыкл, мкс, не более
0,7
0,7
Изи, пор• В
3,0-6,0
3,0-6,0
Пр II меч а ни я: 1. Указанные в таблице максимальные зн·ачения на­
пряжений относительно ; подложки допустимы во всем диапазоне рабочих тем­
ператур.
2. Максимально допустимую мощность в милливаттах, рассеиваем)(ю мик­
росхемой при температуре окружающей среды выше +вs0С, рассчитывают по
формуле
150 °0 - tокр
,
рмакс= о, 7°С/мВт
З. Максимальный импульсный коммутируемый ток определяют исходя из
услqвня непревышеиия мощности рассе11вания и предельных эле1{тричес1<их
параметров.
4. Значения токов утечки указаны для значений напряжений Исп ма1<с,
И ИП мак~ и ИЗП макс соответственно.
'
5. Динамическое сопрот_ивление rд измеряют при Vзи = - 15 В.
СЕРИИ 173 И К173
, Состав серий:
1УС731, ЮУС731А, К!УС731Б_:усилитель НЧ.
173УН3
-усилитель мощности НЧ.
Корпус круглый металлостеклянный 301.12-1.
349

Ии. пl• В*
+12,6
Ии.nz, В*
-12,6
/пот при Ивх=О, мА,не бо_-
25
лее
Ку, и**
100-200
Кг, %, не более***
2,5
fн, Гц
30
fв, кГц
20
Rвх; кОмс не'Менее
10
R,,, Ом, .не менее
ЛИдин, опн дБ, не мен~е
Иш, вх, мкВ, не более
Ио,вых, В, .не более
U,вх, макс, В
Исф,вх• В
30
30
40
±0,25
1,5
5,5
17ЗУН3
(1 УН732)
+12,6
40
~55
7,0
30
20
10
0,18 .
Таблиrtа 3-27
l(IYC·731
А
1
+12,6
-1 2,6
25
100--300
1,5 1
3(}
20
10
30
1,5
5,5
fi.
3,0
•, Допускаемое отклонение ·± 10%,
•• В диапазоне ра !\очих температур (см. табл. il -3') ЛКу, 'f:J,:;:;; ± 20%,
350
••• Пр~ Рвых= 1 Вт.
1YC1J1; ·K1YC7J1A; K1YC?J16
5ц.
Z U1!ь1х
10

8
1УН732
10
9
11
12
16к
+Uи.п
'
1,1к
5101<
12 11
ТОТ-11/-0
U81t
10
110
1/-
[>
U8ых
2,,1
351

СЕРИЯ 175
Состав серии: -.
1УС751 А, 1УС751 Б - усилитель широкополосный.
1УС752А 1 1УС752Б -усилитель универсальный .
1УС753А, 1УС753Б -усилитель стабилизированный экономный.
1ДА751
-детектор АМ сигналов и детектор АРУ с УПТ.
Корпус прямоугольный стеклянный 401 .14-3 .
Напряжение питания всех микросхем Ии. п = ' 6,0 В± 10%.
Электрические параметры микросхемы 1ДА751
Токпотреблениянеболее .....:
.
.
.
.
.
.
Коэффициент передачи детектора не менее ...
Коэффициент передачи по цепи АРУ не менее .
1УС751А; 1УС7515
10
98
6
Uвх 12
[>
11/-Z11 1
_ 1УС752А;1УС7526
352
3мА
0,5
20
6 Uвых
+Uн.п

1>
Zt<·
8 1ДА751
.-- + --- ----?-- -4 ~
Ун.п
Д2-О,1-150
12 11
J21/56
Таблица·3-28
,,:
tд
,,:
tд
,,:
tд
-
-
""
""
О')
О')
Обоз~-1ачёние параметра
"'
L')
"'
"'
"'
'"
r--
r--
r--
r--
r--
r--
u
u
u
u
u
u
>,
>,
>,
>,
· ;:,,
>,
-
-
-
-
-
-
/ поп мА, не более
15
15
3,0 3,0 2,0 2,0
Rв,, кОм*
1,0
1,0 1,0 1,0 0,75 0,75
Rвы,, Ом*
75
75
-
-
-
-
Кг, %, не более **
5,0 5.0
-
-
-
-
К не менее***
у.И
10
10
-
-
-
-
Sв.А• мА/В, не менее
-
-
10
10 300 500
fв• МГц, не менее
45
60
50
65
3,0 3,0
• На частоте f = О,\ МГц.
•• При Ивых=0,5В,f=40МГц.
• • • Нестабильность ко эф ф1 щи ен та
усиления при f = О,1 МГц во все"
условиях эксплуатации не более :!: 10%.
12 п/р Тарабр11на Б. В,
353

СЕРИИ 177 И К177
Состав серий:
1УТ771, КIУТ771А, К!УТ771Б-усилитель дифференциальный.
1УС771, KIYC771
-усилитель напряжения лвуцактный.
Корпус прямоугольный стек.~янный 401. 14-3,
. 1УТ7 71; К1УТ7 71А; К1УТ771Б
1137121J/.11 В
·
~
+Uи.11
16791011./
2
13
Uвх
[>
U!!ых
5
11
lf
12
1110.9
.
. 1УС771; К1УС771
+llи.11
91112
8 и6.,х
Uqx 11./
[>
5
100 100
2J1./58
-U11.11
354

Таблица 3-29
Об ,нначен.ие
1
l YT77l lк1 уп71л\к:1 утп1Б/ I УС771 1 Kl УС771-
парам етра
Ии.п, в• -
- +6,3
+6,3
- +6,3
- +12,6
-+12,6
/пот, мА, не более*
3,0
4,0
4,0
5,0
5,0
к**
у,и
40-80 35-80 35-80 90 -180 30_: _150
fвх, мкА, не более
3,0 •
5,0
2,5
Л/ вх, мкА, не более
1,2
Исм, мВ, не более. 10
15
15
Ивых, макс, В, -не
6,0**
5,5**
5,5**
6,5
6,0
менее
Кос. сф, дБ, не ме-
70
нее
Ивых, вЛ
1,9-3,1
Ивх, В
1,9-3,1
-
Rвх, кОм,
нее**
не ме-
100
500
40
40
Rвых, Ом, не бо-
30
50
лее**
• Допускаемое
отклонение U "· п :!:: 10%; значе"ие / пот указано при
ивх = о_.
•• На часто;геf= 1кГц.
д Постоя н ное напряжение.
СЕРИИ 190 И К190
Состав серий:
1КТ901, КIКТ901 - коммутатор пятиканальный.'
1КТ902
- коммутатор четырехканальный.
Корпус круглый _ металлостеклянный 301.12 -1 .
Таблица 3-30
Наименование и обозначение параметра
1КТ901 1 ~1К:Т901 1 !КТ902
Пороговое напрflжение Ипор, не менее
Ток затвора_· , 3· , нА, не более
Ток закрытого канала, нА, не более
- 6,0
30
100
- 6,0
30
100
- 6,0
30
50
355

Продолжеюм табл. 8-30
Наименование и обозначение параметра
IKT901 1 КIКТ901 I -IKT9;2
1
Суммарный ток закрытых каналов, 1
нА, не более
Ток истока, / и, нА, не более
Сопротивление открытого канала, Ом,
не более*
Сопротивлени_е открытого . канала, Ом,
не более**
Входная емкость С11 и, пФ, не более
Проходная емкость, пФ, не более
· Выходная емкость С22и, пФ, не более
250
200
300
700
5,5
1,0
3,5
• При напряжении затвор - исток Изи = 20 В.
•• При напряжении затвор - исток Изи = 10 В.
1КТ901; К1КТ901
250
200
300
700
5,5
1,5
3,5
.-. .. --.----~-----5
~м
1
а:
3
:j
:j :r:
7
s::: 11.J
11.J~
:::r t:J 9
6
~11
:::,,
1
3
7911
5 1КТ902
Уем
6
5
11:;
:j
9
:j ;:;
s:::""
11.J "°
::::ri::1
.c:i..
<::
:::,,
9
3
z,112
356
150
150
50
120
24
9,0
15
QJ
,;
::;;
11.J ::J
'3) s:::
Q.11.J
:j :;f"
f:
~~< :)
:i::

СЕРИИ 198 И К198.
Состав серий :
1УТ981А, 1УТ981Б,
К! УТ981А-К\ УТ98!Б
} -мноrофункциона!'ьный усилитель
общего назначения .
IYC981 (А, Б, В),
К! УС981 (А, Б, В)
}- универсальный линейный каскад.·
-
1НТ981 (А, Б), К!НТ981 (А, Б), }
IHT982(A, Б), КIНТ982(А, Б) -набор
1НТ983, К!НТ983 (А, Б),
п-р-п .
К.!НТ984А, К!НТ.984Б
транзисторов структуры
1НТ985 (А, Б), К!НТ985 (А, Б); } _
-
1НТ986 (А, Б), К:1НТ986 (А, Б), -набор транзисторов
ШТ987 (А, Б), К!НТ987 (А, Б),
р-п-р. -
ШТ988 (А, Б), К:1НТ988 (А , Б)
структуры
Корпус прямоугольный металлостеклянный 401.14 -4 .
Напряжение источников питания микросхем серий 198 и К198,
DЫПОЛНЯЮЩИХ функции усилителей: Uи. Пl = + 6,3 В± 10%; и... П'2 =
= -6,3 В+ 10%.
1УТ981А; 1УТ981Б; К1УТ981А; К1УТ.9В1Б
5 1/-
12
108
+ии.п
в125
Uax1 '-1
7 Uвых1
Uвх2 11
[> 9 UвыхZ
-llидZ
11/- 1J 11
357

. 1УС981А-1УС981В;К1УС981А-1<1УС9818
12 10
8
1'1- J5'1-6
1НТ981А;1НТ981Б;ЮНТ98 1А){1НТ981Б
сi 1)l,J()У.б
1111;r;r5
1НТ983; Н1НТ983А;1{1НТ983Б
уууу
1НТ987А;
1НТ987Б;ЮНТ987А;ЮНТ987Б
~) (,J .[j (:1
1l;r;r;r
358
Uвх11•
12
9 Uвых
[>5
Н1НТ98'1А;Н1НТ981./Б '
ууу
1НТ98ВА;
1НТ98ВБ;ЮНТ98ВА;ЮНТ988Б
Cj YJ .(J
11
2
;r

'
Обозн~чени-е ~пс.1.раметра
/ ПОТ• мА, не более
/ вх• мкА, не более
Лf вх• мкА, не более
Ку.и"
Ивых, макс **
U см, мВ, не более
• На qастоте 1= 10 кГц.
•• При К1,~10%.
Обозначение параметра
-
/ пот, мА, не более
Ку,И*
Кш, дБ, не более**
1 УТ981 А
4,5
8,0
2,0
30-60
3,5
5,0
<
-
00
"'
u
>,
-
6,0
4,5
20
• На частоте I О кГц.
•• Значение коэффи ц иен та шу ма .
IУТ981Б
4,5
15
3,0
30- 60
3,5
10
<О
со
-
-
00
00
"'
"'
u
u
>,
>,
-
-
6,0 6,0
4,5 3,0
30
-
Таблиuа 3-Ч
KIУТ981д КIУТ981Б
5,0
5,0
'
10
20
3,0
8,0
20-70 20-70
2,5
2,5
-
8,0
15,
Таблиаа 3·32
<
<О
со
-
-
-
00
00
00
"'
"'
"'
u
u
u
;::,,
;::,,
>,
-
:,,,'
:,,,'
:,,,'
-
7,0
7,0
7,0
4,0 4,0 2,0
30
-
-
359

Табл,;ца 3-3.З
-
<i<i<i..:
<i..:\ci'tci"
-<-<<. .: щщ"iсд
-C'IM-.:t'
00000000
- C'sl-C'1C'>"')
u:нor--.oo
,r,i<Dt-.00
а:н:.ТJ ФФ
Обозначение параметра
00 00 0000 00
00СО0000
сосососо
!--<!--<1-<!-<
О') О'> СТ) О) О')
ФФФФ
О'JфО)О)
1-<1-<!--<1-<!--<
1-<!--<!-<1-<
l-<1-<1-<1-<
:r::r::r::r:
:r::r::r::r::r:
:Е:::::::: :r::r::r: :r:
-·
---
--- --
----
:,::,::,;,::-
h21э
30-200
30-250
20-100
1 кво• мкА, не более
0,075
0,1
0,25
0,1
UБЭ, нас• В, .не более
0,80
0,85
0,85
1,0
Икэ, нас• в. не более
0,40
0,5
0,75
0,7
Продолжение табл. 3-3
сд"uiсд"щ
<i<i<i..:
сд\о ед· 1д
- C'-I Cl? -.:1"
U")ф r-,.. 00
\.С Фt--- СО
000000СО
оо со ооао
0000 00 00
Обоз начение п а раметра
(j)С,) фО')
ФСТ>U1 Ф
О')фС')о,
1-<!-<!--<!--<
1-<1-<!-<1-<
!--<1-<1-<1-<
:r::r::r::r:
:r::r::r::r:
:r::r::r::r:
;",;:;2;2;2
:,::,::,::,:
:,: ~ :,::,:
60-250
20-100
60 - -300
11, 50, 1.шА, не более
0,1
0,5
0,5
ИБЭ, нас• В, не более
1,0
1,0
1,0
VКЭ. нас• В, не более
0,7
1,0
1,0
Пр им е чан и я: 1. Разброс значений h 21 э транзисторов для дифферен•
uv. ал ьноi\ пары микросхем I НТ985-1 HTG88 не более :!: 5%, для микрос х е м
IHT 981A,
• IНТ9 81Б, IHT982A. I НТ982Б, IHT983, К1НТ981 А, Б,
J<.IHT982 А, Б, KIHT985A, КIНТ985Б, KIHT986A и КIНТ986Б не бол ее
::!: I S%.
.
2. Разброс значений u 53 транзисторов для дифференциальной п а ры
IHT981A, IHT982A не более 3 мВ, для \НТ981Б, lНТ982Б, KIHT985A,
К!НТ985Б не более 10 мВ, для IHT986A , \НТ986Б не более 4 мВ, д.оя
К I НТ981А, Б, KI НТ982А, Б не более 5 мВ.
360

Состав · серий:
2УИ181, К2УИ181,
2УИ182, К2У"И182,
2УИ183, К2УИ183
2УЭ181, К2УЭ181,
2УЭ182, К2УЭ182
2УС181, К2УС181
2ДА181, К2ДА181
2ГФ181, К2ГФ181
2ГФ182, К2ГФ182
СЕРИИ 218 И К218
}-усилитель импульсный.
}-усилитель-повторитель.
-усилитель синусоидальных сигналов.
-детеl{ТОр АМ сигналов.
-мультивибратор авто~олебательный.
-мультивибратор ждущий.
Корпус прямоугольный металлостеклянный 151.15-2 .
Напряжение источника питания всех _микросхем Ии.п = 6,3 В±
+- 10%.
2УИ181; К2УИ181
12
ц
ц
J
Jвх
11
[> J Uвык
г~·1 2
12 13
1
2УИ182; К2УИ182
12
[>
2
ri1
361

2УИ183; К2УИ183
11 12
J
1
+ии.п
l
'1-
.Uвх 11
1>
2 Uвых
1
1
1J/. 13
' J/.
2УЭ18 1; К2УЭ181
1
+ Uи.п
Uвх 11./ -
[>
3 Uвщ
1l
1
.J_
1
z
1l/, 13
ц.
. 2УЭ18 2; К2УЭ182
1
+Uи.п
'1-
Ucx
11./-
[> J Uвых
J
1!
1•
362

с,,
·Ф
. с.,
к
Обозначение
2УИ181 К2УИ181 2УИ182 К2УИ182 2УИ183 К2УИ183 . 2УЭ181 К2УЭ181
параметра
22,0
22,0
31,5
31,5
48,5
48,5
6,9
6,9
1,0
0,8
0,75
0,6
1,0
_
0,8
3,5
3,0
+1,0
+1,0
- 1,0
-1,0 ± 0,25 ± 0,25 +4,0
+4,0
0,3-1,0 0,3-1,0 ГО,3-1,0 0,3-1,0 0,3-1,0 0,3-1,0 0,3-1,5 0,3-1,5
(~ 500) (~ 500) (~ 500) (~ 500) (~ 500) (~ 500)
-
-
0,1
0,1
0,1
0,1
0,1
0,1
0,1
0,1
0,1
0,1
0,1
0,1
0,1
0,1
0,1
-
3,5
3,0
3,5
3,0
3,5
3,0
0,9
0,8
400
400
400
400
400
400
400
400
100
100
100
100
100
100
100
100
10
10
10,
10
10
10
-
-
.: !0с;;~ткиа;0;к0~~~о~:::;еR ·ь~сЦ\,.импуль~а при наличии навесного конденсатора на 1<ходе.
••• д
н
опускаемое отклонение Си для микросхем ·с индексом К не более ± 5%, для остальных ± 10% •
д При Ивых = (O,Z 7 О, 8) Uвых, макс·
Таблиuа 3-34
2УЭ182 К2УЭ182
1
33
1
33
3,5
3,0
+о,8 +о,8
0,3-1,5 0,3-1,5
-
-
0,1
0,1
0,1
0,1
0,85
0,6
400
400
100
100
-
-

в
1
7
2УС 1В 1; 1<2УС 181
+Uи_п·
8 [> .,__2 __
11
13
11/-
1L/-
2ДА1В1; 1<2ДА18 1
7
+ии.п
1,2к
U11x
13
7
Uвых
_[
1
5
L/- 5
2ГФ1В 1; К2ГФ 181
11/-
910L/-1112
8
510
1L/- Uвых 1
В Uвык2
J.. j
,,
364

,2ГФ182; К2ГФ182
5
98J/.2
Uвх 11/-
510
G
510.....
+Uи.п
ц
1
Увых1
5
Uвых2
10
Таблица 3-35
Наименование параметра
12УС181 1 I<2Yciв1 2ДА181 1 I<2ДА181
Рпот, мВт, не более
Ку, и не менее
Кнр, Ач• дБ, не более**
Линейный участок амплитуд-
ной характеристики, мВ,
не бо.~ее:
по входу
по выходу
Диапазон входного напряже­
ния линейной области ло­
. гарифмической
амплитуд­
ной характеристики, дБ,
не менее
Ru; кОм
62
7-
2,3
30
200
9,5
***
• Прн U8 x=200 мВ, f=30 МГц.
•• В диапазоне частот 22,5- 37,5 МГц,
.
••• Ми1<росхемы 2УС181, 2ДА181.
□ Ми1<росхемы I<2YCl81, I<2ДА181.
62
4
3,2
30
200
9,5
о
13,8
0,6-1,0 *
400
1,2
13,8
0,5 *
400
365

Таблиuа'3-Зб
Обозначение параметра
2ГФ181 К2ГФ181 2ГФ182 К2ГФ\82
-
Рпот, мВт, не более
86
86
76
76
Ивх, В
-
-
2,5-6,0 * 2,5-6,0*
1
Длительность запускающего
-
-
0,3
0,3
импуJ1 ьса, мкс, не менее
'
U вых, А' В, не менее
2,8
2,8
2,8
2,8
Период повторения выход- 0,6-1,5 0,6-1,5
-
-
ных импульсов, мкс**
(? 4,0) (? 4.о)
to, 1
ВЬIХ' мкс, не более
1,0
1,0
1,0
1,0
t~•ь~,<' мкс, не более
0,2
0,2
0,15
0,15
tи, вых• мкс**
-
-
0,6-1,5 0,6-1,7
(~ 2,0) (? 2,0)
Нестабильность длительности
15
-
15
15
выходного импульса в диа-
п азоне температур -60+
+ +70°С, % , не бoJiee
Rн, кОм
2,0±5% 2,0±5% 2,0±5% 2,0±5%
Сн, иФ
100
100
10()
100
Uп, В, не хуже
-
-
0,8
0,8
• Поляр.ность запускающего импульса отрицательная.
** В скобках указано значение периода повторения выходных н· мпульсов
и их длительность tи. вых при подкл~чении навесного конденсатора; нестабиль• '
ность периода повторения выходных импульсов микросхем 2ГФ181 и К2ГФ181
в 11иапазоне температур от -60 до +70°С не более 15%,
366

СЕРИЯ 219
Состав серии:
2УС191А, 2УС191Б-усилитель ВЧ.
2УС192
2YCI93
-
усилитель ПЧ.
- усилитель микрофонный.
2YCJ94
- усилитель.
2ДСI 91 -
- ограничитель -дис1{риминатор.
• 2ПС191А, 2ПС191Б - смеситель.
2МС191, 2МС192
2ГС191, 2ГС192
2ГС193
~ подмодулятор.
-
генератор кварцевый.
- генератор ЧМ .
2НТ191, 2НТ192 - набор транзисторов структуры п-р-п.
Корпус прямоугольный металлополимерный «Акция», ·
117
2УС191А;2УС191Б Uн."
6
6
U6x
[>
2
1
5,6х
6800
10
'i
J
2Ч-1
2УС192
0,033
1000
Uн."
J
н
г
5 U6x
J
6
10.
8
7
Ue•!!...
367,

7
2YC19l
2
ц.
-
Uил
.;r
q.
1
Uвх 9
f Uвых•
[>
9
5
в
1010
10
11
2УС19 1./-
9
+Uи.rr
8
11
Uвы~
,1
Uвх г
:(> 5
1201(.,
т
10/J ;
ц.
5
fO5б
~ДС191
9
Uи.r.
Ua. ,x
7
/
~8•J12
368

Электрические параметры микросхемы 2ДС191
Потребляемая мош.ность не более .
Полоса пропускания .
.........
+5 В± 10%
• 2,5 мВт
. 0,5-1,ОМГц
К:оэффициент передачи при Ивх = 1 В, т = 30% не менее 0,15
Напряжение . ограничения при Ивх = 1-4 мВ, т = 50% 0,9-1,4 В
П р II м е ч а и и е. Коэффициент передачи и напряжение ограничения из•
меряют на несущей частоте 0,65 МГц при частоте модуляции 1 кГц.
,
1 . 2 q . 8 2ПС191А;2ПС191Б 25 О,015 Urer
1--~
6
3
5
11
11
9
7
1Q
li
2MC1!J1
118
и,,. "
6
10 В Uвых1
Uвх 1
6.
2
9 Uвых2
+Jlf7
1,oI

Электрические параметры микросхем _2П :С191 :А и · 2Л:С1·9'1Б ,
Напряжение источника питания
Ток потребления не более . . .... . ...... .
Коэффициент преобразования не менее:
nриИвх= iO мВ,fвх= 48 МГц,
frет=34,МГц.,, . , , , :
приИвх= 5 мВ,./nx= 14 МГц,
frет = 13,35 МГц . .'
.
.
.
,
Игет=200 мВ,
Иrет = 250 мВ,
Относительная нестабильность коэффициента преобразо­
ваниянеболее............
Верхняя граничная частота не менее . . .· ....... .
5,0 или 8,0 В
±10%
2,8 мА
30*
80
30%
50 МГц
• Для
микросхемы 2ПС191Б значение коэффициента преобразования не
нормировано.
10
5
J
2
9
16 /./-5'810
370
8
2МС192
7
2ГС191 •
11
Uи.11
7
----1 0 и661х 1
1f

5
2ГС192
+tlи.n
5
8
2
q
10
9
51
2ГС193
81/-5
10
Кварцевый резонатор выбирается в· зависимости от требуемой
частоты и добротности.
2Н Т191
2НТ192
ffiWV~~
2,
1
6
10
7
Л 1/-
9
10
371

Таблица 3-37
<
~
Наименование
о,
о,
"'
"'
....
~
~
о,
параметра
u
u
u
u
u
;:,,
;:,,
;:,,
;:,,
;:,,
"'
"'
"'
"'
"'
1
1
Ии.п, В
+5±10% или +5± +5±10% +5±10%
+8±10% 10%
1
/пот, А:А, не более
2,4
1,6
1,5
1,7
Рпот• мВт, не более
1
-
-
10
10
Rвх• Ом, не менее
25
25 600
-
-
Лf, мГц
44--55 44-55 0,5- 2. 10-4 +5 3 . 10-4 + 5
1,0
Ку, и"
20_:_35 28 -70 ;:,::. 600
?200
-
Относительная 1J,еста-
бильность коэффици-
ента усиления, %,
не более
при f=(-60+
±20
+40
±20
-
+ +70) 0С;
-30
-
'
Rн, кОм
-
-
3,3
0,3
Кг, %, не более
1
(Ивх=О,2 мВ, f=
-
-
5
-
=l кГц)
1
Кнр, Ач• дБ
-
-
-
--
(Ив х=О,2 мВ, f=
-
-
8-14
-
= (300 + 34000) Гц]
1
Ивых• мВ (f=3 кГц,
-
-
-
750
Ивх=30мВ)
Относительная неста-
бильность выходно-
ro напряжения, %,
не более :
при f=( -60+
-
-
-
.
± '25
++25) 0С
1
при i=(+25+
-
-
-
±20
+ +70) 0С
1
• Для микросхем 2УС191А, 2УС191Б при Uвх= 10 мВ, f=50 МГц; для
2УС192 при UВ/<=0,1 мВ, f=0,65 МГц; для 2УС193 при Uвх=О,2 мВ, f=I МГц
(Ку, U},
•
.
372

• Наименование параметра
и... п, в*
Рпот• мВт, не более
R"' Ом, не менее
Ку, и не менее
Rвх, Ом, не менее
fн, Гц
fп, МГц
Выходное неограниченное напряжение на
выходах 1 и 2, мВ, не менее
К,., %, не более
Подъем частотной характе·ристики в диа­
пазоне частот- 300- 34000 Гц, дБ
• Допускаемое отклонение :!: 10%.
2MCI9l
5 (8)
18
300
18 **
600
200
5,0
Таблица 3-38
2МС192
5
15"
500
200
1,5
800
15
8-15
• • Н а в ы х од а х / и 2"; относитель н ая нестабильность коэффициента усиле ­
ния не более :!: 35% во всем диапазоне рабочих температур.
Наименование параметра
2ГС191
Напряжение источника пита - 5,0 ± 10%
ния, в
Потребляемая мощность, мВт,
15
не более*
Выходное напряжение, мВ , не
130 **
менее
Таблица3-39
2ГС192 1. 2ГС19З
5,0 ± 10% 5,0± 10%
15
15
230 ***
Относительная нестабильность ± 2 • 1о-6 * * ±2. 1o - G*
*
*
частоты при изменении напря-
женtш питания не более
Относительная нестабильность
частоты в интервале темпера­
тур (без учета нестабильности
частоты кварцевого резонато ­
ра) не более:
Лl= -60 + +25°С_ и
± 5.10-6 ** ± 10-10-G *** ±30-10-11
Лt= +25++7О°С
З7З

Продолжен,ие табл 3-39
Наименование параметра
2ГС191
2Г:С192 1 2ГС _19З
30-70
. 1,0-30
Диапазон генерирования , МГц
Пределы коррекции частоты, %,
при t=(+25 ± 10) 0С
±0,05** ±0,05*** ±о,05Л
Номинальная девиация частот,
кГц, .при f= 14 МГц, fт=
= 1000Гц, ИтеЕ;_2В
Коэффициент гармоник, %, не
более при f=14.МГц, fт=
= 1кГц,2Лf=±.51,Гц,
ИтеЕ;_2В
Относительная нестабильность
девиации частоты, % , не бо­
лее при 1=(+25 + +70) 0С,
i=(+25 +-60) 0С
Ит=0+2 В, fm= 1000 Гц
• Во Есем· диапазоне рабочих темnератуJ> .
** При f=З4 МГц, R,,=200 Ом, Сн=!О пФ.
** * Приf= 13,35МГц, Rн= 100 Ом, Сн_=50nФ.
д При f=l4 МГц, R,,=250 Ом, сн·=50 пФ.
::!::. 5
13
±20
таблица 3-40
Наименование параметра
И.и.п, В
Рпот, мВт, не более
h2'1э
l кво, мкА, не более**
Rвэ, пр' Ом***
Rвэ, обр• МОм, не менее *** .
- 2НТ191
5,0+10%
20
80-250
22
150-300
1,0
* Дл_я транзистрров Т,- т. при Икэ=I В,. Iк=.1 мА.
•• Для транзисторов
Т,-Т, при Икв . =5 В,
2НТ192
6,0± 10%
40-120
0,2
• * • Обратнqе сопротивление перехода база - эмиттер транзистора Т6,
374

, СЕРИЯ К224
Состав серий:
-
усилитель каскодный .
К2УС243 - усилитель универсальный.
К2УС245- ус11литель НЧ.
-
усилител ь ВЧ рег улируемый.
К2УС24! ,
К.2УС242,
К2УС244,
К2УС246
К2УС247
-
усил итель про межуточной частоты изобра-
жения выходной.
К2УС248
К2УС249
К2УБ24!
l5224YH!
К.2УП24!
К2ЖА24!,
К.2ЖА243
К2ЖА244
I(2ДС24!
-
у силитель ПЧ звуков9rо сопровождения.
-
усилитель универсальный.
-
в идеусилитель предварительный.
-
:,· силитель НЧ по специальной АЧХ,
-
усилитель дифференциальный .
К2ЖА242- пр еобразователь частоты.
-
детектор АМ и ус~литель АРУ,
-
усилитель-ограничитель.
-
детектор частотный.
К2КТ241
-
ключ электронный.
К.2ПП24!
- стабилизатор напряжения .
K2TC24l
-
RST-тpиrrep.
К224АФl
- мультивибратор универсальныf1. •
К.224НТ!А-К224НТ !В-набор транзисторов структуры n-p -n .
Корпус прямоугольный пластмассовый «Трап».
8J
9
1<21/С 2LJ1
Uн.nZ -
J
7
1>
100
U8ы~
100
27Ч-56
+Uн.п1
.,.i.,. _
6121/-
.5
375

1<2УС2'-1-2
J/.
9
Uн.п1
· -..__,
9
~
10()
Uвх
1
[>3
UsыJt
2
2675
lJil.n2
8
1<21/С2'13
Uн.п2 ' Uн.п1
7
~
3
100
Uвх
L/-
[>
7
Uвых
-
2
т6
•J56
1:
,,,
1/- 9
k2YC2'1-t
/Jн.11
~Uвх1
1>
100 I
8
/Jдру 6
IJBыJt
10к
736
~
10к Up!r
2
376

1/-
k21/C2'17
3'
----
9
иа~п(
11----= -
Uвх
[>
100
J
· В 7. 100,0+
1ввооГ
!lи,п·
5
. 1<2УС2'18
J
в·
+Uи.п
6
8
Uоых
-
Uax
1>
100
г
7
O,OJJ
о,оы,
J
8
1<2YC2lf9
9
L;
в Uоых
7
Uox
f>
1
100
t
5
L2
/1
1/,
.+~и,п
377

К2УБ21J.1
•-r- U;т_"
l/-
5
ll
3
Uвх J
9
U!Jыx
2
l/-,71
50, 0
6
l<2YC2'N •
'в
'f
9
10,0 +
~
150к
so,o1 J
U(lx
5
9 U(lыx1
560к
20!)
7
6 100
1
JZ
378

Таблица 3-41
Обозначение параметра
1
К2УС241
1
К2УС242
1
К2УС243 1 К2УС244
1
К2УС245
1
К2УС24б
Ии. пi; В
5,4-12,0
3,6-9,0
3,6-9,0
1
. 5,4_:_9,О
1
5,4-12,0
1
12 _± 10%
Ии. п2, В
3,0±5%
3,0±5%
3,0-+- 5%
/ 11от, мА, не более
4,0
1,8
1,8
6,0
5,0
1
8,0
SвА• мА/В, не менее
25*
25*
25*
-
-
25 **
КУ, и не менее
-
-
-
30
140
Rвх, Ом, не менее
1501*
15~ *
150 *
20 кОм6 15 кОм6
fн, Гц
-
-
-
80°
so0
fн, МГц
0,15
0,15
10
-
-
130
fв, кГц
-
-
-
'
-
20°
20°
-
fв, МГц
110
30
110
-
-
'1
-
45
Кнр, Ач• дБ, не более
12
12
12
-
-
1,0
Кг, %, не более
-
·
-
-
5,0° (0,3 В) з,о0 (1,2 мВ)
Рвых• Вт, не менее
-
-
-
-
0,4
с,,
.._,
<D

с.о
Продолжение табл. 3-41
00
о
Обозначение параметра
1
К2УС247 1 К2УС248 1 - К2УС249 1 K224YHI 1 К:2УБ24J 1
К2УП241
Ии.nl• В·
12±10% 12±10%
12 ±10% 9± 20%
12± 10%
5,4-9,0
Ии.112, В •
-
-
-
-
-
3,0± 5%
•
/ 00т, мА, не более
28
15
4,0
20
15
3,5
S 8 л, мА/В, не менее
50 **
1000 ***
20 ***
-
-
4(Т1, Т3)
15 (Т2) •
Ку, и не менее
-
-
-
15д
1,5 ***
Rвх, Ом, •не менее
-
-
-
50 кОм6
-
1
150 (Т1 , Т3)
500 (Т2) *
fн, Гц
(
-
-
-
300
25
fн, МГц
30
4,0
0,3
-
-
1
0,15
fв•- кГц
-
-
-
3,4°
fв, МГц
45
10
30
1
1
6,5
1·
110
-
Кнр, Ач• дБ, не более
3,0
3,0
6,0
3,4
10
12
Kr, %, не более
-
-
-
3,0 (0,8 В)
• На частоте f.:: 10 МГц.
•• На частоте f = 35 МГц. Диапазон регулировки крутизны К2УС246 40 дБ при Ирег =' 5_, -8 В.
••• На частотеf=6,5МГц.
•
дНачастотеf=1кГц.
D Параметры соответствуют_ работе микросхем в усилителях с .оконечными каскадаю1 на навесных транзисторах; для у.си•
пителя на мнкросхеме К2УС245 при Rн = 15 Ом.
• Спад частотной характеристики в области высоких qастот б:!::?,t дБ,

.,,
2
J
5
8
7
Н22'1УН1
в
2
U8к
J<2УП2'11
Uвк
Ji
5
30)0
б
1>
+Uн.пi
llи.n
8
[>
7
U8щ
9
КС168А
+llн.л1
100
Uвых1
J
Uвых2 •
7
Входной трансформатор выполнен на сердечнике М600НН-К7 Х 4 Х 2
(для f=150 кГц), М150ВЧ2-К7Х4Х2.(для f=10 rМГц) или
МЗnВЧ2-К7 Х 4 Х 2 (для f = 110 МГц); обмотки по 15 витков ПЭВ-1 О,!.
1
9
Б
К2ЖА2'f1
llи.л
7
381

/
/
Таблица 2-42
Обозначени е параметра 1 К2ЖА?411 К2ЖД24~ _, К2ЖА243
1
1(2),КА244
Ии. ht, в
3,0-5,0 3,6- 9,0 * 3,0 ± 5%.' 12± 10%
и,,. П2• в
3,0±5%
Ии. пз, в**
3,0-3,6
[ ПОТ• мА, не более
3,8
3,8
1,2
10
S, мА/В, не менее
7,0 ***
.18 *
2,0
14 **
(4,5 мГц)
кn, и не менее
о,зе:.
R", ,- Ом, не менее
150*** 50*
500°
150 **
fн, МГц
10*
65 **
0,15 *
0,465 , 3,0
0,50 ** fмод= 1 кГц .
fв, МГц
110 *
30*
m= 0,3
6,0
120** 30**
Кнр, Ач' дБ, не более
12*
12*
10 **
* Смесителя.
* * Гет_е роди на.
••• На частоте f= 10 МГц.
Л При Rн=20 .кОм.
О На частоте f = 465 кГц.
7
K2ЖA2lf2
1 Usx,cмec.
.1
Uвх,rет .
б~.---------_..
23Ч-_5789
На пр яжение Ии,nз подается на вывод 9,
382
Uвых,смес
Ун.п1
Uвых,rет
10Q.

2
J/. 7
1<2ЖА2't3
вв
Uи.fl
• Uвх
-
1
,.,
J
9 Uвыil·
9
5
7 0,1
5
ГJ..
Напряжение ИвыхАРУ снимается с вывода 8.
$3
9в
K2ЖA2't'I-
tJвx
в Uвых
1
ц
- 1..i
7
23ц5
9
100
15к
6
'
100,О +Un.n
5
J
ц.5б
К2ДС2'1-1
~
Uвых
Uвх
2
9
7
7
Вторичная обмотка выходного трансформатора УПЧ подключается
к выводам 1 и 2.. Подстроечный резистор сопротивлением 330 Ом слу­
жит для симметрирования плеч детектора отношений.
383 1
.____

\
Электрические параметры микросхемы К2ДС24!
Ии.п. ..........................
Полоса пропускания Лf .............. . . .
Коэффициент передачи напряжения при Rн =20 кОм не
менее .... .. :
..................
,
/пот•мА,неболее....................
9В±20%
5-20МГц.
• Отноu;ение напряжения выходного НЧ сигнала к входному ЧМ сигналу.
К2КТ2'1-1
9
2
7
с:]2.
в
6
1//.
J
Uвх1
Uвхг
1<2ПП2Lf.1
Uвх г
7ГЕ2АС
1
J
9
г
Цепь
управления
16
7ГЕ2АС
Эле~прические параметр~ микросхемы К2КТ241
Напряжение источника питания Ии. п
Ток потребления / пот не более . . . .
Полоса пропускания Лf ....... .
Диапазон управляющих напряжений
Коэффициент передачи открытого клю ча . . .. ...
Ко·,ффициент подавления сигнала закрытым ключом
не менее .... ............. .... ...•.
~ К:оэффицчент неравномерности АЧХ не более 3 дБ.
384
3
110
Uвых
Uвых
128±10%
15 мА
3- 6 МГц*
0-1,5В
7-12 В
(J,8
40 дБ

Электрические параметру ~.шкросхемы К2ПП241
.Ток потребления· 1пот . . . .
Входное напряжение ; ; : . :
.
Стабилизированное напряжение . .. . ... . . .
2,5 мА
5,4-12 В
33-39 В*
,
5
Коэффициент ст1:билизации напряжения не менее
* Определяется ~6дключенными навесй~ м и стабистор·~ми.
Эле~,тричес,ше · параметр:-~ микросхемы К224АФ1
Напряжение исто,rника п11тания .
Потребляемая мощность не более .
Ток потребления не более ..
Длительность импульса . . . .
Период повторения импульсов
-Амплитуда импульсов . . :
..
Сопротивление нагрузки . ,, ,
.
J
1
9
7
8
J/,
J7
6
13 ·п/р Тарабрияа Б, В,
K2TC2L/-1
Uвх1
Д18 6
Uвх2 82
~-
К22'-IАФ1
2
9
5
5 100,О
fi
9В±20%
100 мВт
6мА
95-135 мс
900- 270 МС
7В
15кOм±1%
Uи.п
J
1 Uвых1
1./- Uвых z
в·
9 Uощ1
ч-,о
7
ц.,о
8
Uоых z·
U111.n
385

Электрические ,пар~метры..микросхемы . К2ТС241
Напряжение питания Ии.п......
•,,
Ток потребления / пот не более ... .
Полоса • пропускания Лf ....... .
Чувств11тельность по входу 6 не менее
То же по входу 9 не менее ........... .
Амплитуда выходного импульса Ивых А не менеё
Длительности фронта и спада выходного импульса не
более •......... ;
..._...... .......•
1<22'1НТ1А-1<22'1НТ18 •
12 В± 10%,
!01мА
1о-':"' 20:кГц
4В
1s·в
5В
5 мкс
Таблица 3-43
Обозначение параметра
1
К224НТ1А
Ик.э, Ик. в, В, не более
15
ht1э
· зо-9о
1 к, макс• мА
/ кво• мкА, не более2
lэво, мкА, не болеез
Икэ. нас• В, не более
h21э / не менее 4
С3 , пФ, не более~
С", пФ, не более
Постоянная времени
обратной связи, нса
F, дБ, не более '!
1 При Ик_э= 1,0 В.
~ПриИкв=10В,
• При Ивэ.=3,5в.
цепи
' При Ик_э=2,0В,f=100МГц,
~Приf=10МГц.
• При Иl(э=2В,f=10МГц.
, При и кэ:=2,0в.
386
20
0,5
1,0
0,7
3,0
6,0
5,0
100
6,0
224НТIБ
1
К224НТ1В
15.
15
50-150 , 70-280
20
20,
0,5 :
0,5
1,0
1,0
0,7
0,1
3,0
3,0
6,0
6,0
5,0
5,0
100
100
6,0
6,0

СЕРИИ ·226 ··И К226
.
с,остав серий :
2УС261А-2УС261В,
К2УС261А- К2УС261В,
2УС262А-2УС262В,
К2У(:262А- К2УС262В,
2УС263А, 2УС263Б,
·I(2YC263A - К2УС263В,
2УС264А, 2УС264Б,
К2УС264А - К2УС264 В,
2УС265А--"2~С265В,
I(2YC265 A - I(2YC265B
l -усил,т,лоНЧ.
1
J
Корпус металлостеклянный прямоуголвный 151.15-2 .-
tl/-
г
q.
1
3
1
13•
2УС261А-2УС261В; К2УС261А ~!(2':IC261B
-,J
+JЩО
· J/JM
2 11/-
Uвх J
I>
12
6\
15
.lJ
71·
10
•llи.п2
2УС262;К2УС262
7
+320,0
Uнл1
1S
..L
2 1lf. 10
Uвх j
7
10
lfн.1/Z
"
+llн.n1
10
12 Uвы:1 •
15
12 Uвык
387

3
1
. '2YC2B3;1<2YC2S3
7
15
1
llи.n1
1'I
10
1>
1а
7
-Uи,nZ
2УС 2S'l(A;6);1<2YC281J(A,S,8)
1
10
+Uн.tt
'
1Q
[>
. Напряжение Ии.uz подается на вывод 7.
,_
2УС265(А,Б,В); 1<2УС265(А,Б,В)
7
+320,О + Uн.п1
1J/. 10
3
1Ч
[>
2
ц.
7
1
10
-Uн.nZ
388
12
12
/Jвщ ,
1
15

~а{~;;:;-
cQ .a:i
.rд .rд
r.Q .rд
.-о: .-0:
Обозначение параметра
-,: - -,:-
---U ')
_c c,cr.o
<.DC'-1;<.0C';I
.,_,u.,_,u
u>-u»
»"'»"'
c,:Lc-<:L
Ии.111, В*
+12,6
Ии. п2, В*
-
6,3
Рпот~, мВт
6()
Р110т2, мВт
55
Кг, %**
5,0
fн, Гц***
20
fв, кГц***
100
Rв,, МОм, не менее6
10
Rвык, Ом, не более
100
Cnx, пФ, не более
20
• Допускаемое отклонение ±10%.
•• При Rн=З кОм и Uвых= 1,5 В.
Таблиц а 3-И
;;:;-
-
iц
~cQ
cQ
~rд·
.r .Q
~rд·
r.Q
.- ,:·
r.Q
.-о:·
r.Q
.-о:·
-о:-
-,: -
·. <-
_,,, ,
-м
-....
"'"'
"'"'
.,. <D
"'"'
"'"'
"'"'
,,.u
c--,U
"'u
.u»
u»
u»
»"'
"' :L
>,"'
c-,:L
>,с-<
"':L
+12,6
+6,6 · +6,0
.
-
6,3
- 9,0
-
9,0
50
15
10
45
,45
25
5,0
5,0
5,0
20
20
20
100
100
100
10
10
10
100
100
300
20
-
-
-
••• Снижение усиления на частотах fн и f8 н~ более 3 дБ.
6.При CDX=20пФ.
Тип интегральной микросхемы
2УС261А, К2УС261А
2УС26IБ, К2УС26IБ
2УС261В , К2УС261В
2УС262А, К2УС262А
2УС262Б, К2УС262Б
2УС262В, К2УС262В
2УС263А, К2УС263А
2УС263Б, К2УС263Б
К2УС263В
2УС264А, К2УС264А
2УС264Б, К2УС2645
К2УС264В
-
2УС265А, К2УС265А
2УС265Б, К:2УС265Б
2УС265В, К:2УС265В
I<y,U
276-324
250-3 10
290- 350
27,6-32,4
25,0-31,0
29,0 - 35,0
270-330
270- 330
270- 330 '
9,0 -11 ,0
9,0 - 11,0
9,0 -11,0
92-108
80-120
92-120
Таблица 3-45
1
Напряжение шумов
Иш' мВ, не более*.
5,0
12
12
5,0
12
12
5,0
12
18
5,0
12
18
5,0
12
12,
•
В полосе частот 20 Гц - 20 кГц прц подключении на вхо11 емкоrти
4700 пФ.
i:189

СЕРИ И 228 И К228
Состав серий~
2УС281, К2УС281 -усилитель универсальный,
2УС282, К2УС282 -усилитель регулируемый.
2УС283, К2УС283 - усилитель каскодный.
2УС284, К2УС284 - усилитель балансный.
2СА281, К2СА281. -схема сравнения токов.
2КД281, К2КД281 -КЛЮ'I диодный.
2ПД281, К2ПД281, }
б
•
·
•
2ПД282, к2пд 2 в2 -прео разователь декодирующии.
2НК281, К2НК281 -матрица комбинированная .
2НЕ281, К2НЕ281 •-набор конденсаторов.
Корпус металлостеклянный прямоугольный 151.15-2.
Напряжения источни ков п и тания всех микросхем :
= + 6,3 в-+- 10%; и,,. п2 = -6,3 в-+- 10%.
,
Таб·лица 3-46
Обоsиачение параметра
1
2УС281,
1(2УС281 1
2УС282, 1
1(2УС282
2УС283, 1 2УС284,
J<2YC283 1(2УС284
Рпот, мВт, не более*
70
70
70
85
Sв -А при f =5 МГц, мА/В, 9,5-10,5 9,5-10,5 9,5-10,5
~ 5,0
не менее
Sв-А'при f=60 МГц, мА/В,
7,5
7,5**
7,5
не менее
/К, вых• мА
3,2-4,0 3,1-4,6 3,0- 4;6 2,0-2,sл
Rвх при f=60 МГц, Ом, 400
400
400
400
не менее
Rвых при /=60 МГц, кОм,
50
100
100
50
не более
• Во вс ем ра бо че м диаnаsоие температур .
• , Диапаsон регу лир ова ния Sв .л: :! :: 50 дБ;
иsмеиение регулирующего на­
пряжения в диапазоне · регулировки Sв .А в пределах 40 дБ составляет ::!::1,25 В ,
Д Раsбаланс выходных напряжений при f = 5 МГц не более 3%.
1
390
2ус2в1;.кгус2в1
____
1_•
~п1
1
J
7
. -lfп.nZ
10
[>

2УС2В2 ; 1<2УС282
+so,o'
Uи.п1
100
J
н
10
2
7
-
13 Uвых
8
13
I>
12
100
9
-~
-
11
Ч-
1
+
·
10
6
В 50,11_
5
2
6
1
-ии.п 2
2YC2BJ;J{21/C28J
11./-
Uи. п1
1
J
12
10
Slfвx1
1
8
о
1>
5
Ч-3
~ 75+50,0
7
6
- Uи.tJ2
11./-
2УС28L!-;К2УС28'1-
Uи.п1
1
~ .:Uвх1
8
11/- Uвых1
1./-
1
100
5
12
612к
12 +50,D
ЕС>н
13 Uвых2
6
6/!к
7
Uвхг 2
1./-
3
2
0,022
13
-Uи. пг
391

Эле1<трические параметры микросхем 2СА281 и 1(2СА281
Потребляемая мощность не более .
Постоянное напряжение на входе ·
Напряжение на выходе:
не более ........... .
неменее.............
.
.
.
... ..
Ток срабатывания при изменении выходного напряжения
от+2,3Вдо-0,4Внеболее.............
65 мВт
1,3-1,45 В
-0,5 В
+2,7 В
20 мкА
Электрические параметры мш,росхем 21(Д281 и 1(21(Д28t"
Потребляемаямощностьнеболее..............
Отношение выходных напряжений открытого и ЗЭI(ры-
тогоключанеменее........:
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
Урове нь ограничения выходного сигнала, Вэфф, не менее
Сопротивление нагрузки Rн .............. . . .
Уровни напряжений управляющих сигналов:
верхний .... ...... .. .. . ...-
нижний ................ .
Напряжение на выходе открытого ключа ..
2СА2В1; К2СА281
10
Uн.п
.!!---1
1
101312
2
J
U6z 5
'
ц
1
J
5
15
9
6
7
10 2кд2в1;к2кд2в1
Uи.п1
8
11
з9.2
100 мВт
100
0,4 В
300 Ом
+2,5 В
+о,5 в
0,15-0,17 В
11 u~.,;t
5к
7
-U.,_n
8
1'-1-
Uвых

Электри'!еские параметры матриц 2НК281 и К2НК281
Относительный разброс прямого падения напряжения на
диодах при токе 1 мА не бQлее
Сопроти.вление резисторов
Отн осительный разброс номинальных сопротивлений ре­
зисторов не более .
Мощность резисторов
Прямой ток каждого диода не более .
Э.1с1прические параметры конденсаторов микросхем
2НЕ281 11 К2НЕ281
15%
2 кОм
0,8%
5 МВ'Г
5мА
Емкость каждого конденсатора не менее
Напряжение конденсаторов не более
Тангенс угла потерь не более* ...
0,012 мкФ
15В
0,035
· * Во всем диапазоне рабочих температур.
Электрические параметры микросхем 2ПД281, К2ПД281,
2ПД282 и К2ПД282
Напряжение источника питания 2ПД281, 1(2ПД281 , .. - 6,3 В±10%
Напряжение источника питания 2ПД282, 1(2ПД282 . ,
.
+6,3В±10%
Потребляемая мощность не более*
Значение разрядного тока**1
/ 1 =/3±2%
50 мВт
/ 2 =/3±2%
/ 3 =1,93-2,17 мА
/3
!4=2±2%
fь=:з±3%
/з
lв=..8±5%
lз
/7=]6 ± 10%
Упра вляющее напряжение И ""Р ... •• ,
.
••.•
.
••
±1В
* Во всем диапазоне Р. абочих температур
•• Цифровой индене обозначает номер разряда,
393

2НК2В1;1{2НК2 81 2Ht281; К2НЕ281
. ,:.1 ___- - f[>f
11/-
1
,...____
1~1/-
L____J~
~
'ff
2
•
13
l>lu
J
12
13
1<1U 6
9
_в___- 1<f<]1---....:;.9
7
8
20Д281; I(2ПД281
1
11/-
1!/- Uеых 1
г
Uвх2 2
1J Uв.,, 2
J
Uв,:J J
12 UвыхJ
1/-
Uв, ц 1/-
11 UвыхЧ
5
Uвxs 5
10 ив.,. 5
6
Uвх6 .-в
9 UвщБ,7
•Uв,1
.7
7
в15
Uи.п
2пдгв2;кгпд2вг •
1
11/-
Uвх1 1
11/- Uвых f
2
Uвх2 ?,
13 ив.,х 2
J
llв,:J J
12Uвых :J
1/-
Uв,ц 1/-
11 ив.,, ц
5
Uв,s 5
10Uвых 5
6
Usxs 6
9 ив.,. 6,?
,.
7
Uв,7 7
в15
_l.111. q ,
394

СЕРИЯ 235
Состав серии,
2УС351А, } .
•
2 УСЗБ!Б - усилитель ВЧ.
2УС352 -усилитель ПЧ.
2УСЗ53 -усилитель с АРУ.
2УС354 -усилитель с эмиттерными повтор;ителями.
2УС355 -усилитель НЧ .
2УСЗ56 - универсальный каскад.
2УСЗ57 -усилитель ПЧ с АРУ и эмиттерными повторйтелями.
2ПМЗ51 -фо рмирователь импульсных сигналов.
2ПСЗ51 - преобразователь частоты.
2ППЗ51 - делитель напряжения управ.ляемый ·• для системы АРУ,
2ДС351 - детектор ЧМ сигналов с ограничит.елями,
2ДА351 :._детектор АМ сигналов и АРУ с УПТ.
2МПЗ51 -модулятор кольцевой.
2КДЗ51 ., - комt1утатор эл_ектронный.
Корпус металлополимерный прямоугольный «Акщ1я».
Напряжение питания всех микросхем Ии.п = 6,з· в·+ 10%, · <
2УС351
5
9
+Uи.п·
10
6
9
!18х 1
[>
11·
1.
7
10
~
ц
Uвых
В5l.fZ
·3
' 393

J
5
1 2'f
396
2УС352
8710 9
11
8
2УС353
109
7q.
2YC35'f
8
6
U6x1
11
J9111()_
1>
5J
1>
J,
Uн.п
6
7
U6ых1
1>5
ин.,х 2
J

2УС355
7
6810
119
6 1110
2УС358
Jfst
ЗZ79
·8
2УС357
1
78
610 9
1/
zз1/-
Uн.,r
6
t>
1/-17 1010
t>
Uн. п
6
1>
~
Uв,,х1
11
11
Uвых:
Значения R; С и L выбирают в з1шисимос·r·и от требуемой частоты и
добротности.

t:i,
~
Наименование параметра
Рпот, мВт, не более*
Sв. а, мА/В , не менее**
fн ; МГц, не более
Rвх, кОм, не менее***
Свх, пФ ; не более
Rвых• кОм, не болt;е
Свых, пФ
Ку, и
Максимальная глубина регули­
ровки по цепи АРУ при
U лру=4 В, дБ, не менее
Напряжение задержки АРУ, В;
не менее
F, дБ, не более
Ивых, макс, В, не менееЛ
2УСЗ51А,
2УСЗ5\Б
20,0
20 (10)
7 (170)
1,0
0,5
25
30
6±3
200
46
+1,7±10%
7-10
2УС352
17,5
75 (1, 6)
25 (25)
0,25
3,0
15
300
130
1,5
2УСЗ53
23,0
70 (1,6)
30 (25)
0,12
2,5
20
15
6±3
400
86
2,2±15%
2,3
1
Таблица 3-47
2УСЗ56~ ... 1
28,0
12 (1О)
5,0 (100)
О;!
1,2
15
20
6±3
0,5
• 2УСЗ57
30,0
10
5,Ь (200)
0,5
2,0
20
10
15
1.00
46
2,2±15%
2,5
• Во всем диаnазоне рабочих температур.
** При экви~але~тном сопротивлении нагрузки Rье = 100 Ом; в скобках указаны значения частот в мегагерцах, на которы,iс
измеряют крутизну вольт - ~мперной характеристики Sв. А. •
.
••• Для микросхем 2УСЗ5\А и 2·ус351 Б на частоте f = 10 МГц, для остальных микросхем на частоте f = 1., 6 МГц,
L Максимальное выходное напряжение в режиме ограничения : для м икросхем 2УСЗ52, 2УС353, УСЗ5_7 при f . = · 1 ,6 _ МГц,
Roe = 10 кОм; для микросхемы 2УС236 при f = 10 МГц, R0e = 1 кОм.
.
'
.
.
_
_
О для микросхемы 2УС352 указана глубина регулировкц усиления внешним резистором,_ подключенным к - выводам :·2 -и 5.

Электрические параметры микросхемы , 2ПМ351
Пот.ребл-яемая , мощность . не более .. . . ..... ., . ,
Амплитуда выходного импульса не менее ..... .
Напряжение срабатывания не более . . . . . . .. .
Максимальная частота запускающих импульсов не
менее .... ... :
.. ... ..
.
Входное сопротивление не менее .
Сопротивление нагрузки не менее
10
2ПМJ51
6
·7
5
11•
~
2
ч
5
8
10 9.
87
11
Uвх 2
2ПСJ51.
6
Ун. п
в-·
5
20 , мВт,
25В
225 мВ-
1 МГц
5 к0м
1 кОм
111 Увы:t •
Тр - дифференциальный трансформатор промежуточной частоты (f =
=:с 1,6 МГц),
Электрические параметры микросхемы 2ПС351 ·
Потребляемая мощность не более . . . . .
Крутизна _ преобразования не менее:
при fвх=10 МГц, Ивх=10 мВ, fгет = 8,4 МГц,
35 мВт
Иrст=100мВ,,,,,, . , , ,
.
,,,,,....,,
.
, 4,5 мА/В
399

при fвх = 150 МГц,
Ureт= 100 мВ
UF 10 мВ, fгет= 148,4 МГц,
....
2,5 мА/В
· нижняя граничная частота не более**: ·
по входу сигнала
по гетеродинному входу
Коэффициент подавления частоты:
по сигнальному входу не менее
по гетеродинному входу не менее
Входное сопротивление*:
600 кГц
50 кГц
10 дБ
10 дБ
сигнального входа не менее ... . ..... .... ,
.
-
1,0 кОм
геrеродинноговходанеменее..............
1,5 кОм
Входная емкость:
сигнального вхо,1\а не более • .
гетеродинного входа не более
Напряжение собственного гетеродина не менее .
• На часто,:е f= \О . МГц.
•·• На уровне --6дБ.
Электрические параметры микросхемы 2П П351
Ток потребления не более ...... .
Ток · потребления цепи управления при . Uупр=4 В,
Uвх=200 мВ, fвх=О,5 МГц не. более
Коэффициент ослабления при U упр =4 В не менее
Начальное ослабление при Uупр=О,8 В не более .
2
10
гпп;т
Ugnp
25 пФ
25 пФ
300 мВ
3,2 мА
,
2,2 мА
46 дБ
8дБ
, _._1i__._б"11 1U9. ,,
6
8
400

10
6
2ДС351
/,
R
с
100 ""
~
5
27В9J11
'Электрические параметры микросхемы 2ДС351
Крутизна вольт- амперной характеристики S 8 _ А не ме-
нее* .............. ......... .
Крутизна вольт-амперной характеристики не меi1ее***
Максимальное выходное t~апряжение в режиме ограни,rе­
ниянеменее...............
10
7
Uвык .
10 мА/В
5 мА/В
2,5 В
Максимальные пределы регулирования по цепи АРУ
неменее ............
.
•46 дБ
Напряжение задержки АРУ
.
; .... 2,3 В±10%
Входное сопротивление не менее** .
.
.
.
.
.
.
15 кОм
Входнаяеj\!костьнеболее.................. 25пФ
Входное напряжение, соответствующее порогу ограниче-
ниявыходноготока..........
Нижняя граничная частота не более ....... .
Выходнаяемкостьнеболее..............
• При Ивх=10мВ, f=1,6МГц, Rн=100Ом.
•• На частоте f = 1,6 МГц.
••• На частотеf=100МГц,
Электрические параметры микросхемы 2ДА351
90±30 мВ
0,1 МГц
12 пФ
Потребляемая мощность не более .............. . 15,2 мБт
0,4
Коэффициент передачи детектора не менее*
.. ...
.
Коэффициент передачи по управляющему напряжению АРУ
неменее..............
•
Входное сопротивление не менее** ...... .
Входная емкосrь не более
.
.
.
.
.
.
.
Начальное выходное напряжение АРУ не более .
Верхняя граничная частота детектора не менее .
Нижняя граничная частота детектора _ не более
Верхняя граничная частота модуляции не менее
Коэффициент гармоник не более ......... .
Максимальное выходное напряжение АРУ не менее
20 дБ
3 кОм
25 пФ
0,8 В
100 МГц
300 кГц
12 кГц
5%
4В
• При И вх = О, 18 В, несущей частоте 1,6
О, 1 МГц, коэффициенте . модуляции т = 0,3 ,
МГц, частоте модуляции
сопротцвлении нагруз1ш
Rн =5 ,1 кОм.
•• На частоте 1,6 МГц.
401

5
. 2дмs1
в·
1Q115
87
7
Тр - широкополосный трансфо!)матор.
Электрические параметры микросхемы 2МП351
Коэффициент передачи напряжения*:
приfвх=2500кГцнеменее..........
при fвх=50-200 кГц не менее . . ..... .
Крутизна характеристики в режиме · фазового детектора
не менее* ... . ...... . ...... . .
I(оэффициент подав;Ления высокой частоты*:
приfвх=2500кГцнеменее..............
при fвх=50-200 кГц не менее- .... . . . ... . .
Асимметрия коэффициента передачи при - прямом и инвер­
сном включении*:
при fвх= 2500 кГц не менее . ...... .
при fвх = 50-200 кГц не более .... .
Входное сопротивление R8 x:
по сигнальному входу не менее · • . . . .
.
.
.
.
.
.
помодулирующемувходунеменее...........
Нижняя граничная частота по сигнальному входу не
более......,•................
402
• При U8x = 1,6 В, Uмод·=0,5,В, fмод"""11,Гц.
•• ПриU8x=1,6В, fвх=200кГц.
.
7
0,1
0,2
6,5 мВ/град .
14 дБ
26·дБ
12%
10%.
2,5 кОм
3,0 кОм
10 кГц

Электрические парамеtры микросхемы 2КД351
Ток потребления не более ..
0,5 мА
+6,3 в·
~,5 мА
Напряжение управления .. .
Ток управления не более .. .
Затухание сиrнала:
в открытом канале не более
в закрытом канале не менее
между каналами не менее .
Нижняя граничная частота не более
2КД351
8
На»менование параметра
Рnот, мВт, не более
Ку. и не менее
91011
Коэффициент асимметрии выходных
напряжений, %, не более
fв• МГц, -не менее***
fю Гц, не более***
Uвых. макс при Кг = 1?%, В, не менее
Выходное на пряжение в режиме огра-
ничения по несимметричному вы­
ходу, В, не . менее
Входное сопротивление Rвх, кОм , не
менее
Uогр, вх• мВ, не менее
Глубина регулировки усиления, дБ,
не менее
Кос, сф при f= 120 кГц, дБ, не меf!ее
• При f=_I0 кГц, Uвх= !О мВ.
- •• Приf·= 1кГц, Uвх=2мВ.
~•• На уровне - 3(-'G) дБ.
дПриf=10кГц, Uвх=0,5В.
6дБ
34 дБ
34 дБ
350 кГц
Uвых1
58106-7
1
9
Uвх
Uвых Z
2 1/ J 11Uвых:r
Таблица 3-48
2УС354
2УС355
23,0
14,0
16*
400**
10*
15**
•4,0 (7,5)
0,01
, (2500)
25
' 0,6
1,0
1,26.
l,G*
4,0
4,0
60
4,0
40
403

СЕРИЯ К237
€сстав серии
К2УСЗ71, }
К2УС372, -усилитель НЧ,
К2УСЗ73
К2УСЗ75 -усилитель ПЧ, ЧМ тракта .
К2:ЖАЗ7( ~ усилитель и преобразователь частоты в АМ трактах.
К2ЖА372 - усилитель ПЧ с детектором · АРУ .
К2ЖАЗ73 - оконечный усилитель записи и усилитель с выпрями-
телем для индикатора уровня записи.
I(2ЖА375 -усилитель и преобразшн1тель частоты УКВ диапазона.
К2ЖА376 -усилитель ПЧ ЧМ сигналов.
К2ГС371 - генератор то1{а стирания
-
подмагничивания и стабили-
затор напряжения.
Корпус прямоугольный полимерный (рис. 1-3).
Обозначение параметра
Р пот, мВт, не более
Ивых1 В
Ивх, ном, мВ
Кг, %, не более**
Ив ы х, макс, В, не менее
fн, Гц
fв• кГц
1(2УСЗ71
50
1,8 *
15- 30
0,3
2,2
6Q
10
Таблица•3-49
225
25-50
1,0
30
15.
* Номинальное выходное напряжение на выходе оконечного 1<аскадз на
1Транэисторах nри номинальной выходНой мощности 0,5 Вт и соnротивJ1ении
нагрузки 6; 5 Ом.
•• На
частоте f = 1 кГ11 при номинальной выходной мощности (для
1(2УС371 Uвых = ,1,s· В., для 1(2УСЗ72 Uвых = 3,5 В).
404

f<2YCJ71
_ +Uиrr
9
Uвх 8,2к 3
С>
1
~
tO
2
51
+10
12 L/,
5-6
100,oI
lQ ~~1
~:::J--
'
r:::: +
'3,3к 500,О
210
1
12 Ч.
5
8
K2YCJ72
2200
L/,
5
+llи"
в
.
в
JJвx 1,ГJ 3
С>
~
б,2к
'+70
+
0.015чс::, 10
12 1./-
5
в
7
с::,"
~+
5(!;0 -

Таблиц'З 3-50
Наименование параметра
1
l(2YC373
1
l(2УСЗ75 - 1. К2-~АЗ73 1 К2ЖАЗ75
Напряя<ение источника
питания, В
5±10%
6,0±1J
Рпот, мВт, не более*
20
50
Ку, и на частоте 10,7 МГц ?':: 1900
?':: [50
Иш, мкВ, не более
1,1
fн, Гц
зол
fв, кГц
15д
Iпот, мА, не более ·
2,5
3,0
Кг не более
0,7
Rnx, Ом, не менее
300
Игст, мВ
Потенциалы выводов, В:
2
0,6-0,72
5
0,62-0,75
11
5,4-5,6
4
б при Ивых=О
б при Ивых=О,8 В
* Во всем рабочем диапазоне температур,'
д Неравномерность АЧХ , не более 3 дБ .
K2YCJU'· .
69
8
~го,о
J1
2
1/-,
406
5,0±10% 6,0± 10%
22
80
•6,5-8,0 10-25
108
4,0
5,5
1,6
120-180
0,06-0,12
0,04-0,12
0,8-1,0
150к JJO

;)1.'
1З
'.,
'2
12
10
1{2YCJ75
~JJOO
1<.2ЖА371
UAPY 2200
113 11/-
Uвх 2
3300 ,
12
Электрические параметры микросхемы 1(2ЖА371
1к
Напряжение источника питания .
4,0-6,4 В
Потребляемая мощность не более
25 мВт
Ток потребления н·е ·более . . . .
3мА
Уменьшение усиления на частоте 15 МГц по отношению
кусилению_начастоте150кГцнеболее........ 5дБ*
Напряжение гетеродина (на эквивалентном сопротивле-
нии контура гетеродина, равном Roe=4 кОм, между
выводами 5 и 8 на частоте 15 МГу) . . ........ 300 -450 мВ-
407

Коэффициент шума (при включении режекторноrо филыr-
ра LФСФ) на несущей 150 кГц не более
•6дБ*
I(оэффиuиент усиления (при наrруз1{е смесителя на экви-
валентное сопротивление 10 кОм между выводами 10 и
12начастотесигнала150кГц).............150-300*
• В режиме преобразования ча сто ты .
К2ЖА372
1lf.56
78
Электрические параметры микросхемы 1(2ЖА372
Напряжение источника питания .
4,0-6,4 В
Потреliляемая мощность не более
25 мВт
Ток потреб,ления не более
4,0 мА
Входное напряжение частоты 465 кГц при 1юэффиuиен-
те модуляции m=0,3 и напряжении НЧ на выходе
детектора 30 мВ . . .
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
12-25 мкВ
Изменение напряжения НЧ на выходе детектора при
изменении напряжения ВЧ на входе усилителя ПЧ
от50ДО3000мкВнеболее............ •
.
6дБ
Коэффициент гармоник на выходе детектора при коэф­
фициенте модуляции напряжения ПЧ m=0,8, частоте
модулирующего напряжения 400 Гц и входно)\1 напря-
жении 300 MJ{B не более
3%
Входное •сопротивление
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
430...;._ 1ООО . Ом
40.8

10
11
1'1-
.2
13123'1- 5 6
Тм
поама гни. -
6800
чи8ания
о
1,Ок
Уст.ток
-Janu.cu.
ИП-'- стрелочный индикатор типа М478/3; МГ - магнитная головка
УГ-9 (L= 12 мГ+20%, R= 50 Ом+ 15%, Q= 2,2+ 10%); / 3 =
=
0,3 мА (оптимальный).
Параметры элементов L1 , С1 выбирают ориентировочно, исходя из ус­
ловий: pl{= 430- 480Ом;QJ{~10;
;'
пар·аметры элементов L 2 , С2 выбирают ориентировочно, исходя из ус­
ловий: pl{= 1,4 - 1,8к;Q"~30.
f<2ЖAJ75
131LJ121110'179 В
х
9
Диод германиевый Д применяют в случае необходимости уменьшения
влияния значения входного сигнала на частоту гетеродина. •· •
409

F'fараметры микросхемы 1(2ЖА376
Напряжение источника питания И.и. п
Ток потребления / пот не более . . ..
Потребщrемая мощность Рпот не более
Входноесопротивлениенеменее.............
Крутиз на преобразования .не MfHee ... •
.
.•.
.
.
...
..
Подавление сопутствующей . амплитудной модуляции
не менее • . ......................
К2ЖАJ76.
13
9
6'
г
J
12 10
5
6,0 В ±10%
6,0 мА
.80 мВт
300 Ом
2,0 мА/В
20 дБ
8
7
1f
lf
гоо
1'1-
,..
Uвх·I
3300 .
гн
. 3300
Uеых
г
J5
"'
510
+50,О
JJOO
+
50,О
410

Параметры микросхемы , К2fСЗ71'.
Напряжение источника питания . . . ,
.
.
.
.
.
.
...
•
Стабилизир о ванное напряжение . • , . • .
.
...
.
...
,
Суммарное значение / кэо транзисторов Т1 и Т2 не более
Напряжение насыщения регулирующих транзисторов
Т1 и Т2 ••••••••••••• , ••••••••••• •
Ток потребления I пот .........• . .. .. . .. •
Потребляемая мощность не более ......... . . ,
• При замкнутых, нако р отко выводах 6- 10.
•• При напряжении питания U11_ п = 9 В.
11
1
К2ГС37f·.
9
10
9;1:J В
4,0- 5,4 В* .
30,О мкА ,
0,1-0,5В
25 - 31 мА*"'
300 мВт
1г13в5q. 7
8
Uвых.ста.1 Uи.п
JV1Г1 - магнитная головка УГ-9
( L = 12 мГ); МГ2 - магнитн·ая го•
ловка СГ-9 (L = 0,3 мГ.).
•
Трансформатор Тр и дроссель Др выполнены на броневых сердечниках
из материала 1500 ИМЗ типов Бll и 69 соответственно. Витки обм 0-
токипровода: W1_3=28+2В (ф0,15); W4_5 = 16(ф0,1),
W6_ 7 = 60 (ф 0,13) - у трансформатора, W = 100 (ф 0,1) - у дрос-
селя. Индуктивность дросселя Lд ~ 2 мГ при 10 = 15 мА.
411

СЕРИЯ 1(264
Состав серю~:
К2ЛН641-3 усилителя инд ик ации.
l(opnyc прямоугольный металлополимерный «_Тропа» Выводы :
общий - 1; - Ии.п1
-
7; + Ии.п~-4.
-Uи.п1
1/-57
l
9
Q
11
К2ЛН6Ч1
10
-ии.п1
7
Uвх1 J
Uвxz 9
'llвx3 11
._Uи.пZ
1/-
I>.
5 Uвых1
1>
6 Uвых2
1>
10 Uвi,x J
Электрические параметры микросхемы 1(2ЛН641
Напряжение питания иИ, Пl
Напряжение Ии. п2
Потребляемая мощность:
от источника питания Ии. пz '
от источника литания Ии. пl ..
Входной ток открытого ключа /~х
Входной ток закрытого ключа /~х
Выходной ток / вых, макс:
постоянный...............
импульсный (при скважности, равной 9)
Напряжение входного сигнала:
uix ......·.. .
и~х .........
Длительность импульса .
Частота f вх ...... ... .. .
Напряжение выходного с игнал а:
412
и~ых.
И~ых
-48 В ±10%
-24 В ±10%
Рмакс = 75, Рср=65 мВт
Рмакс = 323, Рср= 162 мВт
3,0 мкА
1,2 мА
8мА
18 мА
- 1,5...
-
2,5 В
+1,5... +4,0 В
40 MI~C
1 МГц
-0,5 В
.-40 В

СЕРИИ 265 И К265
Состав серий:
2УС651, _ К2УС651
2УС652, К2УС652
2УС653, К2УС653
2УС654, К2УС654
2УС655, К2УС655
2УС656, ,К2УС656
2УС657, 'К2УС657
2УС658, К2УС658
2КД651, К2КД651
2ПД651, К2ПД651, }
2ПД652, К2ПД652
-усилитель • универсальный.
-усилитель регулируемый.
-
усилитедь каскодный.
-
усилитель балансный.
- усилитель универсальный.
-
усилитель дифференциальный.
-
усилитель каскодный.
'
"
-усилитель широко полосныи.
-
ключ электронный диодный.
-
преобразователь декодирующи_й. :
- , Корпус прямоуrощ,ный металлостеклянный 1·51.15-4.
Напряжения источников п итания всех микросхем: Ии.n'i =
= + 6,3 В + 10%; Ии.пz = -6,3 В+ 10% (кроме 2УС658 и К2УС658),
2УС651; К2УС651
1-4
11!-
~12 Uвх
[>
,.
---;,._'-'1ч___и.;;.;в•с.с"_,
13
100
11
2
10
-
...... ........
1/
6
Напряжение Ии.nl под11ется на вывод 10, напр,1жение Ии.n2 -
на вывод 7.
•
2УС652; К2УС652
11.J.
~ +Uн.п1 . -Uи.п2
11
1/
--.....
3
Uвх
-т__ш
г
100
,ч
11
[>
5
100
3
UвыхZ
9
15·
7
8
Uрег
· 413

2УС653.; K2YC65l
1/f
• Uи.tt
· -:ии.п
:б
~
-
1J10
7
.,.___..___.._._,11/- Uвы;r- . •
-+ - --- -4__ __.
13 Uвх
-----
.
~2
1>. ,'
•'
100
.7
~.
6'
1lf.
2':IC65 1t;K2YC65!/-
~
-
llи.rr
-· Uи.п
г1! Uвх1 1
8
6 •14
.12
100
8
1>
• /Jвх '2
9
2
'f.
- i---10
0.,022
13
2УС655;К2УС655'
1
~
•
-ин.п2
1/f
+Uи.п1
2
10
7
~
12
IJ
14 Uвых
S9
1
Uвх
[>
.
'
,2
5
1
4
9
7
6
414

2
J
ц
5
6
7
1
13
1Ч
'2УСВS6; J<2YcSSC
+ Uи.п
-Vи.tJ
Uвх1
11
i/-
U
-...L.----"--, .1] вых 1.
g
U1JxZ
I>
5 L--т--,-,-,г---т-:-'8
2УС657; KZYC657
'
'
1'1-
Uил
812
10
1Ивх2
о
1
'
1J
t>
~
J----!i
6
5,
2YC658,'l<2YC658
7
10'
Уи.п
t
Uвх 1
[>
•Vи.Jt
7
9'
11.J. 15 11
1f
-12 '
10
11.f . Uвы1t ,,
В U/JыJ(
415

1
2
J
ц.
5
6
7
1
2
416
2кдss1;кгкдs51
11
12
+ Uи.п1
13
13 10
q.
Uвх
10
г
9
Цепь
8
упра8ления
2ПД651;К2ПД651
1Ч-
Uвх1 1
Uвх2 2
/lf!x J J
/Jех ч Ч-
Uex5 5
-
Uехб 6
Uвх7 7
в
..._-------- ии.п
'
- Uи.п2
5
11./-
U11ых
128 9
1lf- Uвых1
13 Uвш2 ,
12 Uеых
.
11 Uеыr:Ч
10 Uвых5
9 Ueыr:

Табли -ца 3-51
_,_
1
, 2УС6 51,
12УС652, 1
. .,.
Обозначенне параметра
2УС653,
1 2УС654, 1 2УС655 ,
1 2УС656, 1 2УС657,
1(2 УС651 1(2 УС652
1(2УС653
К2УС654
К2УС655
К2УС656 К2УС657
"
;а-
'"1
"'
] Рпот, мВт, не более
70
70
70
89
70
50
70
О\
•
· ] Ток коллектора,; мА
3,2-4,0 2,4-3,6 3,0-4,6
1,8-3,0 3,2-4,0
-
3,0-4,6
; Siз. ;{ на частоте 5 МГц, мА/.В
9,5-J0,5 ?8,0 9,5-10,5
?5
9,5-10,5 ?10
9,5-10,5
~ :Sв, А на частоте 60 МГц, МА/В
7,5-c -l l,O ?7,0
7,5-12,0
-
7,5-11,0 ?4,0
7,5-12,0
Rвых · на частоте 5 МГц, кОм, не
50
10
более*
100
50
50
-
.
100
Rвх на частоте 60 МГц, Ом, не 1 400 1
-
1
400
менее*
14001400
11001400
fв, МГц
•
160
1
-
1
60
1
60
1
60
.,
-
1
60
Разбаланс выходных напряжений,
-
-
-
3,5 .
-
0,3
%, не более **
•
Кш, дБ, не бол.ее 6
-
-
-
-
5,0
-
1
5,0
.К00 , сф, дБ, не менее 0
-
-
'-
-
-
17
Дрейф разброса выходных напря,
-
-
-
-
-
3,0
жений, мВ/0С
• Во всем рабочем диапазоне температур.
•• На частотеf=5МГц. .
,;:-
6 В диапазоне частот 5-60 мrц.
:::;
□Начастотеi=60МГц.

1
2
6
7
2ПД 652)' К2ПД652
1'1-
f-д. Uвх1 1
13
llвx2 2
12
Uвх:r 3
11
llвx 1/ 1./ -
llвxs 5
llвxs 6
Uвх7 7
11.f . Uвых1
13 Uвыхг
12 Uвых1
111/вых 1/-
10 Jlвых5
: _9 ,Uвых6, 1j
1
i
1
t
J!5 1.в
/Jи.tt
Электрические -параметры микросхем 2УС658 и 1(2УС658
Напряжение источника питания ............ +12,6 В ±1:0%
Потребляемая мощность не более .....
Ток потребления / пот
Коэффициент усиления напряжения Ку, и на частоте
f = 30 МГц ...................... .
То же на частоте f= 10 МГц ; ........... .
Изменение коэффициента усиления ,в рабочем диапа­
зоне·темпер_атурнеболее.............-
.
Коэффициент неравномерности АЧХ в диапазоне ча:
стат 10- 80 МГц не более
.
·_
.....•
206 мВт
9- 13 :мл
7,5 - 11,5
7,0- 1!,О
+10%
~21 °·
6дБ
Электрические параметры микросхем 21(Д651 и 1(21(Д651
Потребляемая мощность не ·более * .....
Коэффициент лере)lачи ,открытого ключа**
418
111 мВт
0,8±0,1

Уровень ограничения выходного сигнала не менее 0
Напряжение, ра:збаланса открытого ключа не более 0 .
Напряжение на,выходе открытого ключа:
постоянное .
переменное Л
• Во всем рабочем диапазоне температур .
. •• Пi>wRи=ЗUО· Ом, f8 x = · 15 МГu.
0,4 В
9,0 мВ
0,218-0,260 В
0;146-0,t74 В
О При Rн = 300 Ом, указаны действующие значения напряжения.
Л Отношение выходных напряжений открытого (Иу пр= 2,5 В) и закРы•
того (Uyrtp = 0,5 · В:). ключа при fвх = 15 МГц не менее 40 д-В.
Электр11ческ11е параметры мюtрос~ем 2ПД651, К2ПД651, 2ПД652,
К2ПД652
НапР,яжение источника питания 2ПД651, К2ПД6S:1
Напряjкение источника питания 2ПД652, 1(2ПД652
Потребляемая мощность. не более **
Значения разрядНЫ]( токов:
13 = 1,88-2,12
Ущщвляющее напряжение .
• Допускаемое отклОfiение ±10%.
• • Во всем рабочем диапазоне температур.
i
14•
-6,3 В*
-j-6,3 В
70 мВт
419

СЕРИИ 272 И К272
Состав серий:
2УС721 А- 2УС721М,
K2YC72 IA- K2YC72 IM,
2УС722А - 2УС722М,
К2УС722А- К2УС722М,
2УС723А-2УС72ЗМ,
К2УС723А- К2УС723М
1-СВЧ yc,л,w,s мощное,,,
Корлус металлостеклянный тила 1.
Напряжение питания всех микросхем И,.,. п = 27 В-+- 10%, ·.
,2УС721А-2':/С721М;
t(2YC721A-K2YC721M
Обозначение параметра
-
Рпот• Вт, не более*
Рвых, Вт
Ку,Р не менее
КСВн по входу не более**
к. п. :д., %, не менее
~
"'
....
u
:>,
"'
1
<
;;, _
u
:>,
"'
4,0 '
0,7' -
1,0
7,0
1,5
35
2УС722А-2УС722М;
K2YC722A-K2':IC722M
Таблица 3-52
~
~
~
"'
"'
-
~
"'
~
"'
.. ..
"'
"'
....
"'
u
....
u
u
"'
:>,
"'
:>,
,_
,_
:>,
u
"'
u
"'
"'
:>,
:,::'
:>,
:,::'
1
"'
1
"'
1
<
1
<
1
<
-
<
"'
<
"'
"'
"'
"'
"'
"'
"'
....
...
u
"'
u
"'
u
....
....
:>,
u
:>,
u
:>,
"'
:>,
"'
:>,
"'
:,::'
"'
:,::'
"'
:,::'
4,0
9,0 9,0
25
25
0,6- 2,5~ 2,4- 8-10 7-10
},О 3,0 3,0
6,0
5,0
4,0
3,2
3,0
1,6 1,5 1,6
1,5
1,6
'
30
37
33
42
35
• · во всем диапазоне рабочих тем ператур.
• • При но м инальной выходной мощности на центральной частоте полосы
nропускания. ,
420

Полоса пропускания микросхем
2УС721А,
2УС722А,
2УС72ЗА, •
К2УС721А,
К2УС722А,
К2УС723А
145-155 МГц
2УС721Б,
2УС722Б,
2УС723Б,
К2УС721Б,
I(2УС722Б,
К2УС723Б
155--,-165 МГц
2УС721В,
'
2УС722В,
2УС723В,
К2УС721В,
К2УС722В,
К2УС723В
165-175 . МГц
2УС721Г,
2УС722Г,
К2УС723Г,
I(2УС721Г,
К2УС722Г,
К2УС72ЗГ
175-185 МГц
2УС721Д,
2УС722д;
2УС723Д,
К2УС721Д,
К2УС722Д,
К2УС723Д
185-195 МГц
/
2УС721Е,
2УС722Е,
2УС723Е,
К2УС721Е,
К2УС722Е,
К2УС723Е
195-205 МГц
2УС721Ж,
2УС722Ж,
2У.С72ЗЖ,
К2УС721Ж,
К2УС722Ж,
К2УС72ЗЖ
205-215 МГц
2УС721И,
2УС722И,
2УС72ЗИ,
К2УС721И,
К2УС722И,
К2УС72ЗИ ,
215-225 МГц
2УС721К,
КУС722К,
2УС723К:,
К2УС721К:,
К:2УС722К,
К2УС72ЗК:
225-235 МГц
-
2УС721Л,
2УС722Л,
2УС72ЗЛ,
К2УС721Л,
К2УС722Л,
К2УС723Л
235...:: ..245 МГц
,!>-
l-. ;1 2УС721М6,
2УС722М,
2УС72ЗМ,
К2УС721М, .
К2УС722М,
К2УС723М
245-255 МГц

СЕРИИ 284 И К284
Состав серий:
2СС842А, 2СС842Б, }- 2 самостоятельных истоковых повторителя
К2СС842А, К2СС842Б
и инвертирующий усилитель.
2УЭ841А,, 2УЭ841Б, }
•
К2 УЭВ4IА, К2 УЭВ4 1Б -истоковыи повторитель.
Корпус прямоугольный металлостеклянный 151 .15 -4.
Напряжения источников питания всех микросхем серий: Ии.п~ =
=+6В+10%; Ии.п2,=-6В+10%.
11J.
s
10
9
422
/ 2СС8'1:2(А,Б);к2ссвlf2(А,Б)
_______________
12;
6 7 1Uвых1
3
5 Uвых2
8 Uвых:r
_ _ __.:--- ,
1133q:, 51110
В97
2УЭВ'f1А; 2!iЭВ'f1Б;К2УЭ8'1-1А; K2YЭ8lf1S
IJ.
3
Uи.n
12
----13
1D
Uвых
11
6
1Z11i:

Обозначение параметра
Рпот• мВт, не более
Коэффициент передачи на • частоте
40 Гц ,в диапазоне температур окру­
жающей среды ОТ -60 ДО +85°С:
не менее*
Ку; и на частоте 40 Гц в диапазоне .
температур окружающей среды от
-60 до +85°С не менее *
Rвх на частоте 40 Гц, МОм, не менее
Свх, пФ, не более
Rвых• Ом, не более *
Ивых при подаче на вход нулевого
потенци.а.1а, В, -не бо.1ее
• U вых в режиме масштабного усиления
с коэффициентом К= 1, В, не бо.1ее *
U вых, макс на частоте 1 кГц и с коэф­
фициентом гармоник 0,8%, В, не
менее
Таблица 3-53
2СС842А, 2СС842Б, К2СС842А,
К2СС842Б
Истоковые 1
повторители
Инверти -
----
;------ рующий
Б
уснлите~ь
А
100
100
100
0,988
0,980
200
400
400
lO
з
3
,75
75
350
-1
-1
±1

П,:юдолжение m61бл. 3-53
2CCR42A, 2СС842Б, К2СС842А,
Обозначение параметра
Ивых . макс в режиме масштабного уси­
ления с коэффици·ентом К= 1, В, не
менее*
К"р; Ач в диапазоне частот I Гц -
200 кГц, дБ, не более*
Динамический диапазон при Vc/Vш =
=3дБнеменее
• При Rн=10кОм,Сн=40пФ.
К 2 СС842Б
Истоковые
повторители
А
1
Б
-
-
0,5
0,5
'
86
86
Инnерти-
рующий
усилитель
1
0,5 t*
80 **
•• В режиме масштабного
усиления с коэффициентом 1( = 1 в полос~
частот 1Гц-1001<Гц при Rн= 10 кОм, Сн=40 пФ.
Таблица3-54
·Обозначение параме_тра
2УЭ841А,
2УЭ841 Б,
К2УЭ841А
К2УЭ841Б
Рnот, мВт, не более6
18
18
Ky,U не менее*
0,97
0,97
Уровень . собственных шумов, мкВ, не
10
20
более
Ивых• В, не менее
1,0
1,0
Свх• пФ, не более
12
12
Rвых, Ом, не более
150
150
Кнр. Ач• дБ, не более **
5,0
5,0
• Нестабильность коэффициента усиления напряжения
при изменении
,,-емпературы от '+25 до +70°С или от -60 до +25°С не более :!:2,5%,
•• В. полосе частот Лf=20Гц- 20кГцприRн= 10кОм,Кг~2%,
д Во всем рабочем диапазоне температур.
424

СЕРИЯ 301
Состав сер_ии: • •
.ЗНСО! IA-ЗHCOI IM -декодирующая резистивная матрица типа
R=2R.
ЗНС012 - последовательный делитель напряжения.
3НСО14А-ЗНСО14М, -матрица декодирующая резистивная типа
ЗНСО!З, }
ЗНСО!5А-ЗНСО15М, R='lR..
ЗНСО!бА-ЗНСО!бМ
Корпус прямоугольный 255АМП28-1.
JHD011A-JHC011M
26 q.
,·' 2l/- В 22
8 20,10 17
R20
1J25523721
91911161J
JHC012
rrri rrri rrrт rrr1
28Z2625lf.2367219191811161211/,
JHC01JA-JHC013M; ЗHCD1'1A-JHCD1LIM
JHC015A-JHC015M; JHCD16A-JHC016M
325523721919-11R21
R23
271Z261/-2'f622612010181г--11/-16
425

Таблица 3-55
Относи- Напря- Расс€И'!'I
тельная ж.ение ваемай:
погреш- на ВХО· МОЩ•
Тип микросхемы
:Коэффициент деления ность коэф- де, В, ностьt
'фициента небо - мВт " -
деления.
лее
неб;,
%, не более
лее
3HC0i IA-3HC0I IM
1
1023
-О т 1024 до 1024 дис-
±0,0135 12;6 50
1
кретно через 1024
1
_,
3НСО 12
11
±0,02
36 300
2;4
3НС013
1
2047
±0,010 12,6 150
3НСО14А-3НСО14М
От 2048 до 2048
3НСО 15А ~ ЗНСО 15М
1
3НСО16А,....ЗНСО16М
через 2048
Таблица 3-56
Условное
Расчетный номинал, кОм
обозначе-
ние
-
ЗНСО!l
ЗНС012
ЗНС013 ЗНСО14 ЗНСО!5 ЗНСО!б
R.
5
5
2R.
10
10
_ Позиционное
ЗHCOllM ·1
обозначение
R.1
2R.
R.2
2R. - ЛR.
Rз
R
R,4
2R.-ЛR.
426
5
2
10
Номинал ·резистора
3НСО12
ЗНСОIЗ
R.
2R.
R.
2R
2R.
R
R
2R
10
20
20
40
Таблица 3-57
1
з-нсо14А-ЭJ-iсо14м, •
3НСО15А-3НСО1 5М,
3НСО!6А-3НСО!6М
2R.
2R.
R
2R.-ЛR.

Продолжение табл. 3-57
Номинал резистора
Позиционное
1 3НСО\4А-3НСО14М,
обозначение
ЗНСОl!М
3НСО12
3НС013
3НС015А-3НСО15М,
3НС016А-3НСО16М
R.
R
R
R
R
Rв
2R-ЛR
2R.
2R
2R-ЛR
R,
R
R
R
R
Rв
2R-ЛR
R
2R
2R-ЛR
Ro
R
2R
R
R
R10
2R-ЛR
R
2R
2R-ЛR
R11
R
R
R
R
R12
2R-ЛR
2R
2R
2R-ЛR
R1з
R
R
R
R14
2R-ЛR
2~
2R-ЛR
R1s .
R
R
R
R1a
2R-ЛR
2R-
2R-ЛR
R11
R
R
R
R1в
2R-ЛR
2R
2R-ЛR
R19
R
R
R
R20
2R-ЛR
2R
2R-ЛR
• R21
2R
2R-ЛR
R22
2R
2R-ЛR
R2з
2R
2R-ЛR
П р и м е ч а н и е. С целью снижения погрешности коэффициентов деле•
пня при работе с источниками напряжения, имеющими определенное внутрен• 1
н~е С!)Противление, рэаDядные _резисторы R.2, R.4, R.o, Rв, R.10 , R.12, R.н, Ra, R1s •
R20 для ЗНСОl 1 и R.., R.e; Rв, Rio, R.12, R14, R1в, Rн,, R.20, R.22 и R2з в м:икросхе.. ;
мах ЗНС014 - ЗНС016 иэготаиливаются уменьшенными на значение ЛR, указан• !
ное ниже.
Подтип
Значение
Подтип
Зкачеиие
микр.осхемы
ЛR, Ом
микросхемы
дR, Ом
А
о
ж
60
Б-
10
и
70
в
20
:к
80
г
30
л
90
:д
40
м
100
Е
50
427

• СЕРИИ 504 И К504
Состав серий:
5УСО41 (А, Б, В), К5УСО41 (А, Б, В) , } -усилитель ;
5УСО42 (А, Б, В), К5УСО42 (А, Б, В)
5НТО41 (А, Б, В), К5НТО41 (А, Б, В) -пара полевых транзисторов
5НТО42 (А, Б. В), К5НТО42 (А, Б, В)
5НТО43 (А, Б, В), К5НТО43 (А, Б, В)
5НТО44 (А, Б, В), К5НТО44 (А, Б, В)
слаботочная согласованная .
-
пара полевых транзисторов
,
слаботочная согласованная.
-
пара полевых транзисторов
сильноточная согласованная.
-
пара полевых транзисторов
сильноточная согласованная,
Корпус круглый металлостеклянный 301.8 -2.
5
5УСОЧ1(А,Б,В); KSYCO'l-1 (А,Б,8)
i5УСО'l-2(А,Б,В);t<SYCO'l-1 (А;Б,В)
J/.
7
1
5НТОЧ1(А,Б,В);кsнтм1(А,Б,В)
5НТО'l-2(А,Б,В); l<SHT0'l-2 (А,Б,В).
SHT0'f3(A,Б,B); KSHTD'I-J(A,Б,B)
SHTO'f'l(~AB); K5HTO'f'f(A>Б,B)
428
Uи. п
ч
Uвх1 7----
1МОм
[>
J

Таблица 3-58
5УС041, 5УСО42, 1(5УСО41, 1(5УС042
Обозначение пар-аметра
А
Б
в
Ии. п,' В*
-1 2,0
-12,0
-12,0
Ку, и**
10-60
40-120
80~200
1пот• мА, · не более***
10
Ивых, мак с• В, не менее о
0,5
.
л
Иш, мкВ, не более :
для К5УСО41, 5УСО41
3,0
IЦЛЯ К5УСО42
10
для 5УСО42
5,0
• ,11 опускаемое отклонение± 10%.
•• При Ивх=1мВ,f=1кГц.
*** Во всем диапазоне рабочих температур.
О·ПриRн=3кОм,f=1кГц,Кг=10%.
дВполосеqастот5Гц- 10кГц..
5НТС41, 5НТ042,
1(5Н Т04 1 , 1(5Н Т042
Обозначе ние пар аметра
1
1
А
в
в
lc, нач• мАl
0,1-0,7 0,4--1,5 1_: .. _2
Изи, отс' В, не более2 5,0
5,0
5,0
· sв.л• мА/В, не менеез 0,3
0,5
o;s
/ 3, нА, не более4
2,0
2,0
2,0
Напряжение смещения 30
30
30
нулево г о уровня,
мВ, не болееs
10
10
0,5
0,5
3,0
- 3,0
10
10
5,0
5,0
Таблица 3-59
5НТ043, 5НТ044,
1(5Н'Г,043, 1(5НТО44
А
1
в
1
в
1,5-7,5 5- 15 10-20
5,0
5,0 5,0
1,5
3,0 5,0
2,0
2,0 2,0
30
30
30
1 При Ис и = -10 В, И ЗИ = О; для пар транзисторов 5НТ042, l(blfТ042,
БН Т044, 1(5J-I Т044 отношение начальных токов не менее О, 05.
2 При Иси = - 5 В; для наборов 5НТ041, 1(5НТ041, 5НТ042 и 1(5НТ042
при Jc = 1 м1'А, для наборов остальных типов при l c = 10 М1'А.
•
3 ПрР Иси= -10 В; для наборов 5НТ042, 1(5НТ042, 5НТ044 и 1(5НТ044 ОТ•
нсшение значений S в - А . не менее 0,85 .
• При Иси =5в.
, Указ аны
значен ия · напряжения для , наборов транзисторов 5НТ041,
К5НТ04 1, 5НТ04З и К5НТ043 при /с = I0U мкА и Иси = -5 В.
429

РАЗДЕЛ ЧЕТВЕРТЫЙ
МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕI(ТРИЧЕСКИХ
ПАРАМЕТРОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИI(РОСХЕМ
4-1 . ОСОБЕННОСТИ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ МИКРОСХЕМ
Методика измерений электрических параметров интегральных
микросхем по форме и содержанию значительно отличается от методов
измерения параметров полупроводниковых приборов. Методы изме­
рения электрических параметров полупроводниковых приборов к на­
стоящему времени в достаточной степени определились. К:ак правило,,
при описании метода измерения приводятся принципиальная схема
измеряемого прибора (транзистора, диода, динистора, тринистора
и т. д.), применяемые измерителъные приборы и элементы измеритель­
ной схемы с указанием их точности, рекомендации по выбору и кон­
кретные значения электрических параметров элементов измерительной
схемы, указания о точности поддержания электрических режимов в про- .
цессе измерений. Такая полнота и конкретность изложения позволяют
непосредственно применять их для · измерения электрических пара­
метров полупроводниковых приборов. Обусловлено такое положение
тем, что имеется сравнительно краткая и устоявшаяся система пара­
метров полупроводниковых приборов, что стало возможным благодаря
подобию принципов действия и устройств этих приборов. Однако
в_ силу целого ряда особенностей МС (особенно аналоговых) изложить
методы измерения их электрических параметров в такой же форме не
представляется возможным по следующим причинам.
•
.
В отличие от полупроводниковых приборов МС представляют
собою узлы, предназначенные для выполнения самых разщюбразных;
функций, и поэтому характеризуются различными электрическими
параметрами .-
..
Многообразие этих узлов, а следовательно, и электрических пара­
'
метров, их характеризующих, что особенно характерно для аналого­
вых МС, создает серьезные трудности на пути с_оздания единой системы
параметров для всех микросхем.
Перечисленными причинами обусловлены некоторые особенности
описаний методов измерения, изложенные в данном- разделе.
Ряду современных микросхем, преимущественно аналоговых,
свойственна функциональна~ незавершенность; чтобы МС смогла вы­
полнять свою функцию, к е(\ выводам необходимо подключить · так
называемые навесные (внешние) элементы: резонансные контуры, раз­
делительные или развязывающие конденсаторы и т. п. В силу того~
что каждый тип МС имеет свою индивидуальную схему включения,
на которой показывается нумерация выводов, необходимые перемычки
между· выводами, места подключения дополнительных навесных эле-
430

ментов и источников питания, типы и номиналы навесных элементов,
функциональные схемы измерения электрических параметров, при­
веденные в настоящем разделе, не могут непосредственно использо­
ваться как схемы измерения. На их основе в каждом конкретном с.ТJу•
чае должны составляться конкретные функциональные схемы измере­
ний с указанием всех необходимых элементов и соединений.
И, наконец, в-третьих, различные 'типы МС даже одного класса
сильно различаются между собою значениями электрических пара ­
метров, электрическими схемами, технологией изготовления. Все это
приводит к тому, что электрические параметры различных типов МС
изменяются по · разным законам при изменении того или 1:1ноrо шоздей­
ствующего фактора JГ одинаковых пределах. В силу того, что воздей•
ствующие факторы для разных типов МС могут быть различны и коэф­
фициенты влияния этих факторов на значения электрических пара­
метров МС в общем случае неизвестны, методы измерения, приведенные
в настоящем разделе, не содержат рекомендаций по вопроса111, связан­
ным с погрешностями измерения электрических параметров. · В общем
виде некоторые вопросы, связанные с погрешностями, будут освещены
в подразделах, описывающих сами методы измерения электрических
параметров ЛИС и ЦИС . Конкретные значения погре\llностей ·измере­
ний электрических параметров указаны в частных технических усло­
>виях На · МС КОНКреТНЫХ ТИПОВ.
При измерении электрических параметров интегральных ми1<ро­
схем должны выполняться следующие основные требования . .
В , процессе измерения не должны нарушаться электрические и · теп­
ловые режимы микросхем, для чего отсчет ИlJмеряемых параметров
следует производить сразу после подачи питающих напряжений или
через .определенный момент времени, указываемый в технической доку­
ментации (НТД). Для защиты микросхем от перегрузок, -возникающих
при воздействии . переходных процессов, возникающих при включении,
. выключении, коммутации различных цепей и элементов структурных
схем, а также от воздействия статического электричества должны быть
предусмотрены различные · защитные устройства, предупреждающие
выход ·микросхем из строя в процессе измерений.
'
Необходимо также убедиться в том, чтобы во · вр.емя · измерений
не возникало паразитной генерации испытуемой МС, , которая . мшкет
появиться в результате неудачно выполненного монтажа или плохи ,х
контактов в измерительных цепях. , Во избежание этош подключение
МС к схеме измерений должно осуществляться через контактирующие
устройства, обеспечивающие надежный электрический контакт без
механических повреждений выводов МС. Не рекомендуются припайка
выводов МС, их обрезание или 11зrибание. Для измерения электриче­
ских параметров сл.едует применять источники питания, · обеспечиваю•
щие установку . величины питающего напряжения с точностью 0,5-
1%, при этом коэффициент пульсаций должен быть в пределах 0,5-
2%, если в НТД не оговорена другая величина. Измерительные при­
. боры (стрелочные и радиоэлектронные), источники · испытательных
сигналов и источники питания должны соответствовать требованиям
ГОСТ 9763 -67. Температура , окружающей среды в процессе измерений
, должна соответствовать НТД или справочным данным на МС .
С . унетом . вышеизложенного методы измерения э:11ектрических па­
раметров . МС, описываемые в данном разделе, могут •быть использо-
ваны:
•
· nри : измерении и определении значений эле•ктрически'х параметров
и характеристик интегральных схем;
·- 431

при разработке НТД, устанавливающей методы измерения элек­
трических параметров МС;
дJiя определения различных функциональных зависимостей элек­
три_ческих параметров МС, необходимых при расчете и конструирова-
ниц РЭА .
•
б)
6)
г)
д}
е)
ж)
00@@0 0 0[аRн[]
з)
и,)
н)
л)м)н)о)п)~)
Рис. 4-1 . Условные графические обозначения схем для измерения
электрических параметров интегральных микросхем.
а - измеряемая цифровая или аналоговая интегральная микросхема, общее
обоэвачение; б - измеряемая аналоговая микросхема с двумя nходами и од­
ним·-ДВумя выходами; в - источник опорного напряжения; г - генератор
тока н а грузки; д - ~генератор сигналов; е - операционный измерительный
усилитель (знаком «минус• отмечается инверсный вход); ж - фильтр нижних
частот; а - измерит.ель переменного напряжения, например вольтметр; и
-
измеритель постоянного напряжения. напрИ:мер вольтметр; к - измеритель
переменного тока, например миллиамперметр; л - измеритель постоянного
тока, например микроамперметр; м - измеритель частоты; н
-
измеритель
фазового сдвига; о - измеритель коэффициента гармоник; п
- - ,- осциллограф
(измеритель временных интервалов); р - нагрузочный. резистор , эквив.ален·r
-
нагрузки микросхемы :
На всех приводимых ниже функциональных <;хемах устройств,
используемых для измерения электрических параметров и характери­
стик интегральных микросхем, приняты условные графические обоз.на­
чения элеменtов, представленные .на рис. 4-1 .
4-2 . ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ
ЦИФРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ
Изложенные в данном _ подразделе методы измерения параметров
применимы для следующих микросхем:
r.руппа 1 - микросхемы, реализованные на принципе ·резистор но- •
транзисторной логики (РТ Л), .транзисторной логики с . непосредствен­
ными связями на MOQ: структурах и транзисторной логики с рези-
сторно-емкостными связями (РЕТЛ);
.
группа II - микросхемы, реализованные на принципе диодно­
транзисторной логики (ДТЛ) и транзистор но -транзисторной логи1ш
(ТТЛ);
•
432

группа III - микросхемы, реаJJизованные на принципе транзи­
сторной логики с эмиттерными связями (ЕСЛ). -
Погрешность измерения электрических • параметров цифровых
микросхем, включающая погрешности установления испытательного
режима на входных и выходных выводах, выводах питания, пар-а-·
метров нагрузки и точности измерительных приборов, не должна
превышать: + 5% в статическом режиме для микросхем , всех групп;
в динамическом режиме+ 10% для микросхем групп I и 11, + 15%
для микросхем группы 111. Конкретные значения погрешности . изме­
рения электрических параметров - указываются в технической доку­
ментации на микросхемы (НТД).
Измерение значений параметров ~икросхем проводится в точках
входной, выходной и передаточной характеристик для статических
параметров и в точках огибающей импульсных сигналов . для динами­
ческих параметров.
При измерении динамических параметров в качестве источника
импульсных сигналов может при.меняться генератор или микросхема
того же типа, что и измеряемая. Параметры прямоугольного импульса
и частота следования на входе измеряемой МС (амплитуда и длитель­
ность импульса, длительностей фронта и среза, выбросы на вершине
и в паузе между импульсами) должны соответствовать условиям
совместной работы микросхем одного типа.
Источник сигналов и измеритель динамических параметров должны,
как правило, · соединяться с измеряемой МС при помощи согласован­
ной линии связи (условия согласования приводятся в техниче с кой
документации на микросхемы).
В качестве нагрузки при измерении динамических параметров
применяют микросхемы, аналогичные микросхемам, у которых изме­
ряются динамлческие параметры или эквивалент нагрузки из набора
дискретных элементов (диодов, транзисторов, резисторов, конденсато­
ров), имитирующих типовые _ режимы при измерениях. В приводимых
ниже схемах измерения источник опорного напряжения ·для МС груп­
пы 111 может отсутствовать, если такой источник содержится внутри
микросхем.
ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ, ИМЕЮЩИХ РАЗМЕРНОСТЬ НАПРЯЖЕНИЯ
Измерение пороговых напряжеюtй логического нуля и логической
единицы. Схемы устройства для измерения U~op и ИАор приведены
на рис. 4-2 . Значения пороговых напряжений определяют сравнением
переменных напряжений на входе и выходе МС при определенном дина­
мическом коэффициенте передачи. На вхqд МС подают изменяемое
по величине постоянное напряжение и одновременно переменное на­
пряжение. Для измерения напряжения U~op входное постоянное напря­
жение изменяют от уровня· логического нуля до уровня логической
единицы, а прц измерении напряжения ИАор - от уровня .логической
единицы до уровня логического нуля. .
•
Выходное сопротивление генератора переменного напряжения
•должно ·быть таким, чтобы амплитуда сигнала не изменялась . при
изменениях входного постоянного напряжения микросхемы. Частоту
сигнала переменного напряжения устанавливают значип-.~ьно ниже
предельной частоты пере·ключения измеряемой микросхемы. Значения
пороговых постоянных напряжений U~op и ИАор определяют в момент
срабатывания схемы сравнения.
433

Измерение выходного напряжения лоrическоrо нуля. При' измере­
нии И~ых цифровой МС на ее проверяемом выходе .должен обеспечи­
ваться низкий уровень напряжения при наличии выходного тока
и измеряется результирующее выходное напряжение. На проверяемом
выходе микросхем групп I и I II устанавливают вытекающий ток под•
мс
Рис. 4-2 . Схема измерения параметров И~ор и И~ор цифровых микро- .
схем.
ключеljием соответствующего сопротивления нагрузки, а при измере­
нии микросхем группы II на проверяемый выход подают втекающий
ток от генератора тока. Значение сопротивления нагруз1ш ИJIИ зада•
ваемого тока .в цепи нагрузки определяется коэффициентом разветвле•
ния по выходу.
Вход1
BxoiJ г
Входт-1
Вх0дт
мс
Выход
а)
Вход 1
ВходZ
• Входт-1
Входт
мс Выход
Рис. 4-3 . Схемы измерения параметров И2ых цифровых микросхем
группы I.
а - неиввертирующих; б
-
инвертирующих.
Для обеспечения на выходе цифровой МИI{росхемы низко го уровн-я
напряжения на ее входы подают:
для инвертирующих микросхем групп 1 и III на один вход --. -
пороговое напряжение ИЬор• а на остальные объединенные входы напр я• .
жение ·логиче~;кого нуля И~х (рис. 4-3, 6 и 4-4);
'-
,.
на все. объединенные входы неинвертиру1ощих микросхем групп- I
и III напряж~ние И~ор . (рис. 4-3, а)·;
434

Вхоа1
Вход2
Выход
Bxoilm-1
мс
Uon
Uн.п
lllop
Входт
Rн
о·-
Рис . 4-4. Схема измерения параметра Ивых инвертирующих цифровых~
микросхем группы III .
..,....,..:В~х~о~д~1-f'--, Выход
Вход2
•Вхо т-1 МС
Вход т
Рис. 4-5 .
Рис. 4-6.
Рис. 4-5. Схема измерения параметров и~ых инвертирующих и Ив~1х
неинвертирующих цифровых микросх~м группы 'II .
Рис. 4-6 . Схема измерения пара(l!етров И.~ых неинвертирующих и
Иiых инвертирующих цифровых микросхем группы II.
мс
а-)
Вход1- _
Вхо 2
• Входт-1
Входт
о
Unop
Рис. 4-7. Схемы измерения параметра Uiiыx инвертирующих цифро•
вых микросхем группы I (а) и r-руппы III (б) .
435

на все объединенные входы инвертирующей микросхемы rруппы II
напряжение .U ~op (рис. 4-5);
на один вход неинвертирующей м11кросхемы группы II напряже­
. ни е U~op• а на остальные объединенные входы - напряжение логиче•
ской единицы U~x (рис. 4-6).
Измерение выходного напряжения логичес1юй единицы. При опре­
делении параметра U~ых на проверяемом выходе МС обеспечивают
_высо ,шй уровень напряжения и измеряют результирующее выходное
напр я жение.
На проверяемом выходе устанавливают втекающий ток при по­
мощи генератора тока и при этом:
Входf.
Вход1
Вход2
•Входт~1 МС
мс
Входт
т
а)
Рис. 4-8. Схемы измерения параметра И~ых неинвертирующих ' циф­
ровых микросхем группы I (q) и груп п ы III (6) .
на все объединенные входы инвертирующей микросхемы групп 1.
и III подают· напряжение U~op (рис. 4-7);
.
.
на один вход неинвертирующих микросхем групп I и III подают
напряжение U~op• а на остальные объединенные --входы - напряже­
ние и~х (рис. 4-8);
на один вход инвертирующих микросхем группы II подают на п ря­
жение U~op• а на остальные объединеннь~е входы напряжение UJ. ,,_
(рис. 4-6);
•
на все объединенные входы неинвертирующей микросхемы группы II
подают напряжение U~op (рис. 4-5).
ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ, ИМЕЮЩИХ РАЗ-МЕРНОСТЬ ТОКА
Измерен _ие входного тока логического нуля. При измерении /~х
на проверяемый вход микросхемы группы II подают напряжение U~x
и измеряют результирующий ток в цепи выхода . При этом на осталь ­
ные объед ин енные входы МС подают напряжение Vtx, а выход микро ­
схемы остается · свободным (рис. 4-9). Входной ток логического нуля МС
групп I и III не измеряют . .
Измерение входного TOl\a лоrичесl\оЙ еди н ицы. При измерении / tx
МИI{росхем всех групп на проверяемый вход подают напряжение U ~х
и измер·яют результ и рующий ток в цепи вывода , - При этом на осталь­
ные объединен;1ые входы МС групп II и HI подают напряжение uix
436

(рис. 4-10, б, в) и . напряжение •И~х для микросхем гру.fшы I {рис.
4-10, а). Выход измеряемой микросхемы оставляют свободным:
Вхо81
Вход 2
Входт-1
Входт
мс
Выход
Uи.11
о
Рис. 4-9. Схема · измерения параметра 1:х цифровых микросхем груп­
пы II.
Измерен11е тока утечки на выходе. При измерении / ут, nых у микро­
схем I и II групп на проверяемый выход МС подают напряжение пита-
мс Выход
•Входт-1
Входт
Uнд
а)
б}
мс
Выход
Uon
,Входт-1
Входт
в)
Рис. 4-10. Схемы измерения параметра f ~х цифровых микросхем груп­
пы I (а), группы II (6) и группы Ш (в).
ния и измеряют результирующцй ток, проходящий в цепи вывода.
При этом: •
.
.
на все объединенные · входы инвертируюiцей микросхемы группы I
напряжение U~op (рис. 4-11, а);
437

на один вход неинвертирующей микросхемы группы I - н'апряже­
ние Иhар• а на остальные объединенные входы - напряжение И~х
(рис. 4-11, б);
на один вход инвертирующей · микросхемы группы II - напряже­
ние И~ар• а на остальные объединенные входы - напряжение Иkх
(рис. 4-12, а);
r--' l .!:.B ~x::!.o~a!_1- -r - -, ВыхрВ
ВхоВ2
•Входт-1 МС
Входт
,
\ Uи,п
а.)
о)
Рис. 4-11 . Схемы измерения параметра / ут инвертирующих (а) и не­
инвертирующих (6) цифровых микросхем группы I.
на все объединенные входы неинвертирующей микросхемы груп­
пы II - напряжение ИJюр (рис. 4-12, 6).
Ток утечки на выходе микросхем группы III не измеряют.
- ~B~x~o~B~f~_.. _ _
1 ВщоВ
Bxoil2
•Bxoilm-1
и.о Вход т
пор
1
и(!х
мс
а.)
Вход 1
Вход 2
•Входт-1
Входт
мс
о)
Рис. 4-12 . Схемы измерения параметра / ут, вых инвертирующих (а) и не-
инвертирующих (6) цифровых микросхем группы П.
_
Измерение выходного тока логической единицы. При измерении /~ых
МС групп I и II на проверяемый выход подают напряжение Ивых, макс
и измеряют ток в цепи вывода. При этом:
на все объединенные входы инвертирующей МС группы I напр·я­
жение И~ар (рис. 4-13, а);
на один вход неинвертирующей микросхемы группы I - напря­
жение Иhар• а на остальные · объединенные входы...:.. напряжение И~х
(рис. 4-13, 6); •
•
••
на один вход инвертирующей микросхемы группы I I - напря­
жение -U ~op• а на остальные - объединенные входы - напряжение ИДх
(рис. 4-14 1 а); ,
438

Вход 1·
Вход2
• Вход т-1
Входт
а)
мс
Вход1
Вход 2
•Вход т-1
Вход т
6)
мс
,..
_,
Рис. 4-13. Схемы измерения параметра /~ых инвертиру1рщих (а) и
неинвертирующих (6) цифро~ы.х микросхем группы 1.
Вход1
Вход2
, Входт-1
МС
Входт
!110 .1
, ипор Uвх
а)
Uвых,макс 1Uпор
Вход1
Вход2
, Входт-1
Вход т
6)
мс
Рис. 4-14. Схемы измерения параметра /~ых инвертирующих (а) и
неинвертирующих (6) цифровых микрочем rрупны 11.
ilxoa1
Вхо 2
•Входт-1 МС
Выход
Вкодт.
а)
6)
Рис. 4- ,1.5. Схемы измерения параметров iioт некнвертируюIЦик (а)
!И l1от инвертирующих (6) цифровых микросхем.
439

на все объединенные входы неинвертирующих микросхем группы II
напряжение И~ор (рис. 4-14, 6).
Измерение тока потребления от источника питания. При йзмеренюr
тока потребления /~от на выходе микросхемы обеспечивают низкий
уровень напряжения при соответствующем сопротивлении нагрузки
Вход1
Вход2
• Bxo'flm-'1 мс
[jыход
Uм.п .
Вхо т
o'-"-----~ -.--.J
· ~Вх
Rn
12)
Вход1
Вход. 2
• Входт-1
Вход т
мс
Uи.г,
___ ...
1
б}
Рис. 4-16. Схемы измерения параметров /~от неинвертирую щих (а)
и /~от инвертирующих (6) цифровых микросхем.
и измеряют значения токов в цепи выводов питания. На все объеди­
ненные входы неиивертирующих микросхем подают напряжение И~"
(рис. 4-15) и И~х для инвертирующих микросхем (рис. 4-16).
При измерении параметра / ~от на выходе микросхемы обеспечи~
вают высокий уровень напряжения И~ых при подключенной нагрузке
Вход 1
Bxoli 2
Входт-1
мс
Выход
Uех,доп .
Входт
Рис. 4-17. Схема измерения параметра / вх, пр, доп цифровых микро-
схем группы- I I.
'
· и измеряют ток в цепи выводов питания; при этом на все объединенные
входы неинвертирующих микросхем подают . напряженйе Иt"
(рис. 4-16) и И2х для инвертирующих микросхем (рис. 4-15).
Измерение входного предельно допустимого тока. При измерен~и
/ вх, пр, доп МС группы II к проверяемому входу прикладывают задан­
ное предельно допустимое нап ряжение Ивх. пр , доп и измеряют тою
в цепи вывода; остальные объединенные входы измеряемой микросхемы
440

Вход 1
Вхоо1
Вход2
Вход2
Выход
•Входт-1 МС
•Входт-1 МС
Вхо т
Uн.п •
Входт
а.)
6)
Рис. 4- 18 . Схемы измерения параметра / к.з инвертирующих (а) и не.
инвертирующих (6) цифровых микросхем группы I.
Вход1 •
Вход2
•Входт-1 МС
мс
Входт
а.)
tf}
Рис. 4-19. Схемы измерения параметра lк.з инвертирующих (а) и не­
инвертирующих (6) цифровых микросхем rруппы II.
Вход1
Вход2
МС
•Входт-1 МС
Входт
/
а.)
б)
Рис. 4-20. Схемы измерения параметра / к.з инвертирующих (6) и
неинвертирующих (а) цифровых микросхем группы III.
441

при этом присоединяют к общей цепи, имеющей нулевой ' потенциал
(рис. 4-17).
Измерение тока короткого замыкания на выходе. При измерении / к.з
МС всех групп проверяемый выход, на котором должен быть обеспе­
чен высокий уровень · напряжения, присоединяют к общей цепи, имею­
щей нулевой потенциал, и измеряют результирующий ток, проходя­
щий в цепи вывода.
При этом:
на все объединенные входы инвертирующих . микросхем групп I
и III напряжение И~ор., (рис. 4-18, а и 4-20, а);
•
.на один вход неинвертирующих микросхем групп I и 111 - напря­
жение ИАор~ а на остальные объединенные входы - напряжение И~х
(рис. 4-18, 6 и 4-20, 6);
на один вход инвертирующей микросхемы .группы 11 - напряже­
ние U~op• а на остальные объединенные входы - напряжение U~ю
(рис. 4-20, 6);
на все объединенные входы неинвертирующей микросхемы груп­
пы II - напряжение И1\0р (рис. ~-19, 6).
ИЗJ\\'ЕРЕНИЕ ДИНАМИЧЕСКИХ ПАРАI\\ЕТРОВ ВРЕМЕН ЗАДЕРЖКИ
ВКЛ/ОЧ 'Е ·НИЯ, выклю•IЕНИЯ, ЗАДЕРЖКИ РАСПРОСТРАНЕНИЯ
ПРИ ВКЛЮЧЕНИИ И ЗАД ,ЕРЖКИ РАСПРОСТРАНЕНИЯ
ПРИ ВЫКЛЮЧЕНИИ
Динамические параметры МС всех rрупи из.меряют с помощью
двухлучевог-о осциллографа (рис. 4-21).
Прямоугольные импуль·сы н·апряжения от генератора подают
на один из входов МС и измеритель динамических параметров, в ка­
честве 1<отороrо может служ!iть двухлучевой осциллограф. На остал,ь­
ные входы МС подают напряжения И~х' И~х или их комбинацию, обес­
печивающую переключение микросхемы от воздействия прямоуголь­
ного импульса. Импульсы с выхода нагруженной микросхемы пода­
ются на другой вход измерителя динамических параметров .
Пример отсчета динамических параметров МС показан на
рис. 4-22 .
Время задержки включения f1·i измеряют:
для инвертирующщс микросхем как интервал между уровнем
О, 1 Ивх, А входного сигнала и уровнем О, 9 Ивых, А выходного сигнала;
для неинвертирующих микросхем как · интервал между уровнем
0,9 Uвх, А входного сигнала и уровнем 0,9 Ивых, А выходного сигнала.
Время задержки выключения ti;; измеряют:
для инвертирующих микросхем как интервал между уровнем
0,.9 И вх, А входного сигнала и уровнем О, 1 И вых, А выходного ·сигнала;
для неинвертирующих микросхем как интервал между уровнем
О., 1 И вх, А входного сигнала и уровнем О, 1 U чых, А выходного сигнала.
Времена задержки распространения при включении t~;.Р и выклю­
чении tg;;, Р инвертирующих микросхем измеряют как интервал между
уровнем 0,5 И вх, А входного сигнала и уровнем 0,5 U вых, А выходного
сигнала;
442

· для
неинвертирующих микр0схем ка,к интервал между уровнем
0,5 Ивх, А входного сигнала и уровнем 0,5 Ивых, А выходного сигнала.
J...-~В~х~од'Ц...1-Г__._,
Вход2
Выход
:входт-1
Вход т
мс
----/\/
Рис. 4-21
Рис. 4-22
Рис. 4-21. Схема измерения динамических параметров цифровых ми­
кросхем с применением двухлучевоrо осциллографа.
Рис. 4-22. Пример отсчета параметров t1'1, Фi, t.:д~ р и tзl)p по эпюрам
входных. и выходных импульсов цифровых микр0схем.
Uвх, А• - амплитуда входного импульса; Ивых, А
-
ампли.туда выходного
имлул .ьса неннверт1rрующей микросхемы; Ивы·х, А ~ амшш,1'уда выход,rого
сигнала инвертирующей мш,росхемы ..
Среднее время задержки распространения информации определяют
по формуле
f
= (fl,О +f0,1 )/2,
зд, р, ер
зд, р
зд, р
4-3 . МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ
АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
8вщиЕ ПОЛОЖЕНИЯ
При изложении методов измерения электрических параме'tр.ов
аналоговых микросхем имеются некоторые условности, которые <1ле­
дуёт учитывать при составлении схемы измерения _ тог,о или, дR.УЕОГtО •
параметра конкретной МС и описания метода. Некоторые измери.тель­
ные ус:~:ановки, эле1прические принципиальные схемы .которых щш- ,
ведены " в _ ,атом параграфе, содержат элементы, не исполь~уемые nри ,
определении того или иного параметра. Преобразование - ехем для
измерения различных ·параметров осуществляется элементами комму-
443

та1tии, которые на схемах условно показаны в виде переклю'чателей.
При ·реализации измернтельных установок (устройств) переключа­
тели могут быть заменены другими коммутационными элементами (реле,
полупроводниковыми приборами и т. п.), однако вносимые этими . эле­
ментами погрешности не должщ,1 искажать результаты измерений.
На схемах не показаны разделительные конденсаторь1 на входах и выхо­
дах МС, так как некоторые МС содержат эти конденсаторы внутри,
а в некоторых они отсутствуют. В случае необходимости измеритель-
. ная
установка должна быть дополнена входными . и выходными конде.l!•
саторами. Все источники постоянного напряжения на измерительных
схемах названы «источник питания» независимо от их назначения (ба­
лансировка, смещение, упраеление и т. п.). Нагрузочные ооriротивле­
ния условно показаны как резисторы Rн, Вид нагрузки, ее величину
и схему подключения, если это окажется необходимым, следует уточнить.
При описании методов измерения электрических параметров микро­
схем с .двумя входами (дифференциальные усилители и операционные
усилители с дифференциальным входом) применен термин «балансировка
микросхемы». Он означает следующее: для того чтобы скомпенсировать
асимметрию усилителя, изменяют значени.е постоянного напряжения
(а при необходимости и его полярность) на одном из входов МС до тех
пор, пока постоянное напряжение на выходе (между выходами) МС
станет равным нулю или другому оговоренному в НТД значению.
Балансировку можно осуществлять вручную или автоматически с по­
мощью операционного усилителя, включенного в цепь обратной связи.
В случае применения схемы с автоматической балансировкой указа­
ния о балансировке МС опущены.
В связи с тем, что форма изложения методов измерения электр~­
ческих параметров аналоговых микросхем несколько отличается . от
общепринятой, а также с целью облегчещ1я применения этих методов
на практике ниже рекомендуется порядок разработки конкретного
метода~ Схему, выбранную для измерения параметра, в случае необ­
iХОдимости дополняют необходимыми для испытаний конкретной . МС
электрическими цепями, внешними навес11ыми элеме!jтами, фильтрами
в цепях питания, цепями обратных связей, перемычками между выво­
дами ИС и т. п. В прямоугольник, обозначающий испытуемую МС,
вписывают ее условное обозначение и нумерацию выводов. . .
Приводят конкретные значения параметров резисторов и . кон­
денсаторов измерительной схемы, конкретизируют типы измеритель­
ных приборов и элементов коммутации. В описании метода необхо.
димо указать конкретные значения основных параметров испытательных •
напряжений и сигналов, которыми определяются режим испыта­
ний и допускаемые отклонения. Полные сопротивления источников
питания практически должны быть равны нулю для всех используе•
мых при измерениях частот.
Исходными данными для· определения точностных характеристию
, измерительных приборов и источников испытательных сигналов явля­
ются: 1) допустимое отклонение измеряемого параметра; 2) формула,
с помощью которой находят значение измеряемого параметра; 3) воз­
действия, определяющиеся изменением измеряемой величИН1!/ при под­
ключении измерительного прибора. •
Если измеряемая величина прямо характеризует определяемый
параметр (например, Ивых) или если для его определения нужно изме- .
рить только одну величину (например, Ивх, tнар), то погрешность изме­
рительного прибора должна бk!ТЬ меньше 11орускаемого отклонения
для измеряемого параметра;
•••
444

н~. менее чем в 5 раз, если · погр~шность 11змерителъного пр·ибора
определяется в проuентах от номинального значения шкалы измерения
или зн.ачения предела измерения;
·не менее чем в 3 раза, если погрешность измерительного прибора
исчисляется в процентах от текущего значения измеряемой ве.~ичины;
не менее чем в 3 раза, если погрешность измерительного прибора
у 1{азывается как сумма относительной и абсолютной погрешности;
в этом . случае' принимают реальную' погрешность в точке измерения
при номинальном . значении измеряемой величины.
,
Если значение параметра вычисляется по двум или более измерен­
ным значениям, то эти требования относятся _ к корню квадратному
из суммы квадратов погрешностей измерения каждой величины, т , е.
б= Убf+б~+...f-б;,
где 6 - погрешность измерения параметра; 61 ; 62 ; бп - погрешности
измерительных приборов, с помощью которых измеряют электрические
величины,,.. входящие в формулу для определения параметра.
При измерении временных параметров с помощью осuиллографа
или другого измерительного устройства, характеризуемого шириной
полосы пропускания Лf или временем нарастания fнар = 350/Лf,·
где Лf , МГц, и fнар, нс, необходимо, чтобы длительность измеряемого
временного параметра п ревышала время нарастания измерительного
прибора не менее · чем в 3 раза, а погрешность измерения временного
интервала была не менее чем в 3 раза меньше допуска на его значе­
ние . Полное входное сопротивление измерительного прибора должно
превышать полное сопротивление между точками ei:o подключения
не менее чем в 100 раз. Если это требование технически трудно осу­
ществимо, то влияние подключения измерительного прибора должно
быть оценено и в результате измерения параметра вносят соответствую-
щую поправку.
•
Во · избежание получения неверных результатов следует учиты­
вать; что большинство электрических параметров аналоговых МС
измеряют при их работе в линейном режиме. Дл-я того чтобы убедиться
в том, что измерение проводится на линейном участке амплитудной
характеристики МС, напряжение входного сигнала следует уменьшить
в 2 раза; при этом напряжение выходного сигнала должно соответ­
ственно уменьшаться также в 2 раза.
Во всех приводимых ниже формулах буквенное обозначение Rвх
присвоено входным сопротивлениям микросхем, а буквенное обозна­
чение Rн -:- - сопротивлению нагрузочного резистора, включаемого
на выход микросхемы.
•
ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ , ИМЕЮЩИХ РАЗМЕРНОСТЬ НАПРЯЖЕНИЯ
Измерение входного и выходного напряжений. Измерение Ивх и Ивых
проводя,т в заданном режиме измерителями напряжения, подключае­
мьщи соответственно к входу и выходу микросхемы (рис. 4-23).
Измерение максимального входного напряжения МС с одним входом.
От ген_ератора сигнацов (рис. 4-23, а) подают на вход .МС напряжение
с указанными в НТД параметрами. Плавно изменяя напряжение Ивх,
устанавливают напряжение Ивых, равное указанному в . НТД значе­
нию. Выходное напряжение измеряют измерителем переменного напря­
жения, подключенного к выходу МС пере1{лючателем В 8 . После этого
измерителем переменного напрщкения, подключенным к входу МС,.
измеряют значение Ивх, макс•
445

Rz
Входы
В2
·1 lf;.,.п2
С2
6)-
,llи.rt
а)
•Bs 1
- <f:2
,.. -
3'
·'Ч
Выход 1
1
______ ,
Р'ис. 4,23 : Схемы для измеренин входных. и выходных парамеТР,!)В,.
к0эффициентов у_силения; времен нар .астания и задержки _аналог_овы:х:
микросхем. • • •
446 _

Измерение максимального 11ходного напряжения МС с двумя входам и.
Для измерения Ивх, макс используют структурную схему, представ◄
ленную на рис. 4-23, 6 . Сопротивления входящих в нее резисторов
должны удовлетворять сл едующим условиям: R1 = R 2 ~ 0, 0lR 8 x;
Rз=R4►R2-
•
Положение переключателей пр и измерении Ивх , макс микросхем
с двумя выходами показано на рис. 4-23, 6 . При использовании уст­
р ойства по этой схеме для измерения Ивх ; ма ~<с микросхемы с одним
вы ходом переключатель В3 устанавливают в положение 2. Осуществив
б алансировку МС, подают на нее входное напряжение с параметрами,
указанными в НТД, и, установив переключатель В5 в положение 2,
п овышают напряжение входного сигнала до тех пор , пока Ивых достиг­
н ет заданного значения . Измерителем переменного напряжения, под­
ключенным между входом микросхемы и общим выводом, измеряют
максимальное входное напряжение. Значение Ивх,макс можно также
о пределить по формуле
где К= R1!(R1+ Rз) = R2 !(R2 + R4), Иг - значение напряже­
ния на выходе генератора сигналов.
Измерение минимального входного напряжения МС с одним вхвдом .
Измерение Ивх , мин производят методом, аналогичным используемому
для измерения Ивх , макс микросхемы с одним входом, ,и.о входное
напряжение не увеличивают, а уменьшают до тех пор, пока напряже­
ние Ивых не достигнет указанного в -НТД значения.
Измерение мин,имальноrо входного -напряжения МС с.-двум~ ·входами . ·
Измерение Ивх, мин производят подобно тому, как и измерение Ивх, макс
микросхемы с двумя входами, но входное напряжение не повышают ,
а уменьшают до тех пор, пока напряжение на выходе МС -не достигнет
:у казанного в НТД значения.
Определение диапазона входных напр я жений. Измерив соответст­
вующими методами значения максимального ·ивх,макс и ·минимальною
входного напряжения Ивх, мин, определяют диапазон входных напр я•
жени·й по формуле
ЛИвх = Ивх, макс - Ивх, мин•
_
И змерение входного и выходного напряжений покоя. Для измере­
:ния Ио,вх ' и Ио,вых используют структурную схему, изображенную
на рис. 4-23, в.
•
•
Для уменьшения влияния воз-~-.южных наводок емкость конденса ­
тора С1 выбирают из условия: Хс1 ~ О, 1Rвх·
При указанном на схеме положении переключателя В1 и з мерите­
лем постоянного напряжения определяют значение напряжения на
выходе МС, которое и будет выходным напряжением покоя И0 вых•
Для измерения входного напряжения покоя переключатель Bt
переводят в положение 2 и измерителем постоянного напряжения опре­
деляют значение напряжения на входе МС, которое и будет являться
входным напряжением покоя.
Измерение диапазона выходного постоянного напряжения. · ·для
измерения Ивых. пост используют -схему, ·изображенную на рис. 4-24; а .
Положение переключателей для измерения Ивых, пост показано на
схеме. 'ItJ pи ·использовании • схемы .для измерения Ивых, пост - микр-ос1tемьJ
с одним выходом переключатели В4 и В5 устанавливают в положе•
~~~
•
1
447

1
Uи.п2 Uи.nJ
Uи.nlf.
1 Bq.
.--- - - ----
а)
Uи.nlf. ' .
,' d)
Рис . 4-24. Схемы д.rtя измерения напряжения смещения и напряжения
баланс_а .ана}Iоrовых. .микросхем.
.
·
а - с ручной балансировкой; б
-
с автоматической балансировкой.
448

На . вход МС подают напряжения двух значений, указанных в НТД,
обеспечивающие получение двух граничных значений диапазона выход•
ного напряжения микросхем. Измерителем постоянного напряжения,
подключенным к выходу МС, измеряют указанные значения выходных
Irапряжений. Диапазон выходного постоянного напряжения опреде­
ляют как алгебраическую разность измеренных выходных 1-iапряже­
ний.
Измерение входного напряжения ограничения. Для измерения
И огр, вх можно использовать одну из схем, применяемых для измере­
ния коэффиЩ1ента усиления напряжения Ку, и, соответствующих
измеряемой микросхеме. .
С выхода генератора сигналов на вход МС подают синусоидаль­
н·ое напряжение И~вх (соответствующее заданному значению или ого­
воренное в НТД) и измеряют напряжение И~вых на выходе МС. Затем
измеряют напряжение И2 вых на . выходе при значении входного напря­
жения, равном И2 вх = 1, 1 И1 вх, и определяют дифференциальный коэф­
фициент усиления по формуле
После этого значение Ивх · изменяют до тех пор, пока определяе­
мое таким образом значение Куд не станет равным О, 1 К~уд• Соответ~
ствующее этому случаю значение входного напряжения и будет являться
в ходным напряжением ограничения Иогр, вх -
Измерение максимального выходного напряжения МС с . одним
входом. Для изменения И вых, макс используют установку по схеме,
изображенной на рис. 4-23, а. От генератора сигналов подают на МС
входное напряжение с заданными параметрами. После этого, плавно
увеличивая напря·жение входного сигнала, устанавливают такое его
з начение, пр1и котором параметры МС примут значения, указанные
в НТД. Значение Ивых,макс определяют по измерителю · напряжения,
п·одключенному к выходу.
• Измер~ние максимального выходного напряжения МС с двумя вхо­
дами. Метод измерения И вых, макс аналогичен методике измерения
Ивх. макс микросхемы с • двумя входами, но в этом ·случае режим МС
определяется не оговоренным значени.ем выходного напряжения,
а значениями параметров, указанными в НТД, и измеряется не вход•
ное напряжение, а выходное.
Измерение минимального выходного напряжения МС. Метод изме­
рения Ивых,мин аналогичен методу измерения Ивх, мин МС с одним
и двумя входами: входное напряжение также уменьшают до тех пор,
пока выходное напряжение не достигнет заданного значения или зна­
чения, указанного в НТД. После =1того измеряют напряжение на выходе
микросхемы.
Измерение напряжения смещения микросхемы. Для измерения
U см используют схему, показанную на рис. 4-24, а. Здесь сопротив­
ления резисторов должны быть связаны следующими соотношениями:
R1= R2<0,0lRвx;Rз= R4►R2,
Положение переключателей при измерении Исм микросхемы
с двумя выходами показано на рис. 4-24, а, в случае микросхемы с одним
в·ыходом переключатели В4 и В5 устанавливают в положение 2. После
балансировки МС измеряют напряжение смещения измерителем по­
стоянного напряжения, . подключенным между . входами микросхемы.
15 п/р Тарабрина Б. В ,
449

Значение Uсм можно · также определить по формуле
Ucм=KU~,nl,
rде Uи. ~.
-
значение напряжения ис·ючн и ка питания в момент дости­
жения баланса МС, и
К """R1!(R1 +Rз)•
Измерение напряжен и я смещения и выходного напряжен и я ба•
а~анса микросхемы с двумя входами с автоматической балансиро вк о й
~~,:~ытываемой МС, Для измерения Исм используют схему, изображен­
ную на рис. 4-24, 15. Здесь сопротивления резисторов должны удовле-
творять следующим условиям: R 1 ~ R2
,:;;; 0,0IRвx;
R3 = R~>R2;
R1= Rio; Rв= Rя-
, Резисторы R8
,
R9 предназначены ;для того, чтобы напряжения
на входах вспомогательного усилителя не лревышали допустимых
значений. Режим работы и параметры усилителя определяютс-я ренш~
мом работы и параметрами испытываемой МС. Положение переключа,
тел.ей для измерения И см микросхемы · с , двумя выходами показан<'>
на '·рис. 4-24, б, а в сл_учае МС с одним выходом переключатель В4
переводят в положение 2.
При выполнении всех перечисленных выше требований и условий
лзмеряют напряжения и; на выходе в.спомогательного усилителя "и0зме­
рителем П<Jстоянного напряжения и определяют значение напряжения
смещения по формуле
здесь К= Ril (R1 + Rз)-
Выходное напряжение баланса определяют также при указанном
на рис. 4-24, 6 положеШJи переключателей измер;ителем постоянного
щшрJ!ж.ения, включенным между одним из вы.ходов МС и ее обrμ.им
вь1водом : ,
Измерение чувствительности МС. От генератора сигналов подают,
на вход микросхемы (рис. 4-23, а) напряжение с -параметрами, ука­
занными я НТД. После этого входное напряжение, поступающее от гене­
р<1тора сигналов, плавно уменьшают до значения, п.ри котором щ1,ра­
метры · измеряемой микросхемы будут соответствовать заданным зна­
чениям. По достижении этого измерителем напряжения определяют
значение Иnх, которое и будет определять численное значение чувстви­
тельности микросхемы.
Измерен и е синф а зного входного напряжения . Для измерения
И сф. вх . используют структурную схему, приведенную на рис. 4-25 .
Сопротивленля резисторов должны удовлетворять соотношениям R1 =
=
R2 .:;;; О,01Rвх; Rз = R4 > R2-
Ha микросхему подают Исф,вх с параметрами, указанными в НТД,,
и измеряют его напряж·ение измерителем напряжения.
_
.
.
Измерение макс11мальноrо синфазного входного напряжения. · Дл5!
определения Исф, вх, макс измеряют коэффициент ослабления синфаз­
ных входных напряжений Кос, .сф по методике, изложенной шiже .
. Затем
плавно увеличивают напряжение входного синфазного , сигнала
до значения, при котором Кос , сф уменьшается на 6 дБ, при этом реп1-
стрируют постоянное напряжение входного синфазного сигнала ил.и
амплитуду синусоидального входного синфазного сиги.ала · (при · изме-
ре"нии_ на переменном токе), которые и рав-ны ИсФ,вх,макс•
••. "•
•
Измерение выходного напряжения баланса МС с двумя входами.
О·руктурная ~хема измерения и соотношение сЬпротивлений. резист6-
450

ров такие же, как и при измерении Uвх, макс.- Ilереключатели устанав­
ливаются. в положения, указанные на рис. 4-24, '1 , и производят балан­
· сировку схемы. Затем, установив пере1шючателъ 8 4 в положение 2,
измерителем постояннqго напряжения измеряют . ~начение Ивых, бал·
Измерение приведенного ко входу напряжения 'Шумов МС с одним
входом. В соответствии с определением напряжение шумов, приведен­
ное ко входу 1 может быть . рассчитано по формуле
.
Uш,вх=Uш/Ку,U,
где Uш - напряжение шумов н3:_ выходе микросхемы; Ку.и
-
ее коэф­
фициент усиления. .
Uи.nt
~
Uи.п2~
+-
Рис. 4-25. Схемы для измерения сиr'1фазного входного напр .яжения
аналоговых микросхем.
Измерение U ш производят в устройстве по схеме рис. 4-26 при
замкнутом накоротко через емкость С1 входе микросхемы. Значение
емкости определяется из соотношения Хе< 0,lRвx· Значение Иш
юмеряется непосредственно на выходе микросхемы при помощи изме­
рителя переменного напряжен~rя, подключенного параллельно нагру•
зочному резистору Rн-
Коэффициент усиления МС может быть определен любым из мето­
дов, приведенных ниже с учетом вида испытуемой микросхемы.
Измерение приведенного ко входу напряжения шумов МС с двумя
входами. Для измерения Иш, вх используют структурную схему, изо­
браженную на рис. 4-2 3, 6. Параметры резисторов и конденсаторов
в этой схеме должны отвечать следующим условиям: R1 = R2 < 0,01" Rвх;
R3= R4 :}> R2; С1 = С2; Хс1 < 0,0IR0 ,. Положение
переключате~ей~
указанное на рис. 4-23, 6, соответствует случаю измерения U ш. вх
микросхемы с двумя выходами, при измерении микросхемы с одним выхо­
дом переключатель 8 3 устанавливают в положение 2.
При помощи переключателей В 1 и 8 2 входы микросхемы. замыкают
на общий вывод через конденсаторы С1 и С2 и производят балансировку
микросхемы. После этого переключатель 8 5 устанавливают в положе­
ние f и измерителем переменного напр~жения измеряют действую­
щее значение напряжения шумов U ш непосредственно на выходе
15*
451

микросхемы. После этого определяют коэффициент усиления напря.
жения Ку, и методом, выбранным для испытаний данной микросхемы,
и изложенным ниже. Приведенное ко входу напряжение шумов опн!­
деляют по формуле
иш,вх=Иu/Ку,И·
Измерение остаточного напряжения пороговой схемы. Структурная
схема измерения И ост изображена на рис . 4-27 .
На вход МИI{росхемы подают управляющее напряжение, значение
которого соответствует открытому состоянию микросхемы .. Остаточ­
ное напряжение изм~ряют измерителем н;апряжения, подключенным
к выходу микросхемы.
Измерение напряжения срабатывания. Для измерения Исрб исполь­
зуют структурную схему, изображенную на рис. 4-27 . На вход закры-
Rн
Рис. 4-26.
Рис. 4-27.
Рис. 4-26. Схема для измерения приведенного ко входу напряжения
шумов.
Рис. 4-27 . Схема для измерения напряже н ий и токов срабатывания и
отпускания, токов утечки и токов покоя аналоговых микросхем.
той микросхемы подают управляющее напряжение, значение которого
ниже порога срабатывания. После этого плавно увеличивают это
напряжение до момента срабатывания микросхемы. Значение управля­
iощеrо напряжения, измеренное в момент скачкообразного изменения
ее выходного напряжения, и является на п ряжением срабатывания И срб·
Измерение напряжения отпускания. Измерение И отп производят
по структурной схеме, изображенной на рис. 4-27. Управляющее напрS1-
жение И упр умень ш ают до значения, при котором происходит сраба­
тывание микросхемы; значение управляющего напряжения в момент
срабатывания и будет являться напряжением отпускания И отп·
Измерение остаточного напряжения электронного ключа. Для
измерения И ост о на переменном или на постоS1нном токе используют
схему, приведенную на рис. 4-28, а.
'-
На микросхему подают управляющее напряже н ие, значение J{oтo­
poro соответствует ее открытому •состоянию. На вход микросхемы
подают постоянное или переменное напряжение заданного значения И вх·
Переключатель В1 переводят в положение 2 и измеряют напряжение
на выходе микросхемы И~ых·
_
Остаточное напряжение электрон н ого ключа в открытом состоянии
Иоио'= l.!nx -И~ых·
452

С помощью устройства по схеме на , рис . 4-28, б можно измерить
остаточное напряжение электронного ключа _ непос редс твенно , При
заданном режиме работы открытой микросхемы и установке п е реклю­
чателя В1 в положение 1 измерителем напряжения измеряют значе ние
Иосто на работающей микросхеме .
Рис. 4-28 . Схема для измерения тока коммутации и остаточного на­
пряжения электронного ключа .
Измерение максимальной амплитуды импульсов входного и выход­
ного напряжения. Для_ измерения Ивх, А, макс; Uвых, А, макс исполь­
зуют схему, изображенную на рис. 4-29. Элементы R1 и С1 выбирают
из следующих условий: R1 ""' Rвх; Хс1 .,;; 0,0IR1,
Рис. 4-29. Схема для измерения импульсных параметров аналоговыХ:
микросхем.
Амплитуду входных импульсов, подаваемых от генератора сигна­
лов, увеличивают до значения, при котором искажения формы импуль­
сов выходного напряжения станут равными значениям, указанным
в НТД. После этого соответствующим измерителем напряжения изме­
ряется максимальная ампл_итуда импущ,сов входного (выходного)
напряжения.
Измерение диапазона изменения выходного напряжения ограниче­
ния. Измерение ЛИ orp производят по той же схеме, по которой измеряют,
153

-коэффициент усиления напряжения К и данной микросхемьr ·r (см.
ниже). На вход измер·яемой МС подаIQТУ.два зн·ачения входного· напр я'.
жения И~х = U orp и И ;х = 1,БU orp и измеряют соответствующие
этим значениям выходные напряжения u;ых и и;ых· Диапазон изме­
нения выходного напряжения ограничения определяется по формуле
ЛИоrр=И=ых-И;ых, •
ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ, ИМЕЮЩИХ РАЗМЕРНОСТЬ ТОКА
• · Измерение входных токов с ручной · балансировкой. Для измере•
r1ия / в,н, / вх 2 используется структурная схема, изображенная . на рис.
4-24, а. Сопротивления резисторов, входящих в эту схему, должны •
удовлетворять следующим требованиям: R1 = R 2 ,:;;; 0,0lRвx; Rз =
= R4'>R2;Rб=Rв=(1+2)Rвх·
Метод может быть использован для измерения параметров микро­
схем с одним и двумя выходами. При определении / вхl и / вхz микросхем
с двумя выходами положение переключателей указано на упомянутой
схеме, а для микросхем с одним выходом переключатели В4 и В5 перево­
дят в положение 2.
Устанавливают выключатели В 1 и 8 2 в положения, указанные на .
рис. 4-24, а. Производят ' балансировку МС и измеряют напряжение
И~. nl измерителем постоянвого напряжения. Затем . размыкают выключа­
тель Bi, снова балансируют микросхему и изменяют напряжение и;._ п~·
После этого выключатель 8 1 замыкают, выключатель 8 2 размыкают,
снова балансируют микросхему и измеряют напряжение и~:(п~·
• Вх_одные токи определяют по формулам:
lвxl = К (И~: Пl - и~. n1)!Ru; f вх2 = К (u;.:'п1 - И1;, п1)/R6, ,
где К.= R1!(R1 + Rэ) = R2!(R2 + R4).
При расчете значений входных токов должны браться алгебраичес­
кие эначения напряжений питания Ии.пl• Если позволяют параметры
микросхемы, может производиться непосредственное измерение вход­
ных · токов.
· Измерение
входных токов с автоматической балансировкой испы•
тываемой микросхемы. Для измерения входных токов микросхем
с одним и двумя выходами используют установку по схеме, изображен­
ной на рис. 4--24, 6. Сопротивления, входящие в нее, должны удовлетво­
рять следующим требованиям: R1 = R 2 ,:;;; 0,01 Rвх; Rз = R 4 '> R 2;
R5=Rв=(1+2)Rвх;R?=R10;Rs= .R9.
Резисторы, R8 и R 9 могут отсутствовать., если напряжение на входаJ!\
вспомогательного усилителя не превышает допустимых значений. Пара­
метры вспомогательного усилителя должны быть определены исходя из
параметров испытуем.ой микросхемы.
.
•
При измерении lnxl и lвxz микросхем с.двумя выходами положение
переключателя 8 4 указано на рис. 4-24, 6, а для микросхем с одним вы­
хЪдом переключатель 8 4 пеRеводится в положение 2.
Порядок измерения следующий. При замкнутых накоротко резне~
торах- · R, и R 6 измеряется и; измерителем, постоянного напряжения,
подключенным к выходу операционного усилителя. Затем размыкаетс-я ­
вь1ктЬчатель 8 1 и снова измеряются Иi'. После этого вьr-ключатель В1
за·мыкают, а · 11ыключатель В2 размыкают и -измеряют lii'' -•
45-41

''- Вrодные токи вычисляют по формулам, .приведенн&тм .в методике
их измерения при ручной балансировке микросхемы.
.
.
.
Измерение входных токов методом непосредственного •отсчета.
Для измерения входных токов/вх~ и/вх 2 этим методом используют стру-
ктурную схему (рис. 4-24, а).
•
Сопротивления резисторов R1 ;_ R6 в этой схеме должны
~rдовлетворять следующим требованиям: R1 = R 2 ,:;;; 0,0lRвx; Rз =
= R4►R2;Rs= Ra= (1-+-2)Rвх·
Данная методика распространяется на микросхемы с одним и двумя
выходами: положение перекшочателей для микросхем с двумя вщсодами
приведено на рис. 4-24, а, а для микросхем с одним выходом переключа,
тели 8 4 и 8 5 переводят в положение 2. Порядок измерений: перек.щоча­
тель 8 3 устанав.~·ивают в положение 1, положение переключателей 8i
и - 8 2 должно соответствовать показанному на схеме. При И11 . п4 = О про•··
изводится с заданной точностью балансировка микросхемы изменением
напряжения Ии. п 1
.
Затем размыкаются выключатели 8 1 (82
),
произво­
дится балансировка микросхемы изменением напряжения И~.п 4 с точ­
ностью, указадной в НТД, и по шкале измерителя постоянного напря­
жения, подключенного к источнику питания с напряжением И 11 • п4, отrра- ­
дуированноrо в еди_ницах тока, измеряют входной ток / вхl (/вх 2).
Калибровка измерителя постоянного напряжения производится
в. соответствии с условием
Iвх, кал= КИ;,
где lвх . кал - значение / вх, при котором производится калибровка,;
К= R1
=
R2
-
•
(R1 +Rз) Rs (R2+R~) Ra'
и; - показание измерителя постоянного напряжения.
Измерение разности входных токов с ручной балансировкой. Изме­
рение разности входных токов Л/ вх производят в схем~, IJ-риведенной
на рис. 4-24, а; входящие в нее резисторы должны удовлетворять
следующим требованиям: R1 = R 2 ,:;;; 0,01R8 x; · Rз = R4 ► R2; Rs =
=R6=(1-+-2)Rвх·
Положения переключателей при определении · Л/ вх МС с двумя вы­
!ХОдами показаны на схеме; для микросхем с одним выходом перекл~q_ча­
тели 8 4 и 8 5 переводят в положение 2. Балансируют микросхему с задан­
ной точностью, после чего измеряют и фиксируют значение питающего
напряжения И~. п 1, при помощи которого проводилась балансировка.
Затем выключатели 8 1 и 8 2 размыкают, снова балансируют микросхему
и измеряют и фиксируют значение питающего напряжения И~~п 1. Раз­
ность входных токов определяют по формуле
Лlвх=К (И;_ п l ~и;(,Пl)/Rs,
rде
К= (Ri~Rз) R2/(R2+R4).
При ~расчете должны браться алгебраические значения напр.юкений
и;_ п I и И~. п 1 в момент достижения баланса.
Измерение разности входных токов с автоматической баланси,
ровкой испытываемой микросхемы. Для измерения Л/ вх исполь­
зуют с.хему, приведен-ну'ю на рис. 4-24, 6; сопротивления входящих в
нее резисторов •связаны между собой следующими соотношениями:
455 .

R1= R2<0,01Rвх;Rз= R4;,>Rz; Rб=Rв =(1--;.2)Rвх;k1= R10;
R8=R9.
Положение переключателя 8 4 для измерения Л/ вх микросхем с дву­
мя выходами указано на схеме, а для микросхем с одним выходом пере-
ключатель 8 4 переводят в положение 2.
•
При замкнутых выключателях 8 1 и 8 2 отмечают показания измери_.
теля постоянного напряжения на выходе операционного усилителя"
Затем эти выключатели размыкают и снова отмечают показание изме­
рителя постоянного напряжения . Разность входных токов определяют
по формуле
rде и; -:- показан и е измерителя при разомкнутых выключателях 8 1 и 8 2 ;
И~ - при замкнутых;
•
К=R1·=
R2
(R1 +Rз) (R2+R4).
При расчете должны использоваться алгебраические значения на­
пряжений.
Измерение разности входных токов непосредственным отсчетом.
Для измерения Л/ вх используется схема, изображенная на рис; 4-24, а;
входящие в нее элементы должны удовлетворять требованиям, указан­
ным в описании метода измерения / вх с ручной балансировкой.
Положение переключателей при измерении Л/вх микросхем с двумя
выходами показано на упомянуто(1 схеме; для микросхем с одним выхо­
дом переключатели 8 4 и 8 5 переводят в положение 2.
Вначале переключатель 8 3 устанавливают в положение 2. Балан­
сируют микросхему при помощи источника питания с заданной точ­
ностью. Затем выключатели 8 1 и 8 2 размыкают и снова балансируют
микросхему при помощи источника питания Ии. п4-
При помощи измерителя постоянного нацряжения, отградуирован­
ного в единицах тока и подключенного к источнику питания с напряже­
нием Ии.м, ·измеряется разность· входных токов - Л/ 8 х,
Калибровка измерителя постоянн6го напряжения производится
в соответствии с условием
lвх , кал =;:= КИ;,
где 1вх , 1<ал - значение тока, при котором производится калибровка;
И~ - показание измерителя постоянного напряжения;
к, _с_
R1
Р.2
(R1 + Rз)Rr.
(R2 + R4)Rв
Измерение выходного тока. Измерив изложенным выше методом
напряжение Ивых, определяют выходной ток по формуле
fвых=ИвыхfRн,
Измерение максималыюrо выходного тока МС с одним выходом.
Для измерения / вых, макс используют приведенную на рис. 4-23, а схему
при установке переключателей в положения, показанные на этом ри­
с_унке .
•
Изменяя · напряжение . входного синусоидального сигнала, при но- ­
минальном значении· сопротивления нагрузки, указанном в НТ Д, уста­
навливают на выходе напряжение Ивых, ма~,с, измеренное по описанному
выше методу .'
•
-
456 .

После этого сопротивление нагрузки заменяют резистором с сопро­
тивлением R~,.у-казываемым в НТД, измеряют значение u;ых и опреде­
ляют максимальный выходной ток по формуле
/ вых,макс = u;ыx!R~.
Измерение максимального выходного тока МС с двумя входами.
Для измерения/ вых, макс используют схему, изображенную на рис . 4-23, б;
входящие в нее элементы должны удовлетворять требованиям, указан­
ным в методе измерения Ивх, макс·
При определении / вых, макс микросхемы с дв.умя выходами положе­
ние переключателей показано на рисунке, а для микросхем с одним вы­
ходом переключатель В 3 переводят в положение -2 .
Микросхему балансируют с заданной точностью, после чего пере­
ключ атель 8 5 переводят в положение 2. Путем плавного изменения зна­
чения синусоидального сигнала, поступающего от генератора, при но­
мин альном значении сопротивления нагрузки, указанном в НТД, на
вых оде МС устанавливают максимальное выходное щшряжение Иных. макс,
измеренное по методу, приведеf!ному выше.
_
Сопротивление нагрузки заменяют резистором сопротивлением
R~, указанным в НТД, измеряют выходное напряжение И в~~х и опреде­
ляют максима'1!ьный· выходной ток по формуле
f вых, макс= И~ых/R; •
Измерение минимального выходного тока. Измерив ми.нимальное
вых одное напряжение Ивых, мин одним из приведенных выше i.1етодов,
з начение минимального выходного тока определяют по формуле
/ вых, мин = Ивых,мин/Rн,
Измерение токов утечки на входе и выходе. Для измерения значе­
ний / ут, вх и / ~т. вых используют схему, приведенную на рис,4-29. Вхо­
дящие в нее элементы должны удовлетворять . условиям: R1 = R 0 x;
Хс1 ~ 0,0IR1 .
•
На вход микросхемы подают напряжение с параметрами, указан­
ными в ,НТД. Размыкают выключатель В2 и закрь1вают входную (вы­
ходную) цепь микросхемы. Затем измеряют падение напряжения ЛИ на
резисторе R1 (выходное напряжение микросхемы И~ыJ• То1ш утечки
на входе и выходе определяют по формулам:
fут,вх=ЛИ/R1; fут,вых=Ивых/Rн,
Измерение входного и выходного токов покоя. Измерение
fвх,о и Iвых,о производится по схеме, изображенной на рис. 4-29. Пара­
мет ры, входящие в схему резистора и конденсатора, должны удовлет­
во рять требованиям, указанным в предыдущем методе.
Размыкают выключатель В2 и при И вх = О измеряют падение напря­
жения ЛИ на резисторе R1 (выходное напряжение микросхемы U8 ~x>·
Токи покоя определяют по формулам:
lвх,о=ЛИ/R1;
fвых,о=И;ых/Rн-
Измерение тока потребления / пот производят с использованием
с хем, приведенных на рис. 4-30.
457

в- точке -А схемы, показанной на рис. 4-30, а, устанамивают:·-;адан­
Fый режим питания микросхемы и при помощи измерителя тока опре-
делЯl()Т значение потребляемого тока. ,
·
Измерение тока потребления с помощью добавочного резистора
nроизводят в устройстве по схеме на рис. 4-30, 6, обеспечивая указанный
в НТ Д режим питания микросхемы.
'
Этот метод удобен при автоматизации измерения / пот·
Uи.п
а)
б)
Рис. 4-30 . Схемы для измерения токов потребления микросхем.
Измерителем постоянного напряжения измеряют падение напряже-
11ия U' на резисторе R и определяют ток потребления по формуле
•
lnoт=U'/R.
Ток потребления МС с одним источником питания, позволяющим
включать резистор между общим выводом микросхемы и «землей~,
и_змеряют, используя схему измерения, приведенную на рис. 4-30, в.
В этом случае напряжение источника питания должно быть увеличено
на значение падения напряжения на резисторе R. Измерителем постоян-
1юrо напряжения измеряют падение напряжения И' на резисторе R
и определяют ток потребления по последней приведенной формуле.
Измерение тока короткого замыкания производят при замкнутом
накоротко выходе микросхемы, любым из вышеизложенных методов
11змеряется ток потребления.
Измерение тока холостого хода. Отключают от микросхемы нагрузку
и измеряют ток потребления любым из вышеизложенных методов, кото­
рый и равен /х х·
Измерение максимального тока закрытой схемы. Для измерения
/ J, макс используют схему, изображенную на рис. 4-28, а.
•
Значение управляющего напряжения U упр, соответствующее за­
крытому состоянию микросхемы, амплитуду входного переменного
напряжения И~х. А или входное постоянное напряжение U вх устанавли­
вают равными заданным значениям (или значениям, указанным в НТД).
У становив переключатель В1 в положение 2, соединенным с ним_ изме­
р ,ителем напряжения измеряют амплитуду выходного переменного напря­
жения или выходное постоянное напряжение Uвых·
Максимальный ток ~,акрытой схемы 13, макс определяют по формуле
/ 3, ма1<с = Ивых/Rн-
Измерение максимального тока закрытой схемы методом непосред­
ственного измерения. Измерение / 3, макс производится в соответствии
со структурной схемой, приведенной на рис. 4-28, 6, при переключате­
ле 01 , установленном в положение 2. Управляющее напряжение Иупр,
соответствующее закрыто!>jу состоянию микросхемы, и входное постоян­
ное напряжение Uвх устанавливают равными з·аданными значениям
или значениям, указанным в НТД. Измерителем тока измеряют макси­
мальный ток • закрытой схемы. •
4:58

. Измерение
максимального коммутируемого тока. Для ·измерения
1ко.;, макс используют схему, приведенную на рис. 4-28, а, при положении
переключателя В1 , - прказанном на этом -рисунке.
Управляющее · напряжение и;пр• соответствующее открытому сос­
тоянию микросхемы, устанавливают равным значению, указ:щному
в НТД. Изменяют входное напряжение Ивх до значения, при котором
остаточное напряжение электронного ключа Иост 0 , измеренное одним
из ранее приведенных методов, примет указанное в НТД значен и е
Иост 0 , макс• Максимальный коммутируемый ток _ определ ·яют по формуле
fком,!"~кс = Ивых/Rн,
-где Иnых - значение выходного напряжения при Иост о = Иост 0 , макс•
Измерен-не тока срабатывания. Измерение / срб производят в уст­
ройстве по схеме, изоqраженной на рис. 4-27. Управляющее напряжение
Иупр увеличивают от значения И~ < Исрб, указанного в НТД, до зна­
чения U~пр• при котором выходное напряжение скачкообразно изме­
няется. При этом измеряют значение тока,- потребляемого от источи ИI<а
питания, -одним из описанных ранее методов . .Значение этого тока в мо­
мент срабатывания микросхемы и равно / срб•
Измерение среднего входного тока с ручной балансировкой. Для
измерения lвх,ср используют схему, приведенную на рис. 4-24, а. Со­
противления резисторов R1 - R 6 должны удовлетвор51ть требован и ям,
указанным в методе измерения входных токов.
Положение переключателей для измерения / вх, ер МС с двумя выхо­
дами показано на схеме. Для МС с одним выходом переключатели В4
и В5 переводят в положение 2.
При разомкнутом выключателе В1 производят балансировку микро­
схемы с заданной точностью и отмечают значение напряжения Ии. 111 •
Затем выключатель В 1 замыкают, а выключатель В2 размыкается, снова
производят балансировку микросхемы изменением напряжения И~. 111
и отмечают значение напряжения И" и. 111 •
•
•
Средний входной ток определяют по формуле
/ вх.ср = 0,51( (И~. п! - И~. n 1)/R5,
где К= R1/(R1 + Rз) = R2l(R2 + R4).
Для напряжений И~. пl и и:. п! должны браться их алrебр11и•
ческие значения.
Измерение среднего входного тока с автоматической балансиров к ой
испытуемой МС. Для измерения / вх . ер используют схему, приведенн у ю
на .рис. 4-24, 6. Основные элементы, входящие в структурную схем у,
должны удовлетворять требованиям, указанным при измерении fвxi
и / вх 2 таким же методом.
Положение переключателя В4 для измерения / вх. ер микросхем
а двумя выходами показано на рис . 4-24, 6. Для микросхем с · одним вы-
х одом переключатель В4 переводится в положение 2.
.
.. Измерение
производится следующим образом. Размыкается вы­
ключатель В1 и регистрируется показание измерятеля постоянного
напряжения, включенного на выходе операционного усилителя (И;).
3ате~ выключатель В1 замыкают, а выключатель В2 размьщают,: ре­
rттёtрируют рiжазание .измерителя постоянного напряжения (и;·) и
средний входной ток определяют по последней приведенной фор~
муле.
•
•
'
•

ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ, ИМЕЮЩИХ РАЗМЕРНОСТЬ МОЩНifсТИ ,
Измерение потребляемой мощности. Измерив токи, потребляемые
микросхемой , любым из изложенных выше методов определяют потреб­
ляемую мощность по формуле
Рпот= l пот1Ии.п1 + lпот2Ии. п2+- •• +!потпИи. пп ; .
где 1 110т 1 , I пот 2 , ••• , /потп - токи через выводы питания микросхемы;
Ии.п~ , l/и.п2, • • • ,И11 . пп - напряжения питания микросхемы.
Измерение максимальной потребляемой мощности производят
вышеизложенным методом при работе МС в предельном режиме · по
потреблению .
•
Измерение рассеиваемой мощности. Определив потребляемую мощ­
ность Рпот и выходную мощность Рвых изложенным ниже методом, рас­
сеиваемую мощность определяют по формуле
Ррас= Рпот --Рвых·
Измерение выходной мощности. Измерив напряжение Ивых изло­
женным ранее методом, определяют выходную мощностn по формуле
Рвых=И:ых/R~,
гдеR~ -
соqротивление нагрузки, указанное в НТД.
Измерение максимальной выходной мощности. Измерив макси­
мальное выходное напряжение Иuых,макс изложенным ранее методом,
определяют максимальную выходную мощность по формуле
Рвых, макс= И~ых, макс/R~-
ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ, ИМЕЮ.JЦИХ РАЗМЕРНОСТЬ ЧАСТОТЫ -
Измерение полосы . пропускания Лf, верхней граничной частоты f в
и ю1ж11ей граничной частоты f н• Измерение Лf производят в устройстве
no схеме, выбранной для измерения коэффициента усиления Ку, и в со­
ответствии с типом мцкросхемы. На ее вход подают синусоидальный
сигнал, напряжение и частота которого указаны в НТД, и измеряют
переменное напряжение на выходе микросхемы u;ых·
•
Плавно увеличивая частоту входного сигнала, поддерживают · его
напряжение постоянным до тех пор, пока напряжение на выходе МС
уменьшится до значения u;ых = 0,707 И~ых• при этом регистрируют
верхнюю граничную частоту входного сигнала f8 . Затем плавно умень­
шают частоту входного сигнала, поддерживая значение его напряжения
постоянным до тех пор, пока напряжение на выходе микросхемы умень­
шится до. значения u;~;x = 0,707 и;ых· При этом регистрируют нижнюю
граничную частоту f н входного сигнала.
Полосу пропускания МС определяют по формуле
Лfс=fв-fн-
Измерение центральной частоты. Измерiш значения fв и f нпо преды­
дущему методу, определяют центральную частоту поло сы пропускания
по формуле
1
fu=Uв+fн)/2.
Измерение частоты единичного усиления микросхемы с одним
выходом произв~дят в устройстве по схеме, приведенной на рис. 4-31, а.
460

Входящие в нее элементы должны удовлетворять следующим тре•
бованиям: Хс1,:;;; R1; Rвых<R2<R0x; R1=R2; Rг<R2,гдеRг -
,
выходное сопротивление генератора.
Измерение f1 микросхемы с двумя выходами производят в устройстве
по схеме, приведенной на рис. 4-31, 6. Входящие в нее элементы должны
удовлетворять следующим требованиям: R1 = R2 ; R8 = R4 ; R 5 = R6 ;
R1 <{: R 8 <{: Rвх; Хс1 <{: R2; Хс2 <{: Rв- Параметры вспомогательного
усилителя зависят от параметров испытуемой МС.
.
Измерение производят следующим образом: плавно увеличивают
частоту входного сигнала при постоянном значении его напряжения до
тех пор, пока значение выходного напряжения станет равным значению
6)
Рис. 4-31. Схемы для измерения часt·оты единичного •усиления аналого­
вых микросхем.
входного напряжения; при этом регистрируют частоту входного сигнала,
которая и будет равна частоте единичного усиления f1 .
Измерение частот резонанса и квазирезонанса. Измерение fO произ­
водят согласно схеме, выбранной для . измерения коэффициента уси­
ления Ку, и микросхемы данного типа. На ее вход подают синусоидаль­
ный сигнал, частоту которого плавно изменяют, поддерживая постоян­
ным значение его напряжения. Частота, при которой выходное напря•
жение принимает максимальное (минимальное) значение, является час•
тотой резонанса (квазирезонанса).
•
Измерение нижней и верхней частот полосы задержания. Измерение
fэд, ни fэд, в производится в устройстве по схеме, приведенной на рис. 4-29;
в ходящие в н' ее элементы должны удовлетворять требованиям, указан­
ным в методе измерения максимальной амплитуды импульсов входного
(выходного) напряжения.
На вход микросхемы подают напряжение с параметрами, указан-
11ыми в НТД, и измеряют коэффициент передачи. Затем плавно умень­
шают (увеличивают) частоту входного сигнала до тех пор, пока коэффи- .
циент пер~дачи МС уменьшится .в заданное число раз; при этом реrистри-
4Щ

руется частота- · входноrо сигнала, : которая- и равна верхней •(ни>Юней} _
частоте полосы за-держания . .
Измерение полосы за-держания. Измерив fзд,н и f311 , 8 . no предыду­
щему методу определяют полосу задержания по формуле
Лfзд =fзд,н-fз;,в,
Измерение частоты среза. Для измерения · частоты среза опреде­
Jiяют АЧХ микросхемы методом, изложенным ниже, и определяют , час­
тоты, на которых Ку, и= 1. Эти частоты и. будут являться частотам1;1
среза.
_
Измерение частоты генерирования fг и частоты следования им•
пульсов. Измерение fг и f и производится по структурной схеме, приве-
денной на рис. 4-32 .
•
На микросхему подается электрический режим, указанный в НТ Д,
Рис. 4-32 . Схемы для из­
мерения частоты среза
микросхем.
и измерителем частоты опр.еделяют значе-
нияfгИfи·
_
. Измерение
максимальной частоты сле­
дования импульсов. Измерение максималь­
ной частоты следования импульсов f макс
производится согласно структурной схе-
•ме, приведенной на . рис. 4-29.
_ Основные
элементы, _ входящие в
структурную схему, должны удовлетво­
рять требованиям, указанным в методе из­
мерения И вх, А, макс (мин)•
На вход микросхемы подают от гене­
ратора импульсы, частоту следования
.
которых плавно увеличивают до тех пор,
пока искажение формы импульса на выходе микросхемы, определяемое
по осциллографу, станет равным значению, указанному в НТД. Пос­
ле этого определяют значение fмакс•
ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ, ИМЕЮЩИХ РАЗМЕРНОСТЬ ВРЕМЕНИ
Измерение времени задержки. Измерение f311 производят в схеме,
приведенной на рис. 4-29; входящие в нее элементы должны удовлетво­
рять требованиям, указанным в методе измерения Ивх, А, макс и
Ивх, А, мин •
Положение переключателей для измерения t311 показано на ри­
сунке.
На вход МС подают импульс пря моугольной формы с параметрами,
указанными в НТД, и измеряют t311 измерителем временнь1х интервалов
или определяют по изображениям входного и выходного импульсов на
экране осциллографа как интервал времени, измеренный между момеи­
тами достижения фронтами входного и выходного импульсов уровней,
указанных в НТ Д.
.
Измерение времени нарастания выходного напряжения МС' с одним
входом. Для измерения fнар используют схему, приведенную на
рис. _4 -23, а, при этом выключатели В 1 и В2 должны быть замкнуты,
а переключатель В 3 установлен в положение 3.
На вход микросхемы подают импульс l'lрямоуrольной формы с у-ка­
занными в НТ Д параметрами и измерителем временных интервалав
измеряют интер.вал времени, за который выходное напряжение МС измс.'-
462

шrеrея , , от момента первого достижения уровня О, 1 до момента nepвoro
достижения · уровня 0,9 установившегося значения. Это значение и будет
соответствовать . времени -нарастания t,шр•
Измерение времени нарастания выходного напряжения МС с двумй
входами. Для измерения tнар используют схему, приведенную на
рис. 4-23, б; входящие в нее элементы должны удовлетворять требова­
ниям, указанным в методе измерения Ивх, макс МС<; двумя входами;
Положение переключателей при измерении fнар микросхемы с двумя
выходами показано на рисунке; для микросхем с одним выходом пере­
ключатель 8 3 переводят в положение 2.
{)существив балансиров1<у МС с точностью, указанной в НТД, пе­
реводят переключатель 8 6 в положение 3 и подают на вход МС импульс
прямоугольной формы с параметрами, указанными в НТД .
. Измерителем
временных интервалов измеряют интервал времени,
за который выходное напряжение МС изменяется от момента первого
достижения уровня О, 1 до момента первого достижения уровня 0,9 уста­
новившегося значения. Это .значение и будет соответствовать .времени
нарастания iнар·
•
,
Измерение времени установления выходного напряжен11я. Изме­
рение lуст производят в устройстве по схеме, изображенной на рис. 4-23, а
при замкнутых выключателях В 1 и В2 ; переключатель В3 устанавливают
в положение 3: На вход МС подают импульс прямоугольной формы
с указанными в НТД параметрами и измерителем временных интерва­
лов определяют интервал времени, за который выходное напряжение МС
измеli·яется от ·момента первого достижения уровня 0,1 до момента по­
следнего достижения уровня 0,9 установившегося ЗНl!_чения. Этот ин-
тервал и будет соответствовать времени установления.
•
Измерение времени уст~новления выходного напряжения МС с двумя
входами. • В этом случае используют схему, приведенную на рис. 4-23, б;
входящие в нее - элементы должны удоЁлетворять требованиям, указа'н­
ным в .методе измерения -Ивх,макс для МС с двумя входами.
Положение переключателей при измерении tуст микросхемы с двумn
выходами показано на рисунке; для микросхем с одцим выходом пере­
ключатель В 3 переводится в положение 2.
•Осуществив балансировку МС с точностью, указанной в НТ Д,
перево.дят пере1<лючатель В, в положение 3.
На вход МС подают импульс прямоугольной формы с у1<азанными
в НТ Д -параметрами и измеряют интервал времени, за который выход­
ное напряжение МС изменяется от момента первого достижения 'уровня
О, 1 до момента последнего достижения уровня О, 9 установившегося
значения. Измеренный интервал времени и будет соответствовать вре­
мени установления.
Измерение времени восстановления. Измерение tвос производится
·на установке по схеме, приведенной на рис. 4-23, б; входящие в нее эле­
менты должны удовлетворять требованиям, указанным в предыдущем
методе.
На сх€ме показано положение переключателей для измерения tвос
микросхемы с двумя выходами; для микросхемы с одним выходом пере­
ключатель В3 переводится в полож€ние 2.
Вначале микросхему балансируют с точностью, указанной в НТД,
переключатель В, устанавливают в положение 3 и н_а вхqд МС пqдают
импульс прямоугольной формы с параметрами, указанными в НТД.
Измерителем временных . интервалов измеряют интервал времени
· между · моментом достижения срезом входного импульса уровня ·0,5
его амплитуды и моментом достижения выходным напряжением уровня
:-
.463

0.1 его установившегося значения. Измеренный интервал врtмени
и равен fвot·
Измерение времени готовности. Регистрируют момент времени
t 1 , соответствующий включению МС и началу периодического изменения
контролируемого параметра, ко,торый является критерием для определе­
ния времени готовности. Регистрируется момент времени t2 , соответ­
ствующий времени, когда контролируемый параметр, являющийся кри•
терием, принимает значение, указанное в НТД. Время готовности опре-
деляют по формуле
-
fгт = f2-ti.
Измерение параметров, которые являются критериями для опре­
деления времени готовности, производят согласно методам, выбранным
для их измерения.
ИЗМЕРЕНИЕ ОТНОСИТЕЛЬНЫХ ПАРАМЕТРОВ
Измерение коэффициента усиления напряжения МС с одним входом.
Если не требуется высокая точность определения Ку, и или когда пода­
ваемое на вход испытуемой МС напряжение не может быть измерено
непосредственно (например, на высоких частотах), для измерения К у, И
используют установку, выполненную по схеме на рис. 4-23, а. Пере•
ключатели должны быть установлены в пщюжения, показанные на этом
рисунке. На вход микросхемы подают от генератора сигналов синусои­
дальный сигнал Ивх с параметрами, указанными в НТД; измеряют пере­
менное напряжение на выходе МС Ивых с помощью измерителя напряже•
ния и вычисляют коэффициент усиления напряжения по формуле
Ку,u=ИвыхfИ вх·
Для измерения К и микросхем с малым входным сигналом при-
~
,
меняю1 устройство по схеме, представленной на рис. 4-33, а; здесь
R 2 ,(0,01 Явх· Метод позволяет уменьши_ть погрешность измерения Ку, и.,
связанную с погрешностью измерителя переменного напряжения. При
измерениях на высо:шх частот~х в качестве делителя допускается ис­
пользовать высокочастотный калиброванный аттенюатор :
Измерив напряжение на выходе генератора Иг, переводят переклю­
чатель В1 в положение 2, измер'я~от напряжение на выходе микросхемы
Ивых и определяют коэффиuиент усиления напряжения по формуле •
где.К= (R1 + R2)/R2-
Ку,u=КИвых/Иг,
Значение К рекомендуется выбирать равным номинальному зна­
чению коэффициента усиления· напряжения испытуемой микросхемы.
Для измерения КУ, и микросхем с· большим уров!lем входного сиг­
нала применяют устройство по схеме на рис. 4-33, б при R1 + R2 = Rн·
Метод позволяет уменьшить погрешность измерения Ку, и; связанную
с погрешностью измерителя переменного напряжения.
Измерив значение Ивх, переключатель В1 переводят в положение 2
и измеряют напряжение и;ых на резисторе R2• Коэффициент усиления
напряжения. определяют по · формуле
где К~ (R1 + ;R2)!R2-
464
Ку,u=КИ;ых/Ивх•

.,.
cr,
""
S1
8ыход1
'"выход2
81
с
.
1
Рис. 4-33. х~мы для измерения коэффициентов усиления напря жения аналоговых микросхем.
а-г - с ручной балансировкой; д
-
с автоматической балансировкой.

Значение К рекомендуется выбирать равным номинальному ,Пiаче­
нию коэффиuиента усиления напряжения испытуемой микросхемы.
Измерение коэффициента усиления напряжения МС с двумя входами.
nри испытаниях МС с малым входным сигналом метод позволяет умень­
ШИ:!Ъ погрешность оn.ределения Ку, и• связанную с nоrрешностыо изме­
рителя переменного напряжения.
•
•
Схема измер.ения Ку, и приведена на · рис. 4-33, в; при измерении на
- высоких частотах в качестве делителя может быть использован высоко•
частотный калиброванный аттенюатор.
Резисторы и конденсатор, входящие ,в устройство, должны удовлет­
ворять следующим требованиям: R2 ,;;;; 0,01 Rвх; Хс1 ,;;;; 0,01 R3•
.,
Положение переключателя В1 показано для измерения Ку, и микро­
схем с двумя выходами; для микросхем с одним выходом переключатель
В1 переводят в положение 2.
Осуществив балансировку микросхемы с точностью, указанной
в НТД (или с требуемой по условиям измерений), размыкают выклю­
чатель В 3 , лодают , на вход усилителя синусоидальнь1й сигнал и изме­
ряют напряжение на выходе генератора Иг, После этого nерекл1очатель
В2 переводят в положение 2, измеряют напряжение на выходе микро­
схемы Uвых и определяют коэффициент усиления напряжения по фор-
муле
•
Ку, U = Кдел, uИвых/Иг,
где К лел, и - хоэффиuиент деления делителя, включенного на входе
ми.кросхемы (значение этого коэффициента рекомендуется выбирать
ра~,ным номинальному значению коэффициента усиления напряжения
испытуемой микросхемы)~
nри испытаниях МС с большим входным сигналом описываемый
ниже метод позволяет уменьшить погрешность измерения коэффиuиента
усиления напряжения, связанную с погрешностью измерителя перемен­
ного напряжения .
Схема установки для измерения Ку, и этим методом приведена н-а
рис. 4-33, г; элементы, входящие в схему, должны удовлетворять сле­
дующим требованиям: R3 + R4 = Rн; Хс1 ,;;;; 0,01 R1-
,
На рисунке показано положение переключателей для измерения
Ку, и для микросхем с двумя выходами; для микросхемы с одним выхо­
дом переключатель В1 переводят в положение 2.
Осуществив баланси р овку МС с точностью, указанной в НТД,
размыкают выключатель 8 3 , подают на вход МС синусоидальный сиг ­
нал и измеряют напряжение на ее входе Ивх· После этого переключатель
В2 переводят в положение 2 и измеряют напряжение u;ых на резисторе
R. 4 • Коэфф ициент усиления напряжения определяют по формуле
Ку,u = КИ;ы~/Ивх•
где К = (R 3 + R4)/R 4 , Значение коэффициента К рекомендуется · вы­
бирать равным номинальному значению коэффициента усиления напря­
жения испытуемой микросхемы .
Для измерения коэффициента усиления напряжения на постоянном
и переменном токе МС с двумя входами с автоматической балансировкой
испытываемой микросхемы применяют устройство·, · выполненное- по
схеме, представленной на рис, · 4 -33, д. •
•••
.466

' • · •s ·Входящие . в . нее резисторы должны удовлетворять следующим усло­
виям: R1 = R2; Rз = R4; R5 = Rб, R1 ~ Rз ~ Rвх• Параметры вспомо­
гательного усилителя зависят от параметров испытываемой микросхемы.
· При
измерении на постоянном токе переключатели В1 и В2 устанав­
ливают в положение 1, подают ·на вход вспомогательного усилителя
напряжение положительной полярности И оrн, указанное в НТ Д,. и ре-
гистрируют показание измерителя наnряжения и;.
.
Затем переключатель В2 переводят в положение 2 и подают напря­
жение отрицательной полярности И0 п2 • Опорные напряжения Иоrт,
подаваемые в . обоих случаях на вход -микросхемы, должны быть •. равны
по абсолютному значению. Регистрируется показание измерителя напря­
жения ur.
К:оэффJщиент усиления _по напряжению на постоянном токе опре­
деляют по формуле
Ку,u=2КИопf(И;-И;),
где К= (R1 + Rэ)IR1 = (R2 + R4)/R2,
_
Пр,и измерении на переменном токе переключатель В1 переводят
Ii- положение 2, перекточатель В2 переводят в положение 3, подают аа
вход вспомогательного усилителя от генератора синусоидальный сиг­
нал И~п и регистрируют показание измер.;пеля переменного напряже-
ния и;. Коэффициент усиления по напряжению на переменном токе
определяют по формуле
Ky,•U =КИ~п/И; .
Коэффициент К имеет такое же значение, как при измерении К и
у,
на постоянном токе.
Коэффициент усиления напряжения МС с двумя выходами с автома­
тической балансировкой микросхемы можно также измерить, исполь­
зуя схему, приведенную на рис. 4-31, б; входящие в нее элементы должны
удовлетворять требованиям, указанным в методе измерени _я частоты
единичного усиления.
На вход испытываемой МС подают синусоидальный сигнал И г,
измерителем переменного напряжения. измеря·ют напряжение И вых на
выходе микросхемы и коэффициент усиления напряжения определяют
по формуле
}( -КИ /И
y,u-
вых r•
где К= (R1 + Rз)/ R1 = (R2 + R4)/R2.,
Измерение коэффициента усиления тока. Для измерения Ку, 1
используют значение Ку.И• измеренное выбранным для данной МС мето­
дом, приведенным выше, и Rвх, измеренное выбранным для данной
микrосхемы методом, приведенным ниже.
К:оэффициент усидения тока определяют по формуле
К . _fв ых _ИвыхRвх_К Rвх
y,r--1---U R----, -
y,U -R,'
вх
вх
н
f(
где К у, и - коэффициент усиления напряжения микросхемы; R~ -
активная составляющая результирующей нагрузки микросхемы.
Измерение коэффициента усиления мощности. Определив- значе­
ния Ку, и и Rвх' выбранным для данной микросхемы- приведенным ниже
467

методом определяют коэффиuиент усиления мощнос.ти по фор муле ,
к2 Rвх
y,U R~'
где Ку, и - коэффиuиент усиления напряжения микросхемы; R; -
активная составляющая ее результирующей нагрузки.
Измерение коэффициента усиления синфазных вход н ы х напряжений.
Для измерения Ку, сф используют схему, приведенную на рис. 4-25;
входящие в нее элементы должны удовлетворять требованиям, указан­
ным в методе измерения синфазного входного напряжения.
Положение переключ~телей для измерения К у. сф микросхем с двумя
выходами показано на схеме, в случае микросхемы с одним выходом
переключатель 8 2 переводят в положение 2.
При напря ж ении входного сигнала Ивх = О производят балансиров­
ку МС с заданной точностью или указанной в НТД, изменяя напряже­
ние И1-1:п4,
При измерении на постоянном токе на входы микросхемы вначале
подают сигнал Ивх положительной полярности и регистрируют показа­
ние измерителя постоянного напряжения и; вых на выходе микросхемы .
Затем на входы МС подают сигнал Ивх отрицательной полярности по
абсолютному значению, разный сигналу положительной полярности Ивх,
и регистрируют показание измерителя постоянного напряжения И 1 в'ых•
Коэффициент усиления синфазного сигнала на постоянном токе
определяют по формуле
Ку,сф· =о,5 (И1вь1х-И1вых)/И0х,
где И 1 вых и Uj вых - алгебраические значения выходных напряжений.
При измерении на переменном токе переключатель 8 1 устаilавли­
вают в положение 3, а переключатель 8 3 в положение 2.
Производят баJiансировку МС при напряжении входного сигнала
Ивх = О, изменяя напряжение Ии. 114 с точностью, указанной в НТД.
На входы МС подают синусоидальный сигнал Ивх, регистрируют показа­
ние измерителя переменного напряжения И2 вых и определяют коэффи­
циент усиления сннфазных входных напряжений по формуле
Ку,сф=И2вых/Ивх·
Измерение коэффициента ослабления ·синфазных входн,ых напряже­
ний. Используют значения Ку, и и Ку, сф' измеренные выбранными для
данного усилителя методнми, определяют коэффициент ослабления си .н­
фазных входных напряжений по формуле
Кос, сФ = Ку, и/Ку,сФ·
Для измерения коэффициента ослабления синфазных входных н.а•
пряжений с автоматической балансировкой испытываемой микросхемы
используют устройство, выполненное по схеме, приведенной на
рис . 4-34; входящие в нее резисторы должны .удовлетворять следующим
требованиям:R1= R2; Rз= R4;•Ri<Rэ<Rвх: R1'= Rв; R0 r= R6-
Если напряжения на входах вспомогательного усилителя не пре1;1ышают
допустимых значений, резисторы R5 и R6 можно из схемы исключить.
Параметры вспомогател ьноrо усилителя зависят от параметров испы­
тываемой микрос _х~мы.
4?,,~ ,

п·ри измерении Кос,сФ микросхемы с двумя выходам·и положение
переключателя В 3 показано на рис, 4-34, а при измерении микросхемы
с одиим выходом переключатель В 3 переводят в положение 2.
На вход микросхемы подают сигнал положительной полярности
Исф, вх, указанный в НТД, и регистрируют показание измерителя
постоянного напряжения И~ . После этого переключатель В1 переводят
в положение 2 и на вход микросхемы подают сигнал отрицател-ьной по­
лярнщ;ти Исф,вх • В обоих случаях напряжения подаваемых сигналов
равны по абсолютным значениям. Регистрируют показание измерителя
постоянного напряжения и;.
Rв
Uн,п5
Uи.п6
Рис. 4-34 . Схема для измерения синфазных входных напряжений
с автоматической балансировкой анаJiоговых микросхем.
Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений на
постоянном токе определяется по формуле
•
2R4 ИсФ, вх
Кос,сФ=-R U" - U''
2
1
1
.
При измерении на переменном токе переключатель В1 переводят
в положение 3, а переключатеJiь В2 - в положение 2, подают на вход
микросхемы синусоидальный ·сигнал И сф. вх и регистрируют показание
измерителя переменного напряжения И~. Коэффициент ослабления син­
фазного сигнала на переменном _токе определяют по формуле
к
R4 Исф,вх
ос.сФ= R2 -и;:·
Измерение коэффициента нелинейности амплитудной характерис­
тики. Для измерения Кнл А используют схему, выбранную для изме­
рения коэффициента усил~ния напряжения данной микросхемы. На
ее вход подают синусоидальное (или импульсное) напряжение Ивх, .,,. 11 , а
)'.
469

аатем Ивх , макс, указанные в НТД, и .оп.ределяют соответственно Иных. мин
и Иных.мак<:.· Затем Ивх.макс уменьшают, а Ивх,.мин увеличивают на одно
и то же значение ЛU, .указанное в НТД, и определяют соответственно
и;ых, .ыаио и о;ых, мин· Измерение производят на заданной частоте.
:Коэффициент нелинейности амплитудной характеристики определяют
по формуле
К _ (И;ых,мин-Ивых,мин)-(Ивых,макс-И;ых,макс)
в.л,А-
.(Ивых·,макс-Ивых ,мин) ЛИ
•
Ивх, макс - Ивх, мин
Определение коэффициента nрямоуrольности. Для измерения
Кп определяют полосу · проnускания .лf'по приведенному выше методу,
по уровню 0,01 Ивых - Лf0,01
или по уровню 0,001 Ивых -
.Лf0 .001, т. е. разность между зна­
чениями частот, на которых вы­
ходное напряжение уменьшает•
ся в 100 или 1000 раз относи­
тельно выходного напряжения
на частоте, указанной . в Н ТД.
Коэффициент прямоуrольности
определяется по формулам:
Рис. 4-35. Схема · измерения коэф­
фициентов деления и умножен~я
частоты аналоговых м.икросхем.
К010,01> = Лfо.01/Лf;
Кп10,001> = Л/0,001/Л/.
Измерение коэффициентов
деления и умножения частоты.
Для измерения Кделf_ и Кумнf используют устройство, выполненное
Jio схеме на рис. 4-35 .
• Измерив значения частоты входного fвх и выходног о fвых сигналов11
определяют коэффициент деления частоты по формуле
·
Кделt= fвхffвых,
а коэффициент умножения частоты по формуле
Кумн,f = f выхffнх•
.
Измерение коэффициента влияния нестабильности источников пи­
тания на входной ток. Для 11змерения Квл, ип дважды измеряют входной
ток по приведенным выше методам. Первое измерение входного тока
/~х производят при повышенном напряжении одного из источников
питания И + ЛИ . Второе измерение входного тока /8"х производят
н.n
и.п
при пониженном напряжении того же источника питания Ии.п - ЛИи. п•
Коэффициент влияния нестабильности источников питания ·на входной ·
ток опред:ляют по формуле
Квл,ип~О,5 (I;х-l;х)/ЛИи.п•
Измерение. коэффициента влияния нестабильности источнююв
питания на разность входных токов. Для определения К~~. нп дважды
по методам, приведенным выше, измеряют разность входных токов.
Первое из мерение разности входных токов Л/~х произво~ится при повы-
шенном напряжении одного из истрчников питания .на зн.ачение ЛИи.g.·
470
!;\,.

Второе измерение разности входных то~ов лt;х произв'одит~я прц
_ пониженном напряжении того же источника питания на значение ЛИ~ -. гt•
Коэффициент влияния нестабильности источников питания на разность
входных токов определяют по формуле •
•
•
•
К;л,ип=О,5 (ЛI;х-Л/:х)/ЛИи.п•
Измерение коэффициента влияния нестабильности источника пита­
ния на напряжение смещения. Измерение К;.л, ип производят по струк­
турной схеме, изображенной на рис. 4-24, а; входящие в нее элементы
должны удовлетворять требованиям, указанным в методе измерения
напряжения смещения. •
• Для исп,ытания МС с двумя выходами положение переключателей:
показано на упомянутой схеме, а - для микросхем с одним выходом пере­
ключатели В4 и В5 переводят в положение 2. Вначале производитс11
балансировка микросхемы е заданной точностью или указанной в НТ Д,
после чего регистрируется значение питающего напряжения И;, п l.
Увеличивают напряжение одного из источников питания Ии. п 2 или
U и . пз по абсолютному значению на ЛИ и. п, указанное в НТд; вновь
балансируют микросхему, после чего регистрируется значение и;_ пl.
Уменьшают напряжение того ·же источника питания на ЛИи .п, опять
балансируют микросхему и регистрируют значение ЛИ ;~'п~.
•Вычисляют вспомогательные коэффициенты:
К'~К(u;.п!-И~.п1)/ЛИ11•0 ;
К"=К (u;;: п! -И:1. п1)/ЛU11. 0 , ·
где К= R1l(R1 + Rз) = R2l(R2 + R4).
Коэффициент влияния нестабильности источника питания на напря-
жение смещения определяют по форму,т~е
•
к;л,ип=(К' +К")/2.
Измерение коэффициента влияния нестабильности источника пита­
ния на напряжение смещения на постоянном токе с автоматической ба­
лансировкой испытываемой микросхемы производится в устройстве по
схеме, приведенной на рис. 4-24, б; входящие в нее резисторы должны
удовлетворять требованиям, указанным в методе измерения напряжения
смещения с автоматической балансировкой· испытываемой микросхемы.
Положение переключателей для испытания микросхем с двумя вы­
~одами указано на упомя н утой схеме; для микросхем _ с одним выходом
переключатель В4 переводится в положение 2, Измерение производится
в следующем порядке. Увеличивается напряжение источника питания
U"· пt или Uи. п2 по абсолютному значению на Л Uи. п, указанное в НТД,
и регистрируется показание измерителя постоянного напряжения И~.
Затем уменьшают напряжение того же источника питания на ЛИи."
и регистрируют показание И';.
Коэффициент влияния нестабильности источника питания на напря­
жение смещения определяют по формул!)
к;л,ип = 0,5К (И;-U;)!Лf:!11.тт,.
47-1'

Измерение коэффиц иента -влияния нестабильности источника пи­
тания на напряжение смещения на переменном токе с автоматиче- ­
ской балансировкой испытываемой микросхемы осуществляюr на уста­
новке, выполненной по схеме, приведенной на рис. 4-36 .
Сопротивления входящих в схему резисторов должны удовлетво-
рять следующим соотношениям: R1 =
R2
,; ;;
0,01Rвх; Rз= R4>R2;
R5= Rв;R7= Rs-
Есл _и напряже1-ше на входах вспомогательного усилителя не пре­
вышает допустимых значений, резисторы R5 и R6 можно исключить.
Параметры вспомогательного усилителя опреде:11яются в зависимо­
сти от п араметров испытываемой микросхемы.
Rв
Рис. 4-36. Схема для из~ерения коэффициента влияния нестабиль­
ности по напряжению.
Положение пере1<,1ючателя В1 для испытания МС с двумя выходами
у1<азано на схеме, а для микросхемы с одним выходом переключатель 8 1
переводят в положение 2. В цепь одн_ого из источников питания подклю­
чают генератор и регистрируют показание измерителя переменного на­
пряжения И 1 .
Коэффицие~т влияния нестабильности источника питания на пере­
менном токе определяют по формуле
к:л,ип=КИUИr,
где И г - напряжение на выходе генератора;
К= R1!(R1 + Rз) = R2!(R2 + R4).
Определение относительного динамического диапазона по _ напря­
жению. Используя значения максимального и минимального вь1ход­
ного напряжения Ивых, макс и Ивых, мин, измеренные по приведенным
выше ме.тодам, относительный динамический диапазон по напряжен ию
в децибелах определяют по формуле
ЛИ
201 Ивых , мn~<с
'
ДИН,ОТН= g иВЫХ,МИН •
472

Определение относительного динамического диапазона по мощ­
ности. Используя значения максимальной и минимальной выходной
мqщности Рвых,макс и Рвых,мин, измеренные по методам, приведенным
вы ше, относите ьный динамический диапазон по шшряжению в деци­
бел ах определяю:r по формуле
ЛР
_
10 ]g Рвых,мекс
ДИН, ОТН -
рВЫХ, МИН •
Измерение относительного диапазона АРУ по напряжению. Для из ­
мер ения Л И,АР У, отн определяют два значения коэффициента усиления
напряжения K~;U и к;,u по приведенным выше методам, соответствую­
щие двум значениям входного напряжения И~х и u;x, указанным в НТД.
Относительный диапазон АРУ по напряжению
л_и АРУ,оп,=к;,u1к;,и,
где к;,u - наибольшее значение коэффициента усиления напряжения;
к;, И - наименьшее значение коэффициента усиления напряжения.
Измерение относительного диапазона АРУ по току. Определяют по
методам, приведенным выше, два значения коэффициента усиления тока
к;, 1 и к; , 1 соответствующие двум указанным в НТД значениям вход­
ного напряжения u;x, u;x, и вычисляют относительный диапазон АРУ
п о току по формуJ1е
ыАР У, отн= к;, 11к;, z,
где к;, I - наибольшее значение коэффициента усиления тока; к;,z -
наименьшее значение коэффициента усиления тока.
Измерение относительного диапазона АРУ по мощности. Опреде­
лшот два з н ачения коэффициента усиления мощности К;, Р и ,к;, Р по
ме тодам, приведенным выше (соответствующие двум зн g~ чениям входного
напряжения u;x и u;x, указанным в НТД), и вычисляют относительный
диапазон АРУ по мощности по формуле
лР АРУ, отн = к;, р/К;,Р,
где к;,Р - наибольш_sе значение коэффициента усиления мощности;
к;, Р - наименьшее значение коэффициента усиления мощности .
Измерение коэффициента гармоник МС с одним входом. Измере­
ние Кг производится в установке по схеме, приведенной на рис. 4-23, а .
Плавно увеличивая напряжение входного синусоидального сигнала
и измеряя на п ряжение выходного сигнала, устанавливают значение на­
пряжения выходного сигнала, у1,азанное в НТ Д. После этого переклю­
чатель 8 3 переводят в положение 2 и измеряют коэффициент гармоник
вых одного сигнала с помощью измерителя нелинейных искажений.
Измерение коэффициента гармоник МС с двумя входами производят
в уста н овке, выполненной по схеме на рис . 4-23, 6; резисторы, входящие
в схему, должны удовлетворять требованиям, указанным в описании
метода из!i1ереиия максимального входного напряжения.
Положение переключателей для испытания МС с двумя выходами
показано на уnемянутой схеме; для микросхем с одним выходом пере­
клю чатель 8 3 устанавливают в положение 2, и производится баланси­
ровка микросхемы с точностью, у1<азан и ой в НТД. Переключатель 8 0
473

переводят в. положение -2, nлавно увеличивают напряжение ,; в:,юдного
синусоидального сигнала до тех пор, пока значение напряжения •выход- .
ного сигнала станет равным значению, указанному в НТД. После этого
переключатель В5 переводят в положение 4 и измеряют коэффициент
гармоник выходного сигнала с помощью измерителя нелинейных иска­
жений. ,
Измерение коэффициента нестабильности по напряжению. Схема
устройства для измерения Кис, и приведена на рис. 4-37.
Метод первый. Измеряют вь1ходное напр _яжение и;ых при
указанном в НТД значении входного напряжения U~x · Изменяя вход­
ное напряжение до указан н о го в НТД значения и:х, измеряют выход­
ное напряжение и;ых· Коэффи ц иент нестабильности по напряжению
определяют по . формуле •
•
к ..,_ (и;ых - и;ых)и;х:
нси- (.п
_,
),
•
'
Ивх - Ивх Ивых
М е· т од второй. Измеряют выходной ток /~ых при входном
напряжении И~х; указанном в НТД. Выходной ток измеряют по одному
из приведенных выше методов·. Изме-
Uвх
Uеых
няя входное напряжение до значения
u;x, указанного в НТД, измеряют вы•
:Кодной ток 1;ых· Коэффициент неста-
-U,,,.,,
бильности по напряжению определяют
по формуле
("
,
),
К _ lвых-lвых Ивх
нси-("
,)'·
•
'
•Ивх-Ивх lвых
Рис. 4-37 . •Схема для
изме­
рения коэффициента влия­
ния нестабильности по на-
Измерение коэффициента неста­
бильности по току. Для измерения
Кис, 1 также используют схему, по­
казанную на рис. 4-37.
пряжению.
М·е то д первый. Измеряют
выходное напряжение и;ых при ·ука-
занном в НТД значении выходно го тока / ~ых· Вьiходной ток изме·
ряется по одному из методов, приведенных выше. Изменяя выходной ток
до указанного в НТД значения 1;ых• измерЯJОТ выходное напряжение
u;ых' Коэффициент нестабильносп, по току определяют по формуле
(,
"
),
К _ Ивы,с - Ивых lвых
нс1- (
,
,,
)и' •
·
'
fвых-/вых вых
Метод второй.Измеряютвыходнойток1;ыходнимизмето­
дов, приведенных выше, при указанном в НТД сопротивлении нагру;з­
ки R~. , После этого изменяют со п ротивление резистора нагрузки до
указанного в НТД значения R; и измеряют выходной ток 1;ых· Коэффи­
циент нестабильности по току определяют по формуле
К _(!;ых -l;ых)R~
нс,!- (R" R') !'
•
н- Н ВЫ-Х
474

• Измерение коэффициента пульсации; Измерив амплитудное значе-·
ние напряжения пульсаций · И- - и постоянную составляющую налряже-
ния .И, определяют коэффициент пульсаций по формуле
•
Кnл = И-/U.
Измерение коэффициента сглаживания пульсации. Измерение
Ксг производят в устройстве, выполненном по схеме, приведенной на
рис. 4-37.
•
.,
Измерив амплитудное значение пульсаций входного Ивх~ и выход­
ного Ивых~ напряжений, определяют коэффициент сглаживания пуль-
саций по формуле
•
Ксг = Ивх~/Ивых~•
Измерение коэффициентов ослабления усиления на нижней и верх­
ней граничных частотах. Определяют коэффициент усиления напряже~
ния Ку, и по одному из методов, приведенных выше.
Не изменяя значения напряжения входного сигнала (параметры
входного сигнала устанавливаются в НТД) Ивх, устанавливают частоту,
равную указанной в · НТ Д нижней (верхней) граничной частоте, и опре ­
дел!!ют ~оэффициенты усилений Ку, и, н и Ку, и, в·
Коэффициенты ослабления усиления в децибелах на нижней и верх­
и.ей граничных частотах вычисляют по формулам:
•
..Ку
ин
Кос,н=20]g~
;
y,U
Ку,U,в
Кос,в=20lg-к--·
y,U
Измерение коэффициента неравномерности АЧХ. Для измерения
Кнр, Ач используют схему, выбранную для измерения коэффициента
усиления напряжения данной микросхемы. На ее вход подаю1; синусо­
и дальный сигнал с напряжением и частотой, указанными в НТД. Плавно
и з м еняя частоту входного сигнала в заданном диапазоне и при этом
поддерживая его напряжение постоянным, регистрируют наибольшее ·
И~·ьiх и .наименьшее и;ых значения выходного напряжения.Коэффициент
н е равномерности АЧХ в децибелах определяют по формуле
и;ых
Кнр Ач=201g-,,-
.
•
Ивых
Измерение коэффициента ограничения выходного напряжещt_я;
Для измерения Когр используют схему, приведенную на рис. 4-29; вхо­
дящие в нее элементы должны удовлетворять требованиям, указанным
в методе измерения максимальной амплитуды импульсов входного на-
пряжения. •
На микросхему подают входной сигнал с указанными в НТД парас
метрами и измеряют выходное напряжение И :ых· Затем, увеличивая
напряжение входного сигнала до указанного в НТД значения и;;
измеряют выходное напряжение u;ых· Коэффици~нт ограничения вы: .
ходноrо напряжения опр.еделяют по формуле
и:ых - и:ых
u;х--И;х •

Изыерение дифференциального коэффициента усиления. Для изме­
рения, Ку, д используют схему, выбранную дл_я определения Ку, И данной
микросхемы. Измерив выходное напряжение при двух значениях вход­
ного напряжения U~x И И;х = 1, 1 И ;х, указанных В НТД, ВЫЧИС•
ляют дифференциальный коэффициент усиления по формуле
u;ых-И;ых
O,lU;x
• Ку,д
где и;ых и и;ых - выходные напряжения,. измеренные при входных
напряжениях ·u;x и И~х соответственно.
Определение коэффициента деления напряжения. Схема измере­
ния К дел, И приведена- на рис. 4-38 .
U9x
Uи.п
Rн
Рис. 4-38 .
Рис. 4-.39.
Рис. 4-38. Схема для изыерения коэффициента деления.
Рис. 4-39. Схема для измерения нест.абильности фазового сдвига.
Устанавливают входное напряжение Ивх, указанное в НТД~ и изме­
ряют напряжение Ивых щ1 каждом выходе микросхемы (переключатель
8 1 в положениях 2, 3,
... , п).
Коэффициент деления напряжения для кащдого выхода микросхемы
определяют как отношение Ивх/Uвых на каждом выходе микросхемы.
Измерение нестабильности частоты. Влияние на стабильность
частоты температуры, напряжения питания и т. д. производится в схеме,
ПОl(азанной на рис. 4-32. Измерив значения частоты f' и f" для двух
значений температуры, напряжения питания и т. д., определяют неста­
бильность частоты по формуле
бs1 = (f' -f")lf'.
Измерение нестабильности " фазопоrо сдвига в условиях изменяю­
щихся температуры, напряжения питания и т. д. производят .в схеме,
приведенной на , рис. 4-39.
.
Измерив значения фазового сдвига ер' и ер" по приведенному ниже
методу, при дВУ'f- значени'ях интервала температур, напряжения пита·:
_
476

,,,,r•
пия и т. д. определяют нестабильность фазового сдвига по формуле
q{_-ер"
бsrрс=~--
Измерение" нелинейности фазового сд~иrа. Измерение бjq;c произ­
водят в устроистве по схеме, приведеннои на рис. 4-39.
Измерив по приведенному ниже методу значения фазового сдвига
ср 1 и ср2 при двух указанных в НТД значениях частоты входного сигнала
f1 и f2 , определяют нелинейность фазового сдвига по формуле
бjrpc= /1-:: j: 1~ 100%.
ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ, '
ИМЕЮЩИХ РАЗМЕРНОСТЬ СОПРОТИВЛЕНИЯ
Измерение входного сопротивления. Для измерения Rв~ (МС - с од­
ним входом) можно использовать схему, приведенную на рис. 4-23, а,
где R1 = Rвх·
•
На вход микросхемьi подают синусоидальный сигнал и измерителем ­
nеременного наnряжения измеряют напряжение на ее выходе U~ых.
З атем выключатель В1 размыкают, измеряют напряжение на выходе
М ИI(роtхемы u;ых и оnределяют входное сопротивление no формуле
Rвх= , Ri
Ивых_ 1
и;ых
Измерение Rвх можно также выполнить в устройстве по схеме,
приведенной на рис. 4-29, при этом входящ;:~ в нее элементы должны
f,цовлетворять требованиям, указанным в описании метода измерения
м аксимальной амплитуды , импульсов входного вал.ряжения. Пере­
и лiочатели В 2 , В8 и В4 устанавливают в поло?'{ение, указанное на уnо­
м янутой схеме, а переключатель В1 переводят в положение 2.
Устанавливают входное наnряже н ие u;x, у1(азанное в НТ Д! раз-
м ыкают выключа:гель В2 _ и восстанавливают первоначальное значение
в ходного напряжения u;x путем увеличения выходного · напряжения
генератора сигналов. Установив переключатель В1 в положение 1,
и з меряют выходное н@пряжени_е генератора сигналов u;x.
Входное сопротивление определяют по формуле •
Rвх=~.
Ивх_ 1
U~x
•
Измерение входного сопротивления МС с двумя входами произво­
дят в устройствах, выnолненных по схемам, приведенным на рис. 4-40.
Соnротивления резисторов, входящих в схему на . рис. 4-40, а;
должны удовлетворять следующим требованиям: R1 = R2 :,;::; О,О!Rвх,
Rв=R4;;;>R2,R5=Rв =(i..;3)Rвх·
•
При измерении Rвх микросхемы с двумя выходами nоложение пере­
J(JIIОчателей ПОJ(азано на упомянутом рисунке (для микросхем с од н им
выходом nереключатель В3 nереводится в nоложение 2). Производят
'477

Uи.п1
Uип2 ;
-Rн
1
Uг
Рис. 4-40. Схема для измерении параметров аналоговой микросхемы,
имеющих размерность сопротив-ления,
478

балансировку МС с точностью, указанной в НТД, и после этого пере-.
ключате.тiь В4 переводят в положение 2. На вход МС подают синусои­
дальный сигнал и измеряют напряжение на ее выходе U~ых · (значение
его не должно превышать Ивых, макс, указанного в НТД) . Затем размы·•
ка ют выключатели В 1 , В2 и снова измеряют напряжение на выходе
м икросхемы u;ых· Входное сопротивление определяют по формуле
R_2R5
вх-
,
Ивых_ 1
и;ых
Измерение входного сопротивления микросхемы с автоматической
балансирщ1кой производят в устройстве П◊ схеме, приведенной на
рис . 4-40, 6; сопротивления входящих в нее резисторов должны удов­
летворять следующим требованиям: R1 = R 2 -~
0,01R8x; Rз = R4 >
>R2;R5= Rв=(2+3)Rвх;R1=Rв;R9=R10•
•
••
Рис : 4-41 . Схемы для измерения нараметров микросхемы, имеющиJ!I
размерность сопротивления.
Если напряжения на входах вс помогате;1ьного усилителя не пре­
вышают допустимых значений, резисто рь1 R; и RR ,можно исключить.
Параметры вспомогательного усилителя зависят от параметров ис­
пытуемой микр9схемы.
На вход вспомогательного усилителя подают синусоидальный сигнал
и измерителем переменного напряжения измеряют напрю1<ение и;.
За тем размыкают выключатели В 1 и В2 . и снова измеряют ' напряжение
на выходе и;. Входное сопротивление о п ределяют по формуле
•
2R5
Rвx=v,-,
U~- l
1
Измерение входного сопротивления при синфазных входных напря•
щен.и_ях 11:1икросхем с одним . выходом. Для измерения Rвх, сф исполь­
зуют схему, п ривед~нную на .р11с. 4-41, а; входящие в нее конденсаторы
и резисторы должны удовлетворять следующим требо_ваниям: Xci ,:;;;
:;:;;; 0,0lR1; R1 = R2; R1 = (2 + 5) Rвх•
:4у9

Подают на вход микросхемы синусоидальный сигна;r и измер,ителем
пер е менного напряжения измеряют напряжение на ее выходе; обозна­
чают его и;ых · Затем выключатель 8 1 размыкают и снова измеряют
напряжение на выходе, обозначают его u;ых· Входно_е сопротивление
при синфазных входных напряжениях определяют по формуле
R
R1
вх,сф=и,
~-1
и;ых
Измерение вход ного сопрот ивления при син фазных входных н апря­
жеt1иях м икросхемы - с двумя выходами _ с автоматической балансиров­
кой производят в устройстве по схеме, приведенной на рис. 4-41, 6;
входящие в нее резисторы и конденсаторы удовлетворяют следующим
тр·ебованиям: Хс1 ,;;; 0,0IR1; R1 = R2 ~ (2 + 5) Rвх; R3 = R4 . Пара­
метры вспомогательного усилителя зависят от параметров испытуемой
микросхемы.
На вход микросхемы подают синусоидальный сигнал и измерителем
переменного напряжения измеряют напря ж ение на выходе вспомога­
тельного усилителя; обозначают его u;ых· Затем выключатель В 1
размь1кают и снова измеряют напряжение на вы ходе усилителя; обозна­
чают его u;ых · Входное сопротив.~ение при синфазных входных напря­
жениях вычисляют по формуле
R.
R.1
вх,сф = и'
~-1
и;ых
Измерение выходного сопротивления МС с одним входом произ­
водят по схеме, приведенной на рис " 4-23, а.
На вход микросхемы подают синусоидальный сигнал с указанными
в НТД па2аметрами и измеряют напряжение на выходе (переключател ь
8 3 в положении /).
Выходное напряжение микросхемы измеряют дважды: при подклю­
че н ной и при отключенной нагрузках. Выходное сопротивление _ оп р е­
деляют по формуле
Rвых=Rн --,-
-1,
•
, (и;ых ).
Ивых
где.R~ -
активная составляющая результирующей нагрузки микро­
схем; u;ых - напряжение при подключенной нагрузке; и;ых
-
на­
пряжение при отключенной нагрузке.
_
Измерение выходного сопротивления МС с двумя входами произ­
водят по схеме, приведенной на рис. 4-23, 6; входящие в нее резисторы
и конденсаторы удовлетворяют требованиям, указанным в методе
измерения напр51жения смещения.
_
Положение переключателей показано на упомянутой схеме для
измерения Rвых МС с двумя вь1ходами (для микросхемы с одним выхо­
дом переключатель 8 3 устанавливают в положение _ 2). Производят
балансировку микросхемы с точностью, указанной в НТД, и переклю­
чате.% 8, переводят в rюложение 2. На вход микросхемы подают сину­
соидальный си~;нал с параметрами, указанными в НТД, и дважды изме-
480

ряют напряжение на выходе микросхемы: при подключенной и ,при
откл ючен ной нагр узке Rн- Выходное со противление МС вычисляют по
формуле, приведе нной в методике измерения выходного сопротивления
мс с одним входом.
Измере~ие выходного сопротивления МС с двумя входами с авто­
матической балансировкой. Для и змерения Rвых используют схему,
приведенную на рис . 4-40, в. Резисторы и конденсаторы, входящие в
схему, должны удовлетворять следующим требованиям: R3 ""' Rвых;
Хс1 = Хс2 ,:;; 0,001R2; Хсз ,:;; 0,01R3 •
На выход микросхемы подают синусоидальный сигнал и; (напряже­
ние и частота сигнала указ ываются в НТД), rизмерителем переменного
напряжения измеряют напряжение на выходе микросхемы И~ и опре­
деляют выходн ое сопротивление по формуле
Rз
Rвых = ,:р-- •
~-!
и~
Измерение дифференциального сопротивления электрониоrо ключа.
Для измерения Rд дважды • измеряют остаточное напряжение электрон­
ного ключа Иосто по приведенным выше методам. Первый раз при со­
противлении нагрузки, указанном в· НТД, и второй раз при сопротив­
лении . нагрузки, уменьшенном на 10% . Сопротивление Rд определяют
по формуле
И~стО - u;стО
и;ых и;ых )
я:-я:,
где U~сто - остаточное напряжение электронного ключа при первом
измерении; И~сто - остаточное напряжение электронного к;1юча при
втором измерении; R~ -
сопротивление нагрузки при первом изме•
рении; R:, -
сопротивление нагрузки при втором · ~змерении.
ИЗМЕРЕНИЕ ПРОЧИХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ
Измерение скорости нарастания выходного . напряжения МС с одним
входом производят в устройстве по схеме, приведенной на рис. 4-29;
вх одящие в нее резисторы и конденсаторы должны удовлетворять тре­
бованиям, указанным в методе измерения максимальной амплитуды
импульсов · входного напряжения .
На вход МС подают импульс прямоугольной формы с парамет­
рами, указанными в НТД. Измерителем временньiх интервалов изме­
ряют интервал времени т, за который выходное напряжение изменяется
от момента первого достижения уровня О, 1 до момента первого дости­
жения уровня 0,9 установившегося значения. Измеряют амплитуду
выходного импульса И вых А и о п ределяют скорость нарастания вы­
. ХОДНОГО
напряжения ПО формуле
иu, вых~О,SИвых, д/Т.
Измерение скорости нарастания выходного напряжения МС с двумя
входами производят в устройстве по схеме, приведенной на рис . 4-23, 6;
1⁄216 п /р Тарабрина Б. В.
481

- входящие в нее резисторы и конденсаторы должны удовлетв0рять
требованиям, указанным в методе измерения И вх. макс·
Положение переключателей· при измерении vu, вых микросхемы
с двумя выходами показано на рис. 4-23, 6 (для микросхем с одним вы­
ходом переключатель В 3 переводится в положение 2). После баланси ­
ровки микросхемы с точностью, указ'анной в НТ Д, на ее вход подают
импульс прямоугощ,ной формы с параметрами, ук _азанными в НТД, .
переключатель В5 переводят в положение 3 и измеряют интервал вре­
менит, за который выходное. напряжение изменяется от момента первого
достижения уровня О, 1 до момента первого достижения уровня О, 9
установившегося значения. Затем измеряют амплитуду выходного
импульса Ивых А и определяют скорость нарастания выходного . напря­
жения по форr,iуле, приведенной в методике определения этого пара­
метра для микросхемы с одним входом.
Входы МС ·выход 2
Rн
2
Рис. 4-42. Схема . для измерения коэффициента преобразования анало­
говой микросхемы .
Измерение крутизны преобразования произв9дят, используя схему,
приведенную на рис. 4-42 .
На выходы микросхемы подают сигналы с указанными в НТД пара ­
метрами, в том числе с напряжениями Ивх, с и Ивх, г· J;lутем изменения
частоты входного сигнала Ивх, с или Ивх, г устанавливается макси­
мальное напряжение промежуточной частоты на выходе микросхемы
Ивых. п.ч.· Крутизну преобразования определяют по формуле
S 6 _ Ивых,_!_!_:~
••
пр - Ивх,сRое'
где R O е :- эквивалентное сопротивление нагрузки.
•
Измерение фазового сдвига производят измерителем фазы, включен­
ным мещду входом и выходом МС, согласно схеме, представленной
на рис . 4-39.
Измерение температурных коэффициентов электрических парамет­
рqв (а0 Исм; а0 ! вх; а0 ! вх, ер; а0 Л/вх и а0 ер). Для определения а0 Исм;
а0/вх; а0/вх,ер; а0Л/вх и а:0ер измеряют Исм;1вх; !вх,ер; Л/вх и ер
при двух указанных в НТ Д значениях температуры по методикам,
приведенным выше, предварительно выдерживая МС при заданных тем­
пературах в течение интервалов времени, указанных в НТД.
Температурные коэффициенты напряжения смещения входног'?
тока, с_реднего входного тока, ,разности входных токов и фазового сдвига
'
-
-
'
482

опр~деляются по формулам:
ВИ _u;м-И~м
асм-ЛТ
В/ _ l;x-f;x
авх-ЛТ
б! _l;x,cp-l;x,cp,
а вх,ср-
ЛТ
;
MI _Ы;х-ЛI;х~_
а вх.- ЛТ
,
a0rn=<р"-<р'
't'
лт,
где Л Т = Т2 - Т1 - разность значений темпер·атур, при которых про­
водились измерения; значения параметров - алгебраические.
Измерение нестабильности электрических параметров во времени.
Для измерения параметров 'ЛtU01 ; Лt/ вх; Лt! вх, ер; ЛtЛiв, и Лt<р ре- ~
гистрируют момент време ни включения микросхемы и периодиче с ки,.
через указанные в НТД интервалы времени, измеряют значения этих
параметров по методам, приведенным выше, в течение промежутка
времени, указанного в НТД. По результатам измерений определяют
максимальное и минимальное значения (алгебраические) параметра за
указа нный !} НТД интервал времени.
r
Нестабильность напряжения смещения входног.о тока, среднего
входного тока, разности входных то1<0в, фазового сдвига во времени
определяется по формулам'
ЛtUсм= Исм, макс - Исм, м"н;
Лt!вх= 1вх, макс - / вх, мин;
Лt!вх,ер·= 1вх,ер,макс - / nx, ер, мин;
Лt Л/вх = Л/вх, ма1<с - Л/nx, мин;
Лf<р = </Jманс - </Jмин·
ОПРЕДЕЛЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК
Определение амплитудной характеристики. Для построения ампли­
тудной характеристики Ивых = f (Ивх) ис.пользую'r схему, выбранную
для измерения коэффициента усиления данной МС, а также значение
Ивх, макс, измеренное приведенным выше методом.
Измерив выходное напряжение при десяти значе ния х напряжения
Uвх (его · изменяют рввными ступенями по О, 15 Ивх, макс в пределах
от О,15Ивх,манс до 1,5Ивх,макс), по результатам измерений строят
график зависимости Ивых = f ( Ивх),
Определение амплитудно-частотных характеристик. Для а поатрое­
ния аМFшитудно-частотных характеристик Ку, и= 'Ф (f) и Ивых = Ч'~ (f)
используют схему и метод, выбранные для измерения коэффициента
усиления данной микросхемы.
Измеряют коэффициент усиления или ИвL~х при Ивх = const при
десяти значениях частоты входного СИГ!{ала в диапазоне от f1 до f1n,
1⁄216*
483

значения которых указаны в НТД, и по результатам ст.роят графики
зависимости Ку, и = 'Ф (f) или И вых = 'lj)1 (f) при Ивх = coпst с ло­
. гарифмическим
(линейным) _ масштабом по оси частот и линейным (ло­
гарифмиче~ким) масштабом по оси Ку, и или Ивых·
Определение нагрузочной характеристики. Для построения нагру­
зочной характеристики Ивых = f (Rн) используют схему, выбранную
для определения коэффициента усиления микросхемы данного типа. •
Измеряют выходное напряжение при различных сопротивлениях на­
грузки, значения и количества которых указаны в НТ Д. Напряжение
на входе поддерживают постоянным. По результатам измерений строят
график зависимости Ивых = f (Rн).
.
Определение фазочастотной характеристики. Измерив . фазовый
сдвиг по приведенному выше методу при указанных в НТД значениях
частоты входного сигнала, строят график зависимости ер = 'Ф (f) при
Ивх = coпst с логарифмическим (линейным) масштабом по оси частот
f и линейным (логарифмическим) масштабом по оси фазового сдвига (j).
4-4. • ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПОМЕХОУСТОЙЧИВОСТИ
ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
Статическую помехоустойчивость цифровь1х микросхем - опреде­
ляют по следующей методике. Измерив, ка~< указано в § 4-2, значения
выходных нап·ряжений И~ых, мин• u~ых,макс и пороговых напряжений
ИАор• U~op• вычисляют статическую помехоустойчивость по высокому
уровню с помощью формулы
ИА_ст= J И~ых,мин-И~ор 1,
статическую помехоустойчивость по низкому уровн,ю по формуле
•И~, ст= 1И~ор - и~ых,макс 1
и выбирают меньшее из двух полученных значений.

РАЗДЕЛ ПЯТЫ Й
ПРИМЕНЕН ИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИ КРОСХЕМ
5-1. РЕКОМЕНДАЦИИ ПО МОНТАЖУ
ИН ТЕГРАЛЬ Н ЫХ МИКРОСХЕМ
Одним из основных условий, обеспечивающих надежную работу
РЭА, сконструированной с широким применением интеграл Ь ных микро­
схем, является соблюдение правил по их установке, пайке -и монтажу .
Основными элементами _конструкции узлов и блоков РЭА, позволяю­
щими н а иболее полно реализовать преимущества МС, являются печат­
ные платы. При установке МС на печатные платы необходимо соблюдать
следующие требования и условия:
установка и крепление микросхем на печатных платах должны
обеспечивать их нормальную работу в условиях эксплуатации аппара-
туры ;
•
должны строго выдерживаться указанные в технической докуме н- •
тации расстояния от корпусов МС до мест изгибов и мест пайк и их
выводов;
шаг установки МС на печатные платы должен бытr, кратен 2,5;
1,25 или 0,5 мм .(в зависимости от типа корпуса и конструкции узла,
блока);
•
должно соблюдаться линейно-многорядное (или шахматное) рас­
положение МС, обеспечиваюll\ее наибольшую плотность их компоновки
и возможность механизированной сборки уз.лов;
микросхемы с расстоянием между выводами, кратном 2,5 мм,
должны . располагаться на печ·атной плате таким образом, чтобы их
в ыводы сощ1адали с узлами координатной сетки (см. рис. 5- 1); если
р асстояние между выводами МС не кратно 2,5 мм, они должны распо­
Jr а гаться- так, чтобы один или несколько выводов микросхемы совпадали
с узлами координатной сетки;
· установка и крепление микр.о~ ем должны обеспечивать доступ
1{ любой из них и возможность их замены; .
для правиш,ной ориентации МС на печатной плате должны быть
предусмотрены «ключи», определяющие положение первого вывода
l{ аждой микросхемы (рис. 5-2);
•
расположение · и крепление МС должны обеспечивать возможность
г рупповой пайки с последующей влагозащито й ;
в случае необходи мости плата с установленными МС должна быть
з ащищена от воздейств и я кли м атических факторов.
Кроме того, при расположе н ии МС на печатных платах при ко нстр у­
и ровании следует руl{оводствоваться следующими положениями:
микросхемы должны быть удалены от элементов, l{Оторы е при работе
в ыдел яют большое количество тепла, на расстояния, исключающие
перегрев микросхем;
16 п/р Тарабрина Б. В ,
485

микросхемы недопустимо располагать в магнитных полях nостоян-
ilых магнитов, трансформаторов и дросселей;_ . . .
.·
необходимо обеспечивать конвекцию воздуха у радиаторов э.~е­
менто~ и элементов, выд~ляющих большое количесп1q тепла.
Печатная Вы8оды •
плата микросхемы
• Микросхема.
Р:ис. 5-1.
Рис. 5-2.
Рис. 5-1 . Установка микросхе мы на печатную плату.
Рис. 5-2. Ориентация микросхемы на · печатной плате.
.
Необходимо пр и нимать . меры, исключающие воздействие на MG
стати ческщ·о электричества. \
М икросхемы со штыревыми выводами должны устанавливаться
только с одн ой стороны печатной платы без дополнительного креп­
ления (рис . 5-3). Зазор между корпусом МС и платой должен быть
Микросхема
со штыре8ыми.
8ы6одамц
f,6мш, :g..
~ ~1◄.
+~
.~.. w~
r. Л,,,атнав.плата
Микросхема.
n
~
-
еча,пно.11
•
плата
.
.
l<леи.ть ' Защитная
клеем
.
АК-20
ilиэлектрическал
прокладка.
, Рис. 5-3.
Рис. 5-4. •
Рис.- 5-3. • Установка
микросхем со штыревыми выводами на печат-
ную плату.
Рис. 5-4. Односторонняя установка микросхем на печатную плату.
не более 1,5 мм; зазор между к0р11усами МС должен быть не мeJ;Jee
Т;6 мм; · выступающие ч'асти выводов ДОЛЖfiы' находиться 'над 'поверх­
ностью платы в пределах 0;5- 1 мм (если в ТУ не оговорено иное).
Микросхемы с планарными выводами также рекомендуется уста­
навливать с одной стороны печатной платы (рис. 5-4); лишь в технически
•()(5основанных случаях допускается их устанавливать с обеих сторон ·
486

•6,5макс
а)
Рис. 5-5 .
·ВидА
· 2,sxJ=7,5±o,г
8-8
г-г
~8 -0,1
б)
Рис. 5-6 .
.Рис. ·
5-5 . Двусторонняя установка микросхем на печатную плату.
Рис: , 5-6 . Формовка выводов микросхемы ~ корпусе типа 4 (а) и ~ ~ор-
пусе типа .3 (б).
•
16*

• платы (рис. 5-5). Такие МС устанавливают на прокладку из изоляцион­
ного материала или на перфоленту; их крепят к поверхности печатной
nлаты нитроклеем или ;1поксидным клеем. В некоторых случаях допус­
кается установка МС вплотную на nлате или с зазором не более О, 7 мм
(если в ТУ не оговорено иное).
,
При установке МС на печатные платы часто возникает необхо­
димость формовки выводов (рис . 5-6). Требования, предъявленные к фор­
мовке, оговариваются в технической докумен;тации. Формовка круглых
или ленточных выводов и обжатие ленточных выводов должны произ­
водиться при помощи монтажного инструмента или · приспособления
таким образом, чтобы исключались механические нагрузки на места
крепления вывода к корпусу.
Для МС с планарными выводами формовка, как правило, должна
производиться с радиусом изгиба не менее 2с (с - толщина вывода)
и расстоянием от корпуса до центра окружности изгиба не менее 1 мм
(если в ТУ не оговорено иное).
Для микросхем со штырьковыми выводами формовка, как правило,
должна производиться с радиусом изгиба не менее 2d (d - диаметр
вывода) и расстоянием от корпуса микросхемы до_ центра окружности
изгиба не менее 1 мм (если в ТУ не оговорено иное).
Микросхемы соединяют с другими элементами узлов . и блоков РЭА,
как правило, путем пайки выводов, . поэтому особенное внимание дол­
жно быть обращено на качество монтажа. В серийном · производстве
часто используют групповую пайку и пайку «волной». В лабораторных
условиях и при замене микросхем в эксплуатации производят пайку
одножальным паяльником.
При распайке планарных выводов МС одножальным паяльником
должны соблюдаться следующие требования (если в ТУ не оговорено
иное): температура жала паяльника должна быть не более 265°С,
время касания к каждому выводу не более 3 с, интервал между пайками
соседних выводов 3-10 с (в зависимости от типа корпуса МС), расстоя­
ние от корпуса до места пайки по длине вывода должно бь1ть не менее
1 мм.
•
•
Для микросхем со •штырьковыми выводами температура жала
паяльника не должна быть более 280°С.
В случае групповой распайки МС температура расплавленного
припоя должна быть не более 265°С, время ее воздействия одновре­
менно на все выводы не должно превышать 2 с для планарного и 3 с
для штырьковоrо выводов. Интервал между повторными пайками вы­
водов одной МС должен быть не менее 5 мин.
Во всех случаях жало паяльника ·нужно заземлять. Необходимо
также защищать корпус · и изоляторы выводов МС от попадания на
них паров и брызг паяльного флюса. После монтажа места пайки необ­
ходимо очистить от флюса жидкостью, рекомендованной в ТУ на микро- .
схемы . После монтажа и очистки от флюса платы с микросхемами по­
крывают защитным лаком (марки ла.ков указываются в ТУ).
5-2 . П Р ИМЕРЫ ПОСТРОЕНИЯ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ УЗЛОВ
НА ЦИФРОВЫХ МИКРОСХЕМАХ
Серии цифровых МС, как правило, являются функционально пол­
ными системами и могут быть использованы для построения логических
~злов ,любой функциональной сложности, для цифровых вычислитель­
ных машин и устройств лискретной автоматики.
488

Каждая из серий цифровых микросхем реализуется преимуще­
ственно на определенном логическом базисе. Так, например, серии МС
диодно-тра1;1зисторной и транзисторно-тра_нзисторной логики (напри­
мер, серии 130, 133, Кl33, 136, 106, 217, 109, 155, К!55) преимущест­
венно содержат логические элементы И-НЕ, их комбинации, элементы
И-ИЛИ-НЕ, И-ИЛИ, а также RS-, D-, . JК-триггеры .
ми ·кросхемы на • основе резисторно-транзисторной логики (серии
113 , Ю 13, 114, 115), резистИВ!JО·емкостной транзисторной (серии 110,,
204) и эмиттерно-связанной логики (серии Ю37, К!38, 191, 223) выпол­
нены на базе логических элементов ИЛИ-НЕ, из которых путем опре­
деленных соединений реализованы элементы И-ИЛИ, И-ИЛИ-НЕ,,
И-ИЛИ/И-ИЛИ-НЕ и др.
При проектировании цифровых вычислительных машин и устройств
• дискретной автоматики возникает необходимость реализации многих;
других дополнительных логических функций.
• • Ниже приведены примеры реализации логических
и функцио­
нальных узлов ·на основе элементов И-НЕ и триггеров, входящих.
в серии 133, 155, К!55, и элементов ИЛИ-НЕ серий 113 и Ю 13.
Все эти примеры соответствуют положительной логике, для которой
уровню логической единицы соответствует наиболее положительное, .
а уровню логического нуля наименее положительное значение напря­
жения цифрового сигнала.
ПРИМЕРЫ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ УЗЛОВ
НА МИКРОСХЕМАХ СЕРИЙ 133, К\33, 155. И 1(155
Реализация логических функций, кроме функций И-НЕ и И-ИЛИ­
НЕ, осуществляется микросхемами серий 133, К133, 155 и К155 путем
комбинирования входящих в них элементов И-НЕ и И-ИЛИ-НЕ. По­
скольку всегда существует несколько вариантов реализации функций,.
то при соста.влении схемы следует минимизировать число элеме!jтов и
микросхем. В табл. 5-1 приведены примеры реализации различных
функций.
СЧЕТНЫЕ ТРИГГЕРЫ
Построение функциональных узлов основано на использовании
счетных триггеров, выполняемых на элементах микросхем серий 133;
К133, 155 и К155. Э"rи триггеры содержат минимальное количество
логических элементов, просты по связям и обеспечивают построение
практически всех функциональных узлов.
Счетнь1й тригrер типа 1 - несимметричный, r{a 6 элементах И-НЕ
(рис. 5-7). Триггер устанавливается в состояние «О» при одновременной
подаче напряжения логического нуля на входы элементов Э4 и Э6 не­
зависимо от напряжения на счетном входе. При нулевом напряжении
на Т-входе установка триггера в состояние «0>i может быть произведена
при подаче напряжения логического нуля на вход элемента Э4 , а при
напряжении логической единицы на Т-входе - на вход элемента Э 6 •
Установка триггера в состояние «1» при нулевом напряжении на Т-входе
осуществляется подачей напряжения логического нуля на вход эле­
мента Э1 , а при напряжении логической единицы на Т-входе и входах;
R - подачей напряжения . логического нуля на вход элемента Э 5 .
При одновременной подаче напряжения логического нуля на входы
элементов Э1 и Э5 установка в состояние «1» осуществляется не~ависимо
489

.... ..,
ф
Таблиц а 5-1
о
1~
1
ФyНl{!I.Иil •
1
Тип микросхемы
Функциональная . схема
У.= Х1Х2
1
1/2 КIЛБ553
-~
-
1
У=Х1Х2
1
1/2 К!ЛР551
1
~
-
.
.
1
~
1
·
У=Х1Х2Х3
1
2/3 КIЛВ554
у
-
-
...
1
У==Х1Х2Х3Х4,
1
К:IЛБ551
1
9--

·
,!>,
:~:(Q
-
Фу.нкцн:я •
1.
У=ХJХ2ХзХ~
У== Х1ХзХзХ4Х1,ХвХ7Хs
у = Х1+Х2
У==Х1 +х2
Тип микросхемы
КIЛР553
КIЛБ552
1/.4 К1ЛБ553
1/4 К1ЛБ55З
IOЛPSS!
Продолжение табл. 5-1
1 Фу.н кциональная схема
-~
~
-
у
-ч..г·

~
<D
tv
Функция•
У=Х1+Х2
У=Х1 +х2+хз+х4
y=xi+x2+x3+x4
У=~+~+~+~+~+~+~+~
Тип микросхемы
1/2 I(!ЛР551
lf.4 К!ЛБ553
К1ЛР553
11.4 К!ЛБ553
11.2 КIЛБ551
К!ЛБ552
Продолжение табл. 5-1
Функциональная схема
~
~

Функция •
у=х1 +х2 +х3
Y=X1Xz +X3Y4
Y=X1Xz+X3X4 •
/
У=Х1Х2+ХэХ4
i
·1
Тнп микросхемы
1/3 К1ЛБ554
3/4 КIЛБ553
ЮЛР551
1/2 К!ЛР551
1L4 К1ЛБ553
Продол!нсение табл. 5-1
Функциональная схема
~
-
IJ
1
~
8
:r
8
:rжg.·
:r

$~
Функция•
У= Х1Х2 +Хз,t4 +Xr,Xe +Х~в
У=Х1Х2Хз+Х~r,Хе
у= Х1Х~ХзХ4 + Xr,XвX7Xs
'\
Тип мнкросхемш
КIЛР551
1/4 .ЮЛБ553
КIЛБ554
КIЛБ551
Ц4 .ЮЛВ553
Продолжение табл. 5-1
Функциональная схема

...
~
Функция•
У= Х1Х~3У4Х5Х6Х1Хв + XeX1oX11X1~13X14X1.X1s
У=(х1 +х2) (х3 +х.)
Тип микросхемы
2Х К1J1Б552
lf.4 К!ЛБ553
IL2 ЮЛР551
Продолжение таб.11. 5-1
Функциональная· схема

,!'>,
Продолжение табл . 5-1
~
1
Функция •
· тип микрос хемы
Функциональная схема
·-
У=(х1+Х2)(Х3+Х4) (Х5+х&) (Х7+Xs)
ЮЛР553
у
У=Х1Х2+Х1Х2
IL2 :ЮЛР551
. • Для реализации функций, указанных · в таблице , могут быть применены микросхемы други х сери й аналогичного функцио • •
нального назначения, в частности, из состава серий 130, КlЗО, I<:131, 133 , КlЗЗ, 155 ,
)

от напряжения на счетном входе . Поэтому при запи с и в счетчик произ­
вольного к ода и при установке реверсивных с четчико в в состоян ие « О»
следует подавать импульсы установки на оба входа S одновременно
или раздельно в зависимости от рода работы.
•
При напряжении логической единицы на счетном входе триггер
находится в одном из двух устойчивых состояний; при напряжении
логического нуля триггер находится в пр омежут о чном состоянии
(основной триггер, элементы Э1 и Э4 находятся в предыдущем состоянии _;
на выходах элементов Э2 и Э5 -:-уровни напряжений логической едини­
цы).
и
-
-
-
_
,
-
,..... t
t
-
1
--
t
·-
-
г-t
--
,.. t
-
1
-
-
,....,..
"t
,·
-
-
-
t
а)
б)
Рис. 5-7. Принципиальная схема (а) и временная диаграмма работы
(6) счетного триггера типа I на элементах ЮЛБ332 или К!ЛБ552
И-НЕ .
На выходе элемента Э3 получаются отрицательные импульсы с час­
тотой следования fт/2 .
.Минимальная длительность импульса установки триггера
t.
t0, 1
+ t1,0
и, уст, мин= зд, макс Зд, макс•
Минимальная длительность цикла работы одиночного триггера
fмин = зt~д1 + 2t~i -
Время задержки распространения сигнала на один разряд после­
довательного счетчика
t -to,1+ 11,0
зд,Р- эд
эд•
Длительность входного импульса отрицательной полярности
t~> 1i~+t~·;;
.11.лителъность входного импульса положительной полярности
t~ > 2t~~ +t~f.
497

Если сиrнал снима~т<;я с выхода элемен.та Э8 , минимальный. чикл
·работы одиночного' три'rrер~ и МИНf\МаЛЬijЫе •. верояtностны~ 'знiiчеция
длительности входных импул'ьсов _соответственно р'а'вijы: • '
•
•
tи = Зt~J + Зt~jf;
t;; > 2t~~+t~if .
и граничные значения составляют:
t;;=(n+l) t:J+t~i;
tt > 2t~jf+ t~~.
Счетный триггер типа II на 4 элементах И-ИЛИ-НЕ (рис. 5-8)
состоит из основного (элементы Э1 и Э3) и вспомогательного (элементы
6)
Рис. 5-8 . Принципиальная схема (а) и временная диаграмма работы _(б)
счетного триггера типа II на элементах И-ИЛИ-НЕ,
Э2 и Э4) · RS-триггеров, которые переключаются соответственно по так­
там Ти 1 и Т"2 • Установка триггера в состояние «О» осуществляется
нодачей - нулевого напряжения на вход R элемента Э2 при напряжении
.логического нуля на входе Ти 2 и напряжении логической единицы на
входе Ти~ или на вход R элемента Э8 при .напряжении логического · нуля
на входе Т и~• Для установки триггера в состояние «О» независимо от
напряжений на входах Ти 1 и Ти2 сигнал установки нуля необходимо по­
дать одновременно на входы R элементов Э2 и Э3 . Установка триггера
в состояние «1» осуществляется аналогично при подаче напряжения
логического нуля · на входы S элементов Э1 и Э4 •
Минимальная длительность 1:1мпульса установки
fи. уст, мин= tii{, ма~с +t~if. макс;
минимальная .цлительность цикла работы одиночного триггера
tц = 2t:~ +2t~,il.

, . Ээд~р'жкаJjаспространепiiя сигнала на один · разряд nри построе­
нии последова!ел_ьного счетчика на ' данном· триггере
t
tO,l+/1,О
з,в;,1р= эд
3(1, •
Счетный триrrер типа III на 5 элементах И-ИЛИ-НЕ (рис. 5-9)
состоит из основного (элементы Э1 • И Э3) и вспомогательного (элементы
Э2 и Э4) RS-триггеров и элемента Э5 .
,,
Установка триггера в состояния «О» и «1» ·при напряжении логи­
ческого нуля на Т-входе осуществляется подачей нулевого напрщкения
на вход основного триггера. При напряжении логической единицы на
Т-вхо_де устщювка в состояние «О» осуществляется подачей нулевыХ1
slf
т.fL,
а)
и
Q
'выход
fт;г---------------
б)
Рис. 5-9. Принципиальная схема (а) и временная диаграмма работы (б)
счетного триггера типа III на элементах И-ИЛИ-НЕ.
напряжений на входы R элементов Э2 или Э3 , а установка триггера
в состояние «1» - подачей напряжения логической единицы на входы
S•и V элемента Э2•
.
•
Установка триггера в состояние «О» или «1» независимо от напря­
жения на Т-входе осуществляется одновременной , подачей сиrна.чов
;установки на основной и вспомогательный триггеры.
Основной триггер опрокидывается при каждом положительном
перепаде на Т-входе; так как при этом срабатывает один из элементr· в
И (Э1 или Э3), на которые поступает входной сигнал. Схемы работают
поочередно, так как вспомогательный триггер совпадением нулевыХ1
напряжений на элементе Э4 или напряжения логической «!» с выхода
fт2 после каждого входного импульса устанавливается в положение•
. противоположное
основному. Ложные срабатывания основного и вспо­
могательного триггеров при переключениях одного из них невозможны,
тэк как при отрицательном перепаде напряжения на Т-входе, при
котором- : опр·окидывается вспомогательный триггер, основной триггер
оказывается отключенным от вепомогательноrо. При nоJюжительном
перепаде напряжения на входе элемента Эь будет нарряжение .лоrиче-
499

ского нуля независимо от состояния основного триггера; таким образом,
вспомогательный триггер оказывается развязанным от основного. .
Поско-льку импульсы отрицательной полярности на выходе Q счет­
ного триггера по вре~ени «охватывают» импульсы положительной
ПОJ!_ярности на выходе Q и наоборот, то сигналы с выходов т~;иггера Q
и Q можно использовать в качестве входных (Тиi и Ти2) для триггера
типа II, а триггер типа III в ·качестве первого разряда счетчика на
триггерах типа II.
Для работы по отрицательным перепадам входного сигнала в ка­
честве основного триггера используют вспомогательный, т. е. выходами
триггера служат выходы элементов Э2 и Э4 •
Минимально допустимые длительности импульсов установки:
на элементы Э1, Э2 и Эз
•
fи,уст, мии= t~;{+t1д°;
на элемент Э5
t
2f0 ,l + fl,0
И, уст, МИН= ЗД
ЗД•
Минимальная длительность цикла работы триггера и минимальные
длительности входных импульсов соответственно равны:
tц = зti~ + 2t1д°;
t;> 2ti~+t;t;
t~ > ti1+t1д°.
Время задержки распространения сигнала на один разряд при
использовании триггера в последовательном счетчике
tP =f\,0_Lf0,\
зд
здIзд•
СЧЕТЧИКИ
Последовательные счетчики типа I, типов II, III а и Illб выполнены
на счетных триггерах соответствующих типов, реализованных на эле­
м_ентах И-НЕ _ серий 133, Ю33, 1~ и Ю55 (рис. 5-10-5-13). Во всех
этих счетчиках сигнал с выхода Q каждого разряда является входным
сигналом для следующего разряда.
В счетчике типа II (рис. 5-11) в качестве перв_ого разряда исполь­
зуется однотактный триггер ти'па /, его выход Q служит в качестве
генератора сигнала Т-и~, а выход Q в качестве генератора сигнала Ти2
для второго разряда.
На схемах всех счетчиков показана общая шина установки нуля
R для всех разрядов, причем на первые разряды она заведена на два
установочных входа (чтобы установка в состояние нуля не зависела
от напряжения на входе), а на остальные разряды - на один вход уста•
новки нуля. Длительность импульса установки в состояние «О» при
этом должна обеспечивать последовательную установку в «О» всех раз­
рядов. Установка в состояние «О» коротким импульсом осуществляется
подачей сигнала установки на два установочных входа во всех разрядах.
Установка всех разрядов счетчиков в состояние «1» производится
раздельно и заведена на два установочных входа для возможности
записи в счетчики 'произвольного кода.
500

Последовательные счетчики типов llla и lllб (рис. 5-13) выполнены
на Т-триггерах типа III (рис. 5-9), причем в счетчике типа IIIб за еди­
ничный выход принят нулевой. Поэтому в счетчике типа IIIa запись
произвольного кода осуществляется разнополярными сигналами, а
s1I
S "'LГ
s-u -
Рис. 5-1 О. Принципиальная схе ма последовательного- счетчика типа 1
на элементах И-НЕ.
s1I
Slf
s1I
S1I
Рис. 5-11. Принципиальная схема последовательного счетчика типа II
на элементах И-ИЛИ-НЕ.
'v ·в счетчике типа IIIб однополярными. Соответственно изменена и уста­
новка уровня логического нуля.
Временные диаграммы работы последовательных счетчиков просты,
каждый разряд работает в соответствии с диаграммой соответствующего
501

/
и-
т
_.;
-
-
-
.....
-
-
п_
.t
'
г-
r-
г-:-
r-
: 1-йразряд
-
--
и.г
-
-
-
--
-
-
-
,...... _
-
1
1
-
1
1
2-йраэряд
-
-
-
J~йраэряд
U.Q3
г
Рис. 5-12: 'диаграмма работы последовательного счетчика типа If;
1с:четноrо триггера, поэтому на рис. 5- 12 приведена лишь диаграмма
работы счетчика типа 11 (рис. 5-11).
Время ' -задержки распространения сигнала, в последовательных
счетчиках
f3д,p=n Иi+t1;),
rде п - количество разрядов счетчи-ка.
- - Счетчики to сквозным переносом типов I и 111 (рис. 5-Н-5-16)
выполнены _на Т-триггерах соответствующего типа и содержат_ uenи •
скlэ6зного 'пере·носа. Установка ·этих счетчиков й состояния «0>> ·и «!»
осуществляется так же, как в схемах поrледЬвательных ёчетч:Ик'о'в:
Цепи переноса образованы СJ{емами совпадения в каждом - разряде, на
выходе - которых напряжение логического нуля устанавливается при
51:12

TJl
R.л.
VJt
V.л.
s1L
----
·---- --,
.
S1r
Q2
Q.r
"liг ··•
lI.r
--,
.
•
••,..
--,
•
0
1
'1,
·1~
su
V .rt.
SJl
s-u-
1'
1:
1
•
,·
L_J
Slf
V.л.
SIL
S1.Г
w1.
J1
L_j
Рис. _5-13, Принципиальные схемы: щкледовательных ;,счетчикс,в ти-'
повШа(а)иШб(6).
•
наличии напряжения логической един~щы на всех пр.едыдущик разр-яда'х
счетчика. .
'_
.
.
.
•
_,
Вре~я установления нового кода после прiiхода счетtiщо им:пу.цьса
для счетчика типа I равно
••
•
•
t -2t"·'+
·
t'·0
i;- зд
ЗА.

г-------,
S -----
•
1
Q1
Q.1
SiГ
s1f
Sl.f
Qч
Q.ч
Qs.
Q.s
Рис, 5-14. Принципиальная схема счетчпка· типа 1. со сквозным пере­
носом.
и,
{
t
·r1: ::J.ll..4!-i)J-..J...ЦII-Ц-'-.L.J!..1..-'-LIJl.44--'-.L.J...L..Jo..L.I...L-'-IL...1...1...J.,,,14'-#-J....
- [ /J,111!-Wll!-41- .J . ..ll]J~~... __ _ .. . .. tjj...\j....! -..& .-_ . J. ,. . L. __ Jl.-ll. .- --.lf+-l -f-l -
'rt{ иг. 1--lЧ'----llf-lf---'-..1.--41--+f----'-'----"'...__
_ . . .. _ ;:::~it.tf::--
C\J [ LLqzJ--.!il.!L.~iнfШ..-....IL..---!1-11--'--....1L..---..- _. L_ -
_-
_-_- -' -_- _-_-I_J-+J-1 - .-
•~l{ U3·J . ---- !.!.oll..- ---_ jl~- ---- -'. . .L:::.:.:.:.: .: .:.::ii:t.:t':--
.~·::l--------' - - -41- -+f-i.~
...---_-_-_-_-_-_-_-_-_-_-_-_-_-_:-_-_-_-_-1-++l--н~-­
s:t-!{u::~::::::::::::::::::~::~:::::::::::::::::::::~t-++'--
•~~ Щl----------------------'-'-'"rf-.;..
.,,~
" '- ~ (51....--------.......------------.LШ--
Рис. 5-15. Временная :диаграмма работы счетчика со сквозным пере­
носом типа I.
504

Gz
Q,r
г--------:
$1.Г
R
Рис. 5-16. Принципиальная схема счетчика со сквозным переносом
типа III.
(для второго плеча на 111 больше) и для счетчика типа III
lc=t11+t~J
для второго плеча ,на t~1 больше).
Последовательные реверсивные счетчики типов Ia, lб, 11,Ia и 1116
(рис. 5-17-5-21) выполнены на счетных триггерах ти;1ов I и III (реали-
Rv
тп.
Вычитание
S1f
SlI Slf
•_j
иц
q.
5
Рис. 5-17 . Принципиальная схема последовательного реверсивного
счетчика типа la.
зация реверсивного счетчика на с четном триггере типа II нецелесооб ­
разна, так - как ' при реверсе необходимо переключать по две связи
между разрядами) .. Реверсивные счетчики типов Ia и IIIa характери-
505

sуются наличием в цепях связи разрядов элементов И-ИЛИ-НЕ, на
которые подается положительный сигнал управления с шины сложения
или вычитанця. При этом выходами _sложения в разрядах служат вы•
ходы (}, а для вычитания выходы Q. _
QJ.
;j
:i:
• t::I
Е:;j
::,-
~
LLr
•
v
{ Uij1
1-и
разряд
щ
{
Uij2
2-й.
.
разряд _ u .z
J-u. {·· U,~3
разряд LL;r
l/--u.
-
разряд LLQ.ч
и,
1111nn11111nn11nn t_
.
-:-
-
-
-
-
-
-
-
~
-
-
-
-
-
-
-
-
,.;,.. ....
-
.....
-
-
-
-
.......
-
.....
-
....
--
--
,
,
·
-
-
-
1-
-
,...
-
....
-
.;...
--
,
....
....
-
-
--
-
....
,-
-
-
...
..... .....
... .....
---
---
.....
,._
----
.... ....
.... ....
-
·
1-
,
-
Рис. 5-18. Врем~нная· д1'аграмма работы последовательных реверсив-
ных счетчиков типов - Ia и llla.
•
Задержка распространения сигнала между разря~ами для счетчика
типа la равна:
tP =2 f/0,1 +tl,O)
ЭД
\эд
ЭД
и для счетчика типа IIIa .
tP =t0,l+tl,0
ЭД
ЗД.
эд•
При переходе от одного режима к другому счетчики типов Та я
llla необходимо устанавливать в исходное состояние .
Реверсивные сче.тчик-и типов Iб и IIIб переключаются по заднему
фронту приходящих на вход положительных импульсов. BxoJU,I сложе•
506

R 11'
S"1.Г
Jt
. n . Вычитание
Рис. 5-19. Принципиальная схема последовательного реверсивного
счетчика типа Iб.
тани.е
.-.-
-
.· ---l
---..а----,
•
· ----~
Sv
.fL
.
.
1.
1
ц..
Vn.
--- --
.---:J
Rtr
•J.
.~
1
.
-1
•
1
ц..
.J
.
'
1 Кслеа.
,7 разр.
••JLQ.r
г(ц
,,
1.
.J
Рис. 5-20. Принципиальная схема последовательного реверсивного
счетчика типа IIIa.
507

Сложение л
\
Вычитание IL
аг
1
1/
R"\I"
Рис. 5-21. Прин11.ипиальная схема последовательного реверсивного
счетчика типа IIIб.
1
!ч-----f-4-'1..__J_J
~------·-·
Рис. 5-22. Принципиальная схема счетчика со схемой пересчета or
1ДО15,
508

ния и вычитания этих счетчиков раздельные. Импульсы сложения и
вычитания поступают на все разряды счетчюшв, причем они мqгут
чер~доваться в любой последовательности.
Минимальный интервал между двумя последовательными импуль-
сами для счетчика типа Iб равен:
•
tц =2 (tgl +t;1)
и дл .я счетч;ша типа IIIб
tц =2tgl + tt1.
Во время действия импульса положительной полярности в ревер­
сивных счетчиках типов Iб и II!б происходит распространение сквоз­
ного переноса, поэтому длительность положительного импульса
t+
(f0,1 + fl,O)
И~nЗДЗД•
Установка реверсивных счетчиков в состояния «О» и «!» должна
осуществляться, как указано выше, подачей импульсов установки
на два входа в каждом разряде. В счетчиках типов Iб и I 116 допустима
установка по одному входу на разряд.
Счетчик со схемой пересчета от 1 до 15 (рис. 5-22) . представляет
собой последовательный счетчик со схемой записи в него определенного ·
1<0да в каждом цикле· его работы, являясь управляемым делителем час­
тоты, коэффициент деления которого задается управляющим сигналом
в двоичном коде.
При перепо.,J:Iнении счетчика совпадение положительных потенциа­
лов с выходов Q всех разрядов вызывает nереключение..вспомогатель­
ного триггера, который возвращается в исходное состояние по ок9нна­
нии входного импульса, установившего счетчик в состояние нуля.
Таким образом, на выходах вспомогательного триггера будут им­
пульсы отрицательной и положительной полярности. Импульс отри­
цательной полярности подается на запись дополнительного кода в соот­
ветствии с необходимым коэффициентом деления для следующего
цикла работы.
Длительность входного импульса счетчика должна С>ыть равна
fИ,ВХ> 8(tlэi+ti;).
Счетчики на триггерах 1ТК331, 1ТК332, • ЮТК331, ЮТК332,
1ТК551, К1ТК551, 1ТК551, ЮТК552
Если не требуется высокое быстродействие, рекомендуется строить
счетчики с последовательным переносом на D-триггерах. •
• Функциональная схема п-разрядного последовательного счетчика
приведена на рис. 5-23. В таком счетчике сигнал с выхода i-ro разряда
непосредственно подается на вход последующего (i + !)-го разряда,
и переключение (i + 1)-го разряда происходит только после перекл~оче-
ния .всех предыдущих разрядов.
•
Быстродействие счетчика зависит от способа съема информации.
Если считывание результата производится после каждого входного сиг-
нала, то максимальная частота счета
•
fсч= 1/tуст, сч, макс•
где fуст, сч, макс - максимальное время установления информации
на выходах разрядов счетчика.
Для последовательного счетчика (рис. 5-23)
tуст, сч, макс= ntпep, м8н:.с,,
509

где п - число раз.рядов счетчика; Jпер . макс :.:.. . максимальное время пере­
ключения триггера.
• Если производится считывание только · окончатеюmор<,>· ·результата
-пос:ле сер·ии ·считываемых с!jгналов, •·то входные сч'итыв'аемые сигналы
могут подаваться с максимальной частотой: '
•
•;_
fсч . макс= 1/(tпер; макс+ fуст,_макс),
где fуст. макс - максимащ,ное время установления информации на вы-
ходе триггера.
.
•
.
•
.
Время паузы . между . счетными импульсами должно бJ>IТЫ
iп, мин= iуе,т, макс•
Для построения параллельных счетчиков, используемых в режиме
съема информации после .каждого входного сигнала, рекомендуется
црименять ~К0триггеры , (ЮТК55!, !ТК5Ы, ЮТКЗЗ!, ПI<.331).
Tll"
R 1.Г
Рис . 5-23. llринципиальная схема ,последовательного
D-триггерах: .
сче:rчика •Н8
Для счетчика с числом разрядов п ,;;; 4 рекомендуется для .обр ·а­
зования ·переноса в старший разряд выполнять · объединение в группу
всех предыдущих разрядов (групповой перенос). Схема четырехразря ·д­
ного параллельно го счетчика на J К-триггерах приведена на рис. 5-24 * .
Особенностью схемы является снижение нагрузочной способности вы­
ходов триггеров младших разрядов за счет использования их ,для ор -
ганизации переноса внутри гру п пы.
•
На в-ход счетчи·ка рекомендуется _подавать счетньi~ ·импульсы
отрицательной полярности. При этом переключение триггеров происхо­
дит rio передi~ему фронту счетного импульса; в случае рабоtы от сигнала
тюложительI:Iой -полярности переключение триггеров происходи:,: по
заднему фронту.
•
••'
,
·Вычитающие счетчики (счетчики с ~братным .счетом) :- Их схемы
1аналоrичны схемам суммирующих счетчиков, но · сигналы переноса
~аменены сигналами заема. 'Сигналы заема отличаются от сигна.лdв пере­
носа тем, ·что для их образования используются инверсные зн-а<iения
логи~еских уровней соответств_ующих разрядов .
.
Реверсивные счетчики, предназначенные для сложения и вычита­
ния . Специфика их построения .заключается в организации сигна;юв
•
На рис . 5-24 и последующи,х б.у-кво!! Z .обоэпачен-ы инфо.рма,ц,~.ои·ные
входы (в.ыходы) от предыдущих (11а последующ11е) разрядов (разряды) фуц{<•
циональных узлов .
•
•
•

т J1.
Рис. 5-24 . При ·нципим1ьная схема параллельноr0 че,ырехразрядного
счет-чика на J К-триперах (i-я группа раэрядо_!!).
IJ.1
Вь1чи- : Q,1
та:ние .r ' -
&1
8,
Рnё, 5-25: Flри.нцили3лышя- сх,ема, ·реверси·вног0 • п•араллельноrо · че­
тырехр·а3р.я,дного сче11чwка . нг JJ(-.риггерах. (i-я, rр,уппа . разрядов).
5Н

переноса и за·ема, которые 1-iеобходимо объединить на входе счетного
разряда; сигналы эти объединяются непосредственно входной логикой
триггеров.
'
На рис . 5-25 показан пример схемы 4-разрядноrо параллельного
реверсивного счетчика, в котором сигналы переноса и заема образуются
на выходах элементов И-ИЛИ-НЕ, управляемых при прямом счете
сигналами счета сложения и вычитания при обратном счете.
Сложение ..r
а1
Q.z
Q1
Qг
.Г '-Н------------------н--,
Вы ~ итание
R1.J
5тт
8,
-'J
с
&
к
Z(Н)пр
J
с
8,
к
R
Рис. 5-26. Принципиальная схема двоично-десятичного реверсивного
счетчика на J К-триггерах (i-й десятичный разряд) .
Схема i-ro разряда десятичного реверсивного счетчика на JK-тpиr­
repax (ЮТК551, 1ТК551, ЮТКЗЗl, IТКЗЗ!,) работающего в двоично­
десятичном ю;ще с насчетом шестерки после кода 1001, и временная диа-
грамма работы приведеяы на рис. 5-26 и 5-27.
•
В счетчике применен групповой перенос внутри ,цекады. При прямом
счете после кода 1001 очередным · отрицательным считываемым сиrналоы
первый и четвертый разряды декады переключаются в состояние логи-
ческого. нуля, а отрицательным сигналом 21 пр осуществляется блоки•
ровка переключения второго разряда . Пр·и , обратном счете после кода
0000 очередным считываемым сигналом первый и четвертый разряды
декады переключаются в состояние логической единицы, а отрицатель-
512

и.
URн--------------------------
Uтн_
___ J.....__
_.__..__._..___.....__,....__
__,,'-_...__,...__
-i-,.._---1-.,__:;...
Ur1.1 __ __
___J___.___
_.__...__
_.__... .. ._ _, __ _ . .._1 --.... ...-. ..:- .
иа,г н----.._____.
. .-_-_- _-_- _-_- _-_....
_
-_-
_
-_-
_
-_-...-- --....1~-----1--1--1--:-
UfJ.. ч ~~:::::::::::::::::::::::::::::::::::~::::._+-1-~--=­
Z1 пp t-+-----------------------------
Z1пp......------------------.L.I--..!...-.:_
Рис . 5-27 . Врем енная диаг р амма работь1 двоично- десятичн о го счетчика
з режиме сложен и я,'
и.
tн
~
-
..
-
-
t
т
-
,.....,..
---
.-!-
--
t
Q.1
'а:1
-
-
-
-
t
-
--
-
t
г
1-1
-
,-1-t
1
а,)
6)
Рис. 5-28 . Принципиальная схема счетчика с коэффициентом пересчета
К = 3 (а) и его временная диаграмма работы (6).
fu. t
--;
-
~
-
-
-
-
--
-
,-
t
--
---
--
--· t
--
---
--
-
t
t
-
-
-
1
1-
-
1t
а,)
6)
Рис. 5-29'. Принципиальная
схема счетчи ка с коэффициентом пере­
счета К = 5 (а) и его временная диаграмма работы (6).
513

нмм , с.иrна;юм ZtQбp . блокиру~т~SJ лере,~JЩ>ЧfНИе 13то~ого и тре:rь~rо
разрядов. .
,
.,•. ,
.,
.
.
..
..
.
.
.,
.,
..
. Дес1 1тич ныii, .нер~версив~ы.й
разр11д. Схема. его отли'!ае;rс11 от Jiаё­
смотренной отсутствием _элементов реверса в двоичных счетнь~х разр я:
дах и элементов, вырабатывающих сиrнальi заема Z1 оор и Z1 Qбр в· стар:
ший (i + 1)-й десятичный разряд.
.
Счетчики нечетного числа импульсов рекомендуется строить на
• D - тp/1rrepax (1 ТК332, !ТК552, К! ТК552), используя принцип управ­
ления фазой входного считываемого сигнала. Схема сче тчика с коэффи­
циентом пересчета К = 3 приведена на рис. 5-28, а, а временная диа­
грамма его работы на рис. 5-28, 6. Он состоит из делителя частоты вход-
1юго си г нала на 1,5 и следующего за ним двоичного счетного разряда.
Выход Q2 по цепи обра т но~ связи управляет прохождением на Т-вход
считываемо г о сигнала либо его инверсии.
По такому же цринципу строят счетчики с другими нечетными коэф­
фициентами делени'я. Пример схемы счетчика с коэффициентом пере-
счета К = 5 приведен на рис. 5-29, а.
.
•
_
Особенность работы рассмотренных схем, обусловленная наличием
цепи обратной связи, состоит в том; что минимальная длительнос ть
входного сигнала
t
2•f!,O
•
+2f0'1
+f
и,м~.н = зд, ~акс
п~р, макс усТ, макс•
где t;,;. _ макс
-
время задержки включения логического элемента;
t<>,;ip, макс - максимальное время переключения триггера; t .уст, макс -
максимальное время установления информации на выходе триггера.
, РЕГИСТРЫ СДВИГА ..
Регистр сдвига (рис. 5-30) выполнен н; основе счетнi.1х •триrrер~в.,
составленных из микросхем-элементов И - ИЛИ-НЕ и D -триrrеров.
Сд8и.г
8ле8о
сави.г
8пра8о
Вход синхр.
Q.;r
Q.r
Рис. 5-30 . Принципиальная схе_м а реrи.стра сдвига · на D-тpиrrepa x .
Схема оАнотактноrо регистра · сдвига · на элементах И- НЕ приведе­
на на рис. 5-31 ;· здесь каждый разряд имеет пять установочных входо в,
которые в различньiх вариантах конкретных регистров ·могут испол ь-
зоваться ·по-разШ'>МУ. •
-
514
,,'

При н'апряженйи лОги'ческого нуля ·н~ шине сдвига всriомогательi:i~rе
триггеры всех разрядов записывают код с основных триггеров предьi­
дущих разрядов. Положительный импул1,с на шине сдвига переписы­
ва·ет код из вспомогательных триггеров в основные .
. Рис.
.5-31. Принципиальная схема однотактного регистра сдвига . .
Так как импульс сдвига воздействует непосредственно на основные
триггеры всех разрядов, время смены кода при этом минимально и
равно: ·
t _10,1 + fl,.O
~= эд
зд..
СУММАТОРЫ
. J:-Ia р,ис. 5-40 приведена схема комбинационного сумматора (тип I),
а на рис. 5-41 схема накапливающего сумматора ('I'ИП 11).
Время су,'ммирова.ния оооих сумматоров
'
t-т. =2ti1 +t~1-
РАЗНЫЕ СХЕМЫ
Дешифраторы и. преобразователи КОАОВ (рис. 5-32-5 -37). Строби­
рование в схемах дешифраторов применяют, если необходимо передавать
_ин формацию в определенные .r,~оменты времени .
•
.
, Схемы сравнения приведены 11а рис. 5-38, 5-39.
.
Вспомогательные схемы, часто необходимые при разработке апш1-
ратуры, приведены на рис. 5-42 -5 -48.
515

с
ё
в
в
.
'А
А
Cmpao.rt
Рис. 5-32 .
А
в
в
с
с
])
Е
Е
Рис. 5-33.
Рис . 5-32. Принципиальна я с хема деш ифратора трехразрядного со
стробированием .
Рис. 5-33. · принцип иальная схема преобразователя кода Джонсо на
в десятичный код.
.Десятич-
1
Код Джонсона •
Десятич-1 Код Джонсона
ныl\
Е1D1
1
1А
ный
Е1DIС1в1
КОД
с
в
код
А
о
1
о1о 1о 1аIа 5
1111111·111
1
1о1о1о1о11
6
11
1
111
1
11о
1
2
1о1о1о1111
7
1
1
1
1
1
1
1
о1о
3
1о1о111111
8
11111
1
а·1о.1о
4
1
о
1
1
1
1j1
1
1
9
111о1оIоIо
l
516

i=~~~]j~~•-::-io-----
ц.
5--',-+-Нh
s
7
8
9
Рис. 5-34.
в
в
А
А
Рис . 5-35.
Ри с. 5-34. Преобразователь десятичного кода в код Джонсона .
Де сятич-
1
Код Джонсона
Десятич--, Код Джонсона
ный
Е,1D1с1ВIАны,1:
Е1DIС1ВIА
код
l{ОД
l
1
о,-о1о1ОIl
6
1l1lIl1lIО
1
2
]оIо1о1lIl
7
1l1l1·l1оIо
3
,,
оIо1l1lIl
8
11111о1оIо
4
1
ОIl1l1lIl
9
1l1оIо1оIо
5
1111111111
Рис. 5-35 . Преобразователь кода 1-2-4-8 в десятичный код.
Код
Код
Деся тич-
_
s 1-41-21 -1
Десятич-
_
s1-
4 1-2, _1
НЫ Й !{ОД
ны,й код
D
С
В
А
D
С
В
А
о
1
о
1
о
1
о
1
о
5
1
о
1
1
1о11
1
1
о
1
о-
1
о
1
1
6
1о
1
1
111
о.
1
2
1
о
1
о
1
1
1
о
7
1
о
1
1
1
111
1
3
1
о
1
о
1
1
1
1
8
1
1
1
о
1
о1о
--
4
1
о
1
1
1
о
1
о
9
1
о1
о11
517

А
1
2
в
3
Э5
~
1./-
5
./
311 с
в
7
8
9
AABBCCJJ'jj
Рис. 5-36 .
Рис. 5-37
Рис. 5-36. Принципиальная схема преобразователя десятичного кода
в двоично-десятичный код 1-2-4-8.
Двоично-десятичиый код
Двоично-десятичный код
Десятич-
~l+l+i-+
Десятич-
+1+!+1-+-
НЫЙ l{ОД
НЫЙ !<ОД
1
1
о
1
о
1
о
1
1
6
1
о
1
1
1
1
1
о
2
1
о1о
1
1 1.о
7
1
о
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
3
о
1
о
!·
1
8
1
о
о
·о
4
1
о
1
1
1
о\'о
9
1
1
1
о1о
1
1
1
5
1
о.
1
1
оj1
518

Р ис. 5-37. Принципиальная схема преобразователя кода Грея в
и чно-десятичный код 1-2-4-8.
Код Грея
Двоично-десятичный !{ОД
•
1-2 -4 -8
D
с
в
1
А
D
о
о
.
]
1
о
о
о
1
о
о
о
1
о
о
о
1
о
о
о
1
о
о
о
1
u
IJ
о
1
о
1
о
1
о
о
_
/
о
Р ис . 5-38. Схема сравнения на два разряда.
у=АоВо+ А0В0+ А1В1 + А1В1 =
=(А0В0 +А0В0) (А1В1+А1В1).
1
с
1
о
1
о
1
о
о
о
о
ПРИМЕРЫ ФУНl(ЦИОНАЛЬНЫХ УЗЛОВ
НА МИКРОСХЕМАХ СЕРИЙ 113, 1(113
в
о
о
о
о
о
о
1
1
1
1
1
1
1
1
1
-
1
1
дво-
А
о
о
о-
о
1
о
у
Реали3ация логических функций (!{роме функций ИЛИ - НЕ, вы­
пол няемых непосредственно элементами микросхем серий 113, К:! 13)
осу ществляется · путем комбинирования соответствующим образом
элем ентов ИЛИ-НЕ. В табл. 5-2 приведены вариантьi построения узлов,
р е а лизующих логические функции И, ИЛИ, И-НЕ, ИЛИ - НЕ,
эа п рета, сложения по модулю. Построение функциональных ' узлов
ос н овано также на нспользоIJ а нии с;етных триггеров различных типов.
519
,,,

~о
Во
Ао
Во
А1
81
А1
81
Аг
вг
Аг
Вг
AJ
BJ
AJ
83
Эч
Ао
Во
Ао
Во
А1
81
А1
81
Аг
82
Аг
82
AJ
83
AJ
8J
&1 Э1
Выход
Вход 1/-u. 5разр.
Вход 1/-u. 5разр.
Вход би. 7разр.
Вход би. 7разр:
а)
Рис. 5-39. Схемы сравнения на восемь разрядов.
а-типI;6-тип11.
s л..
s---. .. .. ..
Pi ---..г:==z::
fi
...r1+-_-1..;-_-..r.:_:11-:__1
Рис. 5-40.
Рис. 5-41.
Рис. 5-40. , Принцип иальная схема однор азряд ного комбинационного
сумматора (тип 1) .
Рис. 5-41. Принципиальная схема одноразрядного накапливающего
сумыатора (тип 11).

ц,
Э1
Эz
Эц
1/'l-1JiБJJ8 1/'1-1ЛБ338 1/'1-1ЛБJJ3
t
t,
t
Рис. 5-42 . Принципиадьная схема (а) и временная диаграмма работы
(6) генератора · импульсов на . микросхемах серии 133.
кГц f
4·10 3
3-10:J
2·10:J
1:10:J
800
GOO
1100
200г
•1iz~
1101
20
пФ
Рнс. 5-43. Зависимость частоты импульсов генератора на микросхемах
серии 133 от емкости С/.
17 п/р Тарабрииа 5. В.
521

Э3
Вход
1/1/-1ЛБ333
Выход
,8
Эi/
1/'1- 1ЛБ333
а)
33
Эц
1/'1-1ЛБJ3J 1/'1-1ЛБ333. Эs
Вход
8 1/'1-1ЛБ333
Выход
о)
т
Lt
t·
в)
Рис . 5-44. Принципиальные схемы и временная диаграмма работы
формирователей импульсов по переднему и заднему фронтам входного
сигнала .
·
·
·
•
·
О1
/иl""/и2=ntзд, р; ер+(n-:- 1)tэл ,
rде п - ч етное число элементов, учас,твующих в задержке сиrна11а,
622
• Л/1 =tи , вх -1и!+1~,i/ ;
дt2=Т-tи,вх - tн2- 1~i/ •

Рис. 5-45. Принципиальная схема
выделения пачек импульсов на
микросхемах серий 133, 155, К133,.
К155.
а)
Э1~Эq. .
1ЛБ333, 1ЛБ55J
З:r
Вход1
8, Выхо/1
t
Uчl-l\J,-.-I--------
U5-.- !I!' _ __ __ __
U5J,-1111 - -III - -U --- ----
о)
Рис. 5-46. Принципиальная схема генератора одиночных импульсов
(тип l) (а) и временная диаграмма его работы (б) на микросхемах серий
133, 155, К133, К155.
523

а)
Выхо81
R2
750
Выход2
Выход
6)
Рис. 5-47 . Принципиальные схемы генера1оров . одиночных импульсов,
тип Ila (а) и тип Ilб (6) на элементах И-НЕ МС серий 133, 155, К133,
К155.
•
ивых3 ...._____. ._____......
о)
Рис. 5-48 . Принципиальная схема (а) и временная диаграмма работы
(б) распределите,~я импульсов на микросхемах серий 133, К!ЗЗ, 155,
К155.
•

Функция
у~Х1Х2
.у=с'Х1Х2
У=Х1Х2Х3Х4
RJ<:.л
Т1ш микросхем•
3/4 JЛБ131
1/2 1ЛБ131
1
1ЛБ131 + 1/2 IЛБ\32
или
К!ЛБ131 + 1/2 К1ЛБ132
Таблиц а 5-2
1:
Функциональная схеыа
~.
~

~о,
Функция
!J.. = X1+X2
У=~ +~+~+ ~+~+~+~+~
!f=X1X2 ·
Тип микросхем •
1/2 IЛБ\ 31
!ЛБ\35
1/4 1ЛБ131
!ЛБ!З!
Продолжение табл. 5-2
Функциональная схема
~
з....u
l-U
'
'''

Продолжение табл. 5-2
Функция
Тип микросхем •
Функциональная схема
У = (х1 +х2) (хз+хJ
3/4 1ЛС131
Y= X1x;+-ti"x2
!ЛС!Зl
с,,
• Для
реализации указанных в таблице функций могут быть применены '1Икросхемы серии 1(113, аналогичные по функцио•
~ нальному назначению микросхемам серин 113.
•

ТРИГfЕРЫ
Схемы тpиrrepo!J, nриведенные на рис. 5-49-5 -53, обеrnечивзют
nостроение различных фующиональных узлов.
'
Выполненные по схемам рис. 5-49-5-53 триггеры по быстродей­
ствию равноценны. Максима.1ьная рабочая частота nерекл1Очения не
более 500 кГц. Запуск триггеров обеспечивается при длительности фрон­
тов входного импульса не более 10 мкс.
а)
и
'~t
ит
___r-t__Г"'1__. t
И1
~t
'~
t
~t-
____n___n,____:.t
~t
t)
Рис. 5-49 . Принципиальная схема (а) и временная диаграмма работы
,.
(б) счетного триггера, тип 1.
s
и.
~t
~t
__л_____г~,___ t .
~t
~t
__,--,__г-,_г-t
· Рис , 5-50 . Принципиальная. схема (а) и _ временная диаграмма - работы
(б) счетного триггера, тип 11.
Счетный триггер типа I на микросхемах 1ТР131 и 1ЛБ132 (рис. 5-49).
,
. f !a Т-вход триггера подается положительный сигнал, обеспечиваю­
щий nереключение · триггера с выходами и1 и и2 , nри этом на выходах
иъ и и~ форм_и~ютс~ _ урdвни, инвертирующие состоя,,ния nлеч триггера
(выходы Q и ·Q).
•
••
528

В момент окончания _ дейст1щя входного сигнала выходные уровни
u1 , u2 меняются на обратные (по сравнению с состоянием, предшест­
nу1ощим рриходу счетного импульса) в _ за~исимости от перерадщ1, по­
ступающих с выходов ii~ и u6 • Таким обр _азом, через время, равное тр~м
задержкам переключения,, после окончания счетного импульса будет
сформировано новое состояние: триггера (выходы · Q и Q).
•
а.)
/,L
.
.
~t
~t
~t
~t
~t
6)
Рис. -5-51. - Принципиальная
схема (а) и временная диаграмма работы
•(б) счетного триггера, тип III.
Счетный триггер типа 11 на микросхемах IЛБ!Зl и IЛБ1.З2
(рис. 5-50) по сравнению · с триггером типа I требует дополнительного
инвертора на выходе 2 для образования импульса переноса в следующий
разряд, 9днако имеет то преимущест13_о, что сраба~:ывает отпереднего
фронта запускающего сигнала и одновременно имеет . плечо (выход 5),
срабатывающее от заднего фронта .
•
а.)
u~t
.
~t
u1i----=a;;;;__;;===='---===-: .., . _
u2 ~t
~t
_
_ _ .r---,_ _r---it
~t_
~t
Рис. 5-52. При.1щипиаJ~ьная, с-хема (а) и - временная диаграмма работы
(б) счетного триггера, тип I V.
Этот триггер может работать как от _ положительных _(высокого
уровня) сиrцалов, так и от инвертированных (низкого уровня) · си.гналов,
показанных 11а диаграмме.
Схема счетного триггера типа 111, построенного на микросхемах
-IТPIЗI,
, 1ЛБ131, и временная диаграмма его ра~оты приведены на
, р11с. 5-5\, а, 6.
,
_
•
.
,
Срабатывает триггер от фронта запускающего _ положител~;,ноrо
(высокого . уровня)
_ сигнала.
С~rн;1л переноса _ в _ следующий •_р ·а з-
-ря.д
снимается с выхо,11,а ii1 или · u2• Фронт импульсов перен()j::а и п'отен-
!)29

циальных сигналов формируется по переднему фронту запускающи~
сигналов .
'
Схема счетноrо триrrера типа IV, построенного на микр;схемах
lЛБ 132, и 1ТР131, и временная диаграмма его работы приведены на
рис. 5-52: Триггер срабатывает от спада запускающего положительного
сигнала. Сигнал переноса снимается с выхода 2.
Фронт потенциальных сигналов формируется по спаду запускаю­
щих сигналов.
Схемы синхронных триггеров на микросхемах 1ЛБ131 и 1ЛБ132
и временная диаграмма, поясняющая _их работу, показаны на рис. 5-53.
т
Urt-==- -==- -=='---'==--=:,;e. -= =,_
• U11--===~-===: : : :!... _ _ !:===, .; . _
u.21-==::!l.._Ь===_J====:=::!._J~
uQi-==:.---===-,_-====--..,;..
uq1---=== - --=== - __ ;==,;..
u.5J-o,,L.J'==-=L'===='--'==.:..
U.5L.=:===--=====......!===:=..
в)
tr)
Рис. 5-53. Принципиальные схемы счетных триггеров типов V (а);
VI (6) и временная диаграмма их работы (в).
Триггер по схеме на рис. 5-53, а используется в случаях, когд<! не
требуется предварительная установка. Ус;южнения для триггера с уста­
новочными входами (рис. 5-53 6), связаны с необходимостью подавлять
помехи по шине переноса (при действиях установочных сигналов) и
предотвращать расширение импульсов перено'са от разряда к разряду.
Срабатывают эти триггеры от спада запускающего положительного
сигнала. Сигнал переноса в следующий разряд снимается с выходе.в
U5ИU6.
Для оперативной памяти небольших объемов информации с малым
быстродействием целесообразно применение триггеров на микросхемах
серий 113, К! 13 с демпфированием их при помощи конденсаторов.
Емкость понижает быстродействие микросхемы и увеличивает ее дина­
мическую помехозащиiцещюсть. В этом случае запуск триггера должен
производиться импульсами увеличенной длительности .
Схема триггера на микросхеме 1ЛБ131 при наличии малой демп­
фирующей емкости (рис . 5-54). Минимальная длительность. запускаю-
530

щеrо имп,ульса в микросекундах для такого триггера
fи=KCi,
_ где
К - коэффициент, определяемый по кривой, приведенной на
рис. 5-55; С1 - емкость конденсатора, пФ.
Вход1
Выход ·1
LLf!x1
t,
С1
t
LL6ыx1
t
а.)
-
Вход2
ивых2
t
б)
Рис. 5-54. Принципиальная схема (а) и временная диаграмма работы
(6) триггера долговременной памяти.
-
JD0 к
20D
(.,..,,-'
i..--
-
--
.v
1DD
-
--
С1
d
2000 '1-000
BDD0 1D000
20000 п'Р.
Рис. 5-55. Зависимость коэффициента К 'от емкости Ci.
Для обеспечения надежного переключения триггера на его входы
следует подавать·_ запускающий импульс длительностыо в 1,5-2 раза
больше минимальной.
Для съема информации с триггера рекомендуется применять ВЫ•
;ходные элементы НЕ.
СЧЕТЧИl(И
Схема счетчика типа I с последовательным переносом, построенного
на , триггерах (рис. 5-56).
Каждый разряд счетчика имеет входы записи информации, раз-
решаемые инвертированным _ положительным сигналом.
,
Счетчик удобно применять для управления дешифраторами и ло­
Г!1ческими схемами, входные импульсы на которые подают~я одновре.
меино с входными импульсами на счетчик.
531

Сигнал на вход R подается от мqщного элемента IЛБ\33 или
1ЛБ!34.
•
г· т-разряд --- ~
1
R
т'
.
Q
1
1
.
1
.
.
1
1
1
.
1
1
' L---•
.
1.
1.
1
' Zn L___
•·-·-·
Рис. •· 5-56 . Принц ипиальная схема счетчика с последовательным пере­
носом, тип I .
Счетчик с последовательным переносом, построенный на счетных
тpI1rrepax типа '11 .
1
1·
•
1.
1 ,..______-+---'-'
1
~------·- =._ J
Рис. 5-57. Принципиальная схема посл~довательно~о счетчика, тип Н.
Каждый разряд счетчика (рис. 5-57) имеет входы записи информа­
ции и общую цепь установки нуля.
Временная диаграмма • одного . разряда счетчика приведена на
рис. 5-50.
632
\

г· п-йразр;а-·1
•,
Вык/'{,<онтр)
RТ
•
1.
Q1.n.. , 1
•
1
09----~-Qп
o. ----tJn.n .
.
1•
11
11
•
1
Рис. 5-58. Принципиальная схема (а) и временная · диаграмма работы
(б) счетчика с последовательным переносом на JKT-тpиrrepax.
и,
Ити1
t
Ити2
t
и,1
t
Uz
t
t.
t
Lt5
·t
и,6
LLQ.
иа
t
а,)
6)
Рис. 5-59 . Принципиальная схема разряда . синхронного счетчика (а)
11 временная .11,иаграмма (б) его работы.
533

Счетчик с последовательным переносом
(рис. 5-58). Счетчик может работать в режиме
в режиме регистра сдвига.
на J l(Т-триггерах:
двоичного счетчика и
В режиме двоичного счетчика осуществляются синхронизирован­
ный перенос тактовых импульсов, подаваемых на · его счетный вход,
и параллельное кодирование счетчика по входам S.
В режиме регистра сдвига осуществляется сдвиг . вправо при записи
единицы в младший разряд и последующей подачей одиночных имnуль­
с9в на вход R (при условии отсутствия информации в остальных разря-
дах).
.
Для сброса информации на вход R необходимо подать серию им­
пульсов, число которых не менее числа разрядов счетчика.
R
т
s
Вычитание·
Сложение
Рис. 5-60. Принципиальная схема реверсивного счетчика.
\
Схема разряда синхронного счетчика, выполненного на микросхе­
мах lЛБl .31, и поясняющая. его работу временная диаграмма приве-
дены на рис. 5-59, а, 6.
_
Разряд счетчика образован двумя RS-триггерами с установочными
. вход ами,
связанными между собой через схемы И. На вход счетчика
поступают две последовательности импульсов Т,11 и Ти2 ,
Импульс переноса в следующий разряд снимается через вентиль
С ВЫХО):\ОВ Щ И U5.
Схема реверсивного счетчика, построенного на триггерах, приведена
на рис. 5-60. Сигналы сложения и вычитания являются инверсными
между собой и коммутируют импульсы переноса между разрядами
с · прямого или инверсного плеча.
Декадный счетчик с последовательным переносом, построенный на
микросхемах 1ЛБ131 и 1ЛБ132, приведен на рис. 5-61.
Сигнал R подается от мощного элемента 1ЛБ133 или 1ЛБ134.
Первые восемь импульсов изменяют состояние счетчика так же,
как в обычном двоичном счетчике. После восьмого импульса состоянне
534

1000 (8) расшифровывается и разрешает следующему девятому импульсу
nеревести счетчик в состояние 1111 (15). Десять1й импульс сбрасывает
декаду в ·состояние 0000.
•
R
т
Рис . 5-61. Принципиальная схема декадного счетчика с последова­
тельным переносом.
Значения выходных функций определяются таблицей инстинности
работы декадного счетчика (табл . 5-3).
•
Таблица 5-3
Сч. вх. 1 11,
1
11,
1
у,
1
у,
Сч.вх.1 у,
1
11,
1
11,
1
IJ•
о
о
о
о
о
5
о
1
о
1
1
о
о
о
1
6
о'1
1
о
2
о
о
1
о
7
о
1
1 '··
1
3
о
о
1
1
8
1
о
о
о
4
о
1
о
о
9
1
1
1
1
,.
ДЕШИФРАТОРЫ
Дешифратор формирует сигнал на одном из выходов ,в зависимости
от комбинации . сигналов на его входах .
•
Дешифратоrы прямоуг9льного типа выполняют на элементаJil
2ИЛИ-НЕ микросхем \ЛБIЗ! с равномерной нагрузкой по всем входам.
На рис. 5-62 приведена схема дешифратора прямоугольного типа на
четыре входа.
Для построения дешифратора матричного типа требуются микро­
схемы с числом входов, равным числу входных переменных. На рис. 5-63
riриведена · с хема дешифратора матричного типа на четыре входа, по­
строенная на микросхемах IЛБI~\ и 1ЛБ132.
635

~ -:-.-,-rr
])
с
с
])
в
А
Рнс. 5-62 .
Рис. 5-63.
Рис. 5-62 . Принципиальная сх~ма дешифратора прямоугольного типа на МС серий 113, К1 13 .
Рис . 5-63. Принципиальная схема дешифратора матричного типа на ми.кросхемах G&рий - НЗ, К:! 13.

в
А
1Ь. ~1&-;
111== -
с
1
1 1 t"'LJ 11 Н-.1
11~
jJ
о,
:::J .
RЛ.
1-iiразряВ
1
112-йразряВ
-~
·1
.
\~ ~~1
~с:,
.
"'
•
<>::i ЧразряВ
lГ Запись
СчитыВание lГ
Рис. 5-65 . Принципиальная схема четырехразрядного
однофазного регистра.
~
Рис. 5-64. Принципиальная схема дешифратора пир-ами•
далыщrо типа на МС серий 113, Kl 13.

1.Г Занись
1'-iiразряд
1-dразряд
2-йразряд
4-йразряд
Считы8ание SL
Рис. 5-66. Принципиальная схема 'lетырехразрядноrо парафазноrо
регистра .
Пирамидальный дешифратор на микросхемах 1ЛБ131 (рис. 5-64).
Цирамидальные дешифраторы строят на · двухвходовых элемента»
ИЛИ-НЕ, нагруженных на два аналогичных элемента; при этом соз­
дается неравномерная нагрузка по различным входам. Запуск схемы
по входам С и D должен осуществляться от мощного элемента JЛБ!ЗЗ
или 1ЛБ!34.
РЕГИСТРЫ
Однофазный и парафазный регистры памяти, построенные на мик­
росхемах !ЛБ 131 (рис. 5-65 и 5-66), Реrистμы памяти представляю11
собой совокупность одноразрядных регистров, которые могут быть
построены как однофазные, так и парафазные.
Для записи информации в однофазный регистр требуются два
такта: первый - «установка нуля», второй
-
«запись»; для парафаз­
ноrо один такт - «запись». В цепях съема информации с регистра
рекомендуется применять выходные элементы НЕ, ИЛИ-НЕ.
СУММАТОРЫ
Двухразрядный комбинационный сумматор (рис. 5-67). На вход
каждого разряда поступают прямые и инверсные сигналы двух сла­
гаемых А 1В 1 и перенос с предыдущего р11зряда Р 1-I • На выходе форми- •
руются сумма S1 и перенос в следующий разряд Р1 ,
538

Аi+1 ____г;- --,
Bi+1
Ai
Bi
Pi-1 --- ----~
-------f
Рн--------
Р.+1
Р;,
Рис. 5-67. Принципиальная, схема двухразрящюrо комбинационного
сумматора.
l/-8
'1-8
.
Выхоа
t
Uzt-----.,- --- '---- _.; ...- ---, ---
о)
г)
Р ис . 5-68. Принципиальные схемы генератора высших (а), средних (6),
l! изших частот (в) и временная диагр а мма работы ге нератора низших
•
частот (г) .
539

ГЕНЕРАТОР.Ы ИМПУЛЬСНЫХ НАПРЯЖЕНИЙ
. Генераторы
вырабатыв ают импульсные напряжения со скваж­
ностью Q ""' 2. Стабильность генерируемых колебаний определяется·,\
в· основном стабильн остью напряжения источника питания.
~-
МГц
1,6
0,8
0/1
о
fг,., •
\
\
~r--...._
----
R1, R2
30 90 150 210 270 330 390 1/50кОм
Рис. 5-69. Зависимость частоты генератора (рис. 5-68, а) от соnро­
тивлений резисторов R1 и R2•
Генератор высших частот на микросхеме lЛБ 135 (рис. ·5 -68, а) .
Диапа ;юн генерируемых частот 0,15-1,5 МГц.
.Зап уск
т
~а)
ц..,
t
Запуск
t
и1
t
t
U.2
t
lL3
.--- t
ич
L-- t
U.5
г--,
t
и,.,х
Рис. 5-70. Принципиаль~ая схема генератора одиночных импуJ)ьсов.
Резисторы.R1 , и R 2 нео(>ходимы для подстройки . частоты; их сопро,
тивление liыбирает1;я в цределах 3,9 - 300 кОм. Для ориентировочного
540

·в;~~tJ
.•
••
-
1
с,
.,
Н..
1 Выхоt1
,
а.) ,
t
.,
ин
U8x~t,
;,,11• ·tиВых
•
r-e
,
.-,
t
UfJыx· i-=-- --8====---=
'------11=====--='-==- --
Рис, 5-71 .. Принципиальная схема формировате 11 я импульсов по спаду
входного импульса (а) и временная диаграмма ero работы (б).
Uc1._~---~---
·==----=:::==-·+_:U"::,e1и:::,·н_t_
rJ)
Рис. 5-72 . Принципиальная схема формирователя импульсов по фронту
входного импульса (а) и временная диаграмма ero работы (б).
Х1
XJ
хг.
хч
у
Рис. 5-1з: Пр~нuипиальная схема фор~!!IРОВ,а,ния . контрольного раз~
ряда для проверки · информации на нечетно'сть. • •

выбора значений сопротивлений в зависимости от частоты можно 'поль­
зоваться графиком, приведенным на рис. 5-69 .
Генера~ор средних частот на микросхеме IЛБ 131 (рис. 5-68, б).
Частота гене р ируемых колебаний не более 300 кГц; она определяется
емкостью конденсатора С1 . Ее зщ1чение в пикофарадах
С1 =80 Т,
где Т - период колебания, мкс.
_
Ген~ратор низших частот на микросхеме lЛБ 135 (рис . 5-68, в).
Частота генерируемого напряжения определяется значениями емкости
~шнденсатора С1 и сопротивлениями резисторов R1 и R2 . Сопротивления
этих рез исторов не более 150 кОм . Диапазон генерируемых частот лежит
в пределах от сотых долей герца до 100 Гц.
Генератор одиночного импульса на микросхемах 1ЛБ131 и !ТР131
(рис. 5-70, а, 6) выделяет один импульс при приходе на его вход раз­
решающего сигнала «запу ск».
ДJштельность выходного импульса определяется · длительностью
импульсов tи последовательности Т.
ФОРМИРОВАТЕЛИ ИМПУЛЬСОВ
Формирователь импульсов по спаду входного импульса, построен­
ный на микросхеме IЛБ 131 (рис. 5-71).
IJr
Х1
Yz
Xz
х3
Xq
Х3
хч
Рис. 5-74 . · принципиальная схема формирования вычета по «модулю З:1.
Длительность выходного импульса fи;вых зависит линейно от
емкости конденсатора С1 до значений длительности, равной примерно
- 8~10 длительностям входного импульса tи.вх· Дальнейшее увеличе­
ние емкости к увеличен11ю длительности импульса не приводит, таю
как · за время fи, в'х конденсатор не успевает пщшостью разрядиться.
р42

Схема формирователя импульсов по . фронту входного импульса
(рис . 5- 72) построена на микросхеме I ЛБ 131. В этом случае длительность
выходного импульса tи, вых значительно меньше длительности входного
импульса tи ·,вх·
. Ем1юсть
С1 в пикофарадах, обеспечивающая заданную длитель­
ность импульса tи, вых, равна:
С1 =250 lи, вьlХ'
где tи, вых,МКС.
Формирователь l(Онтрольноrо разряда при проверке информаuии на
не'!,етность (рис. 5-73) выполнен на микросхемах IЛБ131. Если п-раз-
• рядная информация содержит четное число единиц, то в (п + 1)-м
ко нтрольном разряде формируется логическая единица . В результате
во всех разрядах с _ учетом контрольного количество единиц нечетное.
Формирователь вычета «по модулю 3» предна значен для контроля
узлов арифметических _ устройств. На рис. 5-74 приведена схема форми­
рования вычета «по модулю 3» двоичных чисел, построенная на микро­
схемах 1ЛБ131 и 1ЛБ132 .
Т,аблица соответствия выходного двухразрядного кода от комби­
нации входного четырехразрядного числа, поясняющая работу форми­
рователя вычета, приведена в табл. 5-4.
Таблиц а 5-4
No
х,
х,
х,
у,
у,
о
о
о
о
о
о
о
1
о
о
о
•1
о
1
2
о
о
1
о
1
о
3
о
о
1
1
.о
о
4
о
1
о
о
о
1
5
о
1
о
1
1
о
6
о
1
1
о
о
о
7
о
1
1
1
о
1
8
1
о
о
о
1
о
9
1
о
о
1
о
Q_
10
1
о
1
о
о
1
]1
1
о
1
1
1
о
12
1
1
о
о
о
о
13
1
1
о
1
0'
1
14
1
1
1
о
1
·о
15
1
1
1
1
о
о
5-3 . ПРИМЕРЫ ПОСТРОЕНИЯ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ УЗЛОВ РЭА
НА АНАЛОГОВЫХ МИКРОСХЕМАХ
"
В · данном параграфе приведены некоторые примеры практических "'
схем функциональных узлов РЭА на аналоговь1х интегральных микро­
схемах с ориентировочными электрическими параметрами этих узлов
при нормальной температуре.
543

Мао11ошумящий усii.11ите.11ь низкой частоты на микросхеме
1УС231 (рис. 5-75)
10
9 +Сч Выход
>-----1 Fi ------
Вход С1 +
-----11 i------..i~
-1oo)o
100)0
R1
7i
КП103
1,5М ----+ ---'
Uи.пz=-6)38
Рис. 5-75. Принципиальная схема 1,1алошумящеrо усилителя · на ми­
кросхеме I УС231.
Входное сопротивление не менее ...... .
Неравномерность А ЧХ в диапазоне 20 Гц - 200 кГц
не более ..... . .. . .......... .
Максиr;1альное выходцое напряжение не менее ..•.
Входная ем1юсть не более . . . ........ . . .
Сопротивлениенагрузки ................
Напряжение шумов в полосе частот 20 Гц - 200 кГц
• Входной ·
сигнал ПЧ
R3
56
10 ..--- -- -- -t
С5
1выход
• сигнала.ПЧ
1,5 МОм
1,5 дБ
1,5 В
10,0 пФ
500 Ом
3-30 мкВ
Вь1ход
сигнала.
Uи.п==б,3В _,
Рис. 5-76. При~щи-nш,:Льная схема каскада усиJJителя . пром ежуточной
частоты с JJОrаР.ифмической · nepeXO,!tHOЙ характеристикой на микро-
•
схеме 2УС282, .•·
--
..
-
.
.

Каскад логарифмического уси'.llи1еля промежуто'fной• · частоты на
микросхеме 2УС282 (рис; 5- 76). При таком включении микросхе~а
выполняет функции усилителя-ограничителя и детектора.
•1
•
•
Коэффициент усиления не менее .. . . ..... . . .
Верхняя граничная частота на уровне 0,7 не менее
Центральная частота
..
..
. ... ...
:...
Полярностьвидеосигнала..............;
• Зиачени·е емкости С, соот.ветствует частоте 60 МГ11.
5
80 МГц
30- 80 Л1Гц•
Отрицательная
Избирательный усилитель . на микросхеме I УС231 (pliG. 5 -77, а.)
Вхоа
Вхаа
.
R3
1/Jк
С1 0,1
~i Rг•
10к 1бк
R9
•Rs
10к
а,)
~---~
и•.п=б, 3_8
б)
P1ic. 5 -77. ПринциnиаJiьные схемы избирательных усилите-!]еЙ на
ми~<росхемах I УС231.
а - ва ,iастоту 80 Гц; 6 - на 'Jастоту_ 160 Гц.
Це~тральная частота полосы пропускания .
Ширина полОС'1J пропускания на уровие О, 7
Входное напряжение . .. .. . . .. ..
Входное·· сопротивление .. .. . ·. .
.
"
.
.....
Выходное напряжение . не менее. • , :. ,
..
.
80 Гц
6Гц
1,0 мВ
• 20.·ком
2В
545
""\
',)

Избирательный усилитель на микросхеме 1УС231 (рис. 5-77, 6)
Цент,ральная частота полосы пропускания .
Ширина полосы пропускания на уровне 0,7
Входное напряжение . . . . ...
Выходное напряжение не менее .
1'•
160Гц
10 Гц
3,0 мВ
1,5 В
Эмиттерный повторитель на микросхеме 2УС284 (рис. 5-78)
,.,.
и• .п=12,Бв
Uн.п1=--б,JВ U,.пг=б,38
Вых. эмитт. по8т.
R1
560
/Jход
Рис. 5-78.
СгI
0,033
Рис. 5-79.
Ри с . 5-78. Принципиальная схема эмиттерного повторителя на ми­
кросхеме 2УС284.
Рис. 5-79. Принципиальная схема эмиттерного повторителя и усили­
теля на микросхеме 2УС284.
Нижняя граничная частота f 11 ••
-Верхняя граничная частота f 8 ••
Коэффициент передачи ... . . .
Выходное сопротивлени_е не более
3 МГц
30 МГц
0,92- 1 ,О
120 Ом
Эмиттерный повторитель и усилитель на микросхеме 2УС284
(рис. 5-79)
Амплитуда входног,о сигнала эмиттерного повторителя •
Частота входного сигнала эмиттерного повторителя
Амплитуда входного сигнала усилителя не менее
Частота вхо.nного сигнала усилителя . . . . . . . .
150-200 мВ
5,0 МГц
20 мВ
5,0 МГц
Усилитель-огран ичитель на микросхеме 1УС231 (рис. 5-80)
Входное напряжение не более .. . .
Верхняя граничная час_тота не более
Напряжение ограничения на выходе
546
0,4 В
100 кГц
0,8-2,0 В

Видеоусилитель на базе микррсхемы 1УС231 (рис. 5-81)
Рис. 5-80 .
500,0
С3'13 СчТ
U,,.п=б,JВ
хоа
-Jl
Рис. 5-81.
R2
510
Рис. 5-80 . Принципиальная схема усилителя-ограничителя на ми­
кросхеме 1УС231.
Рис. 5-81 . Принципиальная схема видеоусилителя на микросхеме
1УС231.
Амплитуда входного импульса не более . . . . . . . .
0,4 В
Полярность входного импульса . . . .......... Положительная
Дли'l'ельность импульса не менее .....
Частота повторения не более . ,,
.
.
.
.
.
Амплитуда выходного импульса не более
Полярность выходного импульса ..
-(отрицательная)
.
;...
10,0 мкс
50,0 кГц
22В
....... ПолоJ1~ительная
(отриц~тельная)
Преобразователь частоты на базе микросхемы 1УТ221 (рис. 5-82)
.Rs
Ч7к
С3
3300
Выход 2
Выход1
Un.n1.= - 6,JВ
Un.n2= -1 2,68
Рис. 5-82 . Принципиальная схема преобразователя частоты на ми­
кросхеме 1УТ221 Б.
547

Вход,ное напряжение .• ; ........ •
.•.. ...
Коэq:фiщиент передачи не менее . . . . . . . ..
Верхняяграничнаячастотаf8••••,•••••
Диапазон разностных час.тот выходного сигнала
Коэффициент гармоник не более ..... .
..
0,5 В
2
.
1,0 МГц
. ±50кГц
2%
Оп~рiщионный усилитель на микросхеме 1УТ22!Б (рис. 5-83)
Входное сопротивление не менее ·
Коэффициент усиления не менее ... .
Входной >гок не более ...... . .. .
Разность входных токов не более . . . .
Напрящение смещения нуля не более .
Выходноенапряжение', . . . .... . .
СопротивJiение нагрузки
.
.
,.
Вхоа1 q.
Вка82
10
Uн.nt =+6,38
7
•R1
дt
5,1к Д223
Выхоа
R2
s,1к -в,ш
Рис, 5-83 ,
С3
12
Uн.nt=12,68
R3
Рис. 5-84 .
6 кОм
20
10 мкА
2 мкА
±20 мВ
±4в·
20 кОм
Рис. 5-83 . Принципиальная схема операционного усилителя на ми­
кросхеме l'УТ221Б . ••
Рис. 5-84. Принципиальная схема . дифференцирующего усилителя •на
микросхеме 1УТ401Б.
Резистор R2 подбирается при регулировании усилителя.
Дифференцирующий усилитель на микросхеме 1УТ401Б (рис. 5-84)
Длительность импульса входного сигнала . ......... . 10 мкс
Частота следования входных импу.flьсов
Максимальная амплитуда выходного сигнала
Длительность выходного импульса (по уровню 0,5): .
положительного .......... ;
..
отрицательного ..................
Длительность фронта выходного импульса:
положительного............•
.
отрицательного .. .. . ....... .
Дл ительность спада выходного импуль'са:
,-
поло жительного
.qтрицательного
10 кГц
+9,8 В
-
7,2 В
.
+О,55 мкс
. -0,65 мкс
0,13 мкс
0,3 мк,с
1,2 мкс
1,5 мкс

Формирователь импульсов на микросхемах 2УС282 я 2УС284
(рис. 5°85)
Вх.оа .
R1
3,9к
R,,.
270
Rв
5,бк
R10
330
Rн.
21/к
Выхоа •
R1з R1s
б,Вк 1,бк
Uн. п=-6,38
Рис. 5-85; Принципиальная схема формирователя импульсов на ми­
кросхемах 2УС284 и 2УС282.
Параметры входных импульсов положительной поляр-
ности:
0,5-2 В
амплитуда .....
длительность . . •
.
частота следования
. 0,1 мкс-! мс
!Ofц..:... JOO кГц
Амплитуда выходных импульсов· положительной поляр-
ностинеменее.......•.
.
.-
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
3,0 В
Формирователь пилообразноrо напряжения на микросхеме
1УТ401 (рнс. 5-86)
Длительность рабочеrо хода . . .
Длительность обратноrо хода . . .
Коэффициент гармоник не более:
при Ивых=3,4 В
приИвых=б,ОВ. •.. ,
..
5-100 мкс
2-10 мкс

Вход R1 ·1к
Тег
0,05
R1
82к
С3
Io,os
Uи.nt= 12,68
7
5
С,;
1000
Uи.112 =-12,6Е!
Rg220к
Cs 830
Выхоа
Рис. 5-86. Принци-пиальная схема формирователя пилообразного на•
пряжения на микросхеме 1YT40l Б.
Мультивибратор автоколебательный на микросхеме 1УТ221 В
(рис. 5-87)
Формавыходногосигнала.................. Меандр
Амплитудавыходногосигнала...............1,5-3В
Частота повторения ..................•. . 0,8-3,0 кГц
Длительность фронта выходного импульса не более . •
5,0 мкс
Выход
Uи.п=-278
Рис . 5-87.
Рис. 5-88.
Рис. 5-87. Принципиальная схема автоколебательного мультивибра­
тора на микросхеме 1УТ22\ В.
Рис. 5-88. Принц~пиальная схема генератора прямоугольных импуль-
сов на микросхеме 11\Т491Б.
_
550

Генератор прямоугольных импульсов на микросхеме 1КТ491В
'
.
(рис. 5-88) •
Амплитуда выходного импущ,са ............. .
Длительность выходного импульса
Длительность фронта выходного импульса
Длительность спада выходного импульса
Частота ,следования импульсов
Скважность . . . •
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
4,0 В
2,5 мкс
0,3 мкс
.
0,2 мкс
. 130 кГц
3,0
RС-rенератор на микросхеме 1УС221Д (рис. 5-89)
Выходное напряжение при Rи=390 Ом, Сн.;;=50 пФ . ' . 1,4-2,1 В
Диапазон генерируемых частот при различных номиналах
навесных элементов·. . . . . . .
.
••......0,5-300кГц
Uн.п=+12,ВВ
Uи.п= 12,ВВ
Рис. 5-89.
Рис. 5-90.
Рис. 5-89. Принципиальная схема RС-rенератора на микросхеме
1УС221д.
Рис. 5-90. Принципиальная схема кварцевого генератора на микро­
• схеме 1УС221 В.
Кварцевый генератор на микросхеме 1УС22\В (рис, 5-90)
Выходное напряжение ... •
Частота генерации . . . . .
Форма ВЫХОДНОГО сигнала
1,0 В
1,25 МГц
Синус~ида
Генератор низкой частоты на микросхеме 1УТ401 (рис. 5-91)
Выходное напряжение ..... •... .. ... .. ... .
.
Частота выходного сигнала ................ .
Нестабильность частоты выходного сигнала
••
Скважность выходных импульсов ............•
7,0-9,0 В
450 Гц
± 10%
2±0,1
551

Сц Выхаа
----с,1-(-----
R1
5,1к
+
С1
10,0
...._______
U._.,_.п..;.2-_--12, 68
Рис. 5-91. Принципиальная схема генератора низкой частоты на ми•
кросхеме 1УТ401 Б.
Стабилизатор напряжения на -микросхеме 1УТ401 (рис. 5-92)
Uex
Тг П201
Uеых
Rt
R1
Rв·
6,Вк
8,2к
'1-,7к
Tt МП16А
5
·· Ct
+ 50,О
Rг
1,:Iк .
Рис. 5-92. Принципиальная схема стабилизатора · напряжения на ми­
кросхеме 1УТ401 Б.
Входное напряжение Ивх ••• . ••
Номцнальное стабилизированное напряжение И вык .• .
Диапазон регулировки стабилизированного напряжеf!ИЯ
То•1ность стабилизации . . . ....... .
.
Напряжение пульсации при / вых = 300 мА
552
17-27 В
12,6 В
11-14 В
1%
5мВ

Выпрямитель со стабилизатором напряжения на микросхем~э
1YT40l (рис 5-93)
Д1 2Д103А
д1
ДВi'IГ
Тч КТВОВА
. +12,IЩ
,-+-+-- ---- -' -' -
Rв
1,1к
Рис . 5-93. Принципиальная схема выпрямителя со стабилизатором
напряження на микросхеме 1УТ40!Б.
Стабилизированное выходное напряжение . :
.....
;...12,6В
Точность стабилизации .... ......... ........ 1,0%
Напряжение пуJ1ьсации не бoJJ ee .
.
.
.
.
....
2,0 мВ
Ма!(симальныйтокнагруз1<И.............
;..0,,8А
18 п/р Тарабринз Б. В.

ПРИЛОЖЕНИЕ 1
Таблица Ш-1
Условные графические обозначения цифровых элементов
Наименование
Повторитель
Логиче~:ки эквивалентная форма
НЕ
- (инверто_р)
Логичес1ш эквивалентная фор~1а
или'
(дизъюнктор)t
Логически эквивалентная форма
ИЛИ-НЕ
(элемент Пирса)l -
Логически эквивалентная форма
и
(конъю_нктор) 1
Логически эквицалентная форма
554
Таблица истинности
J:_Jf_
оо
11
J:_Jf_
О1
1О
ооо
О11
1О1
'1!1
ОО1
О1О
1ОО
11О
ооо
О1О
1ОО
111
'
-
-
Обозначение
u
~
~
~
=В-

Наименование
И-НЕ
(элемент Шеффера) 1
Логически эквивалентная форма
Сложение по модулю 2 (нечет­
ность)!
Сложение по модулю 2 с отри­
цанием (четность) 1
Эквивалентность 1
Исключающее ИЛИ («1 и только
1»)
18*
Продолженuе табл. П1-1
·
Таблица истинности
Х1Х2У
ОО1
О11
1О1
11О
Х1Х2Х3У
оооо
ОО11
ОIО1
О11,О
1ОО1
1ОIО
11О{)
1111
Х1Х2Х3У
ООО1
ОО1О
О1ОО
О111
1ООО
1О11
11О1
111О
Х1Х2Х3У
ООО1
ОО1О
О1ОО
О11О
1ООО
1О1О
11О0
1111
Х1Х2Х3у
оооо
ОО11
О1О1
О11О
1ОО1
1О1О
11ОО
111О
Обозначение
555

,,
Наименова11нt-
~п» и только <т» 2 • Общее обоз­
начение
Логический nорог 3 . Общее обо ­
значение
Мажоритарность 4
Выводы, не несущие логическо;'i
информации
Продол:нсе,-1иЕ
Таблица истинности
1
Х1Х2Х3у
оооо
оо]о
о1оо
о1-]1
]ооо
]о.].1
.
]1о1
]11о
Х1Х2Х3Х4у
ооооо
ооо1о
оо.1оо
оо1]1
о]ооо
о1о11
о11о1
о1]11
1оо'Оо
1оо11
]о]о1
1о1]1
]-1оо1
]1о11
]11О·1
11111
Х1Х2Х3у
оо(}о
ооIо
о1оо
о111
]ооо
1о11
IIо1
I111
1 Число входов может быть любым, больше одного.
табл. П!-1
Обозначение
=EJ_
-cJ
у
u
=6-.
-о
у
п
-
-
u
-
2 Число · входов любое. больше одного; п -натуральное число, не прены•
mающее числа входов логического элемента, например элемент «2 и только 2iJ>.
• ЧнсJю входов
любое, бол·ьше одного; п - натуральное число, не рав,rое
единиuе, меньшее общего числа входов элемента, например логический rropot:r 2
из четырех nеремеНных. . м
,
•
• Число входов ыожет быть любым, нечетным больше одного, напрш,ер три.
556

Примеры обозначеннй комбинационных логических элементов
с равноценны~ш входа~щ
И-ИЛИ
И-ИЛИ-НЕ
ИЛИ-И
/
Пр им е чан и е. Число входов и групп входов может быть любым .
Примеры изображения функциона;1ьных расш11рителей
Функциональ~ый расширитель И для рас- ~
ширения по И (однополюсное под~<лючение .88
•
расширителя) .
~
.
ЕЕ
Функциональный расширитель И для рас­
ширения по ИЛИ (двухполюсное подключение
расr.чирителя)
Функциональный расширитель И для рас­
ширения группы входов по И ( однополюсное
подключение расширителя)
Пр II м е . ч а н и е. При изображении разнесенным способом фун1<циональ • .
1-1ых. - расш11рителеrr и логических · элементов, к которым расширите11и подкл-ю'"
эJн~11ы, символ фунr<ции расширителя указывает: а) операцию, выполняемую нац
•~ входными перемен.ными расширителя, например , И; б) фунr<цию, выполн.яе му 10
основным элементом над результатом операци11 расширителя, например ИЛИ .
557

.
Метки, обознач_ающие функциональные назначения входов
l'lpиrrepoв
Вход для раздельной установки триггера в состояние логи- S *
ческой единицы (S - вход)
Вход для раздельной установки три~rера в состолние ло ги- R
ческого нуля (R-вход)
Вход для уст ановки состояния логической единицы в у н и- ./
вер с альном JК - триггере (J-вход) '
Вход для установки состояния логического нуля в уни- J(
версальном J К - триггере (К-вход)
Счетный JЗХОд ( Т-вход)
Т**
Информационный вход для установки триггера в состолния D
логической ед и ницы и лог ического нуля (D - вход)
Подготовительный управлшощий вход для разрешения при- V
ема информации (V - вход)
Исполни тельный управляющий (командный) вход для осу- С *
ществления п риема информации. Вход синхронизации (С-вход)
• При необходимости к буквам добавляются цифры, например S1, S2, Cl ,
С2,СЗит.д.
** Если триггер имеет только счетный вход, метl(а Т может отсутствовать.
Таблица Пl-2
ОбознаtJения глементарных асинхронных триггеров
Наименование •
Таблица состояний 1 1 Обозначение~
RS - триггер с прямыми входами
АвQ
(с раздельной установкой сос-
ооQ*
tf[μ
тояний «О» и «!»)
о1о
1о1
61.
11Н/0
RS-триггер с инверсными вхо-
АвQ
дами
~
ооН/0
о11
1оо
.
11Q*
U.К- триггер
АвQ
ооQ*
~
о1о
1о1
Q.
-
11Q*
'
558 .

Продолжение табл. Пl-;l
Наименование
Т-трштер (триггер со . счетным
ВХОДОМ)
Подключение к выходам триг­
гера внутренних нагрузочных
резисторов
Таблица состояний 1
-~
оQ*
1Q*
11 В таблицах 'состояниn приняты следующие обозначения ~
Q* - хранение состояния триггера;
Q* - изменение состояни~ триггере. · на противоположнбе;
Н/O - состояние тр11ггера неопределенно.
Обрзначение•
~-
L1_J-д-
или
~
2 Выход логическоГо нуJiн отличается от ВЫ]'Ода единицы индикатором
логического отрицания (Q). Логичес1Сий индикатор на входе триггера указы­
вает, при каком значении ло1'ической переменной происходит определенное
воздействие на состояние триггера.
Примеры обозначений синхронных триггеров со s:татическим управ­
лением*
RS-тpиrrep
D-триггер
-fvrl-
-- i iJ-"
=f]::
DV-триггер (управляющие входы связаны по И)
или
=[)=
• Значение дво ич но й
переменной на статическом входе воспринимается:
все времп, пока сигнал на этом входе находи;тся в одно'м определенном состоя"
:нии.

.
DV-тpиrrep (информационные входы связаны по И)
DRS-тpиrrep с · асинхронными S; и R - входами
Двухступенчатый синхронный RS-тpиrrep с асин­
;хронными S- и R-входа м и и с выходами от первой и
второй ступени
~ КRS -тригrер с динамиче·ским С-входом
RST- тpиrrep с си нхронизирующим счетным вхо­
дом С и асинхронными S- и R-входами
,-·560
nс
к
'

Синхронный RS -тpиrrep, управляемый двумя се­
риями синхронизирующих сигналов
~или
51Т
Sz
R1
R
Примеры обозначений с1шхронньiх триггеров с динамическим нс•
полнительным управляюшим (синхронизирующим) входом*
RS-триггер
DV-тpиrrep
О-триггер
JК -триrгер
Примеры r.бознач~ни1'i триггеров, попроенf1ых по принципу двух•
ступенч11того з,ню;;ш11ашн1 информаци11
RS-триггер
-Гs11п! Q.
ш_р
J!<-трнrгер •
Т - трнггер
D - триггер
~
-t1.r
* ЗнаЧенне двоичJ.1ой переменной на динамическом входе восп_риним~.ется
только в те промежутки времени, r<orдa сигнал на этом входе изменяется опре•
деленным образом. В отличие от статическо1~0 nхол.а динамический вход обо"
~ вначают треуrоJJЬНИJ<ом.
561

Примеры о(!о'\начений триггеров со сложной входной логикой ·
Асинхронный RS-тpиrrep . · входы в S- и R-группах
связаны по ИЛИ (дизъюнктивно)
~
=11г
Асинхронный RS-триггер. Входы в S- и R-группах
связаны по И (конъюнктивно)
Асинхронный RS-триггер, имеющий две группы ин­
версных S-входов, связанных по ИЛИ, две группы пря­
мых S-входов, связанных по И, и один инверсный
R-вход
D-триггер
D-входы связаны по И-ИЛИ
С-входы связаны по И
Обозначения входов и выходов дешифраторов, шифраторов, полу-
сумматоров, сумматоров, кодовых преобразователей и регистров
Вход считывания информации
С*
Вход сдвига
•
D*
Выход по модулю «2»
М2
Вход установки в состояние «О»
R
Выход полусумматора, вход сумматора или вход регистра
~<Сумма по ·модулю 2»; вход установки в состояние «!»
S*
Перенос
Р
Вход подготовки приема информации
V
Суммирующий счетный вход
+1
Входы шифраторов, входы и выходы дешифраторов помечают чис-
лами, изображающими кодовые комбинации: О, 1, 2 ...
Выходы шифраторов помечают числа .. и, изображающими двоич­
ные веса: 1, 2, 4, 8.
Входы и выходы кодовых преобразователей обозначают арабскими
цифрами или латинскими буквами.
•
Условные графические изображения прямых и инверсных входов
и выходов сложных логических . элементов отличают такими же спо­
собами, как и для более простых логических элементов
* В 00означеннях ' регистров
и счетчиков ·применяют совместно с цифро•
выми индексами.
562

Примеры построения условных графических обозначений сложных
логических эл_ементов
Дешифра­
тор (декодер),
общее обозначе­
ние P=2n-L;
m=2п-1, где
п - число двоич-
ных разрядов-
~~-
дешифрируемо- ~
го кода
Дешифра-
' тор
с парафаз­
ными входами
Кодовый
преобра _зователь
Регистр с
синхронизиро­
в-анным приемом
ивформаuии и
асинхронным
вх.одом уста_нов­
ки. регистра в
ё@i!тояние логи­
чеСJ{ОГО
нуля
(вход R)
Сдвигаю­
щий регистр
Одвораз.
рядный сумма­
тор- комбинаци­
онный
У1 = Х1Х2Хз +
+х1х2хз+
+ Х1Х2Х:з.-/-Х1Х2Х3
У2 = Х1Х2 +Х2Хз
+ х1Хз
Полусумма­
тор
У=Х1Х2+Х1Х2
У2=Х1Х2
Двоичный
счетчик с двух­
тактноН синхро­
низацией, ]ЮЗ·
можностыо уста­
новки кода !f
асинхро нным
входом установ-
1ш счетчика в
состояние логи.
ческого ,нуля
Шифратор
(кодер)
или
--гRf-
--LW--
о CJT
1
2
3
'1
5
6
'1
в
1
Пр им е чан и я: 1. Входы и выходы могут быть обозначены произволь•
ными метками .
_
,
2. Допускается входы ло ме чать двоичным-и Весами, а выходы - произволь-4
:ными мeT J{flMИ .
3. Входы могут быть помечены двоичнымц весами,. а . выходы десятичными
и~ображениями кодовых комбинаций.
563

ПРИ_ЛОЖЕНИЕ 2
Указатель типов микросхем, сведения о 1юторых
помещены в справочнике
(по функ ц иональному признаку)
Функция, выполняемая
микросхемой
Ус_ловное обозначение
микросхемы
ЦИФРОВЫЕ МИКРОСХЕМЫ
Логические элемеt1ты И
Элемент 2И с возможностью
расширения по И
Элемент ЗИ с возможностью
расширения .по И
Эл е мент 4И с возмож ностью
р асширения по И •
2 элемента ЗИ с возмож­
ностью расширения по И
2 элемента 4И с возмож­
tюстью расширения по И
4 элемента 2И
ЭJ1ем ент 2 - 2И с расширением
110ИИили
2 эл е мента 2:И с расширением
ПОИ
Элемент 6И
. 1ЛИО41, ЮЛИ041
IЛИ042, · К IЛИО42
!ЛИО43 , К _IЛИО43
1ЛИО44, ЮЛИО44
!ЛИ045, К!ЛИО45
ЮЛИ721, !ЛИ781, К!ЛИ781
2ЛС021, 2ЛСО22, 2ЛСО25,
2ЛСО26
2ЛСО23, 2Л~024
!ЛИО9! •
Логические элементы ИЛИ
4 элемента 2ИЛИ
К!ЛБ384
Эл еме нт 6ИЛИ и элемент К 1ЛЛ201
. 2ИЛИ
2. элемента 2ИЛИ с возмож- 2ЛС011, К2ЛСО11
ностью расширения
Лоrичес1ше элементы НЕ
Элемент НЕ
Элемент НЕ с эмиттерным
повторителем на выходе
2 элемента Н Е
2 элемента НЕ
3 элемента НЕ
5 элементов НЕ
4 элемента НЕ
IЛHI0!A, !ЛН!ОIБ, К!ЛН!О!А,
2ЛН181, К2ЛН18J, 2ЛНf82,
К2ЛН182, 2ЛН 183, К2ЛН183
1ЛН102А, IЛН102Б, К!ЛН102А,
IЛН102В, IЛН!О2Г,
К!ЛН102В
1ЛН103А, IЛН103Б, К!ЛН103А;
2ЛНО21, 2ЛНО22
2ЛН433, К2ЛН433
2ЛН432 , K2J1H432
2ЛНО5!
38
38
38
38
38
196, 204
227
62
15!1
90·
221
66
262
262
66
66
227
298
298
238

17 JJОдолжени·е прuлож. 2
Ф;ункция, выполняемая
микросхемой
5 элементов НЕ с открытым
коллекторным выходо:.~
Элемент 2НЕ
5 элементов {-IE
Условное обо:н~ачение
микросхемы
2ЛН431, К2ЛН431
2ЛН151
2ЛН111, 2ЛН112, 2ЛН113
2ЛН114, 2ЛН115, 2ЛН116
.Т"!оrичеruие элементы И-ИЛИ
Элемент И-ИЛИ
Элементы И- ИЛИ •
Элемент 2 (2И)-ИЛИ
Элемент 2И-ИЛИ и элемент
2 И-ИЛИ-НЕ, оба расши­
ряемые по И и ИЛИ,
с общим ·входом по И
Эле мент 4ИЛИ-И и элемент
2ИЛИ-НЕ
Элемент 2И и элемент
2И - ИЛИ, оба расширяе ­
мыепоИ
2ЛС021, 2ЛСО22, 2ЛС023
2ЛС024, 2ЛСО25, 2ЛС026
2ЛС152
.2ЛС151
IЛР281А, К1ЛР281А, 1ЛР281Б,
ЮЛР281Б, 1ЛР281В,
К!ЛР281В
IЛС IЗ!, КIЛСIЗ!
1ЛС151, К!ЛС!51
IЛС281А, КIЛС281А, 1ЛС281Б,
К1ЛС281Б, IЛС-281В,
КIЛС281В
Логические элементы И-НЕ и элементы ИЛИ-НЕ
2 элемента И-НЕ/ИЛИ-Н~
2 элемента ИЛИ - НЕ/И - НЕ
3 элемента И-1-IЕ/ИЛИ-НЕ
8 ·элементов И- НЕ
9 элементов И - НЕ
13 элементов И-НЕ
13 элементов И-НЕ с диод­
ными выходами
Элемент 2И- НЕ и 2 двух­
входовых расшири_теля по
или
2 элемента 2И-НЕ и двух­
в.ходовый расширитель по
или
Элемент 2ИЛИ-НЕ и эле-
мент НЕ
Элемент 2ИЛИ-НЕ
2 эле мента . 2ИЛИ-НЕ
Элемент ИЛИ - НЕ с повышен-
ным коэффициентом развет­
вления .
2ЛБ042, К2ЛБО42
2ЛБ 181, . К2ЛБ 18\ .
2ЛБО41, К.2ЛБ041
2ЛБ174А, 2ЛБ174Б, К2ЛБ174А,
К2ЛБ174Б
2ЛБ406А, 2ЛБ406Б, 2ЛБ406В
2ЛБ401А; 2ЛБ401Б, 2ЛБ401В
2ЛБ404А, 2ЛБ404Б 2ЛБ404В
2ЛБ4 05
2ЛБ435, К2ЛБ435
2ЛБ434, К2ЛБ434
IЛБ!О!ОА, IЛБ I0I0Б,
КIЛБIО!ОА
IЛБ!ОIЗА, IЛБIОIЗБ,
КIЛБ1014А, КIЛБIОIЗА
IЛБ!Оl!А, IЛБ!ОIIБ, •
KIЛБI0IIA -
IЛБl42A, \ЛВ\426,
· КIЛБ142А,
КIЛБ142Б
Стр .
298
250
243
227
250
250
107
76
86
107
232
262
232
-
254
289
289
289
289
298
298
-
·66
66
66
81

П родолжJние прилож. 2
Функция, выполняемая
микросхемой
Условное обозначение
микросхемы
Элемент 2ИЛИ-НЕ с эмит- \ 1ЛБ1014А, IЛБIО14Б,
терным повторителем на КIЛБ1014А
выходе
1 Стр.
66
4 элемента 2И-НЕ
1ЛБО611, 1ЛБ0611А, IЛБЗОЗ, 42,110
К!ЛБЗОЗ, К1ЛБ313,
110, 116
IЛБЗЗЗ, ЮЛБЗЗЗ,
КlЛБ583
1ЛБ341А, 1ЛБ.З41Б, К!ЛБ341
IЛБ363, КIЛБ363
1ЛБ553, IОЛБ553
Кl76ЛА7
Элемент 2ИЛИ-НЕ с эмиттер- IЛБ l014B, IОЛБIО14В,
ным повторителем на вы-
lЛБ 1104Г
ходе и нагрузкой на вы-
ходе последнего
Элемент З ИЛИ-НЕ
!ЛБ !02А, IЛБ102Б, К!ЛБ 102А
Элемент ЗИЛИ-НЕ с эмит- !ЛБ106А, 1ЛБ106Б, КlЛБ106А
терным повторителем на
!;!ЫХОДе
То же с нагрузкой на вы- 1ЛБ106В, 1ЛБ106Г, К1ЛБ106В
ходе эмиттерного повтори-
теля
· Элементы
ЗИЛИ-НЕ и 1ЛБ1012А, !ЛБ10!2Б,
2ИЛИ-НЕ
К!ЛБ1012А
2 эле мента ЗИЛИ-НЕ
Элемент З И -НЕ и трехвхо-
довый расширитель по
или
2 элемента ЗИ-НЕ
Элемент ЗИ - НЕ с возмож­
ностью расширения по И
3 элемента ЗИ-НЕ
566
!ЛБ 109А, IЛБ109Б, К!ЛБ 109А
2ЛБ433, К2ЛБ433
2ЛБ172А, 2ЛБ172Б,
К2ЛБ 172А, К2ЛБ 1725
2ЛБ432, К2ЛБ432
1ЛБ211А, ЮЛБ211А, 1ЛБ211Б,
ЮЛБ21 IБ, 1ЛБ211В,
К!ЛБ21 !В, 1ЛБ21 lГ,
К!ЛБ211Г
1ЛБО91А, К!ЛБО91А, 1ЛБО9!Б,
ЮЛБО91Б, IЛБО91В,
ЮЛБО91В, 1ЛБО91Г,
К1ЛБО91Г
1ЛБО613, 1ЛБО613А
1ЛБ304, ЮЛБ304
ЮЛБ314
1ЛБЗЗ4, К!ЛБ334
122
191 •
132
142
172
198
66
65'
65
65
66
66
298"
254 1
298
104
62
62
42
110
116
122

)
Функция, выполняем.ая
ми1<росхемой
3 элемента 3 :,1 - НЕ
Элемент 4ИЛИ - НЕ
Элемент 4ИЛИ-НЕ с эмит­
терным
выходе
повторителем на
То же с нагрузкой на вы­
ходе эмиттерного повтори ­
теля
2 ·элемента 4И-НЕ и элемент
НЕ
2 элемента 4И - НЕ, один рас­
ширяемый по ИЛИ
2 элемента 4И - НЕ
Элемент 4И-НЕ
Элемент ЗИЛИ-НЕ
Элемент БИЛИ - НЕ
Элемент 5ИЛИ - НЕ с эмит­
терным . повторителем на
выходе
То . же с нагрузкой на вы­
J!:Оде эмиттерного повтори­
теля
Продолжение прилож. 2
• Условное обозначение
\ Стр.
микросхемы
1ЛБ364, К!ЛБ364
142
1ЛБ554, К!ЛБ554
172
КIЛБ584
191
К176ЛА9
198
1ЛБ103А , lЛБIОЗБ, К!ЛБ103А
65
IЛБ107А, 1ЛБ107Б, КIЛБ107А
65
1ЛБ107В, 1ЛБ107Г, К!ЛБ107В
65
IЛБ342А, 1ЛБ342Б, ЮЛБ342
132
К176ЛП12
198
IЛБ301, КIЛБЗОI, К!ЛБ311
110
IЛБ331, К!ЛБ331
122
1ЛБ361, ЮЛБ361
142
1ЛБ551, К!ЛБ551
172
IЛБ563А, 1ЛБ563Б, 1ЛБ563В
186
К!ЛБ581
-
191
Ю76ЛА8
198
2ЛБ 1 01, К2ЛБ101
241
2ЛБ 102, К2ЛБ102А, К2ЛБ!О2Б 241
IЛБ104А, IЛБ104Б, КIЛБ104А
65
IЛБ i08A, IЛБ108Б, К1ЛЫО8А
65
lЛБ I0SB, 1ЛБ108Г, КIЛБ108В
66
Элемент 6ИЛИ-НЕ
, 1ЛБ101А, 1ЛБ101Б, К!ЛБ!ОIА
65
Элемент БИЛИ- НЕ с эмит- IЛБ105А, 1ЛБ105Б, ЮЛБIО5А
терным п овторителем на
выходе
То же с нагрузкой на вы­
ходе эмиттерного повтори­
теля
Элемент 6И- НЕ
Элемент 8И-!-Ш
65
IЛБ 105В, lЛБ !05Г, К!ЛБ 105В
65
2ЛБ431, К2ЛБ431
298
IЛБ302, КIЛБЗО2
110
КIЛБ312
116
IЛБ332, 'юлБЗ32
122
1ЛБ344А, !ЛБ344Б
132
IЛБ362, КIЛБ362
142
1ЛБ552, К!ЛБ552
172
КIЛБ582
191
2ЛБ171А, 2ЛБ171Б, К2ЛБ171А;
К2ЛБ171Б
254
567
.
•_
·
)

Функция, выполняемая
•
микросхемой
Элемент ЗИ-НЕ с повышен­
ным коэффициентом раз ­
ветвления
Элемент 4И-НЕ мощный с
возможностью расширения
ПОИ
.•
2 элемента 4И-НЕ с боль­
шим коэффициентом раз­
ветвления
Элемент 6И-НЕ с повышен ­
ным коэффициентом раз­
ветвления
Э. ·емент 8И-НЕ с возмож-
ностыо
расширения по
или
Элемент 6И-НЕ с возмож-
1юстыо
расширения по
или
Элемент 4И-НЕ с возмож-
ностыо
расширения по
или
2 элемента ЗИ-НЕ с возщ>}:(-
нос1ъю расширения по
или
2 элемента 2И-НЕ, расши­
ряемых по ИЛИ
Элемент 6И-НЕ с расшире­
нием по И
4 элемента 2И-НЕ с откры­
тым коллекторным выхо­
дом (элементы контроля)
2 элемента 4И-НЕ с откры­
тым · коллекторным выхо­
дом и повышенной наrру ­
зо,1ной способностью (эле­
менты индикации)
· Эле мент
И-НЕ
8 элементов И-НЕ с повы -
шенным
коэффициентом
разветвле!!ия
12 элементов И-НЕ
568
Продолжение прилож. 2
Условное обозначение
микросхемы
·1Стр.
1ЛБО92А, 1ЛБО92Б, !(JЛБО92А,
КIЛБ092Б, КIЛБО92В,
КIЛБ092Г
2ЛБ436, К2ЛБ436
.
1ЛБ212А, 1ЛБ212Б, К!ЛБ212А,
ЮЛБ212Б
IЛБ566Л, 1ЛБ566Б
1ЛБЗО6, К!ЛБ306, КIЛБ316
1ЛБ336, КIЛБ336
1ЛБ556, К!ЛБ556
IЛБО614, IЛБО614А
2ЛБ 173, 2ЛБI 73А, К2ЛБ 173,
К2ЛБ173А
IЛБО65, IЛБ065А, JЛБО66,
IЛБО66А, ЮЛБО65, К!ЛБО66
КIЛБ067, КIЛБ068
КIЛБО69, КIЛБО6!0
1ЛБ061, !ЛБ061А.
IЛБО62А,
КIЛБО61, К!ЛБ062
К!ЛБОбЗ, К!ЛБО64
IЛБ062,
IJ1B56IA, IЛF,5616 , IЛБ561В ,.
1ЛБ0612, IЛБ0612А -
1ЛБ338, К!ЛБ338
IЛБ343А, IЛБЗ43Б
IЛБ558, ЮЛБ558
JЛБЗЗ7, К!ЛБ337
1ЛБ557, КIЛБ557
2ЛБ2. 11
• 2ЛБ402
2ЛБ40ЗА, 2ЛБ403Б. 2ЛБ403В
62
298
104
186
110
122
172
42
254
42
42
42
42.
42
186
42'
122
132
172
122
172
265
289
289

Продолжение прилож. 2
Фующия, выполняемая
микросхемой
Условное обозначение
микросхемы
Логические элементы ИЛИ-НЕ/ИЛИ
Элементы НЕ, ИЛИ-НЕ, 2ЛБОl 1, К2ЛБОI 1, 2ЛБО14,
•И-НЕ
К2ЛБО!4, 2ЛБО 15, I(2ЛБО15,
2ЛБО12, К2ЛБО12, 2ЛБОIЗ,
К2ЛБ013, 2ЛБ016, К2ЛБО16,
2ЛБ017, К2ЛБ017
Элемент ИЛИ-НЕ
2ЛБ05!, 2ЛБО52, 2ЛБО53,
Элемент 2ИЛИ-НЕ li З двух­
входовых расширителя по
или
4 элемента 2ИЛИ-НЕ
4 элемента 2ИЛИ-НЕ
2 элемента ЗИЛИ-НЕ и эле­
мент ЗИЛИ-НЕ/ЗИЛИ
2 элемента 2ИЛИ-НЕТ
2 элемента ЗИЛИ, ЗИЛИ-НЕ
и элемент 2ИЛИ, 2ИЛИ-НЕ
2 элемента ЗИЛИ-НЕ и эле­
мент НЕ
2 элемента ЗИЛИ-НЕ
3 эле мента ЗИЛИ-НЕ
4 :.1ле мента ЗИЛИ-НЕ
3 элемента ЗИЛИ-НЕ и эле­
мент ЗИЛИ-НЕ;ЗИЛИ
. 2 элемента 4ИЛИ-НЕ
2 элемента 4ИЛИ-НЕ и эле­
мент НЕ
Элементы 4ИЛИ/4ИЛИ-НЕ,
вили
2 элемента 4ИЛИ-НЕ
2 элемента 4ИЛИ-НЕ/4ИЛИ
Элемент 5ИЛИ-НЕ/5ИЛИ
То же с нагрузочными рези­
сторами на выходах
IЛБ 135, ЮЛБ135
1ЛП151, ЮЛП\51
ЮЛБ383
Ю76ЛЕ5
2ЛБ 11 !О, 2ЛБ 1111, 2ЛБl 112
1ЛБ131, КIЛБ131
!ЛБ151, ЮЛБ!51
ЮЛБ202
1ЛП144А, 1ЛП144Б, ЮЛП144А,
ЮЛП144Б
2ЛБ233 , К2ЛБ233
Ю76ЛП4
ЮЛБ372, ЮЛБ379, .I(!ЛБ3710
!ЛБ9110, 1ЛБ919
ЮЛБ874, ЮЛБ87!3
I076ЛEI0
2ЛБ23i, l(2ЛБ231
КlЛБ201
К176ЛЕ6
К176ЛП11
2ЛБ232, К2ЛБ232
1ЛБ132, ЮЛБ 132
!ЛБ!41А, 1ЛБ14!Б, К!ЛБ141А,
К!ЛБ141Б
1ЛБ152, КlЛБ 152
ЮЛБ382
КIЛБ721
IЛБ781, ЮЛБ781
IЛБ9118
К!ЛБ3718
К!ЛБ376; , К!ЛБ3717
ЮЛБ877, КIЛБ8715
1ЛБ9117
Стр.
221
238
.76
86
155
198
243
76
86
90.
81
269
198
147
214
209
198
269
.
00
198
198
269
76
81
86
155
196
204
214
147
147
209
214
569

Продолжение прuлож. 2
Функция, выполняемая
миI<росхемой
Элемент 6ИЛИ-НЕТ
Элемент 8ИЛИ-НЕ/8ИЛJ1
Элемент !ОИЛИ-НЕ/IОИЛИ
2 элемента 2ИЛИ - НЕ
Сборка из восьми элементов
2ИЛИ-НЕ
Элемент 2ИЛИ-НЕ и эле­
, мент
ЗИЛИ - НЕ с повы-
шенным коэффициентом
разветвления
Элемент ЗИЛИ-НЕ с повы-
шенным
коэффициентом
разветвления
Элемент . ЗИЛИ- НЕ/ЗИЛИ с
повышенным коэффициен­
том разветвления
То же с нагрузочными рези­
сторами на выходах
Эле мент · . ЗИЛИ-НЕ/ЗИЛИ
с возможностью расшире­
ния по или
То же с нагрузочными .рези­
сторами на выходах
4 элемента 2ИЛИ-НЕ и эле­
мент НЕ
Условное обозначение
мии:росхемы
1ЛП143А, 1ЛП143Б, К!ЛП143А,
К!ЛП143Б
КIЛБ381
КIЛБ722
1ЛБ782, К!ЛБ782
2ЛБ114, 2ЛБ115, 2ЛБ116
2ЛБ1 11, 2ЛБ1 12, 2ЛБ 113 _
1ЛБ 1 33, К!ЛБ133
1ЛБ153, КIЛБ153
JЛБ 134, К!ЛБ 134 ,
1ЛБ154, К!ЛБ154
!ЛБ9116
К!ЛБ3716
К1ЛБ375
К!ЛБ378
1ЛБ918
К!ЛБ371, К!ЛБ3719
К!ЛБ873, К!ЛБ8711
1ЛБ911
2ЛБ117 2ЛБ118, 2ЛБ119
Логические элементы И-ИЛИ-НЕ
2 элемента 2И-2ИЛИ-НЕ
Элемент 2-2-2-ЗИ-4ИЛИ-НЕ
IЛР361, К!ЛР361
К!ЛР581
1ЛР363, К!ЛР363
К1ЛР583
Элемент 2-2-3 -4И-4ИЛИ-НЕ
Элемент 2-2И-2ИЛИ-НЕ и
элемент 2-4И - 2ИЛИ-НЕ
1ЛР342А, 1ЛР342Б, К!ЛР342
1ЛР341А, 1ЛРЗ41Б, К!ЛР34 1
2 элемента
3И-2ИЛИ0НЕ
. (кворум;элемент)
'
Элемент 4-4И-2ИЛИ-НЕ
К!ЛР081
1ЛР343А, 1ЛР343Б
IЛР364, К!ЛРЗ64
К!ЛР584
с 1ЛРО61, 1ЛР061А,
Элемент 4-4И-2ИЛИ-НЕ
расширением по ИЛИ
Элемент 2-2И-2ИЛИ-НЕ
расширением по· ИЛИ
Элемент И-ИЛИ-НЕ низко­
частотный
570
IЛРО62А, К!ЛР061.
с КIЛР063, ЮЛРО64
2ЛР 171, К2ЛР 171
1ЛРО62,
ЮЛРО62
81
155
196
204
243
243
76
86
76
.86
214
147
147
147
214
147
209
214
243
142
191
142
191
132
132
58
132
142
191
42
42
.2 54

Функция. выnоJiняе.мая
микросхемой
2 элемента 2-2И-ИЛИ-НЕ
2 элемента 2-2И-2ИЛИ-НЕ,
один расширяемый по ИЛИ
Элемент 2-2-2-2И-4ИЛИ-НЕ
Элемент 2-2-2-2И-4ИЛИ-НЕ,
расширяемый по ИЛИ
2 элемента 2-И-2ИЛИ-НЕ,
один расширяемый по ИЛИ
Элемент 2-2-2,ЗИ-4ИЛИ-f IE
с возможностью расшире­
ния по или
Элемент 4-4И-2ИJ!И-НЕ с
возможностью расширения
по или
2 элемента
2И-2ИЛИ/2И-2ИЛИ-НЕ
Элемент И,ИЛИ-НЕ
Продолжение прилож. 2
Условное обозначение
-
микросхемы
1ЛРО67, 1ЛРО67А, 1ЛР068,
IЛРО68А
•
1ЛРО65, 1ЛР065А
IЛР066, 1ЛРО66А
1ЛР0611, IЛРО611А, 1ЛРО612,
1ЛР0612А
1ЛР0610, 1ЛР0610А
1ЛРО69, 1ЛРО69А
lЛРЗОI, К!ЛРЗОl
К!ЛР311
lЛРЗЗl, К!ЛРЗЗl
1ЛР551, К!ЛР551
lЛРЗОЗ, К!ЛРЗОЗ
К!ЛРЗIЗ
lЛРЗЗЗ, Ю ЛРЗЗЗ
1ЛР553, К!ЛР553
1ЛРЗО4, К!ЛР304
К!ЛРЗ14, К!ЛР318 -
1ЛРЗЗ4, К!ЛР334
1ЛР554, К!ЛР554
К!ЛР721
1ЛР781, К!ЛР781
2ЛР211
Стр.
42
42
42
42
42
110
116
122
172
110
116
132
172
110
116
122
172
196
204
265
Расширицли
Расширитель по И и расши-
ритель по ИЛИ
Расширитель
Двойной расширитель
Расширитель по И (12 эле-
ментов)
4 двухвходовых расширителя
ПО ИЛИ
2 трехвходовых расширителя
по или
2 четырехвходовых расшири­
теля по ИЛИ
1ЛП281, К!ЛП281
2ЛП172, К:2JШ172
2ЛП171, К:2ЛП171
2ЛП401
1ЛП561
ЮЛП067, ЮЛП068
К!ЛП371, К!ЛП372
К\ЛП871, К1ЛП872
1ЛПО65, 1ЛПО65А
К!ЛПО65, К!ЛПО66
1ЛПО66, 1ЛПО66А
1ЛП145А, К1ЛП145Б
1ЛП301, К!ЛПЗОl
' К!ЛП311
IЛПЗЗl, К!ЛПЗЗl
1ЛП551, КIЛП551
107
254
254
289
186
42
147
209
42
81
110
116
122
172
571

/ Продолженuе пр~лож. 2
Функция, выполняемая
микросхемой
Условное обоЗначение
микросхемы
Шестивходовый расширитель
поили•
2 трехвходовых расширнте .1я
пои
Восьмивходовый расшири-
тель по ИЛИ
К!ЛПО63, К!ЛПО64
1ЛП091, К!ЛП991
IЛП211, К!ЛП211
К!ЛПО61, IЛП0fil,
IЛПО62, 1ЛПО62А ,
КIЛПО62
IЛПЗЗЗ, К 1ЛПЗ33
IЛП.553, КIЛП553
IЛПО61А,
К1ЛПО61,
Э.~ементы арифметических и дискретных устройств
Регистры
Восьмиразрядный последова- 1ИРО61А
тельньiй
Стати•1еский реверсивный К 1ИР201
сдвиговый двухразрядный
Статичеший трехразрядный КIИР202
3 квазистатических сдвиrо- К! ИР441
ЕЫХ регистра с числом
'
разрядов 1, 4, 16
Сдвиг на 8 разрядов
Сдвиг на 12 разрядов .
Сдви г на 16 разрядов
ЮИР207
КIИР205
К1ИР203
,
КIИР206 , К1ИР208
Сдвиг реверсивный на 4 раз­
ряда
Сдвиг реверсивный на 8 раз- •!(1 ИР204.
рядов
Сдвиг реверсивный на 3 раз- 2ИР403А, 2ИР40ЗБ
ряда
2 ч етырехразрядных регистра
хранен _ ия
Четырехразрядный реверсив­
ны i'1 регистр сдвига
Разрпд регистра
Разрпд двухтактного реги­
стра сдвига
На 4 двоичных разряда
Регистр хранения с контро­
лем нулевого состояния_
на восемь разрядов
2ИРЗОIА, 2ИР301Б, К2ИР301А,
К2ИРЗО!Б •
'
2ИР302А, 2ИР302Б, К2ИРЗ 02А,
К2ИРЗ02Б
2ИР111, 2ИР112
!ИР141А , 1ИР141Б
К1ИР141А, ЮИР141Б
, 2ИР401А, 2ИР401Б
2ИР402А, 2ИР402Б
Сумматоры
Двух разрядный
!ИС061А
.Комбинационный с упра- КIИС201
вл яющими входами . .
На два двоичных разряда
2ИС40!А, 2ИС401Б
572
Стр.
42
62
104
42
122
-
172
42
90
90
164
90
90
90
90
90
289
27(}
279
243
81
289
289

Продолжение прилож. 2
Функции, выnолннемая
микросхемой
Условное обозначение
микросхемы
(
Полусумматоры
Полусумматор
С иr-IВерсией· и двухвходовый
элемент ИЛИ-НЕ
С резисторами нагрузки на
выходах
4 полусумматора
Полусумматор на 8 разрядов
KIИЛI0IA, !ИЛ!О!А, IИЛ!О!Б
!ИЛIЗI, К!ИЛIЗI
КIИЛ373
2ИЛ231 , К2ИЛ231
IИЛ14JА, !ИЛ141Б, ЮИЛ!41А,
КIИЛ141Б
КIИЛ371, К!ИЛ372
2ИЛ291, К2ИЛ291
2ИЛ401Б, 2ИЛ40!В
Счетчики
Одноразрядный реверсивный ЮИЕ201
со сквозным переносом,
установочным и вентиль-
ным входами
Декадщ,~й с фазоимпульсным КIИЕ551
представлением информа- •-
ЦИИ
С ускоренным переносом на !ОИЕ202
3 разряда
Четырехразрядный с после­
довательным перен осом
Четырехразрядный реверсив­
ный с параллельным пере­
носом
Четырехразрядный с парал-
лельным переносом
Счетчик по модулю 6, 10, 16
Счет,шк на 2 разряда
Разряд счетчика
1
Разряд счетчика (разр яд ре-
гистра сдвига)
2!/4ЕЗОIА, 2ИЕЗОIБ, К2ИЕ3011\,
К2ИЕЗОIБ
2ИЕ302А, 2ИЕ302Б, К2ИЕ302А,
К2ИЕ302Б
2И ЕЗОЗА, 2И.ЕЗОЗБ, К2ИЕ303А,
К2ИЕЗОЗБ
2ИЕ311, К2ИЕ311
2ИЕ401А, 2ИЕ40\Б
2ИЕ111, 2ИЕ112
2ИЕ231, К2ИЕ231
Шифраторы, дешифраторы и прочне эле "1енты
дис1{ретных устройств
Шифратор
Деш ифратор
Дешифратор на 3 входа
Дешифратор со стробирова-
нием
Дешифратор двухступенча­
тый на 4 входа со строби­
рованием
Ячейка дешифратора
ЮИШ201
211д231, К2ИД231
КIИД201
КIИД202
2ИД291, К2ИД291
IИД561А, 1ИД561Б, IИД561В
1 Стр.
65
76
147
269
81
147
275
289
90
172
9()
279
279
279
287
289
243
269
9()
269
90
90
275
186
573

Продолже1ше прuлож. 2
Фун]{ция, выполняемая
Условное обозначение
микросхемой
мш,росхемы
Четырехразрядное устрой- 2ИП301, К2ИПЗОI
ство поразрядного уравно-
ве ш ивания
Формирователь импульсов 2ПМ631
прямоугольной формы из
логическог о перепада
•
Формирователь раз.рядных 1КТ461, КIКТ461
ТОJ,ОБ
2 формировате,1я втекающих
адресных токов
Формирова тель втекающего
адресного тока
IKT462A, Н<:Т462Б, КIКТ462
2КТ631
2 формирователя вытекаю- IKT465A, IКТ465Б, Юj<:Т465
щих адресных токов
Формирователь временных !ПМ56JА, 1ПМ561Б,
интервалов
Элементы запоминающих устройств
Матрица ЗУ емкостью 32 бита КIЯМ411-
(8 слов Х 4 разряда)
Матрица ЗУ емкостью 16 бит К!ЯМ412
с ВЫХОДОМ адресной шины
на вывод 3 (4 слова Х
Х4 разряда)
Матрица ЗУ емкостью 16 бит К1ЯМ413
С - ВЫХОДОМ адресной шины
на вывод 10 (4 слова Х
Х 1 разряда)
Матрица ячеек памяти ем- IЯМ881
костью 16 бит
, Накопитель для оперативных 185PYI
запоминающих устройств
со схемами управления
Элемент памяти
2ЯЛ431, К2ЯП431
П реобразовате Jш
Преобразователь напряжения 2ПН151, 2ПНI52
2 преобразователя уровней 2ПН631
напряжения
Преобразователь параллель- К!ПК202
наго кода в последова-
тельный на 4 разряда
Преобразователь последова- КIПК201
те.%НОIО кода в параллель- •
• ный на 8 разрядов
Преобразовател ь двоичного 2ПК301, К.2ПК301
кода в деСЯТИ\!НЫЙ
574
ШМ561В
1 Стр.
279
310
166
166
310
166
186
160
160
160
213
207
298
250
310
90
90
279

Функция, выполμяемая
мик росхемой
Продолжение прилож. 2
Усл0-вное обозначение
микросхемы
l Стр.
ЦИФРОВЫЕ МНОГОФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ
Многофункциональный логи­
ческий элемент
Многоцелевой элемент цифро,
вых структур
Формирователь разрядной
записи, усилитель воспро­
изведения и схема уста-
новки нуля
•
Усилитель мощности им-
пульС!JЫХ сигналов
Усилитель-приемник
им-
пуль сных сигналов с ка­
бельной магистрали
Усилитель воспроизведения
двухполярный
Усилитель воспроизведения
однополярный
Усилитель воспроизв.едения •
сигналов с магнитной
пленки
В ходi1-ой каскад усилителя
считывания сигналов с
магнитной пленки
Усилитель магистральный
3 усилителя индикации
Элемент 4И-НЕ мощный с
откр ытым ко.1лектором с
возможностью расширения
пои
Ю ЖЛО8!
2ЖЛ291, К2ЖЛ291
IЖЛ341А, 1:ЖЛ34!Б, ЮЖЛ341
ЮЖЛ551
УсилитеJШ
2УИ021
2УИ151
2УИ631
IУИ461А, !УИ461Б, ЮУИ461А,
ЮУИ461Б
-
1УИ462А, 1УИ462Б, Ю УИ462А,
КIУИ462Б
1УИ463А, 1УИ463Б, Ю УИ463А,
К! -УИ463Б
!УИ464А, !УИ464Б, Ю УИ464А,
К! -УИ464Б
2УИ431
2УИ432
2УП431, К2УП431
К2ЛН641
1УП561А, 1УП561Б .
Прочие логические элементы
4 э.1емента НЕ-НЕТ
4 расширителя по НЕТ
Импу щ,сно-потенциальна я
схема совпадения
Прие м ник сигнала с линии
,дифференциальный
!ЛП141А, 1ЛП141Б, К!ЛП141А,
К!ЛП141Б
1ЛП142А, !ЛП142Б, К!ЛП142А, ·
К!ЛП142Б
2НКО51, К2НКО51
К!ЛП381
5.8
275
132
172
227
250
310
166
166
298
298
298
412
186
81
81
238
155
575

Продолжение прилож. 2
Фуни. ция-. выполняемая
микросхемо й
Элемент логический у нивер­
- сальный
Двухвходовый
элемент
2ИЛИ-НЕТ и элемент
2ИЛИ с повышенным ко­
эффициентом разветвления
Элемент с порогом переклю­
ченн я 4, имеющий 2 входа
свесом2и3входасве,
сом 1
Элемент с порогом переклю­
чения 3, имеющий 4 входа
с весом 1
JК-триггер на основе много­
uелевого элемента цифро ­
вых структур
JК-триггер с элементом ЗИ
на входе
Условное обозначение
микросхемы
К176ЛПI
!ЛБ14ЗА, ! ЛБ!43Б, КlЛБ143А,
КIЛБ143Б
2ЛИ43!
2ЛИ43 2
Триггеры
ITK341, К!ТКЗ41
!ТКЗ42, К!ТКЗ42
КIТК311, IТКЗ31,
К1ТКЗ31
!ТКЗ61, КIТКЗ61
1ТК551 , КIТК551,
,
К!ТК581
2 .!К-триггера
RS-трипер
RS-тpиrrep
RS-тpи rrep с нагрузочными
резисторами на выходах
RS -т pиrrep с элементами
ЗИ-НЕ на входе расши­
ряемых по ИЛИ
RS-тpиrrep с элементами
2И-НЕ на входе расши­
ряемых по ИЛИ
!ТКЗОI, КIТКЗО!
!ТКЗ4ЗА; !ТК34ЗБ, КIТКЗ43
1ТР!41А, IТР14!Б, К!ТР141А,
КIТР!41Б
ЮТРЗ81
2ТР171А, 2ТР171Б, К2ТР171А,
К2ТР171Б
К1ТРЗ73
IТР911
КПР37!
КIТР9!3
JTP06!, !ТР061А,
JТРО62, 1ТРО62А, К!ТР 061,
КIТРО62
!ТР063, !ТРО63А, К! ТРО63,
К!ТРО64
IТР064, 1ТРО64А
RS-тpиrrep
и
элемент ПР 131, К!ТР 131
2ИЛИ -НЕ
2RS -т pиrrepa
2RS-трнггера и 2
2ИЛИ-НЕ
576
!ТР151, ЮТР151
2TPI 14, 2ТР! 15, 2TPJ 16
2ТР231, К2ТР231
элемента 2ТР 1! 1, 2ТР 112, 2ТР 113
Стр .
198
81
298
298
132
132
116 , 122
122
142
172
191
-110.
132
.
81
155
254
147
214
147
214
42
42
76
86
243
269
243

ПродолJ1СР,НUе прилож. 2
Функция, выпал няемая
микросхемой
RS-триггер
RSТ-триггер
D - тригrер
2D-триггера
О -триггер синхрон_ный
Условное обозначение
:микросхемы
2ТЮ81, К2ТК181
К2ТС241
КIТР374
К!ТР382
IТК332, ЮТК332
IТК552, . КIТК552
I076TMI
1ТК:З44А, . IТК344Б
К! ТР872, К! ТР875
Прочие триггеры
С импульсно-потенциальным
управлением
С импут,сно-потенциальным
управлением и эмиттерным
повторителем на выходах
С импульсно - потенциальным
управлением и эмиттер ­
ными повторителями и на ­
грузочными резисторами на
их выходах'
Триггер Шмитта
Триггер Шмитта чувстви-
КIТЮо_)А, !ТКIОIА, IТЮО!Б
ЮТК102А, IТЮ02А, ПЮО2Б
ЮТЮО2В, !ТЮО2В.- ПК102Г,
ЮТЮО2Д, IТЮО2Д, 1ТКIО2Е
К!ТШ181А-ЮТШ18\Д
Ю ТШ221 А - К IТШ22\Д
1ТШ191, ЮТШ1914, КIТШ191Б
тельный
Двухступенчатый с
JIОГИКОЙ
входной К! ТР721
2 двухступенчатых
repa
IТР781, КIТР781
RS-триг- КПКО81
НSТ-триггер
2ТКО41, К2ТК041
2Т К171А, 2ТК171Б, К2ТЮ7IА,
К2ТК171Б,
НSТ-триггер
2ТК231, К2ТК231
4RST-тpиrrepa
2ТК291А, К2ТК291А,
2ТК291Б, К2ТК291Б
Половина триггера резерви- 2ТСО51
рованноrо
RS -тригrер
2ТР211
Аналоговые. микросхемы
Генераторы гармонических оiгналов
Генератор кварцевый
ЧМ · генератор
l2ГCJ9J, 2ГС!92
2ГС193
Стр.
262
375
147
155
122
172
198
132
209
65
65
65
315
331
320
196
204 ·
58
232
254
254
269 '
275
238
265
367
367
577

ПрDдолженuе при лож. 2
Функция, выполняемая
микросхемой
Условное обозначение ·
микросхемы
Генераторы сигналов специальной формы
Мультивибратор автоколеба- 2ГФ181, К2ГФ181
тельный
Мультивибра1:ор ждущий
2ГФ182, К2ГФ182
Элемент блокинг - генератора IГФ191, КIГФ191
ждущего
Мультивибратор с самовоз- 1ГФ192А-IГФ192В, КIГФ192
буждением
Мультивибратор универсаль- I(224АФ1
ный .
Генератор прямоугольных 2ГФ631
импульсов
Детектор АРУ
Детектор АМ сигналов и де-
тектор АРУ с УПТ
Детектор АМ сигналов
_
Огр-аничитель-дискриминатор
Детектор ЧМ сигналов
Детектор АМ сигналов и де-
тектор АРУ с УПТ
Детектор ЧМ сигналов с
ограничителем
Детекторы
IДА191А, 1ДА191Б, К!ДА191
1ДА751
2ДА181, К2ДА181
2ДС191
К2ДС241
2ДА351
2ДС351
Коммутаторы и ключи тр анзнсторные
ПрерыватеJiь
I<:оммутатор шестиканальный
Коммутатор четырехканаль-
ный
Коммутатор пятиканальный
Коммутатор
Ключ токовый
Переключатель двухканаль­
ный
Переключатель четырехка-
нальный
Ключ электронный
IKT0I IA - IKT0I !Г,
КIKT0I IA - КJKT0I IГ
1КТ241А, 1КТ241Б, ЮКТ241
1КТ621А, 1КТ621Б, ЮКТ621
ЮКТО81
1КТ902, ЮКТ902
IKT90I, ЮКТ901
IКП\91, ЮКП191
IKT491A-IKT491B,
ЮКТ491А - ЮКТ491В
IKT681A - IKT68IВ
1КТ681А - 1КТ68IВ
К2КТ241
Коммутаторы и . ключи диодные
Ключ электронный
2 КД281, К2КД281
2Кд651, К2КД651
Коммутатор электронный
2Кд351
578
1 Стр.
361
361
320
320
375
310
320
352
361
367
. .375
395
395
313
338
346
58
355
355
320
343
348
348
375
390
413
395

ПродолженuР · прилож. 2
Функция, выполняемая 1
мш<росхемой
~
Условное обозначение
мш<росхемы
Модуляторы и подмодуляторы
1 Стр.
Подмодулятор
2МС191, 2МС192
367
Регулирующий элемент rAPY I IMAI9IA, !МА191Б, ЮМА1911 320
Модулятор кольцевой
2МП351
390
МНОГОФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ
Преобразователь
частоты
(смеситель и гетеродин)
Детектор АМ сигналов и
усилитель АРУ
Усилитель - о г раничит.ель
Усилитель ВЧ и преобразо­
ватель частоты
Усилитель ПЧ и дете~(тор
АРУ
Усилитель за п иси оконечный
и усилитель с выпрямите­
лем для индикатора уровня
• записи (для ма г нитофона)
Усилитель и преобраз9ватель
частоты сигналов УКВ
диапазона
Усилитель ' ЧМ сигналов ПЧ
Стабилизатор напряжения
питания и транзисторы ге­
нератора тока подмагни­
чивания и стирания магни­
тофона
К2ЖА241, К2ЖА242
К2ЖА243
К2ЖА244
К2ЖА371
К2ЖА372
К2ЖА373
К2ЖА375
К2ЖА376
К2ГС371
П реобразова тел и
Смеситель частот
2ПС191А, 2ПС191Б
Преобразователь частоты
2ПС351
Преобразователь декодирую- 2ПД281, К2ПД281,
щий
I(2ПД282
2ПД651, К2ПД651
2ПД652, I(2ПД652
Формирователь импульсных 2ПМ351
сигналов
Управляемый делитель на - 2ПП351
пряжения
АРУ
для
системы
Вторичные источники питании
Диодный мост
Стабилизатор напряжения
\
lIПП191, К!ПП191
I(2ПП241
2ПД282,
375
375
375
404
404
. 404
404
404
404
367
395
390
413
395
395
320
375
579

ПросолУСq1-ше npllЛO)!C. 2
Фую<ция, выполняемая
микросхе!(lой
Условное обознаt(ение
микросхемы
Схемы селек ц 11и и сравнения
Схема сравненпя токов
hропускате ,пь линейный
Активные элементы . частот­
• ной селекции
2 истоковых повторителя и
инв ертирующий усилитель
2СА281, K2CA28l
ICBl9IA-, !СВl91Б, К!СВ191
ICC19IA, !СС191Б,
К!СС 191 (А, Б)
!СС192, К!СС\92
2СС842А, 2СС842Б,
К2СС842 (А, Б)
Усиюпели высокой и промежуточной частоты
Усилитель ВЧ
Усилитель ПЧ
Унив е рсальная усилительная
схема
Экономичная усиJ!ительная
стабилизир ова нная схема
Усилитель универсальный
Усилитель синусоидальных
кол ебаний
Усилитель ПЧ с АРУ
Усилитель с эмиттерным по­
вторителем
~'силитель пч с эмиттерным
повторителем и АРУ
Усилитель ПЧ регулируе­
мый
Усилитель ПЧ изображения
выходной
Усилитель ПЧ звукового со­
провождения
580
2УС191А, 2УС191Б
2УС351А, 2УС351Б
2УС721 (А-М),
К2УС:12! (А-М)
2УС722 (А-М), К2УС722 (А-М)
2УС723 (А-М), К2УС723 (А -М)
2YCI92
.
2УС352, К2УС375
1УС752А, 1УС752Б
IYC753A, IYG-7535
К2УС242, К2УС243
К2УС249
2УС28!, К2УС281
2УС651, К2УС65!
2УС655, К2УС655
2УС181, К2УС181
2УС353
2УС354
2УС357
'К2УС246 _
К2УС247
К2УС248
(
.
1 Стр.
390
320
320
422
367
395
420
367 .
зэs. 40-t
352
352
375
390
413
361
395
395
395
375
375
375

Продолжение прилож. 2
Функция, ныполняемая
микросхемой
Усилитель каскадный
Двухкаскадный
Балансный
Регулируемый
Условное обозначение
микро€хемы
К1 УС182А, К1 УС182Б,
КIУС/82В
1УС222 (А, Б, В),
КIУС222 (А, Б, В)
2УС283, К2УС283
2УС653, К2УС653
2УС657, К2УС657
К1 YC18 IA-Кl УС181Д
2УС284, К2УС284
2УС654, К2УС654
2УС652, К2УС652
2УС282, К2УС282
Усилители низкой частоты
~ УсилитеJiь НЧ
Усилитель мощности
Усилитель на11рi1жения двух-
ТЭJ(ТНЫЙ
Универсальный каскад
Микрофонный
Выходной
Со специальной частот .ной
характеристикой
Универсальный каскад
IYC/92, ЮУС192 .
IYC231 (А, Б, В),
К! УС231 (А, Б, В)
КIУС671
1УС731, ЮУС731А, ЮУС731Б
2УС194
К2УС244, К2УС245
2УС261 (А, Б, В),
К2УС261 (А, Б, В)
2УС262 (А, Б, В), •
К2УС232 (А, Б, В)
2УС263 (А, Б), К2УС263 (А, Б, В)
2УС264 (А, Б), К2УС264 (А, Б, В)
2УС265 (А, Б, В),
К2УС265 (А, Б, В)
2УС355
К2УС371, К2УС372, I(2YC373
5УСО41 (А, Б, В),
К5УСО41 (А, Б, S)
5УСО42 (А, Б, В),
'К5УСО42 (А, Б, В)
173УН3
1УС771, К! УС771
1УС981 (А, Б, В),
К1 УС981 (А, Б, В)
2УС193
IYC!91, К! УС191
К224УНl
2УС356
Стр.
315
315
331
390
413
315
390
413
390
320
337
347
349
367
375
387
395
404
428
349
354
357
367
320
375
395
...
581

Продолжение прилож. 2
Функция, выполняемая
микросхемой
Эмиттерный повто~итель
Усилитель-повторитель
Истоковый повторитель
полевых транзисторах
.1
Условное обозначение
микросхемы
Повторители
1УЭ191, К!УЭ191
2УЭ181, К2УЭ!81, 2УЭ182 ,
К2УЭ182
на 2УЭ841 (А, Б), К2УЭ841 (А, Б)
Усилители импульсных сигналов
Усилитель импульсный
Усилитель широкополосный
Видеоусилитель
тельный
Видеоусилитель
предвари-
2УИ181, К2УИ181
2УИ!82, К2У И 182
2УИ183, К2УИ183
IYC751A, 1УС751Б
2УС658, К2УС658
К2УБ241
ЮУБ181А-КI УБ181I'
IУБ191, К!УБ191
ЮУБ221А - Кl УБ221Г
1 Стр.
320
361
422
361
352
413
375
315
320
331
:Усил и тели постоянного тока, операционные и дифференциальные
Усилитель постоянного тока 1УТ191, К!УТ191
Усилитель мноrофункцио- IYT981A, 1УТ981Б,
н ал ьный общего назначе- К!УТ981 (А, Б, В)
ния
УПТ однокаскадный диффе- К! УТ181А-К! УТ 181В
ренциальный
IYT221 (А, Б, В),
KIYT221 (А, Б, В)
Усилитель операционный
1УТ401А, 1УТ401Б, ЮУТ40!А,
IОУТ401Б
IYT402, ЮУТ402 (А, Б)
1УТ531, ЮУТ531 . (А, Б)
Уси литель дифференциаль- 1УТ771, ЮУТ771А, ЮУТ771Б
ный
К2УП241
2УС656, К2УС656
Наборы элементов, компонентов и матрицы
Набор диодов
582
!НД041, К!НДО41, !НДО42,
К! НДО42, 1НД043, К! НДО43,
IНДО44, КIНД044
2ЛП173, К2ЛПI 73,
2ЛПО21, 2ЛПО22
2НДО21, 2НДО22
2ЛП211
320
357
315
331
340
344
354
375
413
38
254
227
227
265

Функция, выnолняемая
микросхемой
Пара транзисторов струк­
туры п-р-п (базовая схема
дифференциального усили­
теля)
Набор транзисторов струк­
туры п-р-п
Набор транзисторов струк­
туры р-п-р
Набор вь1соко.вольтных тран­
зисторов стру1пуры п-р-п
Набо р транзисторов струк­
туры п-р-п
Набор транзисторов струк­
туры п-р-п
Пара nолевых транзисторов
структуры п-р-п слаботоч­
ная, согласованная
Пара полевых транзисторов
СИЛЬНОТОlJНаЯ, согласован­
ная
Набор конденсаторов
Матрица декодирующая ре­
зистивная
Последовательный резистив­
ный делитель напряжения
Набор элементов комбиниро­
ванный (резисторы и кон­
денсаторы)
Матрица ко мби нированная
Продолжение прилож. 2
Услоnное обозначение
мии.росхемы
IHT291 (А, Б, В, Г, Д, Е),
КIНТ291 (А, Б, В, Г, Д, Е)
IНТ591 (А, Б, В, Г, Д, Е)·,
КIНТ591 (А, Б, В, Г, Д, Е)
1НТ981 (А, Б), К!НТ981 (А, Б),
1НТ982 (А, Б), КIНТ982 (А, Б)
IНТ983, К 1НТ983А, К! НТ983Б,
ЮНТ984 (А, Б)
IHT985 (А, Б), ЮНТ985 (А, Б),
IHT986 (А, Б), ЮНТ986 (А, Б),
1НТ987 (А, Б), К!НТ987 (А, Б),
1НТ988 (А, Б), ЮНТ988 (А, Б)
КIНТ661
2HT0I!, К2НТ011, 2НТ01.2,
К2НТ012, 2HT0I3, К2НТ013
2НТ171, К2НТ171, 2НТ172,
К2НТ172, 2НТ173, К2НТ173
2НТ431, 2НТ432, 2НТ433
2НТ191, 2НТ192
К224НТ!А-К224НТ!В
5НТ041 (А, Б, В),
К5НТ041 (А, Б, В)
5НТО42 (А, Б, В),
К5НТО42 (А, Б, В)
5НТО43 (А, Б, В),
К5НТ043 (А, Б, В),
5НТО44 (А , Б, В),
К5НТО44А- К5НТО44В
2НЕ281, К2НЕ281
3HC0I !A-3HC0I !М
3НС013, 3НСО14А-3НСО!4М,
3НСО 15А-3НС015М,
3НСО16А-3НСО16М
3НСО!2
2НКО41, К2НКО41
2НК281, К2НК281
1 Стр.
339
345
357
357
195
221
254
298
367
375
428
428
390
425
425
232 1
390
583

БОРИС ВЛАДИМИРОВИ.Ч ТАРАБРИН, СЕРГЕИ ВИКТОРО­
ВИЧ ЯКУБОВСКИИ, НИКОЛАй АРСЕНЬЕВИЧ БЛРКАНОВ,
БОРИС АЛЕКСАНДРОВИЧ ВОРОДИН, БОРИС ПЕТРОВИЧ
КУ.дРЯШОВ, IOPИl'J ВАСИЛЬЕВИЧ НАЗЛРОВ, IOPИl'l НИ·
КОЛАЕВИЧ СМИРНОВ
СПРАВОЧНИК
ПО ИНТЕГРАЛЬНЫМ МИКРОСХЕМАМ
Редактор Р. М. Мал ин ин
Редактор издательства И. Н. С у с л о в а
Переплетхудожника А. М. Кувшинникова
ТехническийредакторН.А. Галанчева
Корректор М. Г. Гул ин а
Иii No 557
Сдано в набор 27NII 1976 г. Подписаво к печати 22/!!! 1977 r ,
Т-03482. Формат 84Х108,1/з,. Бумага типографская No 3. Усл . печ.
л. 30,66. -Уч . -изд. л. 29,95. Тир аж 115 ООО экз. Зак. 774 . Цена l р. 86 к.
Издательство «Энер гия » , Москва, М-114, Шл~озовая наб . , 10 ·
Ордена Tpyдouoro Красного Знамеии Ленинградское пронзвод•·
ственно•техннческое объедн нение «Печатный Двор» имени
А. М. Горького Союзполиrрафпрома при Государственном коми­
тете Соаета Министров СССР по де.аа.~ издательств. полнграфии
u 1,ниж1юй торговли. 197136, Ленинград, П-136, Гатчинская vл., 26