Автор: Голомедов А.В.
Теги: электротехника радиоэлектроника справочник полупроводники издательство радио и связь микроэлектроник транзисторы малой мощностиа
ISBN: 5-256-00240-6
Год: 1989
Текст
,t -T b
«РАДИО И СВЯЗЬ»
Mi : М
1ОГГУПРОЗОДНИКОВЫЕ
ПРИБОРЫ
ТРАНЗИСТОРЫ
МАЛОЙ
МОЩНОСТИ
/7s33 СПРАВОЧНИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ПРИБОРЫ
•
ТРАНЗИСТОРЫ
МАЛОЙ
МОЩНОСТИ
ПОД РЕДАКЦИЕЙ
А В ГОЛОМЕДОВА
МОСКВА „РАДИО И СВЯЗЬ”
1989
ББК 32 852.3
П53
УДК 621.382.3(03)
Авторы:
А А. ЗАЙЦЕВ, А. И. МИРКИН, В. В. МОКРИКОВ, В М. ПЕТУХОВ,
А К. ХРУЛЕВ
Редакция литературы по электронной технике
П53 Полупроводниковые приборы. Транзисторы малой
мощности: Справочник/A А. Зайцев, А. И. Миркин,
В В. Мокриков и др.. Под ред. А В Голомедова.—
М Радио и связь, 1989.— 38-1 с.: ил.
ISBN 5-256-00240-6.
Приводятся электрические и эксплуатационные характеристики
полупроводниковых приборов — полевых и биполярных транзисто-
ров малой мощности, используемых в разнообразной радиоэлектрон-
ной аппаратуре. Даются классификация, система обозначений, ос-
новные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для
конкретных типов приборов приводятся сведения об основном на-
значении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке,
предельных эксплуатационных режимах и условиях работы.
Для инженерно-технических работников, занимающихся разра-
боткой, эксплуатацией н ремонтом радиоэлектронной аппаратуры.
П
2302030300—176
046(01)-89
107-89
ББК 32.852.3
Справочное издание
ЗАЙЦЕВ АНАТОЛИИ АЛЕКСАНДРОВИЧ
МИРКИН АЛЬБЕРТ ИЗРАИЛЕВИЧ
МОКРЯКОВ ВЯЧЕСЛАВ ВЛАДИМИРОВИЧ и др.
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
ТРАНЗИСТОРЫ МАЛОЙ мощности
Справочник
Заведующий редакцией IO Н. Рысев
Редактор Г. /Д...Астафуров
Художественный редактор Н. С. Шеин
Переплет художника //. А. Паис уро
Технический редактор Л А. Горшкова
Корректор //. Л. Жукова
И Б № 1899
Сдано в набор 5.05 89. Подписано в печать 24 10.89. Т-17630. Формат 60Х90‘/м. Бумага
тип № 2. Гарнитура литературная. Печать высокая. Усл. печ л. 24 0 Усл. кр отт." 24,0.
Уч.-изд. л. 29,06. Тираж 100 000 экз.Изд. Ае 22550. Заказ № 108U. Цена I р 80 к.
Издательство «Радио и связь», 101000, Москва. Почтамт, а/я 693
Областная ордена «Знак Почета» типография нм Смирнова Смоленского обл у правления
издательстВр полиграфии и книжной торговли, 214000. г. Смоленск, проспект им. К). Га-
гарина, 2.
ISBN 5-256-00240-6
© Зайцев А. А., Миркин А. И., Мокриков В. В,,
Петухов В М, Хрулев А. К , 1989
Содержание
Предисловие............................................................. 7
ЧАСТЬ первая
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О БИПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ 8
Раздел первый. Классификация биполярных и полевых транзисторов 8
1.1. Классификация и система обозначений..................................8
1.2 Классификация транзисторов по функциональному назначению . . 9
1.3 . Условные графические обозначения...................................9
1.4 Условные обозначения электрических параметров........................10
1.5 О новные стандарты на биполярные и полевые транзисторы 14
1.6 Приборы для измерения параметров маломощных транзисторов 16
Раздел второй Особенности использования транзисторов в радио-
электронной аппаратуре...............................................19
ЧАСТЬ ВТОРАЯ
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ 24
Раздел третий Транзисторы маломощные низкочастотные ... 24
Транзисторы п р п....................................... .......... 24
2ТМ103 (А, Б, В, Г, Д)...............................................24
ГТ122 (А. Б, В Г) . .26
2Г127 (А-1. Б 1 В 1, Г 1) 27
2Т201 (А, Б, В. Г, Д), КТ201 (А, Б, В, Г, Д), КТ201 (AM, БМ, ВМ,
ГМ. ДМ)............................................................. 28
2Т205 (А-3, Б 3).....................................................31
КТ206 (А. Б).............................................. .... 32
2Т215 (А-1, Б 1, В 1, Г-1 Д 1, Е-1), КТ215 (А 1, Б 1, BI Г-1.
Д-1. Е-1)............................................................33
КТЗО2А............................................................. 35
ГТ404 (А, Б, В, Г).................................................36
Транзисторы р-п р.................................................... 37
1Т101, И 101 (А. Б) 1Т102, 1Т102А...................................37
КТ104 (А, Б В Г) ................................................33
2ТМ104 (А. Б, В, Г). 2Т104 (А, Б, В Г) . ............. .40
ГТ108 (А, Б, В Г) . . . . . 42
ГТ109 (Л, Б. В, Г, Д, Е. Ж. И).......................................43
1ТМ115 (А, Б В Г), 1Т115 (А, Б, В, Г) .....................45
ГТ115(А Б В Г, Д) ...............................46
1Т116(А. Б, В, Г) . . ...............................47
2Т117 (А. Б В Г). КТ117 (А Б. В Г) . . . . 48
2Т118 (А, Б, В). КП 18 (А, Б В)...................................50
2Т118 (Л-1. Б-1)...................................................51
КТ 119 (А, Б)......................................................53
КТ120 (А 1, Б 1, В-1)..............................................53
ГТ124 (А. Б В Г)...................................................54
ГТ125 (А, Б, В. Г. Д. Е, Ж. И. К. Л) ..........5э
2Г126(А-1, Б-1, В 1, Г-1) 56
2Т202 (А-1, Б-1, В-1, Г-1, Д-1), КТ202 (А 1. Б-1, В-1, Г-1. Д-1) . . 58
2Т203 (А. Б, В, Г, Д), КТ203 (А, Б, В). КТ203 (AM, БМ, ВМ) . . 60
КТ207 (А, Б, В).................................................62
2Т208 (А, Б, В. Г, Д, Е, Ж, И, К. Л. М)............................63
КТ208 (А, Б, В, Г, Д, Е, Ж, И, К. Л, М)............................63
КТ209 (А, Б, Б1, В. В1 Г. Д Е, Ж, И, К Л М) . . 65
КТ210 (А Б В) . . 67
2Т211 (А-1. Б 1, В 1) . . .68
2Т214 (А-1, Б 1. В 1 Г 1 Д 1, Е-1). КТ214 (А 1, Б 1 В 1 Г 1.
Д 1 Е-1) ... . . , 70
ГТ402 (А Б В, Г) . . . ...............................72
3
11403 (А, Б, В, Г, Д, Е, Ж, И), ГТ403 (А, Б, В, Г. Д, Е, Ж, И, Ю) 73
ГТ405 (А Б, В, Г)...............................................76
Раздел четвертый. Транзисторы маломощные высокочастотные 77
Транзисторы п-р-п.................................................. 77
2Т301 (Г Д, Е, Ж), КТ301 (Г, Д, Е Ж) . . 77
2Т312 (А, Б. В), КТ312 (А, Б, В)................................79
2Т314А-2, КТ314А-2 . ........................... .82
КТ315 (Л, Б В, Г, Д. Е, Ж. И. Р)................................84
2Т317 (Л-1, Б-1, В-1), КТ317 (А-1, Б1 В-1)......................86
2ТЗЗЗ (А-3. Б-3, В-3, Г-3, Д 3, Е-3) 2T333B1-3. КТЗЗЗ (А-3, Б 3, В-3,
Г-3, Д-З, Е 3) . . 87
2Т336 (А, Б, В, Г, Д, Е), КТ336 (А, Б, В, Г, Д, Е)..............90
КТ339А......................................................... 92
КТ342 (А. Б, В, Г), КТ342 (АЛА, БМ. ВМ) .... . 93
2Т348 (А-3, Б-3. В-3), КТ348 (А, Б, В)..........................95
КТ358 (А, Б. В).................................................95
КТ359 (А, Б В)................................................ 98
КТ369 (А, Б, В, Г), КГ369 (А-1, Б-1, В 1. Г-1).................99
КТ373 (Л. Б В, Г) . . . 100
КТ375 (А, Б) ................103
2Т377 (А-2, Б-2, В-2). 2Т377 (А1-2. Б1-2, В1-2)................105
2Т378 (А-2. Б 2). 2Т378 (А1 2, Б1 2), 2Т378Б-2-1 . . . .107
КТ379 (А, Б В. Г) . ... .... 108
2Т385А-2, 2Т385АМ-2. КТ385А, КТ 385 AM . . . .110
КТ3102 (А, Б, В, Г, Д, Е), КТ3102 (AM, БМ. ВМ, IM, ДМ. ЕМ) . 112
2Т3117А, КТ3117А...............................................115
КТ3129 (А9, Б9, В9, Г9, Д9)....................................116
КТ3130 (А9, Б9, В9, Г9, Д9, Е9, Ж9)............................118
Транзисторы р п-р . . ... .... 120
1ТМ305 (А, Б. В), 1Т305 (А, Б, В), ГТ305 (А Б, В)..............120
1Т308 (А Б. В) ГТ308 (А, Б В)............................ 122
ГТ309 (А Б, В. Г, Д. Е) ......................................124
ГТ310 (А. Б, В. Г, Д. Е)......................................125
2Т313 (А. Б), КТ313 (А. Б).............................126
1Т320 (А, Б, В) ГТ320 (А. Б, В)............................. ... 127
1Т321 (А, Б. В, Г, Д, Е), ГТ321 (А, Б, В. Г, Д, Е).............130
2Т321 (А, Б. В Г Д. Е). КТ321 (А, Б, В Г, Д, Е)................132
ГТ322 (А Б В)................................................. 134
1Т335 (А, Б. В. Г, Д)............................. . . 135
ГТ338 IА Б В).................. ... . 138
КТ343 (А. Б, В)............................................. ... 139
КТ35ОА ........................................... . . 140
КГ351 (А, Б) . . . . . . .141
КТ352 (А, Б)........................... . .143
КТ357 (А, Б, В, Г) . ... ........................144
КТ361 (А Б, В Г, Д, Е).........................................146
2'1'364 (А-2. Б-2, В-2), КТ364 (А-2, Б-2, В-2).................147
КТ380 (А, Б, В)................................................149
2Т388А-2 КГ388АМ-2. КТ388Б 2 КТ388БМ 2 . . 151
КТ3104 (А, Б В, Г, Д, Е).......................................153
КТ3107 (А Б В, Г, Д, Е, Ж. И. К, Л)............................155
2Т3108 (А, Б, В), КТ3108 (А, Б, В) . . ... 157
Раздел пятый. Транзисторы маломощные сверхвысокочастотные . 159
Транзисторы п-р п ... .... ... 159
2Т306 (А, Б, В. Г), КТ306 (А, Б, В, Г, Д). КТ306 (AM, БМ, ВМ,
ГМ. ДМ)...................................................... 159
2Т307 (А-1, Б-1, В-1, Г-1), КТ307 (А-1. Б-1, В-1, Г-1) . . . .162
1Т311 (А, Б, В, Г, Д, К, Л), ГТ311 (Е, Ж, И)...................164
2Т316 (А, Б, В, Г, Д), КТ316 (А, Б, В, Г, Д), КТ316 (AM, БМ, ВМ,
ГМ, ДМ)........................................................167
4
2Т318 (А-1, Б-1, В-1, Г-1, Д 1, Е-1), 2Т318В1-1, КТ318 (А Б, В. I.
Д. Е).......................................................... 170
2Т324 (А 1 Б 1, В 1, Г-1 Д 1, Е-1), КТ324 (А-1, Б , В 1,
Г-1. Д-1, Е-1)..................................................173
2Т325 (А, Б В). КТ325 (А. Б В) КТ325 (AM, БМ, ВМ) , . .175
1Т329 (А Б. В ГТ329 (Л, Б В, Г) . . 177
1Т330 (А Б В, Г), ГТ330 (Д, Ж. И).............................179
1Т341 (А Б В) ГТ341 (А. Б В)................................. 18?
2Т354 (А-2, Б 2), КТ354 (А-2 Б-2) 1’4
2Т355А, КТ355А, КТ355ЛМ.................. ... . . 186
1Т362А, ГТ362 (А Б) . . ............. 187
21366 (А-1, Б1 В 1), КТ366Б1-1. КТ366(Л. Б, В) . . 191
2Т368 (А, Б), КТ368 (А, Б).КТ368(ЛМ БМ).........................193
2Т371А, КТ371А КТ371ЛМ ..............................196
2Т372 (А, Б. В) КТ372 (А, Б В) .... .198
1Т374А-6....................... ... . . 201
2Т382 (Л Б), КТ382 (А. Б), КТ382 (AM. БМ) . . 20»
2Т384Л-2, 2Т384ЛМ 2, КТ384Л КТ384ЛМ . . 294
1Т387 (Л-2, Б-2) .... . . . 2(6
2Т391 (Л-2 Б-2), КТ391 (А 2 Б-2, В-2) . . . 209
2Т396А-2, КТ396Л 2 . .......................... . . 212
2Т397А-2, КТ397Л-2 . ............. . .214
2Т399Л. КТ399А КТ399АМ..........................................216
2Т3101А-2, КТ3101А-2 ....................... . . 218
2Т3106А-2, КТ3106А-2 ... ..............................220
1Т3110А2 . . .222
2Т3114 (А 6 Б-6 В 6), КТ3114(Б6, В-6)...........................223
2Т3115 (А-2, Б-2), КТ3115 (Л 2 В 2. Г-2)................... . .226
2Т3120А, КТ3120А . 229
2Т3121А6 . . . . . . 231
2Т3124(А2, Б-2, В-2) . . . . 232
2Т3132 (А-2, Б-2, В-2, Г-2), 2Т3132А-5, КТ3132 (А 2, Б-2, В-2, Г-2) . 235
Транзисторы р-п-р .... ........................237
1Т313 (А, Б В) ГТ313 (Л, Б В) . ........................237
2Т326 (А, Б), КТ326 (А, Б), КТ326 (AM, БМ) .....................210
ГТ328 (А, Б, В) . . . . . . . . . 242
КТ337 (А Б. В) . . .214
КТ345 (А. Б. В).................................. . . . 245
ГТ346 (А, Б, В) . , . . . 246
КТ347 (А, Б В)..................................... . . 248
КТ349 (А Б В) ... . ...........................249
2Т360 (А-1, Б-1, В-1), КТ360 (А 1, Б 1. В-1)........................251
2Т363 (Л Б), К'ГЗб.З (А Б). КТ363 (AM, БМ)..........................252
2Т370 (А-1, Б-1), КТ370 (А-1, Б 1)..............................255
1Т376А, ГТ376Л................................................ .256
1Т386А......................................................... 258
2Т389А-2, КТ389Л-2 . .... 260
2Т392А-2, КТ392Л 2......................................... .262
КТ3109 (А, Б. В . ... ’ 263
2Т3123 (А-2. Б-2 В 2), КТ3123 (Л-2, Б-2, В-2), КТ3123 (AM. БМ ВМ) 265
КГ3126 (А. Б).................................................. 267
КТ3127А............................................ . 269
КТ3128А.........................................................270
Раздел шестой Транзисторные сборки 271
Транзисторные сборки при......................................... 271
1HT25I. 1НТ251Л, 1НТ251А1. К1НТ251 . . . . ' , 271
2Т381 (Л 1 Б 1, В 1, Г 1 Д-1) . . >75
КТС395 (А-1, В 1). КТС395 (А-2, Б-2, В 2).......................277
2ТС398 (А-1, Б-1), КТС398 (А-1, Б-1)............................279
5
2ТС3111 (A 1 Б 1, В-1, Г-1 Д-1) ... . .282
К1НТ661А ... . . 284
Транзисторные сборки р-п-р....................................... 285
2ТС393 (А-1, Б 1), КТС393 (А-1, Б-1) . '285
КТС394 (А 2, Б-2)............................................ 288
2ТС3103 (А Б), КТС3103 (А1, Б1)............................. .291
Транзисторные сборки р-п-р и п-р-п...................... . 293
2ТС303А-2, КТСЗОЗА-2 . 293
ЧАСТЬ ТРЕТЬЯ
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ 296
Раздел седьмой. Транзисторы маломощные ...............296
2Г1101 (А, Б, В), КП101 (Г, Д, Е)..............................296
2Г1103 (А Б В. Г, Д), 2П103 (АР. БР, ВР, ГР, ДР), КП 103 (Е, Ж,
И. К, Л, М), КП 103 (ЕР, ЖР. ИР, КР, ЛР, МР) КГ1103 (Е1, Ж1
И1, К1. Л1, Ml), КГ1103 (ЕР1, ЖР1, ИР1. КР1, ЛР1, МР1) . . .298
2ПС104 (А, Б. В, Г, Д, Е), КПС104 (А. Б, В, Г, Д, Е)...........304
211201 (А-1, Б 1, В 1 Г-1, Д-1), КП201 (Е-1, Ж 1, И 1, К 1 Л-1) . 308
2I1C202 (А-2, Б 2, В 2, Г-2), 2П202 (Д-1. Е-1), КПС202 (А-2, Б-2,
В 2, Г-2), КГ1202 (Д 1, Е-1) ................................310
КПС203 (А-1, Б-1, В 1, Г-1)....................................313
211301 (А, Б В) 2П301 (А1, Б1, В1), КП301 (Б, В Г) . . . 315
211302 (А, Б, В), КП302 (А, Б, В. Г), КП302 (AM, БМ ВМ ГМ) . 318
211303 (А, Б. В. Г Д, Е, И), КПЗОЗ (А, Б, В, Г, Д Е, Ж, И) . . 321
211304А, КП304А................................................324
211305 (А, Б, В, Г), КП305 (Д, Е, Ж. И)........................326
211305 (А-2, Б-2, В-2, Г-2)....................................328
2П306 (А, Б В) КП306 (А, Б. В) .........................330
2П307 (А, Б, Г), КП307 (А, Б. Г, Е, Ж).........................332
2П308 (А-1, Б-1, В 1, Г-1, Д-1), КП308 (А-1, Б-1, В 1, Г 1, Д 1) . 335
2П310 (А, Б) . . . 337
2П312 (А, Б), КП312 (А, Б) ....................................339
2П313 (А, Б, В), КП313 (А, Б. В) ..............................341
КП314А ................. ... 343
КПС315 (А, Б) . . . .... 344
2ПС316 (А-1, Б-1. В-1, Г 1), КПС316(Д-1, Е-1, Ж-1, И-1) . . .346
ЗП320 (А-2, Б-2)....................... . . .............348
ЗП321А 2 . . .350
2П322А, КП322А . . .352
КП323 (А-2, Б-2) . . . ...............................35-1
ЗП324 (А-2 Б-2) ... . 356
ЗП325А-2, АП325А-2......................................... ... 358
ЗП326 (А 2 Б-2).............................................. 360
КП327 (А, Б)...................................................362
ЗП328А-2, АП328А-2.............................................365
КП329 (А. Б) . . . 367
2ПЗЗЗ (А, Б) ...........................................369
2П350 (А, Б), КП350 (А, Б. В).................................370
ЗПЗЗО (А-2, Б-2, В-2).........................................373
ЗП331А-2 ................. . . .374
2П337 (АР, БР)...............................................375
2П338АР-1 377
31I339A-2 ....................................................378
2П341 (А, Б), КП341 (А, Б) . . 3/9
ЗГ1343А-2 ................................................379
ЗП344А-2 .................................... ... 380
ЗП345А-2 ...................................................381
2П605А 2 ................. . . . .... 382
Алфавнтио цифровой указатель транзисторов, пометенных в справочнике 383
6
Предисловие
В справочнике приводятся электрические и эксплуатационные характери-
стики и параметры биполярных и полевых транзисторов малой мощности, ис-
пользуемых во входных каскадах усилителей, широкополосных балансных диф-
ференциальных н операционных усилителях, фазовых детекторах, генераторах
низкой и высокой частот, импульсных усилителях, селекторах телевизионных
приемников, переключающих и других устройствах.
Настоящий справочник является второй книгой базового издания по тран-
зисторам. В первую книгу «Транзисторы средней и большой мощности» вклю-
чены сведения о биполярных транзисторах широкого диапазона частот.
Справочные сведения составлены на основе данных, зафиксированных в го-
сударственных стандартах и технических условиях по конкретным типам при-
боров на момент составления справочника
Авторами сохранена форма представления данных в виде отдельных спра-
вочных листов на каждый тип прибора, а также зарекомендовавшая себя по-
ложительно crpvKTVpa представления данных, принятая в более ранних изда-
ниях аналогичных справочников: приведены краткие сведения о технологии,
основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке,
значениях параметров н их зависимостях от условий эксплуатации, реж< мах
измерения, предельных эксплуатационных режимах н условиях работы при-
боров.
В части «Общие сведения» приводятся классификация приборов и система
их условных обозначений. Для полноты сведений о приборах, помещенных в
справочнике, дастся перечень действующих стандартов.
Для некоторых типов транзисторов, сведения о которых опубликованы в
вышедших ранее справочниках, с целью сокращения объема зависимости пара-
метров от электрических режимов не приводятся.
Для удобства пользования справочником обозначения приборов располо-
жены в цифро-алфавитной последовательности.
Справочник не заменяет технических условий, утверждаемых в уставов -и
ном порядке, и не является юридическим документом для предъявления ре-
кламаций.
ЧАСТЬ ПЕРВАЯ
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О БИПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ
ТРАНЗИСТОРАХ
Раздел первый
Классификация биполярных и полевых транзисторов
1.1. Классификация и система обозначений
Классификация транзисторов по их назначению, физическим свойствам,
основным электрическим параметрам, конструктивно-технологическим признакам,
роду исходного полупроводникового материала находит свое отражение в си-
стеме условных обозначений их типов. В соответствии с появлением новых
классификационных групп транзисторов совершенствуется и система нх услов-
ных обозначений
Система обозначений современных типов транзисторов установлена отрасле-
вым стандартом ОСТ 11 336.919—81 и базируется на ряде классификационных
признаков. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.
Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, на
основе которого изготовлен транзистор. Для обозначения исходного материала
используются следующие символы:
Г или 1 —для германия или его соединений;
К или 2 — для кремния или его соединений;
А или 3 — для соединений галлия (практически для арсенида галлия, ис-
пользуемого для создания полевых транзисторов);
И или 4 — для соединений индия (эти соединения для производства тран-
зисторов в качестве исходного материала пока не применяются).
Второй элемент обозначения — буква, определяющая подкласс (или груп-
пу) транзисторов Для обозначения подклассов используется одна из двух букв:
Т — для биполярных и П—для полевых транзисторов.
Третий элемент — цифра, определяющая основные функциональные воз-
можности транзистора (допустимое значение рассеиваемой мощности и гранич-
ную либо максимальную рабочую частоту).
Для обозначения наиболее характерных эксплуатационных признаков тран-
зисторов применяются следующие цифры.
Для транзисторов малой мощности (максимальная мощность, рассеиваемая
транзистором, ие более 0,3 Вт):
1—с граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной
рабочей частотой (далее граничной частотой) пс более 3 МГц;
2 — с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
3—с граничной частотой более 30 МГц.
Для транзисторов средней мощности (максимальная мощность, рассеивае-
мая транзистором, более 0,3, но не более 1,5 Вт):
4 — с граничной частотой не более 3 МГц;
5 — с граничной частотой более 3, по не более 30 МГц;
6 — с граничной частотой более 30 МГц.
Для транзисторов большой мощности (максимальная мощность, рассеивае-
мая транзистором, более 1,5 Вт):
7 —с граничной частотой не более 3 МГц;
8 — с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
9 — с граничной частотой более 30 МГц.
Четвертый элемент — число, обозначающее порядковый иомер разработки
технологического типа транзисторов. Для обозначения порядкового номера ис-
8
пользуют двухзначные числа от 01 до 99. Если порядковый помер превысит
число 99, то применяют трехзначиые числа от 101 до 999.
Пятый элемент — буква, условно определяющая классификацию по пара-
метрам транзисторов, изготовленных по единой технологии. В качестве клас-
сификационной литеры применяют буквы русского атфавита (за исключением
3, О, Ч, Ы, Щ, Ю, Ь, Ъ, Э).
Стандарт предусматривает также введение в обозначение ряда дополни-
тельных знаков при необходимости отметить отдельные существенные конст-
руктивно-технологические особенности приборов
В качестве дополнительных элементов обозначения используют следующие
символы
ци фра от 1 до 9 — для обозначения модернизаций транзистора, приво-
дящих к изменению его конструкции или электрических параметров;
бу ква С—для обозначения наборов в общем корпусе однотипных транзи-
сторов (транзисторные сборки);
цифра, написанная через дефис,— для бескорпусиых транзисторов.
Эти цифры соответствуют следующим модификациям конструктивного ис-
полнения:
1— с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки);
2 —с гибкими выводами на крнсталлодержателе (подложке);
3 — с жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки);
4 — с жесткими выводами на крнсталлодержателе (подложке);
5 — с контактными площадками без кристаллодержателя (подложки) и
без выводов (кристалл);
6 — с контактными площадками па крнсталлодержателе (подложке), но
без выводов (кристалл на подложке).
Таким образом, современная система обозначений позволяет по наимено-
ванию типа получить значительный объем информации о свойствах транзистора.
Примеры обозначения некоторых транзисторов-
Г1101А—германиевый биполярный маломощный низкочастотный, номер
разработки 1, группа Л
2Т399А — кремниевый биполярный маломощный СВЧ, номер разработки 99,
группа А;
2Т399А-2—аналогичен транзистору 2Т399А, но в бескорпуспом исполне-
нии с гибкими выводами на крнсталлодержателе;
2ПС202А-2 — набор маломощных кремниевых нолевых транзисторов, сред-
ней частоты, помер разработки 2. группа Л, бескорпуспый с гибкими выводами
на крнсталлодержателе.
Для большинства транзисторов, включенных в настоящий справочник, ис-
пользована система обозначений согласно ранее действовавшим ГОСТ 10862—64
и ГОСТ 10862—72, которая в своей основе не отличается от описанной.
1.2. Классификация транзисторов по функциональному назначению
В настоящем справочнике наряду с нашедшей отражение в системе услов-
ных обозначений типов транзисторов классификацией приведена классификация
биполярных транзисторов по частоте: низкочастотные (7.-р<30 МГц), высокоча-
стотные (30 МГц<^300 МГц), сверхвысокочастотиые (/гр>300 МГц).
Биполярные и полевые транзисторы в соответствии с основными областями
применения подразделяются на следующие группы: усилительные, генераторные,
переключательные и импульсные. Каждая из перечисленных групп характеризу-
ется специфической системой параметров н справочных зависимостей, отра-
жающих особенности применения транзисторов в радиоэлектронной аппаратуре.
Применительно к дайной классификации транзисторов расположен информа-
ционный материал в справочнике.
1 3. Условные графические обозначения
В технической документации и специальной литературе следует применять
условные графические обозначения полупроводниковых приборов в соответст-
вии с ГОСТ 2.730—73.
Таблица 1]
Условные графические обозначения транзисторов
Наименование
Обозначение
Транзистор типа р п р
Транзистор топа п-р-п с коллектором, электрически
соединенным с корпусом
Однопереходный транзистор с п- н р-базой
Полевой транзистор с затвором на основе р п пере-
хода с каналом п- и р-типа
Полевой транзистор с изолированным затвором с вы-
водом от подложки обогащенного типа с р-капалом и
обедненного типа с п-каналом
Полевой транзистор с изолированным затворам обога-
щенного типа с n-каналом и внутренним соединением
подложки и истока
Полевой транзистор с двумя изолированными затво-
рами обедненного типа с п каналом и внутренним со-
единением подложки и истока
Графические обозначения полупроводниковых приборов, помещенных в дан-
ном справочнике, приведены в табл. 1.1.
1.4. Условные обозначения электрических параметров
Г'кэ — напряжение коллектор — эмиттер
Окэо.ар — граничное напряжение биполярного транзистора
Ukbo — постоянное напряжение коллектор — эмиттер при токе базы.
равном иутю
Ukbr — постоянное напряжение коллектор — эмиттер при заданном
Ukbk сопротивлении в цепи база — эмиттер — постоянное напряжение коллектор — эмиттер при коротко-
Ukbx замкнутых выводах базы и эмиттера — постоянное напряжение коллектор — эмиттер при заданном
U КЭВ.и обратном напряжении база — эмиттер — импульсное напряжение коллектор — эмиттер при заданном
UgBK.u сопротивлении в цепи база—эмиттер — импульсное напряжение коллектор — эмиттер при коротко-
Ukbx u замкнутых выводах базы и эмиттера — импульсное напряжение коллектор—эмиттер при заданном
И КВО.проВ обратном напряжении база — эмиттер — пробивное напряжение коллектор — эмиттер при токе базы.
равном нулю
Пиев.пр^в —пробивное напряжение коллектор — эмиттер при заданном со-
противлении в цепи база — эмиттер
1)квк.проб — пробивное напряжение коллектор — эмиттер при короткозамк-
нутых выводах базы н эмиттера
10
UnBx.npoB—пробивное напряжение коллектор — эмиттер при заданном
обратном напряжении база — эмиттер
Ukb макс — максимально допустимое постоянное напряжение коллектор —
эмиттер
Ukb.u макс — максимально допустимое импульсное напряжение коллектор —
эмиттер
Uxs.nac — напряжение насыщения коллектор — эмиттер
17 бе— постоянное напряжение коллектор- база
Ukb,и — импульсное напряжение козлектор—база
икв.проб — пробивное напряжение коллектор — база
Ukb.макс — максимально допустимое постоянное напряжение коллектор —
база
Ukb.u,жохе — максимально допустимое импульсное напряжение коллектор —
база
Ubb — постоянное напряжение эмиттер — база
&Ubb — падение напряжения на участке база — эмиттер
Ugg Хакс — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер —
база
ивв.проб — пробивное напряжение эмиттер — база
Ubb2,m.ikc — максимально допустимое обратное напряжение эмиттер — ба-
за 2 одпопереходного транзистора
Ubb.koc — напряжение насыщения база—эмиттер
иввпл — плавающее напряжение эмиттер — база
Ubib2 — межбазовое напряжение однопереходного транзистора
Ubib2,m<ikc — максимально допустимое межбазовое напряжение одпопере-
ходиого транзистора
Ubb — напряжение между эмиттерами двухэмнттерного транзистора
UvnP — напряжение управления двухэмнттерного транзистора
Usnpoe — напряжение вторичного пробоя
UsnpaB.u — импульсное напряжение вторичного пробоя
Uch — напряжение сток — исток
Ubh — напряжение затвор — исток
Uип — напряжение исток — подложка
Uch.mckc — максимально допустимое напряжение сток — исток
Usu макс — максимально допустимое напряжение затвор •— исток
Use,макс—максимально допустимое напряжение затвор — сток
Ucn макс — максимально допустимое напряжение сток — подложка
и3п,маке — максимально допустимое напряжение затвор — подложка
изымаю—максимально допустимое напряжение между затворами
Unn.orc — напряжение отсечки полевого транзистора
Uw.пор—пороговое напряжение полевого транзистора
| U3111 — {Айз]—разность напряжений затвор — исток сдвоенного полевого
транзистора
Д|(Л)И| — U3K2l . .
---------—температурныи уход разности напряжений затвор — исток
ЛГ
сдвоенного полевого транзистора
иш шумовое напряжение полевого транзистора
— электродв1 ж\щая сила шума полевого транзистора
Епит — напряжение источника питания
Uк — напряжение источника питания цепи коллектора
Ur. — напряжение источника питания цепи базы
1к — постоянный ток коллектора
1в — постоянный ток эмиттера
/в—постоянный ток базы
1к.и — импульсный ток коллектора
/в.и — импульсный ток эмиттера
1в,и — импульсный ток базы
I кво— обратный ток коллектора
1вво— обратный ток эмиттера
11
I к во — обратный ток коллектор — эмиттер при разомкнутом выво
де базы
Iksr — обратный ток коллектор—эмиттер при заданном сопротив-
лении в цепи база—эмиттер
1кэк— обратный ток коллектор — эмиттер прн короткозамкнутых
выводах базы и эмиттера
1кэх—обратный ток коллектор — эмиттер при заданном обратном
напряжении база — эмиттер
hi.нас — постоянный ток коллектора в режиме насыщения
h.nac — постоянный ток базы в режиме насыщения
/кр — критический ток биполярного транзистора
/в.пров — ток вторичного пробоя
/в пров и — импульсный ток вторичного пробоя
1 к махе — .максимально допустимый постоянный ток коллектора
I В,макс—максимально допустимый постоянный ток эмиттера
/в,лике — максимально допустимый постоянный ток базы
I К.и,макс—максимально допустимый импульсный ток коллектора
/в.и.махс—максимально допустимый импульсный ток эмиттера
1к нпе.манс — максимально допустимый постоянный ток коллектора в ре-
жиме насыщения
h.нас махе—максимально допустимый постоянный ток базы в режиме на-
сыщения
1с. махе— максимально допустимый постоянный ток стока
1в!Б2 — межбазовый ток однопереходного транзистора
1«хл — ток включения однопереходного транзистора
1еыхл — ток выключения однопереходпого транзистора
1мо» — ток модуляции одиопереходного транзистора
1с,нач—начальный ток стока
1с,хач1 /1с,на<2 — отношение начальных токов стока сдвоенного полевого
транзистора
1с.ост — остаточный ток стока
/з.рт — ток утечкн затвора
hco — обратный ток затвор — сток при разомкнутом выводе истока
1зпо—обратный ток затвор — исток при разомкнутом выводе стока
1ш — шумовой ток полевого транзистора
h.np макс — максимально допустимый прямой ток затвора
1с.и.макс максимально допустимый импульсный ток стока
Св—емкость эмиттерного перехода
Ск — емкость коллекторного перехода
Сци — входная емкость полевого транзистора
Сци — выходная емкость полевого транзистора
С|2и—проходная емкость полевого транзистора
Сзсо — емкость затвор—сток прн отсоединенном выводе истока
Сзио — емкость затвор—исток при отсоединенном выводе стока
Сг — емкость генератора
f — частота
ftp— граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с об-
щим эмиттером
ftp—значение ftp в заданном режиме
— предельная частота коэффициента передачи тока биполяр-
ного транзистора
[маис — максимальная частота генерации биполярного транзистора
£пи— активная составляющая входной проводимости полев >го
транзистора в схеме с общим истоком
Вии — активная составляющая выходной проводимости полевого
транзистора в схеме с общим истоком
гв—сопротивление базы
йцв—входное сопротивление биполярного транзистора в режиме
малого сигнала в схеме с общим эмиттером
йцз—входное сопротивление биполярного транзистора в режиме
большого сигнала в схеме с общим эмиттером
12
hlte — входное сопротивление биполярного транзистора в режиме
малого сигнала в схеме с общей базой
fti2j— коэффициент обратной связи по напряжению биполярного
транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим
эмиттером
hue — коэффициент обратной связи по напряжению биполярного
транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общей базой
Л21э — коэффициент передачи тока биполярного транзистора В ре-
жиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером
|Й2|э| •—модуль коэффициента передачи тока биполярного транзи-
стора в схеме с общим эмиттером на высокой частоте
й2,в— статический коэффициент передачи тока биполярного транзи-
стора в схеме с общим эмиттером
arg(A2ie)—фаза коэффициента передачи тока в схеме с общей базой
Л22э—выходная полная проводимость биполярного транзистора в
режиме малого сигнала прн холостом ходе в схеме с общим
эмиттером
й22в—выходная полная проводимость биполярного транзистора в
режиме малого сигнала при холостом ходе в схеме с общей
базой
Кцр—коэффициент усиления по мощности биполярного (полевого)
транзистора
Кш — коэффициент шума биполярного (полевого) транзистора
К'ш—значение в заданном режиме
Ki — коэффициент линейности
Кнас — коэффициент насыщения
Р — постоянная рассеиваемая мощность биполярного (полевого)
транзистора
Рср — средняя рассеиваемая мощность биполярного (полевого)
транзистора
Ри — импульсная рассеиваемая мощность биполярного (полевого)
транзистора
Ри — постоянная рассеиваемая мощность коллектора
Ркср—средняя рассеиваемая мощность коллектора
Рл.1Жс — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность
биполярного (полевого) транзистора
Ри .млкс — максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность
биполярного (полевого) транзистора
Рк макс — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность
коллектора
Рк.ср.макс — максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность
коллектора
Р —• атмосферное давление
Q — скважность
7?вэ — сопротивление в цепи база — эмиттер
Лв1б2—межбазовое сопротивление одиопереходного транзистора
Re—сопротивление в цепи база — источник питания
Rch.otk — сопротивление сток — исток в открытом состоянии полевого
транзистора
Rex — входное сопротивление
Рвых—выходное сопротивление
Rm—шумовое сопротивление полевого транзистора
Rk — сопротивление нагрузки
Ri — выходное сопротивление генератора при измерениях
Rt — тепловое сопротивление
Яг(п-Я) — тепловое сопротивление переход — корпус
Rr.u(n-Ki — импульсное тепловое сопротивление переход — корпус
/?т(п-с> — тепловое сопротивление переход — среда
Sue, Sils —- коэффициент отражения входной цепи в схеме с общей базой
и е общим эмиттером соответственно
13
Sue—коэффициент обратной передачи напряжения в схеме с об-
щей базой
Sissi — модуль коэффициента обратной передачи напряжения в схе-
ме с общей базой
Хаю — коэффициент прямой передачи напряжения в схеме с общим
эмиттером
S22g — коэффициент отражения выходной цепи в схеме с общей
базой
S — крутизна характеристики полевого транзистора
S„a— крутизна характеристики на подложке
т„ — постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
биполярного транзистора
С„Л — время включения биполярного (полевого) транзистора
1еыкЛ — время выключения биполярного (полевого) транзистора
tsB — время задержки для биполярного транзистора
tKp — время нарастания для биполярного (полевого) транзистора
tpac — время рассасывания для биполярного транзистора
ten — время спада для биполярного (полевого) транзистора
— время задержки включения полевого транзистора
бв.оцхл — время задержки выключения полевого транзистора
Т — температура окружающей среды
Тп — температура корпуса, для бескорпусных транзисторов —
кристаллодержателя (подложки)
Тп — температура р-п перехода
т] — коэффициент передачи однопереходпого транзистора
/„ — длительность импульса
t# — длительность фронта
Звездочкой в тексте отмечены параметры или их значения, приведенные
в справочных данных ТУ. При производстве полупроводниковых приборов они
могут не контролироваться.
Значения эксплуатационных данных, приведенные без указания темпера-
турного диапазона, справедливы во всем интервале температур окружающей
среды дли данного типа транзистора.
Значения электрических параметров, приведенные без специального указа-
ния температуры окружающей среды (температуры корпуса), справедливы для
температуры +25 °C.
На графиках с изображением зоны возможных положений зависимости
параметров линией внутри зоны обозначена типовая зависимость
1 5. Основные стандарты на биполярные и полевые транзисторы
ГОСТ 15133—77
ОСТ 11 336.919—81
ГОСТ 2 730—73
ГОСТ 18472—82
IOCT 20003—74
ГОСТ 19095—73
ГОСТ 10863—81
ОСТ 11 336.907.0—79
ОСТ 11 336.907.8—81
ОСТ 11 336 935—82
ОСТ 11 0272—86
Приборы полупроводниковые. Термины и определения.
Приборы полупроводниковые Система условных обоз-
начений.
Обозначения условные графические в схемах. Прибо-
ры полупроводниковые
Приборы полупроводниковые. Основные размеры
Транзисторы биполярные. Термины, определения и бук-
венные обозначения параметров
Транзисторы полевые. Термины, определения и буквен-
ные обозначения параметров
Приборы и установки измерительные для проверки
параметров полупроводниковых приборов
Приборы полупроводниковые Руководство по приме-
нению. Общие положения
Транзисторы биполярные. Руководство по применению
Транзисторы полевые. Руководство по применению
Интегральные микросхемы, приборы полупроводниковые
бескорпусные Руководство по применению
14
OCT 11 073.062—84
OCT 11 073.073—82
OCT 11 336.003—74
OCT 11 706.000—79
Микросхемы интегральные н приборы полупроводнико-
вые Требования и методы зашиты от статического
электричества в условиях производства и применения
Контроль неразрушающий. Методы контроля темпера-
туры биполярных транзисторов п интегральных микро-
схем
Приборы полупроводниковые. Методы отвода тепла
Радиаторы охлаждения полупроводниковых приборов.
Технические условия
Методы
ГОСТ 18604.0—83
ГОСТ 18604.1—80
ГОСТ 18604.2—80
ГОСТ 18604.3—80
ГОСТ 18604.4—74
ГОСТ 18604.5—74
ГОСТ 18604.6—74
ГОСТ 18604.7—74
ГОСТ 18604 8— 74
ГОСТ 18604 9-82
ГОСТ 18604.10—76
ГОСТ 18604.11—76
ГОСТ 18604.13—77
ГОСТ 18604.14—77
ГОСТ 18604.15—77
ГОСТ 18604.16—78
ГОСТ 18604.17—78
ГОСТ 18604 19—78
ГОСТ 18604.20—78
ГОСТ 18604 22—78
ГОСТ 18604.23- 80
ГОСТ 18604.24—81
измерения параметров биполярных транзисторов
Транзисторы биполярные Общие требования при из-
мерении электрических параметров
Транзисторы биполярные. Метод измерения постоянной
времени цепи обратной связи на высокой частоте
Транзисторы биполярные. Метод измерения статиче-
ского коэффициента передачи тока
Транзисторы биполярные. Метод измерения емкостей
коллекторного и эмиттерного переходов
Транзисторы. Методы измерения обратного тока кол-
лектора
Транзисторы. Метод измерения обратного тока коллек-
тор — эмиттер
Транзисторы. Метод измерения обратного тока эмит-
тера
Транзисторы. Метод измерения коэффициента передачи
тока
Транзисторы. Метод измерения выходной проводимости
Транзисторы биполярные. Методы определения гра-
ничной и предельной частот коэффициента передачи
тока
Транзисторы биполярные. Метод измерения входного
сопротивления
Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффици-
ента шума па высоких и сверхвысоких частотах
Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Метод
измерения выходной мощности и определение коэффи-
циента усиления по мощности и коэффициента полез-
ного действия коллектора
Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Метод из-
мерения модуля коэффициента обратной передачи на-
пряжения в схеме с общей базой на высокой частоте
Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Методы
измерения критического тока
Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффици-
ента обратной связи по напряжению в режиме малого
сигнала
Транзисторы биполярные. Метод измерения плавающего
напряжения эмиттер — база
Транзисторы биполярные. Методы измерения гранично-
го напряжения
Транзисторы биполярные. Методы измерения коэффи-
циента шума на низкой частоте
Транзисторы биполярные Методы измерения напряже-
ния насыщения коллектор — эмиттер и база — эмиттер
Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффици-
ентов комбинационных составляющих
Транзисторы биполярные высокочастотные генератор-
ные Метод измерения выходной мощности и опреде-
ление коэффициента усиления мощности и коэффици-
ента полезного действия коллектора
15
ГОСТ 18604.26—85
ГОСТ 18604.27—86
ОСТ 11 336.909.1—79
ОСТ 11 336.909.3—79
Транзисторы биполярные. Методы измерения времен-
ных параметров
Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Ме-
тод измерения пробивного напряжения коллектор — ба-
за (эмиттер — база) при нулевом токе эмиттера (кол-
лектора)
Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Ме-
тоды измерения граничного напряжения
Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Ме-
тоды измерения скорости нарастания обратного напря-
жения
Методы измерения параметров полевых транзисторов
ГОСТ 20398.0—83
ГОСТ 20398.1—74
ГОСТ 20398.2—74
ГОСТ 20398.3—74
ГОСТ 20398.4—74
ГОСТ 20398.5—74
ГОСТ 20398.6—74
ГОСТ 20398.7—74
ГОСТ 20398.8—74
ГОСТ 20398.9—80
ГОСТ 20398.10—80
ГОСТ 20398.11—80
ГОСТ 20398.12—80
ГОСТ 20398.13—80
ОСТ 11 336.916—80
Транзисторы полевые. Общие требования при измере-
нии электрических параметров
Транзисторы полевые. Метод измерения модуля полной
проводимости прямой передачи
Транзисторы полевые. Метод измерения коэффициента
шума
Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны ха-
рактеристики
Транзисторы полевые. Метод измерения активной со-
ставляющей выходной проводимости
Транзисторы полевые. Метод измерения входной, про-
ходной и выходной емкостей
Транзисторы полевые. Метод измерения тока утечкн
затвора
Транзисторы полевые. Метод измерения порогового на-
пряжения и напряжения отсечки
Транзисторы полевые. Метод измерения начального то-
ка стока
Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны ха-
рактеристики в импульсном режиме
Транзисторы полевые. Метод измерения начального то-
ка стока в импульсном режиме
Транзисторы полевые. Метод измерения ЭДС шума
Транзисторы полевые. Метод измерения остаточного
тока стока
Транзисторы полевые. Метод измерения сопротивления
сток — исток
Транзисторы полевые. Метод измерения выходной мощ-
ности, определение коэффициента усиления по мощно-
сти н коэффициента полезного действия стока
1.6. Приборы для измерения параметров маломощных
транзисторов
Для измерения параметров транзисторов промышленность выпускает ряд
измерительных приборов. Наибольшее распространение для измерения парамет-
ров маломощных биполярных и полевых транзисторов получили приборы, при-
ве щнные в табл. 1.2.
Методы измерения основных электрических параметров транзисторов уста-
новлены государственными стандартами. Для наблюдения вольт-амперных ха-
рактеристик транзисторов рекомендуется использовать приборы, приведенные
в табл. 1.3.
16
я
cn
*
о
Ш о
О X
шаз < у со +1 о
С л
ео о о II
: ст S Ю £са с
м ; = V/ °7 - о с ^-1 +1
II II О' —- о II
s; S II г- и 11 л * £ ь> Г2
Й
: : Ю Ю ih Ю Ю ID iC 1О *6
ооЧХХХХХХХХХ
хххх
04 CD О 04
се со ’Г
in id in id
XXX*
СП CD —
04 СО СО
ID Ш IQ ID
18
Таблица 13
Приборы для наблюдения вольт-амперных характеристик транзисторов
Тип прибора Режим по постоянному току Режим ступенчатого сигнала Габаритные размеры, мм (масса, кг)
ПНХТ-1 [/=0...20 В (при 1= 1.. 10 А) [/=0. .200 В (при /—1 А) По току: 1 „500 мкА/ступень 1...200 мА ступень (всего 17 фиксирован- ных значений) 643X334X423 (40 кг)
По напряжению: 0,01.„0,2 В/ступень (все- го 5 фиксированных зна- чении) Число ступеней 4—12
Л2-56 (ПНХТ-2) [/=!..16 В (при /= 10 А) [МО...80 В (при /=0,4..2 А) По току: 50 нА/ступень, 20 мА/ступень (всего 21 фиксированное значение) 490X294X560 (40 кг)
1/=0..400 В (при /=0,4...0,08 А) [/—0...2000 В (при /=0,08 А) По напряжению: 0.05...2 В/ступеиь (всего 6 фиксированных значений) Число ступеней 1—10
Раздел второй
Особенности использования транзисторов в радиоэлектронной
аппаратуре
При разработке, изготовлении и эксплуатации полупроводниковых прибо-
ров следует принимать во внимание их специфические особенности. Высокая
надежность радиоэлектронной аппаратуры может быть обеспечена только при
учете таких факторов, как разброс параметров транзисторов, их температурная
нестабильность и зависимость параметров от режима работы, а также изме-
нение параметров транзисторов в процессе эксплуатации.
Транзисторы сохраняют свои параметры в установленных пределах в услови-
ях эксплуатации и храпения, характерных для различных видов и классов ап-
паратуры. Условия эксплуатации аппаратуры могут изменяться в широких
пределах. Эти условия характеризуются внешними механическими (вибрацион-
ными, ударными, центробежными нагрузками) и климатическими воздействия-
ми (температурными, атмосферными и др.).
Общие требования, справедливые для всех транзисторов, предназначенных
для использования в аппаратуре определенного класса, содержатся в общих
технических условиях. Нормы на значения электрических параметров н специ-
фические требования, относящиеся к конкретному типу транзистора, содержат-
ся в частных технических условиях.
Под воздействием различных факторов окружающей среды некоторые па-
раметры, характеристики и свойства транзисторов могут изменяться. Для гер-
метичной защиты транзисторных структур от внешних воздействий служат кор-
пуса приборов. Конструктивное оформление транзисторов рассчитано на нх ис-
пользование в составе аппаратуры при любых допустимых условиях эксплуата-
2*
19
ции. Необходимо помнить, что корпуса транзисторов в конечном счете имеют
ограничение по герметичности. Поэтому при использовании транзисторов в аппа-
ратуре, предназначенной для эксплуатации в условиях повышенной влажно-
сти, платы с расположенными на них транзисторами рекомендуется покрывать
лаком ие меиее чем в три слоя. Рекомендуется применять лаки УР-231
(ТУ 6—10—863—79) или ЭП-730 (ГОСТ 20824—75).
Все большее распространение получают так называемые бескорпусные тран-
зисторы, предназначенные для использования в микросхемах и микросборках
Кристаллы таких транзисторов защищены специальным покрытием, ио оно ие
дает дополнительной защиты от воздействия окружающей среды. Защита дости-
гается общей герметизацией всей микросхемы.
Чтобы обеспечить долголетнюю п безотказную работу радиоэлектронной
аппаратуры, конструктор обязан не только учесть характерные особенности
транзисторов на этапе разработки аппаратуры, но и обеспечить соответствую-
щие условия ее эксплуатации и хранения.
Транзисторы — приборы универсального применения. Опн могут быть
успению использованы ие только в классе устройств, для которых они разрабо-
таны, по н во многих других устройствах. Однако набор параметров и харак-
теристик, приводимых в справочнике, соответствует основному назначению тран-
зистора. В справочнике приводятся значения параметров транзисторов, гаран-
тируемые ТУ для соответствующих оптимальных или предельных режимов
эксплуатации. Рабочий режим транзистора в проектируемом устройстве часто
отличается от того режима, для которого приводятся параметры в ТУ.
Значения большинства параметров транзисторов зависят от рабочего ре-
жима н температуры, причем с увеличением температуры зависимость пара-
метров от режима сказывается более сильно. В справочнике приводятся, как
правило, типовые (усредненные) зависимости параметров транзисторов от
тока, напряжения, температуры, частоты и т. п. Эти зависимости должны ис-
пользоваться при выборе типа транзистора и ориентировочных расчетах, так
как значения параметров транзисторов одного типа ие одинаковы, а лежат в
некотором интервале. Этот интервал ограничивается минимальным или мак-
симальным значением, указанным в справочнике. Некоторые параметры имеют
двустороннее ограничение.
При конструировании устройств необходимо стремиться обеспечить их ра-
ботоспособность в возможно бочее широких интервалах изменений важнейших
параметров транзисторов. Разброс параметров транзисторов и их изменение во
времени при конструировании могут быть учтены расчетными методами или
экспериментально — методом граничных испытаний.
На рис. 2.1 показаны выходные характеристики биполярного транзистора
с указанием областей работы для схем с общей базой (ОБ) и общим эмитте-
ром (ОЭ).
Рис. 2.1. Выходные характеристики биполярного
транзистора
Рис. 2.2. Выходные вольт-
амперные характеристики
полевого транзистора
20
Рис. 2.3. Проходные вольт-амперные ха-
рактеристики полевого транзистора с уп-
равляющим р п переходом
Рис. 2.4. Проходные вольт-амперные ха-
рактеристики МДП транзисторов
Выходные вольт-амперные характеристики полевых транзисторов приведе-
ны на рис. 2.2. На семействе этих характеристик можно выделить три области:
линейную (изменение тока стока пропорционально изменению напряжения па
стоке), область насыщения (ток стока слабо зависит от напряжения иа стоке).
На рис. 2.3. приведены проходные вольт-амперные характеристики (зави-
симость тока стока от напряжения на затворе при неизменном напряжении на
стоке) полевых транзисторов е управляющим р-п переходом с каналами п- н
p-типов проводимости и схемные обозначения этих транзисторов Проходные
характеристики полевых транзисторов с управляющим р-п переходом хороню
аппроксимируются выражением
1с~1с.пач(\ — ^Зи/^ЗИ.отс)",
ГДе /с.нач —' начальный ток стока (ток стока прн 1/зи=0); С/зи.отс— напряже-
ние отсечки. Теоретическое значение показателя степени п=2, однако иа прак-
тике п=1,5. 2,5.
Полевые транзисторы с управляющим р-п переходом работают в реж< ме
обеднения капала носителями заряда (независимо от типа его проводимости)
при изменении напряжения затвор — исток от нулевого значения до напряже-
ния отсечки тока стока.
На рис. 2.4 приведены проходные вольт-амперные характеристики МДП-
транзисторов и их схемные обозначения. В отличие от транзисторов с управляю-
щим р-п переходом, у которых рабочая область составляет от (Лш=0 до на-
пряжения запирания, МЧП-транзнсторы сохраняют высокое входное сопротив-
ление при любых значениях напряжения на затворе, которое ограничено па-
пряжением пробоя изолятора затвора.
При необходимости применения транзисторов для выполнения функций,
отличающихся от их основного назначения, вывод о возможности их использо-
вания в этих режимах может быть сделан после измерения параметров тран-
зисторов в этих режимах, проведения соответствующих испытаний и согласо-
вания их применения в соответствии с ГОСТ 2 124—85.
В аппаратуре транзистор может быть использован в широком диапазоне
напряжений н токов. Ограничением служат значения предельно допустимых
режимов, превышение которых в условиях эксплуатации ие допускается не-
зависимо от длите >ностн импульсов напряжения или тока. Поэтому при при-
менении транзисторов необходимо обеспечить их защиту от мгновенных изме-
нений токов и напряжений, возникающих при переходных процессах (моменты
включения, выключения, измерения режимов работы и т. п.), мгновенных изме-
21
нениях питающих напряжений. Не допускается также работа транзисторов
в совмещенных предельных режимах (например, по напряжению и току).
Не рекомендуется эксплуатация транзисторов при рабочих токах, соизмери-
мых с неуправляемыми обратными токами во всем диапазоне температур.
Режимы работы транзисторов должны контролироваться с учетом возмож-
ных неблагоприятных сочетаний условий эксплуатации аппаратуры.
При измерениях необходимо принимать во внимание колебания напряже-
ний источников питания, значение н характер нагрузки на выходе блока, коле-
бания амплитуды н длительности выходных сигналов, уровни внешних воздей-
ствующих факторов.
Для повышения надежности транзисторов при эксплуатации следует вы-
бирать рабочие режимы с коэффициентами нагрузки по напряжению и мощно-
сти в диапазоне 0,7...0.8. Для коэффициентов нагрузки менее 0,5.. 0,6 надежность
работы транзистора практически не зависит от режима работы.
Однако следует учесть, что применение транзисторов при малых рабочих
токах приводит к снижению устойчивости нх работы в диапазоне температур
и к нестабильности усиления во времени. Использование более высокочастот-
ных типов транзисторов в низкочастотных цепях нежелательно, так как они
дороги, склонны к самовозбуждению и обладают меньшими эксплуатационными
запасами.
Для повышения надежности параллельно соединенных транзисторов реко-
мендуется транзисторы располагать на общем теплоотводе, в цепи эмиттеров
в баз включать резисторы, обеспечивать их работу при коэффициентах нагрузки
по току 0,5...0,6.
Для повышения надежности последовательно соединенных транзисторов ре-
комендуется цепи коллектор—эмиттер шунтировать резисторами, сопротивле-
ние которых в 2 3 раза меньше эквивалентного сопротивления закрытого тран-
зистора, или стабилитроном, допускающим работу в ждущем режиме, напря-
жение стабилизации которого не более 0.7...0.8 UKno-
Для учета зависимости параметров от температуры в справочнике приво-
дятся температурный диапазон применения транзисторов, значения параметров
и режимов при различных температурах и их температурные зависимости.
В процессе .монтажа транзисторов в устройство механические и тепловые
воздействия на них ие должны превышать значений, указанных в ТУ, так как
это может привести к растрескиванию изолятора и, следовательно, к нарушению
герметичности корпуса транзистора. При рихтовке, формовке и обрезке участок
вывода у корпуса транзистора должен быть закреплен таким образом, чтобы
в месте выхода вывода из корпуса (изолятора) он не испытывал изгибающих
или растягивающих усилий Оснастка для формовки выводов должна быть за-
землена. Расстояние от корпуса транзистора до начала изгиба вывода при
формовке должно быть не менее 2 мм, если оно не оговорено в ТУ на конкрет-
ный тип транзистора. При диаметре вывода не более 0,5 мм радиус его изгиба
должен быть не менее 0,5 мм; при диаметре от 0,6 до 1 мм — не менее 1 мм;
прн диаметре более 1 мм — не менее 1,5 мм.
При лужении, пайке и монтаже транзисторов следует принимать меры,
исключающие возможность нх повреждения из-за перегрева и механических
усилий. При лужении и пайке расстояние от корпуса (изолятора) до места
лужения и пайки должно быть не менее 3 мм, если в ТУ на конкретный тип
транзистора не указано иное
Допускается пайка выводов без теплоотвода и групповым методом, если
температура припоя не превышает +280±5°С, а время пайки не более 3 с,
если в ТУ на конкретный тип транзистора не указано иное.
Печатные платы очищают от флюсов жидкостями, не портящими покрытие,
маркировку и материал корпуса транзистора (рекомендуется спнртобензнновая
смесь).
В процессе монтажа, транспортировки, хранения ВЧ и СВЧ биполярных
транзисторов и полевых МДП-трапзпсторов необходимо обеспечивать защиту
их от воздействия статического электричества. Способы зашиты приведены в
22
OCT 11073.062—84 К числу важнейших предупредительных мер относятся:
хорошее заземление оборудования и измерительных приборов, применение за-
земляющих браслетов (или колец) между телом оператора и землей; антиста-
тических халатов; использование низковольтных электрических паяльников с
заземленным жалом. При включении транзистора в электрическую цепь нахо
дящуюся под напряжением, коллекторный контакт должен подсоединяться
последним и отсоединяться первым. С целью предупреждения появления в
процессе настройки цепи мгновенного напряжения на коллекторе, превышаю-
щего максимально допустимое значение, рекомендуется проводить ее настройку
при пониженной входной мощности, постепенно достигая номинального значения.
Полевые МДП-транзнсторы обычно хранят и транспортируют прн наличии
замыкателей иа нх выводах. Замыкатели удаляют непосредственно перед вклю-
чением (монтажом) транзистора в устройство При панке все выводы МДП-
транзистора должны быть закорочены. Для сохранения минимальных значений
тока затворы полевых МДП-транзнсторов необходимо применять меры предо-
храняющие корпус от попадания флюса и припоя. Прн выборе лаков или ком-
паундов для залнвкн плат с полевыми МДП-транзпсторами необходимо учиты-
вать влияние этих материалов на ток утечки затвора транзистора.
Прн применении полевых МДП-транзнсторов в радиоэлектронной аппара-
туре необходимо принимать меры для их защиты от электрических перегрузок.
ЧАСТЬ ВТОРАЯ
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ БИПОЛЯРНЫХ
ТРАНЗИСТОРОВ
Раздел третий
Транзисторы маломощные низкочастотные
Транзисторы п-р-п
2ТМ103А, 2ТМ103Б, 2ТМ103В, 2ТМ103Г, 2ТМ103Д
2ТМ103 (А Д)
Транзисторы кремниевые планарные
структуры п-р-п усилительные. Пред
назначены для применения в усилитель-
ных и импульсных микромодулях эта-
жерочкой конструкции. Выпускаются в
металлостеклянном корпусе па керами
ческой плате. Тип прибора указывается
на корпусе.
Масса транзистора не более 0,8 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Нкь“20 В, 1в=2 мА:
Т= 4-25 ' С:
2ТМ103А, 2ТМ103Г . 10 50
2ТМ103Б, 2ТМ103Д . 18..90
2TMI03B 30 .150
1=4-125 °C:
2ТМ103А, 2ТМ103Г 10. .125
2ТМ103Б, 2ТМ103Д . 18..225
2TMI03B ж 30...375
7’=—60сС:
2ТМ103А, 2ТМ103Г - 5.. 50
2ТМ103Б, 2ТМ103Д 9.. 90
2ТМ103В 12.150
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
ОЭ при С/кб=20 В, /в = 2 мА, не менее.................30 МГц
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при
Uk« = 20 В, /з = 2 мА, f=l кГц:
7=4-25 "С:
2ТМЮЗА, 2ТМ103Г...................................16 50
24
П родолжение
2ТМ103Б,
2ТМ103В
7= 4-125 СС:
2ТМ103А,
2ТМ103Б,
2ТМ103В
7=-60сС:
2ТМ103А,
2ТМ103Б,
2ТМ103Д........................... 30.90
5( 150
2ТМ103Г..............................16.125
2ТМ103Д.......................... ... 20 225
. 40.375
2ТМ103Г................................И..70
2ТМ103Д................. ... 20. 120
...................... . . 35..200
видения коллектор — эмиттер при 1к =
= 10' мА, h 2 мА, не более:
7= 4-25 °C..................................... .... 3,3 В
7= = + 125сС . .............5,5 В
Обратный ток коллектора при Uкв=^кв,макс, ие более:
7=4-25 н -60 °C ... 7.5 мкА
7=4-125 °C . .40 мкА
Обратный ток коллектор — эмиттер при Ukb=Ukb «окг, не
более:
7=+25 и — 60 СС........................................20 мкА
7=4-125 СС . • .50 мкА
Обратный ток эмиттера при Ube — Use,макс, не более:
7-4-25 и — 60 СС ... . .5 мкА
7=4-125 С........................... • • 30 мкА
Входное сопротивление в режиме малого сигнала при
Йкв=20 В, 1э=2 мА, не более ... 70 Ом
Емкость коллекторного перехода при С/ив=20 В не более 15 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
2ТМ103А, 2ТМ103Б.....................................
2ТМ103В, 2ТМ103Г, 2ТМ103Д........................
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Ueb =
=0,5 В или /?во^1 кОм:
2ТМ103А, 2ТМ103Б............................ . .
2ТМ103В, 2ТМ103Г, 2ТМ103Д .................
Постоянное напряжение эмиттер база
2ТМ103А, 2ТМ103Б, 2ТМ103В............................
2ТМ103Г, 2ТМ103Д ...........................
Постоянный ток коллектора*:
при 7=-60 1-60 °C ... .
при 7 = + 125 °C.....................................
Импульсный ток коллектора при /«^10 мкс, Qj>4 .
Постоянная рассеиваемая .мощность коллектора*:
при 7”—60...+75 XL...................................
при Т— + 125 °C .................................
Тепловое сопротивление переход — среда...............
Температура р-п перехода ............................
Температура окружающей среды......................
120 В
80 В
120 В
80 В
1 5 В
3 В
15 мА
2,7 мА
60 мА
75 мВт
25 мВт
1 ’С/мВт
150 °C
-60 +125 °C
1 При изменении температуры окружающей среды от +60 до + 125 °C
и от +76 до +125 °C Уменьшаются линейно.
25
ГТ122А, ГТ122Б, ГТ122В, ГТ122Г
Транзисторы германиевые сплавные структуры п-р-п усилительные. Пред-
назначены для применения в усилителях низкой частоты. Выпускаются в ме-
таллостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на
корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
гигг(А-г)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
+ие = 5 В, /э=1 мА:
ГТ122А, ГТ122Б .... 15 45
ГТ122В, ГТ122Г.........................i ; .* 30 60
Предельная частота коэффициента передачи тока при
Ukb = 5 В, /0=1 мА, не менее’
ГТ122А, ГТ122Б............................. 1 МГц
ГТ122В, ГТ122Г..............................2 МГц
Обратный ток коллектора при Uke=5 В, не более .. , 20 мкА
Обратный ток эмиттера при t/eE—5 В, не более ... 15 мкА
Сопротивление базы, не более ......................... 200 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база при 7——60
+40 °C.
ГТ 122А.........................................35 В
ГТ122Б, ГТ122В, ГТ122Г ... ... 20 В
Постоянное напряжение коллектор—эмитгер при Т=
= -60 ..+40 °C:
ГТ122А..........................................35 В
ГТ122Б, ГТ122В, ГТ122Г..........................20 В
Постоянный ток коллектора..........................20 мА
Импульсный ток коллектора .... . . 150 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при 7=—60 +55 °C................................150 мВт
при 7=+55...+70 °C..............................75 мВт
Тепловое сопротивление переход — среда.............0,2°С/мВт
Температура окружающей среды.......................—60..+70 °C
Минимальное расстояние от корпуса до места изгиба выводов 3 мм, от
корпуса до места пайки 5 мм. Пайку производить при 7^+285 °C в течение
времени не более 5 с.
26
2Т127А-1, 2Т127Б-1, 2Т127В-1, 2Т127Г-1
Транзисторы кремниевые планар-
ные структуры п-р-п усилительные.
Предназначены дтя применения в
усилителях постоянного тока, стаби-
лизаторах тока герметизированной
аппаратуры. Бескорпусные с защит-
ным покрытием и гибкими вывода-
ми. Тип прибора указывается в то-
варосопроводительной документации.
Масса транзистора не более
0.006 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Ukb—5 В, /э = 1 мА'
2Т127Л-1, 2Т127В-1................................... 15. 40*...60
2Т127Б-1, 2Т127Г-1 . ... 40.120*. 200
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
ОЭ, не более.............................................Ю0* кГц
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к = ЗмЛ 0,2*...0,25* ..0,5 В
Пробивное напряжение коллектор — эмиттер при 1к=
0,15 мА, нс менее:
2Т127А-1, 2Т127Б 1....................................25 В
2Т127В-1, 2Т127Г I ... 45 В
Обратный ток коллектора при ПкБ=30 В, Т= —60...Ч-85 °C,
не более.................................................1 мкА
Обратный ток эмиттера при t/SE = 3 В, не более . . 1,5 мкА
Емкость коллекторного перехода при 1/кб=5 В ... 4* .4,8* 5 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер:
2Т127А-1, 2Т127Б-1......................................25 В
2Т127В-1, 2Т127Г-1 . . ... 45 В
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т127Л-1, 2Т127Б-1....................................: 25 В
2Т127В-1, 2Т127Г-1 ............. . . 45 В
Постоянный ток коллектора................ 50 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора •:
при 7=-60. +70 ГС......................................15 мВт
при Т +85 °C.......................................5 мВт
Тепловое сопротивление переход — среда .... 3°С/мВт
Температура окружающей среды...........................—6О...+85СС
1 При 7> + 70°С Рк яокс уменьи ается линейно.
При пайке припоем ПОС-61 допускается нагрев с общим временем пре-
бывания при температуре +230 °C не более 30 с и +150° ие более 10 мин
27
Зона возможных положений зависимости
статического коэффициента передачи то-
ка от напряжения коллектор — эмиттер
Зона возможных положений зависимости
статического коэффициента передачи то-
ка от тока коллектора
2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д,
КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д,
КТ201АМ, КТ201БМ, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п усили-
тельные с ненормированным (2Т201А, КТ201А, 2Т201Б. КТ201Б, 2Т201В,
КТ201В, 2Т201Г, КТ201Г) и нормированным (2Т201Д, КТ201Д) коэффициентом
шума на частоте 1 кГц. Предназначены для применения в усилителях низкой
частоты. Выпускаются в металлостеклянном (2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г,
2Т201Д KU 1А, КТ201Б, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д) и пластмассовом
(КТ201АМ, КТ201БМ, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ) корпусах с гибкими вы
водами. Тип транзистора в металлическом корпусе указывается на боковой
поверхности корпуса, в пластмассовом корпусе на боковой поверхности корпуса
указывается сокращенное обозначение: KT20IAM 201 А, КТ201БМ—201 Б.
КТ20IBM—201В, КТ201ГМ-201 Г, КТ201ДМ—201Д
Масса транзистора не более 0,6 г.
28
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Ukb^I В» мА:
Т =>+25 °C:
2Т201А, КТ201А, КТ201ЛМ . -20.60
2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Д, КТ201Б, КТ201В, КТ201Д,
КТ201БМ, КТ201ВМ, КТ201ДМ.........................30...90
2Т201Г, КТ201Г, КТ201ГМ . 70...210
71» -60 °C:
2Т201А .....................................10...60
2Т201Б, 2Т201В 2Т201Д..........................• 15...90
2Т201Г . . '................................35.. 210
7=+ 125 °C:
2Т201А . .......................20 ..120
2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Д.........................30.. 180
2Т201Г . ................................ 70...400
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
ОЭ прн С/кб=5 В, 1з= Ю мА, ие менее..................10 МГц
типовое значение для 2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г,
2Т201Д ....................................40* МГц
Коэффициент шума при С/кв=1 В, /э—0,2 мА; f=l кГц:
2Т201Д, не более................................15 дБ
типовое значение ................................ 6*дБ
КТ201Д, КТ201ДМ, не более......................15 дБ
Обратный ток коллектора, не более:
при иКБ=20 В и Т= +25 °C для 2Т201А, 2Т201Б,
КТ201А, КТЮ1Б, КТ201АМ, КТ201БМ . . 0,5 мкА
Т'= + 125°С 2Т201А 2Т201Б . .... 10 мкА
при £7кб=10 В и 7’=+25°С для 2Т201В, 2Т201Г,
2Т201Д, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д, КТ201ВМ,
КТ201ГМ, КТ201ДМ .... .0,5 мкА
Т= + 125°С 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д .... 10 мкА
Обратный ток эмиттера при Т = +25 °C, не более:
£7ес = 20 В 2Т201А, 2Т201Б, КТ201А, КТ201Б,
КТ201АМ, КТ201БМ.................................. .3 мкА
£7ев=10 В 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д, КТ201В, КТ201Г,
КТ201Д, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ 3 мкА
Выходная полная проводимость в режиме малого сигнала
при холостом ходе прн С/кв=5 В, /э= 1 мА, f=i кГц,
ие болёе ... ............ .... 2 мкСм
типовое значение для 2Т201 А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г,
2Т201Д...........................................0,5* мкСм
Коэффициент обратной связи по напряжению в режиме
малого сигнала в схеме с ОБ при Ukb=5 В; /д=1 мА,
f=l кГц, не более....................................3-10-3
типовое значение для 2Т201А, 2Т201Б, 2T20IB,
2Т201Г, 2Т201Д...................................4-Ю-4*
Емкость коллекторного перехода при UKr.=5 В, не более 20 пФ
типовое зна iwnie дли 2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В,
2Т201Г 2Т201Д................................... . . 9* пФ
Индуктивность выводов эмиттера и базы прн /=3 мм . 6* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т201А, 2Т201Б, КТ201А, КТ201Б, КТ201АМ,
КТ201БМ .... 20 В
2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д,
КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ........................10 В
29
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
<2 кОм:
2Т201А, 2Т201Б, КТ201А, КТ201Б, КТ201АМ
КТ201БМ ..................
2Т201В, 2Т201Г. 2Т201Д, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д
КТ201ВЧ, КТ201ГМ КТ201ДМ . .
Постоянное напряжение эмиттер — база
2Т201Л. 2Т201Б. КТ201А КТ201Б, КТ201АМ
КТ201БМ.......................
2T20IB, 2Т201Г, 2Т201Д, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д
КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ.......................
Постоянный ток коллектора:
2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г. 2Т201Д
КТ201А КТ201Б, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д КТ201АМ
КТ201БМ, КТ201ВЧ, КТ201ГМ, КТ201ДМ
Импульсный ток коллектора при 10:
tu <10 мс 2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д
Л, <100 мкс КТ201А, КТ201Б КТ201В, КТ201Г,
КТ201Д. КТ201АМ. КТ201БМ, KT20IBM КТ201ГМ,
КТ201ДМ ........................................
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
2Т201Л, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г. 2Т201Д1:
при Г —60.. +75 °C, Р>6650 Па.................
при Т —60 .+75 °C, Р=665 Па...................
при Г—+ 125 °C ...............................
КТ201А. КТ201Б, КТ201В КТ201Г. КТ201Д2:
при Г-60 -*-90 °C .... . . .
при Г—+ 125 °C
КТ201АМ, КТ201БМ КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ
при Г = —45. +85 °C ...
Тепловое сопротивление переход — среда 2Т201А 2Т201Б
2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д...........................
Температура р-п перехода КТ201Л, КТ201Б КТ201В
КТ201Г, КТ201Д...................................
Температура окружающей среды:
2Т201А, 2Т201Б. 2Т201В. 2Т201Г, КТ201А, КТ201Б
КТ201В. КТ201Г, КТ201Д ...
КТ201АМ КТ201БМ, КТ201ВМ. КТ201ГМ. КТ201Д.М
Продолжение
20 В
10 В
20 В
10 В
20 м А
30 мА
100 мА
100 мА
150 мВт
100 мВт
60 мВт
150 мВт
60 mBi
150 мВт
556°С/Вт
+ 150 °C
-60 +125 °C
-45 +85 °C
1 При изменении температуры окружающей среды от +75 до + I25X к макс
уменьшается лииейио.
2 При изменении температуры окружающей среды or +90 до +125 "С чакс
уменьшается линейно.
Зависимость статическо
го коэффициента пере
дачи тока от тока кол
лектора
Зависимость статиче-
ского коэффициента пе-
редачи тока от напря-
жения коллектор — база
f’mlhzn с)
г. 5
г,о
/,5
1.0
0.5
о
-S0 30 О 30 60 30Т°С
Зависимость статиче-
ского коэффициента пе-
редачи тока от темпе-
ратуры
30
2Т205А-3, 2Т205Б-3
Транзисторы крем-
ниевые планарные струк-
туры п р-п. Предназна-
чены для применения в
усилителях и импульс-
ных микромодулях гер-
метизированной аппара-
туры. Бескорпусные с
контактными площадка-
ми для монтажа в аппа-
ратуру. Тип прибора
указывается на группо-
вой таре.
Масса транзистора
не более 0,003 г.
2UDb(A-3, Б 3)
ключ У копти* ла $0,18
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
1/ке=Ю В, /я = 2,5 мА:
7' = Ч-25С’С ...................................10 40
Г=-60сС ...................................5.40
Т= + 125°С......................................10. 100
Граничная частота коэффициента передачи тока при
Uke— 10 В, /я = 2,5 мА, не менее....................20 Mlц
Время рассасывания при /к = 5 мА, /в=2 мА, не более 1 мкс
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /« =
— 5 мА, /в = 2 мА, не более ................ 2 В
Напряжение насыщения база — эмиттер при 1к-5 мА, /Е=
— 2 мА, не более . ...................1 В
Постоянное напряжение эмиттер — база при /е=0,05 мА,
не меиее . ... .... 0,5 В
Обратный ток коллектор — эмиттер при А’б.^З кОм,
—люкс, не более:
Т= 4-25 СС:
2Т205Л-3 . .............................3 мкА
2Т205Б 3......................................2 мкА
7=-60сС:
2Т205Л 3........................................3 мкА
2Т205Б-3 ... .... ... 3 мкА
Т=-{-125 СС:
2Т205А-3.......................................10 мкА
2Т205Б-3.....................................10 мкА
Обратный ток эмиттера при ияв = 3 В. не более ... 3 мкА
Емкость коллекторного перехода при 10 В, не более 10 пФ
Емкость эмпттерного перехода при ПЯБ=2 В пе белее . 25 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база 250 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
<3 кОм:
2Т205Л-3 .................................... 250 В
2Т205Б-3 .................................... 200 В
Постоянное напряжение эмиттер — база.................ЗВ
Постоянный ток коллектора............................20 мА
31
Импульсный ток коллектора при tu^10 мс, мкс,
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора* при 7=
=—60. +90 °C ... . . . . .
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при
«£10 мс, мкс, 10, 7=-60...+90°С . . . .
Температура р-п перехода ....................
Температура окружающей среды .......................
Продолжение
45 мА
40 мВт
160 мВт
+ 135 ЭС
-60 ..+ 125 °C
1 Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора. мВт,
при Z»+90.+i25°C определяется по формуле Ликс"*(135—
Зависимое 1ь статиче-
ского коэффициента пе-
редачи тока от тока
эм иг гера
Зависимость емкости
коллекторного перехода
от напряжения коллек-
тор — база
Зона возможных поло-
жений зависимости ем-
кости эмкттеркого пере-
хода от напряжения
эми! iep — база
КТ206А, КТ206Б
КТ206(А,Б)
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-пла-
нарные структуры п-р-п усилительные. Предна-
значены для применения в усилителях и импульс-
ных микромодулях герметизированной аппарату-
ры. Бескорпусные с защитным покрытием и гиб-
кими выводами. Тип прибора указывается на
групповой таре.
Масса транзистора не более 0,002 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Окд — 1 В, /,{=5 мА:
КТ206А........................................... 30 90
КТ206Б .......................................... .70.210
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
ОЭ при 1/кв=2 В, /«=5 мА, не менее..................10 МГц
Обратный ток коллектора, не более.
при Ukd=20 В для КТ206А . 1 мкА
при 77кв=12 В для КТ206Б.........................1 мкА
Обратный ток эмиттера, не более:
при 77эБ=20 В для КТ206А.......................... 1 мкА
32
при Usu—12 В для КТ206Б..........................
Емкость коллекторного перехода при Б'кб=5 В, f=
= 10 МГц, не более.....................
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
КТ206Л .............................................
КТ206Б..........................................
Постоянное напряжение коллектор — эмш тер при
^3 кОм:
КТ206А..............................................
КТ206Б..........................................
Постоянное напряжение эмиттер — база:
КТ206.А.............................................
КТ206Б .........................................
Постоянный ток коллектора . . ....
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при Т=—60 +55 °C....................................
при Т= +85 °C ..................................
Температура р-п перехода ...........................
Температура окружающей среды........................
Продолжение
1 мкА
20 пФ
20 В
12 В
20 В
12 В
20 В
12 В
20 мА
15 мВт
5 мВт
+ 100 °C
-60. ..+85 С
2Т215Л-1, 2Т215Б-1, 2Т215В-1, 2Т215Г-1, 2Т215Д-1,
2Т215Е-1, КТ215А-1, КТ215Б-1, КТ215В-1, КТ215Г-1,
КТ215Д-1, КТ215Е-1
Транзисторы кремниевые эпи-
таксиально-планарные структуры
п-р-п. Предназначены для использо-
вания в усилителях и переключаю-
щих устройствах герметизированной
аппаратуры. Бескорпусные с гибкими
выводами и защитным покрытием.
Тип прибора указывается на таре-
спутнике
Масса транзистора fie более
0,01 г.
2Т2!5(А 1-Е /), КТ215(А 1-Е 1)
1,0
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ:
при Т=+25°С. Пни 5 В, /э=10 мА:
2Т215А-1, КТ215А-1, fie менее . . . .
2Т215Б-1, КТ215Б-1...........................
2Т215В-1, 2Т215Г-1, КТ215В-1. КТ215Г-1 . .
t/KB=l В, /0 = 4О мкА, не менее:
2Т215Д-1, КТ215Д-1 .................
2Т215Е-1, КТ215Е-1 ..............
при Т=Тм,ке, Uhb~5 В, /э—10 мА
2Т215Л-1, КТ215Л-1, не менее . . . .
. 20
. 30...80
. 40.120
. 80
. 40
. 20
3 Заказ 1080
33
Продолжение
2Т215Б-1, КТ215Б-1 ... .... 30.150
2Т215В-1, 2Т215Г-1, KT2I5B-1, КТ215Г-1 . . . 40 200
U кь«1 В, 1э — 40 мкА, не менее:
2Т215Д 1, КТ215Д-1.............................80
2T215E-I, КТ215Е-1..............................40
при 7'=Глин, Е'кь=5 В, 1а~ 10 мА;
2Т215А-1, КТ215Л-1 нс менее....................7
2Т215Б-1, КТ215Б-Г.............................10 90
2Т215В-1, 2Т215Г-1, КТ215В-1, КТ215Г-1 . . 15.120
77яе=1 В, /э = 40 мкА, нс менее:
2Т215Д-1, КТ215Д-1................................25
2Т215Е-1, КТ215Е-1..............................15
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
ОЭ при {7/fB=5 В, /э = 1 мА, не менее..................5 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи иа высокой час
тоте при (7кб=5 В, 1э=2 мА, не более...................5 нс
Коэффициент шума при £/Ио=5 В, /е = 40 мкА, /?г =
= 10 кОм, /=1 кГц для 2Т215Д-1, КТ215Д-1, не более . 5* дБ
Граничное напряжение прн /э=10 мА ие меиее:
2Т215А-1, 2Т215Б-1, КТ215А-1, КТ215Б 1 . . 80 В
2Т215В-1, КТ215В-1.................................60 В
2Т215Г-1, КТ215Г 1.................................40 В
2Т215Д-1, КТ215Д-1...............................30 В
2Т215Е-1, КТ215Е-1.................................20 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер при /«—
= 10 мА, /д=1 мА, не более:
2Т215А-1, 2Т215Б-1, 2Т215В-1, 2Т215Г-1, 2Т215Д-1,
2T215E-I...........................................0,45 В
КТ215Л-1, КТ215Б 1, КТ215В-1. КТ215Г-1 КТ215Д-1,
КТ215Е-1...........................................0,6 В
Напряжение насыщения база—эмиттер при /к=10 мА,
/м—1 мА, не более......................................1,2* В
Обратный ток коллектор—эмиттер при Ь'кэ-Ука.михс,
T^cj^IO кОм, не более:
7=4-25’0 н Т=Тмин..................................1 мкА
Т=Тмакс............................................10 мкА
Обратный ток эмиттера при Uar,= Uaa.Maxc, ие более . 10 мкА
Входное сопротивление в схеме ОЭ в режиме малого сиг-
нала при L//fe=5 В, /к=2 мА ...........................1,2* . 1,5*.„10* кОм
Емкость коллекторного перехода при (7кв=10 В, f—
= 500 кГц .............................................9,5*.. 12* 50 пФ
Емкость эмиттерного перехода прн 17эв = 0,5 В, /=500 кГц 9,6*...40*...100 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Rcj^
^10 кОм:
2Т215А-1, КТ215А-1 .........................100 В
2Т215Б-1, 2Т215В-1, КТ215Б 1...................90 В
КТ215В-1...........................................80 В
2Т215Г-1, КТ215Г-1 . .... 60 В
2Т215Д-1, 2Т215Е 1, КТ215Д-1 КТ215Е-1 . . 30 В
Постоянное напряжение эмиттер — база...............5 В
Постоянный ток коллектора . . ... 50 м 5
Импульсный ток коллектора при /цг£Д0 мс, 0100 . 100 мА
Постоянный ток базы ... .... 20 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора •:
при 7=7Лик-. 4-35 °C...............................50 мВт
нрц Т=ГЛ,1КС.......................................20 мВт
Тепловое сопротивление переход — среда.................0,1 ° С/мВт
34
Продолжение
Температура р п перехода......................... 4-125 С
Температура окружающей среды'
2Т215А I, 2Т215Б-1, 2Т215В 1, 2Т215Г-1, 2Т215Д-1,
2Т215Е-1.................. ......................—GO...+100’С
КТ215Л I, КТ215Б I, КТ215В-1, КТ215Г-1, КТ215Д-1,
КТ215Е-1 ....................................-45. +85 °C
1 При Т>+35°С уменьшается лицей но.
r И ,М’ЛК" -
Допустимая температура папки транзисторов в гибридные микросхемы не
должна превышать + 150 °C в течение 30 с.
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока о г тока эмит-
тера
10
2W
МО
280
212155-!,
/112155!
2Т215Д 1.
- К/215Д И
/И —
001 0,1
2Т215А 1
К1215 Л i
КТ2151-!
2Т215ГГ>—^
^<0^-58
Зависимость статическо
го коэффициента пере-
дачи тока от темпера-
туры
Зависимость коэффици
ента шума от тока
эмиттера
Ю /j /ИЛ
Зависимость коэффици-
ента шума от сопротив-
ления генератора
КТ302Л
Транзистор кремние-
вый планарный структу-
ры п-р-п низкочастотный
усилительный маломощ-
ный с нормированным
коэффициентом шума на
частоте 1 кГц. Предна-
значен для применения
в предварительных кас-
кадах усилителей низкой
частоты. Выпускается в
металлостеклянном кор-
пусе с гибкими вывода-
ми. Тнп прибора указы-
вается на корпусе.
Масса транзистора
ие более 0,5 г.
ктзогл
00+
3'
35
Электрические параметры
Коэффициент шума при 1 В, /э —0,1 мА, f=l кГц,
ие более....................... ....................
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при
Г/кз=1 В, /э* 0,1 мА . . .
Обратный ток коллектора при С/кв=15 В, не более
Обратный ток эмиттера при t/sc = 4 В, ие более
7 дБ
110..250
1 мкА
I мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база................
Постоянное напряженке коллектор — эмиттер при
= 100 Ом.............................................
Постоянное напряженно эмиттер — база.................
Постоянный ток коллектора............................
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т
С 50 °C .............................................
Температура окружающей среды..........................
15 В
15 В
4 В
10 мА
100 мВт
-45.. +85 °C
ГТ404А, ГТ404Б, ГТ404В, ГТ404Г
Транзисторы германиевые сплавные структуры п-р-п усилительные. Пред-
назначены дли применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами в двух вари-
антах. Тип прибора указывается яа корпусе.
Масса транзистора: вариант 1—не более 5 г, вариант 2— не более 2 г.
ГГЧО>/(А-Г)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Укс=1 В, /э = 3 мА:
ГТ404А. ГТ404В................... . . . 30.80
ГТ404Б, ГТ404Г....................................60 .150
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
ОЭ при иКБ—\ В, /э = 3 мА, не менее...................1 МГц
Коэффициент линейности К, = (/1цо при /е 3 mA)/(/iS|3
гри /е = 300 мА) .... ... 0,6...1,5
36
Предо жжение
Прямое падение напряжения на эмпттерном переходе при
отключенном коллекторе, /э=2 мА, не более . . 0,3 В
Обратный ток коллектора прн Vkb— 10 В, обратный ток
эмиттера при Пбэ~ 10 В, не более.....................25 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Roj=
= 200 Ом
ГТ404А, ГТ404Б............................... 25 В
ГТ404В, ГТ404Г............................... 40 В
Постоянный ток коллектора..........................0,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 нрп
Г=+25°С:
вариант 1..................................... 0,6 Вт
вариант 2........................................0,3 Вт
Тепловое сопротивление переход — среда:
вариант 1 . ..........................0,1 сС/мВт
вариант 2........................................0,15°С/мВт
Температура р-п перехода ............................85 °C
Температура окружающей среты ... ... —40...+55 СС
При 7-+25. +55 °C 1’к,Макс- мВ‘. о, рсделяется по формуле РЕ „окс-
•=^5-T)/RT(n_cy
Изгиб выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса транзистора. При
включении транзистора в электрическую цепь вывод коллектора должен при-
соединяться последним и отключаться первым.
Допускается соединять выводы транзисторов с элементами схемы не бли-
же 5 мм от корпуса транзистора любым способом (панка, сварка и т. п.) при
условии соблюдения следующих требований: за все время соединения темпе-
ратура в любой точке корпуса транзистора не должна превышать максимально
допустимую температуру окружающей среды. Температура папки ие должна
превышать + 285 °C.
Зависимость обратного
тока коллектора о г
темпера!уры
Зависимость статиче-
ского коэффициента пе-
редачи тока от темпе-
ратуры
Зависимость статиче-
ского коэффициента пе-
редачи тока от тока
эмиттера
Транзисторы р-п-р
1Т101, 1Т101А, 1Т101Б, 1Т102, 1Т102А
Транзисторы германиевые сплавные структуры р-п р усилительные с ненор-
мированным (IT101. 1Т101А, 1Т101Б) и нормированным (1TI02. 1Т102А) коэф-
фициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для применения в усилителях
37
низкой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вывода-
ми. Тип прибора указывается на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 2 г.
17101, 17101 (А,Б), 1710Z, 171OZA
Эмиттер
База
Коллектор
Этектрические параметры
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала1
в схеме ОЭ при Uke=5 В, /а=1 мА, f— 1 кГц:
1Т101 ........................................ 30 .40*..60
1Т101А............................................. 20. 30*...40
1Т101Б............................................. 60 .80*...120
1Т102, нс менее....................................20
типовое значение .................................. 60*
1Т102А. не меисс ..................................20
типовое значение ... .... . 70*
Предельная частота коэффициента передачи тока в ОЭ при
(/«в= 5 В, /э=1 мА, нс менее:
IT101, 1Т101А................................. . . 2 МГц
1Т101Б .... ....................5 МГц
1Т103, 1Т102А . .1 МГц
Коэффициент шума при t/кв 5 В, /а—0,5 мА, f=l кГц:
1Т102, нс более................................... . . 7 дБ
типовое значение.......................................4* .-Б
1Т102А, не более.......................................12 дБ
типовое значение.......................................5* тБ
Обратный ток коллектора, нс более:
при Г=+25°С. 1/к,;=15 В 1T10I, 1Т1О1А, 1Т101Б . 15 мж.А
1/кк = 5 В, 1Т102, 1Т102А . 1(1 -кА
при Г=+70°С, UKE= 10 В 1Т101 IT101A, 1ТЮ1Б . 300 мкА
(/кв=5 В, 1Т102, 1Т102А .... 300 wА
Обратный ток эмиттера, не более:
при 1/эв=15 В для 1Т101, 1Т101 А 1Т101Б ... 15 мкА
при (7эв=5 В для 1Т102, 1Т102А . . 10 мкА
Сопротивление, базы при (/кв=5 В, /э=1 мА, /=0,5 МГц
для 1Т101, 1Т101А, 1Т101Б, нс более . 250 Ом
Выходная полная проводимость в режиме малого сигнала
при холостом ходе при U!L 5 В, /э 1 мА, f I кГц, не
более........................... 2 мкСм
Емкость коллекторного перехода при (7кь=5 В для 1Т101
1Т101А, 1Т101Б, не более...............................50 нФ
1 При Т= + 70 °C /Ь1Э увеличивается не более чем в 2 раза; для 10% транзисторов
допускается увеличение этого параметра ire более чем в 3 раза по сравнению со зна-
чением при +20 С, при Т~ —00 °C /|21Э уменьшается не более чем в 3 раза по сравне-
нию со значением при +20 °C.
38
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
при Т 60. .+55 °C для 1Т101. 1Т101А, 1Т101Б . 15 В
при Т—(-55...+70 °C для 1Т101, 1Т101А, 1Т101Б 10 В
при Т=-60...+70 °C для 1Т102, 1Т102А . . 5 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Rr>,^ ^2 кОм:
Т= 6О...+55°С 1Т101, 1Т101А, 1Т101Б . . 15 В
7=+55...+70°С 1TI01, 1Т101А, 1Т101Б .... 10 В
Г=- 60...+70 °C 1Т102, 1Т102А 5 В
Постоянное напряжение эмиттер — база:
Т=—60 ,+55°С 1Т101, 1Т101А, 1Т101Б . 15 В
7=+55 ,+70°С 1Т101, 1Т101А, 1Т101Б .... 10 В
7'=—60...+70 °C 1Т102, 1Т102А 5 В
Постояпнцй ток коллектора (эмиттера):
IT101 1T10IA, 1Т101Б 10 мА
1Т102, 1Т102А 6 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
1Т101, 1Т101А, 1Т101Б 50 мВт
1Т102, 1TI02A 30 мВт
Температура р-п перехода . +•85 °C
Температура окружающей среды —60...+70 °C
Расстояние от корпуса до места изгиба вывода транзистора не менее 3 мм.
Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора при
температуре не более +295 °C в течение не более 3 с.
КТ104А, КТ104Б, КТ 104В, КТ104Г
Транзисторы кремниевые энитакспально-планариые структуры р-п р уси-
лительные. Предназначены для применения в усилителях радиовещательных
приемников. Выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами. Тип
прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0 5 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
ПкС-1 В, /к= Ю мА.
КТ104А..........................................7...40
КТ104Б..........................................15 .80
КТ104В..........................................19 .160
КТ104Г..........................................10. .60
39
Продолжение
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала
прн Ukb—5 В, I&—1 мА*
КТ104А .........................................9 ..36
КТ 104В . .......................... 20 .80
КТ164В....................................... 40 .160
КТ104Г..........................................15. 60
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой ча-
стоте при Uxr>=5 В, /э=1 mA, f=3 МГц, не более 3 нс
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
ОЭ при £/„э = 5 В, /э=1 мА, не менее................5 МГц
Граничное напряжение, не менее:
прн 1а 5 мА для КТ104Л, КТ104Г..................30 В
при /в=10 мА для КТ104Б, КТ104В.................15 В
Напряжение насыщения коллектор — эмнттср при /к=
= 10 мА, не более:
при /ь-=2 мА для КТ104Л 0,5 В
прн /в=1 мА для КТ104Б, KTI04B, КТ104Г 0,5 В
Напряжение насыщения база — эмиттер прн /к=10 мА,
не более:
при /с=2 мА для КТ104Л ... 1 В
прн /Б=1 мА для КТ104Б, КТ104В, КТ104Г . . 1 В
Обратный ток коллектора, не более:
при Ukb~30 В для КТ104Л, КТ104Г .... 1 мкА
при (Л,-с=15 В для КТ104Б, КТЮ4В ... 1 мкА
Обратный ток эмиттера при ИЭв= 10 В, не более . . 1 мкА
Входное сопротивление в режиме малого сигнала прн
17 кг.=5 В, /э=1 мА, /=1 кГц, не более ... 120* Ом
Емкость коллекторного перехода прн Ukb 5 В, ие более 50 пФ
Емкость эмпттерного перехода при Г/эв=0,5 В, не более 10 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
КТ104А, КТ104Г..................................30 В
КТ104Б, КТ104В..................................15 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер прн
<10 кОм:
КТ104Л, КТ104Г..................................30 В
КТ104Б, КТЮ4В .............15 В
Постоянное напряжение эмиттер — база .... 10 В
Постоянный ток коллектора . 50 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1 при
Г = -60.+60 °C............................ 150 мВ
Тепловое сопротивление переход — среда . . . 400 °C/Вт
Температура р п перехода + 120 °C
Температура окружающей среды . . ... —60. +100 °C
1 7">+60'С ^в.мачс’ МВТ’ рассчитывается по формуле Р It (120—Т)/0,4.
2ТМ104Л, 2ТМ104Б, 2ТМ104В, 2ТМ104Г,
2Т104А, 2Т104Б, 2Т104В, 2Т104Г
Транзисторы кремниевые эпитакснально-планарные структуры р-п-р усили-
тельные. Предназначены для применения в усилительных н импульсных этаже-
рочиых микромодулях залитой п капсулированной конструкции. Выпускаются
в металлостеклянном корпусе па керамической плате (2ТМ104/Й—2ТМ104Г) и с
гибкими выводами (2Т104А—2Т104Г). Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора иа керамической плате не более 0,8 г, с гибкими вы-
водами ие более 0,5 г.
40
Z7HtO4(A Г)
Коллектор
2Т10Ч (А-Г)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Ukb—1 В, 1э— 10 мА'
2ТМ104А, 2ТЮ4А.....................................7. .40
2ТМ104Б 2Т104Б..................................15...80
2ТМ104В, 2Т104В .... ... 19 160
2ТМ104Г, 2Т104Г . ,...........................10. 60
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при
Uкв — 5 В, /э=1 мА:
Т— +25 СС:
2TMI04.A, 2TI04A..................................9 36
2ТМ104Б, 2Т104Б................................20. .80
2ТМ104В, 2Т104В................................40. 160
2ТМ104Г, 2Т104Г................................15. 60
Т= + 125ГС:
2ТМ104А, 2Т104А................................9. .108
2ТМ104Б, 2Т104Б........................... , 20...240
2ТМ104В, 2Т104В............................. 40...380
2ТМ104Г, 2Т104Г......................... .... 15.180
Т -60 сс-
2Т.М104А, 2T1Q4A................................7...36
2ТМ104Б 2Т104Б................................. 13... 80
2TMI04B 2Т1О4В............................ . 25. 160
2ТМ104Г 2Т104Г................................. 10.60
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
ОЭ при 0/ке=0,5 В, /э="1 мА, не менее..............5 МГц
Граничное напряжение, не менее'
при 1Э=5 мА лтя 2ТМ104А, 2ТМ104Г 2TI04A, 2Т104Г 30 В
прн /е=10 мА для 2ТМ104Б. 2ТМ104В, 2Т104Б,
2Т104В .... .... 15 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к =
= 10 мА, нс более
при /в —2 мА для 2ТМ104Л, 2Т104А . . . . 0,5 В
при /с=1 мА для 2ТМ104Б, 2ТМ104В, 2ТМ104Г,
2Т104Б, 2Т104В, 2Т104Г..........................0,5 В
Напряжение насыщения эмиттер — база при 10 мА, не
более:
прн /в—2 мА для 2ТМ104А, 2Т104А .... 1 В
при /Б= 1 мА для 2ТМ104Б, 2ТМ104В, 2ТМ104Г,
2Т104Б, 2Т104Г ... ... IB
Обратный ток коллектора при икв—^кв.макс, не более:
7=+25 и -60 °C ... . ... 1 мкА
7=+ 125 °C . ... 15 мкА
41
Продо жение
Обратный ток эмиттера при Уэв=С^эв,л<1ке, не более:
Т=+25 и -60 °C.......................................1 мкА
7=+125°С..........................................10 мкА
Емкость коллекторного перехода при С7кв=5 В, f=3 МГц
ие более............................... .... 50 пФ
Емкость эмиттерного перехода при £7Вв=0,5 В, /= 10 МГц,
г:е более . .... 10 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база и коллектор —
эмиттер при /?вз^10 кОм нли (Уэк=0,5 В:
Т-—60...+75°C 2ТМ104А, 2ТМ104Г, 2Т104А, 2Т104Г 30 В
2ТМ104Б, 2ТМ104В, 2Т104Б 2Т104В . 15 В
7=+ 125 °C 2ТМ104А, 2ТМ1О4Г, 2Т104А, 2Т104Г . 20 В
2ТМ104Б, 2ТМ104В, 2Т104Б, 2Т104В .... 10 В
Постоянное напряжение эмиттер — база:
при 7=—60...+75 °C.................................10 В
при 7=+125 °C...................................5 В
Постоянный ток коллектора:
при 7=-60...+75°С...................................50 мА
при 7=+ 125 °C..................................30 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора *:
при 7=—60..+60 °C...................................150 мВт
при 7= + 125°С ... .............41,6 мВт
Тепловое сопротивление переход — среда...............0,6°С/мВт
Температура р-п перехода...........................+150 °C
Температура окружающей среды.......................—60 ..+ 125 °C
1 При Т— 4-60...+125 °C максимально допус иная постоянная рассеиваемая мощность
коллектора, мВт. определяется по формуле л,кс = (150-Г)/0,6.
ГТ108А, ГТ108Б, ГТ108В, ГТ108Г
Транзисторы германиевые сплавные структуры р-п-р усилительные. Пред-
назначены для применения в усилителях и импульсных устройствах. Выпуска-
ются в металлическом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается
на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
ГТ108(А-Г)
Электрические параметры
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при
иКБ=Ь В, /э = 1 мА:
7=+20 °C:
ГТ108А...........................................20..50
ГТ108Б..........................................35...80
42
ГТ108В.......................................
ГТ108Г.......................................
I-+55 °C:
ГТ108А ......................................
ГТ108Б ......................................
ГТ 108В......................................
ГТ108Г ......................................
7=- 45 °C:
ГТ108А.......................................
ГТ108Б.......................................
ГТ108В.......................................
ГТ108Г . . ............................
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
ОБ при 8/кв=5 В, 1э - 1 мА, не менее:
ГТ108Л .................. ...
ГТ108Б, ГТ108В, ГТ108Г . . ....
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой ча-
стоте при Г/кс=5 В, /0=1 мА, /=465 кГц, не менее
Обратный ток коллектора при Uke=5 В, не более:
7=+20 °C.......................................
7=+55°С ............... . .
Обратный ток эмиттера при Uar.~5 В, ие более
Емкость коллекторного перехода при Uke—5 В, не более
Предельные эксплуатационные данные
Постояннее напряжение коллектор — база ....
Импульсное напряжение коллектор — база при /и^5 мкс
Постоянный ток коллектора.............................
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора *:
при 7^+20 °C . . ........................
при 7= +55 °C......................................
Тепловое сопротивление переход — среда................
Температура р-п перехода.......................... .
Температура окружающей среды . . . . . .
1 При 7 =+20 .. + 55 "С Рк уменьшается линейно.
1 XI , -НС Л С
Продолжение
60.130
110 ...250
20 100
35 160
60.. 260
110...500
15...50
20. 80
40 .130
70...250
0,5 МГц
1 МГц
5 нс
10 мкА
250 мкА
15 мкА
50 пФ
5 В
18 В
50 мА
75 мВт
33,2 мВт
0,8 °С/мВт
+8.0 °C
- 4Б...+55 °C
ГТ109Л, ГТ109Б, ГТ109В, ГТ109Г, ГТ109Д, ГП09Е,
ГТ109Ж, ГТ109И
Транзисторы германиевые сплавные структуры р-п-р усилительные с нор-
мированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для при-
менения во входных каскадах усилителей низкой частоты Выпускаются в ме-
таллостекляпиом корпусе с гибкими выводами. Тнп прибора указывается на
корпусе.
Масса транзистора не более 0,1 г.
ГТ109(А-И)
43
Электрические параметры
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при
6'кв = 5 В, /а 1 мЛ-
Г=+2е С:
ГТ109А, ГТ109Ж..................................30. 50
ГТ109Б ........................................35. 80
ГТ109В ........................................ .60.130
ГГ109Г . . .... . . . 110 260
ГТ109Д ................................. . 20 70
1 TI09E .... .............50.. 100
1Т109И ... ... ... 20.80
Т = +55 °C, нс менее:
ГТ109А, ГТ109Д, ГТ109Ж, ГТ10911 .... 20
ГТ109Б ........................................35
ГТ109В ........................................60
ГТ109Г ........................................ 110
ГТ109Е ........................................50
Т = -45 °C-
ГТ109А, ГТ109Ж..................................15.50
ГТ109Б ................................ 20.80
ГТ 109В 40.130
ГТ109Г ... . . ............. 70.250
ГТ109Д.........................................10.60
ГТ109 • .................................... 30.. 100
ГТ109И ... .... 15.80
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
ОЭ при 7/кб=5 В, /э=1 мА, не менее:
ГТ109А, ГТ109Б, ГТ109В, ГТ109Г ГТ109Ж, ГТ109И I МГц
ГТ109Д ...................................... 3 МГц
ГТ109Е ... ... 5 МГц
Коэффициент шума при Укв=1,5 В, 1з~0,5 мА, f = 1 кГц,
не более . ....................................12 дБ
Обратный ток коллектора нс более:
при 7/кб 5 В для ГТ109А, ГТ109Б, ГТ109В, ГТ109Г,
1Т109И ................................5 мкА
при 5 В:
ГТ109Д.........................................2 мкА
ГТ109Е, ГТ109Ж . ....................1 мкА
Обратный ток эмиттера, нс более:
при О,ь=5 В для ГТ109Л, ГТ109Б, ГТЮ9В, ГТ109Г,
ГТ109Ж ГТ109И .............5 мкА
при иЭБ=\,5 В для ГТ109Д .............3 мкА
при 17эб=1,2 В для ГТ109Е........................3 мкА
Емкость коллекторного перехода, нс более:
при f/KR=5 В для ГТ109А, ГТ109Б, ГТ109В, ГТ109Г,
ГТЮ9Ж, ГТ109И . . 30 нФ
при 6/кс=1,2 В для ГТ109Д, ГТ109Е . . 40 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база . 10 В
Импульсное напряжение коллектор — база при /„^10 мкс 18
Постоянное напряжение коллектор- эмиттер при Re,=
= 200 кОм .... .... .... 6 В
Постоянный ток коллектора....................... ... 20 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора ’:
при Т= —45...+20 °C...............................,30 мВт
при Г=+55°С......................................13.8 мВт
’ При Т +20. .+55° ^клейке уменьшается линейно.
44
Продолжение
температура р п перехода . . . 4-80 °C
Температура окружающей среды.............................— 45 до +55 "С
1ТМ115А, 1ТМ115Б, 1ТМ115В, 1ТМ115Г, 1Т115А,
1Т115Б, 1Т115В, 1Т115Г
Транзисторы германиевые сплавные структуры р п-р переключательные.
Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах
в составе залитых и капсулированных этажерочпых микромодулей. Выпуска-
ются в металлостеклянпом корпусе на керамической плате (1ТМ115А, 1ТМ115Б,
1ТМ115В, 1ТМ115Г) и с гибкими зывадамн (1Т115А, 1Т115Б 1Т1 ЗВ.
1ТМ115Г). Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора на кера,мн щекой плате не более 0,65 г, с гибкими вы-
водами не более 0,5 г.
1ТП115(АГ)
Коллектор
П115 (АГ)
Электрические параметры
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при
U;E=1 В, /э=25 мА:
Г=+25°С 1ТМ115А 1ТМ115В, 1Т115А, ITII5B . 20.60
1ТМ115Б, 1ТМ115Г, 1ТП5Б, 1Т115Г . . . . 50. 150
7" =--73 °C 1ТМ115А 1ТМ115В 1Т115А, 1Т115В . . 20. 9С
1ТМ115Б, 1ТМ115Г, 1Т115Б 1Т115Г . . . . 50.225
Т=-60сС 1ТМ115А. 1ТМ115В, 1TII5A, 1Т115В . . 15...60
1ТМ115Б, 1ТМ115Г, 1Т115Б, 1Т115Г . . . . 25. .150
Предельная частота коэффициента передачи тока при
Б'кв=5 В, /э 5 мА, не менее . I МГц
Постоянная времени цепи обратной связи при 1/кь-=5 В,
/э=1 мА, /'=465 кГц, не более . ................6,5 нс
Время рассасывания при Ukl= 15 В, /к = 20 мА, не более 2.5 мкс
Граничное напряжение при /э= 10 мА:
1ТМ115А 1ТМ115Б, 1Т115А, 1Т115Б .... 30 В
1ТМ115В, 1ТМ115Г, 1Т115В, 1Т115Г................35 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при 1К—
= 100 мА, /б=20 мА, не более
1ТМ115А, 1ТМ115В, 1Т115А, 1Т115В................ 200 мВ
1ТМ115Б.1ТМН5Г, 1Т115Б, 1Т115Г . 150 мВ
Напряжение насыщения база — эмиттер при /«=100 мА
/в=20 мА, не более............................ . 1.5 В
Плавающее напряжение эмиттер — база при Ukb=
= Uкс макс, не более...............................0,3 В
45
Продолжение
Обратный ток коллектора при ики — Пкв.макс, не более:
Г=+25 и —GO°C..........................................50 мкА
7’=-|-73оС........................................ 300 мкА
Обратный ток эмиттера при </эе=50 В, не более . . 50 мкА
Емкость коллекторного перехода при Ul!E—5 В, f=465 кГц,
не более .............. ......................50 пФ
Емкость эмиттерного перехода при </ое=5 В, f=4G5 кГц,
не более . .................................. 20 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
1ТМ115А 1ТМ115Б 1Т115А, 1Т115Б........................
1ТМ115В, 1ТМ115Г, 1Т115В, 1Т115Г.................
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер1 при Rr,,^Z
<500 Ом, Т= -60. +35 °C:
1T.VHI5A, 1TM115D 1Т115Л. 1T115D.................
1TMI15B, 1ТМ115Г, 1T1I5B, 1Т115Г.................
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер прн /?бз =
— 0...50 Ом.
1ТМ115Л, 1ТМ115Б, 1Т115А, 1Т115Б.................
1ТМ115В, 1ТМ115Г, 1T1I5B, 1Т115Г.................
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер:
ITMI15A, 1ТМ115Б, 1T1I5A, 1Т115Б.................
1ТМ115В 1ТМ115Г, 1T1I5B 1Т115Г...................
Постоянное напряжение эмиттер — база..................
Ток коллектора в режиме переключения2 при <2 = 2, 1$^
<10 мкс, /-50 Гц, Ккот<3, 7"=—60...+55 °C . . .
Постоянный ток базы в режиме насыщения при К„ас>3
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 3 прн Г=
~-60...+55°С ..................................
Тепловое сопротивление переход — среда................
Температура р-п перехода ....................
Температура окружающей среды..........................
50 В
70 В
40 В
55 В
30 В
35 В
50 В
70 В
50 В
100 мА
20 мА
50 мВт
0,6 °С/мВт
+85 °C
-60. +73 °C
’При Г>+35‘С O'jcb Лакс снихгается линейно до 0.4 своего значения при Г“+73’С
’ При Г>+55"С 1Ки мкс снижается линейно до 40 мА при 7-+73°С.
• При Г>+55°С РМпхс’ м^т> определяется по формуле —(85-Г)/0,6.
ГТ115А, ГТ115Б, ГТ115В, ГТ115Г, ГТ115Д
Транзисторы германиевые сплавные структуры р-п-р Предназначены для
применения в усилителях. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими
выводами. Тнп прибора указывается на корпусе.
Масса трапз 1стора ие более 0,6 г.
ГТ115(А-Д)
46
Электрические параметры
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при
ВКв=1 В, /э = 25 мА, /=270 Гц:
ГТ115Л, ГТ115Б ..................................20...80
ГТП5В, ГТ115Г....................................60...I50
ГТ115Д............................................ 125...250
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
ОБ прн 17/гв=5 В, /а=5 мА, не более...................1 МГц
Обратный ток коллектора, не более:
при С7кб = 20 В для ГТ115А, ГТ115В, ГТ115Д . . 40 мкА
при Т/КБ=30 В для ГТ115Б, ГТ115Г ... 40 мкА
Обратный ток эмиттера при 6/ББ=20 В, ие более . 40 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
ГТ115А, ГТП5В ГТ115Л..............................20 В
ГТ115Б, ГТ115Г .......................30 В
Постоянное напряжение эмиттер — база............20 В
Постоянный ток коллектора . ..............30 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора ... 50 мВт
Температура р-п перехода..............................+70 °C
Температура окружающей среды..........................—20 ..+45 °C
1Т116Д, 1Т116Б, 1Т116В, 1Т116Г
Транзисторы германиевые сплавные структуры р-п р переключательные.
Предназначены для применения в формирователях н усилителях импульсов,
мультивибраторах и других переключающих устройствах. Выпускаются в ме-
таллостекляином корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
ПНб(А-Г)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
(7кэ=Ю В, /к=Ю0 мА:
Т= 4-25 °C:
1T1I6A, 1Т116Б, 1Т116Г......................... . 15.. .65
1Т116В .................... . . 20. 65
Т=+70 и -60 °C:
1Т116А, 1ТН6Б, 1Т116Г . .................12. .80
1Т116В .....................................16-80
Предельная частота коэффициента передачи тока при
Г/кв=5 В, /д=1 мА, не менее ..............1 МГц
Время нарастания при 6+э=12,6 В, В'ез=0,3 В:
прн /?а.=51 Ом для 1Т116А, 1Т116Б.................. 0.28...0.63 мкс
47
при Ябз = 27 Ом для 1Т116В, 1Т116Г ....
Время рассасывания при Ui<e = 12,6 В, ПЕэ=0,3 В
при /?бэ=51 Ом для IT116A и /?бэ=27 Ом для 1T1I6B
при 7?вэ=51 Ом для 1Т116Б и /?ва = 27 Ом для 1Т116Г
Время спада при Пкэ 12,6 В, 77БЭ=0 3 В
при 7Jff3=51 Ом для 1Т116А, Т116Б . . .
ipu /?вэ=27 Ом для 1Т116В, 1Т116Г
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к =
— 150 мА, /в=30 мА, не более ...
Обратный ток коллектор — эмиттер при Пкэ=15 В, С7вэ=
=0,5 В, не более
7= 4-25 °C .......................
7= 4-70 °C . . .
Обратный импульсный ток коллектор — эмиттер при
Пкэ = 30 В, не более ........................
Импульсное входное сопротивление в режиме большого
сигнала при 1/кэ 10 В, /к=100 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
^55 Ом...............................
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при /?«3<
г<55 Ом, /ц^5 мкс . .
Импульсное напряжение эмиттер — база при мкс
Среднее значение тока коллектора при 7=4-20 °C
Импульсный ток коллектора1 при 7„jg:5 мкс, Q>6
при 7=—60 ..4-20 °C ... ...
7 4-60 °C
7 4-70 °C . .
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора2:
7= —60—4-55 °C.....................................
7=4-70°С ... ........................
Температура р-п перехода .............................
Температура окружающей среды..........................
Продолжение
0,28 -0,63 мкс
2,1.. 2,5 мкс
1,6..2,1 мкс
0,6. .2 мкс
0,6. .2 мкс
0,2о В
30 мкА
200 мкА
1 мА
30... 100 Ом
15 В
30 в
18 В
50 мА
300 мА
250 мА
150 мА
150 мВт
75 мВт
4-85 °C
-60-4-70 °C
' При 7= +20- +60 н +60. .+70 °C 7К „ макс снижается линейно.
1 При Т— +55...+70 °C м кс снижается линейно
2Т117А, 2Т117Б, 2Т117В, 2Т117Г, КТ117А, КТ117Б,
КТ117В, КТ117Г
Транзисторы кремниевые эпнтаксиально-планарные однопереходные с ба-
зой n-тнпа. Предназначены для применения в маломощных генераторах. Вы-
пускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами Тип прибора ука-
зывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0 45 г.
2Т117(А Г), К11Г7(А~Г)
48
Электрические параметры
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала
при UBtB2= Ю В
Т= -1-25 °C:
2TII7A, 2Т117В, КТ117Л, КТ117В . . . . 0,5 0,7
2Т117Б, 2Т117Г . . 0,65 0,85
КТ117Б, КТ117Г . . 0,65 0,9
Т +70 °C: 2Т117А 2Т117В, КТ117А, КТ117В . . 0,45.0,7
2Т117Б . . . 0,6 ..0,85
2Т117Г . 0,6...0,8
КТ117Б, КТ117Г 0,6...0,9
Т=—60°С: 2TI17A, 2Т117В, КТ117Л, КТ117В 2Т117Б, 2Т117Г 0,5 0,8 0,65 0 9 0 65 0,95
КТ117Б КТ117Г ....
Максимальная частота генерации 200 кГц
Время включения при 1Лв|Е =10 В, /э=50 мА, не более: Т= 4-25 °C . . 3 мкс
Т=—60...+ 125 °C . . 5 мкс
Остаточное напряженно эмиттер — база, не более: при Т= —60... +25 °C 5 В
при Л, = 10 мА, Т=4-70°С для 2Т117Л, 2Т117Б, 2T1I7B, 2Т1171 4 В
при /э=50 мА, Т=4-70°С для KTI17А КТ117Б, КТ117В, КТ117Г 4 В
Ток включения эмиттера при t/B(B2=10 В, не более . 20 мкА
Ток выключения эмиттера при 20 В не менее . 1 мА
Ток модуляции, не менее .... . . 10 мА
Обратный ток эмиттера при 6/с(е2=30 В, не более: Г-+25 °C 1 мкА
Т’= + 125°С 10 мкА
Межбазовое сопротивление.
при Т= +25 °C: 4 7 5 кОм
2Т117Л 2Т117Б
2Т117В, 2Т117Г ( 9 кОм
KT1I7A, КТ117Б 4 9 кОм
КТ 117В, КТ117Г . . 8 12 кОм
при Т — +70 2Т117В, °C: 2Т117Г 6...15 кОм
КТ117В, КТ117Г . . . 6.. 18 кОм
при Т =—60 2Т117В, °C: 2Т117Г 3.8,5 кОм
КТ117В КТ117Г 4 12 кОм
Температурный коэффициент межбазового сопротивления 0,1 0,9%/°С
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное межбазовое напряжение......................30 В
Постоянное напряжение база—эмиттер....................30 В
Постоянный ток эмиттера . . . . 50 мА
Импульсный ток эмиттера при /„^10 мкс, Qj»200 . 1 А
Постоянная рассеиваемая мощность эмипера:
при Т= -60. .-1-35 °C . ................. 300 мВт
при 7"=-1-125°C...................................15 мВт
Температура р-п перехода..............................+ 130 °C
Температура окружающей среды..........................—60..4-125 "С
4 Заказ № 1089
49
2Т118А, 2Т118Б, 2Т118В, КТ118А, КТ118Б, КТ118В
2T118(A-B), КТИ8(А В)
Транзисторы кремниевые эпитак-
сиально планарные двухэмиттерпые
структуры р-п-р переключательные.
Предназначены дтя применения в мо-
дуляторах. Выпускаются в металло-
стеклянной корпусе с гибкими вы-
водами. Тип прибора указывается на
боковой поверхности корпуса
Масса транзистора не более
0,5 г.
Электрические параметры
Падение напряжения на открытом ключе:
при /в=0,5 мА, Т=+25СС не более:
2Т118А 2Т118Б, КТ118А, КТ118Б
2Т118В, KT1I8B . . .
Т= —60 С:
2П18\, 2Т118Б, КТ118А, КТ118Б
2Т118В, КТ118В ...
Т=- + 125 °C ......................
при /с 1,5 мА, Т=+25СС:
2Т118А, 2ТП8Б, КТ118А, КТ118Б
2Т118В, KTI18B ....
Г= + 125‘С .................
Т- ОС .................
Сопротивление, открытого ключа:
при /э = 2 мА Ас —2 мА, Т = +25“С, не
2Т118А, 2Т118Б, КТ118А, КТ118Б
2Т118В КТ118В . . .
Т= + 125 СС
2TI18A, 2Т118Б, КТ118А, КТ118Б
2Т118В, КТ118В
при /э=20 мА, /г=40 мА, Т—-(-25 °C:
2Т118А, 2Т118Б, КТ118А, КТ118Б
2Т118В KTI18B . . . . .
Т= 1'25°С:
2Т118А 2Т118Б, КТ118А, КТ118Б
2Т118В, КТ118В....................
Т=-60 сс-
0 2 мВ
0,15 мВ
0,4 мВ
0,3 мВ
0,6 мВ
0,2 мВ
0,15 мВ
1,2 мВ
0,18 мВ
о о.: ее:
2Т118А, 2Т118Б, KTI18Л. КТ11*Б
2Т118В, КТ!18В
Ток закрытого ключа при £/ээ=30 В для 2Т118А КТ11ЯА
и Уээ=15 В для 2Т118Б, 2Т118В, КТ118Б, КТ118В, не
100 Ом
120 Ом
60 Ом
70 Ом
20 Ом
40 Ом
40 Ом
80 Ом
50 Ом
80 Ом
более:
Т=+25°С ............................
Т +125 °C . , . .
Г=-60 € ............. . . . .
Напряжение на управляющих переходах при Т=+25ГС
н /в=20 мА, нс более . ...
Асимметрия сопротивления открытого ключа при Т—
= +25 °C, /в = 40 мА, /э=20 мА, не более
Обратный ток коллектор — база 1, коллектор — база 2 при
Т=+25°С и 1/к= 15 В. не более.....................
Время выключения транзисторной структуры при RH—
= 1 кОм. /в = 20 мА, 17к=5 В, не более............
0,1 мкА
5 мкА
0,1 мкА
1 В
20%
0,1 мкА
500 нс
50
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение управления между коллектором н базой тран-
зисторной структуры при кОм и Т=—60...-1-125 °C
Постоянное напряжение на закрытом ключе между эмит-
терами при и,Пр=0 п Т= — 60...Ц-125 °C
2Т118А, KTI18A ...................................
2Т118Б 2Т118В, КТ118Б, КТ118В
Постоянное напряжение эмиттер — база транзисторной
структуры при Т---60. +125 СС:
'2T1I8A, КТ118А . .
2Т118Б 2Т118В, КТ118Б, KT1I8B
Постоянный ток коллектора при Т — —6О..-+125°С
Постоянный ток каждого э?.тттера при Т=—6О...+ 125°С
Постоянный ток каждой базы Т= —60...+125 °C
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при Г——60 +110 °C . . . .
при Г= + 125°С . . ...
Тепловое сопротивление переход — окружаюшая среда
Температура окружающей среды ... . .
15 В
30 В
15 В
31 В
16 В
50 мА
25 мА
25 мА
100 мВт
62,5 мВт
0,4 °С/мВт
-60. .+ 125 °C
Изгиб выводов допускается и ближе 5 мм от корпуса тра: знстора. Допу-
скается одноразовый изгиб вывода па расстоянии 3 мм и радиусом не ме-
нее 0,5 мм.
Панка выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса транзистора при
температуре не выше +250 °C в течение времени нс более 9 с. Пайка произво-
дится паяльником мощностью не более 60 Вт и напряжением 6...12 В.
2Т118Л-1, 2Т118Б-1
Транзисторы кремниевые эпи
таксиально планарные двухэмпттер-
ные структуры р-п-р переключатель-
ные маломощные. Предназначены
для применения в модуляторах гер-
метизированной аппаратуры. Бес-
корпусные с гибкими выводами. Вы-
пускаются в сопроводительной таре
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора пе более
0.03 г
2ТН8(А-1,Б-г)
Электрические параметры
Падение напряжения на открытом ключе при /Е = 0,5 мА
н /в=1,5 мА, пе более:
Т — 25 °C ......................................0,3 мВ
Т=+85°С................................... 1 мВ
Т=—60 °C . . .... ... 0,6 мВ
Напряжение на управляющих переходах при /с = 20 мА,
не более ... ................. 1 В
Ток закрытого ключа при 1/э* = 30 В для 2Т118А-1 и
0/ээ=15 В для 2Т118Б-1, не более:
Т— 25 и —60 °C ..................0,1 мкА
Т=+85°С ... ..................5 мкА
Обратный ток коллектор — база при 6/дбо=15 В, не более 0,1 мкА
4
51
П рсдолжение
Сопротивление открытого ключа, нс более:
при /в=30 мА, /э=15 мА:
7=+25 °C......................................30 Ом
Т +85 ° С.....................................60 Ом
/=-60 °C ....................................70 Ом
при 1ц 2 мА, 1э—2 мА:
7=+25 °C................................... 100 О.м
7=-1-85 ° С...................................35 Ом
7=-60 °C......................................25 Ом
при /Б=40 мА, /э=20 мА........................20 Ом
Асимметрия сопротивления открытого ключа при /ь —
= 30 мА, /3=15 мА, нс более ................20%
Время выключения при /?к = 250 Ом, /з = 20 мА, Unur=
—5 В, нс более.................................... 500 нс
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение управления м жду коллектором и базой при
=10 кОм, Г——60...+85 °C..............................
Постоянное напряжение на закрытом ключе между эмит-
терами при Uynp-^0, Т-= —60 . +85 °C:
2Т118А-1.........................................
2Т118Б 1 . .
Постоянное напряжение эмиттер — база при 7=—60...+
+85 °C:
2Т118А-1.............................................
2ТП8Б-1..........................................
Постоянный ток каждого эмиттера при Т------60...+85 °C
Постоянный ток коллектора при Т=— 60. .+85°С
Постоянный ток каждой базы при Т— — 60...+85 °C
Постоянная рассеиваемая .мощность коллектора при Т=
= —60...+85 °C.......................................
Рассеиваемая импульсная мощность коллектора при
<=500 мкс, Q~^2, Г-+25°C.............................
Температура окружающей среды.........................
15 В
30 В
15 В
31 В
16 В
25 мА
50 мА
25 мА
30 мВт
50 мВт
—60...+85 'С
Монтаж транзисторов осуществляется приклейкой к теплоотводящей по-
верхности. Допускается папка или сварка выводов ие ближе 2 мм от транзи-
стора. Температура припоя не должна превышать +260СС. Допускается пай-
ка выводов на расстоянии 0,5 мм от транзистора при температуре припоя не
выше + 150 °C, время пайки не более 2 с. Не допускается прикладывать к
выводам врата к их усилий Допускается изгиб выводов не ближе 2 мм от
транзистора с радиусом закругления 1.5...2 мм. При изгибе необходимо обес-
печить неподвижность участка вывода между местом изгиба и транзистором.
При монтаже допускается обрезать выводы ие ближе 2 мм от транзистора.
При обрезке усилие не должно передаваться на место приварки вывода к
кристаллу.
52
КТ119Л, КТ119Б
Транзисторы однопереходпые кремние-
вые планарные с базой n-тнпа Предназна-
чены для применения в генераторах и пе-
реключающих устройствах. Бсскорпусные
с защитным покрытием и гибкими выво-
дами Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 2 мг.
Электрические параметры
Предельная частота генерации при 1/с,э=10 В, не менее
Коэффициент передачи:
КТ119А ..........................................
КТ119Б . . ....
Напряжение насыщения при 7+^ =10 В, /Э=Ю мА, не
более ...............................................
Ток включения при 1/в2Б1 = 10 В......................
Ток выключения при В
Обратный ток эмиттерного перехода при t7Bj3 = 20 В, не
более ...............................................
Межбазовое сопротивление прн /б2б1=1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Межбазовое напряжение любой формы и периодичное! и
Обратное напряжение эмиттер — база
Средний ток эмиттера в открытом состоянии
Амплитуда э.миттериого тока прн /э<-р=10 мА, /„<10 мкс
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
Т<+35°С..........................................
Г = +85 °C.......................................
Тепловое сопротивление переход — среда...............
Температура окружающей среды ........................
1 При 7 =+35 .. + 85 °C I’xar.c уменьшается линейно.
200 кГц
0,5. .0.65
0,6...0,75
2,5 В
0,5 5 мкА
1 ..6 мкА
1 мкА
4 .12 кОм
20 В
20 В
10 мА
50 мА
25 мВт
7 мВт
3 °C/.мВт
— 45 ..+&5 °C
КТ120А-1, КТ120Б-1, КТ120В-1
Транзисторы кремниевые эпнтак-
сиально-планарные структуры р-п-р
усилительные Предназначены для
применения в усилительных и им-
пульсных .микромодулях и блоках
герметизированной аппаратуры. Бес-
корнуспые с защитным покрытием
н с гибкими выводами Транзистор
КТ120Б-1 предназначен для диод-
ного включения, поэтому допускает-
ся выпуск без эмиттерного вывода.
Тип прибора указывается на сопро-
водительной таре.
Масса транзистора не более
0,02 г
Kmo(A-i-Bf)
53
Электрические параметры
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при
Укв=5 В, /э = 1 мА
Г—4-25 °C КТ120А-1 КТ120В 1 ............. 20 200
7= 4-65 °C КТ120А-1 КТ120В 1 .... 20 480
7= 10°С КТ120Л-1 КТ120В 1 .... 10.200
Граничная частота коэффициента передачи тока в схе-
ме ОБ при 1/кь=5 В, 1Э 1 мА для КТ120А-1, КТ120В 1,
не менее . ... . ... 1 МГц
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /Б=
= 0,6 мА, не более:
/к= 10 мА КТ120А-1...............................0,5 В
/к=17 мА КТ120В-1 . .... 2 В
Обратный ток коллектора прн l/KE UKE макс, не более 0,5 мкА
Обратный ток эмиттера при 6'еБ = 10 В для КТ120А-1,
КТ120В-1 ... . 1 мкА
Емкость коллекторного перехода при U1!B = 5 В, /=3 МГц
для КТ120А-1, КТ120В 1, не более................. 5 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
КТ120А 1, КТ120В-1 . . . . .
КТ120Б-1 .................................
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Rs,^
<10 кОм для КТ120А 1, KTI20B-1 ... . .
Постоянное напряжение эмиттер — база.................
Постоянный ток коллектора ...........................
Импульсный ток коллектора при 7, <40 мкс, Q^9
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при t„ <
<40 мкс, Qj?9:
КТ120А 1, КТ120Б-1 . .......................
КТ120В-1 . .... . .
Температура р-п перехода ............................
Температура окружающей среды.........................
60 В
30 В
60 В
10 В
10 мА
20 мА
10 мВт
15 мВт
35 мВт
4-85 °C
-10... 4-65 °C
ГТ124А, ГТ 124Б, ГТ124В, ГТ124Г
Транзисторы германиевые структуры р-п-р усилительные. Предназначены
для применения в усилителях низкой частоты. Выпускаются в металлостеклян-
ном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается па корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г
ГТ!2Ч (АГ)
А
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
(Укэ=0,5 В, /э=100 мА
ГТ124А ... ....
ГТ124Б ...
ГТ124В........................................
ГТ124Г.....................................
Предельная частота коэффициента передачи тока прн
Ukb=5 В, /э=1 мА, нс менее........................
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер прн /к =
= 100 мА, /б=Ю мА, не более ......................
Обратный ток коллектора при 1/кб=15 В, не более:
Г=+25°С.......................................
Т=+45°С . . .
Обратный ток эмиттера прн 1/эБ=5 В. не более
28...56
45. 90
71...162
120. .200
1 МГц
0,5 В
15 мкА
80 мк?А
15 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база . . . .
Постоянное напряжение эмиттер — база................
Импульсный ток коллектора ................
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора-
при Т+35 °C.....................................
при Т — +-60 °C ................................
Тепловое сопротивление переход — среда..............
Температура окружающей среды........................
25 В
10 В
100 мА
75 мВт
25 мВт
0,8°С/мВт
—25..+60 °C
При пайке выводов должен быть осуществлен надежный теплоотвод меж-
ду местом панки н корпусом транзистора, температура панки не должна пре-
вышать + 282° С в течение 5 с.
При включении транзистора в электрическую цепь коллекторной вывод
должен присоединяться последним, а отсоединяться первым.
ГТ125Д, ГТ125Б, Г125В, ГТ125Г, ГТ125Д, ГТ125Е,
ГТ125Ж, ГТ125И, ГТ125К, ГТ125Л
Транзисторы германиевые сплавные структуры р-п-р усилительные Пред-
назначены для применения в усилителях низкой частоты. Выпускаются в ме-
таллостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на
корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
ГП25(А-Л)
55
Электрические параметры
Статический коэффициент пере ачн тока в схеме ОЭ при
Uкв-0,5 В, /э 100 мА:
ГТ125Д, ГТ125И................................. 28...5Б
ГТ125Е, ГТ125К.................................... 45 90
ГТ125Ж, ГТ125Л....................................71. .140
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при
Uks = 5 В, /о = 25 мА:
ГТ125А............................................28. 56
ГТ125Б............................................45.90
ГТ125В............................................71...140
ГТ125Г . . ... . . 120. 200
Предельная частота коэффициента передачи тока при
6/кь-=5 В, 1э — 5 мА, не менее . . . .1 МГц
Напряжение пасы цепня коллектор — эмиттер при 7И =
= 300 мА, /с=30 мА, не более . ............. 0,3 В
Обратный ток коллектора, не более:
при t/KC = 35 В для ГТ125Л ГТ125Б, ГТ125В, ГТ125Г,
ГТ125Д, ГТ125Е, ГТ125Ж............................50 мкА
при UKB=70 В для ГТ125И. ГТ125К, ГТ125Л . 50 мкА
Обратный ток эмиттера при Г/Эв=20 В, не более . 50 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
ГТ125А, ГТ125Б, ГТ125В, ГТ125Д, ГТ125Е, ГТ125Ж 35 В
ГТ125И, ГТ125К, ГТ125Л ...........................70 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . . . . 20 В
Импульсный ток коллектора при f—50 Гц, 0^2, /п=
= 10 мкс............................................. 300 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
прн Т=—60...4-35 °C............................ 150 мВт
при Т= 4-70 °C....................................45 мВт
Тс 1ловое сопротивление переход — среда..............0,3 °С/мВт
Температура окружающей среды.........................—60...4-70 °C
Минимальное расстояние от корпуса до места изгиба выводов транзисто-
ров 3 мм, минимальное расстоя те от корпуса до места пайки выводов 5 мм.
Пайку производить при температуре не выше +285 °C в течение времени не
более 5 с.
2Т126А-1, 2Т126Б-1, 2Т126В-1, 2Т126Г-1
Транзисторы кремниевые пла-
нарные структуры р-п-р усилитель-
ные Предназначены для применения
в усилителях постоянного тока, ста-
билизаторах тока герметизированной
аппаратуры. Бсскорпусные с защит-
ным покрытием и гибкими вывода-
ми Тип прибора указывается в то-
варосопроводительной документации.
Масса транзистора не более
0,006 г.
56
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Uhq—S В, /э=1 мА:
2Т126А-1, 2Т126Б-1 ........................ . . 15 40* .60
2Т126В-1, 2Т126Г-1 . . . . . 40 ..120* .200
Граничная частота коэффициента передачи тока в схе-
ме ОЭ, не более . . .... . . . 100* кГц
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к=
-3 мА ... . . . 0,2* 0,25*.. 0,5 В
Пробивное напряжение коллектор — эмиттер при /к =
=0,15 л А, не менее:
2Т126А-1, 2Т126Б-1....................................25 В
2Т126В-1, 2Т126Г-1.............................. ... 45 В
Обратный ток коллектора прн Г/кб=ЗО В, Т=— 60...+
+85 °C, не более...........................................1 мкА
Обратный ток эмиттера при 1/эб=3 В, не более . . 1,5 мкА
Емкость коллекторного перехода при Ukd~5 В .4* .4,8*. 5 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер:
2Т126А-1, 2Т126Б-1 . . .... 25 В
2Т126В-1, 2Т126Г-1...............................45 В
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т126А 1, 2Т126Б-1 ..........................25 В
2Т126В-1, 2Т126Г-1.................. . . 45 В
Постоянный ток коллектора .... ... 50 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора :
при Т — ~60. +70сС . . .............15 мВт
при Г=+85°С . ..........................5 мВт
Тепловое сопротивление переход — среда...............3°С/мВт
Температура р-п перехода.............................+125 °C
Температура окружающей среды.........................—6О...+85°С
* Прн Т>-г70°С уменьшается линейно.
При пайке припоем ПОС-61 допускается нагрев с общим временем пре-
бывания прн температуре + 230 СС не более 30 с и +150 °C не более 10 мин.
Зона возможных положений зависимое ги
статического коэффициента передачи то-
ка от напряжения коллектор — эмиттер
Зона возможных положений зависимости
статического коэффициента передачи то-
ка от тока коллектора
57
2Т202А-1, 2Т202Б-1, 2Т202В-1, 2Т202Г-1, 2Т202Д1,
КТ202А-1, КТ202Б-1, КТ202В-1, КТ202Г-1, КТ2О2Д-1
2Т202(А1Д1), KTZOZfA / Д l)
Транзисторы кремниевые эпитаксиаль-
но-планарные структуры р-п-р. Предназна
чены для применения в усилительных и
импульсных микромодулях герметизиро-
ванной аппаратуры. Бескорпусные с защит-
ным покрытием и с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на сопроводи-
тельной таре.
Масса транзистора не более 0,01 г.
Электрические партметры
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при
£/кв=5 В. /э=1 мА:
1=4-25 °C:
2Т202А 1, 2Т202В-1, КТ202А-1 КТ202В-1 . .
2Т202Б-1, 2Т202Г-1. КТ202Б-1, КТ202Г-1 . . .
2Т202Д-1, КТ202Д-1 . . . . . .
Г=4 85 °C:
2Т202А-1, 2Т202В-1, КТ202А-1, КТ202В-1 . .
2Т202Б 1 2Т202Г 1, КТ202Б-1, КТ202Г-1 . .
2Т202Д 1, КТ202Д-1
Г= —60°С:
2Т202А-1, 2Т202В-1, КТ202А-1, КТ202В 1 . .
2Т202Б-1 КТ202Г-1, КТ202Б-1 КТ202Г-1 . . .
2Т202Д-1, КТ202Д-1.............................
Граничная частота коэффициента передачи тока в схе-
ме ОБ при <7кь=5 В, /э=1 мА, не менее . . . .
Время рассасывания при /к=5 мА, /Б=1 мА, не более
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер прн 1К —
= 10 мА, 1Б— 1 мА. не более.........................
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к=10мА,
/в=1 мА, не более...................................
Обратный ток коллектора при 1/кБ=[7кБ.лаКс, не более:
Т=-60 .4-25 СС ..................................
. . ...................................
Обратный ток коллектор — эмиттер при Бгиэ = Бгкэ.лаК(-,
/?б3= 10 кОм, не более:
-60 ..4-25 “С ...........................
'2'~Тм1кс .......................... , .
Обратный ток эмиттера при t/8/!=10 В не более
Г= 4-25 °C . . .
Г ~ Тмакс...................................
Входное сопротивление в режиме малого сигнала при
^и0 = 5 В, /э=1 мА, не более........................
Емкость коллекторного перехода при 1/и=3 В, /—3 МГц,
не более .... ..........................
Емкость эмнттерного перехода при 1/эв = 0,5 В, f=10 МГц,
ие более ...........................
15.. 70
40 ..160
100...300
15. 140
40 ..320
100.500
10..70
25 ..160
50...300
5 МГц
1 мкс
0,5 В
1 В
0,1 мкА
10 мкА
1 мкА
10 мкА
0,1 мкА
5 мкА
100 Ом
25 пФ
10 пФ
58
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
прн 7=-60...+85 “С: 2Т202А-1, 2Т202Б-1, 2Т202Д-1
2Т202В-1, 2Т202Г-1.............................
при Т=—60..+55 °C
КТ202А-1 КТ202Б-1, КТ202Д-1......................
КТ202В-1, КТ202Г 1 . . . . .
прн 7'= + 85°С- КТ202А 1, КТ202Б-1, КТ202Д-1 . .
КТ202В-1, КТ202Г 1..........................
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
<10 кОм:
при —60 ..+85 °C: 2Т202А-1, 2Т202Б-1, 2Т202Д 1
2Т202В-1, 2Т202Г-1...............................
при Т--60. +55 °C:
КТ202А-1, КТ202Б-1, КТ202Д-1.....................
КТ202В-1. КТ202Г-1..................... . . .
прн Т=+^°С: КТ202А-1, КТ202Б 1, КТ202Д-1 . .
КТ202В-1, КТ202Г-1.............................
Постоянное напряжение эмиттер — база:
при Т= — 60.+35 °C для 2Т202А-1, 2Т202Б-1, 2Т202В-1
2Т202Г 1, 2Т202Д 1
при Т= -60. .+55 °C для КТ202А-1, КТ202Б 1,
КТ202В 1 КТ202Г-1, КТ202Д-1 . .
при 7'=+85°С для КТ202А-1, КТ202Б-1, КТ202В-1,
КТ202Г-1, КТ202Д-1...............................
Постоянный ток коллектора............................
Импульсный ток коллектора
при /„<10 мкс, 10................................
при tu<10 мкс, <2^2..............................
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора':
при Т= -60...+35 °C
2Т202А-1, 2Т202Б-1, 2Т202В 1, 2Т202Г-1, 2Т202Д-1
КТ202Л-1, КТ202Б-1 КТ202В-1, КТ202Г-1, КТ202Д-1
при Т= +85 °C:
Импульсная рассеиваемая мощность коллекюра:
2Т202А-1, 2Т202Б-1, 2Т202В-1 2Т202Г-1, 2Т202Д-1
/„<10 мкс, 10 7=+25 °C . . ...
/„<10 мкс, Q3s2, Г=+25°С
КТ202А-1, КТ202Б-1, КТ202В-1, КТ202Г-1, КТ202Д-1
прн /„<10 мкс, QSS10, Т=+25°С....................
Температура р п перехода ............................
Температура окружающей среды .............
15 В
30 В
15 В
30 В
10.5 В
26,5 В
15 В
30 В
30 В
15 В
10,5 В
26.5 В
10 В
10 В
5,5 В
20 мА
50 мА
40 мА
25 мВт
15 мВт
10 мВт
50 мВт
40 мВт
25 мВт
+ 125 °C
-60. .+85 °C
При 7> + 35°С Рк.макс снижается линейно.
Зона возможных положений
зависимости статического
коэффициента передачи то-
ка от тока эмнтгера
Зона возможных положений
зависимости статического
коэффициента передачи то-
ка от тока эмиттера
Зоне возможных положений
зависимости статического
коэффициента передачи то-
ка от тока эмиттера
59
2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, 2Т203Г, 2Т203Д, КТ203А,
КТ203Б, КТ203В, КТ203АМ, КТ203БМ, КТ203ВМ
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры р-п-р усили
тельные. Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройст-
вах Выпускаются в металлостеклянном (2Т203.А, 2Т203Б, 2Т203В, 2Т203Г,
2Т203Л. КТ203А. КТ203Б, КТ203В) и пластмассовом (КТ203АМ. КТ203БМ,
КТ203ВМ) корпусах с гибкими выводами Тип прибора в металлостеклянном
корпусе указывается па корпусе. Транзисторы в пластмассовом корпусе мар-
кируются цветным кодом: боковая поверхность у всех транзисторов окраши
вается темно-красным; торцы КТ203.АМ темно-красным, КТ203БМ—желтым,
КТ203ВМ — темно-зеленым.
Масса транзистора ие более 0.5 г.
гтгоз(А-д), кпоз(а-в)
КТ203 (АН-вН)
База
Электрические параметры
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при
1/кв=-5 В, /э=1 мА:
7"= 4-25 °C:
2Т203А, КТ203А, КТ203АМ, не менее .... 9
2Т203Б . .... .............30 ..90
2Т203В ... 15.100
2Т2ОЗГ, ие менее . . ....................40
2Т203Д.......................................... 60...200
КТ203Б. КТ203БМ................................30... 150
КТ203В КТЗОЗВМ ... ................. 30.. 200
Т= + 125 °C:
2Т203А, КТ203.А, КТ203АМ, не мепее . . . 9
2Т203Б ....................................30... 180
2Т203В..........................................15 ..200
2Т203Г, не менее...............................40
60
Продолжение
2Т203Д........................................... 60...400
КТ203Б, КТ203БМ.................................. 30.230
КТ203В, КТ203ВМ............................... ... 30 .400
Т= -60 °C:
2Т203А, КТ203А, КТ203.АМ, нс менее .... 7
2Т203Б................................. • . 15...90
2Т203В, КТ103В, КТ203БМ .... . . 10...100
2Т203Г, не менСе.................................20
2Т203Д ... ........................... 30.200
КТ203В, КТ203ВМ..................................15..200
Граничная частота коэффициента передачи тока в схе-
ме ОБ при Uke=5 В, /э=1 мА, не менее:
2Т203.А 2Т203Б, 2Т203В, КТ203.А, КТ203Б, КТ20.3В,
КТ203АМ КТ203БМ, КТ203ВМ . . . . . 5 МГц
2Т203Г, 2Т203Д.................................. 10 МГц
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, не более:
при /я = 20 мА, 1б = 4 мА для 2Т203Б, КТ203Б,
КТ203БМ...........................................1 В
при /«-=10 мА, /в=1 мА для 2Т203Г .... 0,5_В
при /к=10 мА, /в 1 мА для 2Т203Д . 0,35 В
при /к = 20 мА, /в=1 мА для КТ203В, КТ203ВМ . 0,5 В
Обратный ток коллектора при Ure—Ukcmikc, ие более:
7= 4-25 °C ..................... .....................1 мкА
Т Тмкс......................................... ... 15 мкА
Обратный ток эмиттера при UsE—Uau.Manc, не более: 1 мкА
Входное сопротивление в схеме ОБ в режиме малого
сигнала прн /э=1 мА, не более:
Г/кв=50 В 2Т203А, КТ203А, КТ203АМ .... 300 Ом
t/кв=30 В 2Т203Б, КТ203Б, КТ203БМ .... 300 Ом
4/ив= 15 В 2Т203В, КТ203В, КТ203ВМ .... 300 Ом
1/кв = 5 В 2Т203Г, 2Т203Д......................... 300 Ом
Гмкость коллекторного перехода при Г/кв=5 В, /=10МГц,
не более . . ....................... .10 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
при Г=—60...+75°C:
2Т203А, 2Т203Г, КТ203А, КТ203АМ .... 60 В
2Т203Б, КТ203Б, КТ203БМ .... 30 В
2Т203В, 2Т203Д, КТ203В, КТ203ВМ . . . . 15 В
при 7=+ 125 °C:
2Т203.А, 2Т203Г, КТ203А, КТ203АМ .... 30 В
2Т203Б, КТ203Б, КТ203БМ . . . 15 В
2Т203В, 2Т203Д, КТ203В, КТ203ВМ . 10 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
^2 кОм:
при Т=-60...+75 °C:
2Т203А, 2Т203Г, КТ203А, КТ203АМ .... 60 В
2Т203Б, КТ203Б, КТ203БМ .............30 В
2Т203В, 2Т203Д, КТ203В, КТ203ВМ . . . 15 В
при 7-+ 125 °C:
2Т203.А, 2Т203Г, КТ203А, КТ203АМ .... 30 В
2Т203Б, КТ203Б, КТ203БМ . . . 15 В
2Т203В 2Т203Д, КТ203В, КТ203ВМ . . . 10 В
Постоянное напряжение эмиттер — ба а.
2Т203.А 2Т203Г, КТ203А, КТ203.АМ................30 В
2Т203Б, КТ203Б, КТ203БМ .............15 В
2Т203В, 2Т203Д, КТ203В, КТ203ВМ ... . 10 В
Постоянный ток коллектора..........................10 мА
61
Импульсный ток коллектора при /и^10 мкс, Q^= 10
Постоянный ток эмиттера
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1
при Т -60 +75 °C ....
при Т +125 °C.....................
Температура р-п перехода . . *
Температура окружающей среды..................
При 7->+75°С Рк Л,жс уменьшается по линейному закону.
П родолжение
50 .мА
10 мА
150 мВт
60 мВт
+ 150 °C
-60. +125 °C
КТ207А, КТ207Б, КТ207В
Транзисторы кремниевые эпи-
таксиально-планарные структуры
р-п-р усилительные. Предназначены
для применения в качестве усили-
тельного элемента микромодулей и
блоков герметизируемой аппаратуры.
Бескорпусные с защитным покрыти-
ем и контактными площадками для
присоединения в электрическую схе-
му. Тип прибора указывается на
групповой таре.
Масса транзистора не более
0,001 г.
Электрические параметры
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при
i кк = 5 В, /э = 1 мА, f=l кГц:
КТ207А пе менее
КТ207Б.................
КТ207В........................; . ; ; ; ;
Граничная частота коэффициента передачи тока в схе-
ме ОЭ при Uke=5 В, /э —1 мА, не менее
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /н=
= 10 мА, 1в= 1 мА, не более
КТ207Л, КТ207Б................
КТ207В ................
Обратный ток коллектора не более:
при t/ке-бО В для КТ207А.........................
при Uкб — 30 В для КТ207Б . ...
при С/кп=15 В для КТ207В.........................
Обратный ток эмиттера, не более:
при С7эв = 30 В для КТ207Л.......................
прн Uэв 15 В для КТ207Б..........................
ирн Г/ЭБ==10 В для КТ207В........................
Входное сопротивление в схеме ОБ в режиме малого сиг-
нала при 1/кк=5 В, /э=1 мА, нс более . . . .
Емкость коллекторного перехода при Uke 5 В, /=10 кГц,
не более ..............
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база-
КТ207А . .
КТ207Б . .
КТ207В ... ....
9
30...150
30...200
5 МГц
1 В
0,5 В
0,05 мкА
0.05 мкА
0,05 мкА
1 мкА
1 мкА
1 мкА
300 Ом
10 пФ
60 В
30 В
15 В
62
П родолжение
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер:
КТ207Л..................................................60 В
КТ207Б .............................30 В
КТ207В . . ................15 В
Постоянное напряжение эмиттер — база:
КТ2О7Л . .... ... 30 В
КТ2О7Б .......................15 В
КТ207В ...................... . . 10 В
Постоянный ток коллектора................. .10 мА
Импульсный ток коллектора прн fu^100 мкс, 0^5 . 50 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора . 15 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при
100 мкс, Q^5........................................50 мВт
Температура р-п перехода............................4-100 °C
Температура окружающей среды........................—45 4-85 °C
При монтаже и эксплуатации транзисторов необходимо принимать меры по
их защите от статического элсктри юства.
2Т208А, 2Т208Б, 2Т208В, 2Т208Г, 2Т208Д, 2Т2С8Е,
2Т208Ж, 2Т208И, 2Т208К, 2Т208Л, 27208М, КТ208А,
КТ208Б, КТ208В, КТ208Г, КТ208Д, КТ208Е, КТ208Ж,
КТ208И, КТ208К, КТ208Л, КТ208М
Транзисторы кремниевые эпитак-
сиально планарные структуры р-п-р.
Предназначены для применения в
усилителях и импульсных устройст-
вах. Выпускаются в металлостекляп-
иом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на кор-
пусе.
Масса транзистора не более
0,6 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ прн
Uкб ~ 1 В, /д = 30 мА.
2Т208А. 2Т208Г, 2Т208Ж 2Т208Л, КТ208А, КТ208Г,
К3208Ж, КТ208Л . . . .
2Т208Б 2Т208Д, 2Т208И, 2Т208М, КТ208Б, КТ208Д,
КТ208И, КТ208М
2Т208В, 2Т208Е, 2Т208К, КТ208В, КТ208Е, КТ208К
Граничная частота коэффициента передачи тока в схе-
ме ОЭ при иКв=о В, ие менее:
/э=5 мА 2Т208А 2Т208Б, 2Т208В, 2Т208Г, 2Т208Д,
2Т208Е, 2Т208Ж, 2Т208И, 2Т208К, 2Т208Л. 2Т208М
/.= 10 мА КТ208А, КТ208Б, КТ208В, КТ208Г, КТ208Д,
КТ208Е, КТ208Ж, КТ208И, КТ208К, КТ208Л, КТ208А1
Коэффициент шума при 6'л-э=3 В, /к = 0,2 мА f=\ к1 ц,
Лг=3 кОм для КТ208В, КТ208Е, КТ208К, не более
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при =
•=300 мА /с=60 мА, ие более
2Т208А, 2Т208Б, 2Т208В, 2Т208Г, 2Т208Д, 2Т208Е,
2Т208Ж, 2Т208И, 2Т208К, 2Т208Л, 2Т208М . . .
20. 60
40. 120
20. .240
5 МГц
5 МГц
4 дБ
0,3 В
63
П родолжение
KT20SA. КТ208Б, КТ208В, КТ208Г, КТ208Д. КТ208Е,
КТ208Ж, КТ208И, КТ208К, КТ208Л, КТ208М 0,4 В
Напряжение насыщения база — эмиттер при lit — 300 мА,
/в=60 мА, ие более . .................... 1,5 В
Обратный ток коллектор — эмиттер при Uk3 = Uk9.m™c,
/?>>—10 кОм, ие более 1 мкА
Обратный ток эмиттера при U3r,=Usz макс, не более . 1 мкА
Емкость коллекторного перехода, не более:
при UKr=20 В для 2Т208Л, 2Т208Б, 2Т208В, 2Т208Г,
2Т208Д. 2Т208Е, 2Т208Ж, 2Т208И, 2Т208К, 2Т208Д,
2Т208А1 . . .......................35 нФ
при £/кь=10 В для КТ208Л, КТ208Б, КТ208В, КТ208Г,
КТ208Д. КТ208Е, КТ208Ж, КТ208И КТ208К, КТ208Л,
КТ208М ... . . 50 пФ
Емкость эмиттерпого перехода, не бодсс.
при С'эи 20 В для 2Т208А, 2Т208Б, 2Т208В, 2Т208Г
2Т208Д, 2Т208Е, 2Т208Ж, 2Т208И 2Т208К, 2Т208Я,’
2Т20ЧМ .............................................20 пФ
при иЭг.= 0,5 В для КТ208А, КТ208Б, КТ208В, КТ208Г
КТ208Д. КТ208Е, КТ208Ж, КТ208И, КТ208К, КТ208Д,
КТ208М . . . .......................100 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база1:
7 = +25 +125°С:
2Т208А, 2Т208Б, 2Т208В, КТ208Л, КТ208Б, КТ208В 20 В
2Т2О8Г, 2Т208Д 2Т208Е КТ208Г, КТ208Д, КТ208Е 30 В
2Т208Ж, 2Т208И, 2Т208К, КТ208Ж, КТ208И, КТ208К 45 В
2Т208Л, 2Т208М КТ208Л, КТ208М . . 60 В
Т= — 60 °C:
2Т208А, 2Т208Б, 2Т208В, КТ208А, КТ208Б, КТ208В 15 В
2Т208Г 2Т208Д 2Т208Е КТ208Г. КТ208Д, КТ208Е 25 В
2Т208Ж, 2Т208И, 2Т208К КТ208Ж. КТ208И, КТ208К 40 В
2Т208Л, 2Т208М, КТ208Л, КТ208М 55 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер1 при
"" Г—+25 +125 °C.
2Т208А, 2Т208Б, 2Т208В, КТ208А, КТ208Б, КТ208В 20 В
2Т208Г, 2Т208Д, 2Т208Е, КТ208Г, КТ208Д. КТ208Е 30 В
2Т208Ж. 2Т208П, 2Т208К, КТ208Ж, КТ208И, КТ208К 45 В
2Т208Л, 2Т208М, КТ208Л, КТ208М .... 60 В
Г--60 °C:
2Т208А, 2Т208Б, 2Т208В, КТ208А, КТ208Б, КТ208В 15 В
2Т208Г 2Т208Д, 2Т208Е, КТ208Е.....................25 В
2Т208Ж, 2Т208И, 2Т208К, КТ208Ж, КТ208И, К.Т208К 40 В
2Т208Л, 2Т208М, КТ208Л, КТ208М ... 55 В
Постоянное напряжение эмиттер — база1:
7 25...+125 °C.
2Т208А. 2Т208Б, 2Т208В. 2Т208Г, 2Т208Д 2Т208Е
2Т208Ж, 2Т208И 2Т208К, 2Т208Л, 2Т208М, КТ208Ж
КТ208И, КТ208К, КТ208 1, КТ208М . 20 В
КТ208А. КТ208Б, КТ208В, КТ208Г. КТ208Д, КТ208Е 10 В
Т= — 60 °C.
2Т208А. 2Т208Б, 2Т208В, 2Т208Г 2Т208Д 2Т208Е
2Т208Ж, 2Т208И, 2Т208К, 2Т208Л, 2Т208М КТ208Ж,
КТ208И, КТ208К, КТ208Л, КТ208М . 15 В
КТ208А, КТ208Б. КТ208В КТ208Г, КТ208Д, КТ208Е 5 В
1 При снижении температуры от +25 до —00 °C б'ь.Б..М11яс, V кэп _макс, мако
изменяются линейно.
64
Продолжение
Постоянный ток коллектора . ... 150 мА
Импульсный ток коллектора при /в^0,5 мс, Q^2 . . 300 мА
Постоянный ток базы . ......................60 мЛ
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
Т= -60...+60 °C .... . . 200 мВт
Т +125 °C.......................................50 мВт
Температура рп перехода.............................+150°С
Температура окружающей среды.....................—6О...+125°С
1 При Г>+60°С макс снижается линейно.
КТ209А, КТ209Б, КТ209Б1, КТ209В, КТ209В1, КТ209Г,
КТ209Д, КТ209Е, КТ209Ж, КТ209И, КТ209К, КТ209Л,
КТ209М
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры р-п-р усили-
тельные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназна-
чены для применения в усилительных и импульсных мнкромодулях и блоках
герметизированной аппаратуры, транзисторы КТ209Б1, КТ209В1—в блоках
ТВ приемников. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами а
двух вариантах. Транзисторы имеют два варианта маркировки. Вариант 1 — на
корпус наносится буква КТ209А—А, КТ209Б—Б КТ209Б1—Б1, КТ209В—В.
КТ209В1— В1; КТ209Г—Г, КТ209Д—Д, КТ209Е—Е КТ209Ж—Ж. КТ209И-И.
КТ209К—К. КТ209Л—Л, КТ209М—М, вариант 2 — на боковую поверхность кор-
пуса наносится метка серого цвета и иа торце метка: КТ209А — темно-красная,
КТ209Б — желтая, КТ209В — темно-зеленая, КТ209Г — голубая; КТ209Д — си-
няя КТ209Е -белая; КТ209Ж — коричневая, КТ209И—серебристая, КТ209К—
орд окевая; КТ209Л—светло-табачная, КТ209М — серая.
Масса транзистора не более 0,3 г.
КТ209(А~И)
Вариант 1
5 Заказ К’ 1080
65
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Сда=1 В, /к=30 мА:
7=+25 °C:
КТ209А, КТ209Г, КТ209Ж, КТ209Л .... 20 60
КТ209Б, КТ209Д, КТ209И, КТ209М . . . . 40 120
КТ209В, КТ209Е .... .... 80. 240
КТ209К ........................................80.. 160
КТ209Б1, не менее...................... ... 12
КТ209В1, не менее .... ... 30
при 7=+ 100 °C:
КТ209А, КТ209Г, КТ209Ж, КТ209Л . . . . 20 120
КТ209Б, КТ209Д, КТ209И, КТ209М .... 40 240
КТ209В, КТ209Е ................................ 80...480
КТ209К . ....................... 80...320
КТ209Б1, ие менее.............................. ... 12
КТ209В1, не менее . ... . . 30
Т= -45 °C
КТ209А, КТ209Г, КТ209Ж, КТ209Л . . . 10 60
КТ209Б, КТ209Д, КТ209И, КТ209М . . . 20 120
КТ209В, КТ209Е................................. 40 240
КТ209К ........................................40. 160
КТ209Б1, не менее.............. . . 6
КТ209В1, не менее.............. . . 15
Граничная частота коэффициента передачи тока в схе-
ме ОЭ при Ukb=o В, /к=10 мА, ие менее . . 5 МГц
Коэффициент шума при 7/кэ=3 В, /к=0,2 мА, / —1 кГц,
/?,—3 кОм для КТ209В, КТ209Е, КТ209К, не более . . 5 дБ
типовое значение ... ... . 2,5* дБ
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к =
300 мА, /в=30 мА, не более .......................0,4 В
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к=300 мА,
1Р=30 мА, не более..................................1,5 В
Of ратный ток эмиттера при UsB—UsF.MaKc, не более . 1 мкА
Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схе-
ме ОЭ при Ui<a=5 В, /к=5 мА......................... 130*...2500* Ом
Емкость коллекторного перехода при Г7Кб=10 В, f=
=500 кГц, ие более.................................. ... 50 пФ
Емкость коллекторного перехода при Use — 0,5 В, [=
= 1 МГц, не более ... ....................100 нФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
при Т—1-25...+ 100 °C:
КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Б1, КТ209В1 15 В
КТ209Г, КТ209Д, КТ209Е ...........30 В
КТ209Ж, KT20SH, КТ209К...........45 В
КТ209Л, КТ209М ... . . 60 В
при Т=— 45 °C:
КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Б1, КТ209В1 . 10 В
КТ209Г, КТ209Д, КТ209Е ... ... 25 В
КТ209Ж. КТ209И, КТ209К........................40 В
КТ209Л, КТ209М ....55 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при /?в»^
^10 кОм-
при 7=+25...+100 °C:
КТ209А, КТ239Б, КТ209В, КТ209Б1, КТ209В1 . 15 В
КТ209Г. КТ209Д, КТ209Е ... . . 30 В
КТ209Ж, КТ209И, КТ209К.........................45 В
КТ209Л, КТ209М.................................60 В
66
П родолжение
при Г_—45°C:
КТ209А, КТ209Б. КТ209В, КТ209Б1, КТ209В1 . 10 В
КТ2О9Г, КТ209Д, КТ209Е .............25 В
КТ2О9Ж, КТ209И КТ209К .....................40 В
КТ209Л, КТ209М...............................55 В
Пост >яниое напряжение эмиттер — база
при 7'=+25...+100°С:
КТ209Б1 .....................................5 В
КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Г, КТ209Д. КТ209Е,
KT209BI..................................... . 10 В
КТ209Ж, КТ209И, КТ209К, КТ209Л. КТ209М . 20 В
при Т= — 45 °C:
КТ209Б1 . . . ... . . 5 В
КТ209А КТ209Б, КТ209В, КТ209Г, КТ209Д, КТ209Е,
КТ209В1 ... . . . . 10 В
КТ209Ж, КТ209И, КТ209К, КТ209Л, КТ209М . 15 В
Постоянный ток коллектора . ................... 300 мА
Импульсный ток коллектора . . ............. 500 мА
Постоянный ток базы . . . .............190 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора *:
при 7=—45 ..+45 °C.............................. 200 мВт
„ри Т= + 100°С .........................62,1 *Вт
Тепловое сопротивление переход — среда.............0,45°С/мВт
Температура р-п перехода . ................ 125 °C °
Температура окружающей среды.......................—45...+100 С
1 При 7 >4 45 °C Рк , аяс уменьшается линейно.
КТ210А, КТ210Б, КТ210В
Транзисторы кремниевые эпи-
таксиальио-плаиарные структу-
ры р-п-р усилительные. Бескор-
пусные с твердыми выводами.
Тип прибора указывается па таре.
Масса транзистора пе более
0,005 г.
KT2W(A-B)
Коллектор
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Uкв =5 В, /э—1 мА
КТ210А, КТ210Б.................................
КТ210В.........................................
Граничная частота коэффициента передачи тока в схе-
ме ОЭ при Uкб — 5 В, /э=1 мА, не меиее
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к=
— 10 мА, /в=1 мА, ие более ... . . . .
Напряжение насыщения база—эмиттер при /к=10 мА,
/в=1 мА, не более..................................
80...240
40 ..120
10 МГ ц
0,5 В
1 В
5*
67
Продолжение
Обратный ток коллектор — эмиттер прн ица—Пкэ,мсхс,
А?бэ=10 кОм, не более ... .............
Обратный ток эмиттера при £7ЭЕ=10 В, не более
Емкость коллекторною перехода при Г/кв=5 В, f=3 МГц,
не более .............. ..................
Емкость эмиттсрного перехода при С'ус—0,5 В, f=5 МГц,
нс более ............................................
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ210.А............................................
КТ210Б . . .............................
КТ210В .........................................
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Rca^
<10 кОм:
КТ210А..........................................
КТ210Б ... ..........................
КТ210В..........................................
Постоянное напряжение эмиттер — база...............
Постоянный ток коллектора .........................
Импульсный ток коллектора..........................
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т<
<+35 °C.........................................
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при Т<
<+35 °C............................................
Тепловое сопротивление переход — среда.............
Температура р п перехода ..........................
Температура окружающей среды.......................
10 мкА
5 мкА
25 пФ
10 пФ
15 В
30 В
60 В
15 В
30 В
60 В
10 В
20 мА
40 мА
25 мВт
40 мВт
3°С/мВт
+ 125 °C
—60...+85 °C
2Т211А-1, 2Т211Б-1, 2Т211В-1
2T21l(At-B 1)
Транзисторы кремниевые эпитак-
сиальио-планарные структуры pop
усилительные с нормированным ко-
эффициентом шума. Предназначены
дзя применения во входных каска-
дах малошумящих усилителей герме-
тизированной аппаратуры. Бескор-
пусиые с защитным покрытием и
гибкими выводами. Тип прибора
указывается на возвратной таре.
Масса транзистора пе более
0,01 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Uns—l В, /э=40 мкА:
Т=25°С:
2Т211А1....................................
2Т211Б-1......................................
2Т211В-1......................................
Т=+125ОС:
2Т211А1.......................................
40...120
80. .240
160 .480
40..200
66
2Т211Б-1........................................
2T2IIB-1........................................
Г =—60 °C:
2Т211А-1..........................................
2Т211Б-1........................................
2Т211В-1 . . ...........................
Граничная частота коэффициента передачи тока в схе-
ме ОЭ при 6/кБ=5 В /к = 1 мА, не менее ....
Коэффициент шума при Uku — 5 В, /э = 40 мкА, f=l кГц,
Rr 10 кОм .................
Граничное напряжение при /э=5 мА пе менее
Обратный ток коллектора при Uke— 15 В, не более:
7=4-25 °C.............................................
Т +125°С ... ...
Обратный ток эмиттера при [/ЭЕ=5 В, не более
Емкость коллекторного перехода при Uke = 5 В, f—
= 10 МГц, пе более................................. ,
Емкость эмиттериого перехода при 47эЕ=О,5 В, /=10 МГц,
не более .... ...........................
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база................
Постоянное напряжение эмиттер — база..................
Постоянный ток коллектора ... .............
Импульсный ток коллектора прн /п^10 мкс, Q^IO
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора’;
при Т= —60 ..4-35 °C............................
при 7= 4-125 °C . ...........................
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при
<" 10 мкс, 10 . . ...
Температура р-п перехода .............................
Температура окружающей среды..........................
1 При 7>-i35°C уменьшается линейно.
Продолжение
80...400
160. 800
20 120
40 .240
80. .480
10 МГц
0,3* .1,7* .3 дБ
15 В
10 и А
500 и Л
10 и А
20 пФ
15 пФ
15 В
5 В
20 мА
50 мА
25 мВт
5 мВт
50 мВт
4-150 °C
—60.„4-125 °C
Зависимость статиче-
ского коэффициента пе-
редачи тока от тока
коллектора
Зависимость коэффици-
ента шума от тока кол-
лектора
Зависимость коэффи-
циента шума от сопро-
тивления генератора
Зависимость коэффи
циента шума отчасюты
69
2Т214А-1, 2Т214Б-1, 2Т214В-1, 2Т214Г-1, 2Т214Д-1,
2Т214Е-1, КТ214А-1, КТ214Б-1, КТ214В-1, КТ214Г-1,
КТ214Д-1, КТ214Е-1
2ТгН(А 1-E f), KT2Vt(A 1 Е l)
1
Коллектор
Транзисторы кремниевые эпитак-
сиально-планарные структуры р-п р.
Предназначены д 1я применения в
усилителях и переключающих уст-
ройствах 1ер.метизированной аппара-
туры. Бсскориусные с гибкими выво-
дами и защитным покрытием. Тип
прибора указывается на таре-спут-
нике.
Масса транзистора не более
0,01 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ-
при Т=+25°С t/KE = 5 В, /э= 10 ыЛ
2Т214Л-1, КТ214А 1 не менее .... .20
2Т214Б-1, КТ214Б-1" . . . . 30 90
2Т214В-1, 2Т214Г-1, КТ214В-1, КТ214Г-1 . . . 40.120
Uirc=l В, /э 40 мкА, не менее:
2Т214Д-1, КТ214Д-1..............................80
2Т214Е-1, КТ214Е-1.............................40
при Т=Тмим, Unts—5 В, /э 10 мА:
2Т214А-1, КТ214А-1, не менее.....................7
2Т214Б-1, КТ214Б-1 ..............10 90
2Т214В 1, 2Т214Г 1, КТ214В-1, КТ214Г-1 ... 15 120
1/кп=1 В, /э = 40 .мкА, ие менее:
2Т214Д-1 КТ214Д 1 ..........................25
2Т214Е 1, КТ214Е 1 . . ..............15
при Т — ТМакс. Uku = 5 В, 7э=10 мА:
2Т214А-1, КТ214А 1, не менее .... 20
2Т214Б-1, КТ214Б-1 .... 30 150
2T2I4B-1, 2Т214Г-1, КТ214В-1, КТ214Г 1 . . . 40 200
Ukc= 1 В, /э=40 мкА, не менее:
2Т214Д-1, КТ214Д-1.................................80
2Т214Е-1, КТ214Е-1...................... .40
Граничная частота коэффициента передачи тока в схе-
ме ОЭ при Uitc=5 В, /э= 1 мА.............................. 5. .20* ..30* МГц
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой час-
тоте при 1/кв=5 В, /э=2 мА, ие более........................5 нс
типовое значение . . ... 1* нс
Коэффициент шума прн Uks—5 В, Is — 40 мкА, Rr=
= 10 кОм, [-1 кГц для 2Т214Д-1, КТ214Д-1 . . . 1,8*...3,5*...5* дБ
Граничное напряжение при /э=10 мА ие менее:
2Т214А-1, 2Т214Б-1, КТ214А-1 КТ214Б 1 . 80 В
2Т214В-1 КТ214В 1 . 60 В
2Т214Г 1 КТ214Г 1......................................40 В
2Т214Д-1, КТ214Д 1................................ . 30 В
2Т214Е 1 КТ214Е-1......................................20 В
70
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к =
= 10 мА, /в=1 мА, не более:
2Т214А-1, 2Т214Б-1, 2T2I4B-1, 2Т214Г-1 2T214E-I
КТ214А-1, КТ214Б-1, КТ214В-1, КТ214Г-1, КТ214Е-1
Напряжение насыщения база эмиттер при /к = 10 мА,
1и=1 мА, не более
Обратный ток коллектор—эмиттер при 0/кэ = Г/кэ ,макс,
кОм, не более:
при Г=+25°С и Т—Тмин ........
ПрИ 1~ =Т мчкс ........ , ,
Обратный ток эмиттера при Б'эВ=1/Эв..м2кс, ие более .
Входное сопротивление в режиме малого сигнала при
Г/кэ = 5 В, 18 = 2 мА, f=800 Гц ...
Емкость коллекторного перехода при 0/кв=10 В, f—
=500 кГц ......................................
Емкость эмиттерного перехода при иЭь—0,5 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
г$10 кОм
2T2I4A-1, КТ214Л 1..........................
2Т214Б-1, КТ214В 1 ...
2Т214В-1, КТ214В 1
2Т214Г-1, КТ214Г-1 ... . .
2Т214Д-1, 2Т214Е 1, КТ214Д-1, КТ214Е 1
Постоянное напряжение эмиттер — база:
2Т214Л 1, КТ214А-1 .... ....
2Т214Б-1, 2Т214В-1, 2Т214Г-1, 2Т214Д-1, КТ214Б 1,
КТ214В 1, КТ214Г-1. КТ214Д 1 . . . . .
2Т214Е 1, КТ214Е-1..........................
Постоянный ток коллектора . ..................
Импульсный ток коллектора при /и=530 мс, Q^lOO .
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
при Т= Тмин...+35 °C.....................
при Т=Тмакс ...........
Тепловое сопротивление переход — среда.........
Температура р п перехода ......................
Температура окружающей среды:
2T2I4A-1, 2Т214Б-1, 2Т214В-1, 2Т214Г-1, 2Т214Д 1,
2Т214Е-1 ... . . .
КТ214А-1, КТ214Б-1. КТ214В-1, КТ214Г-1, КТ214Д-1,
КТ214Е 1
Продолжение
0,45 В
0,6 В
1,2* В
1 мкА
10 мкА
10 мкА
1,2*.. 2,5* 10* кОм
9,5. .12*.. 30 |Ф
9,6*. 40*...100* нФ
100 В
80 В
80 В
60 В
30 В
30 В
7 В
20 В
50 мА
100 мА
50 мВт
20 мВт
0,1 °C/.мВт
+ 125 °C
-60. +100 °C
-45. .+85 °C
1 При Т> +35 С Рк макс уменьшается линейно.
Допустимая температура монтажа транзисторов
не должна превышать +150 °C в течение 30 с.
в гибридные микросхемы
циеига шума от тока
эм и гтере
Занисй-Мость коэффи-
циента шума от частоты
^«3
272КД1
ISO КТ2НД 1
и№-'ву
120
80
ЪО
ЧТ2НЕ-1
КПНЕ-1
'2Т2П(А-1,Г1)
КТ2П(А-1,Г-1)\
0,01 0,1 1 !э,пА
Зависимость статического
коэффициента передачи то*
ка от тока эмиттера
71
ГТ402А, ГТ402Б, ГТ402В, ГТ402Г
Транзисторы германиевые сплавные структуры р-п-р усилительные. Пред-
пл । ачены для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты.
Выпускаются в метатлостеклянном корпусе с гибкими выводами в двух вариан-
тах. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора: вариант 1 — ие более 5 г. вариант 2 — не более 2 г.
ГТЫ2(А-Г)
Вариант Г'
Вариант 2
Э. ектри* еские параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
В /э = 3 мА:
ГТ402А, ГТ402В...................................30...80
ГТ402Б, ГТ402Г . . . ... 60... 150
Граничная частота коэффициента передачи тока в схе-
ме ОЭ при Г/кв=1 В, /в —3 мА, не менее 1 МГц
Коэффициент линейности К.= (Й21Э при /в=3 мА)/(йг19
прн 1s=300 мА) . ... .............0,7... 1,4
Прямое падение напряжения на э.миттерном переходе при
отключенном коллекторе и /э=2 мА, не более . . 0,3 В
Обратный ток коллектора при UKE= 10 В, не более . . 20 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Rc,^
s^200 Ом:
ГТ4 2А, ГТ402Б...................................25 В
ГТ402В, ГТ402Г ... .... . 40 В
Постоянный ток коллектора......................... 0,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 при Г =*
=+25 “С:
вариант 1 . .............................0,6 Вт
вариант 2 .................................0,3 Вт
Тепловое сопротивление переход — среда:
вариант 1 ... .............0,1 °С/мВт
вариант 2 . . ...................0,15°С/мВт
Температура р-п перехода . . .... . +85 °C
Температура окружающей среды . .............—40...+55 °C
1 При Т— +25. +55 'С I1 к махе’ “Вт, определяется по формуле Рк макс—
“ (85— О/Яу п—е)
Допускается соединять выводы транзисто-
ров с элементами схемы не ближе 5 мм от кор-
пуса любым способом (пайкой, сваркой и т п.)
при условии соблюдении следующих требований:
за время соединения температуры в любой точ-
ке корпуса транзистора не должна превышать
максимально допустимую температуру окружаю-
щей среды Температура пайки ие должна пре-
вышать +285 СС.
Не рекомендуется работа транзисторов при
рабочих токах, соизмеримых с неуправляемыми
обратными токами во всем диапазоне темпе-
ратур.
При включении транзисторов в электриче-
скую цепь ко тлекториый вывод должен при-
соединяться последним и отсоединяться первым.
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока эмит-
тера
Зависимость сопротивления
насыщения от тока базы
Зависимость обратного
тока коллектора от тем-
пературы
1Т403А, 1Т403Б, 1Т403В, 1Т403Г, 1Т403Д, 1Т4ОЗЕ,
1Т403Ж, 1Т403И, ГТ403А, ГТ403Б, ГТ4ОЗВ, ГТ4ОЗГ,
ГТ403Д, ГТ4ОЗЕ, ГТ403Ж, ГТ403И, ГТ403Ю
Транзисторы германиевые сплавные структуры р-п-р усилительные. Пред-
назначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах
усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного
тока. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип
прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 4 г.
73
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
t/KB=l В, /э=0,45 А для 1Т403Е, ГТ403Е, 1Т403И,
I Т403И, пе менее.............................. 30
И менение статического коэффициента передачи тока в
схеме ОЭ 1Т403Е, 1Т403И при 77кб=1 В, /э=0,45 А, ие
более:
при Т—1-70 °C ... ...................±30%
при Т= — 60 °C . .... .... _40%
Граничная частота коэффициента передачи тока в схе-
ме ОЭ при t/KB=5 В, /э = 0,1 А, нс менее .... 8 кГц
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при
7/кв = 5 В, /э = 0,1 А, /=50. .300 Гц:
1Т403А, 1Т403В, 1Т403Ж, ГТ403А, ГТ403В, ГТ403Ж 20 60
1Т403Б, 1Т403Г 1Т403Д, ГТ403Б, ГТ403Г, ГТ403Д 50...150
ГТ403Ю . .... ... . . 30...60
Изменение коэффициента передачи тока в режиме малого
с тала 1Т403А, 1 Г403Б, 1Т403В 1Т403Г, 1Т403Д. 1Т403Ж
при (7Кб=5 В, /э = 0,1 A, f=50.. 300 Гц, пе более,
при Т= +70 °C.....................................±30%
при Т=-60 °C ................................ . —50%
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер при /к =
—0,5 А, /е=0,05 А, ие более . . ... 0,5 В
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к=0,5 А,
/к=0,05 А не более . . .... ... 0,8 В
«Плавающее» напряжение эмиттер — база при 7/кс = 45 В
для 1Т403Л, 1Т403Б, при t/Kn=60 В для 1Т403В, 1Т403Г,
1Т403Д, 1Т403Е, при t/KB=80 В для 1Т403Ж, 1Т403И,
Т=+70°С, ие более . . ... ... 03 В
Обратный ток коллектора при Ukb = Ubk макс, не более:
Г=+25°С:
1Т403А, 1Т403В. 1Т403В, 1Т403Г, 1Т403Д 1Т403Е
ГТ403А, ГТ403Б ГТ403В, ГТ403Г, ГТ403Д, ГТ403Е
1Т403Ю ...............................50 мкА
1Т403Ж, 1Т403И, ГТ403Ж, ГТ403И . . 70 мкА
7"=+70 °C...................................... 800 мкА
Обратный ток эмиттера при 7/Вэ=20 В для 1Т403А
1Т403Б, 1Т403В, 1Т403Г, 1Т403Е, ГТ403А, ГТ403Б, ГТ403В
ГТ403Г, ГТ403Е, ГТ403Ю; (4э = 30 В для 1Т403Д,
I Т403Д, пе более:
Г=+25 °C:
1Т403А. 1Т403Б, 1Т403В 1Т403Г, 1Т403Д, 1Т403Е
ГТ403А, ГТ403Б, ГТ403В, ГТ403Г, ГТ403Д, ГТ403Е,
ГТ403Ю........................ .... 50 мкА
1Т403Ж, 1Т403И, ГТ403Ж, ГТ403И . . 7о мкА
7'=+70°С ..................................80 мкА
Обоатный ток коллектор — эмиттер при t/KS = t/K3 я„кс-
’ 1Т403А, 1Т403Б, 1Т403В, 1Т403Г, 1Т403Д, 1Т403Е
ГТ403А, ГТ403Б, ГТ403В, ГТ403Г ГТ403Д, ГТ403Е’
ГТ403Ю ... ............... ’ 5 мА
1Т403Ж, 1Т403И, ГТ403Ж, ГТ403И 6 мд
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер.
1Т403А, 1Т403Б ГТ403Л ГТ403Б ГТ403Ю . зо В
1Т403В, 1Т403Е, ГТ403В, ГТ403Е, 1Т403Г 1Т403Д
ГТ4ОЗГ, ГТ403Д . . . . ’ 45 В
1Т403Ж 1Т403И, ГТ403Ж, ГТ403И . 60 В
Постоянное напряжение коллектор — база:
1Т403Л, 1Т403Б, ГТ403А, ГТ403Б, ГТ403Ю ... 45 В
74
П родолжент
1Т403В, ГГ403Г, 1Т403Д, 1Т403Е, ГТ403В, ГТ403Г,
ГТ403Д, ГТ403Е ..................................60 В
1Т403Ж, 1Т403И, ГТ403Ж, ГТ403И...............80 В
Постоянное напряжение эмиттер — база.................20 В
для 1Т403Д, ГТ403Д...............................30 В
Постоянный ток коллектора ..... . . 1 25 А
Постоянный ток базы ............................. 0,4 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
с теплоотводом.......................................(85—Тк) [Rrin-к>,
Вт
без теплоотвода..................................(85—Т) /К-цп-а, Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус .... 15°С/Вт
для 1Т403В, 1Т403Е ГТ403В, ГТ403Е .... 12°С/Вт
Тепловое сопротивление переход — среда..............100°С/Вт
Температура р п перехода ............................+85 °C
Температура окружающей среды:
1Т403Л, 1Т403Б, 1Т403В, 1Т403Г, 1Т403Д, 1Т4ОЗЕ,
1Т403Ж, 1Т403И . . -60 +70 °C
ГТ403Л ГТ403Б, ГТ403В, ГТ403Г, ГТ403Д, ГТ403Е,
ГТ403Ж, ГТ403И, ГТ403Ю .... -55 +70сС
Изгиб и пайка выводов транзисторов допускается не ближе 3 мм от кор»
пуса с температурой жала паяльника нс более + 260сС в течение 3 с и груп-
повым или механизированным способом при температуре припоя не более
+ 260 °C в течение 5 с.
Входные характеристики
Входные характеристики
Зависимость тока эмит-
тера от напряжения ба-
за — эмиттер
Зависимость тока эмит-
тера от напряжения
база — эмиттер
Зависимость статиче-
ского коэффициента пе-
редачи тока от тока
коллектора
пчвяи> ,_L,। ,
\1П03(А,В.Ж) I Г
-+тоз(А,в.и<)—Ц-
I IVw'e /
тоз(А в ж)
гпоз(а,в,ж.
И
0.04 0.08 ЦП 0J6 I- А
^г/з
280
V/0
200
160
ПО
80
40
О
Зона возможных положений
зависимости статическою
коэффициента передачи то-
ка от тока коллектора
75
ГТ405Д, ГТ405Б, ГТ405В, ГТ405Г
ГТП5(АГ)
7.S V
——"H 2 Г* —1
Транзисторы германиевые сплавные
структуры р-п-р усилительные. Предна-
значены для применения в выходных кас-
кадах усилителей низкой частоты Выпу-
скаются в пластмассовом корпусе с гиб-
кими выводами. Тип прибора указывается
иа корпусе
Масса транзистора не более 1 г»
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ ппи
4/ка=1 В, /э = 3 мА:
Т +25 °C:
ГТ405А, ГТ405В...................
ГТ405Б, ГТ405Г......................
Г-+55 °C:
ГТ405А, ГТ405В ....
ГТ405Б, ГТ405Г......................
Т = — 40 °C:
ГТ4О5А, ГТ405В......................
ГТ405Б, ГТ405Г................................
Предельная частота коэффициента передачи тока при
Г/кэ = I В, 7э~3 мА, нс менее........................
Прямое падение напряжения эмиттер — база при /Б=
= 2 мА и отключенном коллекторе, не более
Обратный ток коллектора при Г/кб=Ю В, не более
30 80
60.150
30 ..160
60. .300
15...80
30... 150
1 М Гц
0,35 В
25 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
<200 Ом:
ГТ405А, ГТ405Б ................... 25 В
ГТ405В. ГТ405Г...............................' . 40 В
Постоянный ток коллектора.............................05А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 при Т=
— 4 25 ............. ........................ о з Вт
Тепловое сопротивление переход — среда................0,1 °С/мВт
Температура р-п перехода..............................+85 °C
Температура окружающей среды . .............—40.+55°C
При 7 —+25...+55’С Р к,макс ыВт. определяется по формуле
рк ^“<85-0/0.1.
Изгиб выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса транзистора с ра-
диусом закругления не менее 1,5 мм, пайка выводов —ие ближе 10 мм. Обрез-
ка выводов запрещается.
Входные характеристики
Входные характеристики
Зависимость тока эмит-
тера от напряжения ба-
за — эмиттер
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока кол-
лектора
Зависимость максималь-
но допустимого напря-
жения коллектор — эмит-
тер от температуры
Зависимость обратного
тока коллектора от тем*
псратуры
Зависимость максималь-
но допустимого напря-
жения коллектор — эмит-
тер от сопротивления
база — эмиттер
Раздел четвертый
Транзисторы маломощные высокочастотные
Транзисторы п-р-п
2ТЗО1Г, 2Т301Д, 2ТЗО1Е, 2Т301Ж, КТ301Г, КТ301Д,
КТЗО1Е, КТ301Ж
Транзисторы кремниевые планарные структуры п-р-п универсальные. Пред-
назначены для применения в усилителях и генераторах. Выпускаются в ме-
таллостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тин прибора указывается на
корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
77
гтзоцг-ж), ктзо!(г-ж)
Электрические параметры
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при
{/кв=10 В, /э=3 мА, f—1 кГц:
Г=25 °C:
2Т301Г, КТ301Г ... ............
2Т301Д, КТ301Д ...
2Т301Е, КТ301Е................................
2Т301Ж, КТ301Ж.................................
Т----60 “С, не менее:
2Т301Г............................. . .
2Т301Д........................................
2T30IE ........................................
2Т301Ж ................................
Г= + 125°С 2Т301Г...2Т301Ж......................
Граничная частота коэффициента передачи тока прн Г/Кв=
= 10 В, /э=3 мА, не менее..........................
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой час-
тон прн Г/кв=Ю В, /э=2 мА, /=2 МГц, не более:
2Т301Г, 2Т301Д, КТ301Г, КТ301Д..................
2Т301Е, 2Т301Ж, КТ301Е, КТ301Ж..................
Время рассасывания при /с| = /ь-г=1 мА, /к=10 мА, /5?
^1 кГц, Л, <10 мкс, не более:
2Т301Г, 2Т301 I, КТ301Г, КТ301Д.................
2Т301Е, 2Т301Ж, КТ301Е, КТ301Ж..................
Грани* ное напряжение при /э=10 мА, /и=5 мкс, не ме-
нее:
2Т301Г, 2Т301Д......................
2Т301Е, 2Т301Ж . ......................
На тряжение насыщения коллектор — эмиттер при 1В —
— 1 мА, /к=10 мА, /=50 Гц, /и = 2 мкс, не более .
Напряжение насыщения база — эмиттер при {Е=1 мА,
/к = 10 мА, f—50 Гц, /и = 2 мкс, не более:
при 7= +25 °C, иКБ=20 В для 2T30IE, 2Т301Ж .
Ui(E=30 В для 2Т301Г, 2Т301Д, КТ301Г КТ301Д,
КТ301Е, КТ301Ж................................
при 7=-60’С, i/KK=20 В для 2Т301Е, 2Т301Ж . .
при 7= + 125°С UKB= 10 В для 2Т301Г—2Т301Ж . .
Обратный ток эмиттера при t/ec=3 В, не более:
2Т301Г —2Т301Ж...............................
КТ301Г —КТ301Ж..................................
Выходная полная проводимость в режиме малого сигнала
прн холостом ходе при (7кь = 10 В, /а=3 мА, /=1 кГц,
не более .......................................
10 ..32
20 ..60
40 120
80 .300
5
8
14
20
^2гэ - (0.8...3)/12is
(7-+25 °C)
30 МГц
4 5 нс
2 нс
5 мкс
8 мкс
30 В
20 В
3 В
5 мкА
5 мкА
5 мкА
50 мкА
50 мкА
10 мкА
3 мкСм
78
Продолжение
10 пФ
80 пФ
Емкость коллекторного перехода прн £/кв= 10 В, не более
Емкость эмиттерного перехода при t/кв 0,5 В, не более
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т301Г, 2Т301Д, КТ301Г— КТ301Ж....................
2Т301Е, 2Т301Ж . . ............
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер:
2Т301Г 2Т301Д, КТ301Г—КТ301Ж......................
2Т301Е, 2Т301Ж................................
Постоянное напряжение эмиттер — база.............
Постоянный ток коллектора........................
Постоянный ток эмиттера..........................
Импульсный ток коллектора при /и^1 мкс, <?^2
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора *:
при 4-60 °C.............................. . . ,
при Г=4-125°С для 2Т301Г —2Т301Ж . . . .
прн Т=4-85°C для КТ301Г—КТ301Ж . . . .
Тепловое сопротивление переход — среда...........
Температура р-п перехода:
2Т301Г —2Т301Ж....................................
КТ301Г —КТ301Ж................................
Температура окружающей среды:
2Т301Г —2Т301Ж .........................
КТ301Г-КТ301Ж.................................
При повышении температуры мощность снижается линейно.
Расстояние от корпуса транзистора до места пайки не
ратура пайки +260 °C, время пайки не более 5 с.
30 В
20 В
30 В
20 В
3 В
10 мА
10 мА
20 мА
150 мВт
42 мВт
58 мВт
0,6 °С/мВт
4-150 °C
4-120 °C
—60...4-125 °C
—40—4-85 °C
менее 5 мм, темпе*
Выходные характери-
стики
Зависимости статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока эмит-
тера
Зависимости статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от напряже-
ния коллектор — Саза
2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В, КТ312А, КТ312Б, КТ312В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п уни-
версальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах,
усилителях и генераторах. Выпускаются в металлостекляином корпусе с гиб-
кими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
79
2T31Z(A в), KT3f2(A в)
t'otinenmop
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Ul!E 2 В, /е=20 мА Q=10.I00, /=50.1000 Гц:
Г=4-25°С:
2Т312А .... .......................Г2.. 100
КТ312А . ..............................10 .100
2Т312Б, КТ312Б...............................25 100
2Т312В........................................• 50.250
КТ312В......................................... 50...280
Г=-б0°С:
2Т312А ... . ...................8...100
2Т312Б . . 15.100
2Т312В......................................... 25 .250
7=4-125 °C;
2T3I2A .... ...................12.200
2Т312Б .................................... 25. 200
2Т312В ... .................. 50.500
Граничили частота коэффициента передачи тока в схе-
ме ОЭ при t/кв—Ю В /э=5 мА, не менее;
2Т312А КТ312А....................................80 МГц
2Т312Б, 2Т312В, КТ312Б, КТ312В ..................120 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи при ОИБ=10 В,
/э*=5 мА, f—2 МГц, не более . . ............. 500 нс
Время рассасывания при /к = 10 мА, /bi=/b2=2 мА. не
более
2Т312А КТ312А . ................100 нс
2Т312Б, 2Т312В, КТ312Б, КТ312В................130 нс
Граничное напряжение при /в = 7,5 мА. не менее:
2Т312А. 2Т312Б, 2Т312В...........................30 В
КТ312А КТ312В ...................................20 В
КТ312Б ... . . . . . 35 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к=
= 20 мА, /в=2 мА, не более:
2Т312.А, 2Т312Б ........................ 05 В
2Т312В . . ..............................0,35 В
КТ312А, КТ312Б, КТ312В..................... 0,8 В
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к=20 мА
/в = 2 мА. не более.............................. 1.1 В
Напряжение между базой и эмиттером в прямом нанрав
ленпи при =0,2 мА для 2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В не
менее .................................: t 0,55 В
Обратный ток коллектора, не более:
Т= 4-25"С, Бкь=30 В 2Т312А 2Г312Б. 213I2B 1 мкА
80
Продолжение
Uk!;=20 В, КТ312А, 2Т312В....................10 мкА
Uke — 35 В КТ312Б ............................. 10 мкА
т=- 60 °C, и11Б ЗОВ 2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В . 1 мкА
Г= + 125ОС, </КБ=30 В 2Т312Л, 2Т312Б, 2T3I2B . 10 мкА
Обратный ток эмиттера прн £7аБ = 4 В, нс более . 10 мкА
Емкость коллекторного перехода при (7ки=10 В, не более 5 пФ
Емкость эмиттерного перехода при t/aa=l В, не более 20 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В.........................30 В
КТ312А, КТ312В..................................20 В
КТ312Б...........................................35 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер прн
< 100 Ом:
2T3I2A, 2Т312Б, 2Т312В ...... . 30 В
КТ312А, КТ312В.......................................20 В
КТ312Б................................................35 В
Постоянное напряжение эмиттер — база.....................4 В
Постоянный ток коллектора . . . 30 мА
Импульсный ток коллектора при /и<1 мкс, 10 . . 60 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора *:
прн +25 °C для КТ312А, КТ312Б, КТ312В и 7<
<+60 °C для 2Т312Л, 2Т312Б, 2Т312В . 225 мВт
прн Г-+85 °C для КТ312Л, КТ312Б. КТ312В . 75 мВт
при Тч» + 125°С для 2T3I2A, 2Т312Б, 2Т312В 62,5 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора прн /„<
< I .мкс, Q10:
при Г<60°С . ... 450 мВт
при Т=125°С для 2Т312Л, 2Т312Б, 2Т312В . . . 287.5 мВт
Температура р п перехода:
КТ312А, КТ312Б, КТ312В . . .............+115 °C
2Т312Л, 2Т312Б 2Т312В . . +150 °C
Тепловое сопротивление переход — среда...............0,4 =С/мВт
Температура окружающей среды
КТ312А, КТ312Б, КТ312В...........................-40 +85 °C
2Т312Л. 2T312D. 2Т312В...........................-60...+ 125 °C
1 При давлении 6, 7 ГПа (5 мм рт. ст.) мощность коллектора транзисторов
2Т312А 2T3I2B 2Т312В равна 75 мВт.
Расстояние от корпуса транзистора до места пайки не менее 5 мм, темпе-
ратура пайки не выше +260 °C, время пайкн не более 5 с.
Зависимости статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока кол
лектора
so -зо о зо so 9от°с
Зависимости статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от темпера-
ттры
6 Заказ 1080
81
Зона возможных поло-
жений зависимое гл об-
ратного тока коллекто-
ра от температуры
Зависимое гн емкости
коллекторного перехода
от напряжения
Зависимое:ь напряжения
коллектор — эмиттер от
сопротивления база —
эмиттер
2Т314А-2, КТ314А-2
2T3UA ~2, КТ31ЧА-2
Транзисторы кремниевые эпитакспа ь-
но планарные структуры п р-п универсаль-
ные. Предназначены для применения в уси-
лителях н переключающих устройствах гер-
метизированной аппаратуры. Бескорпусиые
с гибкими выводами и защитным покрыти-
ем на диэлектрической подложке. Выпу-
скаются в таре спутнике. Тип прибора ука-
зывается иа основании тары-сиутпкка.
У базового вывода ставится точка.
Масса транзистора не более 0,1 г.
Электрические параметры
Стати lacKiiii коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
UK0-5 В, /э=0 25 мА:
7= 4-25 °C ......................................
7=4-125 °C . . ..........................
7=—60 °C.........................................
Граничная частота коэффициента передачи тока при
1Укэ= 10 В, /к=10 мА, не менее.......................
Постоянная времени цепи обратной связи при 6/кв=5 В,
/,<=10 мА, / — 30 МГц, не более .............
Время включения при /к=10 мА, /д=1 мА ... .
Время рассасывания при /«=30 мА, /ь-3 мА, не более
Время выключения при 1к~ 10 мА, /в=1 мА
Граничное напряжение при /е=5 мА, не менее
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /«=
= 30 мА, /с=6 мА, ие более ... . . . .
Обратный ток коллектора при 6/кв=55 В, не более:
7= 4-25 °C ......................................
7= + 125°С . .... ...
Емкость коллекторного перехода при UKE=5 В, не более
Емкость эмиттерпого перехода прн USb—0 -
30... 120
30...300
15 120
300 МГц
80 нс
35*...40* .45* ис
300 нс
80*. 100*. .120* нс
45 В
0,3 В
0,075 мкА
1,5 мкА
10 пФ
8’ .15* 20* пФ
82
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряженно коллектор — эмиттер .
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при /?«э =
= 10 кОм............................................
Постоянное напряжение эмиттер — база................
Импульсное напряжение коллектор — база п коллектор —
эмиттер при /?«э= 1 кОм, Л,^100 мкс, Q>2
Постоянный ток коллектора...........................
Импульсный ток коллектора прн <„^100 мкс, Q^2
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
при Т +25 °C....................................
при Т— +125 °C..................................
Тепловое сопротивление переход—подложка . . . .
Температура р п перехода ...........................
Температура окружающей среды........................
55 В
50 В
4 В
65 В
60 мЛ
70 мА
0,5 Вт
0,1 Вт
200 °С/Вт
+ 150 °C
—6О...+ 125°С
1 В диапазоне температур +25..+125 °C допустимое «пачсиис рассеиваемой мощности
снижается линейно.
Минимальное расстояние от места пайки выводов до поверхности транзи-
стора 3 мм Изгиб выводов допускается не ближе 0 5 мм от места выхода вы-
вода из защитного покрытия.
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи tukji от тока кол-
лекторе
Зависимость напряже-
ния насыщения база —
эмиттер от тока кол-
лектора
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока кол-
лектора
Зависимость времени
рассасывания от темпе-
ратуры
Зависимость |рвкичной
частоты от температуры
Зависимость времени
рассасывания от тока
коллектора
6*
83
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е,
КТ315Ж, КТ315И, КТ315Р
К7315(АР)
Транзисторы кремниевые эпитаксиаль-
но-планарные структуры п-р-п усилитель-
ные. Предназначены для применения в
усилителях высокой, промежуточной и
низкой частоты. Выпускаются в пластмас-
совом корпусе с гибкими выводами. Тип
прибора указывается в этикетке, а также
на корпусе прибора в виде буквы соот-
ветствующе! о типономииала.
Масса транзистора не бо. ее 0,18 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Сил-Ю В, /к = 1 мА:
КТ315А, КТ315В ...............................30. 120
КТ315Б, КТ315Г, КТ315Е....................... 50...350
КТ315Д..........................................20.90
КТ315Ж.......................................... 30. .250
КТ315И, не менее .... .............30
КТ315Р . .... 150—350
Граничная частота коэффициента передачи тока при
(Укэ=Ю В 1ц— 1 мА, не менее . 250 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи прн С/кв=10 В,
/э —5 мА, не более:
KT3I5A . . ............ 300 пс
КТ315Б. КТ315В, КТ315Г, КТ315Р............... 500 пс
КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж . ............. Ю00 пс
КТ315И ................ 950 пс
Граничное напряжение при /а=5 мА, не менее:
КТ315А, КТ315Б, КТ315Ж........................15 В
КТ315В, КТ315Д, КТ315И........................30 В
КТ315Г КТ315Е, КТ315Р ... . . 25 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при Ik-
20 мА, /Е—2 мА, не более:
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Р . . . 0,4 В
КТ315Д, КТ315Е.................................... 0.6 В
КТ315Ж..........................................0,5 В
КТ315И . .... 0,9 В
Напряжение насыщения база — эмиттер при 1к = 20 мА,
/в 2 мА, не более:
КТ315А КТ315Б, КТ315В, КТ315Г КТ315Р . . 1 В
КТ315Д. КТ315Е..................................1,1 В
КТ315Ж..........................................0,9 В
КТ315И . . . . .... 1,3 В
Обратный ток коллектора при Инг.-10 В, не более . 1 мкА
Обратный ток коллектор — эмиттер при /?вл=Ю кОм,
— макс, не более
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е,
КТ315Р ................... .................. 1 мкА
КТ315Ж ... .............10 мкА
КТ315И .... ......................ЮО мкА
84
Продолжение
Обратный ток эмиттера при U3u 5 В для КТ315А,
КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж,
КТ315И КТ315Р, не более . . . .50 мкА
Входное сопротивление при £/ке=10 В, /и 1 мА, не ме-
нее .... .... ... 40 Ом
Выходная проводимость при i7xs=10 В, /к=1 мА, не бо-
лее ... 0,3 мкСм
Емкость коллекторного перехода прн 10 В. не более:
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е,
КТ-31.5Р............................................7 нФ
КТ315Ж, КТ315И .....................................10 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Re»—
= 10 кОм.
КТ315А . . ...............25 В
КТ315Б, КТ315Ж...................................20 В
КТ315В. КТ315Д . . 40 В
КТ315Г, КТ315Е, КТ315Р . ... 35 В
КТ315И..............................................60 В
Постоянное напряжение база — эмиттер...................6 В
Постоянный ток коллектора:
КТ315Л, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е,
КТ315Р..............................................100 мА
КТ315Ж, КТ315И .... . 50 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора прч
si -1-25 °C:
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е,
КТ315Р . .... , ... 150 мВт
КТ315Ж, КТ315И .... 100 мВ
Тепловое сопротивление переход — среда...............0,67’С/мВт
Температура р-п перехода.............................4-120 °C
Температура окружающей среды..............................— 60.. -|-100оС
Допускается эксплуатация
Uив =12.5 В. /к =20 мА.
транзисторов в режиме Рк=250 мВт при
Зависимости статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока
эмиттера
Зависимость напряже-
ния насыщении коллек-
тор— эмиттер от токе
коллектора
Зависимость напряже-
ния насыщения баш —
эмиттер от тока базы
85
2Т317А-1, 2Т317Б-1, 2Т317В-1, КТ317А-1, КТ317Б-1,
КТ317В-1
2Л317(А 1-81), KT317(A IB)
1,3
Коллектор
Транзисторы кремниевые эпитаксиаль-
но-планарные структуры п-р-п универсаль-
ные. Предназначены для применения в уси-
лителях высокой и низкой частоты, пере-
ключающих и импульсных устройствах гер-
метизированной аппаратуры. Бескорпусные
с гибкими выводами и защитным покры-
тием. Помещаются в возвратную тару, по-
зволяющую производить измерение элект-
рических параметров без извлечения из нее
транзисторов. Тип прибора н маркировоч-
ная точка коллектора приводятся на крыш-
ке возвратной тары
Масса транзистора пе более 0,01 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
£7нэ —1 В, 1о—\ мЛ:
Т=+25°С:
2Т317А-1, КТ317Л-1............................25.75
2Т317Б-1, КТ317Б-1......................... 35.120
2Т317В-1, КТ317В-1............................ 80 ..250
Т=+85°С:
2Т217А 1, КТ317А 1............................ 25,225
2Т317Б 1, КТ317Б 1 ........................... 35 .360
2Т317В 1, КТ317В 1............................ 80 750
7= -60 °C:
2Т317А-1, КТ317А-1.............................9.75
2Т317Б 1, КТ317Б 1...............................15.120
2Т317В-1, КТ317В-1 ...................... 25 250
Граничная частота коэффициента передачи тока прн
/7кэ=1 В, 1к = 3 мА, не менее.......................100 МГц
Время рассасывания при 17кэ=3 В, //,- = 3 мА, /б; = /с2=
1 мА, не более....................................130 нс
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /« =
= 10 мА, /в=1,7 мА для 2Т317Л-1, КТ317Л-1; /Б=1 мА
для 2Т317Б-1, КТ317Б 1; /д=0,7 мА для 2Т317В-1,
КТ317В1, не более...................................0,3 В
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к=Ю мА,
/Б = 1 мА для 2T3I7A 1; КТ317.А Г. /Б=В,6 мА для
2Т317Б 1, КТ317Б 1; /Е=0,4 мА для 2Т317В 1, КТ317В 1,
нс более............................................0,85 В
Постоянное напряжение эмиттер — база прн 7/ке=2,5 В,
/э=0,05 мА, не менее .... . . . . 0,5 В
Обратный ток коллектора прн Uke—5 В, не более:
Т=+25°С.........................................1 мкА
Т=+85°С .......................... .10 мкА
Обратный ток коллектор — эмиттер при 1/«э“5 В, /?б.=
=3 кОм, не более . . ......................3 мкА
Обратный ток эмиттера прн (78в=3,5 В, не более . 10 мкА
Постоянный ток базы при 6/ев=0,8 В . . 130 460 мкА
Емкость коллекторного перехода при Uhb I В не более 11 пФ
Емкость эмпттерного перехода при 17ев=1 В, не более 22 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянные напряжения коллектор — база, коллектор —
эмиттер прн /?вз=3 кОм . . ................
Постоянное напряжение эмиттер — база.................
Постоянный ток коллектора .............
Импульсный ток коллектора при /и^10 мкс, 0^10.
/^=С100 пс ..........................................
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора прн
sglO мкс, <?>10, /0=100 пс, 7=+25 °C.................
Тепловое сопротивление переход — среда...............
Температура р-п перехода.............................
Температура окружающей среды.........................
5 В
3,5 В
1,5 мА
45 мА
15 мВт
100 мВт
4 °С/мВт
+ 100 °C
-60.. +85 °C
2T333A-3, 2ТЗЗЗБ-3, 2T333B-3, 2ТЗЗЗГ-3,
2ТЗЗЗД-3, 2T333E-3, 2T333B1-3, КТЗЗЗА-З,
КТЗЗЗБ-З, КТЗЗЗВ-З, КТЗЗЗГ-З, КТЗЗЗД-З,
КТЗЗЗЕ-З
Транзисторы кремниевые пла-
нарные структуры п-р-п универ-
сальные Предназначены для при-
менения в усилителях, импульс-
ных и переключающих устройст-
вах герметизированной аппарату-
ры. Бескорпусные с твердыми вы-
водами н защитным покрытием.
Тип прибора указывается в эти-
кетке групповой тары.
Масса транзистора пе более
0,01 г.
2ТЗЗЗ(А З-ЕЗ), 2T333B13,
КТЗЗЗ(А 3-Е 3)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
режиме большого сигнала при Скэ=1 В, ls—10 мА:
2T333A-3, 2T333T-3, КТЗЗЗЛ-З, КТЗЗЗГ-З:
7"=+25 °C............................
Т= — 60 °C . .
Т=+85°С .....
2ТЗЗЗБ-3, 2ТЗЗЗД-3, КТЗЗЗБ-З, КТЗ’ЗЗД-З:
Т=+25°С .... . .
Т=-60°С ....
7’=+85°С . .
в
2T333B-3, 2T333B1-3 2T333E-3
7"=+25 °C................
7"=—60 °C................
7 = + 125°С..............
Граничная частота коэффициента
Uкд 2 В. 7»=5 мА, не менее:
КТЗЗЗВ-З, КТЗЗЗЕ-З:
передачи тока при
2T333A-3, 2T333B-3, 2T333B-3, 2T333B1-3 . .
2ТЗЗЗГ-3, 2ТЗЗЗД-3, 2T333E-3......................
30. .90
15.. 90
30... 180
50...150
26... 150
50...300
70...280
33...280
70...260
450 МГц
350 МГц
87
Продолжение
Время рассасывания при /в=1 мА, /к=10 мА не более:
2T333A-3, 2T333B-3, 2ТЗЗЗВ 3, КТЗЗЗА-З, КТЗЗЗБ-З,
КТЗЗЗВ-З . . .... . 15 нс
2ТЗЗЗГ-3, 2ТЗЗЗДЗ, 2T333E-3, КТЗЗЗГ-З, КТЗЗЗД-З,
КТЗЗЗЕ 3 .... .................25 нс
2ТЗЗЗВ1 3 .... .................10 нс
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер при /в=
= 1 мА, /к = 10 мА, не более:
2T333A-3 2Т833Б-3, 2T333B-3, 2T333B1-3, КТЗЗЗА-З,
КТЗЗЗБ-З, КТЗЗЗВ-З:
Т= 4-25 °C...................................... 0,27 В
Т= 4-85 °C.............. . .... 0,3 В
2ТЗЗЗГ-3, 2ТЗЗЗД-3, 2T333E-3, КТЗЗЗГ-З, КТЗЗЗД-З,
КТЗЗЗЕ-З:
Т= 4-25 °C........................................0,33 В
7=4-85 °C.........................................0,37 В
Напряжение насыщения база — эмиттер при /в = 1 мА,
/к=10 мА, не более:
2T333A-3, 2ТЗЗЗБ-3, 2T333B-3, 2T333B1-3, КТЗЗЗА-З,
КТЗЗЗБ-З, КТЗЗЗВ-З:
Т= 4-25 °C......................................0,9 В
Т= 60 °C . . . ....................1,05 В
2T333T-3, 2ТЗЗЗД-3, 2T333E-3, КТЗЗЗГ-З, КТЗЗЗД 3,
КТЗЗЗЕ 3:
7» -25°С..........................................1 В
7--60°С . ................ . . 1,15 В
Напряжение отпирания при /а=0,05 мА, не менее:
2T333A-3, 2ТЗЗЗБ-3, 2T333B-3, 2T333B1-3, КТЗЗЗА 3,
КТЗЗЗБ-З, КТЗЗЗВ-З:
7= 4-25 °C . . ........................0,57* В
7=4-85 °C . . . . 0,43* В
2ТЗЗЗГ-3, 2ТЗЗЗД-3, 2T333E-3, КТЗЗЗГ-З, КТЗЗЗД-З,
КТЗЗЗЕ-З:
Т=4-25°С................................... .... 0,55’ В
Т=4-85°С . . ...........................0,41* В
Обратный ток коллектора при £/Кб=10 В, не более:
7= 4-25 °C . ................... . . . 0,4 мкА
7- -85 °C . ...........................5 мкА
Обратный ток эмиттера при £/ев=4 В, не более:
7_ 4-25 °C................................. .... 1* мкА
7= 4-85 °C ... . ... .5* мкА
Емкость коллекторного перехода прн Сяб=5 В, не более:
2T333A-3, 2ТЗЗЗБ-3, 2T333B-3, 2T333B1-3, КТЗЗЗА-З,
КТЗЗЗБ-З, КТЗЗЗВ-З.................................. 3,5 пФ
2ТЗЗЗГ-3, 2ТЗЗЗД-3, 2T333E-3,
КТЗЗЗГ-З, КТЗЗЗД-З, КТЗЗЗЕ-З.........................4,5 пФ
Емкость эмнттерного перехода при £/ав=0, не более:
2T333A-3, 2ТЗЗЗБ 3, 27333В-3, 2T333B1-3, КТЗЗЗА-З,
КТЗЗЗБ 3, КТЗЗЗВ-З .... 4* пФ
2ТЗЗЗГ-3, 2ТЗЗЗД-3, КТЗЗЗЕ-З, КТЗЗЗГ-З, КТЗЗЗД-З,
КТЗЗЗЕ 3 . . ... ... 5* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база 10 В
Постоянное напряжение эмиттер — база....................3,5 В
Постоянный ток коллектора в режиме насыщения . . 20 мА
Импульсный ток коллектора в режиме насыщения при
/„s£10 мкс, 10, /tfSglOO нс . . . . . 45 мА
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при /?«»=
= 3 кОм...................................................Ю В
88
Продолжение
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при Т= -60...4-55 °C ......... 15 мВт
при 7 = 4-85 °C1-2...................................5 мВт
Общее тепловое сопротивление............................... 3 °С/мВт
Температура перехода . . ....................... 4-100 °C
Температура окружающей среды ....... —60 = 4-85 °C
1 В диапазоне температур 7 —+55-.+85 °C мощность снижается линейно.
2 Допускается большее значение мощности рассеивлния при условии, что температура
перехода не превышает +100 "С.
В процессе монтажа допускается нагрев транзистора до температуры не
более +300 °C в течение 30 мни и до температуры + 150сС в течение 1,5 ч.
Зависимости статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока
эмиттера
Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор — эмиттер от тем-
пературы
Зона возможных поло-
жений зависимое! и ста-
тического коэффициента
передачи тока от тем-
пературы
Зона возможных поло-
жений зависимости на-
пряжения насыщения
база — эмиттер от тем-
пературы
Выходные харак серн-
стики
Зависимости тока ба-
зы от напряжения ба-
за — эмиттер
89
2Т336А, 2Т336Б, 2Т336В, 2Т336Г, 2Т336Д, 2Т336Е,
КТЗЗбА, КТ336Б, КТ336В, КТ336Г, КТЗЗбД, КТ336Е
2Т336(А-Е), КТЗЗб(А-Е)
Транзисторы кремниевые эпи-
таксиально планарные структуры
п-р-п переключательные Пред-
назначены для применения в пе-
реключающих и импульсных уст-
ройствах герметизированной аппа-
ратуры. Бескорпусные с твердыми
выводами без кристаллодержате-
ля. Тип npi бора указывается на
групповой таре. Транзисторы по-
мешаются в специальную герме-
тичную тару с влагопоглотителем,
обеш счивающим относительную
влажность внутри тары не бо-
лее 65%, а затем укладываются
в групповую тару.
Масса транзистора не более
0,0005 г.
Электрические параметры
Стати юский коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Uica— I В, /к = 10 мА:
Т= +25 °C:
2Т336А, 2Т336Г, КТ336А, КТ336Г.................
2Т336Б, 2Т336Д, КТ336Б, КТЗЗбД.................
2Т336В, 2Т336Е, КТ336В, КТ336Е не менее . .
Т=+85°С:
2Т336А, 2Т336Г, КТЗЗ( А, КТ336Г . .
2Т336Б, 2Т336Д, КТ336Б, КТЗЗбД . . .
2Т336В, 2Т336Е, КТ336В, КТ336Е, нс менее . .
Т= 55 °C-
КТЗЗбА, КТ336Г............................. ...
КТ336Б, КТ336-Д ................ . .
KT336F, КТ336В. не менее.......................
Т - —60 °C
2Т336А, 2Т336Г.................................
2Т336Б, 2Т336Д.................................
2Т336В, 2Т336Е, не менее ...
Граничная частота коэффициента передачи тока прн 1)пэ—
—2 В, /э=5 мА, не менее:
2Т336А, 2Т336Б, 2Т336В, КТЗЗбА, КТ336Б КТ336В
2Т336Г, 2Т336Д, 2Т336Е, КТ336Г КТЗЗбД, КТ336Е
Время рассасывания прн /к=Ю мА, /б| = /б2=1 мА, не
более-
2Т336А, 2Т336Б, КТЗЗбА, КТЗЗбБ..................
2Т336В, КТЗЗбВ . .... . . .
2Т336Г, 2Т336Д, 2Т336Е, КТ336Г, КТЗЗбД, КТ336Е
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при 1к =
= 10 мА, 1б 1 мА, не более ... . . .
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к “10 мА
/в=1 мА, не более .... . .
Напряжение отпирания при £/кэ = 1 В, /э=0,05 мА, ие
более .... ............... . . . .
Обратный ток коллектора при Ukb 10 В, не более:
Т=+25°С и Т Тмин................................
Т=-|-85оС ... . . . .
Обратный ток эмиттера при б/вэ=4 В, не более .
20...60
40... 120
80
20...120
40..240
80
8...60
16 120
32
8...60
16..120
32
250 МГц
450 МГц
30 нс
50 нс
15 нс
0,3 В
0,9 В
0,55 В
0,5 мкА
10 мкА
1 мкА
Продолжение
Емкость коллекторного перехода при Unis — 5 В, не более
Емкость элшттерного перехода при Ubs=0, не более
Предельные эксплуатационные данные
Постоянные напряжения коллектор — эмиттер прн ₽6.,SJ
кОм и коллектор — база...............................
Постоянное напряжение база — эмиттер.................
Постоянный ток коллектора..................
Импульсный ток коллектора при /„^10 мс, Q2?10,
100 мкс ... ... ...
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при Г=-60... 55 °C для 2Т336А — 2Т336Е и Г=
= —55...+85 °C для КТЗЗбА — КТ336Е . . .
при Т=+85°С для 2Т336Л — 2Т336Е . .
Тепловое сопротивление переход—среда . . . . ,
Температура для перехода ............................
Температура окружающей среды:
2Т336А — 2Т336Е . .......................
КТЗЗбА — КТ336Е..................................
5 пФ
4 пФ
10 В
4 В
20 мА
50 мА
50 мВт
20 мВт
1°С/мВт
+ 105 С
—60...+85 °C
-55...+85 °C
Монтаж транзисторов следует производить в инертной среде в течение не
более 1 с при давлении на транзистор не более 50 г; прн этом температура
кристалла ие должна превышать + 250 СС.
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока кол-
лектора
-60-20 20 60 100 Г, 'С
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от темпера-
туры
Зависимости напряже-
ний насыщения коллек-
тор эмиттер и база —
эмиттер от температуры
Зависимость напряже-
ния коллектор — эмиттер
от сопротивления ба-
за — эмиттер
Зависимость отпирающе-
го напряжения база —
эмиттер ог температуры
91
КТ339А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально планарные структуры п р п усили
тельные Предназначены дли применения в усилителях высокой частоты. Вы-
пускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора
указывается на корпусе.
Ма са транвнетора не более 0.4 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
£/кв=Ю В, la 7 мА, не менее 25
Коэффициент усиления по мощности при Ока —1,6 В, /к =
7,2 мА, /=35 МГц, не менее . .... 24 дБ
Граничная частота коэффициента передачи тока при
UKB 10 В, /э = 5 мА, нс менее . . . 300 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи при £/ке= 10 В,
1э = 7 мА, не более............... ...................25 пс
Емкость коллекторного перехода при иКЕ=о В, не более 2 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база...............40 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер . . . . 25 В
Постоянное напряжение эмиттер — база.................4 В
Постоянный ток коллектора............................25 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т —
= -60 .4-50°С ..............................260 мВт
Температура р-п перехода ............................+ 175 °C
Температура окружающей среды.........................—60.+160°C
При включении транзистора в цепь, находя-
щуюся под напряжением, базовый контакт дол-
жен присоединяться первым и отсоединяться по-
следним.
Расстояние от места изгиба до корпуса тран-
зистора не менее 3 мм, радиус закругления не
менее 1.5...2 мм.
Пайка выводов допускается не ближе 5 мм
от корпуса транзистора,
-ч—
Зависимость максимально допустимой постоянной рас-
сеиваемой мощности коллектора от температуры
92
КТ342Л, КТ342Б, КТ342В, КТ342Г, КТ342АМ, КТ342БМ,
КТ342ВМ
Транзисторы кремниевые эпитаксиально птанарные структуры п-р-п уни-
версальные. Предназначены для применения в импульсных устройствах Выпу-
скаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (КТ342А, КТ342Б,
КТ342В. КТ342Г) и пластмассовом корпусе с гибкими выводами (КТ342АМ,
КТ342БМ, KT342BU). Тип приборов КТ342А—КТ342Г указывается на корпусе.
Для транзисторов в пластмассовом корпусе используется условная маркиров-
ка: КТ342АМ—прямоугольный треугольник и буква «А»; КТ342БЧ—треуголь-
ник н буква «Б»; КТ342ВМ — треугольник и б\ква «В» Допускается также
маркировка цветным кодом: КТ342ЛМ — синяя метка на плоской части боковой
поверхности корпуса и темно-красная на торце; КТ342БМ — синяя и желтая
метки; КТ342В.М—синяя и темно-зеленая метки.
Масса транзистора не более 0,5 г в металлостекляпном корпусе и не бо-
лее 0,3 г в пластмассовом корпусе
КТЗЧ2(АН-ВН)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
UKi = 5 В, /а-1 мА для КТ342А, КТ342Б, КТ342В, КТ342Г
и /э = 2 мА для КТ342АМ, КС342БМ, КТ342ВМ
Т=+25°С:
КТ342А, КТ342АМ .... . . . 100.250
КТ342Б, КТ342БМ . . 200.500
КТ342В, КТ342ВМ . . . . 400.1000
КТ342Г , . . . . 50. 125
Г =-60 °C:
КТ342А, КТ342АМ..................................... 25 .250
93
П родолжение
КТ342Б. КТ342БМ . 50 500
КТ342В, КТ342ВМ................................ 100 1000
Т=+125=С, не менее;
КТ342Л, КТ342Л.Ч...............................100
КТ342Б КТ312БМ................................200
КТ342В, КТ342ВМ . . . .... 400
Граничная частота коэффициента передачи тока при
£/кв=10 В, /э —5 мА, не менее:
КТ342А. КТ342АМ.................................. 250 МГц
КТ342Б, КТ342В, КТ342Г, КТ342БМ, КТ342ВМ . . 300 МГц
Граничное напряжение1 при /э-~5 мА, не менее;
Г si+ 100 °C:
КТ342А. КТ342Г, КТ342АМ.............................25 В
КТ342Б, KT342DM...................................20 В
КТ342В, КТ342ВМ....................................Ю В
Т= + 125 °C:
КТ342А, КТ342Г. КТ342АМ...........................20 В
КТ342Б, КТ342БМ...................................15 В
КТ342В, КТ342ВМ....................................Ю В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер прн /„=
= 10 мА, /в=1 мА, не более.............................0,1 В
Напряжение насыщения база — эмиттер при /,,= 10 мА,
/в=1 мА. не более...................................0,9 В
Обратный ток коллектора при 6/яв=6/кв.Лчкс, не более:
Т= +25 °C ... ....................0.05 мкА
Г= -125 °C’
КТ342А, КТ342Б, КТ342В КТ342Г..................10 у к А
Обратный ток коллектор — эмиттер при Uks=Uks маке,
К ., = 10 кОм, не более
КТ342А, КТ342Б, КТ342В...........................30 мкА
КТ342Г.........................................100 мкА
Обратный ток эмиттера прн 6/эе=5 В, не более ... 30 мкА
Емкость коллекторного перехода при Укб 5 В. не более 8 нФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер1 прн /}«э—
= 10 кОм:
TsS+100 °C:
КТ342А. КТ342ЛМ...................................30 В
КТ342Б, КТ342БМ ... 25 В
КТ342В, КТ342ВМ ... . . ... 10 В
КТ342Г............................................60 В
Т= + 125°С:
КТ342А КТ342АМ.....................................25 В
КТ342Б, КТ342БМ...................................20 В
КТ342В, КТ342ВМ . 10 В
КТ342Г.......................................... 45 В
Постоянное напряжение эмиттер — база....................5 В
Постоянный ток коллектора............................ .50 мА
Импульсный ток коллектора при /иС40 мкс, Q5=500 . 300 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при 7Х+25 °C....................................... 250 мВт
прн Г= +125 °C 2...................................50 мВт
Температура р-п перехода...........................+150 °C
Температура окружающей среды ..............—60 ..+125 °C
1 В диапазоне температур +100 +125 °C значения граничного напряжения и макси-
мально допустимого напряжения коллектор — „минер снижаются линейно
* В диапазоне температур +25... +125‘С допустимое значение рассеиваемой мощно-
сти снижается линейно.
94
Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициента
передачи тока о г тем-
пературы
Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициента
передачи тока ст тем-
пературы
Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициента
передачи тока от тем-
пературы
Зона возможных поло-
жений зависимости гра-
п и ч ноГ. част ст ы от то-
ка эм нт тара
2Т348А-3, 2Т348Б-3, 2Т348В-3, КТ348Д, КТ348Б, КТ348В
Транзисторы кремниевые эпи-
такснально-плапариые структуры
п-р-п универсальные. Предназна-
чены для применения в усилите-
лях высокой частоты, импульсных
н переключающих устройствах
герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с твердыми выво-
дами и защитным покрытием. Тип
прибора указывается в этикетке
групповой тары.
Масса транзистора не более
0,01 г.
2Т3^8(АЗ В 3), КЗЗЧ8(А В)
Эниттер
Коллектор База
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ прн
Пкэ=1 В, /«=1 мА:
7'=т-25°С:
2Т348А-3, КТ348Л................................... 25 75
95
П родолжение
2Т348Б-3, КТ348Б . . ...................35.120
2Т348В-3. КТ348В............................... 80...250
7=-60 °C:
2 Г348А-3......................................9 ..75
2Т348Б-3.......................................15... 120
2Т348В-3 .... ..... 25...250
Т= +85 °C:
2Т348Л-3 .... .... .. От 25 до 3 значе-
ний при Т =-
= +25 °C
2Т348Б-3 .... .... .. От 35 до 3 значе-
ний при Т=
=+25 °C
2Т348В-3.......................................От 80 до 3 значе-
ний при Т=
= +25 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока в схе-
ме ОЭ прн £/кэ=1 В, /к=3 мА, не менее . . .100 МГц
Время рассасывания при £/к = 3 В, /« = 3 мА, /ьч = /С2=
= 1 м X, не более .... .... . 130 нс
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /л =
— 10 мА и /+=1,7 .мА для 2Т348А-3, /в=1 мА тля
2Т348Б-3, /ь=0,7 мА для 2Т348В-3, не более . . 0,3 В
Напряжение насыщения база — эмиттер прн /к=10 мА
и /Е=1 мА для 2Т348А-3, /ь=0,6 мА для 2Т348Б 3, /в =
0,4 мА д. । 2Т348В-3, не более .... 0,85 В
Напряжение эмиттер — база при 1/яе=2,5 В, /э=0,05 мА,
нс более . ...................................0,5 В
Обратный ток коллектора при Uke — 5 В, не более:
Т= +25 °C........................................1 мкА
Т=+85 °C.........................................10 мкА
Обратный ток коллектор — эмиттер прн UKa=5 В, R,6=
= 3 кОм, не более .... ................3 мкА
Обратный ток эмиттера при £/ве=3,5 В, не более . . 10 мкА
Емкость коллекторного перехода при £/кс=1 В, не более И пФ
Емкость эмпттерного перехода прн £/эв=1 В. не более 22 пФ
Преде ьные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение эмиттер — база................3,5 В
Постоянное напряжение коллектор — база ... . 5 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер при Re»^
^3 кОм..............................................5 В
Постоянный ток коллектора...........................15 мА
Импульсный ток коллектора при к^10 мкс, <2^10,
/jjjCIOO нс . . . .... .... 45 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при 7^+40 °C . .... .... 15 мВт
при 7=+85°C......................................3,75 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при 7^
=^+25 °C ... ....................... 100 мВт
Тепловое сопротивление переход — среда..............4°С/мВт
Температура р-п перехода ...........................+100 °C
Температура окружающей среды........................—60...+85 °C
Способ крепления транзистора в аппаратуре должен обеспечивать фикса-
цию положения кристалла и выводов. При монтаже должны быг<. приняты ме-
ры, исключающие возможность нагрева кристалла н его покрытия более
+ 100 °C.
96
Входные характеристики
Зависимости статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока эмит-
тера
Зависимость обритого
тока коллектора от
температуры
КТ358А, КТ358Б, КТ358В
Транзисторы кремниевые эпитакснальио-плаиарные структуры п-р п усили-
тельные. Предназначены для применения в усилителях и генераторах. Выпуска-
ются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается
на корпусе.
Масса транзистора ие более 0,2 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Uкв = 5,5 В, /а = 20 мА:
КТ368А...............................................10.100
КТ358Б..........................................25 .100
КТ358В ......................................... 50...280
Граничная частота коэффициента передачи тока в схе-
ме ОЭ при £/дв=10 В, /а = 5 мА, не менее:
КТЗайА..........................................80 МГц
КГ 68Б, КТ358В......................................120 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой час-
тоте, не более...................................... 500 пс
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при 1к =
= 20 мА /с=2 мА, не более...........................0,8 В
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к=20 мА,
1в — '2 мА, не более.......................... 1,1 В
Обрат! ый ток коллектора прн (7кк=15 В для КТ358А,
КТ358В и (/кь- = 30 В для КТ358Б, не более .... 10 мкА
Обратный ток эмиттера прн Г/эв = 4 В, не более ... 10 мкА
7 Заказ № 1080
97
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
КТ358Л, КТ358В . . ....
КТ358Е.................................. . - .
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер прн
sS 100 Ом:
КТ358А, КТ358В...................................
КТ358Б...........................................
Постоянное напряжение эмиттер — база.................
Постоянный ток коллектора............................
Импульсный ток коллектора................... . .
Постоянная рассеиваемая мощность кол ектора .
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора прн 0,
sj 1 мкс....................................... . .
Тепловое сопротивление переход — среда...............
Температура р-п перехода ............................
Температура окружающей среды.........................
15 В
30 В
15 В
30 В
4 В
30 мА
60 мА
100 мВт
200 мВт
0,7’С/Вт
+ 120 °C
-40. .+85 °C
Папка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм от корпуса, время
пайки не более 10 с, температура пайки ие должна превышать +250 °C.
Входные характеристики
Зависимости статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока эмит-
тера
Зависимости максималь-
но допустимого напря-
жения коллектор — эмит-
тер от сопротивления
база — эмиттер
КТ359А, КТ359Б, КТ359В
КТ359(А-В)
Эпиттер коллектор
Транзисторы кремниевые планар-
ные структуры п-р-п усилительные с
нормированным коэффициентом шу-
ма на частоте 20 МГц. Предназна-
чены для применения в усилителях.
Бескорпусные с твердыми выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более
0,005 г.
98
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
UI!E=l В, /Э=Ю мА:
КТ359Л.............................................. 30...90
КТ359Б.............................. ... . 50 150
КТ359В .... . 70. 280
Граничная частота коэффициента переда н! тока «ри 17кэ=
= 2 В, /д—5 мА, не менее........................... ... 300 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи при Uke=2 В,
/э=2 мА, f=5...3O МГц, не более.......................100 пс
Коэффициент шума L/кэ — 2 В, /<»=1 мА, f—20 МГц, не
более ................................................6 дБ
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при
= 10 мА, /д=1 мА не более . . ..............0,7 В
Обратный ток коллектора при {7ИС=15 В, не более . . 0,5 мкА
Обратный ток эмиттера при (7эв=3,5 В, не более . . 1 мкА
Емкость коллекторного перехода при Пне=5 В, не более 5 пФ
Емкость эмнттерного перехода при Г7эб=0,1 В, не более 6 нФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база...............
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при /?»в=
=3 кОм............................................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора.........................
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
Температура р-п перехода .........................
Температура окружающей среды......................
15 В
15 В
3,5 В
20 мА
15 мВт
+ Ю0 °C
- 5О...+85°С
КТ369А, КТ369Б, КТ369В, КТ369Г, КТ369А-1,
КТ369Б-1, КТ369В-1, КТ369Г-1
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п пере»
ключатсльныс. Предназначены для применения в усилителях и переключающих
устройствах. Бескорпусныс с гибкими выводами и защитным покрытием. Тип
прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,02 г.
7’
99
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ’
при Ь'кэ = 2 В, Л> = 150 мА.
КТ369Л, КТ369Л-1.................................20... 100
КТ369Б, КТ369Б-1 ........................ 40.200
прн t/кэ—З В, /э=Ю мА:
КТ369В, КТ369В-1.................................20...100
КТ369Г, КТ369Г-1 .............................. 40 .200
Граничная частота коэффициента передачи тока при Пяв=
= 10 В, /э = 30 мА, ие менее .... . 200 МГц
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при 1ц-
= 200 мА, 1Б 10 чА, не более:
КТ369Л, КТ369Л-1, КТ369Б, КТ369Б-1 .... 0,8 В
КТ369В, КТ369В-1, КТ369Г, КТ369Г-1 .... 0,5 В
Напряженно насыщения база — эмиттер при /« = 250 мА,
/в=50 мА, не более....................................1,6 В
Обратный ток коллектора, нс более:
при UKr. 45 В для КТ369Л, КТ369Л-1, КТ 369Б,
КТ369Б-1 . 7 мкА
при Б'ив=65 В для КТ369В, КТ369В 1, КТ369Г,
КТ369Г-1................ .........................10 мкА
Обратный ток эмиттера прн Usr>=^ В, не более . 10 мкА
Емкость коллекторного перехода при //««=10 В, не более:
КТ369А, КТ369А-1, КТ369Б, КТ369Б-1 . . . . 15 пФ
КТ369В, КТ369В-1, КТ369Г, КТ369Г1 . . . 10 пФ
Емкость эмиттерного перехода при /7э«=0, ие более:
КТ369Л, КТ369А-1, КТ369Б, КТ369Б-1 . . . 50 нФ
КТ369В, КТ369В 1, КТ369Г, КТ369Г 1 ... 40 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
КТ369А, КТ369А 1, КТ369Б, КТ369Б-1 .... 45 В
КТ369В, КТ369В-1, КТ369Г, КТ369Г 1 .... 65 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер прн Rse —
= 1 кОм:
КТ369А, КТ369А-1, КТ369Б, КТ369Б-1 . . . . 45 В
КТ369В, КТ369В 1, КТ369Г, КТ369Г-1 .... 65 В
Постоянное напряжение эмиттер--база.......................4 В
Постоянный ток коллектора.............................. 250 мА
Импульсный ток коллектора при /„s$10 мкс, Q^5 . . 400 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора ... 50 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора прн
10 мкс, Q5=5 . . ....................1,6 Вт
Температура р-п перехода..................................+ 150'С
Температура окружающей среды..............................— 60..+85 °C
КТ373А, КТ373Б, КТ373В, КТ373Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п универ-
сальные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и пере-
ключающих устройствах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими вы-
новами Тип прибора указывается па корпусе.
Масса транзистора не более 0,2 г.
100
КТ373(ЛГ)
Электрические параметры
Статический коэффициент переда ш тока в схеме ОЭ при
17кб=Ь В. Ij—1 мА:
у = [ 25 °C'
КТ373Л...................................
КТ373Б...................................
КТ373В...................................
КТ373Г...................................
Г--40 °C
КТ373А ..................................
КТ373Б ..................................
КТ373В . . . . ...
КТ373Г...................................
7 =+85 °C:
КТ373А...................................
КТ373Б...................................
КТ373В...................................
КТ373Г............................. ....
Граничная частота коэффициента передачи тока при
Ukb=5 В, /э=1 мА, пе менее........................
Постоянная времени цепи обратной связи Uke—5 В, при
/к — 1 мА, не более
КТ373А, КТ373Г................................
КТ373Б........................................
КТ373В .............. ........................
Граничное напряжение при /а=5 мА, не .менее:
КТ373А, КТ373Г . ...
КТ373Б.....................................
КТ373В . . . . ....
Напряжение насыщения ко.ттектор — эмиттер прн 1К —
= 10 мЛ, /Е=1 мА, не более .
Напряжение насыщения база — эмиттер прн /к=10 мА,
/в=1 мА, не более .....................
Обратный ток коллектора прн С’кг,- Vin. маке:
7=+25 °C ...................'.................
7=+85 °C ................................ . .
Обратный ток коллектор — эмиттер при Uko Una мака,
не более:
КТ373Л, КТ373Б, КТ373В........................
КТ373Г .......................................
Обратный ток эмиттера при UEb~ 5 В, не более
Емкость коллекторного перехода при t/xc=5 В, нс более
100.250
200.. 600
500 1000
50.125
25 „250
50...600
125. 1000
12...125
100 750
200 .1800
500...3000
50...375
300 МГц
200 пс
300 пс
700 пс
25 В
20 В
10 В
0,1 В
0,9 В
0,05 мкА
10 мкА
30 мкА
100 мкА
30 мкА
8 пФ
101
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при /?«»—
= 10 кОм:
КТ373Л .........................................
КТ373Б..........................................
КТ373В .........................................
КТ373Г..........................................
Постоянное напряжение база — эмиттер................
Постоянный ток коллектора ... ...
Импульсный ток коллектора при /и^50 мкс, Q2»5()()
Постоянный ток коллектора в режиме насыщения
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1 при Г=
= —40...55 °C.......................................
Температура р-п перехода ...........................
Температура окружающей среды.....................
30 В
25 В
10 В
60 В
5 В
50 м А
200 мА
100 мА
150 мВт
+ 150 °C
-50 .-1-85 еС
1 При Т— 155 ..+85 °C мощность определяется по формуле Рк мам, мВт-(|50-Т)/0 61.
Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора.
Зависимость обратного то-
ка коллектора от темпе-
р а туры
Зависимости статического Зависимости статического Зависимости статического
коэффициента передачи то- коэффициента передачи то- коэффициента передачи то-
ка от тока коллектора ка от напряжения коллек- ка от тока коллектора
тор — база
102
Зависимости статического
коэффициента передачи то-
ка от температуры
напряжения
база — эмиттер
коллектора
Зависимость
насыщения
от тока
Зависимость напряжения
насыщения база—эмиттер
от температуры
Зависимость напряжения
насыщения коллектор —
вмиттер от тока коллектора
Зависимость
насыщения
эмиттер от
напряжения
коллектор —
температуры
Зависимость
доп уст ил ого
напряжения
вдштср от
база —
максимально
постоянного
коллектор —
сопротивления
эми*тер
КТ375Л, КТ375Б
Транзисторы кремнпе
вые эпитаксиально-планарные
структуры п р-п универсаль-
ные. Предназначены для при-
менения в усилителях высо-
кой частоты и переключаю-
щих устройствах. Выпускаются
в пластмассовом корпусе с гиб-
кими выводами. Тип прибора
указывается в этикетке.
Масса транзистора не бо-
лее 0 25 г.
КТ375(А,Б)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Б'лэ = 2 В, /8 = 20 мЛ:
Т +25 °C
КТ375А................................................10 .100
КТ375Б............................................ 50 280
103
Продолжение
7=-45 °C:
КТ375А .... .................. 8.100
КТ375Б ...................................... 25 280
? =+85 °C:
КТ375А.........................................Ю..200
КТ375Б ...................................... 50...560
Граш'ная частота коэффициента передачи тока ори
7+э=10 В, h =5 мА, не менее . ... 250 МГц
Постоянная времени цени обратной связи при 1/яс”Ю В,
/э = 5 мА, нс более............. .... 300 пс
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при 1к —
= 10 мА, /с=1 мА, не более . . . . 0,4 В
Напряжение насыщения база — эмиттер при !к 10 мА,
/в=1 мА, нс более ......................... . . 1 В
Обратный ток коллектора прн С/кв= 1/кб.ликг, не более:
7=+25 °C ....................... .... 1 мкА
Т=+85 °C ...................._ .............10 мкА
Обратный ток эмиттера при В, нс более . . 1 мк\
Емкость коллекторного перехода при 6+в=10 В, не более 5 пФ
Емкость эмнттерного перехода при t'cs=l В. не более 20 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянные напряжения коллектор — база, коллектор —
эмиттер при R.j^lOO Ом:
КТ375 \ .... ....
КТ375Б............................................
Постоянный ток коллектора........................ . .
Импульсный ток коллектора при мкс и условии, что
средняя мощность за период ие превышает постоянную
рассеиваемую мощность коллектора......................
П стояниая рассеиваемая .мощность коллектора 1 при Г=
= -45 ..+25 °C........................................
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при
1 мкс н усл вии, что средняя мощность за период не
превышает постоянную рассеиваемую .мощность коллектора
Температура р п перехода ........................ . .
Температура окружающей среды ....
1 В диапазоне температур +25...+85'С мощность определяется
мВт- (125— Г)/0,5.
60 В
30 В
100 мА
200 мА
200 мВт
400 мВт
+ 125 °C
-45...+85°С
по формуле иак<_,
Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора.
Зависимости статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока
эмиттера
Зрвисимость напряже-
ния насыщения база —
эмиттер от тока кол-
лектора
104
#F?.HOC > B
Зависимость напряже-
ния насыщения база —
эмитгср от температуры
НС£ >
" J, ИШ1, »
Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор— эмиттер от тока
коллектора
^иэ,«*ас< &
Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эм jm ср от тем-
пера IJ'pbl
2Т377А-2, 2Т377Б-2, 2Т377В-2, 2Т377А1-2,
2Т377Б1-2, 2Т377В1-2
Транзисторы кремниевые эпи-
таксиально-плаиарпые структуры
п-р-п импульсные. Предназначены
для применения в импульсных
каскадах герметизированной ап-
паратуры Бсскорпусныс иа кри-
сталлодержателях с гибкими вы-
водами. Тип прибора указывает-
ся в этикетке.
Масса транзистора не более
0,02 г.
гтз77(А1 г-si г)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ прн
7/кс=2 В, 1э= 150 мА:
Т= +-25 СС:
2Т377А-2, 2Т377А1-2.....................................20 .80
2Т377Б-2. 2Т377Б1 2...................................50 ..120
2Т377В-2, 2Т377В1-2 ............................... 80.220
Т= -60 СС:
2Т377А-2, 2Т377А1-2..................................8...80
103
Продолжение
2Т377Б-2, 2Т377Б1-2...........................15... 120
2Т377В-2, 2Т377В1-2 ........................... 25 ..220
7= 4-125 СС:
2Т377А-2, 2Т377А1-2 ........................... 20...200
2Т377Б-2, 2Т377Б1-2 ........................... 50...260
2Т377В-2, 2Т377В1-2 ................. . . 80...400
Граничная частота коэффициента передачи тока при иКэ=
= 2 В, 1„=30мЛ..................‘.................... 200 ..300*...
...400* МГц
Постоянная времени цепи обратной связи при (7кб=5 В,
/э=5 мА, 2.. 10 МГц . . ... . 30* .100*..400 пс
Время рассасывания при /л=50 мА, /£| = /Е2=5 мА . . 40*...60*...70 нс
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер прн /Е=
= 150 мА, /Е=15 мА..................................... 0,3* 0,5* . 0,8 В
Напряжение насыщения база — эмиттер прн /к = 150мЛ,
/Е=15 мА ............................................ 0,85* ..0,95*.. 1,5 В
Обратный ток коллектора, не более:
прн 7=4-25 °C, (7кб=30 В.............................3 мкА
при 7=4-125 °C, 7/кв=24 В........................60 мкА
Обратный ток эмиттера при {7SE=3 В, не более ... 3 мкА
Емкость коллекторного перехода при Т/ЕЕ=10 В . . 5*..8*. .15 пФ
Емкость эмиттсрного перехода прн ПэЕ=0 .... 15* .25*...4О пФ
Предельные эксплуатационные данные
П стоянное напряжение коллектор—база1:
при TsS4-100°C .... .................30 В
при 7= 125 °C................................... . 24 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер1 при
1 кОм.
7^4-100 °C.................................... 30 В
7—1-125 °C.......................................24 В
Постоянное напряжение эмиттер — база..............ЗВ
Постоянный ток коллектора ... . . . . , 300 мА
Импульсный ток коллектора при /„^10 мкс, 10 . 600 мА
Постоянный ток базы ... .............45 мА
I стоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при 7^4-25 °C...................................50 мВт
при 7=4-125°С ..............................10 мВт
при 7^-|-50 °C (в корпусе прн йт<п-с)^0,2°С/мВт) 500 мВт
при 7=4-125 °C (в корпусе при 7?г(П-с)^О,2 °С/.мВт) 120 мВт
Тепловое сопротивление переход — подложка .... 2,5 °С/мВт
Температура рп перехода..............................4-150 °C
Температура окружающей среды.........................—60 ..4-125 °C
1 В диапазоне температур +100 ..+125'С допустимые значения напряжений коллек-
тор — база и коллектор — эмиттер снижаются линейно.
Транзисторы 2ТТ377А-2, 2Т377Б-2, 2Т377В-2 рекомендуется монтировать
в микросхему приклейкой или папкой, 2Т377А1-2, 2Т377Б1-2, 2Т377В1-2 — им-,
и. :ьсной односторонней пайкой сдвоенным электродом.
106
2Т378А-2, 2Т378Б-2, 2Т378А1-2, 2Т378Б1-2, 2Т378Б-2-1
Транзисторы кремниевые эпи-
таксиально-планарные структуры
п р-п импульсные. Предназначены
для применения в импульсных
каскадах герметизированных мик-
росхем. Бескорпусные на кристал-
лодержателе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в эти-
кетке.
Масса транзистора не более
0,02 г.
2Т378(А1-2.б} 2), 2Т378Б-21
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Hkb"=5 В, /в = 200 мА:
Т-4-25 °C:
2Т378А-2, 2Т378А1-2............................
2Т378Б-2, 2Т378Б1 2..........................
2Т378Б-2-1...................................
Т -60 °C:
2Т378А2, 2Т378А1-2.............................
2Т378Б-2, 2Т378Б1-2, 2Т378Б-2-1 ...
Т= 4-125 СС:
2Т378А-2, 2Т378А1-2............................
2Т378Б-2, 2Т378Б1 2 ... . .
2Т378Б-2-1...................................
Граничная частота коэффициента передачи тока при
Пкэ=2 В, /к=30 мА..................................
Постоянная времени цепи обратной связи при Ukb=5 В,
/®=5 мА, f=5 МГц .... ....
Время рассасывания прн /к=50 мА, /bi=/c2=5 мА
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при 1к=
•“200 мА, /с—20 мА ...... . . .
Напряжение насыщения база — эмиттер прн 7к=2ОО мА,
/в-20 мА ..........................................
Обратный ток коллектора при Пкв=ПКЕ не более:
7=4-25 °C ............................. . . .
7=4-125сС . . . . . .
Обратный ток эмиттера при 1/Эв=4 В.................
20.80
50 .180
40... 180
10...80
20 .180
20 .220
50...300
40 .300
200...300*...
...400* МГц
30*... 100*.. 400 по
40*. ,60*...70 нс
0,3*...0,5*. 0,8 В
0,85*...0,95*...1,5 В
10 мкА
80 мкА
10 мкА
107
Емкость коллекторного перехода при Икб— 10 В
Емкость эмиттерпого перехода при (7ас=0
Преде 1ьные эксплуатационные данные
Напряжение коллектор — база
2Т378Л-2, 2Т378Б-2, 2Т378А1-2, 2Т378Б1-2:
при 7^ + 100 °C . . .............
при Т—1-125 °C.................................
2Т378Б-2-1.................................. ...
Напряжение коллектор — эмиттер 1 при 7?бэ”0:
2Т378А-2, 2Т378Б-2, 2Т378А1-2, 2Т378Б1-2:
прн 7'^4-100 °C..................................
прн Т +125 °C..................................
2Т378Б-2-1 ....................................
Напряжение эмиттер — база .... . .
Постоянный ток коллектора............................
Импульсный ток коллектора прн /и=10 мкс, Q^IO
Постоянный ток базы............................... ,
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
при Т +25 °C.....................................
при 7=+ 125 °C.........................
при +50 °C (в корпусе прн RT п-е>^0,2 °С/мВт)
прн Тsg +125 °C (в корпусе нри Лг(п-с)^0,2°С/мВт)
Тепловое сопротивление переход — подложка ....
Температура р-п перехода ... .............
Температура окружающей среды.........................
Продолжение
5* . 8*. 15 пФ
15*...25*...4О пФ
60 В
45 В
30 В
60 В
45 В
30 В
4 В
400 мА
800 мА
50 мА
50 мВт
10 мВт
500 мВт
120 мВт
2,5 °С/мВт
+ 150 °C
—60...+ 125 °C
1 В диапазоне температур окружающей среды +100. +125 °C допустимые значения
напряжений коллектор — база и коллектор — эмиттер снижаются линейно.
Транзисторы 2Т378А-2, 2Т378Б-2 рекомендуется монтировать в микросхему
приклейкой или пайкой, 2Т378А1-2, 2Т378Б1-2, 2Т378Б-2-1—импульсной одно-
сторонней пайкой сдвоенным электродом.
КТ379А, КТ379Б, КТ379В, КТ379Г
«737.9 (А Г)
0,25 0,04
Транзисторы кремниевые эпи-
структуры
Предназна-
в усилите-
н переклю-
такспально-плаиарные
п-р п универсальные,
йены для применения
лях высокой частоты
чающих устройствах герметизиро-
ванной аппаратуры. Бсскорпус-
ные с твердыми выводами Тран-
зисторы помещаются в герметич-
ную заводскую упаковку. Тнп
прибора указывается в паспорте.
Масса транзистора не более
0,01 г.
108
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока и схеме ОЭ прн
= d В, /к=1 ыА:
7=+25 °C:
КТ379А............................................ 100...250
КТ379Б...................................... 200...500
I Т 79В....................................... 400... 1000
КГ379Г................... .....................50... 125
Т—-45 °C:
КТ379Л............................................. 25. .250
КТ379Б............................................ 50 ..500
КТ379В........................................... 100 .1000
КТ379Г..........................................12... 125
Т= +85 °C:
КТ379Л...........................................100..750
КТ379Б........................................... 200 ..1500
КТ379В.......................................... 400. 3000
КТ379Г......................................... 50...375
Граничная частота коэффициента передачи тока ари
Uirc = 2 В, G-5 мА, не менее:
КТ379А, КТ379Г................................... 250 МГц
КТ379Б, КТ379В................................... 300 МГц
Граничное напряжение прн /а=5 мА, нс менее:
КТ379А, КТ379Г.....................................25 В
КТ379Б...............................................20 В
КТ379В...............................................10 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к —
= 10 мА, 1б=1 мА, не более:
КТ379А, КТ379Б, КТ379В..............................0,1 В
КТ379Г .............................................0,2 В
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к=10 мА,
/Б=1 мА, нс более-
КТ379А, КТ379Б, КТ379В..............................0,9 В
КТ379Г .... ....................1,1 В
Обратный ток коллектора при ОкБ—УкБмакс, не более:
Т= -45 и +25 °C................................... 0,05 мкА
7=+85 °C .............................................1 мкА
Обратный ток коллектор — эмиттер при /?вз=10 кОм,
U кэ=и КЭ .макс г не более:
КТ379А, КТ379Б, КТ379В . ................30 мкА
КТ379Г ... 100 мкА
Обратный ток эмиттера при (7ва=5 В, не более . . 30 мкА
Емкость коллекторного перехода прн 7/кв=5 В, не более 8 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер прн Rea—
= 10 кОм:
КТ379А . . .............................30 В
КТ379Б...........................................25 В
КТ379В...........................................10 В
КТ379Г...........................................60 В
Постоянное напряжение база — эмиттер.................5 В
Постоянный ток коллектора................................30 мА
Импульсный ток коллектора при 6,^100 мс, Q>5 . 100 м.А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
при 7=+25 °C.........................................25 мВт
при 7 = -j-85 °C.....................................10 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора прн
^100 мкс, ...................................... . . 75 мВт
г При повышении температуры от +25 до +85 °C мощность снижается линейно.
109
П родолженне
Тепловое сопротивление переход — подложка .... З’С/мВт
Температура рп перехода............................... Ц-100'С
Температура окружающей среды............................от —45 до 4-85 °C
1 При поиышеини температуры от +25 до +85 °C мощность снижается линейно
При пайке выводов допускается нагрев транзистора до 4-300°C в течение
1 мии п до +150°C в течение 1,5 ч.
При включении транзистора в цепь, находящуюся под напряжением, базо-
вый контакт необходимо присоединять первым и отсоединять последним. Не
рекомендуется эксплуатация транзисторов с отключенной базой по постоянному
току
Входные характеристики
Зависимость обратного
тока коллектора от тем-
пературы
Зависимости статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока кол-
лектора
Зависимости статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока кол-
лектора
Зависимость максималь-
но допустимого посто-
янного напряжения кол-
лектор — эмиттер от со-
противления база—эмит-
тер
Зависимости максималь-
но допустимой импульс-
ной рассеиваемой мощ-
ности от длительности
импульса
2Т385А-2, 2Т385АМ-2, КТ385А, КТ385АМ
Транзисторы кремниевые эпитакспально-плаиарные структуры п-р-п пере-
ключательные Предпазпа 1ены для применения в системах памяти ЭВМ герме-
тизированной аппаратуры. Бсскорпусные с гибкими выводами и защитным
покрытием на керамическом (2Т385А-2, КТ385А — вариант 1) н металлическом
(2Т385ЛА12, КТ385ЛМ — вариант 2) кристаллодержателях. Поставляются в со-
119
проводительноЛ таре, позволяющей без извлечения из нес транзисторов прово-
дить измерения их электрических параметров. Тип прибора указывается на со-
проводительной таре.
Масса транзистора на керамическом кристалтодержателе не более 0 015 г,
на металлическом не более 0,004 г.
2Т385А~2, 2Т385АГГ2, КТ385А,КТ385АГ1
Вари a иm2
Коппектор База Зииттер
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Е'кэ=1 В, /к =150 мА:
2Т385А 2, 2Т385АМ-2........................
типовое значение ..........................
КТ385А, КТ385АМ...............................
Граничная частота коэффициента передачи тска при
U кэ—10 В, /«=50 мА ... ......
типовое значение ................................
Время рассасывания при 1Ц—150 мА, /в=15 мА:
2Т385А-2, 2Т385АМ 2............................ . .
типовое значение ...................
КТ385А, КТ385ЛМ, не более........................
Граничное напряжение прн /« = 10 мА для 2Т385А-2,
2Т385АМ-2 ....................
Напряжение насыщения коллектор—аынттср при /«=
= 150 мА, /«=15 мА:
2Т385А2, 2Т385АМ-2 ..........................
КТ385А, КТ385АМ, не более........................
Напряжение насыщения база — эмиттер при /«=150 мА,
Ь=15 мА для 2Т386Л-2, 2Т385ЛМ-2......................
Обратный ток коллектора, не более:
2Т385А-2, 2Т385АМ-2:
при 6'КБ=60 В и Т= —60. +25 °C.................
при Г7ки=55 В и Т= + 125°С..................
КТ385А, КТ385АМ при //ЛО=60 В н Т=+2Ъ°С .
Обратный ток эмиттера, не более:
2Т385Л-2, 2Т385ЛМ 2:
при {/БЭ=5 В и Т=—60...+25 °C..................
прн t+a—5 В и 7"= + 125’С......................
КТ385А, КТ385ЛМ при //сэ = 4 В и 7=+25 °C . .
Емкость коллекторного перехода прн /7«в=10 В для
2Т385Л-2, 2Т385ЛМ-2 ...
Емкость эмнттерного перехода при £7Эб=0 для 2Т385Л-2,
2Т385АМ 2 . ................
30... 150
60*
20...200
200.560* МГц
350* МГц
15* 60 ис
30* нс
60 нс
40 .48* 60* В
0,32*...0,в5 В
0,8 В
1* 1,2 В
10 ыкЛ
50 мкА
10 мкА
10 мкА
50 мк \
10 мкА
2,5*...3,3*..,4 пФ
13* 15* 25 пФ
111
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при =
=5 кОм для КТ385А, КТ385АМ.........................40 В
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т385А-2, 2Т385АМ-2:
при 7-я = —60.4-100’С................... . . 60 В
при 7К = + 125°С..............................55 В
КТ385А, КТ385ЛМ................................60 В
П стояниос напряжение эмиттер — база
2Т385А-2, 2Т385ЛМ-2 ......................5 В
КТ385А, КТ385ЛМ .......................4 В
Постоянный ток коллектора . . ................0,3 А
Импульсный ток коллектора при 1К = 5 мкс, Q- 10 . , 0,5 Л
Постоя шая рассеиваемая мощность коллектора.
2Т385Л-2, 2Т385АМ 2:
при Тк = — 60 „4-100 °C.......................0,3 Вт
при Л = + 125 °C..............................0,06 Вт
КТ385А, КТ385АМ:
при 7’х = —45.-+70 °C . . .............. 0,3 Вт
при Ух = 4+5 °C .... . . 0.2 Вт
Тепловое сопротивление переход — подло:: ка . . . 110°С/Вт
Температура р-п перехота.
2Т385А-2, 2Т385ЛМ-2 .... . . 4 135 С
КТ385А, КТ385АМ . ...................+120 °C
Темпе । ттура окружающей среды:
2Т3 85Л-2, 2Т385АМ-2 .........................-60. .4 125 С
КТ385Л, КТ385АМ................................-45...+85°С
КТ3102А, КТ31О2Б, КТ31О2В, КТ31О2Г, КТ31О2Д, КТ3102Е,
KT31G2AM, КТ3102БМ, КТ3102ВМ, КТ31О2ГМ, КТ31О2ДМ,
КТ3102ЕМ
Транзисторы кремниевые, эпнтакснально-планарные структуры п-р-п уни-
версальные. Предназначены для применения в низкочастотных устройствах с
малым уровнем шумов, переключающих, усилительных и генераторных устрой-
ствах средней и высокой частоты. Выпускаются: КТ3102А. КГ3102Б, КТ3102В.
КТ3102Г, КТ3102Д. КТ3102Е— в метал тостскляииом корпусе с гибкими выво-
дами, КТ3102АМ, КТ3102БМ, КТ3102ВМ, КТ3102ГМ, КТ3102ДМ. КТ3102ЕМ —
в пластмассовом корпусе.
Транзисторы маркируются: КТ3102А — КТ3102Е па боковой поверхности
корпуса, КТ3102АМ—КТ3102ЕА4 — зеленой меткой на боковой поверхности кор-
пуса; на торце корпуса маркировочной меткой: КТ3102АМ — темно-красной,
КТ3102БМ — желтой, КТ3102ВМ — темпо-зеленой; КТ3102ГМ — голубой,
КТ3102ДМ — синей, КТ3102ЕМ — белой. Тип и) ибора указывается в этикетке
Масса транзисторов: КТ3102А—КТ3102Е пс более 0,5 г, КТ3102АМ—
КТ3102ЕМ — не бо ее 0,3 г.
Примечание Далее по тексту значения пара.мст[ эв н режимов, спра
вэчиыс данные и зависимости, установленные для транзисторов КТ3102А,
КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Г, КТ3102Д, КТ3102Е, соответствуют значениям
параметров и режимов транзисторов КТ3102АМ, КТЗЮ2БМ, КТ3102ВМ,
КТ3102ГМ, КТ3102ДМ, КТ3102ЕМ.
112
KT3W2(A-E)
КП102(АН~ЕН)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ пр»
Uku—S В, /а = 2 мА:
7 =+25 °C:
КТ3102А........................................ 100...250
КТ3102Б, I Т3102В, КТ3102Д ... .200 500
КТ3102Г, КТ3102Е.......................... ... 400.1000
7=-40 °C:
КТ3102А.................................... . . 25 .250
КТ 102Б, КТ3102В, КТ3102Д .... .50 .500
КТ3102Г, КТ3102Е . . 100.1000
7«+85°С, пе менее-
КТ3102Л ... .... . . 100
КТ3102Б, КТ3102В. КТ3102Д........................200
КТ3102Г, КТ3102Е............................... .400
Граничная частота коэффициента передачи тока при
Укб—5 В, /э=Ю мА, не менее:
КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Д . .300 МГц
КТ3102Г, КТ3102Е................................... 150 МГц
Постоянная времен» цеп» обратной связи на высокой ча-
стоте при UKr,- 5 В, /8=Ю мА, пе более ... . 100* пс
Коэффициент шума прн {7КЭ = 5 В, /а 0,2 мА, /=1 кГц,
Rj — 2 кОм:
КТ31024, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Г, нс более . 10 дБ
типовое значение.............. ..................5* дБ
КТ3102Д, КТ3102Е, не более.......................4 дБ
типовое значение.................................2,5* тБ
Граничное напряжение при /с=0, /э = 10 мА, пе менее:
КТ3102А, КТ3102Б.................................30* В
8 Заказ № 1080
113
КТ3102В, КТ3102Д................................
КТ3102Г, КТ3102Е................................
Обратный ток коллектор — эмиттер, не бал*е:
КТ3102А, КТ3102Б при Пкэ=50 В
КТ3102В, КТ3102Д при t/K9=30 В
КТ3102Г, КТ3102Е при Пкэ=20 В
Обратный ток коллектора, не более:
КТ3102Л, КТ3102Б при С7/гс=50 В:
Т= 4-25 °C..................................
Т----40 °C........................
Г= -85 °C......................................
КТ3102В, КТ3102Д прн 30 В и КТ3102Г,
КТ3102Е при L'KE = 20 В:
Т—(-25 °C.................. ...
7=—40 °C . . .
7=+85°С ... . . . .
Обратный ток эмиттера при {7Эв=5 В, не более
Емкость коллекторного перехода при 17кб—5 В, не более
Продолжение
20* В
15* В
0,1* мкА
0,05* мкА
0,05* мкА
0,05.0,1 мкА
0,05 мкА
5 мкА
0,015..0,05 мкА
0,015 мкА
5 мкА
10 мкА
6 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
КТ3102А, КТ3102Б............................50 В
КТ3102В, КТ3102Д........................... 30 В
КТ3102Г, КТ3102Е...............................20 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер.
КТ3102А, КТ3102Б............................50 В
КТ3102В, КТ3102Д..................... 30 В
КТ3102Г, КТ3102Е........................... 20 В
Постоянное напряжение эмиттер — база..................5 В
Постоянный ток коллектора.............................100 мА
Импульсный ток коллектора при /„^40 мкс, Q>500 200 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 при Т—
-40.-4-25 °C .... ................: 250 мВт
Температура окружающей среды..........................—40.-4-85 °C
1 При повышении температуры более +25 "С мощность рассчитывается по формуле
рн.макс~ (>25—гк>/^т(п->!)' г»е ЛГ(П_Ж)—0,4 °С/мВт —тепловое сопротивление переход —
окружающая среда.
Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора в те-
чение не более 3 с. температура пайки не должна превышать +260°C. Допу-
скается использование транзисторов в инверсном включении.
Зависимости статическо-
го коэффициента пере-
дачи тека от тока эмит-
тера
Зависимости статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от темпера-
туры
Зависимости статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока эмит-
тера
114
*ш, Д
За вис целости коэффици-
ента шума от тока
э^интера
Яш. ДБ
3000 /3, пкА
Зависимости коэффици-
ента шума от тока
эмиттера
*ш, ДБ
Зависимости коэффици-
ента ма от тока
эмиттера
2ТЗП7А, КТ3117А
Транзисторы кре.миисвые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п импульс-
ные. Предназначены для применения н импульсных и переключающих устрой-
ствах. Выпускаются в металлостекляпиом корпусе с гибкими выводами. Тип
прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,4 г.
2ТЗП7А, НТ 31 ПА
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Икэ 5 В, /а = 200 мА-
Т=-|-25°С ............. ...................... 40.200
т=— 60 °C 2Т3117А, Т=-45°С КТ3117А . . . 15-200
7’= + 125’С 2Т3117А, 7=4-85 °C КТ3117А . . 30...350
Граничная частота коэффициента передачи тока при
0'кэ=Ю В, /к 30 мА, не менее:
2T31I7A........................................... 300 МГц
КТ3117Л ... ............. .200 МГц
Время рассасывания при 7к = 500 мА, /Е; = /ь2=50 мА, нс
более
2Т3117А........................................... . 60 нс
КТ3117А............................................ 80 нс
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при 7К=
=500 мА, /е=50 мА, не более:
2Т3117А................................................0,5 В
КТ3117А............................................0,6 В
8’
115
Продолжение
Напряжение насыщения эмиттер — база при /к 500 мА,
1ь — 50 мА, не более.......................... . . 1,2 В
Обратный ток коллектора при 17кг--60 В, не более:
7=4-25сС 2Т3117А....................................5 мкА
7=4-25 СС КТ3117А...............................10 мкА
7=4-125 СС 2Т3117А..............................50 мкА
7=4-85 °с КТ3117А........................... ... 100 мкА
Обратный ток эмиттера при {7аь- = 4 В для 2Т3117Х. ие
более.............................. 5 мкА
Емкость коллекторного перехода при (7кб=10 В, не более 10 пФ
Емкость эмиттерного перехода прн {7эб=0, не более . 80 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база...............60 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
sgl кОм:
2Т3117А..........................................60 В
КТ3117Л..........................................50 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . ... 4 В
Импульсное напряжение эмиттер — база прн 6,^1 .мкс,
02............................... ...................5 В
Постоянный ток коллектора............................ 400 .мА
Импульсный ток коллектора при Л.^10 мкс, 10 . 800 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
7^4-25 СС 2Т3117А .... ............. 300 мВт
7^4-40 “С КТ3117А . . . ... 300 мВт
Т 4-85 СС КТ3117А................................180 мВт
Т 4-125 °C 2Т.3117Л..............................70 мВт
7KsS4-50°C 2Т3117Л........................... ... 1 Вт
Тк 4-125 С 2Т3117Л . . ... 250 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при
10 мкс, 10:
7^ 4-25 °C 2Т3117Л............................. 800 мВт
7sS4-40°C КТ3117Л............................. 800 мВт
7=4-85сС КТ3117А............................. 400 мВт
7—(-125°C 2Т3117А............................. 200 мВт
Тсп-овое сопротивление:
переход — среда ..... . . 0,35°С/.мВт
1ереход — корпус . .... . . 0,1 °С/мВт
Температура р-п перехода .... 4-150 °C
Температура окружающей среды:
2ТЗП7А . .................................—60. 125СС
КТ3117А . ............. .... —45-4-85 °C
КТ3129А9, КТ3129Б9, КТ3129В9, КТ3129Г9, КТ3129Д9
р-и h
Транзисторы кремниевые эпитакснально-планарныс структуры -п-р-п универ-
сальные. Предназначены для применения в низкочастотных н высокочастотных
усилителях, генераторах, импульсных устройствах герметизированной аппарату-
ры. Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе. Тип прибора указы-
вается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,1 г.
116
КТЗПЭ(А-Д), КТ3130(А 9-Ж 9)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
7/кк=5 В, /«=2 мА:
Т= -25 °C:
КТЗ129А9
КТ3129Б9, КТ3129В9 ’
КТ3129Г9. КТЗ 129Д9............................
Т-= 4 85 °C:
КТ3129А9..................-......................
КТ3129Б9, КТ3129В9.............................
КТ3129Г9, КТ3129Д9.............................
Гра 1ичное напряжение при /э=10 мА, не более:
КТ3129А9, КТ3129Б9...............................
KT3I29B9, КТ3129Г9...............................
КТ3129Д9 . . .......................
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к =
= 10 мА, /ь=1 мА, не более..................... ...
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к=10 мА,
/в—1 мА, не более ...................................
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте
при 18 — 10 мА, Uke—5 В, /=100 МГц . ...
Обратный ток коллектора КТ3129Л9, КТ3129Б9 при
t/Ke=50 В, КТ3129В9, КТ3129Г9 при 7/Кв~ЗО В,
КТ3129Д9 при t/кв = 20 В, не бо ее .
Емкость коллекторного перехода прн l//fR=10 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
КТ3129А9, КТ3129Б9............................
КТ3129В9, КТ3129Г9...............................
КТ3129Д9 . . . .
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер прн 7?эв=
= 1 кОм:
КТ3129А9, КТ3129Б9...............................
КТЗ 129В9, КТ3129Г9, КТ3129Д9....................
Постоянное напряжение эмиттер — база.................
Постоянный ток коллектора............................
Импульсный ток коллектора............................
Постоянная рассеиваемая мощность кол 1сктора:
при Т = -60. +25 °C . . . . .
при 7’=+85°С.....................................
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора:
при Т=-60 ..+25 °C..................................
при Т = +85 °C...................................
30 120
80...250
200...500
30.. 300
80.. 600
200 1000
40 В
20 В
15 В
0,2 В
1,3 В
2. .2,2*..2,5*
1 мкА
7,1*...8*.„10 пФ
50 В
30 В
20 В
40 В
20 В
5 В
100 мА
200 мА
75 мВт
30 мВт
100 мВт
75 мВт
117
Температура р-п перехода .............................
Температура окружающей среды..........................
Продолжение
+ 125 °C
-60..+85 °C
Папка выводов допускается не ближе 0,15 мм от корпуса транзистора при
температуре не выше +260 СС в течение пе более 3 с.
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока
Эми ттера
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока
эмиттера
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока
эмиттера
Зависимость напряжения
насыщения коллектор —
эмиттер or коэффициен-
та насыщения
КТ3130А9, КТ3130Б9, КТ3130В9, КТ3130Г9, КТ3130Д9,
КТ3130Е9, КТ3130Ж9
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п усили-
тельные с нормируемым коэффициентом шума. Предназначены для применения
по входных каскадах малошумящих усилителей. Выпускаются в миниатюрном
пластмассовом корпусе и используются в герметизированной аппаратуре. Тип
прибора указывается в этикетке.
Транзисторы маркируются цветной меткой на корпусе: КТ3130А9— красной,
КТЗ130Б9 — желтой, КТ3130В9 — зеленой, КТ3130Г9 — голубой, КТ3130Д9 —си-
ней, КТ3130Е9— бедой.
Масса транзистора ие более 0,1 г
Габаритный чертеж аналогичен КТ3129А9—КТ3129Д9.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ 1ри
Uku~5 В. /э = 2 мА:
КТ3130А9 при 7=+25 С.............................. 100. 250
тип в е значение ... . 200
Т -85 °C, не менее ........................... , 100
7"=-60 °C....................................... 25..250
118
КТ3130Б9, КТ3130В9, КТ3130Д9...................
типовое значение ............................
7’=+85сС, не менее...........................
Т=-60 С......................................
КТ3130Г9, KT3130E9 при 7 =+25сС . . . .
типовое значение ..............................
Т=+85 °C, пе менее .... . .
7"=—60 °C ...
КТ3130Ж9.......................................
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте
при С'кв=5 В, /а = 10 мА, /=100 кГц-
КТ3130А9, КТ3130Б9, КТ3130В9, КТ3130Д9 . .
КТ3130Г9, KT3I30E9 ....
КТ3130Ж9, не менее..................... . .
Коэффициент шума КТ3130Ж9 при Ukb=5 В, 1в 0,2 мА,
f—1 кГц, 2 кОм . .........................
Граничное напряжение при /в = 10 мА:
КТ3130А9, КТ3130Б9.............................
КТ3130В9, КТ3130Д9..........................
КТ3130Г9, КТ3130Е9............................
КТ3130Ж9, не менее . . . .
Обратный ток коллектора КТ3130А9, КТ3130Б9 при
Окг=50 В. КТ3130В9, КТ3130Д9, КТ3130Ж9 при С'НБ=
=30 В. КТ3130Г9. КТ3130Е9 при С7ХЬ = 2О В, ie битее
Продолжение
200 500
350
200
50 ..500
400..1000
650
200
100.. 1000
100 .500
1,5 .4*..4.5*
3. 4*...5,5*
1.5
0,7* . 2,5*...4 дБ
30 .37*. 4 * В
20..28*...35* В
15. .22*. .28* В
25 В
0,1 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
КТ3130Л9, КТ3130Б9 .......................50 В
КТ3130В9, КТ3130Д9, КТ3130Ж9...................30 В
КТ3130Г9, КТ3130Е9................... 20 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при R$3=
= 10 кОм:
КТ3130А9, КТ3130Б9............................40 В
КТ3130Ж9 .....................................25 В
КТ3130В9, КТ3130Д9.............................20 В
КТ3130Г9, КТ3130Е9 . . .... 15 В
Постоянное напряжение эмиттер — база.................5 В
Постоянный ток коллектора.............................. 100 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при Т— — 60...+25 °C.................................100 мВт
Т= +85 °C .......................................40 мВт
Температура рп перехода..............................+125 °C
Температура окружающей среды.....................—60 .+85°C
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока
эмиттера
Зависимость статическо
го коэффициента пере
дачи тока от тока
эмиттера
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока
эмиттера
119
Кш , лЧ
Зависимость коэффици-
ента шума от тока
эмиттера
Кш,дБ
Зависимость коэффици-
ента шума от тока
эмиттера
Кш , дБ
0 30 300 lj, пкД
Зависимость коэффици-
ента шума от тока
эмиттера
При монтаже транзистора температура папки
+ 260 сС, время пайки не более 3 с. Изгиб выводов
не должна превышать
не допускается.
Транзисторы р-п-р
1ТМ305А, 1ТМЗО5Б, 1ТМ305В, 1Т305А, 1Т305Б, 1Т305В,
ГТ305А, ГТ305Б, ГТ305В
Транзисторы германиевые диффузионно сплавные структуры р-п-р усили-
тельные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты. Тран-
1ТГ1305(А~В)
1Т305(А~В\ П305(А 8)
Эпи /птер База
120
зпсторы 1ТМ305А, 1ТМ305В, 1ТМ305В выпускаются в металлостекляииом кор-
пусе с керамической платой (вариант 1), масса транзистора не ботее 0,8 г;
транзисторы 1Т305А, 1Т305Б, 1Т305В, ГТ305А, ГТ305Б. ГТ305В — в металлостек-
лянном корпусе с гибкими выводами (вариант 2), масса транзистора не более
0 5 г. Тип прибора указывается на корпусе.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ три
В. /э=10 мА:
7= 4-25 °C:
1ТМ305А, 1Т305Л ГТ305А . . . . 25 80
1ТМ305Б, 1Т305Б ГТ305Б . . . СО.. 180
7=+73 °C (7=+60сС для ГТ.305\ ГТ305Б)
1ТМ305А, 1Т305А, ГТ305А . . 20 270
1ТМ305Б, 1Т305Б ГТ305Б . . . . . . 40.550
7=—60°С:
1ТМ305А, 1Т305А, ГТ305А . . 15 80
1ТМ305Б, 1Т305Б, ГТ305Б . . 30.180
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала прн
Ukb = 5 В, /э = э мА:
7=+25°С 1ТМ305В, 1Т305В, ГТ305В....................40...120
7=+73 °C, /э=1 мА (7 +60 °C для ГТ305В)
1ТЧ305В, 1Т305В, ГТ305В........................ 30 .400
7=-60 °C 1ТМ305В, 1Т305В, ГТ305В...............20 ..120
Модуль коэффициента передачи тока па частоте / =
=20 МГц, Ukb=5 В, /э 10 мА, не менее:
ITM305A, 1Т305А, ГТ305А........................7
1ТМ305Б, 1ТМ305В. 1Т305Б, 1Т305В, ГТ305Б, ГТ305В 8
Постоянная времени цепи обратной связи на частоте f=
= 5 МГц прн 1'кв—5 В, Лз=5 мА:
1ТМ305А, 1ТМ305Б, 1Т306Л, 1Т305Б, ГТ305Л, ГТ305Б 500 пс
1ТМ305В, 1Т305В, ГТ305В ...... . 300 пс
Г апичиое напряжение при /э=Ю мА ... . 12 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /«=
= 10 мА, /Е=1 мА, для 1ТМ305А, 1ТМ305Б, 1Т305\,
1Т305Б, ГТ305А, ГТ305Б 0.5 В
Напряжение насыщения база —эмиттер при /к=Ю мА,
/г,= 1 мА для 1ТМ305А, 1ТМ305Б, 1Т305А, 1Т305Б,
ГТЗОБА, ГТ305Б .......................... ... . 0,7 В
Емкость коллекторного перехода при 77кв=5 В, f—5 МГц:
1ТМ305Л, 1ТМЗО5Б, 1Т305А, 1Т305Б, ГТ305А, ГТ305Б 7 пФ
1ТМАЗ В ...............................6 пФ
1Т305В, ГТ305В . . .... 5.5 пФ
Обратный ток коллектор — эмиттер при 77кэ=15 В.
(Уьэ = 0,5 В. не более:
Т= —60 и +25 °C................................6 мкА
7=+73 °C ......................................80 мкА
Обратный ток эмиттера при 77со=1,5 В (17ео=0,5 В для
1ТМ305В, 1Т305В, ГТ305В), ие более.................30 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер прн 17ев=
0,5 В ......................... ... 15 В
Постоянное напряжение коллектор — база (в схеме ОБ) 15 В
Постоянное напряжение эмиттер—база.................1,5 В
Постоянный ток коллектора:
при Г--60.+35 °C . . ... 40 мА
прн Г=4-35 .+73°С (7=+35...+60 °C для ГТ305А, _____
ГТ305Б, ГТ305В) . . . . 5,2)85-7 мА
121
Продолжение
Импульсный ток коллектора при /„=10 мкс .
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при Т=—60.. +25 °C...........................•
при Г=+25 +73°C (Т=+25.+60 °C для ГТ305А
ГТ305Б, ГТ305В)................................
Температура р-п перехода.....................
Температура окружающей среды:
1ТМ305А, 1ТМ305Б, 1ТМ305В, 1Т305А, 1Т305Б, 1Т305В
ГТ305А ГТ305Б, ГТ305В .........................
100 мА
75 мВт
(85-Г)
0,8
+86 °C
мВт
-60..+73 °C
-60...+60’С
При различного рода испытаниях, измерениях параметров, монтаже и ре
гулировки аппаратуры необходимо принимать меры по защите транзистора от
статического электричества и самовозбуждения. Допустимое значение статиче-
ского потенциала 1000 В.
1Т308А, 1Т308Б, 1ТЗС8В, ГТ308А, ГТ308Б, ГТ308В
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные структуры р п-р универ
сальные. Предназначены для применения в автогенераторах, усилителях мощно-
сти, импульсных устройствах. Выпускаются в .мета члостеклян ном корпусе с гиб-
кими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,2 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
/7кь= 1 В, /а = 10 мА:
7'=+25°С:
1Т308А, ГТ308А..................................
1Т308Б, ГТ308Б..................................
1Т308В, ГТ308В..................................
Т=+70сС:
1Т308А, ГТ308А..................................
1T308D, ГТ308Б...............................
1Т308В ГТ308В........................... . .
Т=—60°С, не менее:
1Т308А ГТ308А................................
25. .75
50. .120
80... 150
От 25 до 3 значе-
ний при Т—
= +25 °C
От 50 до 3 значе-
ний при Т =
= +25 °C
От 80 до 3 значе-
ний прн 7 =
= +25 °C
15
122
Продолжение
1Т308Б, ГТ308Б...................................30
1Т308В, ГТ308В . . ....................45
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при
С/кв=5 В, /э=1 мА, /=50.. 1000 Гц, не менее:
1Т308Б, ГТ308Б.....................................15
1Т308В, ГТ308В....................................25
Г раиичная частота коэффициента передачи тока при
6'кв=5 В, /э = 5 мА, не менее:
IT308A. ГТ308А........................................90 МГц
1Т308Б, 1Т308В, ГТ308Б, ГТ308В....................120 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи при {7кв = 5 В,
/о=5 мА, f=5 .МГц, не более:
1Т308А, 1Т308Б, ГТ308Л, ГТ308Б........................ 400 пс
1Т308В, ГТ308В.................................... 500 пс
Коэффициент шума при (Укв=5 В, /а=5 мА, /==1,6 МГц
для 1Т308В, ГТ308В, не более..........................8 дБ
Время рассасывания прн С'кэ=Ю В, /к=50 мА, не более:
1Т308\, ГТ308А при /в=4 мА............................1 мкс
1Т308Б, ГТ308Б при /Е = 2 мА......................1 мкс
IT308B, ГТ308В при /Б= 1.25 мА . . . .1 мкс
Граничное напряжение при 70=1О мА, не менее ... 15 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер прн 1к —
— 50 мА, /Б=3 мА, не более:
1Т308А, ГТ308Л........................................1,5 В
1Т308Б, 1Т308В, ГТ308Б, ГТ308В....................1,2 В
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к=50 мА,
/в= 1 мА, не более....................................0,45 В
Обратный ток коллектора, не более'
7=+25 СС,
Укв=15 В.........................................5 мкА
В........................................2 мкА
Г- + 70сС, Укв= 10 В..............................90 мкА
Обратный ток эмиттера, не более:
Пвб-2 В . . . . . . ... 50 мкА
J7bb=3 В ... 1000 мк\
Емкость коллекторного перехода при U кб=о В, не более 8 пФ
Емкость эмиттерного перехода прн 1/эв=1 В, не более 22 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряженно коллектор — база* при отклю-
ченном эмиттере, Т— +45 °C.................... 20 В
Постоянное напряжение коллектор — база 1 при обратном
смещении на эмиттере, Т=+45СС . . . . . 30 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер1 при Rn>=
= 1 кОм, 7 = +45сС................................. . 12 В
Постоянное напряжение эмиттер — база1 прн 7"=+45‘С 3 В
Постоянный ток коллектора..................... 50 \
Импульсный ток коллектора1 прн 7« = 5 мкс, Г=+45’С 120 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора* 2 прн Г —
-+45еС .... . . . . : 150 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора* прн =
=5 мкс, Т=+45еС...................................... 360 мВт
Температура р-п перехода.............................+85 °C
Температура окружающей среды.........................—60 +70 °C
При 7=+45...+70’С предельно эксплуатационные данные уменьшаются через каж-
дые 5 °C: постоянное и импульсное напряжения коллектор — база на I В постоянное
напряжение коллектор — эмиттер иа 0,4 В, постоянное напряжение эмиттер — база на
0.2 В. импульсный Ток коллектора на 4 мА, импульсная рассеиваемая мощность
на 10 мВт
2 При 7=+43 .+70 °C постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, расе иты«
вается по формуле Рк жпяс ”4(85-7).
123
ГТ309Д, ГТ309Б, ГТ309В, ГТ309Г, ГТ309Д, ГТ309Е
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные структуры р-п-р усили-
тельные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты. Выпу-
скаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами Тип прибора ука
зывается на корпусе.
Масса транзистора не бо ice 0,5 г.
ГТ309(А Е)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
икэ 5 В, /у=5 мА Т- +20 °C: ГТ309А, ГТ309В, ГТ309Д . 20 70
ГТ309Б, ГТ309Г, ГТ309Е 60 ..180
+55 °C: ГТ309Л, ГТ309В, ГТ309Д . . 20 .140
ГТ309Б, ГТ309Г, ГТ309Е . . 60. .380
7=-20 °C: ГТ309А, ГТ309В, ГТ309Д . . 16. ..70
ГТ309Б, ГТ309Г, ГТ309Е 30 ..180
Граничная частота коэффициента передачи тока Укэ=5 В /а = 5 мА, не менее: ГТ309А, ГТ309Б при 120 МГц
ГТ309В, ГТ309Г . . . 80 МГц
ГТ309Д, ГТ309Е 40 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи /э = 5 мА, /=5 МГц, не более. ГТ309Л, ГТ309Б при икэ- 5 В, 500 ПС
ГТ309В ГТ309Г, ГТ309Д, ГТ309Е 1000 ПС
Обратный ток коллектора при (7кб=5 В, Т Ч-20°С нс более’ 5 мкА
7=+55 °C 120 мкА
Входное сопротивление в схеме ОБ при = 1 мЛ, нс более Выходная проводимость в схеме ОБ при =5 мА, не более .... Ъ’1{Б~5 В, /в- 38 Ом
6'кп=5 В, f.4~ 5 мкСм
Коэффициент шума прн (Дэ = 5 В, /»=1 для ГТ309Б ГТ309Г, пе более . мА, /=1.6 МГц 6 дБ
Емкость коллекторного перехода при 5 В, не более 10 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
= 10 кОм .... ..........................10 В
Постоянный ток коллектора .............................10 мА
124
П рсдолжение
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при 7= 4-20 °C....................................50 мВт
прн 7=4-55 °C.....................................15 мВт
Тепловое сопротивление переход — среда...............1 гС/'мВт
Температура р п перехода ............................ 4-70СС
Температура окружающей среды.........................— 4О.„4-55СС
ГТ310А, ГТ310Б, ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310Е
Транзисторы германиевые диффузионно сплавные структуры р-п-р усилитель-
ные с нормированным коэффициентом шума. Предназначены для применения
в усилителях высокой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с
гибкими выводами. Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора ие более 0,1 г
гтзю(а-е)
Электрические параметры
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала прн
ПКв=5 В, /э 1 мА, /=50 .-1000 Гц:
ГТ310А, ГТ310В, ГТ310Д............................20.70
ГТ310Б, ГТ310Г, ГТ310Е .... ... 60 ...180
Граничная частота коэффициента передачи тока при
Пкк=5 В, /э — 5 мА, нс менее:
ГТ310А, ГТ310Б....................................160 МГц
ГТ310В, ГТ310Г................................... 120 МГц
ГТ310Д, ГТ310Е....................................100 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи при Ukb—5 В,
/э=5 мА, f— » МГц, не более:
ГТ310А, ГТ310Б, ГТ310В, ГТ310Г 300 пс
ГТ310Д ГТ310Е................................. ... 500 пс
Коэффициент шума прн (7кв=5 В, /я—1 мА, /=1,6 МГц,
не более:
ГТ310А, ГТ310Б .... ................. 3 дБ
ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310Е . . . . 4 дБ
Входное сопротивление в схеме ОБ прн (Л,-л=5 В, /а =
= 1 мА, не более.................. ...................38 Ом
Выходная проводимость в схеме ОБ при Uke=5 В, /э =
= 1 мА, f—50...1000 Гц, нс более.....................• 3 мкСм
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер:
прн Ri-,—10 кОм ... ... . 10 В
прн /?«э=200 кОм............................ ..... 6 В
Постоянное напряжение коллектор — база................12 В
Постоянный ток коллектора.............................10 мА
125
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т =
= +35 °C..............................................
Тепловое сопротивление переход — среда . . . .
Температура р п перехода .... . . . .
Температура окружающей среды..........................
Продолжение
20 мВт
2еС/мВт
+75 °C
—40...+55 °C
2Т313Д, 2Т313Б, КТ313А, КТ313Б
Транзисторы кремниевые эпитакспально-планарные структуры р-п р универ-
сальные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и пере-
ключающих устройствах. Выпускаются в металлостсклянно.м корпусе с гибкими
выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора пс более 0.5 г.
2Т313(А,Б), КТ313(А,Б)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
UKC= 10 В, /э 1 .мА
7'=+25°С:
2Т313А, KT3I3A...................................
2Т313Б, КТ313Б...................................
Т’=-60°С 2Т313А, Т=-40 СС КТ313А . . . .
7’=—60°С 2Т313Б, Т=-40°С КТ313Б . .
—125’С 2Т313А.................................
7=+85сС КТ313А...................................
Т +125 °C 2Т313Б, Т’=+85°С КТ313Б . . .
Граничная частота коэффициента передачи тока прн
t/h3 = 20 В, /к = 50 мА, не менее ....
Постоянная времени цепи обратной связи прн t7rfc=5 В.
/а=1 мА, f=30 МГц, не более..........................
Время рассасывания при /А- = 30 мА, 1в —/вг —3 мА
Граничное напряжение при /s=10 мА, не менее
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к = 150 мА,
/с=15 мА, нс более............................
Обратный ток коллектора прн Укб=50 В, не более:
7"-=+25 °C ......................................
Т= +85 °C КТ313А, КТ313Б..........................
Т= + 125ОС 2Т313А, 2Т313Б ... . .
Обратный ток коллектор — эмиттер при С/кэ=50 В. Rn>=
1 кОм для 2Т313А, 2Т313Б, нс более...................
Обратный ток эмиттера прн (7Эв=5 В, не более
Емкость коллекторного перехода при {/кб=Ю В, не бопее
Емкость эмнттерного перехода при Г/ЭБ=0 . . . .
30... 120
80 300
15.120
30 300
30.240
30.. 300
80...600
200 МГц
120 пс
80*. .90*... 120* нс
50* В
1,3 В
0,5 мкА
10 мкА
5 мкА
0,5* мкА
0,5 мкА
12 пФ
25*.. 35* .45* пФ
126
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
=1 кОм .... .
Постоянное напряжение эмиттер — база.................
Постоянный ток коллектора:
без теплоотвода ... .......................
с теплоотводом....................................
Импульсный ток коллектора прн мкс, 10
Постоянный ток базы..................................
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
прн ГС+50 °C для 2Т313А, 2T313D......................
прн 7^+25°C для КТ313Л, КТ313Б . . . .
при 7к^+30°С для 2Т313А, 2Т313Б с теплоотводом
Импульсная рассеиваемая мощность при Л<^1 мкс,
0^10 ...........................................
Тепловое сопротивление:
переход — среда .....................................
переход — корпус.................................
Температура р п перехода:
2Т313А, 2Т313Б....................................
КТ313А, КТ313Б...................................
Температура окружающей среды:
2Т313А, 2Т313Б.......................................
КТ313Л, КТ313Б....................................
60 в
50 В
5 В
350 мЛ
600 мА
700 мА
150 мА
300 мВт
300 мВт
1,5 Вт
1 Вт
300сС/Вт
80 °С/Вт
+ 150 °C
+ 125 °C
—60...+125 С
—40...+85 ’С
1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В, ГТ320А, ГТ320Б, ГТ320В
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные структуры р-п-р перек.по-
чатсяьные Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и
переключающих устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гиб-
кими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора ие более 2,2 г.
tT320(A-B), ГТ320(А В)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
£Л,с=1 В, 1э —10 мА:
7=+20'С:
ГТ320Х.................................... 20 80
ГТ320Б.......................................... 50.120
ГТ320В........................................ 80 ..250
7=4-25 °C:
1Т320А........................................40 100
1Т320Б...................................... . 70. .160
127
Продолжение
1Т320В . . ................ 100 250
Т -60 °C 1Т320Л, 1Т320Б. 1Т320В..................От 0,6 до 1.2 зна-
чения при Т=
= +25 °C
7=+70’С
1Т320.А ... ... ... От 40 до 1,75
значения при Т
=+25 °C
1Т320Б . От 70 до 1,75
значения при Т—
= +25 °C
11320В .... .... . От 100 до 2 зна-
чений при Т=
= +25°
Граничная частота коэффициента передачи тока прн
О'л-э = 5 В, /э=10 мА, не менее:
ГТ32О.Л ... . . .... 80 МГц
ГТ320В . .120 МГц
1Т320Л. 1Т320Б, ГТ320В .... . . 160 МГц
1Т320В . . . . .200 МГц
Постоянная времени цепи обратной святи при /7кп=5 В.
/э=5 мА, f = 5 МГц, не более.
1Т320Л, ГТ320А. 1Т320Б, I Т320Б, 1Т320В . . . 500 пс
ГТ320В .... ... ... 600 пс
Время рассасывания при /«=10 мА, /в=1 мА. не более.
1Т320А. 1Т320Б, 1ТЗ-0В ... 200 нс
типов! е значение для 1Т320А, 1Т32ОБ, 1Т320В . 150* пс
1 Г320А . ............. ... 400 ис
ГТ320Б .... ............. . . 500 нс
ГТ320В ... ................ 600 пс
Граничное (апряжепис при /э —10 мА, не более:
1Т320Х .... ... 14 В
1T32QB 12 В
1Т320В .... . 10 В
типовое значение:
1Т320.Л.................................................. . 15.5* В
1Т320Б................................................... . 13,5* В
1Т320В................................................... . I1* В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /« =
= 200 мА, /£ 20 мА, не более:
1Т320А. 1Т320Б, 1Т320В . ... 1 В
типовое значение для 1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В . . 0 43* В
ГТ320А, ГТ320Б, ГТ320В 2 В
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к=10 мА,
/ >= 1 мА, не более:
1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В . . . . 0.45 В
типовое значение для 1Т320Л, 1Т320Б, 1Т320В . . 0.3* В
IT320A, ГТ320Б, ГТ320В . ................ 0,5 В
Обратный ток коллектора, не более:
при 7=+25°С, Г7кв=20 В для 1Т32ОА, 1Т320Б,
1Т320В .............................. . 5 мкА
при 7’=+20°С U,fE=20 В для ГТ320Л, ГТ320Б,
ГТ320В .... 10 мкА
при 7=+20 °C, Пкв = 5 В для ГТ32ОА, ГТ320Б
ГТ320В . . 2 мкА
пр I 7- +70°С, Укб=15 В для 1Т320Л, 1Т320Б,
1Т320В .... 150 мкА
Обратный ток эмиттера прн //Эп=2 В не более:
7 +25 °C 1Т320А 1Т320Б, 1Т320В .............50 мкА
7 =+20°С ГТ320Л, ГТ320Б, ГТ320В..................50 мкА
128
Продолжение
8 пФ
25 пФ
1Т320Б
Емкость коллекторного перехода при Ui;в=5 В, не более
Емкость эмнттерного перехода при UBE= 1 В, не более
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
прн Т = 4-45 °C ... .............. .
при 7=-f-70 °C..................................
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при запер-
том эмиттере-
при Т = 4-45 °C.................................
прн 7=+70 °C....................................
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при иВь=
= 0 для 1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В:
7=+45 °C........................................
7=+70 °C ....................... . .
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер прн UBE —
= 1 кОм:
Т= 4-45 °C
1Т320Л
ГТ320А,
ГТ320Б
1Т320В
ГТ320В
7 = 4-70 °C:
1Т320А
1Т320Б
1Т320В
Постоянное напряжение эмиттер—база:
при Т = 4-45 °C . ......................
при 7 = 4-70 °C.................................
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер при VBE—
= 0, tu 1 мкс, Q -10
7=4-45 С........................................
7=4-70°С.................................. ....
Импульсное напряжение коллектор — эмнттср при запер-
том эмиттере, /и = 1 .мкс, Q=10 для 1Т320А, 1Т320Б,
1Т320В.
7 4-45 °C.................................
7= 4-70 °C................................
Постоянный ток коллектора:
при 7=4-45 °C:
1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В........................
ГТ320А, ГТ320Б, ГТ320В ....
при 7=4-70°С 1Т320Л, 1Т320Б 1Т320В
Импульсный ток коллектора при /и=5 мкс, Q=10:
7=4-45 °C...........................
7-4-70 °C.................................
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора-
при 7-4-45 °C для ГТ320Л, ГТ320Б, ГТ320В
при 7- 4-50 °C для 1Т320Л, 1Т320Б, 1Т320В
прн 7 +70 °C ................................
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при
= 5 мкс, Q=10:
7=+45 °C..................................
7=+70°С .... ...
Тепловое сопротивление 1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В
Температура р п перехода .....................
Тсмпе:>ат\ра окружающей среды:
1Т320Л, 1Т320Б 1Т320В.....................
ГТ320А, ГТ320Б, ГТ320В................
20 В
15 В
20 В
15 В
15 В
10 В
14 В
12 В
И В
10 В
0 В
12 В
10 В
8 В
3 В
2,5 В
25 В
20 В
25 В
20 В
200 мА
150 мА
100 мА
300 мА
250 мА
200 мВт
200 мВт
100 мВт
I Вт
0,7 Вт
200 °С/Вт
+90 °C
-00 .+70 °C
-55. +70 °C
129
L =
9
I ">••>
tpa .
250
200
150
100
50
0
-60-40-20 0 20 40 VC
Онъ-Юв' 6(,иос“ /б»" 2 нА г6!«= 1 мА
1Т320(А-В)
П520 (А- -1 t В)
£рас НС
450
400
350
300
250
200
150
-00-40-20 0 20 4СТ’С
!/кб’^ В
Ih,mm~2CD»A'
_In = WriA
Zg2e 20 nA
1Т320(А В)
ТТ320(А-ВУ
__I__I__।_
Зависимость времени
рассасывания от темпе-
ратуры
Зависимость времени
рассасывания от темпе-
ратуры
1Т321Д, 1Т321Б, 1Т321В, 1Т321Г, 1Т321Д, 1Т321Е,
ГТ321Д, ГТ321Б, ГТ321В, ГТ321Г, ГТ321Д, ГТ321Е
Транзисторы германиевые конверсионные структуры рпр переключатель-
ные. Предназначены для применения в переключающих устройствах Выпускают-
ся в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывает-
ся на корпусе Вывод эмиттера на буртике корпуса маркируется цветной
меткой.
Масса транзистора не более 2,2 г.
11321 (А Е), П321(А Е)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Uкэ=3 В, /к=500 мА:
7=+20 СС:
ГТ321А, ГТ321Г..................................20...60
ГТ321Б ГТ321Д . . .....................40. .120
ГТ321В, ГТ321Е................................. 80...200
Т= +25 °C:
1Т321А 1Т321Г..................................20...60
1Т321Б, 1Т321Д.......................... 40. .120
1Т321В, 1Т321Е................................. 80...200
Т -G0 °C:
1Т321А, 1Т321Б, 1Т321В, 1Т321Г, 1Т321Д, 1Т321Е От 0,5 до 2 значе-
ний при Т—
= +25сС
при (7ks=8 В, /к=1,5 мА, не менее;
1T32IA 1Т321Г ... . ... 15
130
Продолжение
1Т321Б, 1Т321В, 1Т321Д, 1Т321Е.....................20
Граничная частота коэффициента передачи тока при
£7кв=10 В /э=15 мА, не менее .... . 60 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи при 6'кБ=10В,
/э=15 мА /=5 МГц, не более:
1Т321 А, 1Т321Б, IT321B, 1Т321Г, 1Т321Д, 1Т321Е 400 пс
ГТ321 \, ГТ321Б, ГТ321В, ГТ321Г, ГТ321Д, ГТ321Е 600 пс
Время рассасывания при /к =700 мА, ие более:
/в=70 мА 1Т321А, ГТ321А, 1Т321Г, ГТ321Г . . 1 мкс
/Б=35 мА 1Т321Б, ГТ321Б, 1Т321Д, ГТ321Д . . 1 мкс
/к = 17,5 мА 1Т321В ГТ321В, 1Т321Е, ГТ321Е . . 1 мкс
Граничное напряжение при /а —700 мА, не менее:
1Т321А, 1Т321Б, 1Т321В.............................45 В
1Т321Г, 1Т321Д, 1Т321Е.............................35 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к =
= 700 мА, пе более:
/Б=140 мА 1Т321Л, ГТ321А, 1Т321Г, ГТ321Г . . 2,5 В
/в=70 мА 1Т321Б, ГТ321Б, 1Т321Д, ГТ321Д . . 2,5 В
/Б=35 мА 1Т321В, ГТ321В, 1Т321Е, ГТ321Е . . 2,5 В
Напряжение насыщения база — эмиттер прн /к=700 мА,
не более-
/Б = 140 мА 1Т321А, ГТ321А, 1Т321Г, ГТ321Г . . 1,3 В
/в= 70 мА 1Т321Б, ГТ321Б, 1Т321Д, ГТ321Д . . 1,3 В
/е = 35 мА 1Т321В, ГТ321В 1Т321Е, ГТ321Е . . 1,3 В
Обратный ток коллектора, не более:
7= 4-20 °C:
17кв=60 В ГТ321А, ГТ321Б, ГТ321В................. 500 мкА
1/кв=45 В ГТ321Г, ГТ321Д, ГТ321Е .... 500 мкА
7 = 4-25 °C
1/кв=60 В 1Т321А, 1Т321Б 1Т321В . . 500 мкА
t/KE=45 В 1Т321Г, 1Т321Д, 1Т321Е .... 500 мкА
<Л,Б 30 В 1Т321А, 1Т321Б, 1Т321В, 1Т321Г,
1Т321Д, 1Т321Е...................................100 мкА
7=4-70 “С, Укв-ЗО В 1Т321Л, 1Т321Б, 1Т321В,
1Т321Г, 1Т321Д, 1Т321Е............................. 1,2 мА
Обратный ток коллектор — эмиттер при /?4а=100 Ом, не
более:
и1!й-50 В 1Т321А, ГТ321А, 1Т321Б, ГТ321Б, 1Т321В,
ГТ321В.............................................0,8 мА
Пкэ=-40 В 1Т321Г, ГТ321Г, 1Т321Д, ГТ321Д, 1Т321Е,
ГТ321Е............................................. 0,8 мА
Емкость коллекторного перехода при (Л;Б = 10 В, не более:
1Т321А, 1Т321Б 1Т321В, 1Т321Г, 1Т321Д. 1Т321Е . 550 пФ
ГТ321А, ГТ32Б, ГТ321В, ГТ321Г, ГТ321Д, ГТ321Е 600 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
при 7= 4-45 °C-
1Т321А, 1Т321Б, 1Т321В..............................60 В
1Т321Г, 1Т321Д 1Т321Е..............................45 В
при 7 = 4-70=С 1Т321А 1Т321Б, 1Т321В, 1Т321Г,
1Т321Д, 1Т321Е ...............................30 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при 7=
= 4-20 °C, R6.= 100 Ом:
1Т321А, 1Т321Б, 1Т321В.............................50 В
1Т321Г, 1Т321Д, 1Т321Е.............................40 В
Постоянное напряжение колтектор—-эмиттер при отклю-
ченной базе-
ГТ321А, ГТ321Б, ГТ321В.............................40 В
ГТ321Г, ГТ321Д, ГТ321Е.............................30 В
9*
131
Продолжение
Постоянное напряжение эмиттер — база:
1Т321А, 1Т321Б IT321B...........................
1Т321Г 1Т321Д, 1Т321Е ... . . .
Импульсное напряженно коллектор — база при Д =
= 30 мкс.
1Т321 \, 1Т321Б, IT321B . . .
1Т321Г 1Т321Д, 1T32IE . . .
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при /?«□ =
= 100 Ом, tu = 30 мкс:
1Т321А, 1Т321Б, 1Т321В..........................
1Т321Г, 1Т321Д, 1Т321Е..........................
И, .стоянный ток коллектора . . .............
ГЬ стоянный ток базы . . . .............
Импульсный ток коллектора при fu = 30 мкс:
Г = +45СС................. .....................
Г—+60 °C........................................
Т— 70°С 1Т321А, 1Т321Б, 1Т321В, 1Т321Г, 1Т321Д,
ГТ321Е . ... .............
Импульсный ток базы при fu=30 мкс . . . .
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
Т +45 С......................... . . .
7=+60сС . . . . . . .
Г=+70°С 1Т321Л, 1Т 21Б, 1Т321В, 1Т321Г, 1Т321Д,
1T32IE . .
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при /„ =
= 30 мкс:
7'=+45сС .............................
Г=+60сС ...................................
Т=+70°С 1Т321Л, 1Т321Б, 1Т321В, 1Т321Г, 1Т321Д,
1Т321Е . ..........................
Тепловое сопротивление переход — среда 1Т321А, 1Т321Б,
1Т321В, 1Т321Г, 1Т321Д, 1Т321Е . . . .
Температура р-п перехода:
ГТ321Л, ГТ321Б, ГТ321В, ГТ321Г, ГТ321Д, ГТ321Е
1Т321А, 1Т321Б, 1Т321В, 1Т321Г, 1Т321Д, 1Т321Е
Температура окружающей среды:
ГТ321Л, ГТ321Б, ГТ321В, ГТ321Г, ГТ321Д, ГТ321Е
1Т321А, 1Т321Б IT321B 1Т321Г, 1Т321Д, 1Т321Е
4 В
2,5 В
60 В
45 В
50 В
40 В
200 мА
30 мА
2 А
1,64 А
1,5 А
0,5 А
160 мВт
100 мВт
60 мВт
20 Вт
15,2 Вт
12 Вт
0,25°С/мВт
+80 СС
+85 °C
—60 +70 °C
— 55...+60 °C
2Т321А, 2Т321Б, 2Т321В, 2Т321Г, 2Т321Д, 2Т321Е,
КТ321А, КТ321Б, КТ321В. КТ321Г, КТ321Д, КТ321Е
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры р-п-р им-
пульсные. Предназначены для применения в импульсных усилителях и пере-
ключающих устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими
выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не ботее 2,2 г.
2Т32КА Е), КТ32КА Е)
эпиштера
132
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ:
при £/кэ=3 В, /к=50 мА 7 = 4-25оС:
2Т321А, 2Т321Г, КТ321Л. КТ321Г............................ 20 60
2Т321Б, 2Т321Д, КТ321Б, КТ321Д . . . . • 40 120
2Т321В 2Т321Е, КТ321В, КТ321Е... 80 200
при Unз=3 В, /к=50 мА, Т=— 60 °C:
2Т321А, 2Т321Г .................... 10.120
2Т321Б Д321Д ...20. 940
2Т321В 2Т321Е . . 40.. 400
при Uкв 3 В 1 к = 50 мА, Т= -4*125 °C:
2Т321Л, 2Т321Г.............................. ... 8... 120
2Т321Б, 2Т321Д........ 16. .240
2Т321В, 2Т321Е............................32 „400
при (Ука=8 В, /к=1,5 А, 7 —-f-25oC, ие менее:
2Т321А, 2Т321Г............................15
2Т321Б, 2Т321В, 2Т321Д, 2Т321Е............................20
Граничная частота коэффициента передачи тока при
Ukb= Ю В, /э=15 мА, не менее........................... .60 МГц
Постоянная времен! цепи обратной связи при С'кБ=10 В,
/в=15 мА, f=5 МГц, не более . . 400 нс
Время рассасывания при /к=700 мА и /в = 70 мА для
2Т321А, 2Т321Г, КТ321А, КТ321Г, /с=35 мА для 2Т321Б,
2Т321Д, КТ321Б, КТ321Д, /с=175 мА для 2Т321В,
2Т321Е, KT32IB, КТ321Е, не более............................. 1 мкс
Граничное напряжение при /в=0,5 А, не менее:
2Т321А, 2Т321Б, 2T32IB......................................45 В
2Т321Г, 2Т321Д, 2Т321Е......................................35 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер прн 1к =
= 700 мА, /г=140 мА для 2Т321А, 2Т321Г, КТ321А,
КТ321Г, 1г, = 70 мА для 2Т321Б. 2Т321Д КТ321Б, КТ321Д,
/Б=35 мА для 2Т321В, 2Т321Е, КТ321В, КТ321Е, не более 2,5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер прн /к=700 мА,
/Б=140 мА для 2Т321А, 2Т321Г, КТ321А, КТ321Г, /Б=
= 70 мА для 2Т321Б, 2Т321Д, КТ321Б, КТ321Д, /в=
= 35 мА для 2Т321В, 2Т321Е, КТ321В, КТ321Е, tie более 1,3 В
Обратный ток коллектора, не более:
При Г = +2о С, Uкв—UЦП,макс ... . 100 мкА
при 7= 4-125 °C, 1/кв=30 В для 2Т321А, 2Т321Б,
2Т321В, 2Т321Г, 2Т321Д, 2Т321Е . . 300 мкА
Обратный ток коллектор — эмиттер при Uks=Ukb макс,
100 Ом для 2Т321А, 2Т321Б, 2Т321В, 2Т321Г,
2Т321Д, 2Т321Е, нс более....................................... 200 мкА
Обратный ток эмиттера прн {7эв=4 В, не более . . 100 мкА
Емкость коллекторного перехода при (ЛсБ=10 В, ие более:
2Т321А, 2Т321Б, 2T32IB, 2Т321Г, 2Т321Д, 2Т321Е 40 пФ
КТ321А, КТ321Б, КТ321В, КТ321Г, КТ321Д, КТ321Е 80 пФ
Емкость эмиттериого перехода прн {7эс=0,5 В, не более 250 нФ
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение коллектор — база:
2T32IA, 2Т321Б, 2Т321В, 2Т321Г, 2Т321Д, 2Т321Е 60 В
КТ321А, КТ321Б, КТ321В, КТ321Г, КТ321Д. КТ321Е 45 В
Напряжение коллектор—эмиттер при 1 кОм:
2Т321А, 2Т321Б 2Т321В. КТ321Л, КТ321Б, КТ321В 50 В
2Т321Г 2Т321Д, 2T32IE, КТ321 Г, КТ321Д, КТ321Е . 40 В
Напряжение эмиттер — база..............................,4В
Постоянный ток коллектора...................................... 200 мА
Постоянный ток базы............................................30 мА
133
Импульсный ток коллектора* при /„^30 мкс, Q^300,
7'^45 °C..............................................
Импульсный ток базы...................................
Постоянная нлп средняя рассеиваемая мощность коллек-
тора прн Г^45 °C......................................
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора1 прн
/„«£30 мкс, Q^300, Т'«£45°С .................
Тепловое сопротивление переход — сре.»а...............
Температура р-п перехода . . ..............
Температура окружающей среды . .............
Продолжение
2 А
0,5 А
210 мВт
20 Вт
0,5 °С/Вт
+ 150 °C
- 60...+ 125 °C
1 В диапазоне температур +45...+125’С допустимые значения п.м пул ясного тока
коллектора н импульсной рассеиваемой мощности снижаются линейно на 0,01 Л,"С и
0.18 Вт/С cooTBCicTBeuilo.
ГТ322Д, ГТ322Б, ГТ322В
Транзисторы германиевые днффузнонно-сплавные структуры р-п-р усилитель-
ные с нормированным коэффициентом шума. Предназначены для применения
в усилителях промежуточной и высокой частот. Выпускаются в металлостеклян-
ном корпусе с гибкими выводами. Kopi ус транзистора электрически соединен
с дополнительным (четвертым) выводом i может быть использован в качестве
экрана. Выводы эмиттера, базы и коллектора электрически изолированы от кор-
пуса транзистора.
Масса транзистора не более 0,6 г.
ГТ322(Ав)
Статический коэффицие> т передачи тока в схеме ОЭ при
/7кэ=5 В, ht=l мА:
ГТ322А . . .......................... 30.. 100
ГТ322Б........................................ 50 120
ГТ322В . . . . ... 20... 120
Граничная частота коэффициента передачи тока при
Пкс=5 В, /э=1 мА, не менее:
ГТ322А, ГТ322Б...................................80 1МГц
ГТ322В . .... . . .50 МГц
Постоянная времени цени обратной связи при /7кВ~5 В,
/э=1 мА, /=5 МГц, не более:
ГТ322А................................................50 нс
ГТ322Б ............................................. 100 нс
ГТ322В........................................... 200 нс
Коэффициент шума при (7кВ=5 В. /в = 1 мА. /=1.6 МГц,
нс более ... .... . . 4 дБ
Обратный ток коллектора при 1/вв=10 В, не более:
Т’=-|_20сС.......................................4 мкА
134
П родолженив
У =+55 °C ... ...................100 мкА
Входное сопротивление в схеме ОБ при (Лив = 5 В, 1э =
= 1 мА, f=50... 1000 Гц, не более . ............34 Ом
Выходная проводимость в схеме ОБ прн (7кв = 5 В,
/о=1 мА, /=50. 1000 Гц, не более.................1 мкСм
Емкость коллекторного перехода при (7ка=5 В, не более:
ГТ322А, ГТ322Б.................................1,8 пФ
ГТ322В................ ........................2,5 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер:
при Г=+55°С, /?бэ=10 кОм:
ГТ322А, ГТ322В.................................. 10 В
ГТ322Б 6 В
при /'=+20°C /?вг=Ю кОм: 15 В
Постоянное напряжение коллектор—база................25 В
Постоянный ток коллектора...........................10 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при Г=+25°С......................................50 мВт
прн /'=+55 °C . ....... Ю мВт
Тепловое сопротивление переход — среда ... . 0,7°С/мВт
Температура р-п перехода:
ГТ322А, ГТ322В................................+65 °C
ГТ322Б . ............................+60 ’С
Температура окружающей среды...................—40...+55’С
Зависимость коэффици-
ента шума от частоты
1Т335Д, 1Т335Б, 1Т335В, 1Т335Г, 1Т335Д
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные структуры р-п-р СВЧ пе-
реключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостекляином корпусе с гибкщш выводами. Тип прибора
указ знается па корпусе
Масса транзистора не более 2,2 г.
1Т335(А~Д)
135
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
и^ц~3 В, /о - 50 мА:
Г= -25 СС-
1Т335А, 1Т335В................................40...70
1Т335Б, 1Т335Г.................................60... 100
1Т335Д................ ..........................50... 100
7 = —60 °C.........................................От 0,6 до 1,4 зна-
чения при Т=
= +25 °C
7 4-70 °C:
1Т335А, 1Т335В....................................От 0,9 до 1,5 зна-
чения при Т —
= +25 СС
1Т335Б, 1Т335Г, 1Т335Д...........................От 0,9 до 1,7 зна-
чения при Т =
= +25 °C
Г раничиая частота коэффициента передачи тока при
С'кб=5 В, 1о= 10 мА, не менее.......................... 300 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи при Ukb=5 В,
/;, = 5 мА, f=5 МГц, не более . ... . . 700 пс
Время рассасывания прн /«=10 мА, /б=0,5 мА, не более:
1Т335А................................................100 нс
1Т335В, 1Т335Д....................................150 нс
типовое значение:
1Т335А ..................................75* нс
1Т335В, 1Т335Д.......................................82*пс
Граничное напряжение прн /о«Ю мА, не менее:
1Т335А, 1Т335Б . .......................13 В
1Т335В, 1Т335Г, 1Т335Д...........................10 В
типовое значение:
1Т335А, 1Т335Б . ........................14,5* В
1Т335В, 1Т335Г, 1Т335Д...........................12.5* В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /« =
= 250 мА, /Б-25 мА не более:
1Т335А, 1Т335Б . ........................2 В
1Т335В 1Т335Г, 1Т335Д ... . . 1,5 В
типовое значение .... . ... 0,72* В
Напряжение насыщения база — эмиттер при /«=10 мА.
/в=1 мА, не более......................................0,45 В
типовое значение . . ............. , 0,36* В
Обратный ток коллектора, не более:
7=4-25°C, С/«в=20 В . ....................10 мкА
Т= -70сС, t/KE- 15 В .....................100 мкА
Обратный ток эмиттера, ие более:
1Т335А, 1Т335Б, 1Т335В, 1Т335Г:
1/Эв = 2 5 В ..........................................5 мА
£7эв=3 В 10 м\
1Т335Л:
UBB 2 В........................................ 60 мкА
1/ЭБ=3 В.................................... .... 1 мА
Емкость коллекторного перехода при 7/кв=5 В, не более:
1Т335А, 1Т335Б . .................... 8,5 пФ
1Т335В, 1Т335Г, 1Т335Д . . . . . 10 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Г/8в=1 В ие ботее 35 иФ
Предельные эксп уата иконные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
/-4-45<< . . . ....................20 В
7=+70 °C ..........................................15 В
136
П родолженив
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при 17кб=
= 0,5 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер прн /?6э=
= 1 кОм:
1Т335А, 1Т335Б:
7 = 4-45сС......................................
7=4-70 °C.......................................
1Т335В, 1Т335Г, 1Т335Д:
19 В
14 В
7=4-70 °C.....................................
Постоянное напряжение эмиттер—база’
7=4-45сС . . . . . .
7=4-70°С . . . . .
Импульсное напряжение коллектор — база при <70б = 2 В,
/„ = 10 мкс, Q=10:
1Т335А, 1Т335Б:
7 = 4-45сС....................................
Т= 70 СС . . . .
1Т335В 1Т335Г, 1Т335Д:
7= 4-45 °C ......................
7=4-70сС . . . . .
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при Uar>=*
=0,5 В, /и=10 мкс, Q= 10:
7=4-45сС.......................................
7=4-70°С ..................................
Импульсное напряжение эмиттер — база при /и = 250 мкс,
<2=10:
7 = 4-45 СС ...................................
7= 4-70 °C ........................ . .
Постоянный ток коллектора:
7=4-45сС.......................................
7= 4-70 °C . . . . .
Импульсный ток коллектора при fu = 50 мкс, <2=5:
7=4-45сС.......................................
7= 4-70 °C ....................................
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при VКв=*
— и«ЭО.гр, tu — 50 мкс, Q = 5.
7=4-60сС . . . .
7=4-70°С . . - .
Тепловое сопротивление переход — среда.............
Температура р-п перехода ...................
Температура окружающей среды.......................
17 В
14 В
14 В
И В
3 В
2,5 В
35 В
30 В
30 В
25 В
25 В
20 В
4 В
3.5 В
150 мА
100 мА
250 мА
150 мА
500 мВт
350 мВт
300 °С/Вт
4-90 °C
— 6О..-4-7О°С
Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор — эмиттер от тока
коллектора
Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор — эмиттер от тем-
пературы
0 50 100 150 200 Г* ,гЛ
Зависимость напряже-
ния насыщения база —
эмиттер от тока koi-
лектора
137
Зависимость напряжения
насыщения база — эмит-
тер от температуры
(рас
Зависимости времени
рассасывания от темпе-
ратуры
(рас г ПКС
Зависимости времени
рассасывания от темпе-
ратуры
ГТ338А, ГТ338Б, ГТ338В
Транзисторы германиевые диффузионно сплавные структуры р п-р лавинные
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тнп прибора
указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1,2 г.
ГТ338{А в)
Электрические параметры
Напряжение лавинного пробоя при RH~75 Ом, С„=40...
60 пФ, f=l5 кГц, не менее:
ГТ338Л...............................................8 В
ГТ338Б...............................................13 В
ГТ338В............................................... 5 В
Время парастапня импульса при 1/Ке=20 В, /?„=75 Ом,
f—15 кГц, не более .... I нс
Обратный ток коллектора при £/ке=20 В, не более . . 30 мкА
Обратный ток коллектор — эмиттер при (7ке = 2О В, /?5,=
— 200 Ом, не более............................... .... 1 мА
Емкость коллекторного перехода при Ukis=5 В не более 2 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Напряженке коллектор — эмнттср нрн R5a=200 Ом . . 20 В
Ток коллектора в лавинном режиме ... I А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора . . . 100 мВт
Тепловое сопротивление переход — среда ..... 0,6°С/мВт
138
Температура р-п перехода..........................
Температура окружающей среды......................
Продолжение
+85 СС
-40...+55 °C
КТ343А, КТ343Б, КТ343В
Транзисторы кремниевые эпитаксиалыю-плаиариые, структуры р-п-р уши
версальные. Предназначены для применения в усилителях и генераторах вьи
сокой и низкой частот, переключающих и импульсных устройствах. Выпускают»
ся в металле стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тнп прибора указывается
на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
КТЗ</3(А-В)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
6,ке=0,3 В, /е = 10 мА, не менее:
7=+25 и +85 °C КТ343А, КТ343В......................30
7=+ 25 и +85 °C КТ343Б.............................50
7=-40 °C КТ343Л, КТ343В .... .15
?=—40сС КТ343Б .................................. .25
Граничная частота коэффициента передачи тока при
6+б=5 В, /е=Ю мА, не менее........................ 300 МГц
Время рассасывания при /л = 10 мА, /в=1 мА, не более:
КТ343А, КТ343В......................................10 пс
КТ343Б..............................................20 пс
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер прн /к =
= 10 мА, /Б=1 мА, ие более............................ 0,3 В
Обратный ток коллектора при Т/кБ=10 В для КТ343А,
КТ343Б и UKn=7 В для КТ343В, не более:
7’ = +25 С..................................... 1 мкА
Г=+85СС........................................10 мкА
Обратный ток коллектор—эмиттер при /?в»=ЮкОм,
Ui<a = Uk3,.wkc, не более .... 100 мкА
Обратный ток эмиттера при 5/ви=4 В, не более . . . 100 мкА
Емкость коллекторного перехода при (7кб=5 В, не бопее 6 пФ
Емкость эмиттериого перехода при 1/дв=0 не более . 8 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
^10 кОм:
КТ343Л, КТ343Б ..................................17 В
КТ343В.............................................. 9 В
Постоянное напряжение эмнттер — база.................. 4 В
Постоянный ток коллектора...............................50 мА
139
Импульсный ток коллектора прн /ц=С10 мкс, <2^500
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
4-70 °C . . .......................
Т 4-85 °C .....................................
Тепловое сопротивление переход — среда ....
Температура р-п перехода ..........................
Температура окружающей среды.......................
Продолжение
150 мА
150 мВт
130 мВт
0,5 °С/чВт
4-150 °C
—40...4-85 °C
КТ350А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры р-п-р универ-
сальный. Предназначен для применения в усилителях высокой частоты и пере-
ключающих устройствах Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими вы-
водами. На корпусе наносится условная маркировка двумя точками серого
и розового цвета
Масса транзистора не более 0,3 г.
КГ350А
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Uкв— 1 В, /э=500 мА:
Т= 4-25 °C ...................................... 20...70* . 200
Т= — 40°С..................... . . 0,5 значения прн
Т=4-25 °C
Т—4-85 °C . ..... От 0,9 до 2 значе-
ний при Т =
= 4-25 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока при
1/кв=5 В, /э= 10 мА, пе менее........................100 МГц
типовое значение................................... 280* МГц
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при !к =
=500 мА, /ь=50 мА, не более.................... 1 В
типовое значение ... .... 0,19* В
Напряжение насыщения база—эмиттер при /«=500 мЛ,
/Б=50 мА, не более ... ................ 1,25 В
типовое значение . . .... 0.92* В
Обратный ток коллектора при 1/кв = 10 В. не более:
7= 4-25 °C .............................. 1 мкА
7 = +85°С ... ................15 мкА
Обратный ток эмиттера при Прг.—4 В, не более ... 10 мкА
П родолжение
Емкость коллекторного перехода при 1/кп=5 В, не более 70 пФ
типовое значение........................... . .12* пФ
Емкость эмиттериого перехода при Ubb—У В, ие более 100 пФ
типовое значение........................................68* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база...............
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Ra^
10 кОм ....................................
Постоянное напряжение эмиттер — база.................
Импульсный ток коллектора при /и^1 мс, Q^IO
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
при Т^+30:С.................................. . . .
при Г = +85СС................. .................
Тепловое сопротивление переход—среда.................
Температура р-п перехода ............................
Температура окружающей среды.........................
20 В
15 В
5 В
600 мА
300 мВт
162,5 мВт
0,4 "С/мВт
+ 150 °C
—40...+85 С
1 В диапазоне температур +30 ..+85'С допустимое значение рассеиваемой мощности
снижается линейно.
Изгиб выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора с ра-
диусом закругления 1,5...2 мм.
Минимально допустимое расстояние от места пайки выводов до корпуса
5 мм прн температуре не выше +250°C и длительности не более 10 с. Темпе-
ратура корпуса при пайке не должна превышать +150 °C.
КТ351А, КТ351Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиальио-плаиарные структуры р-п-р универ-
сальные. Предназначены для применения в усилителях высокой часоты и пере-
ключающих устройствах Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими вы-
водами. На корпусе наносится условная маркировка двумя цветными точками:
КТ351А—желтой и розовой, КТ351Б —двумя желтыми.
Масса транзистора не более 0,3 г.
141
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ прн
U>,£=1 В, /э=300 мА:
Т= -25 °C:
КТ351А" . . . ................... 20...52*...80
КТ351Б ....................................... 50...70*...200
Т= — 40 °C, ие меиее............................0,4 значения при
7=+25 °C
Т 85 °C . . ............. ... От 0,9 до 2 зна-
чений прн Т=
= +25 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока при
Ui;c=b В, 1в—10 мА, не менее . .... 200 МГц
типовое значение . . . . .... 430* МГц
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при 1к—
= 400 мА:
/б=50 мА КТ351А, ие более.......................0,6 В
типовое значение . ......................0,35* В
/б=Ю мА, КТ351Б, не более.......................0,9 В
тип вое значение................................0,46* В
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к=400 мА:
/б=50 мА КТ351 Я, не более......................1,2 В
типовое значение................................0,9* В
/б=10 мА КТ351Б, не более .... . . 1,1 В
типовое значение . ......................0,89* В
О >атный ток коллектора при (7кв=10 В, ие более:
Г=+25°С .... . . . 1 мкА
'Г +85 °C .... .... . . 15 мкА
Обратный ток эмиттера прн Usb 4 В, не более . 10 мкА
Емкость коллекторного перехода при Ukb=5 В, не более 20 пФ
типовое значение........................... .... 9* пФ
Емкость эмиттерного перехода при иэс= 1 В, не более 30 пФ
типовое значение................................20* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база . . . 20 В
Постоянное напряженно коллектор — эмиттер при
<10 кОм.............................................15 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . . . . 5 В
Импульсный ток коллектора при 1и<1 мс, 10 . . 400 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1:
Т<+30 °C........................................ 300 мВт
7=+85сС ............. ... , 162,5 мВт
Тепловое сопротивление переход — среда..............0,4°С/мВт
Тем:ература р-п перехода............................4 150 °C
Температура окружающей средн .......................—40...+85 °C
снижается линейно
Изгиб выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора с ра-
диусом закругления 1,5—2 мм.
Минимально допустимое расстояние от места пайки выводов до корпуса
5 мм при температуре не выше +250°C и длительности не более 10 с. Темпе-
ратура корпуса при пайке не должна превышать +150 °C.
142
КТ352А, КТ352Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры р п-р универ-
сальные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и пе-
реключающих устройствах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими
выводами. На корпусе наносится условная маркировка двумя цветными тот
ками- КТ352А— зеленой п розовой, КТ352Б — зеленой и желтой.
Масса транзистора не бочее 0,3 г.
К735?(А. Б)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Ukb~\ В, /э —200 мА:
Г=+25 СС:
КТ352А.....................................
КТ352Б.....................................
Г- — 40СС, не менее ...
Г=+85°С .................................
Г раничная частота коэффициента передачи тока прн
/7КБ=5 В, /э= 10 мА, не менее........................
типовое значение ................................
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к=
= 200 мА, /£=20 мА для КТ352А, /с=3 мА для КТ352Б,
не более........................................., .
типовое значение ................................
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к=200 мА,
/е=20 мА, для КТ352А, 1^—3 мА для КТ352Б, не более
типовое значение ....................................
Обратный ток коллектора при /7кв=10’В, не более:
Г=4-25СС.......................... . . . .
Т= +85 °C........................................
Обратный ток эмиттера при /7ав=4 В, нс более
Емкость коллекторного перехода прн Uku=5 В, ие более
типовое значение ....................................
Емкость эмнттерпого перехода при /Л>в=1 В, не более
типовое значение ....................................
25. .65* 120
70. .115* .300
0,3 значения при
Г=+25 °C
От 0,9 до 2 значе-
ний при Г=
—1-25 °C
200 МГц
450* МГц
0,6 В
0,37*В
1,1 В
0,81* В
1 мкА
10 мкА
10 мкА
15 пФ
9,5* нФ
30 пФ
20* пФ
143
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Rr,,^
Постоянное наиряжс тс эмиттер — база
Импульсный ток коллектора при мс, Q^IO
И стояниая рассеиваемая мощность коллектора*:
7 si +30 °C ... . ................
Г=+85ОС . . . ,
Тепловое сопротивление переход — среза..............
Температура р п перехода ...........................
Температура окружающей срезы .......................
20 В
15 В
5 В
200 мА
300 мВт
162,5 мВт
0.4 °С/мВт
+ 150 °C
—40 +85 °C
В диапазоне температур +30... + 85сС допустимое значение рассеиваемой мощности
снижается линейно.
Изгиб выводов допускается не б шже 5 мм от корпуса транзистора с ра-
диусом закругления 1,5. .2 мм
Минимально допустимое расстояние от места папки выводов до корпуса
5 мм при температуре не выше +250 °C и длительности не более 10 с. Темпе-
1 зтура корпуса при папке не должна превышать +150°C.
КТ357А, КТ357Б, КТ357В, КТ357Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиа ы:о-плапарные структуры р п р универ-
сальные Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и пе-
реключающих устройствах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими
выводами Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,2 г.
КТ357[А Г)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ три
б/дд=0,5 В, /к = 10 мА:
Т= +25 °C:
КТ357А, КТ357В..................................20 ..100
КТ357Б КТ357Г.................................. 60 300
Т +85 °C
КТ357А, КТ357В . . . . 20 250
КТ357Б, КТ357Г............................... 60 .750
Г=—40 °C:
КТ357А, КТ357В.................................8 .100
КТ357Б, КТ357Г.............................. 20. .300
Граничная частота коэффициента передачи тока при
б/кв = 5 В, /ч-=Ю мА, не менее .... 300 МГц
Время рассасывания при /«= 10 мА, /Б=1 мА, не более 150 ис
144
Продолжение
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при 1К =
= 10 мА, /г=1 мА, не более .... 0,3 В
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к=10мА,
h. 1 мА, не более......................... 1 В
Обратный ток коллектора при Uke=Uke маКс, ие более
Г=+25 и -40 °C.................................. .5 мкА
Т = +85 °C . . . . , . 40 мкА
Обратный ток эмиттера при Е'эв = 3,5 В, ие более . 5 мкА
Емкость коллекторного перехода при 17ьк = 5 В, не более 7 пФ
Емкость эмнттериого перехода при UBb = 0, не более 10 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянные напряжения коллектор — база, коллектор —
эмиттер
КТ357А, КТ357Б..................................
КТ357В, КТ357Г..................................
Постоянное напряжение эмиттер — база................
Постоянный ток коллектора........................
Импульсный ток коллектора прн /„^1 мкс . . . ,
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
7^+50 °C........................................
7’=+85 С ..... . .
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при
1 мкс........................................ . .
Тепловое сопротивление переход — среда . . . .
Температура р п перехода ................
Температура окружающей среды........................
6 В
20 В
3,5 В
40 мА
80 мА
100 мВт
50 мВт
200 мВт
0,7°С/.мВт
+ 120'С
—40...+85 °C
1 В дпшазоне температур
снижается линейно.
+50...+85 °C допустимое значение
рассеиваемой мощности
Допускается трехкратный изгиб выводов не ближе 3 мм от корпуса тран-
зистора с радиусом закругления не менее 1 мм
Максимально допустимое расстояние от места пайки выводов до корпуса
5 мм при температуре ие выше +260 °C н длительности не более 10 с.
Зависимости статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока кол-
лектора
Д<эс наис/^кз. нокс
п
1.0
0,9
0.8
0.7
0.6
0.5
Ю to2 Ю3 to" 10sRfc Он
Зависимости максималь-
но допустимого посто-
янного напряжения кол-
лектор — эмиттер от со-
противления база —
эмиттер
10 Заказ № 1080
145
КТ361А, KT 361 Б, КТ361В, КТ361Г, КТ361Д, КТ361Е
НТ361(А-Е)
Транзисторы кремниевые эпи-
таксиально-планарные структуры
р-п-р усилительные Предназначе-
ны для применения в усилителях
высокой частоты Выпускаются в
пластмассовом корпусе с гибкими
выводами Тип прибора указыва-
ется в этикетке
Масса транзистора не более
0,3 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
(7кг = 10 В, /э=1 мА:
Т = +25*С:
КТ361Л, КТ361Д.................................20 ..90
КТ361Б, КТ361Г, КТ361С . . . . 50 .350
КТ361В.........................................40.160
Т= + 100 СС:
КТ361А, КТ361Д ...................... 20.250
КТ361Б, КТ361Г, КТ361Т ............. 50.500
КТ361В . . .......................... 20..300
Г=-60 °C:
KT36IA, КТ361Д ..........................10.90
КТ361Б. КТ361Г, КТ361Е........................15.350
КТ361В ... .... ... 10... 160
Граничная частота коэффициента передачи тока прн
Ю В, /э=5 мА, нс менее . . 250 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи прн Uitc-10 В,
/э = 5 мА, /=5 МГц, не более:
КТ361А, КТ361Б, КТ361Г . ................. 500 пс
КТ361В, КТ361Е................................ . 1000 нс
КТ361Д ............................... , 250 пс
Обратный ток коллектора прн (Л<Е=10 В. не более:
7=+25 и -60 °C .... . . I мкА
Т—рюо°С..........................................25 мкА
Обратный ток коллектор — эмиттер прн /?6j=I0 кОм,
Ukb.m.kc, не более ..... I мкА
Емкость коллекторного перехода при <7кб=Ю В, не более:
КТ361А, КТ361Б...................................9 пФ
КТ361В, КТ361Г, КТ361Д, КТ361Е.................7 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянные напряжения коллектор — база, коллектор —
эмиттер 1 прн 7?бэ=ЮкОм:
7г£+35°С:
KT36IA...........................................25 В
КТ361Б .................................20 В
КТ361В. КТ361Д.................................40 В
КТ361Г, КТ361Е.................................35 В
7=+ 100*42:
КТ361А............................................20 В
КТ361Б............................................15 В
146
Продолжение
КТ361В, КТ361Д.....................................35 В
КТ361Г, КТ361Е.....................................30 В
Постоянное напряжение база — эмиттер.....................4 В
Постоянный ток коллектора...............................50 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора ;
при Г^+35 С.......................................150 мВт
при Т= 4-100 °C .... . .30 мВт
Температура рп перехода........................... . 4-120 °C
Температура окружающей среды............................—60 ..4*100 °C
1 В диапазоне температур +35... + 100 °C допустимые значения рассеиваемой мощно-
сти и напряжения коллектор — эмиттер снижаются линейно.
Допускается трехкратный изгиб выводов не
ближе 2 мм от корпуса транзистора с радиусом
закругления 1,5...2 мм.
Минимально допустимое расстояние от места
пайки выводов до корпуса 2 мм.
Зависимости статического коэффициента передачи тока
от тока эмиттера
О ♦ В 12 1613, нА
Зависимости постоянной
времени цепи обратной
связи от тока эмит-
тера
Зависимости напряже-
ния насыщения коллек
тор — эмиттер от темпе-
ратуры
0 5 10 15 20 1Э нА
Зависимость граничной
частоты от тока эмит-
тера
2В64А-2, КТ364Б-2, 2Т364В-2
КТ364А-2, КТ364Б-2, КТ364В-2
Транзисторы кремниевые эпп-
таксиялыю-илаиариые структуры
р-п-р переключательные. Пред-
назначены для применения в пере-
ключающих устройствах гермети-
зированной аппаратуры. Бескор-
пусиые на крнсталлодержателе с
гибкими выводами и защитники
покрытием. Выпускаются в инди-
видуальной сопроводительной та-
ре. Тип прибора указывается на
сопроводительной таре.
Масса транзистора пе более
0,006 г.
10*
гтзб^л 2-в-г), ктзбо(А г-в г)
Э. ектрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
UKr-\ В /,= 100 мА
7 = + 25 °C •
2Т364А-2, КТ364А-2.............................20.70
2Т364Б-2, КТ364Б-2.............................40.. 120
2Т364В-2, КТ364В 2 80 ..240
7=-60 °C 2Т364Л 2, 2Т364Б 2. 2Т364 В 2, нс менее 0,3 значения при
7— 25 °C
Т —40 °C КТ364А 2, КТ364Б 2 КТ364В-2, нс менее 0,3 значения при
7=4-25 °C
7= 4-85 °C, не более .... .... 25 значения при
7=4-25°С
Граничная частота коэффициента передачи тока при Ukb —
= 2 В, /э= 10 мА, не менее......................... . 250 МГц
типовое значение............................... . 350* МГц
Постоянная времени цепи обратной связи при /У«Е=2 В,
/о=5 мА, /=5 МГц, нс более........................... 500 нс
типовое значение . . ... . 120*ис
Время рассасывания при /к = 100 мА, /Е1 = /с2=Ю мА, не
более:
2Т364А-2, КТ362А-2..............................100 нс
2Т364Б 2 .... .......................130 нс
2Т364В-2........................... .... . . 160 нс
КТ364Б-2.........................................180 ис
КТ364В-2 ................................... .... 230 нс
Напряжение насыщения киллекг р — эмиттер при /к =
= 100 мА, /Б= 10 мА, не более........................0,3 В
типовое значение ..................... • 0,15* В
Напряжение насыщения база—эмиттер при /«=100 мА
/Б=10 мА, не более................ ..................1,1 В
типовое значение . 0,9* В
Обратный ток коллектора при 1/«в=25 В, не более:
7=4-25 СС . . • ... .1 мкА
7 4-85 °C ... .............10 мкА.
Обратный ток эмиттера при Ugc=5 В, не более:
7=4-25 °C ...........................................1 м'<Л
7-4-85'С ................. ......................Ю мкА
Емкость коллекторного перехода при Ukb~5 В, не более 15 нФ
типовое значение ................................. . 7* пФ
Емкость э.миттерного перехода при Сов 0, не более . 30 нФ
типовое значение.....................................14* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база...............
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при R^^
^10 кОм .............................................
Постоянное напряжение эмиттер — база.................
Постоянный ток коллектора...................•
Импульсный ток коллектора при /и^10 мкс, 10
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при 7^4-25 °C.......................................
при 7=+85 °C.....................................
Тепловое сопротивление переход — подложка . . . .
Температура р-п перехода ....................
Температура окружающей среды:
2Т364А-2, КТ364Б2, КТ364В-2......................
КТ364А-2, КТ364Б-2, КТ364В-2.....................
25 В
20 В
5 В
200 мА
400 мА
30 мВт
12 мВт
3,3 °С/мВт
+ 125 °C
-60...+85 °C
—40...+85 °C
148
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока
э.миттера
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от темпера-
туры
Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор— эмиттер от тока
коллектора
Зависимость напряжения
насыщения коллектор —
эмиттер от температуры
Зависимость напряжения
насыщения база — эмит-
тер от тока коллектора
Зависимость напряжения
насыщения база — эмит-
тер от температуры
КТ380А, КТ380Б, КТ380В
Транзисторы кремниевые эпнтаксиалыю-иланарпые структуры р п р универ-
сальные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и пе-
реключающих устройствах герметизированной аппаратуры. Бескорпуспые с гнб-
КТ380(А В)
База
149
кнми выводами и защитным покрытием Транзисторы помещаются в герметич,
ную упаковку. Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,01 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
UKB=0,3 В, /а =10 мА:
7=4-2Г <
КТ380А, КТ380В...................................... 30 90
КТ380Б . . ................50 .150
7=4-85 °C:
КТ380А, КТ380В...............................30... 180
КТ380Б ............................. 50.. 300
Т -45 °C:
КТ380А, КТ380В...............................15...90
КТ380Б ................................... .... 25. 150
Граничная частота коэффициента передачи тока при 1/Кв=
= 2 В, /0=5 мА, не менее............................... 300 МГц
Время рассасывания при /к = 10 мА, 1вш 1 мА, не более:
КТ380А, КТ380В...................................... 10 нс
КТ380Б...............................................20 нс
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к =
= 10 мА, /Е=1 мА, ие более ... ... 0,3 В
Обратный ток коллектора КТ380Л, КТ380Б при Uke~ 10 В
и КТ380В при {7кб=7 В, не более:
7—4-25 °C . ............................. 1 мкА
7=4-85 °C...................................., . 10 мкА
Обратный ток коллектор — эмиттер при /?б»=10 кОм,
('кэ=17 В для КТ380А, КТ380Б, и t/KS=9 В для
КТ380В, не более ............................. ... 100 мкА
Емкость коллекторного перехода при Г/кв=5 В, не более 6 пФ
Емкость эмиттсрного перехода при UBE-Q, не более 8 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
= 10 кОм-
КТ380А КТ380Б ............................17 В
КТ380В ...............................................9 В
Постоянное напряжение эмиттер — база......................4 В
Постоянный ток коллектора 1:
7= 4-25 °C...........................................10 мА
7=4-85 °C ............................................5 мА
Импульсный ток коллектора при luag 100 мкс, Q>5 25 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
7^25 °C..................................................15 мВТ
7= 4-85°C.............................................5 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора прн Л,
^100 мкс, Q^5 . ..........................50 мВт
Тепловое сопротивление переход — среда....................3 ° С/м Вт
Температура р-п перехода.................................4-Ю0°С
Температура окружающей среды ....... —45.-4-85 °C
* В диапазоне температур +25,.+85 °C допустимое значение постоянного тока кол-
лектора снижается линейно.
150
Зависимости максималь-
но допустимой импульс-
ной рассеиваемой мощ-
ности от длительности
импульса
Зависимости статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока
эмиттера
Зависимости ci этическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от напряже-
ния коллектор — эмит-
тер
-60-30 0 30 60 VC
Зависимость напряжения
нас! । щейия коллектор —
эмиттер от температуры
2Т388А-2, 2Т388АМ-2, КТ388Б-2, КТ388БМ-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры р-п-р универ-
сальные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты, им-
пульсных н переключающих устройствах герметизированной аппаратуры. Бес-
корпусиые на металлическом кристаллодержателе и без кристаллодержателя
(2Т388А-2, КТ388Б-2). Выпускаются в сопроводительной таре с возможностью
измерения параметров без извлечения их из тары. Коллектор электрически
соединен с кристаляодержателем. Тип прибора указывается на корпусе сопро-
водительной тары.
Масса транзистора не более 0,01 г.
27388АН 2, К7388БН 2
151
Электрические параметры
Статический коэффи шепт передачи тока в схеме ОЭ при
г/кэ=1 В, /э= 120 х А:
7=4-25 °C .... .................25.. 100
Т—(-125 'С.................................... ... 25 ..200
Т —60 °C ... ............. . . 10...100
Граничная частота коэффициента передачи тока при
6/кэ=5 В, /к = 30 мА, не менее . . .............. 250 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи при £7x3=10 В,
/э = 30 мА, /=30 МГц............................. .... 60* пс
Время рассасывания прн /к = 100 .мА, /б( —/к: 10 мЛ,
не более:
2Т388А-2, 2Т388АМ 2....................................60 нс
КТ388Б-2, КТ388БМ-2...................................120 нс
Время выключения при /к= 120 мА, /Е=12 мА . . . 75* нс
Время включения при /к=120 мА, /в=12 мА . . . 30*нс
Граничное напряжение прн 1Э= 10 мА. не менее . . . 50 В
Напряжение насыщения коллектор — эмнттср при
120 мА, /в=12 мА, ие более:
2Т388А-2, 2Т388АМ 2..................... . . 0,6 В
КТ388Б-2, КТ388БМ-2...............................1 В
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к=120 мА,
/в 12 мА, нс более:
2Т388А-2, 2Т388АМ 2...............................1,2 В
КТ388Б-2, КТ388БМ-2 .... . . 1,3 В
Обратный ток коллектора при £7Кб=50 В, ие более:
7=4-25 °C .... .................2 мкА
Г=4-125°С .... .................10 мкА
Обратный ток коллектор — эмиттер £7кз=50 В, /?>,=
— 1 кОм, ие более................. . 2 мкА
Обратный ток эмиттера прн {7эб = 4,5 В, не более . . 2 мкА
Емкость коллекторного перехода при Ukb= 10 В, не более:
2Т388Л-2, 2Т388ЛМ 2 . ... . . 7 пФ
КТ388Б-2, КТ388БЧ 2 . . . ..............10 пФ
Емкость эмнттерпого перехода при £7эб=0,5 В не более:
2Т388А-2, 2Т388ЛМ-2...................................25 пФ
КТ388Б-2, КТ388БМ 2...............................30 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база................50 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер прн
^1 кОм...................................... ... 50 В
Постоянное напряжение эмиттер — база ... . 4,5 В
Постоянный ток коллектора ............................ 250 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Rt=
= 183 °C/Вт-
7s£4-80cC . . .... .... 0,3 Вт
7-=4*125 °C . .............................. 0,055 Вт
Температура р-п перехода .... .... 4-135сС
Температура окружающей срелы..........................—60...4-125 °C
152
^НЭ.иас • ®
1,0
0,8
0,6
02
О 50 ЮО 150 200 1к,пА
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока
эмиттера
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока о г напряже-
ния коллектор — эмиттер
Зависимость напряжения
нас ы ще ви я кол л ек гор —
э мин ер от гок а кол-
лектора
Зависимость напряжения
насыщения база — эмиг-
тср от тока коллектора
Зависимость граничной
частоты от тока кол-
лектора
Зависимость граничной
частоты от напряжения
коллектор — эмиттер
КТ3104А, КТ3104Б, КТЗ 104В, КТ3104Г, КТ310ДД, КТ3104Е
Транзисторы кремниевые планар-
ные структуры р-п-р усилительные
с нормированным коэффициентом шу-
ма на частоте 60 МГц. Предназна-
чены для применения во входных и
последующих каскадах УВЧ герме-
тизированной аппаратуры. Бескорпус-
пые с гибкими выводами и защитным
покрытием. Тип прибора указыва-
ется в этикетке.
Масса транзистора не бо. ее
0,01 г.
К73!0Ч(А-Е)
Боза коллектор Зпиттер
153
Э; ектрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
В, /э = 2 мА.
Т=4-25 °C
КТ3104А, КТ3104Г................................15 40
КТ3104Б, КТ3104Д................................50..150
КТ3104В, КТ3104Е................................70 .280
Т=— 60 °C:
КТ3104А, КТ3104Г................................7,5 90
КТ3104Б, КТ3104Д ... .... . 25...150
КТ3104В, КТ3104Е................................ 55 .280
Г=-|-100 °C:
КТ3104А, КТ3104Г................................15. .180
КТЗЮ4Б, КТ3104Д................................. 50. 300
КТ3104В, КТ3104Е................................ 70...560
Граничная частота коэффициента передачи тока при
Ukb = 2 В, /э = 5 мА, пе менее . .... 200 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи при Uks = 2 В,
/к=2 мА, /=60 МГц, не более........................... 800 нс
Коэффициент шума при б,кэ = 2В, /д = 1 мА, f—GO МГц, не
более................................................... 8 тБ
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к =
= 10 мА, /в=1 мА, не более........................... 1 В
Обратный ток коллектора при Uke=Uhc * к , ие более:
Г-4-25 °C . . ........................... 1 мкА
Г=4-100°С....................................... 5 мкА
Обратный ток эмиттера при (Л>в=3,5 В, не более . . 1 мкА
Емкость коллекторного перехода при Ukc = 5 В, пе более 25 пФ
Емкость эмиттериого перехода при Ubh=2 В. не более 25 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база и коллектор —
эмиттер’
КТ3104Л, КТ3104Б, КТ3104В...........................30 В
КТ3104Г, КТ3104Д. КТ3104Е...........................10 В
Постоянное напряжение эмиттер — база...................3,5 В
Постоянный ток коллектора ... ..... 10 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1;
4-25 °C.................................................15 мВт
Т=4-100 °C.......................................5 мВт
Температура рп перехода..............................4-100°C
Температура окружающей среды..........................—60. 4-100 °C
1 В диапазоне температур +25... + 100 ’С допустимое значение рассеиваемой мощности
снижается лнлейно.
154
КТ3107А, КТ3107Б, KT3107B, КТ3107Г, КТ3107Д, KT3107E,
КТ3107Ж, КТ3107И, KT3107K, КТ3107Л
КТ3107(А E)
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-пла-
нарные структуры р-п р усилительные с нормиро-
ванным коэффициентом шума на частоте 1 кГц.
Предназначены для применения в усилителях,
генераторах низкой и высокой частот переклю-
чающих устройствах; являются комплементарны-
ми транзисторами КТ3102А—КТ3102Е. Выпуска-
ются в пластмассовом корпусе с гибкими выво-
дами. На корпусе наносится условная маркиров-
ка— две цветные точки: КТ3107А — голубая и
розовая; КТ3107Б—голубая и желтая; КТ3107В—
голубая и синяя; КТ31071— голубая и бежевая;
КТ3107Д — голубая и оранжевая; КТ3107Е —
голубая н цвета электрик; КТ3107Ж — голубая и
салатовая; КТ3107И — голубая и зеленая;
KT3I07K — голубая и красная; КТ3107Л — голу-
бая и серая.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи гока в схеме ОЭ 1ри
Ukb~5 В:
/э=2 мА, Т -25 °C:
КТ3107А, КТ3107В ..............
КТ3107Б, КТ3107Г, КТ3107Е ..................
КТ3107Д, КТ3107Ж, КТ3107И . .
КТ3107К, КТ3107Л............................
Т — 60 ‘ С, не менее..........................
Г= 4-125 °C...........................................
7э=0,01 мА:
КТ3107Л, КТ3107В...............................
КТ3107В, КТ3107Г, КТ3107Е......................
КТ3107Д КТ3107Ж, КТ3107И ...
КТ3107К, КТ3107Д...............................
/в= 100 мА:
КТ3107А, КТ3107В............................
КТ3107Б, КТ3107Г, КТ3107Д, КТ3107Е, КТ3107Ж,
КТ3107И.....................................
КТ3107К, КТ3107Я..............................
Граничная частота коэффициента передачи тока при
Дкб=5 В, /э = 10 мА, не меиее . . . . . .
Коэффициент шума при Г/Кб=5 В. /к = 0,2 мА, f=l кГц,
/?г = 2 кОм, пе более:
КТ3107А, КТ3107Б, КТ3107В, КТ3107Г, КТ3107Д,
КТ3107И, КТ3107К
КТ3107Е, КТ3107Ж, КТ3107Д........................
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, не более:
при /я=100 мА, /с=5 мА..............................
при /к=10 мА, /в—0,5 мА......................, ,
Напряжение насыщения база — эмиттер, не более:
при /к—100 мА, /б = 5 мА............................
прн /к=Ю мА /б=0,5 мА........................ .
70 .140
120 220
180 .460
380 ..800
0,3 значения при
Г=4-25 'С
От 0,8 до 2,5 зна-
чения прн Г=»
= 4-25 "С
20.50
30 .80
40. .90
100. 220
30.. 60
50 100
90. 250
200 .МГц
10 дБ
4 дБ
0,5 В
0,2 В
1 В
0,8 В
155
П родолжение
Обратный ток коллектора при Uke -20 В, не более:
Г-+25 °C ... ............. 0,1 мкА
Г = + 125’С ... ............. 4 мкА
Обратный ток эмиттера при б/эв=5 В, не более . 0,1 мкА
Емкость коллекторного перехода при £/ке=10 В, ие более 7 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
KT31O7A, КТ3107Б, КХ3107И .... 50 В
КТ3107В, КГ3107Г, КТ3107Д, КТ3107К .... 30 В
КТ3107Е, КТ3107Ж, КТ3107Л . .... 25 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер:
КТ3107А, КТ3107Б, КТ3107И................................45 В
КТ3107В, КТ3107Г, КТ3107Д, КТ3107К .... 25 В
КТ3107Е, КТ3107Ж, КТ3107Л............................20 В
Постоянное напряженке эмиттер — база..................... 5 В
Постоянный ток коллектора............................100 мА
Постоянный ток базы:
КТ3107Ч, КТ3107Б, КТ3107В, КТ3107Г, КТ3107Д,
КТ3107Е, КТ3107Ж, КТ3107И . . . . 50 мА
КТ3107К, КТ3107Л................................. 5 мА
Импульсный ток коллектора прн /„—10 мкс, QJ>2 . . 200 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
Г<+25°С............................................. 300 мВт
Г= + 125°С . . .........................60 мВт
Тепловое сопротивление переход — среда.................0,42°С/мВт
Температура рп перехода .............................+150°С
Температура окружающей среды . . .... —60 ..+125 °C
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от темпера-
туры
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от темпера-
туры
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от темпера-
туры
40/ 0,1 1!к.нА 0,01 0,1 1
Зависимости коэффици-
ента шума от тока кол-
лектора
Зависимости коэффици-
ента шума от тока кол-
лектора
156
2Т3108А, 2Т3108Б, 213108 В, KT3108A, КТ3108Б, KT3108B
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры р-п-р усили-
тельные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц Пред-
назначены для применения в логарифмических видеоусилителях н линейных
усилителях высокой частоты Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гиб-
кими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
/7кв=1 В:
Г-=+25°С, /э=0,1 мА............................
/э=10 мА 2Т3108А, 2ТЗЮ8Б, КТ3108А, KT3108D
2Т3108В, КТ3108В..............................
/э-50 мА 2Т3108А, КТ3108Б, КТ3108А, КТ3108Б
2Т3108В, КТ3108В..............................
Т=Тми„, /о=10 мА..................................
Т-Тмякс, 7э=10мА
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
ОЭ при (7кв=20 В, /к=10 мА:
2Т3108Л, 2Т3108Б, КТ3108А, КТ3108Б................
2Т3108В, КТ3108В...................................
Постоянная времени цепи обратной связи при Г/КБ—10 В,
/к-10 мА, f=30 МГц..................................
Коэффициент шума при 17кэ=5 В, /к—1 мА, /- 100 МГц,
/?„=50 Ом .................... ...
Время рассасывания при 1к 10 мА, /ы=1 мА /е2=1 мА
для 2Т3108А, 2Т3108Б, КТ3108А, КТ3108Б . . .
Время задержки при /к=10 мА, 1б~ 1 мА, £/эб=0,5 В,
«к=275 Ом для 2Т3108А, 2Т3108Б, КТ3108А, КТ3108Б
Время нарастания при /к = 10 мА, /Б=1 мА, {7sb=0,5 В,
/?к=275 Ом для 2Т3108А, 2Т3108Б, КТ3108А, КТ3108Б
Время спада при /к=10 мА, Zei = 1 мА, Ze2=1 мА для
2Т3108А 2Т3108Б, КТ3108А, КТ3108Б
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при 1к —
— 10 мА, 1б— 1 мА .............
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к=Ю мА,
/Б= 1 мА
40...50*...100*
50. .105*...150
100...210* ..300
15. .30*...70*
20...30*...70*
От 0,3 до 1,2 зна-
чения при Т=
= +25 °C
От 0,7 до 2,5 зна-
чения при Т—
= +25 °C
250 400* .
500* МГц
300 450*...
600* МГц
35*. 50*..250 пс
2,5* 3,3*...6 дБ
30* 70*.. 175 нс
18* 20* .35* нс
18*...30*...40* нс
25*.„40*.„50* не
0,07* 0,15*. 0,25 В
0,8*.. 0,85* 1* В
157
Обратный ток коллектора, не более:
при Г=+25°С, иКБ 60 В для 2Т3108Л, KT3I08A .
t/KC= 45 В для 2Т3108Б, 2Т3108В, КТ3108Б,
КТЗ108В.........................................
при Т=Г.х-1кс, Uкс 45 В...........................
Обратный ток эмиттера прн UgE=5 В, не более'
Г= 4-25 °C........................................
7* ........................................
Емкость коллекторною перехода при 6/Кв=10 В
Емкость эмнттерного перехода прн С/эг=1 В
П родолжение
0,2 мкА
0,2 мкА
10 мкА
0.1 мкА
10 мкА
1,4*... 1,8* .5 пФ
1,5* . 2,8* . 6 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т3108А, КТЗ 108А . . 60 В
2Т3108Б, 2Т3108В, КТ3108Б, КТ3108В .... 45 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Re3^
^10 кОм:
2Т3108А, КТ3108А...................................60 В
2Т3108Б, 2T3I08B, КТ3108Б, КТЗ 108В................45 В
Постоянное напряжение эмиттер — база................... 5 В
Постоянный ток коллектора . .................. 200 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора*;
при Г^25СС...................................... . 300 мВт
прн Г=7‘ЛЯЖе................................... 100 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора* прн
10 мкс, Q>2 .................................. 360 мВт
Температура окружающей среды:
2Т3108А, 2Т3108Б, 2Т3108В.....................—60...4-125’С
КТ3108А, КТ3108Б КТ3108В.....................-40...-|-85°С
' В диапазоне температур
ности снижаются линейно.
+25 ^С...ТмаКС предельные
значения рассеиваемой мищ-
Зависимость коэффици-
ента шума от тока
эмиттера
Л’ш . Дв
5.5
5.0
•t.S
Ъ.О
3.5
0 2 i 6
2Т3108(А-В)
КТ3108(АВ)
I3-fnA
ftr- 50 Он
Зависимость коэффици-
ента шума от напря-
жения коллектор — база
Зависши петь коэффици-
ента шума от частоты
158
Раздел пятый
Транзисторы маломощные сверхвысокочастотные
Транзисторы п-р-п
2Т306А, 2Т306Б, 2Т306В, 2Т306Г, КТ306А, КТ306Б,
КТ306В, КТ306Г, КТ306Д, КТ306АМ, КТ306БМ, КТЗС6ВМ,
КТ306ГМ, КТ306ДМ
Транзисторы кремниевые эпитаксиально планарные структуры прп пере-
ключательные и усилительные с ненормированным коэффициентом шума Пред-
назначены для применения в усилителях высокой частоты (2Т306В, 2Т306Г,
КТ306В, КТ306Г, КГЗО6Д, КТ306ВМ, КТЗС6ГМ, КТ306ДМ) и переключающих
устройствах (2Т306А, 2Т306Б, КТ306А, КТ306Б, КТЗС6АМ КТ306БМ). Выпу-
скаются в металлостекляином корпусе с гибкими выводами (2Т306А, 2ТЗО6Б,
21306В 2Т306Г, КТ306А, КТ306Б. КТ306В КТ306Г, КТ306Д) и пластмассовом
корпусе с гибкими выводами (КТ306АМ. КТ306БМ, КТ306ВМ, КТ306ГМ,
КТ306ДМ). Тип приборов 2Т306А—2Т306Г и КТ306А—КТ306Д указывается
на корпусе. На приборах в пластмассовом корпусе маркировка указывается в
сокращенном виде. 306А, 306Б 306В, 306Г, 306Д.
Масса транзистора не более 0,65 г в металлостекляином корпусе и не
более 0,5 в пластмассовом корпусе.
159
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Дкэ = 0, /э=ЮмЛ:
Г=+25СС:
2Т306А, КТ306А, КТ306АМ....................20...60
2Т306Б, КТЗОбБ, КТ306БМ....................40... 120
2Т306В, КТ300В, КТ306ВМ . . ... 20.. 100
2Т306Г, КТЗООГ, КТ306ГМ.................... 40...200
К130 Д. КТ306ДЧ .................................30.150
7---60 °C:
2Т306А...........................................8...60
2Т306Б.........................................16. 120
2Т306В.........................................8.100
2Т306Г.........................................16.. 200
7^ + 125 °C:
2Т306А.........................................20. 120
2Т306Б ... ....................... 40. 240
2Т306В......................................... 20 200
2Т306Г ... .......................... 40. .400
Граничная частота коэффициента передачи тока при
Дкв = 5 В, /э=10 мА:
2Т306А, 2Т306В, КТ306Л, КТ306В, КТ306АМ, КТ306ВМ,
не менее ... .......................... 300 МГц
типовое значение . . ................ 500* МГц
2Т306Б, 2Т306Г, КТ306Б, КТ305Г, КТ306БМ, КТ306ГМ,
пе менее........................................500 МГц
типовое значение................................ 650* МГц
КТ306 1, КТ306ДМ, не менее..................... 200 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи при С/кв = 5 В,
Д=5 мА, [= 10 МГц:
2Т306В. 2Т306Г, КТ306В, КТ306Г, КТ306ВМ,
КТ306ГМ, не более............................... 500 не
типовое значение................................60* нс
КТ306Д, КТ306ДМ, не более.................... 300 нс
Коэффициент шума нрн Дкв = 5 В"
/э=0,5 мА, [=1 кГц, не более..................30* дБ
типовое значение................................19* дБ
/э = 1 мА, [=90 МГц, ие более..................8* Б
типовое значение . ... - 5* дБ
Время рассасывания нрн /к —10 мА, /bi = 1 мА. /вг —
= 1,2 мА, /?к = 75 Ом-
2Т306А, 2Т306Б, КТ306Л, КТЗОбБ, КТ305АМ,
КТ306БМ, не более . . .... 30 не
типовое значение . .... 15’ нс
Граничное напряжение при /э=1 мА, не менее:
2Т306А, 2Т306Б. 2Т306В, 2Т306Г, КТ306А, KT30GB,
КТ306Д, КТ306АМ, КТЗ I6BM, КТ306ДМ . . 10 В
КТЗОбБ, КТ306БМ. КТЗОбГ, КТ306ГМ . . 7 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер при 1К =
= 10 мА, /в-1 мА 2Т306А, 2Т306Б, КТ306А, КТЗОбБ,
КТ306АМ, КТ306БМ не более......................... . 0,3 В
типовое значение................................0.2* В
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к = 10 мА,
Д=1 мА 2Т306А, 2Т306Б, КТ306Л, КТЗОбБ, КТ306АМ,
КТ306БМ, не более...................................1 В
типовое значение................................0,9* В
Обратный ток коллектора прн 17кс=15 В, не более:
7=+25 °C .......................................0,5 мкА
7= + 125°С 2Т306А, 2Т306Б, 2Т306В. 2Т306Г . . 10 мкА
Обратный ток эмиттера при 7=+25 °C, 17эв=4 В, не более 1 мкА
160
Продолжение
Входное сопротивление в схеме ОБ в режиме малого сиг-
нала при 17кб=5 В, /3=5 мА, J=1 кГц:
2Т306В, 2Т306Г, КТ306В, КТ306Г, КТ306Д, КТ306ВМ,
КТ306ГМ, КТ306ДМ, не более.............................30 Ом
типовое значение .... .................8* Ом
Емкость коллекторного перехода при 17кв=5 В, не более 5 пФ
типовое значение...................................3* пФ
Емкость эмнттерного перехода при 17эг = 0, ие более . 4,5 пФ
типовое значение...................................3* пФ
Емкость конструктивная между выводами коллектора и
эмиттера 2Т306Л 2Т306Б, 2Т306В, 2Т306Г, КТ306А,
КТЗОбБ, КТЗОбБ, КТ306Г, КТ306Д............................0.55* нФ
Индуктивность выводов эмиттера и базы 2Т306А, 2Т306Б,
2Т306В, 2Т306Г, КТ306А, КТЗОбБ, КТЗОбБ, КТ306Г,
КТ306Д при /=.10 мм.................................... 11*нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база................ 15 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Re» =
=3 кОм . ... . . . 10 В
Постоянное напряжение эмнттер — база . . 4 В
Постоянный ток коллектора и эмиттера ... . 30 мА
Постоянный ток коллектора и эмиттера в режиме насы-
щения ................................................ 50 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора :
2Т306А, 2ТЗО6Б, 2Т306В, 2Т306Г:
при 7< 4-90 °C, Р 5s6650 Па........................150 мВт
прн Т< 4-90 °C, Р=665 Па.........................100 мВт
при Т=4-125°С .... ... 75 мВт
КТ306А КТЗОбБ, КТЗОбБ, КТ306Г, КТ306Д:
прн 7<4-90 °C......................................150 мВт
при 7=4-125 °C....................................60 мВт
КТ306АМ, КТ306БМ, КТ306ВМ, КТ306ГМ, КТ306ДМ
при 7<4-85 °C ... ............. 150 нВт
Температура р-п перехода ... .............4-150 °C
Температура окружающей среды:
2Т306А, 2Т306Б, 2Т306В 2Т306Г, КТ306А, КТЗОбБ,
КТЗОбВ, КТ306Г, КТ306Д.........................-60...4 125 °C
КТ306ЛМ, КТ306БМ, КТЗОбВМ, КТ306ГМ, КТ306ДМ —45. .4-85 °C
4-90...+ 125 °C допустимое значение рассеиваемой мощности
1 В диапазоне температур
снижается линейно.
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока ит тока
эмиттера
0 5 10 15 ?0 . 'iA
Зависимость граничной
частоты от тока эмит-
тера
Зависимость напряжения
насыщения коллектор —
эмиттер от тока кол-
лектора
11 Заказ № 1080
161
Зависимость напряжения
насыщения коллектор —
Виннер от темпера*
туры
Зависимость напряжения
насыщения база — эмит-
тер от тока коллектора
Зависимость напряжения
насыщения база — эмит-
тер от температуры
2Т307А-1, 2ТЗО7Б-1, 2ТЗО7В-1, 2ТЗО7Г-1,
КТ307А-1, КТЗО7Б-1, КТ307В-1, КТ307Г-1
2Т307(А 1-Г1), КТ307(А Г)
о, 7 0.6
Транзисторы кремние-
вые эпитаксиально-планарные
структуры п-р-п универсаль-
ные. Предназначены для при-
менения в усилителях высокой
частоты в переключающих
устройствах. Бескорпусиые, без
крнсталлодержателя с гибкими
выводами и защитным покры-
тием. Выпускаются в сопрово-
дительной таре. Тип прибора
указывается в этикетке.
Масса транзистора не бо-
лее 0,002 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Ukb=0, /к =10 мА, не менее:
Т=+25СС:
2T307A-I, КТ307А 1 . .... 20
2Т307Б-1 2Т307В-1, КТ307Б 1 КТ307В-1 . 40
2Т307Г 1, КТ307Г-1 ... 80
Т=—60°С:
2Т307А 1, КТ307А-1 .... 10
2Т307Б I, 2Т307В-1, КТ307Б-1, КТ307В-1 ... 20
2Т307Г-1, КТ307Г-1.........................40
7=+85 °C:
2Т307А 1 20
162
Продолжение
2Т307Б-1, 2Т307В 1 . ....................
2Т307Г-1 . . . ..............
Граничная частота коэффициента передачи тока при С/ив=
= 2 В, /э=5 мА, не менее
2T307A-I, 2Т307Б-1, 2Т307В 1, 2Т307Г-1 . . .
КТ307А-1, КТ307Б-1, КТ307В-1, КТ307Г-1 . .
Время рассасывания при /н=10 мА, /В|=1 мА, ZB2=
= 1,2 мА, /?к = 75 Ом, не более:
2Т307А-1, 2Т307Б-1, КТ307А-1, КТ307Б-1, КТ307Г-1
2ТЗО7В-1, KT307B-I................................
Граничное напряжение прн Is 1 мА, ие менее:
2Т307А 1, 2Т307Б-1, 2Т307В 1, 2Т307Г-1 . .
КТ307А 1 КТЗО7Б-1 КТ307В-1, КТ307Г-1 .
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер при !к-
= 20 мА, /в=2 мА, не более
Напряжение насыщения база — эмиттер прн /и—20 мА,
1б—2 мА, не более.....................................
Обратный ток коллектора при £/«в=10 В, не более:
Т= +25 °C.........................................
Г=+85°С .....................................
Обратный ток эмиттера при {7ЭВ=4 В, Т=+25 °C, не более
Емкость коллекторного перехода при (7Ив=1 В не более:
2Т307А-1, 2Т307Б-1, 2Т307В 1, 21307 Г-1 . .
КТ307Л-1, КТ307Б-1, КТ307В-1, КТ307Г-1 . .
Емкость эмиттерного перехода при 7/эв=1 В не более
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база .
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер прн Re»^
Cj3 кОм .... ......................
Постоянное напряжение эмиттер — база.............
Постоянный ток коллектора........................
Импульсный ток коллектора при 1^10 мкс, 10
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора'
прн Т ^+55 °C.................................
при 7=+85 °C..................................
Тепловое сопротивление переход — среда...........
Температура окружающей среды.....................
40
80
300 МГц
250 МГц
30 нс
50 нс
10 В
5 В
0,4 В
1,1 В
0,5 мкА
10 мкА
1 мкА
5 пФ
6 пФ
3 пФ
10 В
10 В
4 В
20 мА
50 мА
15 мВт
5 мВт
3°С/мВт
—60...+85 °C
При эксплуатации транзисторов в составе микросхем должен быть обеспе-
чен теплоотвод от кристалла с /?г^З°С/мВг.
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока кол-
лектора
11*
163
Зависимость граннчноЛ
частоты от тока эмит-
тера
Зависимость напряжения
насыщения коллектор —
эмиттер от тока коллек-
тора
Зависимость напряжения
насыщения база — эмит-
тер от температуры
1Т311А, 1Т311Б, 1Т311Г, 1Т311Д, 1Т311К,
1Т311Л, ГТ311Е, ГТ311Ж, ГТ311И
Транзисторы германиевые планарные структуры п-р-п универсальные Пред-
назначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и
переключающих устройствах. Выпускаются в металлостекляином корпусе с
гибкими выводами. Тин прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора ие более 2 г.
1Т311(АЛ), ГТ311 (Г U)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Т^кв = 3 В, Is = 15 мА
Т--Г-25'С.
1Т311А.....................................
1Т311Б ....................................
1Т311Г ...............................
1Т311Д, 1Т311К .
1Т311Л ...
ГТ311Е............................
гтзиж......................................
гтзни . ............................
типовые значения:
1Т311А . . ......................
1Т311Б . ............................
1Т311Г . . . . ...
1Т311Д ..............................
15 „180
30... 180
30..80
60... 180
150... 300
15.. 80
50. 200
100.. 500
72*
79*
58*
112*
164
Продолжение
1Т311К.........................................114*
1Т31 Л.................................... 2°3*
7=-60 ’С
1Т311Л, 1Т311Б, 1ТЗНГ, 1Т311Д, 1ТЗИК, 1Т311Л,
не менее......................................10 и 0,35 значения
при Г = +25 °C
7--40 °C:
1Т311Е . . ..........................Ю 80
ГТ31 Ж........................ . . 25 200
ГТЗНИ......................................... 50.300
7=+55 °C
ГТЗНЕ...........................................15. 150
ГТЗИЖ......................................... 50. .350
ГТЗНИ.........................................100.500
7=+70 °C, не более
1ТЗНЛ, 1Т311Б, 1Т311Г, 1Т311Д, 1Т311К . . . 300 и 3 значения
при 7=+25 °C
1Т311Л..................... ..................50( и 3 значения
при 7=+25 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока при
—5 В, /э = 5 мА:
1Т311Л, 1Т311Б.................................. 300 1000 МГц
1Т311Г 1Т311К.................................. 450.1500 МГц
1ТЗНД, 1Т311Л................................... 600.1500 МГц
ГТ311Е ие менее . ....................... 250 МГц
ГТЗИЖ ие менее . . ................... 300 МГц
ГТЗНИ, не менее............................... 450 МГц
типовые значения:
1Т311Х . . ............ 770* МГц
1Т311Б . ............................. 520* МГц
1Т311Г ............. ... 560* МГц
1Т311Д 1Т311К.................................. 830* МГц
1Т311Д . ......................... 870* МГц
Постоянная времени цепи обратной связи при Сив = 5 В,
/э = 5 мА, /=5 МГц, не более:
1ТЗ1 1А . , 50 пс
1Т311Б, ГТЗИЖ, ГТЗНИ . . 100 пс
1Т311Г, 1Т311Д, 1Т311К, 1Т311Д, ГТЗНЕ ... 75 пс
типовые значения:
1Т311А............................. , , , о 36* пс
1Т311Б .... . .....................42* пс
1Т311Г ... .......................46* пс
1Т311Д, 1Т311К, 1Т311Л . . . 58* пс
Коэффициент шума при 17Кэ=5 В, /,э = 5 мА, / = 60 МГц,
/?4=75 Ом, не более................................. 8 дБ
типовые значения:
1T3I1A ...................... . , 4,7* дБ
1Т311Б ................................ 5, * дБ
1ТЗИГ, 1Т311Л.................................. 5,2* дБ
1Т311Д........................................... 5,9* дБ
1Т311К..................................... .... 5,5* дБ
Время рассасывания прн /к—20 мА 1Т311А, 1Т311Б,
1Т311Г, 1ТЗИД, 1ТЗИК, 1Т311Л, не более . . . 50 нс
Граничное напряжение прн Zs = 10 мА-
Т = +25 °C, не менее:
1T3I1A ..........................................Ю В
1Т311Б, 1Т311Г, 1Т311Д, 1ТЗНК, 1Т311Л ... 8 В
типовые значения:
1T3I1A . . . . 12.8* В
1Т311Б...................... .... 12.6* В
165
lip дол . ение
1'1311 Г, 1Т311К............................... 12 2* В
1Т311Д, 1Т311Л . . . . ... 11,7* В
7’=+70°С 1T31IA, 1Т311Б, 1Т311Г, 1Т311Д, 1T3I1K,
1Т311 Л, не менее................................ 5 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к =
= 15 мА, /в=1,5 мА, не более . ................. 0,3 В
типовое значение 1Т311А, 1Т311Б, 1Т311Г, 1Т311Д,
1Т311К, 1Т311Л................................... 0,15* В
Напряженно насыщения база — эмиттер при /«=15 мА,
/в=1,5 мА, не более................................ . 0,6 В
типовое значение 1Т311А, 1Т311Б, 1Т311Г, 1Т311Д,
IT3HK, 1Т311Л . ....................... 0,43* В
Обратный ток коллектора, не более:
прн 7=4-25°С, Г/КК=И2 В для 1Т311Л, 1Т311Б,
1Т311Г, 1Т311Д, 1Т311К, 1Т311Л ... 5 мкА
ври 7=4-25°С, /7КВ=12 В для ГТЗПЕ, ГТЗНЖ Ю мкА
при 1=4-25 °C, Uke-10 В для ГТЗНИ . . Ю мкА
при 7 -4-55сС, UKB=7 В для ГТЗПЕ, ГТЗНЖ,
ГТЗНИ . . ... . 60 мкА
при Т=4-70Т, UKE- 7 В для 1T3I1A, 1Т311Б,
1Т311Г, 1Т311Д, 1Т311К, КТЗПЛ ... . 30 мкА
Обратный ток эмиттера, не более:
прн и»Б 2 В для 1Т311А, 1Т311Б 1Т311Г, 1Т311Д,
ГГЗПК, 1Т311Л ... 10 мкА
при Г'ЭБ = 2 В для ГТЗПЕ, ГТЗНЖ ... . 15 мкА
при (7Эб=1,5 В для ГТЗНИ.........................15 мкА
Емкость коллекторного перехода при 1/кв=5 В, не более 2,5 нФ
типовые значения:
1Т311А, 1Т311К, 1Т311Л................. 1,8* пФ
1Т311Б, 1Т311Г, 1Т311Д 15* пФ
Емкость эмиттерного перехода при 7/ЭБ=0,25 В тля
1T3I1A, 1Т311Б, 1Т311Г 1Т311Д, 1Т311К, 1Т311Л не
более............................................ 5 чФ
типовые значения:
1Т311А ............................. 4 1* еф
1Т311Б . ............................... 4 2* пФ
1Т311Г . . ... . . 39* пФ
1Т311Д, 1Т311К, 1Т311Л...........................4,0* |ф
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
при Т=4-45 еС
1Т311А, 1Т311Б, 1Т311Г, 1Т311Д, ГГЗПК, 1Т311Л,
ГТЗПЕ, ГТЗНЖ...................................12 В
гтзни .. ..............................ЮВ
при 7=4-55 °C:
ГТЗПЕ, ГТЗНЖ....................................10 В
ГТЗНИ 8 В
при 7= 4-70 °C
1Т311А, 1Т311Б, 1Т311Г, 1Т311Л, 1Т311К 1ТЗПЛ 7 В
Импульсное напряжение коллектор — база при /„=1 мкс,
Q 10-
T=J-20 °C:
1Т311А, 1Т311Б, 1Т311Г 1Т311Д, 1ТЗПК, 1Т311Л 25 В
ГТЗПЕ, ГТЗНЖ, ГТЗНИ .... 20 В
Т=л-55°С ГТЗПЕ, ГТЗНЖ, ГТЗНИ 13 В
7=4-70°С 1Т311А, 1ТЗНБ, 1Т311Г, 1Т311Д, 1ТЗНК,
1Т311Л . . . .... 15 В
166
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер прн Rt,IR„<
<10.
7=4-45 °C:
IT311A, 1Т311Б, 1ТЗНГ, 1Т311Д, 1ТЗПК, 1Т311Л,
ГТЗПЕ, ГТЗНЖ..................................
7=4-45 °C ГТЗНИ
7=4-55 °C ГТЗПЕ, ГТЗНЖ ......................
ГТЗНИ
7=4-70 °C 1ТЗНА, 1Т311Б, 1ТЗПГ, 1ТЗНД, 1T3I1K,
1ТЗНЛ................................
Постоянное напряжение эмиттер — база:
прн 7= 4-45 °C:
1Т311А, 1Т311Б, 1Т311Г, 1Т311К, 1Т311Д, 1ТЗНЛ
ГТЗПЕ, ГТЗНЖ...............................
ГТЗНИ .........................
при 7=4-55 °C:
ГТЗПЕ, ГТЗНЖ...............................
ГТЗНИ......................................
прн 7 = 4-70 °C: 1ТЗНА, 1Т311Б, 1ТЗНГ, 1Т311Д
1T31IK, 1ТЗНЛ ...........................
Постоянный ток коллектора........................
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при 7= 4-20 °C...............................
при 7=4-55°C для ГТЗПЕ, ГТЗНЖ, ГТЗНИ
прн 7=4-70°С для 1ТЗНА, 1Т311Б, 1Т311Г, 1Т311Д
1Т311К, 1Т311Л ...... ...
Температура р-п перехода:
1ТЗПА, 1ТЗИБ, 1Т311Г, 1Т311Д, 1ТЗНК, 1Т311Л
ГТЗПЕ, ГТЗНЖ. ГТЗНИ ...
Темнераттра окружающей среды:
1ТЗПА, 1ТЗНБ, 1Т311Г, 1Т311Д, IT311K, 1Т311Л
ГТЗПЕ, ГТЗНЖ, ГТЗНИ..........................
П родоУ1женне
12 В
10 В
10 В
8 В
7 В
2 В
1,5 В
1,6 В
1.1 В
1 В
50 мА
150 мВт
85,7 мВт
50 мВт
4-85 °C
4-70 °C
-60 4-70 °C
-40. .4-55 °C
Зона возможных поло-
жений зависимости ко-
эффициента шума от
частоты
Зона возможных поло-
жений зависимости ко-
эффициента шума от
частоты
2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д,
КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д,
КТ316АМ, КТ316БМ, КТ316ВМ, К7316ГМ, КТ316ДМ
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п пере-
ключательные и усилительные с ненормированным коэффициентом шума. Пред-
назначены для применения в усилителях высокой частоты (2Т316Г, 2Т316Ц,
КТ316Г, КТ316Д, КТ316ГМ КТ316ДМ) н переключающих устройствах (2T3I6A,
167
2Т316Б, 2Т316В. КТ316Л, КТ316Б, КТ316В, КТ316АМ, КТ316БМ. KT3I6BM).
Выпускаются в мета.тлостсклянном корпусе с гибкими выводами (2Т316А,
2Г316Б, 21316В, 2Т316Г, 2Т316Д, КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д)
и пластмассовом корпусе с гибкими выводами (КТ316АМ, КТ316БМ, КТ316ВМ,
КГ316ГМ, КТ316ДМ). Тип приборов 2Т316А—2Т316Д. КТ316А К1316Д ука-
зывается на корпусе. На приборах в пластмассовом корпусе маркировка ука-
зывается в сокращенном виде: 316А, 31СБ, 316В, 316Г, 316Д.
Масса транзистора не более 0,6 г в мета.тлостекл инном корпусе и не более
0,5 г в пластмассовом корпусе.
21316 (А-Д), К1316(А Д)
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
6+^—0, /э=Ю мА:
+25 ГС‘
2Т316А, КТ316А, КТ316АМ . 20 60
2Т316Б, 2Т316В, КТ316Б, КТ316В, КТ316БМ,
КТ316ВМ . ... 40 .120
2Т316Г, КТ316Г, КТ316ГМ.....................20 100
2Т316Д, КТ316Д, КТ316ДМ.................. 60. .300
Г=- 60 °C:
2Т316А..........................................10.. 60
2Т316Б, 2Т316В..............................20. 120
2Т316Г........................................10.. 100
2Т316Д..................................... 30 300
Т— 4-194 <=Г
2Т316А .................................20 120
2Т316Б, 2Т316В ... . 40.240
2Т316Г . . ................ . 20.2?0
2Т316Д ............ .... 60 .600
Граничная частота коэффициента передачи тока при
икг, 5 В /в= 10 мА:
2Т316А, 2Т316Г, КТ316А КТ316Г КТ316АМ КТ316ГМ,
не менее .................................... 600 МГц
168
Продолжение
типовое значение........................... 1000* МГц
2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Д, КТ316Б, КТ316В, КТ316Д,
КТ316БМ, КТ316ВМ, КТ316ДМ, не менее . 800 МГц
типовое значение . ................ 1000* МГц
Постоянная времени цени обратной связи при 17кб=5 В,
/э=Ю мА, [=10 МГц для 2Т316Г, 2Т316Д, КТ316Г,
КТ316Д, КТ316ГМ, КТ316ДМ не ботее......................150 пс
типовое зна leniie.................... . . 50* пс
Время рассасывай >я при /К=Ю мА, /Б =1 мА, /ва=1 мА,
/?к = 75 Ом:
2Т316А, 2Т316Б, КТ316А, КТ316Б, КТ316АМ, КТ316БМ,
не более .............................................. 10 пс
типовое значение ............................... 4*нс
2Т316В, КТ316В, КТ316В.М, не более................. 15 пс
типовое значение................................... 5* не
Граничное напряжение при 7е = 1 мА, не менее ... 5 В
типовое значение .............................. 10* В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер прн /к=
= 10 мА, /в=1 мА, не более.......................... 0,4 В
типовое значение.............................. . 0,18* В
Напряжение насыщения база — эмиттер при /и=10 мА,
/в=1 мА, не более.............................. .... 1,1 В
типовое значение................................ 0,8* В
Обратный ток коллектора при £7кБ = 10 В, не более:
Т’=+25°С . . .................... 0,5 кА
Т= + 125°С 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д 5 мкА
Обратный ток эмиттера прн Т= +25 °C, 17ав=4 В, ие более 1 мкА
Емкость коллекторного перехода при UnE — 5 В, не более 3 пФ
типовое значение................................ 2* пФ
Емкость эмпттерного перехода при Ubb=0 не более . 2,5 пФ
типовое значение................................ 1,2* нФ
Емкость конструктивная между выводами коллектора и
эмиттера 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д,
КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д 0,5* пФ
Интуитивность выводов эммнтера и базы 2Т316А,
2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д, КТ316А, КТ316Б,
КТ316В, КТ316Г, КТ316Д при 1=3 мм .... 6* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база ... 10 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при 1?6,=
=3 кОм..................................................10 В
Постоянное напряжение эмиттер — база.................... 4 В
Постоянный ток коллектора и эмиттера....................30 м.А
Постоянный ток коллектора и эмиттера в режиме насы-
щения .... . .............50 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора *:
2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д:
прн 7'^ + 75*С, Р^6650 Па...................... 150 мВт
при 7^+75 °C, Р=665 Па ...... , 100 мВт
при Т- + 125 °C...................................60 мВт
КТ316А, КТ316Б КТ316В, КТ316Г, КТ316Д:
при Т^+90 °C.......................................150 мВт
при 7,= + 125сС . . ................ 60 мВт
КТ316ЛМ, КТ316БМ, КТ316ВЛ1 КТ316ГМ КТ316ДМ
при 7 ^+85 °C.......................... . . 150 мВт
Температура р-п перехода..............................+150 °C
КТ316А—КТ316Д допустимые значения рассеиваемой мощности снижаются линейно
169
Продолжение
Температура окружающей среды:
2Т316Л, 2Т316Б, 2T3I6B, 2Т316Г, 2Т316Д, КТ316А,
КТ316Б КТ316В, КТ316Г КТ316Д .... —60...+125 °C
КТ316ЛМ, КТ316БМ КТ316ВМ, КТ316ГМ, КТ316ДМ -45 ..+85 °C
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока
эмиттера
Зависимость граничной
час оты от тока эмит-
тера
Зависимость напряжения
насыщения коллектор —
эмиттер от температуры
Зависимость напряжения
насыщения база — эмит-
тер от температуры
2Т318Д-1, 2Т318Б-1, 2Т318В-1, 2Т318Б1-1, 2Т318Г-1,
2Т318Д-1, 2Т318Е-1, КТ318А, КТ3185, КТЗ 18В,
КТ318Г, КТ318Д, КТ318Е
2ГЛ8(А t-E f), КТЗ!8(А-Е)
I
Коппек/пор
Транзисторы кремниевые эпитакси-
ально-планарные структуры п-р-п пере-
ключательные. Предназначены для при-
менения в переключающих устройствах
герметизированной аппаратуры. Бескор-
пусные с г.бкнмн выводами н защит-
ным покрытием. Помещаются в воз-
вратную тару, позволяющую произво-
дить измерения электрических парамет-
ров без извлечения из нее транзисторов.
Тип прибора и маркировочная точка
эмиттера указываются на крышке тары
Масса транзистора не более 0,01 г
J7U
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Ukb — 1 В /Е = 10 мА:
7= +25 °C:
2T3I8A-1, 2Т318Г-1, КТ318А, КТ318Г . . . ЗГ 90
2Т318Б-1, 2Т318Д-1, КТ318Б, КТ318Д . 50 150
2T318B-I 2Т318В1-1, 2Т318Е-1, КТ318В, КТ318Е . 70 280
7=4 85 °C:
21318А 1 КТ318Г-1, КТ318А КТ318Г . . 25 180
2Т318Б-1, 2Т318Д-1, КТ318Б, КТ318Д . . . . 45. .300
2T3I8B-1, 2T3I8B1-1, 2Т318Е-1, КТ318В, КТ318Е . 60 560
7=-60 °C:
2Т318А 1, 2Т318Г-1 КТ318А, КТ318Г . . 15 90
2Т318Б 1, 2Т318Д-1, КТ318Б, КТ318Д . . .26 150
2Т318В-1, 2T318BI 1, 2Т318Е-1, КТ318В, КТ318Е . 33 280
Граничная частота коэффициента передачи тока при Г'«э =
-2 В, 7э~5 мА, не менее:
2Т318Л-1, 2Т318Б-1, 2Т318В-1 2Т318В1-1, КТ318Л.
КТ318Б, КТ318В . . . . '....................... 430 МГц
2Т318Г 1, 2Т318Д-1, 2Т318С-1, КТ318Г, КТ318Д,
KT3I8E.............................................. 350 МГц
Время рассасывания прн /«=10 мА, /Е=1 мА, не более:
2Т318Л-1, 2Т318Б-1, 2Т318В-1, КТ318А, КТ318Б,
КТ318В..................................... ... 15 нс
2Т318В1-1 ................. 10 не
2Т318Г 1. 2Т318Д-1, 2Т318Е-1, КТ318Г, КТ318Д,
КТ318Е . ... . 25 нс
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /«=
10 мА, /г=1 мА, не более:
7=4-25 и -60 °C:
2Т318Л 1 2Т318Б 1, 2Т318В-1, 2Т318В1-1. КТ318А,
КТ318Б, KT3I8B . . . . 0,27 В
2Т318Г-1, 2Т318Д-1, 2Т318Е-1, КТ318Г, КТ318Д,
КТ318Е ............................................... 0,33 В
7=+85 °C:
2Т318А-1, 2Т318Б-1, 2Т318В-1 2Т318В1-1, КТ318А,
КТ318Б. КТ318В............................... 0,3 В
2Т318Г-1, 2Т318Д-1, 2Т318Е-1, КТ318Г, КТ318Д,
KT3I8E ......................................... 0,37 В
Напряжение насыщения база — эмиттер при /«=10 мА,
/Е= 1 мА, нс более-
7=+25 и -60°C:
2Т318Л-1, 2Т318Б-1, 2T3I8B-1, 2Т318В1-1, КТ318А,
КТ318Б, КТ318В . . . . 0,9 В
2Т318Г-1, 2Т318Д-1, 2Т318Е-1, КТ318Г, КТ318Д
КТ318Е ... 1 В
7-+85 °C
2T318A-I, 2Т318Б-1, 2Т318В-1, 2Т318В1-1, KT31SA,
КТ318Б, KT3I8B 105 В
2Т318Г-1, 2Т318Д-1, 2Т318Е-1, КТ318Г, КТ318Д,
КТ318Е 1 15 В
Напряжение отпирания при 1/кэ = 2,5 В, /э“0 05 мА, не
менее-
7=+25 °C:
2Т318Л-1, 2Т318Б-1, 2T3I8B-1, 2T3I8B1-1, КТ318Л,
КТ318Б, КТ318В 0.57 В
2Т318Г-1, 2Т318Д-1, 2Т318Е-1, КТ318Г, КТ318Д,
КТ318Е ................................................. 0,55 В
171
Продолжение
7=+85 °C:
2Т318А-1, 2Т318Б-1, 2Т318В 1, 2Т318В1-1. КТ318А,
КТ318Б, КТ318В . . ... 0.42 В
2Т318Г-1, 2Т318Д-1, 2T3I8E-1, КТ318Г, КТ318Д,
KT3I8E ......................................... 0,4 В
Обратный ток коллектора при (7Кб=10 Б, не более:
Т=+25 °C.......................................... 0,5 мкА
Т= +85 °C......................................... 10 мкА
Обратный ток эмиттера при 1Л>е=3 В, не более ... 1 мкА
Емкость коллекторного перехода прн 1/кв=5 В, не более:
2T3I8A 1, 2Т318Б-1, 2T3I8B-1, 2Т318В1-1, КТ318А,
КТ318Б, KT3I8B.................................... 3,5 пФ
2Т318Г-1, 2Т318Д-1, 2Т318Е-1, КТ318Г, КТ318Д,
КТ318Е.............................. 4,5 пФ
Емкость эмиттерного перехода при 67Эв=О не более:
2Т318А-1, 2Т318Б-1, 2Т318В 1, 2ТЗ 8BI-1, КТ318Л,
КТ318Б, КТ318В.......................................4 пФ
2Т318Г-1, 2Т318Д 1, 2Т318Е-1, КТ318Г, КТ318Д,
КТ318Е............................................ 5 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянные напряжения коллектор — база, коллектор —
эмиттер при /?«э=3 кОм...............................
Постоянное напряжение эмиттер — база.................
Постоянный ток коллектора............................
Импульсный ток коллектора при /„^10 мкс, 10,
s£l00 пс . .. ...
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при Т s^+55 °C............................... .
при Т= +85 “С....................................
Тепловое сопротивление переход — среда...............
Температура р-п перехода ,
Температура окружающей среды.........................
hz<3
10 В
3,5 В
20 мА
45 мА
15 мВт
5 мВт
3°С/мВт
+ 100 °C
-60...+85 °C
27318Bl,2731881-1.
273188-1
87318(8.8)
PW
120
W0
80
60
2Т318(А1. Г1)
КТ328(А.Г)\
2T318(6-1,fr1)
М318(5,Д.
Зависимости статического
коэффициента передачи то-
ка от температуры
-60 - 20 20 60 100 Г °C
872
2Т324Д-1, 2Т324Б-1, 2T324B--S, 2Т324Г-1, 2Т324Д-1,
2Т324Е-1, КТ324А-1, КТ324Б-1, КТ324В-1, КТ324Г-И,
КТ324Д-1, КТ324Е 1
Транзисторы кремниевые эпитакси-
ально-планарные структуры п-р-п пере-
ключательные н усилительные с ненор-
мированным коэффициентом шума
Предназначены для применения в пе-
реключающих устройствах (2Т324А-1,
2Т324Б-1, 2Т324В-1, 2Т324Г I, КТ324А 1,
КТ324Б-1, КТ324В 1, КТ324Г-1) и уси-
лителях высокой частоты (2Т324Д-1,
2Т324Е-1, КТ324Д-1, КТ324Е-1). Бес-
корпусные без кристаллодержателя с
гибкими выводами и защитным покры-
тием. Выпускаются в сопроводительной
таре. Тип прибора указывается в эти-
кетке.
Масса транзистора ие более 0,002 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
{7«в=0, /к=10 мА:
Т = +25 °C:
2Т324А-1, KT324A-I.......................... 20.60
2Т324Б-1, 2Т324Г-1, КТ324Б-1, КТ324Г-1 . . . 40...I20
2Т324В-1, КТ324В-1 ........... 80...250
2Т324Д-1 КТ324Д-1............20.80
2Т324Е-1, КТ324Е-1 ........... 60 .250
Т 60 °C;
2Т324А-1 ............................8. .60
2Т324Б-1, 2Т324Г-1 . . 16... 120
2Т324В-1 ..................... .... 32.250
2Т324Д-1..........................................8 30
2T324E-I.......................................... 24. 250
Т +85 °C
2Т324А-1 .................. .... 20... 120
2Т324Б-1, 2Т324Г-1 ............................ 40.240
2Т324В-1 ................. . . 80. 500
2Т324Д-1 ... . 20. 160
2Т324Е-1 ...................................... 60...500
Граничная частота коэффициента передачи тона прн
1/ке — 2 В, /в=5 мА, не менее:
2Т324А-1, 2Т324Б-1 2Т324В-1, KT324A-I, КТ324Б-1,
КТ324В 1 . . . . . . 800 МГц
2Т324Г-1, 2Т324Д-1, 2Т324Е-1, КТ324Г-1, КТ324Д-1,
КТ324Е 1 .................................. 600 МГц
Постоянная времени цепи пора гной связи при 17кв~2 В,
/0 = 5 мА, 10 МГц для 2Т324Д-1, 2Т324Е-1, КТ324Д-!,
КТ324Е-1, не более......................................180 пе
173
П рододжсние
Время рассасывания прн /к=10 мА, /в: = 1 мА, *сг=
= 1,2 мА, /?к=75 Ом, не более:
2Т324А-1, 2Т324Б-1 2Т324В 1, КТ324А I, КТ324Б 1
КТ324В 1 . ... .... . 10 пс
2Т324Г-1, КТ324Г-1 . ...........................15 нс
Граничное напряжение при мА для 2Т324А-1,
2Т324Б-1, 2Т324В 1, 2Т324Г 1, 2Т324Д 1, 2T324E-I. не
менее.......................................... 5 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к=
= 10 мА, /е=1 мА, не более . ............. 0,3 В
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к*=10 мА,
/б 1 мА, не более . . ............. - 1,1 В
Обратный ток коллектора при 17кв=10 В, не более
Т +25 °C .... ............. 0,5 мкА
Г=+85СС 2Т324А-1, 2Т324Б-1, 2T324B-I, 2Т324Г-1,
2Т324Д-1 2Т324Е1 . ... 10 мкА
Обратный ток эмиттера при 1/8б=4 В, не более . . 1 мкА
Емкость коллекторного перехода при С'кь-=5 В, ие более 2,5 пФ
Емкость эмиттерного перехода при ПЭЕ=0, не более 2,5 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база . . . .
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер при
С^З кОм.............................................
Постоянное напряжение эмиттер — база................
Постоянный ток коллектора .... . . . .
Импульсный ток коллектора при bsglO мкс, 10 ,
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
прн Т +55 °C...............................
при Г=+85°С . ... . . .
Тепловое сопротивление .... .............
Температура р-п перехода............................
Температура окружающей среды........................
10 В
10 В
4 В
20 мА
50 мА
15 мВт
5 мВт
3 °C/мВт
+ 100 °C
-60 +85 °C
При эксплуатации транзисторов в составе микросхем должен быть обеспе-
чен теплоотвод от кристалла с R, ^3°С/мВт
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока кол-
лектора
Зависимость г p.i и и ч ней
частоты от тока эмит-
тера
За а ис нм ость напряжения
насыщения коллектор —
эмиттер от температуры
174
2Т325А, 2Т325Б, 2Т325В, КТ325А, КТ325Б, КТ325В,
КТ325АМ, КТ325БМ, КТ325ВМ
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п усили-
тельные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для приме-
нения в усилителях высокой частоты. Выпускаются в металлостеклянном кор-
пусе с гибкими выводами (2Т325А, 2Т325Б, 2Т325В, КТ325А, КТ325Б, КТ325В)
и пластмассовом корпусе с гибкими выводами (КТ325АМ, КТ325Б1Ч, КТ325ВМ).
Тип приборов 2Т325А—2Т325В и КТ325А—КТ325В указывается на корпусе.
На приборах в пластмассовом корпусе маркировка указывается в сокращенном
виде. 325А, 325Б, 325В.
Масса транзистора не более 1,2 г в металлостеклянном корпусе и не более
0,5 г в пластмассовом корпусе.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ прн
(7кб = 5 В, /к=Ю мА:
Т=+25'С:
2Т325А, КТ325А, КТ325АМ.......................... 30 90
2Т325Б, КТ325Б, КТ325БМ.......................... 70 210
2Т325В, КТ325В, КТ325ВМ......................... 160 400
7=-60 °C:
2Т325Л............................................. 12...90
2Т325Б........................................... 28.210
2Т325В........................................... 64.400
7=4-125 °C:
2Т325А............................................. 30... 170
2Т325Б........................................... 70...400
175
Продолжение
2Т325В .... ...................... 160.700
Граничная частота коэффициента передачи тока при
В, /.э=Ю мА:
2Т325Л, 2Т325Б, КТ325Л, КТ325Б, КТ325АМ.
КТ325БМ, не меиее................................... 800 МГц
типовое значение....................................1000* МГц
2Т325В, КТ325В, КТ325ВМ, ие меиее .... 1000 МГц
типовое значение ... 1200* МГц
Постоянная времени цепи обратной связи прн ГЛсб = 5 В,
/а=10 мЛ, (=10 МГц, не более .... . . 125 пс
типовое значение............................... , 50* пс
Граничное напряжение при /8=10 мА, ие менее . 15 В
типовое значение.................................. 25* В
Обратные тек коллектора прн Ul!r.=15 В, не более:
7=4-25 °C ... ,0.5 мкА
7-4-125°C 2Т325А, 2Т325Б, 2Т325В ..... 5 мкА
Обратный ток эмиттера прн USE 4 В, не более , 1 мкА
Емкость коллекторного перехода при UKr,=5 В, не более 2,5 пФ
типовое значение........................... 2* пФ
Емкость эмиттериого перехода прн (7Эб=4 В, ие более 2,5 нФ
типовое значение .... ............. 2* пФ
Гмкость конструктивная между выводами коллектора и
эмиттера 2Т325А, 2Т325Б, 2Т325В, КТ325А, КТ325Б
КТ325В . . . ................ 0,35* пФ
Индуктивность выводов эмиттера и базы при 1=3 мм
для 2Т325А, 2Т325Б, 2Т325В, КТ325А, КТ325В, КТ325В 7* и Гн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база..............15 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Re,^
<3 кОм . . . .... . 15 В
Постоянное напряжение эмиттер — база................ 4 В
Постоя!шый ток коллектора и эмиттера:
2Т325А, 2Т325Б, 2Т325В, КТ325А, КТ325Б, КТ325В 60 мА
КТ325АМ, КТ325БМ, КТ325ВМ.......................30 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора Ч
2Т325А, 2Т325Б, 2Т325В:
4-85°C, Р>6650 Па........................... 225 мВт
7<С 85 °C, Р=665 Па............................150 мВт
7=4-125 °C ......................85 мВт
КТ325Л, КТ325Б, КТ325В:
7^ 4-85 °C . ............................ . 225 мВт
7 4-125 °C . ...................85 мВт
КТ325АМ, КТ325БМ, КТ325ВМ при 7^ 4-85 °C . , 225 мВт
Температура р-п перехода . ... 4-150 °C
Температура окружающей среды
2Т325А, 2Т325Б, 2Т325В, КТ325Л, КТ325Б, КТ325В -60...4-125 °C
КТ325ЛМ, КТ325БМ, КТ325ВМ ... . -45 .4 85 °C
’ В диапазоне температур +85. .4-125 °C допустимое значение рассеиваемой мощности
Снижается линейно.
176
^гп/^гп
1.8
1.8
>.г
1.0
О г.5 5 7,5 Ю UHfl, В
Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициента
передачи тока от тока
коллектора
Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициента
передачи тока от на-
пряжения коллектор —
база
Зависимость граничной
частоты от то»а эмит-
тера
Зависимость граничной Зависимость максималь
частоты от напряжения но допустимого посто-
коллектор — база яииою напряжения кол-
лектор— эмиттер от со-
противления база —
эмиттер
1Т329А, 1Т329Б, 1Т329В, ГТ329А, ГТ329Б, ГТ329В, ГТ329Г
Транзисторы германиевые планарные структуры п-р-п усилительные с нор-
мированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц. Предназначены для
применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой и сверх-
высокой частот. Выпускаются в металлостекляином корпусе с гибкими полоско-
выми выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
12 Заказ № 1080
177
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ прн
Укб—5 В, 1е = 5 мА:
7=4-25 °C
7=-60 °C 1Т329А, 1Т329Б, 1Т329В................
7=4-70 СС 1Т329А, 1Т329Б, 1Т329В...................
Граничная частота коэффициента передачи тока при
Ukb~5 В, /а=5 мА, не менее:
1Т329А, ГТ329Л . . . .
1Т329Б ГТ329Б ... . ...
1Т329В, ГТ329В .............................
ГТ329Г ............................................
Постоянная времени цепи обратной связи прн UKb=o В,
/э=5 мА, /—30 МГц, не более:
1Т329Л, ГТ329А, ГТ329Г.............................
1Т329Б ...........................
1Т329В, ГТ329Б, ГТ329В . .
Коэффициент шума при UKr,=5 В, Z8 = 3 мА:
/=400 МГц, /?.-= 75 Ом, не более:
1Т329А, ГТ329А .... . .
1Т329Б, 1Т329В, ГТ329Б, ГТ329В . .
ГТ329Г...........................................
/=60.400 МГц, /?г=75 Ом, типовое значение
/•=600 МГц, /?г = 50 Ом, типовое значение
/=900 МГц, /?г=30 Ом, типовое значение
Оптимальное сопротивление генератора прн измерении ко-
эффициента шума:
/=60 МГц...........................................
/ 180...400 МГц.................................
Диапазон частот, соответствующий равномерному спектру
шумов (область белого шума)............................
Коэффициент усиления по мощности прн UKe=5 В, /э=
=5 мЛ, /=400 МГц.......................................
Граничное напряжение при /8 = 5 мА, не менее
Обратный ток коллектора при 6/дв=10 В, не более:
7=4-25°С ... ...
7 4-70 °C 1Т329А 1Т329Б, 1Т329В . .
Обратный ток эмиттера, не более:
7= 4-25°C, Usn~0,5 В ГТ329А, ГТ329Б, ГТ329Г .
t/sB=0,7 В 1Т329А, 1Т329Б..........................
изг,= \ В 1Т329В, ГТ329В ........................
7=4-70 °C, Uai! 0,7 В 1Т329Л, 1Т329Б . . .
U0B=l В 1Т329В ...............................
Входное сопротивление в схеме ОБ п режиме малого си-
гнала при UKE 5 В /д=5 мА 1Т329А, 1Т329Б 1Т329В,
ие более ..............................................
Емкость коллекторного перехода прн Б'кс=5 В, не более:
1Т329А, ГТ329А, ГТ329Г . . . . . .
1Т329Б, ГТ329Б, 1Т329В. ГТ329В . . . .
15.. 300
От 0,3 до 1,2 зна-
чения при 7—
= 4-25 °C
От 0,8 до 2,5 зна-
чения ори Т—
-4-25 °C
1,2 ГГц
1,7 ГГц
1 ГГц
0,7 ГГц
15 пс
30 нс
20 нс
4 дБ
6 дБ
5 дБ
3,5* дБ
4» дБ
5* дБ
75... 100 Ом
50 Ом
1...400 МГц
6 дБ
5 В
5 мкА
50 мкА
100 мкА
100 мкА
100 мкА
150 мкА
150 мкА
22 Ом
2 пФ
3 пФ
Емкость эмнттерного перехода при f/SE=0,5 В, не более 3,5 пФ
Емкость конструктивная между выводами:
эмиттера и корпуса . . . . . . 0,5 нФ
базы и корпуса........................................0,5 пФ
коллектора и корпуса..................................0,6 нФ
178
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база . . 10 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер
при /?эб=1 кОм....................................5 В
при заданном 1)вэ.................................10 В
Постоянное напряжение эмиттер — база:
ГТ329Л, ГТ329Б, ГТ329Г..........................0,5 В
1Т329А, 1Т329Б....................................0,7 В
1Т329В, ГТ329В...................... 1 В
Напряжение коллектор — эмиттер в режиме усиления при
/?эе—1кОм, /=20 кГц .... ... 5,5 В
Постоянный ток коллектора ............................20 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
при Т-4-50 °C для 1Т329А 1Т329Б, 1Т329В . . 50 мВт
при Т= 4-50 °C для ГТ329А, ГТ329Б, ГТ329В 50 мВт
при Т=4-70°С для 1Т329А, 1Т329Б, 1Т329В 25 мВт
прн Т= 4-60°C для ГТ329А, ГТ329Б, ГТ329В, ГТ329Г 25 мВт
Тепловое сопротивление................................0,8°С/мВт
Температура р л перехода:
1Т329А. 1Т329Б, 1Т329В..........................4-90 °C
1Т329А, ГТ329Б, ГТ329В, ГТ329Г.................4-80 °C
Температура окружающей среды:
1Т329А 1Т329Б. 1Т329В .................-60 4-70°C
ГТ329А ГТ329Б, ГТ329В, ГТ329Г.................-60 .4-60 °C
1ТЗЗОА, 1Т330Б, 1Т330В, 1Т330Г, гтззод, гтззож, гтззеи
Транзисторы германиевые планарные структуры п-р-п сверхвысоко'астотные
усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц. Пред-
назначены для усиления и генерирования электрических сигналов.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими полосковыми выво-
дами. Тип прибора указывается на корпусе. Допускается маркировка транзи-
сторов условным обозначением и цветной точкой, котору'ю наносят на фтанец
ножки между корпусным н коллекторным выводами следующим образом:
1Т330А — буквой «А» п красной точкой; 1Т330Б — буквой «Б» и зеленой точкой;
1Т330В — буквой «В» и белой точкой, 1Т330Г — буквой «Г» и черной точкой
Масса транзистора не ботее 2 г
пззо(а-г), ГГ330(Д И)
12*
179
Электрические параметра
Статический коэффициент передачи тока при Ukb=5 В,
/э = 5 мА
7=+25 °C:
1Т330Л, 1Т330Б, 1Т330Г, ГТЗЗОЖ, ГТЗЗОД . .
1Т330В ....................................
гтззои........................................
тиковые значения:
1Т330Л ..............
1Т330Б ..............
1ТЗЗОВ . . . .
1Т330Г.....................
Т= — 60 сс . . .
7= +70 °C ...............................
30. .400
80 .400
10.. 400
75*
180*
140*
55*
От 0,4 до 1,2 зна-
чения при Т—
= +25 °C
От 0,5 до 2,5 зна-
чения при Т=
= +25 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока при Ukb=
=5 В, /э = 5 мА, не менее:
1Т330А, 1Т330В, гтззож.......................
1Т330Б ... ....
1Т330Г .... . .
ГТЗЗОД, гтззои................................
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой час
тоте при Uкв 5 В, /е = Б мА, пе более:
1Т330Л.......................................
1Т330Б ......................
1Т330В, ГТЗЗОЖ . ................
1Т330Г ГТЗЗОД, ГТЗЗОИ .
Время рассасывания при /«=20 мА, /Б—2 мА для
1Т330А, 1Т330Г, не более
Коэффициент шума при t/«B=5 В, /е=5 мА, /=400 МГц
1Т330А, не более.................................
типовое значение .............................
ГТЗЗОД, ГТЗЗОИ, не более ... . .
Граничное напряжение прн /э=5 мА для IT330A, 1ТЗЗОГ
ие менее ... .
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер прн /«==
20 мА, /б=2 мА для 1Т330Л, 1Т330Г, ГТЗЗОД, ГТЗЗОИ
пс более . .............
Напряжение насыщения база—эмиттер при /к=20 мА
/,. = 2 мА для 1Т330Л, 1Т330Г, ГТЗЗОД, ГТЗЗОИ, пе более
Обратный ток коллектора при /7кв=10 В:
Т= -ь 25 °C:
1Т330Л .................................
1000 МГц
1500 МГц
700 МГц
500 МГц
25 пс
50 пс
100 пс
30 пс
50 нс
5 дБ
3,9* дБ
8 дБ
6 В
0,3 В
0,7 В
1Т330Б.........................................
1Т330В.........................................
1Т330Г.........................................
ГТЗЗОД, ГТЗЗОЖ, ГТЗЗОИ, не более . . . .
Т= - 60 °C, нс более ....................
Г=+70°С, не более .... ..............
Обратный ток эмиттера при /7эв=1,5 В, не более
Емкость коллекторного перехода прн Ukb~§ В не более:
1Т330А, 1ТЗЗОБ, 1Т330В...........................
1Т330Г, ГТЗЗОД, ГТЗЗОЖ, ГТЗЗОИ...................
0,07* 0.14*..,
. 5 мкА
0,07* 0,14...
...5 мкА
0,08*. 0,15*..
...5 мкА
0 08* 0,17*..
.. 5 мкА
5 мкА
5 мкА
50 мкА
100 мкА
2 пФ
3 пФ
180
П родолжение
типовые значении:
1Т330Л, 1Т330Б..................................... 1,7* пФ
1Т330В . . ... 1,6* пФ
1Т330Г......................................... ... 1,75* пФ
Емкость эмиттсрного перехода при 7/Эб=0,5 В, ие более 5 нФ
типовые значения:
1Т330А............................................. 1.6* пФ
1Т330Б . .................................. 1 5* пФ
1Т330В , ............................... 1,45* пФ
1Т330Г . . ........................... 1,8* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
1Т330А, 1Т330Б, 1T330B, 1ТЗЗОГ...................13 В
ГТЗЗОД, ГТЗЗОЖ, ГТЗЗОИ...........................10 В
Импульсное напряжение коллектор—база:
при 7= -60.. +45 °C-
1Т330А, 1Т330Б, 1Т330В............................20 В
1Т330Г . . 18 В
при 7"=—45...+55°C для ГТЗЗОД, ГТЗЗОЖ, ГТЗЗОИ 20 В
при 7=+70 °C:
1Т330А, 1Т330Б, IT330B............................15 В
1Т330Г ... . . . 13 В
Постоянное напряжение — эмнттер — база .... 1,5 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер 1Т330А,
1Т330Б, IT330B, 1Т330Г...............................13 В
Постоянный ток коллектора............................20 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
прн 7=-60...+45 °C для 1Т330Л, 1Т330Б, 1Т330В
1Т330Г . ................50 мВт
при Т= — 45...+45 °C для ГТЗЗОД, ГТЗЗОЖ, ГТЗЗОИ 50 мВт
при 7=+55°C для ГТЗЗОД, ГТЗЗОЖ, ГТЗЗОИ . . 40 мВт
при 7=+70 °C для 1Т330А, 1Т330Б, 1ТЗЗОВ, 1Т330Г 25 мВт
Температура р-п перехода:
1Т330А. 1ТЗЗОБ, 1Т330В. 1Т330Г...................+95 °C
ГТЗЗОД, ГТЗЗОЖ. ГТЗЗОИ...........................+60 °C
Температура окружающей среды
IT330A, 1Т330Б, 1Т330В, 1Т330Г...................—60 +70 °C
ГТЗЗОД, ГТЗЗОЖ, ГТЗЗОИ...........................-45 +60° С
Допускается пайка полосковой части вывода в течение
ратура папки не должна превышать
ие более 3 с, темпе
+260 °C.
^кбо
Зона возможных поло-
ж он it й зависим ист it об-
ратного тока коллекто-
ра от температуры
Зона возможных поло-
жений зависимое!и про-
бивного напряжения
коллектор — эмиттер от
сопротивления база —
эм и।тер
181
Зона возможных поло*
жений заниснмости ста-
тического коэффициента
передачи тока от тем-
пературы
Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициента
передачи тока от тока
эмиттера
Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициента
передачи тока от на-
пряжения коллектор —
база
1Т341А, 1Т341Б, 1Т341В, ГТ341А, ГТ341Б, ГТ341В
Транзисторы германиевые планарные структуры п-р-п усилительные с нор-
мированным коэффициентом шума на частоте 1 ГГц. Предназначены для при-
менения в усилителях сверхвысокой частоты. Выпускаются в металлостеклянном
корпусе с гибкими полосковыми выводами. Тип прибора указывается на кор-
пусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Этектрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим
эмиттером при Ukd~5 В, /э=5 мА:
Г— +25 °C:
Г1341А, 1Т341Б, 1Т341В................
ГТ341Л, ГТ341Б ГТ341В.........................
Т=- 60 °C 1Т341А, 1Т341Б, 1Т341В . . .
Г=+70°С 1Т341А, 1Т341Б, 1Т341В
Граничная частота коэффициента передачи тока прн
Ukf, 5 В, /в = 5 мА, не менее:
1Т341Л, 1Т341В, ГТ341Л, ГТ341В....................
15. .250
15 .300
От 0,3 до 1,2 зна-
чения при Г—
= +25 °C
От 0 8 до 2,8 зна-
чения при Т—
= +25 °C
1,5 ГГц
182
П родолженне
1Т341Б, ГТ341Б............................... 2 ГГц
типовые значения.
1Т.341А, 1Т341В, ГТ341А, ГТ341В...................1,95* ГГц
1Т341Б, ГТ341Б....................................2,55* ГГц
Постоянная времени цепи обратной связи при 1/кс=5 В,
/э=5 мА, / = 30 МГц, не более .... . . 10 пс
типовое значение . . . 7* пс
Минимальный коэффициент шума при 6/Кв=5 В, /э=
=2 мА, / = 1 ГГц, 50.. 75 Ом, не более:
1Т341А, ГТ341А . ... 45 Б
1Т341Б, 1Т341В, ГТ341Б, ГТ341В....................5^5 Б
типовые значения.
1Т341А, ГТ341А....................................4 0* Б
1Т341Б, 1T34IB, 1Т341Б, ГТ341В...........................Б
.Максимальный коэффициент усиления по мощности прн
Ukb=5 В, /э=5 мА, f=l ГГц.............................5. 6 ,Б
Граничное напряжение при 7Э=5 мА, не менее ... 5 В
Обратный ток коллектора при Б'Кв=10 В, не более:
7=4-25 С . . .5 мкА
Г= + 70°С 1Т341Л, 1Т341Б, 1Т341В ... 50 мкА
Обратный ток эмиттера, не более-
7 = 4-25 °C, Um 0,3 В 1Т341А, ГТ341А, 1T341D
ГТ341Б, ГТ341В .... . 50 мкА
Г/эв = 0,5 В 1T34IB..............................50 мкА
7=4-70 °C, С/ЭЕ=0,3 В 1Т341Б, 1Т341В .... 100 мкА
Hat=0,5 В 1Т341В.................................100 мкА
Входное сопротивление в схеме ОБ в режиме малого си-
гнала при Ukb—5 В, /э = 5 мА, не более ... .20 Ом
Емкость коллекторного перехода прн Ukb=5 В, ие более 1 пФ
типовое значение . . 05* чФ
Емкость эмиттерного Перехода при 7/Эв=0,3 В, не более 2 пФ
типовое значение............................ . . 0,85* пФ
Емкость конструктивная между выводами
эмиттера и корпуса....................................0,5 пФ
базы и корпуса....................................0,5 пФ
коллектора и корпуса..............................0,6 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база . ... 10 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер ....
при /?э6=0...........................................10 В
прн /?э6=1 кОм . . ....................5 В
при заданном Una . . .................10 В
Постоянное напряжение эмиттер — база
1Т341Л, ГТ341А, 1Т341Б, ГТ341Б....................0,4 В
1Т341В, ГТ341В . ... 0,5 В
Напряжение коллектор — эмиттер в режиме усиления при
R ,б=1 кОм, 7=20 кГц........................ . . 5,5 В
Постоянный ток коллектора . . . , . ... 10 мА
Постоянная рассеиваемая .мощность коллектора:
прн 7=4-60°C......................................35 .мВт
при 7=4-70°С для 1Т341Л, 1Т341Б, 1Т341В . . 25 мВт
СВЧ мощность, падающая па вход транзистора:
в непрерывном режиме .50 мВт
в импульсном режиме при fu=25 мкс, /=400 Гц . 250 мВт
Тепловое сопротивление . . . .............0,8°С/мВт
Температура р-п перехода ГТ341Л, ГТ341Б, ГТ341В . 4-85 °C
Температура окружающей среды:
1Т341А, 1Т341Б, 1Т341В................................-60...4-70 °C
ГТ341Л, ГТ341Б, ГТ341В............................-40 4-60°С
183
Лр ггц
Зависимость коэффици-
ента шума от тока
эмиттера
Зависимость коэффици-
ента усиления от тока
эмиттера
Зависимость коэффицн
ента шума от темпера-
туры
2Т354А-2, 2Т354Б-2, КТ354А-2, КТ354Б-2
2135Ъ(А 2, Б 2), КТ35 А 2, Б 2)
Транзисторы кремниевые эпитакси-
ально-планарные структуры п р-п уси-
лительные. Предназначены для примене-
ния в усилителях высокой и сверхвы-
сокой частот. Бсскорпусные на кристал-
лодержателе с гибкими выводами и
защитным покрытием. Тип прибора ука-
зывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,003 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
б/ки —2 В, 1к 5 мА:
Т= 4-25 °C:
2Т354А-2, КТ354А-2 .............................. 40...200
2Т354Б-2, КТ354Б-2 ........................... 90. 360
7=-60 °C:
2Т354А-2 . . ... 20. .200
2Т354Б-2 . 45. .360
184
П родолжение
Т +125СС:
2Т354Л-2 .................................... 40.360
2Т354В-2 . . ... ... 90...650
Граничная частота коэффициента передачи тока при
Ukb=2 В, 1.ч=5 мА, не менее:
2Т354А-2, КТ354А 2 . . 1,1 ГГц
2T354D-2, КТ354Б2 . ... . 1,5 ГГц
Постоянная времени цепи обратной связи при 17кр=2 В,
/э=5 мЛ, /=30 МГц, ис более
2Т354А-2, КТ354А-2.................................25 пс
2Т354Б-2, КТ354Б-2.................................30 ис
Граничное напряжение при /э=5 мА, не менее . , 10 В
Обратный ток коллектора прн Uke=10 В, не более:
7= 4-25 °C ........................................0,5 мкА
7=4-125 °C 2Т354А-2, 2Т354Б-2 ..............5 мкА
Обратный ток эмиттера при /7ЭС = 4 В, ие более ... 1 мкА
Входное сопротивление в схеме ОБ в режиме малого си-
гнала при t/к—2 В, /э=5 мА, /=5О...1ООО Гц, не более . 10 Ом
Емкость коллекторного перехода при Ukb=5 В, не более 1,3 пФ
Емкость эмиттсриого перехода при Уэб=0, ие более 1,2 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база...............
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Rc.^
^3 кОм ... ......................
Постоянное напряжение эмиттер — база ....
Постоянный ток коллектора . ....
Импульсный ток коллектора при мкс, Q5=2
Постоянный ток эмиттера..........................
Импульсный ток злшттера при /„^10 мкс, 0^2
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора :
прн 7<J + 75'C для 2Т354А 2, 2Т354Б 2 . .
при 7=4-125°C для 2Т354А-2, 2Т354Б-2 . . .
при 7^ 4-50 °C для КТ354Л-2, КТ354Б-2
при 7= 4-85 °C для КТ354А-2, КТ354Б-2 . .
Температура окружающей среды.
2Т354Л 2, 2Т354Б-2 ...................
КТ354А-2 КТ354Б-2 .
10 В
10 В
4 В
10 мА
20 мА
10 мА
20 мА
30 мВт
10 мВт
30 мВт
16 мВт
-60.4-125°C
—60.. 4-85 “С
' В диапазонах температур окружающей среды +75... + 125 "С для 2Т354А-2, 2Т354Г, 2
и +50...4К5сС для КТ354А-2, КТ354Б-2 допустимое значение рассеиваемой мощности
снижается линейно.
Зависимость граничной
частоты от напряжения
коллектор —эмиттер
185
Зависимость постоянной
времени цепи обратной
связи от тока эмит-
тера
Зависимость постоянной
времени цепи обратной
связи от напряжения
коллектор — эмиттер
Зависимость граничной
частоты от тока эмит-
тера
2Т355А, КТ355А, КТ355ДМ
Транзисторы кремниевые планарные структуры п-р-п сверхвысокочастотные
усилительные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для
усиления и генерирования электрических сигналов в широком диапазоне частот
В спускаются в металлостеклянпом корпусе с гибкими выводами (2Т355А,
КТ355А) и в пластмассовом корпусе с гибкими выводами (КГ355АМ). Тип
приборов 2Т355А. КТ355А указывается на корпусе. На приборе в пластмассо-
вом корпусе маркировка указывается в сокращенном виде. 355А.
Масса транзистора не более 1,2 г в металлостеклянпом корпусе и не более
0,5 г в пластмассовом корпусе.
186
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Uki> = 5 В, /к=10 мА:
7 = 4-25 °C ..................................... 80. 300
7=-60 °C 2Т355А.................................. 40. .300
7=4-125 °C 2Т355А .... .... 80.. 420
1 раннчиая частота коэффициента передачи тока при
<Укб=5 В, /э=10 мА, не менее . . .... 1500 МГц
типовое значение.................................1800* МГц
Постоянная времени цепи обратной связи прн 1/кв=5 В,
/э = Ю мА, f = 30 МГц, ие более......................60 не
Граничное напряжение при /э= 10 мЛ, пс менее . . 15 В
сре. нее значение . . ....................21* В
Обратный ток коллектора прн Г/кб=15 В, не более:
7=4-25 °C ...........................................0,5 мкА
7=4-125 СС 2Т355А................................5 мкА
Обратный ток эмиттера прн Г/эв=4 В, нс более . 1 мкА
Входное сопротивление в схеме ОБ в режиме малого си-
гнала при 17кв=5 В, /э=10 мА, /=1 кГц, нс более . 10 Ом
типовое значение.................................3,3* Ом
Емкость коллекторного перехода при Г7ив=5 В, не более 2 пФ
типовое значение ... .................1,4* пФ
Емкость эмиттериого перехода при С/ав—4 В, не более 2 пФ
типовое значение.....................................1,2* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база .... 15 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
<3 кОм...............................................15 В
Постоянное напряжение эмиттер — база .... 4 В
Постоянный ток коллектора и эмиттера . . . 30 мА
Импульсный ток коллектора и эмиттера при /„^0,5 мс
0^2 ... .............................60 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллсктооа
при 7^4-85 СС................ ... . 225 мВт
при 7=4-125 СС для 2Т355А, КТ355А .... 85 мВт
Температура р-п перехода.............................4-150 °C
Температхра окружающей среды:
2Т355А, КТ355А............................... .... —60 .4 125 °C
КТ355АМ..........................................-45 .4-85 °C
1 В диапазоне температур +85 +125 °C допусги.мое значение рассеиваемой мощности
снижается линейно.
1Т362А, ГТ362А, ГТ362Б
Транзисторы германиевые планарные структуры п-р-п усилительные с нор-
мированным коэффициентом шума на частоте 2,25 ГГц. Предназначены для при-
менения во входных каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частот. Вы-
пускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими полосковыми выводами Ti п
прибора указывается на крышке корпуса. Для т| апзистора 1Т362А допускается
условная маркировка буквой «А» и двумя красными точками на фланце ножки
между эмиттерным и базовым выводами.
Масса транзистора ие более 2 г.
187
fT362A, гтзег(А, б)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ прн
1/кк=3 В /э—5 мЛ
Г —+25 °C:
1Т362А, ГТ362А .......................
1Т362А, типовое значение ........
[ Т362Б . ....................
Т=-60°С 1Т362А...................................
Т +70 °C 1Т362А.................................
10.200
41,9*
10.250
От 0,3 до 1,5 зна-
чения при Т =
= +25 °C
От 0,5 до 2,5 зна-
чения при Т=
= +25 °C
Коэффициент шума прн /э = 2 мА, /=2,25 ГГц:
Гкв-3 В:
1Т362А . ...........................
ГТ362Л, не более................................
ГТ 62Б, пс более................................
(/кв = 5 В 1Т362А .......................
Граничная частота коэффициента передачи тока при
(/кв =3 В, /э = 5 мА, не менее .............
типовое значение .... ..............
Постоянная времени цепи обратной связи па высокой ча-
стоте прн 1/кв=3 В /к=5 мА:
1Т362А .......................................
ГТ362Л, не более..............................
ГТ362Б, нс более..................................
Обратный ток коллектора прн (/кв=5 В:
Г >=+25 °C
1Т362Л . ... ..........................
ГТ362Л, ГТ362Б, не более . ...
7"=—60 °C 1Т362А не более.........................
Г= 70 °C 1Т362А, не ботсс ........................
Обратный ток эмиттера при (/эе=0,2 В, не более-
1Т.362Л .... .............
ГТ362А, ГТ362Б
Значения модуля и фазы параметров рассеяния, измерен-
ных на частоте /—1,95 ГГц при (/КЕ=3 В, /«=2 мА при
малом уровне переменного сигнала
2,2*. 3.7* 4,5 дБ
4,5 дБ
5,5 дБ
2 3* 3*...4,5* дБ
2.4 ГГц
4,8* ГГц
2*.. 5,5*...10 пс
10 пс
20 пс
0,02*. .0,18*...5 мкА
5 .мкА
5 мкА
.30 мкА
50 мк 3
100 мкА
188
Продолжение
коэффициент отражения входной цели транзистора
в схеме ОЭ:
модуль.........................................
фаза ...........................................
коэффициент отражения выходной цепи транзистора
в схеме ОЭ.
модуль ........................................
фаза ...........................................
коэффициент обратной передачи напряжения в схе-
ме ОЭ:
модуль ........................................
фаза . .............................
коэффициент прямой передачи напряжения в схеме ОЭ:
модуль .................................
фаза ... . ....
Емкость коллекторного перехода при Ukb=5 В
Емкость эмнттсриого перехода при Usb-0 .
0,04
-165°
0,54
-72°
0,2
50°
1,6
38°
0,4*. 0,5* I пФ
0,25*.. 0,5* ..1 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
1 кОм ..... .....................
Постоянный ток коллектора........................
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора *:
прн Т4-25 °C ... . ....
при 7=4-70 °C для 1Т362А
Импульсная СВЧ мощность в цепи эмиттер — база при
7=4-70°C, /=1 ГГц, Q-15..........................
Температура р-п перехода 1Т362Л..................
Температура окружающей среды.....................
5 В
0,2 В
5 В
10 мА
40 мВт
25 мВт
80 мВт
4-85 °C
—60...4-70'С
При повышении температуры выше
Допускается пайка полосковой
сварки вывода в течение не более 3 с,
+ 260пС. Допускается пайка выводов
изолятора; при этом температура ие
не более 3 с.
+25 С мощность снижается линейно
части вывода не ближе 3 мм от места
, температура панки ие должна превышать
на расстоянии до 0,5 мм от стеклянного
должна превышать +100 °C, время пайки
Входные характеристики
Зона возможных поло
женнй зависимости об-
ратного тока коллекто-
ра от температуры
Зона возможных поло-
жений зависимое и ста-
тического коэффициента
переда чи тока от ток а
эмиттера
189
Зона возможных поло
же»ий зависимости ста-
тического коэффициента
передачи жз от тем-
пер п-с
Зависимости модуля ко-
эффициента передачи
тока от тока коллек-
тора
Зависимость постоянно-
го напряжения коллек-
тор — эмит।ср от сопро-
тивления база — эм и стер
Зависимости постоянной
времени цепи обратной
связи от тока коллек-
тора
Зона возможных поло-
жений зависимости ко-
эффициента шума от
тока коллектора
Зависимость коэффици-
ента шума от частоты
Зона возможных ноло-
эксни.1 зависимости ко-
эффициента усиления от
тока коллектора
Зона возможных поло-
жений зависимости ко-
эффициента усилении от
частоты
Зона возможных поло-
жений зависимости ем-
кости коллекторного пе
рехода от напряжения
коллектор — база
190
2Т366А-1, 2Т366Б-1, 2Т366Б1-1, 2Т366В-1,
KT366А, КТ366Б, КТ366В
Транзисторы кремниевые планарные структуры п-р-п универсальные. Пред-
назначены для применения в усилителях, импульсных и переключающих уст-
ройствах герметизированной аппаратуры Бсскорпусныс на диэлектрической под-
ложке с гибкими выводами и защитным покрытием. Выпускаются в сопроводи-
тельной таре, обеспечивающей возможность измерения параметров без извлече-
ния из тары. Маркируются па сопроводительной таре цветными точками:
2Т366Л-1—красной; 2Т366Б-1 — черной; 2Т366Б1-1 — синей; 2Т366В-1 — зеле-
ной; КТ366А — дв}.мя красными; КТ366Б—двумя черными; КТ366В — двумя
зелеными.
Масса транзистора не более 0,003 г
2ТЗБ6(А 1,5 1,51- 1.В1), КТ366(А в)
Тип транзистора Разпср Авкс
27366А-1 КТ366А С, 65
27366Б 1 27366Б1 1 Н7366Б 0, 75
27366В 1 НТ366В 0,85
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи в схеме ОЭ прн
Ч кэ = 1 В:
Г=+25°С 2Т366А-1, КТ366А при /э=1 мА, 2T366L 1.
2Т366Б1-1, КТ366Б при /э = 5 мА, 2Т366В-1, КТ366В
при /э-15 мА...................................... 50.. 200
Т -60 °C 2Т366А-1 при 19=\ мА, 2Т366Б-1,
2Т366Б1-1 при /э 5 мА, 2Т366В 1 прн /э=15 мА . 20 200
Г=+85°С 2Т366А-1 при /»=.) мА, 2Т366Б-1
2Т366Б1-1 прн /э=5 мА, 2Т366В-1 при /э= 15 мА 50...300
Граничная частота коэффициента передачи тока при
t/«s=2 В, не менее:
/к-3 мА 2Т366Л-1, КТ366Л............................. 1000 МГц
/к = 5 мА:
2Т366Б-1, КТ366Б .................................. 1000 МГц
2Т366Б1 1 ..................... .. 800 МГц
/«=10 мА 2Т366В 1, КТ366В . . ... 1000 МГц
Постоянная времени цени обратной связи при Utss = 2 В
/=5 МГц, не более
/к = 3 мА 2Т366А 1 КТ366А 00 ис
!к 5 мА 2Т366Б 1, 2Т366Б1-1 КТ366Б . 50 нс
/« 10 мА 2Т366В 1, KT3G6B .... . . 40 нс
Время рассасывания, ие более:
/« 3 мА, /с-0,3 мА 2Т366А 1, КТ366Л . . 50 пс
1к Ю мА 1Б 1 мА 2Т366Б 1 2Т366Б1-1, КТ366Б 80 пс
/«=15 .мА, /Б-1,5 мА 2Т366В 1, КТ366В 120 нс
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер прн /« =
=3 мА, /ь 0,3 мА для 2Т366А 1, КТ366А; /« 10 мА,
/в=1 мА для 2Т366Б-1, 2Т366Б1-1, КТ366Б; /«=15 мА,
/с=1,5 мА для 2Т366В-1, КТ366В, ие более .... 0,25 В
191
Продолжение
Напряжение насыщения база — эмиттер-
при 7К 3 мА, /с 0,3 мА для 2Т366Л-1 КТ366А
/к 10 мА, /Б-1 мА. для 2T36GB-1,2Т366Е1-I, KT3G6D 0,8. .0,87 В
прн /к=15 мА, /в=1,5 мА для 2Т366В-1, КТ366В 0,78...0,85 В
Постоянное напряжение эмиттер — база при /э=0.05 мА,
не менее ... ..............................0,57 В
Обратный ток коллектора при 77кВ=15 В, не более:
1=4-25 °C ... .............. -0,1 мкА
7=4-85 °C ........................................0,5 мкА
Обратный ток коллектор—эмиттер прн 1/вэ=10 В, не
более.................................................0,5 мкА
Обратный ток эмиттера при {Де = 4,5 В, не более:
7 = 4-25 °C ...................................... 0,1 мкА
Т 4-85 °C.........................................0,5 мкА
Емкость коллекторного перехода прн (Дв=0,1 В, не более:
2Т366А-1, КТ366Л..................................1,1 пФ
2Т366Б 1 2Т366Б1-1, КТЗОбБ .... . 1,8 пФ
2Т366В 1, К.Т366В .............. 3,3 пФ
Емкость эмиттерного перехода при С/эс=0,1 В. не более:
2TS66A-1, КТ366А . . .................0,8 пФ
2Т366Б 1, 2Т366Б1 1 КТ366Б . . . 1,8 пФ
2Т366В 1 KT36GB . . 3,5 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база................15 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер .... 10 В
Постоянное напряжение эмиттер — база..................4,5 В
Постоянный ток коллектора:
2Т366Л-1, КТ366Л .................................10 мА
2Т366Б-1 2Т366Б1 I KT366D . . . . 20 мА
2Т366В1, КТ366В..................................... 45 мА
Импульсный ток коллектора при /„<10 мкс, Q>3:
2Т366Л-1, КТ366А . . .... 20 мА
2Т366Б-1 2Т366Б1-1 KT366D ...... 40 мА
2Т366В-1, КТ366В .... .... 70 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
2Т366А-1 KT3G6-X при /?т = 1 °С/мВт:
7 <4-70 °C ..........................30 мВт
7= 4-85°C ... ................ .15 мВт
2Т366Б-1, 2Т366Б1-1, КТ366Б при Яг=0,6 °С/мВт:
7<4-70°С ... .................50 мВт
7=4-85 °C .25 мВт
2T3G6B-1, КТ366В при Ят=0 3°С/мВт:
7<4-70 °C ............................................90 мВт
7= 4-85 °C..........................................50 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора прн /„ <
<10 мкс, Q^3:
2Т366Л-1, KT36GA..................................25 мВт
2Т366Б-1, 2T36GB1-1, КТ366Б . .............40 мВт
2Т366В-1, КТ366В ................................70 мВт
Тепловое сопротивление кристалл — корпус .... 0,05сС/мВт
Температура р-п перехода..............................4-100 °C
Температура окружающей среды . . . . . —60. 4-85 °C
192
Зависимое ги статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока о г тока кол-
лектора
Зависимости враничной
частоты от тока кол-
лектора
Зависимости постоянной
бремени цепи обратной
связи от тока эмиттера
2Т368А, 2Т368Б, КТ368А, КТ368Б, КТ368АМ, КТ368БМ
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р п сверх-
высокочастотные усилительные с ненормированным (2Т368Б, КТ368Б, КТ368ЬМ)
и нормированным (2Т368А, КТ368А, КТ368АМ) коэффициентами шума па ча-
стоте 60 МГц. Предназначены для применения во входных н последующих кас-
кадах усилителей высокой частоты. Выпускаются в металлостеклянпом корпусе
с гибкими выводами (2Т368А, 2Т368Б КТ368А, КТ368Б) и в пластмассовом
корпусе с гибкими выводами (КТ368АМ, КТ368БМ). Тип прибора указывается
на металлическом корпусе. Транзисторы в пластмассовом корпусе маркируются
условным кодом: КТ368АМ— двумя точками; КТ368БМ— одной точкой.
Масса транзистора не более 1 г в металлическом корпусе и ие более 0,5 г
в пластмассовом корпусе.
2Т368(А Б), КТЗбв(А.Б)
13 Заказ № 1080
193
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Uhs= I В, 1 э - 10 мА;
2Т368А, 2Т368Б;
7 =4-25 °C ....................................
Г——60 °C ......................................
Т= 4-125 °C ...................................
КТ368А, КТ368Б:
7=4-25 °C.......................................
7=-60 °C.......................................
7 = 4-125°С .............. . . . .
КТ368АМ КТ368БМ:
Т= 4-25 °C.....................................
7 = -60°С............................
7=4-100°С ... .............
Граничная частота коэффициента передачи тока при Ukb=
= 5 В, /э=10 мА, ие менее........................
типовое значение ................................
Постоянная времени цепи обратной связи при Г/кв=5 В,
1 = 10 мА, /=30 МГц ... ....
Коэффициент шума при Г7кь-=5 В, 7в=Ю мА, f=60 МГц,
/?. = 75 Ом для 2Т368А, КТ368А, КТ368АМ . . . .
Граничное напряжение при /э=Ю мА, не менее
типовое значение ... . . . •
Обратный ток коллектора при Uke= 15 В, не более;
Т= 4-25 °C.............................
7=4-125 °C 2Т368Л, 2Т368Б........................
Обратный ток эмиттера при Г/ав=4 В, ие более
Входное сопротивление в схеме ОБ в режиме малого си-
гнала при Ukb=5 В, /д=10 мА, /=1 кГц, не более
типовое значение ... .................
Емкость коллекторного перехода при Ukb—Ь В, не более
типовое значение . . . .................
Емкость эмиттерного перехода:
при Vsb= 1 В для 2Т368А, 2Т368Б, не более
при Ubb—\ В для 2Т368А, 2Т368Б типовое значение
при Свс=4 В для КТ368А КТ368Б, КТ368ЛМ,
КТ368БМ, не более ... . . . .
Емкость конструктивная 2Т368А, КТ368Б КТ368А,
КТ368Б
между выводом эмиттера и корпусом . . . .
между выводом коллектора и корпусом . . . .
между выводом базы и корпусом ....
между выводами коллектора и эмиттера .
между выводами коллектора и базы
Индуктивность выводов эмиттера и базы при 1=3 мм для
2Т368А 2Т368Б, КТ368А, КТ368Б
50.. 300
25.. 300
4( .500
50..300
25...300
50...600
50 450
25 .450
50. .600
900 МГц
1100* МГц
4,5*.. 7*. .15 пс
1.8* 2,8*. 3,3 дБ
15 В
25* В
0,5 мкА
5 мкА
1 мкА
6 Ом
3* Ом
1,7 пФ
1,2* пФ
3 пФ
2* пФ
3 пФ
0,45* нФ
0,6* пФ
0,4* нФ
0,08* пФ
0,15* нФ
4,5* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база ... 15 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
<3 кОм.............. .... 15 В
Постоянное напряжение эмиттер — база .... 4 В
Импульсное напряжение коллектор — база при 1и^0,5 мс,
Q>2 . .... ..................20 В
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при
s'3 кОм l„sg0,5 мс, Q>2 . . ...........20 В
Постоянный ток коллектора и эмиттера . , . 30 мА
191
П родолженив
60 мА
Импульсный ток коллектора и эмиттера прн Zb^0,5 мс,
QE&2....................................... . .
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора*:
2Т368А, 2Т368Б
7X4-65 °C Р>6650 Па , ............
Г<4-65°С, Р-665 Па..........................
7=4-125 °C .................................
КТ368А, КТ368Б:
7Х+65 °C .....................................
7=4-125 °C . . ..................
КТ368АМ, КТ368БМ
7= 4-ЮО °C ....................................
Температура р-п перехода ....................... . ,
Температура окружающей среды
2Т368А, 2Т368Б, КТ368А КТ368Б . . . .
КТ368А«М, КТ368БМ................................
225 мВт
150 мВт
60 мВт
225 мВт
60 мВт
225 мВт
130 мВт
4-150 °C
-60.4-12 5 °C
-60.4-10 0°C
1 В диапазоне температур +65... +125 °C (для КТ368ЛМ, КТ368БМ до +100 °C) до*
пусти мое значение рассеиваемой мощности снижается линейно.
0 5 Ю 15 20 /э пА
Зависимость статическо-
го коэффициенте пере-
дачи тока от тока кол-
лектора
Зависимое гь статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от иа пряже*
ния коллектор — база
Зависимость граничной
частоты от тока эмит-
тера
ламе ЛОИС
9,0
0.9
Ofi
0.1
0.6
1 2 5 10 20Кь,н0н
2ТМ8(А,6) К136в(А. 6) KJ368(Af1 63!) 1.. 1
Зависимость граничной
частоты от напряжения
коллектор — база
Зависимость максималь-
но допустимого посто
«иного напряжения кол-
лектор— эмиттер от со-
противления база —
эмиттер
Зависимость коэффици-
ента шума от частоты
13*
196
2Т371А, КТ371А, КТ371АМ
Транзисторы кремниевые эпитаксиаль-
но планарные структуры п-р-п сверхвысо-
кочастотные усилительные с ненормирован-
ным коэффициентом шума. Предназначены
для применения в усилителях сверхвысоких
частот. Выпускаются в мета тлокерамиче-
ском (2Т371/Т, КТ371А) и металлопласт-
массовом (КТ371АМ) корпусах с гибкими
полосковыми выводами. На крышке кор-
пуса транзистора наносится условная мар-
кировка цветным кодом: 2Т371А— одна си-
няя точка; КТ371А — две синие точки;
КТ371 AM — две полосы.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Э ектрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
1/кв=1 В. /к =10 мА:
Т-4-25 СС ....................... • 30. 240
60сС 2Т371А................. ... 15 .240
Т=4-125 °C 2Т371А ....................... 30 400
Граничная частота коэффициента передачи тока при
Ukb—5 В, /э=Ю мА, не менее ... ... 3 ГГц
типовое значение 2Т371А..........................3,6* ГГц
Постоянная времени цепи обратной связи при Ukb=5 В,
/8=10 мА, (=30 МГц, не более.........................15 пс
типовое значение . . ....... 8* пс
Коэффициент шума при Ukb- 5 В /э=5 мА, (=400 МГц,
/?г = 75 Ом для 2Т371А ..........................4 дБ
КТ371АМ ......................................... 'В
Граничное напряжение прн /э=Ю мА, не менее ... 10 В
типовое значение . . . . 22* В
О ратный ток коллектора при С7кб=10 В, не более:
7-4-25 СС ..........................................0,5 мкА
7-4-125°C 2Т371А .... . . . 5 мкА
Входное сопротивление в схеме ОБ в режиме малого си-
гнала при Ukb-5 В, 7в= 10 мА, (=1 кГц, не более 10 Ом
типовое значение ..... 4* Ом
Емкость коллекторного перехода при Ukb~5 В, не более 1,2 пФ
типовое значение . 0,7* пФ
Емкость эмиттерпого перехода при 1/аБ=1 В, не более 1,5 пФ
типовое значение............................... - 0,9* пФ
Емкость конструктивная между выводами коллектора и
эмиттера................................ - . 0,2* пФ
Индуктивность выводов эмиттера и базы . . . 2 5* нГн
Коэффициент отражения входной цепи в схеме ОЭ при
Uкв 5 В, /э=1( мА /?3=50 Ом
(=400 МГц:
модуль ... ............................0,32*
фаза ...............................................—56 °*
(=1 ГГц:
модуль . ...................................... . 0,14*
фаза ...........................................-112°*
.196
Продолжение
Коэффициент обратной передачи напряжения в схеме ОЭ
прн 1/кб=5 В, /» = 10 мА, Rt=50 Ом:
/=400 МГц
модуль...............................................0,09*
фаза...................................... ... 71°*
/=1 ГГц:
модуль ... ... . . 0,18*
фаза ... ................60°*
Коэффициент прямой передачи напряжения в схеме ОЭ
прн Uкв 5 В /э=10 мА, /?а=50 Ом:
/=400 МГц:
модуль . . . . . . . , 4,2*
фаза........................................ 90°*
/=1 ГГц-
модуль..................................... . 1,9*
фаза .........................................57°*
Коэффициент отражения выходной цепи в схеме ОЭ при
Uke—5 В, /э=10 мА, /?а=50 Ом:
/=400 МГц:
модуль..........................................0,64*
фаза..........................................— 27"*
/=1 ГГц.
модуль..........................................0,5*
фаза ...............................• 1 » — 52°*
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база ... . 10 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при /?в«^
sg3 кОм................................... , . 10 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . . ,3В
Постоянный ток коллектора и эмиттера................20 мА
Импульсный ток коллектора и эмиттера при tu^10 мко,
Q>2 ... . . ... 40 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
2Т371А:
7sS4-65°C, 6650 Па....................... 100 мВт
Т<4-65 °C, Р=665 Па , .................. 65 мВт
7= 4-125 °C................................ 30 мВт
КТ371А:
7^ 4-65 °C ................................... 100 мВт
7 4-125 °C....................................30 мВт
КТ371АМ при 7<4-85°С ... . .. 100 мВт
Температура р-п перехода............................+150 °C
Температура окружающей среды:
2Т371Л, КТ371А .................................-60 4-125 °C
КТ371АМ ........................................—45 „4-85 °C
1 В диапазоне температур окружающей среды +65 +125 °C допустимые вначения
рассеиваемой мощности для 2Т374А. КТ371А снижаются линейно.
197
Зависимое гь статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока кол-
лектора
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от напряже-
ния коллектор — база
Зависимость граничной
частоты от тока эмит-
тера
Зависимость граничной
частоты от напряжения
коллектор — база
Зависимость коэффици-
ента шума от тока
эмиттера
Зависимость коэффици-
ента шума от частоты
2Т372А, 2Т372Б, 2Т372В, КТ372А, КТ372Б, КТ372В
2TJ 72(А-8\ KT372(A В)
Транзисторы кремниевые эпитаксиаль-
но-планарные структуры п-р-п усилитель-
ные с нормированным коэффициентом шу-
ма на частоте 1 ГГц. Предназначены для
применения во входных и послед} ю-
щих каскадах усилителей сверхвысоких
частот Выпускаются в металлокерамиче-
ском корпусе с гибкими полосковыми вы-
водами Тин прибора указывается на ярлы-
ке, являющемся составной частью упаковки.
На корпусе между базовым и эмиттерным
выводами наносится условная маркировка
цветными точками 2Г372А — одна зеленая;
2Т372Б—одна черная; 2Т372В — одна бе
лая, КГ372А — две зеленые; КТ372Б— две
черные; КТ372В — две белые
Масса транзистора не более 0,2 г.
198
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока прн UKE-5 В,
/э = 5 мА
2Т372Х, 2Т372Б, 2Т372В..........................
КТ372А, КТ372Б КТ372В, не менее . .
Граничная частота коэффициента передачи тока при
Uke=S В /э —5 мА:
2Т372А...........................................
2Т372Б.......................... ...
2Т372В............................. . .
Минимальный коэффициент шума прн Uke = 5 В, /3 =2 мА
f 1 ГГц:
2Т372А. КТ372А...................................
2Т372Б, КТ372Б . .......................
2Т372В, КТ372В ... .................
Оптнма. ьпый коэффициент усилении по мощности прн
иКБ = 5 В, /₽=5 мА, j-l ГГц .....................
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой ча-
стоте при 6/«б=5 В, /»=5 мА . ..............
Обратный ток коллектора при Ukb= 15 В
Т—Г 25 °C .......................................
Т = —60 °C, не более.............................
Т=4-125 °C, ие более..............................
Обратный ток эмиттера при Г/эв=3 В
Т= -f-25 °C .....................................
Т — —60 °C, не более . . ....
7 =4-125 °C, не более............................
Коэффициент отражения входной цепи при Zo=5O Ом,
В, /к=5 мА, Р„=10 мкВт:
модуль ..........................................
фаза . . .
Коэффициент обратной передачи напряжения прн Zo=
50 Ом, L'ita-5 В, /е=5 мА, Р«=10 мкВт
моду ль..............................................
фаза ... ..............................
Коэффициент прямой передачи напряжения при Zo«=50 Ом,
—5 В, /к=5 мА, Р„=10 мкВт:
модуль ..........................................
фаза . ....................................
Коэффициент отражения выходной цепи транзистора при
Zo — 50 Ом, Ukb=5 В Ik 5 мА, Р«х=10 мкВт:
модуль ......................................
фаза . . ............................ ,
Емкость коллекторного перехода при Ukb=5 В
Емкость эмиттерного перехода при Ubb=0
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база ....
Постоянное напряжение эмиттер — база ....
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер прн R3s^
СЮ кОм .................................... .
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при РадС
СЮ кОм, Г„СЮ мкс, Q=20...............................
Постоянный ток коллектора ............................
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при Г=—60.,.4-100’С , . .
при Т =4-125 °C-
2Т372А, 2Т372Б 27372В . . . . . и
КТ372А, КТ372Б КТ372В........................ .
10* 90*
10*
2,4...4,35*...
...5.4* МГц
3...4,8*...6* МГц
2,4...3,75*...
...5,4* М1ц
2,3*...2,9*...3,5 дБ
2,5*...3,5*...5,5 дБ
3*...3,8*...5,5 дБ
10*. 12*... 14.5* дБ
2,5*. .4* 9* пс
0.006*...0,01*...
0,5 мкА
0,5 мкА
10 мкА
0,01*. .0,03*.,
20 мкА
20 мкА
200 мкА
0,14*
-149°*
3,29*
76°*
0,093*
59°*
0,623*
-30°*
0,4* 0,65*..1 пФ
1*. ,2*...!,5* пФ
15 В
3 В
15 В
15 В
10 мА
50 мВт
30 мВт
25 мВт
199
Продолжение
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора прн Т=
- 4-70 °C, f=l ГГц, Q=15 . . .................80 мВт
Тепловое сопротивление переход — среда................1 ° С/мВт
Температура р-п перехода..............................4-155 °C
Температура окружающей среды ... . . —60 .4-125 *С
Минимальное расстояние пайки выводов от корпуса 2 мм, температура
пайки не выше 4-260 °C, время пайки не бо. ее 3 с.
1Лл»1
Зона возможных поло-
жений зависимости по-
стоянной времени цепи
обратной связи от тока
эмиттера
Зона возможных поло-
жений зависимости ста»
тического коэффициента
передачи тока от тока
эмиттера
Зависимости модуля ко-
эффициента передачи
тока от тока эмиттера
Зависимость коэффнци- Зависимости коэффицн- Зависимости коэффици-
ента усиления от тока ента шума от тока ента шума от частоты
эмиттера эмиттера
Зависимость пробивного
напряжения коллектор —
эмиттер от coi ротивле-
ния база — эмиттер
Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициента
передачи тока от тем-
пературы
Зона возможных поло-
жений зависимости ко-
эффициента усиления от
частоты
200
1Т374А-6
Транзистор германиевый планарный
структуры п р-п усилительный с норми-
рованным коэффициентом шума на ча-
стоте 2,25 ГГц. Предназначен для при-
менения во входных и последующих
каскадах усилителен сверхвысоких ча-
стот. Бескорпусной на керамическом
кристаллодержателе с контактными пло-
щадками.
Тип прибора указывается на ярлы-
ке, находящемся в индивидуальной упа-
ковке.
Масса транзистора не более 0 004 г.
Этсктрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Ukb — З В, /а = 2 мА:
Г-+25 °C ......................................
Т=- 60 СС......................................
Т=+70°С...............................
10... 100
От 0 3 до 1,5 зна-
чения при 7=»
= +25сС
От 0,5 до 3 зная
чений при
= +25 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
ОЭ при Uke=3 В, 1е=2 мА, не менее....................
типовое значение ................................
Постоянная времени цепи обратной связи при С/кв=3 В,
/а=2 мА, /=100 МГц, ие более.........................
типовое значение ................................
Минимальный коэффициент шума при Б'кв=3 В, /э=
=2 мА, /=2,25 ГГц, ие ботее..........................
типовое значение ................................
Оптимальный коэффициент усиления по мощности при
С/кв=3 В, /э=2 мА, /—2,25 ГГц, не менее ....
типовое значение ................................. .
Обратный ток коллектора при 1/кв=5 В, не более:
Г=+25СС ............................. .
Т'=+70°С . . . . .
Обратный ток эмиттера при (7»е=0,3 В, не более
Емкость коллекторного перехода при Ukb=5 В, не более
типовое значение ...................................
Емкость эмиттерного перехода при 1/вЕ=0,3 В, не более
типовое значение .............................
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер прн
1 кОм..............................................
Постоянное напряжение эмиттер — база . ...
Постоянный ток коллектора .... ...
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
прн Т’=+45°С........................................
при Т’=+70°С.....................................
Тепловое сопротивление переход — среда...............
Температура р-п перехода . ... ...
Температура окружающей среды.........................
2,4 ГГц
3,6* ГГц
10 пс
4* пс
4,5 дБ
4* дБ
3...7.6 тВ
6* дБ
5 мкА
30 мкА
100 мкА
1 пФ
0,7* пФ
1 нФ
0,5* пФ
5 В
5 В
03 В
10 мА
25 мВт
10 мВт
1,5 °С/мВт
+ 85 °C
-60...+70 °C
201
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока
эмиттера
Зависимость граничной
частоты от тока кол-
лектора
Зависимость коэффици-
ента шума от тока
эмиттера
Зависимость коэффици-
ента шума от частоты
2Т382Л, 2Т382Б, КТ382Л, КТ382Б, КТ382АМ, КТ382БМ
2ТЗВ2(А.Б), КТ382(А Б}
КТ382(АН БП)
Транзисторы кремниевые эпитаксиаль-
но-планарные структуры л р-п усилитель-
ные с нормированным коэффициентом шума
иа частоте 400 МГц. Предназначены для
применения во входных и последующих
каскадах усилителей высокой и сверхвы
сокой частот. Выпускаются в металлокера-
мическом (2Т382А, 2T382D. КТ382А,
КТ382Б) и пластмассовом (КТ382АМ,
КТ382БМ) корпусах с гибкими полосковы-
ми выводами. На крышке корпуса нано-
сится условная маркировка цветным кодом-
2Т382А—одна черная точка; КТ382А —
две черные тоши; 2Т382Б — одна красная
точка КТ382Б — две красные точки;
КТ382АМ — одна полоса КТ382БМ—одна
полоса и одна точка.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
U кв — IB э—5 мА*
7 =+25 °C . ...................... 40...330
Т=-60°С 2Т382А. 2Т382Б................................. 30...330
Т= + 125°С 2Т382А, 2Т382Б................................ 40.460
202
Продолжение
Граничная частота коэффициента передачи тока в схе-
ме ОЭ при Ukb — 5 В Is 5 мА, ие менее . 1,8 ГГц
типовое значение ... ... . . 2,25* ГГц
Постоянная времени цепи обратной связи при Uus=5 В,
/а = 5 мА /=30 мГц:
2Т382А, КТ382А ие более..............................15 пс
типовое значение ....................... 6* пс
2Т382Б, КГ382Б, ие более.........................10 нс
типовое значение ................ . . 5,5* пс
Коэффициент шума при (Л<г>=5 В. !а~ 5 мА, f= 400 МГц,
Рг = 75 Ом
2Т382А, КТ382Л, КТ382АМ. не более....................3 дБ
типовое значение ..........................2,2* дБ
2Т382Б, КТ382Б КТ382БМ, не более . . 4,5 дБ
типовое значение . . .............2,5* дБ
Граничное напряжение при /8=5 .мА, не мепее . . . 10 В
типовое значение . . , 20* В
Обратный ток коллектора при 7Л,в=15 В не более:
Т-+2осС .......................0,5 мкА
Г- + !25?С 2Т382А, 2Т382Б ... .5 мкА
Обратный ток эмиттера при Б8л=3 В. не более ... 1 мкА
Входное сопротивление в схеме ОБ в режиме малого
сигнала при 1/дь—5 В. /э=5 мА f—l кГц, ие более . 10 Ом
типовое значение .................3* Ом
Емкость коллекторного перехода при UKe~5 В не более 2 пФ
типовое значение .... . ... 1* пФ
Емкость эмиттерного перехода при 1/ед=1 В ие более . 2,5 нФ
типовое значение ... ... 1,6* пФ
Индуктивность каждого вывода . . 4* нГн
Коэффициент отражения входной цепи в схеме ОЭ при
Ukb=5 В, !а = 5 мА, /=400 МГц, Rs=50 Ом:
модуль...............................................0,26*
фаза . . . . . .............—133°*
Коэффициент обратной передачи напряжения в схеме ОЭ
при и1!Б — 5 В, /в=5 мА, /=400 МГц. Рг=50 Ом:
модуль . . . 0,1 )2*
фаза . . . . ... 66е*
Коэффициент прямой передачи напряжения в схеме ОЭ
при б/кв=5 В, /8 —5 мА, /=400 МГц. Рг=50 Ом:
модуль . . . ................ 4.15*
фаза ... . . . ... 86 *
Коэффициент отражения выходной цепи в схеме ОЭ
при Б'Ив=5 В, /э=5 мА, /=400 МГц, Рг = 50 Ом:
модуль ... .......................0,54*
фаза......................... —35е*
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база...............15 В
Постоянное напряжение козлектор — эмиттер при
s$3 кОм . ....................................10 В
Постоянное напряжение эмнттер — база..................... ЗВ
Постоянный ток коллектора и эмиттера.................20 мА
Импульсный ток коллектора и эмиттера при Zu<10 мкс,
Q>2 . . ..... 40 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора ’:
2Т382А, 2Т382Б:
ТС+65 °C, Р^6650 Па............................100 мВт
Г<+65°С, Р 665 Па..............................70 мВт
Г +125 °C......................................30 мВт
203
Продолжение
КТ382А, КТ382Б:
Zag+65 °C........................................100 мВт
7=+ 125 °C ......................................30 мВт
КТ382АМ, КТ382БМ при Г<+85°С....................100 мВт
Температура р-п перехода ... .............-1 150 °C
Температура окружающей среды:
2Т382А, 2Т382Б КТ382А КТ382Б...................-6О...+ 125°С
КТ382АМ. КТ382БМ...............................-45...+85°С
' В днаиалоне температур 4*65 .. + 125 °C допустимые значения рассеиваемой мощности
для 2Г382А, 2Т382Б, КТЗЯ2А, КТ382Б снижаются линейно.
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока кол-
лектора
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от напряже-
ния коллектор — база
Зависимость граничной
частоты от тока эмит-
тера
Зависимость коэффици-
ента шума от тока
эмигтера
Зависимость коэффици-
ента шума от частоты
Зависимость коэффици-
ента шума от темпера-
туры
2Т384А-2, 2Т384АМ-2, КТ384А, КТ384АМ
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п пере-
ключательные. Предназначены для применения в системах памяти ЭВМ и им-
пульсных переключающих устройствах наиосекундного диапазона в составе гер-
метизированных микросхем. Бескорпусные с гибкими выводами и защитным
покрытием па керамическом (2Т384А-2, КТ384Л) и металлическом (2Т384ЛМ 2
КТ384АМ) кристаллодержателях. Поставляются в сопроводительной таре, по
зволяющей проводить измерение электрических параметров без извлечения из
нее транзисторов. Тип прибора указывается на coi роводительиой таре.
204
Масса транзистора на керамическом крнсталлодержателе не более 0,016
на металлическом — не более 0,004 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Ukb=1 В /к=150 мА . ....................
Граничная частота коэффициента передачи тока при
17кв= 10 В, /к=100 мА................................
Время рассасывания при /к = 150 мА, /бг—/е2=15 мА,
не более
2Т384А 2. 2Т384ЛМ-2..............................
КТ384А, КТ384АМ..................................
Граничное напряжение при /к = 10 мА для 2Т384А-2,
2Т384АМ 2 . .............................
Напряжение насыщения коллектор— эмиттер при 1к=
= 150 мА, /б=15 мА:
2Т384А2, 2Т384ЛМ-2...............................
КТ384Л, КТ384АМ, не более........................
Напряжение насыщения база—эмиттер при /к= 150 мА,
/в=15 мА:
2Т384А-2, 2Т384АМ-2..............................
КТ384А, КТ384АМ, не более........................
Обратный ток коллектора, не более:
47,fB=30 В. Г =+25 °C................................
Ukb=20 В, 7=+ 125 °C 2Т384А-2. 2Т384АМ-2 . .
С/кв=30 В, 7=+85 °C КТ384А, КТ384АМ . . .
Обратный ток эмиттера, не более
2Т384А-2, 2Т384АМ-2 при Ube=5 В
Т +25 °C ....................
7=+ 125 °C......................................
КТ384А, КТ384ЛМ при t/SB=4 В.....................
Обратный ток коллектор — эмиттер при /?вэ=0 для
2Т384А-2, 2Т384АМ-2, по более:
С/кв=30 В, 7=+25°C...............................
£/кб=20 В, 7=+ 125 °C............................
Емкость коллекторного перехода при 17кв=10 В для
2Т384А-2, 2Т384АМ-2 . . ....................
Емкость эмиттерного перехода при (/эб=0,Б В для
2Т384А-2, 2Т384АМ 2 . .......................
30. .90*..180
0,45 1,15*,.
1,3* ГГц
I? нс
15 нс
15. 24* ,.34*В
),25*. 0,28*...0Л8 В
>,6 В
0,81*. 0,91*,„
1,15* В
12 В
10 мкА
100 мкА
100 мкА
10 мкА
100 мкА
10 мкА
10 мкА
100 мкА
1,3* 1,7* .4 пФ
7*. .8* 20 пФ
205
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база п коллектор —
эмиттер прн Яоэ<5 кОм для КТ384А, КТ384ЛМ ... 30 В
Постоянное напряжение коллектор — база 1 2Т384Л-2,
2Т384АМ 2:
при Тподл— + 100°C . ....................... 30 В
при ТНодл= +125 °C . . ............. 20 В
Постоянное напряжение эмиттер — база:
2Т384А-2, 2Т384ЛМ 2 .... 5 В
КТ384А, КТ384АМ . . . 4 В
П :тояпиый ток коллектора ...............................0,3 А
Импульсный ток коллектора прн /„^5,0 мкс, QjslO . о,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
2Т384А, 2Т384АМ 2
Тподл = 4-85° . . .......................о,з Вт
Т подл —4-125 °C . • • 0,06 Вт
КТ384А, КТ384АМ:
Г<4-70°C...........................................0,3 Вт
7= 4-85°C . . . ... 0,2 Вт
Тепловое сопротивление переход — подложка 0,167°С/мВт
Температура р-п перехода
2Т384Л2 2Т384АМ 2 . .... 4-135 °C
КТ384А, КТ384АМ ....................4-120 °C
Температура окружающей среды:
2Т384А 2, 2Т384АМ-2 . . -60.. 4-12а °C
КТ384А, КТ384 \М . . ....................—45. .4-85’С
1 В диапазоне температур подложки 4-100. . +125 С допустимые значения постоянного
напряжения коллектор — база транзисторов 2Т384А 2. 2Т384АМ-2 снижаются линейно.
1Т387А-2, 1Т387Б-2
1Т387(А2 Б-2)
Транзисторы германиевые планарные струк-
туры п-р-п генераторные. Предназначены для
усиления и генерирования сигналов сверхвысоких
частот. Бескорпусные на керамическом кристал-
лодержателе с гибкими полосковыми выводами и
керамической крышкой. Выпускаются в индиви-
дуальной таре-спутнике. Тин прибора указывается
на таре. На крышке транзистора наносится услов-
ная маркировка цветными точками: 1Т387А-2 —
черная; 1Т387Б-2 — белая.
Масса транзистора ие более 0,1 г.
Электрические параметры
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
ОЭ при 1/кв=3 В, /а=50 мА, не меиее
1Т387А-2 . . . .......................2,16 ГГц
1Т387Б-2.........................................3 ГГц
Постоянная времени цепи обратной связи при £7кв=5 В,
/е=30 мА, f=30 МГц, не более:
1Т387А-2.........................................6.5 пс
1Т387Б2..........................................4 пс
206
Продолжена^
Выходная мощность в режиме автогенератора при Ukb=
=7 В, /а = 50 мА, не менее:
1Т387А-2 при /=3 ГГц........................ ... 50 мВт
1Т387Б-2 при [=4 ГГц...............................50 мВт
Медианное значение, не менее:
1Т387А-2 при /=3 ГГц............................75 мВт
1Т387Б-2 при [=4 ГГц............................65 мВт
Коэффициент усиления по мощности при 1Укб=7 В,
ие менее:
1Т387А-2 в схеме ОБ при /=2,25 ГГц, ц —30% - . 2
1Т387Б-2 в схеме ОЭ при /=0,5 ГГц, 1в~20 мА . 10
Минимальный коэффициент шума при Инг,=7 В:
1Т387А-2 в схеме ОЭ при /в = 5. .30 мА:
f 0,1 ГГц................................ .... 25 дБ
/=1 ГГц.......................................5 дБ
1Т387Б-2 при /а=10.20 мА:
/=0,51 ГГц в схеме ОЭ.........................3 дБ
= 1 ГГц в схеме ОБ...........................4,8 дБ
/=2,5 ГГц в схеме ОБ..........................7,5 дБ
Граничное напряжение при /э=50 мА, не менее ... 8 В
Обратный ток коллектора при 1Укб= 10 В, не более:
7= + 25сС . . . 10 мкА
7'= + 7ОсС . . 100 мкА
Обратный ток эмиттера при 7Л>ь=0,2 В, не более:
7=+25еС ..... 10 мкА
7=з-70сС ... 100 мкА
Сопротивление базы при Uke—7 В, /« = 50 мА, ие более 9 Ом
Сопротивление коллектор — база при £7|<б=7 В, /в = 50 мА,
не более 4,5 Ом
Емкость коллекторного перехода при <7Кв = 5 В, не более 3 пФ
Емкость эм итгериого перехода при 17вв=0 В, не более 4,5 пФ
Индуктивность базы в режиме насыщения при 1/кв=0,
/к = 50 мА, /=1 ГГц, не более .... 0,45 нГи
Коэффициент отражения входной цепи в схеме ОЭ прн
47к8 = 5 В-
/к=10 мА / = 0,5 ГГц:
модуль . ...........................178
фаза . ............................—140°
1к- 30 мА, /=0,5 ГГц
модуль . ...........................155
фаза ............................—150°
1к~ 10 мА, /=1 ГГц:
модуль ........................... 1,92
фаза ............................—165°
/к=30 мА, /=1 ГГц:
модуль ................................1,78
фаза..........................................—175°
Коэффициент обратной передачи напряжения в схеме ОЭ
при Uкэ=5 В:
/к = 10 мА. /=0,5 ГГц:
модуль .............................— 14 5 дБ
фаза ...............................61°
/и-30 мА /=0.5 ГГц:
модуль . —14 2 дБ
фаза..........................................70°
/к =10 мА, /=1 ГГц:
модуль .............................—10,5 дБ
фаза ... ............................60°
/к = 30 мЛ, /=1 ГГц:
модуль..........................................—10 дБ
207
фаза...................................
Коэффициент прямой передачи напряжения в схеме ОЭ
при икэ=5 В:
/я=10 мА, /=0,5 ГГц:
модуль ................................
фаза......................... . . . »
/к-30 мА, /=0,5 ГГц:
модуль
фаза..................................
/к=10 мА, /=1 ГГц:
модуль ...................... , , , ,
фаза.........................• » . .
/к=30 мА, f=l ГГц:
модуль ................................
фаза...................................
Коэффициент отражения выходной цепи в схеме ОЭ при
UKB=5 В:
Продолжение
61°
8 дБ
81°
9.5 (Б
75°
4 дБ
60°
4 5 дВ
59°
/к = 10 мА, /=0,5 ГГц:
модуль........................ 1 79
фаза . . 55°
/к 30 мА, /=0,5 ГГц:
модуль . . ..........................1,45
фаза .................. - 40°
7к=10 мА, f=l ГГц:
модуль.......................... 1,67
фаза.......................................... —57®
/к-30 мА /=1 ГГц:
модуль . . .............................138
фаза.......................................... —61°
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база .... 10 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер при /?э6=
= 100 Ом............................................... 8 В
Постоянное напряжение эмиттер-база..................0,2 В
Импульсный ток коллектора при Тк=ф-25°С /„ = 10 мкс,
0=100 . 140 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при 7.=+30 °C........................ . . . 175 мВт
при Тк = + 70°С...................... . . .85 мВт
Рассеиваемая мощность коллектора в режиме усиления
мощности:
при Гн =+30°C.................................... 300 мВт
при =4-70 °C ..................120 мВт
Температура р-п перехода ...........................+100 °C
Температура кристаллодержателя......................— 6О... + 7О°С
При эксплуатации транзисторов обязательно применение теплоотвода, обес-
печивающего тепловое сопротивление переход — окружающая среда не более
250 °С/Вт.
208
Г(Ч.., «Л
О 2 •< 6 8 UKt. В
Зависимости выходной
мощности в режиме ав-
тогенератора от напря-
жения коллектор — база
f,t . ГГц
Зависимость граничной
частоты от тока эмит-
тера
90 20 30 W 50 Г3 нА
Зависимости выходной
мощности в режиме
автогенератора от тока
эмиттера
Зависимость выходной
мощности от входной в
усилителе класса С в
схеме ОБ
2Т391А-2, 2Т391Б-2, КТ391А-2, КТ391Б-2, КТ391В-2
Транзисторы кремниевые эпитак-
сиально-планарные структуры п р п
усилительные с нормированным коэф-
фициентом шума па частоте 3,6 ГГц.
Предназначены для применения во
входных и последующих каскадах
усилителей сверхвысоких частот в со-
ставе гибридных интегральных мик-
росхем бчоков и аппаратуры, обес-
печивающих герметизацию. Бескор-
пусные с гибкими выводами на
кристаллодержателе. На крышке
транзистора наносится условная мар-
кировка цветными точками:
2Т391А-2—одна черпая; 2Т391Б-2 —
одна белая, КТ391А-2 —две черные,
КТ391Б 2 —две белые; КТ391В2 —
две синие. Тип прибора указывается
также в этикетке, вкладываемой в
групповую упаковку.
Масса транзистора не более 0,2 г.
2Т391(А 2, Б 2),KT3S1(A 2~В 2)
14 Заказ № 1080
209
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Скь-7 В /» 5мА ........................................... 20. 90*.„150*
Граничная частота коэффициента передачи тока при
Окв=7 В 1в = 5 мА:
2Т391Л 2, 2Т391Б-2, КТ391А-2, КТ391Б-2 .... 5„.6*.„7,1* МГц
КТ391В 2, не менее . .................. -4 ГГц
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой ча-
стоте при UitE—1 В, 7s = 5 мА.............................2,5*...3*...3,7* пс
Коэффициент шума при Uke—7 В, /в=5 мА, / 3,6 ГГц:
2Т391А 2, КТ391А-2............................... 3* .3,5* 4,5 дБ
2Т391Б2 КТ391Б2 .................. 4 3*. .5,2*...5,5 дБ
КТ391В 2 не более .... 6 дБ
Коэффициент усиления по мощности при Ukb—7 В, /е —
=5 мА, f=3,6 ГГц:
2Т391А2 2Т39Б2 КТ391А 2, КТ391Б 2 .... 6...7*...8,2* дБ
КТ391В 2, ие менее ... .... 4 дБ
Коэффициент усиления по мощности прн настройке на
минимум коэффициента шума при С/кв=7 В, /эж5 мА,
/=3,6 ГГц.................................................3,5*. .5*.„6* дБ
Выходная мощность при снижении усиления на 1 дБ и
UKE=7 В:
/э=5 мА...............................................2*...2,5*...3,5* мВт
/в=7 мА...................... ........................3*...4*...5* мВт
Обратный ток коллектора'
при 7=+25сС. £7кк=10 В:
2Т391А-2 2Т391Б-2 ..................... 0,001* .0,003*...
0 5 м к
КТ391А 2, КТ391Б 2, не более ... . - 0,5 мкА
Uкб 7 В КТ391В-2, не более . . . 0 5 мкА
при Т'=-60°С, Г/кв=Ю В 2Т391А-2, 2Т391Б-2, не
более..................... . . . 0,5 мкА
прн Т- + 125СС, UKB=10 В 2Т391А-2, 2Т391Б 2,
КТ391А-2, КТ39 Б-2 не более........................ 2 мкА
1'кб- 7 В KT39IB-2, не более........................2 мкА
Обратный ток эмиттера:
при UKB 2 В для 2Т391А-2. 2Т391Б-2, КТ391А2,
КГ391Б-2 . . ... ... 0,001...0,005*...
20 мкА
при Г/зе“1 В для КТ391В-2, нс более .... 20 мкА
Входное сопротивление в режиме малого сигнала при
UkE -7 В, /в = 5 мА.......................................5*...6,7*„ 8,5* Ом
Гмкость коллекторного перехода при Г7„в=5 В 04*...0,5*...0,7 пФ
Емкость эмиттерного перехода при 17вв=0 .... 0,65*...0,8*...1* пФ
Емкость корпуса
входная ..............................................0,18* пФ
выходная ... .............. . 0,26* пФ
фоходная .............. . . 0,04* пФ
Индуктивность выводов при I— I мм:
базы . . 0.87* нГн
эмиттера при параллельном соединении выводов . 0.43* пГи
коллектора....................................... .... 0,87* нГн
Погонная индуктивность вывода ..............0,69* иГн/мм
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т391А-2, 2Т391Б-2, КТ391А-2, КТ391Б-2 . . . . 15 В
КТ391В-2........................................... 10 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
10 кОм................................................. ЮВ
210
П родолжение
Постоянное напряжение эмиттер — база
2Т391А-2, КТ391Б-2, КТ 391А 2, КТ391Б-2 ... 2 В
КТ391В-2 ...............................1 В
Постоянный ток коллектора...............................10 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора *:
при Т= — 60... + 85 °C..................................70 мВт
при 7=+ 125 °C......................................50 мВт
СВЧ мощность, падающая па вход транзистора, при
Пкв=7 В, /8=5 мА, f=36 ГГц, 7=85 °C:
непрерывная . . ... 70* мВт
импульсная при tu s^l мкс, Q>1000 ............. 200* мВт
Температура р-п перехода............................... +150 °C
Температура окружающей среды . ................—60...+ 125 °C
1 При повышении температуры от +85 до +125 'С мощность снижается линейно.
Минимально допустимое расстояние от кристаллодержателя до места пайки
вывода 2 мм. Допускается пайка выводов на расстоянии 1 мм от кристалло-
держателя, время пайки не более 3 с, температура пайки ие более 160 ЭС.
/О
Зависимости коэффици- я
ептов шума и усиления
от частоты g
*
2
0
1. 1.5 2 2,5 З/.ГГц
0 1 2 3 Ъ f ГГц
Зависимости коэффици-
ентов шума и усиления
от частоты
0 I I J 1/ГГц
Зависимости коэффици-
ентов шума и усиления
от частоты
р дБ
2 2,5 3 3.5 Ч f ГГц
Зависимости коэффици-
ентов шума и усиления
от частоты
14*
211
Зависимости коэффици-
ентов шума и усиления
от частоты
Зависимости коэффици-
ентов шума и усилении
от частоты
Зависимости коэффици-
ентов шума и усиления
от частоты
Зависимости коэффици-
ентов шума и усиления
от температуры
Зависимости коэффици-
ентов шума и усиления
от частоты
Зависимости коэффици-
ентов шума и усиления
от частоты
2Т396Л-2, КТ396Л-2
2Т396А г, КТ396А-2
г, 15 0,93
Транзисторы кремниевые эпитак-
сиально-планарные структуры п-р-п
усилительные с ненормированным ко-
эффициентом шума. Предназначены
для применения в усилителях сверх-
высоких частот. Бескорпусные на
кристаллодержателе с гибкими вы-
водами и защитным покрытием. Вы-
пускаются в сопроводительной таре.
Тип прибора указывается на эти-
кетке.
Масса транзистора не более
0,003 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
1/кб=2 В, мА'
Т-=+2б"С............................................. 40..250
212
П родолжение
Т----60 °C ... ................ 20 250
7=+85 °C КТ396А-2 .......................... 40 500
7= + 125 °C 2Т396А 2 .......................... 40.500
Граничная частота коэффициента передачи тока при
Икб=2 В, /а=5 мА, ие менее .........................2,1 ГГц
типовое значение.................................2,75* ГГц
Постоянная времени цепи обратной связи при 1)кб=2 В,
/а=5 мА, / 30 МГц, ие более.........................15 пс
типовое значение.................................7,7* пс
Время задержки включения в схеме дифференциального
усилителя при /к =20 мкА .... ... 0,6* нс
Время нарастания в схеме дифференциального усилителя
при /и=20 мА . . ... . Q g* нс
Время задержки выключения в схеме дифференциального
усилителя при /к 20 мА..............................0,9* нс
Время спада в схеме дифференциального усилителя при
/к=20 мА . . ..... 0.65* ис
Граничное напряжение при /в = 5 мА, не менее . . Ю В
Обратный ток коллектора при Ukb= 15 В, не более:
7=+ 25 °C . ............. . . 0,5 мкА
7= +85 °C КТ396А-2...............................5 мкА
7=+ 125 °C 2Т396А-2..............................5 мкА
Обратный ток эмиттера при 1/8ь=3 В, не более ... 1 мкА
Входное сопротивление в схеме ОБ в режиме малого
сигнала при UKr. = 2 В, /э=5 мА, /-50...1000 Гц, не более 11 Ом
типовое значение .... .... . 6,1* Ом
Емкость коллекторного перехода при t/KB=5 В, не более 1,5 иФ
Емкость эмиттерного перехода при t/8E=l В. ие более 2 пФ
Емкость конструктивная между выводами коллектора н
эмиттера, не более .................................0,52* пФ
Индуктивность выводов эмиттера и базы, не более . . 13* пГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база . . 15 В
Постоянное напряжение коллектор — эмнттер при /?,.,=
= 3 кОм.............................................10 В
Постоянное напряжение эмиттер — база................ЗВ
Постоянный ток коллектора.........................40 мА
Постоянный ток эмиттера...........................40 мА
Импульсный ток коллектора.........................40 мА
Импульсный ток эмиттера . ... ... 40 мА
Постоянная рассеиваемая мощность ко (лектора:
при 7sg+65°C для 2Т396Л-2.........................30 мВт
прн 7sg + 50 °C для КТ396А-2........................30 мВт
при 7=+85°C для КТ396А-2........................16 мВт
прн 7=+ 125 °C для 2Т396А-2 ... .10 мВт
Тепловое сопротивление переход — среда:
2Т396А2 ... .......................3°С/мВт
КТ396А 2 . ......................2,5 °С/мВт
Температура р п перехода:
2Т396А 2.............................................+150 °C
КТ396А2 .... ......................+125 °C
Температура окружающей среды
2Т396А-2 ............................................-60.. +125 °C
КТ396А 2 ..................................... -60..+85 °C
213
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока кол-
лектора
Зависимость статическо-
го коэффициент пере-
дачи тока от на и ряже-
ния коллектор — база
Зависимость граничной
частоты от тока эмит-
тера
Зависимость граничной
частоты от напряжения
коллектор — база
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от темпера-
туры
2Т397А-2, КТ397А-2
Z73S7A 2 КТ397А 2
Транзисторы кремниевые эвитак-
сиалыю-планарные структуры п р п
усилительные с ненормированным
коэффициентом шума. Предназначе-
ны для применения в усилителях
высокой частоты. Бсскорпусные на
керамическом кристаллодержателе
с гибкими выводами и защитным
покрытием. Выпускаются в сопрово-
дительной таре. Тип прибора указы-
вается в этикетке.
Масса транзистора не более
0,02 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Окб—5 В /к —2 мА
Г= + 25°С....... 40...300
214
T=-60°C......................
Т= + 85°С КТ397А2 ... . . . .
Т=+125°С 2Т397А 2 ... . . .
Граничная частота коэффициента передачи тока при U кв =
= 5 В, /э=2 мА, не менее . . ................
типовое значение ...............................
Постоянная времени цепи обратной связи при Ukb — 5 В,
/э=2 мА, f=30 МГц, не более.........................
типовое значение ............ ..................
Граничное напряжение при /в=2 мА, не менее
Обратный ток коллектора при UKb~40 В, не более:
7—+25 °C .......................................
7=+85 °C КТ397А-2 ... . . . .
7= + 125 °C 2Т397А-2............................
Обратный ток эмиттера при Г/вв=4 В, не более
Входное сопротивление в схеме ОБ в режиме малого
сигнала при £7Кв=5 В, /8=2 мА, f=50...1000 Гц, не более
типовое значение ...................................
Емкость коллекторного перехода при Ukb—& В, не более
Емкость эмиттерного перехода при С/Эь-=1 В, не более
Емкость конструктивная между выводами коллектора н
эмиттера ...........................................
Индуктивность выводов эмиттера и базы
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база..............
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер при
< 10 кОм............................................
Постоянное напряжение эмиттер — база................
Постоянный ток коллектора...........................
Постоянный ток эмиттера.................... , .
Импульсный ток коллектора при /„<10 мкс, Q^2 . .
Импульсный ток эмиттера при /„<10 мкс, 0^2
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при 7<+90°С для 2Т397Л-2........................
при 7< + 60°С для КТ397А-2......................
при 7=+85 °C для КТ397А-2.......................
при Т= + 125 °C для 2Т397А-2....................
Тепловое сопротивление переход — среда..............
Температура р п перехода:
2Т397А-2 . . . .
КТ397А 2 . . ...................
Температура окружающей среды:
2Т397А-2........................................
КТ397А 2 .......................................
Продолжение
20.. 300
40.600
40...600
500 МГц
1,06’ ГГц
40 пс
18'* пс
25 В
1 мкА
10 мкА
10 мкА
1 мкА
25 Ом
1,75* Ом
1,3 нФ
0,15 пФ
0,1* нФ
13 нГн
40 В
40 В
4 В
10 чА
10 мА
20 мА
20 мА
120 мВт
120 мВт
80 мВт
50 мВт
0,5°С/мВт
+ 150 °C
+125 °C
—60...+ 125 °C
-60...+85 °C
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока кол-
лектора
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от напряжен
иия коллектор — база
215
Зависимость (раиичной
частоты от тока эмит-
тера
Зависимость граничной
частоты от напряжения
коллектор — база
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от темпера-
туры
2Т399А, КТ399А, КТ399АМ
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п усили-
тельные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц. Предна-
значены для применения во входных и последующих каскадах усилителей
высокой и сверхвысокой частот. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гиб-
кими выводами (2Т399А, КТ399А) и пластмассовом корпусе с гибкими выво-
дами (КТ399АМ). Тип прибора указывается на корпусе. На транзисторах в
пластмассовом корпусе маркировка дается в сокращенном виде: 399А.
Масса транзистора ие более 1 г в металлическом корпусе и не более 0,5 г
в пластмассовом корпусе.
2Т399А, НТ399А
216
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Ukb=1 В /э=5 мА
Т- + 25°С . ....................... 40 ..140*. .170*
Г--60 °C 2Т399А. не менее . ... 20
Г= + 125СС 2Т399А, не менее . . . 40
Граничная частота коэффициента передачи при /7Нв=5 В,
Is = 10 мА . 1,8 2,6* .2,9* ГГц
Постоянная времени цепи обратной связи при 77кв = 5 В,
/»=10 мА, /=30 МГц .... . . 3,8* 4*...8 пс
Мииимазьиый коэффициент шума при /7кв—5 В. /»=5 мА,
/=400 МГц . . .... 1.3* 1 5* 2 дБ
Оптимальный коэффициент усиления по мощности при
0=5 В, /8-5 мА, /—400 МГц............................11,5* 12 3*...
13* дБ
Обратный ток коллектора при t/кв™ 15 В не более:
7=+ 25 °C . ..............................0 5 мкд
7=+ 125'С . . ... 5 мкА
Обратный ток эмиттера при 1/кв = 3 В, не более ... 1 мкА
Емкость коллекторного перехода при Пкв=5 В . . , 1* ],03* 1,7 пФ
Емкость эмиттериого перехода прн Г78д—1 В . . . , 2,1*..'2,4*...3 пФ
Емкость конструктивная:
между выводом эмиттера и корпусом 2Т399А . . 0 45* пФ
между выводом коллектора н корпусом 2Т399А . , 0 6* пФ
между выводом базы и корпусом 2Т399А . . . 0,4* пФ
между выводами коллектора и базы 2Т399А . . 0,15* пФ
между выводами коллектора и эмиттера 2Т399А . . 0,08* пФ
Индуктивность выводов эмиттера и базы при /««3 мм для
2Т399А..................................... 4,5* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база . . 15 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Рв.<
<10 кОм.................... .........................15 В
Постоянное напряжение эмиттер — база ..... ЗВ
Постоянный ток коллектора н эмиттера:
2Т399А КТ399А . . . . . . 20 мА
КТ399АМ . . .............30 мА
Импульсный ток коллектора и эмиттера при /„<10 мкс,
<Ы:
2Т399А, КТ399А ... ................40 мА
КТ399АМ..........................................60 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора •:
2Т399Л
7’< + 55°С, Р=6650 Па..................................,150 мВт
7 < ь55°С Р=665 Па . . .... 105 мВт
7=+125 °C..........................................39 \ Вт
КТ399А
7<+55°С..............................................150 мВт
7=+ 125 °C 40 мВт
КТ399АМ 7<+85°С 160 мВт
Температура р-п перехода................... , , +150 °C
Температура окружающей среды:
2Т399А КТ399А .................-. , -6Q.+ 125°G
КТ399АМ ...................-45. .4-85°C
8Т399А, КТ399А снижаются линейно.
S17
Зона возможных поло-
жений зависимости ко-
эффициента шума от
тока эмиттера
О Ь 8 12 16/3,мА
Зависимость коэффици-
ента усиления от тока
эмиттера
rtuT«i. кВ
О 2,5 5 7,5 tOU№,6
Зависимость коэффици-
ента шума от напряже-
ния коллектор — база
Зависимость коэффици-
ента усиления от на-
пряжения коллектор —
база
Зона возможных поло-
жений зависимости ко-
эффициента шума от
частоты
Зависимость коэффици-
ента усилении от ча-
стоты
2Т3101А-2, КТ3101А-2
2ТЗЮ1А 2, КТЗЮ1А 2
j.j I У
Транзисторы кремниевые эпитак-
спалыю-планарные структуры п-р-п
усилительные с нормированным коэф-
фициентом шума на частотах 1 и
2,25 ГГц. Предназначены для при
менения во входных и последующих
каскадах усилителей сверхвысоких
частот. Бескорпусные на керамиче-
ском крвсталлодержателе с гибкими
полосковыми выводами и приклеивае-
мой компаундом керамической крыш-
кой Тип прибора указывается в эти-
кетке.
Масса транзистора не более
0,04 г.
£18
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
fx£=l В /к-5 мА
7=4-25°С.......................................
Т= -60сС ..............
Т=4-125СС ..............................
Гранин! ая частота коэффициента передачи тока при Ukb—
= 5 В /а —10 мА. ие менее .... . . .
типовое значение .................
Постоянная времени цени обратной свяви при £7кв = 5 В,
/а—5 мЛ, /=30 МГц, не более...................... . .
типовое значение ..........................
Минимальный коэффициент шу ма
при Г'ЛЕ 5 В, /8 = 5 мА, / = 2,25 ГГц.................
при Г'кВ=2 В, /а = 2 мЛ, f=l ГГц..................
Максимальный коэффициент усиления по мощности:
при 1/ке = 5 В /э=10 мА, /=2.25 ГГц . .
при //кб = 2 В, /э = 2 мА /—1 ГГц . . . .
Оптимальный коэффициент усиления по мощности:
при (Укь = 5 В, /э = 5 мА, / = 2,25 Пц . . .
при (УК1; = 2 В. /э = 2 мА, f- 1 ГГц..............
Обратный ток коллектора при Г/ке=15 В, не более-
Т=+25°С
7= 4-125 °C ......................................
Обратный ток эмиттера при Г7Эь = 2,5 В не более
Емкость коллекторного перехода прн Ukb 5 В, не более
типовое значение..................... . . . .
Емкость э.миттерного перехода при (7аь=1 В не более
типовое значение ........................
Индуктивность вывода базы.............................
Индуктивность вывода эмиттера.........................
35.. 300
17.5. 300
35.. 500
4 ГГц
4,5* ГГц
10 пс
5* нс
3.3* . 3.5*.. 4,5 дБ
1,8*...1 9*...3 дБ
6. 9,2*.„9,8* дБ
13* 161*
17,5* дБ
6,3*.../8*.. 6,7* дБ
Б*.. 8,7* .9,1* дБ
0,5 мкА
5 мкА
1 мкА
1.5 нФ
0,65* нФ
2,5 г.Ф
1* пФ
2* и Гн
2* нГц
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база
Постоянное напряжение коллектор — эмнттер при =
= 10 кОм..............................................
Постоянное напряжение эмиттер — база..................
Постоянный ток коллектора и эмиттера..................
Импульсный ток коллектора и эмиттера при /и^10 мкс,
Q^2 . . ... . . . . .
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при Г^+45 °C для КТ3101А-2 .................
при 7s£4-70°C для 2Т3101А-2.......................
при 7=+85 °C для КТ3101А-21.......................
прн 7=4-125°С 2Т3101А-21 . . . .
Температура р-п перехода .............................
Температура окружающей среды:
2Т3101А-2.............................................
КТЗ 101А 2........................................
15 В
15 В
2.5 В
20 мА
40 мА
100 мВт
100 «Вт
50 мВт
30 мВт
4-150 °C
—60...4-125 °C
-60... 4-85 СС
1 В диапазонах температур +70... + 125сС для 2Т3101А-2 и +45 +55‘С для КТ3101А-2
допустимые значения рассеиваемой мощности снижаются линейно.
При эксплуатации транзисторов в составе Микросхем должен быть обеспечен
теплоотвод от кристалла с /?т^0,8°С/мВг.
219
Зависимость граничной
частоты от тока эмит-
тера
Лу р "Л'л.р, В.6
гШИА-2
кытл-г
о
1
-2
3
-ъ
О ь 8 f? 1813,нЛ
Зависимости коэффици-
ента усиления от тока
эмиттера
f'2,25 ггл
при fy'
10 нА >-
'iM*2B f-чтц
*,_г при Г3-2нА
2Т3106А-2, КТ3106А-2
Транзисторы кремниевые эпнтаксналыю-
планарные структуры п-р-п усилительные о
нормированным коэффициентом шума на ча-
стоте 120 МГц Предназначены для примене-
ния во входных н последующих каскадах уси-
лителей высокой частоты. Бескорпусные на
никелевом кристаллодержателе с гибкими вы-
водами и защитным покрытием на основе
кремнийорганпческого лака. Выпускаются в со-
проводительной таре. Тип прибора указыва
ется в этикетке.
Масса транзистора ие более 0,003 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Укв = 5 В, 1э~Ь мА.
Г=25 °C, не менее.................................
типовое значение ..... .................
7= — 60 =С, не менее................. . . .
Г—+125 °C 2Т3106А 2 не менее......................
Г =+85 °C КТ3106А-2 не менее......................
Граничная частота коэффициента передачи тока при Ukb =
=2 В, 1в — 5 мА.......................................
Постоянная времени цепи обратной связи при </кв=2 В,
/э=5 мА, [=30 МГц . . . .
Коэффициент шума при 17кв=5 В, 1В=Ъ мА, /?э=50 Ом.
[=120 МГц не более....................................
Коэффициент усиления по мощности прн 17кб=5 В, /в =
=5 мА, [=120 МГц, Яг = 50 Ом .........................
Граничное напряжение при /э=5 мА . . . ,
Обратный ток коллектора прн 1?кь=15 В не более:
Т= + 25°С.........................................
Г= + 125°С 2Т3106Л-2, Т=+85°С КТ3106А 2
Обратный ток эмиттера при UBE=2,5 В, не более
Емкость коллекторного перехода при Ukb—5 В, не более
типовое значение.......................... . . . .
Емкость эмиттерного перехода при Ubb— 1 В не более .
типовое значение ...... ..............................
40
100*
20
40
40
1...1,8*...2,2* ГГц
7*...8*. .10 пс
1,1*...1,4*...2 дБ
17*. 17,5*...18* дБ
21*. 25*. .28* В
0,5 мкА
5 мкА
1 мкА
2 пФ
1,5* пФ
3,5 пФ
3* пФ
220
Продолжение
Индуктивность вывода базы ...................13* нГн
Индуктивность вывода эмиттера.......................13* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база ... 15 В
Постоянное напряжение коллектор — эмнттер при
<10 кОм ... 15 В
Постоянное напряжение эмиттер — база ... 2,5 В
Постоянный ток коллектора н эмиттера .... 20 мА
Импульсный ток коллектора и эмиттера прн 6,^10 мкс.
0>2 . . ................................40 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора *:
прн 7<+50вС для КТ3106Л-2.......................30 мВт
при 7^+75 °C для 2Т3106А-2......................30 мВт
прн 7=+85°C для КТ3106Л-2 . . . . . 16 мВт
при 7=+ 125 °C для 2Т3106А-2 . ... 10 мВт
Температура р-п перехода:
2Т3106А 2 . ...................+150 °C
КТ3106А 2 .........................+125 °C
Температура окружающей среды:
2Т3106Л 2 ................................—60...+ 125°С
КТ3106А-2 ............................... -60. . + 85 °C
1 В диапазонах температур окружающей среды +60. . + 85 °C для КТ3107Л-2 н
+75...+125 "С для 2Т310БА-2 допустимые значения рассеиваемой мощности снижаются
линейно.
При эксплуатации транзисторов в составе микросхем должен быть обеспе-
чен теплоотвод от кристалла с /?т<2 5 °С/мВт.
Л»э/Лйз
^гга/Л»з
Зависимость граничной
частоты от гока эмит-
тера
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока кол-
лектора
Зависимость граничной
Частоты от напряжения
коллектор — база
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от напря-
жения коллектор — база
Зависимость коэффици-
ента шума от тона
эмиттера
Зависимость коэффици-
ента шума от напряже-
ния коллектор — база
221
1Т3110А-2
ITУпоa-2
Транзистор германиевый эпитаксиально-пла-
нарный структуры п р-п генераторный. Предна
значен для усиления и генерирования сигналов
сверхвысоких частот. Бескорпусный на керамиче-
ском крнсталлодержателе с гибкими полосковыми
выводами и керамической крышкой. Выпускается
в индивидуальной таре-спутнике. Тип прибора
указывается на таре На крышке наносится ус-
ловная маркировка — зеленая точка.
Масса транзистора не более 0.2 г.
Электрические параметры
Граничная частота коэффициента передачи тока при 17кв =
= 3 В, /э=50 мА, не менее.............................2,5 ГГц
Постоянная времени цени обратной связи прн Ukb=T> В,
/в = 30 мА, [= 100 МГц, ие более........................5 нс
Выходная мощность в режиме автогенератора при Ukb=
= 7 В, /э = 5 мА, f—4 ГГц, не менее .... .50 мВт
медианное значение, не менее ... . . 65 мВт
Коэффициент усиления по мощности при Ukb=7 В, 1д=
= 20 мА, 1] = 40%:
7=0 5 ГГц........................... . . 10 дБ
f = 1 ГГц .........................................8,2 дБ
7=2,25 ГГц . . . ... . . 6,6 дБ
Минимальный коэффициент шума прн С/«в=7 В /8 =
= 10.20 мА:
7=0,5 ГГц в схеме ОЭ.........3 дБ
7 1 ГГц в схеме ОБ .........4,8 дБ
7=2,5 ГГц в схеме ОБ . ......7,5 дБ
Граничное напряжение прн /э=40 мА, не менее ... 8 В
Обратный ток коллектора при (7ив=Ю В ие более:
Т +25 °C ............. . , 50 мкА
Т +70°С . . . 100 мкА
Обратный ток эмиттера прн ^эв=0,2 В, не более:
Т= +25 °C . .... . , 50 мкА
Т +70°C . ... .100 мкА
Сопротивление базы при С/кв=7 В, /в = 50 мА не более 9 Ом
Сопротивление коллектор — база при Uke=7 В /в=50мА
не более . . . .... . . 4,5 Ом
Емкость коллекторного перехода при 1/кв=5 В не более 3.5 пФ
Емкость эмиттерного перехода при й7Вв=0, не бочее . 4,5 пФ
Индуктивность базы в режиме насыщения прн 1/ко=0,
/к=50 мА, f=l ГГц, не более..........................0,45 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база . ... 10 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при R.e=
= 100 Ом . . . .............................10 В
Постоянное напряжение эмиттер — база ... 0,2 В
Постоянный ток коллектора при 7'=+20<>С .... 17,5 мА
222
Продолжение
Импульсный ток коллектора при Т =4-20 °C» /«=10 мкс,
Q—100 .............................................. 140 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
в статическом режиме:
при Т +30СС ......................................175 мВт
прн Г=+70°С.......................................85 мВт
в динамическом режиме:
прн Z=+30cC 300 мВт
прн 7'=+70сС......................................120 мВт
Тепловое сопротивление переход — среда................0.25сС/мВт
Температура о-п перехода............................+100°С
Температура кристаллодержателя . . . . . — 6О...+7О°С
Прн эксплуатации транзистора обязательно применение теплоотвода, обес
печиваюшего тепловое сопротивление переход — окружающая среда не более
Зависимость выходной
мощности в режиме ав-
тогенератора от напря-
жения коллектор — база
Зависимость выходной
мощности в режиме
автогенератора от тока
эмиттера
2Т3114А-6, 2Т3114Б-6, 2Т3114В-6, КТ3114Б-6, КТ3114В-6
Транзисторы кремниевые планарные структуры п-р-п усилительные. Пред-
назначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот в со-
ставе гибридных интегральных микросхем Бескорпусные с контактными пло-
2ТЗт(А 6 В 6), КТЗт(Б6 8-6)
223
щадками на кристаллодержателе (подложке) без выводов Маркируются;
2Т3114А-6— черной точкой; 2Т3114Б-6 — красной точкой; 2Т3114В6—зеленой
точкой; КТ3114Б-6 — двумя красными точками; КТ3114В-6 — двумя белыми
точками на обратной стороне кристаллодержателя.
Масса транзистора не более 0 004 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока при Ukb=3 В,
1э = 1 мА
7 = + 25 °C:
2Т3114А6, 2Т3114Б6, КТ3114Б6, КТ3114В-6 . . 15...35* ..80*
2Т3114В6 . . ... . . 15. .35*..100
Т=-60°С 2Т3114А-6, 2Т3114Б-6, 2Т3114В-6, не менее 6
7=4-125 °C 2Т3114А-6, 2Т3114Б-6, 2Т3114В-6, не менее 15
Граничная частота коэффициента передачи тока в схе-
ме ОЭ при Ukb=3 В, /в—1 мА ............................... . 4,3* . 4,65*...
5,1* ГГц
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой часто-
те при Ukb=3 В, /в — 1 мА, /=100 МГц . ... 6*...7*...8* пс
Минимальный коэффициент шума при Ukb=3 В:
/в=1 мА, /=400 МГц:
2Т3114А-6 . . ............................. 1,25*... 1,35*. 1,5 дБ
2Т3114Б-6, КТ3114Б-6..................................1,5*..1,7*. 2 дБ
КТ3114В-6 не более....................................3 дБ
/в = 2мА. /=2250 МГц 2Т3114В-6..........................3,3*...4*...4,5 дБ
Оптимальный коэффициент усиления по мощности:
при Ukb 3 В 1э 1 мА /=400 МГц для 2Т3114А-6,
2Т3114Б6, КТ3114Б-6, КТ-3114В-6.........................11,5*...12*. .14 5 дБ
при 1/кБ=3 В, /а=2 мА / 2250 МГц для 2Т3114В-6 3*.6*...7,6* дБ
Обратный гок коллектора при иКБ—5 В
Т= +25 °C...............................................0,01*...0,02*...
...0,5 мкА
Т —60 °C, не более......................................0,5 мкА
7=+ 125 °C ие более . . . . ... 15 мкА
Обратный ток эмиттера при Ubb—1 В...........................0,01*..0,2*. .20 мкА
Емкость коллекторного перехода при ТЛгв^З В , 0,34*...0,42*...
0,44* пФ
Емкость эмиттсриого перехода при Ubb=0 .... 0,22*...0.24*...
...0,25* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база * 1 5 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер1 . . . . 5 В
Постоянное напряжение эмиттер — база........................1 В
Постоянный ток коллектора...................................15 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора2 при
7=-60...+100°C . . ......................25 мВт
Температура р-п перехода....................................+150 °C
Температура окружающей среды................................—60. .+ 125 °C
1 При работе Ш динамическом режиме мгновенные значения UI(I5 не должны
превышать 7 В
1 В диапазоне температур +100 ..+ 125 °C необходимо снижение мощности, мВт, по
формуле Рк „«„-(160-41/2.
224
Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тическою коэффициента
передачи тока от тока
коллектора
Зона возможных поло-
жений зависимости мо-
дуля коэффициента пе-
редачи тока от тока
коллектора
Зона возможных поло-
жений зависимости ем-
кости эмиттерного пере-
хода от ин пряжения
эм ит 1 ер — база
Зона возможных поло-
жений зависимости ем-
кости коллекторного пе-
рехода от напряжения
коллектор — база
Зона возможных поло-
жений зависимости по-
стоя иной времени цепи
обратной связи от тока
коллектора
Зона возможных поло-
жений зависимости по-
стоянной времени цени
обратной связи от на-
пряжения коллектор —
база
Зона возможных поло-
жений зависимости ко-
эффициента усиления
от тока эмиттера
Зависимости коэффици-
ента и; ум а от тока
эми! тора
Зависимости коэффици-
ента шума от частоты
15 Заказ № 1080
225
Зависимости коэффици-
ента усиления от ча-
стоты
Зависимости коэффици-
ента шума от напряже-
ния коллектор — база
Зона возможных поло-
жений зависимости ко-
эффициент шума от
тока эмиттера
2Т3115А-2, 2Т3115Б-2, КТ3115А-2, КТ3115В-2, КТ3115Г-2
2ТЗЛ5(А-2,Б 2), КТЗИ5(А 2-В 2)
Транзисторы кремниевые эпнтак-
сналыю-планарные структуры п-р-п,
усилительные с нормированным ко-
эффициентом шума. Предназначены
для применения во входных и после-
дующих каскадах малошумящих уси-
лителей сверхвысоких частот, в со-
ставе гибридных интегральных мик-
росхем, блоков п аппаратуры,
обеспечивающих герметизацию. Бсс-
корпусные на керамическом крнстал-
лодержателе с гибкими полосковыми
выводами и приклеиваемой керами-
ческой крышкой. Условная маркиров-
ка наносится на крышке транзистора
у базового вывода: 2Т3115А-2—
красная точка; 2Т3115Б-2 — желтая
точка; Г3115Л-2—красная полоска;
КТ3115В-2 — желтая полоска;
КТ3115Г-2 — синяя полоска. Тип при-
бора указывается также в этикетке,
вкладываемой в групповую тару.
Масса транзистора не более 0,2 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Ukb=5 В, /8 = 5 мА....................................
Граничная частота коэффициента передачи тока при UKn=
=7 В, /а = 5 мА .................. . .
Постоянная времени цени обратной связи при Ukb=1 В,
/в = 5 мА, пе более........................... . . .
типовое значение ч........................ . . .
15..80*... НО*
5,8...7*...7,5* ГГц
3,8* пс
3* пс
226
П родолжение.
Минимальный коэффициент шума прн Ukb=7 В, ls — 5 мА:
f-5 ГГц:
2Т3115А-2, КТ3115А-2..............................4*.4.5* 5 дБ
КТ3115В-2, не более...............................4 6 дБ
КТ3115Г-2, ие более...............................6 дБ
7=4 ГГц 2Т3115Б-2, КТ3115В-2.........................3*...3,4* . 3,6 дБ
Оптимальный коэффициент усиления по мощности при
V кб—7 В. /©=5 мА
7=5 ГГц:
2Т3115А-2, КТ3115А-2 КТ3115В-2.....................5...6,7*„ 7,5* дБ
КТ3115Г-2, не менее...............................4 дБ
f=4 ГГц 2Т3115Б-2, КТ3115В-2........................б..7,5*...9* дБ
Обратный ток коллектора-
рп 7'= + 25 и -60°С для 2Т3115А-2, 2Т3115Б-2,
КТ3115Л-2, КТ3115В-2 при Б'кв=10 В и КТ3115Г-2
при t/кв=7 В, не более........................... 0,5 мкА
при Т'= + 125’С для 2Т3115А-2, 2Т3115Б-2. КТ3115А-2,
KT3I15B-2 при (/«в-10 В и КТ3115Г-2 прн 1/ЭБ=7 В,
не более......................................... 20 мкА
Обратный ток эмиттера при 1/sb= 1 В, пе более:
2Т3115А-2, 2Т3115Б-2, КТ3115А-2, КТ3115В 2 . . . 20 мкА
КТЗН5Г 2 . ........................35 мкА
Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схе-
ме ОБ при Uкь —7 В, /з = 1 мА, не более.................9* Ом
типовое значение ... .....................6,5* Ом
Емкость коллекторного перехода при С/кв=5 В 0,29*...0,33*..
...0,6*пФ
Емкость эмиттерного перехода при 1/Вв=1 В, не более . 0,5* пФ
типовое значение.............................. . . 0,46* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т3115А-2, 2ТЗН5Б-2, КТ3115А-2, КТ3115В-2 . . 10 В
КТ3115Г-2 . . ............................7 В
Постоянное напряжение эмиттер — база........................ 1 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
1 кОм:
2Т3115А-2, 2Т3115Б-2, КТ3115А-2 КТ3115В-2 . . 10 В
КТ3115Г-2............................................... 7 В
Постоянный ток коллектора..................................8,5 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
при Т= -60...+70 °C для 2Т3115А-2, 2Т3115Б-2,
КТ3115А-2, КТ3115В-2................................70 мВт
при Т = — 6О...+85°С для КТ3115Г-2..................50 мВт
при 7=+ 125 °C......................................35 мВт
Непрерывная СВЧ мощность в цепи эмиттер — база на
частоте 7=3,6 ГГц прн 7"=+85 °C.........................25 мВт
Импульсная СВЧ мощность в цепи эмиттер — база на ча-
стоте /=3,6 ГГц прн /„ = 1 мкс, Г=+85°С:
fnoer=l кГц......................................... 500 мВт
fnoer=25 кГц ..................................100 мВт
Температура р-п перехода............................. +150 °C
Диапазон рабочих температур.............................—6О...+ 125°С
1 При повышении температуры мощность ci нжается линейно.
Минимально допустимое расстояние от кристаллодержателя до места пайки
вывода 2 мм. Допускается пайка выводов на расстоянии 1 мм от кристалло-
держателя; при этом температура пайки не должна превышать +260 °C, время
пайки не более 3 с.
15*
227
Зона возможных лоло
жсний зависимости по-
стоянной времени цени
обратной связи от тока
эмиттера
Зона возможных поло-
жений зависимости мо-
дуля коэффициента пе-
редачи от тока эмит
тсра
Зависимости коэффици
еша усиления ог тока
эмиттера
Зависимости коэффици- Зависимость коэффици* Зона возможных поло-
ента шума от тока еша усиления от ча жсний зависимости ко-
эмиттера стоты эффициенга шума от
частоты
Зависимости коэффици
ента шума от тока
эмиттера
Зависимости коэффици-
ента усиления от тока
эмиттера
Зона возможных поло-
жений зависимости ко-
эффициента шума он
тока эмиттера
228
Зона возможных поло-
жении зависимости мо-
дуля коэффициента пря=
мой передачи напряже-
ния от тока эмиттера
Зависимости обрати! ix
токов коллектора и
эмиттера от темпера
туры
Зона возможных изло-
жений зависимости по-
стоянного напряжения
коллектор — эуиттср от
сопротивления база —
эмиттер
2Т3120Л, КТ3120А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-
планарные структуры п-р-п усилительные с
нормированным коэффициентом шума на ча-
стоте 400 МГц. Предназначены для примене-
ния во входных и последующих каскадах уси-
лителей сверхвысоких частот. Выпускаются в
металлокерамическом корпусе с гибкими по-
лосковыми выводами. Тип прибора указывает-
ся в этикетке. На крышке корпуса наносится
условная маркировка цветными точками:
2Т3120А— одна белая; КТ3120А—две белые.
Масса транзистора не более 0,3 г.
2Т312ОА КТ3120 А
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ прн
£/л-г“1 В, /к=5 мА
Г= + 25 °C. не менее...............................40
типовое значение................................ . 124*
Т=— 60°C, не менее................................20
Г= + 125=С, не менее .... . , 40
Обратный ток коллектора при 1/кб=15 В, не более:
Г =+25 °C......................................... ... 0.5 мкА
Т= + 125СС........................................5 .мкА
Граничная частота коэффициента передачи тока при
(7кв=5 В, /э=10 мА, не менее . . .............1.8 ГГц
типовое значение............... ..................3* ГГц
Постоянная времени цепи обратной снязи при 17кб=5 В,
/э= 10 мА, не более...................................8 пс
типовое значение..................................3,8* пс
Минимальный коэффициент шума при С/кв=5 В, 7s = 5 мА,
/=400 МГц, не более................ ..................2 дБ
типовое значение..................................1,3* дБ
Коэффициент шума при С/кб=5 В, /э=5 мА, /?г=50 Ом,
/=400 МГц, не более................................ 2.2 дБ
229
типовое значение.......................... . . .
Оптих альпын коэффициент усиления по мощности прн
Ukb=5 В, /в = 5 мА, f=400 МГц, не менее . . . .
типовое значение .... .................
Обратный ток эмиттера прн Use=3 В, не более
Емкость коллекторного перехода при 1/кв=5 В, не более
типовое значение .... ...
Емкость эмиттерпого перехода прн Usb= 1 В, пс более
типовое значение ... ....
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база...............
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер прн /?jo =
= 10 кОм.............................................
Постоянное напряжение эмиттер — база.................
Постоянный ток коллектора............................
Постоянный ток эмиттера..............................
Импульсный ток коллектора при /и^10 мкс, 0^2
Импульсный ток эмиттера при Zu>10 мкс, 0^2
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора-
при +65 °C.................................
при 7’= + 125°С..................................
Тепловое сопротивление переход — среда...............
Температура р-п перехода.............................
Температура окружающей среды ... ...
Продолжение
1,6* дБ
10 дБ
13 5 дБ
1 мкА
2 пФ
1.4* пФ
3.2 пФ
2,5* пФ
15 В
15 В
3 В
20 мА
20 мА
40 мА
40 мА
100 мВт
30 мВт
0,86 °С/.мВт
+ 150 °C
-60...+ 125 °C
Зависимость коэффици-
ента шума от напря-
жения коллектор — база
Зависимость коэффици-
ента усиления от на-
пряжения коллектор —
база
Зависимость коэффици-
ента шума ог тока
эмиттера
Зависимость коэффици-
ента усиления от тока
эмиттера
Зависимость коэффици-
ента шума от частоты
Зависимость коэффици-
ента усиления от ча-
стоты
230
2Т3121Л-6
Транзистор кремниевый эпитак-
сиально-планарный структуры п-р-п
усилительный с нормированным ко-
эффициентом шума. Предназначен
для применения во входных каска-
дах усилителей герметизированной
аппаратуры. Бескорпусный с защит-
ным покрытием и контактными пло-
щадками на кристаллодержателе. Тип
прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более
0.004 г.
2T3I2IA 6
Эмиттер
Электрические параметры
Статический коэффициент переда ш тока при иКБ=5 В,
/э=2 мА не менее
Т= + 25°С 30
типовое значение ...................................... 80
7'= —60 °C, не менее................................... 10
Г= +125 °C, не более........................ . . . 400
Коэффициент шума при 1/«в=5 В Л=2 мА /=1 ГГц . 1,2*...1,5*...2 дБ
Коэффициент усиления по мощности при t/кв = 5 В,
/э=2 мА, f-1 ГГц , . . . . . 8*.„11*.. 12 дБ
Обратный ток коллектора при 1/дв=5 В, не более . . 1 мкА
Обратный ток эмиттера при Ube=2 В, не ботсе , . 20 мкА
Емкость коллекторного перехода прн 1/Кв=5 В, /«=2 мА,
не более..................................................... 1 пФ
Емкость эмиттерного перехода при t7KB=5 В, /к = 2 мА,
не более....................................................2,5 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база...................10 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер .... 5 В
Постоянное напряжение эмиттер — база.................2 В
Постоянный ток коллектора............................10 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора . . . 25 мВт
Средняя СВЧ входная мощность при </дв = 5 В /д = 5 мА 0,5 Вт
Импульсная СВЧ входная мощность при Ukb=5 В, 1к =
•5 мА................................................2 Вт
Температура р-п перехода............................+150 °C
Температура окружающей среды................ —60...+ 125 °C
Пайка транзисторов осуществляется при температуре не более +250°C.
Зависимость коэффици-
ента шума от тока
эмиттера
Зависимость коэффици-
ента шума от напряже-
ния коллектор — база
Зависимость коэффици-
ента шума от частоты
231
Зависимость коэффици-
ента усиления от на-
пряжения коллектор —
база
Зависимость коэффици-
ента усиления от тока
эмиттера
Зависимость коэффици-
ента усиления от ча-
стоты
2Т3124А-2, 2Т3124Б-2, 2Т3124В-2
2Т3124(А 2-8 2)
Ч>2
Транзисторы кремниевые эпитакси-
а.тьно-плаиарные структуры п-р-п усили-
тельные. Предназначены для применения
в малошумящих усилителях сверхвысо-
ких частот в составе гибридных инте-
гральных микросхем, обеспечивающих
герметизацию. Бескорпусные с гибкими
выводами па кристаллодержателе (под-
ложке). Маркируются цветной точкой:
2Т3124А 2 — красной, 2Т3124Б-2— жел-
той 2Т3124В-2— черной. Тип прибора
указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,02 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Uкб=1 В, /а ~5 мА....................................
Граничная частота коэффициента передачи тока в схе-
ме ОЭ при /э=5 мА, Ukb=1 В...........................
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой ча-
стоте при /э = 5 мА, Ukb=1 В . .............
Минимальный коэффициент шума прн 1)кв = У В, /э = 5мА:
f=6 ГГц 2Т3124А-2........................... . .
f = 5 ГГц 2Т3124Б-2..............................
f=4 ГГц 2Т3124В-2 . . ................
Коэффициент усиления по мощности при 17кл=7 В
/э=5 мА:
f=6 ГГц 2Т3124А 2 ..........................
15 ,ЮО*...2ОО*
6*....7,5*...8* ГГц
1,8* 2*..2,5* пс
3,9* .4,3*...5 дБ
4,1*...4,5*...5 дБ
3,1*...3,3*...3,6 дБ
4.5,3* .6* дБ
232
Продолжение
f=5 ГГц 2T3124B-2....................................... .5 .6,7* . 8* дБ
f=4 ГГц 2Т3124В-2.....................................6...6.Э*. .7 4* дБ
Обратный ток коллектора при UKI5=10 В
Г=+25СС.................................................... 0,001*. .0 01*...
...0,5 мкА
Т = 60 еС, не более...................................0.5 мкА
Т= +125 °C, не более..................................10 мкА
Обратный ток эмиттера при 1Л»е=1 В...........................0,001* . 0,01*..
...20 мкА
Входное сопротивление в режиме матого сигнала в схе-
ме ОБ при /а=5 мА, 7/кб=7 В, типовое значение . . 6* Ом
Емкость коллекторного перехода прн Uke=0 .... 0.42..0,45*. .0,5* лФ
Емкость эмиттерного перехода при Use...................... 0 52 0,57*...
...0,69,,: пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база..................10 В
Постоянное напряжение эмиттер — база.....................1 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
< 1 кОм.................................................10 В
Постоянный ток коллектора ... ..............7 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 при
Г=-60 +85 СС .........................................70 мВт
Температура окружающей среды..........................—60 +125СС
В диапазоне температур +85... + 125 °C мощность снижается
линейно до 35 мВт.
Минимальное расстояние от крнсталлодержателя до места пайки вывода
2 мм, время пайки не более 3 с, температура панки не более 4-260 °C.
Частотный диапазон применения 2.. 7,2 ГГц.
Выходные характери-
стики
Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициента
передачи тока от тока
эмиттера
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока о г темпера-
туры
233
Зона возможных поло-
жений зависимости по
стоя иного напряжения
коллектор — эмиттер от
температуры
Зона возможных поло-
жений зависимости об-
ратного тока коллекто-
ра от температуры
Зона возможных поло-
жений зависимости ем-
кости коллекторного пе-
рехода от напряжения
коллектор — база
6
5
J
г
мии Д В
2Т312Ы 2
при ГГц
U„-7B
2 i 6 8 10 13, нА
Зона возможных поло-
жений зависимости гра
ничиой частоты от то-
ка эмиттера
Зависимости коэффици-
ентов шума и усиления
от частоты
Зависимости коэффици-
ента шума от тока
эмиттера
Зависимости коэффици-
ента усиления от гока
эмиттера
Зависимости коэффнци
ента шума от тока
эмиттера
Зависимости коэффици-
ента усиления от тока
эмиттера
234
2Т3132А-2, 2Т3132Б-2, 2Т3132В-2, 2Т3132Г-2, 2Т3132А-5
КТ3132А-2, КТ3132Б-2, КТ3132В-2, КТ3132Г-2
Транзисторы кремниевые эпитакси-
алыю-плапарные структуры п-р-п усили-
тельные с нормированным коэффициен-
том шума. Предназначены для примене-
ния в СВЧ маломощных усилителях
диапазона частот 1...7.2 ГГц герметизи-
рованной аппаратуры. Бескорпусные на
крнсталлодержателе с гибкими вывода-
ми. Транзистор 2Т3132Л-5 выпускается
без кристаллодержателя н без выводов.
Тип прибора указывается в этикетке.
Часса транзисторов 2Т3132А 2,
2Т3132Б-2, 2Т3132В-2, 2Т3132Г-2,
КТ3132А-2, КТ3132Б 2, КТ3132В 2,
КТ3132Г 2 не более 0,2 г, 2Т3132А-5 не
2Т3132(А 2-Г 2),
КТ3132(А 2-Г 2)
Ф2
более 0,002 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Ukb=7 В /8—3 мА ... ........................... 15. .100* 150*
Граничная частота коэффициента передачи тока при 1в=
= 3 мА 17кв=7 В................................................5,5...6,5* ..7* ГГц
Коэффициент шума:
при 7в=5 мА, Uke~7 В, /=3,6 ГГц для 2Т3132А-2,
КТ3132А-2 .... ...........................2,2*..2,3* .2,5 дБ
при /в=3 мА, иКБ-7 В, /=2,25 ГГц . . . 1,5*... 1,8* ..2 дБ
при /в=5 мА, Ukb=7 В, f=6 ГГц для 2Т3132Б-2,
КТ3132Б 2 .............................. 3 9* .4.3* ..5 дБ
при 1в — 5 мА, UKb=7 В, /=5 ГГц для 2Т3132В-2,
КТ3132В 2................................. .... . . 4,1*...4,5*...5 дБ
при /в—5 мА, Ukb=7 В, /=4 ГГц для 2Т3132Г-2,
КТ3132Г-2 . . .... ... 3,1* ..3,3*...3,6 дБ
Коэффициент усиления по мощности при Кш,.чин:
при /э=5 мА, Vkb=7 В, /=3,6 ГГц для 2Т3132А-2,
КТ3132А-2............................... ... 6...7 5* .8,2* дБ
при /в=3 мА, Ukb=7 В. /=2,25 ГГц . . . 8...9,5*...Ю* дБ
при /а=5 мА, С/«б=7 В, /=6 ГГц для 2Т3132Б 2,
КТ3132Б 2..................................................4...5,3*...6* дБ
при /в=5 мА, Б'КЕ=7 В /=5 ГГц для 2Т3132В-2,
КТ3132В-2..................................................5...6,7...8* дБ
нрн /в = 5 мА, Uke=7 В, /=4 ГГц для 2Т3132Г-2,
КТ3132Г-2..................................................6...6,9*...7,4* дБ
Выходная мощность при снижении усиления иа 1 дБ,
/в=3 мА, иКБ=7 В, /=3.5 ГГц . . . 1,6* 1,7*..1,9* мВт
Обратный ток коллектора при 1/ке=Ю В, не более-
Т= -6О...+25СС.............................................0,5 мкА
236
Продолжение
7"= +125 °C................... ..................10 мкА
Обратный ток эмиттера при 1?эе=1 В не более . . 20 мкА
Емкость коллекторного перехода прн 7/кв=7 В . 4.5* 5*...5.5 пФ
Емкость эмпттерного перехода при (7эв=0 .... 0.85*.. 0,9*...0,95 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база..............10 В
Постоянное напряжение коллектор — эмнттср при R,c =
-1 кОм.................................................10 В
Постоянное напряжение эмиттер — база....................1 В
Постоянный ток коллектора . . ..... 8,5 мкА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при Т= -60... + 85 °C............................70 мВт
при 7" = +125°C .... ................30 мВт
Непрерывная входная СВЧ мощность прн /в=3 мА.
Е'кБ-7 В, Г=+70°С.............................. .... 10 мВт
Импульсная входная СВЧ мощность прн /и = 1,3 мкс,
<2=30, Г=+65°С......................................50 мВт
Температура р-п перехода............................+200 °C
Температура окружающей среды ....... —60...+ 125 °C
Допускается однократный изгиб выводов с радиусом 1,5 мм не ближе 1 мм
от крпсталлодержателя. Допускается обрезка выводов не ближе 1 мм от
крпсталлодержателя.
Монтаж транзистора 2Т3132А 5 осуществляется ультразвуковой пайкой с
температурой +4 О... + 45О°С. Выводы к контактным площадкам присоединяют-
ся сваркой при температуре +300 °C в течение 2. .3 с.
Пайка выводов транзисторов 2Т3132А-2, 2Т3132Б-2, 2Т3132В-2, 2Т3132Г-2,
КТ3132А-2, КТ3132Б-2, КТ3132В-2, КТ3132Г-2 допускается не ближе 1 мм от
крпсталлодержателя при температуре не выше +260°C в течение времени не
более 3 с и не ближе 0,2 мм от крпсталлодержателя прн температуре не выше
+ 160 °C.
Допустимый статический потенциал 30 В.
Зависимость коэффици-
ента шума от частоты
Зависимость коэффици-
ента усиления от ча-
стоты
Зависимости коэффици-
ента шума от тока
эмиттера
236
Ну Р ом >
10
в
6
4
2
I 2T3t32A2
ViT3i32A-2 при 1'2.25
-_____________
'‘2Т3132А2.-1
КТ3132А-2 при 1-3.1
»„-'—ГГц
7Г3132В-2, I |
' KI313Z8 2 при 1-8
ч—.—_
%'78
О 2 Ч С 8 !3, nA
Зависимости коэффиви
еита шума от тока
эмиттера
^S1 р Д О
2 * 6 8 13,г-А
Зависимости коэффици-
ента усиления от тока
эмиттера
Зависимости коэффици
ента усиления от тока
эмиттера
Транзисторы р-п-р
1Т313Л, 1Т313Б, 1Т313В, ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные структуры р-п-р универ-
сальные. Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой
частот и переключающих устройствах. Выпускаются в металлостеклянном кор-
пусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
11313 (А в), ГТЛЗСА в)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Ukv—З В, /д«15 мА:
Т=+25СС:
1Т313Л ....................................
1Т313Б........................... . . . .
1Т313В ................................. .
7=-60 С . .....................
Т= +70 С . . . .
10..230
10...75
30..230
От 1 до 0,5 значе-
ния при 7 — + 25 °C
От 1 до 2,5 значе-
нии при Т —
— 25 СС, но не бо-
лее 500
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при
Ukb~5 В /в — 5 мА.
237
Т =+25 °C:
1Т313А ... ....
1Г313Б ... ...
1Т313В
ГТ313А, ГТ313Б . . .
ГТ313В
типовые значения:
1Т313А ... ....
1Т313Б ... . .
1Т313В ...
7=—40°С ГТ313А ГТ313Б, ГТ313В ....
Г= + 55°С.
ГТ313Л, ГТ313Б ....
ГТ313В . .............
Граничная частота коэффициента передачи тока при </кЕ=»
=5 В, /в=5 мА:
1Т313Л, ГТ313А.......................................
1Т313Б, ГТ313Б ....
1Т313В, ГТ313В . . . . .
типовые значения:
1Т313Л.....................................
1Т313Б, 1Т313В...................................
Постоянная времени цепи обратной связи при Ukb~5 В,
/в=5 мА f=*5 МГц, не более.
1Т313А, ГТ313А, ГТ313В
1Т313Б, 1Т313В, ГТ313Б ... . . . .
типовые значения:
1Т313А ................
1Т313Б .......................................
1Т313В
Коэффициент шума при Ukb^5 В, /э=5 мА, R,=75 Ом,
7=60 МГц для 1Т313В, ие более .... . .
типовое значение ................................
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при Гк =
= 15 мА, Ле=1,5 мА ие более . ......
типовые значения:
1Т313А, 1Т313В .................
1Т313Б . ... ...................
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к=15 мА,
/в=1,5 мА, не более .... .............
типовые значения:
1Т313А 1Т313Б ................
1Т313В................................... .....’
Граничное напряжение при /в = 10 мА для 1Т313А, 1Т313Б,
1Т313В, не менее.....................................
типовое значение ........................... . ,
Обратный ток коллектора при Нке=12 В, не более
Г=+25°С 1Т313А 1Т313Б, 1T3I3B
Г=+25°С ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В . . .
7=+ 55 °C ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В
Т=+70°С 1Т313Л. 1Т313Б 1Т313В . .
Обратный ток эмиттера при 1/вв=0,4 В. не более:
1Т313А, 1Т313Б, 1Т313В............................
ГТ313А, ГТ313Б ГТ313В . . . .
Емкость коллекторного перехода прн 1/Кв = 5 В не более
типовое значение для 1Т313А, 1Т313Б, 1Т313В
Емкость эмиттерного перехода при Пвв=0,26 В, не более;
1Т313А
1Т313Б, 1Т313В.......................................
Продолжение
20. .250
20 80
60.250
20.. 200
30.170
80*
47*
93*
15...200
20...400
30.350
300...103 МГц
450...IO3 мгц
350... 103 МГц
470 МГц
520* МГц
75 пс
40 пс
38* пс
17* пс
20* пс
8 дБ
5,2* дБ
0,7 В
0,4* В
0,45* В
0,6 В
0,46* В
0,48* В
7 В
10,2* В
5 мкА
5 мкА
50 мкА
40 мкА
30 мкА
50 мкА
2,5 пФ
1,5* пФ
18 пФ
14 пФ
238
П родолжение
типовые
1Т313Л
1Т313Б
1Т313В
значения:
11.6* пФ
10* |Ф
10,7* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
прн 7=+ 45 °C:
1Т313.А, 1Т313Б, 1Т313В . ..............12 В
ГТ313Л, ГТ313Б. ГТ313В .... 15 В
7- + 70°С 1T3I3A, 1Т313Б, 1Т313В..................7 В
7=+55 °C ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В .... 13 В
Импульсное напряжение коллектор — база прн /и = 1 мкс
и коэффициенте заполнения не более 0,1 для 1Т313Л,
1Т313Б, 1Т313В:
7=+45 °C..........................................20 В
7=+ 70 °C ........................................15 В
Постоянное напряженно коллектор — эмиттер.
при Rc/R.,< 10 для 1Т313А. 1Т313Б. 1Т313В-
7=+45°С....................................... . 12 В
7= + 70°С............................. . . 7 В
при /?,=500 Ом, Re=2 кОм для ГТ313А, ГТ313Б,
ГТ313В . . ..............................15 В
при foa=500 Ом для ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В . . 12 В
Постоянное напряжение эмиттер — база..................0,7 В
Постоянный ток коллектора:
1Т313А, 1Т313Б 1Т313В.............................50 мА
ГТ313А, ГТ313Б ГТ313В ... ... 30 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при Т= +40°C для 1Т313А, 1Т313Б 1Т313В ... 100 мВт
прн 7=+70 °C для 1Т313А, 1Т313Б, 1Т313В . . 35 мВт
при Т= +20 °C для ГТ313А, ГТ313Б ГТ313В . . 100 мВт
прн 7= + 55°С для ГТ313А. ГТ313Б, ГТ313В . . 50 мВт
Температура р-п перехода:
1Т313А, 1Т313Б 1Т313В............................+65 °C
ГТ313Л ГТ313Б. ГТ313В ..........................+70 С
Температура окружающей среды:
1T3I3A, 1Т313Б, 1Т313В...........................-6О... + 7О°С
ГТ313А, ГТ313Б ГТ313В............................-40 +55 °C
Л'ш, лБ
Зола возможных поло-
жений зависимости гра-
ничной частоты от тока
эмиттера ч
1Т313В
<413®
/э-5 -
е -
i
1 -
ч -
3 —
О 40 80 120160 f.
Зона возможных поло-
жепий зависимости ко-
эффициента шума or
частоты
2зе
2Т326А, 2Т326Б, КТ326А, КТ326Б, КТ326АМ, КТ326БМ
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры р п-р усили-
тельные. Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой
1 астот и переключающих устройствах. Транзисторы 2Т326А. 2Т326Б, КТ326А,
КТ326Б выпускаются в метаталлостеклянном корпусе с гибкими выводами;
КТ326АМ, КТ326БМ — в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип при-
бора указывается на корпусе. На пластмассовом корпусе наносится условная
маркировка цветной точкой со стороны коллектора: КТ32ЛМ— розовой;
КТ326БМ — желтой.
Масса транзистора не более 0,5 г в металлическом корпусе и пе более
0,3 г в п. аст.массовом корпусе
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
77кв=2 В /э=10 мА:
Т=+25°С
2Т326Л, КТ326Л, КТ326ЛМ . . . . .
2Т326Б КТ326Б КТ326БМ . . .
Т=- 60 °C:
2Т326А, 2Т326Б, нс менее..................
КТ326Л, КТ326ЛМ..............................
КТ326Б. КТ326БМ
Г= + 125 °C
2Т326А, 2Т326Б, пс более
20. .70
45.. 160
0,3 значения при
Т=+25°С
От 0.3 значения
прн Г—+ 25 °C
до 70
От 0,3 значения
при У = + 25 °C
до 160
2 значения при
Т- + 25°С
240
КТ326А, КТ326АМ.............................
КТ326Б, КТ326БМ..............................
Граничная частота коэффициента передачи тока при Е'кв =
=5 В. /э=10 мА:
2Т326Л, КТ326А, КТ326АМ........................
2Т326Б КТ326Б, КТ326БА1.....................
Постоянная времени цепи обратной связи при UKII=5 В,
/э=10 мА, f=5 МГц ....
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при 1к
-10 мА, /Б=1 мА . . ..................
Напряжение насыщения база—эмиттер при /к=10 мА.
/е=1 мА................... ........................
Обратный ток коллектора при Пкв=10 В не более:
Г—+ 25 °C..........................
7=+ 125 °C . . . . .
Обратный ток эмиттера при Uan 4 В, пе более:
7=+25 ° . . .
7=+ 125 °C 2Т326Л, 2Т326Б......................
Емкость коллекторного перехода при С/Кь-=5 В
Емкость э.мнттсрного перехода при Uau=0
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база ....
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер при
100 кОм................................... .
Постоянное напряженке эмиттер — база ....
Суммарное постоянное и переменное напряжения коллек-
тор— эмиттер в режиме усиления при W6j^100 кОм
Постоянный ток коллектора...........................
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при 7^+25 °C для 2Т326Л. 2Т326Б . . .
при Т= + 125 °C для 21326А, 2Т326Б . .
при 7< + 30°С для KT32GA, КТ326Б КТ326ЛМ.
КТ326БМ...................................
при 7=--125 °C для К1326А, КТ326Б, КТ326АМ,
КТ326БМ.........................................
Тепловое сопротивление переход — среда..............
Температура р-п перехода:
2Т326А, 2Т326Б ..............
КТ326А. КТ326Б, КТ326АМ, КТ326БМ
Температура окружающей среды........................
Продолжение
От 10 до 2 виа-
чеиий при Т—
— + 25°С
От 22 до 2 значе-
ний при Т = +25 °C
250..590*...
...1150* МГц
400.590*...
...1150* М1ц
84* 133* 450 пс
0.11*...0,16*...0,3 В
0,87*...0,89*...1,2 В
0,5 мкА
10 мкА
0,1 мкА
10 мкА
1.7*. 2.2* .5 пФ
1.2* . 1,4* 4 пФ
20 В
15 В
4 В
20 В
50 мА
250 мВт
83,3 мВт
200 мВт
41,7 м Вт
0.6°С/мВт
+ 175 °C
+ 150 °C
-60 ..+ 125 °C
Зависимость напряжения
насыщения коллектор —
эмиттер от тока кол-
лектора
16 Заказ № 1080
241
Зависимость напряжения
насыщения база — эмит-
тер от гока коллектора
Зависимости статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока
коллектора
Зависимость времени
рассасывания от тока
коллектора
ГТ328А, ГТ328Б, ГТ328В
Транзисторы германиевые эпитаксиально-планарные структуры р п р уси-
лительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 180 МГц. Пред-
назначены для усиления сигналов в метровом диапазоне длин воли с автома-
тической регулировкой усиления. Выпускаются в металлостекляином корпусе £
гибкими выводами. Тип транзистора указывается на боковой поверхности
корпуса.
Масса транзистора не более 2 г.
ГТ328(А В)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ прн
Uke-5 В, 1в — 3 мА:
Г=+20°С:
ГТ328А .... .... 20 ..260
ГТ328Б..................................... ... 40...200
ГТ32-В ... .... 10..50
Г=-40‘С:
ГТ328Л.........................................5...200
ГТ328Б . .............10 „200
ГТ32сВ . . .... .............3..50
T=.+5bfC
ГТ328Л................... ..................... 20.600
ГТ328Б.................................... .... 40...600
ГТ328В.........................................20 „150
242
Продолжение
Граничная частота коэффициента передачи тока-
при Пкв=5 В, /э = 2 мЛ, не менее
ГТ328А........................................... 400 МГц
ГТ328Б, ГТ328В . . ................ 300 МГц
при {7кц=5 В, /э=10 мА. не более ... .90 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи при 1/кв=10 В,
1э=2 мА, /—15 МГц не более.
ГТ328А...................................... . 5 пс
ГТ328Б ГТ328В ... ... . . 10 пс
Коэффициент шума при Uke=\0 В. /э=2 мА, /?.=75 Ом,
/=180 МГц, не более .................................... 7 дБ
Обратный ток коллектора при (7кб=15 В, не более
Т= +20 °C...............................................Ю мкА
Г=+55°С............................................100 мкА
Обратный ток эмиттера прн Т'=+20°С1 7/ЭБ=0.25 В, не
более . . .......................... . . 100 мкА
Емкость коллекторного перехода при (7КВ=5 В, не более 1,5 пФ
Емкость эмиттерпого перехода при t/ar=0,15 В, не более:
ГТ328Л..........................................2 5 пФ
ГТ328Б, ГТ328В .................................5.0 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база ....
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при 5g
5 кОм . ...........................................
Постоянное напряжение эмиттер — база.................
Постоянный ток коллектора............................
Постоянная рассеиваемая мощность.....................
Температура окружающей среды...................
15 В
15 В
0,25 В
10 мА
50 мВт
—40... + 55 ’С
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от темпера-
туры
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от напряже-
ния коллектор — база
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока
эмиттера
Зависимости постоянной
времени цепи обратной
связи от тока эмит-
тера
16’
243
КТ337А. КТ337Б, КТ337В
КТ337(А В)
Транзисторы кремниевые эпитак-
сиально планарные структ} ри р-п р
универсальные. Предназначены для
применения в усилителях высокой ча-
стоты, импульсных н переключающих
устройствах. Выпускаются в пласт-
массовом корпусе с гибкими вывода-
ми. На корпусе наносится условная
.маркировка — две цветные точки:
КТ337А — красная н розовая;
КТ337Б — красная и желтая;
КТ337В — красная н синяя.
Масса транзистора не более 0,2 г.
Электри 1еские параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
(7кэ=0 3 В /э—10 мА
Т-» + 25 °C, не менее:
КТ337Л....................................... ... 30
КТ337Б ... .... 50
КТ337В ... 70
Т — 40 =С, не менее ... . . 0.3 значения при
Г-+ 25'С
Т +85°C....................................... .. От 0,8 до 2 зна-
чений при Т=
= +25сС
Граничная частота коэффициента передачи тока ври Uks —
=5 В. /э=10 мА, нс менее;
КТ337А .... . ... 500 МГц
КТ337Б, КТ337В .... . .600 МГц
Время рассасывания при /к^Ю мА, /в| = /аг=1 мА, не
более:
КТ337Л..............................................25 нс
КТ337Б, КТ337В......................................28 нс
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при 1к —
= 10 мА, /в=1 мА, не более...........................0,2 В
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к—10 мА,
/ь=1 мА, не более................................ 1В
Обратный ток коллектора при 1/ке=6 В, ие более . 1 мкА
Обратный ток коллектор — эмиттер прн <7кэ=6 В,
/?«.,= 10 кОм, не более..................................5 мкА
Обратный ток эмиттера при 1/вв=4 В не более ... 5 мкА
Емкость коллекторного перехода при Uke=5 В, не более 6 г Ф
Емкость эмиттерного перехода при Use 0 не более 8 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база и коллектор —
эмиттер при /?б.,^10 кОм .... . . 6 В
Постоянное напряжение эмиттер — база....................4 В
Постоянный ток коллектора ... . . 30 мА
244
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора •:
при Г^ + 60 °C ........................................
при Г—+ 85 °C ...........................
Тепловое сопротивление переход — среда.................
Температура р-п перехода ..............................
Температура окружающей среды...........................
П родолженис
150 мВт
108 мВт
0,6 °C/мВ г
+ 150 °C
— 40..+85 °C
' В диапазоне температур
снижается линейно.
+60...4-85 СС допустимое значение рассеиваемой мощности
Зависимости статического
коэффициента передачи то-
ка от тока эмиттера
Изгиб выводов транзисторов допускается пс
ближе 5 мм от корпуса с радиусом закругления
1,5 ..2 мм.
Минимально допустимое расстояние от места
пайки выводов до корпуса 5 мм при температуре
пайки не выше +250 °C и длительности не более
10 м. Температура корпуса при папке ис должна
превышать +150 °C.
КТ345А, КТ345Б, КТ345В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры р-п-р универ-
сальные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты, им-
пульсных и переключающих устройствах. Выпускаются в пластмассовом корпусе
с гибкими выводами. На корпусе наносится условная маркировка — две цветные
точки: КТ345А—белая и розовая; КТ345Б — белая и желтая; КТ345В — белая
и синяя.
Масса транзистора не более 0,3 г.
КТЗ><5(А В)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
^кв=1 В /э = 100 мА:
КТ345А....................
КТ315Б.......................
ктз45в....................................;
Граничная частота коэффициента передачи тока при
С7кэ=5 В, /Э-=Ю мА, не менее
Время рассасывания при /к=100 мА, /Б1 = /£2=Ю мА^
не более ...............
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к =
= 100 мА, /в=10 мА......................... . . .
20..60*
50...85*
70... 105*
350 МГц
70 нс
0.14*.. 0,3 В
245
Продолжение
Напряжение насыщения база — эмиттер при 1к~ 100 мА,
/Е=10 мА , . 0,92*.. 1,1 В
Обратный ток коллектора при Икс —20 В ие более 0 5 мкА
Обратный ток эмиттера при £/Эв = 5 В, не более . 0,5 мкА
Емкость коллекторного перехода при Uke — 5 В, пе более 15 пФ
Емкость эмиттерпого перехода прн U3e—0 не более . 30 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база и коллектор —
эмиттер при 10 кОм....................................20 В
Постоянное напряжение эмиттер — база..................5 В
Постоянный ток коллектора............................. 200 мА
Импульсный ток коллектора............................. 300 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора *:
прн 7 «с+30 °C.................................... 300 мВт
при Г—+ 85 °C.....................................162,5 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность1..................... 600 мВт
Тепловое сопротивление переход — среда................0,4 °C,''мВт
Температура р-п перехода..............................+150 °C
Температура окружающей среды .........................— 40..-185сС
’ В диапазоне температур +30. .+85СС допустимые значения рассеиваемой мощности
снижаются линейно.
Изгиб выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм от корпуса с ра-
диусом закругления 1,5..2 мм.
Минимальное расстояние от места пайки выводов до корпуса 5 мм при
температуре папки не выше +250°C и длительности не более 10 с. Темпера-
тура корпуса при пайке не долж ia превышать 150 “С.
ГТ346А, ГТ346Б, ГТ346В
Транзисторы германиевые эпптакснально-планарные структуры р-п-р усили-
тельные с нормированным коэффициентом шума на частотах 800 и 200 МГц.
Предназначены для применения в селекторах телевизионных каналов метрового
и дециметрового диапазонов длин волн с автоматической регулировкой усиления.
Выпускаются в металлостеклянпом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора
указывается иа корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Ukb~ 10 В /©=2 мА
Т= + 25 °C:
ГТ346А, ГТ346Б....................................10... 150
246
ГТ346В
7= -45 °C:
ГТ346А,
ГТ346В
7=+55 °C:
ГТ346А,
ГТ346В
Продолжение
15..150
ГТ346Б................................3,5... 150
.....................................5... 150
ГТ346Б...................................Ю. 450
........................................15. .450
гота коэффициента передачи тока при
Б'кь=10 В, /в=2 мА пе менее
ГТ346А ............................70 МГц
ГТ346Б, ГТ346В.................................. 550 МГц
Постоянная времени обратной связи при (7кв=10 В,
/в=2 мА, /=100 МГц, не более:
ГТ346А.............................................. 3 пс
ГТ346Б........................................... 5,5 пс
ГТ346В.............................................. 6 пс
Коэффициент шума при Ukb= 10 В, /э = 2 мА, Ra=75 Ом,
ие более:
/=800 МГц ГТ346А.................................... 6 дБ
/=800 МГц ГТ346Б . .... 8 дБ
/=200 МГц ГТ346В.................... . . 7 дБ
Коэффициент усиления по мощности прн (7ке=Ю В, 1э =
=2 мА, /=800 МГц, не менее...........................10,5 дБ
Оптимальный ток эмиттера, соответствующий Ку.р—
= Ку.г.махс при Ukb= 10 В, /=800 МГц для ГТ346А,
ГТ346В................................. . . 1,6 3.2 мА
Глубина регулирования коэффициента усиления по мощ-
ности три Г/кв=10 В /в = 2 8 мА /=800 МГц для
ГТ346А, ГТ346В, не менее...............................34 дБ
Коэффициент обратного усиления по мощности при Ukb=
= 10 В, /э=2 мА, /=800 МГц, ие менее:
ГТ346А..............................................20 дБ
ГТ346В............................................. 12 дБ
Обратный ток коллектора при {7КЕ=20 В, не более:
Т=+25°С............................................. Ю мкА
Т=+55°С............................................ 100 мкА
Обратный ток эмиттера при [/Эв=0,3 В, не более . . 100 мкА
Емкость коллекторного перехода при Ukb=5 В, не более 1,3 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база.................20 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер:
при /?бэ=0..............................................15 В
при /?6э=5 кОм......................................20 В
Постоянное напряжение эмиттер — база..............0,3 В
Постоянный ток коллектора...............................10 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора ... 50 мВт
Температура р-п перехода................................+85 °C
Температура окружающей среды...................... —45. .+55 °C
Изгиб выводов транзисторов допускается не ближе 1,5 мм от корпуса
с радиусом закругления не менее 1,5 мм. Растягивающая выводы сила не долж-
на превышать 2,5 Н (0,25 кге)
Минимальное расстояние от места пайки вывода до корпуса 2 мм при тем-
пературе пайки не выше +260 °C и длительности не более 2 с. Температура
корпуса при пайке не должна превышать +235 °C.
247
Зависимость граничной
частоты от тока эмит-
тера
Зависимость постоянной
времени цени обратной
связи от тока эмиттера
Зависимость постоянной
времени цепи обратной
связи от напряжения
коллектор — база
Зависимость коэффици-
ента усиления от тока
эмиттера
Зависимость коэффици-
ента шума от тока
эмиттера
Зависимость коэффици-
ента усиления ог тика
эмиттера
КТ347А, КТ347Б, КТ347В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры р-п р универ-
сальные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и им-
пульсных устройствах. Выпускаются в металлостекляином корпусе с гибкими
выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса трантистора не более 0,5 г.
248
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ прн
Ukb=0,3 В, /э=10 мА:
1=4-25 °C:
КТ347А, КТ347Б . .................... 30. 400
КТ347В.......................................... 50. 400
Т= —40 °C:
КТ347Л, КТ347Б...................................9...600
КТ347В................... ......................15...600
Т’=+85СС:
КТ347А, КТ347Б...............................15...1000
КТ347В.......................................... 25 ..1000
Граничная частота коэффициента передачи тока при Uke~
=5 В, /э=10 мА, нс менее . . 500 ЧГц
Время рассасывания при /к=10 мА, /Л| = /В2=1 мА, не
более'
КТ347А, КТ347Б . . 25 нс
КТ347В ........................................ . 40 нс
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при 1К=
= 10 мА, /Е=1 мА, ие более......................... . 0,3 В
Обратный ток коллектора при Ul!r,^Ике.м^, ие более:
Т= 4-25 °C..................................... . 1 мкА
Т= +85 °C . . .20 мкА
Обратный ток коллектор — эмиттер при (7к» = (7ка..мокс,
Re =10 кОм, не более . .5 мкА
Обратный ток эмиттера при UaE = 4 В, не более . 10 мкА
Емкость коллекторного перехода при £7КБ = 5 В, не более 6 пФ
Емкость э.миттсриого перехода при С'эь=0, не более . . 8 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянные напряжения коллектор — база, коллектор —
эмиттер прн /?,;,= 10 кОм:
КТ347А ..............................................15 В
КТ347Б ............................................... 9 В
КТ347В ................................................6 В
Постоянное напряжение база — эмиттер...................... 4 В
Постоянный ток коллектора . . . . 50 мА
Импульсный ток коллектора.............................110 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора ’:
прн 7^4-55 °C.....................................150 мВт
при Т= 4-85 °C....................................130 мВт
Температура р-п перехода..............................4-150 °C
Температура окружающей среды..........................— 40... + 85 °C
снижается линейно.
КТ349А, КТ349Б, КТ349В
Транзисторы кремниевые эпитакснально-плапарпые структуры р-п-р универ-
сальные. Предназначены для применения в усилителях сигналов высокой часто-
ты и переключающих устройствах. Выпускаются в металлостекляином и в
пластмассовых корпусах с гибкими выводами Тип прибора указывается на
корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
249
Эниттер
База
Коллектор
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ прн
С7кв—1 В, /е —10 мА:
Т — . 9", °C-
КТ349А.........................................20...80
КТ349Б . .... . 40... 160
КТ349В . 120 300
Т= — 40 °C, не менее:
КТ349А.............................................10
КТ349Б...........................................20
КТ349В.............................................60
7=+85 °C:
КТ349А.................................... . 18.160
КТ349Б...................... . . 36.320
КТ349В...................... .... 108...600
Граничная частота коэффициента передачи тока при
(Укб=5 В, /а=10 мА, не меиее . . . 300 МГц
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к=
= 10 мА, /ь = 1 мА, не более . . . 03 В
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к =10 мА,
/в=1 мА, не более ... ...................12В
Обратный ток коллектора при Uke— 10 В не -более:
7=+25 °C........................................... . 1 мкА
7=+85 °C......................................... 6 мкА
250
П родолжение
Обратный ток коллектор — эмиттер при 17кэ = 15 В,
s=: 10 кОм, пс более......................................1,5 мкА
Обратный ток эмиттера при UBr,~ 4 В, не более ... 1 мкА
Емкость коллекторного перехода при Ukb=5 В, не более 6 пФ
Емкость эмиттерного перехода при UaE — 0, не более . 8 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер прн
sglO кОм . . ....
Постоянное напряжение эмиттер — база................
Импульсный ток коллектора при мс . .
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
при Г^+ЗОСС.........................................
при Г=+85°С ..... ............
Тепловое сопротивление переход — среда..............
Температура р-п перехода............................
Температура окружающей среды .......................
20 В
15 В
4 В
40 мА
200 мВт
108 мВт
0,6 °C/мВт
+ 150 °C
-40...+85 С
2Т360А-1, 2Т360Б-1, 2Т360В-1,
КТ360А-1, КТ360Б-1, КТ360В-1
Транзисторы кремниевые эпитаксиаль-
ио-плаиариые структуры р-п-р переключа-
тельные Предназначены для применения в
усилителях и переключающих устройствах
герметизированной аппаратуры. Бескорпус-
ные с гибкими выводами н защитным по-
крытием. Тип прибора указывается в эти-
кетке.
Масса транзистора не более 0,05 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Пкв=2 В, 1з—10 мА:
Т=+25 °C:
2Т360А-1 ..................................
КТ360А-1 . ...
2Т360Б-1, КТ360Б-1
2Т360В-1, КТ360В-1
Т=-60°С 2Т360А-1, 2Т360Б-1, 2Т360В-1, не менее .
7=+85 °C 2Т360А-1, 2Т360Б-1, 2Т360В 1, не более .
25 70
20 70
40... 120
80 ..240
0,3 значения при
Т= + 25СС
2,5 значения при
7=+25 °C
251
П родолженпе
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ
при Uke=2 В /э=5 мА, не менее
2Т360А-1 КТ360А-1, КТ360В-1............................ 300 МГц
2Т360Б-1 2Т360В 1 КТ360Б 1 . ... 400 МГц
типовое значение............... ................... 550* МГц
Постоянная времени цепи обратной связи при IJku=2 В.
/э 5 мА, f=5 МГц, ие более............................. 450 пс
типовое значение...................................180* пс
Время рассасывания прн /к=10 мА. /Б=1 мА. не более-
2T360A-I, КТ360Л-1 ... ..................100* нс
2Т360Б-1, 2Т360В-1, КТ360Б-1. КТ360В 1 ... 200* нс
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к=
= 10 мА, /®=1 мА, не более.............................0,35 В
типовое значение............................ 0,12* В
Напряжение насыщения база—эмиттер прн /к“Ю мА,
/Б 1 мА не более .... .... 1,2 В
типовое значение . . . .................0.85* В
Обратный ток коллектора, не более:
Г=+25 С, Пке 25 В 2Т360А-1, ЦТ360А-1 ... 1 мкА
С/ке = 20 В 2Т360Б-1. 2Т360В-1, КТ360Б-1, КТ360В1 1 мкА
7=4-85 °C, Uкв 25 В 2Т360А-1 . . Ю мкА
17ке=20 В 2Т360Б-1, 2Т360В-1.................10 мкА
Обратный ток эмиттера, не более:
7=4-25 °C, Г/эб=5 В 2Т360А-1, KT360A-I . . 0.5 мкА
t79E=4 В 2Т360Б-1, 2Т360В-1, КТ360Б-1, КТ360В-1 0,5 мкА
'7=4-85 °C, Uar. 5 В 2Т360А-1 .... 10 мкА
1/эб=4 В 2Т360Б-1, 2Т360В-1................... 10 мкА
Емкость коллекторного перехода при Ukt. = 5 В ие более 5 пФ
типовое значение . . .... 1,8* пФ
Емкость эмпттерного перехода при Usb~0. не более . . 7 пФ
типовое значение............................ 2,8* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т360А-1, КТ360Л-1 ..........................25 В
2Т360Б-1. 2Т360В-1, КТ360Б-1. К.Т360В-1 ... 20 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
^10 кОм:
2T36QA-1, КТ360А-1 ........................20 В
2Т360Б I, 2Т360В-1, КТ360Б-1 КТ360В-1 .... 15 В
Постоянное напряжение эмиттер — база
2T3R0A-1, КТ360А-1.....................................5 В
2Т360Б-1, 2Т360В-1 КТ360Б 1, КТ360В-1 4 В
Постоянный ток коллектора......................... . . 20 мА
Импульсный ток коллектора при fu^l мкс, 10 . . 75 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
прн 7= 4-55 °C.........................................10 мВт
при 7= 4-85 °C.....................................5 мВт
Тепловое сопротивление переход — среда . ... 7°С/мВт
Температура р-п перехода...............................4 120 СС
Температура окружающей среды-
2Т360А-1, 2Т360Б-1, 2Т360В-1...........................-6О...4-85°С
КТ360А-1, КТ360Б-1. КТ360В-1 ......................-45...4-85°С
2Т363А, 2Т363Б, КТ363А, КТ363Б, КТ363AM, КТ363БМ
Транзисторы кремниевые эпитаксиальио-плаиарные структуры р-п-р уннвер-
са. ьные Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой
частот и переключающих устройствах. Транзисторы 2Т363А, 2Т363Б, КТ363А,
252
КТ363Б выпускаются в металлостеклянпом корпусе с гибкими выводами. Тип
прибора указывается на боковой поверхности корпуса. Транзисторы КТ363АМ,
КТ363БМ выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами На кор-
пусе наносится условная маркировка — две цветные точки: КТ363АМ — две ро-
зовые; КТ363БМ — розовая и желтая.
Масса транзистора в металлостеклянпом корпусе не более 0,5 г, в пластмас-
совом пе более 0,3 г.
гТЗбЗ(А.Б), КТЗБЗ(А Б)
КТ363(АП, БН)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
В, 1э — 5 мА:
Т=+25 °C:
2Т363А ............................
КТ363А, КТ363АМ . .
2Т363Б, КТ363Б, КТ363БМ .
Т=-60°С 2Т363А, 2Т363Б
7=—40 °C:
КТ363Л, КТ363АМ........................
КТ363Б, КТ363БМ................................
7"=+85 °C:
КТ363А, КТ363АМ..................................
20... 120
20...70
40... 120
От 0.3 значения
при Г=+25°С до
130
От 0,3 значения
при 7—+25 °C
до 85
От 0.3 значения
при Т=+25”С
до 150
От 15 до 2,5 зна-
чений при Г»
•- +25 °C
253
П родолжение
КТ363Б, КТ363БМ . . .... . От 30 до 2,5 зна-
чений при Т=
= +25 °C
Т= + 125°С:
2Т363А . От 15 до 2,5 зна-
чений при Гж
= +25 °C
К1363Б................................................От 30 до 2.5 зна-
чений при Т—
= + 25 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока при
Ukb =5 В, /д —5 мА:
2Т363А ..................... ... 10..1.8* 2.5* ГГц
КТ363А, КТ363АМ .... 1,2 ,1,8*...2,5* ГГц
2Т363Б, КТ363Б. КТ363БМ ... .... 1.5...2.3* . 3,5* ГГц
Постоянная времени цепи обратной связи при Бке=5 В,
/д = 5 мА, f=30 МГц;
2Т363А, КТ363Л, КТ363АМ .... ... 15*...25*...5О пс
2Т363Б, КТ363Б, КТ363БМ................................. 15*...30*...75 пс
Время рассасывания при /к=10 мА
/в-1 мА 2Т363А. КТ363А, КТ363АМ.........................2 5* 4.5* . 10 нс
/е=0,5 мА 27363Б, КТ363Б, КТ363БМ . ... 2,5*...4*. 5 пс
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к =
= 10 мА /Б=1 мА ............... ... 0,15*...0.2*...0,35 В
Напряжение насыщения база—эмиттер при /к=10 мА,
/в=1 мА . .............. ... 0,6*...0.8*...1,1 В
Обратный ток коллектора при /7Ке=15 В, не более;
Т= + 25°С...............................................0,5 мкА
Г = +85 °C..............................................10 мкА
Обратный ток эмиттера при 1/эв=4 В не более
Т'=+25°С . . ..........................0,5 мкА
Т= + 85 °C..............................................10 мкА
Емкость коллекторного перехода при Ukb=5 В 0,5* . 1.5*...2 пФ
Емкость эмиттерного перехода при 1/9Б=0.....................0,5* . 0.8* 2 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база..............15 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер
при /?6,s£l кОм для 2Т363А, КТ363А, КТ363АМ . 15 В
2Т363Б, КТ363Б, КТ363БМ ................12 В
при Ивэ 10 кОм . . ...................10 В
Постоянное напряжение эмиттер — база................ 4 В
Постоянный ток коллектора...........................30 мА
Импульсный ток коллектора при /и^1 мкс, Q^2 . , 50 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при 7^+45 °C . . ......................150 мВт
при Г=+85°С для КТ363А, КТ363АМ, КТ363Б,
КТ363БМ .... . . . 93 мВт
при Г= + 125°С для 2Т363А, 2Т363Б................36 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора 2Т363А,
2Т363Б............................................ 1.5 Рк,жаке
Тепловое сопротивление переход — среда..............0,7°С/мВт
Температура р-п перехода . . . ... +150 °C
Температура окружающей среды
2Т363А. 2Т363Б . . . .. -60 +125 °C
КТ363А КТ363АМ КТ363Б. КТ363БМ . -40 +85 °C
254
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от напряже-
ния коллектор — база
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока эмит-
тера
2Т370А-1, 2Т370Б-1, КТ370А-1, КТ370Б-1
Транзисторы кремниевые эпитак-
сиально-планарные структуры р-п р
универсальные. Предназначены для
применения в усилителях высокой и
сверхвысокой частот, а также пере-
ключающих устройствах герметизиро-
ванной аппаратуры. Бескорпусные
без кристаллодержателя с гибкими
выводами н защитным покрытием.
Выпускаются в сопроводительной та-
ре. Тип прибора указывается на ос-
новании индивиду алыгой тары
Масса транзистора не более
0,005 г.
ZT37O(A 1, Б /)
НТ370 (А 1, Б-1)
Коллектор
Компаунд
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ прн
t/KK=5 В. /э-3 мА:
7=4-25 °C:
2Т370А-1, КТ370А 1
2Т370Б-1, КТ370Б I . . .
7=-60 °C:
2Т370А-1.....................
2Т370Б-1 .........................................
Т ——45 °C:
КТ370А-1
КТ370Б-1....................................
20. 70
40. 120
От 0,3 значения
прн 7= 4-25 °C
до 75
От 0,3 значения
при 7= 4-25 °C
до 130
От 0 3 значения
прн 7= 4- 25 °C
до 75
От 0,3 значения
при Г =4-25 °C
ДО 130
255
П родолжение
Т — +85°C, нс более................................2.5 значений при
7= + 25Х
Граничная частота коэффициента пере чачи тока при Ukb —
=5 В, /э-=3 мА;
2Т370Л-1, КТ370А-1.................................1...,1,5*...2,5* ГГц
2Т370Б-1, КТ370Б-1.......................... 1,2...1,7*...2,7* ГГц
Постоянная времени цени обратной связи прн Б'кб=5 В.
1э= 3 мА. f=30 МГц:
2Т370А-1, KT370A-I.................................15*.. 25*...5О пс
2Т370Б-1, КТ370Б-1 ................................15*...35*..,75 нс
Время рассасывания при /к —10 мА. /с=1 мА . 2.5*...5*...1О нс
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при 1к~
-10 мА, /Б=1 мА...................................... . 0,15*.. 0,2*...0 35 В
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к=10 мА,
/Е=1 мА................................................0,6*...0,8*...1 1 В
Обратный ток коллектора при (7кб =15 В, нс более:
Т= +25 °C..........................................0,5 мкА
7=+85 °C...................................... .... 10 мкА
Обратный ток эмиттера при (7кв=4 В. не более:
7—+ 25Х ....................................... ... 0,5 мкА
7=+ 85 °C..................................... Ю мкА
Емкость коллекторного перехода при (/кб = 5 В 0,5*.. 1,5*...2 пФ
Емкость эмпттсриого перехода при Ube=0 . . . 0,5* . 0,8*.. 2 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное на |ряжснне коллектор — база . , , . 15 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер:
прн кОм:
2Т370А 1. КТ370А-1 ... ..............15 В
2Т370Б-1 КТ370Б 1................................12 В
при /?бэ<10 кОм.................................... 10 В
Постоянное напряжение эмиттер база .... 4 В
Постоянный ток коллектора:
при 7^+50’С........................................15 мА
при 7—1-85X ..............10 мА
Импульсный ток коллектора при />1 мкс, Q 23:20 . . 30 мА
Постоянная рассеиваемая мощность:
7<+50Х......................................... ... 15 мВт
7 +85 °C ... . 8 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при
<1 мкс, 0^20 для 2Т370А 1, 2Т370Б-1:
при 7<+50эС .... 30 мВт
при 7=+85 °C . 16 мВт
Тепловое сопротивление переход — срсдз . . . 5°С/мВт
Температура р-.n перехода ... .... +125Х
Температура окружающей среды:
2Т370Л-1. 2Т370Б I .... —60...+ 85’С
КТ370Л-1, КТ370Б-1 ... . —45...+85 °C
1Т376А, ГТ376А
Транзисторы германиевые эпитаксиально-планарные структуры р n-р усили-
тельные с нормированным коэффициентом шума па частоте 180 МГц. Пред-
назначены для применения во входных и последующих каскадах усилите чей
высокой частоты Выпускаются в металлостекляином корпусе с гибкими вы-
водами. Тип прибора указывается па боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 0,5 г.
256
IT376A, ГТ376А
Эмиттер
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Uke — 5 В /э = 2 мА
Г= + 20сС.......................
Т’=-60°С........................................
Г=+85‘,С
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
ОЭ при Uxr. ~ 5 В, /э=2 мА, не менее.................
Постоянная времени цепи обратной связи при Г/кв=5 В,
/э=2 мА, /=100 МГц, не более:
1Т376А ................................
ГТ376Л...........................................
Коэффициент шума при Пкб = 5 В, /э=1 мА, /?„ = 50 Ом,
/=180 МГц, пе более
для 100% транзисторов............................
для 95% транзисторов ГГ376А......................
для 25% транзисторов IT376A......................
Граничное напряжение при /э=2 мА, не менее . . . ,
Обратный ток коллектора при Ukb=7 В, ие более:
Т=+20°С.............................
7=+85’С..........................................
Обратный ток эмиттера при </8в=0,25 В. пе более
Емкость коллекторного перехода при t/KB=5 В, не более
Емкость эмиттерного перехода при ПэВ=0,15 В для
1Т376А, не более ....................................
10 .150
От 0.3 до 1
чепия при
= +25 °C
От 0,8 до 3
ченпй при
= + 25 °C
1 ГГц
10 пс
15 пс
3,5 дБ
3 дБ
2 дБ
7 В
5 мкА
300 мкА
100 мкА
1,2 пФ
5 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база..............
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер при
=^3 кОм.............................................
Постоянное напряжение эмиттер — база . . . .
Постоянный ток коллектора...........................
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
Температура окружающей среды........................
7 В
7 В
0,25 В
10 мА
35 мВт
-60... + 85 °C
зиа-
Г=
зиа-
Т=
17 Заказ № 1ПЧП
257
Зависимость граничной
частоты от напряжения
коллектор — база
Зависимость граничной
частоты от тока эмит-
тера
Зависимость постоянной
времени цепи обратной
связи от напряжения
коллектор — база
Зависимость постоянной
времени цепи обратной
связи от тока эмиттера
Зависимость коэффици-
ента шума от тока
эмиттера
Зависимость коэффици-
ента шума ст темпера-
туры
1Т386А
Транзистор германиевый эпитаксиально-планарный структуры р п р усили-
тельный с нормированным коэффициентом шума на частоте 180 МГц. Пред-
назначен для применения в усилителях высокой частоты, смесителях, гетероди-
нах, в том числе для схем с автоматической регулировкой усиления. Выпуска-
ется в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами Тип прибора
указывается на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 0,5 г.
258
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Б'кь=5 В /s=3 мА:
7=+20 °C.......................... . ... 10...100
Г= —60 °C............................................От 0,3 до 1 зна-
чения при Т =
= + 20°С
7 —+7( С.............................................От 0,8 до 2.5 зна-
чения прн 7 =
г =+20 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока в схе-
ири Uke = 10 В, /е = 20 мА, не менее............... 450 МГц
при Ukb — 2 В, /9=10 мА. не более....................90 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи при £/кд=10 В
/э = 2 мА f=100 МГц , пе более ... ... 10 пс
Коэффициент шума при UKC = 10 В, /в = 1 мА, 7?£=50 Ом,
f=180 МГц, пе более..................................... 4 дБ
Обратный ток коллектора при Uke=15 В, не более:
7’=+20сС............................................. 10 мкА
Т’=+70сС.......................... . . . . 150 мкА
Обратный ток эмиттера при 7'= + 20°С, Г/эв=0,3 В
не более................................................100 мкА
Емкость коллекторного перехода при £7кв=5 В, не более 1,5 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база................15 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при /?э6 =
=3 кОм....................................................15 В
Постоянное напряжение эмиттер — база...................0,3 В
Постоянный ток коллектора...............................10 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора ... 40 мВт
Температура р-п перехода..............................+85°C
Температура окружающей среды..........................—60... + 70 °C
Зависимость граничной
частоты от тока эмит-
тера
Зависимость граничной
частоты от напряжения
коллектор — Саза
Зависимость постоянной
времени цепи обратной
связи от тока эмиттера
17*
259
Зависимость постоянной
времени цепи обратной
свяви or напряжения
коллектор — база
Зависимость коэффици-
ента шума от тока
эмиттера
За висим ость коэфф и ци-
ента шума от напря-
жения коллектор — база
2Т389А-2, КТ389А-2
2тзь$д z «таен а-г
Транзисторы кремниевые эпитак-
сиально планарные структуры р-и-р
универсальные. Предназначены для
применения в усилителях высокой
частоты, в импульсных переключаю-
щих устройствах герметизированной
аппаратуры. Бескорпусиые иа кри-
сталлодержателе с гибкими вывода-
ми н защитным покрытием. Выпу-
скаются в сопроводительной таре с
возможностью измерения параметров
без извлечения транзисторов из тары.
Тип прибора указывается на сопро-
водительной таре.
Масса транзистора не более
0,02 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
1/кк=1 В, /э = 200 мА:
Г=+25°С . 25.100
Г-+ 125 °C 2Т389Л 2 ................................ 25 .200
Т=-60сС 2Т389А-2....................................10. .100
Граничная частота коэффициента передачи тока при 1/иэ =
=5 В, /д=30 мА, ие менее .... ... 450 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи при Uke 10 В,
/э=30 мА, f=30 МГц......................................60*...90*...180* нс
Время рассасывания при /к = 200 мА, 7б1 = /ь2=20 мА,
не бочее................................................25 ис
Время включения при /к = 200 мА, //, — 20 мА . . . 15*...25*.. 35* нс
Время выключения при /к=200 мЛ, /в1=/га=20 мА . 10*...40*...60* нс
Граничное напряжение при /э=Ю мА, не менее ... 25 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер при /к =
=200 мА, /в=20 мА, не более.............................0,6 В
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к = 200 мА,
/в=20 мА, ие более .... .................1,2 В
Обратный ток коллектора прн Г/Кв=25 В, не более
Т= + 25°С............................................... 1 мкА
7 = +125 С..........................................10 мкА
260
„ Продолжение
Обратным ток коллектор — эмиттер при Uio = 25 В, R6,=
1 кОм, не более ................................. ... 1 мкА
Обратный ток эмиттера при £/Эв = 4.5 В. не более . . 1 мкА
Емкость коллекторного перехода при UKE= 10 В. не более 10 гФ
Емкость эмиттерного перехода прн 6зЕ=0,5 В. ие более 25 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база................
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Rs3—
=1 кОм . .............
Постоянное напряжение эмиттер — база ....
Постоянный гок коллектора .
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при
Rrtn-c =183 °C/Вт:
TKs£ + 85°C......................
-г 125 °с...................................;
Температура р-п перехода . ....................
Температура окружающей среды..........................
25 В
25 В
4,5 В
300 мА
0 3 Вт
0,055 Вт
+ 135СС
-60...+ 125 °C
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
д чи тока о г гока эмит-
тера
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от напряже-
ния коллектор — база
Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор — эмиттер о г юка
коллектора
Зависимость напряже-
ния насыщения Саза —
Эм нт 1 ер от тока кол-
лектора
Зависимость граничной
частоты от тока кол-
лектора
Зависимость граничной
частоты от на прижег на
коллектор — эмиттер
261
2Т392Л-2, КТ392А-2
Транзисторы кремниевые эпитак-
спалыю-планариыс структуры р-п-р
усилительные с нормированным коэф-
фициентом шума. Предназначены для
применения в усилителях высокой ча-
стоты. Бескорпусные на диэлектриче-
ской подложке с гибкими выводами
и защитным покрытием. Выпускаются
в сопроводительной таре. Тип прибо-
ра указывается в этикетке.
Масса транзистора не более
0,02 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент переда1 и тока в схеме ОЭ при
1А<б=5 В, /в=2,5 мА:
7=+25 °C.........................................
Т=— 60 °C 2Т392А-2, не менее.....................
7=+85 °C 2Т392А-2, не более......................
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
ОЭ прн Ukb=5 В, /в=2,5 мА:
2Т392А-2 ....................................
КТ392А-2, не менее...............................
Постоянная времени цепи обратной связи при 1?кб=5 В,
/в-2,5 мА, /=300 МГц:
2Т392А-2 ....................................
КТ392А-2, не более.........................
Коэффициент шума при UKB=5 В, 7в=2,5 мА, /=100 МГц,
Я„ = 75 Ом...........................................
Обратный ток коллектора при Пкв=40 В, не более:
7=+25 °C.............................................
7=+ 85 С 2Т392А-2................................
Обратный ток эмиттера при £7вв=4 В, не более:
7=+25 °C ... .......................
7=+ 85 °C 2Т392А-2...............................
Емкость коллекторного перехода при Ukb=5 В ,
Емкость эмиттерного перехода:
при Пвв=1 В для 2Т392А-2 . ................
при Ues=0 для КТ392А-2, не более.................
40 ..78*.. 180
0,3 значения при
7=+25 °C
2 значения при
7=+25 °C
300...450*...
500* МГц
500 МГц
20*.,.55*.. 120 Пс
80 пс
4,3* . 4,8* дБ
0,5 мкА
5 мкА
0,5 мкА
5 мкА
0,82*..1,12*. 2,5 пФ
0,89*.. 1,45*...5 пФ
3,5 нФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база .... 40 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
sC 10 кОм..............................................40 В
Постоянное напряжение эмиттер — база................... 4 В
Постоянный ток коллектора .... . . 10 мА
Импульсный ток коллектора при /и^10 мкс, Q^2 , . 20 мА
262
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора в условной
микросхеме при /?г<„-с)^450 °С/мВт;
Ts=+65°C...............
Г=+85°С......................
Тепловое сопротивление переход — крпстал одержатель
Температура р-п перехода..................
Температура окружающей среды:
2Т392А-2 ....
КТ392А-2..............................
Пройо жжение
120 мВт
88 мВт
100°С/Вт
+ 125 °C
-60...+85 С
-40...+85 °C
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от напряже-
ния коллектор — база
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока
э.ми г гера
Л’щ, дБ
О о в 12 I6UHS,B
Зависимость коэффици-
ента шума от напряже
ния коллектор — база
Зависимость коэффици-
ента шума от тока
эмиттера
КТ3109Л, КТ3109Б, КТЗ109В
Транзисторы кремниевые эпитаксиалыю-планариые структуры р-п-р усили-
тельные с нормированным коэффициентом шума на частоте 800 МГц. Пред-
назначены для применения в селекторах телевизионных каналов метрового и
дециметрового диапазонов длин волн. Выпускаются в пластмассовом корпусе
с гибкими полосковыми выводами. На корпусе у вывода базы наносится услов-
ная маркировка—две цветные точки: КТ3109А — белая и розовая; КГ3109Б —
белая и желтая; КТЗ 109В — белая и синяя.
Масса транзистора ие более 0,3 г.
263
кТЗгО9(й В)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
С'кб=10 В, /э=10 мА-
Т= + 25=С, не менее................................15
Т=—45 °C . . . ....................5...240
Т=+85СС .... ....................10 .500
Граничная частота коэффициента передачи тока при
1/м-10 В, /э=Ю мА, не менее:
К 3109А, КТ3109Б.................................. 800 МГц
КТ: Ю9В........................................... 600 МГц
типовое значение ... . . .... 1400* МГц
Постоянная времени цепи обратной связи при Ukb= 10 В,
/э=10 мА. /=30...100 МГц, пе более:
КТ3109Х............................................... 6 пс
КТ3109В, КТ3109В ........ 10 пс
типовое значение ... ....................4* пс
Коэффициент шума при Укв=10 В, /в=10 мА, 7?а=75 Ом,
/=800 МГц. не более:
КТ3109А................................................. 6 дБ
КТ3109Б..............................................7 дБ
КТ3109В............................................. 8 дБ
типовое значение 7* дБ
Коэффициент усиления по мощности при 17кб= 10 В,
/®=10 мА, Кг = 2 кОм, /=800 МГц, не менее:
КТ3109А.................................................15 дБ
КТ3109Б, КТ3109В................................... 13 дБ
типовое значение . . 18* дБ
Коэффициент обратного усиления по мощности при Ubb=
= 10 В 1В= 10 мА, / = 800 МГц, не более:
КТ3109А........................................... -7 дБ
КТ3109Б.............................................-3 дБ
КТ3109В . . ....................-1 дБ
типовое значение . . ... —5* дБ
Обратный ток коллектора при Ubb—20 В. ие более:
Т= +25 °C..............................................0,1 мкА
264
Т=+85СС.....................................
Обратный ток эмиттера при t/SB=2 В, ие более:
Г= + 25°С . . . .
Г=+85СС.....................................
Емкость коллекторного перехода при £/кв=10 В, не бо iee
типовое значение . .... . . . .
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
КТ3109А...........................................
КТ3109Б, КТ3109В..................................
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
<100 кОм:
КТ3109А...........................................
КТ3109Б, КТ3109В..................................
Постоянное напряжение эмиттер — база..................
Постоянный ток коллектора.............................
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при Г<+‘10°С..........................................
при Т= + 85 СС . ...
Тепловое сопротивление переход — среда................
Температура р-п перехода..............................
Температура окружающей среды..........................
Продолжение
10 мкА
10 мкА
100 мкА
I пФ
0,8* нФ
30 В
25 В
25 В
20 В
3 В
50 мА
170 .мВт
100 мВт
0,65 ~С/мВт
+ 150сС
— 45...+ 85 °C
2Т3123Л-2, 2Т3123Б-2, 2Т3123В-2, КТ3123Д-2, КТ3123Б-2,
КТ3123В-2, КТ3123АМ, КТ3123БМ, КТ3123ВМ
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры р-п-р усили-
тельные с нормированным коэффициентом шума. Предназначены для примене-
ния в усилителях и импульсных устройствах ерметизированной аппаратуры,
Бсскорпусные. Транзисторы 2Т3123А-2, 2Т3123Б-2, 2Т3123В 2, КТ3123Л-2,
КТ3123Б-2, КТ3123В 2 выпускаются на керамическом держателе; КТ3123ЛМ,
КТ3123Б.М, КТ3123ВМ — в металлокерамическом корпусе.
Масса транзисторов 2Т3123А-2, 2Т3123Б 2. 2Т3123В-2, КТ3123Л-2,
КТ3123Б-2, КТ3123В-2 ие более 0,1 г; KT3I23AM, КТ3123БМ, КТ3123ВМ не
более 0,3 г.
2Т3123(А 2 В 2), КТ3123(А 2~в 2)
КТ3123(АМ-ВМ)
05,2
265
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
1/кв = 10 В, /о=10 мА............................... ... 20...40*.. 120*
2Т3123А 2. 2Т3123Б-2 2T3I23B-2:
при Т= + 125°С, не менее............................15
прн Т=— 45°C, не менее ......................... . 7
КТ3123А-2, КТ3123Б 2 KT3I23B-2, КТ3123ЛМ,
КТ3123БМ, КТ3123ВМ.
при Г=+85°С, не меиее...............................15
при Г =—45°C, не менее.............................7
Граничная частота коэффициента передачи тока при СЛ(б =
= 10 В, /э=10 мА.
2Т3123А-2, 2Т3123Б-2. КТ3123А-2 КТ3123Б 2,
КТ3123АМ, KT3I23BM . . . . 4.5* 7* ГГц
2Т3123В 2, КТ3123В 2, КТ3123ВМ . . .3 15*..4* ГГц
Постоянная времени цепи обратной связи па высокой ча-
стоте при и[(в~ 10 В, /к=10 мА........................ . 5*...7*...10* пс
Коэффициент шума при 77кэ=1О В, /э=3 мА, f=l ГГц,
2Т3123Л-2. 2Т3123В-2, КТ3123Л 2, КТЗ 123В 2,
КТ3123ЛМ, КТ3123ВМ................................ . 2*...2,4*...3 дБ
2Т3123Б 2, КТ3123Б-2, КТ3123БМ ... . . 2,5*. 3*...4 дБ
Коэффициент усиления по мощности при В.
//.-= 3 мА /?г=7?шопг, ГГц - . 5* .10* ..13*
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер прн /к =
= 10 мА, /^=1 мА.......................................0,15*...0,3*...0,6* В
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к-=10 мА,
/,. = 1 мА.............................................0,7*...0,8*...1* В
Обратный ток коллектора при t/Kc=15 В для 2Т3123Л-2,
213123Б-2, КТ3123А-2. КТ3123Б-2. КТ3123АМ, КТ3123БМ;
Б'кв=10 В для 2Т3123В-2, КТ3123В-2, КТ3123ВМ, ие
более..................... ............................25 мкА
Обратный ток эмиттера при 1/ЭЕ=3 В. не более . . 25 мкА
Емкость коллекторного перехода при Ukb=10 В:
2T3I23A-2, 2Т3123Б-2, 2Т3123В 2, КТ3123Л-2,
КТ3123Б 2. КТ3123В-2 .......................0,5*. 0,65*. .1 пФ
КТ3123ЛМ, КТ3123БМ. КТ3123ВМ.......................0,6*. .0,9*... 1,2 пФ
Емкость эмиттерного перехода при (7эе=0,5 В 0,8*.. 1*...1,5* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т3123А-2, 2Т3123Б-2, КТ3123А 2, КТ3123Б-2,
КТ3123АМ КТ3123БМ 15 В
2Т3123В-2, КТ3123В-2. КТ3123ВМ .... . 10 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при —
= 10 кОм
2Т3123А-2, 2Т3123Б-2, КТЗ 123А-2, КТ3123Б 2,
КТ3123АМ, КТ3123БМ 12 В
2Т3123В-2, КТ3123В-2, KT3123B.U ........................10 В
Постоянное напряжение эмиттер — база................... ЗВ
Постоянный ток коллектора...................................30 мА
Импульсный ток коллектора при /„^10 мкс, Q^2 . . 50 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1 150 мВт
Температура окружающей среды
2Т3123Л2, 2Т3123Б2 2Т3123В-2 . . . -60 +125’С
КТ3123А2. КТ3123Б-2, КТ3123В-2, КТ3123АМ,
КТ3123Б.М, КТ3123ВМ................................-45...+85°С
‘ При 7’>+25"С снижается лпнеПно на 1 мВт/С.
266
Изгиб выводов для транзисторов 2Т3123А 2, 2Т3123Б-2, 2Т3123В-2 допу-
скается не ближе 1 мм от корпуса, КТ3123А-2, КТ3123Б2, КТ3123В-2 — не
ближе 0,5 мм и КТЗ 123AM, КТ3123БМ, КТ3123ВМ— не ближе 3 мм Кручение
выводов не допускается.
Пайка выводов допускается не ближе 1,5 мм от корпуса транзистора при
температуре не выше +200 °C в течение времени не более 3 с.
Записимость коэффици-
ента шума от тока
эмиттера
Зависимость коэффици-
ента от напряжения
коллектор — эмиттер
Зависимость коэффици-
ента шума от частоты
Зависимость модуля ко-
эффициента передачи
тока от тока коллек-
тора
Зависимость модуля
коэффициента передачи
тока от тока коллек-
Зависимость модуля
коэффициента передачи
тока от и а пр я же имя
коллектор — база
тора
КТ3126Л, КТ3126Б
Транзисторы кремниевые эпнтаксиально-плапарпые структуры рп р усили-
тельные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для генери-
рования, усиления н преобразования колебаний высокой частоты. Выпускаются
в пластмассовом корпусе е гибкими выводами. Маркируются условным кодом —
квадратом на плоской части боковой поверхности корпуса; на транзисторах
КТ3126Б дополнительно наносится точка на торце корпуса.
Масса транзистора не более 0,3 г.
267
KT3t26(A, Б)
Эзектрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
В /э=3 мА:
КТ3126А 25. 100
КТ3126Б 60. .180
Граничная частота коэффициента передачи тока при иКБ=
= 10 В, /е=2 мА, не мепее............................... 500 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи прп С/кв=5 В,
/е 5 мА, f= 100 МГц, не более..........................13 пс
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /в =
= 10 мА, /в=1 мА, не более................................1,2 В
Обратный ток коллектора при Ukb= 15 В не более . . 1 мкА
Входное сопротивление в схеме ОБ в режиме малого сиг-
нала прп t/Kjs=5 В, /в=1 мА, f=0,01...1 кГц, не более . 34*Ом
Выходная проводимость в схеме ОБ в режиме малого
сигнала при £/кв=5 В, /в=1 мА, /=0,05...1 кГц, не более 1* мкСм
Емкость коллекторного перехода при Скб=ЮВ, ие более 2,5 пФ
Емкость эмиттерного перехода при (7ВЕ=2 В не более 2,5 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер прн RtjSZ
<10 кОм..............................................
Постоянное напряжение эмиттер — база.................
Постоянный ток коллектора . . .................
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при Г<+30сС ...............................
г.рн Г=+85°С.................. ..................
Тепловое сопротивление переход — среда...............
Температура р-п перехода . . .............
Температура окружающей среды , ,
20 В
20 В
3 В
20 мА
150 мВт
85 мВт
0,78°С/мВт
+ 150 "С
-45 . + 85 °C
Зависимость статически
го коэффициента пере-
дачи тока от тока
эмиттера
268
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от токе
эмиттера
Зависимость постоянной
времени цепи обратной
связи от тока эмиттера
Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор — эмиттер от тока
коллектора
КТ3127А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры р-п-р усили-
тельный с нормированным коэффициентом на частоте 100 МГц. Предназначен
для применения в усилителях высокой частоты. Выпускается в металлостеклян-
ном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается па корпусе.
Масса транзистора ие более 0,4 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
С/кв=5 В, /э~3 мА
Г= + 25СС . . 10...150
7’--45сС.............................................5...150
Г=+85°С . . 8...180
Граничная частота коэффициента передачи тока прн 1)кб=
= 10 В, /э=4 мА не менее . ... . . 600 МГц
Постоянная времени цени обратной связи при t/кл—Ю В,
/э = 4 мЛ, /=100 МГц, ие более ..................... . 10 пс
Коэффициент шума при £/кв=5 В, /0=5 мА, /=1000 МГц,
не более.................................................. 5 дБ
Обратный ток коллектора при (7кь=15 В, не более:
Г= + 25 и -45 °C ... ................. 1 мкА
7'= + 85сС............................................10 мкА
Входное сопротивление в схеме ОБ прн UnB=5 В, /э =
= 1 мА, /=0,05...1 кГц, не более .... 34* Ом
Емкость коллекторного перехода прп С/кб=10 В, ие более 1 пФ
Емкость эмиттерного перехода прп С?эб = 2 В не более . 1,5 пФ
269
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база .....
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер прн
10 кОм . .................................
Постоянное напряжение эмиттер—база
Постоянный ток коллектора ...........................
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при 7^+35 °C.........................................
при 7’= +85 °C ..................................
Тепловое сопротивление переход — среда...............
Температура р-п перехода.............................
Температура окружающей среды.........................
20 В
20 В
3 В
20 мА
100 мВт
56 мВт
1,15 °C/мВт
+ 150 °C
-45. . + 85°C
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока
эмиттера
Зависимость постоянно-
го напряжения коллек-
тор-эмиттер от сопро-
тивления эмигтер — ба-
за
Зависимость постоян-
ной времени цепи об-
ратной связи от тока
эмиттера
КТ3128А
Транзистор кремниевый эпптаксиально-плаиарпый структуры р-п-р усили-
тельный с ненормированным коэффициентом шума. Предназначен для примене-
ния в селекторах телевизионных каналов с автоматической регулировкой уси-
лении. Выпускается в металлостеклянпом корпусе с гибкими выводами. Тип
прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,4 г.
270
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Uкб=5 В, 1в—3 мА......................................
Граничная частота коэффициента передачи тока при
С,кб=10 В, /э = 4 мА не менее.....................
Постоянная времени цепи обратной связи прн Ukb=W В,
/э=4 мА, /=100 МГц, ие более..........................
Коэффициент усиления по мощности при Ukl—IO В, 1в~
= 4 мА, f=200 МГц, нс менее...........................
Оптимальный ток эмиттера, соответствующий Ки.е=
= Ку Р.макс при С'кб=10 В. /=200 МГц..................
Глубина регулирования коэффициента усиления по мощ-
ности при С/кв=10 В, /э=4.,9 мА, 7=200 МГц, нс менее
Обратный ток коллектора при Г/кв=15 В, не более
Входное сопротивление в схеме ОБ в режиме малого
сигнала прн UkB—5 В 1В 1 мА, 7=0,05...1 кГц. не более
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база................
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер прн
10 кОм...............................................
Постоянное напряжение эмиттер — база .....
Постоянный ток коллектора.............................
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при Т + 35 °C.....................................
при Т= + 85 5С.......................
Тепловое сопротивление переход — среда................
Температура р-п перехода..............................
Температура окружающей среды . ..............
10. 150
800 МГц
5 пс
14 дБ
3.5 мА
20 дБ
1 мкА
34* Ом
20 В
20 В
3 В
20 мА
100 мВт
56 мВт
1,15 °C мВт
+ 150сС
- 45.. + 85сС
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока
эмиттера
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от напряже-
ния коллектор — база
Зависимость постоян-
ной времени цепи об-
ратной срязи от тока
эмиттера
Раздел шестой
Транзисторные сборки п-р-п.
1НТ251, 1НТ251А, 1НТ251А1, К1НТ251
Транзисторные сборки, состоящие из четырех кремниевых эпнтаксиальио-пла-
нариых структуры п-р-п переключательных транзисторов. Предназначены для
применения в переключающих устройствах.
271
Выпускаются в металлокерамических корпусах с гибкими выводами. Тип
прибора указывается па корпусе
Масса сборки не более 0,4 г.
1Н1251, ttiTZ51A, К1НП51
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ прн
(7кй=5 В, /к=200 мА:
1НТ251. 1НТ251Л, 1HT251A1.........................30 150
типовое значение ................................. 45*
К1НГ251, не менее .... 10
Граничная частота коэффициента передачи тока при
Ukb — \G В, /к=30 мА, не мопсе........................ 200 МГц
типовое значение.................................. 450* МГц
272
Время рассасывания при /к=150 мА, /д=15 мА-
1111251, не более . . ... .
т товое значение.................. ....
1НТ251А, 1НТ251Л1. K1HT25I не более ....
типовое значение ................. ...
Напряжение насыщения коллектор — э.миттер при 1К =
=400 мА. /в=80 мА:
1НТ251. 1HT25IA 1НТ251А1, пс более................
типовое значение ..........................
К1ПТ251, не более...............................'
Напряжение насыщения эмиттер — база ври /,< = 400 мА,
/в=80 мА
1НТ251. 1НТ251А, 1НТ251А1, нс более . . .
типовое значение ... ....
Обратный ток коллектора прн 6'Jti = 45 В, не более.
7=+25 °C ....
при Г= + 125°С 1НТ251, 1НГ251А, 1HT251AI . .
Обратный ток эмиттера при 77кв=4 В, нс более .
Емкость коллекторного перехода прп 7/кв=10 В не более
типовое значение . . .................
Емкость эмиттерного перехода при USB- 0, пе более
типовое значение ..................................
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база н коллектор —
эмиттер прп /?,б< I кОм:
KIHT251 ...........................
1НТ251. IHT25IA. 1НТ251А1.
при 7„< + 10()°С................................
при 7„= + 150 С........................
Постоянное напряжение эмиттер — база..................
Импульсное напряженке эмиттер — база' при /„<10 мкс,
Q>2 . ... ...
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер 2 при /„<
<10 мкс, 0^2:
К111Т251 .................
1НТ251, IHT25IA. 1НТ251А1:
при 7„< + 100°C.................................
при ГП= + 125°С.................................
при Тп +150 °C..................................
Постоянный ток коллектора.............................
Импульсный ток коллектора при /„<10 мкс, Q< 100
Постоянная рассеиваемая мощность3 коллектора (суммар-
ная)
при Г< + 60 °C . . ..............
прп Г =+85 °C для K1IIT251
при Г= + 125°С для IHT251, 1НТ251Л. 11IT251A1
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора 1НТ251,
1HT25IA:
при 7’< + 60°С....................................
прп Т — + 125 °C..................................
Тепловое сопротивление переход — среда................
Температура р-п перехода-
1НТ251. IHT251A. 1НТ251А1......................
Продолжение
100 пс
65* ис
200 нс
120* пс
1 В
0,7 ' В
2 В
1 5 В
1.1* В
6 мкА
30 мкА
10 мкА
15 пФ
8* пФ
50 нФ
30* пФ
45 В
45 В
22 В
4 В
6 В
60 В
60 в
40 В
30 В
400 мА
800 мА
0,4 Вт
0,16 Вт
0.1 Вт
10 Вт
2,5 Вт
218°С/Вт
+ 150 °C
1 Допускается импульсное напряжение иВБ ц до 6 В при Q^2, /„<10 мкс.
* Допускается импульсное напряжение UKh u и UKB „ до G0 В при Гп< + 100’С,
40 В прн 7П = + 125’С, 30 В при 7п = 150"С при Q>2, «,,<19 мкс.
3 При Г>+С0°С 1‘1!лакс, Вт- [0,1 + 1~~-Т
18 Заказ № 1080
273
К1НТ251 .............................
Температура окружающей среды:
1HT25I. 1НТ251А ... ...................
К1НТ251 ... ...................
П родолжение
+ 120 °C
-60..+ 125 °C
-45. .+85 °C
Расстояние от корпуса до места пайки (по длине вывода) не менее 1 мм.
Радиус изгиба выводов должен быть не менее 0,3 мм расстояние от корпуса
до центра окрх-жностп изгиба не менее 1 мм
Прп монтаже на плату необходимо учитывать, что корпус сборки имеет
металлическое дно н металлическую крышку и пи одни из выводов не имеет
соединения с дном и крышкой корпуса. Выводы 1 и 8 свободные
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от напряже-
ния коллск юр — эмит-
тер
Занисимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока кол-
лектора
^кэ.иос .
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0 100 200 300 400 I*, нА
О 100 200 300 400 /м, nA
Зависимость
эффициента
тока от
модуля ко-
передачи
частоты
Зависимость напряж<
пня насыщения база —
эмиттер от тока кол-
лектора
Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор — эмиттер от тока
кол.тек г<>ра
С3 пФ
0 1 2 3 4 изъ, в
Зависимость максималь-
но допустимого посто-
янного напряжения кол-
лектор — эмиттер от со-
противления база —’
эмиттер
Занисимость
эми гтерпою
от
емкости
перехода
напряжения эмит-
тер — база
Зависимость ем кости
коллекторного перехо-
да от напряжения кол-
лек юр — база
274
2Т381А-1, 2Т381Б-1, 2Т381В-1, 2Т381Г-1, 2Т381Д-1
Парные транзисторы, состоящие из
двух кремниевых эпитаксиально-планарных
структур п-р-п транзисторов с раздель-
ными выводами. Транзистор 2Т381Г-1 оди-
ночный. Бескорпусные без кристаллодержа-
теля с гибкими выводами и защитным по-
крытием. Поставляются в сопроводительной
таре, позволяющей производить измерение
электрических параметров без извлечения
из нее транзисторов. Тип прибора указы-
вается в этикетке.
Масса каждого транзистора не более
0,01 г
2Т381(А-1 -Л I)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Ukb=5 В, /а=10 мкА, не менее.
7=+ 25 и +70°C:
2Т381А-1.........................................50
2Т381Б I . . .................. 40
2T38IB 1 . .... . . 30
2Т381Г-1........................................20
2Т381Д-1 .... 20
7=-60 °C:
2Т381Л-1........................................15
2Т381Б-1 .... 12
2Т381В 1 . Ю
2Т381Д-1 ... 4
Отношение статических коэффициентов передачи тока в
схеме ОЭ при Ukb=5 В 7э—10 мкА, не менее:
7= 25 °C
2Т381А-1, 2Т381Б 1...........................0 9
2Т381В 1................ .... 085
7=-60 и +70°С..................................0.6
Разность прямых падений напряжения на переходах эмит-
тер — база при (7кэ=5 В /э=10 мкА для 2Т381А-1,
2Т381Б 1, 2Т381В-1, не более:
7=+25°C............................................ 4 мВ
= —60 и +70 °C ... 6 мВ
Разность прямых падений напряжения на переходах кол-
лектор-база при /к=100 мкА для 2Т381Д-1, ие более 3 мВ
Напряжение насыщения база — эмиттер при /в = 10 мА,
/в=1 мА для 2Т381Г-1 не более . . 1 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /«==
= 10 мА, /в=1 мА для 2Т381Г-1, не более...............0,4 В
Обратный ток коллектора, не более.
при Uke=5 В
при 7^+25°C......................................10 нА
при 7=-60 °C для 2Т381Л 1, 2Т381Б-1, 2Т381В 1
2Т381Д-1.....................................10 нА
при 7=+70°С для 2Т381Л 1 2Т381Б-1, 2Т381В-1,
2Т381Д-1 . . 200 нА
при С7кв=25 В 200 пА
Обратный ток эмиттера при 1Л>б=6,5 В, не более . . 1 нА
18*
275
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
I кОм:
2Т381А-1, 2Т381Б-1, 2T381B-1, 2Т381Д-1 . .
2Т381Г-1.........................................
Постоянное напряжение эмнттср — база . . . .
Постоянный ток коллектора
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при
НО'С .... ....
Температура р-п перехода ............................
Температура окружающей среды.........................
25 В
15 В
25 В
6.5 В
15 мА
15 мВт
+ 90 С
-60 .. + 70 °C
1 При 7‘>+40гС максимально допустимая ностоянн я расолваемая мощность кол-
лектора определяется по формуле ^к.ЛпКС" (90 —D/flyfn-K)-
Пр> монтаже транзисторов в микросхемы они дотжны находиться на
расстоянии не более 2 мм друг от друга. Папка (сварка) выводов допускается
ие ближе 0,6 мм от края поверхности покрытия кристалла. При монтаже тран-
зисторов должны быть приняты меры, исключающие нагрев защитного покры-
тия кристалла до температуры более +180сС в течение времени не более 5 с.
При эксплуатации транзисторов в аппаратуре теплоотвод кристалла должен
обеспечивать /?>(П-с;^40 сС/мВт.
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока
эмиттера
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от темпера-
туры
Зависимость отношения
статических коэффици-
ентов передачи тока от
температуры
Зависимость разности
прямых напряжений
эми пер — база от тока
эмиттера
Зависимость разности
прямые напряжений
эмиттер — база от тем-
пературы
Зависимость разности
прямых на пр иж ей нй
эмиттер — база от тока
эмиттера
d в
276
КТС395А-1, КТС395В-1, КТС395А-2, КТС395Б-2, КТС395В 2
Транзисторные сборки, состоящие каждая из двух кремниевых эпитаксиаль-
но планарных структу р п-р-п универсальных транзисторов с раздельными вы-
водами Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре в ба-
лансных. дифференциальных п операционных усилителях, переключающих, им-
пульсных и других каскадах, в которых требуется идентичность параметров
двух транзисторов. Сборки поставляются в виде наборов из двух отдельных
транзисторов. Транзисторы бескориусные с гибкими выводами, защитным по-
крытием (К1С395Л-1 КТС395В-1) и на металлических подложках, электрически
соединенных с выводами коллекторов (КТС395А-2, КТС395Б 2. КТС395В 2)
Сборки упаковываются в герметичную сопроводительную тару Тнп прибора
указывается на сопроводительной таре.
Масса сборки не более 0,5 г.
К7С395(А 1, В 1), КТС395(А 2-В 2)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Ukb— 5 В, /в=1 мА
Т= +25 °C:
КТС395А-1, КТС395А 2....................... 40.120
КТС395Б-2........................................Ю0. .300
КТС395В-1, КТС396В 2, не менее .... 350
—45"С:
KTC395A-I, КТС395А 2............................20.. 120
К1С395Б-2 ................................... . 50. 300
7=+85 °C:
KTC395A-I, К1С395Л 2 не меиее ...................40
К1С395Б-2, не менее ................100
Граничная частота коэффициента передачи тока при Ukb=
=5 В, /з 10 мА, не меиее . . . ... 300 МГц
Граничное напряжение при 1В=^> мА, ие менее:
КТС395А 1. КТС395А 2, КГС395Б-2.....................45 В
КТС395В-1, КТС395В 2 . ... 10 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к =
= 10 мА. /ь-=1 мА, не более . . . . . 0.3 В
Напряжение насыщения база—эмиттер нрп /к=10 мА,
/в=1 мА, ие более.................................... 1,0 В
Разность напряжения база—эмиттер транзисторов сборки
при 1Укв = 5 В, /к=1 ыА для КТС395А-1, нс более . , 10 мВ
Обратный ток коллектора при l/«c = 45 В, не более:
+2_5 °C...................................... 0.5 мкА
7=+85 °C...........................................1,0 мкА
Обратный ток эмиттера при иБэ=4 В, не более ... 0,5 .мкА
277
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение коллектор — эмиттер при /?cj=sU0 кОм:
КТС395А 1, КТС395А-2, КТС395Б 2 45 В
КТС395В КТС395В-2 . 10 В
Ток коллектора одиночного транзистора:
КТС395А 2. КТС395Б-2, КТС395В 2...................100 мА
КТС395А-1, КТС395В-1................................ .20 мА
Постоянная рассеиваемая мощность одиночного транзи-
стора
КТС395А 2 КТС395Б-2, КТС395В-2 . . 150 мВт
КТС395А 1 КТС395В-1 ... . 30 мВт
Постоянная рассеиваемая мощность двух транзисторов
КТС395Л-2, КТС395Б-2. КТС395В-2 . .............. 300 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность:
КТС395Л-2, КТС395Б-2, КТС395В-2...................5J0 мВт
КТС395Л-1, КТС395В-1 60 мВт
Тепловое сопротивление переход — подложка КТС395А-2,
КТС395Б2 КТС395В 2....................................... 100 °C Вт
Температ} ра р-п перехода . . +150 °C
Температура окружающей среды . . . . —45... + 85 °C
1 Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность, мВт, рассчитывает-
ся по формуле ' i: лаясш (150- где Кт(п—с) п0)+^т(пб~т) +^т(т-сг
^тш—па> ~ тепловое сопротивление переход — подложка Лт(пв_г — тепловое сопротивле-
ние подложка — теплоотвод; ЯТ(Г_С; — тепловое сопротивление теплоотвод — среда.
Входной контроль параметров, монтаж в микросхемы, герметизация микро-
схем после извлечения сборок из герметичной упаковки должны осуществляться
в помещениях прн соблюдении вакуумной гигиены, влажности воздуха не вы-
ше 65% и температуре +25±10°С.
Минимальное расстояние от места пайки (сварки) до защитного покрытия
должно быть не менее 4 мм. Температура жала паяльника должна быть пе
более +240°C, время пайки не более 1 мнн. Допускается трехкратная перепай-
ка сборок.
Необходимо принимать меры по защите сборок от статического электри-
чества.
Зависимости статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока кол-
лектора
278
Зависимости статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от темпера-
туры
Зависимость лакеи мыль-
но допустимого посто-
янного напряжения кол-
лектор — эмиттер от со-
противления база —
эмиттер
Зависилюстн статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока
эми ггера
2ТС398А-1, 2ТС398Б-1, КТС398А-1, КТС398Б-1
Транзисторные сборки, состоящие каждая из двух изготовленных на одном
кристалле кремниевых эпитаксиально-планарных структур п-р-п усилительных
транзисторов с раздельными выводами. Предназначены для применения в гер-
метизированной аппаратуре в широкополосных балансных, дифференциальны,
и операционных усилителях и других каскадах, в которых требуется идентич-
ность параметров двух транзисторов. Бескорнусные с гибкими выводами н за-
щитным покрытием без кристаллодержателя. Поставляются в сопроводительной
таре, позволяющей проводить измерение электрических параметров без извле-
чения из нее сборок. Тип прибора указывается в этикетке.
Масса сборки не более 0,005 г.
2ТГ.398(6 1 St), KTC398(fi I Б I)
Электрические параметры
Граничная частота коэффициента передачи тока при U кв—
= 1 В, /э=2 мА, пе менее . ... 1000 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи при Чкб—5 В,
/э=1 мА, f=300 МГц, не более........................... 50 пс
279
Продолжение
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Укв=1 В, /э= 1 мА:
Т + 25 С......................................... 40...250
Т + 125СС 2ТС398Л-1 . . . 40.. 500
Т -60 °C 2ТС398Б-1 . 20...250
Отношение статических коэффициентов передачи тока в
схеме ОЭ прп Пкв 1 В 1э 1 мА:
Г=+25сС 2ТС398А-1, КТС398Л-1 ... 08 .1,25
2ТС398Б 1, КТС398Б-1 .............09..1,1
Г= + 125 н -60 СС 2ТС398А-1 . . . 0,7. ,43
2ТС398Б-1 .......................................0 8..1,25
Разность прямых падений напряжений эмиттер — база при
Плв=^5 В, /э=1 мА, не более
Т= +25°C 2ТС398А-1, КТС398А-1 .............1 5 мВ
2ГС398Б 1 КТС398Б-1 ...................3 мВ
Г= + 125 и -60 СС 2ТС398А-1 . . . 2 5 мВ
2ТС398Б 1 ... . ... 4 мВ
Обратный ток коллектора прп Ккд=10 В, не более:
Г=+25СС................ .........................0,5 мкА
Т= + 125СС 2ТС398Л 1, 2ТС398Б-1..................5 мкА
Емкость коллекторного перехода при Uke 5 В, не более 1,5 пФ
Емкость эмиттерного перехода прн <7эс=1 В, не более 2 г.Ф
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при /?6,<
< 10 кОм...............................................
Постоянное напряжение коллектор — база.................
Постоянное напряжение эмиттер—база.....................
Постоянный ток коллектора каждого транзистора сборки
Импульсный ток коллектора каждого транзистора сборки
при <„<10 мкс, 0^2 .... . .
Постоянный ток эмиттера каждого транзистора сборки
Импульсный ток эмиттера каждого транзистора сборки
при <„<10 мкс, Q>2 ....
I остоянная рассеиваемая мощность1 двух транзисторов
сборки прн /?т(„-г,< 1 сС/мВт, 7< + 105сС
Температура окружающей среды 2ТС398А-1, 2ТС398Б 1
10 В
10 В
4 В
10 мА
20 мА
10 мА
20 мА
30 мВт
-60...+125 °C
1 При 7^ + 105’С PIt ма11с мВт—(135—Г) .0.63+Яг), где Кт — тепловое сопротивление
участка основание сборки — окружающая среда
Прп монтаже сборки в гибридную интегральную микросхему и в процессе
технологического цикла изготовления микросхем не допускается использование
материалов, вступающих в химическое и электрохимическое взаимодействие с
защитным покрытием и другими элементами конструкции прибора (защитное
покрытие кристалла изготовлено на основе кремний органического лака)
Пайка (сварка) выводов допускается не ближе 1 мм от кристалла. При
этом должны быть приняты меры исключающие возможность натяжения и
деформации выводов, нарушения защитного покрытия касания выводами неза
щищеиных частей кристалла н токоведущих частей платы, а также должен
быть обеспечен небольшой провис закрепленного вывода.
Температура нагрева сборки не должна превышать +125 °C (при пайке
или сварке выводов допускается превышение указанной температуры до +180°С
в течение времени, не превышающего 5 с).
280
Аиэ/Лиэ (h ~,пЛ)
2JC3981A 1,6 f)
1.0 *___—— t-—
О 2 V 6 8 13,пА
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока
эмиттера
Л2ТЭ/Л2ТЭ
о 2 v 6 еь'.в
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока
эмиттера
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от напряже-
ния коллектор — база
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дали тока от напряже-
ния коллектор — база
Зависимость разности
прямых падений напря-
жений амт iep — база
от тока эмиттера
Зависимость разности
прямых падений напря-
жения эми пер—база
от напряжения коллек-
тор — Саза
Зависимость постоян-
ной времени цепи об-
ратной связи от тока
эми ттера
О 2 Ч 6 ^£/кБ, В
0 9 2 3 У 0ЗЪ[В
Зависимость постоян-
ной времени цепи об-
ратной связи от напря-
жения коллектор — база
Завис и м ость е м костя
коллекторного перехода
от напряжения коллек
тор — база
За висимость ем кос ги
эмиттерного перехода
от напряжения эмит-
тер — база
281
2ТС3111А-1, 2ТС3111Б-1, 2ТС3111В-1, 2ТС3111Г-1,
2ТС3111Д-1
2ТСЗН1(Д l-Д I)
Транзисторные сборки, состоящие
каждая из двух электрически не свя
занных эпитаксиально-планарных
структуры п-р-п транзисторов на од
ном кристалле. Предназначены для
применения в широкополосных ба-
лансных дифференциальных и опера
цнонных усилителях, фавовых детек-
торах и других каскадах герметизи-
рованной аппаратуры, где требуется
идентичность параметров транзисто-
ров. Бескорнусные с гибкими выво-
дами н защитным покрытием. По-
ставляются в сопроводительной таре,
позволяющей производить измерение
электрических параметров без извле-
чения нз нее транзисторов. Тип при-
бора указывается на сопроводитель-
ной таре.
Масса транзисторной сборки не
более 0,0025 г
Электрические параметры
Параметры одиночного транзистора
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Пкэ — 5 В //,-=10 мкА:
Т= +25 СС
2TC3I11A 1 ........................................150 400
2ТС3111Б 1 . . ....................100.. 400
2TC3I11B 1 ................ 50...400
2ТС3111Г 1. 2ТС3111Д-1......................... 20.400
7= +125°C, не более...............................600
7= — 60 °C, не менее:
2TC3I1IA1..........................................50
2ТС3111Б1....................................... 30
2TC31I1B1.................................... . 17
2ТС3111Г-1. 2ТС3111Д 1.......................... 10
Граничная частота коэффициента передачи тока при ииэ =
5 В. /к=1 мА, не менее ... ... 250 МГц
Обратный ток коллектора при (7/,в=25 В, не более:
Т<+25°С.............................................10 нА
7= + 125°С.................................. .... 200 нА
Обратный ток эмиттера при 1/Эд=6.5 В не бо iee:
<+25 С............................................ . Ю нА
7=+ 125 °C..................................... . 200 нА
Гм кость коллекторного перехода при Uku=\ В. не более 2,5 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Г7эс1 В, нс более 2.5 пФ
Параметры сдвоенных транзисторов
Отношение статических коэффициентов передачи тока при
(Л<э“5 В /к—100 мкА не менее:
7— +25 °C.
2TC3I11A1, 2ТС3111Б1 ... 0,9
2TC3I1IB 1................................. 0.85
2ТС31ПД-1 . ............ .0,5
282
П родолжение
Т= + 125 и -60 °C:
2ТС3111Л-1........................................0,8
2ТС3111Б-1......................................0,75
2ТС3111В-1......................................0,7
2ТС3111Д-1 . ....................0,3
Модуль разности постоянных напряжений эмиттер — база
при Икэ=5 В, /« 200 мкА, не более
7’= + 25сС:
2ТС3111А-1...........................................2 мВ
2ТС3111Б-1 ... 5 мВ
2ТС3111В-1................................. .... 10 мВ
2ТС3111Д-1 30 мВ
Т +125 и -60 °C:
2ТС3111А-1 .... ................3 мВ
2ТСЗИ1Б-1 . 7 мВ
2ТС31НВ-1 . . . 13 мВ
2ТС3111Д-1.........................................35 мВ
Модуль разности постоянных напряжений коллектор — ба-
за при /к-200 мА, не более:
Т= +25 °C 2ТС3111Г 1.................................3 мВ
Г= + 125 и -60°C 2ТС31НГ 1.........................3,5 мВ
Температурный коэффициент разности постоянных напря-
жений эмиттер — база при 17кэ-5 В. /к = 200 мкА, не
более:
2TC3II1A-1...........................................5 мкВ/’С
2ТС3111Б-1..........................................10 мкВ/сС
2ТС3111В-1..........................................20 мкВ/'С
2ТС3111Д-1 30 мкВ/°С
Температурный коэффициент разности постоянных напря-
жений коллектор — база прн 1к 200 мкА для 2ТС3111Г-1,
не более.............................................. 10 мкВ/°С
Температурный коэффициент разности токов базы, не
более:
2ТС3111А-1.......................................0.2 нА/°С
2ТС3111Б-1.......................................0,5 нА/°С
2ТС3111В-1.......................................1 нА/°С
Ток утечки между коллекторами при (7к-к = 25 В, не
бо.хе.......................... .................. 10 нА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база ... 30 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
^3 кОм ... . .......................... 15 В
Постоянное напряжение между коллекторами ... 25 В
Постоянное напряжение эмиттер — база ... 7 В
Постоянный ток коллектора............................ 1000 мкА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора одного
транзистора:
при Г^+25°С........................................ 10 мВт
прн Г= + 125ОС...................................... 4 мВт
Температура р-п перехода......................... ... +135 °C
Температура окружающей среды.........................—60. .+ 125 °C
Длина выводов от защитного покрытия до места присоединения к микро-
схеме не менее 0,6 мм; при длине вывода более 4 мм необходимо его допот-
нптелыюе крепление
Пайка выводов должна производиться прн температуре не выше +135'С
в течение не более 5 с.
Не рекомендуется эксплуатация сборок при токах, соизмеримых с обратны-
ми токами коллектора и эмиттера.
283
Для крепления сборок в микросхему следует использовать клеющие н за-
щитные составы, не растворяющие защитные покрытия сборок.
Зависимость статическо-
го к лэффмциснта пере-
дачи тока от темпера-
туры
Зависимость отношений
статических коэффици-
ентов передачи тока
от температуры
Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор — эмиттер от тока
коллектора
К1НТ661А
Транзисторная сборка, состоящая нз четырех кремниевых эпнтаксвалыю-
планарных структур! п-р-п переключательных транзисторов. Предназначена
К1 НТ 661А
284
для применения в переключающих устройствах Выпускается в металлокерами-
ческом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса сборки не более 0,4 г
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
0/яб=10 В, /э—10 мА, пе менее........................
Напряжение насыщения ко.тектор — эмиттер при /к 5 мА,
/б = 2 мА, пе более...............
Обратный ток коллектор —эмиттер при С'кэ-250 В,
йлб=1 кОм, не более..................................
5
5 В
30 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база................. 300 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
гсг 1 кОм.............................................. 250 В
Постоянный ток коллектора............................... 5 мА
Импульсный ток коллектора прн [=400.10 000 Гц 10 мА
Постоянный ток базы..................................... 5 мА
Постоянная рассеиваемая мощность для всей сборки:
прн + 50 °C.............................................0,1 Вт
прн 7= + 70сС .... .... 0.06 Вт
Тепловое сопротивление переход — среда............... 500с( Вт
Температура р-п перехода...................................+100 С
Температура окружающей среды ...........................—45 . + 70°С
Сборка должна устанавливаться на печатную плату плотно по всей поверх-
ности корпуса с помощью клея, не имеющего кислотных и щелочных состав-
ляющих и не допускающего деформацию корпусов в процессе монтажа и экс-
плуатации (например, клей АК-20 пли мастика «ЛИ»)
Радиус изгиба выводов должен быть не менее 0,3 мм, расстояние от кор-
пуса до центра окружности изгиба не менее 1 мм.
Расстояние от корпуса до места пайки (по длине вывода) не менее 1 мм,
жало паяльника должно быть заземлено.
Транзисторные сборки р-п-р
2ТС393А-1, 2ТС393Б-1, КТС393А-1, КТС393Б-1
Транзисторные сборки, состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-пла-
нарных структуры р-п-р усилительных транзисторов на одном кристалле с раз-
дельными выводами. Предназначены для применения в широкополосных ба-
лансных, дифференциальных и операционных усилителях и других каскадах
герметизированной аппаратуры, в которых требуется идентичность параметров
двух транзисторов Бескорпусиые с гибкими выводами н защитным покрытием
без кристаллодержателя. Поставляются я сопроводительной таре, позволяющей
проводить измерение электрических параметров без извлечения нз нее транзи-
сторов. Тип прибора указывается в этикетке.
Масса сборки не более 0,005 г.
285
VTC393(А-1,61), КТС393(А-1, Б-1)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ прн
В'кв=1 В /э=1 мА:
Т= +25 °C:
2ТС393А-1, КТС393А-1............................40 ..180
2ТС393Б-1, КТС393Б-1.............................30... 140
Г = + 85 °C:
2TC393A-I КТС393А-1, не более ..... 360
2ТС393Б-1, КТС393Б-1, не более................280
Г=-60°С (Г —45°С для КТС393А 1, КТС393Б-1)
2ТС393А-1, КТС393А-1, ие менее.......................16
2ТС393Б-1, КТС393Б-1, не менее...................12
Граничная частота коэффициента передачи тока при Икв=
= 1 В, Ze=l мА, не менее..............................503 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи при £/кс = 2 В,
/э=2 мА, /=10 МГц, не бо ее...........................80 пс
Коэффициент шума при <7КЭ=6 В. //,- = ! мА, f—60 МГц,
К. =250 Ом............................................3...6 дБ
Отношение статических коэффициентов передачи тока в
схеме ОЭ прн <7кв=1 В, /а = 1 мА, не менее:
Г—+25 °C:
2ТС393А-1, КТС393Л 1...............................0,9
2ТС393Б-1, КТС393Б 1.............................0,8
7=+85 и -60 °C (7=-45 °C для КТС393Л-1,
КТС393Б-1):
2ТС393А-1, КТС393Л 1...............................0,8
2ТС393Б-1, КТС393Б 1.............................0,7
Модуль разности прямых напряжений эмиттер — база при
0,ке=5 В, /э —1 мА не более:
2ТС393А-1, КТС393А-1.......................... 3 мВ
2ТС393Б-1, КТС393Б-1...............................5 мВ
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /« =
= 10 мА, /с=1 мА для 2ТС393Л-1, KTC393A-I, не более 0,6 В
Обратный ток коллектора, не более:
при Гз£Г+25°С
2ТС393А 1 КТС393А-1 при Uke=10 В .... 0,1 мкА
2ТС393Б-1, КТС393Б-1 при 1/КЕ=15 В .... 0,2 мкА
при Т= + 85°C. Ukb=10 В для 2ТС393А-1, КТС393А-1
и Z/he = 15 В для 2ТС383Б-1, КТС393Б-1 . , . . 5 мкА
286
Продолжение
Обратный ток эмиттера при Б'бэ = 4 В не более
7<+25'С:
2ТС393А-1, КТС393А-1...........................0,1 мкА
2ТС393Б-1, КТС393Б-1...........................0,2 мкА
Б= + 85°С . . .... .... 5 мкА
Ток утечки между транзисторами, не более:
при 7’<+25сС:
2ТС393А-1, КТС393Л-1 при UIt, «^10 В . . . 0,1 мкА
2ТС393Б-1, КТС393Б-1 при (Лп-к2=15 В ... 0,2 мкА
Г= + 85СС........................................5 мкА
Емкость коллекторного перехода при Uke—5 В не более 2 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Бвэ=0 не более 2 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база и коллектор —
эмиттер при /?б.,<5 кОм:
2ТС393А-1. КТС393А-1.................................10 В
2ТС393Б 1 КТС393Б-1..................................15 В
Постоянное напряжение эмиттер — база..............4 В
Постоянный ток коллектора................................10 мА
Импульсный ток коллектора при <„<10 мкс, Q^e2 . . 20 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1 (суммар-
ная двух транзисторов).
прн 7’<+45сС.....................................20 мВт
прп Г»+ 85 °C....................................10 мВт
Температура р-п перехода.............................+125'С
Температура окружающей среды:
2ТС393А-1, 2ТС393Б-1 . . . . -60...+ 85 "С
КТС393Л 1, КТС393Б-1...................... -45 .+85 °C
1 При значениях <?Г(П_С). отличающихся от 4 'С/мВт, максимально допустимая по-
стоянная мощность рассеивания коллектора должна быть не более 4'3 мВт и опреде-
ляется по формуле /"к .иакс-(125-7)/(0,2+/?т(п_с)> где — тепловое сопротивле-
ние микросхемы на участке нижняя поверхность кристалла — окружающая среда.
Не рекомендуется эксплуатация транзисторных пар при рабочих токах,
соизмеримых с обратными неуправляемыми токами эмиттера и коллектора во
всем интервале температур.
Изгиб выводов допускается не ближе 0,5 мм, сварка не ближе 1 мм от
края кристалла. При длине выводов более 3 мм выводы должны быть допол-
нительно закреплены лаком.
О 4 в П 13 нА
О 4 8 12 Z/HF, в
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока
эмиттера
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от напряже-
ния коллектор — база
287
Кш. ДБ
\2TC393(A-f. Б-$
1 КГС393(А/,Б I)
Ижз-бв S- 60 »Гц I
512 On к.- 252 On |
/Э = / «Л
~1
о го -.о cos нГц
5 | ;
2TC3$3(Af,£l)
9 КТС393(А !. Б
0,5 I 1.5 2 l3 nA
О 2 ч 61/п3,В
Зависимость коэффици-
ента шума от часто» ы
Зависимость коэффици-
ента шума от тока
эмиттера
Зависимость коэффици-
ента шума от напряже-
ния коллектор — эмит-
тер
г.з
2ТС393(А-1 Б !)
К1С393(А -
О 0,2 0,ь 0,6 /,, иА
1^эы"^зьг1
О ч 8 12 УкЪ, В
1^эб.-Оэбг /^35,-оЗЬ1\(т-25Г)
11
КС
0.9
0.8
07
'80 20 20 60 ГП'°С
Зависимость разноси»
прямых падений напри
жен ия эмиттер — баз»
от тока эмиттера
Зависимость разности
прямых падений ширя
женил эмиттер — база
от напряжения коллек-
тор — база
Зависимость рази «сти
прямых падений из пр я
женин Э.МИ1 rep — база
от температуры
^КЗ Я /Ч(Э R ^63 = $ *0”)
Зависимость емкости
эмигтерпого перехода
or напряжения база —
эмиттер
Зависимость постоянно-
го напряжения коллек-
тор — эмиттер от сопро-
тивления база — эмит-
тер
Зависимость емкости
коллекторного перехо-
да от напряжения кол-
лектор — база
1^эг--«/эм1
Хш. ДБ
КТС394А-2, КТС394Б-2
Транзисторные сборки, состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-пла-
нарных структуры р-п р универсальных транзисторов с раздельными выводами.
Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре в балансных,
дифференциальных и операционных усилителях, переключающих и других уст-
ройствах, в которых требуется идентичность параметров двух транзисторов.
288
Поставляются в виде наборов из двух отдельных транзисторов Транзисторы
бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием, иа металлических
подложках, электрически соединенных с выводами коллекторов. Упаковываются
в герметичную сопроводительную тару. Тип прибора указывается на сопрово-
дительной таре.
Масса сборки не более 0,5 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
^кэ=“5 В, /э=1 мА:
1=4-25 °C:
КТС394Л 2..........................................40 120
КТС394Б-2 ... . . . . 100 .300
Т=- 45 °C.
КТС.391А-2.....................................20...120
КТС394 Б 2 ...................................... 50 .300
Г= 4-85 °C.
КТС394А-2. не менее..............................40
КТС394Б-2, не менее..............................100
Граничная частота коэффициента передачи тока при Окэ—
= 5 В. 1э= 10 мА, не менее............................. 300 МГц
Граничное напряжение прн /э=5 мА, не менее:
КТС394А-2............................................45 В
КТС394Б-2 ...................... . . 30 В
Напряженно насыщения коллектор—эмиттер прн /к =
= 10 мА, /в=1 мА не более...............................0.3 В
Напряжение насыщения база—эмиттер прн 1К—10 мА
1б= 1 мА, не более ... ... 1 В
Разность напряжении база — эмиттер транзисторов сборки
при (7кс=5 В, /к=1 мА для КТС394А-2, не более . . 10 мВ
Обратный ток коллектора при UkE=45 В, не более:
Г -1-25°C...........................................0,5 мкА
Т= 4-85 °C ... ............. 1 мкА
Обратный ток эмиттера прн 0/Эе=4 В, не более . 0,5 мкА
Емкость коллекторного перехода при В, не более 8 пФ
19 Заказ № 1080
289
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при /?ба^
< 10 кОм................... .........................
Постоянное напряжение коллектор — база...............
Постоянное напряжение база—эмиттер...................
Постоянный ток коллектора одиночного транзистора
Постоянный ток базы одиночного транзистора
Постоянная рассеиваемая мощность двух транзисторов
сборки с дополнительным теплоотводом прн
=С2С0сС/Вт, Tig+60 °C................................
Импульсная рассеиваемая мощность двух транзисторов
сборки с дополнительным теплоотводом прн Rrtn-cy^
С200оС/Вт, ZusSlO мкс, Q^2, Г<+60°С . . . .
Постоянная рассеиваемая мощность транзистора прн по-
стоянной рассеиваемой мощности сборки, не превышающей
предельную...........................................
Импульсная рассеиваемая мощность одиночного транзисто-
ра при импульсной рассеиваемой мощности сборки не пре-
вышающей предельную..................................
Тепловое сопротивление переход — подложка . . . .
Температура р-п перехода ...................
Температура окружающей среды.........................
45 В
45 В
4 В
100 мА
30 мА
300 мВт
500 мВт
250 мВт
500 мВт
100 °C . Вт
+150 °C
-45.,+ 85 СС
Примечание. Максимально допустимая постоянная рас еиваеыая мощность кол-
лектора. мВт, рассчитывается по формуле Л((]КС= (150 T)/RT(n с), где Яг(п_с -
_Ят(„_пв)+ЯТ(Я0_<.)+Яг(п_пв) — тепловое сопротивление переход — подложка; ЯТ(п_п,5)—
тепловое сопротивление подложка — теплоотвод-, Rt(t-c) — тепловое сопротивление тепло-
отвод — среда
И влечение сборки из герметичной упаковки, входной контроль параметров,
монтаж в микросхемы, герметизация микросхем должны осуществляться в по-
мещениях при соблюдении правил вакуумной гигиены, влажности воздуха не
выше 65% и Т'=25±10°С.
Минимальное расстояние от места пайки (сварки) до защитного покрытия
должно быть не менее 4 мм. Температура жала паяльника должна быть не
более +240СС, время пайки не более 1 мин Допускается трехкратная пере-
пайка сборок.
Необходимо принимать меры, предохраняющие сборки от статическою
электричества.
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока
эмиттера
290
2ТС3103А, 2ТС3103Б, KTC31O3A1, КТС3103Б1
Транзисторные сборки, состоящие каждая из двух кремниевых планарных
структуры р п р усилительных транзисторов с раздельными выводами Пред-
назначены для применения в дифференциальных усилительных каскадах Выпу-
скаются в металлостеклянпом корпусе с гибкими выводами Тип прибора ука-
зывается на корпусе
Масса сборки не более 1,5 г.
2 - коллектор}
3 База 1
Ч - Эпиттер!
6-.Эниттер2
8- Коллектор?
7-База?
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Икс —! В /э = 1 мА:
Г=+25°С..........................................
типовое значение ................................
7=+85 °C.........................................
7=—45°С, не менее .... . . . .
Граничная частота коэффициента передачи тока при Ucc =
—5 В /э — 3 мА
типовое значение
Постоянная времени цепи обратной связи при Uitn=b В
/э=3 мА, /=30 МГц . , . . ...
типовое значение
Коэффициент шума прн 6/Кэ=5 В. /э—1 мА, R3—150 Ом,
f=60 МГц...................................
типовое значение . ...
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер прн lt! —
= 10 мА. 1с—1 мА ................
типовое значение ... ...................
Напряжение насыщения база—э.мнттер прн /и=10 мА,
1с — 1 м А .......
типовое значение .... . ,
Обратный ток коллектора нрн UKE= 15 В пе более
7^+25 °C........................................ . ,
7= + 125°С (+85°С дчя КТС3103А1. КТС3103В1) .
Обратный ток эмиттера при U3h — 5 В, не более
?"<С +25 °C ...
7=+125°С (+85°C дчя КТС3103А1 КТС3103Б1) .
Емкость коллекторного перехода при Ukb— 5 В
типовое значение . . . . ,
Емкость эмнттерного перехода при Uac~0 ,
типовое значение . . .......................
40. .200
113*
32. .600
16
600. .1300* МГц
900* МГц
10*...80 пс
22* пс
3.6*...5 дБ
4,2* дБ
0.16*...0 6 В
0,29* В
0,8* . 1,1* В
0,9* В
0.2 мкА
5 мкА
0 5 мкА
5 мкА
1.1 .2,5* пФ
1,3* (Ф
1,05.2.5* пФ
1,26* пФ
19’
291
Параметры сдвоенных транзисторов
Отношение статических коэффициентов передачи тока в
схеме ОЭ при 1/кк=1 В, /э=1 мА, не менее:
2ТС3103А. KTC3I03A1...................................0,9
2ТС3103Б, КТС3103Б1 . . . 0,8
Модуль разности прямых напряжений эмиттер — база при
17кв=5 В, /э — 1 мА не ботее
2ТС3103А, КТС3103А1 .......................3 мВ
2ТС3103Б, КТС3103Б1......................... . . 5 мВ
Ток утечки между транзисторами прн <7=20 В, не более:
7<+25°С . ...................... 0.1 мкА
7= + 125сС (+85°С для КТС3103Л1, КТС3103Б 1) . 5 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база и коллектор —
эмиттер прн 1?с..<15 кОм ....
Постоянное напряжение эмиттер — база................
Постоянный ток коллектора........................ .
Импульсный ток коллектора при /„<10 мкс 0^2.5
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора (суммар-
ная двух транзисторов):
при 7<+55°С.....................................
при 7=+ 125 °C..................................
Тепловое сопротивление переход — среда..............
Температура р-п перехода .... . . .
Температура окружающей среды;
2ТС3103А, 2ТС3103Б..............................
КТС3103А1 КТС3103Б1
15 В
5 В
20 мА
50 мА
300 мВт
120 мВт
0,4 сС/мВт
+ 175 °C
— 60...+ 125 °C
-45. + 85 °C
Изгиб и пайка выводов допускаются не ближе 1 мм
от корпуса транзи-
сторной сборки.
Входные характеристики
Зависимости статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от напряже-
ния коллек гор — база
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока о г тока
Эмиттера
292
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока
эмиттера
Зависимость разности
прямых падений напря-
жения эми* тер — база
от напряжения коллек-
тор — база
Зависимости емкостей
коллекторного и эмит-
терного переходов от
напряжения
Транзисторные сборки р-п-р и п-р п
2ТС303А-2, КТСЗОЗА-2
Транзисторные сборки, состоящие каждая нз двух кремниевых эпитакси-
ально-планарных структур р-п-р н п-р-п усилительных транзисторов с раздель-
ными выводами. Предназначены для применения в выходных каскадах опера-
ционных усилителей, усилителях и генераторах низкой и высокой частот и ге-
нераторах импульсных сигналов герметизированной аппаратуры. Бескорпусные
с гибкими выводами и защитным покрытием, на кристаллодержателе. Помеща-
ются в сопроводительную тару, позволяющую производить измерение электри-
ческих параметров без извлечения из нее транзисторов.
Тип прибора указывается на крышке возвратной тары.
Масса сдвоенных транзисторов не более 0,1 г
Электрические параметры
Параметры одиночного транзистора
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
^кв=5 В, /к=1 мА:
Т=+25°С........................................ 40.. 180
Т= + 125°С 2ТС303А 2 . 40 280
Г=-60°С 2ТС303Л 2 . 20 180
293
Продолжение
Граничная частота коэффициента передачи тока в схе-
ме ОЭ при Г/кб=5 В, /э= 10 мА. не менее . . 300 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи на частоте /=
= 30 МГц при С,гь = 10 В, /э 30 мА . 30 ..80* пс
Граничное напряжение при /а=20 мА . . 45...80* В
типовое значение . . ............. 55* В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при 1к —
= 10 мА, !с— 1 мА, не более..................... . . 0.2 В
Напряженно насыщения база—эмиттер прн /«=10 мА,
/в=1 мА...................................... . . . 0,7*...0,9 В
типовое значение ..........................0,75* В
Обратный ток коллектора при 4/лб = 45 В, не более:
7^+ 25 °C.............. ... . . 0,5 мкА
Т= 125 °C................................... . . 10 мкА
Обратный ток коллектор — эмиттер при 4/кэ = 45 В, /?,®=
= 10 кОм, не более............................... ... 1 мкА
Обратный ток эмиттера при 4Л>В = 4 В, не более ... 1 мкА
Емкость коллекторного перехода прн 17КЕ = 5 В, не более 8 пФ
Параметры сдвоенных транзисторов
Отношения статических коэффициентов передачи тока
транзисторов при 4/кв=5 В, /з=1 мА, не менее:
7 +25 °C........................................ 0.7
7=-60 и + 125°С................................0.6
Разность входных напряжений при Ukk=5 В, /э=1 мА,
не более..............................................30* мВ
типовое зна 1епие.................................15* мВ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
=СЮ кОм...................................... . . 45 В
Постоянный ток коллектора .... .... 0.1 Л
Импульсный ток коллектора при /„^40 s:kc. Q^500 . 0,5 А
Постоянный ток базы .... ... 0,03 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллекторами сдвоен-
ных транзисторов (в составе микросхемы),
при 7^+60 °C . . . .... 0,5 Вт
при 7 +125 °C для 2ТС303А-2......................0,125 В
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 одною
транзистора (в ставе микросхемы):
прн 7<+60°С..........................................0.25 Вт
при 7 + 125 °C д. я 2ТС303А-2 ................... 0.0625° Вт
Температура р-п перехода ...................+150 °C
Температура окружающей сред i:
2ТС303Л-2............................................—60...+125 С
КТСЗОЗЛ-2 .......................................-45...+ 85 С
При />+60 °C РК макс, Вт=(150-Гк). 400+/?Г(п_к)), где /?т(п_к) - тепловое со-
противление участка керамическая подложка — корпус микросхемы
294
При извлечении сдвоенных транзисторов из тары, измерении параметров,
а также монтаже и эксплуатации должны быть приняты меры, исключающие
возможность повреждения транзисторов, в то*1 числе статическим электри-
чеством.
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от темпера-
туры
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от напряже-
ния коллектор — база
Зависимость ста. ическ'>-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока
эми ггера
Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор — эмиттер от коэф-
фициента насыщения
ЧАСТЬ ТРЕТЬЯ
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Раздел седьмой
Транзисторы маломощные
2П101А, 2П101Б, 2П101В, КП101Г, КП101Д, КПЮ1Е
Транзисторы кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на
основе р-п перехода и каналом p-типа. Предназначены для применения во вход-
ных каскадах усилителей низкой частоты н постоянного тока с высоким вход-
ным сопротивлением. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими
выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
2П101(А-В), КП101(Г-Е)
Коэффициент шума при Ucm = § В, 1/зл=0, /=1000 Гц,
/?г=1 МОм, не более:
2П101А, 2П101Б....................................5 дБ
2П101В.......................................10 дБ
КТ101Г ........................................4 дБ
КТ101Д.........................................7 дБ
Крутизна характеристики при UCn=5 В, иЭи=0:
т= । ок сс-
КТ101Г ............................0,15 мАДЗ
2П101А, 2П101Б, КТ101Е ... .... 0,3 мЛ'В
КП 101Д ....... ... 0,4 мЛ/В
2П101В................................... ... 0.5 мА В
Т= + 125°С 2П101Л, 2П101Б, 2П101В, не более . . 0.4 значения при
Т= +25 °C
Т=— 60°С 2П101А, 2П101Б, 2П101В, не более . . 2 значения при
7=+25 °C
Т= + 85°С:
КПЮ1Г...................................... 0,008 мА.’В
КП 101Д..................................0.2 мЛ/В
КТ101Е ..................................0.15 мА,'В
Г=- 45 °C:
КП101Г ....................................2 мА/В
КП101Д, КП101Е...........................3 мА В
Напряжение отсечки (положительное) прн Ucn — 5 В, /с”
— 1 мкА, не более:
2П101А, 2П101Б, КП101Г........................5 В
296
П родолжение
2П101В.............................................8 В
КП101Д, КП101Е .... .................6 В
Начальный юн стока ври Ucn~5 В, 1/зи=0:
2П101Л......................... ......................0.3...1 мА
2П101Б.............................................0,7.. 2.2 мА
2П101В.......................... . . ... 0,5...5 мЛ
КП101Г.............................................0 15.2 мА
КП101Д.............................................0,3 ..4 мА
КП 101Е............................................0,5.5 мА
Ток утечки затвора при Ucu=0, = 5 В, не более:
Т=+25 °C:
2П101А, 2П101Б, 2П101В.............................10 нА
КП101Г, КП101Д, КП101Е............................2 нА
Т= + 125СС:
2П101А, 2П101Б......................................1 мкА
2П101В 5 мкА
Т- + 85СС КП101Г, КП101Д, КП101Е .... 1 мкА
Емкость затвор — исток при (7си=5 В, 1/зи=0, не более:
211101А, 2П101Б, 2П101В ... ... 12 пФ
КП101Г, КП101Д, КП101Е.............................10 пФ
Выходная емкость при короткозам кнутом входе, не более 0,4* пФ
Проходная емкость при (7си=5 В, 17зи=0:
2П101А . . . . .....................2,2*.. 2.7* пФ
типовое значение...................................2,5 пФ
2П101Б.............................................2,4*..2,9* пФ
типовое значение ..................................2,5* пФ
2П101В.............................................2.5*...3* пФ
типовое значение...................................2,7* пФ
Выходное динамическое сопротивление при Ucn=5 В,
Л7я„ 0, /=270 Гц:
2П101А .... ........................ 90...400 кОм
типовое значение...................................190* кОм
2П101Б . ... ................. 20. 120 кОм
типовое значение . ...........................50* кОм
2П101В............................................. 6 24 кОм
типовое значение...................................12* кОм
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток — исток (отрицательное) при 1/зи=0 . 10 В
Напряжение затвор — сток................................10 В
Напряжение затвор — исток............................. 10 В
Ток стока:
КП101Г....................................................2 мА
КП101Д, КП101Е........................................5 мА
Постоянная рассеиваемая мощность 2П101А, 2П101Б,
2П101В................................................50 мВт
Температсра окружающей среды:
2П101А, 2П101Б, 2П101В..........................-6О...+ 125°С
КП101Г. КП101Д, КП101Е..........................—45... + 85сС
Примечания: I. Максимальная рассеиваемая мощность для каждого транзистора
ограничивается значениями начального тока стока н максимально допустимого напря-
жения сток — исток.
2. Сумма напряжений на затворе н стоке не должна превышать предельно допусти-
мого напряжения на стоке во всем интервале температур окружающей среды.
3. Запрещается подавать отрицательное напряжение на затвор и работать в элск«
трическом режиме с отключенным затвором.
297
Л'ш , Ab
Зависимости крутизны
характеристики от тем-
пературы
Зависимости коэффн
циента шума от темпе-
ратуры
2П103А, 2П103Б, 2П103В, 2П103Г, 2П103Д, 2П1ОЗАР,
2ПЮЗБР, 2П1ОЗВР, 2П1ОЗГР, 2П103ДР, КПЮЗЕ, КПЮЗЖ,
КПЮЗИ, КПЮЗК, КПЮЗЛ, КП 10ЗМ, КП103ЕР, КПЮЗЖР,
КП ЮЗИР, КП103КР, КПЮЗЛР, КПЮЗМР, КП103Е1,
КП103Ж1, КП103И1, КПЮЗК1, КП103Л1, КП103М1,
КП103ЕР1, КПЮЗЖР1, КП103ИР1, КП103КР1,
КПЮЗЛР1, КП103МР1
Транзисторы кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором па
осн, । р-п перехода и каналом р типа (2II103A, 2Ш03Б, 2П103В. 2П103Г
2П103Д. КП103Е КПЮЗЖ КШОЗИ, КП103К, КПЮЗЛ, КП103М. КПЮЗЕ!,
КШ03Ж1. КП103И1, КПЮЗК!, КПТ03Л1, КП103М1), подобранные в пары по
основным электрическим параметрам: начальному току стока, крутизне харак
теристикп напряжению отсечки (2ПЮЗАР, 2П103БР. 2П103ВР. 2П1031 Р.
2П103ДР. КП103ЕР, КПЮЗЖР, КШОЗИР. КПЮЗКР, КПЮЗЛР, КПЮЗМР,
КП103ЕР1, КП103ЖР1, КП103ИР! КПЮЗКР!, КПЮЗЛР! КШ03МР1).
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой ча-
стоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением (2П103А, 2П103Б,
2П103В, 2П103Г, 2П103Д, КП103Е КПЮЗЖ, кпюзи. кпюзк. кпюзл.
К.ШОЗМ, КП103Е1, КП103Ж1, КПЮЗИ!, КПЮЗК!, КП103Л1, КШ03М1), а
|>кже во входных каскадах дифференциальных усилителей низкой частоты
1 постоянного тока с высоким входным сопротивлением (2П103АР, 2ПЮЗБР
2ПЮЗВР 2ПЮЗГР. 2ПЮЗДР. КП103ЕР, КПЮЗЖР, КШОЗИР, КПЮЗКР,
КПЮЗЛР, КПЮЗМР, КПЮЗЕР1, КПЮЗЖР!, КПЮЗИР1, КПЮЗКР!,
ЕПЮЗЛР1, КПЮЗМР!).
Транзисторы 2ПЮЗА. 2Г1103Б, 2П103В, 2П103Г, 21И03Д. 2П103АР. 2ПЮЗБР.
2П103ВР. 2Г1ЮЗГР. 2ПЮЗДР, КШОЗЕ. кпюзж. кпюзи. кпюзк, кпюзл.
КПЮЗМ, КПЮЗКР, КПЮЗЖР. КШОЗИР. КПЮЗКР, КПЮЗЛР КП103МР
выпускаются в металлостскляином корпусе с гибкими выводами: КП103Е1,
КПЮЗЖ1, КПЮЗИ!, КПЮЗК! КПЮЗЛ1, КШ03М1, КПЮЗЕР1, КШ03ЖР1.
КП103ИР1, КПЮЗКР!, КПЮЗЛР!. КШ03МР1 — в пластмассовом корпусе с гиб
кими выводами
Тип прибора указывается на корпусе.
Пары транзисторов маркируются цветными точками на верхней части кор-
пуса: черной — группа 1 точности подбора пар по основным электрическим
параметрам транзисторов 2П103АР. 2ПЮЗБР, 2Ш03ВР, 2П103ГР. 2П103ДР
и группы 0 и 1 транзисторов КПЮЗЕР, КПЮЗЖР, КШОЗИР КПЮЗКР,
29«
КПЮЗЛР, КПЮЗМР, КП103ЕР1, КПЮЗЖР! КПЮЗИР1, КПЮЗКР!,
I П103ЛР1. КПЮЗМР!: синей — группа 2 Пары упаковываются в тару, исклю-
чающую возможность их разукомплектования в процессе транспортировки.
iMacca транзистора не более 1 г.
КЛ103(Е}-П1), КП103(ЕРГНР1)
Этек:ричсские параметры
гпгоз(А а), гпмз(АР-др)
НП103 (ЕН), РП103 (ЕР- ПР)
Максимальная рабочая частота 2ПЮЗА, 2ПЮЗБ 2П103В,
2ПЮЗГ. 2П103Д, 2П103АР, 2П103БР 2ПЮЗВР, 2П103ГР,
2ПЮЗДР..................................
Коэффициент шума прн Пси=5 В, Uin=0, f=1000 Гц,
R.= 1 МОм, Rn—2 кОм, не более . . . . .
Крутизна характеристики при Пси“10 В, lJsir—0-
Т= + 25СС:
2П1ОЗА, 2П103АР................................
типовое значение ..............................
2ПЮЗБ. 2ПЮЗБР..................................
типовое значение ..............................
2ПЮЗВ, 2ПЮЗВР . . . . ,
типовое значение ... . . .
211103Г 2ПЮЗГР .... . . . .
типовое значение ..............................
2П103Д, 2ПЮЧДР...................... . . . ,
Tin вое значение . . . . .
КПЮЗЕ, КПЮЗЕР. КПЮЗЕ!. КП103ЕР1 . . .
КПЮЗЖ КПЮЗЖР КПЮЗЖ! КПЮЗЖР! . .
3* МГц
3 дБ
0,7...2,1 мД/В
1 6* мА/'В
«Г.8...2.6 мА?'В
1,6* мА/В
1 4. 3.5 мА В
2 4* мА В
3.8 «:Л В
2,8* мА В
2. 4.4 мЛ/В
3.2* мЛ/В
0,4.2 4 мА/В
0,5...2.3 мА,В
299
Продынсгнче
КПЮЗМ, КПЮЗИР, КШ03И1, КП103ИР1 . . . 0,8 ..2,6 мА/В
КПЮЗК. КП103КР, 1 П103К1, КП1ОЗКР1 . . . I...3 мЛ/В
КПЮЗЛ, КПЮЗЛР, КП103Л1. КП103ЛР| . . . 1,8...3.8 мА/В
КПЮЗМ, КШОЗМР. КП103М1. КПЮЗМР1 . . 1.3...4.4 мА.'В
7”=+ 85 °C: 2П103А, 2П103ЛР . . . 0.42..2,! мА/В
2ПЮЗБ 2Ш03БР . . .... . . , 0,48-2,6 мА/В
2П103В, 2П103ВР . . ... . . . 0.84...3.5 мА/В
2ШОЗГ, 2ПЮЗГР 1..3.8 мА/В
2Ш03Д, 21П03ДР . . . . . . . 1,1..4.4 мА/В
КПЮЗЕ, КПЮЗЕР, КП103Е1, КП103ЕР1 . . 0,24 2,4 мА В
КП103Ж. КПЮЗЖР, КП103Ж1, КП103ЖР1 . , 0,3...2,8 ИЛ И
КПЮЗИ. КПЮЗИР, КП103И1. КП103ИР1 . 0.48..2.6 мА/В
КПЮЗК. КГПОЗКР, КП103К1, КПЮЗКР1 . . . 0.6..3 мА/В
КПЮЗЛ КПЮЗЛР, КШ03Л1, КПЮЗЛР1 . . 1 .3,8 мА/В
КШ03М. КШОЗМР, КП103М1. КПЮЗМР1 . . . 0,75 .4,4 мА, В
Т -60 °C: 2ПЮЗА, 2ПЮЗАР ... 0,7...3.3 мА В
2ПЮЗБ 2ПЮЗБР 0,8.4,15 мА В
2ПЮЗВ, 2ПЮЗВР 1,4-5.6 мА/В
2П103Г, 2П103ГР . . 1,8...6.1 мА,В
2П103Д. 2ПЮЗДР . 2..7 мА,/В
Т= —55 °C: КПЮЗР' КПЮЗЕР КПЮЗЕ], КПЮЗЕР! . . . 0,4—4 мЛ/В
КПЮЗЖ, КПЮЗЖР, КПЮЗЖ1, КПЮЗЖР1 . . 0,5...4.6 мА/В
КПЮЗИ, КПЮЗИР, КПЮЗИ]. КП103ИР1 0,8—4,15 мЛ/В
КПЮЗК. КПЮЗКР, КПЮЗК1. КПЮЗКР1 . . . 1.. 4,9 мА В
КПЮЗЛ, КПЮЗЛР, КП103Л1, КПЮЗЛР1 . . . 1,8...6,1 мА'В
КШОЗМ, КШОЗМР, КПЮЗМ1.КП1ОЗМР1 . . . 1,3-7 мА'В
Начальный ток стока прн иСи= 10 В, {7зя=0: 2ПЮЗА, 2П103АР .... . . • • • 0,55...1,2 мА
типовое значение . . . . • - . 0,85* мА
2П1ОЗБ, 2ПЮЗБР - - - 1 ..2,1 мА
типовое значение 1.5* мА
2П103В, 2П103ВР • 1,7.. 3,8 мА
типовое значение • - 2,7* мА
2П103Г, 2ПЮЗГР • - 3...6.6 мА
типовое значение 4.5* мА
2ПЮЗД, 2ПЮЗДР • 5,4-12 мА
типовое значение - • . 7,3* мА
КПЮЗЕ, КПЮЗЕР КП103Е1, КП103ЕР1 • • • 0.3...2.5 мА
КПЮЗЖ, КПЮЗЖР, КПЮЗЖ1. КПЮЗЖР1 • • 0,35...3,8 мА
КПЮЗИ, КПЮЗИР, КПЮЗИ1, КП103НР1 • • • 0,8...1,8 мА
КПЮЗК, КПЮЗКР, КПЮЗК1, КШ03КР1 • • . 1...5.5 мА
КПЮЗЛ, КПЮЗЛР. КП103Л1, КПЮЗЛР1 . - - 1,8.. 6,6 мА
КПЮЗМ, КШОЗМР, КПЮЗ-М1. КП103МР1 . . . 3 .12 мА
Напряжение отсечки при иСи• 10 В, /с=Ю мкА: 2ПЮЗА 2Ш03АР . . . 0,5.2.2 В
типовое значение .... . . . . 1,3* В
2П103Б, 2П103БР . . . 0,8.3 В
типовое з га челне . . . . 1.9- В
2П103В. 2П103ВР . ..... . . . 1,4.4 В
типовое значение . . 2,1* В
2Ш03Г, 2П103ГР . 2...6 В
типовое значение . . . 2.8* В
2Ш03Д, 2П103ДР . 2,8 7 В
типовое значение . . . 3,7* В
КШОЗЕ, КПЮЗЕР. КШ03Е1, КПЮЗЕР1 . . . 0.4... 1,5 В
КПЮЗЖ, КПЮЗЖР, КПЮЗЖ1. КПЮЗЖР1 . . . 0.5.2,2 В
800
П родолжение
КПЮЗИ. КПЮЗИР, КП103И1, КПЮЗИР1 . . . 0.8...3 В
КПЮЗК. КПЮЗКР, КПЮЗК1, КПЮЗКР1 . . . 1,4. .4 в
КПЮЗЛ, КПЮЗЛР, КП103Л1, КП103ЛР1 . . . 2 6В
КПЮЗМ, КПЮЗМР, КПЮЗМ1, КПЮЗМР1 , . , 2,8...7 в
Активная составляющая входной проводимости при Ucn =
= 10 В, изц=0, не более:
2ПЮЗА 2П103АР....................................40 мкСм
типовое значение..............................10* мкСм
2ПЮЗБ, 2ПЮЗБР.................................50 мкСм
типовое значение..............................15* мкСм
2П103В. 2ПЮЗВР............................ ... 80 мкСм
типовое значение..............................20* мкСм
2П103Г 2П103ГР................. . . 130 мкСм
типовое значение..............................40* мкСм
2ПЮЗД, 2П103ДР....................... . . 160 мкСм
типовое значение..............................70* мкСм
КПЮЗЕ. КПЮЗЕР, КПЮЗЕ1, КП103ЕР1 ... 5 мкСм
КПЮЗЖ. КПЮЗЖР. КПЮЗЖ1, КП103ЖР1 ... Ю мкСм
КПЮЗИ. КПЮЗИР. КПЮЗИ1, КПЮЗИР1 ... 15 мкСм
КПЮЗК, КПЮЗКР. КПЮЗК1. КПЮЗКР1 ... 20 мкСм
КПЮЗЛ, КПЮЗЛР, КПЮЗЛ1 КП103ЛР1 ... 40 мкСм
КПЮЗМ, КПЮЗМР, КП103М1, КП103МР1 ... 70 мкСм
Ток утечки затвора, не более:
2П103А. 2ПЮЗБ. 2П103В, 2П103Г, 2ПЮЗД, 2П103АР,
2ПЮЗБР, 2ПЮЗВР. 2ПЮЗГР, 2П103ДР при UCn=f>,
U:<„=5 В:
Т = + 25 °C.....................................Ю нА
7=+85сС........................................ 2 мкА
7=-60 °C.......................................20 нА
КПЮЗЕ, КПЮЗЖ. КПЮЗИ. КПЮЗК, КПЮЗЛ.
КПЮЗМ, КПЮЗЕР. КПЮЗЖР. КПЮЗИР. КПЮЗКР,
КПЮЗЛР, КПЮЗМР, КП103Е1, КПЮЗЖ1, КПЮЗИЬ
КПЮЗК1, КП103Л1. КПЮЗМ1. КП103ЕР1, КП103ЖР1,
КПЮЗИР1, КПЮЗКР1, КП103ЛР1, КПЮЗМР1 при
Ucn — О, Узи— 10 В:
Т= + 25 и -55 °C............................20 нА
7=+85 °C .... ............ 2 мкА
Входная емкость прн £/си=10 В, {7зи=0. не более:
2П103А 2П103Б. 2ПЮЗВ, 2ПЮЗГ. 2П103Д, 2П103АР,
2ПЮЗБР, 2ПЮЗВР, 2ПЮЗГР, 2ПЮЗДР . . 17 пФ
КПЮЗЕ, КПЮЗЖ, КПЮЗИ. КПЮЗК, КПЮЗЛ,
КПЮЗМ. КПЮЗЕР. КПЮЗЖР, КПЮЗИР. КПЮЗКР,
КПЮЗЛР, КПЮЗМР, КПЮЗЕ1. КПЮЗЖ1, КПЮЗИ1,
КПЮЗК1. КП103Л1, КП103М1, КПЮЗЕР1, КПЮЗЖР1,
КПЮЗИР1, КПЮЗКР1, КПЮЗЛР1, КП103МР1 . 20 пФ
Проходная емкость при £/<?« = Ю В, t/sw=0, не более 8 пФ
Температурный уход разности напряжений затвор — исток
подобранной пары транзисторов при 7=—60. . + 85°C,
не бо. ее:
2ПЮЗАР—группа 1 точности подбора:
для 80% пар............................ .... 250* мкВ/°С
для 20% пар............................. ... 450*' кВ СС
— группа 2 точности подбора для 80% пар . . . 300* мкВ/°С
2П103ВР— группа 1 точности подбора
для 80% пар . . . ... 250* мкВ/°С
для 20% пар . . ..................... 550* мкВ °C
— группа 2 точности подбора для 80% пар . . . 300* мкВ/°С
2ПЮЗВР—группа 1 точности подбора:
для 80% пар................................. 300* мкВ/°С
301
Продолжение
для 20% пар........................................ 550* мкВ/°С
— группа 2 точности подбора для 80% пар . . 450* мкВ/°С
Относительная разность крутизны характеристики прн
1'си = 1С В. 17зи=0. не более:
2П103АР 2П103БР, 2П103ВР, 2П103ГР, 2ПЮЗДР:
группа I . ............................... 10%
группа 2............................... .... 20%
КШОЗЕР, КП103ЖР. КПЮЗИР. КПЮЗКР, КПЮЗЛР.
КПЮЗИР. КШ03ЕР1 КП103ЖР1-, КП103ИР1,
КШ03КР1. КП103ЛР1. КП103МР1:
группа 0 . . . ......................5%
группа 1..........................................10%
группа 2..................................... . 20%
Относительная разность начального тока ст.-ка при Ucn~
= 10 В. Ши = 0 пе более:
2П103АР 2П103БР, 2П103ВР 2Ш03ГР. 2П103ДР
группа 1............................................10%
группа 2.................................. . . 20%
КШОЗЕР. КП103ЖР. КШОЗИР. КПЮЗКР. КПЮЗЛР,
КШОЗИР КП103ЕР1, К11103ЖР1, КП103ИР1,
КШ03КР1, КП103ЛР1, КШ03МР1:
группа 0...........................................5%
группа 1 10%
группа 2..........................................20%
Относительная разность напряжений отсечки при Ucn =
= 10 В, /с=Ю мкА, пе более
2П103АР. 2П103БР, 2П103ВР, 2П103ГР. 2П103ДР
группа 1........................... . . . . Ю%
группа 2 10%
КШОЗЕР. КП103ЖР, КШОЗИР. КПЮЗКР, КПЮЗЛР.
КШОЗИР, КП103ЕР1. КП103ЖР1, КП103ИР1,
КП103КР1, КП103ЛР1, КШ03МР1:
группа 0........................................5%
группа I .................................5%
группа 2.......................................... 10%
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток — исток:
2П103А. 2П103Б, 2Ш03В, 2П103Г. 2П103Д. 2П103АР
211103БР, 2П101ВР, 2П103ГР, 2ПЮЗДР КШ03Е
КШОЗЖ. КП103К. КПЮЗМ КШОЗЕР КП103ЖР
КПЮЗКР. КПЮЗИР, КП103Е1, КП103Ж1. КП1ОЗК1
КП103М1, КП103ЕР1, КПЮЗЖРЕ КПЮЗКР!
1 ЮЗМР1 .... ...
КШОЗИ. КП103.Г КШОЗИР КПЮЗЛР. КП103И1
КП103Л1, КШ03ИР1. КШ03ЛР1 ...
Напряжение затвор — сток:
2П103А, 2П103Б, 2П103В, 2П103АР, 2П103БР
2Ш03ВР ... ...
2П103Г. 2П103Д, 2П103ГР 2П103ДР .
Напряжение затвор — исток 2П103А, 2Ш03В 2П103В
2Ш03Г. 2Ш03Д 2П103АР, 2Ш03БР, 2П103ВР, 2П103ГР
2П103ДР . .
Напряжение затвор — исток (отрицательное) 2П103Л
2П103Б. 2П103В. 2П103Г, 2ПЮЗД. 2П103АР. 2Ш03БР
2П103ВР, 2Ш03ГР 2П103ДР........................
Сумма напряжений сток — исток и затвор — исток:
КПЮЗЕ, КПЮЗЖ. КШОЗИ, КШОЗК. КШОЗЕР
КПЮЗЖР. КШОЗИР. КШОЗКР, КПЮЗЕ1 КПЮЗЗЖ1
10 В
12 В
15 В
17 В
10 В
0,5 В
302
Продолжение
КПЮ31П, КП103К1, КПЮЗЕР!, КПЮЗЖР!
КПЮЗИР!. КПЮЗКР! . . 15 в
КПЮЗЛ, КПЮЗМ КПЮЗЛР, КПЮЗМР, КПЮЗЛ!,
КПЮЗМ!. КПЮЗЛР!, КПЮЗМР! . 17 в
Постоянная рассеиваемая мощность1:
2П103У 2П103Б, 2П103В, 2П1ОЗГ, 2ПЮЗД и каждого
транзистора пары 2П103АР, 2П103БР 2П103ВР
2ПЮЗГР, 2ПЮЗДР:
при 7"=-60..+25 °C .... 120 мВт
прн Т=+25..+85°C . 60 мВт
КПЮЗЕ, КП ЮЗЕ 1 н каждого транзистора пар
КПЮЗЕР, КП103ГР1 при 7=—55...+85 °C ... 7 мВт
КПЮЗЖ. КПЮЗЖ! и каждого транзистора пар
КПЮЗЖР, КП103ЖР1 при Г= -55..+85°С . 12 мВт
КП ЮЗИ, КП ЮЗИ 1 н каждого транзистора пар
КТ103ИР, КПЮЗИР! при 7'=—55...+85 °C ... 21 мВт
КП103К. КПЮЗК1 и каждого транзистора пар
КПЮЗКР, КПЮЗКР! при Т= -55...+85°C ... 38 мВт
КПЮЗЛ, КП103Л1 и каждого транзистора пар
КПЮЗЛР, КПЮЗЛР! прн 7=-55. ,+85°С . 66 мВт
КПЮЗМ КПЮЗМ! и каждого транзистора пар
КПЮЗМР, КПЮЗМР! при Т — 55. +85 °C 120 мВт
Температура окружающей среды.
2П103А, 2П103Б, 2П103В. 2П103Г, 2ПЮЗД, 2П103АР,
2П103БР. 2П103ВР, 2П103ГР, 2П103ДР . . -60.+85 °C
КПЮЗЕ, КПЮЗЖ, КПЮЗИ, КП103К, КПЮЗЛ,
КПЮЗМ. КПЮЗЕР, КПЮЗЖР. КПЮЗИР КПЮЗКР,
КПЮЗЛР, КПЮЗМР. КПЮЗЕ!, КПЮЗЖ!. КПЮЗИ1,
КП103К1, КПЮЗЛ! КПЮЗМ!. КП103ЕР1. КПЮЗЖР1.
КПЮЗИР!, КПЮЗКР!. КПЮЗЛР!, КПЮЗМР1 -55 +85°C
Максимальная рассеиваемая мощность транзисторов 2П103А, 2П103В, 2П ЗВ,
2П1ОЗГ и каждого транзистора пары 2ПЮЗАР 2П103БР 2ГН03ВР, 2П103ГР ограничи-
вается значениями начального тока стока и максимально допустимого напряж ня
сток — исток.
При панке выводов жало паяльника должно быть заземлено. Расстояние
от корпуса до места нанки должно быть 3.. 5 мм
При работе с транзисторами необходимо применение мер защиты от ста-
тического электричества
2Л103А
KflW3(F,El)
Изд
)Г-^2ЛЮЗ(Б.В1 KntD3(Nt11)
2ПЮЗГ
КП103(Л.Л1)
2Л1О31Б.В)
КП1М(И(1-К1)
1 i „А
Лш,
£
5
3
г
t
0 I 2 3 iV3u, В
Зависимости коэффици-
ента шу ма от напряже-
ния затвор — исток
дБ
Зависимость коэффици-
ента шума от час гош
Зависимости коэффици
ента шума от соирогив
ления генератора
303
2ПС104А, 2ПС104Б, 2ПС104В, 2ПС104Г, 2ПС104Д,
2ПС104Е, КПС104А, КПС104Б, МПС 104В, КПС104Г,
КПС104Д, КПС104Е
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные иоино-легироваиные по-
левые с затвором иа основе р-п перехода н капа юм « типа сдвоенные. Пред-
назначены для применения во входных каскадах дифференциальных (иалошу
мящпх усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным со-
противлением Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается па корпусе.
Масса транзистора ие более 2 г.
Электрические параметры
Крутизна характеристики каждого транзистора пары прн
Ucn Ю В, и3и=0, не менее
7=+ 25 °C:
2ПС104А, 2ПС104Б, КПС104А, КПС104Б . . . 0,35 мА/В
типовое значение...........................0,8* мА/В
2ПС104В, 2ПС104Е, КПС104В, КПС104Е . . . 0.65 мА/В
типовое значение...........................I* мА/В
2ПС104Г, 2ПС104Д, КПС104Г, КПС104Д ... 1 мА/В
типовое значение .... .... 1,7* мА/В
7^-60 °C:
2ПС101А, 2ПС104Б . .... 0.35 мА В
2ПСЮ4В, 2ПС104Е.........................0,65 мА В
2ПС104Г, 2ПС104Д.........................I мА/В
7=-15сС:
КПС104А, КПС104Б......................... 0 35 мА/В
КПС104В КПС104Е......................... 0 65 мА'В
КПС104Г. КПС104Д ... ... 1 мА/В
7=+ 125 °C:
2ПС104А, 2ПС104Б .... ... 0,25 мА/В
2ПСЮ4В, 2ПС104Е....................... . 0.3 мА/В
2ПС104Г 2ПС104Д.........................0,5 мА/В
7= + 85 “С:
КПС104А, КПС104Б.........................0,25 мА/В
КПС104В, КПС104Е .................0,3 мА/В
КПС104Г, КПС104Д.........................0.5 мА/В
111» мовое напряжение каждого транзистора пары в полосе
частот Af=O,l.. 10 Гц при (7Си=10 В /?н = 30 кОм 1С —
•=0.18 мА для двух транзисторов. 2ПС104А, 2ПС104В,
804
Продолжение
КПС104А, КПС104Б, /с=0,5 мА для двух транзисторов
2ПС104В, КПС104В, /с—1,5 мА для двух транзисторов
2ПС104Г, 2ПС104Д, КПС104Г, КПС104Д, не более
2ПС104А, КПС104А..................................0,4 мкВ
типовое значение..................................0.35* мкВ
2ЙС104Б, 2ПСЮ4Г, КПС104Б, КПС104Г .... 1 мкВ
типовое значение . . .................0 8* мкВ
2ПС104В, 2Г1С104Д, КПС104В КПС104Д .... 5 мкВ
типовое значение .... .............. 1,5* мкВ
Разность напряжений затвор — исток прн В, 1с=
= 0,18 мА для двух транзисторов 2ПС104А, 2ПС104Б,
КПС104А, КПС104Б, /р=0,5 мА для двух транзисторов
2ПС104В, 2IIC104E, КПС104В. КПС104Е. /с=1,5 мА для
двух транзисторов 2ПС104Г, 2ПС104Д, КПС104Г,
КПС104Д. не более-
Т=+25 °C:
2ПСЮ4А, 2ПС104Б, КПС104Л, КПС104Б . . . 30 мВ
типовое значение...............................Ю* мВ
2ПС104В, 2ПС104Г. КПС104В, КПС104Г ... 50 мВ
типовое значение...............................ю* мВ
2ПС104Е. КПС104Е.................................20 мВ
типовое значение . . . . .................10* мВ
Г = + 85 °C:
КПС104А. КПС104Б, КПС104Е........................60 мВ
КПС104В, КПС104Г, КПС.104Д.......................70 мВ
Т=+ 125 °C:
2ПС104А, 2ПСЮ4Б, 2ПС104Е.........................60 мВ
2ПС104В, 2ПС104Г 2ПС104Д .... . 70 мВ
Температурный уход разности напряжений затвор — исток
при (7си=10 В. /с=0.18 мА для двух транзисторов
2ПСЮ4А, 2ПС104Б, КПС104А, КПС104Б /с=0,5 мА для
двух транзисторов 2ПС104В, 2ПС104Е. КПС104В
КПС104Е, /с=1,5 мА для двух транзисторов 2ПС104Г
2НС104Д КПС104Г, КПС104Д, ие более
2ПС104А КПС104А...................................50 мкВ/°С
типовое значение ..... .... 20* мк13"С
2ПС104Б 2ПС104В, 2ПС104Д, КПС104Б, КПС104В,
КПС104Д ..........................................150 мкВ/Х
типовое значение .................................50* мкВ.'Х
2ПС104Г. КПС104Г .................................Ю0 мкВ/’С
2I1C104E, КПС104Е.................................20 мкВЛС
типовое значение ... .... 10* мкВ/’С
Напряжение отсечки (отрицательное) каждого транзисто-
ра пары при (7си=Ю В /с 10 мкА
2ПС104А. 2ПС104Б. КГ1С104А. КПС104Б .... 02 0.6’ I В
2ПС104В 2ПС104Е КПС104В КПС104Е . . 0 4 I* 2 В
2ПС104Г 2ПС104Д, КПС104Г. КПСЮ4Д . 0Л..1.5’...3 В
Начальный ток стока каждого транзистора пары при
(Л?и=10 В, Бзи=0:
2ПС104А. 2ПС104Б, КПС104А, КПС104Б .... 0,1. .0,5*...0,8 мА
2ПС104В, КПС104В............................. .... 0.35.0,8*... 1,5 мА
2ПС104Г 2Г1С104Д КПС104Г, КПС104Д . . .11 2*...3 мА
2ПС104Б КПС104Е .... ..............0,35. 1.5*. .3 мА
Ток утечки затвора каждого транзистора пары при Uch=
“0, U.tH= —10 В. не более
Т= +25 °C-
2ПС104А, 2ПС104Б 2ПС104Е, КПС104Л. КПС104Б,
КПС104Е . . . ... 0.3 нА
типовое значение.................................0.1* нА
20 Заказ № 1080
305
2ПС104В. 2ПС104Г, 2ПС104Д. KIICI04B, КПС104Г,
КПС104Д . ...
типовое значение
Г= + 85СС:
КПС104Л. КПС104Б КПСЮ4Е
КПС104В КПС104Г, КПС104Д
Т- + 125 °C:
2ПС104А. 2ПС104Б, 2ПС104Е .
2IICI04B, 2ПС104Г 2ПС104Д .
Входная емкость каждого транзистора пары прн Urn —
10 В, £7.<и = 0, не более
Проходная емкость каждого транзистора пары при Uc« —
= 10 В, Ush — O, не более
Продолжение
1 нА
0,3* нА
0.15 мкА
0,15 мкА
0.3 мкА
1 мкА
4,5 пФ
1.5 пФ
Предельные эксплуатационные данные
(каждого транзистора пары)
Напряжение сток исток ... ... 25 В
Напряжение затвор — сток........................30 В
Напряжение затвор — исток:
положительное.................................0.5 В
отрицательное ... .................30 В
Прямой ток затвора . . ..............0.5 мА
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Г=-60...+55°С для 2ПС104А 2ПС104Е . . 45 мВт
при Т=-45 ,+25°С для КПС104А—КПСЮ4Е . . 45 мВт
при Г= + 125СС для 2ПС104А—2ПС104Е । ... 10 мВт
при Т=+85СС для КПС104А—КПС104Е' ... 25 мВт
Температура окружающей среды:
2ПС.104А—2ПС104Е .....................-6О...+ 125‘С
КНС104А-КПС104Е .............................-45 ..+85°C
‘ В диапазоне температур +55..+125'С для 2ПС104А—2ПС104Е и +25...+85’С для
КПСЮ4Л—КПСЮ1Е мощность снижается линейно.
Выходные характер!!- Выходные характер!!- Выходные характери-
стики стики стики
306
fc."A
Проходные характер!!- Проходные характери-
стики стики
Проходные характери-
стики
Проходные харакк-ри
стики
Проходные характер»
стики
Проходные характер и
стики
S, мА/3
2,0
1,6
1.2
0,8
0,4
«В
8, пА/В
глеючг.п)
кмжмг.Д)
^2ПС1О^(В,Е)
\КПС104(В,Е)
ZOMMAfi)
ПС104(А,Б)
2ЛСЮ4(В,е),КЛСЮ4(8,В)
2,0
1,6
12
0,8
0,4
О 0,4 0,81,2 1,61с,пА
2лею4(г.л)
ЛПС104(Г,Д)
2ПСЮ4(А 6)___
КПС104(А 6)
Ущ-Ю...15В\
О -0,4-0,81,2-1,6
Злннсн.мостн крутизны
характеристики от на-
пряжений затвор — ис-
ток
Зависим ости крутизны
характеристики от тока
стока
Зависимости разности на
пряжений затвор — исток
от температуры
20*
307
2П201Л-1, 2П 201 Б-1, 2П201В-1, 2П201Г-1, 2П201Д-1,
КП201Е-1, КП201Ж1, КП201И-1, КП201К-1, КП201Л-1
2П201(А f-Д 1)
КП 201 (Е 1-Л 1)
0,6
Транзисторы кремниевые диффузионно-пта-
нарные полевые с затвором на основе р-п пере-
хода н канатом p-типа. Предназначены для при-
менения во входных каскадах усилителей низкой
частоты н постоянного тока с высоким входным
сопротивлением герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с гибкими выводами и защитным
покрытием без кристаллодержателя. Каждый
транзистор упаковывается в сопроводительную
тйру, позволяющую производить измерение элект-
рических параметров без извлечения из нее тран-
зисторов. Тип прибора указывается на сопроводи-
тельной таре.
Масса транзистора не более 0,005 г,
Электрические параметры
Коэффициент шума при иСи = 5 В, 0'зи = 0, f= 1000 Гц,
/?«,= ! МОм типовое значение . . . 0,6*..,3 дБ 1* дБ
Крутизна характеристики при Uch =10 В, С7зи=0:
Т=! +25 °C:
2П201Л 1 . 0,4...1,8 мА/В
2П201Б-1 0,7...2,1 мА/В
2П201В 1 0,8. .2.6 мА/В
2П2011 1 1.4...3,5 мАВ
2П201Д 1 1,8. .3.8 мА/В
7=+25 °C, не менее
КП201Е I 0,4 мА/В
КП201Ж 0,7 мА/В
КП201И 1 . . . . 0.8 мА/В
КП201К 1 . . 1.4 мА/В
КП201Л-1 . . . . 1,8 мА/В
7=+85 °C 2П201Л-1 2П201Б-1 2П201В-1 2П201Г-1,
2П201Д-1 КП201Е-1, КП201Ж 1, КП201И-1,
КП201К-1, КП201Л-1 От 1 до 0,6 зна-
челн я при 7=
= +25 °C
7=—60°С 2П201А1, 2Г1201Б-1, 2П201В-1, 2П201Г-1
и Т= —40 °C КГ1201Е-1 КП201Ж 1 КП201И-1,
КП201К 1 КП201Л-1 не более 1,6 значения при
7=4 25 СС
Напряжение отсечкн при В, /<7= 10 мкА:
2П201А-1 0,4... 1 4 В
2Г1201Б-1 . . 0,5 .2,2 В
21'1201 В-1 0,8. .3 В
2П201Г-1 . . 1,4..4 В
2П201Д-1 . . . . . . 2 6В
КП201Е-1 пе более . . . . 1,5 В
КП201Ж1 ие более 2,2 В
КП201И 1, пе более 3 В
КП201К-1, не более 4 В
308
П родолжение
КП201Л-1, пе более .............................6 В
Начальный ток стока прн Uch= 10 В, 1/зя=0:
2П201А 1, КП20ПМ...................................0.3.0,65 мА
2П201Б 1, КП201Ж-1.............................. 055 1 2 мА
2П201В 1, КП201И 1..............................1 2 I мЛ
2П201Г-1 КП201К I...............................1,7. 3 8 мА
2П201Д 1, КП201Л I ... 3 6 мА
Ток утечки затвора при иСи=0, (Лш=5 В. ие более:
2П201А-1. 2П201Б 1, 2П201В-1, 2П201Г-1, 2П201Д-1:
при Т= — 60 и +25 °C . ... .5 нА
при Г=+85°С . . . . 0 5 мкА
КП201Е 1, КП201Ж-1. КП201И I КП201К-1.
КП201Л I
при Т-----40 и +25 °C...................... 1 нА
при 7 =+85 °C .... .... 10 нА
Входная емкость при 1)Си= 10 В. 1Ли=0, не более:
2П201А-1, 2П201Б 1, 2П201В-1. 2П201Г-1. 2П201Д-1 17 нФ
КП201Е-1. КП201Ж 1, КП20Ш-1 КП201К 1.
КП201Л-1 ... 20 пФ
Проходная емкость прн ПСи = 10 В. I 1И 0. не более 8 пФ
Активная составляющая выходной проводимости при
Uc«—lO В, (Аи=0, не ботее:
2П201А-1...........................................15 мкСм
2П2( 1Б 1.......................................20 мкСм
2П201В-1........................................30 мкСм
2П20Н I.........................................50 мкСм
211201Д I.............................. . . 80 мкСм
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток — исток . ... 10 В
Напряжение затвор — сток (затвор — исток) .... 15 В
Напряжение затвор — исток (отрицательное) . . 0.5 В
Рассеиваемая мощность (в составе условной микросхемы)
2П201А-1. 2Н201Б I 2Г12О1В-1. 2П201Г-1 2П201Д-1 при
т 60... + 30°С и КП201Е 1 КП201Ж-1, КП201И-1
КП201К-1. КП201Л-1 при 7^ — 40 130°С' 60 мВт
Температура окружающей среды
2П201А-1, 2П201В1, 2П201В I. 2П201Г-1. 2П201Д-1 -6О.+85°С
КП201Е-1 КП201Ж I. КП201И-1. КП201К-1
КП201Л-1............... 40 . + 85 °C
1 При Г—Ч-ЗО.. +85 °C максимальная рассеиваемая мощность. мВт рассчитывается
по формуле Рмакс-(138- ТУЦ.76.
При монтаже транзисторов в гибридную микросхему не допускается ис-
пользование материалов, вступающих в химическое и электрохимическое взапмо
действия с защитным покрытием, а также должны быть приняты меры, исклю-
чающие соприкосновение выводов с кристаллом (минимальное расстояние от
места изгиба выводов до кристалла 1 мм радиус закругления ие менее 0.5 мм)
Тепловое сопротивление кристалл— корпус при монтаже в гибридной мик-
росхеме должно быть ие более 1 75 °C'мВт
При пайке (сварке) выводов (на расстоянии пе менее I мм) н при за-
ливке транзисторов компаундами нагрев кристалла не должен превышать
+ 85 С
При извлечении транзисторов из сопроводительной тары (после отсоедине-
ния выводов от тары) и монтаже транзисторов в микросхему должны применять-
ся приспособления, не вызывающие повреждения кристалла и его защитного
покрытия.
309
S. нА/B
3.0
2.0
l О
’01/11 КП201Л 1
П201Г-1,КП201К-1\
2П201В1,КП201И1
2П201Б~1,КП2от I
О 1.0 20Uw,B
6 Г/ 2П201Г-1,КП201К-1
5
Ч
3
2
1
8, nA/В
2П201Д-1.КП201Л-1
-бО-ЬО-ЗО 0 '20 ‘00'60 Т, °C
Зависимости хр})нзнм
характеристики от тем-
пературы
У2П2О1Б~1.ВП2О1№ 1
2П201А-1.КП201С1
Лш . дБ
О 1,0 2,0 В
Зярисиу.ости крутизны
характеристики от на-
пряжения затвор — ис-
ток
Зависимость коэффициента шу-
ма от частоты
Зависимости коэффици-
ента шума от напряже-
ния затвор — воск
Зависимости входной и
крохотной емкостей от
напряжения за I вор —
исток
2ПС202А-2, 2ПС202Б-2, 2ПС202В-2, 2ПС202Г-2,
2П202Д 1, 2П202Е-1, КПС202А-2, КПС202Б-2, КПС202В-2,
КПС202Г-2, КП202Д-1, КЛ202Е-1
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные понно-легпрованные по-
левые с затвором на основе р-п-перехода и каналом n-типа сдвоенные и оди-
нарные Предназначены дли применения в герметизированной аппаратуре во
входных каскадах усилителей и дифференциальных усилителей низкой частоты
н постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Бескорпусные с гибкими
выводами и защитным покрытием, сдвоенные на криста члодержателе, одинар-
ные без крпсталлодержателя. Сдвоенные и одинарные транзисторы упаковы-
ваются в индивидуальную тару, позволяющую производить измерение электри-
ческих параметров без извлечения их из тары. Транзисторы могут поставляться
парами, подобранными по основным электрическим параметрам. Тип прибора
указывается на индивидуальной и групповой таре.
Масса сдвоенного транзистора не более 0,5 г, одиночного 0,2 г.
310
гпсгог(А г-г г) глгог (д /, е f)
к пего г (а г-г г) кого г (д-i, е t)
Электрические параметры
Максимальная рабочая частота 2ПС202А-2, 2ПС202Б-2,
2ПС202В-2, 2ПС202Г-2, 2П202Д 1, 2П202Е-1 . . . .
Электродвижущая сила шума каждого транзистора пары
при С'<и=Ю В, (Аи=0, f=l кГц для 2ПС202Л-2,
2ПС202Б 2, 2ПС202В 2. не более ....
Крутизна характеристики каждого транзистора пары при
1/сл=10 В, 1/зи = 0, не менее:
7 = +25 °C.
КПС202А 2, КПС202Б-2 ................
21IC202A-2, 2ПС202Б-2, 2П202Д-1, КПС202В-2.
КП 202Д 1 .............................
21IC202B 2, 2ПС202Г2. 2П202Е-1, КПС202Г-2
KH202F-1................. .....................
Т= — 60°C (в составе условной микросхемы):
2ПС202А 2, 2ПС202Б 2. 2П202Д-1 . . .
2ПС202В 2 2ПС202Г 2. 2П202Е-1 . . .
7=+ 125 °C (в составе условной микросхемы):
2ПС202А-2, 2ПС202Б-2, 2П202Д-1.................
2ПС202В-2. 2ПС202Г 2, 2П202Е-1 . . .
Разность напряжении затвор — исток при 1/си = 10 В,
не более:
7=+25 °C
2ПС202А-2, 2ПС202Б 2 при 2/с=0,5 мА и 2ПС202В-2,
2ПС202Г 2, КПС202В 2. КПС202Г-2 при 2/с= 15 мА
КПС202Л-2 КПС202Б 2 при 2/с=0,5 мА . . .
7=+125 °C (в состапе условной микросхемы)
2ПС202А-2, 2ПС202Б2 прн 2/с=0,5 мА и 21IC202B-2,
2ПС202Г-2 при 2/с=1,5 мА . ....
Температурный уход разности напряжений затвор — веток
при 1/Си=Ю В.
2ПС202А 2 прн 2/с=0.5 мА. не более...............
типовое значение ... ............................
2ПС202В 2 при 2/с=1,5 мА, ие более . . . .
типовое значение ..........................
2ПС202Б 2 прн 2/с=0,5 мА и 2ПС202Г-2 при 2/с=
= 1,5м А, не более .... ................
типовое значение ... ...................
Напряжение отсечки при U(h~ 10 В, /с=10 мкА
2ПС202А 2 .....................
30* МГц
20 iiB,')rli
0,5 мА/В
0,65 мЛ/В
1 мА,. В
0 65 мА. В
1 мА/В
0,3 мА/В
0,5 мА/В
30 мВ
10 мВ
60 мВ
50 мкВ/°С
15* мкВ/"С
100 мкВ/°C
50* мкВ'°С
150 мкВСС
80* мкВ^С
0,4...0,6*... I В
311
Продолжение
2ПС202Б-2, 2П202Д-1, КПС202А-2. КПС202Б-2,
К IC202B-2, КП202Д-1 ..................0.4... 1.1 *...2 В
2 1С202В-2, 21К.2 2Г-2, 2П202Е-1, КПС202Г-2,
КГ1202Е-1 . ..................1.. 1,8*. .3 В
Начальный ток стока каждого транзистора пары при
Ucn—\Q В, U3II=0:
2ПС202Л-2 ....................................... 0,35...0,65*...0,8 мА
2ПС202Б-2, 2П202Д-1, КПС202Л-2, КПС202Б-2,
КПС202В-2, КП202Д-] . ..................... 0,35...0,95*...1,5 мА
2ПС202В-2, 2ПС202Г-2, 2П202Е-1. КПС202Г-2,
КП202Е-1.................... .......................1,1...1,9*...3 мА
Ток утечкн затвора прн UCn=d, V3u= —10 В, не более:
Т= + 25 СС:
2ПС202А-2, 2ПС202Б-2, 2ПС202В-2. 2ПС202Г-2,
2П202Д-1. 2П202Е-1................................0,3 нА
КПС202А-2, КНС202Б-2..............................0,6 нА
КНС202В-2, КПС202Г-2, КП202Д-1. КП202Е-1 . . 1 нА
Т— 125°С'
2IIC202A-2, 2ПС202Б-2, 2ПС202В-2, 2ПС202Г-2,
2П202Д-1, 2П202Е-1 ........................... 300 нА
Входная емкость при (7си=10 В, Ujh — О, не более . . 6 пФ
типовое значение....................................3* пФ
Проходная емкость прн (7Си=Ю В, (7зи=0, не бо. ее . 2 нФ
типовое значение....................................1* пФ
Предельные эксплуатационные данные
(каждого транзис ора пары)
Напряжение сток — исток.................................15 В
Напряжение затвор — сток ..................20 В
Напряжение затвор — исток (положительное) . . . . 0,5 В
Постоянная рассеиваемая мощность:
прн 7"=-60.+55°C для 2ПС202А-2, 2ПС202Б-2,
2ПС202В-2, 2ПС202Г-2 ... ..............30 мВт
2П202Д-1 2П202Е-1 . .... 60 мВт
пр 1 7"= + 125СС для 2ПС202А-2, 2ПС202Б-2,
2ПС202В-2. 2ПС202Г-2................................... 7 мВт
2П202Д-1, 2П202Е-1.....................................14 мВт
при Т= -40...+70 СС для КПС202А-2, КПС202Б-2,
КПС202В-2, КПС202Г-2...................................60 мВт
при Т =-40... + 85сС для КП202Д-1. КП202Е-1 . . 60 мВт
Температура окружающей среды:
2ПС202А-2, 2ПС202Б-2, 2ПС202В 2. 2ПС202Г-2,
2П202Д-1, 2П202Е-1 ... ..............-60... +125 °C
КПС202А-2. КПС202Б-2, КПС202В-2, КПС202Г-2 . -4О...+7О°С
КП202Д-1, КП202Е-1 .... ..............-4О...+85°С
Прн монтаже транзисторов в гибридную микросхему не допускается исполь-
зование материалов, вступающих в химическое и электрохимическое взаимодей-
ствия с защитным покрытием, а также должны быть приняты меры, исключаю-
щие возможность соприкосновения выводов с криста том (минимальное рас-
стояние от места изгиба выводов до кристалла 1 мм, радиус закругления не
менее 0,5 мм).
Гепловое сопротивление кристалл — корпус при монтаже в гибридную мик-
росхему сдвоенного транзистора должно быть не более 3 °С/.мВт, одиночно-
го— не более 1,5еС/мВт.
Прн пайке (сварке) выводов (па расстоянии ие менее 1 мм) и при заливке
транзисторов компаундами нагрев кристалла не должен превышать +125 °C.
При монтаже транзисторов в микросхему должны применяться приспособ-
ления, не вызывающие повреждения кристалла и его защитного покрытия.
312
8, мА/В
л nA/В
О -0,4-0,8-1,2-18 U3V,В
Зависимости крутизны
характеристики ог на-
пряжения затвор — ис-
ток
3,0
2,0
2ПС202(В2Г2),2П202Е1,
КПС202(В 2,Г~2), КП202Е1
2ПС2026-2
2П202Д 1
КЛС202Б 2
^(1202Д-1
2ОС2О2А-2
XIW20ZA-2
U^fOB, Uw-0
8Ш , иВ/у/Гц
О -0J 0,2 -0J.-0,4 Z/3U1 В
Зависимость ЭД С шума
от напряжения за-
твор — исток
-ВО-40 0 '40'80 Tt°€
Зависимости крутизны
характеристики от тем-
пературы
Зависимость разности
напряжения затвор — ис-
ток от температуры
КПС203А-1, КПС203Б-1, КПС203В-1, КПС203Г-1
Транзисторы кремниевые планарно-
диффузионные полевые с затвором на ос
нове р-п перехода и каналом л-типа сдво-
енные. Предназначены для применения во
входных каскадах высокоточных, малошу-
мящих, дифференциальных усилителен, ма-
лошумящих балансных схем различного
назначения с высоким входным сопротивле-
нием герметизированной аппаратуры. Бес-
кпрпусные интегральные с гибкими выво-
дами и защитным покрытием без кристал-
лодержателя. Тип прибора указывается па
групповой таре.
Масса транзистора не более 6 мг.
КПС203(А 1-Г1)
Электрические параметры
Крутизна характеристики каждого транзистора пары при
Uси 10 В, С/зи=0, не менее
Т=-60 и +25°C
КПС203А-1, КПС203Б 1.............................0,5 мА/В
КПС203В-1 . ..... 0,65 мА/В
КПС203Г-1 . . ,1 мА/В
313
Предо гжение
Т 85 °C:
КПС203А-1, КПС203Б 1.........................0,3 мА-В
КПС203В-1 ................0.4 мА/В
KUC203F-1.................................. 0,6 м.А/В
Шумовое напряжение каждого транзистора пары в полосе
частот ДГ—O.I...IO Гц прн Urn 10 В. /?к = 30 кОм. 1с—
= 0,5 мА (для двух транзисторов пары), пс более:
КГ1С203А-1 . . ....................2,5 мкВ
КГ1С203Б-1 . . .12 мкВ
Разность напряжений затвор — исток при (УСи=10 В. /с =
0,5 мА для двух транзисторов нары КНС203А-1,
КПС203Б-1 КПС203В-1 и Zc=l.5 мА для двух транзисто-
ров пары КП203Г 1, не более:
КНС203А 1, КПС203Б-1......................... 10 мВ
КПС203В-1, КПС203Г-1 . . 30 мВ
Температурный уход разности напряжений затвор — исток
при С'сл = Ю В Zc=0,5 мА для двух транзисторов
КПС203А-1. КПС203Б-1. КПС203В-1 и Zc=1.5 мА для
двух транзисторов КПС203Г-1. не более:
КПС203А I. КПС203Б-1................ . . 40 мкВ/’С
КПС203В 1. КПС203Г-1 .... 150 мкВ/°С
Напряжение отсечки (отрицательное) каждого транзисто-
ра пары при (/си = 10 В. /с=10 мкА
КПС203А-1. КПС203Б-1.............. 0,2 2 В
КПС203В 1 ............. 04 9 В
КПС203Г-1........................ 1.3 В
На 1альпый ток стока каждого транзистора пары при
Пси =10 В, (/.зи=0:
КПС203А-1. КПС203Б-1 ................... 0 25 15 мА
КПС203В 1.................................... 0,35.. 1.5 мА
КПС203Г-1........................................1,1 .3 мА
Ток утечки затвора каждого транзистора пары при
(/си=0, (/.<;/ = —10 В не более:
Г = 4- 25 °C
КПС203А-1 КПС203Б 1........................0.6 нА
КПС203В I. КПС203Г-1..........................1 нА
7=+85 °C:
КПС203А 1, КПС203Б 1........................0 1 мкА
КПС203В 1. КПС203Г 1.........................0,5 мкА
Активная составляющая выходной проводимости каждого
транзистора пары при (/Си = Ю В, (73и=0, f^30 МГц,
пе более ........................................ 40* мкСм
типовое значение.................................15* мкСм
Входная емкость каждого транзистора пары при UCu =
10 В (/зи=0, пе более .... 6 пФ
Проходная емкость каждого транзистора пары при Уси
10 В Ujii—О, не более......................... 2 пФ
Предельные эксплуатационные данные
(каждого транзис ора пары)
Напряжение сток — исток .............15 В
Напряжение затвор — сток ....................20 В
Напряжение затвор — исток (положительное) . , . . 0,5 В
Постоянная рассеиваемая мощность1
при 7=-45. +55 °C . .............30 мВт
при 7 =+ 85 °C .......................20 мВт
Температура окружающей среды.........................—45...+ 85 °C
1 В диапазоне температур +55...+85 “С вдогциость, мВт, рассчитывается по формуле
'ЛОКе-(1«5-П/3.
314
Папку и монтаж транзисторов в микросхему и их заливку компаундом
рекомендуется производить с учетом следующих требований:
приспособления, применяемые при монтаже, пе должны вызывать повреж-
дения защитного покрытия;
расстояние от края транзистора до места изгиба выводов не менее I мм,
радиус изгиба не менее 0,5 мм, расстояние до места папки вывоза не менее
1,5 мм,
ие допускать (при пайке и заливке) нагрев транзисторов свыше +125 °C.
При входном контроле измерение электрических параметров должно про-
изводиться без извлечения транзисторов из индивидуальной тары. Изъятие из
тары транзисторы рекламации не подлежат
Проходные характери
стики
Зависимости кр>1игны
характеристики от на-
пряжения затвор нс-
Эм ьисi. мм. ги [Wн ;с ги
напряжений затвор -
исток от температуры
2П301А, 2П301Б, 2П3018, 2ПЗИА1, 2П301Б1, 2ГК01В1,
КП301Б, КПЗСМВ КП301Г
Транзисторы кремниевые планарные полевые с изолированным затворам и
индуцированным каналом p-типа. Предназначены для применения во входных
каскадах малошумящих усилителей, нелинейных малосигнальных цепях, каска-
дах с высоким входным сопротивлением. Выпускаются в .металлостеклянном
корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,7 г.
315
гП301(А-в), 2П301(А1в1), КП30)(БГ)
Э ектрические параметры
Максимальная рабочая частота КП301Б, КП301В, КП301Г
Коэффициент шума при ПСи = 15 В, 7С=5 мА. /=» 100 МГц:
2П301А.......................................
КП301Б. КП301В, КП301Г ......................
Крутизна характеристики при {7СИ=15 В, /с=5 мА, f=
= 50 .1500 Гц:
7'=+25'С:
2П301А. 2П301Б 211301В..............
КП301Б . ...................
КП301В........................
КП301Г
при Г=-60,,С 2П301А. 2П301Б, 2П301В, не менее .
Т’--45°С:
КП301Б, не менее.................... . ,
КП301В. не менее.............................
КП301Г. не менее....................
7"=+70 °C:
КП301Б, не менее.............................
КП301В. не менее . ...................
КП 301 Г, не менее ,
7'-+85сС 2П301А 2П301Б 2П 01В, не менее .
Пороговое напряжение при Ucn= 15 В, /с=0,3 мА
2II30IB, не менее .... ................
Начальный ток стока при Г'Си=15 В:
7"—+25°С 2П301Л. 2П301Б, 2П301В....................
Т=-60°С 2П301А 2П301Б. 2П30!В. ие более . .
Г=-45 и +25 °C КП301Б, КП301В. КП301Г не более
7’=+70сС КП301Б. КП301В. КП301Г, не более .
Т= + 85 °C 2П301А, 2П301Б, 2П301В, ие более . .
Ток ст >ка прн Пс„=15 В. LJB=10 В. для 2П301А,
2П301Б. 2П301В ...
Ток утечки затвора прн 1Л,и=30 В, не более ....
Ток порога прп (7зи 6.5 В. 1/си=6б В не менее:
2П301А. 2П301Б ....
КП301Б КП301В, КП301Г . . . .
Активная составляющая выходной проводимости при
Нея-15 В /с 5 мА, { 50.1500 Гц:
2Г1301Л, 211301Б. 2П301В........................
КП301Б не б+jee . .........................
КП301В, не более...................
100 МГц
2*...3*...5 дБ
2.2*...9.5 дБ
1...2*.. 2,6* мА/В
1...2.6* мА/В
2...3*мЛ/В
0,5... 1.6* мА/В
1 мА'В
1 мА/В
2 мА/В
0.5 мА/В
0,6 мА/В
1,2 мА/В
0,3 мА,'В
0,6 мА'В
2,7*...4.2*...5,4* В
2,7 В
10-4*. .2 -10-’*...
..0,5 мкА
0.5 мкА
0,5 мкА
5 мкА
2 мкА
1* .14’ мА
0.3 нА
500 мкА
10 мкА
4l'...G9’...l30 мкСм
150 мкСм
250 мкСм
316
КП301Г, не более................................
Входная емкость при 1/сл=15 В, /с=5 мА:
2П301А, 2П301Б, 2П301В.............................
КП301Б, КП301В, КП301Г, не более................
Выходная емкость при 7/си = 15 В, /с=5 мА
2П301Л, 2П301Б, 2П301В.............................
КП301Б, КП301В, КП301Г, не более . . . .
Проходная емкость при {7Си=15 В, /с=5 мА:
2П301А.................................. . . . .
2П301Б..........................................
2П301В КП301Б, КП301В, КП301Г, не более . .
Продолжение
100 мкСм
1,5* 2,5*...3,5 пФ
3,5 пФ
1*. 2.5* .3,5 пФ
3,5 пФ
0,20* ..0,25*,..
..0,7 пФ
0,25* ..0,30* 1 пФ
1 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение затвор — исток .... .... 30 В
Напряжение сток - исток . . . . . 20 В
Ток стока..........................................15 мА
Постоянная рассеиваемая мощность'.
при 7^+25 °C . . ...................... 200 мВт
Температура окружающей сре, ч
2П301А, 2П301Б, 2П301В..........................-60..+85 °C
КП301Б, КП301В, КП301Г..........................-45 +70°С
При 75;+25 °C
-200-1,5(7" 25).
рассеиваемая мощность, мВт, рассчитывается
по формуле Рмакс-
Мииимальнос
пайки не более 3
расстояние места пайки выводов от корпуса 3 мм, время
с, температура пайки не должна превышать +260 °C.
Зона возможных поло-
жсний зависимости кру-
тизны характеристики
от напряжения сток —
исток
Эгги,
Зона возможных поло-
жений зависимости ак-
тивной составляющей
выходной проводимости
от напряжения сток —
исток
Зона возможных поло-
жений зависимости ак-
тивной составляющей
выходной проводимости
от тока стока
317
Зона возможных поло-
жений зависимости ко-
эффициента шума от
сопротивления генера-
тора
Зависимости коэффици-
ента шума от частоты
Зона возможных поло-
жений зависимости на-
чального точа стока от
температуры
Зона возможных поло-
жений зависимости кру-
тизны характеристики
от температуры
О 50 100 Г, ° С
Зона возможных поло-
жений зависимости по-
рогового напряжения
от температуры
2П302А, 2П302Б, 2П302В, КП302А, КП302Б, КП302В,
КП302Г, КП302АМ, КП302БМ, КП302ВМ, КП302ГМ
Транзисторы кремниевые планарные полевые е затвором иа основе р-п пе-
рехода и каналом п типа Предназначены для применения в широкополосных
усилителях в диапазоне частот до 150 МГц а также в переключающих и ком-
мутирующих устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими
Вариант Z
318
выводами: 2П302А, 2П302Б, 2П302В, КП302А. КП302Б, КП302В, КП302Г-
вариант 1, КП302АМ, КП302БМ, КП302ВМ, КП302ГМ — вариант 2. Тип при-
бора указывается иа корпусе
Масса транзистора не более 1,5 г.
Вариант 2
Электрические параметры
Крутизна характеристики при Д/си = 7 В, С'зи—О, ие менее-
7=-60 н +25°C.
2П302А, КП302Л, КП302АМ.......................
2П302Б, КП302Б, КП302Г, КП302БМ, КП302ГМ .
7=+ 100 °C:
КП302А, КП302ЛМ ..............................
КП302Б, КП302Г, КП302БМ, КП302ГМ .
7=+ 125 °C:
2П302А.........................................
2П302Б . ...............
Коэффициент шума при С/си=8 В, 1/3ц—0 /?.=! МОм,
f=l кГц для 2П302А.......................
Время включения прн UCn=10 В. 1Лш=0, ие более
Время выключения при <7си=Ю В, 1/зи=0, не более
Сопротивление сток — исток в открытом состоянии при
Uch=0,2 В С!зп=0, не более:
2П302Б. КГ1302Б, КН302Г, КП302БМ КП302ГМ
КП302В, КП302ВМ ...
прн 7=-60 и +25 °C для 2П302В...................
при 7=+ 125°C для 2П302В........................
Начальный ток стока прн 1Лш=0:
Ucn = 7 В:
2П302А КП302А, КП302АМ . . . . . .
2П302Б. КП302Б КП302БМ........................
КП.302Г. КП302ГМ . . .
Д/си-Ю В 2П302В, КП302В, КП302ВМ, не менее .
Ток утечки затвора прн Г/3и=10 В, не более
7=-60 и +25°C..................... . . .
7=+ 100 °C КП302А, КП302Б, КП30213. КП302Г,
КП302АМ, КП302БМ, КП302ВМ, КП302ГМ . .
7=+ 125 °C 2П302Л, 2П302Б, 2П302В
Обратный ток р-п перехода затвор—сток при 1/яс = 20 В
не более ..........................................
Напряжение отсечки при UCu=7 В, 1с 10 мкА, не более
2П302А, КП302А, КП302АМ ...
2П302Б. КП302Б. КП302Г, КП302БМ, КП302ГМ
2П302В. КП302В, КП302ВМ......................
Входная емкость при Ucn=l0 В, /=10 МГц, /с = 3 мА для
2П302А КП302А. КП302АМ, /с=8 мА для 2П302Б,
КП302Б КП302БМ, /с=18 мА для КП302Г, КП302ГМ
/с=33 мА для 2П302В КП302В, КП302ВМ, не более
5 мА 'В
7 мА/В
2.5 мА/В
3 мА ‘В
2 5 мА/В
3 мЛ/В
0,2*. .0,6* ,.2,75* дБ
4* пс
5* нс
150 Ом
100 Ом
100 Ом
200 Ом
3 2-1 мА
18 13 мА
15.. 65 мА
33 мА
10 нА
5 мк/\
50 мкА
1 мкА
5 В
’ В
10 В
20 пФ
319
Продолжение
8 пФ
Проходная емкость при (7си=Ю В, f—10 МГц, /с=3 мА
для 2П302А, КП302А, КП302АМ; /с=8 мА для 2П302Б.
КП302Б. КП302БМ. /с-18 мА для КП302Г, КП302ГМ,
/с=33 мА для 2П302В, КП302ВМ, не более
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение затвор — исток:
?ПЗ 2А, 2П302Б, КП302А. КП302Б, КП302Г,
КП302АМ, КП302БМ. КЙ302ГМ.......................10 В
2П302В, КП302В, КП302ВМ.........................12 В
Напряжение затвор — сток ........................ 20 В
Напряжение сток — исток . ............... 20 В
Постоянный ток стока
2П302А. КП302А. КП302АМ.............................24 мА
2П302Б. КП302Б, КП302БМ.........................43 мА
Прямой ток затвора . . ...................... 6 мА
Постоянная рассеиваемая мощность* при 7"^+25 °C , 300 мВт
Температура окружающей среды:
2П302А, 2П302Б 2П302В . ................-60 ..+ 125 °C
КПЗ 2Л. КП302Б. КПЗЭ2В, КП302Г, КП302АМ,
КП302БМ, КП302ВМ, КП302ГМ .... -60...+100°C
1 Прн ?>+25vC постоянная рассеиваемая
ле Лмахс=300-2<г-25)
мощность, мВт. рассчитывается по форму-
ле нам 6% )//с, иач№зи “0)
Зона возможных поло-
жений зависимости на-
чального тока стока от
напряжения затвор —
исток
Зона возможных поло-
жений зависимости вход-
ной проводимости от
напряжения сток — ис-
ток
Зона возможных поло-
жений зависимости кру-
тизны характеристики
от температуры
Зона возможных поло-
жений зависимости кру-
тизны характеристики
от температуры
320
Зона возможных поло-
жений зависимости вход-
ной проводимости от
температуры
Зона возможных поло-
жений зависимости на-
чального тока стока от
температуры
Г) *80420*160 т°с
Зона возможных поло-
жений зависимости то-
ка утечки затвора от
температуры
2П303А, 2ПЗОЗБ, 2П303В, 2П303Г, 2П303Д, 2ПЗОЗЕ,
2П303И, КПЗОЗА, КПЗОЗБ, КПЗОЗВ, КПЗОЗГ, КПЗОЗД,
КПЗОЗЕ, кпзозж, кпзози
Транзисторы кремниевые эпитаксиа 1ьно-плаиарные полевые с затвором на
основе р-п перехода и каналом л-тнпа. Предназначены для применения во
входных каскадах усилителей высокой (2П303Д, 2П303Е, 2П303И, КПЗОЗД,
КПЗОЗЕ) н низкой (2П303А, 2П303Б, 2П303В, КПЗОЗА, КПЗОЗБ, КПЗОЗВ,
КПЗОЗЖ, КПЗОЗИ) частот с высоким входным сопротивлением. Транзисторы
2П303Г, КПЗОЗГ в основном предназначены для применения в зарядочувстви-
тельных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии Выпускаются
в металлостеклянином корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается
на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Электрические параметры
Коэффициент шума на частоте 100 МГц при Ucn= 10 В,
t/„„=0. R.= l кОм для 2П303Д, 2П303Е, 2П303И, КПЗОЗД,
КПЗОЗЕ, не более............... . ... 4 дБ
Электродвижущая сила шума при 1/ся=Ю В, Узи=0,
не более: __
на частоте 1=20 Гц 2П303А. КПЗОЗА ... 30 и В/]'Гц
иа частоте f=l кГц 211303Б, 2П303В, КПЗОЗБ, КПЗОЗВ 20 иВ/уГц
КПЗОЗЖ, КПЗОЗИ.......................................100 нВДТц
2 Заказ Ni ЮНО
321
Продолжение
Среднеквадратичный шумовой заряд при (Ли—10 В
Нзи=0, Сг = 10 пФ 1ф=[ мкс для 2П303Г, КПЗОЗГ ие
более.............................................0,6 10_ 16 Кл
Крутизна характеристики при 4/си = Ю В С'зи=0, f=
=50 ..1500 Гц:
7"=+25 °C
2П303А, 2П303Б, КПЗОЗА, КПЗОЗБ, КПЗОЗЖ . . 1-4 мА В
2П303В, КПЗОЗВ ... ... 2...5 мА/В
2П303Г КПЗОЗГ 3...7 мА/В
2П303Д. КПЗОЗД, не менее...................2,6 мА/В
2П303Е, КПЗОЗЕ. не менее...................4 мА/В
2П303И, КПЗОЗИ ......................2. .6 мЛ/В
Г——60 °C, не менее.
2П303А 2П303Б..................................1 мА/В
2П303В, 2П303И...............................2 мА/В
2П303Г .................................3 мА, В
2П303Д .............................2,6 мА/В
2П303Е.......................................4 мА/В
7»- 40 °C, не менее:
КПЗОЗА, КПЗОЗБ, КПЗОЗЖ.........................1 мА/В
КПЗОЗВ, КПЗОЗИ ......................2 мА В
КПЗОЗГ . . . . . .......................3 мА/В
КПЗОЗД.......................................2,6 мА/В
КПЗОЗЕ......................................... 4 мА/В
Т— +125 °C, не менее:
2П303А, 2П303Б..............................0.5 мА/В
2П303В, 2П303И................................ .1 мА/В
2П303Г .............................1,5 мА/В
2П303Д.......................................1,3 мА/В
2П303Е . ............. - . 2 мА/В
7=+85 "С, не менее:
КПЗОЗА КПЗОЗБ КПЗОЗЖ . .... 0,5 мА/В
КПЗОЗВ КПЗОЗИ . . 1 мА В
КПЗОЗГ.......................................1,5 мА,В
КПЗОЗД........................ ... 1,3 мЛ/В
КПЗОЗЕ ....................... . . 2 мА/В
Напряжение отсечки прн Ucn— 10 В /с = 0,01 мА:
2П303А 2П303Б, КПЗОЗА, КПЗОЗБ .... 0.5...3 В
2П303В КПЗОЗВ ... ............1-4 В
2П303Г, 2П303Д, 2П303Е, КПЗОЗГ, КПЗОЗД, КПЗОЗЕ,
не более......................................8 В
КПЗОЗЖ ... -........................0.3..3 В
2П303И ... .............................1-3 В
КПЗОЗИ .... ..................052В
Начальный ток стока при (7си = Ю В (7зи = 0:
2П303А 2П303Б, КПЗОЗА, КПЗОЗБ...............0,5. 2,5 мЛ
2П303В, КПЗОЗВ . ...............1,5.5 мА
2П303Г, КПЗОЗГ ...............................3...12 мА
2П303Д, КПЗОЗД............................. 3...9 мА
2П303Е, КПЗОЗЕ................................5 ..20 мА
КПЗОЗЖ .............................0,3. .3 мА
2П303И КПЗОЗИ ... .... 1,5. 5 мА
Ток утечки затвора при 10 В, не более:
Т= +25 'С
2П303А, 2П303Б, 2П303В 2П303Д 2П303Е, 2П303И.
КПЗОЗА, КПЗОЗБ, КПЗОЗВ, КПЗОЗД, КПЗОЗЕ . . I нА
2П303Г, КПЗОЗГ.......................... . О 1 нА
КПЗОЗЖ КПЗОЗИ 5 нА
7 =+ 125 °C 2П303А, 2П303Б. 2П303В, 2П303Г,
2П303Д, 2П303Е, 2П303И . . , . . 1 мкА
322
Продолжение
Г= + 85°С КПЗОЗА, КПЗОЗБ, КПЗОЗВ, КПЗОЗГ,
КПЗОЗД, КПЗОЗЕ, КПЗОЗЖ КПЗОЗИ . 1 мкА
Ток утечки затвора при Паи=30 В не более .... 10 мкА
Входная емкость при (7си=Ю В 1/зи=0, /=10 МГц, не
более...................... 6 пФ
Проходная емкость при 1/си=10 В Usn=0 f=10 МГц,
не более.............................................2 пФ
Сопротивление изоляции канал — корпус, не менее . . 20 МОм
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток — исток............................25 В
Напряжение затвор — сток, затвор — исток .... 30 В
Постоянный ток стока...............................20 мА
Прямой ток затвора................................. 5 мА
Постоянная рассеиваемая мощность* при 7^25 °C . . 200 мВт
Температура окружающей среды:
2П303А, 2П303Б, 2П303В, 2П303Г, 2П303Д. 2П303Е,
2П303И . . ............. -60 ..+ 125 °C
КПЗОЗА. КПЗОЗБ, КПЗОЗВ, КПЗОЗГ, КПЗОЗД. КПЗОЗЕ.
КПЗОЗЖ КПЗОЗИ ................ -40.+85 °C
1 При 7 —+25...+125 °C максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность.
мВт. для 2П303А. 2П303Б. 2П303В. 2П303Г, 2П 303Д 2ПЗОЗЕ. 2П 303И рассчитывается по
формуле ^ЛОКС = 200-1,45(7-25). при T- + 25...+85 °C для КПЗОЗА, КПЗОЗБ. КПЗОЗВ.
КПЗОЗГ. КПЗОЗД. КПЗОЗЕ, КПЗОЗЖ, КПЗОЗИ —по формуле Ржпкс=200-1,66(7-25).
Минимальное расстояние места нзгнба вывода от корпуса транзистора 3 мм.
радиус изгиба не менее 1,5 мм. Допускается однократный изгиб вывода не бли-
же 3 мм от корпуса с радиусом 0,5 см
Соединение выводов транзистора с элементами аппаратуры допускается не
ближе 4 мм от корпуса Жало паяльника должно быть заземлено.
При повышенной влажности для обеспечении тока затвора не более
10~9 А рекомендуется использовать транзисторы в составе герметизированной
аппаратуры или при местной защите прибора от воздействия влаги.
Транзисторы КПЗОЗГ допускается однократно использовать при Т=
= -40.. -150°.
Suu • НЧСн
12
10
8
6
4
2
S, мА/В
мА
Ю0
6
4
г
ю
6
4
г
МЗОЗЕ,ШОЗЕ\
'2ГП03Ш),1й13!Щ-Д)
2O303(B,U)
ЮЗОЗ&и)
з -°
гГзозк.в)
П303(А.В.Ж)
О 0.6 1.2 18 2,Ъ 3,0U}U,B 0,1 г чб 10 2 *7 10 lt, мА
О 5 10 15 20 25Оы,В
Проходные характери-
стики
Зависимости крутизны
характеристики от тока
стока
Зависимости активной
составляющей выходной
проводимости от на-
пряжения сток—исток
21*
323
Зависимости активной
составляющей выход-
ной проводимости от
тока стока
Зависимость ЭДС шума
от частоты
Зона возможных поло-
жений зависимости ко-
эффициента шума от
сопротивления генера-
тора
Ч. нам» ™ ^Cd,DTK > $
о г ь 6 8uw^b
Зависимость коэффици-
ента шума от сопротив-
ления генератора
Зависимости входного
и выходного сопротив-
лений от частоты
Зависимости начально-
го тока стока, крутиз-
ны характеристики и
сопротивления сток —
исток в открытом со-
стоянии от напряжения
отсечки
2П304Л, КП304Л
Транзисторы кремниевые диффузионно-планарные полевые с изолированным
затвором и индуцированным каналом p-типа Предназначены для применения
в усилителях с высоким входным сопротивлением и переключающих устройст-
вах. Выпускаются в металлостекляином корпусе с гибкими выводами. Тип
прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
гпзоы, КПЗОЬА
Ловложка
324
Электрические параметры
Кру изна характеристики при Uch—IO В /с=10 мА
Г= + 25°С, не менее .... .... 4 мЛ В
типовое значение 5* мЛ/В
Г= + 125°С для 2П304А и 7=+85°С для КП304А
не менее . ...............................2,5 мА,В
7=-60 °C для 2П304А н Т- -45°C для КП304А,
не менее.............. 4 мА/В
Пороговое напряжение при 17си=10 В, /с=10 мкА,
ие менее...........................................5 В
Начальный ток стока при <7си=25 В, (73и=0, не более:
7=+ 25 °C для 2П304А, КП304А . . 0 2 мкА
7=+ 125 “С для 2П304А и 7=+85 °C для КП304А . 3 мкА
Ток утечки затвора при б/си=0, Г/Яи=30 В, не более 20 нА
Сопротивление сток — исток в открытом состоянии при
Изи=20 В, /с=1 мА. не более .......................100 Ом
типовое значение . . ...................70* Ом
Входная емкость при (7си=15 В, 1/3и=0, ие более . . 9 пФ
типовое зна >ение , , 7* пФ
Выходная емкость при б/си=15 В, 17зи=0, не более . , 6 пФ
типовое значение ..... 4 5* пФ
Проходная емкость при б/си=15 В, изи—0, не более . 2 пФ
типовое значение ... . . 1* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток — исток1 при выводе подложки, соеди-
ненном с выводом истока............................25 В
Напряжение затвор — сток 1 при выводе подложки, соеди-
ненном с выводом истока............................30 В
Напряжение затвор — исток 1 при выводе подложки, соеди-
ненном с выводом истока............................30 В
Напряжение исток — подложка1.......................20 В
Постоянный ток стока...............................30 мА
Импульсный ток стока при /„^10 мс 10, Z^^IO мкс 60 мА
Постоянная рассеиваемая мощность:
2П304А при-
7--60 +85 °C................................... 200 мВт
Г +125 °C........................................75 мВт
КП304А при:
Г--45...+55°C.................................. 200 мВт
7=+85 °C........................................100 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при 0,^ 10 мс, Q^10,
10 мкс:
2П304Л при рС6650 Па:
7=-65.. + 85еС............................... 400 мВт
7=+ 125 °C . ,...............................НО мВт
КП304А при:
7=-45. +55 °C.................................. 300 мВт
7=+85 С . . ...................150 мВт
Температура окружающей среды:
2П304А ....................................—6О...+ 125°С
КП304А . . . . . . -45. .+85 °C
1 Выбранные напряжения с учетом их знаков должны удовлетворять следующим
При работе с транзисторами необходимо принимать меры по их защите от
статического электричества
В нерабочем состоянии все выводы транзистора должны быть закорочены.
325
S(It)/S(tOnA)
о 5 ю «
stu^y/sf-ioB)
Зависимость крутизны
характеристики от на-
пряжения сток — исток
Зависимость сопротив-
ления сток — исток в
открытом состоянии от
тока стока
Зависимость крутизны
характеристики от тока
стока
Зависимость сопротив-
ления СТОК — исток в
открытом состоянии от
напряжения затвор —
исток
Зависимость начально-
го тока стока от на-
пряжения сток — исток
Ь,тМ)/к.,а№°с)
Зависимость начально-
го тока стока от тем-
пературы
2П305А, 2П305Б, 2П305В. 2П305Г, КПЗО5Д, КПЗО5Е,
КП305Ж, КПЗО5И
Транзисторы кремниевые диффузионно-планарные полевые с изолированным
затвором и каналом n-типа Предназначены для применения в усилителях вы-
сокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. Выпускаются в ме-
таллостекляниом корпусе с гибкими выводами Тип прибора указывается на
корпусе.
Масса транзистора не более I г.
2Л305(А-Г), КЛЗОЗ(Д-и)
326
Электрические параметры
Коэффициент шума прн 1/Си=15 В, /с=5 мА, /=250 МГц.
не более:
2П305А, 2П305В...................................
КГ1305Д, КП305Ж
Коэффициент усиления по мощности при 7/си=15 В. /с=
=5 мА. /=250 МГц для 2П305Л, 2П305В КП305Д,
КП305Ж. не менее ... ..............
Крутизна характеристики при £/Си»10 В. /с = 5 мА
2П305А. 2П305Б, 2П305В, 2П305Г-
Т- + 2! С .
7=+ 125 С........................... . . . .
6,5 дБ
7.5 дБ
13* дБ
Г =—60°C не более....................
КП305Д, КП305Ж при 7=+25 °C
Т = + 125 °C, не более
7 = —60 °C, не более
КП305Е прн 7=+25 °C . . .
7=+ 125 °C..............
7=-60 °C................
КП305И при 7=+25 °C . . .
7=+ 125 °C..............
7=-60 "С.............
Напряжение
2П305А
2П305Б,
2П305В,
2П305Г
КП305И
затвор — исток при
КП305Д '.
КП305Е, КП305Ж
UcM — К
в.
/с=5
мА:
Напряжение отсечки при {7си=10 В, /с=0,01 мА, не менее
Ток утечки затвора при иСи=0, 1/ш=-30 В, не более
2П305А. 2П305В 2П305Г, КП305Д. КП305Ж. КП305И
2П305Б .......................................
КП305Е......................................
Входная емкость при Ucn-K В /с=5 мА, не более
Проходная емкость прн С/си=10 В, /с=5 мА, не более
Выходная проводимость при Ucn-10 В. /с=5 мА. типо
вое значение . .... ....
Остаточный ток стока при Uca~ 10 В, 1/3и = —10 В
не более .... ....
6... 10 мА, В
От 1 до 0,65 зиж-
чения при 7»
= +25 °C
1,5 значения пря
7=+25’С
5.2.10.5 мА/В
6.3 мА,-В
15.75 mVB
4..8 мА, В
2,4. 4,8 мА/В
6..12 мА.В
4...10.5 мА,В
2.4...6,3 мА, В
4... 15.75 мА/В
0.2. .1.5 В
0,2...2 В
-0,5...+ 0,5 В
-1,5...-0,2 В
-2,5. -0,2 В
6 В
1 нА
10~3 нА
5 10-3 иА
5 пФ
0,8 пФ
150* мкСм
1 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток — исток . ...................
Напряжение затвор — сток:
2П305А, 2П305Б. 2П305В. 2П305Г..............
КН305Д. КП305Е, КП305Ж, КП305Н ....
Напряжение затвор — исток-
2П305Л, 2П305Б. 2Н305В. 2П305Г..............
КП305Д, КП305Е. КП305Ж, КГ1305П ....
Напряжение сток — подложка......................
Ток стока.......................................
Постоянная рассеиваемая мощг ость:
при Т— — 60... + 40 ’С для 2П305А, 2П305Б, 2П305В
2П305Г и 7=-60...+ 25 °C для КП305Д. КП305Е
КП305Ж, КП305И ...... . .
при Т — + 125 °C....................... . .
Температура окружающей среды....................
15 В
±30 в
±15 В
±30 В
±15 В
15 В
15 мА
150 мВт
50 мВт
-60 ..+ 125°C
327
Прн работе с транзисторами необходимо принимать меры по их защите от
статического электричества.
В нерабочем состоянии все выводы транзистора должны быть закорочены.
Зависимости крутизны
характеристики от на-
пряжения затвор — не-
зависимости крутизны
Характеристики от тока
стока
8,*А/В
Зависимость крутизны
характеристики от тем-
пературы
Зависимости активных
входной и выходной
проводимостей от ча-
стоты
Зависимость коэффици-
ента шума от частоты
Зависимость коэффици-
енте усиления от ча-
стоты
2П305А-2, 2П305Б-2, 2П305В-2, 2ПЗО5Г-2
Транзисторы кремниевые диффу-
зионно-планарные полевые с изолиро-
ванным затвором и каналом « типа.
Предназначены для применения в герме-
тизированной аппаратуре в усилителях
высокой и низкой частот с высоким
входным сопротивлением Бескорпусные
с гибкими выводами на крнсталлодер-
жателе и защитным покрытием. Каж-
дый транзистор упаковывается в сопро-
водительную тару, позволяющую без
извлечения нз нее производить измере-
ние электрических параметров. Тип при-
бора указывается на сопроводительной
таре
Мас а транзистора не более 0,005 г.
328
Электрические параметры
Максимальная рабочая частота ... . 250* МГц
Коэффициент усиления по мощности при (7Си=15 В, /с=
= 5 мА. f 250 МГц...................................12* 17* дБ
типовое значение ............................. . 15* дБ
Коэффициент шума при Пси—15 В, /с=5 мА, /=250 МГц 3*. .6 дБ
типовое значение ................4.8* дБ
Крутизна характеристики при (/си=Ю В, /с=5 мА:
Т=+25°С............................ . . . 6...10 мА/В
Т +85 °C........................................От I до 0,65 зна-
чения при Т —
= +25 °C
Т=-60°С, ие более...............................15 значения при
Т-+25°С
Напряжение затвор — исток прн Оси 10 В, /с“5 мА:
2П305А2......................................... ... 0,2 .1,5 В
2П305Б 2 . . . . ... 1 .3 В
2П305В2.........................................-0,5...+0 5 В
2П305Г2 . . . -15.-0,2 В
Напряжение отсечки при ПСи=10 В, /с=0,01 мА, ие менее:
2П305А-2, 2П305В-2, 2П305Г-2.......................6 В
2П305Б-2........................................2 В
Ток утечки затвора прн 17Си=0, (7зи—30 В, не более . 1 нА
Входная емкость при UCu—10 В /с=5 мА, не более . 6,8 пФ
Проходная емкость прн (7си= 10 В 7с~5 мА не более . 0,8 пФ
Полная входная проводимость при 17Си=15 В, /с“=5 мА,
/=250 МГц, не более ... ................1* мкСм
Полная выходная проводимость при Пси=15 В 1с=5 мА
/=250 МГц, не более.................................1* мкСм
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток — исток...........................15 В
Напряжение затвор — сток:
прн Т=-60. .+25СС.................................±30 В
при Г= + 85°С.................................±15 В
Напряжение затвор—исток:
при 7"= —60...+25 °C..............................±30 В
прн Т=+85 °C..................................±15 В
Напряжение сток — подложка........................15 В
Ток стока ... ... . • 15 мА
Постоянная рассеиваемая мощность с теплоотводом:
при Г=-60 +50°С...................................80 мВт
прн Г=+85°С . ........................50 мВт
Температура окружающей среды.............—60... + 85 "С
При монтаже транзисторов в гибридной микросхеме не допускается исполь-
зование материалов, вступающих в химическое и электрохимическое взаимо-
действия с защитным покрытием, изготовленным из днализофталатного лака;
должны быть приняты меры, исключающие соприкосновение выводов с кристал-
лом (минимальное расстояние от места изгиба выводов до кристалла 1 мм,
радиус закругления не менее 0,5 мм).
При извлечении транзисторов из сопроводительной тары (после отсоедине-
ния выводов от тары) и монтаже транзисторов в микросхему должны приме-
няться приспособления, ие вызывающие повреждения кристалла и его защит-
ного покрытия.
Прн пайке (сварке) выводов не ближе 1,5 мм и при заливке транзисторов
компаундами температура кристалла не должна превышать +100 °C.
329
2П306А, 2П306Б, 2П306В, КП306А, КП306Б, КП306В
Транзисторы кремниевые диффузионно-планарные полевые с двумя изоли-
рованными затворами, каналом л-тнпа н нормированным участком переходной
характеристики. Предназначены для применения в преобразовательных и уси-
лительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротив-
лением. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип
прибора указывается на корпусе
Ма са транзистора не более 0,5 г
Элек рические параметры
Предельная частота усиления ..............
Коэффициент шума при 17си=20 В, (7зги=10 В, /с=5 мА,
/=200 МГц:
2П306А, 2П306Б 2П306В............................
типовое значение ................................
КП306А, КП306Б, КП306В...........................
Коэффициент усиления по мощности при Ucm-15 В,
П22И=10 В /с=5 мА, /—200 МГц
2П306А 2П306Б, 2П306В............................
типовое значение .... ...
Участок квадратичное™ переходной характеристики по на-
пряжению первого затвора (при ослаблении комбиниро-
ванных составляющих третьего порядка не меиее 80 дБ)
при t/cff=15 В, t/зги =10 В, 1С=0.2... 10 мА, /=0,465 МГц:
2П306А 2П306Б, 2П306В............................
типовое значение ........................ . . .
Крутизна характеристики при (7Си=15 В, 1/32и = Ю В,
1с=5 мА:
7=+25 °C:
2П306А, 2П306Б, 2П306В..........................
типовое значение ...............................
КП306А, КП306Б КП306В
2П306А. 2П3065, 2П306В, КП306Л, КПЗС6Б
КП306В
7= +125 °C.......................................
800* МГц
2,5*.. 6 дБ
3,5* дБ
4.„6 дБ
10* ..20* дБ
15* дБ
1.2,5* В
1,5* В
3...8 мЛ'В
4.8* мА/В
4,..8 мА, В
Т — — 60 °C, не более ...........................
Напряжение первый затвор — исток при Ucn —15 В
t/j2w=10 В, 1с—5 мА:
2П306А, КП306А...................................
2П306Б, КНЗС6Б...................................
2П306В, КП306В...................................
От 1 до 0.65 зна-
чения при Т—
= + 25 °C
1,5 значения при
7=+25 СС
—0.5...+05 В
0...2 В
—3.5...0 В
330
Продолжение
Напряжение отсечки при С/сн=15 В, £/з2и=10 В, 1с=
= 10 мкА:
2П306А, КП306А............................................... .... 4.0,8* В
типовое значение ... ... 1.6* В
2П306Б, КП306Б . 4..0,2* В
типовое значение .... . О 8* В
2П306В, КП306В 6... 1,3* В
типовое значение .... ... 2,2* В
Ток утечки первого затвора при (/си = (/з2и = 0, (/.ли = 20 В,
ие более:
2П306А, 2П306Б 2П306В . . 1 нА
КП306А, КП306Б, КП306В ................5 нА
Остаточный ток стока при (/си = 15 В, (/з|и= —10 В
U 2и — 10 В не более . . ... ... 5 мкА
Входное сопротивление при UCn = 15 В, (/з2И=10 В, /с=
— 5 мА:
иа частоте 7=60 МГц 2П306А, 2Г1306Б, 2П306В . , 12*... 18* кОм
типовое значение . . . . 14* кОм
КГ1306А, КП306Б. КП306В не менее . . ,12* кОм
иа частоте / 100 МГц 2П306А, 2П306Б 2П306В . 5*. 10 кОм
типовое значение . . 8* кОм
КП306А, КП306Б, КП306В не менее ... 5* кОм
Входная емкость при UCu~20 В. (/зги=10 В, /с = 5 мА,
не более.......................... . . . 5 пФ
Проходная емкость при (/Си = 20 В, (/з2и=Ю В [с=5 мА
не более . .................................. 0,07 пФ
Электрические параметры по второму затвору *
Коэффициент шума при (/си = 15 В, (/з1и=10 В, /с=5 мА,
7=200 МГц, не более . .......................10 дБ
Участок квадратнчности переходной характеристики по на-
пряжению второго затвора (при ослаблении комбинацион-
ных составляющих третьего порядка ие менее 80 дБ)
прн (7си=15 В, 1/31И Ю В /с=0,2 ..Ю мА f 0,465 МГц,
не менее . . ... 1 В
Крутизна характеристики прн (Уел—15 В, U3IB 10 В, 1с
=5 мА................................................2. 4,5 мА;В
типовое значение . . . 3,7 мА,'В
Ток утечки второго затвора прн иСи~и31Я-0, (/з2и =
=20 В, не более
2П306А, 2П306Б, 2П306В...1 нА
КП306А, КП306Б, КП306В. 5 нА
Входная емкость при Ucn-15 В, 1/з1и = Ю В, /с—5 мА 1,5 4 пФ
типовое значение . 2 пФ
Проходная емкость прн (Уси=15 В, (/з|и=Ю В, /с = 5 мА 0.3...1 пФ
типовое значение . .... 0,35 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток — исток..............................20 В
Напряжение первый затвор — сток ... , 20 В
Напряжение второй затвор — сток......................20 В
Напряжение первый затвор — исток.....................20 В
Напряжение второй затвор — исток ....................20 В
Напряжение первый затвор — второй затвор .... 25 В
Постоянный ток стока ...................20 мА
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Т= —60...+35°C...................................150 мВт
при Т— +125 °C ...................50 мВт
Температура окружающей среды.........................—6О...+ 125°С
331
При работе с транзисторами необходимо принимать меры по их защите
от статического электричества.
В нерабочем состоянии все выводы транзистора должны быть закорочены.
Зависимости крутизны
характеристики по пер-
вому затвору от токе
стока
Зависимость крутизны
характеристики по вто-
рому затвору от тока
стока
Зависимость коэффици-
ента усиления от torr
стока
Зависимость коэффици-
ента усиления от на-
пряжения второй за-
твор — исток
Зависимость коэффици-
ента усиления от ча-
стоты
Зависимость коэффици-
ента шума от напряже-
ния второй затвор — ис
ток
2П307А, 2П307Б, 2П307Г, КП307А, КП307Б, КГВ07Г,
КП307Е, КП307Ж
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на
основе р-п перехода н каналом n-типа Предназначены для применения во
входных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным со-
противлением. Транзисторы КП307Ж в основном предназначены для применения
в зарядочувствительных усилителях И других устройствах ядерпой спектромет-
рии Выпускаются в металлостекляпном корпусе с гибкими выводами Тип
прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
332
2П307(А Г), КП307(А jWJ
Сток
Электрические параметры
Коэффициент шума на частоте /=400 МГц при 17си = 10 В,
/с=5 мА для 2П307А, 2П307Б 2П307Г, КП307Б, КП307Г
не более.............. . . 6 дБ
Электродвижущая сила шума:
иа частоте /=1 кГц при Беи =10 В, Узи=0 для _
2П307А, КП307А, КП307Е, не более ... 20 нВ/1'Гц
на частоте /=100 кГц при С7си=10 В, С/зя=0 для _
2П307Б, 2П307Г, КП307Б, КП307Г, не более . . 2,5 нВ/уГц
Крутизна характеристики при Uch= 10 В 74 и=0, /=
=50. 1500 Гц:
7=+ 25 °C:
2П307А, КП307А.................................4 ..9 мА/В
2П307Б КП307Б . .... 5 .10 мА В
2П307Г КП307Г . 6. .12 мА/В
КП307Е.................................. . . 3...8 мА/В
КП307Ж. не менее 4 мА/В
Г =—60°C, не менее:
2П307А . . . ...............4 мА/В
2П307Б . . 5 мА/В
2П307Г........................................6 мА/В
Т— — 40 °C, не менее:
КП307А, КП307Ж.................................4 мА/В
КП307Б........................................5 мА/В
КП307Г........................................6 мА/В
КП307Е........................................3 мА/В
7=+125 °C, не менее:
2П307А.........................................2 мЛ/В
2П307Б........................................2,5 мА/В
2П307Г . . ................3 мА/В
7= + 85 СС, ие менее:
КП307А, КП307Ж - ... 2 мА/В
КП307Б........................... 2 5 мА/В
КП307Г........................................3 мА/В
КП307Е.................. .....................1.5 мА В
Начальный ток стока при Ucn — 10 В, (7зи = 0:
2П307А. КП307Л..................................3. 9 мА
2П307Б, КП307Б..................................5 15 мА
2П307Г, КП307Г..................................8...24 мА
КП307Е..........................................1.5...5 мА
КП307Ж .... ......................3 .25 мА
Напряжение отсечки нри 17с»= 10 В 1С — 10 мкА:
2П307Л, КП307А ... 0,5.3 В
2П307Б, КП307Б . ......................I. .5 В
2П307Г, КП307Г . 1,5.6 В
2П307Е, ие более , . 2,5 В
333
Продолжение
КПЗ)7Ж. не более . . .................7 В
Ток утечки затвора, не более:
при 10 В, 7=+25°C для 2П307А, 2П307Б,
2П307Г, КП307А, КП307Б, КП307Г, КП307Е . 1 нА
КП307Ж .... 0.1 нА
7=+125 °C для 2П307А, 2П307Б, 2П307Г и 7=
= 1-85 °C для КП307А КП307Б, КП307Г, КП307Е,
КП307Ж . . . . .............1 мкА
при Ujn = — 30 В ... .................10 мкА
Активная составляющая выходной проводимости при
Б'си=10 В, 17зи=0, f=50...1500 Гц для 2П307Г, КП307Г,
ие бозее . ... ................. 200 мкСм
Входная емкость при Пси-10 В. 1)зи—0 /=10 МГц,
ие более................................. .... .5 пФ
Проходная емкость при (7си=Ю В Узи — 0, f—Ю МГц,
нс более .... ............. 1,5 пФ
Среднеквадратичный шумовой заряд прн Пси—7 В
Изи—0, Сг= 10 пФ для КП307Ж, не более .... 0,4-10_|в Кл
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток — исток
2П307А 2П307Б, 2П307Г .... 25 В
КП307А, КП307Б, КП307Г, КП307Е, КП307Ж . . 27 В
Напряжение затвор—сток, затвор — исток:
2П307А, 2П307Б. 2П307Г..............................30 В
КП307А, КП307Б КП307Г, КП307Е, КП307Ж . . 27 В
Постоянный ток стока:
2П307А, 2П307Б 2П307Г . . . . 30 мА
КП307А, КП307Б КП307Г, КП307Е, КП307Ж . . 25 мА
Прямой ток затвора ....................... 5 мА
Постоянная рассеиваемая м щность':
2П307А, 2П307Б, 2П307Г:
прн 7=—60...+25°C . . ................. 250 мВт
при 7=+ 125°C..................................50 мВт
КП307А, КП307Б. КП307Г, КП307Е, КП307Ж.
при 7=—40...+25 °C............................... 250 мВт
при 7—+ 85 °C............... ..................130 мВт
Температура структуры 2П307А, 2П307Б, 2П307Г . . +140°C
Температура окружающей среды:
2П307А, 2П307Б. 2П307Г..............................-60...+ 125 °C
КП307А, КП307Б, КП307Г, КП307Е, КП307Ж . . -40...+85 °C
“ При 7>+25оС максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность, мВт,
рассчитывается по формуле РЖоКС—250-2(7-25).
Зависимость крутизны
характеристики от тока
стока
Соединение транзисторов с элементами аппа-
ратуры допускается не ближе 4 мм от корпуса.
Допускается однократная пайка выводов менее
4 мм от корпуса. Жало паяльника при папке
должно быть заземлено. Обязательно применение
мер, предохраняющих корпус транзистора от по-
падания флюса и припоя.
При повышенной влажности для обеспечения
тока затвора не более 10-9 А рекомендуется ис-
пользовать транзисторы в составе герметизиро-
ванной аппаратуры или прн местной защите
। рнбора от воздействия влаги.
Транзисторы КП307Ж допускается однократ-
но использовать при 7=—40...—150°C.
334
Зависимости крутизны
характеристики от на-
пряжении за гвор — ис-
ток
Зависимости активной
составляющей выходной
прово^илюсти от напря-
жен ни сток — веток
Зависимость ЭД С шума
от 1ока сiока
Зависимости коэффнци
гита шума и усиления
от напряжения сток —
исток
Зависимости коэффици-
ента шума и усиления
от тока стока
Зависимости коэффици-
ентов шума и усиления
от частоты
2П308А-1, 2П308Б-1, 2П308В-1, 2П308Г-1, 2П308Д-1,
КП 308А-1, КП308Б-1, КП308В-1, КП308Г-1, КП308Д-1
Транзисторы кремниевые эпн-
таксиальио-планарныс, полевые с
затвором на основе р-п перехода
и каналом л-тила. Предназначе-
ны для применения в герметизи-
рованной аппаратуре во входных
каскадах усилителей низкой ча-
стоты и постоянного тока, в пе-
реключающих устройствах п ком-
мутаторах с высоким входным
сопротивлением. Бсскорпусные с
гибкими выводами без кристалло-
держателя и с защитным покрыти-
ем Каждый транзистор упаковы-
вается в сопроводительную тару,
позволяющую производить изме-
рение электрических параметров
2П308(А 1-а f)
НП308(А 1-а О
без их извлечения. Тип прибора указывается на сопроводительной таре.
Масса транзистора не более 0,005 г.
335
Электрические параметры
Электродвижущая сила шума при 1/сл=10 В, 1/зи=О,
f=l кГц для КП308А-1, КП308Б-1, КП308В 1 не более 20 нВ/}'Гц
Крутизна характеристики при 1/си=10 В, Ush*=0:
Г=+25°С
2П308А-1, 2П308Б-1, КП308А-1, КП308Б-1 . . . 1...4 мА/В
2П308В 1............................................ .... 2.5 мА/В
КП308В-1............................................ .... 2...6,5 мА/В
Т—1-85 °C, не менее:
КП308А-1, КП308Б-1.................................0.6 мА/В
КП308В-1 . . .12 мА/В
Г= + 125°С 2П308А-1, 2П308Б-1, 2П308В 1. не менее 0,5 мА/В
Т = — 60 "С, ие менее:
2П308А-1. 2П308Б-1, 2П308В-1, КП308А-1, КП308Б-1 1 мА/В
КП308В-1...........................................2 мА/В
Время включения при UCit=10 В, (7зи=0 для 2П308Г-1,
211308Д-1, КП308Г-1, КП308Д-1, ие более . . . . 20* нс
Время выключения при UCn= 10 В, Д3и=0 для 2П308Г-1,
2П308Д-1, КП308Г-1, КП308Д-1, не более . . . . 20* нс
Напряжение отсечки при Ucn= 10 В, <с~ 10 нА:
2П308А-1, КП308А-1...................................0,2 ..1,2 В
2П308Б-1, КП308Б-1....................................... . 0,3.1,8 В
2П308В 1 КП308В-1............................... . . . 0 4..2.4 В
2П3081 1 КП308Г-1 . . 1...6 В
2П308Д-1, КП308Д-1.................................1...3 В
Начальны! ток стока при Uch = 10 В, 1/3и=0.
2П308А 1 КП308А-1 . . . . 04..1,0 мА
2П308Б-1, КП308Б-1 ..........................0.8 ..1,6 мА
2П308В-1, КП308В-1...................................1,4.3 мА
Ток утечки затвора прн Иси=0. Изи^ —10 В. не более:
Т = + 25 °C 2П308А-1, 2П308Б 1, 2П308В 1, 2П308Г-1
2П308Д-1, КП308А-1, КП308Б-1.........................1 нА
КП308В-1 . . . . . 0,5 нА
7=+ 85 °C КП308А-1, КП308Б-1, КП308В 50 нА
7=+ 125 °C 2П308А-1 2П308Б-1 2П308В-1, 2П308Г-1
2П308Д-1 .... .... 1 мкА
Ток утечки затвора при £7си=0 Ush —30 В, не более 10 мкА
Активная составляющая выходной проводимости при
иСи—10 В C/g|r—O, не более:
2П308А-1 КП308А-1 .... ... 10 мкСм
2П308Б-1, 2П308В-1, КП308Б-1, КП308В-1 ... 20 мкСм
Сопротивление сток — исток в открытом состоянии при
С/си=0,2 В, Д3и—0
Т=+25 °C.
2П308Г-1, КП308Г-1 . . ................ 230 250 Ом
2П308Д-1 КГ1308Д-1, не б се . ... 500 Ом
7=- 60 °C:
2П308Г 1 КП308Г 1 не более........................ 250 Ом
2П308Д-1 КП308Д-1, не более....................... 500 Ом
7=+85 СС:
КП308Г-1 ................................. 400 Ом
КП308Д-1 .................................. 800 Ом
7=+ 125 °C:
2П308Г-1 .......................................... 500 Ом
2П308Д 1 ................... 1000 Ом
Входная емкость при 47Си = 1О В, U3ll = 0. не более . . 6 пФ
Выходная емкость при ДСи=Ю В t/3«=0. не более . . 2 пФ
336
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток — исток............................... 25 В
Напряжение затвор — сток...............................30 В
Напряжение затвор — исток ............................ 30 В
Постоянный ток стока . ............. .20 мА
Прямой ток затвора............... ... . 5 мА
Постоянная рассеиваемая мощность1 прн 7=60 +25°C 60 мВт
Температура структуры................................+140 °C
Температура окружающей среды
2П308А-1, 2П308Б-1, 2П308В-1, 2П308Г-1, 2П308Д-1 -60..+125 °C
КП308А-1. КП308Б-1, КП308В 1. КП308Г-1, КП308Д-1 -60 + 85°С
1 При 7'>+25с,С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность. мВт,
рассчитыкяется по формуле РЛОХС—60—0,5(7'—25).
Пайка выводов допускается не ближе 10 мм от транзистора При заливке
транзисторов компаундами температура кристалла не должна превышать пре-
дельно допустимую температуру окружающей среды.
2П310А, 2П310Б
Транзисторы кремниевые диффузионно планарные полевые с изолирован-
ным затвором и каналом п-типа. Предназначены для применения в прнемно-
передающнх устройствах сверхвысокочастотного диапазона. Выпускаются в ме-
тал.тостекляшюм корпусе с гибкими выводами На торцевую поверхность бал-
лона каждого транзистора наносится красная точка
Масса транзистора не более 0.7 г.
2Л310 (А, Б)
Подложка
исток
Электрические параметры
Коэффициент шума иа частоте f=l ГГц прн 1/си = 5 В,
/с=5 мА
2П310А...........................................5* 6 дБ
2П310Б ... . ... 5*. 7* дБ
Коэффициент усиления по мощности на частоте f— 1 ГГц
при Йси = 5 В, /с = 5 мА . . .... 5*...7* дБ
типовое значение .........................5,5* дБ
Крутизна характеристики при 1/си=5 В /с=5 мА, [=
= 50... 1500 Гц
7=+25°C..........................................3. .6* мА/В
типовое значение.................................4* мА/В
7=—60°С..........................................1,5 6* мВ/В
типовое значение.................................4,2* мА/В
7=+ 125 °C, ................................ 1,5 4 7* мА/В
типовое значение . . . . 3.5* мА/В
Начальный ток стока прн 4/си=5 В (73и=0:
7=+25 °C.............................................0,35*...5 мА
22 Заказ № 1080
337
П родолжение
типовое значение . . .....................0,1* мА
Т=— 60 °C, не более . . . 15 мА
Г= + 125СС, не более 8 мА
Остаточный ток стока при 17Си=5 В U:m = — 5 В . . 1* .100 мкА
типовое значение......................................10* мкА
Ток утечки при и.зи = —10 В...............................10“**...3 нА
типовое значение ......................... . 1* нА
Входная емкость при Пси=5 В, Йзи“0, f=10 МГц . 1,4*...2.5 пФ
типовое значение . ..................18* пФ
Проходная емкость прн Ucu~ 5 В, Йзи=0. /=10 МГц . 0.2*. 0.5 |Ф
типовое значение . . .... 0,3* пФ
Выходная емкость при (7си=5 В, 1/зи = — 1 В, f = 10 МГц 1,2*.. 2 пФ
типовое значение . . . ... . 1,4* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток — исток..............................8 В
Напряжение затвор — сток............................10 В
Напряжение затвор — исток.................... . . 10 В
Ток стока . . . ................. 20 мА
Постоянная рассеиваемая мощность при Г=—60 .+25°C1 80 мВт
Температура окружающей среды . —60...+ 125 °C
' В диапазоне температур +25. . + 125 'С мощность, мВт, рассчитывается по формуле
’мк“81)-0.55(Г-Я).
Минимальное расстояние места изгиба выводов от корпуса транзистора
3 мм, радиус изгиба не меиее 1,5 мм.
Пайка выводов транзисторов допускается ие ближе 3 мм от корпуса. Пайку
производить отключенным от сети паяльником мощностью ие более 60 Вт.
В момент пайкн все выводы должны быть закорочены.
При работе с транзисторами необходимо учитывать возможность их само-
возбуждения как высокочастотных элементов и принимать меры к его устра-
нению, а также принимать меры по их защите от статического электричества.
Проходная характери-
стика
Зависимость крутизны
характеристики от на-
пряжения затвор — ис-
ток
Зависимость крутизны
характеристики от тока
стока
338
Зависимость коэффици-
ента шума от тока
стока
Зависимость коэффици-
ента шума от напряже-
нии сток — исток
Зависимость сопротив-
ления сток — исток в
открытом состоянии от
тока стока
За висим ость входной
емкости от напряжения
сток — исток
Зависимость проход-
ной емкости от напря-
жения сток — исток
Зависимость ныходной
емкости от напряжения
сток — исток
2П312А, 2П312Б, КП312А, КП312Б
Транзисторы кремниевые эпитакси-
ально-планарные полевые с затвором па
основе р-п перехода и каналом л-тнпа
Предназначены для применения во
входных усилительных и преобразова
тельных каскадах сверхвысокочастотно-
го диапазона Выпускаются в металло-
керамическом корпусе с гибкими по-
лосковыми выводами. Маркируются
цветными точками: 2П312А — одной
желтой; 2П312Б — одной синей;
КП312А — двумя желтыми; КП312Б —
двумя синими.
Масса транзистора не более 0,2 г.
2П312 (А, 6)
КП312(А,Б)
22*
339
Электрические параметры
Коэффициент шума при Д/сл=10 В /=400 МГц
2П312Л, КП312А . , . . . ... 1* .4 дБ
2П312Б, КП312Б................................. ... 1* .6 дБ
Коэффициент усиления по мощности при 1/сн=10 В, /с=
=5 мА, /=400 МГц, не менее.............................2* дБ
Крутизна характеристики при Ucn—15 В, 17зи=0, /=
= 1...10 кГц, ие менее:
7--60 п +25 °C 2П312Л, КП312А . ... 4 мА/В
2П312Б. КП312Б...................................2 мЛ/В
Т-= + 100°С для КП312Л, КП312Б и 7’= + 125°С для
2П312А, 211312Б
2П312А, КП312А ..................................1,5 мА В
2П312Б, КП312Б .....................1 МА/В
Напряжение отсечки прн Ucn=15 В, /с=10 мкА:
2П312Л, КП312А........................................2*. .3,5*. 8 В
2ПЗ 2Б, КП312Б.....................................0,8*.. 3,5*.. 6 В
Начальный ток стока при 17си = 15 В. 1/зи = 0:
2П312Л, КП312А........................................8...11*...25* мА
2П312Б, КП312Б.....................................1,5..3*...7* мА
Ток утечки затвора при 1/зи = —10 В, Ucn=0, пе более:
Т=-60сС.............................................. . 100 нА
Т'=+25°С .... .....................10 нА
7"—+ 100сС для КП312А. К1 312Б и 7= + 125°С для
2П312Л, 2П312Б.....................................1 мкА
Активная составляющая выходной проводимости прн
Ucu=15 В, /=1 кГц:
КП312А ............................................10,5*.. 45*...
130 мкСм
КП312Б ... ...........................10*...40*..
110 мкСм
Вхоапая емкость при Ucu = 15 В ........................2*...2,4*.4 пФ
Проходная емкость при Оси = 15 В.......................0,5*. 0,64*... 1 пФ
Предельные эксплуата шонные данные
Напряжение затвор — исток..............................25 В
Напряжение затвор — сток...............................25 В
Напряжение сток — исток ...............................20 В
Постоянный ток стока . ........................25 мА
Постоянная рассеиваемая мощность1 при Т'= + 40°С . 100 мВт
Тепловое сопротивление переход — среда...............1°С/мВт
Температура структуры . .....................+140 °C
Температура окружающей среды:
2П312А, КП312Б.....................................-60...+125 *С
КП312А, КП312Б . . .....................-60..+100°С
Примечание. Для приборов с /с.на«<5 мА измерение активной состав-
ляющей выходной проводимости, входной и выходной емкостей, коэффициента
шума производят при Ози = 0, ДЛЯ приборов С /с.яач>5 мА при 1с~ 5 мА.
• При- 7^+40 °C мощность, мВт, рассчитывается по формуле
“ (140— ^~гепл^1^Т{п—с|
340
^иач • нА
ft нА/В
Зависимости крутизны
характеристики от тем-
пературы
Зависимости начально-
го тока стока от темпе-
ратур ы
и^(Т)/иЫ(Т— 25-С)
Зона возможных поло
жеиий проходной ха-
рактеристики
Зона возможных поло-
жений зависимоеiи кру-
тизны характеристики
от тока стока
Зона вмзмижиях поло-
жений зависимости на-
пряжения затвор — ис-
ток от температуры
Зависимости крутизны
характеристики от на
пряжения сток -- исток
Зависимости начального
тока стока от напряже-
ния затвор — исток
Зона возможных поло-
жений зависимости тока
утечки затвора от тем
пературы
2П313Л, 2П313Б, 2П313В, КП313Л,
КП313Б, КП313В
Транзисторы кремниевые диффузиоино-планарные полевые с изолированным
затвором и каналом л-типа. Предназначены для применения в усилителях вы-
сокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. Выпускаются в
341
пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на
Корпусе
Мас, а транзистора не более 1 г.
2Л313(АВ)
КП313(А~В)
Электрические параметры
Максимальная рабочая частота ................
Коэффициент шума при Оси -15 В, 1с-5 мА, /=250 МГц
для КПЗ 1 ЗА. КПЗ 1 ЗБ, КПЗ 13В, не более . .
Коэффициент усиления по мощности при (7Сл=15 В, 1с —
= 5 мА, f=250 МГц, для КП313А, КП313Б, КП313В, не
менее . . . . . . . .
Крутизна характеристики при Сел = 10 В 1С = 5 мА:
2П313А, 2П313Б. 2П313В;
Т- +25 °C......................................
Г= + 85<’С.....................................
300* МГц
7,5 дБ
10 дБ
Т— — 60 СС, не более .... . . .
КП313А, КП313Б КП313В при Т=+25°С . . .
Напряжение затвор — исток прн ЙСи=10 В, /с = 5 мА
2П313А..............................................
2П313Б..........................................
2П313В..........................................
КПЗ 1 ЗА........................................
КПЗ 1 ЗБ........................................
КП313В.................................
Напряжение отсечки при Г7Си=10 В, 1с — 10 мкА, не менее
Ток утечки затвора при 1Уси=0. 17зи=Ю В. пе более
Входная емкость при 17Си= 10 В, /с = 5 мА:
2П313А 2П313Б, 2П313В . . . .
типовое значение ... .............
КП313А, КП313Б, КПЗ 13В, не более...............
Проходная емкость при Пси=Ю В, fc—5 мА:
2П313А, 2П313Б, 2П313В ......
типовое значение .............
КП313А КП313Б, КП313В, не более.................
5... 10 мА/В
От 1 до 0,6 значе-
ния прн Г=
= +25=С
1.5 значения при
7=+25 °C
4.5.. 10,5 мА/В
0,4... 1 5 В
-0,6...+ 0,6 В
-1,5...-0.4 В
0,3... 1.8 В
-0,5. . + 0 5 В
—2...—0 3 В
6 В
10 нА
4 1*.. 6,8 пФ
4 8* г:Ф
7 пФ
0.3*.. 0.8 пФ
0,4* пФ
0,9 пФ
342
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток — исток . . 15 В
Напряжение затвор — сток..........................15 В
Напряжение затвор — исток . . . . 10 В
Ток стока.........................................15 мА
Постоянная рассеиваемая мощиось:
2П313А, 2П313Б, 2П313В при Т= -60. .+35 °C . . 120 мВт
Т=+85°С . . . . . . 80 мВт
КП313А КП313Б, КП313В при Г=-45. +25°C 75 нВт
Г=+85°С.........................................40 мВт
Температура окружающей среды:
2П313А. 2П313Б, 2П313В...........................-60 ..+85 °C
КП313Л, КП313Б, КП313В -45. +85°С
При работе с транзисторами необходимо принимать меры по их защите
от статического электричества.
В нерабочем состоянии все выводы транзистора должны быть закорочены.
S, нА/В
Зависимое!и крутизны
характеристики от на-
пряжения затвор — ис-
ток
S. нА/В
О 5 f0 /с, нА
Зависимости крутизны
характеристики от тока
стока
Зависимость крутизны
характеристики от тем-
пературы
100 150 200 250/ НГц
Зависимость коэффици-
ента усиления от ча-
стоты
Зависимость коэффици-
ента шума от частоты
КП314Л
Трвнизстор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на
основе р-п перехода и каналом п-тппа Предназначен для применения в
охлаждаемых каскадах предварительных усилителей устройств ядериой спектро-
343
метрни. Выпускается в металлостекляниом корпусе с гибкими выводами. Тил
прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора ие более 0,5 г.
НПЗ/^А
Электрические параметры
Максимальная рабочая частота, ие менее . . . . 100 МГц
Среднеквадратичный шумовой заряд при 1/си=5 В, 1с—
—3 мА, /0оР.ч=5 мкс, не более:
Т +25 °C.........................................1,3-10-17 Кл
Т= -ПО...- 140°C ................................0,85-Ю-17 Кл
Крутизна характеристики при 1/си=10 В, 17зи = 0, f=
—50...1500 Гц, не менее
Т -60 и + 25 °C ... .............4 мА/В
Т=+85°С..........................................2 мА/В
Начальный ток стока при 17си=10 В, 17зи=0 .... 2.5...20 мА
Ток утечки затвора при Ucu — 0, не более:
U и--30 В, Т=+25°С...............................10 мкА
1/зи = - Ю В, Т =+25 °C .........................0,1 нА
7’=+85'С .... ................2 мкА
Входная емкость при 17си=Ю В, {7зи=0, f=10 МГц,
ие более................... ... .6 пФ
Проходная емкость при С1си=10 В, 1Ли=0, f»10 МГц,
не бо ее................... .... 2 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток — исток при Т= —60...+85 °C . . 25 В
Напряжение затвор — сток, затвор — исток при Т=
= -60...+85°С . . . . ....................30 В
Постоянный ток стока при Г= — 6О..+85°С.................20 мА
Прямой ток затвора прн Т= — 60...+85 °C................. 5 мА
Постоянная рассеиваемая мощность
при 7"= —60...+25 °C.................................. 200 мВт
при Т=+85 °C.......................................100 мВт
Температура окружающей среды2 .... . . — 17О... + 85"С
1 В диапазоне температур +25. , + 85сС мощность, мВт. рассчитывается по формуле
<макС-200~Ь66(Г-25)
а Допускаются многократные (не менее 100) циклические охлаждения — нагревания
в диапазоне температур —170. +60 СС со скоростью нс более 10 °C в минуту.
КПС315А, КПС315Б
Транзистор кремниевый эпитаксиальио-планарпый полевой с затвором на
основе. р-п перехода и каналом л-типа сдвоенные. Предназначены для при-
менения во входных каскадах дифференциальных усилителей низкой частоты
344
и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Выпускаются в метал-
лостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается иа
корпусе.
Масса транзистора не бо. ее 1,5 г.
Электрические параметры
Максимальная рабочая частота .............60 МГц
Крутизна характеристики при Uch = 5 В, 17зи=0:
КПС315Л, не менее..............................2,8 мА, В
КПС315Б ... .............1...5 мА/В
Отношение значений крутизны характеристики при 17си =
= 10 В, 1/зи = 0, не менее.........................0,9
Разность напряжений затвор — исток при Ucn=5 В, /с=
=0,3 мА, не более:
Т=+25°С........................................30 мВ
Т=+100сС . . . . ................... 32,25 мВ
Г--60°......................................... 32,55 мВ
Температурный уход разности напряжений затвор — исток
при Ucn — 5 В, /с=0,3 мА, не более .... 30 мкВ/°C
Напряжение отсечки при Ucu=5 В, /с—10 мкА
КПС315А............................................1...5 В
КПС315Б........................................0,4 .2 В
Начальный ток стока при Ucn= 10 В, Usn—0 . . . . 1..20 мА
Отношение начальных токов стока при 17си=10 В, 1/зи=0,
не менее...........................................0,9
Ток утечки затвора при 17си=0, 17зи = —5 В, ие более:
7=+25 СС:
КПС315Л......................................0,25 нА
КПС315Б......................................1 нА
Т= + 100°С КПС315А, КПС315Б...................100 нА
Входная емкость при 1/си=Ю В, (7зи=0. не более . 8 пФ
Предельные эксплуатациош ые данные
Напряжение сток — исток............................25 В
Напряжение затвор—сток . . ................30 В
Напряжение затвор—исток ... .............30 В
Напряжение сток — подложка при напряжении затвор —
подложка, равном пулю ... ................30 В
Прямой ток затвора каждого транзистора............. 1 мА
Постоянная рассеиваемая мощность1 обоих транзисторов
при Т=-60...+25 °C................................. 300 мВт
Температура окружающей среды . . . —60... + 100 °C
1 В диапазоне температур +25...4-100 °C мощность, мВт, рассчитывается по формуле
^ашяс“300—2,6(7"—25).
345
Зависимости крутизны
характеристики от на-
пряжения затвор — ис-
ток
Зависимости крути шы
характеристики от на-
пряжения исток — под-
ложка
Зависимость крутизны
характеристики от на-
пряжения затвор — ис-
ток
Зависимости выходной
проводимости от напря-
жения затвор — исток
Зависимости отношения
тока стока к крутизне
характеристики от на-
пряжения затвор ис-
ток
Зона возможных поло-
жений зависимости на-
чального тока стока от
крутизны характери-
стики
2ПС316А-1, 2ПС316Б-1, 2ПС316В-1, 2ПС316Г-1,
КПС316Д-1, КПС316Е-1, КПС316Ж-1, КПС316И-1
2ПС316(А t-r-1)
КПСЗ/6(Д t W 1)
Транзисторы кремниевые эпитакси-
ально-планарные полевые с затвором на
основе р-п перехода и каналом п-типа
сдвоенные Предназначены для прнмепе
ния во входных каскадах дифферент!
альных усилителей, балансных схем раз-
личного назначения с высоким входным
сопротивлением герметизированной ап
паратуры. Бескорпусные с гибкими вы-
водами и защитным покрытием без кри-
сталлодержателя. Тип прибора указыва-
ется на индивидуальной и групповой
таре.
Масса транзистора не более 3 мг
346
Электрические параметры
Крутизна характеристики каждого транзистора пары прн
Ucn—5 В, /с=0.3 мА, /=50...1500 Гц, не менее . 0,5 мА/В
Разность напряжений затвор — исток при Ucn = 5 В, 1с —
=0 3 мА, не бопее:
7=+25°С 2ПС316А 1, 211С316Б 1, 2I1C316B 1,
2ПС316Г I, КПС316Д1, КПС316Е-1, КПС316Ж-1.
КПСЗ 6И-1 , ...................... 50 мВ
7=-6(J и + 85°С КПС316Д-1, КПС316Е-1,
КПС316Ж-1, КПС316И-1......................... 60 мВ
Температурный уход разности напряжений затвор — исток
при Пси =5 В, /с = 0,3 мА, не более-
2ПС316А-1 ... 15 мкВ-С
2ПС316Б-1, 2ПС316В-1, 2ПС316Ы ... 30 мкс/°С
КПС316Д-1, КПС316Е-1, КПС316Ж-1, КПС316И-1 . 40 мкВ,.'°C
Напряжение отсечки каждого транзистора пары при Ucii =
= 5 В 1с =10 мкА.
2ПС316А-1 2ПС316Б-1 .......................0.3...2 В
КПС316Д-1, КПС316Е-1 ... . . 0.3...2.2 В
2ПС316В-1. КПС316Ж-1 .......................1.3...4 В
2ПС316Г-1, КПС316И-1 .... .... 2,5 ..6 В
Ток утечки за вора каждого транзистора пары при Ucn =
=0, 1Лш = 5 В, не более:
7=+25 °C:
2ПС316А-1.......................................0,1 нА
КПС316Д-1 . . .... 0,5 нА
2ПС316Б-1, 2ПС316В-1, 2ПС316Г-1, КПС316Е 1,
КПС31 Ж-1, КПС316И 1 . 1 нА
Г= + 85°С КПС316Д-1, КПС316Е-1, КПС316Ж-1,
КПС316И-1 . . 10 мкА
7= 125°С 2ПС316А-1, 2ПС316Б-1, 2ПС316В-1,
2ПС316Г-1 . 10 мкА
Входная емкость каждого транзистора пары при Uch~
= 10 В, 1/зи--10 В, f-Ю МГц, пе бопее ...... 6 пФ
Проходная емкость каждого транзистора пары при Ucn —
— 10 В, 17зи- —10 В, f—10 МГц, пе бо. ее ... 2 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток — исток каждого транзистора пары . 25 В
Напряжение затвор — сток, затвор — исток каждого тран-
зистора пары .... ... . . 25 В
Прямой ток затвора каждого транзистора пары . . 1 мА
Постоянная рассеиваемая мощность пары транзисторов:
прн Г=-60...+25 °C для 2ПС316А-1 2ПС316Б-1,
2ПС316В-1, 2ПС316Г-1 и Т- -40...+25 °C для
КГ1С316Д-1. КПС316Е-1, КПС316Ж-1, КПС316И-1 . 60 мВт
при 7=+85 °C для КПС316Д-1, КНС316Е-1,
КПС316Ж-1, КПС316И-1 . . . 30 мВт
при 7=+ 125 °C для 2ПС316А-1, 2ПС316Б-1,
2ПС316В-1, 2ПС316Г-Р........................... . 10 мВт
Температура окружающей среды.
2ПС316А-1, 2ПС316Б-1, 2ПС316В-1. 2ПС316Г-1 . . —60...+125°С
КПС316Д-1, КПС316Е 1, КПС316Ж-1, КПС316Н-1 —4О.+85°С
1 В диапазоне температур +25 .+85 С для КПС318Д-1. KFIC316F-I, КПСЗН Ж-1,
КПС316И I и +25...+ 125 °C для 2ПС316Л-1. 2ПС316Б I. 2LC3I6B-I. 2ПС316Г I мощность.
мВт, рассчитывается по формуле Рм кс=-60—0,5(Г—25).
На вывод подложки рекомендуется подавать напряжение, равное напряже-
нию на затворе.
347
ЗП320А-2, ЗП320Б-2
3D320(fi 2,6-2)
Транзисторы полевые арсенид-
галлиевые планарные с каналом
н-тнпа и барьером Шотки сверхвы-
сокочастотиые усилительные с нор-
мированным коэффициентом шума иа
ча< готе 8 ГГц. Предназначены для
применения во входных и последую-
щих каскадах малошумящих усили-
телей герметизированной радиопри-
емной аппаратуры Бескорпуеные на
керамическом кристаллодержателе с
гибкими полосковыми выводами и
керамической крышкой. На крышке
находится условная маркировка цвет-
ной точкой- для ЗП320А 2— красной,
для ЗП320Б-2 — зеленой
Масса транзистора не более
0,2 г
Э ектрические параметры
Минимальный коэффициент шума при Оси—3 В, /=8 ГГц,
/с=10 мА для транзисторов с /снач^Ю мА или и3и—0
для транзисторов с /снач<10 мА:
ЗП320А-2........................................
ЗП320Б-2........................................
Оптимальный коэффициент усиления по мощности при
Ucti — З В, f-8 ГГц. /с=Ю мА для транзисторов с
/с.хпчЮ мА ИЛИ Ush—O ДЛЯ транзисторов С 1с.нач^ 10 мА
Крутизна характеристики при Ьси-1,5 В, /с=15 мА для
транзисторов с /с.иач=15 мА или 17зи—0 для транзисторов
С /с.нлч ^15 мА......................................
Ток утечки затвора при Usa — 2,5 В:
7=+25 °C........................................
Т =—60°C, не более..............................
Т= + 85 °C, пс более............................
Входная емкость .....................................
Проходная емкость................... . . . .
Выходная емкость.....................................
3,2* . 4* .4,5 дБ
4,5* .5* 6 дБ
3...5*...7* дБ
5...9,5*... 16* мА/В
0,01*...0,2*...20 мкА
60 мкА
80 мкА
0,18* нФ
0,15* пФ
0,18* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток — исток
прн 7^+50 °C........................................4 В
при 7 = +85°C...................................ЗВ
Напряженке затвор — исток............................5 В
Напряжение затвор — сток ................8 В
Потенциал статического электричества ................ 30 В
Постоянная рассеиваемая мощность 1
при 7^+50 °C ..........................80 мВт
при 7=+ 85 °C ..................................30 мВт
Температура окружающей среды.........................—60 . + 85 °C
1 В диапазоне температур от +50,.»+85сС допустимые значения напряжения сток—
исток и рассеиваемой мощности снижаютси линейно.
348
Допускается однократный изгиб выводов не ближе 1 мм от кристаллодер-
жателя с радиусом закругления не менее 1,5 мм.
Минимально допустимое расстояние от места пайки выводов до кристалло-
держателя 2 мм при температуре пайки +150±10сС. Допускается пайка выво-
дов иа расстоянии 1 мм от кристаллодержателя при температуре не выше
+ 150 °C, длительности не более 3 с и отводе теплоты от вывода между ме-
стом пайки и кристаллодержателем.
Зона возможных поло
жеиий проходной ха
рактсрнстнки
Зона возможных поло-
жений зависимости кру-
тизны характеристики
от напряжения затвор —
исток
Зона возможных поло-
жений зависимости кру-
тизны характеристики
от температуры
г 2,5 3 35 <> иы в
Зона возможных поло-
жений зависимости ко-
эффициента шума от
напряжения сток — ис-
ток
Зона возможных поло-
жений зависимости ко-
эффициента шума от
напряжения сток—ис-
ток
Зона возможных поло-
жений зависимости ко-
эффициента усиления ох
напряжения сток — ис-
ток
Зона возможных поло-
жений зависимости ко-
эффициента шума от
частоты
Зона возможных поло-
жений зависимости ко-
эффициента усиления от
частоты
349
ЗПЭ21А-2
ЗП321А-2
1Л 7
Транзистор полевой арсенид-
таллиевый планарный нонно-леги-
роваиный с каналом n-типа и
барьером Шотки сверхвысокочас-
тотный усилительный с нормиро-
ванным коэффициентом шума на
частоте 8 ГГц. Предназначен для
применения во входных и после-
дующих каскадах малошумящих
усилителей герметизированной ра-
диоприемной аппаратуры. Бескор-
пусный на керамическом кристал-
лодержателе с гибкими полоско-
выми выводами и керамической
крышкой Тип прибора указы-
вается в эп кетке
Масса транзистора не более
0,15 г.
Электрические параметры
Минимальный коэффициент шума при Uck — 2 В. /с = 8 мА,
/=8 ГГц, не более . ................ 3,5 дБ
типовое значение . . .......................2.8* дБ
Оптимальный коэффициент усиления по мощности при
Ucn=2 В, 1с~8 мА, f=8 ГГц, не меиее ... 3,5 дБ
типовое значение....................... 6.3* дБ
Крутизна характеристики при 1>си=2 В, 1с = 8 мА, /=
= 5 МГц, не менее ... .... . .5 мА.'В
типовое значение.................................16* мА/В
Напряжение отсечки при 17си=2,5 В. /с=0,1 мА . . . 1,5*...3*...4,5* В
Ток утечки затвора при 17зи=2,5 В, не более-
Г=-60 и +25°C . .... ... 1 мкА
7=+70 °C...................... . . 10 мкА
Коэффициент отражения вход юй цепи транзистора в схе-'
ме ОИ при 17си—2,5 В, /С=Ю мА, f=8 ГГц:
модуль . .................... ... —4* дБ
фаза ... ................... ... —150°*
Коэффициент обратной передачи напряжения транзистора
в схеме ОИ при 17си = 2,5 В, 7с=Ю мА, (=8 ГГц:
модуль........................................... ... —17* дБ
фаза......................................... ... 84°*
Коэффициент прямой передачи напряжения транзистора в
схеме ОИ при (7си=2,5 В, 1с~ 10 мА, f=8 ГГц:
модуль . . ................ .... 3* дБ
фаза ... ................................60°*
Коэффициент отражения выходной цепи транзистора в
схеме ОИ прн 1/си=2.5 В. 7с=Ю мА, f=8 ГГц:
м дуль..............................................—4.5* дБ
фаза.............................................— 82°*
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток — исток .... .... ЗВ
Напряжение затвор — исток ... .............ЗВ
Напряжение затвор — сток.............................4 В
350
П родолжение
Потенциал статического электричества.......................10 В
Постоянная рассеиваемая мощность...........................30 мВт
Температура окружающей среды...............................—6О...-|-7О°С
Допускается однократный изгиб выводов не
ближе 1 мм от крнсталлодержателя с радиусом
закругления не менее 1.5 мм.
Минпма 1ьно допустимое расстояние от места
пайки выводов до крнсталлодержателя 2 мм при
температуре пайки +240±10°С и длительности
не более 3 с. Допускается пайка выводов иа
расстоянии 1 мм от крнсталлодержателя при тем-
пературе не выше +150 °C, длите, ьности не бо-
лее 3 с и отводе теплоты от вывода между ме-
стом панки п кристаллодержателем.
К/К(ЬГГи.)
Зависимости коэффици-
ентов шума н усиления
от часто1Ы
S/S(0,5B)
k/k (0)
S/S(3B)
Проходная характери-
стика
Зависимость крутизны
характеристики от на-
пряжения сток — исток
Зависимость крутизны
характеристики от на-
пряжения затвор — не-
Зависимость
характеристики
стока
крутизны
от тока
Зависимости коэффици-
ентов шума и усиления
от напряжения сток —
исток
зависимости коэффици-
ентов шума и усиления
от тока стока
351
2П322Л, КП322А
Транзисторы кремниевые эпитаксиальио-плаиариые полевые с двумя затво-
рами на основе р я перехода и каналом n-типа Предназначены для приме-
нения в усилительных и смесительных каскадах на частотах до 400 МГц. Вы-
пускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора ука-
зывается на корпусе
Масса транзистора не более 1,3 г.
2 П322А КП322 А
Электрические параметры
Коэффициент шума:
при / 250 МГц, Uch= 15 В U3im и Ihzu выбираются
из условия достижения наибольшей крутизны
при /=400 МГц. t/си—15 В Usih и UMn выбираются
из условия достижения наибольшей крутизны
Крутизна характеристики по первому затвору при UCn —
= 10 В, t/з и “t/sjH = 0:
?П322А ...........................
КП322А .......................................
Напряжение отсечки по первому затвору при (7си=10 В,
t/a2H = 0. 1с— Ю мкА"
7=+25 °C:
2П322А......................................
КП322А .....................................
7= -60 °C 2П322А..............................
7= 40 °C КЛ322А...............................
Т +125°С2П322А................................
7=+85 °C КП322А .
Напряжение отсечки по второму затвору при (/Си=10 В.
Г/з[и = 0, /С=Ю мкА
7= +25 °C:
2П322А . . ..................
КП322Л......................................
7--60 °C 2П322А. ие более.....................
7=-40 °C КП322А не более......................
7= + 125 °C 2П322А, не более..................
7=+85 °C КП322А, не более ....
Начальный ток стока при t/си—10 В U3 ц = С'з2И = 0
Ток утечки затворов (суммарный) при (/си=0, U3tH =
= Us2n— — 10 В.
7=+25 °C
2П322А......................................
3,3*. .4*...6 дБ
9* 9,7*...Н* дБ
4...5,7* . 6,3* мА/В
3.2 ..5 7*..
6,3* мЛ/В
2,5...5,5*... 12 В
2,2...5,5*...12 В
2...10 В
2... 10 В
2,5...10 В
2.2.. 10 В
7 3»... 11 7* 20 В
7,3* .11 7*..22 В
20 “
22
22
24
5* 16*. .42* мА
В
В
В
В
0 032* 0,24*...
10 нА
352
Продолжение
КП322Л........................................... 0,032* 0,24*...
100 нА
7=+ 125 °C 2П322А, ие более...........................10 мкА
Т= +85°C КП322А, ие более............................100 мкА
Входная емкость по первому затвору при UCn=\d В,
1/3|и=-2,5 В, Uw=0....................................3,5*...4,5*...6 пФ
Проходная емкость по первому затвору при Ucn—10 В,
Пг,в=—2,5 В. и32н=0................................... 0,03*.. 0,05*.. 0,2 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток — исток .... ... 20 В
Напряжение первый (второй) затвор—сток .... 25 В
Напряжение первый (второй) мтвор—исток ... 20 В
Прямой ток первого (второго) затвора............... 1 мА
Постоянная рассеиваемая мощность1 при 7^+ 25 °C . . 200 мВт
Температура окружающей среды:
2П322А .................-60 .+ 125 °C
КП322А................................................ -40 .. + 85 °C
“ В диапазоне тсмнерятур +25. +85 °C для КП322А и +25 . + 125 'С для 2П322А
мощность, мВт, рассчитывается ио формуле —1,5(7—25).
При эксплуатации транзисторов вывод подложки
с истоком.
Пайку выводов рекомендуется производить не
транзистора при температуре +235...+270 °C.
рекомендуется соединять
ближе 3 мм от корпуса
Выходные характери-
стики
Выходные характери-
стики
Зависимости тока ci ока
от напряжения второй
затвор — исток
Проходимо характеристик»!
Зависимости крутизны
характеристики но пер-
вому затвору от на-
пряжения с юк — исток
Зависимости крутизны
характеристики но пер-
вому затвору от напря-
жении СГОК — исток
23 Заказ № 1080
353
Зависимости кру|изи«
характеристики по пер-
вому затвору от напря-
жения затвор—исток
Зависимости крутизны
характеристики по вто-
рому затвору от напря-
жения затвор — исток
Зависимость коэффициента шу-
ма от частоты
Зависимости крутизны характеристики по
второму затвору ог напряжения затвор —
и с гок
КП323А-2, КП323Б-2
КП323(А 2 Б-2)
Транзисторы кремниевое эпптаксиаль-
но-плапарные полевые с затвором на ос-
нове р-п перехода и каналом п-тппа.
Предназначены для применения во вход-
ных каскадах малошумящих предвари-
тельных усилителей низкой и высокой
(до 400 МГц) частот (в том числе ох-
лаждаемых до температуры жидкого
азота) Бескорпусные на керамическом
крнсталлодержателе с гибкими полос-
ковыми выводами и приклеиваемой ке-
рамической крышкой. Тип прибора ука-
зывается в этикетке. На крышке транзи
стора наносится условная маркировка:
знак-t-черной красной для КП323Л-2 и
синей для КП323Б-2
Масса транзистора не более 0,15 г.
354
Электрические параметры
Максимальная рабочая частота
Электродвижущая сила шума при f 1 кГц. 1/си=5 В,
/с=5 мА для приборов с 1снач>5 мЛ и и3и=0 для при-
боров с 1с ,хач ^5 мА .........................
Крутизна характеристики при Ucn = lO В, (Узи-О, f—
= 1...10 кГц:
при Т = +25 °C .............
при 7=—60°C. не менее...................
при 7=+70 °C, не менее . . . .
Напряжение отсечки при Пси 10 В, /с=10 мкА
Начальный ток стока при {/си = 10 В. {7зи=0
Ток утечки затвора при 1Уси 0. 17зи = —10 В
КН323А-2..........................................
400* МГц
3*...4*..,5 нВ/) Гц
КП323Б-2, не более..............................
Входная емкость при f—10 МГц, Оси = 10 В, 1Лш= —1 В
Проходная емкость при f=10 МГц, £/си= 10 В, Uan — — 1 В
4...4,5*...5,8* мА/В
4 мА/В
1,5 мА В
0,74* .2*..6 В
3* 6’.. 12 мА
3,5 1О-3...2О 10-».«
0,1 нА
1 нА
2*...2,5*...4 пФ
0.5* 0.8* 1,2 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток — исток...............................20 В
Напряжение затвор — сток..............................25 В
Напряжение затвор — исток .........................25 В
Постоянный ток стока..................................12 .мА
Прямой ток затвора.................................... 5 мА
Постоянная рассеиваемая мощность 1
при 7--60...+25°C ... . . . 100 мВт
при 7-+70°C.......................................50 мВт
Температура окружающей среды 2 ..................—60 . + 70 °C
В диапазоне температур +25...+70 'С мощность снижается линейно.
’ Допускается неоднократное охлаждение транзисторов до температуры жидкого
азота при времени охлаждения не менее 2 ч.
Пайка выводов допускается в течение 3 с не
ближе 2 мм от кристаллодержателя при температу-
ре не более +260 °C и не ближе 0,2 мм при темпе-
ратуре не более +160 °C.
Входные характеристики
23’
355
Выходные характерны Зона возможных положений Зона возможных поло-
стики проходной характеристики жсний зависимости кру-
тизны характеристики
от напряжения сток —
исток
ЗП324А-2, ЗП324Б-2
зпз2у (а г б г)
Транзисторы полевые арсеиид-
галлиевые планарные с каналом
п-типа и барьером Шотки сверхвысо-
кочастотные усилительные с норми-
рованным коэффициентом шума на
частоте 12 ГГц. Предназначены для
применения во входных и последую-
щих каскадах малошумящих усили-
телей герметизированной радиопри-
емной аппаратуры. Бескорпусные иа
керамическом кристаллодержателе с
гибкими полосковыми выводами и
керамической крышкой. На крышке
наносится условная маркировка цвет-
ной точкой: для ЗП324А-2 - красной,
для ЗП321Б 2— синен.
/Масса транзистора не более 0,2 г.
Электрические параметры
Минимальный коэффициент шума при Оси 3 В. /с=5 мА
для транзисторов с 7с,явч>5 мА пли Ози 0 для транзи-
сторов с /с.я»ч<5 мА:
ЗП324А-2 при f=12 ГГц ...........................
ЗП324Б-2 прн /=12 ГГц............................
ЗП324А-2 прп f=8 ГГц . . .
ЗП324Б-2 прн Н8 ГГц .... . . . .
2,5*...3,3* 3.5 дБ
3,5* . 4,9*. .5 дБ
1 9*.. 2,7* „3 дБ
3* . 3.5* 4* дБ
356
П родолжение
Оптимальный коэффициент усиления по мощности при
17си=3 В, 1с=5 мА, для транзисторов с /с,нач>5 мА или
U3lf—0 для транзисторов с 1с ик<5 мА:
7=12 ГГц . ......................................5,6*. 8* дБ
7 = 8 ГГц........................................7*.. 8* 9* дБ
Крутизна характеристики прп <7си=1,5 В, /с=10 мА для
транзисторов с 7сно«>10 мА или £/зи = 0 для транзисто-
ров с /с.м„<10 мА...................................5,7*. .10* мА/В
Ток утечки затвора прн 17*„ = 2,5 В
Т=+25°С . . ................... 0.001* .02*...
20 мкА
Г=—60 и +125°C, не более.........................100 мкА
Коэффициент отражения входной цепи транзистора в схе-
ме ОИ при 1/си=3 В, /с = 5 мА (или 77*и=0 прн /см(<
<5 мА). f= 12 ГГц:
модуль...........................................0,43*
фаза.............................................125°*
Коэффициент обратной передачи напряжения транзистора
в схеме ОИ при Ucn 3 В, /с = 5 мА (пли 1Д,и = 0 при
1с ,н«ч «£5 мА), ?=12 ГГц:
модуль..................... .....................0,01*
фаза.............................................—160°*
Коэффициент прямой передачи напряжения транзистора
в схеме ОИ при UCu 3 В 7С = 5 мА (или (7зн = 0 прн
1с .нчч <5 мА), 7=12 ГГц:
модуль...........................................16*
фаза.............................................155°*
Коэффициент отражения выходной цепи транзистора в
схеме ОИ при Uca=3 В, /с=5 мА (или Usu — 0 при
1с ,кач <5 мА) 7=12 ГГц:
модуль .... . ... . . 0,4*
фаза........................ . .... -110°*
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток — исток.............................4 В
Напряжение затвор — исток...........................5 В
Напряжение затвор — сток................................8 В
Потенциал статического электричества................30 В
Постоянная рассеиваемая мощность ’:
при Г^+40°С......................................60 мВт
при 7"=+ 125 °C . . ......................15 мВт
Температура окружающей среды........................—60 +125 °C
1 В диапазоне температур +4С +125 °C допустимое значение рассеиваемой мощно-
сти снижается линейно.
Допускается однократный изгиб выводов не ближе 1 мм от кристаллодер-
жателя с радиусом закругления не .менее 1.5 мм.
Минимально допустимое расстояние от места панки выводов до кристалле*
держателя 1мм прп температуре пайки не выше + 260 °C и длительности не бо-
лее 3 с. Допускается пайка выводов на расстоянии 0 2 мм от кристаллодержа-
теля при температуре не выше 4-160 °C. Пайка па этом расстоянии при более
высокой температуре допускается, если температура места соединении вывода
с кристаллодержателем не превышает +150 °C.
357
fl -л
О I 2 3 * f
Зона возможных поло-
жений зависимости кру-
тизны характеристики
от тока стока
/ 15 2 2,5 8
Зона возможных поло-
жений зависимости про-
ходной характеристики
Зависимости коэффици-
ентов шуме и усиления
от напряжения затвор —
исток
Зависимости коэффици-
ентов щума и усиления
от тока стока
Зависимости коэффнци
ентов шума и усиления
от напряжения сток —
исток
Зависимости коэффици-
ента шума от частоты
ЗП325А-2 АП325AZ
Ф2.15
ЗП325Л-2, АП325Л-2
Транзисторы полевые арсеннд-
галлиевые планарные с каналом
л-тнпа и барьером Шоткп сверхвы-
сокочастотные усилительные с нор-
мированным коэффициентом шума на
частоте 8 ГГц Предназначены для
применения во входных и последую-
щих каскадах малошумящих усили-
телей герметизированной радиопри-
емной аппаратуры. Бескорпусные
на керамическом крнсталлодержате-
ле с гибкими полосковыми выводами
и керамической крышкой. Тип прибо-
ра указывается в этикетке. На крыш-
ке наносится условная маркиров-
ка: ЗП325А-2— черная полоска;
АП325А-2 — черная полоска с черной
точкой над ней.
Масса транзистора не более
0,05 г.
358
Электрические параметры
Минимальный коэффициент шума при Оси 1,5 В, 1с=
=5 мА, f=8 ГГц, ие более . . ............. 2 дБ
Оптимальный коэффициент усиления по мощности при
Ucn= 1.5 В, /с = 5 мА, / = 8 ГГц не менее:
ЗП325Л-2.........................................5 дБ
АП325А-2.........................................4 5 дБ
Порог перегрузки транзистора при С/си=1,5 В, /с=5 мА.
f=8 I Гц, не более..................................6* мВт
Крутизна характеристики при 77си=1,5 В, 1с—10 мА, пе
менее-
ЗП325А-2.........................................8 мА/В
АП325А-2.........................................5 мА,В
Напряжение отсечки прн 1/Си=1.5 В, Л?=0,1 мА, не более 4* В
Ток утечки затвора при 7/зи=2,5 В, не более:
Т'= + 25°С..........................................1 мкА
7—+85 °C ЗП325А-2..................................10 мкА
7=+70 °C ЛГ1325А 2 .... . . . 30 мкА
7'- — 60 °C ЗП325А 2.............................1 мкА
7=-60 °C АП325А 2 .... ... 3 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток — исток
ЗП325А-2...........................................2.5 В
АП325Л-2.........................................2 В
Напряжение затвор — исток:
ЗП325А-2............................................3.5 В
АП325А-2............................................4,5 В
Напряжение затвор — сток:
ЗП325А-2 ........................5 В
АП325А-2............................................6 В
Потенциал статического электричества ................ 10 В
Постоянная рассеиваемая мощность.......................25 мВт
Непрерывная СВЧ мощность, падающая на вход транзи-
стора .................. ...........................150* мВт
Температура окружающей среды
ЗП325А-2 .......................................-60.+85 °C
АП325Л-2 .......................................-60 +70 °C
Допускается однократный изгиб выводов не ближе 1 мм от кристаллодер-
жателя с радиусом закругления не менее 1,5 мм.
Проходная характери-
стика
Зависимость крутизны
характеристики от тока
стока
Зависимости коэффици-
ентов шума и усиления
от тока стока
359
Минимально допустимое расстояние от места панки выводов до кристалло-
держателя 1 мм при температуре пайки + 235±5°С и длительности не более
3 с. Допускается пайка выводов на расстоянии 0,5 мм от кристаллодержателя
при температуре не выше + 150 °C и длительности не более 3 с.
К/К (1,5 8)
Зависимости коэффици-
ентов шума и усиления
от напряжения сток —
исток
Зависимости коэффици-
ентов шума и усиления
от частоты
К/К(25°С)
Зависимости коэф<1 ицн-
ентов шума и усиления
от температуры
ЗП326А-2, ЗП326Б-2
ЗП52Б(А~2, Б-2)
Транзисторы полевые арсенидгал-
лиевые планарные ноино тегированные
с каналом /г-типа и барьером [Потки
сверхвысокочастотные усилительные с
нормированным коэффициентом шума на
частоте 17,4 ГГц. Предназначены для
применения во входных и последующих
каскадах малошумящих усилителей гер-
метизированной радиоприемной аппара-
туры. Бескорпусныс па керамическом
крнсталлодержателе с гибкими полоско-
выми выводами и метал зостеклянной
крышкой. На ножке ЗП326Б-2 наносит-
ся условная маркировка черной точкой;
иа транзисторе 3I1326A-2 условная мар-
кировка не наносится.
Масса транзистора не более 0 1 г.
Электрические параметры
М шимальный коэффициент шума при 17Си = 2 В, /с=8 мА,
/=17,4 ГГц, нс более:
ЗП326А 2............................................4,5 дБ
ЗП326Б-2 . . ..................... 5,5 дБ
Оптимальный коэффициент усиления по мощности прн
1/Си=2 В /с=8 мА, /=17 4 ГГц, не менее . . . 3 дБ
Порог перегрузки транзистора при 7/ся=2 В, !с=8 мА,
f—15 ГГц, не более .... . . 12,5* мВт
Крутизна характеристики при Ucn — 2 В /с = 8 мА, f—
= 5 МГц, не менее................................. . . 8* мА;В
Напряжение отсечки при t/cn=2.5 В. /с—0.1 мА . . 1*...2,5*...4* В
Ток утечки затвора при Ush=«2,5 В, не более:
Т -60 I +25°C .... . , 5 мкА
7-=+ 85 °C..........................................50 мкА
360
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток—исток ...............................2,5 В
Напряжение затвор — исток............................4 В
Напряжение затвор — сток........................... , 5,5 В
Потенциал статического электричества....................10 В
Постоянная рассеиваемая мощность.....................30 мВт
Непрерывная СВЧ мощность, падающая иа вход транзи-
стора ............................................ . 200* мВт
Температура окружающей среды.........................—60...+85 °C
В случае питания от двух источников следует подавать напряжение снача»
ла на вывод затвора, а затем на вывод стока Выключение производить в об»
ратной последовательности
Минимально допустимое расстояние от места пайки выводов до кристал»
лодержателя 1 мм при температуре пайки + 200±10°С и длительности не Со»
лее 3 с. Допускается пайка выводов на расстоянии 0,2 мм от кристаллодержа»
теля при температуре не выше +150 °C и длительности не более 15 с. Допуска»
стся повторная пайка транзисторов.
4/V0
Проходная харзк1ерн-
стика
5/5(28)
Зависим ость крутизны
характеристики от на-
пряжения сток — исток
S/S(0)
Зависимость крутизны
характеристики о г на-
пряжения затвор—исток
О Ч 8 12 16
Зависимость крутизны
характеристики от тока
стока
О 0,5 1 1,5 2 UZVt В
Зависимость коэффици-
ента шума от напряже-
ния сток — исток
0 0,5 1 1,5 2 Ца В
Зависимость коэффици-
ента усиления от на-
пряжения сток — исток
361
К/К(ЪГГц)
К/К(8нА)
Зависимость коэффици-
ентов шума н усиления
от тока стока
Зависимости коэффици
ентоа шума и усиления
от частоты
КПЗ27А, КП327Б
Транзисторы кремниевые планарные полевые с двумя изолированными за-
творами, защищенными диодами, и каналом л-типа. Предназначены для при-
менения в селекторах каналов телевизионных приемников дециметрового и мет-
рового диапазонов длин волн и усилителях Выпускаются в пластмассовом кор-
пусе с гибкими полосковыми выводами. Маркируются цветными точками
КП327А — одной белой: КП327Б —двумя белыми.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Электрические параметры
Коэффициент шума при 1УСи = + 10 В, 1/зги=+4 В. /с =
=10 мА, не более-
/ = 800 МГц КП327Л.....................................4,5 дБ
/=250 МГц КП327Б.....................................3 дБ
362
Продолжение
Коэффициент усиления по мощности при СЛ?и = +10 В,
Us2h-=+4 В. /с=Ю мА, не менее:
f=800 .МГц КП327А............................
f=250 МГц КП327Б..........................
Крутизна характеристики при Уси = + 10 В 1А2и=±4 В.
7с=10 мА. не менее:
7=±25СС.......................................
7=-45 и ±85 СС............................
Напряжение отсечки по первому затвору прн t7cH=±10 В.
П»ги = ±4 В /с=20 мкА, ие более
Падение напряжения на защитных диодах первого затвора
прн 17си=£7з2и=0, /з|=Ю мА
Начальный ток стока при {/си=±10 В, 1/з.и=0, £7л2и«
= ± 4 В, ие более:
7=±25СС......................................
7=-45н±85сС..................................
Ток утечки первого затвора при Ucii = Ustn—0, 1Лли =
= ±5 В, не более .... ..................
Емкость входная при 1/си=±10 В, 1/з2н=±4 В. С/3|и = 0,
f=10 МГц, не более ...............
Емкость проходная при (7си = + 10 В, 1Л?2и=+4 В,
С7з1И = 0, /=10 .МГц, не более...................
12 дБ
18 дБ
И мА /В
9 мА В
27 В
±6. ±20 В
10 мА
15 мА
50 иЛ
2,5 пФ
0,04 пФ
Электрические параметры по второму затвору
Напряжение отсечки по второму затвору при t/cn=+10 В,
7731и=(), /с=20 .мкА, не более.......................2,7 В
Падение напряжения на защитных диодах второго затвора
прн 17си = 17з;и = 0, /з2=Ю мА ±6 В..................±20 В
Ток утечки второго затвора при 1/си = £7з1Л=0, 1/я2и —
= ±5 В, ие более ... ....... 50 нА
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток- исток...............................18 В
Напряжение первый (второй) затвор — сток .... 21 В
Напряжение первый (второй) затвор — исток .... ±6 В
Прямой ток первого (второго) затвора................. 10 мА
Постоянная рассеиваемая мощность1 прп Т= —45.. ±60°C 200 мВт
Температура окружающей среды .... —45...±85°C
Выходные характера- Выходные характери- Выходные характера
стнкн стикн стикн
363
Изгиб выводов допускается не ближе 0,5 мм Пайка выводов допускается
нс ближе 1 мм от корпуса при температуре + 260±5°С в течение 3 с.
Допускается использование транзисторов КГ1327Л на частотах более
800 МГц, а транзисторов КП327Б — более 250 МГц.
Выходные характеры
-1,5 -/ 0,5 О 0,5 t В
-I -Ц5 0 0,5 I 1\и В
Проходные характери-
стики
Проходные характери
стнкн
стнкн
О 1 2 3 4 5 6 ? 8 $ W W 12 93 /V 12-1-0,80,6^.2 0 0,2 0,4 0,60.8 /^Ц|в
Записи мости крутизны характеристики от
тока стока
Зависнмости крутизны характери-
стики от напряжения затюор —
нс юк
$,нА/В
Зависимости крутизны ха-
рактеристики от напряже-
ния затвор — исток
Зависимости коэффициентов
шума и усилении от тока
стока
361
Зависимости коэффициентов
шума и усиления от напря-
жения затвор — исток
200 ^ообоовоо шт/, щ
Зависимости коэффици-
ентов шума и усиления
от частоты
ЗП328А-2, АП328А-2
Транзисторы полевые арсенндгаллиевые
планарные двухзатворные с каналом «-ти-
па и барьером Шотки сверхвысокочастот-
ные усилительные с нормированным коэф-
фициентом шума на частоте 8 ГГц. Пред-
назначены для применения во входных и
послед ющпх каскадах малошумящих уси-
лителей герметизированной радиоприемной
аппаратуры. Бескорпусные на керамиче-
ском крнсталлодержателе с гибкими полос-
ковыми выводами и керамической крышкой.
Тип прибора указывается в этикетке.
У транзистора ЗП328А-2 па крышке нано-
сится условная маркировка черной точкой.
Масса транзистора не более 0,1 г.
зпзгвА-г. апз28а-2
Электрические параметры
Минимальный коэффициент шума при Ucn — 4 В, 1/г2и = 0,
/с=8 мА, не более:
f=8 ГГц ЗП328Л 2......................................3,5 дБ
f=8 ГГц АГ1328А 2.................................4,5 дБ
f=l ГГц ЗП328А-2..................................1,4* дБ
Оптимальный коэффициент усиления по мощности при
t/си 4 В о. /с = 8 мА
/=8 ГГц ЗП328А-2, не менее .......................10 дБ
типовое значение . .... 12* дБ
f=8 ГГц АП328А-2, нс менее........................9 дБ
f=l ГГц ЗП328А-2, ие менее........................15* дБ
Порог перегрузки транзистора нрн Ucn=4 В, 1/з2и=0,
/с = 8 мА, f—8 ГГц, не более .... ... 6* мВт
Крутизна характеристики по первому затвору при Ucn~
«4 В, U.пи—0, 1с=8 мА. не менее:
ЗП328Л 2 . ..............................28 мЛ/В
АП328А-2..........................................27 мА/В
365;
Продолжение
Крутизна характеристики по второму затвору прн Пси —
-4 В, Ц?|и=0, 1с—8 мА, нс меиее.....................4 мА/В
Напряжение отсечки по первому затвору при Uch=4 В,
tZ?2H=0, 1с=0,1 мА ие более . ................4* В
Ток утечки первого затвора при 1/31и=2.5 В, не более:
Т= + 25 °C............. .........................1 мкА
Т=-60сС 3H328A-2 . . 1 мкА
7=+85 °C ЗП328А-2........................ . . 10 мкА
Ток утечки второго затвора прн 1/зги=2,5 В, не более:
Т= + 25 °C...........................................1 мкА
Т= -60 °C ЗП328А-2 . . . . 1 мкА
7= + 85°С ЗП328А2 . 10 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток — исток ... .... (> В
Напряжение первый затвор — исток....................4 В
Напряжение второй затвор — сток.....................6 В
Потенциал статического электричества................10 В
Постоянная рассеиваемая мощность....................50 мВт
Непрерывная СВЧ мощность, падающая на вход транзи-
стора .............................................. 200* мВт
Импульсная СВЧ мощность, падающая иа вход транзи-
стора . . ... ...................1,5* Вт
Температура окружающей среды:
ЗП328А-2 .... ...................—6О.+85°С
АП328А-2 ........................ -60 .+70 °C
Допускается однократный изгиб выводов не ближе 1 мм от криста члодер-
жатетя с радиусом закругления нс менее 1,5 мм
Максимально допустимое расстояние от места панки выводов до кристалло-
держателя 1 мм прн температуре пайки +235±5°С и длительности ие более
3 с. Допускается пайка выводов иа расстоянии 0,5 мм от кристаллодержатетя
при температуре ие выше +150 °C н длительности нс более 3 с.
Зависимости крутизны
характеристики и тока
стока от напряжения
первый затвор —• исток
Зависимости крутизны
характеристики и напря
женин отсечки от на-
пряжения второй за-
твор — исток (напряже-
ние отсечки и крутизна
характеристики намеря
лись при токе стока I
и 8 мА соответственно)
Зависимости коэффици-
ентов шума н усиления
от тока стока
366
Зависимости коэффицн
еитов шума н усиления
от напряжения f герой
затвор — исток
К/К (в ГГц)
Зависимости коэффици-
ентов шума и уси.чення
от частоты
>1-----1 . J J - -
-60 30 0 30 60 00TQC
Зависимости коэффици-
ентов шума и усиления
от температуры
КП329А, КП329Б
Транзисторы кремниевые эпнтаксиально-планарные полевые с затвором на
основе р-п перехода и каналом «-типа. Предназначены для применения во
входных каскадах усилителей низкой и высокой частот (до 200 МГц) в пере-
ключающих устройствах и коммутаторах с высоким входным сопротивлением.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами Тнп прибора ука-
зывается на сопроводительной таре. Дополнительно КП329А маркируется одной
цветной точкой, КП329Б — двумя.
Масса транзистора не более 0,2 г.
Электрические параметры
Предельная частота усиления в режиме максимального то-
ка стока .......................................... 200* МГц
Электродвижущая сила шума при 1/си=10 В. 17зи = 0,
f 1 кГц. не более . . .... 20 нВ, )Тц
Крутизна характеристики при 6'си—10 В, 1Л,и = 0, не менее:
7--60 и +25 °C:
КП329А........................................3 мА/В
КП329Б .......................................1 мА/В
7=+ 100 °C:
КГ1329А.......................................1 мА/В
КИ329Б .........................0,3 мЛ/В
Напряжение отсечки при (,'си=10 В. /с=Ю мкА, не менее 1.5 В
Начальный ток стока при Йся=10 В 1Л>и"=0. не менее 1 мА
Остаточный ток стока при Уси-Ю В, Уэи —10 В, не
более............... . . ...... 1 мкА
367
Продолжение
Ток утечки затвора при 1/си=0, ие более:
КП329.А при </Эи=-Ю В
7=+25 С . . - .... 1 нА
7=+ 100 °C . . ... ............1 мкА
КП329Б при а-ш=-30 В. 7=±25СС................0,1 и.А
Сопротивление сток — исток в открытом состоянии при
t/cff = 0,5 В, (7зи=0, ие более ................. 1500 Ом
Входная емкость при 1/си=10 В, Usn=0, f 10 МГц,
не более........................................6 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток — исток:
КП329Л . ............................... 50 В
КП329Б . . ..............................40 В
Напряжение затвор — сток:
КП329А ....................................50 В
КП329Б..................................... . 40 В
Напряжет । е затвор — исток:
КП329Л . ....................................45 В
КП329Б ..................................... . 35 В
Постоянная рассеиваемая мощность 1 - при 7sg + 25°C . 0,25 Вт
Температура окружающей среды........................—60...+ 100 С
При 7'> + 25‘С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность. Вт
рассчитывается но формуле РЛаК(. = (130-73/500.
Изгиб выводов транзисторов допускается ие ближе 3 мм с радиусом ие
менее 1,5 мм.
Пайка выводов допускается ие ближе 3 мм от корпуса транзистора прн
Зависимость ЭДС шума
от частоты
нА/В
S,
5
4
3
2
1
О 50 WO ISO 200 f, НГц
Зависимость крутизны
характеристики от ча
стоты
S, нА/8
Зависимость крутизны
характеристики от на-
пряжения аатвор — ис-
ток
368
2ПЗЗЗА, 2ПЗЗЗБ
Транзисторы кремниевые эпнтакснальио-плапариые полевые с затвором на
основе р-п перехода и каналом zj-типа. Предназначены для применения во вход-
ных каскадах усилителей низкой и высокой частот (до 200 МГц), в переклю-
чающих устройствах и коммутаторах с высоким входным сопротивлением Вы-
пускаются в металлостскляниом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора
указывается иа корпусе.
Масса транзистора нс более 0,5 г.
Электрические параметры
Предельная частота усиления в режиме максимального
тока стока . . ......................... 200* МГц
Электродвижущая сила шума прн (/си =10 В, /с^Ю мА,
/=75 Гц ........................... . .... 5,5*...9.5*...
20 нВ/)'Гц
Крутизна характеристики при (/Си=10 В (/зи=0:
7"=+25 °C
2ПЗЗЗА............................................ 4*...5.4* 5 8* мА/В
2ПЗЗЗБ ............................................2.4.6* 5* м.А/В
7"——60 "С. не менее:
2ПЗЗЗА...............................................4 мА/В
2ПЗЗЗБ.............................................2 мА/В
7"=+ 125 °C, не менее:
2ПЗЗЗА...............................................2 мА/В
2ПЗЗЗБ ............................................1.2 мА/В
Напряжение отсечки прн (/си=10 В, 1с —10 мкА:
2ПЗЗЗА....................... ............................1.2,5* .8 В
2ПЗЗЗБ......................... . ..............0.6...1.2* 4 В
Время нарастания и время спада напряжении сток — исток
при работе в ключевом режиме, не более .... 15* нс
Остаточный ток стока при (/си = 10 В, (/.»и= —10 В !,5Ю~!2...
8 IO"12 .10-® А
Ток утечки затвора при (/си=0, 1!зи —10 В для 211333А
и (/Зи = —35 В для 2ПЗЗЗБ:
1 = + 25 °C:
2ПЗЗЗА . . ........................1.2-10 12 3 I0-12...
210-10 А
2ПЗЗЗБ.............................................6.3 10 ,2...5 10-“...
10-7 А
Т----60 °C, не более:
2ПЗЗЗА.............................................2-10-10 А
2ПЗЗЗБ . . .................10 7 А
Т = + 125 “С, не более:
2ПЗЗЗА . ..................... . 10-7 А
2ПЗЗЗБ ..............10-5 А
Входная емкость при (/си=Ю В, (7зи=0 ..... 4,8*...5* 6 пФ
24 Заказ № 1080
369
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток — исток:
2ПЗЗЗА..........................................50 В
2Г1333Б .................................40 В
Напряжение затвор — сток:
2ПЗЗЗА..........................................50 В
2ПЗЗЗБ .........................................40 В
Напряжение затвор — исток:
2ПЭЗЗА ...............................45 В
211333Б . ... .... 35 В
Постоянная рассеиваемая мощность1 при 7’^ +25°C . 0.25 Вт
Температура окружающей среды . . . . —60...+ 125°C
1 В диапазоне температур +25... + 125сС мощность. Вт, рассчитывается по формуле
рм.,хс" 050—7)7500.
Зависимость ЭДС шума от ча<
стоты
Проходные характер»
стики
Зависимости крутизны
характеристики от на-
пряжения затвор — исток
Зависимости крутизны
характеристики от ча-
стоты
2П350А, 2П350Б, КП350А, КП350Б, КП350В
Транзисторы кремниевые диффузионно-планарные полевые с двумя изолиро-
ванным! затворами и каналом л-типа. Предназначены для применения в усили-
телях. генераторах и преобразователях сверхвысокой частоты (до 700 МГц).
Выпускаются в мсталлостекляином корпусе с гибкими выводами. Тип прибора
указывается на корпусе. Транзисторы КН350А, КП350Б. КП350В на торцевой
поверхности корпуса дополнительно маркируются двумя черными точками.
Месса транзистора не бо.чее 0,7 г.
>70
гЛ350(А,б). КП350 (А В)
Электрические параметры
Коэффициент шума при ССи = 10 В, В. 1с—10 мА
[ = 400 МГц 2П350А.............................. . 4 8*...6 дБ
типовое значение . . . ... 55* дБ
КП350А...................................... ... 37*...6 дБ
типовое значение................................3.8* дБ
КП350В . . ..........................4 1*...8 дБ
типовое значение . . ....................4 8* дБ
[=100 МГц 2П350Б . . . 4,15*. 6 дБ
типовое значение............................ ... 4 9* дБ
КП350Б . . ..........................2*.. 5 дБ
типовое значение................................3* дБ
Крутизна характеристики по первому затвору при Ucn~
= 10 В, £7.72И-=6 В, /с=10 мА, [ = 50...1500 Гц:
2П350А, 2П350Б-
7=+25 °C..............................................6...11,5* мА/В
типовое значение ... .................9.4* мА/В
7=—60С..........................................6...15* мА В
типовое значение................................11,7* мА/В
Т= +85°C........................................4..10* мА/В
тиковое значение ....................8* мА/В
КП350А. КП350Б. KI 1350В-
7= + 25°С.........................................6..13* мА/В
типовое значение................................10* мЛ/В
Т —45°С ... . ... 6 13* Л/В
типовое значение.............................. . 11,5* мА.-'В
7=+85 °C.............................. 4.10* мА В
типовое значение................................8* мА/В
Крутизна характеристики по второму затвору при Ucit =
= 10 В, 1/31и-6 В, /с=10 мА . . . 0,6*...0,85* м.А/В
типовое значение .... . . ... 0,7* мЛ/В
Напряжение отсечки по первому затвору при ПСи=15 В
[/зги 6 В, I =0,1 мА.
2ПЗ-50А, 2П350Б.......................................0.17*. 6 В
типовое значение . .......................... 0 29* В
КП350Л, КП350Б, КП350В..........................0,07». 6 В
типовое значение ..........................0,7* В
Напряжение отсечки но второму затвору прн Ucu—15 В
1/з|И=5 В, 1с 0,1 мА ... . . 0,15*. .45* В
типовое значение . . . ... . 0,5* В
Начальный ток стока прн Ucn~ 15 В Г,31и=С,з2и=0,
не более:
2П350А, 2П350Б при 7-+25 °C...........................3.5 мА
7=-60 и +85 °C . . . . . 6 мА
КП350А. КП350Б. КП350В при 7-+25°C . . 3,5 мА
7--45 и +85°C . . 6 мА
Ток утечки затвора при Пси=15 В не более . . . 5 нА
24*
371
Продолжение
Входная емкость при Uch = 10 В, Usm — и.зги =0, f=
= 10 МГц:
2П350Л, 2П350Б.......................................3*...6 пФ
типовое значение................................ . 3.2* пФ
КП350А, КП350Б, КП350В..........................2.9* 6 пФ
типовое значение..................................3,5* пФ
Проходная емкость при 1/Си=10 В, Us и = 1/Э2и=0, f=
= 10 МГц:
2П350А, 2П350Б....................................... 0,03*.. 0,07 пФ
типовое значение . ........................0.04* пФ
КП350Л, КП350Б, КП350В.......................... 0,03*...0,07 пФ
типовое значение ..........................0,05* пФ
Выходная емКОСТЬ ПРИ Пси = 10 В Г,3;Ц = 1/з2И = 0, f=
= 10 МГц:
2П350А, 2П350Б.......................................3,2*...6 пФ
типовое значение..................................4* пФ
КП350А, КН350Б. КП350В............................2,9* 6 пФ
типовое значение............... ..................3,2* пФ
Активная составляющая выходной проводимости при
1/си = 10 В, Г/з2И = 6 В, /с=Ю мА для КП350А, КП350Б,
КП350В. не более ..................................... 250 мкСм
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток — исток..................... . . 15 В
Напряжение первый затвор — сток для КП350А, КП350Б,
КП350В............... ................... • • 21 В
Напряжение второй затвор — сток для КП350А, КП350Б,
КП350В...............................................15 В
Напряжение первый (второй) затвор — исток .... 15 В
Ток стока . 30 мА
Постоянная рассеиваемая мощность:
прн Г^+25СС......................................... 200 мВт
при 7=+85 °C..........................................100 мВт
Температура окружающей среды:
211350А, 2П350Б.........................................-6О...+ 85°С
КП350А, КП350Б, КП350В............................-45... + 85сС
Расстояние от корпуса до начала изгиба вывода 3 мм, радиус изгиба не
менее 1,5 мм. При изгибе усилие не должно передаваться па стеклянный
изолятор.
Пайка выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса транзистора паяль-
ником мощностью не более 60 Вт напряжением 6. .12 В При пайке необходимо
Записимести крутизны
характеристики от тока
стока
Проходные характери-
стики
Зависимость коэффици-
ента шума от частоты
372
принимать меры по защите корпуса транзистора от попадания флюса и припоя.
В момент пайки все выводы транзистора должны быть закорочены
Для обеспечения тока утечки затвора ие более 5 10"9 А необходимо ис-
пользовать транзисторы в составе герметизированной аппаратуры или при
местной защите транзисторов от воздействия влаги.
Прн работе с транзисторами необходимо принимать меры по их защите от
воздействия статического электричества.
Зависимость коэффици-
ента шума от напряже-
ния сток — исток
Зависимость коэффици-
ент усиления ог напря-
жения сток — исток
Ку,Р, А&
20
18
12
8
4
О
100 200 J00 W0 500 600f, НГц
Зависимость коэффици-
ента усиления от ча-
стоты
Зависимость проходной
емкости от напряжения
сток — исток
Зависимость выходной
емкости от напряжения
сток — ИС1 ок
ЗПЗЗОА-2, ЗПЗЗОБ-2, ЗПЗЗОВ-2
Транзисторы полевые арсенидогаллиевые планарные с каналом л-тнпа и
барьером Щитки сверхвысокочастотиые усилительные с нормированным коэффи-
циентом шума на частотах 25 (ЗПЗЗОА-2, ЗПЗЗОБ-2) и 17,4 ГГц (ЗПЗЗОВ-2).
Предназначены для применения во входных и последующих каскадах малошу-
мящих усилителей герметизированной радиоприемной аппаратуры. Бескорпусиые
на керамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами и ме-
таллической крышкой. Габаритный чертеж аналогичен ЗП326А-2. па крышке
наносится условная маркировка: белая точка иа ЗПЗЗОБ-2, черпая точка на
ЗПЗЗОВ 2 Транзистор ЗПЗЗОА-2 не маркируется
Масса транзистора не более 0,15 г.
Электрические параметры
Минимальный коэффициент шума при 1)си~2 В /с=6 мА-
ЗПЗЗОА 2 на частоте 25 ГГц, не более .... 6 дБ
типовое значение . . .....................3,7* дБ
ЗПЗЗОБ 2 на частоте 25 ГГц, не более..............
типовое значение .................................
ЗПЗЗОВ 2 на частоте 17.4 ГГц, не более .
типовое значение...................... . . . .
Оптимальный коэффициент шума ЗПЗЗОА-2, ЗПЗЗОБ-2,
ЗПЗЗОВ 2 прп Сси=2 В:
/<.=6 мА, /=25 ГГц................................
/с = 6 мА, /=17,4 ГГц.............................
/с-12,5 мА, /=25 ГГц..............................
/с=12 5 мА, /=17,4 ГГц.........................
Оптимальный коэффициент усиления по мощности прн
Г7си=2 В 1с=& мА
ЗПЗЗОА-2, ЗПЗЗОБ-2 на частоте 25 ГГц, не менее
типовое значение .................................
ЗПЗЗОВ 2 иа частоте 17,4 ГГц, не менее . . . .
типовое значение .................................
Максимальный коэффициент усиления по мощности
ЗПЗЗОА-2, ЗПЗЗОБ-2, ЗПЗЗОВ-2 при Ucu = 2 В
/с = 6 мА, /=2а ГГц...............................
/с = 6 мА, /=17 4 ГГц.............................
/с=12,5 мА, /=25 ГГц..............................
/с=12,5 мА, /=17.4 ГГц.........................
Крутизна характеристики при Г/Си = 2 В, /с=10 мА, не
менее.................... ............................
Напряжение отсе ikii прп Ucn—2 В Zc=l мА , . ,
Начальный ток стока при 6'Си=2 В......................
Ток утечки затвора при (Ли=2,5 В, не более-
Т=—60 и +25СС.........................................
Т= + 85СС.........................................
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток — исток
Напряжение затвор—исток
Напряжение затвор—-сток
Потенциал статического электрнчествэ
Постоянная рассеиваемая мощность
Температура окружающей среды
Продолжение
4,5 дБ
3 7* дБ
3,5 дБ
3* дБ
4*...5*„ 6,5* дБ
3 5*...4.5*..6,5* дБ
5* ..6,5*. .8* дБ
4 5*. 5,5*...8* дБ
3 дБ
4,9* дБ
6 дБ
6,8* дБ
4* 5*..7,5* дБ
7,5*...9* . 10* дБ
4.5*..6*:..8,5’ дБ
8*...10*...12* дБ
5 мА/В
1,5* 2,5*...4,5* В
15* .30* .50* мА
1 мкА
20 мкА
3 В
4 В
6 В
5 В
30 мВт
—60...+ 85'С
ЗП331А-2
Транзистор полевой арсенидогаллиевый планарный с каналом n-тнпа и
барьером Шотки сверхвысокочастотиый усилительный с нормированным коэф-
фициентом шума па частоте 10 ГГц. Предназначен для применения в малошу-
мящих усилителях и усилителях с расширенным динамическим диапазоном гер-
метизированной радиоприемной аппаратуры. Бсскорнусный на керамическом
кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами и металлической крыш-
кой. Габар1 тный чертеж аналогичен ЗП326А 2 на ножке наносится условная
маркировка черной полоской
Масса транзистора не более 0,1 г.
Электрические параметры
Минимальный коэффициент шума на частоте 10 ГГц:
прн Г7си=3 В, 1с= 10 мА............................
при Пси = 5 В, /с=40 мА, ие более..............
Оптимальный коэффициент шума при Пси=3 В, /с=10мА,
/=10 ГГц, не более.............................. .
1.3* . 2*...2,8 дБ
4* дБ
3,5* дБ
374
П родолжение
Оптимальный коэффициент усиления по мощности на ча-
стоте К) ГГц, не менее:
при Пси—3 В, /с=Ю мА ........................
при 1/си = 5 В, /с = 40 мА . ...
Максимальный коэффициент усиления по мощности при
Uch—5 В, 1с — 40 мА, /'=10 ГГц
Порог перегрузки транзистора на частоте 10 ГГц:
при UCn=3 В, /с=10 мА, не менее..............
при иСи=5 В, /с = 40 мА
Выходная мощность при Ucn-5 В, Р„=10 мВт, /=10ГГц
В >1 годная мощность при Ucit=5 В 1С 40 мА, /
= 8,15 ГГц и компрессии усиления на 3 дБ . . .
Крутизна характеристики при t/си = 4 В, /с 40 мА, не
менее ...........................................
Напряжение отсечки при Ucn=2 В, /с=5 мА
Начальный ток стока при Ucii — З В-
7=+25 °C . ........................
Т---60 “С ... .....................
7=+ 85 °C....................................
Ток утечки затвора при Um-2,5 В, Т=—60, +25 и
+ 85 °C, не более . ........................
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток — исток..........................
Напряжение затвор — исток........................
Напряжение затвор — сток.........................
Потенциал статического электричества.............
I loci зинна я рассеиваемая мощность:
Г «£ + 70 °C..................................
Т= + 85°С.....................................
7 крист^ +125 °C ... . .
Непрерывная СВЧ мощность, падающая на вход траизи
стора, при Ucn~5 В, Zc = 40 мА, 1=10 ГГц
Температура окружающей среды ...
5* дБ
7* дБ
9... 10.5*... 12* дБ
15* мВт
25*. 40*.. 50* мВт
45.. 60* 85* мВт
50* . 65*. .80* мВт
25 мА/В
2 5*. .4*.. 5* В
100... 120*.. 150* мА
11О*...13О*...
180* мА
93*. 112*. 130* мА
1 мкА
5,5 В
5 В
9 В
30 В
250 мВт
200 мВт
300 мВт
1* Вт
—60. . + 85 С
2П337АР, 2П337БР
Транзисторы кремниевые эпитаксналыю-планариые полевые с затвором на
основе р-п перехода и каналом гьтипа, подобранные в нары по основным элект-
рическим параметрам Предназначены для применения в балансных смесителях,
дифференциальных усилителях с высоким входным сопротивлением на частотах
до 400 МГц. Выпускаются п металлостеклянных корпусах с гибкими выводами.
Тип каждого прибора указывается па корпусе. Подобранные пари транзисторов
поставляются соединенными скобкой. Габаритный чертеж каждого транзистора
пары аналогичен 2П307 (А—Г).
Масса каждого транзистора пары не более 1,3 г.
Электрические параметры
Электродвижущая сила шума1 при /=100 кГц. t/cn= 10 В,
1с~ 15 мА.
2П337АР..............................................
2П337БР..........................................
Крутизна характеристики1 при Ucn—5 В, /с=10 мА-
7=+25 °C.............................................
7"=+ 125 °C не менее .... . .
1* 12*
1.5 нВ/1 Гц
1,5*. .2*
3,5 нВ/}Тц
10 13 1* 14* мА/В
7 мА/В
375
П родолженнв
7=—60 °C, не менее...................................10 мА, В
Разность напряжений затвор — исток транзисторов пары
при Пси —5 В, /с=0,1 мА:
7=+25'С . ............................ 5* 50* 200 мВ
7=+125 С, не более................................... 300 мВ
Т —60 °C, не более................................... 400 мВ
Температурный уход разности напряжений транзисторов
пары при (Jcn = 5 В, 1с 0 1 мА . ... 10*.. 60* .
400 мкВ/’С
Напряжение отсечки1 при Uch~5 В, 1с— 0,1 мА:
7= 25 СС ... . . . . 2.3,25* 6 В
Т= + 125°С............................................. 2.65 В
7= 60 СС . . ..................1.5 6 В
Начальный ток стока 1 при Ucn<=5 В (Jan 0:
Т= + 25СС ............................................... 20 53*. 87* мА
Т= + 125 °C, не менее................................15 мА
Т=—60 °C, не менее..................................... .20 мА
Отношение крутизны характеристик транзисторов пары
при Uch—Ь В, 1с— Ю мА:
7=+25сС . ............................0,9...0.94* .1
Т=+ 125 и -60 °C.....................................0,85... 1
Отношение начальных токов стока транзисторов пары при
иСи — 5 В, 1с 10 мА
7=+25 °C............................................ .... 0,9.0.97*...!
7=+ 125 °C .............................. . . . 0.85. 1
7= — 60 СС...........................................0,8... 1
Сопротивление сток—исток в открытом состоянии 1 при
Пси-0,1 В. /с-0 1 мА
7=+25 °C................................................. 30*...38*...60 Ом
7= + 125 °C ............................ 50*.. 65*. 100 Ом
7——60 °C .... .... . 20*.. 30*...40 Ом
Ток утечки затвора' при Ucn—О, (hn^—10 В не более:
7= + 25°С................................................I нА
типовое значение . . . . 0 018* нА
7= + 125гС . . . .........................100 нА
7- — 60 СС......................................... . 1 нА
Входная емкость1 при Ucn — 0, (Jan ——10 В . . 4 4* . 4 5* .5 5 пФ
Проходная емкость1 при Ucn 0, 1)зи——10 В . 17*.. 1,8*...2,5 пФ
1 Параметр измеряется для каждого транзистора пары.
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток — исток . .... 25 В
Постоянное напряжение затвор — сток.......................30 В
Постоянное напряжение затвор—исток........................25 В
Прямой ток затвора ... ... . 10 мА
Постоянная рассеиваемая мощность каждого транзистора
пары при Т =—60...+ 60 °C1.............................. 200 мВт _
Температура окружающей среды . . - — 60...+125 ч.
1 В диапазоне температур +60.+125’С мощность рассчитывается по формула
₽яаи(;. мВт«=200 -2.7(7- 60).
Пайка выводов транзисторов допускается пе ближе 3 мм от корпусг
температуре ие более +240 СС в течение 4 с.
376
2П338АР-1
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на
основе р-п перехода и каналом «-типа, подобранные в пары по основным
электрическим параметрам. Предназначены для применения в измерительной
аппаратуре в балансных смесителях, дифференциальных усилителях с высоким
входным сопротивлением Бескорпусные с гибкими выводами. Транзисторы упа-
ковываются парами. При этом каждый транзистор помещается в индивидуаль-
ную тару, позволяющую производить измерение электрических параметров без
извлечения их из тары. Тип прибора указывается на индивидуальной и груп-
повой таре. Габаритный чертеж каждого транзистора пары аналогичен
2П308А-1 (за исключением расположения выводов: затвор — сток — исток вме-
сто исток — сток — затвор для 2П308А-1).
Масса каждого транзистора пары ие более 0,01 г.
Электрические параметры
Электродвижущая сила шума’ при f — 1 кГц, Ucn—7 В,
/с=5 мА . ......................................3* *. 3.45Г..
5 нВ/)Тц
Крутизна характеристики123 при {/си=5 В:
/с=4 мА2, Г =4-25°C..................................5...8,4*...9,5 мА/В
/с=Ю мА3 (в составе условной микросхемы):
Т -+25 °C . . .... 10.12,6*..
13 2* мА/В
Т= 4-125 °C, ие менее................................5 мА/В
Т — 60 СС, ие менее.....................................10 мА/В
Напряжение отсечки 1 нри 1/си=5 В /с=-0,01 мА . . 0,2...1 5*. 4.5 В
Отношение крутизны характеристик транзисторов пары
при Uси — 5 В
Т=+ 25 °C............................................ 0.9 0 96* 1
Т- 4-125 СС..........................................0 8.1
Т--60 °C ..................... 0,7.1
Отношение напряжений отсечки транзисторов пары при
Ucn—5 В, /с=0,01 мА:
Т- 4-25 °C...........................................0,9.0,99*...1
4-125 н -60 °C....................................0,8... 1
Ток утечки затвора1 при Ucn—O, и3и= — 1Ъ В:
Т=4-25°С.................................... . . . 0.011 *0.014*...
0,3 нА
7’=4-125сС, не более................................. 300 нА
Входная емкость1 нри ПСи=Ю В 6/зи = —10 В,
= 10 МГц............................................. ... 3,8* 3.9* 5 пФ
Проходная емкость1 при Ucn~ 10 В, Г/Зи= —Ю В,
= 10 МГц . . . 1,6* 1,64* .2 пФ
’ Параметр измеряется для каждого транзистора пары
> Для транзисторов с lc W4<4 мА крутизна характеристики измеряется при
• Для транзисторов с /с.нач<1® крутизна характеристики измеряется прн USJf-0.
Предельные эксплуатационные данные
Напряженке сток — исток.................................20 В
Напряжение затвор — сток................................25 В
Напряжение затвор — исток ..... , 25 В
Ток стока (в составе микросхемы) ... 10 мА
Прямой ток затвора (в составе микросхемы) .... 5 мА
377
Продолжение
Постоянная рассеиваемая мощность каждого транзистора
пары п составе микросхемы при /?г(п-с>^2эС/мВт и
7=—6О...+25°С 1 ........................
Температура окружающей среды..........................
60 мВт
—60...+ 125'С
В диапазоне температур +25. . + 125 °C мощность рассчитывается по формуле
РЛ<1КС. мВт-60 0,5(Г-25>
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 2 мм от поверхности
лаковою покрытия Прн этом не допускается перегрев кристалла и защитного
покрытия свыше +140 °C.
ЗП339А-2
Транзистор по тевой арсенидогаллневый итанариый с каналом n-типа и
барьером Шотки сверхвысокочастотный усилительный с нормированным коэф-
фициентом шума на частотах 8 и 17 4 ГГц. Предназначен для применения в
малошумящих усилителях, усилителях с расширенным динамическим диапазоном
и широкополосных усилителях с повышенными требованиями к выходной мощ
поста герметизированной радиоприемной аппаратуры Бескорпусный на кера-
ми шском кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами и металлн ie-
ской крышкой. Габаритный чертеж аналогичен ЗГ1326А-2, на ножке наносится
условная маркировка черными точкой и полоской.
Масса транзистора не более 0,15 г.
Электрические параметры
Минимальный коэффициент шума.
UCn=3 В, /с==5 мА, /=8 ГГц, не более . . . .
Ucn=3 В, /с=5 мА, /=17,4 ГГц, не более
Ucn—5 В, /с — 30 мА, /=8 11 ц
Максимальный коэффициент усиления по мощности при
Ucit—5 В 1с—30 мА
/=10 ГГц.........................................
/=17,4 ГГц.......................................
Порог перегрузки транзистора при Ucti~ 5 В /с = 30 мА,
/=10 ГГц, не менее ... . . .
Выходная мощность при Ucn 5 В, P„.t=10 мВт, не меиее:
/=10 ГГц ........................................
/=17,4 1 Гц......................................
Крутизна характеристики;
1/сл = 1,5 В, /С=Ю мА, не менее..................
Ucn = 5 В, /с=30 мА . . . .
Напряжение отсечки при Ucn—2 В, /с=1 мА, не более
Начальный ток стока при Ucn—2 В......................
Ток утечки затвора при 1Аш=2,5 В:
Т= +25 °C, не более..............................
типовое значение ................................
7 = —60 °C, не более...................
7 = + 85 °C, ие более . ...
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток — исток........................ . -
Напряжение затвор — исток . .
Напряжение затвор — сток.............................
Потенциал статического электричества ................
Постоянная рассеиваемая мощность:
7< +50 ’С........................................
2,4 дБ
4 дБ
2,5*...3*. 4* дБ
10...12*. .14* дБ
5...8*..10* дБ
10 мВт
25 мВт
15 мВт
10 мА/В
18*...20*...22* мА<В
5* В
50*...70*...90* мА
1 мкА
0 0045* мкА
1* мкА
10* мкА
5.5 В
5 В
7 В
3*> В
250 мВт
378
7 =+85 °C.....................................
Непрерывная СВЧ, мощность, падающая иа вход транзи-
стора, при ПСи = 1.5 В /с=5 мА, f—8 ГГц .
Температура окружающей среды......................
П роОалжение
140 мВт
150* мВт
—60...+ 85 С
2П341А, 2П341Б, КП341А, КП341Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с каналом
n-типа и затвором в виде р-п перехода. Предназначены для применения во вход-
ных каскадах уси лителей. Корпус металлокерамический с гибкими выводами.
Габаритный чертеж и цоколевка аналогичны 2П312 (А, Б).
Масса транзистора не более 0,08 г.
Электрические параметры
ЭДС шума при Пси =5 В, /с-4,5 мА, /=100 кГц . . 0.82 0.9...
1,2 нВ/}Тц
Минимальный коэффициент шума при Пси 5 В, /с = 5 мА,
типовое значение:
/=400 МГц........................................2.8 дБ
/ = 200 МГц......................................1,8 Б
Напряжение отсечки при Пси--5 В, /с = 100 мкА . . 0.4.0,75...3 В
Начальный ток стока при ПСи = 5 В, Пги -0:
2П341А, КП341А...................................4,5... I2...20 мА
2П341Б. КП341Б ...... 16 20. 30 мА
Ток утечки затвора прн Изи = — 10 В:
Г—+25 и — 60 °C . . . . 1 нА
7=+ 125 °C . .......................100 нА
Крутизна характеристики при Пси = 5 В, Изи -0:
2П341А. КП341А..............................15...24 .30 мА/В
2П341Б КН341Б ...................18.26 .32 мА/В
Входная емкость при Пси = 5 В, Пзи=—2 В . . . . 3 8 5 пФ
типовое значение .-........................... 4.2 пФ
Выходная емкость при Пси = 5 В, Пяи»—2 В, типовое
значение.............................................1.6 пФ
Проходная емкость при Пси = 5 В, Пзи = —2 В, типовое
значение.............................................1 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток — исток...................15 В
Постоянное напряжение затвор — исток.................10 В
Постоянное напряжение затвор — сток..................15 В
Постоянная рассеиваемая мощность1 при Т-—6О... + 6ОСС 150 мВт
Постоянный ток затвора............................... 5 мА
Температура окружающей среды.........................—60 .+ 125 °C
При температуре от +60 до +125 СС Рмохс снижается линейно на 2 мВт С.
ЗП343А-2
Транз [стор полевой арсенндогаллиевын планарный с каналом п-типа и
барьером Шотки сверхвысокочастотный усилительный с нормированным коэф-
фициентом шума на частоте 12 ГГц Предназначен для применения во входных
и последующих каскадах малошумящих усилителей герметизированной радио-
приемной аппаратуры. Бескорпусный на керамическом кристаллодержателе с
гибкими полосковыми выводами и керамической крышкой. Габаритный чертеж
379
аналогичен ЗП325А-2, на крышке наносится условная маркировка двумя чер-
ными точками
Масса транзистора не более 0,05 г.
Электрические параметры
Минимальный коэффициент шума при 1)си—3 В, /с=6 мА,
f 12 ГГц. не более.............................. .... 2 дБ
Оптимальный коэффициент шума при (7си = 3 В. 1с — 6 мА,
f 12 ГГц . ...................................2*...3*..,4* дБ
Коэффициент шсма в 50-омном тракте прн (7си = 3 В,
/<=6 мА, /= 12 ГГц.....................................2,5* дБ
Оптимальный коэффициент усиления по мощности при
Пси=3 В, /с=6 мА, /=12 ГГц, не менее....................8,5 дБ
Максимальный коэффициент усиления по мощности при
Бси = 3 В, /с=6 мА. /=12 ГГц............................10*...12*...16* дБ
Коэффициент усиления по мощности в 50-омном тракте
прн (7си=3 В, /с=6 мА, )=12 ГГц.........................6* дБ
Порог перегрузки транзистора прн [/Си=3,5 В, /с=10 мА,
f 12 ГГц, не менее......................................3* мВт
Крутизна характеристики при С/си = 3 В, /с=Ю мА, ие
менее ................... . . . 10 мА/В
Напряжение отсечкн при 1/Си=3 В, /с=1 мА , . . 2*...2,5*...4* В
Начальный ток стока при 1/ри=2 В, ие менее . . , 20* мА
типовое значение ...................................35* мА
Ток утечки затвора при {Лзи=2,5 В, ие более:
Т=+25 и —60 °C I мкА
7 = 4-85 °C...................................... 10 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток — исток.............................. 3,5 В
Напряжение затвор — исток . . ЗВ
Напряжение затвор — сток.................................. 6 В
Потенциал статического электричества ................... 30 В
Постоянная рассеиваемая мощность........................35 мВт
Непрерывная СВЧ мощность, падающая на вход транзи-
стора, при Ucn 3.5 В. /с=10 мА, /=12 ГГц .... 200 мВт
Температура окружающей среды......................... . —60 . + 85 С
ЭП344А-2
Транзистор полевой арсенидогаллиевый планарный с каналом гг-типа и
барьером Шотки сверхвысокочастотиый усилительный с нормированным коэф-
фициентом шума иа частоте 4 ГГц. Предназначен для применения во входных
и последующих каскадах малошумящих усилителей (в том числе с расширен-
ным динамическим диапазоном) герметизированной радиоприемной аппаратуры.
Бескорпусиый на керамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми вы-
водами и керамической крышкой. Габаритный чертеж аналогичен ЗП325А 2, на
крышке наносится условная маркировка черной точкой.
Масса транзистора нс более 0,05 г.
Электрические параметры
Минимальный коэффициент шума при (7си=3 В. /с =
20 мА, f 4 ГГц. ие более . . .............1 дБ
Оптимальный коэффициент шума при Vcii — З В, /с =
=20 мА, f=4 ГГц....................................1.7* дБ
Коэффициент шума в 50-омпом тракте при Оси 3 В,
1с 20 мА f=4 Гц................................. ... 1.3* дБ
380
П родолжение
Оптимальный коэффициент усиления по мощности прн
Uch = 3 В, 7с=20 мА, /=4 ГГц, не менее...............10 дБ
Максимальный коэффициент усиления по мощности при
£7си=3 В. /с = 20 мА, / = 4 ГГц......................14* дБ
Коэффициент усиления по мощности в 50-омном тракте
при йси — 3 В, 1с 20 мА, / = 4 ГГц................ 10* дБ
Коэффициент стоячей волны напряжения генератора СВЧ
мощности в режиме измерения Кш.мин...................3*
Порог перегрузки транзистора при 1?си = 3 В, /с=20 мА,
h 4 ГГц, не менее....................................10 мВт
типовое значение.................................20* мВт
Крутизна характеристики прн 1/<;и = 2 В, /с=20 мА, не
менее................................................15 мА/В
Ток утечки затвора при (7ЗИ=2,5 В, не более:
7’=+ 25 и —60 °C .... ... 1 мкА
Т= + 85СС ... .......................10 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток — исток.............................
Напряжение затвор — исток...........................
Напряжение затвор — сток................... . . .
Потенциал статического электричества.................
Постоянная рассеиваемая мощность.................
Непрерывная СВЧ мощность, падающая на вход транзи-
стора, при 1/'си = 4.5 В, /с = 22.5 мА, /-4 ГГц, по крите-
рию— отсутствию выгорания............................
Импульсная СВЧ мощность, поглощаемая входом транзи-
стора, при Пси —3 В, 1С=20 мА, / = 3,6 ГГц,
120 мкс, Q = 50, Т~—5О...+6О°С, по критерию—изме-
нению Кцр в пределах —0 2...+ 0,2 дБ................
Температура окружающей среды.........................
4,5 В
4 В
7 В
30 В
100 мВт
750 мВт
50 мВт
—60...+ 85 *С
ЗП345А-2
Транзистор арсепидогаллневып планарный полевой с затвором в виде барье-
ра Шотки и каналом л-типа усилительный Предназначен для применения в
фотопрнемных устройствах с малым уровнем собственных шумов в герметизи-
рованной аппаратуре. Корпус керамический квадратный с размерами
2X2XI.5 мм, жесткими выводами длиной 3,5 мм, шириной 0,3 м.м н толщиной
0,1 мм. У затвора наносится маркировочная точка, далее по часовой стрелке
располагаются выводы стока и истока.
Масса транзистора не более 0,05 г.
Электрические параметры
ЭДС шума при (7си=2 В, 1с —20 мА:
/=100. 200 МГц.................................................0,9 .1.. 1,4 нВ/Гц
/-30 МГц . . . . . .... 1,1 .1,3. .2,8 нВ/Гц
Ток утечки затвора при 17зк=— 2 В, не более:
7’=—6О...+6ОСС . . . . . 100 нА
типовое значение............................................30 нА
+85 °C............................................. 400 нА
типовое значение ... .... 60 нА
Начальный ток Стока при Ucn—2 В, <7»ц=0 .... 20...43...60 мА
Крутизна характеристики при 1/си=2 В, /с = 20 мА
7”=+25°C ... ......................... 15. .20...27 мА/В
Г = -60сС . . . .........................15. .20...28 мА/В
7- + 60‘С . . .............................15. .18 ..22 мА/В
381
Продолжение
7’=+85°С.................................................12.. 15. .20 мА,В
Входная емкость при и3„=~2 В, f=l МГц, 7=
= 60..+85 °C.......................................... . . 0,27...0,33. .0 35 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение затпор — исток при Т =
= 60 ..+85 °C......................................
Постоянное напряжение сток — исток прн Т=—60...+ 85 °C
Постоянная рассеиваемая мощность1 при Т=—60...+40°С
Температура окружающей среды........................
-2 В
4 В
80 мВт
-60. . + 85 °C
При повышении температуры от +40 до +85 °C РА1КС снижается линейно до 4‘ мВт
Присоединение выводов осуществляется методами сварки расщепленным
электродом или бесфондовой пайки. Минимальное расстояние места пайки
(сварки) выводов от кристаллодержателя 1,5 мм. Время пайки не более 3 с.
Допускается пайка (снарка) выводов не менее I мм от кристаллодержателя
прн условии обеспечения надежного отвода теплоты от вывода между местом
пайки (сварки) и кристаллодержателем. Прн этом следует пользоваться се
ребряно индиевыми припоями, температура пайки ие более +190 °C.
Допускается однократный изгиб выводов с радиусом закругления не более
1,5 мм на расстоянии не менее I мм от кристаллодержателя.
ЗП605А-2
Транзистор полевой арсепидогаллиевый планарный с каналом п-типа и
барьером Шотки сверхвысокочастотный усилительный с нормированным коэф-
фициентом шума на частоте 8 ГГц. Предназначен для применения в малошумя-
щих усилителях и усилителях с расширенным динамическим диапазоном гер
метнзированной радиоприемной аппаратуры. Бескорпусный на керамическом
крнсталлодержателе с гибкими полосковыми выводами и металлической крыш
кон Габаритный чертеж аналогичен ЗП326А-2, на ножке наносится условная
маркировка в виде знака «Т».
Масса транзистора нс более 0,15 г
Электрические параме ры
Минимальный коэффициент шума при 17си = 4 В, /с =
=30 мА, )=8 ГГц, не более...........................3,5 дБ
типовое значение.................................1,75* дБ
Оптимальный коэффициент усиления по мощности при
(?си = 4 В. /с=30 мА (=8 ГГц. не менее 5 дБ
Максимальный коэффициент усиления по мощности при
Пси=4 В, /с = 30 мА, ( = 8 ГГц ... . 8* дБ
Оптимальный коэффициент шума при Uch=4 В, 1с =
= 30 мА. (=8 ГГц . ..........................2* дБ
Порог перегрузки транзистора на частоте 8 ГГц:
Uch = 4 В. /с = 30 мА. не менее..................15 мВт
типовое значение ... ... 25* мВт
1/си —5 В, 1с~80 мА, ие менее..................35* мВт
типовое значение.................................80* мВт
Выходная мощность прн 17си = 5 В, Рвх=20 мВт, f = 8 ГГц,
не менее .... ............. 100 мВт
Крутизна характеристики при Uch = 4 В, /с = 30 мА, не
менее .... . . . 30 мА/В
Напряжение отсечки при 17си = 3 В /с = Ю мА, не более 5,5* В
Начальный ток стока при С/си=3 В, не менее . . . 150* мА
Ток утечки затвора при 1/зи=2,5 В не более
7=+25 н -60 "С....................... . . Ю мкА
7=+85°С . . . . , 100 мкА
382
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток — исток............................... 6 В
Напряжение затвор — исток............................. 4 В
Напряжение затвор —сток .... .... f В
Потенциал статического электричества.....................30 В
Постоянная рассеиваемая мощность:
7Х+40сС................................................. 450 мВт
Г= + 85€С . 240 мВт
Непрерывная мощность, падающая на вход транзистора,
прн Псл = 5 В, /с=80 мА..............................ф 1.4* Вт
Температура окружающей среды..........................—60... + 85'С
АЛФАВИТНО-ЦИФРОВОЙ УКАЗАТЕЛЬ ТРАНЗИСТОРОВ,
ПОМЕЩЕННЫХ В СПРАВОЧНИКЕ
Гип прибора Стр. Тип прибора Стр. Тип прибора Стр.
1НТ251 271 2П337 (АР, БР) 375 2Т366-1 191
1Т101 37 2П338АР I 377 2Т368 193
1Т102 37 2П341 (А, Б) 379 2T370-I 2э5
1Т115 45 2П350 370 2Т371 196
ITI16 47 2ПС104 304 2Т372 198
1Т305 120 2ПС202-2 310 2Т377-2 105
1Т308 122 2ПС316-1 346 2Т378-2 107
1Т311 164 2TI04 40 2T381-I 275
1Т313 237 2TII7 48 2Т382 202
IT320 127 2T1I8 50 2Т384-2 204
1Т321 130 2 Г118-1 51 2Т385-2 НО
1Т329 177 2Т126 1 56 2Т388 2 151
1Т330 179 2Т127-1 27 2Т389-2 260
IT335 135 2T20I 28 2Т391-2 209
1Т341 182 2Т202 1 58 2Т392 2 262
1Т362 187 2Т203 60 2Т396-2 212
1Т374-6 201 2Т205-3 31 2Т397 2 214
1Т376 256 2Т208 63 2Т399 216
1Т386 258 2T21I-I 68 2Т3101 2 218
IT387-2 206 2T2I4-I 70 2Т3106 2 220
1Т3110 2 222 2T2I5 1 33 2Т3108 157
1Т403 73 2Т301 77 2T3I14-6 223
1 ТАИ 15 45 2Т306 159 2Т3115-2 226
ITM305 120 2Т307-1 162 2Т3117 115
2П101 296 2Т312 79 2Т3120 229
2П103 298 2Т313 126 2T312I-6 231
211201-1 308 2Т314-2 82 2Т3123 2 265
2П202 1 3U0 2Т316 167 2Т3124-2 232
2П301 315 2T317-I 86 2ТЗ132-2 235
2П302 318 2Т318 I 170 2ТЗ132-5 235
2П303 321 2Т321 132 2TMI03 24
2П304 324 2Т324-1 173 2ТМ104 40
211805 326 2Т325 175 2ТС303-2 293
2П305-5 328 2Т326 240 2ТС393-1 285
2П306 330 2T333-3 87 2ТС398-1 279
2П307 332 2Т336 90 2TC3I03 291
2П308 I 335 2Т348-3 95 2TC3I11 1 282
211310 337 2Т354 2 184 ЗП320-2 348
211312 339 2Т355 186 ЗП321 2 350
2П313 341 2T3BO-I 251 ЗП324 2 356
2П322 352 2Т363 252 ЗП325-2 358
2ПЗЗЗ 369 2Т364-2 147 ЗП326-2 360
383
Продолжение
Тнп прибора Стр. । 1 Тип прибора Стр. Тип прибора । Стр.
ЗП328-2 365 КП323-2 354 КТ355 186
311.530 (Л-2 — В-2) 373 КГ1327 362 КТ357 144
3(1331А-2 374 КП329 367 КТ358 97
ЗИ339А-2 378 КИ341 (А, Б) 379 КТ359 98
3I1343A-2 379 КП350 370 КТ 360 1 251
ЗП344Л-2 380 КПС104 304 К1361 146
31I345A 2 381 КПС202 2 310 КТ363 252
ЗП605Л 382 КПС203 2 313 КТ364 2 147
АП 325-2 358 КПС315 344 КТ366 191
АП.328-2 3G5 КПС316-1 346 КТ368 193
ГТ 108 42 КТ 104 39 КТ369 99
ГТ 109 43 КТ117 48 КТ369-1 99
ГТ115 46 КТ 118 50 KT370-1 255
ГТ122 26 КТ 119 53 KT37I 196
ГТ 124 54 КИ20-1 53 КТ372 198
IT125 55 KT20I 28 КТ373 100
ГТ305 120 КТ202-1 58 КТ375 103
ГТ308 122 КТ203 60 КТ379 108
IT309 124 КТ206 32 КТ380 119
ГТ310 125 КТ207 62 КТ382 202
ГТ311 164 КТ208 63 КТ384 204
ГТ313 237 КТ209 65 КТ385 ПО
ГТ320 127 КТ210 67 КТ388 2 151
П321 130 КТ214 I 70 КТ 389 2 260
ГТ328 242 КТ215 I 33 KT39I 2 209
ГТ329 177 КГ301 77 КТ392-2 262
ГТЗЗО 179 КТ302 35 КТ396-2 212
ГТ338 138 КТ306 159 КТ 397 2 214
ГТ341 182 KT307-I 162 KT39J 216
ГТ346 246 КТЗ 12 79 KT3I01 2 218
П362 187 ктз 13 126 КТЗ 102 112
ГТ376 256 КТЗ 14 2 82 КТЗ 104 153
ГТ402 72 КТЗ 15 84 КТЗ 106-2 220
ГТ403 73 КТЗ 16 1Ь7 КТЗ 107 155
ГГ404 36 КТЗ 17-1 86 КТЗ 108 157
ГТ4О5 76 КТЗ 18 170 КТЗ 109 263
К1НТ251 271 КТ321 132 КТЗ! 14 6 226
KIHT661 284 КТ324 1 173 КТЗ 115-2 226
КП101 296 КТ325 175 ГТ3117 115
КП 103 298 КТ326 240 КТЗ 120 229
КП201-1 308 ктззз-з 87 КТЗ 123-2 265
КП202-1 310 КТ336 90 КТЗ 123 263
КП301 315 КТ337 244 КТ 3126 267
К! 1302 318 КТ339 92 КТЗ 127 269
кпзоз 321 КТ342 93 КТЗ 128 270
КПЗО4 324 КТ343 139 КТЗ 129 9 116
К.П305 326 КТ345 245 КТЗ130 9 118
КПЗО6 330 КТ347 218 КТЗ 132-2 235
КП307 332 КТ348 95 KTC303-2 293
КП308 1 335 КТ349 249 КТС393-1 285
кг 1312 339 КТ350 140 КТС394-2 288
КПЗ 13 341 KT35I 141 KTC395-I 277
КП314 343 КТ352 143 KTC398-I 279
КП322 352 КТ354-2 184 ктсзюз 291