Транзисторы типа ГТ402А, ГТ402Б
Инж. Б. ЧЕРНЫЙ, инж. К. СКОРИК
сильная зависимость Вст от тока эмиттера. Величина Вст достигает наибольшего значения при токе 3— 10 ма, а при токе порядка 50— 100 ма снижается почти, в 2 раза. Это ограничивает применение транзисторов в схемах с большим диапазоном изменения значений тока змиттера, являясь причиной увеличения клирфактора в усилителях НЧ,
р СССР разработаны и освоены в серийном производстве транзисторы средней мощности типа ГТ402А и ГТ402Б с малой зависимостью коэффициента передачи тока Вст от тока эмиттера и относительно высоким значением /р. Это германиевые сплавные транзисторы р-п-р типа, основное назначение которых — работа в выходных каскадах усилителей низкой частоты приемников I и II Классов и другой радиоаппаратуры широкого применения. Общий вид транзистора, габариты и расположение выводов показаны на рис. 1,
основные электрические параметры и предельно-допустимые режимы приведены соответственно в таблицах 1 и 2.
Транзисторы имеют удлиненный корпус, что играет немаловажную роль при использовании их в монтажных платах с вертикальным рас-положенйем деталей. Электрод коллектора посредством кристаллодер-жателя соединен с корпусом транзистора (рис. 2). Такая конструкция обеспечивает эффективный перенос тепла к стенкам корпуса транзистора, что позволяет при сравнитель
но небольших габаритах обеспечивать мощность раёсеяния не менее 600 мет без дополнительного радиатора при свободном обтекании воздуха.
Как видно из табл. 1, в число основных электрических параметров
Рис. 2
входит еще не применявшийся для оценки отечественных транзисторов параметр К{— критерий линейности статического коэффициента передачи тока В ст, который определяется отношением значений коэффициентов передачи в двух заданных точках кривой зависимости Вст==/(/э).
У существующих в настоящее время сплавных германиевых низкочастотных транзисторов, например типа МП39 — МП42, наблюдается
Таблица 1
Электрические параметры при температуре 20°±5 °C
Наименование параметров	ГТ402А	ГТ402Б
Максимальный обратный ток коллектора 1ко при UK — — 10 в, мка	25	25
Предельная частота передачи тока в схеме с общим эмиттером /р при UK = — 1 в и = 3 ж, кгц	не менее 15	не менее 15
Коэффициент усиления по току Вст при UK — — — 1 в и = 3 ала	30—80	60—150
Вст при = 3 ма Ь j — _			 Вст при 1д = 300 ли	0,7—1,4	0,7—1,4
Предельное напряжение между коллектором и эмиттером UK8 при Rag = 200 ом и t°=4- 55 °C, в	25	25
Напряжение Ugg при разомкнутом коллекторе и I б — 2 ма, в	не более 0.42	не более 0. 42
Таблица 2
Предельно-допустимые пксплуатацпонные режимы
Наименование параметров	
Максимально допустимая мощность Рмакс> Рассеиваемая прибором, мет	600
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (7КЭ Rg 200 ом в диапазоне рабочих температур, в	25
Диапазон рабочих температур Г, °C	—254-4-55
Максимально допустимая температура перехода 1п, °C	85
Максимально допустимое вначе-ние тока коллектора 1к , а При температуре онружающе! свыше 4-25 °C мощность, рассл транзистором, подсчитывается по < 85—1 °C р —	 	мет. «1	0,5 средч иваемая юрмуле:
ЗначениеRt без радиатора равно 0,1 °0/<мвт.
TzMiisi т^гт-мг -*•
Г ис. 5
Рис.
ухудшения условий ввода транзистора в режим насыщения при больших токах эмиттера в импульсных схемах и появления других нежелательных факторов.
Зависимость ВС1 от тока эмиттера у транзисторов типа ГТ402 приведена на рис. 3. Наибольшее значение ВС1 для различных транзисторов получается при токе эмиттера 30—50 ма. В связи с тем, что значения Всг для каждой группы транзисторов измеряются при /э=3 ма, указанные в табл. 1 значения Вп меньше максимальных значений.
Другим важным классификационным параметром является предельная частота передачи тока /р. Параметр /р позволяет наглядно характеризовать частотные свойства транзисторов применительно к большинству схем выходных каскадов усилителей низкой частоты. С увеличением напряжения и тока величина А возрастает.
Диапазон рабочих токов, при которых Всх изменяется на небольшую величину, позволяет получить на транзисторах типа ГТ402 мощность рассеяния более 600 мет при наличии радиатора. Зависимость мощности рассеяния от площади пластинчатого радиатора, напрессованного на нижнюю часть корпуса, и температуры- окружающем среды приведена на рис. 4. В случае применения транзисторов с радиатором в выходных каскадах рекомендуется добиваться увеличения мощности усилителя путем увеличения напряжения питания, так как при токе свыше 500 ма уменьшение /*‘ст вызывает увеличение нелинейных искажении выходного усилительного каскада.
На рис. 5 приведена принципиальная схема выходного каскада бес-трансформаторного усилителя низкой Частоты, в котором проводились испытания транзисторов При напряжении питания 12 в выходная мощность усилителя составила
Рис. 6
Таким образом применение транзисторов типа ГТ402 в бестрансфор-маторном усилителе обеспечивает даже без общей цепи отрицательной обратной связи незначительные нелинейные искажения.
Сравнительные результаты применения различных типов транзи-
Таблица 3
Тип транзистора	Коэффициент нелинейных искажений, %			
	•Рвых = Ю0 лист	РВЫх ”150 мет	Рвь1х ~ 500 мет	рш,1х = 1 ет
МП41	3,2	4,5	8,0	—
МП40	—	6,04	10,0	—
П201А	2,1	2,3	3.5	4.6
ГТ402А 1,05 ет, потреб, к. п. д. 55%. нейнчх искажен 400—12 000 гц б жепие напряжет привело к падет ности до 0,58 ей ляемый ток бт к. п. д. 50%, а нейных искажен частот менялся	1,7 пяемый ток 160 Коэффициент в ий в полосе чг ыл равен 4%. ия питания до ГИЮ выходной г. При этом ПО1 ал равен 130 коэффициент в ий в той же пс от 4,2 до 5	1 ,5 ма, сторов в ели- каде уси ютот ведены г Сни- подбирал 9 е значение иощ- от друг греб- Коэффип ма, измерял! ели-	Типов лосе транзист 5%, дены на	1,?5 двухтактном вт лителя низкой табл. 3. Длв тись пары трат тми ВСТ, отличаю а не более, ч< [иент нелинейны :я на частоте 1 ые выходные ха] ора ГТ402 (А рис. 6.	3,0 входном кас-частоты при-испытаний 1зисторов со щимися друг на 20%; х искажений 000 гц. )актеристнкп и Б) прнье-
РАДИО № 8 1968