Силовая электроника фирмы "Harris" - Кирюхин И.С.

Автор: Кирюхин И.С.
Теги: электротехника электроника радиоэлектроника
ISBN: 5-87835-038-6
Год: 1999
Похожие
Продукция фирмы CRYDOM
Микросхемы SLIC фирмы "Harris"
Пьезокерамические звукоизлучатели и динамики фирмы "Soпitroп"
Диоды, мосты и стабилитроны фирмы DC Сотропепts
Текст
                    IEJИIEJЛИ01ГIEIКA ЭЛIEK1ГIPOIНIIНIIЬIX KOMПOIНIIEIНI1ГOIE@
СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
ФИРМЫ HARRIS
СОДЕРЖАНИЕ
НОМЕНКЛАТУРА ИЗДЕЛИЙ ФИРМЫ
Сверхбыстрые импульсные IGВТтранзисторы серии B-Speed . . . 20
"HARRIS SEMICONDUCTOR" .
....................
...2
IGBT транзисторы повышенной надежности . . . . .
.......22
IGBT транзисторы дл~ цепей зажигани~. . . . . . . . .
.......23
МОЩНЫЕ МОП ТРАНЗИСТОРЫ .
. .. 3 ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ . ... .
.24
Выпр~мительные диоды с ультра быстрым восстановлением . .. . 24
Введение.
. .. 3 Выпр~мительные диоды с гипербыстрым восстановлением . ... . 25
Новые разработки ..................... .. .... ... .
. .. 5 Сдвоенные выпр~мительные диоды с ультра быстрым
Мощные МОП транзисторы серии UltraFET ...... .... .
. .. 6 восстановлением ............................... .
Интеллектуальные мощные МОП транзисторы ... ... .
...6
Сдвоенные выпр~мительные диоды с гипербыстрым
Мощные МОП транзисторы. управл~емые от источников логическо- восстановлением . ..... .
госигналанапр~жениемдо5В......................
..7
п-ир-канальныемощныеМОПтранзисторы............. ....8
Мощные МОП транзисторы в корпусах дл~ поверхностного
монтажа. ..
.............
Радиационно-стойкие МОП транзисторы
.14
.14
ДРАЙВЕРЫ МОSFЕТ/IGВТТРАНЗИСТОРОВ . .. . ... ... . . .
..26
..27
.29
КОРПУСА ................................................ .3 0
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ
ЗАТВОРОМ
..............
.......16
Стандартные ............................................ . . 16
Сверхбыстрые импульсные IGBT транзисторы серии C-Speed ... 19
А4ЭКА
1999

НОМЕНКЛАТУРА ИЗДЕЛИЙ ФИРМЫ "HARRIS SEMICONDUCTOR"
Корпораци~ "Наггis" состоит из четырех отделений. Одним из них
~вл~етс~ "Наггis Semiconductoг", задачей которого ~вл~етс~ разра
ботка, производство и реализаци~ полупроводниковых компонен
тов. Объем продаж "Harris Coгpoгation" достигает 3.8 миллиардов
долларов США при 27000 сотрудниках. Компани~ специализируете~
на четырех основных направлени~х: электронные системы. комму
никации, глобальные информационные системы и полупроводнико
вые приборы. В отделении "Наггis Semiconductoг" зан~то более 8000
работающих, объем продаж в 1997 году составил 679. 7 миллионов
долларов.
Компани~ владеет разнообразными технологическими процес
сами в области микроэлектроники и большим опытом разработки
аналоговых, мощных приборов, а также сложных систем цифровой
обработки сигналов и систем дл~ радиокоммуникаций Технологи
ческий процесс компании сертифицирован в соответствии с
IS09000/9002.
Компани~ изготавливает следующие типы электронных приборов:
Мощные БИМОП (бипол~рные/МОП) приборы;
Высокочастотные бипол~рные и мощные МОП приборы;
Высоковольтные бипол~рные и мощные МОП приборы;
БИКМОП аналоговые и цифровые микросхемы;
КМОП микросхемы;
Бипол~рные с диэлектрической изол~цией приборы.
Радиационно стойкие приборы.
R-МОПтранзисторы,пример:RLР 5 NО8 LЕ
R
х
х
хх
Корпус. А: МО-093А;
Тип прибора.
B:TS-001;
НОМЕНКЛАТУРА ИЗДЕЛИЙ ФИРМЫ
"HARRISSEMICONDUCTOR" __________
" Harris Semiconductoг" выпускает дискретные полупроводнико
вые приборы и интегральные микросхемы от простыхдвухвыводных
мощных переключателей до сложных электронных схем высокой
степени интеграции.
Широка~ номенклатура изделий включает в себ~ дискретные
мощные МОП транзисторы, IGBT транзисторы, мощные тиристоры,
мощные схемы защиты. интеллектуальные мощные схемы. схемы
обработки и сбора данных, схемы усилителей, схемы цифровой об
работки данных, схемы дл~ коммуникаций, схемы КМОП логики и
микропроцессоров, радиационно стойкие микросхемы и транзис
торы дл~ космоса.
Компани~ выпускает аналоговые, цифровые, мощные и другие
интегральные схемы, а также мощные полупроводниковые приборы
дл~ коммуникаций, управлени~ двигател~ми, стабилизаторов на
пр~жени~. мультимедийных устройств.
В насто~щем издании рассматриваютс~ дискретные полупро
водниковые приборы фирмы "Harris Semiconductoг" дл~ мощных
электронных схем, а именно мощные МОП и IGBT транзисторы, вы
пр~мительные диоды со сверхбыстрым восстановлением, драйве
ры мощных МОП и IGBT транзисторов.
Техническа~ информаци~ представлена в виде таблиц, разде
ленных на несколько крупных блоков в соответствии с функциональ
ным назначением приборов. В таблицах привод~тс~ наиболее
важные технические параметры приборов.
Дл~ удобства выбора необходимого прибора привод~тс~ тип
корпуса и его цоколевка.
По маркировке некоторых серий мощных приборов можно в це
лом представить его основные параметры и тип корпуса.:
х
хх
ххх
Суффикс. R: с повышенной крутизной: L: уп-
равляемый от источников логического сигна-
Предельный ток.
Макс. напряжение.
Р. стандартный МОП
D: ТО-251/Ю-252;
Полярность.
ла напряжением до 58; SM: корпус для
1:1А;
.05:50В;
транзистор.
G: ТО-247; Н: ТО-218АС;
N: N-канальный:
поверхностного монтажа: Е: защита от стати-
L: МОП транзистор с ог- К: ТО-204АЕ; L: ТО-205АР.
10: 10А:
Р: Р-канальный.
10: 1008;
ческого заряда: CS: токочувствительный тран-
раничением тока.
М:ТО-204М;
25:25Аит.д.
20:200вит.д
зистор: С: с ограничением напряжнния: В:
Р: ТО-220АВ; V: ТО-247-5
встроенный драйвер выключения.
IRF- МОП транзисторы, пример: 1R FF 2 3 О
IR
хх
ххх
х
Корпус. С: ТО-220-5; FA: ТО-220М; FD: DIP-4; FP. ТО-205АР, FP: ТО-247; FR: ТО-252; FU: ТО-251; F1-F4: ТО-204М; F5-F8: ТО-220 Полярность напряжения. R: с повышенной крутизной.
Радиационно-стойкие МОП транзисторы, пример: FR Х 13 О D
FR
1
х
1
хххх
1
х
1
х
Радиационно-стойкий
Корпус. М: ТО-204М;
Номер.
Радиационная стойкость ,
Степень надежности. 1: коммерческий;
мощный МОП транзистор
К: ТО-204АЕ; L: ТО-205АР,
N-канальный (три цифры) - ХХХ,
D: 10 крад; R: 100 крад;
2: ТХэквивалентМIL-S-19500;
фирмы '"Harгis'".
Р. ТО-254М; S: ТО-257М;
Р-канальный (четыре цифры) - 9ХХХ. Н: 1000 крад.
3: ТХV эквивалент MIL-S -19500;
Е:ТО-258М.
4: космический эквивалент MIL-S -19500.
IGВТтранзисторы,пример:НGТ G 12 N 60 D 1 D
HGT
G
12
N
60
D
1
D
Корпус. А: ТО-218-5;
Макс. врамя
Особенности. L: управление затво-
Р: ТО-220-3;
Макс. ток Канал.
Макс. напряжение спада при 125'С.
1: Первое поколение;
ром от 5 В логики; D: встроенный об-
IGBT транзистор G: ТО-247-3;
коллектора, Р: Р-канальный;
коллектор - эмиттер. А: "' 100 нс; В: "'200 нс; 2: Второе поколение;
ратно смещенный диод; S: корпус для
фирмы '"Harгis'". Н: ТО-218-3;
А.
N: N-канальный. 50: 500 В, 60: 600 В, С: "' 500 нс; D: "' 750 нс; 3: Третье поколение. поверхностного монтажа; С: с тока-
D:T0-251/I0-252;
100: 1000 В.
Е:"' 1мкс; Р. "'2мкс;
чувствительным выводом; V: ограни-
V: ТО-247-5.
G: '° '5 мкс.
чение напряжения.
Выпрямительные диоды, пример: RUR U 5 О 7 О
RXR
Х
хх
хх
хх
U: ультрабыстрое восстановление;
Н: гипербыстрое восстановление.
Корпус. Р: ТО-220; G: ТО-247; Н: ТО-218;
D: ТО-251/Ю-252; U: ТО-218-1.
Макс. ток. 8: 8А;
50: 50 А; 150: 150 А.
Макс. Напряжение.
Особенности. СС : общий катод;
20: 200 В; 60: 600 В; 100: 1000 В.
S: корпус для поверхностного монтажа.
2
Силовая электроника фирмы НARRIS

МОЩНЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫ
МОЩНЫЕМОП-ТРАНЗИСТОРЫ _____________________________
ВВЕДЕНИЕ
Мощные МОП (металл-окисел-полупроводник) полевые транзис
торы в значительной степени отличаются от биполярных принципом
работы и характеристиками. Они характеризуются меньшим време
нем срабатывания, более простыми схемами управления, отсут
ствием влияния механизмов вторичного пробоя, возможностью
параллельного включения. стабильным усилением и временем от
клика в широком диапазоне рабочих температур.
Основные параметры
Обычный n-p -n биполярный транзистор является трехвыводным
(база, эмиттер, коллектор) прибором стоковым управлением. Бипо
лярные транзисторы работают на основе механизма переноса и ре
комбинации неосновных носителей заряда. Отрицательной
стороной рекомбинации является ограниченная рабочая частота
прибора. Благодаря токовому управлению переходом база-эмиттер
схема управления биполярным транзистором должна обладать ма
лым сопротивлением нагрузки. В большинстве мощных схем требо
вание низкого импеданса существенно усложняет схему управления
транзистором.
Мощные МОП транзисторы управляются напряжением на затво
ре, электрически изолированном от канала тонким слоем двуокиси
кремния (Рис. 1а). МОП транзистор работает на основе переноса
основных носителей заряда и поэтому обладает значительно боль
шим быстродействием чем биполярный транзистор. Положитель
ное напряжение, приложенное к затвору МОП транзистора с
каналом п-типа, создает электрическое поле в области канала под
затвором. Подзатворный р-слой изменяет тип проводимости на п
тип, как показано на Рис. 1 б. Этот эффект поверхностной инверсии
вызывает протекание электрического тока между областями стока
и истока п типа проводимости. Область между стоком и истоком
можно представить в виде нелинейного резистора.
Рис. 1. МОП-транзистор с индуцированным п-каналом
а) структура; б) схема включения;
в) схема включения паразитного диода
Металл Исток Затвор
n+
Сток
а)
~
fр
б)
В)
МОП транзистор является, управляемым напряжением прибо
ром с высоким импедансом, в то время как биполярный транзистор
это управляемый током прибор с низким импедансом. Как прибор,
с переносом основных носителей заряда, МОП транзистор работа
ет на больших частотах чем биполярный и в меньшей степени зави
сит от изменений температуры среды. Зависимость подвижности
Силовая электроника фирмы НARRIS
носителей заряда от температуры приводит к увеличению сопро
тивления канала с ростом температуры и тем самым повышает ус
тойчивость МОП транзистора к изменениям температуры среды.
В обычной структуре МОП транзистора процесса образуется па
разитный встроенный диод между стоком и истоком, Рис. 1 в. Этот
диод используется как ограничительный в импульсных схемах с ин
дуктивной нагрузкой.
Структура транзистора
Для производства мощных МОП транзисторов фирма Harris при
меняет процесс с вертикальной двойной диффузией, называемый
ДМОП или ВДМОП. Кремниевый кристалл ДМОП транзистора со
стоит из большого числа прямоугольных ячеек. Количество ячеек
зависит от размера кристалла. Например, кристалл площадью
120 mil2 содержит около 5000 ячеек, а кристалл площадью 240 mil 2
-
25000 ячеек.
Одна из задач многоячеечной конструкции - минимизация со
противления канала в открытом состоянии (roS(oN)). При минималь
ном значении ГoS(ON) прибор способен коммутировать ток большой
мощности благодаря малому падению напряжения между стоком и
истоком .
Каждая ячейка при поверхностной инверсии типа проводимости
вносит свой вклад в общее сопротивление RN. Одна ячейка обладает
довольно небольшим сопротивлением, но для получения минималь
ного значения Гos(ON) необходимо соединить большое количество
ячеек параллельно.
RN
Гos(ON)=N,
где N - количество ячеек.
На самом деле Гos(ON) складывается из трех отдельных резисто
ров. На Рис. 2 показаны три резистивные кривые и их вклад в вели
чину Гos(ON)·
где
Гos(ON) = RвuLк+ RсндN + RЕХт.
RсндN - сопротивление канала под затвором,
RЕХт - сопротивление подложки, выводов и ножек корпуса,
RвuLк - сопротивление объемной области прибора.
Из Рис. 2 видно, что сопротивления RсндN и RЕХт не зависят от на
пряжения, а сопротивление RвuLк сильно зависит от приложенного
Рис.2. Составляющие сопротивления открытого канала
w
о
3000 ...----------- "
1000
100
10
30
RвuLK ~· Rcнt..N
-------:-~-1'1--
-
-
-
-
-/- - -~-~т-
#
#
100
By[ .. _s (B)
1000
RвuLK
3

МОЩНЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫ
напряжения. При значениях приложенного напряжения менее 150 В
величина сопротивления ГoS(ON) превышает сумму сопротивлений
RсндN и RЕХт. При напряжении более 150 В rDS(ON) начинает воз
растать по сравнению с RвuLк· В Табл. 1 показано процентное соот
ношение вкладов каждого сопротивления в величину сопротивления
открытого канала для трех значений приложенного напряжения.
Таблица 1.
Вклад различных составляющих в величину сопротивления открытого
канвла для типичного кристалла МОП транзистора.
Составляющая
Предельное напряжение сток-исток, В
40
150
500
RCHAN
50%
23%
2.4%
RBULK
35%
70%
97%
REXT
15%
7%
<1%
В соответствии с физикой работы полупроводниковых приборов,
из предыдущего рассмотрения можно сделать два вывода, спра
ведливых для всехДМОП приборов:
1) Гos(ON) возрастает вместе с увеличением напряжения про
боя МОП структуры,
2) Минимальное значение сопротивления ГoS(ON) приносится
в жертву требованиям высокого напряжения пробоя.
Величина сопротивления RвuLк в высоковольтных приборах име
ет важное значение потому, что для областей стока используются
толстые слаболегированные эпитаксиальные слои, необходимые
чтобы избежать появления сильных электрических полей (и пре
ждевременного пробоя) в теле прибора. Поскольку эпитаксиальные
слои изготавливаются с большими значениями толщины и удельно
го сопротивления, объемная компонента сопротивления Гos<ON)
быстро возрастает (см. Рис. 2) и начинает преобладать над осталь
ными составляющими. Следовательно. сопротивление Гos(ON) уве
личивается по мере роста напряжения пробоя, и малая величина
сопротивления открытого канала приносится в жертву требованиям
к высокому напряжению пробоя МОП транзистора.
Однако существует способ обойти это препятствие. График для
Гos(ON) на Рис. 2 приведен для относительно небольшого кристал
ла. Включая параллельно большое количество ячеек можно полу
чить малое значение Гos(ON) на кристалле большей площади (см .
Рис. 3). Увеличение площади кристалла одновременно повышает
напряжение пробоя .
Платой за использование кристаллов большой площади является
увеличение себестоимости прибора. И поскольку площадь кристал
ла увеличивается экспоненциально, а не линейно с ростом напря
жения пробоя, выбор подходящей себестоимости производства
имеет существенное значение. Например, чтобы увеличить величи
ну ГoS(ON) вдвое, площадь нового кристалла должна быть увеличена
в четыре-пять раз. Хотя цена и не возрастет при этом экспоненци
альным образом, она будет существенно выше .
Рис. З. Зависимость сопротивления открытого канала от
напряжения пробоя при различной площади кристалла
~
е.
z
w
о
4
1gг---------------------::::111"----------,
4
0.6
0.4
0.2
0.1
0.06
0.04
0.02
0.01
.... -
-.
..
.,,. ""'
... ~
"" "-:~.-;;.·:::-."
.--
.. ··_,.
••
8
•
••;•
Большаfl плОUJ,адь
•
•
8
кристалла
.."
,
100
200
300
Bvoss (В)
400
500
600
Влияние температуры среды
Высокая рабочая температура биполярного транзистора часто
приводит к выходу из строя. Повышенная температура вызывает
местный перегрев, повышение плотности тока биполярного тран
зистора вокруг периметра эмиттера. Это может вызвать разруше
ние прибора. МОП транзисторы не обладают этим недостатком.
поскольку работают эффекте переноса основных носителей заряда.
Подвижность основных носителей заряда в кремнии уменьшается с
ростом температуры среды. Эта обратная зависимость заставляет
носители двигаться медленнее по мере роста температуры кристал
ла. При этом сопротивление канала растет, что предотвращает кон
центрацию носителей вокруг горячих точек. Следовательно, в МОП
структуре попытка к образованию горячих точек приводит к локаль
ному увеличению сопротивления и заставляет носители стремиться
к более холодным частям кристалла.
Благодаря такому распределению тока, МОП транзистор имеет
положительный температурный коэффициент сопротивления (см.
Рис.4).
Рис. 4. Зависимость сопротивления открытого канала от
температуры кристалла
w
о
-50
lo=4A
VGs = 108
50
100
150
Температура кристалла - т J ( 0С)
200
Положительный температурный коэффициент сопротивления
означает, что работа МОП транзистора стабильна при колебаниях
температуры и тем самым обеспечивается защита от перегрева и
вторичного пробоя. Другим достоинством такой характеристики яв
ляется возможность параллельного включения МОП транзисторов
без опасения, что один прибор заберет на себя ток от других. Если
один прибор начинает перегреваться, его сопротивление увеличи
вается и ток распределяется между другими, более холодными
транзисторами.
Характеристики затвора
Чтобы вызвать протекание тока между стоком и истоком МОП
транзистора п-типа, необходимо приложить положительное напря
жение между затвором и истоком. Поскольку затвор изолирован от
канала. теоретически ток затвора равен нулю. Однако. в действи
тельности, очень малый ток порядка десятков нА все же протекает
через затвор. Этот ток называется током утечки, IGss- Поскольку ток
затвора очень мал, входное сопротивление МОП транзистора име
ет величину в несколько МОм и имеет больше емкостной характер.
чем резистивный.
На Рис.5 показана типовая входная схема МОП транзистора. Ем
кость и резистор по величине эквивалентны физическим парамет
рам прибора . Емкость C1ss моделирует комбинацию внутренних
емкостей затвор-исток и затвор-сток. Резистор R представляет со
противление материала затвора. Величины емкости C1ss и сопро
тивления R ограничивают предельную рабочую частоту МОП
транзистора.
Силовая электроника фирмы НARRIS

Рис. 5. Схема замещения МОП-транзистора по входу
Рабочая частота
В современных ДМОП технологических процессах используете~
структура с поликремниевым затвором. Если сопротивление затво
ра очень велико (R на Рис. 5), соответственно возрастает врем~
включени~ ДМОП транзистора что приводит к уменьшению пред
ельной рабочей частоты. По сравнению с металлическим затвором,
поликремниевый затвор имеет более высокое сопротивление. Поэ
тому МОП транзисторы с металлическим затвором используютс~ в
высокочастотных схемах (более 20 МГц), а МОП транзисторы с по
ликремниевым затвором - в мощных низкочастотных схемах.
Рис. 6. Выходная характеристика МОП-транзистора
30
25
~
r:c~m
VG 8В
-
-
VG~7B
20
~
§
~
15
(
о
f-
VG~6B
10
r
5
vG~sв
VG=4B
о
о
2
4
6
8
10
12
14
Напряжение сток-исток -Vos (В)
Поскольку частотный отклик МОП транзистора зависит от сопро
тивлени~ и емкости затвора, можно сделать приближенную оценку
предельной рабочей частоты из известных параметров транзистора.
Величина сопротивлени~ зависит от поверхностного сопротивле
ни~ поликремниевого затвора которое равно примерно 20 Ом/О. Но,
хот~ обща~ величина сопротивлени~ R не приводите~ в справочных
листах на МОП транзисторы. емкость C1ss одновременно указывает
е~ как максимальна~ величина и в графическом виде как функци~ на-
МОЩНЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫ
пр~жени~ между стоком и истоком. Величина C1ss пропорциональна
площади кристалла. чем больше кристалл. тем больше емкость. Так
как RC цепочка должна зар~жатьс~ и разр~жатьс~ при управлении
транзистором и емкость имеет значительную величину, большие
кристаллы будут иметь повышенное врем~ включени~. чем малые и
поэтому, более применимы в низкочастотных схемах. Вообще. пред
ельна~ рабоча~ частота большинства мощных МОП транзисторов
принимает широкий р~дзначений от 1 МГц до 10 МГц.
Выходные характеристики
Наиболее часто привод~т в графическом виде выходные характе
ристики или зависимость напр~жени~ между стоком и истоком (Vos)
от тока между затвором и истоком (1 0 ). На Рис. 6 показана типова~
зависимость тока стока от напр~жени~ между затвором и истоком
при различных значени~х V0 s. График можно разделить на две об
ласти: линейную область в которой значени~ V0 s невелики и ток сто
ка растет пинейно с ростом напр~жени~ на стоке, и на область
насыщени~. в которой рост напр~жени~ на стоке не оказывает вли~
ни~ на ток стока (прибор работает как источник посто~нного тока .
Уровень тока при котором линейна~ область переходит в область
насыщени~ называете~ областью перегиба.
Требования к схеме управления МОП транзистором
При достижении рабочих значений напр~жени~ между стоком и
истоком (V0 s), указанных на Рис. 6, прибор не войдет в рабочее со
сто~ние (не будет протекать ток между стоком и истоком), пока на
пр~жение VGs не превысит некую величину (называемую пороговым
напр~жением).
Другими словами, дл~ получени~ заметного приращени~ тока
стока необходимо подать напр~жение, превышающее пороговое. В
основном значени~ VGs дл~ многих типов ДМОП транзисторов не
превышают 2 В. Это важно при выборе МОП транзисторов и при
разработке схем управлени~ ими: схема управлени~ затвором до
лжна обеспечивать значени~ выходного напр~жени~ от минимально
возможного порогового напр~жени~ до значений намного превы
шающих его.
На Рис. 6 видно, что МОП транзистор должен управл~тьс~ дово
льно высоким напр~жением, пор~дка 1О В, дл~ получени~ макси
мального тока насыщени~ стока .
Однако интегральные схемы, например ТТЛ логика не обеспечи
вают необходимых уровней напр~жени~ без применени~ внешних
повышающих резисторов. Даже применение повышающего до 5 В
ТТЛ драйвера не позвол~ет полностью перевести в режим насыще
ни~ большинство МОП транзисторов. Таким образом, ТТЛ драйве
ры более удобны, когда коммутируемый ток значительно меньше
чем ток используемый в МОП транзисторах.
КМОП интегральные схемы работают с источниками питани~ 1О В,
поэтому они удобны дл~ управлени~ МОП транзисторами в режиме
полного насыщени~. С другой стороны, КМОП драйвер не будет пе
реключать цепь затвора МОП транзистора так же быстро как ТТЛ
драйвер. Лучшие результаты по сравнению с ТТЛ и КМОП драйвера
ми могут быть достигнуты при включении специальных буферных
кристаллов между выходом драйвера и затвором МОП транзистора.
НОВЫЕ РАЗРАБОТКИ
:s:
j«,~m1<С
"'
t;
ФФШ ::Ж::О 1 -
~е"
"'
о"'
~~"1~~~ ~ "' ..-о
~с;;-
i::: "с:
:;;gс:
"'.
Прибор
:s: :s:"'
L.. Э~Еg...а ::s::> 1:w: :s: ..о
"'
z Корпус
"'"'
,_С[ж
g_g_ш~~~:;:! ~а.жо
е....:.
о"'
о""' ;л
"'"
~~~~~~1~а.~"
"
о-
о
i::: о
о:
"'"
а.
ж
.§"g.::s:: {:!. о
i:::
u
:s:
~ .:...,
<С
"'
:s:
t;
Ф~Ш
~т.Ёжо
"
"'
о
"'
~~~ "'
"'~ ..-о
~с;;-
о
с:о
i:::"с: оЭЕа.::;"'"~"'~с:
"'.
Прибор
:s: :s:"'
5u::о
:s:>
j!: ~~ ~ Корпус "'"'
,_С[ж
с:ж-
~
е....:.
о"' g-g-~
"'"'"
о""' ~
"'"
ctЭ~Е~
"
а.~ "
о-
о
к::~(')
"'"'"
"
i::: о
о:
"'"
а.
а.а.:s: ~
о
i:::
i:::: i:::
u
HRF3205
п
'
2.. .4
55 100 0.008 ТО-220АВ 3-С·И
HUF75332S3
п
2.. .4
55
52 0.019 ТО-262АА 3-С·И
HRF3205L
п
1 2...4
55 100 0.008 ТО-262АА 3-С·И
HUF75332SЗS
п
2.. .4
55
52 0.019 ТО-263АВ 3-С·И
HRF3205S
п
2.. .4
55 100 0.008 ТО-263АВ 3-С·И
с.с.с.
HUF75332G3
п
: 2...4
55
52 : 0.019
ТО-247 3-С·И
HUF76131SK8
п
1(мин.)
30
10 0.018 MS-012AA 3-И·И·
HUF75332P3
п
1 2...4
55
52 1 0.019 ТО-220АВ 3-С·И
1
1
И-И
Силовая электроника фирмы НARRIS
5

МОЩНЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫ
"'
."'
с:
"'-
"'
ЭЕw
~
~J
Ф~Ш
:s:
~~~ ~~
Прибор
~ь
"'~
,_ §!
5u::о о"
.g-~~
:5 :!f
:s:
С[
с:"
:i:
ж"' ~~
о
"'"'
а.
а. :s:
с:
i:::: ж
HUF75307P3
п
2.. .4
55
HUF75307D3
п
2.. .4
55
HUF75307D3S
п
2.. .4
55
HUF75309P3
п
2.. .4
55
HUF75309D3
п
2.. .4
55
HUF75309D3S
п
2.. .4
55
HUF75321D3
п
2.. .4
55
HUF75321D3S
п
2.. .4
55
HUF75321P3
п
2.. .4
55
HUF75321S3
п
2.. .4
55
HUF75321S3S
п
2.. .4
55
HUF75329G3
п
2.. .4
55
HUF75329P3
п
2.. .4
55
HUF75329S3
п
2.. .4
55
HUF75329S3S
п
2.. .4
55
HUF75333G3
п
2.. .4
55
HUF75333P3
п
2.. .4
55
HUF75333S3
п
2.. .4
55
."'
:s:
"'
ЭЕ.;;
t;
~J <С
о
Ф~Ш
_§
"
~~~ ~~
:s:
ct'
Прибор
С[
"'~
:i: 5u::о о"
g-g-~ :5 :!f !'!
о
а.
с:" "
с:
к::~(')
~~"
с:
~
:s:
"'"'
,_
а. :s:
i:::: ж
RFB18N10CS
п
2... 4
100 18
RLP5N08LE
п
1... 2
80
5
RLP1N08LE
п
1... 2
80
1
6
МОЩНЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫ СЕРИИ ULТRAFET
."
:;;о
~
<С
~
_§
о
"'
ф 'iЛ
~с;;-
ct'
:s: о
жо:
Корпус "' .
"'-
"'"'
о
с:"'
е....:.
t;
"'с:
:s:"'
о-
"
~ж
:::i-
~ о"'
а."
с:о
о~
u !'!
"'
."'
."
с:
"'
:;;о
~
ЭЕ.;;
е- .=..
~J <С
~z
i:! Ф~Ш
_§
оо
"'
ф 'iЛ
:s:
~~cd' ~~ ct'
:s:"
~с;;-
Прибор
~ь оЭЕа. "'~
жо:
Корпус "'.
::;u::о о"
~cd'
"'"'
,_ §!
g-g-~
:5 :!f !'!
"'с:
е...=.
:s:
с:" "
:s:"'
о-
С[
к::~(') "'о "
~ж
:::i-
:i:
С[t; ~
о"'
а."
о
"'"'
с:о
а.
а. :s:
о~
с:
i:::: ж
u !'!
13
0.09 ТО-220АВ 3-С-И
HUF75333S3S
п
2... 4
55
56 1 0.016 ТО-263АВ 3-С-И
i
13
0.09 ТО-251М 3-С-И
HUF75337G3
п
2... 4
55
62 0.014
ТО-247 3-С-И
13
0.09 ТО-252М 3-С-И
HUF75337P3
п
2... 4
55
62 1 0.014 ТО-220АВ 3-С-И
17
0.07 ТО-220АВ 3-С-И
HUF75337S3
п
2... 4
55
62 1 0.014 ТО-262М 3-С-И
17
0.07 ТО-251М 3-С-И
1
HUF75337S3S
п
2... 4
55
62 1 0.014 ТО-263АВ 3-С-И
17
0.07 ТО-252М 3-С-И
HUF75339G3
п
2... 4
55
70 1 0.012
ТО-247 3-С-И
20 0.032 ТО-251М 3-С-И
20 0.032 ТО-252М 3-С-И
HUF75339P3
п
2... 4
55
70 1 0.012 ТО-220АВ 3-С-И
31
0.032 ТО-220АВ 3-С-И
HUF75339S3
п
2... 4
55
70 1 0.012 ТО-262М 3-С-И
31
0.032 ТО-262М 3-С-И
HUF75339S3S
п
2... 4
55
70 1 0.012 ТО-263АВ 3-С-И
--- -
_
_j____
---
--
31
0.032 ТО-263АВ 3-С-И
HUF75343G3
п
2... 4
55
75 1 0.009
ТО-247 3-С-И
42 0.025
ТО-247 3-С-И
HUF75343P3
п
2... 4
55
75 1 0.009 ТО-220АВ 3-С-И
42 0.025 ТО-220АВ 3-С-И
HUF75343S3
п
2... 4
55
75 1 0.009 ТО-262М 3-С-И
42 0.025 ТО-262М 3-С-И
HUF75343S3S
п
2... 4
55
75 1 0.009 ТО-263АВ 3-С-И
42 0.025 ТО-263АВ 3-С-И
HUF75345G3
п
2... 4
55
75 1 0.007
ТО-247 3-С-И
·,
56 0.016
ТО-247 3-С-И
HUF75345P3
п
2... 4
55
75 0.007 ТО-220АВ 3-С-И
56 0.016 ТО-220АВ 3-С-И
HUF75345S3
п
2... 4
55
75 1 0.007 ТО-262М 3-С-И
56 0.016 ТО-262М 3-С-И
HUF75345S3S
п
2... 4
55
75 0.007 ТО-263АВ 3-С-И
ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНЫЕ МОЩНЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫ
."
:;;о
~~
о
"'
ф 'iЛ
~с;;-
:s:"
жо:
Корпус
"'.
"'-
"'"'
с:"'
е....:.
"'с:
:s:"'
о-
~ж
:::i-
о"'
а."
с:о
о~
u !'!
3-вывод
токового
0.1 T0-2205L управления-
С-И(Кель-
ВИН)-И
0.12 ТО-220АВ
3-С-И
0.75 ТО-220АВ
3-С-И
Прибор
RLP1 N06CLE
п 1...2
60
RLD03N06CLE
п 1...2.5
60
RLD03N06CLESM п 1... 2 .5
60
RLP03N06CLE
п 1...2.5
60
RFV10N50BE
2... 4
500
."
:;;о
е- .=..
~z
оо
ф 'iЛ
:s:"
жо:
~ cd'
"'с:
:s:"'
~ж
о"'
а."
с:о
о~
u !'!
Корпус
1 О.75 ТО-220АВ
0.3
6
ТО-251М
0.3
6
ТО-252М
0.3
6
ТО-220АВ
3-С-И
3-С-И
3-С-И
3-С-И
10 0.48
31-32-С-И
T0-2475Ld (Кельвин)-И
Силовая электроника фирмы НARRIS

МОЩНЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫ
МОЩНЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫ, УПРАВЛЯЕМЫЕ ОТ ИСТОЧНИКОВ ЛОГИЧЕСКОГО СИГНАЛА НАПРЯЖЕНИЕМ ДО 5В
•
1
i"T
~~~
"'
~~g~m~~W .Ё "' "
-
~с;;-
Прибор
C[«J~фg:1 ~"~" ~ ~ ~ Корпус
"'.
~:g_!~~~~~
"'"'
g_JiJ
е...=.
g-~~ffi~ ~~~1 ~
о-
5е-cd'
:::i-
~ 1 ж .§ "g -:s: 1 {:!. (.)::;с::
~·1
··-
~~m <С ~~~
_§
"'
gь~
"'"
-
~с;;-
Прибор
~~ё~~З5~~ ~ ~~ ~ Корпус
"'.
"'"'
~~g_g_~ ~ ~ :.2'
о
g_JiJ
е....:.
g-~~ffi~ ct Э~Е ~ t;
о-
"'"'"
"
ве-сd'
:::i-
с:
ж
а. а. :s:
~
~
i:::: с:
(.) ь с::
2N6901
n 1 1...2
100 1 1.69 1 .4 T0-205AF И-3-С
RFD7N10LE
n
1... 2
100 7.00 0 .300 ТО-251М 3-С-И
2N6902
n : 1...2
100112
0.2 ТО-204М 3-И-С
RFD7N10LESM
n
1... 2
100 7.00 0 .300 ТО-252М 3-С-И
2N6903
n 1 1...2
200 1 0.98 3.65 T0-205AF И-3-С
RFP7N10LE
n
1... 2
100 7.00 0 .300 ТО-220АВ 3-С-И
2N6904
n 1 1...2
20018
0.6 ТО-204М 3-И-С
RFG45N06LE
n
1... 2
60 45.00 0 .028 ТО-247
3-С-И
RFP23N06LE
n 1 1...2
60 1 23 0.065 ТО-220АВ 3-С-И
RFP45N06LE
n
1... 2
60 45.00 0 .028 ТО-220АВ 3-С-И
RF1S23N06LE
n ' 1...2
60 ' 23 0.065 ТО-262М 3-С-И
RF1S45N06LE
n
1... 2
60 45.00 0 .028 ТО-262М 3-С-И
RF1S23N06LESM n 1 1... 2
60 1 23 0.065 ТО-263АВ 3-С-И
RF1S45N06LESM n 1... 2
60 45.00 0 .028 ТО-263АВ 3-С-И
RF1S30N06LE
n 1 1...2
60 1 30 0.047 ТО-262М 3-С-И
RFG50N05L
n
1... 2
50 50.00 0 .022 ТО-247
3-С-И
RF1S30N06LESM n 1 1... 2
60 1 30 0.047 ТО-263АВ 3-С-И
RFP50N05L
n
1... 2
50 50.00 0 .022 ТО-220АВ 3-С-И
RFP30N06LE
n 1 1...2
60 1 30 0.047 ТО-220АВ 3-С-И
RFG50N06LE
n
1... 2
60 50.00 0 .022 ТО-247
3-С-И
RFG40N10LE
n 1 1...2
100 1 40 0.04
ТО-247
3-С-И
RFP50N06LE
n
1... 2
60 50.00 0 .022 ТО-220АВ 3-С-И
RFP40N10LE
n 1 1...2
100 1 40 0.04 ТО-220АВ 3-С-И
RF1S50N06LE
n
1... 2
60 50.00 0 .022 ТО-262М 3-С-И
RF1S40N10LE
n i 1...2
100 1 40 0.04 ТО-262М 3-С-И
RF1S50N06LESM n 1... 2
60 50.00 0 .022 ТО-263АВ 3-С-И
RF1S40N10LESM n 1 1... 2
100 1 40 0.04 ТО-263АВ 3-С-И
--
-
-
1.00
-
---
RFL1N08L
n
1... 2
80
1.200 T0-205AF И-3-С
RF1S45N03L
n 1 1...2
30 1 45 0.022 ТО-262М 3-С-И
RFL1N10L
n
1... 2
100 1.00 1.200 T0-205AF И-3-С
RF1S45N03LSM n : 1... 2
30 : 45 0.022 ТО-263АВ 3-С-И
RFL1N12
n
2.. .4
120 1.00 1.900 T0-205AF И-3-С
RFP45N03L
n 1 1...2
30 1 45 0.022 ТО-220АВ 3-С-И
RFL1N15
n
2.. .4
150 1.00 1.900 T0-205AF И-3-С
RFD10P03L
р1-1...-2
-30
110
0.2 ТО-251М 3-С-И
RFL1N12L
n
1... 2
120 1.00 1.900 T0-205AF И-3-С
RFD10P03LSM
р1-1...-2
-30
110
0.2 ТО-252М 3-С-И
RFL1N15L
n
1... 2
150 1.00 1.900 T0-205AF И-3-С
RFP10P03L
р:-1...-2
-30 :10
0.2 ТО-220АВ 3-С-И
RFL1N18L
n
1... 2
180 1.00 3 .650 T0-205AF И-3-С
RFD12N06RLE
n 1 1...2
60 1 12 0.135 ТО-251М 3-С-И
RFL1N20L
n
1... 2
200 1.00 3 .650 T0-205AF И-3-С
RFD12N06RLESM n 1 1... 2
60 1 12 0.135 ТО-252М 3-С-И
RFL2N05L
n
1... 2
50 2.00 0 .950 T0-205AF И-3-С
RFP12N06RLE
n : 1...2
60 1 12 0.135 ТО-220АВ 3-С-И
RFL2N06L
n
1... 2
60 2.00 0 .950 T0-205AF И-3-С
RFD14N05L
n 1 1...2
50 114
0.1
ТО-251М 3-С-И
RFM12N08L
n
1... 2
80 12.00 0 .200 ТО-204М 3-И-С
RFD14N05LSM
n 1 1...2
50 114
0.1
ТО-252М 3-С-И
RFM12N10L
n
1... 2
100 12.00 0 .200 ТО-204М 3-И-С
RFP14N05L
n 1 1...2
50 114
0.1 ТО-220АВ 3-С-И
RFP12N08L
n
1... 2
80 12.00 0 .200 ТО-220АВ 3-С-И
RFD14N06L
n i 1...2
60 :14
0.1
ТО-251М 3-С-И
RFP12N10L
n
1... 2
100 12.00 0 .200 ТО-220АВ 3-С-И
RFD14N06LSM
n 1 1...2
60 114
0.1
ТО-252М 3-С-И
RFM15N05L
n
1... 2
50 15.00 0 .140 ТО-204М 3-И-С
~
RFP14N06L
n 1 1...2
60 114
0.1 ТО-220АВ 3-С-И
RFM15N06L
n
1... 2
60 15.00 0 .140 ТО-204М 3-И-С
-
RFD15N06LE
n 1 1...2
50 1 15 0.065 ТО-251М 3-С-И
RFP15N05L
n
1... 2
50 15.00 0 .140 ТО-220АВ 3-С-И
RFD15N06LESM n 1 1... 2
50 1 15 0.065 ТО-252М 3-С-И
RFP15N06L
n
1... 2
60 15.00 0 .140 ТО-220АВ 3-С-И
RFDffiN02L
n 1 1...2
20 1 16 0.022 ТО-251М 3-С-И
RFM8N18L
n
1... 2
180 8.00 0 .500 ТО-204М 3-И-С
RFD16N02LSM
n 1 1...2
20 1 16 0.022 ТО-252М 3-С-И
RFM8N20L
n
1... 2
200 8.00 0 .500 ТО-204М 3-И-С
RFD16N03L
n i 1...2
30 1 16 0.022 ТО-251М 3-С-И
RFP8N18L
n
1... 2
180 8.00 0 .500 ТО-220АВ 3-С-И
RFD16N03LSM
n 1 1...2
30 1 16 0.022 ТО-252М 3-С-И
RFP8N20L
n
1... 2
200 8.00 0 .500 ТО-220АВ 3-С-И
RFD16N05L
n 1 1...2
50 1 16 0.047 ТО-251М 3-С-И
RFP15N08L
n
1... 2
80 15.00 0 .140 ТО-220АВ 3-С-И
RFD16N05LSM
n : 1...2
50 : 16 0.047 ТО-252М 3-С-И
RFP17N06L
n
1... 2
60 17.00 0 .100 ТО-220АВ 3-С-И
RFD16N06LE
n 1 1...2
50 1 15 0.065 ТО-251М 3-С-И
-
--
-
-
RFP25N05L
n
1... 2
50 25.00 0.047 ТО-220АВ 3-С-И
RFDffiN06LESM n 1 1... 2
50 1 15 0.065 ТО-252М 3-С-И
RFP25N06L
n
1... 2
60 25.00 0 .085 ТО-220АВ 3-С-И
RFD20N03
n 1 2...4
-~-~- 0.025 ТО-251М 3-С-И
-
-
---
--
RFP2N08L
n
1... 2
80 2.00 1.050 ТО-220АВ 3-С-И
RFD20N03SM
n 1 2...4
30 1 20 0.025 ТО-252М 3-С-И
RFP2N10L
n
1... 2
100 2.00 1.050 ТО-220АВ 3-С-И
RFD3055LE
n 1 1...2
60 i 12.00 0.150 ТО-251М 3-С-И
RFP2N12L
n
1... 2
120 2.00 1.750 ТО-220АВ 3-С-И
RFD3055LESM
n 1 1...2
60 i 12.00 0.150 ТО-252М 3-С-И
RFP2N15L
n
1... 2
150 2.00 1.750 ТО-220АВ 3-С-И
RFP3055LE
n : 1...2
60 112.00 0.150 ТО-220АВ 3-С-И
RFP2N18L
n
1... 2
180 2.00 3 .500 ТО-220АВ 3-С-И
RFD3N08L
n 1 1...2
80 1 3.00 0.800 ТО-251М 3-С-И
RFP2tm --
--
-
-
-
-
-
-
-
--
n
1... 2
200 2.00 3 .500 ТО-220АВ 3-С-И
RFD3N08LSM
n 1 1...2
80 1 3.00 0.800 ТО-252М 3-С-И
RFP4N05L
n
1... 2
50 4.00 0 .800 ТО-220АВ 3-С-И
RFD4N06L
_11_L _1:::.2. _ __
~~~ 0.800 ТО-251М 3-С-И
---
RFD4N06LSM
n 1 1...2
60 14.00 0.800 ТО-252М 3-С-И
RFP4N06L
n
1... 2
60 4.00 0 .800 ТО-220АВ 3-С-И
RFW2N06RLE
n
1... 2
60 2.00 0 .160
DIP-4
С-С-3-И
Силовая электроника фирмы НARRIS
7

МОЩНЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫ
п- и р- КАНАЛЬНЫЕ МОЩНЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫ
ь
lcti ~m <С ~~~
о
""' :g~"'!~~.;;
_§
"'
:s: с:
"'"
-
~с;;-
С[ "'
ш :ж:: cd' о() сп
~~~~
Прибор
о ж е~а.З!i~~
Корпус
"'.
"'"' g_g_~~~~
о
"'"'
о"
t; g_~J
~....:.
а. :s:
.g~~ !~~
о-
с:~
"
5е-cd'
:::i-
с:
~
~
i:::: с:
(.) ь с::
g1ф~~m<С~~~
_§
"'
""' l:g "'"'
ф .... iЛ
"'"
-
~с;;-
i§:~ш~cd'о" w
~~~~
Прибор
о::ж::еЭЕа. З5 ~~
Корпус
"'.
"'"'
шctlоu::о
~~:.2'
о
g_ ~J
~....:.
О:W:а,.а_Ш
t;
~~.g~i ct Э~Е ~
о-
"'"'"
"
5е-cd'
:::i-
а. а. :s:
~
~
i:::: с:
(.) ь с::
2N6755
n
2... 4
60 12.00 0.250 ТО-204М 3-И-С
IRF131
n
2.. .4
80 14.00 0.160 ТО-204М 3-И-С
2N6756
n
2... 4
100 14.00 0.180 ТО-204М 3-И-С
IRF132
n
2.. .4
100 12.00 0.230 ТО-204М 3-И-С
2N6757
n
2... 4
150 8.00 0.600 ТО-204М 3-И-С
IRF133
n
2.. .4
80 12.00 0.230 ТО-204М 3-И-С
2N6758
n
2... 4
200 9.00 0.400 ТО-204М 3-И-С
IRF140
n
2.. .4
100 28.00 0.077 ТО-204М 3-И-С
2N6759
n
2... 4
350 4.50 1.500 ТО-204М 3-И-С
IRF141
n
2.. .4
80 28.00 0.077 ТО-204М 3-И-С
2N6760
n
2... 4
400 5.50 1.000 ТО-204М 3-И-С
IRF142
n
2.. .4
100 25.00 0.100 ТО-204М 3-И-С
-
·--
--
--
-
--
~
-
·---
--
--
-
-
---
-
2N6761
n
2... 4
450 4.00 2.000 ТО-204М 3-И-С
IRF143
n
2.. .4
80 25.00 0.100 ТО-204М 3-И-С
2N6762
n
2... 4
500 4.50 1.500 ТО-204М 3-И-С
IRF150
n
2.. .4
100 40.00 0.055 ТО-204АЕ 3-И-С
2N6765
n
2... 4
150 25.00 0.120 ТО-204АЕ 3-И-С
IRF151
n
2.. .4
60 40.00 0.055 ТО-204АЕ 3-И-С
2N6766
n
2... 4
200 30.00 0.085 ТО-204АЕ 3-И-С
IRF152
n
2.. .4
100 33.00 0.080 ТО-204АЕ 3-И-С
2N6767
n
2... 4
350 12.00 0.400 ТО-204М 3-И-С
IRF153
n
2.. .4
60 33.00 0.080 ТО-204АЕ 3-И-С
2N6768
n
2... 4
400 14.00 0.300 ТО-204М 3-И-С
IRF220
n
2.. .4
200 5.00 0.800 ТО-204М 3-И-С
2N6769
n
2... 4
450 11.00 0.500 ТО-204М 3-И-С
IRF221
n
2.. .4
150 5.00 0.800 ТО-204М 3-И-С
-
--
--
-
-
-
-
-
---
--
-
-
--
2N6770
n
2... 4
500 12.00 0.400 ТО-204М 3-И-С
IRF222
n
2.. .4
200 4.00 1.200 ТО-204М 3-И-С
2N6782
n
2... 4
100 5.50 0.600 T0 -205AF И-3-С
IRF223
n
2.. .4
150 4.00 1.200 ТО-204М 3-И-С
2N6784
n
2... 4
200 2.25 1.500 T0 -205AF И-3-С
IRF230
n
2.. .4
200 9.00 0.400 ТО-204М 3-И-С
2N6786
n
2... 4
400 1.25 3.600 T0 -205AF И-3-С
IRF231
n
2.. .4
150 9.00 0.400 ТО-204М 3-И-С
2N6788
n
2... 4
100 6.00 0.300 T0 -205AF И-3-С
IRF232
n
2.. .4
200 8.00 0.600 ТО-204М 3-И-С
2N6790
n
2... 4
200 3.50 0.800 T0 -205AF И-3-С
IRF233
n
2.. .4
150 8.00 0.600 ТО-204М 3-И-С
2N6792
n
2... 4
400 2.00 1.800 T0 -205AF И-3-С
IRF234
n
2.. .4
250
8.1 0.45 ТО-204М 3-И-С
-
--
--
-
--
-
--
-
---
---
--
-
--
--
-
-
-- --
2N6794
n
2... 4
500 1.50 3.000 T0 -205AF И-3-С
IRF235
n
2.. .4
250
6.5 0.68 ТО-204М 3-И-С
2N6796
n
2... 4
100 8.00 0.180 T0 -205AF И-3-С
IRF236
n
2.. .4
275
8.1 0.45 ТО-204М 3-И-С
2N6798
n
2... 4
200 5.50 0.400 T0 -205AF И-3-С
IRF237
n
2.. .4
275
6.5 0.68 ТО-204М 3-И-С
2N6800
n
2... 4
400 3.00 1.000 T0 -205AF И-3-С
IRF240
n
2.. .4
200 18.00 0.180 ТО-204АЕ 3-И-С
2N6802
n
2... 4
500 3.50 1.500 T0 -205AF И-3-С
IRF241
n
2.. .4
150 18.00 0.180 ТО-204АЕ 3-И-С
BUZ11
n 2.1 ...4
50 30.00 0.040 ТО-220АВ 3-С-И
IRF242
n
2.. .4
200 16.00 0.220 ТО-204АЕ 3-И-С
BUZ20
n 2.1 ... 4 100 12 .00 0.200 ТО-220АВ 3-С-И
IRF243
n
2.. .4
150 16.00 0.220 ТО-204АЕ 3-И-С
-
·--
--
-
---
--
--
-
-
-
-
---
-
BUZ21
n 2.1 ... 4 100 19 .00 0.100 ТО-220АВ 3-С-И
IRF244
n
2.. .4
250 14.00 0.280 ТО-204М 3-И-С
BUZ32
n 2.1 ... 4 200 9.50 0.400 ТО-220АВ 3-С-И
IRF245
n
2.. .4
250 13.00 0.340 ТО-204М 3-И-С
BUZ351
n 2.1 ... 4 400 11 .50 0.400 ТО-218АС 3-С-И
IRF246
n
2.. .4
275 14.00 0.280 ТО-204М 3-И-С
BUZ41A
n 2.1 ... 4 500 4 .50 1.500 ТО-220АВ 3-С-И
IRF247
n
2.. .4
275 13.00 0.340 ТО-204М 3-И-С
BUZ42
n 2.1 ... 4 500 4 .00 2.000 ТО-220АВ 3-С-И
IRF250
n
2.. .4
200 30.00 0.085 ТО-204АЕ 3-И-С
BUZ45
n 2.1 ... 4 500 9.60 0.600 ТО-204М 3-И-С
IRF251
n
2.. .4
150 30.00 0.085 ТО-204АЕ 3-И-С
BUZ45A
n 2.1 ... 4 500 8.30 0.800 ТО-204М 3-И-С
IRF252
n
2.. .4
200 25.00 0.120 ТО-204АЕ 3-И-С
BUZ45B
n 2.1 ... 4 500 10 .00 0.500 ТО-204М 3-И-С
IRF253
n
2.. .4
150 25.00 0.120 ТО-204АЕ 3-И-С
BUZ60
n 2.1 ... 4 400 5.50 1.000 ТО-220АВ 3-С-И
IRF320
n
2.. .4
400 3.30 1.800 ТО-204М 3-И-С
BUZ60B
n 2.1 ... 4 400 4 .50 1.500 ТО-220АВ 3-С-И
IRF321
n
2.. .4
350 3.30 1.800 ТО-204М 3-И-С
BUZ71
n 2.1 ...4
50 14.00 0.100 ТО-220АВ 3-С-И
IRF322
n
2.. .4
400 2.80 2.500 ТО-204М 3-И-С
BUZ71A
n 2.1 ...4
50 13.00 0.120 ТО-220АВ 3-С-И
IRF323
n
2.. .4
350 2.80 2.500 ТО-204М 3-И-С
BUZ72A
n 2.1 ... 4 100 9.00 0.250 ТО-220АВ 3-С-И
IRF330
n
2.. .4
400 5.50 1.000 ТО-204М 3-И-С
BUZ73A
n 2.1 ... 4 200 5.80 0.600 ТО-220АВ 3-С-И
IRF331
n
2.. .4
350 5.50 1.000 ТО-204М 3-И-С
BUZ76
n 2.1 ... 4 400 3.00 1.800 ТО-220АВ 3-С-И
IRF332
n
2.. .4
400 4.50 1.500 ТО-204М 3-И-С
BUZ76A
n 2.1 ... 4 400 2.60 2.500 ТО-220АВ 3-С-И
IRF333
n
2.. .4
350 4.50 1.500 ТО-204М 3-И-С
IRFi2Q "
n
2... 4
100 9.20 0.270 ТО-204М 3-И-С
IRF34o "
n
2.. .4
400 10.00 0.550 ТО-204М 3-И-С
IRF121
n
2... 4
80 9.20 0.270 ТО-204М 3-И-С
IRF341
n
2.. .4
350 10.00 0.550 ТО-204М 3-И-С
IRF122
n
2... 4
100 8.00 0.360 ТО-204М 3-И-С
IRF342
n
2.. .4
400 8.30 0.800 ТО-204М 3-И-С
IRF123
n
2... 4
80 8.00 0.360 ТО-204М 3-И-С
IRF343
n
2.. .4
350 8.30 0.800 ТО-204М 3-И-С
IRF130
n
2... 4
100 14.00 0.160 ТО-204М 3-И-С
IRF350
n
2.. .4
400 15.00 0.300 ТО-204М 3-И-С
8
Силовая электроника фирмы НARRIS

МОЩНЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫ
п- и р- КАНАЛЬНЫЕ МОЩНЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫ (ПРОДОЛЖЕНИЕ)
ь1
1о.,:,"'
<С ~~~
о
"
г-·о1 -
"'
:s:
о~ _ФЬ~ ...О "' "
-
~с;;-
С[
ё1:1:g_1~~~ ~ ~~ ~
"'.
Прибор
:i:
Корпус
"'"'
о
g.g.~~~~ ~ g_JiJ
е....:.
а.
о-
с:
к::ctlмф~ь1:w:
5е-~
:::i-
с:
1ж
. §"g.::s:: ~
:s:
(.)::;с::
,_
"
1
1••
<С
~~~
о
.
ct1 :w:m
::Е
ФФm::ж::о
_§
"'
:s: :!!10~-i"' t; :!:
"'"
-
~с;;-
Прибор
ctctl~фg_,~фQ
~ ~~~ Корпус
"'.
~i§5~ol~~>-
"'"'
о
g_JiJ
е....:.
О:W:а,.а.~ 1 ФФ:W: t;
g-~~ffi~ ~~~
о-
"
5е-~
:::i-
~
ж .§-g -::s:: ~ (.)::;с::
IRF351
п 1 2...4
350 : 15.00 0.300 ТО-204М 3-И-С
IRF632
п
2... 4
200 8.00 0.600 ТО-220АВ 3-С-И
m52
п 1 2...4
400 i13.00 0.400 ТО-204М 3-И-С
IRF6з3
п
2... 4
150 8.00 0.600 ТО-220АВ 3-С-И
IRF353
п i 2...4
350 1 13 .00 0.400 ТО-204М 3-И-С
IRF640
п
2... 4
200 18.00 0.180 ТО-220АВ 3-С-И
IRF420
п 1 2...4
500 1 2.50 3.000 ТО-204М 3-И-С
IRF641
п
2... 4
150 18.00 0.180 ТО-220АВ 3-С-И
IRF421
п 1 2...4
450 1 2.50 3.000 ТО-204М 3-И-С
IRF642
п
2... 4
200 16.00 0.220 ТО-220АВ 3-С-И
IRF422
п : 2...4
500 : 2.20 4 .000 ТО-204М 3-И-С
IRF643
п
2... 4
150 16.00 0.220 ТО-220АВ 3-С-И
IRF423
п 1 2...4
450 1 2.20 4 .000 ТО-204М 3-И-С
RF1S640
п
2... 4
200 18.00 0.180 ТО-262М 3-С-И
IRF430
п 1 2...4
500 j 4.50 1 .500 ТО-204М 3-И-С
RF1S640SM
п
2... 4
200 18.00 0.180 ТО-263АВ 3-С-И
IRF431 "
п 1 2...4
450 j 4.50 1 .500 ТО-204М 3-И-С
IRF644 "
п
2... 4
250 14.00 0.280 ТО-220АВ 3-С-И
IRF432
п : 2...4
500 : 4.00 2.000 ТО-204М 3-И-С
IRF645
п
2... 4
250 13.00 0.340 ТО-220АВ 3-С-И
IRF433
п 1 2...4
450 14.00 2.000 ТО-204М 3-И-С
IRF646
п
2... 4
275 14.00 0.280 ТО-220АВ 3-С-И
IRF440
п 1 2...4
500 1 8.00 0.850 ТО-204М 3-И-С
IRF647
п
2... 4
275 13.00 0.340 ТО-220АВ 3-С-И
IRF441
п : 2...4
450 1 8.00 0.850 ТО-204М 3-И-С
RF1S644
п
2... 4
250
14 0.28 ТО-262М 3-С-И
IRF442
п 1 2...4
500 1 7.00 1 .100 ТО-204М 3-И-С
RF1S644SM
п
2... 4
250
14 0.28 ТО-263АВ 3-С-И
IRF443
п 1 2...4
450 1 7.00 1 .100 ТО-204М 3-И-С
IRF710
п
2... 4
400 2.00 3.600 ТО-220АВ 3-С-И
~
IRF450
п 1 2...4
500 l 13.00 0.400 ТО-204М 3-И-С
IRF711 -
п
2... 4
350 2.00 3.600 ТО-220АВ 3-С-И
IRF451
п : 2...4
450 : 13.00 0.400 ТО-204М 3-И-С
IRF712
п
2... 4
400 1.70 5.000 ТО-220АВ 3-С-И
IRF452
п 1 2...4
500 i 11.00 0.500 ТО-204М 3-И-С
IRF713
п
2... 4
350 1.70 5.000 ТО-220АВ 3-С-И
IRF453
п 1 2...4
450 i11.00 0.500 ТО-204М 3-И-С
IRF720
п
2... 4
400 3.30 1 .800 ТО-220АВ 3-С-И
IRF510
п 1 2...4
100 1 5.60 0.540 ТО-220АВ 3-С-И
IRF721
п
2... 4
350 3.30 1 .800 ТО-220АВ 3-С-И
IRF511
п 1 2...4
80 1 5.60 0.540 ТО-220АВ 3-С-И
IRF722
п
2... 4
400 2.80 2.500 ТО-220АВ 3-С-И
IRF512
п 1 2...4
100 14.90 0.740 ТО-220АВ 3-С-И
~
IRF723
п
2... 4
350 2.80 2.500 ТО-220АВ 3-С-И
-
IRF513
п 1 2...4
80 14.90 0.740 ТО-220АВ 3-С-И
IRF730
п
2... 4
400 5.50 1 .000 ТО-220АВ 3-С-И
IRF520
п i 2...4
100 1 9.20 0.270 ТО-220АВ 3-С-И
IRF731
п
2... 4
350 5.50 1 .000 ТО-220АВ 3-С-И
IRF521
п 1 2...4
80 1 9.20 0.270 ТО-220АВ 3-С-И
IRF732
п
2... 4
400 4.50 1 .500 ТО-220АВ 3-С-И
IRF522
п 1 2...4
100 1 8.00 0.360 ТО-220АВ 3-С-И
IRF733
п
2... 4
350 4.50 1 .500 ТО-220АВ 3-С-И
IRF523
п
: 2...4
80 : 8.00 0.360 ТО-220АВ 3-С-И
IRF740
п
2... 4
400 10.00 0.550 ТО-220АВ 3-С-И
IRF530
п 1 2...4
100 : 14.00 0.160 ТО-220АВ 3-С-И
IRF741
п
2... 4
350 10.00 0.550 ТО-220АВ 3-С-И
IRF531
п 1 2...4
80 i 14.00 0.160 ТО-220АВ 3-С-И
IRF742
п
2... 4
400 8.00 0.800 ТО-220АВ 3-С-И
IRF532
п 1 2...4 ~00 -~ 0.230 ТО-220АВ 3-С-И
~-- -
1
-
---
--
IRF533
п
2... 4
80 112.00 0.230 ТО-220АВ 3-С-И
IRF743
п
2... 4
350 8.00 0.800 ТО-220АВ 3-С-И
-
---
---
--
-
-
-
~-~-
-- --
IRF820
п
2... 4
500 2.50 3.000 ТО-220АВ 3-С-И
IRF540
п 1 2...4
100 28.00 0.077 ТО-220АВ 3-С-И
IRF821
п
2... 4
450 2.50 3.000 ТО-220АВ 3-С-И
IRF541
п 1 2...4
80 28.00 0.077 ТО-220АВ 3-С-И
IRF822
п
2... 4
500 2.00 4 .000 ТО-220АВ 3-С-И
IRF542
п : 2...4
100 25.00 0.100 ТО-220АВ 3-С-И
IRF823
п
2... 4
450 2.00 4 .000 ТО-220АВ 3-С-И
IRF543
п
2... 4
80 25.00 0.100 ТО-220АВ 3-С-И
IRF830
п
2... 4
500 4.50 1 .500 ТО-220АВ 3-С-И
RF1S540
п
2... 4
100 28.00 0.077 ТО-262М 3-С-И
IRF831
п
2... 4
450 4.50 1 .500 ТО-220АВ 3-С-И
RF1S540SM
п i 2...4
100 28.00 0.077 ТО-263АВ 3-С-И
IRF832
п
2... 4
500 4.00 2.000 ТО-220АВ 3-С-И
-
-
---
-
·---
-
--
-
-
-
-- --
IRF610
п
2... 4
200 1 3.30 1 .500 ТО-220АВ 3-С-И
IRF833
п
2... 4
450 4.00 2.000 ТО-220АВ 3-С-И
IRF611
п
2... 4
150 1 3.30 1 .500 ТО-220АВ 3-С-И
IRF840
п
2... 4
500 8.00 0.850 ТО-220АВ 3-С-И
IRF612
п
2... 4
200 1 2.60 2.400 ТО-220АВ 3-С-И
IRF841
п
2... 4
450 8.00 0.850 ТО-220АВ 3-С-И
IRF613
п i 2...4
150 1 2.60 2.400 ТО-220АВ 3-С-И
IRF842
п
2... 4
500 7.00 1 .100 ТО-220АВ 3-С-И
IRF614
п
2... 4
250 12.00 2.000 ТО-220АВ 3-С-И
IRF843
п
2... 4
450 7.00 1 .100 ТО-220АВ 3-С-И
IRF620
п
2... 4
200 15.00 0.800 ТО-220АВ 3-С-И
IRFAC40
п
2... 4
600 6.20 1 .200 ТО-204М 3-И-С
IRF621
п 1 2... 4 _1_50_ _~ 0.800 ТО-220АВ 3-С-И
~ ---
-
----
IRFAC42
п
2... 4
600 5.40 1 .600 ТО-204М 3-И-С
-
·--
--
-
-
-
---
IRF622
п
2... 4
200 14.00 1 .200 ТО-220АВ 3-С-И
IRFBC40
п
2... 4
600 6.20 1 .200 ТО-220АВ 3-С-И
IRF623
п
2... 4
150 1 4.00 1 .200 ТО-220АВ 3-С-И
IRFBC42
п
2... 4
600 5.40 1 .600 ТО-220АВ 3-С-И
IRF630
п
2... 4
200 1 9.00 0.400 ТО-220АВ 3-С-И
IRFD110
п
2... 4
100 1.00 0.600
DIP-4
С-С-3-И
IRF631
п
2... 4
150 ' 9.00 0.400 ТО-220АВ 3-С-И
IRFD111
п
2... 4
80
1.00 0.600
DIP-4
С-С-3-И
Силовая электроника фирмы НARRIS
9

МОЩНЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫ
п- и р- КАНАЛЬНЫЕ МОЩНЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫ (ПРОДОЛЖЕНИЕ)
ь
l«s~m <С ф«,:::Е
о
"
:g~"'1~~.;;
_§ ~~о
"'
:s:
ш :ж:: Clf о() сп
"'"
-
~с;;-
Прибор
С[
е~а.:15~~ ~ ~ ~ ~
"'.
:i:
Корпус
"'"'
о
g_g_~~~~ ~ g_ ~ J
~....:.
а.
"
о-
с:
.g~~~~~" 5е-~
:::i-
с:
~
:s:
i:::: с:
(.) ь с::
,_
ь1
~~m<С ф«,::Е
о
.
ф
_§ ~~о
"'
::Е ct1 Ф ::s::m ф .... iЛ
::s::с::о::ж::-о"w
"'"
-
~с;-
Прибор
С["'1~1:1 :g_ :5~~ ~ ~~~ Корпус
"'.
~~5u:о
"'"'
О:W:а,.а_Ш ~ ~ :.2' ~ g_ ~J
~....:.
~~.g~i ct Э~Е ~
"
о-
"'"'"
"
5е-~
:::i-
а. а. :s:
~
~
i:::: с:
(.) ь с::
IRFD112
п
2... 4
100 0.80 0.800
DIP-4
С-С-3-И
IRFF232
п
2.. .4
200 4.50 0.600 T0-205AF И-3-С
IRFD113
п
2... 4
80 0.80 0.800
DIP-4
С-С-3-И
IRFF233
п
2.. .4
150 4.50 0.600 T0-205AF И-3-С
IRFD120
п
2... 4
100 1.30 0.300
DIP-4
С-С-3-И
IRFF310
п
2.. .4
400 1.35 3.600 T0-205AF И-3-С
-
-
IRFD121
п
2... 4
80
1.30 0.300
DIP-4
С-С-3-И
IRFF311
п
2.. .4
350 1.35 3.600 T0-205AF И-3-С
IRFD122
п
2... 4
100 1.10 0.400
DIP-4
С-С-3-И
IRFF312
п
2.. .4
400 1.15 5.000 T0-205AF И-3-С
IRFD123
п
2... 4
80
1.10 0.400
DIP-4
С-С-3-И
IRFF313
п
2.. .4
350 1.15 5.000 T0-205AF И-3-С
IRFD1ZO
п
2... 4
100 0.50 2.400
DIP-4
С-С-3-И
IRFF320
п
2.. .4
400 2.50 1 .800 T0-205AF И-3-С
IRFD1Z1
п
2... 4
60 0.50 2.400
DIP-4
С-С-3-И
IRFF321
п
2.. .4
350 2.50 1 .800 T0-205AF И-3-С
IRFD1Z2
п
2... 4
100 0.40 3.200
DIP-4
С-С-3-И
IRFF322
п
2.. .4
400 2.00 2.500 T0-205AF И-3-С
IRFD1Z3
п
2... 4
60 0.40 3.200
DIP-4
С-С-3-И
IRFF323
п
2.. .4
350 2.00 2.500 T0-205AF И-3-С
IRFD210
п
2... 4
200 0.60 1 .500
DIP-4
С-С-3-И
IRFF330
п
2.. .4
400 3.50 1 .000 T0-205AF И-3-С
-
·
--
-
--
-
--
~---- - ---
--
-
--
---
--
-
--
~--
-
-- --
IRFD211
п
2... 4
150 0.60 1 .500
DIP-4
С-С-3-И
IRFF331
п
2.. .4
350 3.50 1 .000 T0-205AF И-3-С
IRFD212
п
2... 4
200 0.45 2.400
DIP-4
С-С-3-И
IRFF332
п
2.. .4
400 3.00 1 .500 T0-205AF И-3-С
IRFD213
п
2... 4
150 0.45 2.400
DIP-4
С-С-3-И
IRFF333
п
2.. .4
350 3.00 1 .500 T0-205AF И-3-С
IRFD220
п
2... 4
200 0.80 0.800
DIP-4
С-С-3-И
IRFF420
п
2.. .4
500 1.60 3.000 T0-205AF И-3-С
IRFD221
п
2... 4
150 0.80 0.800
DIP-4
С-С-3-И
IRFF421
п
2.. .4
450 1.60 3.000 T0-205AF И-3-С
IRFD222
п
2... 4
200 0.70 1 .200
DIP-4
С-С-3-И
IRFF422
п
2.. .4
500 1.40 4 .000 T0-205AF И-3-С
IRFD223
п
2... 4
150 0.70 1 .200
DIP-4
С-С-3-И
IRFF423
п
2.. .4
450 1.40 4 .000 T0-205AF И-3-С
-
--
--
-
--
~--
-
-
-
-
-
--
-
--
-
-
-
~--
-
---
-
IRFD310
п
2... 4
400 0.40 3.600
DIP-4
С-С-3-И
IRFF430
п
2.. .4
500 2.75 1 .500 T0-205AF И-3-С
IRFD311
п
2... 4
350 0.40 3.600
DIP-4
С-С-3-И
IRFF431
п
2.. .4
450 2.75 1 .500 T0-205AF И-3-С
IRFD312
п
2... 4
400 0.30 5.000
DIP-4
С-С-3-И
IRFF432
п
2.. .4
500 2.25 2.000 T0-205AF И-3-С
IRFD313
п
2... 4
350 0.30 5.000
DIP-4
С-С-3-И
IRFF433
п
2.. .4
450 2.25 2.000 T0-205AF И-3-С
IRFD320
п
2... 4
400 0.50 1 .800
DIP-4
С-С-3-И
IRFP140
п
2.. .4
100 31.00 0.077 ТО-247
3-С-И
IRFD321
п
2... 4
350 0.50 1 .800
DIP-4
С-С-3-И
IRFP141
п
2.. .4
80 31.00 0.077 ТО-247
3-С-И
IRFD322
п
2... 4
400 0.40 2.500
DIP-4
С-С-3-И
IRFP142
п
2.. .4
100 27.00 0.099 ТО-247
3-С-И
--
-
-
-
--
-
·--
--
-
-
--
-
-
--
IRFD323
п
2... 4
350 0.40 2.500
DIP-4
С-С-3-И
IRFP143
п
2.. .4
80 27.00 0.099 ТО-247
3-С-И
IRFF110
п
2... 4
100 3.50 0.600 T0-205AF И-3-С
IRFP150
п
2.. .4
100 40.00 0.055 ТО-247
3-С-И
IRFF111
п
2... 4
80 3.50 0.600 T0-205AF И-3-С
IRFP151
п
2.. .4
60 40.00 0.055 ТО-247
3-С-И
IRFF112
п
2... 4
100 3.00 0.800 T0-205AF И-3-С
IRFP152
п
2.. .4
100 34.00 0.080 ТО-247
3-С-И
IRFF113
п
2... 4
80 3.00 0.800 T0-205AF И-3-С
IRFP153
п
2.. .4
60 34.00 0.080 ТО-247
3-С-И
IRFF120
п
2... 4
100 6.00 0.300 T0-205AF И-3-С
IRFP240
п
2.. .4
200 20.00 0.180 ТО-247
3-С-И
IRFF121
п
2... 4
80 6.00 0.300 T0-205AF И-3-С
IRFP241
п
2.. .4
150 20.00 0.180 ТО-247
3-С-И
-
-
--
-
--
-
-
--
---
--
-
--
----
-
-- --
IRFF122
п
2... 4
100 5.00 0.400 T0-205AF И-3-С
IRFP242
п
2.. .4
200 18.00 0.220 ТО-247
3-С-И
IRFF123
п
2... 4
80 5.00 0.400 T0-205AF И-3-С
IRFP243
п
2.. .4
150 18.00 0.220 ТО-247
3-С-И
IRFF130
п
2... 4
100 8.00 0.180 T0-205AF И-3-С
IRFP244
п
2.. .4
250 15.00 0.280 ТО-247
3-С-И
IRFF131
п
2... 4
80 8.00 0.180 T0-205AF И-3-С
IRFP245
п
2.. .4
250 14.00 0.340 ТО-247
3-С-И
IRFF132
п
2... 4
100 7.00 0.250 T0-205AF И-3-С
IRFP246
п
2.. .4
275 15.00 0.280 ТО-247
3-С-И
IRFF133
п
2... 4
80 7.00 0.250 T0-205AF И-3-С
IRFP247
п
2.. .4
275 14.00 0.340 ТО-247
3-С-И
IRFF210
п
2... 4
200 2.20 1 .500 T0-205AF И-3-С
IRFP250
п
2.. .4
200 33.00 0.085 ТО-247
3-С-И
-
--
--
--
-
-15 0
IRFF211
п
2... 4
2.20 1 .500 T0-205AF И-3-С
-
--
-
--
-
-
-
----
-
---
-
IRFP251
п
2.. .4
150 33.00 0.085 ТО-247
3-С-И
IRFF212
п
2... 4
200 1.80 2.400 T0-205AF И-3-С
IRFP252
п
2.. .4
200 27.00 0.120 ТО-247
3-С-И
IRFF213
п
2... 4
150 1.80 2.400 T0-205AF И-3-С
IRFP253
п
2.. .4
150 27.00 0.120 ТО-247
3-С-И
IRFF220
п
2... 4
200 3.50 0.800 T0-205AF И-3-С
IRFP340
п
2.. .4
400 11.00 0.550 ТО-247
3-С-И
IRFF221
п
2... 4
150 3.50 0.800 T0-205AF И-3-С
IRFP341
п
2.. .4
350 11.00 0.550 ТО-247
3-С-И
IRFF222
п
2... 4
200 3.00 1 .200 T0-205AF И-3-С
IRFP342
п
2.. .4
400 8.70 0.800 ТО-247
3-С-И
IRFF223
п
2... 4
150 3.00 1 .200 T0-205AF И-3-С
IRFP343
п
2.. .4
350 8.70 0.800 ТО-247
3-С-И
IRFF230
п
2... 4
200 5.50 0.400 T0-205AF И-3-С
IRFP350
п
2.. .4
400 16.00 0.300 ТО-247
3-С-И
IRFF231
п
2... 4
150 5.50 0.400 T0-205AF И-3-С
IRFP351
п
2.. .4
350 16.00 0.300 ТО-247
3-С-И
10
Силовая электроника фирмы НARRIS

МОЩНЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫ
п- и р- КАНАЛЬНЫЕ МОЩНЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫ (ПРОДОЛЖЕНИЕ)
ь
1
100-1 ·
ф «, :::Е
о
"
11i~Ш ~ ~~о
"'
:s:
"'"
-
~с;;-
Прибор
С[
~~~
"'.
:i:
Корпус
"'"'
о
g_g_~ ~~:.i' :;:! g_ ~ J
~....:.
а.
ос:"'с<ЭЕ!'!
1
"
о-
с:
к::ctlм фu::()
:w:
5е-~
:::i-
с:
1
ж .g-g.::s:: {:!.
:s:
(.) ь с::
,_
ь
~~m <С
"'~ "1
о
Ф~Ш
~~о
"'
"
ф .... iЛ
_§
:s:
~~~о" w
"'"
-
~с;;-
Прибор
С[
:5~~ ~~е~Корпус "'.
:i:
"'"'
5u::о
~~:.2' !'!
~оw
~....:.
о
.g-~~
о!::: Q
а.
ctЭ~Е~
"
а. ..о а:
о-
с:
"'"'"
"
5е-~
:::i-
с:
ж"' а. а. :s:
~
:s:
i:::: с:
(.) ь с::
,_
IRFP352
n 1 2...4
400 114.00 0.400 ТО-247
3-С-И
RF1S25N06SM n 2.. .4
60 25.00 0.047 ТО-263АВ
3-С-И
IRFP353
n 1 2...4
350 \ 14.00 0.400 ТО-247
3-С-И
RFP42N03
n
2.. .4
30
42 0.025 ТО-220АВ
3-С-И
IRFP360
n 1 2...4
400 123.00 0.200 ТО-247
3-С-И
RF1S42N03
n
2.. .4
30
42 0.025 ТО-262АА
3-С-И
IRFP362
n : 2...4
400 120.00 0.250 ТО-247
3-С-И
RF1S42N03SM n 2.. .4
30
42 0.025 ТО-263АВ
3-С-И
IRFP440
n 1 2...4
500 1 8.80 0.850 ТО-247
3-С-И
RF1S45N06
n
2.. .4
60 45.00 0.028 ТО-262АА
3-С-И
IRFP441
n 1 2...4
450 1 8.80 0.850 ТО-247
3-С-И
RF1S45N06SM n 2.. .4
60 45.00 0.028 ТО-263АВ
3-С-И
IRFP442 -
n 1 2...4
500 1 7.70 1 .100 ТО-247
3-С-И
---
-
---
RFG45N06
n
2.. .4
60 45.00 0.028 ТО-247
3-С-И
IRFP443
n : 2...4
450 : 7.70 1 .100 ТО-247
3-С-И
RFP45N06
n
2.. .4
60 45.00 0.028 ТО-220АВ
3-С-И
IRFP450
n 1 2...4
500 i 14.00 0.400 ТО-247
3-С-И
RFG50N06
n
2.. .4
60 50.00 0.022 ТО-247
3-С-И
IRFP451
n 1 2...4
450 i14.00 0.400 ТО-247
3-С-И
RFP50N06
n
2.. .4
60 50.00 0.022 ТО-220АВ
3-С-И
IRFP452
n 1 2...4
500 112.00 0.500 ТО-247
3-С-И
RF1S50N06
n
2.. .4
60 50.00 0.022 ТО-262АА
3-С-И
IRFP453
n 1 2...4
450 : 12.00 0.500 ТО-247
3-С-И
RF1S50N06SM n 2.. .4
60 50.00 0.022 ТО-263АВ
3-С-И
IRFP460
n 1 2...4
500 120.00 0.270 ТО-247
3-С-И
RFP70N03
n
2.. .4
30 70.00 0.010 ТО-220АВ
3-С-И
IRFP462 -
n
1
2... 4
500 i17.00 0.350 ТО-247
3-С-И
RF1S70N03
n
2.. .4
30 70.00 0.010 ТО-262АА
3-С-И
IRFPC40
n i 2...4
600 1 6.80 1 .200 ТО-247
3-С-И
RF1S70N03SM n 2.. .4
30 70.00 0.010 ТО-263АВ
3-С-И
IRFPC42
n 1 2...4
600 1 5.90 1 .600 ТО-247
3-С-И
RF1S70N06
n
2.. .4
60 70.00 0.014 ТО-262АА
3-С-И
IRFPG40
n 1 2... 4 1000 : 4.30 3.500 ТО-247
3-С-И
RF1S70N06SM n 2.. .4
60 70.00 0.014 ТО-263АВ
3-С-И
IRFPG42
n : 2...4 1000 : 3.90 4.200 ТО-247
3-С-И
RFG70N06
n
2.. .4
60 70.00 0.014 ТО-247
3-С-И
IRFR110
n 1 2...4
100 14.70 0.540 ТО-252АА 3-С-И
RFP70N06
n
2.. .4
60 70.00 0.014 ТО-220АВ
3-С-И
IRFU110
n 1 2...4
100 J 4.70 0.540 ТО-252АА 3-С-И
IRFR120
n 1 2...4
100 1 8.40 0.270 ТО-252АА 3-С-И
IRFR121
n : 2...4
80 : 8.40 0.270 ТО-252АА 3-С-И
3-И (Кельвин)-
RFA100N05E
n
2.. .4
50 100.00 0.008 ТО-2185L
С (Кельвин)-
И (токовый)-
И(токовый)
IRFU120
n 1 2...4
100 1 8.40 0.270 ТО-251АА 3-С-И
RFD14N05
n
2.. .4
50 14.00 0.100 ТО-251АА
3-С-И
IRFU121
n 1 2...4
80 1 8.40 0.270 ТО-251АА 3-С-И
RFD14N05SM n 2.. .4
50 14.00 0.100 ТО-252АА
3-С-И
IRFR214
n : 2...4
250 1 2.20 2.000 ТО-252АА 3-С-И
RFP14N05
n
2.. .4
50 14.00 0.100 ТО-220АВ
3-С-И
IRFU214
n 1 2...4
250 1 2.20 2.000 ТО-251АА 3-С-И
RFD14N06
n
2.. .4
60 14.00 0.100 ТО-251АА
3-С-И
IRFR220
n 1 2...4
200 1 4.60 0.800 ТО-252АА 3-С-И
RFD14N06SM n 2.. .4
60 14.00 0.100 ТО-252АА
3-С-И
IRFR22 (
n 1 2...4
150 1 4.60 0.800 ТО-252АА 3-С-И
---- -
RFP14N06
n
2.. .4
60 14.00 0.100 ТО-220АВ
3-С-И
IRFR222
n : 2...4
200 : 3.80 1 .200 ТО-252АА 3-С-И
RFD16N05
n
2.. .4
50 16.00 0.047 ТО-251АА
3-С-И
IRFU220
n 1 2...4
200 14.60 0.800 ТО-251АА 3-С-И
RFD16N05SM n 2.. .4
50 16.00 0.047 ТО-252АА
3-С-И
IRFU221
n 1 2...4
150 J 4.60 0.800 ТО-251АА 3-С-И
RFD16N06
n
2.. .4
60 16.00 0.047 ТО-251АА
3-С-И
IRFU222
n 1 2...4
200 1 3.80 1 .200 ТО-251АА 3-С-И
RFD16N06SM n 2.. .4
60 16.00 0.047 ТО-251АА
3-С-И
IRFR320
n 1 2...4
400 1 3.10 1 .800 ТО-252АА 3-С-И
RFD3055
n
2.. .4
60 12.00 0.150 ТО-251АА
3-С-И
IRFR321
n 1 2...4
350 1 3.10 1 .800 ТО-252АА 3-С-И
RFD3055SM
n
2.. .4
60 12.00 0.150 ТО-252АА
3-С-И
IRFR322 -
n 1 2...4
400 1 2.60 2.500 ТО-252АА 3-С-И
----- -
RFP3055
n
2.. .4
60 12.00 0.150 ТО-220АВ
3-С-И
IRFU320
n i 2...4
400 1 3.10 1 .800 ТО-251АА 3-С-И
RFF70N06
n
2.. .4
60 25.00 0.025 ТО-254АА
С-И-3
IRFU321
n 1 2...4
350 1 3.10 1 .800 ТО-251АА 3-С-И
RFG40N10
n
2.. .4
100 40.00 0.040 ТО-247
3-С-И
IRFU322
n 1 2...4
400 1 2.60 2.500 ТО-251АА 3-С-И
RFP40N10
n
2.. .4
100 40.00 0.040 ТО-220АВ
3-С-И
IRFR410
n : 2...4
500 : 1.50 7.000 ТО-252АА 3-С-И
RF1S40N10
n
2.. .4
100 40.00 0.040 ТО-262АА
3-С-И
IRFU410
n 1 2...4
500 1 1.50 7.000 ТО-251АА 3-С-И
RF1S40N10SM n 2.. .4
100 40.00 0.040 ТО-263АВ
3-С-И
IRFR420
n 1 2...4
500 12.50 3.000 ТО-252АА 3-С-И
RFG50N05
n
2.. .4
50 50.00 0.022 ТО-247
3-С-И
IRFR421 "
n 1 2...4
450 12.50 3.000 ТО-252АА 3-С-И
----- -
RFP50N05
n
2.. .4
50 50.00 0.022 ТО-220АВ
3-С-И
IRFR422
n i 2...4
500 : 2.20 4 .000 ТО-252АА 3-С-И
RFG75N05E
n
2.. .4
50 75.00 0.008 ТО-247
3-С-И
IRFU420
n 1 2...4
500 1 2.50 3.000 ТО-251АА 3-С-И
RFH75N05E
n
2.. .4
50 75.00 0.008 ТО-218АС
3-С-И
IRFU421
n 1 2...4
450 1 2.50 3.000 ТО-251АА 3-С-И
RFH10N45
n
2.. .4
450 10.00 0.600 ТО-218АС
3-С-И
IRFU422
n : 2...4
500 1 2.20 4 .000 ТО-251АА 3-С-И
RFH10N50
n
2.. .4
500 10.00 0.600 ТО-218АС
3-С-И
RFP25N06
n 1 2...4
60 l 25.00 0.047 ТО-220АВ 3-С-И
RFH12N35
n
2.. .4
350 12.00 0.380 ТО-218АС
3-С-И
RF1S25N06
n 1 2...4
60 l 25.00 0.047 ТО-262АА 3-С-И
RFH12N40
n
2.. .4
400 12.00 0.380 ТО-218АС
3-С-И
Силовая электроника фирмы HARRIS
11

МОЩНЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫ
п- и р- КАНАЛЬНЫЕ МОЩНЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫ (ПРОДОЛЖЕНИЕ)
ь
1
"'
~~m <С ~~~
о
"
1"'s<Оgь~_§
"'
s
~~~
"'"
-
~с;;-
Прибор
С[
З5~~ ~~~~
"'.
:i:
Корпус
"'"'
о
5u::о~~~ о
g_JiJ
~....:.
а. а."'
t;
а.
ок::~ctЭ~Е~
о-
с:
к::~(')
"'"'"
"
~e-cd'
:::i-
с:
а.а.s
~
s
i:::: с:
(.) ь с::
,_
ь
1
"'
~~m <С ~~~
о
"
1"'s<Оgь~_§
"'
s
~~~
"'"
-
~с;;-
Прибор
С[
З5~~~~~~
"'.
:i:
Корпус
"'"'
о
5u::о~~:.2'
о
g_JiJ
~....:.
а. а."'
t;
а.
ок::~ctЭ~Е~
о-
с:
к::~(')
"'"'"
"
~e-cd'
:::i-
с:
а.а.s
~
s
i:::: с:
(.) ь с::
,_
RFH25N18
n
2.. .4
180 25.00 0.150 ТО-218АС
3-С-И
RFM6N45
n
2.. .4
450 6.00 1 .250 ТО-204М 3-И-С
RFH25N20
n
2.. .4
200 25.00 0.150 ТО-218АС
3-С-И
RFP6N45
n
2.. .4
450 6.00 1 .250 ТО-220АВ 3-С-И
RFK25N18
n
2.. .4
180 25.00 0.150 ТО-204АЕ
3-И-С
RFP6N50
n
2.. .4
500 6.00 1 .250 ТО-220АВ 3-С-И
RFK25N20
n
2.. .4
200 25.00 0.150 ТО-204АЕ
3-И-С
RFM7N35
n
2.. .4
350 7.00 0.750 ТО-204М 3-И-С
RFK70N06
n
2.. .4
60 70.00 0.140 ТО-204АЕ
3-И-С
RFM7N40
n
2.. .4
400 7.00 0.750 ТО-204М 3-И-С
RFL1N08
n
2.. .4
80
1.00 1 .200 ТО-205АF
И-3-С
RFP7N35
n
2.. .4
350 7.00 0.750 ТО-220АВ 3-С-И
RFL1N10
n
2.. .4
100 1.00 1 .200 ТО-205АF
И-3-С
RFP7N40
n
2.. .4
400 7.00 0.750 ТО-220АВ 3-С-И
RFL1N12
n
2.. .4
120 1.00 1 .900 ТО-205АF
И-3-С
RFP22N10
n
2.. .4
100 22.00 0.080 ТО-220АВ 3-С-И
RFL1N15
n
2.. .4
150 1.00 1 .900 ТО-205АF
И-3-С
RF1S22N10
n
2.. .4
100 22.00 0.080 ТО-262М 3-С-И
RFL1N18
n
2.. .4
180 1.00 3.650 ТО-205АF
И-3-С
RF1S22N10SM n 2.. .4
100 22.00 0.080 ТО-263АВ 3-С-И
RFL1N20
n
2.. .4
200 1.00 3.650 ТО-205АF
И-3-С
RFP25N05
n
2.. .4
50 25.00 0.047 ТО-220АВ 3-С-И
RFL2N05
n
2.. .4
50
2.00 0.950 ТО-205АF
И-3-С
RFP2N12
n
2.. .4
120 2.00 1 .750 ТО-220АВ 3-С-И
RFL2N06
n
2.. .4
60
2.00 0.950 ТО-205АF
И-3-С
RFP2N15
n
2.. .4
150 2.00 1 .750 ТО-220АВ 3-С-И
--
--
4.00
RFL4N12
n
2.. .4
120
0.400 ТО-205АF
И-3-С
RFP2Nia -
---
-
-
-
180- 2.00
-
-
-
---
n
2.. .4
3.500 ТО-220АВ 3-С-И
RFL4N15
n
2.. .4
150 4.00 0.400 ТО-205АF
И-3-С
RFP2N20
n
2.. .4
200 2.00 3.500 ТО-220АВ 3-С-И
RFM10N12
n
2.. .4
120 10.00 0.300 ТО-204М
3-И-С
RFP4N05
n
2.. .4
50
4.00 0.800 ТО-220АВ 3-С-И
RFM10N15
n
2.. .4
150 10.00 0.300 ТО-204М
3-И-С
RFP4N06
n
2.. .4
60
4.00 0.800 ТО-220АВ 3-С-И
RFP10N12
n
2.. .4
120 10.00 0.300 ТО-220АВ
3-С-И
RFP4N100
n
2.. .4
1000 4.30 3.500 ТО-220АВ 3-С-И
RFP10N15
n
2.. .4
150 10.00 0.300 ТО-220АВ
3-С-И
RFP42N03L
n
1... 2
30 16.00 0.025 ТО-220АВ 3-С-И
RFМION45 - -- --
1о:ОО
n
2.. .4
450
0.600 ТО-204М
3-И-С
---
-
-
16.00
-
-
-
---
RF1S42N03L
n
1... 2
30
0.025 ТО-262М 3-С-И
RFM10N50
n
2.. .4
500 10.00 0.600 ТО-204М
3-И-С
RF1S42N03LSM n 1... 2
30 16.00 0.025 ТО-263АВ 3-С-И
RFM12N08
n - 2.. .4 - 80 12.00 0.200 ТО-204М
3-И-С
--
--
45
RFP45N02L
n
1... 2
20
0.022 ТО-220АВ 3-С-И
RFM12N10
n
2.. .4
100 12.00 0.200 ТО-204М
3-И-С
RF1S45N02L
n
1... 2
20
45 0.022 ТО-262М 3-С-И
RFP12No8 -
--
-
·
-
-
во - 12.00
-
0.200 -
--
n
2.. .4
ТО-220АВ
3-С-И
RF1S45N02LSM
-
и--20-
-
45"
-
0.022 ТО-263АВ 3-С-И
n
RFPi2NiQ "
n
2.. .4
100 12.00 0.200 ТО-220АВ
3-С-И
2N6804
р -2...-4
-100
11.00 0.300 ТО-204М 3-И-С
RFM12N18
n
2.. .4
180 12.00 0.250 ТО-204М
3-И-С
2N6849
р -2...-4
-100
6.50 0.300 ТО-205АF
И-3-С
RFM12N20
n
2.. .4
200 12.00 0.250 ТО-204М
3-И-С
2N6851
р -2...-4
-200
4.00 0.800 ТО-205АF
И-3-С
RFP12N18
n
2.. .4
180 12.00 0.250 ТО-220АВ
3-С-И
2N6895
р -2...-4
-100
1.16 3.650 ТО-205АF
И-3-С
RFP12N20
n
2.. .4
200 12.00 0.250 ТО-220АВ
3-С-И
2N6896
р -2...-4
-100
6.00 0.600 ТО-204М 3-И-С
RFM12N35
n
2.. .4
350 12.00 0.500 ТО-204М
3-И-С
2N6898
р -2...-4
-100
25.00 0.200 ТО-204АЕ 3-И-С
RFM12N40
n
2.. .4
400 12.00 0.500 ТО-204М
3-И-С
IRF9130
р -2...-4
-100
12.00 0.300 ТО-204М 3-И-С
RFM15N05
n
2.. .4
50 15.00 0.140 ТО-204М
3-И-С
IRF9131
р -2...-4
-60
12.00 0.300 ТО-204М 3-И-С
RFM15N06
n
2.. .4
60 15.00 0.140 ТО-204М
3-И-С
IRF9132
р -2...-4
-100
10.00 0.400 ТО-204М 3-И-С
RFP15N05
n
2.. .4
50 15.00 0.140 ТО-220АВ
3-С-И
IRF9133 -
р -2...-4
-60
10.00 0.400 ТО-204М 3-И-С
RFP15N06
n
2.. .4
60 15.00 0.140 ТО-220АВ
3-С-И
IRF9140
р -2...-4
-100
19.00 0.200 ТО-204М 3-И-С
RFM15N12
n
2.. .4
120 15.00 0.150 ТО-204М
3-И-С
IRF9141
р -2...-4
-60
19.00 0.200 ТО-204М 3-И-С
RFM15N15
n
2.. .4
150 15.00 0.150 ТО-204М
3-И-С
IRF9142
р -2...-4
-100
15.00 0.300 ТО-204М 3-И-С
RFP15N12
n
2.. .4
120 15.00 0.150 ТО-220АВ
3-С-И
IRF9143
р -2...-4
-60
15.00 0.300 ТО-204М 3-И-С
RFP15N15
n
2.. .4
150 15.00 0.150 ТО-220АВ
3-С-И
IRF9150
р -2...-4
-100
25.00 0.150 ТО-204АЕ 3-И-С
--
--
18.00
RFM18N08
n
2.. .4
80
0.100 ТО-204М
3-И-С
IRF9151 --
---
-т.:::4
25:оо ---
---
р
-60
0.150 ТО-204АЕ 3-И-С
RFM18N10
n
2.. .4
100 18.00 0.100 ТО-204М
3-И-С
IRF9230
р -2...-4
-200
6.50 0.800 ТО-204М 3-И-С
RFP18N08
n
2.. .4
80 18.00 0.100 ТО-220АВ
3-С-И
IRF9231
р -2...-4
-150
6.50 0.800 ТО-204М 3-И-С
RFP18N10
n
2.. .4
100 18.00 0.100 ТО-220АВ
3-С-И
IRF9232
р -2...-4
-200
5.50 1 .200 ТО-204М 3-И-С
RFM3N45
n
2.. .4
450 3.00 3.000 ТО-204М
3-И-С
IRF9233
р -2...-4
-150
5.50 1 .200 ТО-204М 3-И-С
RFM3N50
n
2.. .4
500 3.00 3.000 ТО-204М
3-И-С
IRF9240
р -2...-4
-200
11.00 0.500 ТО-204М 3-И-С
RFP3N45
n
2.. .4
450 3.00 3.000 ТО-220АВ
3-С-И
IRF9241
р -2...-4
- 1-50 11 .00 0.500 ТО-204М 3-И-С
RFP3N50
n
2.. .4
500 3.00 3.000 ТО-220АВ
3-С-И
IRF9242
р -2...-4
-200
9.00 0.700 ТО-204М 3-И-С
RFM4N35
n
2.. .4
350 4.00 2.000 ТО-204М
3-И-С
IRF9243
р -2...-4
-150
9.00 0.700 ТО-204М 3-И-С
RFM4N40
n
2.. .4
400 4.00 2.000 ТО-204М
3-И-С
RFP4N35
"П1--т.:4 350 4.00 2.000 ТО-220АВ
3-С-И
IRF9510
р -2...-4
-100
3.00 1 .200 ТО-220АВ 3-С-И
IRF9511
р -2...-4
-60
3.00 1 .200 ТО-220АВ 3-С-И
RFP4N40
n
2.. .4
400 4.00 2.000 ТО-220АВ
3-С-И
IRF9512
р -2...-4
-100
2.50 1 .600 ТО-220АВ 3-С-И
12
Силовая электроника фирмы HARRIS

МОЩНЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫ
п- и р- КАНАЛЬНЫЕ МОЩНЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫ (ПРОДОЛЖЕНИЕ)
ь1Ф
1 cti~m <С~~~
о
"
1~~"'-j~~~ _§
"'
:s:
"'"
-
~с;;-
Прибор
С[
e~g_~~~ ~ ~~~
"'.
:i:
Корпус
"'"'
о
g_g_~ ~~~ о g_; J
~....:.
а.
t;
о-
с:
.g~~ ~~ь " ~e-cd'
:::i-
с:
1
.g-g-:s: ~
:s:
(.) ь с::
,_
'
g1ф~~m<С~~~
1
_§
"'
""' l:g "'"'
gь~
"'"
-
~с;;-
Прибор ~~ё~~ З5 ~~ ~ ~ ~ ~ Корпус
"'.
"'"'
шctlоu::о
~~~ о g_;J
~....:.
О:W:а,.а_Ш
t;
~~.g~~ ct Э~Е ~
о-
"'"'"
"
8g~
:::i-
а. а. :s:
~
~
i:::: с:
'
IRF9513
р 1-2...-4
-60
2.50 1 .600 ТО-220АВ 3-С-И
IRFP9140
р -2...-4
-100
19.00 0.200 1 ТО-247
3-С-И
IRF9520
р 1-2... -4
-100
6.00 0.600 ТО-220АВ 3-С-И
IRFP9141
р -2...-4
-60
19.00 0.200 1 ТО-247
3-С-И
IRF9521
р 1-2...-4
-60
6.00 0.600 ТО-220АВ 3-С-И
IRFP9142
р -2...-4
-100
16.00 0.300
'
ТО-247
3-С-И
IRF9522
р 1-2...-4
-100
5.00 0.800 ТО-220АВ 3-С-И
IRFP9143
р -2...-4
-60
16.00 0.300 1 ТО-247
3-С-И
IRF9523
р -2... -4
-60
5.00 0.800 ТО-220АВ 3-С-И
IRFP9150
р -2...-4
-100
25.00 0.150
'
ТО-247
3-С-И
IRF9530
р 1-2...-4
-100
12.00 0.300 ТО-220АВ 3-С-И
IRFP9151
р -2...-4
-60
25.00 0.150 1 ТО-247
3-С-И
IRF953i
р 1-2...-4
-60
12.00 0.300 ТО-220АВ 3-С-И
IRFP9240 -
р -2...-4
-200
12.00 0.500 1 ТО-247
3-С-И
IRF9532
р:-2...-4
-100
10.00 0.400 ТО-220АВ 3-С-И
IRFP9241
р -2...-4
-150
12.00 0.500 i ТО-247 3-С-И
'ГRF9533
р 1-2... -4
-60
10.00 0.400 ТО-220АВ 3-С-И
I RFP9242 -
р -2...-4
-200
10.00 0.700 1 ТО-247
3-С-И
RF1S9530
р :-2...-4
-100
12.00 0.300 ТО-262АА 3-С-И
IRFP9243
р -2...-4
-150
10.00 О.700 i ТО-247 3-С-И
RF1S9530SM
р 1-2...-4
-100
12.00 0.300 ТО-263АВ 3-С-И
IRFR9110
р -2...-4
-100
3.10 1 .200
1 ТО- 252 АА 3-С-И
IRF9540
р -2... -4
-100
19.00 0.200 ТО-220АВ 3-С-И
IRFU9110
р -2...-4
-100
3.10 1 .200
, ТО-251АА
3-С-И
IRF9541
р 1-2...-4
-60
19.00 0.200 ТО-220АВ 3-С-И
IRFR9120
р -2...-4
-100
5.60 0.600 i ТО-252АА 3-С-И
IRF9542
р 1-2...-4
-100
15.00 0.300 ТО-220АВ 3-С-И
IRFU9120
р -2...-4
-100
5.60 0.600 1 ТО-251АА 3-С-И
IRF9543
р 1-2... -4
-60
15.00 0.300 ТО-220АВ 3-С-И
IRFR9220
р -2...-4
-200
3.60 1 .500 i ТО-252АА 3-С-И
RF1S9540
р 1-2...-4
-100
19.00 0.200 ТО-262АА 3-С-И
IRFU9220
р -2...-4
-200
3.60 1 .500 ' ТО-251АА 3-С-И
RF1S9540SM
р 1-2...-4
-100
19.00 0.200 ТО-263АВ 3-С-И
RF1S30P05
р -2...-4
-50
30.00 0.065 i ТО-262АА 3-С-И
IRF9620
р -2... -4
-200
3.50 1 .500 ТО-220АВ 3-С-И
RF1S30P05SM р -2 ... -4
-50
30.00 0.065
, ТО-263АВ
3-С-И
IRF9621
р 1-2...-4
-150
3.50 1 .500 ТО-220АВ 3-С-И
RFG30P05
р -2...-4
-50
30.00 0.065 1 ТО-247
3-С-И
IRF9622
р 1-2...-4
-200
3.00 2.400 ТО-220АВ 3-С-И
RFP30P05
р -2...-4
-50
30.00 0.065 1 ТО-220АВ 3-С-И
IRF9623
р 1-2... -4
-150
3.00 2.400 ТО-220АВ 3-С-И
RF1S30P06
р -2...-4
-60
30.00 0.065 i ТО-262АА 3-С-И
IRF9630
р 1-2...-4
-200
6.50 0.800 ТО-220АВ 3-С-И
RF1S30P06SM р -2 ... -4
-60
30.00 0.065 ' ТО-263АВ 3-С-И
IRF9631
р 1-2...-4
-150
6.50 0.800 ТО-220АВ 3-С-И
RFG30P06
р -2...-4
-60
30.00 0.065 1 ТО-247
3-С-И
IRF9632
р -2... -4
-200
5.50 1 .200 ТО-220АВ 3-С-И
RFP30P06
р -2...-4
-60
30.00 0.065
, ТО-220АВ
3-С-И
IRF9633
р 1-2...-4
-150
5.50 1 .200 ТО-220АВ 3-С-И
RF1S60P03
р -2...-4
-30
60.00 0.027 i ТО-262АА 3-С-И
IRF9640
р 1-2...-4
-200
11.00 0.500 ТО-220АВ 3-С-И
RF1S60P03SM р -2 ... -4
-30
60.00 0.027 1 ТО-263АВ 3-С-И
IRF9641
р 1-2... -4
-150
11.00 0.500 ТО-220АВ 3-С-И
RFG60P03
р -2...-4
-30
60.00 0.027 1 ТО-247
3-С-И
IRF9642
р :-2...-4
-200
9.00 0.700 ТО-220АВ 3-С-И
RFP60P03
р -2...-4
-30
60.00 0.027
, ТО- 220 АВ 3-С-И
IRF9643
р 1-2...-4
-150
9.00 0.700 ТО-220АВ 3-С-И
RFD15P05
р -2...-4
-50
15.00 0.150 i ТО-251АА 3-С-И
RF1S9640
р 1 -2...-4
-200
11.00 0.500 ТО-262АА 3-С-И
RFD15P05SM
р -2...-4
-50
15.00 0.150 : ТО-252АА 3-С-И
RF1S9640SM
р 1-2...-4
-200
11.00 0.500 ТО-263АВ 3-С-И
RFP15P05
р -2...-4
-50
15.00 0.150 i ТО-220АВ 3-С-И
IRFD9110
р 1-2...-4
-100
0.70 1 .200 DIP-4
3-И-С
RFD15P06
р -2...-4
-60
15.00 0.150 i ТО-251АА 3-С-И
IRFD9113
р 1-2...-4
-60
0.60 1 .600 DIP-4
3-И-С
RFD15P06SM
р -2...-4
-60
15.00 0.150 1 ТО-252АА 3-С-И
IRFD9120
р 1-2... -4
-100
1.00 0.600 DIP-4
3-И-С
RFP15P06
р -2...-4
-60
15.00 0.150 i ТО-220АВ 3-С-И
IRFD9123
р 1-2...-4
-60
0.80 0.800 DIP-4
3-И-С
RFD8P05
р -2...-4
-50
8.00 0.300 ' ТО-251АА 3-С-И
IRFF9120
р 1-2...-4
-100
4.00 0.600 ТО-205АF
И-3-С
RFD8P05SM
р -2...-4
-50
8.00 0.300
1 ТО- 252 АА 3-С-И
IRFF9121 -
р 1-2...-4
-60
4.00 0.600 ТО-205АF
И-3-С
RFP8P05
р -2...-4
-50
8.00 0.300 1 ТО-220АВ 3-С-И
IRFF9122
р1
-2... -4
-100
3.50 0.800 ТО-205АF
И-3-С
RFD8P06E
р -2...-4
-60
8.00 0.300 i ТО-251АА 3-С-И
IRFF9123
р 1-2...-4
-60
3.50 0.800 ТО-205АF
И-3-С
RFD8P06ESM
р -2...-4
-60
8.00 0.300 i ТО-252АА 3-С-И
IRFF9130
р 1-2...-4
-100
6.50 0.300 ТО-205АF
И-3-С
RFP8P06E
р -2...-4
-60
8.00 0.300 1 ТО-220АВ 3-С-И
IRFF9131
р 1-2... -4
-60
6.50 0.300 ТО-205АF
И-3-С
RFD8P06LE
р -1...-2
-60
8.00 0.300 i ТО-251АА 3-С-И
IRFF9132
р :-2...-4
-100
5.50 0.400 ТО-205АF
И-3-С
RFD8P06LESM р -1 ... - 2
-60
8.00 0.300
, ТО- 252 АА 3-С-И
IRFF9133
р 1-2...-4
-60
5.50 0.400 ТО-205АF
И-3-С
RFP8P06LE
р -1...-2
-60
8.00 0.300
1
ТО-220АВ 3-С-И
IRFF9220
р 1 -2...-4
-200
2.50 1 .500 ТО-205АF
И-3-С
RFF60P06
р -2... -4.5
-60
25.00 0.030 : ТО-254АА С-И-3
IRFF9221
р 1-2...-4
-150
2.50 1 .500 ТО-205АF
И-3-С
RFG60P05E
р -2...-4
-50
30.00 0.030 1 ТО-247
3-С-И
IRFF9222
р 1-2...-4
-200
2.00 2.400 ТО-205АF
И-3-С
RFH25P08
р -2...-4
-80
25.00 0.150 i ТО-218АС 3-С-И
IRFF9223
р 1-2...-4
-150
2.00 2.400 ТО-205АF
И-3-С
RFH25P10
р -2...-4
-100
25.00 0.150 1 ТО-218АС 3-С-И
IRFF9230
р 1-2... -4
-200
4.00 0.800 ТО-205АF
И-3-С
RFK25P08
р -2...-4
-80
25.00 0.150 i ТО-204АЕ 3-И-С
IRFF9231
р :-2...-4
-150
4.00 0.800 ТО-205АF
И-3-С
IRFF9232-- р 1-2... -4
-200
- 3:50 1ТоО ТО-205АF И-3-С
RFK25P10
~JJ. -2 ... -4
-100
25.00 0.150
, ТО- 204 АЕ 3-И-С
RFLiPoВ- р -= -2... =4
- 8 0 1.00 -3.650
1
ТО-205АF И-3-С
IRFF9233
р 1-2... -4
-150
3.50 1 .200 ТО-205АF
И-3-С
RFL1P10
р -2...-4
-100
1.00 3.650
1 ТО-205АF
И-3-С
Силовая электроника фирмы HARRIS
13

МОЩНЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫ
п- и р- КАНАЛЬНЫЕ МОЩНЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫ (ПРОДОЛЖЕНИЕ)
ь
lcti ~m <С ~~~
о
""'
ФФm::ж::о
_§
"'
:s:с:~~-lgь~
"'"
-
~с;;-
С["'О~g_ж.Ф~ ~ ~:= ~
Прибор о ж
Корпус
"'.
"'"'
Bu::ol~~ _
о
i!: ~ 'iЛ
"'"'
о" a.a.~1Q)Q)~ t; g_:а~
е....:.
а. :s:
~~~~!~
о-
с:~
"
8g~
:::i-
с:
~
~
i:::: с:
g1ф~~m<С
~ ~~:1
_§
"'
""'1~ :s:m
gь~
"'"
-
~с;;-
~~ё~~
~с::оz
Прибор
З5 ~~
~::; ~' Корпус
"'.
"'"'
шctlоu::о
~~:.2'
о
е....:.
О:W:а,.а_Ш
t; g_Ji~
~~~~~ ct Э~Е ~
о-
"'"'"
"
8g~
:::i-
~
.§-g- :s:
~
RFM10P12
1р -2...-4
-120
10.00 0.500 ТО-204М 3-И-С
RFP6P08
р -2... -4
-80
6.00 0.600 ТО-220АВ 3-С-И
RFM10P15
р -2...-4
-150
10.00 0.500 ТО-204М 3-И-С
RFP6P10
р -2... -4
-100
6.00 0.600 ТО-220АВ 3-С-И
RFP10P12
1р -2...-4
-120
10.00 0.500 ТО-220АВ 3-С-И
RFM8P08
р -2... -4
-80
8.00 0.400 ТО-204М 3-И-С
RFP10P15
:р -2...-4
-150
10.00 0.500 ТО-220АВ 3-С-И
RFM8P10
р -2... -4
-100
8.00 0.400 ТО-204М 3-И-С
RFM12P08
1р -2...-4
-80
12.00 0.300 ТО-204М 3-И-С
RFP8P08
р -2... -4
-80
8.00 0.400 ТО-220АВ 3-С-И
~_ _l _JJ__ _
-2 ... -4
-100
12.00 0.300 ТО-204М 3-И-С
--
RFP8P10
р -2... -4
-100
8.00 0.400 ТО-220АВ 3-С-И
RFP12P08
1р -2...-4
-80
12.00 0.300 ТО-220АВ 3-С-И
RFP2N08
р -2... -4
-80
2.00 1 .050 ТО-220АВ 3-С-И
RFP12P10
1р -2...-4
-100
12.00 0.300 ТО-220АВ 3-С-И
RFM6P08
р -2...-4
-80
6.00 0.600 ТО-204М 3-И-С
RFP2N10
р -2... -4
-100
2.00 1 .050 ТО-220АВ 3-С-И
RFТ1Po6E -- --
-- 2 ... - 4 --:::бQ iAO - 0.285 SOT -223 3-С-И-С
р
МОЩНЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫ В КОРПУСАХ ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА
Пороговое
Предепьное
Сопротивпение
напряжение Ток стока,
Цокопевка
Прибор
Тип проводимости канала
напряжение
сток-исток,
10,А
открытого канала,
Корпус
(1-2 -3)
затвора, В
Voss, В
Ros(ONJ1 Ом
RF1 К49086 Сдвоенный: 2тр-ра с каналом n- типа
1...3
30
3.50
0.060
MS-012M И1 -31-И2-32-С2-С2-С1-С1
RF1 К49088 Сдвоенный: 2тр-ра с каналом n- типа
1... 2
30
3.50
0.060
MS-012M И1 -31-И2-32-С2-С2-С1-С1
RF1 К49090 Сдвоенный: 2тр-ра с каналом n- типа
1... 2
12
3.50
0.050
MS-012M И1 -31-И2-32-С2-С2-С1-С1
RF1 К49092 Комплементарный: 2тр-ра с каналамиn- и р- типа
1... 2
12
2.5/3.5
0.050/0.130
MS-012M И1 -31-И2-32-С2-С2-С1-С1
RF1 К49093 Сдвоенный: 2тр-ра с каналом р- типа
1... 2
12
3.50
0.130
MS-012M И1 -31-И2-32-С2-С2-С1-С1
RF1 К49154 сДвоенный: 2тр-ра с каналом n- типа
2.. .4
60
2.00
0.130
MS-012M И1 -31-И2-32-С2-С2-С1-С1
---
--
-
-
-
---- -
RF1 К49156 n
1... 2
30
6.30
0.030
MS-012M
НС-И-И-3-С-С-С-С
RF1 К49157 n
1...3
30
6.30
0.030
MS-012M
НС-И-И-3-С-С-С-С
RF1 К49211 n
1... 2
12
6.30
0.020
MS-012M
НС-И-И-3-С-С-С-С
-
~
RF1 К49221 Сдвоенный: 2тр-ра с каналом n- типа
1...3
60
2.50
0.130
MS-012M И1 -31-И2-32-С2-С2-С1-С1
RF1 К49223 Сдвоенный: 2тр-ра с каналом р- типа
1...3
30
2.50
0.150
MS-012M И1 -31-И2-32-С2-С2-С1-С1
RF1 К49224 Комплементарный: 2тр-ра с каналами n- и р- типа
1...3
30
2.5/3.5
0.060/0.150
MS-012M И1 -31-И2-32-С2-С2-С1-С1
РАДИАЦИОННО-СТОЙКИЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫ
ь
1'° ><m
<С
"'" "1
о
"
~~ш_g~т _§ ~~о
"'
:s:
"'"
-
~с;;-
С[
:=~g_ З!i~~ ~ с:: о z
"'.
Прибор :i:
~::; ~1 Корпус
"'"'
о
g_g_~ ~~~ !'!
о!:: Q
е...=.
а.
"
а. ..о а:
о-
с:
~~~~!~" 5е-~
:::i-
с:
~
:s:
i:::: с:
(.)::;с::
,_
ь
1
1.о ><m
<С
~~~
о
"
ФФm1ж0
-
_§
"'
:s:
~~-1gь~
"'"
-
~с;;-
С[
e~g_I~~~ ~ ~~~
"'.
Прибор :i:
оu::о с::::ж:: -
Корпус "'"'
о
g-~~ ~~~ !'! g_JiJ
е...=.
а.
"
о-
с:
"
5е-~
:::i-
с:
к:::жм.§-~~ ~
:s:
(.)::;с::
,_
FRX130D/R/H
n
2.. .4
100
6 0.180 CLCC-18
FSL430D/R
n 1 1.5...4.0 500
2
2.50 ТО-205АF И-3-С
FSF055D/R
n 1.5...4.0
60
25 0.020 ТО-254М С-И-3
FSL9110D/R
р l-2.0 ... -6.0
-100
2.5 1 .30 ТО-205АF И-3-С
FSF150D/R
n 1.5...4.0
100
25 0.070 ТО-254М С-И-3
FSL913AOD/R
р 1-2.0 ... -6.0
-100
7 0.300 ТО-205АF И-3-С
FSF250D/R
n 1.5...4.0 200
24 0.110 ТО-254М С-И-3
FSL9130D/R
р i-2.0 ... -6.0
-100
5 0.680 i ТО-205АF И-3-С
FSF254D/R
n 1.5...4.0 250
18 0.170 ТО-254М С-И-3
FSL923AOD/R
р 1-2.0... -6.0
-200
5 0.670 i ТО-205АF И-3-С
FSF450D/R
n 1.5...4.0 500
9 0.600 ТО-254М С-И-3
FSL9230D/R
р i-2.0 ... -6.0
-200
3
1.50 !ТО-205АF И-3-С
FSJ9055D/R
р -2.0 ... -6.0
-60
55 0.029 ТО-254М С-И-3
FSS13AOD/R
n i 1.5...4.0 100
12 0.170 i ТО-257М 3-С-И
FSF9150D/R
р -2.0 ... -6.0
-100
22 0.140 ТО-254М С-И-3
FSS130D/R
n 1 1.5...4.0 100
11 0.210 i ТО-257М 3-С-И
FSJ9160D/R
р -2.0 ... -6.0
-100
44 0.055 ТО-254М С-И-3
FSS23A4D/R
n
'
1.5...4.0 250
7 0.460 ТО-257М 3-С-И
FSF9250D/R
р -2.0 ... -6.0
-200
15 0.290 ТО-254М С-И-3
FSS23AOD/R
n 1 1.5...4.0 200
9 0.330
1 ТО-257М 3-С-И
FSJ9260D/R
р -2.0 ... -6.0
-200
27 0.130 ТО-254М С-И-3
FSS230D/R
n 1 1.5...4.0 200
8 0.440 1 ТО-257М 3-С-И
FSJ055D/R
n 1.5...4.0
60
70 0.014 ТО-254М С-И-3
FSS234D/R
n 11.5...4.0 250
6 0.600 i ТО-257М 3-С-И
FSL110D/R
n 1.5...4.0
100
3.5 0 .600 ТО-205АF И-3-С
FSS430D/R
n 1 1.5...4.0 500
3
2.70 ТО-257М 3-С-И
FSL13AOD/R
n 1.5...4.0
100
9 0.180 ТО-205АF И-3-С
FSS9130D/R
р 1-2.0 ... -6.0
-100
6 0.660 i ТО-257М 3-С-И
FSL130D/R
n 1.5...4.0
100
8 0.230 ТО-205АF И-3-С
FSS923AOD/R
р 1-2.0... -6.0
-200
7 0.650 ТО-257М 3-С-И
FSL23AOD/R
n 1.5...4.0 200
6 0.350 ТО-205АF И-3-С
FSS9230D/R
р 1-2.0 ... -6.0
-200
4
1.60 ТО-257М 3-С-И
FSL23A4D/R
n 1.5...4.0 250
5 0.480 ТО-205АF И-3-С
FSJ160D/R
n 1 1.5...4.О 100
70 0.022 1ТО-254М 3-С-И
FSL230D/R
n 1.5...4.0 200
5 0.460 ТО-205АF И-3-С
FSJ260D/R
n 1 1.5...4.0 200
44 0.050 i ТО-254М С-И-3
FSL234D/R
n 1.5...4.0 250
4 0.610 ТО-205АF И-3-С
FSJ264D/R
n 1 1.5...4.0 250
33 0.080 : ТО-254М С-И-3
14
Силовая электроника фирмы HARRIS

МОЩНЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫ
РАДИАЦИОННО-СТОЙКИЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫ (ПРОДОЛЖЕНИЕ)
ь1Ф
1~
~m<Сф~~1
о
~
1~sm1Ф~w .Ё ~~о
"'
s ш::ж:: cd' о() сп
ф"-
~с;;-
Прибор
С[
е~а.:5~~~~е~Корпус ф •
:i:
"'"'
g_g_~~~~~~оw
~....:.
о
о!::: Q
а.
"
а. ..о а:
о-
с:
.g~~ ~~~ " ве-сd'
:::i-
с:
~
s
i:::: с:
(.) ь с::
,_
ь
~~m<С ф«,::Е
о
Ф~Ш
~~о
"'
~"'
ф....iЛ .Ё
sс: ~~~
о"w
ф"-
~с;;-
С[ "'
~~~~
Прибор о ж
:5 ~~
Корпус
ф•
"'"'
5u::о
"'"'
о"
.g-~~
~~~ ~ g_~J
~....:.
а.s
ctЭ~Е~
"
о-
с:~
ф"'"
"
ве-сd'
:::i-
с:
ж"' а.а.s~
s
i:::: с:
(.) ь с::
,_
FSYA250D/R
n 1.5...4.0 200
27 0.100 SMD1
2N7290D/R/H
n 2.0...4.0 500
5 1.420 ТО-257М 3-С-И
JANSR2N7272
n 2.0...4.0 100
8 0.180 ТО-205АF И-3-С
2N7291 D/R/H
n 2.0...4.0 100
40 0.055 ТО-204АЕ 3-И-С
JANSR2N7275
n 2.0...4.0 200
5 0.500 ТО-205АF И-3-С
2N7292D/R/H
n 2.0...4.0 100
25 0.070 ТО-254М С-И-3
-
---
---
-
JANSR2N7278
n 2.0...4.0 250
4 0.700 ТО-205АF И-3-С
2N7293D/R/H
n 2.0...4.0 200
27 0.100 ТО-204АЕ 3-И-С
JANSR2N7292
n 2.0...4.0 100
25 0.070 ТО-254М С-И-3
2N7294D/R/H
n 2.0...4.0 200
23 0.115 ТО-254М С-И-3
JANSR2N7395
n 1.5...4.0 100
8 0.230 ТО-205АF И-3-С
2N7295D/R/H
n 2.0...4.0 250
20 0.170 ТО-204АЕ 3-И-С
JANSR2N7396
n 1.5...4.0 200
5 0.460 ТО-205АF И-3-С
2N7296D/R/H
n 2.0...4.0 250
17 0.185 ТО-254М С-И-3
---
---
--
-
-
-- --
JANSR2N7397 n 1.5 .. .4 .0 250
4 0.610 ТО-205АF И-3-С
2N7297D/R/H
n 2.0...4.0 500
10 0.600 ТО-204М 3-И-С
JANSR2N7398
n 1.5...4.0 500
2
2.50 ТО-205АF И-3-С
2N7298D/R/H
n 2.0...4.0 500
9 0.615 ТО-254М С-И-3
JANSR2N7400
n 1.5...4.0 200
8 0.440 ТО-257М 3-С-И
2N7299D/R/H
n 2.0...4.0 100
50 0.040 ТО-204АЕ 3-И-С
JANSR2N7402
n 1.5...4.0 500
3
2.70 ТО-257М 3-С-И
2N7300D/R/H
n 2.0...4.0 100
41 0.050 ТО-258 С-И-3
JANSR2N7403
р -2.0 ... -6.0
- 100
22 0.140 ТО-254М С-И-3
2N7301 D/R/H
n 2.0...4.0 200
46 0.070 ТО-204АЕ 3-И-С
JANSR2N7405
n 1.5...4.0 100
25 0.070 ТО-254М С-И-3
2N7302D/R/H
n 2.0...4.0 200
31 0.080 ТО-258 С-И-3
JANSR2N7406
n 1.5...4.0 200
24 0.110 ТО-254М С-И-3
2N7303D/R/H
n 2.0...4.0 250
34 0.120 ТО-204АЕ 3-И-С
JANSR2N7410
n 1.5...4.0 100
3.5 0.600 ТО-205АF И-3-С
2N7304D/R/H
n 2.0...4.0 250
23 0.130 ТО-258 С-И-3
2N7271D/R/H
n 2.0...4.0 100
14 0.180 ТО-204М 3-И-С
--
-
---
2N7272D/R/H
n 2.0...4.0 100
8 0.180 ТО-205АF И-3-С
2N7273D/R/H
n 2.0...4.0 100
12 0.195 ТО-257М 3-С-И
2N7274D/R/H
n 2.0...4.0 200
8 0.500 ТО-204М 3-И-С
2N7275D/R/H
n 2.0...4.0 200
5 0.500 ТО-205АF И-3-С
2N7276D/R/H
n 2.0...4.0 200
7 0.515 ТО-257М 3-С-И
2N7305D/R/H
n 2.0...4.0 500
17 0.400 ТО-204АЕ 3-И-С
2N7306D/R/H
n 2.0...4.0 500
12 0.410 ТО-258 С-И-3
2N7307D/R/H
р -2.0 ... -4.0
- 100
6 0.550 ТО-204М 3-И-С
2N7308D/R/H
р -2.0 ... -4.0
- 100
5 0.550 T0 -205AF И-3-С
2N7309D/R/H
р -2.0 ... -4.0
- 100
6 0.565 ТО-257М 3-С-И
2N7310D/R/H
р -2.0 ... -4.0
- 200
4
1.300 ТО-204М 3-И-С
2N7311 D/R/H
р -2.0 ... -4.0
- 200
3 1.300 T0 -205AF И-3-С
2N7277D/R/H
n 2.0...4.0 250
7 0.700 ТО-204М 3-И-С
2N7312D/R/H
р -2.0 ... -4.0
- 200
4
1.320 ТО-257М 3-С-И
2N7278D/R/H
n 2.0...4.0 250
4 0.700 ТО-205АF И-3-С
2N7316D/R/H
р -2.0 ... -4.0
- 100
11 0.300 ТО-204М 3-И-С
2N7279D/R/H
n 2.0...4.0 250
5 0.715 ТО-257М 3-С-И
2N7317D/R/H
р -2.0 ... -4.0
- 100
11 0.315 ТО-257М 3-С-И
2N7280D/R/H
n 2.0...4.0 500
3
2.50 ТО-204М
--
-
--
-
---
3-И-С
2N7318D/R/H
р -2.0 ... -4.0
- 200
7 0.720 ТО-204М 3-И-С
2N7281D/R/H
n 2.0...4.0 500
2
2.50 ТО-205АF И-3-С
2N7319D/R/H
р -2.0 ... -4.0
- 200
7 0.735 ТО-257М 3-С-И
2N7282D/R/H
n 2.0...4.0 500
3
2.52 ТО-257М 3-С-И
2N7322D/R/H
р -2.0 ... -4.0
- 100
26 0.125 ТО-204АЕ 3-И-С
2N7283D/R/H
n 2.0...4.0 100
23 0.130 ТО-204М 3-И-С
2N7323D/R/H
р -2.0 ... -4.0
- 100
23 0.140 ТО-254М С-И-3
2N7284D/R/H
n 2.0...4.0 100
17 0.145 ТО-257М 3-С-И
2N7324D/R/H
р -2.0 ... -4.0
- 200
16 0.300 ТО-204М 3-И-С
2N7285D/R/H
n 2.0...4.0 200
16 0.240 ТО-204М 3-И-С
2N7325D/R/H
р -2.0 ... -4.0
- 200
14 0.315 ТО-254М С-И-3
2N7286D/R/H
n 2.0...4.0 200
12 0.255 ТО-257М 3-С-И
2N7328D/R/H
р -2.0 ... -4.0
- 100
40 0.085 ТО-204АЕ 3-И-С
2N7287D/R/H
n 2.0...4.0 250
12 0.400 ТО-204М 3-И-С
2N7329D/R/H
р -2.0 ... -4.0
- 100
30 0.095 ТО-258 С-И-3
2N7288D/R/H
n 2.0...4.0 250
9 0.415 ТО-257М 3-С-И
r--- --
-
- 25-
---
-
2N7330D/R/H
р -2.0 ... -4.0
- 200
0.200 ТО-204АЕ 3-И-С
2N7289D/R/H
n 2.0...4.0 500
6
1.40 ТО-204М 3-И-С
2N7331 D/R/H
р -2.0 ... -4.0
- 200
19 0.210 ТО-258 С-И-3
Силовая электроника фирмы HARRIS
15

БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ-------------------
СТАНДАРТНЫЕ
Прибор
2N6975
Функциональное назначение
п-канальный IG8T транзистор с постоянным током коллектора
400
до 5А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 400 8
2N6976
п-канальный IG8T транзистор с постоянным током коллектора
500
до 5А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 500 8
о------+--- -
-
2N6977
2N6978
HGТD6N40E1
п-канальный IG8T транзистор с постоянным током коллектора
400
до 5А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 400 8
п-канальный IG8T транзистор с постоянным током коллектора
500
до 5А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 500 8
п-канальный IG8T транзистор с постоянным током коллектора
400
до 6А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 400 8
HGТD6N40E1S п-канальный IG8T транзистор с постоянным током коллектора 400
до 6А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 400 8
t-H_G _T _D_
6
-N
5
_
0
_E_
1
-г-п---ка-н-ал_ь._нь--1й~IG8Ттранзистор с постоянным током коллектора
500
до 6А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 500 8
HGТD6N50E1S п-канальный IG8T транзистор с постоянным током коллектора 500
до 6А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 500 8
п-канальный IG8T транзистор с антипараллельным улыра-
НGТР6N40Е1D быстрым диодом. постоянным током коллектора до 6А и на- 400
пряжением пробоя коллектор-эмиттер до 400 8
2.. .4.5
2.. .4.5
2.. .4.5
2.. .4.5
2.. .4.5
2.. .4.5
2.. .4.5
2.. .4.5
2.. .4.5
".;;
ош
"'.2
"'-
с:"'
>а.
жо
:s:"'
g- ~ c:i:
"'"'"
а. ж"
!'! :s:
": s:
"'ж
с:"'
с: ЭЕ
о"'
"
а.
"с:
{:!. ~
1000(при
Vc,=4 008) 1ОО
1000(при
VcE =500 8) 1ОО
1000(при
Vc,=4 008) 1ОО
1000(при
VcE =500 8) 1ОО
250
100
250
100
250
100
250
100
1250
100
~m_
"' а.
~"'
2::
с: :s:
""
"'"'
"'.
:s: а.
жо
~~
"'"'
а. с:
с: с:
"'о
::i:"
2... 2 .5
2... 2 .5
2... 2 .5
2... 2 .5
1000 5 10 100 ТО-204М 3-Э-К
1000 5 10 100 ТО-204М 3-Э-К
500 5 10 100 ТО-204М 3-Э-К
500 5 10 100 ТО-204М 3-Э-К
2.4 ... 2.9 1100 (typ) 6 - 60 ТО-251М 3-К-Э
2.4 ... 2.9 1100 (typ) 6 - 60 ТО-252М 3-К-Э
2.4 ... 2.9 1100 (typ) 6 - 60 ТО-251М 3-К-Э
2.4 ... 2.9 1100 (typ) 6 - 60 ТО-252М 3-К-Э
2.4 ... 2.9 1000 6 7.5 75 ТО-220А8 3-К-Э
0------+ -- -
------+---+----+------+----+----+----+----+--+---+--+-----+---<
п-канальный IG8T транзистор с антипараллельным улыра-
НGТР6N50Е1D быстрым диодом, постоянным током коллектора до 6А и на- 500 2.. .4.5
1250
100
2.4 ... 2.9 1000 6 7.5 75 ТО-220А8 3-К-Э
пряжением пробоя коллектор-эмиттер до 500 8
HGТD8P50G 1 р-канальный IG8T транзистор с постоянным током коллектора _
500
до 8А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 500 8
-4.5
... -
7.5
0------+- - -
-250
±100 - -2.8... -4.0 4000
-8
-18
66 ТО-251М 3-К-Э
HGТD8P50G 1S р-канальный IG8T транзистор с постоянным током коллектора _500
до 8А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 500 8
-4.5
... -
7.5
-250
±100 - -2.8... -4.0 4000
-8
-18
66 ТО-252М 3-К-Э
HGТP10N40C1
п-канальный IG8T транзистор с постоянным током коллектора
400
до 10 А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 400 8
2·0
·..4 .5
250
100
2.5 ... 3.2
500 10 17.5 60 ТО-220А8 3-К-Э
HGТP10N40E1
п-канальный IG8T транзистор с постоянным током коллектора
400
до 10 А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 400 8
2·0
·..4 .5
250
100
2.5 ... 3.2 1000 10 17 .5 60 ТО-220А8 3-К-Э
НGТН12N40C1
о------+---- --~-
-
---+--t-----+------+---r--r---+-----t-t----+--+----+---t
п-канальный IG8Ттранзистор с постоянным током коллектора 400 2 0 4 5
250
100 _ 2532 500 1217
_
5 75 то- 2 18АС 3-К-Э
до12Аинапряжениемпробояколлектор-эмиттердо4008
_
·_
··_
·_
· _______ _
_
·_··_
·_
·
___ ____ __
_
НGТН12N40E1
п-канальный IG8T транзистор с постоянным током коллектора
400
до 12 А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 400 8
2·0
·..4 .5
250
100
2.5 ... 3.2 1000 12 17 .5 75 ТО-218АС 3-К-Э
HGТP10N50C1 п-канальный IG8T транзистор с постоянным током коллектора 500
до 10 А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 500 8
2·0
·..4 .5
0------+----
250
100
2.5 ... 3.2
500 10 17.5 60 ТО-220А8 3-К-Э
HGТP10N50E1
п-канальный IG8T транзистор с постоянным током коллектора
500
до 10 А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 500 8
2·0
·..4 .5
250
100
2.5 ... 3.2 1000 10 17 .5 60 ТО-220А8 3-К-Э
НGТН12N50C1
п-канальный IG8T транзистор с постоянным током коллектора
500
до 12 А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 500 8
2·0
·..4 .5
0------+-- --
250
100
2.5 ... 3.2
500 12 17.5 75 ТО-218АС 3-К-Э
НGТН12N50E1
п-канальный IG8T транзистор с постоянным током коллектора
500
до 12 А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 500 8
2·0
·..4 .5
250
100
2.5 ... 3.2 1000 12 17 .5 75 ТО-218АС 3-К-Э
п-канальный IG8T транзистор с антипараллельным улыра-
НGТР10N40С1D быстрым диодом, постоянным током коллектора до 10 А и на- 400 2.0 .. .4.5
250
100
2.5 ... 3.2
500 10 - 75 ТО-220А8 3-К-Э
пряжением пробоя коллектор-эмиттер до 400 8
п-канальный IG8T транзистор с антипараллельным улыра-
НGТР10N40Е1D быстрым диодом, постоянным током коллектора до 10 А и на- 400 2.0 .. .4.5
250
100
2.5 ... 3.2 1000 10
-
75 ТО-220А8 3-К-Э
пряжением пробоя коллектор-эмиттер до 400 8
>------+----
- -- ---- +-- -+- ----+-- --t -- -t- --+ --- --+ ----+--+--+---+-- ---+-- -1
п-канальный IG8T транзистор с антипараллельным улыра-
НGТР10N50С1D быстрым диодом, постоянным током коллектора до 10 А и на- 500 2.0 .. .4.5
250
100
2.5 ... 3.2
500 10 - 75 ТО-220А8 3-К-Э
пряжением пробоя коллектор-эмиттер до 500 8
16
Силовая электроника фирмы НARRIS

БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ
СТАНДАРТНЫЕ (ПРОДОЛЖЕНИЕ)
Прибор
Функциональное назначение
n-канальный IGBT транзистор с антипараллельным улыра-
НGТР10N50Е1D быстрым диодом, постоянным током коллектора до 10 А и на- 500 2.0 .. .4 .5
";;,
ош
"'-2
"'-
с:"'
>а.
жо
:s:"'
g- ~ c:i:
"'"'"
а.ж"
~ :s:
": s:
"'ж
с:"'
с: ЭЕ
о"'
"
а.
"с:
{:!. ~
250
100
2.5".3.2 1000 10
-
75 ТО-220АВ 3-К-Э
>------+-п~ряжением пробоя коллектор-эмиттер_д_о_5_ОО_В____- + -- - -+ -- - -+ -- - - -+ --+ - - -+ - - - -+ - -+- -+ - -+ - -+- - - -+- - - - - '
n-канальный IGBT транзистор с антипараллельным yлыpa-
HGТP10N40F1D быстрым диодом, постоянным током коллектора до 10 А и на- 400 2.0".4 .5
пряжением пробоя коллектор-эмиттер до 400 В
n-канальный IGBT транзистор с антипараллельным yлыpa-
HGТP10N50F1D быстрым диодом, постоянным током коллектора до 10 А и на- 500 2.0".4 .5
HGТD10N40F1
пряжением пробоя коллектор-эмиттер до 500 В
n-канальный IGBT транзистор с постоянным током коллектора
до 1О А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 400 В 400
HGТDl ON40Fl S n-канальный IGBT транзистор с постоянным током коллектора 400
до 1О А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 400 В
HGТD10N50F1 n-канальный IGBT транзистор с постоянным током коллектора
до 1О А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 500 В
500
HGТDl ON50Fl S n-канальный IGBT транзистор с постоянным током коллектора 500
до 1О А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 500 В
2.0".4 .5
2.0".4 .5
2.0".4 .5
2.0".4 .5
1250
100
1250
100
250
100
250
100
250
100
250
100
2.2".2.5 1200 10 12 75 ТО-220АВ
2.2".2.5 1200 10 12 75 ТО-220АВ
2.2".2.5
2.2".2.5
2.2".2.5
2.2".2.5
1400 10 -
(typ)
75 ТО-251М
l 400 10 - 75 ТО-252М
(typ)
1400 10 -
(typ)
75 ТО-251М
l 400 10 - 75 ТО-252М
(typ)
3-К-Э
3-К-Э
3-К-Э
3-К-Э
3-К-Э
3-К-Э
>-------+----
--
-----+----+----+-----+--+---+----+--+--+--+--+----+-----
n-канальный IGBT транзистор с антипараллельным улыра-
НGТН12N40С1D быстрым диодом, постоянным током коллектора до 12Аи на- 400 2.0".4 .5
250
100
2.5".3.2 500 12 17 .5 75 ТО-218АС 3-К-Э
пряжением пробоя коллектор-эмиттер до 400 В
n-канальный IGBT транзистор с антипараллельным улыра-
НGТН12N40Е1D быстрым диодом, постоянным током коллектора до 12Аи на- 400 2.0".4 .5
250
100
2.5".3.2 1000 12 17 .5 75 ТО-218АС 3-К-Э
пряжением пробоя коллектор-эмиттер до 400 В
.------+-n--канальный IGBT транзистор с антип_а_р-ал_л_е-ль_н_ь-1м_у_л_ы_р_а_-+----t-- --+-- -- --r-- -- -r -- --i - --- -r -- -- -r- --i- -- -r -+- -- -+- -- -- .
HGТH12N50C1D быстрым диодом, постоянным током коллектора до 12Аи на- 500 2.0".4 .5
250
100
2.5".3.2 500 12 17 .5 75 ТО-218АС 3-К-Э
пряжением пробоя коллектор-эмит:е_р_д_о_5_ОО_В____-+----+--- -+-----+--+---+----+- -+--+--+--+----+---- ---<
n-канальный IGBT транзистор с антипараллельным улыра-
НGТН12N50Е1D быстрым диодом, постоянным током коллектора до 12Аи на- 500 2.0".4 .5
250
100
2.5".3.2 1000 12 17 .5 75 ТО-218АС 3-К-Э
пряжением пробоя коллектор-эмиттер до 500 В
HGТPl 2N6001 n-канальный IGВТтранзисторспостояннымтоком коллектора 600 3_0
"_
6_0
4000
±5ОО _
2_7 600 12 48 75 то_22одв 3-К-Э
.------+_д_о_12_А_инапряжением пробоя коллектор-эмиттер_д_о_6_ОО_В_+----t----+------r-----r-__,-----r---+---i--+-+----+~~---.
n-канальный IGBT транзистор с токовым управлением, поста-
3- токо-
НGТВ12N6ОD1 С янным током коллектора до 12 Аи напряжением пробоя кол- 600 2". 5
4000 ±500 -
2.7 1000 12 40 75 TS -001M чувст.-К-Э
лектор-эмиттер до 600 В
(Кельвин)-Э
n-канальный IGВТтр8-н-зи_с_т_ор-с-ан_т_и_па_р_а_лл_е_л_ьн_ь_1м_у_л_ь-тр_а__+- --+- - --+- - -- -+- -+- -+- -- -+- --+-+- -+- -+- - - -- -i- -- - --1
HGТG12N60D1D быстрым диодом, постоянным током коллектора до 12 А и на- 600
пряжением пробоя коллектор-эмиттер до 600 В
HGТP15N40C1
HGТP15N40E1
HGТP15N50C1
HGТP15N50E1
n-канальный IGBT транзистор с постоянным током коллектора
до 15 А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 400 В
n-канальный IGBT транзистор с постоянным током коллектора
до 15 А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 400 В
n-канальный IGBT транзистор с постоянным током коллектора
до 15 А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 500 В
n-канальный IGBT транзистор с постоянным током коллектора
до 15 А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 500 В
n-канальный IGBT транзистор с постоянным током коллектора
до 20 А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 400 В
,_Н_G_Т_Н_2_ОN_4_О_Е_l-+-n--к-а-н-ал-ьный IGBT транзистор с постоянным током коллектора
до 20 А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 400 В
HGТH20N40C1
HGТH20N50C1
HGТH20N50E1
n-канальный IGBT транзистор с постоянным током коллектора
до 20 А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 500 В
n-канальный IGBT транзистор с постоянным током коллектора
до 20 А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 500 В
400
400
500
500
400
400
500
500
3.0".6 .0
2.0"4 .5
2.0"4 .5
2.0"4 .5
2.0"4 .5
2.0"4 .5
2.0"4 .5
2.0"4 .5
2.0"4 .5
5000 ±500
2.7
600 12 48 75 ТО-220АВ 3-К-Э
---
-
г~
--
---
1000
100 -5 2.5".3.2 500 15 35 75 ТО-220АВ 3-К-Э
1000
100 -5 2.5".3.2 1000 15 35 75 ТО-220АВ 3-К-Э
1000
100 -5 2.5".3.2 500 15 35 75 ТО-220АВ 3-К-Э
1000
100 -5 2.5".3.2 1000 15 35 75 ТО-220АВ 3-К-Э
1000
100 -5 2.5".3.2 500 20 35 100 ТО-218АС 3-К-Э
1000
100 -5 2.5".3.2 1000 20 35 100 ТО-218АС 3-К-Э
1000
100 -5 2.5".3.2 500 20 35 100 ТО-218АС 3-К-Э
1000
100 -5 2.5".3.2 1000 20 35 100 ТО-218АС 3-К-Э
Сверхбыстрый импульсный n-кан_а_л-ьн-ь~1й~1=G=вт~тр_а_н-зи-с-то_р_с---r-__,-----r-----г--+----t----+--+---t--+--+---+------1
HGТG15N 120С3 постоянным током коллектора до 35 А и напряжением пробоя 1200 4.0" . 7.5
3000 ±100
3.2". 3.5 400 15 120 164 ТО-247 3-К-Э
коллектор-эмиттер до 1200 В
Силовая электроника фирмы HARRIS
17

БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ
СТАНДАРТНЫЕ (ПРОДОЛЖЕНИЕ)
Прибор
НGТР15N 120С3
HGТ1S15N120C3
HGТ1S15N120C3S
HGТG15N120C30
HGТG20N50C1D
Функциональное назначение
Сверхбыстрый импульсный п-канальный IGBT транзистор с
постоянным током коллектора до 35 А и напряжением пробоя 1200 4.0 .. . 7 .5
коллектор-эмиттер до 1200 В
1
Сверхбыстрый импульсный п-канальный IGBT транзистор с !
постоянным током коллектора до 35 А и напряжением пробоя 1 1200 4.0 .. . 7 .5
коллектор-эмиттер до 1200 В
!
Сверхбыстрый импульсный п-канальный IGBT транзистор с 1
постоянным током коллектора до 35 А и напряжением пробоя 1200 4.0 .. . 7 .5
коллектор-эмиттер до 1200 В
1
Сверхбыстрый импульсный п-канальный IGBT транзистор с 1
антипараллельным сверхбыстрым диодом, постоянным током 1200 4 0 7 5
коллектора до 35 А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер
· ···
·
до1200В
!
п-канальный IGBT транзистор с антипараллельным ультра- 1
быстрым диодом, постоянным током коллектора до 20 А и на- 1 500 2...4 .5
пряжением пробоя коллектор-эмиттер до 500 В
1
0--------f- -
-
·
п-канальный IGBT транзистор с постоянным током коллектора 1
1000
HGТG20N10002
HGТH20N40C1D
до 20 А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 1ООО В ,
п-канальный IGBT транзистор с антипараллельным ультра- 1
быстрым диодом, постоянным током коллектора до 20 А и на- 1 400
пряжением пробоя коллектор-эмиттер до 400 В
1
3.0...6.0
2...4 .5
,____ __ _,__п
__
-к-анальный IGBT транзистор с антипараллельным ультра- 1
HGТH20N40E1D
HGТH20N50C1D
HGТH20N50E1D
HGТG12N60C30R
НGТР12N60C30R
HGТ1S12N60C30R
HGT1S12N60C30RS
HGТG24N6001
HGТG24N6001D
быстрым диодом, постоянным током коллектора до 20 А и на- 1 400
пряжением пробоя коллектор-эмиттер до 400 В
1
п-канальный IGBT транзистор с антипараллельным ультра- 1
быстрым диодом, постоянным током коллектора до 20 А и на- 1 500
пряжением пробоя коллектор-эмиттер до 500 В
1
п-канальный IGBT транзистор с антипараллельным ультра- 1
быстрым диодом, постоянным током коллектора до 20 А и на- ll 500
пряжением пробоя коллектор-эмиттер до 500 В
Сверхбыстрый импульсный п-канальный IGBT транзистор по- 1
вышенной надежности с антипараллельным сверхбыстрым 1 600
диодом, постоянным током коллектора до 24 А и напряжени- 1
ем пробоя коллектор-эмиттер до 600 В
1
Сверхбыстрый импульсный п-канальный IGBT транзистор по- 1
вышенной надежности с антипараллельным сверхбыстрым 1 600
диодом, постояжым током коллектора до 24 А и напряжением
пробоя коллектор-эмиттер до 600 В
1
Сверхбыстрый импульсный п-канальный IGBT транзистор по- 1
вышенной надежности с антипараллельным сверхбыстрым 1
600
диодом, постоянным током коллектора до 24 А и напряжени- 1
ем пробоя коллектор-эмиттер до 600 В
1
2...4 .5
2...4 .5
2...4 .5
4.5...7.5
4.5...7.5
4.5...7.5
Сверхбыстрый импульсный п-канальный IGBT транзистор по- I
вышенной надежности с антипараллельным сверхбыстрым 600 4_
5
___
7_
5
диодом, постоянным током коллектора до 24 А и напряжени- 1
ем пробоя коллектор-эмиттер до 600 В
п-канальный IGBT транзистор с постоянным током коллектора 1
600 30 60
до 24 А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 600 В 1
·
···
·
п-канальный IGBT транзистор с антипараллельным ультра- 1
быстрым диодом, постоянным током коллектора до 24 А и на- 1 600 3.0 .. . 6.О
пряжением пробоя коллектор-эмиттер до 600 В
1
0--------f-- -
п- канальный IGBT транзистор с постоянным током коллектора 1
1200
HGТG30N12002
до 30 А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 1200 В :
3.0...6.0
HGТA32N60E2
п-канальный IGBT транзистор с постоянным током коллектора 1
600
до 32 А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 600 В 1
3.0...6.0
18
";;,
ош
"'-2
"'-
с:"'
>а.
жо
:s:"'
g- ~ c:i:
"'"'"
а.ж"
~ :s:
": s:
"'ж
с:"'
с: ЭЕ
о"'
"
а.
"с:
{:!. ~
3000
3000
3000
3000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
5000
4000
4000
±100
±100
±100
±100
100
±250
100
100
100
100
±100
±100
±100
±100
±500
±500
±500
±500
3.2 ...3.5
3.2 ...3.5
3.2 ...3.5
3.2 ...3.5
2.5 ...3.2
3.8 ...3.6
2.5 ...3.2
2.5 ...3.2
2.5 ...3.2
2.5 ...3.2
2.2 ...2.5
2.2 ...2.5
2.2 ...2.5
2.2 ...2.5
2.3 ...2.5
2.3 ...2.5
3.5 ...3.8
2.9 ...3.0
Корлус
1
400 15 l 120 164 ТО-220АВ
1
400 15 i120 164 ТО-262АА
1
1
400 15 l 120 164 ТО-263АВ
!
1
400 151120 164 ТО-247
'
1
500 201 35 75 ТО-247
!
680 201100 150 ТО-247
500 20 i 35 100 ТО-218АС
1
1
1000 201 35 100 ТО-218АС
1
500 201 35 100 ТО-218АС
1
1
1000 201 35 100 ТО-218АС
1
1
400 12 I 48 104 ТО-247
1
1
400 12 I 48 104 ТО-220АВ
400
400
600
600
750
800
1
1
121 48
1
1
1
121 48
1
241 96
1
1
241 96
1
104 ТО-262АА
104 ТО-263АВ
125 ТО-247
125 ТО-247
30 1200 208 ТО-247
32 ( 200 208 ТО-218-5
3-К-Э
3-К-Э
3-К-Э
3-К-Э
3-К-Э
3-К-Э
3-К-Э
3-К-Э
3-К-Э
3-К-Э
3-К-Э
3-К-Э
3-К-Э
3-К-Э
3-К-Э
3-К-Э
3-К-Э
3-н.с.-К-Э
(Кельвин)-Э
Силовая электроника фирмы НARRIS

БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ
СТАНДАРТНЫЕ (ПРОДОЛЖЕНИЕ)
Прибор
HGТG32N60E2
HGТG34N 100Е2
Функциональное назначение
n-канальный IGBT транзистор с постоянным током коллектсра
до 32 А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 600 В
600 3.0 .. .6.0
n-канальный IGBT транзистор с постоянным током коллектсра
1000
до 34 А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 1000 В
3.о..·6
·
0
, _H_G _i;_G_2 -0N_1 _2_0_E2
_
___,_~-~-;a_:_:_л~-~-~-~~~:~н::~:~~я~~~~~~~~~:м:~~~~~л1л;;;~а 1200 3.0 .. . 6.О
Сверхбыстрый импульсный n-канальный IGBT транзистор с
HGТG20N 120C3D постоянным током коллектора до 45 А и напряжением пробоя 1200 4...7
коллектор-эмиттер до 1200 В
1---------j-
HGТG30N60B3
Сверхбыстрый импульсный n-канальный IGBT транзистор с
постоянным током коллектора до 60 А и напряжением пробоя 600 4.5 .. .6.0
коллектор-эмиттер до 600 В
СВЕРХБЫСТРЫЕ ИМПУЛЬСНЫЕ IGВТТРАНЗИСТОРЫ СЕРИИ C-SPEED
;,_
~"'
"'
"'"'
~~ ~ ;:..
~Е
"
ш
"'
u
~J
о>
'°"'
Прибор
Функциональное назначение
о
ж"'
а.,;:
"' а.
i:::"'
оо
"'~ "'"'
:s: ~
о~
ж :s: ~"'
"'"
о"'
1:1"' а."'
ож
а.
i::::
i:::
"'
::i:
Сверхбыстрый импульсный n-канальный IGBT транзистор с
1
1
HGТD3N60C3
постоянным током коллектора до 6 А и напряжением пробоя 600 3.0 .. .6 .01
коллектор-эмиттер до 600 В
1
Сверхбыстрый импульсный n-канальный IGBT транзистор с
1
HGТD3N60C3S
постоянным током коллектора до 6 А и напряжением пробоя 600 3.0 .. .6 .01
коллектор-эмиттер до 600 В
1
Сверхбыстрый импульсный n-канальный IGBT транзистор с ан-
1
типараллельным сверхбыстрым диодом, постоянным током
HGТP3N60C3D
коллектора до 6 А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер
600 3.0 .. .6 .01
1
".;;
ош
"'-2
"'-
с:"'
>а.
жо
:s:"'
g- i c:i:
"'"'"
а. ж"
~ :s:
": s:
"'ж
с:"'
с: ЭЕ
о"'
"
а.
"i:::
{:!. ~
4000
4000
1000
7000
3000
".;;
ош
"'-2
"'
с:"'
>а.
жо
:s:"'
g-i ~
"'"'
а. ж"
~ :s:
": s:
"'ж
с:"'
с: ЭЕ
о"'
"
а.
"i:::
{:!. ~
2000
2000
2000
до600 В
-
___l___
Сверхбыстрый импульсный n-канальный IGBT транзистор с ан-
1
HGТ1S3N60C3D
типараллельным сверхбыстрым диодом, постоянным током 600 3.0 .. .6.0 2000
коллектора до 6 А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер
до600 В
Сверхбыстрый импульсный n-канальный IGBT транзистор с ан-
HGТ1S3N60C3DS типараллельным сверхбыстрым диодом, постоянным током 600 3.0 .. .6.0 2000
коллектора до 6 А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер
до600 В
i
Сверхбыстрый импульсный n-канальный IGBT транзистор с
HGТD7N60C3
постоянным током коллектора до 14 А и напряжением пробоя 600 3.0 .. .6.0 2000
коллектор-эмиттер до 600 В
Сверхбыстрый импульсный n-канальный IGBT транзистор с
HGТD7N60C3S
постоянным током коллектора до 14 А и напряжением пробоя 600 3.0 .. .6.0 2000
коллектор-эмиттер до 600 В
i
Сверхбыстрый импульсный n-канальный IGBT транзистор с
HGТP7N60C3
постоянным током коллектора до 14 А и напряжением пробоя 600 3.0 .. .6.0 2000
коллектор-эмиттер до 600 В
Сверхбыстрый импульсный n-канальный IGBT транзистор с ан-
HGТP7N60C3D
типараллельным сверхбыстрым диодом. постоянным током
600 3.0 .. .6.0 2000
коллектора до 14 А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер
до600 В
Силовая электроника фирмы HARRIS
±500
±500
±250
100
±250
<С
,;:
"
~~~
:s:
"
"-
"'
>.,;:
6-сс~~
ож
~w~:s:
"'
ш >:S:"
"'"
~с:'
~-~а.
"'о
а.~
~'°"
о~
"
с:
~
~
±250 -
±250 -
±250 -
-
--
±250 -
±250 -
±250 -
±250 -
±250 -
±250 -
2.9 ...3.0
д:
~i:::
"
"'
"
"'
а.
"'
~
"'
~
"о
~о
"
"'1
"'
"
"'
::::s:
§
"'
.,_
Корлус
800 32 200 208 ТО-247
3.1 ... 3 .4 870 34 200 208 ТО-247
3.5 ... 4.0 1000 20 100 150 ТО-247
2.9 ... 3 .0 400 20 160 208 ТО-247
1.9 ... 2 .1 150 30 220 208 ТО-247
<С
~
"'
<С
"'
~"'
а.
"'"
ж-
~~а.t;
"' а.
о
~"'
"'
:;;; о
21= д:
с:
"'
~
с: :s:
"'
с:
с:
о
""
~с:
"'"'
С[
~"
"'.
"'
"
"''
Корпус
:s: а.
i:::
~"
"'
Жо
"
> :S:
~"
~~ "'
"'
"
i >:S:
"'"'
"'
ijj :::
а. с:
а.
:s:
i::: с:
"'
~"'
"'о
о
"
::i:"
t; :s:
"
о i::::
"'
i::::
.,_
2.0 ... 2.2 275 3 24 33 ТО-251М
2.0 ... 2.2 275 3 24 33 ТО-252М
2.0 ... 2.2 275 3 24 33 ТО-220АВ
--
-
--
-
2.0 ... 2.2 275 3 24 33 ТО-262М
2.0 ... 2.2 275 3 24 33 ТО-263АВ
2.0 ... 2.4 275 7 56 60 IТО-251М
2.0 ... 2.4 275 7 56 60 ТО-252М
2.0 ... 2.4 275 7 56 60 ТО-220АВ
2.0 ... 2.4 275 7 56 60 ТО-220АВ
3-К-Э
3-К-Э
3-К-Э
3-К-Э
3-К-Э
м
с:.~
о
"'
с:
~о
"'"
3-К-Э
3-К-Э
3-К-Э
3-К-Э
3-К-Э
3-К-Э
3-К-Э
3-К-Э
3-К-Э
19

БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ
СВЕРХБЫСТРЫЕ ИМПУЛЬСНЫЕ IGBT ТРАНЗИСТОРЫ СЕРИИ C-SPEED (ПРОДОЛЖЕНИЕ)
Прибор
HGТ1S7N60C3D
HGТ1S7N60C3DS
НGТР12N60C3
HGТ1S12N60C3
Функциональное назначение
Сверхбыстрый импульсный п-канальный IGBT транзистор с
антипараллельным сверхбыстрым диодом, постоянным током
коллектора до 14 А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер
до600 В
Сверхбыстрый импульсный n-канальный IGBT транзистор с
антипараллельным сверхбыстрым диодом, постоянным током
коллектора до 14 А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер
до600 В
Сверхбыстрый импульсный n-канальный IGBT транзистор с
постоянным током коллектора до 24 А и напряжением пробоя
коллектор-эмиттер до 600 В
Сверхбыстрый импульсный n-канальный IGBT транзистор с
постоянным током коллектора до 24 А и напряжением пробоя
коллектор-эмиттер до 600 В
600 3.0 ...6.0
600 3.0 ".6.0
600 3.0 ".6.0
600 3.0 ".6.0
".;;
ош
"'.2
"'-
с:"'
>а.
жо
:s:"'
g- ~ c:i:
"'"'"
а.ж"
~ :s:
": s:
"'ж
с:"'
с: ЭЕ
о"'
"
а.
"с:
.о~
2000
2000
1000
1000
Корлус
±250
2.0".2.4 275 7 56 60 ТО-262АА 3-К-Э
±250
2.0".2.4 275 7 56 60 ТО-263АВ 3-К-Э
±100
2.0".2.2 275 12 96 104 ТО-220АВ 3-К-Э
±100
2.0".2.2 275 12 96 104 ТО-262АА 3-К-Э
Сверхбыстрый им -пу_л._ьс_н_ь-1й_n_--ка_н_а-ль_н_ы_й_IG-в=т~тр_а_н-зи-с-то_р_с+---+----+----+---+---+--_,--г----+--+--+---+-----<
HGТ1S12N60C3S постоянны м током коллектора до 24 А и напряжением пробоя
коллектор-эмиттер до 600 В
>-------+---Сверхбыстрый импульсный n-канальный IGBT транзистор с
HGТG12N60C3D
антипараллельным сверхбыстрым диодом, постоянным током
коллектора до 24 А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер
до600 В
600 3.0 ".6.0
600 3.0 ".6.0
1000 :t100
2.0".2.2 275 12 96 104 ТО-263АВ 3-К-Э
2000 ±100
2.0".2.4 275 12 96 104 ТО-247
3-К-Э
t-------т~-~-~---~~-----~~-----т----г----г----т----~---t---г----t--+--+--t----т---- -
Сверхбы стры й импульсный n-канальный IGBT транзистор с
НGТР12N60C3D
HGТ1S12N60C3D
HGТ1S12N60C3DS
HGТG30N60C3
антипараллельным сверхбыстрым диодом, постоянным током
коллектора до 24 А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер
до600 В
Сверхбыстрый импульсный n-канальный IGBT транзистор с
антипараллельным сверхбыстрым диодом, постоянным током
коллектора до 24 А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер
до600 В
Сверхбыстрый импульсный n-канальный IGBT транзистор с
антипараллельным сверхбыстрым диодом, постоянным током
коллектора до 24 А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер
до600 В
Сверхбыстрый импульсный n-канальный IGBT транзистор с
постоянным током коллектора до 63 А и напряжением пробоя
коллектор-эмиттер до 600 В
>-------+---сверхбыстрый импульсный n-канальный IGBT транзистор с
HGТG30N60C3D
антипараллельным сверхбыстрым диодом, постоянным током
коллектора до 63 А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер
до600 В
СВЕРХБЫСТРЫЕ ИМПУЛЬСНЫЕ IGBT ТРАНЗИСТОРЫ СЕРИИ B-SPEED
Прибор
HGТD3N60B3
HGТD3N60B3S
20
Функциональное назначение
Сверхбыстрый импульсный n-канальный IGBT транзистор с
постоянным током коллектора до 7 А и напряжением пробоя
коллектор-эмиттер до 600 В
Сверхбыстрый импульсный n-канальный IGBT транзистор с
постоянным током коллектора до 7 А и напряжением пробоя
коллектор-эмиттер до 600 В
600 3.0 ".6.0
600 3.0 ".6.0
600 3.0 ".6.0
600 3.0 ".6.0
600 3.0 ".6.0
600 4.5 ".6.0
600 4.5 ".6.0
2000
2000
2000
2000
3000
".;;
ош
"'.2
"'-
с:"'
>а.
жо
:s:"'
g- ~ c:i:
"'"'"
а.ж"
~ :s:
" :s:
"'ж
с:"'
с: ЭЕ
о"'
"
а.
"с:
.о~
2000
2000
±100
±100
±100
:t100
±100
±250
±250
2.0".2.4 275 12 96 104 ТО-220АВ
2.0".2.4 275 12 96 104 ТО-262АА
2.0".2.4 275 12 96 104 ТО-263АВ
1.8".2.0 275 30 252 208 ТО-247
1.8".2.0 275 30 252 208 ТО-247
~m-
"' а.
~"'
2::
с: :s:
""
"'"'
"'.
:s: а.
жо
~~
"'"'
а. с:
с: с:
"'о
::i:"
~
~с:
"
"'
"
"'
а.
"'
Корпус
2.1".2 .5 175 3.5 20 33.3 ТО-251АА
2.1".2 .5 175 3.5 20 33.3 ТО-252АА
3-К-Э
3-К-Э
3-К-Э
3-К-Э
3-К-Э
3-К-Э
3-К-Э
Силовая электроника фирмы НARRIS

БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ
СВЕРХБЫСТРЫЕ ИМПУЛЬСНЫЕ IGВТТРАНЗИСТОРЫ СЕРИИ B-SPEED (ПРОДОЛЖЕНИЕ)
;,_
".;; j
<С
~1: ~
о
"'
:;;;
ош
"
"'
"'.2
,;:
~"'
"
"'
"'"'
"'
~~
"
:=1g-
~m_ ~ ;:..
с:"' ~
ж-
t;
"' а.
ж
ЭЕ i!O
>а.
~-_
~"'
~1t;
о
м
"
~
жо
:s:
2::
д:с:"'3-
с;.
~~ :s:"'
"
>а.
"'"
g-~~
~~ с: :s:
~12
о>
"'
""
"'
о
~
Прибор
Функциональное назначение
'°"'
"'>_
"'"'
D.cc ~ :s:
"'"'
С[
'1
! " Корпус
~
о
ж"'
"'
"'
"'
а.,;:
"' а. а.ж" ~ж >:S:"
~ ;,_
с:
"'
с:"' оо !'!:s:
~с:' !'!
"
):15 :;:!
"
"'
"'~ "'"'
": s:
"'
"'
"'
"'
с:
~ !S:
о~
"'ж
"'
~а. ЭЕ"
"
~ ):15
~
~"' с:"'
~
"'о
"'"'
"'
:::
"'"
о"'
а.~
а. с:
g~
о
с: ЭЕ
'°"
а.
:s:
1:1"' а."' о"'
о~ с:с:
"'
"'
:::i-
ож
"
а. "'
"'о
"
а.
i::::
"с:
>.
с: ::i :"
~~"
с:
.о~
~
о i::::
"'
"'
"
D..
::i:
~
i::::
Сверхбыстрый импульсный п-канальный IGBT транзистор с
HGТ1S3N60B3
постоянным током коллектора до 7 А и напряжением пробоя 600 4.5 .. .6.0 2000 ±250 - 2 .1 ... 2 .5 175 3 .5 20 33 .3 ТО-262АА 3-К-Э
коллектор-эмиттер до 600 В
---
~--- ---~-
--
---
-
-
-
-
---
---
Сверхбыстрый импульсный п-канальный IGBT транзистор с
HGТ1S3N60B3S
постоянным током коллектора до 7 А и напряжением пробоя 600 4.5 .. .6.0 2000 ±250 - 2 .1 ... 2 .5 175 3 .5 20 33 .3 ТО-263АВ 3-К-Э
коллектор-эмиттер до 600 В
Сверхбыстрый импульсный п-канальный IGBT транзистор с
HGТP3N60B3
постоянным током коллектора до 7 А и напряжением пробоя 600 4.5 .. .6.0 2000 ±250 - 2 .1 ... 2 .5 175 3 .5 20 33 .3 ТО-220АВ 3-К-Э
коллектор-эмиттер до 600 В
Сверхбыстрый импульсный п-канальный IGBT транзистор с
HGТD7N60B3
постоянным током коллектора до 14 А и напряжением пробоя 600 3.0 .. .6.0 2000 ±100 - 2 .1 ... 2 .4 175 7 56 60 ТО-251АА 3-К-Э
коллектор-эмиттер до 600 В
-
Сверхбыстрый импульсный п-канальный IGBT транзистор с
HGТD7N60B3S
постоянным током коллектора до 14 А и напряжением пробоя 600 3.0 .. .6.0 2000 ±100 - 2 .1 ... 2 .4 175 7 56 60 ТО-252АА 3-К-Э
коллектор-эмиттер до 600 В
Сверхбыстрый импульсный п-канальный IGBT транзистор с
HGТ1S7N60B3
постоянным током коллектора до 14 А и напряжением пробоя 600 3.0 .. .6.0 2000 ±100 - 2 .1 ... 2 .4 175 7 56 60 ТО-262АА 3-К-Э
коллектор-эмиттер до 600 В
Сверхбыстрый импульсный п-канальный IGBT транзистор с
HGТ1S7N60B3S
постоянным током коллектора до 14 А и напряжением пробоя 600 3.0 .. .6.0 2000 ±100 - 2 .1 ... 2 .4 175 7 56 60 ТО-263АВ 3-К-Э
коллектор-эмиттер до 600 В
Сверхбыстрый импульсный п-канальный IGBT транзистор с
HGТP7N60B3
постоянным током коллектора до 14 А и напряжением пробоя 600 3.0 .. .6.0 2000 ±100 - 2 .1 ... 2 .4 175 7 56 60 ТО-220АВ 3-К-Э
коллектор-эмиттер до 600 В
Сверхбыстрый импульсный п-канальный IGBT транзистор с
HGТP7N60B3D
антипараллельным сверхбыстрым диодом, постоянным током 600 3.0 .. .6.0 3000 ±100
2.1 ...2.4 80 7 56 60
ТО-220АВ
3-К-Э
коллектора до 14 А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер
-
АLТ
до600 В
Сверхбыстрый импульсный п-канальный IGBT транзистор с
HGТ1S7N60B3D
антипараллельным сверхбыстрым диодом. постоянным током 600 3.0 .. .6.0 3000 ±100 - 2 .1 ... 2 .4 80 7 56 60 ТО-262АА 3-К-Э
коллектора до 14 А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер
до600 В
-
-
--
----- --
-
---
-
-
-
-
---
--
Сверхбыстрый импульсный п-канальный IGBT транзистор с
HGТ1S7N60B3DS антипараллельным сверхбыстрым диодом, постоянным током 600 3.0 .. .6.0 3000 ±100 - 2 .1 ... 2 .4 80 7 56 60 ТО-263АВ 3-К-Э
коллектора до 14 А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер
до600 В
Сверхбыстрый импульсный п-канальный IGBT транзистор с
НGТР12N60B3
постоянным током коллектора до 27 А и напряжением пробоя 600 4.5 .. .6.0 2000 ±250 - 2 .1 ... 2 .5 175 12 110 104 ТО-220АВ 3-К-Э
коллектор-эмиттер до 600 В
Сверхбыстрый импульсный п-канальный IGBT транзистор с
HGТ1S12N60B3
постоянным током коллектора до 27 А и напряжением пробоя 600 4.5 .. .6.0 2000 ±250 - 2 .1 ... 2 .5 175 12 110 104 ТО-262АА 3-К-Э
коллектор-эмиттер до 600 В
Сверхбыстрый импульсный п-канальный IGBT транзистор с
HGТ1S12N60B3S постоянным током коллектора до 27 А и напряжением пробоя 600 4.5 .. .6.0 2000 ±250 - 2 .1 ... 2 .5 175 12 110 104 ТО-263АВ 3-К-Э
коллектор-эмиттер до 600 В
Сверхбыстрый импульсный п-канальный IGBT транзистор с
HGТG12N60B3D
антипараллельным сверхбыстрым диодом. постоянным током
600 4.5 .. .6.0 2000 ±250 - 2 .1 ...2 .5 175 12 110 104 ТО-220АВ 3-К-Э
коллектора до 27 А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер
до600 В
--
---
~--
---
-
-
-
-
-
-- --
Сверхбыстрый импульсный п-канальный IGBT транзистор с
HGТP12N60B3D
антипараллельным сверхбыстрым диодом, постоянным током 600 4.5 .. .6.0 2000 ±250 - 2 .1 ... 2 .5 175 12 110 104 ТО-247
3-К-Э
коллектора до 27 А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер
до600 В
Силовая электроника фирмы HARRIS
21

БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ
СВЕРХБЫСТРЫЕ ИМПУЛЬСНЫЕ IGBT ТРАНЗИСТОРЫ СЕРИИ B-SPEED (ПРОДОЛЖЕНИЕ)
;,_
о
:;;;
"'
"'
"'"'
~m_ ~ ;:..
ЭЕ i!O
"
~~~
"'
u
о>
"'>_
Прибор
Функциональное назначение
'°"'
о
ж"'
а.,;:
"' а.
с:"' оо
"'~ "'"'
:s: ~
о~
ж :s: ~"'
"'"
о"'
1:1"' а."'
ож
а.
i::::
с:
"'
::i:
Сверхбыстрый импульсный n-канальный IGBT транзистор с
HGT1S12N60B3D
антипараллельным сверхбыстрым диодом, постоянным током
600 4.5 .. .6.0
коллектора до 27 А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер
до600 В
Сверхбыстрый импульсный n-канальный IGBT транзистор с
антипараллельным сверхбыстрым диодом, постояжым током
HGТ1S12N60B3DS коллектора до 27 А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер 600 4.5 ".6.0
до600 В
Сверхбыстрый импульсный n-канальный IGBT транзистор с
HGТP20N60B3
постоянным током коллектора до 40 А и напряжением пробоя 600 3.0".6 .0
коллектор-эмиттер до 600 В
--
Сверхбыстрый импульсный n-канальный IGBT транзистор с
HGТG20N60B3
постоянным током коллектора до 40 А и напряжением пробоя 600 3.0".6 .0
коллектор-эмиттер до 600 В
Сверхбыстрый импульсный n-канальный IGBT транзистор с
HGТG20N60B3D
антипараллельным сверхбыстрым диодом, постоянным током 600 3.0".6 .0
коллектора до 40 А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер
до600 В
Сверхбыстрый импульсный n-канальный IGBT транзистор с
HGТG40N60B3
постоянным током коллектора до 70 А и напряжением пробоя 600 3.0".6 .0
коллектор-эмиттер до 600 В
IGВТТРАНЗИСТОРЫ ПОВЫШЕННОЙ НАДЕЖНОСТИ
Прибор
НGТР12N60C3R
Функциональное назначение
Сверхбыстрый импульсный n-канальный IGВТтранзистор по-
вышежой надежности с постоянным током коллектора до 24 А 600 4.5" . 7.5
и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 600 В
о-~~~~~~+-- ~
Сверхбыстрый импульсный n-канальный IGBT транзистор по-
HGT1S12N60C3R
HGТ1S12N60C3RS
HGТG20N60C3R
HGТP20N60C3R
HGТ1S20N60C3R
HGТ1S20N60C3RS
22
вышенной надежности с постоянным током коллектора до 24 А 600 4.5" . 7.5
и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 600 В
Сверхбыстрый импульсный n-канальный IGВТтранзистор по-
вышенной надежности с постоянным током коллектора до 24 А 600 4.5" . 7.5
и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 600 В
Сверхбыстрый импульсный n-канальный IGВТтранзистор по-
вышенной надежности с постоянным током коллектора до 40 А 600 3.5" . 7.5
и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 600 В
Сверхбыстрый импульсный n-канальный IGВТтранзистор по-
вышенной надежности с постоянным током коллектора до 40 А 600 3.5" . 7.5
и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 600 В
Сверхбыстрый импульсный n-канальный IGВТтранзистор по-
вышенной надежности с постоянным током коллектора до 40 А 600 3.5" . 7.5
и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 600 В
Сверхбыстрый импульсный n-канальный IGBT транзистор по-
вышенной надежности с постоянным током коллектора до 40 А 600 3.5" . 7.5
и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 600 В
".;;
ош
"'-2
"'
с:"'
>а.
жо
:s:"'
g-~~
"'"'
а.ж"
!'! :s:
": s:
"'ж
с:"'
с: ЭЕ
о"'
"
а.
"с:
{:!. ~
2000
2000
1000
---
1000
2000
6000
".;;
ош
"'-2
"'-
с:"'
>а.
жо
:s:"'
g- ~ c:i:
"'"'"
а.ж"
!'! :s:
": s:
"'ж
с:"'
с: ЭЕ
о"'
"
а.
"с:
{:!. ~
1000
1000
1000
3000
3000
3000
3000
1
<С
,;:
"
"'
1=
~~
:s:
"
"-
с:' >. ci:
а.<С1~ ~
о ::ж:: о ....
~~1)~~
-
ж.
:s:
~а.
"
"'о
~
а.~
~ cg~
"
с:
~
~
±250 -
±250 -
±100 -
-
-
-
±100 -
±100 -
±100 -
±100
±100
±100
±100
±100
±100
±100
~"'
ж-
"' а.
~"'
21=
с: :s:
""
"'"'
"'
;,_
~ !'!
"'
ЭЕ"
"'"'
а. с:
с: с:
"'о
::i:"
2.1".2 .5
2.1".2 .5
2.0".2 .5
---
2.0".2 .5
2.0".2 .5
2.0".2 .3
"ж
Е
"'
С[
"'
с:
"
"'
"
"'
а.
"'
175
175
175
-
175
175
175
"ж
Е
~5
"'
"
"'
а.
"'
~1~ ~"'
"
:=! g_ t;
"
о
~i
о
3-
ос:о
"
с:
"
~ " Корпус
"'
:;:! ~ "'
"
)~1);
"'
:::
~1~ :s:
"'
о"'
о"
"
~ :s:
"
g i::::
"'
i::::
D..
1
12 110 104 ТО-262АА
1
12 110 104 ТО-263АВ
20 160 165 ТО-220АВ
-
-
-
20 160 165 ТО-247
20 160 165 ТО-247
40 330 290 ТО-247
1
Корпус
2.2".2 .5 400 12 48 104 ТО-220АВ
2.2".2 .5 400 12 48 104 ТО-262АА
2.2".2 .5 400 12 48 104 ТО263АВ
2.2".2 .5 400 20 80 164 ТО-220АВ
2.2".2 .5 400 20 80 164 ТО-247
2.2".2 .5 400 20 80 164 ТО-262АА
2.2".2 .5 400 20 80 164 ТО-263АВ
м
с;.~
~
"'
с:
~о
:::i-
3-К-Э
3-К-Э
3-К-Э
3-К-Э
-
3-К-Э
3-К-Э
3-К-Э
3-К-Э
3-К-Э
3-К-Э
3-К-Э
3-К-Э
3-К-Э
Силовая электроника фирмы НARRIS

БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ
IGВТТРАНЗИСТОРЫ ПОВЫШЕННОЙ НАДЕЖНОСТИ (ПРОДОЛЖЕНИЕ)
Прибор
HGТG20N60C3DR
HGТG27N60C3R
HGТG27N60C3DR
HGТG40N60C3R
Функциональное назначение
Сверхбыстрый импульсный n-канальный IGВТтранзистор по
вышежой надежности с антипараллельным сверхбыстрым ди
одом, постоянным током коллектора до 40 А и напряжением
пробоя коллектор-эмиттер до 600 В
Сверхбыстрый импульсный n-канальный IGВТтранзистор по-
600 3.5 .. .7.5
вышенной надежности с постоянным током коллектора до 54 А 600 3.5" . 7.5
и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 600 В
Сверхбыстрый импульсный n-канальный IGВТтранзистор по
вышенной надежности с антипараллельным сверхбыстрым ди
одом, постоянным током коллектора до 54 А и напряжением
пробоя коллектор-эмиттер до 600 В
Сверхбыстрый импульсный n-канальный IGВТтранзистор по-
600 3.5".7 .5
вышенной надежности с постоянным током коллектора до 75 А 600 4.5" . 7.5
и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 600 В
";;,
ош
"'.2
"'-
с:"'
>а.
жо
:s:"'
g- i c:i:
"'"'"
а.ж"
~ :s:
": s:
"'ж
с:"'
с: ЭЕ
о"'
"
а.
"с:
.о~
3000
3000
3000
4000
±100
±100
±100
±100
IGBT ТРАНЗИСТОРЫ ДЛЯ ЦЕПЕЙ ЗАЖИГАНИЯ
Прибор
Функциональное назначение
IGВТтранзистор для цепей зажигания с постоянным то-
HGТP14N36G3VL ком коллектора до 14 А и напряжением пробоя коллек-
тор-эмиттер до 360 В
IGВТтранзистор для цепей зажигания с постоянным то-
HGТ1S14N36G3VL ком коллектора до 14 А и напряжением пробоя коллек-
тор-эмиттер до 360 В
IGВТтранзистор для цепей зажигания с постоянным то-
HGТ1S14N36G3VLS ком коллектора до 14 А и напряжением пробоя коллек-
тор-эмиттер до 360 В
n-канальный IGBT транзистор с фиксированием напря-
HGТP14N40F3VL жения с постоянным током коллектора до 14 А и напряже-
нием пробоя коллектор-эмиттер до 400 В
IGВТтранзистор для цепей зажигания с постоянным то-
HGТP20N35G3VL ком коллектора до 20 А и напряжением пробоя коллек-
;,_
~
"'
~~" ш
"'
u
о>
'°"'
о-
а. а.
с:"'
"'~
:s: ~
ж :s:
"'"
1:1"'
а.
с:
"'
::i:
390
390
390
420
380
"'
5!!"'
"'-
~Е
~J
ж"'
"' а.
оо
"' "'
о~
~"'
о"'
а."'
ож
i::::
1.3". 2.2
1.3". 2.2
1.3". 2.2
1.0". 2.0
1.3". 2.3
";;,
ош
"'.2
"'-
с:"'
>а.
жо
:s:"'
g- i c:i:
"'"'"
а.ж"
~ :s:
": s:
"'ж
с:"'
с: ЭЕ
о"'
"
а.
"с:
.о~
-
-
-
-
-
±1000 мкА
±1000 мкА
1
±1000 мкА
±10 мкА
±1000 мкА
-
-
1
-
-
-
тор-эмиттер до 350 В
-
--
____J_
___J__ _
IGВТтранзистор для цепей зажигания с постоянным то-
1
1
HGТ1S20N35G3VL ком коллектора до 20 А и напряжением пробоя коллек- 380 1.3". 2.3
-
1±1000мкА1 -
тор-эмиттер до 350 В
1
1
IGВТтранзистор для цепей зажигания с постоянным то-
1
1
HGТ1S20N35G3VLS ком коллектора до 20 А и напряжением пробоя коллек- 380 1.3". 2.3
-
1 ±1000мкА1 -
тор-эмиттер до 350 В
'
:
Силовая электроника фирмы HARRIS
Корпус
2.2". 2.5 400 20 80 164 ТО-247
3-К-Э
2.2".2.5 400 27 108 208 ТО-247
3-К-Э
2.2". 2.5 400 27 108 208 ТО-247
3-К-Э
2.2".2.5 400 40 200 291 ТО-247
3-К-Э
Корпус
1.45".2.9
-
14 - 100 ТО-220АВ 3-К-Э
1.45".2.9
-
14 - 100 ТО-262АА 3-К-Э
1.45".2.9
-
14 - 100 ТО-263АВ 3-К-Э
2.0".2.3
-
14 - 83 ТО-220АВ 3-К-Э
1.5".3.5
-
20 - 150 ТО-220АВ 3-К-Э
--
-
-
--
- ---
--
1.5".3.5
-
20 - 150 ТО-262АА 3-К-Э
1.5".3.5
-
20 - 150 ТО-263АВ 3-К-Э
23

ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ
ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ ____________________________
ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ С УЛЫРАБЫСТРЫМ ВОССТАНОВЛЕНИЕМ
"'
~~<С ."'
u"
~m_
~~~ж_
~"~:iа
"'~
е~
а.~
"'"'
'°> ~~j
о:s: о-
о"'
~~ ж"'
Цоколевка
Прибор
"':s:
(') J:i ctl
~ :s:
Корлус
"'ж
ож
"'"'"
:; "' а."'
1-2-3 ...
ж"'"'оо"а.'°с:
"ЭЕ ж~~
~ffi о"'
~g_ ctoo
"'о
~i:::: g_~5 " ж
"
ж
"'"'
"'~
::Е ctl 1(.) а. ::ж:: :;; о а."
:s: ж
с:
""'
"'
.
1
·"'
u"
~m_ ф ::ж::<С
u:: -
~ж_
~"~~-=- g->
"'~~~~ф~е~
а.~
'°>
~g-~I~~ о -
о"'
ж"'
Цоколевка
Прибор
"':s:
~ :s:
Корлус
~~~1~~ "'ж
ож
а."'
1-2 -3".
ж"'
'° с:
~~ ~~:;1~ffi о"'
~~
"'о
g_~51~~"ж
"'~
"
ж(.)g.ж ::!:~ а."
:s:
"'
RURU5040
400
50
1.6 75 ТО-218-1
А-К
RURP3040
400
30
1.5 60 ТО-220АС
К-А
RURU8040
400 75/80 1.6 85 ТО-218-1
А-К
MUR850
500
8
1.5 60 ТО-220АС
К-А
RURU10040
400
100
1.6 100 ТО-218-1
А-К
RURP850
500
8
1.5 60 ТО-220АС
К-А
RURU15040
400
150
1.6 100 ТО-218-1
А-К
MUR1550
500
15
1.5 60 ТО-220АС
К-А
RURU5050
500
50
1.6 75 ТО-218-1
А-К
RURP1550
500
15
1.5 60 ТО-220АС
К-А
RURU8050
500 75/80 1.6 85 ТО-218-1
А-К
RURP3050
500
30
1.5 60 ТО-220АС
К-А
RURU10050
500
100
1.6 100 ТО-218-1
А-К
MUR860
600
8
1.5 60 ТО-220АС
К-А
RURU15050
·5о0 150- ---тв - Юо ТО-218-1
А-К
~
RURP860 --600"
-
-
-
--
-
--
-
8
1.5 60 ТО-220АС
К-А
RURU5060
600
50
1.6 75 ТО-218-1
А-К
MUR1560
600
15
1.5 60 ТО-220АС
К-А
RURU8060
600 75/80 1.6 85 ТО-218-1
А-К
RURP1560
600
15
1.5 60 ТО-220АС
К-А
RURU10060
600
100
1.6 100 ТО-218-1
А-К
RURP3060
600
30
1.5 60 ТО-220АС
К-А
RURU15060
600
150
1.6 100 ТО-218-1
А-К
MUR870E
700
8
1.8 110 ТО-220АС
К-А
RURU5070
700
50
1.9 200 ТО-218-1
А-К
RURP870
700
8
1.8 110 ТО-220АС
К-А
RURU8o70
---·
700 75/80 1.9 200 ТО-218-1
А-К
-
---
-
RURP1570
700
15
1.8 125 ТО-220АС
К-А
RURU15070
700
150
1.9 200 ТО-218-1
А-К
RURP3070
700
30
1.8 150 ТО-220АС
К-А
RURU5080
800
50
1.9 200 ТО-218-1
А-К
MUR880E
800
8
1.8 110 ТО-220АС
К-А
RURU8080
800 75/80 1.9 200 ТО-218-1
А-К
RURP880
800
8
1.8 110 ТО-220АС
К-А
RURU15080
800
150
1.9 200 ТО-218-1
А-К
RURP1580
800
15
1.8 125 ТО-220АС
К-А
RURU5090
900
50
1.9 200 ТО-218-1
А-К
RURP3080
800
30
1.8 150 ТО-220АС
К-А
RURU8090
900 75/80 1.9 200 ТО-218-1
А-К
MUR890E
900
8
1.8 110 ТО-220АС
К-А
RURU15090
900
150
1.9 200 ТО-218-1
А-К
RURP890
900
8
1.8 110 ТО-220АС
К-А
RURU50100
1000
50
1.9 200 ТО-218-1
А-К
RURP1590
900
15
1.8 125 ТО-220АС
К-А
RURU80100
1000 75/80 1.9 200 ТО-218-1
А-К
RURP3090
900
30
1.8 150 ТО-220АС
К-А
RURU150100
1000 150
1.9 200 ТО-218-1
А-К
MUR8100E
1000
8
1.8 110 ТО-220АС
К-А
RURU50120
1200
50
2.1 200 ТО-218-1
А-К
RURP8100
1000
8
1.8 110 ТО-220АС
К-А
RURU75120
1200 75/80 2.1 200 ТО-218-1
А-К
RURP15100
1000
15
1.8 125 ТО-220АС
К-А
RURU100120
1200 100
2.1 200 ТО-218-1
А-К
RURP30100
1000
30
1.8 150 ТО-220АС
К-А
RURU150120
1200 150
2.1 200 ТО-218-1
А-К
RURP8120
1200
8
2.1 110 ТО-220АС
К-А
MUR810
100
8
0.975 35 ТО-220АС
К-А
RURP15120
1200
15
2.1 130 ТО-220АС
К-А
RURP810
100
8
0.975 35 ТО-220АС
К-А
RURP30120
1200
30
2.1 150 ТО-220АС
К-А
MUR1510
100
15
1.05 35 ТО-220АС
К-А
RURG3010
100
30
1 50 ТО-247-2
К-А
RURP1510
100
15
1.05 35 ТО-220АС
К-А
RURG3015
150
30
1 50 ТО-247-2
К-А
RURPЗoiO -- ·юо
----т- -- -
30
50 ТО-220АС
К-А
200--------
- К-А--
RURG3020
30
1 50 ТО-247-2
-
-
MUR815
150
8
0.975 35 ТО-220АС
К-А
RURG3040
400
30
1.5 60 ТО-247-2
К-А
RURP815
150
8
0.975 35 ТО-220АС
К-А
RURG5040
400
50
1.6 75 ТО-247-2
К-А
MUR1515
150
15
1.05 35 ТО-220АС
К-А
RURG8040
400 75/80 1.6 85 ТО-247-2
К-А
RURP1515
150
15
1.05 35 ТО-220АС
К-А
RURG3050
500
30
1.5 60 ТО-247-2
К-А
RURP3015
150
30
1
50 ТО-220АС
К-А
RURG5050
500
50
1.6 75 ТО-247-2
К-А
MUR820
200
8
1
35 ТО-220АС
К-А
RURG8050
500 75/80 1.6 85 ТО-247-2
К-А
RURP820
200
8
1
35 ТО-220АС
К-А
RURG3060
600
30
1.5 60 ТО-247-2
К-А
MUR1520
200
15
1.05 35 ТО-220АС
К-А
RURG5060
600
50
1.6 75 ТО-247-2
К-А
RURP1520-- "2о0
-
- 15-
-
1:05·
-
-
35 ТО-220АС
К-А
600" 75/80 -
--
-
"85 "
- ---
-
-
--
RURG8060
1.6
ТО-247-2
К-А
~-
--
--
--
-
--
-
-
-
RURP3020
200
30
1
50 ТО-220АС
К-А
RURG3070
700
30
1.8 150 ТО-247-2
К-А
MUR840
400
8
1.3 60 ТО-220АС
К-А
RURG5070
700
50
1.9 200 ТО-247-2
К-А
RURP840
400
8
1.3 60 ТО-220АС
К-А
RURG8070
700 75/80 1.9 200 ТО-247-2
К-А
MUR1540
400
15
1.25 60 ТО-220АС
К-А
RURG3080
800
30
1.8 150 ТО-247-2
К-А
RURP1540
400
15
1.25 60 ТО-220АС
К-А
RURG5080
800
50
1.9 200 ТО-247-2
К-А
24
Силовая электроника фирмы НARRIS

ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ
ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ С УЛЫРАБЫСТРЫМ ВОССТАНОВЛЕНИЕМ (ПРОДОЛЖЕНИЕ)
"'
~~<С ."'
u"
oai
ж-
~~~ж_
~"~i~
"'~
е~
а.~
"'"'
'° > ~~_}
о:s: о-
о"'
~~ ж"'
Цоколевка
Прибор
"':s: (') J:i ctl
~ :s:
Корлус
"'ж
ож
"'"'"
"'"'
а."'
1-2-3 ...
ж"'"'оо"а.'°с:
~~ж~~ :s:с: о"'
С[оо
""'
"'о
~а.
"'"~ "ж
"
ж
с:с: а."'о
1~~ "'~
""'
u а.ж
а."
:s: ж
с:
"'
"'
"'ж 1""'_ 1g"
oai
ж-
:s:"'< .,_~ ! "'"'
~ " ~i~к==:е~
"'~
а.~
'°> ~g_! , g~ ~;;
о"'
~~~1~~ ~~
Цоколевка
Прибор
"':s:
Корпус
ож
фш:w:~ctlu::
а.ф
1-2-3" .
ж"' ФоОl:::Еа. \ОС::
~~ ж~~ :s:с:1о"'
~а. ~~~.~~ ~~
с: с:
""'
ug.:z: ::!:~ .g -o
:s: ж
RURG8080
800 75/80 1.9 1 200 ТО-247-2
К-А
RURD460
600
4
1.5 60
ТО-251
К-А
---
-
RURG3090
900
30
1.8 1 150 ТО-247-2
К-А
RURD660
600
6
1.5 60
ТО-251
К-А
RURG5090
900
50
1.9 1 200 ТО-247-2
К-А
RURD860
600
8
1.5 70
ТО-251
К-А
RURG8090
900 75/80 1.9 1 200 ТО-247-2
К-А
RURD4120
1200
4
2.1
90
ТО-251
К-А
RURG30100
1000
30
1.8 150 ТО-247-2
К-А
RURD6120
1200
6
2.1
90
ТО-251
К-А
RURG50100
1000
50
1.9 1 200 ТО-247-2
К-А
RURD410S
100
4
1
35
ТО-252
К-А
--
RURG80100
1000 75/80 1.9 : 200 ТО-247-2
К-А
RURD610S
100
6
1
35
ТО-252
К-А
RURG30120
1200
30
2.1 1 150 ТО-247-2
К-А
RURD415S
150
4
1
35
ТО-252
К-А
RURG50120
1200
50
2.1
1
200 ТО-247-2
К-А
RURD615S
150
6
1
35
ТО-252
К-А
RURG75120
1200 75/80 2.1 1 200 ТО-247-2
К-А
RURD420S
200
4
1
35
ТО-252
К-А
RURD410
100
4
1135
ТО-251
К-А
RURD620S
200
6
1
35
ТО-252
К-А
RURD610
100
6
1135
ТО-251
К-А
RURD440S
400
4
1.5 60
ТО-252
К-А
RURD415
150
4
1135
ТО-251
К-А
RURD640S
400
6
1.5 60
ТО-252
К-А
RURD615
150
6
1 : 35 ТО-251
К-А
RURD840S
400
8
1.5 70
ТО-252
К-А
RURD420
200
4
1135
ТО-251
К-А
RURD450S
500
4
1.5 60
ТО-252
К-А
-
RURD620
200
6
1135
ТО-251
К-А
RURD440
400
4
1.5 i 60 ТО-251
К-А
RURD650S
500
6
1.5 60
ТО-252
К-А
500---
-
--
-
-
ТО-252 - - К-А --
RURD850S
8
1.5 70
RURD640
400
6
1.5160
ТО-251
К-А
RURD460S
600
4
1.5 60
ТО-252
К-А
RURD840
400
8
1.5 70
ТО-251
К-А
RURD660S
600
6
1.5 60
ТО-252
К-А
RuRD450
500
4
1.5160
ТО-251
К-А
RURD860S
600
8
1.5 70
ТО-252
К-А
RURD650
500
6
1.5160
ТО-251
К-А
RURD4120S
1200
4
2.1
90
ТО-252
К-А
RuRD850
500
8
1.5170
ТО-251
К-А
RURD6120S
1200
6
2.1
90
ТО-252
К-А
ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ С ГИПЕРБЫСТРЫМ ВОССТАНОВЛЕНИЕМ
"'
~~<С "'1.
oai
D: u:1g~
ж-
~ " ::ж:: с::;:.,
~~ 1~"
"'~
"'""
а.~
~~_}g::s:: 5 д
'°>
о"'
~~ ~~
Цоколевка
Прибор
"':s: (') J:i ctl
Корпус
ож
"'"'"
;g_I~~
1-2-3 " .
ж"' "'о о
~~ ж~~
:s: с: 1о"'
~а.С[оо оctl
u:: о
"'"~~~~~
с:с: а."'о
""'
u а.ж
l:O§! i ~t;
:s: ж
с:
"'
~~<С ."'1u
oai
u:: u:: о~
ж-
~"~i~"'->
"'
"'~
~~Jеg;
а.~
~~_}
'°>
о
о-
о"'
~~ ~~
Цоколевка
Прибор
"':s: (') J:i ctl
Корпус
ож
"'"'"
ctl u::
а.ф
1-2 -3".
ж"' "'о о
~ ~ 1'8:;;
1~~
ж~~
1 ~а.
С[оо оctl
u:: о
"'"~~~~~
с:с: а."'о
""'
u а.ж ::::!::о а.о
:s: ж
с:
""'
RHRU5040
400
50
2.1 1 50 ТО-218-1
А-К
RHRU50100
1000
50
3
95 ТО-218-1
А-К
RHRU7540
400
75 -~00_ ТО-218-1
А-К
400--
RHRU10040
100
2.1 1 60 ТО-218-1
А-К
RHRU75100
1000
75
3 100 ТО-218-1
А-К
--
-
150 -
--
-
160
- ----- -
RHRU150100
1000
3
ТО-218-1
А-К
-
-
-
-
RHRU15040
400
150
2.1 1 70 ТО-218-1
А-К
RHRU50120
1200
50
3.2 100 ТО-218-1
А-К
RHRU5050
500
50
2.1 i 50 ТО-218-1
А-К
RHRU75120
1200
75
3.2 100 ТО-218-1
А-К
RHRU7550
500
75
2.1 1 60 ТО-218-1
А-К
RHRU100120
1200
100
3.2 100 ТО-218-1
А-К
RHRU10050
500
100
2.1
60 ТО-218-1
А-К
RHRU150120
1200
150
3.2 125 ТО-218-1
А-К
RHRU15050
500
150
2.1 1 70 ТО-218-1
А-К
RнRP840
400
8
2.1
35 ТО-220АС
К-А
RHRU5060
600
50
2.1 : 50 ТО-218-1
А-К
RHRP1540
400
15
2.1
40 ТО-220АС
К-А
RHRU7560
600
75
2.1 1 60 ТО-218-1
А-К
RHRP3040
400
30
2.1
45 ТО-220АС
К-А
---
---
RHRU10060
600
100
2.1 1 60 ТО-218-1
А-К
RHRP850
500
8
2.1
35 ТО-220АС
К-А
RHRU15060
600
150
2.1 i 70 ТО-218-1
А-К
RHRP1550
500
15
2.1
40 ТО-220АС
К-А
RHRU5070
700
50
3 1 95 ТО-218-1
А-К
RнRP3050
500
30
2.1
45 ТО-220АС
К-А
RHRU7570
700
75
3 100 ТО-218-1
А-К
RHRP860
600
8
2.1
35 ТО-220АС
К-А
RHRU5080
800
50
3 1 95 ТО-218-1
А-К
RнRP1560
600
15
2.1
40 ТО-220АС
К-А
RHRU7580
800
75
3 1 100 ТО-218-1
А-К
RHRP3060
600
30
2.1
45 ТО-220АС
К-А
RHRU5090
900
50
3 1 95 ТО-218-1
А-К
RнRP870
700
8
3
65 ТО-220АС
К-А
RHRU7590
900
75
3 : 100 ТО-218-1
А-К
RHRU15090
900
150
3 1 100 ТО-218-1
А-К
RHRP1570
700
15
3
70 ТО-220АС
К-А
Rн"RРЗ010
700
30
3
75 ТО-220АС
К-А
Силовая электроника фирмы HARRIS
25

ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ
ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ С ГИПЕРБЫСТРЫМ ВОССТАНОВЛЕНИЕМ (ПРОДОЛЖЕНИЕ)
"'
~~<С ."'
u"
oai
ж-
~~~ж_
~"~iа
"'~
е~
а.~
"'"'
'°> ~~j
о:s: о-
о"'
~~ ж"'
Цоколевка
Прибор
"':s: (') J:i ctl
~ :s:
Корлус
"'ж
ож
"'"'"
"'"'
а."'
1-2-3 ...
ж"'"'оо"а.'°с:
~~ж~~ :s:с: о"'
С[оо
""'
"'о
~а.
"'"~ "ж
"
ж
с: с:
1В-~~ "'"' "'~
""'
:;; о а."
:s: ж
""'
"'
"'ж 1""'_1 g"
oai
ж-
:s:"'< .,_~ 1 "'"'
~ " ~iак==:е~
"'~
а.~
'°> ~g_! , g~ ~;;
о"' ЖЕ::~ :5Ф t-::S::
Цоколевка
Прибор
"':s: (') J:i ctl
с:: Э~Е ctl ::ж::
Корлус
ож
фш:w:
ctl u::
а.ф
1-2 -3".
ж"'
ФоО "а. 1 .ОС:
~~~~ё~~~~
~а.
с: с:
в-~~~~ i~
""'
:s: ж
RHRP880
800
8
3
65 ТО-220АС
К-А
RHRG7580
800
75
3 100 ТО-247
К-А
RHRP1580
800
15
3
70 ТО-220АС
К-А
RHRG3090
900
30
3
75
ТО-247
К-А
RHRP3080
800
30
3
75 ТО-220АС
К-А
RHRG5090
900
50
3
95
ТО-247
К-А
RHRP890
900
8
3
65 ТО-220АС
К-А
RHRG7590
900
75
3 100 ТО-247
К-А
RHRP1590
900
15
3
70 ТО-220АС
К-А
RHRG30100
1000
30
3
75
ТО-247
К-А
f-
RHRP3090
900
30
3
75 ТО-220АС
К-А
RHRG50100
1000
50
3
95
ТО-247
К-А
RHRP8100
1000
8
3
65 ТО-220АС
К-А
RHRG75100
1000
75
3 100 ТО-247
К-А
RHRP15100
1000
15
3
70 ТО-220АС
К-А
RHRG30120
1200
30
3.2 75
ТО-247
К-А
RHRP30100
1000
30
3
75 ТО-220АС
К-А
RHRG50120
1200
50
3.2 100 ТО-247
К-А
RHRP8120
1200
8
3.2 70 ТО-220АС
К-А
RHRG75120
1200
75
3.2 100 ТО-247
К-А
RHRP15120
1200
15
3.2 75 ТО-220АС
К-А
RHRD440
400
4
2.1
35
ТО-251
К-А
RHRP30120
1200
30
3.2 75 ТО-220АС
К-А
RHRD640
400
6
2.1
35
ТО-251
К-А
RHRG3040
400
30
2.1 45
ТО-247
К-А
RHRD450
500
4
2.1
35
ТО-251
К-А
RHRG5040
400
50
2.1
50
ТО-247
К-А
RHRD650
500
6
2.1
35
ТО-251
К-А
RHRG7540
400
75
2.1
60
ТО-247
К-А
RHRD460
600
4
2.1
35
ТО-251
К-А
RНRG3o50
500
30
2.1 45
ТО-247
К-А - - RНRo660
600
6
2.1
35
ТО-251
К-А
-
-
RHRG5050
500
50
2.1
50
ТО-247
К-А
RHRD4120
1200
4
3.2 70
ТО-251
К-А
RHRG7550
500
75
2.1
60
ТО-247
К-А
RHRD6120
1200
6
3.2 65
ТО-251
К-А
RHRG3060
600
30
2.1 45
ТО-247
К-А
RHRD440S
400
4
2.1
35
ТО-252
К-А
RHRG5060
600
50
2.1
50
ТО-247
К-А
RHRD64os
400
6
2.1
35
ТО-252
К-А
RHRG7560
600
75
2.1
60
ТО-247
К-А
RHRD450S
500
4
2.1
35
ТО-252
К-А
RHRG3070
700
30
3
75
ТО-247
К-А
RHRD650S
500
6
2.1
35
ТО-252
К-А
RHRG5070
700
50
3
95
ТО-247
К-А
RHRD460S
600
4
2.1
35
ТО-252
К-А
RHRG7570
700
75
3 100 ТО-247
К-А
RHRD660S
600
6
2.1
35
ТО-252
К-А
RHRG3080
800
30
3
75
ТО-247
К-А
RHRD4120S
1200
4
3.2 70
ТО-252
К-А
RHRG5080
800
50
3
95
ТО-247
К-А
RHRD6120S
1200
6
3.2 65
ТО-252
К-А
СДВОЕННЫЕ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ С УЛЫРАБЫСТРЫМ ВОССТАНОВЛЕНИЕМ
"'
~~<СD:m_ u"
~m_
~"~iаg-:>~ж_
"'~
е~
а.~
"'"'
'°> ~~j
о:s: о-
о"'
~~ ж"'
Цоколевка
Прибор
~ :s:
"':s: (') J:i ctl
"'ж Корлус
ож
"'"'"
"'"'
а."'
1-2-3" .
ж"'
~е:=!
"
а.'°с:
~~
:s:с: о"'
С[оо
""'
"'о
~~"'"~ "ж
"
ж
а."' о
"'"'
"'~
"
ж1(.)g.ж :;;о а."
:s:
""'
"'
.
1
"'
u"
~m_ ф::ж::<С D: -
~ж_
~"~~:;_g-:>
"'~
"'" ~ 1"'"'
е~
а.~
'°>
~~~~~о-
о"'
ж"'
Цоколевка
Прибор
~ :s:
"':s: (') J:i ctl
с:: Э~Е "'ж Корлус
ож фш:w:
ctl u::
а."'
1-2 -3".
ж"' фоо1:::Еа. '°с:
~~~~ё~~о"'
"'о
~~
"
ж
а.u::о 1ctlф
"'~
"
ж(.)g.ж ::!:~ а."
:s:
"'
MUR3010PT
100
15х2 1.05 35
ТО-218
А2-К1, К2-А1
MUR3060PT
600
15х2 1.25 60
ТО-218
А2-К1, К2-А1
RURH1510CC
100
15х2 1.05 35
ТО-218
А2-К1, К2-А1
RURH1560CC
600
15х2 1.25 60
ТО-218
А2-К1, К2-А1
RURH3010CC
100 30х2
1
50
ТО-218
А2-К1, К2-А1
RURH3060CC
600
30х2
1.5 60
ТО-218
А2-К1, К2-А1
MUR3015PT
150
15х2 1.05 35
ТО-218
А2-К1, К2-А1
RURH1570CC
700
15х2
1.8 125 ТО-218
А2-К1, К2-А1
150
ш--
---
-
RURH1515CC
15х2
35
ТО-218
А2-К1, К2-А1
700-
--
-
--
-
150
-
RURH3070CC
30х2
1.8
ТО-218
А2-К1, К2-А1
RURH3015CC
150 30х2
1
50
ТО-218
А2-К1, К2-А1
RURH1580CC
800
15х2
1.8 125 ТО-218
А2-К1, К2-А1
MUR3020PT
200
15х2 1.05 35
ТО-218
А2-К1, К2-А1
RURH3080CC
800
30х2
1.8 150 ТО-218
А2-К1, К2-А1
RURH1520CC
200
15х2 1.05 35
ТО-218
А2-К1, К2-А1
RURH1590CC
900
15х2
1.8 125 ТО-218
А2-К1, К2-А1
RURH3020CC
200
30х2
1
50
ТО-218
А2-К1, К2-А1
RURH3090CC
900
30х2
1.8 150 ТО-218
А2-К1, К2-А1
MUR3040PT
400
15х2 1.25 60
ТО-218
А2-К1, К2-А1
RURH15100CC
1000 15х2
1.8 125 ТО-218
А2-К1, К2-А1
-
RURH1540CC
400
15х2 1.25 60
ТО-218
А2-К1, К2-А1
RURH30100CC
1000 30х2
1.8 150 ТО-218
А2-К1, К2-А1
RURH3040CC
400
30х2
1.5 60
ТО-218
А2-К1, К2-А1
BYW51100
100
8х2 0.95 35 ТО-220АВ А2-К1, К2-А1
MUR3050PT
500
15х2 1.25 60
ТО-218
А2-К1, К2-А1
MUR1610CT
100
8х2 0.975 35 ТО-220АВ А1-К1, К2-А2
RURH1550CC
500
15х2 1.25 60
ТО-218
А2-К1, К2-А1
RURP810CC
100
8х2 0.975 35 ТО-220АВ А1-К1, К2-А2
RURH3050CC
500
30х2
1.5 60
ТО-218
А2-К1, К2-А1
BYW51150
150
8х2 0.95 35 ТО-220АВ А2-К1, К2-А1
26
Силовая электроника фирмы НARRIS

ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ
СДВОЕННЫЕ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ С УЛЫРАБЫСТРЫМ ВОССТАНОВЛЕНИЕМ (ПРОДОЛЖЕНИЕ)
"'
~~<С ."'
u"
oai
ж-
~~~ж_
~"~i~
"'~
е~
а.~
"'"'
'° > ~~_}
о:s: о-
о"'
~~ ж"'
Цоколевка
Прибор
"':s: (') J:i ctl
~ :s:
Корлус
"'ж
ож
"'"'"
"'"'
а."'
1-2-3 ...
ж"'"'оо"а.'°с:
~~ж~~ :s:с: о"'
С[оо
""'
"'о
~а.
"'"~ "ж
"
ж
с:с: а."'о
1~~ "'~
""'
u а.ж
а."
:s: ж
с:
"'
"'
.
1"''
.
oai ф ::ж::
D:-g()
ж - ::s;:Ф<С a_LLIED:Ж::
~ " ~i~к==:е~
"'~
а.~
'°> ~g_! 1 g~ ~;;
о"' ЖЕ::~ :5Ф t-::S::
Цоколевка
Прибор
"':s: (') J:i ctl
с:: Э~Е ctl ::ж::
Корпус
ож фш:w:
ctl u::
а.ф
1-2-3" .
ж"'
~~~ ~~ ~~
~~
~а.
~g_~ ~g ~~
с: с:
""'
:s: ж
с:
"
"'
MUR1615CT
150
8х2 0.975 35 ТО-220АВ А1-К1, К2-А2
RURG3060CC
600
30х2
1.5 60
ТО-247
А2-К1, К2-А1
RURP815CC
150
8х2 0.975 35 ТО-220АВ А1-К1, К2-А2
RURG1570CC
700
15х2 1.5 125 ТО-247
А2-К1, К2-А1
BYW51200
200
8х2 0.95 ' 35 ТО-220АВ А2-К1, К2-А1
RURG3070CC
700
30х2
1.5 150 ТО-247
А2-К1, К2-А1
MUR1620CT
200
8х2 0.975 35 ТО-220АВ А1-К1, К2-А2
RuRG1580CC
800
15х2 1.5 125 ТО-247
А2-К1, К2-А1
RURP820CC
200
8х2 0.975 35 ТО-220АВ А1-К1, К2-А2
RURG3080CC
800
30х2
1.5 150 ТО-247
А2-К1, К2-А1
-
RURP640CC
400
6х2
1.5 1 60 ТО-220АВ А1-К1, К2-А2
RURG1590CC
900
15х2 1.5 125 ТО-247
А2-К1, К2-А1
RURP840CC
400
8х2
1.3 : 70 ТО-220АВ А1-К1, К2-А2
RURG3090CC
900
30х2
1.5 150 ТО-247
А2-К1, К2-А1
RURP650CC
500
6х2
1.5 1 60 ТО-220АВ А1-К1, К2-А2
RURG15100CC
1000 15х2
1.5 125 ТО-247
А2-К1, К2-А1
RURP850CC
500
8х2
1.5
1
70 ТО-220АВ А1-К1, К2-А2
RURG30100CC
1000 30х2
1.5 150 ТО-247
А2-К1, К2-А1
RURP660CC
600
6х2
1.5 1 60 ТО-220АВ А1-К1, К2-А2
RURG15120CC
1200 15х2
2.1 130 ТО-247
А1-К1, К2-А2
RURP860CC
600
8х2
1.5 1 70 ТО-220АВ А1-К1, К2-А2
RURG30120CC
1200 30х2
2.1 150 ТО-247
А2-К1, К2-А1
RURP870CC
700
8х2
1.8
1
100 ТО-220АВ А1-К1, К2-А2
RURD410CC
100
4х2
1
35 ТО-251М А2-К1, К2-А1
RuRP880CC
800
8х2
1.8 1 100 ТО-220АВ А1-К1, К2-А2
RURD610CC
100
6х2
1
35 ТО-251М А2-К1, К2-А1
RURP890CC
900
8х2
1.8 : 100 ТО-220АВ А1-К1, К2-А2
RURD415CC
150
4х2
1
35 ТО-251М А2-К1, К2-А1
RURP8100CC
1000
8х2
1.8 1 100 ТО-220АВ А1-К1, К2-А2
RURD615CC
150
6х2
1
35 ТО-251М А2-К1, К2-А1
RURP4120CC
1200 4х2
2.1
90 ТО-220АВ А1-К1,К2-А2
RURD420CC
200
4х2
1
35 ТО-251М А2-К1, К2-А1
RURP6120CC
1200
6х2
2.1
90 ТО-220АВ А1-К1,К2-А2
--
--6Х2 - -
--
-
-
RURD620CC
200
1
35 ТО-251М А2-К1, К2-А1
RURP8120CC
1200
8х2
2.1 110 ТО-220АВ А1-К1,К2-А2
RURD440CC
400
4х2
1.5 60 ТО-251М А2-К1, К2-А1
RURG1510CC
100
15х2 1.05 35
ТО-247
А2-К1,К2-А1
RURD450CC
500
4х2
1.5 60 ТО-251М А2-К1, К2-А1
RURG3010CC
100 30х2
1
50
ТО-247
А2-К1,К2-А1
RURD460CC
600
4х2
1.5 60 ТО-251М А2-К1, К2-А1
RURG1515CC
150
15х2 1.05 35
ТО-247
А2-К1,К2-А1
RURD410CCS
100
4х2
1
35 ТО-252М А2-К1, К2-А1
RURG3015CC
150 30х2
1
50
ТО-247
А2-К1,К2-А1
RURD610CCS
100
6х2
1
35 ТО-252М А2-К1, К2-А1
RURG1520CC
200
15х2 1.05 35
ТО-247
А2-К1,К2-А1
RURD415CCS
150
4х2
1
35 ТО-252М А2-К1, К2-А1
RURG3020CC
200
30х2
1
50
ТО-247
А2-К1,К2-А1
RURD615CCS
150
6х2
1
35 ТО-252М А2-К1, К2-А1
RURG1540CC
400
15х2 1.5 60
ТО-247
А2-К1,К2-А1
RURD420CCS
200
4х2
1
35 ТО-252М А2-К1, К2-А1
RURG3040CC
400
30х2
1.5 60
ТО-247
А2-К1,К2-А1
RURD620CCS
200
6х2
1
35 ТО-252М А2-К1, К2-А1
RURG1550CC
500
15х2 1.5 60
ТО-247
А2-К1,К2-А1
RURD440CCS
400
4х2
1.5 60 ТО-252М А2-К1, К2-А1
RURG3050CC
500
30х2
1.5 60
ТО-247
А2-К1,К2-А1
RURD450CCS
500
4х2
1.5 60 ТО-252М А2-К1, К2-А1
RURG1560CC
600
15х2 1.5 60
ТО-247
А2-К1,К2-А1
RURD460CCS
600
4х2
1.5 60 ТО-252М А2-К1, К2-А1
СДВОЕННЫЕ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ С ГИПЕРБЫСТРЫМ ВОССТАНОВЛЕНИЕМ
"'
~~<С ."'
u"
oai
ж-
~~~ж_
~ " ::ж:: с::;:.,
"'~
"'"" "'"'
о~
а.~
~~j
::;д
.О>
о :s:
о"'
:5~ ж"'
Цоколевка
Прибор
"':s: (') J:i ctl
~ :s:
Корпус
"'ж
ож
"'"'"
:; "' а."'
1-2-3 " .
6~"'оо"а.'°с:
ж~~
~ffi о"'
..о"' С[оо
"'о
~~"'"~ "ж
"
ж
а."' о
1~~ "'~
,;::жuа.ж
а."
с:
"'
"'
~~<С "''.
oai
D:u:1g~
ж-
~ " ::ж:: с::;:., "'->
"'
"'~
"'""
g~ ~j
а.~
.О>
~~j
о"'
:5~i!:~
Цоколевка
Прибор
"':s: (') J:i ctl
с:: u:: ~~ Корпус
ож
"'"'"
1-2 -3".
' 6~ "'оо ~g-1-g:;;
1~ g_
ж~~
С[оо ()ctl
u:: о
~ffi "'"~ ~~ ~~
а."' о
,;::ж u а.ж ::::!::о а.()
с:
""'
RHRP640CC
400
6х2
2.1 1 35 ТО-220АВ А1-К1, К2-А2
RHRP8120CC
1200
8х2
3.2 65 ТО-220АВ А1-К1, К2-А2
RHRP840CC
400
8х2
-~-~- ТО-220АВ А1-К1, К2-А2
-50 0 -·6х2
-
RHRP650CC
2.1 1 35 ТО-220АВ А1-К1, К2-А2
RHRG1540CC
400
15х2 2.1
40
ТО-247
А1-К1, К2-А2
--
-
30х2 -
-
--
-
-----
RHRG3040CC
400
2.1
45
ТО-247
А1-К1, К2-А2
-
RHRP850CC
500
8х2
2.1 1 35 ТО-220АВ А1-К1, К2-А2
RHRG1550CC
500
15х2 2.1
40
ТО-247
А1-К1, К2-А2
RHRP660CC
600
6х2
2.1
1
35 ТО-220АВ А1-К1, К2-А2
RHRG3050CC
500
30х2 2.1
45
ТО-247
А1-К1, К2-А2
RHRP860CC
600
8х2
2.1 1 35 ТО-220АВ А1-К1, К2-А2
RfiRG1560CC
600
15х2 2.1
40
ТО-247
А1-К1, К2-А2
RHRP870CC
700
8х2
3 1 65 ТО-220АВ А1-К1, К2-А2
RHRG3060CC
600
30х2 2.1
45
ТО-247
А1-К1, К2-А2
RHRP880CC
800
8х2
3 1 65 ТО-220АВ А1-К1, К2-А2
RfiRG1570CC
700
15х2
3
70
ТО-247
А1-К1, К2-А2
RHRP890CC
900
8х2
3 : 65 ТО-220АВ А1-К1, К2-А2
RHRG3070CC
700
30х2
3
75
ТО-247
А1-К1, К2-А2
RHRP8100CC
1000
8х2
3 1 65 ТО-220АВ А1-К1, К2-А2
RHRG1580CC
800
15х2
3
70
ТО-247
А1-К1, К2-А2
-
-
RHRP4120CC
1200 4х2
3.2 1 70 ТО-220АВ А1-К1, К2-А2
RHRG3080CC
800
30х2
3
75
ТО-247
А1-К1, К2-А2
RHRP6120CC
1200
6х2
3.2
1
65 ТО-220АВ А1-К1, К2-А2
RHRG1590CC
900
15х2
3
70
ТО-247
А1-К1, К2-А2
Силовая электроника фирмы HARRIS
27

ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ
СДВОЕННЫЕ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ С ГИПЕРБЫСТРЫМ ВОССТАНОВЛЕНИЕМ (ПРОДОЛЖЕНИЕ)
Прибор
RHRG3090CC
900
30х2
RHRG151000CC 1000 15х2
RHRG30100CC
1000 30х2
RHRG15120CC
1200 15х2
RHRG30120CC
1200 30х2
RHRD440CC
400
4х2
28
3.2
3.2
2.1
"'
t;
""
~ж_
о~
::;д
ж"'
~ :s:
"'ж
а."'
'° с:
о"'
"'о
"
ж
"'
а.
"'
Корпус
75
ТО-247
70
ТО-247
75
ТО-247
75
ТО-247
75
ТО-247
35 ТО-251М
Цокопевка
1-2-3 ...
А1-К1, К2-А2
А1-К1, К2-А2
А1-К1, К2-А2
А1-К1, К2-А2
А2-К1, К2-А1
А2-К1. К2-А1
Прибор
RHRD450CC
RHRD460CC
RHRD440CCS
RHRD450CCS
RHRD460CCS
RHR1Y75120CC
500
600
400
500
600
1200
4х2
2.1
4х2
2.1
4х2
2.1
4х2
2.1
4х2
2.1
75х2 3.2
Корпус
35 1 ТО-251М
i
35 1 ТО-251М
i
35 1 ТО-252М
35 1 ТО-252М
35 i ТО-252М
100 1 ТО-264М
Цокопевка
1-2-3...
А2-К1, К2-А1
А2-К1, К2-А1
А2-К1, К2-А1
А2-К1, К2-А1
А2-К1, К2-А1
А1-К1, К2-А2
Силовая электроника фирмы НARRIS

MOSFET/IGBT ДРАЙВЕРЫ
MOSFET/IGBT ДРАЙВЕРЫ _____________________________
1
"'
~
!1
"'
~ ~~~~ "'
"'
:s:
{::.
:s:O
а.
~
:s:
С[
жо
i:::
"'
>:S:
"'"'
:s:
«10
i:::
""'
а.~
~
t;
о-
i:::
"'<С о~ ~а.
а.
i::: ~
~
~5 ""' ~m_
"'ё! ь=-о "' -
~~ о"' :s:
"' "'
~
о
~~
"' :s:
::i"
"'"' ж
а."
g-:!:~
'°
'"'"'
>ж
а.С[-
!'.~ ь~
~~ i:::
:s:
о"'
"'
а."'
ж"'
~g ~§~
ж"'" о"'
а.
а.
:s: ж
~"'
~! ~~
):::s::):::s::
о :s:"'
о
i::::
::r..,
'°
"'i:::
~3- ~~ ~i§g. ~ЭЕ
""
""'
о
а.
:s: ~
".::
~ж
"
"'
"i:::
а.
~
:s:"' i:::"'
:s:
о
i:::
"
i:::
"'"'
~
3" а. "'о
е
"
"'
"'
~ж
"'i::: :s: а.
~
о
::i:
:s:
{:!.
""
:;;
i::::
"'~ q"'
u
"
Драйвер полномостово-
Импульс- DIP-20 ,
HIP4080 го N-канального преоб- Вольтодобавка, ШИМ Компаратор
- 5 5 ...+125"С 1".80
8". 15
1000
15
2.5
+
10".100 нс
ныи
S0-20
разователя напряжения
---
Драйвер полномостово- Вольтодобавка. блокировка при понижен-
импульс- DIP-20 ,
HIP4080A го N-канального преоб- нам напряжении и/или встроенная схема -55".+125"С 1".8 0
9". 15
1000
15
2.5
+ 10".100 нс
запуска, ШИМ Компаратор
ныи
S0-20
разователя напряжения
Драйвер полномостово-
Вольтодобавка, независимое управление
Импульс- DIP-20 ,
HIP4081 го N-канального преоб-
-55".+125"С 1".8 0
6" .15
1000
15
2.5
+
10".100 нс
затвором
ныи
S0-20
разователя напряжения
Драйвер полномостово- Вольтодобавка. блокировка при понижен-
Импульс- DIP-20 ,
HIP4081A 1 го N-канального преоб- нам напряжении и/или встроенная схема -55".+125"С 1".8 0
9". 15
1000
15
2.5
+ 10".100 нс ныи S0-20
разователя напряжения запуска, независимое управление затвором
Драйвер полномосто- Блокировка при пониженном напряжении
HIP4082 вого N-канального пра- и/или встроенная схема запуска, блокиров- -55".+125"С 1".8 0
8". 15
250
30
1.25
+
0.1". 4 мкс
Непре- DIP-16 ,
образователя ка верхнего плеча при пониженном напря-
рывный S0-16
напряжения
жении, независимое управление затвором
Трехфазовый дРайвер
Блокировка верхнего плеча при понижен-
Непре- DIP-16 ,
HIP4083
нам напряжении. независимое управление -55".+125"С 1".8 0
7". 15
100
60
0.3
+
-
!верхнего плеча
рывный S0-16
затвором
1
Вольтодобавка, блокировка верхнего пле-
0.1".4 .5 Непре-
HIP4086 1 Трехфазовый дРайвер ча при пониженном напряжении, незави- -55".+125"С 1".8 0
7". 15
100
15
0.5
+
-
мкс
рывный
1
си мое управление затвором
1 Низковольтный полно- Встроенные мощные FЕТтранзисторы. ог-
HIP4020 1
-
-
раничение тока и защита от перагрева, уп-
-40".+85"С
2.5".1 5
100
0.5
Непре-
S0-20
1 мостовои дРаивер дви-
равление направлением тока или ШИМ.
-
-
-
-
рывный
!гателs:~
независимое управление затвором
1
Встроенные мощные FЕТтранзисторы, ог-
1 Двухкан~льнь~й полно-
раничение тока и защита от перагрева, уп-
СА3275
равление направлением тока или ШИМ, -40".+85"С -
8". 16
30
-
±0.15
-
-
-
DIP-14
мостовои дРаивер
защита от повышенного напряжения,
1
встроенный стабилизатор напряжения
HIP2030
Драйвер затвора
Вольтодобавка. ШИМ Компаратор
-40".+110"С 30 8". 15
180
200
6
т
Програм-
PLCC-28
МСТ/IGBT транзистора
(60,ОООпФ)
-
мируется
1
Встроенный диод, блокировка при пони-
Импульс-
женном напряжении и/или встроенная
HIP2100 1 N-ка~аль~ый полумос- схема запуска, блокировка верхнего плеча -40".+85"С 100 8". 15
1000
10
2
-
-
ный/ S0-8
товои дРаивер
при пониженном напряжении, независи-
корректи-
1
мое управление затвором
рующий
1
Вольтодобавка, блокировка при понижен-
DIP-14 ,
HIP2500 1 N-ка~аль~ый полумос- нам напряжении и/или встроенная схема -40".-t85"C 500 10" . 1 5
400
25
2
т
-
Импульс-
DIP-16 ,
товои дРаивер
запуска, блокировка верхнего плеча при
ный
S0-16
1
пониженном напряжении
1
Мiiгкий запуск, дежурный режим, ограниче-
1 N-канальный
ние тока и защита от перагрева, блокиров-
Импульс- DIP-20 ,
HIP5500 MOSFET/IGBT
ка при пониженном напряжении и/или -40".+85"С 500 10" . 1 5
600
50
2.3
+
-
ный S0-20
полумостовой дРайвер встроенная схема запуска, блокировка вер-
1
хнего плеча при пониженном напряжении
1
Ограничение тока и защита от перегрева,
1 N-канальный
блокировка при пониженном напряжении
Импульс-
SP600 MOSFET/IGBT
и/или встроенная схема запуска, блокиров- -40".+85"С 500 14.5" .1 6 .5 0 ".2 0
50
0.5
+
-
DIP-22
ный
полумостовой дРайвер ка верхнего плеча при пониженном напря-
1
жении, независимое управление затвором
1 N-канальный
Ограничение тока и защита от пераграва,
SP601
MOSFET/IGBT
блокировка при пониженном напряжении
-40".+85"С 500 14.5" .1 6 .5 0 ".2 0
50
0.5
-
-
Импульс-
DIP-22
, полумостовой дРайвер
и/или встроенная схема запуска, блокировка
ный
верхнего плеча при пониженном напряжении
HV400
1 N-канальный мощный
-
-40".+85"С 35 15" . 3 0
300
16
6 (исток), -
-
-
DIP-8 ,
iдРайвер
30 (сток)
S0-8
'
DIP-8 ,
ICL7667 1 Сд~оен~ый N-каналь- Независимое управление затвором
-40".+85"С 15 4.5 ".1 5
100
30
1.5
-
-
-
S0-8 ,
ныидРаивер
ТО-99
Силовая электроника фирмы HARRIS
29

КОРПУСА
КОРПУСА _________________________________
DIP-4
CLCC-18
м__ 1
э--~ш
'
S0-8
1~
4
SOT-223
ТО-204АЕ
S0-8
1~
T0-205AF
ТО-218
3
ТО-218-1
2
ТО-218-5
ТО-220-5
T0-220ABALT
ТО-220АВ
ТО-220АС 2
ТО-247
3
ТО-247-2
2
ТО-251
ТО-251АА
2
~1
30
Силовая электроника фирмы НARRIS

КОРПУСА
КОРПУСА(ПРОДОЛЖЕНИЕ) _____________________________
ТО-254АА
ТО-252
ТО-252АА
~
1~
2
3
ТО-257Ад
ТО-258
ББК.32.85
М59
УДК621.375(03)
ТО-263АВ (D2-РдК)
3
Материалы к изданию подготовил: И. С. Кирюхин
Верстка: С. В. Шашков
Графическое оформление: А. Ю. Анненков
Дизайн обложки: А. А. Бахметьев, И. Л. Люско
Ответственный редактор: В. М. Халикеев
Размещение рекламы - рекламное агенство
"Мир электронных компонентов"
Библиотека электронных колтонентов. Выпуск 3 : Силовая
электроника фир.,1ы НARRIS-M ДОДЭКА, 1999г., 32 с.
ISBN-5 -87835 -038 -6
В настоящем издании приведены технические параметры
дискретных полупроводниковых приборов фирмы "Harris
Semiconductor" для мощных электронных схем, а именно
мощные МОП и /GBT транзисторы, выпрямительные диоды
со сверхбыстрым восстановлением, драйверы мощных
МОП и /GВТтранзисторов.
Техническая информация представлена в виде таблиц,
разделенных на несколько крупных блоков в соответствии
с функциональным назначением приборов. Для удобства
выбора необходимого прибора приводятся тип корпуса и
его цоколевка.
Книга предназначена для радиолюбителей и специалистов.
занимающихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом
мощной электронной аппаратуры.
Силовая электроника фирмы HARRIS
ТО-262дд (D2-РдК)
321
ТО-264АА
Для специалистов в области радиэлектроники, студентов
технических ВУЗов и широкого круга читателей.
Компьютерный набор. Подписано в печать 13.04.99 г.
Формат84х 108/16. Гарнитура "Прагматика".
Печать офсетная. Тираж 10000 экз. - 1-й завод. Заказ No
Отпечатано с готовых диапозитивов в типографии
"Новости".107005, Москва, ул. Ф. Энгельса, 46.
Издательство "ДОДЭКА" 105318, Москва, а/я 70.
Тел.: ( 095) 366-24 -29 , 366 -81 -45;
E-mail: book@dodeca.msk.ru; 8514.g23@g23.re/com.ru
Редколлегия: А. В. Перебаскин, А. А. Бахметьев,
В. М. Халикеев
Главный редактор: А. В. Перебаскин
Директор издательства: А. В. Огневский
М 2302030700 Без объявл
3ЮО(О3)-96
·
©Издательство "ДОДЭКА" - 1999 г.
®Серия "Библиотека электронных компонентов"
Издание подготовлено и распространяется при участии
фирмы "Платан" и сети магазинов "ЧИП и ДИП".
Все права защищены. Никакая часть этого издания не может
быть воспроизведена в любой форме или любыми средства
ми, электронными или механическими, включая фотографи
рование, ксерокопирование или иные средства копирования
или сохранения информации без письменного разрешения
издательства.
31