Текст
                    Рис. 1. Схема электрическая принципиальная генератора Г4-102А,

Перечень элементов к схеме электрической принципиальной генератора Г4-102А Поз. обознач.' Обозначение Наименование Количество1 Примечание R1 Резистор ППЗ-40-680 Ом ±10% 1 R3 > ОМЛТ-0,125-22 кОм±5% 1 R4 » ОМЛТ-0,125-39 кОм±5% 1 R5 » ППЗ-41-2,2 кОм±Ю% 1 R6 » ОМЛТ-0,25-100 кОм±10% 1 R7* » ОМЛТ-0,125-820 Ом±Ю% 1 680, 750, 910 Ом, 1 кОм С1 Конденсатор К50-6-6-50 мкФ-БИ 1 В1 Микротумблер МТ-1 1 В2 Переключатель 11П1Н ПМ 1 ВЗ Кнопка малогабаритная КМ1-1 1 В4 Кнопка малогабаритная КМ1-1 1 В5-В7 Микротумблер МТ-1 3 В8 Тумблер ТП1-2 1 ИП1 Микроамперметр М4248-7 1 POpi@mojVru * вертикальный егаППеи ьу Орепгее^ КЛ1 4.835.038-2 Клемма корпусная э 1 со
Поз. обознач. Обозначение Наименование Количеств» Л1 Лампа ИНС-1 1 Пр1 Предохранитель ВП1-Ь0,5А 1 Ш1 Вилка кабельная СР-50-111Ф 1 шз Розетка приборно-кабельная СР-50-83Ф 1 Ш4 Розетка приборная СР-50-73Ф 1 Ш5 Вилка ВД1 0.364.003 1 Т1 Транзистор П214А 1 Тр1 4.700.503 Трансформатор 1 У1 2J43.060 Аттенюатор ступенчатый R1 Резистор С2-10-0,25-96,5 Ом±1% 1 R2 > 02-10-0,25-71,5 Ом±1% 1 R3 > С2-10-0,25-96,5 Ом±1% 1 R4 » 02-10-0,25-61,2 Ом±1% 1 R5 С2-10-0,25-249 Ом±1% 1 R6 > 02-10-0,25-61,2 Ом±1% 1 R7 » 02-10-0,25-51,1 Ом±1% 1 R8 » 02-10-0,25-2,49 к0м±1% 1
R9 RIO Rll R12 Bl—B8 У1—Ш1 У1-Ш2 У2 3.266.021 ЭЗ R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RIO Rll CO co
PteRCTop 02-10-0,25-51,1 Ом±1% > C2-10-0,25-51,1 Ом±1% > C2-10-0,25-2,49 кОм±1% > C2-10-0,25-51,1 Ом±1% Микропереключатель МП 10 Вилка кабельная СР-50-111Ф Розетка приборная СР-50-73Ф Генератор звуковой частоты Резистор ОМЛТ-0,25-510 Ом±5% > ОМЛТ-0,125-750 Ом±1% > ОМЛТ-0,125-750 Ом±1% > ОМЛТ-0,125-1,87 кОм±1% > ОМЛТ-0,125-422 Ом±1% > ОМЛТ-0,125-2,94 кОм±1% > ОМЛТ-0,125-294 Ом±1% > ОМЛТ-0,125-3,92 кОм± 1 % > ОМЛТ-0,125-226 Ом ± 1 % > ОМЛТ-0,125-4,87 кОм± 1 % » ОМЛТ-0,125-182 Ом±1% 1 1 1 1 8 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
Поз. обознач. Обозначение Наименование Количество Примечание R12 Резистор ОМЛТ-О,125-5,9 кОм±1% 1 R13 ОМЛТ-О, 125-158 Ом±1% 1 R14 » ОМЛТ-О,125-6,98 кОм±1% 1 R15 » ОМЛТ-О,125-133 Ом±1% 1 R16 > ОМЛТ-0,125-7,87 кОм±1% 1 R17 ОМЛТ-О,125-118 Ом±1% 1 R18 » ОМЛТ-О,125-8,87 кОм ± 1 % 1 R19 ОМЛТ-О,125-105 Ом±1% 1 R20 » ОМЛТ-О,25-1,5 кОм±10% 1 R21 » СП5-2-0,25-10 кОм±Ю% 1 R22 ОМЛТ-О,25-8,2 кОм±Ю% 1 R23 ОМ Л Т-0,25-820 Ом±5% 1 R24 > СП5-2-0,25-22 кОм±Ю% 1 R25 » ОМЛТ-0,25-1,3 кОм±Ю% 1 R26 ОМЛТ-0,25-82 кОм±Ю% 1 R27 ОМЛТ-0,25-56 кОм±Ю% 1 R28 ОМЛТ-0,25-56 Ом±Ю% 1
R29 R30 Cl C2- C4 C5 C6 G7 C8 C9 CIO Д1 T1 T2, T3 Л1 LI У4 R1 R2 ± R3 4.777.665 5.172.253
Резистор ОМЛТ-0,25-560 Ом ±10% > ОМЛТ-0,25-56 Ом±Ю% Конденсатор K50-6-I-6B-50 мкФ-БИ > К40У-9-200-6800 пФ±10% > К73П-3-160-0,5 мкФ±10% > K50-6-I-6B-50 мкФ-БИ > K50-6-I-15B-20 мкФ-БИ » K50-6-I-15B-50 мкФ-БИ > K50-6-I-15B-20 мкФ-БИ > КМ-56-М750-220 пФ±10% > КМ-5б-Н90-0,015 мкФ Диод полупроводниковый Д18 Транзистор 2Т603Б > 2Т325Б Лампа СМН12-5 Катушка индуктивности Б22 _______ Аттенюатор выносной Резистор 02-10-0,25-374 Ом±1% > 02-10-0,25-63,4 Ом±1% > 02-10-0,25-249 Ом±1%, 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2 1 J. 1 1 1 1
й Поз. обознач. Обозначение Наименование Количество Примечание R4 Резистор С2-10-0,25-92 Ом±1% 1 R5 » £2-10-0,25-7,06 Ом±1% 1 R6 • > С2-10-0,25-61,2 Ом±1% 1 У4- Ш1ч-Ш4 Розетка приборная СР-50-73Ф 4 Генератор задающий 2.211.002 R1* Резистор ОМЛТ-0,125-180 Ом±Ю% 1 82^-200 Ом R2* » ОМЛТ-0,125-180 Ом±Ю% 1 824-200 Ом R3* » ОМЛТ-0,125-180 Ом±Ю% 1 824-200 Ом R4* » ОМЛТ-0,125-150 Ом±Ю% 1 824-200 Ом R5* » ОМЛТ-0,125-150 Ом±Ю% 1 82—200 Ом R6* » ОМЛТ-0,125-150 Ом±Ю% 1 82—200 Ом R7* » ОМЛТ-0,125-180 Ом±Ю% 1 82—200 Ом R8* » ОМЛТ-0,125-100 Ом±Ю% 1 564-120 Ом R9* » ОМЛТ-0,125-24 Ом±Ю% 1 124-33 Ом R10* > ОМЛТ-0,125-24 Ом±Ю% 1 124-33 Ом R11* » ОМЛТ-0,125-24 Ом±Ю% 1 124-33 Ом
R12* R13* R14* R15* R16* Cl C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CIO СП C12 С13» C14* Резистор ОМЛТ-О, 12-15 Ом±Ю% » ОМЛТ-О, 125-12 Ом±Ю% » ОМЛТ-О,125-24 Ом±Ю°/о » ОМЛТ-О, 125-10 Ом±Ю°/о - » ОМЛТ-О,125-15 Ом±10% Конденсатор КМ-5б-Н30-0,015 мкФ±20% » КМ-5б-Н30-0,01 мкФ ±20 % » КМ-56-Н30-6800 пФ±20% > КМ-56-М1500-2200 пФ±20% > КМ-56-М750-820 пФ±20% » КМ-56-М47-430 пФ±20% » КМ-56-М47-270 пФ ±20 % » КМ-56-М47-91 пФ±20% » КД-1-М75-18 пФ±10% > КМ-56-М750-470 пФ±20% > КД-1-М75-18 пФ±10% > КМ-56-М47-82 пФ±20% > КД-1-М75-20 пФ ±10% » КД-1-М75-24 пФ±|5% 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 Ю-г-24 Ом 10-^24 Ом 12—33 Ом 104-24 Ом 104-24 Ом 18—30 жФ 18-J-47 пФ
Поз. обознач. Обозначение Наименование Количество Примечание С15* Конденсатор КД-1-М75-24 пФ ±5 % 1 18-47 пФ С16* » КД-1-М47-3.9 пФ±10%-3 1 3,9-ИЗ пФ С17* > КД-1-М47-4,7 пФ±Ю% 1 3,94-10 пФ С18* » КД-1-М47-5.1 пф±10%-3 1 5,14-15 пф С19* » КД-1-М75-10 пФ±10%-3 1 8,24-20 пФ С20* » КД-1-М75-20 пФ±10% 1 184-30 пФ С21 Конденсатор переменной емкости 6-5-230 пФ 1 Входит в 4.656.136 С22-С25 Конденсатор КТП-1А6-Н70-1500 пф+^% 4 С26-С29 » K50-6-I-15-20 мкФ-БИ 4 СЗО, С31 » КД-1-М75-30 пФ-5% 2 L1 4.777.125-01 Катушка индуктивности 1 L2 > » 1 L3 4.777.125-02 » » 1 L4 —>—. » » 1 L5 4.777.125-03 1 L6 -—»— > » 1 L7 4.777.125-04 » > 1
L8 L9 LIO Lil L12 L13 L14 L15 L16 Bl 4.777.125-04 4.777.125-05 4.777.125-06 4.777.125-07 4.777.125-08 Др1- Дрз Ш1 R1 R2 S R3 Cl C2
Катушка индуктивности > » » » » » > > Переключатель П2К Исполнение по карте заказа 3.600.243 Дроссель высокочастотный ДМ-0,1 -450±5% Розетка приборная СР-50-112Ф Плата 3.660.042 Резистор ОМЛТ-0,125-6,8 кОм ±10% > ОМЛТ-0,125-39 кОм±Ю% > ОМЛТ-0,125-15 кОм ±10% Конденсатор КМ-5б-Н90-0,033 мкФ КМ-56-Н90-0,! мкФ 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 3 1 1 1 1 1 1
& 1 Поз. обозиач. Обозначение Наименование Количество! Примечание СЗ Конденсатор КМ-56-Н90-0,! мкФ 1 Т1 Транзистор 1Т311Д 1 Блок усилителей 2.030.031 R1* Резистор ОМЛТ-0,125-3,9 кОм±Ю% 1 2,44-7,5 кОм С1н-С3 Конденсатор КТП-1Аа-Н70-1500 пФ 3 С4 » КО-16-М1500-150 пФ±20% 1 С5-нС8 » K50-6-I-15-20 мкФ 4 С9 » КО-2а-М1300-220 пФ±20% 1 C10-J-C12 » КТП-1Аа-Н70-1500 пф+^% 3 С13-^-С16 » K50-6-I-15-20 мкФ-БИ 4 С17 » КО-2а-М1300-220 пФ ±20% 1 С18-С20 » КТП-1Аа-Н70-1500 пф+эд% 3 С21, С22 » БМ-2-200-4700 пФ±10% 2 С23 » КО-2а-М1300-220 пФ ±20% 1 С24-С26 » КТП-1Аа-Н70-1500 пф+эд* 3 С27-нС30 » K50-6-I-15-20 мкФ-БИ 4 С31ч-С34 » КТП-1Аа-Н70-1500 пф+^о* 4
Др1 + Дрз Дроссель высокочастотный ДМ-1,2-30±5% 3 Др4ч- Дрб » > ДМ-0,1-450±5% 3 Др7- Др9 5.7ТТ.148 Дроссель 3 ДрЮ+ Др12 Дроссель высокочастотный ДМ-1,2-30±б% 3 ШЗ Розетка приборная СР-50-112Ф 1 Плата 3.660.049-01 R1* Резистор ОМЛТ-0,125-39 Ом±Ю% 1 22-Т-220 Ом R2 » ОМЛТ-0,125-56 Ом±10% 1 R3 » ОМЛТ-0,125-130 кОм±Ю% 1 R4* » ОМЛТ-0,125-510 Ом±Ю% 1 510 Ом -г-1,5 кОм R5 > ОМЛТ-0,125-12 кОм± 10% 1 R6 » ОМЛТ-0,125-120 Ом±Ю% 1 R7 » ОМЛТ-0,125-12 кОм±Ю% 1 R8 > ОМЛТ-0,125-1,5 кОм±Ю% 1 R9 » ОМЛТ-0,125-330 Ом±Ю% 1 R10 > ОМЛТ-0,125-100 Ом±Ю% 1 •К С1 Конденсатор K50-6-I-15-20 мкФ-БИ 1
s Поз. обознач. Обозначение Наименование Количество Примечание С2 Конденсатор КМ-5б-Н90-0,1 мкФ 1 СЗ » КМ-56-Н90-0.1 мкф+®0% 1 С4 » K50-6-I-6-50 мкФ-БИ 1 С5 » K50-6-I-15-20 мкФ-БИ 1 С6 » КМ-56-Н90-0.01Б мкФ±20% 1 С 7 » КМ-56-Н90-0.015 мкФ+20% 1 CS » КМ-56-М75-150 пФ±20% 1 С9* > КМ-56-М75-150 пФ±20% 1 Может отсутствовать 100-5-220 пФ СЮ > КД1-М47-10 пФ±10%-3 1 Д1 Диод полупроводниковый Д18 1 Др! Дроссель высокочастотный ДМ-0,1-450+5% 1 Др2 5777Д51 Дроссель 1 Tl, Т2 Транзистор 1Т313А 2 ТЗ > 1Т311Г 1 Плата 3.660.044 R1 Резистор ОМЛТ-0,125-4,7 кОм±Ю% 1 R2 > ОМЛТ-0,125 1 кОм ±10% 1
R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RIO RU R12 R13, R14 R15 Cl C2 C3, C4 C5 C6, C7 C8 C9 ’
Резистор ОМЛТ-О,125-330 Ом±Ю% > ОМЛТ-О,125-100 Ом±Ю% » ОМЛТ-О,125-22 Ом±Ю% » ОМЛТ-О,125-4,7 кОм±Ю% » ОМЛТ-О,125-1 кОм±Ю% > ОМЛТ-О,125-330 Ом±Ю% » ОМЛТ-О,125-100 Ом±Ю% > ОМЛТ-0,125-56 Ом±Ю% > ОМЛТ-О,125-3,9 кОм±Ю% » ОМЛТ-0,125-820 Ом±Ю% » ОМЛТ-0,25-33 Ом±5°/о » ОМЛТ-0,25-120 Ом±Ю% Конденсатор K50-6-I-15-20 мкФ-БИ > КМ-56-М75-220 пФ±20% > КМ-56-Н90-0Д мкФ ^20 % > КМ-56-М75-220 пФ±20% > КМ-56-Н90-0.1 мкф+^% » К50-6-Ы5-20 мкФ-БИ > КМ-56-Н90-0Д мкФ 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2 1 1 1 2 1 2 1 1
Поз. обознач. Обозначение Наименование Количестве Примечание СП Конденсатор КМ-56-Н90-0Д мкФ^2^% 1 др1 Дроссель высокочастотный ДМ-0,1-450±5 % 1 Т1—Т2 Транзистор 1Т311К 2 та-Т4 » 2Т325Б 2 Плата 3.660.045 R1 Резистор ОМЛТ-0,125-4,7 кОм±10% 1 R2 » ОМЛТ-0,125-1 кОм±Ю% 1 R3 » ОМЛТ-0,125-330 Ом±Ю% 1 R4 » ОМЛТ-0,125-100 Ом±Ю% 1 R5* » ОМЛТ-0,125-39 Ом±Ю% 1 ЗЗ-г-47 Ом R6 » МЛТ-0,125-4,7 кОм±Ю% 1 R7 » МЛТ-0,125-1 кОм±Ю% 1 R8 » МЛТ-0,125-330 Ом±Ю% 1 R9 » МЛТ-0,125-100 Ом±Ю% 1 R10* > МЛТ-0,125-56 Ом±Ю% 1 47ч-68 Ом R11 » МЛТ-0,125-3 кОм±10% 1 R12* » МЛТ-0,125-390 Ом±Ю% 1 330-г-1,0 кОм
R13, R14 R15 R16 Cl C2 СЗ, C4 C5 C6, C7 C8 C9 CIO CH Д1 ДР1 Др2 T1-T2 ТЗ—T4 R1 21 R2
Резистор МЛТ-0,25-33 Ом±5% > МЛТ-0,125-51 Ом±10% > МЛТ-0,25-100 Ом±Ю% Конденсатор K50-6-I-15-20 мкФ-БИ > КМ-56-М75-220 пФ±20% > КМ-56-Н90-0.1 мкФ ^20* > КМ-56-М75-220 пФ ±20% > КМ-56-Н90-0.1 мкФ^20* > K50-6-I-5-20 мкФ-БИ > КМ-5б-Н90-0,1 мкФ +20% » K50-6-I-15-20 мкФ-БИ > КМ-56-М750-1000 пФ±10% Диод полупроводниковый Д18 Дроссель высокочастотный ДМ-0,1-450±5% > > Д3-0,1-430±5% Транзистор 1Т311К > 2Т325Б Плата 3.661.752-01 Резистор ОМЛТ-0,5-1,8 кОм±Ю% > ОМЛТ-0,5-100 Ом±Ю% 2 1 1 1 1 2 1 2 1 1 1 1 1 1 1 2 2 1 1 1
So ГГоЕк обознач. Обозначение Наименование О и 3* S о Примечание R4 Резистор ОМЛТ-О,5-820 Ом±Ю% ,1 R& » СП5-23-0,25-680 Ом ± 10 % 1 R& » ОМЛТ-О,5-560 Ом±Ю% 1 R7 > ОМЛТ-О,5-1,8 кОм±Ю% 1 R8 > ОМЛТ-О,5-100 Ом±Ю% 1 RO > ОМЛТ-0,5-5,6 кОм±Ю% 1 RIO > ОМЛТ-0,5-820 Ом±Ю% 1 Rll » 015-12-0,25-680 Ом±Ю% 1 R12 » ОМЛТ-0,5-560 Ом±10% 1 Cl Конденсатор K50-6-II-25B-200 мкФ-БИ 1 C2 » К40У-9-200В-0.01 мкФ ±10% 1 C3 > К50-6-П-25В-200 мкФ-БИ 1 C4 » K50-6-II-25B-500 мкФ-БИ 1 C5 » К40У-9-200В-0.01 мкФ ±10% 1 C6 » K50-6-II-25B-200 мкФ-БИ 1 Д1» Д2 Диод полупроводниковый Д237Б 2 Д3н-Д5 > » Д814А 3
Д6, Д7 Д8-Д10 Tl Т2 ТЗ Т4 Т5, Тб R1 R2 R3 R4 R7 R8 R9 R10 С2 СЗ 82 С4
Диод полупроводниковый Д237Б > » Д814А Транзистор МП 10 > 1Т403Б > МП15 » МШО > МП15 Плата 3.661.873 Резистор ОМЛТ-0,125-56 кОм±Ю% > ОМЛТ-0,125-1,2 кОм±Ю% > ОМЛТ-0,125-510 Ом±5% » ОМЛТ-0,125-390 Ом±Ю% > ОМЛТ-0,125-100 Ом±Ю% > ОМЛТ-0,125-390 Ом±Ю% > ОМЛТ;-0,125-22 кОм±Ю% > ОМЛТ-0,125-22 кОм±Ю% Конденсатор K50-6-I-15-20 мкФ-БИ > К5*0-6-1-6-100 мкФ-БИ > K50-6-I-6-100 мкФ-БИ 2 3 1 1 1 1 2 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
Поз. обознач. Обозначение Наименование Количество! Примечание дз Диод полупроводниковый Д18 1 Д1, Д2 » » 2С156А 2 Т2 Транзистор МП 15 1 MCI Микросхема 140УД1А 1 Плата 3.661.878 R1 Резистор СП5-2-0,25-680 Ом±Ю% 1 R2 > ОМЛТ-О,25-430 Ом±Ю% 1 R3 » ОМЛТ-О,25-2,2 кОм±Ю% 1 R4 » ОМЛТ-О,25-4,7 кОм±Ю% 1 R5 > ОМЛТ-О,25-1,5 кОм±Ю% 1 R6 > СП5-2-0,25-680 Ом 1 R7 Терморезистор ММТ-1-1,5 кОм ±10% 1 1 R8 Резистор ОМЛТ-О,25-2,2 кОм±Ю% 1 R9 Scanned by OpenreeV®'"»'’"1 » ОМЛТ-О,25-100 Ом±Ю% 1
Таблица 5 Намоточные данные силового трансформатора Номер выводов Тип провода Диаметр провода, мм Число витков Напряжение под нагрузкой, В 1-2 ПЭВ-2 0,2 860 НО 3—4 ПЭВ-2 0,2 860 НО 11—12 ПЭВ-2 0,41 137 16 12—13 ПЭВ-2 0,41 137 16 21—22 ПЭВ-2 0,2 120 14 22—23 ПЭВ-2 0,2 120 14 31 Экран Магнитопровод ШЛ 16X25. Намоточные данные дросселей Обозначение Данные обмотки Сердечник тип провода- диаметр тип намотки число витков индук- тивность 5.777.148 5.777.151 ПЭВ-2 0,2 мм ПЭВ-2 0,23 мм Внавал Рядовая 135 30 7,5 мГн ±10 % 500 мкГн±10% МЮООНН-З К10Х6Х5 МЮООНН-З К10Х6Х5 Намоточные данные катушки индуктивности 4.777.665 Выводы Тип и диаметр провода Количество витков Тип намотки Индуктив- ность, мкГн Сердечник 1—4 ПЭВ-2 105 Внавал 150 ± 5 % Чашка М2000Н MI- 1—5 0,2 мм 250 Внавал 700 ±5% -16, Б22 1—8 400 Внавал 1640 ±5% 57
Таблица 6 Намоточные данные катушек индуктивностей Обозна- чение катушки Номер выводов Номер секций Кол-во витков в секции Общее число витков Диаметр провода Частот , МГц Марки- ровка L1 3 30 30 0,18 0,1-0,2 125-1 L2 1—2 1 20 2-3 2—8 по 200 0,12 1—3 1-8 1420 L3 3 20 20 0,23 L4 1-2 1 14 0,2-Н), 4 125-2 2-3 2—8 по 100 1-3 1—8 714 0,12 L5 3 10 10 0,23 L6 1—2 1 8 2—3 2—8 по 50 0,4—0,8 125-3 1-3 1-8 358 0,12 L7 3 4 4 0,23 L8 1-2 1 5 0,8-н2,0 125—4 2-3 2—8 по 27 1—3 1-8 194 0,12 L9 3 2 2 0,23 L10 1-2 1 3 2,0+5,0 125—5 2—3 2-8 по 11 1-3 1-8 73 0,23 L11 3 1 1 0,23 L12 1—2 1 1 5,0—12,5 125—6 2-3 2—8 по 4 1-3 1—8 29 0,31 L13 2 1 1 0,55 L14 1-3 1—6 по 2 12,5^-24,0 125-7 1—3 1-6 12 0,55 L15 2 1 1 0,55 L16 1-3 1—4 по 1 24,0+50,0 125—8 1—3 1-4 4 0,55 58
ТАБЛИЦЫ РЕЖИМОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Плата модулятора 3.660.049-01 Таблица 7 Позиции триодов по схеме Тип триода Наименование выводов и режим, В К Э Б Т1 IT 313А —11 (О-- —0,2) —(0,30ч- —0,5) Т2 IT 313А -11 + (0,35^ 0,1) (0-5—0,2) ТЗ 1Т 311Г + 12,2 0 +(0,35 ч-0,1) Платы усилителей 3.660.044, 045 Таблица 8 Позиции триодов по схеме Тип триода Наименование выводов и режим, В К э Б Т1 1Т 311К +6,0 + 1,75 +2,10 Т2 1Т ЗНК + 6,0 + 1,75 +2,10 ТЗ 2Т 325Б + (5.0ч-+7.4) Т(0,68 -+1,5) +(0,70 ч-2) Т4 2Т 325Б 4(5,Оч 7,4) + (0,68-1,5) +(0,70ч-2,0) Плата задающего генератора 3.660.042 Таблица 9 Позиции триодов по схеме Тип триода Наименование выводов и режим, В К 1 э Б Т1 1Т 311Д — (0,3-5-1) -9 -8,4 Генератор звуковой частоты Таблица 10 Позиции триодов по схеме Тип триода Наименование выводов и режим, В К э 1 1 Б Т1 2Т 603 Б + 11,5 + 10,2 +10,5 Т2 2Т 603 Б + 11,5 + 8,5 +9,0 ТЗ 2Т 603 Б + 11,5 + 8,0 + 8,5 59
Таблица 11 Плата усилителя постоянного тока Позиции триодов по схеме Тип триода Наименование выводов и режим, В К Э Б Т2 МП 15 —12,6 -(0,2 ч 0,7) —(0,2^1) Блок питания Таблица 12 Позиции триодов по схеме Тип триода Наименование выводов и режим, В К Э Б Т1 П214А 6,45 0 -0,24 Т1 МП10 —12,6 —16,8 -16,5 Т2 1Т403Б -16,7 -12,6 -12,6 ТЗ МП15 —12,6 —7,7 —7,8 Т4 МП10 -0,42 —6,1 —5,8 Т5 МП15 —6,45 -0,24 —0,42 Тб МП15 -0,42 +4,7 +4,6 Примечание. Все напряжения, указанные в таблице, измеряются при- бором ВК7-15 относительно корпуса в режиме непрерывной генерации (НГ) и мо- гут отличаться от указанных в таблице на ±20%.
Таблица 13 КАРТА НАПРЯЖЕНИЙ В КОНТРОЛЬНЫХ ТОЧКАХ ПРИБОРА Г4-102А Наименование блока или узла Контрольные точки и напряжения, В Генератор задающий С22 —12,6В Блок усилителей С1 4-12,6 В С12 —12,6 В С20 1 кГц 1,5 В С26 + 12,6 В С31 ч-(0,01ч- -4-0,45) В С32 4-12,6 В СЗЗ । —12,6 В С34 4-(0,1-4-1) В Генератор звуковой частоты контакт 15 1 кГц 1,5 В контакт 2 4-0,12 В контакт 16 + 12,6 В Блок питания контакт 12 4-12,6 В контакт 14 —12,6 В Тр1 контакт 1-2, 3—4 Общая панель прибора В4 (2) 4-0,2 В6,7 (2к) 4-12,6 В R5 средний вывод регули- руется от4-12,6 до4-1,3 В