Текст
Б. П. Даниленко
РОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ И ОБОРУДОВАН^
.ботки, производства и ремонта электронной техники
www.elcotel.ru
шин
IIIIIIIIII
Новосибирск, ул. Котовского, 2 (входе торца) тел./факс (3832)51-56-99, тел. (3832)59-93-16
e-mail: elcotel@online.nsk.su, info@elcotel.ru
отечественные и зарубежные
УСИЛИТЕЛИ РАДИОПРИЕМНИКИ схемы и ремонт
Глава 1
НЕИСПРАВНОСТИ И ЗАМЕНА РАДИОДЕТАЛЕЙ ПРИ РЕМОНТЕ БЫТОВОЙ РАДИОАППАРАТУРЫ
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ
При ремонте бытовой радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) конечной целью является отыскание причин ее отказа, замена неисправных радиодеталей и устранение дефектов монтажа.
При обнаружении неисправной детали анализируют и устраняют причину выхода ее из строя, а затем устанавливают исправную. Анализ и устранение причин выхода из строя деталей всегда обязателен, так как просто установка годной детали и включение аппарата может сразу привести к ее повторному выходу из строя, а иногда и к другим нежелательным последствиям. Это в первую очередь относится к радиодеталям выходных мощных каскадов У34, блока разверток, блока питания и др„ так как там действуют значительные токи и напряжения.
Особенно внимательно надо относиться к замене предохранителей: установка предохранителей, рассчитанных на больший ток, может привести к возгоранию аппарата (особенно лампово-полупроводниковых цветных телевизоров).
При анализе причин выхода из строя радио-деталей надо иметь в виду, что в большинстве случаев это происходит из-за повышенного напряжения и тока или их резких изменений. Причинами выхода из строя могут быть также удары, плохие контакты отдельных выводов, недостаточное охлаждение радиаторов транзисторов, микросхем или плохой контакт с ними, износ (например, ламп, кинескопов).
Определенная сложность при определении исправности радиодетали возникает из-за «неодинакового поведения» ее при работе в схеме и вне схемы, особенно в цепях с высоким напряжением. При проверке относительно простыми способами деталь может выглядеть исправной, а при установке в схему нормально не работать. Поэтому предпочтительно исправность многих радиодеталей проверять только методом установки их в исправные блоки и каскады. В большинстве случаев это относится к телевизионным радиодеталям и узлам. Сюда входят выходные строчные и кадровые трансформаторы, отклоняющие системы, высоковольтные выпрямители и транзисторы, импульсные трансфор
маторы, тиристоры, микросхемы и др. Существуют приборы для проверки названных радио-деталей, но они не всегда дают однозначные результаты.
1.1. НЕИСПРАВНОСТИ
И ЗАМЕНА РЕЗИСТОРОВ
Наиболее распространенные неисправности постоянных резисторов — это перегорание или обрыв (в проволочных резисторах). Внешнее проявление неисправности — это потемнение корпуса или даже его обугливание. Потемневший резистор при проверке омметром еще может быть исправным.
Резисторы малого сопротивления до нескольких Ом часто изготавливаются из высокоомной проволоки, которая наматывается на корпус высокоомного резистора. При протекании больших токов проволока раскаляется как спираль, а затем перегорает. Иногда можно заметить, что при работе аппарата беспроволочный резистор сильно разогревается. В этом случае аппарат отключают и устраняют причину возникновения большого тока через резистор. Например, резистор фильтра питания сильно разогревается при больших утечках тока, пробое конденсаторов фильтра или при возросшем потреблении тока схемой аппарата. Это чаще возникает в старых ламповых аппаратах. Если явно выраженной причины большого потребления тока нет, видимо, многие элементы схемы имеют повышенную утечку тока.
Заменяются резисторы в основном по двум параметрам: величине номинального сопротивления и мощности.
Возможно параллельное или последовательное соединение резисторов. Общее сопротивление при последовательном соединении, например, двух резисторов равно их сумме: ^общ.= + а ПРИ параллельном — оно меньше наименьшего из соединяемых резисторов и определяется:
Rt + R2 '
Проволочные резисторы изготавливают из нихрома или манганина. Длина провода может
быть определена по формуле: R = р • 1/S, где R — величина сопротивления, Ом; р — удельное сопротивление материала, Ом «Медлина провода, м; S — сечение провода, м2.
Наиболее точно величину сопротивления резистора можно измерить методом амперметра и вольтметра, мостовым методом, цифровым омметром.
Подстроечные и переменные резисторы проверяют омметром. Если при изменении их сопротивления стрелка омметра двигается плавно, без рывков и скачкообразных изменений, то резисторы пригодны для использования, а если стрелка «прыгает», то нарушен контакт ползунка с токоведущей поверхностью. Такая неисправность у регуляторов громкости проявляется сильным треском, шорохами при регулировке громкости, пропаданием станций при электронной настройке резистором, скачкообразным изменением яркости в телевизорах, а также изменением размера растра и др. Такие резисторы разбирают, чистят, легко смазывают или заменяют.
В телевизорах подстроечные резисторы блока разверток заменяют аналогичными, так как они рассчитаны на более высокое рабочее напряжение.
Варисторы, термисторы заменяют такими же типами.
1.2. НЕИСПРАВНОСТИ И ЗАМЕНА КОНДЕНСАТОРОВ
Наиболее частыми неисправностями конденсаторов постоянной емкости являются: пробой диэлектрика, механические повреждения (обрывы выводов, изломы, трещины корпуса), большая утечка тока (у электролитических конденсаторов).
Конденсаторы часто проверяют омметром, который показывает только явный пробой диэлектрика или большую утечку тока. Обрыв, изменение емкости, «поведение» конденсатора под напряжением он не фиксирует. При измерении сопротивления диэлектрика конденсаторов емкостью более 0,1 МкФ омметр сначала показывает малое сопротивление, а затем оно увеличивается (идет заряд конденсатора). У электролитических конденсаторов большой емкости сопротивление должно быть не менее 100 кОм, а у малой — больше. На практике, при подозрении на неисправность конденсатора, его заменяют новым. При этом нужно учитывать величину его номинальной емкости, рабочее напряжение и температурный коэффициент емкости (ТКЕ), т. е. тип диэлектрика. Например, бумажный конденсатор заменяют на бумажный.
Не во всех каскадах бытовой РЭА одинако
вое влияние на их работу оказывает замена конденсатора другим. Необходимо, чтобы рабочее напряжение нового конденсатора было не ниже, чем у заменяемого. Например, у электролитических конденсаторов блоков питания чем больше емкость, тем лучше фильтрация, а у разделительных конденсаторов УЗЧ чем выше емкость, тем более низкие частоты они пропускают.
Конденсаторы цепей обратных связей УЗЧ необходимо устанавливать более точно, так как изменение их емкости вызывает изменение полосы частот, на которой осуществляется обратная связь.
Наиболее точно надо подбирать конденсаторы для блоков ПЧ—ВЧ радиоприемников и телевизоров с учетом ТКЕ, так как может измениться частота настройки резонансной системы. Так же точно подбирают конденсаторы для формирующих цепей задающих генераторов строк и кадров телевизоров.
Высоковольтные конденсаторы блоков разверток желательно устанавливать только новые, так как старые обычно быстро пробиваются высоким напряжением.
В блоках ВЧ при установке конденсаторов в схему стараются сохранить такую же длину их выводов, как и у заменяемых.
Конденсаторы, как и резисторы, могут соединяться последовательно и параллельно. При последовательном соединении их общая емкость равна:
1111 1
' - = - ' • - 4- ———— 4-4- ... 4- #
О)бщ ^2 ^3 G1
При параллельном: Собщ == Q + + С3 + ... + Сп.
При установке электролитических полярных конденсаторов надо строго соблюдать полярность подключения.
Замыкание или касание подвижных и неподвижных пластин конденсаторов переменной емкости (КПЕ) вызывает сильный треск у радиоприемников при настройке на станции, причем треск слышен на одном и том же участке шкалы на всех диапазонах. В воздушных КПЕ замыкания пластин устраняют отгибанием, а в остальных случаях неисправный конденсатор заменяют аналогичным.
1.3. НЕИСПРАВНОСТИ И ЗАМЕНА КАТУШЕК ИНДУКТИВНОСТИ, ДРОССЕЛЕЙ И ТРАНСФОРМАТОРОВ
Наиболее частыми неисправностями катушек индуктивности являются их обрывы (особенно места присоединения провода катушки к выводу ее каркаса), межвитковые замыкания,
деформация каркаса катушки от сильного разогрева, трещины или отсутствие сердечника. Появление той или иной неисправности зависит от места нахождения катушки в схеме аппарата. Так, в блоках высокой частоты радиоприемников вероятность перегорания катушек очень мала, так как там проходят сравнительно малые токи и слабые сигналы. Здесь чаще возможны обрывы, смещения витков и т. п.
На платах сведения лучей кинескопов телевизоров через катушки иногда проходят значительные токи из-за перегорания каких-либо элементов схемы, что приводит к сильному разогреву, деформации корпуса катушки и выходу ее из строя. Иногда при регулировке контура сердечником катушки невозможно добиться желаемого результата (например, максимума сигнала), и его завинчивают до упора. Этого делать нельзя, так как потом его невозможно выкрутить и придеася высверливать. В таком контуре скорее всего обрыв конденсатора, и одной индуктивности для регулировки не хватает.
Надо помнить, что:
1. Ввинчивание сердечника в катушку увеличивает ее индуктивность, а его вывинчивание — уменьшает.
2. Регулировка будет недостаточной, если сердечник имеет трещины, изломы или он сделан из другого материала.
3. При перемещении катушки к середине стержня магнитной антенны индуктивность увеличивается, а при смещении ее на край стержня — уменьшается.
4. У бескаркасных катушек, состоящих из нескольких витков (например, в блоке УКВ), сжимание витков увеличивает индуктивность, а их растягивание — уменьшает. После настройки положение витков катушки фиксируют парафином.
На начальном этапе обучения ремонту радиоаппаратуры всегда стремятся почему-то крутить сердечники катушек. Этого делать не следует, так Кла можно сильно расстроить резонансную систему всего блока, и затем уже будет необходима непростая настройка с помощью радиоизмерительных приборов.
Всегда надо четко представлять влияние каждой катушки индуктивности и ее регулировки. Опытные радиомеханики всегда запоминают количество сделанных оборотов сердечника, чтобы «вернуть» его в первоначальное положение, если не получен ожидаемый результат. Катушки индуктивности при необходимости заменяют на совершенно одинаковые, так как на их параметры влияют размеры, материал и форма каркаса; диаметр, материал и длина сердечника; тип намотки провода и его диаметр. Поэтому
при полном выходе катушки из строя (бывает редко) отыскивают такую же из аналогичных блоков, плат или изготавливают самостоятельно. При обрыве катушку перематывают, учитывая вышеназванные особенности.
Дроссели применяют обычно в фильтрах питания бытовой РЭА.
Наиболее часто встречающиеся их неисправности — это перегорание обмоток, так как через них проходит весь ток, потребляемый аппаратом. Вышедшие из строя дроссели сравнительно легко перемотать, так как диаметр провода большой, а витков не очень много.
Прежде чем установить новый дроссель, надо устранить причину большого тока. В фильтрах питания вместо дросселя временно можно поставить резистор сопротивлением около 1 кОм соответствующей мощности, но при этом надо помнить, что пульсации им сглаживаются хуже (можно увеличить емкость фильтра), падение напряжения на нем увеличивается, а выходное напряжение уменьшается.
Дроссели имеют разное исполнение: иногда это провод, намотанный на корпус высокоомного резистора, в других случаях он может представлять собой одетый на проволоку феррит или несколько витков на ферритовом кольце.
В бытовой РЭА применяются трансформаторы разных типов и назначений. Наиболее распространенные из них силовые трансформаторы блоков питания. Они преобразуют напряжение сети 220В (127В) в одно или несколько напряжений, необходимых для питания схемы.
Мощность трансформатора — вполне определенная величина. Попытка «взять» со вторичных обмоток трансформатора большую мощность, чем та, на которую он рассчитан, сопровождается увеличением токов во вторичной и автоматически в первичной обмотках, что приводит к сильному их нагреву и перегоранию (если предохранители рассчитаны на больший ток). Увеличение тока во вторичных обмотках трансформаторов чаще происходит из-за неисправностей в схеме аппарата: при больших утечках тока в электролитических конденсаторах фильтров; при пробоях транзисторов схемы (особенно выходных); при заклинивании двигателей и т. п.
Заменяют силовые трансформаторы, как правило, аналогичными или перематывают сгоревшую обмотку. При этом трансформатор аккуратно разбирают, провод сматывают. Если изоляция провода сильно повреждена, осыпалась от перегрева, его заменяют новым. Меняют обычно и изоляцию между обмотками. Нежелательно составлять обмотку из отрезков провода.
Проверяют отремонтированный трансфор
матор только после окончательной сборки сердечника. Все пластины сердечника должны быть установлены на место и хорошо зажаты, в противном случае при включении будет слышен дребезжащий звук, а если установлены не все пластины, то возможен больший нагрев.
Нельзя трансформатор подключать к сети без сердечника: индуктивное сопротивление обмотки становится малым и она сразу сгорает. Нельзя также подключать трансформатор к источнику постоянного тока: сразу сгорает обмотка или источник постоянного тока (если маломощный).
После полной сборки трансформатора его сначала проверяют на холостом ходу, т. е. подключают к сети без нагрузки. Если он греется и сильно гудит, то его перематывают, а если он практически холодный, все напряжения обмоток нормальны (или несколько выше), то его подключают к нагрузке (у которой устранены неисправности).
Еще сложнее проверка исправности импульсных трансформаторов модулей питания телевизоров, различных преобразователей. Омметром можно проверить только целостность обмоток. Поэтому импульсные трансформаторы проверяют заменой заведомо исправными (проверенными на других аппаратах) или новыми. Если в корпусе такого трансформатора имеются трещины, набухания и т. п., его заменяют. Даже при незначительных межвитковых пробоях в импульсных трансформаторах модуль питания запускаться не будет.
Пригодность различных трансформаторов межкаскадной связи ориентировочно проверяют омметром, а лучше — заменой исправными. Перемотка их трудоемка.
Довольно часто в телевизорах выходят из строя выходные трансформаторы строчной развертки (ТВС, ТДКС). Полная проверка их исправности возможна в обычных условиях только заменой заведомо исправными или подстановкой их в исправный (технологический) телевизор. Омметром можно проверить только целостность обмоток.
Внешними признаками неисправности ТВС являются: отсутствие высокого напряжения и, как следствие, отсутствие растра; отсутствие ускоряющего напряжения, накала кинескопа; межвитковые пробои в цепях высокого напряжения («снег» на экране, шипение, треск); изменение размера по горизонтали.
Проверку ТВС, ТДКС начинают с тщательного внешнего осмотра. Если на корпусе имеются трещины, расплавленные места, прогорания изоляции или ТВС быстро и сильно разогревается (срабатывает защита модуля
питания), то такой ТВС, ТДКС заменяют.
Замену ТВС, ТДКС производят точно такими же. В некоторых старых ламповых телевизорах возможна установка ТВС из более поздних ламповых телевизоров, но требуется анализ подключения всех его выводов. Чаще в ТВС выходит из строя высоковольтная обмотка, в этом случае ее снимают и заменяют исправной. Если треснул ферритовый сердечник, то его склеивают. При нормальной работе выходного каскада строчной развертки в исправном ТВС из него слышен свист высокой частоты (15625 Гц). При наличии неисправностей свист может быть очень громким. Другие, более простые, моточные изделия бытовой РЭА (дроссели, регуляторы линейности и т. п.) проверяются омметром и заменяются аналогичными.
1.4. НЕИСПРАВНОСТИ И ЗАМЕНА ЭЛЕКТРОННЫХ ЛАМП
В процессе работы РЭА происходит естественный износ ламп: катод постепенно теряет эмиссию, ток уменьшается, усиление падает и лампа становится непригодной. Наиболее точно пригодность ламп определяют измерителем их параметров, а на практике — подстановкой в исправный аппарат или заменой на новые. Ремонт аппаратуры, блоков на лампах начинают с замены ламп на исправные. Кроме перечисленных возможны и другие неисправности ламп: потеря вакуума, межэлектродные замыкания. При сильной потере вакуума зеркальный поглотитель внутри лампы становится молочно-белым, при незначительной — видно голубое свечение. Трещины чаще возникают в ножках ламп, где находятся выводы. Причина их появления — неаккуратное обращение с лампой: резкие изгибы выводов, значительные усилия при вынимании и установке в панельку.
У длительно работающих ламп окисляются выводы, и поэтому их надо периодически чистить. Замыкание между сеткой и катодом лампы проявляется в процессе разогрева аппарата. Так, после включения телевизора нормальное изображение постепенно темнеет и исчезает звук, из-за уменьшения отрицательного напряжения на управляющей сетке анод лампы раскаляется до красного цвета. Заменяют лампы, как правило, аналогичными, но иногда и другими, имеющими одинаковую цоколевку и тип. Так, в выходных каскадах строчной развертки ламповых блоков вместо выходной лампы 6П44С может быть установлена 6П36С (она более мощная), и наоборот. Одинаковую цоколевку имеют триоды 6Н1П и 6Н2П, пентоды 6Ж52П и 6Ж9П, 6П14П и др. Но не всегда такая замена равнозначна, она
приводит иногда к значительной потере качества при сохранности работоспособности телевизоров. Неисправности в кинескопах такие же, как и у ламп: потеря эмиссии одного или нескольких катодов, частичная или полная потеря вакуума, замыкания между электродами.
При потере эмиссии катодов падает яркость свечения экрана и насыщенность цветов. При потере вакуума на внутренней части горловины кинескопа появляется молочный налет или видно внутри фиолетовое свечение. Нарушение вакуума происходит чаще из-за трещин в местах с запаянными выводами электродов. Чтобы избежать трещин, надо аккуратно снимать и одевать панель кинескопа, не прилагая при этом больших усилий, не допускать ударов по панели и горловине кинескопа. При незначительной потере вакуума увеличивается ток луча кинескопа и нарушается его фокусировка.
Замыкание между катодом и модулятором или уменьшение изоляции между ними приводит к чрезмерному увеличению яркости экрана, которая не регулируется. Для подтверждения этого между катодом и модулятором подключают вольтметр постоянного тока и регулируют яркость. Если при этом величина напряжения изменяется, а яркость не регулируется, то имеется замыкание.
При замыкании нити накала с катодом кинескопа изображение становится нечетким, размазанным. Замыкание может происходить периодически, обычно после разогрева кинескопа.
Появление свечений, искрений внутри колбы кинескопа ведет к его замене.
При деформациях и сильном намагничивании маски кинескопа на экране видны цветные пятна, которые, как правило, не устраняются при помощи петли размагничивания.
Периодически проявляющиеся дефекты изображения на экране кинескопа (переход позитивного изображения в негативное, свечение экрана одним цьсхом и т. п.) чаще возникают из-за нарушений контактов в панели кинескопа или сильного окисления его выводов. Выявляются они легким постукиванием по панели кинескопа. В таких случаях контакты панели кинескопа пропаивают, а выводы зачищают.
1.5. НЕИСПРАВНОСТИ И ЗАМЕНА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
1.5.1. Выпрямительные диоды
Исправность выпрямительных диодов определяется путем измерения прямого и обратного сопротивлений омметром (рис. 1.1).
У исправного выпрямительного диода пря-
Рис. 1.1. Измерение сопротивления диодов: а — измерение прямого сопротивления (малое); б — измерение обратного сопротивления (большое) мое сопротивление мало, обратное — большое (минимум в 10 раз больше). У германиевых полупроводниковых диодов прямое и обратное сопротивления значительно меньше, чем у кремниевых, но последние работают при более высоких температурах (до +100...120°С) и напряжениях.
Наиболее частые неисправности выпрямительных диодов — пробой р-и-переходов . Тогда прямое и обратное сопротивления примерно одинаковы. Причинами пробоя являются неисправности в самом блоке питания (пробой конденсаторов фильтра и др.) и большое потребление тока нагрузкой (пробои транзисторов, конденсаторов фильтра и др.). Заменяют выпрямительные диоды с учетом значений двух параметров: среднего выпрямленного тока (максимального выпрямленного тока) и максимального обратного напряжения. В устанавливаемых диодах значения этих параметров должны быть не меньше, чем у сгоревших. Диодные мосты могут быть заменены четырьмя отдельными диодами.
1.5.2. Стабилитроны
Проверка стабилитрона омметром не дает полной информации о его исправности. Поэтому его проверяют чаще подстановкой в исправную схему и измеряют на нем напряжение. Оно должно быть равно напряжению стабилизации. Можно собрать простую схему для проверки стабилитрона (рис. 1.2).
Заменяют стабилитроны аналогичными или с учетом параметров: напряжения стабилизации, тока стабилизации (номинального, максимального, минимального), дифференциального сопротивления, мощности.
1.5.3. Варикапы
Проверка варикапа омметром не дает одно-
Источник регулируемого напряжения
Рис. 12. Схема проверки стабилитрона
значного ответа о его исправности. Наиболее точно контроль параметров осуществляют измерителем параметров, а на практике проверяют величину обратного напряжения на варикапе, и если она нормальна, то его заменяют новым (если есть подозрение на его неисправность). Если в схеме несколько варикапов (например, в селекторе каналов телевизора, блоке ВЧ-радио-приемника), заменяют одновременно все варикапы.
1.5.4. Тиристоры
Наиболее частые неисправности тиристоров — это пробои переходов и отсутствие переключения. Пробои переходов обнаруживают омметром, а наличие переключения можно практически проверить только в реальной схеме. Поэтому при подозрении на неисправности тиристора его заменяют новым, а в модулях питания телевизоров заменяют вместе с переключающим мощным транзистором.
1.5.5. Высокочастотные диоды
Высокочастотные диоды применяются в схемах детекторов радиоприемников, видеодетекторов телевизоров и др. На работу названных каскадов влияет изменение параметров диодов: емкости р-п перехода, соотношения прямого и обратного сопротивлений. Обратное сопротивление ВЧ диодов схем детекторов, видеодетекторов должно быть не менее чем в 10...20 раз больше, чем прямое сопротивление. При подозрении на неисправность таких диодов их заменяют аналогичными.
1.6. НЕИСПРАВНОСТИ
И ЗАМЕНА ТРАНЗИСТОРОВ
В бытовой радиоэлектронной аппаратуре отечественного и зарубежного производства наиболее часто выходят из строя мощные транзисторы выходных каскадов УЗЧ, строчной и кадровой разверток телевизора, модулей питания, стабилизаторов напряжений, схем управления электромагнитами магнитофонов.
Ориентировочно целостность транзистора проверяют омметром, измеряя сопротивление эмиттерного, коллекторного переходов и всей структуры транзистора (эмиттер—коллектор). Наиболее часто встречаются пробои переходов (прямое и обратное сопротивления равны).
Проверка транзистора омметром не дает полной информации о его исправности. Наиболее точно транзисторы проверяют измерителем параметров транзисторов, а наиболее доступно и практично — подстановкой в исправную схему,
где выявляется его «поведение» под воздействием напряжений (особенно в импульсном режиме). Так, в схемах импульсных источников питания, выходных каскадах строчной развертки иногда приходится подбирать другой исправный мощный транзистор, так как с предыдущим схема не запускается.
Практически невозможно достоверно проверить омметром составные транзисторы, если нет явно выраженного пробоя.
Мощные транзисторы модулей питания, разверток телевизора заменяют, как правило, аналогичными. В УЗЧ, стабилизаторах блоков питания возможна замена мощных транзисторов другими с соответствующими параметрами. При этом заменяют кремниевый транзистор на кремниевый такой же структуры (п-р-п на п-р-п) с основными энергетическими параметрами не ниже, чем у заменяемого (Ук.э макс, /к макс, Цэ-э макс> Аз макс> ^к макс)- ® выходных каскадах УЗЧ мощные выходные транзисторы подбирают с одинаковым коэффициентом передачи тока /г21е (Р)- В противном случае могут появиться значительные нелинейные искажения сигнала. Более строго подходят к замене высокочастотных транзисторов селекторов каналов и каскадов УПЧИ телевизоров, блоков ВЧ-радиопри-емников. Как правило, их заменяют точно такими же.
1.7. НЕИСПРАВНОСТИ
И ЗАМЕНА МИКРОСХЕМ
Ориентировочными признаками неисправности микросхем являются:
1. Отсутствие сигнала на выходе при наличии его на входе (для аналоговых микросхем), если постоянные напряжения на ее выводах имеют нормальную величину.
2. Отсутствие напряжения логической единицы или нуля при нормальной их комбинации на входе (для цифровых микросхем).
3. Отсутствие хотя бы одного вырабатываемого сигнала (для специальных микросхем телевизоров).
Практически исправность микросхемы бытовой РЭА проверяют путем подстановки ее в исправный блок аппарата. Перед тем как сделать заключение об исправности микросхемы, после тщательного внешнего осмотра измеряют режимы по постоянному и переменному токам. Если хотя бы на одном из выводов постоянное напряжение или сигнал отличается от приведенных на схеме, то сначала проверяют общее напряжение питания микросхемы, затем внешние радиоэлементы, присоединенные как к этому выводу, так и к другим, хоть как-то связанным функцио
нально (смотрят внутреннее строение микросхемы). Иногда отключают всю внешнюю цепь от вывода, где напряжение значительно отличается от указанного, и если оно восстанавливается, то можно предположить, что неисправность во внешней цепи. Однако если между выводом и корпусом присоединен конденсатор, то он может выполнять функцию накопительного, и при его отсоединении напряжение на этом выводе, естественно, уменьшится. Заменяют микросхемы в большинстве случаев такими же.
Некоторые микросхемы на полевых транзисторах очень «боятся» статического электричества, т. е. даже простое прикосновение рук к их выводам может вызвать пробой. Такие микросхемы хранятся и переносятся завернутыми в металлическую фольгу, и при их монтаже это Надо учитывать.
В бытовой РЭА как отечественного, так и зарубежного производства наиболее часто выходят из строя микросхемы усилителей мощности звуковой частоты, стабилизаторов питания. Причиной чаще всего является не совсем правильная эксплуатация аппарата (длительное прослушивание на предельной мощности, подключение громкоговорителей с другим сопротивлением, фонограмма с большим уровнем сигнала, отсутствие необходимого охлаждения и т. п.). Большие трудности возникают при ремонте, если надо заменять микросхему зарубежного производства. Из отечественных микросхем подбирают функциональный аналог (УЗЧ, стабилизатор и др.) и заменяют вместе с внешними цепями, т. е. устанавливают всю схему включения данной микросхемы или просто плату УЗЧ и др. Схемы включения микросхем приведены в главе 8.2.
1.8. ЭЛЕМЕНТЫ СХЕМ
ЗАРУБЕЖНОЙ АППАРАТУРЫ, ИХ АНАЛОГИ И ЗАМЕНА
При ремонте бытовой РЭА часто возникает необходимость заменить вышедший из строя
радиоэлемент — резистор, конденсатор, транзистор и т. п.
Для замены нужно использовать элемент с идентичными параметрами. Зарубежные радио-детали имеют отличия в обозначении их номиналов, маркировке, которую нужно знать, чтобы правильно определить номинал вышедшего из строя резистора или конденсатора, транзистора, диода и т. п.
1.8.1. Резисторы
Зарубежные резисторы, как и отечественные, классифицируются по типу конструкции (постоянные, переменные и подстроечные), по величине номинального сопротивления, по наибольшему допустимому отклонению действительной величины сопротивления от номинальной, по номинальной мощности рассеивания и т. п. Аналогично отечественным используются три закона изменения сопротивления переменных резисторов: линейный — обозначается буквой А, логарифмический — В и экспоненциальный — С.
Зарубежные, как и отечественные, постоянные резисторы выпускаются по рекомендации МЭК (Международной электротехнической комиссии) с номинальными величинами сопротивлений и допусков в соответствии со стандартными рядами, которым присвоены условные обозначения Е6, Е12, Е24 и т. д. Каждый из рядов номиналов имеет определенный допуск отклонения от номинальной величины. Для бытовой аппаратуры используются три ряда: Е6; Е12 и Е24 (табл. 1Л).
Маркировка величины номинального сопротивления постоянных резисторов зарубежного производства обозначается в основном цветовым кодом, а также цифро-буквенным текстом. При маркировке цветовым кодом величина номинального сопротивления и его допуск обозначаются цветными точками или кольцами, наносимыми на корпус вокруг резистора. Постоянные резисторы стандартных рядов мар-
Таблица 1.1. Международные стандартные ряды для резисторов и конденсаторов
Е6±20% Е12±10% Е24±5% Е6±20% Е12±10% Е24±5%
1,0 3,3 3,3 3,3
1,0 1,1 3,6
1,0 1,2 3,9 3,9
1,2 1,3 4,3
1,5 4,7 4,7
1,5 1,6 5,1
1,5
1,8 4,7 5,6 5,6
1,8 2,0 6,2
2,2 6,8 6,8 6,8
2,2 2,2 2,4 7,5
2,7 8,2 8,2
2,7 3,0 9,1
Таблица 1.2. Определение номинала резисторов по цветовому коду
Цвет точки или кольца маркировки Первая точка или кольцо Первая цифра Вторая точка или кольцо Вторая цифра Третья точка или кольцо Множитель
Серебристый 10"2
Золотистый - - 10-1
Черный 0 0 1
Коричневый 1 1 101
Красный 2 2 102
Оранжевый 3 3 103
Желтый 4 4 ю4
Зеленый 5 5 105
Голубой 6 6 106
Фиолетовый 7 7 107
Серый 8 8 108
Белый 9 9 109
кируются четырьмя цветными точками или кольцами (рис. 1.3). Каждому цвету или точке соответствует определенное цифровое значение (табл. 1.2) величины сопротивления. Кольца (точки) — первое и второе — показывают численную величину номинального значения сопротивления в омах, третье кольцо указывает множитель, на какой необходимо умножить номинальную величину сопротивления, а четвертое кольцо определяет величину допуска в процентах. Если четвертое кольцо отсутствует, то допуск ±20 %, серебристый цвет ±10 %, золотистый ±5 %, красный ±2 %, коричневый ±1 % (рис. 1.4).
Постоянные резисторы с малой величиной допуска (1...2%) маркируются пятизначным цветовым кодом. Первые три кольца показывают численную величину сопротивления, четвертое — множитель, пятое — допуск.
Для замены вышедших из строя постоянных и переменных резисторов можно использовать
Рис. 1.3. Маркировка номинала резистора и допуска цветными кольцами ши точками
Рис. 1.4. Пример номинала и допуска резистора (величина сопротивления равна 0,2 х 10+5 %, т. е. 20 Ом+5%)
Черное красное /(орамевое Золо/пислюе
отечественные аналогичных номиналов и видов.
Мощность резистора ориентировочно определяется его размером, аналогично отечественным.
Рабочие напряжения резисторов различной мощности равны: 0,1 Вт — 100 В; 0,25 Вт — 300 В; 0,5 Вт - 400 В; 1 Вт - 800 В; 2 Вт - 1000 В.
При ремонте бывают случаи, когда резистор сгорел (обуглился) так, что по нему невозможно определить номинал. Тогда необходимо использовать принципиальную схему аппарата, где номинал указан, а если и схемы нет (что бывает при ремонте зарубежных аппаратов), то необходимо проанализировать и установить назначение резисторов, исходя из знаний отечественной схемотехники и собственного опыта. Используя монтаж, можно нарисовать часть схемы с вышедшим из строя резистором, чтобы легче определить его назначение и возможный номинал.
1.8.2. Конденсаторы
Номинальные величины емкостей конденсаторов и их допуск также регламентированы Международным стандартом. Для бытовой радиоэлектронной аппаратуры в основном используются конденсаторы, номинальные емкости которых соответствуют рядам Е6 и Е12 с величиной допуска ±10 % и ±20%.
Классификация конденсаторов зарубежного производства аналогична отечественной. Маркировка конденсаторов осуществляется чаще цветовым кодом (табл. 1.3) (рис. 1.5). Слюдяные конденсаторы могут маркироваться следующим образом (рис. 1.6).
uh. Ч
Рис. 1.5. Цветовая маркировка конденсаторов
Таблица 1.3. Цветовой код конденсаторов широкого применения
Данные Черный Коричневый Красный Оранжевый Желтый Зеленый Голубой Фиолетовый Серый Белый Золотистый Серебристый
1 и2 01 2 34 5 6 7 89 цифры Множи- 1 10 102 103 104 тель Допуск, % 20 1 2 0,5 5 10 Класс ТКЕ 1 2 3 4 1ОК6‘С’1 0 -33 -75 -150 -220 -330 -470 -750 +100
Пленочные конденсаторы маркируются текстовым обозначением или цветовым кодом (табл. 1.4).
Маркировка танталовых сухих оксидных конденсаторов производится цветовым кодом (рис. 1.7), приведенным в табл. 1.5.
Номинальную емкость переменных и подстроечных конденсаторов обозначают в виде дроби с указанием минимального и максимального значения емкости в пикофарадах (Р).
Такие конденсаторы могут успешно заменяться аналогичными отечественными.
1.8.3. Полупроводниковые приборы
Маркировка полупроводниковых приборов в странах Европы осуществляется двумя буквами и тремя цифрами. Основное значение имеют две первые буквы, а все остальные указывают порядковый номер.
Первая буква обозначает вид исходного полупроводникового материала: А — германий, В — кремний, С — арсенид галия, Д — антимонид индия, R — другие полупроводники.
Рис. 1.6. Маркировка слюдяных конденсаторов
Множитель Сопряжение
Рис. 1.7. Цветовой код танталовых конденсаторов
Вторая буква означает функциональное назначение прибора, его класс: А — маломощный диод (кроме фотодиодов, стабилитронов, туннельных диодов и мощных диодов);
В — диод с переменной емкостью;
С — маломощный низкочастотный транзистор;
Таблица 1.4. Цветовой код для пленочных _ конденсаторов
Номинальное значение емкости Первое кольцо (головка конденсатора) Второе кольцо Третье кольцо
0,010 Коричневое Черное Оранжевое
0,015 Коричневое Зеленое »
0,022 Красное Красное
0,033 Оранжевое Оранжевое »
0,047 Желтое Фиолетовое »
0,068 Синее Серое и
0,10 Коричневое Черное Желтое
0,15 Коричневое Зеленое »
0,22 Красное Красное »
0,33 Оранжевое Оранжевое »
0,47 Желтое Оранжевое »
0,68 Синее Серое »
1,0 Коричневое Черное Зеленое
1,5 Коричневое Зеленое Зеленое
2,2 Красное Красное Зеленое
Таблица 1.5. Цветовой код для танталовых конденсаторов
Цвет Номинальная емкость* Номи-нальное напряжение, В, цвет основания
Первый элемент Второй элемент Третий элемент Множитель
Черный - 0 1 3 Белый
Коричневый 1 1 10о 6,3 Желтый
Красный 2 2 102 10 Черный
Оранжевый 3 3 - 16 Зеленый
Желтый 4 4 - 20 Синий
Зеленый 5 5 25 Серый
Синий 6 6 - 35 Розовый
Фиолетовый 7 7 - -
Серый 8 8 10 -
Белый 9 9 10 -
* Первый элемент обозначения — в верхней части корпуса конденсатора.
D — мощный низкочастотный транзистор;
Е — туннельный диод;
L — маломощный высокочастотный транзистор;
S — мощный высокочастотный транзистор;
U — маломощный переключающий транзистор;
R — мощный переключающий транзистор;
Р — маломощный транзистор;
Т — мощный тиристор;
Р — фотодиод, фототранзистор;
У — мощный выпрямительный диод;
X — умножительный диод;
Z — стабилитрон;
С — сложный прибор (в одном корпусе несколько приборов);
К — генератор Холла;
Н — измеритель напряженности поля;
М — модулятор Холла;
О — электролюминесцентный диод.
Примеры обозначения
ВУ126 — кремниевый мощный выпрямительный диод;
BZ102 — кремниевый стабилитрон;
АС 125 — германиевый маломощный низкочастотный транзистор;
BD518 — кремниевый мощный транзистор.
В Японии для маркировки полупроводниковых приборов применяется пять знаков. Первый элемент обозначает тип полупроводникового прибора: 1 — диод, 2 — транзистор, 3 — четырехслойный прибор, 0 — фотодиод, фототранзистор. Второй элемент указывает на материал полупроводника: 5 — кремний, G — германий. Третий элемент определяет структуру и класс прибора:
А — высокочастотный р-я-р-транзистор;
В — низкочастотный р-и-р-транзистор;
С — высокочастотный и-р-ц-транзистор;
D — низкочастотный и-р-и-транзистор;
Е — прибор с четырехслойной р-и-р-структу-рой;
Н — однопереходный транзистор;
I — полевой транзистор с р-каналом;
К — полевой транзистор с и-каналом;
М — симметричный тиристор.
Фотоприборы третьего элемента не имеют.
Четвертый элемент — цифра (начиная с И), указывающая номер прибора. Пятый элемент-буква: А — первое усовершенствование разработки, В — второе.
На некоторых приборах после маркировки ставятся буквы N, М, S, С и цифра, указывающая отношение к требованиям специальных стандартов. Примеры обозначения японских по
лупроводниковых приборов: 2SA811C5 — кремниевый высокочастотный транзисторр-п-р‘, 2SB — кремниевый низкочастотный транзистор/?-п-р. Кроме вышеназванных систем маркировки часто применяются фирменные обозначения. Для маркировки малогабаритных приборов используется цветовой код (табл. 1.6.).
При обозначении цветовым кодом диодов первая цифра и буква N не ставятся. Следующий за буквой номер обозначается цветными полосами:
а) номера, состоящие из двух цифр, обозначаются черной полосой и последующими второй и третьей цветными полосами, цвет которых определяет соответствующие цифры. При использовании буквы она становится четвертой полосой;
б) номера из трех цифр обозначаются тремя цветными полосами, а четвертая обозначает букву;
в) номера из четырех цифр обозначаются четырьмя цветными полосами, а пятая — черная. Если требуется обозначить букву, то цветную полосу ставят вместо черной;
г) для обозначения полярности цветные полоски либо наносятся ближе к катоду, либо первая полоса от катода наносится двойной ширины;
д) тип полупроводникового диода-читается по цветным полосам от катода.
Как известно, полупроводниковые приборы характеризуются большим числом энергетических параметров, которые неодинаковы даже в пределах одного типа из-за естественного технологического разброса. На большинство энергетических параметров полупроводниковых приборов каждого типа устанавливаются граничные значения и допустимые отклонения. Так как стандартизация параметров в некоторых странах производится без учета требований международного стандарта, то разница между отечественными и некоторыми зарубежными приборами может быть большой. Поэтому практически невозможно подобрать отечественный аналог, который бы полностью соответствовал всем энергети-
Таблица 1.6. Цветовое обозначение малогабаритных полупроводниковых приборов
Цвет полосы Цифровое обозначение Буквенное обозначение
Черный 0 -
Коричневый 1 А
Красный 2 В
Оранжевый 3 С
Желтый 4 D
Зеленый 5 Е
Синий 6 F
Фиолетовый 7 G
Серый 8 Н
Белый 9 -
ческим и эксплуатационным параметрам зарубежного полупроводникового прибора. Исходя из этого, взаимозаменяемость зарубежных и отечественных полупроводниковых приборов осуществляется путем подбора приближенного аналога по основным электрическим параметрам. Основные электрические параметры зарубежных транзисторов широкого применения приведены в главе 8.5.
Приближенные к зарубежным полупроводниковым приборам отечественные аналоги регулярно печатались в журналах «Радио» 80-х годов. Основные параметры, по которым производится подбор отечественного аналога транзистора, следующие:
h2ie ~~ коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (старое обозначение |3);
— коэффициент передачи тока в схеме с общей базой (старое обозначение а);
Рс.макс — максимальная мощность рассеивания на коллекторе;
7с. макс — максимально допустимый ток коллектора;
t/с.макс — максимально допустимое напряжение на коллекторе;
Л121еС/р) ~ граничная частота передачи тока в схеме с общим эмиттером;
/Ь21Ь(Лх) — граничная частота передачи тока в схеме с общей базой;
/Т(/Гр) ~ максимальная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером;
F — коэффициент шума, показывающий, во сколько раз величина шумов на выходе реального транзистора больше величины шумов на входе такого же идеального транзистора.
Аналоги полупроводниковых диодов подбиваются по следующим параметрам:
HR(77o6p) — постоянное обратное напряже-
^R(^o6p) — постоянный обратный ток;
7/р( ^пр) —' постоянное прямое напряжение; t/z (^ст) — напряжение стабилизации;
7Z(7CT) — ток стабилизации;
Т-’макс — постоянная максимальная мощность рассеивания на диоде;
Qot(C/i) — емкость между выводами диода при напряжении смещения.
1.8.4. Рекомендации по замене полупроводниковых диодов,транзисторов и микросхем
При подборе аналога зарубежного транзистора необходимо знать его основные параметры и характеристики: структуру (р-п-р или п-р-п), исходный полупроводниковый материал, из которого изготовлен транзистор (германий или кремний), функциональное назначение транзистора (усилитель низкочастотный или высокочастотный), предельно допустимые режимы работы и основные электрические параметры (-^с.макс^с.макс ^с.макс^21 )•
Основные параметры транзисторов зарубежного производства приведены в главе 8.5. Подбирать отечественный аналог необходимо такого же типа проводимости (п-р-п или р-п-р) и такого же материала (германий или кремний), так как у них разные напряжения смещения, температурная стабильность и другие показатели.
Если аналог подобран, то перед установкой в схему его необходимо проверить при помощи прибора для испытания транзисторов.
Если же такой прибор отсутствует, то ориентировочно исправность транзистора можно проверить омметром, измеряя сопротивление р-п-п-перехода. Прямое сопротивление эмиттерного и коллекторного переходов — десятки Ом, несколько больше у кремниевых транзисторов и меньше у германиевых, а обратное — десятки кОм (рис. 1.8,1.9). Сопротивление между эмиттером и коллектором десятки — сотни кОм и больше (рис. 1.10, 1.11).
Если величины сопротивлений переходов примерно соответствуют указанным величинам, то транзистор не имеет внутренних обрывов и пробоев. Перед установкой в схему необходимо обязательно выяснить и установить причину выхода транзистора из строя (особенно в выходных каскадах У34).
Иногда на транзисторах (чаще японских) от-
Рис. 1.8. Измерение прямого сопротивления переходов р-п-р ип-р-п транзисторов
Ист/тиею/й
Рис. 1.9. Измерение обратного сопротивления переходов р-п-р и п-р-п транзисторов
Рис. 1.10. Измерение сопротивления между коллектором и эмиттером (показания омметра меньше) сутствует общепринятая маркировка, а стоит символ фирмы, и возникает необходимость определить выводы эмиттера, базы и коллектора, тип транзистора р-п-р или п-р-п, когда принципиальная схема отсутствует. Ориентировочно это можно сделать при помощи омметра. Сначала определяют вывод базы, у которого сопротивление относительно двух других выводов большое (при обратном включении) или малое (при прямом включении). Затем определяют выводы эмиттера и коллектора по величине сопротивлений. У эмиттерного перехода прямое сопротивление больше, чем у коллекторного. А по полярности источника питания омметром определяют тип р-п-р или п-р-п.
Подбор отечественного аналога надо проводить с учетом специфических особенностей каждой конкретной электрической схемы и роли, выполняемой полупроводниковым прибором в ней. Например, если вышел из строя один из выходных транзисторов УЗЧ, то целесообразно заменить оба выходных транзистора (особенно комплементарные пары), так как отличие одного аналога только по коэффициенту передачи тока вызовет дополнительные нелинейные искажения и т. д.
При отсутствии принципиальной схемы аппарата помощь в ремонте окажут типичные схемы включения зарубежных транзисторов и микросхем (глава 8.2, 8.3, 8.4, 8.5).
При подборе схем большое внимание следует уделить выходным каскадам УЗЧ, т. к. именно в этих каскадах чаще возможны неисправности и выходы из строя транзисторов. Причинами могут быть: короткое замыкание в нагрузке, длительная работа при максимальном сигнале и повышенной температуре окружающей среды, да и токи в этих каскадах большие, чем в других.
В практике встречались случаи выхода из строя транзисторов, а схема аппарата и маркировка транзистора отсутствовали.
В этом случае проводилась ориентировочная замена зарубежного транзистора отечественным по функциональным признакам. К примеру, вы-
Рис. 1.11. Измерения сопротивления между эмиттером и коллектором (показания омметра больше) шел из строя транзистор предварительного усилителя воспроизведения. По полярности питания коллекторных цепей определяли тип транзистора (п-р-п или р-п-р) и ставили отечественный, работающий в аналогичной цепи, предварительно измерив величину напряжения питания.
При установке в схему другого транзистора необходимо проверить режим работы по постоянному току. Если режим работы не соответствует данным, приведенным на схеме, то подбором соответствующих резисторов необходимо установить его.
В транзисторных каскадах с непосредственной связью изменение режима работы одного каскада приводит к изменению режимов других каскадов, и это необходимо учитывать.
В выходных бестрансформаторах УЗЧ для регулировки режима обычно имеется подстроечный резистор.
Полупроводниковые диоды в основном применяются в выпрямителях, цепях коммутации, стабилизаторах напряжения и др. В выпрямителях и стабилизаторах в основном применяются кремниевые диоды. Вместо выпрямительных диодов используют аналогичные отечественные.
Точнее должны подбираться стабилитроны с одинаковым напряжением, током стабилизации и мощностью.
Перед тем как сделать заключение о годнс микросхемы, надо тщательно проверить ее кон такты и контакты окружающих элементов, режим питания, степень нагрева. Если микросхема быстро и сильно разогревается при включении питания, то, возможно, в ней пробой, или не соответствует режим питания, или изменение сопротивления нагрузки (особенно в выходных УЗЧ). Сложности часто возникают из-за отсутствия принципиальных схем аппаратов и схем включения микросхем. На рисунках главы 8.2, 8.4 приведены типичные схемы включения микросхем широкого применения. Большое внимание уделено микросхемам выходных каскадов УЗЧ, так как они чаще других выходят из строя.
РЕМОНТ РАДИОАППАРАТУРЫ ЗАРУБЕЖНОГО ПРОИЗВОДСТВА
Методы отыскания неисправностей и проверка работоспособности блоков, каскадов в аппаратуре зарубежного производства остаются такими же, как и в отечественной. Некоторые трудности могут возникать из-за отличия обозначений, элементов на принципиальных электрических схемах, отсутствия схем. Особенностью бытовой аппаратуры последних лет выпуска является наличие в схемах большого количества микросхем, а при отсутствии принципиальной электрической схемы аппарата возникает определенная трудность его ремонта. Но при этом надо помнить, что принципы построения схем зарубежных радиоприемников, магнитофонов, видеотехники аналогичны отечественным. Поэтому, прежде чем приступать к ремонту зарубежной бытовой радиоэлектронной аппаратуры, надо хорошо изучить схемные построения отечественной техники, знать методы проверки работоспособности отдельных деталей, каскадов, блоков, общие методы отыскания неисправностей и иметь практический опыт ремонта радиоэлектронной аппаратуры.
На принципиальных электрических схемах бытовых аппаратов последних лет выпуска обычно указаны более жирными линиями или стрелками пути прохождения сигналов, что облегчает проверку и ремонт каскадов, блоков. Труднее проверять прохождение сигналов через микросхемы при отсутствии схемы и данных об этой микросхеме. В этом определенную помощь окажут приведенные схемы включения микросхем, так как в любом аппарате, где установлена данная микросхема, схема ее включения аналогична (см. главу 8). Но если данные о схеме и микросхеме отсутствуют, можно руководствоваться следующими соображениями. Надо установить функциональное назначение микросхемы (т. е. определить, что это усилитель ПЧ, УЗЧ, УПЧ и т. д.), чтобы знать, каким сигналом ее проверять. А если это многофункциональная ИС, то надо хотя бы примерно установить ее функции. Это больше относится к телевизионным ИС, где в одной ИС могут, к примеру, быть задающие генераторы строк и кадров, схема их синхронизации, схема АПЧиФ, ряд каскадов УПЧ И, схема АРУ, видеодетектора, АПЧГ и т. д. Нужно визуально определить, с какого вывода и
какие сигналы куда идут. К примеру, если с вывода ИС сигнал идет на схему строчной развертки (установили по монтажу), то очевидно — это импульсы запуска строчной развертки. Если же ИС в ВЧ-блоке радиоприемника, то весьма вероятно, что это УПЧ или ПЧ. Для проверки УПЧ необходим сигнал, амплитудно-модулиро-ванный на диапазонах ДВ, СВ, КВ и частотно-модулированный на УКВ. Частота сигнала ПЧ приемников AM зарубежного производства лежит в интервале примерно 450...470 кГц.
Несколько облегчает ремонт бытовой радиоэлектронной аппаратуры то, что она является устройством с последовательным прохождением сигнала от входа к выходу, и поэтому на выходе мы слышим или видим прохождение сигнала.
Надо помнить, что на какие-то выводы ИС подается одно- или двухполярное напряжение питания. Причем, как правило, в телевизионных ИС постоянное напряжение есть практически на всех выводах. Если на каком-либо выводе его нет, то после проверки радиоэлементов внешней цепи этого вывода, наличия общего напряжения питания надо менять ИС. При этом можно попытаться отключить внешнюю цепь от вывода ИС, и если при этом появляется напряжение на этом выводе, то неисправность во внешней цепи.
Если к выводу присоединен конденсатор, второй вывод которого на корпусе, то он может быть накопительным, т. е. величина постоянного напряжения на нем зависит от поступающего на него обычно импульсного сигнала. В телевизионных ИС цепей управления (синтезаторов напряжения и т. п.) действуют импульсные кодовые сигналы, у которых изменяется скважность, и такие импульсы обычно поступают на накопительный конденсатор. Если такой конденсатор отсоединить, то постоянное напряжение на выводе уменьшится.
При проверке усилительных ИС сигнал с генератора через конденсатор емкостью около 0,1 МкФ подают поочередно на ее выводы, исключая те, на которых постоянное напряжение, почти равное напряжению питания. Если сигнал подают на вывод выхода ИС, то он на выходе аппарата или блока будет без усиления этой микросхемой, а если при подаче сигнала на другие вы
воды на выходе сигнала нет, то данная ИС неисправна.
Анализ неисправностей в бытовой радиоаппаратуре показал, что наиболее часто выходят из строя микросхемы усилителей мощности звуковой частоты и стабилизаторов питания. Этому способствует не совсем правильная эксплуатация аппаратуры. Так, магнитофоны часто слушают на максимальной громкости, и при этом уровень сигнала на ленте также несколько выше номинального. Это приводит к перегрузке усилителя мощности и источника питания. Микросхемы перегреваются и горят. Причем чаще это наблюдается в малогабаритных переносных плейерах, когда в них источником питания служат аккумуляторы с большой емкостью, а они способны давать довольно большой ток, значительно больший, чем такие же батарейки. В результате греется выходная микросхема У34. Иногда к таким плейерам подключают другие наушники, например отечественные. Если они имеют меньшее сопротивление, то это перегружает ИС, а если еще и слушать на предельной громкости, то она не выдерживает перегрузки. В этом случае на место вышедшей из строя ИС можно установить в большинстве случаев только точно такую же, так как должны совпадать номера выводов, на которые подается питание, входа и выхода, цепей коррекции и др. В случае отсутствия схем включения ИС можно просмотреть имеющиеся принципиальные электрические схемы других бытовых аппаратов, может быть, в них применяется такая же ИС, так как схемы их включения идентичны (см. главу 8). Если же иностранных микросхем нет, то на место сгоревшей ИС, например УЗЧ, можно установить новый УЗЧ на отечественной микросхеме. Аналогично можно поступить при выходе из строя ИС стабилизатора напряжения. При этом сначала подают питание от отдельного постороннего источника питания и определяют максимальный потребляемый ток (при максимальной громкости). Подбирают отечественную микросхему стабилизатора напряжения по величине выходного, входного напряжений и току нагрузки. Если ИС подобрать не удается, то изготавливают стабилизатор на транзисторах.
Довольно часто в блоках питания от перегрузок выходит из строя силовой трансформатор. Если не удается его подобрать из отечественной аппаратуры или для него не хватает места, то аккуратно сматывают провод с вышедшего из строя, считая витки обмоток. Возможно, в них обрыв. Если выгорело несколько витков, то этот кусок провода выбрасывают, так как небольшое количество удаленных витков не очень влияет на величины напряжений. Весь провод выбрасывать не следует, потому что намотанный на
его место отечественный такого же диаметра и длины не поместится на каркасе: у него несколько больше толщина лака изоляции. Часто в таких случаях приходится использовать выносной блок питания.
Проще отыскивать неисправность, если блок аппарата не работает вообще, чем когда он работает. Полное отсутствие «признаков жизни» аппарата обычно связано с отсутствием напряжения питания его схемы, выходом из строя выходных транзисторов УЗЧ, так как если УЗЧ при наличии питания работает, слышен шум в громкоговорителе. В таких случаях поиск неисправностей целесообразно начать с проверки целостности шнуров питания, которые часто ломаются около сетевой вилки, а затем предохранителей. В зарубежной аппаратуре часто предохранители находятся непосредственно на монтажных платах аппарата или ими являются тоненькие токопроводящие дорожки печатных плат, через которые подается питание. При перегрузках, замыканиях такие дорожки просто выгорают. Над ними имеется надпись, как и на схеме около предохранителя «FU».
Предохранителями защищают часто и выходные мощные транзисторы блока УЗЧ.
Вместо транзисторов зарубежного производства могут быть установлены и отечественные. При отсутствии какой-либо информации необходимо учитывать, что заменяемый транзистор должен иметь такую же структуру, например п-р-п мощность, материал полупроводника, например кремний, и другие параметры.
В выходных каскадах УЗЧ в подавляющем большинстве применяются кремниевые биполярные транзисторы и-р-и-структуры, хотя их структуру можно определить по полярности напряжения питания схемы. О мощности транзистора судят по размерам его корпуса. Поэтому для пробы вместо вышедшего из строя транзистора зарубежного производства устанавливают отечественный такой же структуры с аналогичными размерами и типом корпуса. Перед установкой проверяют напряжения его питания, а именно ик.э и так как если в схеме действуют напряжения, превосходящие предельно допустимые величины для устанавливаемого транзистора, то он почти сразу выйдет из строя. Если же установка отечественного транзистора не дает положительного результата, например слабая выходная мощность при нормальном напряжении питания, то, возможно, в схеме стоял составной транзистор и надо подобрать аналогичный отечественный. Несколько легче заменяются маломощные транзисторы.
Операционные усилители, которые часто устанавливаются на входе усилителя мощности,
заменяются на отечественные вместе со схемой их включения.
В блоках промежуточной и высокой частоты радиоприемников зарубежного производства обычно успешно работают и отечественные транзисторы из аналогичных блоков.
При эксплуатации аппаратов магнитной записи зарубежного производства практически всегда возникает вопрос замены магнитных головок.
В справочных материалах приведены данные о головках магнитной записи, но если таких данных нет, то замену производят методом проб. Причем легче это сделать в более простых аппаратах, чем в более сложных и качественных.
Следует помнить, что головку для замены подбирают по величине ее индуктивности и полного сопротивления переменному току (эти величины связаны между собой). В любительских условиях можно проверить омметром только активное сопротивление постоянному току. Если есть генератор звуковой частоты, то можно определить и полное сопротивление:
z = Vr2+x2l, где R — активное сопротивление, Ом; Хр — индуктивное сопротивление, Ом.
XL = 2nfL,
vp.ef— частота , Гц; L — индуктивность, Гн.
Полное сопротивление определяют обычно на частоте 1 кГц, подавая сигнал с генератора, замеряя напряжение и переменный ток в цепи.
По закону Ома определяют полное сопротивление, а затем и ориентировочно индуктивность головки. Если такой возможности нет, замену осуществляют просто методом подбора. Причем сначала устанавливают имеющуюся головку и проверяют ее работу в режиме «воспроизведение», регулируя по высоте и наклону, добиваясь номинального уровня сигнала и наилучшего воспроизведения верхних звуковых частот сигнала. Обычно в режиме «воспроизведение» проблем не возникает. Если головка не совсем подходит для данного аппарата, то это проявляется в виде значительных шумов, недостаточного уровня сигналов и др. При сравнительно нормальной работе аппарата в режиме «воспроизведение» проверяют его работу в режиме «запись». Здесь нежелательных явлений обычно больше. Если уровень записи недостаточный (нет верхних звуковых частот сигнала), то сначала регулируют ток подмагничивания, а затем ток записи. При невозможности получить приемлемое качество звучания аппарата устанавливают другой тип головки.
Вместо сендастовой головки устанавливают также сендастовую, так как «мягкая» головка имеет иную индуктивность, а это влечет изменение элементов корректирующих цепей универсального усилителя (усилителей воспроизведения, записи). Желание установить «твердую» головку вместо «мягкой» также требует, как правило, изменения цепей коррекции.
2 Усилители, радиоприёмники.
УСИЛИТЕЛИ ЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ
Усилитель звуковой частоты (УЗЧ) является неотъемлемой частью любого бытового радиоаппарата и музыкального центра. Он усиливает звуковые сигналы до заданной мощности. Нагрузкой УЗЧ являются акустические системы, громкоговорители, головные телефоны. В каскадах УЗЧ, особенно выходных, выделяется наибольшая электрическая мощность, которая идет в нагрузку и частично нагревает элементы выходного каскада.
Радиоэлементы выходных каскадов (микросхемы, транзисторы, резисторы) работают в наиболее тяжелом режиме, часто сильно разогреваются и сгорают. Для своевременного отвода выделяемого тепла микросхемы и транзисторы устанавливаются на радиаторы и плотно к ним прижимаются через теплопроводную пасту, улучшающую теплообмен. Однако, несмотря на все предпринимаемые меры, активные радиоэлементы выходных каскадов УЗЧ в бытовой радиоэлектронной аппаратуре довольно часто выходят из строя. Этому способствует не совсем правильная эксплуатация радиоаппаратов. Так, прослушивание сигналов мощных радиостанций на максимальной громкости в радиоприемнике приводит, как правило, к перегрузке выходных каскадов УЗЧ. Прослушивание фонограмм, записанных магнитофоном с повышенным уровнем на предельной громкости и т. п., вызывает недопустимый перегрев радиоэлементов. А если при эксплуатации радиоаппаратуры не обеспечено хорошее охлаждение (в жаркую погоду на солнце, около приборов отопления, при недостаточной вентиляции и т. п.), то сравнительно быстро наступает необратимый тепловой пробой радиоэлементов.
Когда выходят из строя выходные транзисторы, микросхемы, то в громкоговорителе не слышно характерного шума, как и при отсутствии напряжения питания. При этом сначала проверяют наличие напряжения питания (пригодность и контакты батарей), а затем выходные, предвыходные транзисторы. Если выходной каскад на микросхеме, то сначала смотрят, проходит ли сигнал с входа на выход микросхемы. При отсутствии сигнала на выходе тщательно проверяют наличие и величины напряжений на выводах микросхемы и сравнивают с данны
ми, приведенными на схеме. Если хоть на одном выводе микросхемы напряжение значительно отличается от приведенного на схеме (процент допустимого отклонения приведен в примечаниях к схеме) или вообще отсутствует, то сначала проверяют напряжение питания, радиоэлементы цепи его подачи на данный вывод. Когда же напряжение на вывод поступает из самой микросхемы, то после проверки радиоэлементов, присоединенных к данному выводу, микросхему заменяют.
Значительную перегрузку выходных каскадов УЗЧ может вызывать уменьшение сопротивления нагрузки. Например, присоединение громкоговорителей, аккустических систем параллельно имеющимся с целью получения большего акустического давления. При уменьшении сопротивления нагрузки увеличиваются токи в выходных каскадах и возрастает их мощность, а при отсутствии запаса мощности усилительные элементы перегорают. Этому способствует мощный источник питания (способный дать большой ток).
Довольно часто выходят из строя выходные каскады УЗЧ (да и другие) при питании аппарата непосредственно от аккумулятора автомобиля, так как последний может дать очень большой ток. Внешними признаками неисправностей радиоэлементов выходных каскадов УЗЧ могут быть слишком горячий или, наоборот, абсолютно холодный корпус транзисторов и микросхем.
Причинами значительно заниженной мощности УЗЧ могут быть: низкий уровень сигнала на входе усилителя; применение громкоговорителя с большим сопротивлением; заниженное напряжение питания; малая мощность источника питания (звук обычно с искажениями); значительное отклонение величин напряжений на выводах транзисторов и микросхем; неисправности радиоэлементов цепей обратных связей; неисправности конденсаторов в цепи прохождения сигнала и др.
Причинами больших искажений сигнала на выходе УЗЧмогут быть: большой уровень сигнала на входе усилителя; заниженное напряжение питания; отклонение режимов питания транзисторов, микросхем от номинальных; сильно раз
ряженные батареи питания; выход из строя одного из транзисторов двухтактного каскада; неисправности конденсаторов различных цепей, а также транзисторов и микросхем.
При самовозбуждении усилителя 34проверяют: экранировку проводов и соединение экранов с корпусом; надежность контактов во входных соединителях и цепях; величины напряжений на выводах транзисторов и микросхем; конденсаторы различных цепей.
Достаточно широкое распространение в бытовой радиоэлектронной аппаратуре получили так называемые мостовые, или балансные, схемы УЗЧ. Их особенность заключается в том, что в одном канале УЗЧ содержатся два идентичных усилителя, сигнал на которые подается с фазоинверсного каскада, и оба они работают на одну нагрузку (рис. 3.1). Такие схемы позволяют при относительно невысоком напряжении питания получить выходную мощность УЗЧ примерно в 4 раза выше мощности входящих в схему усилителей. Возможны и другие варианты построения схем мостовых усилителей.
При последовательном соединении каскадов усиления первый работает как неинвертирующий, а второй как инвертирующий усилитель. Коэффициент усиления первого усилителя устанавливается путем подбора радиоэлементов R11 и R21, С21 (рис. 3.2,3.3). Коэффициент уси
ления второго усилителя определяется параметрами цепи обратной связи R12vt R2, С2.
Недостатком схем рис. 3.2, 3.3 является то, что на второй усилитель сигнал поступает уже искаженным первым усилителем. При параллельном возбуждении усилителей (рис. 3.4) сигнал поступает на оба усилителя одновременно.
Усилитель 1 работает как неинвертирующий, а усилитель 2 как инвертирующий. Достоинством симметричной схемы (рис. 3.5) является то, что общее усиление в обеих ветвях одинаково, что предопределяет меньшие искажения выходного сигнала. Чаще такие схемы УЗЧ встречаются в мощных автомобильных магнитофонах и магнитолах, где напряжение питания не превышает 12 В, а также в усилителях очень большой мощности (100...200 Вт), где схемы усилителей питаются относительно невысоким напряжением (несколько десятков вольт).
Каналы усилителей мостовой схемы УЗЧ могут быть построены как на транзисторах, так и на микросхемах.
Примеры иностранных практических мостовых схем УЗЧ приведены на рис. 3.6...3.9.
Приведенные схемы иностранных УЗЧ могут быть реализованы и на отечественных микросхемах аналогичного назначения со своими схемами включения. При изготовлении мостовых усилителей надо помнить, что входящие в
Рис. 3.4. Мостовая схема УЗЧ с параллельным возбуждением
Рис. 3.2. Мостовая схема УЗЧс дифференщюльным входом и последовательным возбуждением каскадов
Рис. 3.3. Мостовая схема УЗЧ с другим вариантом последовательного возбуждения
Рис. 3.5. Симметричная мостовая схема УЗЧ
* Ш WOt или аналогичный
Рис. 3.6. Мостовой УЗЧс двухполярным источником питания при V = ±14 В, Rh = 8 Ом; Рвых = 24 Вт (Кг<1%)
Рис. 3.9. Мостовой УЗЧс двухполярным питанием: при V = ±22 В; Rh = 4 Ом; Рвых = 180 Вт (Кг <1 %)
Рис. 3.7. Мостовой УЗЧ с двухполярным источником питания; при V = ±17 В, Rh = 8 Ом; Рвых = 30 Вт (Кг<1%)
Рис. 3.8. Мостовой УЗЧс двухполярным питанием;
при V = ±24 В; Rh = 4 Ом; Рвых = 125 Вт.
Максимальный ток выходных транзисторов до 7А, мощность до 40 Вт
них отдельные УЗЧ должны быть одинаковы (с равными коэффициентами усиления и др.). В противном случае возможны значительные искажения выходного сигнала.
Нужно также обеспечить достаточное охлаждение микросхем и транзисторов выходного, а иногда и предвыходного каскадов (хороший
контакт корпуса микросхемы с радиатором через теплопроводную пасту).
В настоящее время на рынке достаточное количество транзисторов, микросхем производства различных фирм, что облегчает ремонт и изготовление различных УЗЧ. Приводятся практические иностранные схемы УЗЧ разного качества и уровня сложности (рис. 3.10...3.14).
Кроме традиционных, наиболее распространенных схем УЗЧ, имеются двух-, трехполосные усилители, в которых входной сигнал разделяется фильтрами на две-три полосы, и каждая из них усиливается отдельным каналом усилителя. Каждый полосовой усилитель работает на свой громкоговоритель (низкочастотный, среднечастотный или высокочастотный).
При таком построении УЗЧ удается получить достаточно высокое качество звучания при относительно простых полосовых усилителях, а для акустических систем не требуется сложных и громоздких фильтров. Не нужно практически и регуляторов тембра, так как диапазон регулировки усиления в «своей полосе» может достигать нескольких десятков децибелл, а в схемах активных регуляторов тембра до 20 дБ. Кроме того, к каждому полосовому усилителю может быть подключено несколько громкоговорителей, что значительно увеличивает звуковое давление.
Пример двухполосного УЗЧ на микросхеме приведен на рис. 3.15. Иногда для получения большей выходной мощности и более сбалансированного звучания (при том же напряжении питания) низкочастотный полосовой усилитель выполняют по мостовой схеме, а высокочастотный — по обычной. Часто для увеличения мощности УЗЧ, имеющих ограниченное напряжение питания (автомобили), применяют схемы, в которых сигнал подается параллельно на два
Рис. 3.10. Высококачественный стереоусилитпелъ для кассетного магнитофона (2x10 Вт): а — выходной каскад на микросхеме TDA2004;
б — выходной каскад на микросхеме TDA2005S
Рис. 3.11. Усилитель мощности Рвых = 35 Вт
Рис. 3.13. Усилитель звуковой частоты Рвых = 20
Вт (Ян = 8 Ом); Рвых = 30 Вт (Ян = 4 Ом)
Рис. 3.12. Усилитель звуковой частоты Рвых = 40 Вт (Ян = 8 Ом); Рвых = 60 Вт (Ян = 4 Ом) (все соединения с корпусом выполняются вместе с шиной корпуса источника питания)
идентичных усилительных каскада (канала), что позволяет равномерно разместить несколько громкоговорителей (рис. 3.16).
В приведенных ранее схемах УЗЧ могут быть использованы любые микросхемы отечественного и зарубежного производства только со своими цепями (схемами включения). Схемы включения микросхем УЗЧ зарубежного производства даны в главе 8.2.
В таблицах 3.1...3.4 приведены электрические характеристики громкоговорителей и акустических систем отечественного производства.
Рис. 3.15. Двухполосный УЗЧ (частотараздела 2 кГц)
Рис. 3.14. Усилитель тыловых громкоговорителей для амбиофонии (4 канала)
Таблица 3.1. Основные параметры отечественных головок громкоговорителей
Название головки: по ГОСТу 9010—78 По ОСТу 4.383.001-85 Частота основного резонанса, Гц Диапазон воспроизводимых частот, Гц Неравномерность частотной характеристики, ДБ Уровень характерной чувствительности, дБ/мВт Габаритные размеры а плане, мм Высота, мм Масса, кг
0.1ГД-17 0.25ГДШ-20-50 450 450...3150 16 90 0 50 18 0,03
0.1ГД-17М 0.25ГДШ-30-8 450 450...3150 16 83 0 50 13 0,025
0.25ГД-10 0.5ГДШ-1-8 290 315...5000 14 90 63x63 29.5 0,07
0.25ГД-19 0.5ГДШ-2-8 290 315...5000 14 90 63x63 21,7 0,115
0.5ГД-30 1ГДШ-1-16 125 125...10 000 14 94 125x80 47 0,19
0.5ГД-31 1ГДШ-2-16 200 200...10 000 14 91 125x80 46,8 0,19
0.5ГД-37 1ГДШ-3-8 315 315...7100 15 94 80x80 37,5 0,135
1 ГД-48 2ГДШ-2-8 120 100...10 000 12 94 160x100 63 0,33
1 ГД-50 1ГДШ-4-8 180 180...8000 12 90 100x100 36 0,20
1 ГД-54 2ГДШ-3-8 125 125...10 000 16 93 125x80 47 0,19
1 ГД-55 1ГДШ-5-4 180 200... 10 000 16 90 125x80 36,5 0,19
2ГД-38 ЗГДШ-1-8 100 100...12 500 12 90 160x100 58,0 0,25
2 ГД-40 ЗГДШ-2-4 100 100...12 500 12 92 160x100 47 0,32
2ГД-40А ЗГДШ-2-8 100 100...12 500 12 92 160x100 47 0,32
ЗГД-32 6ГДШ-1-4 75 80...12 500 10 92 160x125 77 0,48
ЗГД-38Е 5ГДШ-1-4 80 80...12 500 15 90 0 160 55 0,30
3 ГД-40 5ГДШ-2-4 75, 80...12 500 14 90 0 160 58 0,40
ЗГД-42 5ГДШ-3-8 100 100...12 500 14 93 160x100 52 0,68
3 ГД-45 5ГДШ-4-4 80 80...16 000 16 90 0 160 55 0,31
4ГД-8Е 4ГДШ-1-4 120 125...7100 14 94 125x125 49 0,62
4ГД-35 8ГДШ-1-4 65 65...12 500 16 92 200x200 75,5 0,88
4ГД-53 5ГДШ-5-4 130 100...12 500 16 92 125x125 50 0,62
10ГД-30Е 20ГДН-1-8 40 63...5000 15 86 200x200 80 1,20
10ГД-36К 10ГДШ-1-4 40 63...20 000 16 86 200x200 87 1,40
10ГД-34 25ГДН-1-4 80 63...5000 16 84 200x200 97 2,10
15ГД-14 25ГДН-3-4 80 83...5000 18 85 125x125 73 2,1
15ГД-17 25ГДН-4-4 40 40...5000 14 88 160x160 78 1,40
25ГД-26Б 35ГДН-1-4 40 40...5000 14 86 200x200 97 2,10
ЗОГД-2 75ГДН-1-4 25 30... 1000 12 87 250x250 124 6,0
30ГД-2А 75ГДН-1-8 25 30... 1000 12 87 250x250 124 6,0
15ГД-11А 20ГДС-4-8 120 200...5000 10 89 125x125 74 1,30
1 ГД-56 1ГДВ-1-8 3000 5000... 16 000 12 88 40x40 29 0,10
2ГД-36 ЗГДВ-1-8 3000 3000...20 000 12 90 80x50 40 0,09
ЗГД-31 5ГДВ-1-8 3000 3000...20 000 14 90 100x100 49 0,34
ЗГД-2 6ГДВ-1-16 4500 5000...18 000 16 92 63x63 31 0,20
3 ГД-47 4ГДВ-1-8 2000 2000...20 000 12 91 65x65 44 0,35
6ГД-13 6ГДВ-4-8 3000 3000...25 000 12 93 100x100 45 0,90
10ГД-35 15ГДВ-1-16 3000 5000...25 000 12 93 100x100 50 1,0
10ГИ-1-8 - 2000 2000...20 000 10 90 100x100 25 0,40
Рис. 3.16. Усилитель 34 от микрофона с Рвых = 20 Вт
Таблица 3.2. Основные параметры отечественных рупорных и радиальных громкоговорителей
Тип Номинальные Модуль сопротивления, Ом Рабочий диапазон частот, Гц Неравномерность АЧХ, ДБ Среднее стандартное звуковое давление, Па Габаритные размеры, мм Масса, кг Назначение
МОЩНОСТЬ, Вт напряжение, В
Рупорные
ЮГРД-IV-S 10 30 120 240 90 1440 5760 300...3550 15 1,5 524x476x390 8 Для озвучения
10ГРД-1У-6 10 30 90 500...3550 15 1,5 374x333x420 9 Для озвучения,
120 1440 пылехимо-
240 5760 стойкий
10ГРД-6ИГАС 3 6,5 14 500...3550 15 1,25 374x333x420 6 Искробезопасный
25ГРД-111-2 25 30 36 200-.4000 15 0,8 530x410x735 13 Для озвучения
120 576
240 2304
25ГРД-1У-5 25 30 36 500. .3550 15 1,5 317x333x415 12 Тоже
120 576
240 2304
25ГРД7-ВЗГ 10 30 90 500...2000 18 1,2 400x446x352 22 Взрыво-
25 30 36 безопасный
50ГРД-1П-8 50 30 18 200...4000 15 0,7 550x410x270 17 Для озвучения
120 288
240 1152
100ГРД-Ш-1 100 30 9 200...4000 15 1,5 1167x896x740 и 43 Тоже
120 144 1018x714x740
240 576
Радиальные
10ГДН-1 10 30 90 800...8000 16 0,18 0 620x520 15 Для озвучения
120 1440
240 5760
25ГДН-1 25 30 36 80...8000 16 0,25 0 788x667 26 Тоже
120 576
240 2304
Таблица 3.3. Основные параметры отечественных акустических систем
Тип акустической системы Тип комплектующих головок громкоговорителей Диапазон воспроизводимых частот, Гц Неравномерность АЧХ, дБ Уровень характеристической чувствительности, дБ/м Вт Номинальное электрическое сопротивление, Ом Максимальная шумовая мощность, Вт Габаритные размеры (высота, ширина, глубина), см или объем, дм3 Вид акустического оформления Масса, кг
3AC-311 100... 12 500 16 87 4 5 2,0 Открытое 4,0
3AC-312 100... 12 500 16 87 4 5 2,0 Тоже 4,0
6АС-221 63...18 000 18 84 4 10 14,0 Фазоинвертор 5,0
6АС-322 63...18 000 18 84 4 10 14,0 Закрытое 5,0
ЮАС-318 100...12 500 16 86 4 10 12,0 Тоже 5,0
ЮАС-211 ДШ-1 63...18 000 18 87 4 10 34,0 » 8,5
ЮАС-203 ЮГДШ-1 63...18 000 18 87 4 10 34,0 » 8,5
ЮАС-222 25ГДН-1, 6ГДВ-1 63...18 000 16 84 4 30 37x21x18 Фазоинвертор 6,0
15АС-213 25ГДН-3, 6ГДВ-3 80...20 000 16 81 4 25 7,2 Тоже 5,5
15АС-214 25ГДН-4, 8ГДВ-1 63...20 000 16 85 4 25 31x19x19 Закрытое 7,0
15АС-232 25ГДН-4, 8ГДВ-1 40...20 000 16 85 4 25 19 Фазоинвертор 7,0
15АС-Ю9 25ГДН-3, 15ГДВ-1 40...20 000 16 84 4 25 36x22x19 Тоже 6,8
15АС-1Ю 25ГДН-3, 15ГДВ-1 40...20 000 16 84 8 25 36x22x19 » 6,8
25АС-Ю9 35ГДН-1, 20ГДС-4, 5ГДВ-1 40...20 000 16 84 4 50 48x29x27 Закрытое 13,0
25АС-126 35ГДН-1, 15ГДВ-1 40...20 000 16 84 4 40 48x29x27 Тоже 13,0
25АСЭ-Ю1 Электростатические 50...20 000 12 96 на 10В - 20 92x62x36 Закрытое 25,0
25АС-131 50ГДН-3, ЮГИ-1 40...25 000 16 87 4 50 52x30x26 Тоже 15,0
25АС-128 50ГДН-3, 15ГДВ-1 40...20 000 16 84 4 50 28 Фазоинвертор 15,0
25АС-132 50ГДН-3, 20ГДС-4, 15ГДВ-1 40...25 000 84 4 50 29; 6,4; 2,2 Модульное 18,3
25АС-027 75ГДН-1, 20ГДС-4, 6ГДВ-4 31,5...31 000 16 86 4 90 62x36x32 Фазоинвертор 25,0
ГЛАВА3
Окончание таблицы 33.
Тип акустической системы Тип комплектующих головок громкоговорителей Диапазон воспроизводимых частот, Гц Неравномерность АЧХ, ДБ Уровень характеристической чувствительности, дБ/м Вт Номинальное электрическое сопротивление, Ом Максимальная шумовая мощность, Вт Габаритные размеры (высота, ширина, глубина), см или объем, дм3 Вид акустического оформления Масса, кг
35АС-012 75ГДН-1, 20ГДС-4, 15ГДВ-1 31,5...25 000 16 86 4 90 71x36x29 Фазоинвертор 27,0
35АС-013 ЗОГД-6, 20ГДС-4, 15ГДВ-1 31,5...25 000 16 86 4 70 58x33x24 СЭМОС 32,0
35АС-016 75ГДН-1, 20ГДС-4, 15ГДВ-1 31,5...25 000 16 86 4 90 71x27x37 Фазоинвертор 26,0
35АС-015 75ГДН-1, 20ГДС-4, 15ГДВ-1 31,5...25 000 16 86 4 90 71x36x29 То же, с ПН 27,0
35АС-018 75ГДН-1, 20ГДС-4, 25...25 000 15ГДВ-1 16 86 4 90 76 Фазоинвертор 27,0
35АС-021 50ГДН-1, 20ГДС-2, 10ГДВ-1 25...25 000 16 86 4 70 57 Фазоинвертор 20,0
35АС-008 75ГДН-1, 20ГДС-4, 6ГДВ-4 25... 25 000 16 86 4 90 71x40x36 Закрытое 30,0
35АС-ДС-017 75ГДН-1.СЧИ ВЧ — электростатические 25...25 000 16 85 4 90 107x36x35 Фазоинвертор 30,0
35АС-022 75ГДН-1, 20ГДС-4, 15ГДВ-1 25...25 000 16 86 4 90 83 Фазоинвертор 32,0
75АС-001 50ГДН-3, 20ГДС-4, 6ГДВ-4 25...31 000 16 90 8 100 92 Тоже 32,0
100АС-003 100ГДН-1, ЗОГД-8, 10ГД-43 20...30 000 12 85 4 150 123x48x40 Закрытое 60,0
100АС-060 100АС-063 ААС-062 НЧ, СЧ и вч-головки с металлическими диффузорами 25...25 000 25...25 000 25...25 000 12 12 12 90 90 90 8 8 47 кОм 100 75 91x47x45 76x39x31 76x39x31 Фазоинвертор Тоже » 51,0 30,0 39,0
Усилители звуковой частоты
N5
Таблица 3.4. Основные параметры отечественных звуковых колонок
Тип Тип и число комплектующих головок громкоговорителей Рабочий диапазон, Гц Неравномерность частотной характеристики, ДБ Среднее стандартное звуковое давление, Па Габаритные размеры, мм Материал оформления Масса, кг Номинальная мощность, Вт
2КЗ-7 0,5ГД-31х4 300...7000 15 0,45 684x120x73 Металл 3,8 2
15КЗ-1 4ГД-8ЁХ4 200...5000 15 0,6 643x325x245 Металл 10 12,5; 6,25
15КЗ-2 4ГД-8Ех4 200...5000 15 0,6 730x274x118 Дерево 10 12,5; 6,25
15КЗ-4 4ГД-8ЁХ4 200...5000 15 0,6 725x274x100 Дерево 10 12,5; 6,25
15КЗ-6 4ГД-43Х4 80...12 500 15 0,3 301x651x179 Дерево 11 12,5; 6,25
15КЗ-8 ЗГД-42Х4 160...8 000 15 0,6 780x280x140 Дерево 8 12,5; 6,25
50КЗ-ЗМ 25ГД-18-22x2 25ГД-21х2 80...10 000 15 0,9 1360x394x264 1480x394x299 Металл Металл 40 50; 25
100КЗ-7 25ГД-21Х2 25ГД-18-22x2 100...10 000 15 0,7 1193x362x294 1623x352x320 Металл 45 100
100КЗ-11 25ГД-25х4 100...10 000 15 0,4 1433x320x270 Металл 25 100
25КЗ-5 10ГД-21Х1 10ГД-22Х2 80...10 000 15 0,5 340x300x230 Металл 15 25; 12,5; 6,25
25КЗ-6 10ГД-21Х1 10ГД-22Х2 80...10 000 15 0,5 320x307x260 Дерево 15 25; 12,5; 6,25
8 КЗ-4 4ГД-47х2 150...8000 15 0,85 423x188x124 Дерево 7,5 2; 4; 8
2КЗ-6 1ГД-42х2 300...7000 15 0,85 394x132x94 Дерево 3,7 2
2КЗ-7 0,5ГД-30х4 300...7000 15 0,5 600x120x75 Металл 4,0 2
6КЗ-2 ЗГД-42Х2 160...18000 15 0,4 520x230x140 Дерево 7,0 6,25
25КЗ-12 ЮГД-ЗбхЗ 25ГД-21х2 63...16 000 18 0,3 730x280x240 Дерево 26 25; 12,5;6,25
25КЗ-7 10ГД-35Х4 80...14 000 18 0,5 974x340x280 Металл 45 25; 12,5; 6,25
100K3-13 25ГД-18-22x4 80...10000 18 0,7 1280x340x280 Металл 60 100,0
ГЛАВА 3
Глава 4
ЭЛЕКТРОННАЯ КОММУТАЦИЯ В БЫТОВОЙ РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЕ
4.1. ОБЩИЕ ПРИНЦИПЫ ЭЛЕКТРОННОЙ КОММУТАЦИИ
В радиоприемниках, магнитофонах, телевизорах последних лет выпуска широкое распространение получила электронная коммутация и настройка различных цепей. Преимуществом схем с электронной коммутацией является отсутствие ненадежных, изнашивающихся, быстро ломающихся, имеющих ограниченный срок службы различных механических коммутирующих элементов (выключателей, переключателей и т. п.). В качестве элементов коммутации используются полупроводниковые диоды, тиристоры, транзисторы, специальные коммутирую-
Коммуг участок схемы
*4!
М VD
a
Коммуг. участок схемы
Коммут. участок схемы
Рис. 4.1. Электронная коммутация цепей: а — диодом; б — транзистором; в — микросхемой
щие микросхемы. Через эти элементы производится соединение участков схемы путем их открывания. Для этого на электронные коммутаторы подается отпирающее или запирающее их напряжение (рис. 4.1).
Такой режим работы элементов (открыт—закрыт) называют ключевым, а коммутаторы — ключами (транзисторный ключ и т. д.). Токи коммутации различны: от миллиампер в ключах микросхем до ампер в ключах на мощных транзисторах. Превышение токов коммутации, как правило, быстро ведет к выходу из строя радиоэлемента (диода, транзистора, микросхемы), т. е. ток коммутации не должен превышать (как правило, он меньше) максимально допустимого тока данного элемента. Например, ток коммутации диодом должен быть ниже его максимального прямого тока (максимального выпрямленного тока), а ток коммутации транзистором должен быть меньше максимально допустимого тока его коллектора.
Напряжение, которое подается для открывания (закрывания) того или иного элемента, называют командой (напряжение коммутации). Напряжение коммутации может подаваться для включения целых блоков, плат и т. п. Оно выполняет роль напряжения питания данного блока. Напряжение команды прикладывается только в момент включения какого-либо режима. Команды могут быть не просто постоянным напряжением, а импульсами определенной амплитуды и длительности. Такие импульсы формируются чаще из постоянного напряжения при помощи транзисторов путем их открывания и закрывания. Величина напряжения на коллекторе открытого транзистора относительно эмиттера близка к нулю, а закрытого — к величине напряжения источника питания (рис. 4.2).
Рис. 4.2. Формирование импульсов транзистором
Падение напряжения между выводами эмиттера и коллектора открытого транзистора примерно равно 0,1 В.
В схемах электронной коммутации через коммутирующие диоды подается напряжение включения, например в блоке ВЧ-радиоприем-ника (рис. 4.3). Через диоды осуществляется присоединение одного из выводов катушек колебательных контуров к корпусу, и контур начинает работать и т. п.
Более разнообразно в схемах с электронной коммутацией используются транзисторы. Как отмечалось выше, они формируют команды включения и выключения различных устройств (разные постоянные напряжения, импульсы), осуществляют присоединение цепи к корпусу, благодаря чему к ней прикладывается напряжение и она начинает работать. Например, включение генератора стирания и подмагничивания (ГСП) магнитофона (рис. 4.3).
На коллекторы транзисторов ГСП постоянно приложено напряжение U^, но их эмиттеры присоединены к корпусу через транзистор VT3, и если он открыт, то эмиттеры транзисторов VT1 и VT2 присоединяются к корпусу и ГСП начинает работать, т. е. при включении магнитофона в режим «запись» на базу транзистора VT3 поступает команда (напряжение), открывающая его.
В обычных магнитофонах с механической коммутацией при включении режима «запись» на коллекторы транзисторов ГСП подается напряжение питания через механические контакты переключателя «запись». Через транзисторы может осуществляться подача напряжения включения какого-либо диапазона радиоприемника. Например, включение УКВ-диапазона в радиоприемнике «Океан РП-222» (рис. 6.3).
Широкое распространение получили транзисторы в схемах управления электромагнитами блоков управления магнитофонов и магнитофонных приставок (рис. 4.4). Обмотки электромагнитов включаются в коллекторные цепи мощных транзисторов. Через обмотку подается напряжение пуска электромагнита Сэм на коллектор транзистора VT. Если транзистор закрыт,
Рис. 4.3. Электронное подключение схемы к источнику питания
то ток через обмотку не идет и электромагнит не срабатывает. При открывании транзистора через него и обмотку течет ток, сердечник втягивается и перемещает каретку магнитофона, на которой находятся блок головок, прижимной ролик, направляющие стойки и др. Чтобы сдвинуть с места сердечник электромагнита, а вместе с ним и каретку с деталями механики, в момент включения на обмотку электромагнита подается импульс напряжения величиной несколько десятков вольт. Длительность импульса составляет несколько сотен миллисекунд. Этого, как правило, достаточно для срабатывания электромагнита, если в механике нет дефектов (легко перемещается сердечник, не заедает каретка и т. п.). В противном случае слышно сильное гудение обмотки электромагнита и нет характерного щелчка его срабатывания. Если помочь пальцем сдвинуть каретку, магнитофон включается в необходимый режим. Тугое перемещение сердечника электромагнита и механики вызывает рост тока в обмотке, а следовательно, и в транзисторе, что приводит к нагреву последнего и выходу его из строя. Транзистор электромагнита часто выходит из строя еще и потому, что в момент его запирания на коллекторе возникает большой импульс напряжения. Для его уменьшения параллельно обмотке электромагнита включают диод VD, который в момент возникновения импульса открывается и забирает часть его энергии. Импульс пуска формирует обычно какая-либо схема мультивибратора, а для удержания электромагнита на коллектор транзистора поступает постоянное напряжение. Открывается транзистор электромагнита напряжением, поступающим в цепь базы. Отпирающее напряжение поступает на базу транзистора, как правило, в момент включения какого-либо режима магнитофона при нажатии соответствующей кнопки на панели управления. Полярность открывающего напряжения база—эмиттер для транзисторов п-р-п структуры: плюс — на базу, минус — на эмиттер, а для р-п-р транзисторов — наоборот (рис. 4.5).
Величина отпирающего напряжения составляет для кремниевых транзисторов несколько вольт (до 5...7 В).
Рис. 4.4. Подача напряжения на обмотку электромагнита
Рис. 4.5. Включение электромагнита транзистором
Процесс пуска (отпирания транзистора) по базовой цепи транзистора также можно разделить на два этапа:
1. Подача напряжения отпирания при помощи кнопки пуска какого-либо режима.
2. Подача отпирающего напряжения в цепь базы для удержания транзистора в открытом состоянии (после отпускания кнопки постоянного напряжения U пуска нет).
Напряжение удержания на базу транзистора электромагнита обычно поступает со схемы на логических элементах. Поэтому такое управление называют логическим управлением лентопротяжным механизмом. Здесь используется особенность логических элементов удерживать на выходе высокий или низкий уровень напряжения до прихода команды сброса на их входы (рис. 4.6).
Высокий уровень на выходе логического элемента D1 держит транзистор КГ/ в открытом состоянии. Через транзистор VT7 и резистор R проходит ток. Падение напряжения на нем Ur поддерживает открытое состояние транзистора VT2, и электромагнит остается включенным. При поступлении импульса на вход логического элемента на его выходе устанавливается низкий уровень напряжения и транзистор VT1 закрывается, ток через резистор R не проходит и напряжение на нем Ur отсутствует. Транзистор VT2 закрывается, обмотка электромагнита обесточивается, и он выключает ранее включенный режим. Это один из возможных вариантов схемы управления электромагнитом.
Если в однокассетном магнитофоне применяются три электромагнита для включения перемоток вправо, влево и рабочего хода, то имеются три идентичные схемы управления, а в двухкассетном магнитофоне их шесть. В этом случае для выполнения режима «стоп» (автостоп) импульс сброса поступает сразу на входы всех логических элементов, и отменяются все режимы. Поэтому при ремонте аппаратов с логическим управлением лентопротяжным механизмом в случае отсутствия включения какого-либо режима проверяют сначала транзисторы электромагнитов, затем поступление напряжений пуска, удержания и т. д. Для удобства проверки на принципиальных схемах обычно приводят таблицы состояний логических элементов для разных режимов работы. В некоторых аппаратах в схемах управления лентопротяжными механизмами применяются микропроцессоры. Эти микросхемы более узкого и специального назначения и в случае выхода их из строя заменяются точно такими же.
4.2. МУЛЬТИПЛЕКСОРЫ
Мультиплексоры представляют собой четырехканальные переключатели, которые управляются командами (постоянными напряжениями), поступающими на затворы электронных ключей (вывод 2, 6, 9, 13) (рис. 4.7). Команда - 15В разрешает прохождение сигнала через данный ключ, а команда +15В запрещает прохождение сигнала (соответствующий ключ разомкнут). Во всех случаях ключи будут работать, если приложено напряжение питания + 15В на вывод 11 микросхем К547КП1А... К5477КП1Г. Например, если на вывод 2 подана команда -15В, то ключ открывается и соединяет выводы 1 и 3 между собой, если на вывод 6 подано -15В, то соединяются выводы 5 и 7, и т. д. При подаче +15В на вывод 13 выводы 12 и 14 будут разъединены. Когда необходимо одной командой -15В включить сразу два ключа одновременно, то выводы управляющих затворов соединяют
между собой (например, выводы 9 и 13) и на них подают напряжение -15В, в этих условиях выводы 8 и 10, а также 12 и 14 между собой соединяются.
В схемах магнитофонов такие коммутаторы чаще применяются для пропускания стереосигнала (2 канала) и подключения цепей коррекции для каждого из стереоканалов (2 канала). Кроме того, они используются для изменения коррекций усилителей записи и воспроизведения при использовании лент СгС>2 и FeCr, чаще путем соединения с корпусом некоторых элементов цепи коррекции усилителя (при подаче команды -15В на соответствующие затворы). Применяются данные коммутаторы и для изменения коэффициента усиления операционного усилителя путем подключения резистора параллельно элементу (тоже резистору) цепи обратной связи ОУ, от которого зависит коэффициент усиления. Основные электрические параметры микросхем К547КП1А...К547КП1Г приведены в табл. 4.1.
Таблица 4.1. Основные электрические параметры микросхем К547К1ИА...К547КШГ
Параметр К547КП1А К547КП1Б...К547КП1Г
^СИотк." Ом 100 150
^Зут.’ НА 50 500
Й; ут • НА 50 500
^Иут.’ НА 50 500
^ЗИпор.' В -3...-6 -3...-6
Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации
Напряжение между стоком и подложкой:
К547КП1Ане более 35В
К547КП1Б-«-30В
К547КП1Б-«-20В
К547КП1Г-«-20В
Напряжение между затвором и подложкой 40В.
Постоянный ток стока не более 20мА.
Мощность рассеивания 500 мВт. При отсутствии коммутации каким-либо ключом следует проверить наличие напряжения питания на выводе 11 и управляющего напряжения команды и его полярности. Как отмечалось ранее,-15В на выводах 2,6,9, 13 (при наличии + 15В на выводе 11) ключи открывает, а + 15В на тех же выводах ключи закрывает, т. е. выводы 3—1, 5—7, 8—10, 12—14 разомкнуты. Если же все напряжения присутствуют и хотя бы один ключ не работает, микросхему следует заменить.
4.3. МИКРОПРОЦЕССОРЫ
Микропроцессор (МП) — это микроэлектронное программно-управляемое устройство, осуществляющее процесс обработки цифровой информации и управляющее этим процессом. Микропроцессор может быть реализован на одной или нескольких больших интегральных схемах (БИС) и является наиболее важной частью ЭВМ.
В последнее время для расширения сервисных возможностей и качества ЛПМ магнитофонов, управления ими изготавливаются и применяются в аппаратах магнитной записи БИС широкого применения серии К145.
Так, К145ИК1906 применяется для контроля и управления режимами работы лентопротяжного механизма магнитофонов. БИС К145ИК1913 применяется для программного управления работой лентопротяжного механизма. Большая интегральная схема К145ИК1914 содержит счетчик, таймер, выполняющий отсчет дискретных значений параметров с привязкой к реальному времени, и применяется в системах автоматического контроля и бытовых магнитофонах. БИС К145И1915 применяется для автоматического управления электропроигрывателем.
Микроконтроллерные БИС К145ИК1906, К145ИК1913 и К145ИК1914 служат для управления магнитофоном. Эти большие интегральные схемы являются одним из вариантов базовой БИС К145ИК19 и предназначены для контроля и управления лентопротяжным механизмом магнитофона, а при наличии соответствующих датчиков — контроля режимов работы различных механических устройств.
Вышеназванные микроконтроллеры имеют следующие основные параметры: напряжение питания — 27 В, сопротивление по входу логического 0 — около 1 кОм, по выходу логической 1 — около 1 МОм; допустимые токи нагрузок по выходам Di — менее или равны 6 мА, й — 2 мА, а Yi — 1 мА. Тактовая частота 30...40кГц может задаваться с помощью внешней 7?С-цепи, кварцевого резонатора РК101 (32768 Гц) или внешними прямоугольными импульсами. У данных БИС выводы Ст1, Стп2, Cm3, КВ используются для возбуждения внутреннего задающего генератора (фазы Ф1, ФЗ). Неиспользованные выводы 4, 11, 12 заземляют, вывод 31 соединяют с выводом 32, a 33 — с 34.
Переход из режима в режим работы БИС осуществляется с помощью клавиатуры коммутацией сигналов Di на соответствующие входы Kj. Режимы работ контролируются визуально по индикатору, для которого управляющие сиг-
-27в
10 /гг/юк п
и-у
г... 2,2 м
С1 ____5_
Юн Xе2
8
7 ±
3
Выходы
Сигналы управления'
Сигналы выбора режима
11
12
24
Ст1
8х.4
Вх.1 8x2 8x3
КВ
ВыхКВ
Вх.К1
Вх.К2
Вх.КЗ
Вх.К4
Сброс Ф2
ВыхЧ>1
ВыхЧ>2
УинЗ
Сг2 СгЗ
Г —
36
37
38
39
40
41
42
Общ
Опит
ВыхМ Bx.PrR
Вх. РгМ
Вых.РгМ
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
У7
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
л % ъ л
48\ й 33 я!
1L
14
16
17
18
19
20
22
23
25
26
27
28
29
30
На индикацию режимов
К исполнительным устройствам
44 45
AL • (Выбор режимов) 47
На выходы К}
Рис. 4.8. Схема подключения БИС К145ИК1906 налы снимаются с выходов й в соответствии с рис. 4.11.
При использовании БИС К145ИК1906 (рис. 4.8) в составе магнитофонов с ее помощью осуществляют семь основных режимов работы: «Останов», «Рабочий ход», «Перемотка вправо», «Перемотка влево», «Пауза», «Подготовка к записи», «Запись»; четыре дополнительных режима работы: «Автостоп», «Программный автостоп» и две программы автоматического изменения режимов работы магнитофона.
Основные режимы осуществляются нажатием клавиши, коммутирующей сигналы с выхода Di на вход Kj в соответствии с табл. 4.2.
Дополнительные режимы устанавливаются или сбрасываются при повторном обращении к БИС нажатием соответствующих клавиш.
БИС К145ИК1913 в составе магнитофона позволяет обеспечить поиск с помощью клавиатуры определенного номера (от 0 до 15) музыкальной программы в режиме «Поиск» и ее прослушивание. В режиме «Обзор» осуществляется последовательное прослушивание фонограммы в течение примерно 15 с, затем происходит автоматическая перемотка до появления ближайшей паузы в фонограмме и т. д. При работе в режиме «Автоповтор» после воспроизведения последней фонограммы осуществляется переход к проигрыванию фонограммы, номер которой записан с помощью клавиатуры в первой ячейке памяти.
БИС К145ИК1914, кроме применения в бытовых магнитофонах для контроля расхода ленты и управления лентопротяжным механизмом, может использоваться для отсчета дискретных значений некоторого параметра с привязкой к реальному времени. При работе БИС в составе магнитофона с ее помощью индуцируется текущее значение условного метража, текущего времени и в режиме «Поиск» — предварительно установленное значение метража. С помощью БИС при наличии на входе Х1 прямоугольных импульсов частотой 102 Гц (режим «Перемотка») или 64 Гц (режим «Рабочий ход») осуществляется прямой или обратный ход условного метража. Может происходить также поиск нужного участка записи путем сравнения показаний счетчика условного значения метража с предварительно установленным. При этом в момент сравнения выдается соответствующий сигнал. БИС может работать также в режиме счета времени или в режиме таймера (обратный счет времени) и выдавать управляющие сигналы в случае переполнения счетчика, завершения работы таймера и при показаниях счетчика времени свыше одного часа. Сигнализируется также, ка-
Таблица 4.2. Выбор режимов работы БИС К145ИК1906
Режим Вход К1 Выход а Сигналы индикации режима Режим Вход Kj Выход Di Сигналы индикации режима
Останов К1 D4 п Запись К1 D1 17
Рабочий ход К1 D1 16 Программа 1 КЗ D1 Y1
Перемотка вправо К1 D2 13 Программа 2 КЗ D2 Y2
Перемотка влево К1 D3 12 Автостоп КЗ D4 Y3
Пауза Подготовка к режиму «Запись» К1.КЗ К1.КЗ D1 D1 14, ТБ Программный автостоп 14,17 КЗ Бз Y4
кой параметр контролируется (время или условный метраж), и направление счета (прямой или обратный счет).
Назначение выводов 1...21 аналогично БИС К145ИК1906 (рис. 4.9), так же как и схема их подключения, а назначение выводов 22...48 БИС К145ИК1914 представлено в табл. 4.3.
Схема включения БИС К145ИК1906 с элементами внешней /?С-цепи, определяющими частоту внутреннего генератора, приведена на
рис. 4.8. Если напряжение индикатора и БИС совпадают, то выводы 1 и 48 соединяют между собой. _
При работе БИС в магнитофоне выход Y5управляет рабочим ходом ЛПМ, причем для включения режима «Рабочий ход» на этом выходе появляется высокий уровень напряжения, т. е. от 0 до 2 В (логический ноль); на выходе Y6 высокий уровень напряжения появляется при включении перемотки вправо; выход Y7 управ-
Таблица 4.3. Назначение выводов К145ИК1914
Номер вывода Наименование сигнала Назначение вывода Примечание
1 2 3 4
22 Вых.У1 Управляющий выходной сигнал Сигнализация о завершении работы таймера и превышении 1 ч при счете времени
23 Вых.У2 Тоже
24 Общий выход » » Указывает направление счета времени: низкий уровень напряжения — прямой счет; высокий уровень— обратный счет (таймер)
25 Вых. Y3 » »
26 Вых. Y4 » » Признак выводимого на индикатор параметра: низкий уровень напряжения — значение условного метража; высокий уровень — значение времени
27 Вых. Y5 » » Сигнализация о переполнении счетчика условного метража
28 Вых. Y6 » » Сигнализация о превышении текущего значения счетчика условного метража над значением предустановки условного метража
30 Вых. Y8 » » Сигнализация о равенстве значений предустановки условного метража и текущего значения счетчика условного метража
31 Вых. PrR Для возможности расширения оперативной внутренней памяти
32 Вх. PrR Тоже
33 Вх. РгМ » »
34 Вых. РгМ » »
35 Х1 Сигнальный вход «Счет» Для приема сигнала типа «меандр» при отсчете условного метража
36 Х2 Сигнальный вход ЛПМ Для приема информации о состоянии СПМ магнитофона: высокий уровень напряжения соответствует режиму «Перемотка», низкий уровень — режиму «Рабочий ход»
37 ХЗ Сигнальный вход «Направление» Для приема информации о направлении счета параметра: низкий уровень напряжения — прямой счет, высокий уровень — обратный счет
38 Х4 Вход
39 К1 Вход с клавиатуры
40 К2 Тоже
41 КЗ » »
42 К4 Вых.СИ » » Вход К4 соединен с выходом 4 для включения БИС при подаче напряжения питания
43 Вых.СИ Не используется
44 Вых. D1 Выходные разрядные сигналы Для сканирования индикатора и клавиатуры
45 Вых D2 Тоже
46 Вых D3 W »
47 Вых. D4 » »
48 Ц1 Напряжение питания БИС-27 В
Выходы ЗГ
Выходы установки частоты
ЗГ
—ч
3 2
4
Ю
6
Опит
4L. -276
Подключение \ кварца
7
8
35
Сигналы управления
36
37
38
Выбор режимов
Вых Ф1
Вых ФЗ
Сброс Ф2
К145 ИК
1906
31
32
13 .
14
16
17
18
19
20
Для возможностей расширения
ОЗУ
Ст 1
Ст 2
Вых КВ
Вх КВ
Вх 1
8x2
Вх 3
Вх 4
Регистр статуса
Вх К1 Вх кг Вх КЗ Вх К4
39
40
41
42
!2
24
Общ
Вых PrR Вх PrR Вх PrR Вых PrR
yj У2 УЗ У4
У5
Уб yz У8
Индикация режима
Й Й 03 04
22
23
25
26
27
28
29
30
44
45
46
47
Индикация режима
К исполнительным устройствам
На выходы Kj
(Выбор режима)
Рис. 4.9. Назначение выводов БИС К145ИК1906
ляет включением режима перемотки влево (аналогично Y6), а на выходе Y8 при включенном ЛПМ появляется сигнал высокого уровня напряжения (от -8 до -27 В).
Микросхема позволяет анализировать информацию, поступающую на входы Вх1...Вх4. По Вх1 определяют, в каком состоянии (движения или останова) находится ЛПМ. Поступающий на Вх1 уровень логического нуля (напря-
жение 0...2 В) соответствует останову механизма, а уровень логической единицы (-8... -27В) — его движению. В случае подачи любого из управляющих сигналов (рабочий ход, перемотка вправо или влево) и отсутствия логической единицы на Вх1 в течение 5 с схема переходит в режим ожидания и на выходе Y5 появляется напряжение высокого уровня. При необходимости формирования паузы, предшествующей режиму «Рабочий ход», на Вх2 задается сигнал в виде уровня логического нуля, что вызывает отключение управляющих сигналов Y5...Y8.
Сигнал автостопа ЛПМ в виде высокого уровня напряжения (логическая единица) подается на Вх 3 БИС при работе в режиме «Автостоп», что обеспечивает останов механизма. В режиме «Программный автостоп» обеспечивается прием сигнала прерывания работы механизма (уровень логической единицы по Вх 4) от датчика метража ленты.
Две программы («Программа 1» и «Программа 2») автоматического изменения режимов работы обеспечивают автоматический переход от режима «Рабочий ход» в режим «Перемотка влево» и от режима «Перемотка влево» в режим «Рабочий ход» по сигналам автостопа или программного автостопа. Одновременное использование обеих программ позволяет добиться многократного прослушивания некоторого участка магнитной ленты, т. е. чередовать режимы «Рабочий ход» и «Перемотка влево».
Микропроцессор на БИС К145ИК1901 так-
Общий
Напряжение питания индикатора
В коды ЗГ для синхронизац и и внешней памяти
Общая очистка
Выходы для установки частоты ЗГ
Подключение кварца
Входы изменения состояния регистра статуса
Коды сегментов десятичной цифры
1 0инд 04 £О ' управление
У5 Уб 27 исполнительными • устройствами
<4 Ф1 ФЗ Сброс Ф2 К145ИК 28
1901 Вх PrR Вх РгМ 32
5 J2- 6 Ст.1 Ст.2 33 Для возможности , расширения
Ст 3 Вых PrR Jl внутренней памяти
Вых. КВ Вых РгМ 34 ОЗУ
1 — Вх. КВ
J У •
, 11 L К1 К2 40 Входы подключения
I — L КЗ 41 клавиатуры
К4 42
73 Л
14 16 17 18 4 Ц k i5 01 02 03 D4 44 45 46 47 Выходные разрядные ► импульсы управления индикатора
/у 1£
20 У Un 48 -278
24
Рис. 4.10. Назначение выводов БИС К145ИК1901
3 Усилители, радиоприемники
же применяется в составе бытовой аппаратуры для включения и выключения некоторых устройств в заданные программой моменты, эта БИС служит также основой электронных часов, таймеров. На рис. 4.10 показано назначение выводов микропроцессора, а на рис. 4.11 приведены коды сегментов десятичной цифры индикатора.
Тактовая частота ЗГ стабилизируется кварцевым резонатором РК10132768 Гц, а при его отсутствии задается в пределах 30...40 кГц внешней ДС-цепью (при этом вывод 8 подключается к общему проводу, а вывод 7 должен быть свободным). Возможна синхронизация подачей внешних прямоугольных импульсов амплитудой 1,5...2,5В и частотой 32 кГц на вывод 8 (между выводами подключается резистор 10 мОм). Если возможность расширения памяти регистров ОгР и РгМ не используется, то следует вывод 31 соединить с 32, а вывод 33 — с 34. При использовании ИС следует также выводы 11 и 12 соединить с общим проводом. Задание различных режимов работы БИС определяется девятью командами и осуществляется путем подачи импульсов с выходов Di на соответствующие входы К1 с помощью клавиатуры. На входе К1 при отсутствии соответствующей команды появляется логическая единица, т. е. напряжение низкого уровня (-27В).
Команда установки минут осуществляется подачей сигнала с выхода D4 на вход К1, а установки часов — с выхода D4 на вход К2, при этом к предыдущим показаниям соответствующего времени прибавляется единица с частотой 2 Гц. С помощью команды «Коррекция» (К) (сигнал с выхода D1 подается на вход КЗ) осуществляется обнуление разрядов минут (секунд), далее счет продолжается с 00 мин 00с, а в разряде часов информация не меняется.
Режим таймера (Т) (для его осуществления сигнал с выхода D3 подается на вход КЗ) совмещен с работой в режиме «Будильник 1» («Б1»), и их одновременное использование недопустимо. В этом режиме осуществляется обратный отсчет времени, установленного в программе работы режима «Б1». При этом значения времени, установленного в разрядах часов и минут, воспринимаются в режиме таймера как значения минут и секунд соответственно. В момент достижения значения ООмин, 00с при работе таймера счет времени прекращается и выдается сигнал управления, говорящий об окончании за-
J7
Рис. 4.11. Коды сегментов десятичной цифры
данного интервала времени. В режиме секундомера (с)^он устанавливается подачей сигнала с выхода D2 на вход К4) происходит ежесекундное приращение информации, причем в адрес минут индуцируются секунды, а часов — минуты. По команде «Останов» (0) (на вход КЗ подается сигнал D2) на индикаторе фиксируются показания текущего времени. В регистрах эта информация также сохраняется.
Микроконтроллер позволяет сравнить текущее значение времени с предварительно установленными с помощью команд «Б1» и «Будильник 2» («Б2») значениями. В момент совпадения текущего и заданного времени в режиме «Б1» или «Б2» каналам выдаются управляющие сигналы независимо друг от друга. Длительность управляющего сигнала составляет 55 с. Команды «Б1» (при этом сигнал с D подается на К4) и «Б2» (сигнал с D3 подается на К4) устанавливают режим занесения контрольного времени для «Б1» или «Б2», при этом признак режима выдается на индикаторе как 55ч 55мин, а само время выдачи управляющего сигнала устанавливается командами «Ч» и «М». Программы работ «Б1» и «Б2» заносятся в отдельные регистры памяти и позволяют использовать их многократно. По командам «Б2» или «Б1» содержимое программ выдается для контроля. По управляющим сигналам можно включать в режиме будильника звуковую сигнализацию или, например, используя режим «Б1» (управляющий сигналом Y5), включать телевизор, а по режиму «Б2» (управляющий сигналом Y6) — выключать. _ _
Прервать сигналы управления Y4— Y6 (например, звуковой сигнализации) можно либо отключив питание сигнального устройства, либо по команде_«В» (для ее осуществления сигнал с выхода D1 подается на вход К4) осуществив возврат к текущему времени.
РЕМОНТ И РЕГУЛИРОВКА РАДИОПРИЕМНИКОВ
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ
При ремонте радиоприемников пользуются известными методами обнаружения неисправностей: внешний осмотр, измерение режимов по постоянному току, метод промежуточных измерений (на прохождение сигнала). Реже можно воспользоваться методом замены деталей, узлов заведомо годными и др.
В радиоприемниках при внешнем осмотре тщательно проверяют состояние переключателя диапазонов, загрязнение контактов (контактные пружины очищают стирающей резинкой, одеколоном, спиртом). Такие контакты, как правило, покрыты тонким слоем серебра, и сильное механическое воздействие на них разрушает покрытие, что приводит к более быстрому их окислению и, как следствие, нарушению контакта. При этом появляются треск, пропадание сигнала, большие искажения сигнала и т. п.
Сильно деформированные контактные элементы, планки заменяют новыми.
При отсутствии приема на всех диапазонах и наличии характерных высокочастотных шумов в радиоприемнике тщательно проверяют высокочастотный блок, целостность катушек индуктивности, наличие в них сердечников, не оборваны ли провода катушек в местах их присоединения к контактным лепесткам, не поломаны ли каркасы катушек и т. д.
Если нет приема на длинных и средних волнах, где во входных целях применяется магнитная антенна, тщательно проверяют ее состояние: нет ли изломов, трещин ферритового стержня, зафиксированы ли каркасы катушек на стержне (если свободно двигаются, потребуется настройка приемника), нет ли обрывов проводов катушек.
Если при перестройке радиоприемника с одной станции на другую раздается сильный треск, шуршание на каком-то участке шкалы на всех диапазонах, то это является обычно следствием замыкания пластин статора и ротора конденсатора переменной емкости; замыкание надо устранить или заменить конденсатор.
В радиоприемниках с электронной настройкой подобная неисправность может быть следствием плохого контакта ползунка переменного
резистора настройки из-за загрязнения, нарушения контакта пружины с графитовым слоем, износа графитового слоя. При этом такой переменный резистор разбирают, чистят, легко смазывают токоведущий слой, а при значительном износе заменяют новым.
В блоках высокой частоты при внешнем осмотре тщательно проверяют состояние конденсаторов. Нет ли изломов, трещин на их корпусах, надежны ли их контакты с платой, не оборваны ли выводы.
Неисправные конденсаторы заменяют на точно такие же, как по номиналу, так и по типу диэлектрика (бумажные заменяют на бумажные и т. д.).
Методом промежуточных измерений (на прохождение сигнала) проверяют УЗЧ и его каскады, подавая синусоидальный сигнал частотой 1 кГц на вход проверяемого каскада. В последних моделях радиоприемников в качестве усилительных элементов применяются чаще микросхемы. При подаче сигнала на их вход не надо значительно превышать величину напряжения источника сигнала по отношению к указанной чувствительности входа данной микросхемы. Это может привести к выходу ее из строя.
Обычно чувствительность входов микросхем усилителей мощности, применяемых в радиоприемниках, составляет несколько десятков милливольт, а предварительных усилителей и других каскадов еще в десятки, сотни раз ниже (единицы милливольт, десятки микровольт).
Для проверки каскадов усилителей промежуточной частоты (УПЧ) диапазонов ДВ, СВ, КВ применяют амплитудно-модулированный высокочастотный сигнал (АМВЧ), а для проверки УПЧ диапазона УКВ применяют частотно-мо-дулированный высокочастотный сигнал (ЧМВЧ). Такие сигналы вырабатывают генераторы стандартных сигналов типа Г4-102, Г4-154 и т. п., а также генераторы, имеющиеся в составе измерительной аппаратуры венгерского производства.
Чувствительность каскадов УПЧ значительно выше, чем каскадов УЗЧ: т. е. на их вход необходимо подавать значительно меньшее напряжение (от единиц милливольт до единиц микровольт).
Следует иметь в виду, что каскады, содержащие колебательные контуры, могут не пропускать сигнал не только из-за отсутствия напряжения питания, неисправности усилительных элементов и т. п., но также из-за расстройки колебательных контуров.
Расстройка колебательных контуров может быть вызвана: смещением сердечников катушек индуктивности с течением времени; старением радиоэлементов; заменой транзисторов (надо устанавливать в блоках ВЧ точно такие же); при обрывах, изломах конденсаторов; при деформации корпусов катушек индуктивности; трещинах, сколах сердечников катушек. Поэтому, если сигнал не проходит через каскады УПЧ, сначала проверяют режимы элементов (напряжения на выводах), а затем тщательно осматривают элементы контуров, для чего снимают с них экраны. При этом проверяют, нет ли замыканий выводов с экраном. Если явных дефектов не обнаружено, то возможно значительное ухудшение чувствительности каскада из-за отклонения напряжений эмиттерно-базовой цепи транзистора, на выводах микросхемы, или неисправна схема автоматической регулировки усиления (АРУ). Убедиться в ухудшении чувствительности каскада УПЧ можно путем увеличения величины напряжения с генератора, подаваемой на вход каскада. Если при этом начинает прослушиваться сигнал на выходе, то чувствительность действительно ухудшилась, и после вышеназванных проверок заменяют усилительный элемент (транзистор, микросхему).
У радиоприемников иностранного производства значение промежуточной частоты в диапазонах ДВ, СВ, КВ может быть отлично от нашего стандарта 465 кГц и находится в пределах 450 кГц...470 кГц. Это необходимо учитывать при проверке УПЧ на прохождение сигнала.
5.1. НЕИСПРАВНОСТИ РАДИОПРИЕМНИКОВ
В радиоприемниках возможны следующие неисправности:
1. Нет приема на всех диапазонах.
2. Нет приема на одном диапазоне.
3. Нет приема на части диапазона.
4. При перестройке раздается сильный треск.
5. Нет приема на диапазоне УКВ.
6. Не переключаются диапазоны.
7. Нет'настройки в пределах диапазона.
Ремонт радиоприемника обычно начинают с тщательного внешнего осмотра монтажа, плат, колебательных контуров, контактов разъемов и др. Затем проверяют наличие и величину напряжений на блоках, каскадах радиоприемника.
5. 1.1. Нет приема на всех диапазонах
При отсутствии приема на всех диапазонах проверку начинают с блоков, каскадов, являющихся общими для всех диапазонов, а именно: блок питания, УЗЧ, УПЧ и гетеродин. Порядок проверки режимов питания, каскадов УЗЧ и УПЧ рассмотрен ранее.
Ориентировочно отыскание данной неисправности можно начинать по следующим внешним признакам работы радиоприемника.
Если в громкоговорителе слышен шум, то это свидетельствует о работоспособности УЗЧ и блока питания.
Если же шум сопровождается свистами, помехами, еле слышными какими-то сигналами, то можно предположить, что и каскады УПЧ исправны.
Если же при перестройке радиоприемника изменяется характер, тон шумов, то, видимо, каскады гетеродина, УПЧ исправны и неисправность следует искать во входных цепях.
Работоспособность гетеродина можно проверить, измеряя его генерируемое переменное напряжение в точке его подачи на каскад смесителя.
Величина сигнала (десятки милливольт) и его частота должны изменяться при перестройке радиоприемника, что хорошо видно на экране осциллографа в случае измерения им сигнала гетеродина. Надо помнить, что без сигнала гетеродина не будет промежуточной частоты, на которой осуществляется основное усиление сигнала в радиоприемнике, определяющее его чувствительность.
Если гетеродин не работает, то проверяют поступление на него напряжения питания, надежность контактов контура гетеродина, целостность LC-элементов, заменяют конденсаторы, транзистор.
Если же каскады УПЧ, гетеродина исправны, то тщательно проверяют контакты переключателя диапазонов, LC-элементы входных цепей, каскад УРЧ (если он имеется).
Наиболее уязвимыми являются места присоединения гибких тонких проводов катушек к их контактам, механические повреждения корпусов конденсаторов и их выводов, износ, поломка контактных пружин.
В радиоприемниках с электронной настройкой и коммутацией диапазонов (типа «Верас-225» и т. п.) при отсутствии приема на всех диапазонах проверяют общие цепи включения диапазонов, т. е. наличие напряжения включения, цепи коммутирующих транзисторов и микросхему, наличие и формирование напряжения настройки.
5. 1.2. Нет приема на одном диапазоне
Если радиоприемник работает хотя бы на одном диапазоне ДВ, СВ, КВ, то у него исправны блок питания, УЗЧ, УПЧ, транзистор гетеродина, УРЧ.
При переключении диапазонов соответствующий переключатель подключает колебательные контуры к каскадам гетеродина, УРЧ, входной цепи. Поэтому, если нет приема на каком-либо диапазоне, в первую очередь проверяют состояние контактов контуров неработающего диапазона, целостность конденсаторов, катушек индуктивности, а на диапазонах ДВ, СВ — состояние магнитной антенны (зафиксированы ли на ней катушки, нет ли обрывов их выводов). Если в названных цепях неисправностей не обнаружено, то, видимо, требуется настройка ВЧ-блока данного диапазона.
При отсутствии приема на одном из диапазонов в радиоприемниках с электронной настройкой и коммутацией поиск неисправности целесообразно начать с проверки наличия напряжения включения данного диапазона (аналогично напряжению питания). Проверяют режимы УРЧ, гетеродина, УПЧ. Затем проверяют поступление напряжения настройки по цепям варикапов. Но если такой радиоприемник работает хотя бы на одном из диапазонов ДВ, СВ, КВ, то цепи напряжения настройки и варикапы исправны. При отсутствии напряжения включения проверяют цепи его формирования: от подачи команды с коммутирующей микросхемы через транзисторные ключи до цепей питания каскадов УРЧ, гетеродина, УПЧ. Если при названных проверках неисправностей не обнаружено, то необходима настройка контуров ВЧ-блока неработающего диапазона.
5.1 .3. Нет приема на части диапазона
Причинами такой неисправности может быть:
1. Замыкание пластин ротора и статора конденсатора переменной емкости (КПЕ). При этом раздается сильный треск при настройке на станции на всех диапазонах на одном и том же участке шкалы. В этом случае КПЕ заменяют или в воздушном КПЕ устраняют замыкание.
2. Произошло смещение принимаемых частот на одном диапазоне из-за того, что расстроился контур гетеродина этого диапазона.
Сначала проверяют диапазон принимаемых частот, подавая амплитудно-модулированный сигнал (AM) в диапазонах ДВ, СВ, КВ с генератора высокой частоты.
Если обнаружено, что радиоприемник при
нимает на данном диапазоне не те частоты, которые указаны в его технических характеристиках, то необходимо произвести регулировку, называемую укладкой диапазона.
Цель регулировки: «заставить» радиоприемник принимать предписанные ему частоты (см. 5.2.1).
Перед регулировкой тщательно проверяют элементы контуров гетеродина, УРЧ, входной цепи данного диапазона: нет ли обрывов катушек индуктивности и на месте ли их сердечники, нет ли изломов конденсаторов и обрывов их выводов.
В радиоприемниках с электронной настройкой, кроме того, проверяют величину начального напряжения настройки и пределы его изменения. Если нужно, устанавливают необходимую величину напряжения настройки подбором соответствующих резисторов.
5.1 .4. При перестройке радиоприемника слышен сильный треск
Причинами сильного треска и других аналогичных помех в радиоприемниках могут быть:
1. Помехи от различных электромагнитных устройств.
2. Помехи от устройств, в которых возникает искрение в местах контактов при их работе (электросварка, контактные щетки двигателей, стартеры ламп дневного света и т. п.).
3. Плохие контакты в самом радиоприемнике (переключателе диапазонов и т. п.).
4. Замыкание пластин статора и ротора КПЕ, плохой переменный резистор настройки. При этом треск раздается на всех диапазонах на одном и том же участке шкалы.
Помехи от посторонних источников, как правило, проявляются с разной интенсивностью на разных диапазонах.
5.1 .5. Нет приема на диапазоне УКВ
В радиоприемниках диапазон УКВ имеет самостоятельный отдельный блок ВЧ, где находятся входные цепи, УРЧ, гетеродин и смеситель. Этот блок формирует частотно-модулиро-ванный сигнал (ЧМ) промежуточной частоты 10,7 МГц.
Каскады УПЧ в ранее выпускавшихся радиоприемниках имеют общие для ДВ, СВ, КВ и УКВ усилительные элементы (транзисторы), в нагрузке которых находятся колебательные контуры, настроенные на частоты 465 кГц и 10,7 МГц; на выходе УПЧ —разные схемы демодуляторов сигналов: амплитудный детектор для ДВ, СВ, КВ (один диод) и частотный детектор для УКВ (два диода).
В радиоприемниках с электронной коммутацией и настройкой блок УКВ содержит: входные цепи, УРЧ, гетеродин, смеситель, многокаскадный УПЧ (обычно на микросхеме), частотный детектор и предварительный УЗЧ.
Включение диапазона УКВ в радиоприемниках осуществляется подачей напряжения питания посредством механической коммутации (через барабанный или кнопочный переключатель).
В радиоприемниках с электронной коммутацией и настройкой на блок УКВ при включении подается напряжение включения (аналогично напряжению питания) и напряжение настройки, поступающее на варикапы.
Если в радиоприемнике с механической коммутацией диапазонов не работает только диапазон УКВ, то можно предположить, что каскады УЗЧ, УПЧ в нем исправны. Сначала проверяют диоды частотного детектора, затем прохождение сигнала 10,7 МГц с ЧМ со входа УПЧ. Если сигнал не проходит, то смотрят на покаскадное прохождение сигнала, начиная с последнего. В каскаде, через который сигнал не проходит, тщательно проверяют колебательные контуры ПЧ УКВ.
При исправном УПЧ смотрят на поступление напряжения питания на плату блока УКВ, надежность контактов переключателя, подключающего КПЕ к каскадам блока, состояние элементов и монтажа. Затем проверяют режимы транзисторов. Если режимы отличаются, а внешние цепи каскада исправны (общее напряжение питания нормально), то заменяют транзистор.
В блоках УКВ транзисторы заменяют точно такими же. Следует особенно аккуратно обращаться с монтажом: не нарушать его; при замене элементов оставлять такую же длину выводов, какая была в схеме; не раздвигать и не сдвигать витки катушек — это изменяет настройку.
В радиоприемнике с электронной настройкой и коммутацией смотрят на поступление напряжения включения УКВ-диапазона и напряжение настройки. Эти напряжения поступают обычно из блока управления. Путь напряжения включения более сложен. Оно формируется одним из стабилизаторов схемы и через коммутационный транзистор поступает на блок УКВ, а открывается этот транзистор сигналом с коммутационной микросхемы через ряд транзисторов. Поэтому если нет приема на УКВ диапазона, проверяют поступление напряжений коммутации и настройки на каскады УКВ-блока.
5.1 .6. Не переключаются диапазоны
В радиоприемниках с механическим переключением диапазонов при такой неисправнос
ти смотрят на состояние и надежность контактов барабанного переключателя с пружинящими контактами или кнопочного переключателя.
В радиоприемнике с электронной коммутацией отыскание неисправности начинают с проверки наличия напряжения питания, режимов коммутационной микросхемы и формирования напряжения коммутации. При необходимости заменяют коммутационную микросхему.
5.1 .7. Нет настройки в пределах диапазона
В радиоприемниках с настройкой КПЕ проверяют надежность подключения его секций к каскадам входной цепи, УРЧ и особенно гетеродина.
В радиоприемниках с электронной настройкой смотрят на наличие напряжения настройки, его изменение при регулировке резистором настройки и поступление по цепям варикапов.
При наличии напряжения настройки, его нормального прохождения по цепям варикапов заменяют варикапы на точно такие же.
5.2. РЕГУЛИРОВКА КАСКАДОВ РАДИОПРИЕМНИКА
Каскады УПЧ настраивают, добиваясь максимума сигнала на выходе радиоприемника при подаче на вход каскадов сигнала с ГСС частотой 465 кГц с AM в диапазонах ДВ, СВ, КВ и частотой 10,7 МГц с ЧМ.
Величина напряжения генератора примерно равна чувствительности каскада (от десятков милливольт до единиц микровольт).
Настройку начинают с последнего каскада УПЧ.
Если при вращении сердечника катушки фильтра УПЧ не наблюдается явно выраженного максимума сигнала на выходе, то, видимо, в данном фильтре имеется неисправность (обрыв, излом конденсатора, трещины, излом сердечника и т. п.).
Контур детектора, дискриминатора можно настраивать по наилучшему качеству звука.
5.2.1. Укладка диапазонов
Цель такой регулировки — «заставить» радиоприемник принимать сигналы частот, указанные в его технических характеристиках.
Регулировка производится Z. С-элементами контура гетеродина конкретного диапазона. Точные частоты укладки диапазона указаны в инструкции по ремонту и регулировке данного радиоприемника. Обычно эти частоты на 5... 10%
шире крайних частот диапазона. Если таких данных нет, то укладку диапазона можно производить на крайних частотах диапазона.
Так, например, если указано, что диапазон СВ данного радиоприемника составляет 525... 1605 кГц, то в инструкции по ремонту рекомендуется обычно укладку диапазона производить на частотах 450...500 кГц и 1650... 1700 кГц, т. е. радиоприемник должен принимать сигналы частот несколько шире, чем указано в его характеристиках. В других случаях укладку диапазона производят на крайних частотах диапазона, т. е. на 525 кГц и 1605 кГц.
Регулировка делается следующим образом. Радиоприемник настраивают на нижнюю частоту диапазона (например, 525 кГц для СВ). При этом надо быть уверенным, что вернерное устройство радиоприемника, т. е. стрелка шкалы, показывает 525 кГц, а КПЕ имеет максимальную емкость (в воздушном КПЕ пластины ротора полностью утоплены между пластинами статора). Положение стрелки запоминают.
На ГСС устанавливают частоту 525 кГц с AM глубиной 30% и частотой 1 кГц. Сигнал подают на вход радиоприемника через гнездо внешней антенны или подключают генератор через R = 80 Ом к рамке из медной проволоки диаметром 4...5 мм размером 380x380 мм, располагая приемник на расстоянии 1 м от рамки, а на диапазонах КВ можно подавать сигнал через С = 6,8 пФ на телескопическую антенну. Радиоприемник принимает сигнал, если просто положить провод с ГСС рядом с ним. Выходное напряжение генератора сначала устанавливают несколько большим (до 0,5 В), а затем уменьшают, чтобы не перегружались каскады радиоприемника.
Параллельно громкоговорителю радиоприемника подключают вольтметр или осциллограф. Регулятор громкости устанавливают в положении максимального усиления. В громкоговорителе должен прослушиваться сигнал 1 кГц. Если сигнала нет, то незначительно изменяют частоту ГСС, пока сигнал не появится. При отсутствии сигнала отыскивают неисправность, проверяя детали контура гетеродина и т. д. Надо быть уверенным, что в радиоприемнике включен именно этот диапазон.
При появлении сигнала на выходе радиоприемника вращают сердечник катушки контура гетеродина, добиваясь максимального сигнала на выходе радиоприемника. Затем радиоприемник и генератор перестраивают на верхнюю частоту диапазона СВ — 1605 кГц. Положение указателя частоты радиоприемника запоминают. Подстройкой емкости подстроенного конденсатора контура гетеродина добиваются максимального сигнала на выходе радиоприемника. При этом в
некоторой мере расстраивается контур гетеродина на низкочастотном конце диапазона, т. е. на частоте 525 кГц (СВ). Поэтому снова радиоприемник и генератор точно настраивают на частоту 525 кГц и сердечником контура гетеродина подстраивают приемник по максимуму сигнала на выходе. Затем снова проверяют подстройку на высокочастотном конце диапазона, т. е. на 1605 кГц (СВ).
Так обычно проделывают 2...3 раза, пока расстройка сведется к минимуму.
Регулировку на низкочастотном конце диапазона производят индуктивностью контура гетеродина, а на высокочастотном — его емкостью.
На растянутых KB-диапазонах такая настройка производится в одной точке посредине диапазона. Контур гетеродина такого диапазона обычно не содержит подстроенного конденсатора.
5.2.2. Сопряжение входных и гетеродинных контуров
Цель этой регулировки заключается в достижении почти параллельного изменения частот настройки контуров гетеродина и входной цепи с почти постоянной величиной разности частот, равной промежуточной.
На практике точное сопряжение выполняется в двух, трех точках диапазона, а на растянутых диапазонах — в одной точке.
Регулируется сопряжение входных и гетеродинных контуров в двух точках, около крайних частот диапазона, и проверяется в третьей, на середине диапазона.
Частоты точного сопряжения указаны в инструкции по ремонту и регулировке данного радиоприемника. Если ее нет, то их значения равны: нижняя частота сопряжения — примерно на 10 % выше нижней частоты границы диапазона, а верхняя частота сопряжения примерно на 5 % ниже верхней частоты границы диапазона. Например, для диапазона СВ нижняя граница диапазона 525 кГц, нижняя частота сопряжения /н=570 кГц, верхняя граница диапазона составляет 1605 кГц, верхняя частота сопряжения /в= 1450 кГц. Сопряжение входных и гетеродинных контуров выполняется после укладки диапазона.
Регулировка выполняется в такой последовательности. На ГСС устанавливается нижняя частота сопряжения с AM в диапазонах ДВ, СВ, КВ. На эту же частоту настраивается радиоприемник. Сигнал с генератора подают на вход радиоприемника. Регулировкой сердечниками контуров УРЧ и входной цепи добиваются максимального сигнала на выходе радиоприемника.
В диапазонах ДВ, СВ контуры входной цепи
находятся на магнитной антенне и их регулировка осуществляется путем перемещения катушек вдоль стержня. Причем при перемещении к средине стержня индуктивность возрастает, а при перемещении к его краю уменьшается. Если контуры СВ составляют часть контуров ДВ, то регулировку сначала выполняют на СВ, затем на ДВ (генератор и радиоприемник перестраивают на верхнюю частоту сопряжения). Регулировкой подстрочными конденсаторами контуров УРЧ и входной цепи добиваются максимального сигнала на выходе радиоприемника.
Так как после этого несколько нарушается настройка на нижней частоте, то ее повторяют. Затем повторяют настройку и на верхней частоте. И так 2—3 раза.
Практически допустимо и удобно выполнять укладку диапазона и сопряжение входных и ге
теродинных контуров одновременно на частотах сопряжения.
Для этого генератор и радиоприемник настраивают на нижнюю частоту сопряжения данного диапазона /н.
Поочередно вращением сердечников контуров гетеродина, затем контура УРЧ и входной цепи добиваются максимального сигнала на выходе радиоприемника. Затем генератор и радиоприемник настраивают на верхнюю частоту сопряжения /в. Подстройкой поочередно подстроенными конденсаторами контуров гетеродина, УВЧ и входной цепи добиваются максимального сигнала на выходе радиоприемника.
Настройку повторяют 2—3 раза. Каждый раз надо как можно точнее устанавливать на генераторе частоты /н и /в и каждый раз точно устанавливать соответствующие частоты на шкале радиоприемника.
РАДИОПРИЕМНИК «ОКЕАН РП-222»
Приемник имеет восемь диапазонов волн: ДВ, СВ1, СВ2, КВ (25 м; 31 м; 41 м; 49 м) и УКВ. Питание может осуществляться от сети переменного тока, аккумулятора автомобиля 12 В и от шести элементов типа АЗЧЗ — 9В.
Переключение диапазонов и настройка в пределах диапазона электронные.
Радиоприемник состоит из трех блоков (рис. 6.1):
А1 — блок ЧМ — для приема радиостанций УКВ-диапазона;
А2 — блок AM — для приема радиостанций ДВ-, СВ-, КВ-диапазонов;
АЗ — блок питания.
6.1. БЛОКЧМ(А1)
Блок ЧМ (рис. 6.2) состоит из входной цепи (элементы Lt.1, L 1.2, С2, С4, VD2./); усилителя радиочастоты (каскад на транзисторе VT1)-, гетеродина (каскад на транзисторе VT2); смесителя (каскад на транзисторе VT3); предварительного усилителя промежуточной частоты (УПЧ) на транзисторах VT4, VT5; избирательной системы на фильтре Z; усилителя-ограничителя ПЧ и детектора ЧМ на микросхеме D; схемы подавления боковых настроек и бесшумной настройки (каскады на транзисторах VT6, VT7 и VT8); каскада УЗЧ на транзисторе VT9.
В качестве элементов электронной настройки применены варикапы VD2. Перестройка осуществляется путем изменения подаваемого на
них напряжения настройки UH величиной от 1,8...2,5В до 4.6...5В.
Сигнал диапазона УКВ с телескопической антенны через конденсатор С1 и катушку связи L1.1 поступает на перестраиваемый входной контур! 1.2, С2, С4, VD2.1. При подаче напряжения на диод VD1 он открывается и присоединяет конец катушки L1.1 к корпусу.
Далее сигнал с входного контура через конденсатор С5 поступает на эмиттер транзистора VT1 УРЧ, нагрузкой которого является перестраиваемый контур L2, С9, С12, VD2.2. С УРЧ усиленный сигнал через конденсатор С14 идет на базу транзистора VT3 — смесителя частоты, сюда же через конденсатор С15 поступает сигнал с гетеродина. Гетеродин выполнен по схеме емкостной трехточки на транзисторе VT2, в контур которого L4, С18, С19, С20, VD2.3 через конденсатор С23 включен варикап VD3 схемы АПЧГ.
При выключенной АПЧ (кнопка S1.1 нажата) на варикап подается опорное напряжение (0,9... 1,9В) с делителя напряжения R27, R 28, равное напряжению на выводе 8 микросхемы D при отсутствии сигнала.
При включении АПЧ подается напряжение АПЧ с вывода 8 микросхемы на варикап VD3.
В результате преобразования в колебательном контуре смесителя С21, R18, L5.1, настроенном на частоту 10,7 МГц, выделяется сигнал промежуточной частоты.
И/
А2
Х1 Блокам
Цепь
/ Телескопическая антенна
Г5 ХЧ
цепь
/ 3 ч 5 ин(2...ч,6 В) Корпус Вх. УЗЧ 5,7 В ЧМ
Рис. 6.1. Схема соединения блоков радиоприемника «Океан РП-222»
±1
у кв у
1X1
rr Усилитель РЧ VT3
g ?7B v}L— 89 - £H ktHZSB
33 27°KT3126£> 120 3j 32i
)'Q2B
2В J
L1.1
L2
1=012
Й7± WZ'<
38В
>13
151?
№£2к
>152
блок 4МЦ)
\7-УО1 ПДОООА
2
Гетерос^н
R8 560
f?1 ЗЗк
36 Г
FZ7Z
0.015MK Г
X2
ЪнП-ВГ-25 Цепь
телескопич антенна хз
ОНП-8Г-75 цепь
Цн(2..У.бВ) 5,7В УМ Вх УЗЧ Корпус
'9,58 V72
~ ~Ц053мк
015
Т 22
/?17_
022
023
__С1д
Л-019
J_ 020
ООЗЗмк
Й ВП _L Oil J_ 013 i V02Z
013 ±V02.
1 ”
+9
i i~
_ _/7Л7]^Й Bt7A 022
Рис. 6.2. Принципиальная электрическая схема блока ЧМрадиоприемника «Океан РП-222» (левая половина)
С катушки связи L5.2 сигнал поступает на вход апериодического усилителя промежуточной частоты (транзисторы VT4 и VT5), предназначенного для компенсации затухания, вносимого фильтром, и обеспечения заданной чувствительности демодулятора.
Усиленный сигнал через полосовой фильтр, обеспечивающий требуемую избирательность по соседним каналам приема, поступает на вход микросхемы, которая содержит восьмикаскадный усилитель-ограничитель и частотный детектор по схеме перемножителя сигналов.
На один вход перемножителя ЧМ-сигнал поступает непосредственно с усилителя-ограничителя, а на второй — через фазосдвигающее устройство СЗЗ, С34, R34, С36, L6.
Демодулированный сигнал с вывода 8 микросхемы через цепочку R31, С37 и переходные конденсаторы С35, С39 подается на базу транзистора VT9, который служит для усиления сигнала звуковой частоты.
Устройство бесшумной настройки и подавления боковых настроек (транзисторы VT6, VT7, VT8) производит отключение основного канала обработки сигнала при малых соотно
шениях сигнал/помеха (при малых уровнях входного сигнала) и на частоте боковых настроек.
Отключение производится шунтированием сигнала 34 малым сопротивлением открытого транзистора VT8.
Порог срабатывания схемы устанавливается переменным резистором R33.
Номинальное значение питающего напряжения блока ЧМ — 5,7 В.
Пределы изменения управляющего напряжения 1/н от 1,8...2,5В до 4,6...5В.
Потребляемый ток должен быть не более 22 мА.
6.2. БЛОКАМ (А2)
Схема электрическая блока AM содержит стабилизатор напряжения 10 В — электронный ключ; схему индикации включения сети и разряд батареи элементов; переключатель диапазонов; схему индикации включения диапазонов; стабилизаторы 5,8 В и 5,2 В; схему формирования напряжения настройки; тракт AM; УЗЧ (рис. 6.3).
0.75...2В
7| Х3,8В 11\ 831 .035 ~о\ Тпк 5мк(12В)
УПЧидетектор 2 3,8В
826 150 . £27 С ~О,ОЗЗмК
Г
ji/tf
£i
•35м8 VTS- спя I 6Т315Б 8>ов
~1?&) ' VT8 873756
820 о7к
025±
О,О97мк
С37
~Т~ 6800
___ 032
±029
жа
038
220
5,7В °'7В'
'(50В]
0.63В,
VT6
059В
091
(12В)
838 Юк
836
3,9к
Рис. 6.2. Принципиальная электрическая схема блока ЧМрадиоприемника «Океан РП-222» (правая половина)
6.2.1. Стабилизатор напряжения
10 В — электронный ключ
Стабилизатор сетевого питания выполнен на транзисторах VT12 типа КТ814Б и VT13 типа КТ3102АМ, стабилитроне VD16 типа КС168А в цепи отрицательной обратной связи, диоде VD14 типа КД521В для защиты стабилизатора от короткого замыкания.
Выходное напряжение стабилизатора (10±0,5В) устанавливают подбором сопротивления цепи резисторами R43, R47, R48 (8 ступеней регулировки), замыкая (размыкая) печатные проводники, включенные параллельно этим резисторам.
Одновременно схема стабилизатора служит электронным ключом при питании приемника от батареи.
Переключение режимов стабилизатор—ключ производится переключателем 5-типа П2К (АЗ): при включении сетевого шнура соединяется с корпусом вывод 6 разъема ХЗ (АЗ) — «-20 В выпрямит.», а при выключении сетевого шнура — контакт 3 переключателя 5 (АЗ) — «-9 В батареи».
Стабилизированное напряжение или напряжение батареи с коллектора транзистора VT12 подается на УЗЧ, на вывод 22 микросхемы D1,b цепи индикации разряда батереи (R34) через диод VD24 на цепь напряжения коммутации.
При нажатии кнопки SB1 напряжение коммутации открывает транзистор VT9 типа КТ315Б и через резистор R22 замыкает базу транзистора VT13 на корпус, тем самым выключая стабилизатор-ключ.
При питании приемника от батареи на контакт 1 разъема ХЗ напряжение батареи подается также через переключатель 5 (АЗ).
Напряжение с контакта 1 разъема ХЗ подается на транзисторы VT5 и VT5 типа КТ3107Е, служащие усилителями тока коммутации диапазонов и включения приемника, и через резисторы R19, R27 подается на кнопки SB2...SB4, SB7...SB15, при нажатии которых включается соответствующий диапазон.
6.2.2. Схема индикации включения сети и разряда батареи
Схема индикации включения сети и разряда батареи элементов состоит из единичного инди-
пч-ай
УРГ9 КД521В
C22 ЦОЗЗмк
0.032мк
705
\1Ш&
^£L 7, 130
R2L уоч.2
ЮОк
~Г телескопичес- 5лм ' \коя анпеонд ум1>а}
УВГ7 O52IB
<-кз-
о_____________,
f9B"6amapeu
§ -20в"6ыпр
хз ОНп-КГ-ZZ ИОрес
±-.Г71±^СЗО : ж-ТШ
.17
„25м
У1Э
27 уь
по
875
'уП2.
fill
С56
832
5,6к
5!
8ЮЗ 51
'4.78/ 851
C71 ОЛЗмк
^.6
R22
WO 8.8В
_Х_ лг»
68 |
WJM\
VD22 ^18ДЧ09А
Корпус UuhSukouuu 10В
ц, vat6 iijalex
mb
VT7
да
8JB
ОЧ7* 3№
-ЧХ-88 Лк
810.
89 75k
39к
цепь
XI Онп-КГ-22
ашнк
\W
С2 220
\£9L Wk
VDtZ VWJSA
±czo Л-ЦОЗЗмк
4= оз
ВРЗЗмк
УП
К1Ж7Е &
удДУОЮ
Y-2HL2
S/ромк (1бв)
Цепь
1J^WU
VT9 Ш/51 829 39к
/егперооин ~К53
_Е СЧ7
849.
счз
д^-гцтзмк
J/® 0.Ч5В
VD23
J- VDZ5J 7LKB132AP
С39
1R55
220k
мётн
У HL3 мзшя
№ |я
SBZ^n ^5£3jZ!7
С^1
НН 'Ц.йг/нк
VT15
ТЗШЛ
С57 R71
О.ОЗЗмк 27к
2S jTO
J_ C5S
Т7Г
zL№8 5-C7Z
HL7 АШАН
МЗО/М
Х25_____24
537ТГ ~SE8'
~кЕ9
VT23 KiiisB
££9 R83 .
0.01MK З3к Ф
I R75 153л 1
АЖ*
Зёк J
886
2.53k
№7
12
VD97
mt
VD39
тч
VDK
vow
VIM
75
урн
\L29
________Ц=С83 7L0.01HK
Vm\
Qfi/ кзюмавив ~vrv. 3? 3?
3? 5?
3-С100
~Х.Ч01мк ~SlSl * ~JLo,01mk ~X.OJ)lm
(wJ) r—1(®
("пз
,49м" ^tiLIO
X VD50 -'-КД5Я
V051
4L\k3SIB
8109 ~22&
ШЯ7АН
\2bio6-zt jPJS
r^-, 8117
7?%7
0,1В
.17
18
79
20 '.7L
91 VD58
RW1
VD59
VD60
8199
VO65
93 RI26R131
УЧ 81778132
№
8160'
2,7k
R№1
81298129 п5юок
15______
m
8123
16
VJ28 КТ315Ж
ДСВ
81Я*
680 кВ
8155*^-^
кт* ~£7Б
R157*
5,6к
8125 R130
VT31 KT31SK
R151
VD61
Ы521В
V732 \KT31076
УО63_ У№Г-КД521В КД521В
5
8
~2
5,6k
аз
VT26 \KT3107t
52в КР198НТЗБ
-pjusZiB —-—
118 .3
Я
28
3 2
\21\18
SB10
SB12
D1 К09КП02ЧА
ад»
25 &8B
СЮ5
079
Л-077
'№
R88
С87 (
11мк "
R98 )
1.3
"3 nilM я 1 .^1
№
X» ОНп-КГ-22
-< Цепь
7 Ш2.Л£1В
5 5,7В ЧМ
3 Kotmc
9 Вх УЗЧ
Блок AM
катора (далее — индикатор) HL1 типа АЛ307АМ, транзистора VT11 типа КТ361Д, диода VD15 типа КД521В и резисторов R30, R34, R39, R38.
При включении приемника в сеть напряжение с делителя R1, R2 (АЗ) через контакт 3 разъема ХЗ резистор R38 питает индикатор IIL1, свечение которого указывает на включение приемника в сеть.
При питании от батарей (как и от сети), пока напряжение питания выше 6,3 В, транзистор VT11 закрыт.
При снижении питающего напряжения ниже 6,3 В транзистор VT11 открывается и индикатор разряда батареи IIL1 светится.
6.2.3. Переключатель диапазонов
Переключатель диапазонов и фиксированных настроек собран на микросборке D1 типа К04КП024А. При нажатии одной из кнопок входным током микросхемы открывается соответствующий транзистор ( VT5 или VT8), ток которого через один из диодов VD2 или VD10 открывает транзистор VT13, тем самым включая стабилизатор-ключ и весь приемник.
Ток открытого транзистора VT5 через резистор R9 открывает транзистор VT3 КТ315Б, ток которого в свою очередь открывает транзистор VT4 типа КТ3107Е. С коллектора транзистора VT4 подается напряжение питания в тракт AM. Одновременно через диод VD3 запирается транзистор VT7 типа КТ3107Е, а через резистор R8 блокируется (удерживается в открытом состоянии) транзистор VT3.
При открытом транзисторе VT8 ток через резистор R20 запирает транзистор VT4. Открывается транзистор VT7 и подается напряжение питания в тракт ЧМ.
С вывода 21 микросхемы D1 через резистор R117 подается напряжение более 5 В для запуска стабилизаторов.
6.2.4. Схема индикации включения диапазонов
Индикаторы HL7...HL10 одновременно указывают на включение как коротковолновых диапазонов, так и фиксированных настроек, но при включении фиксированных настроек загорается и индикатор HL11, включенный последовательно.
При включении диапазонов ДВ, СВ1, СВ2, УКВ загораются соответственно индикаторы HL2, HL3, HL4, HL11. Ток индикатора HL2 используется для включения транзистора VT1, который обеспечивает подключение конденсатора С4 к магнитной антенне в диапазоне ДВ.
6.2.5. Стабилизаторы напряжения 5,8 В и 5,2 В
Стабилизаторы напряжения 5,8 В и 5,2 В собраны на транзисторах VT26, VT30 типа КТ3107Е, VT27 типа КТ3102БМ, диодах VD55...VD57 типа КД521В, микросхеме D3 типа КР198НТЗБ.
По схеме стабилизаторы представляют два однотипных взаимосвязанных стабилизатора с глубокой отрицательной обратной связью, образованной двумя кремниевыми переходами (для стабилизатора 5,8 В — переходами диодов VD55 и VD56, а для стабилизатора 5,2 В — переходами транзисторов микросхемы), включенными между выходным напряжением и эмиттером управляющего транзистора. Для повышения их общей стабильности стабилизатор 5,2 В питается от стабилизатора 5,8 В, к которому в качестве опорного напряжения на базу VT27 подано напряжение 5,2 В.
Использование микросхемы КР198НТЗБ обеспечивает необходимую термостабильность. Диод VD57 служит для защиты стабилизатора 5,8 В от токов короткого замыкания при нажатой одной из кнопок переключения диапазонов. Защита обоих стабилизаторов обеспечивается их взаимным выключением.
Установка напряжения 5,8 В производится подстроечным резистором R138, включенным в цепь делителя опорного напряжения (резисторы R137, R139, R140), а напряжение 5,2 В устанавливается автоматически, при этом оно может быть в пределах от 5,1 до 5,3 В.
6.2.6. Схема формирования напряжения настройки
Схема формирования напряжения настройки состоит из переменных резисторов R129, R130, R131, R132 и R166; диодов VD58, VD59, VD60, VD61 и VD62 типа КД521В; стабилизатора тока на транзисторе VT32 типа КТ3107Е и эмиттер-ного повторителя на транзисторе VT29 типа КТ315Г; цепи включения переменного резистора R166 в диапазоне УКВ-обзорный; резисторов R151, R158, R159, R160, R161 совместно с корректором шкалы, собранным на транзисторе VT31 типа КТ315Ж и заканчивающимся на выводе 18 микросхемы D1; цепи включения переменного резистора R166 на диапазонах ДВ, СВ и КВ, собранной на транзисторе VT28 типа КТ315Ж и резисторах R142, R147, R154...R157 -для диапазонов ДВ, СВ и резисторах R154, R157, R162...R165, R168 — для диапазонов КВ.
На диапазоне УКВ-обзорный цепь регулировки нижнего предела напряжения настройки образуется резисторами R158...R161.
Регулировка напряжений настройки для укладки диапазонов производится размыканием (замыканием) печатных проводников, параллельных указанным резисторам, включенным последовательно переменному резистору R166.
Достаточная дискретность регулировки напряжений достигается большим количеством вариантов (ступеней) включения: так, два резистора имеют 4 ступени включения, три резистора — 8 ступеней.
При включении одного из диапазонов ДВ СВ напряжение 5,2 В поступает на вывод 3 переменного резистора R166, а вывод 1 через транзистор VT28 закорочен на корпус. При изменении сопротивления этого резистора на выводе 2 (подвижный контакт) напряжение меняется от 0 до 5 В (при закороченных резисторах R154...R157).
На катоды варикапов VD4.1 и VD4.2 подается напряжение 5,2 В, а на аноды — напряжение с вывода 2 переменного резистора R166 через делитель R142, R 147, создающий для варикапов опорное напряжение 1 В (при положении подвижного контакта 2 около вывода 3).
Регулировка напряжения настройки на варикапах VD4 от 4В до 5 В осуществляется размыканием (замыканием) печатных проводников, включенных параллельно резисторам R154...R157 (для укладки верха диапазонов ДСВ при положении подвижного контакта 2 резистора R166 около вывода 7).
Таким образом, на варикапы VD4 диапазонов ДСВ одновременно подано напряжение 5,2 В и напряжение настройки с вывода 15 платы ФН.
Напряжение настройки для варикапов получается как разность двух приложенных напряжений и изменяется в пределах от 1 В до 4,0...5,0В.
При включении одного из диапазонов КВ напряжение 5,2 В также поступает на вывод 3 переменного резистора R166, а на выводе 1 имеет напряжение, установленное при регулировке диапазонов ДСВ, от 0 до 1 В. С вывода 2 переменного резистора R166 через регулируемый делитель R162, R165, R168 напряжение поступает для управления варикапами VD25.1 и VD25.2.
Опорное напряжение для варикапов VD25 — 5 В (при положении подвижного контакта 2 резистора R166 около вывода 3).
Регулировка напряжения настройки на варикапах VD25 от 1 В до 2 В осуществляется размыканием (замыканием) печатных проводников, включенных параллельно резисторам R162...R165, для укладки низа диапазона КВ — 49 м (при положении подвижного контакта 2 резистора R166 около вывода 7).
Таким образом, на варикапы VD25 напряжение настройки снимается с вывода 17 платы ФН
относительно корпуса и меняется в пределах от 1...2Вдо5 В.
Стабилизатор тока на транзисторе VT32 типа КТ3107Е дает ток порядка 6 мкА в цепь диодов (VD58...VD62), включенных в подвижный контакт работающего на данном диапазоне переменного резистора. При этом на базе эмиттерно-го повторителя, собранного на транзисторе VT29, напряжение соответствует напряжению на подвижном контакте.
В диапазоне УКВ напряжение настройки на варикапы подается с этого эмиттерного повторителя.
Для диапазона УКВ-обзорного напряжение настройки меняется в пределах от 1,8...2,5В до 4,6...5В.
На фиксированных настройках напряжение на варикапах VD2 блока ЧМ меняется в пределах от 1,5...2В до 4,6...5В.
6.2.7. Тракт AM
Прием радиостанций с амплитудной модуляцией сигнала производится в диапазонах ДВ, СВ и КВ.
Настройка на принимаемую станцию осуществляется изменением напряжения настройки с помощью переменного резистора R166, связанного с верньерным устройством, на варикапах VD4 типа КВ 131 АР (комплект из двух варикапов, имеющих одинаковые вольтфарадные характеристики) в диапазонах ДВ, СВ и VD25 типа КВ132АР (комплект из двух варикапов) в диапазонах КВ.
В диапазонах КВ приемник работает от встроенной телескопической антенны, сигнал с которой через конденсатор С9 поступает на УРЧ диапазонов КВ, выполненный на транзисторе УТЮ типа КТ3126Б, включенном по схеме с общей базой.
Коллекторной нагрузкой УРЧ служат входной контур соответствующего включенного диапазона (25 м — £76; 31 м — L19', 41 м — £4; 49 м — L28) и элементы схемы С39, С44, VD25.1, которые являются общими для всех диапазонов КВ. С отвода входной катушки сигнал через соответствующие диоды (VD37, VD40, VD44, VD48 типа КД521В) и разделительный конденсатор С67 поступает на вывод 7 микросхемы D2 типа К174ХА2.
Последовательные контуры £75, С63; L18, С74; L22, С86; L27, С96 служат для улучшения избирательности по зеркальному каналу в диапазонах КВ.
Включение нужного диапазона КВ осуществляется путем коммутации на корпус с помощью электронного переключателя диапазонов соот
ветствующих катушек входных контуров УРЧ и катушек гетеродина (L17, L20, L26, L29).
Причем сигнал в диапазонах ДВ, СВ1, СВ2 ведется на широкополосную магнитную антенну (MA)W, выполненную на ферритовом стержне М1000НН 250x10.
В диапазонах ДВ и СВ1 параллельно с МА с помощью электронных ключей, изготовленных на транзисторах VT1, VT2 типа КТ3126А, подключаются конденсаторы С4 и С7 соответственно.
Сигнал с МА поступает на УРЧ, выполненный на транзисторе VT6 типа КТ3126Б и далее на колебательные контура соответствующего включения диапазона:
для СВ2 - L7, С36, С19, С16, VD4.1;
для СВ1 — L5 (с последовательно подключенными L7 и ее элементами), С23, С19, С16, VD4.1;
для ДВ — L2 (с последовательно подключенными L7, L5 и их элементами), С6, С16, VD4.1.
С этих контуров сигнал через конденсатор С22, диод VD17 и конденсатор С67 поступает на вывод 1 микросхемы D2.
Включение нужного диапазона ДВ и СВ осуществляется аналогично включению диапазонов КВ.
Гетеродин выполнен на транзисторах VT14, VT19 типа КТ3126Б с диодным ограничителем и является общим для всех диапазонов.
Гетеродин подключается к соответствующей гетеродинной катушке коммутирующими диодами VD5, VD12, VD22, VD38, VD41, VD45, VD49 типа КД409А в зависимости от включенного диапазона.
Напряжение гетеродина выделяется на резисторах R58 и R60 и через разделительный конденсатор С66 поступает на вывод 4 микросхемы D2.
Микросхема D2 типа К174ХА2 выполняет функции УРЧ, преобразователя частоты и УПЧ. Нагрузкой преобразователя частоты является фильтр сосредоточенной избирательности, состоящий из двух контуров L23 и L25, и пьезофильтра Z типа ФП1П1-61.01.С пьезофильтра сигнал поступает на контур L25 через три параллельно соединенных конденсатора С101, С102, С103.
Регулировка усиления осуществляется подбором емкости цепи конденсаторов С101...С103, замыкая (размыкая) печатные проводники, включенные последовательно с этими конденсаторами.
Комбинируя количество включенных в цепь конденсаторов (1; 2 или 3) в различных сочетаниях, можно получить 7 вариантов включения, что позволяет изменять коэффициент усиления УПЧ в 6,5 раза.
Далее сигнал поступает на вывод 12, 13 микросхемы D2 (вход УПЧ). Нагрузкой УПЧ является контур L21, С78. Сигнал с выхода детектора, выполненного на VD42 типа КД409А, через фильтр С85, R99, С95, R101, С98 подается на усилительный каскад, выполненный на транзисторе VT25 типа КТ315Б, и далее на вход УЗЧ.
Резисторы R114...R116 служат для подбора уровня сигнала, определяемого выходным напряжением микросхемы D2, поступающего на транзистор VT25 типа КТ315Б.
6.2.8. Усилитель 34
Усилитель 34 входит в состав блока А2. На входе УЗЧ имеется резистор R93, который является коллекторной нагрузкой выходных транзисторов тракта AM (VT2.5) и тракта ЧМ (VT9 блока ЧМ).
Сигнал, снимаемый с резистора R93, подается на раздельные регуляторы тембра высоких (резистор R83) и низких (резистор R86) частот и на гнездо для записи на магнитофон (Х2.3).
Резистор R87 является регулятором громкости.
Усилитель мощности — бестрансформатор-ный, с гальванической связью между каскадами.
Предоконечные каскады выполнены на транзисторах VT22 и VT23 типа КТ315Б и VT20 типа КТ3107Е.
Во входном каскаде усилителя мощности транзисторы VT22 и VT23 работают как дифференциальный каскад и удерживают симметрию выходного сигнала при больших изменениях питающего напряжения.
Фазоинвертор, выполненный на транзисторах VT17 типа КТ315Б и VT18 типа КТ3107Е, построен по последовательной двухтактной схеме.
Фазоинверсия осуществляется за счет применения транзисторов с разной полярностью.
Выходной каскад, выполненный на транзисторах VT15 и VT16 типа КТ815А, собран по последовательной двухтактной схеме с бестранс-форматорным выходом.
Для стабилизации тока покоя, зависимого от изменения питающего напряжения и температуры, применен транзистор VT21 типа КТ814А. Ток покоя устанавливают делителем R61, R65...R67, а симметрию плеч выходного сигнала — подбором сопротивления цепи резисторами R76...R78, замыкая (размыкая) печатные проводки, включенные параллельно этим резисторам.
В усилителе мощности применена глубокая отрицательная обратная связь по переменному току. Напряжение обратной связи снимается с
выхода оконечного каскада и подается на базу транзистора VT23.
Особенностью данного усилителя 34 является то, что выходной каскад питается нестаби-лизированным напряжением.
6.3. БЛОК ПИТАНИЯ (АЗ)
Питание приемника может осуществляться от сети переменного тока, от шести элементов типа А343 или от внешнего источника питания напряжением 12 В.
Электрическая схема блока питания (рис. 6.4) содержит: выпрямитёль напряжения, собранный по стандартной мостовой схеме на диодах VD1...VD4 типа КД209А с цепями высоко
частотной фильтрации (конденсаторы С1 и С2); трансформатор Ттипа ТП-8-3 с переключателем питания 5 типа П2К для режима работы от сети переменного тока или от батареи элементов.
Во вторичную обмотку трансформатора включена вставка плавкая типа ВПТ6-5 с номинальным током 0,5 А.
При подключении сетевого шнура к приемнику с помощью вилки Х1 происходит переключение приемника в режим работы от сети переменного тока.
Гнездо внешнего источника питания (12 В) Х2 типа ГС подключается во вторичную сеть трансформатора, одновременно разрывая ее.
Расположение выводов радиоэлементов схемы приведено на рис. 6.5.
АЗ
VD3
VD4
КД209А
Ч20&~'\
ХЗ
6
Х2
Ь 2
Адрес
цепь ,~2ОВ"6ыпр. +9В“датар^ JunduKauudWi Uкоммутации (63...1O.BL Корпус
рС
1
2
Рис. 6.4. Принципиальная электрическая схема блока питания радиоприемника «Океан РП-222»
Расположение ВыВодоВ радиоэлементов 3J БГ\к
Транзисторы
Тип ХГ315Б КТ315Н\К13Б1Д V339AM (ТЗКРАМШШМ Ш107Е KT3126A КТ3126Б
Расположение ВыВодоВ радиоэлементов Эг~ - б1-—Л - о н + о -J-J
Тип Транзисторы Индикатор Варикапы
КТ8Н КТВ15 АЛ307АМ КВ109Б КВ131АР W2APW32A7
Расположение ВыВодоВ радиоэлементов ft 8 № 9 28 15 . 1 1 111 1 1 » « 1 1 1 1
||о 11 о
17 / 8 i 1 1 1 1 Г» 1 1 ггт ГГ* / п
Тип микросхемы
Ш99РЗ КР19МТЗБ К179ХА2 К09КП029А
Рис. 6.5. Расположение выводов радиоэлементов схемы радиоприемника «Океан РП-222»
4 Усилители, радиоприёмники.
6.4. МЕТОДИКА ОБНАРУЖЕНИЯ НЕИСПРАВНОСТЕЙ В РАДИОПРИЕМНИКЕ «ОКЕАН РП-222»
При ремонте радиоприемника используют методы отыскания неисправностей, приведенные ранее (см. главу 5).
Для более быстрого и успешного ремонта необходимо изучить описание принципиальной электрической схемы. Чтобы правильно определить направление отыскания причин отклонения от нормальной работы, надо знать, как тот или иной узел должен работать. Если, например, не переключаются диапазоны, то надо изучить по схеме, какие элементы и каскады участвуют в переключении, куда и какие напряжения поступают, и т. д. После этого будет понятно, какие цепи, детали надо проверять в первую очередь. Описать всевозможные неисправности, их причины сложно, а порой и невозможно.
Сначала, после тщательного внешнего осмотра монтажа, проверяют блоки, каскады, которые влияют на работу всего радиоприемника. К ним относятся блок питания (АЗ) (см. рис. 6.4), стабилизатор-ключ (транзисторы VT12, VT13) и цепь его включения, усилитель звуковой частоты (УЗЧ), стабилизаторы напряжения 5,2 В и 5,8 В (транзисторы VT26, VT27, VT30, микросхема D3 и их цепи) (см. рис. 6.3). Причем из напряжения 5,8 В формируется напряжение коммутации (переключения), а из напряжения 5,2 В — напряжение настройки для всех диапазонов.
Есть также общие каскады и внутри блоков. Так, переключение диапазонов осуществляется микросхемой D1, транзисторами VT5, VT8, VT3, VT4, VT7 и их цепями (см. рис. 6.3). В блоке AM для всех диапазонов общими являются транзисторы гетеродина VT14, VT19, а также тракт ПЧ на микросхеме D2 и цепи резистора настройки R166.
6.4.1. Приемник не работает на всех диапазонах
Сначала внешним осмотром проверяют состояние монтажа, надежность присоединения соединителей Х1...Х4, громкоговорителя, его целостность.
Затем проверяют исправность блока питания, наличие необходимых напряжений на соединителе ХЗ(А2) блока AM и поступление напряжения на каскады схемы: в первую очередь на транзисторы УЗЧ (VT15, VT16 и другие), вывод 22 микросхемы D2, коммутирующие транзисторы VT5, VT8, а также наличие напряжения более 5 В на выводе 21 микросхемы D2 для запуска стабилизаторов 5,2 и 5,8 В и наличие этих
напряжений на коллекторе транзистора VT30 и точке 27 платы ФН. Величины напряжений, приведенные на схеме, измерены относительно цепи «Корпус» прибором с входным сопротивлением 1МОм/В и не должны отличаться более чем на ±15 %. Напряжения поступают на каскады схемы при нажатии любой из кнопок включения диапазонов. При этом появляется характерный шум и сигнал станции. Режимы транзисторов и микросхем приведены в табл. 6.1...6.3.
Если при включении диапазона шум в громкоговорителе не прослушивается, то проверяют громкоговоритель, его подключение, гнездо подключения телефонов, каскады УЗЧ. В исправном УЗЧ при касании вывода 2 регулятора громкости R87 прослушивается характерное гудение.
6.4.2. При нажатии любой из кнопок приемник не включается
Если при нажатии кнопки любого диапазона приемник не включается, соответствующий индикатор не загорается, то сначала проверяют состояние контактов кнопок, транзисторы VT5, VT8 электронного ключа и их цепи, а затем напряжения стабилизатора 5,2 и 5,8 В и при отсутствии любого из напряжений смотрят на элементы стабилизатора (VT26, VT27, VT30, D3 и другие).
Далее проверяют работу микросхемы D1, в которой на выводах коммутации контуров напряжение падает с 5 В до 0,2 В, а на выводах индикации — с 5 В до 0,3 В у включаемого диапазона (табл. 6.3). Если изменение напряжений на выводах, соответствующих включаемым диапазонам, не происходит, то микросхему D1 заменяют.
6.4.3. Диапазоны радиоприемника не перестраиваются (ФН работают)
Наиболее вероятной причиной неисправности является обрыв цепи формирования напряжения настройки и его подключения.
При этом проверяют изменение напряжения на подвижном контакте резистора настройки R166 (рис. 6.3). Напряжение может изменяться от О...2,5В до 4,75...5В в зависимости от диапазона, причем одинаково для всех AM-диапазонов.
Если не перестраиваются только ДВ-, СВ-, KB-диапазоны, проверяют транзистор VT28 (и его цепи), который подключает R166 при включении AM тракта.
Если не перестраивается только диапазон УКВ, ФН, проверяют транзисторы VT32, VT29,
РЕЖИМЫ ПО ПОСТОЯННОМУ ТОКУ ТРАНЗИСТОРОВ И МИКРОСХЕМ
Таблица 6.1. Режимы транзистора
Наименование блока Обозначение по схеме Тип тран-зистора Напряжение на электродах транзистора, В Примечание
Эмиттер База Коллектор
СВ КВ УКВ (У 1 -У 4) Выкл. СВ КВ УКВ (У1-У4) Выкл. СВ КВ УКВ (У1-У4) Выкл.
Блок AM VT1 КТ3126А 5,6 5,6 0 - 5,6 5,6 0 0 0 0
VT2 КТ3126А 5,6 5,6 0 - 4,8 5,6 0 5,6 0 0
(СВ1) (СВ1)
5,6 0
(СВ2) (СВ2)
VT3 КТ315В 0 0 0 - 0,7 0,7 0 - 0,1 0,1 5,7
VT4 КТ3107Е 5,7 5,7 5,7 - 5,0 5,0 5,7 - 5,5 5,5 0
VT5 КТ3107Е 9,0 9,0 9,0 9,0 8,3 8,3 9,0 9,0 8,8 8,8 0 0 При включе-
- нии СВ, КВ
VT6 КТ3126Б 5,0 5,4 0 - 4,4 4,8 0 - 3,6 5,4 0
VT7 КТ3107Е 5,7 5,7 5,7 - 5,3 5,3 5,0 - 0 0 5,6 -
• VT8 КТ3107Б 9,0 9,0 9,0 9,0 9,0 9,0 8,3 9,0 0 0 8,8 0 При включе-
нии УКВ
VT9 КТ315Б 0 0 0 0 0 0 0 0,7 8,8 8,8 8,8 0,1
VT10 КТ3126Б 5,35 4,6 0 4,75 4,0 0 - 5,35 0,8 0 -
VT11 КТ361Д 5,7 5,7 5,7 - 7,5 7,5 7,5 - 0 0 0
VT12 КТ814Б 20,0 20,0 20,0 21,0 19,3 19,3 , 19,3 21,0 10,0 10,0 10,0 0 При питании
VT13 КТ3102АМ 3,2 3,2 3,2 0 3,9 3,9 3,9 0 19,3 19,3 19,3 21,0 от сети
VT12 КТ814Б 9,0 9,0 9,0 9,0 8,3 8,3 8,3 9,0 8,9 8,9 8,9 0 При питании
VT13 КТ3102АМ 8,1 8,1 8,1 0 8,8 8,8 8,8 0 8,3 8,3 8,3 9,0 от батареи
VT14 КТ3126Б 5,5 5,5 0 4,9 4,9 0 - 4,3 4,3 0 -
VT15 КТ815А 4,2 4,2 4,2 0 4,7 4,7 4,7 0 9,0 9,0 9,0 21,0
VT19 КТ3126Б 4,9 4,9 0 - 4,3 4,3 0 - 0,45 0,45 0
Блок AM VT25 КТ315Б 0,35 0,35 0 - 0,85 0,85 0 - 4,5 4,5 0
VT28 КТ315Ж 0 0 0 - 0,7 0,7 0 - 0,1 0,1 1,5-2,6
(5,0)
VT29 КТ315Г 0,1-5,0 0,8-5,0 1,8-5,0 - 0,5-5,5 1,3-5,5 2,3-5,5 - 5,8 5.8 5.8
(1,5-5,0) (2,0-5,5)
VT31 КТ315Ж 0,1-1,2 0,8-2,0 0,8 - 0 0 ‘ 1,5 - 0,1-5,0 0,8-5,0 1,8-5,0
(5,0) (1,5-5,0)
VT32 КТ3107Е 5,6 5,6 5,6 - 4,9 4,9 4,9 - 0,5-5,5 1,3-5,5 2,3-5,5 -
'(2,0-5,5)
Радиоприемник «Океан РП-222»
Примечания-.
1. Режимы остальных транзисторов указаны на схеме электрической принципиальной.
2. Измеренные напряжения могут отличаться от указанных на ±15 %.
AM
УКВ (Y1 00000 0000000000 0
...Y4)
D3 КР198НТЗБ Любой 4,3 5,2 3,6 4,3 4,6 3,6 4,3 5,2 4,0 3,3
Примечания:!. Режим микросхемы D1 указан на схеме электрической принципиальной.
2. Измеренные напряжения могут отличаться от указанных на ±15 %.
Таблица 6.3. Режимы микросборки К04КП024А (D1 блока AM)
Включен-ный диа-пазон Напряжение на выводах, В
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
ДВ 5,0 5,6 5,0 0 0 0 0 0 0 0 9,0 0,2 СВ1 5,0 5,6 5,0 0 0 0 0 0 0 9,0 0 5,6 СВ2 5,0 5,6 5,0 0 0 0 0 0 9,0 0 0 5,6 25 м 5,0 2,7 5,0 0 0 0 9,0 0 0 0 0 5,6 31 м 5,0 2,7 5,0 0 0 9,0 0 0 0 0 0 5,6 41 м 0,2 2,7 5,0 0 9,0 0 0 0 0 0 0 5,6 49 м 5,0 0,3 0,2 ' 9,0 0 0 0 0 0 0 0 5,6 УКВ 5,0 2,7 5,0 0 0 0 0 9,0 0 0 0 0 У1 5,0 2,7 5,0 0 0 0 9,0 0 0 0 0 0 У2 5,0 2,7 5,0 0 0 9,0 0 0 0 0 0 0 УЗ 0,2 2,7 5,0 0 9,0 0 0 0 0 0 0 0 У4 5,0 0,3 0,2 9,0 0 0 0 0 0 0 0 0
Таблица 6.4. Регулировка напряжения настройки
Диапазон Точки измерения Uh Положение стрелки на шкале приемника Предел установки Uh,В Элементы уста-новки
1 2 3 4 5
СВ2 С вывода 15 Крайнее 0-1,0 2R154 + - + + +
платы ФН правое 2R155 + + - + +
относительно 2R156 + + + - +
корпуса 2R157 + + + + •
49 м С вывода 17 Крайнее 0,8-2,0 2R162 + - + + +
платы ФН правое 2R163 + + - + +
относительно 2R164 + + + +
корпуса 2R165 + + + + -
УКВ- С вывода 1 Крайнее 1.8-2,5 2R158 + - + + +
обзорный розетки 2x4 правое 2R159 + + - + +
2R160 + + + - +
2R161 + + + + -
Обозначение: «+» — печатный проводник, параллельный соответствующему резистору, замкнут. «-» — печатный проводник, параллельный соответствующему резистору, разомкнут.
VT31, диоды VD58...VD62 и их цепи (рис. 6.3).
Если не перестраиваются только диапазоны ДВ, СВ, проверяют изменение напряжения настройки на соответствующих варикапах VD4.1, VD4.2, цепи его поступления и сами варикапы, режимы ДВ, СВ тракта.
Если не перестраиваются только диапазоны КВ, проверяют изменение напряжения настройки на варикапах VD25.1 и VD25.2, цепи его поступления, годность варикапов.
После замены любых варикапов регулировку напряжения настройки производят в соответствии с табл. 6.4.
6.4.4. Отсутствует прием станций на всех диапазонах тракта AM. Диапазоны переключаются
Отыскание неисправности начинают с проверки общих каскадов прохождения сигнала для ДВ, СВ и КВ диапазонов. Для этого сигналом звуковой частоты проверяют каскад на транзисторе VT25 (рис. 6.3). Далее сигналом промежуточной частоты 465 кГц амплитудной модуляцией (AM) проверяют каскады УПЧ, микросхемы D2, подавая его на контрольную точку XN3, а сигнал ВЧ принимаемой частоты подают на XN1.
Работоспособность гетеродина проверяют измерением высокочастотного напряжения ге-
13 14 15 16 17 18 19 2Г 22 24 25 26 27 28
0,3 5,6 5,6 5,6 5,6 0-1,0 0 5,2 9,0 5,6 5,0 5,6 5,0 5,6
5,6 0,2 0,3 5,6 2,7 0-1,0 0 5,2 9,0 5,6 5,0 5,6 5,0 5,6
5,6 5,6 3,4 0,2 0,3 0-1,0 0 5,2 9,0 5,6 5,0 5,6 5,0 5,6
5,6 5,6 5,6 5,6 5,6 0,8-2,0 0 5,2 9,0 0,3 0,2 2,7 5,0 2,7
5,6 5,6 5,6 5,6 5,6 0,8-2,0 0 5,2 9,0 2,7 5,0 0,3 0,2 2,7
5,6 5,6 5,6 5,6 5,6 0,8-2,0 0 5,2 9,0 2,7 5,0 2,7 5,0 0,3
5,6 5,6 5,6 5,6 5,6 0,8-2,0 0 5,2 9,0 2,7 5,0 2,7 5,0 2,7
0 0 0 0 0 0,2 0,3 5,2 9,0 2,7 5,0 2,7 5,0 2,7
0 0 0 0 0 5,0 2,7 5,2 9,0 0,3 0,2 2,7 5,0 2,7
0 0 0 0 0 5,0 2,7 5,2 9,0 2,7 5,0 0,3 0,2 2,7
0 0 0 0 0 5,0 2,7 5,2 9,0 2,7 5,0 2,7 5,0 0,3
0 0 0 0 0 5,0 2,7 5,2 9,0 2,7 5,0 2,7 5,0 2,7
* При нажатой кнопке включения любого диапазона
Ступени установки Uh (по нарастанию напряжения)
6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 Примечание
- - - 4- 4- 4- 4- - - - - Регулировка про-
- 4- 4- - - 4- - 4- - - - изводится после
4- - + - + - - - + - - замены варикапов
+ + - 4- - - - - - 4- - 2VD4
- - - 4- 4- 4- + - - - - Регулировка про-
- + 4- - - 4- - 4- - - - изводится после
+ - 4- - 4- - - - 4- - - замены варикапов
4- 4- - 4- - - - - - 4- - 2VD25 И 2VD4
- - - 4- + ’ 4- 4- - - - - Регулировка про-
- + + - - + - 4- - - - изводится после
+ - 4- - 4- - - - 4- - - замены варикапов
+ + - 4- - - - - - 4- - 1VD2
нерации на контрольной точке XN2. При отсутствии генерации на всех диапазонах проверяют транзисторы гетеродина VT14, VT19, их цепи.
В случае замены микросхемы D2 рекомендуется отрегулировать напряжение в соответствии с пунктом 5 табл. 6.5.
Если прием станций отсутствует только на KB-диапазонах, тогда проверяют УРЧ и гетеродин коротких волн, а именно: транзистор VT10 и его цепи, а при отсутствии напряжения на контрольной точке (КТ) XN2 проверяют элементы VD21, VD25.2, R73, С58, С59.
Если нет приема станций только на ДВ-, СВ-диапазонах, проверяют каскады УРЧ и гетеродина этих диапазонов, а также магнитную антенну и ее цепи. Для этого проверяют режим и цепи транзистора VT6, а при отсутствии напряжения генерации на КТ XN2 проверяют исправность элементов С24, С27, СЗО, С43, R13, R25, R49, VD23, VD4.2.
Если нет приема станций только на одном диапазоне тракта AM (индикатор его включается), проверяют наличие обрыва цепи управления и катушки данного диапазона.
При заниженной чувствительности приемника на ДВ-, СВ-диапазонах проверяют целостность стержня магнитной антенны, режимы транзисторов VT1, VT2, VT6 и элементы С12, С20, С24, R12, R13, R26, VD4.1.
6.4.5. Настройка и проверка тракта AM
См. табл. 6.5
6.4.6. Нет приема в диапазоне УКВ
При отсутствии приема и характерных шумов в диапазоне УКВ сначала проверяют наличие надежных контактов соединителя ХЗ, поступление напряжения питания 5,7 В на контакт 5(ХЗ). Далее смотрят на прохождение сигнала звуковой частоты от выводов 8 микросхемы D через транзистор VT9 до контакта 4(ХЗ).
Затем проверяют прохождение сигнала ПЧ 10,7 МГц (см. таблицу 6.6) с КТ XN и чувствительность каскадов УПЧ. Если прослушивается шум, а сигнал ПЧ не проходит, смотрят элементы фазосдвигающей цепи микросхемы D—C33, С34, С36, L6, R34. При заниженной чувствительности с КТ XN проверяют режимы и элементы предварительного УПЧ на транзисторах VT4, VT5, фильтра Z, микросхемы D. Если заменяли микросхему D, рекомендуется проверить и настроить тракт УПЧ (п. 1 табл. 6.6). При нормальной чувствительности с КТ XN и наличии шумов смотрят на режимы, исправность транзисторов VT1...VT3 и их цепей.
6.4.7. Чувствительность приемника в диапазоне УКВ занижена
При заниженной чувствительности радиоприемника в диапазоне УКВ сначала проверяют чувствительность каскадов УПЧ с КТ XN (см. предыдущую неисправность). Если чувствительность с КТ XN соответствует норме, тогда смотрят на исправность и коммутацию элементов входного контура L1.1,R4, VD1, затем элементы входного и коллекторного контуров УРЧ транзистора VT1 и смесителя транзистора VT3, их настройку (табл. 6.6), режимы и исправность транзисторов VT1, VT3.
6.4.8. Отсутствует перестройка по диапазону УКВ
При этой неисправности сначала проверяют наличие и величину напряжения настройки на контакте 1(ХЗ), его поступление по цепям варикапов. Особое внимание уделяют варикапу гетеродина VD2.3 и его цепям. Если производилась замена варикапов VD2 (при неисправности даже одного заменяют весь комплект), рекомендуется произвести регулировку напряжения настройки ?7Н согласно табл. 6.4. Если смещен диапазон принимаемых частот блока УКВ, проверяют наличие и величину напряжения Пн на контакте 1 соединителя ХЗ в крайних положениях настройки, которое должно быть в пределах 1,8...2,5В и 4,6...5В. При необходимости это напряжение подбирают путем замыкания (размыкания) резисторов R158...R161 в блоке AM (рис. 6.3) в соответствии с табл. 6.4.
При нормальных значениях 17н смотрят на исправность элементов контура гетеродина, регулируют частоту гетеродина индуктивностью L4 и проверяют укладку диапазона согласно табл. 6.6.
6.4.9. Настройка и проверка тракта ЧМ
Настройка и проверка тракта ЧМ состоит из настройки тракта УПЧ, контура ПЧ, проверки и укладки границ диапазона УКВ обзорного, настройки входных контуров блока ЧМ. Производится проверка чувствительности, ограниченной шумами, фиксированных настроек в диапазоне УКВ, действие схемы автоматической подстройки частоты гетеродина, действия и порога срабатывания бесшумной настройки.
Поскольку частоты сигналов, подаваемых с генераторов, относительно высокие, то соединительные провода обязательно экранированы и экраны соединены с общим проводом (корпусом) для исключения паразитных наводок (табл. 6.6).
Таблица 6.5 к разделу 6.4.5. Настройка и проверка тракта AM
Наименование операции Частота настройки, кГц Показание генератора, мкВ Положение стрелки на шкале приемника Настраиваемый элемент
1. Настройка - 465 10—20 мВ Любое
и проверка тракта ПЧ-АМ 2. Укладка границ и настройка ДСВ диапазонов: СВ2 925 0,3-1,0 мВ/м 2L21 2L23 2L25 Крайнее
СВ1 1610-1650 1000 1450 510 (в зависимости от степени настройки) До 0,3 мВ/м (чувствительность, ограниченная усилением) 0,3-1,0 мВ/м левое 2L8 Крайнее правое В левой части 2L7 В правой части 2С36 Крайнее
ДВ 960-1010 560 900 140 (в зависимости от степени настройки) До 0,3 мВ/м (чувствительность, ограниченная усилением) 0,5-1,0 мВ/м левое 2L6 Крайнее правое В левой части 2L5 В правой части 2С23 Крайнее
290-320 200 (в зависимости от степени настройки) До 0,5 мВ/м (чувствительность, левое 2L3 Крайнее правое В средней части 2L2
ограниченная усилением)
Методика настройки и проверки Примечание
Подать сигнал к контрольной точке 2XN3 через конденсатор емкостью 20—47 пФ
Вращать сердечники до получения максимального показания выходного вольтметра
Радиоприемник «Океан РП-222»
Подать сигнал от генератора поля Вращать сердечник до появления сигнала и получения максимального показания выходного вольтметра Проверить прохождение сигнала Настроиться на сигнал Вращать сердечник до получения максимального показания выходного вольтметра Настроиться на сигнал Вращать ротор конденсатора до получения максимального показания выходного вольтметра Подать сигнал от генератора поля Вращать сердечник до появления сигнала и получения максимального показания выходного вольтметра Проверить прохождение сигнала Настроиться на сигнал Вращать сердечник до получения максимального показания выходного вольтметра Настроиться на сигнал Вращать ротор конденсатора до получения максимального показания выходного вольтметра Подать сигнал от генератора поля Вращать сердечник до появления сигнала и получения максимального показания выходного вольтметра Проверить прохождение сигнала Настроиться на сигнал Вращать сердечник до получения максимального показания выходного вольтметра Расширение и сужение диапазонов осуществляется путем замыкания и размыкания печатных проводников, параллельных резисторам 2R154, 2R155, 2R156, 2R157 (16 ступеней в соответствии с табл. 6.2.) Операцию повторить до получения полного сопряжения Операцию повторить до получения полного сопряжения
Наименование операции Частота настройки, кГц Показание генератора, мкВ Положение стрелки на шкале приемника Настраиваемый элемент
3. Проверка действия АРУ 1000 100 мВ/м В левой части 2R87
4. Укладка границ
и настройка
КВ-диапазонов:
49 м 6,25 МГц 50-125 Крайнее
левое
2L29
5,88- 50-125
5,92 МГц
Крайнее правое
6,1 МГц Среднее
2L27
6,1 МГц Среднее 2L29 2L28
41 м 7,4 МГц 50-125 Крайнее левое 2L26
6,9-7,05 МГц 7,2 МГц Крайнее правое Среднее
2L22
2L26
Методика настройки и проверки Примечание
Настроиться на сигнал
Подать сигнал с уровнем 100 мВ/м от генератора поля
Установить регулятором громкости выходное напря-
жение 0,78 В (ОдБ)
Уменьшить уровень сигнала до 1 мВ/м
Выходное напряжение должно установиться не менее 0,34 В (~7дБ)
Подать сигнал через эквивалент антенны на сложенную ТА
Вращать сердечник до появления сигнала и до получения максимального показания выходного вольтметра
Проверить прохождение сигнала
Расширение и сужение диапазона производится путем замыкания и размыкания печатных проводников, параллельных резисторам 2R162, 2R163, 2R164, 2R165
16 ступеней регулировки в соответствии с табл. 6.2
Настроиться на сигнал
Установить напряжение входного сигнала, превышающее 125 мкВ, но не более 1 В
Перестроить генератор в сторону увеличения частоты на 930 кГц При правильной настройке должен прослушаться сигнал
Вращать сердечник катушки до получения минимального показания выходного вольтметра
При отсутствии сигнала настройку повторить, перестроив гетеродинный контур сердечником катушки на основную частоту (вывернуть сердечник на несколько витков) Настроиться на сигнал
Вращать сердечник до получения максимального показания выходного вольтметра
Вращать сердечник до появления сигнала и до получения максимального показания выходного вольтметра
Проверить прохождение сигнала
Настроиться на сигнал
Установить напряжение входного сигнала, превышающее 125 мкВ, но не более 1 В
Перестроить генератор в сторону увеличения частоты на 930 кГц. При правильной настройке должен прослушиваться сигнал
Вращать сбрдечник катушки до получения минимального показания выходного вольтметра
При отсутствии сигнала настройку повторить, перестроив гетеродинный контур сердечником катушки на основную частоту (вывернуть сердечник на несколько витков)
ГЛАВА 6
Наименование операции Частота настройки, кГц Показание генератора, мкВ Положение стрелки на шкале приемника Настраиваемый элемент
7,2 МГц Среднее 2L24
31 м 9,87 МГц 9,3-9,45 МГц 9,6 МГц 50-125 Крайнее левое Крайнее правое Среднее 2L20
9,6 МГц
25 м 12,2 МГц
11,45—11,6 МГц
11,8 МГц
50-125
2L18
2L20
Среднее 2L19
Крайнее 2L17
левое
Крайнее правое
Среднее
11,8 МГц
5. Регулировка выходного напряжения после замены микросхемы 2D2
1000 (СВ2)
2L15
2L17
Среднее
2L16
В левой части
Методика настройки и проверки Примечание
Настроиться на сигнал
Вращать сердечник до получения максимального показания выходного вольтметра
Вращать сердечник до появления сигнала и до получения максимального показания выходного вольтметра
Проверить прохождение сигнала
Настроиться на сигнал
Установить напряжение входного сигнала, превышающее 125 мкВ, но не более 1 В
Перестроить генератор в сторону увеличения частоты на 930 кГц. При правильной настройке должен прослушиваться сигнал
Вращать сердечник катушки до получения минимального показания выходного вольтметра
При отсутствии сигнала настройку повторить, перестроив гетеродинный контур сердечником катушки на основную • частоту (вывернуть сердечник на несколько витков)
Настроиться на сигнал
Вращать сердечник до получения максимального показания выходного вольтметра
Вращать сердечник до появления сигнала и до получения максимального показания выходного вольтметра
Проверить прохождение сигнала
Настроиться на сигнал
Установить напряжение входного сигнала, превышающее 125 мкВ, но не более 1 В
Перестроить генератор в сторону увеличения частоты на 930 кГц. При правильной настройке должен прослушиваться сигнал
Вращать сердечник катушки до получения минимального показания выходного вольтметра
При отсутствии сигнала настройку повторить, перестроив гетеродинный контур сердечником катушки на основную частоту
Вращать сердечник до получения максимального показания выходного вольтметра
На вход внешней антенны (2X2.1) через конденсатор емкостью 120 пФ ±10 % подать сигнал от ГСВ1 (тАМ = 0,3) величиной 50 мкВ и настроиться на сигнал ручкой настройки приемника Увеличить сигнал в 100 раз (5 мВ) и подбором сопротивления цепи резисторов 2R114...2R116 установить выходное напряжение 1,5—2 В (по выходному вольтметру, подключенному к головке динамической)
Уменьшить сигнал на входе до 10 мкВ и подбором емкости цепи конденсаторов 2С101 ...2С103 установить выходное напряжение 0,45...0,6 В по выходному вольтметру
Радиоприемник «Океан РП-222»
Таблица 6.6 к разделу 6.4.9 Настройка и проверка тракта ИМ
Наименование операции Частота настройки, МГц Показание генератора, мкВ Положение стрелки на шкале приемника Настраиваемый элемент
1 .Настройка и проверка тракта УПЧ блока ЧМ 10,7+0,1 10-1000 Любое 1L6
20
2.Настройка контура ПЧ 10,7+0,1 5-100 Любое 1L5
3. Проверка 74,6 1000 Крайнее 1L4
и укладка границ диапа- левое
зона УКВ обзорный 65,0+0,2 Крайнее 2R158
правое 2R159 2R160 2R161
4. Настройка вход- В средней
ных контуров блока ЧМ и проверка чувствительности, ограниченной шумами (с гнезда внешней антенны УКВ-IXI) 69 5-1000 части 1L1
1L2
Методика настройки и проверки Примечание
Подать сигнал от генератора ГСВ2 (девиация ±50 кГц, частота модуляции 1000 Гц) на вход УПЧ (к точке 1XN)
Настроиться на сигнал по максимальному показанию выходного вольтметра
Вращать сердечник до получения максимального выходного напряжения при минимальных искажениях синусоиды сигнала на экране осциллографа
При наличии прибора для исследования частотных характеристик типа Х1 -48 настройку катушки 1L6 производить с целью получения симметрии S-кривой, снимая сигнал с вывода 8 микросхемы
Проверить чувствительность со входа
УПЧ (точка 1XN)
Выходное напряжение должно быть не менее 1,45 В
Через конденсатор емкостью 22... 100 пФ подать сигнал на базу смесителя (транзистор 1VT3) Вращать сердечник катушки до получения максимального показания выходного вольтметра
При проверке и настройке по п. п. 1,2, 3, 4, 5,6 настоящей таблицы кнопка БШН — нажата (БШН выключена)
Подать сигнал от генератора ГСВ2 с девиацией ±15 кГц на гнездо внешней антенны УКВ. Вращением сердечника добиться появления сигнала на выходе приемника
Частоту установить, подбирая сопротивление цепи путем замыкания (размыкания) печатных проводников, параллельных этим резисторам (в соответствии с табл. 6.2) Подать от генератора ГСВ2 сигнал с девиацией ±15 кГц и частотой модуляции 1000 Гц на гнездо внешней антенны УКВ
Ручкой настройки приемника настроиться на соответствующий сигнал по максимальному показанию выходного вольтметра
Вращать сердечники катушек до получения максимального показания выходного вольтметра
Для повышения точности настройки по п.п. 2, 4 входной сигнал поддерживать на уровне, обеспечивающем режим работы тракта УПЧ до ограничения, и контролировать сигнал по осциллографу Напряжение настройки должно быть в пределах 4,6...5,0 В
Напряжение настройки должно быть в пределах 1,8...2,5 В
Операцию повторить 2—3 раза
ГЛАВА 6
Наименование операции Частота настройки, МГц Показание генератора, мкВ Положение стрелки на шкале приемника
66 5 (не более)
69 5
74 5
5. Проверка 65,8 Любое
фиксирован-
ных настроек
в диапазоне УКВ 74 5
6. Настройка 69 В средней
и проверка части
действия АПЧ
69 15
7. Проверка действия и порога срабатывания БШН
69
В средней части
Настраиваемый элемент Методика настройки и проверки Примечание
2R129 Проверить чувствительность, ограниченную шумами, на указанных частотах (см. п. 6.4) Включить первую фиксированную настройку У1. Вращая ручку переменного резистора ФН, убедиться в возможности настройки на указанные частоты Повторить операцию для всех ФН, вращая ручку соответствующих резисторов (2R130. .2R132)
1R28 1R33 Выключить АПЧ и БШН нажатием соответствующих кнопок При отсутствии сигнала на входе приемника (отстроиться от станции) измерить постоянное напряжение на г выводе 8 микросхемы К174УРЗ Подключить вольтметр к точке соеди- Предварительно нения 1R27 и 1R28 и вращением рото- выставить ротор ра подстроечного резистора 1R28 вы- 1R28 в среднее ставить такое же напряжение положение Подать сигнал с девиацией +15 кГц и частотой модуляции 1000 Гц к гнезду внешней антенны УКВ (1X1) и настроиться на сигнал по максимальному показанию выходного вольтметра Регулятором громкости установить выходное напряжение 0,45 В Изменить частоту генератора в сторону уменьшения до показания выходного вольтметра 0,3 В Включить АПЧ, выходное напряжение должно возрасти не менее чем до 0,4 В Повторить при расстройке генератора в сторону увеличения частоты Подать сигнал с девиацией ±15 кГц АПЧ выключена и уровнем Ubx. = 850 мкВ (кнопка нажата) Регулятором громкости установить на выходе 0,45 В Установить Ubx. = 0. Включить БШН. Уровень входного сигнала увеличивать до появления на выходе напряжения в пределах 0,42...0,45 В,соответствующего Рст. с точностью -3 дБ. При этом уровень входного сигнала должен быть в пределах 5...10 мкВ. При необходимости отрегулировать подстроечным резистором. Изменяя частоту генератора в обе стороны от точной настройки, убедиться в отсутствии шумов и боковых настроек
Радиоприемник «Океан РП-222»
6.5. РАДИОПРИЕМНИК «ВЕРАС РП-225»
Принципиальная электрическая схема радиоприемника «Верас РП-225» идентична схеме радиоприемника «Океан РП-222». Имеются лишь некоторые отличия схемы блока AM (рис. 6.6). Методы обнаружения неисправностей в радиоприемнике «Верас РП-225» такие же, как и для радиоприемника «Океан РП-222».
6.6. РЕГУЛИРОВКА И НАСТРОЙКА РАДИОПРИЕМНИКА «ОКЕАН РП-222»
Регулировку и настройку радиоприемника производят после его ремонта и проверки общей работоспособности при оптимальном напряжении питания.
Сначала проверяют цепи питания, УЗЧ, переключатель и далее тракты AM и ЧМ. Для этого смотрят
SB2\
I VD33 VD35 VD36 VD36 VDJff VDtf в КДЧО9А КДЧ09А КДЧ09А КД909А КДЧО9А
6,8
VQ21 КД9О9А
С95 St
VQ29 КД9О9А
V Ой V
119
892
3,9к
^С55_ Д-С62
. - Д-С72
ХД01мк ZE®
M2D
_ С76 _ ~£0,01мк
fa
С83
„16м
„31м‘
15
25 Ш
16 17
18
В". I/Z VCB1“ | № СВ2‘{ I
SB5
Рис. 6.6. Принципиальная электрическая схема части блока AM радиоприемника «Верас РП-225»
на напряжение (10+0,5 В при работе приемника от сети) на коллекторе транзистора 2VT12 (рис. 6.3). При несоответствии величины напряжения его регулируют с помощью подбора сопротивления цепи резисторами 2(R43, R47, R 48).
Далее проверяют напряжение 5,2±0,1В на коллекторе транзистора 2VT30 и при необходимости регулируют резистором 2R138. Напряжение на коллекторе транзистора 2VT26 должно быть 5,8±0,1В.
Для проверки и регулировки трактов AM и ЧМ приборы соединяют согласно рис. 6.7, 6.8.
Настройку и проверку трактов AM и ЧМ проводят при выключенной АПЧ, регуляторе громкости в положении максимума, регуляторе тембра в среднем положении. Вольтметр переменного тока подключают параллельно громкоговорителю.
Рекомендация завода-изготовителя по настройке и проверке трактов AM и ЧМ приведена в таблицах 6.5, 6.6.
При определении чувствительности напряжение на выходе радиоприемника поддерживается равным 0,45В, соответствующем стандартной Рвых = 50 мВт.
С96 ~76~У.
271L28
3R104 39к
5?
L29
±С97^0Л1мк
liofi
С1О7
ОГ
КОЧКПМЧА
УКВ'
VO46 КД522Б
-И— 49м"
HL1O _ }ДЛЗО7АР!
~УКВ'
0,0Ч7мк
75
17
.18
19
"77
О.1В
R123
16
VT28
КТ315Ж
7В
R128 R1Z9 '
RlZsROO
R127 R132 39к%ЮмГЛ*
24
VOE1
VD59 кдЗггЬ
11 VQ60 КД5226
лев
кв
*470*
32
3
R151
RIEQ^ 27* 2,7м R16K 5,6к
VD65 0£
03.
5.8В ^[29^'
R1 ~б8к
кгзкп
ai...5B
VT25
ш । ст Л
VD57 KPI^HTIB
11п 3
УКВ
33 R166 ЮОк
W107E
1к
10
СЮ5 ЮОмк
R153
25
R146
Х4
ОНп-кг-22
Цепь 1^ Uh(2...4,6)^ 57В ЧМ ' Корпус
ч в*. УЗЧ
£
Рис. 6.7. Схема подключения приборов при подаче сигнала на телескопическую антенну
Рис. 6.8. Схема подключения приборов при подаче сигнала на магнитную антенну
РАДИОПРИЕМНИК «ОКЕАН РП-245»
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ
Приемник радиовещательный «Океан РП-245» предназначен для приема программ радиовещательных станций с AM в диапазонах длинных волн (ДВ), средних волн (СВ), коротких волн (КВ) и с ЧМ в диапазоне ультракоротких волн (УКВ).
Питание приемника осуществляется от автономного источника питания 6,0±0,12 В (четыре элемента типа А343 (LR 14) и от сети переменного тока 220±22 В, 50—60 Гц.
Работоспособность приемника сохраняется при снижении напряжения питания автономного источника до 4,2 В.
Диапазоны принимаемых частот (волн), не уже:
ДВ, кГц(м) - 148,5-283,5(2020,2-1058,2);
СВ, кГц(м) - 526,5-1606,5(569,8-186,7);
КВ49 м, МГц(м) - 5,95-6,20(50,4-48,4);
КВ41 м, МГц(м) - 7,1—7,3(42,3—41,0);
КВ31 м, МГц(м) - 9,50-9,77(31,6-30,7);
КВ25 м, МГц(м) - 11,7-12,1(25,6-24,8);
УКВ1, МГц(м) - 65,8-74,0(4,56-4,05);
УКВ2, МГц(м) - 87,5-108,0(3,43-2,79).
Чувствительность, ограниченная шумом, при отношении сигнал/шум не менее 20 дБ в диапазонах ДВ, СВ, КВ и не менее 26 дБ в диапазоне УКВ, по напряженности поля, мВ/м, не уже, в диапазонах: ДВ - 2,0; СВ - 1,0; КВ - 0,2; УКВ - 0,07.
Относительная избирательность по соседнему каналу в диапазоне СВ при расстройке на ±9 кГц — не менее 30 дБ.
Диапазон воспроизводимых частот звукового давления всего тракта при неравномерности частотной характеристики звукового давления 14 дБ, Гц, не уже, в диапазонах: СВ — 250—3500; УКВ - 250-8000.
Выходная мощность, Вт: номинальная — 0,18; максимальная от автономного источника питания — 0,25 и от сети переменного тока — 0,35.
Ток покоя приемника (при питании от автономного источника) — не более 12 мА.
Масса приемника без автономного источника — не более 1,2 кг.
Габаритные размеры корпуса приемника — не более 290x143x75 мм.
7.1. ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРИНЦИПИАЛЬНАЯ СХЕМА РАДИОПРИЕМНИКА «ОКЕАН РП-245»
Схема электрическая приемника выполнена на МС ОА1 типа 1125108, МС DA2 типа КР142ЕН5Б, транзисторах VT1 типа КПЗОЗА, VT2 типа КТ3126А и VT3 типа КТ3102АМ (рис. 7.1).
МС DA1 представляет собой АМ/ЧМ-при-емник и выполняет функции УРЧ, гетеродина, смесителя, УПЧ, детектора АМ/ЧМ и УЗЧ.
На МС DA2 выполнен стабилизатор напряжения 7,5±0,2 В.
Прием сигналов в диапазонах ДВ и СВ ведется на МА, на ферритовом стержне которой находятся катушки входных контуров: L1,L2 — диапазона ДВ и L1 — диапазона СВ.
При работе приемника в диапазоне ДВ или СВ сигнал, наведенный на МА и выделенный соответствующим входным контуром L1, L2, С1.2, С4, С6 или L1, С1.2, С5, через конденсатор С2 поступает на затвор транзистора VT1, выполняющего функции стокового повторителя.
Сигнал с истока транзистора VT1 поступает на вход УРЧ AM (вывод 10 МС DA1), усиливается и подается на смеситель, сюда же подается и напряжение гетеродина AM (вывод 5 МС DA1).
Частота генерации в диапазонах ДВ и СВ определяется контурами L5, С12, С7, С1.4 и L3, С9, С8, С1.4 соответственно.
С выхода смесителя (вывод 14 М С DA1) сигнал ПЧ AM частотой 465 кГц поступает на вход ФСС AM, состоящий из контура L16, С46 и фильтра ZQ1 типа ФП1П1-61,03, и далее на УПЧ AM (вывод 16 МС DA1) усиливается и детектируется.
Продетектированный сигнал с выхода детектора (вывод 23 МС DA1) через конденсатор С56 поступает на вход предварительного УЗЧ (вывод 24 МС DAI). С выхода УЗЧ (вывод 27 МС DA1) сигнал через конденсатор С62 идет на головку громкоговорителя BA (Z=8 Ом).
Прием сигналов в диапазоне КВ ведется на ТА. При включении переключателя диапазонов SA1 в положение КВ сигнал с ТА через конденсатор С11 поступает на УРЧ, собранный на
/
С 1.1 2-27
2
3-200
3
л
VCZ4-
5
МА
±С2
33
Г
Г \8
>9
7/30
С6
12
7/30
SA1.3
16 20ДВ
У19 СВ
С13 18
7L6
С19 =J=JJ
С16
17 КВ 1ГУКВ
VT1 КПЗОЗА
-35мкВ 1МГи
В-СП
1000
В5
~ЗмкВ 11.9М1Ц
^_0_ \0,03
\/?9 \330
±Z?J ТЗЗОО
SA1.2
JJBJ5VJJ СВ
КВ 7Г
SA1.1
ПД16-2
~3\6ДВ ’"TW
9 КВ _
10 УКВ Зд
С7 \29О Чб 290
9/15
СЮ
6
2,2
С19
33
С21
Кб 3,3к ] SA2.2
691м УКВ1
725м УКВ2 9 99м Шз1м
6
С15 1 0.022МК
5А1.1 ДВ 1 г-ТВ~2"' КВ 9 УКВ5.
SA2.1 ПД18-2
71 1 91м
J
,__R7
~ГС31 ^-*220
~^0,033мк
SA2.9 УКВ1 91м 15 13 УКВ225М П ~~
99м 12 31м 11
цу
L15
_________\\C29
»zF
SA2.3 16.
С26 г^-7/30 С29
С22
С35< 7/30
С23
—XR6
—ЗЗк
R9 12к
L12
__С32 "Г 15 s
=J= С38 0,022мк
2091м УКВ1
19 25м УКВ2
17 99м
16 31м
СЗЗ
TJJ'
L13
3
9
"Г# 7~7/зо\39 ?~7/зо
УК61
3
"Т75мУКВ£ 9 9^i\ 5 31м
Л-С18 ~~123
С26 ^110
X-L9
С36 , 0J322MK
9
Рис. 7.1. Электрическая принципиальная схема радиоприемника «Океан РП-245» (левая половина)
L14
037
046 1=390
R12
L15
-2,5мкв 69к!ц
1,2к
±047 L171 V L17.2
Т100 Д£1 7L
016
051 100мк
057 0,022мк
[----1066
I 220г
L18 4= Г
816 \47к
___________IL.^ »3300
I/7J 013
КТ3102АМ 0,022мк 2± О
2,4
-25мкВ 1МГц
1,4
О
ЗАЗ
ZQ1 ФП1П1-61,03
ФП1П6-1.2
058 ±39
~15мкВ 465кГц
2,4
О
~ 0,7мВ ~0,25мВ
049
5 0,022мк
П= О
\R14 C6J
±0,068мк i68k
15 10 12 9 13 16 Л 11
6 7 5 19 20 21 22
А 044 =Г 5,6
1,2
1,8
048
й1 О
2,4
1
1,4
0,5 О
067 4,7мк
2,6
0-2,4
17 8 2 1
3 4
DA1
V2510B
23 24 25 26 27 28 18
\3J
О.ОЗЗмк
,Настройка' HL2
0,01мк ±051 ±4,7мк
'±6800
25мВ 1кГц ~DA2
053
гзз'Чт-
0-2,4
068 0,033мк ~ 14
±062
470мк
=iC63± \470мк
3
17
XS 35Г1-3
13 5
/г/з
I
№
КР142ЕН5Б
2
17
8 ,818 \180
ВПТ6-5 /з ТП118-М5
AjVDI 4:1/03 Л. 064 4 Л
VD2
VB4
4>
X
-2Z0B
±052 1 470мк
VD1-VD4 КД209А
\16
Рис. 7.1. Электрическая принципиальная схема радиоприемника «Океан РП-245» (правая половина)
5 Усилители, радиоприёмники.
транзисторе VT2 по схеме с общей базой, нагрузкой которого являются следующие колебательные контуры (при соответствующем положении переключателя поддиапазонов SA2);
КВ49м - L8, С23, С22, С26, С1.2; КВ41 м -L8, С23, С1.2-, КВ31 м - L11, С23, С29, С35, С1.2; КВ25м —£77, С23, С1.2.
Конденсатор С1.2 подключается к контурам КВ через конденсаторы С2 и СЗ.
Далее сигнал с соответствующего включенного контура через переключатели SA2.2, SA1.2 и разделительный конденсатор СЗ поступает на вход стокового повторителя VT1, с выхода которого через разделительный конденсатор С42 проходит на вход УРЧ AM (вывод 10 МС DA1), усиливается и подается на смеситель.
На смеситель поступает также напряжение гетеродина.
Контуры гетеродина: КВ49 м — L9, С28, С27, С34, СЮ, С1.4-, КВ41 м - L9, С28, СЮ, С1.4\ КВ31 м - L7, С18, С17, С25, СЮ, С1.4; КВ25 м -L7, С18, СЮ, С1.4.
Прием сигналов в диапазоне УКВ ведется на ТА.
Переключатель диапазонов SA1 — в положении УКВ. Сигнал с ТА через конденсатор С13 поступает на входной контур L6, С14, С21 в диапазоне УКВ1 (L6, С14 в диапазоне УКВ2) и далее через конденсатор С16 — на вход УРЧ ЧМ (вывод 12 МС DA1), усиливается и подается на смеситель.
Нагрузкой УРЧ ЧМ в диапазонах УКВ1 и УКВ2 являются контуры L15, L14, С1.1, С19, С41, С37 и L14, С1.1, С19, С37 соответственно.
Элементами гетеродина ЧМ (вывод 7 МС DA1) в диапазонах УКВ1 и УКВ2 являются контуры L13, L12, С1.3, С24, С32, СЗЗ и L12, С1.3, С24, С32 соответственно.
Нагрузкой смесителя ЧМ (вывод 14 МС DA1) является ФСС ЧМ, состоящий из контура L17, С47 и фильтра ZQ2 типа ФП1П6-1.2. С выхода фильтра сигнал поступает на вход УПЧ ЧМ (вывод 17 МС DA1) и далее на ЧМ-дискри-минатор, нагрузкой которого является контур L18, С66, С58.
Продектированный ЧМ-сигнал с выхода детектора (вывод 23 МС DA1) через конденсатор С56 поступает на вход предварительно УЗЧ (вывод 24 МС DA1).
Выпрямитель напряжения выполнен на трансформаторе Т типа ТП118-М5 по стандартной мостовой схеме на диодах VD1...VD4 типа КД209А с цепями высокочастотной фильтрации (конденсаторы С64 и С65).
Во вторичную обмотку трансформатора включена вставка плавкая F типа ВПТ6-5 с номинальным током 0,5 А.
Выпрямленное напряжение (16 В) поступает на вывод 17 МС DA2, выполняющий функцию стабилизатора напряжения. С вывода 2 МС DA2 стабилизированное напряжение 7,5 В через резистор R10, переключатель SA3 (кнопка отжата) поступает в соответствующие цепи питания.
В приемнике имеется индикатор настройки на станцию HL2 типа АЛ307БМ, максимальное свечение которого соответствует точной настройке на станцию, и гнездо XS типа 35Г1-3 для подключения наушников.
Резисторы R16 и R17 — регуляторы громкости и тембра соответственно.
7.2. МЕТОДИКА ОБНАРУЖЕНИЯ И УСТРАНЕНИЯ НЕИСПРАВНОСТЕЙ РАДИОПРИЕМНИКА «ОКЕАН РП-245»
Для разборки приемника необходимо:
1) снять крышку отсека питания;
2) вынуть элементы питания из отсека;
3) вывинтить винты, соединяющие крышку с корпусом;
4) сдвигая крышку вверх, вывести ее из зацепления с корпусом;
5) снять крышку и, отсоединив разъем от ТА, отпаять проводник, идущий на отсек питания и трансформатор, отложить крышку в сторону;
6) вывинтить винты крепления платы и вынуть плату из корпуса.
На плате открывается доступ к радиоэлементам.
Шкала снимается при помощи соответствующих упругих элементов, осуществляющих ее фиксацию в корпусе.
Схема верньерного устройства приведена на рис. 7.2.
Сборку радиоприемника проводят в обратном порядке.
Для отыскания неисправностей необходимо:
1. Проверить исправность вставки плавкой, сетевого шнура, целостность монтажа, соединительных проводников, радиоэлементов и отсутствие замыканий между ними, а также отсутствие холодных паек.
2. Режимы по постоянному току должны соответствовать значениям, приведенным в электрической схеме.
Ток потребления при Рвых = 0 должен быть не более 15 мА.
Ток потребления измеряют на любом диапазоне, установив регулятор громкости в положение минимальной громкости.
3. Режимы по переменному току должны соответствовать значениям, приведенным в электрической схеме.
Рис. 7.2. Схема верньерного устройства
Режимы по переменному току измеряют при выходном напряжении 0,63 В (Рст = 50 мВт), коэффициенте модуляции М(ЧМ)=1.
Причинами значительного несоответствия величин сигналов, необходимых для получения на выходе требуемой мощности, могут служить
нарушения режимов микросхемы, расстройка резонансных контуров.
Для обнаружения и устранения неисправностей следует дополнительно пользоваться справочными материалами, приведенными в таблицах 7.1 и 7.2.
Таблица 7.1. Сведения о взаимозаменяемости элементов
Наименование
Возможная замена
Резисторы
С1-4-0,125 ВС-0,125
РП 1-686 Замене не подлежит
Конденсаторы
К 10-7 К10-76 К 10-62 К50-35 КД-62 К73-17(С61) Замене не подлежит Микросхемы
U2510B КР142ЕН5Б Замене не подлежит КР142ЕН5Г Индикатор единичный
АЛ307БМ АЛ307КМ Диоды
КД209А КД226А
Транзисторы
КПЗОЗА КТ3102АМ КТ3126А
КПЗОЗЕ
КТ645Е
КТ3126Б
Таблица 7.2. Данные катушек индуктивности
Наименование катушки Обозначение на схеме Тип сердечника Тип намотки Обозначение обмотки Число витков Марка и тип провода
Входная СВ L1 М400НН-19 С8х125 Секционная Н1К1 90 (по 9 витков в десяти секциях) ЛЭПЗх-0,063
Входная ДВ L2 Н2К2 260 (по 26 витков в десяти секциях) ПЭТВ-2- 0,1
Гетеродин- L3 ЗОВН Секци- НК 164 отвод ПЭТВ-2-
ная СВ ПР4хО,7х онная от 126(42+ 0,1
8,0 42+42+0+
0+19+19+0)
Гетеродинная ДВ L5 ЗОВН ПРЧхО,7х 8,0 НК 193 отвод от 153(51 + 51+51+0+ 0+20+20+0) ПЭТВ-2-0,1
Входная КВ41 м, КВ49 м L8 ЗОВН ПР4хО,7х 8,0 Рядовая НК 25 ПЭТВ-2-0,16
Входная КВ25 м, КВ31 м L11 ЗОВН ПР4хО,7х 8,0 Рядовая НК 13 ПЭТВ-2-0,16
Гетеродинная КВ25 м, КВ31 м L7 ЗОВН ПР4хО,7х 8,0 Рядовая НК 10 ПЭТВ-2-0,16
Гетеродинная КВ41 м. КВ49м L9 ЗОВН ПР4хО,7х 8,0 Рядовая НК 18 ПЭТВ-2-0,16
Сопротивление обмотки постоянному току, Ом Маркировка Распайка и маркировка выводов катушек, схема обмотки
8.5 - Ц.............“
L2 Н2 К1 Н1
20 - • L1
7,5 2 синие п
ТОЧКИ • •
н|*___*|к
8,9
1 синяя точка
Витки мотать в трех секциях, после отвода продолжить мотать в 3-й и во 2-й секциях
ГЛАВА 7
2 зеленые точки
2 синие точки
1 зеленая точка
Наименование катушки Обозначение на схеме Тип сердечника Тип намотки Обозначение обмотки Число витков Марка и тип провода
Контур ПЧ AM L16 М1000 НМЗ-4А БЧ 6,1x6 В (комплект) Секционная НК 130 отвод от 120 (65+65) ПЭТВ-2-0,1
Входная ЧМ L6 - Рядовая (без зазора диаметром 3,5 мм) 4,5 ПЭТВ-2- 0,5
Гетеродинная УКВ2 L12 - - 3,5 ПЭТВ-2- 0,5
Гетеродинная УКВ 1 L13 - - 3,5 ПЭТВ-2- 0,5
Коллекторная УКВ2 L14 - - 4,5 ПЭТВ-2- 0,5
Коллекторная УКВ1 L15 - - 5,5 ПЭТВ-2- 0,5
Контур L17 ЗОВН Рядовая Н1К1 17 ПЭТВ-2-
ПЧ ЧМ ПР4хО,7х отвод от 5 0,1
8,0 Н2К2 2
Детекторная ЧМ
L18
ЗОВН ПР4хО,7х 8,0
Рядовая
НК
10 ПЭТВ-2-
0,16
Окончание таблицы 7.2
Сопротивление обмотки постоянному току, Ом Маркировка Распайка и маркировка выводов катушек, схема обмотки
3,7
Радиоприемник «Океан РП-245»
7.2.1. Возможные неисправности, их причины и способы устранения
Признак неисправности Возможная причина Способ устранения
1. Приемник не работает от сети, от автономного источника работает Неисправность вставки плавкой F Обрыв в цепях диодов VD1VD4, конденсаторов С64, С65 Неисправность МС DA2 Неисправность переключателя SA3 Заменить вставку плавкую F Проверить и при необходимости заменить диод или конденсатор Проверить МС DA2, неисправную заменить Проверить исправность переключателя, восстановить контакт
2. Приемник не работает от автономного источника, от сети работает Обрыв в цепи батареи, нет контакта между элементами питания GB и прижимными контактами отсека питания Переключатель SA3 не включает питание Восстановить контакт, зачистить загрязненные места на прижимных контактах Проверить наличие контакта переключателя SA3
3. Нет приема на всех диапазонах, в громкоговорителе не прослушивается шум В громкоговорителе прослушивается шум Отсутствует контакт в гнезде XS Выход из строя конденсатора С62 Обрыв звуковой катушки громкоговорителя. Неисправна МС DA1 Восстановить контакт в гнезде XS, заменить конденсатор С62 Заменить громкоговоритель Проверить режимы МС DA1 по постоянному и переменному токам. Неисправную МС заменить
4. Нет приема на всех или в одном из диапазонов Шум прослушивается Не работает гетеродин При отсутствии напряжения гетеродина на выводе 5(ДВ, СВ) или 7(УКВ)МС DA1 проверить переключатель SA1.4, SA2.1 или SA2.3 и соответствующие контуры гетеродина: ДВ — L5,C12,C7,C1.4; СВ — L3,C9,C8,C1.4; КВ49м — L9,C28,C27,C34, СЮ, С1.4', КВ41м — L9.C28.C1.4-, КВ31м — L7,C18,C17,C25, С10.С1.4; КВ25м — L7,C18,C10,C1.4\ УКВ1 — L13,L12,C1.3,C24, C32.C33; УКВ2 — L 12,С1.3,С24,С32. Неисправные элементы заменить
5. Пропадает сигнал ПЧ: нет приема в диапазонах ДВ и СВ КВ УКВ Неисправны элементы соответствующего входного контура Проверить элементы соответствующего входного контура: ДВ — L1,L2C1.2,C4,C6; СВ — L1.L2.C5-, КВ49м — L8,C23,C22,C26, С1.2\ КВ41м — 1.8,С23,С1.2\ КВ31м — L11 ,С23,С29,С35, С1.2\ KB25m — L1,C23,C1.2; УКВ — L6,C33,C21; УКВ1 —L15,L14,C1.1, С19,С41,С37; УКВ2 — L14.C1.1,С19,С37
6. Не проходит сигнал ПЧ: нет приема в тракте ЧМ нет приема в тракте AM Неисправен фильтр ЧМ или ЧМ-дискритор Неисправен переключатель SA 1.2. Неисправен фильтр AM Проверить контур L17.C47 и фильтр ZQ2 Проверить наличие контакта в переключателе SA 1.2. Проверить контур L16,C46 и фильтр ZQ1
7. Приемник не перестраивается Обрыв или замыкание конденсатора С1 Устранить неисправность или заменить конденсатор С1
7.3. РЕГУЛИРОВКА И НАСТРОЙКА РАДИОПРИЕМНИКА «ОКЕАН РП-245» Схема подключения измерительной аппаратуры при настройке и проверке приемника приведена на рис. 7.3. Регулирование и настройку приемника проводят поэтапно: вначале проверяют режимы МС, транзисторов, затем настраивают контуры ПЧ, гетеродинные, входные соответствующего тракта. Методика регулирования и настройки приемника приведена в табл. 7.3. Настройку диапазонов ДВ и СВ проводят, используя однорамочный генератор поля. При настройке диапазонов КВ или УКВ сигнал от ГСВ1 или ГСВ2 подают на сложенную ТА (или точку 1 платы), а минус питания через эквивалент антенны.
Рис. 73. Схема подключения измерительной аппаратуры для проверки и настройки радиоприемника: а —схема подключения приборов; б — схема эквивалента антенны
Таблица 73. Методика настройки радиоприемника
Наименование операции Частота настройки, кГц Показание генератора, мВ Положение указателя частоты настройки приемника Настраиваемый элемент Методика настройки, проверки Приме чание
1. Проверка УЗЧ: 25 Любое (СВ)
чувствительность отсутствие искажений регулировка тембра 1
2. Настройка тракта ПЧ AM 465 0,5 Любое (ДВ, СВ, КВ)
3. Проверка и укладка границ диапазона: СВ 515 300 мВ Крайнее правое
ДВ ' 1620 143... 300—350 50 Крайнее левое Крайнее правое Крайнее левое
Регулятор громкости — в положении максимальной громкости, регулятор тембра — в крайнем правом
Подать на вход УЗЧ (вывод 24 МС DA1) через конденсатор емкостью 0,1 мкФ сигнал частотой 1000 Гц с уровнем 25 мВ. Напряжение на выходе должно быть не менее 1,4 В
Регулятором громкости установить на выходе напряжение 1,4 В, которое должно быть без искажений
Подать на вход УЗЧ тот же сигнал уровнем 25—100 мВ, регулятором громкости установить на выходе напряжение 0,63 В Подать на вход УЗЧ сигнал частотой 10 000 Гц, на выходе сигнал должен быть не менее 0,4 В. Повторить то же при регуляторе тембра в крайнем левом положении
На выходе сигнал частотой 10 000 Гц должен быть не более 0,1 В
Подать от ГСВ1 сигнал, модулированный частотой 10 000 Гц, М-0,3, на вывод 14 МС DA1 через конденсатор емкостью 5,6 нФ
L16 Вращать сердечник катушки до получе-
ния максимального показания выходного вольтметра, которое должно быть не менее 0,63 В
Подать сигнал от генератора поля ГСВ1
L3 Вращать сердечник катушки до появ- Операцию ления сигнала настройки на выходе повторить
приемника 2—3 раза
С9 Вращать ротор конденсатора до появления сигнала настройки на выходе приемника
L5 Вращать сердечник катушки до появления сигнала настройки на выходе приемника Проверить частоту
Продолжение таблицы 7.3
Наименование операции Частота настройки, кГц Показание генератора, мВ Положение указателя частоты настройки приемника Настраиваемый элемент Методика настройки, проверки Примечание
4. Настройка входного контура СВ 560 5 Правое L1 Подать сигнал от генератора поля. Ручкой настройки приемника настроиться на сигнал по максимальному показанию выходного вольтметра Передвигая катушку вдоль феррито- Операцию
ДВ 1400 160 8 Левое Правое С5 L2 вого стержня, добиться максимального показания выходного аольтметра Вращая ротор конденсатора, добиться максимального показания выходного вольтметра Передвигая катушку вдоль ферритово- повторить 2—3 раза до получения полного сопряжения Повторить
5 Укладка диапазона КВ41м 250 7,2 МГц 1-10 Левое Среднее С4 L9 го стержня, добиться максимального показания выходного вольтметра Настроиться на сигнал Вращая ротор конденсатора, добиться максимального показания выходного вольтметра Поочередно поднося к катушкам L1 (в диапазоне СВ) и L2 (в диапазоне ДВ) ферритовый и медный наконечник индикаторной палочки«медь-феррит» и одновременно следя за показанием выходного вольтметра, убедиться в том, что выходное напряжение при этом уменьшается Зафиксировать катушки церезином Подать сигнал от ГСВ1 в точку 1 платы через эквивалент антенны Вращать сердечник катушки до появ- 2—3 раза Выходное напряжение должно быть не менее 0,63В
КВ49м 6,1 МГц КВ25м 11,8Мгц КВ31м 9,6МГц 6 Проверка границ диапазона: КВ49м 5,95 МГц 6,2 МГц КВ41м 7,1 МГц 7,3 МГц КВ31м 9,5 МГц 9,77 МГц КВ25м 11,7 МГц 12,1 МГц 7 Настройка входных контуров КВ25м 11,8МГц 1-10 75мкВ Правое Левое Правое Левое Правое Левое Правое Левое Среднее С34 L7 С25 L11 ления сигнала настройки на выходе приемника Вращать ротор конденсатора до появления сигнала настройки на выходе приемника Вращать сердечник катушки до появления сигнала настройки на выходе приемника Вращать ротор конденсатора до появления сигнала настройки на выходе приемника Убедиться в наличии сигнала зеркального канала выше частоты основного сигнала Убедиться в наличии сигнала Тоже Убедиться в наличии сигнала Тоже -«- -«- Установить регулятор громкости в положение максимального усиления Настроиться на сигнал Вращать сердечник катушки до получе- Выходное
КВ31м 9,6 МГц Среднее С35 ния максимального показания выходного вольтметра Вращать ротор конденсатора до полу- напряжение должно
чения максимального показания выходного вольтметра быть не менее 0,63В
Окончание таблицы 73
Наименование операции Частота настройки, кГц Показание генератора, мВ Положение указателя частоты настройки приемника Настраиваемый элемент Методика настройки, проверки Примечание
КВ41м КВ49м 8. Настройка контуров ПЧ ЧМ 9. Уклвдка и проверка границ диапазона 7,2 МГц 6,1 МГц 10,7 МГц 1-10 Среднее Среднее Любое (УКВ1 или УКВ2)> L8 С26 L18 L17 Вращать сердечник катушки до получения максимального показания выходного вольтметра Вращать ротор конденсатора до получения максимального показания выходного вольтметра Подать сигнал от ГСВ2 (частота модуляции 1000 Гц, М=0,3) через конденсатор 5,6 нФ на вывод 14 DA1 Вращать сердечник до получения максимального показания выходного вольтметра при минимальных искажениях синусоиды сигнала на экране осциллографа При наличии прибора для исследования частотных характеристик типа Х1 -48 настройку катушки L18 производить с целью получения симметрии S-кривой. Подать через экаивалент антенны сигнал (частота модуляции 1000 Гц, М=0,3) от ГСВ2 в точку 1 платы или на сложенную телескопическую антенну
УКВ2 86,5 МГц 109-111 110-МГц 0,1-1 Крайнее правое Крайнее левое L12 Изменяя расстояние между витками, найти сигнал настройки на выходе приемника Убедиться в наличии сигнала
УКВ1 10. Настройка входных и УРЧ контуров 64,8 МГц 75-77 МГц Крайнее правое Крайнее левое L13 Изменяя расстояние между витками, найти сигнал настройки на выходе приемника Убедиться в наличии сигнала Подать через эквивалент антенны сигнал (частота модуляции 1000 Гц, М=0,3) от ГСВ2 в точку 1 или на сложенную телескопическую антенну
УКВ2 88МГц 106 МГц 100 Правое Левое L14 С37 Изменять расстояние между витками катушки до получения максимального показания выходного вольтметра Вращать ротор конденсатора до получения максимального показания выходного вольтметра Операцию повторить 2—3 раза до получения полного сопряжения
УКВ1 66МГц 73МГц 100 Правое Левое L15 С41 Изменять расстояние между витками катушки до получения максимального показания выходного вольтметра Вращать ротор конденсатора до получения максимального показания выходного вольтметра
УКВ2 96МГц 75 мВ Середина L6 Изменять расстояние между витками до получения максимального показания выходного вольтметра
УКВ1 69МГц 75 мВ Середина С21 Вращать ротор конденсатора до получения максимального показания выходного вольтметра
7.4. ИСПЫТАНИЕ И КОНТРОЛЬ ПОСЛЕ РЕМОНТА РАДИОПРИЕМНИКА «ОКЕАН РП-245»
После ремонта приемник проверяют по следующим параметрам:
— диапазон принимаемых частот;
— чувствительность, ограниченная шумом;
— максимальная выходная мощность;
— отсутствие дребезжания, возбуждения и генерации.
Примечание. Выбор параметров, по которым проводят испытания после ремонта, зависит от выявленной неисправности, характера ремонта.
7 .4.1. Методика проверки параметров и электропрогонка радиоприемника
Проверку параметров проводят при питании приемника от источника питания напряжением 6,0±0,12 В.
Проверку параметров в диапазонах ДВ, СВ проводят, используя однорамочный генератор поля.
Величину чувствительности (значение напряженности поля Е) в милливольтах на метр в точке расположения МА приемника на расстоянии 0,6 м от однорамочного генератора вычисляют по формуле:
£ = 0,1 U,
где U— показание генератора ГСВ1, мВ.
При проверке параметров в диапазоне КВ сигнал от ГСВ1 подают на сложенную ТА через эквивалент антенны. Величину чувствительности определяют по формуле:
Е ~ ^вх/^д’
где UBX — показание генератора ГСВ1, мВ;
/гд — 0,3 м (действующая высота штыревой антенны).
При проверке параметров в диапазоне УКВ сигнал от ГСВ2 подают на сложенную ТА через соответствующий эквивалент антенны.
Величину чувствительности, ограниченной шумом, по напряженности поля (Е) в микровольтах на метр вычисляют по формуле:
„ ^вхт экв
£ = ------- ,
Лд
где UBX — показание генератора ГСВ2, мВ;
тэкв = 6,66 — модуль коэффициента передачи антенны;
/гд = 0,4 м(УКВ1); 0,5 м(УКВ2) — действующая высота ТА.
Диапазон принимаемых частот определяют следующим образом:
на вход приемника от ГСВ1 (ГСВ2) поочередно подают сигнал с частотой, соотносимой с установленным диапазоном в его начале и конце и уровнем в соответствии с табл. 7.3;
вращая ручку настройки приемника, убедиться (по максимальному показанию выходного вольтметра), что оба крайних сигнала находятся в пределах шкалы приемника.
Чувствительность, ограниченную шумом, в диапазонах ДВ, СВ, КВ проверяют на частотах 200, 1000 кГц, 6,1; 7,2: 9,6; 11,8 МГц соответственно.
На вход приемника от ГСВ1 подают сигнал с частотой модуляции 1000 Гц, М = 0,3, значением напряженности поля 2,0; 1,0; 0,2 мВ/м соответственно.
Настраивают приемник на сигнал по максимальному показанию выходного вольтметра. Регулятором громкости устанавливают выходное напряжение, равное 0,63 В. Снимают модуляцию и измеряют напряжение шума на выходе приемника. Показание выходного вольтметра не должно превышать 0,06 В.
Чувствительность, ограниченную шумом, в диапазоне УКВ1 и УКВ2 проверяют на частотах 69 и 98 МГц соответственно.
На вход приемника подают сигнал частотой модуляции 1000 Гц, девиацией 15 кГц (УКВ1) или 22,5 кГц (УКВ2) и уровнем 70 мкВ/м.
Настраивают приемник на сигнал по максимальному показанию выходного вольтметра. Регулятором громкости устанавливают значение выходного напряжения, равное 0,63 В. Снимают модуляцию и измеряют напряжение шума на выходе приемника. Значение его не должно превышать 0,031 В. При работе от радиотестера TR-0608 чувствительность приемника в диапазоне УКВ1 будет в 1,5 раза ориентировочно выше в связи с тем, что фиксированная девиация частоты прибора равна 25 кГц.
Для определения максимальной выходной мощности на вход приемника в диапазоне СВ подают сигнал частотой 1000 Гц, уровнем 10 мВ/м с частотой модуляции 1000 Гц, М=0,8.
Регулятором громкости устанавливают выходной сигнал такого уровня, при котором на подключенном к выходу приемника осциллографе наблюдается ограничение синусоиды. При этом напряжение на выходном вольтметре должно быть не менее 1,4 В.
Отсутствие дребезжания, возбуждения, генерации проверяют путем прослушивания радиовещательных станций при разных положениях регулятора громкости и при выходной мощности не более номинальной.
Для выявления и устранения дефектов приемника после ремонта рекомендуется электропрогон, заключающийся в том, что приемник настраивают на местную радиостанцию и оставляют работающим при средней громкости в течение часа, периодически переключая диапазоны.
8.1. ПРИНЦИПИАЛЬНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СХЕМЫ РАДИОПРИЕМНИКОВ «МЕРИДИАН РП-348», «РОКС», «СЕЛЕНА 401...403»
Значения напряжений по постоянному^ току на ^электродах
070
А1
НН
Z1
КП
УРЧ,ПЧРАМ
L15
С6^ 97мк*6,ЗВ
JTZL СЧб L ' 'т'0,06вмк
097 <?| $| //т| П\~Т2
LK
150 иб
065
0,01мк
R18
счдТ
50мкВ
ТООмВ
RH
~3 Т 036.
1.033мк
6
и
№5\2 |7
№ Ллзё. ЫЮк\
038 ±4700
IP
R27
УПЧ
029 0,033мк /V/Н
SAM
КП
-- ~30мВ о С62
0,033мк \ЙГЦ I Qfa ™
053
|/ fjT 7181 DA4 [уОк
СП
092
УПЧ ЧМ детектор
L12
С50~ 0,0б8мк
ктхАЮ.
Н
SA3.1
j R30 оЮОк
^Х-060
г^гЗоО । г _ г ,±£1000 —ЛенбрВЧ
Юк
066
Г 1~7^; С -
I
... '=65
8
R23
R15 TOOK
УЗЧ пС49 2
Т4#0гх
6,3В
DAZ
КП4УН7
упч, am дегекгор_ CQ
R29
I VD2
®КИПМ025-1Км
'7lplRllKnTnn,t
гаш
1кГц
КЮмк^бЗВ
SA1.529 . ~зо
R12 1 &
330 -£#!
ч7№
032
tOO. I '7мк\ ?2 !
4,7 |-L
&астррйк&
SA1.6 С31
095
~ ~97Мк*6,ЗВ
I 057 КТ& Ю0мк*6,3&
ВА1
Таблица 8.1.1. Значение напряжений по постоянному току между выводами микросхем и выводом «общий» (-6В) (рис. 8.1.1)
Поз. обозн. Режим Напряжение, В
Номера выводов
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16
DA1 — 0 5,4 5,4 0 5,4 0 2,7 2,7 0 0,7 1,4 0,7 1,4 0 — — DA2 — 6 0 0 5,8 0,7 1,2 3 0,1 0 0 0 3 - - - — DA3 — 0,5 0 0 Р 1,4 0,7 0 1,4 5,4 5,4 5,4 5,4 5,4 2,5—3,0 — — DA4 AM 1,1 1,1 0 5,4 5,0 0 1,2 1,2 0 1,2 0 2,8 6 6 6 1,2 ЧМ 1,2 1,2 0 5,6 5,6 0 0 1,4 0 1,2 0 2,8 6 6 6 2,3
Таблица 8.1.2. Функциональное назначение элементов (рис. 8.1.1)
Регулировочный элемент Выполняемая функция
С5 С9 СЮ С22 С24 С26 С31 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 L10 L11 L12 L13 L14 L15 L16 R17 R23 R25 R33 f Настройка антенного контура ДВ на частоту 260 кГц Настройка антенного контура СВ на частоту 1400 кГц Настройка контура УВЧ УКВ на частоту 73МГц Настройка контура гетеродина ДВ на частоту 290 кГц Настройка контура гетеродина УКВ на частоту 75 МГц Настройка контура гетеродина СВ на частоту 1630 кГц Настройка контура гетеродина КВ1 на частоту 9,9 МГц Настройка входного контура УКВ на частоту 69 МГц Настройка антенного контура ДВ на частоту 160 кГц Настройка антенного контура СВ на частоту 560 кГц Настройка антенного контура КВ2 на частоту 11,8 МГц Настройка антенного контура КВ1 на частоту 9,6 МГц Настройка контура УВЧ УКВ на частоту 66 МГц Настройка контура гетеродина на частоту 65 МГц Настройка контура ПЧ УКВ на частоту 10,7 МГц Настройка контура гетеродина ДВ на частоту 140 кГц Настройка контура гетеродина СВ на частоту 520 кГц Настройка контура гетеродина КВ2 на частоту 11,6 МГц Настройка S-кривой тракта ПЧ ЧМ Настройка контура ПЧ AM на частоту 465 кГц Настройка S-кривой тракта ПЧ ЧМ Настройка контура ПЧ AM на частоту 465 кГц Настройка режекторного фильтра на частоту 465 кГц Регулировка усиления УЗЧ Регулировка порога срабатывания индикатора VD2 Регулировка усиления тракта ПЧ AM Регулировка усиления УРЧ
Функциональная схема микросхемы К174 ПС1
Функциональная схема микросхемы К174ХА10
Функциональная схема микросхемы К157ХА1
AM 4М УП4
Кон. Цепь
16 Блокировка АРУ
15_ Выход АП4
Стабилизатор _ yj
+Unum.
12 Выход У34
Функциональная схема микросхемы К174УН7
АМ/4М демодулятор й
Смеситель
— 77 Земля 34 р f— Л7 Блокировка (ОС 34) |_
У34 - 9 Вход У34
-----| 8 |Вь/ход АП4, демод.
УВ4
1 AM гетеродин $
5 з
- 7 Вход 2УВ4АМ - 6 Вход 1 УВ4АМ
Вывод контура гетеродина Общий_________
Выход смесит. AM
~2~ Вход 2 УП4 1 Вход 1 УП4
Стабилизатор
УГП УПТ
У34
г
Схема сдвига уровня
Кон Цепь
1 +Unum.
4 Вывод
7 Фильтр
6 Обрат, связь
8 Вход
12 Выход
10 Вывод
5 Коррекция
9 Общий
Рис. 8.1.2. Функциональные схемы микросхем: а — К174ПС1; б — К174ХА10; в — К157ХА1; г — К174УН7
1ГДШ-6
К17ЧПС1
Расположение выводов конденсатора, микросхем и головки динамической
КПП
Расположение выводов транзисторов, диодов, переключателей
КТ3102,КТ36в
о о о о
кпзози Корпус 3 С
И
КТ315Б
КД522Б
Б ГК2
ПД2-5П6Н
БКЭ
ПД1-2П2Н
1
Щ ввези
КВ109В
А
Катод
- L1O& 22 Ь -В-В-&&- 5
КИПД02Б~1к
Расположение выводов катушек индуктивностей
Рис. 8.1.3. Расположение выводов радиоэлементов- а — микросхемы, конденсатор, головка динамическая; б — транзисторы, диоды, переключатели; в —выводы катушек индуктивностей
Рис. 8.1.4. Принципиальная электрическая схема радиоприемника «Селена РП-401...403»
6 Усилители, радиоприемники
8.2. УЗЧ НА МИКРОСХЕМАХ ЗАРУБЕЖНОГО ПРОИЗВОДСТВА
Рис. 8.2.1. Схема включения микросхем моно УЗЧ (табл. 1)
Таблица 8.2.1
Тип микросхемы Vcc, В РВых., Вт Rh, Ом AF, Гц...кГц IccO, мА Корпус
А205К 4...20 4,5 4 40...15 15 TABS3-12
А208Е 4...15 1,3 4 40...15 15 TABS3-12
А208К 4...20 5 4 40...15 20 TABS3-12
А210Е 4...15 1,3 4 40...15 15 TABS3-12
А210К 4...20 5 4 40...15 , 20 TABS3-12
DG810DS 4...20 6 4 30...18 12 TABS3-12
МА783 4...30 9 4 30...20 20 TABS3-12
TBA310AS 6...20 6 4 30...18 20 TABS3-12
TBA790D 6...14 2,5 8 30...18 6 TABS3-12
TBA79OU 6...14 2,5 8 30...18 6 TABS3-12
TBA79OS 6...14 2,5 8 30...18 6 TABS3-12
ГВА79ОГ 6...14 2,5 8 30...18 6 TABS3-12
ТВА810 4...20 7 4 30...18 12 TABS3-12
TBA81OAS 4...20 7 4 30...18 12 TABS7-12
ТВА810АТ 4...20 7 4 30...18 12 TABS3-12
TBA810DS 4...20 7 4 30. .18 12 TABS7-12
TBA810DAS 4...20 7 4 30. .18 12 TABS6-12
TBA810S 4...20 7 4 30...18 12 TABS3-12
ТВА810Т 4...20 7 4 30...18 12 TABS3-12
TCA150D 6...18 5 4 30...18 13 TABS3-12
TCA150U 6...18 5 4 30...18 13 TABS3-12
TCA150S 6...18 5 4 30...18 13 TABS6-12
ТСА150Т 6...18 5 4 40...18 11 TABS3-12
ТСА830 4...20 4 4 30...18 10 TABS7-12
ТСА830А 4...20 3,4 4 30...18 10 TABS3-12
TCA830S 4...20 4,2 4 30...18 10 TABS3-12
ТСА940 6...24 10 4 20...20 20 TABS3-12
ТСА940Е 6...24 6,5 8 20...20 20 TABS7-12
UL1440 6...24 10 4 30...20 35 TABS3-12
UL1481P 6...20 6 4 40... 20 38 TABS3-12
К174УН7 9...18 4,5 4 30...18 20 TABS3-12
К174УН9 12...20 5 4 30...18 30 TABS3-12
Рис. 8.2.2. Схема включения микросхем стерео УЗЧ (табл. 2)
Таблица 8.2.2
Тип микросхемы Vcc, В РВых., Вт Rh, Ом AF, Гц...кГц IccO, мА Корпус
А1034Р 1,6...6 2x30мВт 32 20... 20 14 DIP-16
AN7108 1,6...6 2x30мВт 32 20...20 14 DIP-16
CD1034 1,5...9,5 2x0,38 32 20...10 13 DIP-16
СХА1005Р 1,5...9,5 2x0,38 32 20... 20 13 DIP-16
СХА1034Р 1,5...9,5 2x0,35 32 20...20 13 DIP-16
D1005P 1,5...9,5 2x0,35 32 20...20 13 DIP-16
КА22132 1,6...6 2x30мВт 32 20...20 14 DIP-16
Рис. 8.2.3. Схема включения микросхем стерео УЗЧ (табл. 3)
Таблица 8.2.3
Тип микросхемы Vcc, В РВых., Вт Rh, Ом AF, Гц...кГц IccO, мА Корпус
A2000V 3,5...28 2x6,25 4 30...20 30 SIP1-11
A2005V 3.5...28 2x6,5 4 30-20 75 SIP1-11
LM2005 8...18 2x10 2 30-20 70 SIP1-11
TDA2004 8...18 2x12 2 20-20 65 SIP1-11
TDA2005 8...18 2x10 2 20-20 65 SIP1-11
TDA2005M 8...18 2x10 2 20-20 65 SIP1-11V
МРС2005 8...18 2x10 2 30-20 75 SIP1-11
100,0
Рис. 82.4. Схема включения микросхем моно УЗЧ (табл. 4)
Таблица 8.2.4
Тип микросхемы Vcc, В РВых., Вт Rh, Ом AF, Гц...кГц IccO, мА Корпус
MDA2010 ±5...±18 10 4 30-20 140 SDIP-14
MDA2020 ±5...±20 15 4 30-20 140 SDIP-14
TDA2010 ±5...±18 12 4 30...20 45 SDIP-14
TDA2020 ±5-22 20 4 20-20 60 SDIP-14
TDA2020D ±5...3О 30 4 20-20 60 SDIP-14
К174УН11 ±5...±18 15 4 20...20 100 SDIP-14
то
Таблица 8.2.5
Тип микросхемы Vcc, В РВых., Вт Rh, Ом AF, Гц...кГц IccO, мА Корпус
А2030 ±6..+18 16 4 30...20 60 ГО-220
LM1875 20...60 25 4 20... 20 70 ТО-220
TDA2006 ±6...±15 10 4 20... 20 40 ТО-220
TDA2030 +6..+18 14 4 20... 20 40 ТО-220
TDA2030A ±6..+22 18 4 20... 20 50 ТО-220
TDA2040 +3..+20 20 4 20...20 45 ТО-220
TDA2040A ±4..+20 24 4 20... 20 45 ТО-220
МPC1238 ±6..+15 8 8 20...20 60 ТО-220
К174УН19 ±6..+18 15 4 30...20 56 ТО-220
Проб. в*у
Лев.
Вх. у
Рис. 8.2.6. Схема включения микросхем стерео УЗЧ (табл. 6)
Таблица 8.2.6
Тип микросхемы Vcc, В РВых., Вт Rh, Ом AF, Гц...кГц IccO, мА Корпус
AN7143 5...24 2x2 4 40...18 20 SIP1-12
AN7147 9...24 2x5,8 3 30...18 12 SIP1-12
AN7149N 9...24 2x5,3 3 30...18 13 SIP1-12
AN7168 12...24 2x5,8 4 30...20 55 SIP1-12
AN7169 12...24 2x5,8 4 30... 20 55 SIP1-12
AN7176 12...24 2x7,5 4 20... 20 60 SIP1-12
AN7178 12...18 2x2,8 4 30...18 40 SIP1-12
НА1377 10...18 2x5,8 4 20...20 80 SIP7-12
НА1377А 10...18 2x7 4 20...20 80 SIP7-12
НА1392 8...18 2x4,3 4 30...18 36 SIP7-12
НА1398 8...18 2x5,8 4 20... 20 80 SIP1-12
НА13102 9...18 2x5,5 4 •20...20 80 SIP1-12
НА13108 9...18 2x5,5 4 30... 20 80 SIP1-12
M5160L 12...30 2x7,5 4 30... 20 40 SIP6-12
ULX3777 1,8...15 2x1,2 4 30...18 6 SIP1-12
100,0
ни-
ЛЖ 33,0
5 1 5
2
7
970
_0,22 ~~+"1000,0
Вых.
+ 97,0
15
12
13 3,9 77
18 16 19
HhLhPhi-
330,0 970 1ОО
97,0 +
1000,0
Вых. Лев.
R*
Рис. 8.2.7. Схема включения микросхем стерео УЗЧ (табл. 7)
Таблица 8.2.7
Тип микросхемы Vcc, В РВых., Вт Rh, Ом AF, Гц...кГц IccO, мА Корпус
AN7145L 6...20 2x1 4 40...18 25 SDIP-18
AN7145M 9...20 2x2,4 4 40...18 30 SDIP-18
AN7145H 12...24 2x7,5 4 40...18 40 SDIP-18
AN7146M 9...20 2x2,3 4 40...18 32 SDIP-18
AN7146H 9...20 2x4,5 4 40...18 40 SDIP-18
Рис. 8.2.8. Схема включения микросхем моно УЗЧ (табл. 8)
Таблица 8.2.8
Тип микросхемы Vcc, В РВых., Вт Rh, Ом AF, Гц...кГц IccO, мА Корпус
BW100 3...12 1 4 40...18 15 TABS5-14
BW101 3...12 1.5 4 40...18 15 TABS5-14
BW102 3...12 2,1 4 40...18 15 TABS5-14
DG4100 3...12 1 4 40...18 15 TABS5-14
DG4101 3...12 1.5 4 40...18 15 TABS5-14
DG4102 3...12 2,1 4 40...18 15 TABS5-14
FD41OO 3...12 1 4 40...18 15 TABS5-14
КА4101 9...11 1.5 4 40...17 15 TABS5-14
LA4100 6...9 1 8 41...17 15 TABS5-14
LA41O1 7,5...11 1,5 4 40...18 15 TABS5-14
LA4102 9...13 2,1 8 40...18 15 TABS5-14
SL41OO 6...9 1 4 30...18 15 TABS5-14
SL41O1 7,5...11 1,5 4 30...18 15 TABS5-14
SL4102 9...13 2,1 4 30...18 15 TABS5-14
47,0
100,0 ,)Щ.С
100,0
12 19 13
9 1
10 3 6 4 5
47,О~~
22,0
100R
50
560
И Г] Вых. кк
0,15
Рис. 8.2.9. Схема включения микросхем моно УЗЧ (табл. 9)
Таблица 8.2.9
Тип микросхемы Vcc, В РВых., Вт Rh, Ом AF, Гц...кГц IccO, мА Корпус
BW4112 6...12 2,3 4 40...18 15 TABS5-14
FD4112 6...12 2,3 4 40...18 15 TABS5-14
FY4112 6...12 2,3 4 40...18 15 TABS5-14
LA4110 6...11 1 4 40...18 15 TABS5-14
LA4112 9...11 2,3 4 30...18 15 TABS5-14
SL4110 6...11 1 4 30...18 15 TABS5-14
SL4112 6...11 2,3 4 30...18 15 TABS5-14
Х4112 9...15 3 3,2 30...18 25 TABS5-14
Рис. 8.2.10. Схема включения микросхем моно УЗЧ (табл. 10)
Таблица 8.2.10
Тип микросхемы Vcc, В РВых., Вт Rh, Ом AF, Гц ..кГц IccO, мА Корпус
СА2002 11...18 5,2 4 30... 20 45 ТО-220
СА2002М 11...18 8 2 30...20 45 ТО-220
СА2004 8...26 8 8 30... 20 40 ТО-220
СА2004М 8...26 12 4 30...20 40 ТО-220
LM383 5...22 7 4 30...20 45 ТО-220
LM383A 5...22 7 4 30...20 45 TO-220/V
LM2002 5...20 8 2 30...20 45 ТО-220
LM2002A 5...20 8 . 2 30...20 45 TO-220/V
TDA2002 8...18 8 2 30... 20 45 ТО-220
TDA2003 8...18 10 2 30...20 44 ТО-220
TDA2008 10...28 12 4 20...20 65 ТО-220
МРС2002 8...18 9 2 30... 20 55 ТО-220
ULN3701Z 8...18 10 2 30...20 45 ТО-220
ULN3702Z 8...26 12 4 30...20 80 ТО-220
ULN3703Z 8...18 10 2 30... 20 44 ТО-220
IX0040TA 8...18 8 4 40...20 45 ТО-220
К174УН14 8...18 4,5 4 40...20 45 ТО-220
100,0
47,0
10
о+1/сс
0,22
= 1000,0
Проб. 1,0
*TlOO,O
47,0
л Проб. J Вых Вн
Леб. 1,0
11
100,0
1000,0
47,0
12
7
~~0,22
Леб.
Вых.
5
6
3
1
2
4
в
9
Таблица 8.2.11
Тип микросхемы Vcc, В РВых., Вт Rh, Ом AF, Гц...кГц IccO, мА Корпус
D724OP 9...18 2x5,8 4 20...20 80 SIP3-12
KIA7299 10...18 2x5 4 30...18 40 SIP3-12
ГА7240Р 9...18 2x5,8 4 , 20...20 80 SIP1-12
ГА7263Р 9...18 2x5,8 4 30... 20 80 SIP2-12
ТА7264Р 9...18 2x5,8 4 30...20 80 SIP2-12
ТА7270Р 9...18 2x5,8 4 20... 20 80 SIP1-12
ГА7299Р 9...18 2x5,8 4 20.. 20 80 SIP1-12
Рис. 8.2.12. Схема включения микросхем моно УЗЧ (тпабл. 12)
Таблица 8.2.12
Тип микросхемы Vcc, В РВых., Вт Rh, Ом AF, Гц...кГц IccO, мА Корпус
ESM231N 9...24 18 4 30...20 25 SDIP-14
ESM432 9...28 20 4 20...20 25 SDIP-14
ESM532 9...30 10 8 20... 20 25 SDIP-14
ESM632 9...24 14 4 20...20 25 SDIP-14
ESM732 9...18 8 2 20...20 25 SDIP-14
TDA1056 9...26 12 4 20...20 25 TABS3-12
UL1465N 6...12 0,65 15 40... 18 6 SDIP-14
UL1496R 6...12 1.2 8 40...18 6 SDIP-14
UL1497R 6...15 2,1 8 40...18 6 SDIP-14
UL1498R 6...12 2,1 4 40...18 6 SDIP-14
Таблица 8.2.13
Тип микросхемы Vcc, В РВых., Вт Rh, Ом AF, Гц...кГц IccO, мА Корпус
КА2206 5...15 2x2,3 4 40...18 40 TABS7-12
КА22061 6...14 2x2,3 8 40. .18 45 TABS7-12
LA4180 6...12 2x1 4 40...18 40 TABS7-12
LA4182 8...16 2x2,3 4 40...18 45 TABS7-12
LA4183 8...16 2x2,3 4 40...18 40 TABS7-12
LA4550 6...13 2x2,1 4 40...18 15 TABS7-12
LA4555 6...13 2x2,3 4 40...18 15 TABS7-12
LA4558 6...13 2x2,4 4 30...18 15 TABS7-12
Проб.
Rh Вых.
Леб. 'w Вых.
Рис. 8.2.14. Схема включения микросхем стерео УЗЧ (табл. 14)
Таблица 8.2.14
Тип микросхемы Vcc, В РВых., Вт Rh, Ом AF, Гц...кГц IccO, мА Корпус
КА2209 1,8...9 2x0,65 4 30...18 9 DIP-8
NJM2073 1,8...15 2x1 4 30...18 6 DIP-8
TDA2822M 2...15 2x1 4 30...18 6 DIP-8
U2822B 1,8...10 2x0,22 8 100...20 7,5 DIP-8
U2823B 1,8...10 2x0,22 8 100...20 7,5 DIP-8
Таблица 8.2.15
Тип микросхемы Vcc, В РВых., Вт Rh, Ом AF, Гц...кГц IccO, мА Корпус
STKO30 ±25 24 8 20...20 70 SIP10-10
STKO58 ±25 24 8 20...20 60 SIP10-10
STKO75 ±20 15 8 20... 20 50 SIP10-10
STKO77 ±32 20 8 20...20 50 SIP10-10
STKO78 ±35 24 8 20...20 60 SIP10-10
STKO80 ±39 30 8 20...20 60 SIP10-10
STKO82 ±43 35 8 20... 20 60 SIP10-10
STKO83 ±46 40 8 20 ..20 60 SIP10-10
STKO84 ±55 50 8 20... 20 100 SIP10-10
STKO86 ±55 70 8 20...20 60 SIP10-10
Рис. 8.2.16. Схема включения микросхем стерео УЗЧ (табл. 16)
Таблица 8.2.16
Тип микросхемы Vcc, В РВых., Вт Rh, Ом AF, Гц...кГц IccO, мА Корпус
STK430 34 2x25 8 20...20 50 SIP10-15
STK433 32 2x25 8 20...20 60 SIP10-15
STK437 50 2x10 8 20...20 60 SIP10-15
STK435 39 2x7 8 20... 20 60 SIP10-15
STK439 56 2x15 8 20...20 60 SIP10-15
STK441 63 2x20 8 20... 20 60 SIP10-15
STK443 70 2x25 8 20...20 60 SIP10-15
STK4332 23 2x5 8 50...50 120 SIP10-15
STK4352 27 2x7 8 40...50 120 SIP10-15
STK4362 33 2x10 8 20...50 120 SIP10-15
STK4372 35 2x12 8 20...50 120 SIP10-15
STK4392 39 2x15 8 20...50 120 SIP10-15
ioo.o"rlJcc 0—
H=HhrH=^
330R ЗЗк
100,0 с=МЬ 100R
Рис. 8.2.17. Схема включения микросхем стерео УЗЧ (табл. 17)
Таблица 8.2.17
Тип микросхемы Vcc, В РВых., Вт Rh, Ом AF, Гц...кГц IccO, мА Корпус
STK457 ±18 2x10 8 20...20 60 SIP10-15
STK459 ±31 2x15 8 20...20 60 SIP10-15
STK460 ±32 2x20 8 20...20 60 SIP10-15
STK461 ±33 2x20 8 20...20 60 SIP10-15
STK463 ±38 2x25 8 20...20 60 SIP10-15
STK465 ±41 2x30 8 20...20 60 SIP10-15
Таблица 8.2.18
Тип микросхемы Vcc, В РВых., Вт Rh, Ом AF, Гц...кГц IccO, мА Корпус
STK4017 26 6,5 8 30...100 50 SIP10-10
STK4019 32 10 8 30... 100 50 SIP10-10
STK4021 38 15 8 30... 100 50 SIP10-10
STK4023 44 20 8 30...100 50 SIP10-10
STK4025 48 25 8 30... 100 50 SIP10-10
Рис. 8.2.19. Схема включения микросхем моно УЗЧ (табл. 19)
Таблица 8.2.19
Тип микросхемы Vcc, В РВых., Вт Rh, Ом AF, Гц...кГц IccO, мА Корпус
STK4024 ±23 20 8 20...50 50 SIP10-15
STK4026 ±26 25 8 20...50 50 SIP10-15
STK4028 ±27 30 8 20...50 50 SIP10-15
STK4030 ±30 35 8 20...50 50 SIP10-15
STK4032 ±32 40 8 20...50 50 SIP10-15
STK4034 ±33 45 8 20...50 50 SIP10-15
STK4036 ±35 50 8 20...50 50 SIP10-15
STK4038 ±38 60 8 20...50 120 SIP10-15
STK4040 ±42 70 8 20...50 120 SIP10-15
STK4042 ±45 80 8 20...50 120 SIP10-15
STK4044 ±51 100 8 20...50 120 SIP10-15
Прав-Вых.
ЛеВ.
Вых.
Рис. 8.2.20. Схема включения микросхем стерео УЗЧ (табл. 20)
Таблица 8.2.20
Тип микросхемы Vcc, В РВых., Вт Rh, Ом ДЕ Гц...кГц IccO, мА Корпус
STK4101 ±13,2 2x6 8 20...50 100 SIP10-18
STK4111 ±17 2x10 8 20...50 100 SIP10-18
STK4121 ±20 2x15 8 20...50 100 SIP10-18
STK4131 ±23 2x20 8 20...50 100 SIP10-18
STK4141 ±26 2x25 8 20...50 100 SIP10-18
STK4151 ±27 2x30 8 20...50 100 SIP10-18
STK4161 ±30 2x35 8 20...50 100 SIP10-18
STK4171 ±32 2x40 8 20...50 100 SIP10-18
STK4181 ±33 2x45 8 20...50 100 SIP10-18
STK4191 ±35 2x50 8 20...50 100 SIP10-18
1,2к
+Ucc
97,0 CC o
100R 100-°
\97OR
100k
9
Проб. 1к
^x>4ZZ
82__
9,7 T
10
3
=±0,01
Лей.
970-2- 22k
1,2k
970 4= 22k
7x -% 7
82
16
15
6
100k T
19
7 11
ЗУ=± 67
5
3,3k
13
12
3,3k 97,0
9.7R
97,0
392=. 0,1
Леб.
9,7R
56OR
100,0
Ik
97OR
47* *
4
Puc. 8.2.21. Схема включения микросхем стерео УЗЧ (табл. 21)
Таблица 8.221
Тип микросхемы Vcc, В РВых., Вт Rh, Ом ДЕ Гц...кГц IccO, мА Корпус
STK4773 ±19 2x10 8 10...100 120 SIP10-16
STK4793 ±22 2x15 8 10.. 100 120 SIP10-16
STK4803 ±24 2x20 8 10...100 120 SIP10-16
STK4813 ±24 2x20 8 10...100 120 SIP10-16
STK4833 ±25 2x25 8 10. 100 120 SIP10-16
STK4843 ±27 2x30 8 10...100 120 SIP10-16
STK4853 ±27 2x30 8 10...100 120 SIP10-16
STK4863 ±30 2x35 8 10...100 120 SIP10-16
STK4873 ±30 2x35 8 . 10...100 120 SIP10-16
STK4893 ±32 2x40 8 10...100 120 SIP10-16
STK4913 ±35 2x50 8 10...100 120 SIP10-16
7 SDIP-H 7
Рис. 8.2.22. Типы корпусов микросхем 7 Усилители, радиоприёмники.
8.3. ТРАНЗИСТОРНЫЕ КАСКАДЫ РАДИОПРИЕМНИКОВ ЗАРУБЕЖНОГО ПРОИЗВОДСТВА
Вых.
AF115 AF1O6
AF109
Рис. 8.3.1. Усилитель В4 до 100 МГц (AF 106, AF114, AF115); до 200 МГц (AF109)
Рис. 8.3.3. Усилитель В4 до 100 МГц (AF 114...AF 117, AF121, AF 124...AF 127, AF134)
Рис. 8.3.4. Преобразователь частоты до 100 МГц (AF135); до 23 МГц (AF136)
Рис. 8.3.5. Усилитель ПЧ на 10,7 МГц (AF116, AF137, AF166); на 455 кГц (AF138); на 470 кГц (AF172)
Рис. 8.3.6. Преобразователь частоты до 100 МГц (AF165); до 200 МГц (AF170)
Рис. 8.3.7. Преобразователь частоты до 2МГц (AF185, AF 188)
Рис. 8.3.8. Усилитель ПЧ на 470 кГц (AF185, AF187); на 455 кГц (AF256)
Рис 839 Гетеродин на 200 МГц (AFY 10)
AFY11
Рис 83 10 Усилитель ВЧдо 200 МГц (AFY11)
Рис. 8.3.11. Усилитель ВЧдо 100 МГц (BF115, BF162); до 2 МГц (BF165)
Рис. 8.3.13. Усилитель ПЧ на 470 кГц (BF 184); на 455 кГц (BF243, BF233-3,4,5)
BF194
вх.
BF291
5J/r
Рис. 8.3.15. Преобразователь частоты до 20 МГц (BF185, BF195, BF233-2,3,4, BF364, BF369, BF494)
АРУ
+20В ВГ2^5
Рис. 8.3.17. Усилитель В Ч до 100 МГц (BF245)
Рис. 8.3.18. Преобразователь частоты до 100 МГц (BF255)
0,85пФ и
BF365
BF595
Рис. 8.3.19. Усилитель ПЧ на 470 кГц (BF365, BF 495, BF540р-п-р)
Рис. 8.3.20. Преобразователь частоты до 20 МГц (BF542)
Рис. 8.3.21. Преобразователь частоты до 6 МГц (SFT320); до 18 МГц (SFT317); до 23 МГц (SFT354)
Рис. 8.3.22. Усилитель ПЧ на 470 кГц (SFT319)
SFT357
Рис. 8.3.23. Преобразователь частоты до 100 МГц (SFT357)
Рис. 8.3.24. Усилитель ВЧ до 100 МГц (SFT358)
Рис. 8.3.25. Усилитель ПЧ на 470 кГц (2N 410,2N 41 ЗА, 2N414,2N 504)
Рис. 8.3.26. Усилитель ВЧдо 100 МГц (2N499, 2N502А, 2N503); до 30 МГц (2N588)
2N999 2N502.A 2N503 2N 588
Рис. 8.3.27. Усилитель ВЧдо70 МГц, 0,5 Вт (2N 743 класс С)
2N7339
Рис. 8.3.28. Гетеродин 70 МГц (2N 1339...2N 1341)
Рис. 8.3.29. Гетеродин 70 МГц (2N1491)
2N1709
-7,5В
2N1338 2N1392 2N1506
Рис 8330 Усилитель ВЧдо 70 МГц (2N1338,2N1342,2N1506, 2N1709)
Рис 8331 Усилитель ВЧ до 30 МГц, 1 Вт (2N1506А)
2N9255
2N 9995
Рис. 8.3.32. Усилитель ПЧна 450 кГц (2N 1524р-п-р);на 470кГц (2N2711,2N3393,2N3826,2N4255,2N 4994); на 10,7 МГц (2N3827)
2пФ
2N3853A 2N9997
Рис. 8JJ3. Преобразователь частоты до 6 МГц (2N1526р-п-р); до 10 МГц (2N2712); до 2 МГц (2N3393,2N 3825,2N3843); до 100 МГц (2N4255,2N4997)
8 Усилители, радиоприемники.
Рис. 8.3.34. Мощный усилитель ВЧ до 30 МГц, 50 Вт (2N 1900, 03); до 125 МГц, 10Вт (2N2781...2N2783)
2N3662 2/73663
Рис. 83.35. Усилитель ВЧдо 200 МГц, 1Вт (1,75Вт) (2У2883, 2N2884,2N3662, 2N3663); до 100 МГц (2N 4254 р-п-р, 2N4996)
Рис. 8.3.36. Усилитель ВЧ до 150 МГц (2N2784)
Рис. 8.3.37. Мощный усилитель ВЧ до 100 МГц, 6(11,5) Вт (2N2887)
Рис. 8.3.38. Мощный усилитель ВЧ до 50 МГц, 40Вт (2N2947,2N2948)
Рис. 8.3.39. Гетеродин 80 МГц (2N3137)
Рис. 8.3.40. Усилитель VHF (2N4416) до 100 МГц (2N5245,2N 5668,2N 5669); до 400 МГц (2N5485,2N5486)
Рис. 8.3.41. Преобразователь частоты до 100 МГц (2SA444); до 2 МГц (2SA142,2SA159,2SA160,2SA188, 2SA189,2SC73, 2SC78 (п-р-п)
Вых
Рис. 8.3.42 Усилитель ВЧдо 100 МГц (2SC394)
2SC75
2SC76
2SC77
Рис. 8.3.43. Усилитель ПЧна 470 кГц (2SA31,2SA36,2SA141,2SA155,2SA156,2SC372,2SC75...2SC77,2SC929)
Рис. 83.44. Усилитель ПЧ на 10,7 МГц (2SA121...2SA123,2SA201,2SA202,2SC380,2SC829)
Рис. 8.3.45. Усилитель ВЧдо 100 МГц (2SC645,2SC668,2SC738,2SC1047)
Рис. 8.3.46. Преобразователь частоты до 100 МГц (2SC739,2SC795)
8.4. КАСКАДЫ РАДИОПРИЕМНИКОВ ЗАРУБЕЖНОГО ПРОИЗВОДСТВА НА МИКРОСХЕМАХ
Рис. 8.4.1. Усилитель, демодулятор ЧМ (SA 3075)
Рис. 8.4.2. Усилитель, демодулятор ЧМ (SA 3089)
Рис. 8.4 J. Усилитель, демодулятор ПЧ-АМ (LM372)
Рис. 8.4.5. Усилитель ПЧ, демодулятор AM (LM374)
LM375
ЮмА
Рис. 8.4.7. Стпереодекодер (LM 1304)
ЮмА
Юнф
20нФ
\19кГц
ЗВкГц
ЗВ
(19к1ц) ^умкср
1,9В
4
\5№
14131211109 8 ‘
1111111 А
LM1304
LИ1305
1234567
180
1213
LM1305
£j= 1,9В 10нф\
>19кГц
47к
10
3,9к\20нФ ~~^9,7В ^Л^,Вь/х.
6 120mA mZPpaS
_J 1 так ХУ
7 Т Стерео
0,8В ,J г
L3
12
9 : №
Раздел.
9,7В
каналоб
*Ucc=12B (max 22В)
L1
3,9В
ЮмА
2,2нФ
19кГц ^=10нФ
180
ЗбкГи
3,9к
20 =^лФ
ЗВ
9
12В
1013
5мкФ
Вх- и
LM 1307
L3
—3,9В
11_ 12
3,9л -±х20нФ
>16мВ
(19лГц)
2,3В
6 120мА
Т--ПШ—
9,7В _Ле6.
Вых.
-Проб
L2
2 7П.
^±_50нФ ±
Т
1+ ф/2 мкФ
IZ
1,9В
Стерео“+исс=12В (тах22В)
0,8В
П 13121110 9 В
19лГц =р!0 нФ
Рис. 8.4.9. Стереодекодер (LM 1307)
2,2нФ
ЗВ~—\
Вх.
>16мВ (19лГц)
3
2,3В
) LM1307
1 2 3 Ч 5 6 7
ЮмА
и
10нФ
19л!ц
12В
180
38к1ц
3,9В —
^0
20нф
L3
3,9л Г
20нф
LM1307E
? 1,9В.
7
L2 Кт г \19кГц
14
12 1мкФ
13
—!£. ij_ 9_ 10
9,7В
—LJie& Вых -S^npa6-гПраб. Вых.
^Мощн-ОВ
20мА ГЛ ^пах
„Стерео
1413121110 9 8
8 ^UCc~12B (тах22В)
) LM1307E
Рис. 8.4.11. Стереодекодер (LM 1310Е)
Рис. 8.4.13. Стереодекодер (LM 1800, SN 76116N)
Рис. 8.4.15. Усилитель ПЧ, демодулятор ЧМ (МС 1355)
Рис. 8.4.16. Стабилизаторы отрицательного напряжения (МС 1463). а — ток нагрузки до 0,5 А; б — ток нагрузки до 10 А
и$ых=5,2В
МСМЗК
MCH63R
Рис. 8.4.17. Стабилизатор отрицательного напряжения при токе нагрузки до 10 А (МС 1463R, МС 1563R)
9 Усилители, радиоприемники
=F7//93
1,2к
2N706
USt/x (3,5.32В)
Рис. 8.4.18. Стабилизаторы положительного напряжения (МС 1469): а — ток нагрузки до 0,5 А; б — ток нагрузки до 10 А
Рис. 8.4.19. Стабилизатор двухполярного напряжения (МС 1469R, МС 1463R)
ЦЩ5...Ч0В) (72)8.-------
* \(77)7
[БК МС7723С
(5)3
1(6)
100нФ (7)5
2(4
100лФ
|/?
К2 (7...378)
22к
0.33
2N3055
Рис. 8.4.20. Стабилизаторы напряжения (МС 1723С): а — 7...37В, до 150мА; б — 15В, до 2А
Рис. 8.4.21. Стабилизаторы напряжения (МС 1723С): а — 2...7В, до 150мА; б — с защитой от КЗ, 5В, до 1А
МС 7723СР (LM 723 CN) (рА 723РС)
(LM723CH) (рА 723НС)
Рис. 8.4.22. Усилитель ВЧ, преобразователь, УПЧ, детектор AM радиоприемника (NE 546)
120 +исс=12В I------о#.. .15В)
^(170мВ)^„
100лФ нн-
Рис. 8.4.23. Усилитель ПЧ, демодулятор ЧМ (S041P)
ЮнФ-
110,7МГц Гетеродин
Рис. 8.4.25. Импульсное управление электродвигателем (SN28654)
Включение а WP) С2 (пФ) СЗ (нФ) С9 <лФ) С5 'пФ) С6 <пф) L1 витк. L2 &JTK. R1 кОм,
36ук7В~5,5МГц 97 220 22 56 56 1500 20 8
Радио Моно 27 120 22 27 27 970 20 8
10,7 МГц, Стерео 97 150 0,97 30 30 330 15 12 1
Рис. 8.4.27. Усилитель ПЧ, демодулятор ЧМ (SN 76660)
Тип МС SN 76829 SN 76827
Осс (В) 12 12 19,9 /9,9 16 29 26 26 28
RH (Ом) 9 2 9 2 9 9 8 9 6
Коэср. гарм. 10°/о(Вт) 2,5 9,5 9,5 7,7 5,6 12,5 11 19 11
Коэср. гарм. 2%(Вт) - - 3,6 6 - 10 8 10 10
10(мА) 10 10 12 12 19 25 25 25 25
I max (мА) 300 600 950 750 500 750 600 800 550
Рис. 8.430. Усилитель ПЧ АМ-ЧМ-сигнала (ТАА 991D)
16мА
<y*Ucc=12B (5..J5B)
ВЧ
—Г“
100к 1М
1мкФ
0,85В
Вых 34
Гетеродин
‘ 'lll£l
) ТВ А 120
/Т-1 I I I 1/1
/*nz-VW<Vi#i
) ТВА 120А
Етлгт и I и I
123456 7
Рис. 8.4.31. Усилитель ПЧ, демодулятор ЧМ,АПЧ (ТВА 120/А)
7,4В
+Ucc=15B
(6....18В) о
15мА
14 13 12 11 10 9 8
1В ЗЧнерегулир.
Рис. 8.4.33. Усилитель ПЧ, демодулятор ЧМ (ТВА 120TU)
UM'S
А А119 70
5,5МГц 3,3пФ
'ЧЗОмкВ
V? 65м8 Р?нСр ^200мВ
В*. " 97лФ
2к
39Спф
22нФ
22нФ
10
71 12
ТВА 750А
~Z5B 1бгр-
Вых.
16 151913 1211Ю 9
ТВ А 750А
1 2395678
9 7
22пФ
3-22нФ
1,6к
22пФ
2
\100к
'ЧЗОмВ
7/г
Ь1-16мкГ
Ь2=2,2мкГ
ВЗ-0,89мкГ
39мА . о +12В
Рис. 8.4.36. Усилитель ПЧ, демодулятор ЧМ (ТВА 750А)
Рис. 8.4.37. Усилитель ПЧ, демодулятор ЧМ (ТВА 780)
20мА
-—q+16B
^=22нФ
1,5к
1,5к
75
ТС А 290А
ЮнФ
от ТС А 920 ^Коммутация
Вх.
14 •ЧВИвмвгтп)
9 „
^Леб.
Вых.
<уПраВ.
6-
7-
8-
-16
-15
-П
-13
-12
-11
-10
-9
15 12
8,2нФ>
2
771
0/^5 ?,5Вт
10к\
100
ЛООмА max о
+/55
Рис. 8.4.38. Стереодекодер (ТСА 290А)
к ТС А 290А
Рис. 8.4.40. Радиоприемник AM (ТСА 440)
10. Усилители, радиоприёмники.
Рис. 8.4.42. Стереодекодер ЧМ (ТСА 4500)
£,1тЛ(0...3В)
Рис. 8.4.44. Усилитель ПЧ, демодулятор ЧМ (ТДА 1047)
Рис. 8.4.46. Усилитель ПЧ, демодулятор ЧМ (ТДА 1200)
Рис. 8.4.48. Стереодекодер (рА 732)
7}6В
о+исс (Ю...16В)
Вх. Ю,7МГц
Л_ЮнФ керамич.
900мкВ
6 7 6 5
) /4 А 753
^=10нФ
J4A753
1/iB
2
2В
-2,6В ~ЮнФ
=L=/Z2'нФ __ Керомич.
wm7£ase вых.
+Ucc(10...16B) о
ЮОнФ
£J5mB
Вк^--------
W/„ „Стерео Леб. S
Вь% Проб. .300
2мкФ
* 1 ^22ti<P l.
2,7нф
•С-Э1 6
22нФ g
3
ЗЗнФ
Рис. 8.4.50. Стереодекодер (уА 758)
16
1з
±390 пФ
21к
3—\Часгота rieenep
13_ 12 Й--------------Тест
-____ 79пГц
Ю =^Ц97мкФ
9
Тип транзистора Цоколевка4 Крутизна, мА/B при Цзи, В Со/с, пФ Цпор/отс, В Ic, мА Fb, дБДГц 1з(утечки), нА Vmax, В P, mBt/TCC)
ВС 264,..A,..C,..D В E 2,5(<3,5)/0 1,2 7е1 >0,5 2...12 <40нВ ^Гц <10 30ds2 30gs3 300/25a
BF 244 BF 245 В E 3...6.5/0 0,85 4е 0,5...8 2...25 - <5 30dg4 30ds 200/25a
BF246 BF247 В E 25/0 2,5 <12е <10 10...300 - <5 25dg 25ds 250/25a
BF 256,..А,..С В E >4,5/0 0,7 <7,5 3...18 7,5/800 МГц <5 30ds 30gs 250/25a
BF348 P 6...15/0 1,5 <6 10...60 1,4 <5 40dg 250/25a
BF350 S 10/4 0,02 <5 - 6/1 МГц <100 15ds 360/25a
BF351 S 14/4 0,02 1...5 - 3/500 кГц <20 24ds 360/25a
BF352 s 14/4 0,02 <2 - 4,5/500 кГц <20 24ds 360/25a
BF353 s 12/4 0,02 <3 - 3/1 МГц <20 24ds 360/25a
BF 800,..1 ,..2 >0,25/0 0,4 <6 0,3...1,2 30 0,5 nA 25dg 300/25a
BF805...6 p 3...5.5/0 1 <6 3...13 <20 нВ <2пА 30dg 300/25a
BF808 p 0,8...2,5/0 <0,4 <5 1...6 12 <0,05 20dg 300/25a
BF810...1 p 5...9/0 <1,8 <6 5...20 20 <0,03 30dg 300/25a
BF815...6 p 10...20/0 <2,8 <6 15...40 <13нВ <0,1 30dg 300/25a
BF817...8 p 15...25/0 <3,5 <5 10...40 <10нВ <0,03 25dg 300/25a
BFQ10...16 T >1/1с=2мА <Ве <1 0,5...3,5 0,5...10 <0,1 30ds 30dg 250/75a
BFR29 к >6 <0,7 2,5 10...40 <5/200 МГц <0,01 30ds 200/25a
BFR 84 s 18/1с=10мА 0,03 1...5 !с=50 мА 4/500 МГц <10 25ds -6gs 300/25a
BFS28 s 8...13 V32=4B 0,025 4,5е <5 <4 1с=20мА <4/200 МГц <1 20ds ±8gs 200/25a
1 е — вх. емкость. 2 ds — сток-исток. 3 gs — затвор-исток. 4dg — затвор-сток.4 См. рис. 8.5.1.
8.5. ПАРАМЕТРЫ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ ЗАРУБЕЖНОГО ПРОИЗВОДСТВА
Продолжение таблицы 8.5.1
Тип транзистора Цоколевка Крутизна, мА/B при изи, В Со/с, пФ Unop/отс, В Ic, мА
СМ 640,.. 1 0 5/0 <5 0,3...1,5 >0,5
СМ 642,..3 0 20/0 <5 1...3 >10
СМ 644,..5 0 20/0 <5 1...5 >10
СМ 646 0 30/0 1 <5 2...7 >30
СМ 647 0 30/0 <5 5...10 >50
СМ 800 0 - <6 1...7 >30
СР 600 0 >10/0 10 5 120
СР 601 0 >10/0 1.0 5 120
СР 602 0 >20/0 10 9 200
СР 603 0 >20/0 10 9 200
СР 640 0 40...60 <20 2...10 >100
СР 650 0 >100/0 20 5 <1200
СР 651 0 >75/0 20 5 300
СР 652 0 100/0 20 5 >100
СР 653 0 60/0 20 5 >60
Е100 с >0,5/0 <3 <10 <20
Е101 с >0,5/0 <3 <1,5 <1
Е102 с >1/0 <3 <4 <4,5
Е103 с >1,5/0 <3 <10 <20
ESM 25,..А 1...5 <6е 0,7...4,5 0,5...10
ESM4091...3 и - <5 5...10 >30
IT 108 с >4/0 <1,2 <6 5...25
IT 109 с >7,5/0 <1,8 <6 15...40
ШЕУ4391...2 с - <5 <10 50...150
ТЕ 4393 с - <5 <3 5...30
М100 м 1 ...2,2/0 6,8е <5 1,5...4,5
Fb, дБДГц 1з(утечки), нА Vmax, В P, mBt/TCC)
- <0,4 20ds 300/25a
- <0,4 20ds 300/25a
- <0,4 30ds 300/25a
<0,4 30ds 300/25a
- <0,4 30ds 300/25f
- <0,4 30dg 300/25a
- <50 20ds 3600
- <50 30ds 5400
- <50 20ds 6000
- <50 30ds 9000
<3/1 МГц <100 20ds 2000/25c
- <10 25ds 8000
- <10 20ds 8000
- <3 20ds 8000
- <3 20ds 8000
- <0,5 30ds 250/25a
- <0,5 30ds 250/25a
- <0,5 30ds 250/25a
- <0,5 30ds 250/25a
- <0,1 30gs 250/25a
<1 30gs 200/25a
<4/400 МГц <1 25dg 200/25a
<4,5 МГц <1 20dg 200/25a
- <1 30dg 200/25al
- <1 30dg 200/25a
- Rbx> 20dg 300/25a
ЮТОм +60ds
ГЛАВА 8
Тип транзистора Цоколевка Крутизна, мА/B при 1)зи, В Со/с, пФ Unop/отс, В Ic, мА ЕЬ.дБДГц 1з(утечки), нА Vmax, В P, мВтД(’С)
М 101 м 1,5...3,3/0 6,8е <8 4...12 - - 20ds 300/25a
1 ±60gs
М 103 L 5/-Э <4 <-5,5 <0,2 нА - <0,1 30ds 225/25a
М 105 L - <0,5 -3,6...6 <0,1 нА - <0,1 30ds 225/25a
М 106 N - 0,7 -3...-6 100 п А - 0,01 500/25a
<4е • (<200) (<о,1) 30gs
М511 L >1/-10 0,7 -3...-6 0,1 нА - 0,01 30ds 225/25a
МЕМ 511 L 1,5е (<Ю) (<1) 30gs 650/25c
МЕМ 515 L >1,2 <20 -2 <10нА - <0,5 30ds 2000/25a
MEM 517С L 1,2-10 0,15 >-2,5 <50 нА - <0,1 30ds 600/25a
MEM 517А 10 (<1) 35gs
МЕМ 520 L >1/-10 2,5 -3...-6 0,5нА - 0,03пА 30ds 225/25a
3 (<Ю) (<3) 40gs 650/25c
МЕМ 550 R >0,5/-10 1,1 -3...-6 0,1 нА - 0,1 nA 30ds 325/25c
1,1 (<Ю) (<1) 25gs 2
МЕМ 551 R >0,5/-10 1,1 -3..-6 0,5нА - 0,03пА 30ds 2x
1,1 (<Ю) (<4) 40gs 112/25a
МЕМ 554 S 12(>4) 0,02 -1,5 3...30 3,5/200 Мгц <0,1 20ds 150/25a
+4(31) 5зи (<-4) U32+4 20gs
МЕМ 556 L >0,8 <0,5 -4,5 <1 нА - <1 50ds 100/25a
МЕМ 556 С L >0,7 <0,7 -4,5 <10нА - <1 45ds 100/25a
МЕМ 557 К >8 <0,3 0,3...4 3...30 <4/200 МГц <0,1 20ds 225/25a
МЕМ 557 С К >6 <0,3 0,3...4 3...30 <4,5/200 МГц <0,1 20ds 225/25a
Параметры полевых транзисторов зарубежного npousi
Тип транзистора Цоколевка Крутизна, мА/B при изи, В Со/с, пФ Unop/отс, В 1с, мА Fb, дБДГц !з(утечки), нА Vmax, В P, mBt/T('C)
МЕМ 560 L >21/с=5мА <3,5 -2 <5 нА - <0,5 35ds 300/25a
МЕМ 560 С L >2/1с=5мА <4,5 -2,5 <10 нА - <1 30ds 200/25a
МЕМ 562 К >1/1с=2мА <0,5 0,5...4 <10нА - <0,01 +20ds 225/25a
МЕМ 562 С К >1/1с=2мА <0,6 0,5...4 <10 нА - <0,1 +20ds 175/25a
МЕМ 563 к >2/1с=2мА <0,6 0,5...4 <10 нА - <0,01 ±20ds 225/25a
МЕМ 564 С S >8/1с=10мА 0,02 1,5...4 3...30 <5/200 МГц <10 +20ds 225/25a
МЕМ 571 С к >8/1с=10мА 0,32 0,3...4 3...30 <4,5/200 МГц <10 ±20ds 225/25a
МЕМ 575 L >10/1с=10мА <20 -2 <20 нА <2 25ds 300/25a
МЕМ 614 S 10(>6)/1с=5мА 0,02 <8е 1 (<4) 1...20 <4,5/100 МГц - 20ds 225/25a
МЕМ 616 S >1,2/1с=10мА 0,02 <4 5...20 <4,5/200 МГц <50 25ds 360/25a
МЕМ 617 S 4,4 бе <4 2...15 - <50 20ds 360/25a
МЕМ 618 S > 10/1с=5мА 0,02 <4 3...20 - <50 20ds 360/25a
МЕМ 655 к >6/1с=5мА 0,32 <4 1...20 <4,5/100 МГц <100 20ds 225/25a
МЕМ 806 L >2/1с=5мА <0,3 -4,5 >1 нА - <3 пА 40ds 300/25a
МЕМ 806 А L >2/1с=5мА <0,3 -4,5 0,1 нА - <1 пА 40ds 300/25a
MFE 120 S 8...18/1с=10мА 0,02 <4 2...18 <5/100 МГц <20 25ds 300/25a
MFE121 S 10...20/1с=10мА 4,5е <4 5...30 <5/200 МГц <20 +20gs 300/25a
MFE122 S 8...18/1с=10мА 2,5s <4 2...20 - <20 300/25a
MFE 2093 к 0,4/0 1,2 -1,5 0,35 - <0,1 50ds 300/25a
MFE 2094 к 0,5/0 1,2 -3 0,7 - <0,1 50ds 300/25a
MFE 2095 к 0,6/0 1,2 -4,5 1,5 - <0,1 50ds 300/25a
MFE 3001 Q 0,6...3/0 1,5 5е <-8 0,5...6 - <0,01 +20gs 20ds 200/25a
MFE 3006,..7,..8 S 8...18 0,02 бе <3 2...18 <5/100 МГц <1 +35gs 25ds 300/25a
ГЛАВА 8
Тип транзистора Цоколевка Крутизна, мА/B при изи, В Со/с, пФ Unop/отс, В Ic, мА Fb, дБД.Гц 1з(утечки), нА Vmax, В P, мВтД('С)
MPF102 1 I 2...7/0 <3 <8 2-20 - <2 25dg 200/25a
MPF103 А 1...5/0 1,5 <-6 1-5 - <1 25ds 200/25a
MPF104 А 4/0 1,5 <-7 2-9 - <1 25ds 200/25a
MPF105 А 2-6/0 1,5 <-8 4...16 - <1 25ds 200/25a
MPF108 I 2-7,5/0 <2,5 0,5-8 1,5-24 <3 <1 25dg 310/25a
MPF109 I 0,8-6/0 1,5 0,5-10 0,5-24 <2,5 <1 25dg 310/25a
MPF 111 I 0,5-3/0 1,5 0,5-10 0,5-20 - <100 20dg 200/25a
MPF112 I 1 ...7,5/0 3 0,5-10 1-25 - <100 25dg 200/25a
MPF 120-2 8...18/1с=10мА 0,02 <4 2-18 <5/100 МГц <20 25ds 500/25a
MPF161 J 0,8-6/0 <2 0,2-8 0,5-14 <2,5/100 МГц <10 40dg 310/25a
MPF820 I 20/0 <3,5 <5 >10 <4/100 МГц <5 25dg 625/25a
NF510 и - - <10 >5 - <10 30dg 500/25a
NF511 и - - <10 >5 <100 20dg 500/25a
Р 1086...7 С 3-8/0 <45е <10 >10 - <2 30dg 300/25a
PF 510,-1 М - - <10 >5 - <10 30dg 500/25a
SU 2080, 2081 L >1,5/0 <18е <4 <10 - <0,5 50dg 300/25a
SU 2098 SU 2099 Т т >0,7 0,2 мА <7е 2 <3 1...8 2/100 <0,4 30dg 300/25a
SU 2365,-В т >1,5/0 <4 <3,5 0,5-10 - <0,1 30dg 400/25a
SU 2366 т >1,5/0 <4 <3,5 0,5-10 - <0,1 30dg 400/25a
SU 2367 т >1,5/0 <4 <3,5 0,5-10 - <0,1 30dg 400/25a
SU 2368 т >1,5/0 <4 <3,5 0,5-10 - <0,1 30dg 400/25a
SU 2369 т >1,5/0 <4 <3,5 0,5-10 - <0,1 30dg 400/25a
SU 2365...9 А >1,5/0 <4 <3,5 0,5-10 - <0,05 30dg 400/25a
SU 2410,-1 SU 2412 т 0,5-1,5/0 <1,5 <3е <3,5 0,1-1 <1/100 <3 пА 40dg 40dg 300/25a
Параметры полевых транзисторов зарубежного производства
Тип транзистора Цоколевка Крутизна, мА/B при изи, В Со/с, пФ Unop/отс, В Ic, мА
TD 5902,..3,..4,..5 т 0,25...1/0 <1,5 <3,5 0,1...0,5
<3е
TD 5906,..7,..8,..9 т 0,25...1/0 <1,5 <2,5 0,1...0,5
<3е
TD 5902...9 А т >0,4/0 <1,5 <4,5 0,25...2
TIS 14 Q 1...8/0 4 <-6,5 <15
TIS 25 т 1,5...6/0 2 -1...-8 0,5...8
TIS 26 т 6
TIS27 т
TIS34 в 3,5... <2 1...8 4...20 '
6,5/0 <6е
TIS41 и - <8 >50
TIS42 в - <9 - >10
TIS58 в 4/0 <3 <5 2...8
TIS59 в 4,8/0 <3 1...9 6...25
TIS68 в 1...6 <4 0,5...5 0,5...8
TIS69 в <8е
TIS70 в
TIS73 D - <8 <10 >50
TIS74 D - <8 2...6 20...100
TIS75 D - <8 <4 8...80
U 110 М >0,1/0 <6е 1...6 >0,1
U 112 М >1/0 <17е 1...6 <9
U 133 М 0,5/0 7е 1...4 0,5
U 182 М - <7 <10 >40
Fb, дБДГц 1з(утечки), нА Vmax, В P, mBt/T(°C)
<1/100 <3 пА 40dg 300/25a
40gs
<1/100 <1 пА 40dg 300/25a
40gs
<1/100 <3 пА 40dg 300/25a
- <1 30dg 300/25a
5/100 <0,25 50ds 300/25a
50dg
50gs 600/25a
- <5 30ds 200/25a
30gs
- <0,2 30ds 360/25a
- <5 25ds 250/25a
- <4 25ds 200/25a
- <4 25ds 200/25a
- <2 25dg 360/25a
25gs
- <2 30ds 360/25a
- <2 30ds 360/25a
- <2 30ds 360/25a
- <4 20gs 300/25a
- <10 20gs 300/25a
0,5/1 кГц <3 50gd 300/25a
- <0,25 40qs 300/25a
ГЛАВА 8
Тип транзистора Цоколевка Крутизна, мА/B при изи, В Со/с, пФ Unop/отс, В Ic, мА
и 146 м >0,06/0 - <6 >0,025
U 147 м >0,18/0 - <6 >0,065
U 148 м >0,5/0 - <6 >0,2
U 149 м >1,4/0 - <6 >0,44
U 168 м >0,8/0 <65е <5 0,6...6
U 182 м - <7 <10 >40
U 183 р 2...7/0 <4 <8 2...20
U 184 р 3...8.5/0 <1 <8 3...30
U 197 и >0,2/0 <2 <1 0,1...1
U 198 и >0,6/0 <2 <4 0,6...6
U 199 и >1,5/0 <2 <10 3...20
U 200 и - <8 0,5...3- 3...25
U 201,..2 и - <8 1,5...5 15...75
U 221 и 15...40/0 <6 3,5...8 50...110
U 222 и 20...50/0 <6 6...10 <250
U 231 т
U 232 т
0,5/100
U 233 т 1...3/0 <2 1...4.5 0,5...5
U 234 т <6е
U 240,..1 и <35 2...100 >150
U 242,..3 и - <70е <10 >150
U 244 с 80...200/0 <15 3,5...8 <900
U 248,..9,..50,..51, т 0,07... 1,5 0,6...4,5 0,03...0,5
..51А 0,25/0 Зе
Fb, дБДГц 1з(утечки), нА Vmax, В P, mBt/TCC)
- <10 20gs 300/25a
- <20 20gs 300/25a
- <60 20gs 300/25a
- <200 20gs 300/25a
25нВ/1000 <30 20gs 300/25a
- <0,25 40gs 300/25a
- <2 25gs 200/25a
2/100 МГц <1 25dg . 200/25a
- <0,5 30gs 300/25a
- <0,5 30gs 300/25a
- <0,5 30gs 300/25a
- <1 30dg 1800/25c
- <1 30dg 1800/25c
- <1 50dg 800/25a
<1 50dg 800/25a
R3= <0,1 50gs 300/25a
ЮМОМ 50gd
- <3 25dg 400/25a
- <3 20dg 400/25a
- <1 25dg 10Вт/25а
<1/100 <0,003 40dg 500/85a
40gs
Параметры полевых транзисторов зарубежного произ*
Тип транзистора Цоколевка Крутизна, мА/B при изи, В Со/с, пФ Unop/отс, В Ic, мА
и 252,..3 ' « т 5...10/1с=5мА <1,2 25dq 1...5 7...40
и 254 и - <8 4...10 >50
U 255 и - <8 2...6 20...100
U 256 и - <8 0,8...1 8...80
U 1714 и >0,4/0 1,3зи <5 0,5...5
U 1715 и - 4зи <15 10...50
U 1837 с 4,5...10 <2е <8 4...25
U1837Е с >4/0 на 200МГц <2 0,5...8 4...25
U 1897 с - <16е <10 >30
U 1898 с <16е <7- >15
U 1899 с - <16е <5 >8
U 1994 Е 4,5...7,5 <4е <6 5...15
U1994Е с >4/0 на 400 МГц <1 <6 5...15
UC 250 и - <6 <10 >50
UC 251 и - <6 <6 8...75
UC450 и - <25е <10 25...75
UC451 м - <25е <6 4...38
UC714 и 2...6,5/0 <4 <10 4...20
UC 734 и >3/0 на 200 МГц <0,8 <8 4...20
2 N 2386 м >1/0 <50е <8 <1
2 N 2498 м 1...2/1с=1 мА<32е - 1...3
2 N 2497 м 1,5...3/1с=2 мА <32е - 2...6
2 N 2499 м 2...4/1с=5 мА <32е - 5...15
2 N 2500 м 1...2,2/1с=1 мА <32е - 1...6
РЬ.дБДГц 1з(утечки), нА Vmax, В P, мВтД(’С)
<20 нВ/10кГц <0,1 <5е 500/85a
<0,1 25gs
<2 30dg 1800/25c
- <2 30dg 1800/25c
- <2 30dg 1800/25c
3 <0,005 25gd 300/25a
3 <5 200gd 800/25a
- <1 30dg 300/25a
<3/200 МГц <1 30dg 300/25a
- <0,2 40dg 300/25a
- <0,2 40dg 300/25a
- <0,2 40dg 300/25a
- <0,1 30dg 300/25a
<4/400 МГц <1 30dg 300/25a
- <1 30dg 500/25a
- <1 30dg 500/25a
- <0,25 25dg 300/25a
- <0,25 25dg 300/25a
<2 <1 30dg 300/25a
- <5 30dg 300/25a
0,5/1 кГц <10 20gs 500/25a
3/1 кГц , <10 20dg 500/25a
3 <10 20gd 500/25a
4 <10 20gd 500/25a
1/1 кГц <10 20gd 500/25a
ГЛАВА 8
Тип транзистора Цоколевка Крутизна, мА/B при 11зи, В Со/с, пФ Unop/отс, В ic, мА Fb, дБДГц 1з(утечки), нА Vmax, В P, mBt/TCC)
2 N 3066,..7 и 0,4...1/0 <10е <10 0,8-4 <3 <1 50dg 300/25a
2 N 3068 и 0,2...1/0 <10е <2,5 >0,05 <3 <1 50dg 300/25a
2 N 3069 и 1 ...2,5/0 <15е <10 2-10 <4 <1 50dg 350/25a
2 N 3070,-1 и >0,75/0 <15е <5 >0,5 <4 <1 50dg 350/25a
2 N 3084 О 0,4... 1,2/0 1 5(<10) 0,8-3 2/1000 0,03 30ds 400/25a
2 N 3085 О 2зп (<0,1) 15gs
2 N 3086 о 0,4-1,2/0 1 5(<10) 0,8-3 2/1000 0,05 40ds 400/25a
2 N 3087 2зп «П 15gs
2 N 3088 О 0,3-0,9/0 1 3«5) 0,5-2 , 0,5/15 кГц 0,05 15ds 400/25a
2 N 3089 О 2зп «3) (<1)
2 N 3088 А 0,3-0,9/0 1 3(<5) 0,5-2 0,1 0,05 15ds 400/25a
2 N 3089 А 2зп (<0,5) (<0,1) 10gs
2N3112 Q 0,05... <3,5 1-4 0,035... - <0,05/ 20gs 300/25a
2N3113 G 0,115/0 <2 0,115 5в 20gd 50/25a
2 N 3328 Р >0,1 <4е <6 <1 <3/1 кГц <1 20gs 20/165a
2 N 3329 Р 1-2/0 <20е <5 1-3 <3/1 кГц <10 20gs 300/25a
2 N 3330 Р >1,5/0 <20е <6 2-6 <3/1 кГц <10 20gs 300/25a
2 N 3331 Р 2-4/0 <20е <8 5-15 <4/1 кГц <10 20gs 300/25a
2 N 3332 Р >1/0 <20е <6 1-6 <1/1 кГц <10 20gs 300/25a
2 N 3333 F 0,6-1,8/0 - 20/25a
2 N 3334 F <16 0,3-1,6 0,3-1 <10 20ds
2 N 3335 F <30е 20gs 40/25a
2 N 3336 F
Параметры полевых транзисторов зарубежного производства
Тип транзистора Цоколевка Крутизна, мА/B при изи, В Со/с, пФ Unop/отс, В 1с, мА Fb, дБ/f.ru !з(утечки), нА Vmax, В P, мВтД(’С)
2 N 3365,..6 и 0,4...2/0 <15е <12 0,8...4 - <5 40dg 300/25a
2 N 3367 и 0,1...1/0 <15е <2,5 >0,05 • <5 40dg 300/25a
2 N 3368,..9 и 1...4 <20е <12 2...12 - <5 40dg 300/25a
2 N 3370 и >0,3/0 <20е <3,5 <0,1 - <5 40dg 300/25a
2 N 3376,„7 N 1.5/0 <3 1...5 0.6...6 - <3 30gs 300/25a
2 N 3378,..9 - 2,0 <3 4...5 3..6 - <3 30gs 300/25a
2 N 3380—1 2,4/0 <3 <9,5 3...20 - <3 30gs 300/25a
2N3382...3 7,5/0 <6 1...5 3...30 - <15 30gs 300/25a
2 N 3384,„5 9,5/0 <6 4...5 15...30 - <15 30gs 300/25a
2 N 3386,..7 9,5/0 <6 <9,5 15...50 - <15 30gs 300/25a
2 N 3436 и >2,5/0 <18е <9,8 3...15 5 <2/1 кГц <0,5 50gs 300/25a
2 N 3437 и >1,5/0 <18е <4,8 <4 <2/1 кГц <0,5 50gs 300/25a
2 N 3438 и >0,8/0 <18е <2,5 >0,2 <2/1 кГц <0,5 50gs 300/25a
2 N 3452 р >0,2/0 <6е <9,8 0,8...4 <2/100 <0,1 50gs 300/25a
2 N 3453 р >0,15/0 <6е <4,8 0,2-1 <2/100 <0,1 50gs 300/25a
2 N 3454 р >0,1/0 <6е <2,3 >0,05 <2/100 >0,1 50gs 300/25a
2 N 3455 р >0,4/0 <5е <9,8 0,8...4 <4/20 <0,04 50gs 300/25a
2 N 3456 р >0,3/0 <5е <4,8 0,2...1 <4/20 <0,04 50gs 300/25a
2 N 3457 р >0,15/0 <5е <2,3 >0,05 <4/20 <0,04 50gs 300/25a
2 N 3458 и >2,5/0 <18е <7,8 3...15 <6/20 <0,25 50gs 300/25a
2 N 3459 и >1,5/0 <18е <3,4 0.8...4 <4/20 <0,25 50gs 300/25a
2 N 3460 и >0,8/0 <18е <1,8 0,2-1 <4/20 <0,25 50gs 300/25a
2 N 3465 О 0,4... 1,2/0 1 <10 1...5 1 <1 40ds 400/25a
2 N 3466 О 40dg
2 N 3573 Q >0,1/0 <2 <2 >0,02 <3/1 кГц <0,6 25gs 40/155a
2 N 3574 Q >0,2/0 <2 <2 >0,075 <3/1 кГц <0,6 25gs 40/155a
2 N 3575 Q >0,3/0 <2 <4 0,2-1 <3/1 кГц <0,6 25gs 40/155a
2 N 3578 М 1,2...3,5/0 <65е 1,5...4 0,9-4,5 0,1 мкВ/20 <15 20gs 300/25a
ГЛАВА 8
Продолжение таблицы 8.5.1
Тип транзистора Цоколевка Крутизна, мА/B при Изи, В Со/с, пФ Unop/отс, В Ic, мА Fb, дБДГц 1з(утечки), нА Vmax, В P, мВтД(’С)
2 N 3921 т >1,5/0 <2,7 <3 1...10 2 <0,25 50gs 250/25a
2 N 3922 т <18е
2 N 3954 т
2 N 3955 т
2 N 3956 т >1/0 <4е <4 0,5...5 0,5 <0,1 50gs 250/25a
2 N 3957 т
2 N 3958 т
2 N 3966 р 4/0 <1,5зи 4...6 >2 - <0,1 30dg 300/25a
2 N 3967 р >2,4/0 <1,3 2...5 2,5...10 <1,5/100 <0,1 30dg 300/25a
<5е 30gs
2 N 3968 р >2/0 <1,3 <3 1...5 <1,5/100 <0,1 30dg 300/25a
- <5е 30gs
2 N 3969 р >1,3/0 <1,3 <1,7 0,4...2 <1,5/100 <0,1 30dg 300/25a
<5е 30gs
2 N 3970 и - <6 <10 <150 - <0,25 40gs 1800/25C
2 N 3971 и - <6 <5 <75 - <0,25 40gs 1800/25C
2 N 3972 и - <6 <3 5...30 - <0,25 40gs 1800/25C
2 N 3993 р 6...12/0 <5 4...9,5 >10 - <1,2 25ds 300/25a
<16е 25gs
2 N 3994 р 4...10 <5г 1...5.5 >2 - <1,2 25ds 300/25a
<16е 25gs
2 N 4038 Q >1,5/6 <2,5е - <0,1 4/100 МГц - 25ds 120/25a
2 N 4039 Q >1,5/6 <2,5е - <1,5 4/100 МГц - 25ds 120/25a
2 N 4066,..7 N >1,5/15 <1,5 3...6 <1нА - <0,003 30ds 600/25a
<7е >25gs 1700/25C
ГЛАВА 8
Тип транзистора Цоколевка Крутизна, мА/B при 1)зи, В Со/с, пФ Unop/отс, В Ic, мА Fb, дБД.Гц 1з(утечки), нА Vmax, В P, мВтД('С)
2 N 4082 2 N 4083 т т <0,3/0 <7е <3 0,25-1,3 2 <0,1 50gs -
2 N 4084 т <1,5/0 <18е <3 1...10 2 <0,25 50gs 250/25a
2 N 4091,..2 и - <5 5...10 >30 - <0,2 40ds 210/25a
2 N 4093 и - <5 1...5 >8 - <0,2 40ds 210/25a
2 N 4117 р >0,07/0 <1,5 >0,6 >0,03 - <0,01 40gs 300/25a
2N4118 р >0,08/0 <1,5 1...3 >0,08 - <0,01 40gs 300/25a
2N4119 р >0,1/0 <1,5 2-6 <0,6 - <0,01 40gs 300/25a
2 N 4139 >3,5/0 <5 2-8 8-11 <2 <1 50gs 300/25a
2 N 4220 к 1...4/0 <2 <2,5 0,5-3 тип <А® <0,1 30gs 300/25a
2 N 4221 к 2...5/0 <2 1-5 2. .6 2,5/100 <0,1 30gs 300/25a
2 N 4222 к >2,5/0 <2 2-6 5-15 <0,1 30gs 300/25a
2 N 4223 ‘ к 3...7/0 <2 1...7 3-18 <5/200 МГц <0,25 30g s 300/25a
2 N 4224 к 2...8/0 <2 1...8 2...20 - <0,5 30gs 300/25a
2 N 4267,-8 р >3 <3 3-6 - <0,003 30ds -
2 N 4302 с >1/0 1,5зи <4 0,5-5 2 <1 30ds 300/25a
2 N 4303 с >2/0 1,5зи <6 4...10 2 <1 30ds 300/25a
2 N 4303 с >1/0 1,5зи <10 0,5-15 2 <1 30ds 300/25a
2 N 4338 и 0,6...1,8/0 <2 <6е 0,3-1 0,2...0,6 <1/1000 <0,1 50dg 50dg 300/25a
2 N 4339 и 0,8...2,4/0 <2 <6е 0,6-1,8 0,5-1,5 1/1000 <0,1 50dg 50dg 300/25a .
Параметры полевых транзисторов зарубежного производства
Тип транзистора Цоколевка Крутизна, мА/B при изи, В Со/с, пФ Unop/отс, В
2 N 4340 и 1.3...3/0 <2 1...3
<6е
2 N 4341 и 2...4/0 <2 2...6
<6е
2 N 4342 с 2...6/0 <5 1...5.5
2 N 4343 с 4...8/0 <5 2...10
2 N 4351 Q >01/1с=2мА <2,5 +1...+5
<5,5е
2 N 4352 Q >1/1с=2мА <2,5 -1,5...-6
<5,5е
2 N 4353 L 1...4/-10 <5 -3...-5
<12е
2 N 4360 Q 2...8/0 <5 1...10
2 N 4381 Q 2...6/0 <5 1...5
2 N 4382 Q 4...8/0 <5 2,5...9
2 N 4391 и - <3,5 <10
2 N 4392 и - <3,5 <5
2 N 4393 и - <3,5 <3
2N4416 р 4,5...7,5/0 <0,8 <6
2N4417 н <4е
2 N 4445...8 и - <35 2...10
2 N 4856 и - I <8 <10
2 N 4857 и - <8 2...6
2 N 4858 и - <8 <4
2 N 4859 и - <8 <10
Ic, мА Fb, дБД.Гц 1з(угечки), нА Vmax, В P, mBt/T(”C)
1,2...3,6 1/1000 <0,1 50dg 50ds 300/25a
3...9 1/1000 <0,1 50dg 50ds 300/25a
4...12 <80нВ/Гц <10 25dg 200/25a
10...30 <80нВ/ Гц <10 25dg 200/25a
<10 нА <0,01 25ds +75gs 300/25a 800/25c
<5 нА - <0,01 25ds +75gs 300/25a 800/25C
<5 нА - <1 30ds -30gs 250/25a
3...30 <190нВ/ГГц <10 20dg 200/25a
3...12 <20нВ/ Гц <1 25dg 300/25a
10...30 <20нВ/ Гц <1 25dg 300/25a
<150 - <0,1 40gs 1800/25C
25...75 - <0,1 40gs 1800/25C
5...30 - <0,1 40gs 1800/25C
5...15 <4/400 МГц <0,1 30ds 30g s 300/25a 450/125c
>150 - <3 25dg 400/25a
>50 - <0,25 40ds 360/25a
<100 - <0,25 40ds 360/25a
8...80 * <0,25 40ds 360/25a
>50 - <0,25 30ds 360/25a
ГЛАВА 8
Тип транзистора Цоколевка Крутизна, мА/B при 11зи, В Со/с, пФ Unop/отс, В 1с, мА Fb, дБДГц 1з(утечки), нА Vmax, В P, мВт/ТГС)
2 N 4860 и - <8 2...6 <100 - <0,25 30ds 360/25a
2 N 4861 и <8 <4 8...80 - <0,25 30ds 360/25a
2 N 4867 р 0,7...2/0 <5 0,7...2 0,4...1,2 <01/1000 <0,25 40gs 300/25a
<25е 40dg
2 N 4868 р 1...3/0 <5 1...3 1...3 <1/1000 <0,25 40g s 300/25a
<25е 40dg
2 N 4869 р 1,3...4/0 <8 1,8...5 2,5...7,5 <1/1000 <0,25 40gs 300/25a
<23е 40dg
2 N 4881 и >0,35/0 <1,5 <15 0,4...2 , <3/1 кГц <2 300ds 800/25a
2 N 4882 и >0,6/0 <1,5 <15 1,5...8 <3/1 кГц <2 300ds 800/25a
2 N 4883 и >0,35/0 <1,5 <10 0,4...2 <3/1 кГц <1 200ds 800/25a
2 N 4884 и >0,8/0 <1,5 <10 1,5...8 <3/1 кГц <1 200ds 800/25a
2 N 4885 и >0,35/0 <1,5 <10 0,4...2 <3/1 кГц <1 125ds 800/25a
2 N 4886 и >0,6/0 <1,5 <10 1.5...8 <3/1 кГц <1 125ds 800/25a
2 N 4977 р - <35е <10 >50 - <0,5 30ds 800/25C
2 N 4978 р - <35е - 4...8 >15 - <0,5 30ds 800/25C
2 N 4979 р - <35е <5 >7,5 - <0,5 30ds 800/25c
2N5018 м - <10 <10 >10 - <2 30ds 1800/25C
2 N 5019 м - <10 4...5 >5 - <2 30ds 1800/25C
2N 5020...1 м 1...3,5/0 <25е <1,5 >0,3 3/100 <1 25ds 300/25a
2 N 5033 с >1/0 <25е <2,5 >0,3 2/1000 <10 20ds 200/25a
2 N 5045 т 1,5...6/0 . <4 0.5...4.5 0,5...8 <5/10 <0,25 50gs 250/25a
2 N 5046 т <8 50qd 400/25a
2N5047 т
2 N 5078 к 4,9...10/0 <2 <8 4...25 >4/400 МГц <0,25 30gs 300/25a
<6е
Параметры полевых транзисторов зарубежного
Тип транзистора Цоколевка Крутизна, мА/B при изи, В Со/с, пФ 1)пор/отс, В 1с, мА Fb, дБДГц !з(утечки), нА Vmax, В P, mBt/T(’C)
2 N 5103...4 р >1,5/0 <1 <4 1-8 - <0,1 25dg 300/25a
2 N 5105 р >3,5/0 <1 <4 5-15 - <0,1 25dg 300/25a
2N5114 м - <7 5-10 30-90 - <0,5 30dg 500/25a
2N5115 м - <7 3-6 15-60 <0,5 30dg 500/25a
2N5116 м - <7 1-4 5-25 - <0,5 30dg 500/25a
2 N 5163 с 2...9/0 <7 <8 1...40 <3/1 кГц <10 25dg 200/25a
2 N 5196.,.9 т 1-4/0 <2 <6е 0,7-4 0,7-7 0,5/100 <0,03 50dg 50gs 500/85a
2 N 5245 Е 4,5-7,5/0 <1 <4,5е 1...6 5-15 2/100 МГц 4/100 МГц <1 30dg 30gs 360/25a 500/25C
2 N 5246 Е 3-6/0 <1 <0,5-4 1,5-7 - <1 30dg 360/25a
2 N 5247 Е >4,5/0 <1 1,5-8 8-24 - <1 30dg 360/25a
2 N 5248 В >3,5/0 <2 1-8 ' 4-20 - <5 30dg 360/25a
2 N 5265,-6 Р >0,9/0 <2 <3 0,5-1 2,5/100 <2 60ds 300/25a
2 N 5267 Р >1,5/0 <2 <6 1,5-3 2,5/100 <2 60ds 300/25a
2 N 5268,-9 Р 2...4/0 <2 <6 2,5-5 2,5/100 <2 60ds 300/25a
2 N 5270 Р >2,5/0 <2 <8 7...14 2,5/100 <2 60ds 300/25a
2 N 5277,-8 и 2-5/0 <25е <7 >2,5 <3/1 кГц <5 150dg 800/25a
2 N 5358,-9 к 1-3/0 <2 0,5-3 0,5-1 2,5/100 <0,1 40dg 300/25a
2 N 5360 к >1,4/0 <2 0,8-4 1,5-3 2,5/100 <0,1 40dg 300/25a
2N 5361,-2 к >1,5/0 <2 1-6 2,5-5 2,5/100 <0,1 40dg 300/25a
2 N 5363,-4 к 2,5...6/0 <2 2,5-8 7...14 2,5/100 <0,1 40dg 300/25a
2N 5391,-2 и >1,5/0 <5 <2 >0,5 <2/10 <0,1 70dg 300/25a
2 N 5393 и 3-6,5/0 <5 <3 >2,5 <2/100 <0,1 70dg 300/25a
2 N 5394,-5 и 4-7/0 <5 <4 4...6 <2/10 <0,1 70dg 300/25a
2 N 5396 и >4,5/0 <5 <5 >7,5 <2/10 <0,1 70dg 300/25a
ГЛАВА 8
Тип транзистора Цоколевка Крутизна, мА/B при изи, В Со/с, пФ Unop/отс, В 1с, мА Fb, дБД.Гц !з(утечки), нА Vmax, В P, mBt/TCC)
2 N 5397 р 6...10 <1,2 1...6 10-30 <3,5/450 МГц <0,1 25dg 300/25a
2 N 5398 р >5,5 <1,3 1...6 5...40 - <0,1 25dg 300/25a
2 N 5432,..3 и - <15 4...10 >150 - <0,2 25dg 300/25a
2 N 5434 и - <15 1...4 >30 - <0,2 25dg 300/25a
2 N 5452,..3,..4 т 1...3/0 <4е <4,5 <0,5...5 0,5 <0,1 50dg 250/25a
2 N 5457,..8 1 1...5/0 <3 0,5...6 1...5 - <1 25dg 310/25a
2 N 5459 1 2...6/0 <3 2...8 4...16 « - <1 25dg 310/25a
2N5460...1 J 1...4/0 <2 0,7-6 1...5 1/100 <5 40dg 310/25a
2 N 5462 J 2...6/0 <2 1,8...9 4...16 1/100 <5 40dg 310/25a
2 N 5463,..5 J <2 0,7...6 1-5 1/100 <5 60dg 310/25a
2 N 5471,..2 Q >0,06/0 <1 0,5...4 >0,02 2/1000 <0,5 40dg 300/25a
2 N 5473 Q >0,12/0 <1 0.9...6 >0,1 2/1000 <0,5 40dg 300/25a
2 N 5475 Q >0,16/0 <1 1,2-7 >0,2 2/1000 <0,5 40dg 300/25a
2 N 5476 Q >0,26/0 <1 2-9 0,8-2 2/1000 <0,5 40dg 300/25a
2 N 5484 1 >2,5/0 <1 0,3-3 1-5 4/200 МГц <1 25dg 310/25a
2 N 5485 1 >3/0 <1 0,5-4 4...10 2/100 МГц <1 25dg 310/25a
2 N 5486 1 >3,5/0 <1 2-6 8...20 4/400 МГц <1 25dg 310/25a
2 N 5515,..6, Т 0,5...1/0 <2 0,7...4 0,5...7,5 <30нВ/10 <0,25 40dg 500/85a
..7,..8,..9 <25е 40gs
2N5520...1, т 0,5-1/0 <5 0,7-4 0,5...7,5 <15нВ/10 <0,25 40dg 500/85a
..2,..3,..4 <25е 40g s
2 N 5543,..4 и 0,8...3/0 <2 2-15 2...10 - <1000 300dg 500/25a
2 N 5545,..6,..7 т 1,5...6/0 <6е 0,5...4,5 <8 - <0,1 50dg 250/25a
2 N 5548 с 4...6,5 <4 -5 - <0,05 25gs 360/25a
2 N 5549 и 6...15 <2 1...4 10-60 - <0,25 40gs 360/25a
Параметры полевых транзисторов зарубежного производства
Тип транзистора Цоколевка Крутизна, мА/B при 1)зи, В Со/с, пФ Unop/отс, В Ic, мА Fb, дБДГц !з(утечки), нА Vmax, В P, mBt/T(’C)
2 N 5555 * I - <1,2 <10 >15 - <1 25ds 310/25a
2N 5556,..7,..8 р 1,5...6,5/0 <3 0,2...4 0,5. .2,5 <1/10 <0,1 30ds 300/25a
<6е 30ds 100/25a
2 N 5564,..5,..6 т 7,5...12,5 <12е 0.5...3 5...30 - <0,1 40gs 325/25a
2N5592...3 р 2...7/0 <20е <5 1...10 2,6/10 <0,25 50dg 300/25a
2 N 5638,..9 I - <4 <15 >50 <1 30dg 310/25a
2 N 5640 I - <4 <15 >5 - <1 30dg 310/25a
2 N 5647 Q 0,3...0,6 <0,9 <1,8 0,3...0,6 1/1000 <2пА 50dg 300/25a
2 N 5648 Q 0,4...0,8 <0,9 <2,4 0,5...1 1/1000 <2пА 50dg 300/25a
2 N 5649 Q >0,45 <0,9 <3 >0,8 1/1000 <2пА 50dg 300/25a
2 N 5653,..4 1 - <3,5 <15 >40 <1 30dg 310/25a
2 N 5661,..2,..3 Т 2...3/0 <4 0,8...3 1...10 <50 нВ/ Гц <0,1 50ds 250/25a
<15е
2 N 5668 1 >1,5/0 <3 0,2...4 1...5 2/100 МГц <2 25dg 310/25a
2 N 5669 I 2...6,5/0 <3 1...6 4...10 2/100 МГц <2 25dg 310/25a
2 N 5670 I 3...7.5/0 <3 2...8 8...20 2/100 МГц <2 25dg 310/25a
2 N 5716,..7 I 0,2...1,0 <1,5 0,2...3 >0,05 - <1 40dg 200/25a
2 N 5718 1 0,5...2/0 <1,5 1...8 0,8...4 - <1 40dg 200/25a
2 N 5902,..3,..4, Т 0,05... <1,5 0,6...4,5 0,03...0,5 <3/100 <5 пА 40dg 500/25a
..5 0.15/-1 <3е 80gg
2 N 5906...9 <1 <2пА
2N5911...2 т 5...10 <12 1...5 7...40 <1/10000 <0,1 25gs 500/25a
!с=5 мА <5е 80gg
ГЛАВА 8
Тип транзистора Цоколевка Крутизна, мА/B при 11зи, В Со/с, пФ 11пор/отс, В Ic, мА Fb, дБД.Гц 1з(утечки), нА Vmax, В P, мВтД(’С)
2 N 5949, ..50 0 >3,5/0 <6е <7 >18 - <1 30dg 360/25a
2 N 5951 0 3,5...7/0 <2 2-5 7-13 <100 нВ/10 <1 30dg 360/25a
2 N 5952 D 2...6,5/0 <2 1-3,5 4-8 <100 нВ/10 <1 30dg 360/25a
2 N 5953 D 2.-6,5/0 <2 0,8-3 2,5-5 <100 нВ/10 <1 30dg 360/25a
2 N 6449,-50 • и 0,5-3/0 <5 2...15 2-10 - <10 300dg 800/25a
2 N 6451 Р 15-30 <5 0,5...3,5 5-20 <1,5/10 <0,2 20dg 360/25a
2 N 6452 Р 15-30 <5 0,5-3,5 5-20 <2,5/10 <1 25dg 360/25a
2 N 6453 Р 20-40 <5 0,8-5 15-50 <1,5/10 <0,2 20dg 360/25a
2 N 6454 Р 20-40 <5 0,8-5 15-50 <2,5/10 <1 25dg 360/25a
2 N 6483,-4,-5 5 Т 0,5...1,5/0 <3,5 <20е 0,7-4 0,5...7,5 <10 нВ/10 <0,25 50dg 250/25a
2SK 11 Q 0,7...3/0 3 0,5-6 0,3-7 - <1 20dg 100/25a
2 SK 12,-5 Q 0,8...3/0 3 0,7-4 0,5-5 <3/1 кГц <0,1 20dg 100/25a
2SK19 1 7/0 0,45 3 3-24 2/100 МГц <10 18dg 200/25a
2 SK 30 А В >1,2/0 2,6 0,4-5 0,3..7 <5/120 <1 50dg 100/25a
3N89 V >0,45(31) 0,4(32) 0,6 1,8 3,3 10 0,5...2,5 <5 30dg 300/25a
3N 124 V >0,25(31) >0,2(32) <0,5 <1,5 <5 <8 0,2...2 <4/100 <0,25 50ds 50gs 300/25a 800/25C
3N 125 V >0,4(31) >0,25(32) <5е <9е <8 <14 1,5...4,5 <4/100 <0,25 50ds 50gs 300/25a 800/25C
3N 126 V >0,6(31) >0,4(32) <0,5 <1,5 <18 <26 3-9 <4/100 <0,25 50ds 50gs 300/25a 800/25C
3N 128 к 7,5 (>5) <0,2 5,5е -3,5...-8 !с/м=50 мА <50/200 МГц <0,05 20ds ±15gs 400/25a
Параметры полевых транзисторов зарубежного производства
Тип транзистора Цоколевка Крутизна, мА/B при изи, В Со/ с, пФ Unop/отс, В
3N 138 к 6 <0,2 -3,5...-8
• Зе
3N1394 к 6(>3) 0,18 <-6
Зе
3N 140 S 10(>6) 0,02 -2.. -4
3N 141 S 5,5е
3 N 142 к 7,504) <0,2 -2...-8
<10е
3N 143 к 7,505) <0,2 -3,5...-8
5,5е
3 N 149,..50 L - <3 <6
3 N 151 R 0,5...2 <4 -3...-6
1с=2 мА <12е
3N 152 К 7,5 05) <0,2 -
5,5е
3N153 К 10 бе <8
<0,5
3N154 К 5...12 <0,5 -2...8
3N 155,..А, Q 1...4 <1,5 1,2...3,2
3N156...A 1с= 2 мА <5е
3N 157,..А, Q 1...4 <1,3 1,5...3,2
3N158...A 1с= 2 мА <5е
3N 159 S 7...18 5,5е -2
1с=10мА 0,02 (<-4)
Продолжение таблицы 8.5.1
1с, мА Fb, дБДГц 1з(утечки), нА Vmax, В P, mBt/TCC)
1с/м = 50 мА - <0,01 35ds 400/25a
+10gs
1с/м=50 мА <6/200 МГц <1 35ds 400/25a
+ 10gs
1с/м=50 мА <3,5/200 МГц <1 20ds 400/25a
-8+20
5...50 <5/100 МГц <1 20ds 100/85a
-8gs 400/25a
1с/м=50 мА - <1 20ds 400/25a
+1-8gs
- - <1 50gs 400/25a
<5 nA - 0,05 30ds 162/25C
<1 30gs
1с/м=50 мА <3,5/200 МГц <1 20ds 400/25a
1-8gs
1с/м=70 мА - <0,05 20ds 400/25a
+6-8gs 270/25a
10...25 4/200 МГц <0,05 20ds 400/25a
<1 nA - <1 35ds 300/25a
50gs 130/125a
<1 нА - <0,01 35ds 300/25a
50gs 130/125a
>20ds 400/25a
5...30 <3,5/200 МГц <1 +1-8gs 270/75a
ГЛАВА 8
ЧА\ '•
‘ *♦ 1 М ь I
• > V VI
Тип транзистора Цоколевка Крутизна, мА/B при 11зи, В Со/с, пФ 11пор/отс, В Ic, мА Fb, дБДГц 1з(утечки), нА Vmax, В P, мВтЛСС)
3N 160 L 3,5...6,5 <4 1,5...5 1 (<10) нА - <0,01 25ds 360/25a
1 <10е +25gs 1800/25a
3N 161 L 3,5...6,5 <4 1,5...5 5 нА - <0,1 25ds 360/25a
3N 162 L 13 <5 2,5...5 10 нА ✓ 10 30ds 600/25a
3 N 163 L 2...4 <0,7 <5 - - <0,01 +125gs 375/25a
3 N 164 L 1...4 <0,7 <5 - - <0,01 +125gs 375/25a
3N167 L - 12 2...6 0,03 нА - 0,1 30ds 225/25a
3N 168 L - 12 2...6 0,1 нА - 0,4 25ds 225/25a
3N 169,..170,..171 Q >1 <1,3 0,5...1,5 <10нА - <0,01 25ds 300/25a
1с=2 мА <5е +35gs 800/25C
3N 172 L 3 0,8 2...5 0,3 нА - 0,1 40ds 375/25a
3 N 173 L 3 0,8 2...5 8 нА - 0,3 40ds 375/25a
3N 174 L >0,4/15 <0,7 -4 3-12 - <3 nA 30gs 360/25a
3 N 175 Q >1,2 <0,5 1...2 <5 пА - <0,2 30ds 225/25a
3N 176 Q >1 <0,5 1 ...2,5 <10 нА - <0,2 25ds 225/25a
3 N 177 Q >0,7 <0,8 1...3,5 <26 нА - <0,2 20ds 225/25a
3 N 178 L >0,8 <0,3 4,5-5,5 <1 нА - <0,5 75ds 100/25a
3N 179 L >0,7 <0,4 4-6 <1 нА - <1 60ds 100/25a
3N 180 L >0,7 <0,5 3-6 <1 нА - <1 40ds 100/25a
3N 181 L >8 <8 3-4 0,5 нА - <0,3 30ds 300/25a
3 N 182 L >8 <10 2,5-5 2,5 нА - <0,5 30ds 300/25a
3N 183 L >8 <12 2-6 10 нА - <1 20ds 300/25a
3N 184 L 3,5 3 2-3 0,5 нА - 0,05 35ds 300/25a
3N185 L 3 4 1,5-3 1 нА - 0,1 30ds 300/25a
3N 186 L 2,8 4 1-3,5 2 нА - 0,2 25ds 300/25a
Параметры полевых транзисторов зарубежного произ!
Тип транзистора Цоколевка Крутизна, мА/B при 11зи, В Со/с, пФ 11пор/отс, В Ic, мА Fb, дБДГц 1з(утечки), нА Vmax, В P, mBt/TCC)
3N187 S 5...30 ' 3,5/200 МГц 3 N 200 S 7...18 +6gs 10...20 0,02 220/75а 0,02 -0,5...4 -0,1 ...-3 0,5...12 <50 4,5/400 МГц <50 20ds 20ds 330/25a 330/25a
3N201 S 1с=10 мА 8...20 бе 0,02 0,5...5 <4,5/200 МГц <1 +6gs 25ds 220/75a 360/25a
3N202 S 8...20 0,02 0,5...5 - - <1 25ds 360/25a
3N203 S 7...15 0,02 0,5...5 - <6/45 МГц <1 25ds 360/25a
3N204 S 10...22 0,02 0,5...4 - <3,5/200 МГц <1 25ds 360/85a
3N205 S 10...22 0,02 0,5...4 - - <1 25ds 360/25a
3N206 S 7...17 0,02 0,5...4 - <4 <1 25ds 360/25a
3N207 R - <2,5 3...6 10 нА - 0,004 25ds 600/25a
3N208 R - <2,5 3...6 10 нА - 1 25ds 600/25a
3N211 S 17...40/0 0,02 0,5...6 6...40 <3,5/200 МГц 10 27ds 360/25a
3N212 S 17...40/0 0,02 0,5...4 6...40 - 10 27ds 360/25a
3N213 S 15...35/0 0,02 0,5...6 6...40 <4/45 МГц 10 35ds 360/25a
3 N 214,..5,..6,..7 Р - 2 <6 50/V3= 6 В - 10 20ds 360/25a
3SK20 V 0,6...2/0 бе 4е <-3,5 0,6...2 200нВ/ Гц <1 пА 20dg 20ds 100/25a
3SK21 V 4.. 11/0 4е <-5 4...11 - <1 пА ±20gs 20ds 100/25a
3SK35 S 10 0,02 <4 3...24 3,5 100 +20gs 20ds 300/25a
3SK44 S 13 0,04 <3,3 3...40 3,5 100 20ds 300/25a
ГЛАВА 8
Тип транзистора Цоколевка Крутизна, мА/B при 11зи, В Со/с, пФ Unop/отс, В
40 467 А к 7,5 (>4) <0,2 -5(<8)
1 1с= 5 мА 5,5е
40 468 А к 7,5 <0,2 <-8
1с = 4 мА 5,5е
40 559 А к 2,8 <0,3 <5
5,5е (<-8)
40 600,..1,..2 S 10 0,02 -2
1с=10 мА 5,5е
40 603,-4 S 10 0,02 -2
1с=10 мА ' 5,5е
40 673 S 12 0,02 -2
бе
40 820 S 12 0,02 -1
40 821 S 12 0,02 -1
40 822 S 12 0,02 -2
40 823 S 12 0,02 -2
Окончание таблицы 8.5.1
Ic, мА Fb, дБДГц 1з(утечки), нА Vmax, В P, mBt/TCC)
10...50 <5/200 МГц <1 20ds +1-8gs 400/25a 270/75a
5...25 <5/100 МГц <1 20ds +1-8gs 375/25a 270/75a
5...25 - <1 20ds +1-8gs 375/25a 250/75a
1с/м=50 мА <5/200 МГц <1 20ds +1-8gs 400/25a 270/75a
18 <4/100 МГц <1 20ds +1-8gs 400/25a 270/75a
1см= 50 мА <6/200 МГц <50 20ds +1-6gs 330/25a 220/75a
- <6 <50 20ds 330/25a
- - <50 20ds 330/25a
- 2 <50 18ds 330/25a
- <50 18ds 330/25a
Параметры полевых транзисторов зарубежного производства
ГЛАВА 8
3 Го^х о\и о С А с 3 И ° 0 ) о / в С f И\ о о С И ° л о ° У 3 D К С °^\ о \и ° 3 Е СгИ2 И, С, JIB -JUL 11 и Зг 3, F И^З G •ь Н
И о ) I 3 с И 0 ) у 7 С И /о о\ \о оу к^-^з К С-3 /о о\ \ОО/* И ~~~К L И 3 Q И С, 3. V4°5/ Сг 32 N С^И /о о\ ' Уз 0 fо <Х \о о/ /Г—<? Р
И-^3 /с> о\ \р оу k^-Sc Q Ао о °7 Иг Я С^Зг i °\ \о о у nib—9, S Иг^-3г jo°° X 7 j 3 <Х \ о 7 и /о о\ X. о оу Зг^С •» И-/ J°°°\ \>ООУ ^тГ^Сг Иг IV fc> о\ \о о J /г—7И X
И—исток С—сток 3—затвор К—корпус
Рис. 8.5.1. Цоколевка полевых транзисторов
8.6. ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ДИОДОВ ЗАРУБЕЖНОГО ПРОИЗВОДСТВА
Таблица 8.6.1. Выпрямительные диоды
Тип диода 'ном' A Максимальное напряжение, В; применение
AY101 5 150. — Recuperation TV.
AY102 10 320.—TV—Ates.
AY104 5 50. — TV. — Ates.
AY106 10 200. — TV — Ates.
AYY 10/120 12 120. — RTC.
B4Y1/560M 1 1200 (560 Veff). — RTC.
B4Y2(*)M 2 (*) Veff еп V (140—280—560). - RTC.
B4Y5(*)M 5 (*) Veff еп V (140 -280—420—560).
B4Y10(‘)M 10 (*) Veff еп V (140—280). - RTC.
B4Y10(‘) M 20 (*) Veff en V (140—210—280—350—420).
B(*)C(Q) — (*) Veff еп V. - (□) lnorn en mA. — Intermetall.
BAY 14...16 0,2 500—560—800.
BAY 17...21 0,1 15—60—120—180—350.—C = 1,2 pF.
BAY 23...26 0,05 1000—1500—2000—3000.
BAY 44...46 0,25 50—150—300. — C = 2,5 pF.
BAY86...91 0,25 30—100—300—500—800—1500.—C = 0,7 pF.
BB(‘) (□) — (*) Vm x 10 V. — (□) lnom (A). — Soral.
BY 100 0,75 800. — BY 100 S : lnom = 0,45 A.
BY 103 0,6 800.
BY 114 0,45 450.
BY 118 5 300. — Recuperation hgnes, TV. — RTC.
BY 122, 123 0,8 60. — 400 (Pont).
BY 126, 7 1 450. — 800. — RTC.
BY 133, 4, 5 1 1300—600—150. — Intermetall.
BY 134, 135 1 600—150.
BY 137 (*) 1 (’) Vm еп V (400 et 800).
BY 140 0,25 15000.—TV.— RTC.
BY 147 0,25 6500. — Rempl. tube PY 88. — Intermetall.
BY 164 1,4 120. — <400 Hz. — RTC.
BY 165, 6,7 0,3 6000—5000—7500.
BY 172, 3,4 1,4 800—600—400.
BY 176 0,003 15000. — Tripleur TV couleurs.
BY 179 1 800 (Veff= 280 Vmax.).
BY 183 (*) 0,2 (*)VmenV(5O...6OO).
BY 184 0,1 1800.— RTC.
BY 187/01 0,1 125000.— RTC.
BY 188 1,2 25. — RTC.
BY 191 P/(‘) 4 (*) Vm еп V (250 et 400). — Booster TV.
BY201/(‘) 1 (*)Vmx 100 V (200.. .600). —AEG.
BY 202/0 1,5 (*) Vm x 100 V (200^.600). — AEG.
BY 203/0 0,25 (*) Vm x 100 V (1,2...2 kV).— AEG.
BY 204/0 0,4 (*) Vm x 100 V (400...1000). — AEG.
BY 206, 7 0,4 300 — 500. — RTC.
BY 209 0,1 12500.— RTC.
BY 210/0 1 (*) Vm en V (400—600—800). — RTC.
BY 211/0 2 (*) Vm x 100 V (200...500). — AEG.
BY 212/0 4 (*) Vm еп V (250...750). — Sescosem.
BY 215 0,35 18000.— RTC.
BYW 14/0 3,4 (.) Vm еп V(100...800). — tr = 750 ns.
BYW15, 6*/( ) 3,4 ( ) Vm еп V (100...800).— tr = 500 et ‘200 ns.
BYX10 0,2 800.
Тип диода < 'ном. Максимальное напряжение, В;
A применение
BYX 13/(*) 20 (*)Vm enV (400... 1200).
BYX 14/(‘) 150 (*)Vm enV (400.. .1200).
BYX15, 16* 40 400. — ‘Anode au boitier.
BYX 20/200 25 200.
BYX 21/(‘) 25 (*) Vm en V(100 et 200).
BYX22/(‘) 1,4 (*) Vm en V (600—1200). — RTC.
BYX 23/(‘) 100 (*)Vm enV (400.. .1000).
BYX 24 0,8 1600, —RTC.
BYX 25/(‘) 20 (*)Vm enV (600.. .1000).
BYX 27/(‘) 250 (*)Vm enV (400...1000).
BYX 28/(‘) 25 (*) Vm en V (200 et 400).
BYX 30/(*) 8 (*) Vm enV (200...600).
BYX32/(‘) 100 (*)Vm enV (200...1600).
BYX 33/(‘) 250 (*)Vm enV (200.. .1600).
BYX 34/(‘) 60 (*)VmenV(2OO...5OO).
BYX 36/(*) 0,8 (*) Vm en V (150—300—600).
BYX 38/(‘) 2,5 (*) Vm en V (300—600—900— 1200).
BYX 39/(‘) 6 (*) Vm en V (600—800—1000).
BYX41/(‘) 300 (*)Vm enV (1000.. .2400).
BYX42/(‘) 10 (*) Vm en V (300—600—900— 1200).
BYX45/(‘) 1,5 (*) Vm en V (600—800—1000).
BYX46/(‘) 15 (*) Vm enV (200...600).
BYX 48/(*) 6 (*)VmenV(300 600 900 1 200)
BYX 52/(*) 40 (*)VmenV(300 600 900 1200)
BYX 52, 3 0,05 2000—3000. — Silec.
BYX 57/(‘) 0,4 (*) Vm en V (500—600). — Silec.
BYX58/C) 1 (*) Vm en V (50...400). — Silec.
BYX61/(‘) 12 (*)VmenV(5O...4OO) — tr= 100 ns.
BYX 62/600 12 600. — tr < 200 ns. — Sescosem.
BYX 63/600 20 600. — tr < 200 ns. — Sescosem.
BYX 64/600 30 600. — tr < 200 ns. — Sescosem.
BYX65/(‘) 30 (*) Vmenv(50...400). — tr= 100 ns.
BYX 66/(*) 12 (*) Vm en V (600—800—1000), tr = 500 ns.
BYX67/(‘) 30 (*) Vm en v (600—800—1000), tr = 500 ns.
BYX71/(‘) 6 (*) Vm en V (350—600). — RTC. — tr = 450 ns.
BYX 90 0,2 7500. - RTC.
BYX96/(‘) 25 (*) Vm en V (300...1600). = RTC.
BYX 98/(‘) 8 (*) Vm en V (300... 1200). — RTC.
BYX 99/(*) 12 (*) Vm en V (300...1200). — RTC.
BYY 15, 16* 40 600. — ‘Anode au boitier.
BYY 22, 24 10 400, 600.
BYY 23, 25 10 400, 600. — Anode au boitier.
BYY 27...29 220 ' 300-500-650.
RYY 31 37 0 6 100 200 300 400 SOO 600 700
BYY 39/0 220 (*)VmenV (200...2400).
BYY 67, 68* 10 800. — ‘Anode au boitier.
BYY 73, 74* 40 300. — ‘Anode au boitier.
BYY 75, 77 40 1000—1200.
BYY 76, 78 40 1000—1200. — Anode au boitier.
BYY 88...92 1 100—200—400—800—1000.
BYZ 10...13 6 600-900-1200-800.
BYZ14, 15* 40 1600. — ‘Anode au boitier.
BYZ 16...18 6 600—900—1200. — Anode au boitier.
CH o 0,01 (*) Vm en kV (3—4—5 kV). — Silec.
CY7, 12 0,03 7000—12000. — Silec.
CY 501,751 H 0,1 50000—75000. — Silec.
Продолжение таблицы 8.6.1
Тип диода 'нОМ’ A Максимальное напряжение, В; применение
D(*)5C 0,5 (*) Vm х 100 V (100...1200). — Silec.
D(*)8 0,8 (*) Vmx 100 V (100... 1000). — Silec.
D 6 HZ, D 8 HZ 0,8 600—800. — Silec.
D45CZ 0,8 400. — Silec.
D (*) H, HL 0,5 (*) Vm x 100 V(4...25 kV). — Silec.
DA 000, 1,2,6,58 0,5 60—100—150—400—800.— Lucas.
DA 2026, 68* 1,5 400. — *800 V, 1 A. — Lucas.
DA, DC, DD
DE(*)x(d) — (*) Vm x 10 V. — (□) lnom en A. — Soral.
DD, ООО, 1,3,6,
56, 58 0,5 50—100—200—400—800—1200. — Lucas.
DD 2066, 8 1 400—800.—Lucas.
DD 3020, 6. 76, 78 2,5 50—400—800—1200. — Lucas.
DD 4020, 6, 66,
67, 68 6 50—400—800—1200—1300. — Lucas.
DRS102, 4, 6,7 1 200—400—600—700. — Delco.
E(*)1 1 (*) Vmx 100 V (100...1000). — Silec.
E 6, 8 HZ 1 600—800. — Silec.
EC (*) E 2 2 (*) Vm x 10 V (70...560). — Soral.
EL(*)F4 4 (*) Vm x 10 V (70...560). — Soral.
EM 513 1 1300. — Intermetall.
ER 2, 4, 6 1 200—400—600. — Silec.
ESM 181/(*) 4 (*) Vm еп V (300...800). — Sescosem.
ESM 243/(*) 60 (*) Vm еп V (50...1000). — tr = 100 ns.
ESM 244, 5* 60 Identiques a ESM 243, sauf tr = 200 et 500 ns.
F(*)1 1,6 (*) Vm x 100 V (100...1000). — Silec.
F(*)2 2 (*) Vm x 100 V (100... 1000). — Silec.
F (*) H ou HL 0,5 Vm en centaines de V (4...25 kV). — Silec.
F4, 6, 8 HZ 1,25 400—600—800. — Silec.
F41.61,81 Z 1,25 400—600—800. — Silec.
F42, 62, 82Z 2 400—600—800. — Silec.
FB (*) G 6 6 (*) Vm x 10 V (70...560). — Soral.
FR(*)1 1 (*) Vm еп V (50...400). — tr = 250 ns. — Silec.
G(*)4 4 (*) Vm еп V (50...1200). — Silec.
G(*)6 6 (*) Vm еп V (50...1500). — Silec.
G(*)10 10 (*) Vm en dizaines de V (50...1200). — Silec.
G 4, 6, 8 HZ 10 400—600—800. — Silec.
G 65, 85 HZ 5 600—800. — Silec.
GD (*)J 10 10 (*) Vmx 10 V (70...560). — Soral.
GR 05, 1,2,4 5 50—150—250—350. — Silec.
HB(*)L15 15 (*) Vmx 10 V (30...560). —Soral.
IS(*) — (*) 'nom (2-5-10-20-45 A), suivi de Vmux
(100...800 V). — Intermetall.
JCM A...E 0,1 12—50—100—150—300. — Cogie.
JCN (*) 1 (*) Vm x 100 V (100...800). — Cogie.
JHT (*) 0,05 (*) Vm x 100 V (1...3 kV). — Cogie.
K(*)40 40 (*) Vm x 10 V (50...1400). — Silec.
K46, 66, 86 HZ 60 400—600—800. — Silec.
LA(*)P25 25 (*) Vm x 10 V (30...560). — Soral.
M 4,6, 8 HZ 0,4 400—600—800. — Silec.
V(*)2 0,2 (*) Vm en centaines de V (100... 1000). — Silec.
M(*)K 0,25 (*) Vm x 100 V (1,5...30 kV). — Silec.
M (*) HZ 0,15 (*) Vm x 100 V (1 ...3 kV). — Silec.
M 20, 30, 60 H 0,1 2000—3000—6000. — Silec.
M 405, 505, 605 0,05 4000—5000—6000.
MA 25, 35 0,05 2000—3000. — Silec.
12. Усилители, радиоприёмники.
/г
Продолжение таблицы 8.6.1
Тип диода 'ном' Максимальное напряжение, В;
A применение
МАЗО 0,01 3000. — Silec.
МА 45 0,02 4000. — Silec.
МС 19,22 0,25 150—100.— Silec.
МС42...45 0,5 200—300—400—500. — tr = 200 ns. — Silec.
МС46...50 0,25 100—200—300—400—500. — tr = 200 ns. — Silec.
МС51 0,25 300. — Silec. J
ME (*) 0,2 (*) Vm x 100 V (3...20 kV). — Silec. %
MR (*) 0,1 (*)Vmx10V(50...410). — tr< 1 ms. — Silec. -
MR 52, 62 Z 0,2 500—600. — tr = 200 ns. — Motorola.
MR 54, 64 Z 0,4 500—600. — tr = 200 ns. — Motorola. J
MR 327, 8, 9, 30, 1 25 500—600—800—1000. — Motorola.
MR 501...10 3 Dernier chiffre du num’ero de
MR 751...6 6 type x 10. — Motorola.
MR 810, 1,2,4, 6 0,75 50—100—200—400—600. — Motorola.
MR 830, 1,2, 4, 6 MR 840, 1,2, 4, 6 3 SO 100 200 400 600 tr-200ns
3 50—100—200—400—600. — tr= 1 ms.
MR 880, 1,2, 4, 6 12 50—100—200—400—600. — tr = 1 ms.
MR 990...94 0,25 1—1,5—2—2,5—3 kV. — Motorola.
MR 1120...26 12 50—100—200—300—400—500— 600. — Motorola. J
MR 1366 6 600. — tr = 200 ns. — Motorola.
MR 1376 12 600. — tr = 200 ns. — Motorola. >
MT 14, 24, 44, i
64, 84 0,4 100—200—400—600—800. — Silec.
MU(‘) 0,2 (*) Vm x 100 V (2... 10 kV). — tr = 200 ns. — Silec.
NB (*) T 55 55 (*) Vm x 10 V (30...560). — Soral. 1
NT 161...5 160 1,6—1,8—2—2,2—2,4 kV. — Silec.
NT 251...5 250 1,6—1,8—2—2,2—2,4 kV. — Silec.
OA31 3,8 120. 1 •f
ОА2Ю, 11, 14 0,5 400—800—700.
P 4, 6, 8 HZ 10 400—600—800. — Silec.
P(*)4 4 (*) Vm en V (50...1200). — Silec.
P(*)6 6 (*) Vm en V (20...1500). — Silec.
P(*)10 10 (*) Vm en dizaines de V (50. .1200). — Silec.
P(*)H 3 (*)Vmx100V(3,2...40kV). — Silec.
PB (*)U110 110 (*) Vm x 10 V (30...560). — Soral.
PCP (*) 1 (*) Vm x 100 V (50... 1000). — Cogie.
R 4, 6, 8 HZ 20 400—600—800. — Silec.
R 43, 63, 83 HZ 35 400—600—800. —Silec. i
RAS310AF 1 1000. — Intermetall. t
RAS 508 AF, BF 5* 960. — ‘Radiateur 60 cm2. — Intermetall.
RAS 508 CF, DF 10* 960. — ‘Radiateur 100 cm2. — Intermetall.
RN (*)15 15 (*)Vmx10V(50...1500). V
RN (*)20 20 (*) Vm en dizaines deV (800...1500). — Silec. 1
RN (*)35 35 (*) Vm en dizaines de V (800...1000). — Silec.
RV, RW15 0,1 15000. — Silec.
RX, RY15 0,2 15000. — Silec. !
RY10U 0,1 7000. — tr = 200 ns. — Silec.
S 1 A(‘)x01 0,1 (*) Vm x 10 V (600... 1500). — Soral.
S 2 E (*) x 06 0,6 (*) Vm x 10 V (200...1000). — Soral. *
SD91...95 0,5 100—200—300—400—500. t
SD91...95A 0,7 100—200—300—400—500.
SD91...98S 1.1 91 = 100 V, 92 = 200 V, etc.
SFR 126 5 50.
SFR 264 1 400. i
SK(*) 1,2 (*) Vm x 100 V (100...1600). — Semikron.
SK 3 F/(‘) 0,65 (*) Vm x 100 V (100...1000). — tr = 300 ns.
Тип диода 'now Максимальное напряжение, В;
A применение
SKa 13,17 1,2 1300—1700. — Semikron.
SKE, SKS 1/(‘) 1,3 (*)Vmx100V(100...1200).
SKEa 1/13, 17 1,2 1300,1700. — Semikron.
SKE2F1/(*) 0,9 (*) Vm x 100 V (100...600). — tr = 200 ns.
SKE 2 F 2/(*) 1,6 (*) Vm x 100 V (100...600). — tr = 200 ns.
SKE 2,5/0 2,5 (*)Vmx 100 V (200.. .1600)
SKE 4 F 1/0 1,2 (*) Vm x 100 V (100... 1000). - tr = 400 ns.
SKE 4 F 2/0 2 (*) Vm x 100 V (100...1000). — tr = 400 ns.
Tl 51 55 0 2
TI56...60 0,4 120—200—270—320—400. — Texas Instr.
YC,YD(*)x( ) — (*)VmenV. — ( ) Inomen A.
1 AS 027, 029 1,5 800-1000.
ICO 10 (*) Vm x 100 V (200...1000). — Cogie.
1 N 151,2,8 1 100-200-400.
1 N 248...50 20 50-100-200.
1 N316...22 0,25 50—100—200—350—500— 850—1000.
1 N 323...29 0,4 50—100—200—350—500— 850—1000.
1 N 359...65 0,15 50—100—200—350—500—850— 1000.
1 N 440...45 0,75 100-200-300-400-500- 600.
1 N 530...35 0,3 100—200—300—400—500—600.
1 N 536...40 0,75 50-100-200-300-400.
1 N547 0,75 600.
1 N 550...55 0,5 100-200-300-400-500-600.
1 N 599...606 0,6 50—100—150—200—300—400—500—600.
1 N607...14 0,8 50—100—150—200—300—400—500—600.
1 N 645...49 0,4 275-360-480-600-700. - C = 6 pF.
1 N 676, 8 0,25 100—200.
1 N 683, 7 0,25 400-600.
1 N 846, 7 0,25 50-100.
1 N 848, 9 0,13 50-100.
1 N 1095, 6 0,75 500-600.
1 N 1100...3 0,75 100—200—300—400.
1 N 1115...20 1,5 100—200—300—400—500—600.
1 N 1124...28 3 200-300-400-500-600.
1 N 1133,7 0,4 1500-2400.
1 N 1140, 2,3 0,4 3600—4800—6000.
1 N 1183...90 35 50—100—150—200—300—400—500—600.
1 N 1191...98 20 50—100—200—300—400—500—600.
1 N1199 1206 12 50 100 150—200—300 400 500—600
1 N 1251...55 0,5 50-100-200-300-400.
1 N 1256...61 0,3 500—600—700—800—900—1000.
1 N 1341 48 В 6 50 100 150 200 300 400 500—600
1 N 1487...92 0,75 100-200-300-400-500-600.
1 N 1563...68 1,5 100—200—300—400—500—600.
1 N 1581 87 3 50 Ю0 200—300—400—500—600
1 N 1612...16 15 50—100—200—400—600.
1 N 1692...97 0,75 100—200—300—400—500—600.
1 N 1732...4 0,15 2000—3000—5000.
1 N 2069...71 0,75 200-400-600.
1 N 2072...79 0,75 50-100-150-200-250-300-400-500.
1 N 2080 86 0 5 50 100 200 300 400—500—600
1 N 2103...08 0,75 50—100—200—300—400—500.
1 N 2154...60 25 50—100—200—300—400—500—600.
1 N 2373, 4 0,25 600-1000.
1 N 2378 0,15 3000.
1 N 2379, 80 0,1 4000—6000.
Продолжение таблицы 8.6.1
Тип диода 'ном> Максимальное напряжение, В;
А применение
1 N 2381 0,08 10000.
1 N 2382...50 0,07 4—6—8—10 kV.
1 N 2482...4 0,75 200-400-600.
1 N 2485...9 0,75 200-300-400-500-600.
1 N 2501. ..4 0,15 800-1000-1200-1500.
1 N 2505...8 0,3 800—10ОО-1200—1500.
1 N 2609 17 0 75 50 100—200 300 400 500 600 800 1000
1 N 2858...64 0,75 50—100—200—300—400—500 —600.
1 N 2887, 91,97 0,25 1500—2000—2500.
1 N 2901, 05, 11 0,25 3000—3500—4000.
1 N2915, 19, 21 0,25 4500-5000-5500.
1 N 2923, 25 0,25 6000-6500.
1 N2901, 11, 19,23 0,25 3000-4000-5000-6000-8000-10000—12000.
1 N 3072...81 0,2 50-100-150-200-250-300-350-400-500—600.
1 N3082...4 0,5 200—400—600.
1 N 3189...91 1,25 200-400-600.
1 N3193...6 0,75 200-400-600-800.
1 N 3208...14 15 50—100—200—300—400—500—600.
1 N3260...66 160 50-100-150-200-250-300-350.
1 N 3267...73 160 400—500—600—700—800—900—1000.
1 N 3282...86 0,1 1000-1500-2000-2500-3000.
1 N 3289...96 100 200... 1200, de cent еп cent.
1 N 3491. ..95 25 10—100—200—300—400.
1N3544...9 0,6 100-200-300-400-500-600.
1 N 3569...74 3,5 100-200-300-400-500-600.
1 N 3611 14 1 240 480 720 900
1 N 3639...42 0,75 200—400—600—800.
1 N 3649, 50 3,3 800-1000.
1 N 3659...63 30 50—100—200—300—400.
1 N3670...3 12 700—800—900—1000.
1 N 3736...42 250 200-300-400-500-600—800—1000.
1 N 3670...73 А 12 700-800—900-1000.
1 N 3765...68 35 700—800—900—1000.
1 N 3874...78 6 50—100—200—300—400 — tr < 0 2 ms
1 N 3879...83 6 50—100—200—300—400. — tr < 0,2 ms.
1 N 3889...93 12 50—100—200—300 400 — tr < 0,2 ms
1 N 3899 03 20 50 100—200 300 400 -t<0 2ms
1 N 3909...13 30 50—100—200—300—400. — tr < 0,2 ms.
1 N 3938...42 2 200—400—600—800—1000.
1 N 3987...90 6 700—800—900—1000.
1 N 4001...07 1 50— 100—200—400—600—800—1000.
1 Н 4044...50 275 50—100—150—200—250—300—400.
1 N 4051. ..56 275 500-600-700-800-900-1000.
1 N4139 46 з 50 100 200 400—600 800 1000 1200
1 N 4264...69 1 100—200—300—400—500—600.
1 N 4374 1 1500.
1 N 4383...6 1 200—400—600—800—1000.
1 N 4506...11 12 200—400—600—800—1000—1200.
1 N 4525...30 35 200—400—600—800—1000—1200.
1 N 4585, 6 0,6 800-1000.
1 N4719 25 з 50 100 200 300 400 500—600—800—1000
1 N 4816...22 1,5 50—100—200—300—400—500—600.
1 N 4997...5003 3 ' 50—100—200—300—400—500—600—800—1000.
1 N 5052...4 1,5 700-800-1000.
1 N 5059...62 1 200-400-600-800.
1 N 5391 9 1 5 Г 50 100 200 300 400 500
1 N 5400...8 3 1 —600—800—1000.
Продолжение таблицы 8.6.1
Тип диода 'нОМ> А Максимальное напряжение, В; применение
1 N 5624...7 3 200-400-600-800.
1 RM 80, 150, 200 0,5 8000-15000-25000.
1 S 020...27 1,5 100-200—300-400-500—600-700.
1 S100, 1,3, 5, 0,75 100—200—400—600—800—1000.
7,9
1 S410,1,3,5,7 3 100-200-400-600-800.
1 S 420,1,3,5,7 10 100—200—400—600—800.
1 S 1553...5 0,3 70—55—35. — Toshiba.
1 S 1829, 30 1 800,1000. — Toshiba.
1 S 1832, 4, 5 0,8 1800—400—600. — Toshiba.
1 S 1885...8 1 100—200—400—600.
1 S 1941...4 0,5 100-200-400-600.
1 S2711 1.5 1500. — Toshiba.
2AF05, 1,2,4 12 50—100—200—400.
2С(‘) 20 (*) Vm x 100 V (200... 1000 V). — Cogie.
2Е(‘) 0,3 (*)Vmx 100 V (100...400 V). — I. R.
ЗС(‘) 30 (*) Vm x 100 V (200... 1000 V). — Cogie.
3FC) 3 (*) Vm x 10 V (50...1000 V). — 1. R.
5Е(’) 0,5 (*) Vm x 100 V (100...400 V). I. R.
6F(*) 6 (*)Vmx 10 V (50...1000 V). — I. R.
6 RM (*) 1,5 (*)Vmx100V.
8С(‘) 80 (*) Vm x 100 V (200...1600 V). — Cogie.
10 с о 100 (*)Vmx 100 V (200... 1600 V). — Cogie.
Ю D(*) 1 (*) Vm x 100 V (100... 1000 V). -1. R.
10...18 J2 0,5 50—100—200—300—400—500—600—800. — Sesco.
10...15R2 17,5 50—100—200—300—400—500. —Sesco.
12FO 12 (*) Vm x 10 V (50...1000 V). — I. R.
15 С О 150 (*) Vm x 100 V (200...1000 V). — Cogie.
16 F (*) 16 (*) Vm x 10 V (50...1000 V). — I. R.
20 С О 200 (*)Vmx 10 V (2000.. .1600 V). — Cogie.
20 С О 2 (*) Vm x 100 V (100...1000 V). — I. R.
22, 24, 26, 28, 30 R 2 20 200—400—600—800—1000. — Sesco.
25 С О 250 (*) Vm x 100 V (200...1000 V). — Cogie.
26, 28, 30 R 2 S 20 600-800-1000.
31,2,4,6,8, R 2 35 100—200—400—600—800. — Sescosem.
36, 38, 40 R 2 S 35 600 -800—1000. — Sescosem.
40 С О 400 (*) Vm x 100 V (200... 1200 V). — Cogie.
42,44,46,48 R 2 6 200—400—600—800. — Sesco.
46,48,50 R 2 S 6 600—800—1000. — Sesco.
62...67J2 0,4 200—300—400—500—600—700. — Sesco.
62,64,66,68 R 2 10 200—400—600—800. — Sesco.
66,68,70 R 2 S 10 600—800—1000. — Sesco.
70 Н О 70 (*) Vm x 10 V (50...1000 V). — I. R.
110 А О 0,6 Г (*)Vmx 100 V (500...800). — PourVeff
110ВО 1,5 t =18...280 V.— Silec.
162...169J2 0,4 200—300—400—500—600—700—800—900. — Sescosem.
250 WAR О 250 (*)Vmx 10 V (1200...2000 V).— I. R.
384 0 1.5 (*)A = 50, B= 100, C = 150,
388 (*) 1 D = 200, F = 300, H = 400,
398 (*) 3 К = 500, M = 600, P = 700, S = 800, Z = 1000. — Westinghouse.
Таблица 8.6.2. Сигнальные и коммутационные диоды
Тип диода имакс,В/1макс. мА Применение Тип диода имакс,В/1макс, мА Применение
АА111 40/10 ЕМ. ВА104 100/190 U. G.
АА112 20/45 ЕМ. ВА105 300/150 U. G.
АА113 65/50 ЕМ. ВА 108 50/190 U. G.
АА114 25/30 Viddo ВА127 60/100 U. G.
АА 116 30/24 Н. Е ВА128 . 75/50 —
АА117 115/50 U. G. ВА129 200/50 —
АА118 115/50 (D ВА130 30/10 —
АА119 45/35 Н.Е ВА133 1000/200 Aash
АА121 25/30 Н.Е ВА136 50/100 Int.
АА123 18/30 Е М. ВА137 150/100 (2)
АА130 10/20 U. G. ВА145 350/300 (31)
АА131 25/25 U. G. ВА 147/0 (*)/150 U.G.
АА132 110/150 U. G. ВА148 300/300 (31)
АА133 140/150 U.G ВА152 15/100 (29)
АА134 70/150 U.G. ВА154 50/115 U. G.
АА135 30/500 U. G. ВА155 150/30 U.G.
АА136 60/500 U. G. ВА157 400/250 С.
АА137 40/20 Н.Е ВА158 600/250 Rash
АА138 25/25 Н. Е ВА159 1000/250 (31)
АА139 20/200 U. G. ВА164 20/10 —
АА143 25/60 Е М. ВА165 20/100 (30)
АА144 90/60 — ВА166 20/50 и. G.
AAY 13 25/50 с. ВА167 25/50 U. G.
AAY18 55/75 4М. ВА170 20/150 U. G.
AAY21 15/20 С. R. ВА171 30/150 U. G.
AAY27 25/75 (3) ВА172 50/150 U. G.
AAY28 100/50 (4) ВА173 300/300 (31)
AAY41 30/500 С. ВА176 100/- (33)
AAY43 25/75 4М. ВА177 50/100 (29)
AAY46 70/75 4. М. ВА178 35/100 (29)
AAY48 10/50 С. R. ВА180 10/50 (18)
AAY49 40/200 С. (26) ВА181 20/50 (19)
AAY53 40/50 U. Н. Е ВА182 25/100 (30)
AAY54 40/50 U. Н. Е ВА184 300/1000 —
AAY55 40/50 V. Н. Е ВА185 400/1000 —
AAZ10 30/30 С. ВА186 450/1000 —
AAZ12 30/100 С. R. ВА187 50/2000 —
AAZ13 20/200 О) ВА188 100/2000 —
AAZ14 30/15 4. М. ВА189 150/200 U.G.
AAZ15 100/150 (8) ВА190 200/200 U.G.
AAZ17 50/150 (7) ВА191 20/50 Mod.
AAZ18 20/180 С. ВА 199/(‘) (*)400 U. G.
AD 10 10/40 — ВА204 50/150 U. G.
AD30 30/40 — ВА215 60/200 U. G.
AD50 50/40 — ВА216 10/90 U. G.
AD100 100/40 — ВА217 30/75 U.G.
AD150 150/40 — ВА218 50/75 U.G.
AD200 200/40 — ВА219 100/75 U.G.
АЕ10 10/60 — ВА220 100/100 U. G.
АЕЗО 30/60 — ВА221 30/400 U.G.
АЕ50 50/60 — ВА222 50/225 U. G.
АЕ100 100/60 — ВА 224/0 (*)/100 C.
АЕ 150 150/60 — ВА243 20/100 (29)
АЕ200 200/60 — ВА244 20/100 (30)
ВА100 60/90 и. G. ВА314 0/100 —
ВА 103 6/200 U.G. ВА316 10/225 U. G.
Тип диода имакс,В/1макс, мА Применение Тип диода имакс,В/1макс, мА Применение
ВА317 30/225 U. G. ВАХ 27 30/500 C. R.
ВА318 50/225 U.G. ВАХ 28 25/115 С. R. (5)
ВА379 20/100 (30) ВАХ 30 25/115 С. R. (6)
ВА382 40/- (30) ВАХ 33 30/10 2х(11)
BAV10 60/300 Мет. ВАХ 34 30/10 2х(12)
BAV17 25/250 U. G. ВАХ 35 30/10 2х(13)
BAV18 60/250 ' U. G. ВАХ 36 75/50 2 х (11)
BAV19 120/250 U.G. ВАХ 37 75/50 2х(12)
BAV20 180/250 U. G. ВАХ 38 75/50 2 х (13)
BAV21 250/250 U. G. ВАХ 39 30/10 4х(11)
BAV24 50/300 С. R. ВАХ 40 30/10 4х(12)
BAV39 100/50 2Р ВАХ 41 30/10 4х(13)
BAV45 20/50 (16) ВАХ 42 75/50 4х (11)
BAV74 50/150 2Р ВАХ 43 75/50 4х(12)
BAV54/O (*)/150 С. R. ВАХ 44 75/50 4х(13)
BAV55 150/350 С. ВАХ 45...51 60/500 (14)
BAV13 200/200 С. ВАХ 52, 53 60/500 4 Р.
BAW21 75/100 (17) ВАХ 54, 55 60/500 4М.
BAW24 25/150 С. R. ВАХ 56...73 60/500 (15)
BAW25 55/150 С. R. ВАХ 79 50/400 С. R.
BAW26 25/150 С. R. ВАХ 83 100/75 С. R.
BAW27 40/150 С. R. ВАХ 84, 5 50/75 С. R.
BAW28 30/200 С. R. ВАХ 86 А 50/75 С. R.
BAW 32 А 200/60 (32) ВАХ 86 В 30/75 С. R.
BAW 32 В 150/60 (32) ВАХ 87 40/75 U.G.
BAW32C 100/60 (32) ВАХ 88 20/75 U. G.
BAW32D 50/60 (32) ВАХ 89 А 20/75 С. R.
BAW 32 Е 10/60 (32) ВАХ 89 В 45/75 С. R.
BAW45 20/100 С. R. ВАХ 90 45/75 С. R.
BAW46 75/120 С. R. ВАХ 91 А 50/75 С. R.
BAW47 100/115 С. R. ВАХ 91 В, С 50/50 С. R.
BAW48 50/300 U. G. ВАХ 92...4 50/75 С. R.
BAW49 100/350 С. BAY 17 15/200 —
BAW50 200/350 С. BAY 18 60/200 —
BAW51 80/300 U. G. BAY 19 120/200 —
BAW52 200/300 U.G. BAY 20 180/200 —
BAW 53 30/225 С. R. BAY 21 300/125 и. G.
BAW54 50/300 С. R. BAY 31 15/100 С. R.
BAW55 75/300 С. R. BAY 32 150/170 —
BAW 56 30/50 С. R. BAY 38 50/115 С. R.
BAW58 100/80 С. BAY 39 75/450 Мет.
BAW 59 40/60 С. R. BAY 41 40/225 С. R.
BAW62 75/75 С. R. BAY 42 60/225 С. R.
BAW75 35/150 С. R. BAY 43 80/225 С. R.
BAW76 75/150 С. R. BAY 44 50/200 —
ВАХ 12 90/800 (17) BAY 45 150/200 —
ВАХ 13 50/150 U. G. BAY 46 200/200 —
ВАХ 15 180/250 С. BAY 60 25/115 С. R.
ВАХ 16 150/300 U. G. BAY 63 50/200 С. R.
ВАХ 17 200/200 U. G. BAY 67 35/200 Int.
ВАХ 18 75/350 U. G. BAY 68 30/200 С. R-
ВАХ 20 35/115 U. G. BAY 69 50/200 С. R.
ВАХ 21 75/115 U.G. BAY 71 50/115 С. R.
ВАХ 22 125/115 U.G. BAY 72 125/375 —
ВАХ 25 30/50 С. R. BAY 73 125/200 U.G.
ВАХ 26 30/100 С. R. BAY 74 50/300 —
Продолжение таблицы 8.6.2
Тип диода имакс,В/1макс, мА Применение Тип диода имакс,В/1макс, мА Применение
BAY 77 30/200 C. R. SFD 89 180/150 i (28)
BAY 82 15/50 С. R. SFD 104 25/30 Vid'eo
BAY 86 60/250 U. G. CFD 105 30/90 C. (21)
BAY 87 120/250 U.G. SFD 106 25/30 Vid'eo
BAY 88 350/250 U.G. SFD 108 115/50 U. G. (22)
BAY 89 500/250 U. G. SFD 112 40/20 H.F.
BAY 90 800/250 U. G. SFD118A 10/100 C. R. (23)
BAY 91 1500/250 U. G. SFD 121 10/100 C.(24)
BAY 92 600/100 C. SFD 122 25/150 C.(25)
BAY 93 25/75 C. R. SFD 129 В 40/200 C. (26)
BAY 94 35/115 C. R. SFD 143 70/75 U. G.
BAY 95 75/200 C. R. SFD 180 50/160 U. G. (27)
BAY 98 150/200 U.G. SFD 181 150/80 U. G.
EA403 35/150 C. R. SFD 183 70/75 C. R.
EB 383 75/225 U. G. SFS 185 50/200 C.
EC 401 100/225 (16) TID 31,33 50/150 c. r. ;
EC 402 50/225 (16) TID 32, 34 75/150 C. R.
FS19 25/150 C. TID35.37 50/150 C. R. ;
FS36 30/30 C. TID 38 75/150 C.R. 1
ITT 600 75/200 C. R. TID 40 250/225 C- /
ITT 601 50/200 C. R. TID 41 200/225 C.
ITT 700 30/50 C. R. TID 42, 43 150/225 C. i
ITT 777 15/50 C. R. TID 44 100/225 c. €
MC 19 150/200 -i 1 N34A 60/30 u.g. ;
MC 51 300/200 — 1 N38A 100/30 U. G.
MC 114 50/75 C. R. 1 N43 60/30 U.G. ’
MM 1 50/50 Mod. 1 N48 70/50 U. G.
OA5 100/115 U. G. 1 N51 40/30 U.G. j
OA7 25/140 C. 1 N52 70/50 U.G.
OA9 25/270 C. 1 N54A 50/30 U.G.
OA47 25/110 C. 1 N58A 100/30 U. G.
OA70 22/50 Vid'eo 1 N60 25/30 —
OA73 30/50 Vid'eo 1 N63 100/30 U.G. ,
OA79 45/35 H.F. 1 N64 15/30 U. G.
OA81 90/50 U.G. 1 N65 70/50 U.G. k
OA85 90/50 U. G. 1 N66 50/30 U. G. i
OA86 60/35 C. 1 N68A 100/30 U.G. '
OA90 20/8 Vid'eo 1 N69 60/30 U.G.
OA92 15/10 U. G. 1 N70A 100/30 U.G.
OA95 90/50 U. G. 1 N75 70/50 U. G. ‘
OA127 19/150 U.G. 1 N81 40/30 U.G.
OA128 35/150 U.G. 1 N 126A 75/30 U.G.
OA129 75/150 U. G. 1 N 127A 125/30 U.G. ,
OA130 135/150 U. G. 1 N128 50/30 U.G.
OA131 230/150 U.G. 1 N 191 70/30 U. G.
OA132 320/150 U.G. 1 N 192 50/30 U. G.
OA150 110/75 U.G. 1 N 198 100/30 U.G. f
OA154Q 55/75 M.A. 1 N251 30/75 C. *
CA200 50/160 U. G. 1 N270 100/90 U.G. j
OA202 . 150/160 U. G. 1 N277 100/150 U.G. I
RF 100, 1 SV 35/300 (29) 1 N294 60/30 —
SFD 43 30/75 U. G. 1 N295 40/35
SFD80 . 15/75 U. G. 1 N456 30/135. U.G.
SFD83 25/75 C. (20) 1 N457 60/110 U.G.
SFD 86 • 150/150 (28) 1 N458 150/80 U.G.
SFD88 200/150 (28) 1 N459 200/60 U.G.
Тип диода имакс,В/1макс, мА Применение Тип диода имакс,В/1макс, мА Применение
1 N461 30/90 U. G. 1 N 4311 80/250 С. R.
1 N 462 70/75 U. G. 1 N 4312 120/250 С. R.
1 N463 . 200/50 U. G. 1 N 4322 75/200 С. R.
1 N464 150/60 U. G. 1 N 4363 150/200 С.
1 N482 40/100 U. G. 1 N 4376 20/60 С. R.
1 N483 80/100 U. G.„ 1 N4444 70/100 С. R.
1 N484 150/100 U.G. 1 N 4445 75/10 С. R.
1 N485 200/100 U. G. 1 N4446 90/150 С. R.
1 N541.2 45/35 U. G. 1 N 4447 90/150 С. R.
1 N625 20/20 С. 1 N 4448 90/150 С. R.
1 N626 35/20 С. 1 N 4449 90/75 С. R.
1 N627 75/20 С. 1 N 4450 40/200 С. R.
1 N628 125/20 С. 1 N 4451 40/300 С. R.
1 N629 175/20 С. 1 N4452 40/600 С.
1 N636 45/30 U. G. 1 N 4454 75/75 С. R.
1 N643 175/40 С. 1 N 4531 75/10 С. R.
1 N659 50/100 С. 1 N 4532 75/10 С. R.
1 N660 100/100 С. 1 N 4533 40/20 С. R.
1 N661 200/100 С. 1 N 4534 75/20 С. R.
1 N662 80/40 С. 1 N4536 35/30 С. R.
1 N663 80/40 С. 1 N4606 85/250 С. R.
1 N914 75/75 С. (10) 1 N 4607 85/400 С. R.
1 N915 50/75 С. 1 N4608 85/450 С. R.
1 N916 75/75 С. 1 N4610 55/300 С. R.
1 N917 30/50 С. 1 N 4726 20/60 С. R.
1 N929 20/250 и. G. 1 N 4727 30/20 С. R.
1 N930 50/250 U. G. 1 N 4863 70/100 С. R.
1 N995 10/40 С. R. 1 N 4854 125/100 —
1 N 3062...6 50/75 — 1 N 4950 80/500 С. R.
1 N 3067 20/50 — 1 N 4951 20/25 2Р
1 N 3068 20/75 С. R. 1 N 4952 50/25 2Р
1 N 3069 50/75 С. R. 1 N 5219 30/50 С. R.
1 N 3070 175/100 С. R. 1 N 5220 30/50 С. R.
1 N 3071 150/225 С. R. 1 N 5282 80/500 С.
1 N3124 40/50 С. R. 1 N 5317 80/100 С. R.
1 N 3595 125/225 (16) 1 N 5318 75/200 С. R.
1 N 3596 20/30 С. R. 1 N 5319 40/100 С. R.
1 N 3600 50/200 С. R. 1 N5412 30/100 С. R.
1 N 3602 75/20 С. R. 1 N 5413 55/100 С. R.
1 N 3603 45/30 С. R. 1 N 5414 75/100 С. R.
1 N 3604 50/200 С. R. 1 N 5428 200/100 Н.С.
1 N 3605 40/150 С. R. 1 N 5429 200/200 Н. С.
1 N 3606 75/150 — 1 N 5430 75/200 Н. С.
1 N4009 25/115 С. R. 1 N 5431 80/500 Н. С.
1 N 4086 70/200 С. R. 1 N 5432 20/50 НС..
1 N 4092 50/100 U. G. 1 N 5711 55/35 U. G.
1 N 4148 90/75 С. R. 1 N 5712 16/20 U. G.
1 N 4149 90/75 С. R. 1 N 5713 12/20 U. G.
1 N4150 50/150 С. R. 1 N 5719 150/100 С.
1 N4151 75/200 С. R. 1 N 5720 30/50 U. G.
1 N4152 40/150 — 1 N 5721 15/50 U. G.
1 N4153 75/150 — 1 N 5726 60/500 С.
1 N4154 35/115 С. R. 1 N 5727 50/500 С.
1 N4244 20/50 С. R. 12Р2 200/60 С.
1 N 4305 75/10 С. R. 13 Р1 20/150 и. G.
1 N 4308 80/250 С. R. 13Р2 200/40 С.
Окончание таблицы 8.6.2
Тип диода имакс,В/1макс, мА Применение Тип диода имакс,В/1макс, мА Применение
14 Р1 60/150 U.G. 28 J 2 10/60 U. G.
14 Р 2 150/40 С. 28 Р1 40/100 U. G.
15Р1 100/150 U. G. 29Р1 40/100 U. G.
15Р2 100/40 С. 30 Р1 35/150 U. G.
16Р1 150/150 U. G. 30 Р4 50/75 C.R.
16Р2 50/40 С. 31 Р1 100/150 U. G.
17 Р 2 30/40 С. 31 Р4 100/75 С. R.
18Р2 10/40 С. 33 Р1 30/30 U. G.
19Р 1 15/200 U. G. 34 Р 4 20/115 С. R.
19Р2 10/60 С. 35 Р1 75/200 U. G.
23 J 2 200/60 U. G. 35 Р4 45/115 С. R.
24 J 2 150/60 U. G. 36 Р4 90/115 С. R.
25 J 2 100/60 U. G. 37 Р4 45/115 С. R.
25 Р1 50/25 U. G. 85 Р1 100/150 U. G.
26 J 2 50/60 U. G. 134Р4 20/115 С. R.
26 Р 1 50/50 U. G. 135 Р 4 45/115 С. R.
27 J 2 30/60 U.G 136 Р 4 90/115 С. R.
27 Р 1 35/100 U. G. 137 Р 4 45/115 С. R.
Таблица 8.6.3. Варикапы
Тип диода имакс, В Смин... Смаке, пФ Применение Тип диода имакс, В Смин... Смаке, пФ Применение
ВА101 25 8,..50 — ВВ 104 В 30 14...40 V.H.F.
ВА 102 20 15...60 V.H.F. ВВ105А 28 3...20 U.H.F.
ВА110 30 6,3...10 V.H.F. ВВ 105 В 28 2...20 U.H.F.
BA110G 60 6...18 V.H.F. ВВ 105G 28 2...20 V.H.F.
ВА111 20 35...55 V.H.F. ВВ106 28 5...25 V.H.F.
ВА112 20 60...100 — ВВ 109 G 28 5...28 V.H.F.
ВА121 30 4...15 U.H.F. BB110G 30 11...28 V.H.F.
ВА124 30 25...80 V.H.F. ВВ 110 В 30 11...32 V.H.F.
ВА125 30 18...40 H.F. ВВ 113 32 13...250 H.F.
BA138G 30 4,5...11 V.H.F. ВВ 121 28 2...17 U.H.F.
BA138R 30 4,7...12 V.H.F. ВВ 122 28 2...20 U.H.F.
ВА138В 30 5...13 V.H.F. ВВ 141 28 2...19 U.H.F.
ВА139 28 3...22 U.H.F. ВВ 142 28 2...18 U.H.F.
ВА140 28 3...22 V.H.F. BB204G 30 13...35 V.H.F. «
ВА 141 30 2,5...12 U.H.F. ВВ204В 30 15...40 V.H.F. *
ВА142 30 2,7... 14 V.H.F. ВВ 209 28 3...21 V.H.F.
ВА149 50 3...7 U.H.F. ВВ 305 В 35 2...10 U.H.F.
ВА150 25 25...55 V.H.F. BB305G 35 2...9 U.H.F.
ВА 161 30 2,5...12 U.H.F. BBY10 35 3...15 H.F.
ВА162 30 2,5...13 V.H.F. BBY11 35 4...20 H.F.
ВА 163 14 10...200 H.F. BBY12 35 7...30 H.F.
BAY 35 —• 90...100 Mod. BBY13 35 10...40 H.F.
BAY 70 30 3...8 — BBY14 35 15...60 H.F.
ВВ 100 25 6...10 V.H.F. BBY15 35 20...80 H.F.
ВВ 100GVE 35 4...10 V.H.F. MV104 30 15...40 V.H.F.
ВВ 100GBE 35 5...13 V.H.F. MV 1401 12 40...550 H.F.
ВВ 100GRG 35 6...15 V.H.F. MV 1403 12 17...175 H.F.
ВВ 102 50 7...18 V.H.F. MV 1404 12 12...120 H.F.
ВВ 103G 30 11...29 V.H.F. MV 1405 12 25...250 H.F.
ВВ103В 30 11...31 V.H.F. MV 1620 20 4...8 H.F.
ВВ 104G 30 14...37 V.H.F. MV 1622 20 5...10 H.F. j
Тип диода имакс, В Смин... Смаке, пФ Применение Тип диода имакс, В Смин .. Смаке, пФ Применение
MV 1624 20 6...12 H.F. SC 180 13 2400 «Transitron»
MV 1626 20 7...15 H.F. SC 200 10 2600 «Transitron»
MV 1628 20 8...18 H.F. TF145 20 4...11 VH.F
MV 1630 20 9...20 H.F. TIV 306 20 3...7 V.H.F.
MV1632 20 10...22 H.F. TIV307 20 4...Э VH.F.
MV 1634 20 12...27 H.F. TIV 308 20 6...15 V.H.F.
MV 1636 20 15...33 H.F. VA124 50 6...22 H.F.
MV1638 20 18...39 H.F. VA127 25 15...47 H.F.
MV1640 20 22...47 H.F. VA128 50 12...47 H.F.
MV 1642 20 27...56 H.F. VA132 25 5...15 H.F.
MV1644 20 33...68 H.F. VA133 25 10...33 H.F.
MV 1646 20 39...82 H.F. VA134 25 22...68 H.F.
MV 1648 20 47...100 H.F. VA135 50 4...15 H.F.
MV 1650 20 56...120 H.F. VA136 50 8 ..33 H.F.
MV 1652 20 47... 120 H.F. VA137 50 16...68 H.F.
MV 1654 20 56...150 H.F. VA138 25 3...10 H.F.
MV1656 20 68...180 H.F. VA139 50 2.5...10 H.F.
MV 1658 20 75..-200 H.F. VA156 25 3...10 H.F.
MV 1660 20 82...220 H.F. VA157 25 5...15 H.F.
MV 1662 20 110...250 H.F. VA158 25 7-22 H.F.
MV 1664 20 120...270 H.F. VA159 25 10...33 H.F.
MV 1666 20 150...330 H.F. VA160 25 15...47 H.F.
MV2101 30 4...10 H.F. VA161 25 22...68 H.F.
MV2102 30 5...12 H.F VA 169, 71 50 25...100 H.F.
MV2103 30 6...15 H.F. VA 172, 3 25 30...100 H.F.
MV2104 30 7...18 H.F. VA300, 1 200 15...100 H.F.
MV2105 30 8...22 H.F. VA 302,3 200 10...68 H.F.
MV2106 30 9...27 H.F. VA 304,5 200 7...47 H.F.
MV2107 30 11...33 H.F. 1 N 5139 60 2,3...6,8 V.H.F.
MV2108 30 13...39 H.F. 1 N 5140 60 5,3...10 V.H.F.
MV2109 30 15...47 H.F. 1 N 5141 60 4,1...12 VH.F
MV2110 30 18...56 H.F. 1 N 5142 60 5,2...15 V.H.F.
MV2111 30 22...68 H.F. 1 N 5143 60 6,2...18 V.H.F.
MV2112 30 27...82 H.F. 1 N 5144 60 7,1...22 V.H.F
MV2113 30 33...100 H.F. 1 N 5145 60 8,7...27 V.H.F.
MV2114 30 39...120 H.F. 1 N 5146 60 11. .33 V.H.F.
MV2115 30 47...150 H.F. 1 N 5147 60 13...39 V.H.F.
MV3501 30 3...8 V.H.F. 1 N 5148 60 15...47 V.H.F.
MV3502 30 4...10 V.H.F. 1 N 5441, 61 A 30 3...7 H.F.
MV 3503 30 5...12 V.H.F. 1 N 5442, 62 A 30 3...8 H.F.
MV 3504 30 6...15 V.H.F. 1 N 5443, 63 A 30 4...10 H.F.
MV3505 30 7...19 V.H.F. 1 N 5444, 64 A 30 5...12 H.F.
MV 3506 30 8...24 V.H.F. 1 N 5445, 65 A 30 6...16 H.F.
MV3507 30 9...28 V.H.F. 1 N5446, 66 A 30 7...18 H.F.
1 S 1650, 1 40 28...80 H.F. 1 N5447, 67 A 30 7...20 H.F.
1 S 1658 20 18...32 V.H.F. 1 N 5448, 68 A 30 8...22 H.F.
1 S 2094 18 7...10 U.H F 1 N 5449, 69 A 30 10...27 H.F.
1 S 2789 28 2,5...12 U.H.F 1 N 5450, 70 A 30 12...33 H.F.
RF400 35 5...10 V.H.F. 1N 5451,71 A 30 14...39 H.F.
RF401 35 3,5...7 V.H.F. 1 N 5452, 72 A 30 16...47 H.F.
SC47 "25 690 «Transitron» 1 N 5453, 73 A 30 18...56 H.F.
SC56 20 800 «Transitron» 1 N 5454, 74 A 30 22...68 H.F.
SC68 15 930 «Transitron» 1 N 5455, 75 A 30 27-82 H.F.
SC82 15 1120 «Transitron» 1 N 5456, 76 A 30 33-100 H.F.
SC100 15 1440 «Transitron» 1 N 5747 100 150-680 H.F.
SC 120 15 1640 «Transitron» 1 N 5718 100 300-1400 H.F.
SC150 15 2000 «Transitron»
8.7. ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ МОЩНЫХ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ ФИРМЫ «МОТОРОЛА»
Таблица 8.7.1. Типы корпусов транзисторов, их энергетические характеристики
No корпуса Внешний вид транзистора Тип корпуса k. A U-э, В Рк,Вт
1 ТО-204АА (ТО-3) Case 1-07 2,5-30 40-1500 36-250
2 ТО-204АЕ Case 197А-03 40-60 60-500 250-300
3 TO-205AD (ТО-39) Case 79-04 0,5-5,0 40-400 5,0-10
ТО-213АА
4 (ТО-66) Case 80-02 1,0-10 40-325 20-90
5 DPAK Case 369-06 0,5-10 40-400 12,5-20
6 DPAK Case 369А-Ю 0,5-10 40-400 12,5-20
-аДУГУД ISOLATED
7 TO-218 TYPE Case 340B-03 8-15 400-700 50
8 TO-218 TYPE Case 340D-01 6,0-25 60-850 100-150
9 TO-220AB Case 221A-06 0,5-15 30-1800 15-25
10 ISOLATED TO-220 TYPE Case 221D-02 5-12 80-550 40-45
11 TO-225AA TO-126 TYPE Case 77-07 0,3-5,0 25-400 12,5-40
12 Case 152-02 0.5-Я0 30-300 10
13 Case 340F-03 TO-247 TYPE 10-15 100-1500 100-200
14 TO-3PBL Case 340G-01 15-25 60-1000 150-200
Таблица 8.7.2. Параметры транзисторов в корпусе № 10 табл. 8.7.1 (рис. 8.7.1)
'к. А. макс Ц<-э-В Ц<-э> В, имп. Тип проводимости ^21е* мин, макс lK-A В Ц<-Б. В FT. МГц, мин P, ВТ, 25'C
п~р~п р-п-р
1 250 MJF47 30/150 0,3 5 350 10 28
1,5 200 2SC3298B 2SA1306B 70/240 0,1 5 200 100typ 20
2 400 700 BUL44F 14/36 0,4 9 12typ 20
1000 MJF18002 14/36 0,2 9 12typ 20
3 100 MJF31C MJF32C 10 min 1 3 28
5 100 MJF122 MJF127 2000 min 3 5 100 4 28
400 700 BUL45F 16/40 1 9 12typ 25
450 1000 BUT11AF 10 min 0,005 3 40
1000 MJF16002 5 min 5 6 40
1000 MJF18004 14/36 1 9 12typ 25
6 250 550 MJF16204 5 min 6 8 10 45
8 80 MJF6107 30/90 2 5 80 4 35
150 MJF15030 MJF15031 40 min 3 5 150 30 35
400 700 MJF13007 5/30 5 9 4 40
700 BUL146F 14/36 1,5 9 12typ 40
450 1000 MJF18006 14/36 1,5 3 12typ 40
10 60 MJF3055 MJF2955 20/100 4 5 2 40
80 MJF44H11 MJF45H11 40/100 4 40 35
100 MJF6388 MJF6668 3k/20k 3 5 100 20 40
400 700 BUL147F 14/36 2 9 12typ 45
450 1000 MJF18008 16/36 2 9 12typ 45
12 400 700 MJF13009 6/30 8 9 8 40
Таблица 8.7.3. Параметры транзисторов в корпусе № 7 табл. 8.7.1 (рис. 8.7.2)
/к, А, макс ^К-Э‘ В Цс-Э" В, имп. Тип проводимости Ъ21е» МИН, макс /к> A иЭ-Б-В Ц<-Б. В FT, МГц, мин Р, ВТ, 25"CI
п-р-п р-п-р
8 500 1000 MJF1606A 5 min 8 50
10 400 MJF10012 100/12k 6 8 600 50
650 1500 MJF16212 4/10 10 8 2,75 typ 50
800 1500 MJF16018 4 min 5 5 50
12 500 1200 MJF16206 5/13 10 8 3typ 50
15 500 1000 MJF16010 5 min 15 8 50
1000 MJF16210 5/13 15 8 2,5 typ 50
Рис. 8.7.2
Таблица 8.7.4. Параметры транзисторов в корпусе № 9 табл. 8.7.1 (рис. 8.7.3)
'к-А, макс Ц<-Э' В мин Тип проводимости h21e-МИН, макс 'к-А иЭ-Б’ В иК-Б. В Ft-МГц, МИН Р, ВТ, 25‘С
п-р-п р-п-р
0,5 350 MJE2360T 15 min 0,1 6 375 10 typ 30
MJE2361T 40 min 0,1 6 375 10 typ 30
1 80 TIP29B TIP30B 15/75 1 5 80 3 30
100 TIP29C TIP30C 15/75 1 5 100 3 30
250 TIP47 30/150 0,3 5 350 10 40
300 TIP48 MJE5730 30/150 0,3 5 400 10 40
350 TIP49 MJE5731 30/150 0,3 5 450 10 40
400 TIP50 MJE5731A 30/150 0,3 5 500 10 40
Рис. 8.7.3
Продолжение таблицы 8.7.4
'к макс Ц<-Э' В МИН Тип проводимости Л21е МИН, макс A иЭ-Б. В иК-Б. В Pn МГц, мин P, ВТ, 25*C
п-р-п р-п-р
2 60 BD239A BD240A 15 min 1 5 70 3 30
TIP110 TIP115 500 min 2 5 60 25 50
80 ВО239В BD240B 15 min 1 5 90 3 30
TIP111 Т1Р116 500 min 2 5 80 25 50
100 BD239C BD240C 25 min 1 5 115 3 30
TIP112 TIP117 500 min 2 5 100 25 50
400\700 BUL44 14/36 0,4 9 12typ 40
450\1000 BUX85 30 0,1 5 4 50
450\1000 MJE18002 14/36 0,2 9 12typ 40
900\1800 MJE1320 3 min 1 9 80
3 60 BD241A ВО242А 25 min 1 1,8 3 40
TIP31A TIP32A 25 min 1 5 80 3 40
80 BD241B BD242B 25 min 1 1,8 3 40
TIP31B TIP32B 25 min 1 5 80 3 40
100 BD241C BD242C 25 min 1 5 100 3 40
150 MJE9780 50/200 0,5 8 200 5typ 40
4 40 MJE1123 45/100 4 5 75
60 BD535 BD536 25 min 2 5 60 3 50
MJE800T MJE700T 750 min 1,5 5 60 1 40
80 D44C12 D45C21 40/120 0,2 5 40typ 30
300/600 MJE13004 6/30 3 9 4 60
400/700 MJE13005 6/30 3 9 4 60
5 60 TIP120 TIP125 1k min 3 5 60 4 65
80 TIP121 TIP126 1k min 3 5 80 4 65
100 TIP122 TIP127 1k min 3 5 100 4 75
250 2N6497 10/75 2,5 6 350 5 80
300 2N6498 10/75 2,5 6 400 5 80
400/700 BUL45 16/40 1 9 12typ 100
400 BUV46 5 min 3,5 6 12 85
250/550 MJE16204 5 min 6 8 10 80
7 30 2N6288 2N6111 30/150 3 5 40 4 40
50 2N6109 30/150 2,5 5 60 4 40
60 BD797 BD798 25 min 3 5 60 3 65
70 2N6292 2N6107 30/150 2 5 80 4 40
80 BD799 BD800 15 min 3 5 80 3 65
100 BD801 BD802 15 min 3 5 100 3 65
150 BU407.D 30 min 1,5 6 330 10 60
200 BU406.D 30 min 1,5 6 400 10 60
375 BU522 250 min 2,5 5 400 7,5 75
425 BU522A 250 min 2,5 5 450 7,5 75
450 BU522B 250 min 2,5 5 475 7,5 75
8 60 2N6043 2N6040 1k/10k 4 5 60 4 75
BDX53A BDX54A 750 min 3 5 60 4 60
- BD897 BD898 750 min 3 5 60 1 70
BD897A ВО898А 750 min 4 5 60 1 70
TIP100 TIP105 1k/20k 3 5 60 4 80
80 2N6044 2N6041 1k/10k 4 5 80 4 75
BDX53B BDX54B 750 min 3 5 80 4 60
BD899 BD900 750 min 3 5 80 1 70
BD899B BD90B 750 min 4 5 80 1 70
TIP101 TIP106 1k/20k 3 5 80 4 80
'к макс Ц<-Э-В МИН Тип проводимости л21е-МИН, макс ZK' A иЭ-Б. В иК-Б-В МГц, мин P, ВТ, 25'C
п-р-п р-п-р
100 2N6045 2N6042 1k/10k 3 5 100 4 75
BDX53C BDX54C 750 min 3 5 100
BD901 BD902 750 min 3 5 100 1 70
TIP102 TIP107 1k/20k 3 5 100 4 80
120 MJE15028 MJE15029 20 min 4 5 120 30 50
150 MJE15030 MJE15031 20 min 4 5 150 30 50
- BU807 100 min 5 6 330 60
200 BU806 100 min 5 6 400 60
8 300/600 MJE13006 5/30 5 4 80
MJE5740 200 min 4 8 600 4 80
MJE5850 15 min 2 6 350 80
350 MJE5741 200 min 4 8 700 80
MJE5851 15 min 2 6 400 80
400/700 BUL146 14/36 2 9 12typ 100
MJE5742 200 min 4 8 800 80
400/700 MJE13007 5/30 5 9 80
MJE5852 15 min 2 8 400 80
400/650 MJE16106 6/22 8 6 100
450/1000 BUT56A 10 min 2 8 12 100
450/1000 MJE18006 14/36 1,5 9 12typ 100
550 BUT47C 8 min 2 12 100
10 20 MJE5420Z 6k min 6 12 32 100
60 BDX33A BDX34A 750 min 4 5 60 3 70
BD807 В0808 15 min 4 5 60 1,5 90
D44H8 D45H8 40 min 4 5 60 50
MJE3055T MJE2955 20/70 4 5 60 75
2N6387 2N6667 1k/20k 5 5 60 20 65
80 BDX33B BDX34B 750 min 3 5 80 3 70
BD809 BD810 15 min 4 5 80 1,5 90
D44E3 1000 min 5 5 80 50
2N6388 2N6668 1k/20k 5 5 80 20 65
D44H10 D45H10 20 min 4 5 80 50typ 50
D44H11 D45H11 40 min 4 5 80 50typ 50
100 ВОХЗЗС BDX34C 750 min 3 5 100 3 70
400/700 BUL147 14/36 2 9 12typ 125
450/1000 MJE18008 16/36 2 9 12typ 125
12 300/600 MJE13008 6/30 8 4 100
400/700 MJE13009 6/30 8 9 4 100
15 60 2N6487 2N6490 20/150 5 5 70 5 75
80 2N6488 2N6491 20/150 5 5 90 5 75
BDW42 BDW46 Ik min 5 5 100 4 85
D44VH10 D45VH10 20 min 4 7 50typ 83
100 BDW42 BDW47 1k min 5 5 100 4 85
бе А, макс 1/к.э, В МИН Тип проводимости ъ21е-МИН, макс 'к. A иЭ-Б, В ^К-Б-В Ft-МГц, МИН Р, ВТ, 25’С
п-р-п р-п-р
5 450/1000 MJH16002 5 min 5 6 100
450/850 MJH16004 7 min 5 6 100
8 500/1000 MJH16002A 5 min 5 6 100
450/850 MJH16006 5 min 8 6 125
450/850 MJH16008 7 min 8 6 125
500 BUT50? 30 mm 2 В 100
500/1000 MJH16006A 5 min 8 6 125
700/1500 BU508A 2,25 min 4,5 5 7 125
10 60 TIP140 TIP145 500 min 10 5 4 125
80 TIP33B Т1Р34В 20 min 3 3 80
TIP141 TIP146 500 min 10 5 4 125
100 BDV65B BDV64B 1k min 5 125
TIP33C TIP34B 20 min 3 3 80
TIP142 TIP147 500 min 10 5 4 125
250 BU323AP 150 min 6 125
400 MJH10012 100/2И 6 118
15 60 TIP3055 TIP2955 5 min 10 4 100 2,5 80
150 MJH11018 MJH11017 400/15k 10 5 150 3 150
200 MJH11020 MJH11019 400/15k 10 5 200 3 150
250 MJH11022 MJH11021 400/14k 10 5 250 3 150
400 BUV48 8 min 10 7 850 150
450 BUV48A 8 min 8 7 1000 150
500 BUT52P 40 min 5 125
16 140 NJE434'2 MJE4352 15 min 8 7 140 1 125
160 MJE4343 MJE4353 15 min 8 7 160 1 125
20 60 MJH6282 MJH6285 750/18k 10 5 60 4 125
80 MJH6283 MJH6286 750/18k ~10 5 80 4 125
100 MJH6284 MJH6287 750/18k 10 5 100 4 125
25 60 BD249 10 min 15 5 60 3 125
TIP35A TIP36A 10/75 15 5 60 3 125
80 BD249B 10 min 15 5 60 3 125
TIP35B TIP36B 10/75 15 5 60 3 125
100 BD249C BD250C 10 min 15 5 100 3 125
TIP35C TIP36C 10/75 15 5 100 3 125
\,к Б 1 1/ (7// CASE 34Ю-01 К <£. J (TD-218 Type, SOT-93) С о Рис. 8.7.4
13. Усилители, радиоприемники
Таблица 8.7.6. Параметры транзисторов в корпусе № 13 табл. 8.7.1 (рис. 8.7.5)
/к, А, макс V Ц<-Э’ В, имп. Тип проводимости п-р-п р-п-р ^21е-МИН, макс 6<> A В Ц<-Б-В Гт, МГц, мин P, ВТ, 25"C
10 650 1500 MJW16212 4/10 10 8 150
800 1500 MJW16018 4 min 5 6 3typ 150
12 500 1200 MJW16206 5/13 10 8 3typ 150
15 400 650 MJW6678 8 min 15 8 125
400 650 MJW16110 6/20 10 6 135
450 850 MJW16010 5 min 15 6 150
850 MJW16012 7 min 15 6 150
500 1000 MJW16010A 5 min 15 6 150
1000 MJW16210 5/13 15 6 2,5 typ 150
30 450 1000 MJW18020 8 min 20 180
Рис. 8.7.5
Таблица 8.7.7. Параметры транзисторов в корпусе № 14 табл. 8.7.1 (рис. 8.7.6)
'к макс Ц<-э-В, МИН Тип проводимости л21е-МИН, макс 'к-А иЭ-Б> В Ц<-Б. В ^т> МГц, мин Р, ВТ, 25’С
п-р-п р-п-р
15 200 2SC3281 2SA1302 55/160 1 5 200 30 typ 150
макс V мин Тип проводимости Л21е’ мин, макс A О'э-Б-В иК-Б-В МГц, мин Р, ВТ, 25"С
п-р-п р-п-р
0,3 350 MJE3439 40/160 0,02 5 450 15 15
0,5 150 MJE341 25/200 0,05 3 175 15 20,8
200 MJE344 30/300 0,05 5 200 15 20,8
250 2N5655 30/250 0,1 6 275 10 20
BD157 30/240 0,05 3 20
300 BD158 30/240 0,05 3 20
MJE340 MJE350 30/240 0,05 3 20,8
2N5656 30/250 0,1 6 325 10 20
350 2N5657 30/250 0,1 6 375 10 20
В0159 30/240 0,05 3 20
1 40 2N4921 2N4918 20/100 0,5 5 40 3 30
60 2N4922 2N4919 20/100 0,5 5 50 3 30
80 2N4923 2N4920 20/100 0,5 5 80 3 30
1,5 45 BD165 BD166 15 min 0,5 5 40 6 20
BD135 BD136 40/250 0,15 5 45 12,5
60 BD137 BD138 40/250 0,15 5 60 12,5
80 BD169 BD170 15 min 0,5 5 80 6 20
В0139 В0140 40/250 0,15 5 100 12,5
BD140.10 63/160 0,15 12,5
300 MJE13002 5/25 1 9 5 40
400 MJE13003 5/25 1 9 5 40
2 60 BD235 BD236 25 min 1 5 60 3 25
80 BD237 25 min 1 5 100 3 25
100 MJE270 MJE271 1,5k min 0,12 5 100 6 15
3 60 MJE181 MJE171 50/250 0,1 7 80 50 12,5
80 BD179 В0180 40/250 0,15 5 80 3 30
MJE182 MJE172 50/250 0,1 7 100 50 12,5
200 BUY49P 30 min 0,5 25 20
4 40 MJE521 MJE371 40 min 1 4 40 40
45 BD437 BD438 40 min 2 5 115 3 36
BD778 750 min 2 20 15
60 BD440 25 min 2 3 36
BD677 BD678 750 min 1,5 40
BD677A BD678A 750 min 2 40
BD787 BD788 20 min 2 50 15
BD777 BD778 750 min 2 20 15
2N5191 2N5194 25/100 1,5 2 40
MJE800 MJE700 750 min 1,5 5 60 1 40
2N6038 2N6035 750/18k 2 25 40
80 2N5192 2N5195 25/100 1,5 2 40
BD441 BD442 15 min 2 5 80 3 36
BD679 BD680 750 min 1,5 40
BD679A BD680A 750 min 2 40
BD789 BD790 10 min 2 40 15
BD779 ' BD780 750 min 2 20 15
MJE240 MJE250 40/200 0,2 7 80 40 15
Окончание таблицы 8.7.8
fc макс Цс-Э’ В МИН Тип проводимости ^21е мин, макс ‘к-A иЭ-Б' В Ц<-Б. В Рг-МГц, МИН Р, ВТ, 25°С
п-р-п р-п-р
MJE241 MJE251 40/120 0,2 1 80 40 15
MJE802 MJE702 750 min 1,5 5 80 1 40
MJE803 MJE703 750 min 2 5 80 1 40
4N6039 2N6036 750/18k 2 25 40
100 BD681 BD682 750 min 1,5 40
BD791 BD792 10 min 2 40 15
MJE243 MJE253 40/120 0,2 7 100 40 15
5 25 MJE200 MJE210 45/180 2 8 40 65 15
ВАРИАНТ!:
1—Эмиттер
2—Коллектор 3—База
ВАРИАНТ 2:
1—Б.
2—Е -
3—Э
Рис. 8.7.7
Таблица 8.7.9. Параметры транзисторов в корпусе № 12 табл. 8.7.1 (рис. 8.7.8)
'к-А, макс Ц<-Э’ В, мин Тип проводимости л21е МИН, макс 'к-A О'э-Б-В Ц<-Б. В Г-п МГц, мин Р, ВТ, 25’С
п-р-п р-п-р
0,5 300 MPSU10 MPSU60 30 min 0,03 6 300 45 10
0,8 40 MPSU02 MPSU52 30 min 0,5 5 60 100 10
1 120 MPSU03 40 min 0,01 5 100 35 10
180 MPSU04 40 min 0,01 5 180 35 10
2 30 MPSU01 MPSU51 50 min 1 5 40 50 10
40 MPSU01A MPSU51A 50 min 1 5 50 50 10
MPSU45 MPSU95 4k min 1 10 50 10
60 MPSU05 MPSU55 60 min 0,25 4 60 50 10
80 MPSU06 MPSU56 60 min 0,25 4 30 50 10
100 MPSU07 MPSU57 30 min 0,25 4 100 50 10
Рис. 8.7.8
Таблица 8.7.10. Параметры транзисторов в корпусе № би №5 табл. 8.7.1 (рис. 8.7.9)
/к-А, макс V’ мин Тип проводимости h21 е-МИН, макс ZK> A О'Э-Б-В О'к-Б-В МГц, мин Р, ВТ, 25'С
п-р~п р-п-р
0,5 300 MJD340 MJD350 30/240 0,05 3 300 15
1 250 MJD47 30/150 0,3 5 350 10 15
350 MJD5731 30/175 0,3 5 350 10 15
400 MJD50 30/150 0,3 5 500 10 20
1,5 400 MJD13003 5/25 1 9 700 4 15
2 100 MJD112 MJD117 1000 min 2 5 100 25 20
3 40 MJD31 MJD32 10 min 1 5 40 3 15
100 MJD31C MJD32C 10 min 1 5 100 3 15
4 45 MJD148 30 min 4 5 45 3 20
80 MJD6039 MJD6036 1k/12k 2 5 80 25 20
100 MJD243 MJD253 40/180 0,2 7 100 40 12,5
5 25 MJD200 MJD210 45/180 2 8 25 65 12,5
6 100 MJD41C MJD42C 15/75 3 5 100 3 20
8 80 MJD44H11 MJD45H11 40 min 4 5 50 typ 20
100 MJD122 MJD127 1k/12k 4 5 100 4 20
10 60 MJD3055 MJD2955 20/100 4 5 70 2 20
80 ...JU4463 Ik min 5 7 20
CASE:369A-10(«>
3 3
Рис. 8.7.9
fc макс V’ мин Тип проводимости ^21е« МИН, макс /K-A 1>Э-Б-В Vk-б-В М?Ц, МИН Р, ВТ, 25’С
п-р-п р-п-р
4 200 МЛ 5018 МЛ 5019 30 min 1 8 200 20 150
250 МЛ 5020 МЛ 5021 30 min 1 7 250 20 150
5 500/1000 МЛ6002А 5 min 5 6 1000 125
700/500 BU208A 2,5 min 4,4 5 4 typ 90
8 100 2N5758 25/100 3 7 100 1 150
8 60 MJ1000 MJ900 1k min 3 5 60 90
2N6055 2N6053 750/18k 4 5 60 4 100
80 МЛ 001 MJ901 5/20 3 5 80 90
2N6056 2N6054 15 min 4 5 60 4 100
380 MJ6308 5 min 8 10 700 125
400 MJ6503 15 min 2 60 125
450/850 МЛ 6006 5 min 8 60 150
450/1000 МЛ 6008 7 min 8 60 150
500/1000 МЛ6006А 5 mln 8 5 150
10 40 2N6383 2N6648 1k/20k 5 5 80 20 100
60 2N3715 2N3791 30 min 3 7 80 4 150
2N5877 2N5875 20/100 4 5 60 4 150
MJ3000 MJ2500 1k min 5 5 60 150
80 2N3716 2N3792 30 min 3 7 100 4 150
2N5878 2N5876 20/100 4 5 80 4 150
MJ3001 MJ2501 Ik min 5 5 80 150
140 2N3442 20/70 4 7 160 117
10 200 ГМ410 30/90 1 5 200 2,5 100
250 МЛ 5011 МЛ 5012 20/100 2 5 250 200
300 MJ3041 250 min 2,5 8 300 175
325 MJ413 20/80 0,5 5 400 2,5 125
MJ423 30/90 1 5 400 2,5 125
350 МЛ 3014 8/20 5 6 550 150
МЛ 0006 30/300 5 8 10 150
400 BU323A 150 min 6 8 600 175
МЛ0007 30/300 5 8 10 150
МЛ 0012 100/2k 6 8 600 175
МЛ 3015 8/20 5 6 150
600 МЛ 0014 10/250 10 8 175
800/1500 МЛ 6018 4 min 5 6 150
12 60 2N6057 2N6050 750/18k 6 5 60 4 150
80 2N6058 2N6051 750/18k 6 5 80 4 150
100 2N6059 2N6052 750/18k 6 5 100 4 150
1
<
ь, макс Ц<-Э’ В, МИН Тип проводимости л21е-мин, макс ZK’ A иЭ-Б> В Й(-Б. В Ft, МГц, МИН Р, ВТ, 25"С
п-р-п р-п-р
15 60 2N3055 MJ2955 20/70 4 7 100 2,5 115
2N3055A MJ2955A 20/70 4 7 100 0,8 115
2N6576 2k/20k 4 7 60 10—200 120
-2N5881 2N5879 20/100 6 5 60 4 160
80 2N5882 2N5880 20/100 6 5 80 4 160
90 2N6577 2k/20k 4 7 90 10-200 120
120 МЛ 5015 МЛ 5016 20/70 4 7 200 1 180
2N6578 2k/20k 4 7 ' 120 10-200 120
140 МЛ 5001 МЛ 5002 25/150 4 5 140 2 200
150 МЛ1018 МЛ 1017 100 min 15 5 100 3 175
200 BUX41 8 min 8 7 250 8 120
МЛ 1020 100 min 15 5 200 3 175
250 МЛ 1022 МЛ 1019 100 min 15 5 250 3 175
300 МЛ 1021 6/30 10 5 250 6 to 24 175
350 2N6251 6/50 10 6 450 2,5 175
15 400/850 BUX48 8 min 10 7 175
2N6547 6/30 10 9 6 to 24 175
400/650 МЛ 6110 6/20 15 6 175
450/1000 BUX48A 8 min 8 7 175
450/850 МЛ 6010 5 mm 15 6 175
450/850 МЛ 6012 7 min 15 6 175
2N6836 10/30 10 6 10 175
500/1000 МЛ6010А 5 min 15 6 175
16 120 2N5630 2N6030 20/80 8 7 120 1 200
140 2N3773 2N6609 15/60 8 7 160 4 150
2N5631 2N6031 15/60 8 7 140 1 200
200 МЛ 5022 МЛ5023 15/60
8 5 350 5 250
250 МЛ 5024 МЛ 5025 15/60 8 5 400 5 250
18 160 BUX41N 8 min 12 7 250 8 120
20 60 2N3772 15/60 10 7 100 2 150
2N6282 2N6285 750/18k 10 5 60 4 160
75 2N5039 20/100 10 5 120 60 140
80 2N5303 2N5745 15/60 10 80 2 200
2N6283 2N6286 750/18k 10 5 80 4 160
90 2N5038 20/100 12 7 150 60 140
100 2N6284 2N6287 750/18k 10 5 100 4 160
120 BUX40 8 min 15 7 160 8 120
140 МЛ 5003 МЛ 5004 25/150 5 5 140 2 250
160 BUX11 10 min 15 8 150
200 BUV11 10 min 12 7 250 8 150
350 МЛ 0000 40/400 10 8 10 175
МЛ 0004 40/400 10 8 10 175
400 МЛ 0001 40/400 10 8 10 175
МЛ0005 40/400 10 8 10 175
МЛ 3333 10/60 5 8 175
450 - МЛ0008 30/300 10 8 8 175
450/850 МЛ 6014 5 min 20 6 250
450/850 МЛ 6016 7 min 20 6 250
2N6837 10/30 15 6 250
500 МЛ0009 30/300 10 8 8 175
МЛ 3335 10/60 5 6 175
750 МЛ0024 50/600 20 8 250
850 МЛ0025 50/600 20 8 250
Окончание таблицы 8.7.11
'к* А, макс Ц<-Э' В, мин Тип проводимости л21е-МИН, макс ^K> A иЭ-Б' В иК-Б> В FT> МГц, мин Р, ВТ, 25’С
п-р-п р-п-р
25 60 2N5885 2N5883 20/100 10 5 60 4 200
80 2N5886 2N5884 20/100 10 5 60 4 200
2N6436 30/120 10 5 80 40 200
100 21ЧЙ338 2N6437 30/120 10 6 100 40 200
120 2N6339 2N6438 30/120 10 6 120 40 200
125 BUV10 10 min 20 8 150
140 2N6340 30/120 10 6 140 40 200
150 2N6341 30/120 10 6 150 40 200
28 400 BUT13 20 min 20 10 175
30 40 2N3771 15/60 15 5 50 2 150
2N5301 2N4398 15/60 15 5 40 2 200
60 2N5302 2N4399 15/60 15 5 60 2 200
МЛ 1012 МЛ 1011 1k min 20 5 60 4 200
90 BUX39 8 min 20 7 120 8 120
МЛ 1014 МЛ 1013 1k min 20 5 90 4 200
100 2N6328 6/30 30 3 200
MJ802 MJ4502 25/100 7,5 4 100 2 200
120 МЛ1016 МЛ 1015 1k min 20 5 120 4 200
325 BUV23 8 min 16 7 400 8 250
400/1000 BUS98 8 min 20 7 250
BUX98 8 min 20 7 250
450/1000 BUS98A 8 min 16 7 250
BUX98A 8 min 16 7 250
450/850 МЛ 6020 5 min 30 6 450 250
МЛ 6022 7 min 30 6 450 250
40 200 BUV21 10 min 25 7 250 8 150
250 BUS52 15 min 40 7 350
BUV22 10 min 20 7 300 8 250
350 МЛ 0022 50/600 10 8 350 250
400 МЛ0023 50/600 10 8 400 250
50 60 2N5685 2N5683 15/60 25 5 60 2 300
1МЛ1028 МЛ 1029 400 min 50 5 60 300
80 2N5686 2N5684 15/60 25 5 60 2 300
90 МЛ 1030 МЛ 1031 400 min 50 5 90 300
100 2N6274 2N6378 30/120 20 5 120 30 250
120 2N6275 2N6379 30/120 20 5 140 30 250
МЛ 1032 МЛ 1033 400 min 50 5 120 300
125 BUV20 10 min 50 7 100 8 250
BUV60 10 min 80 7 100 250
150 2N6277 30/120 20 6 180 30 250
200 BUS51 15 min 50 7 350
400 МЛ 0015 10 min 40 8 250
500 BUT34 15 min 32 10 250
МЛ 0016 10 min 40 8 250
56 400 BUT33 20 min 36 10 250
60 60 МЛ4000 МЛ4001 15/100 50 5 60 300
80 МЛ4002 МЛ4003 15/100 50 5 80 300
200 МЛ 0020 75 min 15 8 250
250 МЛ 0021 75 min 15 8 250
70 125 BUS50 15 min 50 7 350
80 100 BUV18A 10 min 80 7 250
( ТЭ-204АА ) CASE 1-07
( ТЭ-204АЕ ) CASE 197А-03
Рис. 8.7.10
Таблица 8.7.12. Параметры транзисторов в корпусе № 4 табл. 8.7.1. (рис. 8.7.11)
1к. А, макс Ц, „, В, МИН Тип проводимости Л21е-МИН, макс 'к. А иЭ-Б-В Ц(-Б. В Ft-МГц, мин Р, ВТ, 25"С
п-р-п р-п-р
1 80 2N4912 20/100 0,5 5,0 80 3 25
225 2N3738 40/200 0,1 6 250 10 20
300 2N3739 40/200 0,1 6 350 10 20
2 225 2N6211 10/100 1 6 275 20 35
250 2N3584 2N6421 25/100 1 6 375 10 35
300 2N6212 10/100 1 6 350 20 35
2N3585 25/100 1 6 500 10 35
2N4240 30/150 0,75 6 500 15 35
350 2N6213 10/100 1 6 400 20 35
3 140 2N3441 25/100 0,5 7 160 0,2 25
4 60 2N3740 30/100 0,25 7 60 4 25
2N3054.A 25/100 0,5 7 80 3 75
2N3766 40/160 0,5 6 80 10 20
2N6294 2N6296 750/18к 2 5 80 4 50
80 2N3471 30/100 0,25 4 25
2N3767 40/160 0,5 6 100 10 20
2N6295 2N6297 750/18к 2 5 80 4 50
5 80 2N4233A 25/100 1,5 5 80 4 75
325 2N6235 25/125 1 6 500 20 50
7 60 2N6317 20/100 2,5 6 60 4 90
80 2N5428 60/240 2 6 80 30 40
100 2N6318 20/100 2,5 6 80 4 90
2N5430 60/240 2 6 100 30 40
8 60 2N6300 2N6298 750/18к 4 5 60 4 75
80 2N6301 2N6299 750/18к 4 5,8 60 4 75
(ТО-213АА)
Рис. 8.7.11
Таблица 8.7.13. Параметры транзисторов в корпусе № 3 табл. 8.7.1 (рис. 8.7.12)
А, макс °к-э-В, МИН Тип проводимости л21е-МИН, макс А °Э-Б-В Vk-Б. В Ft-МГц, мин Р. ВТ, 25‘С
п-р-п р-п-р
0,5 300 MJ4646 20 min 0,5 5 300 40 5
400 MJ4647 20 min 0,5 5 400 30 5
3 40 2N3719 25/180 1 4 40 60 6
2N3867 40/200 1,5 4 40 60 6
60 2N3720 25/180 1 4 60 60 6
X 2N3868 30/150 1,5 4 60 60 6
80 2N6303 30/150 1,5 4 80 60 6
5 80 2N5336 2N6190 30/120 2 6 80 30 6
2N5337 2N6191 60/240 2 6 80 30 6
100 2N5338 30/120 2 6 100 30 10
2N5339 2N6193 60/240 2 6 100 30 6
X—А \ / Vk шлг’чя Кб + бзТ э\ ' IIIlli case 79-04 “ Ц (TO-204AD) Рис. 8.7.12
ПРЕДМЕТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ
Анализ и устранение причин выхода РЭА см. Общие сведения гл. 1 3
Блок AM (А2) см. Радиоприемник «Океан» РП-222» 42
Блок ЧМ (А1) см. Радиоприемник «Океан РП-222» 41
Варикапы см. Неисправности и замена полупроводниковых диодов 7
Громкоговорители и акустические системы отечественного производства, их электрические характеристики см. Усилители звуковой частоты 21
Диапазоны радиоприемников не переставляются см. Методика обнаружения неисправностей в радиоприемнике «Океан РП-222» 50
Замена катушек индуктивности, дросселей и трансформаторов см. Неисправности и замена радиодеталей при ремонте бытовой радиоаппаратуры 4
Замена резисторов вследствие неисправности см. Неисправности и замена радиодеталей при ремонте бытовой радиоаппаратуры 3
Индикация включения сети и разряда батареи, ее схема см. Блок AM (А2) в радиоприемнике «Океан РП-222» 43
Каскады радиоприемников зарубежного производства на микросхемах (8.4) 121—153
— усилитель, демодулятор ЧМ 121
— усилитель, демодулятор ПЧ-АМ 122
— усилитель, демодулятор ПЧ тракта AM, тракта ЧМ 122
— усилитель ПЧ, демодулятор AM 123
— преобразователь, усилитель ПЧ, демодулятор AM 123
— стереодекодер 124—127
— усилитель, детектор ПЧ-ЧМ 127
— усилитель ПЧ, демодулятор ЧМ 128
— стабилизаторы отрицательного напряжения 130
— стабилизаторы положительного напряжения 130
— стабилизатор двухполярного напряжения 130
— стабилизаторы напряжения 131
— усилитель ВЧ, преобразователь УПЧ, детектор AM радиоприемника 132
— усилитель ПЧ, демодулятор ЧМ 133
— преобразователь частоты до 200 МГц 133
— импульсное управление электродвигателем 134
— многоканальный коммутатор 134
— усилитель ПЧ, демодулятор ЧМ 135
— усилитель мощности 2,5 ...12 Вт 135
— усилитель ПЧ, демодулятор ЧМ, УЗЧ 136
— усилитель ПЧ АМ-ЧМ-сигнала 137
— усилитель ПЧ, демодулятор ЧМ, АПЧ 138
— усилитель ПЧ, демодулятор ЧМ 138—139
— радиоприемник АМ-ЧМ 140—141
— усилитель ПЧ, демодулятор ЧМ 142
— стереодекодер 143
— усилитель ПЧ, демодулятор ЧМ 144
— радиоприемник AM 145
— регуляторы громкости и тембра 146
— стереодекодер ЧМ 147
— стереодекодеры с электронной коммутацией 148
— усилитель ПЧ, демодулятор ЧМ 149
— стереодекодер 149
— усилитель ПЧ, демодулятор ЧМ 150
— радиоприемник AM 151
— усилитель ПЧ-ЧМ 152
— стереодекодер 153
Методика обнаружения неисправностей в радиоприемнике «Океан РП-222» 50
Неисправности и замена радиодеталей при ремонте бытовой радиоаппаратуры 3
— общие сведения 3
— неисправности и замена резисторов 3
— неисправности и замена конденсаторов 4
— неисправности и замена катушек индуктивности, дросселей трансформаторов 4
— неисправности и замена электронных ламп 6
— неисправности и замена полупроводниковых диодов 7
выпрямительные диоды 7
стабилитроны 7
варикапы 7
тиристоры 8
высокочастотные диоды 8
— неисправности и замена транзисторов 8
— элементы схем зарубежной аппаратуры, их аналоги и замена 9
резисторы 9
конденсаторы 10
полупроводниковые приборы 11
приборы обозначения 12
---рекомендации по замене полупроводниковых диодов, транзисторов и микросхем 13
Основные параметры биполярных транзисторов фирмы «Моторола» (8.7) 192—206
— типы корпусов транзисторов, их энергетические характеристики 192
— параметры транзисторов в корпусе № 10 193
— параметры транзисторов в корпусе № 7 194
— параметры транзисторов в корпусе № 9 194
— параметры транзисторов в корпусе № 8 197
— параметры транзисторов в корпусе № 13 198
— параметры транзисторов в корпусе № 14 198
— параметры транзисторов в корпусе № 11 199
— параметры транзисторов в корпусе № 12 201
— параметры транзисторов в корпусе № 6 и № 5 201
— параметры транзисторов в корпусе № 1 и № 2 202
— параметры транзисторов в корпусе № 4 205
— параметры транзисторов в корпусе № 3 206
Основные параметры диодов зарубежного производства
(8.6) 179-191
Параметры полевых транзисторов зарубежного производства (8.5) 154
— цоколевка полевых транзисторов 178
Принципиальные электрические схемы радиоприемников «Меридиан РП-348», «Рокс», «Селена 401...403» (8.1) 76
— принципиальная электрическая схема радиоприемника «Меридиан РП-348» 76
— функциональные схемы микросхемы К174ПС1, К174ХА10, К157ХА1, К174УН7 79
— расположение выводов радиоэлементов: микросхемы, конденсатор, головка динамическая, транзисторы, диоды, переключатели, выводы катушек индуктивностей 80
— принципиальная электрическая схема радиоприемника «Селена РП-401...403» 81
— принципиальная электрическая схема радиоприемника «Рокс» 82
Радиоприемник «Океан РП-222» 41
- блок ЧМ (А1) 41
— блок AM (А2) 42
стабилизатор напряжения 10 В — электронный ключ 43
схема индикации включения сети и разряда батареи 43
переключатель диапазонов 46
схема индикации включения диапазонов 46
---стабилизаторы напряжения 5,8 и 5,2 В 46
схема формирования напряжения настройки 46
тракт AM 47
- - УЗЧ 48
— блок питания 3 (АЗ) 49
— методика обнаружения неисправностей в радиоприемнике «Океан РП-222» 50
---приемник не работает на всех диапазонах 50
---при нажатии любой из кнопок приемник не включа-
ется 50
---диапазоны радиоприемника не перестраиваются 50
---отсутствует прием станций на всех диапазонах тракта AM, диапазоны переключаются 53
---настройка и проверка тракта AM 54
---нет приема в диапазоне УКВ 54
---чувствительность приемника в диапазоне УКВ занижена 54
---отсутствует перестройка по диапазону УКВ 54
---настройка и проверка тракта ЧМ 54
— радиоприемник «Верас РП-22» 60
— регулировка и настройка радиоприемника
«Океан РП-222» 60
Радиоприемник «Океан РП-245» 63
— общие сведения 63
— электрическая принципиальная схема радиоприемника «Океан РП-245» 63
— методика обнаружения и устранения неисправностей радиоприемника «Океан РП-245» 66
— регулировка и настройка радиоприемника
«Океан РП-245» 70
— испытание и контроль после ремонта радиоприемника «Океан РП-245» 70
— методика проверки параметров и электропрогонка радиоприемника 74
---определение диапазона принимаемых частот 74
---проверка чувствительности, ограниченной шумом, в диапазонах ДВ, СВ, КВ 74
---чувствительность, ограниченная шумом, в диапазоне
УКВ1 и УКВ2 74
Ремонт радиоаппаратуры зарубежного производства 15
Ремонт и регулировка радиоприемника 35
— общие сведения 35
— неисправности радиоприемников 36
нет приема на одном диапазоне 37
нет приема на части диапазона 37
--при перестройке радиоприемника слышен сильный треск 37
нет приема на диапазоне УКВ 37
нет настройки в пределах диапазона 38
— регулировка каскадов радиоприемника 38
укладка диапазонов 38
сопряжение входных и гетеродинных контуров 39
Сопряжение входных и гетеродинных контуров см. Регулировка каскадов радиоприемника 39
Стабилизаторы см. Неисправности и замена полупроводниковых дисков 7
Транзисторные каскады радиоприемников зарубежного производства (8.3) 98
— усилитель ВЧ до 100 МГц 98, до 200 МГц 98
— преобразователь частоты до 2 МГц 98
— усилитель ВЧ до 100 МГц 99
— преобразователь частоты до 100 МГц 99, до 23 МГц 99
— усилитель ПЧ на 10,7 МГц, на 455 кГц, на 470 кГц 100
— преобразователь частоты до 100 МГц, до 200 МГц 100
— преобразователь частоты до 2 МГц 101
— усилитель ПЧ на 470 кГц, на 455 кГц 101
— гетеродин на 200 МГц 102
— усилитель ВЧ до 200 МГц 102
— усилитель ВЧ до 100 МГц, до 2 МГц 103
— преобразователь частоты до 100 МГц 103
— усилитель ПЧ на 470 кГц, на 455 кГц 104
— усилитель ПЧ на 10,7 МГц 104
— преобразователь частоты до 20 МГц 105
— усилитель ВЧ до 100 МГц 105
— усилитель ВЧ до 100 МГц 106
— преобразователь частоты до 100 МГц 106
— усилитель ПЧ на 470 кГц 107
— преобразователь частоты до 20 МГц 107
— преобразователь частоты до 6 МГц, до 18 МГц,
до 23 МГц 108
— усилитель ПЧ на 470 кГц 108
— преобразователь частоты до 100 МГц 109
— усилитель ВЧ до 100 МГц 109
— усилитель ПЧ на 470 кГц 110
— усилитель ВЧ до 100 МГц 110
— усилитель ВЧ до 70 МГц 111
— гетеродин 70 МГц 111
— усилитель ВЧ до 70 МГц 112
— усилитель ВЧ до 30 МГц 112
— усилитель ПЧ на 450 кГц, на 470 кГц, на 10,7 МГц 113
— преобразователь частоты до 6 МГц, до 10 МГц, до 2 МГц, до 100 МГц ИЗ
— мощный усилитель ВЧ до 30 МГц, 50 Вт, до 125 МГц,
10 Вт 114
— усилитель ВЧ до 200 МГц, 1 Вт, до 100 МГц 114
— усилитель ВЧ до 150 МГц 115
— мощный усилитель ВЧ до 100 МГц, 6 Вт 115
— мощный усилитель ВЧ до 50 МГц, 40 Вт 116
— гетеродин 80 МГц 116
— усилитель VHF до 100 МГц, до 400 МГц 117
— преобразователь частоты до 100 МГц, до 2 МГц 117
— усилитель ВЧ до 100 МГц 118
— усилитель ПЧ на 470 кГц 118
— усилитель ПЧ на 10,7 МГц 119
— усилитель ВЧ до 100 МГц 119
— преобразователь частоты до 100 Мгц 120
'•4t_ Jib / < < л » t, • ш nd г *1 ‘4.' *• i,> i
УЗЧ на микросхемах зарубежного производства (8.2) 83
— схема включения микросхем моноУЗЧ 83
— схема включения микросхем стереоУЗЧ 84
— схема включения микросхем моноУЗЧ 85
— схема включения микросхем стереоУЗЧ 86
— схема включения микросхем стереоУЗЧ 87
— схема включения микросхем моноУЗЧ 87
— схема включения микросхем моноУЗЧ 88, 89
— схема включения микросхем стереоУЗЧ 89
— схема включения микросхем моноУЗЧ 90
— схема включения микросхем стереоУЗЧ 90, 91
— схема включения микросхем моноУЗЧ 91
— схема включения микросхем стереоУЗЧ 92, 93
— схема включения микросхем моноУЗЧ 93, 94
— схема включения микросхем стереоУЗЧ 95, 96
— типы корпусов микросхем 97
Усилители звуковой частоты 18
— причины значительно заниженной мощности УЗЧ 18
— причины больших искажений сигнала на выходе
УЗЧ 18
— самовозбуждение УЗЧ 19
— электрические характеристики громкоговорителей и акустических систем отечественного производства 21
Формирование напряжения настройки, ее схема см. Блок AM (А2) в радиоприемнике «Океан РП-222» 46
Характеристики электрических громкоговорителей и акустических систем отечественного производства см. Усилители звуковой частоты 21
Цоколевка полевых транзисторов см. Параметры полевых транзисторов зарубежного производства (8.5) 178
Чувствительность приемника в диапазоне УКВ занижена см. Методика обнаружения неисправностей в радиоприемнике «Океан РП-222» 54
Электронная коммутация в бытовой радиоэлектронной аппаратуре 27
— общие принципы электронной коммутации 27
— мультиплексоры 29
— микропроцессоры 30
ОГЛАВЛЕНИЕ
Глава 1. Неисправности и замена радиодеталей при ремонте бытовой радиоаппаратуры ..................3
1.1. Неисправности и замена резисторов........................................................3
1.2. Неисправности и замена конденсаторов ....................................................4
1.3. Неисправности и замена катушек индуктивности, дросселей и трансформаторов ...............4
1.4. Неисправности и замена электронных ламп..................................................6
1.5. Неисправности и замена полупроводниковых диодов..........................................7
1.5.1. Выпрямительные диоды...............................................................7
1.5.2. Стабилитроны.......................................................................7
1.5.3. Варикапы...........................................................................7
1.5.4. Тиристоры..........................................................................8
1.5.5. Высокочастотные диоды .............................................................8
1.6. Неисправности и замена транзисторов ................................................... 8
1.7. Неисправности и замена микросхем.........................................................8
1.8. Элементы схем зарубежной аппаратуры, их аналоги и замена ................................9
1.8.1. Резисторы..........................................................................9
1.8.2. Конденсаторы......................................................................10
1.8.3. Полупроводниковые приборы..........................................................И
1.8.4. Рекомендации по замене полупроводниковых диодов, транзисторов и микросхем ........13
Глава 2. Ремонт радиоаппаратуры зарубежного производства..........................................15
Глава 3. Усилители звуковой частоты ..............................................................18
Глава 4. Электронная коммутация в бытовой радиоэлектронной аппаратуре.............................27
4.1. Общие принципы электронной коммутации ..................................................27
4.2. Мультиплексоры .........................................................................29
4.3. Микропроцессоры ........................................................................30
Глава 5. Ремонт и регулировка радиоприемников ....................................................35
5.1. Неисправности радиоприемников...........................................................36
5.1.1. Нет приема на всех диапазонах......................................................36
5.1.2. Нет приема на одном диапазоне ....................................................37
5.1.3. Нет приема на части диапазона.....................................................37
5.1.4. При перестройке радиоприемника слышен сильный треск...............................37
5.1.5. Нет приема на диапазоне УКВ.......................................................37
5.1.6. Не переключаются диапазоны........................................................38
5.1.7. Нет настройки в пределах диапазона................................................38
5.2. Регулировка каскадов радиоприемников ...................................................38
5.2.1. Укладка диапазонов ...............................................................38
5.2.2. Сопряжение входных и гетеродинных контуров.........................................39
Глава 6. Радиоприемник «Океан РП-222» ............................................................41
6.1 БлокЧМ (А1).......'.....................................................................41
6.2. Блок AM (А2)............................................................................42
6.2.1. Стабилизатор напряжения 10 В — электронный ключ...................................43
6.2.2. Схема индикации включения сети и разряда батареи..................................43
6.2.3. Переключатель диапазонов..........................................................46
6.2.4. Схема индикации включения диапазонов..............................................46
6.2.5. Стабилизаторы напряжения 5,8 В и 5,2 В............................................46
6.2.6. Схема формирования напряжения настройки...........................................46
6.2.7. Тракт AM..........................................................................47
6.2.8. Усилитель 34 .................................................................. 448
6.3. Блок питания (АЗ).........................................................................49
6.4. Методика обнаружения неисправностей в радиоприемнике «Океан РП-222».......................50
6.4.1. Приемник не работает на всех диапазонах..............................................50
6.4.2. При нажатии любой из кнопок приемник не включается...................................50
6.4.3. Диапазоны приемника не перестраиваются (ФН работают).................................50
6.4.4. Отсутствует прием станций на всех диапазонах тракта AM. Диапазоны переключаются......53
6.4.5. Настройка и проверка тракта AM.......................................................54
6.4.6. Нет приема в диапазоне УКВ...........................................................54
6.4.7. Чувствительность приемника в диапазоне УКВ занижена .................................54
6.4.8. Отсутствует перестройка по диапазону УКВ.............................................54
6.4.9. Настройка и проверка тракта ЧМ.......................................................54
6.5. Радиоприемник «Верас РП-225»..............................................................60
6.6. Регулировка и настройка радиоприемника «Океан РП-222» ....................................60
Глава 7. Радиоприемник «Океан РП-245» ...............................................................63
7.1. Электрическая принципиальная схема радиоприемника «Океан РП-245»..........................63
7.2. Методика обнаружения и устранения неисправностей радиоприемника «Океан РП-245» ...........66
7.2.1. Возможные неисправности, их причины и способы устранения ............................70
7.3. Регулировка и настройка радиоприемника «Океан РП-245» ....................................70
7.4. Испытание и контроль после ремонта радиоприемника «Океан РП-245»..........................74
7.4.1. Методика проверки параметров и электропрогонка радиоприемника........................74
Глава 8. Электрические схемы радиоприемников; УЗЧ на микросхемах зарубежного производства;
транзисторные каскады, каскады на микросхемах радиоприемников зарубежного производства; параметры полевых транзисторов, диодов зарубежного производства; параметры мощных биполярных
транзисторов фирмы «Моторола»................................................................75
8.1. Принципиальные электрические схемы радиоприемников «Меридиан РП-348», «Рокс», «Селена 401...403»..................................................76
8.2. УЗЧ на микросхемах зарубежного производства...............................................83
8.3. Транзисторные каскады радиоприемников зарубежного производства............................98
8.4. Каскады радиоприемников зарубежного производства на микросхемах..........................121
8.5. Параметры полевых транзисторов зарубежного производства..................................154
8.6. Основные параметры диодов зарубежного производства. ......................................179
8.7. Основные параметры мощных биполярных транзисторов фирмы «Моторола» ......................192
Предметный указатель ................................................................................207