УСИЛИТЕЛЬ ИОДНЫЙ «Степь-103» (8УП1-100-103) Паспорт Д22.032.024ПС
12. ПЕРЕЧЕНЬ ЭЛЕМЕНТОВ К ПРИНЦИПИАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ СХЕМЕ УСИЛИТЕЛЯ
Поз. обозначение	Наименование	Кол.	Примечание
	УСИЛИТЕЛЬ		
	. ПРЕДВАРИТЕЛЬНЫЙ	1 ‘	AI
	Конденсаторы К10-7В ОЖ0.460.208ТУ Конденсаторы К22-5 ОЖ0.464.115ТУ Конденсаторы К50-35 ОЖ0.464.214ТУ Конденсаторы К73-17 ОЖ0.461Л04ТУ		
С1...С4	К50-35-6.3 В-100мкФ-В	4	
С5...С7	К50-35-160 ВЛмкФ.В	3	
С8...С12	К50 35-25 В-22мкФ-В	5	
/ С15 С17	К50-35-160 ВЛмкФ-В К73-17-250 В-0,15мкФ*10%	2 1	Последовательно
С18	К22-5-220пф±5%-М47	1	
С20, С21	-		
С24	К50-35-25 В-22мкФ-В	3	
С25	К10-7В-Н90-0,015мкФ	1	
С26, С29	К10-7В-Н90-0,047мкФ +5	2	•
С27	К50-35-25 В-22мкФ-В	1	
СЗО	К22-5Л 800пФ±5%-М47	1	
С32	К50-35-25 В-22мкФ-В	1	
СЗЗ	К10-7В -Н90-0,015мкФ	1	
С34	К22-5-1 ОООпФ ± 5 % -М47	1	
С35	К10-7В-М47-22пФ±10%	1	
С38	К22-5-1200пФ±5 % -М47	1	
С40 С41, С43,	К50-35-6.3 В-100мкФ-В	1	
С45	К10-7В-Н90-0,068м1{Ф +8°°о, -—ZU 70	3	
-J6S. обозначение	Наименование	Кол.	Примечание
С47	К22-5-820пФ±5 % -M47	1	
С50	К22-5-3300пФ±5% -М47	1	
С52	К22-5-15ОпФ±5°/о-М47	1	
С60	К50-35-25'В-1000мкФ	1	
cei	+80% КЮ-7 В-Н90-0,015мкФ	" —zu 70	1	
С62	КД0-7В-Н90-0,068мкФ •	/о	1	
	МИКРОСХЕМЫ		
DAI, DA2	К157УП1А 6К0.348.412-03ТУ	2	
ВАЗ, DA4	К548УН1А 6К0.348.417ТУ	2	
DA5	К157ХПЗ 6К0.348.709ТУ	1	
DA7	КР140УД708 6К0.348.095-04ТУ	1	
DA9	К547КП1Г 6К0.348.401ТУ	1	
DD1	К561ЛЕ5 6К0.348.457ТУ5	1	
HG1	Блок индикаторный вакуумный лю.		•
	минисцентный с горизонтальной оциф-		
	ровкой исполнение 1 ОД0.339.344ТУ	1	
	Резисторы С1-4 ГОСТ 25350-82		
	Резисторы СПЗ-23 ОЖ0.468.403ТУ		
	Резисторы С2-ЗЗН ОЖ0.467.173ТУ		
R1	С1-4-0,125-30кОм±5%-Б	I	
R2	С1 -4-0,125-1,5кОм±5 % -Б	1	
R3...R6	С1-4-0,125-30кОм±5%-Б	4	
R7	С1 -4-0,125-2,4кОм±5 % -Б	1	
R8	С1-4-0,125-2,7кОм±5%-Б	1	
R9	С1 -4-0,125-51 ОкОм±5% -Б	1	
R10...R13	С1-4-0,125-300кОм±5%.Б	4	
R14	С1-4-0,125-ЗЗОкОм±5 %-Б	1	
R15	С1-4-0,125-4,7кОм±5°/о-Б	1	
R16...R20	СПЗ-23и-п-0,05 Вт-ЗЗкОм-В-18-В	5	
R30	С1-4-0,125-2000м±5%-Б	1	
R32...R36	С1 -4-0,125-82кОм± 10 %-Б	5	
R37, R38	С1 -4-0,125-240кОм±5%-Б	2	
Поз. обозначение	Наименование	Кол. .	| Примечание
R46	С1-4-0,125-510кОм±5%-Б	1	
R48	С1 -4-0,125-ЗОкОм±5% -Б	1	
R50	С1 -4-0,125-6,2кОм±5 % -Б	1	
R51	С1-4-0,125.270кОм±5%-Б	1	
R53*	С1-4-0,125-1 МОм±5%-Б	1	820кОм...1,2МОм
R55	С1.4-0,125-ЗОООм±5% -Б	1	
R56	СПЗ-23к-п-0,05 Вт-ЗЗкОм-А-18-В	1	
R57	С1 -4-0,125-ЗЗкОм±5 % -В	1	
R58	С1 -4-0,125-3,ЗкОм±5 % -В	1	
R60	С1-4-0,125-ЮкОм±5%-В	1	
R62	СПЗ-23к-п-0,05 Вт-ЗЗкОм-А-18-В	1	
R64	С1-4-0,125-1кОм±5%-Б	1	
R65	С1-4-0,125-4,7кОм±5%-Б* ,	1	
R66	С1-4-0,125.820Ом±5%-Б	1	
R67	СПЗ-гЗк-п.О.Об Вт-ЗЗкОм-А-18-В	1	
R69	С1 -4-0,125-3,ЗкОм±5.% -Б	1	
R70	С1-4-0,125-300Ом±5%-Б	1	
R71	С1.4-0,125.30кОм±5%-Б	1	
R73*	С1 -4-0,125-4,7кОм±5 % -Б	1	3,9кОм...5,6кОм
R74	С1-4-0,125-1,1кОм±5%-Б	1	
R77	С1-4-0,125-68кОм±Ю%-Б	1	
R83	С1 -4-0,125-ЗОООм±5 %<-Б	1	
R85, R87, R91, R93	С1 -4-0,125-1 ООкОм±5 % -Б	4	
R94	С1 -4-0,125- ЮкОм±5 % -Б	1	
R97	С1-4-0,125-470м±10%-Б	1	
R98*	С1 -4-0,125-430кОм±5 % -Б	1	200к0м...510к0м
R100 -	С1-4-0,125-10кОм±5%-Б	1	
R101*	С1-4-0,125-130кОм±5%-Б	1	100к0м...200к0м
R102	С1 -4-0,125- ЮкОм±5 % -Б	1	
R103	С1 -4-0,125-22кОм±5 % -Б*	1	
R105*	С1 -4-0,Г25-7,5кОм±5% -Б	1	5,1кОм...15кОм 18кОм...ЗОкОм
R106*	С1-4-0,125-20кОм±5°/о-Б	1	
R107	,	С2-ЗЗН-0,25- 1кОм± 10 % -А-Д-В	1	
R108	С2-ЗЗН-1 -820Ом±5 %-А-Д-В	1	
R109	С2-ЗЗН-0,25-ЗкОм±5°/о-А.Д-В	1	
Поз. обозначение	Наименование	Кол.	Примечание
	Переключатели АГ0.360.306ТУ		
SA9, SA10	ПКн-61-Н2-1-3-15-6-б	2	
SA19	ПК?-61-Н2-1-ЗД5-6-ч	1	
	ДИОДЫ		
VD2, VD3	КД522Б дР3.362.029ТУ	2	
VD5	КС133Г аА0.336.162ТУ	1	
VD6	КС527 аА0.336.002ТУ	1	
VD7	Д814Б-1 аА0.336.207ТУ	1	
VD8	КС515Г ХЫ0.336.000ТУ	1	
VT1	Транзистор КПЗОЗБ Ц20.336.601ТУ	1	
Х1...Х9	Соединитель ОНЦ-ВГ-4-5/16-Р		
	ГОСТ 12368-78	9	
	УСИЛИТЕЛЬ ОКОНЕЧНЫЙ	1	АЗ
	Конденсаторы К10-7В ОЖ0.460.208ТУ		
	Конденсаторы К50-35 ОЖ0.464.214ТУ		
С4, С5	+80% КЮ-7В-Н90-0,015мкФ _20%	2	
cie, си	R50-35-63 В-47мкФ-В	2	
С12	-4-80 % К10-7В-Н90-0.068 _20%	1	
L1	Индуктивность Д27.767.002	1	•
	Резисторы С1-4 ГОСТ 25350-82		
л	Резисторы С2-ЗЗН ОЖ0.467.173ТУ		
R26	С1 -4-0,125-43кОм ± 5 % -Б	1	
R27, R28	С1-4-0,125-1кОм±Ю%-Б	2	
R29	С1 -4-0,125-43кОм ±5°/о-Б	1	
R30, R31	С1-4 0,125'-1кОм±Ю%-Б	2	
R32* R33*	С1-4-0,125-2000м±5%-Б	2	150Ом... 2700м
R34/R36	С2-ЗЗН-0,25-180м±5°/о-А-Д-В	2	
R35, R37	С2-ЗЗН-0,5-680м ± 10 %-А-Д-В	• 2	
R38, R39	Резистор Д27.714.009	2	0,2Ом±5%
R40	С2-ЗЗН-1 -4700м ±10% -А-Д-В	1	
+42	С1-40,125-100м± 10%-Б У	1	
Ио». обозначение	Наименование	Кол.	Примечание
	ДИОДЫ		
VD15, VD16	КД208А ТР3.362.082ТУ	2	
VD17, VD18	КД522Б дР3.362.029ТУ	2	
VD19, VD21	КД208А ТР3.362.082ТУ	3	
	ТРАНЗИСТОРЫ		
VT7, VT10	КТ503Е аА0.336.Г83ТУ	2	
VT8, VT9	КТ502Е аА0.336.182ТУ	2	•	
VT11	КТ851В аА0.336.511ТУ	1	
VT12	КТ850В аА0.336.510ТУ	1	
VT13, VT14	КТ808АМ аА0.336.240ТУ	2	
	усилитель ©Конечный		А4
	Конденсаторы К10-7В ОЖ0.460.208ТУ		
	Конденсаторы К50-35 ОЖ0.464.214ТУ		
	Конденсаторы К73-17.ОЖ0.461.Ю4ТУ		
Cl	К50-35-40 В-22мкФ-В	1	
сз	К10-7В-М1500-220пФ±10%	1	
сз	К73-17-250 В-0,68мкФ±10%-В	1	•
С4...С7	К10-7В-Н90-0,015мкФ	4	
С8	К10-7В-Н30-4700пФ±20%	1	
С9	К50-35-100 В-4,7мкФ-В	1	
С.10, СИ	К50-35-63 В-47мкФ-В	2	
С12	КЮ-7В-Н90-0,068мкФ	1	
С13	К50-35-63 В-22мкФ-В	1	
С14	К50-35-40 В-22мкФ-В	1	
	МИКРОСХЕМЫ		
DAI, DA2	КР140УД7О8 6К0.348.095-0.4ТУ	2	
L1	Индуктивность Д27.767.002.	1	
	Резисторы С1-4 ГОСТ 25350-82		
	Резисторы С2-ЗЗН ОЖО.467.173		•
Rl, R3	С1-4-0,125-10кОм±5%-Б	2	
R2	С1-4-0,125-82кОм±5%-Б	1	
Поз. обозначение.	Наименование	Кол.	Примечание
R4	С1-4-0,125-5ЮкОм±5%-Б	1	
R5	С1-4-0,125-1кОм±Ю%-Б	1	
R6, R7	С1-4-0,125-ЮкОм±5%-Б	2	
R8, R9	С2-ЗЗН-0,25-2,4кОм ±5% -А-Д-В	2.	
RIO, R11	С1-4-0,125-4300м±5%-Б	2	
R14	С1-4-0,125-39Ом±5%-Б	1	
R12, R13	С1 -4-0,125- ЮООм ± 10 %-Б	2	
R15	С2-ЗЗН-0,5-22кОм ± 10 % -А-Д-В	1	
R16	С1 -4-0,125-3,9кОм ± 5 % - Б	1	
R17	С1-4-0,125-1,6кОм±5%-Б	1	
R18	С1.4-0,125-820кОм±5%-Б	1	
R19, R20	С1-4-0,1.25-1кОм±Ю%-Б	2	
R21	С1-4-0,125-22кОм±Ю%-Б	I	
R-22, R23	С2-ЗЗН-0,5-22кОм ± 5 % - А-Д- В	2	
R24, R25	С1-4-0,125-1кОм±Ю%-В	2	
R26, R29	С1-4-0,125-43кОм ± 5 % -Б	2	
R27, R28	С1-4-0,125-1кОм±Ю%-В	4	
R30, R31			
R32*, R33*	С1-^0,125-2000м±5%-Б	2	1500м...2700м
R34, R36	С2-ЗЗН-0.25-18Ом ± 5 % - А-Д-В'	2	
R35, R37	С2-ЗЗН-0,5-68Ом ± 10 %-А-Д-В	2	
R38, R39	Резистор Д27.714.009	2	0,2
R40	С2-ЗЗН-1-470Ом± 10%-А-Д-В	1	
R41	С2-ЗЗН-1 -1 ООм ± 10 % -А-Д-В	1	
R42	С1-40,125-100м±10%-Б	1	
	ДИОДЫ		
VD1	КД522Б дР3.362.029ТУ	1	
VD2, VD3	КС515Г ХЫ0.336.000ТУ	2	
VD4...VD14	КД522Б ДР3.362.029ТУ ‘	11	
VD15, VD16	КД208А ТР3.362.082ТУ	2	
VD17, VD18	КД522Б дР3.362.029ТУ	2	
VD19, VD21	КД208А ТР3.362.082ТУ	3	
VD22	КД522Б дР3.362.029ТУ	1	
	ТРАНЗИСТОРЫ		
VT1	КТ503Е аА0.336.183ТУ	1	
VT2	КТ502Е аА0.336.182ТУ	I	
Поз. обозначение	Наименование	Кол.	Примечание
VT3	КТ361Е ФЫ0.336.201ТУ	1	
VT4	КТ315Е ЖК3.365.200ТУ	1	
VT5	КТ850В аА0.336.510ТУ	1	
VT6	КТ851В аА0.336.511ТУ	1	
VT7, YT10	КТ503Е аА0.336.183ТУ	2	
VT8„ VT9	КТ502Е. аА0.336.182ТУ	2	
VT11	КТ851В аАО.336.511ТУ	1	
VT12	КТ850В аА0.336.5ЮТУ	1	
VT13, VT14	КТ808АМ аА0.336.240ТУ	2	
	БЛОК ПИТАНИЯ	1	А2
	Конденсаторы К10-7В ОЖ0.460.208ТУ Конденсаторы К50-35 ОЖ0.464.214ТУ		•
С1...С4	К50-35-63 В-ЮООмкФ-В	4	
С5	К10-7В-Н90-0,068мкФ	1	
св...сп	К50-35-63 В-ЮООмкФ-В	6	
С12	К50-35-25 В-22мкФ-В	1	
С13, С14	К50-35-63 В-ЮООмкФ-В	2	
С15	К10-7В-1190-0,068м₽Ф	+8_°% /о	1	
С16...С27	К50-35-63 В-ЮООмкФ-В	12	1
DA1	Микросхема КР142ЕН2Б		
	6Д0.348.634-01ТУ	1	
	Резисторы С1-4 ГОСТ 25350-82 Резисторы С2-14 ОЖ0.467.151ТУ		
	Резисторы С2-ЗЗН ОЖ0.467.173ТУ		
R1	С2.33Н-2-270Ом ±10% -А-Д-В	1	
R2	С2-14-0,5-5,560м ± 1 % -В- 1,0-В	1	
R3	С1-4-0,125-2кОм±5%-Б	1	
R4	С1-4-0,125-47кОм±5% -Б	1	
R5*	.	С1-4-0,125-15кОм±5°/о-Б	1	11кОм...20кОм
R6	С1 -4-0,125-2,4кОм ± 5 % -Б	1	
Поз. обозначение	Наименование	Кол.	Примечание
А-1 А2 АЗ А4 FU1 - R1 КЗ SA1 Т1 SA6 Т2 VD1...VD4 XI ХЗ Х4 Х10...Х12 Х13 Х14, Х15 Х16	УСИЛИТЕЛЬ ПОЛНЫЙ Усилитель предварительный Д22.032.025	; Блок питания Д22.087.023 Усилитель оконечный Д22.032.026 Усилитель оконечный Д22.032.026-01 Вставка плавкая ВПБ-6-10 ОЖ0.481.021ТУ Резистор ПЭВ-10-100м±10% ГОСТ 6513-75 Резистор С1-4-0,125-2000м±5% ГОСТ 25350-82 Переключатель ПКн. 41-1-2 Ю60.360.076ТУ Трансформатор Д24.703.022 Тумблер ТШ-2 УС0.360.075 Трансформатор Д24.703.021 Диод КД213А аА0.336.176ТУ Вилка ВШ-2-04-6/220 ГОСТ 7396-76 Соединитель ОНп-КГ-22-11/15,5х7,7-Р51-22 (2, 4, 6, 8, 10, 12, 14, 16, 18, 20, 22) -6Р0.364.056ТУ Зажим малогабаритный ЗМП га0.483.000ТУ Зажим малогабаритный ЗМП га0.483.000ТУ Розетка РД1 га0.3б4.010ТУ Соединитель ОНЦ-ВН-1-2/16-Р ГОСТ 12368-78 Соединитель ОНЦ-ВГ-4-5/16-Р .ГОСТ 12368-78	1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 4 1 1 1 3 1 2 1	-
А1
S
Рис. 1. Усилитель полный. Схема электрическая принципиальная.
Рис- 2- Усилитель оконечный. Схема электрическая принципиальная.

Рис. о. Усилитель предварительный, к	Схема электрическая принципиальная.

Номер обмотки	Марка провода	Число щитков	Число слоев в обмотке	Вид -намотки
I	ПЭТВ-2 1,4 мм	60	2	рядовая^
II	ПЭТВ-2 1,4 мм	60	2	
III	ПЭТВ-2 0,63	460	7	
IV..	ПЭТВ-2 0,63	5	1	
Примечание; Расположения обмоток в порядке возрастания.
Рис. .5. Схема и данные намотки трансформатора силового.
Номер обмотки	Марка провода	Число слоёв в обмотке	Число витков в обмотке	Вйд намотки
I, III, V, VII, IX, XI XIII, XV	ПЭТВ-2 0,50 мм X	1	87	рядовая
II, IV, VI, VIII, X, XII, XIV	ПЭТВ-2 0,71 мм	1	54	
Xvi	ПЭТВ-2 0,50 мм	3	263	
Примечание. Расположения обмоток в порядке возрастания.
Рис. 6. Схема- и данные намотки трансформатора выходного
РЕЖИМЫ РАБОТЫ ТРАНЗИСТОРОВ
Примечания: 1. Напряжения измерены относительно корпуса усилителя при отсутствии сигнала на входе и напряжении питания 220 В ±2%.
2. Напряжения, отмеченные знаком*, не должны отличаться более чем на 5%, остальные —на 10%.
РЕЖИМЫ РАБОТЫ МИКРОСХЕМ
Таблица 2
Позиционное обозначение г			Постоянное напряжение		на выводах, В			L—		
	2	3	4 I 6	7	8		9	| 10 	i		11	14	17
Усилитель	( предварительный	\	+8,1* +6,8* 0	+0,6* +0,6* 0	—15*	+0,6* +0,6* “0,35	+8,1* +6,8* +7,0* +6,5* ' i—14 + 15* —8,7		+15* + 15 —14,9	+15,0	+ 15* + 15* 0	0
DA1 DA2 ВАЗ DA4 DA5, DA6 DA7, DA8 DD1										
Усилитель оконечный			•							
DA1 ' DA2 .	о о	0 • 0 .	—15* —14,5*	+0.35 л: 0,1	+15* +14,5*				•	Э
Примечания: 1. Напряжения измерены относительно корпуса усилителя при отсутствии сигнала на входе и напряжении питания 220 В±2%.
2. Напряжения, отмеченные знаком*, не должны отличаться более чем на
5%, остальные —на 10%.