/
Текст
Рис. 1. Схема электрическая принципиальная генератора Г4-102А,
Перечень элементов к схеме электрической принципиальной генератора Г4-102А
Поз. обознач.' Обозначение Наименование Количество1 Примечание
R1 Резистор ППЗ-40-680 Ом ±10% 1
R3 > ОМЛТ-0,125-22 кОм±5% 1
R4 » ОМЛТ-0,125-39 кОм±5% 1
R5 » ППЗ-41-2,2 кОм±Ю% 1
R6 » ОМЛТ-0,25-100 кОм±10% 1
R7* » ОМЛТ-0,125-820 Ом±Ю% 1 680, 750, 910 Ом,
1 кОм
С1 Конденсатор К50-6-6-50 мкФ-БИ 1
В1 Микротумблер МТ-1 1
В2 Переключатель 11П1Н ПМ 1
ВЗ Кнопка малогабаритная КМ1-1 1
В4 Кнопка малогабаритная КМ1-1 1
В5-В7 Микротумблер МТ-1 3
В8 Тумблер ТП1-2 1
ИП1 Микроамперметр М4248-7 1 POpi@mojVru
* вертикальный егаППеи ьу Орепгее^
КЛ1 4.835.038-2 Клемма корпусная э 1
со
Поз. обознач. Обозначение Наименование
Количеств»
Л1 Лампа ИНС-1 1
Пр1 Предохранитель ВП1-Ь0,5А 1
Ш1 Вилка кабельная СР-50-111Ф 1
шз Розетка приборно-кабельная СР-50-83Ф 1
Ш4 Розетка приборная СР-50-73Ф 1
Ш5 Вилка ВД1 0.364.003 1
Т1 Транзистор П214А 1
Тр1 4.700.503 Трансформатор 1
У1 2J43.060 Аттенюатор ступенчатый
R1 Резистор С2-10-0,25-96,5 Ом±1% 1
R2 > 02-10-0,25-71,5 Ом±1% 1
R3 > С2-10-0,25-96,5 Ом±1% 1
R4 » 02-10-0,25-61,2 Ом±1% 1
R5 С2-10-0,25-249 Ом±1% 1
R6 > 02-10-0,25-61,2 Ом±1% 1
R7 » 02-10-0,25-51,1 Ом±1% 1
R8 » 02-10-0,25-2,49 к0м±1% 1
R9 RIO Rll R12 Bl—B8 У1—Ш1 У1-Ш2
У2 3.266.021 ЭЗ
R1
R2
R3
R4
R5
R6
R7
R8
R9
RIO
Rll
CO
co
PteRCTop 02-10-0,25-51,1 Ом±1%
> C2-10-0,25-51,1 Ом±1%
> C2-10-0,25-2,49 кОм±1%
> C2-10-0,25-51,1 Ом±1%
Микропереключатель МП 10
Вилка кабельная СР-50-111Ф
Розетка приборная СР-50-73Ф
Генератор звуковой частоты
Резистор ОМЛТ-0,25-510 Ом±5%
> ОМЛТ-0,125-750 Ом±1%
> ОМЛТ-0,125-750 Ом±1%
> ОМЛТ-0,125-1,87 кОм±1%
> ОМЛТ-0,125-422 Ом±1%
> ОМЛТ-0,125-2,94 кОм±1%
> ОМЛТ-0,125-294 Ом±1%
> ОМЛТ-0,125-3,92 кОм± 1 %
> ОМЛТ-0,125-226 Ом ± 1 %
> ОМЛТ-0,125-4,87 кОм± 1 %
» ОМЛТ-0,125-182 Ом±1%
1
1
1
1
8
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
Поз. обознач. Обозначение Наименование Количество Примечание
R12 Резистор ОМЛТ-О,125-5,9 кОм±1% 1
R13 ОМЛТ-О, 125-158 Ом±1% 1
R14 » ОМЛТ-О,125-6,98 кОм±1% 1
R15 » ОМЛТ-О,125-133 Ом±1% 1
R16 > ОМЛТ-0,125-7,87 кОм±1% 1
R17 ОМЛТ-О,125-118 Ом±1% 1
R18 » ОМЛТ-О,125-8,87 кОм ± 1 % 1
R19 ОМЛТ-О,125-105 Ом±1% 1
R20 » ОМЛТ-О,25-1,5 кОм±10% 1
R21 » СП5-2-0,25-10 кОм±Ю% 1
R22 ОМЛТ-О,25-8,2 кОм±Ю% 1
R23 ОМ Л Т-0,25-820 Ом±5% 1
R24 > СП5-2-0,25-22 кОм±Ю% 1
R25 » ОМЛТ-0,25-1,3 кОм±Ю% 1
R26 ОМЛТ-0,25-82 кОм±Ю% 1
R27 ОМЛТ-0,25-56 кОм±Ю% 1
R28 ОМЛТ-0,25-56 Ом±Ю% 1
R29
R30
Cl
C2-
C4
C5
C6
G7
C8
C9
CIO
Д1
T1
T2, T3
Л1
LI
У4
R1
R2
± R3
4.777.665
5.172.253
Резистор ОМЛТ-0,25-560 Ом ±10%
> ОМЛТ-0,25-56 Ом±Ю%
Конденсатор K50-6-I-6B-50 мкФ-БИ
> К40У-9-200-6800 пФ±10%
> К73П-3-160-0,5 мкФ±10%
> K50-6-I-6B-50 мкФ-БИ
> K50-6-I-15B-20 мкФ-БИ
» K50-6-I-15B-50 мкФ-БИ
> K50-6-I-15B-20 мкФ-БИ
> КМ-56-М750-220 пФ±10%
> КМ-5б-Н90-0,015 мкФ
Диод полупроводниковый Д18
Транзистор 2Т603Б
> 2Т325Б
Лампа СМН12-5
Катушка индуктивности Б22 _______
Аттенюатор выносной
Резистор 02-10-0,25-374 Ом±1%
> 02-10-0,25-63,4 Ом±1%
> 02-10-0,25-249 Ом±1%,
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
1
J.
1
1
1
1
й Поз. обознач. Обозначение Наименование Количество Примечание
R4 Резистор С2-10-0,25-92 Ом±1% 1
R5 » £2-10-0,25-7,06 Ом±1% 1
R6 • > С2-10-0,25-61,2 Ом±1% 1
У4- Ш1ч-Ш4 Розетка приборная СР-50-73Ф 4
Генератор задающий 2.211.002
R1* Резистор ОМЛТ-0,125-180 Ом±Ю% 1 82^-200 Ом
R2* » ОМЛТ-0,125-180 Ом±Ю% 1 824-200 Ом
R3* » ОМЛТ-0,125-180 Ом±Ю% 1 824-200 Ом
R4* » ОМЛТ-0,125-150 Ом±Ю% 1 824-200 Ом
R5* » ОМЛТ-0,125-150 Ом±Ю% 1 82—200 Ом
R6* » ОМЛТ-0,125-150 Ом±Ю% 1 82—200 Ом
R7* » ОМЛТ-0,125-180 Ом±Ю% 1 82—200 Ом
R8* » ОМЛТ-0,125-100 Ом±Ю% 1 564-120 Ом
R9* » ОМЛТ-0,125-24 Ом±Ю% 1 124-33 Ом
R10* > ОМЛТ-0,125-24 Ом±Ю% 1 124-33 Ом
R11* » ОМЛТ-0,125-24 Ом±Ю% 1 124-33 Ом
R12*
R13*
R14*
R15*
R16*
Cl
C2
C3
C4
C5
C6
C7
C8
C9
CIO
СП
C12
С13»
C14*
Резистор ОМЛТ-О, 12-15 Ом±Ю%
» ОМЛТ-О, 125-12 Ом±Ю%
» ОМЛТ-О,125-24 Ом±Ю°/о
» ОМЛТ-О, 125-10 Ом±Ю°/о
- » ОМЛТ-О,125-15 Ом±10%
Конденсатор КМ-5б-Н30-0,015 мкФ±20%
» КМ-5б-Н30-0,01 мкФ ±20 %
» КМ-56-Н30-6800 пФ±20%
> КМ-56-М1500-2200 пФ±20%
> КМ-56-М750-820 пФ±20%
» КМ-56-М47-430 пФ±20%
» КМ-56-М47-270 пФ ±20 %
» КМ-56-М47-91 пФ±20%
» КД-1-М75-18 пФ±10%
> КМ-56-М750-470 пФ±20%
> КД-1-М75-18 пФ±10%
> КМ-56-М47-82 пФ±20%
> КД-1-М75-20 пФ ±10%
» КД-1-М75-24 пФ±|5%
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
Ю-г-24 Ом
10-^24 Ом
12—33 Ом
104-24 Ом
104-24 Ом
18—30 жФ
18-J-47 пФ
Поз. обознач. Обозначение Наименование Количество Примечание
С15* Конденсатор КД-1-М75-24 пФ ±5 % 1 18-47 пФ
С16* » КД-1-М47-3.9 пФ±10%-3 1 3,9-ИЗ пФ
С17* > КД-1-М47-4,7 пФ±Ю% 1 3,94-10 пФ
С18* » КД-1-М47-5.1 пф±10%-3 1 5,14-15 пф
С19* » КД-1-М75-10 пФ±10%-3 1 8,24-20 пФ
С20* » КД-1-М75-20 пФ±10% 1 184-30 пФ
С21 Конденсатор переменной емкости 6-5-230 пФ 1 Входит в 4.656.136
С22-С25 Конденсатор КТП-1А6-Н70-1500 пф+^% 4
С26-С29 » K50-6-I-15-20 мкФ-БИ 4
СЗО, С31 » КД-1-М75-30 пФ-5% 2
L1 4.777.125-01 Катушка индуктивности 1
L2 > » 1
L3 4.777.125-02 » » 1
L4 —>—. » » 1
L5 4.777.125-03 1
L6 -—»— > » 1
L7 4.777.125-04 » > 1
L8
L9
LIO
Lil
L12
L13
L14
L15
L16
Bl
4.777.125-04
4.777.125-05
4.777.125-06
4.777.125-07
4.777.125-08
Др1-
Дрз
Ш1
R1
R2
S
R3
Cl
C2
Катушка индуктивности
> »
» »
» »
> >
Переключатель П2К
Исполнение по карте заказа 3.600.243
Дроссель высокочастотный ДМ-0,1 -450±5%
Розетка приборная СР-50-112Ф
Плата 3.660.042
Резистор ОМЛТ-0,125-6,8 кОм ±10%
> ОМЛТ-0,125-39 кОм±Ю%
> ОМЛТ-0,125-15 кОм ±10%
Конденсатор КМ-5б-Н90-0,033 мкФ
КМ-56-Н90-0,! мкФ
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
3
1
1
1
1
1
1
& 1 Поз. обозиач. Обозначение Наименование Количество! Примечание
СЗ Конденсатор КМ-56-Н90-0,! мкФ 1
Т1 Транзистор 1Т311Д 1
Блок усилителей 2.030.031
R1* Резистор ОМЛТ-0,125-3,9 кОм±Ю% 1 2,44-7,5 кОм
С1н-С3 Конденсатор КТП-1Аа-Н70-1500 пФ 3
С4 » КО-16-М1500-150 пФ±20% 1
С5-нС8 » K50-6-I-15-20 мкФ 4
С9 » КО-2а-М1300-220 пФ±20% 1
C10-J-C12 » КТП-1Аа-Н70-1500 пф+^% 3
С13-^-С16 » K50-6-I-15-20 мкФ-БИ 4
С17 » КО-2а-М1300-220 пФ ±20% 1
С18-С20 » КТП-1Аа-Н70-1500 пф+эд% 3
С21, С22 » БМ-2-200-4700 пФ±10% 2
С23 » КО-2а-М1300-220 пФ ±20% 1
С24-С26 » КТП-1Аа-Н70-1500 пф+эд* 3
С27-нС30 » K50-6-I-15-20 мкФ-БИ 4
С31ч-С34 » КТП-1Аа-Н70-1500 пф+^о* 4
Др1 + Дрз Дроссель высокочастотный ДМ-1,2-30±5% 3
Др4ч- Дрб » > ДМ-0,1-450±5% 3
Др7- Др9 5.7ТТ.148 Дроссель 3
ДрЮ+ Др12 Дроссель высокочастотный ДМ-1,2-30±б% 3
ШЗ Розетка приборная СР-50-112Ф 1
Плата 3.660.049-01
R1* Резистор ОМЛТ-0,125-39 Ом±Ю% 1 22-Т-220 Ом
R2 » ОМЛТ-0,125-56 Ом±10% 1
R3 » ОМЛТ-0,125-130 кОм±Ю% 1
R4* » ОМЛТ-0,125-510 Ом±Ю% 1 510 Ом -г-1,5 кОм
R5 > ОМЛТ-0,125-12 кОм± 10% 1
R6 » ОМЛТ-0,125-120 Ом±Ю% 1
R7 » ОМЛТ-0,125-12 кОм±Ю% 1
R8 > ОМЛТ-0,125-1,5 кОм±Ю% 1
R9 » ОМЛТ-0,125-330 Ом±Ю% 1
R10 > ОМЛТ-0,125-100 Ом±Ю% 1
•К С1 Конденсатор K50-6-I-15-20 мкФ-БИ 1
s Поз. обознач. Обозначение Наименование Количество Примечание
С2 Конденсатор КМ-5б-Н90-0,1 мкФ 1
СЗ » КМ-56-Н90-0.1 мкф+®0% 1
С4 » K50-6-I-6-50 мкФ-БИ 1
С5 » K50-6-I-15-20 мкФ-БИ 1
С6 » КМ-56-Н90-0.01Б мкФ±20% 1
С 7 » КМ-56-Н90-0.015 мкФ+20% 1
CS » КМ-56-М75-150 пФ±20% 1
С9* > КМ-56-М75-150 пФ±20% 1 Может отсутствовать
100-5-220 пФ
СЮ > КД1-М47-10 пФ±10%-3 1
Д1 Диод полупроводниковый Д18 1
Др! Дроссель высокочастотный ДМ-0,1-450+5% 1
Др2 5777Д51 Дроссель 1
Tl, Т2 Транзистор 1Т313А 2
ТЗ > 1Т311Г 1
Плата 3.660.044
R1 Резистор ОМЛТ-0,125-4,7 кОм±Ю% 1
R2 > ОМЛТ-0,125 1 кОм ±10% 1
R3
R4
R5
R6
R7
R8
R9
RIO
RU
R12
R13, R14
R15
Cl
C2
C3, C4
C5
C6, C7
C8
C9 ’
Резистор ОМЛТ-О,125-330 Ом±Ю%
> ОМЛТ-О,125-100 Ом±Ю%
» ОМЛТ-О,125-22 Ом±Ю%
» ОМЛТ-О,125-4,7 кОм±Ю%
» ОМЛТ-О,125-1 кОм±Ю%
> ОМЛТ-О,125-330 Ом±Ю%
» ОМЛТ-О,125-100 Ом±Ю%
> ОМЛТ-0,125-56 Ом±Ю%
> ОМЛТ-О,125-3,9 кОм±Ю%
» ОМЛТ-0,125-820 Ом±Ю%
» ОМЛТ-0,25-33 Ом±5°/о
» ОМЛТ-0,25-120 Ом±Ю%
Конденсатор K50-6-I-15-20 мкФ-БИ
> КМ-56-М75-220 пФ±20%
> КМ-56-Н90-0Д мкФ ^20 %
> КМ-56-М75-220 пФ±20%
> КМ-56-Н90-0.1 мкф+^%
» К50-6-Ы5-20 мкФ-БИ
> КМ-56-Н90-0Д мкФ
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
1
1
1
2
1
2
1
1
Поз. обознач. Обозначение Наименование Количестве Примечание
СП Конденсатор КМ-56-Н90-0Д мкФ^2^% 1
др1 Дроссель высокочастотный ДМ-0,1-450±5 % 1
Т1—Т2 Транзистор 1Т311К 2
та-Т4 » 2Т325Б 2
Плата 3.660.045
R1 Резистор ОМЛТ-0,125-4,7 кОм±10% 1
R2 » ОМЛТ-0,125-1 кОм±Ю% 1
R3 » ОМЛТ-0,125-330 Ом±Ю% 1
R4 » ОМЛТ-0,125-100 Ом±Ю% 1
R5* » ОМЛТ-0,125-39 Ом±Ю% 1 ЗЗ-г-47 Ом
R6 » МЛТ-0,125-4,7 кОм±Ю% 1
R7 » МЛТ-0,125-1 кОм±Ю% 1
R8 » МЛТ-0,125-330 Ом±Ю% 1
R9 » МЛТ-0,125-100 Ом±Ю% 1
R10* > МЛТ-0,125-56 Ом±Ю% 1 47ч-68 Ом
R11 » МЛТ-0,125-3 кОм±10% 1
R12* » МЛТ-0,125-390 Ом±Ю% 1 330-г-1,0 кОм
R13, R14
R15
R16
Cl
C2
СЗ, C4
C5
C6, C7
C8
C9
CIO
CH
Д1
ДР1
Др2
T1-T2
ТЗ—T4
R1
21 R2
Резистор МЛТ-0,25-33 Ом±5%
> МЛТ-0,125-51 Ом±10%
> МЛТ-0,25-100 Ом±Ю%
Конденсатор K50-6-I-15-20 мкФ-БИ
> КМ-56-М75-220 пФ±20%
> КМ-56-Н90-0.1 мкФ ^20*
> КМ-56-М75-220 пФ ±20%
> КМ-56-Н90-0.1 мкФ^20*
> K50-6-I-5-20 мкФ-БИ
> КМ-5б-Н90-0,1 мкФ +20%
» K50-6-I-15-20 мкФ-БИ
> КМ-56-М750-1000 пФ±10%
Диод полупроводниковый Д18
Дроссель высокочастотный ДМ-0,1-450±5%
> > Д3-0,1-430±5%
Транзистор 1Т311К
> 2Т325Б
Плата 3.661.752-01
Резистор ОМЛТ-0,5-1,8 кОм±Ю%
> ОМЛТ-0,5-100 Ом±Ю%
2
1
1
1
1
2
1
2
1
1
1
1
1
1
1
2
2
1
1
1
So ГГоЕк обознач. Обозначение Наименование О и 3* S о Примечание
R4 Резистор ОМЛТ-О,5-820 Ом±Ю% ,1
R& » СП5-23-0,25-680 Ом ± 10 % 1
R& » ОМЛТ-О,5-560 Ом±Ю% 1
R7 > ОМЛТ-О,5-1,8 кОм±Ю% 1
R8 > ОМЛТ-О,5-100 Ом±Ю% 1
RO > ОМЛТ-0,5-5,6 кОм±Ю% 1
RIO > ОМЛТ-0,5-820 Ом±Ю% 1
Rll » 015-12-0,25-680 Ом±Ю% 1
R12 » ОМЛТ-0,5-560 Ом±10% 1
Cl Конденсатор K50-6-II-25B-200 мкФ-БИ 1
C2 » К40У-9-200В-0.01 мкФ ±10% 1
C3 > К50-6-П-25В-200 мкФ-БИ 1
C4 » K50-6-II-25B-500 мкФ-БИ 1
C5 » К40У-9-200В-0.01 мкФ ±10% 1
C6 » K50-6-II-25B-200 мкФ-БИ 1
Д1» Д2 Диод полупроводниковый Д237Б 2
Д3н-Д5 > » Д814А 3
Д6, Д7
Д8-Д10
Tl
Т2
ТЗ
Т4
Т5, Тб
R1
R2
R3
R4
R7
R8
R9
R10
С2
СЗ
82
С4
Диод полупроводниковый Д237Б
> » Д814А
Транзистор МП 10
> 1Т403Б
> МП15
» МШО
> МП15
Плата 3.661.873
Резистор ОМЛТ-0,125-56 кОм±Ю%
> ОМЛТ-0,125-1,2 кОм±Ю%
> ОМЛТ-0,125-510 Ом±5%
» ОМЛТ-0,125-390 Ом±Ю%
> ОМЛТ-0,125-100 Ом±Ю%
> ОМЛТ-0,125-390 Ом±Ю%
> ОМЛТ;-0,125-22 кОм±Ю%
> ОМЛТ-0,125-22 кОм±Ю%
Конденсатор K50-6-I-15-20 мкФ-БИ
> К5*0-6-1-6-100 мкФ-БИ
> K50-6-I-6-100 мкФ-БИ
2
3
1
1
1
1
2
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
Поз. обознач. Обозначение Наименование Количество! Примечание
дз Диод полупроводниковый Д18 1
Д1, Д2 » » 2С156А 2
Т2 Транзистор МП 15 1
MCI Микросхема 140УД1А 1
Плата 3.661.878
R1 Резистор СП5-2-0,25-680 Ом±Ю% 1
R2 > ОМЛТ-О,25-430 Ом±Ю% 1
R3 » ОМЛТ-О,25-2,2 кОм±Ю% 1
R4 » ОМЛТ-О,25-4,7 кОм±Ю% 1
R5 > ОМЛТ-О,25-1,5 кОм±Ю% 1
R6 > СП5-2-0,25-680 Ом 1
R7 Терморезистор ММТ-1-1,5 кОм ±10% 1 1
R8 Резистор ОМЛТ-О,25-2,2 кОм±Ю% 1
R9 Scanned by OpenreeV®'"»'’"1 » ОМЛТ-О,25-100 Ом±Ю% 1
Таблица 5
Намоточные данные силового трансформатора
Номер выводов Тип провода Диаметр провода, мм Число витков Напряжение под нагрузкой, В
1-2 ПЭВ-2 0,2 860 НО
3—4 ПЭВ-2 0,2 860 НО
11—12 ПЭВ-2 0,41 137 16
12—13 ПЭВ-2 0,41 137 16
21—22 ПЭВ-2 0,2 120 14
22—23 ПЭВ-2 0,2 120 14
31 Экран
Магнитопровод ШЛ 16X25.
Намоточные данные дросселей
Обозначение Данные обмотки Сердечник
тип провода- диаметр тип намотки число витков индук- тивность
5.777.148 5.777.151 ПЭВ-2 0,2 мм ПЭВ-2 0,23 мм Внавал Рядовая 135 30 7,5 мГн ±10 % 500 мкГн±10% МЮООНН-З К10Х6Х5 МЮООНН-З К10Х6Х5
Намоточные данные катушки индуктивности 4.777.665
Выводы Тип и диаметр провода Количество витков Тип намотки Индуктив- ность, мкГн Сердечник
1—4 ПЭВ-2 105 Внавал 150 ± 5 % Чашка М2000Н MI-
1—5 0,2 мм 250 Внавал 700 ±5% -16, Б22
1—8 400 Внавал 1640 ±5%
57
Таблица 6
Намоточные данные катушек индуктивностей
Обозна- чение катушки Номер выводов Номер секций Кол-во витков в секции Общее число витков Диаметр провода Частот , МГц Марки- ровка
L1 3 30 30 0,18 0,1-0,2 125-1
L2 1—2 1 20
2-3 2—8 по 200 0,12
1—3 1-8 1420
L3 3 20 20 0,23
L4 1-2 1 14 0,2-Н), 4 125-2
2-3 2—8 по 100
1-3 1—8 714 0,12
L5 3 10 10 0,23
L6 1—2 1 8
2—3 2—8 по 50 0,4—0,8 125-3
1-3 1-8 358 0,12
L7 3 4 4 0,23
L8 1-2 1 5 0,8-н2,0 125—4
2-3 2—8 по 27
1—3 1-8 194 0,12
L9 3 2 2 0,23
L10 1-2 1 3 2,0+5,0 125—5
2—3 2-8 по 11
1-3 1-8 73 0,23
L11 3 1 1 0,23
L12 1—2 1 1 5,0—12,5 125—6
2-3 2—8 по 4
1-3 1—8 29 0,31
L13 2 1 1 0,55
L14 1-3 1—6 по 2 12,5^-24,0 125-7
1—3 1-6 12 0,55
L15 2 1 1 0,55
L16 1-3 1—4 по 1 24,0+50,0 125—8
1—3 1-4 4 0,55
58
ТАБЛИЦЫ РЕЖИМОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
Плата модулятора 3.660.049-01
Таблица 7
Позиции триодов по схеме Тип триода Наименование выводов и режим, В
К Э Б
Т1 IT 313А —11 (О-- —0,2) —(0,30ч- —0,5)
Т2 IT 313А -11 + (0,35^ 0,1) (0-5—0,2)
ТЗ 1Т 311Г + 12,2 0 +(0,35 ч-0,1)
Платы усилителей 3.660.044, 045
Таблица 8
Позиции триодов по схеме Тип триода Наименование выводов и режим, В
К э Б
Т1 1Т 311К +6,0 + 1,75 +2,10
Т2 1Т ЗНК + 6,0 + 1,75 +2,10
ТЗ 2Т 325Б + (5.0ч-+7.4) Т(0,68 -+1,5) +(0,70 ч-2)
Т4 2Т 325Б 4(5,Оч 7,4) + (0,68-1,5) +(0,70ч-2,0)
Плата задающего генератора 3.660.042
Таблица 9
Позиции триодов по схеме Тип триода Наименование выводов и режим, В
К 1 э Б
Т1 1Т 311Д — (0,3-5-1) -9 -8,4
Генератор звуковой частоты Таблица 10
Позиции триодов по схеме Тип триода Наименование выводов и режим, В
К э 1 1 Б
Т1 2Т 603 Б + 11,5 + 10,2 +10,5
Т2 2Т 603 Б + 11,5 + 8,5 +9,0
ТЗ 2Т 603 Б + 11,5 + 8,0 + 8,5
59
Таблица 11
Плата усилителя постоянного тока
Позиции триодов по схеме Тип триода Наименование выводов и режим, В
К Э Б
Т2 МП 15 —12,6 -(0,2 ч 0,7) —(0,2^1)
Блок питания
Таблица 12
Позиции триодов по схеме Тип триода Наименование выводов и режим, В
К Э Б
Т1 П214А 6,45 0 -0,24
Т1 МП10 —12,6 —16,8 -16,5
Т2 1Т403Б -16,7 -12,6 -12,6
ТЗ МП15 —12,6 —7,7 —7,8
Т4 МП10 -0,42 —6,1 —5,8
Т5 МП15 —6,45 -0,24 —0,42
Тб МП15 -0,42 +4,7 +4,6
Примечание. Все напряжения, указанные в таблице, измеряются при-
бором ВК7-15 относительно корпуса в режиме непрерывной генерации (НГ) и мо-
гут отличаться от указанных в таблице на ±20%.
Таблица 13
КАРТА НАПРЯЖЕНИЙ В КОНТРОЛЬНЫХ ТОЧКАХ ПРИБОРА Г4-102А
Наименование блока или узла Контрольные точки и напряжения, В
Генератор задающий С22 —12,6В
Блок усилителей С1 4-12,6 В С12 —12,6 В С20 1 кГц 1,5 В С26 + 12,6 В С31 ч-(0,01ч- -4-0,45) В С32 4-12,6 В СЗЗ । —12,6 В С34 4-(0,1-4-1) В
Генератор звуковой частоты контакт 15 1 кГц 1,5 В контакт 2 4-0,12 В контакт 16 + 12,6 В
Блок питания контакт 12 4-12,6 В контакт 14 —12,6 В Тр1 контакт 1-2, 3—4
Общая панель прибора В4 (2) 4-0,2 В6,7 (2к) 4-12,6 В R5 средний вывод регули- руется от4-12,6 до4-1,3 В