АКУСТИЧЕСКИЕ
КРИСТАЛЛЫ
Под редакцией
М. П. ШАСКОЛЬСКОЙ
МОСКВА «НАУКА»
ГЛАВНАЯ РЕДАКЦИЯ
ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
1982

22.37
А 44
УДК 539.2
АВТОРЫ:
А. А. БЛИСТАНОВ, В. С. БОНДАРЕНКО, Н. В. ПЕРЕЛОМОВА,
Ф. Н. СТРИЖЕВСКАЯ, В. В. ЧКАЛОВА, М. П. ШАСКОЛЬСКАЯ
Акустические кристаллы. Справочник/Блистанов А. А., Бондаренко В. С.,
Чкалова В* В. и др.; под ред. М. П. Шаскольской.—М.: Наука. Главная
редакция физико-математической литературы, 1982.
В справочнике собраны материалы по основным физическим свойствам
кристаллов, наиболее часто применяемых в акустике и акустоэлектронике.
Собраны воедино и обобщены числовые данные из 1300 оригинальных,
отечественных и зарубежных работ о структуре, физико-химических свойствах,
по упругим константам, скоростям упругих волн, оптическим, электроопти-
ческим и пьезооптическим параметрам, пьезоэлектрическим характеристикам
для 78 кристаллов. Такая полная сводка осуществлена впервые.
Табл. 813, рис. 821, библ. 1304 назв.
Александр Алексеевич Блистанов, Виктор Степанович Бондаренко,
Наталья Владиславовна Переломова, Фаина Наумовна Стрижевская,
Валерия Валерьевна Чкалова, Марианна Петровна Шаскольская
АКУСТИЧЕСКИЕ КРИСТАЛЛЫ
Редактор С. В. Корышев
Техн. редактор J1. В. Лихачева Корректор А . J1. Ипатова
ИБ № 2284
Сдано в набор 22.07.80. Подписано к печати 04.01.82. Т-00302. Формат 60х901/1в.
Бумага тип. № 1. Литературная гарнитура. Высокая печать. Условн. печ. л. 39,5. Уч.-
изд. л. 43,26. Тираж 7 800 экз. Заказ 3106. Цена 2 р. 60 к.
Издательство «Наука» Главная редакция физико-математической литературы
117071, Москва, В-71, Ленинский проспект, 15
Ордена Октябрьской Революции и ордена Трудового Красного Знамени Первая Образцовая
типография имени А. А. Жданова Союзполиграфпрома при Государственном комитете
СССР по делам издательств, полиграфии и книжной торговли. Москва, М-54, Валовая, 2 8
Отпечатано в типографии № 2 изд-ва «Наука», Москва, Шубинский пер., 10. Заказ 1297
© Издательство «Наука».
1704060000—012frT, Главная редакция
i КЬ-2-40—о1. физико-математической литературы»
053(02)-82 1982

ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение 6
Список принятых обозначений 9
Построение справочника • 15
Схема описания кристалла 16
1. Германий Ge 29
2. Кремний Si 40
3. Теллур Те 51
4. Хлористый натрий, каменная соль NaCl 54
5. Фтористый натрий NaF 74
6. Йодистый натрий Nal 80
7. Фтористый литий LiF . 85
8. Хлористый калий КС1 . 92
9. Бромистый калий КВг 102
10. Йодистый калий KI 112
11. Хлористое серебро AgCl 118
12. Бромистое серебро AgBr 123
13. Окись магния, периклаз MgO 125
14. Хлористый цезий CsCl 132
15. Бромистый цезий CsBr . 134
16. Йодистый цезий Csl . 139
17. Хлористый таллий Т1С1 143
18. Бромистый таллий TIBr 146
19А. TIBr—Til, KRS-5 150
19Б. TIBr—T1C1, KRS-6 156
20. Киноварь (Сернистая ртуть) a-HgS 159
21. Фосфид галлия GaP 162
22. Арсенид галлия GaAs 167
23А, Вюрцит, Сульфид Цинка a-ZnS 180
23Б. Сульфид Цинка, Сфалерит Р ZnS . 189
24. Селенид цинка ZnSe . 193
25. Сульфид кадмия CdS . 196
26. Селенид кадмия CdSe 205
27. Антимонид индия InSb 208
28. Окись цинка, цинкит ZnO . 212
29. Флюорит (плавиковый шпат, фтористый кальций) CaF2 219
1*

4
ОГЛАВЛЕНИЕ
30. Фтористый барий BaF2 227
31. Рутил ТЮ2 231
32. Парателлурит Те02 242
33. Кварц Si02 254
34. Берлинит А1Р04 - 284
35А. Сапфир ос-А1203 292
35Б. Рубин р-А1203 304
36. Каломель Hg2Cl2 306
37. Титанат бария ВаТЮ3 310
38. Титанат стронция SrTi03 319
39. Титанат свинца PbTiOg 329
40. Германоэвлитин Bi4(Ge04)3 335
41. Ортосиликат висмута Bi4 (Si04)3 . . . 337
42. Гер манат висмута, германосилленит Bi12GeO20 . 338
43. Силикат висмута, силикосилленит Bi12SiO20 352
44. Йодат лития LiI03 ' 356
45. Йодноватая кислота а-НЮ3 361
46. T13VS4 365
47. TlInSe2 366
48. TlGaSe2 367
•49. TlGaS2 368
50. Ортоселеноарсенит таллия Tl3AsSe3 369
51. Ортоселенофосфат таллия Tl3PSe4 371
52. Соль сульфокислоты Tl3AsS4 372
53. Tl3TaS4 . 375
54. Tl3TaSe4 375
55. Сульфйодид сурьмы SbSI 377
56А. Гранат алюмоиттриевый Y3A15012 (YAG) 390
56Б. Гранат железоиттриевый Y3Fe5Oi2'(YIG) 395
’56В. Гранат иттриевогаллиевый Y3Ga5012 (YGG) 400
57. Дигидрофосфат калия, KDP, калий фосфорнокислый, двузамещен-
ный калий, КН2Р04 , 402
58. Дигидрофосфат аммония, ADP, фосфорнокислый аммоний,
NH4H2P04 414
59. Молибдат гадолиния Gd2 (Мо04)3 425
60. Молибдат свинца (вульфенит, свинец молибденовокислый) РЬ Мо04 . 439
61. Прустит Ag3AsS3 444
62. Пираргирит Ag3SbS3 451
63. Ниобат лития LiNb03 452
64. Танталат лития LiTa03 478
65. Галлат лития LiGa02 494
66. Гер манат лития Li2Ge03 499
67. Гер манат свинца Pb6Ge3On 503
68. Двойной молибдат свинца РЬ2Мо05 511
Ш. РЬб (Ge04) (V04)2 512
70. Bi2 (Мо04)3 . 514

ОГЛАВЛЕНИЕ
5
71. Фторид магния-бария MgBaF2 515
72. Банан, ниобат бария-натрия Ba2NaNb5016 516
73. Бастрон, ниобат бария-стронция (Sr^Bai-*) Nba06 526
74. Фресноит Ba2Si2Ti08 532
75. Бифталат калия (БФК), калий кислый, фталиевокислый
КНС8Н404 536
76. Бифталат цезия (БФ Cs), цезий кислый, фталиевокислый
CeH4 (СООН) (COOCs) 541
77. Бифталат рубидия (БФ Rb), рубидий кислый, фталиевокислый
С6Н4 (GOOH) (COORb) 542
78. Гер манат натрия-кобальта Na2CoGe04 544
Приложения 546
Литература 589
s

ВВЕДЕНИЕ
Разработка и использование элементов и устройств функциональной
электроники, так называемой аппаратуры IV поколения, является в настоящее
время важной и бурно развивающейся областью техники. Отличительной чертой
функциональной электроники является выполнение операций над радиосигналами
в отсутствие традиционных дискретных элементов: емкостей, сопротивлений,
транзисторов и др. Обработка радиосигнала осуществляется в результате взаимо.
действия того или иного излучения с особыми физическими свойствами
твердой среды, в которой это излучение распространяется.
В зависимости от характера излучения, которое является носителем инфор.
мации, и от свойств среды развиваются основные направления функциональной
электроники: акустоэлектроника, оптоэлектроника, магнитоэлектрони ка, кван.
товая микроэлектроника и т. д.
Особое место среди перечисленных направлений заняла функциональная
акустоэлектроника, которая уже нашла широкое практическое применение
благодаря своим большим техническим возможностям. В акустоэлектронике
используется взаимодействие распространяющихся высокочастотных упругих
колебаний со свойствами твердой среды, взаимодействие упругих волн с
различного рода излучениями (например, светом) и возможное взаимодействие
упругих волн между собой. На основе этих взаимодействий строится целый класс
практически важных приборов и устройств: ультразвуковые линии задержки,
твердотельные усилители,запоминающие устройства с большим
быстродействием, корреляционные устройства обработки, ультразвуковая аппаратура
диагностики, временные и частотно-селектирующие устройства и т. д. Такие
устройства в конструктивном сочетании с другими элементами могут быть
реализованы в миниатюрном интегрально-пленочном исполнении в широком
диапазоне частот.
При распространении в твердом теле упругих волн таких высоких частот
(когда длина волны несколько микрон и меньше) существенную роль начинают
играть эффекты фонон-фононного, фонон-фотонного, фонон-магнонного
взаимодействия и проявляются закономерности взаимодействия акустической волны
с тепловыми колебаниями решетки. Измерения акустических параметров, т. е.
скорости распространения, дисперсии, ослабления звука в изотропных и
анизотропных средах стали наиболее чувствительными методами, а иногда
и единственно возможными методами изучения природы материалов.

ВВЕДЕНИЕ
7
Чем выше используемая частота, тем чувствительнее становится этот
способ, так же как и более эффективными становятся большинство устройств
функциональной электроники.
Однако хорошо известно, что с ростом частоты используемых упругих
колебаний экспоненциально увеличивается и ослабление их в твердых телах.
Наименьшее удельное затухание с квадратичной зависимостью наблюдается
в монокристаллах. Поэтому большинство эффективных устройств
функциональной акустоэлектроники строится с применением широкого класса
монокристаллов с различными физическими свойствами.
Необходимость создания таких устройств стимулировала в последнее
десятилетие поисковые работы по получению и исследованию монокристаллов
с хорошими акустическими, оптическими, пьезоэлектрическими свойствами*
изучение их структуры и физических свойств и определение областей и
возможностей их практического применения.
В последние годы появилось большое количество работ по новым
монокристаллам, исследованию их свойств, по возможному использованию их
в самых различных устройствах.
Требования к сравнительному анализу как новых, так и ранее известных
монокристаллов, обобщению и сопоставлению их физических свойств
обусловили необходимость составления и выпуска справочника по ряду физических
свойств, важных для практического использования монокристаллов при создании
устройств акустоэлектроники. .
Кроме того, значительно расширился круг специалистов, для которых
эти данные необходимы, — радиофизиков, физиков и инженеров различных
специальностей, занимающихся разработкой и эксплуатацией устройств и
аппаратуры функциональной акустоэлектроники. Как в нашей стране, так и за
рубежом были сделаны попытки в отдельных обзорных работах обобщить
некоторые числовые данные по свойствам монокристаллов. Однако все они
носят характер статей, посвященных только специально какому-нибудь узкому
вопросу, а сведения о свойствах монокристаллов приводятся, как правило,
неполностью и далеко не по основным кристаллам. Настоящий справочник
имеет своей целью частично восполнить этот пробел. Основная задача, которую
ставили перед собой авторы настоящего справочника,—это собрать воедино
необходимые данные по упругим, диэлектрическим, оптическим и
пьезоэлектрическим свойствам и их температурной стабильности для тех монокристаллов,
которые могут применяться или уже применяются в устройствах функциональной
акустоэлектроники.
Нужно отметить, что список монокристаллов, приведенных в справочнике,
охватывает далеко не полный перечень известных кристаллов, да и число их,
особенно в последнее время, чрезвычайно быстро увеличивается. Авторы
включили в перечень наиболее широко распространенные кристаллы, которые
уже используются, и некоторые из тех, по каким имеются сообщения, что
они могут быть использованы в тех или иных устройствах функциональной
акустоэлектроники.
Значительная часть справочника составлена по опубликованным
материалам отечественной и зарубежной литературы, зачастую не всегда

доступ8
ВВЕДЕНИЕ
ным широкому кругу специалистов ввиду большой разбросанности
первоисточников. Авторы стремились собрать обширный материал воедино, изложить его
в компактной и удобной для применения форме.
Необходимо четко отметить, прежде всего, что авторы ни в коей мере
не могут претендовать на исчерпывающую полноту охвата литературы и
соответственнно на полноту приведенных сведений. Кроме того, авторы не
ставили перед собой задачу критической оценки степени достоверности данных,
включенных в справочник.
В предлагаемом справочнике собраны числовые данные по
экспериментальным результатам, опубликованным до 1977 года различными исследователями.
Если эти результаты совпадают, приводятся только ссылки на несколько
источников, если же результаты расходятся, приводятся все опубликованные
значения.
При составлении справочника были широко использованы ранее
опубликованные справочные издания, перечень которых дан в списке литературы.
Поэтому ссылки на первоисточник не даются в тех случаях, когда
приводимое значение физической величины повторяется во многих
общеупотребительных справочниках.
Числовые результаты приводятся в тех единицах, в каких они были
опубликованы авторами. Перевод единиц в общепринятые системы не сделан
потому, что при переводе потребовалась бы перестройка масштаба графиков,
от чего пострадала бы достоверность воспроизведения экспериментальных
результатов.
В справочник не включаются данные по механическим свойствам, по
реальной структуре кристаллов, а также сведения о влиянии примесей на
свойства кристалла.
В приложении II даны несколько сводных графиков и таблиц,
опубликованных различными авторами. Описание таблиц приложения см. на стр. 28.
Справочник рассчитан на научных работников, инженеров, аспирантов,
студентов, специализирующихся в области функциональной акустоэлектроники
и изучения физических свойств кристаллов. Поскольку настоящий справочник
является первой работой в этой области и, очевидно, имеет многие
недостатки, авторы с благодарностью примут все полезные советы и критические
замечания в его адрес.
Авторы благодарят Е.И. Каменского, по инициативе которого была начата
эта работа, а также М. И. Орлову и JI. Н. Ишутину, принимавших участие в
сборе материалов.
Ниже приводятся пояснения к построению справочника, схема описания
каждого кристалла и сводные таблицы свойств кристаллов, рассматриваемых
в книге.

СПИСОК ПРИНЯТЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ
А — коэффициент поглощения света.
Л упр—фактор упругой анизотропии.
а, Ь, с—постоянные решетки.
В—затухание упругих волн.
Bi—затухание продольных упругих волн,
Вц—затухание поверхностных рэлеевских волн.
В$—затухание сдвиговых упругих волн,
В Су Вр—коэффициенты Девоншира
b—см. a, Ь, с.
С—емкость.
С0—постоянная Кюри—Вейса,
С*—константа, пропорциональная величине вращения плоскости по-
ляризации.
с—см. а, Ь, с.
с—удельная теплоемкость,
ср—теплоемкость при постоянном давлении.
су—теплоемкость при постоянном объеме,
с—растворимость.
cijki—упругая жесткость (стп—в^матричном обозначении).
Е
Стп—упругая жесткость при постоянном электрическом поле.
Стп—упругая жесткость при постоянной электрической индукции.
Стп—упругая жесткость при постоянной поляризации.
D—оптическая плотность.
d—межплоскостное расстояние в решетке.
dr—гидростатический пьезомодуль.
dUj—пьезоэлектрический модуль (dim—в матричном обозначении).
—нелинейный оптический коэффициент.
Е—напряженность электрического поля.
Е—вектор поляризации света.
Ed—дрейфовое поле.
Еа—энергия активации.
Еас—акустоэлектрическое поле.
Ес—коэрцитивное поле.
Eg—ширина запрещенной зоны.

10
СПИСОК ПРИНЯТЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ
£?в—поляризация падающего света.
Есв—поляризация рассеянного света.
Еоб—объемный модуль упругости,
Ею—модуль Юнга.
eijk—пьезоэлектрическая постоянная (ein—в матричном обозначении).
/—частота.
fr—резонансная частота.
fa—антирезонансная частота.
<2КруЧ—модуль кручения.
G—тензор гирации.
Судр—модуль сдвига.
gijk—пьезоэлектрический коэффициент (gin—в матричном
обозначении).
&ihkin£ihkir—компоненты упругоэлектрического тензора 5-го ранга (Ьтпг,
ётпг—в матричном обозначении).
Н—твердость.
—микротвердость.
Як—твердость по Кнупу.
#в —твердость по Виккерсу.
h—толщина образца.
hnj—пьезоэлектрическая постоянная [(him—в матричном
обозначении),
/—сила тока.
/, %—коэффициент пропускания света.
1у—пироэлектрический ток.
1п—ток переключения.
1 max—ток переполяризации.
/ф—фотопроводимость.
1т—интенсивность второй гармоники.
i—плотность тока.
iT—плотность теневого тока
*ф—плотность фототока в максимуме спектрального распределения,
fan—акустополяризационный ток.
К—волновое число.
k—коэффициент электромеханической связи (k98, kBi, k15 и т. д.).
коэффициент электромеханической связи колеблющейся по
толщине тонкой пластины.
kqi—коэффициент электромеханической связи пластины,
совершающей квазипродольные колебания по толщине.
&QS*— коэффициент электромеханической связи пластины,
совершающей квазисдвиговые колебания по толщине.
kr—коэффициент электромеханической связи пластины, совершающей
радиальные колебания.
^—коэффициент электромеханической связи рэлеевских упругих
волн.

СПИСОК ПРИНЯТЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ
11
k*—нелинейный пьезоэлектрический коэффициент.
L—продольный тип колебаний.
/—длина образца.
(h)ij — когерентная длина.
Mlt М2, М3—коэффициенты акустооптической добротности.
тп—эффективная масса плотности состояния для электронов.
N-—частотные постоянные упругой волны (ЛГ33, NlbJ N31, Nf).
N—волновая нормаль.
ЛГЗВ—единичный вектор направления распространения
ультразвуковой волны.
Ni—частотные постоянные продольной волны.
N§—частотные постоянные сдвиговой волны.
п — показатель преломления (пх, пу, nz), (па, щ, rtc).
nQ — показатель преломления необыкновенного луча.
nQ—показатель преломления обыкновенного луча.
пэ—концентрация основных носителей тока.
пд—единичный вектор направления распространения энергии
ультразвуковой волны.
Ясв—единичный вектор направления распространения волны света,
яспв—падающего света, я£в—рассеянного света.
яд—концентрация дырок
Р, %—степень поляризации света.
Р$—спонтанная поляризация.
Р©—акустическая мощность основной волны.
Р20—акустическая мощность 2-й гармоники.
р—давление.
Pijkl—упругооптическая постоянная, ртп—ее матричное обозначение.
Q—скрытая теплота фазового перехода
Qifki—коэффициент электрострикции.
<2мех — механическая добротность.
QL—квазипродольная волна.
QS—квазисдвиговая волна.
Q-*—декремент затухания.
qy—пироэлектрический заряд.
R, %—коэффициент отражения света.
R*—константа Верде.
Ri/ki—квадратичный электрооптический коэффициент.
rijk—линейный электрооптический коэффициент: rjjk—^механически
свободного кристалла, rfjk—механически зажатого кристалла.
rim—коэффициент суммарного линейного электрооптического эффекта.
5—сдвиговый тип колебаний.
SP—спонтанное напряжение.
$цы—упругая податливость, smn—матричное обозначение, Smn—при
постоянном электрическом поле, s^m—при постоянной
электрической индукции, Smn—при постоянной поляризации.

СПИСОК ПРИНЯТЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ
Т—температура.
Тс—температура фазового перехода.
Гд—температура Дебая.
Г к—температура Кюри.
Т0—температура Кюри—Вейса.
Т’возг—температура возгонки.
7"дисс—температура диссоциации,
ГКип—температура кипения.
Гкомн—температура комнатная.
Г™—температура плавления.
Гсубл—температура сублимации.
Тстп—температурный коэффициент упругой жесткости.
Tdim—температурный коэффициент пьезомодуля.
Tf—температурный коэффициент частоты.
Tsmn—температурный коэффициент упругой податливости.
Tv—температурный коэффициент скорости звуковых волн.
Те—температурный коэффициент диэлектрической проницаемости.
Гр—температурный коэффициент плотности.
Тх—температурный коэффициент времени задержки.
t — время.
ts—время переполяризации.
U3E—вектор смещения в звуковой волне.
V—объем элементарной ячейки.
V%,2—управляющее полуволновое напряжение.
2V—угол между оптическими осями.
v—скорость упругих волн.
VI — продольная скорость упругих волн.
Vs—скорость сдвиговых упругих волн, vs—быстрая, —
медленная.
v%—скорость рэлеевской упругой волны.
Уф—фазовая скорость упругих волн.
агр—групповая скорость упругих волн.
VJl — лУчевая скорость упругих волн.
Уоо—скорость рэлеевской упругой волны на неметаллизированной
поверхности.
vM—скорость смешанной ультразвуковой волны.
Ху у, г—прямоугольные оси координат.
Z—число формульных единиц.
а> Р» У—углы элементарной ячейки.
а/—коэффициент теплового расширения, щ—линейного,
ау—объемного.
а0—угол поворота плоскости поляризации.
аэл—электронное усиление.
р—сжимаемость.
Рij—диэлектрическая восприимчивость.

СПИСОК ПРИНЯТЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ
13
у—пироэлектрический коэффициент.
7 — постоянная Грюнайзена.
yij—квадратичная поляризуемость.
Д п=пе—п0— двупреломление.
6—однородный параметр деформации.
62ш—нелинейный оптический коэффициент для Р.
8/у—диэлектрическая проницаемость (&т — в матричном обозначении,
т= 1-т-б).
е]у—диэлектрическая проницаемость свободного кристалла.
8^.—диэлектрическая проницаемость зажатого кристалла. ;;
е' —действительная часть комплексной диэлектрической
проницаемости.
е"—мнимая часть комплексной диэлектрической проницаемости.
8оо—установившееся значение диэлектрической проницаемости.
8Шах—максимальное значение диэлектрической проницаемости.
0 — угол между направлением распространения поверхностной рэ-
леевской волны и кристаллографической осью.
0'—угол между осью С и направлением падающего света.
0О—угол волнового синхронизма.
0Б—угол Брэгга.
к—коэффициент теплопроводности.
изв—коэффициент поглощения ультразвуковой волны.
щf—коэффициент восприимчивости для генерации 2-й гармоники.
длина волны света.
Х0—длина волны света для характеристической полосы поглощения,
^зв—длина волны звука.
\in—подвижность электронов.
[Xр — подвижность дырок,
v—частота световых волн.
П—коэффициент пьезосопротивления.
^ijkl~— пьезооптические коэффициенты (птп — в матричном обозначении),
р—плотность.
PR—удельное сопротивление.
р*—оптическая активность (удельное вращение).
Рнл—нелинейная оптическая активность,
рл—линейная оптическая активность,
pi/—с кустическое сопротивление.
о—электропроводность (проводимость).
0Св—световая проводимость.
ат—темновая проводимость.
асв/<*т—фоточу вствительность.
т—-время задержки.
тр—время релаксации упругой волны.
Ф—угол отклонения потока энергии упругой поверхностной волны.

СПИСОК ПРИНЯТЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ
ф —угол магнитного вращения плоскости поляризации Фарадея.
Ф/ — угол между нормалью к плоскости раздела фаз и
кристаллографическими направлениями.
X—термодинамический коэффициент,
ф — угол поворота вокруг кристаллофизических осей,
со-—круговая частота.
dEgfdp—зависимость ширины запрещенной зоны от давления.
dEg/dT—температурный коэффициент ширины запрещенной зоны.
tg 6—тангенс угла диэлектрических потерь,
tg $max—максимальное значение тангенса угла диэлектрических потерь,
tg боо—установившееся значение тангенса угла диэлектрических потерь.
В индексах обычно i, /, k = 1, 2, 3, m, n, p, q= 1, ... , 6.

ПОСТРОЕНИЕ СПРАВОЧНИКА
Кристаллы, описываемые в справочнике, расположены приблизительно по
степени усложнения структуры. Цифры в квадратных скобках указывают
литературную ссылку по списку литературы (стр. 589).
Каждый кристалл имеет свой номер (см. список кристаллов на стр. 3—5).
Для каждого кристалла выдержана единая схема описания, в которой каждое
свойство имеет свой номер. Пропущенный номер означает, что по
соответствующему свойству не удалось найти данных в литературе. Подробное описание
этой схемы см. на стр. 16. Рисунки имеют тройную нумерацию: первый номер
относится к кристаллу, второй — к свойству, третий—порядковый номер
рисунка для данного кристалла и данного свойства. Например, рис. 1.12.3
означает, что рисунок относится к кристаллу № 1—германию, к его упругим
свойствам (№ 12) и среди рисунков, иллюстрирующих упругие свойства repMaHHHt
является третьим.
В тех случаях, когда в одной статье измерены и даны на одном графике
результаты, относящиеся к нескольким кристаллам, такой рисунок приводится
целиком в описании одного из этих кристаллов, а в описании остальные
кристаллов дается ссылка на него. В отдельных случаях также даются ссылки
на общие таблицы, если в одной работе, в одинаковых условиях проведены
измерения для нескольких кристаллов.
На стр. 556—588 приведены обзорные таблицы, составленные по мате-
риалам, собранным в справочнике.

СХЕМА ОПИСАНИЯ КРИСТАЛЛА
1. 	Вид материала. В настоящее время в промышленности используются
.Сочти исключительно синтетические кристаллы. Однако представляют интерес
сведения о том, существует ли это соединение в виде природного минерала.
Поэтому указывается, есть ли природный минерал, является ли он
распространенным или редким.
( • Далее приводятся очень краткие сведения о методах выращивания. В тех
случаях, когда для кристаллов имеются стандартные, широко
распространенные, описанные в учебниках и монографиях методы выращивания (как
например, для германия, кремния, кварца, каменной соли), методы указываются без
литературных ссылок, а для новых веществ, синтезированных в самые
последние годы, метод описывается со ссылками на первоисточник.
• 2. Симметрия кристалла. Перечисляются сингония, класс, пространственная
групца, указывается структурный тип; используется международная система
обозначений и система Шенфлиса.
.Постоянные решетки а, Ь> с и объем элементарной ячейки указаны в
ангстремах » Общеизвестные сведения, которые даны по [31, 32, 501, 1, 982] или
ро [97], не отмечаются литературной ссылкой. Для новых соединений
указываются ; первоисточники.
., 3. Молекулярный вес. Значения взяты из [97] или [31, 32, 501, 1, 982].
4. Плотность дается в г/см3. Приводятся зависимости плотности от
температура и давления.
5. Температуры фазовых переходов (в К или °С)
Тпл—температура плавления;
Гк —температура Кюри, т. е. температура обратимого перехода кристалла
из сегнетоэлектрической (полярной) фазы в параэлектрическую (неполярную)
для сегнетоэлектриков или из парамагнитной в ферромагнитную для
парамагнетиков;
Тс—температура полиморфных переходов;
Тif—температура Нееля, т. е. температура перехода из антиферромагнит-
ного состояния в ферромагнитное.
Температуры кипения Гкип, возгонки Твозт или разложения Тразл и Раз“
личных структурных переходов приводятся лишь в тех случаях, когда они
лежат в области возможного практического применения кристаллов.
6. Растворимость выражена в граммах вещества на 100 г растворителя.
7. Удельная теплоемкость кристалла с зависит от условий нагревания.
Наиболее употребительными являются теплоемкость ср, характеризующая

СХЕМА ОПИСАНИЯ КРИСТАЛЛА
17
теплоемкость при нагревании в условиях постоянного давления р, и
теплоемкость су, характеризующая теплоемкость при нагревании с сохранением
постоянного объема. Эти величины связаны соотношением:
Здесь а у—температурный коэффициент объемного расширения,
р—изотермическая сжимаемость.
Если не указаны условия измерения, то обычно речь идет о теплоемкости
при постоянном давлении ср.
Для количественной характеристики теплоемкости различные авторы
используют удельную, молярную или объемную теплоемкости, которые
определяются соответственно как теплоемкости единицы массы, одного^ моля или
единицы объема. Единицами теплоемкости служат при этом Дж-г”1^”1,
Дж'Моль^-К”1, Дж*моль~3-К”1, кал/г«К, кал/моль*К, кал/м3*К.
В этом же разделе приводится температура Дебая Тд.
8. 	Тепловое расширение. Для количественной характеристики теплового
расширения используются следующие величины: истинный температурный
коэффициент линейного расширения
длина, V—объем, Т — температура. Размерность всех температурных
коэффициентов—градус-1, (К-1).
Тепловое расширение кристаллов описывается симметричным тензором
второго ранга а,у, число компонент которого для кристаллов разных синго-
ний*) указано в приложении III, табл. 2.
Коэффициент теплового расширения в Направлении, которое задается
нормалью п, выражается через главные коэффициенты:
где n±t я2, пв—компоненты единичного вектора нормали п; ф*, <р2, фз—углы,
составляемые нормалью п с кристаллофизическими осями х±, x2f xs.
Температурный коэффициент объемного расширения
Ср — Су — ССу^Т.
средний температурный коэффициент теплового расширения
или
ап=агп1+а2/г|+аьп\
ап = а* cos2 ф ±+а2 cos2 ф2+а3 cos2 ф8,
<Ху«а1+а2+а8.
*) Разделение кристаллов по категориям, сингониям и классам симметрии
дано в приложении III, табл. 1.

18
СХЕМА ОПИСАНИЯ КРИСТАЛЛА
В ряде случаев коэффициент линейного расширения представлен формулой
ar=i4'-10-e + B.10-e7, + C.10-W7,a.
В этом случае под рубрикой «тепловое расширение» приводятся значения
постоянных Л, В и С для различных температур. Для кристаллов средней
категории значки || или J_ относятся к значениям коэффициента теплового
расширения соответственно параллельно и перпендикулярно главной оси
симметрии кристалла. Для кристаллов низшей категории индексы 11, 22, 33
относятся к значениям коэффициентов вдоль главных осей эллипсоида
теплового расширения.
В этом же разделе приводятся данные о постоянной Грюнайзена у.
9. Теплопроводность определяет количество тепловой энергии,
передаваемой через единичную площадку за единицу времени при единичном градиенте
температуры. Коэффициент теплопроводности х выражается в кал/см.с*К,
в Дж/кг*К*с, Вт/кг*К.
Приводятся также зависимости к от Т и от р.
10. Спайность, т. е. способность некоторых кристаллов раскалываться
при ударе по определенным кристаллографическим плоскостям, качественно
характеризуется как «весьма совершенная», «совершенная», «несовершенная».,
Плоскости спайности характеризуются кристаллографическими индексами.
При этом, следуя первоисточникам, индексы плоскости даются в круглых
а не в фигурных скобках.
11. Твердость. В первую очередь указывается твердость по условной, но
широко распространенной шкале Мооса, в которой 10 стандартных минералов
расположены в ряд по степени Возрастания твердости. Если испытываемый
кристалл можно поцарапать минералом с твердостью Нп+±, а сам он
царапает минерал с твердостью Нп, значит, его твердость Н по Моосу имеет
значение Нп < Н < Нп+1. Если нет в распоряжении стандартной шкалы Мооса,
можно грубее, но достаточно наглядно определять твердость, сравнивая
испытуемый кристалл со стеклом, лезвием ножа и т. п., как показано в
нижеследующей таблице:
Шкала твердости по Моосу и ее соотношение с твердостью по Кнупу
Твердость
по Моосу
Стандартный
минерал
Возможная замена
Твердость по Кнупу,
кгс/мм*
1
тальк
карандаш № 1
—
2
гипс
мягкая алюминиевая
проволока
32
3
кальцит
медная монета
165
4
флюорит
железная проволока
263
5
апатит
стекло
430
6
ортоклаз
лезвие перочинного ножа
560
7
кварц
напильник
820
8
топаз
1340
9
корунд
2100
10
алмаз
7000

СХЕМА ОПИСАНИЯ КРИСТАЛЛА
19
Числа твердости по Моосу являются условными, однако качественно рост
твердости по Моосу отвечает росту числовых значений твердости или микро-
твердости, измеренных на испытательных машинах.
Твердость по Кнупу характеризуется в кгс/мм2, приблизительное
соотношение которой со шкалой Мооса дано в приведенной таблице. При указании
твердости по Кнупу указывается нагрузка и направление индентировйния.
Микротвердость Нц (в кгс/мм2) характеризуется в отечественных работах
обычно по измерению на приборе ПМТ-3, в котором индёнтор—алмазная
четырехгранная пирамидка — вдавливается в испытуемую грань под действием
контролируемой нагрузки.
12. 	Упругие постоянные. При достаточно малых напряжениях а/у,
согласно обобщенному закону Гука, деформация в/у пропорциональна величине
приложенного напряжения, т. е.
Gif — Cijkfikh /» /=1, 2, 3.
Линейный закон, Гука может быть записан в обратной форме:
&kl~sklijaij•
Коэффициенты пропорциональности с/у^ и S/y^ называются упругими
постоянными: Cijki—константа упругой жесткости (дин/см2 или Н/м2) и S/y^
(см2/дин или м2/Н) — константа упругой податливости являются тензорами
четвертого ранга, компоненты которых для разных классов симметрии даны
в приложении III, табл. II 1.5, В матричной форме обобщенный закон Гука
принимает вид:
&т—стп&п* ^n~snm^m (т> П—\у 2, ..., 6),
причем
si/ki = smn> когда тип равны 1, 2, 3,
2sijM — smn, когда или т или п равны 4, 5 или б,
4sijki = smnt когда и ту и п равны 4, 5 или 6.
Константы упругой жесткости и упругой податливости связаны
соотношением
smn=(-l)m+nAStn(Ac)-K
где Дс—определитель, составленный из модулей стп:
Cii С12 С13 СЫ С1Ъ с1в
С12 С22 С23 С24 С2Ъ С26
С13 С23 С33 С34 ^35 с36
С14 С2 4 С34 С4 4 С45 С46 *
С15 С2Ь С35 С45 с55 ^56
^16 С26 С39 С5в Св6
а Дтп—минор, полученный из этого определителя зачеркиванием т-й строки
и л-го столбца.
Стп, Smn> Спт> sfnn—-упругие постоянные, измеренные при постоянной
электрической индукции D или электрическом поле Е соответственно.

20
СХЕМА ОПИСАНИЯ КРИСТАЛЛА
Cmrit Smn—упругие постоянные, измеренные в условиях адиабатического
процесса, т. е. при постоянной энтропии.
Температурные зависимости упругих постоянных даются графиком или
таблицей значений cijki или sjjM при разных температурах Тг и Т2 или
величинами 10""6К"1;
тл _ cmrJ1 cmr?2 . rpn __ SmuF1 smn^2
mn~ стп{Тг-Т2) ' 1Smn~ smn (T,—T 2) *
Компоненты тензоров с^ы или даны в приложении 111.4.
13. 	Скорости упругих волн. В кристаллах в произвольном направлении,
заданном волновой нормалью N3B, могут распространяться три волны с
различными фазовыми скоростями Уф= *j/ . В общем случае
распространяются две квазипоперечные v§, и одна квазипродольная vi волны, где —
скорость быстрой поперечной, —скорость медленной поперечной волны.
В тексте справочника направления вектора нормали N или вектора
смещения U определяются обычно кристаллографическими индексами. Так,
например» ^iriioj—эт0 скорость продольной волны, для кбторой N || U || [110],
^riiojrooi]—это скорость сдвиговой (поперечной) волны, для которой ЛГ11 [110],
#11 [001].
Для чисто продольной волны вектор смещения U3B должен удовлетворять
условию
[17звЛГзв] = 0,
а для чисто поперечной—условию
(U3BN3B) = 0.
В кубических кристаллах скорость звука определяется из следующих
соотношений:
для продольных волн
Р^Шооз = сиш
P^LtllOl^Y (Cll + Cl2 + 2£44)>
Pt;L[lllI;===,3" (с11 + 2с12 + 4с44)»
а для сдвиговых волн
2
Ру[10оЗЕоо1] — С44»
р1,[110] EiToi ^Cll~Cl2^#
Р1,[111][ГП]==_з“ (cii+c44—С12).
Для пьезоэлектрических кристаллов скорости звука могут определяться
через коэффициенты электромеханической связи (см, п. 22).

СХЕМА ОПИСАНИЯ КРИСТАЛЛА
21
С точки зрения практических применений наибольший интерес
представляют поверхностные акустические волны (ПАВ), распространяющиеся вдоль
поверхности твердых тел в относительно тонком приповерхностном слое.
Вдоль плоской свободной поверхности пьезоэлектрика могут
распространяться поверхностные акустические волны двух типов: ПАВ Рэлея, имеющие
две компоненты механического смещения: одну — вдоль направления
распространения волны, а другую—перпендикулярную поверхности; чисто сдвиговые
ПАВ Гуляева — Блюстейна, имеющие одну компоненту механического
смещения, перпендикулярную направлению распространения волны и параллельную
поверхности. Как рэлеевские ПАВ, так и ПАВ Гуляева — Блюстейна не
обладают дисперсией.
Дисперсионными ПАВ являются волны Лява, распространяющиеся по
поверхности подложки, покрытой тонким (с толщиной порядка длины волны
звука) слоем другого вещества, в котором скорость звука меньше, чем в
подложке.
Широкое применение в настоящее время получили ПАВ Рэлея или
рэлеевские волны, скорость которых определяется как
где дг>#ф/д0—производная фазовой скорости волны по углу 0,
определяющему направление распространения волны относительно кристаллографических
осей для данного среза кристалла.
Для поверхностных волн приводятся три параметра: скорость
поверхностной акустической волны, коэффициент связи и углы потока
электромеханической энергии.
Эти величины представлены для различных кристаллографических
ориентаций графически: в зависимости от различных направлений распространения
в плоскости пластины, в зависимости от направления нормали к пластине
(були) или от одновременного поворота нормали к пластине и направления
распространения (цилиндры).
Коэффициент связи определен для пьезоэлектрических материалов как
отношение разности между скоростью ПАВ на свободной поверхности и на
поверхности, покрытой бесконечно тонким слоем проводника, к скорости
распространения ПАВ.
Угол потока энергии Ф есть угол между вектором среднего значения
потока электромеханической энергии и вектором фазовой скорости.
Температурные коэффициенты скоростей упругих волн выражают
изменение скорости упругой волны при изменении температуры на 1 К и
опредеvR&0,9vs.
Групповая и фазовая скорости ПАВ связаны соотношением
и угол между направлением фазовой и групповой скоростей равен

22
СХЕМА ОПИСАНИЯ КРИСТАЛЛА
ляются следующим образом:
т __ 1 дх д In т 1 dl 1 dv ^
х~ТдТ~~дТ TdT~~~vdf~ai~~
Коэффициент линейного расширения аг выражается через компоненты тензора
теплового расширения.
Выражение для Tv вычисляется для конкретных кристаллов через
изменение объема:
д ( М — д ( v 1 1 дх) 1
дТ V р / дТ\т) т v дТ р а<и ’
где av—температурный коэффициент изменения объема. Единицы
измерения— К"1.
14. Затухание упругих волн. Коэффициент затухания В характеризует
потери акустической энергии, обусловленные дислокационным трением или
взаимодействием с электронами проводимости и фонон-фононными
взаимодействиями, а также с рассеянием акустической энергии на дефектах
кристаллической решетки и т. д.
Коэффициент затухания определяется формулами
e“dn;20'*= [Яй]дБ/см
или
,n L?Tw] Нп/с“-
Нередко употребляется также логарифмический декремент затухания,
равный логарифму отношения амплитуд акустической мэ цп:ги ' hi рзгсгэян ил
в одну волну.
Чаще всего коэффициент затухания выражается в дБ/мкс, но применяются
и другие системы:
В (дБ/мкс) = 8,68 • 10~6• v (см/с) • В (Нп/см),
В (дБ/мкс) == В (дБ/см) • 10”6* v (см/с),
В (дБ/см) = 8,686-В (Нп/см),
1 Нп = 1 непер = 0,5 In е = 0,8686 бел (Б),
1 Б = lg(P2/Pi) При Р2= ЮР*,
1 дБ = 0,1 Б.
15. Диэлектрические свойства характеризуются относительной
диэлектрической проницаемостью 8. В кристаллах диэлектрическая проницаемость е
описывается симметричным тензором второго ранга, число компонент которого
для кристаллов разных сингоний указано в приложении III, табл. 2.
В переменных электромагнитных полях диэлектрическая проницаемость
является комплексной функцией частоты
е (<о) = е' (со)—/е" (ш).
Диэлектрические потери характеризуются величиной тангенса угла ди-
е*
электрических потерь tg д = —г; tg 8ц измеряется вдоль оси г (с) кристалла,
8

СХЕМА ОПИСАНИЯ КРИСТАЛЛА
23
tg 6^ измеряется перпендикулярно оси г (с) кристалла (для кристаллов
средней категории).
Зависимость диэлектрической проницаемости от температуры характери-
„ 1 dz т, 1
зуется величинои К-1. &ъ е2, 83—главные диэлектрические
проницаемости, связанные с кристаллофизическими осями хъ х2, х8. Следующие
обозначения являются эквивалентными (для кристаллов средней категории):
®i>
®8» &с* ®||»
Тензор диэлектрической восприимчивости Р является симметричным
тензором второго ранга, обратным по отношению к тензору 8. Pi, р2,
Рз—главные диэлектрические восприимчивости.
16. 	Показатели преломления даются для различных длин волн.
Дисперсия показателя преломления дается в виде производной дп/дХ, а также в ряде
случаев в виде практической формулы обратной дисперсии, равной
nD— 1
пр—пс
где «£>, пр, Пс — показатели преломления соответственно для длин волн
= 0,589, Кр= 0,656 и Яс = 0,486 мкм.
Иногда дисперсия показателя преломления задается как
n = A + BL+CL*+DL*+FIA, ^=^-0,028’
где А, В, С, D и F — константы для каждого кристалла.
Зависимость показателя преломления от температуры дается в виде
производной dn/dT, К~*.
Па> пь> пс или п±, я2, п3—показатели преломления, связанные с кристаллов
физическими осями х±> х2, х8.
Оптические свойства кристаллов кубической сингонии характеризуются
одним значением показателя преломления п.
Кристаллы тетрагональной, гексагональной и тригональной сингоний
(средняя категория) оптически одноосны, причем оптическая ось совпадает
с главной осью симметрии кристалла. Все направления, кроме оптической
оси, характеризуются двумя показателями преломления:
п0—показатель преломления обыкновенного луча;
пе—показатель преломления необыкновенного луча, зависящего от
ориентации;
Ал = п0 —. пе—дву преломление.
Если п0 > пе, кристалл оптически положителен, если п0 < пе, кристалл
оптически отрицателен.
Кристаллы ромбической, моноклинной и триклинной сингоний (низшая
категория) характеризуются тремя значениями показателя преломления для
*2» хз соответственно:
или
папъпс.

24
СХЕМА ОПИСАНИЯ КРИСТАЛЛА
Приняты также обозначения:
rig—наибольший, пт — средний, пр—наименьший показатели
преломления, 2V—угол между оптическими осями.
17. Пропускание и поглощение. Пропусканием называется отношение~ин-
тенсивности светового потока, прошедшего через материал, к интенсивности
падающего потока /, %=-^ . Падающий (входящий) поток должен быть мо-
Jo
нохроматическим, параллельным и направленным перпендикулярно к
плоскопараллельной пластинке исследуемого материала. Зависимость интенсивности
прошедшего (выходящего) через материал светового потока от длины волны
падающего света I — I (к) обычно иллюстрируется графиком.
Оптическая плотность D = \n~ , Оптическая плотность для слоя мате-
*п
риала единичной толщины называется коэффициентом поглощения А, см”*.
Оптическая плотность и коэффициент поглощения зависят от длины волны и
температуры.
Отражением R, %, называется отношение интенсивности отраженного
излучения к интенсивности падающего потока /0тр/Лн Отражение зависит от
длины волны R = R(k).
18. Электрооптические свойства. Коэффициент линейного электр ооптиче-
ского эффекта определяет изменение коэффициентов преломления,
вызванное действием электрического поля
Ая ^Vijk^k-
Коэффициенты характеризуются полярным тензором 3-го ранга и
записываются в тензорном гцк или в матричном гтп обозначениях: i, /, k =
= 1, 2, 3, /г, т= 1, ... , 6.
Коэффициенты квадратичного электрооптического эффекта Rijki
определяют изменение коэффициента преломления, вызванное действием
электрического поля, пропорциональное квадрату напряженности электрического поля:
Ап « RiJklEkEi « RijkiE2.
Коэффициенты Rijki являются компонентами симметричного тензора
четвертого ранга и записываются в тензорном (ijkl) или в матричном (тп)
обозначениях. При наложении внешних электрических полей изменение оптических
свойств кристаллов характеризуется уравнением
АР// = riJkEk+RijklEkEi,
или в матричной записи
АР т — г тп^т 4“ RmnEnv
где р/у—компонента тензора диэлектрических непроницаемостей.
При этом
Ej-E^El, £a.£a = £s-£s El

СХЕМА ОПИСАНИЯ КРИСТАЛЛА
25
Rmn = Rijkb если т и п= 1, 2, 3;
Rmn — ^Rijku если или т, или п = 4, 5, 6;
Rmn = 4Rifki> если и т, и я = 4, 5, 6.
19. Пьезооптические и упругооптические свойства. Пьезооптический эффект
состоит в изменении показателя преломления кристаллов в результате
влияния внешних механических напряжений или деформаций. Связь между
изменением показателя преломления А (1/л2) и тензорами механических
напряжений aij или деформаций 8/у определяется тензорами пьезооптических Я/у^/
или упругооптических коэффициентов Pijki четвертого ранга
^Р// — Я/jkfikb ДР/ j = Pi jkfikb
или в матричной записи:
АР/тг == Htnvfim ^$m — Pmrfin (т* ^=1, . ..» 6),
где
Птп = Щ/ы* К0ГДа /. k, /= 1, 2, 3;
= К0ГДа /* k> * = 4> 5» 6*
Размерность я//^ м2/Н, сма/кг, см2/дин, общепринятая единица
измерения— 1 брюстер= 10~*3 см2/дин.
Упругооптические коэффициенты Pij^i определяют изменение коэффициентов
преломления, вызванное действием деформаций. Коэффициенты pijki являются
безразмерными.
20. 	Нелинейные оптические свойства. При воздействии на кристаллическую
среду оптического излучения большой интенсивности в ней возникает
наведенная поляризация, которая может быть представлена в виде разложения в ряд
по степеням действующего электромагнитного поля Е:
Р = г[Х™Е+г™Е*+г™Е* + •••]>
где %(1)> х(2)» %(3) — нелинейные восприимчивости среды, характеризующие
нелинейные эффекты, 8—диэлектрическая проницаемость среды.
К нелинейным оптическим свойствам в первую очередь относится явление
генерации второй гармоники в кристаллах. Генерация второй гармоники
описывается поляризацией среды
Р£2М=8024^Г£<“>. /./,*=1,2,3.
Коэффициенты генерации второй гармоники образуют тензор третьего
ранга йЩ; для нелинейных кристаллов всех сингоний, за исключением три-
клинной и моноклинной, они связаны с линейными оптическими
восприимчивостями сред через компоненты тензора Миллера
„ Я,2Ю (D с2(0
<*£/* = е0х,7 tijOijk,
где %а и х2®—линейные восприимчивости среды Едля излучения исходной
частоты и его второй гармоники.
Компоненты тензора d\fk удовлетворяют условиям симметрии d2/fc==d2$/
и могут быть записаны в матричном виде:
dnm /1=1, 6).

26
СХЕМА ОПИСАНИЯ КРИСТАЛЛА
Число ненулевых компонент тензора d]fk зависит от симметрии среды; для
различных кристаллографических классов вид {тензора d приведен в
приложении I, табл. 6:
d2®—коэффициент генерации второй гармоники;
82®— компоненты тензора Миллера;
X®, X2®—линейные оптические восприимчивости среды для излучения
исходной частоты и ее второй гармоники;
л®, пш—показатели преломления среды для излучения исходной частоты
и ее второй гармоники.
21. Акустооптические свойства. Эффективность акустооптического
взаимодействия света и упругой волны в кристалле определяется величиной акусто-
оптической добротности (показателя эффективности)
Mi = ^-£- , Mj, 10~7 см2-с/г, Mg , М8,10~*2см-с2/г,
1 pv А 9 pv2
М2’=^ , М2, ю-W С»/Г, М4=^?, Mit 105 см4/г-с.
Р
Здесь п—показатель преломления, /?—упругооптический коэффициент, р —
плотность, v—скорость упругих волн.
Mi характеризует эффективность работы широкополосного
акустооптического устройства в случае, если ограничение наложено на максимальную длину
ультразвукового фронта.
М2 связывает эффективность дифракции с мощностью акустической волны
при заданной геометрии звукопровода.
М3 характеризует эффективность работы устройства, когда ограничение
наложено на ширину преобразователя Я: H = rv « и, т—время пересечения
ультразвуковой волной апертуры оптического луча.
Af4 характеризует эффективность работы устройства, если ограничение
наложено на плотность мощности
Af4 = Af2(na*)2.
22. Пьезоэлектрические свойства. Пьезоэлектрические свойства описываются
уравнениями, вид которых зависит от величин, выбранных в качестве
независимых переменных:
Pi — dnjOi j, Pi = ei jk&jk* El— Ui jkPjk* кц у8/у.
Здесь Рь—вектор электрической поляризации, ^ — вектор напряженности
электрического поля, а/у —механическое напряжение, еjk—механическая
деформация, duj, eijk, gijki hiij — пьезоэлектрические коэффициенты,
характеризующие работу пьезоэлектрического преобразователя в различных условиях.
Эти компоненты могут быть записаны в матричной записи:
йц у dmn
it /, k — \, ..., 3, m, n== 1, 6, причем
duj = dim, если m = 1, 2, 3;
2diij — dim, если m — 4, 5, 6.

СХЕМА ПОСТРОЕНИЯ ПРИЛОЖЕНИЙ
27
Пьезоэлектрический [модуль d измеряется в ед. СГСЕ/дин, Кл/Н;
пьезоэлектрические константы е—в ед. СГСЭ/см2, Кл/м; g—в см2/ед. СГСЭ, м2/Кл;
h—в дин/ед. СГСЭ, Н/Кл.
Коэффициент электромеханической связи определяется как отношение
плотности взаимной упругой и электрической энергий к среднему
геометрическому значению плотности внутренних упругой и электрической энергий:
ит
Vut-ud’
Um—взаимная энергия, Ut—упругая энергия, Uд—электрическая энергия;
k измеряется в %.
&31 — коэффициент связи, соответствует резонансу колебаний по длине
пластины, имеющей электроды на наибольших поверхностях, полярный вектор
перпендикулярен наибольшим плоскостям.
^ — коэффициент связи, соответствующий резонансу колебаний вдоль
полярного вектора по толщине пластины, имеющей электроды на наибольших
поверхностях.
&зз—коэффициент связи, соответствует основной резонансной моде
колебаний вдоль полярного вектора по длине цилиндра с электродами, нанесенными
на его торцевых поверхностях.
klb—коэффициент связи, соответствует резонансу колебаний по толщине
пластины, имеющей электроды на наибольших поверхностях. Полярный
вектор лежит в плоскости пластины.
23. Дополнительные сведения. Здесь приводятся различные
экспериментальные данные, характерные для описываемого кристалла и существенные для
его практического использования в акустоэлектронике.
На стр. 9 дан список принятых обозначений.
СХЕМА ПОСТРОЕНИЯ ПРИЛОЖЕНИЙ (Стр. 546—588)
В тексте справочника ссылки на рисунки, приведенные в приложении,
даются с обозначением «П». Далее следует римская цифра, означающая номер
приложения, и арабская цифра, означающая номер рисунка в данном
приложении. Например, «рис. П.И.12» означает, что рисунок помещен в
приложении II под номером 12.
В приложение первое (П.1) включены рисунки (П.1.1 и П. 1.2),
содержащие пояснения к многочисленным рисункам по распространению
поверхностных волн (ПАВ), помещенным в справочнике. Ссылки на эти рисунки
даны в соответствующих подписях к рисункам при описании кристаллов. В
этом же приложении дана сводная таблица по оптическому пропусканию
кристаллов (рис. ПЛ1.3).
В приложении втором (П.П) приведены некоторые сводные графики,
относящиеся одновременно ко многим кристаллам, взятые из опубликованной
литературы. Рис. П.Н.1 — зависимость среднего ко£44ициента теплового
расширения ряда материалов от температуры плавления. Рис. П.П.2 —
ПЛ1.6, ПЛ1.18—связь скоростей звуковых волн в кристаллах с
температурой плавления, атомным весом и затуханием упругих волн. Рис, ПЛ1.7 —

28
СХЕМА ОПИСАНИЯ КРИСТАЛЛА
зависимость величины Avr/v# для поверхностных акустических волн от тем»
пературного коэффициента времени задержки. Рис. П.11.8—зависимость
затухания упругих колебаний в некоторых кристаллах от частоты. Рис. П.П.9—
П.И.12 — дисперсия показателей преломления ряда кристаллов. Рис. П.11.13,
П.П. 14 — связь между аку стооптической добротностью и затуханием.
Рис. П. 11.15 — П.11.17 — зависимость величин, характеризующих
распространение поверхностных акустических волн от углов Эйлера в монокристалле.
В приложении третьем (П.III) приведены кристаллографические
категории, сингонии, классы симметрии и их обозначения (табл. П.1П.1), а также
компоненты тензоров, описывающих физические свойства кристаллов: тензоры
второго ранга — табл. П.III.2, третьего ранга — П.Ш.З, тензоры упругих
коэффициентов— П.III.4 и тензоры пьезооптических коэффициентов — П.П1.5.
В приложении четвертом (П.IV) содержатся таблицы переводных
коэффициентов для величин, измеренных в разных системах единиц.
В приложении П.У приведены некоторые сведения о кристаллах,
перспективных для акустоэлектроники, не вошедшие в основной текст справочника,
поскольку они были опубликованы во время печатания книги.
В приложении П.VI даны составленные авторами по материалам
справочника сводные таблицы свойств, важных для практического применения
монокристаллов в акустоэлектронике.
Табл. VI,1. Акустические свойства кубических кристаллов.
Табл. VI.2. Эффективные пьезоэлектрические монокристаллы.
Табл. VI.3. Эффективные монокристаллы для устройств на ПАВ.
Табл. VI.4. Акустооптические свойства монокристаллов.

1. ГЕРМАНИЙ Ge
1. Вид материала. Монокристалл синтетический. Выращивается из
расплава, в основном методом Чохральского.
2. Симметрия кристалла. Кубическая, класс тЗт, Fd3m (0/D> структура
алмаза.
При высоких давлениях наблюдались метастабильные модификации:
тетрагональная, структура P-Sn, тетрагональная, класс 422; кубическая объем-
ноцентрированная; гексагональная со структурой вюрцита [1, 2].
Постоянные решетки, а = 5,65749 при Т = 25°С [1].
3. Атомный вес. 72,59 [3].
4. Плотность, г/см3. 5,32674 при Т = 25 °С; 5,32 [4].
5. Температуры фазовых переходов, °С. Тпл = 937,2 [1], Тпл = 936,1 [3].
6. Растворимость. Не растворяется в соляной и разбавленной серной
кислоте при комнатной температуре. В воде не растворяется.
Растворяется в царской водке, в растворе перекиси водорода. Эффективно
окисляется при нагревании на воздухе до 600—700 °С [3, 5].
7. Удельная теплоемкость, кал/моль-К. 2,65 при Г = 80 К; 5,47 при
Г = 300 К.
В интервале 273 ~ 713 К теплоемкость изменяется как с^=(4,62 +
+ 2,27) 10~3 Т [3].
Гд,К:353 [3], 395 [6]; 370 [4], 360 [8], 374 [9].
8. Тепловое расширение, рис. 1.8.1, см. рис. 22.8.1, П. II.1.
[10], см.
также [11
. щ
т, к
8
10
12
14
16
18
20
22
а
0,003б
0,0045
0,0060
0,002б -
-0,004б —
-0,0135-
0,023
—0,036
т, к
24
26
28
30
35
40
50
60
а
—0,049
—0,056
—0,061
—0,071 -
-0,062 -
-0,024 0,165
0,523
т, к
70
80
90
100
110
120
130
150
а
0,918
1,38
1,85
2,28
2,69
3,07
3,41
4,12
т, к
200
250
280
—
—
—
—
—
а
4,82
5,32
5,59
—
—
—
—
—
т, к
300
290
280
270 260
250 240
230 220
210
200
а
6,0
5,9
5,8
5,7 5,6
5,5 5,4
5,3 5,2
5,1
5,0
т, к
190
180
170
160 150
140 130
120 110
100
90
а
4,9
4,8
4,6
4,4 4,1
3,8 3,5
3,1 2,7
2,3
1,7

30
I. ГЕРМАНИЙ Ge
n-Ge [15]
T, К 77 100 150 200 240 300
Y 2,648 2,262 1,871 1,349 0,997 0,729
Зависимость ///„ от T см. [10], у при 7'= 12 ч- 130 К см. [10].
х, Вт/см-К
х.ИГ’КГ1
Рис. 1.8.1. Коэффициенты
теплового расширения а
германия и кремния [24].
1 — германия, 2 — кремния, 3 —
кварца (для кварца даны
усредненные значения и=—■■ —><8[28]).
9. Теплопроводность Вт/см-К. Рис. 1.9.1.
[15]
т, к
77
92
100
125
150
178
200
250
300
350
400
*Ge
4,31
2,98
2,74
2,00
1,78
1,34
1,13
0,86
0,77 |
[0,63
0,284
Хл-Ge
7,67
4,88
4,32
3,92
3,27
2,96
2,58
2,13
1,78
L1 >26
0,83
[17]
т, к
20
30
40 50
60
70 80 90
100
125
150
175
200
* ± 5%
15
10,5
7 >7 5,9
: 4,7
3,7 3,
1 2,55
2,25
1,66
1,30
1,10
0,95
"Т, К
250
300
400
500
600 700 800
9С0
1000
1100
12С0
1210
и±5%1 0,73 0,60 0,44 0,3380,2690,2190,1930,1770,171 0,1690,1730,173
10. Спайность. По (111).
11. Твердость. По Моосу 6,25 [18]; ло Кнупу 780 ± 79 кгс/мм2 на грани
(110), 845 ± 26 кгс/мм2 на грани (112) при Т = 20°С и нагрузке 25 г. [19,20].
= 960 ч-1060 кгс/мм2 на грани (111) при Т = ТК0МН и нагрузке 20г,
900 кгс/мм2 [21,22], см. [23]
Упругие постоянные.
Стп> 101* дин/см2
с%\
 *44
Сц
1,30
0,670
0,490
[31]
1,289
0,671
0,483
[4]

1. ГЕРМАНИЙ Ge
31
с тпру 101а дин/см2 [33, 34]
0111
^112
С128
— 7,10 ± 0,00
—3,89 ± 0,03
—0,18 ± 0,06
—6,81
—3,63
—0,09
с1в«
С4Ь9
С144
— 2,92 ± 0,08
—0,53 ± 0,07
— 0,23 ±|0,16
— 3,06
—0,43
—0,09
S/ял. Ю-1а см2/дин
S11
S44
Si 2
Т,° с
0,972
1,49
— 0,266
[31]
0,978
1,490
— 0,266
20
[35]
£ю = 102,7-10е Н/м2 [36],
Р = 1,3-10-12 см2/дин [18];
£ффЮ1,Зш/смг
Лупр=1,66 [37];
GKpy4 = 6,7.10u дин/см2 [18].
Е*[пФ 1в1,Ят/смг
Рис. 1.12.1. Зависимость модуля Юнга Ejq германия по направлениям [100] (a), [111J (б)
от температуры [11]*

32
1. ГЕРМАНИЙ Ge
Рис. 1Л 2.2. Зависимость упругих податливостей sllt s12, s44 германия от температуры [30].
Сц,М12дин/см*
С]2,1012дин/см2
Рис. 1.12.3. Зависимость упругих жесткостей сХ1 (а), с44, (б), ci2 (в) германия от
температуры. Сплошная линия [38], штриховая —[11].

1. ГЕРМАНИЙ Ge 33
Температурные зависимости упругих постоянных. Рис. 1.12.1 -f- 1.12.4
Bp» 10-12 см2/дин*) [30]
7\° С
Sll
—s12
S44
3 (stl + 2s12)
25
0,9743
0,2667
1,4952
1,322
50
0,9772
0,2684
1,4992
1,321
100
0,9823
0,2697
1,5069
1,328
150
0,9876
0,2709
1,5142
1,337
200
0,9927
0,2726
1,5227
1,342
250
0,9984
0,2744
1,5309
1,348
300
1,0042
0,2765
1,5390
1,353
350
1,0100
0,2772
1,5477
1,366
‘ 400
1,0162
0,2792
1,5572
1,373
450
1,0230
0,2821
1,5675
1,376
500
1,0299
0,2844
1,5774
1,383
550
1,0368
0,2863
1,5883
1,392
600
1,0444
0,2889
1,6007.
1,399
650
1,0527
0,2921
1,6141
1,405
700
1,0617
0,2959
1,6291
1,409
750
1,0721
0,3008
1,6467
1,411
800
1,0822
0,3040
1,6602
1,422
850
1,0927
0,3089
1,6765
1,424
*) Точность измерения sn и s44 0,2%; s12 и 3(sn + 2s12) 0,8%.
Зависимость с44 от температуры см. [40].
Рис* 1.12.4. Зависимость упругих жесткостей стпр германия от температуры: 1
2 — (£i*s + 6С144+ 8с4Бв), 3— (£ц* + 4сцв) [39].
2 под ред. М. П. Шаскольской

34 1. ГЕРМАНИЙ Ge
13. 	Скорости упругих волн, 105 см/с. Рис. 1.13.1 -г- 1.13.4, см. рис. П. И.2,
П. II.6.
[100J
VL flXOJ
VL rillj
vsmoj
^Sfliojnioj
u5flllJ произв
4,99
.5,41
5,50
3,55
2,75
[41,42]
4,92
5,41
5,56
3,55
2,75
3,04
[4]
Рис. 1.13.1. Скорости поверхностных волн, распространяющихся в плоскости (001) (а),
(110) (б) и (111) (в) кубических кристаллов германия, кремния, хлористого калия,
сфалерита и InSb [28].
= 5480,8 м/с измерено акустооптическим методом [43]
Vr, 105 cm/c [28]
В плоскости (001) вдоль
В плоскости (110) вдоль
В плоскости (111) вдоль
оси [100]
оси [001]
оси [110]
vR AvRfv 00, %
VR AVjf/Vv , %
VR
2,934 1,19* 10-3
3,015 1,17-10-»
2,683

1. ГЕРМАНИЙ de
35
Рис. 1.13.2. Зависимость
скоростей распространения
поверхностной Vj^ и объемной
сдвиговых волн в г-срезе германия
от величины угла Эйлера 0 (см.
рис. П. 1.1, П.1.2) [44].
Рис. 1.13.3. Зависимость
скорости распространения
поверхностной волны Vg и угла потока
энергии Ф в (111 )-срезе герма-
ия от величины угча Эйлера 0
см. рис. ПЛ.1, ПЛ.2.) [44].
Рис. 1.13.4. Зависимость
скорости распространения
поверхностной волны Vjg и угла потока
энергии Ф в (ПО)-срезе
германия от величины угла Эйлера 0
(см. рис. П. I. 1* П. I. 2) [44].
vA,vs,M/c
VR,JH/C
VR,M/C
2*

3G
1. ГЕРМАНИЙ Ge
Температурные . коэффициенты скоростей упругих волн. Рис. 1.13.5.
Рис. 1.13.5. Зависимость скоростей распространения упругих волн: о Z-[i 1 о]
°5[11-0] [001] (б); v 5[цо] [110] ^ в геРмании от температуры (точки—
экспериментальные данные [11], штриховая линия—расчетная кривая, с поправкой на тепловое
расширение) [11].
14. 	Затухание упругих волн. Рис. 1.14.1 ч- 1.14.4, см. рис. 35А.14.5,
П. II.6, П. 11.13.
£ = 30 дБ/см-ГГц2 для vL[llip 3 = 9,0 дБ/см-ГГц2 для nooj -[41];
5 = 29,6 дБ/см-ГГц2 для [6]; В = 4,2 дБ/мкс при / = 500 МГц [45];
В = 2300 дБ/м для aj^iooj при / = 1 ГГц, В= 1000 дБ/м для Osnooj при /=1 ГГц
[35, 46, 47].
В, о 5/см #
Рис. 1.14.1. Зависимость затухания Рис. 1,14.2. Зависимость затухания
упругих волн, распространяющихся упругих волн В, распространяющихся
вдоль направления [100] в германии вдоль направления [100] в германии
«-типа,, от частоты [49] для: 1~vi\ я-типа, от температуры для: Q — v^
2 ~~VS’ * —Данные [50], О — зкспери- / = 508 МГц; Д — / = 340 МГц; X—v§9
ментальные данные [49]. / = 333 МГц [49].

1. ГЕРМАНИЙ Ge
f
37
В, дБ/см
Рис. 1.14.3. Зависимость затухания
продольных В^ и сдвиговых упругие
волн, распространяющихся вдоль
направления [110] в германии, от
температуры для: — 306 МГц; 2 —
f = 300 МГц [25].
Рис. 1.14.4. Зависимость затухания
ультразвуковых волн В,
распространяющихся вдоль направления [100] в
чистых (сплошная линия) и легированньх
(штрихпунктирная линия) кристаллах
германия, от частоты для: 1—v^
2——(точки соответствуют различным
экспериментальным данным для чистого
Ge: #-[31]; Д-[49]; И_[50];
X, +-[25].
Тензор фононной вязкости при комнатной температуре см. [48].
[48]
Направление
и тип волны
i
f, ГГц
*эксп- ДБ/СМ
Врасч’ ДБ/СМ
VL [loo]
0,58
7,6 ± 0,4
8,0 ± 0,5
VS [loo]
1,03
4,6 ± 0,2
4,9 ±0,4
VL flioj
0,58
(8,0 ±1,5)
6,4 ± 0,4
‘bfllOJ
0,58
1,60 ±0,15
1,67 ± 0,08
г,м
SfllO]
1,03
—
4,0 ± 1,5
VL rillj
1,03
17,5 ±0,5
18,5 ± 0,9
VS flllj
1,03
4,7 ±0,9
4,7 ±0,9
15. Диэлектрические свойства. 8 = 16,5 [51]; 8 = 15,8 при Т~—196 °С;
1 dp
/=106 Гц; ±^=10-4 К"1 [31].
16. Показатель преломления. Рис. 1.16.1, см. рис. П. 11.10, п = 4,01 [Ы].

1. ^Е^МАНИЙ Ck
Рис. 1.16.1. Дисперсия
показателя преломления
германия [2].
[2]
К
мкм
1,80
1,85
1,90
2,00 2,058
2,10 2,153 2,20
2,30
2,313
п
4,143
4,135
4,129
4,116 4,10164,104 4,09174,092
4,085
4,0788
К
мкм
2,40
2,437
2,50
2,577 2,60
2,714 2,998 3,303
3,419
4,258
п
4,078
4,076
4,072
4,0610 4,068
4,0554 4,0453 4,0370 4,0336 4,0217
К
мкм
4,866
6,238
8,66
9,72 11,04
12,12 13,02 14,21
15,08
16,00
п
4,01704,00924,00364,00264,0020'4,00184,00164,0015 4,0014 4,00.12
и = 3,99931 •
0,391707 0,163492
Я2—0,028 1 (Я,2—0.028)2
- 0,0000060Я2+0,00000053Х4,
здесь Я приведена в мкм [2J.
п 4,0052 4,0028 4,0021
к, мкм 8,0 10,6 13,0
cte/dT = 3-10-4 К"1 [36]
Данные Национальной физической лаборатории США [52].
Я,мкм 8,000 9,000 10,000 11,000 12,000 13,000 14,000
п при Т —
= 20,0±0,2°С 4,00551 4,00423 4,00329 4,00242 4,00204 4,00157 4,00123
п при Т =
= 25,0±0,2°С 4,00748 4,00620 4,00525 4,00436 4,00398 4,00352 4,00315
Данные Института оптики Орсэ Франции [52].
V мкм 8,000 9,000 10,000 11,000 12,000 13,000 14,000
п при Т =
= 20,0 ± 0,2°С 4,0058 4,0043 4,0032 4,0022 4,0017 4,0013 4,0011

1. ГЕРМАНИЙ Ge
39
[54]
К мкм
п ири Г=297К
п при Г=275К
п при Г=204К
п при Г=94К
2,554
4,06230
4,05659
4,02528
3,98859
2,652
4,05754
4,05201
4,01955
3,98462
2,732
4,05310
4 04725
4,01511
3,98052
2,856
4,04947
4,04338
4,01139
3,97720
2,958
4,04595
4,03957
3,00796
3,97390
3,090
4,04292
4,03649
4,00485
3,97100
4,120
4,02457
4,01732
3,98662
3,95334
5,190
4,01617
4,00853
3,97820
3,94536
8,230
4,00743
3,99933
3,96934
3,93720
10,270
4,00571
3,99729
3,96745
3,93597
12,360
4,00627
3,99607
3,96625
3,94026
К, мкм
dn/dT (°С)“* [1298]
dn/dT (°C)-i [54]
1,934
5,919-10~4
2,174
5,285-10-4
—
2,246
5,251 • 10~4
—
2,401
5,037 • 10“ 4
—
2,554 -f- 12,1
—
— 3,96-10-4
Зависимость dn/dT от % см. [2].
17. 	Пропускание и поглощение. Рис. 1.17.1. 1, 5 — 22 мкм [55], 2 -г- 20 мкм_
[41]; Л = 2,5* 10~2 см-1 при Х= 10,6 мкм [36].
Р#р. 1.1 7.1. Пропускание и поглощение германия /2-типа р^ = Ю Ом/схм [53].

40
2. КРЕМНИЙ Si
19. 	Пьезооптические и упругооптические свойства.
[56, 57]
Я,= 3,39 мкм
10,6 мкм
X— 10,6 мкм
зхц, 10-12 м2/Н
— 0,79
— 0,84
я12, 10-12 м2/Н
— 0,51
— 0,48
JT44, Ю12 М2/Н
— 1,07
— 1,09
Ри
— 0,151
— 0,154
+ 0,27
Pl2
— 0,128
— 0,126
+ 0,235
044
— 0,072
— 0,073
+ 0,125
21. Акустооптические свойства. Для Х= 10,6 мкм [41]. См. рис. П. 11.13.
"зв
"зв
В
Ми 10”7 см2-с/г
М2, 10-‘8 С»/Г
М3, ю-18 СМ-С2/Г
[111]
[111]
[111]
10200
840
1850
[100]
[010]
произв.
1430
290
400
23. Дополнительные сведения.
Коэффициенты пьезосопротивления Лтп, 10"12 см2 дин-** [3]
пп
nlf
п14
Для n-Ge
— 5,2
— 5,5
— 138,7
Для р-Ge
— 10,6
+ 5,0
+ 98,2
Ширина запрещенной зоны £^ = 0,78 эВ при Т = 0 К, £’^ = 0,85 эВ при
Т = 300 К [3].
Ниже 400 °С очень хрупок, становится пластичным выше 450 °С [58, 59].
2. 	КРЕМНИЙ Si
1. Вид материала. Кристалл синтетический. Выращивается из расплава,
в основном по методу Чохральского.
2. Симметрия кристалла. Кубическая, класс тЗ/n, FdSm^Ofy. структура
алмаза. Возможны метастабильные высокотемпературные модификации:
тетрагональная типа p-Sn, гексагональная типа вюрцита [1].

1 КРёмййй si
41
ПобгПдЛнныё решетки, А. 5,4307 при Т = 25 °С [1]; 5,43072 ± 0,00001
при Т = 298 К [3].
а 5,4309 5,4332 5,4370 5,4398 5,4429 5,4461
7\° С 25 157 356 496 651 813
ат=5,4304+1,8138-10-5Г+1,542-10-9Г2, где Т приведена в °С [60, 61].
3. Атомный вес. 28,08.
4. Плотность, г/см3. 2,3283 при 71 = 25°С [1, 3, 62].
5. Температуры фазовых переходов, °С. Т'пл=1412 ± 2 [3]; Тпл= 1420 [36].
6. Растворимость. В воде не растворяется; растворяется в смеси
фтористоводородной и азотной кислот [2].
7. Удельная теплоемкость, кал/г*К
Г, К
0,029
61
0,087
129,7
[2]
0,126 0,168
187 • 286,9
0,181
291,2—372,1
0,210
291—1173,6
В области от 298 К до Тпл теплоемкость описывается уравнением: ср —
= (5,70+ 1,02- 10-3 Т— 1,06-10-5 Г-2) кал/моль-К [3].
Тд = 646 К [7]; Гд=:625 К [8]; Гд = 640 К [4]; Гд = 653 К [63];
7д = 650 К [9Ь
8. 	Тепловое расширение, 10_6 К-1. Рис. 2.8.1, см. рис. 1.8.1, П. II.1.
аг = 3,0024-10"6 + 0,1544* 10"8Т + 0,20576-10-11 Г2.
Здесь температура приведена в К [64].
а, 10~ВГ1
Рис. 2.8.1. Зависимость величины ///„ [33] (а) и коэффициента теплового расширения
[11] (б) кремния от температуры.
[10]
Т, к 12 14 16 18 20 22 24 26
а 0,0015 0,0012 0,001 —0,0008 —0,0045 —0,0085 —0,0145 —0,026
Т, К 28 30 35 40 50 60 70 80
а —0,038 —0,052 —0,09'—0,13 —0,24 —0,39 —0,5 —0,5
•г, К 90 100 110 120 130 150 200 250 280
а -0,44 —0,34 —0,21 —0,04 0,13 0,52 1,44 2,12 2,44

42
2. 	КРЁМЙИЙ gf
г, к
40
50
60
70
80
90
100
110
120
а
—0,05
—0,2
—0,41
—0,59
—0,77
—0,51
—0,31
—0,15
0,01
Ту К
130
140
150
160
170
180
190
200
210
а
0,16
0,31
0,47
0,65
0,84
1,05
1,28
1,49
1,67
Т, к
220
230
240
250
260
270
280
290
300
а
1,83
1,97
2,07
2,16
2,22
2,27
2,30
2,31
2,33
а
= 3,57 при Т =
сл
о
о
П
о
о>
со
II
8
при Т =
496 °С; а
= 3,59
при Т = 813
°С [60]
7 при Т = 12ч- 280 Кем. [10]
9. Теплопроводность, Вт/см-К. См. рис. 1.9.1.
[17]
ту к
50
60
70
80
90
100
125
150
175
>с ± 5%
26
21
17,0
13,9
11,4
9,5
6,0
4,
20
3,25
Ту к
200
250
300
400
500 600
700
800
900
и ± 5%
2,66
1,95
1,56
1,05
0,80 0,
,64
0,52
0,43
0,356
Ту к
1000
1100
1200
1300
1400
1500
1600
1681
^ ± 5%
0,310
0,280
0,261
0,248 1
0,237
0,227
0,219
0,216
[15]
Ту к
71
92
100 125 150
178
200
250
300
350
400
KSi ± 5%
8,23
7,08 6
,57 5,
20 4,61
4,24
3,63
1,99
1,83
1,54
1,41
Xp-Si
6,99
5,93 5
,24 4,
08 3,88
3,39
3,12
2,21
2,08
1,67
1,66
10. Спайность. По (111).
11. Твердость. По Моосу 7,0; по Кнупу 1150 ± 110 кгс/мм2 награни (110),
1330 ± 112 кгс/мм2 на грани (112) [20].
1Ю0 кгс/мм2 [66] см. [23].
12. Упругие постоянные. Рис. 2.12.1, 2.12.2.
cmn, 1012 дин/см2 Астп/Ар в интервале
р = 0 -т- 2109 кг*см~ 2 [33]
Си
с44
С\2
Астп^Р
Г = 25 °С
Г = -195,8 °С
1,65
0,793
0,64
[32]
Аси/Др
4,33
4,29
1,657
0,796
0,639
[25]
Дс^/Др
4,19
4,20
1,656
0,7953
0,6386
[70]
Асы/Ар
4,24
4,23
1,674
0,6523
0,7957
[71]
1,67
0,65
0,79
[4 ]
стпр> 1°12 дин/см2
ст
С1 12
^12 3
С144
ciee
С45в
—7,95
—4,45
—0,75
0,15
—3,10
—0,86
[33]
—8,25±0,10
—4,51 ±0,05
—0,64±0,10
0,12 ± 0,25
—3,10±0,Ю
—0,64 ±0,20
[4]

2. КРЕМНИЙ Si
43
Сш,10123ии/смг
Ъзи, Ю123ин/смг
а)
в)
Рис. 2.12.1. Изменение упругой жесткости c13l3 кремния в плоскостях (331), (МО),
(001), (112), (11.1), принадлежащих зоне с осью [110] (а);!в плоскостях (001), (013), (01 1),
принадлежащих зоне с осью [100] (б); 1в плоскостях (001), (130), (131), (132), принадле-
жащих зоне с^осью [310] (в) [67].
13
17,
15
12
11
9
7
5
х-х—х—Х-Х-Х-^Х.
Х-Х—Х-Х-Х-Хт
х-х-х~х-х-х%-
" 0 200 400 300 J00 1K
Рис. 2.12.2. За исимость модулей Юнга
Ejq и кручения G кремния от тем-
чкруч
пературы (О— данные [68], X—данные
[69]).
кости стп кремния от температуры (О —
данные [63], ф—данные [11]; штриховые
кривые —экстраполяция к 0 К [61] (с^=
— х!г (^и —^12))*
тп, 10-12 см2/дин.
Sll
S44
S12
0,774
1,26
0,217
[32]
£Ю = 131-Ю9 Н/м2 [36].

44
2. КРЕМНИЙ Si
Температурные зависимости упругих постоянных. Рис. 2,12.3.
Постоянные упругости, модули упругости и фактор
упругой анизотропии кремния см. [69, 73, 68, 40, 63].
Т, к
и
К
£
О
ео
.1
3 °
к
х
§
о
7 °
1 т-1
я
X
*£
ъ
и
„т
5°
СЛ
о
аГ
к
t*
2°
о
к
X
п.
« °
О гн
и
X
К
»=г
30
Cj гН
ЛУПР
293
7,72
2,05
12,50
16,01
5,78
8,00
1,56
373
7,77
2,02
12,58
15,95
5,78
7,95
1,56
473
7,82
2,09
12,67
15,86
5,77
7,90
1,56
573
7,88
2,10
12,76
15,73
5,71
7,84
1,56
673
7,94
2,11
12,86
15,57
5,62
7,78 ;
1,56
773
8,02
2,12
12,95
15,42
5,56
7,72
1,57
873
8,09
2,14
13,05
15,27
5,50
7,66
1,57
973
8,17
2,17
13,18
15,14
5,48
7,59
1,57
1073
8,26
2,19
13,29
14,96
5,39
7,52
1,57
1173
8,36
2,20
13,43
14,75
5,26
7,45
1,57
1273
8,47
2,22
13,57
14,51
5,15
7,37
1,57
Экс
траполировак
[ные значе]
*ия
1690



13,39
4,59
7,04
1,60
[0
—
—
—
16,60
6,02
8,20
1,55
0
—
—
—
16,76
6,50
8,03
1,57
Термоупругие коэффициенты кремния, 10“5 К""* [63]
Асц
A c4i
с^АТ
с»4Д Г
Эксперимент
9,3
7,7
[63]
Расчет с потенциалом Китинга
11,3
5,3
[74]
Расчет с потенциалом Вуксевича
18,3
7,1
[74]
Тстп, 10-* К-1
Т Сц
Т с44
Т С12
—0,53
—0,42
—0,75
[32]
--0,753
—0,555
—0,245
[71]

2, КРЕМНИЙ Si
45
Предел прочности при сжатии 9,47 кг/мм2 [3]; ниже 600 °С хрупок, выше
650 °С наблюдается пластичность [59].
Зависимость см от Т см. [40].
13. 	Скорости упругих волн, 105см/с. Рис. 2.13.1 ч- 2.13.4, см. рис. 1.13.1.
[33]
"зв
"зв
Тип волны
v, ю5 см/с
[001]
[001]
L
8,43322
[001]
[110]
S
5,84457
[110]
[110]
L
9,13333
1110]
[001]
S
5,84416
[110]
[110]
S
4,67389
[110]
[001]
S
5,84440
VL [in] = %[юо] = 4>13 [41]
VL [100] = 8’43» VS [100] произв^5’85’ VL [110] = 9’13’
vs [ 110] [Гю] = VL [ill] = 9,35 vs j-hi-j произв = 5,09[4].
Поверхностные волны:
[28]
В плоскости (001) вдоль оси [100]
В плоскости (110) вдоль оси [001]
В плоскости (111)
вдоль оси [110]
vg, 1О5см/с
%
Уоо
v105см/с
vg, 1О5см/с
4,917
1,23
5,029
1,21
4,539
Температурные и частотные коэффициенты скоростей, 10~6К“1.
7’t'i[lle]=—274> ^[ИО] [lIo]=— 18,5, [110] [001] = — 17’9 [П];
рис. 2.13.5.
"зв •
"зв
Тип волны
v, 10б см/с
Tv
г, °с
[001]
[110]
S
5,843
—16,3 [71]
25
[001]
[001]
L
8,474
—26,2 [71]
—
[110]
[110]
S
4,682
—42,3 [71]
—
[110]
[110]
L
9,132
-27,4 [И]
—
[110]
[110]
S
4,673
— 18,5 [11]
[110]
[001]
S
5,842
—17,9 [11]
~—

Рис. 2.13.1. Сечение поверхностей медленностей (обратных скоростей) в кремнии
плоскостью (001): / — квазипродольная волна QL; //—сдвиговая волна ?,s'[ooi] (точка А.
соответствует скорости 584 3 м/с) (а). Ориентационная зависимость угла отклонения
вектора поляризации от волновой нормали /V квазипродольной волны, распространяющейся
в плоскости (001) (б) [72].
Рис. 2.13.2. Сечение поверхностей медленностей (обратных скоростей) в кремнии
плоскостью (110): / — квазипродольная волна QL; II—квазисдвиговая волна QS;
III—сдвиговая волна v
S [110]
[72].
Щ, vs, м/с
Рис. 2.13.3. Зависимость скоростей
распространения упругой рэлеевской
Vg и объемной v§ сдвиговых волн в z-
срезе кремния от величины угла
Эйлера 0 (см. рис. П.1.1, П.1.2) [44].
Рис. 2.13.4. Зависимость скорости
распространения упругой рэлеевской
волны Vg и угла потока энергии Ф
в (111)-срезе кремния от величины,
угла Эйлера 0 (см. рис. П,Ы, П.1.2)
[Щ-

ё. крптт si
41
Рис. 2.13.5. Зависимость скоростей распространения продольных волн j-110j (fl)»
сдвиговых волн Vg j110-j [i“io] сдвиговых волн [no] [001] ^ B кРемнии от
температуры (О —экспериментальные данные; штриховая линия— расчетная кривая, с поправкой
на тепловое расширение) [11].
14. 	Затухание упругих волн. 6,5 дБ/ГГц2-см для ^[Ш][41], рис. 2.14.1,
см. рис. 35А.14.5.
[48]
Направление
и тип волны
f, ГГц
^эксп
> дБ/см
^расч, дБ/см
VL [100]
1,03
7,6
± 0,7
7,6 ± 0,7
VS [100]
0,995
2,2
± 0,1
2,3 ± 0,12
VL [110]
1,03
—
6,3 ± 0,4
v6
VS [110]
1,03
2,55
± 0,25
2,45 ± 0,13
VS [110]
1,03
—
2,9 ± 1,7
VL [ill]
1,03
5,9
± 0,5
5,9 ± 0,3
' VS I ill]
1,03
—
2,7 ±0,9
Фононная вязкость см. [48]. Зависимость В для vL jmj от частоты
см. [75].

КРЕМНИЙ SI
т,к
Рис. 2.14.1. ЗавиоимовФь затухания
продольных В^ и сдвиговых
упругих волн, распространяющихся вдоль
направления |[ 1003 в кремнии от
температуры: О-продольная волна, f =
= 480 МГц; ф—продольная волна,
f=286 МГц; Д—сдвиговая волна,
/ = 495 МГц [28].
Рис. 2.16.1. Дисперсия показателя
преломления кремния: 1— при
Т = 296, 2 — при 7 = 275, 3— при
Т = 202, 4—при 7'= 104 К [54].
15. Диэлектрические свойства. 8=11,7 ±2,0 при Т — — 196 °С, /= 106 Гц
[32, 51].
16. Показатели преломления. Рис. 2.16.1, см. рис. П.П. 10,
[2]
Я, мкм
"Р
X, мкм
nt
п2
А,, мкм
пх
п2
1,05
3,565
1,970
3,4537
3,50
3,4284
1,10
3,553
—
2,00
3,458
—
4,00
—
3,4255
1,20
3,531
—
2,10
—
—
4,26
—
3,4242
1,357
—
3,4975
2,153
—
3,4476
4,50
—
3,4236
1,367
—
3,4062
2,20
3,451
—
5,00
—
3,4223
1,395
—
3,4929
2,30
—
—
5,50
—
3,4213
1,40
3,499
—
2,325
—
3,4430
6,00
—
3,4202
1,529
—
3,4792
2,40
3,447
—
6,50
—
3,4195
1,60
3,480
—
2,437
—
3,4408
7,00
—
3,4189
1,661
—
3,4696
2,50
—
—
7,50
—
3,4186
1,709
—
3,4664
2,60
3,443
—
8,00
—
3,4184
1,80
3,466
—
2,714
—
3,4358
8,50
—
3,4182
1,813 ,
’—
3,4608
3,000
—
3,4320
10,00
—
3,4179
1,85
—
—
3,303
—
3,4297
10,50
—
3,4178
1,90
—
—
3,419
—
3,4286
11,00
—
3,4176
*) % дано по [76], п2 — по [77].

2, КРЕМНИЙ SI 49
ДйсперсИя показателя преломления кремния
tii = A + BL + CL3+DX*,
где L—тъ.—тгпоо; А = 3,41696, 5 = 0,138497, С = 0,013924, D = —0,0000209
А—U,Uzo
[2].
^Г = 162*10-6К”Ч36]
[54]
к, мкм
п при Г=296 К
п при 7’ = 275 К
п при Г = 202 К
п при Т— 104 К
2,554
3,43681
3,43472
3,42184
3,41172
2,652
3,43529
3,43264
3,42006
3,40896
2,732
3,43367
3,43097
3,41843
3,40754
2,856
3,43224
3,42971
3,41776
3,40611
2,958
3,43102
3,42836
3,41587
3,40475
3,090
3,42987
3,42723
3,41483
3,40365
4,120
3,42304
3,42642
3,40800
3,39695
5,190
3,41974
3,41649
3,40496
3,39388
8,230
3,41629
3,41314
3,40169
3,39064
10,270
3,41551
3,41226
3,40084
3,38989
Зависимость dn/dT от X см. [2].
17. 	Пропускание и поглощение. Рис. 2.17.1; 1,5 ± 10 мкм [79];
1,05 ± 11 мкм [2].
Рис. 2.17.1. Пропускание I и коэффициент поглощения А кремния [53].
19. 	Пьезооптические и упругооптические свойства.
Pii=-0,081 ± 0,013, /?44 = 0,075 ± 0,008, /?12 = 0,001 для Х = 3,39мкм [80].
Ри + 2/712 — 2/744 = 0,045; Ри + 2/712 + 4р44 = 0,51 для %= 10,6 мкм [81].
Ри =0,121, pi2 — 0,270, /?44 = 0,075 для К = 0,6328 мкм [72].

50
2. КРЕМНИЙ Sf'
[82] *
Я, нм
Рч *)
Pl2 *)
/>44 *) I
Я, нм
Pit *)
Pl2 *)
Pi4 *)
676,4
1,009
1,004
0,995
496,5
0,940
0,979
0,991
647,1
1,004
1,002
1,001
488,0
0,932
0,976
0,996
632,8
1,000
1,000
1,000
482,5
0,933
0,974
0,990
568,2
0,982
0,992
0,996
476,2
0,924
0,972
0,989
530,9
0,966
0,985
0,995
468,0
0,922
0,971
0,992
514,5
0,962
0,980
0,997
457,9
0,904
0,959
0,984
501,7
0,942
0,979
0,990
*) Значения ртп приведены относительно соответствующих значений для
плавленого кварца.
21. 	Акустооптические свойства.
При 10,6 мкм [41]
"зв
"зв
Е
Mif 1 О-7 см2-с/г
и
0
1
о
£
М3, 10“12 см кЧг
[111]
[111]
[111]
206
6,2
20,9
[100]
[001]
произв.
137
24,1
33,1
[82]
Я, нм
Ml1*)
м\2 •)
М***)
Я, нм
•)
Mf *)
Mf *)
676,4
1,013
1,003
0,985
496,5
0,906
0,980
1,005
647,1
1,006
1,003
1,000
488,0
0,891
0,976
1,017
632,8
1,000
1,000
1,000
482,5
0,895
0,973
1,006
568,2
0,973
0,993
1,001
476,2
0,878
0,971
1,006
530,9
0,948
0,986
1,006
468,0
0,876
0,971
1,014
514,5
0,926
0,979
1,013
457,9
0,844
0,950
1,000
501,7
0,908
0,980
.
1,002
*) Значения М™п приведены относительно соответствующих значений для
плавленого кварца.

3. ТЕЛЛУР Те 51
23. 	Дополнительные сведения.
Umn9 10~12 см2/дин
П44
Пц + 2IIi 2
Пц —П12
я- Si
— 13,6
+5,7
—155,6
[62]
p-Si
+ 138,1
+6,0
+7,7
[79]
Ширина запрещенной .зоны Eg, эВ. 1,21 при Т = О К; 1,09 при Г = 300 К[3].
Предел прочности при сжатии 9,47 кг/мм2 [3]. Ниже 600 °С хрупок,
выше 650 °С наблюдается пластичность [59].
3. 	ТЕЛЛУР Те
1. Вид материала. Монокристалл синтетический, выращивается из
расплава [83, 84, 85].
2. Симметрия кристалла. Тригональная 32, D3 [501 ]. СЗ^фз).
Постоянные решетки, А. а = 4,495, b = 3,74, с = 5,912, d = 2,86, а=102,6[84].
4. Плотность, г/см3, 6,25 [84].
5. Температуры фазовых переходов, °С, 7^ = 452 [84].
7. Удельная теплоемкость, кал/К, 0,0288 при Т =— 253 196 °С; 0,0500
при Г = —15-т-+380°С; рис. 3.7.1 [84].
Гд = 129 К [84].
8. Тепловое расширение, 10 ~6 К_1 осц = 1,6; = 27,2 [84].
с, Ж3ш/г-К
Рцс. 3.7.1. Теплдещость теллура с i?p*j циздо {ф и при эыеоких (б) температурах [86J.

52
3. ТЕЛЛУР Те
9. 	Теплопроводность. %|| / > 2 при 7" == 100 К; К||/%^== 1,5 при Т = 50 К
[84]; рис. 3.9.1.
х,Втп/см-К
х,Втп/см-К
а) .
Рис. 3.9.1. Коэффициент теплопроводности и теллура при низких (а) и при высоких (б)
температурах: 1 — монокристаллически й образец; 2 — поликристаллический образец;
сплошная линия —концентрация носителей 1015 см-3; штриховая— концентрация
носителей 5-1012 сад-8 [86].
10. 	Спайность. Плоскости спайности параллельны осям цепей в
структуре [86].
12. 	Упругие постоянные. Рис. 3.12.1, 3.L2.2.
Рис. 3.12.1. Сечение тела модуля
Юнга теллура: 1 — Г=100, 2 — Г =
= 300, 3 — 7 = 700 К [87].
V5?
80
ВО
40
20
О
-20
200
• М
•• sjj
80? IK
S13
Рис. 3.12.2. Зависимость
упругих жесткостей smn теллура от
температуры: ф — [87]; О-[89].
1012 дин/см2 [84]
С 33
с44
СХ 3
4
С11 + С12
£ц ~С12
„эксп
mn
0,722
0,314
0,250
!
0,123
1
0,414
0,242
грасч
mn
0,706
0,245
0,231
0,170
0,490
0,247

3. ТЕЛЛУР Те
smn, 10“13 см2/дин [87]
53
т, к
Sll
S33
s44
S1 2
Sl3
300
55,5
25,1
54,6
15
— 14
400
59,5
26,6
58,1
— 16
— 15
500
63,7
28,4
61,7
— 17
—15
600
68,5
30,5
65,8
— 19
— 15
713
75,2
33,2
—
.—
-
0
47
21
47
— 13
— 12
Гпл = 723
76
34
72
-21
— 15
smr
z, 10“13см2/дин
[88]
[89]
[90]
[91]
sn
55,5 ± 0,5
56,1
47,0
40,0
s33
25,0 ± 0,4
23,8
24,4
17,8
S44
54,6 ± 0,5
52,9
56,8
54,8
S12
— 15 ± 2
—13,6
-6,8
— 13,2
S13
—14 ±4
—14,4
— 12,2
•7,6
1 S14 1
27 dz 2
26,9
—
—20,8
smn, 10”“13 см2/дин [84]
sil
s33
S44
si 2
sl3
48,7
23,4
58,1
—6,9
—13,8
13. Скорости упругих волн, 105см/с, уГц2о] = 2,2 [79], i>£rooi] = 2,3 [83].
14. Затухание упругих волн. См. рис. П.П. 13. 13,7 дБ/см Гц~2 для
vLllW) [92] (У автора [92] в наименовании единиц опечатка).
16. Показатель преломления. п0 — 4,8 при 10,6 мкм [68]; я0 = 4,8,
пе — 6,25 при X = 10,6 мкм [ИЗО]; п0=4,85, пе—6,20 при Х=8 мкм; пе = 6,34
при Я = 3,6 мкм [84].
17. Пропускание. 5 ч-20 мкм [83].
21. 	Акустооптические свойства. См. рис. П.II.13,
M1
M2
Ale
10 200
4400
4640
[79]
— .
4000
— ;1
[83]

54
4. ХЛОРИСТЫЙ НАТРИЙ, КАМЕННАЯ СОЛЬ NaCl
Значения Mlt М2, М3 получены при £||[0001] и Х = 10,6 мкм по
отношению к М2 плавленого кварца.
23. 	Дополнительные сведения.
Имеется собственный тип проводимости# при 300 К, Eg — 0,33 -s- 0,37 эВ
при Г = 0К, £'^ = 0,38 эВ при Г = 300 К [83].
Р/? лс = 0,25 Ом-см, ^с = 0,51 Ом-см.
Подвижность дырок 900см2/В при Т = 300 К [84].
Коэффициенты нелинейной поляризации теллура см. [93].
Сечение тела линейной сжимаемости теллура при 700 К см. [83].
4. ХЛОРИСТЫЙ НАТРИЙ, КАМЕННАЯ СОЛЬ NaCl
1. Вид материала. Монокристалл синтетический, бесцветный,
выращивается из расплава.
Минерал природный —галит, каменная соль, моно- и поли кристаллический.
2. Симметрия кристалла. Кубическая, класс m3m, Fm3m, (Oft),
структурный тип NaCl.
Полиморфный переход в структуру CsCl при 300 кбар [94].
Постоянные решетки, А, 5,64009 ± 3-10"5 при Г = 25°С; зависимость
постоянных решетки от температуры см. [95].
3. Плотность, г/см3, 2,1678 при 23 °С.
4. Молекулярный вес. 58,44.
5. Температуры фазовых переходов, °С. Гпл = 800,8 ± 0,5. Влияние
давления на температуру г лав лени я см. [96].
6. Растворимость, г/100 г воды.
Г, °С 0 10 30 100 160 215
Растворимость 35,57 35,68 36,05 39,22 43,6 46,2
1,41 г/100 г СН8ОН при 20 °С; 0,1 г/100 г С2Н5ОН при Г = 20°С.
Растворяется в глицерине, спиртах,
аммиаке.
Не растворяется в ацетоне, эфире [1, 97,
78,98].
7. 	Удельная теплоемкость, кал/г*К, 0,204
при Г = 273К; 0,217 при Т = 373 К [2, 36];
рис. 4.7.1.
Рис. 4.7.1. Зависимость средней Влияние давления на с см. [101].
теплоемкости NaCl от темпе- Гп=322 К [102, 103, 1041; Т„ = Ш К [105];
ратуры в расчете на 1 г-ат. [99], А 1 А
построенная по данным [100]. Тд = 321 К [7]; зависимость Тд от Т для NaCl,
КС1, LiF, KI см. [106].
8. 	Тепловое расширение, К*"1. Рис. 4.8.1 - 4.8.3. См. рис. П.Н.1. а =
= 38,3.10-6 при 0<Г<500°С; а= (37-10“6 + 4- 10“8Г + 3- 10“1372) при
—150<7 ^+150°С [1]; а = 40,5-10~6 при Т = 25 °С [121]; а = 38,95-10~6 +
^2,975 • J0 ~ 87,-25t54.. 10- llT2 при T=0— 300 °С, а=39,2 • И)- «+3?9> IQ- 8Т

4. ХЛОРИСТЫЙ НАТРИЙ, КАМЕННАЯ СОЛЬ NaCl
55
hpk Т—б 4- 300 °С [64]; а = 39,50- 10“в при Т = 290 К [122]; Э= 19,7-10“6 [123],
см. также [124]; а в области 1,5-5-30 К И 54 4-90 К см. [124].
7= 1,63 [125]; v= 1,5 ± 0,05 [126]; Y = 2,35[127]; ? = 1,7454 [128]; см.
также [129].
Рис. 4.8.1. Коэффициент линей- Рис. 4.8.2. Коэффициент линейного f ас-
ного расширения а для NaCl, щирения ос NaCl [117]: # — [1091; >< —
NaF, LiF, КС1, KBr, KI [95]: [118]; Д-[119]; ■ — [112, 113, 114].
сплошные линии—[95]; V”"E^7,
108]; ▼ —[109]; ■— [110]-,
# —[Н И: О — [112, 113, 114]
+ -[115], □ —[1 16].
a,W'sK'1
Рис, 4.8.3. Коэффициент линейного расширения а для: / —NaCl, 2 — LiF, 3 — NaF [120].

66
4. ХЛОРИСТЫЙ MAfPM, кАМЁННАЯ СОЛЬ NaCl
9. 	Теплопроводность, кал/К-см-с. Рис. 4.9.1.
[64]
и 0,0636 0,02485 0,01667 0,01176 0,0159
Г, К 83 195 273 373 399
Ошибка измерения ±1% +3%
Влияние давления на‘% см. [101, 130].
х, Вт/см-К
Рис. 4.9.1. Коэффициент теплопроводности к для: /—BaF2, 2 — CaF2. 3 — КС1, 4 — NaCl,
5 — KBr, 6— Csl, 7 — AgCl, 8 — CsBr [1303].
10. Спайность. Совершенная по (100).
11. Твердость. По Моосу 2,25 [131, 132]. По Кнупу 15,2 ч- 18,2 кгс/мм2,
инденторная нагрузка 200 г [37, 78], твердость по Кнупу при нагрузке
25 г: 15,1 -т- 18,7 кГ/мм2 [133].
Н\х = 20 кгс/мм2 [134, 135], анизотропия микротвердости см. [133].
12. Упругие постоянные. Рис. 4.12.1 ч- 4.12.8.
стп> Ю11 ДИН/СМ2 При Т — Ткомн
Clt
С44
Сц
f, Гц
4,911
1,284
1,285

[138]
4,86
1,28
1,27
—
[143, 64]
4,95 ±0,01
1,265±0,010
1,29±0,03
9-10е
[159, 79]
5,744
1,335
1,2
[160]
4,90 zb 0,10
1,30±0,03
1,28±0,08
[161]
4,899
1,272
1,257
[162]
4,85
1,27
1,25
[31]
4,97 ± 0,02
1,289 ±0,005
1,29±0,04
2-107
[163]

4. ХЛОРИСТЫЙ НАТРИЙ, КАМЕННАЯ СОЛЬ NaCl 57
Продолжение
С11
С44
Cm
f, Гц
4,958
1,279
1,306

[164, 98]
4,81 ±0,02
1,278 ±0,005
[165]
4,97±0,02
1,27 ± 0,02
1,31 ±0,03
[166, 167, 168]
4,94
1,28
1,27
[169, 170]
Стпр> 1012 дин/см2
[164]
[170]
[171]
[172]
ciii
—8,636±0,08
—8,80
—8,4±0,3
—8,23 ±0,02
С112
—0,496 ±0,04
—0,751
—0,50±0,07
0,02 ± 0,005
C12Z
0,093 ± 0,08
0,284
0,46 ± 0,09
0,53 ± 0,07
С456
0,132±0,02
0,27±0,01
0,26 ±0,01
'0,20 ±0,01
С144
0,071 ±0,03
0,257 ±0,01
0,29±0,05
0,23 ± 0,03
С166
—0,587 ±0,01
—0,611 ±0,01
—0,60±0,04
—0,61 ±0,03
См. также [173, 174].
Лупр = 1,02 [161, 143]
Зависимость упругих постоянных от температуры до 800 °С и давления
до 8 кбар см. [175].
с1п + 2с112 = —9,91, Cm-f-Cx23 = —9,10, С45б = 0,27, с144 = 0,26, Cjee =
= — 0,61 [176].
Зависимость стп и у от давления см. [177].
Расчетные упругие постоянные от 2-го до 6-го рангов см. [169].
pvi — 1,03* 106 г/см2*с.
= 0,525• 106 г/см2-с [178].
smny 10-12см2/дин
sn
s44
S12
2,29
7,84
—0,47
[31]
2,29
7,94
—0,465
[67]
Температурная зависимость упругих постоянных 3-го порядка см. [179].
Упругие постоянные 4-го порядка см. [180]. Зависимость упругих постоянных
от давления до 9 ГГТа см. [181, 43].
Зависимость упругих характеристик поликристалла от давления до
100 кбар см. [182]. Зависимость р от давления до 45 кбар см. [183—186].

58
4. ХЛОРИСТЫЙ НАТРИЙ, КАМЕННАЯ СОЛЬ NaCl
\{алоидньш
Nv ион
МетаК"
яштак
ион х
F
Cl
Br
1
Li
й
15-.
1 1
/ \[W0]
r
[ow]
4T\[mi
L
low]
T. \M
r
m
h м
11 1
i (
\ v
ч
) 1
J 1
/
L
£>
2 4 >
L
M *
Na
/
// _
//
(fc
JOW]
\12
J\ \\ [100]
'l< I 1 1 '-tr
si
/jr
7 С
low]
в
hbjoo]
V\l •*.
/■
iM
L»
/
\[0W]
\ [WO]
V-
\\
 \\
 \\^
4^“
zj e))m
S'
//
<VL
o
jU'B
/г
Jr
4
л >
4
/4 ’
К
/-
[010]
V
vx, M
At
low]
1/f
/Г
[OW]
V
V iwo]
\N^4l -W

Of
2/6 *
7
Г4
\y
?'4
Rb
s
\[010]
6
[100]
J
low]
Lf/f
low]
/100]
J
[OW]
Cm
\
 \
 r*
s
r* *
s
?4 *■
Cs
/
ilow]
low]
Ljf
л
[OW]
I flt
\
 A
%
?/4
4
W4
Рис. 4.12.1. Сечение указательной поверхности модучя Юнга Еjq плоскостью (100) для
NaCl и других щелочно-галоидных кристаллов (внешнее сечение—для Г = 0К; среднее
для Т = 7'1£0мн, внутреннее—для Т=ТПД\ -в случае одного сечения Т=Тк0ыц. По осям
отложены значения 1011 дин/см2) [136, 137].

4. ХЛОРИСТЫЙ ЙАТРМЙ, КАМЕННАЯ соль NaCl
59
Рис. 4.12.2. Зависимость
адиабатических упругих жесткостей NaCl от
давления: (ctl (0) = 4,91 • 1011 дин/см2;
с12 (0)=1,23-1011 дин/см2; с44(0)=
= 1,28• Ю11 дин/см2) [138].
Рис. 4.12.3. Зависимость
упругих жесткостей стп от
давления для NaCl: 1 ~с44,
с44 (0) = 1,284-1011 дин/см2;
2 — г/2 (Сц~с12), г/% Сц —
—с12 (0)= 1,843• 1011 дин/см2;
для КС1: 3— с44, с44(0) =
= 0,630-10и дин/см2; 4 —
x!i (Сц —с12), 1/2(^11~ Схъ) (0) =
= 1,695-1011 дин/см2 [138].
Рис. 4.12.4. Сечения полярных диаграмм коэффициентов упругой податливости
Smn NaCl (а) и Sg6 (б) плоскостью куба [139].

60 4. ХЛОРИСТЫЙ НАТРИЙ, КАМЕННАЯ СОЛЬ NaCl
Температурные зависимости упругих постоянных, рис. 4.12.5-5-4.12.8,
см. рис. П.II.6.
Тстп, 10-* К-1 [31, 32]
Т, к
Тсц
Тс44
Т с12
273
—8,0
-2,7
1,7
195 ч-295
-7,8
—2,3
2,3
100ч-1000
—9,2
—3,5
■—
300-4-800
-7,0
(-2,7)
—
о
о
+
со
о
о
—7
(-2,3)
(6)
300
-7,6
—2,6
2,1
Тстп, 10~8дин/см2-К
дс1Х
dci4
дс12
дТ
дТ
дТ
3,75 ±0,02
—0,33±0,02
0,28 ± 0,02
[164]
3,83
—0,29
0,29
[162]
ПЙ I 1 1 1 1 1
'0 Ж 400 600 ООО 10001200
Рис.
4.12.5. Зависимости упругих, жесткостей стп (а) [31], упругих податливостей
*тп {б) NaCl от температуры [110]. Построены по данным [140—144].

4. ХЛОРИСТЫЙ НАТРИЙ, КАМЕННАЯ СОЛЬ NaCl
61
4 ) в >
Рис. 4.12.6. Зависимости модулей Юнга Ejq [юо] и (в Ю11 Дин/см*) и
модулей сдвига (?сдв [100] и (?сдв [110j (в 1011 дин/см*) для NaCl и других
щелочногалоидных кристаллов от температуры [136]: / — [144—150]; 2 — [151]; 3 — [ 152]; 4 — [142];
5 — [143]; 5 —[153]; 7 — [ 1 54]; а —[141]; Р — [ 155]; /0-[156], 11 -[157]. Стрелками
отмечены температуры плавления [177].

62
4. ХЛОРИСТЫЙ НАТРИЙ, КАМЕННАЯ СОЛЬ NaCl
C4i и YzfarCtf), 101tдин/см2
Рис. 4.12.7. Зависимость упругих жесткостей / — с44 и 2 — х/2 (Сц — ci2) NaCl и других
щелочногалоидных кристаллов от температуры: сплошная линия—эксперимент; штрих-
пунктирная— расчет; штриховая —экстраполяция экспериментальных данных к Т=0°С
(стрелками показаны температуры плавления) [158].
Рис. 4.12.8. Зависимость фактора упругой анизотропии x/sn=—(slt — Si2 — s14)=
sn
= 4 (1 —Ejo [Ю0]/^Ю [ 11 l])NaCl и других щелочногалоидных кристаллов: / —biF,
2 — NaF, 3 —NaCl, 4 — KC1, 5 — KBr, 6 — KI, 7 — CsBr, 8 — Csl от температуры [136, 158].

4. ХЛОРИСТЫЙ НАТРИЙ, КАМЕННАЯ СОЛЬ NaCl 63
Smnt 10~12см2/дин [144]
г, к
sn
s44
Sig
Э
20
2,28
7,60
—0,26
4,40
100
2,52
7,82
—0,51
4,50
150
2,67
7,94
—0,61
4,35
200
2,81
8,14
—0,71
4,16
250
2,98
8,34
—0,81
4,10
300
3,16
8,46
—0,89
4,14
350
3,36
8,70
—1,00
4,10
400
3,58
8,84
—1,06
4,37
450
3,82
9,08
-1,11
4,50
500
4,08
9,34
-1,21
4,98
550
4,36
9,52
—1,24
5,64
600
4,70
9,70
— 1,35
6,00
650
5,10
10,00
—1,46
6,54
700
5,55
10,20
—1,55
7,35
750
6,10
10,40
— 1,58
8,82
780
6,58
10,50
—1,73
9,36
790
6,67
10,62
—1,78
9,33
800
6,75
10,62
—1,71
9,99
804
6,85
10,62
—1,76
9,99
Зависимость упругих характеристик поликристалла от давления до
100 кбар см. [182]. Зависимость Р от давления до 45 кбар см. [183—186].
Влияние давления на упругие постоянные см. [101].
Гд = 322 К [102, 103, 104]; Гд = 286 К [105]; 7д = 321 К, расчет [7];
зависимость Гд от температуры для NaCl, КС1, KI, LiF см. [106].
13. 	Скорости упругих волн, 105 см/с. Рис. 4.13.1. См. рис. П.П.З.
yLfioo] = 4,74; flz.fnoj==4,72/ = 4,37,
y5fiooj[npoH3Bj = 2,41, ^5[iooj [iioj “ 2,90, ^5дхи[Произв] ^ 2,45, при ТК0Ы1Л [28].
y£fiooj = 4,79, ^fuoj = 4,50, t\S[iooj —2,44, t\Sfnoj = 2,92, при Т'комнП^].
vLnm = 4,78, vimo j = 4,52, ^шш = 4,45, t\Sfioojrooij —ySrioo;iroio;i = 2,45,
yS[iiojfiioj = 2,92, ^5[noj [ooij —2,46, ysfiiiniio^^Sfiiinmj —2,78 [188].
При распространении поперечно поляризованных волн вдоль направления
[111] наблюдается внешняя коническая рефракция с углом 8°45' [188].
vs и Vi при Ткомн для поликристаллических образцов и их зависимость
от давления до 20 кбар см. [189].

64
4. ХЛОРИСТЫЙ НАТРИЙ, КАМЕННАЯ СОЛЬ NaCl
Уф,м/с
Рис. 4.13.1. Зависимость фазовой скорости продольных звуковых волн в плоскости
(110) NaCl от направления распространения: сплошная линия—расчет;
точки—экспериментальные значения, определенные методом бриллюэновского^рассеяния (угол по оси
абсцисс отсчитывается от направления [00 1]) [166].
14. 	Затухание упругих волн, дБ/мкс. Рис, 4.14.1 -ь 4.14.6.
f,n
Рис. 4.14.1. Зависимость затухания упругих волн В в NaCl от частоты (продольные
волны: Q-vl [loo], m-vL [111]t X-vL flll] (а); сдвиговые волны: X-t»s [11Q]
# VS [1X1] [1X2], °"
S[xxi] [xxo]*
A vS [xoo] [oxo], Д [xxo] [oox] (6)’
^=7’комн)П6П.

Рис. 4.14.2. Зависимость затухания
ультразвуковых волн В от частоты
в NaCl при Т=ТК0МП для: 1 —
2
£[110] [110]'
^""^[Ш] [110], 4~
5 ""LfllO] [110], 6~
S [111] [112],
&S[100][010],
“°L[lll][Tll],
Рис. 4.14. 3. Зависимость затухания ультразвуковых
волн В в NaCl от частоты (импульсный эхо-метод,
Т = ^комн): продольные волны: 1 — вдоль [100],
2 — [ 110], 3 — [111] (а); сдвиговые болны: / —
[110] [ПО], 2 — [111] [112], 3 — [1И] [ПО],
4 - [100] [010], и [110] [001] (б) [99].
'0S [110] [001]
WT.K
Зависимость затухания ультразвуковых волн В в NaCl от температуры:
(б); 1 - f = 170, 2- f = 150, 3 f = 130, 4-f= ПО, 5 - f = 90,
6 — f = 70, 7 — f = 50 МГц [190].
Рис. 4.14.4.
v L [ill] ^ VL flOO]
3 под ред. М. П. Шаскольской

66
4. ХЛОРИСТЫЙ НАТРИЙ, КАМЕННАЯ СОЛЬ NaCl
В, дБ/мне
при /=170МГц, Г=17К [190, 191].
Рис. 4.14.5. Зависимость
затухания ультразвуковых волн
В в NaCl от температуры для
: / — / = 170, 2 — f =
v
S riooj
= 150, 3 — f = 130, 4 -f =
= 110, 5 — /=90 МГц [190].
"зв
VSB
В Востаточн
[100]
[100]
0,030
[111]
[111]
0,014
[100]
[001]
0,015
[99,
187]
"зв
и3в
В//2-101’ дБ/мкс-Гц*
[100]
[100]
1,90
[100]
[010]
0;20
[110]
[110]
1,20
[110]
[001]
0,22
[110]
[110]
2,60
[111]
[111]
0,80
[111]
[110]
1,70
[111]
[112]
2,70
Ж
Рис. 4.14.6. Полярные диаграммы затухания поперечно поляризованных звуковых волн
с направлениями поляризации: [112] (а), [110] (б), [111] (б). Угол отсчитывается от
направления поляризации (к демонстрации внутренней конической рефракции в NaCl) [192, 188].

4. ХЛОРИСТЫЙ НАТРИЙ, КАМЕННАЯ СОЛЬ NaCl
67
15. Диэлектрические свойства. Рис. 4.15.1^ 4.15.2. 8 = 5,78 i 0,04 при
/=102ч-106Гц, f = rKOMH, tg б = 7,2* 10“3 при /= 1 МГц, Г = 30°С[194].
Рис. 4.15. 1. Зависимость 8 и tg6 от температуры для NaCl: 7 — f = 1 МГц, 2 — f]= 3 МГц,
X, ф — измерения куметром, О — методом биений, #, Д — прямой ход, X — обратный ход
[120].
Рис. 4.15.2. Зависимость диэлектрической проницаемости 8 NaCl от температуры при / = 102,
10», 10*, 105 Гц (в левом верхнем углу.изменен масштаб по ординате) [193].
3*

68
4. ХЛОРИСТЫЙ НАТРИЙ, КАМЕННАЯ СОЛЬ NaCl
[195]
[64]
в 5,43i0,02 5,57±0,02 5,90±0,02
Г, к 1,5 90 290
U Гц
т, °с
е
tg 6
8 = 5,62 [196], в = 5,87 [ 197], . е.=
102~~104
25
5,90
<0,0001
= 5,84 [198], в =-5,92 [ 199], е = '5,8940 ч-
105-~107
25
5,90
<0,0002
~ 5,8956 [200].
Ю2
85
6,35
0,0170
103
85
6,11
0,0240
ю4
85
6,00
0,0070
105
85
5,98
0,0006
16. Показатель преломления. Рис. 4.16.1 ч-4.16.3, см. рис. П.1Г.9—П.II.12
dl р-
0,01
0,001
0,1
Л мм
Рис. 4.16.1. Дисперсия показателя
преломления п NaCl [201].
Рис. 4.16.2. Дисперсия величины
dn/dK NaCl [201].
[201]
К мкм
п
Я, мкм
п
Я, мкм
п
К мкм
п
%, мкм
п
0,20
1,790
0,50
1,55,2
4,00
1,522
9,50
1,498
20,00
1,382
0,22
1,715
0,60
1,543
4,50
1,520
10,00
1,495
21,00
1,364
0,24
1,671
0,70
1,539
5,00
1,519
11,00
1,488
22,00
1,345
0,26
1,642
0,80
1,536
5,50
1,517
12,00
1,480
23,00
1,323
0,28
1,622
0,90
1,534
6,00
1,515
13,00
1,472
24,00
1,300
0,30
1,607
1,00
1,532
6,50
1,513
14,00
1,462
25,00
1,273
0,32
1,595
1,50
1,528
7,00
1,511
15,00
1,451
26,00
1,244
0,34
1,586
2,00
1,527
7,50
1,509
16,00
1,440
27,00
1,212
0,36
1,579
2,50
1,525
8,00
1,506
17,00
1,427
28,00
1,177
0,38
1,573
3,00
1,524
8,50
1,504
18,00
1,414
29,00
1,137
0,40
1,568
3,50
1,523
9,00
1,501
19,00
1,400
30,00
1,091

4. ХЛОРЙСТЫЙ НАТРИЙ, КАМЕНЙАЯ СОЛЬ NaCi
69
иа= 1,00055-
0,08796Я2 .
0,19800л2
0,48398Я2
0.38696Я2
Я2— (0,050)2
3.17064Я2 .
Я,2— (0,100)а
0.30038Я2
Я2-
+
0.25998Я2
Я2-
+
Я2— (40,50)2 Я2— (60,98)2ПЯ2—(120.34)2
Зависимость dn/dT от Я см. [201].
(0,128)2 ^ Я2— (0.158)2
, здесь Я приведена в мкм [201].
tin
dT}
-2
-В
-4
~Z
0
Z
-2
1
лср°оосро00эось 3
' °°°0 ?
go ..sv’4*'*" “
о,«* .
_ °«F (»»»*<» ® О 7
^ WaCI
- , Г t Т
о**
• n 1 -
. <P9
KOI
T r J
^ООСРОСООэ000^0° 3
_°p
f NaBr
1 t 1
^.o'boooooooooo J
у
1 KBr
° I t T
- оСО^оЧ^00^00 2
°o°
LiF
ooo000^00»0^ Z -
tfjcssswe*/-
#* '
1 KI
s
.—Of _f _ ,
А, см~1
Л,ШАГ
т 70s
Я}мм
Рис. 4.16.3. Дисперсия коэффициента dn/dT NaCl,
KCl, NaBr, К В г, LiF, KI: 1 — Т = 123, 2 — Т = 273,
3 — Г = 523 К [202].
Рис. 4.17.1. Зависимость
коэффициента поглощения световых волн
А в NaCl от волнового числа [53].
17. Пропускание и поглощение. Рис. 4.17.1; 0,185 ™ 17 мкм [78];
0,21 ч-26 мкм [201].
Л = Ы0“*3 см-1 при Х= 10,6 мкм [36]. Потери на отражение от двух
поверхностей при Х=10 мкм 7,5% [36].
Объемное и поверхностное поглощение при ^=10,6 мкм см. [203].
Зависимость поглощения от волнового числа и температуры в NaCl см.
[204].
Действительная и мнимая части показателей преломления в дальней ИК
области см. [205].
18. Электрооптические свойства. Квадратичные электрооптические
коэффициенты и индуцированное двупреломление при Т = 20°С.

^1111—^1112» 10”18 см2/В2 (верхняя строчка),
Ап, 10“18 В/см (нижняя строчка) ЕЦ[100] [206].
F
Cl
Br
I
Li
—3,53
+4,77
+7,51
— 17,2
+9,80
—27,6
—
Na
—1,15
+ 1,31
+ 1,30
—2,38
+2,51
—5,55
+4,81
— 13,4
К
-1,12
+ 1.40
+1,03
—1,70
+ 1,03
—1,94
+ 1,26
—2,88
Rb
—0,50
+0,68
—0,11
+0,18
—0,20
+0,34
—0,74
+ 1,63
^1212» Ю”18 см2/В2 (верхняя строчка),
Ап, 10”18 В/см (нижняя строчка) Е Ц [ 111 ] [128].
F
Cl
Br
I
Li
—0,70
+ 1,84
—2,31
+ 10,6
—3,20
+18,4
Na
—0,63
+ 1,47
—1,67
+6,12
—2,93
+ 13,0
—5,00
+28,3
К
+ 1,50
—4,17
CD CO
^ 00
1—1
+ 1
+ 1,00
—3,78
—0,82
+3,76
Rb
+1,61
-4,33
+3,90
—12,9
+3,52
— 13,1
+2,15
—9,60
19. Пьезооптические и упругооптические свойства. Рис. 4.19.1—4.19.5.
ЯЦ-Л12, брюстеры
я44, брюстеры
Я, мкм
-1,21
-0,85
0,589
[217]
-1,12
0,589
[214]
—1,31
—0,84
0,589
[218]
—1,12
—0,94
0,589
[208]
— 1,16
—0,8
0,546
[209]

4. ХЛОРИСТЫЙ НАТРИЙ, КАМЕННАЯ СОЛЬ NaCl
71
Kirgiz,
А-А-А-
А—А—А-
А-А-А-А
•-
—• в-
8'-'“
э—э л
—•
20
А-А-Ь-
0 4L
W вь
f IK
400 Т}К
Tt12, (jpmcmepbi
?44'1Г
р1Г10*
fa'*
А
г*-
А
T,K
А
\
 \
 л
*А~^
\
 \а
\
 \
 ZOO 400 T,K
Рис. 4.19.1. Зависимость пьезооптических nmn и упругооптических Pmn коэффициентов
NaCl от температуры [207]: (Э - [208], ▲ — [209], О—[160], ■ —[210], #—[211]).
Яц = 0,25 брюстера, я12 = 1,46 брюстера при X = 0,589 мкм [132]
Ри
Ра
Р* 4
Я, мкм
0*123
0,166
* ——
0,560
[209, 215]
0,132
0,172
—0,012
0,589
[208]
0,10
0,14
—0,0113
—
[216]
0,110
0,153
—0,010
0,590
[219]
0,137
0,178
—
[220]

72
4. ХЛОРИСТЫЙ НАТРИЙ, КАМЕННАЯ СОЛЬ NaCl
[221]
Р44
—0,040
—0,012
0,030 (расч.)
—0,023 (расч.)
.1,80
1,70
т
%50
• %40
1,30
%20
480 500 520 540 560 ■ 580 600 ' 480 560 520 540 560 580 600
Л,мкм Я}тм
Рис. 4.19.2. ’Дисперсия пьезооптических коэффициентов птп Для NaCl, КС1 и КВг [213].
Врштвры
Рнр. 4.19.3. Дисперсия пьрзооптяческих коэффициентов ятц NaCl и KCJ [314].

4. хлористый натрий, камёНйая соль Nad
Ш 560 600 Кям
Рис. 4.19.4. Дисперсия упругооптических постоянных ртп LiF, NaCl, КС1, KBr, К*
[209, 215].
Pi»Pi2
Рис. 4.19.5. Дисперсия упругооптических постоянных ртп NaCl, KCI, KBr, KJ [216]

74
б. ФТОРИСТЫЙ ЙАТРЙЙ NaP
5. 	ФТОРИСТЫЙ НАТРИЙ NaF
1. Вид материала. Монокристалл синтетический, бесцветный.
Выращивается из расплава.
Редкий природный минерал вильомит, иногда красного цвета [131, 222].
2. Симметрия кристалла. Кубическая, класс тЗт, РтЪт (ojj),
структура NaCl.
Постоянные решетки, А. 4,63 [222]; 4,62344 при Т = 20 °С.
а = 4,6290 + 4-10-4Г + 6,6*10-8Г2, в
области — 150 -5—{-150 °С, где
температура приведена в °С [1].
3. Молекулярный вес. 41,99.
4. Плотность, г/см3. 2,809, Т = 20 °С
[1]; 2,558 [223]; 2,79 при Т = 20 °С [37,35].
5. Температуры фазовых переходов,
°С. Гпд = 994, 988, [1, 223]; Гпл = 997,
1040 [97].
6. Растворимость, 4 г/100 г воды
при 7 = 15 °С; 4,03 г/100 г воды при
71 =25 °С; 4,96 г/100 г воды при Т =
=94 °С; 0,413 г/100 мл метилового
спирта при Г = 20°С; 0,095 г/100 мл
этилового спирта при Г = 20°С [1, 97, 223
98].
7. Удельная теплоемкость, кал/г-К. 0,26 при Г = 273 К [37].
7д = 491,5К [102, 213]; 7д = 496,2 К [224]; 7д = 473 К [25]; Тд= 503 К [228].
8. Тепловое расширение, К“х. Рис. 5.8.1, см. рис. 4.8.1, 4.8.3. П.11.1.
а=33-10-5 при Т = —79 -т- 0 °С
а=23*10~б при Т = — 184 79 °С [64]
аг=30*10“в + 2.10~8Г+Ы0-Ю Т* [1]
а2’*107 = —0,842858+1,49829•7'+0,0263517«Г2, здесь температура
приведена в К [225].
[2]
т° С 30 72 116 195 288 351 400 467 520 625
а, 10-« 32,2 33,1 34,2 35,9 38,1 39,5 40,6 42,1 43,2 45,5
а в области 1,5-5-30 К и 54 -ь 90 К см. [229]; см. также [230].
7=1,53[231, 227]; 1,40 [231]; у = 2,08 [127]; у = 1,8059 [128],
см. также [129].
ос, 10~7К~1
Рис. 5.8.1. Зависимость коэффициента
теплового расширения a NaF от
температуры [225J: #—1[225], Д — [226],
О-[HI], X — [227].

5. ФТОРИСТЫЙ НАТРИЙ NaF
75
9. 	Теплопроводность, кал/К-см*с. Рис. 5.9.1.
[2, 233]
Г, К 83 273 298
к 0,124 0,0252 0,0220
х, Вт/см-К
Рис. 5.9.1. Зависимость
теплопроводности к NaF от
температуры (сплошная линия —
[231], #-[232]).
10. Спайность. По (100) совершенная.
11. Твердость. По Моосу 3,5 [2], по Моосу 2,25 [131], по Кнупу 60 кгс/мма
[78], Яр, = 60 кгс/мм2.
12. Упругие постоянные. См. рис. 4.12.1,4.12.6—4.12.8
стп, 1012 дин/см®
£ll
С44,
Cit
Т, к
0,971
0,280
0,243
Т'комн
[32, 25]
0,970
0,282
0,240
—
[25, 98]
0,909
0,127
0,264
Т коми
[2]
1,1039
0,2947
0,2242
—
[224]
0,963
0,276
0,242
—
[169; 236]
1,148
0,266
0,290
^*комн
[228]
Ст — —14,8 ± 0,8, Сцг = —2,7 ± 0,4, Ci23 = 2,8 ± 0,6,
сц4 = 0,46 ± 0,06, с1в6 =—1,14 ± 0,03, сш = 0,00 ± 0,01 [169, 236]
smn, Ю-i2 см*/дин
Six
*44
1,15
3,56
—0,23
[31, 35]

76
5. ФТОРИСТЫЙ НАТРИЙ NaF
Температурные зависимости упругих
постоянных. Рис. 5.12.1, 5.12.2, см. рис. 4.12.6-г-
4.12.8.
Рис. 5.12.1. Зависи мость упруги х |по-
датливостей smnNaF от температуры
[31].
Рис. 5.12.2. Зависимость упругих
жесткостей стп NaF от температуры [32]:
/- [149], 2 — [234], 3 —,[235].
10~*2 см2/дин [149]
г, к
Sji
.hi*)
S44
S12
э
Лупр
293
0,114
0,1356
0,3535
0,02о
0,22
0,76
323
0,1167
0,1370
0,356г
0,02i
0,23
0,77
373
0,1205
0,1397
0,360б
0,02х
0,23
0,79
423
0,1242
0,1423
0,365в
0,022
0,24
0,80
473
0,1284
0,145а
0,3702
0,023
0,25
0,82
523
0,1326
0,1483
0,3752
0,024
0,26
0,83
573
0,1372
0,1514
0,3798
0,024
0,27
0,85
623
0,1418
0,1547
0,3849
0,026
0,28
0,87
673
0,1467
0,1580
0,390i
0,02в
0,29
0,88
723
0,1520
0,1617
0,395б
0,02в
0,30
0,90
773
0,157з
0,165*
0,4009
0,027
0,31
0,92
823
0,1633
—
0,4065
■ —
• —
873
0,169б
—
0,4124 *
—
—
—
923
0,1764
—
0,4179
—
—
973
—
—
0,4244
—
—
1023
—
—
0,4307
—
■ _
1073
—
0,437* '
... т-. .........
—
—
о
Т пл 1265
Экстр аполированные данные
0,0967
0,240в
О,1216
0,2146
0,3294
0,4647
—0,018
—0,044
0,18
0,46
0,70
1,22
*) stl“

5. ФТОРИСТЫЙ НАТРИЙ NaF 77
Тстп, 10-«К-ЧЗ?Л]
Т с IX
Tct2
Т С 4 4
т, к
—6,4
1,8
-2,1
273
—5,5
(-6)
-2,5
300 н- 900
(-6)
2
(-2)
О
о
со
+
о
о
(-5)
(3)
(-1,7)
о
о
со
+
о
о
Упругие постоянные 4-го порядка см. [180]; зависимость упругйх
постоянных от давления до 9 ГПа см. [181]. j
Усредненные изотропные значения, 1012 дин/см2: продольный модуль —
0,9003; <jynp: 0,3110, 0,297 (расч.); модуль объемной упругости: 0,4857,
0,467 (расч.); коэффициент Пуассона: 0,236; Ею = 0,769 [25]. ‘ •
Зависимость Р от давления до 45 кбар см. [183, 186].
13. Скорости упругих волн, 105 см/с, см. рис. П.11.3. i
Усредненные изотропные значения: ^ = 5^666; 05 = 3,330; уСр = 3,687;
vCp = 3,691 (расч.) [25].
15. 	Диэлектрические свойства. Рис. 5.15.1.
8
/V Гц
т, к
6,00
8,6-10*
292
6,0
2.10е
292
[64, 35]
Рис. 5.15.1. Зависимость^ди-
электрической проницаемости
8 NaF от температуры [195].
& 4,73 ± 0,03 4,80 ± 0,03 5,05
Г, к 1,5 90 290 [37, 237]
16. 	Показатель преломления. Рис. 5.16.1, 5.16.2, см, рис. ПЛ1Л1» Л1Д1.12.
0,32785^2 . 3,18248i2
п2= 1,41572-
. Здесь X приведена в мкм.
X2— (0,0117)2 » Я2— (40,57)2 '
Действительная и мнимая части показателей преломления в дальцеЦ
ИК>области см. [205].
34висимость dn/dT от X см. [201].

78 5. ФТОРИСТЫЙ НАТРИЙ NaF
п
X, МКМ
п
Яч мкм
п
К, мкм
п
А,, мкм
п
мкм
1,5010
0,15
1,3319
0,40
1,3180
2,00
1,2933
6,00
1,2401
10,00
1,4278
0,17
1,3274
0,50
1,3161
2,50
1,2883
6,50
1,2211
11,00
1,3835
0,20
1,3251
0,60
1,3140
3,00
1,2830
7,00
1,1994
12,00
1,3631
0,23
1,3237
0,70
1,3115
3,50
1,2771
7,50
1,1745
13,00
1,3516
0,26
1,3227
0,80
1,3087
4,00
1,2708
8,00
1,1460
14,00
1,3464
0,28
1,3214
1,00
1,3054
4,50
1,2640
8,50
1,1139
15,00
1,3425
0,30
1,3204
1,25
1,3018
5,00
1,2565
9,00
1,0758
16,00
1,3359
0,35
1,3200
1,50
1,2969
5,60
1,2486
9,50
1,0324
17,00

в. фтористый натрий NaF ?3
17. 	НропускАнйё й поглощение. Рис. 5.17.1; 0,15-ь 17 мкм [201].
Рис. 5.17.1. Спектральное пропускание: У—LiF (ft = 5 мм), 2 — NaF (ft = 5 мм) И
3 — CaFe [238].
18. Электрооптические свойства. См. NaCl, п. 18.
19. Пьезооптические и упругооптические свойства. Рис. 5.19.1—5.19.3.
т,к
15
Рис. 5.19.1. Зависимость
пьезооптических коэффипиен-
тов 3imn NaF (/, 2) и LiF
(/', 2') от температуры (/
У — (Яц —2, 2'—я44)
[239].
15
1
—о£*
S 10
S3
-0-0 f
ц
J S
—о г
-0-0 /
0
300 500 Т,К
Рис. 5.19.2. Зависимость
упругооптических
коэффициентов рп (/, 2) и
р12(1', 2') LiF (/, /') и
NaF (2, 2') от
температуры [239].
/ 4
Энергия (ротона, зВ
Рис. 5.19.3. Дисперсия
пьезооптических
коэффициентов птп NaF при Т =
= 20 °С: Д — (яи - я12),
0-Я44 [240].
(Яц -
брюстеры
я44, брюстеры
мкм
-1,35
—0,66
0,570
[241]
— 1,18
—0,83
0,589
[219]
— 1,13
—0,84
0,589
[242]
-1,17
—0,92
0,589
[213]

86
6. ЙОДЙС'!'ЫЙ HAfPHft Nai
P\l~Pl2
Ри
Pi2
Р 44
X, мкм
—0, 043
0,11
0,153
0,010
0,589
[219]
—0,0413
'
0,0107
0,589
[242]
—0,045
■—■
*—
0,589
[64]
[221]
Pll-
Рхг
Ра
эксп.
расч.
эксп.
расч.
0,101
0,060
—0,024
—0,057
23. Дополнительные сведения. См. рис. П.П.18.
Природные кристаллы вильомита (NaF) иногда сильно двупреломляют и
обладают плеохроизмом: по пр — золотисто-желтый, по ng —
карминно-красный [131].
6. ЙОДИСТЫЙ НАТРИЙ Nai
1. Вид материала. Кристалл синтетический, бесцветный, выращивается из
расплава.
2. Симметрия кристалла. Кубическая, класс тЗт, Fm3m, (05h),
структурный тип NaCl.
Постоянные решетки, А.
6,4728 при 7 = 25~27°С [1]; 6,475 [97].
3. Молекулярный вес. 149,89.
4. Плотность, г/см3, 3,655 при Т = 20°С [1]; 3,667 [223, 243] См. п. 13.
5. Температуры фазовых переходов, °С. 'Тпл = 663 [223, 97].
6. Растворимость, г/100 г воды.
[1]
Растворимость 61,3 64,1 67,6 71,9 75,8 76,9
Т,° С 0 20 40 60 100 140
Весьма гигроскопичен.
90,35 г/100 г СН3ОН, 46,0 г/100 г С2НбОН, 28,22 г/100 г С3Н7ОН.
Хорошо растворяется в этиловом, метиловом спиртах, ацетоне [1, 97].
7. Удельная теплоемкость.
7д = 166,5К [245]; 7д =224,6К [102].

ё. ЙОДЙСТЫЙ ЙАТРИЙ Nat
Si
&. 	Тепловое расширение, 10~6К“1. Рис. 6.8.1, см. рис. П.П.1.
cCjW^K'1
BOO г •
500 -
ТгК
Рис. 6.8.1. Зависимость коэффициента теплового расширения a Nal от температур
% — [225], X — [11 8], О — [2 46], Д — [122].
[1]
а 0,7 3,4 4,0 4,3 4,5 4,6 4,7 4,9
Г, К 20 100 200 300 350 400 450 500
а = 45 при Т = — 79-г-0°С; а = 41,0 при Т = —184-^79 °С [64]; а = 45,54
при Т = 290 К [248]; а в области 1,5 -ь 30 К и 54 -т- 90 К см. [229]. См. также [230].
7=1,8967, см. также [128].
Зависимость а от Т см. [247].
10. Спайность. Несовершенная, по (100).
11. Твердость. По Моосу 2,0 [132].
12. Упругие постоянные, см. рис. 4.12.1.
сМю 1011 дин/см2
С11
С44
с12
т, к
р, г/см*
8,04
0,72
0,90
295
3,671
[31]
3,76
0,80
0,78
4
3,762
[25]
3,03
0,89
0,734
—
■ —
m
Smn, Ю-*3 см2/дин
sn = 38,2, S44==136, ?-12.т=—8,7 [1].
Зависимость упругих постоянных от давления до 600 кбар см. [251];
зависимость р от давления до 45 кбар [183—186].

т
6. йоДис!ый натРйй Ш1
Рис.£6.12.1. Зависимость упругих жесткостей стп от температуры Nai [31]: 1— [249],
2 -[250].
Температурные зависимости упругих постоянных. Рис. 6.12.1.
[245]
Стп. Ю11 дин/см5
Smn> см2,
/дин
Ею, 101
10 Н/м2
Gynp’
1 010Н/м2
т, к
с и
Си
С*4
sn
s12
S44
ЕЮ [ЮО]
Ею [110]
Grnoj
300
3,013
0,907
0,738
0,3856
0,0892
1,355
2,593
2,053
0,868
290
3,040
0,898
0,740
0,3802
0,0867
1,354
2,631
2,064
0,875
280
3,068
0,894
0,742
0,3753
0,0847
1,348
2,665
2,074
0,882
270
3,097
0,891
0,744
0,3705
0,0828
1,344
2,699
2,084
0,889
260
3,122
0,886
0,746
0,3662
0,0810
1,340
2,730
2,093
0,895
250
3,146
0,880
0,748
0,3628
0,0792
1,337
2,756
2,101
0,901
240
3,176
0,876
0,750
0,3575
0,0773
1,333
2,797
2,112
0,908
230
3,202
0,874
0,751
0,3537
0,0758
1,332
2,827
2,119
0,913
220
3,230
0,870
0,753
0,3495
0,0742
1,328
2,861
2,129
0,919
210
3,256
0,866
0,755
0,3457
0,0726
1,325
2,893
2,137
0,925
200
3,283
0,861
0,757
0,3419
0,0710
1,321
2,925
2,148
0,932
190
3,310
0,858
0,759
0,-3382
0,0696
1,318
2,957
2,156
0,937
180
3,336
0,856
0,761
0,3349
0,0684
1,314
2,986
2,166
0,943
170
3,365
0,855
0,763
0,3343
0,0671
1,311
3,018
2,175
0,949
160
3,394
0,848
0,765
0,3274
0,0655
1,307
3,054
2,185
0,956
150
3,420
0,844
0,766
0,3241
0,0642
1,305
3,085
2,192
0,962
140
3,446
0,838
0,768
0,3207
0,0628
1,302
3,118
2,201
0,967
130
3,474
0,834
0,770
0,3172
0,0614
1,299
3,153
2,209
0,972
120
3,501
0,833
0,772
0,3143
0,0604
1,295
3,182
2,219
0,978
110
3,529
0,829
0,774
0,3112
0,0592
1,292
3,243
2,227
0,984
100
3,556
0,826
0,776
0,3082
0,0581
1,289
3,245
2,235
0,989
90
3,583
0,823
0,778
0,3053
0,0570
1,285
3,276
2,245
0,995
80
&щи 111
3,611
0,819
0,780
0,3023
0,0559
1,282
3,308
2,254
1,001

6. ЙОДИСТЫЙ НАТРИЙ Nal
83
13. 	Скорости упругих волн.
Температурные коэффициенты скоростей упругих волн [245]
v, 105 см/с
7\ к
р, г/см*
°L fiooj
VL [110J
VS nooj
Ayuv
С4*/С1*
300
3,644
2,667
2,374
1,304
6,215
0,698
0,814
290
3,650
2,685
2,378
1,305
6,203
0,691
0,824
280
3,655
2,700
2,382
1,306
6,177
0,683
0,830
270
3,660
2,714
2,386
1,307
6,143
0,674
0,835
260
3,665
2,729
2,390
1,308
6,131
0,667
0,842
250
3,670
2,740
2,393
1,309
6,116
0,660
0,850
240
3,675
2,757
2,397
1,309
6,086
0,652
0,856
230
3,679
2,772
2,400
1,310
6,061
0,645
0,859
220
3,684
2,787
2,404
1,310
6,035
0,638
0,865
210
3,688
2,801
2,407
1,311
6,013
0,632
0,872
200
3,692
2,814
2,41.1
1,313
5,995
0,625
0,879
190
3,696
2,828
2,415
1,314
5,970
0,619
0,885
180
3,700
2,841
2,420
1,315
5,942
0,613
0,889
170
3,704
2,854
2,423
1,316
5,914
0,608
0,893
160
3,707
2,871
2,428
1,317
5,893
0,601
0,902
150
3,711
2,883
2,429
1,317
5,872
0,595
0,908
140
3,714
2,897
2,434
1,318
5,858
0,589
0,916
130
3,717
2,912
.2,437
1,319
5,834
0,583
0,923
120
3,720
2,925
2,442
1,321
5,807
0,578
0,926
110
3,723
2,938
2,445
1,322
5,784
0,573
0,933
100
3,725
2,951
2,449
1,323
5,764
0,568
0,940
90
3,727
2,965
2,455
1,324
5,737
0,564
0,945
80
3,730
2,978
2,459
1,326
5,714
0,559
0,952
15. 	Диэлектрические свойства. е0 = 2,91 (высокочастотная), е = 6,60
статическая [64].
[195]
е 6,61 ±0,03 6,80 ± 0,03 7,28 ± 0,03
Т, к 1,5 90 .150

84
6. ЙОДИСТЫЙ НАТРИЙ Nai
16. 	Показатель преломления. Рис. 6.16.1, 6.16.2. См. рис. П.П.9, П.П. 12.
-й>т4
Рис. 6.16.1. Дисперсия показателя Рис. 6.16.2. Дисперсия величины dti/dX
преломлениям Nai [201]. Nai [201].
Т = 293 К [201]
п
Я, мкм
п
X, мкм
п
Я, мкм
к
Я, мкм
2,080
0,25
1,724
8,00
1,671.
19,00
1,556
30,00
1,830
0,40
1,721
9,00
1,664
20,00
1,541
31,00
1,792
0,50
1,718
10,00
1,656
21,00
1,526
32,00
Н762
0,70
1,715
11,00
1,647
22,00
1,509
33,00
Г, 748
1,00
1,710
12,00
1,638
23,00
1,491
34,00
1 i 737
2,00
1,708
13,00
Г, 628
24,00
1,472
35,00
1,735
3,00
. 1,701
14,00
1,618
25,00
1,452
36,00
1,733
4,00
1,696
15,00
1,607
26,00
1,430
37,00
1,731
5,00
1,690
16,00
1,596
27,00
1,407
38,00
1,726
6,00
1,684
17,00
1,583
28,00
1,383
, 39,00
1,725
7,00
1,678
18,00
1,570
29,00
1,356
40,00
Зависимость dn/dT от К см. [201].
17. Пропускание и поглощение. 0,25 ч- 40,0 мкм [201].
18. Электрооптические свойства. См. NaCl, п. 18.
23. Дополнительные сведения.
Применяется р фсадшом кщ Nai: Т1 (для сцинт^длядирнн^^ ,

7. ФТОРИСТЫЙ ЛИТИЙ LiF
85
7. 	ФТОРИСТЫЙ ЛИТИЙ LiF
1. Вид материала. Монокристалл синтетический, бесцветный или
желтоватый, выращивается из расплава.
2. Симметрия кристалла. Кубическая, класс тЗт, ГтЪт, (0^),
структурный тип NaCl.
Постоянные решетки, А. 4,02620 ± 5-10”5 при 7 = 25°С.
3. Молекулярный вес. 25,94.
4. Плотность, г/см3, 2,640 при 7 = 25 °С.
5. Температуры фазовых переходов, °С. 7ПЛ = 846 [1]; 870 [543].
6. Растворимость, г/100 г воды.
Растворимость 0,27 0,135
7, °С 18 35
Растворяется в кислотах, не растворяется в ацетоне и этиловом спирте
[1,97].
7. Удельная теплоемкость, кал/г-К. 0,373, при 7 = 10°С [37].
7д = 734,4 К [102]; 7д = 735 К [7,252]; 7д = 743 К, [ЮЗ, 104].
8. Тепловое раширение, К~*. Рис. 7.8.1'; см. рис. 4.8.1, 4.8.3, П.П.1.
а, 10“6 35 38,6
7, °С 60 150
осг=30*10“6 + 8.10-971 + 2.10-1аГ2 [64].
аг==37.10-б ПрИ 7 = 0-Н Ю0°С [37].
7 = 1,6 -т- 1,7 в области от 0 К До 7К0МН см. [118]; 7 = 2,086 [231], см
также [129]; 7 = 2,35 [127]; 7=1,7611 [128].
се3Ж7К'*
Рис. 7 8.1. Коэффициент теплового
расширения a LiF [225]: О — [Ю9], Д - [226],
IMOJ, ♦-[22S-J.
Рис. 7.9.1, Теплопроводность и УF
[231].

86
7. ФТОРИСТЫЙ ЛИТИЙ LiF
9. Теплопроводность, кал/К*см2*с. Рис. 7.9.1; 0,027 при Т = 41 °С [37];
0,034 при Т = 26 °С [64].
10. Спайность. Совершенная, по (100).
11. Твердость. По Моосу 4,5; по Кнупу « 100 кгс/мм2, инденторная нагрузка
500 ~ 600 г [237, 2].
Нця 100 кгс/мм2 [254, 255].
Яд, 107 Н/м2 на полированных образцах [256].
Нагрузка 50 г 100 г
Грань (100) 96 (±7%) 93 (±6,8%)
Грань (110) 134 (±7%) 122 (±1,5%)
12. Упругие постоянные. См. рис. 4.12.1; 4.12.6—4.12.8.
стп, Ю12 дин/см2
Си
С\2
1,12
0,632
0,456
[32]
1,135
—
0,480
[257]
1,12
0,628
0,420
[2]
1,246
0,649
0,424
[258]
1,140
0,636
0,477
[169]
1,144
0,628
0,426
[42]
1,142
0,636
0,479
[98]
1,13
0,625
0,480
[187]
Сщ = —14,2 ± 0,3; Сиг — —2,6 ± 0,2; Ci2s=l,6 ± 0,3; С144— 0,85 ± 0,1;
с 116 = —2,73 ± 0,13; с456 = 0,94 ± 0,06 [169].
Лупр=1,95 [257].
*тп> Ю“12 см2/дин
Sll
S44
Sl*
1,64
1,77
—0,49
[259]
1,135
1,59
—0,31
[35, 67]
1,17
1,58
—0,34
[31, 32]
Упругие постоянные 4-го порядка см. [180].
Зависимость упругих постоянных от давления см. [260]; зависимость Р от
давления см. [183, 185, 186].
[261]
[иода] [001] [012] [011] [112] [123] [122] [111]
•Ею, Ю« дин/см* 8,85 10,84 12,42 12,42 13,28 13,44 14,35
Gynp. 10М дин/см4 6,29 4,98 4,46 4,46 4,27 4,24 4,06

8?
tемпературные зависимости упругих постоянных. Рис. 7.12.1, 7.12.2; см.
рис. 4.12.64.12.8.
Рис. 7.12.1. Зависимость упругих жест- Рис. 7.12.2. Зависимость модулей упру-
костей Стп LiF от температуры [31]: гой податливости smn LiF от температу-
у — [169], 2 — [168], 5 —[163]. ры [31]: / — [169], 2 — [16&], ^ — [1 63].
[31]
г, к
Тсц, 10-^К-*1
Т с44, 10
т
%
г
о
273
—6,6
—2,8
0,1
о
о
со
•I-
о
о
<м
—5,8
—3,0
0
300 - 1000
—9,1
—3,8
—10
smn, 10-12 см2/дин [259]
Т, °с
sn
s44
S12
Э
19
1,18
1,57
—0,35
1,5
100
1,29
1,62
—0,38
1,6
150
1,35
1,64
—0,39
1,7
200
1,44
1,68
—0,42
1,8
250
1,54
1,72
—0,46
1,9
300
1,64
1,77
—0,49
2,0
350
1,75
1,82
—0,52
2,2
400
1,89
1,87
—0,56
2,3
450
2,00
1,94
—0,58
2,5
500
2,13
2,00
—0,59
2,9

§8
f. бТСФЙСТЫЙ ЛЙТЙЙ LiF
13. 	Скорости упругих волн, 105 см/с. Рис. 7.13.1, см. рис. П.П.З.
Рис. 7.13.1. Скорости поверхностных волн для распространения на плоскости (001) (а) и
(110) (б) LiF, MgO и GaAs, [28].
Vl [100J
VS riooj
v L flioj .
VS fllOJ
VL fllij
vS[l 11]
6,63
4,91
7,37
3,71
7,60
4,16
[4]
6,58
4,90
7,40
3,54
—
—
[187]
[28] [262]
Плоскость
V
10s cm/c
Av^/voo, %
v, 1 05 cm/c
В, дБ/см
при /= 1 000 МГц
(001)
3,897
1,15
VL flioj
7,25
2,82
(110)
4,060
1,11
VS rnoj foou
4,88
2,04
(111)
3,458
—
VS [11.0J rnoj
3,62
33,0
ру = 1,76*106 г/см2*с для L-волны, pv—1,18-106 г/см2*с для 5-волны
[178].
14. Затухание упругих волн, дБ/мкс.
/ = 900 МГц, 7 = 7К0МН [263]
V
VL fiooj
VS [100J
VL riioj
VS riioj toolj
°5fiioj flioj
VL Till]
VS nil J
В
3,5
0,8
U3
0,8
10
0,8
5
В = 16-10~2 дБ/см для vs при / = 1 ГГц и 7 = 15 К [46]; B/f2 =
= 15 дБ/см «ГГц2 [265]; см. также п. 13.
15. 	Диэлектрические свойства. е0= 1,92 (высокочастотная), 8 = 9,27
(статическая) [64].

7. ФТОРИСТЫЙ ЛИТИЙ LiF
89
[2]
е 9,00 9,00 9,00 9,00 9,11 9,11 9,11 9,11 9,11
tg б 0,0015 0,0003 0,0002 0,00018 0,0120 0,0020 0,0011 0,0002 0,0003
/, Гц Ю2 103 104—107 1010 102 103 .10* 10е—107 1010
т, °С 25 25 25 25 80 80 80 80 80
[195]
е 8,50 ± 0,04 8,58 ± 0,04 9,01 ± 0,03
Т, К 1,5 90 290
Те, Ю-*К~1 = 3,75 при Т = 25 °С [2].
е = 8,68 ± 0,6%, tg 6 = 4,8-Ю-з при /=102-н10« Гц [194, 201];
е = 9,27 [196], е = 9,0354 -f- 9,0360 [200], е = 9,01 [195, 266], е = 8,42 [198],
8 = 8,83 [199].
16. 	Показатель преломления. Рис. 7.16.1, 7.16.2. См. рис. 4.16.3, ГТ.П 9 —
П.П.12.
0,92549Я2 , 6.96747Я2
и2=1-
.Л4-
: (0,07376)2 X2—(32,790)2
0,1
U1
0,1
10 Л,мкм
Рис. 7.16.1. Дисперсия показателя
преломления п LiF в видимой области [201].
[201]
Рис. 7.16.2. Дисперсия величины
dn/dX [201].
К, мкм
п
Я, мкм
п
К, мкм
п
А., мкм
п
К, мкм
п
0,10
1,441
0,45
1,396
1,50
1,383
5,00
1,327
8,50
1,193
0,15
1,490
0,50
1,394
2,00
1,378
5,50
1,313
9,00
1,165
0,20
1,439
0,60
1,392
2,50
1,373
6,00
1,298
9,50
1,135
0,25
1,419
0,70
1,390
3,00
1,367
6,50
1,281
10,00
1,101
0,30
1,409
0,80
1,389
3,50
1,359
7,00
1,262
10,60
1,055
0,35
1,403
0,90
1,388
4,0Q
1,349
7,50
1,241
11,00
1,021
0,40
1,399
1,00
1,387
4,50
1,339
8,00
1,218

90
7. ФТОРИСТЫЙ ЛИТИЙ LiF
Нелинейный коэффициент показателя преломления, измеренный интерферо-
метрическим методом, 1,05 ±0,30* 10“20 м2/Вт [268].
Зависимость dn/dT от К см. [201].
17. 	Пропускание и поглощение. Рис. 7.17.1, 7.17.2. См. рис. 5.17.1.
0,65ч-11,0мкм [201, 238].
Л, мкм
Рис. 7.17.1. Коэффициент
поглощения световых волн A LiF [53].
Рис. 7.17.2. Дисперсия коэффициента
поглощения световых волн А в
вакуумной ультрафиолетовой области [267].
18. Электрооптические свойства. См. NaCl, п. 18.
19. Пьезооптические и упругооптические свойства. Рис. 7.19.1, см. рис. 4.19.4,
5.19.1, 5.19.2.
(Яц — я12).
брюстеры
л44, брюстеры
Я, мкм
—1,44
—0,72
0,560
[270]
—1,41
—0,728
0,589
[213]
—1,52
—0,83
0,589
[271]
—1,42
—0,76
0,589
[208]
-1,5
0,546
[209]
—1,46
—0,76
0,546
[272]
Pn~Pia
р 11
Р.ХШ,
Р44
Я, мкм
—0,107
—0,045
0,560
[270]
—0,108
0,02
0,128
—0,064
1219]
—0,11
0,02
0,130
—0,045
[273]
—0,16
—
—
—
0,550
[274]
—0,12
—
—
—
—
[64]
—
0,329 расч.
0,125 расч.
—
0,560
[211]
—
0,016
0,108
—0,048
0,589
[208]

7. ФТОРИСТЫЙ ЛИТИЙ LiF
91
[221]
1 Ри"
-Pit
Р44
эксп.
расч.
эксп.
расч.
—0,110
0,038
—0,068
—0,001
-Qht-Ptd-№
7t44, брюстеры
а)
U
ю
&
V 41
W SL
V Т7к
Р^‘
400 Т3К
400 i/C
Ф
Рис. 7.19.1. Зависимость пьезооптических Ятп (fl) и упругооптических Ртп(б) постоянных
LiF от температуры [207]; О — 208, И — [210, 269], #—[211].

92
Я. ХЛОРИСТЫЙ КАЛИЙ Kcl
8. 	ХЛОРИСТЫЙ КАЛИЙ КС1
1. 	Вид материала. Монокристалл синтетический, бесцветный,
выращивается из расплава.
Природный минерал сильвин, моно- и поликристалли чёский, часто
окрашенный в разные цвета.
2. 	Симметрия кристалла.
Кубическая, класс m3m, FmSm, (Ofy,
* . структурный тип NaCl.
* • При высоких давлениях на-
° блюдалась модификация со
структурой типа CsCl. *
Фазовые переходы под
давлением см. [275, 276].
Постоянные решетки, А.
* г
■8*
А-
Т,А
Рис. 8.8.1. Коэффициент теплового расширения
а КС1 [225]. ф—[225], □—[109], + — [118]
О— [П9], * — [112, 114], V — [116, 278]’
А — [279].
Рис, 8.8.2. Коэффициент теплового
расширения а; / — KI, 2 — КВг, 5 — КС1 [120].
6,29 [222]; 6,29294 ±8* 10 ~5 при
Т = 25 °С.
3. Молекулярный вес. 74,55.
4. Плотность, г/см3. 1,9891
при Т = 20 °С,
5. Температуры фазовых
переходов, °С. Гпл = 770.
6. Растворимость, г/100 г
воды. 34,7 при Т = 20 °Q 56,7 ^при
Г = 100°С.
Незначительно растворяется в
спирте, растворяется в щелочах,
эфире, глицерине [37, 2].
7. Удельная теплоемкость,
кал/г-К. 0,162 при Т = 273 К,
0,168 при Г = 373К [37,2]; см.
рис. П. II.1; зависимость
теплоемкости от давления см. [277].
7д = 235К [4, 103, 102]; 7д =
= 224 К [7, 105].
8. Тепловое расширение, К"1.
Рис. 8.8.1, 8.8.2, см. рис. 4.8.1,
П.И.1.
а, 10~6 37,4 38,2 39,4
Т, °С 51 100 150
а, 10-6 49,7 51,8 53,1
[2]
41,2
200
54,7
43,1 44,6 46,2 48,0
250 300 350 400
56,6 58,4 59,7
7\ °С 450 500 550 600 650 700 745

В. ХЛОРИСТЫЙ КАЛИЙ-KCl
93
а==33* 10~6+ 1-*10-7Г-+3«-Ю“117,а в области Т = — 150ч~+15О°С [1];
а в области 1,5 -5- 30 К и 54 ч- 90 К см. [229].
9= 1,60 [125]; 7 = 2,28 [127].
Зависимость 7 (Г) см. [280]; см. также [129].
9. Теплопроводность, кал/г*К*'См-с. См. рис. 4.9.1.
х 0,0502 0,02485 0,01665 0,01176
71, К 83 195 273 373
Влияние давления на % и с см. [101]. к в области от 5-10“2 до 50К см.
[281]. Влияние давления на к см [282].
10. Спайность. Совершенная, по (100).
11. Твердость. По Моосу 1,75-4-2; по Кнупу 7 —• 9 кгс/мм2 [37, 2, 78].
12. Упругие постоянные. Рис. 8.12.1. См. рис. 4.12.1, 4.12.6-^4.12.8.
Стп(р)
Рис. 8.12.1. Зависимость [адиабатических упругих жесткостей стп (р) КС1 от давления
[138]: ’Е153], 2— [141], 3 -[141] (см. также [149]).
стт Ю11 ДИН/СМ2
Си
С44
1С12
f, Гц
4,07
0,63
0,69
(8-г- 15)-109
[159, 162]
4,087
0,633
0,690
' 9 -106
[163, 98]
4,087
0,63
0,71
2-107
[170, 171]
4,09
0,63
0,70
—
[32]
4,06
0,629
0,67
—
[4]
3,98
0,62
0,625
9* 106
[98, 283]
4,83
0,66
0,54
[154]'
4,10
0,616
0,725.
(8 15)-109
I [166]

94
8. ХЛОРИСТЫЙ КАЛИЙ KCL
Ст
СШ
С123
С144
с1ве
С4Л9
—0,73
—0,571
+0,283
—0,023
—0,245
—0,016
[169]
—0,701
—0,571
—0,011
+0,127
—0,026
+0,118
[4]
—
__
0,13
-0,25
0,12
[176]
ст + 2с112 — —0,749, с111-)-с12з = —0,715 [176].
Smn> 10”12 СМ2/ДИН
su
я**
S12
2,62
16,0
—3,5
[67]
2,59 .
15,9
—3,7
[31]
Зависимость сжимаемости р от давления до 45 кбар см. [183—185],
упругие постоянные 4-го порядка см. [180], Лупр = 0,375 [257].
Температурные зависимости упругих постоянных. Рис. 8.12.2, 8.12.3, см.
рис. 4.12.1, 4.12.3, 4.12.6 — 4.12.8.
Тстп, 10-‘К-1 [32]
Tclt
ТСц
Т ctt
т, к
Тсц
Тс„
Тс1%
т, к
—8,3
—2,1
5,6
273
-8,2
—2,5
—
50 -ь 1000
—8,1
—1,9
5,7
195 ч- 295
-7,9
—2,3
(5,1)
300 -V- 500
Рис. 8.12.2. Зависимость упругих
жесткостей Стп КС1 от температуры [32]:
/-[153], 2 — [154], 3 — [141] (см.
также [140]).
Рис. 8.12.3. Зависимость упругих
податливостей smn КС1 от температуры
[32]: /-[153], 2 — [154], 3 — 11411.

8. ХЛОРИСТЫЙ КАЛИЙ КС1
smn, 10“11 см2/дин [149], см. также [284]
95
т, К
sn
-и
S44
4
S18
Э
ЛУПР
293
0,253!
0,5033
1,59,
1,08,
0,037
0,537
0,36
323
0,2594
0,506
1,608
1,09,
0,04а
0,52
0,37
373
0,2717
0,513
.1,62,
1,12,
0,04,
0,53
0,39
423
0,2840
0,52 0
1 »650
1,14,
0,053
0,54
0,41
473
0,3094
0,52,
1,67а
1,17*
0,064
0,53
0,43
523
0,3154
0,535
1.69,
1,20,
0,067
0,54
0,45
573
0 3335
0,544
1,71,
1,23,
0,07,
0,55
0,48
623
0,3537
0,55,
1,73,
1,27,
0,08,.
0,56
0,50
673
0,376б
0,568
1,76*
1,3.1,
0,090
0,59
0,53
723
0,4024
0,583
1,78,
1,36*
0,098
0,62
0,56
773
0,4320
0,60! .
1,81,
1,41,
0,10,
0,67
0,59
823
0,4668
0,61,
1,842
1,46,
0,11,
0,71
0,63
873
0,508х
0,64!
1,86,
1,53!
0,12,
0,77
0,68
Экстраполированные данные
0
0,2018
0,484б
1,48!
0,978
—0,004
0,58
0,28
^пл=Ю49
0,731 б
0,744
1»97 6
1,825
—0,16*
1,19
0,91
13. Скорости упругих волн,
8.13.1 -т-8.13.3, см. рис. 1.13.1.
105 см/с. Рис.
vLnm
VS [100]
vLl lie]
^Sfiioj
vL[lll]
°5flll]
4,48
4,52
1,78
1,77
3,85
3,89
2,91
2,9
3,61
2,59
[4]
[187]
[257]
Плоскость
v^t 105 cmfc
bVRfVoo, %
(001)
l,/?[iooj— 1,753
2,31
(110)
^/ecooil = 1,744
2,32
(111)
u#[iioj= 1,762
—
рс;= 0,89 • 10е г/см2-с для L-волны, pv =
==0?352-Ю6 г/см2*с для «S-ролны [178].
Рис. 8.13.1. Скорости
сдвиговых v§ и рэлеевских
упругих волн Vg в КС1 для
распространения на плоскости
(001): /, 2 — v^; в волне 2
смещение параллельно
плоскости (001), X —
обобщенные поверхностные волны;
□ —- удовлетворяющи е
Граничным услрвиям |28J.

96
8. ХЛОРИСТЫЙ КАЛИЙ КС1
Зависимость скорости звука от давления см. [277]; для волн,
распространяющихся вдоль [111] при / = 5; 15; 25 МГц, наблюдается внутренняя
коническая рефракция с полууглом 20,5° [285].
Зависимость v% и v$ от ориентации см. [28].
щ %
vs[ito] ’VS[110]
VL,M/e
Угол
Рис. 8.13.2. Скорости
сдвиговых v<£ и рэлеевских упругих
волн Vjg в КС1 для
распространения на плоскости (11 0):
1, 2 — сдвиговые объемные
волны; в волне 2 смещение
перпендикулярно плоскости
(110); □ —
удовлетворяющие граничным условиям
[28].
Рис. 8.13.3. Зависимость фазовой
скорости продольных и смешанных
упругих волн от направления
распространения в плоскости (110) КС1.
Сплошные линии — теоретический расчет с
использованием гиперзвуковых упругих
постоянных, точки — экспериментальные
значения, определенные по бриллюэнов-
скому рассеянию. Угол 0 отсчитывается
от оси [001] [166]..
14. Затухание упругих волн, 85 дБ/см-ГГц2 [265], рис. 8.14.1.
15. Диэлектрические свойства. Рис. 8.15.1.
[195]
е 4,49 ± 0,02 4,59 f 0,02 4,84 ± 0,02
7, К 1,5 £0 150
8=4,68, Ге = 3,03-10-4К-1 при 7’ = 29,5°С, /=10вГц [2].
Температурная зависимость е аналогична NaCl.
е = 4,80 ± 0,02, tg б = 8,6-10-3 при / = 102 10е Гц [194], е = 4,86 [197,
199, 266], е = 4,68 [196], е = 4,72 [198J, е = 4,8112+ 4,8182 [200].

8. ХЛОРИСТЫЙ КАЛИЙ КС1
97
Рис. 8.14.1. Зависимость затухания упругих волн В от частоты в КС1: а) продольные
волны: l-vLnm, 2-vLnm 3-vL[nl]; б) сдвиговые волны: ' ~ ^ [110] .
s“eS[iii] [ii2] * 3~vs [ii ij [lio]’ — VS fiooj roioj и о5П10]Г00ц!измеРено MeT0«0M
эхо-импульса при T=TKQMJl [99].
ЦЦд
Рис. 8.15.1. Зависимость е (/, 2) ( + , ф — измерено куметром, О — методом биений) и
tg 6 (/', 2Г) (ф, О — прямой ход, X — обратный ход) от температуры для KClj /, 1' — f —
= 1 МГц, 2, 2' — f = 10 МГц [120].
4 под ред. М. П. Шаскольской

98
6. ХЛОРИСТЫЙ КАЛИЙ КС1
16. 	Показатель преломления. Рис. 8.16.1, 8.16.2. См. рис. П.И.11, П.П. 12.
Рис. 8.16.1. Дисперсия показателя преломления п КС1 [201].
ал7
Рис. 8.16.2. Дисперсия величины dti/dX КС1 [201],
-0,» 0,41620X2 0,18870а,2 2.6200Х2
п I,2b4cb+ —(0,100)2_i_X.2—(0.131)2 X2—(0,162)® Я,2—(70,42)2
здесь X приведена в мкм [201].
Зависимость показателя преломления от давления и от объемного
напряжения при Х = 5893А см. [204]; действительная и мнимая части показателей
преломления в дальней ИК области [205]; потери на отражение от двух
поверхностей при 10 мкм 6,8% [36].

t ХЛОРИСТЫЙ КАЛИЙ KCi 99
[201]
Я, мкм
п
Я, мкм
п
Я, мкм
п
Я, мкм
п
Я, мкм
п
0,18
1,893
0,60
1,490
4,50
1,471
14,00
1,438
25 ТОО
1,341
0,20
1,717
0,70
1,486
5,00
1,471
15,00
1,432
26,00
1,327
0,22
1,645
0,80
1,483
6,00
1,468
16,00
1,426
27,00
1,313
0,24
1,604
0,90
1,481
7,00
1,466
17,00
1,419
28,00
1,297
0,26
1,578
1,00
1,480
8,10
1,463
18,00
1,411
29,00
1,281
0,28
1,559
И >50
1,477
9,00
1,460
19,00
1,403
30,00
1,263
0,30
1,546
,2,00
1,475
10,00
1,456
20,00
1,395
31,00
1,243
0,35
1,524
#2,50
1,475
10,60
1,454
21,00
1,385
32,00
1,222
0,40^
1,511|
3,00
1,474
11,00
1,452
22,00
1,375
33,00
1,199
0,45
1,502
3,50
1,473
12,00
1,448
23,00
1,365
34,00
1,174
0,50,
1,497|
4,00
1,472
13,00
1,443
24,00
1,353
17. 	Пропускание и поглощение. Рис. 8.17.1, 0.21 4-30 мкм [201].
Зависимость dn/dT от X см. [201].
Зависимость поглощения от волнового числа и температуры в КС1 см. [204];
объемное и поверхностное поглощение при % =10,6 мкм [203].
Рис. 8.17.1. Зависимость коэффициента поглощения световых волн А КС1 от волнового
числа [53].
18. Электрооптические свойства. См. NaCl, п. 18.
19. Пьезооптические и упругооптические свойства. Рис. 8.19.1, см.
рис. 4.19,2, 4.19.4, 4.19.5.

12
Ф
J
4
-4
-8
42
/О
/•
.У*
400
800
Т,к
***
ьт
Щ
*-И'М
л-л
\
 V
\
 *
Ч..Х1
Tt44, брюстеры
Яц, брю^
W
/
•
Ш
/
,/
•««в
д .«
400
Ttjz, брюстеры
4
800 T}K
400
T,K
(PtrPuW
6)
m
Яг**
21
BOO WOO T,к
17
13
«чн»
Я
г
у
ZOO
eoo woot,k
Рис. 8.19.1. Зависимость пьезооптических nmn и упругооптических ртп коэффициентов
КС1 от температуры |207]; 0 — [20fr], А —[209], ■—[210], ф-[286, 21 1], Д — [212]‘
X — 0,546 мкм [286]
т, °с
Птп* Ю7см2/кг
Ртп
, 10~2
Яц
Jti2
(Ян-ЗТ, г)/Я44
Pit
Pi*
Р11-Р12
Ра
20
4,65
3,05
0,372
5,52
23,71
18,19
-2,75
100
4,44
2,72
0,378
5,35
22,17
16,82
—2,86
200
4,23
2,40
0,404
5,28
20,19
14,91
—2,89
300
4,66
2,06
0,482
6,17
19,85
13,67
—3,14
400
5,93
1,60
0,512
9,34
21,69
12,35
—4,94
500
7,41
1,44
0,505
11,15
22,86
11,72
—6,72
600
9,35
1,31
0,532
12,63
23,85
11,22
—8,00
620
10,20
1,51
0,626
13,40
24,97
11,66
—7,22
650
11,12
2,11
0,656
13,37
25,75
12,38
—6,92
700
12,60
3,49
0,672
12,26
26,58
13,91
—6,70
720
13,60
4,39
0,687
12,14
26,96
14,82
—6,42
750
14,24
5,52
0,680
10,96
26,67
15,71
—

(Яц-л:12), брюстеры
л44> брюстеры
Л, мкм
1,37
[219]
1,66
—4,42
0,589
[242]
1,47
—4,92
0,589
[271]
1,42
—
0,589.
[214]
1,88
—4,32
0,589
[218]
1,47
—4,94
0,589
[287]
1,57
—4,74
0,589
[208]
1,35
—3,8
0,546
[209]
Pll ~ Pi 2
Ри
Pi 2
Pi 4
К мкм
0,046
0,17
0,124
[219]
0,056
0,215
0,159
—0,024
—
[273]
0,0565
—
—
0,0278
_
[242]
0,065
—
—
—
—
[64]
—
0,231 *)
0,186 *)
__
0,560
[215]
—
0,246
0,192
—0,0298
0,589
[208]
—
0,265
0,205
—0,0283
-
[216]
—
__
—
—0,0238
_
[210]
—
0,237 *)
0,181 *)
+0,0275
0,546
[286]
0,310 *)
0,112 *)
—
[220]
*) Расчетные значения.
[204]
К А
Ри
Pl 2
К А
Ри
Р 12
5893
0,228
0,179
4358
0,216
0,172
(0,215)
(0,159)
(0,182)
(0,134)
5461
0,226
0,178
4047
0,213
0,169
(0,211)
(0,156)
3663
0,207
0,165
5085
0,223
0,176
[221]
Pll — Pit
Р44
эксп.
расч.
эксп.
расч.
+0,051
0,134
—0,028
—0,072

102
9. БРОМИСТЫЙ КАЛИЙ КВг
9. 	БРОМИСТЫЙ КАЛИЙ КВг
1. Вид материала. Монокристалл синтетический, бесцветный.
Выращивается из расплава.
2. Симметрия кристалла. Кубическая, класс тЗт, Fm3m(Oh)’
структурный тип NaCl.
При высоких давлениях возможна фаза со структурой типа CsCl.
Фазовые переходы под давлением см. [275].
Постоянные решетки, А. 6,59828 ± 2*10~в при Т = 25°С.
3. Молекулярный вес. 119,01.
4. Плотность, г/см3. 2,750 при Т = 23 °С.
5. Температуры фазовых переходов, °С. Гпл = 740.
Влияние давления на Гпл см. [96].
6. Растворимость, г/100 г воды. Растворяется в глицерине, эфире, в
спиртах [1, 97, 2].
Г, °с
0
50
100
210
Растворимость
89,5
116
121
150
in
52,8
.—
104,8
—
[97]
7. Удельная теплоемкость, кал/г-К. 0,104 при 273 К; 0,108 при 373 К [37].
7д= 172 К [7, 102—104, 4].
8. Тепловое расширение. Рис. 9.8.1, см. рис. 4.8.1, 8.8.2, П.П.1. ^
а,Ж7К~1
Рис. 9.8.1. Коэффициент линейного расширения а КВг £225]: ф— [225], * — [145],
Х-ЦЮ9]. О-[П9], Д —[112, 114], ■ — [288].
а=43,69-10-в + 37,77.1О-вГ+'15,2МО-12Га (здесь Г приведена в °С).
Y= 1,68 [125], v = 2,06 [127], см. также [129, 280].

9. БРОМИСТЫЙ КАЛИЙ КВг
103
9. Теплопроводность, кал/К*см*с, 0,00698 при 299 К [21]; 0,0115 при
317 К [64]; 1,15-10“2 при 46 °С [37], см. рис. 4.9.1, зависимость
теплопроводности от давления см. [289].
10. Спайность. По (100).
11. Твердость. По Моосу 1—2; по Кнупу 5—7 кгс/мм2 [2, 78].
Яц = 10 кг/мм2 [254, 255].
12. Упругие постоянные. См. рис. 4.12.1.
Сщт 10й ДИН/СМ2
Сц
с44
Ci 2
Т
3,46
0,515
0,56
Т^КОМН
[31]
3,46
0,511
0,56
^комн
[32]
3,46
0,505
0,58
—
[291, 4]
3,45
0,49
0,51
—
[292]
3,49
0,51
0,58
295 °С
[23]
Smn* 1Q~~:L3 СМ2/ДИН
su
s44
$12
30,3
195
—4,2
[31]
30,4
198
—4,35
[2]
24,0
180
—2,8
экстрапол. к 0 К
[145]
Упругие постоянные 4-го порядка см. [180].
Температурные зависимости упругих постоянных. Рис. 9.12.1 -г-9.12.3.
См. рис. 4.12.1, 4.12.6—4.12.8.
Рис. 9.12.1. Зависимость упругих жесткостей стп от температуры для КВг [32]; 1 — [45],
2 — [290]

104
9. БРОМИСТЫЙ КАЛИЙ KBr
.12.2, Зависимости упругих податли-
smn от температуры для КВг [32];
1 -[145], 2- [290] .
Тс„
Рис. 9.12.3. Зависимость модуля
Юнга Ejо КВг от температуры
в направлениях: ^“”^Ю[Ю0],
2—-£jo[i3o] [284].
10-4/10 [31, 32]
Тсц
Т Сх2
ТС 44
Т, к
—8,5
7,7
—2, i
3
—9
—2,6 '
00 -*• 1000
—8,0
4,7
—2,4
00 -г- 500
smn, 10“13 см2/ДИН [147]
7\ °с
Sll *)
sn )!
«44
S12
Р,
1012 см2/дин
20
30,1
62,1
• 195
-3,4
7
100
• 32,6
63,7
199
-4,7
7
200
36,1
63,8
206
—7,5
6
300
40,3
68,5
213
—9,8-
6
400
45,7
72,0
219
—11,2
7
500
53,5
76,3
226
—13,9
8
600
63,7
82,0
234
—16,7
9
700 *
75,2
89,3
241
-17,1
12
730
81,3
91,0
244
—21,3
12
Экстраполяция
к 0, К
24,0
—
180
-2,8
—
*) Sn —1/Ею [ЮО], Sn= 1/Ею [110]. Метод составного резонатора.
Относительные ошибки для Sji и sli = 1,2%, для s44 = 0,8%.

9. БРОМИСТЫЙ КАЛИЙ КВг
£ю'Ю~11 дин/см2 [284]
Ю5
Tt °С
[100]
[130]
0, 1018 см2/дин
20
3,20
2,43
60,2
100
3,07
2,36
57,2
200
2,80
2,24
54,9
300
2,56
2,12
46,5
400
2,30
2,00
39,6
500
2,04
1,86
27,4
600
1,80
1,77
12,2
700
1,53
1,65
—
Зависимость сжимаемости Р от давления до 45 кбар см. [183, 184, 185]
13. 	Скорости упругих волн, 10б см/с. Рис. 9.13.1, 9.13.2.
Рис. 9.13.1. Сечения поверхности нормальных скоростей упругих волн: / — v^, II —^
— (а) и волновой поверхности (б) кристалла КВг плоскостью (001) [29 3].
[010]
Рис. 9.13.2. Сечения поверхности нормальных скоростей упругих волн и волновой
поверхности для квазисдвиговых волн, распространяющихся по плоскости (001) кристалла КВг:
Vjj' — скорости волн по нормали, — скорости волн по лучу; IV. — направления нормалей
к волновому фронту для трех квазисдвиговых волн, распространяющихся вдоль луча L
£293].

106
9. БРОМИСТЫЙ КАЛИЙ КВг
nooj = 3,55, v$ nooj — 1,36, Vi fiioj = 3,02, ^sfuomioj —2,29, z>£fllij==2,84,
rni] == 2,19 [4].
py=0,97« 106 г/см2*с для L-волны, pu=0,525- 106г/см2*сдля 5-волны [178].
14. 	Затухание упругих волн. Рис. 9.14.1.
Рис. 9.14.1. Зависимость затухания упругих золн В КВг от частоты: a) Vj\ / — [100]
2 — [110], 3 — [111]; 6)vs: /-[111] [112], 2 -[110] [ИО], 3—£111] fl 10|, 4 — [100] £010^
и [110] [001] (измерено импульсным эхо-методом при Т = [99].
15. 	Диэлектрические свойства. Рис. 9.15.1 е0 = 2 (высокочастотная).
8 = 4,78 (статическая) [64].
[64,196—200,266]
8
4,90
4,90
4,90
4,90
4,90
tg5
0,0007
0,0008
0,00045
0,0002
0,0001
/, Гц
Ы02-?- МО3
ЫО4
ЫО5
ЫО6 ч- ЫО7
3-10*
т °с
25
25
25
25
25
6 1
4,90
4,97
4,97
4,97
[tg6
0,00023
0,0016
0,0007
0,0011
/, Гц
Ы010
ЫО2
ЫО3
1-104
Т° С
25
87
87
87

9. БРОМИСТЫЙ КАЛИЙ КВг
107
[2]
8
4,97
4,97
4,97
4,97
4,97
tgr 6
0,0009
0,0005
■0,0003
0,00024
0,00035
/, ГЦ
Ы0В
Ь106
МО7
МО8
ЫО^0
7\ °С
87
87
87
87
87
[195]
8
4,52 ± 0,02
4,64 ± 0,02
4,90 ± 0,02
т, к
1,5
90
290
е = 4,90 ± 0,03, tg 8 = 8,8-10~3, /=102ч- 106 Гц [194].
16. Показатель преломления. Рис. 9.16.1, см. рис. П.II.9—П.П.12, 4.16.3.
. 1201]
К» мкм
п
Я, мкм
п
Я, мкм
п
Я, мкм
п
%, мкм
п
0,20
2,100
0,80
1,549
7,00
1,532
17,00
1,505
31,00
1,416
0,22
1,850
0,90
1,546
7,50
1,531
18,00
1,501
32,00
1,406
0,24
1,758
1,00
1,544
8,00
1,530
19,00
1,497
33,00
1,396
0,26
1,706
1,50
1,540
8,50
1,530
20,00
1,492
34,00
1,384
0,28
■1,672
2,00
1,538
9,00
1,529
21,00
1,488
35,00
1,372
0,30
1,648
2,50
1,537
9,50
1,528
22,00
1,482
36,00
1,359
0,35
1,612
3,00
1,537
10,00
1,527
23,00
1,477
37,00
1,346
0,40
1,591
3,50
1,536
10,60
1,525
24,00
1,470
38,00
1,331
0,45
1,578
4,00
1,536
11,00
1,524
25,00
1,464
39,00
1,315
0,50
1,570
4,50
1,535
12,00
1,522
26,00
1,457
40,00
1,298
0,55
1,564
5,00
1,535
13,00
1,519
27,00
1,450
41,00
1,279
0,60
1,559
5,50
1,534
14,00
1,516
28,00
1,442
42,00
1,260
0,64
1,556
6,00
1,533
15,00
1,513
29,00
1,434
0,70
1,553
6,50
1,533
16,00
1,509
30,00
1,423
„2 1 оплпа , 0,7922а2 , 0,0198а2 , 0,15587Х2 . 0.17673Х2
п _ i,d»4ue+ я,2—(0,146)2'+_ л,а—(0,173)2_+_ X2—(0,187)2 X2—(60.61)2
. 2,06217А,2 . 1ЧП11
+ х,а_ (87 72)а ’ десь приведена в мкм 1201].
Зависимость dn/dT и dn/dX от X см. [201].
Действительная и мнимая части показателей преломления в дальней ИК-
области см. [205]; зависимость показателя преломления от давления и от
объемного напряжения при А, = 5893 А см. [204]; объемное и поверхностное
поглощение при Я = 10,6 мкм см. [203].

108
9. БРОМИСТЫЙ КАЛИЙ KBr
9
-2 - S S'
S >
x У
r f
r,v
6,5
5,25
Рис. 9.15.1. Зависимость диэлектрической проницаемости 8 (X, Д — измерения куметром,
О — методом биений) (/, 2) и tg б (@ — прямой ход, X — обратный ход) (/', 2’) от
температуры для КВг при /, V — f = 930 кГц; 2, 2' — f = 3,5 МГц [120].
л
Рис. 9.16.1. Показатель преломления п КВг (в видимой области) при Т = Ти£*иж |201J.

9. БРОМИСТЫЙ КАЛИЙ КВг
109
17. Пропускание и поглощение. Рис. 9.17.1. 0,20 -ь 42 мкм [201, 55, 37];
Д = Ы0”4 см*"* приХ=10,6 мкм [37].
А,см-*
Рис* 9.17.1. Коэффициент поглощения световых волн А в КВг [53].
18. Электрооптические свойства. См. NaCl, п. 18.
19. Пьезооптические и упругооптические свойства. Рис. 9.19.1—9.19.4,
см. рис. 4.19.2, 4.19.4, 4.19.5.
Х = 0,589 мкм [286]
ЗТ/Л72» Ю7СМ2/КГ
Ртп>
Ю-2
Г, °с
Я12
(^n-Jt12)/3t44
Ри
Р 44
Р12
Pll~Pl2
20
5,98
4,30
0,369
24,22
—2,37
19,13
5,08
100
5,76
3,96
0,375
22,65
—2,45
17,73
4,92
200
4,92
2,82
0,412
19,62
—2,56
14,54
5,08
300
4,78
2,28
0,510
17,89
—2,39
12,66
5,23
400
6,34
2,24
0,472
19,69
—4,08
12,06
7,63
500
7,32
2,02
0,525
19,48
—4,54
11,11
8,37
600
8,72
1,94
0,557
19,50
—4,94
11,05
8,45
700
8,98
2,18
0,618
19,60
—4,51
11,48
8,15
650
9,58
2,68
0,628
19,84
—4,40
11,98
7,86
700
10,82
4,22
0,625
20,60
—4,36
13,15
7,45
720
11,06
4,26
0,625
20,37
—4,36
13,67
6,80

110
9. БРОМИСТЫЙ КАЛИЙ КВг
(PirPa>10*
Л
/
ж
Mb-**
ж
У 4Ь
'0 61
v 800 т
10 Т, к
he
055
\
 \
 \
 \
 /
»
6N*»
/
/
/
у-
'Т3К
•
/
а)
]ZK
рм:№г
р„-10г
А-А-А-
%
ШУ
/
V .
У
'Т,К
Ра-Ю*
А
# It—III
Ч
• л
V
?
J
Рис. 9.19.1. Зависимость пьезооптических Гптп (а) и упругооптических ртп (б)
коэффициентов в КВг от температуры [207]: Э — [208], ▲ — [239], О — I242J, ф — (286, 21 1]
И — [210].
Рис. 9.19.2. Дисперсия
пьезооптических постоянных Яц'-Яц КВг
[294].
Рис. 9.19.3. Дисперсия пьезооптических
постоянных Jimnl 1 — КВг, 2 — KI [214].

9. БРОМИСТЫЙ КАЛИЙ КВг
111
(Яц—Jt12),
брюстеры
я44,
брюстеры
Я, мкм
1,58
—4,67
0,560
[270]
1,70
—5,14
0,589
[219]
1,73
—4*72
0,589
[242]
1,76
—4,42
0,589
[213]
1,76
—
0,589
[214]
1,68
—3,94
0,589
[218]
1,76
—4,42
0,589
[241]
1,73
—4,48
0,589
[208]
1,64
—4,45
0,546
[286]
птп, Ю’см^кгс-1: яи = 5,98, л12
Рис. 9.19.4. Дисперсия 'пьезооптического
коэффициента я44 в КВг: О — Т = 293,
■ — Т = 405, Д — Т = 527, □ — Г = 672 К
[240].
4,3 при А, = 0,546 мкм [286].
Pn-Pit
Р11
Ри
Р44
А,, мкм
0,043
—0,029
0,560
[270]
0,59
0,171
—0,026
0,590
[219]
0,049
0,22
—
—0,026
—
[219]
0,047
0,212
—
—0,022
—
[273]
0,0494
—
—
—0,0238
—
[242]
0,050
—
—
—0,021
—
[64]
—
0,228 расч.
0,177 расч.
—
—
[215]
—
0,241
0,191
—0,023
0,589
[208]
—
0,22
0,18
—0,0213
—
[295]
—
0,242 расч.
0,191 расч.
—0,0237
0,546
[286]
[221]
Я, А
Ри
Pi 2
5893
0,228
0,174
—
(0,212)
(0,165)
5461
0,225
0,172
—
(0,208)
(0,162)
5085
0,222
0,170
4358
0,210
0,167
—
(0,194)
(0,151)
4047
0,205
0,163
3663
0,192
0,157
[221]
Рхх-Ргг
Р* 4
эксп.
расч.
ЭКСП.
расч.
0,046
0,127
—0,022
—0,077

112
10. ЙОДИСТЫЙ КАЛИЙ KI
10. 	ЙОДИСТЫЙ КАЛИЙ KI
1. Вид материала. Кристалл синтетический, бесцветный. Выращивается из
расплава.
2. Симметрия кристалла. Кубическая, класс тЗт, Fm3m (0%)
структурный тип NaCl.
Фазовые переходы под давлением см. [275].
Постоянные решетки, А. 7,06555 ± 15* 10“® при Т = 25°С.
3. Молекулярный вес. 166,01.
4. Плотность, г/см3. 3,129, при Т = 23 °С.
5. Температуры фазовых переходов, °С. Тпл = 686.
6. Растворимость, г/100 г воды. Растворяется в спиртах и аммиаке [78].
Т, °С 0 20 100
Растворимость 127,5 145 208
7. Удельная теплоемкость, кал/г*К
[2]
Т\ К 200 250 270
с 0,073 0,075 0,075
7д=124К [7]; Гд = 129К [102, 154]; 7д=131К [228].
8. 	Тепловое расширение, К~*. Рис. 10.8.1, 10.8.2, см. рис. 4.8.1, 8.8.2,
П.И.1.
к,10~7К'*
600 -
500 -
Рис. 10.8.1. Коэффициент линейного расширения KI [225]: # — [225], * —£ 109], + -^-[124]
О-—[H9J, ■ — 288], Д— [113].

10. ЙОДИСТЫЙ КАЛИЙ KI
113
Рис. 10.8.2. Коэффициент линейного расширения a KI: О — измерено интерферометриче-
ским методом £296], Д —- [288], X — [297], П — [119], измерено рентгеновским методом
( по ординате отложены значения а — , где /2»з — длина образца при Т = 293 к \ ,
\ *293 й1 j
а = ЗЫ0~6 + 7-10-871 + 6*10“11Г2 при Г = — 158 -ь 18 °С [1].
7=1,63 [125]; v = 2,20 [127]; у=1,49 [296]; у от Т см. [95].
9. Теплопроводность, кал/К-см-с. 0,005 при Т =‘299 К, 0,012 при Т = 273К
[53].
10. Спайность. По (100).
11. Твердость. По Моосу ж 1 -4- 1,5, очень мягкий [159]; по Кнупу «
« 5 кгс/мм2 [78].
12. Упругие постоянные. См. рис. 4.12.1.
стп, 1011 дин/сма
С11
с44
С12
Т> к
2,75
0,369
0,45
[31, 159]
2,74
0,370
0,44
—
[32]
2,67
0,421
0,43
—
[4]
2,78
0,38
0,47
295
[25]
3,38
0,37
0,22
4
[25]
W Ю-13 см2/дин
sn
S12
S44
38,3
-5,4
270
[31, 32]
39,2
—5,4
238
[2]
Ею rtooj == 2,71 • 10« (± 0,6%) дин/сма, £ю nioj =
= 1,204-1011 (± 0,3%) дин/см2; Gynpriooj = 0,375-10“ (± 0,3%) дин/см»,
Оупр [по] = 0,569-10й (±0,8%) дин/см2 [147, 148].

114
10. ЙОДИСТЫЙ КАЛИЙ KI
Зависимость упругих постоянных от давления см. [298]. Зависимость
сжимаемости от давления см. [183—186], упругие постоянные 4-го порядка
см. [180].
Температурные зависимости упругих постоянных. Рис. 10.12.1, 10.12.2,
см. рис. 4.12.6—4.12.8.
Тстп, 10-ОК-1 [31]
Тс а
TCi2
Тсц
г,
К
—9,2
8,9
-2,1
273
-9,2
—
(-4,2)
200. -з
г 600
&тп< 10-» см2/дин [147, 148]
т, к
Sll
S44
S12
Р
Лупр
293
0,369 ±0,6%
2,67 + 0,3%
0,05 ± 30%
0,82 ± 7,5%
0,31 ± 4%
373
0,400
2,72
0,05
0,91
0,33
423
0,420
2,76
0,05
0,97
0,34
473
0,443± 1,2%
2,80 ± 1,1%
0,05 ± 51%
1,04 ± 12%
0,35 ± 7%
523
0,472
2,84
0,05
1,11
0,37
573
0,500
2,88
0,05
1,20
0,38
623
0,532
2,92
0,05
1,29
0,40
673
0,572±2,3%
2,97 ±1,8%
0,05 ± 110%
1,42 ±18%
0,42 ± 12%
723
0,621
3,01
0,05
1,56
0,45
773
0,671
3,05
0,05
1,71
0,47
823
0,735
3,11
0,05
1,89
0,51
873
0,813±4,9%
3,16 ±3,2%
0,05 ± 142%
2,13 ±23%
0,55 ± 23%
Экстраполированные значения
0
0,289
2,47
0,04
0,60
0,27
996
1,087
3,29
0,05
2,95
0,69
Температура упругой изотропии 640 °С [284].
стп, 10» дин/см2 [228]
Сц = 3,38, с ±2 — 0,22, с41 = 0,377

10. ЙОДИСТЫЙ КАЛИЙ KI
115
Рис. 10.12.1. Зависимость упругих
жесткостей стп для KI от температуры
[31]: {1 — [147, [299, 148], 2 — [154],
3 — [300].
Рис. 10.12.2. Зависимость
упругих податливостей smn
для KI от температуры [31]:
/-[147], 2 —[154], 3 -
[300].
13. 	Скорости упругих волн, 10** см/с [4]. См. рис. П.П.З.
yZ.fiooj = 2,92;. vs nooj = -Ы6, nooj= 2,51, riioj== 1 >89, vLtiiij= 2,33,
y5flllJ=l»68
15. Диэлектрические свойства. e0 = 2,64 (высокочастотная), 8 = 4,94
(статическая) [64]; 8 = 4,94 при / = 2* 106 Гц [2].
[195]
8 4,66 ± 0,02 4,81 ± 0,02 5,10 ± 0,03
Т, К 1,5 90 290
16. Показатель преломления. Рис. 10.16.1, 10.16.2, см. рис. 4.16.3, П. II.9,
П.11.11, П.11.12.
„2_1 . 0,16512Л,2 , 0,41222Х2 , 0,44163Яа ,
п 1,4Л«к> + Х2_(0,129)2 + Xs— (0,175)2 ■*' X2—(0,187)2 ~г
, 0.16076А.» , , mnt,
+ X8»—(0,219)2 ~г"’’ здесь пРивеДена в мкм [201].
7J
Рио. 10.16.1. Дисперсия показателя преломления п KI [201].

116
10. ЙОДИСТЫЙ КАЛИЙ KI
~ал’л
10
л
\
\
 0,1 ;
0,01 =
В3001
11.1 I.,
10 100
Л, ммм
Рис. 10.16.2. Дисперсия величины dti/dX KI [201].
[201]
А,, мкм
п
к, мкм
п
%, мкм
п
X, мкм
п
Я, мкм
п
0,25
2,049
3,00
1,629
15,00
1,610
28,00
1,555
41,00
1,437
0726
1,976
4,00
1,628
16,00
1,607
29,00
1,548
42,00
1,424
0,28
1,889
5,00
1,627
17,00
1,604
30,00
1,542
43,00
1,409
0,30
1,835
6,00
1,626
18,00
1,600
31,00
1,534
44,00
1,394
0,35
1,759
7,00
1,625
19,00
1,597
32,00
1,527
45,00
1,377
0,40
1,721
8,00
1,624
20,00
1,593
33,00
1,520
46,00
1,359
0,50
1,683
9,00
1,622
21,00
1,589
34,00
1,511
47,00
1,340
0,60
1,665
10,00
1,620
22,00
1,585
35,00
1,502
48,00
1,319
0,80
1,648
10,60
1,619
23,00
1,581
36,00
1,493
49,00
1,296
1,00
1,641
11,00
1,619
24,00
1,576
37,00
1,483
50,00
1,271
1,50
1,633
12,00
1,617
25,00
1,571
38,00
1,472
2,00
1,631
13,00
1,614
26,00
1,566
39,00
1,462
2,50
1,630
14,00
1,612
27,00
1,560
40,00
1,450
Зависимость показателя преломления от давления и от объемного
напряжения при >1 = 5893 А см. [204]; действительная и мнимая части
показателей преломления в дальней ИК-области см. [205]. Зависимость dn/dT от X
см. [201].
17. Пропускание и поглощение. 0,2 -f- 50 мкм [201].
18. Электрооптические свойства. См. NaCl, п. 18.

10. ЙОДИСТЫЙ КАЛИЙ KI
117
19. Пьезооптические и упругооптические свойства. Рис. 10.19.1, см.
рис 4.19.4, 4.19.5, 9.19.3.
брюстер
/
—
А-А-А-
а М
А-А--А.
0 и
0 6L
10 80,
9 %К
о
- \-
в>
ч* т
ч
•
(
V»
(Ряф)-®2
~V~
А-А-А.
jpf
W
] %^4(/
0 600 80i
ml
W>K
- i-к/
•
т м а т т,к
22
14
5^;
Vi
№ 600 W
600 800 Т:К
10
A,w
N
к:
V
ч
V
\
 9
60S и
Рис. 10.19.1. Зависимость пьезооптических Пщп (а) и упругооптических РтпЛб)
коэффициентов KI от температуры [207]: (| — [208], А — [207], ф — [211].
'(я«-Лц).
брюстеры
зt44,
брюстеры
X, мкм
1,83

0,589
[219]
1,84
—3,04
0,589
[272]
1,0
—
0,589
[274]
1,69
—2,66
0,589
[218]
1,84
—3,04
0,589
[287]
1,86
—2,97
0,589
[208]
2,1
—3,0
0,546
[209]

118
II. ХЛОРИСТОЕ СЕРЕБРО AgCl
Pll-Pl*
Pit
Pt»
Р44
Я, мкм
0,041
0,210
0,169


[219]
0,038
0,203
0,164
—
—
[64]
—
0,212 расч.
0,170 расч.
—
0,560
[215]
—
0,227
0,183
—0,012
0,589
[208]
—
0,22
0,17
—0,00875
0,560
[295]
[204]
Ри
Pis
А,, А
0,205
0,181
5893
(0,203)
(0,164)
—
0,202
0,178
5461
0,198
0,175
5085
0,186
0,166
4358
0,179
0,160
4047
0,166
0,153
3663
11. 	ХЛОРИСТОЕ СЕРЕБРО AgCl
1. Вид материала. Монокристалл синтетический, бесцветный,
перламутровосерый, зеленовато-серый. Выращивается из расплава.
Редкий природный минерал кераргирит (хлораргирит).
2. Симметрия кристалла. Кубическая, класс тЗт, FmSm (Од),
структурный тип NaCl. При высоких давлениях возможна фаза типа CsCl.
Полиморфный переход при Т^оми и р — 70 кбар в фазу более низкой
симметрии см. [182, 301, 302].
Постоянные решетки. А, 5,5491 ± 5*10~4 при Т = 26°С [1]; 5,56 [97].
Зависимость постоянных решетки от температуры см. [303].
3. Молекулярный вес. 143,34.
4. Плотность, г/см3. 5,5710 ± 15*10~4.
5. Температуры фазовых переходов, °С. ГПл = 457.
6. Растворимость, г/100 г воды.
7\ °С 10 100
Растворимость 0,000089 0,0021
Растворяется в гидроокиси аммония, тиосульфате натрия, цианистом
калии [1, 97],

11. ХЛОРИСТОЕ СЕРЕБРО AgCl
119
7. 	Удельная теплоемкость, кал/г*К.
[1]
Т, °С 0 100
с 0,0848 0,0906
Гд = 146 К [7], Гд=183 К [4].
8. 	Тепловое расширение, К-1. Рис. 11.8.1, 11.8.2. см. рис. П.П.1.
Рис. 11.8.1. Коэффициент линейного
расширения a AgCl [304]: Д— [110],
□ -[305], О-[304].
Рис. 11.8.2. Коэффициент линейного
расширения a AgCl и AgBr [302].
Tt °С 25 200 350 380 400 425
а, 10-6 30,0 34,59 52,09 58,37 63,19 69,99
аг = 30-10“6 +1,5* 10~8 Т—0,9* 10“10 Г2 + 0,6499-10-« Г3. Здесь Г при.
ведена в °С, измерено рентгеновским методом [304].
9. Теплопроводность, кал/К *см*с. к = 0,0026 при Т = 0°С, к = 0,00271
при 71 = 50°С [2]. См. рис. 4.9.1.
Зависимость теплопроводности от давления см. [306].
10. Спайность. Нет.
И. Твердость. По Моосу 2,5, по Кнупу 9,5 кгс/мм2 [2] при нагрузке
25 г, 5,0 ~ 6,3 [133].
Я|х = 5,0 кгс/мм2 [307]. Анизотропию твердости см. [133].
12. 	Упругие постоянные. Рис. 11.12.1.
Стп, Юи ДИН/СМ2
Си
С44
С la
6,01
0,625
3,62
[310]
5,94
0,622
3,62
[32]
С11 С1*
2 с,
44
=1,90 [310]

120
11. ХЛОРИСТОЕ СЕРЕБРО AgCl
Рис. 11.12.1. Зависимость упругих
жесткостей стп AgCl от температуры
[32J: /-[144J, 2—[308], 5 —[309].
$тп> Ю“12 СМ2/ДИН
su
S44
Sl2
3,12
16,1
—1,18
[32]
3,15
16,25
—1,08
[144]
Коэффициент Пуассона: 0,41 [311].
Ею =0,746* 1011 дин/см2, Gynp —
=2,1М0Ц см2/дин [312].
Сжимаемость 2,40* 10~12см2/дин [313,
314]; зависимость упругих характеристик
поликристалла от давления см. [182];
зависимость Р от р см. [183—185].
Температурные зависимости
упругих постоянных
Smn. 12 см2/дин [144]
7\ °С
Sli
S44
S14
Э
20
3,15
16,25
—1,08
3,00
100
3,79
16,50
-1,21
4,10
125
4,13
.16,60
—1,33
4,40
150
4,41
16,70
—1,40
4,83
175
4,69
16,80
—1,45
5,36
200
4,88
17,00
—1,43
5,75
225
5,05
17,20
—1,43
6,57
250
5,21
17,35
—1,39
7,30
275
5,40
17,60
—1,20
9,00
300
5,52
18,25
—1,05
10,30
325
5,65
19,05
—0,97
11,10
350
5,78
19,80
—0,88
12,10
375
5,92
20,07
—0,70
12,80
400
6,06
22,20
—0,76
13,60
425
6,29
23,80
—0,95
13,50
435
6,41
24,50
—0,90
13,80
445
6,58
25,30
—1,23
12,35
450
6,71
25,80
-1,41
11,90
455
6,90
26,20
—1,48
11,80

11. ХЛОРИСТОЕ СЕРЕБРО AgCl 121
ТсЯП9 10-* К”1 [32]
т, к
Т Сц
Т с44
т С\2
100 -ь 300
—10,2
—4,3
—3,5
50 ч- 300
—10,4
—4,4
—2,9
Влияние давления на упругие свойства см. [312, 315].
13. 	Скорости упругих волн, 105 см/с
02. 	= 3,070'± 0,015, vs = 1,156 ± 0,002 [312].
[4]
VL fiooj
^Sfiooj
vLl lioj
^SrilOjrnrj
vS[l 11]
3,29
1,06
3,13
1И7
3,07
1,35
15. Диэлектрические свойства. 8=12,3 при 7’ = 20°С, /=106 Гц, Т,8 =
14,0-10-4 К"1 [2,195].
Г, к 1,5 90 290
е 9,50 ±0,01 9,92 ±0,01 11,15 ±0,08
16. Показатель преломления. Рис. 11.16.1, 11.16.2, см. рис. П.II.10, П.П.11.
п
Рис. 11.16.1. Дисперсия показателя
преломления п AgCl [2].
Рис. 11.16.2. Дисперсия величины
dnfdX AgCl [2].
0,152990+ +0.003606Х», здесь X приведена
в мкм. При А, = 0,435 до 0,692 мкм dti/dT = 61 * 10~6 [2, 37, 78, 316].

122
11. ХЛОРИСТОЕ СЕРЕБРО AgCl
[201]
X, мкм
п
X* мкм
п
X, мкм
п
Xt мкм
п
X, мкм
п
0,434
2,134
1,8
2,00750
3,3
2,00151
8,0
1,98847
15,5
1,94743
0,486
2,0965
1,9
2,00678
3,4
2,00128
8,5
1,98661
16,0
1,94358
0,5
2,09648
2,0
2,00615
3,5
2,00102
9,0
1,98464
16,5
1,93958
0,6
2,063885
2,1
2,00559
3,6
2,00078
9,5
1,98255
17,0
1,93542
0,7
2,04500
2,2
2,00510
3,7
2,00054
10,0
1,98034
17,5
1,93109
0,8
2,03485
2,3
2,00465
3,8
2,00030
10,5
1,97801
18,0
1,92660
0,9
2,02752
2,4
2,00424
3,9
2,00007
11,0
1,97556
18,5
1,92194
1,0
2,02239
2,5
2,00386
4,0
1,99983
11,5
1,97297
19,0
1,91710
1,1
2,01865
2,6
2,00351
4,5
1,99866
12,0
1,97026
19,5
1,91208
1,2
2,01582
2,7
2,00318
5,0
1,99745
12,5
1,96742
20,0
1,90688
1,3
2,01363
2,8
2,00287
5,5
1,99618
13,0
1,96444
20,5
1,90149
1,4
2,01189
2,9
2,00258
6,0
1,99483
13,5
1,96133
1,5
2,01047
3,0
2,00230
6,5
1,99339
14,0
1,95807
1,6
2,00931
3,1
2,00203
7,0
1,99185
14,5
1,95467
1,7
2,00833
3,2
2,00177
7,5
1,99021
15,0
1,95113
17. 	Пропускание и поглощение. Рис. 11.17.1. 0,4 ч-30 мкм [2, 72, 317],
/«80% [2, 72, 318].
Л,мкм
2,5 3,0 4,0 5,0 5,0 7,0 8,0 9,010,0 12,014,0
/%г 1 1—Л 1 1 1—i—III м 'Г Г
80 : —
60 -
40 -
20 -
п г г г f I t I I i t | 1 i | | ! 1 ! i 'i
3000 2800 2000 1800 1600 1400 1200 1000 800 600
KjCM'i
Рис. 11.17.1. Спектральное пропускание AgCl в видимой и инфракрасной областях [318]
19. Пьезооптические и упругооптические свойства.
(Яц-Л12),
брюстеры
зт44,
брюстеры
X, мкм
—6,5
8,3
0,589
[319]
—7,23
11,5
0,561
[1305]
—5,62
8,89
0,589
[1306]

12. БРОМИСТОЕ СЕРЕБРО AgBr
123
Pit
Р12
044
А,, мкм
0,2127
0,012

0,560
[215]
—
—
—0,075
0,589
[319]
[320], см. также [321—324]
nmnt 107 см2/кг
т,- °с
Я44
ЗТц
Jti2
Pit
Р44
Pi»
20
6,447
—12,394
5,008
—1,439
0,177
0,078
0,022
100
6,154
—12,566
5,202
—0,952
0,166
0,078
0,040
200
9,352
—11,314
8,150
—1,201
0,197
0,068
0,043
300
6,183
—12,653
8,380
2,199
0,191
0,071
0,095
350
4,326
—13,392
7,840
3,544
0,171
0,069
0,104
I А,, мкм
Pa
Pit
P44
0,589
0,96
0,081
—0,098
[326]
—0,2309
0,1100
—0,0781
[327]
23. Дополнительные сведения.
Под действием видимого и ультрафиолетового света кристалл AgCl
темнеет и теряет прозрачность. Легирование AgCl примесью ртути обеспечивает
его устойчивость по отношению к свету [318].
Поглощение, флуоресценция и фотопроводимость см. [325].
12. 	БРОМИСТОЕ СЕРЕБРО AgBr
1. Вид материала. Монокристалл синтетический, бесцветный или
желтоватый. Выращивается из расплава.
Редкий природный минерал бромаргирит.
2. Симметрия кристалла. Кубическая, класс m3m, РтЪт (Ojj), структура
типа NaCl. При высоких давлениях возможна фаза со структурой TnnaHgS[l].
Постоянные решетки, А. 5,7745 при 7, = 26°С;
Зависимость параметров решетки от температуры см. [302].
3. Молекулярный вес. 187,78.
4. Плотность, г/см3. 6,476 при Т = 20 °С.
5. Температуры фазовых переходов. 7,пл = 419 °С [1]. Гпл = 432 °С [223].

124
12. БРОМИСТОЕ СЕРЕБРО AgBr
6. Растворимость, г/100 г воды.
7\ °С 20 100
Растворимость 8,4* 10“6 3,7*Ю”4
Хорошо растворяется в NH3, KCN, Na2S04, NH4OH [1,97,223].
8. Тепловое расширение, 10“6 К. 34,3 при Т = 20 °С [64]; 30 при Г — 0 °С;
31 при Г = 50°С [328]; см. рис. П.П.1, 11.8.2.
9. Теплопроводность. См. рис. 11.8.2,
7д=144К [4]; 7д=136 К [7].
10. Спайность. Нет.
11. Твердость. По Моосу 1 -ь 2 [131].
12. Упругие постоянные.
Сжимаемость р = 2,75*10“*2 см2/дин [313, 314]; зависимость сжимаемости
от давления см. [183—185].
Cmm 10й ДИН/СМ2
Сц = 5,63, си — 0,720, Ci2 = 3,30
Smm 10”12 СМ2/ДИН
slx = 1,33 s44 = 13,9 s12 = —1,16 [1].
Рис. 12.12.1. Зависимость
упругих жесткостей Сщп AgBr от
температуры £32].
Рис. 12.16.1. Дисперсия
показателей преломления
п: /-ТИ, 2—TIBr,
3 — Agl (n0h 4 — ZnS,
5 — алмаз, 6 — T1C1,
7 —AgBr [78].

13. ОКИСЬ МАГНИЯ» ПЕРИКЛ АЗ MgO
125
Температурные зависимости ипригих постоянных Тсл± = —6,5-10~4К“1
при Т = 900 -5- 500 К [1].
13. 	Скорости упругих волн, 105 см/с. См. рис. П.П.З.
[4]
^iriooj
^Sriooj
vLliW]
Мамино]
vL[iii]
2,95
1,05
2,83
1,34
2,79
1,25
15. Диэлектрические свойства 8 = 13,1 (статическая), s0 = 2,88
высокочастотная [64].
[195]
7\ К 1,5 90 290
8 10,60 ±0,1 11,10 ±0,1 12,5 ±0,1
16. Показатель преломления. Рис. 12.16.1.
[2]
X, MKM
n
X, MKM
n
X, мкм
n
X, мкм
n
X, мкм
n
0,496
2,3130
0,541
2,2805
0,588
2,2578
0,610
2,2496
0,640
2,2398
0,500
2,3089
0,546
2,2776
0,595
2,2552
0,614
2,2480
0,660
2,2349
0,515
2,2982
0,577
2,2624
0,598
2,2540
0,622
2,2456
0,668
2,2327
0,523
2,2921
0,579
2,2616
0,603
2,2519
0,627
2,2443
0,671
2,2318
0,535
2,2843
0,585
2,2589
0,607
2,2504
0,633
2,2418
17. Пропускание и поглощение. 0,50 ч- 35 мкм, см. [78].
18. Пьезооптические свойства. ри = — 0,9537; /?12 = + 0,1207; рм —
= — 0,0474 [327].
23. Дополнительные сведения.
Темнеет и разрушается под действием видимого и ультрафиолетового света.
13. 	ОКИСЬ МАГНИЯ, ПЕРИКЛАЗ MgO
1. 	Вид материала. Монокристалл синтетический, бесцветный, выращивается
из расплава.
Природный минерал периклаз, моно- и поликристаллический, серовато-
белый, желтоватый, коричневый до черного, в зависимости от примесей.

126
13. ОКИСЬ МАГНИЯ, ПЕРИКЛ АЗ MgO
2. Структура кристалла. Кубическая, класс тЗ/тг, FmZm (ОЦ) структурный
тип NaCl.
Постоянные решетки, А. 4,2117 ± 2*10~4.
3. Молекулярный вес. 40,32.
4. Плотность, г/см3. 3,576 при 25 °С.
Температурная зависимость плотности в области 4,2 -г- 300 К приведена
в [230].
5. Температура фазовых переходов, °С. Тпл = 2800.
6. Растворимость, г/100 г воды.
Растворяется в кислотах, в солях, в NH4; не растворяется в этиловом
спирте ш-
7. Удельная теплоемкость, кал/г-К. 0,209 при 273 К; 0,276 при 273
1073 К [237].
Гд = 948 -т- 950 К [6, 265, 331]; 7д = 934 К [7].
8. Тепловое расширение, К-1. Рис. 13.8.1, см. рис. П.П.1.
<х= 11,0- 10-е [265], аг=10,98-10-в+0,5865-10-вГ+0,1052.10-1»Г2 при
Т = 50 -5- 715 °С [64].
Т, °С
Т, °С 0 20
Растворимость 0,00062 0,0086
[1]
Т, °С 20 -т- 600 20 ч- 1200
а, 10-6 13,45 14,45
[2]
Т, °С 27 208 386 552 691 788
а, 10-6 11,2 12,3 13,5 14,6 15,4 16,0
я,Ж*1С*
«ti* _
о m 4оо soo m wo m
100
№
soo m
T,KC
T,K
Рис. 13.9.1. Теплопроводность к
MgO £3363.
Рис. 13.8.1. Линейный коэффициент
расширения a MgO [332]: 0~[332], Х-[333],
Д-СНО], •-[334], --£141, 335].

! 3. ОКИСЬ МАГНИЯ, ПЕРИКЛАЗ MgO
127
[331]
7\ к 4,2 -5- 90 120 150 180 210 240 270 300
~ 0,9985 0,9986 0,9987 0,9989 0,9992 0,9994 0,9997 1,0000
/ о
7 = 2,62 [265], y=1,60 [332].
9. Теплопроводность, кал/К*см-с. Рис. 13.9.1.
[2]
Ту КЗ 10 30 100 300 500 1000
х 0,085 2,62 7,56 0,638 0,14 0,077 0,035
10. Спайность. Совершенная по (100), несовершенная по (111).
11. Твердость. По Моосу 5,5 ч-6 [132, 131, 337, 19]; по Кнупу 692 кгс/мм2
на (100), инденторная нагрузка 600 г [139, 37, 19].
#и= 1145 ± 23 кгс/мм2, нагрузка-50 г [19].
12. Упругие постоянные
стп> Ю11 дин/см2 при Т = Ткомн
С11
С44
С12
29,59
15,39
9,540
[331]
29,708
15,613
9,536
[340]
29,647
15,589
9,507
[330]
30,00
15,75
10,10
[338]
28,917
15,46
8,795
[341]
28,6
14,8
8,7
[342]
29,3
15,4
9,2
[32]
27,62
15,34
9,34
[25]
24,44
14,69
8,59
[25]
20,91
13,86
7,87
[25]
$тп
, 10-13 СМ2/ДИН при Т — Ткомн
sli
S44
S12
4,01
6,48
—0,96
[32]
4,08
6,76
—0,95
[67]
Стпръ 1012 ДИН/СМ2
Cjh = —48,95, Сц2 = —0,95, Cj 23 == — 0,69, Cj44=l,13,
Ci66 = — 6,59, с456 = 1,47 [4].

128
13. ОКИСЬ МАГНИЯ, ПЕРИКЛ АЗ MgO
Фактор анизотропии: 1,57 [257].
Температурные зависимости упругих постоянных. Рис. 13.12.1 —13.12.3
ч
ч
*N1
15,75 ъ
ч
15,50 -
15,25 -
%
9,5о\
 *4
%
с,£
Т,к
Рис. 13.12.1. Зависимости упругих жесткостей Cmn MgO от температуры [331]: А-[330],
•-[306].
Рис. 13.12.2. Зависимости упругих
жесткостей стп MgO от температуры
[32]: /-[338], 2 —[14 1], 3 —[339],
4 —[330].
Рис. 13.12.3. Зависимости упругих
податливостей smn MgO от темпер а-
ратуры [32]: /-[338], 2-[141].

13. ОКИСЬ МАГНИЯ, ПЕРИКЛАЗ MgO
стп> Ю11 ДИН/СМ2 [331]
129
Т, к
Си
С\2
Т, к
Си
С44
С12
4,2
30
60
77
90
120
30,67
30,66
30,65
30,62
30,61
30,54
15,76
15,75
15,74
15,73
15,72
15,69
9,371
9,377
9,388
9,398
9,407
9,426
150
180
210
240
270
300
30,45
30,34
30,20
30,02
29,82
29,59
15,66
15,61
15,56
15,50
15,44
15,39
9,444
9,469
9,493
9,511
9,525
9,540
Тсап9 10-* К"1 [31,32]
Tt к
Тс 11
Т С44
ТсХ2
300 ч- 500
300 -г- 1500
400 + 1000
150 + 300
—2,3
-2,4
-2,1
-1,8
— 1,0
—1,1
—1,1
—0,6
+ 1,0
— 1,2
0
13. Скорости упругих волн, 105 см/с, рис. 13.13.1
7.13.1.
•
I —13.13.3, см. рис. П.II.4
Vl[l 00]
°5Г10ОД
°5[ll0jfli0j
°Ш11]
8,94
9,230
6,43
6,60
9,66
5,27
9,89
5,68
[4]
[343]
Vs, VR,M/C
Рис. 13.13.1. Зависимость скорости распространения рэлеевской упругой и
сдвиговой v§ волн 2-среза MgO от величины угла Эйлера 0 (ориентацию см. рис. П. 1.1, ПЛ.2) [44].
5 Под ред. М, II. Шаскольской

130
ОКИСЬ МАГНИЯ, ПЕРИКЛАЗ MgO
vr,m/g
Рис. 13.13.2. Зависимость
скорости распространения упругой
рэлеевской волны v^ и угла
потока энергии Ф (ПО)-среза
MgO от величины угла Эйлера 9
(ориентацию см. рис. П.1.1,
П.1.2) [44].
Рис. 13.13.3. Зависимость
скорости распространения упругой
рэлеевской волны v^ и угла
потока энергии Ф (111)-среза MgO
от величины угла Эйлера 9
(ориентацию см. рис. П.1.1, П.1.2)
[44].
[257]
VR> 106 см^с
AVj^/Voot %
В плоскости (001) вдоль [100]
5,513
1,20
В плоскости (ПО) вдоль [001]
5,640
1,18
В плоскости .-(111) вдоль [110]
5,114
Скорости поверхностных волн—см. рис. 13.13.1 —13.13.3.
14. Затухание упругих волн, дБ/см, 0,44 для г^юо] [6], 3,3*) для vLnm
при / = 1 ГГц [35];
0,4 для flsfiooj при /= 1 ГГц [35];
B/f2 — 3,3 дБ/см ТГц [235], см. также [4].
15. Диэлектрические свойства.
8 = 9,65, tg 6 < 0,003 при Т = 25° С, /=102~ 108 Гц [2],
8 = 9,8 [64];
8 = 9,958, ^- = 9,8-10-4К-1; (-^г)т = — 1,79-10-* кбар при
Т =295 К [344],
е = 9,830 ± 0,001 [345],
8 = 9,14 (расчетная), 8 = 9,34 (статический метод) [346].

il ОКИСЬ МАГНИЯ, ПЁРЙКЛАЗ MgO 131
16. 	Показатель преломления. Рис. 13.16.1.
[78]
X, мкм
п
X, мкм
п
X, мкм
п
X, мкм
п
X, мкм
п
0,254
1,8450
0,405
1,76132
0,492
1,74676
0,656
1,73364
3,303
1,68526
0,265
1,8315
0,434
1,75531
0,502
1,74560
0,668
1,73310
4,258
1,66039
0,280
1,8171
0,436
1,75506
0,546
1,74119
0,671
1,73304
5,350
1,62404
0,297
1,8046
0,447
1,75325
0,579
1,73853
0,707
1,73127
0,313
1,7945
0,471
1,74955
0,588
1,73787
1,014
1,72260
0,366
1,7720
0,486
1,74742
0,589
1,73790
1,970
1,70885
« 1,4-10“^ К"1 для Х = 0,77 мкм при Т =20 -г- 40° С.
0,02195770 Я2 ,
, здесь л
О 091 <3^770 Яа
л2 = 2,956362—0,01062387^ -0,0000204968Я* + ^»L.q 0142^22
приведена в мкм.
8 10 12' 14 18 18 20 22 24 2В
А, мкм
Рис. 13.16.1. Дисперсия показателя
преломления п MgO [2].
А, %
А, мкм
Рис. 13.17.1. Дисперсия
коэффициента поглощения света А
в MgO [337].
17. 	Пропускание и поглощение. 0,25 -г 8,5 мкм [37]. Рис. 13.17.1.
19. Пьезооптические и упругооптические свойства.
(Яц — ЗТ12)»
брюстеры
Я44, брюстеры
X, мкм
— 1,24
— 1,24
—0,62
—0,68
0,560
0,589
[270]
[208]

132
14. ХЛОРИСТЫЙ ЦЕЗИЙ CsCl
Рц — Р 12
Ри
Ри
Р44
Я, мкм
—0,24
—0,32
—0,08
[219]
—0,253
— '
—
—0,096
0,560
[270]
21. Акустооптические свойства. См. рис. П.П. 13.
14. 	ХЛОРИСТЫЙ ЦЕЗИЙ CsCl
1. Вид материала. Монокристалл синтетический, бесцветный, выращивается
из расплава.
2. Симметрия кристалла. Кубическая, класс тЗт до 445 °С, РтЗт(Рь)у
структурный тип CsCl; выше 445 °С метастабильная фаза Fm3m (Oft),
структурный тип NaCl.
Постоянные решетка, А. а = 4,1200 ± 5*10~4 при Т = 20 °С; а = 7,079 ±
± 4-10”4 при Г = 485°С.
Зависимость постоянных решетки от температуры см. [95].
3. Молекулярный вес. 168,36.
4. Плотность, г/см3. 3,988 ± 4* 10“3 при Г = 20 °С.
5. Температуры фазовых переходов, °С. Тпл = 638; 642, [97].
6. Растворимость, г/100 г воды.
7\ °С 20 100
Растворимость 186,5 270,5
Хорошо растворим в этиловом спирте [97].
7. Удельная теплоемкость. cv = 0,5797*107 эрг/см3-К [347].
8. Тепловое расширение, К-1. а = 45,6*10“6 при Т — 0°С; а = 49,5-10“6
при Т = 30 -г* 75 °С [328], ат =45,00.10"6 + 4,845* 10“8Г при Т = 20 ч-
-г 409 °С [64].
Зависимость а от Т см. [95].
10. Спайность. Нет.
11. Твердость. По Моосу 1 -ь 2.
12. Упругие постоянные. См. рис. 4.12.1.
Сmm Ю11 ДИН/СМ2 [31, 32]
10“ 13 см2/дин
Cll
сы
С12
3,64
0,80
0,92
3,66
0,807
0,90
sil
s44
S12
30,6
12,5
—6,2
30,2
—6,0
12,4
Зависимость упругих характеристик поликристалла от р до 100 кбар
см. [182]; зависимость сжимаемости от р см. [183—185].

14. ХЛОРИСТЫЙ ЦЕЗИЙ CsCl
133
Температурные зависимости упругих
постоянных. Рис. 14.12.1.
Тстп, 10-4 К-1
Тс хх
Tcti
Т С 44
т, к
-4,2
—9,3
—12,9
273
[31]
-5,7
-8,4
-11,5
300--600
[32]
13. Скорости упругих волн, 105 см/с. t»i= Рис‘ 14'121' Зависимость упру.
О ъпс , .по ГО/|71 ГИХ жесткостей стп от темпера-
= 3,036, vs= 1,423 [347]; зависимость vs и vL туРы CsCl [32, 351].
от р для поликристаллов см. [189].
14. Затухание упругих волн. Расчет см. [347],
15. Диэлектрические свойства, е0 = 2,63 (статическая), е = 7^2
высокочастотная [64].
16. Показатель преломления, рис. 14.16.1. См. рис. П. II.9, П. 11.12.
[201]
к, МКМ
п
к, мкм
п
к, мкм
п
к, мкм
п
к, мкм
п
0,18
2,170
0,70
1,634
10,00
1,606
21,00
1,558
33,00
1,450
0,20
1,937
0,80
1,631
10,60
1,605
22,00
1,551
34,00
1,437
0,22
1,843
0,90
1,628
11,00
1,603
23,00
1,544
35,00
1,423
0,24
1,790
1,00
1,626
12,00
1,600
24,00
1,537
36,00
1,410
0,26
1,755
2,00
1,621
13,00
1,597
25,00
1,529
37,00
1,395
0,28
1,731
3,00
1,619
14,00
1,593
26,00
1,521
38,00
1,380
0,30
1,713
- 4,00
1,618
15,00
1,589
27,00
1,512
39,00
1,363
0,35
1,684
5,00
1,617
16,00
1,585
28,00
1,503
40,00
1,346
0,40
1,667
6,00
1,615
17,00
1,580
29,00
1,494
0,45
1,656
7,00
1,613
18,00
1,575
30,00
1,483
0,50
1,649
8,00
1,611
19,00
1,569
31,00
1,473
0,60
1,640
9,00
1,609
20,00
1,564
32,00
1,462
17. Пропускание и поглощение. 0,8 40 мкм [201].
18. Электрооптические свойства. См. NaCl, п. 18.

134
15. БРОМИСТЫЙ ЦЕЗИЙ CsBr
Рис. 14.16.1. Дисперсия показателя преломления п CsCl [201].
Я#, 10~13сл12/дин
Рис. 14.19.1. Дисперсия пьезооптических коэффициентов ziTnn’- /-CsCl, 2-CsI [294].
19. Пьезооптические свойства. Рис. 14.19.1.
ли—я12 =—2,82 брюстера, jt44 = 5,52 брюстера при А, = 0,589 мкм [294].
piilpi2расч >225 [352].
15. 	БРОМИСТЫЙ ЦЕЗИЙ CsBr
1. Вид материала. Монокристалл синтетический, бесцветный, выращивается
из расплава.
2. Симметрия кристалла. Кубическая, класс тЗт, Рт3т(0\), структурный
тип CsCl. В тонких слоях, осажденных из паров на аморфную подложку,
наблюдались метастабильные фазы со структурой Fm3m, (ojj), а = 7,23 ± 2А
и (?) Pmnb(D»k).
Постоянные решетки А. 4,2953 при Т = 25 ± 1 °С.
3. Молекулярный вес. 212,81.
4. Плотность, г/см3. 4,455 при Т = 21,4 °С; 4,478 при Т = 23 °С.
[1,328]
р, г/см3 4,472 4,629 4,655
7\ К 300 77 4,2

15. БРОМИСТЫЙ ЦЕЗИЙ CsBr
135
5. 	Температуры фазовых переходов, °С.
Гпл = 640 [328].
6. Растворимость, г/100 г воды. 124,3. Растворяется в кислотах,
спиртах [2, 328].
7. Удельная теплоемкость, Гд = 148,8
[353] К; 7д=136 К [7].
8. Тепловое расширение, К*"*. Рис.
15.8.1, см. рис. П. II.1.
а,10'К'1
aT==46,6*l0-6 + 4,67vl0-8r— l,78X
ХЮ-11^2 при Т = —139 + 300°С [64].
а = 47,9* 10~6 при Г = 20 + 50°С, а =
= 46,7-10~6 при Т = 0°С [328].
9. Теплопроводность, кал/К-см»с. 0,022
при Т = 318 К; 0,026 при Т = 338 К [64].
См. рис. 4.9.1.
10. Спайность. Нет.
11. Твердость. По Моосу 1+2; по
Кнупу 19,5 кгс/мм2, инденторная нагрузка
200 г [37, 78].
12. Упругие постоянные. См. рис. 4.12.1.
ао.с*х-
т}к
Рис. 15.8.1. Коэффициент линейного
расширения a CsBr [225]: ■-*[225],
X — [ 1 1 8], ©-[288], 0-[348],
Л-[350], ©-[354].
Стп* Ю11 дин/см2
си
с44
<?12
7\ К
3,35
1,00
1,03 *)
0
[25]
3,072
0,725
0,800
300
[353]
3,056
0,743
0,776
300
[156]
3,097
0,750
0,903
300
[157,2]
3,345
0,951
0,966
77
[353]
—
0,943 **)
—
77
[353]
3,355
0,963 ***)
1,002***)
77
[353]
3,437
0,999
1,035
4,2
[156]
3,350
1,002
1,025
4,2
[156]
*) Импульсный эхо-метод. Ошибки: Дсц = 0,5%,
Дс44=1%, Ас12 = 2%.
**) Интерполяция от измерений при Т = 70 К и других.
***) Экстраполяция при Т = 80 К-

136
15. БРОМИСТЫЙ ЦЕЗИЙ CsBr
Su = 36,9-10“13 см2/дин, s44= 13,4-10“13 см2/дин,
Si2 = — 7,9-10“13 см2/дин[32].
Зависимость сжимаемости от давления см. [183, 185, 186].'
Температурная зависимость упругих постоянных. Рис. 15.12.1, см.
рис. 4.12.6—4.12.8.
Т,К
Рис. 15.12.1. Зависимость упругих жесткостей стп от температуры CsBr [32]: / — [156.],
2 — [ 157], 3 —[150], 4 — [355].
Smm 10“11 СМ2/ДИН [150]
Т, к
Sn
г
Hi
S44
•и
Si*
Аупр
293
0,38±0,01
0 э 47 ±0,01
1,32 ± 0,03
1,13±0,01
—0,09±0,01
0,71
323
0,38
0,49
1,37
1,17
—0,09
0,69
373
0,39
0,52
1,46
1,23
—0,09
0,66
423
0,40
0,56
1,57
1,39
—0,09
0,62
473
0,40
0,59
1,70
1,38
—0,10
0,59
523
0,41 ±0,02
0,64±0,02
1,85 ±0,05
1,47 ±0,04
—0,10 ± 0,03
0,55
573
0,42
0,69
2,03
1,57
—0,09
0,50
623
0,44
0,75
2,25
1,68
—0,09
0,47
673
0,45
0,82
2,51
1,82
—0,09
0,43
723
0,47
0,90
2,86±0,09
1,98
—0,09
0,39
773
0,48±0,02
1,01 ±0,04
—
2,17±0,1
—0,07±0,09
—
823
0,50
1,14
—
—
—
—
873
0,54
1,32
—
—■
—
—
Экстраполированные данные
г=ок
0,34
0,36
0,96
0,87
—0,08
0,88
Т пл—909К
0,56
1,49
6,25
3,03
—0,03
0,19

15. БРОМИСТЫЙ ЦЕЗИЙ CsBr J$7
Тстт 10“4K_1
Тсц
Т с12
Т С4 4
7\ к
—4,0
—8
—13
50 -г- 300
[31]
—3,7
—9,5
—13,5
о
о
со
+
о.
[32]
-4,4
—8,5
— 11,3
300 -т- 600
[32]
Ею —1,6‘Ю11 дин/см2; предел упругости 8,4* 107 дип/см2; предел прочности
на разрыв 16,5-107 дин/см2 [37].
13. 	Скорости упругих волн, v, 10б см/с, [100j== 2,636, fll0J= 1,299 [347].
15. 	Диэлектрические свойства. е0 = 2,78 (высокочастотная), 8 = 6,51
(статическая) при / = 2 -1016 Гц [64].
[195]
8 6,32 ± 0,03 6,39 ± 0,03 6,59 ±0,03
Г, К 1,5 90 290
F -= 6,51 при Т = 20°С, / = 9,7• 105 Гц [37, 2].
Зависимость 8 (Т) аналогична 8 (Г) .NaCl, см. рис. 4.15.1 [181].
16. 	Показатель преломления. Рис. 15.16.1, см. рис. 19А. 16.2,
I 11.9—П. 11.12.
л
Рис. 15.16.1. Дисперсия показателя преломления п CsBr £201 Л-
, t1jnArtl 1,26628Х2 0,01137Ха 0,00975?!.2 0,00672*.2
п —1,14000+ Х2_ (0,120)2 +х2— (0,146)а+Л,2—(0,160)а+ А,2— (0,173)*'
0,34557b2 , 3.76339Я2 0 ,
Я2—(0,187р Л2—(136.05)2 ‘ ЗДССЬ * пРиве*ена в мкм‘

138
15. БРОМИСТЫЙ ЦЕЗИЙ CsBf
[201]
Я, мкм
п
Я, мкм
п
Я, мкм
п
Я, мкм
п
Я, мкм
п
0,21
2,182
2,00
1,671
15,00
1,655
29,00
1,615
43,00
1,539
0,22
2,06
3,00
1,670
16,00
1,653
30,00
1,610
44,00
1,532
0,25
1,903
4,00
1,669
17,00
1,651
31,00
1,606
45,00
1,524
0,30
1,805
5,00
1,668
18,00
1,649
32,00
1,602
46,00
1,516
0,40
1,736
6,00
1,667
19,00
1,647
33,00
1,597
47,00
1,509
0,45
1,720
7,00
1,666
20,00
1,644
34,00
1,592
48,00
1,500
0,50
1,710
8,00
1,665
21,00
1,641
35,00
1,587
49,00
1,492
0,55
1,702
9,00
1,664
22,00
1,639
36,00
1,582
50,00
1,483
0,59
1,697
10,00
1,663
23,00
1,636
37,00
1,576
51,00
1,473
0,60
1,696
10,60
1,662
24,00
1,632
38,00
1,571
52,00
1,464
0,70
1,689
11,00
1,661
25,00
1,629
. 39,00
1,565
53,00
1,453
0,80
1,684
12,00
1,660
26,00
1,626
40,00
1,559
54,00
1,443
0,90
1,681
13,00
1,659
27,00
1,622
41,00
1,552
55,00
1,432
1,00
1,679
14,00
1,658
28,00
1,618
42,00
1,546
dn/dT = 79* 10“6 К [36].
Зависимость dn/dT и dn/dX от X см. [201].
17. 	Пропускание и поглощение. Рис. 15.17.1. 0,21 ~ 55 мкм [201].
Рис. 15.17.1. Спектральное пропускание CsBr в инфракрасной области [267].
X, мкм 40 45 50 55 60
Л, см“* 0,1 0,3 0,5 0,9 2,0
Потери на отражение от двух поверхностей 11,6% для X =10 мкм [37].
18. Электрооптические свойства. См. NaCl, п. 18.
19. Пьезооптические и упругооптические свойства.
Рй/Р12расч = 1,267 [352].

16. ЙОДИСТЫЙ ЦЕЗИЙ Csl
139
16. 	ЙОДИСТЫЙ ЦЕЗИЙ Csl
1. Вид материала. Монокристалл синтетический, бесцветный, выращивается
из расплава.
2. Симметрия кристалла. Кубическая тЗт, РтЗт, (0^), структурный тип
CsCl. В тонких слоях, полученных путем осаждения из паров на аморфную
подложку, возможны фаза со структурой типа NaCl и тетрагональная
низкотемпературная фаза.
Постоянные решетки, А. 4,5667 при Г = 20 ± 0,2 °С.
3. Молекулярный вес. 259,81.
4. Плотность, г/см3. 4,509 [1].
[353]
Г, К 300 77 4,2
р 4,537 4,693 4,712
5. Температуры фазовых переходов, °С. Гпл = 621 °С.
6. Растворимость, г/100 г воды.
[1]
Т° С 0 14 65
Растворимость 44 66 150
Весьма гигроскопичен, растворяется в спиртах [2, 97, 37, 356].
7. Удельная теплоемкость, кал/г* К. 0,048 при Г = 293 К [37, 2, 36]
cv = 0,4294-107 эрг.см“3-К-* [347].
Гд= 125,6 К [353]. Гд= 114 К [7].
8. Тепловое расширение. Рис. 16.8.1, см.
рис. П. И.1. 48,МО"6 при Т = 0 30 °С;
54,9-10-6 при Г = 30-*-75°С [1, 78, 328]; а в
области 1,5 ч-30 К и 54--90 К см. [229].
7 = 2,01 [353].
Зависимость а от Т см. [296].
9. Теплопроводность, кал/К*см-с, 0,0027
при Т = 298 К [642]. См. рис. 4.9.1.
10. Спайность. Весьма несовершенная, по
(110).
11. Твердость. По Моосу 1 -ь 2; очень
мягкий [353].
12. Упругие постоянные. См, рис. 4.12Л.
200
■ТГК
Рис. 16.8.1. Коэффициент
теплового расширения Csl [225]:
• -[225], ■-[350], * — [3571.

140
16. ЙОДИСТЫЙ ЦЕЗИЙ Csl
Стп* Ю
11 дин/см2
р, г/см3
Т, к
[353] *)
[157]
*
С11
2,457
2,434
4,537
300
с44
0,629
0,632
4,537
300
С12
0,647
0,636
4,537
300
С11
2,678
2,669
4,693
77
С44
0,789
0,812**)
4,693
77
С12
0,771
0,769**)
4,693
77
С11
2,737
4,712
4,2
С44
0,825
4,712
4,2
Cl2
0,793
—
4,712
4,2
*) Импульсный эхо-метод;' ошибки Acn = 0,5%, Ас12 = 1%,
Aci4 = l%.
**) Экстраполяция от измерений при 80 К.
Sn = 46,l-10-13 см2/дин, s44=158-10~13 см2/дин, s12 = --9,7*10“*3 сма/дин
[31, 32].
£ю=5,5*109 Н/м2 [36].
Зависимость сжимаемости от давления см. [183—185].
Температурные зависимости упругих постоянных. Рис. 16.12.1, 16.12.2,
см. рис. 4.12.6—4.12.8.
Рис. 16.12.1. Зависимость
упругих жесткостей Сщп Csl от
температуры [31].
Рис. 16.12.2. Зависимость модуля Юнга £jq и модуля
кручения Окруч разных образцов Csl (Д-значения
модулей при Т = ТК0ЫН, цифры у кривых-номера
образцов 1150J).

16. ЙОДИСТЫЙ ЦЕЗИЙ csl
Тстт ю-* К-1 [31, 32]
141
УГсхх
Тс12
Т ^44
т, к
—4,4
—8,1
—13,0
273
—4,2
—6
—11
о
о
со
о
оо
-4,6
—8,14
—11,6
300 -г- 600
13. Скорости упругих волн, 105 см/с. vL = 2,326, у5= 1,185 [347],
14. Затухание упругих волн. Расчетные значения см. [347].
15. Диэлектрические свойства. е = 5,65 при Г = 25°С, /= 1 • 106 Гц [32].
е0 = 3,02 (высокочастотная), 8 = 5,65 (статическая) [64], tg6*103 —6,5, 8 = 6,42
при / = 102 -г- 106 Гц [1941.
[195]
Г, К 1,5 90 290
8 6,32 ± 0,03 6,39 ± 0,03 6,59 ± 0,03
16. 	Показатель преломления, рис. 16.16.1, см. рис. 19А.16.2, П. II.9 ч-
П. 11.12.
2 4 В 610 20 40 60
Л,мм
Рис. 16,16.1. Дисперсия показателя преломления п Csl [201].
2_,о-7со7 , 0.68689Х2 . 0.26090А,2 . 0.06256Я2 . 0,06527X,2J
п -1^/о8/+Х2_(0)130)2 + А.2—(0,147)2 Я2—(0.163)2 ■Л2 —(0Д77)2
. 0,1499а2 . 0.51818Х2 , 0.01918Х2 , 3.8229Х2 ,
^Х2—(0,185)2+А,2— (О.гОб)3"*-*,1—(0,218)*+Яа—(161,29)2’ 3деСЬ пРиведена
в мкм.

142
16. ЙОДИСТЫЙ ЦЕЗИЙ Csl
[201]
А,, мкм
п
Я, мйм
п
X, мкм
п
X, мкм
п
X, мкм
п
0,25
2,210
10,00
1,740
24,00
1,721
39,00
1,682
54,00
1,616
0,30
1,979
10,60
1,739
25,00
1,719
40,00
1,678
55,00
1,611
0,40
1,851
11,00
1,739
26,00
1,717
41,00
1,675
56,00
1,605
0,50
1,807
. 12,00
1,738
27,00
1,715
42,00
1,671
57,00
1,599
0,60
1,786
13,00
1,737
28,00
1,713
43,00
1,667
58,00
1,593
0,80
1,766
14,00
1,736
29,00
1,711
44,00
1,663
59,00
1,586
1,00
1,758
15,00
1,735
30,00
1,708
45,00
1,659
60,00
1,580
2,00
1,747
16,00
1,734
31,00
1,706
46,00
1,655
61,00
1,573
3,00
1,744
17,00
1,732
32,00
1,703
47,00
1,651
62,00
1,566
4,00
1,743
18,00
1,730
33,00
1,700
48,00
1,646
63,00
1,559
5,00
1,743
19,00 '
1,730
34,00
1,697
49,00
1,642
64,00
1,552
6,00
1,742
20,00
1,728
35,00
1,695
50,00
1,637
7,00
1,742
21,00
1,726
36,00
1,692
51,00
1,632
8,00
1,741
22,00
1,725
37,00
1,685
52,00
1,627
9,00
1,740
23,00
1,723
38,00
1,685
53,00
1,622
dn/dT = 90-Ю~* К-1 [36].
Зависимость dn/dT от % см. [201].
Зависимость dn/dX от % см. [6].
17. 	Пропускание и поглощение. 0,25 4- 64 мкм [201].
Практически единственная прозрачная среда для области 40 -ь 55 мкм [356].
[356]
Л, мкм 40 45 50 55 60
А, см-1 0,1 0,3 0,5 0,9 2,0
Спектры пропускания см. [356].
19. 	Пьезооптические свойства. См. рис. 14.19.1.
(ЗТц —ЗТдг)
брюсте ры
Я44,
брюстеры
X, мкм
—2,48
—5,62
3,8
8,89
0,589
0,560
[294]
[270]
PillРХйрасч — 1 >099 [352] *

17. ХЛОРИСТЫЙ ТАЛЛИЙ TlCl
143
* 17. ХЛОРИСТЫЙ ТАЛЛИЙ TLCL
1. Вид материала. Монокристалл синтетический, бесцветный, выращивается
из расплава [78, 2, 358, 359],
2. Симметрия кристалла. Кубическая, класс тЗт, РтЗт, (0%),
структурный тип CsCl. В тонких слоях, осажденных на подложку из щелоч но
галоидного кристалла, может быть Fm3m, (0^), структурный тип NaCl или Атат (D\h).
Постоянные решетки, А. а = 3,8409 ± 0,0003; для FmSm а = 6,320 ± 0,010;
для Атат я = 4,74 ± 0,03, 6 = 4,27 ±0,03, с = 12,4 [1, 358, 359, 360].
3. Молекулярный вес. 239,82.
4. Плотность, г/см3. 7,00 при Г = 30оС [1].
5. Температура фазовых переходов, °С. Тпл = 430 [1, 223].
6. Растворимость, г/100 г воды.
Т9 °С 0 15,6 30,06 45,2 59,8 89,65
Растворимость 0,17 0,29 0,47 0,72 1,03 1,96
Слабо (меньше, чем в воде) растворяется в СН3ОН и С2Н5ОН [1, 358].
7. Удельная теплоемкость. ^ = 50,96 Дж-г-моль-^К'1 при Г = 300 К;
cF=45,47 Дж-Г‘Моль“1«К”;|' при Т = 300 К [361]; зависимость ср и су от Т
в области 20 4- 300 К см. [361].
Гд = 125 К [7]; зависимость Гд от Т см. [361].
8. Тепловое расширение, К”*. а = 54,57-Ю”5- в области 15 ч-60 °С [64].
Рис. 17.8.1, см. рис. П. II.1.
сег10'8К'1
Рис. 17.8.1. Коэффициент теплового расширения а Т1С1 [362]; #-[363], Д-[364],
+ — [365], 0“[362].
[362]
Т, К 30 50 80 100 140 150 200 240 260
а, 10-5 28,1 36,5 41,6 44,1 46,7 48,2 49,0 50,5 51,2
Зависимость у (Т) см. [362].

144 17^ ХЛОРИСТЫЙ ТДЛЛИЙ T1CI
9. Теплопроводность, кал/К-см-с. 0,0Й24б с точностью до 1% при
Г = 0°С[64].
10. Спайность. Нет.
11. Твердость. По Кнупу 12,48 кгс/мм2, инденторная нагрузка 500 г
[366, 37, 2].
Н^— 10 кгс/мм2 [358].
12. Упругие постоянные.
стп, 1011 дии/см2
Сц
С44
с12
4,01
0,760
1,53
[139, 37, 31, 25]
4,1362
0,79530
1,6290
[361]
4,015
0,7843
1,537
[367]
*11 = 31,6-10~13 см2/дин, s44= 132-10-13 см2/дин, s12 = -8,7-10"13 см2/дин
[31].
2clJcL— си = 0,619 при 300 К [361].
Сжимаемость: 4,90* 1012 см2/дин [313, 314].
Температурные зависимости упругих постоянных. Рис. 17.12.1.
Рис. 17.12.1. Зависимость упругих жесткостей стп Т1С1 от температуры: □-[139],
Д-[367], О—1361 J. Ниже 7’= 150К—экстраполяция [361].

1?. ХЛОРИСТЫЙ ТАЛЛИЙ Т1С1 145
9тп> 1011 дин/см2 [361]
т, к
си
С44
Cl 2
2
150
4,4916
0,93698
1,8020
0,697
160
4,4629
0,92468
1,7883
0,692
170
4,4339
0,91247
1,7743
0,686
180
4,4050
0,90034
1,7605
0,681
190
4,3758
0,88831
1,7464
0,676
200
4,3464
0,87637
1,7320
0,671
210
4,3166
0,86452
1,7175
0,665
220
4,2869
0,85275
1,7031
0,660
230
4,2571
0,84108
1,6884
0,655
240
4,2272
0,82950
1,6739
0,650
250
-4,1971 ‘
0,81802
1,6591
0,645
260
4,1668
0,80660
1,6442
0,640
270
4,1362
0,79530
1,6290
0,635
280
4,1057
0,78409
1,6140
0,629
290
4,0753
0,77297
1,5991
0,624
300
4,0448
0,76194
1,5842
0,619
15. 	Диэлектрические свойства, рис. 17.15.1.
8 = 31,9 при / = 5*105 1G6 Гц при Т = 20 °С [2].
7е = —4,0* 10~4 К”1.
Рис. 17.15.1. Зависимость диэлектрической
проницаемости е Т1С1 от температуры при частотах
/-/■=102, 5 —f= 10*. 3 —/= 10*, 4-f= 105, 5 —f= 10е,
tf-f= 107 Гц. В левом верхнем углу изменен
масштаб по ординате [193].
Рис. 17.16.1. Дисперсия
показателя преломления
п Т1С1 [2].

146
18. БРОМИСТЫЙ ТАЛЛИЙ TIBf
[195]
Г, к 1,5 90 290
е 37,6 ± 0,2 35,9 ± 0,2 32,5 ± 0,2
16. Показатель преломления. Рис. 17.16.1, см. рис. 12.16.1
[2, 37, 78]
п 2,400 2,270 2,253 2,247 2,223 2,198
X, мкм 0,436 0,546 0,578 0,589 0,650 0,750
я = 2,38 при Я, = 0,5893 мкм, Г = 20°С [97].
•^=^=0,47856 +^q5q8277 - 0,000881А,2 при А, = 0,435 -г- 0,660 мкм
[2, 78].
17. Пропускание и поглощение. 0,44 4- 34,0 мкм [78].
Сравнение спектров поглощения тонких пленок Т1С1, имеющих структуру
Fm3m или РтЗт, см. [368].
20. 	Пьезооптические и упругооптические свойства.
Ри—Pi2 = 0,03, Ры ~ 0,06 для Т = 7,комн [219, 31].
X, мкм
Рч
Рч
Р44
0,589
0,43
0,34
+0,18
[326]
—
0,0084
0,0678
—0,0919
[327]
18. 	БРОМИСТЫЙ ТАЛЛИЙ Т1Вг
1. Вид материала. Монокристалл синтетический, бесцветный до зелено-
вато-желтого. Выращивается из расплава [2, 78, 356, 359].
2. Симметрия кристалла. Кубическая, класс тЗпг, РтЗт, (0\),
структурный тип CsCl. В тонких слоях, полученных напылением на охлажденные от
—30 °С до —70 °С плоскости спайности щелочно-галоидных кристаллов,
наблюдались неустойчивые модификации: кубическая, Fm3m (0|), со структурой
типа NaCl, и ромбическая Атат (£® [1, 359, 358, 365].
Параметры решетки, А. РтЗт: а = 3,9858, Fm3m\ а = 6,594 ± 0,010,
Атат: а = 4,96 ± 0,03, Ь = 12,5, с = 4,39 ± 0,3 [1].
Зависимость а (Т) в области 0 4- 300 К см. [369].
3. Молекулярный вес. 284,28.
4. Плотность, г/см3. 7,45292 при Т = 25 °С [2].
Зависимость р (Т) см. п. 12
5. Температуры фазовых переходов, °С. Т'пл = 456 [2], Т,пл = 480 [97].
6. Растворимость, г/100 г воды.
7\ °С 25 65
Растворимость 0,05 0,25

18. БРОМИСТЫЙ ТАЛЛИЙ TIBr
147
Растворяется в этиловом спирте, не растворяется в ацетоне [223, 97, 2].
7. Удельная теплоемкость, кал/г* К. 0,045 при Т = 20 °С [2].
ТД=128К [369]; ГД=115К[7].
8. Тепловое расширение, К~1. Рис. 18.8.1, 18.8.2, см. рис. П. II. 1.
51,20* 10-6 при Г = 15ч-60°С [64].
Зависимость у (Т) см. [362, 369].
Рис. 18.8.1. Коэффициент теплового расшире- Рис. 18.8.2. Коэффициент теп-
ния a TIBr [362]: штриховая линия —[369], лового расширения ///0 TIBr
0-[362], •-[363], Д—[3641, +-[365], [370]: О-[370], Д-[363].
сплошная линия-[370].
9. Теплопроводность, [кал/К-см-с. 0,00234 при Г = 273 К [2]; 1,4* 10“3
при Т = 43 °С [64].
10. Спайность. Нет.
11. Твердость. По Кнупу 11,9 кгс/мм2, инденторная нагрузка 500 г [366, 363].
= 10 кгс/мм2 [358, 371].
12. Упругие постоянные
Стп* 1011 дин/см2 при Т = ТКомн
Си
с44
Cl 2
3,780
0,756
1,480
[139, 37, 31]
3,734
0,748
1,498*)
[369]
3,783
0,758
1,521 **)
[369]
*) Значения, вычисленные по экспериментально
измеренным скоростям при р = 7,462 г/см3 [369].
**) При р = 7,560 г/см3 [97].

148
18. БРОМИСТЫЙ ТАЛЛИЙ Т1Вг
«11=3,42• 10"12 см2/дин, s44=13,2-10~12 см2/дин, s12=0,95-10”12 см2/дин
[32,2]
Р = 5,30-1012 см2/дин [313, 314].
Температурные зависимости упругих постоянных, рис. 18.12.1, 18.12.2.
Рис. 18.12.1. Зависимость упругих
жесткостей стп Т1Вг от температуры
[32]: /-[369], 2 — [370].
Рис. 18.12.2. Зависимости упругих
жесткостей стп Т1Вг от
температуры [369].
Пу 1011 дин/см2 [369]
т, К
Си
С44
С12
р, г/см3
4,2
4,469
1,007
1,881
7,749
30
4,447
1,003
1,863
7,739
60
4,389
0,989
1,817
7,735
90
4,314
0,963
1,766
7,720
120
4,227
0,932
1,723
7,687
150
4,139
0,898
1,685
7,644
180
4,056
0,867
1,646
7,615
210
3,977
0,836
1,611
7,583
240
3,889
0,805
1,571
7,540
270
3,807
0,774
1,533
7,500
300
3,734
0,748
1,498
7,462
Гсц = 2,76-10-7 К"1, Тсы= 1,03-10-7 К”1, Тс12 =—1,34-10"7 К"1 [369].
71 д = 128 К [369], Гд=115 К (расч.) [7].

18. БРОМИСТЫЙ ТАЛЛИЙ TIBr
149
13. 	Скорости упругих волн. Рис. 18.13.1, см. рис. П. II.3.
Температурные зависимости скоростей упругих волн. Рис. 18.13.1.
15. 	Диэлектрические свойства. ©0 = 5,41 (высокочастотная), 8 = 29,9
(статическая) [64]; 8 = 30,3 при 25°С, /=103 107 Гц [37].
[2]
8
31,1
30,3
30,3
30,3
30,0
30,3
30,3
tg 6
0,13
0,0128
0,00133 0,0002
0,0001
0,0001
0,0004
Л гц
МО2
1. Ю3
МО4
МО5
Ы05-гЮ6
106 .
ЫО7
7\°С
25
25
25
25
20
25
25
[195]
Т
1,5
90
290
8 35,
■ 1 ±0,2
33,8 ±0,2
30,4 ± 0,2
Ге = — 2.8-10-4 К"1 [2].
Зависимость ъ (Т) аналогична Т1С1, см. рис. 17.15.1 [193].
v,m/c
Рис. 18.13.1. Зависимости скоростей Рис. 18.16.1. Дисперсия
упругих волн в TIBr от температуры, показателя преломления
f= 10 МГц: 1 — »L[ioo], л TIBr [2].
2_l,S[110][Tl0r 5~°S{100] 1369].
16. 	Показатель преломления. Рис. 18.16.1, см. рис. 12,16.1.

150
19 A. KRS-5(TlBr—Til)
К мкм 0,436 0,546 0,578 0,589 0,650 0,750
п 2,652 2,452 2,424 2,418 2,384 2,350
Я2—0,090000
0,10279 X2
0,0047896 X2 [78, 2].
Здесь X приведена в мкм.
17. 	Пропускание и поглощение. 0,44 ч- 45 мкм [37, 2, 55].
Сравнение спектров поглощения тонких пленок, имеющих структуру
РтЗт или Fm3mt см. [368].
19. Пьезооптические и упругооптические свойства. /?прасч = 0,0336,
1. Вид материала. Монокристалл синтетический, твердый раствор
Т1Вг(42%)—T1I (58%) [78, 2, 372, 373].
Исследовались также кристаллы TIBr—T1I состава Т1 (Вг 45,7%—I 54,3%)
и Т1(Вг60%—140%) [374, 372, 373, 322, 375]. Выращивается из расплава.
2. Симметрия кристалла, кубическая, класс тЗт, РтЗт (0^),
структурный тип CsCl [78, 2].
Постоянные решетки. 4,125 А [78, 2].
3. Молекулярный вес. 312,9 для состава ТИ 54,3% —TIBr 45,7% [2].
4. Плотность, г/см3. 7,371 при Т = 16°С[78, 2]; 7,36 для составаТ1(Вг 45,7%—
— I 54,3%) [374].
5. Температуры фазовых переходов, °С. Т'пл = 414,5 [78, 2].
6. Растворимость, г/100 г воды. 0,05 при 7, = 20°С.
Растворяется в кислотах. Не гигроскопичен [356].
7. Удельная теплоемкость, кал/г-К. 0,036 при Т = 50°С [376].
8. 	Тепловое расширение, К”*. 61 в области Т= —50 -г- 20 °С; 58 в области
Т = 20 -ь 100 °С [2, 139, 37].
^12расч — 0,0675, /?44расч——0,0781 [327].
19 A. TIBr —ТИ, KRS-5
[358]
\
 50 150 250
0,030 0,047 0,085
[358]
Г, °С 50 150 250
а , 52,8 54,7 55

19 A. KRS-5(TlBr-Tlt)
151
9. Теплопроводность к, кал/К*см«с
[2]
7\К 236 255 273 293 309 327 373
х 0,0011 0,0012 0,0013 0,0017 0,0021 0,0038
[358, 376]
°С 50 150 250
и,ккал/м*с*К 0,23 0,28 0,32
10. Спайность. Нет.
11. Твердость. По Кнупу 33 4-40 кгс/мм2 [2].
[Ю0]= 36,2 кгс/мм2; j-по] =32,5 кгс/мм2; Яд tl 1о] =27,9 кгс/мм2
[366, 2, 78]. Концентрационная зависимость Я^ от состава гомогенного
твердого раствора [358, 371].
12. Упругие постоянные.
Стп, Юи ДИН/СМ2
С11
С44
С12
3,18
0,562

[374] *)
3,31
0,579
1,32
[139]**)
3,6
0,555
1,5
[322] ***)
*) Состав Т1/Вг 0,457—I 0,543.
**) Состав не указан.
***) Состав Т1/Вг 0,60—I 0,40.
smn>
'13 см2/дин
sn
S44
sl*
39,1
37
173
180
—11,1
-11,1
1
[31,32]
[322] *)
i
*) Для состава Т1(Вг 60 мол. %—I 40 мол. %).
£Ю[юо] =3200 кг/мм2, £ЮЕ1ю] = 3000 кг/мм2,
Gynpfiooj = 1220 кг/мм2, Gynpfll0j = 1200 кг/мм2.

152
19 A. ICRS-5(TlBr-TlI)
Коэффициент Пуассона 0,4 по [100]; 0,25 по [110]; предел текучести на
сжатие 24 кг/мм2 по [100], 7 кг/мм2 по [110] см. [376].
13. Скорости упругих волн, 10б см/с. Vl~2,078, у5 = 3,75, для состава
Т1(Вг45,7%—154,3%) [374]; Vi—1,92 (состав не указан) [377].
14. Затухание упругих волн. 7,5 дБ/см МГц2 для [377]; 0,3 дБ/мкс
при f = 100 МГц для vim о] [378]; 0,5 дБ/мкс при /=100 МГц [377, 379].
15. Диэлектрические свойства.
Т = 25 °С [2]
/, Гц МО2 МО3 МО4 МО5 МО6 МО7
8 32,9 32,8 32,5 32,5 32,5 32,5
tg6-2,98 0,28 0,0277 0,0037 0,0004 0,00004
Зависимость е (Т) аналогична Т1С1, см. рис. 17.15.1.
16. 	Показатель преломления. Рис. 19А.16.1, 19А.16.2, см. рис. П.11.10,
Г1.11.11. п = 2,572 при X = 0,63 мкм [371]; п=2,3686 при А,=10,6 мкм [43]
Рис. 19А.16.1. Дисперсия показателей преломления п: /-KRS-5, и 2-KRS-6 [379].

19 A. K.RS-5(TIBr—Til)
ш
Рис. 19A.16.2. Дисперсия величины dnfdk: O-KRS-5 для состава T1 (Br 44%-1 56%),
Ф-CsBr, X —Csl [375].
Значения показателя преломления KRS-5
для состава 45,7%Т1Вг—54,3% Т11 [78,2]
•
А,, мкм
п
Я, мкм
п
к, мкм
п
К, мкм
п
А,, мкм
п
0,577
2,62758
1,367
2,41385
3,419
2,38386
17,40
2,35022
26,63
2,30902
0,579
2,62505
1,395
2,41242
4,258
2,38142
18,16
2,34755
29,81
2,28988
0,644
2,56454
1,529
2,40658
6,238
2,37680
20,57
2,33816
31,70
2,27730
0,691
2,53470
1,692
2,40143
9,724
2,37132
21,79
2,33290
33,00
2,26821
0,852
2,47448
1,709
2,40105
11,035
2,36857
22,76
2,32851
34,48
2,25740
0,894
2,46470
1,833
2,39851
14,29
2,36023
23,82
2,32338
37,56
2,23243
1,014
2,44416
1,970
2,39553
14,98
2,35824
25,16
2,31696
39,38
2,21621
1,129
2,43090
2,325
2,39076
.15,48
2,35667
25,97
2,31260

154
19 A. KRS-5(TIBr—Til)
Значения показателя преломления KRS-5 для состава Т1(Вг44%—156%) и
KRS-6 для состава Т1(Вг 60%—С1 40%) [380]
X, мкм
KRS-5
п
KRS-6
п
X, мкм
KRS-5
п
KRS-6
п
X, мкм
KRS-5
п
KRS-6
п
0,589
2,6290
2,3367
2,6
2,3993
2,2011
17
2,3632
2,1377
0,6
2,6166
2,3294
2,8
2,3978
2,2001
18
2,3596
2,1309
0,7
2,5434
2,2892
3,0
2,3966
2,1990
19
2,3561
2,1236
0,8
2,5022
2,2660
3,5
2,3943
2,1972
20
2,3524
2,1154
0,9
2,4781
2,2510
4,0
2,3928
2,1956
21
2,3486
2,1067
1,0
2,4611
2,2404
4,5
2,3917
2,1942
22
2,3443
2,0976
1,1
2,4488
2,2321
5
2,3906
2,1928
23
2,3398
2,0869
1,2
2,4374
2,2255
6
2,3889
2,1900
24
2,3349
2,0752
1,3
2,4311
2,2212
7
2,3874
2,1870
25
2,3299
1,4
2,4254
2,2176
8
2,3856
2,1839
26
2,3250
1,5
2,4203
2,2148
9
2,3837
2,1805
27
2,3199
1,6
2,4163
2,2124
10
2,3818
2,1767
28
2,3147
1,7
2,4135
2,2103
11
2,3796
2,1723
29
2,3090
1,8
2,4110
2,2086
12
2,3774
2,1674
30
2,3032
1,9
2,4089
2,2071.
13
2,3751
2,1620
31
2,2973
2,0
2,4068
2,2059
14
2,3723
2,1563
32
2,2914
2,2
2,4036
2,2039
15
2,3694
2,1504
2,4
2,4010
2,2024
16
2,3663
2,1442
Ху мкм
0,6
1,0
2,0
10
20
25
30
35
40
п
2,6
2,45
2,40
2,37
2,34
2,32
2,29
2,25
2,21
А, см~*
50
68
70
70,5
71
71
71
71
59?
25,1
24,0
23,8
23,5
21,7
20,7
19,4
17,6
15,3
2 t 1,8293958Х2 , 1Д675593Х2 , 1,1210424Х2 . л
п ~Х2— (0,0225)2+Х2— (0,0625)2 Х2— (0,1225)2 ’ ЗДеСЬ ПРиведен ,
мкм [2,78].
17. 	Пропускание и поглощение. 0,53 50 мкм [377]; А см. п. 16, см»
рис. 19Б.17.1.
Применение практически ограничено областью X < 45 мкм, так как в
более длинноволновой области имеется существенное поглощение [356].
Поглощение в области 10,6 мкм (4-т-6)-104 см-1 [381].
[356]
X, мкм 40 45 50 55 60
Л, см-* 0,9 2,5 4,6 7,0 10,5

19 A. KRS-5 (TIBr—ТИ) 155
Для интервала температур 20—200 °С пропускание остается
постоянным [376].
19. 	Пьезооптические и упругооптические свойства
Ри
Р 44
Ри
Pu-Pit
X, мкм
0,213
0,149
0,144

0,63
[374]
—
—
0,149
0,08
—
[270]
—
—
0,157
0,08
0,61
[64]
0,21
0,141
0,26
—
—
[378]
Фотоупругие коэффициенты в плоскости (100) для состава Т1(Вг60%—140%)
см. [354].
21. Акустооптические свойства. Рис. 19А.21.1.
Рис. 19А.21.1. Зависимость интенсивности дифрагированного света в кристаллах KRS-5 (а)
и KRS-6 (б) от частоты. Продольная звуковая волна распространяется вдоль
направления [100], нормального к направлению поляризации света [374].
Afx= 1090* 10"7 см2-с/г [377],
Л12 = 1150-10~18 с3/г [377],
М2= 118-10-18 с3/г [381]
[379]
Тип волны
Направление звуковой
волны
Направление
поляризации света
м2, *)
Ю-1» сз/р
L
[100]
II
175
L
[100]
JL
275
L
[111]
II
1150
L
[111]
JL
260
*) У автора опечатка в наименовании единиц.
| для X = 0,63 мкм.
23. Дополнительные сведения.
Коэффициенты отражения в области спектра 2 4-40 мкм см. [382].

156
" 19 Б. K.RS-6 (TlBr — TICl)
19Б.Т1ВГ—Т1С1, KRS-6
1. Вид материала. Монокристалл синтетический, твердый раствор
TIBr 30%—Т1С170% [2,78]. Исследовались также кристаллы состава
TIBr40%—Т1С1 60% [2, 78]. Выращивается из расплава.
2. Симметрия кристалла, см. KRS-5, РтЗт(р\).
Постоянные решетки, А. 3,905 [2].
3. Молекулярный вес. 257,0 для состава TIBr 29,8% — Т1С1 70,2% [2].
4. Плотность, г/см3. 7,192 [2, 78].
5. Температуры фазовых переходов, °С. Тпл — 423,5 [2, 78].
6. Растворимость, г/100 г воды. 0,32.
Растворяется в кислотах. Не гигроскопичен [2, 78, 358].
7. Удельная теплоемкость, кал/г-К. 0,0482 при Г = 20°С [78]; 0,040 при
Г = 50°С [376].
7\ ° С 50 150 250
с 0,04 0,05 0,058
8. Тепловое расширение, К~1 • 10~6. а = 55 при7" = 0°С [64];а = 52,4 при
Г = 25 4- 100 *С [376].
Т, °С 50 150 250
а 51,9 53,0 54,0
[37,2]
7\ °С — 50ч- + 20°С 20 ч-100 °С
‘ а 55 49
9. Теплопроводность, кал/К-см2-с. 1,71 • 10~3 (±5%) при Т = 329 К [64J.
[2]
7\ К 242 253 284 297 329 371
% 0,0011 0,0011 0,0012 0,0014 0,0017 0,0022
[376]
Г, К 50 150 250
х, ккал/К’М2 -час 0,37 0,4 0,42
10. Спайность. Нет.
11. Твердость. По Кнупу 30 ч- 40 кгс/мм2, инденторная нагрузка
200 ч- 500 г [278].
яц[100] = 30>1 кгс/мм2; яд[110] = 26,8 кгс/мм2; Яц£111] =25,4кгс/мм2;
зависимость Н^ от состава твердого раствора TIBr—Т1С1 см. [937].

19 Б* KRS-6 (TIBr—TlCl)
12. 	Упругие постоянные.
стю 1011 дин/см2
157
Сц
с44
С12
4,2
0,76
1,35
[938]
3,84
0,825
Г—
[374]
3,85
0,74
.1,49
[2, 31]
sn = 3,31 • 10~12 см2/дин, s44= 13,6-10~12 см2/дин,
s12 = —0,92-10-12 см2/дин [2, 31].
^Ю[1И] ==2700 кг/мм2,
Jyn prill
==1130 кг/мм2,
^[ЮО]^3850 КГ/ММ2,
бупрпоо]=1380 кг/мм2.
Коэффициент Пуассона 0,22 по [111], 0,4 по [100]; предел текучести на
сжатие 6,5 кг/мм2, предел прочности на изгиб 11 кг/мм2 [376].
13. Скорости упругих волн, 105 см/с. U/nom = 2,416, Umim = 2,2170,
^Г100ЯИ0]= 1 0278 [938] <*** = 2,28 [377].
14. Затухание упругих волн. 20 дБ/с -МГц2 для vL[111] [377]; 0,8 дБ/см
для Vi, при /=100 МГц; 4,0 дБ/см для v$, при /=100 МГц [938].
Зависимость затухания УЗ волн от частоты в диапазоне от 50 до 220 МГц
является квадратичной [938].
ш& i
Рис. 19Б.16.1. Дисперсия
показателя преломления п кристалла KRS-6
[2, 78].
Рис. 19Б.16.2. Дисперсия
величины dti/dX кристалла
KRS-6 [2, 78].

158
19 Б. KRS-6 (TIBr—Т1С1)
15. 	Диэлектрические свойства. 8 = 32,9 4-31,8 при /= 100 4- 10^ Гц,
25 °С [37],
[2]
/, Гц
Ь102
МО3
МО4
\-№
8
32,9
32,0
32,0
31,8
tg б
0,45
0,0441
0,0066
0,00059
Зависимость 8 (Т) аналогична Т1С1, см. рис. 17.15.1.
16. 	Показатель преломления. Рис. 19Б.16.1, 19Б.16.2, см. рис. 19А.16.1,
П.11.10, П.П.11.
[78]
Я, мкм
п
Я, мкм
п
Я, мкм
п
Я, мкм
п
0,589
2,3367
1,6
2,2124
4,0
2,1956
14
2,1563
0,6
2,3294
1,7
2,2103
4,5
2,1942
15
2,1504
0,7
2,2892
1,8
2,2086
5,0
2,1928
16
2,1442
0,8
2,2660
1,9
2,2071
6,0
2,1900
17
2,1377
0,9
2,2510
2,0
2,2059
7,0
2,1870
18
2,1309
1,0
2,2404
2,2
2,2039
8,0
2,1839
19
2,1236
1,1
2,2321
2,4
2,2024
9,0
2,1805
20
2,1154
1,2
2,2255
2,6
2,2011
10,0
2,1767
21
2,1067
1,3
2,2212
2,8
2,2001
И
2,1723
22
2,0976
1,4
2,2176
3,0
2,1990
12
2,1674
23
2,0869
1,5
2,2148
3,5
2,1972
13
2,1620
24
2,0752
[939]
Я, мкм
п
Я, мкм
п
0,633
2,284
0,47
2,410
0,55
2,327
0,46
2,424
0,52
2,351
0,45
2,442
0,50
2,372
0,44
2,464
0,48
2,395
0,43
2,468
17. 	Пропускание и поглощение. 0,4 4- 30 мкм [938]; пропускание не меньше
40% для Я = 0,6328 мкм [938]; поглощение в области 10,6 мкм (4 4- 5)-Ю-4 см-1
[380]. Рис. 19Б.17.1.
19. 	Пьезооптические и упругооптические свойства.

20. КИНОВАРЬ HgS
159
Ри
Р44
Р12
0,057
0,060
—0,31
[938]
0,0914
0,0855
0,066
[374]
—
0,096
—
[64, 219]
0,29
0,17
0,26
[940] *)
*) При К = 0,6328 мкм.
Рис. 19 Б. 17.1. Спектральное
пропускание монокристаллов
KRS-5 и KRS-6 [98].
Дисперсия фотоупругих постоянных см. [939]; зависимость
пьезооптической постоянной от состава твердого раствора TIBr — Т1С1 см. [937].
21. 	Акустооптические свойства. См. рис. 19А.21.1.
Л11 = 1090-10-7 см2-с/гдля ujr[mj [377], М2 = 1150-10“18 с3/г дляу/,Г111]
[377].
Звуковая волна
Поляризация
света
М2> 10-1» С»/Г
для
А.=0,63 мкм
Направление
Поляризация
[100]
[100]
II
16
[100]
[100]
X
96
[100]
[010]
II
152
[111]
[111]
II
84
[111]
[ill]
±
75 «
[110]
[110]
н
45
23. Дополнительные сведения.
Зависимость предела текучести кристаллов TIBr—Т1С1 от состава
твердого раствора см. [937].
20. 	КИНОВАРЬ (СЕРНИСТАЯ РТУТЬ) cc-HgS
1. Вид материала. Синтетический монокристалл красного цвета,
выращивается из газовой фазы или гидротермальным методом [383, 384].
Природные мелкие кристаллы [383, 384, 222].
2. Симметрия кристалла. Тригональная, класс 32 [385], РЗг21 (D|),
РЗа21 (Z)f) [386—389]. Черная метакиноварь имеет структуру, изоморфную
сфалериту [383J.

160
20. КИНОВАРЬ HgS
Постоянные решетки, А. «ромбоэдр = 3,969, а = 62°58' [222], «гексагон =
= 4,146, сгексагон== 9,497, с/а = 2,291 [383, 390]; а = 4,137, с = 10,12 [383, 388].
3. Молекулярный вес. 232,65 [97].
4. Плотность, г/см3. 8,10 [223].
5. Температуры фазовых переходов, °С. 7,пл = 583,5 [223]; при 71с = 344±2
киноварь переходит в метакиноварь [383, 391]; Тс — 386 [392].
6. Растворимость. Не растворяется в воде, растворяется в царской водке,
Na2S, спиртах, HN03 [389, 223].
7. Удельная теплоемкость, Дж/моль*К. ^ = 50,17 [392].
8. Тепловое расширение, 10~6 К”*1. а1 = 21,5 ± 1,50; а2 = 17,9 ± 0,63;
а3 = 17,9 ± 0,63 при Т = 20 ч- 70 °С [392].
9. Теплопроводность. х^/хп= 0,72 [64].
11. Твердость. По Моосу 2 4- 2,5 [131].
12. Упругие постоянные, 1010 Н/м2. сзз = 4,86±1% [389].
13. Скорости упругих волн, Ю5 см/с. vL [оои = 2,450± 1% [389].
14. Затухание упругих волн, дБ/см. 4,55 при /==400 МГц, 7,1 при
/ = 500 МГц для vL[оои [389]. См. рис. ПЛ 1.13.
16. 	Показатель преломления.
п0 = 2,492+^-0,148, ^ = 2,731+-^- 0,188. Здесь К приведена в мкм
[388, 393, 394, 131, 389]. Оптически положительный, одноосный, пе—п0 — 0,33,
Я = 0,589 мкм [131].
[131, 388, 389, 393, 394]
Я, мкм
пе
По
Я, мкм
пе
По
Я, мкм
пе
По
0,589
3,14
2,81
1,80
2,9258
2,6567
5,00
2,8863
2,6267
0,62
3,2560
2,9028
2,00
2,9194
2,6518
6,00
2,8799
2,6233
0,6328
3,235
2,887
2,20
2,9146
2,6483
7,00
2,8741
2,6156
0,633
3,232
2,885
2,40
2,9108
2,6455
8,00
2,8674
2,6112
0,65
3,2064
2,8655
2,60
2,9079
2,6433
9,00
2,8608'
2,6066
0,68
3,1703
2,8384
2,80
2,9036
2,6401
10,00
2,8522
2,6018
0,70
3,1489
2,8224
3,00
2,9017
2,6387
11,00
2,8433
2,5914
0,80
3>0743
2,7704
3,20
2,9001
2,6375
—
—
—
0,90
3,0340
2,7383
3,40
2,8987
2,6358
3,39
2,900
2,637
1,00
3,0050
2,7120
3,60
2,8971
2,6353
—
—
—
1,20
2,9680
2,6884
3,80
2,8963
2,6348
—
—
—
1,40
2,9475
2,6730
4,00
1,06
—
2,705
1,60
2,9344
2,6633

20. КИНОВАРЬ HgS
161
[387]
X» мкм
п
п *)
0,599
2,903
2,904
0,6075
2,887
2,887
0,6239
2,865
2,863
0,6439
; 2,842
2,838
0,6720 !
2,816-
2,813
0,7077 -
2,789
2,790
0,7621
|
: 2,760
2,768
[387]
= 5,7
) Расчетные значения п2—1 =
0,5594л2
Я2—0,243 '
Я, мкм
dn/dT, 10“5 K~i
(_50 -ь + 12 °С)
0,599
13
0,6075
9
0,624
8
0,644
5
0,718
2
пе—п0'= 0,226 ± 2«10-3, Я= 10,6 мкм [385]. Дисперсия п см. [64].
17. 	Пропускание ' _и поглощение. Рис. 20.17.1, 0,628 мкм [3853;
0,62 -f- 16 мкм [3893.
[385]
К, мкм 1
h, мм
Л, см”*1
|
5,3 j
6
10,6 |
—
1,5
5,3 [
0,998
0
ю,б !
0,998
0,5
5,3 1
4,500
0*)
10,6 [
1
4,500
0,5*)
1%
*) Для
[396].
природных кристаллов
Рис. 20.17.1. Оптическое
пропускание HgS. Толщина пластины 1 мм
(срез 1012) £395].
Спектры отражения природных кристаллов см. [320].
18. 	Эдект рооптические свойства, 10~12 м/В.
‘[393]
\9 мкм
**>
г+ *)
41
£
4
0,633
1,55
1,3
3,1
1,4
3,39
2,7
2,2
4,2
2,4
*) Автор полагает, что различие гД и rti может быть
вызвано неточностью ориентации.
6 Под ред, М. П, Шаскольской

162
21. ФОСФИД ГАЛЛИЯ GaP
19. Пьезо- и упругооптические свойства. | р13 | = 0,445, | рвз 1 = 0,115 при
Х = 0,6328 мкм [389].
20. Нелинейные оптические свойства, dli = (1,5 ± 0,5)«10~7 ед. СГСЭ
[385], <й?= 1,35-10- 7 ед. СГСЭ при Х= 10,6 мкм [394]; d\f= (1,15 ± 0,20) d?f для
природного кристалла [396]; <1ц"(1,32 мкм) = (1,54 ± 0,25) dj® (10,6 мкм) [396].
21. Акустооптические свойства. См. рис. П. 11.13.
М2 — 450’ 10~18 с3/г для vL Гоои при Л, = 1,153 мкм и [001] [92].
[389]
к
Mt
Мг (для р13)
Ms
0,6328
211
632
513
1,06
—
696
—
Значения Mlf М2, М3 приведены по отношению к значению акустоопти-
ческой добротности плавленого кварца, принятой за единицу, для
продольных акустических волн.
23. Дополнительные сведения.
Удельное вращение плоскости поляризации вдоль с-оси для красного света
± рз ==325 град/мм [397].
Фотопроводимость см. [398]. Температурная зависимость оптической
активности см. [64].
21. 	ФОСФИД ГАЛЛИЯ GaP
1. Вид материала. Монокристалл синтетический, прозрачный, оранжевый
с металлическим блеском, выращивается из расплава *из паров. Монокристал-
лические пленки выращиваются эпитаксиальными методами и методом
газотранспортных реакций [399, 400, 401].
2. Симметрия кристалла. Кубическая, 43m, Fi3m(T^)f структурный тип
сфалерита [1, 402, 401].
Постоянные решетки, А. 5,4505 ± 0,0001 [1, 3]; 5,447 [70].
3. Молекулярный вес. 100,95 [3, 399].
4. Плотность, г/см3. 4,18 [79, 72]; 4,4 [392]; 4,301 при Г = 300 К [403].
5. Температура фазовых [переходов, °С, 7'пд=1465 [3]; Тм= 1350 ± 10
[2, 70, 392]; Гпл=1540 [86].
7. Удельная теплоемкость, рис. 21.7.1. Гд=446 К [392].
8. Тепловое расширение, 10~6 К*"1. 5,3 [3], рис. 21.8.1.

21. ФОСФИД ГАЛЛИЯ GaP
[46]
Г, к о 300 400 500 600 800
а (±10%) 0 4,65 4,97 5,27 5,52 5,97
9. Теплопроводность, кал/см*К-с.
10. Спайность. По (011) [2, 18].
Ср,иал/г-агп.-°С
и
Рис. 21.7.1. Теплоемкость с GaP
[86].
х; Вт/см-К
Рис. 21.9.1. Теплопроводность к
фосфида галлия при низких
температурах [86].
18 [3], рис. 21.9.1, 21.9.2.
сс}10~6Т1
Рис. 21.8.1. Коэффициент линейного
расширения а: / —антимонида, 2-арсе-
иида, <5-фосфида галлия [404].
х, Вт/см-К
Рис. 21.9.2. Зависимость теплопро*
водности и фосфида галлия от
температуры [86]: О и сплошная кри-
вая-[405], штриховая кривая —
[4061, Д и ^штрихпунктирная^
кривая— [407].

164
21. ФОСФИД ГАЛЛИЯ GaP
11. Твердость. По Моосу 5 [2]; по Кнупу 945 ± 155 кгс/мм2, нагрузка
на индентор 25 г [86].
Яц = 850 4- 940 кгс/мм2 [58, 399].
12. Упругие постоянные.
стт 1011 дин/см2
С11
с44
С12
Содержит примесей
я-типа* см~®
14,7
- [37]
14,11 ± 0,04
7,043 ± 0,028
6,187 ± 0,034
Ю1* + Ш16 [408]
11,40 *)
7,043 *).
3,475 *)
[402]
14,36 ±1,1
6,26 ±0,56
7,58 ± 0,45
[409]
14,12
7,047
6,253
[35]
14,14 ± 0,03
7,028 ± 0,007
6,398 ± 0,013
[410]
14,51 ± 0,12
7,16 ± 0,03
6,12 ±0,05
Ю18 [411]
14,11 ± 0,38 **)
6,26 ± 0,25 **)
7,03 ± 0,12 **)
[412]
*) Расчетные значения.
**) Метод Бриллюэновского рассеяния.
Модули Юнга и модули упругости в интервале температур^БО 700 К
см. [403].
13. Скорости упругих волн, 105- см/с. vi [ц0J = 6,32, v$ fi0oj =; 4У13 f[79],
см. рис. П.П.2, П.11.6.
14. Затухание упругих волн. Рис. 21.14.1, 21.14.2; см. рис. П.П.6» П.П.13.
I дБ/мкс при / = 500 МГц для vL— 6,32*10б см/с [6]; 6 дБ/см «ГГц2 для
VL nioj [78].
15. Диэлектрические свойства. 8 = 8,5,/ = 2,5» 1013 3*1Q*4 Ги [2]j- е/% — 11,1
{35, 402]; 8=8,4 [70]; 8=10,2 [86].
16. Показатель преломления. 2,9 [70]. Рис. 21.16.1.
[402]
к, МКМ
п
к, мкм
п
Я, мкм
! л;
1
0,545
3,4522
0,60
3,3524
0,66
| ■ 3,-2811
0,55
3,4411
0,61
3,3384
0,67
j 3,2716
0,56
3,4203
0,62
3,3254
0,68
I 3,2626
0,57
3,4012
0,63
3,3132
0,69
| 3,2541
0,58
3,3837
0,64
3,3018
0,70
| 3,2462
0,59
3,3675
0,65
3,2912
1
\
 1

21. ФОСФИД ГАЛЛИЯ GaP
165
Данные получены при 24,5 °С на
щений.
Рис. 21.14.1. Зависимость
затухания продольных упругих воле
В фосфида галлия от частоты
(прямая проведена в
предположении квадратичной зависимости
еатухания от частоты) [411J.
10 призмах методом минимальных сме-
В, дБ/см
Рис. 21.14.2. Зависимость
затухания продольных упругих волн
от температуры В (а) и темпера»
турный ход постоянной Грюнай*
зена у (б) GaP: /—/=600*
2—f = 500 МГц [4111.
Рис. 21.16.1. Показатели преломления п GaP и GaAs [86* 4I3J.
17. 	Пропускание и поглощение. 0,53 -5- 16 мкм [414]; 0,6-ь 10 мкм (25, 41].
Оптическое поглощение см. [415].
18< Электрооптические свойства.

166
21. ФОСФИД ГАЛЛИЯ GaP
[402]
X, мкм
Г41* 10-*2 М/В *)
г41, ю-»* м/В **)
г41, 10-12 м/в **♦)
0,56
-1
—1,07 ± 0,06
0,585
—1,07 ± 0,06
—
0,6328
—0,97 ± 0,02
—0,97 ± 0,06
—0,98 ±0 04
0,66
—
—0,98 ± 0,06
—
1,153
—1,10 ± 0,15
—
—
3,39
—
—
—0,97 ± 0,10
*) Использованы импульсное электрическое поле и луч лазера.
**) Использованы импульсное электрическое поле и вспышка.
***) Использованы низкочастотное электрическое поле, оптический
гетеродинный детектор и луч лазера.
/41= (—1.00 ± 0,06).10-1° см/В при Т = 7,комн,
/&=(—0,84j± 0,06)-10“*° см/В при Г = 77 К,
Г41 = Г41+ ^44^14 [401 ] .
При А,=0,6328 мкм в статическом электрическом поле r4f— 3,2-10~8 ед.
СГСЭ [416].
19. Пьезо- и упругооптические свойства.
рц=— 0,151, р44=—0,074, pia = —0,082 при Я = 0,63 мкм [79].
1 Pli 1 = 0,161 ± 0,011, |>i2| = 0,088|d= 0,007.
| р441 = 0,073 ± 0,04 при Х=0,6328 мкм [412].
20. Нелинейные оптические свойства.
Я. мкм
»о-“м/в
п
1,06
8,1 ± 1,4
[402, 417]
1,06
3,9
,—
[402, 418]
3,39
3,5
.3,018
[402]
0,56
! 6>4
3,420
[402]

22. АРСЕНИД ГАЛЛИЯ GaAs 167
21. 	Акустооптические свойства. См. рис. П.Н.13.
Для Я= 0,633 мкм [79]
"зв
^зв
Е
мх,
10“7 см2-с/г
мш,
10-1в с*/г
Af„
I0-1? см-с*/*
[110]
[100]
[110]
5
[110]
произвольная
590
137
44,6
24,1 ,
93,5
33,1
М2 = 29,5 по отношению к М2 плавленого кварца при ^, = 0,63 мкм [392].
22. Пьезоэлектрические свойства. е14= — 0,10 Кл/м2 [35, 392].
23. Дополнительные сведения.
£^=2,34 эВ, dEg/dT = —5,5* 10~4[эВ/К, dEg/dP=—1,7-10“6 эВ/бар [392].
Скорости звука, упругие жесткости, температуру Дебая, удельное
сопротивление эпитаксиальных пленок см. [419].
22. 	АРСЕНИД ГАЛЛИЯ GaAs
1. Вид материала* Монокристалл си нтетический.| Выращивается из расплава
методом Чохральского. Монокристаллические пленки выращиваются методом
жидкостной эпитаксии в вакууме, из раствора в расплаве, из газовой фазы,
из молекулярных пучков, а также методом газотранспортных реакций.
2. Симметрия кристалла. Кубическая, класс 43m, F43tni{Ta), структурный
тип сфалерита [2].
Постоянные решетки, А. 5,65321 ± 0,00003 [420].
Зависимость постоянной решетки от температуры см. [61].
3. Молекулярный вес. 144,64 [3, 420].
4. Плотность, г/см3. 5,316 [420].
5. Температуры фазовых переходов, °С. Тпл= 1238 [223, 421, 420]; Гдисс и[ее
зависимость от давления см. [420].
6. Растворимость. В воде не растворяется. Растворяется в водных
растворах сильных окислителей [2].
7. Удельная теплоемкость, кал/г-К. 0,0835 [420].
ср, кал/К-г-ат. [86]
ср 5,65 5,65 5,79, 5,93 6,07 6,21 6,35 6,49
7\ К 298 300 400 500 600 700 800 900
ср 6,63 6,77 6,91 7,05 7,19 7,33 7,35 —
Т, к 1000 1100 1200 1300 1400 1500 1513 —
7д=295 К [86]; 7д=344 К [36].

168
22. АРСЕНИД ГАЛЛИЯ GaAs
8. Тепловое расширение, 10~6К”Х. Рис. 22.8,1, а — 5,39 при Г = 25 °С [3J.
См. ряс, 21,8Л.
[424]
а —0,50 —0,00 3,64 5,74 7,44
Г, °С —233 —218 . —195 -г- 17 18 ~ 287 287 ~ 407
9. Теплопроводность, кал/К«см-с, 0,11 [3]; 0,81 вт/см*К при Т = ТК0ЫЯ
{420|, Рис. 22.9.1, 22.9.2.
10. Спайность. По (011) и (111) [2].
И. Твердость, По Моосу 4,5; по Кнупу 750 ± 42 кгс/мм2, инденторная
нагрузка 25 г [2].
Яд = 700 -5- 750 кгс/мм2 [20, 426], зависимость Яд поверхности от способа
обработки см. [427]..
c^W'S/C1
7 г
W7/
w
VX/’
/
-200 О 200 400 Т°С
Ряш. 22,$. 1. Коэффициенты теплового расширения %, GaAs:' #-[421], V—1*22]; Ge:
0-1421], X —{423]..
%;Вт/см-К
Pee. 22.9.1. Теплопроводность к GaAs при низких температурах [86]; 0-[16]»
концентрация носителей /г=1015 см-3, Д-л=2* 1018 см-*, Q—я = 1 О15 см~* £424].

22. АРСЕНИД ГАЛЛИЯ GaAs
169
%}Втп/сМ‘К
Рис. '22.9.2. Теплопроводность и
GaAs при высоких температурах
I — п =3,5-1 О17 СМ“», 2 — п -
= 7,7-1 О18 см-*, 5 —я=6,4• 101® ем~*
[86, 425].
Е^,0ЩЧ,1011 дин/см2
Рис. 22-12.1. Зависимость
модулей Юнга E,jq ш
кручения G ц GaAs от
температуры [428].
Стп, 10*1Зия/(Шг
1Z
10
_J l I _! 1_
600 800Т,К
Рис. 22.12.2.
Зависимость упругих
жесткостей cmn GaAs от
температуры [428].
€44,15‘1 дин/см2
6,1
“о
48
5J
. з
!
188
Z00
*)
300
Т,К
С1ГС12,10и8ь'н/смг
6,6 -
6,5
6J
63
300
480
550
т,к
Рис. 22.12.3. Зависимость упругих жесткостей сы (а)
и Сц-Сц (б) [431]: lf 2, 5-образцы GaAs я-ткиa (Z—nas
= !017 см-*, 2 — п— 1 • 1019 см“3, ' 3~п~2‘1Ъ1* см~*},
4, 5—«чистые» образцы (4-[429], 5-[4801).

170
22. АРСЕНИД ГАЛЛИЯ GaAs
Рис. 22.12.4. Зависимость упругих
жесткостей Стп GaAs от
температуры: 0-[428], X —[432], Д — [43 1],
сплошная линия — эксперимент,
штриховая кривая-экстраполяция
к 0 К, штрнхпунктирная кривая —
теория [428].
12. Упругие постоянные.
стп, 10й дин/см2
£ll
С14
С\г
7\ °с
12,26
6,00
5,71
—273
[432]
12,21
5,99
5,66
— 195,6
[432]
11,81
5,94
5,32
27
[432]
11,88
5,94
5,38
[432]
12,00
6,04
5,33
—
[35]
11,80
/ ■
5,93
5,32
—
[28]
s,я». Ю-13 см2/дин
sn
S44
si*
11,6
16,2
-3,1
[433]
12,64
18,6
—4,234
[35]
Фактор анизотропии Лупр=1,80 [27].
Температурные зависимости упругих постоянных. Рис. 22.12.1—22.12.4.
Jfe
образца
Тип


проводимости

Концентрация

электронов, см“3
7\ К
С4*>
10“
дин/см2
2с',
1011 *)
дин/см*
2с",
101Х **)
дин/см2
д In с44
дТ ’
10“"5К”1
д In с'
дТ ’
10 “5 К ”1
д In с"
дТ 9
io-5k-j
1
п
Ю17
78
6,06
6,64
29,70
—8,7
—9,1
8,9
1
п
1017
293
5,945
6,51
29,15
—
—
—
1
п
1017
520
—
6,375
—
—
—9,5
—
2
п
101в
293
5,94
6,51
29,70
—
—
—
3
п
1019
78
6,035
6,615
29,65
—8,1
—8,1
—8,1
3
п
1019
293
5,925
6,50
29,10
—
—
—
3
п
1019
520
—
6,350
—
.—
—10,5
—
4
р
2-1019
78
5,99
6,57
29,50
—7,7
-7,9
—8,4
4
р
—
293
5,89
6,46
29,00
' —
—
—
5
р
8,5-1018
293
5,83
6,42
28,87
—
—
—
*) 2с'=си—с12.
**) 2с" = сп+с12+2с44 [431].

22. АРСЕНИД ГАЛЛИЯ GaAs
171
[428]
T, к
su |
Sis I
S44
Сц j
Ct2
C44
^ynp
10“18 см2/дин
lO11 дин/см2
293
11,77
3,64
16,76
11,76
5,27
5,96
1,84
373
11,89
3,68
16,91
11,64
5,22
5,91
1,84
473
12,03
3,72
17,10
11,51
5,16
5,85
1,84
573
12,17
3,76
17,29
11,36
5,09
5,72
1,85
673
12,34
3,81
17,50
11,19
5,00
5,72
1,85
773
12,51
3,88
17,76
11,09
4,99
5,63
1,85
873
12,69
3,95
18,02
10,96
4,95
5,55
1,85
Экстраполированные значения
0, К
11,36
3,51
16,25
12,17
5,46
6,16
1,84
7* пЛ= 1511 К
13,89
4,31
19,61
10,00
4,50
5,10
1,85
Т, к
ctt j
с**
cti
n9, cm-*
Om-cm
1011 дин/см!
2
300
11,810
5,940
5,320
[434]
293
11,904
5,952
5,384
1017
—
[435]
298
11,877
5,944
5,372
—
2,6
[436]
293
11,980
6,040
5,340
1018
10-3
[437]
293
11,885
5,945
5,375
1017
—
[431]
293
11,760
5,960
5,270
1018
~10-3
[428]
стпр> Ю12 дин/см2 [436]
сш = — 6,22 ^144 = “f* 0,40
Сц2 = — 3,87 ^166 — —2,69
^123 == 0,61 ^466 ~—0,19
13. 	Скорости упругих волн. 105 см/с.
VL [iooj = 1,90 ^5fiooj=l,01
VL flioj = 1 *84 v$ riioj fia oj =1,11
VL пт— 1»82 y5fmj= 1*08 [4]
Рис. 22.13.1 —22.13.10. См. рис. 7.13.1.

172
22. АРСЕНИД ГАЛЛИЯ GaAs
Рио. 22.13.1. Сечения поверхностей медленностей (обратных скоростей) GaAs плоскость»
(100) (а) (/-QL, II-QS, III-vs [ОЮ])» плоскостью (110) (б) (J'-QL, II'-QS,
////”Z,S[По]) J353‘
Рис. 22.13.2. Сечения поверхности лучевых скоростей GaAs плоскостью хг (а) (/—QL,
//— QS, IIи поверхности фазовых и лучевых скоростей плоскостью хг (б)
(пьезоэффект не учитывается) [35].
Поверхностные волны [438, 441, 442, 443]
Плоскость
1 распространения
Направление
распространения
vR, 105 см/с
Avo
Н >10*
®00
(100)
[010]
2,7200
0
(100)
[011]
2,8645
3,386
(110)
[110]
. 3,3536
1,043
(110)
[001]
2,8202
0,9503
(111)
[211]
3,0826
0

22. АРСЕНИД ГАЛЛИЯ GaAs
[28]
173
В плоскости (001)
вдоль оси [100]
В плоскости (110)
вдоль оси [001]
В плоскости (111)
вдоль оси [110]
Vg, 105 см/с
!
— • 104
1 о®
105 см/с
Avq
к -10*
^00
V£, Ю5 см/в
. 2,719
1,18
2,819 .
1,16
2,428
В плоскости 22,5° z-среза N3B || оси х, а# = 2,763 м/с, Ai^/^oo = 0,024% [444].
[ООН
Рис. 22.13.3. Зависимости величины Аи^/^оо и
скорости рэлеевской упругой волны vраспростра-
няющейся в плоскости (100) GaAs, от угла между
направлением распространения и [011] (а); волны,
распространяющейся в плоскости (110), от угла
между направлением распространения и [l7o] (б);
волны, распространяющейся в плоскости (111),
от угла между направлением распространения
и [110] (в). Пунктирная кривая соответствует
скорости медленной объемной волны [438].
(Г /Г Ж 45° в 0°
Юн]

174
22. АРСЕНИД ГАЛЛИЯ GaAs
vR,vs,M/c
VR,M/c
0° 20° 4Г 60° 80°
Рис. 22.13.4.
Ориентационная зависимость скорости
распространения рэлеевской
упругой волны в
плоскости 2-среза GaAs,
повернутого на 5° вокруг
направления [110] (направление [ 110]
соответствует значению 0=0°)
[439].
Рис. 22.13.5. Зависимость скорости
распространения рэлеевской упругой и объемной
сдвиговой v§ волны в 2-срезе GaAs от величины
угла Эйлера 0 (см. рис. П.1.1, ПЛ.2) [44J.
14. 	Затухание упругих волн. Рис. 22.14.1 — 22.14.3, см. рис. П. 11.13.
30 дБ/см-ГГц2 для vi[110]; 4,22 дБ/мкс, плоскость (110), N3B по [100];
3,62 дБ/мкс, плоскость (211), N3B по [111] см. [443, 442].
[48]
Направление
и тип волны
f, ГГц
^эксп’ ДБ/СМ
Врасч’ *Б/СМ
[100] L
0,58
(7,25 ±0,75)
7,25 ± У,5
S
1,03
6,4 ± 0,3
6,4 ± 0,3
[110] L
0,58
—
5,5 ± 0,5
S
1,03
—
6,4 ±0,3
S
1,03
10,2 ±0,5
10,2 ±1,2
[111] L
1,03
—
16,2 ± 0,5
S
1,03
—
8,4 ± 0,4
Тензор фононной вязкости см. [48].

22. АРСЕНИД ГАЛЛИЯ GaAs
175
0j45
0,15 \ j
IZj L
ф L
Рис. 22.13,6. Зависимость
скорости распространения
рэлеевской упругой волны
величины bxjj^jVca и угла потока
энергии Ф в плоскости (111) GaAs
от величины угла Эйлера 0
(см. рис. П.1.1, П.1.2) [44].
18° 54° 90° 128° 182° в
Рис. 22.13.7. Зависимость
скорости распространения
рэлеевской упругой волны Vj^f
величины Av^fvoo и угла
потока энергии Ф в плоскости
(110) GaAs от величины угла
Эйлера 0 (см. рис. П.1.1. П.1.2)
[44].
15. 	Диэлектрические свойства. Рис. 22.15.1.
8=12,53 при / = 0,2-10е 3,0-106 Гц [2];
8=11,2 на СВЧ [446];
8*780=12,5 [35].
В области частот 20 Гц ч- 1 МГц и электрических полей, меньших или
примерно равных 104 В/см, 8 не изменяется. Экстраполированное к 0 К
значение 8=12,35 ± 0,09 см. [447]; изменение 8, вызванное дисперсией на
свободных носителях заряда, см. [448].

176
22. АРСЕНИД ГАЛЛИЯ GaAs
Рис. 22.13.8. Зависимость
скорости распространения
рэлеевской упругой волны Vg,
величины &Vg/Voo по ж-оси були GaAs
от величины угла Эйлера д (см.
рис. П.1.1, ПЛ.2) [44].
16. 	Показатель преломления. См.
Рис. 22.13.9. Зависимость скорости
распространения рэлеевской упругой
волны ^величины Av^/voo и угла
потока энергии Ф [lllj-оси були
GaAs от величины угла Эйлера ji-
(см,- рис. П.1.1, ПЛ.2) [4 4].
рис. 21.16.1.
[2]
X, мкм
п
Я, мкм
п
8,0 ± 0,05
3,34 ± 0,04
14,5 ± 0,05
2,82 ± 0,04
10,0 ± 0,05
3,035 ± 0,04
15,0 ± 0,05
2,73 ± 0,04
11,0 ±0,05
3,045 ± 0,04
17,0 ± 0,05
2,59 ± 0,04
* 13,0 ±0,05
2,97 ± 0,04
19,0 ± 0,05
2,41 ±0,04
13,7 ± 0,05
2,895 ± 0,04
21,9 ± 0,1
2,12 ± 0,04

22. АРСЕНИД ГАЛЛИЯ. GaA
1177-
Рис . 22* 13.10. Зависимость
скорости распространения
рэлеевской упругой волны Vg,
величины Avp/voo и угла потока
энергии Ф в плоскости (211) GaAs
от величины угла Эйлера 0 (см.
рис. П.1.1, П.1.2) [44].
Рис. 22.14.1. Зависимость
затухания упругих продольных. В^
и сдвиговых В<* волн в GaAs от
частоты при Т~ Ткошш{(лг.А& л-ти*
па, р=0,014 Ом-см): •—щи,
О-“°-£-Г110Г x"~vS[iio]r
V—V£ щц (коэффициент
поглощен in вычислялся по формуле
10
в=_
lg-ф- дБ/мкс,
где
t А 2
Аг и А2—амплитуды импульсов,
разделенных промежутком
времени 1) [4 29].
[36]
п 3,34 3,08 2,97
л, мкм 8,0 10,6 13,0
[204]
Я, мкм 10 5,1 2„87 1,435
п 3,27 3,30 3,33 3,40

178
22. АРСЕНИД ГАЛЛИЯ GaAs
Д д5/жс
Рис. 22.14.2. Зависимость
затухания упругих волн В
от температуры в области
95-^.300 К: •—vщи] ПРИ
/=20 МГц, X—»ImoJ при
/=150 МГц, O—vL[110] при
f=30 МГц. Д—fll0J при
/=30 МГц [429].
А, см'1
В, 35/см
Рис. 22.14.3. Зависимость
затухания упругих волн
В в GaAs от частоты:
1'^VL Г1111’ 2 ^sriioj/oou
[439].
Рис. 22.15.1. Зависимость
диэлектрических
проницаемостей г GaAs и ZnSe,
измеренных на частоте /=* 30 кГц,
от температуры: ▼—[423],
▲. #-[445].
Р44
Рис. 22.17.1. Дисперсия коэффициента
поглощения света A GaAs [4 13].
’0,9 1,0 1,1 1,2 к,тм
Рис. 22.19.1. Дисперсия упругооптической постоянной р44 GaAs [453].

22. АРСЕНИД ГАЛЛИЯ GaAs
179
Дисперсию п см. [449].
Дисперсию п в высокоомном GaAs, спектральную зависимость п вблизи
края собственного поглощения см. [448].
17. Пропускание и поглощение. 14-15 мкм [55, 53, 421]; 8,0 -г- 21,9 мкм [6].
Рис. 22.17.1.
Коэффициент поглощения А = 5* 10~3 см**1, Я = 10,6 мкм [36].
[204]
Я, мкм 10,2 5,1 2,87 1,435
Л, см-1 1,63 0,53 0,53 1,944
18. Электрооптические свойства, 10-8 ед. СГСЗ. r4i = 4,8 при Х — 3 мкм
[450]; r4i = 4,8 ±20% при-Я =10,6 мкм [451, 413]; г41= 1,7* 10“10 см/В [452].
19. Пьезооптические и упругооптические свойства, Рис. 22.19.1.
Рп = — 0,165; Pi2 = —0,140, /?44 = —0,072 при Я = 1,150 мкм [79], см.
[454, 455].
Дисперсию /?44 см. [456].
20. Нелинейные оптические свойства.
[392]
d)f* 10~1а м/В
10-2 М2/Кл
МКМ
Л*
пш (0, град)
du=274 ± 66
6i4 = l >4 ± 0,34
1,0582
3,479
4,352
<*36 = 249 ± 15
63х= 1,27 ± 0,08
1,058
3,479
4,352
<*14 = 188,5 ± 19
6i4 = 2,26 ± 0,23
10,6
3,27
3,30
<*14= 140 ± 10
§14 = 0,72 ± 0,05
1,06
3,478
4,346
du= 137
614 — 0,31
0,8435 -ь 0,8450
3,60
5,90
21. Акустооптические свойства. См. рис. П.П.13.
Я = 1,153 мкм [41]
"зв
"зв
Е
Ми 10“7 см*-с/г
Ма, ю~18 с*/г
М$, 10“** см*с2/г
[110]
[110]
[НО]
925
104
179
[100]
[010]
произв.
155
46,3
49,2

180
23А. ВЮРЦИТ ZnS
22. Пьезоэлектрические свойства,
</14 = 2,70.10-12 Кл/Н, е14 = 0,160 Кл/м2 [457];
^14 = 2,6* 10”12 Кл/Н, е14 = 0,154 Кл/м2 [35];
£14 = 2,40.10-12 м2/КлЛ /i14 = 14,5 Н/Кл,
£14 = 0,065 (L-тип), 614 = 0,045 (5-тип) [457].
23. Дополнительные сведения.
Полупроводник, активный элемент полупроводниковых квантовых генера*
торов, £^=1,43 эВ [421].
Eg”(1 ’53 -ь 5,0)-10-4 Т эВ при 7\= 80 300 К,
Eg = 1,35 эВ [3, 392, 458] при Т = 300 К.
В кристаллах GaAs наблюдается электронное усиление,звука.
Взаимодействие рэлеевских волн с электронами см. [459].
23А. ВЮРЦИТ, СУЛЬФИД ЦИНКА a-ZnS
1. Вид материала. Монокристалл синтетический. Выращивается из
расплава и из газовой фазы.
Природный минерал вюрцит.
2. Симметрия кристалла. Гексагональная, класс 6/п/л, P63mc, С|у.
Существует также кубическая модификация—сфалерит |3-ZnS—см. 23Б,
ш много политипов.
Постоянные решетки, А. а = 3,820, с = 6,2565 [3].
3. Молекулярный вес. 97,45.
4. Плотность, г/см3.4,091 [41], 4,102 [2].
5. Температуры фазовых переходов, °С. Гпл=1830 при рт-ш=3,7 атм [460];
Тпл = 1718 ± 10 при /? = 20 МН/м2 [461]; Тс = 1020 ± 5°С и 1150 [3, 462].
6. Растворимость, г/100 г воды. 0,000065 при Г=18°С. Хорошо
растворяется в кислотах [2].
7. Удельная теплоемкость, кал/К*г = 0,1130 при Т = 25°С [97]; ср—
=0,474 Дж/г-К; (дср/дТ)р = 0,0Ъ4-10-3 Дж/г-К [463].
Гд = 351 К [464].
8. Тепловое расширение, 10~6 К-1.
ах = 4,25, а3 = 3,3 при Т = 64 ч- 243 К [328].
11. 	Твердость. По Моосу 4 [2].
Нц = 217 кгс/мм2 на грани (0001); Яд = 146 кгс/мм2 на грани призмы
{465]; анизотропия микротвердости см. [465].

23А* ВЮРЦИТ ZnS 181
12. Упругие постоянные. Рис. 23А.12.1.
Рио. 23АЛ2Л. Ориентационная зависимость модуля Юнга Ею=—— вюрцита. Угол 0 от*
sll
считывается от оси с [467].
стп, 1012 дин/см2, 7, = 25°С
Си
с#*
С4 4
Се*
Сц
CiS
1,234
1,396
0,2885
0,3245
0,585
0,455
[463]
1,242
1,400
0,2864
0,3203
0,6015
0,4554
[464]
1,312
1,408
0,286
0,325
0,663
0,509
[466]
1,222
1,385
0,2823
0,316
0,591
0,460
[41]
smn, 10“12 см2/дин
su
S 83
s44
see
S12
S13
1,112
0,847
3,44 ]
3,14
—0,456
—0,14
[469, 468, 467]
1,100
0,856
3,468
3,082
—0,441
—0,213
[463]
1,94
—
2,29
—
—0,279
—-
[64]
Температурные зависимости упругих постоянных. Рис. 23А.12.2.
Тса8 = — 80-10-* К'1. Тсы = — 83-10-в К~1 при Т =100 4- 300 К [32].
(дстп/дТ)р’ Ю-» «ин/см*.К,
(#■),=-н-12’ (-#■),—15А С#-),=-2J6•
(ж-)г-зм (#-)„—7’76' (#)р“-6-74 I4S31'
Г8в„, Ю-» К"1.
rsg=8,9, rSf2 = —8,4, Tsg =-50,0, Ts33 = l0,5, Гв„ = 8,3 [468].

182
23А. ВЮРЦИТ ZnS
Рис. 23А.12.2. Зависимость упругих податливостей sfx (a), sf2 (б), sf3 (в), (г), (ду
вюрцита от температуры £468].

2ЗА. ВЮРЦИТ ZnS
183
13. Скорости упругих волн. 10® см/с. Рис. 23А.13.1—23А.13.3.
VL гоои = 5,85, v$ fooi] = 2,63 [41].
Рнв. 2 ЗАЛ 3.1. Сечение поверхностей фазовых скоростей вюрцита плоскостью гх (zy):
l-vv III-v£ [466].
Рио. 23A.13.2. Сечение поверхностей лучевых скоростей вюрцита плоскостью zx{zy):
l—Vjt ///—а угол между направлением оси г и лучом [466].

184
23А. ВЮРЦИТ ZnS
J+#
g)
Ф
Рис. 23A.13.3. а) Отклонение направления луча ©^направления волновой нормали: для
продольной L {/) и сдвиговых 5м (//) и S& (III) волн в любой плоскости, проходящей
через ось z вюрцита.
б) А—угол между направлением волновой нормали и направлением луча, 8—угол,
составляемый N3B и ОСЬЮ 2.
в) Зависимость угла Д + 0 от угла 0 для продольной L (1) и сдвиговый Sm (2) и {3)
волн [466].

23А. ВЮРЦИТ ZnS
[464]
Тип волны
*зв
V
L
|| оси а
|| оси а
5,512
L
|| оси с
II оси с
5,582
QL
45° к осям а не
45° к осям а и с
5,362
S
II а
±с
2,799
S
II с
JL*
2,647
S
II а
\\С
2,652
[470]
L
X
X
5,466
S
X
У
2,776
L
г
г
5,818
S
г
произвольн.
2,627
QL
х' *)
W
о
см
5,323
S
х'
У
2,683
QS
X'•
2° к г9
3,184
•) Ось х' (о, - , ~^=г); г' (—, 0, ‘V
V У^2 }f2 ) \f2 Y2 /
[466]
| Тип волны
N
зв
^зв
г>, 105 см/с
L
*8
5,868
S
*8
хг
2,645
L
*1
Ч
5,667
S
хг
х2
2,815
S
X1
2,644
1
45° к xs
43° к х3
5,469
■ S
45° к х3
х2
2,717
S
45° к х3
—47° к *3
3,224
14, Затухание упругих волн. Рис. 23А.14.1.
15. Диэлектрические постоянные, 8^=8,65, е^=8,7, 78^=3,0« 10~
Т&т= 1,4 10”4 К”1 [468]. Рис. 23А.15.1.
185
4 К-а

186
23А- ВЮРЦИТ ZnS
Рис. 23А.14.1. Зависимость
затухания упругих волн В вюрцита ог
частоты при 7’=7’KOMH: O-^f001],
^^^fiooj^-^rooij’ х ~"uSfioojroioj
[470].
Рис. 23А.15.1. Зависимость диэлект*
Т Т
рических проницаемостей 8ц и 833
вюрцита от температуры [468].
16, Показатели преломления. Рис. 23А.16.1.
[471]
к, мкм
пе
по
К мкм
ло
0,3600
0,3750
0,4000
0,4100
2,709
2,640
2,564
2,544
2,705
2,637
2,560
2,539
0,4200
0,4250
0,4300
2,525
2,514
2,505
2,522
2,511
2,502
[2]
А,, мкм
%
Я, мкм
0,440
2,486
2,488
0,600
2,363
2,368
0,450
2,473
2,477
0,625
2,354
2,358
0,460
2,459
2,463
0,650
2,346
2,350
0,470
2,448
2,453
0,675
2,339
2,343
0,475
2,445
2,449
0,700
2,332
2,337
0,480
2,438
2,443
0,800
2,324
2,328
0,490
2,428
2,433
0,900
2,310
2,315
0,500
2,421
2,425
1,00
2,301
2,303
0,525
2,402
2,407
1,20
2,290
2,294
0,550
2,386
2,392
1,40
2,285
2,288
0,575
2,375
2,378

23А. ВЮРЦИТ ZnS
187
^ 2 с i о f ? 1,275*107 го.
Формула дисперсии показателя преломления п2=5,131 +^ZZoT32~T67
17. Пропускание и поглощение. 0,36 ч- 12 мкм [2, 41].
18. Электрооптические свойства.
Г1/П9 10~10 см/В
г13=0,92 для Я=0,36 мкм; г33=1,85 для Я=0,60 мкм [472, 473]; ri3=0,9,
г33=1,8 для К = 0,633 мкм; г33=1,7 для Х = 3,39 мкм [474].
19. Пьезо- и упругооптические свойства.
Х = 0,633 мкм [470]
V2 (Ри—Р12) =0,019
Pii — —0,115, /7хз = —{-0,025,
Р12 === | 0,0170, Рзз ——0,13,
/?зх = ~j-0,0271, —0*0627.
Рис. 23А.16Л Дисперсия пока»
вателей преломления п вюрцита
при Г=25 °С: X—> п , О—«о
£471].
Рис. 23А.22.1. Зависимость
пьезомодулей rf31, dt6t ds3
вюрцита от температуры [468].

188
23А. ВЮРЦИТ ZnS
20. 	Нелинейные оптические свойства.
[392]
К, мкм
dj?, ю~‘2 м/в
•
б®/°, Ю“*м/Кл
П©
пШ Град)
1,058
й$з = 13,5 ±0,8
^зз = 1,74 ±0,1
2,299
2,403
10,6
d16 = 21,4 ± 8,4
$15 = 3,42 ± 1,34
2,266
2,265
10,6
dsi — 18,85 ± 6,3
6,1 = 30,1 ± 1,0
2,264
2,270
10,6
d$з = 37,3 ± 12,6
633 = 5,89 ± 1,99
2,269
2,270
21. 	Акустооптические свойства.
#зв fooi]» ^зв jooij* ^св fool]» Mi = 27«10“7 сэд2-с/г, Ж2=:34*10,“^ с^/г*
Ма = 4,7« 10~*2см-с2/г для Я = 0,633 мкм [41].
X = 0,633 мкм при Г = 20 °С [470]
Тип
волны
Мзв
^зв
^св
^св
М%,
10“** С*/Р
L
X
X
у или г
X
3,34
—
—
Z
г
У
0,0732
—
—
—
У
г
0,197
L
Z
Z
X
У
0,13
__
X
г
3,4
5
X
У
Z
произволен.
8,03
5
У
г
в пл. 2-среза
z или J г
8,38
QL
х' *)
, 2° к х'
г'
х'
3,42
—
—
—
г'
У
0,128
QL
У
У
*'
г*
j 0,122
22. 	Пьезоэлектрические свойства. Рис. 23А.22.1.
^15 = —8,4* 10~8 ед.ЧХСЭ, c?8i = —3,4-10 “ 8 ед. СГСЗ, d38 = 9,7-10*8 ед. СГСЭ
[468].
23. Дополнительные сведения.
Полупроводник, Eg — 3,6 эВ при Г = 300 К [468].

23Б. СФАЛЕРИТ ZnS
189
23Б. СУЛЬФИД ЦИНКА, СФАЛЕРИТ 0-ZnS
1. Вид материала. Монокристалл синтетический. Выращивается из
расплава и из газовой фазы.
Природный минерал сфалерит (цинковая обманка).
2. Симметрия кристалла. Кубическая, класс 43 т, F43 т Существует
также гексагональная модификация — вюрцит, см. 23А, и много политипов.
Постоянные решетки, А. 5,4145 ± 0,00009.
3. Молекулярный вес. См. вюрцит.
4. Плотность. См. вюрцит.
5. Температуры фазовых переходов. См. вюрцит.
6. Растворимость. См. вюрцит.
7. Удельная теплоемкость, кал/г- К.
0,116; 0,118 [223]; ср в области Т = 2 -г И К см. [475].
Гд =334 ± 60 К [476].
8. Тепловое расширение, К-1. а= Л • 10“64-5-10“8 ТС» 10"11 Г2,
[64]
т, °с
А
в
с
1
сл
О
+
О
6,16
0,517
—11,8
20 4-70
6,70
1,28
0
[14]
, К
300
290
280
270
260
250
240
230
220
210
200
а,
10*“®
6,7
6,4
6,3
6,2
6,0
5,8
5,5
5,3
5,2
5,0
' 4,8
> К
190
180
170
160
150
140
130
120
ПО
100
90
а,
ю-6
4,6
4,4
4,1
3,8
3,5
3,1
2,7
2,4
1,6-
1*6
9. Теплопроводность, Вт/см*К.'0,026 [460].
10. Спайность. По (110) [2].
11. Твердость, По Моосу 3,5 -f- 4 [131, 132]; по Кнупу 178 ± 27 кгс/мм2,
инденторная нагрузка 25 г, направление индентора [011] [2].
= 175 -*• 200 кгс/мм2 [134, 426],
12. Упругие постоянные.
С mm ю11 дин/см2 [477] smn, 10~12см2,:дин [477]
Т, °С
Си
сй
си
Ci2
Т, сС
Sn
4
5°
S44
1
i sit
25
—196
10,46
10,71
4,613
4,655
4,643
4,693
6,53
6,67
25
— 196
1,839
1,786
2,168
2,148
2,154
2,131
i
[—0,707
J—0,685
!

190 23Б. СФАЛЕРИТ ZnS
Лупр = 1,94 [28].
Стп* 1011 дин/см2
г,°с
С ц
С44
Сг 2
т, °с
СЧ
с44
ctг
300
9,81
4,483
6,27
160
9,96
4,534
6,38
280
9,83
4,491
6,28
140
9,98
4,541
6,40
260
9,85
4,498
6,30
120
10,00
4,547
6,41
240
9,88
4,505
6,32
100
10,02
4,553
6,42
220
9,90
4,512
6,33
90
10,02
4,555
6,43
200
9,92
4,519
6,35
77
10,03
4,558
6,44
180
9,94
4,526
6,36
Максимальные ошибки: с44 = 0,12%, с12 = 0,3б%; сг1 = 0,5%.
Измерено динамическим методом [476, 479].
7s£ = 98-10-«K-V 7^ = 78.10~» К"1, ^^бО-Ю-в К-1 при Т=
— 196-4-25 °С [480].
13. 	Скорости упругих волн, 10б см/с. См. рис. 1.13.1.
VL[ Xiol =-5,51, Vs [100-J = 2,888 [41].
[28]
В плоскости (001)
вдоль оси [100]
В плоскости (110)
вдоль оси [001]
В плоскости (111)
вдоль оси £1103
[.Од* 10* см/с
Ду^/Яоо, %
у„,105см/с
К
ДОд/Оов, %
v , 10* см/с
2,360
1,19
3,015
1,17’
2,051
14. Затухание упругих волн, дБ/см-ГГц2. 27 для az.ro out 130 для vsfooi] [41].
15, Диэлектрические свойства. ег = 8,3 при Г = 25 °С, ег=8,1 при
Т = —196 °С, ео/в0 = 8,37, е®/е0 = 8,32 [477, 481].

23Б. СФАЛЕРИТ ZnS 191
16. 	Показатели преломления. Рис. 23Б.16.1, 23Б.16.2. См. рис. 12.16.1.
[483]
X, мкм
«о
Я, мкм
по
0,3650
2,679
0,4358
2,490
0,3654
2,676
0,4916
2,426
0,3663
2,673
0,5461
2,390
0,3906
2,583
0,5780
2,375
0,4047
2,549
1,5296
2,284
0,4077
2,540
— ■
—
17. 	Пропускание и поглощение. См. вюрцит.
Л, мкм
Рис. 23Б.16.1. Дисперсия
коэффициента преломления п: 1—CdTe,
2—ZnTe, 3—CdSe, 4—ZnSe, 5—CdS,
6—ZnS [482].
Рис. 23Б.16 2. Дисперсия
коэффициента преломления сфалерита
[483].
Рис. 23Б.18.1. Дисперсия электрооптического коэффициента r4i сфалерита £31]:
/—[398], 2—[484, 485].

192
23Б. СФАЛЕРИТ ZnS
■18, Электрооптические свойства, Рис, 23БЛ8Л.
Т = 20 °С [486, 485]
X, мкм 3,4 4,5 5,45 5,9 6,2
гц, 10 - 8 ед. СГСЭ 0,404 0,436 0,504 0,546 0,5
Зависимость V&/2 от X [413].
19. Пьезооптические и упругооптические свойства.
л12 = —3,16- Ю~13 см2/дин при ^ = 0,589 мкм [437], зх44 = 19,8 брюстер при
0,560 мкм [270].
/?п = 0,091, Pi2 = —0,01, р44 = 0,075 при X = 0,630 мкм [79].
20. Нелинейные оптические свойства.
[392]
%> МКМ 1
!О-** м/В
6\f, 10-* м*/Кл
пш (9, град)
1,058
^36=24,6 i 1,5
636=3,2 i 0,19
2,289
2,40
10,(5
G?i4=30,6 i 8,4 |
б14=5,08 ± 1,39
2,25
2,26
21. Акустооптические свойства.
^зв
^зв ! £зв
{ ■
Mlt 10~7CiM2-c/г
М2, 10-18 сз/г
Ms, 10~12 см-с2/г
[110]
I
[ПО] [ПО]
!
1
24,3
3,41
4,41
X=0,633 мкм
[41,6]
22, Пьезоэлектрические свойства.
[31, 481j
о
О
е14, 10* ед. СГСЭ
d14, 10 —8 ед. СГСЭ
25
4,41
9,54
— 196
4,86
10,38
23. 	Дополнительные сведения.
Полупроводник. Ширина запрещенной зоны Eg = 3,799 эВ при Т = 14 К
[392],
Имеет много политипов. Монокристалл часто представляет собой
сочетание сфалерита с вюрцитом и с другими политипными модификациями.

24. СЕЛЕНИД ЦИНКА ZnSe
193
24. 	СЕЛЕНИД ЦИНКА ZnSe
1. Вид материала. Монокристалл синтетический. Выращивается из
паровой фазы и из расплава [3, 488].
Редкий природный минерал — штиллеит [489].
2. Симметрия кристалла. Кубическая, класс 43 m, F43m, структурный
тип сфалерита. Кристаллы гексагональной модификации со структурой вюр-
цита выращиваются из расплава под давлением 150 ч- 200 атм [490].
Постоянные решетки, А. а = 5,6687 [460]; для гексагональной
модификации: а = 4,003, с = 6,540, с/а = 0,8169 [3, 460].
3. Молекулярный вес. 144,34 [3].
4. Плотность, г/см3. 5,42 [3, 223]; 5,264 при Г = 18°С [491]; для штил-
леита 5,29 [489]; для гексагональной модификации 5,13 [490].
5. Температуры фазовых переходов, °С. 7,Пл = 1400 °С [3], Тразл = 1100 °С
[62, 492]; Гпл = 1526 ± 10 при /7=10 ч- 20 МН/м2[461].
6. Растворимость.
В воде не растворяется. Растворяется в спиртах и в HNOs [223].
7. Удельная теплоемкость.
Теплоемкость в интервале от 2 до 25 К см. [475].
r w 8. Тепловое расширение, К"1. 7,7 [36].
[14]
Т,
, К
300
290
280
270
260
250
240
230
220
210
200
190
180
ос-
10е
7,8
7,7
7,6
7,5
7,4
7,3
7,2
7,0
6,8
6,6
6,4
6,2
6,0
г,
, к
170
160
150
140
130
120
110
100
90
80
70
60
а«
10е
5,8
5,5
5,2
4,8
4,5
4,1
3,6
3,1
2,6
1,9
1,3
0,57
9. 	Теплопроводность. 1298* 10”4 Дж/см*К [36]; 0,19 Вт/см*К [3]. См. также
[493].
^УТ!0. Спайность. По (011), (111), (001); микроспайность по (001) [489]; для
гексагональной модификации по (1120) [490].
11. Твердость. По Моосу 3-ь 4 [489]; по Кнупу 150 кгс/мм2 [36].
Яд = 100 ч- 137 кгс/мм2 на (110) [20, 465, 426]; анизотропию
микротвердости см. [465].
12. Упругие постоянные.
стп, 1011 дин/см2
си
с44
СХг
8,72±0,8
3,92±0,4
5,24±0,8
[1, 31, 3]
8,59±0,3
4,06 ±0,2
5,06±0,4
[491]
8,10±5,2
4,41±1,3
4,88±4,9
[477]
7 Под ред. М. П. Шаскольской

194 24. СЕЛЕНИД ЦИНКА ZnSe
W 10“12 см2/дин [477]
> mE
п
Sit
®12
*44
*44
2,26
—0,85
2,27
2,27
Температурные зависимости упругих постоянных.
Стп№1г дин/см2 [494]
г, к
Си
С44
с12
(Cn-Ci*)/2
(сц + 2с1а)/з
300
8,95
3,984
5,39
1,780
6,58
280
8,98
3,994
5,41
1,785
6,60
260
9,02
4,004
5,435
1,790
6,63
240
9,05
4,014
5,46
1,795
6,66
220
9,08
4,024
5,48
1,800
6,68
200
9,11
4,035
5,505
1,805
6,71
180
9,14
4,045
5,53
1,810
6,73
160
9,17
4,055
5,55
1,815
6,76
140
9,21
4,060
5,57
1,820
6,78
120
9,24
4,064
5,59
1,825
6,81
100
9,27
4,069
5,61
1,830
6,83
90
9,28
4,071
5,62
1,833
6,84
77
9,29
4,074
5,625
1,835
6,85
13. Скорости упругих волн, 10б см/с.
*зв
^зв
Тип волны
г>[491]
v ±0,2% [495]
[001]
[001]
L
4,07 ±0,01
4,0386
[001]
[110]
S
2,73±0,01
2,770
[110]
[110]
L
4,55 ±0,02
4,5496
[110]
[001]
S
2,73±0,01
2,7782
[110]
[110]
S
1,82±0,02
1,8323
15. 	Диэлектрические свойства, см. рис. 22.15.1.
6 = 8,1 на СВЧ [416]; е = 8,80±0,07 (экстраполировано к 0 К [445]) для
f = 20 ч- 1 МГц, Ю4 В/см [445].

24. СЕЛЕНИД ЦИНКА ZnSe
195
16. 	Показатель преломления. См. рис. 23Б.16.1.
[36]
X, мкм 0,589 1,0 1,5 2,0 8 10,6 13
п 2,61 2,48 2,45 2,44 2,418 2,404 2,386
п2—1=2,855 + 2,045 Х2/(Х2—0,109) [392].
^-==48-ГО-8 К"1 [36].
17. 	Пропускание и поглощение. Рис. 24.17.1, 24.17.2. 0,5 12 мкм [490].
Л=5*10~7 см-1 при Я = 10,6 мкм [36].
Зависимость коэффициента поглощения от температуры см. [496].
Рис. 24.17.1. Пропускание осажденного из паров ZnSe (толщина образца 4,65 см) [53].
1}%
Рис. 24.17.2. Спектральное пропускание пластинки гексагонального ZnSe (толщина
образца 2,8 мм) [490].
18. Электрооптические свойства. r4i = 2,0*10_12 м/В при X = 0,546 мкм;
/’41 = 2,2-10”12 м/В при X =10,6 мкм [392].
19. Пьезооптические и упругооптические свойства.
лп = (—1,48 ± 0,05)-10-12 м2/Н; я12 = ( + 0,22 ± 0,05)• 10~12 м2/Н [497].
7*

196 25. СУЛЬФИД КАДМИЯ CdS
20. 	Нелинейные оптические свойства.
[392]
45*. 10-»* м/В
6|f, 10-* м*/Кл
К, мкм
/г®
пш (0, град)
<*30 = 31,7 ± 1,95
бзв = 2,21 ± 0,14
1,058
2,48
2,66
<*14 = 78,3 ± 29,3
6ы = 7,6±3
10,6
2,42
2,43
22. Пьезоэлектрические свойства. du—1,1 • 10”12 Кл/Н, еи = 0,049 Кл/м2,
£14 = 0,026 при Т = 25 °С [477].
23. Дополнительные сведения.
Полупроводник, Eg = 2,58 эВ при Т = 300 К [458]; Eg = 2,78 эВ [460].
При выращивании часто образуются кристаллы, в которых смешаны
гексагональная и кубическая модификации.
25. 	СУЛЬФИД КАДМИЯ CdS
1. Вид материала.
Монокристалл синтетический, желтый до коричневого. Выращивается из
газовой фазы и из расплава под давлением.
Природный минерал гринокит,
2. Симметрия кристалла.
Гексагональная 6mm, P6smc, (Св0), структурный тип вюрцита.
Имеется кубическая модификация, 43/я, структурный тип сфалерита. В
природных и синтетических кристаллах часто смешаны обе модификации.
Приводимые ниже сведения об анизотропных физических свойствах CdS
относятся к гексагональной модификации.
Постоянные решетки, А. Для гексагональной модификации а = 4,1348,
с=6,7490; для кубической модификации а = 5,832 [3].
3. Молекулярный вес. 144,48.
4. Плотность, г/см3. 4,820 [223].
5. Температуры фазовых переходов, °С. Тпл = 2023 [62]; Тпл= 1500 при
р = 100 атм [498]; Тпл=1475 при минимальном давлении 3,8 атм [460]; Тпл =
= 1264 при >=20МН/м2 [461].
6. Растворимость, г/100 г воды. 0,00013 при 7 = 18°С. Растворяется
в кислотах [2].

25. СУЛЬФИД КАДМИЯ CdS 197
7. 	Удельная теплоемкость, Дж/моль-К, рис. 25.7.1.
[499]
т, к
СР
cv
т, к
СР
cv
5
0,094
75
24,453
24,448
6
0,153
—
80
25,808
25,803
8
0,383
—
85
27,180
27,175
10
0,787
—
90
28,402
28,395
15
3,060
—
95
29,469
29,461
20
5,912
100
30,537
30,528
25
8,358
—
120
34,124
34,111
30
10,361
—
140
36,798
36,798
35
12,169
—
160
38,928
38,906
40
13,884
13,883
180
40,834
40,806
45
15,532
15,531
200
42,532
42,498
50
17,121
17,120
220
43,904
43,864
55
18,673
18,671
240
45,156
45,110
60
20,198
20,196
260
46,160
46,108
65
21,655
21,655
280
46,960
46,901
70
23,071
23,067
300
47,578
47,515
8. Тепловое расширение, 10“6 К"*1. аз=3,5; ai=5,0 при Т,=50ч-500 °С [498].
9. Теплопроводность, Вт/см*К. Рис. 25.9.1. и8 = 0,20 при Т = 300 К [460].
10. 	Спайность. По (ЮТО) [2].
Рис. 25.7.1. Теплоемкость
Ср CdS 1499].
%}Вт/ш‘К
Рис. 25.9.1. Теплопроводность
у, CdS |16].

198
25. СУЛЬФИД КАДМИЯ CdS
11. Твердость. По Моосу 3-ь 3,5 [2]; по Кнупу 121 кгс/мм2 вдоль оси с,
73 кгс/мм2 перпендикулярно оси с, инденторная нагрузка 100 г [2].
Нц = 40 -т- 45 кгс/мм2 на грани призмы [465], Нц = 120 ~ 130 кгс/мм2 на
(0001); по Викерсу, 102 кгс/мм2 вдоль оси с, 48 кгс/мм2 перпендикулярно
оси с [488].
12. Упругие постоянные.
[500, 477]
smn> Ю
~12 см2/дин
стпу Ю1* Дин/см2
smn. Ю“12см2/дин
cmm 10И дин/см*
JL
2,069
Си 9,07
sg 2,040
Си 9,13
1,697
Сад 9,38
sg 1,581
eg 9,623
Е
$12
—0,999
5,81
s& —1,028
С12 5,88
Е
«13
—0,581
4 5,10
sfg —0,523
cfs 4,97
Е
S44
6,649
eft 1,504
su 6,412
Сы 1,560
s66
6,136
Сев 1,630
Температурные зависимости упругих постоянных.
Tsmn> 10-е К-*
Г5ц=П6, Tsi2 = 87, Ts1D2 = 96, Ts?3 = -216, Tsf8= 107[477]; Tc33 =
=—216 [501].
13. 	Скорости упругих волн, 105 см/с. Рис. 25.13.1—25.13.6, см. рис. П.П.2.
[503, 504, 41]
Тип волны
"зв
^ав
vt 10* см/е
L
[001]
[001]
4,414±0,005
S
[001]
[010]
1,7571 ±0,001
S
[001]
[100]
1,7574± 0,001
S
[001]
под углом 45° к [100]
1,7575±0,001
S
[100]
[001]
1,7565 ±0,001
S
[100]
[010]
1,8271 ±0,001
L
[100]
[100]
4,181 ±0,004

25. СУЛЬФИД КАДМИЯ CdS
199
Рис. 25.13.1. Сечения поверхностей фазовых
скоростей CdS: I~vi* //*—»§» пло’
скостью ху [502].
Рис. 25.13.2. Сечения
поверхностей медленностей CdS
плоскостью, перпендикулярной оси
г, без учета пьезоэффекта:
/-l/oL, II-1/vs{U3BJlz),
IIl-\/vs{U9B\\z) I35J.
Рис. 25.13.3. Сечения
поверхностей медленностей CdS
плоскостью, содержащей ось г, без
учета пьезоэффекта: 7—QL,
II — QS, III — S (угол 0
отсчитывается от оси г) [35].
Рис. 25.13.4. Зависимость
величины Дод/ооо и скорости
рэлеевской упругой волны г>д,
распространяющейся в плоскости
2-среза CdS, от угла между
направлением распространения и
[001] [438].

200
25. СУЛЬФИД КАДМИЯ CdS
Рио. 25.13.6. Зависимость
величины Avд/v оо и скорости
рэлеевской упругой волны
распространяющейся в плоскости 45° х•
среза CdS, от угла между
направлением распространения и [101]
(штриховая кривая соответствует
скорости медленной объемной
волны) [438].
vr,m/c
Рис. 25.13.6. Зависимость
скорости распространения
рэлеевской волны и величины
Avj^/voo х- и у-оси були CdS от
величины угла Эйлера /л, см.
рис. П.1.1, ПЛ.2 (угол потока
энергии Ф равен нулю [44])^
[506]
Тип волны
"зв
^зв
v, 103 м/с
L
[0110]
[ОНО]
1,013
L
[2ТТ0]
[2U0]
4,013
L
[0001]
[0001]
4,270
S
[0110]
[0001]
1,750
S
[0001]
[0110]
1,750
S
[01 ТО]
[2П0]
1,810
S
[2110]
[ОНО]
1,810

25. СУЛЬФИД КАДМИЯ CdS 201
[430, 505, 444]
Плоскость
распространения
"зв
Од, 10е см/с
Av^/Voo-lO*
z-срез
все направления
эквивалентны
1,7308
23,63
*-срез
[010]
1,7302
0
л;-срез
[001]
1,7177
26,08
45°г/-срез
[Т01]
1,8020
0
22,5°*/-срез
II г
1,716
0,26
14. Затухание упругих волн. 90 дБ/см*ГГц2 для ujrriooj [41], рис.
25.14.1 —25.14.5.
Зависимость В от Е& см. [26].
15. Диэлектрические свойства.
[31, 477]
еТ
е11
гт
взз
СХ1
е33
т, °с
9,35
10,38
9,02
9,53
25
8,48
9,48
—
—
—196
16. Показатель преломления. Рис. 25.16.1. См. рис. 23Б.16.1.
[2]
Л, мкм
По
пе
X, мкм
По
пе
мкм
По
пе
0,512
2,751
0,530
2,649
2,654
0,750
2,390
2,409
0,513
—
2,743
0,533
2,638
2,644
0,800
2,374
2,392
0,514
—
2,737
0,535
2,628
2,637
0,850
2,361
2,378
0,515
2,743
2,726
0,538
2,617
2,628
0,900
2,350
2,368
0,516
2,735
2,720
0,540
2,609
2,622
0,950
2,341
2,359
0,517
2,727
2,714
0,543
2,602
2,612
1,00
2,334
2,352
0,518
2,718
2,706
0,545
2,587
2,606
1,05
2,328
2,346
0,519
2,709
2,702
0,548
2,584
2,600
1,10
2,324
2,340
0,520
2,702
2,698
0,550
2,580
2,593
1,15
2,320
2,336
0,521
2,700
2,694
0,575
2,528
2,545
1,20
2,316
2,332
0,522
2,694
2,689
0,600
2,493
2,511
1,25
2,312
2,329
0,523
2,687
2,685
0,625
2,467
2,484
1,30
2,309
2,326
0,524
2,681
2,680
0,650
2,446
2,463
1,35
2,306
2,323
0,525
2,674
2,675
0,675
2,427
2,446
1,40
2,304
2,321
0,528
2,661
2,665
0,700
2,414
2,432
—
—
—

202
25. СУЛЬФИД КАДМИЯ CdS
%бЬ/см
Рис. 25.14. ^Зависимость затухания
продольной упругой волны В, распространяющейся
перпендикулярно оси с CdS, от частоты в
фотопроводящих образцах CdS: 1—Г=71 К,
2—Т=300 К [507].
Рис. 25.14.2. Зависимость затухания
продольной упругой волны В^,
распространяющейся в плоскости,
перпендикулярной оси с CdS, от
температуры при /=100 МГц в
фотопроводящих образцах (сплошная кривая
проведена с учетом поправки на
низкотемпературное поглощение)
[507].
Рис. 25.14.3. Зависимость
затухания В пьезоэлектрически активной
упругой сдвиговой волны,
распространяющейся перпендикулярно оси
с, от частоты при 7=300 К в
образцах CdS с темновой
проводимостью [507J.
Рис. 25.14.4.
Зависимость^ затухания упругой
волны В в CdS от
проводимости [508].

25. СУЛЬФИД КАДМИЯ CdS
203
Пв>Щ
Рис. 25.14.5. Зависимость затухания
В упругой волны в CdS от
приложенного электрического поля:
/—а=6,7.10-«; 2—а= 2 -1 О”*;
3—<7=0,35.10-* Ом-1-см-1 [5081.
Рис. 25.16.1. Дисперсия
показателей преломления «CdS при Г=25°С;
Х-V °~Л7 [4713-
А,см'
Z
О г 4 6 8
Рис. 25.17.1. Дисперсия коэффициента поглощения A CdS [498].
10 12 14 16
17. Пропускание и поглощение. 0,52^ 16мкм[32]. Рис. 25.17.1.
Зависимость /, % от X см. [498].
18. Электрооптические свойства.
гб1 = 11,1 * 10~8 ед. СГСЭ, /'аз = 7,2* 10~8 ед. СГСЭ, гп = 3,3 • 10 “ 8 ед. СГСЭ
при X = 5460 А и Т -20 °С [446].
г is— 1,1* Ю12 см/В при X = 0,515 мкм, г38 = 2,4* 1012 см/В при Х = 0,60 мкм,
гЪ1 = 3,7-1012 см/В [509].
[472]
X, мкм 0,589 0,589 10,6 0,633 0,515
г/те, 1012м/В г с —4 гъ1 — 3,7 гс = 5,5 ri9 = 2,4 /"is =1,1
X, мкм
rL Ю-12 м/В
rl3, 10-12 м/В
Г42, 10“12 м/В
[510]
1,15 3,39
3,2±0,2 2,9±0,1
3,1 ±0,2 3,5±0,1
2,0±0,2 2,0±0,2
10,6
2,75±0,08
2,45±0,08
1,7±0,3
0,633
1,6±0,2

204
25. СУЛЬФИД КАДМИЯ CdS
19. Пьезооптические и упругооптические свойства.
Pii = 0,142, /?12 = —0,066, /?44 = 0,084, /?3х=0,041 для Я=0,63 мкм; /?ц=0,104,
Pi2 = 0,016 для %= 10,6мкм [472].
20. Нелинейные оптические свойства.
[392]
d\f, 10-12 м/в
Ю-2 М2/Кл
К, мкм
я2(О(0, град)
di5=17,0± 1,4
6i5=l,62±0,13
1,0582
2,336
2,649
<*31=15,6±0,9
б31=1,5 ±0,09
1,0582
2,327
2,654
^зз==30,7± 1,9
бзз=2,83±0,17
1,0582
2,345
2,654
d15=28,9±7,1
бхб=4,88± 1,2
10.6
2,252
2,244
rf3i=26, 4 ± 6,3
63х=4,45±1,06
10,6
2,242
2,265
^зз=44,0 ± 12,6
633=7,1 ±2,0
10,6
2,263
2,265
21. Акустооптические свойства.
% = 0,633 мкм [41]
"зв
"зв
Е
Ми 10-7 см2-с/г
М2, 10“18 с3/г
М3, 10-« см-с2/г
100
100
100
51,8
12,1
12,4
22. Пьезоэлектрические свойства.
dtmt 10“8 ед. СГСЭ: d15 = —41,94, dsi = —15,54, = 30,96;
dim* 10”12 Кл/Н: d15 = —13,98, dsi = —5,18, d33:= 10,32;
ein, 104 ед.СГСЭ: e15 = 6,30, e31 = 7,32, e33 = 4,14;
ein, Кл/м2:е15 =—0,210, e91 — —0,244, eS3 = 0,440 [446];
&33 = 0,262, ^3! = 0,119, ^5 = 0,188 приТ=25°С [477].
23. Дополнительные сведения.
Активный материал для полупроводниковых лазеров.
Максимальная величина абсолютного усиления УЗ продольных волн
возрастает от 7 дБ/см при 17 МГц до 54 дБ/см при 145 МГц. В частотном
диапазоне 17 4-120 МГц максимальное значение коэффициента усиления
ультразвука получается на косом срезе, составляющем угол 25 ч- 35° с осью
с [392, 511, 505].
На частоте 30 МГц в импульсном режиме усиление ультразвуковых
поверхностных волн равно 28 дБ/гм [512]. Влияние поперечного дрейфа
электронов на поглощение поверхностных акустических волн в CdS см. [513].
Удельное сопротивление 102 ч- 1012 Ом*см [514].

26. СЕЛЕНИД КАДМИЯ CdSe
26. СЕЛЕНИД КАДМИЯ CdSe
205
1. Вид материала. Монокристалл синтетический, черный. Выращивается
из газовой фазы и из расплава [3].
Редкий природный минерал (кадмоселит) [222].
2. Симметрия кристалла. а-CdSe: гексагональная, класс 6mm, P63mc,
Cqv, структурный тип вюрцита. Имеется неустойчивая кубическая
модификация р-CdSe структурный тип сфалерита [3].
Постоянные решетки, А. а-CdSe: а = 4,2985, с=7,0150 [222]; p-CdSe:
а=6,052[3]; кадмоселит: а = 4,277, с = 6,970 [489].
3. Молекулярный вес. 121,37 [2].
4. Плотность, г/см3. 5,81 [223]; 5,68 [481].
5. Температуры фазовых переходов, °С. Тил=\240 при Жаргона = 15атм;
Тс= 130 [3]; Гпл = 1100± 10 при р = 20 МН/м2 [461], Гпл= Н85 [514].
6. Растворимость. Не растворяется в воде; разлагается в кислотах;
растворяется в азотной и фосфорной кислоте при нагревании [489].
7. Удельная теплоемкость, кал/г*К. 0,0209 при 7* = 80 К [515].
Гд=181 К [464].
9. Теплопроводность, Вт/см*К. 0,043 при Г = 300 К [460].
10. Спайность. По (ЮТО), микроспайность по (01 ТО) [489].
11. Твердость. По Моосу 3,25; по Кнупу 90 кгс/мм2 на плоскости (ЮТО)
параллельно [0001], нагрузка 20 г [20].
На грани призмы Ну, = 44 кгс/мм2, нагрузка 50 -f* 100 г [465].
12. Упругие постоянные. Рис. 26.12.1.
1010 Н/м2 [477]
«1»
С 38
9**
Си
ClS
с*
7,41
8,36
1,317
4,52
3,93
(Р
7,42
8,477
1,340
4,53
3,86
10-«м*/Н
Sll
See
S44
Si*
[Sis
s*
2,338
1,735
7,595
—1,122
—0,572
[477]
2,332
1,670
7,466
-1,138
—0,539
[477]
2,327
1,694
7,605
—1,144
—0,5498
[464]

206 26. СЕЛЕЩ1Д КАДМИЯ CdSe
13. 	Скорости упругих волн, 105 см/с.
[464J
*зв
изв
VL
3,630
|| оси а
|| оси а
3,856
|| оси с
[|оси с
VQL
3,572
под 45° к осям а и с
под 45° к осям а и с
VS
1,592
II оси а
J_ оси с
1,521
|| оси с
1,520
|| оси а
|| оси с
15. Диэлектрические свойства. 8и = 9,02, е^з = 9,53 [477]; еГ3/еа = 10,6,
ef3/e0=10,2, 8ц/е0=9,70 [481],
16. Показатели преломления. Рис. 26.16.1, см. рис. 23Б.16.1.
[392]
По
пе
мкм
По
пе
Я, мкм
2,6448
2,6607
0,8
2,4612
2,4798
2,4
2,5826
2,6027
0,9
2,4590
2,4784
2,6
2,5502
2,5696
1,0
2,4562
2,4757
2,8
2,5132
2,5331
1,2
2,4542
2,4741
3,0
2,4929
2,5133
1,4
2,4532
2,4726
3,2
2,4818
2,5008
1,6
2,4518
2,4714
3,4
2,4732
2,4930
1,8
2,4509
2,4702
3,6
2,4682
2,4873
2,0
2,4498
2,4694
3,8
2,4642
2,4840
2,2
2,4491
2,4685
4,0
17. Пропускание и поглощение. 0,75 ч- 25,0 мкм [2].
18. Электрооптические свойства. Гм = 4,3-1012 м/В, л&=1,8-1012м/В [516];
rs—коэффициенты, измеренные при частотах электрического поля, намного
превышающих частоту собственного акустического резонанса.

26. СЕЛЕНИД КАДМИЦ^ CdSe
207
59
55 - \
 51\
 47 - \
 43 - \
 39 -
J^L-J—1—1—!—I—I—L—I—I
О* /9° •490 60° 80*99*
Угол
Рис, 26.12.1. Ориентационная
зависимость модуля Юнга
Яю= l/sjx CdSe (0—угол,
отсчитываемый от оси с) [464].
20. 	Нелинейные оптические свойства.
[392]
4®. Ю-1* м/В
6^\ 10-* ма/Кл
Я, мкм
п*
пш (0, град)
^зз=879,6±4,9
8зз=3,54 ± 0,22
1,058
2,560
3,036
<*i5=31±7,5
б15=2,8±0,67
10,6
2,453
2,447
<*зх=28,5 ± 6,3
бз1=2,56 ± 0,57
10,6
2,445
2,465
<*зз=54,5 ±12,6
633=4,73 ± 1,09
10,6
2,462
2,465
22. 	Пьезоэлектрические свойства.
die —31,53* Ю“8ед. СГСЭ, d9± =—11,76«10~8 ед. СГСЭ, <*88 = 23,52.10-8 ед.
СГСЭ [31].
[477, 481, 457]
dim• 10~1а WH
ki)
е1п• Кл/М*
<*31= —3,92
&зз=0,194
*31 = — 0,160
<*зз = 7,84
^3i=—0,084
взз = 0,347
с?15 =—10,51
^15 = “—0,130
^15 = —0,138
23. 	Дополнительные сведения.
Полупроводник, 1,481,68 эВ [489].
Используется для усиления ультразвука и для полупроводниковых лазеров.
РЯ=10 -f- 1010 Ом-см [514].
Рис. 26.16.1. Дисперсия
показателей преломления п CdSe:

208
27. АНТИМОНИД ИНДИЯДпБЬ
27. 	АНТИМОНИД ИНДИЯ InSb
1. Вид материала. Монокристалл синтетический, выращивается из расплава
и из газовой фазы.
2. Симметрия кристалла. Кубическая, 43m, F 43т ('Т%. Структура
сфалерита [84].
Постоянные решетки, А. 6,48 [86]; 6,7748 [84]; параметры решетки при
различных давлениях см. [1259].
3. Молекулярный вес. 236,57 [3].
4. Плотность, г/см3. 5,79 [84]; 5,68 [3].
5. Температуры фазовых переходов, °С. Гпл = 523 [84]; Гпл = 504 [86].
7. Удельная теплоемкость, кал/г*ат*К. Рис. 27.7.1.
8. Тепловое расширение. 10""6К”1 -4,67 [3].
ср, кпл/г-ат* V
Рис. 27.7.1. Теплоемкость с InSb при низких (с) и высоких (б) температурах [86].
Рис* 27.9.1. Теплопроводность з-с InSb при низких (а) и высоких (б) температурах [861

27. АНТИМОНИД ИНДИЯ InSb
209
[86]
7\ К 300 350 400 450 500 550 600 650 700 750 800 850 900 950
ср 6,06 6,12 6,19 6,25 6,32 6,38 6,45 6,51 6,58 6,66 6,70 8,0 8,0 8,0
Гд = 210 К [86].
9. 	Теплопроводность, Вт*см*“1К”1. 0,17 [3]. Рис. 27.9.1.
11. Твердость. #^=220 кгс-мм“2 [3].
12. Упругие постоянные.
стпр, 10й Н/м2 [86]
£lll
Сц»
С1*9
—3,14±0,2
-2,10±0,2
-0,48±0,2
0416
Cl44
£iee
0,002 ±0,01
0,09±0,01
— 1,18±0,1
13. 	Скорости упругих волн, 105 см/с. рис. 27.13.1—27.13.3, см. рис. 1.13.1.
vs = 2,3 [51, 74, 518]; £>[noi [ooi] = 2,26 [519].
Vs,Vr,M/S
Рис. 27.13.Д . Зависимость скорости распространения рэлеевских упругих и объемных
сдвиговых волн vs 2-среза InSb от величины угла Эйлера 0 (см. рис. П.1.1, П. 1.2) [44].

27. АНТИМОНИД ИНДИЯ InSb
vr,m/c
Рис. 27.13.2. Зависимость
скорости распространения
рэлеевской упругой волны V£,
величины AVft/Voo и угла потока
энергии Ф(110)-среза InSb от
величины угла Эйлера 0 (см.
рис. П.1.1. П.1.2) [44].
Рис. 27.13.3. Зависимость
скорости распространения
рэлеевской упругой волны v^t
величины Avj^/voo и угла потока
энергии Ф(111)-среза IrtSb от
величины угла Эйлера 6 (см.
рис. ПЛ.1, П.1.2) [44].
Рис. 27.16.1. Дисперсия показателя преломления п InSb [86].

27. АНТИМОНИД ИНДИЯ InSb 211
14. Затухание упругих волн. <
[48]
Направление
и тип волны
f. ГГц
^8КСП* «Б/СМ
врасч» ДБ/СМ
[100] vL
0,11
6,4±0,4
vs
0,58
5,1 ±0,3
4,7±0,5
[110] vL
0,11
4,8±0,6
4,8 ±0,4
Л
0,58
4,5±0,4
4,7±0,6
VS
0,58
8,8±0,8
8,5± 1,2
[111] VL
0,11

4,4 ±0,2
Vs
0,58
6,2± 1,8
6,6±1,0
Тензор фононной вязкости см. [48].
15. Диэлектрические свойства. е = 17,5 [520].
16. Показатель преломления. Рис. 27.16.1. См. рис. П.П. 10.
22. Пьезоэлектрические свойства, е14 = 0,08 Кл/м2 [520].
23. Дополнительные сведения, рис. 27.23.1.
Частотная зависимость усиления и потерь в акустическом усилителе из
п-InSb см. [1300].
Зависимость коэффициента усиления звука от напряженности магнитного
поля см. [521, 520].
севшем
Рис. 27.23.1. Зависимость коэффициента усиления звука аэл от частоты при 7=77 К:
а) О—(1 —»др/°зв)= 100» (1 —^др/^зв)^150» точки—эксперимент, штриховые линии —
теория без учета разогрева, сплошная линия—теория с учетом разогрева электронов;
б) в сильном поперечном магнитном поле О —Я=4,8,# —//=1,95 кЭ, точки — эксперимент,
штриховые линии—теория |[521] (е = 17,5, язв~2,3-10*, К*=1»4*10“*) [520].

212
28. ОКИСЬ ЦИНКА, ЦИНКИТ ZnO
Зависимость коэффициента Холла от обратной температуры, холловская
подвижность электронов в InSb в зависимости от температуры, зависимость
холловской подвижности дырок в InSb от температуры, зависимость
эффективной массы электронов в InSb от магнитного поля см. [84].
Зонная структура антимонида индия; температурная зависимость
подвижности носителей в антимониде индия см. [86].
Вклад акустических фононов в фононную теплопроводность, коэффициент
отражения для антимонида индия см. [86].
Зависимость электронного усиления гиперзвука от мощности звукового
потока см. [522].
28. 	ОКИСЬ ЦИНКА, ЦИНКИТ ZnO
1. Вид материала. Монокристалл синтетический, выращивается
гидротермальным методом и из газовой фазы.
Природный минерал цинкит, цинкоксит.
2. Симметрия кристалла. Гексагональная, класс 6mm, P63mc(Ce0),
структурный тип вюрцита. Существует и кубическая модификация со структурой
сфалерита.
Постоянные решетки, А. а = 3,249858 ± 8* 10”6, с = 5,206619 ± 2«10”6,
с/а= 1,602107 при Т = 298 К [1].
3. Молекулярный вес. 81,38 [97].
4. Плотность, г/см3. 5,642 ± 12*10~3 при Т = 298 К [1].
5. Температуры фазовых переходов, °С. 7^ = 1870 [523], Тпл = 1975
[223, 392].
6. Растворимость, г/100 г воды. 0,00016. Растворяется в кислотах,
щелочах, хлористом аммонии [97].
7. Удельная теплоемкость, кал/г-К.
[524]
Т, К 20 30 50 100 150 200 300 500 900
ср 0,00209 0,00737 0,02433 0,05210 0,07643 0,08847 0,1187 0,1376 0,1511
[525]
Т, К 80 150 250 400 600 1000 1500
Ср, Дж/моль*К 13,60 25,86 37,03 45,33 49,50 53,18 56,29
Гд=416 К [523].
8. Тепловое расширение, 10~* К-1. См. рис. П.Н.2.
ат= А • 10-0 + В ■ 10-8Г + С• Ю-ИГ*; Л,| = 3,9; Вц = 1,2; Лх= 3,2; В±=
=0,76 при Г =-20 ч- 70 °С [64].

28. ОКИСЬ ЦИНКА, ЦИНКИТ ZnO 213
[1]
20 < Т < 300 °С
20 < Т < 600 °С
20 < Т < 1200 °С
<%1
5,85
6,77
8,10
а2
5,25
5,23
4,71
9. Теплопроводность, кал/К *см*с.
71, К 473 673 873 1073
х 0,0409 0,0268 0,0167 0,01305
10. Спайность. По (1010), совершенная [527, 131].
11. Твердость. По Моосу 4 [131, 527]; по Кнупу 170 кгс/мм2, индентор-
ная нагрузка 100 г [2].
[523]
Плоскость
испытания
Направление
индентора
Ящ, кгс/мм2
(001)
[100],[110]
274
(001)
[100],[110]
238
(100)
[001]
241
(100)
[100]
170
12. 	Упругие постоянные.
Стп> Юи дин/см2 при Т — 25 °С [31, 72]
Си
Сап
С4 4
Clt
Схг
20,9718
21,0941
4,2449
4,4289
12,114
10,513
Smn, Ю-» сма/дин [31, 35]
sn
S88
S44
s66
S«
StJB
0,7858
0,7821
0,694
0,693
2,357
2,36
2,258
-0,3432
—0,340
—0,2206
—0,220

28. ОКИСЬ ЦИНКА, ЦИНКИТ ZnO
13. 	Скорости упругих волн. 105 см/с, рис. 28.13.1, 28.13.4.
[528, 481]
*зв
"зв
V
^зв JL с
^зв JL с
6,0776(L)
ЛГЗВ || с
ивъ || с
6,0961 (L)
45° к оси с
45° к оси с
5,9387(L)
^зв _L с
U3B±c
2,79328(5)
А^ЗВ JL с
UaB || с
2,73505(5)
^зв II 0
tf3B_Lc
2,73530(5)
45° к оси с
45° к оси с
2,76307(5)
Плоскость
распространения
ДТ
зв
VR
Avr,
к -10*
*со
г-срез
Все направления
эквивалентны
2,800
0
[438]
х-срез
[010]
2,8378
17,44
[438]
*-срез
[001]
2,7524
0
[438]
45° л>срез
[101]
2,9157
92,33
[438]
2-срез
[100]
2,680
—
[444]
[481]
Импеданс ри,
10е кг/с*мг
Ориентация
относительно оси с
Тип
волны
Частотная
постоянная N,
МГц *мкм
36,4
0°
L
3200
16,4
90°
5
2880
18,4
43,0°
5
1620
Частотные зависимости скоростей упругих волн. Рис. 28.13.2, 28.13.3.
14. 	Затухание упругих волн. Рис. 28.14.1.

28. ОКИСЬ ЦИНКА, ЦИНКИТ ZnO
215
&
Av*
•104'
*а)
О
Рис. 28.13.1. Зависимость скорости распространения рэлеевской упругой волны vg,
распространяющейся в плоскости 45° х-среза ZnO, и величины At^/г/оо от угла между
направлением распространения и [010] (а) и волны, распространяющейся в плоскости
дг-среза и величины Av^/voo от угла между направлением распространения и [010] (б)
(пунктирная кривая соответствует скорости медленной объемной волны) [438].
vl,W5cm/o
Рис. 2 8.13.2. Зависимость
скорости продольной волны Vjj
распространяющейся в ZnO
перпендикулярно оси с, от частоты:
/ — нескорректированная
скорость; 2 — скорость,
скорректированная с учетом связанных эф*
фектов [528J.
%, 105см/с
Рис. 28.13.3. Зависимость скорости
сдвиговой упругой волны v§ с
поляризацией, перпендикулярной
оси с, распространяющейся в ZnO
перпендикулярно оси с от частоты:
1 — нескорректированная скорость,
2 — скорость, скорректированная с
учетом связанных эффектов [528].
15. 	Диэлектрические свойства
е|з/е0 = 8,8, е&/е0 = 8,3 [477];
833/80= 11 >0, 8>ii/&q==9,26 [530];
е§|/ео = 8,84, еп/80 = 8,33 [481].

216
28. ОКИСЬ ЦИНКА, ЦИНКИТ ZnO
пространения релеевской упругой
волны и величина х* У-оси бу-
ли ZnO от угла Эйлера ц (см. рис. П Л. 1,
П.1.2). Усредненный по времени угол
потока энергии Ф равен нулю £44].
16. 	Показатель преломления. Рис.
Д 95/ом
Рис. 28.14.1. Зависимость затуха-
хания упругой продольной волнш В,
распространяющейся по оси с
высокоомного ZnO, при Т=ТК0 я от
частоты [529J.
28.16.1, 28.16.2.
[392]
[Я, мкм
По
пе
Я, мкм
По
пе
0,45
2,105
2,123
2,00
1,9197
1,9330
0,50
2,051
2,0681
2,20
1,9173
1,9313
0,60
1,998
2,0147
2,40
1,9152
1,9297
0,70
1,973
1,9897
2,60
1,9128
1,9265
0,80
1,959
1,9752
2,80
1,9100
1,9251
0,90
1,949
1,9654
3,00
1,9075
1,9214
1,00
1,9435
1,9589
3,20
1,9049
1,9186
1,20
1,9354
1,9500
3,40
1,9022
1,9160
1,40
1,9298
1,9429
3,60
1,8994
1,9127
1,60
1,9257
1,9402
3,80
1,8964
1,9101
1,80
1,9226
1,9370
4,00
1,8891
1,9068

28. ОКИСЬ ЦИНКА, ЦИНКИТ ZnO
Т=4,2 К [531]
217
Я, мкм
0,366429
0,366715
0,36701
0,36904
0,37119
0,37351
0,37565
0,37784
0,37969
0,38187
п0
9,843
6,734
9,414
3,089
2,747
2,595
2,513
2,454
2,417
2,382
Я, мкм
0,36371
0,36567
0,36754
0,36979
0,37152
0,37385
0,37568
0,37790
0,38049
0,38190
пе
3,525
2,917
2,722
2,598
2,539
2,478
2,411
2,407
2,374
2,358
Я, мкм
0,38586
0,38743
0,39092
0,39285
0,39489
0,39704
0,39939
0,40189
По
2,332
2,316
2,286
2,272
2,258
2,245
2,232
2,220
Я, мкм
0,38344
0,38508
0,38870
0,39283
0,39502
0,39992
0,40531
0,40819
0,41127
пе
2,343
2,328
2,300
2,273
2,260
2,237
2,215
2,204
2,194
пмт
Л, А
Рис. 2 8.16.1. Дисперсия коэффициентов
преломления п0 и пе ZnO при Г = 298, Т = 77 и
Т=4,2 К [531].
лО) г>е
т,к
Рис. 28.16.2. Зависимость
коэффициентов преломления п0 и tie
ZnO от температуры: +-Яо,
ф-пе [6311.
17. 	Пропускание и поглощение. 6,0 9.5 мкм [2]; см. также [532].

218
28. ОКИСЬ ЦИНКА, ЦИНКИТ ZnO
18. Электрооптические свойства.
гза = — 1,4«1012 м/В при Л = 0,633 мкм; r33 = +0,96* 1012 м/В при
Х = 3,39 мкм [512].
19. Пьезооптические и упругооптические свойства.
\рп | = 0,221, \р121=0,099, |/?3i | = 0,089, р13 = -0,090, /?3з = —0,263,
/74^ = —0,061, К = 0,633 нм [533].
[534]
jkl
a 55: 2,67 Ом-см
a < 10~8 Ом-см
Pllll
0,222
0,221
Pll22
0,099
0,099
Р 3311
0,088
0,089
Р 3333
—0,111
—0,090
Pl331
—0,235
—0,263
Pl313
—0,061
—0,061
Pll 33
—0,056
—0,061
21. 	Нелинейные оптические свойства.
Коэффициенты генерации второй гармоники [392]
10“‘2 м/В
10-2 m*/B^
21, мкм
/1®
/12® (0, град)
rfiB = 2,32±0,2
615 = 1,08±0,09
1,0582
1,947
2,03
^3i = 2,1 ±0,2
631 = 0,98±0,09
1,0582
1,939
2,048
&зз — 7,0±0,2
633 = 3,16 ±0,09
1,0582
1,955
2,048
22. Пьезоэлектрические свойства.
rf33= 10,6.10-12 Кл/Н, rf31 = —5,2*10“12 Кл/н, <*15 =—13,9-ю-12 Кл/Н;
6*3= 1.14 Кл/м2, е31 = —0,61 Кл/М*, е15 = 0,59 Кл/м2; й83=0,408, kai = —0,189,
^5=0,282, kt = 0,282, k33 = 0,4l, k31=— 0,19, ft15=-0,31, k3i = 0,28 [481,
530, 535, 536].
23. Дополнительные сведения.
Полупроводник, ширина запрещенной зоны £„=3,436 эВ [531].
dEg
= эВ/К [537].
Активный материал для полупроводниковых лазеров.

29. ФЛЮОРИТ (ПЛАВИКОВЫЙ ШПАТ) CaF,
219
29. 	ФТОРИСТЫЙ КАЛЬЦИЙ, ФЛЮОРИТ CaF2
1. Вид материала. Монокристалл синтетический, выращивается из расплава.
Природный минерал флюорит, плавиковый шпат.
2. Симметрия кристалла. Кубическая, класс тЗт, РтЗт (О*),
структурный тип флюорита.
Постоянные решетки, А. 5,462 ± 3*10~3 [1]; 5,46295 [538]; 5,45277 ±
± 0,00008 [539]; зависимость а от Т см. [539].
3. Молекулярный вес. 78,08.
4. Плотность, г/см3, 3,180 при Г = 20 °С; зависимость р от Т в области
4,2-300 К см. п. 12 [540].
5. Температуры фазовых переходов, °С. Гпл —1403 [1]; Гпл = 1378 [541];
7ПЛ=1392 [542, 543].
6. Растворимость, 10-2 г/100 г воды.
[1, 97, 138]
Растворимость 0,05 16,08 17,3 26,6 40,0
Г, °С 131 148 150 160 167
0,06—0,07% в 0,1 N растворе НС1 при Ткомн; 0,2—0,3% в IN растворе
НС1 при Ткомн.
Хорошо растворяется в водных растворах LiCl и СаС12 [544].
7. Удельная теплоемкость, кал/г»К.
0,204 при 7 = 0 °С; 0,212 при Т = 40 °С [2]; значения ср(Т) и су(Т)
в области 3,5 — 31 К см. [540].
7д = 513,6 ± 2,5 К [540]; Гд =500 К [545]; зависимость Тд от Т см.
[540].
8. Тепловое расширение, К”1 см. рис. П.11.1, 29.16.2.
а = 19.46* 10~6-{-3,16* 10“8Г—0,47* 10“10r2 [1];
а= 18,38* 10“в [538]; а=19,07*10“б при Т = 320 К [539]; а = Л*10-6 +
+ В.10-8Г + С*10-117,2, а = 20,01*10~6 при Г = 20°С [546].
[2, 64]
Т, °С1
А
в
с
17 -т- 192
18,38
2,511
~21,Ю
43 637
1,851
1,481
21,52
р = 56-10-в К-1 [64].
Зависимость у (Т) см. [539].

220
29. ФЛЮОРИТ (ПЛАВИКОВЫЙ ШПАТ) CaF*
9. Теплопроводность, кал/К-см*с. Рис. 29.9.1, см, рис. 4.9.1.
[И
Г, К 83 200 273 298 373
х 0,0932 0,0360 0,02468 0,02320 0,01910
10. Спайность. Совершенная, по (111).
11. Твердость. По Моосу 4; по Кнупу 158 кгс/мм2 при нагрузке 500 г
[416]; 158 ч- 178 кгс/мм2 при нагрузке 300 г; Яд = 168 кгс/мм2 [133, 548].
Анизотропию твердости см. [548].
12. Упругие постоянные.
Стп, Ю1* ДИН/СМ2
Си
^44
С\2
С11
С\А
Cl 2
16,42
3,370
4,398
[550]
16,8
5,1
5,6
[553]
16,494
3,380
4,462
[551]
17,10
3,55
5,40
[25]
16,4
3,370
5,3
[540]
17,40
3,59
5,40
[25]
16,357
3,392
4,401
[552]
16,44
3,47
5,02
[342]
17
3,41
5,2
[31]
16,28
3,34
4,33
[25]
16,526
3,375
4,547
[549]
С/яп. 10й дин/см2 [540]
Т, к
Си
с44
Cl 2
р, г/см»
4,2
17,4
3,593
5,6
3,2107
20
17,4
3,593
5,4
3,2107
40
17,3
3,586
5,5
3,2106
60
17,3
3,576
5,3
3,2102
80
17,2
3,562
5,3
3,2094
100
17,1
3,548
5,4
3,2081
120
17,0
3,533
5,3
3,2063
140
16,9
3,518
5,5
3,2042
160
16,8
3,506
5,4
3,2017
180
16,7
3,487
5,5
3,1991
200
16,6
3,465
5,7
3,1962
220
16,5
3,449
5,6
3,1931
240
16,5
3,429
5,6
3,1898
260
16,4
3,409
5,7
3,1864
280
16,4
3,390
5,4
3,1830
300
16,4
3,370
5,3
3,1795

29. ФЛЮОРИТ (ПЛАВИКОВЫЙ.ШПАТ) CaF* 221
Лупр=0,6 [464]
Smm 10-И см2/дин
S11
S44
si*
7,01
29,5
—1,56
[31]
7,1
28,8
—1,66
[2]
6,95
29,5
—1,53
[32]
Температурная зависимость упругих постоянных. Рис. 29.12.1, 29.12.2.
Sffini 10-12 см2/дин *) [549]
7\ °C
sn
~si*
S44
3 (Sn -f-2s 12)
25
0,6868
0,1482
2,963
1,171
50
0,6894
0,1490
2,990
1,174
100
0,6939
0,1506
3,036
1,178
150
0,6991
0,1521
3,086
1,185
200
0,7041
0,1536
3,135
1,191
250
0,7101
0,1552
3,189
1,199
300
0,7156
0,1568
3,241
1,206
350
0,7213
0,1582
3,298
1,214
400
0,7270
0,1599
3,356
1,222
450
0,7326
0,1616
3,415
1,228
500
0,7377
0,1630
3,473
1,235
550
0,7434
0,1646
3,537
1,243
600
0,7486
0,1662
3,599
1,249
650
0,7539
0,1676
3,664
1,256
700
0,7590
0,1692
3,731
1,262
750
0,7645
0,1708
3,805
1,269
800
0,7693
0,1724
3,879
1,273
850
0,7752
0,1740
3,956 .
1,282
*) /==60 ч- 120 КГц, измерения на 3-й гармонике, ошибка Sn и s44 = 0»3%,
Si2 = 0,7%.

222
29. ФЛЮОРИТ (ПЛАВИКОВЫЙ ШПАТ) СаР2
Х,1!Г*№/Ш'С-К
Рис. 29.9 1. Теплопроводность и: Рис. 29.12.1. Зависимость упругих податли-
/ — CaF2, 2— BaF2 [547]. востей &тп (в 1012 см2/дин) для CaF2 от
температуры [549].
Рис. 29.12.2. Зависимость упругих жесткостей стп для CaF2 от
температуры [31, 540].
Тстп, 10-* К'1
Т, К
ТСц
ТСц
Tct2
273
—2,0
-3,4
—2,9
[31]
100 -ь 300
■ (-3)
(-2,6)
(0)
[31]
100 ~ 300
(-1.6)
—3,0
-2,1
[32]
298
—1,94
—3,62
—2,39
[32]
195
—1,68
—3,31
—2,10
[32]

29. ФЛЮОРИТ (ПЛАВИКОВЫЙ ШПАТ) CaF,
[261]
223
[пиш]
[001]
[012]
[011]
[112]
[123]
[122]
П и!
ЕЮ, Юи Н/м2
1,408
1,122
1,005
1,005
0,961
0,954
0,917
Gynp, 1011 Н/м2
0,347
0,394
0,433
0,433
0,451
0,458
0,472
13. 	Скорости упругих волн. 105 см/с. См. рис. ПЛ1.3.
[4]
VL [loo]
V
S[100]произв.
VL [но]
VS[ 110] [110]
VL [ill]
VS [111] произв.
17,193
3,30
6,68
4,24
6,50
3,95
7,2
—
6,6
4,2
6,6
—
VS [100] [001] = 3,3, uS[110j [001]=3,3, [xio]^3»6 I545!-
14. 	Затухание упругих волн, дБ/мкс. Рис. 29.14.1—29.14.4.
Для продольных волн £ = 0,4 (среднее значение для волн,
распространяющихся вдоль [100], [110], [111]).
Для быстрых поперечных волн £ = 0,3.
Отношение затухания медленных и быстрых поперечных волн В“/л| = 2
на частоте 500 МГц [545].
Рис. 29.14.1. Зависимость
затухания упругих
продольных волн В от частоты при
распространения вдоль [111]
при / — BaF2, 2 —
SrF„ 3-CaF* [645].
Рис. 29.14.2. Зависимость
затухания упругих волн В
от частоты при
распространении вдоль [110] при Т=
= ^комн в CaFe: / — и**, 2
vL, З-v| [545].

29. ФЛЮОРИТ (ПЛАВИКОВЫЙ ШПАТ) CaF*
BjBB/cm
£МГц
Рис. 29.14.3. Зависимость
затухания упругих
продольных волн В от частоты в CaF2
и BaF3: /—CaF2, 2+4 — BaF2,
/, 2 ~vL fll0], 3 —vL fmj,
4~4iiooj £554J-
В}дфм
Рис. 29.14.4. Расчетная и
экспериментальная частотная зависимости
затухания упругих волн в CaF2
и BaF* при Г=300 К: □ —Для
направлений [100], О—Для на“
правлений [110],
А—экспериментальные данные из работы [554],
сплошные линии—расчет [65Б].
Рис. 29.16.1. Дисперсия
показателя преломления
п CaF2 [2].
Рис. 29.16.2. Зависимость величины dnfdT
от Т для CaF2 при Я.= 1,15 мкм. Штриховая
линия—коэффициент теплового расширения а
[856].

29. ФЛЮОРИТ (ПЛАВИКОВЫЙ ШПАТ) CaF2
225
15. Диэлектрические свойства.
8 = 6,76 при / = 6,4-105 Гц; 7W2,05.10-4 (°С)-* [2, 37].
80 = 2,00, 8 = 8,43 [64].
Зависимость г (Т) аналогична NaCl, см. рис. 4.15.1.
16. Показатель преломления. Рис. 29.16.1—29.16.3, см. рис. П.11.11.
[2]
X, мкм
п
X, мкм
п
X, мкм
п
X, мкм
п
0,48615
1,43704
1,-5715
1,42596
-2^519
1,42018
4,400
1,40568
0,58758
1,43388
1,650
1,42558
2,700
1,41988
4,600
1,40357
0,58932
1,43384
1,7080
1,42502
2,750
1,41956
4,7146
1,40233
0,65630
1,43249
1,8400
1,42468
2,800
1,41923
4,800
1,40130
0,68671
1,43200
1,8688
1,42454
2,880
.1,41890
5,00
1,39908
0,72818
1,43143
1,900
1,42439
2,9466
1,41823
5,3036
1,39522
0,76653
1,43093
1,9153
1,42431
3,0500
1,41750
.5,8932
1,38712
0,88400
1,42980
1,9644
\]42407
3,0980
1,41714
6,4825
1,37824
1,0140
1,42884
2,0582
1,42360
3,2413
1,41610
7,0718
1,36805
1,08304
1,42843
2,0626
1,42357
3,400
1,41487
7,6612
1,35675
1,100
1,42834
2,1608
1,42306
3,5359
1,41376
8,2505
1,34440
1,1786
1,42789
2,250
1,42258
3,8306
1,41119
8,8398
1,33075
1,250
1,42752
2,3573
1,42198
4,00
1,40963
9,4291
1,31605
1,3756
1,42689
2,450
1,42143
4,1252
1,40847
1,4733
1,42642
2,5537
1,42080
4,2500
1,40722
0,002267 0,000069 0,0011157 0,00000162 0
X2—0,028 (X,2—0,028)2 (X2—0,028)2 (А,2—0,028)4 1 1
Рис. 29.16.3. Дисперсия величины dn/dX CaF2 [2].
8 Под р§д. М. П. Шас^ольской

226
29. ФЛЮОРИТ (ПЛАВИКОВЫЙ ШПАТ) CaF*
dn/dT, 10-6 К”1 [556]
мкм
Т, К
0,6328
1 ,15
3,39
310
—11,8 ± 0,7
—12,0 ± 0,5
—11,5 ± 0,7
330
— 12,4 ± 0,5
—12,6 ± 0,5
—12,0 ± 0,5
350
—12,7 ±0,5
—13,1 ± 0,5
—12,4 ± 0,5
4%
Рис. 29.17.1. Оптическое пропускание природного (штриховая линия) и синтетического
(сплошная линия) флюорита (Л=5 мм) в ультрафиолетовой и инфракрасной областях
спектра [54 1].
А,см'*т
6,0 5ЛА,тм
K}CM-f
Рис. 29.17.2. Коэффициент
поглощения A CaF2 [53].
Нелинейный коэффициент показателя
преломления, измеренный интерферометри-
ческим методом (1,90 ± 0,26)* 10“20 м2/Вт
[268].
-4=-= 1,18-10-5 К-1 для % = 5893А
а7
[557, 558],
17. 	Пропускание и поглощение. 0,125 —
-г- 10 мкм [541]; 0,14™ 8 мкм [538]; рис.
29.17.1,-29.17.2.
19. 	Пьезооптические и упругооптические
свойства.
Птт Ю~13 СМ2/ДИН [272]
Jt44
%, мкм
—1,45
0,698
0,589
—1,45
0,682
0,546

36. ФТОРЙСТЫЙ БАРИЙ ВаР* 22?
птп, Ю-13 см2/дин [31]
Яц — Я12
Яц
Я12
я44
Я, мкм
—1,393
—0,280
1,113
0,675
0,5893
—1,45
—0,29
1,16
0,698
0,589
% = -0,413 брюстер, л12=1,04 брюстер, я44 = 0,89 брюстер [557].
рп = 0,0258, /?12 = 0,202, р44 = 0,0239, Pi2//*u = 8,2 при Я = 5893 А.
(ри Р12)эксп == 0,232; (ри р12)расч==—0,057; р44 эксп = 0,029, р44 расч =
= 0,051 [221].
Ри
Р44
Р12
Р12/Р11
Ри — Pi*
Я, мкм
0,056
0,0236
0,228
—0,172
0,589
[31]
0,026
—
0,198
—
—
0,589
[32]
0,0443
0,0287
0,276
6,25
—
0,6328
[559]
21. 	Акустооптические свойства.
Акустооптическая эффективность М2(для Pi2) = 3,66 по отношению к М2
плавленого кварца [559].
23. 	Дополнительные сведения.
CaF2 с редкоземельными добавками — активный материал ОКГ—см. [560,416].
30. 	ФТОРИСТЫЙ БАРИЙ BaF2
1. Вид материала. Монокристалл синтетический, бесцветный,
выращивается из расплава.
2. Симметрия кристалла. Кубическая, класс тЗт, РтЗт, (PJ),
структурный тип флюорита.
Постоянные решетки, А. 6,196 ± 3» 10“3 [1].
3. Молекулярный вес. 175,34.
4. Плотность, г/см3. 4,893 ± 9* 10_3 [1].
5. Температуры фазовых переходов, °С. 7,пл=1354 [1].
6. Растворимость, г/100 г воды.
[1]
Растворимость 0,159 0,161 0,162
Т9 °С 9,5 18 24
Растворяется в кислотах и в хлористом аммонии [37, 97].
8*

228
30. ФТОРИСТЫЙ БАРИЙ ВаР,
7. Удельная теплоемкость, ^=17,02, кал/моль-К. cF=0,097 кал/г-К
[97].
8. Тепловое расширение, К”1. См. рис. П.П.1, 30.16.1. ч
аг=19,74.10-6 + 2,62.10-8Г + 0,15.10--10Г2 в области Г = 25~ 300°С [1].
7д =280 К [545];Тд = 288 К [7].
9. Теплопроводность, кал/К* см* с. См. рис. 29.9.1. 0,17 при Т = 311 К
[64,2,37].
10. Спайность. Совершенная по (111).
11. Твердость. По Моосу 3; по Кнупу 82 кгс/мм2, инденторная нагрузка
500 г [37];
71 87 кгс/мм2 при нагрузке 300 г [133]; анизотропию твердости см. Г133].
Нц, = 83,5 кгс/мм2 [561].
12. Упругие постоянные.
cmnt 1011 дин/см2
ctt
с44
С1 2
9,04
2,53
4,06
[32]
9,01
2,49
4,03
[2]
9,20'
2,57
4,18
[27]
Sn = 15,3-10~13 см2/дин, s44 = 39,5-10-13 см2/дин, s12 = —4,7• 10—13 см2/дин
[32].
'Зависимость Ею и Супр от направления в кристалле см. [261]. Лупр= 1 [545].
Температурные зависимости упругих постоянных. Рис. 30.12.1.
Тстт 10-4 К"1
т, к
Т с ц
Т с44
Тс12
273
—2,3
—2,9
-3,2
[31]
СЛ
о
•I*
СО
о
о
—5,9
0
(-6,6)
[31]
298
—2,22
—2,86
—3,14
[32]
195
—2,09
—2,66
—3,04
[32]
13. 	Скорости упругих волн, 105 см/с. См. рис. П.П.З.
' VL fiooj — VL fiioj = VL nil] — 4,3; v§ fiooj rooij = 4s rnoj rooi] = 2,2; v$ [noj [i loj =
==: [in] [!ioj = ?»3 для / = 200 -г- 1200 МГц при T = ГК0МН [545].

30. ФТОРИСТЫЙ БАРИЙ BaF2
т
JLп.^р'бн-1
ЬЖ*Х*
Рис. 30.12.1. Зависимость упругих
жесткостей Сщп BaF2 от температуры [31,
339].
Рис. 30.16.1. Зависимость величины dti/dТ
BaF2 от температуры при Я=6328 А
(штриховая линия—линейный коэффициент
теплового расширения а) [856].
14. Затухание упругих волн, дБ/мкс.
0,9 для V}г, 0,5 для Vs при / = 500 МГц [545]; см. рис. 29.14.1, 29.14.3,
29.14.4.
15. Диэлектрические свойства. 8 = 7,33 при / = 2-106 Гц [37].
16. Показатель преломления, рис. 30.16.1.
Я, мкм
п
Я, мкм
п
Я, мкм
п
Я, мкм
п
0,576960
1,47481
1,12866
1,46779
2,5766
1,46262
6,238
1,44216
0,57801
1,47478
1,3(5728
1,46673
2,6738
1,46234
6,6331
1,43899
0,589262
1,47443
1,52952
1,46613
3,2434
1,46018
6,8559
1,43694
0,64385
1,47302
1,681
1,46561
3,422
1,45940
7,0442
1,43529
0,65628
1,47274
1,701
1,46554
3,7067
1,45879
7,268
1,43314
0,706519
1,47177
1,918
1,46484
5,138
1,45012
8,662
1,41850
0,767858
1,47082
1,9701
1,46472
5,3034
1,44904
9,724
1,40514
0,85212
1,46984
2,1526
1,46410
5,343
1,44878
10,37
1,39636
0,89440
1,46942
2,167
1,46409
5,549
1,44732
1,01398
1,46847
2,32542 ,
1,46356
6,1843
1,44359

230 ФТОРИСТЫЙ БАРИЙ ВеР2
dn/dT, 10“6 К-1 [556]
Я, мкм
т, к
0,6328
1,15
3 ,39
310
—16,7 ± 0,4
— 17,1 ± 0,5
—16,8 ±0,4
330
—17,3 ± 0,3
—17,5 ± 0,5
—17,3J± 0.5
350
—17,9 ± 0,3
—17,8 ± 0,5
—17,6 ± 0,4
Зависимость п от X см. [32].
■^-=1,18-10-5 К"1 при *, = 5893 А [268].
17. 	Пропускание и поглощение. 0,15 -ь 15 мкм [37]; 0,8 12 мкм [416];
рис. 30.17.1, 30.17.2.
Нелинейный коэффициент показателя преломления, измеренный
интерферометр и ческим методом (2,85 ± 0,57)* 10“20 м2/Вт [268].
1,%
Рис. 30.17.1. Оптическое пропускание BaF2 Ф>— 5 мм) в ультрафиолетовой и
инфракрасной областях спектра [541].
Л. мм
М 8JI
Рис. 30.17.2. Коэффициент поглощения A BaF2 [53].

31. РУТИЛ TiO.
231
19. Пьезооптические и упругооптические свойства.
(Яц-Я12), брюстеры
я44, брюстеры
Я, мкм
—2,94
0,94
0,546
[272]
—2,82
1,06
0,546
[207]
% = —0,617 брюстера, я12 = 2,31 брюстера, я44=1,06 брюстера [557].
Я, мкм
Ри
Pl2
Р 44
Р12/Р11
0,6328
0,110
0,257
0,0142
2,34
[501]
■ —
0,131
0,277
0,0264
2,12
[557]
(Ри Р12)эксп — 147, {Рц Р1г)расч — 0,099, р44 эксп — 0,014, Р44 расч —
= 0,072 [221].
23. 	Дополнительные сведения.
BaF2 с редкоземельными добавками — активный материал ОКГ см. [416,
538, 562].
31. 	РУТИЛ ТЮ2
1. Вид материала. Синтетические кристаллы, выращиваются из расплава.
Природный минерал рутил.
2. Симметрия кристалла. Тетрагональная, класс 4/ттт, Р4тпт, (D\h)
[1, 97, 563, 564].
Постоянные решетки, с/а = 0,6441 [565]; а = 4,49236* [97]; с = 2,8930£ге
[97]; а = 4,59373 А, с = 2,95812А, с/а = 0,6439 [560, 566].
3. Молекулярный вес. 79,90 [97].
4. Плотность, г/см3.
4,6 [79, 567]; 4,26 [223]; 4,28 [44]; 4,23 [564].
5. Температуры фазовых переходов, °С.
7"пл = 1825 [237]; Гпл = 1830 - 1850 [223].
6. Растворимость.
Не растворяется в воде. Растворяется в концентрированной серной
кислоте [978].
7. Удельная теплоемкость, кал/г»К. 0,17 при Г = 25 °С [37], 7д = 726 К
[25, 568], 7д = 712 К [25, 569].
8. Тепловое расширение, 10~6 К-1. 9,19 при 7, = 20ч- 70 °С [64];
оь„ =9,19, а± = 7,14 при 'Г = 40°С [37]; а,, =9,19* 10~6 + 2,25-10“8 Г,
— 7,14-10“6 4- 1,10 -10-8Г при Г = 20 -f- 70 °С [64],

232
31. РУТИЛ Ti02
9. Теплопроводность, кал/см -с * К.
7\ К 309 317 340
к || у 10“2 3 — 3,3 [64]
х±, 10“а — 2,1 1,7 [37]
см. также [570].
10. Спайность. По (110) и (100) [222, 571].
11. Твердость. По Моосу 5 ч- 5,5 для природного кристалла [19]; 6-ь 6,5
для природного кристалла [571]; по Кнупу 879 кгс/мм2, нагрузка на инден-
тор 500 г [237], 792 кгс/мм2, нагрузка на индентор 1000 г для природного
кристалла [222].
12. Упругие постоянные.
стп> Ю12 дин/см2
Сц
^33
С44
свв
ctz
^13
2,73
4,84
1,25
1,94
1,76
1,49
[25, 568]
2,800
4,600
1,200
1,600
1,800
1,400
[25, 569]
2,66
4,699
1,239
1,886
1,733
1,362
[572, 573]
2,714
4,840
1,244
1,948
1,780
1,496
[563, 574]
2,701
4,819
1,239
1,930
1,766
1,480
[563]
2,703
4,827
1,246
1,936
1,77
1,49
[572]
2,75 *)
4,47
1,23
1,81
1,80
1,23
[560]
2,71
4,84
1,24
1,95
1,78
1,50
[560]
*) Расчетное значение.
W 1°~13 см2/дин [575]
Т, °с
sn
S 33
2 Si
3+ S44
1/2 (Slt-
-Si
.2 Sgg)
25
6,787
±0,003
2,592
±
0,004
6,464
±0,016
8,197,
>±
0,011
100
6,786
± 0,006
2,635
+
0,010
6,528
±0,039
8,026
±
0,056
200
6,789
±0,010
2,689
±
0,015
6,617
±0,063
7,843
±
0,041
300
6,799
± 0,040
2,744
±
0,066
6,725
± 0,273
7,687
±
0,178
400
6,808
±0,016
2,803
±
0,024
6,793
± 0,099
7,529
±
0,065
500
6,828
±0,012
2,860
±
0,017
6,881
±0,071
7,396
±
0,046
600
6,855
± 0,009
2,923
+
0,013
6,965
±0,056
7,272
±
0,036
700
6,886
±0,039
2,988
±
0,058
7,065
±0,238
7,142
±
0,155
800
6,926
±0,035
3,045
±
0,052
7,219
±0,217
7,046
±
0,141
900
6,973
±0,026
3,113
±
0,038
7,325
±0,157
6,955
±
0,103
1000
7,036
±0,088
3,181
±
0,031
7,414
±0,540
6,890
•±
0,353 •

31. РУТИЛ Tie*
233
T,I(
Рис. 31.12.1. Зависимость
упругих жесткостей стп рутила ТЮ2
от температуры при /?= 1 атм
[563].
ЩшЖУ/И
Рис. 31.12.2. Зависимость упругих
податливостей Smn рутила ТЮ2 от температуры:
1—Sn—si*—1/2see* 2—Sn, 3—2Si3 + S44>
4 —S$3 [575J.
Зависимость упругих жесткостей ТЮ2 от давления при комнатной
температуре см. [563].
Зависимость модуля Юнга ТЮ2 от ориентации кристалла при различных
температурах см. [575].
Sn = 6,55-10“13 см2/дин, s33 = 2,59* 10“13 см2/дин, s44 = 8,00-10“13 см2/дин,
s66 = 5,16-10—13 см2/дин, s12 =—3,76-10“13 см2/дин, s13 =—0,86-10—13 см2/дин
[31].
[560]
дсц/др
dc3z/dp
dc4Jdp
дсц/др
дс12/др
дс13/др
6,41*)
3,12
2,10
3,08
6,58
4,14
6,47
8,34
1,10
6,43
9,10
5,02
*) Расчетные значения.
Коэффициент Пуассона 0,276 [25].
Температурные зависимости упругих постоянных. Рис. 31.12.1, 31.12.2.
13. 	Скорости упругих волн, 10б см/с. Рис. 31.13.1—31.13.5, см. рис. П.II.5.

234
31. РУТЙЛ Tide
Рис. 31.13.1. Волновая поверхность рутила [576|,
а) в)
Рис. 31.13.2. Сечения волновой поверхности рутила ТЮ2: плоскостью z=0 (а),
плоскостью у— 0 (б) [576].
Рис. 31.13.3. Зависимость скорости распространения рэлеевской упругой волны и
угла потока энергии Ф х- и ^-срезов рутила ТЮ2 от величины угла Эйлера (см. рис. ПЛ. 1,
ПЛ.2) [44].

31. РУТИЛ Ti02
235
Тип
колебаний
"зв
"зв
V
v при Т = 4,2К
v при Т—77К
L
10,3
метод эхо-импульсов
[577]
S
—
—
5,38
[577]
L
[1120]
[1120]
7,86
[79]
L
—
—
9,272
[25, 568]
S
—
—
5,158
[25, 568]
L
—
—
9,152
[25, 569]
S
—
—
5,041
[25, 569]
L
[100]
[100]
8,014
. [72]
S
[100]
[010]
6,756'
[72]
S
[100]
[001]
5,424
[72]
L
[110]
[110]
9,935
10,42
10,40
[578]
S
[110]
[110]
3,300
3,255
3,272
[578]
S
[110]
[100]
5,389
5,482
5,482
[578]
S
[001]
[110]
5,399
5,500
5,469
[578]
L
[010]
[010]
7,958
8,197
8,197
[578]
L
[001]
[001]
10,94
10,66
10,81
[578]
S
[010]
[100]
6,700
—
7,140
[578]
L
[100]
—
7,929
—
[564]
L
[010]
—
7,929
—
—
[564]
L
[110]
—.
9,950
—
—
[564]
Зависимость v# на плоскостях (110) и (010) от угла 0 см. [28].
14. 	Затухание упругих волн. 3,4 дБ/см для vsiоои при / = 2,8 ГГц [4,
577, 580J, 0,55 дБ/см-ГГц2 [41]; 0,5 дБ/см для t^z.cooi3 ПРИ / = 500 МГц [579];
зависимость В от /. см. [564]; зависимость В от Т см. [578]. Рис. 31.14.1—
31.14.8. См. рис. П.Н.13.
Рис. 31.13.4. Зависимость скорости распространения рэлеевской упругой волны и
объемной сдвиговой волны «^г-среза рутила ТЮ2 от величины угла Эйлера 0 (см. рис. ПЛ . 1,
ПЛ.2) |44J.

236
31. РУТИЛ TiOa
Vr,M/C
Рис. 31.13.5. Зависимость скорости
распространения рэлеевской
акустической волны Vg в рутиле ТЮ2 (х — ось
були) от величины угла Эйлера ц, (см.
рис. П. 1.1, П. 1.2). Угол потока
энергии Ф равен нулю [44].
Рис. 31.14.1. Зависимость затухания
упругих волн в рутиле ТЮ2от частоты
для v^ в плоскости (100): ф
—измерение методом эхо-импульсов, 0 — акУст0'
оптические измерения, свет поляризован
по [001], сплошная линия—зависимость
затухания от /2 [689].
Рис. 31.14.2. Зависимость затухания
упругих волн в рутиле ТЮ2 от частоты:
Q—продольные колебания, Д —
сдвиговые колебания [577].
£,вб/см
Рис. 31.14.3. Зависимость затухания упругих
продольных волн при f= 1 ГГц,
распространяющихся вдоль оси с рутила ТЮг, от
температуры [4].

31. РУТИЛ Ti02
237
Рис. 31.14.4. Зависимость затухания упругих продольных волн В в рутиле ТЮ2 от
частоты [564].
Ж
1(Г
Л
о
о
== °0 OOO^OodOrf0
Iji > I м nuf г г
1 10
aj
IK
В, дБ/см
В, дБ/см
10-
1Р
43
%
$
*
f f I l ull t-O-LUXUl I—L
и
Рис. 31.14.5, Зависимость затухания упругих волн в рутиле ТЮ2 от температуры для
продольных колебаний: акустическая волна распространяется вдоль оси с (а),
акустическая волна распространяется в направлении [110] (б): ф — 3 ГГц, О— I ГГц. Ддя
образцов, представленных на рис. а) и б), отожженных в вакууме ори Т—850 °С. в
течение 10 часов (в, г) (Д—для образцов, отожжейных при 1050 аС)

238
31. РУТИЛ TiO,
Рис. 31.14.6. Зависимость затухания в рутиле ТЮ2 для упругих продольных волн (а)
и сдвиговых волн (б), распространяющихся вдоль оси с, от температуры: ф— f= 3 ГГц,
Q—f= 1 ГГц. На рис. показана элементарная ячейка ТЮ2: О—атомы кислорода,
ф-^атомы титана, п — направление распространения ультразвуковой волны, и — смещение
частиц [578].
В-В42кД/м
Рис. 31.14.7. Зависимость затухания в рутиле ТЮ2 для упругих продольных волн,
распространяющихся вдоль оси а, от температуры: ф—f=3 ГГц, Q—ГГГц (см. рй'с. 31.14.6)
' Й7§].‘ - -

239
Рис. 31.14.8. Зависимость затухания в рутиле ТЮ2 для медленных и быстрых упругих
сдвиговых волн (б, в), для продольных упругих волн (а), распространяющихся вдоль
направления [110], от температуры: ф —/=3 ГГц, Q—/=1 (см. рис. 31.14.6) [578].
600К,см-1
Рис. 31.15.1. Зависимость отражения R и линейной части диэлектрической
проницаемости е" рутила ТЮ2 от волнового числа: вдоль оси с (а), вдоль оси а (б) (отражение
измерено при угле падения 45° с электрическим вектором, перпендикулярным плоскости
падения при Г = 300 К) [588].

240
31. РУТИЛ Ti02
15. 	Диэлектрические свойства. Рис. 31.15.1, 31.15.2.
8 ц — 200 —■ 160* при / = 104 ч- 107 Гц и Г = 25°С, 8Х = 87,385,8 при
/=100 -4- 10’ Гц и Г = 25°С [237];
б1 = 86, е3=170 при 27°С [565];
833= 167 при / = 1 МГц [585];
еп = 69, 833= 173 [586, 587];
в! = 89,8, е* = 10,16, 83= 166,7, s* = 16,46 [560]*);
(381/йр)Расч = —10.131 Мбар-1, (дг^др)эксп = 12,07;
(де3/др)расч =—1,20 Мбар-1, (де3/др)эксп = 1,20. .
Зависимость в u от длины волны см. [589].
т,к
Рис. 31.15.2. Зависимость
статической диэлектрической
проницаемости 8а и ес рутила ТЮ2 от
температуры [56 5]: сплошная линия — [565],
штриховая линия—[1 304].
Рис. 31.16.1. Дисперсия
показателей преломления рутила ТЮ2: 1 —
п0, 2 — пе [2].
16. 	Показатель преломления. Рис. 31.16.1.
К мкм
%
0,546
2,6505
2,9467
[78, 590]
0,579
2,6214
2,9100
[78, 590]
0,607
2,6003
2,8842
[78, 590]
0,672
2,5648
2,8397
[78, 590]
0,691
2,5555
2,8294
[78, 590]
0,708
2,5495
—
[78, 590]
0,5893
2,616
2,903
[565]
0,5893
2,587
2,902
[591]
*) гп — экспериментальные значения.

РУТИЛ ТЮ2
241
(dnJdT)-10* = —4,36, (dne/dT)-105 = —8,6 при X = 0,436 мкм [78, 567].
dn0/dp = 0,11-10“ 3 кбар-1, dne/dp =—0,49* 1-0 ~3 кбар”1 [591].
Зависимости п0 и пе от гидростатического давления см. [591].
Зависимость показателя преломления от температуры см. [64].
17. 	Пропускание и поглощение. 0,43--6,2 мкм [41, 37]; 0,4-г-4,5 мкм [79];
рис. 31.17.1, см. рис. 31.15.1.
Спектральное пропускание см. [37]. Зависимость R от А, см. [589].
А, от*
Рис. 31.17.1. Коэффициент поглощения А рутила ТЮ2: /—обыкновенного и 2
—необыкновенного лучей при 7’=7’комн [2].
19. Пьезо- и упругооптические свойства.
Ри
Рзз
Р12
Р13
Рз1
К мкм
0,011
0,058
0,172
0,168
0,0965
0,6338
[79] •)
0,008
0,062
0,17
0,16
0,095
0,633
[581]
0,01
—
—
0,16
0,10
0,633
[564]
*) В [591] приведены те же значения /?13, рзъ /?33, но со знаком минус.
21. Акустооптические свойства. См. рис. П.II. 13.
[581]
"зв
"зв
в
Мъ, 10-19 ед. СГСЭ
Ми ю-’ ед. СГСЭ
[001]
[001]
±[001]
15,2
44,0
[001]
[001]
II [001]
4,4
14,2
[100]
[100]
II [001]
23,7
44,0
[100]
[100]
II [010]
42,1
67,6
[100]
[010]
±[001]
11,8
13,7
' [100]
[100]
II [100]
Z 0,1
Z 0,2

242
32. ГТАРАТЁЛЛУРиТ ТеО*
X = 0,633 мкм
N
и
Е
м 1,
м2,
М3,
зв
зв
10-’ ед. СГСЭ
10-18 ед. СГСЭ
10-12 ед. СГСЭ
[100]
[100]
II [010]
62,5
3,93
7,97
[41,583]
[001]
[001]
±[001]
44
1,52
4,0
[41]
М2 = 2,6-10~18 с3/г для р12 [72].
23, Дополнительные сведения. Рамановские спектры см. [592].
32. 	ПАРАТЕЛЛУРИТ Те02
1. Вид материала. Синтетический монокристалл выращивается из
расплава по методу Чохральского [593, 594] и гидротермальным методом [595].
Редкий минерал ряда рутила [222].
2. Симметрия кристалла. Тетрагональная, класс 422 (D4) [596]. D\\
искаженная структура типа рутила [392].
Постоянные решетки, А.
а
с
с/а
4,79
3,77
0,79
[597]
4,805
7,609
1,58
[598]
4,796 ± 0,002
7,626 ± 0,002
1,59
[599]
4,8122 ± 0,0006
7,6157 ± 0,0006
1,58
[600]
Зависимость параметров элементарной ячейки от давления см. [601].
3. Молекулярный вес. 159,5 [602].
4. Плотность, г/см3. 5,72 н-6,02 [593]; 5,93 [603]; 5,99 ± 0,03 [604, 605];
6,02 [606]; 6,12 [607].
8. Тепловое расширение, 10”6 К-1. Рис. 32.8.1.
ai 1 = 17,7, а22 = 17,7, а33 = 5,5 [608]; ах = 20,0, а3 = 6,6 [594].

32. ПАРАТЕЛЛУРИТ Te02
243
Рис. 32.8.1. Коэффициент
теплового расширения а парателлу-
рита Те02 [604].
Рис. 32.12.1. Зависимость
эффективных констант жесткости Стп па"
рателлурита Те02 для двух мод
колебаний, распространяющихся в
плоскости (001), от угла между
направлением распространения и
кристаллографическим направлением
[100]: 1—*/2 (^и + ^12 + 2свв), 2—
Ч2 (clt-cl2) [608].
12. 	Упругие постоянные, рис. 32.12.1.
С/ЯП. Ю11 дин/см2
С\\
 ^33
с44
5,6 ± 3%
5,32
5,57 ± 0,13
5,6
10,51 ± 30/0
10,85
10,58 ± 0,24
10,6
. 2,70 ±2%
2,44
2,65 ± 0,06
2,65
С$9
Cl 2
<?13
6,68 ± 2%
5,52
6,59 ± 0,15
6,6
5,16 ± 3%
4,86
5,12 ± 0,24
5,1
2,72 ± 6%
2,12
2,18 ± 0,20
2,2
[609]
[610]
[604]
[72]
s„= 11,50-ю-12 см2/дин, sss= 1,03-10~12см2/дин, s14 = 3,77-10-i2 см2/дин,
s6e^ l,52-Ю-12 см2/дин, s13 — ^-10,'48-10-12ем2/дин, -- —0,211 • 10~12см2/дин
[604].

244
32. ГТАРАТЕЛЛУРИТ ТеО,
Температурные зависимости упругих постоянных. Рис. 32.12,2. 32.12.3.
7Ч?п = —3.6.10-4 .К-1, Тс33 = — 3,0-10-4 К-1, ^44 =—1,3-10“4 К"1
Гсб6 = -3,3.10-4 К"1, Тс12^~4,МО-4 К"1, Тсгз=1,8.10-4К-1 [608].
cm)Wifдин/см2
Рис. 32.12.2. Зависимость
упругих жесткостей стп парателлу-
рита Те02 от температуры [604].
Рис. 32.12.3. Зависимость
эффективной константы жесткости
парателлурита Те02 от
температуры [604].
[604]
L^U—2,70-10-1 К"1,
си дТ
1 ^44
С44 дТ
1 дс12
С12 дТ
1 дс3
-0,73-10-4 К"1,
Сзз дТ
1 дСаа
-3,28-10-4 К”1,
свв дТ
1 дс13
с13 дТ
-2,81 • 10“4 К”1,
-4,38-10-4 К”*,
■ 0,54* 10~4 к-1;
Зависимость упругих жесткостей от давления см. [611, 612].
13. 	Скорости упругих волн, рис. 32.l3.1-f-32.13,8. См. рис. ПД 1.4-г П. II. 7,
ПЛ'1.18.

32. ПАРАТЕЛЛУРИТ ТеО*
245
[110] 4 2 2 1 О / 1 2 J 4 [110J
\ g) " i Ц105см/с
Рис. 32.13.^. Главные центральные селения поверхностей фазовых скоростей в парател-
лурите Те02: плоскость сечения перпендикулярна оси й(а); плоскость сечения
перпендикулярна оси х (б), плоскость сечения перпендикулярна оси [110] (в) [613].
Рис. 32.13.2. Сечения
поверхностей обратных скоростей
упругих волн в парателлурите Те02:
”~VS ("эвВ-
Ш-и£[35],
Рис. 32.13.3. Сечения
поверхностей обратных скоростей
упругих колн в парателлурите Те02
плоскостью (001): °5(^зВ||*) и
("звИ- !,-VS ("эв I! 2); 111 -
VL £35].

246
32. ПАРАТЕЛЛУРИТ ТеО,
Рис. 32.13.4. Зависимость
скорости поверхностной
акустической волны Vpt величины
AV0» и угла потока
энергии Ф от величины угла
Эйлера 0 для х- и «/-срезов
парателлурита ТеОа (см.
рис. П.1.1, ПЛ.2) [44].
Рис. 32.13.5. Зависимость скорости распространения рэ-
леевской упругой v^ и объемной сдвиговой v§ волн для
2-среза парателлурита Те02 от величины угла Эйлера 0
(см. рис. П.1.1, П.1.2) [44].
Рис. 32.13.6. Зависимость скорости распространения рэлеевской упругой волны и
величины Ду^/г^паратёллурита Те02 х- и у-оси були от величины угла Эйлера р,. Угол
потока энергий Ф равен нулю (см. рис. П. 1.1» ПЛ. 2) [44].

32. ПАРАТЁЛЛУРИТ teO,
247
Рис. 32.13.7. Зависимость скорости
распространения рэлеевской упругой
волны Vg и величины Av^/v^
парателлурита Те02 2-оси були от величины угла
Эйлера К. Угол потока энергии Ф
равен нулю (см. рис. П.1.1, П.1.2) [44].
Рис. 32.13.8. Зависимость скорости
распространения рэлеевской упругой
волны Vg, и величины Av^/v^ для
парателлурита Те02 х- и #-оси цилиндра от
величины угла Эйлера Y- Угол потока
энергии Ф равен нулю (см. рис. П.1.1,
П.1.2) [44].
Рис. 32.14.1. Зависимость акустического
затухания В в пррателлурите Те02 от температу-
Ры: / —для [iUOj[oio]’ f=48 мг«- 2~ДЛЯ
vLmir f=36 МГц t604J-
В, дБ/CM
Рис. 32.14.2. Зависимость
затухания В упругих волн в пара-
теллурите Те02 от частоты:
□—для v _ , А—Для
5 [НО] [1 ю]
^Sfiooj/oior •—Для Psfioojrooij>
Д-для t-Lf00ir О—Для vL[lm
[604].

248
32. ПАРАТЕЛЛУРЙТ fe62
"зв
"зв
Тип
колебаний
с тп
v, Ю5 см/с
[100]
L
С11
3,051 ± 0,012
[594]
[100]
[010]
S
св6
3,317 ± 0,009
[72]
[001]
S
£44
2,100
[72]
—

С33
4,202 ± 0,010
[594J
[001]
L
—
4,3
[579]
[001]
круговая
S
С44
2,104 ± 0,006
[594]
[110]
L
С11+С12+2с66
4,663
[72]
[Т10]
S
—
0,6
[609]
[110]
[ПО]
S
(си — Ci2)/2
0,616 ± 0,003
[594, 614, 61!
1001]
S
£44
2,100
[72]
[001]
—
S
—
2,08
[616]
[101]
[101]
S
с*)
2,101 1 0,006
[594]
L
—
2,1**)
[579]
■
S
—
0,930 ***)
[604]
*) с — V4 [c3i + c33 + 2c44—■ {Сц — Сзз)2+ (с13 + с44)2]-
**) Для образца, длинная сторона которого повернута на 8° от оси [100]
в плоскости (ху).
***) В направлении 35,9° от оси х в плоскости (ху).
Ориентация
Уф Ю5 см/с
AVj^jVoot %
Ь%. %
90°; 90°; 39°
1,424
0,008
0,017
[617]
0°; 58,2; 0
1,387
0,002
0,004
[617]
г; 40° от [010]
1,4
—
0,02
[618]
Температурные коэффициенты скоростей упругих волн, 10“® К-1. См.
рис. П.II.7. Tv =—117 для vL[110]; Tv = -{-211 для i^ruoj [604]; Tv = 0
для t»5f001j вдоль направления, составляющего 35,9° от оси х.
14. 	Затухание упругих волн. 0,5 дБ/мкс для v$ в направлении 35,9° от
оси * [604], 6,5 дБ/см-МГц2 для vL[001J; 16*дБ/см-МГц2 для t\srno;j [377],
рис. 32.14.1—32.14.4, см. рис. П.П.6, П.Н.13, П.П.14.

32. ПАРАТЕЛЛУРИТ Te02
249
Рис. 32.14.3. Зависимость
затухания упругих волн в парател-
лурите Те02 от частоты для
продольных колебаний:
Q—акустические измерения Е || [1 00]; ф —
измерения методом эхо-импульса.
Сплошная линия — квадратичная
частотная зависимость [579].
Рис. 32.14.4. Зависимость
затухания В в парателлурите Те02
от частоты: Д- продольных,
О- сдвиговых упругих волн,
распространяющихся вдоль
направления [001] [616].
Рир. 32.15,1. Зависимость комплексной диэлектрической проницаемости sТпп парателлу-
рита ТеО? от температуры при f= 100 кГц [604].

250
32. ПАРАТЕЛЛУРИТ ТеОа
"зв
"ав
Тип
колебаний
В, дБ /см
f, МГц
[001]
[001]
L
2,5
500
[001]
—
S
1,1
30
[604]
[11Q]
—
S
1,3
30
[609]
[110]
—
S
6,0
100
[604, 615]
[001]
[001]
L
2,3
500
[614, 615]
[110]
[ПО]
S
50
500
[72]
15. Диэлектрические свойства. Рис. 32.15.1.
8ц = 21,4, 833 = 24,9 [608, 609].
ец/е0 = 22,9 ± 1,0, 8з3/е0 = 24,7 ± 1,5 при Г = 20°С [604, 35]; еи = 20,
8зз = 22 [72], eii = 20,l, е^з = 21,9 [44].
16. Показатель преломления, рис. 32.16.1.
[593, 608, 619]
Я, мкм
По
пе
0,4047
2,4315 ± 0,0009
2,6167 ± 0,0010
0,4358
2,3834 ± 0,0007
2,5583 ± 0,0008
0,4678
2,3478 ± 0,0007
2,5164 ± 0,0008
0,4800
2,3366 ± 0,0006
2,5036 ± 0,0008
0,5086
2,3150 ± 0,0006
2,4779 ± 0,0007
0,5461
2,2931 ± 0,0006
2,4520 ± 0,0007
0,5893
2,2738 ± 0,0006
2,4295 ± 0,0007
0,6328
2,2597 ± 0,0006
2,4119 ± 0,0007
0,6438
2,2562 ± 0,0006
2,4086 ± 0,0007
0,690
2,2450 ± 0,0006
2,3955 ± 0,0007
0,800
2,226 ± 0,0015
2,373 ± 0,0015
1,00
2,208 ±0,0015
2,352 ± 0,0015
[593, 608, 619]
X, мкм
*
п01
«02
nei
пе2
0,4047
2,4190
2,4318
2,6045
2,6159
0,4358
2,3781
2,3832
2,5544
2,5583
0,4678
2,3462
2,3476
2,5155
2,5163

32. ПАРАТЕЛЛУРЙТ Te02
25!
Я,, мкм
*
по1
*■
П02
*
пег
пе2
0,4800
2,3360
2,3366
2,5032
2,5033
0,5086
2,3155
2,3150
2,4783
2,4778
0,5461
2,2941
2,2931
2,4525
2,4520
0,5893
2,2750
2,2740
2,4295
2,4297
0,6328
2,2601
2,2594
2,4116
2,4119
0,6438
2,2568
2,2563
2,4077
2,4088
0,690
2,2450
2,2449
- 2,3975
2,3955
0,800
2,2251
2,2262
2,3697
2,3735
1,00
2,2051
2,2077
2,3459
2,3519
Пои Пе 1 — ДЛЯ одноосцилляторнои модели,
* * w
п02* Пе2—Для двухосцилляторнои модели.
/г2 = 2,412, я3 = 2,258 [72, 604]; л = 2,26 при Я = 0,6328 мкм [614, 620].
Дисперсия температурных коэффициентов показателей преломления и
двупреломления см. [619].
казателя преломления п0
и пе парателлурита ТеО*
при Т = 20 °С [619].
Рис. 32.17.1. Оптическое
поглощение А
парателлурита Те02 [62 1].
17. 	Пропускание и поглощение, 0,35 ~ 5 мкм [72, 377, 610, 622]; 0,36-т-
-т- 5,0 мкм [623]; рис. 32.17.1, 32.17.2.
19. 	Пьезо- и упругооптические свойства.
I /^xi | 0,0074, /7зз = 0,240, Ры ~—0,17, Рве — —0,0463, /?12 = 0,187,
Pis = 0,340, р31 = 0,0905 при X — 0,6328 мкм [604, 610].
Ри — Рь 1 = 0, ^16 = ^61 = 0 [72]; V2 (рц—Pi2) = 0,12 [615]; (Pii-—Р12) =
= 0,08 [614].

252
32. ПАРАТЕЛЛУРИТ ТеО£
Фа
Рис. 32.17.2. Оптическое пропускание ///0
парателлурита Те02: 1 -свет
перпендикулярен оси с, 2-свет параллелен оси с [593].
Mz,WWc/2
Рис. 32.21.1. Диспе рсия акустооп-
тической добротности Мг
парателлурита Те02 для z\S[100] [604L
М2}10'18с3/з
Рис. 32.21.2. Зависимость аку-
стооптической добротности М 2
парателлурита Те02 о г
температуры при Я=6328 А для
0S[UO] [6043-
Рис. 32.22.1. Зависимость коэффициента
электромеханической связи и пьезомодуля dl4
парателлурита Те02 от температуры для
продольных колебаний (xyz)-45° среза [604].
20. Нелинейные оптические свойства. di4 = (1,27 ± 0,10) dfi (Si02),
dlf = (0,93 ± 0,08) die KDP, 1,4-10“® ед.СГСЭ, =3,8--Ю-8 ед.СГСЭ
[624].
21. Акустооптические свойства. Рис. 32.21.1, 32.21.2, см. рис, П.П.13,
П. 11.14.

32. ПАРАТЕЛЛУРИТ ТеО, 253
X = 0,6328 мкм
"зв
"зв
"св
Е
£
О
1
о
ю
6
Ч
М2, Ю“ 18с3/г
[100]
[010]
[100]
0,097
0,048
[610]
[100]
—
[010]
[001]
22,9
10,6
[610]
[001]
[001]
[010]
[100]
142
34,5
[610]
[001]
[010]
[001]
ИЗ
25,6
[610]
[110]
[Й0]
[110]
3,23
0,802
[610]
[110]
—
[110]
[00!]
16,2
3,77
[610]
[101]
—
[101]
[010]
101
33,4
[610]
[010]
;—
[101]
[101]
42,6
20,4
[610]
[101]
—
[101]
[101]
0,444
0,143
[610]
[100]
[010]
[001]
круговая
3,70
1,76
[610]
[110]
[ПО]
[001]
круговая
68,6
793
[610]
[101]
[101]
[010]
[100]
76,4
77,7
[604, 614,
[110]
[ПО]
[001]

произ515
620, 610,
516]
[72]
[001]
[001]
[010]
вольная
[100]

23
[72]
[110]
[1Т0]
[001]
круговая
—
1200
[615]
[110]
[110]
[001]

произ—
600 800
[615]
35,9° от
ОСИ X *)
в плоскости
[001]
вольная

произвольная
210,0
41,0
[377]
[001]
(001)
[001]
±[001]
138,0
34,5
[377]
[110]
S
[110]
[110]
76
[616]
*) Длин ная сторона элемента составляет углы 35,9° с осью х в
плоскости (ху).
ЛГ1 = 25,6-.10“7см2-с/г, М2 = 22,8-10~18 с3/г, М8 = 18,5- 10-12см*с2/г [625].
22. Пьезоэлектрические свойства. Рис. 32.22.1.
^14 = (2,44 ± 0,21) • 10“7 ст.Кл/дин, el4 = 0,648-10”5 ст. Кл/см2, gu —
= 1,34-107 см2/ст.Кл, /114 = 0,357-10~5 дин/ст.Кл [594], еи = 0,22 Кл/м2 [72],
614 = 0,216 Кл/м2 [35], £5Гоои ~ [008].
23. Дополнительные сведения.
Eg=l,5 эВ [392].
Зависимость интенсивности световых волн эллиптической поляризации Те02
от степени эллиптичности £ и угла между направлениями распространения
света и оптической осью см. [615].
Оптическая активность—[621].
Влияние переохлаждения расплава на форму кристаллов см. [626].

254
S3. КёаРц'&'О,
33. 	КВАРЦ Si02
1. Вид материала. Монокристалл синтетический. Выращивается
гидротермальными методами из раствора при щелочной реакции среды.
Широко распространенный природный минерал [627, 543].
2. Симметрия кристалла. a-Si02 (ниже 573,5 °С): тригональная, класс 32,
/>3!21, ^3,21 (£>|)
(S-Si02 (выше 573,5 °С): гексагональная, класс 622, Р6$2, (Dg)>
Я6422 (De) [627].
Имеются другие модификации [571, 222, 628].
Постоянные решетки, A. a-Si02: «= 4,9138 ± 2* 10~4, с=5,4052 ±
±2.10"4; P-Si02: a = 5,038, с = 5,460 *) [1].
3. Молекулярный вес. 60,06. [2].
4. Плотность, г/см3. 2,649 [31]; 2,65 [35, 55,
42].
5. Температуры фазовых переходов, °С.
Тпл=1470 [2]; Те = 573,5 ± 0,5 переход иза-
в Р-модификацию [1, 629].
6. Растворимость. Не растворим в обычных
кислотах, растворяется в плавиковой кислоте и
в горячих щелочах. Под высоким давлением и
при высоких температурах до некоторой степени
растворяется в воде и в значительно большей
степени в случае присутствия едкого натра [629,
630].
7. Удельная теплоемкость. Рис. 33.7.1. 7д = 470К [55]; ср = 0,1770 кал/г*К
[627].
8. Тепловое расширение, 10“6 К""1.
[627]
Т, К
ах
а8
т, к
ai
as
т, к
at
a8
23
8,60
4,10
473
15,61
8,75
846
25,15
15,00
73
9,0
5,50
573
16,89
9,60
846
31,02
17,98
173
11,82
6,08
673
18,50
10,65
873
29,71
17,08
273
13,24
7,10
773
20,91
12,22
1073
22,18
12,02
373
14,45
7,97
823
23,40
13,81
1273
16,97
8,83
аг=Л-10“в+ Б.10”8Г + С.10“^Г2, ат в К“х [64,328].
*) Все дальнейшие сведения приводятся для a-Si02
Т,к
Рис. 33.7.1. Удельная
теплоемкость ср а-кварца [627].

33. КВАРЦ SiOa
255
[64, 328]
А\\
 5 и
си
т, °с
7,067
2,111
—100 ^ 37
7,067
1,6724
—
О-г-ЗбО
25,80
—10,81
20,163
360 450
ai=14,3, a3 = 7,8 [55].
Температурная зависимость коэффициента объемного теплового
расширения см. [627, 634].
9. Теплопроводность, кал/К*см*с. См. рис. 1.9.1.
[64]
Т, К 83 195 273 323 373 473 523 573 623
0,0586 0,0249 0,0163 0,0135 0,0118 0,0097 0,00895 0,0084 0,0079
%з 0,117 0,0467 0,0273 0,0224 0,0190 0,0151 0,0136 '0,0123 0,0113
хх=:17,0.10-3, *3 = 32.10-3 при Г = 0°С; кг= 14,9-10~3, >cs = 25,5-10~3
при Г = 50°С [627], и = (2/зх1 + из) =0,095 вт/см*К [55].
10. Спайность. По (1011), весьма несовершенная [629].
11. Твердость. По Моосу 7; по Кнупу 741 кгс/мм2 перпендикулярно
граням, срезанным по осям г и х (инденторная нащ>узка 500 г) [2].
Микротвердость (1000 -5- 1200) • 107 Н/м2 [392].
12. Упругие постоянные. Рис. 33.12.1, 33.12.2.
рис. 33.12.1. а) Сечения поверхностей коэффициентов растяжения Sg3 и модуля кручения
gkvv4 — 2 (s44+s65) пРавого кварца [635]. б) Сечения поверхности модуля Юнга Ею пра-
врго кварца [635].

256
33. КВАРЦ SiO,
Рис. 33.12.2. Главные сечения поверхности упругих жесткостей Cgg кварца [629].
стп> Ю1» дин/см® [31]
С11
^33
Си
^1 3
С4 4
1Увв]
С14
Т,° с
Адиабат.
86,80
105,75
7,04
11,91
58,20
39,88
—18,04
25
Изотерм.
86,48
105,55
6,72
11,66
58,20
39,88
—18,04
25
Изотерм.
87,57
40,65
25
Адиабат.
87,26
109,19
9,90
13,02
59,72
38,68
—17,73
—195,8
Изотерм.
87,20
109,17
*9,84
12,98
59,72
38,68
— 17,73
—195,8
Изотерм.
88,06
39,48
—195,8
Изотерм.
85,48
105,6
7,25
14,36
57,13
39,11
16,83
Изотерм.
86,75
106,8
6,87
11,3
57,86
39,94
17,96
Изотерм.
86,05
107,1
4,85
10,45
58,65
40,6
18,25
35
Изотерм.
86,9
106,8
6,9
15,6
57,6
40,0
—17,4
Изотерм.
86,83
105,94
7,09
11,93
58,26
39,87
(—)18,06
20
Се
86,74
107,2
6,99
11,91
57,94
39,88
—17,91
20
<Р
87,486
107,2
6,244
11,91
57,98
40,626
—18,09
20
СЕ
86,8
106,4
7,2
12,0
58,0
39,8
17,9
20
св
79,0
87,6
— 14,2
1,1
46,3
46,6
16,4
510
С*
76,3
84,0
—19,3
—1,9
44,2
47,8
15,1
540
Св
73,4
81,5
—23,8
—4,8
42,2
48,6
13,6
556
СЕ
68,3
77,2
—30,8
—8,7
38,7
49,55
9,6
571
СВ
90,0
91,5
—10,0
12,8
36,5
50,0
578
111,2
106,3
11,2
29,0
35,9
50,0
590
С*
116,4
110,7
16,2
32,9
36,0
50,1
600
СЕ
86,87
105,82
7,16
11,95
58,22
39,85
—18,05
20
СЕ
86,87
105,74
7,09
11,92
58,18
39,89
— 18,04
25

33. КВАРЦ SiO,
Сщпу 1010 ДИН/СМ2
257
Ультразвуковой метод
Стп
образец № 1 [636]
образец № 2 [6 36]
образец № 3 [636]
Cll
86,841 ± 0,093
,86,889 ± 0,093
86,76 ± 0,13
Сзз
105,873 ± 0,021
105,864 ±0,021
105,890 ± 0,021
cfi
58,281 +0,048
58,228 ± 0,048
58,34 + 0,09
Сев
39,851 ± 0,066
39,904 ± 0,066
39,79 ±0,11
си
—18,04 ± 0,18
—18,07 ± 0,18
— 18,00 ± 0,29
си
87,597 ± 0,018
87,586 ± 0,018
87,592 ± 0,018
D
Сев
40,607 ± 0,008
40,600 ± 0,008
40,620 ± 0,008
Резонансный метод
Стп
[1302]
[1301]
Си
86,832 ± 0,015
86,74
ей
105,94 ±0,12
107,2
в
Си
58,2567 + 0,0065
57,94
Сев
39,871 ± 0,018
39,88
eft
—18,0642 + 0,0038
—17,91
Сц
87,614
87,49
си
40,653
40,63
*) Образцы № 1 и № 2 — искусственно выращенные
кристаллы кварца, образец № 3 — природный кварц [636].
smn, Ю-*3 см2/дин [31]
Sli
S33
Sl 2
Sis
S44
[See]
S14
T, °c
Адиабат.
12,777
9,735
—1,807
-1,235
19,985
29,167
4,521
25
Изотерм.
12,809
9,743
—1,775
—1,218
19,985
29,167
4,521
25
Адиабат.
12,797
9,460
—2,164
—1,267
19,380
29,922
4,441
—195,8
Изотерм.
12,802
9,461
-2,159
-1,265
19,380
29,922
4,441
— 195,8
Изотерм.
12,95
9,88
—1,69
-1,53
20,04
29,28
—4,31
Изотерм.
12,79
9,56
— 1,54
— 1,10
19,78
28,65
4,46
25
Изотерм.
12,80
9,84
— 1,59
—1,64
20,00
28,78
4,35
Изотерм.
12,77
9,60
— 1,79
—1,22
20,04
29,12
—4,50
20
9 Под ред. М. П. Шаскольской

258
33. КВАРЦ SiO,
П родолоюение
Sll
Sss
Si*
Sl 8
S44
[s««]
S14
. T,°C
S-®
12,77
9,60
—1,79
—1,22
20,04
29,12
4,50
20
so
12,636
9,60
—1,656
—1,22
20,027
28,586
4,458
20
SE
12,77
9,68
—1,82
—1,24
20,02
-4,50
20
SE
13,85
11,42
1,59
—0,20
24,67
—4,34
510
SE
14,65
11,92
2,92
0,40
25,36
—4,00
540
SE
15,85
12,41
4,54
1,20
26,05
—3,64
556
SE
19,34
13,67
8,75
3,17
27,10
—2,60
571
SE
11,54
11,44
1,54
—1,83
27,40
578
SE
9,69
10,80
—0,31
—2,56
27,85
590
sb
9,41
10,60
—0,60
—2,63
27,78
600
[637]
cmnp
1012 дин/см2
Ошибка
cmnp
101* дин/см2
Ошибка
cm
—2,10
0,09
cl34
+0,02
0,05
Cll2
—3,47
0,08
C144
—1,34
0,09
сИз
+0,13
0,07
^156
—2,00
0,10
Cll4
—1,63
0,06
C222
-3,32
0,10
^128
—2,94
0,06
C33Z
—8,16
0,22
^124
—0,15
0,05
C3M
-mi
0,09
C122
—3,11
0,08
C444
—2,75
0,21
Температурные зависимости упругих постоянных. Рис. 33.12.3, 33.12.4.
• [31] •)
nj\>
T*&}
7><1)
12
Tca)
IC13
4V
t, °c
—48
—208
—2150
—530
—151
144
82
20-5-60
—47,6
—214
—3000
—580
—169
170
107
0^-90
-46,5
—205
—3300
—700
—166
164
90
—
—
—
—
—
—169
168
94
—
—44,3
—188
—2993
—492
—172
180
98
20
—48,5
—160
—3000
—550
—177
178
101
25
*) Здесь 7V«> приведены в 10“® (“С)-1, Тс^—в 10-в(°С)“2, Тс^ — в
10-1а <°С)-3.

Продолжение
33. КВАРЦ SiO,
259
Гс(2)
1 си
Тс*>
Тс%
4V
Тс™
т, °с
—75
—407
— 107
—187
—1412
—275
— 1500
—7245
—3050
—2000
—596
—1150
—212
—233
—225
—216
—5
193
201
118
—270
—82
— 13
—48
50
20
20
25
гс(3)
1 12
Tclf
тс%
г4У
т, °с
—15
—371
—70
—410
—243
—250
1910
4195
—1260
600
-5559
—750
-65
—190
—216
—167
—777
21
—630
—625
—590
50
20
25
[31] •)
Тп(1)
1 sii
Гс(1)
1 12
r*fi>
^eV
Гс(1)
14
т, °с
11,5
180
—1125
—148
175
—119
ИЗ
20-*-60
11,8
182
—1350
—295
195
—134
120
16,5
134,5
—1270
—678
201
— 138
139,5
50
— '
—
—

200
—134
125
20
11,5
180
—1172
—150
200
-134
125
—
15,5
140
—1370
—166
210
— 145
134
25
т®
Ts$
^а}
т, °с
298
1
— 118
58,5
144
—575
—2110
200
— 18
40
50
85,3
247
—1385
—718
262
—85
93
25
—
—
—
272
—83
83
20
*) Здесь Tsmh приведены в 10-6 (“С)"1, TsSb—ъ 10-* (°С)-2.
9*

260
33. КВАРЦ SiO*
стпf 10%н/см2
Рис. 33.12.3. Зависимость упругих жесткостей стп а-кварца от температуры [31].
30
—
20
-
S44
20
•15
-
$ff\
 10
-
5
$14
Г Г f 5 t f I i I r f
о я •я шо ш ш
Т,°0
Рис. 33.12.4. Зависимость упругих податливостей smn а-кварца от температуры £31].
smn’ 10-14 см2/ДИН [638]
' T, °c
sfnti " ——
20
510
540
556
sii
127,7
138,5
146,5
158,5
s33
96,8
114,2
119,2
124,1
S44
200,2
246,7
253,6
260,5
s12
—18,2
+ 15,9
+29,2
+45,4
S13
—12,4
—2,0
+4,0
+12,0
S14
—45,0
—43,4
—40,0
—36,4

П родолжение
33. КВАРЦ ыо2
261
Т, °с
smn '
571
578
590
600
«И
193,4
115,4
96,9
94,1
s33
136,7
114,4
108,0
106,0
S44
271,0
274,0
278,5
277,8
S12
+87,5
+ 15,4
-3,1
—6,0
s13
+31,7
—18,3
—25,6
—26,3
si4
—26,0
—
—
—
, 1010 дин/см2 [638, см. также 639]
T, °C
CE
Lmn > .
20
510
540
556
СЦ
86,8
79,0
76,3
73,4
c23
106,4
87,6
84,0
81,5
C44
58,0
46,3
44,2
42,2
c66
39,8
46,6
47,8
48,6
C12
7,2
—14,2
-19,3
—23,8
Cis
12,0
1,1
-1,9
-4,8
^i4
17,9
16,4
15,1
13,6
т, °c
cE *)
cmn ' —- _
571
578
590
6Г00
cii
68,3
90,0
111,2
116,4
c33
77,2
91,5
106,3
110,7
Cu
38,7
36,5
35,9
36,0
ce&
49,55
50,0
50,0
50,1
C12
—30,8
—10,0
+11,2
+16,2
c13
—8,7
+ 12,8
+29,0
32,0
CU
9,6
—
—
*) Измерено методом Бергмана—Шефера. Погрешности в определении
значений стп по дифракционным картинам не превышали 0,2%. Ошибки в
определении температур были порядка 0,1°.

262
33. КВАРЦ SiO,
Рстп = дстп/др [31]
PCxi
рс 33
PCt 2
PC 13
РС 44
РСм
PCti
Т, °с
3,28
10,84
8,66
5,97
2,66
—2,69
1,93
25
3,29
—
—
—
—
—2,68
—
25
3,40
10,26
7,40
5,41
1,7 7
—2,00
2,00
—195,8
3,28
—
—
—
—
—2,13
—
—195,8
[640]
cmn ’ 10 “9 Н/м2
Тстп-Юв, ос-1
Тстп-109, °с-2
сп
86,81 ± 0,01
—44,1 ±0,9
—104 ± 9
ей
105,762 ± 0,005
— 194,1 ± 0,2
—106 ±2
Е
С 44
58,180 ± 0,003
— 173,7 ±0,1
-209 ± 1
Сбв
39,883 ± 0,008
186 ± 1
96 ± 8
eg
12,0 ±0,2
—500 ± 200
3000 ± 2000
Сы
—18,05 ±0,02
108 ± 3
—80 ± 30
Тстп-10‘2, «С-*
4/г П302]
' С11
-17 ± 77
86,812 ± 0,015
пЕ
Сзз
650 ± 20
105,84 ± 0,12
Е
С44
390 ± 10
58,207 ± 0,007
cl8
—850 ± 80
39,91 ± 0,02
20000 ± 2000
11,90 ± 0,03
Сы
—1400 ± 300
— 18,073 ± 0,004
Стп, 10*° дин/см2 [641]
Сц = 86,832 ± 0,009, cfe = 39,814 ± 0,004, с?в = 40,614 ± 0,002.
cfs= 105,831 ± 0,004, cf4 = — 18,026 ± 0,055,
ей =58,248 ± 0,002, cfi=87,602 ± 0,004,

33. КВАРЦ SiO, 263
Изменение упругих постоянных при ^-облучении Астп/стп, % [641]
Доза 10«Р
Доза 107Р
Доза 108/>
Погрешность, %
Си
0 •
+0,02
+0,02
±0,01
Сзз
0
0
+0,006
±0,004
Е
С 44
+0,014
—0,01
—0,01
±0,004
Сбв
+0,01
+0,05
+0,05
±0,01
С?1
0
0
0
±0,004
См
+0,007
—0,01
—0,01
±0,004
13. Скорости упругих волн, 105 см/с. Рис. 33.13.1 — 33.13.24, см. рис. П.И.4,
П.II.5, П.II.7, П.II.18.
Изменение скорости распространения ультразвуковых волн при у-облучении
	 [641] ♦) :
Qcb
Тип волны
Скорость
v• 10Б см/с
Av/v, %
Доза 10вР
Доза 107Р
Доза 108Р
X
Продольная L
5,7509
0
0
0
Поперечная S6
5,1145
+0,006
+0,006
+0,007
Поперечная SM
3,2978
+0,009
+0,009
+0,008
У
Квазипродольная QL
6,0070
0
0
0
Квазипоперечная QS
4,3249
0
—0,004
0
Поперечная 5
3,9158
+0,004
—0,005
—0,005
Z
Продольная L || г
6,3216
0
0
+0,003
Поперечная S \\ z
4,6895
+0,007
—0,004
—0,006
*) Измерения проводились импульсно-фазовым методом. Точность
измерения составляла ±0,002%.
"зв
Тип
волны
в
"зв
Тип
волны
V
[100]
L
5,749
[648]
[101]
56
4,362
[648]
[100]
L
5,700
[649]
[101]
SM
3,657
[648]
[100]
L
5,720
[41]
[ОЮ]
L
5,4
[649]
[100]
S
3,297
[648]
[ОЮ]
S
3,8
[649]
[001]
L
6,318
[6481
[101]
L
6,708
[648]
[001]
L
6,32
[41]
[101]
S6
4,617
[648]
[001]
S
4,687
[648]
[101]
SM
3,009
[648]
[101]
L
6,666
[648]

264
33. КВАРЦ SiO,
Уд = 3,159 г/-срез, N3B \\х, =0,093%,
= 3,158 СТ-срез, N3B \\ х [443, 445];
0# = 3,281 z-срез, #зв||* [28];
Рис. 33.13.1. Сечение поверхностей фазовых скоростей упругих волн в км/с а-кварца без
учета пьезоэффекта: плоскостью х г (а), плоскостью yz (б); /-QL, II-QS111 - QSM_[ 6|2].
Рис. 33.13.2. Сечение поверхностей медленностей (обратных фазовых скоростей) упругих
волн а-кварца без учета пьезоэффекта: плоскостью хг (а), плоскостью ху (б), плоскостью
yz (в); l-Ql, II-QS6, Ul-QSM [35].

S3. КЁАЙД Шбвч
265
Рис. 33.13.3. Экспериментально наблю-
даемая в кварце акустическая
активность сдвиговой волны,
распространяющейся в плоскости zy (поляризация
эллиптическая) [643].
Рис. 33.13.4. Полярная
диаграмма фазовой скорости с>ф
рэлеевских упругих волн на
поверхности а-кварца *-среза
и направления
коллинеарности фазовой и лучевой
скоростей г'фрл [28].
[650]
Ориентация
Углы Эйлера
V, м/с
А^/Ооо, %
-
%
М-
1 в
ST срез
0°
132,75°
0°
3158
0,058
[651, см. также [652]

Кристаллофизическая
ось
Тип
волны
v, 10е см/с
"зв
"зв
Угол
отклонения луча от
нормали
X
L
5,75
1
0
0
1
0
0
0°
S
5,10
0
0,52 -
-0,85
1
0
0
0°
S
3,36
0
0,85
0,52
1
0
0
0°
У
L
6,01
0
0,91
0,42
0
0,92
0,39
23°
S
3,92
1
0
0
0
0,92
—0,39
—23°
S
4,35
0
0,42 -
-0,91
0
0,91
—0,42
—24°
2
L
6,32
0
0
1
0
0
1
0°
S
4,68
1
0
0
0
-0,29
0,96
—17°
S
4,68
0
0
1
0
0,29
0,96
17°

266
33. КВАРЦ SiO,
Зависимость величины Avr/v,» от направления распространения волны
в плоскости уг ив базисной плоскости см.' [28].
Сечения поверхностей медленностей квазипродольной и квазисдвиговых
волн, распространяющихся в плоскости хг, и сечения поверхностей
медленностей лучевых скоростей с учетом пьезоэффекта см. [653].
vr,m/c
а)
Рис. 33.13.5. Фазовая скорость рэлеевских упругих волн, распространяющихся в
кварцевых пластинах дг-среза (а), у-среза (б) и 2-среза (в): /-обычная поверхностная волна,
2-псевдоповерхностная волна, 3-медленная сдвиговая волна, о-экспериментальные
значения скоростей, Д-расчетные значения [644].
Рис. 33.13.6. Зависимость
скорости рэлеевской упругой волны
i>£, распространяющейся в
пластинке *-среза кварца, от угла
между волновой нормалью и
осью у [645].
V^M/O
рш. 33.13.7. Зависимость
скорости рэлеевской упругой волны
в повернутом ^г-срезе кварца от
угла вращения среза [645],

зз Кварц ею,
267
Рис. 33.13.8. Зависимость угла
Дф между векторами отклонения
потока энергии Ф и волновым
вектором рэлеевской
поверхностной волны в *-срезе кварца от
угла, составляемого волновым
вектором с осью у [645].
VfrM/e
Рис. 33.13.9. Скорости рэлеевских
упругих волн
распространяющихся: /-в плоскости ху> 2—в
плоскости xz кварца (угол 0
отсчитывается в первом случае от оси х, во
втором-от оси г), 3 -скорость самой
медленной объемной волны,
распространяющейся в плоскости ху,
штриховой линией показана псевдоветвь
поверхностной волны для плоскости
ху [6461.
Температурные коэффициенты скоростей упругих волн•
Tvf 10~6 К”1
Т vUio0] = — 20, Т0£roioj = (— 2 ч 5), Т t>S{oloj = 90.
[654]
Срез
Ориентация среза
77, Ю—• К-*
АТ
35°15'
0,39
АТ
35° 19'
0,05
ВТ
-49° 13'
—0,26
ВТ
—49°08'
—0,01

268
33. КВАРЦ SiO,
14. 	Затухание упругих волн. 4,2 дБ/см-ГГц2 по оси х, 3,25 дБ/см*ГГц2по
оси z [55]; 2,1 дБ/см-ГГц2; 2,6 дБ/мкс (#-срез) N3B || оси х; 3,09 дБ/мкс (СГ-срез)
N3B || оси х [443]; 3,0 дБ/см ГГц2 для i^iooj [41].
Затухание ПАВ см. рис. 42.14.7, 63.14.2.
Затухание гиперзвуковых сдвиговых колебаний в кварце при низких
температурах см. [29].
Рис. 33.14.1 — 33.14.14, см. рис. 35А.14.5; П.И.8, ПЛ1.13.
v}m/g
Рис. 33.13.10. Скорости: /-самой медленной сдвиговой волны v$, 2-псевдоповерхност-
ной волны, распространяющейся в плоскости у г кварца (угол 0 отсчитывается от
направления |001]) [646J.
Рис. 33.13.11. Зависимость угла ф, составляемого векторами лучевой и фазовой скоростей
в плоскости ху кварца, от угла, составляемого волновой нормалью с осью х |646|.

33. КВАРЦ SiO,
269
Рис. 33.13.12. Зависимость скорости
распространения упругой рэлеевской
волны Vpt величины Дг^/Ооо и угла
потока энергии ф в 2-срезе кварца
от величины угла Эйлера 6 (см.
рис. П. 1.1, П. 1.2) [44].
Рис. 33.13.13. Зависимость скорости
распространения упругой рэлеевской
волны Vg, величины Av^/voo и угла
потока энергии Ф в ^-срезе кварца,
от величины угла Эйлера 0 (см.
рис. П. 1.1, П. 1.2) [44].
15. 	Диэлектрические свойства. Рис. 33.15.1—33.15.3.
[31]
вг
е11
рТ
взз
8S
8и
8S
сзз
т, °с
4,5
4,6
4,58
4,70
—
—
—
4,520
4,640
4,435
4,640
20
4,58
4,71
—
—
Т'кОМИ.
4,51
4,62
—
—
Т комн.
4,44
4,59
—
—
71 комн.

270
33. КВАРЦ SiOj
Ten = 0,28vlO-^C-1, Ге33 = 0,39-10"4 ВС~* при Г =.25- 100 °G [31].
8n = 4,45, 833 = 4,6 для / = 1,6-106 Гц, 8ц = 4,34, 833 = 4,6для / = 3-107Гц
при Т = 17 ч- 22 °С [2, 345].
Рис. 33.13.14. Зависимость скорости
распространения упругой рэлеевской
волны Vg, величины Av^/voo и угла
потока энергии Ф в z-срезе кварца
от величины угла Эйлера 0 (при
0=45, 90 и 135° поверхностная
волна вырождается в объемную
волну. Однако поверхностная волна
с Vg= 3685 м/с лежит на ветви
псевдоповерхностной волны) (см.
рис. П. 1.1» П. 1.2) J44J.
■VR,VS,M/C
Рис.33.13.15. Зависимость скорости
распространения упругой рэлеевской волны vд и объемной
сдвиговой вблны Vg л:-ось були кварца от
величины угла Эйлера м, (усредненный по времени
угол потока энергии равен нулю как для сайжсо,
так и для coft=0 (см. рис. П- Ы. П. \Л) [44].

Зз. КВАРЦ Sidi
271
Рис. 33.13.16. Зависимость скорости
распространения упругой рэлеевской
волны ид» величины Avp/voo и угла
потока энергии Ф 2-ось оули кварца
от величины угла Эйлера А, (см.
рис. П. 1.1, П. 1.2) £443.
Рис. 33.13.17. Зависимость скорости
распространения упругой рэлеевской
волны величины &Vg/Voo и угла
потока энергии Ф от угла Эйлера у
(см. рис. П. 1.1, П. 1.2) [44].

33. КВАРЦ SiO*
Рис. 33.13.18. Зависимость скорости
распространения упругой рэлеевской
волны Vj^, величины Ди^/Ооо и угла
потока энергии Ф от величины угла
Эйлера v 2-ось цилиндра кварца (см.
рис. П. 1.1, П. 1.2) [44].
Рио. 33.13.19. Зависимость скорости
распространения упругой рэлеевской
волны Vjg, величины оо и угла
потока энергии Ф от величины угла
Эйлера 0 СГ-среза кварца (см.
рис. П. 1.1, П. 1.2) [44].

33. КВАРЦ SiO,
273
Рис. 33.13.21. Ориентационная зависимость приближенного значения
температурного коэффициента времени задержки Тх и температурного
коэффициента скорости упругой рэлеевской волны Tv,
распространяющейся в пластинке #-среза а-кварца [647|; 0> Д-см. подпись
к рис. 33.13.20.
Рис. 33.13.20. Ориентационная зависимость приближенных значений
температурного коэффициента времени задержки Т% и температурного
коэффициента скорости Tv, измеренная на кварцевой пластине *-среза
(0-угол, составляемый волновой нормалью и осью у); Q-данные,
полученные из измерений средних значений температурного
коэффициента скорости Tv в интервале Г=25 ~ 75 °С, и могут сравниваться
со сплошной кривой; Д-данные, полученные из измерений в
интервале Т = - 2 5-f2 5 °С, и могут сравниваться со штриховой кривой [647].

274
33. КВАРЦ SiO,
Рис. 33.13.22. Ориентационная зависимость приближенного значения Рис. 33.13.23. Ориентационная зависимость приближенного значения
температурного коэффициента времени задержки 74 и температурного температурного коэффициента ^времени задержки Тх и температур-
коэффициента скорости упругой рэлеевской волны Tv, распростра- ного коэффициента скорости упругой рэлеевской волны Tvf распро-
няющейся в ЛС-срезе а-кварца [647]; О* Д“см* подпись к страняющейся в Л Г-срезе а-кварца [647]; Q, Д-см. подпись к
рис. 33.13.20. рис. 33.13.20.

33. КВАРЦ SiOf
275
Tv'io8 то8
Рис. 33.13.24. Ориентационная зависимость приближенного значения температурного
коэффициента времени задержки Тт и температурного коэффициента скорости упругой
рэлеевской волны Tv, распространяющейся вдоль оси х в повернутом у-срезе а-кварца
[647]; О» Д-см. подпись к рис. 33.13.20.
Рис. 33.14.1. Зависимость затухания В упругой волны, распространяющейся вдоль оси у
в а-кварце, от частоты; сдвиговая волна (VS= 3,92*105 см/с, направляющие косинусы
вектора смещения as=l; Э=су=0) (а); квазипродольная волна (&^s=:6,01 *105 см/с, а=0,
р?= 0,895, Y=s0,446j (б) (Q* X» ^-разные кристаллы) {655].

276
33. КВАРЦ SiO*
Рис. 33.14.2. Зависимость затухания
упругой волны В, распространяющейся
вдоль оси х а-кварца, от частоты; /-
сдвиговая волна (а=5,10*105 см/с,
направляющие косинусы а=0, 0=0,52,
7=0,854), 2-продольная волна (и=*
= 5,75-106, а= 1, P = v=0) (Q. X, Д-
разные кристаллы) [655].
Рис. 33.14.3. Зависимость
затухания упругой волны В,
распространяющейся вдоль
оси г а-кварца, от частоты
(а= 6,32-106 см/с,
направляющие косинусы а=0=0,
Y=l)[655].
Рис. 33.14.4. Зависимость затухания
упругой сдвиговой волны В,
распространяющейся вдоль оси у а-кварца, от
температуры: /-/=810, 2-f= 565,
3-f= 85 МГц [658].
8,дб/с'м
Рис. 33.14.5. Зависимость затухания
продольных упругих волн В, распространяющихся
в монокристаллическом кварце вдоль оси х, от
температуры: /-/=0,5, 2-/=1, 3-f= 1,4 4,
4-f=3,9, 0-f= 9.4, 6-f=24 ГГц [4].

г*3. КВАРЦ SiO,
Рис. 33.14.6. Зависимость
затухания В продольных волн в кварце от
температуры [2 7].
8fi, дб/см
Рис. 33.14.8. Зависимость затухания
упругих рэлеевских волн В^>
распространяющихся вдоль оси х на
поверхности кварцевой пластинки у-среза а-
кварца, от температуры: 1 г- при f=316,
2 — f = 1047 МГц: О~температурно
зависимая часть затухания В-р (по
радиотехническим измерениям)^ Д-значения
полного затухания (BQ+BT) при
комнатной температуре (по оптическим из-
,, меренням) 128J,
Рис. 33.14.7. Зависимость
затухания сдвиговых волн В,
распространяющихся в
кварцевой пластинке ЛС-среза,
от температуры [28].
Рис. 33.14.9. Зависимость
затухания упругих
продольных волн В в синтетическом
монокристаллическом кварце
от частоты: /-у-срез, 2-г-
срез [554].

278
33. КВАРЦ Si02
Рис. 33.14.10. Зависимость затухания упругих продольных волн В, распространяющихся
в а-кварце, от температуры: 1-х-срез, f= 1000 МГц,' 2-г-срез, f= 1000 МГц, 3-2-срез,
f=2880 МГц [4].
Рис. 33.14.11. Зависимость затухания упругих рэлеевских волн В^ от температуры [649].
В, дб/см
Рис. 33.14.12. Зависимость затухания упругих продольных волн Я, распространяющихся
э qp-кэдае* от температуры при f= 100D МГц; /-4<2-срез, 2-ВС-срез [656].

33. КВАРЦ SiO.
279
В,дБ/йН
Рис. 33.14.13. Зависимость
затухания упругих продольных
волн В, распространяющихся
в 2-срезе а-кварца, от
температуры: /-f= 0,73 ГГц, В= 1,3 ±
± 0,1 дБ/см;2—f=s 1,96 ГГц, В=
=9,0±0,2 дБ/см; 5-f= 3,38 ГГц,
5 = 26,3 ± 0,3 дБ/см [657].
В, 65/см
Рис. 33.14.14. Зависимость
затухания упругих сдвиговых
волн В, распространяющихся
в z-срезе а-кварца, от
температуры при f = 1,01 ГГц [658].
£ц} £зз
В г*
%
£ff ■
С
'200 240 280
JX.
Рис. 33.15.1. Зависимость
диэлектрических проницаемостей
&ii и е33 а-кварца от
температуры [31J.
Рис. 33.15.2. Зависимость
диэлектрических проницаемостей а-кварца
от температурь^ etu 2-eii9 3-sS9
при /=90 кГц, 4-8*# при f= 1 кГц
E31J.

280
83. К6АРЦ SiOs
%
Рис. 33.15.3. Зависимость
диэлектрической проницаемости 888 а-квар-
ца от температуры: /-для
природных кристаллов, 2-4-дляразличных
искусственно выращенных
кристаллов [31].
Рис. 33.16.1. Дисперсия
величины dn/dk кварца для
обыкновенного луча [2].
dji} d14l
-
W.01UJ
7 г
8 -
-
8,8
5 -
/ -
.1 1 1
7/7 У/7/7
0,4
д -
2 -
Л3т
Рис. 33.18.1. Дисперсии электрооп-
тических коэффициентов крарца
/~Гц, 2—[659].
Рис. 33.22.1. Зависимость
пьезомодулей dlt и dti а-кварца от
температуры |зц.
Рис. 33.22.2. Зависимость
пьезоэлектрических коэффициентов ett
и eti а-кварца от температуры
I31J.
Рис. 33.22.3. Сечение указательной поверхности
продольного пьезоэффекта кварца плоскостью ху
(а), плоскостью хг (б), содержащей ось второго
порядка [663].

33. КВАРЦ Si02 281
16. 	Показатели преломления. Рис. 33.16.1, см. рис. П.П.10, П.П.11.
[2, 392]
X, нм
По
пе
X, нм
п0
пе
185,467
1,67578
1,68997
508,582
1,548229
1,557475
193,583
1,65999
1,67343
518,362
1,547651
1,556887
200,06
1,64927
1,66227
533,85
1,546799
1,555996
202,55
1,64557
1,65842
546,072
1,546174
1,55535а
204,448
1,64288
1,65562
579,066
1,544667
1,553791
211,07
1,63432
1,64671
587,563
1,544316
1,553428
214,439
1,63039
1,64262
589,29
1,544246
1,553355
219,462
1,62497
1,63698
627,82
1,542819
1,551880
226,503
1,61818
1,62992
* 643,847
1,542288
1,551332
231,288
1,61401
1,62559
656,278
1,5411899
1,550929
242,796
1,60525
Г, 61650
667,815
1,541553
1,550573
250,329
1,60032
1,61139
670,786
1,541466
1,550483
257,304
1,59622
1,60714
706,520
1,540488
1,549472
263,155
1,59309
1,60389
728,135
1,539948
1,548913
274,867
1,58752
1,59813
766,494
1,539071
1,548005
291,358
1,58098
1,59136
794,763
1,538478
1,547392
303,412
1,576955
1,58720
844,67
1,537525
1,54640
312,279
1,57433
1,584485
1000,00
1,53503
1,54381
325,253
1,570915
1,58095
1014,06
1,53483
1,54360
340,365
1,56747
1,577385
1083,03
1,53387
1,54260
358,68
1,563915
1,573705
1200,00
1,53232
1,54098
396,848
1,55813
1,56772
1300,00
1,53102
1,53962
404,656
1,557156
1,56671
1400,00
1,52972
1,53826
410,174
1,556502
1,566031
1529,61
1,52800
1,53646
434,047
1,553963
1,563405
1600,0
1,52703
1,53545
435,834
1,553790
1,563225 *
1800,0
1,52413
1,53242
467,815
1,551027
1,560368
2058,20
1,51998
1,52814
479,991
1,550118
1,559428
2500,0
1,51156
1,51950
486,133
1,549683
1,558979
3000,0
1,49962
1,50700
Температурная зависимость показателей преломления кварца см. [2, 64]
17. Пропускание и поглощение. 0,15 — 4,5 мкм [55].
18. Электрооптические свойства. Рис. 33.18.1.
Гх!=1,4‘108 ед. СГСЭ, г41 = 0,6-108 ед. СГСЭ для Я, = 0,546 мкм при
71 = 20 °С [446, 472].

282 33. &ВАРЦ SiO,
19. 	Пьезооптические и упругооптические свойства.
Jtmn* 10-» см2/дин для Х = 0,589 мкм [207, 660]
Яи
я**
я44
Jtia
Я13
я14
fftsi
Я*1
1,35
0,07
—1,13
2,69
1,94
—0,11
3,11
—0,34
Ртп
для А,=0,59 мкм при Г=300 К [392, 661]
Pii
Ра з
Р 44
Pit
Pis
Pl4
Рз1
Р41
+0,128
+0,137
+0,098
+0,0973
—0,0685
—0,0685
+0,25
0,249
+0,259
0,258
—0,029
—0,029
0,258
0,257
—0,042
—0,042
20. 	Нелинейные оптические свойства.
[392]
А,, мкм
10-12 м/В
6?f, Ю-2 м2/Кл
п°>
пш
(0, град)
1,0582
| du = 0,4 ± 0,02
Su = l,86 ± 0,09
1,532
1,542
1,0582
d14 = 0,009
е14=0,04
1,536
1,542
1,0642
du = 0,364 ± 0,04
би = 1,6±0,2
1,5341
1.546&
21. 	Акустооптические свойства. См. рис. П.П. 13.
% = 0,589 мкм [41], см. [662]
"зв
"зв
Е
All, 1 O’"7 см2*с/г
М2, 10~18 с3/г
М3, 10“12 см*с2/г
[001]
[001]
[010]
9,11
1,48
1,44
[100]
[100]
[001]
12,1
2,38
2,11

33? КВАРЦ SlO,
283
22. Пьезоэлектрические свойства. Рис. 33.22.1—33.22.3.
[31] Г = 20°С
dlU 10“8 ед.СГСЭ 6,9 6,94 6,89 —6,76 6,93
du, 10-8 ед. СГСЭ — 2,04 2,56 —2,18
grf=19,3.108 ед. СГСЭ, = — 6,1-10* ед. СГСЭ при Г = 20°С,
gu = —19-108 ед. СГСЭ, gu = — 5,7-10® ед. СГСЭ при Т = ТК0МН,
Ли=14,5.10-4 ед. СГСЭ, Л14 = —3,47-10-* ед. СГСЭ при 7’=20°С,
Ли= 14,'6-Ю-4 ед. СГСЭ, Л14 = — 3,40-10-* ед. СГСЭ при 7’ = Гком„.
Т, °С Гком„ Гкомн 18 118 203 280 366
еп, 10* ед. СГСЭ —4,87 5,2 5,10 5,10 5,09 5,08 5,05
еХ4, 104 ед. СГСЭ —1,23 1,2 — — — — —
Т,°С 418 494 525 558 567 20 20
еи, Ю4 ед. СГСЭ 4,92 4,15 3,37 2,41 1,88 5,14 5,13
еы, 104 ед. СГСЭ — — — — — 1,21—1,22
Tdu =— 3,5-10_4ОС;
Tdu=— 2,0-10~4°С, Tdu= 17,7- 10~4°C при Т = 20 -ь 100°С;
7’d11 = 2,15-10-4°C, rdM=12,9-10-4OC при Г = 15-ь 45 °С;
Гец=—1,6-10-4ОС, Теы = — 14,4-10-4°С при 7’=15н-45°С.
ец = (—5,21 ± 0,02)-104 ед. СГСЭ [641]
23. Дополнительные сведения.
Вращает плоскость поляризации.
Длина волны
Я, нм
р*, град/мм
Длина волны
Л,, нм
р*, град/мм
434
41,924
[664]
760,8
12,704
[627]
486,1
32,761
[664]
686,7
15,742
[627]
589,3
21,724
[664]
656,2
17,314
[627]
656,3
17,320
[664]
’
Нелинейные акустические эффекты при распространении поверхностных
волн см. [665]; температурная зависимость оптической активности—см. [64].
Магнитная восприимчивость
%= 10-10-7 см-3.
Константа Верде R*, мин/см-3 = 0,017 при А, = 0,589 мкм и Гкомн-

284
34. БЕРЛЙНИТ А1Р0*
Тензор гирации [666]
482 5,96*10“!
510 —
550 5,69.10-5
12,968•10—5
Упругоэлектрический тензор gmnk =
( ^Sfnn \
V дЕк )
т=о
Е=0
0= const
gm»H, Ю-82 Н-»В-1м»
^in = —6,23, g24ki==z — 2,46,
£181 = —9,48, g34i = — 2,89,
^141 = 15,14, g‘44i==—21,00,
&22i5=2 0,58, ^1бз=1»14.
Кварцевые резонаторы см. [670].
Характеристики акустооптических модуляторов на основе Si02 см. [672].
1. Вид материала.
Синтетический монокристалл [673].
2. Симметрия кристалла. Тригональная подобная Si02, 32 [673].
Постоянные решетки, А. Рис. 34.2.1. а — 4,943 ± 0.0001, с= 10,974 ±
± 0,005 [673].
7 = 0
£=0
а=const
бmnk, Н,В-*м"*
Sin == 2,30 6241 = —0,63
6ш = 8,71 бз41 = 4,71
6*41 “ — 3,91 6441 = 3,76
6221 = — 2,38 $15з = — 0,46
34. 	БЕРЛИНИТ А1Р04

34. ЁЕРЛЙНЙТ AlP04
285
Рис. 34.2.1. Зависимость
параметров решетки а, с берлинита
А1Р04 от температуры,
штриховая линия-переход из оь- в р-
фазу [673].
Рис. 34.12.1. Зависимость упругих
жесткостей cj^n берлинита А1Р04 от
температуры [673].
4. Плотность, г/см3. 2,620; 2,618 (рентгеновским методом); 2,566 [28].
5. Температуры фазовых переходов.
Тс = 584 °С, переход из а- в P-фазу аналогичен переходу из а- в р-фазу
в а-кварце [673].
8. 	Тепловое расширение, К”1. Ох = (1,59 ± 0,06)«10“5, а3 = (0,97 ± 0,11)X
Х10“5.
12. 	Упругие постоянные.
cmn9 Ю1* дин/см* [674]
*11
*33
*44
*вв
0,640 ± 0,07
0,858 ± 0,03
0,432 ± 0,03
0,284 ± 0,06
*12
*18
*14
0,072 ±0,013
0,096 ±0,006
—0,124 ± 0,03
Температурные зависимости упругих постоянных. Рис. 34.12.1.

286 34. перлинит aipo«
дстп1дТ’ Ю'8С-* Дин/см2-К [673]
дсц/дТ
дс89/дТ
дСц/дТ
дс^/дТ
—0,485 ± 0,016
—1,87 ±0,03
—0,677 ± 0,018
+0,292 ± 0,013
дс12/дТ
дсг ъ/дТ
дСц/дТ
—1,07 ±0,038
—0,38 ± 0,1
—0,089 ± 0,10
13. 	Скорости упругих волн. Рис. 34.13.1—34.13.19.
[674]
Ориентация
22е
*-срез
6,8°
^-срез
37°
*-ось були
92,75°
л>ось були
105 см/с
2,751
2,749
2,855
2,733
Д VR/Vm> Ю-а
0,20
0,221
0,015
0,220
0, град
—0,55
4,5
0,0
0,0
Ориентация
84° z-срез
36е z-срез
24° z-срез
65,5°
0-ОСЬ були
9,5°-срез
0-ось були
o/j, 10? см/с
3,090
2,865
3,113
bvR/vm, 10-2
0,И7
0,277
0,162
0, град
16,5
—2,9
10,0
I
[650]
Ориентация
Углы Эйлера
м/с
AV°oo,
10-*%
%
V
0
х-ось були 46,6°
0°
46,6°
0°
2847
0,128
я-ось були 80,4°
0°
80,4°
0°
2751
0,245
*-срез 19,1°
90°
90°
19,1°
2754
0,240
х-срез 175,2°
90й
90°
175,2°
2865
0,264
2-ось цилиндра 18,5°
18,5°
60°
0°
2792
0,255
Двойной повернутый срез А
76,8°
90°
11,5°
2756
0,250
Двойной повернутый срез В
79,7°
90°
15,5°
2758
0,247

34. БЕРЛИНИТ А1РО*
287
Рис, 34.13.1. Зависимость скорости рэлеевской упругой волны v^ у~ среза берлинита А1Р04
от ориентации образца [674].
Рис. 34.13.2. Зависимость скорости распространения рэлеевских упругих псевдоповерх-
ностных волн Vg, температурного коэффициента задержки Тх, величины *102 и угла
потока энергии Ф берлинита А1Р04 от ориентации образца (см. рис. П. 1.1, П.1.2).
Сплошная линия-свойства, связанные с поверхностными волнами; пунктирная-свойства,
связанные с псевдоповерхностными волнами; штриховая-объемные волны, удовлетворяющие
граничным условиям; О““из0лиР°ванные поверхностные волны на псевдоповерхностной
зетви и связанные с ними свойства (/-jf-срез, 11-у-осъ цилиндра, Ul-x-осъ були, /F—
—^-срез, У-г-ось були) [674].

288
34. БЕРЛИНИТ AIPO4
Рис. 34.13.3. Зависимость скорости псевдоповерхностных упругих *волн v^r
температурного коэффициента задержки 74, величины Lv^/voo • Ю2 и угла потока энергии Ф от
ориентации образца берлинита А1Р04 (см. рис. П.1.1, П. 1.2): сплошная кривая-свойства,
связанные с поверхностными волнами; пунктирная кривая-свойства, связанные с псевдопо-
верхностными волнами; Д—объемные волны, удовлетворяющие граничным условиям, х —
поверхностные волны с нулевой связью, О~из0лиР°ванная поверхностная волна на псев-
доповерхностной ветви (/-я-ось цилиндра, П-у-осъ були, ///-z-ось цилиндра, IV-x-
ось були, V-z-срез) [674].
Рис. 34.13.4. Зависимость скорости
рэлеевской упругой волны в бер-
лините я-ось цилиндра А1Р04 от
величины угла Эйлера К (см. рис.
П.1.1, ПЛ.2) [650].
1я,м/е
Рис. 34.13.5. Зависимость скорости рэлеевской
упругой волны Vg в берлините А1Р04 для
среза, параллельного z-оси цилиндра и
проходящего через срез с углами Эйлера 76,8°; 90°;
11,5°, от величины угла Эйлера X (см. рис.
ПЛ.1, П.1.2) [650].

34. БЕРЛИНИТ AlPO*
289
Рис. 34.13.6. Зависимость величины
Av^/voo х-среза берлинита А1Р04 от
величины угла Эйлера б (см. рис.
ПЛ.1, П.1.2) [650].
Рис. 34.13.8. Зависимость величины
kuglvoo берлинита А1Р04 для среза,
параллельного z-оси цилиндра и
проходящего через срез с углами
Эйлер-а 76, 8°; 90° и 11,5°, от
величины угла Эйлера X (см. рис. ПЛ.1,
П.1.2) [650].
Рис. 34.13.7. Зависимость величины
Avg/vw аг-оси були берлинита А1Р04
от величины угла Эйлера ц (см. рис.
ПЛ.1, П.1.2) [650].
Рис. 34.13.9. Зависимость величины
Дг^/Ооо, s-ось цилиндра берлинита
А1Р04 от величины угла Эйлера к
(см. рис. ПЛ.1, ПЛ.2) [650].
Ю Под ред. М. П. Шаскольсюй

290
34. БЕРЛИНИТ AIPO4
Рис. 34.13.10. Зависимость
температурного коэффициента
задержки 74 0-среза берлинита А1Р04
от угла Эйлера 0 (см. рис. ПЛ. 1,
П.1.2). Пунктирная кривая
соответствует этой зависимости,
рассчитанной без учета
пьезоэлектрических и диэлектрических
постоянных [650].
ТтД6Т1
Рис. 34.13Л1. Зависимость
температурного коэффициента
задержки Тх берлинита А1Р04 для
среза, параллельного z-оси
цилиндра и проходящего через
двойной повернутый срез, от
величины угла Эйлера к 'см.
рис. ПЛЛ, ПЛ.2) [650].
Рис. 34.1 ЗЛ2. Зависимость
температурного коэффициента
задержки Тх л>среза берлинита
А1Р04 от величины угла Эйлера 0
(см. рис. ПЛЛ, ПЛ.2) [650].
Рис. 34.1 ЗЛЗ. Зависимость
температурного коэффициента
задержки Тх берлинита А1Р04 от
величины угла Эйлера ц (см.
рис. ПЛЛ, ПЛ.2) [650].

34. БЕРЛИНИТ AlPO*
Рис. 34.13.14. Завкси мость те м-
пературного коэффициента
задержки Тх z-ось цилиндра
берлинита А1РО* от~величнны угла
Эйлера А, (см. рис. П.1.1, ПЛ.2).
Пунктирная кривая соответствует
этой зависимости, рассчитанной
без учета пьезоэлектрических и
диэлектрических постоянных
[650].
Рис. 3 4 Л 3 Л 5. Зависимость угла
потока энергии Ф лс-среза
берлинита А1Р04 от величины угла
Эйлера 0 (см. рис. П.1.1, П.1.2)
[650].
Ф
Рис. 34.13.16. Зависимость угла
потока энергии Ф z-ось цилиндра
берлинита А1РО* от угла Эйлера к
(см. рис. ПЛ.1, П.1.2) [650].
Рис. 34.13.17. Зависимость
скорости рэлеевской упругой волны
*-среза берлинита А1Р04 от угла
Эйлера 0 (см. рис. П.1.1, ПЛ.2)
£650].

292
f 35A. САПФИР A 1*0*
vr,m/c
Рис. 34.13.18. Зависимость скорости
рэлеевской упругой волны х-оси
були берлинита А1Р04 от угла
Эйлера \х (см. рис. П.1.1, ПЛ.2) [650].
Рис. 34.13.19. Зависимость угла
потока энергии Ф берлинита
А1Р04 для среза, параллельного
2-оси цилиндра и проходящего
через срез с углами Эйлера 76,8;
90; 11,5°, от величины угла
Эйлера Я (см. рис. П.1.1, ПЛ.2)
[650].
Рис. 34.22.1. Зависимость рассчитанного коэффициента электромеханической связи k
повернутых ^-срезов берлинита А1Р04 от урла поворота [673].
22. 	Пьезоэлектрические свойства. Рис. 34.22.1.
35А. САПФИР а-А1208
1. Вид материала. Монокристалл, природный и синтетический.
Синтетические бесцветные кристаллы корунда называют сапфиром или лейкосапфи-
ром *). Выращиваются по методу Вернейля, гидротермальным методом, по
методу Чохральского, кристаллизацией из раствора в расплаве, по способу
Степанова, а также методом направленной кристаллизации [675].
2. Симметрия кристалла. Тригональная, класс 3т, R3c, имеется несколько
кристаллических фаз [1].
Постоянные решетки, А. а = 4,7589 ± 10-10~4, с — 12,991 ± 5• 10~3,
с/а = 2,730 [1, 675].
* Сапфиром называют синие кристаллы природного а-А1203.

35А. САПФИР A1*0*
293
Г, °С 25 156 350 496 650 803
а 4,7576 4,7623 4,7689 4,7739 4,7789 4,7848
с 12,9834 13,0000 13,0205 13,0356 13,0485 13,0675
аг=4,7569 + 3,3726* 10~6:r+l,037-10-»Г2,
сг= 12,9815+11,2939* 10-*Г— 9,321. 10-*Г2 [60].
3. Молекулярный вес. 101,94 [2].
4. Плотность, г/см3. 3,974 при#Г = 31 °С [1].
5. Температуры фазовых [переходов, °С. Гпл = 2015 ± 15 [1, 131]; Тпл =
= 2030 [675]. См. рис. П.П.18.
6. Растворимость, г/100 г воды. 9,8» 10~5 при Г = 29°С.
Слабо растворяется в кипящей азотной кислоте и в ортофосфорной
кислоте |при 300 °С. Хорошо растворяется в буре при 800—1000 °С, а в
бисульфате калия при 400—600 °С [2].
7. Удельная теплоемкость. 0,0249 кал/г-К при Г = 91 К; 0,1813 кал/г-К
при Т = 291 К [2]; 30,81 кал/моль-К при Т = 1300 К; 31,10 кал/моль-К
при Г = 1500 К; 31,37 кал/моль*К при Т = 2000 К [676].
8. Тепловое расширение, 10~6 К""*. См. рис. П.П.1.
а3 = 6,66 при Т = 20 -г- 50 °С; as = 9,03 при Т — 20 -s- 1000 °С; ах —5,0
при Т = 50°С [2]; ах = 7,28, а3 = 8,11 при 7, = 156°С; ах = 7,71 а3 = 8,56 при
Т = 496 °С [60, 677].
9. Теплопроводность, кал/К*см*с.
[64]
Г, К 296 350 299 343
х = 0,055 хх = 0,040 х3 = 0,060 х3 = 0,041
[678]
Г, К| 273 2323
к 0,0659 0,00775
10. Спайность. Наиболее вероятное проявление спайности по (lOTl),
(1120) [675].
В малоблочных без дислокационных кристаллах с низкими остаточными
напряжениями совершенная спайность по [1011] и [1120] [679].
11. Твердость. По Моосу 9; по Кнупу 1370 кгс/мм2, инденторная
нагрузка 1000 г [2].
Микротвердость в зависимости от направления оси индентора: параллельно
оси [с Нц = 1940 кгс/мм2, под углом 60° к оси с Ну, = 2315 кгс/мм2 и
перпендикулярно оси с Я^ = 2200 кгс/мм2 [675, 392, 680].
12. Упругие постоянные. Рис. 35А.12.1.

294
35А. САПФИР/А!«0.
Phc.]J35A.l2.1. а) Анизотропия коэффициента s[a сапфира: f-при вращении подвижной
системы координат 1', 2\ 3' вокруг [2110]* //-вокруг [0001],///-вокруг £1010]; /V-
<р=90°, 9=45®, F—ф=30°, 6=36°55'. б) Анизотропия коэффициентовs(/' — V')ns*ls(Vr — X')l
t\ VI1 -графики изменения коэффициентов и s^3 при вращении подвижной системы
координат на углы ф=0, 60, 120, 180®; //', У//'-на|углы ф=15, 45, 135, *165°; ///'»
VIII' — на углы ф= 30, 15°; IV', IX'—на углы ф = 75, 105, 195°; V\ X' — на угол ф=90°
{[681].
10й ДИН/СМ2
*11
* S3
*44
*1*
*13
*14
49,5
49,7
14,6
16,0
11,5
—2,3
[32]
49,68
49,81
14,74
16,36
11,09
2,35
[2, 4, 682]
Smn, Ю-“ СМ2/ДИН
sn
S3»
S44
Sl*
S13
S14
2,38
2,19
7,03
—0,70
—0,38
0,49
[32]
2,353
2,170
6,940
—0,716
—0,364
0,489
[2, 682]
ЯЮ[0001,=46972 кг/мм2= £Ю£.120]=49406 КГ/ММ* t682’ 2Ь
Температурные зависимости упругих постоянных. Рис. 35А.12.2, 35А.12.3.
Тстп, 10“* К“1 32]
г, к
Tct 1
TcBS
T c44
T cxt
Tctt
Т c14
300 900
—0,75
—0,85
—1,8
+0,4
—0,8
—0,7

35А. САПФИР AljOs
295
►
►
*
-
*
%
^ -
■*
%
-
-
~C14
fill
т,
№
т
%к
*%
13 -I
Рис. 35А.12.2. Зависимость
упругих податливостей smn сапфира
от температуры [32].
Рис. 35А.12.3. Зависимость
упругих жесткостей стп сапфира [от
температуры* £3 2 ].
smn> 10“12 сма/дин [675]
Т, °с
*83
S4A
Slf
S19
S14
0
0,2326
0,2151
0,6765
—0,0693
—0,0362
0,0465
100
0,2326
0,2152
0,6776
—0,0695
—0,0363
0,0467
150
0,2330
0,2154
0,6802
—0,0698
—0,0364
0,0471
200
0,2336
0,2158
0,6841
—0,0704
—0,0365
0,0477
250
0,2344
0,2163
0,6889
—0,0710
—0,0366
0,0483
300
0,2353
0,2169
0,6942
—0,0716
—0,0368
0,0491
350
0,2364
0,2176
0,7000
—0,0723
—0,0369
0,0500
400
0,2375
0,2183
0,7061
—0,0731
—0,0370
0,0509
450
0,2386
0,2191
0,7126
—0,0740
—0,0370
0,0519
500
0,2399
0,2200
0,7193
—0,0748
—0,0371
0,0530
550
0,2412
0,2209
0,7263
—0,0757
—0,0372
0,0541
600
0,2425
0,2218
0,7334
—0,0766
—0,0372
0,0552
650
0,2438
0,2228
0,7407
—0,0775
—0,0373
0,0564
700
0,2453
0,2237
0,7482
—0,0784
—0,0373
0,0576
750
0,2467
0,2247
0,7559
—0,0796
—0,0374
0,0587
800
0,2482
0,2258
0,7638
—0,0808
—0,0374
0,0600
850
0,2497
0,2268
0,7719
—0,0820
—0,0374
0,0613
900
0,2512
0,2279
0,7803
—0,0832
—0,0375
0,0626

296
35А. САПФИР А1*03
Рис, 3SA.13.1. Сечения поверхности скоростей упругих волн сапфира координатными
плоскостями: / — QL, in-v™. На рис. а), б) угол отсчитывается от оси г, на рис. в) —
от оси х £642],
Рис. 35А Л 3.2. Сечение
поверхностей медленностей (обратных
скоростей) сапфира плоскостью ху:
I-QL, II-QS6. Ill—QSU [72].
Рнс. 35А.13.3. Сечение
поверхностей медленностей (обратных
скоростей) сапфира плоскостью
yz: I-qL, II-QS6. Ul-vsnm
£72].
13. Скорости упругих волн, 10^ см/с. Рис. 35А.13.1—35А.13.10. см.
рис. ПЛ 1.4—ПЛ 1.6. П.11.8. П.П. 18.
'wiii,-11* "s,.,»,-7 I41’ 683>
В плоскости ху вдоль оси х £># = 5.557 [28].
P^fiooj = 43,8-106 кг/м2-с для vL[100J= И ,03 см/с,
P^llioo]^26»9*106 кг/м2-с Длн 4[100] =6,780 см/с,
PvS[iooj =22,7-106 кг/м2*с для v%[1QQ} = 5,72 см/с [481].
Зависимость величины Ду#Мо от направления распространения волны
в плоскости yz и в базисной плоскости см. [28]. Ориентационные
зависимости Ею и Gynp см. [682].
14. Затухание упругих волн, дБ/см-ГГц2, 0,2 для v - , 0,2 для
L [112 О J
Пгоооц [41, 687]; 0,6 для v$ [688, 689, 6]; рис. 35АЛ4.1—35А.14.5, см. рис.
П.И.6, ПЛ1.13, ПЛ1Л4.

35А. САПФИР AlaOs
297
Рис. 35А.13.4. Зависимость скорости
рэлеевской упругой волны и угла
потока энергии Ф л:-среза сапфира от
величины угла Эйлера 6 (см.
рис. П.1.1, П.1.2) [44].
рис. 35А.13.5. Зависимость скорости
рэлеевской упругой волны Vg и угла
потока энергии Ф у-среза сапфира от
величины угла Эйлера в (см.
рис. П.1.1,'П.1.2) 144].
Р
-г
■ ' » i.t'i 1 —■t т I
л L.
ж Я*
126* Ж В
Рис. 35А.13.6. 3ависи моспТскорости
рэлеевской упругой волны и угла
потока энергии Ф z-среза [сапфира
от величины угла Эйлера 0 (см.
рис. П.1.1, ПЛ.2) 144].
Рис. 35А. 13.7. Ориентационная
зависимость рэлеевской упругой волны и^
и угла потока энергии Ф 2-ось були
сапфира от величины угла Эйлера А*
(см. рис. П.1.1, П.1.2) [44].

35А. САПФИР А1«0>
Рис. 35А. 13.8. Зависимость скорости
упругой рэлеевской волны х-ось
цилиндра сапфира от величины угла
Эйлера v (см. рис. П.1.1, ПЛ.2;
усредненный по времени угол потока
энергии равен нулю) [44].
vx,m/e.
Рис. 35А.13.10. Зависимость скорости
упругой рэлеевской во ^ны и угла
потока энергии Ф г-ось цилиндра
сапфира от величины угла Эйлера у
(см. рис. ПЛЛ, П.1.2) £44].
Рис. 35А.13.9. Зависимость скорости
упругой рэлеевской волны и угла
потока энергии Ф у-ось 'цилиндра
сапфира от величины угла Эйлера у
(см. рис. ПЛЛ, ПЛ.2) [44].
В, дБ/ш
Рис. 35А.14.1. Зависимость
затухания продольных гиперзвуковых
волн В, распространяющихся в
направлении [0001], для сапфира от
частоты [675].

35А. САПФИР А),О.
299
tm
Рис. 35А.14.2. Зависимость затухания В упругих сдвиговых волн в сапфире и иттрий-
алюминиевом гранате от частоты: /-затухание сдвиговых волн, распространяющихся по
|11201 в А12Оэ, 2-затухание сдвиговых волн, распространяющихся по [П0| в У*А1в01а
[684J.
Рис. 35А.14.3. Зависимость затухания В от
температуры для сапфира при /=1 ГГц. Волна
распространяется вдоль оси a: 1-QL, 2-QS^,
3 — QSM (преобразователи из ZnS) [26].
BJE/cm
Рис 35А.14.4. Зависимость
собственного затухания В от
температуры для сапфира при f=
= 1 ГГц. Волна распространяется
вдоль оси а: О-5м, Д-S**, ф-L
(преобразователи из ZnS) [4].

35А. САПФИР А1*Оа
Рис. 35А.14.5. Зависимость
затухания продольных волн В для
различных кристаллов от частоты: 1,2 —
сапфир, 3-рубин, 4-кварц, 5~Si,
6 —Ge [686].
Рис. 35А. 16.1. Дисперсия
показателя преломления п
сапфира [2].
4т
JJ40
Рис. 35А.16.2. Показатель
преломления по и коэффициент
поглощения А сапфира [690].
см~' ш
А ,с
чч п | * t <1 j < 1 1 I к * *• * • i 11 * *
_ 1 J 1 * ' 1 1 1 ' i 1 * ' ' 1 ,
2,600
Г /
Щ
: / i
: /
ЩО
: ■ лйг/ :
: щ/
40
: ^
\ /
Щ
/ /
: / /
30
1 / А :
1 / / ^
2,440
/ /
-
I //
1 1 ! 1 ! 1 1 1 1 t f 1 1 ( 1 f !
0
Т.«rrtTfL и х 1 /.i.j.i..!. I..I 1.I..I.LUX
40
в 50 100 150
f, с/г*
Рис. 35А. 16.3. Показатель
преломления пе и коэффициент
поглощения А сапфира [690].

35А. САПФИР AUO,
301
15. 	Диэлектрические свойства.
12]
Г, °с
8i
8s
tg б (JL оси с)
tg 6 (И ОСИ С)
f, Гц
25
8,6
10,55
0,001
0,001
ЫО2
25
8,6
10,55
0,0002
0,0002
1 • 103
25
8,6
10,55
0,001
0,001
ЫО4 - МО»
25
8,6
10,55
0,0001
0,0001
3-108
25
13,2
11,4
—
—
102 -*• 1010
16. Показатель преломления, рис. 35А.16.1—35А.16.3, см. рис. П.11.10.
Т = 24 °С [2]
X, мкм
По
к, мкм
По
к, мкм
По
0,576960
1,76884
1,6932
1,74368
3,3303
1,70140
0,579066
1,76871
1,70913
1,74340
3,422
1,69818
0,64385
1,76547
1,81307
1,74144
3,5070
1,69504
0,706519
1,76303
1,9701
1,73833
3,7067
1,68746
0,85212
1,75885
2,1526
1,73444
4,2553
1,66371
0,89440
' 1,75796
2,24929
1,73231
4,954
1,62665
1,01398
1,75547
2,32542
1,73057
5,1456
1,61514
1,12866 "
1,75339
2,4374
1,72783
5,349
1,60202
1,36728
1,74936
3,2439
1,70437
5,419
1,59735
1,39506
1,74888
3,2668
1,70356
5,577
1,58638
1,52952
1,74660
3,3026
1,70231
[78]
Xt мкм
По
пе
0,535
1,7717
1,7634
0,589
1,7681
1,7599
0,671
1,7643
1,7563

302
35А. САПФИР AlsO,
[691]
Частота, см""1
По
пе
пе—по
Aot см""1
Ае, см-1
20,2
3,0688
3,4111
0,3423
25,2
3,0698
3,4129
0,3436
—
—
30,2
3,0704
3,4134
0,3430
0,4
0,5
35,3
3,0720
3,4163
0,3443
—
—
40,3
3,0740
3,4187
0,3447
—
—
45,4
3,0752
3,4232
0,3480
1,7
2,2
50,4
3,0770
3,4260
0,3490
—
—
55,4
3,0795
3,4294
0,3499
—
—
60,5
3,0822
3,4334
0,3512
3,6
4,0
65,5
3,0843
3,4391
0,3548
—
— '
70,6
3,0870
3,4444
0,3574
—
—
75,6
3,0906
3,4510
0,3604
4,9
7,6
80,6
3,0941
3,4569
0,3628
—
—
85,7
3,0982
3,4625
0,3643
—
—
90,7
3,1019
3,4689
0,3670
7,2
12,7
95,8
3,1060
3,4766
0,3706
—
—
100,8
3,1103
3,4836
0,3733
—
—
105,8
3,1147
3,4908
0,3761
9,9
17,8
110,9
3,1198
3,4993
0,3795
—>
—
115,9
3,1249
3,5081
0,3832
—
—
120,9
3,1304
3,5185
0,3881
12,9
24,0
126,0
3,1357
3,5279
0,3922
—
—
131,0
3,1422
3,5375
0,3953
—
—
136,1
3,1485
3,5508
0,4023
15,7
29,6
141,1
3,1549
3,5612
0,4063
—
—
146,1
3,1623
3,5746
0,4123
—
—
151,2
3,1696
3,5856
0,4160
19,7
35,9
156,2
3,1765
3,6042
0,4277
—
—
161,3
3,1854
—
—
—
—
166,3
3,1921
—
—
26,2
—
171,3
3,2018
—
—
—
—
176,4
3,2113
—
—
—
.—
Т = 17 “5- 31 °С [2]
Я, мкм
Я, МКМ
eh
•§Р
со
о
Я, мкм
dT
А., мкм
103
0,405
1,41
0,546
1,31
0,579
1,31
0,707
1,26
0,436
1,39
0,577
1,31
0,644
1,28
4,0
1,0

35А. САПФИР А!20*
303
Формула дисперсии показателя преломления п2—1
ЛД2
АЛ?
где ^ = 0,06144821, Л1= 1,023798; >..> = 0,1106997, Л 2= 1,058264;
X2—Х3
Х3= 17,92656, А3 = 5,280792 [2].
17. Пропускание и поглощение. 0,17 -ь 6,5 мкм [37]; рис. 35А.17.1, см. рис.
35А.16.2, 35А.16.3.
Л,тм
Рис. 35А.17.1. Дисперсия коэффициента поглощения А сапфира [531.
19. Пьезооптические и упругооптические свойства
71 тпч 10“7 ММ2/КГ [692]
Яц
Я12
Я33
Яз1
3tl8
51 ±2%
6,8±8%
40 ±2%
1,8 ±25%
9,5±15%
21. 	Акустооптические свойства. См. рис. П.П. 13, П.П. 14.
X = 0,633 мкм [31]
"зв
"зв
Е
Мг,
10“7 см2-с/г
м2,
Ю-i* с3/г
м»,
10”*12 см*с2/г
[1120]
[0001]
[1120]
[0001]
[1120]
[0001]
7,7
7,32
0,36
0,34
0,70
0,66

304 35Б. РУБИН А12Оз
23. Дополнительные сведения.
Т = 25 °С [675]
Ориентировка
образцов
X [0001]
X [1120]
X 11011]
р#, Ом-см
5-1018
(13-г-29). 1018
(15 -г- 24). 1018
Прочность на сжатие при нагрузках параллельно и перпендикулярно
оси 3 находится в пределах от 3000 до 20 000 кг/см2, прочность на разрыв
4160» кг/мм2, макропрочность на отрыв 1068 кг/мм2 [675].
[685]
Г, °С 500 1000 1500 2000
pRi Ом-см 1011 109 105 103
35Б. РУБИН а-А1203
1. Вид материала. Монокристалл природный и синтетический, красный.
Рубин представляет собой кристалл а-корунда (А120з), в котором часть
атомов алюминия изоморфно замещены атомами хрома. Выращивается по методу
Вернейля, методом направленной кристаллизации, из раствора в расплаве,
из расплава по методу Чсхральского, методом бестигельной зонной плавки
[675, 543].
2. Симметрия кристалла. См. сапфир.
Постоянные решетки, А. См. сапфир, а = 4,748, с =12,957 при Т~ 20 °С
[675].
Зависимость параметров решетки а-корунда от температуры см. [675].
Г, °С 20 320 440 610 770 980
а 4,748 4,757 4,762 4,76о 4,775 4,784
с 12,957 12,982 12,995 13,011 12,028 13,056
Зависимость параметров решетки рубина от содержания хрома см. [675].
3. Молекулярный вес. См. сапфир.
4. Плотность, г/см3. При Т = 20 °С. р = 3,984 —* 3,998 для розового рубина;
р = 4,013 для темнокрасного рубина при 7, = 20°С [675].
5. Температуры фазовых переходов. См. сапфир.
6. Растворимость. См. сапфир.
7. Удельная теплоемкость. См. сапфир.
Зависимость теплоемкости от температуры (с точностью ± 2%).
с= 1,079+1,74* 10-4Т — 3,04- 105Г~2 Дж/г-К или
с=0,2562 +0,4304• 10~4Г — 7,13* 103Г~2 Дж/г-К [416].

35Б. РУБИН А1*03
305
8. Тепловое расширение, К”1.
Зависимость коэффициентов линейного расширения от температуры в
пределах 300 -г- 900 К параллельно оси с:
а3 = 0,6582-10-*+0,4995-10-.87 + 0,2578-
перпендикулярно оси с:
а± = 0,5425.10“* + 0,5538 • 10 ~ 8Г—0,2878.10~ 2 [416].
9. Теплопроводность. Рис. 35Б.9.1.
10. Спайность. См. сапфир.
11. Твердость. См. сапфир.
12. Упругие постоянные. См. сапфир.
Температурные зависимости упругих постоянных см. сапфир.
13. Скорости упругих волн. См. сапфир.
Температурные коэффициенты скоростей упругих волн см. сапфир.
14. Затухание упругих волн. Рис. 35Б.14.1, 35Б.14.2. См. рис. 35А.14.5.
%}мл/
Рис. 35 Б. 9.1.'
Зависимость теплопроводности к
рубина от температуры
[416].
Рис. 35Б.14.1. Зависимость затухания
продольной гиперзвуновой волны В,
распространяющейся вдоль тригональной оси /-рубина,
2-ниобат» лития при f=9,4 ГГц от
температуры [691].
15. Диэлектрические свойства. См. сапфир.
tg8n =(20 ± 5)-10-3, tg 6± = (40 ± 10)-10“3 для /= 10“ Гц [675].
16. Показатели преломления. См. сапфир; рис. >355.16.1.
17. Пропускание и поглощение. Положение максимумов широких и
наиболее интенсивных узких полос поглощения света в спектре рубина см. [675].

306
36. КАЛОМЕЛЬ Hg*Cl,
Рис. 35Б 14.2. Зависимость затухания
продольных упругих волн В при f=9,4 ГГц в
рубине в направлении оси х от температупы
[693].
Рис. 35Б.16.1. Дисперсия
показателя преломления п
в рубине: 1-п0» 2-пе
(0,05% Сг) [641].
19. Пьезооптические и упругооптические свойства.
А, = 0,63 мкм [57].
Рч
Pl2
Р 13
Р 14
Рз1
Р 33
p*t
Р44
—0,23
—0,03
+0,02
0,00
—0,04
—0,20
+0,01
—0,10
23. Дополнительные сведения.
Используется как активный элемент ОКТ—см. [562, 416].
Фотонное эхо в рубине см. [694].
36. 	КАЛОМЕЛЬ Hg2CI2
1. Вид материала. Синтетический монокристалл, красный [695, 696].
Природные мелкие кристаллы [222]. =
2. Симметрия кристалла. Тетрагональная, класс 4/ттт, М/ттт {оЦ),
цепочечная структура [1, 131, 527, 696]. Выше 126,3 °С каломель красная,

36. КАЛОМЕЛЬ Hg*Cl,
307
a-Hg2Cl2 с линейными молекулами Cl — Hg—Hg—-Cl энантиотропно
переходит в желтую модификацию P-Hg2Cl2 ромбическую [1, 222].
Постоянные решетки, А. а = 4,48 ± 2> 10~2, с = 10,910 ± 3* 10~3, с/а ==.
= 2,4342 [1].
3. Молекулярный вес. 472,09 [97].
4. Плотность, г/см3. 6,97 при Т = 20 °С [1]; 7,19 [695].
5. Температуры фазовых переходов, °С. 71пл = 543 при р — 45 кг/мм2 [697];
Тпл = 302 [131]; Тс= 185 К, переход из тетрагональной модификации Dll
в ромбическую D\h [696].
6. Растворимость, г/100 г
воды. 3» 10~4 при Г = 25 °С [695,
697].
Слабо растворяется в горячих
HN03 и НС1, в бензоле [1, 97].
Практически не
растворяется в воде; не растворяется
в спиртах в эфире [1].
7. Удельная теплоемкость.
Рис. 36.7.1.
10. Спайность. Совершенная
по (110) и (110) [695].
Плоскость спайности иногда
принимается за
кристаллографическую плоскость (110) [131, 697].
11. Твердость. По Моосу 2 ч-2,5 [527]; 1,5 [697].
12. Упругие постоянные.
cmn, 1010 дин/см2 [695]
*11
*33
*44
*«в
*1Л
*13
18,925
80,37
8,456
12,25
17,192
15,630
smn, 10~12 см2/дин [695]
Sn
S33
s44
se«
S12
S13
30,516
1,496
11,826
8,162
27,187
0,6474
ср}Дж/1гг-К
№ I— 1 1 1
100' 150 Ж 250 Т,К
Рис. 36.7.1. Зависимость теплоемкости ср ка-»
ломели Hg2Cl2 от температуры [696].

308
36. КАЛОМЕЛЬ Hg2CI,
13. Скорости упругих воли, 105 см/с. Рис. 36.13.1.
й) &} в)
г) 9) е)
Рис. 36.13.1. Сечение поверхности акустических скоростей каломели Hg2Clt: фазовых
(а, б, в), групповых (г, д, е) плоскостью (110) (с, г), плоскостью (001) (б, д), плоскостью
(010) (в, е): / — продольные волны, // — сдвиговые с поляризацией, лежащей в плоскости
сечения, /// — сдвиговые с поляризацией, перпендикулярной плоскости сечения [695].
[695] *)
"зв
"зв
V
"зв
"зв
V
[100]
[100]
1,6224
[100]
[010]
1,3054
[101]
[101]
2,6414
[110]
[001]
1,0844
[100]
[100]
2,0544
[110]
[110]
0,347i
[001]
[001]
3,343*
[101]
[101]
1,1329
[001]
[010]
1,0844
[Ю1]|
[010]
1,206*
*) Измерено импульсным ультразвуковым и фазово-импульсным методами
на частотах /=1,67; 9 и 18 МГц при Т = 20,1 °С.
14. 	Затухание упругих волн. 2 дБ/см для / = 400 МГц [697].

36. КАЛОМЕЛЬ Hg2CI.
309
15. Диэлектрические свойства. Рис. 36.15.1.
Рис. 36.15.1. Зависимость диэлектрических , проницаемостей elf е2 каломели Hg2Cl2 от ае-
личины волнового вектора: сплошная кривая—осцилляторный метод, штриховая кривая —
метод Крамерса^Кронига [698].
16. Показатели преломления.
п0— 1,973, пе = 2,656—естественный кристалл [571], п0 = 1,96, пе = 2,62
[131, 697]; пе—гс0 = 0,683, оптически положительна [446, 571]; пе—ло = 0,65
[696]*
17. Пропускание и поглощение. 0,38 28 мкм [697].
19. Пьезо- и упругооптические свойства. рц = 0,551 ± 0,050, р33 = 0,010 ±
± 0,006, рт = 0,047 ± 0,016, р12 = 0,440 ± 0,040, *р13 = 0,256 ± 0,050, р31 =
= 0,137 ± 0,10 [697].
21. 	Акустооптическйе свойства.
[697] *)
*зв
"зв
Е
Мг,
10-1* с*/г
"зв
"зв
Е
м2,
10-18 с*/г
[100]
[100]
[100]
506
[110]
[010]
произв.
7,9
[100]
[100]
[010]
340
[110]
[110]
произв.
640
[110]
[110]
[110]
273
[001]
[001]
[001]
0,17
[110]
[110]
[110]
185
—
—
—
—
*) Измерено динамическим методом при / = 30 -г* 70 МГц для Х = 0,6328 мкм.

310
37. ТИТАНАТ БАРИЯ BaTiO,
37. 	ТИТАНАТ БАРИЯ BaTi03
1. Вид материала. Монокристалл синтетический. Выращивается из
расплава при стехиометрическом избытке ТЮ2, а также из раствора в расплаве
солей [699].
2. Симметрия кристалла.
[700]
т, °с
Симметрия
120
Кубическая, класс m3m, РтЗт, (Од)
+ 120 +5
Тетрагональная, класс 4mm, P4mm, (Сде)
+5 --90
Ромбическая, класс mm2, Стт2у (сЦ)
—90
Ромбоэдрическая, класс 3т.
Постоянные решетки, А.
а = 4,0092 при Т —122°С кубическая модификация; а-=3,992, с = 4,036
при Т= 120 -т- 5°С тетрагональная модификация; а = 5,682, 6 = 5,669, с = 3,990
при Т = —10 °С ромбическая модификация; а = 3,998 при Т ——100 °С
ромбоэдрическая модификация [700].
а = 3,985 с = 4,020 [701].
Температурная зависимость параметров решетки—см. [700, 702].
3. Молекулярный вес. 232,96.
4. Плотность, г/см3. 6,020 [1,20, 45], тетрагональная модификация 6,017
[328].
5. Температуры фазовых переходов, °С.
Гпл = 1625 [2]; 7\.= 120 из кубической в тетрагональную; Тс — Ъ из
тетрагональной в ромбическую; Тс — —90 из ромбической в ромбоэдрическую
[700].
6. Растворимость. Растворим в НС1, Н3Р04, очень слабо в азотной
кислоте. При высоких температурах растворяется в KF, ВаС12, BaF2, ТЮ2, [699]*
7. Удельная теплоемкость, кал/г*К, рис. 37.7.1. См. рис. П.П.1.
[704, 37, 700]
Г, К 55 75 100 125 150 175 —98
ср 0,01799 0,03004 0,04421 0,05709 0,06868 0,07813 0,077
8. Тепловое расширение, 10“6 К”*1, рис. 37.8.1. См. рис. ПЛ1.1.
[702]
Г, °С 120 200- 350 400 500 600 700 800 900 1000 1050
а 8,6 9,4 10,8 11,3 12,3 13,2 14,2 15,1 16,1 17,0 17,5

37. ТИТАНАТ БАРИЯ ВаТЮ*
311
Рис. 37,7.1. Зависимость теплоемкости ср ВаТЮ3 от температуры кристаллов: выращенных
методом подпитки (а), кристаллов, выращенных из высокотемпературного раствора (б) [703]*
x,W2Bm/ai-K
Рис. 37.8.1. Зависимость
коэффициента линейного теплового
расширения а кубического
ВаТЮ8 от температуры [702].
Рис. 37.9.1. Зависимость
теплопроводности х ВаТЮ3 от
температуры. Вертикальные
штриховые линии указывают
температуры фазовых переходов,
полученных из измерений
теплоемкости: /-ромбоэдрическая
модификация, //-ромбическая, III —
тетрагональная, /V —кубическая
[702].

312 37. ТИТАНАТ БАРИЯ ВаТЮ,
[702]
Тетрагональная
Ромбическая
Ромбоэдрическая
модификация
модификация
модификация
о
о
20 -г- 4 120 “ 30
4 -4 99
—9-4-—160
а
11,4 3,5-1,5
11,4
8,8
06 = 5,1 при Г = 30 н- 121,7°С, а— 10,3 при Т = 124,1 ~310°С [64].
9. Теплопроводность, [кал/К* см « с. |Рис. 37.9.1 0,0016 при Т = 40 if К [2].
10. Твердость. По Викерсу 200 -4- 580 [702].
12. 	Упругие свойства.
Тетрагональная модификация:
cmn> W14 ДИН/СМ2 [31]
С11
[С88
С44
с««
са
с* а
7, °С
с*
1,66
1,62
0,429
0,448
0,766
0,775
25
с*
1,50
1,46
0,44
0,43
0,66
0,66
25
(Р
1,68
1,89
0,546
0,448
0,782
0,71
25
<Р
1,50
1,71
0,57
0,43
0,68
0,57
25
W 10-u см2/дин [700, 706, 707]
sn
S88
S44
s««
si *
*18
S*
80,5
157
184
88,4
-23,5
—52,4
&
72,5
108
124
88,4
—31,5
—32,6
Кубическая модификация:
W 10_м см2/дин [700, 706, 707]
t, °c
Sli
si*
Sis
>120
83,3
—26,8
92,4

37. ТИТАНАТ БАРИЯ ВаТЮ, 313
Smn, Ю-12 ма/Н [708]
„Е
sll
sE
SE
S33
SE
12
ЧЕ
S13
SE
23
sE
44
SE
S5
see
Слоистый
кристалл
Однодоменный
кристалл
7,92
8,05
8.05
8.05
7,92
15,7
3,80
—2,35
—1,28
—5,24
—3,80
—5,24
11,9
18,4
30,2
18,4
13,6
8,84
Smn, 10-:14 м*/Н [708]
sg
Д>
22
<р
*33
12
'* SD
x S13
SD
23
£
sg
SD
see
Слоистый
кристалл
Однодоменный
кристалл
6,05
7,20
8,01
7,20
5,25
10,5
—3,95
-3,20
+0,97
-3,14
—3,51
—3,14
8,85
8,90
23,4
8,90
13,6
8,84
Рис. 37.12.1. а) Зависимость упругих податливостей s14, и BaTiG3 от температуры;
б)Хплошная кривая-зависимость величины (2s12 + see)^, штриховая KpHnafl-(2sla + sM)*>
£700].
Сц, 1д1гдин/см*
у
1,8
и
J 1 I 1 1 I L-
№
*)
-U..J - I ..
149
Т/С
Ctfttt1*8ин/ем*
33
_J s I L.
т—L
13Q
г/с
Рис. 37.12.2. Зависимость упругой жесткости сх1 ВаТЮ3 от температуры: Г> (д),
Т <ТК (б) (#-f = 90 МГц, 0-f= l 50 МГц.) [705].

314
37. ТИТАНАТ БАРИЯ ВаТЮ*
Температурные зависимости упругих постоянных. Рис. 37.12.1,[37.12.2.
Зависимость s44 + 2Si2 и su от Г—7’к см# [709].
Зависимость с?ь cf2— си от Р| см. [710].
13. Скорости упругих волн. Рис. 37.13.1.
Температурные коэффициенты скоростей упругих волн. Рис. 37.13.2,^37.13.3.
14. Затухание упругих волн. Рис. 37.14.1.
Рис. 37.13.1. Сечения поверхностей медленностей (обратных величин фазовых скоростей)
{а, в, д) и поверхностей лучевых скоростей (б, г, е) ВаТЮ8 плоскостями (100) (а, б);
(001) (в, г); (110) (а, г); /-£; //-S6; III-S* [711J.

37. ТИТАНАТ БАРИЯ BaTiO,
315
vlM,lfcu/a
Г,к
Рис. 37.13.2. Зависимость ско*
рости продольных упругих волн
©Шоад в ВаТЮ* от температуры
при f=45 МГц [712].
Рис. 37.13.3. Зависимость
скорости сдвиговых
упругих волн в BaTiO,
от температуры при f=
= 15 МГц [712].
Л, см*
В, см*
Рис. 37.14.1. Зависимость затухания упругих волн В a Bal’iO, от температур» Т > Т
(а), Т < Гк (б): о—/=310. n-f=270, X-f=150, #-f=230, Д-/=90 МГц [705].
15. 	Диэлектрические свойства. Рис. 37.15.1—37.15.4.
Зависимость диэлектрической проницаемости и tg б для с-доменных
монокристаллов от частоты при комнатной температуре для двух типичных
образцов см. [713].

316
37. ТИТАНАТ БАРИЯ ВаТЮ3
£a,Se>%3
Рис. 37.15.1. Зависимость
диэлектрических проницаемостей 8а
н sc ВаТЮ8 от температуры
(значения 8а и ес в
тетрагональной фазе даны для
однодоменного кристалла) [32].
гЧй3
Рис. 37.15,2. Зависимость
действительной части комплексной
диэлектрической проницаемости
е' ВаТЮ3 от температуры / —
10 кГц, 2—24 ГГц, 5-120 ГГц,
4-430 ГГц, *5 — 1200 ГГц [32].
&а>
Рис. 37.15.3. Зависимость
диэлектрических проницаемостей sa
и ес ВаТЮ* от температуры:
i-ea, /=100 кГц, 2-ей, /=
=2 50 МГц, 5-ес, /=100 кГц,
4-8С, /=250 МГц [501]
Рис. 37.15.4. Зависимость
диэлектрических проницаемостей еа и 8С в
кубической и тетрагональной модификациях
ВаТЮ„ от^температуры [32].

37. ТИТАНАТ БАРИЯ BaTiO,
317
[708}
т
«11
ев
вт
*22
Ев
ет
fc33
Ео
4
Ео
es
ь22
Ев
ES
Бзз
Ев
Слоистый
кристалл
265
2680
2130
205
2000
1070
Однодомен ный
кристалл
4100
4100
160
2000
2000
. 105
т
Ч
8S
83
2S20
«3000
3600
168
160
135
1970
2300
109
60
[31]
[349]
[392]
tg 6 =
= 0,160
при
Т = 25'
ЭС и
/=1490Гц [701]; 8 = 150 при Г =
= 20°С, /=10 МГц [446], см. также
[715].
Зависимость гс и 1 /гс от температуры см. [32]
16. Показатель преломления, рис. 37.16.1—37.16.3.
я = 2,4 в видимой и инфракрасной области спектра, Ад=0,073 приГ=20 °С
Я = 0,4561 мкм [716, 413].
Рис. 37.16.1. Зависимость
показателя преломления я© ВаТЮ3от
температуры {dtiJdT=2,4• 10-6 град*”*)
[5011.
Рис. 37.16.2. Зависимость
показателей преломления по и Пе ВаТЮ3 от
температуры при Я=5899 А; Д —
ошибка измерения (разброс
значений п0); общая ошибка измерений
±0,39% [32].
Рис. 37.16.3. Дисперсия
показателей преломления
п0 и пе ВаТЮ8 при Т =
= 2 5 °С в видимой области
спектра [413].

318
37. ТИТАНАТ БАРИЯ ВаТЮ*
Зависимость показателя преломления и двупреломления от температуры
см. [700].
17. Пропускание и поглощение. 0,4 ~ 4.5 мкм [2, 413].
Кристаллы ВаТЮ3 прозрачны до К « 7 мкм.
I — 70% без учета потерь на отражение в видимой области спектра [413].
Зависимость А от к в области собственного поглощения см. [413].
18. Электрооптические свойства.
Тетрагональная фаза:
Гб1==820* 1012мВ-1, r&i = 1640-1012 мВ~1 для к = 0,546 мкм.
Дя = 2*10“3 при £ = 5000 В, 7* = 130 °С.
/?1Х = 0,12 м4/Кл2, /?12 отрицательно и меньше 0,01 [717].
21. 	Нелинейные оптические свойства.
Генерация второй гармоники, тетрагональная фаза [392, 718]
X, мкм
d\f, Ю~12 м/В
610-2 М2/Кл
/г®
град)
1,058
^и= 17,2 ± 1,42
615 = 1,98 ± 0,16
1,058
^31 — —(17,97 ± 1,42)
631 = 2,11 ± 0,17
—
—
1,058
^зз = —(6,6 ± 0,5)
633 = 0,85 ±£0,06
—
—.
1,0642
rf15= 19,33 ± 2,0
615 = 2,23 ± 0,23
2,3175
2,4760
1,0642
rfei = —(17,85 ± 2,0)
63l = 2,10 ± 0,23
2,3379
2,4128
1,0642
^зз — —(7,79 ± 1,17)
^зз == l'»0 ± 0,15
2,2970
2,4128
22. 	Пьезоэлектрические свойства.
Тетрагональная модификация.
'dlm% 10-8 ед. СГСЭ [31, 700]
T, «С
^$3
dn
20
396
—173
25
256,8
—103,5
—
25
257
—104
1176
gim 10-8 ед. СГСЭ [31, 700]
т, °с
£з1
gis
25
19,2
—7,7
5,1
25
19,47
—7,67
5,07
dlm9 10-12 Кл/Н [708]
dit
^32
&%ъ
Аг*.
dXi
Слоистый кристалл
—189
—24,5
225
269
126
Однодоменный кристалл
-34,7
-34,7
85,7
587
587

38. ТИТАНАТ СТРОНЦИЯ SrTiO*"
319
23. 	Дополнительные сведения.
Сегнетоэлектрик см. [700].
Qu= 1,23* 10-12ед. СГСЭ, Q12 = -0,56- 10-*2ед. СГСЭ, Q44 = 0t73-10-12
СГСЭ [719].
Р5 = 0,25 Кл/м2 [714].
Специфика механических и электромеханических свойств, носители тока
в нелинейном кристалле, рассеяние света на решеточных колебаниях
нелинейного кристалла—см. [699].
Рамановские спектры см. [720].
1. Вид материала. Монокристалл синтетический, бесцветный, выращи*
вается из раствора в 'расплаве [700, 707, 721, 722].
2. Симметрия кристалла. Кубическая, класс тЗт, РтЗт (ol),
структурный тип перовскита [700, 707, 721, 722, 723, 72]. Ниже 90 К переходит в
тетрагональную антисегнетоэлектрическую фазу [700].
Постоянные решетки, А. -а = 3,905 [700]; а = 3,898 [392]; с/а—1,00056
в тетрагональной фазе [723, 724].
3. Молекулярный вес. 183,53 [37]
4. Плотность, г/см3. 5,12 -f-5,14 [721]; 5,0 [721]; 5,122 при 20 °С [37, 725
5,11 [72].
5. Температуры фазовых переходов, °С. 7,пл = 2080 [37]; 7\ = 168 [723];
7> = 165 ± 2 [726]; Гк= 163 [727]; Тс = —230 ч- —250 [700, 722]; Тк = 166,Ь —
фазовый переход II рода [728].
6. Растворимость. Растворим в расплаве фтористого калия, в расплаве
смеси 60% мол. Na2C03 + 40% мол. К2СО3 [721, 729].
7. Удельная теплоемкость, Дж/моль-К. Рис. 38.7.1.
ср = 98,37 при Т = 298,15 К, р = 760 мм рт. ст. [392],
38. 	ТИТАНАТ СТРОНЦИЯ SrTi03
Щг
Рис. 38.7.1. Зависимость
молярной теплоемкости ср
БгТЮ3 от температуры [501 ].
Рис. 38.12.1. Зависимость
относительной упругой жесткости с/сг
1 кпма
SrTiO» от температуры: 0-си>
• Д-1/. (сц-с12) [501].

320 38, ТИТАНАТ СТРОНЦИЯ SrTiO.
[730]
г, к
с,
кал/моль*К
т, к
с, |
кал/моль-К
т, к
с,
кал/моль-К
87,80
9,206
104,45
11,427
108,08
11,876
88,26
9,264
104,54
11,446
108,18
11,877
88,73
9,316
104,64
11,488
108,27
11,879
89,19
9,367
104,73
11,511
108,37
11,879
89,66
9,424
104,82
11,528
108,46
11,883
90,14
9,469
104,91
11,549
108,56
11,887
90,61
9,523
105,00
И ,559
108,65
11,886
91,09
9,572
105,10
11,574
108,75
11,888
91,55
9,643
105,19
11,604
108,98
11,896
92,01
9,696
105,28
11,632
109,22
11,912
92,47
9,755
105,37
11,644
109,45
11,922
92,92
9,810
105,47
11,664
109,68
11,922
93,38
9,881
105,56
11,688
109,92
11,934
93,85
9,938
105,65
11,707
110,15
11,946
94,31
10,008
105,74
11,728
110,38
11,951
94,78
10,068
105,84
11,745
110,62
11,960
95,25
10,138
105,93
11,763
110,85
11,974
95,70
10,207
106,02
11,789
111,09
11,984
96,17
10,260
106,12
11,804
111,32
12,002
96,67
10,328
- 106,21
11,812
111,55
12,021
97,13
*10,384
106,30
11,821
111,79
12,041
97,60
10,438
106,40
11,841
112,02
12,055
98,06
10,497
106,49
11,849
112,26
12,064
98,53
10,562
106,58
11,853
112,49
12,076
98,99
10,615
106,68
11,855
112,72
12,089
99,46
10,672
106,77
11,863
112,96
12,098
99,92
10,748
106,87
11,872
113,21
12,114
100,39
10,796
106,96
11,876
113,44
12,127
100,85
10,869
107,05
11,880
113,91
12,164
101,31
10,944
107,15
11,877
114,37
12,199
101,77
10,999
107,24
11,861
114,84
12,240
102,24
11,062
107,33
11,864
115,31
12,280
102,70
11,119
107,43
11,862
115,77
12,325
103,16
11,197
107,52
11,861
116,24
12,379
103,62
11,265
107,61
11,860
116,71
12,424
104,08
11,328
107,71
11,855
117,17
12,464
104,17
11,358
107,80
11,859
117,64
12,517
104,26
11,378
107,89
11,863
118,10
12,568
104,36
11,397
107,99
11,867
118,57
12,618
1

38. ТИТАНАТ СТРОНЦИЯ SrTiOa
321
Продолжение
[730]
Т, к
с,
кал/моль-К
г, к
с,
кал/моль•К
т, к
с,
кал/моль•К
119,04
12,667
125,59
13,348
151,13
15,844
119,51
12,719
126,06
13,395
153,52
.16,062
119,97
12,772
126,53
13,445
155,91
16,291
120,44
12,816
127,00
13,497
158,30
16,507
120,91
12,866
127,47
13,543
160,69
16,715
121,38
12,915
129,82
13,785
163,09
16,926
121,84
12,961
132,18
14,026
165,49
17,132
122,31
13,000
134,53
14,272
167,90
17,344
122,78
13,052
136,90
14,505
170,30
17,558
123,25
13,105
139,26
14,710
172,71
17,749
123,72
13,159
141,63
14,941
175,13
17,969
124,18
13,207
144,00
15,170
177,55
18,168
124,65
13,256
146,37
15,405
179,97
18,370
125,12
13,306
148,75
15,622
8. 	Тепловое расширение, 10“бК-1. 9,4 [37, 723]; см. рис. П.П.1.
10. Спайность. Нет.
11. Твердость. По Моосу 6 ч- 6,5 [37, 725]; по Кнупу 595 кгс/мм2 [595, 37].
12. Упругие постоянные, 1012 дин/см2.
сп = 3,176, с44 = 1,235, с12 = 1,025 [723, 731].
[723]
СИ1
С144
^16*
СИ2
Cl23
С45«
-49,6 ± 4,3
-8,1 ±2,4
з.о ± 1,2
_—7,7 ± 1,6
0,2 ± 4,3
0,9 ±2,7
Температурные зависимости упругих постоянных. Рис. 38.12.1—-38.12.4.
d. In cmn/dT=За (д In стп/д In V)T+(d in cmJdT) v
11 Под ред. М. П. Шаскольской

322
38. ТИТАНАТ СТРОНЦИЯ SrTiOs
Рис. 38.12.2. Зависимость для
SrTiOs: Д-обратной величины
механической добротности для стержня,
совершающего продольные колебания
по длине [100], и О-упругой
податливости slt-sll0 в кубической
фазе от температуры [728]. J
Рис. 38.12.3. Зависимость упругих
жесткостей clx, с12 и с44, объемною
модуля В и упругих податливостей
su и slz SrTi03 от температуры [763].
Vjs, 105см/с
с11} 1012дин/см2
Рис. 38.12.4. Зависимость упругой
жесткости сtl 8гТЮ3 от
температуры [28].
Рис. 38.13.1. Зависимость скорости
м
медленной сдвиговой волны »5[цо]
от гидростатического давления в
SrTi08 при 7, = 295 К |723J.

38. ТИТАНАТ СТРОНЦИЯ SrTi03
323
[723]
Стп
(д In Стп!дТ)р
За (д In crnnfd In V)T
(d In cmn/dT)v
dcmn/dp
С11
—2,73 • 10“ 4
— 1,5.10-*
—1,19.10-4
10,21 ± 0,15
С44
— 1,30
—48
—0,82
1,24 ± 0,05
с12
— 1,29
— 1,64
+0,35
3,51 ± 0,15
13. Скорости упругих волн. Рис. 38.13.1.
Температурные коэффициенты скоростей упругих волн; рис. 38.13.2.
14. Затухание упругих волн, дБ/мкс. 1,0 для viiim, /=1 ГГц при
Т = Т коми*
В одинаково для уцШ], y^roioj, vLtQon [581], рис. 38.14.1 — 38.14.6. См.
рис. П.II.13.
Зависимость обратной величины механической добротности от температуры
см. [728].
15. Диэлектрические свойства. См. рис. 38.13.2.
Зависимость диэлектрической проницаемости от температуры при
различных давлениях см. [732]; зависимость tg 6 от частоты см. [733]; зависимость
диэлектрической проницаемости от температуры для кристаллов, полученных
из карбонатов и фторидов см. [721, 729].
s
tg6
T
f
310
З.Ю-4
[729, 734]
340 *)
(3 -r- 5)• 10”4
—
—
[729]
306
—
25 °C
100 ч- 105 Гц
[37]
234 -r- 230
—
25 °C
100 ч- 1010 Гц
CO
о
II
CO
О
1,.5.10-3 **)
—
до К = 12 см-1
[735]
300 ч- 12 000
[tg 6 ***)
T коми -r- 35 К
—
[736]
(20 ч- 25) • 103
—
жидкого гелия
—
[737]
«2000
—
~T жидкого азота
—
[737]
2,4-104
—
4,2 К
—
[726]
*) Для кристаллов, полученных из расплава карбонатов.
**) При Л = 0,73 см-1.
***) Зависимость tg б от температуры обнаруживает аномалию в
окрестности фазового перехода при 110 К.
8«j = 5,20 [735].
11*

324
38. ТИТАНАТ СТ^ОЙЦИЯ SrTiO,
VpfrKM/C -j-tt*
Рис 38.13.2. Зависимость скорости распространения продольной волны Рццц и величины
обратной диэлектрической проницаемости l/e SrTiOa от температуры [28].
Б,10г1В/м
Рис. 38.14.1. Зависимость
затухания В: □ -/ = 40, О~/=120,
ф — f =г 200 МГц и скорости V£[XQQ]
(ф-/=40 МГц) упругой волны
в SrTi03 от температуры [501].
^ис. 38.14.2. Зависимость
затухания упругой продольной
волны В для SrTiOs от
температуры: О-140, 0-60 МГц
[28].

38. ТИТАНАТ СТРОНЦИЯ SrTiO„
325
sjs/m
Рис. 38.14.3. Зависимость затухания упругой продольной волны В в SrTi03 от
температуры: f100j ПРИ /=894 МГц, при/ = 768 МГц, при / = 972 МГц.
^~у/Гюо] при ^ = 490 [28].
Б, дБ/см
о}2 г
2,4
1,6
0,8
irtdWl*- г
т. А ***** •**■ * «Ч&Ьд
140
180
220
260
300
Т,К
Рис. 38.14.4. Зависимость затухания упругой волны В в SrTi03 от температуры: 1 —
“SfiooJ "Р" f=894 МГц. 2-o5fll0} при f = 770 Mru, 3-t>ifllU при7=780МГц, ^-»5,100]
при / = 433 МГц, 5-^nlltj ПРИ / = 493 МГц [28].

326
38. ТИТАНАТ СТРОНЦИЯ SrTiOa
aJHH, см/кВ
т
Е, кВ/см
1,2 ± 0,15
4,2 К
0,2
[626]
2,6.10-2
Т жидкого азота
20
[626]
1,25 ± 0,1
Т жидкого гелия
—
[737]
(2,5 -ь 2,8)-10 — 2
Т жидкого азота
—
[737]
Максимум а?ин достигался в поле смещения Е ~ 0,2 кВ/см при Т = 4,2 К,
в поле Ех (25 -г- 30) кВ/см при Г = 78 К, с0 = 8,7-Ю4К, Г = 38 К [737].
16. 	Показатель преломления. Рис. 38.16.1, см. рис. П.11.10.
[2]
X, мкм
По
К, мкм
п0
%, мкм
По
0,404657
2,6481
0,89440
2,3276
2,5628
2,2466
0,435834
2,5680
1,01398
2,3147
2,6707
2,2438
0,486132
2,4897
1,12866
2,3055
2,7248
2,2404
0,546074
2,4346
1,3622
2,2921
3,2434
2,2211
0,576960
2,4149
1,39506
2,2906
3,3026
2,2181
0,579066
2,4137
1,517
2,2859
3,4226
2,2124
0,587562
2,4090
1,52952
2,2848
3,5070
2,2088
0,589262
2,4081
1,7012
2,2783
3,5564
2,2063
0,643847
2,3837
1,81307
2,2744
3,7067
2,1990
0,656279
2,3790
1,871
2,2710
4,2553
2,1680
0,667815
2,3750
1,918
2,2104
5,138
2,1119
0,706519
2,3634
2,1526
2,2624
5,3034
2,1004
0,767858
2,3488
2,3126
2,2564
0,85212
2,3337
2,4374
2,2525
«0 = 2,38 при Х = 0,6328 мкм [721, 738—740].
[501]
(Т — Тк), К 0 0,51 0,77 1,03 1,54 2,05 2,56
п 2,05 2,03 1,90 1,82 1,84 1,87 1,79
Кривые дисперсии показателя преломления в пленках см. [741].
17. 	Пропускание и поглощение. 0,39 ч-6,8 мкм [37], рис. 38.17.1.

38. ТИТАНАТ СТРОНЦИЯ SrTiOg
327
В,дВ/см
т,к
Рис. 38.14.5. Зависимость затухания упругой волны В в SrTi03 от температуры: 1-‘иц1002
при / = 894 МГц, 2-иц10&] ПРИ / = 768 МГц, 5-ysfl00j при /=770 МГц, ПРИ
/ = 780 МГц [28].
В,10г№/м
Ркс. 38.14.6. Логарифмическая
зависимость затухания В для ^fooi]
в SrTi03 от частоты для (Т-Т^у
О-0, V-0,51, А — 0,77, ® — 1,03,
Д — 1,54, ■ — 2,56, □-2,05 К [501].
Рис. 38.16.1. Зависимость
изменения показателя
преломления Ап SrTi03 от
температуры: /-£ = 20, 2-Е —
= 15, 3-Е—10 кВ/см
(знаком \\ отмечен продольный
электрооптический эффект,
знаком _L- поперечный) [736].
Температурная зависимость оптического поглощения см. [742, 743].
Спектры поглощения кристаллов SrTi03 см. [744]; спектры инфракрасного
поглощения см. [745]; зависимость коэффициента поглощения $гТЮ3 от длины
волны при различных температурах см. [746].

328
38. ТИТАНАТ СТРОНЦИЯ SrTi03
Рис. 38.17.1. Спектральное пропускание монокристаллов PbxSr1_xTi03: /-SrTi03, 2 —
(Pb0,28Sr0,72)TiO^ 5-(Pb0,62Sr0,38)TiO3’ 4-РЬТЮ, (Л= 1,2 мм)[501].
18. Электрооптические свойства.
Rmn, 10“1:3 см2/В2
X, мкм
R 11 ~ R 12
R зз~ R1 у
.Я»
R3s
^44
R\z
Ri*
г, к
0,6328
0,14 ± 0,01
4,2-^300
[738, 739]
0,6500
—
0,14 *)
[739, 747]
0,650
—
0,08**)
[747]
00
—
0,10**)
—
0,07
—
—
—0,01
—
[748]
0,6328
0,11
—
0,15
—
0,08
0,04
—
3D0
[717]
*) Экспериментальное значение для свободного кристалла.
**.) Расчетное значение для зажатого кристалла.
0,57/?12 + 0,43/?и—0,43^44 = 0,91 • 10~13 см2/В2 для Т = 80 К.
Погрешность определения комбинации электр ооптических коэффициентов 20% [736].
19. 	Пьезо- и упругооптические свойства.
[781]
К, МКМ
Ри
Р 44
Р12
Pi4
Р 41
' 0,63
0,15
0,072
0,095
0
0
20. 	Нелинейные оптические свойства.
(<Ч»да>«сп= 0.74 {74 9].

30. ТИТ-ДНАТ СВИНЦА РЬТЮ3
329
21. Акустооптические свойства. См. рис. П.11.13.
0,6328 мкм [581]
"зв
"зв
Е
Mlt 10“7 ед.СГСЭ
М2, 10 “18 ед.СГСЭ
100
100
100
24,4
1,6
100
100
100
10,2
0,65
100
010
в пл. ху
8,65
1,52
23. 	Дополнительные сведения.
Q331 = —0,015 м4/Кл2 [728, 750].
Зависимость удельного сопротивления, коэффициента и подвижности
Холла от температуры см. [751]; зависимость нелинейного упругого
коэффициента 3-го порядка slu от температуры см. [728]; зависимость коэффициентов
электрострикции от температуры см. [728]; зависимость механической доброт-.
пости от температуры см. [728]; зависимость частоты 90° бриллюэновского
рассеяния от температуры для сдвиговой акустической волны,
распространяющейся вдоль [100] с поляризацией, перпендикулярной к плоскости рассеяния
(001), см. [501]; зависимость проводимости от температуры, зависимость
коэффициента Холла и подвижности Холла от температуры см. [751]; зависимость
ширины запрещенной зоны от температуры см. [732]; зависимость
интенсивности отклоненного света от длины волны при различных температурах см.
[746]; температурные зависимости электропроводимости, подвижности и
концентрации п носителей заряда в полупроводниковых монокристаллах SrTiOs
см. [744]; зависимость обратной диэлектрической проницаемости l/e[100j, l/sroiu
от одноосного напряжения, приложенного вдоль [011], см. [501];
температурная зависимость диэлектрической проницаемости при различных полях
смещения см. [752]; зависимость первого коэффициента динамической нелинейности
от поля смещения при различных температурах см. [752]; зависимость
коэффициентов afHH от электрического поля смещения Е0 см. [726]; температурная
зависимость коэффициентов а?™ — см. [726]; зависимость мнимой части
диэлектрической проницаемости от длины волны см. [735].
39. 	ТИТАНАТ СВИНЦА РЬТЮ*
1. Вид материала.
Монокристалл синтетический, выращивается из расплавов в виде
прозрачных пластин светло-желтой окраски с совершенной {100} огранкой
[753—759].
2. Симметрия кристалла.
До 7,ц« 490°С тетрагональная, класс 4тт (сегнетоэлектрическая фаза)
[716]. Выше 7’к кубическая, класс тЗт (параэлектрическая) [760].
Pm3m(Oh)—структура типа перовскита, изоморфен титанату бария [700];
Р4тт, тетрагонально искаженная перовскитная структура [612].

330
39. ТИТАНАТ СВИНЦА' РЬТЮ8
Параметры решетки, А.
а
с
с/а
т
коми
3,90
4,147
1,063
[762]
3,902
4,147
—
—
[761]
3,900
4,151
—
—
[763]
3,904 ± 0,001
4,150
1,063
[758]
—
4,001
—
—
[757]
3,896
4,144
—
—
[392]
3,904
4,150
1,063
—
[612]
Температурная зависимость с/а см. [700]; зависимость объема
элементарной ячейки от температуры см. [758].
4. Плотность, г/см3. 7,95 [764, 765].
5. Температуры фазовых переходов, °С. Т'крисгал = 900 ч- 700 [761];
Т’разлож — 1124 [756].
Зависимость температуры фазового перехода от стехиометрии см. [501].
Гк = 490; Тс =—100; С0-1,Ы05 [700, 722, 757, 764, 766, 767]; 7К =
= 492 ±5 [718].
Температурный гистерезис фазового перехода 15-f- 18 °С [759].
Зависимость температуры фазовых переходов и константы Кюри — Вейсса
от давления см. [501]; фазовые переходы и образование доменной структуры
см. [768].
6. Растворимость. Хорошо растворяется в метаборате свинца при
невысоких температурах [729, 756]; не растворяется в HN03 [755].
7. Удельная теплоемкость. Зависимость удельной теплоемкости РЬТЮ3
от температуры см. [758].
8. Тепловое расширение. На линейном участке зависимости средний
коэффициент расширения отрицателен [761].
ау, 10 ~6К'“1
т, °с
—2,8
[761]
—8
30 ч-250
[761]
—20
250 + 440
[761]
+25
Т>Т к
[758]
Зависимость линейного расширения РЬТЮ3 от температуры см. [758].
12. 	Упругие постоянные, ед. СГСЭ, 10~13.

39. ТИТАНАТ СВИНЦА PbTi03 331
[765] [769]
4
SE
*33
4
s66
s£
12
5gB Ю-l2
sg, 10-»
s&, to-»
eg, 10-»
7,2
32,5
12,2
7,9
2,1
0,68
1,35
1,03
1,41
13. 	Скорости упругих волн. ^ r00ij = 4,19-10б см/с, р^[0ои = 3,3-106 г/сма-с
[769].
15. 	Диэлектрические свойства. Рис. 39.15.1—39.15.3.
833 = 30 -г40 при р <2 кг-см""2, tg 6 = 0,1 -т-0,2, 1/р =
= (1 -r3)*10-3 см2*кг-1 при /? = 250 -г- 300 кг«см~2 [770].
e
tg б
T
f, Гц
150
30-10-2
T KOMH
107
[753, 761]
85
7• 10“2 -г- 10”2
— '
106
[761]
—
700-10-4
—
106
[755]
—
(100 4-200)* 10-4 *)
—
_
[755]
30
—
7\cOMH
—
[757]
10 000 '
—
Tk
—
[757] -
135 700
—
—
—
[764]
я 100
0,01 -5-0,1
—
103
[772]
я 200
—
20 °C
—
[392]
3500
6» —
500 °C
—
[392]
*) Особо прозрачные кристаллы.
eT
en
BT
fc33
8n
8S
e33
T
/. Гц
210
126
115
51 -f- 68
25 °C
[[765, 771]
130-4- 150
о
CO
+
о
Cl
—
—
—
<(1 4-5).105
[773];,
—
—
о
+
о
о
35 -f- 40
—
>(5-f 10)-107
[773]
—
—
95 *)
18,5 *)
—
—
[773]J
. —
—
—
31
—
- ~
[392]
150
100 -f- 125
110
35 *)
—
—- - •
[769]
*) Расчетные значения.

332
39. ТИТАНАТ СВИНЦА PbTiO,
s-ar*
Рис. 39.15.1. Зависимость
диэлектрической
проницаемости 8 от
температуры: /-ВаТЮ3, 2-РЬТЮз
(партия кристаллов, выра*
щенная из расплавов ме.
табората свинца) [761]
Рис. 39.15.2. Зависимость
диэлектрической проницаемости гс
и величины 1/е^, РЬТЮ3 от
температуры: 1 -/?=23,69* 10®, 2 —
р = 20,50 • 108, 3 — р— 16,89-108,
4—р= 13,82• 108 Н/м2 [501].
s-W'3
а)
Рис. 39.15.3. Зависимость диэлектрической проницаемости е (а) (/-р=10я ~ 10* Ом-см
2-р= 10” Ом-см) и 1/е:р= 10* Ч- 10» Ом-см (б), р= 10" Ом-см (в) для PbTiO, от темпера
туры [77 1].

39. ТИТАНАТ СВИНЦА PbTiO*
333
Зависимость диэлектрической проницаемости РЬТЮз от температуры при
частоте 1 МГц при нагреве и охлаждении см. [774].
Зависимость относительных изменений действительной и мнимой части 8
ог давления см. [770].
Зависимость е от температуры и давления см. [732].
16. 	Показатель преломления. Рис. 39.16.1.
/г = 2,65 [762, 761].
п = 2,71 определен в иммерсионном сплаве сера —селен [755, 761].
Рис. 39.16.1. Зависимость двойного лучепреломления Ап для РЬТЮ3 от температуры
/-однодоменный кристалл, 2-сдвойникованный кристалл [775, 766, 718].
[392]
Я, мкм
По
пе
К мкм
По
пе
0,4880
2,793
2,7744
0,6328
2,6676
2,6594
0,5017
2,7742
2,7574
1,0642
2,5712
2,5692
0,5145
2,7586
2,7431
1,152
2,5637
2,5623
0,5321
2,7398
2,7260
—
—
■
В сегнетофазе оптически отрицателен [766].
дп = пс—па = —0,011, Алрасч = —0,278 [776].
Зависимость двойного лучепреломления от температуры см. [766].
17. Пропускание и поглощение. 0,6-г 6,0 мкм [718].
Спектральная зависимость коэффициента поглощения при различных
температурах см. [777].
18. Электрооптические свойства.
/'зз = 5,9* 10~10 м/В, /^з=13,8« 10“12 м/В для Х = 0,633 мкм [392].
19. Пьезо- и упругооптические свойства.
лп—Щ2 — (12,6 ± 0,8)* 10~14 см2/дин, зх44 = (—4,8 ± 0,5)*10~14 см*/дин
для А, = 0,55 мкм [84].

334 39. ТИТАНАТ СВИНЦА PbTiO,
20. 	Нелинейные оптические свойства.
[718]
d\f, Ю-12 м/в
МКМ
(1С)IJ, МКМ
6*.f, 10“2 М*/Кл
<*15= Т (37,9 ±5,7)
1,53
1,56
б1б= =F (2,13 ±0,3)
^31 ^ -F (42,8 ± 6,4)
1,68
1,72
^з! ==: "F (2,43 ± 0,37)
ds3 = ± (8,5 ± 1,4)
1,65
1,70
633=± (0,484 ±0,08)
22. 	Пьезоэлектрические свойства. Рис. 39.22.1.
d16 = 1,95* 10е ед. СГСЭ, = — 0,75.10е ед. СГСЭ, с?33 = 3,52 • 10е ед. СГСЭ
[765] измерены динамическим методом; d33 = 5,8*10e ед. СГСЭ—измерено
статическим методом.
£i5 = 43o/0, k3i = 24о/о, *33 = 64%, £г = 40% [765].
kf = 78% на пластинах (001)-среза, 63i = 30%, &33 = 75—80%, &i5 = 43% f769].
Рио. 39.22.1. Зависимость
коэффициента электромеханической
связи kn и пьезомодуля dzt
РЬТЮ8 от температуры |765].
Ы0*
Рис. 39.23.1. Зависимость однородного
параметра деформации б и спонтанной
поляризации Р$ от температуры для РЬТЮ3з
• -6, Q-Ps £772].
23. 	Дополнительные сведения. Рис. 39.23.1,
а = (2 ч-5)*10"и (Ом’см)-® . по постоянному току, Р$ = 75 мКл/см2,
Е^,== 6,75 кВ/см [772].
Геометрия сегнетоэлектрических доменов такая же, как у тетрагон альнодо-
титаната бария [767].
Выше Тк с-домены исчезают и преобразуются в а-домены [700].-
Ps — 60 -f- 70 мКл/см2 [771].
_ 50 мКл/см2 [774].
Qla = _0,32-10-13 ед. СГСЭ, Qn = 0,89-10-*2 ед. СГСЭ [765],

40. ГЕРМАНОЭВЛИТИН Bi4(Ge04)3
335
Особенности доменного строения см. [759, 766, 778]; температурная
зависимость коэффициента термоЭДС см. [779]; зависимость проводимости от
температуры—см. [771].
(idEgldT)p — —0,63 • 10—3 эВ/К при фазовом переходе Eg уменьшается
на 0,12 эВ, в парафазе (dEg/dT)p = — 0.70-10~3 эВ/К [777].
При приложении постоянного поля ведет себя как полупроводник
Eg — 1,06 эВ [753].
Ps — 8l мКл/см2—расч. [756]; Ps « 66 мКл/см2 [758].
Фотопроводимость и термостимулированная проводимость — см. [780];
температурная зависимость спонтанной поляризации — см. [718].
40. 	ГЕРМАНОЭВЛИТИН Bi4(Ge04)3
1. Вид материала. Монокристалл прозрачный, слегка желтоватый,
выращивается из расплава методом Чохральского [452, 781].
2. Симметрия кристалла. Кубическая, 43m, I43d, (Т$), структура
изоморфна природному минералу эвлитину Bi4 (Si04)3 [452, 781].
Постоянные решетки, А. а = 10,526 [781].
4. Плотность, г/см3. 7,120 [781]; 7,095 [688].
5. Температуры фазовых переходов, °С. 71пл = 1040 [781].
11. Твердость. #ц = 315 кгс/мм2 [781].
12. Упругие постоянные.
стп, 1011 Н/м2 [688,783]
еи
с44
С12
1,158
0,436
0,270
Vs (си4"2сх2) =0,566.
15. Диэлектрические свойства. е/е0= 16; 8=1,42-10“*° Ф/м [688, 783].
16. Показатель преломления. я0 = 2,07, Х== 0,45-7-0,62 мкм [452], Рис. 40.16.1.
[782]
мкм
Л±0,003
А,, мкм
п ± 0,003
0,4077
2,2152
0,5461
2,1218
0,4358
2,1836
0,5770
2,1116
0,4678
2,1597
0,5893
2,1081
0,4800
2,1522
0,6328
2,0975
0,5086
2,1373
0,6439
2,0952

336
40. ГЕРМАНОЭВЛИТИН Bi4(Ge04}3
500 600Л, ИМ
Рис. 40.16.1. Дисперсия
показателей преломления п:
7-Bi4(Ge04)3, 2 — Bi4(Si04)3,
сплошная линия — расчет по
уравнению Зельмейера [7 82].
Рис. 40.17.1. Оптическое пропускание I:
/-Bl4(Si04)8, 2-Bi4(Ge04)3 (толщина
Bi4(Ge04)3 — 0,65 мм, Bi4(Si04)3-1,7 мм) [782].
1,% ,
fa
1,0
• \ ' 3 6 0 12 10 Я, мкм
Рис. 40.17.2. Оптическое
пропускание / Bi4(Ge04)3 (толщина образца не
указана) [781].
Рис. 4 0.17.3. Оптическое
пропускание / Bi4(Ge04)3 (толщина образца
0.5 мм) [452].
17. Пропускание и поглощение. / = 90% для А, = 0,4~-2 мкм [688].
Рис. 40.17.1—40.17.3.
18. Электрооптические свойства. л
[782]
К мкм
0,405
0,440
0,495
0,542
0,631
г41, 10 см/В
0,82 ± 0,02
0,85 ± 0,001
0,89 ±0,01
0,92 ± 0,01
0,95 ± 0,01
r41 = 1,03-10~10 см/В для Х = 0,45 -f- 0,62 мкм [392]; /г®г41 = 9* 10“10 см/В
[588].
22. 	Пьезоэлектрические свойства. с?14 = 0,87• 10 —12 м/В, еы = 0,0376 Кл/м2,
7i14 = 2,6-108 В/м, ku —1,5% [688, 783].

41. ОРТОСИЛЙКАТ ВИСМУТА Bi4(Si04)3
037
41. 	ОРТОСИЛИКАТ ВИСМУТА Bi4 (Si04)3
1. Вид материала. Синтетический
монокристалл, выращивается из расплава
методом Чохральского [688].
Есть природный минерал эвлитин [628].
2. Симметрия кристалла. Кубическая,
класс 43т, 143d (То) [688].
Постоянные решетки, А. а =10,29 для
эвлитин а [222].
4. Плотность, г/см3, 6,8 [688].
5. Температуры фазовых переходов, °С.
Тпл = 1200 [688].
12. 	Упругие постоянные.
с11=1,357»1012 дин/см2, с44=0,518Х
ХЮ12 дин/см2, Ci2=0,227 *1012 дин/см2,
Vs (Си + 2с12) = 0,603. 1012 [688].
14. Затухание упругих волн, дБ/см • ГГц2.
0,95 для , 0,78 длд ^Sriioj гоои»
Брасч = 0,60 [688]; рис. 41.14.1.
15. Диэлектрические свойства, е/80 = 16,2,
8= 1,44-10-10 Ф/м [688].
16. Показатель преломления. См. рис.
40.16.1.
[782] “
Я, мкм
п ± 0,003
К, мкм
п ± 0,003
0,4077
2,1085
0,5461
2,0397
0,4358
2,0857
0,5770
2,0320
0,4678
2,0682
0,5893
2,0292
0,4800
2,0626
0,6328
2,0211
0,5086
2,0514
0,6439
2,0193
17, Пропускание и поглощение. См. рис. 40.17.1.
18. Электрооптические свойства.
[782]
%, мкм 0,405 0,440 0,495 0,542 0,631
г41, 10-1» см/В 0,51 ± 0,01 0,52 ±0,01 0,53 ± 0,01 0,54 ± 0,01 0,54 ± 0,01
22. 	Пьезоэлектрические свойства.
d14=l,6- Ю-*2Кл/Н,е14=0,083 Кл/м2, Л14 = 5,78.101о В/м, £14 = 3,05% [688].
ВД/см В,дб/мю
Рис. 41.14.1. Зависимость затухания
Б упругих волн в Bi4(Si04)3 от
температуры для Уцту А-/=6 50,
О—/=1615, □ —/ = 4400 МГц [688].

338 42. ГЕРМАНАТ ВИСМУТА, ГЕРМАНОСИЛЛЕНИТ Bi12GeO20
42. 	ГЕРМАНАТ ВИСМУТА, ГЕРМАНОСИЛЛЕНИТ Bi12GeO20
1. Вид материала. Монокристалл синтетический, прозрачный (от желтого
до темно-коричневого), выращивается из расплава [781, 784—788].
2. Симметрия кристалла. Кубическая, класс 23, Т3 [785, 787], 123 (Т3)
или 12x3(76), структурный тип vBi203 [446, 788, 784, 789, 790, 791];
изображение структуры см. [792].
Постоянные решетки, А. а = 10,143 [792, 793]; а= 10,1455 ± 0,0008
[787,794].
3. Молекулярный вес, 2900,35 [792].
4. Плотность, г/см3.
9,232 ± 0,003 по методу взвешивания [792]
9,222 ± 0,002 расчетное [41, 784, 788, 894, 607]
9,239 удельный вес [781]
9,26 [795]
5. Температуры фазовых переход, СС. См. рис. П. И. 18.
Гпл = 930 [785, 796]; Тпл = 918 [781]; Тпл = 935 [787]; Гпл = 923 [795].
Реакция образования начинается в твердой фазе при 7" = 822°С. Система
обнаруживает склонность к переохлаждению [781]. Фазовых переходов
в кристалле не обнаружено вплоть до температур жидкого азота [787].
6. Растворимость. Негигроскопичен [795].
8. 	Тепловое расширение, 10”1' К- -13,5 [797]. Кривая зависимости
теплового расширения от температуры [797].
10. Спайность. Нет.
11. Твердость. По Моосу 4,5 [787].
Нц =244 кгс/мм2 [781]; #ц=400 кгс/мм2 (± 5%) [795].
12. Упругие свойства.
сят 10“ Н/м2
Си
с**
.С12
1,20
0,25
0,39
[784]
1,089
0,255
—
[798]
1,2848 ±0,0013
0,2552 ± 0,0003
0,2942 ± 0,0006
[799]
1,23
0,26
0,37
[791]
1,28
0,255
0,305
[800]
sf =(0,8512 ± 0,0007)-10-» м2/Н, 2sfa+ s&= (3,6261 ± 0,0018) X
ХЮ-1Хм2/Н, sf2=s?2 = —0.09Ы0-11. м2/Н, с£= cS= 1,206-Ю1* Н/м2,

42. ГЕРМАНАТ ВИСМУТА, ГЕРМАНОСИЛЛЕНИТ BI„GeO,0 339
сй= с?2 = 0,1443-10й Н/м®, cf4= 1 f$u = (0,2626 ±0,0005)• 1011 Н/ма, с?4= l/s£ =
= 0,2916-101* Н/м* [797].
Температурные зависимости упругих постоянных, 10“4 К""1. Рис. 42.12.1.
[799]
1 дси
Т~й^+а
сч дТ
-Ltii+a
cit дТ +а
1 дс*
с* дТ+а
1 <te'
~w+a
—2,87 ± 0,05
—2,19 ± 0,10
—2,67 ± 0,05
—2,81 ± 0,05
J .. д&. ояо.m-л ir-i 1
д (2sj§-{- S44)
-9ЯЯ. 1П-6 ТГ-1
«й дТ
’ 2sf2+sf4 дТ
— лОО 1 и J\ ,
,-L.^ = _149-10-« К"1, -4--^- = -306.10-* К"1,
sia дТ cR оТ
-L.M=_789.10-«K-*,
ей дТ
с*=е44+-Ф-, с'= 1(011-^).
6ц
13. 	Скорости упругих волн. Рис. 42.13.1—42,13.13, см. рис. П. II. 4 —
П.Н.б, П.11.18.
v, 105 см/с
VL riooj
VL [Но]
°L Hill
v flioj flooj
VS [110]
f. ГГц
3,42
1,77
[788 , 805 , 806]
—v .
3,43
—
—
—
—
[798]
3,65
3,39
3,36
—
—
—
[791]
—
—
—
1,67
0,91
[807]
—
—
—
—
2,38
—
[808]
—- ,
—
—
1,681
—
“
[806]

340 42. ГЕРМАНАТ ВИСМУТА, ГЕРМАНОСИЛЛЕНИТ Bi18GeOje
т,к
Рис. 42.12.1. Зависимость упругих
жесткостей cmn Bi12GeO20 от
температуры (модуль с44 рассчитан из
температурной зависимости коэффициента
электромеханической связи &14 = 0,34) [688].
т
т
Рис. 42.13.1. Зависимость угла
отклонения потока энергии Ф, квадрата
коэффициента электромеханической
связи k2^ и скорости рэлеевской упругой
волны в Bi12GeO20 от угла между
направлением распространения и [ПО]
в плоскости (111): сплошные линии —
расчетные кривые, х —
экспериментальные результаты (точность измерения
°й±1%, k% ± 5%) [801].
Изменение скорости звука за счет пьезоэффекта:
Плоскость
распроСтране ния
Направление
распространё ния
Vfl, м/с
ДУд/l* оо, 10-*
4
(001)
[110]
77
0,0136
[799, 806]
(100)
[010]
1595,9
0
—
[799, 806]
(100)
[011]
1620,5
38,01
—
[799, 806]
(100)
[011]
2098,1
0
—
[438]
(110)
[110]
1781,2
0
—
[438]
(НО)
[НО]
1697,1
15,97
—
[438]
(110)
[001]
1593,5
22,22
—
[438] %
(110)
[001]
1648,5
0
—
[438]
(111)
[211]
1717,2
14,55
—
[438]
(111)
[211]
1810,8
0
—
[438]
(001)
[110]
1681
68
0,014
[809]
(111)
[110]
1708
82
0,0169
[809, 810]
(110)
[001]
1624
37
[443]
(100)
[110]
1700
—
[808]

42» ГЕРМАНАТ ВИСМУТА» ГЕРМАНОСИЛЛЕНИТ BilsGeO*0 341
Рис. 42.13.2. Зависимость угла
отклонения потока энергии ф, квадрата
коэффициента электромеханической связи
k и скорости рэлеевской упругой
волны в Bi12GeO20 от угла между
направлением распространения волны и [010]
в плоскости (100): сплошные линии —
расчетные кривые, X —
экспериментальные результаты (точность измерения v^
± 1% ± 5%) [801].
Рис. 42.13.3. Зависимость угла
отклонения потока энергии Ф, квадрата
коэффициента электромеханической связи k^
и скорости рэлеевской упругой волны v^
в Bi12GeO20 от угла между направлением
распространения волны и [110] в
плоскости (110): сплошные линии —
расчетные кривые, X—экспериментальные
результаты [801].
»s,
(ЮО)-срез
nl
(И1)-срез
"5
(111-срез)
Ns
(110-срез)
N, МГц-мкм
823,3
1666
979,5
853,1
[784]
.—
1670
—
850
[343J
pv, 106 кг/м2*с
—
30,6
—
15,6
[343J
Г/= 132,8-Ю-б^С)-1 [798]; Nt = 901 кГц-м, ^=1830 кГц-м [811].
Температурные коэффициенты скоростей упругих волн.
Плоскость
"зв
TvRl 10 — * К-1
расчетная
Год, 10-« К-«
измеренная
(100)
[011]
-115 ± 10%
-122 ± 10%
(111)
[110]
-115 ± Ю%
—123 ± 10 %
(1Т0)
[111]
, -137 ± 10%
—123 ± 10%
14. 	Затухание упругих волн. Рис. 42.14.1—42.14.9, см. рис. П. II.6, П. II. 13.

342
42. ГЕРМАНАТ ВИСМУТА, ГЕРМАНОСИЛЛЕНИТ B|laGeOM
Рис. 42.13.4. Зависимость скорости
рэлеевской упругой волны v^ и угла
отклонения потока энергии Ф в Bi12GeO20
от угла 0 между направлением
распространения волны и осью [110] в плоскости
(111) [443].
Q-»4
Рис. 42.13.5. Зависимость скорости
рэлеевской упругой волны v^ и
величины Av^/voo в Bi12GeO20 от угла 0
между направлением распространения волны
и [100] в плоскости (001 ): сплошная
кривая — [802], штриховая кривая —
[803], О — экспериментальные значения,
измеренные импульсным методом [799].
в
Срез
Направление
распространения
f, МГц
г, к
0,008 дБ/мкс
5[110]
118
296
[805]
0,11 дБ/мкс
—
5[110]
500
296
[805]
270 дБ/мкс
—
5[110]
118
4,2
[805]
500 дБ/мкс
—
5[110]
500
4,2
[805]
6,0 дБ/см
—
5[110]
910
—
[807]
2,5 дБ/см‘ГГц2
—
[110] [100]
—
—
[41]
1,64 дБ/мкс *)
(001)
#[110]
—■
__
[443]
1,64 дБ/мкс
(ill)
Я[110]
■—
—
[443]
*) Измерено в, воздухе.
Зависимость затухания от частоты см. [564].
Вычисленные потери в зависимости от частоты для 1 мкс—линии
задержки см. [686].

42. ГЕРМАНАТ ВИСМУТА, ГЕРМАНОСИЛЛЕНИТ Bi12GeO20 343
vR)m/g
Рис. 42.13.6. Зависимость скорости
рэлеевской упругой волны vвеличины
&vr/° ОО и производной угла потока
энергии по углу Эйлера дФ/дд при
одновременном вращении направления
распространения и нормали к пластине в
плоскости, перпендикулярной к [110]
Bi12GeO20» от величины угла Эйлера
Y (см. рис. ПЛ.1, П.1.2) [617, 804].
Рис. 42.13.7. Зависимость скорости
рэлеевской упругой волны v^, величины
Avr/v оо и угла отклонения потока
энергии Ф на 45°-, 40°04'- 90°- срезе в
Bi12GeO20 от величины угла Эйлера 0
(см. рис. ПЛЛ, ПЛ.2). При 0 = дФ/д6 =
=— 1,0 этот срез обладает
минимальными дифракционными потерями [804].
15. 	Диэлектрические свойства.
8
ES
811
Те
tg6
f, кГц
40
_
_
[446, 781, 785]
—
38 *)
—
—
—
[784]
—
43,7*)
3,17-10-6 К“ 1
—
—
[798]
—
33,6-10-11 Ф/м
—
—
—
[799]
140
—
—
0,04
700
[795]
—
34,2-Ю-11 Ф/м
. —
—
—
[800]
*) e?i/e0.

42. ГЕРМАНАТ ВИСМУТА, ГЕРМАНОСИЛЛЕНИТ Ш,гСеО20
Uoo
40 г
20 -
О -
1070 -
Рис. 42.13.8. Зависимость
величины AVft/V оо и скорости
рэлеевской упругой волны Vg,
распространяющейся в плоскости (100)
в Bi12GeO20, от угла между
направлением распространения и
[010] [438].
[2ff]
Рис. 42.13.10. Зависимость
величины Avj^/v оо и скорости
рэлеевской упругой волны
распространяющейся в
плоскости (111) в Bi12GeO20, от угла
между направлением
распространения и [110] (штриховая
кривая соответствует скорости
медленной объемной волны) [438].
[001]
Рис. 42.13.9. Зависимость
величины Av^jvoo и скорости
рэлеевской упругой волны Vg,
распространяющейся в плоскости (100)
в Bi12GeO20, от угла между
направлением распространения и
[010] (штриховая кривая
соответствует скорости медленной
объемной волны) [4 3 8].
Рис. 42.13.11. Сечение
поверхности медленностей (обратных
скоростей) Bi12GeO20 плоскостью
(001): (только сдвиговая волна
пьезоэлектрически активна, что
можно видеть по ее отличию от
пунктирной окружности, которая
получается, если пренебречь
пьезоэлектричеством) I — QL,
ll-QS, m-vsmm [72].

42. ГЕРМАНАТ ВИСМУТА, ГЕРМАНОСИЛЛЕНИТ BiI2GeO20 345
Рис. 42.13.12. Зависимость скорости
рэлеевской упругой волны величины
&Vg/Voo и угла потока энергии Ф 2-среза
Bi12GeO20 от величины угла Эйлера 0 (см.
рис. П.1.1, П.1.2) [44].
vRim/g
Рис. 42.13.13. Зависимость скорости
рэлеевской упругой волны Vq и величины
AVj^/Vca х-осъ були Bi12GeO20 от величины
угла Эйлера |ы(см. рис. П.1.1, П. 1.2) (угол
потока энергии Ф = 0) [44].
8и«=3,3645-10-1° Ф/м, 8п = 3,800-10"1» Ф/м [797].
8, измеренная по мостовой схеме, остается постоянной в интервале
температур 20380 °С [781].
16. 	Показатель преломления. Рис. 42.16.1.
X, мкм
п
г, К
0,633
2,55
[41, 785, 805]
0,510
2,52
—
[788]
0,589
2,51
—
[795]
0,488
2,65
300
[815]
0,6328
2,5476
—
[796]
0,51
2,45
—
[816]
п (со) = 2,4, п (2со) = 3,1 [790].

346
42. ГЕРМАНАТ ВИСМУТА, ГЕРМАНОСИЛЛЕНИТ Bi12GeO20
Б, дБ/мкс
Рис. 42.14.1. Зависимость затухания сдвиговых упругих волн В в направлении [110]
Bi12GeO20 от температуры: сплошная кривая /=118 МГц, штриховая кривая — / = 500 МГц
[805, 812]
Рис.42.14.2. Зависимость затухания рэлеевской упругой волны В в вакууме,
распространяющейся в направлении [110] на плоскости (001) Bi12GeO20, от температуры: f =375 МГц
{а), /=1160 МГц (б) [810].

42. ГЕРМАНАТ ВИСМУТА, ГЕРМАНОСИЛЛЕНИТ Bi18OeO20 347
В, дБ/см
2,2—
Рис. 42.14.3. Зависимость затухания рэлеевских упругих волн В в Bit2GeO20 от
частоты: в вакууме (экспериментальный наклон 1,9) (а), на воздухе (экспериментальный
наклон 1,12) (б) (X — [01 1 J-срез, правая шкала; ® — [111 ]-срез, направление
распространения [И 0]; штриховая кривая —теоретическая; сплошная кривая— экспериментальная)
Г8Ю]. •
17. Пропускание и поглощение. 0,45-4-7,5 мкм [785, 41]. 0,41 -4-7,0 мкм,
поглощение составляет 40% [787]; 0,4 -4- 7 мкм, пропускание 70 -4- 80% [795];
рис. 42.17.1.
Прозрачен для излучения рубинового лазера, интенсивно поглощает
вторую гармонику [790]; коэффициент поглощения света при А,= 0,488 мкм
равен см-1 и « 4 см-1 при возникновении центров окраски в поле
излучения аргонового лазера [815, 817]; см. также [1292].
18. Электрооптические свойства. Рис. 42.18.1.
г41 = 3,4- 10“10 см/В [818]; г=1Ы0“8 ед. СГСЭ [795]; г«=5,3.10“8 ед. СГСЭ
[813, 819]; г41 = 4,Ы0”8 ед. СГСЭ при Л, = 0,510 мкм, г41расч = 2,9-10”8
ед. СГСЭ [813].
19. Пьезо- и упругооптические свойства. РЭФФ = 0»И5 Для vL[110]; ръфф =
= 0,031 для ^5[noj[iooj [788].
/7Х1 = 0,13; р44 = 0,04 при К =0,6328 мкм [564].
21. 	Акустооптические свойства. См. рис. П. II. 13.
"зв
"зв
«СВ
Е
Mt, 10 ”7 см2 -с/г
М2, Ю-1* с3/г
Ms, 10~12 см-с2/г
[110]
[ПО]
29,5
9,91
8,64
[788]
[110]
[100]
—
—
4,13
5,17
2,33
[788]
[100]
[100]
[001]
_1_ или II
24,5
6,4
6,6
[564]
[110]
[110]
[001]
_L или ||
27,5
9,3
8,0
[564]

348
42. ГЕРМАНАТ ВИСМУТА, ГЕРМАНОСИЛЛЕНИТ Bi12GeO20
В, дБ/см
Рис. 42.14.4. Зависимость затухания упругих сдвиговых волн Б для ojfooij ^ и про‘
дольных волн В для ^fl31j 0) в Bi12GeO20 от температуры: ф—25, О-70» □ —195,
Д— 600, ▼ — 1535, X —800 МГц [6881.

42. ГЕРМАНАТ ВИСМУТА, ГЕРМАНОСИЛЛЕНИТ В!,гОеОго
349
В, SB/cm
Рис. 42 14.5. Зависимость затухания В упругих продольных волн: 1 — для v^ f100j. 2 — Для
VS flioj [Oflij’ 3 ~~ для ^Sfiooj [010] в Bii2Ge02aOT температуры [688].
В, дБ/СМ
Рис. 42.14.6. Зависимость затухания упругих продольных волн В для ПРИ
/ = 600 МГц Bi12GexSi1_#Oao от температуры: ф—*=1,0, О^-*=0>5» □ — *=0,578 [688].

42. ГЕРМАНАТ ВИСМУТА, ГЕРМАНОСИЛЛЕНИТ Bij.GeOso
В}35/мкс
Рис. 42.14.7. Зависимость
затухания рэлеевских упругих волн В
в вакууме для: О -yz-среза
LiNbOs, X—(001)-, (100)-, (11 1)-,
(110)-срезов Bi12GeO20* А — ух-
среза кварца от частоты (наклон
всех экспериментальных кривых
соответствует наклону
функции f2) [809].
PJ5/MG
Рис. 42.14.8. Зависимость
затухания рэлеевских упругих
волн В, связанного с нагрузкой
воздухом от частоты: X —
Bi12GeO20, О — LiNb03r Д— Si02
(наклон кривой 1,9-10“*
дБ/МГц-мкс) [809].
В.дб/ш
Рис. 42.14.9. Зависимость
затухания упругой волны В,
распространяющейся в плоскости
(100) Bi12GeO20, от частоты
[564].
Л
Рис. 42.16.1. Дисперсия
показателей преломления п
Bi12GeO20 [813].

42. ГЕРМАНАТ ВИСМУТА, ГЕРМАНОСИЛЛЕНИТ Bi12GeO20
351
1А%
Рис. 42.17.1. Оптическое пропускание / (/, 2, 3) и отражение R(l', 2', 5') Bi12GeO20
(h=l мм) £814].
щ,кз г!,,ж1еа.сгсэ
0,5
1,7
Л,мт
0,6
а) Л, А б)
Рис. 42.18.1. Дисперсия: 1 — электрооптических коэффициентов 2 — полуволнового
напряжения Bi12GeO20 ([813] (а), [795] (б)).
22. 	Пьезоэлектрические свойства.
е14, Кл/м2
e\J вiv Кл2/м*
ки %
(111)-срез
ks. %
(110)-срез
0,71
_
15,5
23,5 расч.
[784]
0,817
—
14,9
24
[798]
0,983 ± 0,01
0,0287 ± 0,0006
—
—
[799]
1,02
—
—
—
[791]
0,99
■—
—
—
[800]
Эффективность в режиме приема 15,2* 10~8 СГСЭ [820].
^14 = 0,9* 10~6 ед. СГСЭ ± 15% [795].
<*14= (3,758 ± 0,004). 10-1* м/Б, еи=0,987 Кл/м2, g14 = 0,0989 Кл/м2,
%4=0,0293'10« В/м [797].

352
43. СИЛИКАТ ВИСМУТА Bi12SiO20
V.W ю-,32/в н»)
ю-,22/в н *)
10~,22/в-Н*)
‘/«ft,». 10-,27в-н»)
+ (150 ±5)
— (200 ± 5)
“Ь* (100 ± 5)
-(50 ± 5)
*) Измерено методом резонанса—антирезонанса [821]
23. Дополнительные сведения.
р* = 41,50 К/мм для Я = 0,5 мкм, р* = 7,18 К/мм для А,= 1 мкм,
р* = 44 К/мм [785].
Обнаружено трехимпульсное фононное эхо с большим временем
релаксации при комнатной температуре в кристаллических порошках [822].
Управляющее напряжение Vх/2 = 7,0 кВ [820]. Q = 4000/e _2 =2,0 [820]. Ширина
Vk/2
запрещенной зоны £^ = 4,06 эВ [781]. При наложении электрического поля
кристаллы становятся оптически двуосными [781]. Полуволновое смещение
у^2 = 12,5 кВ для А, = 0,6660 мкм при l — h кристалла [781]. Обладают
сильной оптической активностью (45 град/мм при Х = 0,4880 мкм) и сильным
эффектом Фарадея [823, 817].
р* = 25 град/мм, /?* = 0,26 мин/Э*см, сг= ЫО-14 Ом'_1‘См~1 [795].
Магнитооптическое вращение плоскости поляризации 0,3Ч- 0,5 мин/Э-см
[795]. Обладает фотопроводимостью и фотоактивностью [413].
QMex= 127* 103 при / = 500 МГц и Г = 296 К, QMex = 27-10* при Г = 4,2 К
[446, 805].
dnJdT отрицательно при 10 и 80 К и положительно при 300 К. При 80
и 300 К экспериментально наблюдается самофокусировка [815]. ИК-спектры
поликристаллических порошков см. [795]. ИК-спектр пропускания см. [688].
Спектры оптического пропускания см. [787, |781]. Зависимость проводимости
от температуры см. [781]. Температурную зависимость линейной оптической
активности и вращения Фарадея см. [817]. Дисперсию оптической активности
см. [786, 795]. Зависимость амплитуды эха от амплитуды зондирующих
импульсов и частотную зависимость амплитуды сигнала фоноиного эха см.
[824,825]. Зависимость амплитуды двухимпульсного и трехимпульсного эха
для кристаллических порошков см. [826].
43. 	СИЛИКАТ ВИСМУТА, СИЛИКОСИЛЛЕНИТ Bi12SiO20
1. Вид материала. Монокристалл синтетический, выращивается из расплава
методом Чохральского и из водных растворов [788, 795, 827, 543].
2. Симметрия кристалла. Кубическая, класс 23 [795, 812, 828, 829].

43. СИЛИКАТ ВИСМУТА, СИЛИКОСИЛЛЕНИТ Bi12SiO20 353
Постоянные решетки, А. а= 10,102 [795, 828, 829]; а= 10,104 [674].
4, Плотность, г/см3, 9,14 [793, 827]; 9,21 [828, 829]; 9,22 [564].
5. Температуры фазовых переходов, °С. Гпл = 920 ± 5 [827]; 7™=: 885 [795] *
Гпл = 900 [796].
11. 	Твердость. По Моосу 6,0 [827].
Нц=ш240 кгс/мм2 (± 5%), измерение на приборе ПМТ-3 [795].
12. 	Упругие постоянные.
си= 1,28-1012 дин/см2 ± 2%,
В,дб/см
В,дб/см а)
сы = 0,25* 1012. - дин/см2 ±2%,
С44 = 0,28-1012 дин/см2 ±2%,
Ci2=0,28-1012 дин/см2 ± 10% [828].
^11 расч = 8,5 • 10 “12 М2/Н,
sfipacq = 40,0-10-12 м2/Н,
®44р Cq =36.0-10-«М*/Н, S12 расч=
= 1,5-10-12 м2/Н [828].
13. Скорости упругих волн^
105 см/с. 3 83 для лгзв II [100],
изв || [100].
1,66 на пластине (001)
среза в направлении [110] [801];
=1,69 на пластине (111) среза
в направлении [110] [801]. См.
рис. П.II.5.
14. Затухание упругих волн.
Рис. 43.14.1, 43.14.2. см. рис.
42.14.6.
В, дВ/то
Т,к
Рис. 43.14.1. Зависимость затухания упругих Рис. 43.14,2. Зависимость зату-
волн В от температуры для ^5 f110j f001] (fl) хания упругих волн В в Bi12SiO20
И V, (б) Bi12SiO20: #-/=25, от температуры для: /-^=90,
□ — fi 195, Д — /=600, О, X — / 800 МГц 2-/ = 500 МГц [812].
[688].
1 2 Под ред. М. П. Ша скольской

354 43. СИЛИКАТ ВИСМУТА Bi12SiO,о
15. 	Диэлектрические свойства.
f
8
tg6
80 Гц
35
[827]
700 кГц
160
0,06
[795]
—
56
0,0015
[830]
еп/е„ = 42 J- 2о/0> е1гх/е0 = 47 ± 2о/0 [828].
16. 	Показатель преломления.
X, мкм
п
0,5461
2,5570
[813]
0,5770
2,5327
[795]
0,5790
2,5338
[795]
0,5890
2,54 ±0,02*)
[795]
0,6328
2,5424
[796]
*) Измерено методом Друдэ.
2,07</г<2,51 при А, = 0,70,4 мкм [830], л (со) = 2,4, /г(2со) = 3,1 [790].
17. Пропускание и поглощение. 0,4 ч- 6 мкм [795, 814]. Рис. 43.17.1.
Прозрачен для излучения рубинового лазера, интенсивно поглощает 2-ю
гармонику [790].
А > 100 см-1 при X < 0,4 мкм [830];
—30 см”1, Л2 —А3 ж 35 см —1 при Я = 0,420 мкм.
Аг = 24 см”1, А2 = А3 ж 25 см*-1 при Х = 0,4416 мкм,
Лг= 1,31 см-1, А2~А3 ^ 0,8 см-1 при Я = 0,6328 мкм [830].,
18. Электрооптические свойства. Рис. 43.18.1.
X, мкм
г41, Ю”8 ед. СГСЭ
0,579
« 10
[827]
0,589
7,5
[795]
0,510
2,4 расч.
[813]
__
5,0
[830]

43. СИЛИКАТ ВИСМУТА, СИЛИКОСИЛЛЕНИТ Bi12Si.Oj,a
Рис. 43.17.1. Дисперсия коэффициента
поглощения А в Bi12SiO20: / —до облучения
солнечным светом, 2 — после облучения
солнечным светом [827].
Г4„ж!е1т Уф-кВ
Рис. 43.18.1. Дисперсия з»лектГо”
оптического коэффициента г41
(сплошная линия) и управляющего
напряжения Vду2 Bi12SiO20
(пунктирная линия) измерено при
направлении электрического поля Е и света
по [001]см.[795].
19. Пьезо- и упругооптические свойства.
Рэфф”0,130, X = 0,6328 мкм [788];
Ри— 0,12, /?44 — 0,04 [564].
20. Нелинейные оптические свойства.
^“ = 4,9-10-8 ед. СГСЭ [790].
21. Акустооптические свойства.
к~ 0,6328 мкм
"зв
"зв
«СВ
E
Mt, 10-’
CM2*C/r
M2,
10-18 ce/r
M 3, 10-12
CM c2/r
[100]
[100]
33,8
9,02
8,83
[788]
[100]
[100]
[001]
1
28,5
7,2
6,3
[564]
[T10]
[110]
[001]
JL
31,0
10,3
9,2
[564]
22. 	Пьезоэлектрические свойства.
еы = 1,1* 10“6 ед. СГСЭ ±15%. Измерено методом
резонанса-антирезонанса [795].
с?14 = 0,4-10~10 Кл/Н, е14= 1,0 Кл/м2, g14 = 9,6-10-2 м2/Кл, = 2,7 х
х10-9 Н/Кл [828].
ks = 0,31 ± 5%; (ks = V hiJcu• Ell), kL = 0,20 ± 70/0,
(k^VAhlJefj (c11 + 2c12 + 4cf4)), kx = 0,28 ± 7%,
(kx = V dlJt-h (2sn+2s12 + sf4)) [828].
12*

356
44. ЙОДАТ ЛИТИЯ LiIOe
23. Дополнительные сведения.
Оптическая активность р* = 25 ± (0,5 -г- 1) К/мм [795]. Вращение
плоскости поляризации 71 К/мм [701].
Константа Верде #*=0,25 мин/Э-см [795].
Темновое сопротивление 1010 Ом-см [827]; меньше Ю1^ Ом-см [814].
Электропроводность 1*10~14 Ом^-см”1 [795]. В видимой области обладает
значительным магнитооптическим вращением плоскости поляризации—0,3 -f- 0,5
мин/Э-см [795]. Высокоомные полупроводники обладают собственной
фотопроводимостью [814].
Ук/2= 6,2 кВ, Я = 4600 А, Кя/2 « 7,6 кВ, Я = 4675 А, Кл/2=9,1кВ,
Я = 4750 А [813].
Фазовая диаграмма Bi203— Si02 см. [679]. Спектральная
фотопроводимость см. [814].
44. 	ЙОДАТ ЛИТИЯ LiI03
1. Вид материала.
Монокристалл синтетический, выращивается из водного раствора [831—836];
выращен из кислого, раствора [837].
2. Симметрия кристалла.
Гексагональная, класс 6 [831, 838, 839] a-LiI03 относится к
пространственной группе Р63, а не Р6322, как определяли раньше [840, 838, 844]
Р63 (С!) [838, 842—844, 834, 840]. a-фаза Р68 существует вплоть до 5 К, две
молекулы в элементарной ячейке [845]. р-фаза — пространственная группа
Р42п (Cih), 7-фаза—ромбическая [833].
Постоянные решетки, А.
а
ъ
с
5,478
5,170
[839]
5,481
—
5,1709
при Ткоии
а-фаза
[833]
9,712
—
6,146
При Ткоми
(3-фаза
[846]
19,1
11,14
10,44
ромбическая
7-фаза
[846]
5,4732
—
5,1456
гексагональная
[837, 840]
3. Молекулярный вес. 181,84 [97]; две молекулы в одной ячейке [847].
4. Плотность, г/см3*4*5 [79, 832, 377]
5. Температуры фазовых переходов, РС. Тпл = 420 [832]; 7,пл = 435; Тс =
= 247—переход a-фазы в 7-фазу [833]; Тс = 285—переход 7-фазы в р-фазу
[846].
6. Растворимость, г/100 г воды. 125 при Т = 15 РС [97].

44. ЙОДАТ ЛИТИЯ LiIOa
357
8. Тепловое расширение. Рис. 44.8.1.
11. 	Твердость.
[840]
Плоскость
(0001)
(0001)
(lolo)
(1120)
(ЮН)
(1232)
Нц , кгс/мм2
240 ± 3
238 ± 3
203 ±3
201 ± 3
215 ± 3
210 ± 3
Анизотропия микротвердости—см. [850].
12. 	Упругие постоянные.
[832]
СЕ
ьтп•
1010 Н/м2
Ошибка
измерения
Метод измерения
£
1
0°
00
± 1%
Резонанса-анти-
резонанса
с3з = 5,7
± i%

Резонанса-антирезонанса
СЬЪ~ 1
± 20%
Эхо-импульсов
^66 = 2,2
± 20%
Эхо-импульсов
■f/rf
a too т Tt°G
Рис. 44.8.1. Коэффициент теплового
расширения L!IOs: / — а || с, 2 —а X с
[848].
I
II
III
Угол
Рис. 44.13.1. Зависимость скорости
упругой рэлеевской волны Vg, величины Au^/Woo,
температурного коэффициента задержки Тх
и отклонения угла потока энергии Ф от угла
между направлением распространения и
кристаллографическими осями для шести
стандартных кристаллографических срезов
LiIOs: I-х-, у-срезы, II — у-оси
цилиндра, /// — х-, */-оси були [844].
13. 	Скорости упругих волн. Рис. 44.13.1.

358 44. ЙОДАТ ЛИТИЯ LiIOs
v, 10^ см/с
"зв
"зв
Тип
колебаний
V
[001]
[001]
L
4,13
[79, 832, 377]
[100]
[100]
L
4,3
[832]
[100] [010]
—
S
2,52
[377, 849]
Atr^/tFo. = 4,34.10-■ [844].
pv= 18,0-106 кг/см2-с для vL f0oij [831], pa=18,5-106 кг/см2-с для tf^fooij
[851], pt;= 11,3 • 10е кг/см2-с для ^stiooj [377].
Avr/Voo — 4,34• 102, v£ min — 1 >904• 10® cm/c, vr max =2,258-105 cm/c,
Гтш1п=10-«К"1 [852].
14. 	Затухание упругих волн. Рис. 44.14.1.
В, дБ/см
Рис. 44.14.1. Зависимость затухания упругих волн В L1I03 от температуры для 0,s[ool]
(поляризация произвольная в плоскости ху); /—/=2,5, 2—/=3,6, 3—/=8,0, 4— /=14,
5—/=42 МГц [834].
"зв-
"зв
В, дБ/см
/, МГц
Т, °с
[001]
[001]
7,5
140
[832]
[001]
[001]
20
2
20
[849]
[001]
[001]
36
8
20
[849]
Bzrooij=l дБ/см-МГц2 *) 1377].
*) У автора здесь опечатка.

44. ЙОДАТ ЛИТИЯ LilO,
359
15. 	Диэлектрические свойства. Рис. 44.15.1, 44.15.2.
ег = 8,25, 88 = 6,53 [831];
8S/e0 = 6,4 ± 2%, 85/8о = 8,2 ± 2%, измерено на высокочастотном мосте
[832];
833/80 = 6, ец/Bo = 8 [851]; 833/80 = 6, 8ц/8о = 7 [377].
40
20
Рис. 44.15.1. Зависимость
электропроводности CF;u и относительной
диэлектрической проницаемости
83/80 ЫЮ3 при температуре Г =
= 293 К от частоты: 1 — [834], 2 —по
нормированным данным [707], 3 —
зависимость ва по данным [832].
£JJ- £33
%' £а
pRitiOAl-CM
Рис. 44.15.2. Аномальное поведение удельного
сопротивления и относительной
диэлектрической проницаемости 8^/е0 и 4/8. LilOa
вдоль оси г от частоты [832].
16. 	Показатель преломления.
[832, 377]
К, мкм
"о
К, мкм ‘
по
0,4000
1,948
1,780
0,5780
1,888
1,742
0,4360
1,931
1,766
0,6900
1,875
1,731
0,5000
1,908
1,754
0,8000
1,868
1,724
0,5300
1,901
1,750
1,060
1,860
1,719
/ii=l,860, «1 = 1,719, Лз=1,982, п%= 1,815 для Я= 1,064 мкм, на 3-й
гармонике [853].

360
44. ЙОДАТ ЛИТИЯ LilO,
[79, 392]
Я, I мкм
"o
A,, MKM
"o
0,4579
1,9186
1,7633
0,5145
1,9018
1,7506
( 0,4765
1,9124
1,7586
0,5321
1,8978
1,7475
• 0,4880
1,9089
1,7560
0,6328
1,8815
1,7351
0,4965
1,9065
1,7541
1,0642
1,8517
1,7168
0,5017
1,9051
1,7531
Зависимость dn/dT см. [848].
17. 	Пропускание и поглощение. 0,36 мкм [79]. Рис. 44.17.1.
/>97% при /i = 15 мм и Я = 0,63 мкм [377] (образцы просветленные),
оптическое пропускание образца толщиной 2,25 мм см. [854].
i/k
■%и
0,5
О
Рис. 44,17.1. Оптическое пропускание LiIOs в интервале A,=0,28-f- 1,5 мкм; сплошная
линия— Е\\с9 штриховая линия — Е _L с [853].
Коэффициенты двухфотонного поглощения для % = 0,53 мкм меньше
4‘10“4 см/МВт см. [855]; спектральное пропускание второй гармоники при
X « 1,0640 мкм см. [856].
18. Электрооптические свойства.
rtm, ю-12 м/В,
/-83 = 6,4 ±0,6, Г13 = 4,\ ± 0,6, /-41=1.4 ± 0,6, /-51 = 3,3 ± 0,6 для Я =
= 0,6328 мкм [858]; г13=5,8±1,2 для А. = 0,5145 мкм [859]; rBi = 7,9±0,2
для К = 0,6328 мкм [857].
Зависимость г ;т от X см. [857].
19. Пьезо- и упругооптические свойства.
I Pll I ==0,3 ± 20%, I р% | =0,23 ± зоо/o, I p?e I =0,01 ±20%, pfe = 0,03±20%,
pf3=0,24±30»/o, pg = 0,41 ± 20% [832].
20. Нелинейные оптические свойства.
df“=(2,6±0,5)d§“LiNb08, d|J>= (1,8±0,7) df“ НЮ„ d§“=(38±6) df®Si02,
dn= (0,9 ± 0,2) dtt Ba2NaNb60„ [859].
J 1 1 1 I I I L t Г I
V 0t8 0,4
А,жм

45. ЙОДНОВАТАЯ КИСЛОТА а-НЮ* 361
21. 	Акустооптические свойства.
Ми
10™7 см2*с/г
мг,
10“‘8 С*/Г
10”1*, см*с*/г
"зв- "зв
Е
25,7
8,0
6,2
[001]
1 N як
[832]
41,9
13,0
9,8
[100]
II [001]
[832]
—
12,14
—
1001]
II Л^зв
[860]
— .
33,6
—
[001]
II [100]
[860]
22. Пьезоэлектрические свойства.
dim, Ю-s ед. СГСЭ/дин [831]
<*14
&2А
dtb
d3z
^33
11
74
74
— 11
и s
11
139
^15=0,85 Кл/м2 ± 1%, е38= 1,03 Кл/м2 ± 1% [832]; &i5 = 80%, ^ = 95%,
статический режим [831]; ki fooij = 50 -s- 60% [832]; кц00ij = 51%, к1ъ = 60%
у-срез [851, 377].
Акустические свойства кристаллов LiI03 с различными добавками см.
[861].
23. 	Дополнительные сведения.
РЯ = 2*10в Ом«см в направлении [001]; рд « 109 Ом-см в направлении
[110].
Обладает узкой угловой и спектральной шириной синхронизма,
зависимость угла синхронизма и дисперсии направления синхронизма от длины
волны возбуждающего излучения см. [862]. Зависимость приращения
удельного вращения плоскости поляризации от напряженности электрического поля
и изменения температуры см. [863]. Дисперсию удельного вращения плоскости
поляризации и компоненты С88 тензора гирации см. [863, 839], температурную
зависимость электропроводности см. [834].
45. 	ЙОДНОВАТАЯ КИСЛОТА сс-НЮ8
1. Вид материала. Синтетический монокристалл получен из водного
раствора методом испарения при Т « 50 РС [864].
2. Симметрия кристалла. Ромбическая, класс 222, (D|) [865, 864,
866], ось b совпадает с биссектрисой острого угла призмы {110} (86°43') 1864].

362 45. ЙОДНОВАТАЯ КИСЛОТА .Д-НЮ*
Постоянные решетки, А.
а
ъ
с
5,5379
5,8878
7,7333
[789]
5,538
5,888
7,733
[865]
а:6= 0,9406:1:1,13134 [864].
3. Молекулярный вес. 175,91 [97].
4. Плотность, г/см3. 4,629 [1]; 5,0 [377].
5. Температуры фазовых переходов, °С. TnjI=110 [97].
6. Растворимость, г/100 мл воды. 1 при 236,7 °С, 80 при 360,8 °С [97].
Растворяется в этиловом спирте, не растворяется в HN03 [978].
10. 	Спайность. По (101)—совершенная, по (011) — несовершенная [789].
12. 	Упругие постоянные.
стп> Ю*° дин/см2 при Т = 25 °С [31]
Си
Ct г
СЗЗ
с44
*55
св6
Ctt
С\з
С t s
29,95
53,86
43,53
18,35
11,06
17,36
11,54
5,14
21,93
Smn* 10"13 см2/ДИН [31]
sn
s22
S33
s44
S55
see
si*
s13
st9
3,98
20,1
25,6
54,5
45,6
57,6
—7,75
-9,7
—0,45
Температурные зависимости упругих постоянных.
Tsmn9 10-е ц-i [31]
Tsu
Ts2t
Ts9 3
7'S44
Ts&s
Tstt
7*Sia
700
600
1200
750
700
650
930
1100
1700

45. ЙОДНОВАТАЯ КИСЛОТА а-НЮ,
13. 	Скорости упругих волн, 105 см/с. См. рис. П.И.б.
[865]
363
"зв,,
"зв
V
"зв
"зв
V
[010]
[010]
2,89
[100]
[100]
3,56**)
[001]
[001]
2,44*)
[100]
[010]
1,84
*) Аналогичные значения даны в [867].
**) Аналогичные значения даны в [377].
14. 	Затухание упругих волн, дБ/см. 2,5 для
V?
h а
vi при / = 500 МГц [865, 377]; см. рис. 60.14.2,
П.П.6, П.И.13.
15. Диэлектрические свойства. 8ц =
822=12,4, 833 = 8,1 при Г = 25 °С [31].
16. Показатель преломления. Рис. 45.16.1.^/
пх = 1,986 при Е |1 [100], пх —1,960 при
Е||[010] [865, 377]; пе= 1,9595 для I = 0,9 мкм
[866].
/110 = 1,98, п2о = 1,96, п3о = 1,84 для Я =
=0,633 мкм [864].
Двупреломление пе—п0 = —0,139 для Х =
=0,9 мкм [866]. Оптические оси в плоскости
хг, угол оптических осей 46° (Я = 0,63 мкм) [864].
3 S 7 В
Кт, W3GM~f
Рис. 45.16.1. Главные значения
показателей преломления п
a-LiIOa; 1—пх [869], 2— пу
[789]* 3 — nz [868].
[392]
Я, мкм
пх
nz
Я, мкм
Пх
Пу
пг
0,450
1,8798
2,0560
2,0184
0,850
1,8223
1,9639
1,9378
0,500
1,8621
2,0192
1,9930
0,900
1,8206
1,9595
1,9347
0,5325
1,8547
2,0103
1,9829
0,950
1,8180
1,9564
1,9318
0,550
1,8497
2,0049
1,9787
1,000
1,8147
1,9537
1,9292
0,600
1,8409
1,9922
1,9665
1,065
1,8123
1,9508
1,9275
0,650
1,8352
1,9812
1,9571
1,100
1,8116
1,9484
1,9260
0,700
1,8308
1,9765
1,9505
1,200
1,8086
1,9436
1,9230
0,800
1,8250
1,9672
1,9407

364
45. ЙОДНОВАТАЯ КИСЛОТА a-HIO,
17. Пропускание и поглощение. 0,4 -*• 1,3 мкм [865, 866, 870, 864];
0,3 -5- 1,8 мкм [377].
18. Электрооптические свойства.
Г(т, 10-12 м/В для А, = 0,6328 мкм
Гц
г S3
^вз
7,3 ± 20%
7,6 ± 10%
8,8 ± 10%
[870]
6,6 ± 0,3
7,0 ±0,5
6,0 ± 0,3
[864]
2,3 ± 0,2
2,6 ± 0,3
4,3 ±0,4
[871]
19. Пьезо- и упругооптические свойства.
л;з8 = 0,5-10--13 см2/дин [867]; /713; = 0,406, /?22 = 0,343, /?33 = 0,334,
р6б = 0,092, /712 = 0,277, /?13 = 0,304, /?21 = 0,279, /?23 = 0,305, р3 х = 0,503,
р32 = 0,310 [861]; /?44 = 0,27 ± 0,03, /?55 = 0,2 ± 0,02, /?6б = 0,09 ± 0,01 [871].
20. Нелинейные оптические свойства.
ifi=(3,3 т- 1,1)-10-всм/ст.В [789]; dl? = (1,5 -5- 0,5)LiNbOs для
%= 1,065 мкм [870]; df? = 6,6-10-« м/В [602].
21. Акустооптические свойства. См. рис. П.И. 13.
"зв 1
^зв
псв
Е
Afi, 10“7 см2-с/г
Л12, 10-18 С»/Г
[100]
[100]
[001]
[100]
31,8*)
[100]
[100]
[001]
[010]
—
13,8*)
[100]
[100]
[010]
[001]
—
30,5*)
[010]
[010]
[001]
[100]
—
27,6*)
[010]
[010]
[001]
[010]
39,0*)
[010]
[010]
[100]
[001]
—
21,7*)
[001]
[001]
[100]
[010]
—
51,4*)
[001]
[001]
[010]
[100]
—
55,2*)
[001]
[001]
[100]
[001]
—
41,7*)
[010]
[100]
[001]
[100]
—
п,з*)
[100]
[100]
—
[010]
93
90
[100]
[100]
—
[100]
125
50
[001]
[001]
—
[100]
103
86
•) Измерено при X = 0,6328 мкм, / = 200 -г- 500 МГц [865], данные, не
отмеченные звездочкой, приведены по [377].

46. T13VS4
365
22. Пьезоэлектрические свойства, du=( 16 i 0,8)-10-12 Кл/Н, d2b~-
=(21 ± 1,0)« 10~12 Кл/Н, rf3e = ( 18 ± 0,9) 10“12 Кл/Н [864].
23. Дополнительные сведения.
Обладает высокой оптической активностью с существенной анизотропией
[864]. Сечение указательной поверхности тензора гирации кристалла [872].
Зависимость Gmn и р* от % см. [872].
46. 	T13VS4
1. Вид материала. Синтетический монокристалл, выращен по методу Сток-
баргера [873, 874].
2. Симметрия кристалла. Кубическая, класс 43 m, 143 га (7^) [873].
Постоянные решетки, А. а — 7,51 [873], а = 7,497±0,004 [874].
4. Плотность, г/см3. 6,22 [873] см. также [874].
5. Температура фазовых переходов, °С. Гпл — 515±5 [873].
1!. Твердость. По Моосу 2 -f- 3 [873, 874].
13. Скорости упругих волн, 105 см/с. См. рис. П.П.2.
VL tool] =2,81, [но] “2,46, vs [110] = 1»6,
VS [но] — О^б, vs jr0оl] =0,873 [873, 874].
измерено методом эхо-импульсов, / = 30 МГц, длительность импульса
т = 0,5 мкс [873], измерения на гармонике при / = 270 МГц см. [874].
v# [и0] = 0,870 на срезе (100), Тх% = — 54» 10“3 К-”1 в направлении [110]
на срезе (100) [874].
14. Затухание упругих волн, дБ/мкс. 0,137 для ^Xfiioj ПРИ / = 30 МГц
[873]. См. рис. П.П. 14.
15. Диэлектрические свойства, 8=14 [874].
16. Показатель преломления.
[873]
Я, мкм
■ 1
| Я, мкм
■ 1
| Я, мкм
п
0,749
3,156
1,553
2,869
4,35
2,815
0,825
3,073
2,66
2,823
4,6
2,810*)’
1,06
2,948
3,29
2,819
5,26
2,808*)
1,15
2,924
3,38
2,815
*) Данные по [874].

366
47. TilnSe,
17. Пропускание и поглощение. Рис. 46.17.1. Слабое пропускание в
интервале 12 -г- 15 мкм; сильное поглощение при А, ==7 мкм и 10 мкм [873].
0,75‘ч- 10,5 мкм [874]; / = 36% при h = 0,675 см, А =0,7 -5- 0,8 см"1.
1/Л
Рис. 46.17.1. Оптическое пропускание / T13VS4 (h=6,76 мм, потери на отражение не
учитываются) [873, 874].
21. Акустооптические свойства. См. рис. П.II. 14.
М2 = 165 для Рз1 при А, = 1,15 мкм относительно М2 плавленого кварца
при X — 0,6328 мкм [873].
М2=150 для vL и Af2 = 500 для v$ вдоль оси с при Л, = 1,15 мкм.
Измерено методом Диксона —Коэна по отношению к М2 плавленого кварца при
А, = 0,6328 мкм [873].
22. Пьезоэлектрические свойства. &я = 1,4% [874].
47. 	TlInSe3
1. Вид материала. Синтетический монокристалл выращивается из
расплава методом зонной рекристаллизации или методом Стокбаргера [873, 875].
2. Симметрия кристалла. Тетрагональная, класс 4/mmm, / 4/mem, (D\h)
1875].
Постоянные решетки, А. а = 8,02, с =6,826 [875].
4. Плотность, г/см3. 7,18; 7,81—расчетная [875].
5. Температуры фазовых переходов, °С. ГПл = 767 ±5 [875].
11. 	Твердость. По Моосу 2-ь 3 [873].

48. TIGaSe*
367
13. Скорости упругих волн.
VL fiooj = VL foioj — Vl fooij =2,48» 105 cm/c,
VS riooj — VS foioj — VS гооц = 1,35 • 106 cm/c
измерено методом эхо-импульсов, / = 30 МГц, т = 0,5 мкс [873].
14. Затухание упругих волн, дБ/мкс. 0,487
при / = 30 МГц для vmooj, 487 дБ/мкс при
/ = 1 ГГц для v^ fiooj [873].
См. рис. П.П.14.
17. 	Пропускание и поглощение. Рис.
47.17.1.
21. Акустооптические свойства. См. рис.
П.П. 14.
М2— 100* 10”“18 с3/г для X =1,15 мкм,
измерено методом Диксона и Коэна [873].
23. 	Дополнительные сведения.
Зависимости электропроводности, коэффициентов и подвижности Холла
от температуры; спектральное распределение фотопроводимости см. [875, 179].
* t-ц
2,0 2,4 . 2,8
2,,тм
Рис. 47.17.1. Оптическое
пропускание I TlInSe2 при Т=300 К:
1 -~h— 200, 2 —h=\ 00 мкм [875].
48. 	TlGaSe2
1. Вид материала. Синтетический монокристалл выращен из расплава
методом Бриджмена-—Стокбаргера [873, 876].
2. Симметрия кристалла. Псевдотетрагональная, класс 4/ттт [873, 876,
877].
4. Плотность, г/см3. 6,34 [873].
5. Температуры фазовых переходов, °С. ТПл = 779 ±3 [873].
6. Растворимость. Не гигроскопичен [873].
11. 	Твердость. По Моосу 2 ч- 3 [873].
13. Скорости упругих волн, 10^ см/с.
VL fiooj== 3,25, Vi [ooi] — 2,67,
VS nooj = VS [ooi] ~ 0,767, v$ [iooj — 1 >05
измерено методом эхо-импульса, / = 30 МГц, т=0,5 мкс, vs приведены для
различных U3B [873].
14. Затухание упругих волн, дБ/мкс.
0,064 для viiooi], / = 30 МГц, 64 для /== 1 ГГц, расчетное [873]. См.
рис. П.11.14.
16. 	Показатель преломления. Рис. 48.16.1.
Зависимость Ап от Е2 и от Я см. [876].

368
Рис. 48.16.1. Дисперсия
показателей преломления
fio* TlGaSe2 [876].
49. TIGaS*
I,%
Рис. 48.17.1. Оптическое пропускание I
TlGaSe2 [873],
17i Пропускание и поглощение. 0,6 -4- 20 мкм [873], рис. 48.17.1.
В направлении оси с обладает естественным двупреломлением. Оптически
положительный одноосный кристалл [876].
18. 	Электрооптические свойства. (n%R3B—Ло/?хз)расч = 2,3* 10"”9 ед. СГСЭ
[876].
21. Акустооптические свойства. См. рис. П.П. 14.
М2 = 260 относительно М2 плавленого кварца, X = 0,6328 мкм для vl,
измерено методом Диксона и Коэна [873].
23. 	Дополнительные сведения.
Обладает фотоэффектом [876].
49. 	TlGaS2
л
1. Вид материала. Синтетический монокристалл желтого цвета выращен
по методу Стокбаргера (оптическое качество неудовлетворительное) и
гидротермальным методом [873, 878].
2. Симметрия кристалла. Псевдотетрагональная [873]. Моноклинная, класс
2/т, Р2гт (С|п) [878]. Тетрагональная [877].
Параметры решетки, А.
а = Ь = 7,26 ± 0,06, с==4с', где с'= 14,9 ± 0,1 А; Р = 91°12' ± 10' [878].
а = 7,29 А, с = 29,9 А, 16 молекул в ячейке [877, 878].
4. Плотность, г/см3. 5,72 [873, 878].
5. Температуры фазовых переходов, °С. Т,пл = 901±5 [873].

50. ОРТОСЕЛЕНОАРСЕНИТ ТАЛЛИЯ Tl,AeSes 369
10. Спайность. Весьма совершенная в пло- if%
скости, перпендикулярной оси с.
11. Твердость. По Моосу 2 ч-3 [873]; по
Кнупу 71 кгс/мм2 при нагрузке на индентор
5 г, 75 кгс/мм2 при нагрузке на индентор 10 г
[878].
13. 	Скорости упругих волн. 10б см/с.
VL [ooi] ==2,5, Vi fiooj = 3, v$ [iooj = 1,0,
Рис. 49.17.1. Оптическое про-
Т,„ —7,0 —ПЯЯ ичмрпйнп мртпппм пускание / TlGaS* (Л=0,45 см)
u5fiooj — vs [ooi.] — и,оо, измерено методом * Г8781
эхо-импульсов, /=30 МГц, т=0,5 мкс [873].
14. 	Затухание упругих волн. Очень большое, vs приведены для различных
U3B [873].
17. 	Пропускание и поглощение. 0,5 ч- 12,6 мкм [878], рис. 49.17.1.
50. 	ОРТОСЕЛЕНОАРСЕНИТ ТАЛЛИЯ Tl3AsSe3
1. Вид материала. Синтетический монокристалл выращен из расплава
методом Стокбаргера [873].
2. Симметрия кристалла. Гексагональная (ромбоэдрическая), класс 32 или
3т, R32 или R3m (Dl) или (Cly) [879, 873].
Постоянные решетки, А.
а = 9,80, с= 7,08 [879].
4. Плотность, г/см3. 7,83^ 0,02, 7,82 —расчетная [879, 873].
5. Температуры фазовых переходов, °С. ТПл = 316 ±2 [879]; 7'пл = 311±2
[873].
10. Спайность. Хорошая по плоскости ромбоэдра [879].
11. Твердость. По Моосу 2|Ч-3 [873].
13. Скорости упругих волн, 10^ см/с. См. рис. П.П.2.
VL faToj = Vi [ою] = Vi [оси = 2,10;
vsi210] = vs foioj = 1,05;
vs fooij = 1,00; Vs /ooi] = 1,21
измерено методом эхо-импульсов при /оси = 30 МГц, длительность импульса
т = 0,5 мкс, vs приведены для различных U3B [873].
14. Затухание упругих волн, дБ/мкс. 0,066 для vi [2ioj, / = 30 МГц; 66
для/= 1 ГГц—расчетное [873].
16. 	Показатель преломления.

370 SO. ОРТОСЕЛЕНОАРСЕНИТ ТАЛЛИЯ TlaAsSea
[879, 873]
Я, мкм
О
О
Я, мкм
О
»•*)
1,553 ± 0,03
3,443
3,248
4,35 ± 0,09
3,332
3,148
2,66 ± 0,05
3,356
3,170
4,46 ±0,17
3,334
3,142
3,29 ±0,1
3,339
3,152
4,55 ±0,2
3,326
3,142
3,365 ± 0,065
3,337
3,155
5,26 ±0,3
3,321
3,141
3,38 ±0,16
3,339
3,152
5,3 ±0,1
3,326
3,142
*) Измерены методом перпендикулярного падения.
17. Пропускание и поглощение. 1,23 ч- 18 мкм [873]. Рис. 50.17.1, 50.17.2.
1%
Рис. 50.17,1. Оптическое пропускание / Tl8AsSea [873].
Х,жм'
Рис. 60.17.2. Оптическое пропускание / Tl3AsSe3 без учета потерь на отражение
(Л=0,63 см) [879].
21. 	Акустооптические свойства.
Мг= 123, М2==416, М8==339 при Я= 3,39 мкм относительно М2
плавленого кварца при Х=0,6328 мкм для psl в случае продольных волн [873].

51. ОРТОСЕЛЕНОФОСФАТ ТАЛЛИЯ TlaPSe*
371
51. 	ОРТОСЕЛЕНОФОСФАТ ТАЛЛИЯ Tl3PSe4
1. Вид материала. Монокристалл синтетический, выращивается по методу
Стокбаргера [873].
2.^ Симметрия кристалла. Орторомбическая Рстп или Рс2п [880, 873].
Постоянные решетки, А.
а = 9,270 ± 0,005, 6 = 11,047 ± 0,005, <?=9,059 ± 0,005 [880].
4. Плотность, г/см3, 6,1, 6,31— расчетная [880]; 6,31 [873].
5. Температуры фазовых переходов, °С. 71пл = 458 ± 2 [873].
6. Растворимость. Не гигроскопичен [873],
10. Спайность. По (010) [880].
11. Твердость. По Моосу 2,5 ч-3 [880].
13. 	Скорости упругих волн, 105 см/с. См. рис. П. II.2.
измерено методом эхо-импульса, / = 30 МГц, длительность импульса т = 5 мкс,
vs приведены для различных UBB [873].
14. 	Затухание упругих волн, дБ/мкс. 0,117 для У£[оои ПРИ / = 30 МГц
[873]; рис. 51.14.1. См. рис. П.П.14.
частоты: /—для v£ [ою]» 2—для
VL [loo]» 5—для »S[ooi]
(медленная сдвиговая), 4—для vj^ [ool] »
5—для v$ [юо] (медленная
сдвиговая), 6 —для [oioj (медленная
сдвиговая), 7— для v§ |ооX]
(быстрая сдвиговая) [873].
VL ГЮ0} = VL T010J *= VL fool] = 2,2,
VS /100] = VS f oioj = VS tool} = Ы,
VS nooj = 4s rooij = 0»51
Iftt
1,0
10,0 Л,жм
Рис. 51.14.1. Зависимость
затухания упругих волн В в Tl3PSe4 от
Рис. 51.17.1. Оптическое пропускание
/ Tl8PSe4 [873].

372
52. СОЛЬ СУЛЬФОКИСЛОТЫ T1,AsS4
16. Показатель преломления.
[873]
Я, мкм
па
пъ
Пс
Я, мкм
па
пь
Пс
0,749
3,088
3,027
3,056
3,29
2,826
2,768
2,799
0,825
2,028
2,967
3,000
3,365
2,825
2,765
2,798
1,06
2,933
2,870
2,904
3,38
2,824
2,765
2,798
1,15
2,916
2,857
2,883
4,35
2,820
2,760
2,795
1,553
2,865
2,807
2,839
4,46
2,817
2,758
2,792
2,66
2,824
2,773
2,808
5,26
2,815
2,756
2,791
17. 	Пропускание и поглощение. 0,85 ч- 17 мкм [880]; 0,85 -г- 20 мкм, но
работать можно лишь до 8 мкм, так как при длинах волн 8,05; 9,62; 12,02;
15,62; 17,80 мкм наблюдается очень сильное поглощение [873]; рис. 51.17.1.
А = 1 -т- 2 см“* при Х= 1,0 мкм, А = 0,15 -4- 0,1 см~* при Я = 2—г- 8 мкм
[873].
21. 	Акустооптические свойства. См. рис. П.II. 14.
Мх = 366, М2 = 1370, М3 = 991, А =1,15 мкм, значения Мъ М2, М3
приведены относительно М2 плавленого кварца при % — 0,6328 мкм для pz± для
продольных акустических волн [873].
52. 	СОЛЬ СУЛЬФОКИСЛОТЫ Tl3AsS4
1. Вид материала. Монокристалл синтетический, выращивается по методу
Стокбаргера [873],
2. Симметрия кристалла. Орторомбическая, Рстп [881].
Постоянные решетки, А. а = 8,98, 6=10,8, с = 8,86 [881].
4. Плотность, г/см3. 6,20 ± 0,4 [881, 882].
5. Температуры фазовых переходов. °С. Тпл=А19 ± 2 [881].
10. Спайность. По (010) [881].
11. Твердость.|По Моосу 2,5 [881].
13. Скорости упругих волн, 105 см/с. См. рис. П.П.2, П.II.6, П.И.18.
VL[iooj== 2» 15 [881]; rooxj=== 1 >21 [882].
14. Затухание упругих волн, дБ/мкс.
1 для Vi при / = 500 МГц [881].
0,021 для vi при / = 30 МГц, 5 для Vn00ij при /= 1 ГГц, расч. [873];
рис. 52.14.1. См. рис. П. II.6, П. 11.14.

52. СОЛЬ СУЛЬФОКИСЛОТЫ Tl3AsS4
373
*)' '
Рис. 52.14.1. Зависимость затухания упругих волн В от частоты для продольных волн
в Tl3AsS4 [881] (а), [883] (б).
16. 	Показатель преломления.
пс=2,825 при Х=0,633 мкм, пс=2,626 при Я»= 1,153 мкм [882]; па=2,829,
пь = 2,774, пс = 2,825 при А, = 0,6328 мкм [881].
[883]
Я, мкм
па *)
пъ *>
Пс*)
Я, мкм
па *)
пъ*>
Пс *)
0,6943
2,772
2,721
2,770
3,38
2,567
2,525
2,569
0,7490
2,738
—
—
4,35
2,563
2,521
2,566
0,8250
2,704
—
—
4,47
2,560
^2,51^
2,563
1,06
2,646
2,598
2,642
5,26
2,557
2,513
2,558
1,15
2,634
2,580
2,626
5,3
2,556
2,513
2,560
1,553
2,603
2,566
2,599
10,6
2,542
2,498
2,541
*) Измерено методом перпендикулярного падения.
17. 	Пропускание и поглощение. 0,6-г-12 мкм [881, 882]; рис. 52.17.1.
[881]
А,, мкм 0,6328 0,8 1 -=- 10
А см-* 1 ~2 0,30 0,05 -f* 0,1
19. Пьезо- и упругооптические свойства.
Рзз— 1,23, /?зх = 0,92, рз2 = 1>09 [881].

374
52. СОЛЬ СУЛЬФОКИСЛОТЫ Tl8AsS4’
I/%
Л,мкм
Рис. 52.17.1. Оптическое пропускание / Tl3AsS4 без учета потерь на отражение
(ft = 0,22 см) [881].
21. 	Акустооптические свойства. См. рис. П.II. 14.
[881]
X, мкм

Ориентировка
М2 *)
к, мкм

Ориентировка
М2 *)
Я, мкм

Ориентировка
М2 *)
0,6328
Рз1
300
1,15
Р31
192
3,39
Рз1
166
0,6328
Рз2
368
1,15
Рз2
239
3,39
Р32
212
0,6328
Рзз
525
1,15
Рзз
332
3,39
Рзз
295
*) Значения М2 даны по отношению к М2 плавленого кварца при
А, = 0,6328 мкм.
[883]
X, мкм 0,6328 1,15 3,39
М2*) 350 170 150
М2**):=510.10-15 с3/кг для ^ifoou ЕII[001], А,= 1,153 мкм [92].
*) Значения М2 даны по отношению к М2 плавленого кварца при
Я, = 0,6328 мкм.
**) Здесь у автора ошибка.

54. Tl8TaSe4
375
53. 	TlsTaS4
1. Вид материала. Синтетический монокристалл, выращен методом Сток-
баргера [884].
2. Симметрия кристалла. Кубическая, /43/и (Т3) [884].
Постоянные решетки, А. а —
=7,67 [884].
4. Плотность, г/см3. 6,79 [884].
6. 	Растворимость. Стабилен на
воздухе, негигроскопичен [884].
8. Тепловое расширение, К-1.
0,18-10-4 [884].
И. Твердость. По Моосу
2 ^ 2,5 [884].
12. 	Упругие постоянные. сп =
=4,91 • 1010 Н/м2, с44 = 0,32 X
ХЮ10 Н/м2, с12= 1,13-1010 Н/м2
[884].
Температурная зависимость
упругих постоянных. Тсц =
=—5,83.10-* Тс44 = 5,70Х
Х1о~4оС-1,Гс12=—2,04.10-4ОС-*
[884].
15. Диэлектрические свойства. 8ц/80=13,4 [884].
16. Показатель преломления. 2,4 [884].
17. Пропускание и поглощение. 0,6-г- 12 мкм; рис. 53.17,1. [884].
22. 	Пьезоэлектрические свойства. е14 = 0,34 Кл/м2 [884].
Рис. 53.17.1. Оптическое пропускание
/ Tl3TaS4 без учета потерь на отражение
<А=0,55 см) [884].
54. 	Tl3TaSe4
1. Вид материала. Синтетический монокристалл, выращен методом Стокбар-
гера [884].
2. Симметрия кристалла. Кубическая, /43т (Т%) [884].
Постоянные решетки, А. а = 7,88 [884].
4. 	Плотность, г/см3, 7,28 [884].
6. 	Растворимость. Стабилен на воздухе, негигроскопичен [884].
8. 	Тепловое расширение, К~*. 0,25* 10~4 [884].
11. Твердость. По Моосу 2 — 2,5 [884].
12. Упругие постоянные.
с11 = 4,19* 1010 Н/м2, с44 = 0,41 • 1010 Н/м2, с1а = 1,40-1010 Н/м2 [884].
Температурные зависимости упругих постоянных. Тс1г = — 6,97• 10“4 °С“ *,
Тс44=1,46*10-4ОС~1, 7с12 = 2,43* 10“4 °С“1 [884].
13. Скорости упругих волн. Рис. 54.13.1, 54.13.2; k\ « 3% [884].
Температурные коэффициенты скоростей упругих волн. Рис. 54.13.3,
64.13.4.

376
54. Tl8TaSe4
Рис. 54.13.1. Зависимость угла
отклонения потока энергии Ф,
величины 2 A Vj^/v оо и скорости рэлеев—
ской упругой волны от угла
между направлением
распространения и [100] в плоскости (001) для
Tl3TaSe4 [884].
[Щ
[001]
Рис. 54.13.2. Зависимость угла
отклонения потока энергии Ф,
величины 2/SVgjVoo и скорости рэлеевской
упругой волны Vg от угла между
направлением распространения и
[110] в плоскости (НО) для
Tl,TaSe4 [8843*
50
-50
15°
б)
454
[110]
Рис. 54.13.3. Зависимость температурного коэффициента задержки Тт рэлеевских
упругих волн: от угла между направлением распространения и [110] в плоскости (110) (а);
от угла между направлением распространения и [100] в плоскости (001) (б) [884].
#•*
Рис. 54.13.4. Зависимость изменения времени задержки Ат/т для рэлеевских упругих
волн, распространяющихся в направлении [110] в плоскости (001), от температуры
Для Tl3TaSe4 [884].

55. СУЛЬФЙОДИД СУРЬМЫ SbSI
377
15. Диэлектрические свойства. 8п/8о==10}1 [884].
16. Показатель преломления. 2,6 [884].
17. Пропускание и поглощение. 0,7 -т- 15 мкм [884].
22. 	Пьезоэлектрические свойства. ei4 = 0,32 Кл/м2 [884].
55. 	СУЛЬФЙОДИД СУРЬМЫ SbSI
1. Вид материала. Монокристалл синтетический, выращен методом
сублимации [885, 886, 893], методом спонтанной кристаллизации из расплава [887],
из газовой фазы в форме игл, ось которых совпадает с направлением
спонтанной |поляризации кристалла [888, 889], выращены текстуры из расплава
[890, 892]. При гидротермальной кристаллизации развиваются тонкие
игольчатые кристаллы, ограненные гранями призмы (110) [891].
2. Симметрия кристалла. Ромбическая [530, 480], в параэлектрической
фазе класс ттт> Рпат, {Dlh) [894, 895, 888, 896].
В сегнетоэлектрической фазе класс тт2, Pna21(Clv) [393, 897, 898].
4. Плотность, г/см3. 5,25 [530, 480]; 5,0
[895].
5. Температуры фазовых переходов. Рис.
55.5.1.
Зависимость температуры Кюри от давления
см. [900].
ГК = 19°С [901], Гк = 2О0С, 7С = —40°С
(при атмосферном давлении) [902, 877];
ГК = 20°С [903 — 907]; Гк = 19,5 °С [908] ;
Гк = 22°С, Тс = — 35 °С [909];
Гк = 17ч-190С (для игольчатых
монокристаллов), Тс — —40 °С [910];
Тс — —40 ®С и /7 = 1500 атм—критическая
точка [899];
Г К = 22 -i- 23 СС [898]; Tf = 24°C [911];
ТК = 20-г-65 °С [893];
7’к = 32°С для поликристаллических
образцов [912];
dTK/dp = — (1,5 ± 0,2). 10-2 К/атм [900],
dTK/dp я— 5-10-2 К/атм [903],
dTц/dE = 2,66• 10“ 5 К-м/В [905, 906],
dTK/dp = — (3,9 ± 0,2).10-2 К/атм [899],
dTк/^Ррасч = —4-10" 2 К/атм при увеличении давления от атмосферного
до 2000 атм [889];
dTK/dp = — (3,7 ± 0,2). 10-7 К-м2/Н [501],
dT^/dE =(5 -f- 5,4). 10”3 К*см/В для кристаллов с 7^ =20 — 65 °С,
dT^/dE = 5,5• 10““3 К*см/В — расчетное [893].
р — Т — диаграмма — см. [899].
6. Растворимость. Травится в HI и в НС1 [895, 913].
ATK,V
Рис. 55.5.1. Зависимость
изменения сегнетоэлектрической
температуры Кюри ДТ’к Для SbSI
от гидростатического давления
[501].

378
55. СУЛЬФЙОДИД СУРЬМЫ SbSl
7. Удельная теплоемкость. Рис. 55.7.1.
с} кал/моль-К
Рис. 55.7.1. Зависимость теплоемкости с поликристаллического SbSI от температуры [914].
8. Тепловое расширение. Зависимость А/// от Т см. [915].
10. Спайность. Легко
расщепляется по спайности [890].
11. Твердость. Кристаллы
очень мягки [890].
12. Упругие постоянные.
cf3 = l,0-1010 Н/м®, Сад = 4,0X
XI О10 Н/м2 [530, 480];
cfs = 15,3.10м ед. СГСЭ, с?3=
= 57,9-1010 ед. СГСЭ [393];
с?3 =4,06-10+“ *) дин/см2,
измерено методом резонанса —
антирезонанса при 17 °С.
Для текстурированных
образцов, полученных из
расплава/поляризующее поле 700 -т- 800 В/см
[890].'
с?3 = 5,5-1011 дин/см2 [892].
смп, 10“ Н/м2 [501] 1)
■Си
С2 2
^83
с44
1
сь&
с ев
С12
^13
С2 3
9. 	Теплопроводность. Рис. 55.9.1.
70гм-*с-*К*
0.04 Ll.J. t.J J 1 I) I
678910 20 SO 48 5060 SO WO 200 308400
IK
Рис. 55.9.1. Зависимость теплопроводности и
SbSI вдоль оси с от температуры [501].
Параэлектричес-
кая фаза,
Т « 22 °С
3,09
3,27
Сегнетоэлектри-
ческая фаза,
Т « 12 °С
3,06
3,14
2,21
0,92
0,60
0,96
0,93
2,24
0,99
0,59
0,85
0,97
*) Измерено методом Бриллюэновского рассеяния
*) У автора здесь ошибка.

55. СУЛЬФЙОДИД СУРЬМЫ SbSI
379
sfs= Ю,3* 10~12 см2/дин, sfs =4,08*-10"12 см2/дин,
измерено методом резонанса — антирезонанса при
17,5 	°С на образцах, полученных из газовой фазы
[890].
Температурные зависимости упругих
постоянных. Рис. 55.12.1—55.12.3.
13. Скорости упругих волн, см/с, 2-105; Av/v —
=2,7• 10~3 при коэффициенте поглощения
ультразвуковой волны 30 см”2, интенсивности ультразвуко- с
вой волны 10 Вт/см2, о) =,2^• 107 с“1 [917].
Температурные коэффициенты скоростей
упругих волн. Рис. 55.13.1, см. рис. 55.14.3.
14. Затухание упругих волн. Рис. 55.14.1—55.14.7.
15. Диэлектрические свойства. Рис. 55.15.1—55.15.5.
8/е0 — 2200 при 5 °С, 8/80=Ю4 при 30 °С [901];
г±с ~ 25, не зависит от частоты в области частот 1
е п ^ = 50 000 в точке Кюри [896];
8зз = 2200, ef3 =
10
20
Т,°С
Рис. 55.12.1.
Зависимость упругой жесткости
SbSI
от температуры
[892].
100 кГц;
550 [530, 480];
2046 при Т — 17,9 °С [393];
8 = 3-104 при Г = ТК [904];
833 = 7750, 8^з
£тах « 30-103, 8 « 4-103, tg 6 = 0,03 при Т = 0 °С, измерено мостовым
методом на /=1кГц [910];
вшах = 2.104 [911]. ' .
Зависимость мнимой части диэлектрической постоянной вдоль оси с от
частоты см. [921]; зависимость обратной диэлектрической проницаемости от
температуры при фиксированных значениях давления см. [899, 896];
зависимость диэлектрической проницаемости г' и tg 6 от температуры при
различных частотах см. [501]; зависимость 8 и tgd от напряженности электрического
Sj3, sjj, 10~12см2/дин'
с 33, О 33,
Рис. 55.12.2. Зависимость уп-
П FJ
ругих податливостей Sg3 и sgjj
SbSI от температуры [916].
Рис. 55.12.3. Зависимость упругих
жесткостей сВ> и c!L
SbSI от
температуры [480].

380 Ь5- СУЛЬФЙОДИД СУРЬМЫ SbSI
ц WJM/e
Рис. 55.13.1. Зависимость скоростей распространения упругих волн в SbSI от темпера-
туры: a) f£f001] при /=30 МГц; б) /-»£roolJ, 2-»sroolJ, 3-vLXc, 4-vsXc [919].
%ы,СЛГ* 1
Рис. 55.14.1. Зависимость
коэффициента поглощения
ультразвуковой волны идв
от температуры: /—f= 30,
2 —f= 1 0 МГц [91 8].
#зв, 10^М~1
Рис. 55.14.2. Зависимость
коэффициента поглощения xgB для квази-
сдвиговой ультразвуковой волны,
распространяющейся
перпендикулярно оси с SbSI при различных
постоянных смещающих полях,
приложенных параллельно оси с, от
температуры: /—£ = 0, f=3Q МГц;
2 — Е= 0, f = 15 МГц; 3 —£ = 0,
/=10 МГц; 4 — £ = 5Ч-Ю В/м,
f=10 МГц [5011.

55. СУЛЬФЙОДИД СУРЬМЫ SbSI
381
Рис. 55.14.3. Зависимость
коэффициента поглощения ультразвуковых
волн хдв и скорости квазипродоль-
ных упругих волн v,
распространяющихся по оси с SbSI При
/=10 МГц, от температуры [501].
Хъъ,10гАГ1
т,°с .
Рис. 55.14.5. Зависимость
коэффициента поглощения >cgB продольных
ультразвуковых волн,
распространяющихся вдоль оси с при /= 10 МГц
в SbSI, от температуры при
различных постоянных смещающих полях,
приложенных параллельно оси с:
А — £=0, О-£ = 6-10*В/м, #-£ =
= 12 • 1 О4 В/м [920J.
#зв ,10^
Рис. 55.14.4. Зависимость коэффициента
поглощения хзв квазипродольных
ультразвуковых волн,
распространяющихся перпендикулярно оси с при
f= 10 МГц в SbSI, от температуры при
различных постоянных смещающих
полях, приложенных параллельно оси с:
1—Е-0, 2 — £ = 5 • 1 О4 В/м [501].
В, дБ/см
Рис. 55.14.6. Зависим
мость затухания упругих
волн В в затемненном
SbSI от температуры при
скорости изменения
температуры 3 град/час
(направление изменения
Т показано стрелками)
[907J.

382
55. СУЛЬФЙОДИД СУРЬМЫ SbSI
В, дБ/см
Рис. 55.14.7. Зависимость затухания упругих волн В в затемненном SbSI от величины
внешнего электрического поля [9071.
tg И01
О
т,°с
Рис. 55.15.1. Зависимость диэлектрической проницаемости гс (а) и тангенса угла
диэлектрических потерь tg б (б) SbSI, измеренных вдоль оси с при изменении гидростатического
давления от температуры: /—-р=1, 2 — р=400, 3 — р = 900, 4 —р = 1400, 5— р = 1900 атм
[889].
Рис, 55.15.2. Зависимость диэлектрической проницаемости 8 SbSI от температуры:
/—появление полос, 2—начало стирания полос, 5 — полное просветление образца [922].

55, СУЛЬФЙОДИД СУРЬМЫ SbSI
383
Рис. 55.15.3. Зависимость диэлектрической проницаемости е и tg 6 SbSI от
напряженности приложенного электрического поля Е при 7=0 °С (а): /—для неполяризованных#
2— для поляризованных образцов; при различных температурах (б): / —Г=40, 2 — 7’= 16,
3 — Т — 7, 4 — Т = 2, 5 — Г= 14, 5—7 = 22,7 °С [910].
Рис. 55.15.4. Зависимость диэлектрической проницаемости е (а) и tg 6 (б) SbSI от
температуры при ^=4 ГГц: /—£== 0, 2 — £ = 0,62 кВ/см, 3 — £= 1,87 кВ/см [893].

384
55. СУЛЬФЙОДИД СУРЬМЫ SbSI
8
Г\
 2
6
4
0,0В
О
10
Рис. 55.15.5. Зависимость диэлектрической проницаемости е (а) и tg 6 (б) SbSI
с Г^=32 РС от температуры при /=40 МГц: 1—Е = 0, 2 — Е — 2,2 кВ/см [893].
поля см. [910]; зависимость 8 от температуры см. [891—893, 916]; зависимость
tg6 от температуры см. [909]; зависимость е' от Т при различных Е в
темноте и при воздействии света см. [908].
tg8s^4-10“2 при 7,g^i350C, агтат = 0,2 ч-1,1 кВ”1-см при Е « 1 В/см;
tg6 = (3 -г- 5)*10~8 при / = 4 ГГц; tg6 = (l,4 ~ 2,2)-10“2 при /=.18 ГГц;
tg 6 = (2,1 -т- 3,3)-10-2 при /= 26 ГГц [893].
Влияние облучения на Те и 8 см. [893].
16. 	Показатель преломления. Рис. 55.16.1. — 55.16.4.
Я, мкм
па
пь
пс
г, °с
0,655
3,14 ± 0,03
3,30 ±0,03
[894]
—
2,94 ± 0,03 *)
3,56 ± 0,03 **)
4,52 ± 0,03 ***)
—
[923]
—
3,13
3,3
4,6
—
[888, 924]
0,633
2,87
3,63
4,55
22
[501]
0,633
2,87
3,57
4,44
12
[501]
*) Для Я= 0,535 мкм.
**) Для X =0,565 мкм.
***) Для X—0,590 мкм.
При сегнетоэлектрическом фазовом переходе пс испытывает скачок на
0,01 -т- 0,09 для различных длин волн [898, 924]; зависимость пс от постоян-

55. СУЛЬФЙОДИД СУРЬМЫ SbSI
385
Рис.
э Ш ИМ
>5.16.1. Зависимость показателей преломления па> пс SbSI от температуры для
различных длин волн [906] (а) и их дисперсия [923] (б).
Рис. 55.16.2. Зависимость
показателя преломления пс SbSI от
температуры при различных постоянных
электрических полях, параллельных
оси с для Я=0,700 мкм: 1—Е = 0,
2-Е = 0,9 кВ/см [906].
Avf rj3,10'8м/В
Рис. 55.16.3. Зависимость Ап^
Т
и Гд3 SbSI от температуры для
Я=0,700 мкм и Е = 0,9 кВ/см
[906].
13 Под ред. М. П. Шаскольской

386
55. СУЛЬФЙОДИД СУРЬМЫ SbSI
А,102см~1
Рис, 55 Л 6.4. Дисперсия:
® — коэффициента поглощения
света A, Q — показателя
преломления п SbSI при Г=19°С
[894].
ного электрического поля см. [906];
зависимость показателя преломления от
температуры см. [894]; зависимость
индуцированного двупреломления от квадрата
напряженности переменного электрического поля при
различных температурах см. [925].
17. 	Пропускание и поглощение. Рис.
55.17.1, 	55.17.2.
При Т я 300 К край собственного
поглощения X я 0,630 мкм [927].
Сегнетоэлектрический фазовый переход
сопровождается длинноволновым сдвигом
края собственного поглощения [927, 902,
928]. Край^поглощения X я 0,630 мкм [905].
Я|а = 25,8о/0, Rib = 35,2о/0, /?||£, = 50,0%
вблизи Х — 0,5 мкм [92.3].
1/Ь
а)
Л, нм
Л, нм
Рис. 55.17.1. Оптическое пропускание / SbSI при различных температурах Е |( с (а)
Е 1 с (б): / — 26, 2 — 22, 5 — 19,6, ^ — 18,7, 5 — 1 8 °С [888].
Рис. 55.17.2. Зависимость пропускания / SbSI
от направления поляризации падающего света:
/—для темной полосы, 2, 3—для кристалла
в сегнето- и параэлектрической фазе
соответственно [888].

55. СУЛЬФЙОДИД СУРЬМЫ SbSI
387
Зависимость Л от X см. [923]. Спектр отражения см. [921].
18, Электрооптические свойства. См. рис. 55.16.3.
г33 = 8,5.10~9 м/В для А, —0,700 мкм [906].
22. Пьезоэлектрические свойства. Рис. 55.22.1—55.22.7.
| d31\ < 150-10“12 Кл/Н, г/зз= 1300* 10~12 Кл/Н, dT « 1000-10~12 Кл/Н,
е33 = 13 Кл/м2 [530, 480].
dS3~-54,5-10~6 ед. СГСЭ, е33 = 830-10* ед. СГСЭ при 17,9°С [393];
dT = 30-10-6 ед. СГСЭ [910];
d33 = 4,04* 10 ~5 ед. СГСЭ, измерено методом резонанса—-антирезонанса при
17,5 	°С на образцах, выращенных из газовой фазы; ^33 = 5,Ы0“б ед. СГСЭ,
измерено при 17 °С на текстурированных образцах, полученных из расплава.
Поляризующее поле 700 -г 800 В/см [890].
/г33 « 90% при Т < Гк, /е33 « 75 ~ 85% при Г==7К [916];
kt — 87%, k33 ~ kb | kr | < - 10% [530, 480];
k « 86% при T = 17,9 °C [393];
£33 = 78% при 17,5 °C, измерено на образцах, выращенных из газовой фазы,
kf = 86% при 17 °С, измерено на текстурированных образцах, полученных из
расплава. Поляризующее поле 700 -г* 800 В/см [890].
^зз = 0,87 при 5 °С, k33 = 0 при 30 °С.
Объемный пьезомодуль равен Ю-Ю-12 Кл/Н при Т = Б°С. Объемный
пьезомодуль равен 0 при Т = 30 °С [901].
^ = 80 ч- 85% [892].
23. Дополнительные сведения.
«Плеохроизм» кристалла в области фазового перехода см. [888].
Q = 58 кал/моль [929].
Поляризующее поле, примерно равное 1200 В «см-1, вызывает пробой [890].
Кристаллы обладают заметной фотопроводимостью, поэтому время
формирования петли диэлектрического гистерезиса зависит от освещенности кристалла
[930].
^ = 0,08 мкс при Е « 6 300 В/см, ^ = 0,112 мкс при £ = 900 В/см.
Переключение кристаллов SbSI очень быстрое и сильно зависит от
температуры [931].
Фотопроводник с максимальной чувствительностью при 6300 4- 6400 А [932].
Р = 15 * 10—4 эВ/К.
При 0 °С Ps — 25 мкКл/см2, Ес ~ 100 В/см для / = 50 Гц [896].
При поле 1400 В/см ts = 3 мкс [932].
Направление спонтанной поляризации [001] [393, 897].
Ширина запрещенной зоны Eg « 1,8 эВ, Т = 20 °С,
dEg/dT = —(3,7 ± 0,5). 10-3 эВ-К”1 при Т < 7К,
dEg/dT = — (1,5 ± 0,3). Ю-3 эВ-К-1 при Т > 7К,
AEg~0,02 ± 0,001 эВ [933].
Высокая фоточувствительность асв/ах^500.
Освещение монодоменного кристалла приводит к его полидоменизации
(фотодоменный эффект). 180-градусные двойниковые границы имеют доменную
природу [934]. Скачки переполяризации, вызываемые светом, наблюдаются
в интервале температур от 7’ = — 78 °С до 7^ = 20 °С [935].
13*

388
55. СУЛЬФЙОДИД СУРЬМЫ SbSI
Рис. 55.22.1.
Зависимость
пьезоэлектрического модуля d33 от
температуры для SbSI
[892].
Рис. 55.22.2.
Зависимость коэффициента
электромеханической связи kj.
от температуры для SbSI
[892].
Рис. 55.22.3. Зависимость
пьезоэлектрической
постоянной ezz от температуры для
SbSI [892].
Рис. 55.22.4. Зависимость
коэффициента электромеханической связи
kp резонансной и антирезонанс-
ной частот от температуры [480].
Рис. 55.22.5. Зависимость
пьезомодулей d3S и dr от
температуры [4 80].

55. СУЛЬФЙОДИД СУРЬМЫ SbSI
389
Рис. 55.22.6. Зависимость
коэффициента электромеханической
связи /г33 SbSI от температуры
[916].
а33,ж!е1.ст
Рис. 55.22.7. Зависимость
пьезомодуля йьг SbSI от
температуры [916] (штриховая кривая
получена в [391]).
dEg/dp « — (1,3 ± 0,3)-10“4 эВ/атм—в области фазового перехода. В пара
электрической области аномалия не наблюдается, dEg/dpя—(5±2) • 10~6 эВ/атм.
При р > 500 атм dEg/dT я — (20 ± 4) * 10—4 эВ/К в сегнетоэлектрической
области;
dEg/dT я—(12 ± 4) -10~4 эВ/К в параэлектрической области;
dEg/dT я — (2,6 ± 0,7) • 10~2 эВ/К в области фазового перехода [903].
При Ес я 600 В/см, dEg/dT =— 0,8-10“3 эВ/К в параэлектрической
области, dEg/dT =— 2,5-10“3 эВ/К в сегнетоэлектрической области [936].
Кристаллы после термообработки обнаруживают четкие петли
диэлектрического гистерезиса.
Р5=11 мкКл-см-2, / = 50 Гц, Г = 10°С [891].
% = 4,2-10~5 К-1, край собственного поглощения к я 0,640 мк;л при
атмосферном давлении и комнатной температуре, £^ = 0,05 эВ вблизи сегнетоэлек-
трического фазового перехода, Eg = 0 вблизи Т = — 40 °С [899].
*апЛ’ = 2,6.10-3 [781].
Eg\\a = 1>97 эВ, Eg\\b=l,92 эВ, Eglc = 1,88 эВ [923].
dEg/dp я (1,0 ± 0,3)-Ю~4 эВ/атм при Т = 23 °С [900].
Ps— 18 мкКл/см2 при Т = 0°С на иглообразных кристаллах [914].
Зависимость акустополяризационного тока *ап и коэффициента
поглощения ультразвуковой волны от величины переполяризующего поля см. [781].
Зависимость акустополяризационного тока от температуры см. [917].
Спектральная зависимость отражательной способности для различных
кристаллографических направлений—см. [923].

390
56А. ГРАНАТ АЛЮМОИТТРИЕВЫЙ Y3A15012 (YAG)
Температурная зависимость коэрцитивного поля при изменении
гидростатического давления —см. [889]. Температурная зависимость ширины
запрещенной зоны при фиксированных значениях давления —см. [899]. Температурная
зависимость спонтанной поляризации при различном гидростатическом
давлении— см. [501].
56А. ГРАНАТ АЛЮМОИТТРИЕВЫЙ Y3A15012(YAG)
1. Вид материала. Кристалл синтетический, бесцветный (при отсутствии
примесей). Выращивается из паровой фазы, из раствора в расплаве,
гидротермальным методом, по методу Чохральского, методом оптической зонной
плавки, методом гарнисажа, методом направленной кристаллизации на
затравках [941, 942, 685].
2. Симметрия кристалла. Кубическая, класс тЗт [685], IaSd, (^/г°) [416].
Постоянные решетки, А. 12,01 для Y3AI5O12: Nd3+ [416]; 12,005 для
Y3A15012 [942].
Зависимость а от Т см. [685, 943].
3. Молекулярный вес. 593,7 [942].
4. Плотность, г/см3, 4,552 для Y3A15012: Nd3+ [6,416, 944, 945].
[943]
77 К
100
200
300
Pyag
4,56
4,56
4,55
PYAG: Nd3
4,57
4,56
4,56
Зависимость р от Т см. [943].
5. Температуры фазовых переходов, °С. 7'пл=1970 YAG:Nd3+ [416,941];
Тпл= 1950 YAG [942].
6. Растворимость. Не растворяется в H2Sj04, НС1, HN03, HF, растворяется
в Н3РО4, при Т > 250 °С в РЬО—PbF2. Зависимость растворимости от
температуры см. [942, 941, 685].
7. Удельная теплоемкость, кал/моль-К [942].
Г, К ЮО 200 300
ср 19,4 64,7 88,88
при Т = 300 К, ^=0,14-^0,15 кал-г~1-К*"1 для YAG:Nd3+ [416].
Тд = 750 К [946].
8. Тепловое расширение, 10“6 К”*» рис. 56А. 8.1. а=9,3 для
Y3A15012: Nd3+ [416, 947—949]; а = 8,9 в интервале Г=293 4- 1673 К [685].

56А. ГРАНАТ АЛЮМОИТТРИЕВЫЙ Y3A16012 (YAG)
391
Т,°С 20 ~ 120 20.-5- 220 120-^220
а 6,8 7,2 7,6
Абсолютная погрешность яе превышает значений
± МО”7 [685].
9. 	Теплопроводность, Вт/см*К.
[942]
7\° С 100 200 300
х 0,58 0,21 0,13
ос,Ж6К*
Зависимость к от Т см. [6].
10. Спайность. Возможна спайность по (100) [950].
11. Твердость. По Моосу 8,5 [942, 416].
циент теплового
расширения а: О —YAG.
® — YAG:Nd (1 моль, %)
[943].
Ну,, кгс/мм2 [950]
(100)
(НО)
(112)
(ill*)
Способ обработки
1550
1680
1700
1720
Химическая полировка
1770
1800
1840
1930
Механическая полировка
[951]
Н , кгс/мм2
М-
Н , кгс/мм2
М-ср
(110)
(211)
1900 ± 50
1650 ± 85
1730
Анизотропия микротвердости — см. [807].
12. 	Упругие постоянные.
стп, 1011 дин-СМ"
Си
С44
Cl2
33,32 ± 0,05%
11,50 ± 0,15%
11,07 ± 0,15%
[944]
33,40 ± 0,012%
11,51 ± 0,15%
1 1,12 ± 0,036%
[945]
33,32
11,50
11,07
[31,72]

392
56А. ГРАНАТ АЛЮМОИТТРИЕВЫЙ Y8A15012 (YAG)
Рис. 56А.12.1. Зависимость
упругих жесткостей стп YAG от
температуры [31].
Рис. 56А.12.2. Зависимость
относительных упругих жесткостей
YAG от температуры [685].
sn = 3,60-10~13см2/дин, s44 = 8,69-10-13 см2/дин, s12 = — 0,90-10~13см2/дин
[31].
Лупр=1,033 [945, 944]; £ю = 4,5-10е кг/см2 [948].
Температурные зависимости упругих постоянных, рис. 56А.12.1, 56А.12.2.
Тсц = — 0,9-10-4 К"1, Тс12 = — 0,5-10-* К-1, Гс44 = —0,7-10-1 К-1 при
Т =200 300 К [32, 945].
13. 	Скорости упругих волн, 105 см/с. Рис. 56А.13.1—56А.13.5, см.
рис. П.II.4, П.П.6.
Рис. 56А.13.1. Зависцмость скорости
рэлеевской упругой волны и угла
потока энергии Ф в г-срезе YAG от
величины угла Эйлера 0 (см, рис. П.1.1,
П.1.2) [44].
Рис. 56А.13.2. Зависимость скорости
рэлеевской упругой волны v^ в
плоскости (111) YAG от величины угла
Эйлера 0 (угол потока энергии Ф равен
нулю для всех направлений
распространения) (см. рис. П.1.1, П.1.2) [44].

§6А. ГРАНАТ АЛЮМОИТТРИЕВЫЙ Y,AIsO„ (VAG)
391
VR,M/C
Рис. 56А.13.3. Зависимость скорости
упругой рэлеевской волны Vj^ и угла потока
энергии Ф в плоскости (110) YAG от
величины угла Эйлера 0 (см. рис. ПЛ.1,
ПЛ.2) [44].
Рис. 56А.13.4. Зависимость скорости
упругой рэлеевской волны v^ от величины
угла Эйлера ц [110]-ось були YAG (см.
рис. ПЛ.1, П.1.2) [44].
vLiоои — 8,5630, ^5foou — 5,0293, ^moj — 8,6016 [944, 945, 942].
^Stiio] rooij “5,0274, == 8,6155 ± 0,0058%, ^[no] [iTo] — 4,9487±
±0,0063% при T = 140 -- 300 К и / = 230 МГц, ^rnoj rooij == 5,0305 ± 0,00740,6
[685].
Температурные и частотные коэффициенты скоростей.
у, 105 см/с [945]
vm iej
Т, к
^[110] [но]
г, к
^Sriioj гоои
т, к
8,6147
298,16
4,9496
293,16
5,0311
293,16
8,6167
293,16
4,9556
271,2
5,0348
271,2
8,6232
273,16
4,9581
264,0
5,0372
249,2
8,6261
260,4
4,9597
254,5
5,0399
237,0
8,6280
254,3
4,9614
248,7
4,0419
224,8
8,6305
246,7
4,9642
236,6
5,0434
216,0
8,6347
232,6
4,9673
224,9
4,0445
208,0
8,6386
220,9
4,9696
217,0
5,0458
198,5
' 8,6428
206,3
4,9713
209,8
5,0474
189,3
8,6452
197,3
4,9737
200,3
5,0484
182,6
8,6482
187,7
4,9763
190,7
5,0489
177,2
8,6499
180,9
4,9780
183,9
5,0500
171,9
8,6527
169,7
4,9792
179,4
5,0511
161,4
8,6549
160,7
4,9807
172,2
—
—
8,6573
151,8
4,9813
169,4
—
—
■ 8,6590
145,2
4,9823
167,1
—
—
8,6604
139,3
—

394
86А. ГРАНАТ АЛЮМОИТТРЙЁВЫЙ YsA1bO,2 (YAG)
Рис. 56А.13.5. Зависимость скорости рэлеевской Рис. 56.А.17.1. Спектр про-
упругой волны для [110]-ось цилиндра YAG от -пускания пластинки YAG
величины угла Эйлера у (усредненный повремени (h—\ см) [685].
угол потока энергии Ф равен нулю) (см. рис. П.1.1,
ПЛ.2) [44].
14. Затухание упругих волн, 0,25 дБ/см-ГГц2 для у^ио]» 1,1 дБ/см-ГГц2
для flsnooj [41, 6]; 20-4-32 дБ/м для vL[imi f=l ГГц, 110 дБ/м для ^sriooj»
/= 1 ГГц [35];
см. рис. 35А.14.2, П.II.6, П.II.13.
15. Диэлектрические свойства. 8=11,7 [940, 952].
16. Показатель преломления. п = 1,83 для Х = 0,633 [41].
. [954]
Я, мкм
п
Я, мкм
п
Я, мкм
п
Я, мкм
п
0,4
1,8650
0,9
1,8222
1,8
1,8065
3,0
1,7855
0,45
1,8532
1,0
1,8197
2,0
1,8035
3,2
1,7810
0,5
1,8450
1,1
1,8170
2,2
1,8004
3,4
1,7764
0,6
1,8347
1,2
1,8152
2,4
1,7970
3,6
1,7713
0,7
1,8285
1,4
1,8121
2,6
1,7935
3,8
1,7659
0,8
1,8245
1,6
1,8093
2,8
1,7896
4,0
1,7602
-^- = (9,86 ± 0,04). 10-6 К"1 [953, 947].
[685]
Я=644 нм
Я=508 нм
Т,° С
dn/dT, 10~6 К-1 *)
20 4- 120
9,4
20 4- 220
10,1
120 ~ 220
10,9
20 220
10,2
20 ч- 220
11,2
120 -ь 220
12,2
*) Точность измерений ± 2-10“7 К”1.

56Б. ГРАНАТ ЖЕЛЕЗОИТТРИЕВЫЙ Y3Fe6012 (YIG)
395
17. 	Пропускание и поглощение. 0,24-г-6 мкм [562, 685]; рис. 56А.17.1.
19. 	Пьезо- и упругооптические свойства.
Ри — —-0,029, р12 = 0,0091, ры — —0,0615 при ^ = 630 нм [79, 955].
21. Акустооптические свойства. См. рис. П. 11.13.
Я, = 0,633 мкм [41]
"зв
"з..
Е
£
о
1
о
§
о
—
М2, 1.0”18 с3/г
Мз, 10-12 см-с2/г
[110]
[110]
JL^SB
0,98
0,073
0,114
[100]
произв.
М
0,25
0,23
23. 	Дополнительные сведения.
Y3A15012: Nd3 + —активный материал ОКГ [562]. ...
Коэффициент температуропроводности см. [942].
[942]
К, см2/с 0,92 0,1 0,046
Г, к 100 200 300
56Б. ГРАНАТ ЖЕЛЕЗОИТТРИЕВЫЙ Y3Fe5012 (YIG)
1. Вид материала. Монокристалл синтетический, выращивается по методу
Чохральского, из раствора в расплаве, из паровой фазы, методом зонной
плавки [941, 956].
2. Симметрия кристалла. Кубическая, класс тЗт, Ia3d (О^0).
Постоянные решетки, А.
[957, 958]
7\ К 296 77 4,7
а12,376 12,3609. 12,3591
3. Молекулярный вес.. 737 [94, 28].
4. Плотность, г/см3. 5,17 [6, 41], 5,188 [958].
5. Температуры фазовых переходов, К. Гк = 560 [392, 959], Т’к = 550 [960].
7. Удельная теплоемкость. Для поликристаллических образцов см. [961,
962].
7\ц = 572 К [946].
8. Тепловое расширение.
а = 8,13-10~6 К”"1 [958].
—=В-\-ЬТ + $гТъ + <1Т-1 [946],
а о ' . «

396 56Б. ГРАНАТ ЖЕЛЕЗОИТТРИЕВЫЙ YsFe6Oia (YIG)
[946]
Т, к
в, ю-з
Ь, 1 0“6
с, 1 0 — 9
d, 10*"1
а, А
296 ч- 553
553 -f- 1398
—11,258
—3,117
25,661
10,496
—17,810
13,155
12,376
12,375
9. Теплопроводность, Вт/см*К.
0,038 [6]; рис. 56Б.9.1, 56Б.9.2.
[963]
Направление [110] [111] [211] [110]
и, Вт/м-К 8,56 8,11 7,68 7,И
К
рис. 56Б.9.1. Теплопроводность
к YIG в зависимости от
кристаллографического направления
х, мВт/см-К
60 -
20
10
л*
Т,к
Рис. 56Б.9.2.
Теплопроводность к YIG: ф—ориентация
образца по (321), А-по
(210), ■ —по (130) [964].
10. Спайность. Нет.
11. Твердость. По Моосу 7,5.
#14=1210 кгс/мм2 на грани (110); Я^= 1240 кгс/мм2 на грани (211) [946].
ЯМ,ср»
кгс/мм2
Я^Ср, кгс/мм*
(110)
(211)

1210 ±35
1240 ± 50
1230
12. Упругие постоянные.
cm„, 1G11 дин/сма
С11
с44
С\а
26,9
7,64
10,8
[31]
26,9
7,66
11,06
[965]
27,01
7,75
11,09
[958]

56Б. ГРАНАТ ЖЕЛЕЗОИТТРИЕВЫЙ Y3Fe5012 (YIG)
397
стпр, 1012 дин/см2, Г = 28°С [966];
£111 = — 23,3 ± 0,8, Ci44 = — 1,48 ±0,29, Сц2 =—7,17 ± 0,6, с1б5 =—3,06 ±
± 0,14: Ci23==—0,33 ± 1,3, С4^6 — — 0,97 ± 0,16,
su = 4,83-10-13 см2/дин, S44 = 13,1 • 10-13 см2/дин, s12=—1,38- Ю-13 см2/дин
[31].
Лупр = 0,947 [965].
13. 	Скорости упругих волн, 105 см/с. Рис. 56Б.13.1—56Б.13.4, см.
рис. П.Н.6.
vl,103m/c
Рис. 56Б.13.1. Зависимость
скорости продольной волны
в YIG от температуры для:
/-направления [100], 2-
[110] (Г =275 °С) [959].
i\
 Рис. 56Б.13.2. Зависимость
скорости рэлеевской упругой
волны Vj^ и угла потока
энергии Ф в 2-срезе YIG от
величины угла Эйлера 0 (см.
рис. П.1.1,*П.1.2) [44].
Рис. 56Б.13.3. Зависимость скорости
рэлеевской упругой волны v^ и угла
потока энергии Ф в плоскости (111)
YIG от величины угла Эйлера 0
(см рцс. n.J.l, п.1.2) £44 J,
Рис. 56БЛ3.4. Зависимость скорости
рэлеевской упругой волны v^ и угла
потока энергия Ф (ПО)-среза YIG от
величины угла Эйлера 0 (ем. рис.ПЛЛ,
ПЛ.2) [44].

398
56Б. ГРАНАТ ЖЕЛЕЗОИТТРИЕВЫЙ Y8Fe6012 (YIG)
В, слг1
v = 7,172 ± 0,03%, v - =
L [НО] > > /о, 5 [НО] [но]
= 3,902 -f-0,03%;
^Sriioj[ooij— 3,850 i 0,03% [965];
уШои — 7,0800, v$[ooij — 4,0601 [944];
vr - _ =7,209, v =3,843 [972], cm.
L [Юо] 5 [loo] 1 J
также [973].
Температурные коэффициенты скоростей
упругих волн; критический индекс,
характеризующий степень температурной зависимости
скорости вблизи Гк, равен 0,52; критическое
изменение, скорости Av/v ~ со8~т, где со—угловая
частота звука, е = (Г — Т#)/Тк — приведенная
температура, т — критический индекс [959].
14. 	Затухание упругих волн, дБ/см-ГГц2,
1,1 для vL[100], 0,35 для usm(a [41]; 200 дБ/м
Для 0jrtiooj, 34 для vsnooi при /=1 Гц [35].
Рис. 56Б.14.1—56Б.14.3, см. рис. П.11.6.
Критический индекс, характеризующий степень температурной
зависимости поглощения вблизи Тк, равен 0,53; изменение коэффициента
поглощения ультразвуковых волн пропорционально величине са2е-Ту где т—
критический индекс [959]. .
Рис. 56Б.14.1. Зависимость
резонансного поглощения
продольных ультразвуковых волн
В при f == 2 21 МГц в YIG от
магнитного поля Н0 [968].
Рис. 56Б.14.2. Зависимость
критического затухания ультразвука В
продольных еолн,
распространяющихся в направлении [110], от
температуры: = 2-f= 30 МГц
[959].
В,дВ/М№
2
Ли
IV j v
+++✓ ">+-£.+_+_+_+„+
700
ООО
н,э
Рис. 56Б.14.3. Зависимость затухания
упругих волн при распространении вдоль
направления [100] в YTG от магнитного
поля И: 1, 2 — в образце непосредственно
возбуждены упругие волны f=560 и
/=1120 МГц соответственно, 3 — в образце
возбуждены упругие волны. с частотой:
560 МГц, регистрируется . вторая.гармоника
£ /= 1 i20 МГц [969J.

&6Ё. rt>AHAf ЖЁЛёЗОЙТТРЙЁЁЫЙ V3f*ee6i* (VlG) 399
16. 	Показатель преломления. 2,22 для Х = 1,153 мкм [41, 81, 9б7]<
[946]
X* мкм
п
X, мкм
п
X, мкм
п
1,4
2,209
2,5
2,177
4,5
2,134
1,6
2,200
3,0
2,168
5,0
2,118
1,8
2,194
3,5
2,158
5,5
2,103
2,0
2,188
4,0
2,148
17. 	Пропускание и поглощение. 14- 6 мкм [41].
А = 0,069 см-1 при Т = 300 К,Д=1200 нм [392].
Коэффициент поглощения см. [970, 472].
Спектральная зависимость отражения см. [971].
19. 	Пьезо- и упругооптические свойства.
Ри = 0,025, р12 = 0,073, р44 = 0,041 [32]; р44 = (4,3 ± 0,2)• Ю“2 [974].
21. 	Акустооптические свойства.
X = 1,153 мкм [41]
"зв
"зв
Е
, 1 0“7 см2-с/г
М2, 10~18 с3/г
М 3, 10~12 см - с2/г
[100]
[100]
[100]
JL ^зв
произв.
3,94
2,3
0,33
0,70
0,53
0,58
23. 	Дополнительные сведения.
Активный -материал ОКГ [416]. Обладает эффектом вращения плоскости
поляризации в магнитных полях (эффект Фарадея). Удельное фарадеевское
вращение равно 240 град/см при Т = 300 К, X =1200 нм [392]. Удельное
сопротивление 1011 Ом-см [975]. Константа магнитной анизотропии:
—/г1 = 6,2-103 эрг/см3 при Т = 300 К [976, 977];
— ^ = 24,5-103 эрг/см3 при Т = 0 К [976, 977].
Константы магнитострикции—-см. [978]. Доменная структура — см. [979].
Удельное вращение плоскости поляризации — см. [472].
Температурное поведение магнитного двупреломления см. [960].

400
58В. ГРАНАТ ЙТТРИЕВОГАЛЛИЕВbl^ V.CdsOj* (YGG)
56В. ГРАНАТ ИТТРИЕВОГАЛЛИЕВЫЙ Y3Gaa012 (YGG)
1. Вид материала. Монокристалл синтетический. Выращивается из
паровой фазы, из раствора в расплаве, гидротермальным методом, методом зонной
плавки й по Чохральскому [941].
2. Симметрий кристалла. Кубйческая, класс тЗт, Ia3d, (О^0).
Постоянные решетки, А. 12,277 [944, 980].
4. 	Плотность, г/см. 5,79 [944].
6. Растворимость. Растворяется в фосфорной кислоте.
7. Удельная теплоемкость. Т’д = 585 К [946].
8. Тепловое расширение.
~=в+ЬТ+^) 7’2 + ^-М946]-
[946]
В, 10“3
b, 10-*
С,10“9
d, Ю-1
а, А
при Т — 296 К
т, к
—0*747
4,692
4,519
—2,545
12,274
296 ч- 1309
%,Вт/см-К
Т,К
Рис. 56В.9.1. Теплопроводность к YGG:
А-П11]; И. •-[1Ю]; О» Л-[Ю0] [46].
[31].
9. Теплопроводность, Вт/см-К.
0,09; рис. 56В.9.1.
10. Твердость. По Моосу 7,5 [941].
[946]
Ошибка в
измерении
Нкгс/мм2
Н^, кгс/мм2
(110)
(211)
(110)
(211)
1450
1520
45
75
12. 	Упругие постоянные.
Clx = 29,03-10й дин/см2, с44 =
в 9,547*1011 дин/см2, с12 =11,73 X
Xl0u дин/см2 [31, 944];
sn = 4,49* 10~13 с.м2/дин, s44= 10,5 * 10~13 см?/дин, su=— 1,29-10“13 см2/дин
Лупр= 1,10 [980].
13. 	Скорости упругих волн. 105 см/с.
Гооц = ?>0800; vs foou = 4,0601; Vi mo] = 7,1914; v$ [no] гоои = 4,0614;
у - -3,8655 [980]; рис. 56В. 13.1—56В.13.3.
5 [но] [но]

56Ё. ГРАНАТ ЙТТРИЕВОГАЛЛИЁЁЫЙ V.GdA, (YG6J 401
14. 	Затухание упругих волн, дБ/см-ГГц2.
1,0 для vn100J, 0,25 для v§поо] [41]; рис. 56В.14.1. См. рис. П.II.8,
П.П.13.
Затухание при 7 = 4 К см. [46].
vR,M/p
Рис. 56В. 13.1. Зависимость скорости
рэлеевской упругой волны v^ и угла
потока энергии Ф в z-срезе YGG от
величины угла Эйлера 0 (см. рис. П.1.1,
П.1.2) [44].
Рис. 56В.13.2. Зависимость скорости
рэлеевской упругой волны vд и угла
потока энергии Ф в'плоскости (110) YGG
от величины угла Эйлера 0 (см. рис.
П.1.1, П.1.2) [44].
Рис. 56В. 13.3. Зависимость
скорости рэлеевской упругой волны
Vg и угла потока энергии Ф YGG
от величины угла Эйлера 0
(см. рис. П.1.1, П.1.2) [44].
Т,к
Рис. 56В. 14.1. Зависимость затухания
упругих продольных и сдвиговых волн
В в YGG от температуры: / — [ 111 j
при /=1,3, 2-yit,00-| при /=26, 3 -
Ц 10] При /=1’3’ 4~°S[U0] при
f=2, 5-os ■при / = 0,76 ГГц [582].

67. ДИГИДРО'ФОСФАТ КАЛИЯ, КЬР
16. 	Показатель преломления.
п = 1,93 [41, 941].
19. 	Пьезо- и упругооптические свойства.
рп = 0,091, р12 = 0,019, р44 = 0,079.для X = 0,63 мкм [32, 57].
21. 	Акустооптические свойства. См. рис. П.II. 13.
^ = 0,633 мкм [41]
"зв
"зв
Е '
М19 10“7см2*с/г
О
1
О
АГ3, 10~12см-с2/г
[100]
[100]
_
2,04
0,21
0,28
[100]
—
произв.
2,7
0,84
0,65
57. ДИГИДРОФОСФАТ КАЛИЯ, KDP,
КАЛИЙ ФОСФОРНОКИСЛЫЙ,
ДВУЗАМЕЩЕННЫЙ КАЛИЙ, КН2Р04
1. Вид материала. Монокристалл синтетический, бесцветный.
Выращивается из водных растворов методом медленного снижения температуры в
статическом и динамическом режимах [700, 446].
2. Симметрия кристалла. Выше 7"к = —151 °С тетрагональная, класс 42т,
I42d Ниже Гк—ромбическая, класс тт2, Fdd2 [700, 501].
Постоянные решетки, А. а = 7,453, с—6,959—тетрагональная фаза;
а= 10,44, 6=10,53, с = 6,90 — ромбическая фаза [982]. Постоянные решетки
для остальных модификаций см. [700].
Зависимость параметров решетки от температуры и давления см. [501].
3. Молекулярный вес. 136,09.
4. Плотность, г/см3. 2,3383 при Г=‘20°С [1], см. также [328]; 2,34 [41].
5. Температуры фазовых переходов, °С. Т*к = —151 [700, 413]; Гк =
= — 150 [1]; Гразл = 252 [37, 328].
6. Растворимость, г/100 г воды. 33 при Т = 25°С.
Хорошо растворяется в горячей воде и этиловом спирте [2].
7. Удельная теплоемкость. Рис. 57.7.1.
8. Тепловое расширение, 10“6 К"1- Рис. 57.8.1.
ат=А .lO-e + ^.lo-sr + C.lO-n Г2, Лц = 34,3; Л± = 21,6 при Т =
=— 150 -i- 20 °С [64].

57. ДИГИДРОФОСФАТ КАЛИЯ, KDP
403
Т, °с
«t
а3
1
сл
о
•I-
о
о
26,6

[630]
—40 90
44,6
[630]
—150 ч- 20
21,6
34,3
[984] ,
—150 -г- 20
20
42
[985]
20
26,5
44,4
[986]
—40 -т- 20
36,1
41,1
[760]
См. также [987, 328, 988—990].
Ср, т/мль'К
Рис. 57.7.1. Зависимость удельной теплоемкости ср KDP от температуры [501].
хг ,Вт/м-К
Рис. 57.В. 1. Коэффициенты линейного
теплового расширения . KDP [501],
*ис. 57.9.1. Зависимость коэффициента
теплопроводности х3 KDP от темдера-
туры [31].

404
57. ДИГИДРОФОСФАТ КАЛИЯ, KDP
[14]
Г, К 300 290 280 270 260 250 240 230
а3 42,4 42,1 41,9 41,6 41,3 41,0 40,6 40,2
<*! 26,8 26,4 26,0 25,6 25,1 24,6 24,1 23,6
7\ К 190 180 170 160 150 140 130 120
аз 38,5 37,8 36,9 36,0 34,7 33,1 30,4 —56
О! 21,4 21,1 20,5 19,8 18,8 17,2 14,5 —7,3
220 210 200
39,9 39,5
23,1 22,6
110 100
18,7 24,4
—3,2 5,8
39.0
22.0
90
24,6
8,2
9. 	Теплопроводность, кал/К-см«с. Рис. 57.9.1, 57.9.2.
[64], см. также [991, 992]
7\ к
3<i
и2
302
0,0029
319
0,0032
—
428
0,0042
0,0031
11. Твердость.
#ix = 110 кгс/мм2 на (101) [446].
12. Упругие постоянные. Рис. 57.12.1.
%,мВ/см-К
Рис. 57.9,2* Зависимость
теплопроводности к KDP от температуры Х-ос*;
0-«8 [991].
Рис. 57.12.1. Стереографическая
проекция указательной поверхности
коэффициента кручения
5"* 1
круч
KDP (в Ю*“18 т*/ДМП) JI92J.

57. ДИГИДРОФОСФАТ КАЛИЯ. KDP
стп, 1011 дин/см2 при Т = 20 °С [31]
Си
Сзз
св«
Сц
^13
8,0
8,0
1,28
0,61
3,4
4,1
[989]
6,91
5,56
1,29
0,600
—0,600
1,22
[994]
7,14
5,62
1,27
0,624
—0,49
1,29
[670]
7,4
6,8
1,35
0,63
1,8
2,7
[31]
7,165
5,640
1,248
0,621
—0,627
1,494
[995]
smn, 10"12 см2/дин
т, °с
sn
s 3 3
S44
s«e
S12
S13
25
1,75
2,0
7,9
16,6
-0,4
—0,75
[989]
20
1,53
1,96
7,75
16,8
0,20
—0,38
[994]
20
1,48
, 1,95
7,87
15,92
0,0170
—0,379
[2]
Сщ — — 5,38 ± 0,47;
Cu2 = —2,91 ± 0,08;
Сцз —— 2,59 ^ 0,12;
С123 — — 2,58 i 0,09;
cmnp, Ю1а дин/см2 [996]
Cm= + 0,67 ± 0,03;
с144= —0,08 ± 0,015;
Cj55== — 0,35 i 0,03;
с1бб =— 0,30 i 0,015;
Сззз =— 9,12 ± 0,08;
£344 — — 0,27 i 0,02;
сзбв = — 0,19 ± 0,01;
^456 = + 0»08 i 0,015.
Температурные зависимости упругих постоянных, 10~6 К""1. Рис. 57.12.2—
57.12.4.
Тсп = — 635, Гс33 = — 490, Тс12 = — 520, Тс13 = — 185, Тси = — 570,
Тс6в = — 530 при Т = 0°С [31].
Зависимость см и Сев от Т см. [501].
13. Скорости упругих волн, 10б см/с, vi nooj — 5,5 [41].
vl riooj — 5,41, У1[оои==4,86, импульсный метод при /=10 МГц. См.
рис. П.И.5.
Коническая рефракция упругих волн—см. [997, 998].
14. Затухание упругих волн. Рис. 57.14.1—57.14.4.
15. Диэлектрические свойства. Рис. 57.15.1—57.15.3, см. рис. 58.15.2.
[31]
О
о
20
100
80
60
40
20
0
—20
—40
8Ц
42,0
—
■—
—
—
48,1
—
—.
—
е33
22,0
17,0
18,0
18,9
20,3
21,8
23,75
26,0
29,4
7\ °С
—60
—80
—100
—120
—130
—140
—145
—150
—
833
34,9
43,9
57,6
89,8 123,0
200
291
542
—
405

406
57. ДИГИДРОФОСФАТ КАЛИЯ, KDP
CrrrnJO1 Н'М'2
Рис. 57.12.2. Зависимость коэффициентов упругой жесткости с KDP от температуры
[32].
c4hcBByiikp
80
Ш awt&ooo
a)
C44
го
00
wo
140
t)
T,‘C
Рйс. 57.1 2-3-'Зависимость упругих жесткостей сЛ1 и с33 (а) и сы и рвв (б) KDP от
температуры [993J.

67, ДИГЙДРО<ЬОС4>АТ КАЛИЯ, KDP
407
Bs, 10гНп/м
Рис. 57.12.4. Зависимость
упругих податливостей smn KDP от
температуры [32].
Рис. 57.14.1. Зависимость затухания
упругой сдвиговой волны В$ для
[100] [010] KDP от темпеР™;
О-f=10, Д-/ = 30, ф —/ = 50, V-f=70,
+ -/=90 МГц [50 i].
сзз, 10юН/м2
гr 1п-1м-1 ' ” \0 0,05 о)о 0,15 0,20 3>вп
D,U* ' АТ,К $
-0,15-0,10 -0,05 О АТ, К
-3 ~2 -1 О АТ, А
Рис. 57.14.2. Зависимость упругой жесткости с§3 и затухания В упругой продольной
волны, распространяющейся вдоль оси с в кристаллах KDP: #-/ = 50, Q-/=30, Д-/=
= 10МГц(с33= 4,64.101оН/м2) [501].
3, см"1
Рис. 57.14.3. Зависимость затухания упругой волны В °^rj00] для KDP от температуры
[993].

408
Ы. ДИГИДРОФОСФАТ КАЛИЯ, КОР
В, ctr1
0,4
о,г
ллД^^^ДЛДМЛ“ЛЛ44ай J
ддДддДД А Д Д Д дД.
_ —ш § w ** 9 •*
,,И 9
Л
ОООООСРОСРОООООООООО
О О ©ООО О О оо ООООООООО ООО
- t t I I
m 180 т,°о
Рис. 57.14.4. Зависимость затухания упругой волны BL KDP от температуры для
°М100] =О-/=30. #-/=70 МГц и для [010]=Д-/=60 МГц [993].
Р/Е^еиГСЗ
st>siг
Рис. 57.15.1. Зависимость статической
диэлектрической проницаемости Р/Е от
напряженности электрического поля
в параэлектрической фазе в KDP:
/-123,8; 2 — 123,9; 5-124,1; 4-124.5К
[999].
Рис. 57.15.2. Зависимость диэлектрических
проницаемостей 8i и е3 KDP от
температуры [32].
[2]
т, °с
8ц
£зз
tg 6 (J_ С-оси)
tg 6 ( И с-оси)
U Гц
25
44,5
21,4
0,0098
0,017
102
25
44,3
20,7
0,0015 *
0,0024
103
25
44,3
20,5
0,0005
0,0002
104
25
44,3
20,3
0,0005
0,0005
10^
25
44,3
20,2
0,0005
0,0005
106
25
44,3
20,2
0,0005
0,0005 -
107
25
44,3
20,2
0,0005
0,0005
108
8ц = 42,0, 8зз = 21,0 [1001]; 833 = 30 000 при 7=122 К [1003].
Дисперсия диэлектрической проницаемости см. [1002]; зависимость
диэлектрической проницаемости от температуры при /=1, 10, 100 кГц и 1 МГц см.
[1003].

57. ДИГИДРОФОСФАТ КАЛИЯ, KDP
409
Рис. 57.15.3. Зависимость диэлектрической проницаемости 83. tg б и обратной
диэлектрической проницаемости 1/е от температуры: /-f=108, 2-f=2-104, 5-f=9,4-10®, 4-f = 3-10®,
5 —f=6 • 109, 6“ — f = 9,4-109 Гц [1000].
16. 	Показатель преломления. Рис. 57.16.1.
п0= 1,507, пе= 1,467 при Я,=63282А [998]; л=1,51 при *, = 6328 А [41].
п* = А + Ву*(\—\УС) + 0(Е—у2),
где v= 1Д см”1. [1006]
По
пе
Л
2,259276
2,132668
в
1,008956-Ю-Ю
8,637494-10-11
с
7,726408-109
8,142631•10®
D
3,251305.106
8,06998Ь105
Е
2,500000*1О5
2,500000*10&

410 57.'ДИГИДРОФОСФАТ КАЛИЯ, KDP
[1004], см. также [1005, 416, 1006]
%> мкм
Показатель преломления
относительно воздуха
Абсолютный показатель
преломления
п0
пе
п0
пе
0,2000
1,621996
1,563315
1,622630
1,563913
0,3000
1,545084
1,497691
1,545570
1,498153
0,4000
1,524035
1,479814
1,524481
1,480244
0,5000
1,514498
1,472068
1,514928
1,472486
0,6000
1,508851
1,467856
1,509274
1,468267
0,7000
1,504817
1,465193
1,505235
1,465601
0,8000
1,501508
1,463303
1,501924
1,463708
0,9000
1,498514
1,461830
1,498930
1,462234
1,0000
1,495628
1,460590
1,496044
1,460993
1,1000
1,492730
1,459481
1,493147
* 1,459884
1,2000
1,489751
1,458443
1,490169
1,458845
1,3000
1,486645
1,457436
1,487064
1,457838
1,4000
1,483381
1,456437
1,483803
1,456838
1,5000
1,479938
1,455427
1,480363
1,455829
1,6000
1,476302
1,454395
1,476729
1,454797
1,7000
1,472459
1,453333
1,472890
1,453735
1,8000
1,468400
1,452234
1,468834
1,452636
1,9000
1,464118
1,451093
1,464555
1,451495
2,0000
1,459603
1,449906
1,460044
1,450308
Температурная зависимость показателей преломления.
п = п (298 К) + Ап*АТ; АТ = (298 —Т) К, Ап~ (п2 + ап + Ь) с-АТ.
Для Х = 0,3653 0,6907 мкм [1005].
а
Ь
с, К“*
«о
0
—1,432
0,402.10-4
пе
0
—1,105
0,221 • 10~4
Зависимость п от % см. [413],

57. ДИГИДРОФОСФАТ КАЛИЯ, KDP
411
Рис. 57.16.1. Дисперсия показателей
преломления л0» пе KDP; 1-Т—196,
2-Т-50, 3 — Т=20, 4-Т — 64,5, 5-Г =
= 100, 6-Т= - 150, 7 — 7,= — 200°С [32].
Рис. 57.17.1. Спектральное пропускание
пластинок Х-среза K.DP: / — h—2 мм,
2 — h— 8 мм [446].
17. Пропускание и поглощение. 0,25 -г- 1,7 мкм [41]. Рис. 57.17.1.
[1007]
Я, мкм 0,78 0,89 1,06
Л, см-1 0,024 0,015 0,03
18. Электрооптические свойства. Рис. 57.18.1, см. рис. 58.18.1.
гб8 = 10,5-10~10 см/В, г41 = (8,6 4- 8,8).10-ю см/В [472].
Изменение п во внешнем поле 5000В равно 9«10~3 при Т = 25 °С и 5• 103
при Т = —151 °С [446].
R, 10"9 ед. СГСЭ [413]
Ra=ti%R зз—" Ло^1з = 27 ,9; Rc^KoiRiz—Rii)~8fi>
Rb = tieR 3i—fioRii— 12,2; /?^ =/i0/?66= 2,7;
Rijku 18 м2/В2 при X = 0,54 мкм
neRs333 — Яо/?цзз —31; fleRssu — rto^nii— 13,5;
jRii22 — ^1111 ^ 2,6; tieRi212 — 3 [1008].
Зависимость r/y от T см. [446].
19. Пьезо- и упругооптические свойства, рис. 57.19.1, см. рис. 58.19.1,
58.19.2, 58.19.4.
Ю*"13 СМ2/ДИН [64, 1009].
—0,3 < Яц—тс 12 “С 0, зХбб~—11,25;
Лц = 4,15 ± 0,38, зх33=0,44 ± 0,13, я44=-1,47 ± 0,34, я6б=-10,26 ± 0,23,
3Xi2 = 4,08 ± 0,31, Я18=1,12 ± 0,02, jt3i = 3,60 ± 0,32 [1009];
Ли — Jii2 ——0,3, зх66 = — 11,25 [1010];
яб6 = 4,5 [413]; я6в= 11,25; Яц—я12 >—0,3 [64].

412
57. ДИГИДРОФОСФАТ КАЛИЯ, KDP
PS8
¥ i
д
л 5 *■— ft-0 9 0 QMO
О —|—I—|—1.,.‘ I I 1 <
120 100 200 240 280
т,к
Рис. 57.19.1. Зависимость
упругооптического коэффициента Pgg
KDP от температуры [501].
Ри
Р 3 3
р*4
Рее
Pl 2
Pia
Pai
Я, мкм
0,251
0,221
0,058
0,249
0,246
0,225
0,63
[79]
0,287
0,122
0,09
—0,064
0,282
0,174
0,241
0,598
[1009]
0,254
0,212
—
0,028
0,230
0,233
0,221
0,63
[998]
20. 	Нелинейные оптические свойства.
Для Я= 1,06 мкм dle)=(l,04 ± 0,05)*10~9 см/дин1/2 [1007]. Нелинейная
оптическая восприимчивость 1,1 для X— 1,06 мкм [1004]. Коэффициент качества
нелинейного материала 0,77, Я= 1,06 мкм [1004].
[392]
Я, мкм
d\f, Ю-‘*м/В
b\f, 10-2
м
2/Кл
/г®
я2С0 (0, град)
1,0582
df? = 0,49 ± 0,02
6?“ = 3,10
±
0,13
1,4751
1,5123
1,0582
rfl® = 0,47
бзв =3,02
±
0,2
1,4939
1,4706
0,6943
«й? = 0,47±0,03
б?? = 2,71
±
0,17
1,4856
1,5335
0,6943
<*за =0,47
6^=2,73
1,5058
1,4874
1,15
die* = 0,46 ± 0,07
е!?=з,01
±
0,46
1,4913
I,4687
1,0642
die* = 0,47 ± 0,03
6зв =3,01
±
0,2
1,4942
1,4708
1/г&Ш ОГСЗ r63, W8ей. СГСЭ
Рис. 57.18.1. Зависимость электро-
оптического коэффициента гвз и 1/гвз
от температуры при Я=0,54мкм
[413].

57. ДЙГИДРОФОСФАТ КАЛИЯ, Kt)P
413
21. 	Акустооптические свойства.
M2l 10~18 ед. СГСЭ при Х = 0,63 мкм [998].
Измерено методом брэгговской дифракции на ультразвуке. Ошибка
измерения коэффициента М2 не превышала — 4%.
Ml1 = 2,07, jM|2= 1,69, Л4|1= 1,33, Мг3=2,37, Ж|3= 1,68 [998]
X — 0,633 мкм [41]
"зв
"зв
Е
Ми 10“7 см2-с/г
Mtf 10-18с»/г
М3, 10-12 см*с2/г
[100]
[100]
[100]
8,72
1,91
1,45
22. 	Пьезоэлектрические свойства. Рис. 57.22.1, 57.22.2, см. рис. 58.22.2.
йи,10'12Ю1/Д
Рис. 57.22.1. Зависимость пьезомодуля d1A KDP от температуры [32].
Рис. 57.22.2. Зависимость пьезомодуля dat KDP от температуры! Д-значения, полученные
при измерении прямого эффекта, 0~значвния, полученные при измерении обратною
эффекта [700].

414 -58. ДИГИДРОФОСФАТ АММОНИЯ, ADP, NH4H2PQ4
gm> Ю"8 ед. СГСЭ; hlm% 108 ед. СГСЭ; etn, Ю4 ед. СГСЭ [31].
7У°С
20
60
40
20
0
-20
-40
-60
^36
—62,8
59,0
63,2
69,6
76,2
85,9
98,6
119
^14
3,85
£зв
41,7
38,6
38,8
39,4
39,6
40,4
41,0
41,5
ёы
е3в
i, I
3,5
3,8
4,26
4,73
5,39
6,24
7,55
the
2,7
2,32
2,35
2,44
2,50
2,58
2,66
2,73
hu
0,14
—
—
—
—
—
.—
—
Td3Q= — 38,Ы0-4К“1, Te3G=—44,6-10~4 К-1 приТ = 20 4- 60 °С[31],см.
также [1001].
&зв —0,22 [31].
23. Дополнительные сведения.
Спектральное пропускание второй гармоники при X — 1,0640 мкм см. [856].
[666]
X, нм
<?n
6*33
462
2,54-10-4
0
506
2,28-10-4
0
Зависимость V^/2 от X (0 -г- 6500 А) см. [981].
58. 	ДИГИДРОФОСФАТ АММОНИЯ,
ADP, ФОСФОРНОКИСЛЫЙ АММОНИЙ, NH4H2P04
1. Вид материала. Монокристалл, синтетический, бесцветный.
Выращивается из водных растворов методом медленного снижения температуры в
статическом и динамическом режимах [700, 41].
2. Симметрия кристалла. Тетрагональная, класс 42m, J42d, Did при Т=
= —125 ^ + 190°С.
Ромбическая, класс 222, Р21212ъ Df ниже Т-—125 °С [760].
Постоянные решетки, А.
Для тетрагональной фазы а = 7,50, с=7,58 [760].

58. ДИГИДРОФОСФАТ АММОНИЯ, ADP, NH4H2P04
415
3. Молекулярный вес. 115,04.
4. Плотность, г/см3. 1,803 при Т = 20 °С [31].
5. Температуры фазовых переходов. 7,ра3л = 190 °С [ 97].
ГК = ~125 °С, переход из тетрагональной в ромбическую фазу [413],
6. Растворимость, г/100 г воды. 22,7 при Г = 0 °С, 173,2 при Т = 100 °С [97].
Рис. 58.7,1. Зависимость удельной теплоемкости с ADP от температуры [501].
7. Удельная теплоемкость. Рис. 58.7.1.
8. Тепловое расширение, 10“6 К”*. Рис.
58.8.1
Зависимость а от Т см. [501].
т, °с
аг
а2
—60 ч- 90
34,0
[630]
—70 ч- 80
—
5,3
[630]
24 -ь 134
39,3
1,9
[1011]
20
37
4
[986]
&v,W'§K-f
Рис. 58.8.1. Коэффициент
объемного теплового
расширения «у ADP [501].

416 58. ДИГИДРОФОСФАТ АММОНИЯ, ADP, NH4H2PO4
9. 	Теплопроводность, кал/К*см«с.
[64]
Т, к
«и
«83
315
,0,0030
0,0017
340
0,0032
0,0017
12. Упругие постоянные. Рис. 58.12.1.
smm 10“12 см2/дин при Г = 25°С
sn
S33
S44
see
S12
si з
1,75
4,35
11,50
16,4
0,75
—1,15
[989]
2,00
4,57
11,70
18,5
0,17
—1,29
[9941
1,81
4,35
11,53
16,46
0,19
—1,16
[31]
Рис. 58.1 2.} .Указательные поверхности упругих свойств ADP:E-1, стереографическая
проекция (а)\ G-1, стереографическая проекция (в 10“18 см2/дин) (б); G-1, сечения (в) [192].

58. ДИГИДРОФОСФАТ АММОНИЯ, ADP NH4H2P04
Стт Ю11 ДИН/СМ2
417
Т, °с
Си
^38
С44
Свв
С12
^13
20
6,17
3,28
0,85
0,592
0,72
1,94
[994]
20
6,89
3,35
0,856
0,595
0,40
1,89
[670]
25
6,76
3,38
0,870
0,610
0,59
2,00
[500]
25
6,877
3,402
0,862
0,602
0,406
2,038
[31]
25
7,57
2,96
0,87
0,61
—
1,30
[989]
Коническая рефракция упругих волн—см. [1012, 997].
Температурные коэффициенты упругих постоянных. Рис. 58.12.2, 58.12.3.
8
~ Ctt\<
I
8
1
I
V
I
1
1
1
"%j“
£
С44 j
" севЪ
Д
CjzS.
m
ШТ,К
Рис. 58.12.2. Зависимость коэффициентов упругой жесткости cmn ADP от температуры
[32].
Рис. 58.12.3. Зависимость коэффициентов упругой податливости sтп ADP от температуры
[32].
14 Под ред. М. П. Шаскольской

418
58. ДИГИДРОФОСФАТ АММОНИЯ, ADP ЫН4Н2Р04
13.
15.
58.15.2.
Рнс. 58
Рис. 58.
Тстт 10-6 К-1 при 71 = 15 -ь 45 °С [31]
Tcii Тсзз Тею Тем Тсц Тс$ в
—865 —110 —2270 —450 —610 —440
Tsmn, Ю-в К-* при 7=15-5- 45°С [31]
Tsa TsB3 Tst2 ^s44 7"see
700 70 2600 500 650
Скорости упругих волн, 106 см/с.
VL riooj = 6,15, t>SfiooHoio]=
vLtiooj=6,17, ^irooij =4,35 [998].
Диэлектрические свойства. 8ц= 56,0; e33= 15,4 [1001]. Рис. 58.15.1,
£ff*sss
50
-80 40 О
d) r>°G
40
-
%■
f_ 1
i i
• »
420 -80
-40 О
40 80
f
в)
I/O
1 *
№,
1 1
-120 -Sir
49 0
ф
40 80
Т/С
.15.1. Зависимости относительных диэлектрических проницаемостей 8ц и е3
(а-в)у tg ба и tg 6С (г) ADP от температуры |32|.
Ри
ADP и KDP от температуры [9$9],

58. ДИГИДРОФОСФАТ АММОНИЯ, ADP NH4H2P04
419
[2]
7, °С
еп
833
tg б (Jlc -оси)
tg б (II с-оси)
/, Гц
25
56,4
16,4
0,04
0,24
ыо2
25
56,0
16,0
0,0046
0,024
Ы03
25
55,9
15,4
0,00046
0,0007
Ы04
25
55,9
14,7
0,0005
0,007
ЫО5
25
55,9
14,3
0,0005
0,006
Ы0ЧЫ07
25
55,9
—
0,005
—
ЫО8
25
55 j 9
14,3
0,0001
0,0005
3-108
25
—
13,7
—
0,005
МОЮ
100
50,0
14,0
—
—
ЫО3
50
55,0
15,0
—
—
M0:i
0
62.0
16,0
—
—
ЫО3
—50
72,0
18,0
—
—
ЫО3
—100
87,0
21,0
—
—
1.103
16. 	Показатель преломления. Рис. 58.16.1.
Зависимость Ап от Т см. [501]. Зависимость п от X см. [413].
7!
Рис. 58.16.1. Дисперсия показателей преломления лв и пе ADP: а) 1-7’ = 20, 2-7=60,
5 — 7’= 100, б) У — Г= 196, 2-Г=5О, 3-Г = 20 °С [32].

420
58. ДИГИДРОФОСФАТ АММОНИЯ, ADP NH4H2P04
[1004, 1006]
А,, мкм
Показатель преломления
относительно воздуха
Абсолютный показатель
преломления
"о
%
0,2000
1,648418
1,587119
1,649073
1,587740
0,3000
1,563459
1,512300
1,563953
1,512769
0,4000
1,540328
1,492165
1,540782
1,492601
0,5000
1,529833
1,483369
1,530271
1,483792
0,6000
1,523589
1,478476
1,524018
1,478892
0,7000
1,519097
1,475266
1,519522
1,475679
0,8000
1,515384
1,472875
1,515808
1,473285
0,9000
1,512006
1,470906
1,512428
1,471315
1,0000
1,508730
1,469155
1,509153
1,469563
1,1000
1,505428
1,467509
1,505851
1,467917
1,2000
1,502023
1,465899
1,502447
1,466307
1,3000
1,498465
1,464284
1,498891
1,464691
1,4000
1,494721
1,462634
1,495148
1,463042
1,5000
1,490766
1,460932
1,491195
1,461339
1,6000
1,486584
1,459162
1,487015
1,459570
1,7000
1,482161
1,457316
1,482594
1,457725
1,8000
1,477485
1,455386
1,477920
1,455795
1,9000
1,472547
1,453365
1,472985
1,453775
2,0000
1,467339
1,451249
1,467780
1,451660
2 D 1
где v=x(CM-1)
с
[1006]
по
А
2,302842
2,163510
В
1,1125165-10-ю
9,616676-Ю-11
С
7,5450861 *109
7,6987151•109
D
3,775616-
1,479974-106
Е
2,500000-10б
2,500000.10б-
— = (п2 + Ап+В) С*(298—Т) [1005].

58. ДИГИДРОФОСФАТ АММОНИЯ, ADP NH4H2PO*
421
%, мкм
А
в
С, К”1
0,6907
—3,0297
2,3004
0,713-10-2
0,6907
0
0
0,675-10-*
Зависимость двупреломления от температуры см. [501].
17. Пропускание и поглощение. 0,2—1,2 мкм [1007]; 0,2-5-1,87. мкм.
Область наибольшей (80—45%) прозрачности 0,3-т-1,15 мкм. Коэффициент
поглощения А в области наибольшей прозрачности 0,021-^0,071 см”1 [244].
X, мкм 0,79 0,89 1,06
Л, см-1 0,03 0,038 0,1 [1007]
Зависимость А от X см. [413].
18. Электрооптические свойства. Рис. 58.18.1, 58.18.2.
/■бз = 24* 10~8 ед. СГСЭ, г41 = 60,Ы0-8 ед. СГСЭ при Х = 0,54мкм [264,
446].
7=18°С [1013], см. также [472].
X, мкм 0,408 0,436 0,468 0,492 0,546 0,579 0,623
г63 26,19 25,98 25,86 25,77 25,68 25,62 25,47
Rmn> Ю-9 ед. СГСЭ
^в#зз—tioR i3=27,9, —tioRn— 14,8,
Л® (Я 12—£ii) = 5,2, п^зз=1,8 [413].
Rn—i?3i=(6,057±0,14)-10-14 cm2/B2; Rib— Д88=(2,942±0,02).10-Исм2/Ва
[1117].
Ri/ki* 10”18 м2/В2 при X =0,54 мкм
Яе#зззз—Яо#изз=24; #пзз—#зззз= 2,942 ± 0,02;
Яе#ззи—noRiui — 16,5; #nn—#33ii = 6,057 ±0,14;
#1122—#1111= 1*7; л?#1212 = 2 [1008].
Зависимость r41 от Т см. [413]. Дисперсию коэффициентов /г3 (#п—#12)
см. [501].
гм,10'12м/В
rS3,W'8ed. СГСЭ
40-
20
4000 m
Рис. 5 8.18.1. Дисперсия
электрооптических
коэффициентов гвз: 1 — ADP, 2-KDP
[446].
Рис. 58.18.2. Зависимость
электрооптических коэффициентов гб2,
г41 и гвз ADP от температуры
при Я=5570 А £5011.

422
58. ДИГИДРОФОСФАТ АММОНИЯ, ADP NH4H2P04
19. 	Пьезо- и упругооптические свойства. Рис. 58.19.1—58.19.4.
птп, 10"13 см2/дин [1014]
Л,и Л44 Л 66 Л12 Л31 Ли ’ ~Л12
8,6 —5,8, —12,2 7,9 12,3 0,7
X = 0,63 мкм
Pit
p 3
3
Pee
+0,302
0,263
0,075
—0,11 ±0,01
—0,70±0,05
—0,099±0,008
—0,11 ±0,02
—0,71±0,32
—
0,296
0,228
0,050
Pi 2
Pl3
Pz\
 +0,246
+0,236
+0,195
[57] *)
—0,16±0,01
—0,84±0,05
0,18±0,01
[1015]
—0,15±0,02
—0,93±0,41
0,2±0,03
[1016]
0,243
0,208
0,188
[998]
*) Точность метода ±5%.
10 г
40
80 120
1 200
Т, °С
Рис. 58.19.1. Зависимость
пьезооптического коэффициента л;^, от
температуры: /-ADP, 2-KDP
[601].
Я%10~12см2/Ш
Рис. 58.19.2. Дисперсия
пьезооптического коэффициента Uqq :
У - ADP , 2- KDP [413].

58. ДйГИДРОФОСФАТ АММОНИЯ, ADP NH4H2P04
423
7(44,
Рис. 58.19.3. Зависимость пьезооптического
коэффициента зт44 от температуры: /—для
KDP при Я=600 нм, 2-для KDP при
Х-520 нм, 3-для ADP при Я,= 520 нм [32].
3t44} 10'13см2/Зин
Я, нм
Рис. 58.19.4. Дисперсия
пьезооптического коэффициента зт44:
/-KDP. 2 —ADP при Г = ГК0МН
[32].
20. 	Нелинейные оптические свойства.
Нелинейная оптическая восприимчивость 1,36±12% при Я=1,06 мкм;
коэффициент качества нелинейного материала 0,53 при к= 1,06мкм [1004].
[392]
А,, мкм
d\f, м/В
б|{°, ю-2 м2/Кл
n°>
„2<а
1.0582
1.0582
0,6943
0,6943
1,15
0,8250
0,6328
4?= 0,553 ±0,024
d!«= 0,558 ±0,028
d?“ = 0,482±0,024
die =0,487±0,028
d|g> = 0,544±0,14
die =0,66 ±0,14
d|“ = 0,57 ±0,068
6U = 3,19±0,14 '
6зе = 27 ±0,16
S36 = 2,52 ±0,12
63e = 2,57±0,15
бзв = 3,25±0,84
836 = 3,65±0,77
S3e = 2,88±0,44
1,4874
1,5067
1,4973
1,5193
1,50364
1,5145
1,5217
1,5277
1,4816
1,5498
1,5004
1,4794
1,4907
1,5075
21. 	Акустооптические свойства.
Я = 0,633 мкм [41]
"зв
"зв
Е
Mlt 10“7 см2"С/г
М2, 1 0“18 сз/г
М3, 10“"12 CM‘C2/r
[100]
[100]
[100]
16,00
2,78
2,62
[iooj
[010]
[100]
3,34
6,43
1,83
М2, 10“18 ед. СГСЭ для ^==0,63 мкм [998]
м (Pll) М (р12) М (р81) М (р13) М (Раз)
?,59 1,74 0,87 3,62 3,64

424 58. ДЙГИДРОФОСФАТ АММОНИЯ, ADP, NH4H,P04
22. 	Пьезоэлектрические свойства. Рис. 58.22.1, 58.22.2.
df, gin, Ю-8 ед. СГСЭ [31]
т% °с
20
60
40
20
0
-20
-40
-60
20
KOMH.
0
dm
+ 136,7
+ 136,0
142,0
148
155
161
170
180
—145
144
^14
4,53
5,3
3,9
—
&36
—
116
117,5
118,5
120
119
121
122
—
—
125
#14
i
»> w
1 ед. c:
ГСЭ
1,03
^36
—
8,14
8,61
9,04
9,54
10,00
10,65
—11,32
—8,81
—
9,57
*14
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0,44
^36
—
7,67
7,87
8,09
8,37
8,44
8,75
8,94
—
—
8,77
^14
0,09
Tdlm, 10-* К"* [31] Те1п, 10-*К-* [31]
T, °c
TdM
Tdt4
о
о
Те зв
Т #14
20^-60
—20,3
20ч-60
—25
15-Г-45
—28
— 180
15-г-50
—34
— 185
й36 = (52,3±1,3)'10-:12м/В (расчетное значение) [1017].
йзе,Ж,:11<л/Н
Рис. 58.22.1. Зависимость
пьезомодуля rf3e ADP от температуры
[32].
Рис. 58.22.2. Зависимость коэффициента
электромеханической связи кь% от
температуры: /-ADP, 2-KDP |313-

59. МОЛИБДАТ ГАДОЛИНИЯ Gd,(Mo04),
425
23. Дополнительные сведения.
Антисегнетоэлектрйк. При нагревании до Т > 125 °С разлагается, при
охлаждении имеет тенденцию к растрескиванию. Зависимость относительного
изменения частоты от постоянного электрического напряжения для
кристаллов (xzat) 60°- и 45°-срезов при частоте 55 кГц и Т = 20 °С, коэффициент
электр остр и кци и 10-19 м2/В2 см. [1017].
59. 	МОЛИБДАТ ГАДОЛИНИЯ Gd2(Mo04)3
1. Вид материала. Монокристалл синтетический, бесцветный или бледно-
желтый, выращивается из расплава методом Чохральского [1018].
2. Симметрия кристалла. При Т > 159 °С тетрагональная Р42гт, {Did)
[1019—1022]. При Т < 159 °С орторомбическая mm2, Pba2, (С®») [1023—1027].
Постоянные решетки, А.
[501]
а
Ъ
с
г, °с
7,31
10,63
Т’комн
[1019]
7,316
—
10,62
^комн
[1020]
10,40
10,40
10,66
^ коми
[1018]
14,49
14,49
10,58
Т коми
[1023]
10,419
10,419
10,636
200
[1023]
10,388
10,426
10,709
Т коми
[1028, 1029]
10,393
10,416
10,696
23
[1028, 1029]
10,45
—
10,68
200
[1028]
[501]
т, °с
а
Ъ
с
[40,0
10,39449
10,42052
10,69725
100,0
10,41030
10,43300
10,69201
150,0
10,43550
10,45050
10,68135
160,0
10,45674
10,45674
10,67400
200,0
10,45975
10,45975
10,67170
Зависимость а, Ь, с и V от Т см. [501].
4. 	Плотность, г/см3. 4,6±0,1 [1019, 1020, 1023]; 4,55 [1028, 1025]; 4,56
[1030]; 4,576 [1031].

426
59. МОЛИБДАТ ГАДОЛИНИЯ Gd,(Mo04)3
ТК°С
Рис. 59.6.1. Зависимость
температуры Кюри Т^
Gd2 (Мо04)3 от
гидростатического давления [501].
5. 	Температуры фазовых переходов, °С. Рйс.
59.6.1.
7"пл ===== 1165 [1019]; Гк= 159—переход из
параэлектрической фазы с симметрией 42m в сегнето-
электрическую с точечной группой mm2 [1032,
1031]; Гк= 160 [1033]; Т-к= 163 [1023].
Зависимость от гидростатического
давления см, [501].
7. 	Удельная теплоемкость. Рис. 59.7.1.
с/,= 2,43*10~4 Т — 6,28*10“4 кал/моль-К при
Т <Т
К,
^ = 3,65- 10~6 7* +0,10 кал/моль-К при Т> Тк
[1034].
Зависимость с от Т см. [1035].
8. 	Тепловое расширение, 10 -6 К-1- Рис. 59.8.1.
а)
ё)
Рис. 59.7.1. Зависимость теплоемкости с Gd2 (Мо04)3 от температуры: в интервале
температур 50-ь250°С (а); в районе температуры Кюри (б) [1034].
«у, 10-е К-1 [501]
Ту °с
«и
0&22
ОСзз
40,0
18,3
16,7
-4,7
100,0
35,0
26,3
-11,7
150,0
66,1
44,0
—28,1
160,0
7,9
7,9
-4,9
10. 	Спайность. По (НО) [1037].

59. МОЛИБДАТ ГАДОЛИНИЯ Gd2(Mo04);
427
Рис. 59.8.1. Зависимость теплового
расширения Al/l Gd2 (Мо04)3 от температуры
вдоль трех кристаллографических осей
(скорость нагрева 1-2 град/мин) [1036].
12. 	Упругие постоянные.
„ 101® Н/м2
Рис. 5 9.12.1. Зависимость
упругой податливости
Р
s66 (Мо(-)4)з от
температуры: Л* Ф-Е >0, Q-E <
< 0 (сдвиговые колебания
стержня вдоль [100]) [1039].
Cn
c22
С33
C44
съь
cee
C12
C13
C23
6,95
6,95
9,95
2,55
2,55
2,50
[1028] *)
5,16
6,76
9,82
2,51
2,58
3,34

—
—
[1025]**)
5,85±
7,30 ±
°10,30±
2,45 ±
2,60±
3,30±
1,05±
2,85±
3,20±
[1038]***)
±0,1
±0,1
±0,15
±0,2
±0,2
±0,15
±0,1
±0,15
±0,15
*) Вычислено при р = 4,55 г/см3 из скоростей звука, измеренных
ультразвуковым методом при комнатной температуре (Т — 20 °С).
**) Вычислено при р = 4,55 г/см3 из скоростей звука ихх, vyyy vzz, vyZ,
vzx’> vxу соответственно.
***) Измерено при Г = 20°С в орторомбических осях методом бриллюэнов-
ского рассеяния.
^66^^1212 — 2,5*10 ^ см2/Н [501].
Температурные зависимости упругих постоянных. Рис. 59.12.1—59.12.3.
Зависимость сп от температуры см. [1025]; зависимость sn от
температуры см. [1040]; зависимость с22 от температуры при различных давлениях
см. [1025].
13. 	Скорости упругих волн, 105 см/с.
=2,!40, vR |0i0j =2,131, vR,[iooj ~ vr [0103 =--3,l'2‘%- [1031*];

428
59. МОЛИБДАТ ГАДОЛИНИЯ Gd,(Mo04)3
Температурные коэффициенты скоростей упругих волн. Рис. 59.13.1 —
59.13.4.
Зависимость брэгговского угла и скорости распространения продольных
волн от температуры см. [890].
^Ifioojnooj
^[ОЮЛОЮ]
^Ifooijroou
°Lfiiojtiioj
^Sfoioj гоои
о
о
о
о
со
S?
о
о
о
гН
£
3,900
3,900
4,500
[1028] *)
3,368
3,853
4,646
—
2,349
2,383
2,708
[1025]**)
3,900
—
4,670
—
2,360
2,360
2,340
[1025]***)
3,650****)
4,000****)
—
4,140
—
—
—*
[1041]
3,585 ±
3,995 ±
•—
4,135 ±
—
—
— .
[1038]
± 0,025
± 0,030
± 0,030*****)
*) Измерено ультразвуковым методом при 20 °С на частоте 10 МГц.
**) Измерения проводились акустическим методом на монодоменных
кристаллах.
***) Измерения проводились акустическим методом на полидоменных
кристаллах.
***♦) Экстраполировано из данных при 50 °С. Измерения проводились
методом бриллюэновского рассеяния на частоте 15 ГГц.
***♦*) Измерения проводились методом бриллюэновского рассеяния на
частоте 15 ГГц.
V£[l00]
vLioio]
^Lfooi]
VS[ ooijfioo]
^«Srioojfoioj
3,40
3,85
4,65
2,7
[1027]
3,94
—
—
2,4
2,54
[1027]
3,660
3,920
—
—
—
[1031]
Измерено в парафазе методом рассеяния света на упругих волнах.
14. 	Затухание упругих волн, дБ/см, 100 для v^ г100] при 7, = 410К [1025].
Рцс. 59.14.1—69.14.6,

59. МОЛИБДАТ ГАДОЛИНИЯ Gd2(Mo04)*
429
аи,жям*/Н
Рис. 59.12.2. Зависимость упругой
податливости slt Gd2 (Мо04)8 ст температуры:
О-Я= + 10 кВ/см, Д-£=-Ю кВ/см
[1040].
цкм/с
Рис. 59.13.1.
Зависимость скорости звука v
Gd2(Mo04)3 от
температурь* [1025^.
Стп, W10дин/см2
Рис. 59.12.3. Зависимость упругих
жесткостей сти Gd2(Mo04)3 от
температуры в сегнетофазе и парафазе
(^Сц=с22:=~2~ (си +с1г) + ci2 —
= ~2~ (си +ci2)-£вв» с*6 = ~2 (Cl1 ~ciz)^
[1025].
Т,°С
Рис. 59.13.2. Зависимость скорости
упругих продольных волн j100j
Gd8(Mo04)3 от температуры при
|=10 МГц [1040].

430
59. МОЛИБДАТ ГАДОЛИНИЯ Gd*(Mo04)3
ГгзЩ
Рис. 59.13.3. Зависимость резонансной частоты fr Gd2(Mo04)3 от температуры [1040] <а);
[1036] (б) для образца с размерами а=§,9? c=l,l, h ~ 0,43 мм.
%109ш/с
Рис. 59.13.4. Зависимость
скорости упругих
продольных волн в направлении [1 00]
в Gd2(Mo04)3 от
температуры при /=550 МГц
(штриховая кривая—расчетные
значения) [1042].
Рис. 59.14.1. Зависимость
коэффициента поглощения (*ii)3B
продольной упругой волны
в Gd2(Mo04)3 от температуры:
/-/=10, 2—/=30, 5 —/=50,
4-/=70-МГц [1043].

59. МОЛИБДАТ ГАДОЛИНИЯ Gd,.(Mo04)3
431
Рис. 59.14.2. Аномальное
изменение коэффициента
поглощения упругой волны (Иц)зв
Gd2(Mo04)3 вблизи фазового
перехода при f=30 МГц [1043].
Рис. 59.14.3.
Зависимость затухания В в
направлении оси х
в Gd2(Mo04)8 от
температуры при различных
частотах. Интервал
частот 10—70 МГц [1025].
Рис. 59.14.4. Зависимость затухания
продольных упругих волн Вхх вдоль оси [100],
Bss вдоль оси [001] в Gd2(Mo04)8 от
температуры при f=560 МГц [1044].
В,дБ/,'см
Рис. 59.14.5. Зависимость
затухания продольных упругих волн
В в Gd2(Mo04)3 при
распространении вдоль оси х от
температуры при f= 550 МГц
(штриховая кривая —расчетные
значения) [1 042].

432
59. МОЛИБДАТ ГАДОЛИНИЯ Gd,(Mo04)8
[1027] *).
В сегнетофазе
В парафазе
Скорость звука
и**
vyy
vxy
vxx
vxy
vZx
/, МГц
В, дБ/мкс
1,8
1,7
0,3
0,37
1,3
1,3
0,5
550
*) Измерения проводились методом рассеяния света на упругих волнах.
Зависимость затухания продольных ультразвуковых волн от (Г0—Т)/Т0
см. [1044].
15. Диэлектрические постоянные. 8=10 [1032]; 8d = e& = 9,5, е<.= 10,5,
/ = 400 Гц [1023]; рис. 59.15.1—59.15.4.
16. Показатель преломления.
пг & п2= 1,848, я3=1,901 при А, = 589 нм [1024];
/г0 = 1,848, пе= 1,90 при А, = 589 нм [1020];
п0 = 1,848, л* =1,90 при 200 °С [1023]; лв=1,896; щ—па =4-10~4 [1023];
Апху = (4,21 ±0,01).10-^ при Т = 20 °С [1048];
пг ^ п2= 1,795 -4- 1,65- 106Л,-а;
л3= 1,8409 ч- 1,917- 106Я"2 [1030].
Зависимость А/г от электрического напряжения см. [501, 1047]. Рис. 59.16.1—
59.16.5, см. рис. 59.15.4.
Рис. 59.14.6. Зависимость
затухания продольных упругих волн В
в Gd2(Mo04)3 от температуры в
области фазового перехода при
распространении вдоль оси z при
*=550 МГц [1 042].
Рис. 59.15.1. Зависимость диэлектрической
проницаемости 83S Gd2(Mo04)3 от
температуры при /=1 кГц: -для полидоменного
кристалла, 0~“ДЛЯ монодоменного
кристалла [1026].

69. МОЛИБДАТ ГАДОЛИНИЯ Gd,(Mo04),
433
Рис. 59.15.2. Зависимость диэлектрической проницаемости е* Gd2(Mo04)3 от температуры
при /=10 кГц: 1 —р=р0, 2 — р = 0,6, 3 —р = 1,2, 4 —р= 1,8, 5 —р = 2,5 кбар [1045].
туры при Е\\с(Е—20 В/см, /=19 МГц), 2 — зависимость диэлектрической
проницаемости ej Gd2(Mo04)3 от температуры при Е\\с(Е=20 В/см, /= 1 кГц), 3— зависимость
резонансной частоты //• пластины, вырезанной перпендикулярно оси с Gd2(Mo04)3,
совершающей сдвиговые колебания [1021].
Рис. 59.15.4. Зависимость диэлектрической
проницаемости е3, продольного спонтанного двупреломления Ап12,
спонтанной поляризации и величины п\гс (гс —
пьезоэлектрическая добавка к электрооптическому эффекту)
Gd2(Mo04)3 от температуры [1024].
Рис. 59.16.1. Эллипсоид
показателей преломления
дву осного G d 2 (Мо04) 3
ПРИ Г=ГКОМЯ и £ = cons*
[501].

434
59. МОЛЙБДАТ ГАДОЛИНЙЯ Gd,(Mo6Js
Щ, Ло
Рис. 59.16.2. Дисперсия
показателей преломления п0, пе
Gd2(Mo04)3 при Т = 23 °С [501].
ДПс-104
Рис. 59.16.3. Зависимость двупре-
ломления \tic Gd2(Mo04)3 от
температуры при Я,= 589оА {1036].
Апе-
Рис. 59.16.4. Изменение спонтанного
дву преломления Anc=Gd2(Mo04)3 в
зависимости от температуры в области
фазового перехода [1046].
Рис. 59.16.5. Изменение спонтанного
дву преломления A Gd2(Mo04)3 в
зависимости от температуры в полях
противоположной полярности [1046].
1,%
Рис. 59.17.1. Оптическое пропускание / Gdi(Mo04)s (Л= 1,62 мм) [1019].

59. МОЛИБДАТ ГАДОЛИНЬЯ Gd«(Mo04),
435
17. Пропускание и поглоще* ие. 0,350ч- 5,0 мкм [1019], рис. 59J7.1*
Зависимость Л от Ксв [501].
18. Электрооптические свойства. (г63/е0) 8атетр=0,03б м2/Кл [1024],
рис. 59.18.1, 59.18.2.
[1024]
ГцЛО”12 м/В
гвз» Ю-12м/В
^13““^23» Ю 12 м/В
г, °с
К А
f, Гц
1,5
160 ч- 190
-*)
420
—
4,10
— _ .
172
6328
900
3,08
—
160 ч- 190
6328
5-106
—
—
6,4 ±0,1
6328
—
*) Измерено с широкополосным зеленым фильтром.
**) Измерено у электрически зажатого кристалла.
RiU 10-“ м/В
Явз, 10-12 м/в
т9 °с
Д, А
f, Гц
2,7
160 ч- 180
6328
0
[1024]
—
3,05
160 ч- 200
5461
0
[1049]
1,0 ± 0,1
—
160 ч- 190
-*>
420
[1026]
—
2,94 ± 0,06
172
6323
900
[1026]
—
2,79|± 0,08**)
160 ч- 190
6328
5* 106
[1026]
*) Измерено с широкополосным зеленым фильтром.
**) Измерено у электрически зажатого кристалла.
19. Пьезо- и упругооптические свойства. jife = —1,8-Ю-13 см2/дин [1047];
я« = (3,80 ± 0,05) • 10~13 й2/дий-11048]; pike'. -59.19.1.
[1027]
Ри
Pi2
Р 38
Рее
Pi 2
Р21
Рз1
Ргг
0,130
0,142
0,100
0,030
0,227
0,183
0,166 .
0,178
Pis Р23 — 0,330; Р44+Рбб = 0,075;
ошибка измерения «10%, определялась методом рассеяния'света на упругих
волнах. '" ’ ' ’ ’ *'"• •

436
59. МОЛИБДАТ ГАДОЛИНИЯ Gda (M0OJ3
res, ЮМ GfCS гез, 10~12м/3
Рис. 59.18.1, Зависимость электрооптического коэффициента re3 Gd* (Мо04)3 от
температуры: [1046] (а), [501] (б).
R,j,irtzM/B
Рис. 59.18.2. Зависимость электрооптического коэффициента /?вз Gda(Mo04)3 от
температуры: сплошная линия —теоретическая кривая, штриховая линия — гипотетическое
поведение в предположении, что Gd2(Mo04)3 —чистый сегнетоэлектрик [1026]; О» А—кривые
получены методом, приведенным в [472].
ртп при к = 6328 и 5145А [1030]*)
Pit
Pa»
Pit
P44
Рьь
Pi*
Pis
Pti
Pa
Pet
Pa
0,19
0,235
0,115
—0,033
—0,028
0,31
0,175
0,215
0,175
0,185
0,23
*) Метод Диксона и Коэна, точность измерения для продольных констант
±5%, сдвиговых — в пределах ±10%.
21. 	Акустооптические свойства. М2 « Ю1? ед. СГСЭ для vi [1027]; см,
также [1030]; Mf = 4,5; М? - 4,7; Mf = 0,83; Mf = 1,56; Mf=*4,9,

59. МОЛИБДАТ ГАДОЛИНИЯ Gd2(Mo04)3
437
Значение М2 с точностью ±5% по отношению к максимальному
значению М2 плавленого кварца для Vi вдоль главных осей при Х, = 6328А:
1-й индекс — направление распространения акустической волны, направление
поляризации которой указывает 2-й индекс [1030].
22. Пьезоэлектрические свойства. dB6 — 2d312 = 4*10-12 Кл/Н при / =
= 232 кГц [1023].
°>5йД[100] ~ 0,0005; 0,5^ = 0,0003 [1031]; рис. 59.22.1—59.22.3.
23. Дополнительные сведения.
Е с, кВ/см
Ps, Кл/м2
т
5,0
0,17
_
[1032]
—
0,17
—
[1024]
2,5
0,185 -10 ~ 2
—
[1023]
3
0,18* 10""2
—
[1037]
2,5
0,02
—
[1050]
—
0,2-10“"2
при Гк;
[2034]
—
21,8 ± 0,2
—■
[,1048]
Pik
0,20
0,10
II ••••**#**• •• • •••••*'Рзз
• . . ••#**•«•••••• pf3
\7к
ii- 1_
150
170
Ф.
180
Т}°0
РйС. 59.19.1. Зависимость упругооптических постоянных Gd3(Mo04)3 от температуры;
» Ри («); р\з н рЛц <б)

438
59. МОЛИБДАТ ГАДОЛИНИЯ Gd2(Mo04),
,2Кп/Н
Ье,1(Г12Кф
Рис. 59.22 I. Зависимость пьезомодуля ds9 Gd2(Mo04)3 от температуры: (ЮО)-срез-
сдаиговые колебания, ф-Е- < О, А-Е- > 0 (а); 0~динамические измерения, ф-
квззистатические измерения (б) [1039].
^26} 1010В/м'
Рис. 59 22.2. Зависимость пьезоэлектрической постоянной Gd2(Mo04)3 от
температуры.[1039].
Рис. 59.22.3. Зависимость пьезомодуля da% Gda(Ma04)a-от■ температурило—£= 10 кВ/см,
4^—£=5-1 0 кВ/CM Ш)\ Q—квЗЗйстатичес'кий режим, ^-—динамический режим (б) [1040J.

60. МОЛИБДАТ СЁЙНЦА (ЁУЛЬФЕНИТ) РЬМоО*
439
В сегнетофазе оптически двуосный [1027]. Эффективность
электроакустического взаимодействия /?©//?<» = 50 дБ, Q2 = 0,05« 10~12 м3/Дж для osrooij»
/ = 550 МГц.[1051].
Углы и коэффициенты отражения и преломления упругих волн на
доменной границе см. [1037]. Зависимость спонтанной деформации от температуры
в орторомбической фазе см. [501]. Петля гистерезиса Gd2 (Мо04)3—см. [1037].
Зависимость спонтанной поляризации Gd2 (Мо04)3 от температуры см. [1036,
1046]. Зависимость спонтанного двупреломления и напряженности
электрического поля от температуры при А, = 6328А см. [1052].
60. 	МОЛИБДАТ СВИНЦА
(ВУЛЬФЕНИТ, СВИНЕЦ МОЛИБДЕНОВОКИСЛЫЙ) РЬ Мо04
1. Вид материала. Монокристалл синтетический, выращивается из
расплава. Природный минерал желтый, иногда сероватый, зеленоватый,
коричневый [1053].
2. Симметрия кристалла. Тетрагональная, 4/m, MJa, (Cjft), структурный
тип шеелита [97, 1053—1055].
Постоянные решетки, А. а = 5,414, с— 12,0789 [97], а = 5,432, с= 12,107
[1057].
3. Молекулярный вес. 367,13 [97].
4. Плотность, г/см3. 6, 95 [1053, 1055—1057], 6,5 -г- 7,0 для природного
вульфенита [478].
5. Температуры фазовых переходов, °С. Тпл = 1060 [1053]; Гпл= 1065 [1057].
См. рис. П.П.18.
6. Растворимость. Растворяется в кислотах, едком кали. Не растворяется
в холодной воде, этиловом спирте [97]. Разлагается в концент рированной
серной кислоте [2]. Избирательный травитель см. [1057].
7. Удельная теплоемкость, кал/г-К. 0,100 при Т = 288 К [2].
8. Тепловое расширение, .10*”'® К”1, 0^=10, а3 = 25 [1055].
9. Теплопроводность, мВт/см-К, Хц = и33= 15 ± 2 [1055].
10. Спайность. По (011) [2, 1057].
11. Твердость. По Моосу 2,75 ~ 3 [2, 1057].
12. Упругие постоянные, рис. 60.12.1.
смю Ю11 Н/м2
Си
сзз
С44
С\г
С13
Cie
1,092
0,917
0,267
0,337
0,683
0,528
0,136
[1055]
1,08
0,952
0,264
0,354
0,632
0,507
0,158*)
[1058]
1,09
0,92
0,267
0,337
0,68
0,53
—0,14
[1054]
*) Данные рассчитаны из измерений скоростей ультразвука импульсно-
фазовым методом и из картин Шефера — Бергмана. Средняя точность измере-
ния скорости 2 3%. -

440 60. МОЛИБДАТ СВИНЦА (ВУЛЬФЕНИТ) РЪМоО*
san, 10-“ м2/Н [1054]
Slt
S8S
s44
S99
si*
S13
sie
2,10
1,66
3,75
4,06
1,24
—0,49
1,35
Рис. 60.12.1. а) Зависимость модуля Юнга Ejq от ориентации для растягивающего
напряжения, приложенного в плоскости (001) для: /—РЬМо04> 2 — SrMo04, 5—СаМо04,
4—CaW04; б) сечение плоскостью (001) поверхности обратных скоростей 1/v РЬМо04
(квадрант ху), пунктирные линии у, оси акустической симметрии [1054].
///-I/o
Sfooi]
[72].
Рис. 60.13.1. Сечения
поверхностей обратных
скоростей РЬМо04 плоскостью
(001): I-QL, II-QS,
Рис. 60.13.2.
Зависимость скорости упругих
волн V в плоскости ху
РЬМо04: /— vR, 2 — QS,
® VS г ooi]* от
угла между
направлением распространения и
осью х [1039].
v,,m/b
Рис. 60.13.3.
Зависимость скорости упругой
рэлеевской волны vR в
у-срезе РЬМо04 от угла
между направлением
распространения и осью х
[1059].
13. 	Скорости упругих волн, 105 см/с, рис. 60.13.1—60.13.3, см. рис. П.II.4,
ПЛ 1.5, П.П.18.

60. МОЛИБДАТ СВИНЦА (ВУЛЬФЕНИТ) РЬМоО*
441
"зв
иав
Ч
VS
[100]
[100]
3,98
[1053]
[100]
[010]
—
2,20
[1053]
[100]
[001]
—
1,99
[1053]
[001]
[001]
3,75

[867, 1053]
[001]
[001]
3,632

[1055, 72, 614]
[100]
[001]
—
1,961
[1055, 72, 614]
[100]
(ху)
4,003
—
[1055, 72, 614]
\&- - о!
2 ’ 2 *
(ху)
4,339
1,312
[1055, 72, 614]
:± 1а о
2 ’ 2 ’
(ху)
3,970
2,198
[1055, 72, 614]
Г 1 1 1
I0, V2' J/2J
(У*)
3,860
—
[1055, 72, 614]
[т- •]
(001)
4,30 ± 0,05
1,30 ± 0,05 *)
[1054]
*) При Ткомн, /=15 МГц, метод эхо-импульса.
v — 3,83 • 105 см/с; v/p = 0,55* 105 см4/г*с [607].
14. Затухание упругих волн. 1,0 ± 0,2 дБ/мкс для vzz, / = 500 МГц [1053].
1,0 дБ/мкс, / = 500 МГц [583];
2,5 дБ/см, / = 500 МГц [72];
0,3 дБ/см, /=100 МГц, 0,16 дБ/см, / = 200МГц [614], рис. 60.14.1, 60.14.2r
см. рис. П.П.13, П.П.14.
15. Диэлектрические свойства. 8 = 26,8 при / = 4• 108 Гц [2]; 8ца = 34,0;
8„с = 40,6 [1057].
16. Показатель преломления.
[1057]
X, мкм
По
пе
X, мкм
По
пе
0,4046
2,7191
2,4429
1,500
2,2808
2,1817
0,4800
2,5136
2,3409
2,000
2,2679
2,1769
0,5086
2,4754
2,3185
2,500
2,2577
2,1686
0,5460
2,4388
2,2959
3,000
2,2474
2,1603
0,5770
2,4160
2,2814
3,250
2,2418
2,1556
0,6438
2,3808
2,2581
3,500
2,2360
2,1507
1,014
2,3072
2,2066
3,750
2,2297
2,1455

442
60. МОЛИБДАТ СВИНЦА (ВУЛЬФЕНИТ) РЬМоО*
Я, мкм
по
0,66782
2,371
2,252
[1053,614]
0,58756
2,409
2,277
[1053,614]
0,50157
2,483
2,324
[1053, 614]
0,49219 i
2,496
2,331
[1053, 614]
0,47131
2,528
2,349
[1053, 614]
0,44715
2,576
2,375
[1055, 614]
0,6328
2,262
2,386 *)
[1055, 72]
0,5145
2,315
2,469*)
[1055, 72]
0,4880
2,335
2,502 *)
[1055, 72]
—
2,282 **)
2,405
[571]
0,6328
2,258
2,38
[1056]
*) В [1055] приводятся интерполированные значения.
**) Значения для природного вульфенита.
[1060]
X, мкм
0,4358
0,4861
о,
5461
по
пе
"о
пе
%
2,6045
2,3854
2,5043
2,3355
2,4388
2,296
X, мкм
0,5876
0,5892
0,6563
по
пе
%
пе
по
V
2,4095
2,2772
2,4084
2,2764
2,3758
2,2547
17. 	Пропускание и поглощение. 0,4 5,5 мкм [57, 867, 1053], рис. 60.17.1
19. 	Пьезо- и упругооптические свойства.
%, мкм
Pi 3
Pie
Р 23
Рз1
Р46
Ре 1
0,5145
0,254
[1055]
0,6328
0,255±
0,017±
__
0,175±
0,01 ±
0,013±
[1055]
—L
5%
ю%
5%
50%
20%
__
—
- 0,487
- . —.
—
—
[1867]
0,35
0,01
—
0,14
—
0,05
[1058]

*60. МОЛИБДАТ СВИНЦА (ВУЛЬФЕНИТ) РЬМо04
443
Д Ш/лигс
Рис. 60.14.1. Зависимость затухания В упругих волн РЬМо04 от частоты: ф—для v^ r001J,
О—Для v<j в плоскости ху в направлении, составляющем 29° с осью у [1055].
В, дБ/см
1>%
100
ВО
20
0,3 0,5
1,0
5,0 5,0
Я, шм
Рис. 60.14.2. Зависимость
затухания упругих волн В
от частоты: 1—для прустита
Ag3AsSa, 2 — для РЬМо04 и
а-НЮз [867].
Рис. 60.17.1. Оптическое
пропускание / РЬМо04 с учетом потерь на
отражение (ft= 1 см) [1055].
А,, мкм
Ри
Рзз
Р44
Рвв
Pi 2
0,5145
0,309

[1055]
0,6328
0,24 ± 10»/о
0,3 ± 5%
0,067 ±[20%
0,05 ±20%
0,24 ± 10%
[1053]
■ —
0,28
0,28

0,04
0,28
[1058]

444 61. ПРУСТИТ Ag3AsS3
21. Акустооптические свойства. См. рис. П.П. 13, П.И. 14.
К мкм
"зв
"зв
Е
«СВ
Мг, 10 —18 с3/г
0,6328
[100]
[100]
[001]
[010]
5
[1053]
0,6328
[100]
[100]
[100]
[010]
16
[1053]
0,6328
[100]
[100]
[010]
[001]
16
[1053]
0,6328
[100]
[010]
[100]
[001]
8,5
[72]
0,6328
[001]
[001]
[100]
[010]
23,7
[72]
0,6328
[001]
[001]
[001]
[010]
23,7
[72]
0,5145
[001]
[001]
[100]
[010]
28,9
[614]
0,4880
[001]
[001]
[100]
[010]
37,4
[614]
Максимальное значение М3 = 36* 10~12 см-с2/г для и/, в направлении N3B
(0,35; 0,67; 0,65) [1055].
При средних частотах дифракции менее 700 МГц для квазипродольных
волн наибольшее значение коэффициента качества М2 достигается для
направления ху—65° (М2 « 5 -10~18 ед. СГСЭ), а для квазисдвиговых волн на
средних частотах дифракции менее 500 МГц—соответственно для
направления —5° (М2 « 12* 10”18 ед. СГСЭ) [1061].
Мг = 120*10 ~7 см2*с/г, Л42= 35,8* 10~18 с3/г,
М3=30-10-12 см• с2/г, А, = 0,6328 мкм [583].
23. 	Дополнительные сведения.
Двойникование по [001] и [010] см. [571]. Зависимость изотропного
модуля Юнга и модуля сдвига от молекулярного веса см. [1054].
61. 	ПРУСТИТ Ag3AsS3.
1. Вид материала. Монокристалл синтетический, выращивается из
расплава в запаянной кварцевой ампуле методом Стокбаргера из элементарных
серебра, мышьяка или серы и методом Бриджмена [867, 1062—1066].
Естественный минерал красного цвета с алмазным блеском 65,42% Ag,
15,14% As, 19,44% S, образующий непрерывный ряд твердых растворов с пи-
раргиритом [571].
2. Симметрия кристалла. Тригональная, класс 3m, C%v (R3c) [1062, 1067,
1068, 571, 866, 1065, 1069].
Постоянные решетки, А.

61. ПРУСТИТ Ag3AsS8
445
а
с
10,74
8,64
[1062, 1068]
10,77
8,67
[1067, 1070]
10,756
8,652
[1071]
10,76 *)
8,66 *)
[571]
*) а, с—гексагональная установка.
4. Плотность, г/см3. 5,635±0,002 (пикнометрическая) при 71 = 20°С;
5,629±0,002 (гидростатическая) при 7, = 20°С [1071]; 5,57 [377, 571].
5. Температуры фазовых переходов.
Гс = 28,7 К-переход из Зт в / [1075].
Т , °с
пл
т , к
т , к
с%
496 ±3
[1071]
490
—
—
[571]
—
26*)
57**)
[1072, 1074]
—
100ч-110**)
[1073]
*) Фазовый переход первого рода.
**) Фазовый переход второго рода.
6. 	Растворимость. Не растворим в воде [416].
Растворитель: концентрированная H2SO4; H2S04:
К2Сг07 при соотношении 20:0,5 (вес части),
10 об.ч. H2S04:1 об. ч. HN03 [1066].
8. 	Тепловое расширение. Рис. 61.8.1.
10. Спайность. Совершенная по (ЮТ 1) [571].
11. Твердость. По Моосу 2-т-2,5 [446, 571].
•^urnin = 70 кгс/мм2, Я „ = 105 кгс/мм2, из-
мерялась на приборе ПМТ-3 при нагрузке 50 г
[1067].
Я(А=:(133±1) кгс/мм2 [1071];
#Д1|С = 146 кгс/мм2, инденторная нагрузка
50 г, при 7, = 20-т-150 °С; Н^^с — 107 кгс/мм2
[1065].
Рис. 61.8.1. Коэффициенты
линейного расширения: /, 2 —
прустита Ag8AsS8; 5, 4— пи-
раргирита Ag3SbS8 (/, 3 — ацс;
2.4-а±с),

446 61. ПРУСТИТ Ag3AsS3
12. 	Упругие постоянные.
стп, 1011 г/см-с2 *)
С11
^33
С44
«в
5,70±2о/о
3,64±2%
0,90
1,26^5%
*) Вычислены из измерений скоростей звука интерференционным и эхо-
методом [1076].
13. Скорость распространения упругих волн, v\ 10б см/с.
1—1
о
о
VL [010]
rwn
О
О
с?
О
О
о
о
со
р—1
о
о
со
о
1
г—1
|2
<м
|—а
со
I2
<м
&
2,65
_
[867, 1077]
3,2»)
—
2 ,6 *)
—
—
—
—
—
[69]
3,2**)
2,98 **)
2,60 **)
1,50**)
1,28 **)
—
—
[81]

■—
,
—
3,21
1,58
1,25
[873]
*) Измерено методом рассеяния света на упругих волнах.
**) Измерено интерференционным и эхо-методом.
Температурные коэффициенты скоростей упругих волн—см. рис. 61.14.1,
П.П.2.
Рис. 61.14.1. Зависимость затухания упругих волн В: /—/=30, 2 —/=60, 3—/=100 МГц,
4—скорости упругой волны f00ij прустита Ag3AsS3 от температуры (кривые /, 3
снимались в режиме охлаждения; для кривой 2 при /=60 МГц показан температурный
гистерезис (ТГ)) [Ю72].

61. ПРУСТИТ Ag3AsSs
447
14. 	Затухание упругих волн, дБ/см*МГц2. 4,5 для ^[obl] [377], рис. 61.14.1
см. рис. 60.14.2.
h МГц
В. ДБ/мкс (*L[100])
В, дБ/мкс (?L[001])
50
0,25
[1077]
100
—
1
[1077]
200
—
4
[1077]
560
1,5*)
2 ,5 *)
[1069]
*) Измерено методом рассеяния света на упругих волнах.
15. Диэлектрическая проницаемость. Зависимость 8 от температуры см.
[1078].
16. Показатель преломления. Рис. 61.16.1, 61.16.2.
Я, мкм
"е
по
0,5876
2,7896
[1077]
0,6328
2,7391
3,0190
[1077]
0,6678
2,7094
2,9804
[1077]
1,014
2,5901
2,8264
[1077]
1,129
2,5756
2,8067
[1077]
1,367
2,5570
2,7833
[1077]
1,530
2,5485
2,7728
[1077]
1,709
2,5423
2,7654
[1077]
2,50
2,5282
2,7478
[1077]
3,56
2,5213
2,7379
[1077]
4,62
2,5178
2,7318
[1077]
0,63
—
2,98
[867, 1077, 377]
1,15
2,711
2,82
[1069]
2,5
2,748
—
[866]
—
2,711
2,979
[446, 1081]
[1079]
т. °с
20
40
60
80
100
120
По
3,0185
3,0195
3,0229
3,0257
3,0279
3,0306
пе
2,7387
2,7402
2,7437
2,7466
2,7500
2,7526
о
о
140
160
180
200
220
240
По
3,0379
3,0464
3,0499
3,0526
3,0545
3,0590
пе
2,7546
2,7630
2,7799
2,7739
2,7750
2,7741

448
61. ПРУСТИТ AgeAsS,
по—пе = 0,2 [1062].
(^) (^) = *—0,22> п0 (к/2) л© (А») = 0,059 при ^=2t5 мкм [866]*
Щ,Ве
Рис. 61.16.1. Дисперсия
показателей преломления по и пе
прустита Ag3AsS3 в ИК-области
спектра [1079].
Рис. 61.16.2. Дисперсия двупрелом-
ления Ап: / — прустита Ag3AsS3,
2 — пираргирита Ag3SbS3
(О—данные взяты из работ [1062] для
кривой 1 и из [1080] для кривой 2)
[1079].
17. 	Пропускание и поглощение. 0,6ч-13 мкм [866, 1083, 1064, 1069,
1081]; 0,6ч-13,5 мкм, измерено на спектрофотометре, в этом диапазоне А
изменялось от 0,5 до 1,15 см-1 для образцов h = 7 мм, /==60%, максимальное
отражение 25%; рис. 61.17.1—61.17.5.
А = 0,3 см-1 [867, 1077].
Спектр отражения см. [1064].
А, см*
Рис. 61.17.1. Дисперсия
коэффициента поглощения А прустита
Ag3AsS3 при Т=20 °С,
измеренная на пластине *-среза [1062].
Рис. 61.17.2. Оптическое
пропускание I: /—прустита Ag3AsS3
без учета потерь на отражение
(Н= 1,72 мм), 2 — пираргирита
Ag3SbS, (ft=0,l мм) [446].

61. ПРУСТИТ Ag.AsSi
449
A, ctr1
Рис. 61.17.3. Оптическое пропускание
прустита Ag3AsS3: /—без учета потерь
на отражение, 2 — с учетом потерь иа
отражение (h— 1,7 мм) [1071].
Рис. 61.17.4. Дисперсия
коэффициента поглощения А
прустита Ag3AsS3 [1082].
Л, мкм
Рис. 61.17.5. Оптическое пропускание /: /—Ag3SbS3, 2 — Ag3AsSe3, <3 —TlsAsSe3, верхняя
кривая—пропускание 100%' £879].
19. 	Пьезо- и упругооптические свойства.
/?23 = 0,2 при А, = 0,6328 мкм [867].
X, мкм
Рм
•
Р 33
Р\2
Р13
Р 31
Р41
0,63 *)
0,088
0,186
0,104
0,110
0,174
0,01
[1069]
1,15*)
0,056
0,100
0,082
0,068
0,103
0,01
[1069]
0,6328
0,10 ±20%
0,20± 15%
0,19± 15%
0,22± 10%
0,24 ±20%
—
[1076]
*) При ^ = 0,63 мкм измерено методом Диксона и Козна, при %= 1,15 мкм
измерено путем сравнения относительной интенсивности света, рассеянного
при % = 0,63 мкм и 1,15 мкм.
15 Под ред. М. П. Шаскольской

450
61. ПРУСТИТ Ag*As$8
20. Нелинейные оптические свойства.
X, мкм
d2i0
22
^20 ю-12 м/в
10~‘2 м/в
с-
10-2 М2/Кл
50 *)
30 *)
[1062]
1,152
—
15,08 ± 2,2
—
0,64 ± 0,09
[392]
10,6
—
—
28 ,38 ± 1,8
—
[392]
*) По отношению к dlf KDP.
21. Акустооптические свойства.
к, мкм
"зв
"зв
"св
Е
Ми
10""7 см2-с/г
M2t
10-18 с8/г
0,6328 *)
[001]
[001]
[010]
[ТОО]
260
[867]
0,63
—
—
—
—
—
150 **)
[1069]
1,15
—
—
—
—
—
31**)
[1069]
—
[100]
[100]
[001]
[100]
—
50
[1069]
—
[100]
[100]
[001]
[010]
—
160
{1069]
0,6328
[001]
[001]
[010][100]
[100] [010]
—
300
[1069]
—
[100]
[100]
[010]
[001]
—
140
[1069]
—
[001]
[001]
[010] [100]
[0011 [010]***)
170
[1076]
0,63
[001]
[001]
—
±[001]
320
390 ****)
[377]
*) Измерено методом Диксона и Коэна.
**) М33 в обозначениях автора.
***) Возможна ошибка автора, так как в этом направлении М2~300.
****) У автора ошибка в единицах измерения.
23. 	Дополнительные сведения.
Имеет проводимость p-типа, Eg = 1,98 эВ [1071];
£genp =2,012 эВ (Я|)с), £§епр =*2,004 эВ,
£gp = 2,156 эВ (£|]с), £gp = 2,125 эВ,
дЕе/дТ = 3,48*10-4эВ/К, Т= 77-300 К.
Оптические переходы см. [1064]. Магнитная восприимчивость в
направлении оси с Хц с= —- 0,332-10“6 см3/г, в направлении, перпендикулярном
оси с, Xj_c~ — 0,481 -10~6 см3/г; рд= 1,88-105 Ом-см в направлении оси с,
РЯ = 0,82*105 Ом-см в направлении, перпендикулярном оси с [1065].
Коэффициент нелинейной поляризации прустита см. [93]. Зависимость
макроскопической поляризации от температуры см. [1078]. Зависимость
пироэлектрического коэффициента от постоянного электрического поля при 26 К см. [1078].

62. ПИРАРГИРИТ Ag8SbSa
451
62. 	ПИРАРГИРИТ Ag3SbSs
1. Вид материала. Монокристалл синтетический, темно-красный,
прозрачный. Выращивается из расплава вертикальной направленной
кристаллизацией.
Природный минерал, прозрачный, темно-красного цвета с металлическим
или алмазным блеском [1084, 1085, 1065, 222, 571],
2. Симметрия кристалла. Тригональная, класс 3m, R3c, C%v [222, 571, 1065].
Постоянные решетки, А. Ромбоэдрическая ячейка: «ромбоэдр — 7,01,
а=Ю4°06', Z = 2 [222, 1086].
Гексагональная ячейка: ^гекс =11,06, Сгекс = 8,73, с/аГекс = 0,789 [222,
1086]; >= 11,058, с=8,698 [1087].
4. Плотность, г/см3. 5,83 ± 0,01, измерено гидростатическим методом при
20° С [927].
5. Температуры фазовых переходов, °С. 7,пл = 473 ± 3 [1087]; Гпл=486
[571].
6. Растворимость. Травится H2S04 и H2S04: К2Сг207 (20 весовых частей:
0,5 весовых частей) [1066].
8. 	Тепловое расширение.
<Xjl с/ап с= 1,48 при Г=150°С [1065], см. рис.'63.8.1.
10. Спайность. Совершенная по (10Т1) [571].
11. Твердость. По Моосу 2 ч-2,5 для природного минерала [571].
Hii = 93 кгс/мм2 при нагрузке 50 г и Г = 23° С в направлении оси с [1065];
Нц = 71 кгс/мм2 при нагрузке 50 г, перпендикулярной оси с, и Т = 20-f- 150 °С
[1065]; #*а = 114 ± 1 кгс/мм2 [1087].
14. Затухание упругих волн, дБ/см. 1,3 при / = 3 МГц, 71 = 7,КОМн
[1087].
15. Диэлектрические свойства. 8 = 27 [1087].
16. Показатель преломления.
п0 = 3,084, пе = 2,881 [571];
по—пе = 0,128 при ^ = 5,3 мкм [1085];
по—пе = 0,14 при Я = 5,4 мкм [1087], см. рис. 61.16.2.
17. Пропускание и поглощение. 0,6 13,5 мкм [602]; рис. 62.17.1, 62.17.2,
см. рис. 61.17.2, 61.17.5.
Л0 = 0,34 ± 0,05 см-1, Л* = 0,08±0,04 см~г при Л, = 10,6 мкм [1084].
20. 	Нелинейные оптические свойства.
'd!®= (0,32-±.0,10)-10-* см/ст-В,
dliM= (0,30 ± 0,10).10-? см/ст-В,
dlfl dl?= 1,05 ± 0,04 [1084],
rff“= (13,4 ± 4).Ю-i2 м/В,
б1“=(0,55 ± 0,16). 10-2 м2/Кл для Х=10,6 мкм;
^“ = (12,6 ± 4)-10-12 м/В,
61“ = (0,58 ± 0,18).10-2 м2/Кл для Х= 10,6 мкм [392].
15*

452
63. НЙОБАТ ЛИТЙЯ LiNbOa
Рис. 62.17.1. Оптическое
пропускание / Ag3SbS3 без учета
потерь на отражение (h =1,2 мм)
[1087]. '
Рис. 62.17.2. Оптическое
пропускание / пираргирита
Ag3SbS3: /— Е\\с, 2 — Е±с
(Л=5 мм) [1084].
23. 	Дополнительные сведения.
Кристаллы диамагнитны.
с~ — 0,316* 10”6 см3/г, = —0,401*10-6 смз/г> хХ£?/х|1с= 1,27
[1065].
В интервале 160 ~ 400 °С наблюдается уменьшение веса на 1,5% в
результате диссоциации материала [1087].
рд п / P^j_ = 2,03, р^ =3,37* 104 Ом*см, pj^j_ = 1,66 *104 Ом-см при/== 10 кГц,
pR=\0^~- 106 Ом*см [1087].
Термическая ширина запрещенной зоны
£*=1,77 эВ [1088, 1064].
63. 	НИОБАТ ЛИТИЯ t*iNb03
1. Вид материала. Монокристалл синтетический, бесцветный, выращивается
из расплава* по методу Чохральского, Бриджмена—Стокбаргера и флюсовым
методом [1089, 1090, 1091, 1092, 1093, 1094, 634].
2. Симметрия кристалла. Тригональная, класс 3mf R3c(C%v) [1089, 1095].
Постоянные решетки, А.
Ромбоэдрическая ячейка
а
а
5,482
56°02'
[1097]
5,4920
55°53'
[1098]
5,497
55°55'
[1099]
5,4944
55°52'
[1090]

63. НИОБАТ ЛИТИЯ LiNbOa 453
Гексагональная ячейка
а
с
cja
5,150
13,816
« 2,69
[1097]
5,147
13,856
[1098]
5,154
13,865
—
[1099]
5,14829±2.10-5
13,8631 ±4* 10~4
2,693
[1100, 1101, 1090]
5,1489
13,863
—
[634, 1102]
5,1483
13,865
—
[1103]
d= 1,287 А, лг-срез, с/ = 1,489 А, у-срез, = 1,15 А, г-срез [634].
3. Молекулярный вес. 147,843 [1100].
4. Плотность, г/см3. 4,70 [79, 1089], 4,612 [1104], 4,640 при Г = 4°С,
4,628 при Г = 23 °С [377, 1100, 1105, 1106], 4,63 [32].
5. Температуры фазовых переходов, °С. См. рис. П.II. 18.
Гпл= 1170 [1107]; Тпл = 1250 ± 5 [1019, 1089]; Гпл = 1260 [1105]; Гпл =
= 1253 [1090, 1108, 1109]; Гпл=1238 [543]; Гк=1170 [1110]; Гк=1140,
определена рентгенографически [1111]; Гк=И95 [714]; Гк=Н65 [634];
Гк=1210± 10 [1112, 1113, 727, 714].
6. Растворимость, 10“4 моль/л воды.
[1094, 1114]
Г, °С 0 25 50 75 100
Растворимость 2,3 2,8 4,3 6,0 7,4
7. Удельная теплоемкость, кал/моль «К.
7д = 503 К [1108], 7д > 300 К [1115].
[1115]
т., К
Ср
т* К
Ср
т, к
Ср
т, к
Ср
80
4,80
160
14,40
240
20,40
320
23,55
90
6,30
170
15,40
250
20,90
330
23,85
100
7,70
180
16,35
260
21,35
340
24,10
110
8,90
190
17,30
270
21,85
350
24,40
120
10,10
200
18,15
280
22,20
360
24,65
130
11,25
210
18,75
290
22,55
370
24,85
140
12,35
220
19,35
300
22,90
380
25,05
150
13,40
230
19,90
310
23,25
390
25,35

454
63. НЙОБАТ ЛИТИЯ LiNbOs
8. 	Тепловое расширение, 10"6 К-1. Рис. 63.8.1, см. рис. П.11.1.
«1= 16,7 (24 — 800 °С), а3=2,0 (24 -s- 600 °С), Р = 36,5-10~3 (24 ~ 1000 6С),
*-срез, а—14,4, (3 = 7,Ы0~3, у-срез, а= 15,9, р = 4,9*10~3, х, у-срез,
а= 15,4, Р = 5,3-10~3 при Г = 0~ 500°С [634], ап= 15,4, а33 = 7,5 [1106].
Кзз, 10*К1
Рис. 63.8.1. Коэффициенты
линейного расширения а14 и а33
LiNbOз [1115].
Рис. 63.9.1. Зависимость
теплопроводности ус LiNbOз от температуры:
ф— измеренная вдоль тригональной
оси, О» X—измеренная
перпендикулярно тригональной оси [1115].
9. Теплопроводность, кал/см«с*К. 1,Ы0“2 при Г^ЗОО К [1108],
рис. 63.9.1.
10. Спайность. Нет.
11. Твердость. По Моосу 5 5,5 [1116].
Нц = 450 — 500 кгс/мм2.
Зависимость твердости по Кнупу от угла между направлением индентора
и кристаллографическими осями.
Зависимость микротвердости от глубины проникновения идентора в
кристалл см. [1116].
[1117]
Направление
Плоскость
Я, кгс/мм2
Направление
Плоскость
Н, кгс/мм2
[110]
(010)
530 ± 10
[010]
(001)
570 ± 5
[110]
(001)
560 ± 5
[001]
(110)
650 ± 15
[010]
(110)
570 ± 10
[001]
(010)
780 ± 10

63. НИОБАТ ЛИТИЯ LiNbO, 455
12. Упругие постоянные.
Ю12 ДИН/СМ2
СЕ
стп
Си
£зз
С44
Св9
Ci г
Cl 3
Си
сВ
-2,04
2,42
0,672
[1118]
с*
1,925
2,435
0,565

—
—
.—
[1119]
св
2,03
2|45
0,60
0,75
0,53
0,75
0,09
[1120]
св
2,050
2,384
0,598
0,727
—
—
—0,091
[1121]
св
2,02
2,40
0,607
0,729
0,557
0,690
0,0749
[1122]
Св
1,99
2,38
0,592
0,722
—
0,742
0,077
[1112]
св
2,030
2,424
0,595
0,728
0,573
0,752
0,085
[1106]
св
2,059
2,49 *)
0,607
0,733
0,565
0,750
0,083
41123]
2,06±0,03
2,36±0,028 **)
*) У авторов здесь опечатка.
**) Расчетные данные.
CD
33
•й
2,52
2,19
[1120]
2,51
2,18
[1112, 1122]
2,49 ± 0,028
2,21
[1124]
Ею = 17 150 кг/мм2 на {1120}, = 13 400 кг/мм2 на {0001} [1116].
smn, 10“12 см2/дин (2s13 + s44== 1,39±0,05) [1092]
S11
S83
*44
see
S 12
S1 3
s*
0,564
0,494
__
__


-0,084
[1125]
s*
0 , 564±0 , 001
0 , 494±0 ,011
—
—
_
—
0 ,084±0,015
[1092]
s*
0,578
0,502
1 ,70
1,36
-0,101
-0,147
-0,102
[1120]
SD
0,520
0,87
1 ,08
1 ,13
—0 ,044
~0,145
—
[112.0]
s*
0,581
0,495
1 ,481
—
—
—
[1119]
s
0,577
0,492
1 ,66
1 ,39
—0 ,117
-0,132
—0,0853
[1162]
s*
0,5831
0,5026
1 ,710
1 ,396
-0,1150
-0,1452
—0,1000
[1106]
sb
0,581
0,512
I ,76
1 ,40
—
0 ,150
0,091
[1112]*)
*) Импульсный метод. Относительная ошибка измерения < 1%.

456
63. НИОБАТ ЛИТИЯ LiNbOg
Рис. 6 3.12.1. Зависимость
упругих податливостей
, LiNb03 от температуры
[1092].
»тп J
Рис. 63.12.2. Зависимость диэлектрических
проницаемостей: /—г^/е о» 2 —ejg/e 0;
пьезоэлектрических модулей: 3—йзи 4—d2i и 5—упругой по-
Г
датливосги LiNb03 от температуры [1112].
240 Т,°С
Рис. 63.12.3. Зависимость частотных постоянных N, пьезоэлектрических постоянных е и
упругих жесткостей стп LiNb03 от температуры для тонких пластин у-среза,
совершающих продольные и сдвиговые колебания по толщине, и *-среза, совершающего
сдвиговые колебания по толщине: штриховая кривая—у-срез, совершающий продольные
колебания по толщине; штрихпунктирная кривая—л:-срез, совершающий сдвиговые колебания
по толщине; сплошная линия ~-|/-срез, совершающий сдвиговые колебания по толщине
[1112].
с33,1011Н/№
&
2,2
2,0
е33зКл/л!2 Npfy-M
0
240 Т}°0
О 80 1
Рис. 63.12.4. Зависимости: /—частотной постоянной 2—пьезоэлектрической постоян-
Z7 1
ной е38, 3 —упругих жесткостей Сд0, 3 — упругих жесткостей
ьзз*
LiNbO» от
температуры Для пластин z-среза, совершающих продольные колебания по толщине [1112].

63. ЙЙОБАТ ЛИТИЯ ЫЫЬОз
45?
Температурные зависимости упругих постоянных 10“4 К"*. Рис. 63.12.1—
63,12.4.
т
1
3
4
6
1
1 1
п
1
3
4
[б
2
3 4
Тс,пп
— 1,74
—1,53
—2,04
— 1,43
—2,52 -
-1,59 —2,14
74
1 атп
1,66
1,60
2,05
1,43
0,28
1,94 1,33
Т&
= 1»5±0,1,
Tsg=\,
5 ±6Л» Т (2S1I + S44):
= 2,0 ±0,1 при
Т = 20-^200 °С
[1092].
13.
Скорости
упругих
волн, 10"
> см/с.
Рис. 63.13.1-
-63.13.13, см.
рис. П.П.4—П.И.7, П. 11.18.
"зв
"зв
Тип волны
V
[001]
[001]
L
7,2
[1133]
[001]
[001]
L
7,3
[1134]
[100]
[100]
L
6,54873
[1127]
[100]
±[100] « 31° К [010]
S
4,75976
[1127]
[100]
JL [ 100] « 59° К [010]
S
4,03406
[1127]
[010]
[010]
L
6,8379
[1127]
[010]
—
S
4,46667
[1127]
[010]
[100]
S
3,94043
[1127]
[001]
[001]
L
7,33059
[1127]
[001]
±[001], II [100]
S
3,5885
[1127]
[001]
±[001], II [100]
S
3,5885
[1127]
[010]
[100]
S
3,838
[1121]
[001]
[001]
L
7,271
[1121]
[100]
[010]
S
4,0593
[1106]
[100]
[001]
S
4,8012
[1106]
[010]
[010]
QL
6,8822
[1106]
[010]
[100]
S
3,9615
[1106]
[010]
[001]
QS
4,4943
[1106]
[001]
[001]
L
7,3328
[1106]
[001]
[100], [010]
S
3,5740
[1106]
[001]
[001]
L
7,22
[1135]
[010]
[010]
L
6,58
[1135]
[100]
[100]
L
6,57
[1135]
[001]
[010]
S
3,57
[1135]
[001]
[100]
S
3,57
[1135]
[001]
[001]
L
7,33, /=1 ГГц
[807]

458 63. НИОБАТ ЛИТИЯ LiNbO*
Продолжение
"зв
"зв
Тип волны
V
[001]
11001]
S
3,58, Ткоми
' г
[807]
[001]
[001]
L
7,33059
[1103, 1136]
[100]
41° к [001]
QS6
4,79*), 4,75
[1137]
[100]
_L К UaBQS6
QS"
4,079*), 4,05
[1137]
*) Теоретическое значение.
Скорости поверхностных волн для распространения на плоскости yz, ху
и хг см. [28].
[501]
"зв
Тип волны
Метод
Бриллюэна
Метод Шефера —
Бергмана
[011]
56
3,65
56
3,82
—
[011]
5м
3,75
—
56
3,97
—
[101]
5м '
3,53
—
L
6,60
—
[110]
56
4,00
—
[100]
L
—
6,60
56
—
4,65
5м
—
4,02
[ОЮ]
L
—
6,59
56
—
4,52
5м
3,97
[001]
L
—
7,331
5б* м
—
3,59

Ориентация
*-cpe3j
[0011
у- срез
[001]
z-срез
[100]
16,5° двойной
повернутый
срез
ЛГЗВИ[100]
41,5е
повернутый срез
"зви£iooi
-
VR
3,483
3,488
3,798
3,503
4,00
[443, 806]
Avr/v„
0,0252
0,0241
0,026
0,0268
0,0277
[1130, 1131]
kR, %
—
4,92
—
—
1 —
[1138]

63. НИОБАТ ЛИТИЯ LiNbO,
459
[806]
Срез
Направление распространения
2AVj^/voo* %
У
2
0,045
ру, 105 г/см2-с
z-срез v^p
35°#-срез vlq
163°*/-срез
лг-срез
*
34,8
[1139]
34,4
34,8
21,4
22,3
[343]
Рис. 63.13.1. Сечения волновых поверхностей скоростей упругих волн плоскостями (100) (а),
(010) (б); (001) (е): I-vL, //-p|,.///-og [1127].

460
63. НИОБАТ ЛИТИЯ LiNbO,
Vr,m/c
Рис. 63.13.2. Зависимость
скорости рэлеевской упругой волны
vR в jf-срезе LiNbO3 от угла
Эйлера 0 (см. рис. П.1.1,
ПЛ.2); /4<ft, 2-%>h [1128].
Рис. 63.13.4. Зависимость
скорости рэлеевской упругой волны
Vjf 45°-повернутого среза LiNbO3
от угла Эйлера 0 (см. рис. П.1.1,
fl.1.2) (/-со fr=Q, 2-toft=oo)
(1128].
Рис. 63.13.3. Зависимость
скорости упругой рэлеевской волны
vR в z-срезе LiNbOs от угла
Эйлера 0 (см. рис. П.1.1, ПЛ.2)
[1128J.
Рис. 63.13.5. Зависимость
скорости рэлеевской упругой волны
vRi /-для металлизированной,
2-неметаллизированной пластин
LiNbOз от направления
распространения (вплоскости хг) £П 28|.

63. НИОБАТ ЛИТИЯ LiNbOs
N, МГц * мкм
461
дг-среэ
S
у-срез
nl
у-срез
Ns
2-срез
35° у-срез
163° #-срез
2400
2280
3330
2200
3660
3680
3700
2280
[343]
[1112]
Зависимость относительного изменения скорости упругих волн от
напряженности электрического поля см. [1126].
Зависимость скорости распространения повернутого 41,5°-среза LiNb03
от угла между направлением распространения и кристаллографическими осями
см. [ИЗО].
Waa = 306 кГц*см, N33=377 кГц-см, W31 = 305
кГц-см, N16 = 216 кГц-см [1119].
Температурные коэффициенты скоростей упругих
волн, 10~4К, см. рис. 63.13.12, 63.13.13.
Tvф = 0,573 для 131° повернутого «/-среза
Tvl roioj = —1,702, Tvhqqij — —1,159,
TVSnooj гою] = —1,685, Tv$ fl00j fooij = —1,218,
T^ foioj nooj = —1 >434, Tv$ foioj rooij = —1 *430,
Tvs roou roioj ^ T.v$ fooi] fiooj=—2,035 [1106].
74=0,727 для 131° повернутого (/-среза см. рис.
63.13.12, 63.13.14.
3450
то
2,8
¥
%2
¥
ф
+0°
+/•
0°
-г
-8-
-J l I l I ! L- I
. I ... .I,,.. I ,Д > * * т
54? Ж ж 182°в
Рис. 63.13.6. Зависимость
скорости упругой рэлеевской
ВОЛНЫ VR9 величины ЛО^/Оов
и угла потока энергии Ф у~
среза LiNbO, от угла
Эйлера в (см. рис. ПЛ.1, ПЛ.2)
I44!-
Рис. 63.13.7. Сечения поверхностей обратных скоростей
LiNbO, плоскостью у г без учета [пьезоэффекта (а),
плоскостью ху с учетом пьезоэффекта (б) [72|.

Ркс. 63.13.8. ^Зависимость
скорости упругой рэлеевской волны
Vg и величины kv^/v« *"ось
були LiNbOa от угла Эйлера ц
(см. рис. П.1.1, П.1.2). Угол
потока энергий Ф равен нулю
£44].
Рис. 63.13.9. Зависимость
скорости рэлеевской 1упругой
волны Vg, величины Ао^/ооо
и угла потока энергии Ф
LiNb03, ориентация которого
определяется углами Эйлера
А,= 0°, м,=41,5°. от угла
Эйлера 0 (см. рис. П.1.1,
П.1.2) [44].
Рис. 63.13.10. Зависимость скорости
объемной сдвиговой волна о§ и
упругой рэлеевской волны от угла
Эйлера у (<оА=°» соответствует
неметаллизированной пластине, coft =s 0—
металл и з и ров ан ной пластине) [1131].
Рис. 63.13.11. Зависимость скорости
рэлеевской упругой волны
величины Ди^/Ооо и угла потока энергии Ф
16,5°-повернутого ср^за LiNbO* от
угла Эйлера 0 (сосоответствует
неметаллизированной < пластине,
(йЛ=0— металлизированной) (см.
рис. П.1.1, П. 1.2) [1131].

63. НИОБАТ ЛИТИЯ LiNbOa
463
Рис. 63.13.12. Расчетная зависимость
температурного коэффициента скорости TvR и
температурного коэффициента задержки Тх
поверхностной релеевской волны, распространяющейся
вдоль оси х дляе повернутого у-среза LiNb03,
от угла его поворота вокруг оси л:
(X-экспериментальные значения; расчетные значения
получены в интервале температур 0—100 °С [1132].
Tt}10'boC
80
40
240 320
Г, К
о
S'*
У
л—I—I—I—I—I |_
140
б)
-I—I I L.I .1
223 300
т,к
Рис. 63.13.13. Зависимость фазовой скорости vR (а)~и температурного коэффициента Цза-
держки Тх (б) рэлеевской упругой волны, распространяющейся вдоль оси х, 131°-по-
вернутого у-среза LiNbO* от температуры [1132].
Рис. 63 14.1. Зависимость затухания В
упругих волн, распространяющихся
вдоль оси х3: П-в,96, О-5*48» Д~
22,64 ГГц (метод эхо-импульсов,
абсолютная величина затухания при Т=2К
принята равной нулю) [1140].
В, 0S/мне
Рис. 63.14.2. Зависимость затухания В
продольных волн: /-LiNbOs» 2-SIO*
(прямые линии проведены в
предположении квадратичной зависимости аату*
хания от частоты) [1141].

464
63. НЙОБАТ ЛЙТЙЯ LiNbO*
14* Затухание упругих волн, дБ/мкс. Рис.
63.14.1—63.14.7, см. рис. 35Б.14.1, 42.14.7,
42.14,8, ПЛ1.6, П.11.8, ПЛ1.13, П.И.14.
Зависимость затухания рэлеевской волны
Ьт частоты yz-срез LiNb03 см. [1143].
Фис. 63.14.3. Зависимость затухания
продольных [акустических волн В в
LiNb03 от температуры при /=
= 500 МГц: /-вдоль осей хи х2, 2-
вдоль оси дг3, 3 — вдоль оси х3 LiTa03
[1127].
Рис. 63.14.4. Зависимость
затухания продольных волн В,
распространяющихся вдоль z-оси
LiNb03 от частоты [1 133].
В, дБ/мкс
f, ГГц
V
T, к
Метод
измерения
2,8
2,64
[1140]
1,2
5,48
—

—
[1140]
1,4
8,96
■ —
—
—
[1133]
13
5,5
—
—
—
[1133]
0,05
0,5
—
—
—
[1127]
4,8
2,3
—
300
брэгговского
рассеяния
[1144]
5,0
2,3
VS fool]
300
эхо-импульсов
[1144]
1,0
2,3
VS г ooi j
4
эхо-импульсов
[1144]
4,0
2,3
VS foou
CO
о
о
•I-
эхо-импульсов
[1144]
0,34 *)
1
VL fool]
T KOMH
—
[807]
4,3*)
1
VS fOOl] [100J
T
1 KOMH
—
[807]
0,0001
0,1
VL{ 1120]
—
—
[1145]
0,004
0,2
—
—
—
[1145]
0,80
1*5
[001]
—
—
[1146]
*) В приведено в дБ/см.

63. НИОБАТ ЛИТЙЯ LiMbOs
465
[443]
Ориентация
(010)
зв II оси Z
ЛГ (<И0)
зв II оси х
165° двойной
повернутый срез
ДГ
зв !1 оси х
41,5° повернутый
срез
ДГ
зв II оси х
Br, дБ/мкс
в воздухе
1,07
0,93
1,15
1,05
В, 10'2дБ/м
40
30
20
15
j*
-j 1 i—j I 1 j
150 200 300 400
а)
т,к
В, 10~2д5/м
10 £
0,8
0J
0,2
0,1.
10 20 40
ZK
Рис. 63.14.5. Зависимость затухания продольных волн В, распространяющихся вдоль г-оси
LiNbOз, от температуры: при /=8,9 ГГц (а) и при /=9,4 ГГц (б) [501]»
В#№/лтс
В, дБ/тс
Рис. 63.14.6. Зависимость затухания В:
1 - упругих продольных, 2 - сдви говых
волн в LiNbOg от температуры при
f= 36,5 ГГц [1142].
Рис. 63.14.7. Зависимость затухания
рэлеевской упругой волны BR от частоты
для yz-среза LiNbO 8 (наклон равен 1,6)
[П43].

466
63. НЙОБАТ ЛИТИЯ LiNbO,
15. 	Диэлектрические свойства. Рис. 63.15.1—63.15.3, см. рис. 63.12.2.
Зависимость 8 от температуры см. [1-149]; частотная зависимость
диэлектрической проницаемости 8ц и е33, температурная зависимость диэлектрической
проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь при / = 9 ГГц — см.
Рис. 63.15.1. Зависимость диэлектрических проницаемостей LiNbOs от температуры:
[1092](а); [1105] (б) при /=100 кГц.
*дг ■ Ч*
Рт, 63.15.2. Зависимость диэлектрической проницаемости е3з и tg б LiNbOs от
температуры [1091, 1 147].

63. НИОБАТ ЛИТИЯ LiNbOg
467
Рис. 63.15.3. Зависимость диэлектрической проницаемости еа (а) и (б) LiNb03 от
частоты при различных температурах [1105].
[1150]. Зависимость диэлектрической проницаемости и (1 /г'с — l) от
температуры при /=100 кГц, диэлектрической проницаемости от частоты при
различных температурах, зависимость tg 6 от частоты см. [1151]; ев = 80; ес==38
при Т = ТК0МИ и /=50 кГц см. [1151].
еТ
е11
гт
сзз
е?1
es
езз
т, °с
45
27,5
100
[1105]
99,5
38,5
. —
—
23
[31]
82
29
—
—
—
[1119]
84,6±0,1
28,6±0,1
—
—
[1092]
84
30
44
29
—
[1120]
98
51
—
—
1,6*104
[32]
82,3
26,8
—
—
—
[1112]
0,7538-109 Ф/м
0,2543.10е Ф/м
0,392- Ю9 Ф/м
0,247-109 Ф/м
—
[1106]
—
—
44
29
—
[1103, 1152]
—
—
38,9
25,7* 10й Ф/м
—
[72]
[1103, 1152]
Г, °с
400
500
600
700
800
900
tg.6 ось с
0,001
0,016
0,12
1,0
5
11
tg 6 ось а
0,0006
0,01
0,1
0,8
8
25
16. 	Показатель преломления. Рис. 63.16.1—63.16.3.
п0 = 2,286, пе=±2,200 при % =0,6328 мкм [1127, 1102].

468
63. НИОБАТ ЛИТИЯ LiNbO.
Зависимость обыкновенного и необыкновенного показателя преломления
от гидростатического давления см. [612], дисперсионная зависимость
показателя преломления обыкновенной волны инфракрасной области спектра для
различных температур—см. [1156].
[1101]
А,, мкм
7 = 25 °С
Г = 80 °С
К мкм
Г = 25 °G
7 = 80 °С
пе
По
пе
По
пе
По
пе
По
t ^S.-
О.42
2,3038
2,4144
2,3090
2,4170
1,80
2,1297
2,2074
2,1318
2,2074
0,45
2,2765
2,3814
2,2814
2,3836
2,00
2,1244
2,2015
2,1265
2,2011
0,50
2,2446
2,3444
2,2498
2,3462
2,20
2,1187
2,1948
2,1211
2,1947
0,55
2,2241
2,3188
2,2276
2,3190
2,40
2,1138
2,1882
2,1156
2,1881
0,60
2,2083
2,3002
2,2118
2,3013
2,60
2,1080
2,1814
2,1099
2,1812
0,65
2,1964
2,2862
2,1993
2,2865
2,80
2,1020
2,1741
2,1037
2,1738
0,70
2,1900
2,2756
2,1900
2,2758
3,00
2,0955
2,1663
2,0972
2,1660
0,80
2,1741
2,2598
2,1766
2,2600
3,20
2,0886
2,1580
2,0903
2,1577
0,90
2,1647
2,2487
2,1671
2,2490
3,40
2,0814
2,1493
2,0830
2,1490
1,00
2,1580
2,2407
2,1601
2,2407
3,60
2,0735
2,1398
2,0746
2,1396
1,20
2,1481
2,2291
2,1503
2,2293
3,80
2,0652
2,1299
2,0669
2,1298
1,40
2,1410
2,2208
2,1426
2,2208
4,00
2,0564
2,1193
2,0582
2,1193
1,60^
2,1351
2,2139
2,1372
2,2138
[1158]
Я, мкм
По
пе
0,43584
2,39276
2,29278
0,54608
2,31657
2,22816
0,63282
2,28647
2,20240
1,1523
2,2273
2,1515
3,3913
2,1451
2,0822
Абсолютные показатели преломления для конгруэнтно плавящегося LiNb03;
зависимость показателей преломления от температуры см. [1158].
Зависимость показателей преломления в инфракрасной области спектра
от волнового числа см. [1155].
п0 = 2,2440, я* —2,1611 при А* = 1 мкм [1159].
/г0 = 2.2967, пе = 2,2082 при Х = 0,6328 мкм [1103, 1152].
Дя=0,0885 [1102, 1105], Ая^—0,17 [714J.

63. НИОБАТ ЛИТИЯ LiNbO*
469
[501]
Я, мкм
По
пе
Т = 20 °С
г=юо °с
Г=20 ®С
Г=100°С
0,4471
2,3870
2,3851
2,2893
2,2924
0,4713
2,3657
2,3655
2,2714
2,2745
0,4922
2,3516
2,3504
2,2594
2,2614
0,5015
2,3450
2,3444
2,2538
2,2563
0,5875
2,3060
2,3034
2,2201
2,2216
0,6678
2,2835
2,2798
2,2009
2,2023
0,7065
2,2753
2,2714
2,1939
2,1956
щ,пе
Рис. 63.16.1. Дисперсия показателей
преломления п0 и пе LiNb03 [1153].
щ~пе
Рис. 63.16.2. Зависимость двупрелом-
ления п0-пе LiNbOa от температуры;
7-^=0,633 мкм, 2—1,152 мкм
[11541.
Ряс, 63Л 6-3- Зависимость показателей преломления LiNbO 3 п0 (а) и tie (б) дт мпературы
рри различная рдцпац волн (Я,—в щм) [501].

470
63. НИОБАТ ЛИТИЯ LiNbO,
17. Пропускание и поглощение.
0,4- 4,5 мкм [79]; 0,4 ч-5 мкм [416, 1102]; 0,5 ч-4,5 мкм [72].
Спектр отражения см. [1148, 1161].
Дисперсия коэффициентов поглощения — см. [1155]. Зависимость
коэффициента поглощения конгруэнтного LiNb03 от энергии фотонов при различных
температурах см. [1162].
18. Электрооптические свойства.
г12= 10~9 ч- 10-8 см/В [1161].
Зависимость г22 и Vy2 от X см. [501, 1153].
/•*=(17,4 ± 0,9)* 10-10 см/В, г22 = 3,3-10->» см/В,
г51 = (32 ± 2)*10”10 см/В при % = 0,6328 мкм [1149].
гш> м/В
Ггг
. Г 33
Г13
'42
Гы
пОГ 22
(Л£Г *3)/^
3,4
30,8
8,6
28
37
112
[1163]
6,7
—
—
—
—
74
95
[1152]
3,95 ±0,2
30,6 ±3,5
7,8±0,5
± (28,2±0,5)
—
—
—
[1164]
2,1
92,4
25,8
84
—-
—
—
[446]*)
*) Я, = 0,546 мкм.
1%оГ1Ъ = 1,03‘Ю-10 м/В при / = 76 МГц; п®г33 = 3,28• 10~10 м/В
при / = 76 МГц, У%/2 — (2810 ± 150) В при / = 76 МГц, Кя/2 = (3000 ± 50) В
при постоянном токе [1165].
rim% 10Jw М/В [501]
к, мкм
Г 22
0,9 г зз — г18
0,6328
6,7
18
1,150
5,4
17
3,390
3,1
16

63. НЙОБАТ ЛИТИЯ LiNbO, 4ft
19. Пьезо- и упругооптические свойства. Рис. 63.19.1, 63.19.2.
Pit
Р 33
Р44
Рее
Pl2
0,032
0,061
0,063
[1167]
0,036
0,088
—
—0,018 **)
0,072
[79]
—
0,093
—
—
—
[581]
0,045
0,076
0,019
—
0,096
[1135]
0,025
0,086
—
—
0,079
[1168]
0,025
0,086
—
—
0,079
[501]
0,034
0,094
0,30
—
0,072
[501]
0,034
0,060
0,300
—
0,072
[1169]
— "
0,069
0,152
0,055
0,088
[1170]
0,026
+0,071
0,146
—0,053
+0,090
[1123]
Р18
Р14
Pei
Р41
0,069
0,153
0,136 *)
[1167]
0,092
—
0,178
0,155
[79]
0,096
0,070
—
—
[581]
0,106
0,055
0,138
0,12 ***)
[1135]
0,089
—
0,168
0,158
[1168]
0,089
0,1
0,168
0,158
[501]
0,096
0,066
0,178
0,154
[501]
0,139
0,066
0,178
0,154
[1169]
0,126
0,080
0,176
0,134
[1170]
0,133
—0,075
+0,179
—0,151
[1123]
*) Точность результатов оценивается ±3%, за исключением р41, для
которого оценка составляет ±10%.
**) Данные [72].
***) Режим Рамана — Ната, / = 30 МГц.
Kmnt Ю~13 СМ2/ДЙН
«12—^11=1,02, зх33=1,12, я18 = 0,808, я31=1,12, яп = 0,687 [1118].
20. 	Нелинейные оптические свойства.
х2а=6,3; и81=11,9 при Я = 0,6943 мкм; и33 = 83 при Я = 1,15 мкм по
отношению к и8б KDP [446].
<С=(6,3 ± 0,6)4* KDP, 4“ = (n.9±l,7)4e>KDP,rf|^=(107±20)4eKDP
при Я = 1,058 мкм [1102].

472
63. НИОБАТ ЛИТИЯ LiNbO,
Фл-Яю)>1В'исм2/8ии
Рис. 63.19.1. Дисперсия
пьезооптических коэффициентов Ян—Лм при Г—
[446].
Рис. 63.19.2. Зависимость частоты
коллинеарной дифракции и эффективной ьуп-
ругооптической постоянной Рэфф Для
yz-среза LiNb03 от направления коллинеар-
ного взаимодействия [1166].
21. Акустооптические свойства. См. рис. П.П. 13, П.II. 14.
"зв
"зв
Е
Mlt 10“7 см2-с/г
М2, 10-18 с3/г
М3, 10~12 см-с2/г
[100]
[100]
'
66,5
7,0
10,1
[79]
[001]
—
±[001]
9,2
2,92
2,4
[79]
[001]
[001]
±[001]
7,9
6,4
[581]
[001]
[001]
II [001]
6,5
4,6
[581]
[100]
[100]
II [001]
26,0
27,4
[581]
[100]
[100]
II [010]
5,5
5,6
[581]
[100]
[100]
II [100]
1,4
1,4
[581]
[001]
[010]
|| [100] или
[010]
9,2
29,2
[581]
[1135]
1»
"зв
^зв
Е
10“19 ед. СГСЭ
!
[001]
[100]
II [001]
4,66
[001]
[001]
±[001]
7,25
[010]
[010]
|| [010]
1,71
[010]
[010]
II [001]
20,3
[100]
[100]
II [100]
1,72
[100]
[100]
II [010] '
7,83
[100]
[100]
II [001]
20,5
[001]
[010]
II [010]
6,05
[001]
[100]
45°(xz)
2,07
[1120] *)
[1120]*)
[1120]ясв || [00Q1]
46 • 10"18 с3/г *)
*) По [1145, 1077].

63. НИОБАТ ЛИТИЯ LiNbQ3
473
22. 	Пьезоэлектрические свойства. Рис. 63.22.1—63.22.6, см. рис. 63.12.2-
63.12.4.
dlm, 10~12 Кл/Н
d\b
Агг
d-ii
das
74
20,7
—0,66
16,1
[1125]
78
19,2
1,3
18,9
[1112]
69,2
20,8
—0,85
6,0
[1106]
Рис. 63.22. 1. Пьезоэлектрические модули d'2S, dg4 и d^b LiNb03: поворот вокруг оси z(a),
поворот вокруг оси у (б)» поворот вокруг оси х (в) [1 121].
iLdk10-sdm/iui
Рис. 63.22.2. Пьезоэлектрические модули 4з и 4, LiNbOg для азимута* равного 90° и
полярного угла в пределах от —90° до +180° [1121].

474 63. НИОБАТ ЛИТИЯ LINbOi
dtm, 10-* ед. СГСЭ
dtt
d^l
das

0,488
0,097
0,213*)
[1119]
—
—
0,029
0,094 **)
[1119]
2,04
0,63
—0,03
0,18
[1120]
2,34
0,672
—0,037
0,566
[1121]
2,22
0,632
—0,026
0,487
[1171]
1,93
0,618
0,0346
0,196
[1122]
2,00
0,638
—0,0254
0,269
[1172]
*) Монодоменный кристалл.
**) Полидоменный кристалл.
Тdim, 10-* К-*
Tdit
T dZ2
Td,t
Tdaa
2,8 ± 0,1
2,4 ± 0,4
11 ± 2
2,9 ± 0,4
[1092]
3,45
2,34
—0,08.7
1,6
[1106]
^ззз = (—21 ± 7) Кл/м2, ^222 = (21 ± 10) Кл/м2 [1138].
Гидростатический пьезомодуль dr = (6,31 ± 0,014) *10“*-2 Кл/Н [1124].
4
¥
230
■—■■■ ' > ■■
225
>«1
220,
05
IT*
60,
55'
50
s-
20
4
25
ч|
0
Рис. 63.22.3. Зависимость
пьезоэлектрических модулей
dmn LiNb03 от температуры
[32].
~dj!; 10~8ст.Кл/дин
Рис. 63.22.4. Зависимость
пьезоэлектрического модуля г^ад-среза LiNbO 8
от угла поворота вокруг оси у
(ш-ширина пластину) [1092J.

63. НИОБАТ ЛИТИЯ LiNbO*
475
Рис. 63.22.5. Анизотропия коэффициента электромеханической связи k LiNbOa [1122] (0-
угол между АГзв и осью г, ф-угол поворота плоскости среза относительно оси х).
Штриховые линии QL* сплошные — QS.
е1ю 10G ед. СГСЭ
*1»
егг
^81
083
1,10
0,75
0,06
0,39
[1120]
0,978
—
—
—
[1121]
1,080
0,757
0,224
0,500
[1122]
1,130
0,729
0,069
0,399
[1106]
1,150
0,756
0,125
0,610
[1172] *)
1,140
0,732
[1172]**)
*) Расчетные данные.
**) Измерено интерференционным методом.

476 63. НИОБАТ ЛЙТИЯ LiNbO,
е1п, Кл/м2
е\ъ
ei2
^81
е33
3,1
2,5
1,7
[1112]
3,7
2,5
0,2
1.3
[72]
3,83
2,37 ± 0,036*)
1,80 ±0,10*)
[1124]
*) Точность измерения ~ 2%, с учетом пироэлектрической добавки
«1,2»/» [1124].
elik, Кл/м2 [1173]
*115
6 не
^126
^12в
е135
е13в
^148
& .411
^312
^314
^333
^344
—58
—26
12
—4
53
185
17
4
—6
—23
—10
—3
1,47*10-4 К-1, 7’е22 = 0,79*10-4 К-1, Ге31 = 22,Ы0-4 К~х, Те33=
*=i'8,87-10-*K-1.[1106J;
Sit =9,1 • 102м2/Кл, g2a = 2,8.10* м2/Кл, gsi = — 0,4-Ю2 м2/Кл, g33 =
=2,3-102 ма/Кл [1106];
Л18 = 9,5-10-8 Н/Кл, /г22 = 6,4-10-9 Н/Кл, Л31 = 0,8-10-в Н/Кл, hS3 =
=5,Ы0-9 Н/Кл [1120].
-228
'-220 7^*—
JU-
%
'""Тг
.1 ..
-J .L 1
-юо -и о то. гоо зоо т;с
Рис. 63.22.6. Зависимость коэффициента электромеханической связи и резонансной час-
/ тоты fr у-среза LiNbO, от температуры [1121].
J ■
к, %
&15
k2i
kzt
&33
полидоменный

2,6
9,9
[1119]
кристалл
67,9
29,3
4,6
47,8
[1121]

бз. миобАт лития LiNbOs 477
Л?,%[1103]
х*срез
^-срез
z-срез
QS
QL
QS
QL
QS
68
30
60
18
(Г
0
k(S* )= 68%, k(S") = 12,6% [1137].
&* = 0,44, k' =0,68 (k' зависит от klb и ku) [1150].
23. Дополнительные сведения. Рис. 63.23.1.
Язи = 28,5 ± 0,5 Н/мВ, g9(j, = 34 ±0,5 Н/мВ — для поперечной упругой
- волны в направлении [100] см. [1126].
а)
$ - в)
Рис, 63.23.1. Угловая зависимость интенсивности света, рассеянного на упругих волнах в
LiNbO3: продольная волна распространяется вдоль оси х (а); продольная волна
распространяется вдоль оси z (б); сдвиговая волна распространяется вдоль оси г со смещением вдоль
оси х (в) (О—поляризация света перпендикулярна, ф-~параллельна направлению
распространения волны) [1168].

478
64. ТАНТАЛАТ ЛЙТЙЯ LiTaC*
Материалом для нанесения однослойных просветляющих покрытий для
оптических устройств из LiNb03 являются кварц (я =1,46) и фтористый
магний (л =1,38)—см. [1160].
P'JPg>z=—3S дБ> Q|a = 0,7*10-12 м3/Дж для / = 550 МГц при
^комн [1051].
= 50 мкКл/см2 при Ткоми [1174]; Ps = 71 мкКл/см2 [714].*
Эффективная нелинейная постоянная, полученная по результатам
измерения интенсивности второй гармоники продольной волны, равна 1,4 ±0,9
[1175]. Дисперсионные диаграммы для встречного взаимодействия
акустических волн, распространяющихся вдоль оси с, см. [1176]. Рассеяние света на
акустических фононах см. [1177]. Зависимость акустической мощности второй
гармоники от акустической мощности основной волны см. [1145]. Зависимость
электропроводности ос от обратной температуры при различных температурах
см. [732]. Зависимость плотности акустической мощности второй гармоники
от длины образца см. [1145]. Зависимость пьезоэлектрической поляризации от
механического напряжения для 3-х кристаллографических ориентаций см.
[1124]. Зависимость пироэлектрического коэффициента и электропроводности
от температуры см. [1178]. Температурный интервал пластичности см. [1179].
Коническая рефракция ограниченных пучков упругих волн—см. [1180].
Зависимость электропроводности от обратной температуры при различных частотах
см. [501]. Зависимость плотности акустической мощности 2-й гармоники от
длины образца см. [1145]. Спектральное пропускание второй гармоники при
Х= 1,0640 мкм см. [856].
Tt==94.10-6(°Q“1 [806].
Спектр двухфотонного поглощения, коэффициент двухфотонного
поглощения на А, = 0,53 мкм (вторая гармоника неодимового лазера) составляет
1,5* Ю“3 см/мВт см. [855]. Обладает фоторефрактивным эффектом см. [1017].
Распространение гиперзвука частоты 104МГц в LiNb03 с добавками Сг см. [1181].
64. 	ТАНТАЛАТ ЛИТИЯ LiTa03
!. Вид материала. Монокристалл синтетический, выращивается методом
Чохральского [634, 1089, 1094].
2. 	Симметрия кристалла. Ромбоэдрическая, класс 3m [812, 1089, 1155,
1182], R3c(c& [1106, 1120, 1183].
Параметры решетки, А.
[32, 1169]
а
с
5,1543
13,7835
[634]
5,143
13,756
[1183]
Зависимость параметров решетки от Т см. [32].
3. 	Молекулярный вес. 235,89 [1108].

64. ТАНТАЛ АТ ЛИТИЯ LiTaO,
479
4. Плотность, г/см3. 7,3 [1089]; 7,454 [79, 1106, 1120, 1184].
5. Температуры фазовых переходов, °С. Тпл = 1650 [416, 1089, 1105, 1185,
543]; Гк = 660 ± 10 [818]; 7К = 665 [714, 727, 1105]; Гк = 540 -^660, зависит
от нестехиометрии по Та [1186]; = 540 ч- 700 в зависимости от условий
роста [1187, 1188]; Гк = 630 [1184, 1185]; 7К = 601 [634].
6. Растворимость, моль/л' воды.
[1094, 1114]
т, °с
0
25
50
75
100
Растворимость
5,14 -10~ 5
1,05 • 10~4
2,29-10-4
3,81 • 10“4
5,09-10~4
Нерастворим в воде и в разбавленных кислотах [416].
7. Удельная теплоемкость, кал»моль/К.
СР~24 ± 2 при 25 °С [1094], 7д = 452 К [1108, 714].
8. Тепловое расширение, К""1, см. рис. П.Н.1.
Ии, 10-5
а33, 10“6
1,61
0,41
[1106]
2,2
0,12
[1185]
а, 10-*
0, Ю-»
Срез
т, °с
1,61
7,5
*
Он-500
[634]
1,54
7,0
У
о
•I-
сл
о
о
[634]
1,62
5,9
х, у
о
8
О
[1188]
0,41
—10,0
—
—
[1188]
9. Теплопроводность, 10*"2 кал/см с-К 0,7 при 300 К [1108].
10. Спайность. Нет.
11. Твердость. По Моосу 6,7 [1189]; по Виккерсу 766 кгс/мм2 [1185].
[1117]
Направление
Плоскость
кгс/мм*
[110]
(010)
660 ± 20
(001)
780 ± 10
[010]
(110)
775 ± 5
(001)
760 ± 15
[001]
(110)
920 ±5
(010)
970 ± 20

480
64. ТАНТАЛАТ ЛИТИЯ LITaO,
Рис. 64
'Smn J0
Tf °D
Рис. 64.12,1- Зависимость
упругих податливостей
от темпера-
sE
ьтп
туры [1184].
Рис. 64.12.2. Сравнение
теоретических и экспериментальных
зависимостей упругих
податливостей LiTa03 от температуры
для различных срезов,
повернутых вокруг оси х (ш-ширина
пластины): у-2^ + 45°-срез,
Q—zt/w + 22,5°-срез, Q-za:w+450.
срез, % — zyw + 67,5°-срез [1184].
S'
V
278
278
274
272.
23Г
229
227.
; 0,94
% 0,92
■*
-
1
cl
2 ■ -
— //
1
4
-
4
i_ ._ i_ __i 1—
^ ’ 20 40.
а)
Т,'С
X 0,54
^ 0,52
Д 0,50
^ 0,48.
\ 0,46-
% 0,44
^ 0,42,
>4 -0,10
%-412
4j
26 40 60 88
б)
T/G
.12.3. Зависимость упругих жесткостей с^п LiTaOs от температуры:
19
СЕ
с33*
свв C\L* СЫ^) [32].
с44>

64. ТАНТДЛАТ ЛИТИЯ LiTa03 481
12. 	Упругие постоянные.
с„, 10« Н/м?
Си
с 33
С 44
tee
Cis
Ci»
С14
СБ
2,33
2,75
0,94
0,93
0,47
0,80
—0,11
[1120]
&
2,39
2,84
1,613
0,99
0,41
0,80
—0,22
[1120]
СБ
2,28
2,71
0,96
0,98
0,31
0,74
—0,12
[1184]
СЕ
2,396
2,940
0,980
0,669
—
—
[1121]
CD
2,38
2,82
1,17
1,09
0,21
0,73
—0,27
[1184]
СЕ
2,298
2,798
0,968
0,923
0,440
0,812
—0,104
[1106]
8тт 10-12 М2/Н
S11
s33
se«
S12
S1S
Si 4
4,87
4,36
10,8
10,9
—0,58
—1,25
0,64
[1120]
5°
4,76
4,19
9,3
10,5
—0,50
—1,20
1,02
[1120]
S*
4,86
4,36
10,50
10,30
—0,29
—1,24
0,63
[1184]
S°
4,68
4,14
9,00
9,70
—0,16
—1,17
1,10
[1184]
S*
—
4,56
—
—
—
—
—
[1121]
4,930
4,317
10,460
10,90
—0,519
—1,280
0,588
[1106]
Температурные зависимости упругих постоянных, рис. 64.12.1—64.12.3.
Гви=1,1Ы0-4 К~МП06].
Сравнение теоретической и экспериментальной зависимости упругих
податливостей от температуры для различных срезов см. [1184],
13. 	Скорости упругих волн. Рис. 64.13.1—64.13.12, см. рис. П.II.4—
П.П.7, П.11.18.
"зв
Тип
волны
v, 10s cm/c
*1
плоскость X
L
5,552
[1127]
X
плоскость yz, —55° к у
S
4,212
[1127]
X
плоскость yz, —35° к у
S'
3,366
[П27]
У
плоскость уг, +10,3° к у
QL
5,690
[1127]
f У
плоскость yz, —10, 3° к у
QS
3,883
[1127]
У
X
S
3,529
[1127]
z
Z
L
. 6,160
[1127]
16 Под ред. М. П. Шаскольской

482
64. ТАНТАЛАТ ЛИТИЯ LiTaOa
Продолжение
ДГ
зв
"зв
Тип
волны
v, 1о5 см/с
г
плоскость xz произвольна
S
о,604
[1127]
г
Z
L
6,190
[79]
г
г
L
6,160
[1134]
г
Z
L
6,476
[1121]
у
X
S
3,061
[1121]
X
—
L
5,550
[343]
X
—
S6
4,210
[343]
X
—
SM
3,370
[343]
X
X
L
5,5522
[1106]
У
У
L
5,6917
[1106]
г
Z
L
6,1607
[1106]
X
У
S
3,3556
[1106]
У
X
S
3,5297
[1106]
У
Z
—
3,6039 *)
[1106] *
Z
—
6,180
[72]
*) vyz — vzy — vzx
Ориентация
среза
Направление
vRt 10* см/с
°/о
kR*)
г
У
3,329
5,9
0,0121
[443, 1191]
У
Z
3,230
3,3
0,0068
[443, 1191]
22° от оси г
X
3,302
2,7
—
[443, 1191]
У
X
3,148
0,37
0,00075
[1191]
*) Теоретические значения.
Ориентация
105 см/с
°/о
г х
3,205
0,114
0,00233
[1191]
0°, 166,5°, 90°
6,370
7,5
0,0154
[1191] **)
X Z
—
3,13
—
[443]
0°, 33°, 0°
3,300
4,5
—
[1122]
0°, 179,5°, 0°
3,391
8,4
—
[1192] **)
0°, 78,5°, 0°
3,260
4,0
—
[1192]**)
90°, 90°, 119,5°
3,300
3,7
—
[1192]**)
ху 131,5° от у
—
5,0
—
[1193]
*) Теоретические значения.
**) Углы Эйлера.

16*
Рис. 64.13.1. Зависимость скорости [упругой
рэлеевской волны Vft, Av^/Voo И угла потока энергии Ф
ЫТа03 (Л,= 0°, 0 = 0° с поворотными константами 0,
90, 32°) от угла Эйлера ц (см. рис. П.1.1, П.1.2).
Аналогичные зависимости для срезов LlTa03 с
поворотными константами 0, 22, 20,5°; 0, 73,5, 90°; 0,
83,5, 90°; 0, 78,5, 90° см. также [44].
Рис. 64.13.2. Зависимость
скорости упругой
рэлеевской волны Vg, величины
Дод/Соо и угла потока
энергии Ф у-среза LiTaOs
от угла Эйлера 0 (см. рис.
П.1.1, ПЛ.2) [44].
Рис. 64 Л 3.3.
Зависимость скорости рэлеевской
упругой волны v^t
величины Avj^/Voo и угла
потока энергии Ф 2-среза
LiTa03 от угла Эйлера 0
(см. рис. П.1.1, ПЛ.2)
[44].
Рис. 64.13.4. Зависимость
скорости рэлеевской упругой
волны V£ и величины Да^/Оо©
*-ось були LiTaOs от угла
Эйлера |А (см. рис. П.1.1*
П.1.2) [44].

Рис. 64.13.5. Зависимость
скорости упругой рэлеевской волны
Vg, величины Ди^/яоо и угла
потока энергии Ф 0-ось були LiTaOs
от величины угла Эйлера \х (см.
рис. П.1.1, П.1.2) [44].
Рис. 64.13.6. Зависимость;
скорости рэлеевской упругой волны
^. величины AVj^/Voo и угла
потока энергии Ф z-ось були LiTaOs
от величины угла Эйлера К (см.
рис. П.1.1, ПЛ.2) [44].
Рис. 64Л3.7. Зависимость
скорости рэлеевской упругой волны
и величины Av^/voo *-ось
цилиндра LiTa03 от угла Эйлера у
(см. рис. П.1.1, П.1.2: угол
потока энергии Ф=0) [44].
Рис. 64.13.8. Зависимость
скорости рэлеевской упругой волны
величины Av^/voo и угла
потока энергии Ф 0-ось цилиндра^
LiTaOs [от угла Эйлера м» (см.
рис. П.1.1, ПЛ.2) [44].

64. ТАНТАЛАТ ЛИТИЯ LITaO,
485
V/o
Рис. 64.13.9. Зависимость
скорости рэлеевской упругой волны
Vj^t величины Avj^/voo и угла
потока энергии Ф г-ось цилиндра
LiTaOa от угла Эйлера у (см.
рис. ПЛЛ, ПЛ.2) [44].
Рис. 64.13.10. Зависимость скорости рэлеевской
упругой волны Vj^t величины Av^/voo и угла потока энергии
Ф LiTa03, ориентация которого определяется углами
Эйлера Я*=90°, р,=67,5°, от угла Эйлера 0 (см. рис.
ПЛЛ, ПЛ.2) [44] (аналогичную зависимость для среза
LiTaOg с Я=0°, |Л=22° см. также [44]).
[343]
Направление
распространения
Тип
колебаний
N.
кГц-см
pv, 10е кг/м2 с
Z
L
304
45,3
47° к у
L
370
55,1
165° к у
S
228
34,0
х
S
210
31,3
X
L
—
41,4
X
S*
—
31,2
X
—
35,1

486
64, ТАНТАЛАТ ЛИТИЯ LiTaO*
VRiM/^
2270
2250
2220
2210
2190
Р-103
оо
2,8
■ 2,0
1,2
0,4
Ф
Ц2°
+1,00
0°
I
-1,0°
-2Г
I I" "Г ПП'Т'Т-Г
J I l l I I I I I
J I I I I I L__J I
Рис. 64.13.11. Зависимость скорости
рэлеевской упругой волны v^t величины
kVj^/Voo и угла потока энергии Ф LiTa03,
ориентация которого определяется
углами Эйлера А,=0°, д=85°, от угла
Эйлера 0 (см. рис. ПЛ.1, ПЛ.2) [44]
(аналогичную зависимость среза LiTa03c Я=0°
и jj,= 95° см. также [44]).
L.1I 1 1 I I 1 1-1 I
18° 540 90° 120° 102° в
Рис. 64.13.12. Зависимость скорости
рэлеевской упругой волны vвеличины
А^/г»ов и угла потока энергии Ф LiTa03
с поворотными константами 0, 73,5, 90°
от угла Эйлера 0 (см. рис. ПЛЛ, ПЛ.2)
[44] (аналогичные зависимости для
срезов LiTa03 с поворотными константами
0, 78,5, 90° и 0, 83,5, 90° см. также
[44]).
ТГ,10'ВТ*
TvR,10~BT;
Рис. 64Л3.13. Зависимость температурного коэффициента скорости Tvд и температурного
коэффициента задержки Тх от угла поворота #-среза LiTaOs при распространении волны
вдоль оси х (расчетные значения получены в интервале температур 0 -f- 100 °С) [1132].

64. ТАНТАЛ АТ ЛИТИЯ LiTaO.
487
Температурные коэффициенты скоростей упругих волн: рис, 64.13.13,
64.13.14.
Tvij, 10-4 К"1 [1106]
Tvxx
Tv
УУ
Tvzz
Tv„,
ХУ
TvXz
Tvyx
Tv
zy
—1,038
—1,087
—1,01
—1,384
—0,932
—0,454
—0,388
Зависимость рф и v# от ориентации см. [1190].
Рис. 64.13.14. Зависимость температурных
коэффициентов: пунктирные кривые — объемных сдвиговых
волн Tvg, сплошные кривые-поверхностных волн
TvR при распространении в плоскости yz (неметал-
лизированная поверхность) от направления
распространения (Л-кривые соответствуют направлению
поляризации объемных волн и направлению
нормали к плоскости распространения поверхностных
волн по оси х\ В— кривые соответствуют случаю,
когда поляризация объемной волны и нормаль к
плоскости распространения поверхностной волны
лежат в плоскости yz) [1190] .
Рис. 64.14.1. Зависимость
затухания продольных акустических
волн В, распространяющихся
вдоль оси с LiTa03, от
температуры: J~f = 8,52, 2 —/=5,24,
3-[—3,2, 4 —f—2,0, 5 —/=1,0 ГГц
[Н44].
14. 	Затухание упругих волн, 0,1 дБ/см-ГГц2 [79]; рис. 64.14.1, 64.14.2,
см. рис. 63,14.3, П.П.6, П.П.13.

488
64. ТАНТАЛАТ ЛИТИЯ LiTa03
В, дБ/мкс
U ГГц
т, к
Направление
распространения
4,4
2,3
300
VS Г001Л *)
[1144]
6,0
2,3
300
^Siooij **)
[1144]
4,6
2,3
4
VS rooij **)
[1144]
1,4
2,3
•I-
о
8
1
VS 1100}**)
[1144]
0,1 дБ/см
0,5
—
VL fiooj
[343]
0,02 дБ/см
0,5
—
VL roou
[72]
*) Метод брэгговского рассеяния.
**) Метод эхо-импульсов.
Ориентация
Затухание
г-срез
направление х
2-срез
направление у
у-срез
направление г
В#, дБ/мкс в воздухе
1,0
__
1,14
[443]
Вд, дБ/мкс в воздухе
—
0,23
0,20
[П91]
Зависимость затухания сдвиговых акустических волн в LiTa03, выращен-
ном из расплава, содержащего избыток Та, Та2Об, см. [195].
15. 	Диэлектрические свойства. Рис. 64.15.1—64.15.5.
833 = 43 при / = 1,2-5-200 МГц и Т = 25 °С [818].
&т
8и
811
ег
ьзз
es
е33
847°у
гш°у
50

33


,
[1121]
53
41
44
42
—
[1184]
51
41
45
43
—
[1120]
—
41
—
43
42
41
[343]
47,39
37,7
38,37
37,9*)
—
[1106]
—
36,3
—
38,1*)
—
—
[72]
*) е/у, 10”11 Ф/м
tg 6 < 0,05 при / = 1 кГц ]Ю94? 1196J.

64. ТАНТАЛ АТ ЛИТИЯ UTaOs
489
Рис. 64.14.2. Зависимость затухания упругих волн
В от температуры: а) для продольных колебаний,
распространяющихся вдоль оси с (/ — f= 10, 2—f= 15,
3-f—25 МГц); б) 1—для продольных колебаний,
распространяющихся вдоль оси a (f=25 МГц), 2-
для сдвиговых колебаний, распространяющихся
вдоль оси a (f= 25 МГц), 5—для сдвиговых колеба*
ний, распространяющихся вдоль оси а (/=50МГц)
[1194].
Рис. 64.15.1. Зависимость
диэлектрической проницаемости 8 и
величины 1/е от температуры (/ —
верхняя часть кривой 2; на
кривой 1 масштаб изменен в 10 раз)
[1187].
l/e)7> 109 м/Ф
»/4
1/4
*/8зз
1,9
2,4
2,3
2,4
[1184]
2,2
2,8
2,5
2,6
[1120]
Ге,7, 10-4 К-1 [1106]
Тет
1 е11
т-4
Тет
1 833
Тв$
33
2,11
3,29
11,47
11,6
Зависимость е,-у от температуры см. [1184].
*т ?т
ПЛ Z1L
Т,°С
Рис. 64.15.2. Зависимость
е£/е0 LiTaOg от температуры
|1184].

490
64. ТАНТАЛАТ ЛИТИЯ LiTaO*
Рис. 64.15.3 Зависимость
диэлектрической проницаемости 8 LiTaOs от
температуры при f=20 кГц [32].
Рис. 64.15.4. Зависимость
диэлектрической проницаемости Ъц LiTaO, ot
температуры [32].
£33
Рис. 64.15.5. Зависимость диэлектрической
проницаемости е88 LiTaOs от температуры: А-/=4,
•-/=9, A-f=4. 0-f=9 ГГц £11941.
Рис. 64.16.1. Зависимость
коэффициентов преломления я* и п0
LiTaOs от температуры [1197].

64. ТАНТАЛАТ ЛИТИЯ LiTaOg 491
16. Показатель преломления. Рис. 64.16.1, см. рис. 63.16.3.
Я, мкм
По
пе
0,6328
2,175
2,180
[1094, 818, 55, 72]
0,5
2,2160
2,2205
[1108, 954]
п — 2,20 при — 0,633 мкм [79];
Ап = пе—п0 = +0,005 при 21 = 0,6328 мкм [1094, 818];
Ал = 0,0044 при Я = 0,6 мкм [1090].
17. Пропускание и поглощение. 0,3-5-6,0 мкм [1198]; 0,4 ч- 5,0 мкм [79].
18. Электрооптические свойства.
Уя/2 = ^2700 В [1198],>*,/2=2840 в [1094, 1199].
rim> 10”7 см/ст. В
А,, мкм
1 Г88 1
1 rts |
1,007Г88” т 18
г°, с
_
9,17
2,1
[1198]
0,546
—
2,07
—
20
[446]
0,633
9,1
2,1
6,5
—
[1094, 1199]
г/я, 10-12 м/в
Г 22
г 88
'18
Г 42
1
35,8
7,9
20
[1163]
~22±0,2
~44±1,8
<^9,5±0,1
—14±0,1
[1164]
19. Пьезо- и упругооптические свойства.
Х = 0,6328 мкм
Ри
Pss
Р4 4
Рее
Pi*
0,0804
0, 150
0,022
_
0,0804
-
0,150
-
-
-
— 0,081±0,003
— 0,044±0,004
0,028±0,002
— 0,081 ±0» 004
0,081*0,003

492 64. TAJi'fAJIAT ЛИТИЯ LiTaO»
Продолжение
Р13
Pl4
Psi
Р* 1
0,094
0 ,031
0,086
0,024
[79]
-
-
-
-
[788]
0,093±0,002
— 0 , 026 ±0 , 002
0,089±0 ,004
0,028±0,002 *)
[1200]
*) Метод рассеяния Мандельштама — Бриллюэна.
20. Нелинейные оптические свойства.
х22 = 4,3, х33 = 40, >с31 = 2,6 при X = 0,6943 мкм по отношению к х36 KDP
[446].
Сравнение зависимостей спонтанной поляризации и нелинейного
оптического коэффициента от температуры см. [1187].
21. Акустооптические свойства. См. рис. П.П. 13.
Я, мкм
Мj, 10~7 см2-с/г
Mt, 10-1* с*/г
Ма, 10~12 см-с2/г
0,63
11,4
1,37
1,84 для vL [ooi]
[79]
0,6328
—
1,359 для Vi jooij
—
[72]
22. Пьезоэлектрические свойства. Рис. 64.22.1—64.22.3.
dlM9 10-и Кл/Н
^15
d 22
^81
^33
2,6
0,7
—0,2
0,8
[1120]
2,6
0,85
—0,30
0,92
[1184]
^33 = 0,248-10-6 ед. СГСЭ/дин [1119]; d33 = 0,469. 10~6 ед. СГСЭ/дин [1121],
ещ, Кл/м2 gln, 10~2 м2/Кл
eis
022
eat
^38
£>1б
U 22
ёв1
ё 88
2,6
1,6
0
1,9
[1120]
5,8
1,5
—0,6
2,1
[1120]
2,7
2,0
-0,1
2,0
[1184]
5,6
1,8
——О,77
2,4
[1184]

64. ТАНТАЛАТ ЛИТИЯ LiTaO,
db.dx.ir^to/H
493
а1т10'1гял/н
Рис. 64.22.1. Зависимость
пьезомодуля й^т LiTa03 от
Температуры: l~d 16, 2-d3Z,
3-d22, 4-{-dn) [1184].
Рис. 64.22.2. Зависимость пьезомодулей d'im от
температуры для различных срезов LiTaOs, повернутых
вокруг оси х (w-ширина пластины): Q-zyw +
+ 22,5°-срез, V- 2г/ку + 45°-срез, 45°гсрез,
0-2£/о, + 67,5°-срез, A-zy-45?-срез, M~zy + 45е-
срез, сплошные линии-расчетные значения [1184].
PjfG* 64.22.3. Зависимость пьезоэлектрической постоянной в^л'ЫТаОа от температуры |32J.

494
65. ГЛЛЛАТ ЛИТИЯ LiGaO,
him, Ю9 H/]
h16
hM
у
h33
7,2
4^3
0
5,0
[1120]
7,5
5,5
—0,3
5,6
[1184]
*15, %
*83» %
30
[1089, 1120, 1198]
31,1
20
[1119]
—
37,9
[1121]
kQS* %
kQS’ %
kQL• %
kQV %
kQL' %
kQS’ %
х-срез
#-срез
у-срез
2-срез
47°*/-срез
165°*/-срез
44
19
29
41
[343]
44
38
20
19
—
—
[1094, 812]
23. 	Дополнительные сведения.
Ps = 50±2 мКл/см2 измерено статическим пироэлектрическим методом,
•у = 0,019 ±0,001 млКл/см3-град при Гц [1187].
idPsldT)зоо°с==0,016±0,002 мКл/см2: Р5 = 23 мкКл/см2 [760];
С0=1,5-Ю5 К [1184];
Тт = 21,3-10”6/град при 150 °С #-срез [1132];
Р2/Р1 = — 33 дБ, Q|9 = 0,3.10-12 м3/Дж [1051].
Зависимость акустической мощности второй гармоники от акустической
мощности основной волны см. [1145]. Зависимость пироэлектрического тока и
пироэлектрического коэффициента от температуры см. [1187]. Зависимость
спонтанной деформации от Р$ см. [1197],
65. 	ГАЛЛАТ ЛИТИЯ LiGa02
1. Вид материала. Синтетический прозрачный, бесцветный монокристалл,
выращивается методами Чохральского и Бриджмена [1201—1203].
2. Симметрия кристалла. Ромбическая, тт2, (С2г,) [530, 1203]; Рпа21[\202]
Постоянные решетки, А. а = 5,402, 6 = 6,372, с = 5,007 [1202].
4. Плотность, г/см3. 4,187 [31, 832, 41]; 4,16 [1203].
5. Температура фазовых переходов, °С. 7,пл=1570 [1203].
8. Тепловое расширение, 10“6К""1. ац = 6, а22 = 9, а33 = 7 [1203].
И. Твердость. По Моосу 7,5 [1201].

85. ГАЛЛАТ ЛИТИЯ UGaO* 495
12. Упругие постоянные.
стп, 101° Н/м2
Си
Сг а
<?83
С44
С6Ь
с «в
Си
С13
^28
с*

.
14,7
5,45



_

[530]
с°
—

15,6
4,58
—
—
—
—

[1089]
сЕ
—

16,4
5,68
4,98
—
—.
—
__
[1089, 530]
<Р
—

17,5
5,85
5,13
—
—
—

[530]
св
—
15,59
5,55
4,56
—
—
—

[1203, 1204]
С*
14
12
14
5,71
4,74
6,90
1,4
2,8
3,1
[1203]
сР
14
12
15
5,9
4,9
6,8
1,4
2,6
2,7
[1203]
smn, 10-12 м2/Н
S22
S33
s44
S65
s«e
Si 2
S18
S23
7,3
[530, 1089]
S*
7,1
9,0
[530]
SE
7,3
9,6
[1203, 1204]
7,09
9,20
[31]
7,03
9,60
17,1
19,5
—
—

[31]
S*
7,3
9,1
8,0
17,5
21,1
14,5
-0,5
-1,4
-2,0
[1203]
s°
7,2
8,8
7,1
17
20
15
—0,6
—1,1
-1,5
[1203]
Температурные зависимости упругих постоянных.
[1203]
тп 11 22 33 44 55 66 12 13 23
Tsm»’ Ю-4К-* 1.2 1,4 1,3 0,7 0,9 1,0 8,7 —1,2 1,5
13. 	Скорости упругих волн. Рис. 65.13.1; 1>£=6,Ы0^ см/с;
vs =3,306-10* см/с [1089]; os=3,74-10i> см/с [530];
N = 3050 МГц-мм для i<£foou [1206];
ЛГ = 3130МГц-мм для vLmi] [41, 1207]; Tfr={—40-;—65)-10-«К [1203]
PVL foou = 26,2-10® г/см2с [41].
Температурные коэффициенты скоростей упругих волн. Рис. 65,132,
<65.13.3.

Рис. 65.13.1. Зависимость скорости рэлеевской упругой волны vR у-среза LiGa02 от угла
Эйлера 0 (см. рис. П.1.1, ПЛ.2) [1205].
Рис. 65.13.2. Зависимости: сплошная линия-температурного коэффициента задержки Тх;
штриховая линия—величины Av^fvoo от угла 0 между кристаллографической осью и направ
лением распространения рэлеевской упругой волны для #-среза2ЬЮа02 (а) и гу-оси
цилиндра LiGaO, (б) [1205].
Рис. 65.13.3. Зависимости: сплошная линия-температурного коэффициента задержки Тх,
штриховая линия-величины от угла между кристаллографической осью и
направлением распространения рэлеевской упругой волны для дг-оси були (а) и z-оси були
LIGaO, (б) [1205].

65. ГАЛЛАТ ЛИТИЯ LiGaO*
14. Затухание упругих волн. Рис. 65.14.1.
Bt№
Рис. 65.14.1. Зависимость затухания упругих волн В 2-среза LiGa02 с Л=10 мкм от
частоты (пластина совершает продольные колебания и нагружена на плавленый кварц): 1 —
измеренные вносимые потери при сопротивлении нагрузки 50 Ом, 2-расчетные потери
в среде, 3 — расчетные дифракционные потери [1206].
15. 	Диэлектрические свойства.
еи/8°
СО
СОЙ '
со
е22/®°
8f2/e0
8зз/8°
8зз/8°
7,0
6,8
___

9,5

[530, 1089]
6,2
6,0
—
—
—
__
[530]
7,0
—
6,0
—
9,5
[1203, 1204]
—
7,0
—
6,0
—
7,8
[1134]
—
—
—
—
—
8,5
[1206]
—
—
—
—
—
8,0
[1207]
7,3
7,0
6,8
6,5
9,5
8,3
[1203]
8x1=7,18, 82^ = 6,18, в33 = 8,78 [31];
8зз=8,5 [37].
рм„, 10* м/Ф [1203]
Ри
Рп
э£
Pfa
RT
Рзз
Рзз
1.5
1,6
i,6
1,7
M V
1,3
16. 	Показатель преломления, рис. 65.16.1.

498
65. ГАЛЛАТ ЛИТИЯ LiGaO*
Рис. 65.16.1. Дисперсия по- Рис. 65.22.1. Зависимость коэффициентов
казателей преломления па, электромеханической связи для
п^, пс LiGa02 [1208]. <2^ш/)ФЧг0°-стержневого резонатора LiGaO*
от углов Ф и 4? (сплошные кривые
соответствуют одинаковым значениям [1203].
22. Пьезоэлектрические свойства, рис. 65.22.1.
dlm, 10-12 Кл/Н
<*15
d2i
^31
d&2
^33
6,4
2,8
[530, 1089]
—5,2
—
-2,4
—
—
[530]
—
— =
2,83
4,03
—
[1203, 1204J
—6,9
—6,0
—2,5
—4,7
8,6
[1203]
dlm, 10-7 СГСЭ
d2i
da»
1,776
1,545
—0,840
—0,732
[31]
ещ> Кл/м2
015
0*4
031
032
083
0,28
0,88
[530, 1089]
—0,30
—0,29
—

0,90
[530, 1203]
0,264
0,254
—

0,883
[1203, 1204]
-0,32
—0,34
—0,17
—0,31
0,96
[1203]

66. ГЕРМАНАТ ЛИТИЯ LiaGeOa 499
gtn, 10"2 м2/Кл
§15
g21
gsi
&32
ёзз
— 11
—9,9
—2,9
—5,5
10
[1203]
hln, 10Ю Н/Кл
^16
^24
^31
h$2
^33
—0,52
—0,58
—0,24
—0,42
1,3
[1203]
k, %
*15
*31
kt
17
11
24
[530, 1089]
17
9
—
[530]
17 (х, у-срез)
__
25 (z-срез)
[1134]
—
—
25 (г-срез)
[1139]
~
30 (г-срез)
[41]
66. 	ГЕРМАНАТ ЛИТИЯ Li2GeOs
1. Вид материала. Монокристалл синтетический прозрачный, бесцветный,
выращивается методом Чохральского [1209, 1210, 1211].
2. Симметрия кристалла. Орторомбическая, класс тт2, Стс21(С™) [1209].
Постоянные решетки, А.
а
ъ
с
9,630
5,46б
4,850
[1212]
9,630
5,481
4,844
[1209]
9,639
5,48*
4,844
. [1213]
3. Молекулярный вес. 134,47 [97].
4. Плотность, г/см3. 3,50—измеренная пикнометрическим методом [1210],
3,49—расчетная [1213].

500
66. ГЕРМАНАТ ЛИТИЯ Li*GeOa
5. Температура фазовых переходов, °С. Тпл= 1245±15 [1214];
Гпл = 1222 [1209]; Гпл = 1255 -ь 1265 [1213].
6. Растворимость. Слабо растворим в воде: «0,6 г/100 г воды [1210].
8. Тепловое расширение, 10“6 К"1, aii=13, а22=И, а33=4,5 [210].
10. Спайность. По (100) и (110) [1212].
11. Твердость. По Моосу 3,5 [1210].
12. Упругие постоянные.
сяя, 10*° Н/м2 [1212]*)
cf8= 13,63, eg-15,46, с* = 5,66,
Cf4 = 5,69, <£ = 4,77, с® = 4,81.
с»», Ю10 Н/м2 [1211]**)
си—13,4, с2а= 14,2, Сзз=15,7, с^—4,4, 055=6,6,
Cee=3,6, Ci2 = 3,3, £i3 = 3,l, С28 = 4,6.
Сц, С13» с2з—расчетные значения.
sE Ю-12 М2/#
SE
S11
5Я
22
SE
s33
SE
44
SE
s56
SE
666
2s^ + see
SE
s13
23
25
24
10
[1210]
9,5
10,4
8,6
—
16,0
17,6
—
—
—
[1215]
9,54
10,2
9,7
17,7
i
21,0
i
—
24,1
—2,4
—3,3
[1212]
s^ = 9,74, s' = 8,87, s' = 7,77, s'= 10,95 [1212].
=V4 (sfx+sg + 2sg+sg) для среза zxw-45°;
s' = V4 (sf2+sg + 2sf3-t-sf4) для среза z(/ay-45°;
s' = lA (sfj.1 + + 2sf2 + sce) Для среза zxt-45°.
Температурные зависимости упругих постоянных. Рис. 66.12.1, 66.12.2.
Tsmn, 10-* К-1
Tslt
TS22
71 s3s
Ts'ii
Ts'2
1,9
2
4,5
[1210]
1,6*)
2,0 *)
2,4 *)
1,4
1,6
[1213]
*) rSm„-
' rtltl
*) Метод резонанса — антирезонанса при / = 0,1 —2 МГц.
**) Метод эхо-импульсов при / = 35 МГц.

66. ГЕРМАНАТ ЛИТИЯ Li*GeOe
501
13. Скорости упругих волн, 105 см/с.
VL ГООи
VS [100J fOOlJ
VS foioj fOOlJ
6,5
3,75
4,10
[1209]
6,3
4,1
4,3
[1210]
6,66
3,72
4,04
[1213]
Рис. 66.12.1. Зависимость
упругих податливостей smn Li2GeOg
от температуры [1212].
pvi = 22 • 106 кг/с-м2 [1210].
30
■20
10
Т} °С
Рис. 66.12.2. Зависимость упругих
податливостей Li2GeOa от температуры
в интервале 20-f-220 °С: 0~s22» A"su>
*-sf3(MVH) [1210].
Температурные коэффициенты скоростей упругих волн, рис. 66.22.3.
15. 	Диэлектрические свойства. Рис. 66.15.1.
6ц
822
e33
7,2
7,5
12,1 *)
[1209]
6,6
6,7
9,8**)
[1210]
6,4
6,5
10,6 ***)
[1215]
7,li
7,10
10,8**)
[1213]
*) Из измерений емкости.
***) *тп/*0-
&1п "РИ /=30 кГ«-
&
10
Iff
Рис. 66.15.1.
Т/0
Зависимость
диэлектрических проницаемо-
Т
стей e}j LijGeOj, от
температуры [1210].

502
66. ГЕРМАНАТ ЛИТИЯ U*GeOe
16. Показатель преломления.
пх
п2
п3
1,676
1,674
1,703
[1213, 1216]
1,674
1,670
1,703
[1213] *)
?) При А
, = 0,633 мкм.
17. 	Пропускание и поглощение. Зависимость пропускания от длины волны,
см. [1211].
22. 	Пьезоэлектрические свойства, рис. 66.22.1—66.22.3.
Рис* 66.22.1. Зависимости коэффициентов электромеханической связи kmn, k'mn и
пьезоэлектрических модулей dlm Li2Ge03 от температуры [1212].
1 &1т
10
6
2
Ж12Кл/Н
100
т,°й
Рис. 66.22. 2. Зависимость
пьезомодулей) ^w|Li2Ge03 от
температуры в интервале 204-220 °С:
®—l^aal* ОН ^82 I» Д-1 ^3i I
£1210].
Рис, 66.22.3. Зависимости: / —
резонансной частоты, 2-антире-
зонансной частоты,
3-коэффициента электромеханической
связи k^ с»среза Li*Ge08 от
температуры в интервале 20-5-220 °С
(1210].

67. ГЕРМАНАТ СВИНЦА Pb^On * 5Q3
dlmi Ю-i2 Кл/Н
■<*1.
£?24
^31
d 32
^38
5
6
10
[1210]
10,0
—
15
17
7,3
[1215]
—3,0
—0,7
—4,0
—5,6
11,1
[1213]
10,0
3,1
5
7
7,3
[31]
е1Ъ = — 0,154 Кл/м2, ^24 = —0,141 Кл/м2, е33 = 1,242 Кл/м2 [1213].
%
кхь
&24
&31
^32
^38
h
3,8
7,5
31,0
[1209]
—
—
—

—
а
•i-
со
[1210]
8,9
7,5
13,1
17,8
36,4
34,4
[1213]
23. 	Дополнительные сведения. QMex = 3000—нижний предел добротности,
измерения при Г = 20 РС на брусках с длиной вдоль оси х методом затухания
свободных колебаний [1215].
[1213]
Срез стержня
«мех
Срез стержня
^мех
гх
5470
zywAb° (5)
6260
*У
4270
zxt-45°
2420
*
ч
СЛ
О
**“■N
5670
2-стержень (L)
9380
Ширина запрещенной зоны Eg=5,9 эВ определена по краю собственного
поглощения [1211].
§ 67. ГЕРМАНАТ СВИНЦА Pb6Ge3Oti
1. Вид материала. Синтетический монокристалл желтого или
буроватокоричневого цвета, выращивается из расплава методом Чохральского [1217г
1218].
2. Симметрия кристалла. Тригональная, класс 6, С6 [1219], Р\ (С$
[1220, 1224].

504
67. ГЕРМАНАТ СВИНЦА PbsGe.On
В сегнетофазе тригональная, класс 3, [1221] РЗХ (Сз). В парафазе гекса-
тональная, класс 6, Р61, (CJ) или класс 3/т, РЗ/т (Clh) [1222].
Постоянные решетки, А. а= 10,25, с — 10,685 [1221], а = ягексаг = 10,251,
с = сгексаг=: 10,685 [1219, 1225].
4. Плотность, г/см3, 7,390 [1223]; 7,293—измеренная, 7,326 — теоретическая.
5. Температуры фазовых переходов, °С. Гпл = 738, 177 [1225].
6. Тепловое расширение, 10“6 К-1, рис. 67.8.1. аа = 7,75, ас=7,79—в
сегнетофазе, аа=13,8, а<?= 13,4—в парафазе [1222].
12. 	Упругие постоянные.
Стп, 1011 дин/см2 [1226].
Си = 6,84, cfs=9,43, См=2,26, cfe = 2,08,
cf2=2,68, cf3= 1,79, cfi = 0,00, cf6=0,12.
smn, 10-11 m2/H [1226]
su=l,77, s33 = 1,14, s£ = 4,45, see = 4,83,
sS = —0,64, sf3 = —0,22, sS = 0,00, sf5= —0,13.
Температурные зависимости упругих постоянных. Рис. 67.12.1, 67.12.2.
Стп, Ю11 дин/см2 [1223]
Т, °с
*33
*44
схг
*1 3
25
6,80
9,42
2,23
2,11
2,57
1,89
50
6,75
9,35
2,23
2,10
2,55
1,87 /
75
6,71
9,28
2,22
2,09
2,54
1,85
100
6,66
9,20
2,22
2,07
2,52
1,83
125
6,61
9,10
2,21
2,06
2,50
1,79
150
6,55
8,97
2,21
2,04
2,47
1,76
175
6,43
8,73
2,20
2,01
2,41
1,67
с'тп* Юп дин/см2 [1223]
т, °с
25
100
160
177
200
240
t £ 2 / S
с6й = С 66 + 022/ 6ц
2,12
2,07
2,03
2,01
2,00
1,99
Си= ^44+ ^1б/еи
2,21
2,20
2,183
2,178
2,167
2,15
С 33 = С 83 + ^1з/£33
9,55
9,42
9,19
8,83
9,06
. 8,98

а,Ж4КГ1
67. ГЕРМАНАТ СВИНЦА Pb5Ge3Ou
К,Ж4КГ1
505
Рис. 67.8.1. Коэффициент теплового расширения а РЬ5Ое3Оы вдоль осей а (а) и с (б) [1222].
Опт» 10**§ш/ем2
Т,°С'
Рис. 67.12.1. Зависимость упругих
жесткостей Cmrt Pb8Ge3On от
температуры: сплошная линия-без учета
пьезоэлектрической добавки,
штриховая лини я-с учетом
пьезоэлектрической добавки (см~с1м+*22?г11'
^сЛ+Weg; 4з=
{1223].
e33^efs)
sfu Ж12м2/н
Рис. 67.12.2. Зависимость
упругой податливости s^j. Pb6Ge30lt
от температуры: ф-*-срез, О-
#-срез [1226].

506
67. ГЕРМАНАТ СВИНЦА Pb6Ge8Ou
13. Скорости упругих волн, 105 см/с. Vl Гюол = 3,01 * VL rool] = 3,47,
VSfoioj nooj^ 1 >67 [1227]; i/jr = 3,620, #5 =1,756 [51].
Температурные зависимости скорости упругих волн по осям у и г при
/= 1,4* 1010 Гц [1224]; рис. 67.13.1.
14. Затухание упругих волн, 2 дБ/см для i^coioj» /=100 МГц [1227];
150 дБ/см*ГГц2 для vLi±m [41]; рис. 67.14.1, 67.14.2.
15. Диэлектрические свойства.
е1=22, 8з = 41 ± 4 [1222]; еп/е0 = 22, еГ3/ео=40 [1226]; еи/е0=22,
8^3/80 = 39; 8и = 146, 8j_=107, tg 6 = 0,017 при /= 1 кГци£=1 В/см [1217].
(еп )тах= 1830 [1217]; рис. 67.15.1—67.15.3.
7\ °С 25 50 75 100 125 150 175
833 40 44 50 61 78 133 2100
Зависимость диэлектрической проницаемости от температуры при/=1 кГц
см. [1225]. Температурная зависимость обратной диэлектрической
проницаемости—см. [1131]
16. Показатель преломления. Рис. 67.16.1.
А., мкм
По
пе
0,5791
2,1306
2,164
[1221]
0,6328
2,116
2,151
[1222, 41]
17. Пропускание и поглощение. 0,5 -т- 4 мкм [1227].
18. Электрооптические свойства. Рис. 67.18.1.
Зависимость Rmn от Т и от Р% см. [1129].
>33=(16,0± 1,6)-10-W см/В, г18= (12,6 ± 1,3).10-1° см/В, гс = (4,2±0,4)Х
X10-1° см/В [1222].
rim, 10--*2 м/В, X = 0,6328 мкм [1229]
Гц
Г г2
Г 38
''is'
*41
гм
Гс*)
Метод
измерения
0,27±0,06
2Э3±0,5
15,3±1,0
10,5±0,8
-
-
(5,4)
интерферометри-
ческий
0,3±0,1
2±0,5
—
—
—
—
5,3±0,4
модуляционный
0,6±0,2
6±1

эллипсометрический
*) гс=Гм-(по/пе)* ri9t

vz,m/g %м/с
Рис. 67.13.1. Зависимости скоростей продольных упругих волн vy, vz PbaGeaOn от
температуры при f = 10 МГц вдоль осей г (а) и у (б) [1228].
В, 9Б/см
Рис. 67.14.1. Зависимости
затухания продольных волн В
PbeGeeOit от частоты: /—вдоль
[001], 2—вдоль [010] [1227].
6) т,°с
Рис. 67.14.2. Зависимости затухания В упругих
волн Pb6Ges0lt вдоль осей г (а) и у (б): /-/=10,
2-f= 15, 3-/= 30, 4-/=50 МГц (1228J.

508
67* ГЕРМАНАТ СВИНЦА PbftGesOu
£a.,h
Рис. 67.15.1. Зависимости
диэлектрических проницаемостей е я, &с
PbbGesOn от температуры при f-
= 10 кГц [1220].
Рис. 67.15.2. Зависимости диэлектрической
проницаемости 8 и tg6 Pb8Ge8On от температуры
при /=1 кГц и Е=1 В/см [1217].
^ис. 67.15.3. Зависимость диэлектрической проницаемости е Pb6Ge30n от температуры
в слабом измерительном поле различной частоты: /-f= 1, 2-f=5, 3-/=10, 4-f= 15, 5-
f= 152 кГц, £-/=1,5, 7 —f= 12,7 МГц £12181.
Рис. 67.16.1. Зависимость показателей преломления п0шпе PbeGegOn от температуры для
&= 0,589 мкм (а) и дисперсия л0 и пе (б) [1222].

67. ГЕРМАНАТ СВИНЦА Pb6Ge„0„
609,
Я13=0,31 м4/Кл2, Я38= 0,46 м*/Кл2 [1229]; Я33 = 0,47-108 см*/Кл2,
/?17з=0,37-108 см4/Кл2 [1222].
19. 	Пьезо- и упругооптические свойства.
11227]
Pit= 0,223, р22 = 0,223, /?66 = 0,005, /?i2 = 0,213, р13 = 0,129,
Pie = 0,002, Р21 = 0>213, /?2з = 0,129, р2б =—0,002, Рзх —0,194,
Рз2 — 0,202, Pei — —0,002, рб2 — 0,002.
rij, №'11м/В
Рис. 67.18.1. Зависимость
коэффициента линейного
электр ооптического эффекта
гц Pb6Ge80и от температуры
при А.=6328А [1229].
\41\,Ждед.СГ0Э
Р^жКл/ш2
Рис. 67.20.1. Зависимость | dj® | и Р^ Pb6Ge8On
от температуры при условиях, близких к
изотермическим [1230].
20. Нелинейные оптические свойства. Рис. 67.20.1.
21. Акустооптические свойства.
[1227] (метод Диксона — Коэна)
"зв
"зв
"св
Е
Ми 10~7 см2-с/г
М2, 10-1» с3/г
[100]
[100]
[010]
[100]
42,6
22,2
[100]
[100]
[001]
[010]
39,9
. [ 20,8
[100]
[100]
[010]
[001]
36,2
' 18,6
[001]
[001]
[010]
[100]
12,4
[4,87
[001]
[001]
[100]
[001]
34,2
13,2
[010]
[100]
[001]
[100]
0,051
0,087
[010]
[100]
[001]
[100]
0,009
0,016

510
67. ГЕРМАНАТ СВИНЦА Pb5Ge30ii
22. 	Пьезоэлектрические свойства. Рис. 67.22.1.
dim, io-11 Кл/н [1226]
dii = 0,01, ^14 = 0,02, di5=0,3,
^22 —0,2, с?з1 = 0,52, с?зз = 0,62.
е1т% Кл/м2 [1226]
б1Х = 0,00, е14 = 0,00, ^15 = 0,08,
022.= 0,09, ^31 = 0,61, ^зз —0,77.
Т, °С 25 50 75 100 125 150 175
б, Кл/м2 0,690 „ 0,764 0,842 0,941 1,099 1,432 5,903
йгг,й2и1а1гКл/Н
Рис. 67.22.1. Зависимость пьезомодулей d22 и dal Pb6Ge30lt от температуры [1229].
23. 	Дополнительные сведения, Р5 = 4-10~2 Кл/м2, = 1,4-106 В/м [501].
Петля гистерезиса, зависимость спонтанной поляризации от температуры
и (п2—1)~* от 1Д2, частотная зависимость в точке Кюри, зависимость tg 6
от температуры—см. [1218]. Зависимость обратного времени переключения от
напряженности переполяризующего поля при различных температурах,
зависимость \/гс от температуры при /=1 МГц см. [1231]. Электропроводность
С7 = 2,9*10“9 Ом-*-см-1 [521].

68. ДВОЙНОЙ МОЛИБДАТ СВИНЦА РЬ2МоОб
511
68. 	ДВОЙНОЙ МОЛИБДАТ СВИНЦА РЬ2Мо05
1. Вид материала. Монокристалл синтетический, выращивается ез
расплава методом Чохральского [613, 1232].
2. Симметрия кристалла. Моноклинная, ддд/ш
P2/m(C2h) [581].
Постоянные решетки, А. а =14,225, Ь —
= 5,789, с=7,336. Р = 114,0° (b—ось второго
порядка) [613].
4. Плотность, г/см3. 7,10 [613, 377].
5. Температуры фазовых переходов, °С.
Тпл = 950 [613, 1232].
10. 	Спайность. По (201) [1233].
И. Твердость. По Моосу «3 [613].
13. Скорости упругих волн, 105 см/с.
ух#=2,95б, Vyy== 3,26g, vZz — 3,284, vzzr =
= 3,053 [613, 377].
14. Затухание упругих волн, 4,2 дБ /см,
при /=300 МГц, 60 дБ/см *МГц для vxx [377],
рис. 68.14.1. См. рис. П. II.13.
16. 	Показатели преломления, рис. 68.16.1.
л*=2,1838.± 0,0005, лу = 2,196 ± 0,0005, nz =
= 2,3188 ± 0,0006, измерялись спектрометрическим методом наименьших
смещений при Т = (21 ± 2) °С с точностью 7-10“4 [1233];
л* = 2,1695, tiy = 2fl82Q, nz = 2,3017 [613, 377].
Рис. 68.14.1. Зависимость зату-
, хани я упругих волн В РЬ2МоОа
от частоты при Т=ТкоыП для!
продольных волн вдоль осей хп
у, Z, 2' [613].
17. Пропускание и поглощение. 0,4 -г- 5 мкм
[377]; рис. 68.17.1.
Рис. 68.16.1. Дисперсия
показателей преломления п РЬ2МоОБ при
^Ткомн t‘233].
Рис. 68.17.1. Спектр оптического пропуска*
ния ///0 пластины РЬ2Мо06, выколотой по
спайности (201), при Т ~ ^K0MHrt ^33].

512 69. Pb6(Ge04)(V04)2
21. Акустооптические свойства, См. рис. П. 11.13.
[613]
ЛГ „
зв
"св
Е
Ми 10-7 СМ2-С/Г *)
М2
X
Z
X
114
59,9
г
У
242
127**)
У
Z
42,0
20,9
Z
X
60,6
26,3
У
z’
V
13,9
5,99
X
Z
30,5
12,5
z'
X'
31,2
12,7
Z'
12,6
5,46
У
X
5,66
2,42
г
X
У
21,2
8,99
У
Z
162
65,3**)
У
X
15,8
7,83
Z'
х'
У
38,0
18,7
У
Z
158
73,7
*) Опечатка у автора.
**) Аналогичные данные приведены в [377].
М2 измерено методом Диксона—Коэна по отношению к М2 плавленого
кварца при %= 0,6328 мкм для продольных волн.
х' и z' лежат в плоскости (010).
х' параллельна плоскости спайности и повернута на угол 25,7° от оси х.
г' перпендикулярна плоскости спайностиjh повернута на угол 114° от оси z.
23. 	Дополнительные сведения. Условия роста см. [1234].
69. 	Pb6(Ge04)(V04)2
1. Вид материала. Монокристалл синтетический, желтого цвета
выращивается из расплава [620].
2. Симметрия кристалла. Гексагональная, б/m, Р6/т[с1ь) структура
апатита [620]; С6 [32].
Параметры решетки, А. а = 10,089, с = 7,393 [620, 1235]
4. 	Плотность, г/см3. 7,15 — расчетная [620]

69. Pb5 (Ge04) (VO*),
513
5. 	Температуры фазовых переходов, °C. Tпл = 905 [620].
11. Твердость. По Моосу 4 [620].
12. Упругие постоянные.
сап9 Ю11 Н/м2 [1236].
сп = 0,71» с33 = 0,84, с44 = 0,17, с12 = 0,21, с13 = 0,33 рассчитаны из
значений скоростей звука, измеренных при / = 34 МГц.
13. Скорости упругих волн, 105 см/с, vL [oioj = 3,11, roou = 3,45,
Vs roioj rooi] = 1,49, ^5f0ioj riooj = 1,66 [620]; рис. 69.13.1.
Температурные коэффициенты скоростей упругих волн. dvi[001i/dT =
= 170-10-6 К*"1 [620].
Рис. 69.13.1. Угловая зависимость
скоростей звука в монокристаллах
Pbe(Ge04)(V04)8: / -квазипродольная
волна, 2-квазисцвиговая волна (0-
угол между осью [001] и
направлением распространения звука) [1236].
В, М/см
Рис. 69.14.1. Зависимость
затухания упругих продольных волн В
Pb6(Ge04)(V04)2,
распространяющихся: / — вдоль ОСИ Z, 2-вдоль оси
у при Т = Ткоин [620].
14. 	Затухание упругих волн, дБ/см. Рис. 69.14.1, см. рис. П. 11.13,
[620]
В
V
f, МГц |
1 в
V
f. МГц
0,8
L [010]
100
0,5
L [001]
100
2,1
L [010]
300
2,1
L [001]
300
15. Диэлектрические свойства. 8ц/80 = 50, &33/е0 = 70 при /=1 КГц [1236].
16. Показатели преломления, пх = пу — 2,281, nz — 2,275 при Х = 0,6328 мкм
[620].
17. Пропускание и поглощение. 0,52 -ь 5,5 мкм [620].
17 Под ред. М. П. Шаскольской

514
70. Bi2(Mo04)3
19. 	Пьезо- и упругооптические свойства.
Ри = 0,233, Рзз = 0,327, р44 = 0,002, /?66 = 0,017, /?12 = 0,201, /*13 = 0,205,
Psi = 0,144, р61 = 0,009 [620].
Рбб = 1/2(Рп — Р12) для Х = 0,6328 мкм, Т = 20 °С.
21. 	Акустооптические свойства. См. рис. П. 11.13.
Я, = 0,6328 мкм [620]
"зв
"зв
«СВ
Е
Ы1, 10~7 см2*с/г
М2, Ю-1* с3/г
[010]
[010]
[100]
[010]
78,6
35,6*)
[010]
[010]
[001]
[100]
57,4
26,0*)
[010]
[010]
[100]
[001]
29,5
13,4**)
[001]
[001]
[010]
[100]
54,9
20,2**)
1001]
[001]
[010]
[001]
137,0
50,6**)
[010]
[010]
[001]
[100] [010]
73,9
со
со
сд
*
*
[010]
[001]
[100]
произвольная
0,03**)
[010]
[100]
[001]
произвольная
0,83
1,32**)
*) « = 2,281.
**) п = 2,275.
70. 	В12 (МоО^з
1. Вид материала. Монокристалл синтетический, выращивается
вытягиванием из расплава [1237].
2. Симметрия кристалла. Моноклинная, класс 2/т, Р2х/с (C^h) [1237, 1238].
Постоянные решетки, А.
а
ь
с
Р
7,85
11,70
12,25
116°18'
[1239].
7,67
11,54
12,00
115°24'
[1238]
7,719
11,512
11,981
115°43'
[1237]
4. Плотность, г/см3. 6,26, 6,22а~™расчетная [1238]; 6,22, 6,204—“расчетная
[1237].
5. Температуры фазовых переходов, °С. Тпл = 670 [1238].
6. Растворимость. Нерастворим в воде [1237].
13. Скорости упругих волн, 10^ см/с. У1[ою] = 3,81 ± 0,01 [1237].
14. Затухание упругих волн, дБ/см 0,5 ± 0,1 для vL Г010] при / = 300 МГц.
Измерено акустооптическим методом [1237].

71. ФТОРИД МАГНИЯ — БАРИЯ MgBaF2
515
16* Показатель преломления. Рис. 70.16.1;
/1 = 2,08 при Х = 0,5893 мкм [1238]; /1^=2,464±
±0,001, ^=2,266 ±0,001, %=2,304± 0,001 при
X =0,633 мкм, измерено методом минимальных
смещений [1237].
17. 	Пропускание и поглощение. Край
поглощения 0,410 мкм [1238]; 0,460 ч- 5,3 мкм —
измерено на спектрометре [1237].
19. 	Пьезо- и упругооптические свойства.
Р22 —0,388 ± 0,01, Pi2== 0,304 ± 0,01, Р32 —
= 0,367 ±0,01 [1237].
21. 	Акустооптические свойства.
% = 0,633 мкм [1237]
"зв
"зв
Е
Мг, 10->8 С3/г
[010]
[010]
II [010]
59,3
[010]
[010]
II [001]
58,6
[010]
[010]
II [100]
60,1
л
Рис. 70.16.1. Дисперсия
показателей преломления п
Bi2 (Мо04)3 [1238].
71. 	ФТОРИД МАГНИЯ —- БАРИЯ MgBaF2
1. Вид материала. Синтетический монокристалл, выращивается из
расплава по методам Бриджмена или Чохральского [1240].
2. Симметрия кристалла. Ромбическая, класс тт2, Стс2ъ (А21ат), (СЦ)
[1240, 1241].
Постоянные решетки, А. а = 4,125, 6 = 14,509, с = 5,81 [1241]; а = 5,810,
b — 14,509, с=4,125 [501].
z = 4
5. 	Температуры фазовых переходов, °С. rnjI=925 [1240], 7,пл=865±5 [501].
8. Тепловое расширение, 10”* «К-1. ав=11,5, а&=21, ас=20 при 7"=20 °С
[1240].
10. Спайность. По (010) [1240].
12. Упругие постоянные,
Стп' Ю11 дин/см2 [1240]
Си = 10,40, С22'с=:8,10, Сзз= 12,97, 4 = 3,21, £55 = 5,51, Сбб = 2,47,
с12 = 2,87, Ci3 = 6,37, с2з = 3,58 измерены методом Шефера — Бергмана при
/=15 МГц, Т=20 °С [1240].
Температурные зависимости упругих постоянных:
Tc*m = d4cgnldT, 10-® К-Ч1240].
Г Си = — 0,094, Тсй = — 0,167, 77*®=—0,397, ГсЛ=— 0,27, Гс£=—0,20,
Tcf« = — 0,27, Тси = — 0,06, Tci3 = — 0,24, Гс?3 = —0,05.
17*

516
72. БАНАН, НЙОБАТ БА^ЙЯ-НАТ^ЙЯ Ёа2ЫаЫЬ601в
15. Диэлектрические свойства.
еЛ = 8,40, еь —14,75, ес = 8,24 при /=10 МГц [1240]; га
= 8 при / = 100 МГц [501]; га = 2\ вблизи Т = ТПД.
16. Показатель преломления.
= 8, 6^=14,
X, мкм
п«
ПЬ
0,546
1,4738
1,4496
1,4661
[1240]
0,53
1,473
1,450
1,467
[1241]
1,06
1,467
1,439
1,458
[1241]
Ц2 0,3 0,4'В 7 8 9
Л,жм
Рис. 71.17.1. Спектр оптического
пропускания / MgBaF4: /-кристалл
оптического качества, 2 — кристалл»
содержащий следы кислорода [1240].
17. Пропускание и поглощение. 0,185 —
•- 8,0 мкм [1240]; рис. 71.17.1.
20. Нелинейные оптические свойства.
,2(0
«15 :
= 0,07, d%4 = 0,07, df? = 0,07, d!“=0,13,
4f = 0,05, даны по отношению к d\f Si02 ±
± 20% [1241].
т
22. Пьезоэлектрические свойства, йщ,
10“8 ст. Кл/дин [1240].
dm = 24,2, ^122 = 7,5, d133 =—12,5,
d212 =—15,9, d31B= — 3,7 измерены
статическим методом.
т
euky Ю5 ст. К л/см2 [1240]
еш == 1 >83, £122 = 0,84, е133 = 0,19, e2i2 = —0,79, £313 =—0,42.
k = 20o/o при N3B || [100] и U3B || [100]; k= 17% при N3B || [100] и U3B || 1010].
23. Дополнительные сведения. Пироэлектрический коэффициент y = 0,^4X
X Ю“9 Кл/см2-град [1241]; Ps= 7,7 (3). 10“2 Кл/м2 [501, 727].
72. БАНАН, НИОБАТ БАРИЯ — НАТРИЯ, Ba2NaNb50i5
1. Вид материала. Монокристалл синтетический, бесцветный,
выращивается методом Чохральского [1139, 1242, 1243].
2. Симметрия кристалла. При Ткомн—орторомбическая, класс mm2f (C2v)
[1244], при 71 = 300 -s- 560 °С—тетрагональная со структурой калий-вольфра-
мовой бронзы [1245, 41, 343].
Постоянные решетки.
Зависимость постоянных решетки от температуры см. [501].
4. Плотность, г/см3*5,3 [1139], 5,41 [1242].
5. Температуры фазовых переходов,
[1243, 1245]; Гпл= 1440 [1246, 1247]; 7\1Д =
’С. Тп
1500
[1244]; Гпл=1460
^ 1450 [543]. Гк =560 -г- 600 — пере-

И. БАНАН, НИОБАТ БАРИЯ-НАТРИЯ Ba2NaNb6015
517
ход из ромбической фазы в тетрагональную, Гк зависит от соотношения
Nb/Ba [1248, 1243, 1245, 714]; Тс = 300 [1246, 1247, 392, 1244].
6, Растворимость. Нерастворим в воде.
8. Тепловое расширение, 10"6 К”*.
[501]
Т, °с
«и
<*33
т, °с
«и
&33
50 200
10,4
11,4
о
о
СП
о
8,3
—17
200 -г- 250
14
16
450 -г- 500
8,3
—31
250 ~ 300
16,6
10,4
500 550
8,5
—49
300 -г- 350
8,3
0,298
550 600
7,15
—60
350 -f- 400
8,3
—0,955
12. 	Упругие постоянные.
cmn’ l°U* Н/м2 112451
Сц = 2,39, с22 =2,47, с33 —1,35, £44 = 0,65,
£55== 0,66, Cg6 = 0,76, с12 — 1,04, с13 = 0,50, ^23 = 0,52.
sEm,W'12M‘/H
Рис. 72.12.1. Зависимости
упругих податливостей Ba2NaNb5015
в тетрагональной фазе и
орторомбической 0$тп от
температуры [1250].
Рис. 72.12.2. Зависимости
упругих податливостей Ba2NaNb6015>
в тетрагональной фазе j^in и
орторомбической 0smn от
температуры [1250].

518
72. 	БАНАН, НИОБАТ БАРИЯ-НАТРИЯ Ba2NaNb5Oie
Smn, 10-12 м2/Н [1249, 1250]
«И
S22
S33
S44
S85
s««
S12
s 18
s£3
5,-30
5,14
8,зз
15,4
15,2
13,2
—1,98
—1,20
—1,25
5,00
4,81
7,85
14,3
14,0*)
—
—
—
—
При ТК0МИ измерены методом резонанса — антирезонанса*
Температурные зависимости упругих постоянных. Рис. 72.12.1, 72.12.2.
Зависимость smn от Т см. [1250].
13. 	Скорости упругих волн. Рис. 72.13.1—72.13.11, см. рис. П.II.4, П.11.6.
у# = 3,17* 105 см/с, Ду/уя = 0,05% //-среза при N3B || г [443]; pvL faci
=32,6-10® кг/м2-с [1139, 832]; pi>L[001] = 33,3-10® кг/м2*с [41].
Рис. 72.13.1. Сечение поверхностей обратных скоростей
Ba2NaNb6Ot5: 1 — QL, 2 — QS, 3 — S (t/3B и [001]) (без учета
пьезоэлектрических добавок): / — (р/сц)1/*, // — (p/Ce*)1/*, III —
( 4f> V/z, /V-(P/C4«),/2.
\c11l + c22 + 2cee — У (ctl — c22)2 + 4 (c12 + cee)2 /
v_ (-J.P- Y<4 V/- {p/c„)V*. VII-ip/c„)Vt,' V///-
\LC44 + C55 J
/ 4p у/,
\^n+^2 2 + 2cee + l^(Сц-с2г)2 + 4 (c12 + £ee)2 /
<р/см) /2, /X-
“[35].
Рис. 72.13.2. Сечение поверхностей обратных скоростей
Ba2NaNb5015: 1 — QL, 2 —<tS, 3 — 5 (tf3B ll [010]) (без учета
пьезоэлектрических добавок):
Он
4р
+ с33 + 2с55 + У^(Сц —с33) 2 + 4 (с13 + с65)2
1/*, П-(р/с„)'1г,
у ///— (р/Свв)1/г, К-(р/С44)
V//, /Х-(р/с65)’/2, VIIl-(p/css)/!t,
_ / 4р
\СцН
V*
У/
/У-
1+^33 + 2C55--V^(Сц—Сзз)2 + 4 (с13 + с65)2
( —2£_у7
\С44 +Свв у
уЛ [35].
Рис. 72.13.3. Сечение поверхностей обратных скоростей
Ba2NaNb6016: 1 — QL, 2 — QS, 3 —S (UaB II [100]) (без учета
пьезоэлектрических добавок):
i-( 4р
\С22 + Сзз+2С44 + *ЛС22-Сзз)2 + 4 (С23 + С44)2
ч»
// — (р/С22) /2
///-(рЛ**)1/*. IV-
4р
^с22 + с2з+2с44—У~ (с22 ~ с зз)2 +4 (с23 + с
-У7*.
;4W
V - (р/с14)
v/—Г —1г—У
\с65 + свв у
V// - (р/^4>
VIII - (р/Саз/Ч /Х-(р/с,5)1/г [35].

ЦкЧ/е
Рис. 72.13.4. Зависимость
скорости рэлеевской упругой волны
величины и угла
потока энергии Ф неметалл изи-
рованного л-среза Ba2NaNb5015
от угла Эйлера 0 (см. рис.
П.1.1, П.1.2) [44],
Рис. 72.13.5. Зависимость
скорости рэлеевской упругой волны
V£, величины А^/Уоо и Угла по'
тока энергии Ф неметалл изиро-
ванного г/-среза Ba2NaNb50,5 от
угла Эйлера 0 (см. рис. П.1.1,
П.1.2) [44].
Рис. 72.13.6. Зависимость ско.
рости рэлеевской упругой волны
величины угла
потока Ф энергии z-среза
Ba2NaNb5Oi5 от угла Эйлера 0
(см. рис. П.1.1, П.1.2) [44].
Рис. 72.13.7. Зависимость
скорости рэлеевской упругой волны
и величины лг-осьбули
Ba2NaNb015 от угла Эйлера jll
(см. рис. П.1.1, П.1.2) (угол
потока, энергии Ф равен нулю) [44].

520
72. БАНАН, НИОБАТ БАРИЯ-НАТРИЯ BajNaNbbOje
vr,m/c
Рис. 72.13.8. Зависимость скорости
рэлеевской упругой волны Vj^ и величины
AVj^/Voo у-осъ були Ba2NaNb6015, от
угла Эйлера ja (см. рис. ПЛ.1, ПЛ.2)
(угол потока энергии Ф равен нулю) [44].
Рис. 72.13.10. Зависимость скорости
рэлеевской упругой волны Vg и величины
Avg/voo л>ось цилиндра Ba2NaNb60le от
угла Эйлера v (см. рис. ПЛ.1, ПЛ.2)
(угол потока энергии Ф равен нулю) [44].
Рис. 72.13.9. Зависимость скорости
рэлеевской упругой волны Vq и величины
Av^fVoo 2-ось були Ba2NaNbOj8 от угла
Эйлера % (см. рис. ПЛ.1, П. 1.2) (угол
потока энергии Ф равен нулю) [44].
Ц,,м/с:
Рис. 72Л 3.11. Зависимость скорости
рэлеевской упругой волны vд и величины
Avr/v ОО «/-ось цилиндра Ba2NaNb6018 от
угла Эйлера у (см* рис. П.1.1, ПЛ.2)
(угол потока энергии Ф равен нулю)
[44].

fi ВАЙАН, ЙИОЁАТ ЁА^ЙЯ-МаТРЙЯ fea2jSfaNb60i5 S21
v, м/с [1249]
Ориентация
Vv
м/с
, м/с
измеренная
расчетная
измеренная
расчетная
л>срез
3365
3358
1893
у-срез
3415
3413
1893
г-срез
3075
3073
1760
1764
(zxl) 45°
3108
3095
1829
1830
(xyl) 45°
3042
3056
1821
1824
(yzl) 45°
3430
3431
1825
1821
я-стержень
3020
2984
у-стержень
3060
3028
14. Затухание упругих волн. Рис- 72.14.1. См. рис. П.П.6.
15. Диэлектрические свойства. Рис. 72.15.1.
е4
е2
8 з
Т, °С
f
246
242
51
30
[1244]
191
191
48000
560
—
[1250]
244
248
43 *)
_
—
[1250]
—
—-
30
__
—
[832]
242
—
51
—
100 кГц-г- 100 МГц
[714]
210
—
29
25
—
[1251]
215
—
30
50
■—
[1251]
*) ет.
[1249, 1139]
8ц/80
822/80
833/8о
8Т//8о
235
247
51
8^/80
222
227
32

522 72. БАНАЙ, МЙОБАТвБАРЙЯ-МАТРЙЯ Ёа^аЫЬАа
tga [1251]
т9 °с
0,1 ГГц
0,3 ГГц
1 ГГц
2 ГГц
с-ось
25
0,0054
0,0040
0,0024
0,012
50
0,0057
0,0037
0,0023
0,012
25
0,068
0,037
0,0068
„
я-ось
50
0,069
0,041
0,0070
—
16. Показатель преломления. Рис. 72.16.1.
к, мкм
я,
пв
0,4579
2,4284
2,4266
2,2931
[501]
0,4765
2,4094
2,4076
2,2799
[501]
0,4880
2,3991
2,3974
2,2727
[501]
0,4965
2,3920
2,3903
2,2678
[501]
0,5017
2,3879
2,3862
2,2649
[501]
0,5145
2,3786
2,3767
2,2583
[501]
0,5321
2,3672
2,3655
2,2502
[501]
0,6328
2,3222
2,3205
2,2177
[501]
1,0642
2,2580
2,5267
2,1700
[1244]
0,532
2,373
2,370
2,256
[1244]
0,6328
2,326
2,324
2,221
[1244]
1,064
2,263
2,261
2,175
[1244]
0,589
2,336
2,338
2,229
[1250]
17. Пропускание и поглощение 0,4 ч-5 мкм [1243, 1245]. Рис. 72.17.1.
Зависимость R от волнового числа см. [501].
18. Электрооптические свойства. Рис. 72.18.1.
IW 10-» м/В [501]
^13= 15, Г2з = 13, Гзз = 48, /"42 = 92, r6i = 90,
Г33 — (z^i/rts) ^13 = 31,9, Г33 — (Я2/Я3)3 г2з ^ 35,0
при к = 0,633 мкм [392],
4=29; 4=8; 4 = 7; 4 = 75; 4 = 88 [392].
I пагза | = (6,2 ± 0,4) • 10-* см/В,
| nfru [= (2,3 ± 0,4)• 10~8 см/В,
I «1/-231 ==<1,7± 0,4)-10-* см/В при Е\\г [1244].
Зависимость Я/|л|г88—ПуГы | от Т см. [501].

72. БАНАН, НИОБАТ БАРИЯ-НАТРИЯ Ba2NaNb6015
523
Б
Рис. 72.14 Л. Зависимость
затухания упругих волн В (в 10~*дБ/м^
в Ba2NaNb6015 от температуры:
/ — распространение вдоль оси с,
2 — распространение вдоль оси b
[501].
Рис, 72.15.1. Зависимости
диэлектрических проницаемостей
Ba2NaNb5015 в орторомбической
о и тетрагональной фазах
г8/7/8° от температуры [1250].
Рис. 72.16.1. Зависимости
показателей преломления
Ba2NaNb6015 для
орторомбической Qn и тетрагональной тп фаз
от температуры [1250].
А, см'1
Рис. 72.17.1. Дисперсия
коэффициента поглощения света А
Ba2NaNb601# для чистого образ*
ца (/), для образца с добавками
0,036 вес. «/о Fe и 0,02 вес. %>
Мо (2) [1252].

524
72. БАНАН, НИОБАТ БАРИЯ-НАТРИЯ BaaNaNb»Oie
м4/Кл2
А,, мкм
Ян
*12
*44
0,6328
+0,17
+ 0,04
+ 0,12
[717, 1253]
—
—
+ 0,048
—
[714]
20. Нелинейные оптические свойства.
= 28 ± 2; = 20 ± 2; 4® = 23 ±7 по
отношению к dlf кварца [1244]. с© = 42 ± 3, ^1з> =
= 41 ±4, dlf = 35 ± 7 по отношению к dli квар-
ца [1254].
d*® и (10 ч- 14) d2® KDP [1243, 1245]
Рис. 72.18.1. Дисперсия
электр ооптического
коэффициента гс = | r33-(na/nc)3rt9 |
Ba2NaNbe018 [501].
[501]
и /
d2(d/d2®
aij /11 кварца
^сэксперим»
мкм
^расчетн»
мкм
^///^Пкварца
31
40
48
33,7
1,48
32
40
35,9
40,3
1,5 J
33
55
3,4
3,32
2,53
15
40
1,72
1,72
1,46
24
38
1,72
1,73
1,39
22. 	Пьезоэлектрические свойства. Рис. 72.22.1, 72.22.2.
Рис. 72.22.1. Зависимость эффективного коэффициента электромеханической связи &эфф
Ba2NaNb601# от угла поворота для пластин, повернутых вокруг оои х (а) и у (б) [1249]

72. БАНАН. НИОБАТ БАРИЯ-НАТРИЯ Ba2NaNbftOie
dta, 10-» Кл/Н
525
dig
dz 4
d^i
d 32
dzz
4,2
5,2
— 0,7
—0,6
3,7
[1249]
3,2
4,5
— 0,68
— 0,69
3,4 *)
[1250]
*) Для орторомбической модификациии.
е1т Кл/м2 [1249]
e24
*81
est
*83
2,8
’ 3,4
-0,4
— 0,3
4,3
Рис. 72.22.2. Зависимости
пьезоэлектрических модулей
Ba2NaNb6015 в орторомбической
o^lm и т^1т
зах от температуры [1250].
[1249, 1139, 1255, 41, 343]
&!*»
%
^24»
%
^31» %
&32» %
%
kSt
%












измерасизмерасизмерасизмерасизмерасизмерасренная

четная
ренная

четная

ренная
четная

ренная
четная
ренная
четная

ренная
четная
21 ± 5
24 *)
25 ± 5
28**)
14
14
13
13***)
57 ± 1
57***)
16
Г
со
сч
20 ±5
—
20 ± 5
—
—
—
—
—
57 ± 1
—
—
—
•) *-срез.
**) у-срез.
•**) z-срез.
****) (yzl) 45°,
kf в интервале 0 ч- 100 °С не зависит от температуры [1255].
23. Дополнительные сведения.
Обнаружено микроволновое поляризационное эхо и генерированы нано-
секундные гиперзвуковые импульсы; время фазовой памяти для систем элект.
рических диполей хп 1,5• 10—7 с, время продольной релаксации с
при Т=4,2 К [1246].
РЯ=!,3 МОм«см, Кх/2 = Ю0 при Г = 550°С [1248]; Ps =0,40 Кл/м2 [714];
VX/a = l,2 кВ [1245, 1243],

526 73. БАСТРОН, НИОБАТ БАРИЯ-СТРОНЦИЯ (Sr^Bai-AONbaO.
73. 	БАСТРОН, НИОБАТ БАРИЯ — СТРОНЦИЯ, (Sr*Baw) Nb2Oe
1. Вид материала. Монокристалл синтетический, бесцветный или
янтарножелтый, выращивается из расплава методом Чохральского [1256, 788, 1257,
1258, 1250].
2. Симметрия кристалла. Тетрагональная, класс 4тт [812, 1260, 1281],
Р4Ьт, (с!у) структура калий-вольфрамовых бронз [1259, 1261, 1262],
моноклинная, P2l/a(cth).
Постоянные решетки, А.
Для составов:
а
с
1—* = 28
12,41
3,910
1 —д: = 35
12,46
3,946
1 —* = 54
12,53
3,961
Точность определения параметров Да = 0,05 А, Дс = 0,005 А [1262].
[1256]
а
ъ
с
V
*
12,43024 ± 2-10-§
—
3,9413 ± ЫО-5
—
0,75
4. Плотность, г/см3, 5,4 при * = 0,75 [1256]; 5,4 при * = 0,50 и 0,75 [788].
5. Температуры фазовых переходов. °С. Т,Пл=1500 ± 10 для * = 0,75,
измерено оптическим пирометром [1256, 1245], 7,Пд=1406, [543].
*р,
Рис. 73.7.1. Зависимость
теплоемкости Ср от
температуры: 1 — (5г0,ззВа0(в7) ЫЬгОд,
2 — (Sr0>5Ba0,5) Nb2Oe, 3 —
(^Го,7бВао,8ь) Nb2Oe £501Д.
гк,°с
X
60
0,75
[1256]
130
0,50
[714, 1260]
250
0,25
[1263]
50
0,75
[1263]
7. 	Удельная теплоемкость. Рис. 73.7.1.
13. 	Скорости упругих волн, 105 см/с.
оои = ^>5 для *=^0,75 и *==0,5 [41].

п. ЬАСТРоН, ЙЙОбАТ ЁАРиЯ^СТРОЙЦЙЯ (8гл6а,_А-)КЬ<0« 82?
14. Затухание упругих волн, дБ/см. 61 для t>£[ooi]> ПРИ /=Ю2 МГц,
ЛГ = 0,75 [788]; 4 дБ/см-ГГц2 для i>irooij> * = 0,75. См. рис. П.II.13.
15. Диэлектрические свойства. Рис. 73.15.1.—73.15.3.
X
et
т, °с
/, МГц
_
3400
[1260]
0,75
—
6500
—
0,01
[812]
—
3400
—
15
[812]
3000
—
100
[812]
—
450
—
—
[1260]
500
—
0,01
[812]
0,5
—•
450
—
15
[812]
—
400
—
100
[812]
344
310
25
_
[1251]
350
385
55
—
[1251]
—
118
—
—
[1260]
0,25
—
250
—
0,01
[812]
—
120
—
15
1812]
—
100
—
100
[812]
W5 №1 107
а)
Рис. 73.15.1. Зависимость
действительной е' и мнимой 8" частей
диэлектрической проницаемости от ча'
стоты для: (Sr0,5Ba0,5)Nb2Oe (а) и
(5Го?2бВаО,75)^Ь20в (о) [501].
tg б [1251]
т, °с
0,1 ГГц
0,3 ГГц
1 ГГц
2 ГГц
с-ось
25
0,068
0,033
0,034*
0,047
с-ось
55
0,105
0,054
0,042
0,050
а-ось
25
0,0034
0,0072
0,0098
0,022
а-ось
55
0,0038
0,0077
0,0098
0,024
[1262]
Состав
1-*=28
1-^35
1 — * = 54
820°С
5000
1600
1150
8шах
19000
27600
60000
^8тах» °С
52
' 72
130

528 73. ВАСТРОН, НИОБАТ БАРИЯ-СТРОНЦИЯ (SrvBa,_*)Nb4Ot
Рис. 73.15.2. Зависимость
диэлектрической '
проницаемости 8 от температуры для
(Sr0fj5Ba0,75)ЫЬгОв [501].
Рис. 73.15.3. Зависимости /, 2 — диэлектрической прони*»
цаемости 8 и 3, 4 —< tg 6 для (Sr0|26Ba0>75)NkiOe темпе-
ратурРы; X-полидоменный образец, Q—монод,омвшшй об<~
разец [1264].
Зависимость диэлектрической проницаемости кристаллов на1 частоте ГкГ^щ
от температуры и связь между высотой максимума 8 ш температурой-
кристалла; температурные зависимости 8 и tg б на частоте 219,5 МГц,
температурные зависимости обратной диэлектрической проницаемости I/s' (Т) и
потерь 8" (Т) для состава Ba0>27Sr0)73Nb2O6 с добавками Ge см. [1262].
&зз и tg б для
электрически
поляризованных кристаллов, Т =
= 23°С
833 и tg б для
электрически
деполяризованных Кристалов, Т —
= 23 °С
езз и fg б ДЛЯ
чески Зажатых крй*
сталлов, Т ==■■ 23 °С
f* кГц
езз
tg б
1
429
0,0085
10
423
0,0075
100
419
0,0162
кГц
8зз
tg 6
1
386
0,0128
10
378
0,0132
100
369
0,0236
/, МГц
со
О» ч
03
tg 6
30
282
0,048
40
285
0,051
50
286
0,057
Диэлектрическая постоянная 833 как функция от частоты для электрик
чески поляризованного и электрически неполяризованного состояния, Т =*
== 23 °С, см. [1265],

73. -БАСТР-OH» НЙбЁАТ 6АРЙЯ-СТР0НЦИЯ 529
(Sr Ва.^^) Nb2Oe от температуры при А,= 0,633 мкм: /, /'-* = 0,25; 2, 2-*= 0,50;
3, 3'-* = 0,75 [812].
Рис. 73.16.2. Дисперсия показателей преломления /, 2, 3 — nQ, 2\ 3' ng — для
(SrxBa1_A.) Nb2Oe: /, /'-*=0,25; 2, 2'-* = 0,50, 3, 3'-х=0,75 [812],
Рис. 73.17.1. Спектр оптического пропускания / (SrMiBa0,7l) NbsO«| (812) (а), [1256] (б).

■Sad
U. ЁАСТ^ОН, MHOgAf ЁАРИЯ-СТРОМЦИЯ (ЗгхВа^-лШЬаОб
16. Показатель преломления, рис. 73.16.1, 73.16.2.
17. Пропускание и поглощение. 0,4 ч-6,0 мкм [1260, 1245], 0,4 ч-8,0 мкм
[812]; рис. 73.17.1 ~ 73.17.3.
Рис. 73.17.2. Спектр оптического про- Рис. 73.17.3. Спектры оптического по-
пускания I (Sr0,5oBa0,5o) Nb2Oe (/i= глощения А: 1 — (Sr0,7SBa0,25) Nb2Oe,
= 0,003 см) [501]. 2 — (Ba0,29Na0,72) Nb5,02O15 [1266].
18. 	Электрооптические свойства.
Т[т, 10“6 см/ст. В
X
1 7*33 |
1г131
1 Гв1 I
0,75
40,2
2,0
1,26
[1260]
0,75
40,2
1,94
1,26
[1268]
Продольные и поперечные электрооптические явления в кристаллах
состава Ba0>39Sr0>elNb2O6 см. [1269].
19. Пьезо- и упругооптические свойства.
X = 0,6328 мкм
X
Рп
Раз
Pi 2
Р13
Р 31
0,75
0,16
0,47
0,10
0,08
0,11
0,50
0,06
0,23
0,08
0,17
0,09

73. БАСТРОН, НИОБАТ БАРИЯ-СТРОНЦИ Я (Sr^Ba^^NtbOe 531
21. 	Акустооптические свойства. См. рис. 0.11.13.
Я = 0,633 мкм [78в]
*
Ртп
Ми Ю“7 см2-с/г
м2, Ю“1в с3/г
MSt Ю“”12 см-с2/г
Рзз
*268,0
38,6
48,8
0,75
Ри
26,9
2,66
4,08
Рзз
59,3
8,62
10,8
0,5
Pl3
36,4
5,19
6,62
23. 	Дополнительные сведения.
[£7]я/2» В [1260} I—оптическая длина пути
f, МГц
*=0,75
*=0,50
*=0,25
МГц
* = 0,75
*=0,50
*=0,25

Постоян? 37
250

15
48
580
1236
ный ток
1
80
67-6
1340
100
—
580
—
Ps =0,14 ± 0,02 при х — 0,75, Ps =0,25 ± 0,03 при х = 0,25 [714]; фото-
ток короткого замыкания см. [1270].
р^ — Ю12Ом-см [1263]. Температурная зависимость электропроводности,
измеренной вдоль оси г, — см. [1269]. Температурные зависимости
спонтанной поляризации и коэрцитивного поля см. [1264].
Спектры фотопроводимости см. [1266]. Травители и фигуры травления
см. [1258]. Зависимость спонтанной поляризации от температуры для
различных составов Sr^Ba1_^Nb2Oe см. [501]. Фазовая граница и температура Кюри
для Sri.^Ba^Nt^Oe см. [1256]. Петли гистерезиса при различных
напряженностях электрического поля см. [1259].
Зависимость Ps и Ес от температуры для состава Sr0t46Ba0>54 Nb2Oe,
зависимость сдвига края поглощения от поля и температуры см. [501, 1270].
[1262]
Для составов
1—*=28
1—*=35
1-*=54
?2о °с мк Кл/см2.*К
0,39
0,12
0,08
Ттах
0,47
0,62
2,7
^Ymax» °С
26
50
125
Величина пирокоэффициента для кристаллов в функции температуры см.
[1212], ,

632 74. ФРЕСНОИТ Ba2Si*TiOe
74. 	ФРЕСНОИТ BaaSigTiOg
1. Вид материала. Синтетический монокристалл, выращивается методом
Чохральского [1271].
2. Симметрия кристалла. Тетрагональная, класс 4mm, P4bm (С|г,) [1271,
806].
Постоянные решетки, А. а = 8,55, с = 5,22 [1271], а = 8,520, с == 5,210 при
Г = 20 °С [1272].
4. 	Плотность, г/см3. 4,45 [1271]; 4,446 [1272].
8. Тепловое расширение, 10-®.К-"1. ^ = 8,7, а3 = 9,3 [1272]; ^ = 9,8,
а3 = 10,3 [1273].
11. Твердость. Яд = 380 ± 17 кгс/см2 при Т = 20 °С [1272].
12. Упругие постоянные.
Cmn, 1010 Н/М®
cli
С 33
С44
Свв
С12
^13
16,95
9,99
3,17
6,94
5,77
4,36 *)
[1272]
14
8,3
3,3
5,9
3,6
2,4
[1273]
*) Т = 20 °С, /=15 МГц, измерено методом Шефера — Бергмана,
относительная погрешность <2%.
Smn, Ю-“ М2/Н
5ц
S3S
S44
se«
S42
Si з
7,6
13
30 *)
[1271]
7,6
13
17
17
-1,6
-1,7
[1273]
*) Расчетные значения,
Температурные зависимости упругих постоянных, Тстп, 10~3 ГС)-1.
T clt
Tczz
T C44
T C99
T сХг
T’Cis
у
—0,34
—0,15
—0,074
—0,15
—0,30
—0,37
[1273] *)
—0,28
—0,12
—0,08
—0,12
—0,60
—0,40
[1272] **)
*) ТСтп.
**) Tcjnri—dlgCmnldT вычислено из температурных зависимостей
резонансной частоты для толстых пластин. Относительная погрешность 40%.

74. ФРЕСНОИТ Ba,St*Ti08
533
TsL, 10-*(вС)-Ч1273]
Tsu = 0,24, 7*533 = 0,14, T,s44 = 0,074, 7*500 = 0,15, Ts^^1 0,68, 7,Sj3 = 0,26.
13. 	Скорости упругих волн, 105 см/с, vr foioj = 2,842, плоскость (100);
рис. 74.13.1.
[806]
Срез
Направление
распространения
Vм/с
У
X
Z
2678’±г3
2500 ± 50
Зависимость 1>д, 2a#Mx> и Гтд от ориентации см. [1274].
[806]!
Срез
Направление
распространения
=2Avr/zJoo
г
X
0,016 ±0,003
X
У
0,0046 ± 0,0020
У
Z
0,0010 ± 0,0006
Температурные коэффициенты скоростей звука, 10“в К"1, рис. 74.13.2,
74.13.3 Tf# = 33 ± 2 для основной моды, Tf#=—38 ± 1 для второй моды,
для среза (110) при Т = —20-*-80°С.
15. Диэлектрические свойства. su/s0=15, 833/80= 11 при /=1 кГц
[1271, 1273]. 81=12,5, 8з=8,55 при /=10 МГц и Г = 20°С [1272]. Измерено
иммерсионным методом с тонкими пластинами, относительная погрешность
меньше 5%, Tefi = 5-10-«(°C)-*. Гвад=329-10-в (°С)-1 [1273, 1274].
16. Показатель преломления.
7, = 20°С [1272] (метод призмы)
X, мкм
По
пе
. 0,405
1,7959
1,7890
0,436
1,7874
1,7817
0,546
1,7685
1,7655
0,578
1,7643
1,7620

534
74. ФРЕСНОИТ Ba*Si2Ti08
Tfr,ifV
Рис. 74.13.1. Зависимость скорости рэлеевской
упругой волны vRt величины Av^/v^(в 103)
температурного коэффициента задержки Тх и угла
потока энергии Ф Ba2Si2Ti08 от ориентации
образца: / —z-ось були; II —х-, у-оси цилиндра;
III —2-ось среза; IV — х-, у-оси були; V—л>, у-
оси среза (см. рис. П.1.1, П.1.2) [806].
Рис. 74.13.2. Зависимость
температурного коэффициента резонансной
частоты Tfr от угла \Р* при Ф=0° (в
обозначениях [1307]) для Ba2Si2TiOg
[1273]
JtQMOO
-110
Я(Ф,Ш*0°)
Рис. 74.-13.3. Зависимость расчетного
температурного коэффициента резонансной частоты
Tfr {zxtwl) Ф/^/в стержневого резонатора от
углов Ф и Ч* (в обозначениях [1307]) для
Ba2Si*TiOg (сплошные кривые соединяют
одинаковые значения Tfr, значения Tfr даны в
(град)-» [1273].
%
Рис. 74.22.1. Зависимость
расчетного коэффициента
электромеханической связи
kXb (xzlw) 0°/Ф пластинчатого
резонатора из Ba2Si2TiOe от
угла (в обозначениях
[1307]) [1273].

74. ФРЁСЙОЙТ 6a2Si2ti08
535
Рис. 74.22.2. Зависимость расчетного коэффициента электромеханической связи kit (а),
^зз (б) для различных значений пьезоэлектрических констант dX5 и dsx (А—результаты
измерения по углу в обозначениях [1307]) [1273].
Г
Рис. 74.22.3. Зависимость
расчетного коэффициента
электромеханической связи /г31
от угла Ч/* при Ф = 0° [1273]
(в обозначениях [1307]).
2(Ф=99°)
О
ОМ
у(Ф~99°)^-0°)
0,19
я(ф} ф=о°)
Рис. 74.22.4. Зависимость расчетного
коэффициента электромеханической связи
k'31 (zxtwl) Ф/*Р70° стержневого резонатора от
углов Ф и ХР* (в обозначениях [1307]) для
Ba2Si2Ti08 (сплошные линии соединяют равные
значения k^j) [1273].
17. Пропускание и поглощение. 0,3 5 мкм при Т = 20 °С [1272].
18. Электрооптические свойства.
Г/у£, 10“8 см-(ст. В)”"1
r3ii= 17,7, Гпз= 15,3, г8зз = 5,1'-[1273]. Измерено статическим методом,
относительная погрешность меньше 5%.
22. 	Пьезоэлектрические свойства. Рис. 74.22.1—74.22.4.
dim, 10-*2 Кл/н [1271, 1273]
di5=18, d31 — 297, d3 з — 3,8.
dim, Ю-8 ед. СГСЭ [1272]

536
75. БЙ<ЬТЛЛАТ КАЛЙЯ, БФК, КНС8Н404
dlb=28, d&i^ 9,5, d8s= 12, относительная ошибка измерений dlb и d3
меньше 10%.
kx%
кц
kt
0,28
0,10
0,11
[1271, 1273]
0,34
—
—
0,23
[1272]
Tklb = — 86-10-6 °С-* [1273]
7т=5Ь10“6 (°С)“* для z-среза, направление распространения — ось х
[806].
Теи = —128-10““6 К"1, Гвз1 = 58Ы0-вК-^ 7>33 = —810-10“6 К”1 [1274].
75. 	БИФТАЛАТ КАЛИЯ (БФК), КАЛИЙ КИСЛЫЙ,
ФТАЛИЕВОКИСЛЫЙ КНС8Н404
1. Вид материала. Кристалл синтетический, выращивается из водного
раствора на затравке [1275].
2. Симметрия кристалла. Ромбическая, класс mm2 [1275], Pmtnm, D\h
[1276, 1277], Р2г2г2 (Dl) [1278]. В габитусе определяющими являются грани
пинакоида (010), призмы (110) и ромбической дипирамиды (111) [1278].
Постоянные решетки. А. а = 6,47, 6 = 9,61, с— 13,26 в установке Грота
[1098].
3. Молекулярный вес, 204,22 [1279].
4. Плотность, г/см3. 1,6364 [1278].
5. Температуры фазовых переходов, °С. Тпл = 2§0, данные получены из
анализа дифференциальных кривых нагревания [1275].
6. Растворимость, г/100 г воды. Хорошо растворим в воде, не
гигроскопичен [1275].
7\ °С 25 30 35 40 45 50
Растворимость 10,6 12 14 15 17 18,3
8. 	Тепловое расширение. Рис. 75.8.1.
z 10. Спайность. Совершенная, перпендикуляр-
у но оси у [1275].
31 12. Упругие постоянные.
сйп, Ю10 дин/см* [1279]
о ,, , , и- а* тк- Сц;= 18,72, с22= 13,69, с33= 18,33, С44 = 5,15,
Рис. 75.8.1. Коэффициент ^ _ .« ое
теплового расширения а БФК Сб6 ^,47, свв 6,52, Ci2 8, , C13 , , с23 —
[1159]. =6,77.

75. БИФТАЛАТ КАЛИЯ, БФК КНС^О*
537
Smn, 10-*» сма/дин при Т = 20 °С [1275]
«11=10,38, s22 = 9,90, s33 = 9,27, s44 = 20,59, s55 — 13,18, s66= 16,05, s12 =—3,8,
«18=—5,22, s23 =—0,62, измерено резонансным методом.
Температурные зависимости упругих постоянных.
TtSui, Ю-* К"* [1275]
T’s1i = 9,3, 7's22 = 4,47, T’s33 = 9,0, 7*544 = 9,0, 7*555 = 7,0, 7’s66 = 9,0,
Ts-l2=1,5, 77s13 = 5,0, Ts23 = 2,0 в интервале Т’=15-ь20°С.
13. 	Скорости упругих волн, 105 см/с. [юо] = 3,38, иц010] = 2,89,
t;Lf001J = 3,36 [1276]. Рис. 75.13.1—75.13.4.
Сечение поверхности обратных фазовых скоростей плоскостями (100) и
(010); сечение поверхности групповых скоростей плоскостями (010) и (001);
сечение поверхности обратных фазовых скоростей плоскостью, проходящей
через ось z и составляющей углы 45° с осями х и у см. [1279].
Сечение поверхности групповых скоростей плоскостью, проходящей через
ось у и составляющей углы 45° с осями х и z; сечение поверхности
групповых скоростей плоскостью, проходящей через ось х и составляющей углы 45®
Рфо]
2,5
(
\Х7/ \
 j (f 0,5
: \
 v5h
б)
Рис. 75.13.1. Сечение поверхности фазовых скоростей БФК (в 105 см/с) плоскостью (100) (а),
(010) (б), (001) (в): /—продольная волна, II —сдвиговая с поляризацией, перпендикулярной
плоскости сечения, ///—сдвиговая с поляризацией, лежащей в плоскости сечения [1279]

538
75. БИФТАЛАТ КАЛИЯ, БФК КНС8Н404
Рис. 75.13.2. Сечение
поверхности фазовых скоростей БФК
(в 106 см/с) плоскостью,
проходящей через ось х и составляющей
углы 4 5° с осями у и z: /— v^,
III-v% [1279].
Рис. 75.13.3. Сечение
поверхности фазовых скоростей БФК
(в 106 см/с) плоскостью,
проходящей через ось у и составляющей
углы 45°. с осями х и г: I — v^t
///-г»^ [1279].
с осями у иг; сечение поверхности групповых скоростей плоскостью,
проходящей через ось г и составляющей угол 45° с осями х и у; расположение
векторов фазовой и групповой скоростей относительно плоскостей,
составляющих угол 45° с основными кристаллографическими плоскостями, см. [1279].
род [100] = 3,38-Ю6 г/см2-с, pfi ГОЮ) = 4,729-105 г/см2-с, pfitooij =
= 5,498-106 г/см2-с [1279].
Сечение поверхности обратных фазовых скоростей плоскостью, проходящей
через ось л; и составляющей углы 45° с осями у иг; сечение поверхности
обратных фазовых скоростей плоскостью,
проходящей через ось у и составляющей углы 45°
с осями х и г; зависимость направления
распространения звукового луча от направления
фазовой скорости в плоскости, проходящей
через ось х и составляющей углы 45° с осями
у и г; зависимость направления
распространения звукового луча от направления фазовой
скорости в плоскости, проходящей через ось у
и составляющей углы 45° с осями х и г;
зависимость направления распространения
звукового луча от направления фазовой скорости
в плоскости, проходящей через ось г и
составляющей углы 45° с осями х и уг см. [1279].
14. 	Затухание упругих волн, дБ/мкс. 1,1
для Vi fioojy для Vi foioj» 0,68 для ^fooij
Рис. 75,13.4. Сечение поверхности
фазовых скоростей БФК (в105см/с)
плоскостью, проходящей через
ось г й составляющей углы 45* с
осями д; и у'. I — II — 111—
i$[l279].

75. БИФТАЛАТ КАЛИЯ, БФК КНС8Н*04
539
при 400 МГц [1276]; 0,56 для eoioj iooij. 1,2 для vqL при UaB 45* к х
и г и U3B _|_у; 0,79 для vQS при UaB j_y, 0,35 для t»srooij [1279].
15. Диэлектрические свойства. ец = 6,00 ± 0,02, efa = 3,87 ± 0,02,
е|3=4,34 ± 0,02 при /= 10е Гц, Е-Ъ ч- 10 В/см [1275].
16, Показатель преломления. Рис. 75.16Л.
[1275] *)
К мкм
Пх
"у
nz
Я, мкм
Пх
V
nz
0,691
1,65063
1,65386
1,48897
0,486
1,67938
1,68041
1,50280
0,656
1,65350
1,65653
1,49041
0,464
1,686036
1,68655
1,50588
0,633
1,65530
1,65818
1,49131
0,456
1,68853
1,68886
1,50709
0,589
1,66055
1,66301
1,49386
0,445
1,692098
1,69213
1,50873
0,560
1,66492
1,66697
1,49591
0,434
1,69599
1,69569
1,51047
0,508
1,67401
1,67545
1,50028
-
*) Измерено методом призмы на гониометре ГС-5, точность измерения
углов 5", точность измерения п ± 0,00003.
[1276] *)
К, мкм
Пх
п
У
nz
X, мкм
Пх
пу
nz
1,1523
1,631
1,638
1,480
0,4916
1,6782
1,6792
1,5024
0,6328
1,6555
1,6585
1,4915
0,4358
1,6952
1,6950
1,5102
0,5791
1,6622
1,6645
1,4947
0,4078
1,7076
1,7070
—
0,5761
1,6625
1,6649
1,4951
0,4047
1,7092
1,7080
1,5166
0,5461
1,6671
1,6691
1,4970
0,3164
1,798
1,788
1,555
*) Измерено на гониометре ГС-5.
2Vr=12°40' [1275], V — угол между оптическими осями. Зависимость
показателей преломления от длины зол ны см. [1280].
17. 	Пропускание и поглощение. 0,3-4-1,7 мкм измерено на
спектрофотометре «Хитачи» [1280]. Спектральное пропускание см. [1275]. Рис. 75.17.1.

840
75. ЁйФтАлАт кАлйя, ЁФК КЙ8сМ4<34
1,°/а
9,9 1,1
Я, мим
Рис. 75.16.1. Дисперсия
показателей преломления лБФК[1280]
Л, мм
Рис. 75.17.1. Оптическое пропускание I
БФК,: /—поляризация света по оси х, 2 —
по оси у, 3 — по оси 2 [1280].
19. Пьезо- и упругооптические свойства.
Ptt
Ргг
Р 38
Pl 2
р 1»
Ргх
Pz 3
Psi
Р 32
0,21
0,16
0,28
0,31
0,29
.0,22
0,27
0,21
0,46
[1276]
0,17
0,178
0,28
0,303
0,297
0,215
0,276
0,246
0,412
[1279]
21. 	Акустооптические свойства.
[1276] *)
"зв
"зв
Е
АГ„ 10—»* С*/Г
М,, Ю~7 см2 с/г
М з, 10 ~12 см -с2/г
[100]
[100]
[100]
9,5
61,65
80,0
[100]
[100]
[010]
15,3
287,99
85,2
[100]
[100]
[001]
11,1
179,59
53,1
[010]
[010]
[100]
48
6661,5
228,9
[010]
[010]
[010]
16,6
231,2
80,0
[010]
[010]
[001]
46,5
589,9
203,9
[001]
[001]
1100]
29,6
546,7
162,7
[001]
[001]
[010]
25
477,5
142,1
[001]
[001]
[001]
13,9
234,1
69,7
*) Измерено методом Диксона — Коэна при X = 0,6328 мкм и / =
= 30 4- 180 МГц.

76. ЁЙФТАЛАТ ЦЁЗЙЯ, btiCs СвМ4(СООЙ) (COOds)
541
Зависимость углов падения и углов дифракции света от частоты упругой
волны, распространяющейся по оси л; с поляризацией по оси у для длины волны
света 0,44 мкм и 0,49 мкм; зависимость углов падения и углов дифракции
света от частоты упругой волны, распространяющейся по оси у с
поляризацией по оси х для длины волны света 0,44 мкм и 0,49 мкм см. [1279].
22. Пьезоэлектрические свойства.
dim, 10-8 СГСЭ [1275]
с?15== —21,5 i 0,2, d24 = 12,9 i 0,2, d^i ——4,6 i 0,1, d32 — 26,5 i 0,1,
ds^= 16,5 i 0,2.
k, % [1275]
&15 = 8,3, k24; = 3,2, &31 = 24,4, kS2^= 14,2, &33 = 9,1. Измерено резонансным
методом.
23. Дополнительные сведения.
®Бх—'9° 16', 0Бг/ = 3°Ю', 0£г=13°47' [1275]. Удовлетворительно
распиливаются на нитяных пилах. Обработка на тонкой влажной ткани при
температуре 30 °С. Полировка на полировальнике из мягкой (№ 12) полировочной
смолы с использованием в качестве абразива окиси хрома или бихромата
калия, растворяющая среда для полировки — этиленгликоль. Большая
анизотропия модуля сдвига: малая величина вдоль оси х по сравнению со
значениями вдоль осей у и z. d31833°’5= (22 -f- 26)-10“8 ед. СГСЭ [1275].
76. 	БИФТАЛАТ ЦЕЗИЯ (БФСв)
ЦЕЗИЙ КИСЛЫЙ ФТАЛИЕВОКИСЛЫЙ C6H4(COOH)(COOCs)
1. Вид материала. Монокристалл синтетический, выращен из водных
растворов [1276].
2. Симметрия кристалла. Ромбическая Р212121, (Dl) [1276, 1277], Рттт,
сиш) [1276].
Постоянные решетки, А, а = 6,58, 6=10,81, с= 12,84 [1278].
4. Плотность, г/см3. 2,178 [1278].
6. 	Растворимость. Хорошо растворяется в воде [1276].
13. Скорости упругих волн, 10* см/с. nooj = 3,27, roioj = 2,5I,
VL rooij — 2,54 [1276].
14. Затухание упругих волн, дБ/мкс. 1,3 для vi ri00j при /== 400 МГц;
1,1 для 0,82 для vL[00U [1276].

542
77, БИФТАЛАТ РУБИДИЯ, CeH4 (СООН) (COORb)
16. 	Показатель преломления.
[1276]
к, мкм
Пх
пу
nz
Я, мкм
Пх
%
nz
1,523
1,643
1,630
1,515
0,4358
1,7046
1,6847
1,5473
0,6328
1,6702
1,6502
1,5263
0,4347
1,7049
1,6851
1,5476
0,5791
1,6731
1,6558
1,5297
0,4339
1,7053
1,6855
1,5478
0,5761
1,6737
1,6561
1,5300
0,4078
1,7163
' 1,6956
1,5538
0,5461
1,6781
1,6602
1,5324
0,4047
1,7205
1,6959
1,5547
0,4916
1,6885
1,6698
1,5385
0,3164
1,797
1,772
1,598
19. 	Пьезо- и упругооптические свойства.
I = 0,6327 мкм [1276]
Pji=f0,29, /722 — 0,133, /?зз = 0,291, /?12 = 0,218, ргз — 0,261, Р21 — 0,35,
= 0,223, Рз1 — 0,299, /?82 = 0,382.
21. 	Акустооптические свойства.
[1276]
"зв
"зв
Е
Мг, 10-*» с»/г
"зв
"зв
Е
М2, 10“18 с»/г
[100]
[100]
[100]
24,8
[010]
[010]
[001]
54,4
[100]
[100]
[010]
33
[001]
[001]
[100]
42,3
[100]
[100]
[001]
15,1
[001]
[001]
[010]
28,7
[010]
[010]
[100]
30,2
[001]
[001]
[001]
21,1
[010]
[010]
[010]
10,6
,
77. 	БИФТАЛАТ РУБИДИЯ (БФ1*Ь), РУБИДИЙ КИСЛЫЙ,
ФТАЛИЕВОКИСЛЫЙ C6H4(COOH)(COORb)
1. Вид материала. Кристалл синтетический, выращивается из водного
раствора [1276, 1281].
2. Симметрия кристалла. Ромбическая Р212121, (D|) [1278], ттт (D2h)
[1276, 1277], тт2, C2v [1276, 1281].
Постоянные решетки, А. а = 6,55, 6 = 10,02, с= 12,99 [1278].
4. 	Плотность, г/см3. 1,9333 [1278].
6. 	Растворимость. Хорошо растворим в воде [1281].
10. Спайность. Совершенная по (010) [1276].

77. БИФТАЛАТ РУБИДИЯ, CeH4(COOH) (COORb)
543
12. Упругие постоянные, 10“12 см2/дин.
smn± 0,01, 10-18 см2/дин’[1281],
sfi= 13,07, s£ =10,60, sf8= 14,29, sf4= 19,40,- s£= 14,00, sf« = 15,67.
± 0,02, 10-12 см2/дин [1281]
Si2 ——4,53, sf3 ==—7,16, S23 = —0,1, измерено резонансным методом.
Температурные зависимобти упругих постоянных.
Tsgn, 10-* К-1 [1281]
^£ = 4,7, 7’sf2 = 7,5, Ts§a = 6,8, 7’sf4 = 5,3, Tsf5 = 3,9, Tsfe = 5,1,
Г4 = 3,0, rsf3==8,5, Tsg=6,7.
13. Скорости упругих волн, 105 см/с. vLll ooj = 3,21, Vi [oioj = 2,68,
ylfooij = 2,85 [1276].
14. Затухание упругих волн, дБ/мкс. 0,28 для ищоо] при / = 400 МГц;
0,36 для fool] [1276].
15. Диэлектрические свойства, = 5,39 ± 0,01, е^ = 3,91 ± 0,01, е^3 —
= 4,37 ± 0,01 при Е = 2 В/см, /=103 Гц [1281].
16. Показатель преломления.
[1276]
К, мкм
Пх
Пу
nz
Я, мкм
пх
Пу
nz
1,1523
1,630
1,629
1,488
0,4358
1,6923
1,6838
1,5193
0,6328
1,6541
1,6486
1,4997
0,4347
1,6927
1,6842
—
0,5791
1,6603
1,6544
1,5031
0,4339
1,6930
1,6845
—
0,5761
1,6606
1,6547
—
0,4078
1,7042
1,6948
1,5252
0,5461
1,6631
1,6588
1,5056
0,4047
1,7058
1,6962
1,5258
0,4916
1,6758
1,6686
1,5111
0,3164
1,798
1,773
1,563
5° < V < 17°
Оптически двуосны, большое двупреломление в плоскостях гх и гу и малое
в плоскости ху. Оптические оси лежат в плоскости гх.
18. Электрооптические свойства,
[1276]
%, мкм
Плоскость хг
Плоскость ху
Плоскость гх
Плоскость гу
ео
°о
0о
ео
/ БФКЬ
'■>р
V*.. Ю-»
ед, СГСЭ
/БФКЬ
Скор
Vat, Ю-»
ед. СГСЭ
0,63
50°10'
50°
46°10'
46°
0,3
0,8
1,5
2
1,15.
25°
24°
22°30'
22°
0,02
0,27
0,09
0,7

544
78. ГЁРмАНАТ НАТРИЯ КОБАЛЬТА NaaCoGe04
19. 	Пьезо- и упругооптические свойства.
А, = 0,6327 мкм [1276]
ри = 0,261, р22 = 0,103, /733 = 0,301, /?12 = 0,165, /713 = 0,276, /?21 = 0,336,
Р%$ = 0,276, р$1 = 0,325, р32 = 0,325.
21. 	Акустооптические свойства.
X = 0,6327 мкм [1276]
^зв
"зв
Е
М2, 10 —1в с8/г |
| "зв
иэв
Е
о
1
о
[100]
[100]
[100]
21,8
[010]
[010]
[001]
32,3
[100]
[100]
[010]
33,7
[001]
[001]
[100]
31,4
[100]
[100]
[001]
18,6
[001]
[001]
[010]
30,2
[010]
[010]
[100]
15,1
[001]
[001]
[001]
20,7
22. Пьезоэлектрические свойства.
10-8 ед. СГСЭ [1281]
^15~'—8,3 ^ 0,2, с^24 — 8,4 ^ 0,2, ^31 = 7,29 ^ 0,01, б?з2 = 35,9 i 0,1,
dg3 = 30,9 ± 0,1. Измерено резонансным методом.
К %
^15^3,4, ^24^2,4, &з1 = 33,9, &32 = 18,7, £33=15,8.
23. Дополнительные сведения. Шлифовка на этиленгликоле, полировка
на смоле с помощью алмазной пасты. Удовлетворительно распиливается на
нитяных пилах. Обработка ведется растворением на тонкой влажной
ткани р“281].
78. 	ГЕРМАНАТ НАТРИЯ КОБАЛЬТА Na2CoGe04
1. Вид материала. Синтетический монокристалл, выращен
гидротермальным методом [1285].
2. Симметрия кристалла. Ромбическая, тт2 (C2v).
Постоянные решетки, А. а =7,175, 6 = 5,605, с = 5,325, а = 90,00°,
р= 90,02°, 7 = 90,00° [1285].
12. 	Упругие постоянные.
стПу Ю10 дин/см2 [1285]
тп
11
22
33
44
55
66
12
13
23
Стп
105,04
94,73
100,69
17,07
36,80
35,72
71,47
57,09
59,24
л
Стп
105,04
94,73
99,17
26,54
36,62
35,72
71,47
57,00
59,00

78. ГЕРМАНАТ НАТРИЯ КОБАЛЬТА Na*CoGe04 545
Smn, 10-1» сма/дин *)
тп
И
22
33
44
55
66
12
13
23
Е
Smn
20,63
25,01
16,94
60,46
27,30
27,99
—13,03
—4,13
—7,43
*) У автора в наименовании единиц опечатка.
Упругие постоянные измерены ультразвуковым методом.
13. 	Скорости упругих волн, 10^ см/с [1285]. vL fiooj — 5,54, vL [юи = 5,79,
VL roioj = 5,26, Vi fiioj — 5,69, 0/. joou = 5,43, vi ronj = 4,48, v$ fooij nooj — 3,25,
9s [ion [loT] =2,61, t>S[ioo] [оГо]~3,23, ^5[i io]-[i fo] =2,13, v $ roou roioj = 2,24,
^[011] [01Г] =2,81.
15. 	Диэлектрические свойства [1285]. в® =5,83, 8^ = 9,15, s^3= 10,54.
22. 	Пьезоэлектрические свойства [1285].
егп, 104 ед. СГСЭ
езз расчети.
езв эксп.
е si
est
е1Ь
е2*
8,9
11*7
—10,8
-11,7
2,76
4,6
dtn, IQ-»' ед. СГСЭ
^31
^32
йхь
d 24
28,1
—10,8
—21,7
6,9
24,9
Ьт 10“2
...
&81
^88
&24
25,5
7,9
14,6
7
12,5
7,8 -r- 12
23. 	Дополнительные сведения [1285].
Электропроводность а, 108 Ом»см. Ои»= 4, а22 —0,5, а33 — 5,
18 Под ред, М. П. Шаскольской.

ПРИЛОЖЕНИЯ
ПРИЛОЖЕНИЕ I
Пояснения к рисункам по поверхностным акустическим волнам
л
Рис. П.1.1. Определение стандартных кристаллографических срезов с помощью углов
Эйлера: *-срез (а), */-срез (б), 2-срез (в), х-ось були [(г), */-ось були (д), z-ось були (е),
х-ось цилиндра (ж), */-ось цилиндра (з), z-ось цилиндра (и) [44].
Рис. ПЛ.2. Определение углов Эйлера [44].

ПРИЛОЖЕНИЯ
Csl
CsBr
KRS-5
KRS-8
KI
Nal
T1C1
TIBr
CsCl
AgGl
AffBr
KBr
К Cl
NaCl
NaF
LiF
HgS
Ge
Si
Те
GaP
GaAs
MffO
ZnO
ZnS
ZnSe
CdS
CdSe
CaF2
BaF2
HtfeGlz
Прустит
Пираргирит
Te02
Кварц
Сапфир
КВР
АВР
ШМоОЖ
РЪМоО*
LiNb03
LiTaO|
РЪбG63 Оц
РЪ2Мо05 s
PI)5(Ge04)(V04)z
Банан
Бастрон
Фресноиг
BaTi03
SrTiOj
РЪПОз
BiizGeOzo
BifSi02„
нюз
ИАГ
TlGaS2
TIAsSj
Tl3PSe4
TI3ASS4
Т1зТа.|4
Tl3laSe4
БФК
БФСэ
БФ РЪ
Рис. П.1.3. Оптическо э пропускание монокристаллов.
—1г
—д,4
■=#.
—0,8
—0,0
-1,0
— 2,0
-4,0
—5,0
—8,0
— 10,0
— 20,0
— 30.0
—do
— 50,0
—00,0

548
ПРИЛОЖЕНИЯ
ПРИЛОЖЕНИЕ II
Некоторые сводные графики,
относящиеся ко многим кристаллам.
(Литературные данные).
«,1Г5Н!
Тт,’С
Рис. П.11.1. Зависимость среднего коэффициента линейного расширения а ряда материалов
от температуры плавления [1290].
Рис. П. 11.2. Связь акуст ческой скорости" v
с приведенной температурой плавления для
нескольких материалов (по оси
абсцисс—отношение температуры плавления к среднему
атомному весу в К/кг) [873].
Щ, см/в
Рис. П.Н.З. Связь между средней
скоростью упругих продольных
волн »Ср и отношением температуры
плавления 7’пл к среднему атомному
весу материалов (равному отношению
молекулярного веса к числу атомов,
приходящихся на одну молекулу)
для галогенидов [41].

ПРИЛОЖЕНИЯ
549
цсф
2 -
inS\ «11 ,t г t, it i nil i t »
5 10 20 50 100 200 400
Рис. П.П.4. Связь между скоростью
упругих волн v и отношением
температуры плавления Тпл к среднему
атомному весу материалов (равному
отношению молекулярного веса к
числу атомов, приходящихся на одну
молекулу) для окислов [41].
vfp,M4/c-H3
Рис. П.И.5. Связь между
отношением скорости упругих волн к
плотности и средним атомным весам для
ряда монокристаллов [564].
цсм/с
2 г
10в
5
2
10s
ъ о
МО
о ^ g
ЫвВвОаМ
I/- TI3ASS4 -
As-Se-Ge
0,2
10
-I— I
.TeOzIM
1 I
104
В-/),д5-ГГц • г/ом*
Рис. П.П.6. Зависимость скорости упругих волн v от произведения затухания и
плотности (LN — LiNbOSt BNN —-BagNaNb5OiB, PM —РЬМо04, LT —LiTaOs) [41].

550
ПРИЛОЖЕНИЯ
Л-Qjt
VR
0,04000
0,00100
0,00070
0,00040
* ЬШ3
'16,50 41>5°
ч* х
-У?
T13VS4^
5iD21
LiTa03
LiTaO\Jjz Л1Р04_
ухь
Кварц ST
39°
Te02 ji
7.V
58,50 TeOr
80 ВО 40 ЕО
ТХ,10~ВТ1
Рис. П.П.7. Зависимость величины Av^/v^ для различных пьезоэлектрических материалов,
применяемых для создания устройств на ПАВ, от температурного коэффициента времени
задержки [650].
Рис. П.П.8. Зависимость затухания В от частоты для некоторых акустических материалов:
/—плавленый кварц (L), 2—плавленый кварц (S), 3 — кристаллический кварц (по оси х)ф
4—кристаллический кварц (L по оси z), 5—LiNbOa (по [оси г), [5—MgAl204, 7— сапфир
(L по оси г), 8 — YAG (L по ребру куба), 9 — YAG (S по ребру куба) ^(пунктирная прямая
показывает квадратичную зависимость, типичную для сред с вязким затуханием) [35].

ПРИЛОЖЕНИЯ
551
Рис. П.11.9. Дисперсия показателей преломления щелочногалоидных кристаллов при
Т = Т’комн* LiI» 2 —LiBr, 3— Csl, 4-NaI, 5— CsBr, 6 — LiCl, 7—CsCl, 5 — KI,
9 — NaBr, 10 — Rbl, 11— NaBr, /2—CsBr, /<? —RbBr, /4 — KBr, 15— NaCl, 16— RbCl,
17-CsF, /5 —KC1, 19 —ЦbF, 20-UF, 2/-KF, 22-NaF J[201Д.

552
ПРИЛОЖЕНИЯ
Рис. П.11.10. Дисперсия показателей преломления некоторых кристаллических материалов:
/—Ge, 2 — InSb, 5—Si, 4 — KRS-5, 5 — KRS-6, 5 — SrTlOs, 7—AgCl, 5—Al2Os, 5—Csl,
10 —CsBr, 11 — KBr, 12 — Si02, 13 — NaCl, 14 —LiF {201].

ПРИЛОЖЕНИЙ
drt
dh
Рис. П.П. 11. Дисперсия показателей преломления ряда монокристаллов: /— Si02, 2-— LiF,
3 ■—CaFg, 4 —-NaF, 5—NaCl, 5—AgCl, 7 —KRS-6, 8 — KC1, 9 — KBr, 10 — KRS-5, 11 —Kh
,./2—CsBr, 13 — Csl [78].

554
ПРИЛОЖЕНИЯ
%WsK't
Рис. П.П. 12. Дисперсия температурной зависимости показателей преломления некоторых
щелочногалоидных кристаллов: 1 —NaF, 2—LiF, 5 —KF* 4—RbF, 5 — KC1, 6 — NaCl,
7 — LiCl, 8 — KBr, 9 — NaBr, 10 — RbCl, 11 — CsF, 12 — KI, /5 —LiBr, 14 — PbBr, 15— Nal,
16 — Rbl, 17 — Lil, 18 —CsCl, 19—CsBr, 20— Csl £201].
10*
103
10*
oTe
tf-HgS As2Se3
Tl3AsS4—*Te02(S)
•ASZS3
tf-НЮз 8Pb2Mo65
BaP о BaAs
SBN ob <£P&V
Te02 РЬМо04 •Те-стекло \
-LiNb03 oBii2GeOzo v
■ oTi°z ,,n ,;
LiTa03 osrTiOj «Плавл. кварц
Г °гиг® оМ?° PBV: Pb5(&e04)(V04)2
°AHr(S) SBN: Sr0i75Ba0)25Nb206
i . i i i i i i i ,i
-A1203
to'1
'О2 103 104
В, дБ/см-ГГц2
Рис. П. 11.13. Связь между акус*
тооптической добротностью М%
и ^затуханием В для типичных
акустооптических материалов:
О—Данные для кристаллов,
%— данные для стекол [873J.
Рис. П.П.14. Связь между
относительной акустооптической доб-
ротностью М2/М2ПЛ' кварца и
затуханием В для ряда
акустооптических материалов [873].

ПРИЛОЖЕНИЯ
555
v„,m/c
Рис. П.П. 15. Зависимость
скорости рэлеевской упругой
ВОЛНЫ Vpt величины AVg/Voo
и температурного
коэффициента задержки Тх z-ось
цилиндра Pb2KNb5016 от угла
Эйлера & (см. рис. П.1.1,
П.1.2) (угол потока энергии Ф
для всех значений % равен
нулю) [1286].
vs,m/o
Рис. П.П. 16. Зависимость
скорости рэлеевской
упругой волны vугла потока
энергии Ф, величины
Av^/voo и температурного
коэффициента задержки
Тх *-среза Pb2KNb5015
от угла Эйлера 0 (см.
рис. П.1.1, П.1.2) J1286].
0° 36° 72° 108° 1440 /г
Рис. П.П. 17. Зависимость
скорости рэлеевской упругой
волны величины Avgjvoo и
температурного коэффициента
задержки Тх для #-оси були
Pb2KNb5015 от угла Эйлера ц
(см. рис. П.1.1, П.1.2) (угол
потока энергии Ф для всех
значений [л равен нулю)
£1286].
50 100 200
Тм/ср am. вес, град]кг
Рис. ПЛ 1.18. Связь между скоростью упругих волн v и отношением температуры
плавления к среднему атомному весу для ряда монокристаллов [564].

556
ПРИЛОЖЕНИЯ
ПРИЛОЖЕНИЕ III
Таблица III. 1. Кристаллографические категории, сингонни,
классы симметрии
Международный
символ

СимСинговия
Формула
Символ
вол
Название
симметрии
Шенфлиса
Шуб-
класса

Сокращенный полный
никова
Высшая категория

Кубиче23
3^41<з
T
3/2
ская
m3 — В
т
3L24LB3PC
Th
6/2
432
3L44L36L2
0
3/4
43 т
3L|4L36P
Td
3/4
тЗт — 3 —
т т
3L44L86La9PC
Oh
8/4
Примитивный
Центральный
Аксиальный
Планальный
Планаксиаль-
ный
Средняя категория

Тетра42m
Dul=Va
4»m
Инверсионно-

гональпланальный
ная
4 2 2
-
Планаксиаль-
4 mmm
m m m
L44La5PC
m»4:m
ный
4
*-4
c*
4
Примитивный
4
Lj—или i4<
S4
4

Инверсионнопримитивный
4/m -1-
//2
ЦРС
C4A
4:m
Центральный
422
Mil
£>4
4:2
Аксиальный
4mm
L44P
^4»
4*/n
Планальный

Гексаго6
ie
Ce
6
Примитивный
нальная
6
Z.*P
3:m

Инверсионнопримитивный
6/m iL
m
LePC
6:m
Центральный
622
LeHL2
A,
6:2
Аксиальный
6mm
Lr6P
6«/72
Планальный

ПРИЛОЖЕНИЯ
557
Продолжение
Сингони я
Международный
символ
Формула
симметрии
Символ

Символ
Название класса
сокра- л
щенный полный
Шен-
флиса
Шуб-
никова
Ът2
Le/3Lg3P
^ЗА
т-3:т
Инверсионно-
планальный
fi/ ,6 2 2
о/ттт
т т т
L66L27PC
/и*6:т
Планаксиаль-
ный
Триго-
3
L3
Сз
3
Примитивный
нальная
3
-LzC—Lsi
Сз/ =
б
Центральный
32
L83L2
3:2
Аксиальный
3 т
X33P
С8?
3-т
Планальный
3 т 5—
т
L33L*3PC
&3d
Ъ»т
Планаксиаль-
ный
Низшая категория

Ромбическая
222
тт2 2тт=тт2
22 2
ттт —
т т т
3 La
Lt2P
ЗЦЗРС
d2=v
С2г,
D* = Yh
2:2
2
m*2:m
Примитивный
Центральный
Аксиальный

Моноклинная
2
т
2/т 2-
т
't
ЦРС
cf
C5 — Cih
2
m
2 :m
Аксиальный
Планальный
Планаксиаль-
ный
Три-
клинная
1 I
I I
Li
С
Ci
Ci = S2
1
2
Примитивный
Центральный

ПРИЛОЖЕНИЯ
Таблица II 1.2. Компоненты тензоров второго ранга,
описывающих физические свойства кристаллов
Категория
Сингония
Компоненты
тензора
Стандартное
изображение *)
Высшая.
\
 Кубическая'
аи 0 0
а„ 0
*11
Средняя
Тригональная
Тетрагональная
Гексагональная
аи 0 0
*и 0
а23
х:
•
Низшая
Ромбическая
% 0 0
$22 О
%
• • •
§ «
•
Моноклинная
% 0 %
а22 У
%
§ ♦ •
» • •
•
Триклинная
а'ц а12 а13
0-22 а23
• • •
• •
•
*) • - компонента, равная нулю; • - компонента,
отличная от нуля; • - равные компоненты.

ПРИЛОЖЕНИЯ
Таблица Ш.З. Компоненты тензоров третьего ранга,
описывающих физические свойства кристаллов
Синтия
Классы *)
примитивные
аксиальные
планальные

Триклинная
j. 1
$11 $12 $13 $М $15 $16
$21 $22 $23 $24 $25 $26
$31 $32 $33 $34 $35 $36
• •••••
• •••••

Моноклинная
*
Z
т
$14 $15
$21 $22 $23 $25
$34 $36
В 1-й ycmt
$11 $12 $13 $15
$24 $26
$31 $32 $33 $35
7ноеке: 2\\хг
*) В квадраты заключены символы классов симметрии.
• -компонента,, равная нулю; • -компонента, отличная от
нуля; •—• - равные компоненты; •—о - компоненты\ равные
ло величине, но отличные по знаку; ® - компонента, равная
взятой, с обратным знаком удвоенной компоненте.; с которой
она. соединена линией.
В классах 3, 32, Зт, 4, 422, 6, 622, 4, 6, для
определения знаков компонент надо смотреть графические
изображения.

ПРИЛОЖЕНИЙ
Сингония
Классы
примитивные
аксиальные
планальнт

Моноклинная
2
m
$u d15
$24 $25
$31 $32 $33 d36
*«••••
• • • • • •
© © ® • • e
Во 2-й ycmah
$11 $12 djj df6
$21 $22 aT23 $28
$34 $35
• • e • • •
• • • • • •
• • • • • •
швне: 21|«% -

Ромбическая
m j
mm2
$15
$24 '
32 $33
• • • •
• # • •
1 • • • •
$u
$25
a,36
• • • @ • •
• • • • 0 t
• • • • • •
$31*
• *
• *
• я
Триго-
нальная
3
32
3m
d-ц $н $ц dJ5 2d22
$22 $22 $15 $u %$n
$31 $31 &33
О
0—»—
%—• • • • •
du dff. d14
d/4 Щ1
0—cv^* ® • •
• • • •
• • • • • •
$15 ^$22
$22 22 a7/s
$31 $31 $33
• • • •
0 #-—f • • •
• • • •

Ш>йЛо&1гШй-
Симония
Классы
примитивные
аксиальные
т/анальпыс

Тетраго4
422
4mm
нальная
d/4 d/5
di4
d/5
d/5 d/4
di4
d/s
djf а
Тз/ d-зз
k14/ d33
. . . .
• • • 9О •
• • • • • •
• • • • и •
• <
• «
» • 0 a •
> • er • •
ь. • • • •
• •••••
Ф—& © • • •

Гексагое
S22
Bmm
нальная
' d14 d/s
. du
d/s
d15 d14
di4
d/5
dj/ 631 djj
4И
3/633
• <
с. • ■' *
■ ■ X '
» • 9 X) •
• (
•
» • • • •
• • * • • •
© • 9 ® • ®
о—« • • • •
&—e © • • •
Кубическая
23
432
43m
du
• «
» • • • •
d/4
dn
d/4
d14
d/4
•
• • • • •
•
* • A • •
•
• • -V
•
1 • • (| •
•
see*©

ДОЙЛОЖЁШ#
Сингония
Классы
инверсионно-
примитивные
инверсионно-
лланальные
Тетрагональная
4
&14 dtf
df5 dJ4
dj/ d-31 ^36
* # # V* *
• • • 09 •
•—О • • • •
42m
dt4
d14
4JS
• • • • » •
• •••••
Гексагональная
В
dn d1f 2dzz
d22 dzz Zdjj
• • • • • •
6mZ (m IX2)
d)l >t.
.. Mu
• • • •
• • • • • • '

ПРИЛОЖЕНИЯ
Таблица III.4. Форма матриц тензора упругих постоянных
Сингония
Классы
Матрица
Число

независимых
компонент
Сингония
Классы
Матрица
Число
нвзависи-
мыхком-
понент
Триклин-
ная
Оба
класса
• • • • ©
• • • •
• • •
• •
•
21

Тетрагональная
4,
4,
4/т
К l:: I
• • » •
•
-7
Моноклин
ная
Все
• • • • •
• • • •
• • •
• •
•
13
4тт}
42т,
mt
4/ттпт
ч::::
• • • •
\:
•
В

Ромбическая
»
• • • • • •
• • • • •
• • • •
• • •
• •
•
9
Триго-
нальная
3,3
чщ:
• АД»
X
7
Триго-
нальная
32,
Jm,
3m
чи::
• •
V&
X
6

Кубическая
Все
3

Гексагональная
Все
N J:::
• • * •
X
5
Изотропная
среда
хч. •
X •
чх
2
*) Приведена половина матрицы, танках вторая половина, ей симметрична.
• - компонента, равная нулю; • -компонента,, отличная от нуля;
- компоненты, равные друг другу; #-о - компоненты,; равные по
величине, но противоположные по знаку; ® -компонента, равная для <?:
удвоенному значению соединенной, с ней компоненты, изображенной
черным кружком; —~ ^ -
для с: половине значения соединенной с ней компоненты с
обратным знаком; X — компонента 2 (sn — s12) для s-матрицы
или l/2 (cii — с1а) для с-матрицы.

ПРИЛОЖЕНИЯ
Таблица II 1.5, Формы матриц пьезооптических коэффициентов
Ситония
Классы
Матрица*^
Число

независимых
компонент
Сингония
Классы
Матрица,
Число

независимых
компонент
Триклин-
ная
Оба
класса
••••••
ЗВ

Тетрагональная
4ттл,
42т,
422,
4/ттт
х::::
• • • • •
7

Моноклинная
Все
••••••
••••••
20
if,
4/т
х:::г
• • • •
• • • що •
• • • л •
•—о • • • •
10

Ромбическая
»
##••••
••••••
••••••
• • • • • •
••••••
••••••
12

Гексагональная
б, 6,
6/т
х I:: |
• • • *
• • yoi •
о-щг • • • х
8
Триго-
нальная
3,3
у4\ • • •
а их
12
6m2,
бтт,
622,
6/ттт
xi:::
• • . • •
• • • • • •
• • • • * •
• • • • • X
6
Зт,
32,
Зт
хп::
• А • •
• • • е*"1(е)
• • • • • X
8

Кубическая
23,m3
• • • •
rftjl • • •
г» • • • •
• • • •
4

Кубическая
43т,
432,
тЗт
:::
3
Изотропная
среда
• • • X • •
• • • • X •
2
Обозначения те же, что в таблицах 1-2, 1-3, 1-4, за исключением
знака х; означающего здесь компоненту Ыгг-^/2). ■

ПРИ ЛОЖ Е Н И Я
565
ПРИЛОЖЕНИЕ IV
Соотношения между величинами,
измеренными в разных системах единиц
IV. 1. Соотношения между единицами длины
Единица
км
м
см
мм
мим
нм
А
1 КМ
1
103
105
10е
10»
10»
1013
1 м
10-3
1
10а
103
10е
109
101°
1 см
10-5
ю-а
1
10
10*
ю*
10®
1 мм
10-е
ю-з
10-»
1
103
ю«
10*
1 мкм
ю-9
10-е
ю-4
10-3
1
103
10*
1 нм1
10-12
ю-»
10-г
10-е
Ю-з
1
10
1 А
10-*з
10-1°
10-8
10-г
ю-*
10-*
1
IV.2. Соотношение между единицами удельной теплоемкости
Единица
Дж/(кг* К)
8РГ/(Г‘°С)
ккал/(кр.°С)
кал/(г*°С)
1 Дж/(кт-К)
1
104
2,39-10-*
2,39-104
1 эрг/(г*°С)
10-*
1
2,39.10-8
2,39-10-8
1 ккал/(кг*°С)
4,187-103
4,187-10’
1
1
1 кал/(г*°С)
4,187-103
4,187-10*
1
1
IV.3. Соотношение между единицами теплопроводности
Единица
Вт/(м. К)
эрг/(с-см-К)
ккал/(ч-м*°С)
кал/(с-см*°С)
1 Вт/(м*К)
1
10^
0,860
2,39- 10-з
1 эрг/(с.см*К)
10-5
1
8,60.10-е
2,39.10-8
1 ккал/(ч«м*°С)
1,16
1,16.105
1
2,78-10-*
1 кал/(с«см'°С)
4,19.10?
4,19.10*
3,6.10*
1

566
ПРИЛОЖЕНИЯ
IV.4. Соотношение между единицами упругой жесткости,
упругой податливости и модуля Юнга
Единица
Па = Н/м2
дин/см2
кгс/м2
кгс/см2
кгс/мм2
1 Па (1Н/м2)
1 дин/см2
1 кгс/м2
1 кгс/см2
1 кгс/мм2
1
0,1
9,81
9,8Ь104
9,81•106
10
1
98,1
9,81-105
9,8Ы0*
0,102
1,02-10-2
1
104
106
1,02 • 10""5
1,02-10~6
10~4
1
102
1,02. .10-7
1,02.10“^
ю-6
ю-2
1
IV.5. Соотношение между единицами скорости распространения
упругих волн
Единица
м/с
м/мин
см/с
км/ч
1 м/с
1
60
10?
3,6
1 м/мин
1,67-10"?
1
1,67
6-10-?
1 см/с
ю-?
0,6
1
3,6-ю-?
1 км/ч
0,278
16,7
27,8
1
IV.6. Соотношение между единицами пьезомодулей
dlm 1 Кл/Н = 3* 104 ед. СГСЭ
еш 1 Кл/м2 = 3* 105 ед. СГСЭ
gm 1 м2/Кл = 105/3 ед. СГСЭ
hlm 1 Н/Кл = 10”4/3 ед. СГСЭ
IV.7. Соотношение между единицами пьезооптических постоянных
1 м2/Н = 0,1 см2/дин, 1 брюстер = 10-*2 м2/Н.
IV.8. Соотношение между единицами электрооптических коэффициентов
I м/В=3*J04 ед. СГСЭ, 1 м2/В2^==9»108 ед. СГСЭ, 1 м4/Кл2=10-1° ед. СГСЭ.

IV.9. Коэффициенты пересчета величин,
характеризующих затухание в материалах*)
ПРИЛОЖЕНИЯ
56?
*) Таблица составлена Е. И. Каменским.
Затухание
материала
В
м
1 R
868,8»
f2 Я
100»
f*B
f R
1000
^ R
8686
27200
fB
ЦВ
| 27200
В
iee
-Я
-I
-1
1 i
Q
Внутрен!
трение
Q-1
ы0-
V
272/
» 4
27200/Q
27,2 Q-
jxQ-1
1
Q-i
Q-1
27200
1 /
Добротность
Q
Юи/
v*Q j
272/
».Q
27200/
Q
27,2
: Q |
я
Q |
Q
1
Q
27200
| Qf

Логарифмический
декремент
0
11/fl
»
86,86/
V/
»
8,686/0
8,6860
0
JX
■0
£
Л
8686 д
Te
Ук
f-Ук
0,8686»
10/л.
» *Л
Ю00/Тя
Ух
1
..
8,686
27,2
Ух
Ух
27,2
1000
1Я
затухан*
yt
' yt
868,6»
Yt
100»
Yt
yt
1000/
yt
8686/
27200/
yt
yt .
27200/
yt
H
ты
Коэффициен
У
У
8,686
Y
100»y
0,1»
Tv
v»y
86,86/
272/
v-y
vy
272/
100»
~
а
а
8,686а
868,6»а
0,8686
/
0,1 j*
1 • Юл/ I
»«a
1 0,1»
■7- u,
tt-f
868,6»
/2
^значение и
(мерность
непер/см
дВ/см
дВ/мкс
дВА
непер/Я
радиан- 2/непер
непер/радиан-2
дВ/мс-МГц2
О б<
раз
Y»
Yt*
Tv
0,
С.
Q,

ш
ПРИЛОЖЕНИЯ
ПРИЛОЖЕНИЕ V4)
Некоторые сведения о новых кристаллах,
перспективных для акустоэлектроники
PbgKNbfiOxs [1286] имеет низкие значения температурного коэффициента
задержки и угла потока энергии, высокое значение электромеханического
коэффициента связи (в 17 раз выше, чем для £Г-среза кварца), является
перспективным для создания широкополосных устройств на ПАВ с низкими
акустическими потерями и хорошей температурной стабильностью.
Исследованы электромеханические свойства и оптическая активность
монокристаллов Bi12 ТЮ20, Bi40Ga2Oes [1287].
Pb3Ge06 [1288]—антисегнетоэлектрик с Тк=350°С, кристаллы
призматической формы, бесцветны, прозрачны, часто полисинтетически двойникованы,
принадлежат к пространственной группе Р2*, плотность 8,95 г/см3.
Приведены диэлектрические свойства и показатели преломления
монофосфида бора—материала, перспективного для применения в оптоэлектронике
в области видимого света [51].
Приведены параметры решетки, плотность, температурные зависимости
диэлектрической проницаемости и коэффициента линейного расширения
LiNb1_i/Ta|/03 (LNT) [1289].
Некоторые общие закономерности
Таблица V.I. Сравнительная электрооптическая эффективность
различных материалов для к =■ 0,63 мкм [1282, 1283]
Материал
(формула, символ)
Диапазон

прозрачности,
мкм

Управляющее

напряжение vK
кВ

Коэффициенты
э. о.

эффективности
v%
уел. ед.
Исследуемое
светом с
Л=0»53 мкм
изменение
рефракции
Монокристаллы
Дигидрофосфат калия—KDP
0,2—1,2
7,4
1,0
нет
Титанат неодима—Nd8Ti207
0,4—4,5
3,1
5,2
вероятно
Арсенид галлия—GaAs
1,04-13
5,2*)
8,7
не 'прозрачен
Танталат лития—LiTaOs
0,4ч*4,5
2,5
8,7
есть
Титанат лантана —La2Ti207
0,4-5-4,5
2,1
9,5
вероятно
Ниобат лития—LiNb03
0*4ч-4,5
4,0
13,0
нет
Ниобат бария—натрия
Ba2NaNb015
0,44-4,5
1,8
15,2
есть
*) Для X = 10,6 мкм.
Сведения, опубликованные в основном во зремя печатания этой книги.

ПРИЛОЖЕНИЯ 5f$
Продолжение
Ниобат—титанат . бария —
нат0,4-4-4,5
1,17
24,8
есть
рия ВЭ4 78Nai 22^Ь9 22^1 0,78^30
Дидейтерофосфат калия DKDP
0,2-7-1,6
3,8
28,6
нет
Теллурид цинка—ZnTe
0,57—25
2,5
34,7
не прозрачен
Титанат бария—ВаТЮ3
0,44-4,5
0,5
43,5
есть
Дидейтероарсенат цезия DCDA
0,23-ь1,6
1,95
87,0
нет
Ниобат бария—стронция BSN
0,44-4,5
0,45
304
есть
Танталат—ниобат—калия KTN
0,44-4,5
0,05
710
есть
Поляризованная керамика
Керамика титаната-—цирконата
свинца с лантаном:
ЦТСЛ 9/65/35
0,44-4,5
3,0
0,065
есть
ЦТСЛ 10,5/65/35
0,44-4,5
10,0
0,005
есть
Таблица V.2. Сравнительная нелинейно-оптическая эффективность
материалов (по Робинсону — в единицах d2/ns) [1282, 1283]
Материал
(формула, символ)
Диапазон

прозрачности,
мкм

Эффективность,
уел. ед.
!
Непрерывная
ГВГ от
Я,= 1,06 мкм
Допустимая
световая
мощность
Вт/см2 «НС
(А,= 1,0б мкм)
Дигидрофосфат калия KDP
0,24-1,2.
1,0
возможна
при
т*тк
10*-5- ЮМ
Дидейтерофосфат калия
0,24-1,6
1,0
10»-И010
DKDP
Формиат стронция Sr (СООН)2
0,34-1,2
0,61
—
10» 4-Ю1®
Дигидроарсенит цезия CD А
0,234-1,2
0,85
возможна
108-И09
Дидейтероарсенит цезия
DCDA
0,234-1,6
0,85
возможна
108-s-109
Дигидрофосфат аммония ADP
0,134-1,2
1,42
—
10»-И 01в
Формиат лития—натрия
0,34-1,3
2,16
— .
10®-j-10го
Li о,9^^ о д^ОН • Н20
Формиат лития LiC00H-H20
0,244-1,3
5,0
10» -МО10
Роданид кадмия—ртути
0,44-1,2
8,0
—
106-5-10в
CdHg (CNS)4
М-д и нитробензол С6Н4 (NOa)3
0,54-1,2
13
—
10*+10*
Йодноватая кислота НЮ3
0,34-1,3
49
—
10*
Йодат лития LiI03
0,34-4,5
66
возможна
108

570 ПРИЛОЖЕНИЯ
П родолжение
Селенид кадмия—CdSe *)
0,75ч-18
70
1074-103
Тиоиндат лития LiInS2
0,45-ь8,0
104
—
1064-10*
Ниобат лития LiNb03
0,4-5-4,5
122
возможна
1024-10*
Ниобат бария —натрия
0,44-4,5
162
возможна
1034-10*
Ba2NaNb5015
Тиогаллат серебра AgGaS2 *)
0,5-12
240
—
10*
Прустит Ag3AsS3
0,64-13
318
—
10*
М-нитроанилин N02C6H4NH2
0,54-1,2
368
возможна
109
Тиогаллат кадмия CdGa2S4
0,484-13
400
—
о
«1
t
о
00
Ниобат калия KNb03
0,44-4,5
900
возможна
1034-108
Селенид галлия GaSe*)
0,654-18
2280
—
1064-10*
Селен Se *)
о
со
СО
о
3180
—

фотопроводФосфид цинка—германия
о
00
t
ЕЗ
3280

ник
1054-106
ZnGeP
Теллур Те
4,0—30
27000
—
10?4-103
*) Оценки относятся к Я=10,6 мкм; остальные—к Я = 1,Об мкм.
Та бл ица V.3. Перспективные монокристаллы для электрооптики [768]
Соединение
т ,
пл*
°с
Тип структуры
а, А
,п при
А,=0»63 мкм
8
—Rtz)*
Ю-н cmVB*
Магнониобат
1370
Перовскит
4,03
2,56
7400
1300
свинца
Pb3,o2Mgi,oiNbi,9909
PMN
Пирохлор
10,57
2,59
152
2,1
1705
Pb2,oMgo,32Nbi(8707
Маг нота нта-
Перовскит
4,029
2,40
2100
48
лат
свинPb2,9Mgo,9Ta2>1Oe
ца РМТ
Пирохлор
10,59
2,51
160
1,8
Pb2|iMgo,2Taii907

ПРИЛОЖЕНИЯ
571
Таблица V.4. Акустооптические свойства теллуритов металлов [607]
Формула

Молекулярный
вес, г
Средний
атомный
вес,
г-ат
р, г/см3
v, 10® см/с
Mt/Ma Si02
^пл’ К
Li2Te03
189,5
31,58
3,80
3,43
3,6
993
Li2Te205
349,1
38,76
4,52
3,75
6,5
—
LiVTeOg
265,5
33,21
4,18
4,28
9,5
—
Na2Te03
221,6
36,92
4,13
3,69
4,6
983
K2Te03
253,5
42,25
3,35
2,48
11,6
—
Rb2TeOs
346,5
57,75
4,13
2,42
10,5
Cs2Te03
441,4
73,57
4,48
2,13
12,9
—
CuTe03
239,2
47,82
5,62
—
7,9
—
CuTe205
398,7
49,82
5,75
3,80
10,4
_
MgTe206
359,5
44,92
5,23
3,72
7,8
—
Mg2Te308
559,4
43,02
5,02
3,68
5,8
......
Sr2Te03
263,2
52,62
4,82
3,05
8,9
—-
BaTe03
312,9
62,58
5,51
3,00
8,9
—.
ZnTeOs
241
48,2
5,31
3,54
0,14
1058
Zn2Te308
641,5
49,35
5,02
3,34
9,1
CdTeOg
288
57,6
5,99
3,52
0,12
—
Ga2Te09
666,2
47,58
5,31
3,63
5,11
—
In2Te309
756,4
54,02
6,02
3,73
5,1
—
PbTe03
382,8
76,50
7,30
3,22
19,5
—
TeV04
250,5
41,7
5,21
3,81
19,2
—
Bi2Te05
652,1
77,94
7,83
3,37
15,9
1148
Bii6Te5034
4525,7
81,99
7,6
3,12
17,0
—
В i4Te08
1091,5
83,65
8,15
3,22
18,4
—
В i2Te207
785,2
71,18
7,65
3,65
13,1
—
Te2Mo07
463,1
46,30
5,25
3,66
10
—
MnTeOs
230,5
46,1
5,88
4,14
8,1
—
Mn2Te808
620,7
17,73
5,04
3,44
16,9
—
CoTe03
234,5
45,9
5,46
3,77
7,4
—
NiTe03
234,3
46,9
6,25
4,32
6,7
—
Ni2Tes08
628,8 ,
48,35
5,8
3,92
7,8
—

572
ПРИЛОЖЕНИЯ
Таблица V.5. Акустические и акустооптические
характеристики кристаллов [623]
Кристалл
Симметрия
а
о
U
а.
Область

прозрачности, мкм
а
к S
р.
С 05
ю
X -
сзо
В II
С с<

Молекулярный вес
о
s'
СМ:
О
с?
сх
1
J4
и
U
* Я
« *
ъ* л
f 2
CsSrCl3
тЗт при
Г >385 К
3,34
0,211—22,7
1,5648
326,88
3,440
4,3
RbCaCl3
mmm
2,71
0,175—19,0
1,5752
231,906
3,821
4,0
CsCaCl3
тЗт при
Г>95 К
3,51
0,190—21,0
1,6050
279,344
4,299
2,4
RbMnCl3
6/mmm
2,09
0,278—20,4
1,7062
246,764
4,150
4,4
KMnCl3
4 mm
3,0
0,267—21,7
1,7099
200,387
4,92
2,8
CsMnCls
3 m
3,48
0,282—21,7
1,7242
294,2
4,002
4,7
KCdCls
mmm
3,80
0,244—24,1
1,7347
257,849
4,864
2,5
RbCdClg
тЗт при
Г>387 К
4,11*)
0,275—22,0
1,7380
304,226
4,521
3,0
CsCdCls
6/ mmm
3,33
0,260—22,5
1,7520
351,664
2,997
13,0
CsNiGlg
6/mmm
4,11
0,302
1,7646
297,96
4,644
3,0
TlNiCls
61 mmm
4,46*)
0,395
1,90
369,359
3,478
10,0
TlMnCl3
тЗт при
T >296 К
4,86
0,279—20,8
1,9285
365,597
3,135
13,7
TlCdCl3
ромбическая
4,60
0,412
1,93
423,059
2,760
21
,3
CsPbCla
m3m при
Г>320 К
4,23
0,432—24,4
1,9442
446,464
2,650
94,0
TIPbClg
ромбическая
5,08 *)
0,462
2,0
517,859
2,641
27,3
*) Рентг ipлзская плотности.

ПРИЛОЖЕНИЯ
.573
Таблица V.6. Фононное эхо в кристаллах [284]
Номер

образца
Вещество

Наличие
памяти
т2, •.)
МКС
*1. *•)
с
АЭ ***>
1
rt-LiI03
+
40
> 6 -105
6* 105
2
Bii2Ti02o
+
22
> 3*10б
5-Ю3
3
Bi8TiOi4
+
46
> 6.105
ЫО4
4
Bii2GeO20
+
74
>1•10»
2* 104
5
Bix2Si02o
+
82
>Ы06
2.104
6
ZnO
+
56
> 4-106
ыо§
7
Ba2NaNb60i6
+
36
^8*104
Ы04
8
KH2P04
. +
45
> 2-105
2* 104
9
nh4h2po4
+
40
^Ы0б
Ы04
10
kd2po4
+
40
^2-Ю5
2-104
11
Bi4Ti80i2
+
22
> 2-104
2-10
12
Bi4Ti30i2:Cr3 +
+
20
> 2-10*
2-10
13
Bi4Ti30i2:Cd3+
+
16
> 2*104
2* 10
14
Li2Ge03
41
—
2-10
15
NaeCa2 [AlSi04]e [C03, S04] (OH)a
—
14
—
5
16
SbF3
+
30
> ЫО2
8.102
17
(N03)3F3
+
49
> МО2
2.10
18
Na2SbF5
+
47
ЫО2
3
19
K2SbSe04F3
+
30
МО2
3-102
20
(NH4)2 SbC204F3*2H20
—
51
—
3
21
RbSb04F2
—
30
—
3
22
CsSbClF3
—
24
—
4
*) т2 — время релаксации, характеризующее затухание звука.
**) Ti—время релаксации, характеризующее время сохранения памяти.
***) Аъ—амплитуда эха, экстраполированная к нулевому интервалу между
имп\ чьсами.
Таблица V.7. Перспективные г кустооптические материалы [1282]
Материал (формула)
Симметрия
Диапазон
прозрачности
(мкм)
Коэффициент
эффективности
М, уел. ед.
Ортофосфат лития—свинца LiPbP04
ромбич.
0,4*4,5
10
Ортофосфат (арсенат) таллия
гексагон.
0,4*4,5
10
ТЬ(Р, As) 04
Русселит Bi2WOe
ромбич.
0,45*5,0
50
Тультанит Pb (Н, D) А$04
монок.
0,4* 1,5
50
Фосфошапбахит AgPS2
ромбич.
0,45*12
100
Ортотиоарсенит калия K3AsS4 „
ромбич.
0,4*12
100

574
ПРИЛОЖЕНИЯ
Продолжение
Материал (формула)
Симметрия
Диапазон
прозрачности
(мкм)
Коэффициент
эффективности
М, уел. ед.
Фосфоэнаргит Cu3PS4
ромбич.
0,6-12
150
Фосфолюцонит CU3PS4
тетрагон.
0,64-12
150
Ортотиофосфат висмута Bi3PS4
ромбич.
0,8-12
200
Рутьерит TIHgAsSs
тетрагон.
0,42-20
2004-Ю3
Лафиттит AgHgAsS3
тетрагон.
0,50 ч-20
2004-103
Кордераит Hg3S2Cl3
кубич.
0,40-^20
2004-Ю3
Пентасульфид таллия T12S5
ромбич.
0,45-20
2004-Ю3
Таблица V.8. Перспективные оптически нелинейные материалы [1282]
Материалы (формула)

Симметрия
Ожидаемый
интервал
прозрачности,
мкм ^
Фторбериллат лития—аммония LiNH4BeP4
С9
0,24-1,2
Фторбериллат лития—гидрозина LiN2H5BeF4
С9
0,24-1,2
Фтор бер ил латный «мелилит» Na2LiBe2F7
пЗ
2d
0,24-6
Веберит Na2MgAlF7
г20
0,24-7
Фторбериллат лития —калия LiKJBeF4
С6
С6
0,24-7
Фторбериллат калия K2BeF4
С9
и2v
0,234-8
Силикофторид лития —цезия LiCsSiF6
Г)6
U Q
0,234-8
Фторид калия—-меди K2CuF4
Dl°
2d
0,234-8
Ферровеберит Na2MgFeF7
^20
0,234-8
Фторид бария—магния BaMgF4
Г*2
0,204-9,5
Фториц таллия—рубидия RbTlF4
CL
0,234-11
Борат цезия (таллия) (Cs, Т1)3В305
»i
0,254-4,5
Тетраметафосфат таллия Tl4P40i2
D\d
0,254-4,5
Ортофосфат таллия Т13Р04
с\
 0,254-4,5
Ниобат (танталат) таллия (рубидия)
(Tl, Rb) (Nb, Та) В206
Фторид бария—железа Ba2FeF6
D\
 0,34-4,5
0,35-i-9,5
Тиоарсенат калия (рубидия) (К, Rb)3AsS4
cl
0,35+12

ПРИЛОЖЕНИЯ 575
ПРИЛОЖЕНИЕ VI»)
Сводные таблицы
Таблица VI.1. Акустические свойства кубических кристаллов
Кристалл
Плотность
г/см8
^пл* К
Тип
волны
"зв’ "зв
V,
10в см/с
в
MgO
3,576
2800
L
[100]
8,94
3,30 дБ/см,
[4, 6,35]
/= 1 ГГц
L
[110]
9,66.
L
[111]
9,89
S
[100]
6,43
0,44 дБ/см
S
[110] [110]
5,27
S
[111]
5,68
NaCl
2,1678
1073,8±
L
[100]
4,74
1,90 дБ/мкс* Гц2
[4, 99,
±0,5
L
[110]
4,72
1,72 дБ/мкс«Гц2
187]
L
[111]
4,37
0,80 дБ/мкс-Гц2
S
[111] произв.
2,45
S
[100] произв.
2,41
«S
[100] [110]
2,90
NaF
2,79
1267
L

5,666
[1,25, 35]
S
—
3,330
LiF
2,640
1121
L
[100]
6,63
3,5 дБ/мкс,
[4]
/ = 900 МГц
L
[110]
7,37
1,3 дБ/мкс,
/ = 900 МГц
L
[111]
7,60
0,8 дБ/мкс,
/ = 900 МГц
S
[100]
4,91
0,8 дБ/мкс,
/ = 900 МГц
S
[110]
3,71
0,8 дБ/мкс,
/ = 900 МГц
S
[111]
4,16
5 дБ/мкс,
/ = 900 МГц
KCl
1,989!
1043
L
[100]
4,48
[4]
L
[110]
3,85
L
[111]
3,61
S
[100]
1,78
S
[110]
2,91
S
[111]
2,59
*) Составлено авторами по материалам настоящего справочника. См. также
рис. П.1.3.

576
ПРИЛОЖЕНИЯ
Продолжение
Кристалл
Плотность,
г/см*
■Гпл-.К
Тип
волны
"зв- "зв
V,
105 cm/c
в
КВг
2,750
1113
L
[1G0]
3,55
[4]
L
[110]
3,02
L
[111]
2,84
S
[100]
1,36
S
[110] [110]
2,29
*
s
[111]
* 2,19
Nal
3,667
936
L
[100]
2,667
[97, 223*
L
[110]
2,374
243, 245]
S
[100]
1,304
KI
3,129
959
L
[110]
2,51
[4]
L
[111]
2,33
S
[100J
1,16
S
[110] [110]
1,89
AgCl
5,5710±
730
L
[100]
3,29
[4]
±0,015
L
[T10]
3,13
L
[111]
3,07
S
[100]
1,06
S
[110] [110]
1,47
s
[111]
1,35
AgBr
6,476
709
L
[100]
2,95
[4, 223]
L
[110]
2,83
L
[111]
2,79
S
[1001'
1,05
S
[110] [TlO]
1,34
S
[111]
1,25
CsCl
3,988±
911
L

3,036
[347, 97]
±0,004
S
—
1,429
CsBr
4,478
913
L
'
2,636
[347, 328]
S
—
1,299
CsT
4,509
894
L

2,326
[347]
S
—
1,185
KRS-5
7,371
687,5
L
2,078
[2,78,374]
S
—
0,874
KRS-6
7,192
696,5
L
[100]
2,416
[2,*78,
L
[110]
2,2170
938]
S'
[100] [010]
1,0278

ПРИЛОЖЕНИЯ
577
Таблица VI.2. Эффективные пьезоэлектрические монокристаллы
Я
VO
о
Монокристалл
Класс
симметрии
I

Ориентация
V,
10ь см/с
8*7/8о
к. %
2
о
ьГ
S*
D О
О.—«
Н 35
SbSI
[894,895,888,
896, 917, 916,
в
парафазе
ттт
L
[001]
2
<3=7750
4=2046
^зз == 90
kf — 87
—
393, 530, 480,
387, 897,
в сегнето-
898]
фазе тт2
РЬТЮз
[760, 769,
в сегнето-
1
[001]
4,19
<з = 126 '
^83 == 64
3,3
765, 771]
фазе
4 тт
—
—
—
е[г=210
#15 = 43
—
—
—
—
8^ = 115
—
—
. —
—
— .
<з=51-
-f-68
—
—
—
—
—
—
&31 —24
—•
LiNb03
Зт
L
[001] 1
7,3328
<з =26,8
&# = 44
3,48
[1089, 631,
634, 812,
1092, 722,
S
L
[100][001]
4,8012
е[,=82,3
.^15 = 68
^зз = 47,8
2,23
1106, 1112,
1150, 1121,
343, 687]
Li Ю3
6
L
[001]
4,13
езз = 64±2
1,85
[832, 839,
377, 79, 851]
—
—
—
<1 = 8,2±2
^15—51
—
ЪФЯЪ
тт2
L
[100]
3,21
8^=5,39±
со
II
*п
[1276, 1281]
±0,01
L
[010]
2,68
в22 = 3,91 ±
±0,01
#24 — 2,4
L
[001]
2,85
езз = 4,37±
6Э1 = 33,9
±0,01
#32 —18,7
—
#зз =15,8
V2^ Пол ред. М. П. Шаскольской

578
ПРИЛОЖЕНИЯ
Продолжение
Монокристалл
Класс
симметрии
Тип
колебаний

Ориентация
v,
10s cm/c
4if «о
ft. %
я
Я
О
't-Г
о.—
LiGa02
[530, 1203,
1089, 1281,
411
mm2
L
L
S
S
1001]
[001|
[100]
[10Э]
6,1
6,1
3.306
3.306
e[1=7,3
efj =7,0
e[2=6.8
ef2=6,5
4 = 9,5
ef3=8,3
*u« 17
kt = 24
*sl = 11
2,62
Ba2Si2Ti08
[1271, 806,
1273, 1272]
4 mm
—
—
—
8ii = 15
<4=11
*15=28
*si=10
CdS
[3, 41, 503,
504,31,477]
6 mm
L
S
[001]
[001][010]
4,414±
±0,005
1,7571±
±0,001
Ejj =9,35
8зз = 10,33
=9,02
езз =9,53
*88 = 26,2
*3i = ll>9
*15=18,8
Bi12GeO20
[785, 787,
805, 607, 788,
784, 343]
23
L
S
[100]
[110][100]
3,42
1,77
=38
ki = 15,5(jU)
*S=23,5a-]0)
3,06
1,56
. MgBaFa
[1240, 1241]
mm2
S
S
[110][100]
[100][010]
—
8i = 8,40
e2 = 14,75
68 = 8,24
kL=2Q
k$= 17
—
Si02
[11, 2, 345,
-148]
32
L
L
S6
sM
[100]
[001]
[101]
1101]
5,749
6,318
4,362
3,657
eii = 4,45
езз = 4,6
ftt=0,095rlooi
*S=0,142[010]

ПРИЛОЖЕНИЯ 579
Продолжение
Монокристалл
Класс

симметрии
Тип
колебаний
Ориентация
О,
10* см/с
е/у/80
%
0
a
и
DO
Cl—
Ba2NaNb60i5
[41, 343,
1245, 1244,
1249, 832,
1139]
mm2
L
S
L
S
*-Cpe3
*-срез
#-срез
у-срез
3,365
1,823
3,415
1,825
е j х = 235
<4=247
.«.V=51
efj=222
#15 = 21 ±5
kt = 57±\
#24 = 25 ±5
—
L
г-срез
3,075
4=227
—
3,26
S
г-срез
1,750
e8S = 32
—
—
ZnO
[1. 481,530,
528]
6 mm
L
L
S
S
1(001]
II [001]
ЛГЗВ±[001]
^8В II [001]
лгзв II [001]
и„ ±[001]
6,0776
6,0961
2,73505
2,73530
езз =8,84
8j1 = 8,33
#i5 = 28,2
#88 = 40,8
3.64
1.64
LiTaOa
[812, 1119,
1089, 1121,
1155, 1182,
1106]
3m
L
S
[001]
[100] [010]
6,1607
3,3556
e[l = 47,39
ef1 = 37,7
633 = 38,37
e|3 = 37,9
#18 = 31 ,1
#83 = 37,9
—
Bii2Si02o
[795, 812,
828, 829]
23
L
[100]
3,83
ef1 = 42±
±2%
8ii =47±
±2»/o
#£ = 20 ± 7
#5 = 31 ±5
Li2Ge03
[1209, 1212]
mm2
L
S
s
[001]
[100] [001]
[010] [001]
6,66
3,72
4,04
8ii = 7,1
г22==7,10
ggg =10,8
#15 = 8,9
#24 = 7,5
#31 = 13,1
#32 =17,8
#33 = 36,4
#* = 34,4
19*

580
ПРИЛОЖЕНИЯ
Таблица VI.3. Эффективные монокристаллы для устройств на ПАВ
Материал
Класс
Ориентация
V
км/с
AvR
Voo ’
%
kR'
%
7
AT
7
«
* i
£2
eij/e9
LiNbCV
3m
*-срез [001]
3,483
2,52
4,8
9,3
_
[443, ИЗО,
г/-срез [001]
3,488
2,41
5,04
—87
9,4
—
1131, 1138,
г-срез [100]
3,798
2,6
— ••
—
—
—
806, 1125,
44, 1192]
16,5°
двойной
повернутый срез
[100]
3,503
2,68
5,62
—88
9,6
eii =
= 80
41,5°
повернутый срез
[100]
4,00
2,77
5,78
—57
7,2
езз —
= 30
LiI03
(852, 844]
6
г-срез
N3B любое
r,min
VR —
= 1,904
l$ax =
=2,258
4
5,6
2,6
0,7
—
Tl3TaSe4
[884]
43m
'" —
—
—
—3
—
—
—
Bi12SiO20
23
z-срез 1110]
1,66

1,3

11,8

[795, 812,
828, 829,
801,44, 1191]
(Ш)-срез
[110]
1,69
1,83
11,8
Bif2Ge02o
[446, 784,
23
z-срез [100]
г-срез [011]
1,681
0,68
1,4
—122
11.5
12.5
43,6
788, 789, 790,
(111) [110]
1,708
0,82
1 *69
—123
11,5
43,6
791,44, 1191,
(110) [111]
—
—
—
—123
—
—
443]
(110) [001]
1,624
0,37
0,85
—
14,0
T13VS4
[873, 865,
874]
43m
,v-срез [110]
0,870
1,4
~
0,54
'
LiTaOg
3m
г-срез [010]
3,329
5,9
1,21
—52
6,9
47,9
1443, 1191,
44]
#-срез [001J
у-срез 1100]
г-срез [100]
3,230
3,148
3,205
3,3
0,37
0,114
0,68
0,075
0,233
—31
3,5
47,9

ПРИЛОЖЕНИЯ
581
Продолжение
Материал
Класс
Ориентация
VR\
 км/с
AvR
Voo '
%
kR,
%
7
cerT
£ —
7
.7
ь»о
8t//8°
1ЛТа03
[443, 1191,
44]
3m
T; 166,5°; 90°
*-срез [001]
0°; 33°; 0°
0°; 179,5; 0°
0°; 78,5°; 0°
90°; 90°;
119,5°
3,370
3.300
3,391
3,260
3.300
0,75
0,313
0,45
0,84
0,40
0,37
1,54
—
—
—
Li2Ge03
[1209, 1293]
mm2
у-срез [001]
3,35
—
0,02
—
6,45
—
LiGa02
[530, 1203,
275]
mm2
^-срез [010]
3,173
0,55
—
—
4,3
—
ZnO
[1294]
6 mm
z-срез,
направление
любое
*-срез [001]
2,68
2,65
0,5
0,447
0,Зч-1,0
4,0
Si02
[44, 1191]
32
г-срез [100]
г-срез [100]
г-срез [010]
3,159
3,158
3,2617
0,09
0,058
0,23
0,16
38
14
—2,4
—3,288
4,52
4,55
Bi12TiO20
[1295]
—
(110) 55° от
[110]
1,72
—
1,58
—
12,0
—
Bi40GaO63
[1295]
—
(100) [110]
1,61
—
1,86
—
1,27
—
Bi40FeO63
[1295]
—*
(100) [110]
1,61
—
1,76
—
—
—
Te02
[618, 1192]
422
90°; 90°; 39°
0°; 58°; 2,0°
40° от [010]
1,424
1,387
1,4
0,008
0,002
0,017
0,004
0,02
14
20
0
Ba2NaNb5015
[1275]
mm2
у-срез [001]
3,177
0,05
—
—
AIN
[1294]
—
х-срез [001]
6,16
0,36
0,1~*0,4
—
Ba2SiTi08
[806, 1271,
1274]
4 mm
г-срез [100]
у-срез [001]
*-срез [010]
2,678±
±3-10-5
2,500 ±
±50-10“*
0,016±
±0,00c
0,010±
±0,006
0,046±
±0,00S
>
5,1

19* Под ред. М. П. Шаскольской

Таблица VI.4. Акустооптические свойства монокристаллов
582
ПРИЛОЖЕНИЯ
и
ъ
2
и
N
А
20,9
400
1850
—
—
и
и'
О
£2
6,2
290
840
222
100
и
О
с*
Я
О
Л
^2
206
290
10200
—
—

Поляризация
света
[111]
[1И1
произв.
—
—
В,
дБ/см *ГГц2
6,5
9,0
30
—
0,487 дБ/мкс
(/ = 30 МГц)
V,
10е см/с
9,85
3.55
5.56
2,46
2,81
. 1,6
0,873
2.48
2.48
2.48
1.35
1.35
1.35
■
1
Тип волны
"зв- "зв
L [111]
S[100] [010]
L [111]
L [110]
L [001]
5 [110]
5 [001]
L [100]
L [010]
L [001]
5 [100]
S [010]
5 [001]
Область

прозрачности,
мкм
1,5-i-lO
1,5-22
0,75-ь 10,5
(1,15)
(1,15)
р, г/см8
2,3283
5,32674
6,22
7,18

Симметрия

кубическая
тЗт

кубическая
тЗт

кубическая
43m

тетрагональная
4 /ттт
Кристалл
Si
[1, 3, 62, 79,
41]
Ge
[1, 41, 42, 55]
TI3VS4
[873, 874]
TlInSe2
[873, 875]

Продолжение
приложения
583
19**
u
N
О
s
о
N
&
179
49,2
—
—
—
—
4640
—
—
—
0,52
0,58
501
и
Ъ
00
и
й!
S2
104
46,3
—
—
—
—
4400
—
-
-
0,33
0,70
615
t-
о
а
о
4
S2
925
155
—
—
—
—
10200
—
—
—
3,94
2,3
1,81

Поляризация
света
[ЮО]
произв.
—
—
—
—
[001]
—
—
±ЛГЗВ
произв.
для
PlZ
В,
дБ/см-ГГц2
30
—
—
—
—
—
—
—
—
1,!
—
0,066 дБ/мкс,
/ = 30 МГц
—
V,
10в см/с
1,84
I’01
1,90
1,82
! ,01
1,08
2,2
2,3
7,172
7,0800
4,0601
7,209
—
2,10
1.05
1.05
1,00
1,21
Тип волны
Лв’"зв
L [100]
5 [100]
L [100]
L [111]
5 [100]
5 [111]
L [1120]
L [001]
L [110]
L [001]
1 S [001]
L [100]
—
L [001]
5 [210]
S [010]
5 [001]
S [001]
Область

прозрачности,
мкм
1 + 15
5+20
(10,6)
1+6
(1,153)
.
1,23+18
р, г/см8
5,316
6,25
5,188
7,83±
±0,02

Симметрия
кубиче-
ская
43 т
триго-
нальная
23
кубиче-
ская
тЗт

гексагональная

(ромбоэдрическая)
32
Кристалл
GaAs
[55, 53, 420,
421, 4, 41]
Те 1
[501, 79, 83,
84]
Y 3Fe50i2
[41, 944]
Tl3AsSe3
[879, 873]

Продолжение
584
ПРИЛОЖЕНИЯ
и
о
О
2
о
N
А
—
—
513
93,5
33,1
—
£
о
^2
118
1150
1150
632
44,6
24,1
34,5
1200
793
76
о
N
2
о
г*
* 1
^2
1090
1090
211
590
137
142
68,6

Поляризация
света
—
—
—
II [ПО]
произв.
[010][100]
[001]
кругов.
[001]
произв.
В,
дБ/см-ГГц2
—
20 дБ/см-МГц
4,55 дБ/см
(/ = 400 МГц)
6
6,5 дБ/см-МГц2
16 дБ/см-МГц2
50 дБ/см
1,1 дБ/см
(/ = 30 МГц)
V,
10в см/с
—
2,416
2,2170
1,0278
2,28
2,450±1
6,32
4,13
4,3
0,616
0,616
2,08
Тип волны
*■»• "зв
L [111]
S
1/
L [100]
L [110]
5 [100][010]
L [111]
L [001]
L [110]
S [100]
L [001]
[110] [110]
[110] [ПО]
5 [001]
Область

прозрачности,
мкм
1
0,53+20
(0,63)
0,4+30
(0,63)
0,62+16
(0,63)
0,6+10
(0,63)
0,3+5
р, г/см8
7,371
7,192
8,10
4,4
6,12

Симметрия

кубическая
тЗт

кубическая
тЗт
триго-
нальная,
32

кубическая
43 т

тетрагональная,
422
Кристалл
KRS-5
[78, 2, 377]
KRS-6
[2, 78, 377,
938]
HgS
[385, 223, 389]
GaP
[1, 401, 402,
24, 41, 79]
Те02
[596, 607, 623,
579, 377, 610,
604, 616]

Продолжение
ПРИЛОЖЕНИЯ
585
См
ъ
Я
о
N
Й
—
8,64
2,33
8,83
6,2
и
о
в»
"1
^2
506
273
640
9,91
5,17
9,02
8,0
и
о
м
S
О
А
52
—
29,5
4,13
33,8
25,7

Поляризация
света
[100]
произв.
—
—
1 tool]
В,
дБ/см-ГГц2
2 дБ/см
(/ = 400 МГц)
Е
—
7,5 дБ/см
(/=140 МГц)
V,
105 см/с
1,622
0,347
2,641
3,343
1,132
1.084
1,305
1.084
1,206
3,65
3,42
1,77
3,83
4,13
Тип волны
зв зв
L [100]
L [110]
[110] [110]
L [101]
L [001]
[101] [101]
[001] [010]
[100] [010]
[110] [001]
[101] [010]
L [100]
1 ти
[110] [Ш]
L [100]
L [001]
Область

прозрачности,
мкм
0,38 ч-28
(0,63)
0,45+7,5
(0,63)
0,4+6
(0,63)
0,3+6
р, г/см8
7,19
9,222±
±0,002
| 9,21
4,5

Симметрия
тетраго-
нальная,
14/ттт

кубическая
23

кубическая
23

гексагональная,
6
Кристалл
Hg2Cl2
[1, 222, 695,
697]
Bi12Ge02o
[41, 785, 784,
788]
Bi12Si02o
[828, 829, 788,
795]
Li Ю3
[839, 79, 832]

Продолженйё
приложени я
И л
О
к
о
«
/к
—
—
--
—
>
Ъ
<0
«I
^2
—
30
59,3
58,6
60,1
6,4
и
•^Ч
о
0)
S
о
Л
^2
—
35,8
—
7,9

Поляризация
света
—
120
[010]
[001]
[ЮО]
[001]
В,
дБ /см* ГГц2

2,5 дБ/см
(/ = 500 МГц)
0,3 дБ/см
(/=100 МГц)
—
0,16 дБ/см
(/ = 200 МГц)
0,5 дБ/см
(/ = 300 МГц)
—
—
0,34 дБ/см*ГГц2
—
—
—
о»
10Б см/с

3,98
3,75
1 2,20
1,99
3,81
—
—
7,3328
6,8822
4,0593
4,8012
4,4943
Тип волнн
"зв- "зв

L [100]
L [001]
[100] [010] 1
[100] [001]
L [010]
—
—
[001]
QL [010]
[100] [010]
[100] [011]
QS [010] [0011
Область

прозрачности,
мкм
0,7+15
0,4+5,5
0,460+
+5,3
0,4+4,5
р, г/см3
7,28
6,95
6,22
4,628

Симметрия
кубиче-
ская
43 т
тетраго-
нальная,
4/т
j
моно-
клинная,
2/т
ТрИГО-
нальная
3m
Кристалл
Tl3TaSe4
[884]
РЬМо04
[1053, 1054,
055, 607, 72,
057, 57, 867*.
614, 583]
Bi12 (Мо04)з
[1237, 1238]
LiNbOs
[1106, 807]

Продолжение
ПРИЛОЖЕНИЯ
587
u
о*
О
Я
о
м
&
—
—
—
__
80,0
228,9
162,7
со
и
- т
и
«2
29,2
27,4
22,2
13,2
8,0
86
59,9
187
96
9,5
48
29,6
и
сГ
м
2
о
*•
Й
9,2
26,0
42,6
34,2
9.3
10.3
168
358
239
61,65
61,5
546,7

Поляризация
света
[100] [010]
[001]
[010] [100]
[100] [001]
[010]
[100]
[001] [100]
[001] [010]
[010] [001]
[100]
[100]
[100]
В,
дБ/см-ГГц*
4,3 дБ/см-ГГцЗ
150 дБ/см-ГГц2
2,5 дБ/см
(/ = 500 МГц)
60 дБ/см- МГц2
1,1 дБ/мкс
1,5 дБ/мкс
0,68 дБ/мкс
(/ = 400 МГц)
о»
10Б см/с
3,5740
3,9615
6,57
3,01
3,47
3,56
2,89
2,44
2,95
3,26
3,28
3,38
2,89
3,36
Тип волны
*зв’ "зв
[001] [100]
[010] [100]
L [100]
L [100]
L [001]
L [100]
L [010]
L [001]
L [100]
L [010]
L [001]
L [100]
L [010]
L [001]
Область

прозрачности,
мкм
0,5+4
0,3+1,8
0,4+5
0,3+1,7
р, г/см8
7,390
5,0
7,10
1,6364

Симметрия
триго-
нальная
3

ромбическая
222

моноклинная
2/т

ромбическая
тт2
Кристалл
PI^GegOii
[1297, 1224,
1296, 1227]
сс-НЮз
[865, 864, 866,
377, 870]
РЬ2МоОб
[581, 613, 377]
Бифталат
калия, БФК
[1278, 1275,
1276, 1279]

Продолжение
588
приложения
и
V
§
о
ik
—
-л
и,
ъ
*7
42
33
54,4
42,3
33,7
32.3
31.4
140
.260
: . ■.
С-
'о
S
О
л
S.2
—
—
:

Поляризация
света
[010]
[001]
[100]
[010]
[001]
[100]
[001] [010]
[010] [110]
В,
дБ/см-ГТц2
1,3 дБ/мкс
1,1 дБ/мкс
0,82 дБ/мкс
(/==400' МГц)
0,28 дБ/мкс
0,36 дБ/мкс
15 дБ/мкс
2,5 дБ/мкс
(/ = 560 МГц)
у.
105, см/с
3,27
2,51
2,54
3,21
2,68
2,85
3,2
2,60
Тип волны
N , U
зв’ ^зв
L [100]
L [010]
L [001]
L [100]
L [010]
1 [001]
L [100]
L [001]
Область

прозрачности,
мкм
—
—
0,6+13
р, г/см3
2,178
1,9333
5,635±
±0,002

Симметрия

ромбическая
ттт

ромбическая
тт2
триго-
нальная
3/72
Кристалл
Бифталат
цезия БФСэ
[1276, 1278]
Бифталат
рубидия BORb
[1276, 1278,
1281]
Ag3AsS3
[1062, 1071,
1067, 1076,
1068, 1069,
866, 867, 1064,
1083, 1081]

ЛИТЕРАТУРА
1. Landolt—Bbrnstein. Zahlenwerte und Funktionen aus Naturwissenschaften
und Technik. Neue Serie: Bd. 6 Strukturdaten der Elemente und Inter-
metallischen Phasen.— Berlin, 1971. Bd. 7, Kristallstrukturdaten anorga-
nischer Verbindungen.
2. Воронкова E. М., Гречушников Б. Я., Дистлер Г. Я. и др.—
Оптические материалы для инфракрасной техники.—-М.: Наука, 1965.
3. Баранский Я. Я., Клочков В. Я., Потыкевич Я. В. Полупроводниковая
электроника. Свойства материалов.— Киев: Наукова думка, 1975.
4. Труэлл Р., Эльбаум Ч., Чик Б. Ультразвуковые методы в физике
твердого тела: Пер. с англ./Под ред. И. Г. Михайлова, В. Г. Леманова.—
М.: Мир, 1972.
5. Наигельский А. Я. Технология полупроводниковых материалов.— М.:
Металлургия, 1972.
6. Oliver D. W., Slack G. А.— J. Appl. Phys., 1966, v. 37, p. 1542.
7. Федоров Ф. Я., Быстрова Т. Г.—Кристаллография, 1966, т. 2, с. 368.
8. De Launay J.— Solid State Phys., 1956, v. 2, p. 220.
9. Васильев Л. Я., Логачев Ю. Д., Мойжес Б. Я• и др.— ФТТ, 1971 г
т. 13, с. 450.
10. Carr R. Я., McCammon R. D., White G. К»—Phil. Mag., 1965, v. 12»
p. 157.
11. McSkimin Я. J.—J. Appl. Phys., 1953, v. 24, p. 988.
12. Новикова С. Я.—ФТТ, 1960, т. 2, с. 43.
13. Gibbons D. E.— Phys. Rev., 1958, v. 112, p. 136.
14. Browder J. S., Ballard S. S.— Appl. Optics, 1977, v. 16, p. 3214.
15. Qadeer A.— Ind. J. of Pure and Appl. Phys., 1976, v. B14, p. 259..
16. Holland M. G.— Phys. Rev., 1964, v. 134, p. 471.
17. Glassbrenner G. JSlack G. S.— Phys. Rev., 1964, v. 134, p. 1058.
18. Hadamovsky H. F. Halbleiterwerkstoffe.— Leipzig: VEB-Verlag, 1968.
19. Иванько А. А. Твердость/Под ред. Г. В. Самсонова—Киев: Наукова
думка, 1968.
20. Глазов В. М., Вигдорович В. Я. Микротвердость металлов и
полупроводников.— М.: Металлургия, 1969.
21. Цинзерлинг Л. Г.— В сб.: Новое в области испытаний на микротвер»'
дость/Под ред. М. М. Хрущова.— М.: Наука, 1974, с. 86.
22. Борщевский А. С., Горюнова Я. А., Тахтарева Я. /С*—ЖТФ, 1957
т. 27, с. 1408.

S90
ЛИТЕРАТУРА
23. Аблова М. С.—ФТТ, 1961, т. 3, с. 1815.
24. Slack G. А.— J. Appl. Phys., 1975, v. 46, p. 89.
25. Физическая акустика/Под ред. У. Мэзона и Р. Терстона: Перев. с англ./
Под ред. И. JI. Фабелинского.—*М.: Мир, 1968, т. 3, ч. Б.
26. Физическая акустика/Под ред. У. Мэзона: Перев. с англ./По ред.
JI. Г. Меркулова и Л. Д. Розенберга—М.: Мир, 1969, т. 4, ч. А.
27. Физическая акустика/Под ред. У. Мэзона: Перев. с англ./Под ред.
В. В. Леманова—М.: Мир, 1973, т. 5.
28. Физическая акустика/Под ред. У. Мэзона и Р. Терстона: Перев. с англ./
Под ред. И, Л. Фабелинского—М.: Мир, 1973, т. 6.
29. Физическая акустика/Под ред. У. Мэзона и Р. Терстона: Перев. с англ./
Под ред. И. Г. Михайлова—М.: Мир, 1974, т. 7.
30. Vidal D.— Comptes Rendus de PAcad. de Sci., P., 1974, v. 279, p. 345.
31. Landolt—Bornstein. Zahlenwerte und Funktionen aus Naturwissenschaften
und Technik. Neue Serie: Bd. 1. Elastische, piezooptishe Konstanten von
Kristallen.— Berlin, 1971.
32. Там же. Bd. 2 Erganzung und Erweiterung zu Bd. 1.— Berlin, 1969,
33. McSkimin Я. J., Andreatch P. Jr.— J. Appl. Phys., 1964. v. 35, p, 3312.
34. McSkimin Я. /., Andreatch P. Jr.— J. Acoust. Soc. Am. 1967, ,41,
p. 52.
35. Auld B. A. Acoustic Fields and Waves in Solids.— N.Y.: John Wiley,
1973, v. I, II. .
36. Marsh К. Savage J. A.— Infrared Phys., 1974, v. 14, p. 85.
37. Billard Stanley S., McCarthy Kathryn A., Wolfe [William L., State- of
the Art-Report, Optical Materials for Infrared Instrumentations The Univ.
of Michigan, Willow Run Laboratories, Ann. Arbor Michigan, 1959.
38. McSkimin H. J.— J. Opt. Soc. Am., 1959, v. 31, p. 287.
39. Bains J. A.— Phys. Rev., 1976, v. 13, p. 3623.
40. Бейлин В. М., Векилов Ю. X., Красильников О. М.— ФТТ, 1970, т. 12,
в. 	3, с. 683.
41. Утида Я. С., Ниидзеки JI. Я.— ТИИЭР, 1973, т. 61, с. 21.
42. Me Skimin Я. J.— J. Acoust. Soc. of Am., 1950, v. 22, p. 413.
43. Воронов Ф. Ф., Чернышева E. B.t Гончарова В. Л.— ФТТ, 1979, т. 21,
с. 100.
44. Microwave Acoustics Handbook/Ed. A. J. Slobodnik, E. D. Conway —
N.Y.: Office of Aerospace Research United States Air Force, 1970, v. 1.
45. Abrams R. L., Pinnow D. A.— J. Appl. Phys., 1970, v. 41, p. 2765.
46. Holland M. G.— IEEE Trans, on Sonics und Ultrasonics, 1968, v. SU-15#
p. 18.
47. Granato A., Truell R.— J. Appl. Phys., 1956, v. 27, p. 1219.
48. Helme В. G., King P. /.— Phys. Stat. Solids (a), 1978, v. 45, p. K33.
49. Dobbs E. Chik B. B.t Truell R.— Phys. Rev. Lett., 1959, v. 3*
p. 332.
50. Redwood М., Lamb J.— Proc. Inst. Electr. Eng., 1956, v. 103, p. 773.
51. Takenaka T,— Jap. J. Appl. Phys., 1976, v. 15, p. 2021.

ЛИТЕРАТУРА
591
52. Edwin R. P., Dudermel M. T.f Lamare M.— Appl. Optics, 1978, v. 17,
p. 1066.
53. Deutsch T. F.— J. Chem. Solids., 1973, v. 34, p. 2091.
54. Icenogle H. W., Pratt Ben. C., Wolf IF.—Appl. Optics, 1976, v. 15,
p. 2345.
55. Вroussaud G. Optoelectronique/Ed. Masson et Cie—P., 1974.
56. Feldman A., Waxier R. М., Horowits D.— J. Appl. Phys., 1978, v. 49,
p. 2589.
57. Pinnow D. A.— Elasto-optic Materials. In: Laser Handbook.—Amsterdam,
North Holland Publishing Co., 1972, v. 1.
58. Горюнова H. A., Химия алмазоподобных полупроводников.— Л.: Язц-во
ЛГУ, 1963.
59. Горелик С. С., Дашевский М. Я. Материаловедение полупроводников и
металлов.— М.: Металлургия, 1973.
60. Yim W. М., Paff R. J. Appl. Phys., 1974, v. 45, p. 1456,
61. Shaw Nan.-~- Acta Phys., 1964, v. 20, p. 699.
62. Podo М. Полупроводниковые материалы: Пер. с франц./Под ред. К. С.
Петрова.—М.: Металлургия, 1971.
63. Буренков Ю. А., Никаноров С. Я.— ФТТ, 1974, т. 16, с. 1496.
64. Progress in Crystal Physics/Ed. Krishnan R. S.— S. Viswanathan, 1958.
65. Реньян В. P. Технология полупроводникового кремния.— М.:
Металлургия, 1969.
66. Аблова М. С.— В сб.: Новое в области испытаний на микротвердость/
Под ред. М. М. Хрущова.—М.: Наука, 1974, с. 237.
67. Turley Sines G.—J. Phys. D. Appl. Phys., 1971, v. 4, p. 264,
68. Никаноров С. Я., Буренков Ю. Л., Степанов А. В.— ФТТ, 1971, т. 13,
с. 3001.
69. Буренков Ю. Л., Никаноров С, Я., Степанов А. В.— Изв. АН СССР:
Сер. физ., 1971, т. 35, с. 525.
70. Бокий Г. Б., Воронина И. П., Дворянкина Г. Г. и др.
Кристаллографические, физико-химические и физические свойства полупроводниковых
веществ. Справочник.— М.: Изд-во стандартов, 1973.
71. Кремний. Сборник/Под ред. Д. А. Петрова—М.: ИЛ, 1960.
72. Dieulesaint E.t Royer D. Ondes elastiques dans les solides. Application гь
traitement du signal/Ed. Masson.— P., 1974.
73. Буренков Ю. А., Никаноров С. Я., Степанов А. В.— ФТТ, 1970, т. 12,
с. 2428.
74. Губанов А. Я., Давыдов С. Ю.— ФТТ, 1972, т. 14, с. 2187.
75. Kor S. К., Mishra Р. К-—Akustica, 1976, v. 36, p. 29.
76. Briggs H. В.— Phys. Rev., 1950, v. 177, p. 87.
77. Salzberg С. D., Villa J. J.—J. Opt. Soc. Am., 1957, v. 47, p. 244,
78. Smakula A., Einkristalle, Wachstum, Herstellung und Anwendung.—
Berlin, 1962.
79. Dixon R. W.— J. Appl. Phys., 1967, v. 38, p. 5149.
80. Pedinoff M. E.t Seguin Я. A.— IEEE J, Quant. Electr., 1967, v. 1, p. 3h
81. Carleton H. R.9 Soref R. A.— Appl. Phys. Lett., 1966, v. 9, p. 109.

592
ЛИТЕРАТУРА
82. Biegelsen David /С., Zesch James С.— J. AppL Phys., 1976, v. 47, p. 4024.
83. Дьяков A. M., Илисавский Ю. £., Фарбштейн И. И. и др.— Письма
в ЖТФ, 1977, т. 3, с. 564.
84. Полупроводники/Под ред. Н. Б. Хеннея: Перев. с англ./Под ред.
Б. Ф. Ормонта.— М.: ИЛ, 1962.
85. Shih J., Champnes С. Я.—J. of Crystal Growth, 1978, v. 44, p. 492.
86. Горбачев В. B.y Охотин А. С. Физические свойства некоторых
полупроводниковых материалов,— М.: Изд-во МИСиС, 1975.
87. Валиев А. А., Никаноров С. Я., Степанов А. В.— ФТТ, 1970, т. 12,
с. 1656.
88. Валиев А, А., Коптев Ю. Я., Никаноров С. Я. и др.— ФТТ, 1969, т, 11,
с. 236.
89. Malgrange /. L., Quentin G. /С., Thuillier J. М.— Compt. Rend, de
Г Acad, de Sci. P., 1963, v. 257, p. 2030.
90. Bridgman P. W.— Proc. Am. Acad. Arts and Sci., 1925, v. 60, p. 205.
91. Hulin M. Lattice dynamics, Proc. Intern. Conf./Ed. R. F. Wallis, 1965,
p. 135.
92. Богданов С. В., Шелопут Д. В.— В сб.: Свойства материалов,
используемых в устройствах оптоэлектроники/Под ред. К. С. Александрова —
Красноярск: Изд-во СО АН СССР, 1975, с. 46.
93. Березовский В. В., Быковский Ю. Л., РезИ.С. В сб.: Квантовая
электроника.— М.: Сов. радио, 1972, № 2.
94. Воронов Ф. Ф., Григорьев С. Б.— ФТТ, 1976, т. 18, с. 562.
95. Srivastava К. К>> Merchant Я. D.— J. Phys. Chem. Solids, 1973, v. 34„
p. 2069.
96. Reynolds C. L.— Phys. Stat. Solids (a) 1977, v. 12, p. K151.
97. Справочник химика/Под ред. Б. П. Никольского и др.— Л.: Химия*
1971, т. I, И.
98. Hart S., Brit К.— J. Appl. Phys., 1968 (J. Phys. D.), v. 2, p. 1277.
99. Меркулов JI. Г., Коваленок P. B.> Коноводченко E. В.— ФТТ, 1969,.
т. 11, c. 2769.
100. Von Clausius R., Goldmann Perlick A.— Zs. Naturforsch., 1949, Bd:.
4a, S. 424.
101. Джавадов JI. Я., Кротов Ю. Я.— ФТТ, 1978, т. 20, с. 654.
102. Mulimani В. G.— Phys. Stat. Solids, 1972 (b), v. 50, p. K67.
103. Barron H. /С., Berg W. 7., Morrison J. A.— Proc. Roy. Soc., 1957*
v. A242, p. 478.
104. Barron H. КBerg W. Т., Morrison J. A.— Canad. J. Phys., 1957, v. 35,
p. 799.
105. Blackman M.— Phil. Mag., 1951, v. 42, p. 1441.
106. Воробьев А. А. Механические и тепловые свойства щелочно-галсщдных
кристаллов.— М.: Высшая школа, 1968.
107. Huntington Н. В.— Radiation Eff., 1970, v. 4, p. 207.
108. Pathak P. D., Pandya N. U., Ghaduli M. P.— Indian J. Phys., 1963V
v. 37, p. 293.
109. Eucken V. A., Dannohl W.— Zs. Elektrochem., 1934, Bd. 140, S. 819.

ЛИТЕРАТУРА
59а
110. Sharma S. S.— Proc. Indian Acad. Sci., 1950, v. A32, p. 268.
111. Deshpande V. 7\— Acta Cryst., 1961, v. 14, p. 794.
112. Srinivasan R.— J. Indian Inst. Sci., 1955, v. 37, p. 232.
113. Srinivasan R.— Proc. Indian Acad. Sci., 1955, v. A42, p. 255.
114. Srinivasan R.—J. Indian Inst. Sci., 1956, v. 38, p. 20.
115. Enck F. D.y Dommel J. G.— J. Appl. Phys., 1965, v. 36, p. 839.
116. Enck F. D.y Engle D. G., Marks К. T.— J. Appl. Phys., 1962, v. 33,
p. 2070.
117. Rapp J. E.y Merchant H. D.— J. Appl. Phys., 1973, v. 44, p. 3919.
118. White G. K.— Proc. Roy. Soc., 1965, v. A286, p. 204.
119. Yates B.f Panter С. H.— Proc. Phys. Soc. 1962, v. 80, p. 373.
120. Панченко В. В.— Изв. АН СССР: Сер физ., 1960, т. 24, с. 150.
121. International Tables for X-Ray Crystallography, Kynoch Press, 1965, 1966,
1968, v. I —III.
122. Meincke P. P. M, Graham G. M.— Proc. of the 8th Intern. Conf. on Low
Temperature Physics, Butterworth.— London, 1963, p. 401.
123. Девяткова E. Д., Смирнов И. А— ФТТ, 1962, т. 4, с. 7.
124. White G. /С., Collins J. G.—Proc. Roy. Soc., 1973, v. A333, p. 237.
125. GrUneisen E., Handb. d. Phys.— 1926, v. 10, p. 1.
126. Rapp J. £., Merchant H. D.— J. Appl. Phys., 1973, v. 44, p. 3919.
127. Lowndess R. P., Rastogi A.— Phys. Rev., 1976, v. 14, p. 3598.
128. Sharma M. N.— Phys. Stat. Sol., 1977, v. 82, p. 53.
129. Singh A. V., Sharma J. C.} Shanker Jai—Physica, 1978, v. 94B, p. 331
130. Селезнев В. E., Цыпкина Я. С., Петров А. В. и др.— ФТТ, 1976, т. 18.
с. 1423.
131. Винчелл А. Я., Винчелл Г. В. Оптические свойства искусственных,
минералов: Перев. с англ./Под ред. В. В. Лапина.— М.; Мир, 1967.
132. Поваренных А. С. Твердость минералов.—Киев.: Изд-во АН УССР, 1963.
133. Chin G. J., Green М. L., van Uitert L. G. et a/.—J. Material Sci., 1973,
v. 8, p. 1421.
134. Поваренных А. С.— В сб.: Методы испытания на микротвердость / Под
ред. М. М. Хрущова.— М.: Наука. 1965, с. 23.
135. Григорович В. К.— В сб.: Новое в области испытаний на
микротвердость / Под ред. М. М. Хрущова.— М.: Наука, 1974, с. 21.
136. Никаноров С. Я., Степанов А. В.— ФТТ, 1964, т. 6, с. 1987.
137. Никаноров С. Я., Нраньян А. А., Степанов А. В.—ФТТ, 1964, т. 6,
с. 1966.
138. Lazarus D.— Phys. Rev., 1949, v. 75, p, 545.
139. Rose F. C.— Phys. Rev., 1936, v. 49, p. 50.
139a. Combes L. S., Ballard S. S., McCarthy К• A.— J. Opt. Soc. Am., 1951,
v. 41, p. 215.
140. Rose F. C.— Phys. Rev., 1936, v. 49, p. 50.
141. Durand M. A.— Phys. Rev., 1936, v. 50, p. 449.
142. Hunter L., Siegel S.— Phys. Rev., 1942, v. 61, p. 84.
143. Overton W. G., Swin R. T.— Phys. Rev., 1951, v. 84, p. 758.
144. Степанов А. В., Эйдус И. М.—-ЖЭТФ, 1955, т. 29, с. 669.

594
ЛИТЕРАТУРА
145. Никаноров С. Я., Степанов А. В.— ЖЭТФ, 1959, т. 37, с. 1814.
146. Чернов Ю. М., Степанов А. В.— ЖЭТФ, 1959, т. 37, с 1814.
147. Никаноров С. Я., Степанов А. В,—ФТТ, 1962, т. 4, с. 3551, 1073*
148. Никаноров С. Я., Степанов А. В.— ФТТ, 1962, т. 4, с. 2570.
149. Никаноров С. Я., Степанов А. В.— ФТТ, 1962, т. 4, с. 2576.
150. Никаноров С. Я., Татарченко В. Л., Степанов А. В.— ФТТ, 1963, т. 5»
с. 619.
151. SMsse С.— Compt. Rend, de Г Acad, de Sci. P., 1958, v. 61, p. 84.
152. Briscoe C. F., Squire G. P.— Phys. Rev., 1957, v. 106, p. 1175.
153. Enck P. D.— Phys. Rev., 1962, v. 119, p. 1873.
154. Norwood М. Я., Briscoe C. V.— Phys. Rev., 1958, v. 112, p. 45.
155. Galt J. /С.— Phys. Rev., 1948, v. 73, p. 1460.
156. Marshall B. J.— Phys. Rev., 1961, v. 121, p. 72.
157.{ Reinitz /С — Phys. Rev., 1961, v. 123, p. 1615.
158. Мицкевич В. В., Никаноров С. П.— ФТТ, 1965, т. 7, с. 823.
159. \Haussahl 5.— Zs. Physik, 1960, Bd. 159, S. 223.
160. Bhagavantam [5., Krishna Murty—Proc. Ind. Acad. Sci,. 1957, v. A4S*
p. 399.
161. Papadakis E. P.—J. Appl. Phys., 1963, v. 34, p. 1872.
162. Bartels R. S., Shuele D. F.— J. Phys. Chem. Solids, 1965, v. 26, p. 537*
163. Slagle 0. £>., Me. Kinstry Я. Л.— J. Appl. Phys., 1967, v. 38, p. 437.
164. Swartz K. D.— J. Acoust. Soc. Am., 1967, v. 41, p. 1083.
165. Pettersson J., Vallin J.9 Calais J. L. et al.— Arkiv Fysik, 1967, v. 34*
p. 371.
166. Benskert L., Backstrom G.— Phys. Scripta, 1975, v. 2, p. 43.
167. Gluyas M.— J. Phys., 1970, D. v. 3, p. 1451.
168. Spetzler Я., Sammis [C. G., O'Connell R. J.— J. Phys. Chem. Solids*
1972, v. 33, p. 1727.
169. Hollinger R. C., Barsch G. J.— J. Phys. Chem. Solids, 1976, v. 37, p. 845*
170. Chang Z. P.—JPhys. Rev. A, 1965, v. 140, p. 1788.
171. Drabble J. R., Strathen R. E. В—Proc. Phys. Soc. Lond., 1907, v. 92*
p. 1090.
172. Gluyas М.—Brit. J. Appl. Phys., 1967, v. 18, p. 913.
173. Нраньян A. A.— ФТТ, 1963, т. 5, с. 177.
174. Нраньян A. A.— ФТТ, 1966, т. 7, с. 917.
175. Sammis С. G., Connell R. J.— J. Phys. Chem. Solids, 1972, v. 33,э* 1727.
176. Huntington Я. B.— Radiation Eff., 1970. v. 4, p. 207. ||
177. Воронов Ф. Ф., Гончарова В. Л., Григорьев С. Б.— ФТТ^ 1971, т. 13v
с. 1353.
178. Александров К. С., Гуровиц JI. С., Каменский Е. Я.—Акуст , журнал,.
1960, т. 6, с. 171.
179. Bakhysnov Л, Я., Л^яеш М. P., Darvish Л. М.— Phys, stat. sol. (b)i,
1979, v. 91, p. K31.
180. Красильников О. М., Постников В. Л.— ФТТ, 1977, т. 19, с. 3663.
181. Morris С. £., Jamieson J. С., Yarger F. L.— J. Appl. Phys., 1976, v. 47&
p. 3979.

ЛИТЕРАТУРА
695*
182. Воронов Ф. Ф., Григорьев С. В.—ФТТ, 1976, т. 18, с. 562.
183. Vaidya S. N., Kennedy G. С.—- J. Phys. Chem. Solids, 1971, v. 32, p. 951..
184. Bridgman P. W.— Proc. Am. Acad. Arts Sci., 1940, v. 74, p. 21.
185. Bridgman P. IF.—Proc. Am. Acad. Arts. Sci., 1945, v. 76, p. 1.
186. Shock R. N.y Jameison J. C.— J.|Phys. Chem. Solids, 1969, v. 30, p. 1527^
187. Меркулов JI. Г.— Акуст. журнал, 1959, т. 5, с. 432.
188. Papadakis Е. P.—J. Appl. Phys., 1963, v. 34, p. 2168.
189. Воронов Ф. Ф., Гончарова В. Л., Григорьев С. 7\— ФТТ, 1971, т. 13^
с. 1353.
190. Меркулов Л. Т., Коваленок Р. В., Коноводченко Е. В.—ФТТ, 1971 ^
т. 13, с. 1171.
191. Коваленок Р. В. В сб.: Монокристаллы и техника/Под ред. Э. Ф.
Чайковского и др.— Харьков, ВНИИМ, 1970, с. 29.
192. Сиротин Ю. И.,'Шаскольская М. Я., Основы кристаллофизики. М.: Наука^
1975, изд. 2, 1979.
193. Rao /С. V., Smakula S.— J. Appl. Phys., 1964, v. 36, p. 3593.
194. Inomata H.— Bull of ^Fukuoka Univ. of Edication, 1972, v. 22, p. 105*.
195. Lowndes R. P.—Phys. Lett., 1966, v. 21, p. 26.
196. Hojendahl /f.—Mat. Fys. Medd., Dan. Vid. Selsk., 1938, v. 16, p. 2.
197. Haussuhl S.— Zs. Naturforsch., 1957, Bd. 13A, S. 445.
198. Jones В. Г.— Phil. Mag., 1967, v. 16, p. 1085.
199. Vi Giura V., Spinolo G.— Nuovo Cimento, 1968, v. 56, p. 192.
200. Andeen C., Fontanella /., Schuele D.—Phys. Rev., 1970. v. B2, p. 50*
201. Li Я. Я.— J. Phys. and Chem. Reference Data, 1976, v. 5, p. 329.
202. Вишневский В. Я., Кузык М. Я., Стефанский Я. В.— ФТТ, 1975, т. 17*
с. 3201.
203** Букова Е. С., Дорофеев В. Г., Карева В. А. и др.— ОМП, 1977, № 12*.
с. 29.
204. Optical Properties of Highly Transparent Solids/Ed. by Shashanka S. Mitra.—
N. Y.— London, 1975.
205. Pai К. Parker T. J., Tornberg N. E. et at.— Infrared Phys., 1978v
V. 18, p. 199.
206. HaussUhl 5., Hesse Я.—|Phys. Stat. Sol., 1968, v. 30, p. 209,
207. Горбач С. С., Пахнев А. В., Шаскольская М. Я.— Обзоры по электрон^
ной технике: Сер. материалы.— М.: ЦНИИ «Электроника», 1974, вып. 16,
с. 256).
208. Krishna Rao, Krishna Murty — Ртос. Ind. Acad. Sci., 1966, v. A64, p. 2Ф.
[209. Горбач С. С., Добржанский Г. Ф., Шаскольская М. Я.—
Кристаллография, 1969, т. 14, с.^729.
210. Reznikov В. Л., Sirotin Yu. /., Voropaeva N. Е.— Phys. Stat. Solid., 1969,
v. 33, p. 633.1
! 211. Каплан M~ C.f Смушков И. В., Сумин В. И.— В сб.: Монокристаллы
и техника/ Под ред. Э. Ф. Чайковского и др.— Харьков: ВНИИМ,.
1970, в. 2, с. 67.
212. 	Пахнев А. В., горбач С. С., Шаскольская М. Я.— Кристаллография^
1973, т. 18, с. 1090.

596
ЛИТЕРАТУРА
213. Bansigir К. G., Iyengar К- S.— Proc. Phys. Soc., 1958, v. 71, p. 225.
214. Srinivassan R.— Zs. Phys., 1959, v. 155, p. 281.
215. Bansigir K. G., Iyengar К• S.— Acta Cryst., 1961, v. 14, p. 670.
216. Rahman A., Iyengar К. 5.— Acta Cryst., 1970, v. A26, p. 128.
217. Pockels F. Lehrbuch der Kristalloptik. Teubner, Leipzig, 1906,
218. Leibssle H.— Zs. Kristallogr., 1960, Bd. 114, S. 457.
219. Burstein E. P., Smith P. L., Henvis B.— Phys. Rev., 1948, v. 73, p. 1262.
220. Kinase W., Mori Т.— Proc. Phys. Soc. Japan, 1971, v. 31, p. 426.
221. Smit J.— J. Appl. Phys., 1978, v. 49, p. 2935.
222. Штрунц X. Минералогические таблицы: Пер. с нем. / Под ред. А. С.
Поваренных.— М.: Изд-во «Горное дело», 1962.
223. Handbook of Chemistry and Physics. Chemical Rubber Publ. Comp.—
Cleveland, Ohio:, 1957.
224. Vallin J.t Marklund K-, Sikstrom J. O.— Arkiv Fys., 1967, Bd. 32, S. 515,
225. Rapp J. E.t Merchant H. D.— J. Appl. Phys., 1973, v. 44, p. 3919.
226. Pathak P. D., Pandya N. U., Ghaduli M. P.— Indian J. Phys., 1963,
v. 37, p. 293.
227. James B. W., Yates B.—Phil. Mag., 1965, v. 12, p. 253.
228. Панченко В. В., Яковлев В. А.— ФТТ, 1972, т. 14, с. 3059.
229. White G. К-, Collins J. G.— Proc. Roy. Soc. Lond., 1973, v. 333, p. 237.
230. Lagu P., Manikarnik N.t Dayal B.— J. Phys. C. Solid State Phys., 1975,
v. 8, p. 961.
231. Benin D.— Phys. Rev.. 1972, v. B5, p. 2344.
232. Jackson H. E., Walker С. T.— Phys. Rev., 1971, v. 3, p. 1428.
233. Arenberg D. L.— J. Opt. Soc. Am., 1951, v. 41, p. 215.
234. Vallin J.y Marklund /£., Sikstrom J. O. et al.— Arkiv Fys., 1966, Bd. 32,
S. 515.
235. Lewis I. T.t [Lehoczky A.t Briscoe С. V.— Phys. Rev., 1967, v. 161,
p. 877.
236. Bensch W. A.— Phys. Rev., 1965, v. 136, p. 1504.
237. Billard P, Cornillault J.— Acta Electr., 1962, v. 6, p. 2.
238. Васильева М. A.— В сб.: Рост кристаллов / Под ред. акад. А. В. Шуб-
никова.— М.: Изд. АН СССР, 1957, т. 1, с. 242.
239. Пахнёв А. В., Горбач С. С., Шаскольская М. П.— Кристаллография,
1975, т. 20, с. 1059.
240. Mesegeuer Е., Sanchez С.— Phys. Stat. Sol. (b), 1978, v. 89, p. 281.
241. Vasudevan T. N.t Michel A. S.— J. Opt. Soc. Am., 1972, v. 62, p. 344.
242. Bhagavantam [S., Krishna Murty—Proc. Ind. Acad. Sci., 1957, v. A46,
p. 399.
243. Беляев JI. М., Витовский Б. В., Добржанский Г. Ф.— В сб.: Рост
кристаллов / Под ;ред. акад. А. В. Шубникова.— М.: Изд-во АН СССР
1957, т. 1, с. 249.
244. Mason W. P., Crystal Physics of Interaction Processes—N. Y.: Academic
Press, 1966.
245. Гырбу И. А.у Ульянов В. JI., Ботаки А. А.— ФТТ, 1973, т. 15, с. 3389.
246. Frost К. P.—Zs. Naturforsch., 1963, Bd. 186, S. 662.

ЛИТЕРАТУРА
597
247. Бакрадзе Р. В., Куцыкович М. Б., Шумаков Ю. Я.—ФТТ, 1965, т. 7,
с. 3138.
248. Meincke P. P., Graham G. М.— Canad. J. Phys., 1965, v. 43, p. 1853.
249. Dalven R.t Garland C. WJ. Chem. Phys., 1959, v. 30, p. 340.
250. Clayton R. N.y Marshall B. J.— Phys. Rev., 1960, v. 120, p. 332.
251. Barsch G. R.t Schuelle H. E.— Phys. Stat. Sol. (b), 1971, v. 43, p. 637.
252. Martin D.— Phil. Mag., 1955, v. 46, p. 751.
253. Thacher D.— Phys. Rev., 1967, v. 156, p. 965.
254. Алыбаков А. А., Джумабаев С., Шамырканов Ы. В сб.: Влияние
примесей и дефектов на свойства кристаллов / Под ред. А. А. Алыбакова —
Фрунзе: Илим, 1970, с. 14.
255. Алыбаков А. Л., Джумабаев С., Шамырканов Ы. В сб.: Влияние
примесей и дефектов на свойства кристаллов / Под ред. А. А. Алыбакова —
Фрунзе: ИЛИМ, 1970, с. 67.
256. Иванов А. В,— ОМП, 1972, № 12, с. 65.
257. Фарнел Дж.— В кн.: Физическая акустика/ Под ред. У. Мэзона и
Р. Терстона.— М.: Мир, 1973, т. 6, с. 139.
258j Алерс Дж.— В кн.: Физическая акустика / Под ред. У. Мэзона и
Р. Терстона.— М.: Мир, 1968, т. ЗБ, с. 13.
259. Чернов Ю. М., Степанов А. В.— ФТТ, 1961, т. 3. с. 2872.
260. Holder /., Granato А. V.— In Physical Acoustics/Ed. W. P. Mason and
P. Thurston—1971, v. 8, p, 237.
261. Афанасьев Я. Я.— ОМП, 1970, т. 9, с. 66.
262. Mason W., Warren P.— J. Acoust. Soc. of Am., 1967, v. 42, p. 253.
263. Hanson R. C.— J. Phys. and Chem. Solids, 1967, v. 28, p, 475.
264. Апкарьянц Я. Л., Сонин А. С.— ФТТ, 1969, т. И, с. 196.
265. Lewis М. F.— J. Acoust. Soc. Am., 1968, v. 43, p. 852.
266. Kamiyoshi K.t Nigara Y.— Phys. Stat. Sol (a), 1970, v. 3, p. 735,
267. Каталог фирмы «Isomet Corporation».— США, 1969.
268. Milam D., Weber M. «/., Glass А. У.— Appl. Phys. Letters, 1977, v. 31,
p. 822.
269. Воропаева H. E., Резников Б. Л.— Вестник МГУ: Сер. Физика и
астрономия, 1968, т. 5.
270. West С. D., Makas Л. В.— J. Chem. Phys., 1948, v. 16, p. 427,
271. Bansigir К. G., Iyengar K. S.— Curr. Sci., 1958, Bd. 27, S. 436.
272. Афанасьев И. Я.— В сб.: Монокристаллы и техника/Под ред. Э, Ф. Чай*
ковского и др.— Харьков: Изд-во ВНИИМ, 1971.
273. Iyengar /С. 5.— Nature, 1955, v. 176, p. 1119.
274. Primak W., Debecq C. J.— Phys. Rev., 1955, v. 98, p. 1708.
275. Gupta S. A/., Vetelino J. Fat Lipwn V, В, et al4—J. of Appl. Phys*,
1970, v, 47, p. 858.
276. Hayes D. B.— J. Appl. Phys., 1974, v. 45, p. 1208.
277. Heydemann P. in: Physical Acoustics/Ed. W. P. Mason, R. N. Thurston —
1971, v. VIII, p. 203.
278. Enck F. Engle D, G., Marks К, «/,— J. Appl Phys#, 1962, v. 33,
p. 948,

598
ЛИТЕРАТУРА
279. Rubin Т„ Johnston Я. £,, Altman Я, W,— J. Phys. Chem,, 1962, v, 66,
p. 948.
280. Tolpadi S,— Indian J. Phys., 1977, v. 51A, p. 181.
281. Locatelli М.— Phys. Lett,, 1977, v. Atl, p. 185.
282. Селезнев В. E,f Цыпкина Я, С,, Петров А, В. ы др.— ФТТ, 1976, т. 18,
с. 1423.
283. Spangenberg К., Haussiihl S.— Zs. Krist., 1957, Bd. 109, S. 422.
284. Каменец JI, A.— Кристаллография, 1962, т. 7. e, 639.
285. Artman R, A,— J. Acoust. Soc. Am., 1966, v. 39, p. 493.
286. Смушков И. В,, Каплан М, С., Сумин В, И,— ФТТ, 1970, т. 12,
с. 1937.
287. Narasimhamurty Т. S,— J. Opt. Soc. Am., 1961, v. 1, p. 914.
288. Pathak P. D,, Pandya N. Y.— Indian J. Phys., 1960, v. 34, p, 416,
289. Hughes D. S., Sawin F,— Phys. Rev., 1967, v. 161, p. 861.
290. Slagle 0, DH, A. Me Kinstry—J. Appl. Phys., 1967, v, 38, p. 437*
291. Huntington H. В,— Solid State Phys., 1958, v. 7, p. 213.
292. Hart S., Brit H.— J. Appl. Phys. (J. Phys. D) 1969, v. 2, p. 621.
293. Александров К. С.— Кристаллография, 1958, т. 3, с, 620.
294. Laiho R.y Korpela А.— Suomalais tiedeakat toimi tuks: ser. AVI*
1968, p. 1.
295. Rahman, S., Iyenger /С, S.— Nature, 1967, v. 25A, p. 478,
296. Panter С. H.— J. Phys. C. Solid State Phys., 1974, v. 7, c. 665.
297. Viswamitra M, A„ Ramaseschan S,— Acta Cryst., 1962, v. 15, p. 513.
298. Barsch G. R,t Schuele H, E.— Phys. Status Solidi, 1971, v. B43, p. 637.
299. Никаноров С, /7., Степанов А, ВФТТ, 1962, т. 4, с. 1073.
300. Reddy P. JBhimasenachar J.— Acta Cryst., 1964, v. 17, p. 28.
301. Bridgman P, W,— Proc. Am. Acad. Arts. Sci., 1S45, v. 76, p. 1.
302. Кабалкина С, С., Щербаков M, О., Верещагин JI, Ф,— ДАН СССР,
1970, т, 132, с. 1059.
303. Lawn R, /?,— Acta Cryst,, 1963, v. 16, p. 1163.
304. Dutta B, N,— Phys. State Sol., 1964, v. 5, p. 73.
305. Nick low /?. M., Young R, S.— Phys. Rev., 1963, v. 129, p. 1936.
306. Rosander T9% Bacnstrom G,— Phys, Scripta. 1970, v. 1, p. 269.
307. Горбач С, С„ Добржанский Г, Ф., Шоскольская М, Я,— ОМП, 1969,
N9 4, g4 41.
308. Vallin J,— Ark. Fys„ 1967, v. 34, p. 367.
309. Hidshaw W9, Lewis [Jt T,9 Briscoe С, V,— Phys. Rev., 1967, v. 163*
p. 876, —
310. Arenberg D, L,— J. Appl, Phys,, 1950, v. 21, p. 941.
311. Moeller Rt D„ Schonfeld F. W99 Tipton С. Rt et al.— Trans, Am. Soc,
Met., 1951, v. 43, p. 28.
312. Воронов Ф. Ф,, Чернышева E, B„ Гончарова В, Л, и dp,— ФТТ, 1966*
т. 8, с, 2344,
313. Nayar 5, R99 Prabhakaren Т, /#, Viswanatham /С, «S,— Canadian J.
Phys., 1972, v. 50, p. 1903.
314. Sharma M&N,— Zs, Phys* Chem., 1973, v. 85, p, 86.

ЛИТЕРАТУРА
599
315. Воронов Ф. Ф,, Григорьев С, В.— ФТТ, 1976, тв 18, с. 562.
316. Tiltow L. W.t Plyler Е. К., Stephens R, £.— J. Opt. Soc. Am., 1950,
v. 40, p. 540.
317. Безносиков Б. Bti Добржанский Г. Ф., Беляев JI, и д/?.— В сб.:
Рост кристаллов/Под ред. А. В, Шубникова—М.: Изд. АН СССР,
1961, т. 3, с. 342.
318. Шаскольская М9 /7„ Добржанский Г. Ф,— ДАН СССР, 1966, т. 168,
с. 804.
319. Goodman L. £., Sutherland У, G,— J. Appl, Phys., 1953, v. 24, p. 577.
320. Каплан M. C„ Смушков Иш В„ Сумин Вл ФТТ, 1976, т. 18,
с. 3146.
321. Краснов В9 М., Степанов А. В.— ЖЭТФ, 1952, т. 23, с. 199.
322. Краснов В, M0t Степанов А. В.— ЖЭТФ, 1953, т. 25, с. 98.
323. Житников Р. Л., Степанов Л. В,— ЖТФ, 1956, т. 26, с. 772.
324. Житников Р. Л,, Степанов А, Вш—ЖЭТФ, 1958, т. 28, с, 2004, с. 2011,
с. 	2028, с. 2037.
325. Aline P. G.— Phys. Rev., 1957, v. 105, p. 406.
326. Aggarwal К• G.t Szigeti B9—J. Phys, C,, 1970, v« 3, p. 1097.
327. Goyal S. C., Bakhshi P9 Stt Shanker — Solid State Commun., 1977,
v. 23, p. 329.
328. Schafer K.t Beggerow G., Eigenschaften der Materie in ihren Aggregat-
zustanden.— Berlin: Springer-Verlag, 1971.
329. Tannhauser D. S,, Bruner L, J9t Lawson Л. W.— Phys. Rev., 1956,
v. 102, p. 1276.
330. Anderson 0. L., Andreatch P.— J. Am. Ceram. Soc., 1966, v. 49, p. 404,
331. Marklund /С., Mahmoud 5. Л.— Phys. Scr., 1971, v. 3, p. 75.
332. White G. R.t Anderson 0. L.— J. Appl. Phys,, 1966, v. 37, p. 430.
333. Ganesan S.— Phil. Mag., 1962, v. 7, p. 197.
334. Skinner В. У.— Am. Mineralogist, 1957, v. 42, p. 39.
335. Austin /.— J. Am. Ceram. Soc., 1931, v. 14, p. 795.
336. Ковалев H. //., Петров А. В., Сорокин 0. ФТТ, 1971, т. 13, с. 291.
337. Тресвятский С. Г., Яременко 3, Л., Лопато Л,
М9—Кристаллография, 1966, т. 11, с. 459.
338. Susse С.— Rech. Centre National Sci. Paris, 1961, t. 54, p. 23,
340. Bogardus E. H.— J. Appl. Phys., 1965, v. 36, p. 2504.
341. Chung D. #., Swica /. Jt, Crandall W9 B9—J. Am. Ceram. Soc., 1963,
v. 46, p. 452.
342. Bhagavantam S.— Proc. Indian Acad. Sci., 1955, v. A41, p. 78.
343. Meittier Л. H.— in Ultrasonic Transducer Materials/Ed. by О. E. Mat-
tiat.—N. Y.: Plenum Press, 1971.
344. Barthels R. Л., Smith P. Л.—Phys. Rev., 1973, v. B7, p. 3885.
345. Fontanel la /., Andeen C., Schuele D.— J. Appl. Phys*., 1974, v. 45,
p. 2852.
346. Goyal S. C.— J. Appl. Phys., 1978, v. 49, p. 4503.
347. Kor K. S., Tandon U. C,, Mishra P9 К,— J, Appl, Phys., 1974, v, 45f
p, 2396.

600
ЛИТЕРАТУРА
348. Menary J. W., Ubbelohde A. R., Woodhard J.— Proc. Roy. Soc., 1951,
v. A208, p. 159.
349. Johnson J. W., Argon P. 71., Bredig M. A.— J. Am. Chem. Soc., 1955,
v. 77, p. 2734.
350. Krishnan R. S., Srinivasan R.— Proc. Phys. Soc., 1956, v. B69, p. 679.
351. Scharf HFriedel H.— Z. Metallk., 1967, v. 58, p. 729.
352. Ethiraj Ravindran—Acta Crystallogr., 1973, v. A29, p. 636.
353. Vallin /., Eeckman 0., Salama K.— J. Appl. Phys., 1964, v. 35,
p. 1222.
354. Pathak P. D., Vasavada N. G.— Acta Cryst., 1970, v. A26, p. 655.
355. Slagle 0. D., Kinstry H. 0., Me.— J. Appl. Phys., 1967, v. 38, p. 451.
356. Попова M. A., Дарвойд Т. Я., Рудявская И. Г. и др.— Оптика и
спектроскопия, 1967, т. 22, с. 924,
357. Pathak P. D.y Pandya N. У.—Curr. Sci., 1960, v. 29, p. .14,
358. Дарвойд Т. Я., Дорофеева А. /С., Попова М. А. и др.— Обзоры
института цветметинформации.— М., 1968.
359. Попова М. А., Дарвойд Т. Я., Гуревич М. Л.—Журнал неорг. химии,
1966, т. 11, с. 1236.
360. Schultz L. G.— Acta Cryst., 1951, v. 4, p. 487.
361. Gluyas MHunter М., Yames В. W.— J. Phys. C. Solid State Phys.,
1975, v. 8, p. 271.
362. Redmond A. D., Yates B.— J. Phys. C. Solid State Phys., 1972, v. 5,
p. 1589.
363. Jones G., Jelen F. C.— J. Am. Chem. Soc., 1935, v. 57, p. 2532.
364. Straumanis M., Jevins A.— Zs. anordg. Allg. Chem., 1939, Bd. 238,
S. 175.
365. Klemm W., Tilk W., Mullenheim S.— Zs. Anorg. Allg. Chem., 1928,
Bd. 176, S. 1.
366. Koops R.— Optik, 1948, Bd. 3, S. 298.
367. Kodame M.9 Saito S., Minomura S.— J. Phys. Soc., Japan, 1972, v. 33,
p. 1361.
368. Heidrich /С., Staude W.t Treusch J. et al.— Phys. Rev. Lett., 1974,
v. 33, p. 1220.
369. Vallin /., Marklund K.9 Sikstrom J. O.— Arkiv for Fyzik, 1966, Bd. 33,
S. 345.
370. Morse G. E., Lawson A. W.— J. Chem. Solids, 1967, v. 28, p. 939.
371. Дарвойд Т. Я., Гуревич M. A., Новичкова С. М. и др.—Журнал
неорг. химии, 1965, т. 10, с. 462.
372. Smakula А., Kalnais Л, Sils V.— J. Opt. Soc. Am., 1953, v. 4, p. 698.
373. Smakula Л., Sils W.— Phys. Rev., 1955, v. 99, p. 1744.
374. Uchida N.— J. Appl. Phys., 1969, v. 8, p. 329.
375. Rodney W. S., Malitson J. H.— J. Opt. Soc. Am., 1956, v. 46, p. 956.
376. Дарвойд Т. Я., Карлова E. /С., Карлов В. Я. и др.—Квант,
электроника, 1976, т. 2, с. 765.
377. Мастихин В. М., Сапожников В. /С., Сербуленко М. Гв и др.—
Автометрия, 1975, т. 3, с. 31.

ЛИТЕРАТУРА
601
378. Мастихин В. МБогданов С. В., Дарвойд Т. Я. и д/?.— ОМП, 1977,
№ 8, с. 36.
379. Hettner G., Leisegang G.— Optik, 1948, Bd. 3, S. 305.
380. Дорофеев В. Г., Карева В. Л., Макин В. С. и 5р.— ОМП, 1978, № 6,
c. 35.
381. Smith 71. М., Korpel А.— IEEE J. Quantum Electr., 1965, v. 1* p. 283.
382. Аркатова Т. Л, Воробьев В. Г., Кутьева Т. Г. и др.— ОМП, 1978,
№ 8, с. 62.
383. Terree Ph. Monier J. С.— Compt. Rend, de PAcad. d Sci. P., 1964,
gr. 6, t. 259, p. 3990.
384. Scott S. D., Barnes Я. L.— Mat. Res. Bull., 1969, v. 4, p. 897.
385. Jerphagnon /., Batifol E.y Tsoucaris G. et at.— Compt. Rend de l’Acad.
d. Sci. P., 1967, serie E, p. 265.
386. Соболев В. В., Донецких В. Я.— Изв. АН Молд. ССР, Сер.: физ. техн.
и мат., 1971, т. 3, с. 46.
387. Chandrasekhar S.— Proc. Indian Acad. Sci., 1953, v. 37, Sec. A, p. 697.
388. Bond W. L.y Boyd G. D., Carter H. L.— J. Appl. Phys., 1967, v. 38,
p. 4090.
389. Sapriel J.— Appl. Phys. Lett., 1971, v. 19, p. 533.
390. Aurivillius K. L.— Acta Chem. Scand., 1950, v. 4, p. 1413.
391. Dickson F, W., Tunell G.— Am. Mineral, 1959, v. 44, p. 471.
392. Таблицы физических величин./Под ред. |акад. И. К. Кикоина—М.:
Атомиздат, 1976.
393. Turner ЕЛ Я., Holmdel N. J.— IEEE J. Quant. Electr., 1967, v. QE — 3,
p. 695.
394. Bergman J. G., Kurtz S. К.— Mater. Sci. and Eng., 1970, v. 5, p. 235.
395. Toudic Aumont R.— J. Cryst. Growth, 1971, v. 10, p. 170.
396. Kupecek P. /., Chemla D. S., Le Person H.— Rev. de Physique Appli-
quide, 1976, v. 11* p. 285.
397. Шубников А. В. Основы оптической кристаллографии.— М.: Изд-во
АН СССР, 1958.
[398. Butti С., Raymond Л., Bombre F.— Phys. Stat. Sol., 1976, v. 36, p. 133.
399. Радауцан С. Я., Максимов Е. Я., Негрескул В. В. и др. Фосфид
галлия.— Кишинев: Картя Молдванеску, 1969.
400. Пихтин А. Я., Яськов Д. А.— ФТТ, 1969, т. 2, с. 561.
401. Глинский Г. Р., Пихтин А. Я., Яськов Д. А.— ФТТ, 1972, т. 14, с. 350.
402. Nelson D. F.— J. Appl. Phys., 1968, v. 39, p. 3337.
403. Гырбу Я. Я.— ФТТ, 1978, т. 20, с. 3470.
404. Мочарнюк Г. Ф., Козлов В. Л., Панков Ю. Я.— Физич. электроника,
1975, т. 11, с. 64.
405. Wagini М.— Zs. Naturforsch, 1966, Bd. 21а, S. 2096.
406. Steignair К.— Phys. Rev., 1966, v. 141, p. 67.
407. Муждаба В. M., Нашельский А. Я-t Тамарин Я. В. и др.— ФТТ,
1968, т. 10, с. 2866.
408. Well R., Groves W.— Bull Am. Phys. Soc., 1966, v. 11, p. 764.
20 Под ред. М. П. Шаскольской

602
ЛИТЕРАТУРА
409. Tray S., Johnson F. Л., Jones R. A. et al. Proc. Intern. Conf. of Light
Scatt. Spectra of Solids, 1968.
410. Boyle W. F., Sladek R. J.— Phys. Rev., 1975, v. 11, p. 2933.
411. Лесин М. С., Постников В. С., Рембеза С. И. и др.— ФТТ, 1976,
т. 18, с. 1107.
412. Yamada N., Wasa К., Hamagudi Ch.— Jap. J. Appl., Phys., 1976, v. 15,
p. 2824.
413. Сонин А. С., Василевская А. С. Электрооптические кристаллы.— М.:
Атомиздат, 1971.
414. Rivera /., Murray L. A., Hoss P. A.— J. Cryst. Growth, 1967, v. 1,
p. 171.
415. Davey J., Pankey T.— J. Appl. Phys., 1969, v. 40, p. 212.
416. Рябцев H. Г. Материалы квантовой электроники.— М.: Сов. радио, 1972.
417. Miller R. С.—Appl. Phys. Lett., 1964, v. 5, p. 17.
418. Soref R. A., Moos H. IF.—J. Appl. Phys., 1964, v. 35, p. 2152.
419. Weil R., Groves W. O.—J. Appl. Phys., 1968, v. 39, p. 4049.
420. Милъвидский М. Г., Пелевин О. В., Сахаров Б. Л. Физико-химические
основы разлагающихся полупроводниковых соединений (на примере
арсенида галлия).— М.: Металлургия, 1974> с. 392,
421. Арсенид галлия, получение, свойства и применения / Под ред. Ф. П. Ке-
саманлы и Д. Н. Наследова.— М.: Наука, 1973.
422. Новикова С. Я.—ФТТ, 1961, т. 3, с. 129.
423. American Institute of Physics Handbook (AJP), 1963.
424. Алиев С. Л., Шалыт С. С.— ФТТ, 1965, т. 7, с. 3690.
425. Stuckes D.— Phil. Mag., 1960, v. 5,' p. 84.
426. Кошкин В. М., Манюкова Л* Г.— В сб.: Монокристаллы и техника/
Под ред. Э. Ф. Чайковского и др.— Харьков: ВНИИМ, 1970, в. 2,
с. 96.
427. Матвеева Я. С., Соншайн Е. М., Мардер Т. Е.— ОМП, 1977, № 3,
с. 36.
428. Буренков Ю. Л./ Бурдуков Б. М., Никаноров С. Я. и др.— ФТТ, 1973,
т. 15, с. 1757.
429. Бобылев Б. Л., Кравченко А. Ф.— Акустич. журнал, 1967, т. 13, с. 286.
430. Bateman Т. В., Me Skimin Я. /., Whelan К.— J- Appl. Phys., 1959»
v. 30, p. 544.
431. Бейлин В. М., Векилов Ю. X.— ФТТ, 1968, т. 10, с. 3101.
432. Garland С. W., Park К- С.—J. Appl. Phys., 1962, v. 33, p. 759.
433. Charlson £. /., Mott G.—Proc. IRE, 1963, v. 51, p. 1239.
434. Garland G. W., Park К. С.— J. Appl. Phys., 1962, v. 33, p. 759.
435. Drubble J. R., Brammer A. /.— Sol. State Commun., 1966, v. 4, p. 467*
436. Me Skimin Я. /., Andreatch P.—J. Appl. Phys., 1967, v. 38, p. 2610.
437. Бобылев Б. Л., Кравченко Л. Ф.— Акустич. журнал, 1967, т. 13, с. 286*
438. Campbell J. J.— J. Appl. Phys., 1970, v. 41, p. 2797.
439. Иванов С. Я., Котелянский Я. М., Мансфельд Г. Д. и др.— ФТТ,
1971, т. 13, с. 620.
440. Бобылев Б. А., Кравченко А. Ф.— Акустич. журнал, 1968, т. 14, с. 123.

ЛИТЕРАТУРА
603
441 . Левин М. Д., Лобанова Т. Л.—Акустич. журнал, 1975, т. 21, с. 68.J
442. Hutson A. R.f White D. L.— J. Appl. Phys., 1962, v. 33, p. 40.
443. Szabo T. L., Slobodnik A. IEEE Trans, on Sonics and Ultrasonics,
1973, v. SU-20, p. 240.
444. Кайно Г. С.— ТИИЭР, 1976, т. 64, с. 188.
445. Strzalkowski /., Joshi S., Crowell С. R.— Appl. Phys. Lett., 1976, v.
28, p. 350.
446. Рез И. С.— УФН, 1967, т. 93, с. 633.
447. Kor S. /С., Tripathi N. D.— J. Appl. Phys., 1975, v. 46, p. 467.
448. Гейдур С. А., Пихтин А. Я., Прокопенко В. Т.— Оптика и
спектроскопия, 1979, т. 46. с. 321.
449. Оптические свойства полупроводников / Под ред. К. Уиллардсона.—
М.: Мир, 1970.
450. Walsh Т. Е.— RCA Review, 1966, v. 27, p. 323.
451. Yariv А. С., Mead A., Parker J. V.— IEEE Quantum Electr., 1966,
v. 2, p. 243.
452. Nitshe R.— J. Appl. Phys., 1965, v. 36, p. 2358.
453. Федоров Ф. И. Теория упругих волн в кристаллах.— М.: Наука, 1865.
454. Feldman А., Horowitz D.— J. Appl. Phys., 1968. v. 39, p. 5597.
455. Wemple S. Я., di Domenico М., Phys. Rev., 1970, В. 1, p. 193.
456. Sugie Mamorut Tada Kunio. Japan J. Appl. Phys.. 1976, v. 15, p. 257.
457. Васильев В. С., Каневский Я. Я.— Акустич. журнал, 1970, т. 16, с. 169#
458. Brian Ellis— Infrared Phys., 1975. v. 15, p. 211.
459. Викторов И. Л.—ДАН СССР, 1969, т. 187, с. 294.
460. Физика и химия соединений А2Вб/Под ред. С. ®А. Медведева.—М.:
Мир, 1970.
461. Сысоев Л. Л., Райскин Э. /С., Гурьев В. Р.— Изв. АН СССР: Сер.
неорг. материалы, 1967, т. 3, с. 390.
462. Атрощенко Л. В.у Бринцев Ф. И., Саркисов Л. Л* и др.— В сб.:
Монокристаллы и техника/Под ред. Э. Ф. Чайковского и др.—{Харьков:
Изд-во ВНИИМ, 1971, в. 4, с. 3.
463. Chang Е., [Barsch G. R.— J. Phys. Chem. Solids, 1973, v. 34, p. 1543.
464. Cline C. FDunegan H. L., Henderson G. W.— J. Appl. gPhys., 1967,
v. 38, p. 1944.
465. Цинзерлине Л. Г., Сысоев Л. Л., Шаскольская М. П. и др.— Кристал
лография, 1969, т. 14, с. 1037.
466. De Klerk J. Phys. Chem. Solids, 1967, v. 28, p. 1831.
467. Кобяков И. Б., Суслина Л. Г., Федоров Д. Л.— ФТТ, 1974, т. 2, с. 578.
468. Кобяков И. БПадо В. С.—ФТТ, 1967, т. 9, с. 2173.1
469. Кобяков Я. Б.— Кристаллография, 1966, т. 11, с. 419.
470. Uchida N., Saito S.— J. Appl. Phys., 1972, v. 43, p. 971.
471. Bieniewski T. M.% Czyzak S. J. Opt. Soc. Am., 1963s v. 53, p. 496.
472. Мустель E. P., Парыгин В. Я. Методы модуляции и сканирования
света—М.: Наука, 1970.
473. Днепровский В. С., Парыгин В. Я., Кисиль Я. Я. и\др.—
Кристаллография, 1968, т. 13, с. 174.
20*

604
ЛИТЕРАТУРА
474. Laser Handbook / Ed. Arecchi F. Т., Schulz. Du—Bois E. O.—
Amsterdam, 1972.
475. Birch J. A.— J. Phys. C., Solid State Phys., 1975, v. 8, p. 2043.
476. Векилов Ю. X., Кадышевич A. £., Красильников С. М.— ФТТ, 1971,
т. 13, с. 1304.
477. Berlincourt D., Jaffe Я., Shiozawa L. R.— Phys. Rev., 1963, v. 129,
p. 1009.
478. Feder R., Light Т. B.— J. Appl. Phys., 1972, v. 43, p. 3114.
479. Векилов Ю. X., Русаков А. П.— Физика и техника полупроводников,
1971, т. 13, с. 1157.
480. Berlincourt Z)., Jaffe Я., Merz W. et al.— Appl. Phys. Lett., 1964,
v. 4, p. 61.
481. Ultrasonic Transducer Materials / Ed. О. E. Mattiat — N. Y.— L.: Plenum
Press, 1971.
482. Martin W. Hall D. B.— Appl. Phys. Lett., 1972, v. 21, p. 326.
483. De Vore J. R.— J. Opt. Soc. Am., 1951, v. 41, p. 416.
484. Poulet HJ. Phys. Radium, 1955, v. 16, p. 237.
485. Namba S.— Jap. J. Appl. Phys., 1959, v. 28, p. 432.
486. Namba S.— J. Opt. Soc. Am., 1961, v. 51, p. 76.
487. Schramm С. Я.—Ann. Phys., 1936, Bd. 25, S. 389.
488. Kikuma Isao, Furukoshi Mitsuo — J. Cryst. Growth, 1978, v. 44, p. 467.
489. Чижиков Д. М., Счастливый В. Я. Селен и селениды.— М.: Наука, 1964.
490. Сысоев Л. А., Андреев В. М., Райскин Э. К• и др.— В сб.:
Монокристаллы, сцинтилляторы и органические люминофоры / Под ред. Э. Ф.
Чайковского и др.— Харьков: Изд-во ВНИИМ, 1968, с. 135.
491. Lee В. Я.—J. Appl. Phys., 1970, v. 41, p. 2984.
492. Кручеану £., Чистяков Ю. Д.— Кристаллография, 1970, т. 5, с. 364.
493. Hanry G. L., Rolinski Е. J.— Adv. in Thermal Conductivity, 1973,
N 5—7, p. 83.
494. Кусков В. Я., Русаков А. Я., Менцер А. Н,— ФТТ, 1972, т. 14. с. 2161.
495 Hodgins С. G., Irwin J. С.— Phys. St. Solidi (а), 1975, v. 28, p. 647.
496. Skolnik L. Я., Lipson H. GBendow 3.— Appl. Phys. Lett., 1974, v. 25,
p. 441.
497. Goldstein L. F., Thompson J. S., Schroeder J. B. et al.— Appl. Optics,
1975, v. 14, p. 2432.
498. Francis A. В., Carlson A. J.— J. Opt. Sos. Am., 1960, v. 50, p. 118.
499. Петрова Ж. К.— ДАН БССР, 1976, т. 20, с. 499.
500. Bechmann /?., Taylor R. Selected Engineering Reports.— London: Her
Majestry’s Stationary Office, 1957.
501. Landolt — Bornstein. Zahlenwerte und Funktionen aus Naturwissenschaften
und Technik. Neue Series: Bd. 3 Ferro- und Antiferroelektrische Substan-
zen — Berlin, 1969.
502. Klerk de J.— J. Phys. Chem. Solids, 1967, v. 28, p. 183.
503. Bolef D. /., Melamed N. 7\, Menes M.— J. Phys. Chem. Solids, 1960,
v. 17, p. 143.
504. Me Fee — J. Appl. Phys., 1963, v. 34, p. 1548.

ЛИТЕРАТУРА
605
505. Hutson A. R.— Phys. Rev. Lett., 1960, v. 4, p. 505.
506. Masumi Taiso, Tanaka Toshio — J. of Phys. Soc. Japan, 1959, v. 14,
p. 1313.
507. Bateman Т. В., Me Fee J. H.— J. Appl. Phys., 1968, v. 39, p. 4471.
508. Астров Д. Я., Байбаков. В. Я., Падо Г. С. и др.— Известия вузов: Сер,
физ., 1967, с. 121.
509. Kaminow J. P., Turner Е. Я.— In Handbook of Lasers /Ed.
Pressley R. J.— Cleveland: The Chemical Rubber Cv., 1971.
510. Sugie Mamoru, Tada Kunio—Japan J. Appl. Phys., 1976, v. 15, p. 421.
511. Жабитенко Я. С., Кучеров Я. Я.— В сб.: Тезисы докладов на II
Всесоюзном совещании по физике и химии соединений типа А2В6.
Ужгород, 1969, с. 77.
512. Васькова В. Я., Викторов А. Я.— В сб.: Тезисы докладов на II
Всесоюзном совещании по физике и химии соединений типа А2В6.—
Ужгород, 1969, с. 43.
513. Кмита Л. М., Медведев А. В., Федоров В. Я.— ФТТ, 1976, т. 18, с.
3610.
514. Карась В. Р., Коваленок Р. В., Файнер М. Ш. В сб. тезисов:
Акустические монокристаллы.— Черкассы, 1973.
515. Гультяев П. В., Петров А, В.— ФТТ, 1959, т. 1, стр. 368.
516. Wemple S. Я.— In: Laser Handbook.— Amsterdam: North-Holland Publ.
Co., 1972, v. 1, p. 975.
517. Roul R. /С., Kino G. 5.— Appl. Phys. Lett., 1969, v. 14, p. 97.
518. Weller R. P., T. Van Duzer — J. Appl. Phys., 1969, v. 40, p. 4278.
519. Дричко Я. JI., Илисавский Ю. В., Кудинов В. А.— Письма в ЖТФ,
1968, т. 8, с. 513.
520. Дричко Я. Л., Илисавский Ю. В., Гальперин Ю. М.— ФТТ, 1969, т. 11,
с. 2463.
521. Илисавский Ю. В., Чиплис Д.— ФТТ, 1972, т. 14, с. 404.
522. Иванов С. Я., Котелянский И. Я., Мансфельд Г. Д. и др.— Письма
в ЖТФ, 1971, т. 13, с. 283.
523. Cline С. P., Kahn J. S.— J. Electro-Chem. Soc., 1963, v. 110,
p. 773.
524. Heiland G., Mollwo E., Stockmann F.— Solid State Phys., 1959, v. 8,
p. 191.
525. Kelley K- K j Contribution to the Data on Theoretical Metallurgy.—
Washington, 1949.
526. Kifigery W. D., Krauce Cobte R. L. et al.— J. Am. Ceram. Soc.,
1954, v. 37, p. 107.
527. Поваренных А. С. Кристаллографическая классификация минеральных
видов.— Киев: Наукова думка, 1966.
528. Bateman Т. В.— J. Appl. Phys., 1962, v. 33, p. 3309.
529. Hemphill R.— Appl. Phys. Lett., 1966, v. 9, p. 35.
530. Жаффе Я., Берлинкур Д. А.— ТИИЭР, 1965, т. 53, с. 1552.
531. Park Y. S.— J. Appl. Phys., 1968, v. 39, p. 3049.
532. Thomas D. G.— J. Phys. Chem. Solids, 1960, v. 15, p. 86.

606
ЛИТЕРАТУРА
533. Тюбати Я.— ТИИЭР, 1976, т. 64, с. 250.
534. Sasaki Я., Tsubouchi /С, Chubachi N. et al.— J. Appl. Phys., 1976,
v. 47, p. 2046.
535. Solbrig C.— Zs. Phys., 1965, Bd. 184, S. 293.
536. Crisler D. F., CupalJ. Moore A. B.— Proc. IEEE, 1968, v. 56, p. 225.
537. Watanabe #., Wada Я., Takahashi Т.— Japan J. Appl. Phys., 1964,
v. 3, p. 617.
538. Каминский А. А., Осико В. В.— Изв. АН СССР: Серф неорг.
материалы, 1965, т. I, с. 204S.
539. Batchelder D. N.t Simmons R. 0.— Phys. Rev., 1964, v. 41, p. 2324.
540. Huffman D. R., Norwood M. H — Phys. Rev., П6Э, v. 117, p. 709.
541. Степанов Я. В., Феофилов Я. Я.— В сб.: Рост кристаллов / Под ред.
А. В. Шубникова—М.: Изд-во АН СССР, 1957, т. I, с. 229.
524. 	Вильке К• Методы выращивания кристаллов: Пер. с нем. ^Под ред.
Т. Г. Петрова, Ю. О. Пунина—М.: Недра, 2966.
543. Brice J. С.— Rep. Prog. Phys., 1977, v. 40, p. 567.
544. Аникин Я. Я., Шушканое А. Д.— Кристаллография, 1963, т. 8, с. 128.
545. Леманов В. В., Авдонин В. Я-> Павленко А. В.— ФТТ, 1969, т. 11,
с. 3635.
546. Sirderschmuckh D. В., Deshpande V. Т.— Ind. J. Pure fand Appl. Phys.,
1964, v. 2, p. 405.
547. Парфеньева Л. С., Смирнэз И. А., Тих о поз В. В.— ФТТ, 1973, т. 15,
с. 577.
548. Brooks С. АO'Neil J. В., Redfern В. Q.— Proc. Roy Soc. Lond., 1971,
v. A 322, p. 73.
549. Vidal D.— Compt. Rend. d3 Г Acad. d. Sci. P., 1974, v. В 279, p. 345.
550* Wong C., Shuele D. E.— J. Phys. Chem. Solids, 1968, v. 29, p. 1309.
551. Ho P. S., Ruoff A. L.— Phys. Rev. 1967, v. 161, p. 864.
552. Haussuhl S.— Phys. Stat. Solidi, 1963, v. 3, p. 1072,
553. Srinivasan R.— J. Phys. C, 1968, .v. 1, p. 1138.
554. Гингис A. Д., Морозэз А. Я., Станкозский Б. А. и др.— |ФТТ, 1969,
т. И, с. 2313.
555. Kor S. /С, Tanion U. С., Gulshan R.— Phys. Rev. В, 1972, v. 5, p.
4143.
556. Lipson H. G., Tsay Y. F., Bendow B. et al.—Appl. Optics, 1976, v. 15,
p. 2352.
557. Veerabhanira Rao /С-, Narasinhamarty T. S. — J. Phys. Chem. Solids,
1970, v. 31, p. 876.
558. Schmidt E. D., Vedam К• — J. Phys. Chem. Solids, 1966, v. 27, p. 1563.
559. Шакин О. В., Брьшина М. Ф., Лемлнэв В. В.—ФТТ, 1971, т. 13,
с. 3714.
560. Striefler М. E.t Barsch G. R.— Phys. Stat. Sol., 1975, v. 67B, p. 143
561. Симун E. A.t Kapnosui В. /С., Вальковский С. Я. и др.— ОМП, 1978
No 8, с. 48.
562. Каминский А. А. Лазерные кристаллы.—М.: Наука, 1975.
563. Fritz /. /. — J. Phys. and Chem. Solids, 1974, v. 35, p. 817.

ЛИТЕРАТУРА
607
564. Kleszczewski Z.— Archiwum Akustyki, 1978, v. 13, p. 235*
565. Parker R.— Phys. Rev., 1961, v. 124, p. 1719.
566. Wyekoff R. W. G., Crystal Structures,—N. Y.: Interscience Publ., 1963.
567. Wolkerstorjer D. C. — J* Appl, Phys., 1969, v. 14, p. 323.
568. Birch F. — J. Geophys. Res., I960» v. 65, p. 3885.
569. Joshi S. C., Mitra S. «S.—Proc. Phys. Soc. (Lond.), 1960, v. 76, p. 295.
570. Thurber W. tf.—Phys. Rev., 1965, v. 139, p. 1655.
571. Kocmoe Я., Минералогия: Пер. с болг. /Под ред. Н. В. Белова.—М.:
Мир, 1971.
572. Александров К. С., Шабанова JI. Л., Шнейдер В. Е. и др. В сб.:
Вопросы молекулярной спектроскопии /Под ред. А. В. Сечкареваи А. В.
Коршунова— Новосибирск: Наука, 1974, с. 110.
573. Wachtman L. В., Tefft W. £., Lam D. С. — J. Res. Nat. Bur. Standards,
1962, v, 66A, p. 465.
574. Manghnani M. Я., Fisher F. S., Brower W. S• — J. Phys. Chem. Solids,
1972, v. 33, p. 2149.
575. Spinner S., Wachtman J. В.—J. Res. Nat. Bur. Standarts, 1964, v. 68A>
p. 669.
576. Srinivasan T. P., Lakshmi G. — J. Phys. D., J. Appl. Phys., 1973, v. 6,
p. 305.
577. Midford Т. Л., Wanuga S. — J. Appl. Phys., 1965, v. 36, p. 3362.
578. Lange J» N.— Phys. Rev., 1968, v. 176, p. 1030.
579. Dutoit M. — IEEE Trans, on Sonics and Ultrasonics, 1973, v. SU—20,
p. 279.
580. Shaw Я. /., [Winslow D. K-, Karp Л. et aU — Appl. Phys. Lett. 1964,
v. 4* p. 28.
581. Reinjes J., Schulz М. B. — J. Appl. Phys., 1968, v. 39, 5254.
582. Holland M. G., Paladino A. N., Bierig R• W. — J. Appl. Phys., 1967,
v. 38, p. 4100.
583. Балодис Ю. Я. Обзоры по электронной технике.—М.: ЦНИИ
электроника, 1972, в. 3.
584. Дамон Р., Мэлони В., Мак-Магон Д. В кн.: Физическая акустика /Под
ред. У. Мэзона, Р. Терстона: Перев. с англ./ Под ред. И. Г.
Михайлова.—М.: Мир, 1974, т. 7.
585. Gross L. Е., Fouskova Л. — Phys. Rev. Lett., 1968, v. 21, p. 812.
586. Мейснер JI. M. — Кристаллография, 1975, т. 20, с. 226.
587. Сканави Г. Я. Физика диэлектриков—М.: ГТТИ, 1949.
588. Barker Л. 5., Tinkham В. J. — J. Chem. Phys., 1963, v. 38, p. 2257.
589. Spitzer W. 5., Miller R. C., Kleinman D. Л. et al. — Phys. Rev., 1962,
v. 126, p. 1710.
590. Schroeder С.—Zs. Kristallogr., 1928, Bd. 67, S. 509.
591. Davis Т. Л., Vedam /(. — J. Opt. Soc. Am., 1968, v. 58, p. 1446.
592. Porto 5. P. S., Fleury P. Л., Damen Г. C.—Phys. Rev., 1967, v. 154,
S. 	522.
593. Liebertz J. — Kristall und Technik, 1969, Bd. 4, S. 221.
594. Ohmachi Y., Uchida N. — J. Appl. Phys., 1970, v. 41, p. 2307.

608
ЛИТЕРАТУРА
595. Смирнов^Ю. М., Всисин В. Ф., Волков Б. А.— В сб.: Сегнето- и
пьезоматериалы и их применение.—М.: МДНТП, 1977, с. 124.
596. Ohmachi Y., Uchida N.— Rev. Electr. Communic. Laborat., 1972* v. 20,
p. 529.
597. Goldschmidt V., Geochemishe Verteilungsgesetze.—Oslo, 1938.
598. Stehlik B.—Chemicki Zwesti, 1948, Bd. 2, S. 6.
599. Leciejewicz—Zs. Kristallogr., 1961, Bd. 116, S. 345.
600. Lindquist 0.—Acta Chem. Scand., 1968, v. 22, p. 977.
601. Skelton E. F., Feldman J. L., Liu C. J. et al. — Phys. Rev., 1976, v. В13,
p. 2605.
602. Kurtz S. K- In: Laser Handbook.—Amsterdam: North —Holland Co.,
1972, v. 1.
603. Малютин С. A.—Журнал неорг. химии, 1971, т. 16, с. 1445.
604. Ohmachi J. — J. Acoust. Soc. Am., 1972, v. 51, p. 164.
605. Miyazawa S. — Japan J. Appl. Phys., 1970, v. 9, p. 441.
606. Switzer H. — Am. Mineralogist, 1960, v. 16, p. 1475.
607. Долгих В. Л., Поповкин Б. А.—Изв. АН СССР: Сер. неорг. материалы,
1978, т. 14, с. 748.
608. Schweppe Я. ^-Ultrasonics, 1970, v. 2, p. 84.
609. Arlt G., Schweppe Я.— Solid State Communic., 1968, v. 6, p. 783.
610. Uchida N., Yoshiro O. — J. Appl. Phys., 1969, v. 40, p. 4692.
611. Perey P. S., Fritz J. — Phys. Rev. Lett., 1974, v. 32, p. 466.
612. Fritz /. /. Ultrasonic Symp. Proc.—N. Y.: Milwaukee Wise., 1974,
p. 468.
613. Ohmachi /., Uchida TV. —J. Appl. Phys., 1971, v. 42, p. 521.
614. Можайский В. Я.—ПТЭ, 1974, т. 2, с. 200.
615. Yano Т., Watanabe А. — J. Appl. Phys., 1974, v. 45, p. 1243.
616. Сосов Ю. М., Юшин Я. /(., Кудзин А. Ю.—Письма в ЖТФ, 1977,
т. 3, с. 475.
617. Slobodnik А. /., Szabo Т. L. — Electron. Lett., 1973, v. 9, p. 147.
618. Simpson G. — Electron Lett., 1973, v. 9, p. 21.
619. Uchida N. — Phys. Rev. B, 1971, v. 4B, p. 3736.
620. Yano 7\, Nabeta /., Watanabe A.—Appl. Phys. Lett., 1971, v. 18,
p. 570.
621. Беляев JI. М., Бурков В. Я., Гильварг А. Б. и др. — Кристаллография,
1975, т. 20, с. 1221.
622. Попов Ю. В.—ОМП, 1978, т. 12, с. 42.
623. Александров К. С.у Анистратов А. Т., Безносиков В. В.—Автометрия,
1978, No 1, с. 50.
624. Chemla D. S., Jerphagnon J. — Appl. Phys. Lett., 1972, v. 20, p. 222.
625. Gottlieb М., Roland J. W.> Teichten J. D. — Laser Focus, 1972, v. 8, p. 8.
626. Васин В. Ф., Смирнов Ю. М., Кузнецов В. Я. В сб.:,Сегнето- и
пьезоматериалы и их применение.—М.: Изд-во МДНДП, 1978, с. 142. ^
627. Смагин А. Г., Ярославский М. Я. Пьезоэлектричество кварца и
кварцевые резонаторы.—М.: Энергия, 1970.
628. Белов Я. В. Очерки по структурной минералогии.—М.: Недра, 1976.

ЛИТЕРАТУРА
629. Шубников Л. В. Кварц и его применение.—М.—Л.: Изд-во АН СССР,
1940.
630. Мэзон У. Пьезоэлектрические кристаллы и их применение в ультра-
акустике. Перев. с англ. /Под ред. А. В. Шубникова и С. Н. Ржев-
кина.—М.: ИЛ, 1952.
631. Шерстюков Я. Г., Лифанов Я. И. — Кристаллография, 1974, т. 19,
с. 1100.
632. Стрелков Я. Г. —Журнал неорг. химии, 1956, т. 1, с. 1350.
633. Nix F. С., Me Nair D.— Rev. Sci. Instr., 1941, v. 12, p. 66.
634. Kim I. S., Smith R. T. — J. Appl. Phys., 1969, v. 40, p. 24.
635. Шубников A. В., Флинт E. E., Бокий Г. Б. Основы кристаллографии.—
М.—Л.: Изд-во АН СССР, 1940.
636. Фотченков А. Л., Шевелько М. М., Яковлев Л. А. — Известия
Ленинград. электротехн. института им. В. И. Ульянова, 1974, т. 145, с. 74.
637. Thurston R. — J. Appl. Phys., 1966, v. 37, p. 267.
638. Зубов В. Г., Фирсова М. М. — Кристаллография, 1962, т. 7, с. 469.
639. Mason W. R. — J. Bell. System Techn., 1951, v. 30, p. 366. •
640. Шевелько M. M., Яковлев Л. А.— Акустич. журнал, 1977, т. 23, с. 331.
641. Луданов А. Г., Фотченков А. Л., Яковлев Л. Л.—Акустич. журнал,
1976, т. 22, с. 612. ,
642. Farnell G. W.—Canad. J. Phys., 1961, v. 39, p. 65.
643. Pine A. S. — Phys. Rev., 1970, v. 2, p. 2049,
644. Engan Я., Ingebritsen К• Л., Tonnig A. — Appl. Phys. Lett., 1967, v. 10,
p. 311.
645. Coquin G. Л., Thiersten H. F. — J. Opt. Soc. of Am., 1966, v. 41, p. 921.
646. Lim Т. C., Farnell G. W. — J. Appl. Phys. 1968, v, 39; p. 4319;
647. Schulz М. B., Mat singer B, J., Holland M. G. — J. Appl. Phys., 1970,
v. 41, p. 2755.
648. Weidner D. — Geophysical Res. Lett., 1975, v. 2, p. 189.
649. Daniel M. R., Klerk de J.—Appl. Phys. Lett., 1970, v. 16, p. 30.
650. O'Connell Robert М., Carr Paul Я. — IEEE Trans, on Sonics and
Ultrasonics, 1977, v. SU-24, p. 37§.
651. Меркулов Л. Г., Яковлев Л. Л.—Акустич. журнал, 1962, т. 8, с. 99.
652. В. van der Veen—Phil. Res. Rept., 1957, v. 12, p. 273.
653. Paldas М. М. — Czech. J. Phys., 1971, v. B21, p. 673.
654. Zelenka J., Lee P. — IEEE Trans, on Sonics and Ultraconics, 1971,
v: SU-18, p. 79.
655. Меркулов Л. Г., Яковлев Л. Л.—Акустич. журнал, 1959, т. 5, с. 374.
656. Bommel Я. Е.у Dransfeld К. — Phys. Rev., 1960, v. 117, р* 1245.
657. Wilkinson С. D., Caddes D. E. — J. Opt. Soc. Am., 1966, v. 40, p. 498*
658. King P. J. — J. Phys. C, 1970, v. 3, p. 500.
659. Влох О. Г., Климов Я. М. — Укр. физ. журнал, 1972, т. 17, с. .138К
660. Narasimhamurty Т. S. — J. Opt. Soc. Am., 1969, v. 59, p., 682..
661. Мотулевич Г. Я. — Труды ФИАН, 1950, т. 5, с. 9.
662. Chang J. С. — Optical Engineering, 1977, v. 16, p. 455<

610
ЛИТЕРАТУРА
663. 	Най Дж. Физические свойства кристаллов: Перев. с англ. /Под ред.
JI. А. Шувалова.—М.: ИЛ, 1974.
664* Волькенштейн М, В. Молекулярная оптика.—М.—Л.: Гостехиздат,
1951.
665. Красильников В. Л., Лямов В. Е., Солодов Я. Ю.—Изв. АН СССР:
Сер. физ., 1971, т. 35, с. 944.
666. J. Kobayashi, Takahashi Т., Hosokawa 7\— J. Appl. Phys., 1978, v. 49(2),
p. 809.
667. Hruska K., Janik L.—Chech. Journ. Phys., 1968, v. B18, p, 112.
668. Hruska K. — IEEE Trans, on Sonics and Ultrasonics, 1971, v. SU-18, p. 1.
669. Hruska K*, Kazda V.—Chech. J. Phys., 1968, v. В18, p. 500.
670. Price W. J., Huntingfon H. B. — J. Acoust. Soc. Am., 1950, v, 22, p. 32.
671. Iwasaki F. — J. Cryst. growth, 1977, v. 39, p. 291. ^
672. Joung E. Я., Montgomery R. M. — Proceedings of the Soc. of Photo Opt.—
1976, v. 90, p. 28.
673. Zung—Ping Chang, Barsch G. R. — IEEE Trans, on Sonics and
Ultrasonics, 1976, v. SU-23, p. 127.
674. Jhunjhuwala Л., Vetelino J. F., Field J. C. — J. Appl. Phys., 1977,
v. 48, p. 887.
675. Классен—Неклюдова М. В., Багдасаров X. С. Рубин и сапфир.—М.:
Наука, 1974.
676. Prophet H.t Still D. R. Thermal Imaging Techn.—N. Y.: Plenum
Press, 1964.
677. Ченцова Л. Г.—Труды Инст. кристаллогр. АН СССР, 1953, т. 8, с. 21.
678. Миснар Л. Теплопроводность твердых тел, жидкостей, газов и их
композиций: Перев. с франц. /Под ред. М. Г. Беды—М.: Мир, 1968.
679. Bagdasarov Н. S., Berezhkova G, V., Govorkov V. G. et at.—vKjristall und
Technik, 1973, Bd. 4, S. 507.
680. Икорникова H. /О.— Труды Инст. кристаллогр. АН СССР, 1953, т. 8,
с. 293.
681. Бутабаев Ш. М., Переломова Н. В.у Смыслов И. Я. — Кристаллография,
1972, т. 17, с. 678.
682. Wachtman J. В., Tefft W. Lam D. G. et al. — J. Res. Nat. Bur.
Stand., 1960, v. A64, p. 213.
683. Чистый Я. Л., Китаев В. Ф., Соболев Я. Я. и др.— ЖЭТФ, 1972,
т. 63, с. 1477.
684. Беляев Л. М., Багдасаров X. С., Сильвестрова Я. М. и др. — Изв.
АН СССР: Сер. физ., 1971, т. 35, с. 941.
685. Багдасаров X. С., Карпов Я. Я., Гречушников Б. В. Обзоры по
электронной технике, сер. 10.—М.: ЦНИИ Электроника, 1976, в. 1 (313), с. 1.
686. Fitzgerald Т. M.t Chick В. В., Truell R. — J. Appl. Phys., 1964, v. 35,
p. 2647.
687. Fitzgerald Т. М., Silverman B. D. — Phys. Rev. Lett., 1967, v. 25A,
p. 245.
688. Rehwald W. — J. Appl. Phys., 1973, v. 44, p. 3017.
689. Desilets B.f Brian H9i Meister R. — J. Appl. Phys., 1965, v. 36, p. 621.

ЛИТЕРАТУРА
611
690. Russell Е. Е., Bell Е. Е. — J. Opt. Soc. Am., 1967, v. 57, p. 543. *
691. Григорьев М. А., Зюрюкин Ю. А., Наянов В. И. и др. — ФТТ, 1970,
т. 12, с. 3033.
.692. Акуленок Е. М., Данилейко Ю. /С., Хаимов-Мальков В. Я• —
Кристаллография, 1970, т. 15, с. 831.
693. Григорьев М. А., Зайцев Б. Д., Пылаева Г. И. и др. — ФТТ, 1973,
т. 15, с. 1398.
694. Szabo А.у Kroll М. — Optics Letters, 1978, v. 2, p. 10.
695. Сильвестрова И. М., Барта Ч.у Добржанский Г. Ф. и др. —
Кристаллография, 1975, т. 20, с. 359.
696. Барта Ч.у Жигалов В. Я., Задохин Б. С. и др. — ФТТ, 1976, т. 18,
с. 3116.
697. Сильвестрова И. М., Барта Ч., Добржанский Г. Ф. и др. —
Кристаллография, 1975, т. 20, с. 1062.
698. Petzelt /., Mayerova J.> Barta С et al.—Czech. J. Phys., 1973, v. B23,
p. 845.
699. Бурсиан Э. В. Нелинейный кристалл титанат бария.-^-М.: Наука, 1974.
700. ИонаФ, Ширане Д. Сегнетоэлектрические кристаллы: Перев. с англ./Под
ред. Л. А. Шувалова.—М.: Мир, 1965.
701. Moloknia N. М., Issa М. А.-—Pramana, 1978, v. 11, p. 289.
702. Bland J. A.—Canad. J. of Phys., 1<T59, v. 37, p. 417.
703. Hatta J., Ikushima A. — J. Phys. Soc., Japan, 1976, v. 41, p. 558.
704. Last J. T. — Phys. Rev., 1S57, v. 105, p. 1740.
705. Струков Б. А., Гарланд К. В. — Кристаллография, 1974, т. 19, с.*289.
706. Berlincourt D., Jaffe Н.— Phys. Rev., 1958, v. Ill, p. 143.
707. Смоленский Г. A., Боков В. А., Исупсв В. А. и др. Сегнетоэлектрики и
антисегнетоэлектрики. — Л.: Наука, 1971.
708. ‘ Турик А. В. — ФТТ, 1970, т. 12, с. 892.
709. Fushimi 5., Ikeda 7. — Rev. Electr. Commim. Tokyo, 1S66, v. 14, p. 161.
710. Huibregtse E. /., Bessey W. Я., Drougard M. Es. — J. Appl. Phys., 195,9,
v. 30, p. 899.
711. Musgrave M. /0 P. Crystal Acoustics (Introduction to the Study of elastic
waves and vibration in Crystals).—San Francisco, London, Amsterdam:
Holden Day, 1970.
712. Кashida S., Hatta J., Ikushima A. — J. Phys. Soc. Japan, 1973, v. 34,
p. 997.
713. Петров В. М., Мартынова С. В. — Изв. АН СССР: Сер. физ., 1970,
т. 34, с. 2594.
714. Wemple S. Я., Di Domenico М., Camlibel /. — Appl. Phys. Lett., 1968,
v. 12, p. 209; J. Phys. Soc. Japan, 1973, v. 34, p. 997.
715. Турик A. В., Шевченко H. В. — Кристаллография, 1978, т. 23, с. 861.
716. Сонин А. С.у Струков Б. А. Введение в сегнетоэлектричество.—М.:
Высшая школа, 1970.
717. Fujii /., Sakudo Т.—J. Appl. Phys., 1970, v. 41, p. 4118.
718. Singh S.у Remeika J. P., Potopowicz J. R. — Appl. Phys. Lett., 1972, v,
20, p. 135.

612
ЛИТЕРАТУРА
719, Yokoyama S., Pak К- N., Kinase IF.—Appl. Phys. Lett., 1974, v. 46A*
p. 305.
720, Ozorio A. М.—J. Phys. C: Solid State Phys., 1978, v. 11. p. 4105.
721, Ходаков A. Л., Шолохович M. JI., Фесенко E. Г. и др.—ЖТФ, 1956,
т. 26, с. 11.
722. Желудев И. С. Основы сегнетоэлектричества.—М.: Атомиздат, 1973,
723. Beattie A. G., Samara G. А.—J. Appl. Phys., 1971, v. 42, p. 2376.
724. Lytle F. W.—i. Appl. Phys., 1964, v. 35, p. 2212.
725* Levin S. B., Field N. J.t Plock F. W. et al.—J. Opt. Soc. Am., 1955,
v. 45, p. 737.
726. Бузин И. М., Иванов И. В., Рукин Е. И. и др.—ФТТ, 1972, т. 14,
с. 2053.
727. Subbarao Е. С.—Ferroelectrics, 1973, v. 5, p. 267.
728. Sorge G., Beige Schmidt G.—Phys. Stat. Sol., 1974, v. A26, p. 153.
729. Новосельцев H. С., Ходаков A. JI., Шолохович М. А. и др.—Изв. АН СССР:
Сер. физ., 1957, т. 21, с. 295.
730. Hatta J., Shiroishi Y.—Phys. review В. 1977, v. 16, p. 1138.
731. Bell R. O., Rupprecht G.— Phys. Rev., 1963, v. 129, p. 90.
732. Okada A.—Ferroelectrics, 1976, v. 14, p. 739.
733. Вендик О. Г., Зайончковский Л. Я., Коваленко В. В. и др. — ФТТ, 1977,
т. 9, с. 1442.
734. Merker L.—Trans. Am. Inst. Mining Eng., 1955, v. 7, p. 645.
735. Spitzer N. O., Miller F. A., Kleinman K. L. et al.— Phys. Rev., 1962,
v. 126, p. 1710.
736. Ирисова H. A., Козлов Г. В., Нарытник Т. Н. и др. — Изв. АН СССР:
Сер. физ,, 1975, т. 39, с. 795.
737. Иванов И. В., Белокопытов Г. В., Бузин И. М. и др.—В сб.: Новые
пьезо- и сегнетоматериалы и их применение,—М.: МДНТП, 1975, с. 67.
738. Geusic J. S., Kurtz S. К., van Uitert L. G. et al.—Appl. Phys. Lett.,
1964, v. 4, p. 141,
739. Chen F. S., Geusic J. E.t Kurtz S. K. et al.—J. Appl. Phys., 1966, v.
; 37, p. 388.
740. Ходаков A. JI., Шолохович M. JI., Фесенко E. Г. и др.—ДАН СССР, 1956,
т. 108, с. 825.
741. Wohlecke М., Marrello V., Onton А.—J. of Appl. Phys., 1977, v. 48,
p. 1748.
742. Бурсиан Э. В., Улршберг Я- Р-* Ружников А. В. — ФТТ, 1976. т. 2,
с, 578.
743. Rochon P., Brebner /. L., Matz О.—Sol. St. Communic,, 1979, v. 29, p. 63.
744. Рождественская M, В., Шефтель И. Т., СтоговаВ. А. и др.—ФТТ, 1970,
т. 12, с. 873.
745. Schell Н. J., Bednors J. G., Dill P.—Ferroelectrics, 1976, v. 13, p. 507.
746. Barbosa G. A., Katiyar R. S., Portos P. S. — J. Opt. Soc. Am., 1978,
v. 68, p. 610.
747. Мейснер JI. Б., Рез И. С.—Изв. АН СССР: Сер. физ., 1969, т. 33, с. 222.
748. Мейснер Л. Б., Сонин А. С.—ФТТ, 1968, т. 10, с. 1252.

ЛИТЕРАТУРА
613
749. Levin В. F.— Phys. Rev. В, 1976, v. 13, p. 5102.
750. Schmidt G., Hegenbarth E.—Phys. Stat. Sol., 1963, v. 3, p. 329.
751. Perluzzo G., Destry J.—Canad. J. Phys., 1976, v. 54, p. 1482.
752. Бузин И. MИванов И. £., Белокопытов Т. В. — ФТТ, 1976, т. 18,
с. 1407.
753. Беляев И. Я., Ходаков A. Л.—ЖЭТФ, 1952, т. 22, с. 376.
754. Шолохович М. Л., Фесенко Е. Л, Крамаров О. Я. и др.—ДАН СССР,
1956, т. 111, с. 1025.
755. Шолохович М. Л.—Журнал неорг. химии, 1958, т. 3, с. 1214.
756. Шолохович М. Л.—В сб.: Титанат бария/Под ред. Н. В. Белова. — М.:
Наука, 1973, с. 252.
757. BhideV. G., Deshmukh К. G., Hedge М. S.—Physica, 1962, v. 28, p. 871.
758. Bhide V. G., Hedge H. S., Deshmukh K. G. — J. Amer. Ceram. Soc., 1968,
v. 51, p. 565
759. Фесенко E. Г., Гавриляченко В, Г., Спинко Р. И. и др. —
Кристаллография, 1972, т. 17, с. 153.
760. Желтее Я. С. Физика кристаллических диэлектриков.—М.: Наука, 1968.
761. Фесенко Е. 7\, Крамаров О. Я., Ходаков А. А. и др.—Изв. АН СССР:
Сер. физ., 1957,, т. 21, с. 305.
762. Фесенко Е. Г.— ДАН СССР, 1953, т. 88, с, 785.
763. Фесенко Е. Г. Семейство перовскита и сегнетоэлектричество.—М.:
Атомиздат, 1972.
764. Фесенко Е. Г., Гавриляченко В. Г., Зароченцев Е. В.—Изв. АН СССР:
Сер. физ., 1970, т. 34, с. 2541.
765. Г авриляченко В. Г .'Фесенко Е. Г. — Кристаллография, 1971, т. 16, с. 640.
766. Фесенко Е. Г., Колесова Р. В. — Кристаллография, 1959, т. 4, с. 62.
767. Kobayashi J.— J. Appl. Phys., 1958, v. 29, p. 866.
768. Фесенко E. Г., Мартыненко М. А.\ Гавриляченко В. Г. и 5р.—Изв.
АН СССР: Сер. физ., 1975, т. 39, с. 762.
769. Бондаренко В. С., Гавриляченко В. Г., Чкалова В. В. и др. — В сб.:
Научные труды высших учебных заведений Литовской ССР. Ультразвук,
1977, т. 9, с. 105.
770. Фесенко Е. Г., Турик А. В., Сидоренко Е. Я. и др.—Изв. АН СССР:
Сер. физ., 1975, т. 39, с. 833.
771. Фесенко Е. Г., Гавриляченко В: Г., Зароченцев Е. В. — Изв. АН СССР:
Сер. физ., 1970, т. 34, с. 2541.
772. Гавриляченко В. Г., Спинко Р. Я., Фесенко Е. Г. и др. — ФТТ, 1970,
т. 12. с. 1532.
773. Турик А. В.у Фесенко Е. Г., Гавриляченко В. Г9 и др. —
Кристаллография, 1974, т. 19, с. 1095.
774. Stasz Wojcic К-—Acta Phys. Polonica, 1974, v. A45, p. 219.
775. Shirane G., Pepinsky R., Frazer В. C.—Acta Crystallogr., 1956, v. 9,
p. 131.
776. Machet R.t Bouitlot Godefroy L.— Abstr. of the Second Intern.
Meeting on Ferroelectricity—Kyoto, 1969, p. 84.

614
ЛИТЕРАТУРА
777. Якубовский М. Л., Рабкин Л. М., Фесенко Е. Г. и др. —
Кристаллография, 1974, т. 19, с. 873.
778. Фесенко Е. Г.9 Гавриляченко В. Г., Мартыненко М. А. и др. —
Кристаллография, 1973, т. 18, с. 1014.
779. Прокопало О. Я., Гольцев Ю. Я., Богатин Л, С. и др. — Физика и
химия тв. тела, 1972, в. 2, с. 91.
780. Ройтберг М. Б., Новик В. /С., Гаврилова Я. Д.— Кристаллография,
1969, т. 14, с. 938.
781. Кузьминов Ю. С., Лифшиц М. Т., Сальников В. Д. —Кристаллография,
1969, т. 14, с. 363.
782. Bortfeld D. P., Meier Н.— J. Appl. Phys., 1972, v. 43,) . 5110.
783. Schweppe H. — IEEE Trans, on Sonics and Ultrasonics 196Э, v. SU-16,
p, 219.
784. Onoe M.t Warner A. W., Ballman A. A. — IEEE Trans, on Sonics and
Ultrasonics, 1967, v. SU-14, p. 165.
785. Ballman A. A. — J. Crystal Growth, 1967, v. 1, p. 37.
786. Батог В. H.9 Бурков В. Я., Кизель В. А. и др. — Кристаллография,
1969, т. 14, с. 928.
787. Сафонов А. Я., Барышев С, Л., Никифорова Т. Я» и др. —
Кристаллография, 1969, т. 14, с. 152.
788. Venturini Е. L., Spencer Е. G., Ballmann А. Л. — J. Appl. Phys.,
1969, v. 40, p. 1622.
789. Kurtz S. K-> Perry T. 7\ — J. Appl. Phys., 1968, v. 39, p. 3798.
790. Батог В. Я., Бурков В. Я., Кизель В. Л. и др. — Кристаллография,
1971, т. 16, с. 1044.
791. Байрамов Б. Х.9 Захарченя Б. Я., Писарев Р. В. и др. — ФТТ, 1971,
т. 13, с. 3366.
792. Abrahams S. С., Jannison Р* В.9 Bernstein J. L. — J. Chem. Phys.,
1967, v. 47, p. 4034.
793. Levin E. М., Roth R. S. — J. Res. National Bur. Stand., 1964, v. 68A,
p. 197. .
794. Bernstein J. L. — J. Crystal Growth, 1967, v. 1, p. 45.
795. Сафронов Г. M.f Батог В. H,9 Красилов Ю. Я. и др. Изв. АН СССР:
Сер. неорганич. материалы, 1970, *т. 6, с. 284.
796. Ballman Л. Л., Brown Я., Tien Р. К. et al. — J. Cryst. Growth, |1973,
v. 20, p. 251.
797. Zelenka J.—Czech. J. Phys., 1978, B. 28, p. 165.
798. Стрижевская Ф. Я., Чкалова В. В.9 Бондаренко В. С. и др. — Вопросы
радиоэлектроники: Сер. общетехнич., 1969, в. 13, с. 104.
799. Kraut Е. Л., Tittmann В. R., Graham L. J. et a/.—Appl. Phys. Lett.^
1970, v. 17, p. 271.
800. Slobodnik A. J,9 Sethares J. C. — J. Appl. Phys., 1972, v. 43, p. 247.
801. Pratt R. G., Simpson C.9 Grossley W. A. — Electronics letters, 1972,
v. 8, p. 127.
802. Kraut E. Л. — Phys. Rev., 1969, v. 188, p. 1450.

ЛИТЕРАТУРА
615
803. Litn Т. С., Kraut Е. Л., Tittmann В. R.—Appl. Phys. Lett., 1970,
v. 17, p. 34.
804. Slobodnik A. J.t Szabo T. L.— J. Appl. Phys., 1973, v. 44, p. 2937.
805. Spencer E. G., Lenzo P. V.> Batlmann A. A.—Appl. Phys. Lett., 1966,
v. 9, p. 290.
806. Melngailis J .^Vetelino J. F., Jhunjhunwala A. et al.—Appl. Phys.
Lett., 1978, v. 32, p. 203.
807. Север Г. А., Баранский К. Я.—Изв. АН. СССР: Сер. физ., 1971, т. 35,
с. 935.
808. Анисимкин В. Я., Земляницын М. Л., Морозов А. И.—ФТТ, 1975,
т. 17, с. 1513.
809. Slobodnik A. /. — Proc. IEEE, 1976, v. 64, p. 581.
810. Slobodnik A. /., Budrean A. J.— J. Appl. Phys., 1972, v. 43, p. 3278.
811. Стрижевская Ф. Я., Чкалова В. В., Бондаренко В. С. и др.—В. сб.:
Новые пьезо- и сегнетоматериалы и их применение. Материалы
семинара.—М.: МДНТП, 1969, с. 92.
812. Spencer Е. G., Lenzo P. V., Ballmann А. А. — Proc. IEEE, 1967, v. 55,
p. 2074.
813. Рез Я. С., Мейснер Л. БСафонов А. Я. — Кристаллография,, 1970,
т. 15, с. 1168.
814. Клипко А. Т., Котляр Я. £., Нежевейко Е.С.идр. Автометрия, L976,
т. 4, с. 34.
815. Байрамов Б. X., Захарченя Б. П., ХашхошевЗ. М. —ФТТ, 1972, т. 14,
с. 1374.
816. Antonov V. Л., Arsenyev Р. Л., Linda J. Q. et al. — Kristall und
Technik, 1975, Bd. 10, S. 59.
817. Байрамов Б. X., Захарченя Б. Я., Топоров В. В. и др.—ФТТ, 1973,
т. 15, с. 1868.
818* Lenzo P. V., Turner Е. Я., Spencer Е. G. et al. — Appl. Phys. Lett.,
1966, v. 8, p. 81.
819. Lenzo P. V., Spencer E. G., Ballman A. A. — Phys. Rev. Lett., 1967,
v. 19, p. 641.
820. Рез И. С.—В сб.: Титанат бария/Под ред. акад. Н. В. Белова — М.:
Наука, 1973, с. 110.
821. Алексеев А. Я., Бондаренко В. С.— ФТТ, 1976, т. 18, с. 2736.
822. Попов С. Я., Крайник Я. Я., Смоленский Г. А.— Письма в ЖЭТФ *
1975, т. 21, с. 543.
823. Feldman Л., Brower W., Horowitz D.— Appl. Phys. Lett., 1970, v. 16,
p. 201.
824. Смоленский Г. Л., Крайник H. Я., Леманов В. В. и др.—Изв. АН СССР:
Сер. физ., 1975, т. 39, с. 965.
825. Крайник Я. Я., Леманов В. В., Попов С. Я. и др.— ФТТ, 1975, т. 17,
с. 2462.
826. Смоленский Г. Л., Попов С. Я., Крайник Я. Я. и др.— ЖТФ, 1977,
т. 72, с. 1427.

616
ЛИТЕРАТУРА
827. Литвин Б. Я., Шалдин Ю. В., Питовранова Я. Е,— Кристаллография,
1968, т. 13, с. 1106.
828. Schweppe Я., Quadflieg R.— IEEE Trans, on Sonics and Ultrasonics,
1974, v. SU-21, p. 56.
829. Sillen L. G.— In: Structure Reports, 1940, v. 8, p. 235.
830. Oldrich R. E., Hou S. L., Harvill M. L.— J. Appl, Phys., 1971, v. 42,
p. 493.
831. Haussiihl S.— Phys. Stat. Sol., 1968, v. 29, p. K159.
832. Warner A. W., Pinnow D. A.—J. Acoust. Soc. Am., 1970, v. 47, p. 791.
833. Matsumura S.— Mater. Res. Bull., 1971, v. 6, p. 469.
834. Абрамович A. A., Шутилов В. Л., Левицкая Т. Д. и др.— ФТТ, 1972,
т. 14, с. 2585.
835. Шархатунян Р. О., Налбандян А. Г., Мурадян Г. Г.—
Кристаллография, 1976, т. 21, с. 223.
836. Шархатунян Р. О., Налбандян А. Г., Погосян А. И. и др.— Изв.
АН Арм. ССР: Сер. физика, 1974, т. 9, с. 224.
837. Атрощенко Л. В., Обуховский Л., Ходеева Я. В.— Кристаллогра:
фия, 1977, т. 22, с. 414.
838. Rozenzweig Л., Morosin В.— Acta Cryst., 1966, v. 20, p. 758.
839. Перекалит 3. В., Смирнова Я. Л., Добржанский Г. Ф. и др.—
Кристаллография, 1973, т. 18, с. 852.
840. International Tables for X-Ray Crystallography.— Birmingham: Kynoch
Press, 1965, 1966, 1968, v. I, II, III.
841. Sirota N. N., SapelkinaV. P.— Kristall und Technik, 1971, Bd. 6, S. 381.
842. De Boer J. L., Van Bolhuis F.t Olthof-Hazekamp R. et al.—Acta Cryst.*
1966, v. 21, p. 841.
843. Zachariasen W. Я., Barta F. A.— Phys. Rev., 1931, v. 37, p. 1626.
844. Jipson V. B., Vetelino J.-E.. Jhunjhunwala A. et al.— Proc; IEEE,
1976, v. 64, p. 568.
845. Халлер К- Э., Ярвекюльг Э. М., Ребане Л. А.— ФТТ, 1976, т. 18,
с. 1409.
846. Авдиенко /С. Я., Архипов С. M.f Кидяров Б. И. и др.— Физ. и хим.
тверд, тела, 1975, т. 7, с. 47.
847. Карменян К- В., Чилингарян Ю. С.— Письма в ЖЭТФ, 1973, т. 17,
с. 106.
848. Thierry J9 М., Coquet E.t Cretter J. М.— Optics Commun., 1976, v. 16,
p. 417.
849. Абрамович А. Л., Хромова Я. Я., Шутилов В. А.— Акустич. журн.,
1976, т. 22, с. 278.
850. Атрощенко Л. В.— В сб.: Монокристаллы/Под ред. Э. Ф.
Чайковского.—Харьков, 1976, вып. 14, с. 143.
851. Latuszek Л., Lee R., Soluch W.— Proc. of the Vibration Problems, 1973,
v, 14, p. 237.
852. Джинсон /С., Ветелит Дж. Я.; Джунджуквала Л. и др.— ТИИЭР,
1976, т. 64, с. 193.
853. Okada Я.—Appl. Phys. Lett., 1971, v. 18, p. 451.

ЛИТЕРАТУРА
617
854. Nath G.— Appl. Phys. Lett., 1969, v. 14, p. 154.
855. Битюрин H. М., Бредихин В. И., Генкин В. Я.— Квантовая
электроника, 1978, т. 5, с. 2453.
856. Siu Jund S.—Appl. Phys. Lett., 1977, v. 31, p. 187.
857. Влох О. Г., Величко Я. Л., Лазъко Л. Л.— Кристаллография, 1975,.
т. 20, с. 430.
858. Nash F. R., Bergman J. G., Boyd G. D. et al.— J. Appl. Phys., 1964,.
v. 40, p. 5201.
859. Otaguro W. S., Wienar-Annear E., Port S. P. S.—Appl. Phys. Lett.*,
1971, v. 18, p. 499.
860. Стрижевская Ф. Я., Лазутин Ю. Я., Чкалова В. В.— В сб.: Новые
пьезо- и сегнетоматериалы и их применение.—М.: МДНТП, 1975, с. 32.
861. Гордеева С. Я., Зандин В. /С., Кидяров Б. И. и др.— В сб.: Пьезо- и
сегнетоматериалы и их применение.— М.: МДНТП, 1972, с. 90.
862. Андреев Р. Б.у Волосов В. Д., Каменцев А. Г.— Оптика и
спектроскопия, 1974, т. 37, с. 294.
863. Влох О. Г., Лазько Л. Л., Желудев И. С.—Кристаллография, 1975,.
т. 20, с. 654. "
864. Волкова Е. Я., Дианова В. Л., Зуев А. Л. и др.— Кристаллография,,
1971, т. 16, с. 346. V
865. Andrews R. А.— IEEE J. Quantum Electronics, 1970, v. QE-6, p. 68.
867. Вадиков В. В,, Богданов С. В., Годовиков А. А. и др.— Акустич.
журнал, 1971, т. 17, с. 300.
868. Полковников Б. Ф.— Прикладная спектроскопия, 1973, т. 18, с. 741..
869. Эмиралиев А. Г., Кочаров А. Г., Ямзин И. И. и др.—
Кристаллография, 1973, т. 18, с. 1177.
870. Добржанский Г. Ф., Кулевский Л. А., Поливанов Ю. Я. и др.г-
Краткие сообщения по физике, 1970, т. 8, с. 61.
871. Дианова В. Л., Израиленко А. Я., Липатов А. С. и др.—
Кристаллография, 1972, т. 17, с. 223.
872. Иванов Я. Р., Чих лад зе О. Л.—Кристаллогр афия, 1976, т. 21, с. 125.
873. Gottlieb М., Isaaks Т. /., Feichtner J. D. et al.— J. Appl. Phys., 1974,.
v. 45, p. 5145.
874. Isaaks T. J., Gottlieb М., Daniel M. R. et al.— J. of Electronic
Materials, 1975, v. 4, p. 67.
875. Guseinov G. D., Mooser Ё., Kerimova E. M. et al.— Phys. Stat. Sob,.
1969, v. 34, p. 33.
876. Мусаева Л. P., Мамедов A. M., Б акантов А. Э. и др.— Ф TT, 1976,.
т. 18, с. 1421.
877. Hahn Я., Wellmann В.— Naturwissenschaften, 1967, Bd. 54, S. 42.
878. Isaaks T. Horkins R. H.— J. Crystal Growth, 1975, v. 29, p. 12k
879. Feichtner J. D.l Roland G. W.— J, Appl. Optics, 1972, v. 11, p. 993.
880. Isaaks T. /., Gottlieb M.y Feichtner J. D.— Appl. Phys. Lett., 1974*
v. 24, p. 107.
881. Gottlieb M.— Laser Focus, 1972, v. 8, p. 24.
882. Roland G. Г.—Appl. Phys. Lett., 1970, v. 21, p. 52.

618
ЛИТЕРАТУРА
883. Gottlieb М.— IEEE J. Quantum Electronics, 1972, v. QE-8, p. 608.
884. Isaaks T. /., Weinert R. W.—J. Electronic Materials, 1976, v. 5, p. 13.
885. Kawada S., Ida M.— J. Phys. Soc. Jap., 1965, v. 20, p. 1287.
886. Kern R.— J. Phys. Ghem. Solids, 1969, v. 24, p. 249.
887. Крайний. И. Я., Попов С. Я., Мыльникова Я. Б.— ФТТ, 1966, т. 8,
с. 3664.
*888. Голик Л, Л.у Грошик Я. Я., Елинсон М. Я. и др.— Кристаллография,
1968, т. 13, с. 1014,
<889. Г ерзания Е. Я., Фридкин В. М.— Кристаллография, 1969, т. 14, с. 298.
<890. Беляев Л. М., Ляховицкая В. А., Сильвестрова И. М.— Изв. АН СССР,
Сер. физ., 1969, т. 33, с. 331.
$91. Пополитов В. Я., Литвин Б. Я., Лобачев А. Я. и др.—Изв. АН СССР:
Сер. физ., 1969, т. 33, с. 341.
£92. Спицына В. Д., Сильвестрова Я. М., Ляховицкая В. А. и др.— Физика
и химия твердого тела, 1972, т. 2, с. 37.
$93, Беляцкас Р., Бриллингас Л., Гричас И* и др.—Литовский физический
сборник, 1975, т. 15, с. 621.
894. О/» /С., Arizumi О.— J. Phys. Soc. Japan, 1968, v. 22, p. 1307.
895, Dziuba Z.—J. Cryst. Growth, 1976, v. 35, p. 340.
$96. Fatuzzo E.t Herbeke G., Merz W. J. et al.— Phys. Rev., 1962, v. 127,
p. 2036.
$97. Nitsche RMerz W. J.— J. Phys. Chem. Solids, 1960, v. 13, p. 154.
898. Беляев Л. М., Клия М. О., Ляховицкая В. Л.,—Кристаллография,
1971, т. 16, с. 339.
$99. Волк Т. Р., Герзанич Е. Я., Фридкин В. М.— Изв. АН СССР: Сер.
физ., 1969, т. 33, с. 346.
900, Гулямов /С., Ляховицкая В. Л., Тихомирова И. А. и др.—ДАН СССР/
1965, т. 161, с. 1060.
"901. Беляев Л. М., Греков Л. Л., Закс П. Л. w др.— Акустич. журнал,
1977, т. 23, с. 810.
*902. Фридкин В. М.у Герзанич Е. И. у Грошик И. Я. и др.— ЖЭТФ, 1966,
т. 4, с. 201.
*903. Фридкин В. М.у Гулямов /С., Ляховицкая В. А. и др.— ФТТ, 1966,
т. 8, с. 1907.
904. Кудзин Л. Ю.у Сухинский А. Я.—ФТТ, 1969, т. 11, с. 1389.
*905. Sawaguchi Е.9 Mori Т., Tamura Я.— Abstr. of the second Intern.
Meeting of Ferroelectricity.— Kyoto. Japan, 1969.
*906. Ohi K.— J. Phys. Soc. Japan, 1970, v. 28, Supplement, p. 84.
907. Запорожец О. Я., Ляховицкая В. Л., Пекар С. Я. и др.— ФТТ, 1970,
т. 12, с. 671.
908. Ueda S.9 Tatsuzaki I.— Phys. Rev. Lett., 1967, v. 18, p. 453.
909. Носов В. И.—кристаллография, 1968, т. 13, с. 338.
910. Закс Я. Л.у Пасынков Р. £., Сыркин Л. Я. и др.—Изв. АН СССР:
Сер. физ., 1967, т. 33, с. 338.
911. Голик Л. Л.у Елинсон М. Я., Ченский Е. В. и др.—ФТТ, 1971, т. 13,
с. 3523.

ЛИТЕРАТУРА
619"
912. Абрамович A. Л., Давидьян Э. В., Завьялова А. М. и др.— Изв.
АН СССР: Сер. физ., 1975, т. 39, с. 822.
913. Kliya M. О., Lyachovitskaya V. А.— J. Phys. Soc. Japan, 1970* v. 28,
Supplement, p. 217.
914. Тараскин С. А., Ляховицкая В. Л., Иванов-Шиц А. К.—
Кристаллография, 1972, т. 17, с. 681.
915. Tatsuzaki Itoh /О, Ueda S. et al.— Phys. Rev. Lett,, 1966, v. 17*
p. 198.
916. Hamano К•— J. Phys. Soc. Japan, 1965, v. 20, p. 1886.
917. Кунигелис В. Ф., Самулионис В. И.— Научные труды вузов Литовской;
ССР, Ультразвук, 1972, т. 14, с. 11.
918. Самулионис В. И., КунигелисВ. Ф.— ФТТ, 1969, т. 11, с. 844.
919. К унигелис В. Ф., Самулионис В. И.— Научные труды вузов Литовской^
ССР, Ультразвук, 1972, т. 4, с. 19.
920. Самулионис В. И., Кунигелис В. Ф.— ФТТ, 1969, т. 11, с. 1993;
921. Sugawara F., Nakamura Т.— J. Phys. Soc. Japan, 1970, v. 28,
Supplement, p. 221.
922. Травина Г. С., Голик Л. Л., Елинсон М. И. и др.— ФТТ, 1969, т. 11„
с. 662.
923. Герзанич Е. Я., Брызгалов И. А., Ракчеев А. Д. и др.—
Кристаллография, 1968, т. 13, с. 898,|
924. Johannes R., Haas W.— Appl. Optics, 1967, v. 6, p. 1059.]
925. Зейналлы А. Х.У Мамедов A. M.f Эфёндиев Ш. М.—ФТТ, 1976, т. 18^
с. 2812.
926. Мамедов А. М.— ФТТ, 1977, т. 19, с. 845.
927. Греков А. А., ^Ляховицкая В. Л., |Родин А. И. и др.— ДАН СССР,.
1966, т. 169, с. 810.
928. Harbeke G.— J. Phys. Chem. Solids, 1963, v. 24, p. 957.
929. Mori T.t Tamura Я., Sawaguchi E.— J. Phys. Soc. Japan, 1965, v. 20,-
p. 281. '
930. Сухинский A. H.— В сб.: Сегнетоэлектрики и окисные полупроводники5
/Под ред. Е. В. Синякова.— Днепропетровск, ДГУ, 1971, с. 64.
931. Кудзин А. Ю.— В сб.: Сегнетоэлектрики и окисные полупроводники/
Под ред. Е. В. Синякова.—Днепропетровск: ДГУ, 1971, с. 75.
932. Мерц В. Я., Нитше Р.— Изв. АН СССР: Сер. физ., 1964, т. 28, с. 681.
933. Верховская К. А., Фридкин В. М.— Изв. АН СССР: Сер. физ., 1967,.
т. 31, с. 1156.
934. Бендер В. Я., Фридкин В. М.—ФТТ, 1971, т. 13, с. 614.
935. Рудяк В. М., Богомолов А. А.— ФТТ, 1967, т. 9, с. 3336.
936. Фридкин В. М.— В сб.: Проблемы современной |кристаллографий/Под
ред. Б. К. Вайнштейна. М.: Наука, 1975, с. 369.
937. Марковский В. Ю., Ольская М. Л.—Научные труды Гиредмет.—М.1
Металлургия, 1970, т. 29, с. 124.
938. Семенов В. Я., Сапожников В. /С., Авдиенко /С. Я. и др.— ФТТ, 1976,.
т. 18, с. 2805.

*620
ЛИТЕРАТУРА
939. Гаигардт В. А., Сапожников В. /С., Семенов В. Я.—Оптика и
спектроскопия, 1978, т. 45, с. 609.
940. Авдиенко К. Я., Сапожников В. Я., Семенов В. И. и др.—Автометрия*
1977, т. 6, с. 79.
941. Арсеньев П. Л., Кустов Е. Ф. Элементы квантовой электроники, ч. I.
Монокристаллы гранатов. Спектроскопические и лазерные параметры —
М.: Изд-во МЭИ, 1973.
942. Belt R. F.— Laser Focus, 1970, v. 6, p. 44.
943. Klein P., Croft W.— J. Appl. Phys., 1967, v. 38, p. 1603.
'944. Spencer E. G., Denton R. T.— J. Appl. Phys., 1963, v. 34, p. 3059.
945. Alton W. J., Barlow A. J.—J. Appl. Phys., 1967, v. 38, p. 3023.
946. Wang F. Y.— In: Treatise on Materials Science and Technology/ Ed.
P. Hermann—N. Y.— L., 1973, v. 2.
947. Foster J. D., Osterik L. M.— Appl. Optics, 1968, v. 1, p. 2428.
948. Koechner W.— Appl. Optics, 1970, v. 9, p. 1429.
949. Каминский A. A.— ЖЭТФ, 1966, т. 51, с. 49.
950. Степанцов E. Л., Говорков В. Г., Бережкова Т. В. и др.—
Кристаллография, 1976, т. 21, с. 142.
951. Генделев С. III., Щербак Я. Т.— Кристаллография, 1965, т. 10, с. 708.
952. Hurrel J. P., Porto S. [P., Chang J. Е. et al.— Phys. Rev., 1968, v.
173, p. 851.
953. Young D. D.y Jungling К• С., Williamson T. L. et al.— IEEE J. Quan
turn Electronics, 1972, v. 8, p. 720.
954. Bond W. L.— J. Appl. Phys., 1965, v. 36, p. 1674.
955. Jonson V. R.t Olson F. A.— Proc. of the IEEE, 1967, v. 55, p. 709.
956. Borhmann S., Glauche E., Gornert P. et al.— Kristall und Tecfynik,
1974, Bd. 9, S. 895.
957. Levinstein H. /., Gyorgy E. М., Le Craw R. 5.—J. Appl. Phys., 1973,
v. 37, p. 1911.
958. Haussdhl S.— Zs. Naturforsch., 1976, v. 319, p. 390.
959. Камилов И. K-, Алиев X. К.— ЖЭТФ, 1973, т, 65. с. 1911.
960. Смоленский Г. А., Писарев Р. В., Синий Я. Г.— В сб.: Проблемы
современной кристаллографии / Под ред. Б. К. Вайнштейна.— М.: Наука,
1975, с. 301.
961. Harris А. ВMeyer Я.— Phys. Rev., 1962, v. 127, p. 101.
962. Onn D. G., Remeika J. P.—J. Appl. Phys., 1969, v. 38* p. 1023.
963. Щелкотунов В. Л., Данилов В. Я., Резницкий Л. А. и др.— Изв.
АН СССР: Сер. неорганич. материалы, 1975, т. И, с 1633.
964. Luthi В.— J. Phys. Chem. Solids, 1962, v. 23, p. 35.
965. Bateman Т. B.— J. Appl. Phys., 1966, v. 37, p. 2194.
966. Eastman D. E.— J. Appl. Phys., 1906, v. 37, p. 2312.
967. Warner /.-—Materials Res. Bull., 1974, v. 9, p. 507.
968. Насыров A., Павленко А. В.— ФТТ, 1967, т. 9, с, 276.
969. Гришмановский А. Я., Юшин Я. /С., Богданов В. Л. и др.— ФТТ, 1971,
т. 13, с. 1833.
970. Четкий М. Б.— ФТТ, 1964, т. 6, с. 3753.

ЛИТЕРАТУРА
621
971. Галуза А. Я., Еременко В. В., Кириченко А. Я.— ФТТ, 1973, т. 15, с. 585.
972. Clark А, Е., Strakna R. Е.— J. Appl. Phys., 1961, v. 32, p. 1172.
973. Michael R., Daniel K.— J. Appl. Phys., 1973, v. 44, p. 1404.
974. Дедух Л. М., Никитенко В. Я.—ФТТ, 1970, т. 12, с. 1765.
975. Белов К- Я., Зайцева М. А., Кадомцева А. М. и др.— ФТТ, 1965, т. 7,
с. 477.
976. Белов К. П., Белов В. Ф., Тимофеева В. Л.—Кристаллография, 1961
т. 5, с. 699.
977. Rodrigue G. Р., Meyer Я., Jones R. V.— J. Appl. Phys., 1960, v. 31,
p. 376.
978. Lida S.—J. Phys. Soc. Japan, 1967, v. 22, p. 1201.
979. Мыкитюк В. Я., Соломко А. А.— ФТТ, 1971, т. 13, с. 2982.
980. Hauss^l S., Mateika D.— Zs. Naturforsch., 1972, Bd. 27, S. 1522.
981. Rao /С., Veerabhadra, Narasimhamurty T. S.— J. Phys. C: Solid State
Phys., 1978, v. 11, p. 2343.
982. Нашельский А. Я. Технология полупроводниковых материалов.—М.:
Металлургия, 1972.
983. Bacon G. Е., Pease R. S.— Proc. Roy. Soc., 1953, v. A220, p. 397.
984. Ubbelohde A. R., Woodward «/.— Proc. Roy. Soc., 1947, v. A188, p. 358.
985. Quervain M.— Helv. Phys. Acta, 1944, v. 17, p. 509.
986. Haussdhl S.— Zs. Krist., 1964, Bd. 120, S. 401.
987. Смоленко Л. Л., Сидненко Е. В., Желудев И. С.— Изв. АН СССР: Сер.
физ., 1967, т. 31, с. 1205.
988. Cook W, R.— J. Appl. Phys., 1967, v. 38, p. 1637.
989. Mason W. R.— Phys. Rev., 1946, v. 69, p. 173.
990. Kobayashi Uezu Y., Mizutani G. et al.— Phys. Stat. Solidis, 1^70,
v. A3, p. 63.
991. Suemune Y.— J. Phys. Soc. Japan, 1967, v. 22, p. 735.
992. Suemune Y.— J. Phys. Soc. Japan, 1966, v. 21, p. 802.
993. Чижиков С. Я., Сорокин Я. Г., Макаревская Е. В. и
др.—Кристаллография, 1973, т. 18, с. 860.
994. Zwicker В,— Helv. Phys. Acta, 1946, v. 19, p. 523.
995. Haussuhl P. Z.— Krist., 1960, Bd. 13, S. 685.
996. Коробов А. Я., Прохоров В. Я., Сердобольская О. Ю. и др.— Кристал"
лография, 1978, т. 23, с. 566.‘
997. Prabhakaran Nayar S. /?., Viswanathon К- S.— Canad. J. Phys;, 1972»
v. 50, p. 1903.
998. Александров К. С., Анистратов А. Т., Рез И. С. и др.—ФТТ, 1977,
т. 19, с. 1863.
999. Zheludev I. S., Gladkii V. F., Sidnenko E. V. et al.— Ferroelectries, 1974»
v. 8, p. 567.
1000. IRE Standards on Piezoelectric Cristals, 1949; Proc. IRE, 1957, v. 37,
p. 1378; Proc. IRE, 1958, v. 45, p. 354; Proc. IRE, 1961, v. 46, p. 765.
1001. Adhav R.— J. Appl. Phys., 1975, v. 46, p. 2808.
1002. Переверзева Л. Я., Петров В. М., Макаревская E. В; и др.—
Кристаллография, 1973, т. 18, с. 645.

622
ЛИТЕРАТУРА
1003. Shapiro Y.t Levin S., Gerlich D.—Ferroelectrics, 1978, v. 17, p. 459.
1004. Цернике Ф., Мидвинтер Дж, Прикладная нелинейная оптика Пер*
с англ./Под ред. Б. В. Жданова и Н. И. Коротеева—М.: Мир, 1976*
1005. Phillips R. Л.— J. Opt. Soc. Am.f 1966, v. 56, p. 629.
1006. Zernike F• J,—J. Opt. Soc. Am., 1964, v. 54, p. 1215.
1007. Никогосян Д. Я.— Квантовая электроника, 1977. т. 4, с. 5.
1008. Jamroz W., Karniewicz J.— Optical and Quantum Electr., 1969, v. 11, j). 2X
1009. Rao V., Narasimhamurty T. S.— Appl. Optics, 1970, v. 9, p. 155.
1010. West C, D., Makas A. S.— Amer. Mineralogist, 1950, v. 35, p. 130.
1011. Deshpande V. T.y Khan A.— Acta Cryst., 1963, v. 16, p. 936.
1012. Александров К. С., Рыжова Т. В.— Кристаллография, 1964, т. 9, с. 372»
1013. Tsutsui Т. V.y Sato А. К.— J. Appl. Phys. Japan* 1957, v. 26»
p. 515.
1014. Carpenter R. O’B.— J. Opt. Soc. Am.} 1954* v. 44, p. 425.
1015. Ziauddin М., Narasimhamurty T. S.— J. Opt. Soc. Am., 1967, v. 57*
p, 1392.
1016. Achyuthan /0, Breazeate M. A.— J. Opt. Soc. Am., 1961, v. 51, p. 914*
1017. Hruska Carl K.—IEEE Trans, on Sonics and Ultrasonics* 1977, v. SU-24*
p. 54.
1018. Дробышев Л. А., Томашпольский Ю, AВеневцев Ю. H, и dp.—
Кристаллография, 1968, т, 13, c. 1100.
1019. Nassau K-, Levinstein H. /., Loiacomo G. H.— J. Phys. Chem. Solids „
1965, v. 26, p. 1805.
1020. Каминский A. A.t Осико В. В.—Изв. АН СССР: Сер. неорганич.
материалы, 1967, т. 3, с. 417.
1021. Cross L. Е., Fouskova А.— Phys. Rev. Lett.f 1968* v. 21f p. 812.
1022. Aizu K-—Phys. Rev., 1966, v. 146* p. 423.
1023. Aizu /С., Kumada A.t Jumoto H. et aU—J. Phys. Soc. Japan, 1969*
v. 27, p. 511.
1024. Smith A. W., Burns G.—Phys. Lett., 1969* v. 28A* p. 501.
1025. Hochli U. Т.— Phys. Rev., 1972* v. B6, p. 1814.
1026. Fousek J., Konak C.— Czechoslov. J. Phys., 1972, v. B22, p. 995.
1027. ЕсаянС, X., Багдасаров X. С., Леманов В. В. и др.— ФТТ, 1974, т. 16*
с. 143.
1028. Epstein D. /., Herrick W. Я., Turek R. F.— Solid State Commun., 1970*
v. 8, p. 1491.
1029. Newhnam R. E., McKinstry C. W., Stitt W. L.— Phys. Status Solidi*
1969, v. 32, p. K49.
1030. Sapriel /., Vacher R.— J. Appl. Phys., 1977, v. 48, p. 1191.
1031. Coldren L. A., Glassa A. М., Bonner W. A.— Appl. Phys. Lett’., 1977*
v. 30, p. 506.
1032. Borohard H. /., Bierstedt P. E.— J. Appl. Phys., 1967, v. 38, p. 2057..
1033. Рабинович A. 3., Сафонов А. И.— В сб.: Тезисы докладов на VI
Всесоюзной конференции по сегнетоэлектричеству.— Рига: Изд-во Латв. ГУ, 1968-
1034. Cheung К. М., Frank G., Ullman—Phys. Rev. В, 1974, v. 10, p. 4760r
1035. Fouskova A.— J. Phys. Soc. Japan, 1969, v. 27, p. 1699.

ЛИТЕРАТУРА
623
1036. Cummins S. EFerroelectrics, 1970, v. 1, p. 11.
1037. Kumada Akio, Jumoto Hiroshi, Ashida Sakichi—In: Proc. Second
Internal:. Meet* Ferroelectricity.— Kyoto, 1969, v. 351.
1038. Busch M., Totedand /. C., Torres J.— Optics Commun., 1974, v. 10, p. 243.
1039. Scheiding C., Schmidt G.— Phys. Stat. Sol. (b), 1972, v. 53, p. К 95.
1040. Scheiding C., Schmidt G., Kursteen Я. D.— Kristall and Technik 1973,
Bd. 8, S. 311.
1041. Itoh S.t Nakamura Т.—Phys. Lett., 1973, v. 44A, p. 461.
1042. Есаян С. X., Лайхтман Б. Д.^Леманов В. В.—ЖЭТФ, 1975, т. 68, с. 689.
1043. Чижиков С. И.у Сорокин Н. F/\, Островский Б. И. и др.— Письма
в ЖЭТФ, 1971, т. 14, с. 490.
1044. Courdille J. М., Dumas J.— J. de Physique Lett., 1975, t. 36, p. 5.
1045. Широков A. M.f Мылов В. Я., Баранов А. Я. и др.— ФТТ, 1971, т. 13,
с. 3108.
1046. Анистратов А. Т.у Александров К. С., Мартынов В. Г. и др.— В сб.:
Фазовые переходы в кристаллах / Под ред. К. С.
Александрова—Красноярск, 1975, с. 135.
1047. Fousek /., Glogarova М.— Solid State Commun., 1975, v. 17, p. 97.
1048. Влох О. Г.у Климов Я. М.— Изв. АН СССР: Сер. физ., 1975, т. 39, с. 798.
1049. Nakamura Г., Kondo Т.—Solid State Commun., 1971, v. 9, p. 2265.
1050. Anderson L. К•— IEEE Trans. Sonics and Ultrasonics, 1972, v. SU-19,
p. 69.
1051. Агишев Б. Л., Дерюгин Я. Л., Леманов В. В. и др.— ФТТ, 1976, т. 18,
с. 1117.
1052. Kojima S., Nakamura Т.— Phys. Rev., 1978, v. B18, p. 453.
1053. Pinnow D. A., L. G. Van Uiterty Warner A. W. et at.— Appl. Phys.
Lett., 1969, v. 15, p. 83.
1054. Farley J. М., Saunders G. Л., Chung D. Y.— J. Phys. C., 1975, v. 8,
p. 780.
1055. Coquin G. Л., Pinnow D. A., Warner A. W.— J. Appl. Phys., 1971, v.
42, p. 2162.
1056. Синяков E. B.y Акимов С. В., Поздеев В. Г. и др.— ФТТ, 1976, т. 18,
с. 3164.
1057. Loiacono G. М., Balasico J. F., Bonner R. et al.—J, Crystal Growth,
1974, v. 21, p. 1.
1058. Габриелян В. Т.у Клудзин В. Ш., Кулаков С. В. и др.— ФТТ, 1975,
т. 17, с. 603.
1059. Rouvaen J. М., Bridorex E.f Waxin G. et al.— J. Appl. Phys., 1978, v.
49, p. 2306.
1060. Бахишева Г. Ф., Мороз А. М.— ОМП, 1977, № 9, с. 31.
1061. Авдиенко К• Я., Богданов С. В., Дарвойд Т, Я. и др.— В сб.: Тезисы
докл, IX Всесоюзн. конф. по акустоэлектронике и квантовой акустике.—
М.: МДНТП, 1976, с. 95.
1062. Hulme К• F., Jones О., Davies Р. Я. et al.— Appl. Phys. Lett., 1967,
v. 10, p. 133.
1063. Zemormand AL, Dupont Ph.— J. Crystal. Growth, 1971, v. 10, p. 327.

624
ЛИТЕРАТУРА
1064. Довгий Я. О., Буцко Я. Я., Корольшин В. Я. и др.— ФТТ* 1971, т. 13*
с. 1202.
1065. Буцко Я. Я., Пидоря М. М., Крушельницкая Т.
Д.---Кристаллография, 1973, т. 18, с. 855.
1066. Гурзан М. И.. Головей М. Я., Олексеюк Я. Д. и др.—Изв. АН СССР:
Сер. неорганич. материалы, 1975, т. 11, с. 207.
1067. Буцко Я. Я.—Укр. физ. журнал, 1967, т. 2, с. 2055.
1068. Harker D.— J. Chem. Phys., 1936, v. 4, p. 381.
1069. Есаян С. Х.\ Леманов В. В., Рез И. С. и др.— ФТТ, 1973, т. 15, с. 907.
1070* Лазаренко Е. К. Курс минералогии, Киев: Гостехиздат Украины 1959*
1071. Holovey \М. /., Olexeyuk I. D., Gurzan М. I. et al.— Kristall und
Technik, 1971, Bd. 6, S. 631.
1072. Беляев А. Д., Байса Д. Ф., Бондарь А. В.— ФТТ, 1976, т. 18, с. 1749.
1073. Семак Г. Т., Михалько И. Я., Поник Ю. В. и др.— ФТП, 1974, т. 8*
с. 1266.
1074. Байса Д.[Ф., Бондарь А. В., Погребняк С. В.— Изв. АН СССР: Сер.
физ., 1978, т. 42, с. 2081.
1075. Попова Т. В., Гаврилова Н. Д., Новик В. К• и др. — ФТТ, 1979, т. 21,
с. 76.
1076. Зубр иное Я. Я., Семенов В. Я., Шелопут Д. В. — ФТТ, 1973, т. 15*
с. 2871. .
1077. Богданов С. В., Зубринов И. Я., Шелопут Д. В.—Изв. АН СССР:
Сер. физ., 1971, т. 35, с. 1013.
1078. Гаврилова Н. Д., Копцик В. Л., Новик В. /С. и др. — Кристаллография*
1978, т. 23, с. 1067.
1079. Зубань В. А., Берец А. Я., Гурзан М. И. и др. — Жур нал прикладной
спектроскопии, 1974, т. 20, с. 932.
1080. Feichtner Т. 0., Johannes /?., Roland G. W.—Appl. Optics, 1970, v. 9;
p. 1716.
1081. Герзанич E. Я.,ч Добр янский С. Л., Головей М. М. и др. — В сб.:
Получение и исследование монокристаллов / Под ред. Э. Ф. Чайковского.—
Харьков: ВНИИМ, 1978, с. 62.
1082. Hocker L. О., Dowey С. F.—Appl. Phys., 1976, v. 11, p. 137.
1083. Hordvik AKt Schlossberg H. /?., Stickley С. М.—Appl. Phys. Lett., 1971,
v. 18, p. 448.
1084. Gandrud W. B..t Boyd G. D., McFee J. H. et al. — Appl. Phys. Lett.»
1970, v. 16, p. 59.
1085. Довгий Я. О., Корольшин В. Я., Мороз Е. Т. —Кристаллография 1971*
т. 16, с. 1043.
1086. Брэгг У., Кларингбулл Т. Кристаллическая структура минералов:
Перев. с англ./Под ред.—М.: Мир, 1967.
1087. Holovey М. /., Gurzan М. J., Olexeyk J. D. et al. — Kristall und
Technik, 1973, Bd. 8, S. 453.
1088. Гурзан М. Я., Головей М. Я., Бондарь М. П. и др.-—Изв. АН СССР:
Сер. Неорганич. материалы, 1975, т. И, с. 1349.
1089.Ballman Л.Л.—- J. Amer. Ceram. Soc., 1965, v. 48, p. 112.

ЛИТЕРАТУРА
625
1090. Nassau К->Levinstein Я. /., Loiacono G. М.— J. Phys. Chem; Solids,
1966, v. 27, p. 989.
1091. Smolenskii G. Л., Krainik N, N., Khuchua N. P. et al—PhySi Status
Solidi, 1966, v. 13, p. 309.
1092. Yamada T., Niiseki N., Toyada H.— Japan J. Appl. Phys., 1967, v. 6,
p.ysi. I
1093. Byer R. L., Joung J. F. — J. Appl. Phys., 1970, v. 46, p. 2320. |
1094. Кузьминов Ю. С. Ниобат и танталат лития. Материалы для нелинейной
оптики.—М.: Наука, 1975.
1095. Abrahams S. С., Levinstein Я. Reddy J. М. — J. Phys. Chem. Solids,
1966, v. 27, p. 1019.
1096. Fraser D. ВWarner A. W.— J. Appl. Phys., 1966, v. 37, p. 3853.
1097. Лапицкий А. В., Шишкина A. Пилкина М. А. и др.— Журнал
общей химии, 1954, т. 25, с. 1962.
1098. Megaw Н. D.—Acta Cryst., 1954, v. 7, p. 187.
1099. Исмаилзаде И. Т. — Кристаллография, 1965, т. 10, с. 287.
1100. Abrahams S. С., Reddy J. М., Bernstein J. L. — J. Phys. Chem. Solids,
1966, v. 27, p. 997.
1101. Boyd G. D., Bond W. L., Carter H. L. —J. Appl. Phys., 1967, v. 38, p.
1941.
1102. Boyd G. D., Miller R. S., Nassau К. a/.—Appl. Phys. Lett., 1964,
v. 5, p. 234.
1103. Ninomiya Juichi, Motoki Toshio—Review Scient. Instrum., 1972, v. 43,
p. 519.
1104. Кузьминов Ю. С., Тихонов A. Я., Сакаев P. А. — В сб.: Химич.
реактивы и препараты—М.: ИРЭА, 1966, в. 29.
1105. Nassau К*> Levinstein Я. Loiacono G. М. — J. Phys. Chem. solids,
1966, v. 27, p. 983..
1106. Smith R. T., Welsh F. S. — J. Appl. Phys., 1971, v. 42, p. 6.
1107. Федулов С. AШапиро 3. Я., Ладыженский П. Б. — Кристаллография,
1965, т. 10, с. 268.
1108. Веневцев 10. Я., Федулов С. А., Шапиро 3. Я. и др.—В сб.: Ти анат
бария/Под ред. Н. В. Белова—М.: Наука, 1973, с. 118.
1109. Reisman А., Holtzberg F. — J. Amer. Ceram. Soc., 1958, v. 80, p. 6503.
1110. Шапиро 3. Я., Федулов С. Л., Веневцев Ю. Я. и др. —
Кристаллография, 1965, т. 10, с. 869.
1111. Исмаилзаде И. Г., Нестеренко В. Я., Миришли Ф. А. —
Кристаллография, 1968, т. 13, с. 33.
1112. Чкалова В. В., Бондаренко В. С., Стрижевская Ф. Н. и др.—Изв. АН
СССР: Сер. физ., 1971, т. 35, с. 1886.
1113. Bond W. L,, Collins J. Я.—Appl. Phys. Lett., 1969, v. 14, p. 122.
1114. Горошенко Я- Г.> Химия ниобия и тантала, — Киев: Наукова думка,
1965.
1115. Жданова В. В., Клюев В. Я., Леманов В. В. и др. — ФТТ, 1968, т. 10,
с. 1725.

626
ЛИТЕРАТУРА
1116. Катрич М. Д., Бондаренко В. С., Шасколъская М. Я. и др.—Изв*
АН СССР: Сер. физ., 1975, т. 39, с. 1044.
1117. Brown Я., Ballman A. A., Chin G. Y,— J. Materials Sci., 1975, v. ID.
p. 1157.
1118. Spencer E. G., Lenzo P. V., [Nassau /С.— IEEE J. Quantum Electr.,
1966, v. 3, p. 69.
1119. Чкалова В. В., Бондаренко В. С., Шапиро 3. Я.—Изв. АН СССР: Сер.
Неорганич. материалы, 1967, т. 3, с. 1715.
1120. Warner A. W., О/гое М., Coquin G. Л. — J. Acoust. Soc. Am*, 1967, v.
42, p. 1223.
1121. Чкалова В. В., Бондаренко В. С., Клюев В. Я. и др.—Электронная
техника: Серия 14, 1968, в. 4, с. 158.
1122. Королюк Л. Я., Мацаков JI. Я.» Васильченко В. В. — Кристаллография,
1970, т. 15, с. 1028.
1123. Авакянц Л. Я., Киселев Д. Ф., Шитов Н, Я. ФТТ, 1976, т. 18, с. J1547.
1124. Graham R. А. — J. of Appl. Phys., 1977, v. 48, p. 2153.
1125. Niizeki N., Yamada 7\, Toyoda Я. —Japan. J. Appl. Phys., 1966, v. 6,
p. 318.
1126. Петраков В. С., Шасколъская М. Я., Блистанов А. А. и др.—Изв.
АН СССР: Сер. физ., 1975, т. 39, с. 974.
1127. Spencer Е. G., Lenzo P. V. — J. Appl. Phys., 1967, v. 38, p. 423.
1128. Campbell J. J.9 Jones W. /?. — IEEE Trans. Sonics and Ultrasonics, 1968,
v. SU-15, p. 209.
1129. Клименко Б. Я., Блистанов A. A,, Бондаренко В. С. м др. —
Кристаллография, 1978, т. 23, с. 210.
1130. Slobodnik Л. Л, Conway Е. D. — Electr. Lett., 1970, v. 6, p. 171.
1131. Slobodnik A. J.y Szabo T. L. — Electr. Lett., 1971, v. 7, p. 257.
1132. Kim Chong Sang, Yamanouchi Kazuhikoy Karasawa Shinji et al, — Japan J.
Appl. Phys., 1974, v. 13, p. 24.
1133. Wen G. P., Mayo R. F.—Appl. Phys. Lett., 1966, v. 9, p. 135.
1134. Berlincourt D. — IEEE Internat. Convent. Record, 1967, fpart 11, p. 20.
1135. Клудзин В. В.—ФТТ, 1971, т. 13, с. 651.
1136. Chen F, S. — J. Appl. Phys., 1969, v. 40, p. 3389.
1137. Turski Zygmond, Kraus Lester A., Huang Ho-Chung—IEEE Trans. Sonics
and Ultrasonics, 1975, v. SU-22, p. 402.
1138. Collins J. H.y Hagon P. J., PalliamG. R.—Ultrasonics, 1970,Jv. 8, p. 218*
1139. Warner A. W., Coquin G. A., Meitzler A. H. et al.—Appl. Phys. Lett.,
1969, v. 14, p. 34.
1140. Grace M. /., Kedzie R. W.t Kestigian N. et al.—Appl. Phys. Lett., 1966,
v. 9, p. 155.
1141. Леманов В. В., Шерман А. В.у Смоленский Г. А.идр. — ФТТ, 1968, т.
10, с. 1720.
1142. Григорьев М. Л., Зайцев Б. Д.у Пылаева Т.Н. идр. — ФТТ, 1976,т. 18,-
с. 2307.
1143. Lean Е. G., Broers Л. N.—Microwave J., 1970, v. 13, p. 97.

ЛИТЕРАТУРА 627
1144. Smith А. В., Kedzie R. W.> McManon D. H. et al. — J. Appl. Phys,f
1969, v. 40, p. 2687.
1145. Богданов В. JI., Леманов В. В., Юшин Н. К.— ФТТ, 1971, т. 13в
с. 1450.
1146. Olson Frank А.—Microwave J., 1970, v. 13, p. 67.
1147. Захарова H. Я., Кузьминов Ю. С. — Изв. АН СССР: Сер. Неорганич.
материалы, 1969, т. 5, с. 1036.
1148. Shibayama Kitnio, Yamanouchi Kazuhiko, Sato Hiroaki et al. — Pros. IEEE,
1967, v. 641 p. 595.
1149. Bernal E.t Chen G. D., Lee Т. C.—Phys. Lett., 1966, v. 21, p. 259*
1150. Ohmachi Yoshiro, Sawamoto Ken-Ichi, Toyoda Hiroo.— Japan J, Appl*
Phys., 1967, y. 6, p. 1467.
1151. Singh Kamal, Deshmuks K- G. — Ind. J. Pure and Appl. Phys., 1976, v,
14, p. 823.
1152. Lenzo P. V., Spencer E. G., Nassau К• — J. Opt, Soc. Am. 1966, v, 56,
p. 633.
1153. Василевская А. С., Сонин А. С., Рез И. С. и др.—Изв. АН СССР:
Сер. физ., 1967, т. 31, С; 1159.
1154. Warner Robertson D. S., Hulme К• Т.— Phys. Lett., 1966, v, 20,
p. 163.
1155. Bosomwort D. R,-~Appl. Phys. Lett., 1966, v. 9, p. 330.
1156. Горелик В. С., Халезов А. А. — ФТТ, 1977, т. 19, с. 1702.
1157. Carruthers J, RPeterson G* E.t Grasso M. — J# Appl. Phys., 1971, v*
42, p. 1846.
1158. Smiih D. C., Riccius N. D.—Optics Commun., 1976, v. 17, p. 332,
1159. Midwinter J. E. — J. Appl. Phys., 1968, v. 39, p. 3033.
1160. Гусева Л. М., Клюев В. П., Рез И. С. — Изв. АН СССР: Сер. физ., 1967,
т. 31, с. 1161.
1161. Peterson G. £., Ballman А. Л., Lenzo P. V. et al.—AppL Phys. Lett,,
1964, v. 5, p. 62.
1162. Weakliem H. A., Burke W. Redfield D. et al. — RCA Review, 1976,
v. 36, p. 149.
1163. Turner E. U.—Appl. Phys. Lett., 1966, v. 8, p. 303.
11641 Kaminov J. P., Jonston W. D.—Phys. Rev., 1967, v, 160, p 519.
1165. Turner E. U.t Nash F. R,, Bridenbaugh P. M. — J, Appl. Phys,, 1970*
у.41, p. 5278.
1166. Клудзин В. В., Кулаков С. В., Разживин Б. П. — ФТТ, 1976, т. 18,
с. 2827. Г
1167. Dixon R. W.t Cohen М. G.—Appl. Phys. Lett., 1966, v. 8, p. 205.
1168. Леманов В. В., Шакин О. В., Смоленский Г. А. — ФТТ, 1971, т. 13,
с. 533.
1169. O'Brein R. J.t Rosasco G. /., Weber A. — J. Opt. Soc. Am., 1970, v, 60,
p. 14.
1170. Marculescu L., Hauret G. — Compt. Rend. Acad. Sci. P., 1973, v, 276B,
p. 555.

628
ЛИТЕРАТУРА
1171. Arsenev Р. Л., Kamensky E. /., Potemkin A. V,—Kristall und Technik,
1975, Bd 10, P. 643.
1172. Киселев Д. Ф., Фирсова М. М.— ФТТ, 1973, т. 15, с. 279.
1173. Коробов А. Я., Лямов В. Е. — ФТТ, 1975, т. 17, с. 1448.
1174. Savage А. — J. Appl. Phys., 1966, v. 37, p. 3071.
1175. Ермилин К• К-, Зарембо Л. К., Красильников В. А.идр. — ФТТ, 1970,
т. 12, с. 1329.
1176. Бражнин Ю. Л., Коробов А. Я., Красильников В. А. и др. — ФТТ,
1976, т. 18, с. 1746.
1177. Хашхожев 3. М.л Леманов В. В., Писарев Р. В.—Изв. АН СССР: Сер.
физ., 1971, т. 35, с. 985.
1178. Воронов В. В.у Попов Я. В., Кузьминов Ю. С. и др% — ФТТ, 1976, т. 18,
с. 286.
1179. Блистанов Л. Л., Носова Я. В., Тагиева М. М.— Кристаллография,
1976, т. 21, с. 217.
1180. Красильников В. Л., Лямов В. Е., МаматоваТ. Л. — ФТТ, 1974, т. 16*
с. 1552.
1181. Смоляков Б, Я., Мейльман Л. М., Клюев В.П.идр.— ФТТ, 1967,т. 9,
с. 3002.
1182. Abrahams S. С., Bernstein J. L. — J. Phys. Chem. Solids, 1967, v. 28,
p. 1685.
1183. Iwasaki H.— Rev. Electrical Communic. Labor., 1972, v. 20, p. 129.
1184. Yamada 7\, Iwasaki Я., Niizeki N,—Jap. J, Appl. Phys., 1969, v. 8,
p. 1127.
1185. Toshio Kasai, Noda Juichi, Ida Ichiro—Rev. Electr. Commun, Labor.,
1972, v. 20, p. 739.
1186. Iwasaki H,, Uchida N.t Yamada T. — Japan J. Appl. Phys. 1967, v. 6,
p. 1336.
1187. Glass Л. М. —Phys. Rev., 1968, v. 172, p. 564.
1188. Ballman Л. A., Levinstein H. J., Capio C. D. et al. — J. Amer. Ceram.
Soc., 1967, v. 50, p. 657.
1189. Клюев В. Я,, Ангерт Я. Л. — В сб.: Новые пьезо- и сегнетоматериалы
и их применения—М.: МДНТП, 1969, с. 126.
1190. Welsh Fm S9—IEEE Trans. Sonics and Ultrasonics, 1971, v. SU-18, p. 108,
1191. Слободник А. Д. — ТИИЭР, 1976, т. 64, с. 10.
1192. Slobodnik A. /, — IEEE Trans, on Sonics and Ultrasonics, 1973, v. SU-20,
p. 315.
1193. Schulz M. В., Holland M. G. — IEEE Trans, on Sonics and Ultrasonics,
v. SU-19, p. 381.
1194. Sawamoto К-у Ashida 7\, Omachi J. et al. — Abstracts Second Intern.
Meeting of ferroelectr. — Kyoto, Japan, 1969, p. 309.
1195. Worley J. C., Smith Л. В.. Kestigian М. — J# Phys. Chem. Solids, 1970,
v. 31, p. 1857.
1196. Шапиро 3. Я., Федулов С. A.t Веневцев Ю. Н. — ФТТ, 1964, т. 6, с. 316,
1197. Iwasaki Я., Yamada Т., Niizeki N. et al.— Abstracts of the second Intern.
Meeting of ferroelectr.— Kyoto, Japan, 1969, p. 162.

ЛИТЕРАТУРА
629»
1198. Каталог фирмы «Isomet Corporation».— США, 1966.
1199. Kaminov J. P.— Appl. Phys. Lett., 1965, v. 7, p. 123.
1200. Авакянц Л. Я., Киселев Д. Ф., Шитов Я. Я.— ФТТ. 1976, т. 18, с. 2129.
1201. Remeika J. R., Ballman А. А.— Appl. Phys. Lett., 1964, v. 5, p. 180-
1202. Marezio М.— Acta Cryst., 1965, v. 19, p. 284.
1203. Nanamatsu S., Doi /(., Takahasti М.— Japan J. Appl. Phys., 1972, v. 11*
; p. 816.
1204. Warner A. W.— Proc. 19th Ann. Symp. Frequency Control, 1965.
1205. Gupta S. N., Vetelino J. P., Field J. C. et a/.—Ultras. Simp. Proc.,.
1974, v. 291.
1206. Warner A. W.-^ Proc. IEEE, 1968, v. 56, p. 1376.
1207. Arsenev. P. A., Kamensky E. /., Potemkin A. V.— Kristall und Technik,.
1975, Bd. 10, P. 657.
1208. Lenzo P. V., Spencer E. G., Remeika J. P.— Appl. Optics, 1935, v. 4,.
p. 1036.
1209. Scott B. A., Ingebigtsen К. A., Tseng С. C.— Mat. Res. Bull., 1970^
v. 5, p. 1045.
1210. Hirano Hitoshi, Sadao Natsumura — Japan J. Appl. Phys., 1974, v. 13*.
p. 17.
1211. Волнянский М. Д., Гржегоржевский О. Л., Кудзин А. Ю. и др.— ФТТ,
т. 18, с. 863.
1212. Vollenkel Я.— Monatch. Chem., 1968, v. 99, p. 244.
1213. Ikeda Tokuro, Imazu Itsuro — Japan. J. Appl. Phys., 1976, v. 15, p. 145L.
1214. Krishna Murthy, J. Jp.—J. Amer. Ceram. Soc., 1964, v. 47 p. 328.
1215. Волнянский М. Д., Г ржего ржевский О. Л., Кудзин А. Ю. и др.— ФТТ,.
1975, т. 17, с. 2487.
1216. Bichard V. М., Davies Р. N., Hulm К. F. et al.— J. Phys. D., Appl.
Phys., 1972, v. 5, p. 2124.
1217. Габриелян В. TИонов П. В., Михайлина К. Л. и др.~
Кристаллография, 1974, т. 19, с. 176.
1218. Синяков Е. ВДудник Е. Ф., Моня В. Г., и др.— Изв. АН СССР:.
Сер. физ., 1975, с. 39, с. 1025.
1219. Iwasaki Я., Sugii К.— Appl. Phys. Lett., 1971, v. 19, p. 92.
1220. Iwasaki Я., Sugii /0, Yamada T. et al.— Appl. Phys. Lett., 1971, v. 18*.
p. 444.
1221. Sugii K-, Iwasaki H., Miyazama S.— Mater. Res. Bull., 1971, v. 6, p. 503..
1222. Iwasaki Я., Shintara Miyazawa S., Hideo Koizumi et al.— J. Appl. Phys.,.
1972, v. 43, p. 4907.
1223. Barsh G. R., Bonczar L. Newnham R. E.— Phys. Stat. Sol. (а), 1975>.
v. 29, p. 241.
1224. Авакянц Л. Я., Киселев Д. Ф., Никулин В. Я.— ФТТ, 1978, т. 20, с. 590-
1225. Singh В.у Srivastava К• N.— Indian J. Pure Appl. Phys., 1970, v. 15*
p. 668.
1226. Yamada Т., Iwasaki Я., Nobukazu M.— J. Appl. Phys., 1970, v. 41,
p. 1441.
1227. Ohmachi Y., Uchida N.— J. Appl. Phys., 1972, v. 43, p. 3583.

€30
ЛИТЕРАТУРА
1228. Майщик Е. Я., Струков В. Л., Синяков Е. В. [и др.— ФТТ, 1977,
т. 19, с. 335.
1229. Uchida Naoya, Tadashi Saku—J. Appl. Phys., 1972, v. 43, p. 4933.
1230. Nordland W. A.— Ferroelectrics, 1973, v. 5, p. 287.
1231. Iwasaki Я,, Sugii /f., Niizeki N. et al.— Ferroelectrics* 1972, v, 3, p, 157.
1232. De Vries R9 C., Fleisher J. F.— Mater, Res. Bull., 1970, v. 5, p. 87.
1233. Uchida N„ Miyazawa S„ Ninomiya К.— J. Opt. Soc. Amer., 1970, v. 60,
p. 1375.
1234. Базаров Ж. T., Мохосоев М. В., Кириллов Э. А. и др.—1Изв. АН СССР:
Сер. Неорганич. материалы, 1978, т. 14, с. 1504,
1235. Merker L., Wondratschek А.— Mineral J., 1957. v. 35s p. 45.
1236. Волнянский М. Д., Гржегоржевский О. Л.—ФТТ, 1976, [т. 18, с. 854.
1237. Biegelsen D. К*> Ти Chen, James С. Zesch—J. Appl. Phys. 1975, v. 46,
p. 941,
1238. Miyazawa S., Kawana Л., Koizami Я. et al.— Mater. Res, Bull.* 1974*
v. 9, p. 41.
1239. Kohmuller R., Badaud J. P.— Bull. Soc. Chemique de France, 1969, t. 10*
p. 3434.
1240. Recker K-, WMrafen F., Haussuhl S — J. Cryst Growth* 1974f v. 26f
p. 97,
1241. Bergman [J. G.t Grane {G. R., GuggenheimJH.— J. Appl. Phys., 1975f
v. 46, p. 4645.
1242. Белобаев К. Г.. Габриелян В. Г., Казарян Л. М. и др.: В сб.: Пьезо- и
сегнетоматериалы и их применение. М.: МДНТП, 1972, с. 68.
1243. Van Uitert L. G., Levinstein H. G., Rubin J. J. et al.—Mater. Res. Bull.,
1968, v. 3, p. 47.
1244. Geusic J# E., Levinstein H. /., Rubin J. Et et al.— Appl. Phys. Lett,
1967, v. 11, p. 269.
1245. Рез И. С.—Изв. АН СССР: Сер. физ., 1969, т. 33, с 289.
1246. Смоляков Б. П., [Ангерт Я. В., Копвиллем У. X. и др.— ФТТ, 1973,
т. 15, с. 559.
1247. Singh 5, Draegert D. Л., Geusic /. Е.—Phys. Rev., 1970, v. B2S p. 2709.
1248. Byer R. Lf, Harris S. E9. Kuizenga D. J. et al.— J. Appl. Phys., 1969,
v. 40, p. 444.
1249. Warner A. W.t Coquin G. A.. Fink J. L.— J. Appl. Phys.» 1969§ v. 40,
p. 4353.
1250. Yamada T9t Iwasaki Я., NUzeki N.— J. Appl. Phys., 1970, v. 41, p. 4171.
1251. Teague J. R.t Rice R. R., Gerson R.— J. Appl. Phys.f 1975, v. 46t p. 2864.
1252. Amodei J. Staebler D.t Stephens A. W.— Appl. Phys. Lett.f 1971,
v. 18, p. 507.
1253. Di (.Domenico Я., Wemple 5, Я.— J. Appl. Phys., 1969, v. 40, p. 720.
1254. Гегузина С. Я., Тиман Б. Л. ФТТ, 1967, т. 9, с. 2166.
1255. Опое М,, Tiersten Я, F., Meitzler А. Н.— J. Acoust. Soc. Am., 1968,
v. 35, p. 36.
1256. Ballman A. A., Brown H.— J. Cryst. Growth, 1967, v. 1, p. 311.

ЛИТЕРАТУРА
631
1257. Boniort У. Y., Brehm С., Deshpandes G. et al.— J. Cryst. Growthf 1975?.
v. 30, P* 357.
1258. Ito Y., Furuhata Y.— Phys. Stat. Solidi, 1974, v. 23, p. 147.
1259. Воронов В. В., Десяткова С. М., Ивлева Л. И. и др.—
Кристаллография, 1974, т. 19, с. 401,
1260. Lenzo P. V., Spencer Е. G., Ballman А. Л.—Appl. Phys. Lett., 1967»,
v. 11, p. 23.
1261. Glass A. M.— J. Appl. Phys., 1969, v. 40, p. 4699.
1262. Безги А. А., Чечкин В. В., Лейченко А. Г. и др.— Изв. АН. СССРг
Сер. Неорганич. материалы. 1977, т. 13, с. 2214.
1263. Зейнеллы А. X., Лебедева Н. Агаронов Б. С. и др. ФТТ, 1976, т. 2Ь
с. 632.
1264. Воронов В. В., Десяткова С. М., Ивлева Л. И. и др.— ФТТ, 1973, т. 15*
с. 2198!
1265. Cline Т. W., Cross L. Е., Lin S. Т.— J. Appl. Phys., 1978, v. 49,
p. 4298.
1266. Воронов В. В.у Кузьминов Ю. С., Лукина И. Г.— ФТТ, 1976, т. 18г
с. 1047.
1267. Venturini Е. L., Spencer E. G., Lenzo P. V.— J. Appl. Phys., 1968r
V. 39, p. 343.
1268. Lenzo P. V., Spencer B. G., Ballman A. A.— IEEE J. Quantum
Electronics, 1967, v. 3,.q. 259.
1269. Бережной А. Л., Дубовик H. Ф., Попов Ю. В. и op.— Оптика и
спектроскопия, 1979, т. 46, с. 104.
1270. Волк Т. Р.у Кочев К. Д., Кузьминов Ю. С.— Кристаллография, 1975*.
т. 20, с. 583.
1271. Kimura М., Fujino Y., Kawamura Т.— Appl. Phys. Lett., 1976, v. 29r
p. 227.
1272. Haussuhl S. Eckstein J., Recker K* et al.— J. Cryst. Growth, 1977, v. 40*.
p. 2200.
1273. Kimura M.— J. Appl. Phys., 1977, v* 48, p. 2850.
1274. Yamauchi H.— J. Appl. Phys., 1978, v. 49, p. 6612.
1275. Беляев Л. М.. Беликова Г. С., Гильварг А. Б. и
[др«—Кристаллография. 1969, т. 14, с. 645.
1276. Беликова Г. С., Беляев Л. М., Головей М. И. и др.— Кристаллография*
1974, т. 19, с. 566.
1277. Groth Р.— Chemische Krystallographie, 1917—1919.
1278. Okaya Y.t Pepinsky R.— Acta Cryst., 1957, v. 10, p. 324.
1279. Моисеева H. Л., Сильвестрова И. M., Писаревский Ю. В.
Акустооптические свойства кристаллов бифталата калия.— М.: Изд-во ИКАН, 1977.
1280. Беляев Л. М., Беликова Г. С., Гильварг Л. Б.— Оптика и
спектроскопия, 1970, т. 29, с. 985.
.1281. Беликова Г. С., Писаревский Ю. В.> Сильвестрова И. М.— Кристалло»
графия, 1974, т. 19, с. 878.

«632
ЛИТЕРАТУРА
1282. Рез И. С.— В сб.: Свойства материалов, используемых в устройствах
оптоэлектроники/Под ред. К. С. Александрова — Красноярск: СОАН,
Ин-т физики им. Л. В. Киренского, 1975, с. 10.
1283. Веневцев Ю. Я., Рез Я. С., Стефанович, С. Ю.— В сб.: Сегнето- и
пьезоматериалы и их применение.— М.: МДНТП 1978, с. 3.
1284. Смоленский Г. Л., Крайник Я. Я., Попов С. Я. и др.— Письма в ЖТФ,
1976, т. 2, с. 673.
1285. Duderov N. G., Demianets L. N., Lobacheu A. N. et al.— J. Cryst. Growth,
1978, v. 44, p. 483.
1286. O'Connell R. M.— J. Appl. Phys., 1978, v. 49, p. 3324.
1287. Fox A. J, Bruton Т. М.— Appl. Phys. Lett., 1975, v. 27, p. 6.
1288. Иванов С. Л., Раннее Я, £., Щедрин Б. М. и др.—ДАН СССР, 1978,
т. 239, с. 3.
1289. Shimura F., Fujino I.— J. Cryst. Growth, 1977, v. 38, p. 293.
1290. Van Uitert L. G., Bryan Я. M.t Lines М. E. et al.^- Mat. Res. Bull.,
1977, v. 12, p. 261.
1291. Olson F. A.— Space Age News, 1969, v. 12, p. 47.
1292. Буравлева М. 7\, Сойфер JI. М., Ткаченко В. Ф. и др. Сб.
Монокристаллы и техника.— Харьков, 1975, в. 12, с. 74.
1293. Ainger F. W.—El. Lett., 1971, v. 7, p. 13.
1294. Schulz М. В., Matsenger J. Я.—Appl. Phys. Lett., 1972, v. 20, p. 367.
1295. Molokhia iV, Я., Issa M. A.— Pramana, 1978, v. 11, p. 289.
1296. Barsch G. R., Bonczar L. /., Newnham R. E.— Phys. Stat. Sol. (a), 1975,
v. 29, p. 241.
1297. Iwasaki Я., Sugu Yamada T. et al.— Appl. Phys. Lett. 1971, v. 18,
p. 444.
1298. Rank D. Я., Bennet H. E.f Cronemeyer D. G.— J. Opt. Soc. Am., 1954,
v. 44, p. 13.
1299. Yu Shu Cheng, Spain Ian L.— J. Appl. Phys., 1978, v. 49, p. 4741.
1300. Илисавский Ю. В., Чиплис Д. В Литовском физическом сборнике/Под
ред. П. Бразджюнаса.— Вильнюс: Изд-во Мокслас.
1301. Bechman R.— Phys. Rev., 1958, v. 110, p, 1060.
1302. Koga J.— Phys. Rev., 1958, v. 109, p. 1467.
1303. McCarthy К* Л,, Ballard S9 5,—J. Appl. Phys., 1960, v. 31, p. 1410.
1304. Von Hippel Л. R, Dielectric Materials and its Applications.— John Wiley,
Sons, Inc. N. Y., 1954.
1305. Марковский В. Я., Полухин Я. И., Шасколъская М. П.— Изв. ВУЗов,
сер. Черная металлургия, 1964, № 3, с. 81; № 5, с. 85.
1306. Saskolskaja М. P., Markovskij V. Ju. Gorbac S. S.— Acta Cryst., 1966,
v. 21, p. A183.
1307. Кэди У. Пьезоэлектричество и его практическое применение.— М.:
Мир, 1949.