Текст
                    АМПЛИТУДНАЯ
МОДУЛЯЦИЯ
И АМПЛИТУДНОЕ
ДЕТЕКТИРОВАНИЕ
КАЗАНЬ -1987

КАЗАНСКИЙ ОРДЕНА ЛЕНИНА И ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ В.И.УЛЬЯНОВА-ЛЕНИНА АМПЛИТУДНАЯ МОДУЛЯЦИЯ И АМПЛИТУДНОЕ ДЕТЕКТИРОВАНИЕ Методическая разработка к лабораторной работе для студентов 3 курса Казань - 1987
Составитель - к.ф.-м.н. Л.А.Беркович
ЧАСТЬ I АМПЛИТУДНАЯ МОДУЛЯЦИЯ Для передачи информации на расстояние при помощи электро- магнитных волн необходимо использовать высокочастотные колеба- ния aft)=4o (i) так как именно такие сигналы обладают способностью распростра- няться в среде на большие расстояния в виде свободных радио - волн. Здесь- соответственно амплитуда, частота и фаза высокочастотного колебания, которое обычно называется не- сущим колебанием. Передаваемая информация должна быть тем или иным способом заложена в это высокочастотное (несущее) колебание. В самом об- щем случае радиосигнал, несущий в себе информацию, можно пред- ставить в виде колебания а/th Jft)w[uJot+6/t]h *ft)c& w), (2) в котором амплитуда J ft) или фаза Off) (или полная фаза колебания в момент времени << ) изменяются по зако* ну передаваемого сообщения. Процесс управления одним или несколькими параметрами вы- сокочастотного колебания называется модуляцией. Различают два основных вида модуляции гармонических коле- баний: амплитудную и угловую. Изменение амплитуды^ высокочас- тотного гармонического колебания по закону передаваемого сигна- ла, сообщения (обычно низкочастотного) называется амплитудной модуляцией (AM). Колебание aft) в этом случае называется ам- плитудно—модулированным. Изменение полной фазы высокочастотно- го гармонического колебания по закону передаваемого сигнала на- зывается угловой модуляцией. Угловая модуляция, в свою очередь, подразделяется на частотную и фазовую. - 3 -
I. Свойства амплитудно-модулированных колебаний Амплитудная модуляция является наиболее простым и очень распространенным в радиотехнике опоообом заложения информации в высокочастотное колебание. При амплитудной модуляции огиба- ющая амплитуд несущего колебания изменяется по закону, совпа- дающему с изменением передаваемого сообщения, частота же и начальная фаза колебания поддерживаются неизменными. Можно по- этому для амплитудно-модулированного сигнала общее выражение (2) заменить следующим; a[t)=j4Yf) со/fat + &<>). (з) Характер огибающей Л ft) определяется видом передаваемого со- общения. Пусть модулирующий (передаваемый) сигнал представляет со- бой заданную функцию времени С ft) (рис.la). Тогда амплитудно- моду лированное колебание будет иметь вид, показанный на рис. 16, и его можно представить выражением: att)-[do * *cf$coj(wo t+eo)~ где X - коэффициент пропорциональности. Очевидно, в выражении (4) имеет место взаимно однозначная (линейная) зависимость между амплитудой ^fft) модулированного сигнала и модулирующим сигналом С ft) J(-t) =40 + (5) где и - константы. Из рис.16 видно, что огибающая высокочастотных колебаний передает характер полезного (модулирующего) сигнала. В этом смысле можно говорить о том, что полезный (модулирующий) сиг- нал "запечатлен" в модулированных колебаниях. "Запечатление" сигнала носит дискретный характер, так как огибающая проводит- ся через конечное число дискретных точек, соответствующих вер- шинам амплитудно-модулированных колебаний. При недостаточно вы- сокой несущей частоте дискретные точки уже не в состоянии отог- - 4 -
бразить тонкой структуры полезного сигнала. За счет этого при последующем восстановлении сигнала в приемнике (путем детекти- рования) может быть внесена погрешность даже при совершенной работе самого детектора. Из этих соображений несущая частота должна быть достаточно высока по сравнению с высшей частотой модуляции. Другими словами, амплитудно-моду лированные колеба- ния должны представлять собой колебания с медленно меняющейся амплитудой. Любой радиосигнал можно поэтому трактовать как "узкеполоо* ный"процесс, даже при передаче "широкополосных" сообщений. Приведем следующие примеры. При передаче речи или музыки спектр сообщений обычно ограничивают полосой от Pmin. = 30*50 Гц до Fmox = 3000-10000 Hi. Даже на самой длинной волне веща»* тельного диапазона -И = 2000 м, при несущей частоте 150 кГц, отношение ^Т^дб s Q&6. При передаче тех же сообщений на коротких волнах при частотах 15-20 МГц это отно - шение не превышает сотых долей одного процента. При передаче подвижных изображений (телевидение) волоса частот сообщения весьма широка и достигает 5-6 МГц, однако в несущая частота выбирается не менее 50-60 МГц, так что отноше- - 5 -
Ртах ние —не превышает IU %. Введем понятие глубины модуляции. Это .удобно сделать для случая тональной модуляции, когда модулирующий сигнал С ft) является гармоническим колебанием: rfth /). В этом случае амплитуда высокочастотного колебания (огибающая) меняется по закону J(t)=-#o + Л dm 4 (6) где 4^/» - амплитуда изменения огибающей высокочастотного ко- лебания, Л - частота модулирующего (низкочастотного) сигна- ла, У - его начальная фаза. Вид амплитудно-модулированного колебания для данного случая показан на рис. 2. называется коэффициентом глубины модуляции или просто коэффици- ентом модуляции. Он характеризует максимальное отклонение ам - плитуды модулированного сигнала от амплитуды немодулированных колебаний. Для того, чтобы модуляция была без искажений, коэффициент модуляции Ш. не должен быть больше единицы, т.е. ж/ . Мо- дулированное колебание в случае тональной модуляции запишется в виде: А
a[t) = СЛ-t^n] соз(а>Л + ео) rf(f)s-4о(У + S* Г°1 (Ш+М]. Из этого выражения следует, что амплитуда модулированного ко- лебания изменяется в пределах от минимальной У?min. - Л о Р - /п) до максимальной max = -rfo ff + т). С изменением амплитуды изменяется и средняя за период вы- сокой частоты мощность Pit) модулированного колебания. Та- кая мощность, выделяемая на активном сопротивлении в I ОМ, оп- ределяется выражением; Pit)- О) где .0it) - амплитуда напряжения (или ток) на активном сопро - тивлении в I Ом. Выражение (9) справедливо, если Л«а>о Различают следующие характерные значения мощности: мощность режима молчания (в отсутствие модуляции) Р ^^2 ° 2 ’ мощность в максимальном режиме D - 'г,а* Joft+'Ti) 2 '“'max ’ 3 ~2-- = Р'о ' ’ + мощность в минимальном режиме Г) - (/~/п) Г) , ,2 Рmtn. ~2 ~ ~~ ~ "о (’~/п-) мощность средняя за период модуляции ("среднетелефонная" мощ- ность), определяемая усреднением по времени за период модуля- ции Pf£) . : ----------------------- PrtJ= tQV = Ро - 7 -
(среднее значение cojfSit^o) ) за период модулирующей частоты равно нулю, а среднее значение равно 1/2. Черта над функцией означает операцию усреднение во времени). При = / (стопроцентная модуляция) (II) Из выражения (II) следует, что полезное приращение средней мощности колебаний, в основном определяющее условие выделения модулирующего сигнала при приеме, не превышает половины мощ- ности в режиме молчания. Мощность в редко-возникающем "максимальном режиме вчет- веро превышает мощность в режиме Р /t>qx молчания. Эта осо- бенность AM является ее существенным недостатком, ухудшающим использование активных элементов (транзисторов, ламп) пере - датчика и удорожающим его стоимость. 2. Спектры амплитудно-модулированяых колебаний Пусть модулирующий сигнал представляет собой гармоничес- кое колебание одной низкой частоты (тональная модуляция). Вы- ражение (В) перепишем в виде: a ft)--Jo СОЗ + 6О) + ъсозКЦ:^) соз + &о). Заменив произведение косинусов суммой, подучим: aft) = Jo соз(а)о^^Оо) + соз[Г(^о +Я){ + ЭО + f соз [(шо ~Sl)t + 0о - Первое слагаемое правой части есть исходное немодулированное гармоническое колебание с несущей частотой Шо , второе и третье слагаемые появились в результате амплитудной модуляции. Их частоты и называются соответственно "вер- хней" и "нижней" боковыми частотами. Амплитуды этих двух коле- баний одинаковы и равны ( фазы симметричны относитель- но фазы несущего колебания: 6О + / и &о - У . AM колебание при модуляции одним тоном имеет частотный - В -
спектр, представленный на рис.З. т4о Рис.З Этот спектр - дискретный; он содержит три составляющих высо - кой частоты, так как Л « <л>о . Ширина полосы частот, занима- емая таким колебанием, равна 2SI (2F), Отметим, что AM - это не просто суммирование гармонических ко- лебаний двух частот -Н. и сио , а гораздо более сложный про- цесс. На рис.4 а,б показаны частотные спектры соответственно до и после модуляции. В процессе модуляции появились новые га- рмонические составляющие, т.е. этот процесс связан с преобра- зованием (трансформацией) спектра частот. Рассмотрим случай, когда модулирующий сигнал содержит ft гармонических составляющих. О___________________|_________________________| wo-SL ц)о <"0 + & Рис. 4 = rs2(± + К) (13) i = f Частотный спектр такого сигнала представлен на рис.5. Выражение для AM колебания запишется в виде; сол(Sitt^L)]cosfu)0t + ео), (14) - 9 -
£111 Р/ Ra Pj a) Рис. 5 где Д Лmi = . Обозначив = ~Ло * коэффициент глу- бины модуляции С —й составляющей модулирующего сигнала,поду- чим или * л. i-' п, aft) = 4, соз f«Jot<~6o)-i- 4° '£mi«rt[fa)0 + + л /2 (15) Спектр AM колебания, описанного выражением (15), представлен на рис.6. mih /77^* U) u»o-P, ‘Ч-Л, ч <Ч+Р, сц>+Я«Ч+Лг Рис.6 Каждое гармоническое колебание с частотой Р(, входящее в со- став модулирующего сигнала, обуславливает появление в спект- ре модулирующего колебания и и)0 — S1L . Ширина полосы частот, ем в рассмотренном сдучае, двух боковых высоких частот с занимаемая модулированным колебани- равна 2 О-п, , Л а ~ максимальная - 10 -
частота гармонического колебания, входящего в модулирующий сигнал (максимальная частота в спектре последнего).Знание ши- рины спектра модулированного колебания позволяет выбрать несу- щие частоты радиостанций, одновременно работающих в одном диа- пазоне, таким образом, чтобы отсутствовали взаимные помехи при приеме. Для этого необходимо разнести несущие частоты радио - станций настолько, чтобы спектры иэдучаемых ими сигналов не перекрывались. Если ширина спектра каждого сигнала St max, то несущие частоты должны быть разнесены не менее чем на2Л/ад 3. Методы осуществления амплитудной модуляции Поскольку при амплитудной модуляции в спектре колебаний возникают новые частоты, отличные от частот несущего и модули- рующего колебаний, амплитудная модуляция, следовательно (как и любой другой вид модуляции), является нелинейным процессом, осуществление которого возможно при наличии в схеме модулятора нелинейного элемента. Напомним, что основное назначение линейных цепей (колеба- тельного контура, &С -цепей и т.д.) радиотехнических устройств заключается в выделении (селекции) из воздействующих на цепь колебаний разных частот лишь колебаний определенного диапазона частот. Одновременно иногда достигается и увеличение амплитуды колебаний, обуславливаемое резонансными свойствами цепей. Но эти операции не связаны с трансформацией (преобразованием) спе- ктра, воздействующих на цепь колебаний. Основные функции нелинейных элементов радиотехнических устройств связаны с различными преобразованиями формы и часто- ты колебаний, обязательно сопровождающимися трансформацией (пре- образованием) спектральной структуры колебаний. Блок-схема нелинейного устройства, осуществляющего ампли- тудную модуляцию, в общем виде может быть приведена к следую- щему виду (рис.7): Нелинейный элемент Линейный элемент / ft/J Рис. 7 - II -
В результате нелинейного преобразования, осуществляемого нелиг нейным элементом, образуется ток Ct) , спектральная струк- тура которого отличается от структуры входного напряжения [U~ ft)] . Так при простейшем законе модуляции, когда по- лезный сигнал представляет собой синусоидальное напряжение, низкой частоты (рис. 4а) вместо двух колебаний высокой ( ) и низкой ( Р- ) частот подучаются колебания,представ- ляющие собой сумму трех гармонических колебаний высоких,но не- сколько различных частот: а?о-Л, а)0> а>о+Л. (рис. 46). При воздействии же тока i~ Ct) на линейный элемент (как правило, используют фильтрующие свойства колебательного контура) про- исходит линейное преобразование (без трансформации спектра), приводящее к образованию выходного напряжения Ct)J^fX^iif.~ ной формы и спектральной структуры. Обычно в качестве нелинейного элемента используют тран- зистор (либо лампу). В зависимости от цепи транзистора,в кото- рую вводится модулирующий сигнал, различают две основные схемы амплитудной модуляции: коллекторную AM и базовую AM (рис.Ьа.б). 3) Рис. Ь Осуществление амплитудной модуляции в обеих схемах основано на использовании нелинейных свойств транзистора (нелинейного элемента модуляционного устройства) и фильтрующих свойств ко- лебательного контура (линейного элемента устройства).Рассмот-, - 12 -
рим один из простейших способов ДМ, в котором испольауется нен линейная зависимость коллекторного тока транзистора от напря- жения на базе транзистора. Соответстаующая этому способу схема под названием схемы базовой модуляции представлена на рис.86. В цепи базы транзистора 7* дейстаует постоянное напря- жение смещения £ 5- cortt', служащее для установления нужного режима работы транзистора. Это напряжение определяет рабочую точку транзистора по динамической характеристике (рис.9). Рис. 9 Пунктирными линиями обозначены приблизительные границы квадра- тичного (I) и линейного участков (П) характеристики. Тепловым током транзистора ( Эко ) ввиду его малости мы пренебрегли. К цепи базы подводится высокочастотное напряжение несущей час- тоты: 2/л - coju)ot\ где 2/о « сооЗ'Ь, Кроме того, к цепи базы подводится модулирующее напряже - ние Z/л, = , Поэтому коллекторный ток транзистора оказывается функцией Z/5L = Z4 = % CQiSlt. (16) В цепи базы дейстауют два гармонических напряжения высокой и низкой частоты. Обусловливаемый напряжением коллектор- ный ток должен создать в колебательном контуре ДМ колебания, выражаемые функцией (12) (для простоты мы положили равными ну- лю начальные фазы). Модулированные колебания существенно отли- - 13 -
чаются от колебаний, дейстаующих в базе транзистора. Они не содержат в своем составе колебаний низкой частоты Л- , а представляют собой сумму трех колебаний высоких, но несколько различных частот. Следовательно, транзистор должен быть по- ставлен в нелинейный режим работы,и в реальных условиях при- ходится иметь дело с двумя режимами модуляции, I. Анализ базовой модуляции в случае малой амплитуды вы- сокочастотного напряжения Если высокочастотный сигнал (и соответственно ZZv ) достаточно мал (измеряется единицами и десятками милливольт), то рабочая точка располагается на криволинейном участке характеристики (рис.10) и аппроксимируется с до- статочной для практики точностью квадратичным полиномом Рис.10 4 = а, Us + &5. (17) — ТА
Найдем спектральный состав коллекторного тока, предположив, что динамическая характеристика коллекторного тока транзисто- ра описывается квадратичной функцией (17). Подставив (16) в (17), найдем: а 4/* (1S) + а2ЦЛ (Oifa -ЛХ + а<г/осщ U)oi. + ctz Ъ!л и0 co^(o)0+Si)t + ^^-*cw2uj0-t (Здесь учтено, что coJ еК - 2 coScC cosjb = cos &-.&) + cos t/SJ. Таким образом, в состав коллекторного тока входят: постоянная составлявшая +%}>составляющие низких частот Я и <2 Л; составляющие с частотами -Л, «4,, 0^*0.^ состав- ляющая с частотой 2и)о . Качественный вид спектра коллектор- ного тока показан на рис.II. I. /и К__________________J— Я 2Я <Ц>-Л <2-% Рис.II Если теперь колебательный контур в цепи коллектора (рис. 86j^настроить на частоту сОа с полосой пропускания 4 Fn ~~2j7r~ - частота модулирующего сигнала), то он выделит колебания только трёх составляющих с частотами ^0-Я, <Оо> “><,+& (резонансная кривая контура показана на рис. II пунктиром). Остальные составляющие коллекторного тока будут контуром подавлены. Действительно, вследствие быстрого умень- шения величины 2SkCw) при удалении от частот падение напряжения на контуре, создаваемое любыми составляю- щими кроме трех этих, весьма малы. Сумма составляющих коллек- торного тока с частотами а^-Я,сюО; и>0+Л представляют со- - 15 -
бой AM колебание (см. (8) и (12)): cojи>о1 + алилг/оcos fa>Q~я)1 +a2l/AVQcosfastyt* =гь ot cos ct)01 +2.i% гс0 1/л cos coo t cos Sit ~ - Уо (/+ m. cos Sit) cos u)ott где (19) 2. Анализ базовой модуляции в случае большой амплитуды высокочастотных колебаний В этом сдучае транзистор работает в нелинейном режиме, когда его динамическую характеристику (рис.9) можно заменить ломаной линией (рис.12) и пренебречь малым, квадратичным В рассматриваемом сдучае напряжение смещения Е&о выби - рается приблизительно равным пороговому напряжению транзисто- ра. Изменение базового напряжения транзистора, в сдучае, ког- да = Z/q coifttпоказано на рис.126. Коллекторный ток тран- зистора при этом имеет вид периодически повторяющейся с час- тотой <^о последовательности импульсов косинусоидальной фор- - 16 -
мы (рис.12в), амплитуда которых изменяется по эакояу модули -i рующего сигнала: S>1 c&fSLt), (20> где - амплитуда импульса при Ujl°O дУт. - максимальное отклонение амплитуды импульсов от ве- личины JL, _ /72 =^г^~ - коэффициент модуляции. Известно (см.Приложение I), что периодическая последо - вательность импульсов косинусоидальной формы с частотой и постоянной амплитуды У? const = Уа?о описывается рядом Фурье: с - Лю» cosu)o~t Л */о d2/w/*;’(2i) где (22) В рассматриваемом нами случае амплитуды импульсов «Z (20) не остаются постоянной и, строго говоря, представление коллек- торного тока в виде ряда (21) не справедливо. Однако, если учесть, что период изменения огибающей высокочастотных колеба- ний в тысячи раз превосходит период высокочастотных колебаний ( и Уизо ),за некоторую долю периода модуля- ции обрадуется очень большое число импульсов тока. Это дает основание считать приближенно, что модулированная по амплитуде последовательность импульсов коллекторного тока эквивалентна последовательности импульсов с одинаковой амплитудой, т.е. не модулированной, но изменяющейся медленно по закону модуляции. Ряд (21) остается в данном сдучае справедливым для каждого мгно- венного значения величины Sabft)* 4 <23) Имея это в виду, подставим выражение Уео0&) иэ (23) в формулы (21) и (22). В результате получим: оо (24) с* = Z°Gc. # &а>о ft)сау^а>оt~ И.^0 - 17 -
где ^шл ft) (25) - амплитуда F -й гармоники, изменяющейся по закону огибающей возбуждающего напряжения. Каждое слагаемое в формуле (24) представляет собой высокочастотное колебание с несущей часто- той моду лированное по амплитуде в соот - ветствии с законом модуляции возбуждающего напряжения. Следо- вательно, оно не является монохроматическим и содержит целый спектр колебаний, в состав которого входят составляющая не- сущей частоты - Xjfo и ряд нижних и верхних боковых сос- тавляющих с частотами ^*8*:^*^> где Fift{2- л) _ час- тоты составляющих спектра модулирующего сигнала (рис.13). Происходит как бы расщепление каждой из гармоник коллекторно- го тока на цедую группу колебаний, примыкающих к частоте той или иной гармоники. Ширина полосы частот, занимаемой каж- дой такой группой, как это следует из анализа AM колебаний, равна удвоенной ширине спектра модулирующего сигнала а -2Frr>qx'. где F/пок - максимальная частота в спектре модули- рующего сигнала. Так как мы рассматриваем однотональяую моду- ляцию (Un - Ujt ) F= -ftn.), то необходимо,чтобы колебательный контур в коллекторной цепи транзистора, настроенный на частоту первой гармоники = - ) - - f пропускал нижнюю и верхнюю боковые состав- ляющие Уа •".ySi. (а>0+л. а>о -Jt).
Для этого ширина его полосы пропускания должна бцть равн^ ширине спектра модулированных колебаний: = (рис.13). При этом условии с контуром эффективно вэаимо - действуют составляющие коллекторного тока, примыкающие к час- тоте = (fo + fA v fo~ fa. )• Составляющие же, группи- рующиеся около частот f^ =2fo, f%s3fo и т.д.,практически не создают падение напряжения на контуре ввиду малости величины его сопротивления на этих частотах. Таким образом, на колебательном контуре обрадуется напря- жение, представляющее собой высокочастотное колебание, ампли- туда которого изменяется по закону модулирующего колебания (рис.12г). 4. Модуляционные характеристики Независимо от схемного решения амплитудные модуляторы ха- рактеризуются одними и теми же основными характеристиками: I) статистическая модуляционная характеристика; 2) амплитудная модуляционная характеристика; 3) частотная модуляционная ха- рактеристика. I. Статистической модуляционной характеристикой называет- ся зависимость амплитуды выходного высокочастотного тока (на- пряжения) от величины модулирующего напряжения, т.е. = -f(Er*o£ (ИЛИ = f (£. Название "статическая" свидетельствует о том, что данная характеристика снимается при отсутствии модуляции, т.е. каждую точку характеристики снимают, используя вместо источника моду- лирующего сигнала источник постоянного напряжения . Изме- няя величину постоянного напряжения при неизменной ам- плитуде высокочастотного напряжения, получают зависимость пер- вой гармоники выходного тока (иди напряжения) от "US С помощью статической модуляционной характеристики нахо- дят рабочий участок, где между управляющим напряжением (ZS5) и первой гармоникой выходного напряжения имеется линейная за- висимость. На рабочем участке амплитуда выходного высокочас - тотного напряжения (или тока) будет точно соответствовать - 19
.управляющему напряжению. Определив рабочий участок статичес- кой модуляционной характеристики, находят постоянное напряже- ние смещения И%о и величину максимально возможного изме- нения первой гармоники выходного тока (напряжения), при кото- рой не будет искажения. Последнее позволяет определить макси- мальную глубину модуляции. 2. Амплитудной модуляционной характеристикой (рис.15) называется зависимость коэффициента модуляции лъ от ампли- туды модулирующего напряжения 26г. при постоянном значении Рис.15 частоты модулирующих колебаний Л. , т.е. 2/=-//%.) при П » cor>t~t . Амплитудная модуляционная характеристика сни- мается экспериментально и служит для оценки искажений при вы- боре амплитуды модулирующего напряжения, обеспечивающего тот или иной коэффициент модуляции. Идеальная амплитудная харак- теристика должна быть прямолинейной. Нарушение линейности сви- детельствует о наличии нелинейных искажений. 3. Частотной модуляционной характеристикой называется - 20 -
зависимость коэффициента модуляции /ъ от модулирующей час-i тоты Л при постоянной амплитуде модулирующего напряжения , т.е. /П-УГЛ) при , Частотная модуляционная характеристика служит для опре - деления степени частотных искажений ДМ сигнала, возникающих из-за неравномерного усиления модулирующих колебаний раэлич - них частот. Частотная характеристика чаще воего строится в осях "I [ °/о] - FСиД, где Полоса пропускания л f- , т.е. полоса частот,передавае- мых с незначительными искажениями, обычно определяется на уровне 0,7 тер , где тУ> - коэффициент модуляции при неко - тором среднем значении частоты модулирующего колебания. Например,при Р = 400 Гц (или I кГц). Для неискаженной передачи речи достаточно иметь до 1000 - 2500 Гц, для радиовещания - до 7000-8000 Гц. Часто частотная характеристика строится в относительных ординатах. В этом сдучае по вертикальной оси откладывается отношение коэффици- ента модуляции на данной чаототе к коэффициенту модуляции на некоторой средней частоте (например, 400 Гц), выраженное в децибелах (рис.17). Рис.17
Описание установки На передней панели .установки нарисована схема модулятора (рис.18) с гнездами на входе для подключения генераторов.Вход _ ддл высокочастотного генератора стандартных сигна - лов (ГОС). Вход " Л- " _ для звукового генератора (ЗГ). Имеют- ся также гнезда на выходе, для подключения осциллографа или вольтметра. Стрелочный прибор в правом верхнем углу позволяет измерять напряжение смещения на базе транзистора TI, которое можно менять с помощью потенциометра, ручка которого находит- ЗАДАНИЕ I. Снятие статической модуляционной характеристики Подключить ко. входу " <0 " генератор стандартных сигна- лов (ГСС), а к выходу - осциллограф. С помощью потенциометра М установить по стрелочному прибору = 0,6 В. С ГСС на вход подать сигнал =10 мВ. Изменяя частоту ГСС( найти резонансную частоту модулятора. Снять статическую моду- ляционную характеристику Uu)o6&x WSj. Данные занести в таблицу I. Построить график, сделать выводы. Выбрать рабочий участок и рабочую точку 2/86 . - 22 -
Таблица I its lfu}o6vx. 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,0 0,9 1,0 I.I 1,2 1,3 1,4 П, Снятие динамической модуляционной характеристики Ко входу Л подключить звуковой генератор (ЗГ). Устано- вить на базе TI напряжение . Установить на ЗГ частоту 1000 Гц. Снять динамическую характеристику. Данные занести в таблицу 2. Построить график, сделать выводы. Коэффициент мо - дуляиии определить с помощью осциллографа по формуле; м = ,А .-.В, ио % А + В где А - максимальный размах огибающей ВЧ колебания, В - минимальный размах огибающей. Таблица 2 М Г%1 t Ш. Снятие частотной характеристики модулятора За исходный уровень взять М = 50 % при Л- = I кГц. Дан- ные занести в таблицу 3. Построить график, сделать выводы. Таблица 3 Р. ГГц] ’/V [%1 400 600 1 000 ПОР 1200 1500 1800 2000 3000 4000
Сдано в набор 22.07.87 г. Подписано в подать 2.12.87 г. Фо {к.бум. 60 х 84 I/I6. Печ.л. 3. Тираж 300. Задав 658. Лаборатория оперативной полиграфам КГУ 420008, Казань, Ленина, 4/5